(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に設けられたｎ型窒化物半導体層と、を有する積層膜と、
ｎ電極と、
前記ｐ型窒化物半導体層に接続するｐ電極と、
前記ｎ型窒化物半導体層の上面の表面に形成された凹凸領域と、
を備え、前記凹凸領域は、高低差が１μｍ〜３μｍの第１の凹凸と、高低差が３００ｎｍ以下の第１の凹凸より小さな第２の凹凸が混在し、
前記積層膜は、前記ｎ型窒化物半導体層から前記ｐ型窒化物半導体層に向かうにつれて膜面の面積が連続的に増大し、断面がテーパー形状であり、
前記ｐ型窒化物半導体層の下面の一部の領域に設けられたコンタクト電極と、
前記ｎ型窒化物半導体層の上面の外周領域、および前記積層膜の側面を覆う保護膜と、
を更に備える半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｎ電極は、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉのいずれか含む請求項１記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
白色照明への応用に向けて窒化物半導体発光ダイオード（以下、ＬＥＤ(Light Emitting Device)ともいう）は、高効率化、高出力化をはかるために、結晶およびデバイス構造の検討による発光効率の向上、光取り出し効率の向上等が進められている。
【０００３】
ＩｎＧａＮ系結晶を結晶成長する場合、安価で高温で安定であり、低温バッファにより高い結晶性の結晶成長が可能であるサファイア基板が使われることが多い。サファイア基板は絶縁体で導電性がないことや熱伝導率が低い。このため、サファイア基板の裏面側に電極を作製できずに窒化物半導体側にｐ電極、ｎ電極ともに形成する必要があり、直列抵抗が増加しやすいことおよび高出力動作させる場合の放熱性が、さらなる高効率化、高出力化を考えた場合に、課題となる。
【０００４】
この課題を解決して発光効率、出力を向上させたＬＥＤ構造のひとつとして薄膜(Thin Film)型のＩｎＧａＮ系ＬＥＤが知られている（例えば、特許文献１参照）。この薄膜型のＩｎＧａＮ系ＬＥＤはサファイア基板上に成長したＬＥＤ構造結晶をＳｉ基板、銅、金等の他の支持基板に転写する。導電性があり、熱伝導が大きい支持基板に転写後にデバイス化することで、上下通電により電流の広がりが大きくなり電気伝導特性が改善し、さらに放熱性が向上する。
【０００５】
また、転写でｎ層を上面としてｎ層側から光を取り出す構造とすると、ｐ層に比べて抵抗の小さいｎ層では電流を拡散させるための透明電極が不要となり、透明電極の吸収がなくなることで光取り出し効率が向上する。この転写プロセスには、エピタキシャル成長によって形成した結晶（エピタキシャル結晶）を支持基板に接着させるプロセス、エピタキシャル結晶と、サファイア基板とを剥離するリフトオフプロセスが含まれている。接着プロセスにはめっき技術や加重および熱を用いた接合技術、リフトプロセスにはレーザによる界面の加熱分解を用いたレーザリフトオフや化学的リフトオフが挙げられる。
【０００６】
こうした薄膜型のＬＥＤ構造では、レーザリフトオフしたままの状態ではＧａＮ基板の表面と外部空気との屈折率差は２．５倍程度と大きく、この境界面における光の反射が取り出し効率を下げている。
【０００７】
そこで、チップの表面に凹凸を作製する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。凹凸はｎ型窒化物半導体層の再成長、研磨、およびエッチングによって形成されている。簡易に形成することができる方法として支持基板上のＧａＮ基板の上面のｎ層をアルカリエッチングによって表面の粗面加工することにより凹凸を形成し、光取り出し効率を向上させている。
【０００８】
しかし、従来のアルカリエッチングの方法ではエッチング時間を長くすることで全体的に膜厚が薄くなっても、凹凸形状の大きさが大きくならない場合も多い。ＧａＮ層の表面において光取り出し効率がより大きくなるような凹凸形状を得ることのできるエッチング制御方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−２３５３６２号公報
【特許文献２】特開２００７−３０００６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様による半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に設けられたｎ型窒化物半導体層と、を有する積層膜と、前記ｎ型窒化物半導体層に接続するｎ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層に接続するｐ電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の上面の表面に形成された凹凸領域と、を備え、前記凹凸領域は、高低差が１μｍ〜３μｍの第１の凹凸と、高低差が３００ｎｍ以下の第１の凹凸より小さな第２の凹凸が混在していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光取り出し効率を向上させることの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、一実施形態による半導体発光素子の製造工程を示す断面図。
【図２】図２（ａ）乃至図２（ｂ）は、一実施形態による半導体発光素子の製造工程を示す断面図。
【図３】図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、一実施形態による半導体発光素子の製造工程を示す断面図。
【図４】図４（ａ）、４（ｂ）はそれぞれ、一実施形態および比較例による半導体発光素子の凹凸が形成された表面付近の断面の電子顕微鏡写真。
【図５】図５（ａ）、５（ｂ）はそれぞれ一実施形態による半導体発光素子のエッチング時間を変えたときの表面の電子顕微鏡写真。
【図６】個別の素子に分離される前の支持基板の平面図。
【図７】一実施形態による半導体発光素子を示す断面図。
【図８】一実施形態および比較例による半導体発光素子の発光強度のエッチング時間依存性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の一態様による半導体素子は、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に設けられたｎ型窒化物半導体層と、を有する積層膜と、ｎ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層に接続するｐ電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の上面の表面に形成された凹凸領域と、を備え、前記凹凸領域は、高低差が１μｍ〜３μｍの第１の凹凸と、高低差が３００ｎｍ以下の第１の凹凸より小さな第２の凹凸が混在し、前記積層膜は、前記ｎ型窒化物半導体層から前記ｐ型窒化物半導体層に向かうにつれて膜面の面積が連続的に増大し、断面がテーパー形状であり、前記ｐ型窒化物半導体層の下面の一部の領域に設けられたコンタクト電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の上面の外周領域、および前記積層膜の側面を覆う保護膜と、を更に備える。
【００１５】
また本発明の半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層のｎ電極が設けられた領域以外の領域の表面に凹凸領域が形成され、を備え、前記凹凸領域は、高低差が１μｍ〜３μｍの第１の凹凸と、高低差が３００ｎｍ以下の前記第１の凹凸より小さな第２の凹凸が混在していることを特徴とする。
【００１６】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を図１（ａ）乃至図４を参照して説明する。この第１実施形態による半導体発光素子の製造工程を図１（ａ）乃至図３（ａ）に示す。
【００１８】
まず、窒化物半導体結晶を成長させる基板（ウェハ）、例えばサファイア基板１０上に、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて窒化物半導体層を順次成長させる。
【００１９】
すなわち、サファイア基板１０上に、バッファ層となるＧａＮ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮからなる多重量子井戸構造の活性層１６、およびｐ型ＧａＮ層１８を、この順序で順次成長させる（図１（ａ））。
【００２０】
続いて、ｐ型ＧａＮ層１８上にＮｉとＡｇの積層膜からｐ電極（反射コンタクト電極）２０を形成する（図１（ｂ））。このｐ電極２０は、各半導体発光素子に対応して形成する。その後、ｐ電極２０を覆うように、上記窒化物半導体結晶膜１２、１４、１６、１８上に接着メタルとなるＴｉ、Ｐｔ、およびＡｕがこの順序で積層された接着メタル２２を形成する（図１（ｂ））。これにより、ｐ電極２０が形成された領域における接着メタル２２の部分が凸部となり、ｐ電極２０が形成されていない領域における接着メタル２２の部分が凹部となる（図１（ｂ））。続いて、公知のリソグラフィー技術を用いて、接着メタル２２をパターニングする。その後、更に、ｐ型ＧａＮ層１８、活性層１６、ｎ型ＧａＮ層１４、およびＧａＮ層１２を有する積層膜（窒化物半導体結晶膜）をパターニングする（図１（ｃ））。
【００２１】
このパターニングによって、ウェハ上の窒化物半導体結晶膜は、ｐ型ＧａＮ層１８からＧａＮ層１２に向かうにつれて膜面の面積が増大する、断面がテーパー形状のメサとなる。ここで、「膜面」とは、各層の上面を意味する。なお、積層膜をパターニングする際には、パターニングされた接着メタルをマスクとして用いてもよい。また、接着メタル２２を形成する前に、積層膜をパターニングし、その後に、接着メタル２２を形成してもよい。
【００２２】
一方、支持基板となるＳｉ基板３０上に接着メタルとなるＡｕ−Ｓｎ層３２を形成する（図２（ａ））。そして、サファイア基板上の接着メタル２２と、Ｓｉ基板３０上の接着メタル３２が向かい合うように配置し、２５０℃以上の高温下において、一定時間圧力を印加し、サファイア基板１０上の接着メタル２２と、Ｓｉ基板３０上の接着メタル３２とを張り合わせる。この張り合わせにおいて、コンタクト電極２０の融点温度が接着メタル３２の融点温度に比べてかなり高いので、接着メタル３２に食い込んだ状態で張り合わせが行われる（図２（ａ））。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、サファイア基板１０側からＵＶ(Ultra-Violet)レーザ、例えば、ＫｒＦの波長２４８ｎｍのレーザをパルス照射し、窒化物半導体結晶膜１２、１４、１６、１８からサファイア基板１０を剥離する。このとき、露出したＧａＮ層１２の表面がウェットエッチングされる面となる。
【００２４】
続いて、公知のリソグラフィー技術を用いて、窒化物半導体結晶膜１２、１４、１６、１８をパターニングし、半導体発光素子毎に分離する。このとき、接着メタル２２はパターニングされず、半導体発光素子毎に分離された窒化物半導体結晶膜間には、接着メタル２２が露出した状態となる。また、パターニングされた窒化物半導体結晶膜は、ＧａＮ層１２からｐ型ＧａＮ層１８に向かうにつれて膜面の面積が連続的に増大する、断面がテーパー形状のメサとなる。
【００２５】
次に、テーパー形状の窒化物半導体結晶膜および露出した接着メタル２２、３２の表面を覆うように、保護層として、例えばＳｉＯ２膜４０を形成する（図３（ｂ））。窒化物半導体結晶膜がメサ形状であること、窒化物半導体結晶膜の、接着メタル２２と接する下面の最小直径が、接着メタル２２の上面の最小直径よりも小さいこと、および接着メタル２２の接着メタル３２と接する下面の最小直径が、接着メタル３２の上面の最小直径よりも小さいことにより、接着メタル２２と、メサ形状の窒化物半導体結晶膜の下部の周辺端領域とが密着した構造となり、保護層４０と、接着メタル２２、３２との間が中空とならずに段切れのない保護層４０を形成することができる。
【００２６】
次に、各半導体発光素子の上面を覆っている保護層４０を除去する。ただし、各半導体発光素子の上面（ＧａＮ層１２の上面）における外周領域の保護層４０を残置する。これにより、各半導体発光素子の上面の外周領域を除いて上面が露出する（図３（ｃ））。このとき、ＧａＮ層１２の上面の表面粗さは１００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度となる。
【００２７】
続いて、露出したＧａＮ層１２の上面の中央部にｎ電極４４を形成する（図３（ｃ））。なお、ｎ電極４４は、中央部に限らず、露出したＧａＮ層１２の上面の何処にでも形成してもよい。また、ｎ電極の材料としては、アルカリ耐性の電極材料を用いることが好ましい。特にＰｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉのうちのいずれかの金属を含む材料を用いることが好ましく、この材料を用いることにより、後述のアルカリエッチングによりＧａＮ層１２の上面に形成される凹凸のサイズ（高低差）を大きなものとすることができる。平坦なＧａＮ層１２上にｎ電極４４が形成されるため、密着性良く形成することができる。
【００２８】
ｎ電極４４が形成された後に、アルカリ溶液を供給し、露出したＧａＮ層１２の上面をウェットエッチングすることにより、露出したＧａＮ層１２の上面を粗面化する、すなわち、ＧａＮ層１２は、露出した上面に凹凸が形成されたＧａＮ層１２ａとなる（図３（ｃ））。ｎ電極４４が形成された後にウェットエッチングすることにより、エッチング効果が高くなり、より凹凸が深くなる。これは、電子またはホールがＧａＮ層１２の表面とｎ電極４４との間で移動して、それぞれの表面で電気化学反応が生じてエッチングが進行するためと考えられる。ｎ電極４４は光半導体素子１個につきそれぞれに形成される。したがって、ウェハ１枚につき電極を１箇所設けた場合に比べて凹凸が大きくなり、且つまた、ウェハ面内の各素子においてエッチング状態が均一となる。
【００２９】
本実施形態においては、アルカリ溶液として、濃度が１ｍｏｌ／ｌで温度が７０℃の水酸化カリウムを用い、エッチングを１５分間行った。十分なエッチングが進むと表面が白濁した状態となる。なお、水酸化カリウムに液漬した状態でＵＶ照射することで凹凸を更に大きくすることができる。凹凸の大きさは数百ｎｍ〜数μｍ程度である。また、ｎ電極４４とＧａＮ層１２との間に断続的な電圧３Ｖ〜１０Ｖを印加しながらエッチングを行うことによっても、凹凸を大きくすることができる。
【００３０】
このようにして凹凸が形成されたＧａＮ層１２の表面の断面の電子顕微鏡写真を図４（ａ）に示す。図４（ａ）からわかるように、大小様々な凹凸が形成されている。本実施形態によってＧａＮ層１２に形成された凹凸の高さ（高低差）を電子顕微鏡像により表面と断面像を観察すると、数μｍ（１μｍ〜３μｍ）の大きな凹凸と、数百ｎｍ（３００ｎｍ以下）のオーダの小さな凹凸が混在していた。これにより、ＧａＮ層１２と空気との境界面での反射が小さくなり、光取り出し効率を大きくすることができる。
【００３１】
これに対して、本実施形態の比較例としての半導体発光素子を、ｎ電極４４を形成しないでＧａＮ層１２の上面をエッチングする以外は本実施形態と同様にして形成する。この比較例の半導体発光素子における凹凸が形成されたＧａＮ層１２の表面の断面の電子顕微鏡写真を図４（ｂ）に示す。図４（ａ）、４（ｂ）からわかるように、本実施形態の半導体発光素子に形成される凹凸は、比較例の半導体発光素子に形成される凹凸に比べて大きくなっている。この比較例によってＧａＮ層１２に形成された凹凸の高さを計測すると、２００ｎｍ程度の小さな凹凸のみが存在し、本実施形態と異なり、１μｍのオーダの大きな凹凸は存在していなかった。
【００３２】
また、本実施形態の製造方法において、エッチング時間を５分間行った場合と、１５分間行った場合における、凹凸が形成されたＧａＮ層１２の表面の電子顕微鏡写真を図５（ａ）、５（ｂ）にそれぞれ示す。図５（ａ）、５（ｂ）からわかるように、本実施形態のように、エッチングを１５分間行うと、大きな凹凸と、小さな凹凸とが混在するが、５分間程度であれば、小さな凹凸しか形成されない。
【００３３】
次に、このような凹凸が形成された後のｎ電極４４側からみた平面図を図６に示す。図６からわかるように、分離されていない素子が複数個、Ｓｉ基板３０上に配置されている。その後、図３（ｃ）に示すように、シリコン基板３０の、ｎ電極４４が形成された側と反対側の面にｐ電極４６を形成する。
【００３４】
次に、図３（ｃ）に示す工程の終了後、保護層４０、接着メタル２２、３２、およびＳｉ基板３０のダイシングを行い、各半導体発光素子に分離することにより、図７に示す半導体発光素子を完成する。上記比較例の半導体発光素子もダイシングにより各半導体発光素子に分離する。
【００３５】
このようにして得られた本実施形態の半導体発光素子は、図８に示すように、比較例の半導体発光素子に比べて光取出し効率が１．２倍大きくなった。なお、図８は、エッチング時間を変えた場合における、本実施形態と比較例の半導体発光素子の発光強度の変化を示す図である。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、光取り出し効率の高い半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【００３７】
なお、本実施形態においては、窒化物半導体結晶膜の上面の一部および側面、ならびにこの側面と接着メタルとの接合部が段切れのない保護層４０によって覆われているので、アルカリ溶液を用いて窒化物半導体結晶膜の上面を粗面化しても、活性層および反射コンタクト電極２０を十分に保護することが可能となる。これにより、大きい面積の反射コンタクト電極２０を形成することができ、反射率を向上させることができる。さらに、大きいコンタクト電極を形成することが可能となるので、動作電圧の低下も望める。また、段切れのない保護層４０が形成されるので、製造工程中に金属の付着等によるデバイスのリークやショートを防止することができる。さらに、段切れのない保護層４０が形成されるので、接合、レーザリフトオフ等の大きな衝撃を有する、薄膜型の半導体発光素子の製造プロセスにも耐えることができ、保護層に割れ等が発生しない。
【００３８】
なお、支持基板としてはシリコン基板、シリコンカーバイド基板、シリコン基板にゲルマニウムを接合した基板、シリコン基板に銅等の金属をメッキした基板を用いることができる。また、シリコン基板としては（１１１）、（１１０）、（１００）のいずかの面方位を持つ基板を用いてもよく、更にオフ角を合わせもつ基板を用いることができる。
【００３９】
また、保護層としては、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、および酸化アルミニウムのいずれか含む材料を用いることが好ましい。
【００４０】
また、アルカリエッチングにおける薬液には水酸化カリウムの他に水酸化テトラメチルアンモニウムを用いることができる。望ましい濃度としては０．１ｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｏｌ／ｌである。
【００４１】
また、コンタクト電極２０としては、銀の他にアルミニウムまたはを用いることが望ましい。
【００４２】
また、接着メタル２２としては、チタン、白金、金、およびタングステンのいずれかを含むことが好ましい。
【００４３】
また、接着メタル３２としては、Ａｕ−Ｓｎの他に、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉなどの金属共晶である低融点金属、またはＡｕ、Ｓｎ、Ｃｕ等の非はんだ材料を用いることができる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  窒化物半導体結晶成長基板（サファイア基板）
１２  ＧａＮ層（バッファ層）
１４  ｎ型ＧａＮ層
１６  多重量子井戸構造の活性層（ＩｎＧａＮ層）
１８  ｐ型ＧａＮ層
２０  ｐ電極（反射コンタクト電極）
２２  接着メタル
３０  支持基板
３２  接着メタル
４０  保護層
４４  ｎ電極
４６  ｐ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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【図５】
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