(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの表面に塗布されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像の後、前記半導体ウエハが回転している状態で、前記フォトレジストに第１のリンス液を吐出しながら、前記半導体ウエハの裏面に第２のリンス液を吐出することにより、前記フォトレジストと前記半導体ウエハの裏面とを洗浄する工程と、
前記洗浄の後、前記半導体ウエハが回転している状態で、前記第１のリンス液の吐出を停止し、前記第１のリンス液の吐出を停止した後に前記第２のリンス液の吐出を停止する工程と、
前記第１のリンス液の吐出と前記第２のリンス液の吐出とを停止した後、前記半導体ウエハの回転加速度を制御しながら、該半導体ウエハの回転を減速して停止させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハの回転を停止させる工程において、前記回転加速度を−５０００（ｒｐｍ／ｓ）以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハの回転を停止させる工程において、前記半導体ウエハの回転を段階的に減速することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のリンス液の吐出を停止した後に、前記半導体ウエハの回転数を増加させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にフォトレジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で使用されるフォトレジストパターンは、半導体ウエハ上面へのフォトレジストの塗布及び露光の後、余分な部分のフォトレジストを除去する現像工程によって形成される。
【０００３】
従来の現像工程では、半導体ウエハの表面に現像液を供給して余分な部分のフォトレジストを現像液に溶解させた後、その現像液をリンス液で洗い流し、最後に半導体ウエハを高速回転させてリンス液の除去及び乾燥を行なう。
【０００４】
また、上述の現像処理において、ウエハ表面側の汚れたリンス液がウエハ裏面側に回り込むのを防ぐために、半導体ウエハの表面及び裏面に同時にリンス液を供給しつつ洗浄を行う方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、従来の現像工程では半導体ウエハの表面及び裏面に同時にリンス液を供給しつつ洗浄を行なっても半導体ウエハの裏面に汚れが付着してしまう場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３２１５８１号公報
【特許文献２】特開２０００−１４７７８８号公報
【特許文献３】特開２００４−２２７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、フォトレジストの現像工程において、半導体ウエハの裏面への汚れの付着を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一観点によれば、半導体ウエハの表面に塗布されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像の後、前記半導体ウエハが回転している状態で、前記フォトレジストに第１のリンス液を吐出しながら、前記半導体ウエハの裏面に第２のリンス液を吐出することにより、前記フォトレジストと前記半導体ウエハの裏面とを洗浄する工程と、前記洗浄の後、前記半導体ウエハが回転している状態で、前記第１のリンス液の吐出を停止し、前記第１のリンス液の吐出を停止した後に前記第２のリンス液の吐出を停止する工程と、前記第１のリンス液の吐出と前記第２のリンス液の吐出とを停止した後、前記半導体ウエハの回転加速度を制御しながら、該半導体ウエハの回転を減速して停止させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
上記一観点の半導体装置の製造方法によれば、第１のリンス液の吐出と第２のリンス液の吐出とを停止した後、半導体ウエハの回転数を制御しながら減速して停止させている。そのため、半導体ウエハの回転を停止させる際に半導体ウエハの裏面側で乱流の発生を抑制して乱流による排液の舞い上がりを防ぐことができ、半導体ウエハの裏面への汚れの付着を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、予備的調査に使用した現像装置を示すブロック図である。
【図２】図２は、図１に示す現像装置のスピンチャック、カップ及びケース体の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、予備的調査での現像液の洗浄処理を示す表である。
【図４】図４は、図３の洗浄処理での半導体ウエハの回転数及びリンス液供給の期間を示すグラフである。
【図５】図５は、予備的調査の洗浄処理により得られた半導体ウエハの裏面を示す図である。
【図６】図６は、半導体ウエハの裏面に汚れが付着した場合の問題を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、予備的調査において半導体ウエハの裏面に汚れが付着する原因を示す模式図である。
【図８】図８は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図９】図９は、第１実施形態の半導体装置の製造方法における現像液の洗浄処理を示す表である。
【図１０】図１０は、図９の洗浄処理での半導体ウエハの回転数及びリンス液供給の期間を示すグラフである。
【図１１】図１１は、図９の第７工程での半導体ウエハの裏面側の空気の流れを示す模式図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図１３】図１３は、第２実施形態の半導体装置の製造方法における現像液の洗浄処理を示す表である。
【図１４】図１４は、図１３の洗浄処理での半導体ウエハの回転数及びリンス液供給の期間を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施形態の説明に先立ち、本願発明者が行った予備的調査について説明する。
【００１２】
本願発明者は、現像工程でウエハの裏面に汚れが付着する原因を解明するために下記に説明する予備的調査を行った。
【００１３】
まず、予備的調査に用いた現像装置について説明する。ここに、図１は予備的調査に用いた現像装置を示すブロック図であり、図２は、図１の現像装置のスピンチャック、カップ及びケースの構造を示す断面図である。尚、図２ではスピンチャックの中心軸（Ｉ−Ｉ線）から片側は省略している。
【００１４】
図１及び図２に示すように、現像装置１０は軸１１ａ周りに回転可能なスピンチャック１１を備えている。スピンチャック１１は、例えば真空チャックであり不図示の吸引口で載置されたウエハ３０（半導体ウエハ）を吸着して保持することができる。スピンチャック１１の中心部の上方には現像液ノズル１２と、第１のリンス液ノズル１３とが配置されている。現像液ノズル１２は、現像液供給装置１８から供給された現像液を吐出する。第１のリンス液ノズル１３は、リンス液供給装置１９から供給された第１のリンス液（例えば純水等）を、図２の矢印Ａに示すようにウエハ３０の表面に向けて吐出する。
【００１５】
スピンチャック１１及びスピンチャック１１に保持されるウエハ３０の側方及び下方を囲む部分にはケース体１４が配置されており、そのケース体１４の外周付近の下端部にはウエハ３０から流れ出た現像液及びリンス液を排出するための排液排出口１４ａが設けられている。
【００１６】
ケース体１４の内側には、上側から見て中心側が円形にくり抜かれた皿状のカップ１５が配置されている。カップ１５の内周側の縁部にはリング状の凸部１５ａが形成されており、その凸部１５ａには周方向に一定間隔を開けて４つの第２のリンス液ノズル１６が埋め込まれている。第２のリンス液ノズル１６は、リンス液供給装置１９から供給された第２のリンス液（例えば純水等）を、図２の矢印Ｂに示すようにウエハ３０の裏面に向けて吐出する。
【００１７】
カップ１５の外周側の縁部には、ウエハ３０の表面側の汚れた現像液や第１のリンス液がウエハ３０の裏面側に回り込むのを阻止するために、カップ１５の上面から壁状に突出したリング状部材１７が設けられている。このリング状部材１７は、スピンチャック１１に保持されたウエハ３０との間で１ｍｍ程度の間隔を形成する。第２のリンス液ノズル１６からリンス液を吐出させることでウエハ３０とリング状部材１７との隙間が第２のリンス液によって閉塞され、現像液や第１のリンス液の侵入を防ぐことができる。
【００１８】
リング状部材１７の下部には、第２のリンス液ノズル１６から吐出されたリンス液を排出するための排液排出口１５ｂが設けられている。また、カップ１５の内周部１５ｃの下端部に排気口１４ｂが設けられている。排気口１４ｂは、ウエハ３０を高速回転させて乾燥させる際に発生するミスト状の第２のリンス液を排気と共に排出する。これにより、ミストがウエハ３０の裏面に付着し難くなり、ウエハ３０を効率的に乾燥させることができる。
【００１９】
さらに、現像装置１０は、現像液供給装置１８、リンス液供給装置１９及びモータ２０に接続された制御装置２１を備え、制御装置２１により、スピンチャック１１の回転動作の制御、現像液ノズル１２の吐出動作、第１、第２のリンス液ノズル１３、１６の吐出動作の制御を行なう。
【００２０】
以下、上述の現像装置１０を用いた予備的調査の現像工程について説明する。
【００２１】
図３は予備的調査での現像液の洗浄処理を示す表であり、図４は図３の洗浄処理での半導体ウエハの回転数及びリンス液供給の期間を示すグラフである。なお、図４において符号Ａ１を付した矢印は第１のリンス液の吐出期間を示し、符号Ｂ１を付した矢印は第２のリンス液の吐出期間を示している。また、図４において符号１〜５を付した丸印は、それぞれ図３の第１〜第５工程の開始タイミングに対応している。
【００２２】
予備的調査の現像工程では、まず図３及び図４の洗浄処理に先立って、現像装置１０の現像液ノズル１２から現像液を吐出させてフォトレジストの現像を行う。ここではウエハ３０の回転を停止させた状態で現像液を滴下し、２０〜３０秒程度フォトレジストの現像を行った。
【００２３】
次に、図３及び図４の第１工程〜第５工程に示す手順でフォトレジスト及びウエハ３０の裏面の洗浄を行う。
【００２４】
まず、第１工程において、第１のリンス液ノズル１３及び第２のリンス液ノズル１６から純水等のリンス液を吐出させつつ、ウエハ３０を回転数２０００ｒｐｍ（round per minute）で回転させつつ洗浄を行った。次に、第２工程において、引き続き第１のリンス液ノズル１３及び第２のリンス液ノズル１６からリンス液を吐出させつつ、ウエハ３０の回転数を５００ｒｐｍに落として１０秒程洗浄を行った。
【００２５】
次に、第３工程において、第１のリンス液ノズル１３及び第２のリンス液ノズル１６からのリンス液の吐出を停止させる。その後、第４工程において、ウエハ３０の回転数を４０００ｒｐｍに増加させてウエハ３０の乾燥を行った。最後に、第５工程において、ウエハ３０の回転を減速し停止させた。現像工程のスループットを向上させる観点からはできるだけ短い時間で減速することが好ましいことから、予備的調査の現像工程では回転加速度−５０００ｒｐｍ／ｓで減速させた。なお、本明細書において回転加速度ｒｐｍ／ｓは、１秒間あたりの回転数ｒｐｍの増加の割合を意味し、回転数ｒｐｍが次第に増加する場合には回転加速度は正の値となり、回転数ｒｐｍが次第に減少する場合には回転加速度は負の値となるものとする。
【００２６】
上述の予備的調査の結果について説明する。
【００２７】
図５は、予備的調査の現像工程により得られた半導体ウエハの裏面を示す図であり、図６は半導体ウエハの裏面に汚れが付着した場合の問題を示す断面図である。
【００２８】
図５に示すように、予備的調査の洗浄処理を行ったところ、ウエハ３０の裏面に排液の再付着によるものとみられる汚れ３９ａが目視で確認できた。
【００２９】
図６（ａ）に示すように、汚れ３９ａはウエハ３０の裏面に形成された熱酸化膜３２（又は窒化シリコン膜等）の表面に付着する。そのため、図６（ｂ）に示すように、デバイスパターン３１ａの形成後に、ウエハ３０の裏面から熱酸化膜３２をエッチングして除去する工程において、汚れ３９ａは熱酸化膜３２のマスクとなる。そのため、汚れ３９ａが付着した部分の熱酸化膜３２が除去されずに残るといった問題を生ずる。
【００３０】
本願発明者が種々の検討を行った結果、上述の予備的調査では、下記の原因によりウエハ３０の裏面に汚れが付着することが判明した。
【００３１】
図７（ａ）、（ｂ）は、予備的調査において半導体ウエハの裏面に汚れが付着する原因を示す模式図である。なお、図７（ａ）は、図２の第４工程におけるウエハ裏面側の空気の流れを示しており、図７（ｂ）は図２の第５工程におけるウエハ裏面側の空気の流れを示している。
【００３２】
図２の第４工程ではウエハ３０の表面及び裏面のリンス液を振り切って除去するために高速回転（４０００ｒｐｍ）させている。このとき、図７（ａ）に示すように、ウエハ３０の近傍では空気が粘性によってウエハ３０とともに回転運動し、その回転運動による遠心力によってウエハ３０の外側に向かう空気の流れが発生する。このウエハ３０の外側に向かう空気の流れによって、ウエハ３０とリング状部材１７との隙間から空気が流出する。さらに、ミスト状の第２のリンス液の付着を防ぐために排気口１４ｂからの排気も行われる。そのため、ウエハ３０の裏面側ではリング状部材１７よりも内側の領域が負圧となる。また、カップ１５の底には排液排出口１５ｂから排出されなかった排液４０が残留している。
【００３３】
図７（ｂ）に示すように、図２の第５工程でウエハ３０を回転加速度−５０００ｒｐｍ／ｓ以下の減速を行うと、ウエハ３０の近傍の空気流が急激に変化する。そして、ウエハ３０の外側に向かう空気の流れが止まり、負圧状態のリング状部材１７の内側の領域に向かって、リング状部材１７とウエハ３０の隙間から空気が流入する。これにより、ウエハ３０の裏面側の領域に乱流が発生し、その乱流によってカップ１５の底に残った排液４０が巻き上げられてウエハ３０の裏面に汚れ３９ａとして付着する。
【００３４】
以上の知見に鑑みて、下記に示す実施形態を着想するに至った。以下、添付の図面を参照しつつ実施形態について説明する。
【００３５】
（第１実施形態）
図８は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示すフロー図であり、図９は第１実施形態の半導体装置の製造方法の現像液の洗浄処理を示す図であり、図１０は図９の洗浄処理における半導体ウエハの回転数及びリンス液供給タイミングを示すグラフである。なお、図１０において、符号Ａ２を付した矢印はウエハの表面へのリンス液供給期間を示し、符号Ｂ２を付した矢印はウエハの裏面へのリンス液供給期間を示し、符号１〜７を付した丸印は、それぞれ図９の第１〜第７工程の開始タイミングに対応する。
【００３６】
第１実施形態では、図１及び図２に示した予備的調査の現像装置１０を用いて現像工程を行うので、現像装置１０の説明は省略する。以下、本実施形態の現像工程について説明する。
【００３７】
まず、図８に示すように、現像液ノズルから現像液を吐出させてウエハ３０の表面のフォトレジストに現像液を供給する（ステップＳ１１）。この処理は基本的に予備的調査の現像処理と同様であり、ウエハ３０の回転を停止させた状態で２０〜３０秒程度現像液をフォトレジストに供給する。
【００３８】
次に、図９、１０（及び図８のステップＳ１２〜Ｓ１６）に示す手順によりウエハ３０の洗浄処理を行う。
【００３９】
まず、ウエハ３０の表面に第１のリンス液（例えば純水）を供給しつつ、ウエハ３０の回転数を２０００ｒｐｍまで増加させる（第１工程、ステップＳ１２）。この時、ウエハ３０の回転加速度は＋１０００ｒｐｍ／ｓとして２秒間かけて加速を行う。
【００４０】
次に、ウエハ３０の表面及び裏面にそれぞれ第１のリンス液及び第２のリンス液（例えば純水）を供給しつつ、ウエハ３０を２０００ｒｐｍで回転させながら３秒程度洗浄を行う（第２工程、ステップＳ１３）。
【００４１】
上述の第１工程及び第２工程では、ウエハ３０の回転数を２０００ｒｐｍと比較的高い回転数とすることにより、多量の現像液及び剥離したフォトレジストを含む汚れた第１のリンス液を高い遠心力で振り切ることができる。これにより、汚れが第１のリンス液がウエハ３０の裏面側に回り込むのを防ぐことができる。さらに、第２工程ではウエハ３０の裏面にもリンス液を供給するので汚れた第１のリンス液がウエハ３０の裏面側に回り込むのを防ぐことができる。
【００４２】
次に、引き続きウエハ３０の表面及び裏面に第１及び第２のリンス液を供給しつつ、ウエハ３０の回転数を５００ｒｐｍに低下させて１０秒程洗浄を行う（第３工程）。この工程では、第１、第２工程よりも低い回転速度でより長い時間をかけて洗浄を行うことにより、第１、第２工程で除去しきれなかったフォトレジスト及びウエハ３０の裏面の汚れを除去する。
【００４３】
その後、第１のリンス液ノズル１３からの第１のリンス液の吐出を停止させ、第２のリンス液ノズル１６からの第２のリンス液を吐出させつつ、２秒程度ウエハ３０を３０００ｒｐｍで回転させる（第４工程、ステップＳ１４）。この工程では、第１のリンス液の吐出を停止した後も第２のリンス液の吐出を続けるため、汚れた第１のリンス液がウエハ３０の裏面側に回り込むのを防止できる。また、第１のリンス液の吐出の停止後、ウエハ３０の回転数を上昇させることにより、ウエハ３０の表面に残存する汚れた第１のリンス液が遠心力で振り切られるので、第１のリンス液がウエハ３０の裏面側に回り込むのをさらに効果的に抑制できる。
【００４４】
その後、第２のリンス液の吐出を停止させ、ウエハ３０の回転数を２５００ｒｐｍとする（第５工程、ステップＳ１５）。
【００４５】
続いて、ウエハ３０を回転数２５００ｒｐｍで１０秒程度回転させ続けることにより、第１、第２のリンス液を振り切って除去し、ウエハ３０の表面及び裏面を乾燥させる（第６工程）。
【００４６】
最後に、ウエハ３０の回転を減速し停止させる（第７工程、ステップＳ１８）。本実施形態では、ウエハ３０の減速の際の回転加速度は−１５００ｒｐｍ／ｓとし、予備的調査での減速の際の回転加速度−５０００ｒｐｍ／ｓよりもゆっくりと減速させる。
【００４７】
以上により本実施形態の現像工程が終了する。
【００４８】
図１１は図９の第７工程での半導体ウエハの裏面側の空気の流れを示す模式図である。
【００４９】
本実施形態では、ウエハ３０を予備的調査の場合よりもよりも緩やかに減速している。これにより、図１１に示すように、減速の際にウエハ３０の裏面側の空気の流れの変化がより穏やかになる。また、ウエハ３０近傍の空気の回転運動もゆっくりと減速するので、ウエハ３０の外側に流れる空気流も徐々に減少し、リング状部材１７とウエハ３０との隙間からリング状部材１７の内側に流れ込む空気の流れが緩やかになる。そのため、ウエハ３０の裏面側の領域において、乱流の発生を抑制することができ、カップ１５の底に残った排液４０の舞い上がりを防いでウエハ３０の裏面への汚れの付着を抑制できる。
【００５０】
本願発明者は以上に説明した第１実施形態の現像工程を実際に行い、ウエハ３０の裏面の汚れ付着の有無を調べた結果、ウエハ３０の裏面への汚れ付着が抑制されることが確認できた。特に、ウエハ３０の回転加速度を−５０００ｒｐｍ／ｓ以上とした場合にウエハ３０の裏面への汚れ付着の防止に効果が得られることが確認できた。
【００５１】
（第２実施形態）
図１２は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を示すフロー図であり、図１３は第２実施形態の半導体装置の製造方法における現像液の洗浄処理を示す表である。図１４は、図１３の洗浄処理での半導体ウエハの回転数及びリンス液供給の期間を示すグラフである。なお、図１３において、符号Ａ３を付した矢印はウエハの表面への第１のリンス液供給期間を示し、符号Ｂ３を付した矢印はウエハの裏面への第２のリンス液供給期間を示す。また、符号１〜７を付した丸印は、それぞれ図９の第１〜第７工程の開始タイミングに対応する。
【００５２】
第２実施形態でも、図１及び図２に示した予備的調査の現像装置１０を用いて現像工程を行う。以下、本実施形態の現像工程について説明する。
【００５３】
まず、図１２に示すように、現像液ノズルから現像液を吐出させてウエハ３０の表面のフォトレジストに現像液を供給する（ステップＳ２１）。この処理は基本的に予備的調査の現像処理と同様であり、ウエハ３０の回転を停止させた状態で２０〜３０秒程度現像液をフォトレジストに供給する。
【００５４】
次に、図１３、１４（及び図８のステップＳ１２〜Ｓ１６）に示す手順によりウエハ３０の洗浄処理を行う。
【００５５】
まず、第１のリンス及び第２のリンスを吐出させつつ、ウエハ３０を回転数２０００ｒｐｍで回転させて洗浄を行う（第１工程、ステップＳ２２）。この工程では、ウエハ３０の回転数を２０００ｒｐｍと比較的高い回転数とすることにより、第１実施形態の第１工程と同様に、高い遠心力を利用して高濃度の現像液及び剥離したフォトレジストを含む第１のリンス液を振り切ってウエハ３０の裏面の汚染を防いでいる。また、ウエハ３０の表面及び裏面に第１、第２のリンス液を供給するので汚れた第１のリンス液がウエハ３０の裏面側に回り込むのを防ぐことができる。
【００５６】
次に、第１のリンス及び第２のリンスを吐出させつつ、ウエハ３０を回転数を５００ｒｐｍで回転させつつ１０秒程度洗浄を行う（第２工程）。この工程では、第１工程よりも低い回転速度でより長い時間をかけて洗浄を行うことにより、第１工程で除去しきれなかったウエハ３０表面の汚れを除去することができる。
【００５７】
その後、第１のリンス液ノズル１３及び第２のリンス液ノズル１６からリンス液の吐出を停止させる（第３工程、ステップＳ２３）。
【００５８】
次に、ウエハ３０の回転数を２５００ｒｐｍに上昇させて２０秒程度リンス液の除去及びウエハ３０の乾燥を行う（第４工程、ステップＳ２４）。
【００５９】
次に、ウエハ３０の１段階目の減速を行う（第５工程、ステップＳ２５）。ここでは、ウエハ３０の回転加速度を−１０００ｒｐｍ／ｓとして最初の１．５秒間で回転数を１０００ｒｐｍに減速させ、その後０．５秒間１０００ｒｐｍを維持する。
【００６０】
次に、ウエハ３０の２段階目の減速を行う（第６工程、ステップＳ２６）。２段階目の減速では、ウエハ３０の回転加速度を−１０００ｒｐｍ／ｓとして５００ｒｐｍまで減少させる。
【００６１】
その後、ウエハ３０の３段階目の減速を行なってウエハ３０の回転を停止させる（第７工程、ステップＳ２７）。３段階目の減速ではウエハ３０の回転加速度を−５０００ｒｐｍ／ｓとした。
【００６２】
以上の工程により第２実施形態の現像工程が完了する。
【００６３】
本実施形態では、上述の第５工程〜第７工程に示すようにウエハ３０の減速を段階的に行う。このような段階的な減速によっても、予備的調査の減速よりもゆっくりとした減速となり、ウエハ３０の裏面側の領域での乱流発生を抑制できる。
【００６４】
本願発明者は第２実施形態の現像工程を実際に実施して、ウエハの裏面の汚れの観察を行った。その結果、第２実施形態の現像工程によっても、予備的調査の現像工程に比べてウエハ３０の裏面の汚れが減少することが確認できた。
【００６５】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００６６】
（付記１）  半導体ウエハの表面に塗布されたフォトレジストを現像するステップと、
前記現像の後、前記半導体ウエハが回転している状態で、前記フォトレジストに第１のリンス液を吐出しながら、前記半導体ウエハの裏面に第２のリンス液を吐出することにより、前記フォトレジストと前記半導体ウエハの裏面とを洗浄するステップと、
前記洗浄の後、前記半導体ウエハが回転している状態で、前記第１のリンス液の吐出と前記第２のリンス液の吐出とを停止するステップと、
前記第１のリンス液の吐出と前記第２のリンス液の吐出とを停止した後、前記半導体ウエハの回転加速度を制御しながら、該半導体ウエハの回転を減速して停止させるステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６７】
（付記２）  前記半導体ウエハの回転を停止させるステップにおいて、前記回転加速度を−５０００（ｒｐｍ／ｓ）以上とすることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００６８】
（付記３）  前記半導体ウエハの回転を停止させるステップにおいて、前記半導体ウエハの回転を段階的に減速することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００６９】
（付記４）  前記第１のリンス液の吐出と前記第２のリンス液の吐出とを停止するステップにおいて、前記第１のリンス液の吐出を停止した後に、前記第２のリンス液の吐出を停止することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００７０】
（付記５）  前記第１のリンス液の吐出を停止した後に、前記半導体ウエハの回転数を増加させることを特徴とする付記４に記載の半導体装置の製造方法。
【００７１】
（付記６）  前記フォトレジストと前記半導体ウエハの裏面とを洗浄するステップにおいて、前記半導体ウエハの回転数を上昇させ、所定時間を経過した後に、前記回転数を減少させることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００７２】
（付記７）  前記半導体ウエハの回転を減速して停止させるステップにおいて、前記半導体基板の前記裏面に近接して設けられたリング部材の内側の空間を排気することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７３】
１０…現像装置、１１…スピンチャック、１１ａ…回転軸、１２…現像液ノズル、１３…第１のリンス液ノズル、１４…ケース体、１４ａ…排液排出口、１４ｂ…排気口、１５…カップ、１５ａ…凸部、１５ｂ…排液排出口、１５ｃ…内周部、１６…第２のリンス液ノズル、１７…リング状部材、１８…現像液供給装置、１９…リンス液供給装置、２０…モータ、２１…制御装置、３０…半導体ウエハ、３１…被エッチング膜、３３…フォトレジストパターン、３１ａ…デバイスパターン、３９ａ…汚れ、４０…排液。
【図１】
0005494079.tif 000002
【図２】
0005494079.tif 000003
【図３】
0005494079.tif 000004
【図４】
0005494079.tif 000005
【図５】
0005494079.tif 000006
【図６】
0005494079.tif 000007
【図７】
0005494079.tif 000008
【図８】
0005494079.tif 000009
【図９】
0005494079.tif 000010
【図１０】
0005494079.tif 000011
【図１１】
0005494079.tif 000012
【図１２】
0005494079.tif 000013
【図１３】
0005494079.tif 000014
【図１４】
0005494079.tif 000015