(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティングされる基板（２）の表面（２’）にフラットに位置するシャドーマスク（３）を使って、基板支持体（１）に置かれた基板（２）上に横方向に構造化された層を堆積させる堆積装置であって、
前記シャドーマスクが、格子状の構造を有する第２の磁性帯（５）を含み、
前記基板支持体（１）の支持面（１’）が交差する溝の形状の凹部（６）を有し、前記シャドーマスク（３）の第２の磁性帯（５）を磁気的に引き付けるために、格子状の構造を有する支持部材（１１）と当該支持部材（１１）によって支えられる永久磁性素子（１２）とを含む第１の磁性帯（４）が当該凹部（６）に置かれ、
前記基板（２）をコーティングする前であって、前記シャドーマスク（３）が前記基板（２）の上に配置されているとき、前記第１の磁性帯（４）を上昇させることによって、前記第２の磁性帯（５）が前記基板（２）の表面（２’）の方に磁気吸引力によって引き付けられる動作位置に、前記第１の磁性帯（４）が運ばれ、
前記シャドーマスク（３）を配置し、または除去するために、前記第１の磁性帯（４）を下降させることによって、前記第２の磁性帯（５）に働く磁気吸引力が削減される非動作位置に、前記第１の磁性帯（４）が運ばれる、
ことを特徴とする堆積装置。
【請求項２】
前記第２の磁性帯（５）が、強磁性素子によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
【請求項３】
前記第１の磁性帯（４）が、動作位置と非動作位置の間で上下に動くために、前記支持面（１’）に対して垂直に移動することを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
【請求項４】
基板支持体（１）の前記第１の磁性帯（４）が、磁気ストリップ（１０）であり、上昇機構（７）によって前記凹部（６）内で動作位置から非動作位置に移され、前記動作位置では前記磁気ストリップ（１０）が前記支持面（１’）と実質的に同一平面に位置し、前記非動作位置では前記磁気ストリップ（１０）が前記凹部（６）内で皿頭の位置にあることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
【請求項５】
前記上昇機構（７）が、前記支持面（１’）から離れる方に向いている前記基板支持体（１）の底部側（１”）に配置されており、
前記基板支持体（１）の中の開口（８）を貫通するプランジャー（９）が、前記第１の磁性帯（４）にぴったりはまる、
ことを特徴とする請求項４に記載の堆積装置。
【請求項６】
前記磁気ストリップ（１０）が、水平方向に伸びる支持面（１’）に対して垂直方向の動きの遊びを持って前記支持部材（１１）に接続されることを特徴とする請求項４または５に記載の堆積装置。
【請求項７】
前記磁気ストリップ（１０）が、裏張りストリップ（１３）に接続された永久磁気ストリップ（１２）によって形成されることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載の堆積装置。
【請求項８】
前記シャドーマスク（３）のウェブの形状である前記第２の磁性帯（５）の接触面（５’）と前記基板（２）の表面（２’）の間の可能なギャップを監視するためのギャップ監視センサー（１６）を備えることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
【請求項９】
基板支持体（１）が、冷却エレメントであり、曲がりくねった冷却チャンネル（１４、１５）を持ち、
冷却液が流れ、または反対方向に流れる２つの別々のチャンネルシステムが２つの平面の中に与えられ、お互いから分離され、前記支持面（１’）と平行に伸びる、
ことを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の堆積装置で用いられる基板支持体（１）であって、
永久磁性素子(１２)を含む前記第１の磁性帯（４）が配置される凹部（６）を前記支持面（１’）に備え、
前記第１の磁性帯（４）が前記支持面（１’）に対して表面法線の方向に移動可能である、
ことを特徴とする基板支持体。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の堆積装置で使用され、または請求項１０に記載の基板支持体とともに使用されるシャドーマスク（３）であって、
格子状に配置された磁性材料で作られたウェブの形状の前記第２の磁性帯（５）を備え、
前記基板（２）に置かれている前記第２の磁性帯（５）の接触面（５’）が、窪んだ、または斜めになった前記第２の磁性帯（５）の側面に鋭角で結合する、
ことを特徴とするシャドーマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コーティングされる基板の表面にフラットに置かれたシャドーマスクを使って、基板支持体上に置かれた基板に横方向に構造化された層を堆積させる堆積方法に関する。
更に、本発明は、コーティングされる基板の表面にフラットに置かれたシャドーマスクを使って、基板支持体上に置かれた基板に横方向に構造化された層を堆積させる堆積装置に関する。
更に、本発明は、そのような堆積装置のための、またはそのような堆積方法を実行するための基板支持体、およびシャドーマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
横方向に構造化された層が基板上に堆積されるコーティングプロセスのために、層形成成分がプロセスチャンバーの中にガス注入エレメントを通ってガスの形またはエアロゾルの形で導入される。プロセスチャンバーは水平に置かれる。プロセスチャンバーの蓋は、ガス注入エレメントによって形成されてよい。後者は、プロセスガスまたはエアロゾルのために、シャワーヘッドのように配置された出口を形成してよい。コーティングプロセスは、真空、低圧または大気圧で実行されてよい。基板上に横構造を堆積させるためにシャドーマスクが使われる。シャドーマスクは、基板のコーティング面と直接一様に面接触するように意図される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
できるだけ狭いギャップで、シャドーマスクが基板の表面に位置する手段を提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
その目的は堆積方法の改良によって達成され、基板支持体が第１の磁性帯を有し、シャドーマスクがこれら第１の磁性帯と空間的に関連する第２の磁性帯を有し、基板をコーティングする前であってシャドーマスクが基板の上に配置されているとき、第２の磁性帯が基板の表面の方に引き付けられる動作位置に第１の磁性帯が運ばれ、そしてシャドーマスクを配置し、または除去するために、第２の磁性帯に働く引力が削減される非動作位置に第１の磁性帯が運ばれることが重要である。
【０００５】
更に、その目的は堆積装置の改良によって達成され、第１の磁性帯と空間的に関連するシャドーマスクの第２の磁性帯を磁気的に引き付けるために基板支持体が第１の磁性帯を有し、基板をコーティングする前であってシャドーマスクが基板の上に配置されているとき、第２の磁性帯が基板の表面の方に引き付けられる動作位置に第１の磁性帯が運ばれ、そしてシャドーマスクを配置し、または除去するために、第２の磁性帯に働く引力が削減される非動作位置に第１の磁性帯が運ばれることが重要である。
【０００６】
下位の請求項は、本発明の有利な改良を示し、また、独立項のようにそれらの系統的論述の中で本発明の目的の独立した成果を示す。
【０００７】
基本的に、堆積方法およびその堆積方法を実行するための装置が与えられる。基板支持体は第１の磁性帯を有し、シャドーマスクは第２の磁性帯を有する。好ましくは、複数の第１の磁性帯と、これら第１の磁性帯と空間的に関連するシャドーマスクの第２の磁性帯とが与えられる。基板をコーティングする前であって、シャドーマスクが基板の上に配置されているとき、第１の磁性帯は動作位置に運ばれる。この動作位置において、シャドーマスクの第２の磁性帯は基板の表面の方に引き付けられる。シャドーマスクを配置し、または除去するために、基板支持体の第１の磁性帯が非動作位置に運ばれる。この非動作位置において、第２の磁性帯に働く引力が削減される。
好ましくは、基板支持体は、基板支持体の凹部に位置する第１の磁性帯によって特徴づけられる。基板支持体の支持面の中の溝によって凹部が形成されてよい。移動可能な永久磁性素子が特にこれらの溝の中に位置してよい。第１の磁性帯と第２の磁性帯の一方が磁性素子、特に永久磁性素子によって形成され、他方が好ましくは強磁性素子によって形成されてよい。
【０００８】
本発明の実施形態の結果として、シャドーマスクは永久磁石による力の作用のために磁性帯の領域に機械的に接触させられる。基板に対するシャドーマスクの直接接触は、０ミクロン近くまでシャドーの影響を最小にする。従って、本堆積装置は、活性なコーティング面を不活性なコーティング面から分離することを可能にする。
好ましくは、基板が配置される基板支持体は冷却器によって形成される。けれどもまた、加熱された基板支持体が使用されてよい。その場合、特に活性なコーティング面を不活性なコーティング面から分離したために、基板、特に基板の活性なコーティング面は温度制御される。
本発明の一つの望ましい実施形態では、動作位置と非動作位置の間で前後に動くために、第１の磁性帯が支持面の法線に沿って移動する。基板支持体と関連する永久磁性素子は格子状の構造を形成し、支持面の交差する溝の中に位置する。同様にシャドーマスクの第２の磁性帯が格子状の構造を形成し、シャドーマスクの格子状のウェブが基板支持体の永久磁性素子の格子状のウェブと空間的に関連する。従って、不活性なコーティング面は、閉じたマスク部分によって覆われ、場合によりコーティングプロセス中に減少したコーティングレートで同様にコーティングされるかも知れず、温度制御されない。
【０００９】
シャドーマスクの第２の磁性帯を形成するウェブは、強磁性物質、特にインバールで作られる。基板支持体の磁性ウェブは、複数の部品で構成され、お互いに分離される。
一つの望ましい実施形態では、これらのウェブは、格子の形状を有する実質的に一つの部品の支持部材と、その支持部材によって保持される多数の磁気ストリップとで構成される。磁気ストリップは支持部材にゆるく接続され、およそ０．１ｍｍの垂直方向の遊びを有する。それで、個々の移動可能な磁気ストリップは移動路またはこの値を持つ高さの柔軟性を有する。製造の許容範囲はこの方法で補償される。
磁気ストリップ自体は同様に２つの部品の構造を持つ。磁気ストリップは、金属で作られた裏張りストリップに固定して接続される永久磁気ストリップで構成される。永久磁気ストリップは、裏張りストリップに接着されてよい。磁気ストリップと支持部材の間の接続は、ねじ、好ましくは皿ねじを使って確立される。皿頭は永久磁気ストリップによって形成されるより大きな直径の凹部に置かれる。ねじの軸は、裏張りストリップの中の開口を貫通して支持部材の中のねじ穴にねじ込まれる。
【００１０】
支持部材を形成する格子状のフレームは、上昇システムを使って１０μｍの精度で高さを調節される。上昇システムは少なくとも一つの上昇機構で構成される。上昇機構は、基板支持体の支持面から離れる方に向いている基板支持体の底部側、すなわち基板支持体の裏面に配置されている。
フレーム状の支持部材は、基板支持体の中の開口を通って突き出る多数の上昇プランジャーを有する。上昇機構は、基板支持体の裏面でこれらのプランジャーにぴったりはまる。上昇機構は、ショートストローク空気圧シリンダーであってよい。上昇部は、各プランジャーと関連する。上昇シリンダーは、シリンダーブラケットを介してベースプレートに接続される。ベースプレートは基板支持体を支える。それは冷却器として設計される。周囲のもの、すなわち、プロセスチャンバーとその中に存在する真空に対して密封される空気圧の接続部が、ショートストローク空気圧シリンダーの上に置かれる。
【００１１】
磁気ストリップを支持部材に固定するために使われるねじは、スペーサねじの機能を持つ。そのねじ込みの深さは、磁気ストリップが支持部材から距離をあけて配置される範囲を定義する。この範囲は０．１ｍｍと０．３ｍｍの間である。
プランジャーの上昇を調節できるスペーサねじは、また空気圧シリンダーの領域に与えられる。好ましくは、上昇機構はプランジャーを動かす。従ってまた、上昇機構は停止制限された方法で支持部材を動かす。上昇は全体でおよそ２ｍｍから８ｍｍまでである。
非動作状態において、支持部材は基板支持体の支持面の中の凹部の底に位置する。この状態で、磁気ストリップは支持面よりおよそ２ｍｍから８ｍｍ下に、好ましくは３ｍｍ下に位置する。この状態で、空気圧シリンダーは最終停止位置にある。この位置で、ガラス、紙または他の適切な材料で作られた基板は、好ましくはアルミニウムで作られた基板支持体の支持面の上に置かれる。そのとき、シャドーマスクは基板の表面と接触する。これは、シャドーマスクを下げるか、または基板支持体を上げるかのいずれかによって実行される。
【００１２】
シャドーマスクのフレームから伸びるインバールでできた格子状ウェブが基板支持体の永久磁性ウェブの上に適合して位置するように、基板の上でシャドーマスクの位置を合わせるために調整装置が与えられる。
シャドーマスクが取り付けられ、または取り外されるとき、磁気ストリップは基板支持体の支持面からある距離を置いて保持されるので、磁気ストリップの永久磁石によってシャドーマスクのウェブに働く磁気吸引力は最小化される。水圧式上昇機構によって、支持部材は、最終停止位置になるまで持ち上げられる。この最終停止位置では、個々の磁気ストリップは基板支持体の支持面とほぼ同一平面に位置する。けれども、また磁気ストリップの表面は支持面よりわずかに上または下に置かれてもよい。
磁気ストリップと支持部材のゆるい結合のために、シャドーマスクの格子状のウェブに働く磁気吸引力に起因して磁気ストリップはまた基板の底面に対して押し付けることができる。これは、磁気ストリップとシャドーマスクの強磁性ウェブの間に働く磁気力をもたらし、その磁気力は非動作位置に比べて最大化される。ウェブは、磁気ストリップの磁気力によって基板の表面の方に引き付けられる。
シャドーマスクのウェブの接触面と基板の表面との間の可能なギャップを監視するために、基板支持体の端に、計４個のギャップ監視センサー、好ましくはペアで向かい合って配置されたギャップ監視センサーがある。
【００１３】
基板支持体を形成する冷却器は好ましくは２つの冷却回路を有し、水または他の適切な冷却液が冷却器の冷却チャンネルを通って曲がりくねって流れる。１つの冷却回路の注入口が空間的に他の冷却回路の排出口と関連するように、冷却回路は重ね合わせられる。従って、冷却経路における冷却パワーの損失は最小化される。また、２つの冷却チャンネルはお互いに複数回交差する。従って、冷却チャンネルは支持面に対して異なる平面に置かれる。冷却面全体の温度差は、そのような冷却回路の配置を使うことによって最小化される。冷却面全体に渡って１℃より小さい温度の均一性を達成することができる。シャドーマスクのフレームは、アルミニウムで作られ、それらの間に置かれたシャドーマスクの強磁性のウェブを有し、冷却器と独立したそれ自身の回路を持つ。個々の冷却回路は、平行していても順次に接続されていてもよい。シャドーマスクのフレームの冷却は、好ましくは基板支持体の冷却と独立して実行される。
【００１４】
本発明に係る堆積方法を実行するために、基板が基板取付け・取外しシステムを使ってプロセスチャンバーに導入される。冷却器が取付け位置に下げられる。次に、基板が冷却器の中の開口を貫通するピンの上に置かれる。そして、基板は基板支持体とシャドーマスクとの間に配置される。シャドーマスクはインバールで作られたウェブとアルミニウムで作られたフレームを有する。
シャドーマスクのフレームは、専用のマスク取り付け具の上に置かれる。ロボットアーム等を使ってプロセスチャンバーに基板を取り付けた後で、基板支持体を形成する冷却器は基板の直下の上方の位置に動き、基板をピンから持ち上げる。次に、基板の表面がシャドーマスクの接触面に位置するまで、基板支持体は更に上向きに動く。基板の上面とシャドーマスクの底面との間のギャップは、ギャップ監視センサーを使って調節される。取付け・取外し位置において磁気ストリップは下げられた位置にあるので、最初は重力のみがインバールでできたシャドーマスクに働く。この位置において、残っているギャップは１００μｍに達するかも知れないが、一般により小さい。
【００１５】
次に、ショートストローク空気圧シリンダーによってプランジャーが持ち上げられ、支持部材が支持面からおよそ３ｍｍの上述した距離まで上昇する。そのとき、磁気ストリップは基板の底面のすぐ近くに置かれる。磁気ストリップはシャドーマスクのインバールでできたウェブから最小限の距離に位置し、インバールでできたシャドーマスクに十分な永久磁石の力を発現させる。引力は十分に大きいので、インバールでできたシャドーマスクと基板との間に残っているギャップは０μｍ近くまで最小化される。
コーティングプロセスの後で、ショートストロークシリンダーは終了位置に戻る。それで、インバールでできたウェブにおける磁気吸引力は最小になる。
【００１６】
上述した堆積装置を使って基板は有機物質でコーティングされる。好ましくは、これはＯＬＥＤ、ＳＯＬＡＲまたはディスプレイ照明のための有機気相成長法（ＯＶＰＤ）である。堆積装置は、またポリマー気相堆積プロセス技術に適合する。
更に、パラキシリレンがコーティング物質として使われてよい。誘電アプリケーションとカプセル化アプリケーションのためのハロゲン化置換基の使用がまた提供される。パラキシリレンのパリレンＣでコーティングするために、インバールでできたシャドーマスクは基板と表面接触させられる。
【００１７】
更に、本発明はシャドーマスクの改良に関する。シャドーマスクのない部分、すなわち、シャドーマスクのウェブの間の領域は、特別な端部輪郭を得る。コーティングがシャドーマスクの切り出し部で終わり、コーティングフレームとコーティングウェブの下への流れが最小化されるように端部輪郭は調整される。この目的のために、基板に置かれているウェブの接触面は窪んだまたは斜めになったウェブの側面に鋭角で結合する。
【００１８】
磁気ストリップとそれに対応するシャドーマスクのインバールでできたウェブのどちらも温度制御されている基板支持体と伝熱性のある接触状態にない。磁気ストリップとそれに対応するシャドーマスクのウェブは、基板とフラットに接触しているという事実のために、基板と熱的に結合する。パリレンＣのコーティングにとって、成長率は主として表面温度によって影響を受ける。シャドーマスクによって保護される不活性な基板表面の成長は、基板の活性な表面よりも遅い。それでもなおインバールでできたシャドーマスクに接して堆積する層は非常に薄いので、インバールでできたシャドーマスクに接する基板からのパレリンＣの膜の成長および／または過剰成長は防がれる。結果として、シャドーマスクが持ち上げられるとき、基板の表面のコーティングは引きはがされない、またはダメージを受けない。ウェブの間の領域に置かれている基板の活性な部分は冷却に起因してコーティングされる。一方、不活性な表面では成長はない。
さまざまなシャドーマスクのレイアウトがこの堆積装置を使うことによって実現されてよい。円形、長方形、正方形または多角形の形状が可能である。そのとき、格子の間の領域が同様に形成される。従って、格子は、異なる幅と異なる横方向の構造を持つウェブによって与えられて良い。
【００１９】
本発明の改良において、磁気ストリップを用いて基板支持体の支持面に対して基板を押し付けることが提供される。これは、支持部材に磁気ストリップを固定するために用いられるスペーサねじをそれに応じて正確に調整することによって可能となる。これは、冷却のための接触を強化し、放熱を改善する。また、基板支持体に対して基板に力を加えるために静電チャックシステムが与えられてよい。
【００２０】
以下に、次に示す添付図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】基板支持体、基板およびシャドーマスクから成る基本要素を示す分解図である。
【図２】図１に対応し、基板支持体の上に位置する基板と、基板の上に位置するシャドーマスクを示す図である。
【図３】図２に従う上面図を示す。
【図４】基板支持体の磁性ウェブの構造を示す分解図である。
【図５】磁性ウェブの配置を示す上面図である。
【図６】図３のVI−VI線断面図である。
【図７】図３のVII−VII線断面図である。
【図８】図３のVIII−VIII線断面図である。
【図９】非動作位置における図６のIX−IX線の拡大詳細図を示す。
【図１０】非動作位置における図７のX−X線の拡大詳細図を示す。
【図１１】非動作位置における図８のXI−XI線の拡大詳細図を示す。
【図１２】動作位置における図９に対応する図を示す。
【図１３】動作位置における図１０に対応する図を示す。
【図１４】上昇部とともに基板支持体を示す略図である。
【図１５】支持面に平行な面における基板支持体の内部構造を示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１４に略図として示される上昇部２４は反応炉の内側に置かれる。反応炉はコンテナであり、特殊なステンレス鋼で作られている。
反応炉にはガス供給ラインが開いている。ガス供給ラインは、特にシャワーヘッドのように形成されたガス注入エレメントの中に開く。ガス注入エレメントは基板支持体１の上に配置される。反応成分は、ガス状またはエアロゾル状で存在しており、プロセスチャンバーの中にキャリアガスとともに導入される。これらの前駆体は、モノマーまたはダイマーである。
反応炉は、またガス排出エレメントを持つ。消費されないプロセスガスとキャリアガスはガス排出エレメントを通ってプロセスチャンバーから排出される。真空を生じさせるため、または低圧システムのために制御される真空ポンプが与えられる。
【００２３】
反応炉は取付け口（図示無し）を持つ。取付け口を通ってシャドーマスク３または基板２がプロセスチャンバーに導入される。
本実施形態では、基板支持体１は、アルミニウムで作られた冷却ブロックとして形成されており、上昇部２４の上に置かれている。
基板支持体１は、上昇部２４によって垂直方向に動かされる。取付け位置では基板支持体１は、図示されていないが、より低い位置にある。参照符号２５によって示されるピンは、開口（図示無し）を通って、そして基板支持体１を貫いて突き出る。基板支持体１が下がるとき、図１４において基板支持体１の上に置かれている基板２はピンの上に座る。ピン２５の上に置かれたこの位置で、基板２は取り外され、他の基板に取り替えられる。
シャドーマスク３は基板２の上に垂直方向にあり、マスク支持体によってこの位置に保持される。シャドーマスク３は、基板２に平行に伸びる。図１４に示される位置からスタートして、基板の表面２’がシャドーマスク３の底面に接するまで、上昇部２４は基板支持体１の支持面１’に置かれた基板２とともに基板支持体１を持ち上げることができる。
【００２４】
同様に、図１５は略図として基板支持体１の内部構造を示す。図１５には、２つの曲がりくねった冷却回路１４、１５が図示されている。第１の冷却回路１４の注入口１４’は第２の冷却回路１５の排出口１５”のすぐ近くに置かれる。第２の冷却回路１５の注入口１５’は第１の冷却回路１４の排出口１４”のすぐ近くに置かれる。２つの冷却回路１４、１５は、それぞれ基板支持体１の支持面１’に平行な面に置かれる。曲がりくねって伸びる冷却回路１４、１５のチャンネルは、お互いに複数回交差する。
【００２５】
図１から図３は、シャドーマスク３と基板支持体１の上面の構造の様々な全体図を示す。
シャドーマスク３は、図示されていない冷却チャンネルを備えたフレーム２６を持つ。この長方形のフレームは、強磁性物質であるインバールで作られた格子（ウェブ５）を一体的に形成する計１２本のストリップを支える。本実施形態では、格子（ウェブ５）の間の領域は長方形である。図示されていないが、他の実施形態では格子（ウェブ５）の間の領域は、また異なる形状であってよい。例えば、格子（ウェブ５）の間の領域は円形、楕円形または多角形であってよい。
【００２６】
基板支持体１は、選択的に、上述した冷却回路１４、１５のチャンネルを有する複数の部品から成るアルミニウムブロックで構成される。基板２に面する基板支持体１の支持面１’は、交差する溝の形状で与えられる凹部６を有する。交差する溝の形状の凹部６は、空間的にシャドーマスク３のウェブ５と関連付けられる。
【００２７】
格子状の支持部材１１によって支えられる磁気ストリップ１０が凹部６の中に配置される。磁気ストリップ１０は、個別に移動できるように１つまたは２つのねじによって支持部材１１にゆるく接続された個別のストリップ状の部材である。個々の磁気ストリップ１０は、それらを支える支持部材１１に対して垂直方向にわずかに動いてよい。
【００２８】
支持部材１１は、アルミニウムで作られ、交差する溝の形状の凹部６の中に配置される。支持部材１１は、ねじ２２によって多数のプランジャー９に接続される。この目的のために、プランジャー９の端面は、ねじ２２がねじ込まれるねじ穴を持つ。プランジャー９は、基板支持体１の底部側１”から突き出ており、各々の場合に停止制限された方法で、概略的にのみ図示されている上昇機構７によって動かされる。上昇機構７は、空気圧で駆動されてよい。
【００２９】
個々の磁気ストリップ１０は、２つの部品の構造を持つ。磁気ストリップ１０は、金属薄板で作られた裏張りストリップ１３に接続される薄い永久磁気ストリップ１２から成る。それらは接着剤を使って接続されてよい。永久磁気ストリップ１２は、調節・締め付けねじ２１の皿頭のためにねじの頭の受け口１８を有する。調節・締め付けねじ２１の軸は、裏張りストリップ１３の中のより小さい直径の開口１９を通って突き出る。従って、裏張りストリップ１３は、調節・締め付けねじ２１の頭によって保持される。調節・締め付けねじ２１は、支持部材１１のねじ穴２０にゆるくねじ込まれるのみである。それで、裏張りストリップ１３の底部側と支持部材１１の上部側の間にギャップ２３が残る。これは、支持部材１１に対して磁気ストリップ１０に１０分の数ミリメートルの垂直方向の遊びを確保する。
【００３０】
図１０に特に示される非動作位置では、支持部材１１は凹部６の底の近くに保持される。これは、上述した上昇機構７を使って達成される。この位置では、磁気ストリップ１０の表面は、基板支持体１の支持面１’からおよそ３ｍｍの距離に位置している。更に、図９と図１０に見られるように、 基板２は直接凹部６の上に配置され、強磁性物質で作られているシャドーマスク３のウェブ５が基板２の上に配置される。シャドーマスク３のウェブ５の底面５’は、基板の表面２’からある距離（図示無し）を置いて配置される。
【００３１】
図１２と図１３に特に示される最終停止位置になるまで、支持部材１１が上昇機構７によって持ち上げられるならば、磁気ストリップ１０は基板２の底面２”と直接接触する。図１３から分かるように、調節・締め付けねじ２１の頭は裏張りストリップ１３の開口１９の中に間隔があいた形で位置する。永久磁気ストリップ１２によって働く引力は、磁気ストリップ１０を基板２の底面２”に保持し、シャドーマスク３のウェブ５の接触面５’を基板２の上面２’の方に引く。
【００３２】
調節・締め付けねじ２１はギャップ２３の最大ギャップ幅を調整するために使われる調整ねじである。動作位置では、引力が調節・締め付けねじ２１の頭を介して磁気ストリップ１０において下向きに働くようにギャップが最小化される。この場合、磁気ストリップ１０によって、基板２、すなわち、基板２の底面２”は、基板支持体１の支持面１’の方に引かれる。熱の交換はこの方法で最適化される。
【００３３】
けれどもまた、静電チャックシステム（ＥＳＣ）によって静電力を加えることができる。
更に、強磁性のウェブ５の横断面図が図９、図１０、図１２および図１３に示される。シャドーマスク３のウェブ５の接触面５’は、鋭角の構造でくぼんだ側面とつながる。
図示されない一つの実施形態では、液体による冷却の代わりに、ペルチェ素子を使って冷却することができる。
【００３４】
全ての開示された特徴は、（それ自体で）本発明に関連する。関係する／添付の優先権書類の開示内容（優先出願の複写）もまた、本願の特許請求の範囲にこれらの書類の特徴を包含させる目的も含め、その出願の開示全体をここに含める。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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