(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置されたアレイ基板およびカラーフィルタ基板と、
上記アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に設けられた液晶層と、
上記液晶層を連続して取り囲むように配されているとともに、上記アレイ基板およびカラーフィルタ基板を結合するように配された、光硬化性材料を含むシール材と、
上記アレイ基板の表面の一部に設けられた遮光部と、
上記アレイ基板上における、上記シール材と遮光部との間に設けられた透明膜とを備え、
上記透明膜は、異なる材料で形成された少なくとも二層を含み、上記少なくとも二層のそれぞれは、上記シール材と遮光部との間に配されているとともに、
上記透明膜における上記シール材と接する層の上記シール材と接する部分に、光を散乱させるための凹凸が形成されており、
上記カラーフィルタ基板は、少なくとも一部が上記シール材と重畳する遮光部を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
上記アレイ基板の表面の一部に設けられた遮光部は、ソースラインおよびゲートラインに接続されたメタル配線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記アレイ基板の表面の一部に設けられた遮光部は、平面視で、上記液晶層と上記シール材との境界から、上記シール材を配置した領域の一部に突出して、上記シール材の一部のみと重畳して配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＲＴの代替として、液晶表示装置が広く使われている。液晶表示装置はＣＲＴに比べて厚さが薄く小型化が可能であることから、ノート型ＰＣや携帯電話をはじめとする携帯用端末に使用されている。
【０００３】
液晶表示装置のうち、近年主に用いられるアクティブマトリックス方式の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等がマトリックス状に形成されたアレイ基板と、カラーフィルター（ＣＦ：Color Filter）等が形成されたＣＦ基板とが互いに対向して配置され、上記両基板の周縁部を熱硬化型のシール材で接着して貼り合わされた構成となっている。また、上記の両基板の間に電気光学特性を有する液晶が封入されている。
【０００４】
上記液晶表示装置は、両基板をシール材によって貼り合わせ、シール材のシールパターンに設けられた開口部から液晶を注入した後、シールパターンの開口部を封止する方法により製造されている。
【０００５】
ところが、上記のように液晶を注入して液晶表示装置を製造する場合、液晶の注入に長時間を要することとなる。そこで、真空中で、アレイ基板の周囲に枠状にシール材を塗布し、上記枠内に液晶を滴下した後、アレイ基板とＣＦ基板とを貼り合わせ、液晶を封入する方法（液晶滴下貼り合わせ方式）が用いられている。
【０００６】
しかしながら、上記の方法では、液晶と未硬化のシール材とが接触すると、液晶にシール材の成分が溶け出し、シミが発生してしまう。また、シール材の硬化に熱を必要とすることから、使用するアレイ基板およびＣＦ基板に熱膨張が生じ、上記両基板の位置がずれるという問題を生じる。よって、シミ防止のために硬化を速やかに行うことが必要とされると共に、位置ずれを防止するために硬化時に加熱しないシール材が必要とされている。そこで、熱硬化型のシール材の替わりに光硬化型のシール材を使用することが提案されている。
【０００７】
図８に光硬化型のシール材を用いた液晶表示装置のパネル部分の平面図を示す。図９に、図８に示す液晶表示装置をＢ−Ｂ線にて切断した時の断面の概略構成を示すＢ−Ｂ線断面図を示す。図８および図９を参照しながら、従来の液晶表示装置のシール材について説明する。
【０００８】
液晶表示装置のパネル部分は、ＣＦ基板１０１とアレイ基板１０２との間に液晶１０６が挟まれた構造となっている。これらＣＦ基板１０１とアレイ基板１０２とは、光硬化型のシール材１０３を介して接着されている。ＣＦ基板１０１のシール材１０３に接する面側には、遮光性のブラックマトリックス（以下、「ＢＭ」と記す：遮光膜）１０５が形成されている。アレイ基板１０２のシール材１０３に接する面側には、表示エリア１０９に信号を伝えるためのメタル配線１０４（図９参照）が一部に形成されている。さらにメタル配線１０４は端子部１１１と接続されている。また、シール材１０３は表示エリア１０９の周囲に設けられた額縁領域１１０に配置されている。
【０００９】
上記液晶表示装置の製造工程において、シール材１０３を硬化させるためにアレイ基板１０２側から光を照射すると、メタル配線１０４の影となる部分１０３ａ（図９参照）では、光が当たりにくいため、シール材１０３が未硬化の状態のままになりやすい。回折効果によって光が回り込むことがあるが、この場合、照射時間を長くする必要がある。
【００１０】
そこで、２枚の基板に挟まれた光硬化型のシール材１０３に接するＢＭ１０５（遮光膜）に開口部（光透過部）を設け、当該開口部から光を照射することが考えられる。通常、額縁領域１１０に入出力される信号に悪影響を与えない限り、ＢＭ１０５（遮光膜）に部分的に開口部を形成することが可能である。
【００１１】
例えば、特許文献１では、光硬化型シール材の真上または真下の何れかにある遮光膜の形状、幅、および遮光膜に設けられる開口部の大きさを定義することで、光硬化型シール材に、該光硬化型シール材が硬化するために必要な光を照射することが提案されている。
【００１２】
また、ＣＦ基板１０１に設けられるＢＭ１０５の代わりに、青色着色層、赤色着色層、および緑色着色層が積層された遮光層を使用することが考えられる。
【００１３】
例えば、特許文献２では、シール材に接触する部分に上記青色着色層を用い、かつシール材として青色帯域の波長の光に光反応域を有している樹脂材料を用いることが提案されている。また、特許文献２では、ＣＦ基板側から光を照射することで、青色着色層を透過した青色帯域の波長の光によって、シール材を硬化させることが提案されている。
【００１４】
また、特許文献３では、ＣＦ基板の基板面に対して斜め方向から光を照射し、ＣＦ基板を透過した光線をアレイ基板、ＢＭおよび金属配線で反射させて、シール材のうち金属配線と重なって形成されている領域にも光線を入射させ、シール材を硬化させることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２０００−８９２３５号公報（公開日：２０００年３月３１日）」（対応米国特許第６，４２４，３９４号（登録日：２００２年７月２３日））
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２００１−２２２０１７号公報（公開日：２００１年８月１７日）」（対応米国特許出願公開第２００２／０１９６３９３号（公開日：２００２年１２月２６日））
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２００４−４５６３号公報（公開日：２００４年１月８日）」（対応米国特許出願公開第２００３／０２１８７１３号（公開日：２００３年１１月２７日））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、特許文献１に記載されたような方法を用いたとしても、メタル配線１０４側から光を照射してシール材１０３を硬化させる場合、図９に示すような、メタル配線１０４の影となる部分１０３ａは、他の部分に比べて硬化し難いという問題は依然として残る。また、特許文献２・３に記載の方法では、液晶パネルの設計や光の照射方法が複雑であるという問題や、光の利用効率が良くないという問題がある。
【００１７】
よって、より簡便に、シール材の硬化不良に伴うシミの発生を防止することができる液晶表示装置の製造方法、並びに、これにより、シール材の硬化不良に伴うシミの発生の問題が解消された液晶表示装置が切望されている。
【００１８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、シール材の硬化不良に伴うシミの発生の問題が解消された液晶表示装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、互いに対向配置されたアレイ基板およびカラーフィルタ基板と、上記アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に設けられた液晶層と、上記液晶層を連続して取り囲むように配されているとともに、上記アレイ基板およびカラーフィルタ基板を結合するように配されたシール材と、上記アレイ基板の表面の一部に設けられた遮光部と、上記アレイ基板上における、上記シール材と遮光部との間に設けられた透明膜とを備え、上記透明膜は、異なる材料で形成された少なくとも二層を含み、上記少なくとも二層のそれぞれは、上記シール材と遮光部との間に配されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
通常、シール材を硬化させるために、アレイ基板の背向面側から光が照射されると、遮光部によって遮光されて光が照射されない遮光領域がシール材中に生じる。言い換えれば、光が照射されたときに遮光部の影になる領域が生じる。
【００２１】
しかしながら、上記の構成によれば、アレイ基板に形成された遮光部とシール材との間に、異なる材料で形成された少なくとも二層の透明膜が形成されている。つまり、上記のように背向面側から光が照射されると、シール材ではなく透明膜内に遮光領域（影になる部分）が生じることになる。これにより、従来のように、シール材に遮光部による遮光領域が生じないので（つまりシール材全体に光が照射されるので）、シール材が十分に硬化される。したがって、シール材の硬化不良を防止することができる。その結果、液晶表示装置の品質を向上することができる。
【００２２】
よって、上記の構成によれば、より簡素な構成で効率良く、シール材の硬化不良を防止することができる。上記の構成によれば、シール材の硬化不良、特に、シール材における液晶層と接触する部分の硬化不良が無く（殆ど無い、好適には全く無い）、シール材の硬化不良に伴う問題が解消された、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図２】上記液晶表示装置のアレイ基板の概略構成を示す平面図である。
【図３】図２に示すアレイ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図４】上記液晶表示装置に光を照射する光照射装置の概略を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置のパネル部分の平面図である。
【図９】図８に示す液晶表示装置のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０（ａ）】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図１０（ｂ）】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す、図１０（ａ）においてＣで示した部分の拡大平面図である。
【図１０（ｃ）】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す、図１０（ｂ）のＤ−Ｄ線矢視断面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図１３】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図１４】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図１５】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図１６】本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図１ないし図４に基づいて説明すると以下の通りである。図１は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態に係る上記液晶表示装置のパネル部分を平面から見た時の概略構成は、基本的には前記図８に示した通りであり、本実施形態では、その図示を省略する。図１は、図８に示す液晶表示装置のＢ−Ｂ線断面図に相当する。但し、端子部の図示は省略している。図２はアレイ基板の概略構成を示す平面図である。図３は図２に示すアレイ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。図４は光を照射する光照射装置の概略を示す断面図である。なお、本発明において、「透明」とは、「物体が光等の電磁波を通す」こと、つまり、光透過性を有することを示す。
【００２５】
まず、本実施形態の液晶表示装置に好適に使用されるアレイ基板について説明する。図２に示すように、本実施形態で用いられるアレイ基板１には、マトリクス状に配置された複数の画素領域（画素３０群）が設けられている。これにより、上記アレイ基板１には、図１および図２に示すように、上記複数の画素３０からなる表示エリア３１が形成されている。図１は、上記表示エリア３１の周縁部の概略構成を示している。
【００２６】
また、上記アレイ基板１には、図２および図３に示すように、画素３０毎に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す：スイッチング素子）１３が形成されている。
【００２７】
アレイ基板１は、図３に示すように、光透過性を有する、ベースとなる基板（ベース基板、透明基板）１Ａ（第一の基板）上に、ＴＦＴ１３が設けられ、その上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる下層層間絶縁膜２５と、アクリル樹脂からなる上層層間絶縁膜２６とがこの順に積層され、さらにその上に、画素電極２１が配置されている構造を有している。つまり、上記アレイ基板１は、ＴＦＴ１３と画素電極２１とを分離するように、下層層間絶縁膜２５と上層層間絶縁膜２６とが配置された構造となっている。なお、図２および図３では、本実施形態に係る液晶表示装置の一例として、ＴＦＴ１３と画素電極２１とが対向配置され、これらＴＦＴ１３と画素電極２１との間に、上記下層層間絶縁膜２５と上層層間絶縁膜２６とが配置された構造を有する液晶表示装置について図示した。しかしながら、本実施形態に係る液晶表示装置は、これに限定されるものではなく、必ずしも、ＴＦＴ１３の真上に画素電極２１が配置されている必要はない。
【００２８】
図３に示すように、ＴＦＴ１３のゲート電極１４は、窒化シリコンあるいは酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１５によって絶縁されている。また、ｎ型半導体層２４・２４（低抵抗半導体層）および活性半導体層２７を介してドレイン電極１６とソース電極１７とが接続されている。また、図２に示すように、ドレイン電極１６はドレイン引出し電極１８を介して補助容量ライン１９上に延設（延伸）されている。さらにドレイン引出し電極１８はコンタクトホール２０を介して、例えばＩＴＯ(Indium Thin Oxide)あるいはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極２１と電気的に接続されている。また、ソース電極１７はソースライン２２に接続されている。また、これら複数のソースライン２２およびゲートライン２３は、アレイ基板１の周縁部に設けられた端子部（図示せず）に、メタル配線４（図１参照）を介して接続されている。これにより、ＴＦＴ１３は端子部を介して、外部回路に接続されるようになっている。なお、端子部の構成は、図８および図９に示す従来の液晶表示装置における端子部１１１の構成と同じである。よって、ここでは、上記端子部についての説明を省略する。
【００２９】
次に、本実施形態に係る液晶表示装置の構造について説明する。
【００３０】
図１に示すように、液晶表示装置は、上記アレイ基板１と、カラーフィルター基板（以下、「ＣＦ基板」と記す）２と、シール材３と、液晶層６とを備えている。
【００３１】
上記アレイ基板１は、上記ＣＦ基板２との対向面側の一部に、メタル配線（遮光部（Ａ）、第一の遮光部）４を備えていると共に、該メタル配線４と上記シール材３との間に、透明膜７（光透過性を有する膜）を備えている。
【００３２】
上記メタル配線４は、図１に示すように、上記基板１Ａ上（つまり、上記基板１ＡにおけるＣＦ基板２との対向面上）における、上記基板１Ａの周縁部（つまり、上記アレイ基板１の周縁部）に形成されている。但し、本発明はこれに限定されるものではなく、上記メタル配線４としては、上記シール材３によるシール部に形成されたメタル配線全てが対象となる。
【００３３】
一方、上記ＣＦ基板２は、光透過性を有する、ベースとなる基板（ベース基板、透明基板）２Ａ（第二の基板）上に、図示しないカラーフィルター（ＣＦ）等が設けられた構成を有している。また、ＣＦ基板２には、上記アレイ基板１との対向面側に、光を遮光するＢＭ５（遮光部（Ｂ）、第二の遮光部）が形成されている。ＢＭ５は液晶表示装置の外部からの不要光を遮光すると共に、液晶表示装置の内部からの光漏れを防止するために設けられている。
【００３４】
アレイ基板１とＣＦ基板２とは互いに対向して配置されており、これらアレイ基板１とＣＦ基板２との間に液晶層６が挟まれている。また、シール材３を介して、アレイ基板１とＣＦ基板２とが接着されていると共に、シール材３により液晶層６が取り囲まれ封止されている構造となっている。なお、以下では、液晶表示装置のアレイ基板１側を下側、ＣＦ基板２側を上側として説明する。
【００３５】
前記したように、アレイ基板１には複数の画素３０（画素領域）からなる表示エリア３１が形成されている。
【００３６】
各画素３０（画素領域）の各列および各行には、図２に示すように、ソースライン２２およびゲートライン２３がそれぞれ設けられている。これらソースライン２２およびゲートライン２３は、前記したように、表示エリア３１に信号を伝えるためのメタル配線４（図１参照）を介して、アレイ基板１の周縁部に設けられた端子部（図８に示す端子部１１１に相当：図示せず）に、それぞれ接続されている。
【００３７】
つまり、上記メタル配線４は、表示エリア３１における各画素３０（画素領域）と電気的に接続されており、かつ上記端子部を介して、図示しない外部回路と電気的に接続されている。上記メタル配線４は、例えば、上記画素領域と外部回路とを電気的に接続し、かつ電気信号の入出力を行うために設けられている。
【００３８】
また、アレイ基板１には、メタル配線４を被覆すると共に、例えば表示エリア３１における、コンタクトホール２０等を除く全体を被覆するように、透明膜７が配置されていてもよい。換言すれば、透明膜７は、アレイ基板１に設けられたソースライン２２やゲートライン２３等を含む画素領域にも配置されていてもよい。画素領域の透明膜７は、例えば層間絶縁膜として設けられる。
【００３９】
さらに、本実施形態に係る液晶表示装置の構造について別の表現を用いて説明すれば、次のようになる。アレイ基板１を構成する基板１Ａ上に設けられた配線、具体的にはソースライン２２およびゲートライン２３等を含む画素領域に、透明膜７が配置されている。さらに透明膜７の上に液晶層６とシール材３とが配置されており、液晶層６はシール材３によって周りを囲まれている。さらに液晶層６およびシール材３の上には、カラーフィルター（ＣＦ）が設けられたＣＦ基板２が配置されている。ＣＦ基板２における上記シール材３との対向面には、ＢＭ５が配置されている。そして、アレイ基板１とＣＦ基板２とはシール材３を介して接着されており、互いに対向配置された構造となっている。
【００４０】
次に、本実施形態の各部材について説明する。
【００４１】
まず、アレイ基板１およびＣＦ基板２に用いられる基板１Ａ・２Ａ（ベース基板、透明基板（光透過性を有する絶縁性基板））としては、一般に用いられているガラス基板等を使用することができる。なお、上記基板１Ａ・２Ａとしては、基板として使用に耐えうる程度の透明性（光透過性）、機械的強度、および耐熱性等を有するならば、ガラス基板等に限定されるものではなく、プラスチック基板等を使用することができる。また、上記基板１Ａ・２Ａとしては、必ずしも透明基板に限定されるものではない。上記基板１Ａ・２Ａは、上記液晶表示装置が反射型の液晶表示装置である場合には、表示側となる基板における表示領域以外には、少なくとも上記基板１Ａにおける、上記シール材３と対向する領域が光透過性を有していればよく、その材料や形態は特に限定されるものではない。
【００４２】
シール材３は、光硬化性材料（光硬化性材料（ａ））を含む材料、例えば、光硬化性樹脂からなり、アレイ基板１とＣＦ基板２とを接着するために用いられ、かつ液晶層６を封止するために用いられる。光硬化性樹脂は光によって硬化するものであれば特に限定されるものではない。一般の液晶表示装置に使用される光硬化型のアクリル系樹脂等を使用できる。また、上記シール材３は、光硬化性樹脂以外に、光熱併用型の樹脂材料を用いてもよく、光硬化性材料と熱硬化性材料とを含む材料からなっていてもよい。
【００４３】
また、透明膜７は、例えば透明樹脂（光透過性を有する樹脂）からなり、例えば屈折率が１．４のアクリル樹脂を使用することができる。なお、上記透明膜７の材料（材料（ｂ））としては、透明性（光透過性）を有する材料であれば、アクリル樹脂に特に限定されるものではなく、例えば、ポリイミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリシロキサン、メチルシロキサン系のスピンオングラス（ＳＯＧ）材料等、アクリル樹脂以外の樹脂あるいは有機化合物（有機材料）を含む材料を用いてもよい。また、上記透明膜７は、透明性を有していれば、例えば、シリケート系のスピンオングラス（ＳＯＧ）材料等の無機材料からなっていてもよい。これら透明膜７の材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。
【００４４】
また、アレイ基板１の背向面側から光が照射されたときに、メタル配線４の影になる領域（遮光領域）の方向に向かって光がより屈折するように、透明膜７の屈折率は小さい方が望ましい。より好適には、透明膜７の屈折率は、上記アレイ基板１における基板１Ａの屈折率以下であることが望ましく、上記基板１Ａの屈折率よりも小さいことがより望ましい。
【００４５】
樹脂等の有機化合物は、無機化合物に比べて屈折率が小さく、また、屈折率が小さいものを容易に入手あるいは準備することができる。よって、上記透明膜７の材料として樹脂等の有機化合物を用いることで、上記透明膜７の屈折率を、容易に、上記基板１Ａの屈折率以下、より好適には上記基板１Ａの屈折率未満とすることができる。このため、上記透明膜７は、樹脂等の有機化合物を含む層、より好適には樹脂等の有機化合物からなる層を少なくとも一層備えていることが好ましく、上記透明膜７の屈折率が、上記基板１Ａの屈折率以下、好適には上記基板１Ａの屈折率よりも小さくなるように、上記透明膜７の材料および上記基板１Ａの材料を適切に選択することが望ましい。
【００４６】
透明膜７の屈折率が小さいと、光の屈折角が大きくなり、光の回り込む距離が大きくなるという効果を奏する。さらに光の回り込みが大きくなることにより、遮光部であるメタル配線４の幅を大きくすることができる。一方、透明膜７の屈折率が大きいと、光の屈折角が小さくなり、光の回りこむ距離が小さくなるため、シール材３に光が照射され難くなる。以下に、この理由について具体的に述べる。
【００４７】
透明膜７および上記基板１Ａにはスネルの法則（屈折の法則ともいう）が成立する。つまり、上記基板１Ａの屈折率をｎａとし透明膜７の屈折率をｎｂとし、かつ透明膜７に入射する光の入射角をθｉ、屈折角をθｒとしたとき、ｓｉｎθｉ／ｓｉｎθｒ＝ｎｂ／ｎａが入射角θｉによらず一定に成立する。
【００４８】
したがって、透明膜７の屈折率ｎｂが上記基板１Ａの屈折率ｎａより小さいほど、透明膜７の光の入射角度に対して、屈折角θｒは大きくなる。つまり、透明膜７の屈折率が上記基板１Ａの屈折率より小さいほど、光がより回り込むことが可能となり、シール材３の未硬化部分が減少する。
【００４９】
一方、透明膜７の屈折率ｎｂが上記基板１Ａの屈折率ｎａより大きいほど、透明膜７の光の入射角θｉに対して、屈折角θｒは小さくなる。したがって、シール材３に光が照射され難くなる。
【００５０】
また透明膜７の厚さ（高さ、膜厚）Ｄ１は厚い（高い）ほうが望ましい。より好適には、シール材３を完全に硬化させるために、上記メタル配線４の基部からの上記透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ１は、上記アレイ基板１の背向面側、すなわち、上記基板１Ａの背向面側から入射される光が上記メタル配線４により遮光される遮光領域（メタル配線４の影になる領域）の、上記メタル配線４の基部からの高さ、すなわち、メタル配線４の基部から上記遮光領域の頂部までの高さＤ２以上であることが望ましい。すなわち、本実施の形態では、透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ１は、メタル配線４によって遮光される遮光領域のアレイ基板１表面からの高さであるＤ２以上であることが望ましい。さらに言えば、上記メタル配線４の表面を基準とした上記メタル配線４上の透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ３は、上記アレイ基板１の背向面側、すなわち、上記基板１Ａの背向面側から入射される光が上記メタル配線４により遮光される遮光領域（メタル配線４の影になる領域）の、上記メタル配線４の表面からの高さＤ４以上であることが望ましい。
【００５１】
通常、メタル配線４の幅が一定の場合、メタル配線４によって生じる遮光領域（メタル配線４の影になる領域）の大きさも一定になる。したがって、上記透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ１、あるいは、上記メタル配線４上に形成される透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ３が大きいほど、上記遮光領域がシール材３ではなく透明膜７内にのみ配置されることになる。よって、シール材３には光が回り込み、シール材３の硬化不良を防止することが可能となる。また、透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ１がＤ２以上であれば、シール材３には上記遮光領域、つまり未硬化状態の領域が生じることがない。よって、シール材３の硬化不良による従来の問題点を解決することができる。なお、上記透明膜７の具体的な膜厚については後述する。
【００５２】
また、アレイ基板１（基板１Ａ）の対向面全てを被覆するように透明膜７が設けられている必要はなく、メタル配線４によって遮光される領域（メタル配線４の影になる領域）にのみ、透明膜７が設けられていればよい。アレイ基板１側（つまり、基板１Ａ側）から光を照射すると、メタル配線４の上部に上記遮光領域が形成される。つまり、メタル配線４の上部にのみ透明膜７が配置されていれば、上記遮光領域（メタル配線４の影になる領域）は、メタル配線４上の透明膜７内に位置するようになるので、シール材３には十分に光が照射されることになる。したがって、シール材３が硬化不良を生じる虞がなくなる。
【００５３】
本実施形態の構成によれば、アレイ基板１の背向面側（図１下側）から光が照射されると、メタル配線４上に透明膜７が形成されているので、上記アレイ基板１（基板１Ａ）に入射した光は、透明膜７に生じる遮光領域（メタル配線４の影になる領域）の周りを回り込むこととなり、透明膜７上に形成されたシール材３に到達することになる。
【００５４】
ここで、光が回り込むときの「光の回り込みの大きさ」について説明する。アレイ基板１（基板１Ａ）に入射される垂直方向の光とシール材３との交点をａ１とし、かつ、斜め方向の光（遮光領域を回り込む光）とシール材３との交点をａ２とすると、「光の回り込みの大きさ」とはａ１とａ２との間の距離αを意味する。例えば、透明膜７が形成されていない場合、つまりメタル配線４とシール材３とが接している場合、光の回り込みは生じることが無く、ａ１とａ２とは一致してα＝０となる。つまり、メタル配線４の幅Ｗだけ光が照射されないことになる。
【００５５】
本実施形態で用いた、上記基板１Ａの屈折率は１．５４であり、かつ形成されている透明膜７の屈折率が１．４および厚さが３μｍである。この場合、アレイ基板１側（つまり、基板１Ａ側）から光が照射されると、光が回り込む大きさαは、透明膜７が形成されていない場合に比べて、約３．１μｍ大きくなる。したがって、シール材３には倍の約６．２μｍの幅だけ多く光が照射されることになる。なお。この数値は説明のために例示したものであり、特に限定されるものではない。
【００５６】
次に、上記液晶表示装置を製造する方法について説明する。
【００５７】
まず、基板１Ａ上にＴＦＴ１３を公知の方法で形成した後、ＴＦＴ１３を被覆するために、０．３μｍ〜０．５μｍ程度のＳｉＮｘからなる下層層間絶縁膜２５を、ＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガス、およびＮ２ガスからなる混合ガスを用いて化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）にて成膜する。
【００５８】
次に、２．０μｍ〜４μｍ程度の感光性アクリル樹脂からなる上層層間絶縁膜２６を、フォトリソグラフィによりコンタクトホール２０、ゲートライン２３用の端子部コンタクト領域、およびソースライン２２用の端子部コンタクト領域を有するように形成する。なお、形成された上層層間絶縁膜２６の膜厚のばらつきが通常の表示機能に影響を与えない場合は、本発明の目的において、上層層間絶縁膜２６の膜厚を厚く（大きく）するほうが良い。特に上層層間絶縁膜２６が樹脂である場合、無機膜に比べ、プロセス上もコスト上も、膜厚を厚くしやすいという特徴がある。但し、上記上層層間絶縁膜２６は、樹脂にのみ限定されるものではない。上記上層層間絶縁膜２６としては、例えば、シリケート系の無機スピンオングラス（ＳＯＧ）材料からなる膜のように、比較的厚膜化しやすい無機材料からなる無機膜を用いてもよい。なお、上記の数値２．０μｍ〜４μｍは、今回用いた樹脂の平坦性の維持等の観点から決定したものであり、上記範囲に限定するものではない。
【００５９】
但し、上記上層層間絶縁膜２６の膜厚が、上限である４μｍを超えると膜厚ムラが見え易くなることから、上記上層層間絶縁膜２６は、４μｍ以下であることが望ましい。
【００６０】
また、上記上層層間絶縁膜２６は比誘電率が３程度のアクリル樹脂であり、上層層間絶縁膜として効果を発揮するには、２μｍ以上が適当である。
【００６１】
後述するように、上記上層層間絶縁膜２６は透明膜７としても利用することができ、上記上層層間絶縁膜２６を透明膜７として利用することで、上層層間絶縁膜２６を形成するのと同時に透明膜７を形成することができる。したがって、上記上層層間絶縁膜２６を透明膜７として利用する場合における、メタル配線４等の遮光膜上の透明膜７における光の回り込みの観点からも、上記上層層間絶縁膜２６の膜厚は、２μｍ以上であることが好ましい。
【００６２】
一方、液晶表示装置の一般的な製造方法におけるメタル配線の解像限界の線幅が約３μｍであること、並びに、前記したように、透明膜７に用いられる材料の屈折率は小さいもので１．４程度であることから、上記上層層間絶縁膜２６の膜厚は、上記メタル配線４の幅をＷとし、透明膜の積層数をｍ（１≦ｍ）層とし、上記アレイ基板１における基板１Ａ側、つまり、上記アレイ基板１おける上記メタル配線４側からｋ（１≦ｋ≦ｍ）番目の透明膜の屈折率をｎｋ（１＜ｎｋ）、該透明膜の膜厚をｄｋとしたときのメタル配線の幅Ｗと透明膜との関係を示す式（１）
【００６３】
【数１】
0005391184.tif 000002
【００６４】
から逆算すると、１．５μｍ以上であることが好ましく、式（１）に対し、ガラス基板に入射する光の入射角が７０°までである場合を考慮した式（２）
【００６５】
【数２】
0005391184.tif 000003
【００６６】
から逆算すると、１．７μｍ以上であることが好ましく、マージンを考えると２μｍ以上であることがより好ましい。なお、式（１）および式（２）については、後述する実施の形態４にて詳述する。
【００６７】
また、上記透明膜７が、複数層からなり、例えば、メタル配線４上に形成された、窒化シリコンや酸化シリコンからなる透明膜（第一の透明膜）を覆うように、樹脂やＳＯＧからなる透明膜（第二の透明膜）で上記メタル配線４を覆うような積層構造を有している場合にも、平坦性と効果とのバランスを考えると、透明膜の合計膜厚（透明膜全体の膜厚）は１．５μｍ以上、好ましくは１．７μｍ以上、さらに好ましくは２μｍ以上であり、その上限は４μｍであることが望ましい。本発明の目的からすれば、透明膜７の膜厚は、厚い方が、効果が高い。しかしながら、透明膜７の形成の仕易さ、平坦性、透明度の低下等を考慮すると、４μｍ程度を上限とするのが現実的である。なお、透明膜の積層については後述する実施形態で詳細に説明する。
【００６８】
その後、画素電極２１を上層層間絶縁膜２６上に公知の方法により形成することにより、画素３０（画素領域）が形成されたアレイ基板１を作製することができる。
【００６９】
次に、上記アレイ基板１上にシール材３を配置したときに該シール材３の下方に位置することになるメタル配線４を被覆するように、透明材料を用いてメタル配線４上に透明膜７を形成する（透明膜形成工程）。アレイ基板１に透明膜７を形成する方法（つまり、前記基板１Ａ上に透明膜７を形成する方法）としては、特に限定されるものではなく、例えば、フォトリソグラフィ、スピンコート法を用いることができる。このとき、透明膜７の厚さを厚く形成できるので、上記アレイ基板１における基板１Ａに塗布するときの透明樹脂の粘度は高いほうが望ましい。また、メタル配線４のみでなく画素領域（画素３０群）全体（表示エリア３１全体）を透明膜７で被覆してもよい。この場合、画素領域を保護することができるので、製品の信頼性がより一層向上する。
【００７０】
次に、透明膜７が形成されたアレイ基板１の周縁部に、光硬化性材料（光硬化性材料（ａ））を含む樹脂を塗布し、該アレイ基板１の周縁部に、枠状にシール材３を配置する（シール材配置工程）。シール材３を配置する方法は特に限定されるものではなく、通常の液晶表示装置を形成するときに使用される方法を用いればよい。上記シール材３をアレイ基板１の周縁部に配置する方法としては、例えば、上記アレイ基板１の周縁部に、光硬化型の材料を含む樹脂を、シールディスペンサー法あるいはスクリーン印刷法により塗布する方法（シール描画）が挙げられる。
【００７１】
続いて、液晶を上記シール材３の枠内に収まるように導入して液晶層６を形成する（液晶層形成工程）。なお、液晶を導入する方法としては特に限定されるものではなく、公知の方法を用いればよい。例えば、液晶滴下貼り合わせ方式を適用できる。すなわち、上記液晶層６は、液晶によって所望のセルギャップとなるように、最適な液晶量の液晶を、枠状のシール材３の内側部分に、液晶滴下法（液晶滴下方式）により規則的に滴下することによって形成することができる。なお、上記液晶表示装置が液晶滴下方式並びに該液晶滴下方式を用いた液晶滴下貼り合わせ方式を採用したものであるか否かは、液晶の注入口の有無よって判断することができる。上記液晶表示装置が液晶滴下方式並びに該液晶滴下方式を用いた液晶滴下貼り合わせ方式を採用したものである場合、上記注入口を必要としないことから、シール材３が、連続した枠状に配置されており、シール材表面（外周壁および内周壁）が一様に平坦であるのに対し、液晶注入方式の場合、液晶の注入口を後からシール材３で封止することで、注入口跡に、封止跡が存在する。
【００７２】
続いて、アレイ基板１とＣＦ基板２とをシール材３を介して貼り合わせる（基板接着工程）。上記のようにシール描画および液晶滴下を行ったＣＦ基板２とアレイ基板１とを貼り合わせるため、貼り合わせ装置内の雰囲気を１Ｐａまで減圧し、この減圧下において上記両基板の貼り合わせを行った後、上記貼り合わせ装置内の雰囲気を大気圧に戻すと、上記シール材３が押し潰され、上記シール材３によるシール部において、所望のギャップ（基板間ギャップ）を得ることができる。
【００７３】
次に、アレイ基板１側（基板１Ａ側）から光を照射して、シール材３を硬化させる。シール材３が光熱併用硬化型の場合には、さらにベーク処理を行う。その後、貼り合わせた基板を、必要に応じて、個々の液晶パネルに分断（液晶パネル単位に分断）する。
【００７４】
このように上述の工程を経ることで、液晶表示装置を製造することができる。なお、図１中の矢印は光の進行方向を示している。アレイ基板１に入射する光の進行方向（入射角度）は様々であるが、説明の便宜上、斜め方向の光のみ記載している。
【００７５】
ここで、光を照射する光照射装置について説明する。光照射装置としては、従来から使用されている装置を使用すればよい。例えば、図４に示すように、光照射装置は、一般的に、光源１０と反射板１１とから構成されている。反射板１１は、光源１０からの光を、液晶表示装置となる被処理基板１２に均一的に照射させるために用いられる。
【００７６】
光源１０からの光は反射板１１によって反射されるため、被処理基板１２の基板面（光が入射する面）には、該基板面に対して垂直な光だけではなく、傾斜した斜め光も入射することができる。なお、図４中、矢印は光の進行方向を示している。
【００７７】
また、一般的に、被処理基板１２がガラス製の場合、基板面での反射があるため、基板面に対する有効な光の入射角度は、基板面の法線方向に対して７０度程度となる。なお、例えば、上記ガラスの屈折率が１．５〜１．７の場合、空気の屈折率よりも大きいため、被処理基板１２における光の屈折角は入射角よりも小さくなる。
【００７８】
上記の光照射装置を使用してシール材３を硬化させる場合、アレイ基板１の背向面側（下側）から光を照射すると、メタル配線４の上側では光が遮光され、メタル配線４の上側に位置する透明膜７に遮光領域（メタル配線４の影になる領域）が生じることになる。つまり、遮光領域が生じる部分に透明膜７が形成されている。このときアレイ基板１には、種々の方向から均一に光が入射されるので、遮光領域を光が回り込み、透明膜７上に配置されているシール材３には、十分に光が入射されることになる。換言すると、従来は光が照射されなかった部分に、シール材３の代わりに透明膜７が形成されていることにより、メタル配線４とシール材３との距離が離れ、光が回り込みやすくなる。したがって、シール材３の未硬化部分を減少させることが可能となる。
【００７９】
なお、上記説明では図１のようにシール材３によるシール部にＢＭ５が存在し、アレイ基板１側からのみ光を照射することを前提として説明したが、図１２に示すように、ＢＭ５におけるシール材３との対向位置に、ＢＭ５の開口部５ａが形成されている（つまり、ＢＭ５が部分的に形成されているか、あるいはＢＭ５が形成されていない）場合には、上記アレイ基板１およびＣＦ基板２の両方の側から、光を照射してもよい。この場合、上記一方の基板側からのみ光を照射する場合と比べて、上記シール材３を効率良く硬化することができる。
【００８０】
また、メタル配線４上に、透明膜７を別途形成する代わりに、上層層間絶縁膜２６を形成するときに、ＴＦＴ１３のみではなくアレイ基板１の周縁部まで被覆するようにしてもよい。これにより、透明膜７を別途形成する必要がなく、既存の膜を用いて、製造プロセスの変更無しに、アレイ基板１の周縁部に形成されたメタル配線４まで被覆することができる。したがって、別途、透明膜７を形成するための工程を必要とせず製造工程を簡略化できる。
【００８１】
上記のように、上層層間絶縁膜２６を形成するのと同時に透明膜７を形成する場合、透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ１は４μｍ以下にすることが望ましい。４μｍより透明膜７の厚さ（高さ）Ｄ１が厚い場合、透明膜７を、厚さ（高さ）Ｄ１で均一に形成することが難しい。このことは、つまり、上層層間絶縁膜２６の厚さを均一に形成することが難しいということを意味する。この場合、上層層間絶縁膜２６上に形成される画素電極２１を適正に配置できず、液晶表示装置の複数の画素３０（画素領域）で、アレイ基板１の表面から画素電極２１表面までの厚さ（高さ）が不均一になる場合がある。したがって、液晶表示装置に輝度むらが生じることがある。
【００８２】
なお、本実施の形態では、層間絶縁膜を形成するのと同時に透明膜を形成することについて、その材質としてアクリル樹脂を用いて説明したが、その他の樹脂材料や、スピンオングラス（ＳＯＧ）を使用してもよい。ＳＯＧはスピンコート法により、成膜することができるガラス質の材料であり、通常、液晶表示装置において平坦化膜として用いられている。さらに、ＳＯＧは成膜したときに透明性が高く、層間絶縁膜としての特性にも優れている。また、ＳＯＧには屈折率が１．４以下のものもあり、かつ膜厚をアクリル樹脂並に厚くしやすいため、ＳＯＧ、特に、屈折率が１．４以下のＳＯＧを透明膜として使用することで、アクリル樹脂と同様にシール材３の硬化不良を防止する点で効果的である。
【００８３】
なお、ＳＯＧは、通常、感光性樹脂では無い場合が殆どである。このため、ＳＯＧをパターニングする際は、別途、レジストを用いてフォトリソグラフィ法を適用後、エッチング処理が必要となる。また、透明膜は、上記したように層間絶縁膜（例えば上層層間絶縁膜２６）を併用する場合に限定されず、平坦化膜、保護膜等、他の目的に用いる透明膜を併用してもよいし、本発明の目的のためだけに別途形成してもよい。
【００８４】
また、本実施の形態では、遮光部として、主にメタル配線４を例に挙げて説明したが、遮光性または光を透過し難いその他のパターンであってもよい。上記遮光部としては、例えば、メタルで形成された、シール部のギャップ材や、透過率を調整するためのダミーパターンや、開口部を有するＢＭでもよい。すなわち、本発明は、シール部に、遮光性または光を透過し難いパターン（構造物）が形成されている場合全般に適用が可能である。
【００８５】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図５に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜の材質が透明樹脂の替わりに窒化シリコン（ＳｉＮｘ）であることを除いて、上述の実施の形態１と同様である。
【００８６】
図５は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図５に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置では、アレイ基板１とシール材３との間に透明膜９が配置されている。透明膜９の材質としては窒化シリコンを含む材料を使用することができる。窒化シリコンは、通常の液晶表示装置で使用されている材料である。また、窒化シリコンは、屈折率が２．０であり、アレイ基板１に通常使用される基板１Ａの屈折率よりも大きい。基板１Ａの屈折率は、材料によって異なるが、通常、２．０未満である。なお、本実施の形態では、上記基板１Ａとして、例えば、屈折率が１．５〜１．７のガラス製の基板を使用している。したがって、上記透明膜９に入射される光の屈折角θｒは、前記実施の形態１において透明膜７に入射される光の屈折角θｒよりも小さいが、透明膜９がない従来の液晶表示装置に比べると、メタル配線４上での光の回り込みが大きくなる。つまり、シール材３中の遮光領域は、透明膜９がない従来の液晶表示装置に比べると小さくなる。また、上述した通り、窒化シリコンは、ＴＦＴ液晶表示素子に一般的に用いられる材料なので、透明膜９を製造するために製造プロセスを変える必要が無いというメリットがある。
【００８７】
なお、透明膜９として使用される材料としては、窒化シリコンに限定されるものではなく、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いてもよい。通常、ＳｉＯ２は液晶表示装置のハードコート材やＴＦＴのパッシベーション膜として使用されている。ＳｉＯ２は屈折率が１．４６〜１．５０と比較的小さく、成膜すると、膜厚０．３μｍ〜１．０μｍとなるので、上記基板１Ａとして、前記したように屈折率が１．５以上、特に、屈折率が１．５よりも大きい基板を用いた場合、メタル配線４上での光の回り込みが大きくなる。
【００８８】
さらに、透明膜９として使用される材料としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）を用いてもよい。通常、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明膜９の膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度であり、また、その屈折率は２．１〜２．２である。窒化シリコンと組み合わせることで、膜厚をさらに厚くすることが可能となる。なお、上記ＩＴＯおよび上記ＩＺＯは、透明電極材料として液晶表示装置に一般的に使用される材料である。
【００８９】
このように、メタル配線４上に、透明膜９として透明電極材料を含む層、特に、透明電極材料からなる層（透明電極層）を形成する場合には、各配線間が短絡しなような設計にしなければならない場合がある。例えば、メタル配線４の開口部の中間（メタル配線４・４間）に、上記透明電極層を形成しない領域を設けることで、各メタル配線４上に形成された透明電極層同士が接触しない構成としてもよいし、上記メタル配線４と透明電極層との間に、透明絶縁材料からなる層を積層して設けてもよい。なお、透明膜９の積層による効果については後述する。
【００９０】
上記の構成によれば、アレイ基板１の下側（つまり、基板１Ａの下側）から光が照射されると、メタル配線４上に透明膜９が形成されているので、入射された光は透明膜９に生じる遮光領域の周りを回り込み、透明膜９上に形成されたシール材３に到達することになる。例えば、アレイ基板１における上記基板１Ａの屈折率が１．５４であり、かつ形成されている透明膜９の屈折率が２であり、厚さが０．８μｍである場合、アレイ基板１側（つまり、基板１Ａ側）から光が入射されると、光が回り込む大きさは、透明膜９が形成されていない場合に比べて、約０．５μｍ大きくなる。つまり、約０．５μｍ多く光が照射されることになる。したがって、メタル配線４の幅Ｗが１μｍである場合は、シール材３全体に光を照射することが可能となる。なお。この数値は説明のために例示したものであり、特に限定されるものではない。
【００９１】
次に、透明膜９をアレイ基板１に形成する工程について説明する。窒化シリコンからなる透明膜９は、メタル配線４が設けられている基板１Ａ上に、ＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガス、およびＮ２ガスからなる混合ガスを導入してＣＶＤ法にて成膜する。これにより、膜厚０．３μｍ〜１μｍ程度の透明膜９によってアレイ基板１が被覆されることとなる。なお、透明膜９を形成する工程を除いて実施の形態１と同様であるので省略する。
【００９２】
また、透明膜９を形成する方法としては、ＣＶＤ法に限定されるものではなく、通常の液晶表示装置において、窒化シリコンからなる、半導体部（ＴＦＴ１３）を保護するためのパッシベーション膜やゲート絶縁膜１５を形成する方法を使用してもよい。
【００９３】
また、上記構成によれば、別途、アレイ基板１に透明膜９が形成されているが、下層層間絶縁膜２５に透明膜９としての機能を付与することができる。したがって、上記実施の形態１に示した工程、つまりＴＦＴ１３上に下層層間絶縁膜２５を成膜する工程を利用して、下層層間絶縁膜２５と透明膜９とを同時に形成することができる。この場合、下層層間絶縁膜２５を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光マスクパターンを変更するだけでよいので、別途、透明膜９を形成する工程が不要となり、製造工程を簡略化することができる。
【００９４】
〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について図６に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１および２で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜９におけるシール材３と接する面に凹凸が形成されていることを除いて実施の形態２と同様である。
【００９５】
図６は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図６に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、透明膜９の表面に、数μｍ〜数十μｍのピッチの凹凸が設けられているディンプル部８が形成されている。これにより、アレイ基板１側から入射された光を種々の方向に屈折させることが可能となる。したがって、透明膜９の厚さに比べて、メタル配線４の幅が広く、該メタル配線４によって遮光される領域（すなわち、前記遮光領域）が大きい場合でも、ディンプル部８によって、光を拡散することが可能となるので、シール材３に効率良く光を照射させることが可能となる。その結果、シール材３中の硬化不良を防止することができる。
【００９６】
ただし、ディンプル部８を形成する材料の屈折率は、ディンプル部８が形成された面に接するシール材３の屈折率または透明膜９の屈折率と異なっていることが望ましい。これにより、種々の方向に光を屈折させることが可能となる。
【００９７】
なお「凹凸」とは平滑でないことを意味する。つまり、ディンプル部８は、入射された光が種々の方向に屈折するように形成されていれば、その形態は特に限定されるものではない。
【００９８】
次に、透明膜９にディンプル部８を形成する工程を説明する。
【００９９】
実施の形態２と同様にして透明膜９を形成した後、透明膜９上に新たな透明層を形成しする。このとき当該透明層に細かいパターンを作製してディンプル部８を形成する。
【０１００】
ここで、透明膜９にディンプル部８を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、透明膜９上に感光性樹脂を塗布して、当該感光性樹脂をハーフトーン露光することによって、ディンプル部８を形成してもよい。また、感光性樹脂としてポジ型のレジストを使用すれば、露光量が少なくなる条件で露光することも可能となる。このとき、直接露光量を減らしてもよい。あるいは、光を吸収するようなマスクとなる膜を介して露光してもよい。
【０１０１】
なお、透明膜９上に別途ディンプル部８が形成されている代わりに、透明膜９の表面に凹凸が形成されていてもよい。この場合、透明膜９を形成するときに、直接透明膜９に細かいパターンを形成すればよい。透明膜９表面に凹凸が形成されていても、透明膜９上に別途ディンプル部８が形成されていても同様の効果が得られる。
【０１０２】
また、本実施形態に係る液晶表示装置が、反射型および半透過型の液晶表示装置である場合、画素電極２１は反射膜としても用いられ、例えば、アルミニウム等、反射率の高い材料が使われる。なお、反射膜が平坦である場合、鏡面反射が起こり、反射膜の周囲に形成されている部材が、反射膜に鏡のように映りこむという現象が生じることがある。
【０１０３】
したがって、画素電極２１における鏡面反射を防止するために、画素電極２１に、光をある程度散乱反射させるための凹凸が形成されていることが望ましい。これにより、凹凸で光が散乱して鏡面反射を防止することができる。なお、画素電極２１に、凹凸を形成する方法として、例えば、画素電極２１の下層になる上層層間絶縁膜２６に凹凸を形成した後、上層層間絶縁膜２６の上に画素電極２１を成膜する方法が挙げられる。画素電極２１が上層層間絶縁膜２６の凹凸に沿って成膜されることを利用して、画素電極２１に凹凸を形成することができる。なお、詳細な方法については、反射型液晶表示素子の製造方法として公知の文献があるため省略する。
【０１０４】
また、鏡面反射を防止するための凹凸を上層層間絶縁膜２６に形成するのと同時に、シール材３の位置にも凹凸のある透明の層間絶縁膜を形成すれば、別途、製造プロセスを増やすことなく、シール材３の位置の透明膜に光散乱用の凹凸を形成することができる。
【０１０５】
〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について図７に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１ないし３で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜が二層積層されてアレイ基板１とシール材３との間に形成されていることを除いて上記実施の形態１ないし３と同様である。
【０１０６】
このように透明膜を複数積層することにより、各透明膜の合計膜厚を厚くすることができる可能性があると共に、アレイ基板１にＴＦＴ１３を形成するプロセスに合わせて透明膜を形成することもできる。
【０１０７】
図７は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図７に示すように、アレイ基板１に形成されたメタル配線４とシール材３との間に、透明膜が二層積層されている。当該二層の透明膜のうち、下層に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜９、上層に、透明樹脂からなる透明膜７が形成されている。また、アレイ基板１における基板１Ａの屈折率が１．５４であり、透明膜７の屈折率が１．４および厚さが３μｍ、透明膜９の屈折率が２および厚さが０．８μｍである。
【０１０８】
シール材３を硬化させるために、光をアレイ基板１の背向面側から照射した場合、透明膜が二層形成されていることにより、光の回り込みの大きさαが３．６μｍとなった。つまり、この場合、メタル配線４の幅Ｗが７．２μｍ以下であれば、遮光領域が全て透明膜７・９に存在することとなり、光の照射エネルギーを増大させることなく、シール材３を容易に硬化させることが可能になることを示している。
【０１０９】
また、透明膜７および透明膜９の屈折率はできるだけ小さいことおよび膜厚が大きいことが望ましい。より好適には、アレイ基板１における基板１Ａの屈折率以下、さらに好適には上記基板１Ａの屈折率より小さい値が望ましい。屈折率が小さく、かつ膜厚が大きければ、光の回り込む大きさをさらに大きくすることができ、遮光部の幅がさらに広い場合でもシール材３を硬化させることが可能となる。
【０１１０】
特に、透明膜７および透明膜９の屈折率が、アレイ基板１における基板１Ａの屈折率よりも小さい値である場合、前記したように、アレイ基板１に入射された光は、上記基板１Ａを透過して、透明膜７および透明膜９でより遮光領域側に屈折されることとなる。したがって、遮光領域が小さくなるので、シール材３の全面に光が照射されやすくなる。つまり、シール材３が硬化されやすくなる。これにより、照射エネルギーを低減できるという効果を奏する。
【０１１１】
また、メタル配線４の上に透明膜７、透明膜９の順番に積層されていても構わない。この場合も、メタル配線４の上に透明膜９、透明膜７の順番に積層されている構成と同様にシール材３に十分光が照射されことが可能であり、シール材３全体を硬化させることができる。
【０１１２】
また、メタル配線の幅Ｗと透明膜との関係は、式（１）によって表現できる。つまり、上記メタル配線４の幅Ｗであり、透明膜がｍ（１≦ｍ）層で形成され、上記アレイ基板１における基板１Ａ側、つまり、上記アレイ基板１おける上記メタル配線４側からｋ（１≦ｋ≦ｍ）番目の透明膜の屈折率がｎｋ（１＜ｎｋ）、膜厚がｄｋであるとき、透明膜は式（１）を満足することが望ましい。
【０１１３】
【数３】
0005391184.tif 000004
【０１１４】
メタル配線４の幅Ｗに対して、式（１）を満足するように透明膜の層数、膜厚、屈折率を設定することにより、光の照射エネルギーを増大することなく、シール材３を硬化させることができる。また、式（１）を満足するならば、透明膜の材質を限定することなく使用可能であり、透明膜の層数も適宜設定可能である。なお、式（１）や後述する式（２）は、透明膜の層数が一層である場合にも適用できる。
【０１１５】
なお上記式（１）は、次のようにして、導き出されたものである。
【０１１６】
通常、シール材の硬化で使用される光は、並行光でなく、あらゆる角度からの光がガラス基板に入射するようになっている。その理由として、基板に均一な強度で光を照射すると共に、遮光部に光を照射することを可能とするためである。
【０１１７】
このとき、光が１層目の透明膜（膜厚ｄ１、屈折率ｎ１（１＜ｎ１）、透明膜の屈折角θ１）を透過して、出射するまでの水平距離α´とすると、スネルの法則から下式のように変形することができる。ここで、θα、θβは、それぞれガラス基板への光の入射角、ガラス基板の屈折角であり、ｎα、ｎβは、それぞれ空気の屈折率、ガラス基板の屈折率である。なお、「水平距離」とは光の回り込みの大きさを意味する。
【０１１８】
【数４】
0005391184.tif 000005
【０１１９】
ガラス基板への光の入射角はθα＝９０°を超えることはなく、また、空気の屈折率はｎα＝１であることから下式となる。なお、ガラス基板表面への入射角θα＝９０°の光は実質利用できないが、実際は遮光部の端での回折光や透明膜内等での散乱光の影響により、光りの周り込みは若干計算式より大きくなるので、特に気にする必要は無い。
【０１２０】
【数５】
0005391184.tif 000006
【０１２１】
次に、２層目の透明膜を透過して、出射するまでの２層目内で光の回り込む水平距離α”も同様に計算することができる。ここで、２層目の透明膜の膜厚：ｄ２、屈折率：ｎ２（１＜ｎ２）、透明膜の屈折角：θ２とする。
【０１２２】
【数６】
0005391184.tif 000007
【０１２３】
また、３層目以降も同様に計算することができる。以上の結果から、ある層内で光の回り込む距離はガラス基板への光の入射時の角度、空気の屈折率と透明膜の屈折率、膜厚にしか依存しないことが分かる。これにより、各層に入射する光の角度や順番は関係ないことは明らかである。したがって、複数の層がある場合は単純に和にすればよいことが分かる。また、本実施の形態では、遮光部の両側から光が入射するため、実際には遮光部の幅Ｗは、水平距離の総和（光の回り込みの大きさの総和）を２倍した長さの幅以下であればよい。よって、遮光部の幅Ｗは、次の式（１）として表現することができる。
【０１２４】
【数７】
0005391184.tif 000008
【０１２５】
また、一般に、ガラス基板に入射する光の入射角が７０°より大きくなると、ガラス基板表面での反射による光の減衰率が大きくなる。さらに、光照射装置の特性として角度による強度依存があり、入射光の入射角が大きい場合は、入射光の強度自体が小さい場合がある。したがって、透明膜は、ガラス基板に入射する光の入射角が７０°までである場合を考慮した式（２）を満足することが望ましい。
【０１２６】
【数８】
0005391184.tif 000009
【０１２７】
なお、式（２）は、θα＝７０°として、式（１）と同様に計算することで導くことができる。
【０１２８】
また、式（１）、（２）のうち、ルート外に示す「２」が遮光部の両側からの光を意味しており、ルート内の分子分母の「１」または「０．８８」が入射角に依存する定数を意味する。
【０１２９】
次に、透明膜の層数、屈折率、および膜厚が式（１）または（２）を満足しない場合であっても、本実施の形態の効果は、透明膜が二層形成されていることにより、従来の構成に比べて、光が遮光領域に向かってより回り込むことになるので、シール材３が硬化されやすくなる。したがって、照射時間を長時間必要とせず、照射エネルギーを低減できる。結果として、従来に比べて照射エネルギーを低減させることが可能となる。
【０１３０】
例えば、メタル配線４の幅Ｗが５０μｍで、アレイ基板１における基板１Ａの屈折率が１．５４であり、透明膜７の屈折率が１．４および厚さが３μｍ、透明膜９の屈折率が２および厚さが０．８μｍである場合、従来に比べて、硬化に必要な最低照射エネルギーをおよそ１割低減可能である。但し、メタル配線４の幅Ｗは、際限なく太くできる訳ではなく、上限は、１００μｍ〜５００μｍ程度にした方がよい。
【０１３１】
さらに、式（１）または（２）を用いれば、予め、本発明の効果を予測することが可能となり、液晶表示装置を設計しやすいというメリットが生じる。
【０１３２】
なお、本実施形態においても、上記実施の形態１〜３に示した透明膜の材料を使用すれば良い。例えば、透明膜の材料がＳＯＧの場合、透明膜を厚く成膜することが可能となり、式（１）、（２）から、遮光部の幅Ｗを大きく選ぶことができる。
【０１３３】
〔実施の形態５〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１ないし４で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。
【０１３４】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は本実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示し、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）における要部（図１０（ａ）においてＣで示した部分）の構成を示す平面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）のＤ−Ｄ線矢視断面図である。なお、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、図の煩雑化を避けるため、ＣＦ基板２およびブラックマトリックス５を省略している。
【０１３５】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、本実施の形態の液晶表示装置では、遮光部（第一の遮光部）であるメタル配線４が、互いに平行に、かつ線状に液晶層６からシール材３にまで延びるように形成されている。透明膜７は、シール材３が液晶層６と接する端部（境界）の下側部分にメタル配線４を覆うように基板１Ａ上に設けられている。
【０１３６】
シール材３の接着強度が確保できていれば、透明膜７は、少なくとも、光硬化性材料（光硬化性材料（ａ））を含むシール材３、例えば光硬化型のシール材３が液晶層６と接する面側に形成されていればよい。すなわち、透明膜７は、シール材３の直下部分の全面に接するように形成されている必要はなく、シール材３が液晶層６と接する端（境界、界面）の真下部分およびその近傍に形成されていればよい。
【０１３７】
但し、透明膜７は、シール材３が液晶層６に接する部分全てに形成されている必要がある。例えば、図１０（ａ）では、シール材３における液晶層６との界面側全周に、透明膜７を形成することが必要となる。
【０１３８】
なお、液晶層６にシール材３の未硬化成分が溶け込むと、シミになることがあるので、シール材３が上記液晶層６に接する部分には、少なくともシール材３に光があたる必要がある。このため、透明膜７が形成される「シール材が液晶層と接する端の真下部分およびその近傍」の範囲は、「（遮光部の幅）＋（透明膜の膜厚）×２」以上であることが望ましい。合わせて、透明膜７の幅は、膜厚が安定して形成される幅以上であることも必要である。透明膜７の幅が細すぎると、解像限界や、透明膜７の素材が樹脂製の場合には熱垂れ等により透明膜７のエッジにテーパーがついてしまう等の理由で、透明膜７の膜厚が安定しないおそれがある。
【０１３９】
なお、本実施の形態では、図１０（ｃ）に示すように、液晶層６側には透明膜７が形成されていないが、図１１に示すように、液晶層６側に透明膜７が形成されていても何ら問題はない。
【０１４０】
ここで、例えば、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、アレイ基板１に、幅５０μｍ以下の線状（ライン状）のメタル配線４等の遮光部と開口部（該遮光部が形成されていない部分）とが形成されており、かつシール材３と液晶層６との境界から、シール材３の幅（シール幅）の１／４程度の位置まで透明膜７が形成されている場合（その外側のシール幅３／４の直下部分は透明膜７が無い状態）、シール材３の直下全面に透明膜７が形成されている場合と比べ、信頼性上の差異は見られない。これは、シール材３が液晶層６と接する端より外側の部分は、未硬化のシール材３が液晶層６に触れないため、シール材３の接着強度が十分であれば信頼性に影響しないためである。
【０１４１】
また、シール材３としては光硬化性と熱硬化性とを併用しているタイプの材料でもよい。
【０１４２】
〔実施の形態６〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１３に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１ないし５で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜が二層積層されてアレイ基板１とシール材３との間に形成されていると共に、アレイ基板１周縁部（シール部）におけるメタル配線４がソースライン２２と同層に設けられており、このソースライン２２およびメタル配線４の下にゲート絶縁膜１５が設けられており、ＴＦＴ１３を覆う層間絶縁膜、および、上記メタル配線４を覆う透明膜が、下層層間絶縁膜２５および上層層間絶縁膜２６からなることを除いて上記実施の形態１ないし５と同様である。
【０１４３】
本実施形態でも、上記したように透明膜を複数積層することにより、各透明膜の合計膜厚を厚くすることができる可能性があると共に、アレイ基板１にＴＦＴ１３を形成するプロセスに合わせて透明膜を形成することもできる。
【０１４４】
図１３は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図１３に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置では、アレイ基板１に形成された窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１５上に、ソースメタルにて形成されているソースライン２２に接続されたメタル配線４とシール材３との間に、透明膜が二層積層されている。当該二層の透明膜のうち、下層は、下層層間絶縁膜２５である窒化シリコンからなる透明膜であり、上層は、上層層間絶縁膜２６であるアクリル系樹脂からなる透明膜である。また、アレイ基板１における基板１Ａの屈折率が１．５４であり、上層層間絶縁膜２６の屈折率が１．４および厚さが３μｍ、下層層間絶縁膜２５の屈折率が２および厚さが０．５μｍである。
【０１４５】
この構造は、ＴＦＴ１３を構成するゲート絶縁膜１５、下層層間絶縁膜２５、および上層層間絶縁膜２６を、アレイ基板１の周縁部にも設けることで実現することができる。
【０１４６】
ＴＦＴ１３上に形成された、窒化シリコン等からなる無機物（無機化合物）を含む下層層間絶縁膜２５は、チャネル保護膜として機能する。すなわち、ＴＦＴ１３のチャネルを形成する活性半導体層２７が、有機材料（有機化合物）を含む上層層間絶縁膜２６と接触すると、ＴＦＴ１３のオフ特性や長期信頼性が劣化する原因となる。したがって、ＴＦＴ１３と、有機材料（有機化合物）を含む上層層間絶縁膜２６との間に、無機材料（無機化合物）を含む（好適には無機材料（無機化合物）からなる）下層層間絶縁膜２５を形成することで、ＴＦＴ１３のオフ特性や長期信頼性の劣化を抑制することができる。また、有機材料（有機化合物）を含む上層層間絶縁膜２６は、厚膜化が比較的容易であるために、画素３０（画素領域）における画素電極２１とソースライン２２との寄生容量を低減し、表示品位を向上させることができる。
【０１４７】
以下に、本実施形態にかかるアレイ基板１の製造方法について説明する。
【０１４８】
まず、透明な基板１Ａ上に、ゲートライン２３と補助容量ライン１９とを形成するために、スパッタリングにより、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層膜等の金属膜を成膜する。次いで、この金属膜上に、レジストを積層し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。その後、上記金属膜を、上記レジストパターンをマスクとして用いて、塩素系ガス等のエッチングガスによってドライエッチングすることによりパターニングしてから上記レジストを剥離する。これにより、上記基板１Ａ上に、ゲートライン２３と補助容量ライン１９とが同時に形成される。
【０１４９】
その後、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜１５、アモルファスシリコン等からなる活性半導体層２７、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなりｎ型半導体層２４・２４を形成する低抵抗半導体層を、ＣＶＤにて成膜する。このとき、上記ゲート絶縁膜１５は、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで成膜される。
【０１５０】
次いで、ソースライン２２、ソース電極１７、ドレイン引出し電極１８、ドレイン電極１６を形成するために、スパッタリングにより、Ａｌ／Ｔｉ積層膜等の金属膜を成膜する。次いで、この金属膜上に、レジストを積層し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。その後、上記金属膜を、上記レジストパターンをマスクとして用いて、塩素系ガス等のエッチングガスによってドライエッチングすることによりパターニングしてから上記レジストを剥離する。これにより、ソースライン２２、ソース電極１７、ドレイン引出し電極１８、ドレイン電極１６が、同時に形成される。また、このとき、上記金属膜によって、上記ソースライン２２に接続された、上記基板１Ａ周縁部（アレイ基板１周縁部）のメタル配線４も同時に形成される。
【０１５１】
なお、補助容量は、補助容量ライン１９と、補助容量ライン１９上に延伸されたドレイン引出し電極１８との間に、約０．５μｍのゲート絶縁膜１５を挟んで形成される。
【０１５２】
続いて、ソース−ドレイン分離（チャネル形成）のために、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなる上記低抵抗半導体層を、塩素系ガス等のエッチングガス（具体的には塩素ガス）を用いてドライエッチングし、ＴＦＴ１３を形成する。
【０１５３】
次いで、上記ＴＦＴ１３を被覆するように、上記ゲート絶縁膜１５上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる下層層間絶縁膜２５をＣＶＤにて成膜する。このとき、上記下層層間絶縁膜２５は、メタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで成膜される。これにより、上記下層層間絶縁膜２５は、ＴＦＴ１３のチャネル保護膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第一の透明膜）としても用いられる。
【０１５４】
次に、上記下層層間絶縁膜２５上に、アクリル系感光性樹脂等からなる上層層間絶縁膜材料をスピンコートにより塗布することにより、アレイ基板１の周縁部における端子部を除く上記下層層間絶縁膜２５上に、上層層間絶縁膜２６を成膜する。すなわち、上記上層層間絶縁膜２６は、メタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで、上記端子部を除いて成膜される。これにより、上記上層層間絶縁膜２６は、ＴＦＴ１３と画素電極２１とを分離する層間絶縁膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第二の透明膜）としても用いられる。
【０１５５】
次いで、ドレイン引出し電極１８と画素電極２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２０を形成するために、上記上層層間絶縁膜２６に、フォトリソグラフィ法でコンタクトホールを形成する。上層層間絶縁膜２６の膜厚は約３μｍである。
【０１５６】
また、上記上層層間絶縁膜２６をエッチングマスクとして用いて、上記上層層間絶縁膜２６に設けられたコンタクトホールの下層の下層層間絶縁膜２５をエッチングする。これにより、上記上層層間絶縁膜２６および下層層間絶縁膜２５を貫くコンタクトホール２０が形成される。また、このとき同時に、アレイ基板１の周縁部に設けられた端子部を覆うゲート絶縁膜１５および下層層間絶縁膜２５を、エッチングにより除去する。このとき、アレイ基板１の周縁部におけるシール材３が塗布される領域（シール部となる領域）における、ゲート絶縁膜１５、下層層間絶縁膜２５、および上層層間絶縁膜２６は除去せずに残すことで、ＴＦＴ部における層間絶縁膜（つまり、ＴＦＴ１３を覆う層間絶縁膜）と、メタル配線４を覆う透明膜とを、上記下層層間絶縁膜２５および上層層間絶縁膜２６により、同時に形成することが可能である。
【０１５７】
その後、上記上層層間絶縁膜２６上に、ＩＴＯ等からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜し、該透明導電膜上に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。続いて、上記透明導電膜を、上記レジストパターンをマスクとして用いて、塩化第二鉄と塩酸との混合液等のエッチング液によりエッチングすることにより、画素電極２１をパターン形成する。
【０１５８】
以上のようにして、上記アレイ基板１に、画素領域と、該アレイ基板１周縁部のシール部となる領域とが形成される。
【０１５９】
なお、本実施形態では、上記したように、メタル配線４と基板１Ａとの間にゲート絶縁膜１５が設けられていることから、上記メタル配線４を覆う透明膜の、メタル配線４の基部からの厚さ（高さ、膜厚）Ｄ１は、上記ゲート絶縁膜１５表面から、上記メタル配線４によって遮光される遮光領域の頂部までの高さ（すなわち、メタル配線４の基部から上記遮光領域の頂部までの高さＤ２）以上であることが望ましい。
【０１６０】
また、本実施形態では、上記メタル配線（遮光部、第一の遮光部）４を、ソースライン２２に接続されたメタル配線としたが、本発明は、これに限定されるものではなく、上記メタル配線４としては、例えば、ソースライン２２と同層に形成されたダミーパターンであってもよい。
【０１６１】
〔実施の形態７〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１４に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１ないし６で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜が三層積層されてアレイ基板１とシール材３との間に形成されていると共に、アレイ基板１周縁部（シール部）におけるメタル配線４がゲートライン２３と同層に設けられており、このメタル配線４の上に、一層目の透明膜としてゲート絶縁膜１５が設けられており、ＴＦＴ１３を覆う層間絶縁膜、および、上記メタル配線４を上記ゲート絶縁膜１５を介して覆う二層目および三層目の透明膜が、下層層間絶縁膜２５および上層層間絶縁膜２６からなることを除いて上記実施の形態１ないし４、６と同様である。
【０１６２】
本実施形態でも、上記したように透明膜を複数積層することにより、各透明膜の合計膜厚を厚くすることができる可能性があると共に、アレイ基板１にＴＦＴ１３を形成するプロセスに合わせて透明膜を形成することもできる。
【０１６３】
図１４は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図１４に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置では、アレイ基板１に形成された、ゲートメタルにて形成されているゲートライン２３に接続されたメタル配線４とシール材３との間に、透明膜が三層積層されている。当該三層の透明膜は、基板１Ａ側から順に、ゲート絶縁膜１５である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜、下層層間絶縁膜２５である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜、上層層間絶縁膜２６であるアクリル系樹脂からなる透明膜にて形成されている。
【０１６４】
以下に、本実施形態にかかるアレイ基板１の製造方法について説明する。
【０１６５】
まず、透明な基板１Ａ上に、ゲートライン２３と補助容量ライン１９とを形成するために、スパッタリングにより、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層膜等の金属膜を成膜する。次いで、この金属膜上に、レジストを積層し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。その後、上記金属膜を、上記レジストパターンをマスクとして用いて、塩素系ガス等のエッチングガスによってドライエッチングすることによりパターニングしてから上記レジストを剥離する。これにより、上記基板１Ａ上に、ゲートライン２３と補助容量ライン１９とが同時に形成される。また、このとき、上記金属膜によって、上記ゲートライン２３に接続された、上記基板１Ａ周縁部（アレイ基板１周縁部）のメタル配線４も同時に形成される。
【０１６６】
その後、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜１５、アモルファスシリコン等からなる活性半導体層２７、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなりｎ型半導体層２４・２４を形成する低抵抗半導体層を、ＣＶＤにて成膜する。このとき、上記ゲート絶縁膜１５は、上記メタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで成膜される。これにより、上記ゲート絶縁膜１５は、ＴＦＴ１３におけるゲート絶縁膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第一の透明膜）としても用いられる。
【０１６７】
次いで、ソースライン２２、ソース電極１７、ドレイン引出し電極１８、ドレイン電極１６を形成するために、スパッタリングにより、Ａｌ／Ｔｉ積層膜等の金属膜を成膜する。次いで、この金属膜上に、レジストを積層し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。その後、上記金属膜を、上記レジストパターンをマスクとして用いて、塩素系ガス等のエッチングガスによってドライエッチングすることによりパターニングしてから上記レジストを剥離する。これにより、ソースライン２２、ソース電極１７、ドレイン引出し電極１８、およびドレイン電極１６が、同時に形成される。
【０１６８】
続いて、上記ソース−ドレイン分離（チャネル形成）のために、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなる上記低抵抗半導体層を、塩素系ガス等のエッチングガス（具体的には塩素ガス）を用いてドライエッチングし、ＴＦＴ１３を形成する。
【０１６９】
次いで、上記ＴＦＴ１３を被覆するように、上記ゲート絶縁膜１５上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる下層層間絶縁膜２５をＣＶＤにて成膜する。このとき、上記下層層間絶縁膜２５は、上記ゲート絶縁膜１５を介してメタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで成膜される。これにより、上記下層層間絶縁膜２５は、ＴＦＴ１３のチャネル保護膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第二の透明膜）としても用いられる。
【０１７０】
次に、上記下層層間絶縁膜２５上に、アクリル系感光性樹脂等からなる上層層間絶縁膜材料をスピンコートにより塗布することにより、アレイ基板１の周縁部における端子部を除く上記下層層間絶縁膜２５上に、上層層間絶縁膜２６を成膜する。すなわち、上記上層層間絶縁膜２６は、メタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで、上記端子部を除いて成膜される。これにより、上記上層層間絶縁膜２６は、ＴＦＴ１３と画素電極２１とを分離する層間絶縁膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第三の透明膜）としても用いられる。
【０１７１】
以降、前記実施の形態６と同様にして、上記アレイ基板１に、画素領域と、該アレイ基板１周縁部のシール部となる領域とが形成される。
【０１７２】
なお、本実施形態では、上記メタル配線（遮光部、第一の遮光部）４を、ゲートライン２３に接続されたメタル配線としたが、本発明は、これに限定されるものではなく、上記メタル配線４としては、例えば、ゲートライン２３と同層に形成されたダミーパターンであってもよい。
【０１７３】
〔実施の形態８〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１５に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１ないし７で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜が四層積層されてアレイ基板１とシール材３との間に形成されていると共に、アレイ基板１周縁部（シール部）におけるメタル配線４がゲートライン２３と同層に設けられており、このゲートライン２３およびメタル配線４の上に、ゲート絶縁膜が二層設けられており、ＴＦＴ１３を覆う層間絶縁膜、および、上記メタル配線４を上記二層のゲート絶縁膜を介して覆う三層目および四層目の透明膜が、下層層間絶縁膜２５および上層層間絶縁膜２６からなることを除いて上記実施の形態１ないし４、６、７と同様である。
【０１７４】
図１５は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図１５に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置では、アレイ基板１に形成された、ゲートメタルにて形成されているゲートライン２３に接続されたメタル配線４とシール材３との間に、透明膜が四層積層されている。当該四層の透明膜は、基板１Ａ側から順に、第一のゲート絶縁膜１５ａであるＳＯＧ材料からなる透明膜、第二のゲート絶縁膜１５ｂである窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜、下層層間絶縁膜２５である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜、上層層間絶縁膜２６であるアクリル系樹脂からなる透明膜にて形成されている。
【０１７５】
本実施形態でも、上記したように透明膜を、複数層の透明膜からなる積層構造とすることにより、各透明膜の合計膜厚を厚くすることができる可能性があると共に、アレイ基板１にＴＦＴ１３を形成するプロセスに合わせて透明膜を形成することもできる。また、本実施の形態によれば、上記透明膜にＳＯＧ材料を用いることで平坦化が可能であるため、シール材３と、遮光部であるメタル配線４との間にある透明膜の厚みを、前記実施の形態７と比較してより確実に確保することができる。
【０１７６】
以下に、上記アレイ基板１におけるゲート絶縁膜１５の製造方法について説明する。上記したように、本実施形態では、上記ゲート絶縁膜１５は、第一のゲート絶縁膜１５ａおよび第二のゲート絶縁膜１５ｂの二層構造を有している。
【０１７７】
まず、透明な基板１Ａ上に、ゲートライン２３、補助容量ライン１９、およびゲートライン２３に接続されたメタル配線４を形成するために、スパッタリングにより、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層膜等の金属膜を成膜する。次いで、この金属膜上に、レジストを積層し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。その後、上記金属膜を、上記レジストパターンをマスクとして用いて、塩素系ガス等のエッチングガスによってドライエッチングすることによりパターニングしてから上記レジストを剥離する。これにより、上記基板１Ａ上に、ゲートライン２３と、補助容量ライン１９と、上記ゲートライン２３に接続された、上記基板１Ａ周縁部（アレイ基板１周縁部）のメタル配線４とが同時に形成される。
【０１７８】
次いで、スピンコート法を用いて、上記ゲートライン２３、補助容量ライン１９、およびメタル配線４を覆うようにＳＯＧ材料等を塗布する。これにより、これらゲートライン２３、補助容量ライン１９、およびメタル配線４上に、第一のゲート絶縁膜（平坦化膜）１５ａが形成される。そして、上記第一のゲート絶縁膜１５ａ上にフォトレジストを塗布した後、該フォトレジストを、フォトマスクを用いて露光し、現像した後、得られたレジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングを行うことにより、端子部上等の不要な箇所の第一のゲート絶縁膜１５ａを除去する。上記ドライエッチングは、例えば、四フッ素化水素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガスを用いて行うことができる。これにより、上記第一のゲート絶縁膜１５ａは、ＴＦＴ１３におけるゲート絶縁膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第一の透明膜）としても用いられる。
【０１７９】
その後、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第二のゲート絶縁膜１５ｂ、アモルファスシリコン等からなる活性半導体層２７、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなりｎ型半導体層２４・２４を形成する低抵抗半導体層を、ＣＶＤにて成膜する。このとき、上記第二のゲート絶縁膜１５ｂは、上記メタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで成膜される。これにより、上記第二のゲート絶縁膜１５ｂは、ＴＦＴ１３におけるゲート絶縁膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第二の透明膜）としても用いられる。
【０１８０】
アレイ基板１の以降の製造工程は、前記実施の形態６、７と同様である。よって、ここでは、その説明を省略する。
【０１８１】
なお、本実施形態では、上記メタル配線（遮光部、第一の遮光部）４を、ゲートライン２３に接続されたメタル配線としたが、本発明は、これに限定されるものではなく、上記メタル配線４としては、例えば、ゲートライン２３と同層に形成されたダミーパターンであってもよい。
【０１８２】
〔実施の形態９〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１６に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、図中において、実施の形態１ないし８で示した構成要素と同等のものについては同一符号を付すと共に詳細な説明は省略する。本実施の形態では、透明膜が三層積層されてアレイ基板１とシール材３との間に形成されていると共に、アレイ基板１周縁部（シール部）におけるメタル配線４がゲートライン２３と同層に設けられており、このゲートライン２３およびメタル配線４の上に、ゲート絶縁膜が二層設けられており、ＴＦＴ１３を覆う層間絶縁膜、および、上記メタル配線４を上記二層のゲート絶縁膜を介して覆う三層目の透明膜が、下層層間絶縁膜２５からなることを除いて上記実施の形態１ないし４、６ないし８と同様である。
【０１８３】
図１６は本実施形態に係る液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。図１６に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置では、アレイ基板１に形成された、ゲートメタルにて形成されているゲートライン２３に接続されたメタル配線４とシール材３との間に、透明膜が三層積層されている。当該三層の透明膜は、基板１Ａ側から順に、第一のゲート絶縁膜１５ａであるＳＯＧ材料からなる透明膜、第二のゲート絶縁膜１５ｂである窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜、下層層間絶縁膜２５である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる透明膜にて形成されている。
【０１８４】
本実施形態でも、上記したように透明膜を、複数層の透明膜からなる積層構造とすること、特にゲート絶縁膜を積層構造とすることで、各透明膜の合計膜厚を厚くすることができる。
【０１８５】
本実施の形態と前記実施の形態８との相違点は、層間絶縁膜が一層からなる点である。
【０１８６】
以下に、上記アレイ基板１における層間絶縁膜の形成方法について説明する。なお、層間絶縁膜以外の構成は前記実施の形態８と同じであるので、本実施の形態では、層間絶縁膜の形成工程以外の工程についてはその説明を省略する。
【０１８７】
本実施の形態では、上記層間絶縁膜として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる絶縁膜（チャネル保護膜）を、ＣＶＤにて成膜する。すなわち、本実施の形態では、上記層間絶縁膜として、前記実施の形態８における下層層間絶縁膜２５を、上記ＴＦＴ１３を被覆するように、上記ゲート絶縁膜１５上に、ＣＶＤにて成膜する。このとき、上記層間絶縁膜、すなわち上記下層層間絶縁膜２５は、上記ゲート絶縁膜１５を介してメタル配線４を被覆するように、シール材３塗布領域（シール部）となる、上記基板１Ａ周縁部にまで成膜される。これにより、上記下層層間絶縁膜２５は、ＴＦＴ１３のチャネル保護膜として用いられると共に、メタル配線４を覆う透明膜（第三の透明膜）としても用いられる。
【０１８８】
次いで、上記絶縁膜（下層層間絶縁膜２５）上にフォトレジストを塗布した後、該フォトレジストを、フォトマスクを用いて露光し、現像した後、得られたレジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングを行うことにより、ドレイン引出し電極１８と画素電極２１とを電気的に接続するためのコンタクトホールとなる領域（コンタクトホール部）の上記絶縁膜（下層層間絶縁膜２５）を除去する。上記ドライエッチングは、例えば、四フッ素化水素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガスを用いて行うことができる。
【０１８９】
なお、本実施形態でも、上記メタル配線（遮光部、第一の遮光部）４を、ゲートライン２３に接続されたメタル配線としたが、本発明は、これに限定されるものではなく、上記メタル配線４としては、例えば、ゲートライン２３と同層に形成されたダミーパターンであってもよい。
【０１９０】
以上のように、上記液晶表示装置は、互いに対向配置された第一の基板および第二の基板と、両基板の間に設けられた液晶層とを有し、上記両基板が、光硬化性材料（ａ）を含むシール材で接着されてなる液晶表示装置であって、上記第一の基板における上記第二の基板との対向面側の一部に遮光部（Ａ）が形成されていると共に、シール材と上記遮光部（Ａ）との間に、透明膜が形成されている構成である。
【０１９１】
それゆえ、第一の基板の背向面側から光が照射されると、シール材ではなく透明膜内に遮光領域（影になる部分）が生じることになる。これにより、従来のように、シール材に遮光部（Ａ）による遮光領域が生じないので（つまり、シール材全体に光が照射されるので）、シール材が十分に硬化される。したがって、より簡素な構成で効率良く、シール材の硬化不良を防止することができる。その結果、シール材の硬化不良、特に、シール材における液晶層と接触する部分の硬化不良が無く（殆ど無い、好適には全く無い）、シール材の硬化不良に伴う問題が解消された、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１９２】
本発明は、上記液晶表示装置が、上記シール材が枠状に連続して配置されており、上記液晶層は、上記両基板とシール材とで液晶が封入されてなる液晶表示装置、特に液晶滴下方式を用いた液晶表示装置である場合に、特に有効である。
【０１９３】
液晶と未硬化のシール材とが接触すると、液晶にシール材の成分が溶け出し、シミが発生してしまう。このため、液晶層が、液晶滴下方式を用いてなる場合、シミ防止のために硬化を速やかに行うことが必要であり、シール材、特に、シール材における液晶層と接触する部分に、上記遮光部（Ａ）による遮光領域が生じないようにすることが、シール材の硬化不良によるシール材の成分の溶け出しを防止する上で、重要である。よって、本発明は、上記したように、液晶滴下方式を用いた液晶表示装置に特に好適である。
【０１９４】
なお、上記液晶表示装置が液晶滴下方式並びに該液晶滴下方式を用いた液晶滴下貼り合わせ方式を採用したものであるか否かは、上記したシール材の形状（構成）から判断することができる。
【０１９５】
上記透明膜は、一層のみで形成されていてもよく、複数層で形成されていてもよい。すなわち、上記透明層は、互いに隣接する透明膜とは異なる材料（透明材料）からなる透明膜が複数積層された積層構造を有していてもよい。
【０１９６】
上記透明膜が複数層で形成されていることで、透明層全体の膜厚（すなわち、この場合は各透明膜の合計膜厚）を厚くすることができる可能性があるとともに、上記第一の基板に例えばＴＦＴ等のアクティブ素子（スイッチング素子）を形成するプロセスに合わせて透明膜を形成することもできる。
【０１９７】
また、上記液晶表示装置は、上記遮光部（Ａ）の幅がＷであり、上記透明膜がｍ（１≦ｍ）層で形成され、第一の基板側、つまり、上記第一の基板における上記遮光部（Ａ）側からｋ（１≦ｋ≦ｍ）番目の透明膜の屈折率がｎｋ（１＜ｎｋ）、膜厚がｄｋであるとき、式（１）
【０１９８】
【数９】
0005391184.tif 000010
【０１９９】
を満足することが好ましい。
【０２００】
上記の構成によれば、上記遮光部（Ａ）の幅Ｗに対して、上記式（１）を満足するように、透明膜の層数、屈折率、および膜厚が設定されていることにより、上記遮光部（Ａ）によって生じる遮光領域は透明膜にのみ存在することになる。つまり、シール材には遮光領域が生じることがない。これにより、第一の基板の背向面側から照射された光は透明膜に生じる遮光領域を回り込み、シール材全体に光が十分照射されることになる。したがって、従来のようにシール材に硬化不良を生じさせないよう、光の照射時間を長くすることが不要となり、光の照射エネルギーが増大することを防止できる。
【０２０１】
また、液晶表示装置の仕様が変更になったとしても、式（１）の関係を満足するように設定すれば、液晶表示装置の設計を迅速に行うことができる。なお、上記「遮光部（Ａ）の幅Ｗ」とは第一の基板に平行でかつ短手方向の遮光部（Ａ）の幅を意味する。
【０２０２】
また、本発明に係る液晶表示装置は、上記遮光部（Ａ）の幅がＷであり、上記透明膜がｍ（１≦ｍ）層で形成され、第一の基板側、つまり、上記第一の基板における上記遮光部（Ａ）側からｋ（１≦ｋ≦ｍ）番目の透明膜の屈折率がｎｋ（１＜ｎｋ）、膜厚がｄｋであるとき、式（２）
【０２０３】
【数１０】
0005391184.tif 000011
【０２０４】
を満足することが好ましい。
【０２０５】
一般にガラス基板に入射する光の入射角が大きくなると、ガラス基板表面で入射光が反射しやすくなり、結果として、ガラス基板を透過する入射光の強度が減衰することになる。したがって、シール材を完全に硬化させるためには、ある程度の照射時間の増加が必要となり、光の照射エネルギーが増大することになる。
【０２０６】
しかしながら、上記の構成によれば、上記式（２）を満足するように、透明膜の層数、屈折率、および膜厚が設定されている。これにより、第一の基板がガラス製の基板（ガラス基板）である場合で、かつ光の入射角が小さい場合であっても、第一の基板の背向面側から照射された光は透明膜に生じる遮光領域を回り込むので、シール材全体に光が十分照射されることになる。したがって、光の照射時間を増加させることなく、シール材に硬化不良が生じることを防止することができる。
【０２０７】
また、上記液晶表示装置において、上記遮光部（Ａ）の基部からの上記透明膜の膜厚は、上記第一の基板の背向面側から入射される光が上記遮光部（Ａ）により遮光される遮光領域の、上記遮光部（Ａ）の基部からの高さ以上であることが好ましい。
【０２０８】
例えば、上記遮光部（Ａ）が、ベース基板としての透明基板（第一の基板）上に直接形成されている場合、上記第一の基板における第二の基板との対向面（以下、単に「第一の基板の対向面」と記す）から上記透明膜の表面までの距離（換言すれば、シール材と、第一の基板の対向面との間の間隔）は、上記第一の基板の背向面側から入射される光が上記遮光部（Ａ）により遮光される遮光領域の、上記第一の基板における第二の基板との対向面からの距離以上であることが好ましい。なお、ここで、上記透明膜の、上記第一の基板の対向面からの距離（換言すれば、シール材と第一の基板の対向面との間隔）は、第一の基板の背向面側から光が照射されたときに生じる遮光領域の、上記第一の基板の対向面からの距離以上である。ここで「遮光領域の、上記対向面からの距離」とは、第一の基板の対向面から遮光領域の頂部（最も対向面の法線方向に離れた部分）までの長さを意味する。
【０２０９】
上記の構成によれば、遮光部（Ａ）によって遮光される領域とシール材とは十分に間隔が空いているので、シール材に十分に光が回り込むこととなる。よって、シール材の硬化不良を十分に防止することができる。
【０２１０】
また、上記液晶表示装置では、上記透明膜における上記シール材と接する部分に、光を散乱させるための凹凸が形成されていることが好ましい。
【０２１１】
上記の構成によれば、透明膜におけるシール材と接する部分に上記凹凸が形成されていることで、第一の基板の背向面側から光を入射させると、透明膜から出射される光は上記凹凸で種々の方向に屈折され散乱されることになる。つまり、上記の構成によれば、上記凹凸が形成されていない場合に比べて、光の屈折効率が良いので、シール材への光の照射範囲がより広くなる。したがって、透明膜の膜厚が薄く、シール材に十分に光が回り込まない状態においても、凹凸で光が屈折し、散乱されるので、シール材に十分に光が照射されることとなる。したがって、シール材が未硬化の状態で液晶表示装置に残存することを防止できる。なお、ここで「凹凸」とは平滑でないことを意味する。
【０２１２】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、有機化合物を含む材料（ｂ）からなることが好ましく、上記材料（ｂ）は、樹脂を含むことがより好ましい。
【０２１３】
上記の構成によれば、透明膜のうちの少なくとも一層は、有機化合物を含む材料（ｂ）、特に、樹脂を含む材料からなるので、透明膜の膜厚を厚くすることができる。例えば、粘度の高い樹脂を使用して、スピンコータ等で基板上に樹脂を塗布した後、光や熱で上記樹脂を硬化させると、形成される透明膜の膜厚は厚くなる。このように透明膜の膜厚が厚くなることで、シール材に光が十分に回り込むようになる。したがって、シール材の硬化不良を防止することができる。その結果、製品の信頼性が向上する。この場合、上記透明膜における、樹脂を含む材料（ｂ）からなる層のうち少なくとも一層の膜厚は、例えば２μｍ以上、４μｍ以下であることが好ましい。
【０２１４】
上記液晶表示装置において、上記樹脂は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、およびポリシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
【０２１５】
これら樹脂は、ガラス基板と比較して相対的に屈折率が低く、また、液晶表示装置において、例えば層間絶縁膜等に一般的に使用される汎用の樹脂である。よって、上記材料（ｂ）が、有機化合物としてこれらの樹脂を含むことで、透明膜の膜厚を厚くする上で、プロセス上もコスト上も有利である。例えば、上記の構成によれば、層間絶縁膜等を液晶表示装置内に形成するときに、同時に上記透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程を必要とせず、製造工程を簡略化できる等の利点がある。
【０２１６】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、窒化シリコンを含む材料からなることが好ましい。
【０２１７】
上記の構成によれば、透明膜として、通常の液晶表示装置に用いられている窒化シリコンからなる無機膜を用いることが可能となる。したがって、上記無機膜と同時に透明膜を形成することが可能となる。その結果、別途、透明膜を形成する工程を必要とせず、製造工程を簡略化できる。
【０２１８】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、酸化シリコンを含む材料からなることが好ましい。
【０２１９】
上記の構成によれば、透明膜のうちの少なくとも一層は、一般に液晶表示装置において、例えば、パッシベーション膜やハードコート材として用いられる酸化シリコンを含む材料から形成されている。これにより、例えば、パッシベーション膜等を液晶表示装置内に形成するときに、同時に上記透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程を必要とせず、製造工程を簡略化できる。
【０２２０】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、スピンオングラス（ＳＯＧ）材料を含む材料（ＳＯＧ材料そのものであってもよい）からなることが好ましい。
【０２２１】
一般に、液晶表示装置において、スピンオングラスは、スピンコート法により、成膜することができるガラス質の材料である。
【０２２２】
上記の構成によれば、透明膜のうちの少なくとも一層は、スピンオングラス（ＳＯＧ）材料からなるので、スピンコート法を用いて成膜することが可能となる。また、上記の構成によれば、上記透明膜にＳＯＧ材料を用いることで平坦化が可能であるため、上記透明膜の材料として他の無機材料を用いた場合と比較して、シール材と遮光部（Ａ）との間にある透明膜の厚みを、より確実に確保することができる。この場合、上記透明膜における、スピンオングラス材料を含む材料からなる層のうち少なくとも一層の膜厚は、例えば２μｍ以上、４μｍ以下であることが好ましい。
【０２２３】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、透明電極材料からなることが好ましい。
【０２２４】
上記の構成によれば、透明膜のうち少なくとも一層として、一般に液晶表示装置に用いられる透明電極材料である、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いることが可能となる。したがって、液晶表示装置に透明電極を形成するときに、同時に透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程が不要であるので、製造効率を向上することができる。
【０２２５】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、無機化合物を含む層と有機化合物を含む層とを、各々、少なくとも一層含んでいることが好ましく、このとき、上記透明膜のうち無機化合物を含む層は、最下層であることが好ましい。
【０２２６】
上記の構成によれば、上記透明膜として、ＴＦＴ等のアクティブ素子（スイッチング素子）を保護するための層間絶縁膜を透明膜として使用することが可能となる。これにより上記層間絶縁膜を形成するときに、同時に透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程が不要であるので、製造効率を向上することができる。
【０２２７】
この場合、ＴＦＴ上に形成された、無機化合物を含む層間絶縁膜は、チャネル保護膜として機能する。すなわち、ＴＦＴのチャネルを形成する活性半導体層が、有機化合物を含む層（層間絶縁膜）と接触すると、ＴＦＴのオフ特性や長期信頼性が劣化する原因となる。したがって、ＴＦＴと、有機化合物を含む層間絶縁膜との間には、無機化合物を含む層間絶縁膜が形成されていることが望ましく、この無機化合物を含む層間絶縁膜を、最下層、つまり、上記遮光部（Ａ）と有機化合物からなる層との間の層として用いることで、例えばＴＦＴのオフ特性や長期信頼性の劣化を抑制することができると共に、上記透明膜の形成が容易でかつシミの発生等が抑制された、構成が簡素で表示品位が高い液晶表示装置を容易に得ることができる。
【０２２８】
また、この場合、上記透明膜全体の膜厚は、２μｍ以上、４μｍ以下であることが好ましい。あるいは、上記有機化合物を含む層のうち少なくとも一層が樹脂を含み、かつ、上記透明膜における樹脂を含む層のうち少なくとも一層の膜厚が２μｍ以上、４μｍ以下であることが好ましい。また、上記有機化合物を含む層のうち少なくとも一層が樹脂を含み、かつ、上記透明膜における樹脂を含む層のうち少なくとも一層の膜厚が２μｍ以上、４μｍ以下であり、上記透明膜全体の膜厚が４μｍ以下であることがより好ましい。
【０２２９】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、層間絶縁膜である（つまり、層間絶縁膜を兼ねる）ことが好ましく、上記透明膜における層間絶縁膜を兼ねる層のうち少なくとも一層は、樹脂を含み、かつ、２μｍ以上、４μｍ以下の膜厚を有していることがより好ましい。
【０２３０】
上記の構成によれば、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、層間絶縁膜であるので、上記したようにＴＦＴ等のアクティブ素子（スイッチング素子）を保護するための層間絶縁膜を透明膜として使用することが可能となる。これにより上記層間絶縁膜を形成するときに、同時に透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程が不要であるので、製造効率を向上することができる。
【０２３１】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、ゲート絶縁膜であることが好ましい。
【０２３２】
上記の構成によれば、透明膜のうちの少なくとも一層がゲート絶縁膜で形成されていることで、該ゲート絶縁膜を液晶表示装置内に形成するときに、同時に上記透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程を必要とせず、製造工程を簡略化できる。
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、平坦化膜であることが好ましい。
【０２３３】
上記の構成によれば、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、平坦化膜であるので、液晶層を平坦にするための平坦化膜を透明膜として使用することが可能となる。通常、平坦化膜は、液晶層における液晶の配向が乱れることを防止し、液晶表示装置に形成される画素領域の厚さを均一にして、液晶表示装置の輝度むらを防止するために使用されている。これにより、上記平坦化膜を形成するときに、同時に透明膜を形成することができる。したがって、別途、透明膜を形成する工程が不要であるので、製造効率を向上することができる。
【０２３４】
また、上記液晶表示装置において、上記透明膜の屈折率は第一の基板の屈折率以下であることが好ましく、第一の基板の屈折率よりも小さいことがより好ましい。例えば、上記透明膜は、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜のうちの少なくとも一層の屈折率は、第一の基板の屈折率以下であることが好ましく、第一の基板の屈折率よりも小さいことがより好ましい。さらには、上記透明膜のうちの少なくとも一層は、有機化合物を含む材料からなり、かつ、上記透明膜のうち有機化合物を含む材料からなる層の屈折率は、第一の基板の屈折率以下であることが好ましく、第一の基板の屈折率よりも小さいことがより好ましい。
【０２３５】
通常、透明膜および第一の基板にはスネルの法則（屈折の法則）が成立する。つまり、第一の基板の屈折率をnａ、透明膜の屈折率をｎｂとし、かつ透明膜に入射する光の入射角をθｉ、屈折角をθｒとしたときｓｉｎθｉ／ｓｉｎθｒ＝ｎｂ／ｎａが入射角によらず一定に成立する。
【０２３６】
上記の構成によれば、透明膜の屈折率は、第一の基板の屈折率以下であり、好適には第一の基板の屈折率よりも小さいので、上記のスネルの法則により、透明膜の光の入射角度よりも屈折角度は大きくなる。つまり、光が回り込む大きさがより大きくなり、遮光領域が減少する。その結果、シール材に光が照射される範囲が大きくなる。
【０２３７】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜全体の膜厚が１．５μｍ以上であることが好ましく、１．７μｍ以上であることが好ましく、マージンを考えると２μｍ以上であることがより好ましい。上記透明膜の合計膜厚が１．５μｍ以上、より好ましくは１．７μｍ以上、さらに好ましくは２μｍ以上あれば、一般的な液晶表示装置の製造プロセスでの配線等の解像限界である３μｍ幅の遮光部（Ａ）では、シール材に十分に光が照射される。なお、たとえ遮光部（Ａ）の幅が３μｍ以上であっても、透明膜があれば、より効率的に上記シール材に光を照射することができるので、透明膜がない場合と比較して、シール材の硬化不良をより効率的に抑制することができる。
【０２３８】
また、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜一層の膜厚、特に有機化合物を含む層およびＳＯＧ材料からなる層の一層の膜厚、好適には上記透明膜の合計の膜厚は、４μｍ以下であることが好ましい。
【０２３９】
例えば、液晶表示装置に使用される層間絶縁膜として上記透明膜を用いる場合、上記透明膜に凹凸があると液晶表示装置に表示むらが生じる場合がある。特に、透明膜が、アクリル樹脂等の有機化合物を含む層やＳＯＧ材料からなる層（ＳＯＧ層）である場合、１回の塗布で厚い膜を形成すると、より凹凸による表示ムラが生じやすい。しかしながら上記透明膜一層の膜厚、好適には上記透明膜の合計の膜厚を、４μｍ以下にすると、塗布ムラ等による凹凸が低減し、表示ムラが認識し難くなる。上記の構成によれば、透明膜の膜厚が４μｍ以下であるので、透明膜の平坦性を維持することが可能となり、液晶表示装置に表示むらが生じることを防止することができる。
【０２４０】
よって、上記液晶表示装置は、上記透明膜が、一層または複数層で形成されており、かつ、上記透明膜全体の膜厚が１．５μｍ以上、４μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以上、４μｍ以下であることが特に好ましい。
【０２４１】
また、上記液晶表示装置では、上記遮光部（Ａ）は、上記第一の基板における上記第二の基板との対向面側における上記シール材と上記液晶層との境界下の部分を含む部分に設けられており、上記透明膜は、少なくとも、上記シール材が上記液晶層に接する部分と、上記遮光部（Ａ）との間に形成されていることが好ましい。
【０２４２】
上記の構成によれば、透明膜は、シール材が液晶層に接する部分と、上記遮光部（Ａ）との間に形成されているので、第一の基板の背向面側から光が照射されたときに、シール材における液晶層に接する部分を確実に硬化させることができる。したがって、シール材の未硬化成分が液晶層に溶出することを防止することができる。さらに、シールの接着強度が十分であれば、未硬化のシール材が液晶に触れることがないため、製品の信頼性に影響することがなく、高品質の製品を提供することができる。
【０２４３】
また、本発明は、上記シール材が少なくとも第一の基板側から光を照射することにより硬化されている場合に特に有効である。
【０２４４】
例えば、上記第二の基板に、例えばブラックマトリックス等の遮光部（Ｂ）が形成されており、かつ、上記遮光部（Ｂ）の少なくとも一部が上記シール材と重畳する位置に形成されている場合、上記シール材は、少なくとも第一の基板側から光を照射することにより硬化される。
【０２４５】
この場合、前記したように、シール材と、第一の基板に設けられた遮光部（Ａ）との間に、透明膜が形成されていることで、上記シール材に第一の基板側から光を照射したときに、上記シール材に、上記遮光部（Ａ）による遮光領域が生じないので、シール材が十分に硬化される。したがって、上記シール材の硬化不良を防止することができる。
【０２４６】
なお、上記液晶表示装置が上記シール材が少なくとも第一の基板側から光を照射することにより硬化されたものであるか否かは、例えば、上記シール材の種類および上記液晶表示装置における、上記シール材によるシール部の層構造を確認することで判断することができる。すなわち、上記したように、例えば上記第二の基板に遮光部（Ｂ）が形成されており、かつ、上記遮光部（Ｂ）の少なくとも一部が上記シール材と重畳する位置に形成されている場合、上記シール材が、光硬化性材料（ａ）を含んでいれば、上記シール材を硬化させるためには、少なくとも第一の基板側から上記シール材に光を照射する必要がある。よって、この場合、上記シール材は、少なくとも第一の基板側から光を照射することにより硬化されたものであると判断することができる。
【０２４７】
上記したように、遮光部（Ｂ）がブラックマトリックスであれば、バックライトの光が周縁部から漏れるのを防止することができるため、狭額縁化に有効である。
【０２４８】
なお、本発明は、シール部に、遮光性または光を透過し難いパターン（構造物）が形成されている場合全般に適用が可能であるが、上記遮光部（Ａ）としては、具体的には、例えば、メタル配線、メタルにより形成されたダミーパターン、およびブラックマトリックスからなる群より選ばれる少なくとも一種が挙げられる。
【０２４９】
ダミーパターンは、例えば、メタル配線を形成しない部分に配置することで、シール部のギャップを均一にしたい場合に利用することができる。また、ダミーパターンは、メタル配線が太すぎてシール材に光を十分に照射することができない場合、例えば、スリット状の開口部を設けたブラックマトリックス側から光を照射するときに利用することができる。
【０２５０】
また、上記液晶表示装置の製造方法は、以上のように、その一部に遮光部が形成された第一の基板の周縁部に光硬化型のシール材を導入する工程の前に、上記第一の基板の対向面側における少なくとも遮光部上に透明膜を形成する工程をさらに有する方法である。
【０２５１】
すなわち、上記液晶表示装置の製造方法は、以上のように、互いに対向配置された第一の基板および第二の基板と、両基板の間に設けられた液晶層とを有し、上記両基板が、光硬化性材料（ａ）を含むシール材で接着されてなる液晶表示装置の製造方法であって、上記第二の基板との対向面側の一部に遮光部（Ａ）が形成された第一の基板の周縁部に光硬化性材料を含むシール材を形成するシール材形成工程と、上記シール材で囲まれた領域に液晶層を形成する液晶層形成工程と、シール材を介して上記第一の基板と第二の基板とを接着する基板接着工程とを有するとともに、上記シール材形成工程の前に、上記第一の基板の対向面側における少なくとも上記遮光部（Ａ）上に透明膜を形成する透明膜形成工程をさらに有する方法である。
【０２５２】
それゆえ、シール材を硬化させるために光を照射すると、シール材には光が回り込むこととなり、光が十分に照射されることになる。したがって、従来のように硬化不良を防止するために、光の照射時間を長くすることが不要となり、光照射エネルギーを低減することができると共に、製造効率を向上させることができる。よって、上記の方法によれば、より簡便な方法で効率良く、シール材の硬化不良を防止することができる。上記の方法によれば、シール材の硬化不良、特に、シール材における液晶層と接触する部分の硬化不良が無く（殆ど無い、好適には全く無い）、シール材の硬化不良に伴う問題が解消された、表示品位の高い液晶表示装置を製造する方法を提供することができる。
【０２５３】
また、本発明は、前記したように、上記液晶表示装置の製造方法が、上記基板接着工程の後に、上記シール材に上記第一の基板側から光を照射して上記シール材を硬化させるシール材硬化工程をさらに有する場合に、特に有効である。
【０２５４】
つまり、上記液晶表示装置は、互いに対向配置された第一の基板および第二の基板と、両基板の間に設けられた液晶層とを有し、上記両基板が、光硬化性材料（ａ）を含むシール材で接着されてなる液晶表示装置であって、上記第一の基板における上記第二の基板との対向面側の一部に遮光部（Ａ）が形成されていると共に、シール材と上記遮光部（Ａ）との間に、透明膜が形成されている。
【０２５５】
通常、シール材を硬化させるために、第一の基板の背向面側から光が照射されると、遮光部によって遮光されて光が照射されない遮光領域がシール材中に生じる。言い換えれば、光が照射されたときに遮光部の影になる領域が生じる。
【０２５６】
しかしながら、上記の構成によれば、第一の基板に形成された遮光部（Ａ）とシール材との間に、透明膜が形成されている。つまり、上記のように背向面側から光が照射されると、シール材ではなく透明膜内に遮光領域（影になる部分）が生じることになる。これにより、従来のように、シール材に遮光部による遮光領域が生じないので（つまりシール材全体に光が照射されるので）、シール材が十分に硬化される。したがって、シール材の硬化不良を防止することができる。その結果、液晶表示装置の品質を向上することができる。
【０２５７】
よって、上記の構成によれば、より簡素な構成で効率良く、シール材の硬化不良を防止することができる。上記の構成によれば、シール材の硬化不良、特に、シール材における液晶層と接触する部分の硬化不良が無く（殆ど無い、好適には全く無い）、シール材の硬化不良に伴う問題が解消された、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。
【０２５８】
また、上記液晶表示装置の製造方法は、互いに対向配置された第一の基板および第二の基板と、両基板の間に設けられた液晶層とを有し、上記両基板が、光硬化性材料（ａ）を含むシール材で接着されてなる液晶表示装置の製造方法であって、上記第二の基板との対向面側の一部に遮光部（Ａ）が形成された第一の基板の周縁部に光硬化性材料を含むシール材を形成するシール材配置工程と、上記シール材で囲まれた領域に液晶層を形成する液晶層形成工程と、シール材を介して上記第一の基板と第二の基板とを接着する基板接着工程とを有すると共に、上記シール材配置工程の前に、上記第一の基板の対向面側における少なくとも上記遮光部（Ａ）上に透明膜を形成する透明膜形成工程をさらに有する。
【０２５９】
上記の構成によれば、シール材を第一の基板に形成する前に、透明膜を第一の基板の対向面側における少なくとも上記遮光部（Ａ）上に形成するので、シール材を光によって硬化させるときに、遮光領域が生じる部分はシール材ではなく透明膜内に位置することになる。これにより、シール材には光が回り込むこととなり、シール材に光が十分に照射されることになる。したがって、従来のように硬化不良を防止するために、光の照射時間を長くすることが不要となり、光照射エネルギーを低減することができると共に、製造効率を向上させることができる。
【０２６０】
よって、上記の構成によれば、より簡便な方法で効率良く、シール材の硬化不良を防止することができる。上記の構成によれば、シール材の硬化不良、特に、シール材における液晶層と接触する部分の硬化不良が無く（殆ど無い、好適には全く無い）、シール材の硬化不良に伴う問題が解消された、表示品位の高い液晶表示装置を製造する方法を提供することができる。
【０２６１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２６２】
本発明の液晶表示装置は携帯用端末等の用途に好適に適用できる。
【符号の説明】
【０２６３】
１    アレイ基板
１Ａ  基板（第一の基板）
２    ＣＦ基板
２Ａ  基板（第二の基板）
３    シール材
４    メタル配線（遮光部（Ａ））
５    ＢＭ（ブラックマトリックス、遮光部（Ｂ））
６    液晶層
７    透明膜
８    ディンプル部
９    透明膜
１５    ゲート絶縁膜（透明膜）
１５Ａ  第一のゲート絶縁膜（透明膜）
１５Ｂ  第二のゲート絶縁膜（透明膜）
２５    下層層間絶縁膜（透明膜）
２６    上層層間絶縁膜（透明膜）
Ｄ１    透明膜の厚さ
Ｄ２    メタル配線の基部から遮光領域の頂部までの高さ
Ｗ    メタル配線の幅
α    光の回り込みの大きさ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０（ａ）】
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【図１０（ｂ）】
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【図１０（ｃ）】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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