(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力ゲージ、及び複数本の排気管路を備えた処理チャンバの排気ガス流量の制御方法であって、
前記圧力ゲージを利用して処理チャンバ内の圧力を測定するステップと、
測定された前記処理チャンバ内の圧力が所定の圧力値になるように排気管路全体の総開口度を決めるステップと、
前記排気管路全体の総開口度を各排気管路の開口度に配分して、当該各排気管路の開口度を設定するステップと、
前記設定された開口度に基づいて各排気管路の開口度を調整することにより、当該各排気管路から排気されるガスの流量を独立に調節するステップと、を含み、
前記処理チャンバ内の上側部分にガス拡散板がさらに設けられることを特徴とする処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項２】
前記排気管路全体の総開口度を決めるステップと各排気管路の開口度を設定するステップは、マイクロプロセッサで行なわれることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項３】
前記各排気管路の開口度は、前記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた比率であって、基準となる開口度に対する排気管路の開口度の比率である各排気管路の開口比を掛けて求めることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項４】
前記各排気管路の開口比は、予め実験により工程条件に応じて異なって決められることを特徴とする請求項３に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項５】
前記各排気管路の開口度は、前記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた各排気管路の開口度のオフセット量を足して求めることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項６】
前記各排気管路の開口度のオフセット量は、予め実験により工程条件に応じて異なって決められることを特徴とする請求項５に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項７】
前記処理チャンバは、少なくとも１本の給気管路を含むことを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項８】
前記複数本の排気管路は、前記処理チャンバの底面に配設されることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項９】
前記ガス拡散板は、複数の通気孔を有する多孔板であることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項１０】
前記圧力ゲージは、静電容量型圧力計であることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項１１】
前記各排気管路の開口度は、自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）により調節されることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバの排気ガス流量の制御方法。
【請求項１２】
処理チャンバを備えた処理装置であって、
前記処理チャンバ内の圧力を測定する圧力ゲージと、
前記処理チャンバ内のガスを排気する複数の排気管路と、
前記処理チャンバから排気される排気ガス流量を制御する排気制御装置と、
前記処理チャンバ内の上側部分に設けられたガス拡散板と、を含み、
前記排気制御装置は、
前記圧力ゲージで測定された前記処理チャンバ内の圧力が所定の圧力になるように前記排気管路全体の総開口度を決め、
前記排気管路全体の総開口度を各排気管路の開口度に配分して、当該各排気管路の開口度を設定し、
前記設定された開口度に基づいて各排気管路の開口度を調整することにより、当該各排気管路から排気されるガスの流量を独立に調節することを特徴とする処理装置。
【請求項１３】
前記排気制御装置は、マイクロプロセッサであることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項１４】
前記排気制御装置において設定される前記各排気管路の開口度は、前記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた比率であって、基準となる開口度に対する排気管路の開口度の比率である各排気管路の開口比を掛けて求めることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項１５】
前記各排気管路の開口比は、予め実験により工程条件に応じて異なって決められることを特徴とする請求項１４に記載の処理装置。
【請求項１６】
前記排気制御装置において設定される前記各排気管路の開口度は、前記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた各排気管路の開口度のオフセット量を足して求めることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項１７】
前記各排気管路の開口度のオフセット量は、予め実験により工程条件に応じて異なって決められることを特徴とする請求項１６に記載の処理装置。
【請求項１８】
前記処理チャンバは、少なくとも１本の給気管路を含むことを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項１９】
前記複数本の排気管路は、前記処理チャンバの底面に配設されることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項２０】
前記ガス拡散板は、複数の通気孔を有する多孔板であることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項２１】
前記圧力ゲージは、静電容量型圧力計であることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
【請求項２２】
前記排気制御装置において設定される前記各排気管路の開口度は、自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）により調節されることを特徴とする請求項１２に記載の処理装置。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体、ＬＣＤなどの製造に利用される処理チャンバの排気ガス流量の制御方法、及び処理チャンバを備えた処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの製造の際、エッチング、アッシング、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリングなどの各種の工程処理が行われる。かかる工程処理は、厳しい条件下で行われるため、基板が収容され処理が行われる処理チャンバは、極めてクリーンな状態を保持する必要があり、従って、上記各工程は、チャンバ内の残留ガスを完全に外部に排出した後、給気される反応ガスと排気されるガスの流量を適宜調節することにより処理チャンバ内を低圧にした状態で行なわれるようになる。【０００３】
処理チャンバ内に存在する反応ガスの量は、工程の種類、反応ガスの種類、処理温度、及び処理チャンバの大きさといった各種の条件に応じて決められ、工程中には一定のレベルに保持される。このために、処理チャンバには圧力ゲージが取り付けられ、これにより測定された処理チャンバ内の圧力値が目標の圧力レベルに至るように給気流量と排気流量が調節される。【０００４】
一方、近年、半導体の高集積化、素子の大型化の傾向に伴い、処理チャンバ内に存在する反応ガスの量だけでなく、処理チャンバ内における反応ガスの流れを均一にする必要性が高まってきた。このために、反応ガスの給気管路を複数本にしたり、処理チャンバ内のガスをガス拡散板に通過させたりするなどの方法が用いられていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の方法では、処理チャンバ内のガスの排気を考慮していなかったため処理チャンバが大型化するほどガスの流れの均一性を確保することが困難であった。近年の半導体ウエハまたはＬＣＤパネルの大型化の傾向から、処理チャンバ内の処理空間も大きくなってきており、それに伴い、ガスの排気を考慮して処理チャンバ内におけるガスの流れを均一にする必要が一層高まってきている。例えば、半導体またはＬＣＤ基板のプラズマエッチング工程の際、反応ガスと基板との反応によりエッチングが行なわれるが、ガスの流れが均一でないと、基板上におけるエッチングが不均一になり、その結果製品の品質が悪くなり且つ歩留まりにも悪影響を及ぼすようになる。【０００６】
一方、処理チャンバが大型化すると、処理チャンバ内を真空または低圧に保持するために複数の真空ポンプが必要となる。この場合、各真空ポンプに連通する排気管路から排気されるガスの流量を適宜調節する必要がある。このために、各排気管路に圧力ゲージ及びＡＰＣを取り付け、この圧力ゲージの測定値に基づいて各ＡＰＣの開口度を調節することにより、各排気管路から排気されるガスの流量を調節する方法も考えられるが、該方法では、排気管路の本数分の高価な圧力ゲージを必要とするという不具合がある。【０００７】
また、各排気管路から排気されるガスの流量をいずれも一定に保持するとしても、処理チャンバ内における反応ガスの流れが常に均一になるとは限らない。また、ガス拡散板を利用して処理チャンバの上側部分から反応ガスを流れ込ませるとしても、ガス拡散板の下方に形成される圧力勾配に差が生じている場合には、処理チャンバの上側部分の全体にわたって均一にガスが流れ込まない。例えば、処理チャンバ内にゲート弁体、流体（例えば、冷却水）供給及び排出用管路などが配設されている場合、それらの処理チャンバの形状要因によりガスの流れが不均一に形成されることがある。【０００８】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、処理チャンバ内におけるガスの流れが均一になるようにして、所望の工程、例えばプラズマエッチング工程が基板上において均一に行なわれるように、排気ガス流量を制御する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、圧力ゲージ、及び複数本の排気管路を備えた処理チャンバの排気ガス流量の制御方法であって、前記圧力ゲージを利用して処理チャンバ内の圧力を測定するステップと、測定された前記処理チャンバ内の圧力が所定の圧力値になるように排気管路全体の総開口度を決めるステップと、前記排気管路全体の総開口度を各排気管路の開口度に配分して、当該各排気管路の開口度を設定するステップと、前記設定された開口度に基づいて各排気管路の開口度を調整することにより、当該各排気管路から排気されるガスの流量を独立に調節するステップと、を含み、前記処理チャンバ内の上側部分にガス拡散板がさらに設けられる処理チャンバの排気ガス流量の制御方法を提供する。ここで、上記各排気管路の開口度は、自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）により調節されることが好ましい。
【００１０】
本発明によれば、各排気管路の開口度を個別に制御することが可能となる。その結果、複数本の排気管路から真空ポンプにより排気されるガスの流量を独立に調節することができ、処理チャンバ内におけるガスの流れを均一にすることができる。【００１１】
本発明において、前記排気管路全体の総開口度を決めるステップと各排気管路の開口度を設定するステップは、マイクロプロセッサで行なわれてもよい。【００１２】
また、本発明において、上記各排気管路の開口度は、上記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた比率であって、基準となる開口度に対する排気管路の開口度の比率である各排気管路の開口比を掛けて求めることができる。別の方法として、上記各排気管路の開口度は、上記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた各排気管路の開口度のオフセット量を足して求めることができる。上記各排気管路の開口比または開口度のオフセット量は、予め実験により工程条件に応じて異なって決められることが好ましい。
【００１３】
このような構成により、工程条件、例えば、工程の種類、処理チャンバに流入及び排気されるガスの種類、処理チャンバの温度及び圧力などに応じて各排気管路の開口度を適宜変更することが可能となる。【００１４】
一方、本発明において、上記処理チャンバは、少なくとも１本の給気管路をさらに含むことができる。また、上記複数本の排気管路は、上記処理チャンバの底面に配設されることが好ましい。上記ガス拡散板は、複数の通気孔を有する多孔板であればよい。
【００１５】
このような構成により、処理チャンバ内におけるガスの流れをより均一に形成することができる。【００１６】
また、本発明における上記圧力ケージは、静電容量型圧力計であることが好ましい。このような構成により、低圧下において処理チャンバの圧力を精度よく測定することが可能となる。【００１７】
別な観点による本発明は、処理チャンバを備えた処理装置であって、前記処理チャンバ内の圧力を測定する圧力ゲージと、前記処理チャンバ内のガスを排気する複数の排気管路と、前記処理チャンバから排気される排気ガス流量を制御する排気制御装置と、前記処理チャンバ内の上側部分に設けられたガス拡散板と、を含み、前記排気制御装置は、前記圧力ゲージで測定された前記処理チャンバ内の圧力が所定の圧力になるように前記排気管路全体の総開口度を決め、前記排気管路全体の総開口度を各排気管路の開口度に配分して、当該各排気管路の開口度を設定し、前記設定された開口度に基づいて各排気管路の開口度を調整することにより、当該各排気管路から排気されるガスの流量を独立に調節することを特徴とする処理装置を提供する。ここで、上記排気制御装置は、マイクロプロセッサであってもよい。また、上記排気制御装置において設定される上記各排気管路の開口度は、自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）により調節されることが好ましい。
【００１８】
また、本発明において、上記排気制御装置において設定される上記各排気管路の開口度は、上記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた比率であって、基準となる開口度に対する排気管路の開口度の比率である各排気管路の開口比を掛けて求めることができる。別の方法として、上記排気制御装置において設定される上記各排気管路の開口度は、上記排気管路全体の総開口度を各排気管路に均等に配分した値に、予め決められた各排気管路の開口度のオフセット量を足して求めることができる。上記各排気管路の開口比または開口度のオフセット量は、予め実験により工程条件に応じて異なって決められることが好ましい。
【００１９】
一方、本発明において、上記処理チャンバは、少なくとも１本の給気管路を含むことができる。また、上記複数本の排気管路は、上記処理チャンバの底面に配設されることが好ましい。上記ガス拡散板は、複数の通気孔を有する多孔板であればよい。
【００２０】
また本発明における上記圧力ゲージは、静電容量型圧力計であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、各排気管路の開口度を個別に制御することができ、排気管路から排気されるガスの流量を独立に制御して、処理チャンバ内におけるガスの流れを均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理チャンバを有する処理装置の構成の概略図である。
【図２】処理チャンバの底面における排気管路の配設を示す図である。
【図３】処理チャンバの底面における排気管路の配設を示す図である。
【図４】処理チャンバの底面における排気管路の配設を示す図である。
【図５】処理チャンバの排気ガス流量の制御方法を示すフローチャートである。
【図６】処理チャンバにおける各ＡＰＣの開口比を示す図である。
【図７】処理チャンバにおける各ＡＰＣの開口度のオフセット量を示す図である。
【図８】図６に示す開口比による各ＡＰＣの開口度を示す図である。
【図９】図７に示す開口度のオフセット量による各ＡＰＣの開口度を示す図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０    処理装置
１００  処理チャンバ
１０６  給気管路
１０８  ガス拡散板
１１０  通気孔
１１２  排気管路
１１４  ＡＰＣ
１２２  圧力ゲージ
１２６  排気制御装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理チャンバ１００を有する処理装置１０の構成の概路図である。例えば処理チャンバ１００内において、基板Ｗを基板載置台１０２に保持してから反応ガスを供給してプラズマエッチングや化学気相蒸着などの各種の工程処理を施される。【００２５】
処理チャンバ１００の上面には、反応ガス供給源１０４と連通する給気管路１０６が設けられている。反応ガスは、反応ガス供給源１０４から給気管路１０６を通って処理チャンバ１００内に流れ込む。処理チャンバ１００内における反応ガスの流れが均一になるようにするために、給気管路１０６を複数本配設するか、処理チャンバ１００内の上側部にガス拡散板１０８を設けることも可能である。ガス拡散板１０８は、複数の通気孔１１０を有する多孔板からなる。基板Ｗの工程処理の際は、通常、複数種の反応ガスが用いられ、これに伴い、複数種の反応ガス毎に給気管路１０６を別個に設けるか、分岐管を設けることも可能である。【００２６】
処理チャンバ１００の底面には複数本の排気管路１１２が配設されており、各排気管路１１２には処理チャンバ１００側から順にＡＰＣ１１４と真空ポンプ１１６が取り付けられる。ＡＰＣ１１４は、ガスの流量を調節する一種の弁体であって、振子式とバタフライ式に大別できる。振子式は排気管路１１２を開放及び閉鎖する振子部材が、ガスの流れ方向に対して垂直な方向に移動する仕組みとなっており、バタフライ式は、排気管路１１２を開放及び閉鎖する弁体が排気管路１１２内に設けられた軸を中心に回転する仕組みとなっている。本実施の形態では、いずれのタイプのＡＰＣも利用可能であり、排気管路１１２の開口度は、ＡＰＣ１１４の弁体の開口度により調整される。【００２７】
本実施の形態では、２以上の任意の本数の排気管路１１２を配設することができる。例えば、図２、図３、図４は、処理チャンバ１００の底面にそれぞれ２本、４本、６本の排気管路１１２が配設されている状態を示している。各排気管路１１２は、処理チャンバ１００の底面における所定の位置に配設すればよいが、処理チャンバ１００内における均一なガスの流れのために、図示の如く底面の中心線に対して対称をなすように配設することが好ましい。以下では、図３に示すように、４本の排気管路１１２が配設された形態を例に挙げて説明する。【００２８】
真空ポンプ１１６は、処理チャンバ１００内を減圧する装置であって、処理チャンバ１００の内部に存在する未反応ガスあるいは反応生成物などの気体を排気する。真空ポンプ１１６としては、例えばターボ分子ポンプ(ｔｕｒｂｏ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｐｕｍｐ)を使用すればよい。また、真空ポンプ１１６の下流には、真空ポンプ１１６の始動を助けるための駆動ポンプ（図示せず）を設けることができ、排気能力を高めるために真空ポンプ１１６を多段に設けることもできる。また、各真空ポンプ１１６の下流において複数本の排気管路１１２が１本の管路に合流されてよく、最終的に、この排気管路１１２は工場内の一般の排気システムのラインや外部ラインに接続される。一方、給気管路１０６及び排気管路１１２には、ガスの流れを遮る遮断弁体１１８、１２０を取り付けることもできる。【００２９】
処理チャンバ１００には、該処理チャンバ１００内の圧力を測定するための圧力ケージ１２２が取り付けられている。圧力ケージ１２２は、処理チャンバ１００の任意の位置に取り付けてよいが、本実施の形態では、処理チャンバ１００の側面に形成されている通気孔から接続されている。圧力ケージ１２２としては、例えば、静電容量型圧力計（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  ｍａｎｏｍｅｔｅｒ)を使用すればよい。【００３０】
その他にも、処理チャンバ１００には各種の付属装置や要素を設けることができる。例えば、基板Ｗの搬送のためのゲート弁体１２４を取り付けることができ、図示しないが、工程条件に応じて流体の供給及び排出用管路、電力印加用配線、基板の昇降及び搬送装置、プラズマ印加装置などを処理チャンバ１００に設けることができる。【００３１】
本発明の実施例において圧力ケージ１２２が測定した値は、排気制御装置１２６に送られる。排気制御装置１２６では、圧力ケージ１２２が測定した処理チャンバ１００内の圧力値に基づいて各ＡＰＣ１１４の最適開口度を設定し、この設定された開口度に基づいてＡＰＣ１１４の開口度を調整する。そして、各排気管路１１２から真空ポンプ１１６によって排気されるガスの流量を調節できる。排気制御装置１２６は、マイクロプロセッサからなってよく、また、メモリが内蔵されているか、またはメモリ装置が付加されていてもよい。このメモリには、工程条件に適合した各ＡＰＣ１１４の開口度の開口比やオフセット量が格納される。【００３２】
以下、本発明による処理チャンバ１００の排気ガス流量の制御方法の動作及び作用効果について説明する。図５は、本発明の実施の形態における処理チャンバ１００の排気ガス流量の制御方法を示したフローチャートである。【００３３】
先ず、Ｓ１００ステップは、排気ガス流量の制御に先立って行なうステップであって、予め工程テストによって各ＡＰＣ１１４の開口比や開口度のオフセット量を決めるステップである。上述したように、反応ガスが処理チャンバ１００へ比較的均一な状態で流れ込むとしても処理チャンバ１００に設置された各種の設備などによって反応ガスの流れが撹乱されてしまう。したがって、各排気管路１１２から排気されるガス流量を一定にするだけでは処理チャンバ１００内におけるガスの流れを均一にすることができない。また、工程によっては、各処理チャンバ１００内の一部領域への反応ガスの供給量を増減する必要もある。例えば、プラズマエッチング工程において、基板Ｗの一部領域に他の領域に比べて多くのエッチングが起こるようにするために、該一部領域への反応ガスの供給量を増大する必要があり、この場合、該一部領域へのガス流速を上げる必要がある。このためには、ガス流速を挙げる必要がある領域の近くの排気管路１１２に取り付けられたＡＰＣ１１４の開口度を大きくする必要がある。【００３４】
したがって、Ｓ１００ステップでは、上記のような複数の工程条件による事前テストを実施して、各ＡＰＣ１１４の開口度をどのように配分するかに関する基準となる設定値を決めるようになる。この設定値は、例えば、図６に示すように各ＡＰＣ１１４に適切な開口比を付与するか、または図７に示すように各ＡＰＣ１１４に適切な開口度のオフセット量を付与することにより決められる。図６及び図７における１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄは排気管路を示し、同図における排気管路内に記されている数字は、各排気管路に取り付けられたＡＰＣ１１４の開口比または開口度のオフセット量を示す。例えば図６における排気管路１１２ｂの開口比９０は、基準となる開口度の９０％レベルであることを表し、同様に排気管路１１２ｃの開口比１１０は、基準となる開口度の１１０％レベルであることを表す。また、図７における排気管路１１２ｂのオフセット量−５は、基準となる開口度から５％を差し引いたレベルであることを表し、同様に排気管路１１２ｃのオフセット量＋５は、基準となる開口度に５％を足したレベルであることを表す。このように本発明では、各ＡＰＣ１１４の開口度を個別に設定することにより処理チャンバ１００内におけるガスの流れを均一にするか、または必要に応じて一部領域のガス流速を上げたり下げたりすることが可能である。また、事前テストにより各ＡＰＣ１１４の開口度を決めることができるため、各種の工程条件に応じて異なる開口度を採用することが可能となる。【００３５】
次いで、Ｓ１１０ステップは、圧力ケージ１２２を利用して処理チャンバ１００内の圧力を測定するステップである。本発明においては、圧力ケージ１２２を排気管路１１２毎に取り付ける必要がなく、図１に示すように処理チャンバ１００に対して一つの圧力ケージ１２２を取り付ければよいため、排気管路１１２を複数本配設しても経済的な排気システムを構築することができるようになる。【００３６】
Ｓ１２０ステップは、Ｓ１１０ステップで測定した処理チャンバ１００の圧力を用いてＡＰＣ１１４全体の総開口度を決めるステップである。ＡＰＣ１１４が完全開放された状態の開口度を１００とし、完全閉鎖された状態の開口度を０とした場合、本実施の形態におけるＡＰＣ１１４の総開口度は、０〜４００の範囲で決められる。測定された処理チャンバ１００の圧力が工程処理に必要な所定の圧力値より大きい場合は、ＡＰＣ１１４の総開口度を現在の総開口度より大きくして、排気ガスの流量を上げる必要がある。逆に、測定された処理チャンバ１００の圧力が工程処理に必要な所定の圧力値より小さい場合は、ＡＰＣ１１４の総開口度を現在の総開口度より小さくして、排気ガスの流量を下げる必要がある。ここでは、ＡＰＣ１１４の総開口度が２４０と決められた場合を例示している。【００３７】
Ｓ１３０ステップは、Ｓ１００ステップで決められた各ＡＰＣ１１４の開口比または開口度のオフセット量に基づいて各ＡＰＣ１１４の開口度を決めるステップである。先ず、ＡＰＣ１１４の総開口度を各ＡＰＣ１１４に均等に配分した値を総開口度の平均値あるいは基準値とする。本実施の形態では６０となる。次いで、この基準値に予め決められた各ＡＰＣ１１４の開口比を掛けるか、または各ＡＰＣ１１４の開口度のオフセット量を足すことにより各ＡＰＣ１１４の開口度が決められる。例えば、図６に示すように各ＡＰＣ１１４の開口比が決められた場合、開口度の基準値に各開口比を掛けると、図８に示すように各ＡＰＣ１１４の開口度が決められる。同様に、図７に示すように各ＡＰＣ１１４の開口度のオフセット量が決められた場合、開口度の基準値に各オフセット量を足すと、図９に示すように各ＡＰＣ１１４の開口度が決められる。本実施の形態では、開口比または開口度のオフセット量を用いて各ＡＰＣ１１４の開口度を算定したが、その他、任意の方法にてＡＰＣ１１４の開口度を算定することも可能である。例えば、各種の工程条件及び処理チャンバ１００内の圧力値に基づいてＡＰＣ１１４の開口度を個別にデータベース化する方法もあり、工程条件及び処理チャンバ１００内の圧力値の関数にてＡＰＣ１１４の開口度が決められてもよい。【００３８】
最後に、Ｓ１４０ステップでは、Ｓ１３０ステップで決められた開口度に基づいて各ＡＰＣ１１４を調整することにより各排気管路１１２から真空ポンプ１１６により排気されるガスの流量を調節するようになる。【００３９】
上述したような方法で処理チャンバ１００の排気ガスの流量を制御することにより、処理チャンバ１００内におけるガスの流れを調整して工程処理が円滑に行なわれるようにすることができる。また、工程条件に好適なＡＰＣ１１４の開口度を経済的な方法にて実現することが可能となる。【００４０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、半導体、ＬＣＤなどの製造に利用される処理チャンバの排気ガス流量の制御方法、及び処理チャンバを備えた処理装置に関する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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