(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を裏面から支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材を回転する回転機構と、
前記基板支持部材に支持される前記基板の外縁から前記基板の中心方向に向って延び、当該基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部と
を備える液処理装置。
【請求項２】
前記気体噴出部が前記処理液供給部と並置される、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記基板の外縁から前記基板の中心方向に向かって前記処理液供給部が延びる方向と反対方向に前記気体噴出部が延びる、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記気体噴出部と前記処理液供給部とが一の部材に配置される、請求項１から３のいずれか一項に記載の液処理装置。
【請求項５】
前記気体噴出部から噴出される気体を吸引可能な気体吸引部を更に備え、
前記気体噴出部と前記気体吸引部とにより、前記基板を前記基板支持部材に押圧可能な気体噴出吸引部が構成される、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項６】
前記気体噴出吸引部が前記処理液供給部と並置される、請求項５に記載の液処理装置。
【請求項７】
前記基板の外縁から前記基板の中心方向に向って前記処理液供給部が延びる方向と反対方向に前記気体噴出吸引部が延びる、請求項５に記載の液処理装置。
【請求項８】
前記気体噴出吸引部と前記処理液供給部とが一の部材に配置される、請求項５から７のいずれか一項に記載の液処理装置。
【請求項９】
前記基板支持部材に支持される前記基板に他の処理液を供給する他の処理液供給部を更に備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の液処理装置。
【請求項１０】
前記処理液供給部及び前記他の処理液供給部の一方を、前記基板の中心から前記基板の外縁にまで延びるように配置させる移動機構を更に備える、請求項９に記載の液処理装置。
【請求項１１】
前記液処理供給部に対して供給される前記処理液を加熱する第１の加熱装置を更に備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の液処理装置。
【請求項１２】
前記気体噴出部に対して供給される前記気体を加熱する第２の加熱部を更に備える、請求項１１に記載の液処理装置。
【請求項１３】
基板支持部材により基板を裏面から支持するステップと、
前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出する気体噴出部から気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧するステップと、
前記基板支持部材を回転することにより前記基板を回転するステップと、
前記基板の回転方向における前記気体噴出部の下流側に配置される処理液供給部から、前記基板支持部材に支持され回転される前記基板に対して処理液を供給するステップと
を含む液処理方法。
【請求項１４】
前記押圧するステップが、前記気体噴出部から噴出される気体を吸引可能な気体吸引部により前記気体を吸引しつつ前記基板を前記基板支持部材に押圧するステップである、請求項１３に記載の液処理方法。
【請求項１５】
前記基板支持部材に支持される前記基板に他の処理液を供給する他の処理液供給部から、前記他の処理液を供給するステップを更に含む、請求項１３又は１４に記載の液処理方法。
【請求項１６】
前記処理液供給部及び前記他の処理液供給部のいずれかを、前記基板の中心の上方に位置するよう移動させるステップを更に含む、請求項１５に記載の液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板に対して所定の液処理を行う液処理装置及び液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板などの基板に処理液を供給する液処理プロセスが行われる。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理、フォトリソグラフィ工程における現像液供給処理、エッチング工程におけるエッチング処理などを挙げることができる。
【０００３】
液処理プロセスに使用される液処理装置として、半導体ウエハ等の基板の裏面中央部をスピンチャックで保持して基板を回転し、基板の表面かつ／又は裏面に処理液を供給して基板の表面かつ／又は裏面を処理する枚葉式のものが知られている。
【０００４】
また、特に基板の洗浄処理においては、基板の裏面全体を洗浄するため、基板の外周端部を複数の保持部材で押さえて基板を回転するよう構成される装置がある（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１７６７９５号公報
【特許文献２】特開２００９−１４７１４６号公報（段落００３３、００４３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板の外周端部を複数の保持部材により保持する場合には、処理液が、基板回転中に基板表面上を外周方向へ流れ保持部材に当たって跳ね返り、基板表面に再付着するおそれがある。このため、基板の外周端部を保持する保持部材に代わって、基板の裏面を支持部材で支持しつつ、基板表面のほぼ全体に対してＮ２ガスなどのガスを噴出するとともに吸引することにより基板を保持する基板処理装置が提案されている（特許文献２）。
【０００７】
この基板処理装置によれば、基板の外周端部に保持部材がないため、処理液の跳ね返りは生じず、したがって、基板表面への処理液の再付着という問題は解消される。 
しかし、基板表面のほぼ全体に対してガスが噴出される場合、基板表面を流れる処理液の流れが噴出されるガスによって阻害されるおそれがある。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮して為され、ガスを噴出することにより基板を押さえつつ基板表面を洗浄する際に、基板表面上の洗浄液の流れが噴出するガスにより阻害されるのを抑制可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える液処理装置が提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、基板支持部材により基板を裏面から支持するステップと、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出する気体噴出部から気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧するステップと、前記基板支持部材を回転することにより前記基板を回転するステップと、前記基板の回転方向における前記気体噴出部の下流側に配置される処理液供給部から、前記基板支持部材に支持され回転される前記基板に対して処理液を供給するステップとを含む液処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の実施形態によれば、基板回転時のずれを容易に抑制しつつ効率的に液処理を行うことができる液処理装置及び液処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態による液処理装置を含む基板処理装置を示す概略上面図である。
【図２】本発明の実施形態による液処理装置を示す概略側面図である。
【図３】図２の液処理装置の複合部材とウエハとの水平方向における位置関係を示す図である。
【図４】図２の液処理装置の複合部材の機能を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施形態による液処理装置の複合部材の変形例を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施形態による液処理装置の複合部材の他の変形例を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付図面においては、同一の又は対応する部品または部材には、同一の又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
始めに、図１を参照しながら、本発明の実施形態による液処理装置を含む基板処理装置について説明する。図１に示すとおり、基板処理装置１００は、複数のウエハＷを収容する複数の（図示の例では４つの）ウエハキャリアＣが載置されるキャリアステーションＳ１と、キャリアステーションＳ１と後述の液処理ステーションＳ３との間でウエハＷを受け渡す搬入出ステーションＳ２と、本発明の実施形態による液処理装置１が配置される液処理ステーションＳ３とを備える。
【００１５】
搬入出ステーションＳ２には、ウエハキャリアＣからウエハＷを搬出してステージ１３に載置し、また、ステージ１３からウエハＷを取り上げてウエハキャリアＣへ搬入する搬送機構１１を有している。搬送機構１１は、ウエハＷを保持する保持アーム１１ａを有している。搬送機構１１は、ウエハキャリアＣの配列方向（図中のＸ方向）に延びるガイド１２に沿って移動することができる。また、搬送機構１１は、Ｘ方向に垂直な方向（図中のＹ方向）及び上下方向に保持アーム１１ａを移動させることができ、水平面内で保持アーム１１ａを回転させることができる。
【００１６】
液処理ステーションＳ３は、Ｙ方向に延びる搬送室１６と、搬送室１６ａの両側に設けられた複数の液処理装置１とを有している。搬送室１６には、搬送機構１４が設けられ、搬送機構１４は、ウエハＷを保持する保持アーム１４ａを有している。搬送機構１４は、搬送室１６に設けられＹ方向に延びるガイド１５に沿って移動することができる。また、搬送機構１４は、保持アーム１４ａをＸ方向に移動することができ、水平面内で回転させることができる。搬送機構２４は、搬入出ステーションＳ２の受け渡しステージ１３と各液処理装置１との間でウエハＷを搬送する。
【００１７】
以上の構成を有する基板処理装置１００においては、キャリアステーションＳ１に載置されるウエハキャリアＣから搬送機構１１によってウエハＷが取り出されてステージ１３に載置される。ステージ１３上のウエハＷは、液処理ステーションＳ３内の搬送機構１４により液処理装置１に搬入され、ウエハＷの表面に対して液処理が行われる（後述）。液処理後、ウエハＷは、搬入時と逆の経路（手順）によりウエハキャリアＣへ戻される。また、一のウエハＷに対して液処理が行われる間に、他のウエハＷが他の液処理装置１へ順次搬送され、他のウエハＷに対して液処理が行われる。このため、高いスループットでウエハＷに対して液処理を行うことができる。
【００１８】
次に、図２から図４までを参照しながら、液処理装置１について説明する。図示のとおり、液処理装置１は、ウエハＷを支持するウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０を回転するモータＭと、ウエハＷをウエハ支持部材１０に対して押圧するとともに、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷに対して処理液を供給する複合部材２０とを備える。また、液処理装置１には、ウエハ支持部材１０の周囲を取り囲み、流体供給部材２００からウエハＷに供給される処理液を受け取り、排出口３０ｄから外部へ排出するカップ部３０が設けられている。液処理装置１は筐体１Ｃを有し、上述のウエハ支持部材１０、モータＭ、複合部材２０、及びカップ部３０などが筐体１Ｃ内に収容されている。また、筐体１Ｃには、ウエハＷを筐体１Ｃ内に搬入し、筐体１Ｃから搬出するための搬送口１Ｈが設けられ、搬送口１Ｈは、駆動部（図示せず）により駆動されるシャッター１Ｇにより開閉可能である。
【００１９】
ウエハ支持部材１０は、中央部に開口を有する円環形状のプレート部材１０ａと、プレート部材１０ａの裏面側において中央部の開口の開口縁に取り付けられる中空の円筒形状のベース部１０ｂと、プレート部材１０ａの外周から立ち上がる円筒形状の円周部１０ｃとを有している。円周部１０ｃは、ウエハＷの外径よりもわずかに大きい内径を有し、上部には、円周部１０ｃから内方に延びる爪部Ｓが設けられている。図３に示すように、本実施形態においては、円周部１０ｃには、１２個の爪部Ｓが所定の間隔で設けられている。これらの爪部ＳはウエハＷの裏面周縁部に接してウエハＷを支持する。
【００２０】
再び図２を参照すると、ベース部１０ｂの内側には、筐体１の底部中央に設けられた開口に取り付けられるスリーブ３４ｓが設けられている。また、スリーブ３４ｓの上端には、スリーブ３４ｓとベース部１０ｂとの隙間から、後述する処理液供給部２０Ｌからの液体が流れ落ちるのを防ぐため、バッフル板３４ｂが設けられている。また、ベース部１０ｂの上端が延在し、液体（流体）がバッフル板３４ｂの下方を回り込むのを抑えている。
【００２１】
また、モータＭは、ウエハ支持部材１０のベース部１０ｂを取り囲み、ベース部１０ｂを回転可能に保持している。これによりウエハ支持部材１０とウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷとを回転することができる。
【００２２】
ウエハ支持部材１０により支持されるウエハＷの上方には複合部材２０が配置されている。複合部材２０は、支持部材２０Ｓにより昇降機構２０Ｅに接続され、昇降機構２０Ｅにより上下に移動可能である。複合部材２０は、ウエハＷが筐体１Ｃ内に搬入されるとき、昇降機構２０Ｅによって上方位置に退避し、ウエハＷが搬入されてウエハ支持部材１０によりウエハＷが支持された後、昇降機構２０Ｅにより下降し、ウエハＷの表面から僅かに上方に配置される。また、昇降機構２０Ｅには駆動機構２０Ｄが設けられ、駆動機構２０Ｄにより昇降機構２０Ｅひいては複合部材２０が水平方向に移動可能である。
【００２３】
図３は、複合部材２０及びウエハＷの水平方向の位置関係を示す図である。図示のとおり、複合部材２０は、ウエハＷのほぼ中心から外縁に向かって概ね半径方向に沿って延びている。本実施形態においては、複合部材２０は、ウエハＷに対して処理液を供給する処理液供給部２０Ｌと、ウエハＷに対して気体、例えば窒素（Ｎ２）ガスを噴出すると共に、噴出したＮ２ガスを吸引するガス噴出吸引部２０Ｇとを有している。図示のとおり、処理液供給部２０ＬはウエハＷの半径方向に沿うように、ウエハＷのほぼ中心から外縁にまで延びている。また、ガス噴出吸引部２０Ｇは、ウエハＷの回転方向ＲＤに対する処理液供給部２０Ｌの上流側において、処理液供給部２０Ｌとほぼ平行に配置されている。
【００２４】
処理液供給部２０Ｌは、本実施形態においては、複合部材２０の長手方向に延びる導管として形成され、導管の底部には、ウエハＷに向かって開口する複数の孔２ＬＨが所定の間隔で形成されている。また、処理液供給部２０Ｌには、図２に示すように、開閉弁３ＬＶ、流量計３ＬＦ、及びニードル弁３ＬＮが設けられた配管３Ｌを介して処理液供給源ＬＳが接続されている。このような構成により、処理液供給源ＬＳから供給される処理液が、処理液供給部２０Ｌの複数の孔２ＬＨからウエハＷに向けて供給される。処理液としては、例えば洗浄処理においては脱イオン水（ＤＩＷ）、アルコール（例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ＳＣ１(ＮＨ４ＯＨ+Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ)、又はＳＣ２（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）などを用いることができる。また、現像処理においては現像液が薬液として用いられる。さらに、エッチング処理においては、フッ酸（ＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、又はＨＮＯ３などを処理液として使用しても良い。
【００２５】
ガス噴出吸引部２０Ｇには、図３及び図４に示すように、ウエハＷに向かって開口する複数の孔２ＧＨ及び２ＥＨが２列に形成されている。複数の孔２ＧＨと複数の孔２ＥＨとは、本実施形態においては、複合部材２０の長手方向に沿って交互に配列されている。複数の孔２ＧＨは、所定の導管を通して、開閉弁３ＧＶ、流量計３ＧＦ、及びニードル弁３ＧＮが設けられた配管３Ｇの一端に接続されている。配管３Ｇの他端にはガス供給源ＧＳが接続されている。このような構成により、ガス供給源ＧＳから供給されるガスが、図４に矢印ＡＧで示すように、複数の孔２ＧＨからウエハＷに向けて噴出される。
【００２６】
なお、処理液供給源ＬＳは加熱装置ＬＳｈを含むことができ、処理液に応じて、常温よりも高い温度に処理液を加熱し、処理液供給部２０Ｌへ供給しても良い。この場合、ガス供給源ＧＳもまた加熱装置ＧＳｈを含むことが好ましい。加熱装置ＧＳｈにより所定の温度にガスを加熱し、ガス噴出吸引部２０Ｇを通してウエハＷへ供給すれば、ウエハＷの温度ひいては処理液の温度が低下するのを抑えることができるため、洗浄効果の低減を抑制することができる。また、処理液やガスを加熱する場合には、配管３Ｌ及び配管３Ｇに例えばテープヒータＨを巻き付けることにより、これらの配管３Ｌ，３Ｇを所定の温度に維持することが好ましい。
【００２７】
また、複数の孔２ＥＨは、所定の導管を通して、開閉弁３ＥＶ、流量計３ＥＦ、及びニードル弁３ＥＮが設けられた配管３Ｅの一端に接続されている。配管３Ｅの他端には吸引装置ＥＳが接続されている。吸引装置ＥＳは、例えば真空ポンプであって良い。このような構成により、複合部材２０とウエハＷとの間の空間の雰囲気が、図４に矢印ＡＥで示すように、複数の孔２ＥＨから吸引装置ＥＳによって吸引される。
【００２８】
次に、これまで参照した図面を再び参照しながら、上記のように構成される液処理装置１の動作（液処理方法）を説明する。昇降機構２０Ｅ（図２）により複合部材２０が上方に退避し、シャッター１Ｇが開くと、搬送アーム（例えば搬送機構１４の保持アーム１４ａ）によりウエハＷが筐体１Ｃ内へ搬入される。搬送アームからウエハ支持部材１０にウエハＷが受け渡され、搬送アームが筐体１Ｃから退出した後、昇降機構２０Ｅにより複合部材２０が下降し、ウエハＷの表面の僅かに上方に配置される。続いて、複合部材２０のガス噴出吸引部２０ＧからウエハＷの表面に対してガスが噴出され、モータＭによりウエハ支持部材１０ひいてはウエハＷが回転される。次いで、複合部材２０の処理液供給部２０ＬからウエハＷの表面に処理液が供給される。
【００２９】
所定の時間、処理液を供給した後、処理液供給部２０Ｌからの処理液の供給を停止し、ウエハ支持部材１０の回転を停止するとともに、複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇからのガスの供給を停止する。この後、筐体１Ｃ内にウエハＷを搬入したときと逆の手順によりウエハＷを筐体１Ｃから搬出し、液処理装置１における液処理が終了する。
【００３０】
上記のように構成される液処理装置１によれば、複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇの複数の孔２ＧＨからウエハＷに向けてガスを噴出することにより、ウエハ支持部材１０の爪部ＳにウエハＷを押しつけることができる。モータＭ（図２）によってウエハ支持部材１０が回転すると、ウエハＷが爪部１２に対して滑る場合がある。このような滑りは、特に回転開始時及び回転停止時において生じやすい。しかし、本実施形態における複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇによれば、ウエハＷをガスにより爪部Ｓに押しつけることができるため、ウエハＷの回転ずれを抑制してウエハＷを確実に支持することができる。
【００３１】
また、ガス噴出吸引部２０Ｇは、ウエハＷの回転方向ＲＤに対し、処理液供給部２０Ｌの上流側に位置している。処理液供給部２０Ｌから供給される処理液は、処理液供給部２０Ｌからウエハ回転方向下流側に向かって流れるため、ガス噴出吸引部２０Ｇから噴出されるガスにより、処理液の流れが阻害され難く、ウエハＷの表面のほぼ全体に処理液が行き渡る。したがって、ウエハＷの表面を均一に処理することが可能となる。  
また、ガス噴出吸引部２０Ｇから噴出されるガスは、処理液の流れを阻害し難いため、噴出ガス量を増加して、ウエハＷをより確実に保持することが可能となる。
【００３２】
しかも、ガス噴出吸引部２０Ｇは、処理液供給部２０Ｌの上流側においてウエハＷの表面に対してガスを吹き付けるため、処理液供給部２０Ｌから供給されてウエハＷの表面をウエハ回転方向下流側に流れる処理液は、再び処理液供給部２０Ｌの下方に至る前に、ガス噴出吸引部２０Ｇからのガスにより吹き切られ得る。このため、ウエハＷの表面を流れてきた処理液は、処理液供給部２０ＬからウエハＷの表面に供給される処理液に混ざるのを抑制することができる。したがって、ウエハＷの表面に新鮮な処理液を供給することが可能となり、処理効率を向上することができる。
【００３３】
さらに、ガス噴出吸引部２０Ｇの複数の孔２ＧＨからウエハＷに向けてガスを噴出するとともに、総噴出量とほぼ同一又は僅かに少ない流量で、複数の孔２ＥＨからガスを吸引することによっても、ウエハ支持部材１０の爪部Ｓに支持されるウエハＷを爪部Ｓに押しつけることができる。すなわち、これによってもウエハＷを確実に支持することができる。しかも、ガスの噴出と吸引とを同時に行うことにより、ガス噴出吸引部２０ＧとウエハＷとの間の空間には（常圧よりも高い）所定の圧力を有する均一なガスの層が形成され得るため、ウエハＷを押しつけるだけでなく、ウエハＷの反り（撓み）を矯正することも可能となる。
【００３４】
以下、複合部材２０の変形例について説明する。図５は、変形例の複合部材２１及びウエハＷの水平方向の位置関係を示す図である。図示のとおり、複合部材２１は、ウエハＷの直径とほぼ同一又は僅かに長い長さを有し、概ねウエハＷの直径に沿って配置されている。また、複合部材２１には、処理液供給部２０Ｌに加えて処理液供給部２１Ｌが設けられている。この変形例においては、処理液供給部２１Ｌは処理液供給部２０Ｌとほぼ平行に並んで配置されている。処理液供給部２１Ｌには、図示は省略するが、処理液供給部２０Ｌに接続される配管３Ｌと同一の構成を有する配管の一端が接続され、この配管の他端には、他の処理液を供給する供給源が接続されている。また、処理液供給部２１Ｌにも、処理液供給部２０Ｌと同様に、ウエハＷに向かって開口する複数の孔２ＬＨが所定の間隔で形成されている。このような構成により、例えば洗浄処理において、処理液供給部２０Ｌから例えばＤＩＷを供給し、処理液供給部２１Ｌから例えばＩＰＡを供給することができる。
【００３５】
複合部材２１においては、ガス噴出吸引部２０Ｇは、処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌが延びる方向と反対方向に延びている。この点を除き、複合部材２１のガス噴出吸引部２０Ｇは、複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇと同様の構成を有している。このため、ガス噴出吸引部２０Ｇは、ウエハＷを爪部Ｓに押しつけることができ、これによりウエハＷを確実に支持することができる。また、ガス噴出吸引部２０Ｇの位置は、ウエハの回転方向ＲＤにおける処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌの上流側に相当するため、複合部材２０と同様の効果を発揮することができる。
【００３６】
なお、図５では、処理液供給部２０ＬがウエハＷのほぼ中心から外縁に向かって、ほぼ半径方向に沿って配置され、処理液供給部２１Ｌは半径方向からずれて配置されている。しかし、処理液供給部２１Ｌから処理液を供給する場合は、図２に示した駆動機構２０Ｄにより複合部材２１を移動して、処理液供給部２１ＬがウエハＷのほぼ中心から外縁に向かって、ほぼ半径方向に沿って配置することができる。
【００３７】
図６は、他の変形例の複合部材２２及びウエハＷの水平方向における位置関係を示す図である。図示のとおり、複合部材２２は、ウエハＷの直径とほぼ同一又は僅かに長い長さを有し、概ねウエハＷの直径に沿って配置されている。図５に示す複合部材２１と同様に、複合部材２２は、互いにほぼ平行に並んで配置される処理液供給部２０Ｌと処理液供給部２１Ｌとを有している。これらにより、処理液供給部２０Ｌ及び処理液供給部２１Ｌに対応した洗浄液を供給することが可能となる。
【００３８】
複合部材２２のガス噴出吸引部２０Ｇは、複合部材２２の一端側から他端側まで延びている。換言すると、このガス噴出吸引部２０Ｇは、処理液供給部２０Ｌ及び処理液供給部２１Ｌとほぼ平行な部分と、処理液供給部２０Ｌ及び処理液供給部２１Ｌが延びる方向と反対方向に沿って延びる部分とを有している。この点を除き、ガス噴出吸引部２０Ｇは、複合部材２０及び２１のガス噴出吸引部２０Ｇと同様の構成を有している。このような構成によれば、複合部材２２は広い範囲でウエハＷを押圧することができるため、ウエハＷをより確実に支持することが可能となる。また、複合部材２２のガス噴出吸引部２０Ｇは、処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌに対して、ウエハＷの回転方向の上流側に配置されているため、上述の複合部材２０及び２１と同様の効果を発揮することができる。
【００３９】
なお、処理液供給部２０Ｌ及び２１ＬをウエハＷに対して位置合わせするために、駆動機構２０Ｄにより複合部材２２を水平方向に移動して良いことは、先に説明した複合部材２１と同様である。
【００４０】
以上、幾つかの実施形態及び変形例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態及び変形例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。
【００４１】
例えば、上記の実施形態及び変形例において、ガス噴出吸引部２０Ｇと処理液供給部２０Ｌとは複合部材２０に一体に設けられていたが、ウエハの回転方向における処理液供給部２０Ｌの上流側にガス噴出吸引部２０Ｇが配置される限り、ガス噴出吸引部２０Ｇと処理液供給部２０Ｌとを別体で構成しても良い。  
また、ガス噴出吸引部２０Ｇは図示の形状に限らない。また、ガス噴出吸引部２０Ｇの大きさ（面積）、複数の孔２ＧＨの数、複数の孔２ＥＨの数、並びに複数の孔２ＧＨ及び２ＥＨの列の数は、図示のものに限定されることなく、例えばウエハＷのサイズや、ガス噴出吸引部２０Ｇから噴出されるガスの噴出量及び噴出圧力等を考慮し、ウエハＷを確実に押圧できるよう決定することが好ましい。  
また、上記の実施形態及び変形例においては、ウエハ支持部材１０は爪部Ｓを有し、爪部ＳによりウエハＷの裏面周縁部が支持されるが、これに限らず、ウエハＷの裏面周縁部より内側においてウエハＷを支持しても良い。
【００４２】
ガス噴出吸引部２０Ｇから噴出されるガスは、Ｎ２ガスに限らず、例えば清浄空気であっても良い。  
また、図２から図４を参照しながら説明した複合部材２０に、図５を参照しながら説明した複合部材２１における処理液供給部２１Ｌを設けても良い。逆に、複合部材２１及び２２において、処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌのいずれか一方を設けても良い。
【００４３】
さらに、複合部材２０，２１，２２は、細長い棒状の形状でなく、例えば扇状の形状を有しても良い。  
また、図２に示す加熱装置ＬＳｈは、処理液供給源ＬＳから独立して設けても良く、加熱装置ＧＳｈは、ガス供給源ＧＳから独立して設けても良い。
【００４４】
また、処理液供給部２０Ｌ又は２１Ｌは、２種類以上の処理液を切り替えて供給できるように構成されても良い。例えば、処理液供給部２０Ｌに接続される配管３Ｌに三方弁を設け、三方弁の一端に、他の処理液の供給源と接続される他の配管を接続し、三方弁を切り替えることにより、供給する処理液を切り替えても良い。他の配管に、開閉弁、流量計、及びニードル弁を設けてよいことは勿論である。  
また、ウエハＷは半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用のガラス基板であっても良い。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・液処理装置、１Ｃ・・・筐体、１Ｇ・・・シャッター、１Ｈ・・・搬送口、１０・・・ウエハ支持部材、１０ａ・・・プレート部材、１０ｂ・・・ベース部、１０ｃ・・・円周部、Ｓ・・・爪部、２０・・・複合部材、２０Ｄ・・・駆動機構、２０Ｅ・・・昇降機構、２０Ｓ・・・支持部材、２０Ｇ・・・ガス噴出吸引部、２０Ｌ・・・処理液供給部、２ＬＨ，２ＧＨ，２ＥＨ・・・孔、ＬＳ・・・処理液供給源、ＧＳ・・・ガス供給源、ＥＳ・・・吸引装置、Ｍ・・・モータ、Ｗ・・・ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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