(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲージウエハと、
前記ゲージウエハに結合されたキャップウエハと、
スペーサーウエハと
を備える微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサであって、
前記ゲージウエハは、
ダイヤフラム領域及び台座領域を備える微細加工構造体であり、前記ダイヤフラム領域の第１の表面が、前記ダイヤフラム領域を偏向させる圧力を及ぼす加圧媒体によって接近されるような構成とされている、微細加工構造体と、
前記第１の表面とは反対側の前記ダイヤフラム領域の第２の表面上に配置された電気絶縁層と、
前記ダイヤフラム領域の前記第２の表面上に配置された前記電気絶縁層上にパターン形成された複数の感知素子であり、該感知素子の物質の熱膨張係数が、前記ゲージウエハの物質の熱膨張係数と実質的に一致している、複数の感知素子と
を備え、
前記キャップウエハは、
前記ゲージウエハに面した該キャップウエハの内側表面に、前記感知素子を包囲し且つ前記感知素子の外部環境への露出を阻止する密封基準空洞を画成する凹所と、
前記感知素子から前記内側凹所表面とは反対側の前記キャップウエハの外側表面へ電気接続を引き出すための導電性物質で形成された複数のウエハ貫通埋込みビアと
を備え、
前記スペーサーウエハは、前記ダイヤフラム領域に整列された中央開口を有しており、前記微細加工構造体の前記台座領域に結合されている、微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項２】
前記微細加工構造体は、シリコンから形成されており、前記感知素子を含む層は、望ましいシート抵抗を達成するようにドープされたシリコンから形成されている、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項３】
前記キャップウエハは、導電性物質から形成されており、前記キャップウエハの部分が前記埋込みビアとして使用されており、前記埋込みビアは、電気絶縁側壁を有している、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項４】
前記感知素子を含む前記層は、多結晶シリコン層と、単結晶シリコン層と、前記電気絶縁層の上部に犠牲ウエハを融合結合させ、続いて前記犠牲ウエハの実質部分を除去することにより形成された層とのいずれかである、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項５】
前記スペーサーウエハは、パイレックス又はシリコンから形成される、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項６】
前記スペーサーウエハ及び前記微細加工構造体は、次の処理、即ち、陽極結合、融合結合、ガラスフリット結合、共晶結合、半田予備成形結合及び熱圧縮結合のうちの１つを使用することにより結合される、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項７】
前記キャップウエハは、ガラスフリット結合、共晶結合、半田予備成形結合、フリップチップ結合、融合結合又は熱圧縮結合を使用して、前記ゲージウエハに結合される、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項８】
耐腐食性物質の層が、前記加圧媒体により接近される前記ダイヤフラム領域の前記第１の表面上に堆積される、請求項１に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項９】
前記耐腐食性物質は、酸化アルミニウムである、請求項８に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１０】
ゲージウエハと、
前記ゲージウエハに結合されたキャップウエハと、
周辺結合パッドと、
スペーサーウエハと
を備える微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサであって、
前記ゲージウエハは、
ダイヤフラム領域及び台座領域を備える微細加工構造体であり、前記微細加工構造体の第１の表面が、前記ダイヤフラム領域を偏向させる圧力を及ぼす加圧媒体によって接近されるような構成とされている、微細加工構造体と、
前記第１の表面とは反対側の前記ダイヤフラム領域の第２の表面上の電気絶縁層と、
前記ダイヤフラム領域の前記第２の表面上の前記電気絶縁層上にパターン形成された複数の感知素子であり、該感知素子の物質の熱膨張係数は、前記ゲージウエハの物質の熱膨張係数と実質的に一致している、複数の感知素子と、
を備えており、
前記キャップウエハは、前記ゲージウエハに面した該キャップウエハの内側表面に、前記感知素子を包囲し且つ前記感知素子の外部環境への露出を阻止する密封基準空洞を画成する凹所を備えており、
前記周辺結合パッドは、前記感知素子から前記密封基準空洞の外へ電気接続を引き出すように前記ゲージウエハ上に画成されており、
前記スペーサーウエハは、前記ダイヤフラム領域に整列された中央開口を有しており、前記微細加工シリコン構造体の前記台座領域に結合されている、微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１１】
前記微細加工構造体は、シリコンから形成されており、前記感知素子を含む層は、望ましいシート抵抗を得るようにドープされたシリコンから形成されている、請求項１０に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１２】
前記感知素子を含む前記層は、多結晶シリコン層と、単結晶シリコン層と、前記電気絶縁層の上部に犠牲ウエハを融合結合させ、続いて前記犠牲ウエハの実質部分を除去することにより形成される層とのいずれかである、請求項１０に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１３】
前記スペーサーウエハは、パイレックス又はシリコンから形成されている、請求項１０に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１４】
前記スペーサーウエハ及び前記微細加工構造体は、次の処理、即ち、陽極結合、融合結合、ガラスフリット結合、共晶結合、半田予備成形結合及び熱圧縮結合のうちの１つを使用して結合されている、請求項１０に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１５】
前記キャップウエハは、ガラスフリット結合、融合結合、共晶結合、半田予備成形結合、フリップチップ結合又は熱圧縮結合を使用して、前記ゲージウエハに結合されている、請求項１０に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１６】
耐腐食性物質の層が、前記加圧媒体によって接近される前記微細加工構造体の前記第１の表面上に形成されている、請求項１０に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【請求項１７】
前記耐腐食性物質は、酸化アルミニウムである、請求項１６に記載の微小電気機械システム圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]本発明は、圧力感知に係り、特に、高温での強いないしは厳しい加圧媒体（ｈａｒｓｈ  ｐｒｅｓｓｕｒｉｚｅｄ  ｍｅｄｉｕｍ）及び／又は導電加圧媒体における圧力感知に係る。
【背景技術】
【０００２】
[0002]種々な用途において、ダイヤフラムベースの圧力センサが使用されてきており、そこでは、加圧媒体により及ぼされる圧力によりダイヤフラムが偏向させられ、そのダイヤフラムに結合された感知素子（歪みゲージの如き）が、その偏向を感知して、圧力量に従ったダイヤフラムの偏向に相関した信号を与える。
【０００３】
[0003]圧力センサには、主として２つのタイプがある。第１のタイプは、ゲージ圧力センサと称されるものであり、これは、大気圧に対する圧力を測定するものである。第２のタイプは、絶対圧力センサと称されるものであり、これは、典型的には、真空又は零圧力に対する圧力を測定するものである。
【０００４】
[0004]図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、従来のゲージ圧力センサ１００及び従来の絶対圧力センサ１１０を示しており、これらは、共に、カリフォルニア州ミルピタスのシリコンマイクロストラクチャーズ社によるものである（圧力センサモデルＳＭ５１０２）。両圧力センサ１００及び１１０は、上部又は外側表面に感知素子（図示せず）を有したダイヤフラムを持つシリコン微細加工構造体（ゲージウエハとしても知られている）を使用している。その微細加工構造体は、支持構造体（スペーサーとしても知られている）に取り付けられる。これら圧力センサの典型的な諸寸法は、ミリメートルにて示される。両圧力センサ１００及び１１０は、トップサイド圧力センサであり、即ち、ダイヤフラムの上部又は外側部が加圧媒体により接近されるものである。ゲージ圧力センサ１００における支持構造体は、ダイヤフラムの対向側部（即ち、底部側又は内側部）を大気圧に対して露出させる開口を有している。一方、絶対圧力センサ１１０における支持構造体は、開口を有しておらず、ダイヤフラムの下に真空基準空洞を画成している。両圧力センサ１００及び１１０は、厳しい圧力媒体（燃料混合体、酸性溶液等の如き）を含む用途の場合には理想的なものではない。何故ならば、そのダイヤフラムの上部側の感知素子は、もしその感知素子の保護被覆が損傷させられてしまう場合には、厳しい加圧媒体と接触してしまうことがあり得るからである。
【０００５】
[0005]ゲージ圧力センサは、大気圧に対する圧力を示す。大気圧は、高度及び天候状態につれて変化する。従って、高精度が必要とされるところでは、絶対圧力センサの方が好ましいことが多い。例えば、ゲージ圧力指示は、大気圧の変化のため２から３ｐｓｉ（ポンド／平方インチ）だけ変化してしまうことがある。従って、それは、全目盛りが１００ｐｓｉの場合には、圧力指示の２％から３％の誤差となってしまう。５００ｐｓｉより下のほとんどの新しい圧力センサの用途では、動作温度範囲、圧力範囲に亘って及びその製品の寿命に亘って、＋／−１％の精度が必要とされている。従って、このような用途においては、絶対圧力感知が非常に重要となってきている。
【０００６】
[0006]図２は、カリフォルニア州ミルピタスのシリコンマイクロストラクチャーズ社による従来の絶対圧力センサ２００（圧力センサモデルＳＭ５１１２）を示している。この圧力センサ２００は、微細加工されたダイヤフラムを有するシリコンゲージウエハを使用している。ゲージウエハに対して密封されたホウケイ酸ガラスキャップにより、ダイヤフラムの上部に基準真空空洞が作り出されている。加圧媒体は、ダイヤフラムの底部側から圧力を及ぼす。支持構造体（スペーサー）は、加圧媒体がダイヤフラムの底部側に接近できるようにする穴あけ加工された穴を中央部に有するホウケイ酸ガラスで形成されている。ダイヤフラムの上部側には、歪みゲージ感知素子、相互接続拡散抵抗、及び歪みゲージ感知素子から電気信号を引き出すための電気相互接続金属化部が設けられている。このような構成は、厳しい加圧媒体を含む用途のためにはより良いものである。何故ならば、それら感知素子は、加圧媒体から分離されているからである。しかしながら、真空空洞を作り出すようにしてホウケイ酸ガラスキャップをシリコンゲージウエハに取り付けることは、非常に費用の掛かるプロセスとなる。
【０００７】
[0007]圧力センサ２００が直面する別の問題は、感知素子における電気的漏洩のため高温度に耐えることができないことである。圧力センサ２００は、感知素子（歪みゲージとして構成された）としてピエゾ抵抗を使用している。典型的なピエゾ抵抗歪みゲージにおいては、４つのピエゾ抵抗が、ダイヤフラムの上部にてホイートストンブリッジ構成（図４参照）で接続されている。加えられる圧力によりダイヤフラムが偏向されるとき、ダイヤフラムに誘起される応力により、それらピエゾ抵抗のそれぞれの抵抗値が変化させられ、その結果として、ホイートストンブリッジに不平衡が生ずる。この不平衡ピエゾ抵抗ブリッジにより、その加えられた圧力に比例した電気信号出力が生成される。シリコンダイヤフラムにおいて、ピエゾ抵抗は、標準の写真平版処理を使用して低コストにて集積形成することができる。図３に示されるように（ここでは、ゲージウエハのみが示されている）、ピエゾ抵抗は、ダイヤフラムのバルク物質に埋め込まれた反対極性領域の拡散ウエルとして画成することができる。図３の挿入図に示されるように、ｐ型拡散ピエゾ抵抗が、上部インシュレータ層に写真平版にてウインドウを開けて、それから、望ましいシート抵抗率を達成するようにｐ型物質（例えば、ホウ素）をドーピングすることにより、ｎ型バルクシリコンダイヤフラムに作り出される。これらピエゾ抵抗は、図４の等価回路に示されるように、ダイヤフラム基板とでダイオード状ｐ−ｎ接合を作り出している。約１２５℃を越えた温度では、これらｐ−ｎ接合は、温度上昇につれて指数関数的に漏洩電流が増大していくような漏出ダイオードのような挙動を示す。図４に示されるように、周囲の加圧媒体が導電性である場合には、電流がその加圧媒体（等価回路において抵抗Ｒで表されている）を通して接地へと漏れる。このような電流漏洩は、より高い温度では相当なものとなり、感知機能不全を生じせしめ、不可逆な物理的損傷を生じせしめてしまうことがある。明瞭なものとするため、図３には示していないが、当業者であれば、歪みゲージピエゾ抵抗に結合された相互接続拡散抵抗（図２に示されたような）もまた、高温度では電流漏洩を起こすものであることは理解されよう。更に又、製造プロセス中における汚染により、室温の如きより低い温度でもダイオード電流漏洩が生じてしまうことがある。
【０００８】
[0008]前述した例では、一体化感知素子を有するシリコンダイヤフラムが使用されている。シリコンダイヤフラム及び一体化感知素子は、バッチ処理を使用して容易に製造することができるので、一般的である。しかしながら、特定の用途に基づき、ある従来の圧力センサでは、ダイヤフラムとセンサとは分離することができる。こうすることは、厳しい加圧媒体適合性の観点からは有用である。何故ならば、ダイヤフラムを、ステンレス鋼の如き耐腐食性物質で形成することができ、感知素子を、シリコンで形成することができ、そして、付加的な圧力伝動媒体で満たされた密封チャンバにおいて加圧媒体に対して露出されない状態に保つことができるからである。このようなタイプのセンサの１つの例は、圧力伝動媒体がオイルであるようなオイル充填センサと称される。このようなプロセスは、オイル充填を真空中において行わなければならないので、比較的に費用の掛かるものとなってしまうことがある。このような方法では誤差が生じてしまう。何故ならば、通常、密封後チャンバ内に少量の残留空気が残ってしまうからである。そのオイル体積部及び気泡に対する熱効果によっても、圧力指示の誤差が増大させられてしまう。参考のため、Bang氏等に対する米国特許第６，３１１，５６１号明細書を参照されたい。
【０００９】
[0009]耐腐食性金属ダイヤフラムの場合には、歪みゲージは、通常、ダイヤフラムの上に薄い金属膜を堆積させパターン形成することにより画成される。例えば、酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）歪みゲージ層が、二酸化シリコン被覆ステンレス鋼ダイヤフラム上に堆積させられる。しかしながら、典型的には、このようなタイプの歪みゲージは、微細加工シリコンピエゾ抵抗歪みゲージより、ゲージファクタが低く、圧力測定精度に影響が及ぼされてしまう。
【００１０】
[0010]微細加工シリコンピエゾ抵抗歪みゲージが酸化物被覆金属ダイヤフラムに結合されるようなハイブリッド構成を採用することにより、このような低いゲージファクタの問題に対処することができる。しかしながら、このようなハイブリッド圧力センサは、感知素子とダイヤフラムとの間の熱膨張の不一致の問題を被ってしまう。更に又、このようなハイブリッド構造は、バッチ処理をするのに効率的でないことがある。感知素子の上部に真空密封空洞を付加すると、非常に費用の掛かるものとなってしまう。ステンレス鋼ダイヤフラムの上に酸化物を堆積するのでさえ、費用の掛かる微細な研磨処理が必要とされる。このようなハイブリッド圧力センサでは、動作温度が、典型的には、１４０℃に限定されてしまう。
【００１１】
[0011]感知素子が密封基準空洞内に包囲されているような絶対圧力センサは、感知素子を厳しい加圧媒体から保護することができるという効果が得られる。しかしながら、感知素子から密封チャンバの外へ電気接続を引き出すために、特別な設計及び処理ステップが必要とされ、即ち、センサのパッケージングに費用が掛かってしまう。米国特許第５，９２９，４９７号明細書及び第６，１０９，１１３号明細書には、真空空洞から電気接続を引き出す１つの方法が示されている。このプロセスは、複雑であり、容量性センサ及びポリシリコン接続を使用するものである。ウエハは、静電結合技法を使用して結合される。付加回路を伴う同じ技法が、米国特許第６，７１３，８２８号明細書に記載されている。これらの技法は、自動車用途における周囲及び大気圧以下の圧力レベルに適したものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
[0012]従って、これらに限定されないが、高精度絶対圧力感知、広い圧力範囲、強いないしは厳しい加圧媒体（ｈａｒｓｈ  ｐｒｅｓｓｕｒｉｚｅｄ  ｍｅｄｉｕｍ）との化学的及び電気的適合性、高温度を含む全ての温度範囲に亘る信頼性のある動作、製造及びパッケージングの容易性、コンパクトなサイズ及び低コストというような特徴を含む複数の望ましい特徴の組合せを備える新しい圧力センサが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
[0013]感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離された圧力センサが提供される。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。
【００１４】
[0014]一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。
【００１５】
[0015]別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。
【００１６】
[0016]種々な実施形態において、通常のシリコンオンインシュレータウエハ又は二重シリコンオンインシュレータウエハを、ゲージウエハとして使用することができ、そして、ダイヤフラムを画成するのに、適当な微細加工ステップを採用することができる。
【００１７】
[0017]特定の実施形態では、耐腐食性物質の層が、前記加圧媒体により接近される前記ダイヤフラムの表面上に形成される。
【００１８】
[0018]本明細書に組み入れられ且つ本明細書の部分を構成する添付図面は、実施形態の１つ以上の実施例を例示しており、典型的な実施形態の説明と相俟って、それら実施形態の原理及び実施を説明するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】従来のトップサイド圧力センサを示す。
【図１Ｂ】従来のトップサイド圧力センサを示す。
【図２】電気的に隔離されていない感知素子を有する典型的な従来の絶対圧力センサを例示している。
【図３】従来の微細加工シリコン圧力センサの電気的に隔離されていない感知素子（ピエゾ抵抗）の詳細を例示している。
【図４】図３に示すような構成が直面する電流漏洩の問題を例証する等価電気回路を示す。
【図５】感知素子がダイヤフラムから電気的に隔離されているような１つの実施形態を示す。
【図６】感知素子から電気接続を引き出すためのウエハ貫通垂直ビアを使用する１つの実施形態を示す。
【図７Ａ】図６に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図７Ｂ】図６に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図７Ｃ】図６に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図７Ｄ】図６に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図７Ｅ】図６に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図７Ｆ】図６に示す圧力センサと同様に感知素子から電気接続を引き出すためにウエハ貫通垂直ビアを使用し、ゲージウエハとして二重シリコンオンインシュレータウエハを使用する１つの実施形態を示す。
【図８】感知素子から電気接続を引き出すため周辺結合パッドを使用する１つの実施形態を示す。
【図９Ａ】図８に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図９Ｂ】図８に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図９Ｃ】図８に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図９Ｄ】図８に示す圧力センサを製造するため１つの実施形態において使用される種々な処理ステップを示す。
【図１０】ここに開示する圧力センサの種々な実施形態を使用することができる典型的な自動車において見られる種々な温度分布プロフィールを示す。
【図１１】ここに開示する圧力センサの種々な実施形態についての典型的な動作状態を表の形式にて示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
[0020]当業者であれば、以下の説明は、単なる例示であり、如何様にもこれらに限定しようとしているものではないことは理解されよう。本明細書の記載からすれば、当業者には、他の実施形態について容易に示唆されるであろう。添付図面に例示されたような典型的な実施形態の実施について、以下詳細に説明する。添付図面及び以下の説明を通じて、同じ又は同様の項目を示すのに同じ参照符号が使用されている。
【００２１】
[0021]本明細書に従って、ここに説明される構成部分及び処理ステップは、種々なタイプの半導体製造装置を使用して実施することができる。用語「実施形態」は、２つ以上の実施形態を包含するものであり、従って、１つのみの実施形態に限定されるものではない。
【００２２】
[0022]実施形態は、図１０及び図１１に関して説明されるような自動車用途を含み、広範囲に亘る温度及び圧力に対して使用することができる圧力センサについて説明されている。絶対圧力センサについて例示目的で詳細に説明するが、当業者であれば、ゲージ圧力センサの如き他のタイプの圧力センサを形成するのに、同様の処理を使用することができることは理解されよう。絶対圧力センサの場合においては、基準空洞は、実際の真空又は零圧力にあってもよく、又は、既知の基準圧力でもって化学的に適合性のある流体（ガス又は液体の如き）で充填され、絶対圧力を決定するように較正されてもよい。
【００２３】
[0023]ダイヤフラムを含む微細加工ゲージウエハ、ダイヤフラムの上部に基準空洞を作り出すキャップウエハを形成するための選択物質として、シリコンが示されることが多いのであるが、本発明の範囲は、物質の選択によって限定されるものではない。同様に、示されたようなスペーサーは、シリコン又はパイレックス又は他のタイプのガラス又はセラミック物質で形成することができるのであるが、本発明は、スペーサー物質の選択により限定されるものではない。
【００２４】
[0024]当業者であれば、本発明の実施形態は、ゲージウエハの物質及び感知素子の物質が同様の熱膨張係数を有する場合には、より良い熱性能及び寿命を有するようになるであろうことは、理解されよう。
【００２５】
[0025]図５は、本発明の圧力センサ実施形態５００を示しており、この実施形態では、感知素子５０２は、ダイヤフラム５０６の背面側から圧力を及ぼす加圧媒体から電気的且つ物理的に隔離されている。ゲージウエハ５１８は、バルクシリコンで形成することができる。ダイヤフラム５０６は、これに限定されないが、異方性ウエット化学エッチング及びドライエッチング（深掘り反応性イオンエッチングの如き）を含む種々な微細加工技法を使用して画成することができる。ダイヤフラムを画成するため、ゲージウエハ５１８の中央部分を微細加工により薄くし、一方、非エッチング台座部分５０８は、そのままに維持され、構造的支持部とされている。１つの実施形態では、ダイヤフラム５０６は、約２７ミクロンの厚さとすることができる。しかしながら、ダイヤフラムの厚さは、測定すべき圧力の範囲に依存している。微細加工構造体／ゲージウエハ５１８のダイヤフラム領域の内側表面５０７は、ダイヤフラム５０６を偏向させる加圧媒体により接近される。微細加工構造体／ゲージウエハ５１８のダイヤフラム領域の外側表面５０９の上に、電気絶縁物質５０４の層が、形成され、又は熱的に成長させられている。絶縁物質５０４は、二酸化シリコン又は別の適当な絶縁物質であってよい。挿入図に詳細に示されているように、この実施形態５００では、ｐ−ｎ接合は形成されていないので、図３に示した従来の圧力センサの場合のように、高温度で電流漏洩が生ずるような可能性はない。従って、このような構成は、加圧媒体が導電性であっても、高温動作（３５０℃又はそれより高い温度でも）に適したものである。この実施形態５００は、感知素子５０２を包囲する基準空洞の無いものとして示されている。しかしながら、当業者であれば、実施形態５００に示された構造体を変更して、絶対圧力センサとすることができよう。又、この図では、図を簡略化するために、感知素子５０２から電気信号を取り出すための相互接続は示されていない。
【００２６】
[0026]感知素子５０２は、ピエゾ抵抗歪みゲージとして作用するように、電気的構成において配列されたピエゾ抵抗であってよい。別の仕方として、本発明の範囲から逸脱せずに、他のタイプの歪みゲージを使用することができる。
【００２７】
[0027]感知素子５０２は、単結晶又は多結晶シリコン又は薄化バルクシリコン又はＴｉＯＮの如き他のタイプの歪みゲージ物質で形成することができる。しかしながら、シリコンゲージウエハ５１８の場合には、シリコン感知素子５０２は、物質の論理的選択である。多結晶シリコン（感知素子５０２の層のために）が、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）処理を使用して熱成長二酸化シリコン層５０４の上部に形成される。典型的には、単結晶シリコンは、ポリシリコンに比べてより高いゲージファクタを有している。ポリシリコンのゲージファクタは、その粒度に依存している。シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ゲージウエハを形成するには、単結晶シリコン膜が、酸素注入による分離（ＳＩＭＯＸ）プロセスによるか、又は融合結合（ｆｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＳＩＭＯＸプロセスにおいては、酸素イオンがシリコンの薄膜を通して注入され、それから、上部に単結晶シリコンの薄膜を有する二酸化シリコンへと変換するため加熱処理される。シリコンオン酸化物（ＳＯＩ）は、融合結合（直接結合）を使用して犠牲シリコンウエハを別の酸化物被覆シリコンウエハへと結合させることによっても形成することができる。犠牲ウエハは、後で、酸化物インシュレータ層の上部の比較的に薄い膜まで研削され、ラップ仕上げされ、及び／又は研磨される。それから、その薄い単結晶又は多結晶シリコンは、必要なシート抵抗を達成するため、イオン注入又は熱拡散を使用してホウ素（又は他のドーパント）でドープされる。感知素子５０２を形成するようにその単結晶又は多結晶シリコン膜をパターン形成するため、写真平版及び反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が使用される。パターン形成された金属膜（図示せず）により、ホイートストンブリッジを形成するように感知素子５０２を接続する。従って、感知素子５０２の温度膨張は、シリコンダイヤフラム５０６と十分に整合しており、熱的に誘起される応力は実質的には存在しないものとなる。
【００２８】
[0028]微細加工ゲージウエハ５１８は、融合結合、陽極結合（ａｎｏｄｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、共晶結合（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、半田予備成形結合（ｓｏｌｄｅｒ  ｐｒｅｆｏｒｍ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、ガラスフリット結合（ｇｌａｓｓ  ｆｒｉｔ  ｂｏｎｄｉｎｇ）又は別の結合（接合）技法を使用して、スペーサーウエハ５２０に結合される。この結合は、高温動作又は結合の後に行われるどのようなその後の処理又はパッケージングステップに耐えることのできるものでなければならない。図５に示されるように、結合表面は、微細加工ゲージウエハ５１８の台座５０８の底部表面５１０及びスペーサー５２０の上部表面５１２を含む。典型的には、陽極結合は、パイレックススペーサーウエハに対して使用され、融合結合、ガラスフリット結合、共晶結合又は熱圧縮結合（ｔｈｅｒｍｏ−ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）は、シリコンスペーサーウエハに対して使用される。本発明の範囲から逸脱せずに、他のタイプのスペーサー物質及び結合技法を使用することができる。スペーサーウエハは、ゲージウエハがこのゲージウエハとは異なる熱膨張係数を有しているかもしれないハウジング又はパッケージに取り付けられるときに、応力除去を行う。
【００２９】
絶対圧力センサの典型的な実施形態１
[0029]図６は、本発明の第１の実施形態６００を示す。図６に示す絶対圧力センサ６００は、図５に示した圧力センサ５００と同様であるが、図５には示されていない付加的な構造的構成部分が示されている。
【００３０】
[0030]この圧力センサ６００は、３つの主たる構造的構成部分、即ち、ゲージウエハ５１８、キャップウエハ５３０及びスペーサーウエハ５２０を備えている。典型的な諸寸法としては、ゲージウエハの厚さｂ＝０．４ｍｍ、スペーサーウエハの厚さｃ＝０．５ｍｍ、キャップウエハの厚さａ＝０．５ｍｍである。その他の諸寸法、即ち、ゲージウエハの幅ｇ、スペーサーウエハの内側及び外側直径（それぞれ、ｅ及び（ｅ＋２ｆ）、ダイヤフラム領域の幅ｄ等もまた、典型的には、ミリメートルの範囲にある。薄化シリコンダイヤフラムの典型的な厚さは、２７ミクロンである。物質及び構成に依存して、他の諸寸法でも可能である。
【００３１】
[0031]ゲージウエハ５１８は、シリコンインターコネクタ５０３、平坦化／不動態化層５５８、バリア金属層５５６及び結合金属層５５４を含むことができる。インターコネクタ５０３は、典型的には、感知素子５０２と同じ物質で形成される。層５５４の典型的な組成及び厚さは、金で１ミクロンである。バリア金属層５５６は、２０００ÅのＴｉ／Ｐｔ又はＴｉ／Ｗであることができる。図６に示す実施形態では、キャップウエハ５３０をゲージウエハ５１８に結合するのに、共晶金結合が使用される。他の結合技法を使用することができ、そして、その結合技法に従って他の界面層を使用することができる。平坦化／不動態化層５５８は、５００Åの二酸化シリコン及び２０００Åの窒化シリコンであることができる。図６に示されるように、オンウエハシリコン相互接続５０３との接触のため、平坦化／不動態化層５５８にウインドウが開けられる。感知素子５０２は、図６に示すように、露出させることができ、又は、図８に示すように、平坦化／不動態化層８５８（層５５８と同様の）により覆われるようにすることもできる。
【００３２】
[0032]ダイヤフラム５０６の底部に、外部金属層５６０を形成させることができる。例えば、もし、この圧力センサ６００を収容するハウジング／パッケージ（図示せず）に結合するためスペーサーウエハ５２０がブランケット被覆されている場合には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ５００Å／１０００Å／１５００Å金属層を形成させることができる。そのハウジングは、加圧媒体と適合したコバール又は他の物質で形成することができる。
【００３３】
[0033]キャップウエハ５３０は、ゲージウエハ５１８に結合されるとき、基準空洞５３５を作り出す。キャップウエハ５３０は、凹所５３２を含む底部表面５３７を有する。凹所５３２の位置及び寸法は、それが感知素子５０２を包囲するようなものとされている。キャップウエハ５３０は、導電性である埋込みビア５５０を含む。ビア５５０は、もし、キャップウエハが導電性物質で形成されている場合には、絶縁側壁５５２を有することができる。図７Ａに関して説明されるように、１つの実施形態では、ビアは、絶縁側壁により取り巻かれた導電性キャップウエハの部分として画成することができる。他の実施形態では、キャップウエハは、電気絶縁物質であってよく、そして、ビアは、そのキャップウエハを貫通する導電性通路である。感知素子５０２への電気接続は、ビア５５０を通してキャップウエハ５３０の外側表面５４１へと引き出される。キャップウエハの外側表面５４１は、金属パッド５４０をパターン形成するように画成されたウインドウを持つ絶縁層５４２を有する。金属パッド５４０は、１ミクロン厚さのＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕ又は他の相互接続又は結合金属化部で形成することができる。
【００３４】
[0034]図６に示した実施例では、キャップウエハの物質は、シリコンである。各ビア５５０の絶縁側壁により、そのビアは、キャップ５３０のバルクシリコン本体を通じて短絡されないようなものとされている。真空空洞から電気接続を引き出すのにウエハ貫通シリコンビアが使用される時には、キャップウエハ５３０は、比較的に低いバルク抵抗率を有するシリコン物質を使用する。キャップウエハとして、他のタイプの導電性物質を使用することもできる。
【００３５】
[0035]スペーサーウエハ５２０は、加圧媒体がダイヤフラムに接近できるようにする中央穴５６２を有している。この穴５６２は、円形、正方形、長方形、多角形等を含む任意の幾何学形状のものであってよい。
【００３６】
[0036]図７Ａは、キャップウエハ５３０を形成する典型的な方法を示す。図７Ａにおいて、ステップ１にて、シリコンウエハ５３０Ａが深いトレンチ７１０ａ及び７１０ｂを画成するようにドライエッチングされる。トレンチ７１０ａは、ビア５５０ａを取り囲む連続トレンチであり、トレンチ７１０ｂは、ビア５５０ｂを取り囲む連続トレンチである。ステップ２にて、トレンチ７１０ａ及び７１０ｂは、絶縁側壁５５２ａ及び５５２ｂを作り出すように、二酸化シリコンの如き電気絶縁物で満たされる。ステップ３にて、ウエハ５３０Ａの下方部分７３２は、ウエハ貫通ビアを完成するように、研磨又はエッチング除去される。ステップ４にて、中央凹所５３２が、別のエッチングステップにより画成される。
【００３７】
[0037]図７Ｂは、スペーサーウエハ５２０を形成する典型的な方法を示す。ステップ１にて、シリコン／パイレックス又は他の物質ウエハ５２０Ａが望ましい厚さｃまで研磨される。ステップ２にて、穴５６２がその中央に形成される。この穴は、穴あけ加工又はウエハ貫通エッチングにより形成することができる。上方表面５１２は、ゲージウエハ５１８との結合のため更に処理される。スペーサーウエハ５２０Ａは、ゲージウエハ５１８に結合された後に研磨することもできることに注意されたい。
【００３８】
[0038]図７Ｃは、ゲージウエハ５１８を形成する典型的なステップを示す。ゲージウエハ５１８の処理は、二酸化シリコン層５０４の上部にシリコン層５０２Ａを有するシリコンオンインシュレータウエハ５１８Ａで出発することができる。別の仕方として、ステップ１にて、図５に関して説明されたように、層５０２Ａを、酸化物被覆シリコンウエハの上部に形成することができる。ステップ２にて、層５０２Ａは、感知素子５０２及び相互接続５０３を画成するようにパターン形成される。感知素子を保護するため、その上に不動態化層７０５が形成され、そして、ウエットエッチングのための準備として、その底部に幅ｄ１のウインドウが開けられる。不動態化層は、窒化シリコンを有することができ、ウエットエッチマスクとして作用する。幅ｄ１は、ダイヤフラム領域の望ましい最終幅ｄにより決定される。ウエットエッチステップ３にて、シリコンの異方性エッチングのため、ＫＯＨ溶液が使用される。ウエットエッチ処理の時間は、ダイヤフラムの望ましい厚さ（例えば、２７ミクロン）を得るため、精密に制御される。ダイヤフラムを画成するのに、ドライエッチングも使用する（図７Ｆに示されるように）こともできることに注意されたい。ステップ４にて、不動態化層が剥離される。
【００３９】
[0039]図７Ｄは、互いに結合されたゲージウエハ５１８とスペーサーウエハ５２０との組合せ体７２０を示す。前述したように、陽極結合、融合結合、ガラスフリット結合、共晶結合、半田予備成形結合又は熱圧縮結合の如き種々な結合技法を使用することができ、それに準じて、ゲージウエハ及びスペーサーウエハに対する界面調整がなされる。
【００４０】
[0040]図７Ｅは、ゲージ−スペーサー組合せ体７２０がどのようにしてキャップウエハ５３０に結合されるかを示す。ステップ１にて、平坦化／不動態化層５５８が形成され、感知素子５０２から電気接続を引き出すため、相互接続５０３上にウインドウ７５０が開けられる。ステップ２にて、バリア金属５５６及び結合金属層５５４が形成される。層５５４の典型的な組成及び厚さは、金で１ミクロンである。バリア金属層５５６は、２０００ÅのＴｉ／Ｐｔ又はＴｉ／Ｗである。これらのステップは、共晶結合に対するものである。半田予備成形結合、融合結合、フリップチップ結合（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、熱圧縮結合等の如き他の形式の結合に対しては、異なる界面調整が必要とされる。その結合処理は、真空基準空洞５３５を作りだし維持するに十分な信頼性のあるものでなければならないことに注意されたい。ステップ３にて、処理されたキャップウエハ５３０が、ゲージウエハ５１８に結合される。
【００４１】
[0041]本発明の範囲内において、これら構造及び処理ステップの変形が可能である。例えば、図７Ｅのステップ３において、酸化アルミニウムの如き耐腐食性物質の層７６２を、ダイヤフラム背面に形成させることができる。この層７６２は、非常に腐食性のある加圧媒体においてダイヤフラム５０６の背面を保護する。耐腐食性物質層７６２の形成は、金属層５６０（図６に示す）を付与する前に、行われなければならない。酸化アルミニウムは、液相堆積処理又は他のタイプの堆積（成膜）処理により形成することができる。
【００４２】
[0042]図７Ｅには示されていないが、絶縁層５４２の上部に金属化部５４０を付加し金属層５６０を付加することにより、図６に示す圧力センサ６００と同様の構造とすることができる。
【００４３】
[0043]前述の処理では、典型的なステップの１つのセットのみを示し説明している。必要に応じて、中間ステップを加えることもでき、又は、削除することもできる。これら処理ステップの順序は、本発明の範囲を限定しない。例えば、当業者であれば、ゲージウエハ５１８とキャップウエハ５３０とを最初に結合し、それから、それらキャップ−ゲージ組合せ体を、スペーサーウエハ５２０に結合させることができる。この場合には、キャップウエハ及びゲージウエハは、より高い温度での結合処理（例えば、共晶結合）を使用して結合することができ、これらは、比較的により低い温度での結合処理（例えば、半田予備成形結合）を使用してゲージ及びスペーサーウエハを結合させている間そのままに維持される。しかしながら、このより低い温度での結合処理は、依然として、加圧媒体の動作温度に耐えることのできるものでなければならない。又、ゲージウエハのウエットエッチング（ダイヤフラムを画成するための）は、キャップウエハがゲージウエハに結合された後に行うことができる。
【００４４】
[0044]図７Ｆは、ダイヤフラム５０６を画成するためにゲージウエハがどのようにして微細加工されるかを除いて、図６に示した実施形態６００と同様の別の圧力センサ実施形態７００を示す。この典型的な実施形態では、二重シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ７１８がゲージウエハとして選択される。ウエハ７１８の上部シリコン層７１８Ａは、２つの酸化物層５０４及び７０４の間に挟まれている。層７１８Ａの厚さは、ダイヤフラムの望ましい厚さにより決定される。ウエハ７１８の下方シリコン層７１８Ｂは、加圧媒体がそこを通してダイヤフラム５０６の底部側に達するようにする開口を作り出すようにドライエッチングされる。酸化物層７０４がエッチストップ層として作用した状態で、層７１８Ｂを貫通エッチングするのに、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を使用することができる。耐腐食性層７６２は、用途に依存して使用されてもよいし、使用されなくてもよい。
【００４５】
絶対圧力センサの典型的な実施形態２
[0045]図８は、圧力センサの別の典型的な実施形態８００を示しており、この場合には、感知素子５０２から電気信号を取り出すため、垂直ビアの代わりに、周辺結合パッド８４０が使用される。図８のキャップウエハ８３０は、シリコンの如き導電性物質で形成される必要はない。何故ならば、電気接続は、そのキャップ８３０を使用してなされないからである。しかしながら、バッチ処理の観点からすると、そのキャップとしてシリコンウエハを使用するのが効果的である。キャップウエハ８３０は、その底部表面に凹所８３２を有する。キャップウエハ８３０は、傾斜又は勾配付けされていても、いなくてもよい側壁８３１を有する。キャップウエハ８３０がゲージウエハ５１８と結合されるとき、密封された基準空洞８３５が作り出される。キャップウエハは、ゲージウエハの上部の平坦化層８５８と組み合う結合層８６０を有することができる。
【００４６】
[0046]圧力センサ６００及び７００と同様に、圧力センサ８００もまた、どのようなｐ−ｎ接合をも使用しておらず、高温用として適している。更に又、感知素子５０２は、加圧媒体と直接接触しないものとされているので、このような構成は、圧力センサ６００及び７００と同様に、厳しい加圧媒体に適合している。
【００４７】
[0047]図９Ａは、圧力センサ８００に示されたゲージウエハ５１８を形成する典型的な処理ステップを示す。ステップ１にて、酸化物層５０４が、シリコンウエハ５１８Ａ上に形成される。ステップ２にて、感知素子層５０２Ａが形成され、望ましいシート抵抗を得るためドーパントでドープされる。ステップ３にて、感知素子５０２及び相互接続５０３が、写真平版にてパターン形成される。ステップ４にて、感知素子５０２及び相互接続５０３を封入させるため、平坦化層８５８（ＰＳＧの如き）が形成される。この層８５８は、平坦化されている。ステップ５にて、相互接続５０３に接近できるように、平坦化層８５８にウインドウ８５９が開けられる。ステップ６にて、周辺結合パッド８４０が、相互接続５０３に接触するようにして形成され、これにより、感知素子５０２からの電気接続を真空空洞から引き出すことができる。ステップ７にて、ダイヤフラム５０６が、ウエットＫＯＨエッチにより画成される。ダイヤフラムを画成するのに、ドライエッチングを使用することもできる。窒化物マスク７０５を、ウエットエッチ処理のためのマスクとして使用することができる。ステップ７において示されていないのであるが、窒化物マスクで、ウエットエッチ中に金属パッド８４０を保護するようにすることができる。
【００４８】
[0048]図９Ｂは、キャップウエハ８３０を形成する典型的な処理ステップを示す。ステップ１にて、酸化物層８４２がシリコンウエハ８３０Ａ上に形成される。ステップ２にて、凹所８３２がドライ又はウエットエッチにより画成される。ステップ３にて、ウエハ８３０Ａの部分が、貫通エッチングにより除去される。この処理により、傾斜側壁８３１を作り出すことができる。ステップ４にて、ウエハ８３０Ａは、再酸化される。ステップ５にて、ガラスフリット結合が採用される場合には、ガラスフリット層８６０が形成される。他の結合技法の場合には、他のタイプの界面調整が必要とされる。
【００４９】
[0049]図９Ｃは、スペーサーウエハ５２０を準備するためのステップを示す。これらステップは、図７Ｂに示すステップと同一である。
【００５０】
[0050]図９Ｄは、キャップウエハ８３０、ゲージウエハ５１８及びスペーサーウエハ５２０が、圧力センサ実施形態８００を作り出すため、どのようにして組み立てられるかを概略的に示す。
【００５１】
[0051]前述したように、結合の順序は、本発明の範囲を限定しないが、それら処理ステップは、結合技法及び順序に適合するように設計される必要がある。
【００５２】
[0052]当業者であれば、実施形態８００において、ダイヤフラム５０６を形成するのに、二重ＳＯＩゲージウエハ（図７Ｆに示すような）を同様に使用することができることは理解されよう。更に又、ダイヤフラム５０６の底部表面に、耐腐食性層７６２（図７Ｅ及び図７Ｆに示すような）を使用することができる。
【００５３】
[0053]本発明の実施形態は、インテークマニホルド、トランスミッションライン、排気パイプ、タイヤ又はタイヤ近傍、エンジン又はエンジン近傍等におけるが如き自動車用途において使用することができる。これは、又、当業者には明らかとなるように、医用器具、宇宙航空、防衛及びその他の分野において適用できるものでもある。
【００５４】
[0054]自動車電子製品のための環境は、その車両内の場所に依存して異なる。一般的には、これらの環境は、より優しい家庭又はオフィス環境において使用される消費電子製品よりも厳しい。その厳しさは、より高い温度、高い湿度、振動等に起因している。図１０は、自動車のボンネットの下の異なる場所において直面する典型的な高い温度を示している（参考：The National Electronics Manufacturing Initiative (NEMI) Roadmap,December 2000）。
【００５５】
[0055]図１１の表１は、自動車圧力センサが自動車におけるその場所に依存して直面する温度極限を示す。それら示された温度は、センサパッケージング表面の温度である。センサ電子構成部分の内部温度は、通常、そのベースプレート温度よりも１０℃から１５℃高い。今日では、各モデルイヤー毎に、より多くの電子付属品が自動車に加えられてきている。ボンネット下温度が問題となり信頼性が主たる関心事となったとき、多くの自動車会社は、０℃〜２５℃仕様から−４０℃〜＋１２５℃仕様へと変更した。現在では、自動車圧力センサを含む多くの自動車構成部分は、１４０℃以上での非常に長い動作試験に合格しなければならない。本発明の実施形態は、より高い温度及び腐食性加圧媒体（排気ガス、トランスミッション流体等）を念頭において、開発されている。
【００５６】
[0056]種々な実施形態及び用途について示し説明してきたのであるが、当業者であれば、これら説明記載からすれば、ここに開示した発明概念から逸脱せずに、前述したものより多くの変形をなすことができることに気づくことは明らかであろう。従って、本発明は、特許請求の範囲の精神を除いて、限定されないものである。
【符号の説明】
【００５７】
１００・・・従来のゲージ圧力センサ、１１０・・・従来の絶対圧力センサ、２００・・・従来の絶対圧力センサ、５００・・・圧力センサ実施形態、５０２・・・感知素子、５０２Ａ・・・シリコン層（感知素子層）、５０３・・・シリコンインターコネクタ（相互接続）、５０４・・・電気絶縁物質（酸化物層）、５０６・・・ダイヤフラム（シリコンダイヤフラム）、５０７・・・ダイヤフラム領域の内側表面、５０８・・・非エッチング台座部分（台座）、５０９・・・ダイヤフラム領域の外側表面、５１０・・・台座の底部表面、５１２・・・スペーサーの上部表面、５１８・・・ゲージウエハ（微細加工構造体）、５１８Ａ・・・シリコンオンインシュレータウエハ、５２０・・・スペーサーウエハ、５２０Ａ・・・シリコン／パイレックス又は他の物質ウエハ（スペーサーウエハ）、５３０・・・キャップウエハ、５３０Ａ・・・シリコンウエハ、５３２・・・中央凹所、５３５・・・真空基準空洞、５３７・・・底部表面、５４０・・・金属パッド（金属化部）、５４１・・・キャップウエハの外側表面、５４２・・・絶縁層、５５０・・・導電性埋込みビア、５５０ａ・・・ビア、５５０ｂ・・・ビア、５５２・・・絶縁側壁、５５２ａ・・・絶縁側壁、５５２ｂ・・・絶縁側壁、５５４・・・結合金属層、５５６・・・バリア金属層、５５８・・・平坦化／不動態化層、５６０・・・外部金属層、５６２・・・中央穴、６００・・・第１の実施形態（絶対圧力センサ）、７００・・・別の圧力センサの実施形態、７０４・・・酸化物層、７０５・・・不動態化層（窒化物マスク）、７１０ａ・・・深いトレンチ、７１０ｂ・・・深いトレンチ、７１８・・・二重シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ、７１８Ａ・・・ウエハの上部シリコン層、７１８Ｂ・・・ウエハの下方シリコン層、７２０・・・ゲージウエハ−スペーサー組合せ体、７３２・・・ウエハの下方部分、７５０・・・ウインドウ、７６２・・・耐腐食性物質層、８００・・・圧力センサの別の実施形態、８３０・・・キャップウエハ、８３０Ａ・・・シリコンウエハ、８３１・・・傾斜側壁、８３２・・・凹所、８３５・・・基準空洞、８４０・・・周辺結合パッド（金属パッド）、８４２・・・酸化物層、８５８・・・平坦化／不動態化層、８５９・・・ウインドウ、８６０・・・結合層（ガラスフリット層）
【図１Ａ】
0005568803.tif 000002
【図１Ｂ】
0005568803.tif 000003
【図２】
0005568803.tif 000004
【図３】
0005568803.tif 000005
【図４】
0005568803.tif 000006
【図５】
0005568803.tif 000007
【図６】
0005568803.tif 000008
【図７Ａ】
0005568803.tif 000009
【図７Ｂ】
0005568803.tif 000010
【図７Ｃ】
0005568803.tif 000011
【図７Ｄ】
0005568803.tif 000012
【図７Ｅ】
0005568803.tif 000013
【図７Ｆ】
0005568803.tif 000014
【図８】
0005568803.tif 000015
【図９Ａ】
0005568803.tif 000016
【図９Ｂ】
0005568803.tif 000017
【図９Ｃ】
0005568803.tif 000018
【図９Ｄ】
0005568803.tif 000019
【図１０】
0005568803.tif 000020
【図１１】
0005568803.tif 000021