(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝と、前記溝を挟んで対向する第１領域及び第２領域とを有する導電性のベース材と、
前記ベース材の前記第１領域上に接合されたトランジスタと、
前記ベース材の前記第２領域上に接合された内部整合回路と、
前記溝の上方を横切って、前記トランジスタと前記内部整合回路を接続するワイヤと、
前記ワイヤと前記溝の間に設けられた導電性又は非導電性の材料とを備え、
前記材料により前記ワイヤと前記ベース材との間の容量を調整することを特徴とする内部整合型トランジスタ。
【請求項２】
前記材料は、前記溝に埋め込まれた半田材又は導電性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の内部整合型トランジスタ。
【請求項３】
前記材料は、前記ワイヤと前記溝の間まで張り出した前記内部整合回路の一部であることを特徴とする請求項１に記載の内部整合型トランジスタ。
【請求項４】
前記材料は、前記ワイヤと前記溝の間に塗布された樹脂材であることを特徴とする請求項１に記載の内部整合型トランジスタ。
【請求項５】
複数の溝と、前記複数の溝を挟んで対向する第１領域及び第２領域とを有する導電性のベース材と、
前記ベース材の前記第１領域上に接合されたトランジスタと、
前記ベース材の前記第２領域上に接合された内部整合回路と、
前記複数の溝の上方を横切って、前記トランジスタと前記内部整合回路を接続するワイヤとを備え、
前記複数の溝により前記ワイヤと前記ベース材との間の容量を調整することを特徴とする内部整合型トランジスタ。
【請求項６】
前記複数の溝は、第１溝と、前記第１溝の底部に形成された第２溝とを有することを特徴とする請求項５に記載の内部整合型トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波帯で用いられる高出力内部整合型トランジスタに関し、特に内部整合回路やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる内部整合型トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ベース材上に半田接合されたトランジスタと内部整合回路とを金ワイヤにより接続した内部整合型トランジスタが用いられている（例えば、特許文献１参照）。トランジスタと内部整合回路の間においてベース板にＶ溝が形成されている。このＶ溝は、トランジスタと内部整合回路の位置合わせや半田の回りこみ防止に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−４８７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来は、使用周波数に応じて内部整合回路を変えていた。そして、金ワイヤの横方向長さや高さを変えることで、トランジスタと内部整合回路の整合を取っていた。このため、使用周波数帯域に応じて内部整合回路やパッケージ外形サイズを変える必要があった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、内部整合回路やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる内部整合型トランジスタを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、溝と、前記溝を挟んで対向する第１領域及び第２領域と有する導電性のベース材と、前記ベース材の前記第１領域上に接合されたトランジスタと、前記ベース材の前記第２領域上に接合された内部整合回路と、前記溝の上方を横切って、前記トランジスタと前記内部整合回路を接続するワイヤと、前記ワイヤと前記溝の間に設けられた導電性又は非導電性の材料とを備え、前記材料により前記ワイヤと前記ベース材との間の容量を調整することを特徴とする内部整合型トランジスタである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、内部整合回路やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る内部整合型トランジスタを示す平面図である
【図２】実施の形態１に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。
【図３】実施の形態１に係る内部整合型トランジスタの等価回路である。
【図４】実施の形態１と比較例について利得の周波数依存性を調べた結果を示す図である。
【図５】実施の形態２に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。
【図６】実施の形態３に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。
【図７】実施の形態４に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。
【図８】実施の形態４に係る内部整合型トランジスタの等価回路である。
【図９】実施の形態４に係る内部整合型トランジスタの変形例を示す拡大断面図である。
【図１０】実施の形態５に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。
【図１１】実施の形態５に係る内部整合型トランジスタの等価回路である。
【図１２】実施の形態６に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施の形態に係る内部整合型トランジスタについて図面を参照して説明する。同じ構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る内部整合型トランジスタを示す平面図である。ベース材１０は導電性金属にＡｕメッキしたものであり、ベース材１０全体がＧＮＤ電位になっている。このベース材１０の主面にＶ溝１２，１４が設けられている。ベース材１０の主面は、Ｖ溝１２とＶ溝１４の間に存在する領域１０ａと、Ｖ溝１２を挟んで領域１０ａと対向する領域１０ｂと、Ｖ溝１４を挟んで領域１０ａと対向する領域１０ｃとを有する。ベース材１０の領域１０ａ上にトランジスタ１６が半田接合されている。ベース材１０の領域１０ｂ上に内部整合回路１８が半田接合されている。ベース材１０の領域１０ｃ上に内部整合回路２０が半田接合されている。
【００１１】
図２は、実施の形態１に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。金ワイヤ２２は、Ｖ溝１２の上方を横切って、トランジスタ１６のゲート電極１６ａと内部整合回路１８を接続する。金ワイヤ２４は、Ｖ溝１４の上方を横切って、トランジスタ１６のドレイン電極１６ｂと内部整合回路２０を接続する。なお、トランジスタ１６のソース又はエミッタはビアを介してベース材１０に接続されている。
【００１２】
本実施の形態では、金ワイヤ２２とＶ溝１２の間において、Ｖ溝１２に半田材２６が埋め込まれている。金ワイヤ２４とＶ溝１４の間において、Ｖ溝１４に半田材２８が埋め込まれている。なお、半田材２６，２８の代わりに導電性樹脂などの他の導電材料を用いてもよい。
【００１３】
図３は、実施の形態１に係る内部整合型トランジスタの等価回路である。Ｌ１は金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｌ２は金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ１はＶ溝１２と金ワイヤ２２との間の容量、Ｃ２はＶ溝１４と金ワイヤ２４との間の容量である。
【００１４】
図４は、実施の形態１と比較例について利得の周波数依存性を調べた結果を示す図である。比較例は半田材２６が無い場合である。ここで、Ｖ溝１２の幅を１５０μｍ、半田材２６が埋め込まれたＶ溝１２（実施の形態１）の深さを５０μｍ、半田材２６が埋め込まれていないＶ溝１２（比較例）の深さを１５０μｍとした。この結果、Ｖ溝１２に半田材２６を埋め込むことで、利得の整合周波数帯域を５００ＭＨｚ程度シフトできることが分かった。
【００１５】
本実施の形態では、半田材２６，２８の量を調整することにより金ワイヤ２２，２４とＧＮＤ電位との距離を変えて、容量Ｃ１，Ｃ２を調整することができる。従って、内部整合回路１８，２０やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【００１６】
実施の形態２．
図５は、実施の形態２に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。実施の形態１の半田材２６，２８の代わりに、金ワイヤ２２とＶ溝１２の間まで非導電性（誘電性）の内部整合回路１８の一部１８ａが張り出し、金ワイヤ２４とＶ溝１４の間まで非導電性（誘電性）の内部整合回路２０の一部１８ｂが張り出している。
【００１７】
本実施の形態では、金ワイヤ２２，２４とベース材１０との間の空間に存在する材質を変化させることで、容量Ｃ１，Ｃ２を調整することができる。従って、内部整合回路１８，２０やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【００１８】
実施の形態３．
図６は、実施の形態３に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。実施の形態１の半田材２６，２８の代わりに、金ワイヤ２２とＶ溝１２の間に非導電性（誘電性）の樹脂材３０が塗布され、金ワイヤ２４とＶ溝１４の間に非導電性（誘電性）の樹脂材３２が塗布されている。
【００１９】
本実施の形態では、金ワイヤ２２，２４とベース材１０との間の空間に存在する材質を変化させることで、容量Ｃ１，Ｃ２を調整することができる。従って、内部整合回路１８，２０やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【００２０】
実施の形態４．
図７は、実施の形態４に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。実施の形態１の半田材２６，２８の代わりに、トランジスタ１６と内部整合回路１８との間においてベース材１０に２つのＶ溝１２ａ，１２ｂが形成され、トランジスタ１６と内部整合回路２０との間においてベース材１０に２つのＶ溝１４ａ，１４ｂが形成されている。
【００２１】
図８は、実施の形態４に係る内部整合型トランジスタの等価回路である。Ｌ１ａはＶ溝１２ａの上方にある金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｃ１ｄはＶ溝１２ａと金ワイヤ２２との間の容量である。Ｌ１ｂはＶ溝１２ａとＶ溝１２ｂの間のベース材１０の上方にある金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｃ１ｂはＶ溝１２ａとＶ溝１２ｂの間のベース材１０と金ワイヤ２２との間の容量である。Ｌ１ｃはＶ溝１２ｂの上方にある金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｃ１ｃはＶ溝１２ｂと金ワイヤ２２との間の容量である。
【００２２】
Ｌ２ａはＶ溝１４ａの上方にある金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ２ｄはＶ溝１４ａと金ワイヤ２４との間の容量である。Ｌ２ｂはＶ溝１４ａとＶ溝１４ｂの間のベース材１０の上方にある金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ２ｂはＶ溝１４ａとＶ溝１４ｂの間のベース材１０と金ワイヤ２４との間の容量である。Ｌ２ｃはＶ溝１４ｂの上方にある金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ２ｃはＶ溝１４ｂと金ワイヤ２４との間の容量である。
【００２３】
本実施の形態では、Ｖ溝１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂの深さを調整することにより金ワイヤ２２，２４とＧＮＤ電位との距離を変えて、容量Ｃ１，Ｃ２を調整することができる。従って、内部整合回路１８，２０やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【００２４】
図９は、実施の形態４に係る内部整合型トランジスタの変形例を示す拡大断面図である。金ワイヤ２２の下に３つのＶ溝１２ａ，１２ｂ，１２ｃを形成し、金ワイヤ２４の下に３つのＶ溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃを形成している。この場合でも同様の効果を得ることができる。これに限らず、Ｖ溝の数を２以上１０以下の範囲で設定することができる。
【００２５】
実施の形態５．
図１０は、実施の形態５に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。実施の形態４の複数のＶ溝１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂの代わりに、第１溝３４，３６と第２溝３８，４０が形成されている。第１溝３４は金ワイヤ２２の下方においてベース材１０に形成され、第２溝３８は第１溝３４の底部に形成されている。第１溝３６は金ワイヤ２４の下方においてベース材１０に形成され、第２溝４０は第１溝３６の底部に形成されている。
【００２６】
図１１は、実施の形態５に係る内部整合型トランジスタの等価回路である。Ｌ１ｄは第１溝３４の左側の上方にある金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｃ１ｄは第１溝３４の左側と金ワイヤ２２との間の容量である。Ｌ１ｅは第２溝３８の上方にある金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｃ１ｅは第２溝３８と金ワイヤ２２との間の容量である。Ｌ１ｆは第１溝３４の右側の上方にある金ワイヤ２２のインダクタンス、Ｃ１ｆは第１溝３４の右側と金ワイヤ２２との間の容量である。
【００２７】
また、Ｌ２ｄは第１溝３６の左側の上方にある金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ２ｄは第１溝３６の左側と金ワイヤ２４との間の容量である。Ｌ２ｅは第２溝４０の上方にある金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ２ｅは第２溝４０と金ワイヤ２４との間の容量である。Ｌ２ｆは第１溝３６の右側の上方にある金ワイヤ２４のインダクタンス、Ｃ２ｆは第１溝３６の右側と金ワイヤ２４との間の容量である。
【００２８】
本実施の形態のように２段の溝を形成した場合でも、実施の形態４と同様に容量Ｃ１，Ｃ２を調整することができる。従って、内部整合回路１８，２０やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【００２９】
実施の形態６．
図１２は、実施の形態６に係る内部整合型トランジスタを示す拡大断面図である。実施の形態１のＶ溝１２及び半田材２６の代わりに、金ワイヤ２２の下方においてベース材１０に凸部４２が設けられ、金ワイヤ２４の下方においてベース材１０に凸部４４が設けられている。
【００３０】
本実施の形態では、凸部４２，４４の高さを調整することにより金ワイヤ２２，２４とＧＮＤ電位との距離を変えて、容量Ｃ１，Ｃ２を調整することができる。従って、内部整合回路１８，２０やパッケージ外形サイズを変えることなく、使用周波数帯域を調整することができる。
【符号の説明】
【００３１】
１０  ベース材
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ  Ｖ溝（溝）
１０ａ  領域（第１の領域）
１０ｂ，１０ｃ  領域（第２の領域）
１６  トランジスタ
１８  内部整合回路
２２  金ワイヤ
２６  半田材（材料）
３０  樹脂材（材料）
３４，３６  第１溝
３８，４０  第２溝
４２，４４  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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