(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスを構成要素とする少なくとも一つのハーメチック封止部を有するステンレスからなるリッドと、前記ステンレスからなるケースとが、レーザー溶接されて外装容器を構成する電気化学セルであって、
前記ステンレスの熱伝導率が１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下で、かつ、熱膨張率が１４．９×１０-6／Ｋ以下であることを特徴とする電気化学セル。
【請求項２】
請求項１に記載の電気化学セルであって、前記ステンレスの熱伝導率が１２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下であり、かつ熱膨張率が１０．５×１０-6／Ｋ以上１４．９×１０-6／Ｋ以下であることを特徴とする電気化学セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は小型で薄型の電気化学セルに関するものであり、特に、外装容器を構成するステンレスの材料の選択に関する。
【背景技術】
【０００２】
長期信頼性の高い小型で薄型の電気化学セルが必要とされている。そのためには、小型でありながら、電気化学セルの容器自体が過酷な環境下でも変形せず、かつ気密を損なわない必要がある。容器の形状としては、角型が周知である（例えば特許文献１）。容器内に収納された素子の電圧は、容器の側面（上面）に設けられている貫通固定された正負一対の端子によって外部に取り出される構造になっている。また、角型容器は、通常、開口部を有する角型のケースと、前記開口部を気密に覆うような板形状からなるリッドの２体ものからなり、少なくとも１つの端子は、前記リッドに配置されている構造が慣用されている。
【０００３】
前記ケースとリッドの材料は、例えば耐食性に優れたステンレス、具体的にはＳＵＳ３１６Ｌが慣用される。リッドに設けられた端子が、ガラス等からなるハーメチック封止部を構成する場合は、端子の気密性は極めて優れており、外部から水分などの浸入を防ぎ、かつ、容器内部に用いられる電解液が端子から漏液することを防ぐことが可能である。また、リッドをケースの開口面に位置合わせをしたのち、パルスレーザーを開口面の輪郭形状に倣って一周走査させて両者を溶接し気密封止する方法がある（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５３０７８号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯機器等の薄型の電子機器には、電気化学セルの容器自体にも薄型化が求められるので、ハーメチック構造を有するリッドにおいては、ハーメチック封止部と溶接領域が極めて接近することが起きる。このときは、レーザー溶接による急激な局所的温度上昇と応力の増加で、ハーメチック構造をなすガラスなどの脆性材料にクラックが入り、ハーメチック封止部の気密性を損なう可能性があった。特許文献２では、ハーメチック封止部のガラスにクラックが入ることなくメタルトップ（リッドに相当する）の封口不良を減らす手段として、メタルトップに塗布したサーモペイントの変色をモニタしながらレーザーの照射出力を調整する手段が提示されているが、リッドとケースを構成するステンレスの機械的な物性値に基づいてリッドとケースを選択する考察はなされていない。
【０００６】
本発明は、慣用される材料であるＳＵＳ３１６Ｌに比較して、前記溶接時に、ハーメチック封止部のガラス等にクラックが入り難いケースとリッドの材料を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、材料の機械的な物性値である熱伝導率と熱膨張率に注目して、実用的な溶接強度が得られる溶接条件で、レーザー溶接をコンピューターシミュレーションして、ハーメチック封止部を構成するガラスにかかる最大温度と最大応力を求めた。そして、ハーメチックガラスにかかる最大引張応力を低減するために、熱伝導率と熱膨張率の両者をＳＵＳ３１６Ｌのそれらより小さいステンレス材料を選択することを提案する。
【０００８】
請求項１に係る発明では、ガラスを構成要素とする少なくとも一つのハーメチック封止部を有するステンレスからなるリッドと、前記リッドの材料と同一の材質のステンレスからなるケースとが、レーザー溶接されて外装容器を構成する電気化学セルであって、前記ステンレスの熱伝導率が１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下で、かつ、熱膨張率が１４．９×１０-6／Ｋ以下であるステンレスにより構成されている電気化学セルとした。
【０００９】
請求項２に係る発明では、請求項１に記載の電気化学セルであって、前記ステンレス材料の熱伝導率が１２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下であり、かつ熱膨張率が１０．５×１０-6／Ｋ以上１４．９×１０-6／Ｋ以下である電気化学セルとした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、ガラスを構成要素とするハーメチック封止部を有するステンレスからなるリッドと、前記リッドの材料と同一の材質のステンレスからなるケースとが、レーザー溶接されて外装容器を構成する電気化学セルであって、前記ステンレスの熱伝導率が１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下で、かつ、熱膨張率が１４．９×１０-6／Ｋ以下であるステンレスにより構成されている電気化学セルとしたので、リッドとケース間の溶接強度を損なうことなく、リッドに設けられたハーメチック封止部にかかる温度と応力の影響を低減させることが可能になり、溶接時にハーメチック封止部を構成するガラス等にクラックが入る危険性を低減できる。
【００１１】
また、更に具体的には、前記ステンレス材料の熱伝導率が１２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下であって、熱膨張率が１０．５×１０-6／Ｋ以上１４．９×１０-6／Ｋ以下である電気化学セルとしたので、ＳＵＳ３１６Ｌに比較して、ハーメチックガラスに発生する最大引張応力は、約１０から約３７％低減できる。
【００１２】
本提案によるステンレス材料を用いてリッド及びケースを構成することにより、ハーメチックガラスにクラックが入る危険性を低減できるので、リッドとケースをレーザー溶接する工程の歩留まりを大きく向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る電気化学セルと計算機シミュレーションを説明する図である。
【図２】本発明の実施形態に係る計算機シミュレーションを説明する図で、材料Ｒの場合の応力を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る計算機シミュレーションの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の検討する電気化学セル１の外装容器は、図１（ａ）に示すように、同一のステンレスからなるリッド２とケース３を溶接して構成したものである。リッド２には、一対のハーメチック封止部が設けられている。ハーメチック封止部は、絶縁物であるハーメチックガラス４と金属の丸棒からなる芯線５により構成されている。ケース３は、深絞り加工や切削加工などで作製されたものである。リッド２はケース３の開口面に挿入された後に両者のつら位置を合わせてレーザーの走査照射で溶接される。ここで、外装容器の概略の大きさは、幅Ｗが５ｍｍ〜３０ｍｍ、奥行きＬは５ｍｍ〜３０ｍｍ、高さＨは、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、携帯機器や小型の電子機器に使用される大きさである。
【００１５】
図１（ｂ）は、リッド２とケース３を分離して描いたものである。リッド２は厚さが一様のステンレス板であり、芯線５は、容器内部のセルの電極７に接続したリード８と容器内で電気的に接続されている。ケース３は、このセルの電極７を覆うようにリッド２と接続される。また、ケース３の底面には、電気化学セルの電解質を注入するための小孔３ａが設けられている。尚、本実施形態では、一対のリード８はリッド２とは電気的に絶縁された一対の芯線５に接続されているので、外装容器であるケース３はフローティングの状態になっている。
【００１６】
ここで、セルの電極７は、アルミニウムや銅などの５μｍ〜３０μｍの厚みを有する箔を集電体として、活性炭等の活物質を塗工法や貼り付け法あるいは針状の突起で固定した一対の正極と負極の電極シートが、絶縁性のセパレータを中間に配して、巻回法や積層法やあるいは折り畳み法でまとめられたものである。一対の電極シートの集電体には金属製の薄い細板であるリード８が超音波等で溶接されている。
【００１７】
また、電解質は、例えば有機電解液が用いられる。電解質がケース３に設けられた小孔３ａから注入された後、封止栓６が小孔３ａに当接されて、レーザー溶接等の方法で気密封止されている。
【００１８】
さて、電気化学セル１の外装容器は、前記電解質に対して耐腐食性を有する必要があることからステンレス材料が用いられるが、具体的にはＳＵＳ３１６Ｌが慣用される。ここでは、同様に耐食性を有するその他のステンレス材料を4種類選択した。選択したステンレスを表１に示す。
【００１９】
【表１】
0005520674.tif 000002
表１の材料は、ＵＮＳ番号で表示した。ＵＮＳ（Ｕｎｉｆｉｅｄ  ＮｕｍｂｅｒｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）とは米国で用いられる金属・合金番号である。Ｓ３１６０３は、ＳＵＳ３１６Ｌに相当し、以下ここでは材料Ｒとの表記を併用する。また、Ｓ３２０５３はＳＵＳ８３６Ｌに、また、Ｓ３２５０６はＳＵＳ３２９Ｊ４Ｌに相当し、以下、それぞれ材料Ｃ、材料Ｄと表記する。また、Ｓ３１７２７及びＳ３１２５４は、ＪＩＳには相当する記号はないが、日本冶金工業株式会社製のＮＡＳ１５５Ｎ及びＮＡＳ１８５Ｎのステンレスが相当している。以下、それぞれ材料Ａ及び材料Ｂと表記する。
【００２０】
表１には、各ステンレス材料のヤング率、熱伝導率、熱膨張率、比熱、密度及び溶融点範囲が記載されている。熱伝導率と熱膨張率は、二段に記入されているが、（  ）内の数値は、材料Ｒを基準（分母）にしたときの割合をパーセントで示したものである。尚、表１の数値は、日本冶金工業株式会社編集の「日本冶金の高耐食合金」（２００２年９月４日発行）９ページ表６に基く。
【００２１】
材料Ａは、材料Ｒに比較して、熱膨張率は略同じであるが、熱伝導率の数値は約１．３倍である。熱伝導率が大きい場合の検討を意図して選択した。次に、材料Ｂは、熱伝導率は材料Ｒの７５．５％のものである。これは、熱伝導率を材料Ａとは逆に低下させた場合の影響を検討する意図で選択した。材料Ｃは、熱伝導率及び熱膨張率の両方が、材料Ｂのそれよりも僅かであるが低いものである。一方、材料Ｄは、熱膨張率は材料Ｒに比較して大幅に低く、６５．６％のものである。材料Ｄは、熱伝導率が材料Ｂや材料Ｃと近似している一方で、熱膨張率が大幅に異なるので、熱膨張率の効果を熱伝導率と独立に考察する意図で選択した。
【００２２】
また、表１の下欄に記載した材料の溶融温度範囲が示すように、材料Ｒ、材料Ａ、材料Ｂ、材料Ｃは１３００℃の後半から１４００℃強の値の範囲である。一方、材料Ｄは、これらの材料よりも約５０℃程度溶融温度が高い。
【００２３】
ハーメチックガラス４の熱膨張率は、リッド２の母材金属であるステンレスのそれに合わせた。例えば、リッド２の材料が材料Ｒである場合は、ハーメチックガラス４の熱膨張率は、１６×１０-6／Ｋとした。このようなハーメチックガラス４は、二酸化珪素、酸化亜鉛及び酸化チタンを適量混合することで作製できる。また、材料Ｄは、熱膨張率が１０．５×１０-6／Ｋであるが、これに対応するハーメチックガラス４も上記材料を適量混合することで作製可能である。
【００２４】
上述の材料を用いて、図１（ａ）に示したリッド２とケース３をレーザーの走査照射によって溶接した場合のハーメチックガラス４に生じる最大応力について説明する。まず始めに計算機シミュレーションの方法ついて説明する。ステンレスが材料Ｒである場合を例にして、図１（ｃ）、（ｄ）及び図２を用いて説明する。
【００２５】
図１（ｃ）は、リッド２とケース３とをレーザーの走査照射で溶接するときの状態を示した模式図である。リッド２には、一対のハーメチック封止部が配置されているが、図の左側のハーメチックガラス４に着目する（右側のハーメチックガラスに着目した場合も同様の結果が得られる）。本シミュレーションはリッド２、ケース３、芯線５ともに材料Ｒを用いて行った。尚、本検討で用いたこのハーメチック封止部は、整合封止型と称されるものである。ケース３の外側は熱伝達により十分に冷却される場合を想定した。ここで、ケース３の板厚は０．３ｍｍ、リッド２の板厚（ｔ）は１．５ｍｍであり、Ｈは３．６ｍｍ、Ｗは１０．０ｍｍである。リッド２中に設けられたハーメチックガラス４の直径は１．２ｍｍであり、芯線５の径は０．６ｍｍとした。ケース３の奥行きＬは１５ｍｍである。
【００２６】
ケース３の開口面にリッド２を挿入してつら合わせした後に、レーザー光がリッド２のＰ０の位置から出発して、一周する場合をシミュレーションする。レーザーのスポット径の中心は、リッド２とケース３の境界面にあり、境界面が形成するトラック状の閉曲線がレーザーの走査軌道となる。まず、矢印方向に走査されて、Ｐ１を通過してハーメチックガラス４に近接する（Ｐ２近傍）。レーザー光は、更にハーメチックガラス４から離れるようにリッド２の左端のＰ３を通過して再びハーメチックガラス４の下側に接近する（Ｐ４近傍）。Ｐ４を経過後は、レーザー光はハーメチックガラス４から離れていく。Ｐ５及びＰ６を順次通過して、ハーメチックガラス４から大きく離れ、リッド２の右端Ｐ７に到達した後、出発点Ｐ０に戻る。わずかにオーバーラップして、Ｐ８で停止し、レーザー照射が終了する。尚、走査速度は毎秒４．８ｍｍであり、照射時間の合計は５秒である。
【００２７】
レーザー光は、ＹＡＧレーザーであり、その出力は０．３２Ｊとし、スポット径は０．２ｍｍとした。Ｐ２近傍の黒丸にあるときのＡＢ断面を図１（ｄ）に示す。矢印９によって示されるレーザー照射によって、照射面から適当な深さまで材料は溶融してリッド２とケース３は突合せ溶接される（図では模式的に逆三角の印をつけた）。
【００２８】
尚、ここで、レーザーの出力の設定値０．３２Ｊは、溶接面の温度が約１７００℃〜１７５０℃の範囲に入るように出力設定された値である。このような温度範囲に入る時に実用的な溶接が可能とした。詳細は省くが、実際に本シミュレーションの数値寸法に基づく材料Ｒとハーメチックガラス４によりリッド２とケース３を構成して溶接した実験により、レーザーの出力設定は、０．３０Ｊ以上の場合に実用的な溶接が可能であることを確認している。
【００２９】
このようにレーザーを照射したときにハーメチックガラス４に発生する引張応力のシミュレーションを図２に示す。図では、応力が最も高くなるＰ２の値で正規化した。Ｐ２での値は、約１６６ＭＰａ（主応力）であった。Ｐ２の位置は、レーザーのスポットとハーメチックガラス４の外縁が最も近接する黒丸の位置ではなく、本図面が示すように、黒丸をわずかに通りすぎた位置である。
【００３０】
尚、ここで、レーザースポットの径は、実用上は、０．２ｍｍから０．４ｍｍの範囲が好適である。レーザースポット径を０．２ｍｍから０．４ｍｍにした場合のシミュレーションでも、引張応力のＰ２での値は１６６ＭＰａであった。これより、レーザースポット径を０．２ｍｍの場合のみを示す。
【００３１】
図２では、Ｐ１からＰ８までの各値を緩やかな曲線で繋げて示した。横軸は、Ｐ０からＰ８までの照射ポイントをＰ０からの距離に換算したものであるが、ポイントの記号は図中の規格応力値の側に示した。
【００３２】
ハーメチックガラス４に発生する応力は、本図に示すように、レーザーの照射位置に極めて敏感であり、かつ、近接しているときは大きな応力が発生する。レーザーの走査軌跡を反映して、わずか５秒の間に、急激に大きな応力が発生してすぐに低下し、そして再び大きな応力が発生してその後徐々に低下していく。本発明の目的とするところは、ハーメチックガラス４に発生する最大引張応力が最も低いステンレス材料を提案することである。
【００３３】
図３（ａ）は、各材料の温度が約１７００℃〜１７５０℃に入るときのレーザーの出力値を材料Ｒの場合の出力値で規格化して示したものである。材料Ｒでは、０．３２Ｊのパルス出力であった。
【００３４】
この図から、まず、材料Ａは、０．３２Ｊ以上の出力設定値が必要であり、それ以外の材料は、０．３２Ｊよりも低い設定値で実用的な溶接が可能であると判断される。材料Ａは、比熱が材料Ｒよりも小さいが、熱伝導率が材料Ｒよりも１．３倍大きいことが影響して、材料Ｒよりもより大きな出力設定値が必要となった。
【００３５】
一方、材料Ｂ、材料Ｃ、材料Ｄは、熱伝導率が略同一で、１２．０Ｗ／ｍ・Ｋから１２．６Ｗ／ｍ・Ｋの範囲である。材料Ｒよりも熱伝導率が小さいことから、レーザーの出力設定値も低下させることが可能で、材料Ｒの約７８％〜８１％となった。即ち、材料の熱伝導率が約１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下であれば、レーザーの出力設定値を約２０％低く設定可能である。
【００３６】
次に、この出力値を用いたときの、ハーメチックガラス４の最大温度と最大引張応力及び各材料の熱膨張率を図３（ｂ）に示す。各値は、それぞれ材料Ｒの場合の値で規格化して示した。左側の軸に示された値は、ハーメチックガラス４の最大温度と最大引張応力の規格値である。材料Ｒでのハーメチックガラス４の最大温度は約２０２℃であり、最大引張応力は約１６６ＭＰａである。
【００３７】
これによれば、ハーメチックガラス４の最大温度及び最大引張応力は、材料Ａでは材料Ｒに対して温度で約１０％、応力で約５％高い値となった。これは、前述のように、熱伝導率が大きい分、レーザーの設定出力値を上げたことに起因している。従って、材料Ａはハーメチックガラス４の応力を低減させる材料としての選択はない。
【００３８】
一方、材料Ｂ、材料Ｃ、材料Ｄの場合は、どれも、ハーメチックガラス４の最大温度、最大引張応力ともに材料Ｒに比較して低下している。材料Ｂの場合は、最大温度は材料Ｒに比較して９３．１％となった。最大引張応力は９６．４％の値であり、５％未満の低下率となった。材料Ｂは、熱伝導率が小さく、従ってレーザーの出力設定値も７８％であったので、ハーメチックガラス４の最大引張応力も２０％程度の低減を見込んだが、前記の値となった。従って、材料Ｂを選択しても、ハーメチックガラス４の応力を大きく低減することは期待できない。
【００３９】
材料Ｃは、その熱伝導率と熱膨張率は、それぞれ１２．０Ｗ／ｍ・Ｋ及び１４．９×１０-6／Ｋである。そして両者ともに材料Ｂよりも僅かに低い。ハーメチックガラス４の最大引張応力は材料Ｒの９０．４％であり、約１０％も低減できている。これは、次の材料Ｄの場合と考え合わせると、熱膨張率が低いことが影響していると推察される。
【００４０】
材料Ｄは、ハーメチックガラス４の最大引張応力の低減が確実に認められた。最大引張応力は、材料Ｒの場合の６３．３％となった。材料Ｄの熱伝導率及び熱膨張率は、それぞれ１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ及び１０．５×１０-6／Ｋである。僅かであるが、材料Ｄの熱伝導率は、材料Ｂ及び材料Ｃのそれよりも大きい。従って、レーザーの出力設定値もその分大きい。詳しく述べれば、材料Ｂと材料Ｃは、出力設定値が両者とも０．２５Ｊであり、材料Ｄは０．２６Ｊであった。また、ハーメチックガラス４の最大温度は、材料Ｂと材料Ｃはそれぞれ１８８℃と１９１℃であり、材料Ｄは１９４℃であり、僅かであるが高い値になっている。それにも拘わらず、材料Ｄがこのように大きく最大引張応力を低減できているのは、熱膨張率が材料Ｂ及び材料Ｃに比較しても更に小さい値を持つことに起因すると推察される。
【００４１】
これから、材料Ｃと材料Ｄについては、ハーメチックガラス４の引張応力を低減する効果が十分あると認められる。熱伝導率と熱膨張率の好ましい範囲を検討すると、以下のようになる。即ち、材料Ｒでの規格値を用いると、熱伝導率は、１２．６Ｗ／ｍ・Ｋ以下であればよく、更に１２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であればより好ましい。同時に、熱膨張率は、１４．９×１０-6／Ｋ以下であればよく、更に、１０．５×１０-6／Ｋ以下であればより好ましいと言える。
【００４２】
上記の結果についての考察を簡潔に記載する。本解析ではリッド２を構成するステンレス材料とハーメチックガラス４の熱膨張率を整合させているため、ハーメチックガラス４とリッド２全体が均一に加熱され、かつ自由に熱膨張できるとすれば熱応力は発生しない筈である。しかしながら、ハーメチックガラス４とリッド２には大きな応力が発生している。それは、以下に述べるように、レーザーの局所的な照射によって、リッド２及びハーメチックガラス４ともに空間的に大きな温度差が発生していることによる。
【００４３】
特に、解析結果としては開示していないが、ハーメチックガラス４の外縁の応力はレーザー照射部（あるいは領域）側が圧縮応力となり、その反対側（芯線を挟んだ向こう側）が引張応力となっている。
【００４４】
これは、レーザー照射部側では照射点を中心として全方向にステンレス材が熱膨張するために、それと向き合ったハーメチックガラス４の外縁部は圧縮されるためであり、逆に、反対側が引張となるのは、ハーメチックガラス４の熱伝導率が非常に小さいために、殆どの熱はステンレス内を伝わって反対側まで回り込むため、ステンレスの方がハーメチックガラス４よりも早く温度上昇することになり、ステンレスがハーメチックガラス４を引っ張るように膨張するためと考えられる。
【００４５】
更に詳細に述べると、この、ステンレスの熱膨張によるハーメチックガラス４の外縁部の引張応力（σgと記す）は、レーザー照射部と芯線５を挟んだ反対側の界面付近でのステンレスの温度をＴｓ、ハーメチックガラス４の温度をＴｇ、熱膨張率をα（ステンレスとガラスは整合させている）、更に、ステンレスとハーメチックガラス４のヤング率をそれぞれＥｓとＥｇとしたとき、次式に比例すると考えられる。
σg ∝ α・（Ｔｓ−Ｔｇ）・Ｅｇ／（１＋Ｅｇ／Ｅｓ）
【００４６】
従って、リッド２を構成するステンレスの熱伝導率が小さいと、レーザー照射部からの熱逃げ量が少なく、その分レーザーパワーを小さくできるとともに、前記界面付近のステンレスの温度Ｔｓを小さくすることができる。また、熱膨張率αが小さい場合は、温度差が同じでも膨張量を小さくすることができるので、結果として、ステンレスの熱伝導率と熱膨張率の両方が小さいことにより、ハーメチックガラス４の引張応力を大きく低減できることが説明できる訳である。
【００４７】
なお、解析では、どのハーメチックガラスのヤング率も同一にしている。上記の関係式から明らかなように、ハーメチックガラスのヤング率を小さくすることができれば、更に応力値の低減が可能であるとともに、ステンレスのヤング率を小さくすることも有効であることを付記しておく。
【００４８】
なお、本発明の技術範囲は上記の実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
【００４９】
例えば、リッド２に設けられるハーメチック封止部は複数ある必要はなく、１つであってもよい。例えば、セルの電極７の正極のリードのみをハーメチックの芯線５に接続し、負極のリードをリッド２やケース３に接続して、外装容器を１つの電極としてもよい。
【００５０】
また、外装容器の形状や寸法は一例である。従って、実施形態で示したようなケース３の開口断面がトラック状に限定されることはない。外装容器が円筒状や角型筒状でもよい。
また、ケース３に設けられる小孔３ａは必ずしも必要なものではない。
【符号の説明】
【００５１】
１      電気化学セル
２      リッド
３      ケース
３ａ    小孔
４      ハーメチックガラス
５      芯線
６      封止栓
７      セルの電極
８      リード
９      レーザー照射
【図１】
0005520674.tif 000003
【図２】
0005520674.tif 000004
【図３】
0005520674.tif 000005