(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な反応容器内に導電性基体を載置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、高周波電力を導入して、前記導電性基体の上に少なくともケイ素原子を含む非晶質材料で構成された光導電層を形成する工程と、ケイ素原子及び炭素原子を含む非晶質材料で構成された中間層を形成する工程と、ケイ素原子及び炭素原子を含む非晶質材料で構成された表面層を形成する工程とを有する電子写真感光体の製造方法であって、
前記中間層を形成する工程が少なくとも第１の工程及び第２の工程からなり、前記第１の工程に続いて前記第２の工程を行い、前記第１の工程は前記反応容器内に導入される高周波電力は一定で、前記反応容器内に供給される原料ガスの流量を変化させる工程であり、前記第２の工程は前記反応容器内に供給される原料ガスの流量は一定で、前記反応容器内に導入される高周波電力を上昇させる工程であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程で、原料ガスの総流量及び炭素原子供給源である原料ガスの流量を増大させた後に低減させることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程で、前記反応容器内に供給される炭素原子供給源であるガス流量を低減させる領域において、前記反応容器内の圧力を連続的または段階的に上昇させることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程で、高周波電力を階段状に上昇させることを特徴する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程で、高周波電力を階段状に上昇させる際に基体を回転させ、前記階段状に上昇させる高周波電力を一定に維持する時間をＳ（ｓｅｃ）、その時の導電性基体の回転数をＲ（ｒｐｍ）とした時、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする請求項４に記載の電子写真感光体の製造方法。
ＲＳ／６０≧１  ・・・（１）
【請求項６】
前記Ｓ（ｓｅｃ）と、前記Ｒ（ｒｐｍ）とが、下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載の電子写真感光体の製造方法。
ＲＳ／６０＝ｎ（ｎは自然数）  ・・・（２）
【請求項７】
前記表面層のケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数の和に対する炭素原子の原子数の比が０．６１以上０．７５以下であり、且つケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１乃至６いずれか一項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真プロセスを利用した画像形成装置に適用可能なアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」とも表記する）の光導電層を有する電子写真感光体（以下、「ａ−Ｓｉ感光体」とも表記する）の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基体の上に非晶質材料を感光層とした電子写真感光体が知られている。特に、金属等の基体の上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）、物理気相成長法（ＰＶＤ法）のような成膜技術により形成されたａ−Ｓｉ感光体がすでに製品化されている。
このようなａ−Ｓｉ感光体の基本構成としては、図５（ｂ）に示すようなプラス帯電用ａ−Ｓｉ感光体が知られている。プラス帯電用ａ−Ｓｉ感光体は、導電性基体５００１の上にａ−Ｓｉで構成された光受容層５００２を形成し、更に水素化アモルファスシリコンカーバイド（以下、「ａ−ＳｉＣ」とも表記する。）で構成された表面層５００５を積層した構成となっている。光受容層５００２は、電荷注入阻止層５００３と光導電層５００４との積層構造であっても良い。
【０００３】
更に、図５（ａ）に示すような光導電層５００４とａ−ＳｉＣ表面層５００５の間に中間層５００６を設けることにより、電子写真感光体特性が向上することが知られている。
基体の上にａ−Ｓｉ系の光導電層とａ−ＳｉＣ表面層を積層したａ−Ｓｉ感光体に、光導電層と表面層との界面近傍における水素原子含有量が、光導電層及び表面層のいずれかの層の水素含有量よりも多い中間層を有する光受容部材が知られている。そのような光受容部材を作製する技術が特許文献１に開示されている。このように、光導電層と表面層との界面近傍に水素含有量が多い中間層を形成することにより、光感度に優れた光受容部材を有する電子写真感光体の作製が可能となる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０７−１７５２４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、市場では、電子写真装置の高速化及びカラー化が進み、従来に比べ、更に磨耗し易い電子写真プロセスへと変化してきている。これらの市場要求に対し、電子写真装置における改善が必要である。同時に、良好な電子写真感光体特性を維持しつつ、更なる高寿命を実現可能な電子写真感光体も必要となっている。
電子写真感光体の寿命を向上させるためには、良好な電子写真感光体を維持しつつａ−ＳｉＣ表面層自体の硬度の向上が必要となる。ａ−ＳｉＣ表面層自体の硬度の向上は、従来よりも緻密なａ−ＳｉＣ表面層にすることにより達成することができる。
しかしながら、緻密なａ−ＳｉＣ表面層を光導電層上に積層させると、特異的な環境の変化（温度、湿度の急激な変化や振動等）が生じた場合に、光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との界面近傍で剥がれが生じる場合があった。この特異的な環境の変化の一例としては、電子写真感光体の航空機輸送が挙げられる。
【０００６】
この光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との界面近傍で生じる剥がれの原因は、ａ−ＳｉＣ表面層を緻密にするほど表面層自体の内部応力が大きくなるためだと考えられる。それにより、光導電層とａ−ＳｉＣ表面層の内部応力の差が広がり、光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間の界面近傍に応力が集中してしまうためであると考えられる。
以上のことから、従来の電子写真感光体において、表面層自体の内部応力が高いａ−ＳｉＣ表面層を光導電層に積層した場合に、特異的な環境においては光導電層とａ−ＳｉＣ表面層の良好な密着性を維持することは非常に困難な課題であった。
そこで、本発明の目的としては、内部応力が高いａ−ＳｉＣ表面層を光導電層の上に積層した場合においても、良好な電子写真感光体特性を維持しつつ、特異的な環境でも良好な密着性を実現し、高寿命な電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、真空排気可能な反応容器内に導電性基体を載置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、高周波電力を導入して、前記導電性基体の上に少なくともケイ素原子を含む非晶質材料で構成された光導電層を形成する工程と、ケイ素原子及び炭素原子を含む非晶質材料で構成された中間層を形成する工程と、ケイ素原子及び炭素原子を含む非晶質材料で構成された表面層を形成する工程とを有する電子写真感光体の製造方法であって、
前記中間層を形成する工程が少なくとも第１の工程及び第２の工程からなり、前記第１の工程に続いて前記第２の工程を行い、前記第１の工程は前記反応容器内に導入される高周波電力は一定で、前記反応容器内に供給される原料ガスの流量を変化させる工程であり、前記第２の工程は前記反応容器内に供給される原料ガスの流量は一定で、前記反応容器内に導入される高周波電力を上昇させる工程であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、良好な電子写真感光体特性を維持しつつ、特異的な環境でも良好な密着性を実現し、高寿命な電子写真感光体の製造方法を提供可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の中間層の形成における経過時間に対する高周波電力、ＣＨ４流量、及び内圧の推移の一例を説明するための模式的な説明図であって、（ａ）は中間層を形成する第１の工程においてＣＨ４流量及び反応容器内の圧力を連続的に上昇させる例を示し、（ｂ）は中間層を形成する第１の工程においてＣＨ４流量を増加した後に低減させる領域において反応容器内の圧力を連続的に上昇させる例を示す図である。
【図２】本発明の中間層の形成における経過時間と高周波電力の供給量の一例を説明するための模式的な説明図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の作製に用いられるプラズマＣＶＤ装置の一例の模式図である。
【図４】本実施例の中間層の形成における経過時間と高周波電力の供給量の一例を説明するための模式的な説明図である。
【図５】（ａ）は本発明に係るプラス帯電用ａ−Ｓｉ感光体の層構成の一例を示す模式的概略断面図である。（ｂ）は従来のプラス帯電用ａ−Ｓｉ感光体の層構成を示す模式的概略断面図である。
【図６】実施例で用いた電子写真装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
＜本発明に係る電子写真感光体の層構成＞
図５（ａ）は、本発明の製造方法によって作製されたプラス帯電用電子写真感光体の層構成を説明するための模式的構成図である。
導電性基体５００１の上に光受容層５００２と中間層５００６及び表面層５００５とがこの順に設けられている。光受容層５００２は、ケイ素原子を母材とする電荷注入阻止層５００３、ケイ素原子を母材とする光導電層５００４がこの順に設けられている。中間層５００６及び表面層５００５は、ケイ素原子及び炭素原子を母材としている。光導電層はケイ素原子を含む非晶質材料で構成され、中間層はケイ素原子及び炭素原子を含む非晶質材料で構成され、表面層もケイ素原子及び炭素原子を含む非晶質材料で構成されている。
【００１１】
＜本発明の電子写真感光体を製造するための製造装置及び製造方法＞
図３は本発明のａ−Ｓｉ感光体を作製するための高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置の一例を模式的に示した図である。
この装置は大別すると、反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、及び、反応容器３１１０の中を減圧する為の排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器３１１０は真空排気可能である。
反応容器３１１０の中にはアースに接続された導電性基体３１１２が載置され、また、反応容器３１１０の中には導電性基体加熱用ヒーター３１１３、及び、原料ガス導入管３１１４が設置されている。さらにカソード電極３１１１には高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。
原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，ＮＯ，Ｂ２Ｈ６のような原料ガスのボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５及びマスフローコントローラ３２１１〜３２１５から構成されている。各原料ガスを封入したガスのボンベは補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０の中の原料ガス導入管３１１４に接続されている。
不図示の排気装置は例えば、メカニカルブースターポンプやロータリーポンプで構成される。
【００１２】
次にこの装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した導電性基体３１１２を反応容器３１１０に受け台３１２３を介して設置する。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器３１１０の中を排気する。真空計３１１９の表示を見ながら、反応容器３１１０の中の圧力がたとえば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、基体加熱用ヒーター３１１３に電力を供給し、導電性基体３１１２を例えば５０℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅのような不活性ガスを反応容器３１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。反応容器の中の圧力を調整するためには例えばメカニカルブースターポンプの回転数を操作することやメインバルブ３１１８の開度を操作することが挙げられる。
次に、ガス供給装置３２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０に供給する。すなわち、必要に応じバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラ３２１１〜３２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、真空計３１１９の表示を見ながらメインバルブ３１１８を操作し、反応容器３１１０の中の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源３１２０より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス３１１５を操作し、反応容器３１１０の中にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
【００１３】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５、及び補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。同時に、メインバルブ３１１８を全開にし、反応容器３１１０の中を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。すべての堆積膜形成が終わった後に、メインバルブ３１１８を閉じ、反応容器３１１０の中に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、導電性基体３１１２を取り出す。
【００１４】
（中間層、表面層）
本発明では、前記中間層を形成する工程が少なくとも第１の工程及び第２の工程からなり、前記第１の工程に続いて前記第２の工程を行い、前記第１の工程は前記反応容器内に導入される高周波電力は一定で、前記反応容器内に供給される原料ガスの流量を変化させる工程であり、前記第２の工程は前記反応容器内に供給される原料ガスの流量は一定で、前記反応容器内に導入される高周波電力を上昇させる工程とすることを特徴としている。
ここで高周波電力及びガス流量一定、高周波電力及びガス流量変化の定義について述べる。
本発明での一定とは中間層第１の工程または第２の工程を通して全域で一定であると定義する。
また、一定とは装置の制御能力を超える変化は含んでいる。例えば、高周波電力に関しては、出力電力２ｋＷ、出力安定度±１％の高周波電源を用いた場合は、狙い値に対して±２０Ｗ以内の変化は一定とみなす。また、ガス流量に関しては最大流量１０００ｃｃ、制御精度±１％のマスフローコントローラーを用いた場合は狙い値に対して±１０ｃｃの変化は一定とみなす。
【００１５】
逆に変化とは、第１の工程または第２の工程を通してどこかに変化させる部分があると定義する。例えば、本発明では中間層を形成させる第１の工程では反応容器内に供給されるガス流量を変化させる。これは第１の工程全域に渡ってガス流量を変化させてもよいし、第１の工程のある一部分でガス流量を変化させて、残りの部分では変化させなくてもよいと定義する。
中間層の役割は基本的には光導電層と表面層の特性を繋ぐことにある。具体的には中間層形成中に光導電層から表面層へ高周波電力、原料ガスのガス流量、反応容器内の内圧等の条件を変化させる。光導電層と表面層を繋ぐ過程で中間層の形成方法を本発明のようにすることにより、電子写真感光体特性を維持しつつ、特異的な環境の変化が生じても表面層の剥がれ抑制に大きな効果が得られる。この理由を以下に示す。
【００１６】
本発明で高寿命な電子写真感光体を得るためには緻密なａ−ＳｉＣ表面層を形成することが好ましい。そのためには表面層形成時の条件にもよるが、一般的に、反応容器内に導入する高周波電力は高いほうがよく、反応容器内に供給される原料ガスの流量は少ないほうがよく、更には反応容器内の圧力は高いほうがよい。それにより、ケイ素供給源（例えばＳｉＨ４）と比較すると分解し難い炭素供給源（例えばＣＨ４）の分解が促進される。これにより、水素原子の少ない活性種が生成され、基体上に形成した膜中の水素原子が減少するため、緻密なａ−ＳｉＣ表面層が形成可能となる。このような緻密性の高いａ−ＳｉＣにおいては、ケイ素原子と炭素原子のネットワーク化が促進されると考えられる。また、メチル基のような水素原子の多い終端基が減少することによりａ−ＳｉＣ表面層における骨格原子であるケイ素原子と炭素原子の原子間の結合に生じていたひずみが低減すると考えられる。よって、このようなケイ素原子と炭素原子のネットワーク化と構造上のひずみの低減により硬度が向上し、磨耗量が低減可能となる。それにより、高寿命の電子写真感光体を得ることができる。しかしながら、このような緻密なａ−ＳｉＣ表面層は内部応力が大きいために前述の様な特異的な環境下では膜剥がれを起こす場合がある。そのため中間層は表面層よりもａ−ＳｉＣの緻密性を落として、応力を緩和し、密着性を向上することが好ましい。つまり、中間層においては上述した緻密なａ−ＳｉＣ表面層形成条件とは反対の形成条件が好ましい。よって表面層とは反対に中間層形成時の高周波電力は低いほうが好ましい。
【００１７】
上記の理由により、中間層においては光導電層と表面層を繋ぐように原料ガスの流量を変化させる工程と高周波電力を低い状態から高い状態に上昇させる工程が必要である。しかし、原料ガスの流量と高周波電力を同時に変化させると、スパークが発生しやすく、特異的な環境下では剥れ防止効果が十分に得られない場合もある。
そこで本発明では、上記のように原料ガスの流量が変化する工程と高周波電力が変化する工程、すなわち第１の工程と第２の工程とに分ける。これによって、反応容器内のスパークの発生を防止し、放電安定性が増すと考えられる。その結果、中間層の堆積膜均一性が良化する。それにより、局所的な応力の集中を低減し、表面層からの高い応力を緩和できると考えられる。そのため、密着性が良好となると推察される。
【００１８】
次に原料ガスの流量と高周波電力を変化させる工程の順序について説明する。
中間層を形成する第１の工程で高周波電力を増大させた後、中間層を形成する第２工程において原料ガスの流量を変化させてしまうと高周波電力が高い状態で原料ガスの流量を変化させることになり、放電不安定となる場合がある。以上のことから中間層を形成する第１の工程では反応容器内に導入される高周波電力は一定で、反応容器内に供給される原料ガスの流量を変化させ、中間層を形成する第２の工程では反応容器内に供給される原料ガスの流量は一定で、高周波電力を上昇させるほうがよい。これにより、放電安定性が増し、局所的な応力の集中を低減し、表面層からの高い応力を緩和できると考えられる。それにより、密着性が良好となると推察される。
中間層を形成する第２の工程では中間層を形成する第１の工程の高周波電力と表面層を形成する工程での高周波電力を繋ぐように高周波電力を上昇させればよい。例えば、一旦高周波電力を下げた後、上昇させてもよい。また、一旦高周波電力を上昇させた後に、下げても良い。このように高周波電力を上昇させる工程があればどのように繋いでもよいが、好ましくは図１に示すように連続的または図２に示すように段階的に上昇させるほうがよい。
【００１９】
また、本発明では中間層を形成させる第１の工程で反応容器内に供給される原料ガスの流量の変化は総流量及び炭素原子供給源（以下、「炭素供給源」とも表記する）である原料ガスの流量を増大させた後に、低減させる工程であることが好ましい。
中間層を形成させる第１の工程のスタート時には反応容器内に供給されるガスの総流量及び炭素供給源である原料ガスの流量は光導電層との兼ね合いで適宜決定される。上述したように表面層からの高い応力を緩和するためには中間層はａ−ＳｉＣの緻密性を落として、密着性を向上するほうが好ましい。そのため、高周波電力は一定で、総流量及び炭素供給源である原料ガスの流量を増大させ、堆積速度を上げていくことで緻密性の低いａ−ＳｉＣを形成する。
一方、上述したように表面層においては緻密なａ−ＳｉＣを形成するために反応容器内に供給される原料ガスの流量は少ない方が良い。しかし、前述のごとく、反応容器内に導入される高周波電力と反応容器内に供給される原料ガスの流量を同時に変化させることは好ましくないため、中間層を形成する第１の工程で原料ガスの流量を低減することが好ましい。よって、中間層を形成させる第１の工程で反応容器内に供給される総流量及び炭素供給源である原料ガスの流量を増大させた後に、低減させる。それにより、緻密なａ−ＳｉＣ表面層を積層した場合でも高い応力を緩和し、密着性を向上させることができると考えられる。
【００２０】
また本発明では中間層を形成する第１の工程において炭素供給源であるガス流量を低減させる領域（時間帯）において、反応容器内の圧力を連続的または段階的に上昇させるほうが好ましい。炭素供給源であるガス流量を低減させると一般的にはプラズマの電子温度が上昇する。プラズマの電子温度が上昇するとスパークが発生し易く、層の形成が安定して成されない場合がある。それにより、このような層に応力が集中し、表面層からの高い応力を緩和できず、特異的な環境下では剥がれ防止効果が十分に得られない場合もある。
一方、反応容器内の内圧が下がる場合も同様にプラズマの電子温度が上昇する。そのため、炭素供給源のガス流量を低減する領域で反応容器内の内圧を下げてしまうと上記同様特異的な環境下では剥がれ防止効果が十分に得られない場合もある。
よって、中間層を形成する第１の工程において炭素供給源であるガス流量を低減させる領域において、反応容器内の圧力を下げないことが好ましい。更には反応容器内の内圧を連続的または段階的に上昇させるほうが好ましい。
中間層を形成する第１の工程において、炭素供給源であるＣＨ４流量を増加した後に低減させる領域において反応容器内の圧力を連続的に上昇させている例を図１（ｂ）に示す。
【００２１】
また、本発明では、中間層を形成する第２の工程においては中間層を形成する第１の工程の高周波電力から表面層を形成する工程の高周波電力に向かって高周波電力を階段状に上昇させるほうが好ましい。高周波電力を階段状に上昇させることにより、高周波電力のマッチングが取りやすくなる。一般に生産では高周波電力のマッチングは自動で行われる。連続的な変化ではマッチング条件が絶えず変動するためマッチングのずれが生じ易い。高周波電力を階段状に上昇させることにより、放電安定性が増し、スパークの発生を低減できる。そのため、層の形成がより安定して成され、局所的な応力の集中を低減し、表面層からの高い応力を緩和できると考えられる。それにより、密着性が良好となると推察される。
更に本発明では導電性基体を回転させても回転させなくてもよいが、装置条件によっては回転させたほうが電子写真感光体の電位特性ムラが良化する。しかし、上記のごとく高周波電力を階段状に上昇させつつ、導電性基体を回転させた場合、剥がれ防止効果が必ずしも十分に得られない場合もある。そのため、導電性基体を回転させ、且つ中間層を形成する第２の工程において高周波電力を階段状に上昇させる場合は、高周波電力を一定に維持する時間をＳ（ｓｅｃ）、その時の導電性基体の回転数をＲ（ｒｐｍ）とした時、ＲＳ／６０≧１とするほうが好ましい。さらにはＲＳ／６０＝ｎ（ｎは自然数）とするほうがより好ましい。上記のような条件にすることで、密着性を維持または向上させつつ、電位特性ムラ低減効果が得られる。上記のような条件にすることにより、密着性が向上する理由を以下に示す。
【００２２】
図２は中間層及び表面層形成時の高周波電力の時間変化を示す図である。図２の横軸は経過時間を、縦軸は高周波電力を示している。階段状に上昇させる高周波電力を一定に維持する時間Ｓ（ｓｅｃ）とは図２中の階段状の平らな部分の時間を指している。
例えば、導電性基体の回転数が１ｒｐｍである場合、一定に維持する時間Ｓは６０秒以上であることが好ましい。６０秒とは導電性基体が１周する時間である。つまり、少なくとも導電性基体が一周する間は高周波電力を一定に保ち、堆積膜の形成を行うほうがよい。このようにすることで導電性基体の周方向に少なくとも一層は同様の膜が形成されるため、局所的な応力の集中を低減し、表面層からの高い応力を緩和できると考えられる。更に一定に維持する時間Ｓを導電性基体が一周する時間の整数倍にすることで、局所的な応力の集中をより低減し、表面層からの高い応力を緩和できると考えられる。
【００２３】
＜表面層の原子密度、Ｃ／（Ｓｉ+Ｃ）＞
本発明では、ａ−ＳｉＣ表面層のケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数の和に対する炭素原子の原子数の比（Ｃ／（Ｓｉ+Ｃ））（以下、「炭素原子比」とも称する）が０．６１以上０．７５以下の範囲で、ａ−ＳｉＣ表面層のケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることが好ましい。
ａ−ＳｉＣ表面層のケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上とすることにより、耐磨耗性の向上に大きな効果が得られる。この理由を以下に示す。
ａ−ＳｉＣ表面層を構成するケイ素原子及び炭素原子の原子密度を高くすることにより、ケイ素原子と炭素原子との結合を切れにくくすること、及び空間率の低減が可能となると考えられる。これにより、ａ−ＳｉＣ表面層の構成原子の結合力が高くなるため、高硬度なａ−ＳｉＣ表面層が得られ、その結果、耐磨耗性も向上すると推察される。
そのため、ａ−ＳｉＣ表面層のケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が高い方がより好ましく、６．８１×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることで、更に、耐磨耗性の向上に大きな効果が得られる。なお、ａ−ＳｉＣにおいては、結晶以上に高密度化することはないため、本発明の組成範囲のａ−ＳｉＣについては、１３．０×１０２２原子／ｃｍ３という原子密度が、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和の上限となる。
【００２４】
ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和を上記範囲とし、且つ、ａ−ＳｉＣ表面層の炭素原子比を０．６１以上０．７５以下の組成範囲とすることで、より電子写真感光体特性に優れた電子写真感光体が作製可能となる。
ａ−ＳｉＣ表面層において、炭素原子比を０．６１よりも小さくすると、原子密度の高いａ−ＳｉＣを作製した場合、特にａ−ＳｉＣの抵抗が低下する場合がある。このような場合、静電潜像形成時にキャリアが表面層中で横流れを生じやすくなる。そのため、静電潜像として孤立ドットを形成した場合に、表面層中でのキャリアの横流れにより孤立ドットが小さくなる。その結果、出力された画像において、特に、低濃度側での画像濃度が低下してしまうために、階調性の低下を生じる場合がある。このような理由により、原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層においては、炭素原子比を０．６１以上にすることが好ましい。
【００２５】
また、炭素原子比を０．７５より大きくすると、原子密度の高いａ−ＳｉＣを作製した場合には、特に、ａ−ＳｉＣ表面層での光吸収が急激に増加する場合がある。このような場合、静電潜像形成時に必要となる像露光光量が多くなり、感度が極端に低下してしまう。また、ａ−ＳｉＣ表面層の磨耗量に対する感度変動が大きくなることから、電子写真感光体に削れムラが生じた場合に、画像濃度ムラが生じる場合がある。このような理由により、原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層においては、炭素原子比を０．７５以下にすることが好ましい。
【００２６】
本発明の電子写真感光体において、クリーニングブレードによる電子写真感光体表面のクリーニング性の観点から、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により電子写真感光体表面を１０μｍ×１０μｍの範囲で測定したときに得られる微視的形状から求められる表面粗さ（中心線平均粗さ）Ｒａは、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲が好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲がより好ましい。
また、同様にクリーニング性の観点から、ＡＦＭにより電子写真感光体表面を１０μｍ×１０μｍの範囲で測定したときに得られる微視的形状から求められる算術平均傾斜Δａは、０．１０以上０．４０以下の範囲が好ましい。
【００２７】
中間層または表面層は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のごとき公知の方法によって作製することができる。プラズマＣＶＤ法を用いると特に高品質の中間層または表面層が得られ好ましい。シリコン原子供給源としてはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０のごときガス状態のもの、またはガス化し得る水素化ケイ素が有効に使用されるものとして挙げられる。更に中間層または表面層作製時の取り扱い易さ、シリコン原子供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスは、必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅのようなガスにより希釈して使用してもよい。
炭素供給源としては、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０のごときガス状態のもの、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。中でも、炭素供給源としてはＣＨ４が好ましい。
【００２８】
中間層はこれらのガスを高周波電力によって分解することによって作製することができる。このとき、導電性基体の温度は、１５０℃〜３５０℃とすることが好ましく、２００℃〜３５０℃がより好ましく、２５０℃〜３５０℃とすると更に好ましい。
反応容器内の圧力は、中間層の設計にしたがって最適範囲が適宜選択される。通常の場合、反応容器内の圧力は、１×１０−２〜１×１０３Ｐａとすることが好ましく、１×１０−１〜２×１０２Ｐａがより好ましく、１×１０１〜２×１０２Ｐａとすると更に好ましい。
【００２９】
また表面層も上記のガスを高周波電力によって分解することによって作製することができる。このとき、導電性基体の温度は、１５０℃〜３５０℃とすることが好ましく、２００℃〜３５０℃がより好ましく、２５０℃〜３５０℃とすると更に好ましい。
反応容器内の圧力は、表面層の設計にしたがって最適範囲が適宜選択される。通常の場合、反応容器内の圧力は、１×１０−２〜１×１０３Ｐａとすることが好ましく、１×１０−１〜１×１０２Ｐａがより好ましく、１×１０１〜１×１０２Ｐａとすると更に好ましい。
【００３０】
中間層または表面層を作製する際のプラズマＣＶＤ法に用いる高周波電源としては、如何なる周波数のものも用いることができ、例えば、１〜４５０ＭＨｚの周波数のものが好ましく、１３．５６ＭＨｚの周波数のものを好適に用いることができる。
中間層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果の点から適宜所望にしたがって決定されるが、好ましくは０．０５〜１μｍ、より好ましくは０．２〜１μｍ、とされる。中間層の層厚を０．２μｍ以上とすることにより、表面層から応力を受けても剥がれを抑制し、１μｍ以下とすることで中間層での光吸収を抑制し感度が良好となる。
また、表面層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果の点から適宜所望にしたがって決定されるが、好ましくは０．３〜３μｍ、より好ましくは０．３〜２μｍとされる。表面層の層厚を０．３μｍ以上とすることにより、電子写真装置内でクリーニング部材と電子写真感光体の間に異物が混入した際でも画像不良を低減できる。また２μｍ以下とすることで表面層での光吸収を抑制し感度が良好となる。
【００３１】
（導電性基体）
基体は、導電性を有し表面に形成される光導電層、中間層及び表面層を保持し得るものであれば特に限定されずいずれのものであってもよい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅのごとき金属、及び、これらの合金、例えばＡｌ合金、ステンレスが挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン若しくはポリアミドのごとき合成樹脂のフィルム、またはシート、ガラス若しくはセラミックのごとき電気絶縁性支持体も使用できる。この場合、電気絶縁性支持体の少なくとも光導電層を形成する側の表面を導電処理すればよい。
【００３２】
（電荷注入阻止層）
本発明の電子写真感光体において、基体と光導電層との間に基体側からの電荷の注入を阻止する働きを有する電荷注入阻止層を設けることが効果的である。即ち、電荷注入阻止層は電子写真感光体の自由表面が一定極性の帯電処理を受けた際、基体から光導電層への電荷の注入を阻止する機能を有している。このような機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べて比較的多く含有させる。
伝導性を制御するために電荷注入阻止層に含有させる原子は、電荷注入阻止層の中に万遍なく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分布するように含有させるのが好適である。しかしながら、いずれの場合においても、伝導性を制御する原子を基体表面に対して平行面内方向に均一な分布で含有されることが、特性の均一化を図る上からも望ましい。
【００３３】
伝導性を制御するために電荷注入阻止層に含有させる原子としては、帯電極性に応じて第１３族原子又は第１５族原子を用いることができる。
更に、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも１種の原子を含有させることにより、電荷注入阻止層と基体との間の密着性の向上を図ることが可能となる。
電荷注入阻止層に含有される炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも１種の原子は、層中に万遍なく均一に分布されても良いし、また、層厚方向には不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも、基体表面に対して平行面内方向に均一な分布で含有されることが、特性の均一化を図る上からも望ましい。
電荷注入阻止層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果の点から、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．３〜５μｍ、さらに好ましくは０．５〜３μｍとされる。層厚を０．１μｍ以上とすることにより、基体からの電荷の注入阻止能を十分に有することができ、好ましい帯電能を得ることができる。一方、５μｍ以下とすることにより、作製時間の延長による製造コストの増加を防ぐことができる。
【００３４】
電荷注入阻止層は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法によって作製することができる。プラズマＣＶＤ法を用いると特に高品質の電荷注入阻止層が得られ好ましい。プラズマＣＶＤ法においては、原料としてＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０のごときガス状態のもの、またはガス化し得る水素化ケイ素を用いることができる。これらの原料を、高周波電力によって分解することによって電荷注入阻止層を作製することができる。更に電荷注入阻止層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。
このとき、導電性基体の温度は、２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃に保つことが特性上好ましい。
反応容器内の圧力は、電荷注入阻止層の設計にしたがって最適範囲が適宜選択される。通常の場合、反応容器内の圧力は、１×１０−２〜１×１０３Ｐａとすることが好ましく、５×１０−２〜５×１０２Ｐａがより好ましく、１×１０−１〜１×１０２Ｐａとすると更に好ましい。
また、電荷注入阻止層を作製する際のプラズマＣＶＤ法に用いる高周波電源としては、如何なる周波数のものも用いることができ、例えば、１〜４５０ＭＨｚ程度の周波数のものが好ましく、１３．５６ＭＨｚの周波数のものを好適に用いることができる。
また、電荷注入阻止層に含有される周期表第１３族元素としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）を挙げることができる。特に硼素（Ｂ）が好適である。周期表第１５族元素としては、具体的には、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）を挙げることができる。特にリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）が好適である。
【００３５】
（光導電層）
本発明の電子写真用感光体における光導電層は、電子写真特性上の性能を満足できる光導電特性を有するものであればいずれのものであっても差し支えない。
しかし、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する）から形成された光導電層が、耐久性、安定性の観点から、望ましく、水素化アモルファスシリコンがより好ましい。
本発明で光導電層としてａ−Ｓｉを用いる場合は、ａ−Ｓｉ中の未結合手を補償するため、水素原子に加えて、ハロゲン原子を含有させることができる。
水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子の含有量の合計は、ケイ素原子と水素原子及びハロゲン原子の和に対して１０原子％以上、特に１５原子％以上であることが好ましく、また、３０原子％以下、特に２５原子％以下であることが好ましい。
本発明において、光導電層には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層中に万遍なく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００３６】
伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがでる。すなわち、ｐ型伝導性を与える周期表１３族に属する原子（以後「第１３族原子」とも略記する）またはｎ型伝導性を与える周期表１５族に属する原子（以後「第１５族原子」とも略記する）を用いることができる。
第１３族原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）があり、特にホウ素、アルミニウム、ガリウムが好適である。第１５族原子としては、具体的にはリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）があり、特にリン、砒素が好適である。
光導電層に含有される伝導性を制御する原子の含有量は、Ｓｉに対して１×１０−２原子ｐｐｍ以上、特に５×１０−２原子ｐｐｍ以上、さらには１×１０−１原子ｐｐｍ以上であることが好ましく、また、１×１０４原子ｐｐｍ以下、特に５×１０３原子ｐｐｍ以下、さらには１×１０３原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
本発明において、光導電層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果の点から適宜所望にしたがって決定されるが、１５μｍ以上、特に２０μｍ以上とすることが好ましく、また、６０μｍ以下、特に５０μｍ以下、さらには４０μｍ以下とすることが好ましい。光導電層の層厚を１５μｍ以上とすることにより、帯電部材への通過電流量の増大を抑制し、劣化し難くさせることができる。光導電層の層厚を６０μｍ以下とすることにより、ａ−Ｓｉの異常成長部位を大きくし難くすることができる。
なお、光導電層は単一の層から形成されても良いし、電荷発生層と電荷輸送層を分離した複数構成としてもよい。
光導電層は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のごとき公知の方法によって作製することができる。プラズマＣＶＤ法を用いると特に高品質の光導電層が得られ好ましい。プラズマＣＶＤ法においては、原料としてＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０のごときガス状態のもの、またはガス化し得る水素化ケイ素を用いることができる。これらの原料を、高周波電力によって分解することによって光導電層を作製することができる。更に光導電層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。
【００３８】
このとき、導電性基体を、２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃の温度に保つことが特性上好ましい。
反応容器内の圧力は、光導電層の設計にしたがって最適範囲が適宜選択される。通常の場合、反応容器内の圧力は、１×１０−２〜１×１０３Ｐａとすることが好ましく、５×１０−２〜５×１０２Ｐａがより好ましく、１×１０−１〜１×１０２Ｐａとすると更に好ましい。
また、光導電層を作製する際のプラズマＣＶＤ法に用いる高周波電源としては、如何なる周波数のものも用いることができ、例えば、１〜４５０ＭＨｚ程度の高周波のものが好ましく、１３．５６ＭＨｚの周波数のものを好適に用いることができる。
【００３９】
＜本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置＞
［画像形成装置］
ａ−Ｓｉ系電子写真感光体を用いた電子写真装置による電子写真の形成方法について、図６を用いて説明する。まず、電子写真感光体６００１を回転させ、電子写真感光体６００１の表面を主帯電器６００２により均一に帯電させる。その後、静電潜像形成手段６００６により電子写真感光体６００１の表面に光を照射して、電子写真感光体６００１の表面に静電潜像形成した後、現像器６０１１より供給されるトナーを用いて現像を行う。この結果、電子写真感光体６００１の表面にトナー像が形成される。そして、このトナー像を転写帯電器６００４により転写材６０１０に転写する。その後、分離帯電器６００５によって電子写真感光体６００１から転写材６０１０を分離して、最後に不図示の定着器によりトナー像を転写材６０１０に定着させる。
【００４０】
一方、トナー像が転写された電子写真感光体６００１の表面に残留するトナーをクリーナー６００９により除去する。クリーナー６００９はマグネットローラー６００７とクリーニングブレード６００８から構成される。その後、電子写真感光体６００１の表面を除電器６００３によって露光することにより電子写真感光体６００１の中の残キャリアを除電する。この一連のプロセスを繰り返すことで連続して画像形成が行われる。
本発明の電子写真感光体を搭載する電子写真装置に関しては特に制限はなく、図６に示す従来の電子写真装置であっても、耐磨耗性において、従来の電子写真感光体よりも大きな効果が得られる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
（実施例１）
図３に示す、周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウム基体）の上に下記表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層を作製した。そして、光導電層を作製した後、同じく下記表１に示す中間層成膜条件及び下記表１に示す表面層成膜条件を用いてプラス帯電用感光体を８本作製した。本実施例では電荷注入阻止層、光導電層、中間層、及び表面層の形成時は円筒状基体を０．８ｒｐｍで回転させ、膜形成を行った。
ここで表１に記載の高周波電力、ＣＨ４流量、内圧に関して説明する。中間層を形成する第２の工程における高周波電力の記載「２５０→７５０」は、高周波電力を２５０[Ｗ]から７５０[Ｗ]へ直線状に上昇させたことを表す。また、中間層を形成する第１の工程におけるＣＨ４流量の記載「１００→４００」は、ＣＨ４流量を１００[ｍＬ/ｍｉｎ（normal）]から４００[ｍＬ/ｍｉｎ（normal）]へ直線状に増大させたことを表す。中間層を形成する第１の工程における内圧の記載「１０→８０」は、内圧を１０[Ｐa]から８０[Ｐa]へ直線状に上昇させたことを表す。
【００４２】
本実施例では図１に示すように中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、ＣＨ４流量及び内圧を直線状に変化させた。更に中間層の第２工程ではＣＨ４流量及び内圧を一定とし、高周波電力を直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程で膜厚が０．２０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。
本実施例においては高周波電源は出力電力２ｋＷ、出力安定度±１％の高周波電源を用いた。また、ＳｉＨ４のマスフローコントローラーは最大流量５００ｃｃ、制御精度±１％、ＣＨ４のマスフローコントローラーは最大流量２０００ｃｃ、制御精度±１％のものを用いた。
実施例１により作製した８本のうち４本の電子写真感光体を用いて、後述の評価条件にて密着性の評価を行った。そして、残りの４本の電子写真感光体により、電位特性ムラの評価として、後述の評価条件にて画像濃度均一性の評価を行った。また、密着性及び画像均一性の評価結果から総合評価を行った。これらの結果を表４に示す。
【００４３】
【表１】
0005451301.tif 000002
【００４４】
（実施例２）
実施例１と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表２に示すように変更する以外は実施例１と同様にした。本実施例においては中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、ＣＨ４流量及び内圧を表２に示すように直線状に変化させた。実施例１との違いはスタート時のＣＨ４流量のみである。
実施例２により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表４中に示す。
【００４５】
【表２】
0005451301.tif 000003
【００４６】
（比較例１）
実施例１と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表３に示すように変更する以外は実施例１と同様にした。本比較例においては中間層の高周波電力、ＣＨ４流量及び内圧を表３に示すように直線状に変化させた。本比較例においては中間層で高周波電力、原料ガスの流量を同時に変化させている。その際、中間層の膜厚が０．４０μｍとなるように成膜時間を調整した。
比較例１により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表４に示す。
【００４７】
（比較例２）
実施例１と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表３に示すように変更する以外は実施例１と同様にした。本比較例においては中間層の第１工程では原料ガスの流量を一定とし、高周波電力を表３に示すように直線状に変化させた。更に中間層の第２工程では高周波電力を一定とし、ＣＨ４流量及び内圧を表３に示すように直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程で膜厚が０．２０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。
比較例２により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表４に示す。
【００４８】
【表３】
0005451301.tif 000004
【００４９】
（密着性評価）
密着性評価の方法は、以下のように促進評価法を用いて行った。
まず、評価位置は、作製した電子写真感光体の任意の周方向で長手方向３点（電子写真感光体の長手方向中央を基準として、０ｍｍ、±１３０ｍｍ）、及び前記任意の周方向から１２０°及び２４０°回転させた位置での長手方向３点、合計９点の位置である。
質量０．１ｋｇの鋼球を０．５ｍの高さから落下させて、電子写真感光体の表面に打撃を与え、生じた打痕を目視で観察し、膜剥がれの状態を評価した。
上述した方法で、それぞれの条件で作成した電子写真感光体４本分計３６ヶ所に関して膜剥がれの状態を評価した。
【００５０】
ＡＡＡ‥ 
打痕の周囲にひび割れや膜剥がれは生じない
ＡＡ  ‥ひび割れが生じるが、膜剥がれは生じない
Ａ‥ひび割れの周囲に膜剥がれが生じた個所が１個以上３個以下
Ｂ‥ひび割れの周囲に膜剥がれが生じた個所が４個以上６個以下
Ｃ‥ひび割れの周囲に膜剥がれが生じた個所が７個以上９個以下
Ｄ‥ひび割れの周囲に膜剥がれが生じた個所が１０個以上１２個以下
Ｅ‥ひび割れの周囲に膜剥がれが生じた個所が１３個以上
なお、密着性評価に対して、Ｄ以上であれば、前述の特異的な環境下においても膜剥がれを効果的に防止できると言える。
【００５１】
（画像濃度均一性）
それぞれの条件で作成した電子写真感光体を図６に示す構成の電子写真装置（商品名：キヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０６５）に装着した。一定の暗部表面電位（４００Ｖ）に帯電させて、静電潜像形成手段６００６により直ちに一定光量の光（０．２５μＪ／ｃｍ２）を照射し、その状態で、Ａ３の均一画像を出力した。画像面を均等に２５分割し、各エリア内の任意の位置１点で画像濃度を測定し、得られた２５点の濃度のうち、最大濃度と最小濃度の差を求めた。それぞれの条件で作成した４本の電子写真感光体の最大濃度と最小濃度の差を算出し、その後、電子写真感光体４本分の平均値を算出した。
比較例１の最大濃度と最小濃度の差の平均値を１００として相対比較を行った。値が小さいほど濃度差が少なく画質に優れていることを示す。
なお、画像濃度測定はＧＲＥＴＡＧ  ＭＡＣＢＥＴＨ社製のＤ２００−ＩＩにより行った。
【００５２】
Ａ・・・・８０未満                  （優秀）
Ｂ・・・・８０以上９０未満           (良好)
Ｃ・・・・９０以上                   (実用上問題なし)
なお、画像均一性に対して、Ｂ以上であれば本発明の効果が得られていると判断した。
【００５３】
（総合評価）
総合評価として、密着性及び画像均一性のそれぞれの評価で得られた評価結果について、ＡＡＡランクを＋６点、ＡＡランクを＋５点、Ａランクを＋４点、Ｂランクを＋３点、Ｃランクを＋２点、Ｄランクを＋１点、Ｅランクを０点とし、それらを合計した得点をもとに、以下のようにランク付けを行った。
ただし、密着性、画像均一性どちらかが極端にランクが低い場合は電子写真感光体として優れているとは言い難いため、密着性に関してはＥランク、画像均一性に関してはＣランクがある場合は総合評価はＥランクとする。
【００５４】
ＡＡＡ・・・１０点以上のもの  （電子写真感光体として極めて優れている）
ＡＡ  ・・・９点以上のもの１０点未満（電子写真感光体として非常に優れている）
Ａ    ・・・８点以上９点未満のもの（電子写真感光体として優れている）
Ｂ    ・・・７点以上８点未満のもの（電子写真感光体として極めて良好）
Ｃ    ・・・６点以上７点未満のもの（電子写真感光体として非常に良好）
Ｄ    ・・・５点以上６点未満のもの（電子写真感光体として良好）
Ｅ    ・・・５点未満のもの（電子写真感光体として実用上問題なし）
【００５５】
【表４】
0005451301.tif 000005
表４から、本発明による各実施例は比較例に対して良化していることがわかる。
実施例１、２ともに中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、原料ガスの流量を変化させた。更に中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、高周波電力を上昇させた。それにより、密着性が向上することが解った。
また、実施例１、２では中間層のスタート時におけるＣＨ４流量及び内圧が異なるが密着性には影響ないことが解った。
【００５６】
（実施例３）
実施例１と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表５に示すように変更する以外は実施例１と同様にした。本実施例においては表５に示すように中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、まずＣＨ４流量を直線状に増大させた後、直線状に低減させた。同様に内圧も直線状に上昇させた後、直線状に低減するように制御した。つまり、ＣＨ４流量が最大値となるタイミングと、内圧が最大値となるタイミングを同じにした。また、中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、表５に示すように高周波電力を直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程でＣＨ４流量を増大させている領域の膜厚が０．１０μｍ、ＣＨ４流量を低減させている領域の膜厚が０．１０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。
実施例３により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表８に示す。また、比較のため実施例２の結果も表８に示す。
【００５７】
【表５】
0005451301.tif 000006
【００５８】
（実施例４）
実施例１と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表６に示すように変更する以外は実施例１と同様にした。本実施例においては表６に示すように中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、まずＣＨ４流量を直線状に増大させた後、直線状に低減させた。一方、内圧は直線状に上昇させた後、ＣＨ４流量が低減する領域において、一旦上昇させた後に、低減するように制御した。つまり、ＣＨ４流量が最大値となるタイミングと、内圧が最大値となるタイミングをずらした。また、中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、表６に示すように高周波電力を直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程でＣＨ４流量を増大させている領域の膜厚が０．１０μｍ、ＣＨ４流量を低減させている領域の膜厚が０．１０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。
実施例４により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表８に示す。
【００５９】
【表６】
0005451301.tif 000007
【００６０】
（実施例５）
実施例１と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表７に示すように変更する以外は実施例１と同様にした。本実施例においては表７に示すように中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、まずＣＨ４流量を直線状に増大させた後、直線状に低減させた。一方、内圧は直線状に上昇させた後、ＣＨ４流量が低減する領域においても連続的に上昇するように制御した。また、中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、表７に示すように高周波電力を直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程でＣＨ４流量を増大させている領域の膜厚が０．１０μｍ、ＣＨ４流量を低減させている領域の膜厚が０．１０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。
実施例５により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表８に示す。
【００６１】
【表７】
0005451301.tif 000008
【００６２】
【表８】
0005451301.tif 000009
実施例３、４より中間層を形成する第１の工程で反応容器内に供給される総流量及びＣＨ４流量を増大させた後、低減させることで密着性が向上することがわかった。
また、実施例５よりＣＨ４流量を低減する領域において、圧力を連続的に上昇させることでさらに密着性が向上することがわかった。
【００６３】
（実施例６）
実施例５と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。実施例５との違いは中間層形成時に静止成膜で実施したことのみである。中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、表７に示すように高周波電力を直線状に上昇させた。
実施例６により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表１０に示す。
【００６４】
（実施例７）
実施例６と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表９に示すように変更すること以外は実施例６と同様にした。実施例６との違いは中間層を形成する第２の工程で高周波電力を図４に示すように２５０Ｗから７５０Ｗまで１００Ｗずつ階段状に変化させたことである。また、本実施例では図４に示すように階段状に上昇させる高周波電力を一定に維持する時間を６０ｓｅｃとした。実施例７により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表１０に示す。
【表９】
0005451301.tif 000010
【００６５】
【表１０】
0005451301.tif 000011
実施例６，７より中間層を形成する第２の工程において高周波電力を階段状に上昇させることで密着性が向上することが解った。
【００６６】
（実施例８〜１１）
実施例７と同様に図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、プラス帯電用感光体を８本作製した。中間層の成膜条件を表１１に示すように変更すること及び中間層形成時に円筒状基体を回転させて膜形成を行うこと以外は実施例７と同様にした。実施例７との違いは中間層においても基体を表１２に示す条件で回転させた。表１２には階段状に上昇させる高周波電力を一定に維持する時間も合わせて示す。実施例８〜１１により作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様に密着性及び画像濃度均一性の評価を行った。これらの結果を表１３に示す。また、比較のため実施例７の結果も表１３に示す。
【００６７】
【表１１】
0005451301.tif 000012
【００６８】
【表１２】
0005451301.tif 000013
【００６９】
【表１３】
0005451301.tif 000014
実施例８〜１１より導電性基体を回転させ、且つ中間層を形成する第２の工程において高周波電力を階段状に上昇させる場合は、高周波電力を一定に維持する時間をＳ（ｓｅｃ）、その時の導電性基体の回転数をＲ（ｒｐｍ）とした時、ＲＳ／６０≧１とすることにより密着性が向上することが解った。更にＲＳ/６０＝ｎ（ｎは自然数）とすることで密着性がより向上することが解った。また円筒状基体を回転させることにより電子写真感光体の電位特性ムラが向上することが解った。
【００７０】
（実施例１２〜１５）
実施例１と同様に、図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、円筒状基体上に下記表１４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層の順に成膜を行い、プラス帯電用感光体を１０本作製した。また、表面層の層厚は、作製した電子写真感光体のうち９本は２.０μｍ、残り１本は０.３０μｍとなるように調整して作製した。本実施例においては表１４に示すように中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、まずＣＨ４流量を直線状に増大させた後、直線状に低減させた。一方、内圧は直線状に上昇させた後、ＣＨ４流量低減する領域においても連続的に上昇するように制御した。また、中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、表１４に示すように高周波電力を直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程でＣＨ４流量を増大させている領域の膜厚が０．１０μｍ、ＣＨ４流量を低減させている領域の膜厚が０．１０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。実施例１と同様に中間層形成時の円筒状基体の回転数は０．８ｒｐｍとした。
実施例１２を例にとり、表１４に記載の高周波電力、ＣＨ４流量、内圧に関して説明する。中間層を形成する第２の工程における高周波電力の記載「２５０→表１５」は、２５０Ｗから表１５中の実施例１２の成膜条件である４００Ｗへ直線状に上昇させたことを表す。また、中間層を形成する第１の工程におけるＣＨ４流量の記載「１５００→表１５」は、１５００[ｍＬ/ｍｉｎ（normal)]から表１５中の実施例１２の成膜条件である１４００[ｍＬ/ｍｉｎ（normal)]へ直線状に低減したことを表す。中間層を形成する第１の工程及び第２の工程における内圧の記載「３３→表１５」は３３[Ｐa]から表１５に示す実施例１２の成膜条件である８０[Ｐa]へ連続的に上昇させたことを表す。
実施例１１〜１４により作製した表面層の層厚が２.０μｍの電子写真感光体については、実施例１と同様に４本の電子写真感光体を用いて密着性を、４本の電子写真感光体を用いて画像均一性を評価した。そして、残りの１本の電子写真感光体を用いて後述の評価方法で階調性及び感度を評価した後、後述の評価条件にて耐磨耗性を評価した。また、実施例１２〜１５により作製した表面層の層厚が０.３０μｍの電子写真感光体により、後述の評価方法で表面層の炭素原子比、Ｓｉ原子密度、Ｃ原子密度及びＳｉ＋Ｃ原子密度を求めた。これらの結果を表１６に示す。
【００７１】
【表１４】
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【００７２】
【表１５】
0005451301.tif 000016
【００７３】
（炭素原子比、Ｓｉ原子密度、Ｃ原子密度、Ｓｉ＋Ｃ原子密度）
まず、表１４の電荷注入阻止層及び光導電層のみを積層させた電子写真感光体を作製し、任意の周方向における長手方向の中央部を１５ｍｍ□で切り出し、リファレンス試料１を作製した。次に、電荷注入阻止層、光導電層及び中間層の第１工程でＣＨ４流量を増大させている領域までを積層させた電子写真感光体を作製し、同様に１５ｍｍ□で切り出しリファレンス試料２を作製した。同様に、中間層の第１工程でＣＨ４流量を低減させている領域、中間層の第２工程の領域を１層ずつ足して積層させた電子写真感光体を作製し、同様に切り出して、リファレンス試料３、４を作製した。
次に、各成膜条件により作製した電子写真感光体を、同様に切り出し、測定用試料を作製した。リファレンス試料１、２、３、４と測定用試料を分光エリプソメトリー（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製：高速分光エリプソメトリー  Ｍ−２０００）により測定し、表面層の膜厚を求めた。
分光エリプソメトリーの具体的な測定条件は、入射角：６０°、６５°、７０°、測定波長：１９５ｎｍから７００ｎｍ、ビーム径：１ｍｍ×２ｍｍである。
まず、リファレンス試料１を分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を求めた。
【００７４】
次に、リファレンス試料１の測定結果をリファレンスとして、リファレンス試料２をリファレンス試料と同様に分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を求めた。
同様な手順により、リファレンス試料３、４の各入射角で波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を求めた。
そして、リファレンス試料４の測定結果をリファレンスとして、測定用試料をリファレンス試料１、２、３、４と同様に分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を求めた。
【００７５】
更に、電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層を順次積層し、最表面に表面層と空気層が共存する粗さ層を有する層構成を計算モデルとして用いて、解析ソフトにより粗さ層の表面層と空気層の体積比を変化させて、各入射角における波長とΨ及びΔの関係を計算により求めた。そして、各入射角における上記計算により求めた波長とΨ及びΔの関係と測定用試料を測定して求めた波長とΨ及びΔの関係の平均二乗誤差が最小となるときの計算モデルを選択した。この選択した計算モデルにより表面層の膜厚を算出し、得られた値を表面層の膜厚とした。なお、解析ソフトはＪ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製のＷＶＡＳＥ３２を用いた。また、粗さ層の表面層と空気層の体積比に関しては、表面層：空気層を１０：０から１：９まで粗さ層における空気層の比率を１ずつ変化させて計算をした。本実施例で各成膜条件により作製されたプラス帯電ａ−Ｓｉ感光体においては、粗さ層の表面層と空気層の体積比が８：２のときに計算によって求められた波長とΨ及びΔの関係と測定して求められた波長とΨ及びΔの関係の平均二乗誤差が最小となった。
分光エリプソメトリーによる測定が終了した後、上記測定用試料をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱法）（日新ハイボルテージ（株）製：後方散乱測定装置  ＡＮ−２５００）により、ＲＢＳの測定面積における表面層中のケイ素原子及び炭素原子の原子数を測定した。測定したケイ素原子及び炭素原子の原子数から、炭素原子比を求めた。次に、ＲＢＳの測定面積から求めたケイ素原子及び炭素原子に対し、分光エリプソメトリーにより求めた表面層の膜厚を用いて、Ｓｉ原子密度、Ｃ原子密度及びＳｉ＋Ｃ原子密度を求めた。
【００７６】
（階調性評価）
階調性評価は、図６に示すようなキヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０６５の改造機を用いた。そして、まず、静電潜像形成手段６００６により４５度１７０ｌｐｉ（１インチあたり１７０線）の線密度で面積階調ドットスクリーンを用い面積階調（すなわち画像露光を行うドット部分の面積階調）によって、全階調範囲を１８段階に均等配分した階調データを作成した。このとき最も濃い階調を１７、最も薄い階調を０として各階調に番号を割り当て、階調段階とする。
次に、上記の改造した電子写真装置に電子写真用感光体６００１を設置し、上記階調データを用いて、テキストモードを用いてＡ３用紙に出力する。このとき、２２℃、５０％の環境下で、感光体ヒーターをＯＮにして、電子写真用感光体６００１の表面を約４０℃に保った条件で出力した。
得られた画像を各階調ごとに反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４  分光濃度計）により画像濃度を測定した。なお、反射濃度測定では各々の条件で３枚の画像を出力し、階調毎にそれら３枚の濃度の平均値を評価値とした。
【００７７】
こうして得られた評価値と階調段階との相関係数を算出した。そして、実施例１２で作製した電子写真感光体の相関係数を１.００とした相対比較を階調性の指標として評価した。この評価において、数値が大きいほど階調性が優れており、直線的に近い階調表現がなされていることを示している。なお、階調性評価に対して、Ｃで本発明の効果が得られていると判断した。
Ａ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の相関係数に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の相関係数の比が１.００以上。
Ｂ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の相関係数に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の相関係数の比が０．９７以上１.００未満。
Ｃ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の相関係数に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の相関係数の比が０．９４以上０．９７未満。
【００７８】
（感度評価）
図６に示すようなキヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０６５の改造機を用いた。静電潜像形成手段６００６を切った状態で主帯電器６００２のワイヤー及びグリットに、それぞれ高圧電源を接続し、グリット電位を８２０Ｖとし、主帯電器６００２のワイヤーへ供給する電流を調整して電子写真感光体６００１の表面電位を４００Ｖとなるように設定した。
次に、先に設定した帯電条件で帯電させた状態で、静電潜像形成手段６００６により光を照射し、その照射エネルギーを調整することにより現像器６０１１位置の電位を１００Ｖとした。
【００７９】
感度評価で用いた電子写真装置の静電潜像形成手段６００６の光源は、発振波長が６５８ｎｍの半導体レーザーである。評価結果は実施例１１で作製した電子写真感光体を搭載した場合の照射エネルギーを１．００とした相対比較で示した。なお、感度評価に対して、Ｂ以上で本発明の効果が得られていると判断した。
Ａ‥実施例１２で作製した電子写真感光体での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が１．１０未満。
Ｂ‥実施例１２で作製した電子写真感光体での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が１．１０以上１．１５未満。
Ｃ‥実施例１２で作製した電子写真感光体での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が１．１５以上。
【００８０】
（耐磨耗性評価）
耐磨耗性の評価方法は、作製直後の電子写真感光体の表面層膜厚を電子写真感光体の任意の周方向で長手方向９点（電子写真感光体の長手方向中央を基準として、０ｍｍ、±５０ｍｍ、±９０ｍｍ、±１３０ｍｍ、±１５０ｍｍ）、及び前記任意の周方向から１８０°回転させた位置での長手方向９点、合計１８点を測定し、その１８点の平均値により算出した。
測定方法は、２ｍｍのスポット径で電子写真感光体表面に垂直に光を照射し、分光計（大塚電子製：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて、反射光の分光測定を行った。得られた反射波形をもとに表面層膜厚を算出した。このとき、波長範囲を５００ｎｍから７５０ｎｍ、光導電層の屈折率は３．３０とし、表面層の屈折率は前述したＳｉ＋Ｃ原子密度測定の際に行った分光エリプソメトリーの測定より求まる値を用いた。
【００８１】
膜厚測定後、図６に示す構成の電子写真装置、より具体的には、キヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０６５に電子写真感光体を温度２５℃、相対湿度７５％（容積絶対湿度１７.３ｇ／ｃｍ３）の高湿環境下に設置し、連続通紙試験を実施した。
連続通紙試験時は、電子写真装置を稼働して連続通紙試験を実施している間及び電子写真装置を停止している間を通じて常に感光体ヒーターをＯＦＦにする条件で実施した。
具体的には、印字率１％のＡ４テストパターンを用いて、一日当り２．５万枚の連続通紙試験を１０日間実施して２５万枚まで行う。
２５万枚連続通紙試験が終了した後、電子写真感光体を電子写真装置から取り出し、作製直後と同じ位置で膜厚を測定し、作製直後と同様に連続通紙試験した後の表面層膜厚を算出した。そして、作製直後及び連続通紙試験後で得られた表面層の平均膜厚から差分を求め２５万枚での磨耗量を算出した。そして、実施例１２で作製した電子写真感光体の作製直後及び連続通紙試験後で得られた表面層の平均膜厚の差分を１.００とした相対比較により耐磨耗性を評価した。
【００８２】
Ａ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分の比率が０.６０以下。
Ｂ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分の比率が０.６０より大きく０.７０以下。
Ｃ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分の比率が０.７０より大きく０.８０以下。
Ｄ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分の比率が０.８０％より大きく０.９０以下。
Ｅ‥実施例１２で作製した電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分の比率が０.９０より大きく１.００以下。
Ｆ‥実施例１１で作製した電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分に対する各成膜条件にて作製された電子写真感光体の表面層の平均膜厚の差分の比率が１.００より大きい。
【００８３】
【表１６】
0005451301.tif 000017
表１６の結果より、表面層のＳｉ＋Ｃ原子密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上とすることにより、耐磨耗性に優れた電子写真感光体が得られることがわかった。そして、表面層のＳｉ＋Ｃ原子密度を６．８１×１０２原子／ｃｍ３以上とすることにより、更に耐磨耗性に優れた電子写真感光体が得られることがわかった。
また、高密度な表面層を積層させた場合であっても、良好な密着性が得られることが解った。そして、高密度な表面層を積層することで、耐磨耗性の向上により高寿命な電子写真感光体が得られた。
【００８４】
（実施例１６〜２１）
実施例１２〜１５と同様に、図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、円筒状基体上に下記表１７に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層の順に成膜を行い、プラス帯電用感光体を１０本作製した。本実施例においては表１７に示すように中間層の第１工程では高周波電力を一定とし、まずＣＨ４流量を直線状に増大させた後、直線状に低減させた。一方、内圧は直線状に上昇させた後、ＣＨ４流量低減する領域においても連続的に上昇するように制御した。また、中間層の第２工程では原料ガスの流量を一定とし、表１７に示すように高周波電力を直線状に上昇させた。その際、中間層の第１工程でＣＨ４流量を増大させている領域の膜厚が０．１０μｍ、ＣＨ４流量を低減させている領域の膜厚が０．１０μｍ、中間層の第２工程で膜厚が０．２０μｍとなるように成膜時間を調整した。
また、表面層の層厚は、作製した電子写真感光体のうち９本は２.０μｍ、残り１本は０.３０μｍとなるように調整して作製した。
実施例１６〜２１で作製した電子写真感光体について、実施例１２〜１５と同様に炭素原子比、Ｓｉ原子密度、Ｃ原子密度及びＳｉ＋Ｃ原子密度を求め、密着性、階調性、感度、耐磨耗性を評価した。これらの結果を表１９に示す。
【００８５】
【表１７】
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【００８６】
【表１８】
0005451301.tif 000019
【００８７】
【表１９】
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表１９の結果より、表面層のＳｉ＋Ｃ原子密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上とした上で炭素原子比を０．６１以上にすることで階調性が良好となることが解った。また、表面層のＳｉ＋Ｃ原子密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上とした上で炭素原子比を０．７５以下にすることで、光吸収が抑制され、感度が良好となることが解った。
【符号の説明】
【００８８】
３１００‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥堆積装置
３１１０‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥反応容器
３１１１‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥カソード電極
３１１２‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥導電性基体
３１１３‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥基体加熱用ヒーター
３１１４‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ガス導入管
３１１５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥高周波マッチングボックス
３１１６‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ガス配管
３１１７‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥リークバルブ
３１１８‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥メインバルブ
３１１９‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥真空計
３１２０‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥高周波電源
３１２１‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥絶縁材料
３１２３‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥受け台
３２００‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ガス供給装置
３２１１〜３２１５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥マスフローコントローラ
３２２１〜３２２５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ボンベ
３２３１〜３２３５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥バルブ
３２４１〜３２４５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥流入バルブ
３２５１〜３２５５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥流出バルブ
３２６０‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥補助バルブ
３２６１〜３２６５‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥圧力調整器
【図１】
0005451301.tif 000021
【図２】
0005451301.tif 000022
【図３】
0005451301.tif 000023
【図４】
0005451301.tif 000024
【図５】
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【図６】
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