(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射端面が凹凸を有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の前記出射端面と凹凸を有する表面とが部分的に接し前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を伝達する透明材料層と、前記半導体レーザ素子の出射端面の凹凸と前記透明材料層の前記表面の凹凸との間の隙間に設けられた透明な液状のポリマーと、前記半導体レーザ素子の前記透明材料層と接している面の少なくとも１つの面に設けられ単層または多層の誘電体膜よりなる、レーザ光を反射する反射膜と、を備え、前記反射膜と前記半導体レーザ素子との間の反射率は、空気と前記半導体レーザ素子との間の反射率よりも低く、前記透明材料層と前記半導体レーザ素子との間の反射率よりも高いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
出射端面が凹凸を有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の出射端面と凹凸を有する表面が部分的に接し前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を伝達する透明材料層と、前記半導体レーザ素子の出射端面の凹凸と前記透明材料層の前記表面の凹凸との間の隙間に設けられた透明な固形状の無機ポリマーと、前記半導体レーザ素子の前記透明材料層と接している面の少なくとも１つの面に設けられ単層または多層の誘電体膜よりなる、レーザ光を反射する反射膜と、を備え、前記反射膜と前記半導体レーザ素子との間の反射率は、空気と前記半導体レーザ素子との間の反射率よりも低く、前記透明材料層と前記半導体レーザ素子との間の反射率よりも高いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記出射端面に接する透明材料層のレーザ光が通る方向の厚さは５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記透明材料層中に蛍光体が内包されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、広く表示装置、照明装置、記録装置等に用いられている。特に、誘導放出を用いた半導体レーザダイオード（ＬＤ）は記録装置等に用いられている。半導体レーザは高効率で高出力が得られるために、電気を光に変換する素子として用いることができる。特に、短波長レーザ光を発生する半導体レーザは、この短波長レーザ光による蛍光体の励起により、より長波長な蛍光体を発光させることが可能である。この応用として青と黄色の蛍光体を波長が４０５ｎｍのレーザ光で励起して白色発光装置を構成することができる。また、蛍光体をＣＲＴのように配置し、波長が４０５ｎｍのレーザ光に変調をかけつつ蛍光体をラスタースキャンすることにより映像を表示することができる。いずれの場合も高出力で半導体レーザを駆動することが必要である。
【０００３】
一般に半導体レーザは、光出射端面の劣化や光学的な損傷を防止するために、上記出射端面に誘電体膜からなるコート膜が形成されている。しかし、半導体レーザが高出力で駆動されている場合、この半導体レーザから発せられる高出力のレーザ光によって空間のガスが電離される。そして、電離されたガスが空間中の微粒子を、光が最も強いレーザの端面へ引き寄せることにより、半導体レーザが劣化し、信頼性が低下するという問題があった。
【０００４】
また、半導体レーザのパッケージはこれまでＣＡＮ型で内部には窒素や乾燥空気で封入されている。４０５ｎｍ程度の青紫色レーザ光を発生する半導体レーザがパッケージに封入されている場合には、レーザの高出力時に、レーザ光により雰囲気中の有機物を分解し、シロキサン系有機物を形成するため、特性が低下し、信頼性が低下するという問題があった。また、内部のガスの電離と残留不純物との反応が生じてレーザの光出射端面に炭素、珪素、または酸素からなる汚染物質が付着し、レーザ発振閾値が高くなるとともに、レーザの出力が低下する。
【０００５】
このように、半導体発光素子の信頼性の向上だけにとどまらず、半導体発光素子を実装するパッケージも含めた信頼性が必要となる。
【０００６】
しかし、半導体発光素子ばかりでなく、この半導体発光素子を実装するパッケージの信頼性の低下を防止する技術は現在までのところ、知られていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記事情を考慮してなされたものであって、半導体発光素子ばかりでなく、この半導体発光素子を実装するパッケージの信頼性の低下を防止することのできる半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様による半導体発光装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の出射端面と表面が部分的に接し前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を伝達する透明材料層と、前記半導体レーザ素子の出射端面と前記透明材料層との間の隙間に設けられた透明な液状のポリマーと、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の態様による半導体発光装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の出射端面と表面が部分的に接し前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を伝達する透明材料層と、前記半導体レーザ素子の出射端面と前記透明材料層との間の隙間に設けられた透明な固形状の無機ポリマーと、を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体発光素子ばかりでなく、この半導体発光素子を実装するパッケージの信頼性の低下を防止することのできる半導体発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態を以下に図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による半導体発光装置を図１に示す。本実施形態の半導体発光装置１は、半導体レーザ素子である半導体レーザ２を備え、この半導体レーザ２の下面がヒートシンク１０に接するように設けられている。この半導体レーザ２は、対向する一対の側面（出射端面）からレーザ光３を出射する。半導体レーザ２の上面には電源に接続するための電極４が設けられている。電極４が半導体レーザ２の一方の電極（例えば、ｐ側電極）に接続され、ヒートシンク１０が半導体レーザ２の他方の（例えば、ｎ側電極）に接続されている。すなわち、ヒートシンク１０は導電性の材料から形成され、引き出し電極を兼ねている。また、ヒートシンク１０上には、レーザ光３が出射される半導体レーザ２の出射端面にそれぞれ接するように一対の透明材料層１２がヒートシンク１０上に設けられている。この透明材料層１２は、例えばガラスまたは誘電体結晶から形成され、出射端面から出射されたレーザ光３が透過する。レーザ光３が透過する方向の透明材料層１２の層厚は比較的厚く、例えば５０μｍ以上となっている。
【００１３】
本実施形態においては、半導体レーザ２の出射端面と透明材料層１２とは接するように設けられているが、接している面のそれぞれには凹凸があるため、接している面間には部分的に隙間があり、完全に密着している状態でない。すなわち、半導体レーザ２の出射端面と透明材料層１２とは部分的に接している状態となっている。本実施形態においては、これらの隙間に、透明な液状のポリマー１３が充填されている。この液状のポリマー１３はフッ素を含んでいることが好ましい。このように、半導体レーザ２の出射端面は透明材料層１２または液状のポリマーで覆われているので、半導体レーザ２が高出力で駆動されていても、出射端面に汚染物質等が付着するのを防止することが可能となり、半導体レーザ２ばかりでなく、この半導体レーザ２を実装するパッケージの信頼性の低下を防止することができる。なお、液状のポリマー１３が側面から漏れでないように、半導体レーザ２および透明材料層１２の側面には、図示しない防止層が設けられている。なお、液状のポリマー１３の代わりに、上記隙間に液状の無機ポリマーを充填し、焼成してもよい。この場合は、上記防止層は不要となる。なお、焼成された無機ポリマーは透明であり、レーザ光が透過する。
【００１４】
また、本実施形態においては、上述したように透明材料層１２の層厚は比較的厚く、例えば５０μｍ以上となっているので、半導体レーザ２が高出力で駆動されていても、レーザ光３が外部に出射される透明材料層１２の表面においては、レーザ光３の単位面積当たりのエネルギーは、半導体レーザ２の出射端面におけるレーザ光３の単位面積当たりのエネルギーよりもかなり低い。このため、レーザ光３が外部に出射される透明材料層１２の表面には汚染物質等はほとんど付着しない。
【００１５】
なお、液状のポリマー１３は安定である必要があり、例えばフロリナートのような安定な液体、すなわちフッ素系の不活性液体を用いることができる。この場合、液体は表面張力により狭い隙間に入れることが難しいので、１００μｍ以上の隙間を半導体レーザ２と透明材料層１２との間を開けて設置した後、半導体レーザ２の出射端面方向へ透明材料層１２を近づけて設置する方法が望ましい。本実施形態においては、フロリナートの屈折率が半導体の屈折率に比べ充分低く、半導体レーザ２を構成する反射鏡の反射率が１５％程度有るので、反射率制御は必要なく、出射端面に多層膜のコーティングを行っていない。
【００１６】
半導体レーザ素子２の一具体例を図２に示す。この具体例の半導体レーザ素子２は、ＧａＮ基板１０１と、ＭｇがドープされたＡｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなる層厚が１０ｎｍのｎ型クラッド層１０２と、ＳｉがドープされたＧａＮからなる層厚が１００ｎｍのｎ型ガイド層１０３と、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎの多重量子井戸構造を有する活性層１０４と、ＧａＮからなるアンドープの層厚が０．１μｍのガイド層１０５と、ＭｇがドープされたＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎからなる層厚が１０ｎｍのｐ型オーバーフロー防止層１０６と、ＭｇがドープされたＡｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなる層厚が６００ｎｍのｐ型クラッド層１０７と、ＭｇがドープされたＧａＮからなる層厚が０．２μｍのｐ型コンタクト層１０８と、ｐ側電極１０９とがこの順序で積層され、かつｎ型クラッド層１０２と反対側のＧａＮ基板１０１の面にｎ側電極１１０が設けられた構成を有している。なお、ｐ型クラッド層１０７およびｐ型コンタクト層１０８は、電流狭窄，横方向光閉じ込め用のメサを構成し、これらの側面には、ＺｒＯ２からなるパッシベーション絶縁膜１１２が形成されている。
【００１７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による半導体発光装置を図３に示す。本実施形態の半導体発光装置１は、半導体レーザ２を有し、この半導体レーザ２の下面がヒートシンク１０に接するように設けられている。この半導体レーザ２は、半導体レーザ素子２ａと、この半導体レーザ素子２ａの対向する一対の出射端面側の一方の側面に設けられた誘電体からなる高反射膜２ｂと、一対の出射端面側の他方の側面に設けられた誘電体からなる低反射膜２ｃとを備えている。なお、高反射膜２ｂおよび低反射膜２ｃは、単層または多層構造であってもよい。半導体レーザ素子２ａは、第１実施形態の半導体レーザ２の半導体レーザ素子と同じ構成となっている。したがって、高反射膜２ｂおよび低反射膜２ｃのそれぞれの、半導体レーザ素子２ａと反対側の面が半導体レーザ２の出射端面となり、この出射端面からレーザ光３が出射される。なお、本実施形態においては、高反射膜２ｂは、反射率が例えば９５％であり、低反射膜２ｃの反射率は１０％となっている。高反射膜２ｂおよび低反射膜２ｃと半導体レーザ素子２ａとの間の反射率は空気と半導体レーザ素子２ａとの間の反射率よりも低く、透明材料層１２と半導体レーザ素子２ａとの間の反射率よりも高いことが望ましい。半導体レーザ素子２ａの上面には電源に接続するための電極４が設けられている。電極４が半導体レーザ素子２ａの一方の電極（例えば、ｐ側電極）に接続され、ヒートシンク１０が半導体レーザ素子２ａの他方の（例えば、ｎ側電極）に接続されている。すなわち、ヒートシンク１０は導電性の材料から形成され、引き出し電極を兼ねている。また、ヒートシンク１０上には、レーザ光３が出射される半導体レーザ２の出射端面にそれぞれ部分的に接するように一対の透明材料層１２がヒートシンク１０上に設けられている。この透明材料層１２は、例えばガラスまたは誘電体結晶から形成され、出射端面から出射されたレーザ光３が透過する。レーザ光３が透過する方向の透明材料層１２の層厚は比較的厚く、例えば５０μｍ以上となっている。
【００１８】
第１実施形態で説明したように、半導体レーザ２の出射端面と透明材料層１２とは部分的に接しているので、その間には隙間が生じる。本実施形態においては、この隙間に透明な無機ポリマー１４を充填する。具体的には金属アルコキシドのゾルゲル法によりＳｒＴｉＯ３を焼成により形成することができる。もしくはＴｉＯ２を用いることができる。この場合でも焼成が必要であり３００℃程度加熱で無機ポリマーを形成し、透明材料層１２と半導体レーザ２との間の部分的な隙間を埋めることが可能となる。このため、第２実施形態も、第１実施形態と同様に、半導体レーザ２の出射端面は透明材料層１２または無機ポリマー１４で覆われているので、半導体レーザ２が高出力で駆動されていても、出射端面に汚染物質等が付着するのを防止することが可能となり、半導体レーザ２ばかりでなく、この半導体レーザ２を実装するパッケージの信頼性の低下を防止することができる。また、第２実施形態においては、上述したように透明材料層１２の層厚は比較的厚く、例えば５０μｍ以上となっているので、半導体レーザ２が高出力で駆動されていても、レーザ光３が外部に出射される透明材料層１２の表面においては、レーザ光３の単位面積当たりのエネルギーは、半導体レーザ２の出射端面におけるレーザ光３の単位面積当たりのエネルギーよりもかなり低い。このため、レーザ光３が外部に出射される透明材料層１２の表面には汚染物質等はほとんど付着しない。なお、本実施形態においては、無機ポリマー１４は半導体発光素子２の上面にも設けられている。また、無機ポリマー１４の代わりに、液状のポリマーを用いてもよい。
【００１９】
なお、本実施形態においてはＳｒＴｉＯ３、ＴｉＯ２ともに屈折率が半導体の屈折率とほぼ等しいので、半導体レーザ２を構成する反射鏡の反射率が１０％程度以上になるように多層膜コーティングによる反射率制御が必要となる。このため、本実施形態においては、ＳｉＮとＳｉＯ２からなる多層膜コーティングを施した。
【００２０】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による半導体発光装置を図４および図５を参照して説明する。図４および図５は、本実施形態の半導体発光装置の断面図および平面図である。本実施形態の半導体発光装置１は、半導体レーザ２を有し、この半導体レーザ２の下面がヒートシンク１０に接するように設けられている。この半導体レーザ２は、半導体レーザ素子２ａと、この半導体レーザ素子２ａの対向する一対の側面の一方に設けられた誘電体からなる高反射膜２ｂと、他方の側面に設けられた誘電体からなる低反射膜２ｃとを備え、低反射膜２ｃの半導体レーザ素子２ａと反対側の面からレーザ光３が出射され、この面が出射端面となる。高反射膜２ｂおよび低反射膜２ｃは、単層または多層構造であってもよい。なお、本実施形態においては、高反射膜２ｂは、反射率が例えば９５％であり、低反射膜２ｃの反射率は１０％となっている。高反射膜２ｂおよび低反射膜２ｃと半導体レーザ素子２ａとの間の反射率は空気と半導体レーザ素子２ａとの間の反射率よりも低く、透明材料層１２と半導体レーザ素子２ａとの間の反射率よりも高いことが望ましい。半導体レーザ素子２ａの上面には電源に接続するための電極４が設けられている。電極４が半導体レーザ素子２ａの一方の電極（例えば、ｐ側電極）に接続され、ヒートシンク１０が半導体レーザ素子２ａの他方の（例えば、ｎ側電極）に接続されている。すなわち、ヒートシンク１０は導電性の材料から形成され、引き出し電極を兼ねている。また、ヒートシンク１０上には、レーザ光３が出射される半導体レーザ２の出射端面に部分的に接するように透明材料層１２がヒートシンク１０上に設けられている。この透明材料層１２は、例えばガラスまたは誘電体結晶から形成され、出射端面から出射されたレーザ光３が透過する。レーザ光３が透過する方向の透明材料層１２の層厚は比較的厚く、例えば５０μｍ以上となっている。
【００２１】
第１実施形態で説明したように、半導体レーザ２の出射端面と透明材料層１２とは部分的に接しているので、その間には隙間が生じる。本実施形態においては、第２実施形態と同様に、上記隙間に透明な無機ポリマー１４を充填する。具体的には金属アルコキシドのゾルゲル法によりＳｒＴｉＯ３を焼成により形成することができる。もしくはＴｉＯ２を用いることができる。この場合でも焼成が必要であり３００℃程度加熱で無機ポリマーを形成し、透明材料層１２と半導体レーザ２との間を埋めることが可能となる。このため、第２実施形態も、第１実施形態と同様に、半導体レーザ２の出射端面は透明材料層１２または無機ポリマー１４で覆われているので、半導体レーザ２が高出力で駆動されていても、出射端面に汚染物質等が付着するのを防止することが可能となり、半導体レーザ２ばかりでなく、この半導体レーザ２を実装するパッケージの信頼性の低下を防止することができる。なお、無機ポリマー１４の代わりに液状のポリマーを用いてもよい。この場合は、液状のポリマーが側面から漏れ出ないように、半導体レーザ２および透明材料層１２の側面に防止層を設ける必要がある。
【００２２】
また、第３実施形態においては、上述したように透明材料層１２の層厚は比較的厚く、例えば５０μｍ以上となっているので、半導体レーザ２が高出力で駆動されていても、レーザ光３が外部に出射される透明材料層１２の表面においては、レーザ光３の単位面積当たりのエネルギーは、半導体レーザ２の出射端面に端面におけるレーザ光３の単位面積当たりのエネルギーよりもかなり低い。このため、レーザ光３が外部に出射される透明材料層１２の表面には汚染物質等はほとんど付着しない。
【００２３】
また、本実施形態にいては、高反射膜２ｂに対して共振器２ａと反対側のヒートシンク１０上には、光検出器１６、ヒートシンク１８が、この順序で設けられている。高反射膜２ｂを介して出力された半導体レーザ２のレーザ光は、光検出器１６によって検出され、この検出値に基づいて、半導体レーザ２から発生する光の量が調整される。なお、高反射膜２ｂを介して出力された半導体レーザ２のレーザ光は、低反射膜２ｃを介して出力された半導体レーザ２のレーザ光よりも、弱いレーザ光となっている。
【００２４】
また、共振器２ａの出射端面とほぼ直交する一対の側面の一方の側面の側には、外部の電源と電気的に接続するためのリード２０ａが設けられている。そして、このリード２０ａは、半導体レーザ素子２ａの一方の電極４とボンディングワイヤ２２を介して電気的に接続される。また、ヒートシンク１８と電気的に接続される、すなわち、ヒートシンク１８および１０を介して半導体レーザ素子２ａの他方の電極（図示せず）と電気的に接続されるリード２０ｂが設けられ、このリード２０ｂも外部の電源に接続される。光検出器１６はボンディングワイヤ２４を介して電気的に接続されるリード２０ｃが設けられ、このリードも外部の電源に接続される。なお、本実施形態においては、光検出器１６と高反射膜２ｂとの間には隙間が設けられており、この隙間には無機ポリマー１４が埋め込まれている。
【００２５】
上述したように、高反射膜２ｂを介して出力された半導体レーザ２のレーザ光は、低反射膜２ｃを介して出力された半導体レーザ２のレーザ光よりも、弱いので、光検出器１６と高反射膜２ｂとは部分的に接していてもよい。この場合は、光検出器１６と高反射膜２ｂとの間の隙間に無機ポリマーが充填される。なお、無機ポリマー１４の代わりに液状のポリマーを用いてもよい。この場合は、液状のポリマーが側面から漏れ出ないように、光検出器１６および高反射膜２ｂの側面に防止層を設ける必要がある。
【００２６】
次に、第２または第３実施形態において、半導体レーザ２の出射端面と透明材料層１２とが部分的に接触し、その間の隙間に透明な無機ポリマー１４を充填する方法を図６乃至図８を参照して説明する。
【００２７】
まず、図６に示すように、ヒートシンク１０上に設けられた半導体レーザ２を覆うように無機ポリマー１４を塗布する。その後、図７に示すように、例えばガラスからなる透明材料層１２の端面を半導体レーザ２の端面に接触させるように押しつける。これにより、図８に示すように、端面同士が接し、かつ端面間のわずかな隙間に無機ポリマー１４が充填された構成となる。なお、第２および第３実施形態においては、ガラスからなる透明材料層１２の端面と半導体レーザ２の端面とが部分的に接触している隙間に無機ポリマー１４が用いられたが、無機ポリマー１４の代わりに、低融点ガラスを用いてもよい。この低融点ガラスは無機ポリマーと同様に作製できる。
【００２８】
一般に、半導体レーザの出射端面と透明材料層の表面が接触している場合でも、微視的に見ると、半導体レーザの出射端面と透明材料層の表面は数ミクロン単位での凹凸があり、部分的に接触しており、部分的には隙間が存在する。このため、半導体レーザ素子の出射端面に汚染物質を付着させないためには、上記隙間を埋めることが重要であり、上記実施形態のように、液状のポリマーまたは無機ポリマーで上記隙間を充填することにより、上記目的を達成することができる。
【００２９】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態の半導体発光装置を図９に示す。本実施形態の半導体発光装置１は、図３に示す第２実施形態の半導体発光装置において、透明材料層１２を、蛍光体を内包したガラス層１２ａに置き換えるとともに、半導体レーザ２と接しないガラス層１２ａの面にレーザ光を反射する光反射膜３０を設けた構成となっている。なお、光反射膜３０は単層または多層であってもよい。なお、本実施形態においては、ガラス層１２ａのレーザ光３が伝搬する方向の厚さが図３に示す第２実施形態の半導体発光装置の透明材料層１２よりも厚くなっている。
【００３０】
本実施形態においては、図９に示すようにガラス層１２ａをレーザ光３が進むことにより内部の蛍光体を励起して蛍光を発する。半導体レーザ２が４０５ｎｍで発振するようにＩｎＧａＮ層の組成を調整した場合、ガラス層１２ａに含まれる蛍光体を青色蛍光体のアパタイト(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu、黄緑色としてSOSE (Sr2SiO4:Eu)を用いることにより、本実施形態の半導体発光装置を白色の照明用光源として用いることができる。この場合、光反射膜３０として、４１０ｎｍ以下の光を反射する誘電体膜を用いることにより、ガラス層１２ａから外にレーザ光３を漏らさない構造となり、レーザ励起光源の安全性が向上する。なお、本実施形態では、ガラス層１２ａの代わりに、蛍光体焼結体（セラミックスレーザに用いられる焼結体）で構成することも可能である。
【００３１】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態の半導体発光装置を図１０に示す。本実施形態の半導体発光装置１は、図９に示す第４実施形態の半導体発光装置において、蛍光体を内包したガラス層１２ａを、レーザ光３が伝搬する方向の厚さを薄くしガラス層１２ｂに置き換えた構成となっており、高輝度照明装置として用いられる。なお、本実施形態においては、ガラス層１２ｂの厚さは、第１実施形態で説明したように、例えば５０μｍ以上となっている。本実施形態においては、レーザ照射方向の厚さを薄くしたことにより、蛍光体の発光面積が小さくなり、高輝度となる。発光面積を小さくなることにより、本実施形態の半導体発光装置をヘッドランプ、プロジェクションランプ、スポットランプ等に用いる場合には、光学系を単純にすることができる。
【００３２】
以上説明したように、本発明の各実施形態によれば、半導体発光素子の光出射端面の汚染を防止することが可能となり、半導体発光素子ばかりでなく、この半導体発光素子を実装するパッケージの信頼性の低下を防止することのできる半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体発光装置を示す断面図。
【図２】半導体レーザ素子の一具体例を示す断面図。
【図３】第２実施形態による半導体発光装置を示す断面図。
【図４】第３実施形態による半導体発光装置を示す断面図。
【図５】第３実施形態による半導体発光装置を示す平面図。
【図６】半導体発光素子の出射端面と、透明材料層の表面間の隙間を埋める方法を説明する断面図。
【図７】半導体発光素子の出射端面と、透明材料層の表面間の隙間を埋める方法を説明する断面図。
【図８】半導体発光素子の出射端面と、透明材料層の表面間の隙間を埋める方法を説明する断面図。
【図９】第４実施形態による半導体発光装置を示す断面図。
【図１０】第５実施形態による半導体発光装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１  半導体発光装置
２  半導体レーザ（半導体レーザ素子）
２ａ  半導体レーザ素子
２ｂ  高反射膜
２ｃ  低反射膜
３  レーザ光
４  電極
１０  ヒートシンク
１２  透明材料層
１３  液状のポリマー
１４  無機ポリマー
１６  光検出器
１８  ヒートシンク
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ  リード
２２  ボンディングワイヤ
２４  ボンディングワイヤ
３０  光反射膜
【図１】
0005398173.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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