(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
錘部と、支持部と、前記錘部の端を前記支持部に連結するとともに外部応力に応じて歪み変形が生じる梁部と、前記梁部に形成され前記外部応力を検出するピエゾ抵抗と、を備える加速度センサにおいて、
前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、複数の層からなり、
前記梁部は、複数の層の内の１つの層であるピエゾ形成層に前記ピエゾ抵抗が形成され、
前記錘部は、前記ピエゾ形成層と同じ層の前記梁部側の端が他の層の前記梁部側の端より前記梁部側へ延出した延出部を有する加速度センサ。
【請求項２】
前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、ＳＯＩ基板により形成され、
前記ピエゾ形成層は、前記ＳＯＩ基板の半導体薄膜層である、請求項１に記載の加速度センサ。
【請求項３】
前記延出部の延出長さは１０μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の加速度センサ。
【請求項４】
前記梁部は、前記錘部の両端を前記支持部に連結する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピエゾ抵抗を用いて外部応力を検出する加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エアバッグやカメラの手振れ防止機構などにおいて加速度を検出するために、加速度センサが用いられている。この種の加速度センサとして、例えばシリコンウエハを薄く加工して梁を形成すると共に、この梁の上にピエゾ抵抗を形成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。以下、特許文献１に開示されている加速度センサについて図１を基に説明する。【０００３】
図１（Ａ）は、特許文献１に示されている加速度センサ１を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。図２は、図１（Ａ）（Ｂ）に倣って作成した加速度センサ１のひな型を示す要部拡大斜視図である。加速度センサ１は、支持部１０と、梁部１１と、錘部１４とを備える。【０００４】
加速度センサ１は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板９０を用いて形成されている。このため、加速度センサ１は、表面側に位置する表面層９１と、該表面層９１の裏面側に設けられた裏面層をなす支持基板層９３と、表面層９１と支持基板層９３との間に位置する中間絶縁層９２とを備えている。支持部１０は、加速度センサ１の外周側に位置して例えば略四角形の枠状に形成されており、表面層９１、中間絶縁層９２、支持基板層９３によって形成されている。また、支持部１０の内側には、図１中の横方向の左側から右側に向けて梁部１１が突出して設けられている。【０００５】
梁部１１は、基端側が支持部１０に繋がり、先端側が錘部１４に繋がっている。また、梁部１１は、断面がＴ字形に形成されている。梁部１１は、表面層９１によって形成された平板部１２Ａと、支持基板層９３および中間絶縁層９２によって形成された橋脚部１２Ｂとからなる。【０００６】
錘部１４は、梁部１１の先端に繋がっており、支持部１０の内側に位置する。錘部１４は、表面層９１、中間絶縁層９２、支持基板層９３によって形成されている。また、錘部１４と支持部１０との間には、錘部１４を取囲む略Ｃ字状の溝１３が設けられている。これにより、錘部１４と支持部１０との間には隙間が形成され、錘部１４は、梁部１１によってＸ方向に変位可能に支持されている。４個のピエゾ抵抗Ｒが、梁部３１の上面に形成されている。４個のピエゾ抵抗Ｒは、検出回路を構成している。【０００７】
以上の構成において、加速度センサ１にＸ方向の加速度が作用すると、錘部１４に作用する慣性力（外部応力）によって梁部１１を中心として錘部１４が水平面内で揺動して梁部１１が歪み変形し、梁部１１上のピエゾ抵抗Ｒに応力が加わる。これにより、加速度による慣性力（外部応力）に応じてピエゾ抵抗Ｒの抵抗値が変化するため、ピエゾ抵抗Ｒを有する検出回路から出力される検出信号の電圧もピエゾ抵抗Ｒの抵抗値に応じて変化する。このため、ピエゾ抵抗Ｒを有する検出回路から出力される検出信号の電圧を用いてピエゾ抵抗Ｒの抵抗値を求めることができるため、これらの抵抗値を用いて加速度（慣性力）を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１６００６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１に示されている加速度センサ１は、衝撃が加わってＸ方向の加速度が作用した際に、梁部１１に応力が集中し易い構造となっている。そのため、加速度センサ１では、過度な衝撃が加わった場合や衝撃が繰り返し加わった場合などに、梁部１１が破損するおそれがあった。【００１０】
そこで、梁部１１の橋脚部１２Ｂの幅を太くし耐衝撃性を向上させる方法が考えられるが、この方法では、加速度センサ１の感度が低下したり、共振周波数が変化したりするという問題があった。【００１１】
したがって、本発明の目的は、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、耐衝撃性を向上させた加速度センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の加速度センサは、前記課題を解決するために以下の構成を備えている。【００１３】
（１）錘部と、支持部と、前記錘部の端を前記支持部に連結するとともに外部応力に応じて歪み変形が生じる梁部と、前記梁部に形成され前記外部応力を検出するピエゾ抵抗と、を備える加速度センサにおいて、
前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、複数の層からなり、
前記梁部は、複数の層の内の１つの層であるピエゾ形成層に前記ピエゾ抵抗が形成され、
前記錘部は、前記ピエゾ形成層と同じ層の前記梁部側の端が他の層の前記梁部側の端より前記梁部側へ延出した延出部を有する。【００１４】
この構成では錘部が延出部を有するため、衝撃が加わってＸ方向の加速度が作用した際に、応力が梁部と錘部の境界線から梁部側へ分散する。この構成では、実験により、耐衝撃性が特許文献１の加速度センサ１より向上することが明らかとなった。また、この構成では、実験により、センサの感度と共振周波数が特許文献１の加速度センサ１から変化していないことが明らかとなった。
従って、この構成によれば、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、加速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。【００１５】
（２）前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、ＳＯＩ基板により形成され、
前記ピエゾ形成層は、前記ＳＯＩ基板の半導体薄膜層である。【００１６】
（３）前記延出部の延出長さは１０μｍ以下であることが好ましい。【００１７】
（４）前記梁部は、前記錘部の両端を前記支持部に連結する。【００１８】
この構成では、所謂両持梁の加速度センサを想定している。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、加速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）は、特許文献１に示されている加速度センサ１を示す平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】図１（Ａ）（Ｂ）に倣って作成した加速度センサ１のひな型を示す要部拡大斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る加速度センサ３を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る加速度センサ３の検出回路７の回路図である。
【図５】本発明の実施形態に係る加速度センサ３を示す要部拡大斜視図である。
【図６】図６（Ａ）は、図５に示す矢印Ｐから見た梁部３１の側面図である。図６（Ｂ）は、図５に示す矢印Ｑから見た錘部３４の側面図である。図６（Ｃ）は、梁部３１および錘部３４の下面図である。
【図７】比較例である加速度センサ２を示す要部拡大斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は、各Ｍｏｄｅｌに対して１Ｇの加速度をＸ方向へ作用させたときに各Ｍｏｄｅｌにかかる応力と共振周波数とを有限要素法（ＦＥＭ：Ｆｉｎｉｔｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｍｅｔｈｏｄ）で算出した結果を示す図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すＭｏｄｅｌ１の算出結果を基準にして他のＭｏｄｅｌの算出結果を百分率で表わした図である。
【図９】図８（Ｂ）に示すエッジの位置と応力および共振周波数との関係を示すグラフである。
【図１０】図８（Ｂ）に示すエッジの位置と共振周波数との関係を示すグラフである。
【図１１】図１１（Ａ）は、Ｍｏｄｅｌ１において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。図１１（Ｂ）は、Ｍｏｄｅｌ２−２において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。図１１（Ｃ）は、Ｍｏｄｅｌ３−２において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。
【図１２】各Ｍｏｄｅｌに対して１Ｇの加速度をＸ方向へ作用させたときの梁部１１、２１、３１の表面上の各地点と各地点で生じる応力との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態に係る加速度センサについて、図を参照して説明する。加速度センサは、例えばエアバッグやカメラの手振れ防止機構などにおいて加速度を検出するために用いられている。
【００２２】
図３は、本発明の実施形態に係る加速度センサ３を示す斜視図である。図４は、本発明の実施形態に係る加速度センサ３の検出回路７の回路図である。図５は、本発明の実施形態に係る加速度センサ３を示す要部拡大斜視図である。図６（Ａ）は、図５に示す矢印Ｐから見た梁部３１の側面図である。図６（Ｂ）は、図５に示す矢印Ｑから見た錘部３４の側面図である。図６（Ｃ）は、梁部３１および錘部３４の下面図である。
【００２３】
加速度センサ３は、支持部３０と、梁部３１と、錘部３４とを備える。支持部３０及び梁部３１には、図４に示す検出回路７が形成されている。
【００２４】
加速度センサ３は、図３ないし図６に示すように、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板９０を用いて形成されている。このため、加速度センサ３は、表面側に位置する表面層９１と、該表面層９１の裏面側に設けられた裏面層をなす支持基板層９３と、表面層９１と支持基板層９３との間に位置する中間絶縁層９２とを備えている。このとき、表面層９１、支持基板層９３はいずれもシリコン材料を用いて形成され、中間絶縁層９２は例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）のような絶縁材料を用いて形成されている。すなわち、表面層９１は、ＳＯＩ基板９０の半導体薄膜層である。
【００２５】
支持部３０は、加速度センサ３の外周側に位置して例えば略四角形の枠状に形成されており、表面層９１、中間絶縁層９２、支持基板層９３によって形成されている。また、支持部３０の内側には、図３中の横方向（Ｙ方向）の手前側から奥側に向けて梁部３１が突出して設けられている。
【００２６】
梁部３１は、基端側が支持部３０に繋がり、先端側が錘部３４に繋がっている。また、梁部３１は、断面がＴ字形に形成されており、表面層９１によって形成された平板部３２Ａと、支持基板層９３および中間絶縁層９２によって形成された橋脚部３２Ｂとからなる。このため、梁部３１は、図３中の横方向（Ｘ方向）に容易に歪み変形する。
【００２７】
錘部３４は、梁部３１の先端に繋がっており、支持部３０の内側に位置する。錘部３４は、表面層９１、中間絶縁層９２、支持基板層９３によって形成されている。また、錘部３４と支持部３０との間には、錘部３４を取囲む略Ｃ字状の溝３３が設けられている。これにより、錘部３４と支持部３０との間には隙間が形成され、錘部３４は、梁部３１によってＸ方向に変位可能に支持されている。さらに、錘部３４は、表面層９１が支持基板層９３より梁部３１側へ延出した延出部３６を有する。
【００２８】
ここで、梁部３１と錘部３４の各部位の寸法は以下のとおりである（図６参照）。
・橋脚部３２Ｂの幅Ｘ１＝１０μｍ
・橋脚部３２Ｂの長さＹ１＝８０μｍ
・平板部３２Ａの幅Ｘ２＝５０μｍ
・錘部３４の下面の幅Ｘ３＝１５０μｍ
・錘部３４の下面の長さＹ３＝１５０μｍ。
【００２９】
検出回路７は、図３、図４に示すように、４個のピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、配線部７７と、４個の電極Ｐ１〜Ｐ４とからなる。この検出回路７は、支持部３０及び梁部３１の表面側に設けられ、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁膜によって覆われている。
【００３０】
ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、例えば梁部３１の上面に対してｐ型の不純物を拡散（ドープ）させることによって梁部３１の上面に形成される。すなわち、梁部３１を構成する表面層９１は、ピエゾ形成層である。また、ピエゾ抵抗Ｒ２，Ｒ４は直列接続されると共に、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３も直列接続されている。また、ピエゾ抵抗Ｒ２，Ｒ４の直列接続回路とピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３の直列接続回路とは互いに並列接続されている。これにより、検出回路７は、図４に示すホイートストンブリッジ回路を構成し、加速度センサ３の検出感度を高めている。
【００３１】
また、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３の直列接続回路は、一端側（抵抗Ｒ１側）が駆動電圧Ｖｄｄが供給される駆動電極Ｐ３に接続され、他端側（抵抗Ｒ３側）がグランド（ＧＮＤ）用のグランド電極Ｐ４に接続されている。ピエゾ抵抗Ｒ２，Ｒ４の直列接続回路は、一端側（抵抗Ｒ２側）が駆動電圧Ｖｄｄが供給される駆動電極Ｐ３に接続され、他端側（抵抗Ｒ４側）がグランド（ＧＮＤ）用のグランド電極Ｐ４に接続されている。さらに、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３間の接続点には第１の検出信号Ｖｏｕｔ１を出力する出力電極Ｐ１が接続され、ピエゾ抵抗Ｒ２，Ｒ４間の接続点には第２の検出信号Ｖｏｕｔ２を出力する出力電極Ｐ２が接続されている。
【００３２】
各電極Ｐ１〜Ｐ４は、例えば導電性金属材料を用いた電極パッドによって形成され、支持部３０の表面に設けられる。
【００３３】
配線部７７は、支持部３０及び梁部３１の表面側に設けられ、ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４間を接続すると共に、ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４と各電極Ｐ１〜Ｐ４との間を接続している。
なお、配線部７７は、ブリッジ回路のバランスをとるために、例えば線路長さ寸法を等しく形成し、互いの抵抗値が同じ値になるように形成するのが好ましい。
【００３４】
以上の構成において、加速度センサ３にＸ方向の加速度が作用すると、錘部３４に作用する慣性力（外部応力）によって梁部３１を中心として錘部３４が水平面内で揺動して梁部３１が歪み変形し、梁部３１上のピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４に応力が加わる。これにより、加速度による慣性力（外部応力）に応じてピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値が変化するため、出力電極Ｐ１，Ｐ２から出力される第１，第２の検出信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２の電圧もピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値に応じて変化する。このとき、出力電極Ｐ１，Ｐ２から出力される第１，第２の検出信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２の電圧を用いてピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を求めることができるため、出力電極Ｐ１，Ｐ２から出力される第１，第２の検出信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２を検出することによって、加速度（慣性力）を検出することができる。
【００３５】
次に、比較例である加速度センサ２について説明する。
図７は、加速度センサ２を示す要部拡大斜視図である。加速度センサ２が図５に示す加速度センサ３と相違する点は、錘部２４である。錘部２４は、延出部３６を有する錘部３４（図５参照）と逆に、表面層９１の梁部２１側の端が梁部２１と反対側へ支持基板層９３の梁部２１側の端より引っ込んだ形状となっている。
【００３６】
次に、加速度センサ３の耐衝撃性、センサの感度、及び共振周波数について加速度センサ１，２と比較しながら説明する。その際、加速度センサ１，２，３をそれぞれＭｏｄｅｌ１，２，３と表記して説明する。ここで、Ｍｏｄｅｌ１，２，３の相違点について纏めると、図２に示すＭｏｄｅｌ１の錘部１４は、表面層９１と支持基板層９３の梁部１１側の端が揃った形状であり、図７に示すＭｏｄｅｌ２の錘部２４は、表面層９１の梁部２１側の端が支持基板層９３の梁部２１側の端より引っ込んだ形状であり、図５に示すＭｏｄｅｌ３の錘部３４は、表面層９１の梁部３１側の端が支持基板層９３の梁部３１側の端より梁部３１側へ延出した延出部３６を有する形状である。そして、その他の構成については各Ｍｏｄｅｌとも同じである。
【００３７】
図８（Ａ）は、各Ｍｏｄｅｌに対して１Ｇの加速度をＸ方向へ作用させたときに各Ｍｏｄｅｌにかかる応力と共振周波数とを有限要素法（ＦＥＭ：Ｆｉｎｉｔｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｍｅｔｈｏｄ）で算出した結果を示す図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すＭｏｄｅｌ１の算出結果を基準にして他のＭｏｄｅｌの算出結果を百分率で表わした図である。図９は、図８（Ｂ）に示すエッジの位置と応力および共振周波数との関係を示すグラフである。図１０は、図８（Ｂ）に示すエッジの位置と共振周波数との関係を示すグラフである。ここで、図８（Ａ）（Ｂ）に示すＭｏｄｅｌ２−１は、表面層９１の梁部２１側の端が梁部２１と反対側へ支持基板層９３の梁部２１側の端より２．５μｍ引っ込んだ形状の加速度センサであり、Ｍｏｄｅｌ２−２は、表面層９１の梁部２１側の端が梁部２１と反対側へ支持基板層９３の梁部２１側の端より５μｍ引っ込んだ形状の加速度センサである。同様に、Ｍｏｄｅｌ３−１は、表面層９１の梁部３１側の端が支持基板層９３の梁部３１側の端より梁部３１側へ２．５μｍ延出した延出部３６を有する形状の加速度センサであり、Ｍｏｄｅｌ３−２は、表面層９１の梁部３１側の端が支持基板層９３の梁部３１側の端より梁部３１側へ５μｍ延出した延出部３６を有する形状の加速度センサであり、Ｍｏｄｅｌ３−３は、表面層９１の梁部３１側の端が支持基板層９３の梁部３１側の端より梁部３１側へ１０μｍ延出した延出部３６を有する形状の加速度センサである。また、図８（Ａ）（Ｂ）に示すσＭａｘは、１Ｇの加速度をＸ方向へ作用させたときにＭｏｄｅｌに生じる最大応力を示し、σbeamは、１Ｇの加速度をＸ方向へ作用させたときに梁部１１、２１、３１の表面にかかる応力を示し、Fr１〜３は、それぞれＭｏｄｅｌの共振周波数を示す。ここで、このσＭａｘは、耐衝撃性を示す値に相当し、σbeamは、センサの感度を示す値に相当する。
【００３８】
図８〜図１０に示す算出結果により、錘部３４において表面層９１の梁部３１側の端が支持基板層９３の梁部３１側の端より梁部３１側へ延出した延出部３６を有する形状のＭｏｄｅｌ３−１〜３−３において、σＭａｘ（耐衝撃性）が向上することが明らかとなった。特にＭｏｄｅｌ３−１は耐衝撃性に最も優れていることが明らかとなった。また、Ｍｏｄｅｌ３−１〜３−３では、センサの感度と共振周波数がＭｏｄｅｌ１から変化していないことが明らかとなった。
【００３９】
さらに、加速度センサ３の耐衝撃性について加速度センサ１，２と比較しながら詳述する。
図１１（Ａ）は、Ｍｏｄｅｌ１において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。図１１（Ｂ）は、Ｍｏｄｅｌ２−２において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。図１１（Ｃ）は、Ｍｏｄｅｌ３−２において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。ここで、図１１（Ａ）〜（Ｃ）で示される最大応力が生じる範囲は、ＦＥＭで算出することにより示している。
【００４０】
図１１（Ａ）に示すように、Ｍｏｄｅｌ１では、梁部１１と錘部１４の境界線に最大応力が集中している。また、図１１（Ｂ）に示すように、Ｍｏｄｅｌ２−２では、梁部２１と錘部２４の支持基板層９３のエッジとが交わる１点に最大応力が集中している。
しかし、図１１（Ｃ）に示すように、Ｍｏｄｅｌ３−２では、梁部３１と錘部３４の境界線から梁部３１側へ最大応力が分散しており、最大応力の生じている範囲がこれらの中で最も広い。
【００４１】
よって、図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示す算出結果により、錘部３４において表面層９１の梁部３１側の端が支持基板層９３の梁部３１側の端より梁部３１側へ延出した延出部３６を有する形状のＭｏｄｅｌ３−２が、これらの中で最も耐衝撃性に優れていることが明らかとなった。また、Ｍｏｄｅｌ１とＭｏｄｅｌ２−１とＭｏｄｅｌ３−１とをＦＥＭで算出した場合も、同様の算出結果、即ちＭｏｄｅｌ３−１がこれらの中で最も耐衝撃性に優れていることが明らかとなった。
【００４２】
以上より、この実施形態の加速度センサ３によれば、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、耐衝撃性を向上させることができる。
【００４３】
さらに、加速度センサ３の感度について加速度センサ１，２と比較しながら詳述する。
図１２は、各Ｍｏｄｅｌに対して１Ｇの加速度をＸ方向へ作用させたときの梁部１１，２１，３１の表面上の各地点と各地点で生じる応力との関係を示すグラフである。ここで、各地点で生じる応力は、ＦＥＭで算出している。また、各地点は、図２に示すＭｏｄｅｌ１であれば、梁部１１の短手方向の端から２μｍ内側にある長手方向矢印の中点Ｃを基準にした＋３０μｍ〜−３０μｍの地点である。Ｍｏｄｅｌ２、３についても、Ｍｏｄｅｌ１と同じ地点で応力を算出している（図５、図７参照）。
【００４４】
図１２に示す算出結果により、Ｍｏｄｅｌ３−１とＭｏｄｅｌ３−２についてはセンサの感度がＭｏｄｅｌ１と殆ど変わらないことが明らかとなった。
しかし、Ｍｏｄｅｌ３−３については＋２０μｍから＋２５μｍの地点においてセンサの感度が他のＭｏｄｅｌより向上し、＋３０μｍの地点においてセンサの感度が他のＭｏｄｅｌより低下することが算出結果により明らかとなった。
従って、延出部３６の延出長さは１０μｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
《その他の実施形態》
上述の実施形態では、片持梁の加速度センサ３に適用した場合を例に挙げて説明したが、実施の際は両持梁の加速度センサに適用してもよい。
【００４６】
また、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４７】
３    加速度センサ
３０    支持部
３１    梁部
３２Ａ    平板部
３２Ｂ    橋脚部
３３    溝
３４    錘部
３６    延出部
９０    ＳＯＩ基板
９１    表面層
９２    中間絶縁層
９３    支持基板層
７    検出回路
７７    配線部
Ｐ１，Ｐ２    出力電極
Ｐ３    駆動電極
Ｐ４    グランド電極
Ｒ１〜Ｒ４    ピエゾ抵抗
【図１】
0005494803.tif 000002
【図２】
0005494803.tif 000003
【図３】
0005494803.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005494803.tif 000008
【図８】
0005494803.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005494803.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0005494803.tif 000013