(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の物理記憶ブロックを有する半導体記憶媒体を備える半導体記憶装置に用いられる早期警報方法であって、
前記複数の物理記憶ブロックの使用状況情報値を取得する工程と、
取得した前記使用状況情報値を、勾配値が含まれる所定の閾値と比較する工程と、
前記使用状況情報値が前記閾値に達すると、第一回の早期警報信号を送信するとともに、前記閾値に前記勾配値を追加して新たな閾値とし、前記使用状況情報値が前記新たな閾値に達すると、再び早期警報信号を送信すると共に、前記勾配値に前記新たな閾値を追加するように、比較した結果に基づいて早期警報信号を送信する工程と、
を備えており、
前記使用状況情報値は、前記物理記憶ブロックの平均既使用回数、最多既使用回数、前記物理記憶ブロックの総既使用回数の少なくとも一つを含むことを特徴とする早期警報方法。
【請求項２】
前記取得した使用状況情報値を表示する工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の早期警報方法。
【請求項３】
前記使用状況情報値は、Ave_T1/Max_T2、（Ave_T1+Flu_V）/Max_T2、Max_T1/Max_T2の少なくとも一つを含み、
Ave_T1が前記物理記憶ブロックの平均既使用回数を示し、
Max_T2が、前記物理記憶ブロックの最大使用可能回数を示し、
Flu_Vが使用回数の変動値を示し、
Max_T1が、既使用回数が最多の前記物理記憶ブロックの最大既使用回数を示すことを特徴とする請求項１に記載の早期警報方法。
【請求項４】
第一の早期警報値と第二の早期警報値を設定するためのプリセッティングモジュールと、使用状況情報値を前記第一の早期警報値と比較し、その比較した結果により警報を出力するための比較モジュールとが含まれるホストシステムと、
メモリユニットと、該メモリユニットの使用状況情報値を取得して前記ホストシステムに送信するコントロールユニットとが含まれる半導体記憶装置とを備え、
前記ホストシステムは、送信されてきた前記使用状況情報値により早期警報を行うように構成され、
前記ホストシステムは、前記ホストシステムが取得した使用状況情報値から前記半導体記憶装置の使用状況比率を計算する計算モジュールを更に備え、
前記比較モジュールは、前記使用状況比率と前記第二の早期警報値とを比較し、その比較した結果により警報を出力するように構成され、
前記第一の早期警報値は勾配値を含み、
前記比較モジュールは、前記使用状況情報値が前記第一の早期警報値になると早期警報信号を出力すると共に、前記勾配値を前記第一の早期警報値に追加して新たな第一の早期警報値とし、前記使用状況情報値が前記新たな第一の早期警報値になると、再び早期警報信号を出力すると共に、前記勾配値を前記新たな第一の早期警報値に追加するように構成される
ことを特徴とする早期警報システム。
【請求項５】
第一の早期警報値と第二の早期警報値を設定するためのプリセッティングモジュールと、使用状況情報値を前記第一の早期警報値と比較し、その比較した結果により警報を出力するための比較モジュールとが含まれるホストシステムと、
メモリユニットと、該メモリユニットの使用状況情報値を取得して前記ホストシステムに送信するコントロールユニットとが含まれる半導体記憶装置とを備え、
前記ホストシステムは、送信されてきた前記使用状況情報値により早期警報を行うように構成され、
前記ホストシステムは、前記ホストシステムが取得した使用状況情報値から前記半導体記憶装置の使用状況比率を計算する計算モジュールを更に備え、
前記比較モジュールは、前記使用状況比率と前記第二の早期警報値とを比較し、その比較した結果により警報を出力するように構成され、
前記第二の早期警報値は勾配値を含み、
前記比較モジュールは、前記使用状況比率が前記第二の早期警報値になると早期警報信号を出力すると共に、前記勾配値を前記第二の早期警報値に追加して新たな第二の早期警報値とし、前記使用状況比率が前記新たな第二の早期警報値になると再び早期警報信号を出力すると共に、前記勾配値を前記新たな第二の早期警報値に追加するように構成される
ことを特徴とする早期警報システム。
【請求項６】
前記メモリユニットは複数の物理記憶ブロックを備え、
前記使用状況情報値は、前記複数の物理記憶ブロックの平均既使用回数、或いは、前記複数の物理記憶ブロックのうち既使用回数が最多のものの既使用回数を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の早期警報システム。
【請求項７】
前記メモリユニットは複数の物理記憶ブロックを備え、
前記使用状況比率はAve_T1/Max_T2と、（Ave_T1+Flu_V）/Max_T2と、Max_T1/Max_T2とのいずれか一つを含み、
Ave_T1が前記物理記憶ブロックの平均既使用回数を示し、
Max_T2が、前記物理記憶ブロックの最大使用可能回数を示し、
Flu_Vが使用回数の変動値を示し、
Max_T1が、既使用回数が最多の前記物理記憶ブロックの最大既使用回数を示すことを特徴とする請求項４または５に記載の早期警報システム。
【請求項８】
データを記憶するための半導体記憶媒体と、
第一の早期警報値と第二の早期警報値を設定するためのプリセッティングモジュールと、使用状況情報値を前記第一の早期警報値と比較し、その比較した結果により警報を出力するための比較モジュールとが含まれており、前記半導体記憶媒体の使用状況情報値を取得するコントローラと、
コントローラによる制御の下で、取得した前記使用状況情報値により、早期警報を行う早期警報モジュールと、を備え、
前記コントローラは、前記比較した結果により、前記早期警報モジュールの早期警報を制御するように構成され、
前記コントローラは、前記使用状況情報値により、使用状況比率を計算する計算ユニットを備え、
前記比較モジュールは、前記使用状況比率と前記第二の早期警報値とを比較し、その比較した結果を前記コントローラに送信し、
前記コントローラは、前記比較した結果により、前記早期警報モジュールに対して警報を出力するように制御し、
前記第一の早期警報値は勾配値を含み、
前記コントローラは、前記使用状況情報値が前記第一の早期警報値になると、第一回の早期警報信号を送信すると共に、前記勾配値を前記第一の早期警報値に追加して新たな第一の早期警報値とし、前記使用状況情報値が前記新たな第一の早期警報値になると、再び早期警報信号を送信すると共に、前記勾配値を前記新たな第一の早期警報値に追加するように構成される
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
データを記憶するための半導体記憶媒体と、
第一の早期警報値と第二の早期警報値を設定するためのプリセッティングモジュールと、使用状況情報値を前記第一の早期警報値と比較し、その比較した結果により警報を出力するための比較モジュールとが含まれており、前記半導体記憶媒体の使用状況情報値を取得するコントローラと、
コントローラによる制御の下で、取得した前記使用状況情報値により、早期警報を行う早期警報モジュールと、を備え、
前記コントローラは、前記比較した結果により、前記早期警報モジュールの早期警報を制御するように構成され、
前記コントローラは、前記使用状況情報値により、使用状況比率を計算する計算ユニットを備え、
前記比較モジュールは、前記使用状況比率と前記第二の早期警報値とを比較し、その比較した結果を前記コントローラに送信し、
前記コントローラは、前記比較した結果により、前記早期警報モジュールに対して警報を出力するように制御し、
前記第二の早期警報値は勾配値を含み、
前記コントローラは、前記使用状況比率が前記第二の早期警報値になると、第一回の早期警報信号を送信すると共に、前記勾配値を前記第二の早期警報値に追加して新たな第二の早期警報値とし、前記使用状況比率が前記新たな第二の早期警報値になると、再び早期警報信号を送信すると共に、前記勾配値を前記新たな第二の早期警報値に追加するように構成される
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記半導体記憶媒体の使用状況情報値を表示する表示モジュールを更に備えることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記半導体記憶媒体は複数の物理記憶ブロックを備え、
前記使用状況情報値は、
前記物理記憶ブロックの平均既使用回数を示すAve_T1、
又は、
既使用回数が最多の前記物理記憶ブロックの最大既使用回数を示すMax_T1を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記半導体記憶媒体は、複数の物理記憶ブロックを備え、
前記使用状況比率は、Ave_T1/Max_T2と、（Ave_T1+Flu_V）/Max_T2と、Max_T1/Max_T2とのいずれか一つを含み、
Ave_T1が前記物理記憶ブロックの平均既使用回数を示し、
Max_T2が前記物理記憶ブロックの最大使用可能回数を示し、
Flu_Vが使用回数の変動値を示し、
Max_T1が、既使用回数が最多の前記物理記憶ブロックの最大既使用回数を示すことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体記憶媒体の管理方法およびシステム、並びに早期警報機能を備える半導体記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、通常のフラッシュディスク、フラッシュカード、携帯電話やディジタルカメラ等に使用される半導体記憶媒体などの記憶装置が広く使われている。技術とプロセスが進むにつれ、半導体記憶媒体は容量が向上すると共に、ストレージ密度も向上する。しかし、半導体記憶媒体の使用に伴い、その寿命が短くなる。即ち、その利用可能数が少なくなる。半導体記憶媒体の寿命は、半導体記憶媒体の最大寿命、半導体記憶媒体の平均寿命、閾値、および／または、半導体記憶媒体を構成する各物理ブロックの寿命を含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
フラッシュメモリなどの半導体記憶媒体を例にすると、一般的には、各ブロックの書き換え可能な回数は数千回だけであり、ひいては数百回、数十回だけの場合もある。この場合、ユーザは半導体記憶装置の寿命が何時来るか判らなければ、重要なデータが無くなってしまう恐れがある。そこで、ユーザに対して半導体記憶媒体の老化程度を知らせたり、寿命が来る前に情報提示または早期警報を出す方法が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、複数の物理記憶ブロックを有する半導体記憶媒体を備える半導体記憶装置に用いられる早期警報方法であって、
前記複数の物理記憶ブロックのそれぞれの使用状況情報値を取得する工程と、
取得した前記使用状況情報値を所定の閾値と比較する工程と、
前記比較した結果により、早期警報信号を送信する工程を含み、
前記使用状況情報値が、少なくとも前記複数の物理記憶ブロックの平均既使用回数又は、前記物理記憶ブロックの最多既使用回数を含む。
【０００５】
上記構成において、前記使用状況情報値は、Ave_T1/Max_T2、（Ave_T1+Flu_V）/Max_T2、Max_T1/Max_T2の少なくとも一つを含んでもいい。ここで、Ave_T1が前記物理記憶ブロックの平均既使用回数を示し、Max_T2が、前記物理記憶ブロックの最大使用可能回数を示し、Flu_Vが使用回数の変動値を示し、Max_T1が、既使用回数が最多の前記物理記憶ブロックの最大既使用回数を示す。
【０００６】
また、本発明の早期警報システムは、ホストシステムと、コントロールユニットとメモリユニットが含まれる半導体記憶装置とを備え、前記コントロールユニットは前記メモリユニットの使用状況情報値を取得して前記ホストシステムに送信するように構成され、前記ホストシステムは送信されてきた前記使用状況情報値により早期警報を行うように構成されることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の半導体記憶装置は、データを記憶するための半導体記憶媒体と、前記半導体記憶媒体の使用状況情報値を取得するコントローラと、コントローラによる制御の下で、取得した前記使用状況情報値により、早期警報を行う早期警報モジュールとを備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る早期警報システムを示す模式図である。
【図２】図１に示す早期警報システムにおけるホストシステムを示す模式図である。
【図３】本発明に係る使用状況早期警報機能を具備する半導体記憶装置を示す模式図である。
【図４】図３に示す半導体記憶装置におけるコントローラを示す模式図である。
【図５】本発明に係る半導体記憶装置に用いられる使用状況の早期警報方法を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、図面を用いて、本発明に係る早期警報機能を具備する半導体記憶装置と、半導体記憶装置に用いられる使用状況の早期警報システム及び早期警報方法とを説明する。
【００１０】
図１に示したように、半導体記憶装置に用いる使用状況の早期警報システム１０００はホストシステム１１と半導体記憶装置１２を備える。ホストシステム１１は、半導体記憶装置（たとえばフラッシュディスクなど）が設けられるコンピュータやサーバなどとされるが、半導体記憶装置１２にアクセス可能であれば、当該半導体記憶装置が設けられる装置とは別の装置であってもいい。
【００１１】
半導体記憶装置１２はコントローラ１２１と、メモリ１２２と半導体記憶媒体１２３を含む。メモリ１２２は、半導体記憶装置１２とホストシステム１１との間、また、半導体記憶装置１２におけるコントローラ１２１と半導体記憶媒体１２３との間で交換される情報を一時的に記憶するものである。半導体記憶媒体１２３は複数の物理記憶ブロック１２３−１、１２３−２．．．．１２３−ｎを含む。ホストシステム１１は、コントローラ１２１によって複数の物理記憶ブロック１２３−１、１２３−２．．．．１２３−ｎの使用状況情報を取得すると共に、当該取得した使用状況情報により、早期警報を行う。ここで、使用状況情報としては、例えば、物理記憶ブロック１２３−１、１２３−２．．．．１２３−ｎにおいて、各ブロックの既使用回数、最大使用可能回数、既使用回数が最大のブロックの既使用回数、複数のブロックの平均既使用回数と、使用回数変動値などが挙げられる。例えば、複数の物理記憶ブロックの平均使用回数が２５００の場合、「使用回数変動値」が２００と設定されると、各物理記憶ブロックの使用回数が大体２３００〜２７００となる。上記使用状況情報を取得するには、例えば、従来の「分散アルゴリズム」のような周知の方法で行うことができる。
【００１２】
具体的には、ホストシステム１１はSCSI、ATA、SATA、PCI、PCI Express、EMMC、LBA、TCP/IPなどのプロトコルを介して、コントローラ１２１に、半導体記憶媒体１２３の使用状況情報を取得するためのコマンドを送信する。コントローラ１２１は、前記コマンドを受信すると、半導体記憶媒体１２３から半導体記憶媒体１２３の使用状況情報を読み出して対応するプロトコルを介してホストシステム１１にフィードバックする。
【００１３】
半導体記憶装置の使用状況情報を取得する際、コントローラ１２１は、メモリ１２２に一時的に記憶された情報を、簡単にホストシステムにフィードバックすればよいが、半導体記憶媒体１２３自身に記憶される情報を、半導体記憶媒体１２３における相応な位置から読み出すことが必要となる。実際には、ホストシステム１１から論理アドレスのみをコントローラ１２１に送信する。コントローラ１２１は、受信した前記論理アドレスにより、半導体記憶媒体１２３で操作しようとする物理アドレスを見つける。そこで、コントローラ１２１は論理ブロックを介して半導体記憶媒体１２３の各物理記憶ブロックの使用状況を取得することが必要となる。通常、論理アドレスを物理アドレスに変換するために、論理ブロックのマッピングテーブルを作成することにより、各論理ブロックとそれに対応する物理ブロックとのマッピングを記録することができる。各論理ブロックは、それぞれ一つ又は複数の物理ブロックに対応する。論理ブロックのマッピングテーブルにおいて、前記物理ブロックのブロック番号と、最大使用可能回数と、既使用回数などが記録されている。論理ブロックのマッピングテーブルは、物理記憶ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎにおける任意位置に記憶されることができる。コントローラ１２１は、ホストシステム１２３から、論理ブロックにアクセスするコマンドを受信すると、半導体記憶媒体１２３から論理ブロックのマッピングテーブルを取得し、さらに、このマッピングテーブルにより、前記論理ブロックに対応する物理ブロック、最大使用可能回数及び既使用回数などの情報を取得することになる。
【００１４】
一つの具体例において、コントローラ１２１を介して、半導体記憶装置１２の各論理ブロックから少なくとも１バイトのデータを読み出すことにより、相応な論理ブロックのマッピングテーブルを取得し、さらに、相応な物理ブロックとこの物理ブロックの使用状況を取得する。上記のように、順次に全ての論理ブロックを読み出すことにより、これら論理ブロックに対応する物理ブロックの使用状況を取得する。
【００１５】
必ずしも全ての物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎが論理ブロックに対応するわけではない。一部の物理ブロックには特別な情報、例えば論理ブロックのマッピングテーブルを記録する必要がある。また、一部の物理ブロックは、読み書きの速度を向上するために、バッファリングブロックまたは交換ブロックとして使用される。
【００１６】
論理ブロックのマッピングテーブル等のマッピングが記録される物理ブロックに対し、直接にマッピングテーブルを読み出すことにより、前記物理ブロックの使用状況情報を取得できる。一部の半導体装置では、そのマッピングテーブルの情報は、例えば、半導体記憶装置の配置情報を記録する第一階層テーブル、装置における具体的論理領域の情報を記録する第二階層テーブル、論理領域における具体的論理ブロックの情報を記録する第三階層テーブル等、複数の階層テーブルを含む。このような複数の階層テーブルはツリー構造に構成される。この構造では、たとえば、第一階層テーブルから第二階層テーブルを確定し、第二階層テーブルから第三階層テーブルを確定することができる。各テーブルは、記録する各物理ブロック、前記各物理ブロックの使用可能回数と既使用回数が記録される。コントローラ１２１におけるファームウェアのプログラムによって、少なくとも第一階層テーブルを見つけ、このテーブルを読み取ることで以降の全ての第二階層テーブルを、さらに、全ての第三階層テーブルを見つける。これらのテーブルによって、これらマッピングテーブルの情報を記録する全ての物理ブロックの使用状況情報を取得できる。
【００１７】
上記の特定階層テーブルに、バッファリングブロックまたは交換ブロックとして使用される物理ブロックに対応する情報が記録されている。例えば、第一階層テーブルに、当該半導体記憶装置が有するバッファリングブロック或いは交換ブロックの数及び、それらに対応するブロック番号と、使用可能回数と、既使用回数とが記録されている。よって、上記の方式を利用し、相応なマッピングテーブルを介してこれらのブロック番号と、前記番号に対応する使用可能回数と既使用回数などの情報が得られる。
【００１８】
半導体記憶装置１２の配置情報は、物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎのいずれかにおける固定的な位置に記録されている。半導体記憶装置１２は、通電時に、コントローラ１２１のファームウェアのプログラムによってこれらのブロックを見つけ、相応な情報を読み出すことができる。このようなブロックは出荷後に消去や書き込みがされないため、対応する使用状況（即ち、使用可能回数）が０または１になる。
【００１９】
図２に示すように、ホストシステム１１はプリセッティングモジュール１１１と比較モジュール１１２を含む。プリセッティングモジュール１１１に早期警報値が設置される。比較モジュール１１２により、半導体装置の使用状況情報と早期警報値とを比較し、当該比較した結果に基づいて警報を出力する。例として、前記使用状況情報は、物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎの平均既使用回数を示すAve_T1、または、物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎの最大既使用回数を示すMax_T1であってもいい。また、使用状況情報は複数の物理記憶ブロックの総使用回数であってもよい。使用状況情報に対応する早期警報値がそれぞれ異なる。例えば、最大使用可能回数が５０００の半導体記憶装置１２３の場合、早期警報値が例えば４８００になる。具体的には、Ave_T1またはMax_T1が所定の早期警報値４８００を上回ると、比較モジュール１１２から警報信号が出力される。文字や、図面や、音声や、振動などのような人間の感覚で分かるものであっても良い。
【００２０】
また、ホストシステムは、読み出された半導体記憶装置の使用状況情報により、使用状況比率を計算する計算モジュール１１３を含むことができる。前記使用状況比率は、例えば、Ave_T1/Max_T2と、（Ave_T1+Flu_V）/Max_T2と、Max_T1/Max_T2のいずれか一つを含んでもいい。ここで、Ave_T1が、物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎの平均既使用回数を示し、Max_T2が、物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎの最大使用可能回数を示し、Flu_Vは使用回数変動値を示し、例えば、９６％であり、Max_T1は物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎの最大既使用回数を示す。比較モジュール１１２は、使用状況比率と早期警報値を比較する。その比較した結果、使用状況比率が警報値を上回ると、警報が行われる。
【００２１】
半導体記憶装置が相対的に老化すると、絶えなく警報が出されることでユーザの通常の使用に影響を及ぼすことを防ぐために、早期警報の使用状況値または早期警報の使用状況比率が早期警報の勾配値を具備させることができる。よって、今回の警報と次回の警報の間に早期警報の勾配値が設定される。ホストシステムにおいて早期警報の勾配値が設置できる。例えば、早期警報値を９６％とし、早期警報の勾配値を０．５％とすると、最初に早期警報値が９６％になると警報が出される。そして、早期警報値に早期警報勾配値が追加される。つまり、早期警報値が９６．５％になる。よって、早期警報値が９６％の場合、いったん警報が出されると、これ以上警報が出されない。次回の警報までは、早期警報値が９６．５％にならなければならない。
【００２２】
ホストシステム１１は半導体記憶装置１２の使用状況情報を取得すると、取得した使用状況情報を表示モジュール（図示されない）により表示させることもできる。
【００２３】
以上、説明の便宜を図るために、ホストシステム１１はプリセッティングモジュール１１１と、比較モジュール１１２と、計算モジュールと、表示モジュールとを備える構成とされているが、本発明の精神と範囲内において、本発明の目的を実現することができれば、上記モジュールは上記より多く設定する、あるいは、少なく設定することができる。例えば、ホストシステム１１において、比較モジュール１１２の早期警報の機能を実現するための早期警報モジュールを別途設置してもよい。
【００２４】
図３は本発明に係る早期警報機能を有する半導体記憶装置３０００を示す。図３に示すように、半導体記憶装置３０００は、コントローラ１２１’、メモリ１２２’、記憶ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎからなる半導体記憶媒体１２３’、及び早期警報モジュール１３０を含む。ここで、メモリ１２２’と半導体記憶媒体１２３’は、それぞれ、上記メモリ１２２と半導体記憶媒体１２３と同じであるため、その説明は省略する。
【００２５】
図４に示すように、コントローラ１２１’はプリセッティングユニット１２１１と比較ユニット１２１２を備える。プリセッティングユニット１２１１に早期警報値が設置される。比較ユニット１２１２は半導体記憶装置の使用状況情報と早期警報値を比較する。コントローラ１２１’は、定期的に、または、半導体記憶装置３０００に対する読み書き操作がされる度に、複数の物理記憶ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎの使用状況情報を取得すると共に、取得した情報を比較ユニット１２１２に送信する。比較ユニット１２１２は、比較を行い、比較の結果に基づいて早期警報モジュール１３０に対して早期警報を出すように制御する。
【００２６】
また、コントローラ１２１’は、読み出した半導体記憶装置の使用状況情報により、使用状況比率を計算する計算ユニット１２１３を備える。比較ユニット１２１２は、計算した使用状況比率と、前記プリセッティングユニット１２１１の所定値とを比較し、その比較した結果に従い、早期警報モジュール１３０に対して早期警報を出すように制御する。プリセッティングユニット１２１１と、比較ユニット１２１２と、計算ユニット１２１３はそれぞれ、第一実施形態におけるプリセッティングモジュール１１１と、比較モジュール１１２と、計算モジュール１２１３と同じ操作であるため、その詳細な説明を略する。
【００２７】
一つの実施例において、記憶装置は別途に表示モジュール（未図示）を含んでもいい。当該表示モジュールはユーザに対し、半導体記憶装置の使用状況（例えば、現在は記憶装置３０００に書き込むか、記憶装置３０００から読み出すかの状態を表示する）と前記使用状況値を直感的に表示する。上記記憶装置はモバイル通信端末、例えば、携帯電話やPDAなどでもよく、フラッシュディスクやSSDなどの半導体記憶装置でもよい。
【００２８】
以上は、半導体記憶装置３０００に設置される早期警報モジュール１３０を例として説明した。当該早期警報モジュールは、半導体記憶装置３０００と通信を行う他の装置、例えば、ホストに設置されてもよい。この場合は、比較ユニット１２１２が比較操作を完成した後、その比較した結果をホストに送信し、前記ホストが、受信した比較の結果に従い、早期警報を行い、または、その受信した比較の結果を直感的に表示できる。
【００２９】
次に、図５を参照して、本発明に係る半導体記憶装置の早期警報方法を説明する。前記半導体記憶装置は、例えば、前記半導体記憶システム１０００と半導体記憶装置３０００であればよい。次に、半導体記憶装置３０００を例として、半導体記憶装置の早期警報方法５０００を説明する。
【００３０】
図５に示すように、ステップ５０１で、例えば、半導体記憶装置３０００のコントローラ１２１’により、前記複数の物理ブロック１２３−１，１２３−２．．．．１２３−ｎにおける各ブロックの使用状況情報値を取得できる。ステップ５０２において、コントローラ１２１’は取得した使用状況情報値と所定の閾値とを比較し、その比較した結果に従い、ステップ５０３において、早期警報モジュール１３０が早期警報を送信するように制御する。必要に応じて、早期警報方法５０００は、ユーザに対し、取得した使用状況情報を表示するステップ５０４を含んでも良い。
【００３１】
一つの実施例において、前記使用状況情報値は少なくともAve_T1或いはMax_T1を含んでもいい。ここで、Ave_T1が複数の物理記憶ブロックの平均既使用回数を、Max_T1が前記複数の物理記憶ブロックの最大既使用回数を、それぞれ示す。また、前記使用状況情報値は、少なくともAve_T1/Max_T2と、（Ave_T1+Flu_V）/Max_T2と、Max_T1/Max_T2のいずれか一つを含んでもいい。ここで、Ave_T1が前記複数の物理記憶ブロックの平均既使用回数を、Max_T2が前記複数の物理記憶ブロックの最大使用可能回数を、Flu_Vが所定の閾値を、Max_T1が前記複数の物理記憶ブロックの最大既使用回数を、それぞれ示す。
【００３２】
以上では、半導体記憶装置３０００のみを例として、半導体記憶装置の早期警報方法５０００を説明したが、上記ステップ５０２−５０４は半導体記憶装置に接続するコンピュータシステムにおいて実現することも可能である。この場合、詳細は上記半導体記憶装置に関する説明を参照する。
【００３３】
また、上記のように、半導体記憶装置が相対的に老化すると継続的に警報を出すことでユーザの通常の使用に影響を及ぼすことを防ぐために、早期警報の使用状況値または早期警報の使用状況比率値に早期警報の勾配値を設定することができる。よって、今回の警報と次回の警報との間に早期警報の勾配値が設定される。この場合、前記ステップ５０３は、さらに、下記の工程を備えてもよい。即ち、使用状況情報値が閾値になると、第一回の早期警報を送信すると共に、勾配値を前記閾値に追加して新たな閾値とし、使用状況情報値が新たな閾値になると、再び早期警報を送信すると共に、勾配値を前記閾値に追加して新たな閾値とする。このような処理を繰り返す。
【００３４】
発明の詳細な説明の項においてなされた具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図１】
0005568083.tif 000002
【図２】
0005568083.tif 000003
【図３】
0005568083.tif 000004
【図４】
0005568083.tif 000005
【図５】
0005568083.tif 000006