(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子が主面に配された第１基板と、
前記第１基板の主面の上に配され、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、
前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、
前記第２基板の主面の上に配され、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有し、
前記第１基板と、前記第１配線構造と、前記第２配線構造と、前記第２基板とがこの順に配置されるように前記第１の接合部及び前記第２の接合部とが接合された固体撮像装置において、
前記第１の接合部の導電体と、前記第２の接合部の導電体とは、前記導電体に対する拡散防止膜で囲まれており、
前記拡散防止膜は更に第１拡散防止膜を有し、
前記第１配線構造の上面は、前記第１の接合部と、前記第１拡散防止膜とで構成されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の接合部は、前記導電体と、バリアメタルを有し、
前記第２の接合部は、前記導電体と、バリアメタルを有し、
前記導電体に対する拡散防止膜は前記バリアメタルであることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１配線構造は、前記第１の接合部が配された層間絶縁膜を有し、
前記第１の接合部のバリアメタルは、前記第１の接合部の導電体と前記層間絶縁膜との間に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２配線構造は、前記第２の接合部が配された層間絶縁膜を有し、
前記第２の接合部のバリアメタルは、前記第２の接合部の導電体と前記層間絶縁膜との間に配置されていることを特徴とする請求項２または３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記導電体は、アルミニウムよりも拡散係数の大きい金属、あるいはアルミニウムよりも拡散係数の大きい金属を含む合金からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記導電体は、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１拡散防止膜は、前記第１の接合部の周囲を囲ってパターニングされていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１拡散防止膜は、シリコン窒化膜あるいはシリコン炭化膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記拡散防止膜は更に第２拡散防止膜を有し、
前記第２配線構造の上面は、前記第２の接合部と、前記第２拡散防止膜とで構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第２拡散防止膜は、前記第２の接合部の周囲を囲ってパターニングされていることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２拡散防止膜は、シリコン窒化膜あるいはシリコン炭化膜であることを特徴とする請求項９または１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第２基板には、前記光電変換素子の電荷に基づく信号を出力するための増幅トランジスタと、前記光電変換素子の電荷をリセットするためのリセットトランジスタとが配されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号を処理する信号処理回路とを有する撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の接合部に関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラやカムコーダなどに用いられるＣＣＤ型や増幅型の固体撮像装置においては、高精細の画像を得るためにその画素の微細化が求められている。しかし、画素を微細にすればするほど、画素に含まれる光を検出するための光電変換素子の受光面積が小さくなり、感度が低下してしまう。
【０００３】
特許文献１には、増幅型の固体撮像装置であるＣＭＯＳ型の固体撮像装置において、光電変換素子の受光面積を確保するため、光電変換素子と転送トランジスタを配した第１基板と、他の回路を配した第２基板とを接合した固体撮像装置が開示されている。特許文献１において、接合には、各画素毎に銅のボンディングパッドを利用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９１０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の接合の方法では、銅のボンディングパッドから、第１基板や第２基板内に銅の拡散が生じてしまう場合がある。この金属不純物が半導体領域へ混入してしまうと、暗電流やリーク電流の原因となり、得られる画像データに白傷などを生じさせてしまう。また、この金属不純物がトランジスタを構成する半導体領域へ混入してしまうと、リーク電流や閾値変動の原因となり、動作不良を引き起こしてしまう可能性がある。特に、数万以上の画素数を有する、即ち数万以上の接合部を有する固体撮像装置においては、この接合部からの汚染が深刻になりやすい。このような現象は、銅などの拡散係数の大きい導電体を接合に使用した場合に生じうる。
【０００６】
そこで、本発明においては、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、前記第１基板の主面の上に配され、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、前記第２基板の主面の上に配され、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有し、前記第１基板と、前記第１配線構造と、前記第２配線構造と、前記第２基板とがこの順に配置されるように前記第１の接合部及び前記第２の接合部とが接合された固体撮像装置において、前記第１の接合部の導電体と、前記第２の接合部の導電体とは、前記導電体に対する拡散防止膜で囲まれており、前記拡散防止膜は更に第１拡散防止膜を有し、前記第１配線構造の上面は、前記第１の接合部と、前記第１拡散防止膜とで構成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によって、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１における固体撮像装置の断面模式図である。
【図２】実施例１における固体撮像装置の平面模式図である。
【図３】実施例１における固体撮像装置の回路図である。
【図４】実施例１における固体撮像装置の製造方法を説明する断面模式図である。
【図５】実施例１における固体撮像装置の製造方法を説明する断面模式図である。
【図６】実施例１における固体撮像装置の製造方法を説明する断面模式図である。
【図７】実施例１における固体撮像装置の接合部の断面模式図である。
【図８】実施例２における固体撮像装置の接合部の断面模式図である。
【図９】実施例２における接合部の製造方法を説明する断面模式図である。
【図１０】実施例３における固体撮像装置の接合部の断面模式図である。
【図１１】実施例３における固体撮像装置の接合部を説明する平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。そして、第１基板と、第１配線構造と、第２配線構造と、第２基板とがこの順に配置されるように第１の接合部及び第２の接合部とが接合されている。ここで、第１の接合部の導電体と、第２の接合部の導電体とは、導電体に対する拡散防止膜で囲まれている。このような構成によって、接合後も導電体が拡散防止膜によって囲まれているため、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００１１】
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明を行う。なお、実施例の説明において、第１基板の主面及び第２基板の主面とはトランジスタが形成される基板表面である。該主面と対向する反対側の面が、第１基板の裏面及び第２基板の裏面である。また、上方向は裏面から主面に向かう方向とし、下方向及び深さ方向は基板の主面から裏面に向かう方向とする。
【００１２】
また、シングルダマシン構造の配線とは、層間絶縁膜に配線となる溝を形成しバリアメタルや銅などの導電体を埋め込むことによって形成するシングルダマシン法によって形成され、層間絶縁膜に埋め込まれた配線を有する。デュアルダマシン構造の配線とは、配線及びビアが一体となるように形成され、層間絶縁膜に埋め込まれた配線及びビアを有する。それは、層間絶縁膜に配線及びビアとなる溝を形成しバリアメタルや銅などの導電体を埋め込むことによって形成するデュアルダマシン法によって形成されるものである。
【００１３】
本発明の実施例１について、図１から図６を用いて説明する。まず、図３を用いて実施例１の固体撮像装置の回路を説明する。本実施例では、信号電荷が、例えば電子の場合について説明を行う。図３の固体撮像装置は、複数の光電変換素子が配列した画素部３０１と、画素部３０１からの信号を読み出す駆動のための制御回路や読み出した信号を処理する信号処理回路を含む周辺回路を有する周辺回路部３０２とを有する。
【００１４】
画素部３０１は、光電変換素子３０３と、転送トランジスタ３０４と、増幅トランジスタ３０６と、リセットトランジスタ３０７が複数配置されている。少なくとも１つの光電変換素子３０３を含む構成を画素とする。本実施例の１つの画素は、光電変換素子３０３と、転送トランジスタ３０４と、増幅トランジスタ３０６と、リセットトランジスタ３０７を含む。転送トランジスタ３０４のソースは光電変換素子３０３と接続しており、転送トランジスタ３０４のドレイン領域は増幅トランジスタ３０６のゲート電極と接続している。この増幅トランジスタ３０６のゲート電極と同一のノードをノード３０５とする。リセットトランジスタはノード３０５に接続し、ノード３０５の電位を任意の電位（例えば、リセット電位）に設定する。ここで、増幅トランジスタ３０６はソースフォロア回路の一部であり、ノード３０５の電位に応じた信号を信号線ＲＬに出力する。ノード３０５はフローティングディフュージョンとも称される場合がある。
【００１５】
周辺回路部３０２は、画素部３０１以外の領域を示している。周辺回路部３０２は、読み出し回路や制御回路を含む周辺回路が配置されている。周辺回路は、画素部３０１のトランジスタのゲート電極へ制御信号を供給するための制御回路である垂直走査回路ＶＳＲを有する。また、周辺回路は、画素部３０１から出力された信号を保持し、増幅や加算やＡＤ変換などの信号処理を行う読み出し回路ＲＣを有する。また、周辺回路は、読み出し回路ＲＣから信号を順次出力するタイミングを制御する制御回路である水平走査回路ＨＳＲを有する。
【００１６】
ここで、実施例１の固体撮像装置は２つの部材が張り合わされることによって構成されている。２つの部材とは、第１の基板１０１を有する第１部材３０８と第２の基板１２１を有する第２部材３０９である。第１基板には画素部３０１の光電変換素子３０３と、転送トランジスタ３０４とが配されており、第２基板には画素部３０１の増幅トランジスタ３０６と、リセットトランジスタ３０７と、少なくとも一部の周辺回路とが配されている。第２部材３０９の周辺回路から第１部材３０８の転送トランジスタ３０４のゲート電極への制御信号は、接合部３１０を介して供給される。接合部３１０の構成については後述する。第１部材３０８の光電変換素子３０３にて生じた信号は、転送トランジスタ３０４のドレイン領域、即ちノード３０５に読み出される。ノード３０５は、第１部材３０８に配された構成と第２部材３０９に配された構成とを含む。
【００１７】
このような構成によって、従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合に比べて、光電変換素子３０３の面積を大きくすることが可能となり感度の向上させることが可能となる。また、従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合に比べて、光電変換素子の面積を同一とするならば、光電変換素子３０３を多く設けることが可能となり、多画素化が可能となる。また、１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合には、画素部と周辺回路部との作り分けが容易となる。
【００１８】
このような固体撮像装置の具体的な平面レイアウトを、図２の固体撮像装置の平面模式図を用いて説明する。図２（Ａ）は第１部材３０８、即ち第１基板（１０１）における平面レイアウトを示し、図２（Ｂ）は第２部材３０９、即ち第２基板（１２１）の平面レイアウトを示している。
【００１９】
図２（Ａ）において、第１部材３０８には、複数の光電変換素子が配列した画素部３０１Ａと、パッド３１３が配されたパッド部３１２Ａ、とが配されている。画素部３０１Ａには、図３における光電変換素子３０３と転送トランジスタ３０４と接合部３１０、３１１とが複数配されている。また、パッド３１３と平面的に同一位置に第２部材３０９との接続のための接合部３１４Ａが配されている。パッド３１３には外部端子が接続される。パッド３１３は固体撮像装置に複数配置されており、光電変換素子で生じた電荷に基づく信号（画像信号）を出力するパッドや、外部から供給される周辺回路を駆動するための電圧などが入力されるパッドが含まれる。
【００２０】
次に、図２（Ｂ）において、第２部材３０９には、画素部３０１Ｂと周辺回路部３０２とパッド部３１２Ｂとが配されている。画素部３０１Ｂには画素回路の一部が配されており、図３における増幅トランジスタ３０６とリセットトランジスタ３０７と接合部３１０と接合部３１１とが複数配置されている。周辺回路部３０２には周辺回路の一部が配されており、水平走査回路ＨＳＲ、垂直走査回路ＶＳＲ、読み出し回路ＲＣとが配されている。パッド部３１２Ｂには、第１部材との接続のための接合部３１４Ｂと保護ダイオード回路３１５とが配されている。
【００２１】
そして、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示した平面レイアウトを有する第１部材３０８と第２部材３０９とが張り合わされて本実施例の固体撮像装置を構成している。具体的には、画素部３０１Ａと画素部３０１Ｂとが重なるように配置される。そして、接合部３１４Ａと接合部３１４Ｂとが接合し、第１部材の接合部３１０、接合部３１１と第２部材の接合部３１０、接合部３１１とが接合する。なお、図２では、第２部材３０９の周辺回路部３０２Ｂに対応する第１部材３０８の領域を周辺回路部３０２Ａで示している。周辺回路部３０２Ａには走査回路の一部、即ち周辺回路の一部を配置してもよい。この接合部の構造については、後に詳述する。
【００２２】
次に、図２及び図３に示した固体撮像装置の断面模式図を図１を用いて説明する。図１では図２、図３と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２３】
第１部材３０８は、第１配線構造１４９と第１基板１０１とを有する。第１基板１０１は例えばシリコン半導体基板であり、主面１０２と裏面１０３とを有する。第１基板の主面１０２にはトランジスタが配置されている。第１配線構造１４９は、層間絶縁膜１０４、１５０と、ゲート電極や配線を含むゲート電極層１０７と、複数の配線を含む配線層１０９、１１０と、複数のコンタクトあるいはビアを含むコンタクト層１０８とを有する。そして、第１配線構造１４９は第１拡散防止膜１１１を有する。ここで第１配線構造１４９に含まれる層間絶縁膜、配線層及びコンタクト層の層数は任意に設定可能である。なお、第１配線構造１４９の配線層１１０は、接合部３１１、３１４を含み、またコンタクト層と一体となっている。以下、接合部とは電気的な接続を行う第１部材の導電体と第２部材の導電体とが接合している部分であり、接合前の導電体についても接合部と示すものとする。
【００２４】
第１部材３０８の画素部３０１において、第１基板１０１には、光電変換素子を構成するｎ型半導体領域１１２と、転送トランジスタのドレインであるｎ型半導体領域１１４と、素子分離構造１１９とが配されている。転送トランジスタはｎ型半導体領域１１２とｎ型半導体領域１１４と、ゲート電極層１０７に含まれるゲート電極１１３とで構成される。ここで、ｎ型半導体領域１１２で蓄積された電荷は、ゲート電極１１３によって、ｎ型半導体領域１１４に転送される。ｎ型半導体領域１１４に転送された電荷に基づく電位はコンタクト層１０８のコンタクト、配線層１０９の配線、コンタクト層を含む配線層１１０を介して、第２部材３０９へと伝達される。この配線層１１０に含まれる配線が接合部３１１を構成する。なお、光電変換素子は更にｐ型半導体領域を有する埋込みフォトダイオードであってもよく、フォトゲートであってもよく、適宜変更可能である。
【００２５】
画素部３０１の第１基板１０１の裏面１０３側には、平坦化層１１５、複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層１１６、平坦化層１１７、複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズ層１１８がこの順に配置されている。図１において、複数のカラーフィルタ及び複数のマイクロレンズはそれぞれが１つの光電変換素子に対応して、すなわち画素毎に配置されているが、複数画素に対して１つずつ設けられていてもよい。本実施例の固体撮像装置は、このマイクロレンズ層１１８側から光が入射し光電変換素子が受光する、所謂、裏面照射型の固体撮像装置である。
【００２６】
第１部材３０８のパッド部３１２には、パッド３１３と、外部端子と接続させるためのパッド３１３を露出する開口１００とが配されている。また、パッド３１３から入力された電圧を第２部材３０９に伝達する接合部３１４Ａが配置されている。接合部３１４Ａは画素部の接合部と同様に、配線層１１０に含まれる。なお、第１部材３０８において、第２部材３０９の周辺回路部３０２に対応する領域には、図１に示したように任意の回路素子１２０を設けている。
【００２７】
第２部材３０９は、第２配線構造１５０と第２基板１２１とを有する。第２基板１２１は例えばシリコン半導体基板であり、主面１２２と裏面１２３とを有する。第２基板の主面１２２にはトランジスタが配置される。第２配線構造１５０は、層間絶縁膜１２４〜１２７と、ゲート電極や配線を含むゲート電極層１２８と、複数の配線を含む配線層１３０、１３１、１３２と、複数のコンタクトあるいはビアを含むコンタクト層１２９とを有する。そして、第２配線構造１５０は第２拡散防止膜１３３を有する。ここで第２配線構造１５０に含まれる層間絶縁膜、配線層及びコンタクト層の層数は任意に設定可能である。なお、第１配線構造１５０の配線層１３１及び配線層１３２は、コンタクト層と一体となっている。そして、配線層１３２は接合部３１１、３１４を含む。
【００２８】
第２部材３０９の画素部３０１において、第２基板１２１には、画素回路を構成する増幅トランジスタを構成するウエル１３５と、増幅トランジスタのソース・ドレイン領域を構成するｎ型半導体領域１３８と、素子分離構造１３６とが配されている。増幅トランジスタは、ウエル１３５に配され、ゲート電極層１２８に含まれるゲート電極１３７と、ソース・ドレイン領域を構成するｎ型半導体領域１３８とで構成される。ここで、第１部材３０８は、接合部３１１を介して、増幅トランジスタのゲート電極１３７と接続される。接合部３１１と増幅トランジスタのゲート電極１３７とは、配線層１３２の配線及びビア、配線層１３１の配線及びビア、配線層１３０の配線、コンタクト層１２９のコンタクトとを介して接続される。ここで、図３のノード３０５は、図１のｎ型半導体領域１１４と、配線層１０９、１１０、１３２、１３１、１３０の配線及びビアと、コンタクト層１０８、１２９のコンタクトと、ゲート電極１３７と、から構成される。画素部３０１の他の回路（例えば、リセットトランジスタ）は不図示である。
【００２９】
次に、第２部材３０９の周辺回路部３０２には、水平走査回路や垂直走査回路等の制御回路や読み出し回路を含む周辺回路の少なくとも一部が配置されている。図１では、周辺回路に含まれる任意の回路におけるｎ型のトランジスタとｐ型のトランジスタを示している。ゲート電極層１２８に含まれるゲート電極１４０と、ｎ型のソース・ドレイン領域１４１とからなるｎ型トランジスタがｐ型のウエル１３９に配置されている。そして、ゲート電極層１２８に含まれるゲート電極１４３と、ｐ型のソース・ドレイン領域を構成するｐ型半導体領域１４４と、を有するｐ型トランジスタがｎ型のウエル１４２に配置されている。
【００３０】
そして、第２部材３０９のパッド部３１２には、第１部材３０８のパッド３１３からの信号を入力するための保護ダイオード回路３１５と、第１部材３０８と接続するための接合部３１４Ｂとが配置されている。接合部３１４Ｂは画素部の接合部と同様に、配線層１３２に含まれる。本実施例の保護ダイオード回路３１５には、半導体領域から構成される２つのダイオード１４５、１４６と、ゲート電極層１２８からなる２つの抵抗１４７、１４８とが含まれている。この保護ダイオード回路３１５は、一般に使用される保護ダイオード回路が適用可能である。
【００３１】
そして、本実施例の固体撮像装置においては、第１基板１０１の主面１０２と第２基板１２１の主面１２２とが、第１、第２配線構造を介して向かい合う向きに配置されている（対向配置）。つまり、第１基板、第１配線構造、第２配線構造、第２基板の順に配置されている。また、第１配線構造１４９の上面と、第２配線構造１５０の上面とが、接合面Ｘにおいて張り合わされているとも言える。つまり、第１部材３０８と第２部材３０９とが接合面Ｘにて接合されている。接合面Ｘは、第１配線構造１４９の上面と第２配線構造１５０の上面とで構成される。各部材に配置された接合部が接合面Ｘで接合し、部材間の導通を確保する。そして、外部と信号のやりとりを行うための固体撮像装置のパッド３１３が第２部材３０９の主面１２２の上部に配置され、第１部材３０８側に開口１００が設けられている。
【００３２】
ここで、第１配線構造１４９において、配線層１０９はアルミニウムを主成分とする配線（アルミニウム配線）からなり、配線層１１０は銅を主成分とする配線（銅配線）からなり、デュアルダマシン構造を有する。また、第２配線構造１５０においては、配線層１３０は銅配線からなり、シングルダマシン構造を有する。配線層１３１、１３２は銅配線からなり、デュアルダマシン構造を有する。配線層１１０及び配線層１３２に含まれる配線からなる接合部３１１及び接合部３１４（３１４Ａ及び３１４Ｂ）は、金属接合により接合面Ｘにおいて接合している。また、パッド部において、外部端子との接続を行うパッド３１３は、配線層１０９と同一層、即ち同一高さに配置されており、アルミニウムを主成分とする導電体である。この配線層１０９、パッド３１３の高さとは第１基板１０１の主面１０２からの高さである。
【００３３】
次に、本実施例の固体撮像装置の製造方法を、図４〜６を用いて説明する。図４は第１部材３０８の製造工程を示す断面模式図であり、図５は第２部材３０９の製造工程を示す断面模式図であり、図６は第１部材３０８と第２部材３０９とを接合した後の製造工程を示す断面模式図である。
【００３４】
図１の第１部材３０８の製造工程を、図４を用いて説明する。図４においては、後に図１の第１部材３０８になる構成を３０８’とし、図１の画素部３０１、周辺回路部３０２、パッド部３１２、周辺回路の一部である回路素子１２０になる部分を３０４’、３０２’、３１２’、１２０’としている。
【００３５】
まず、半導体基板を準備し、半導体基板に素子を形成する。主面４０２と裏面４０３を有する厚みＤ３の半導体基板４０１を用意する。半導体基板４０１は例えばシリコン半導体基板である。半導体基板４０１に、素子分離構造１１９を形成する。素子分離構造１１９は、シリコン酸化膜などの絶縁体を含み、例えばＬＯＣＯＳやＳＴＩ構造を有する。そして、半導体基板４０１に任意の導電型のウエル（不図示）を形成する。その後、光電変換素子やトランジスタを構成するｎ型半導体領域１１２、１１４、及びｐ型半導体領域（不図示）を形成する。また、転送トランジスタのゲート電極１１３を含むゲート電極を含むゲート電極層１０７を形成する。ゲート電極層は例えば、ポリシリコン層の堆積及びパターニングによって形成され、ゲート電極のみではなく配線をも含みうる。ここで、ゲート電極、素子分離及び半導体領域の形成方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図４（Ａ）の構成が得られる。
【００３６】
次に、半導体基板４０１の主面４０２上に配線構造を形成する。具体的には、まず、ゲート電極層１０７を覆うように層間絶縁膜１０４’となる膜を形成する。層間絶縁膜１０４’となる膜にコンタクトホールを形成し、バリアメタル及びタングステンの膜を形成し、バリアメタル及びタングステンの膜の余分な部分を除去することで層間絶縁膜１０４’とコンタクト層１０８を形成する。そして、層間絶縁膜１０４’上に、バリアメタル及びアルミニウムの膜を成膜し、パターニングすることで配線層１０９を形成する。次に、配線層１０９を覆うように層間絶縁膜１０５となる膜を形成し、第１拡散防止膜１０６となる膜を形成する。次に、配線１１０をデュアルダマシン法により形成する。層間絶縁膜１０５となる膜及び第１拡散防止膜１０６となる膜の積層膜に、配線用の溝及びビア用の溝（ホール）を形成する。溝を埋めるように拡散防止機能を有するバリアメタルと、銅とを成膜する。余分なバリアメタル及び銅を除去することで配線層１１０を形成し、層間絶縁膜１０５及び第１拡散防止膜１０６が形成される。ここで、第１拡散防止膜１０６は、配線が露出するような開口を有する。また、第１拡散防止膜１０６は、バリアメタル及び銅を除去する際に行われるエッチングあるいはＣＭＰによって、同時に平坦化されうる。配線構造の上面は、第１拡散防止膜１０６の上面及び配線層１１０の上面により形成される。層間絶縁膜１０４’は、後に図１の層間絶縁膜１０４となる。
【００３７】
ここで、層間絶縁膜１０４’、１０５はシリコン酸化膜である。しかし層間絶縁膜１０４’、１０５はシリコン窒化膜、あるいは有機樹脂等で形成されてもよい。コンタクト１０８は、例えばタングステンで形成される。配線層１１０は接合部３１４Ａ及び３１１Ａを含み、配線層１０９はパッド３１３を含む。バリアメタルは導電体である銅に対して拡散防止機能を有し、例えばタンタル、タンタル窒化物等で形成される。第１拡散防止膜１０６は、接合部を含む配線層１１０の導電体に対して拡散防止機能を有する膜からなり、例えばシリコン窒化膜やシリコン炭化膜等である。これら配線層、コンタクト層、層間絶縁膜の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図４（Ｂ）の構成が得られる。図４（Ｂ）において、符号１０４’、１０５、１０６、１０８〜１１０は後に図１における第１配線構造１４９となる。また、接合部３１１Ａは後に接合部３１１を構成する。
この図４（Ｂ）において、後に図１の接合面Ｘを構成する第１配線構造１４９の上面は、第１拡散防止膜１０６の上面と配線層１１０の各配線の上面とによって構成されている。この上面の構造については後に詳述する。
【００３８】
次に、図１の第２部材３０９の製造工程を、図５を用いて説明する。図５においては、後に図１の第２部材３０９となる構成を３０９’とし、図１の画素部３０１、周辺回路部３０２、パッド部３１２、保護ダイオード回路３１５になる部分を３０４’、３０２’、３１２’、３１５’としている。
【００３９】
次に、半導体基板４０４の主面４０５上に配線構造を形成する。具体的には、まず、ゲート電極１２８を覆うように層間絶縁膜１２４となる膜を成膜する。層間絶縁膜１２４となる膜にコンタクトホールを形成し、バリアメタル及びタングステンの膜を形成し、バリアメタル及びタングステンの膜の余分な部分を除去することで、層間絶縁膜１２４とコンタクト層１２９を形成する。そして、層間絶縁膜１２４上に層間絶縁膜１２５となる膜を形成する。次に、配線層１３０をシングルダマシン法によって形成する。層間絶縁膜１２５となる膜に配線となる溝を形成し、溝を埋めるように拡散防止機能を有するバリアメタルと、銅とを成膜する。余分なバリアメタル及び銅を除去することで配線層１３０が形成され、層間絶縁膜１２５が形成される。次に、層間絶縁膜１２５及び配線層１３０を覆うように層間絶縁膜１２６となる膜を形成する。そして、配線層１３１をデュアルダマシン法によって形成する。具体的には、層間絶縁膜１２６となる膜に配線及びビアとなる溝を形成する。溝を埋めるように拡散防止機能を有するバリアメタルと銅とを成膜する。余分なバリアメタル及び銅を除去することで配線層１３１を形成し、層間絶縁膜１２６が形成される。そして、層間絶縁膜１２６及び配線層１３１を覆うように層間絶縁膜１２７となる膜及び第２拡散防止膜１３３となる膜を形成する。次に、配線層１３２をデュアルダマシン法によって形成する。つまり、層間絶縁膜１２７及び第２拡散防止膜１３３となる膜に、配線及びビアとなる溝を形成し、その溝を埋めるように拡散防止機能を有するバリアメタルと銅とを成膜する。拡散防止機能を有するバリアメタルと銅の膜の余分な部分を除去することで配線層１３２を形成する。この時、バリアメタルは導電体である銅に対して拡散防止機能を有し、例えばタンタル、タンタル窒化物等で形成される。そして、層間絶縁膜１２７及び第２拡散防止膜１３３とが形成される。ここで、第２拡散防止膜１３３は、配線が露出するような開口を有する。また、第２拡散防止膜１３３は、バリアメタル及び銅を除去する際に行われるエッチングあるいはＣＭＰによって、同時に平坦化されうる。配線構造の上面は、第２拡散防止膜１３３の上面及び配線層１３２の上面により形成される。
【００４０】
ここで、層間絶縁膜１２４〜１２７はシリコン酸化膜であるが、シリコン窒化膜、あるいは有機樹脂等で形成されてもよい。コンタクト１２９は、例えばタングステンで形成される。配線層１３０は銅を主成分とする配線からなり、シングルダマシン構造を有する。配線層１３１、１３２は銅を主成分とする配線からなり、デュアルダマシン構造を有する。配線層１３２は接合部３１４Ｂ及び３１１Ｂを含む。これら配線層、コンタクト層、層間絶縁膜の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、より詳細な説明は省略する。以上によって、図５（Ｂ）の構成が得られる。図５（Ｂ）において、符号１２４〜１２７、１２９〜１３３等は後に図１における第２配線構造１５０となる。また、接合部３１１Ｂは後に接合部３１１を構成する。
【００４１】
この図５（Ｂ）において、後に図１の接合面Ｘを構成する第２配線構造１５０の上面は、層間絶縁膜１２７の上面と配線層１３４の各配線の上面とによって構成されている。配線層１３４は接合部となる導電体でもある。つまり、第２配線構造１５０の上面は導電体の上面を含む。この上面の構造については後に詳述する。
【００４２】
このような図４（Ｂ）及び図５（Ｂ）に示した第１部材３０８’と第２部材３０９’とを、互いの半導体基板の主面４０２及び主面４０５とが向かい合うように張り合わせる。つまり、第１部材３０８’の配線構造の最上面と第２部材３０９’の配線構造の最上面とが接合される。ここで、接合部３１１Ａ、３１１Ｂ及び接合部３１４Ａ、３１４Ｂは銅を主成分とする配線から構成されているため、張り合わせの際は銅の金属接合によって行うことが可能である。なお、張り合わせは、真空あるいは不活性ガスの雰囲気中にて行うことが好ましい。また、張り合わせの前に、各配線構造の上面に対してプラズマ照射を行うことが望ましい。このプラズマ照射を行うことで、プラズマ照射を行わない場合に比べて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの層間絶縁膜同士の接合がより強固なものとなる。また、プラズマ照射の他に薬液処理によって活性化する方法も適用可能である。
【００４３】
そして、第１部材３０８’と第２部材３０９’とが接合された後に、第１部材３０８’の半導体基板４０１の裏面４０３側を薄膜化する。薄膜化は、ＣＭＰ（化学的機械研磨）やエッチングによって行うことが可能である。そして、半導体基板４０１は半導体基板４０７となり、厚みがＤ３からＤ１（Ｄ１＜Ｄ３）となる（図６（Ａ））。このように半導体基板４０１を薄膜化し半導体基板４０７とすることで、後に入射光が光電変換素子に効率良く入射することを可能にする。また、この時、半導体基板４０７の厚みＤ１＜半導体基板４０４の厚みＤ４となる。
【００４４】
次に、半導体基板４０７の裏面４０８に、樹脂からなる平坦化層４０９、カラーフィルタ層４１０、樹脂からなる平坦化層４１１、マイクロレンズ層４１２をこの順に形成する。これら平坦化層、カラーフィルタ層、マイクロレンズ層の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。ここでマイクロレンズ層はパッド部となる３１２’の領域まで形成されていてもよい。以上の工程によって、図６（Ｂ）の構成が得られる。
【００４５】
そして、パッド３１３を露出するための開口１００を形成する。ここでは、フォトリソグラフィ技術を用いてマイクロレンズ層４１２の上に任意の開口を有するフォトレジストマスクを設ける。そして、ドライエッチング技術を用いて、マイクロレンズ層４２１、平坦化層４１１、カラーフィルタ層４１０、平坦化層４０９、半導体基板４０７及び層間絶縁膜１０４’を除去し、パッド３１３を露出させる開口１００を形成する。
【００４６】
そして、マイクロレンズ層１１８、平坦化層１１７、１１５、カラーフィルタ層１１６、第１基板１０１及び層間絶縁膜１０４が形成される。以上のようにして、図１の構成となる。なお、図６（Ｂ）の半導体基板４０４、主面４０５、裏面４０６、厚さＤ４は、図１の第２基板１２１、主面１２２、裏面１２３、厚さＤ２と対応している。ここで、厚さＤ４とＤ２とは変化がないが、半導体基板４０４の薄膜化を行い厚さＤ２＜Ｄ４となるようにしてもよい。薄膜化によって、工程が増えるが固体撮像装置としての小型化が可能となる。
【００４７】
ここで、図７を用いて接合部の詳細について説明を行う。図７は図１の接合部３１１を拡大して示した断面模式図であり、図７の図１〜６と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４８】
まず、図７（Ａ）は、第１部材及び第２部材の接合前の状態を示し、図７（Ｂ）は接合時（図６（Ａ））の状態を示している。第１部材３０８’には、配線層１０９と配線層１１０と第１拡散防止膜１１１とを有する。配線層１０９はアルミニウム１０９ａとバリアメタル１０９ｂとを含み、配線層１１０は銅１１０ａとバリアメタル１１０ｂとを含む。そして、第２部材３０９’  には、配線層１３１と配線層１３２と第２拡散防止膜１３３とを有する。配線層１３１は銅１３１ａとバリアメタル１３１ｂを含み、配線層１３２は銅１３２ａとバリアメタル１３２ｂを含む。つまり、接合部は、アルミニウムよりも拡散係数の大きい銅である導電体を含む。ここで、導電体は、銅に限らず、銅を主成分とする合金や、金などの他の金属及び合金であってもよい。ここで、銅のバリアメタルは銅に対して拡散防止能力を有する拡散防止膜である。このバリアメタルとしては、例えば、タンタル、タンタル窒化膜、マンガン、ニオブ、クロム等の金属及びその合金があげられる。そして第１拡散防止膜及び第２拡散防止膜は、例えば、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン酸窒化膜などがあげられる。そして、銅１１０ａは面Ｘ１で露出している部分を除き、バリアメタル１１０ｂによって囲まれている。そして、銅１３２ａは面Ｘ２で露出している部分を除き、バリアメタル１３２ｂによって囲まれている。ここで、面Ｘ１は第１配線構造１４９の上面であり、面Ｘ２は第２配線構造１５０の上面である。
【００４９】
図７（Ｂ）に示すように、面Ｘ１及び面Ｘ２とが接合面Ｘとなり、第１部材３０８’及び第２部材３０９’が接合される。銅１１０ａ及び銅１３２ａとは金属接合している。ここで、銅１１０ａ及び銅１３２ａとは、銅に対する拡散防止機能を有する拡散防止膜であるバリアメタル１１０ｂ及びバリアメタル１３２ｂによって囲まれている。このような構成によれば、接合部において導電体が拡散防止膜によって囲まれているため、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００５０】
ここで、図７（Ｃ）は図７（Ａ）の構成において、接合部を構成する配線層１１０と配線層１３２との位置がずれていた場合について示した断面模式図である。図７（Ｃ）のような場合においても、第１拡散防止膜１１１及び第２拡散防止膜１３３とを有することで、接合部において導電体を拡散防止膜によって囲むことが出来る。具体的には、図７（Ｄ）に示すように銅１１０ａ及び銅１３２ａは、拡散防止膜であるバリアメタル１１０ｂ及びバリアメタル１３２ｂと、第１拡散防止膜１１１及び第２拡散防止膜１３３とによって囲まれている。このような構成を有することで、例えプロセスばらつきによって位置がずれた場合においても、接合部において導電体が拡散防止膜によって囲まれているため、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００５１】
本発明は本実施例の製造方法において説明した工程に限定されるものではなく、工程順が変更されていてもよい。また、第１部材３０８と第２部材３０９の製造順番については適宜設定可能である。また、半導体基板４０１、４０２にはＳＯＩ基板を適用することも可能である。なお、第１部材３０８と第２部材３０９とを固体撮像装置用の基板として別々に購入し、張り合わせて形成することも可能である。
【００５２】
次に、本発明の実施例２について、図８及び図９を用いて説明する。本実施例では接合部の構成に関するいくつかの変形例を説明する。図８は図７に対応した接合部に着目した断面模式図である。図８において図１〜７と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００５３】
まず、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す接合部の変形例について説明する。図８（Ａ）は図７（Ａ）に対応する断面模式図であり、図８（Ｂ）は図７（Ｂ）に対応する断面模式図である。図８（Ａ）において、図７（Ａ）との違いは、配線層１１０が配線層１３２よりも小さい面積の露出面を有している点、第２の部材３０９’が第２拡散防止膜１３３を有していない点である。図８（Ａ）において示されているのは一部の断面ではあるが、配線層１１０の面Ｘ１における面積は、配線層１３２の面Ｘ２における面積よりも小さい。このような構成においても、接合後の図８（Ｂ）に示すように、銅１１０ａ及び銅１３２ａは拡散防止膜であるバリアメタル１１０ａ及び１３２ａと、第１拡散防止膜１１１によって囲まれている。
【００５４】
次に、図８（Ｃ）及び図８（Ｄ）に示す接合部の変形例について説明する。図８（Ｃ）は図８（Ａ）に対応する断面模式図であり、図８（Ｄ）は図８（Ｂ）に対応する断面模式図である。図８（Ｃ）において、図８（Ａ）との違いは、面Ｘ１において配線層１１０の部分が凹部８０１となっている点である。具体的には、層間絶縁膜１０５及び配線層１１０の上部に第１拡散防止膜１１１が配置されており、第１拡散防止膜１１１が配線層１１０に対応した開口を有している。このような構成においても、接合後の図８（Ｄ）に示すように、銅１１０ａ及び銅１３２ａは拡散防止膜であるバリアメタル１１０ａ及び１３２ａと、第１拡散防止膜１１１によって囲まれている。ここでは、凹部８０１は第１拡散防止膜１１１の厚み分の段差を有しているが、例えば銅１１０ａを一部除去して段差を大きくしてもよい。なお、凹部８０１を有していても、銅などの導電体の熱膨張係数は拡散防止膜や層間絶縁膜を構成する誘電体よりも大きいので、接合の接合面Ｘは図８（Ｄ）のような平らな面を有することが可能である。
【００５５】
次に、図８（Ｅ）及び図８（Ｆ）に示す接合部の変形例について説明する。図８（Ｅ）は図８（Ｃ）に対応する断面模式図であり、図８（Ｆ）は図８（Ｄ）に対応する断面模式図である。図８（Ｅ）において、図８（Ｃ）との違いは、面Ｘ１において配線層１１０の部分が凸部８０２となっている点である。具体的には、第１拡散防止膜１１１等が形成する面Ｘ１よりも銅１１０ａが厚みＤ分だけ凸となっている。このような構成においても、接合後の図８（Ｆ）に示すように、銅１１０ａ及び銅１３２ａは拡散防止膜であるバリアメタル１１０ａ及び１３２ａと、第１拡散防止膜１１１によって囲まれている。ここでは、凸部８０１はなだらかな形状を有しているが、矩形の形状であってもよい。なお、凸部８０２を有していても、接合時に圧力をかけることから、接合後の接合面Ｘは、図８（Ｆ）のような平らな面を有することが可能である。
【００５６】
次に、図８（Ｇ）及び図８（Ｈ）に示す接合部の変形例について説明する。図８（Ｇ）は図８（Ｅ）に対応する断面模式図であり、図８（Ｈ）は図８（Ｆ）に対応する断面模式図である。図８（Ｇ）において、図８（Ｅ）との違いは、主に３点である。面Ｘ２においても配線層１３２の部分が凸部８０３となっている点と、配線層１１０の面Ｘ１における面積と配線層１３２の面Ｘ２における面積とが等しい点と、第２部材３０９’が第２拡散防止膜１３３を有する点である。銅１１０ａは面Ｘ１よりも厚みＤ１分だけ凸となっており、銅１３２ａは面Ｘ２よりも厚みＤ２分だけ凸となっている。このような構成においても、接合後の図８（Ｈ）に示すように、銅１１０ａ及び銅１３２ａは拡散防止膜であるバリアメタル１１０ａ及び１３２ａと、第１拡散防止膜１１１及び第２拡散防止膜１３３によって囲まれている。ここで、第１部材３０８’と第２部材３０９’との間に空隙８０４が形成されている。銅１１０ａ及び銅１３２ａは、空隙８０４と接しているため、この空隙８０４の界面において銅が拡散する可能性がある。しかしながら、第１拡散防止膜１１１及び第２拡散防止膜１３２を有することで、第１部材３０８’や第２部材３０９’の基板側への銅の拡散を抑制することが可能となる。当然のことながら、図８（Ｇ）の構成を接合した後に、空隙８０４が形成されない場合もありうる。
【００５７】
以上述べたように、図８に示したような構成においても、接合部において銅が拡散防止膜によって囲むことが可能となる。従って、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００５８】
ここで、図８（Ｅ）及び図８（Ｇ）に示した凸部を有する接合部について、図８（Ｇ）の接合部３１１Ｂに着目して形成方法を説明する。まず、層間絶縁膜１２６、配線層１３１、層間絶縁膜１２７を形成する。そして、層間絶縁膜１２７に、デュアルダマシン法により配線層１３２を形成する。ここで、余分な銅及びバリアメタルの膜を除去する際に、例えばＣＭＰを用いる場合には研磨速度やスラリーを調整することで、エッチングを用いる場合にはエッチングガス等を調整することで、凸を有する銅１３２ａが形成可能である（図９（Ａ））。次に、凸を覆って第２拡散防止膜となる膜１３３１を成膜し（図９（Ｂ））、エッチングあるいはＣＭＰによって、第２拡散防止膜となる膜１３３１の一部を除去することで、第２拡散防止膜１３３及び凸部８０３が形成可能である（図９（Ｃ））。
【００５９】
なお、図９においては、層間絶縁膜１２６及び層間絶縁膜１２７が複数の絶縁膜から構成されており、また、配線層１３１の上部を覆う拡散防止膜７０１が配置されている。このように、層間絶縁膜の構成は適宜設定可能である。
【００６０】
以上、本実施例においては、接合部の構成の変形例を示した。各変形例は適宜組み合わせ可能であり、第１部材及び第２部材の接合部のいずれかに適用するかは適宜設定可能である。
【００６１】
次に、本発明の実施例３について、図１０及び図１１を用いて説明する。本実施例では接合部の構成に関するいくつかの変形例を説明する。図１０は図８にて説明した接合部に関する断面模式図である。図１０において図１〜７と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６２】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は互いに対応した図面であり、図８（Ｂ）あるいは図８（Ｄ）の接合部が複数配置された断面模式図を示している。図１０（Ｃ）は図１０（Ｂ）の構成の変形例を示している。
【００６３】
まず、図１０（Ａ）において、第１拡散防止膜１１１は複数の接合部３１１に共通に設けられている。図１０（Ｂ）では、第１拡散防止膜１１１Ｐは接合部の周囲を囲うようにパターニングされており、各接合部３１１の間の第１拡散防止膜１１１は除去されている。また、図１０（Ｃ）は図１０（Ｂ）に比べて更に第２拡散防止膜１３３Ｐを有し、第２拡散防止膜１３３Ｐは第１拡散防止膜１１１Ｐと同様に接合部の周囲を囲うようにパターニングされている。
【００６４】
ここで、第１拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、層間絶縁膜はシリコン酸化物からなるため、第１拡散防止膜の方が層間絶縁膜よりも誘電率が高い。このような誘電率が高い膜を配線の周りに配置すると配線の寄生容量が増大してしまう。よって、図１０（Ｂ）の構成にすることによって、図１０（Ａ）の構成に比べて、配線間の寄生容量を低減することが可能となる。また、図１０（Ｃ）のように第２拡散防止膜１３３Ｐを有する場合においても寄生容量を低減可能である。なお、拡散防止膜７０１についても、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）に示すようにパターニングしてもよい。
【００６５】
図１１は、接合部３１１における配線層１１０と、配線層１３２と、第１拡散防止膜と、第２拡散防止膜の位置関係を説明するために各構成の外縁を平面に示した平面模式図である。言い換えると接合面Ｘにおける各構成の配置ともいえる。図１１において図１〜１０と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６６】
図１１（Ａ）は、図１０（Ｂ）に対応した平面模式図である。図１１（Ａ）のＡＢ線が図１０（Ｂ）の断面と対応する。図１１（Ａ）に示すように、第１拡散防止膜１１１Ｐが最も面積が大きく、配線層１３２を覆っている。つまり、配線層１３２の銅が露出した面は、第１拡散防止膜１１１Ｐと配線層１１０に対応する。このようなパターンの大小関係を有することで銅を拡散防止膜で覆うことが容易となる。
【００６７】
図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）は、図１０（Ｃ）に対応した平面模式図である。図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）のＣＤ線が図１０（Ｃ）の断面と対応する。図１１（Ｂ）においては、配線層１１０、配線層１３２、第１拡散防止膜１１１Ｐ、第２拡散防止膜１３３Ｐがこの順に大きな面積を有している。このようなパターンの大小関係を有することで、配線層１３２の銅が露出した面は、第１拡散防止膜１１１Ｐと配線層１１０に対応し、銅を拡散防止膜で覆うことが可能となる。
【００６８】
図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）とは配線層１１０、配線層１３２のパターンが異なる。配線層１１０と配線層１３２は、第１方向と、それと異なる第２方向にそれぞれ長辺を有するパターンとなっている。このようなパターンを有することで、接合時の位置ずれの許容範囲を拡大することが可能となる。
【００６９】
本実施例のように、第１拡散防止膜、第２拡散防止膜、接合部の形状は任意の形状が可能であり、適宜選択可能である。
【００７０】
以下、上記の各実施例に係る固体撮像装置の応用例として、固体撮像装置が組み込まれた撮像システムについて例示的に説明する。撮像システムには、撮影を主目的とするカメラなどの装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。例えば、カメラは、本発明に係る固体撮像装置と、固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。この処理部とは、例えば、Ａ／Ｄ変換器、及びＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。
【００７１】
以上述べてきたように、本発明の固体撮像装置によれば、暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００７２】
なお、本発明は明細書記載の構成に限定されるものではなく、画素回路が変更され、第１部材には光電変換素子のみが配置されている場合であってもよい。また、導電型や回路を逆導電型にした構成や、配線層や層間絶縁膜を更に設ける構成や、シングルダマシン構造からデュアルダマシン構造にする場合など適宜変更可能である。また、各実施例の構成を適宜組み合わせることも可能である。
【００７３】
また、本発明は固体撮像装置に限られるものではなく、ＤＲＡＭ等の一般半導体装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７４】
３０１  画素部
３０２  周辺回路部
３０８  第１部材
３０９  第２部材
１４９  第１配線構造
１５０  第２配線構造
３１１  接合部
３１４  接合部
１０１  第１基板
１２１  第２基板
Ｘ  接合面
１１１  第１拡散防止膜
１３３  第２拡散防止膜
【図１】
0005451547.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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