(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学工程、半導体及びＬＣＤなどの製造工程で排出される廃ガスを処理する廃ガス燃焼装置であって、
希薄燃料ガスが予混合された予混合燃料ガス及び助燃ガスが供給されてフレームが形成される空間である１次燃焼区域が用意された燃焼用ガス供給部と、
点火装置を有しており、上記１次燃焼区域で形成されたフレームが拡散される空間である２次燃焼区域が形成された点火部と、
上記１次燃焼区域の中へ少なくとも一部が挿入されて廃ガスを供給する案内管を備える廃ガス供給部と、
副産物処理部と、を備え、
上記案内管には分離された複数の廃ガス案内通路が形成され、
上記副産物処理部は、上記廃ガス案内通路に固着されたパウダーを除去することを特徴とする旋回流予混合低公害燃焼装置。
【請求項２】
請求項１に記載の旋回流予混合低公害燃焼装置において、
上記燃焼用ガス供給部は、内部に上記１次燃焼区域が形成され、上記１次燃焼区域へ、上記予混合燃料ガスを注入する予混合燃料ガスノズルと上記助燃ガスを注入する助燃ガスノズルとを備えるガスノズル部材をさらに含むことを特徴とする旋回流予混合低公害燃焼装置。
【請求項３】
請求項２に記載の旋回流予混合低公害燃焼装置において、
上記予混合燃料ガスノズルは、上記予混合燃料ガスが上記１次燃焼区域で回転するように半径方向に対して片側へ傾いて配置された複数の予混合燃料ガスノズルによって構成され、
上記助燃ガスノズルは、上記助燃ガスが上記１次燃焼区域で回転するように半径方向に対して片側へ傾いて配置された複数の助燃ガスノズルによって構成される、ことを特徴とする旋回流予混合低公害燃焼装置。
【請求項４】
請求項１に記載の旋回流予混合低公害燃焼装置において、
上記２次燃焼区域と隣接した３次燃焼区域をさらに備え、
上記３次燃焼区域には外部より空気が流入されることを特徴とする旋回流予混合低公害燃焼装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、廃ガス浄化処理装置に関するもので、特に廃ガスを燃焼させて処理する廃ガス燃焼装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体及びＬＣＤなどの製造工程または化学工程などで発生する廃ガスは有毒性、爆発性及び腐食性が強いため、そのまま大気に排出されると、環境汚染を誘発するようになる。従って、こういう廃ガスは有害成分の含量を許容濃度以下に下げる浄化処理過程を必ず経る。
【０００３】
半導体製造工程などで発生する廃ガスを処理する方法としては、主に水素ラジカル（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｒａｄｉｃａｌ）などを含有した発火性ガスを高温の燃焼室で分解、反応または燃焼させるバーニング（ｂｕｒｎｉｎｇ）、主に水溶性ガスを水槽に貯蔵された水を通過させる間に水に溶解して処理するウェッティング（ｗｅｔｔｉｎｇ）、発火性でないまたは水溶性でない有害性ガスが吸着剤を通過する間に吸着剤に物理的または化学的な吸着によって浄化される吸着方法がある。
【０００４】
バーニング方法には廃ガスを燃焼させる燃焼装置が使われる。しかしながら、従来の燃焼装置では半導体製造工程で発生した廃ガスと、ドライ真空ポンプ（ｄｒｙ  ｖａｃｕｕｍ  ｐｕｍｐ）などで使われるＮ２ガスが燃焼装置へ導入される際に高温で酸化され、窒素酸化物が急激に多く発生されるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６２９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は上記した従来の問題を解決するためのもので、高効率、低公害（Ｌｏｗ  ＮＯｘ，Ｌｏｗ  ＣＯ）廃ガス燃焼装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の一側面によると、
化学工程、半導体及びＬＣＤなどの製造工程などで排出される廃ガスを処理する廃ガス燃焼装置として、希薄燃料ガスが予混合された予混合燃焼ガス及び助燃ガスが供給されてフレーム（ｆｌａｍｅ）が形成される空間である１次燃焼区域を備えた燃焼用ガス供給部と、点火装置を有しており、上記１次燃焼区域で形成されたフレームが拡散される空間である２次燃焼区域が形成された点火部とを備えることを特徴とする先回流予混合低公害燃焼装置が提供される。
【０００８】
上記燃焼用ガス供給部は、内部に上記１次燃焼区域が形成され、上記１次燃焼区域へ上記予混合燃料ガスを注入する予混合燃料ガスノズルと上記助燃ガスを注入する助燃ガスノズルとを備えるガスノズル部材をさらに備えてもよい。
【０００９】
上記予混合燃料ガスノズルは、上記予混合燃料ガスが上記１次燃焼区域で回転するように半径方向に対して片方に傾いて配置された複数の予混合燃料ガスノズルによって構成され、上記助燃ガスノズルは、上記助燃ガスが上記１次燃焼区域で回転するように半径方向に対して片方に傾いて配置された複数の助燃ガスノズルによって構成されてもよい。
【００１０】
上記燃焼装置は上記１次燃焼区域の中へ少なくとも一部が挿入されて廃ガスを供給する案内管を備える廃ガス供給部をさらに備え、上記案内管には分離された複数の廃ガス案内通路が形成されてもよい。
【００１１】
上記燃焼装置は上記廃ガス案内通路に固着されたパウダーを除去するための副産物処理部をさらに備えてもよい。
【００１２】
上記燃焼装置は上記２次燃焼区域と隣接した３次燃焼区域をさらに備えて、上記３次燃焼区域には外部から空気が導入されてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、前に記載した本発明の目的をすべて達成することができる。具体的には、燃料希薄状態で助燃ガスと燃料予混合させて高効率、低公害燃焼装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施例による廃ガス燃焼装置の斜視図である。
【図２】図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図である。
【図３】図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図として、部分的に内部が見えるように一側を切断して図示したものである。
【図４】図１に図示された廃ガス燃焼装置の縦断面図である。
【図５】図４でＡ部分を拡大して図示した断面図である。
【図６】図５に図示されたガスノズル部材の側面図である。
【図７】図１に図示された燃料ガス供給構造を説明する平面図である。
【図８】図１に図示された廃ガス燃焼装置の廃ガス流入構造を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳しく説明する。
図１は本発明の一実施例による廃ガス燃焼装置の斜視図であり、図２は図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図であり、図３は図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図として、部分的に内部が見えるように一側を切断して図示したものであり、図４は図１に図示された廃ガス燃焼装置の縦断面図である。図１ないし図４を参照すると、廃ガス燃焼装置（１００）は、廃ガス供給部（１１０）と、副産物処理部（１２０）と、燃焼用ガス供給部（１３０）と、点火部（１４０）と、ボディー（１５０）を備える。
【００１６】
廃ガス供給部（１１０）は、案内管（１１１）と、第１ないし第４注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）を備える。廃ガス供給部（１１０）は、廃ガス燃焼装置（１００）内に形成された燃焼領域に、処理対象である、半導体製造工程とか化学工程などで発生した廃ガスを供給する。
【００１７】
案内管（１１１）は、上下方向に伸長された円筒形状であり、図８を一緒に参照すると、内部には上下に延長され、両端が開放され、お互いに分離された第１ないし第４廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）を備える。各廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）は、流入される廃ガス種類別に個別的に形成されていて、廃ガス反応問題が解消される。
【００１８】
第１ないし第４注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）は、案内管（１１１）の側面に半径方向の外の方に突出された形態で円柱方向に沿ってぐるりと囲んで配置される。第１注入管（１１２ａ）は第１廃ガス案内通路（１１１ａ）と連結され、第２注入管（１１２ｂ）は第２廃ガス案内通路（１１１ｂ）と連結され、第３注入管（１１２ｃ）は第３廃ガス案内通路（１１１ｃ）と連結され、第４注入管（１１２ｄ）は第４廃ガス案内通路（１１１ｄ）と連結される。各注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）を通じて廃ガスが各廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）内へ流入される。
【００１９】
本実施例では、廃ガス供給部（１１０）が４個の個別的な廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）と、これに対応する４個の注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）を備えると説明したが、これとは異なり、処理対象である廃ガスの種類に応じて３個以下または５個以上の個別的な廃ガス案内通路及びこれに対応する注入管が使用されてもよい。その上、統合された一つの廃ガス案内通路が使用されるのも可能である。
【００２０】
副産物処理部（１２０）は、第１ないし第４シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）と、各シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）に対応して用意されたピストンロッド（ｐｉｓｔｏｎ  ｒｏｄ）（１２２ａ、１２２ｄ、図面では２個だけ図示される）を備える。副産物処理部（１２０）は燃焼過程で廃ガス供給部（１１０）の廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）の内壁に固着されるパウダー（粉塵の粉）を除去する。
【００２１】
第１ないし第４シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）は廃ガス供給部（１１０）の案内管（１１１）の上段（１１１１）に結合される。第１シリンダー（１２１ａ）は第１廃ガス案内通路（１１１ａ）と対応するように位置してあり、第２シリンダー（１２１ｂ）は第２廃ガス案内通路（１１１ｂ）と対応するように位置して、第３シリンダー（１２１ｃ）は第３廃ガス案内通路（１１１ｃ）と対応するように位置して、第４シリンダー（１２１ｄ）は第４廃ガス案内通路（１１１ｄ）と対応するように位置する。各シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）に対応して用意されたピストンロッド（１２２ａ、１２２ｄ）は対応する各廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）内で各々移動（直線及び／または回転運動）する。各ピストンロッド（１２２ａ、１２２ｄ）の端には廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）の内壁に固着されたパウダーを掻き出して除去できる除去部材（１２３ａ、１２３ｄ）が結合されてある。
【００２２】
本実施例では、ピストンロッドが移動しながら廃ガス案内通路内壁に固着されたパウダーを除去する副産物処理部（１２０）について説明したが、これとは異なり、各廃ガス案内通路へ加熱された窒素（Ｎ２）などをパージング（ｐｕｒｇｉｎｇ）して固着されたパウダーを除去することもできる。
【００２３】
燃焼用ガス供給部（１３０）は、ケース（１３１）と、ガスノズル部材（１３２）と、予混合燃料ガス注入部（１３６）と、助燃ガス注入部（１３７）を備える。燃焼用ガス供給部（１３０）は廃ガスを燃焼させるために必要な燃料ガス及び助燃ガスを供給する。
【００２４】
ケース（１３１）は、中空の円筒形状で、点火部（１４０）の上部に位置する。ケース（１３１）は上部壁（１３１ａ）と、外側壁（１３１ｂ）と、内側壁（１３１ｃ）を備える。上部壁（１３１ａ）の中心部にはガスノズル部材（１３２）が通過する貫通孔（１３１ａ１）が形成される。外側壁（１３１ｂ）は上部壁（１３１ａ）から下に延長されて下の端が点火部（１４０）の上段に結合される。内側壁（１３１ｃ）は上部壁（１３１ａ）から下に延長されて下の端が点火部（１４０）の上段に結合される。内側壁（１３１ｃ）は外側壁（１３１ｂ）の内側に位置する。外側壁（１３１ｂ）と内側壁（１３１ｃ）の間には独立された空間（１３１１）が用意される。この空間（１３１１）は冷却水循環空間として機能する。
【００２５】
ガスノズル部材（１３２）は上下に延長された円筒形状であり、内部には中心線に沿って上下方向に延長されて貫通する内部空間（１３１３）が用意される。この内部空間（１３１３）はフレーム（火炎）が形成される空間である１次燃焼区域として機能する。ガスノズル部材（１３２）の下部は内側壁（１３１ｃ）の内部空間に受容され、ガスノズル部材（１３２）の上部は上部壁（１３１ａ）の貫通孔（１３１ａ１）を通じて上部壁（１３１ａ）上に突出される。ガスノズル部材（１３２）の下端は点火部（１４０）の上端と接する。ガスノズル部材（１３２）の外壁には、環状の形状で半径方向の外方へ突出された分離フランジ（１３３）が用意される。分離フランジ（１３３）には分離フランジ（１３３）に沿って形成された環状の溝（１３３ａ）が用意される。環状の溝（１３３ａ）には密封リング（１３３ｂ）が挟まれる。密封リング（１３３ｂ）が内側壁（１３１ｃ）と接して、内側壁（１３１ｃ）とガスノズル部材（１３２）の外壁の間に形成された空間（１３１２）は、上部の第１ガス空間（１３１２ａ）と下部の第２ガス空間（１３１２ｂ）に分離される。ガスノズル部材（１３２）の外壁には、第１ガス空間（１３１２ａ）とガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）を連通させる複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）と、第２ガス空間（１３１２ｂ）とガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）を連通させる複数の助燃ガスノズル（１３５）が用意される。複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）を通じて予混合燃料ガスがガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）に供給される。複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）は半径の方向に対し、片方に傾いて配置される。従って、複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）を通じてガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される予混合燃料が回転供給されることで、混合が円滑になってＴｈｅｒｍａｌ  ＮＯｘ及びＣＯの発生量を低減させる。複数の助燃ガスノズル（１３５）は半径の方向に対し、片方に傾いて配置される。従って、複数の助燃ガスノズル（１３５）を通じてガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される助燃ガスは回転供給されて、適正な拡散燃焼させて均一な温度帯域を維持させる。ガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）には廃ガス供給部（１１０）の案内管（１１１）の下部が挿入されて受容される。案内管（１１１）の下端（１１１２）は助燃ガスノズル（１３５）より下に位置する。
【００２６】
予混合燃料ガス注入部（１３６）はケース（１３１）の外側壁（１３１ｂ）と内側壁（１３１ｃ）を通過して第１ガス空間（１３１２ａ）と連結される。燃料ガス注入部（１３６）は可燃ガスと助燃ガスを混合して燃料の希薄な状態を作った後、予混合された燃料ガスを第１ガス空間（１３１２ａ）へ注入する。燃料ガスとしては液化天然ガス、液化石油ガス、水素ガスなどが使われる。
【００２７】
助燃ガス注入部（１３７）はケース（１３１）の外側壁（１３１ｂ）と内側壁（１３１ｃ）を通過して第２ガス空間（１３１２ｂ）と連結される。助燃ガス注入部（１３７）は酸素ガスのような助燃ガスを第２ガス空間（１３１２ｂ）へ注入する。
【００２８】
点火部（１４０）はケース（１４１）と、点火装置（１４２）と、表示窓（１４３）と、第１、第２燃焼感知センサー（１４４ａ、１４４ｂ）を備える。
【００２９】
ケース（１４１）は概ね中空の円筒形状で、ボディー（１５０）の上部に位置する。ケース（１４１）は、上部壁（１４１ａ）と、外側壁（１４１ｂ）と、内側壁（１４１ｃ）と、フレームガイド壁（１４１ｄ）と、上部壁（１４１ａ）と対向してあり、中心部に貫通孔（１４１ｅｌ）が形成された底板（１４１ｅ）を備える。上部壁（１４１ａ）の中心部にはガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）と通じる貫通孔（１４１ａｌ）が形成される。外側壁（１４１ｂ）は上部壁（１４１ａ）より下の方向に延長されて下部端が底板（１４１ｅ）に結合される。内側壁（１４１ｃ）は上部壁（１４１ａ）より下に延長されて下部端が底板（１４１ｅ）に結合される。内側壁（１４１ｃ）は外側壁（１４１ｂ）の内側に位置する。外側壁（１４１ｂ）と内側壁（１４１ｃ）の間には独立された空間（１４１１ｂ）が用意される。フレームガイド壁（１４１ｄ）と内側壁（１４１ｃ）の間には空間（１４１１ｃ）が形成される。フレームガイド壁（１４１ｄ）の内部には、ガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）、ボディー（１５０）の内部、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）と内側壁（１４１ｃ）の間の空間（１４１１ｃ）と繋がる空間（１４１１ｄ）が形成される。この空間（１４１１ｄ）はフレームが拡散される空間である２次燃焼区域を形成する。フレームガイド壁（１４１ｄ）は、１次燃焼区域（１３１３）で発生されるフレームが渦巻きを形成しすぎることで、廃ガスとの接触が低下されることを防止しようと、フレームが適切に拡散されて廃ガスと円滑に接触されるようにして、廃ガスの高処理効率を誘導する。
【００３０】
点火装置（１４２）は、ケース（１４１）の外側壁（１４１ｂ）、内側壁（１４１ｃ）、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）を通過してフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間と繋がる。点火装置（１４２）はフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間へ点火源を供給する。点火装置（１４２）は点火プラグを備え、バーナー部分を乾燥された状態に維持するための乾燥圧縮空気（ＣＤＡ：Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ  Ｄｒｙ  Ａｉｒ）を供給する。バーナー部分に水分が生成されるとパウダー固着が活発に行われる。
【００３１】
表示窓（１４３）は、ケース（１４１）の外側壁（１４１ｂ）、内側壁（１４１ｃ）、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）を通過してフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間と繋がる。表示窓（１４３）を通じて、点火される現象と燃焼される現象を肉眼で観察できるようになる。表示窓（１４３）は高温の影響を受けるかもしれないのでパージングの機能を有する。
【００３２】
第１、第２燃焼感知センサー（１４４ａ、１４４ｂ）は、ケース（１４１）の外側壁（１４１ｂ）、内側壁（１４１ｃ）、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）を通過してフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間と繋がる。第１、第２燃焼感知センサー（１４４ａ、１４４ｂ）は１次燃焼区域（１３１３ａ）と２次燃焼区域（１３１３ｂ）で発生するフレームを感知する。
【００３３】
底板（１４１ｅ）の内部には貫通孔（１４１ｅ１）を囲みながら形成された冷却水循環用の空間が用意される。
【００３４】
ボディー（１５０）は、外部ケース部材（１５１）と、内壁部材（１５２）と、複数の空気流入部（１５３ａ，１５３ｂ）を備える。
【００３５】
ケース部材（１５１）は、概ね中空の円筒形状で、上部壁（１５１ａ）と、底板（１５１ｂ）と、側壁（１５１ｃ）を備える。上部壁（１５１ａ）は点火部（１４０）の底板（１４１ｅ）の下面に結合される。
【００３６】
上部壁（１５１ａ）の中心部には貫通孔（１５１ａ１）が用意される。貫通孔（１５１ａ１）は点火部（１４０）の底板（１４１ｅ）の貫通孔（１４１ｅ１）より大きく形成される。底板（１５１ｂ）は上部壁（１５１ａ）に対向してあり、中心部には貫通孔（１５１１ｂ）が用意される。側壁（１５１ｃ）は上部壁（１５１ａ）と底板（１５１ｂ）の間に延長される。
【００３７】
内壁部材（１５２）は両段が開放された中空の円筒形状で、ケース部材（１５１）の内部に結合される。内壁部材（１５２）の開放された上段は上部壁（１５１ａ）の貫通孔（１５１ａ１）と繋がり、内壁部材（１５２）の開放された下段は底板（１５１ｂ）の貫通孔（１５１１ｂ）と繋がる。内壁部材（１５２）の壁には内壁部材（１５２）の内外部を連通させる多数の通孔（１５２１）を備える。内壁部材（１５２）内部の空間は３次燃焼区域（１５２２）を形成する。
【００３８】
複数の空気流入部（１５３ａ、１５３ｂ）はケース部材（１５１）に設置されて外部の空気をケース部材（１５１）内部へ流入させる。空気流入部（１５３ａ、１５３ｂ）を通じて流入された空気は３次燃焼区域（１５２２）へ供給されて３次燃焼区域（１５２２）内で発生される熱を均一に分布させてＴｈｅｒｍａｌ  ＮＯｘの発生を低減させる。
【００３９】
図示されてはいないが、循環水などを内壁部材（１５２）の壁面に沿って回流して流れ落ちるようにすることで、廃ガスの燃焼時に生成されるパウダー固着を防止することもできる。
【００４０】
以下、図１ないし図８を参照して、上記実施例の作用を説明する。
化学工程、半導体及びＬＣＤなどの製造工程などで排出される廃ガスとドライ真空ポンプなどで使われるＮ２が廃ガス供給部（１１０）の案内管（１１１）に形成された廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）を通じて各廃ガスに沿って個別的に１次燃焼区域であるガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される。この場合に、燃料と酸化剤の反応によってフレームを形成する空間である１次燃焼区域（１３１３）へは燃料が回転して供給されて混合が円滑になり、希薄燃料が予混合され、Ｔｈｅｒｍａｌ  ＮＯｘ及びＣＯの発生量が低減される。また、１次燃焼区域で未反応の燃料を完全燃焼させる区域である２次燃焼区域（１４１１ｄ）では、適正な拡散燃焼をさせて均一な温度帯域を維持させてＴｈｅｒｍａｌ  ＮＯｘの発生が低減される。その後、３次燃焼区域（１５２２）で廃ガスに対して３次燃焼が行われ、この時、複数の空気流入部（１５３ａ、１５３ｂ）を通じて流入される空気によって熱が均一に分布されてＴｈｅｒｍａｌ  ＮＯｘ及びＣＯの発生が低減される。燃焼により処理された廃ガスは底板（１５１ｂ）に形成された貫通孔（１５１１ｂ）を通じて外部へ排出されることができる。
【００４１】
以上、実施例を引いて見た発明を説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。上記実施例は本発明の趣旨及び範囲を外さないで修正されたり変更されたりすることができ、当業者は、このような修正と変更も本発明に属することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上より、本発明による旋回流予混合低公害燃焼装置によれば、廃ガスを燃焼させて処理することができ、廃ガスを処理する装置として有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１００：廃ガス燃焼装置
１１０：廃ガス供給部
１２０：副産物処理部
１３０：燃焼用ガス供給部
１３２：ガスノズル部材
１４０：点火部
１５０：ボディー
１３１３：１次燃焼区域
１４１１：２次燃焼区域
１５２２：３次燃焼区域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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