(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に光硬化樹脂により樹脂層を形成し、
前記樹脂層に凹凸パターンを有するモールドを接触させ、
前記光硬化樹脂の硬化を阻害する気体を含む雰囲気下で、遮光部材を用いることなく前記樹脂層の全面に光を照射して、少なくとも前記凹凸パターン下にある前記樹脂層を硬化させ、前記モールドの外縁よりはみ出した前記樹脂層を未硬化の状態で残存させ、
前記樹脂層から前記モールドを離型し、
硬化させた前記樹脂層の周囲に残存する未硬化の樹脂層を除去することを特徴とするナノインプリントによるパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターン形成方法を繰り返し実行して、前記凹凸パターンを転写して硬化した前記樹脂層を前記基材上に繰り返し形成する、ことを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントによるパターン形成方法。
【請求項３】
前記モールドの外縁よりはみ出した前記樹脂層を除去することを特徴とする請求項１又は２記載のナノインプリントによるパターン形成方法。
【請求項４】
前記樹脂層を硬化させる際の前記硬化を阻害する気体の濃度は、前記凹凸パターンが前記樹脂層に接触する際の前記硬化を阻害する気体の濃度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のナノインプリントによるパターン形成方法。
【請求項５】
前記硬化を阻害する気体は、酸素であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のナノインプリントによるパターン形成方法。
【請求項６】
前記樹脂層を硬化させる際の雰囲気は３０（ｖｏｌ％）以上、９０（ｖｏｌ％）以下の酸素濃度を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載のナノインプリントによるパターン形成方法。
【請求項７】
前記樹脂層は、光ラジカル硬化樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載のナノインプリントによるパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ナノインプリントを用いて基材表面の樹脂層にパターンを形成するナノインプリントによるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ナノオーダーの微細加工技術としてナノインプリント技術が注目されている。このナノインプリント技術は、微細な凹凸構造を形成した型部材（以下、モールドと呼ぶ）を用いて、凹凸構造を基材表面に形成した樹脂層に押し当てた状態で被加工物を硬化させ、モールドと被加工物とを引き離し（以下、離型と呼ぶ）、微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。なお、本明細書では、パターンが形成される領域をパターン領域と呼ぶものとする。
【０００３】
従来のナノインプリントによるパターン形成方法として、例えば、特許文献１に記載された基材の加工方法がある。この基材の加工方法では、パターン領域以外に遮光部材を設けたモールドを基材上に形成された光硬化樹脂に接触させ、光照射により光硬化樹脂を硬化させてパターンを形成している。このパターン形成の際に、モールドの遮光部材によりパターン領域からはみ出した領域の光硬化樹脂は硬化されないため、はみ出した領域の光硬化樹脂の除去を容易にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−６００８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された基材の加工方法では、モールドに遮光部材を形成することが不可欠である。遮光部材を形成すると、モールドのその部分を保持することができず、以下のような不具合が発生する。すなわち、モールドの遮光部材形成部分を保持すると、保持部材の接触により遮光部材が剥がれて、異物の原因となる虞がある。
【０００６】
また、光硬化樹脂のスピン塗布や、光硬化樹脂のはみ出し量が多い場合、これらの光硬化樹脂の硬化を阻害するためには、遮光部材を大きく形成しなければならない。このため、パターンを転写する基材やモールドの大きさに応じて、遮光部材の大きさを変更しなければならず、モールドの製造コストを増大させる。
【０００７】
本発明は上記実情に鑑み、光硬化樹脂のパターン領域外にはみ出した部分の除去を容易にするナノインプリントによるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係るナノインプリントによるパターン形成方法は、基材上に光硬化樹脂により樹脂層を形成し、前記樹脂層に凹凸パターンを有するモールドを接触させ、前記光硬化樹脂の硬化を阻害する気体を含む雰囲気下で、遮光部材を用いることなく前記樹脂層の全面に光を照射して、少なくとも前記凹凸パターン下にある前記樹脂層を硬化させ、前記モールドの外縁よりはみ出した前記樹脂層を未硬化の状態で残存させ、前記樹脂層から前記モールドを離型し、硬化させた前記樹脂層の周囲に残存する未硬化の樹脂層を除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光硬化樹脂の硬化を阻害する気体を含む雰囲気下でモールドを押し当てた部分の樹脂層を硬化させてパターンを形成し、パターンを含むパターン領域より外側の樹脂層の一部の硬化を阻害して、樹脂層の未硬化部分の除去を容易にするナノインプリントによるパターン形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態に係るナノインプリント装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係るナノインプリントによるパターン形成方法の一例を示す断面図であり、（Ａ）は樹脂層の形成工程を示す図、（Ｂ）はモールドと樹脂層の接触工程を示す図、（Ｃ）は樹脂層の硬化工程を示す図、（Ｄ）は離型工程を示す図、（Ｅ）未硬化の樹脂層を除去する工程を示す図である。
【図３】実施例に係る酸素濃度と溶剤による洗浄を実施した後の光硬化樹脂膜厚との関係を示すグラフである。
【図４】図３に示すグラフ内の各プロットのデータを示す図である。
【図５】実施例に係る樹脂層の粘度を測定する装置の一例を示す図である。
【図６】実施例に係るＰＡＫ−０１の粘度を測定した結果を示す図である。
【図７】実施例に係るモールドからはみ出した樹脂層の幅の測定に用いるモールドの構成を示す平面図である。
【図８】実施例に係るモールドからはみ出した樹脂層の幅の測定方法の一例を示す図であり、（Ａ）はシリコン基材上に光硬化樹脂を滴下する工程を示す図、（Ｂ）は酸素濃度を調整してモールドパターンを転写する工程を示す図、（Ｃ）は離型後に基材ごと樹脂層を洗浄液に浸漬させた後、パターン領域からはみ出した樹脂層を計測する工程を示す図である。
【図９】実施例に係る樹脂層のはみ出し幅の測定結果を示す図であり、（Ａ）は本案の樹脂層のはみ出し幅測定箇所の顕微鏡写真、（Ｂ）は従来の樹脂層のはみ出し幅測定箇所の顕微鏡写真である。
【図１０】酸素濃度を変化させて光硬化樹脂ＮＩＦ−Ａ−１及びＰＡＫ−０１のはみ出し幅を測定した結果を示す図である。
【図１１】（Ａ）は本案の樹脂層のはみ出し部分を除去して複数のパターンを転写した状態を示す断面図、（Ｂ）は従来の樹脂層のはみ出し部分を除去せずに複数のパターンを転写した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１２】
＜ナノインプリント装置の構成＞
第１の実施の形態に係るナノインプリント装置１００の概略構成について、図１を参照して説明する。図１は、ナノインプリント装置１００の概略構成を示す図である。図１において、ナノインプリント装置１００は、チャンバ１０１と、酸素供給装置１０２と、排気ポンプ１０３と、光源１０４と、基材チャック１０５と、基材ステージ１０６と、モールドチャック１０７と、モールドステージ１０８と、を備える。
【００１３】
チャンバ１０１は、酸素供給装置１０２から酸素が供給される酸素供給路１０１Ａと、チャンバ１０１内の気体が排気ポンプ１０３により排気される排気路１０１Ｂと、を備える。チャンバ１０１内には、基材２０１を保持する基材チャック１０５と、基材チャック１０５をＸＹＺ軸方向に移動させて基材２０１の位置決めを行う基材ステージ１０６と、が配置されている。また、チャンバ１０１内には、モールド２０３を保持するモールドチャック１０７と、モールドチャック１０７をＸＹＺ軸方向に移動させてモールド２０３の位置決めを行うモールドステージ１０８と、が配置されている。但し、基材２０１とモールド２０３の両方を移動させる必要はなく、基材２０１とモールド２０３のうち、一方を移動させるようにしても良い。
【００１４】
酸素供給装置１０２は、チャンバ１０１内に酸素を供給してチャンバ１０１内の酸素濃度を調整する。酸素供給装置１０２にはバルブ（図示せず）が配置されており、バルブの開閉制御により必要なタイミングで樹脂層２０２の硬化を阻害する酸素をチャンバ１０１内に供給することができる。また、チャンバ１０１には、流量センサ（図示せず）が配置されており、酸素の供給量を適宜制御することもできる。酸素の供給は、チャンバ１０１内全体に略均一な濃度となるように調整してもよいし、樹脂層２０２の硬化させたくない部分に対してノズル等により局所的に吹き付けるようにしてもよい。本実施の形態では、紫外線を照射した際に、樹脂層２０２に発生したラジカルを失活させる能力（ラジカル失活態）を有する気体として酸素を用いる。
【００１５】
排気ポンプ１０３は、チャンバ１０１内の気体を排気してチャンバ１０１内の圧力を調整する。光源１０４は、基材２０１上に塗布された樹脂層２０２に対して光を照射する。
【００１６】
基材２０１としては、石英、ソーダガラスやホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコン、ガリウム砒素や窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレンやポリエチレン等の樹脂基材、あるいは、これらの材料の組み合わせからなる複合材料等を用いる。基材２０１の厚み、大きさ、形状は用途に応じて適宜設定することができる。
【００１７】
モールド２０３は、所期の凹凸パターン２０３Ａが形成されている。モールド２０３は、光インプリント用である場合には、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、青板ガラス、ソーダガラス、ＢＫ−７等の透明基材を用いる。なお、これらの材料だけでなく、透明樹脂フィルム、陽極酸化法により形成されたポーラスアルミナ等からなる透光性を有するフレキシブル基材を用いてもよい。モールド２０３の厚み、大きさ、形状は用途に応じて適宜設定することができる。凹凸パターン２０３Ａは、例えば、モールド２０３となる基材にレジスト等をマスクとして形成しておき、そのマスクの露出部にエッチング等を施して形成されたマイクロ（μｍ）〜ナノ（ｎｍ）オーダーの凹凸構造である。
【００１８】
樹脂層２０２は、光硬化性の樹脂あるいはレジスト等であり、重合性化合物を少なくとも１種類含有する光ラジカル硬化性樹脂を用いる。光ラジカル硬化性樹脂としては、例えば、紫外線の照射で速やかにラジカル重合して硬化するアクリレート類、メタクリレート類、ビニルエステル類、ビニルアミド類等を含む液状モノマーに光ラジカル開始剤を混合したものを用いることができる。また、必要に応じて芳香族カルボニル化合物、ケトン類やフォスフィンオキサイド類等の硬化剤を添加する。なお、これらの材料に限定するものではない。樹脂層２０２は、スピンコート法等の塗布法を用いて形成することができる。また、ナノインプリント装置１００内にインクジェット式吐出部（図示せず）を備える場合は、インクジェット法により樹脂層２０２を形成することも可能である。
【００１９】
光源１０４は、上記光硬化樹脂を硬化させる紫外線を発生する紫外線光源を用いる。紫外線光源としては、ｉ線、ｇ線、ｈ線の混線を発生するものを用いる。
【００２０】
＜ナノインプリントによる構造体の製造方法＞
次に、ナノインプリントの構造体２００を製造する工程について、図１及び図２を参照して説明する。図２（Ａ）〜（Ｅ）は、基材２０１上にパターン２０２Ａを形成する工程を順に示す図である。なお、図２（Ａ）〜（Ｅ）では、説明を簡略化するため、基材２０１上に形成されるパターン２０２Ａの形状を簡略化して示している。
【００２１】
（１）樹脂層の形成
まず、図２（Ａ）において、基材２０１上に、例えば、スピンコート法、インクジェット法等により光硬化樹脂を塗布して樹脂層２０２を形成する。そし、樹脂層２０２を形成した基材２０１をチャンバ１０１内の基材チャック１０５に設置する。また、樹脂層２０２をインクジェット方式で基材２０１上に形成する場合は、基材２０１を基材チャック１０５に設置した後、図示しない塗布ヘッドから樹脂を吐出して樹脂層２０２を形成する。次いで、チャンバ１０１内にモールド２０３を設置する。次いで、チャンバ１０１内を排気ポンプ１０３により排気してチャンバ１０１内の圧力を調整する。この排気により、モールド２０３の表面を脱泡することができ、凹凸パターン２０３Ａ中に欠陥が発生することを防止できる。
【００２２】
なお、本実施の形態では、チャンバ１０１内の圧力を大気圧より低い状態にしてナノインプリントを行う場合を説明するが、チャンバ１０１内の圧力を大気圧よりも高い状態にして樹脂層２０２の溶剤が揮発することを防止し、樹脂層２０２の膜厚変動を抑制するナノインプリント処理を行ってもよいし、チャンバ１０１外部の圧力と等圧のままナノインプリントを実施してもよい。
【００２３】
（２）モールドと樹脂層の接触
次に、図２（Ｂ）において、モールド２０３を下方に移動させ、モールド２０３を樹脂層２０２に接触させる。この時、モールド２０３の押圧条件を調整して、凹凸パターン２０３Ａ内に漏れなく光硬化樹脂を充填する。この場合、図２（Ｂ）に示すように、モールド２０３の外縁部からはみ出した樹脂層２０２がチャンバ１０１内の雰囲気に曝される。このとき、チャンバ１０１内の酸素濃度は上げられておらず、図２（Ａ）におけるチャンバ１０１内の圧力と同様である。ここで、酸素濃度とは、体積濃度（ｖｏｌ％）を指す。
【００２４】
（３）樹脂層の硬化及び酸素濃度の上昇
次に、図２（Ｃ）において、モールド２０３を樹脂層２０２に接触させた状態で光源１０４により紫外線を基材２０１上に照射して、樹脂層２０２を硬化させる。このとき、本実施の形態では、酸素供給装置１０２からチャンバ１０１内に酸素を供給して、チャンバ１０１内の酸素濃度を上昇させる。この酸素濃度の上昇により、チャンバ１０１内の酸素と接する樹脂層２０２は硬化が阻害される。チャンバ１０１内における酸素濃度は、モールド２０３と樹脂層２０２の接触時よりも高い濃度が設定される。なお、先の図２（Ｂ）において、酸素濃度が低い場合には、凹凸パターン２０３Ａの凹部に酸素を抱き込まないのでパターン部分の硬化不良を防ぐことができるので、より望ましい。
【００２５】
樹脂層２０２の紫外線硬化を阻害する酸素を含む雰囲気中で、モールド２０３を樹脂層２０２に接触させた状態で光源１０４により紫外線を照射して少なくとも凹凸パターン下にある樹脂層２０２を硬化させる。このとき、モールド２０３と樹脂層２０２はほぼ隙間なく接触しているため、紫外線硬化を阻害する酸素はモールド２０３からはみ出した樹脂層２０２にのみ作用する。すなわち、凹凸パターン２０３Ａを含むモールド２０３下面と接触する樹脂層２０２は硬化され（図２（Ｃ）に示す硬化部２０２Ａ）、モールド２０３からはみ出した樹脂層２０２の部分は、硬化部２０２Ａに比べて、硬化が不充分な部分となる。この硬化が不充分な部分は図２（Ｃ）において未硬化部２０２Ｂとして示している。未硬化部２０２Ｂは、モールド２０３の外縁部からはみ出した樹脂層２０２である。
【００２６】
（４）離型
次に、図２（Ｄ）において、所定量の紫外線を照射した後、チャンバ１０１内の圧力を大気圧に戻す。次いで、モールド２０３を樹脂層２０２から離型し、基材２０１をチャンバ１０１から外部へ取り出す。この圧力開放によりチャンバ１０１内における酸素濃度は低下する。
【００２７】
（５）未硬化部の除去
次に、図２（Ｅ）において、硬化が阻害された未硬化部２０２Ｂをアセトン等の薬品により除去する。使用する薬品は樹脂材料によって異なるが、硬化した樹脂をおかすことがなく、未硬化部２０２Ｂのみを除去可能なものを用いることが望ましい。また、本実施の形態では、離型後に未硬化部２０２Ｂの除去を行っているが、離型前に行ってもよい。未硬化部２０２Ｂの除去は離型の前後いずれでもよい。
【００２８】
未硬化部２０２Ｂは、硬化部２０２Ａに比べてモールド２０３との密着度が低いため、離型しやすくなる。さらに、モールド２０３と樹脂層２０２との離型は、モールド２０３の外周部から開始するため、未硬化部２０２Ｂが離型開始点となり、スムーズに離型作業を行うことが可能になる。モールド２０３と樹脂層２０２との離型がスムーズに行えることにより、離型時にモールド２０３あるいは樹脂層２０２の破損を防ぐことができ、歩留まりを向上させることが可能になる。
【００２９】
（実施例）
本実施例では、チャンバ１０１内の酸素濃度（ｖｏｌ％）を変化させた場合に、光硬化樹脂の硬化の度合いがどの程度変化するかについて実験した内容を、図３及び図４を参照して説明する。図３は、酸素濃度（ｖｏｌ％）と、溶剤による洗浄を実施した後の光硬化樹脂膜厚（μｍ）と、の関係を示すグラフである。図４は図３に示すグラフ内の各プロットのデータを示す図である。本実施例では、ラジカル重合型の光硬化樹脂が気体に接触している場合、その気体に含有される酸素濃度によって硬化の度合いが異なる測定結果を例示する。本実施例では、測定対象の光硬化樹脂としてＰＡＫ−０１（東洋合成工業株式会社製）とＮＩＦ−Ａ−１（旭硝子株式会社製）を用い、基材としてシリコン基材を用い、図１に示したナノインプリント装置１００を用いる。
【００３０】
まず、測定対象の光硬化樹脂を硬化させるまでの手順を以下に説明する。
【００３１】
（１）シリコン基材上に光硬化樹脂を条件（回転数：２０００ｒｐｍ、回転時間：３０ｓｅｃ）でスピンコート法により形成する。
（２）光硬化樹脂を塗布したシリコン基材を図１のチャンバ１０１内の基材チャック１０５に設置する。
（３）チャンバ１０１内を排気、又は、チャンバ１０１内に酸素を供給する。このとき、チャンバ１０１内の酸素濃度を酸素濃度計（ＸＯ−３２６ＡＬＢ：新コスモス電機株式会社製）を用いて計測し、目的の酸素濃度に達した時点でチャンバ１０１内を気密にし、チャンバ１０１内の雰囲気を一定にする。
（４）設定した照射量（３００ｍＪ／ｃｍ２）で光源１０４から紫外線をシリコン基材上の光硬化樹脂に照射する。
（５）紫外線照射後にシリコン基材をチャンバ１０１内から取り出し、シリコン基材を光硬化樹脂ごとアセトンに５分間浸漬させた後、アセトンを乾燥させ十分に除去した。このとき、完全に硬化した光硬化樹脂はアセトンにより溶解しない。すなわち、このとき未硬化の光硬化樹脂は除去されることになる。
（６）シリコン基材上に残った光硬化樹脂の膜厚をエリプソメトリを用いて計測する。
【００３２】
本実施例では、光硬化樹脂を塗布したシリコン基材のサンプル毎に上記手順（３）において酸素供給量を調整して酸素濃度を０，１０，２１，３０，４０，１００（ｖｏｌ％）に変化させて、上記手順（４）から（６）を繰り返し実行して、変化させた酸素濃度毎にシリコン基材上に残った光硬化樹脂の膜厚を測定した。この測定結果を図３に示す。
【００３３】
図３に示す酸素濃度と光硬化樹脂膜厚の関係を示すグラフにおいて、図中に□で示すプロットは光硬化樹脂としてＮＩＦ−Ａ−１を用いた場合を示し、図中に◇で示すプロットはＰＡＫ−０１を用いた場合を示す。図３に示すグラフ内の各プロットのデータを表にしたものを図４に示す。
【００３４】
酸素濃度が０（ｖｏｌ％）の場合は、モールド２０３とほぼ隙間なく接触する樹脂層２０２の状態と同一とみなせる。すなわち、モールド２０３と樹脂層２０２との間には気体が存在しない状態である。
【００３５】
図３及び図４に示すように、酸素濃度が高くなるに従ってシリコン基材上に残った光硬化樹脂ＮＩＦ−Ａ−１及びＰＡＫ−０１は共に膜厚が薄くなっている。これは、酸素濃度が高くなるに従って光硬化樹脂の硬化率が低下し、未硬化である部分の樹脂が増えていることを示している。すなわち、酸素濃度が高くなるに従って光硬化樹脂の硬化が阻害されるためである。
【００３６】
ここで、光硬化樹脂の硬化が阻害されるメカニズムについて説明する。ラジカル重合性を有する液状モノマーに光ラジカル開始剤を混合して紫外線を照射すると、光ラジカル開始剤が紫外線を吸収し、光ラジカル開始剤が電子励起状態を形成し、重合開始反応が始まる。ラジカルは、光硬化樹脂が設置された雰囲気中の酸素と反応するため、樹脂の硬化に必要なラジカルが酸素によって消費され、樹脂の硬化が十分に促進されずに硬化不足になる。
【００３７】
基材２０１上に塗布あるいは滴下する光硬化樹脂の容積が、基材２０１とモールド２０３下の空間の体積よりも大きい場合には、モールド２０３と接触した樹脂層２０２は、その外周部がモールド２０３からはみ出す。このはみ出した樹脂層２０２の膜厚は、モールド２０３と基材２０１との間に挟まれた樹脂層２０２の膜厚よりも厚くなる。このため、モールド２０３と基材２０１との間に挟まれた樹脂層２０２の膜厚の倍の膜厚がはみ出すとすると、硬化を阻害する酸素濃度は、少なくとも今回の実施例で用いた光硬化樹脂の場合は、２０（ｖｏｌ％）より高い酸素濃度（大気の酸素濃度より高い濃度）の雰囲気における紫外線照射が必要となり、好ましくは３０（ｖｏｌ％）以上の酸素濃度とする。
【００３８】
また、酸素濃度の上限は、酸素濃度が高いほど硬化が阻害されるため、１００％に近いことが好ましい。しかし生産性やプロセスの安定性を考慮した場合、上限が考えられる。これはチャンバ１０１を減圧するのに必要な時間、チャンバ１０１の耐圧性能、酸素の供給可能な量、また供給する酸素ガスの濃度に左右される。一般に入手可能な酸素ガスの濃度は９９％である。もしチャンバ１０１内を同等の酸素濃度としたい場合、チャンバ１０１内を減圧するか、酸素ガスを流入させてチャンバ１０１内の酸素濃度を薄める必要がある。しかしこれらの方法はそれぞれに考慮すべき問題がある。すなわち、減圧を行う場合は、過度に真空度を高くしてしまうと、光硬化樹脂の揮発を招く虞がある。また、低圧とするためにはチャンバ１０１の容量、排気ポンプ１０３の性能にも依存するが、所定の時間が必要となる。よってスループットを考慮するならば、過度な減圧は避けるべきである。また、酸素ガスをチャンバ１０１内に流入させる場合は、チャンバ１０１の高圧容器としての耐圧性能を確保しつつ、酸素を大量に導入しなければならない。よって以上の実情を踏まえると、酸素濃度は９０（ｖｏｌ％）よりも低い状態で実施することが工業的には好ましい。
【００３９】
次に、モールド２０３と基材２０１との間に挟まれた樹脂層２０２が、雰囲気中の酸素濃度によって硬化の進行に影響を受けるか否かを検証した例を図５及び図６を参照して説明する。
【００４０】
今回の検証では、レオメータを用いて図５に示すコーンプレート３０１を樹脂層２０２で回転させたときの抵抗により、樹脂層２０２の粘度を測定した。図５に示す構成では、基材２０１として石英ガラスを用い、樹脂層２０２の光硬化樹脂としてＰＡＫ−０１を用い、光源１０３として高圧ＵＶランプ（ウシオ電機株式会社製）を用いた。また、レオメータとしてＭＣＲ−３００（アントンパール株式会社製）を用いた。
【００４１】
次に、粘度測定の手順について以下に説明する。
（１）石英ガラス上に光硬化樹脂を滴下し、アルミニウム製のコーンプレート３０１を光硬化樹脂に接触させる。このとき、石英ガラスとコーンプレート３０１の間のギャップは１０μｍである。
（２）周囲の酸素濃度を０（ｖｏｌ％）又は３０（ｖｏｌ％）とし、コーンプレート３０１を回転させながら、石英ガラス側から紫外線を照射し、レオメータを用いて樹脂層２０２の粘度を測定した。
【００４２】
上記測定手順によりＰＡＫ−０１の粘度を測定した結果を図６に示す。図６は、ＰＡＫ−０１を用いて、酸素濃度を０（ｖｏｌ％）と３０（ｖｏｌ％）に調整して、紫外線照射中の粘度の経時変化を示すグラフである。
【００４３】
図６に示すように、ＰＡＫ−０１の粘度の上昇曲線は、酸素濃度を０（ｖｏｌ％）と３０（ｖｏｌ％）においてほぼ一致し、誤差は小さい。したがって、モールド２０３と基材２０１との間に挟まれた樹脂層２０２は、周囲の酸素濃度によって硬化の進行が阻害されていないことが判明した。
【００４４】
次に、モールド２０３の外縁部からはみ出す樹脂層２０２のはみ出し量の変化を測定する例について説明する。
【００４５】
今回の測定では、光硬化樹脂のはみ出し量を測定するためのモールド２０３を用意し、酸素濃度を３０（ｖｏｌ％）の雰囲気中で光硬化樹脂ＮＩＦ−Ａ−１及びＰＡＫ−０１に対してモールド２０３の凹凸パターン２０３Ａを転写して、各光硬化樹脂のはみ出し量を測定した。光硬化樹脂のはみ出し量の測定には顕微鏡としてＤ３００（株式会社ニコン製）を用い、この顕微鏡に付帯のスケールバーを用いて測定した。また、基材２０１としてシリコン基材を用い、図１に示したナノインプリント装置１００を用いた。
【００４６】
図７は、今回の測定に用いたモールド２０３の構成を示す平面図である。このモールド２０３は、外形が２５ｍｍ×２５ｍｍの正方形であり、その正方形の各辺の端部からそれぞれ２ｍｍ内側に入った位置に凹パターン２０３Ａを目印として形成している。このモールド２０３は石英製である。
【００４７】
次に、光硬化樹脂のはみ出し量を測定する手順について図８を参照して説明する。
（１）シリコン基材上に光硬化樹脂１．０（μｌ）をモールド２０３の中心に滴下する（図８（Ａ）参照）。
（２）ナノインプリント装置１００において、モールド２０３を光硬化樹脂に１．０ｋＮの力で押し付け、その状態で１０分間保持させる。
（３）保持させた後、チャンバ１０１を閉じ、酸素濃度３０（ｖｏｌ％）雰囲気又は真空雰囲気（酸素濃度０（ｖｏｌ％））として、光源１０４により３００（ｍＪ／ｃｍ２）照射し（図８（Ｂ）参照）、モールド２０３を引き剥がす（図８（Ｃ）参照）。このとき、紫外線はモールド２０３と接触している樹脂層２０２の部分だけでなく、モールド２０３からはみ出し樹脂層２０２の部分も含めて照射している。
（４）基材１０１をアセトンに５分間浸漬させた後、乾燥させる。
（５）モールド２０３からはみ出した樹脂層２０２の量を、モールド２０３の端（転写された目印から特定する）から、樹脂層２０２が最もはみ出している端までの長さ（図８（Ｃ）に示す計測箇所）を、顕微鏡に付帯のスケールバーを用いて計測する。
【００４８】
上記樹脂層２０２のはみ出し量の測定の結果を図９及び図１０に示す。図９は、光硬化樹脂ＰＡＫ−０１のはみ出し量を本案と従来で比較して示す顕微鏡写真である。図１０は、酸素濃度（ｖｏｌ％）を変化させて光硬化樹脂ＮＩＦ−Ａ−１及びＰＡＫ−０１のはみ出し幅（ｍｍ）を測定した結果を示す図である。
【００４９】
図９において、（Ａ）は本案の酸素濃度３０（ｖｏｌ％）雰囲気により凹パターンを転写した光硬化樹脂の目印近傍の顕微鏡写真であり、（Ｂ）は従来の酸素濃度を上げずに凹パターンを転写した樹脂の目印近傍の顕微鏡写真である。これらの写真から明らかなように、本案の光硬化樹脂のはみ出しは殆どなく、従来の光硬化樹脂のはみ出しが認められた。また、図１０に示すはみ出し幅の測定結果では、光硬化樹脂ＮＩＦ−Ａ−１及びＰＡＫ−０１は共に酸素濃度（ｖｏｌ％）を上げていくことで凹パターンを転写した光硬化樹脂のはみ出し幅が小さくなることが判明した。ＰＡＫ−０１を用いた場合は、酸素濃度０（ｖｏｌ％）の時のはみ出し幅は３．２ｍｍであり、酸素濃度３０（ｖｏｌ％）の時のはみ出し幅は０．４ｍｍであり、はみ出し幅が１／８に小さくなった。ＮＩＦ−Ａ−１を用いた場合は、５．６ｍｍから０．１ｍｍと更にはみ出し幅が小さくなった。但し、ＮＩＦ−Ａ−１は、大気中であっても、はみ出し幅が小さくなることを確認した。このことから、酸素濃度３０（ｖｏｌ％）雰囲気でモールドパターンを転写することは、そのモールドパターンの外周からはみ出す樹脂のはみ出し幅を減少させる点で有効であることが判明した。
【００５０】
以上の測定の結果、酸素濃度３０（ｖｏｌ％）雰囲気中でモールドパターンを光硬化樹脂に転写することにより、はみ出し量が少なくなることが判明した。また、モールドパターンを転写した光硬化樹脂のはみ出し部分は、アセトンに浸漬させることで除去できることを確認した。また、酸素濃度を上げずにパターン２０３Ａを転写した樹脂のはみ出し部分は、アセトンに浸漬しても除去できないことを確認した。
【００５１】
したがって、酸素濃度３０（ｖｏｌ％）雰囲気中でモールドパターンを光硬化樹脂に転写することにより、その外周部にはみ出した部分の光硬化樹脂の硬化を阻害して、はみ出した部分をアセトンにより容易に除去できる。このため、上記特許文献１のようにレジストの硬化を阻害するための遮光部材をモールドに設ける必要がなく、ナノインプリント装置１００のチャンバ１０１内の酸素濃度を調整するだけで、パターン２０３Ａを転写する領域からはみ出した部分の樹脂の硬化を阻害することが容易にできる。また、モールドに遮光部材を設ける必要がなくなるため、モールドを保持する箇所を自由に設計することが可能になる。
【００５２】
さらに、基材上に同様のパターンを転写した樹脂層を繰り返し形成する、いわゆる、ステップアンドリピート方式の場合、上記樹脂層２０２のはみ出し部分を除去することにより、パターンを転写した樹脂層の間隔を詰めて密に形成することが可能になる。すなわち、図１１（Ａ）に示すように、本実施の形態のナノインプリント製造方法を繰り返し実行して、基材２０１上にパターンを転写する樹脂層２０２を形成する工程を繰り返し実行することにより、各樹脂層のはみ出し部分を除去して、パターンを有する樹脂層２０２の間隔を詰めて密に形成することが可能になる。また、図１１（Ｂ）に示すように、基材２０１上に従来のパターンを転写する樹脂層２０２を形成する工程を繰り返し実行した場合は、各樹脂層のはみ出し部分が残った状態でパターンを有する樹脂層２０２が形成されるため、樹脂層２０２の形成間隔は拡がる。したがって、本実施の形態のナノインプリント製造方法を適用することにより、基材の面積を有効に利用して複数のパターンを有する樹脂層を形成することが可能になり、ナノインプリントの構造体２００の製造効率の向上を図ることができる。なお、図１１（Ａ）に示したパターンを有する樹脂層２０２は、横方向に配置した場合を示したが、二次元（行方向及び列方向）に複数配置する場合も同様に間隔を詰めて密に形成することが可能になる。
【００５３】
なお、本実施形態では、光硬化樹脂としてＮＩＦ−Ａ−１及びＰＡＫ−０１を用いた場合を示したが、酸素により硬化を阻害することが可能な光ラジカル重合性を有する光ラジカル硬化樹脂であればよい。
【符号の説明】
【００５４】
１００…ナノインプリント装置、１０１…チャンバ、１０２…酸素供給装置、１０３…排気ポンプ、１０４…光源、２００…ナノインプリントの構造体、２０１…基材、２０２…樹脂層、２０２Ａ…硬化部、２０２Ｂ…未硬化部、２０３…モールド、２０３Ａ…凹凸パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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