(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の平板状のセラミック層が積層された構造を有するセラミック多層基板において、
前記セラミック多層基板は、自身の側面に少なくとも一つの切欠部を有し、
前記切欠部は、前記１又は複数のセラミック層ごとに凹凸を有することで形成され、且つ、その凹凸は、前記セラミック多層基板を厚み方向から見たときに、複数方向に形成されており、
更に、前記セラミック多層基板が接着剤によって他の基板に接合される基板であり、
前記各セラミック層の外周側において、前記他の基板側の縁部が該他の基板と反対側の縁部より平面方向外側に張り出していることを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項２】
複数の平板状のセラミック層が積層された構造を有するセラミック多層基板において、
前記セラミック多層基板は、自身の側面に少なくとも一つの切欠部を有し、
前記切欠部は、前記１又は複数のセラミック層ごとに凹凸を有することで形成され、且つ、その凹凸は、前記セラミック多層基板の厚み方向における中央部分のセラミック層が内側に凹んだコ字状に形成されており、
更に、前記セラミック多層基板が接着剤によって他の基板に接合される基板であり、
前記各セラミック層の外周側において、前記他の基板側の縁部が該他の基板と反対側の縁部より平面方向外側に張り出していることを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項３】
前記セラミック多層基板は、前記厚み方向から見た場合に多角形であり、前記切欠部が、前記多角形の少なくとも一つの角部に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック多層基板。
【請求項４】
前記セラミック多層基板は、前記厚み方向から見た場合に多角形であり、前記切欠部が、前記多角形の少なくとも一つの辺に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック多層基板。
【請求項５】
前記複数のセラミック層のうち、前記他の基板に対して最も離れた位置に配置されたセラミック層の少なくとも一部が、他のセラミック層より平面方向外側に張り出していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミック多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のセラミック層からなり、例えばＬＳＩや光素子等が配置されるとともにプリント基板等に搭載されるセラミック多層基板に関し、例えばチップスケールパッケージングなどの小型のデバイスをハンドリングする際に好適なセラミック多層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数のセラミック層が積層された構造を有するとともに、その一方の主面側にＬＳＩや光素子を実装したセラミック多層基板が知られている。この種のセラミック多層基板は、例えばプリント基板の表面などに実装されている（下記特許文献１〜４参照）。
【０００３】
上述したセラミック多層基板をプリント基板に実装する場合には、例えば図１７（ａ）に模式的に示す様に、プリント基板Ｐ１上に（ＬＳＩ等の電子部品や光素子等の光部品Ｐ２を備えた）セラミック多層基板Ｐ３を配置し、ワイヤ接続を行った後、セラミック多層基板Ｐ３の側面とプリント基板Ｐ１の上面とを液状硬化性樹脂（例えば封止材、アンダーフィル、サイドフィル、非導電性フィルム・シート）等の接着剤Ｐ４によって接合していた。
【０００４】
また、図１７（ｂ）に模式的に示す様に、セラミック多層基板Ｐ５とプリント基板Ｐ６とを半田ボールＰ７によるフリップチップによって電気的に接続するとともに、半田ボールＰ７の周囲を含む様に、同様に接着剤Ｐ８によってセラミック多層基板Ｐ５とプリント基板Ｐ６とを接合していた。
【０００５】
更に、図１７（ｃ）に模式的に示す様に、セラミック多層基板Ｐ９とプリント基板Ｐ１０と各パッドＰ１１、Ｐ１２とを異方導電性フィルムＰ１３に圧着することによって、各パッドＰ１１、Ｐ１２を電気的に接続するとともに、セラミック多層基板Ｐ９とプリント基板Ｐ１０とを接合していた。
【０００６】
また、図１７（ｄ）に模式的に示す様に、セラミック多層基板Ｐ１４とプリント基板Ｐ１５との各パッドＰ１６、Ｐ１７を電気的に接続するとともに、各パッドＰ１６、Ｐ１７の周囲を含む様に、非導電性の接着剤Ｐ１８によってセラミック多層基板Ｐ１４とプリント基板Ｐ１５とを接合し固定していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３０７６２１５号公報
【特許文献２】特公平４−７７６６３号公報
【特許文献３】特開２００５−３１１２５４号公報
【特許文献４】特開２００５−３２７８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来技術の場合には、セラミック多層基板をプリント基板に接合する際に、その接合強度が十分ではなく、使用条件などによっては、熱応力の発生によって、セラミック多層基板とプリント基板との間の電気的な接続不良が発生するという問題や、セラミック多層基板とプリント基板とを接合する接着剤が剥がれるという問題が生じる恐れがあった。
【０００９】
特に、プリント基板が大きく撓む様な場合には、電気的接続不良や接着剤が剥がれる等の接合不良が発生することがあり、その対策が望まれていた。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、セラミック多層基板をプリント基板等の他の部材に接合する際に、電気的接続不良や接合不良が生じ難いセラミック多層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明は、第１態様として、複数の平板状のセラミック層が積層された構造を有するセラミック多層基板において、前記セラミック多層基板は、自身の側面に少なくとも一つの切欠部を有し、前記切欠部は、前記１又は複数のセラミック層ごとに凹凸を有することで形成され、且つ、その凹凸は、前記セラミック多層基板を厚み方向から見たときに、複数方向に形成されており、更に、前記セラミック多層基板が接着剤によって他の基板に接合される基板であり、前記各セラミック層の外周側において、前記他の基板側の縁部が該他の基板と反対側の縁部より平面方向外側に張り出していることを特徴とする。
【００１１】
なお、ここで厚み方向とは、平板状のセラミック層が積層された平板状のセラミック多層基板において、その基板の主面が広がる方向（平面方向）に対して、垂直な方向を示している（以下同様）。
【００１２】
また、厚み方向から見た場合の凹凸の方向については、手前のセラミック層が大きな場合には、実際には目視できないが、手前のセラミック層にかかわらず（透視したとして）、実施の凹凸の方向を示している（以下同様）。
【００１３】
本発明のセラミック多層基板は、自身の側面に少なくとも一つの切欠部を有しており、その切欠部の側面は、セラミック層ごとに凹凸を有する形状であり、しかも、その凹凸は、セラミック多層基板を厚み方向から見たときに、複数方向に形成されている。
【００１４】
従って、このセラミック多層基板を、接着剤を用いて他の基板、例えばマザーボードなどのプリント基板に接合する際には、接着剤が（複数の方向に凹んだ）凹部に入り込むので、接着面積が増加するとともに、アンカー効果によって、セラミック多層基板を他の基板に強固に接合することができる。
【００１５】
その結果、例えば他の基板が大きく撓む様な場合でも、電気的な接続不良や接着剤が剥がれる等の接合不良が発生し難いという顕著な効果を奏する。
更に、本発明のセラミック多層基板では、各セラミック層において、（接合される）他の基板側の縁部が、他の基板と反対側の縁部より外側に張り出していることにより、接着剤を塗布した際に、接着剤が剥がれ難いという利点がある。
なお、前記切欠部は、セラミック多層基板の厚み方向において複数存在することが、電気的接続不良や接合不良の改善にとって好ましく、更に、セラミック多層基板の厚み方向の全体わたって形成されることが一層好ましい。つまり、切欠部は、厚み方向においてどちらかの主面側に偏って形成されるよりも、厚み方向全体にわたって形成された方が、セラミック多層基板の上部と下部との接着強度の偏りを防ぐことができる。
【００１６】
また、前記切欠部は、セラミック多層基板を厚み方向から見た場合に、複数存在することが、電気的接続不良や接合不良の改善にとって好ましく、更に、等間隔に又は対称に配置されることが一層好ましい。
【００１７】
（２）本発明は、第２態様として、複数の平板状のセラミック層が積層された構造を有するセラミック多層基板において、前記セラミック多層基板は、自身の側面に少なくとも一つの切欠部を有し、前記切欠部は、前記１又は複数のセラミック層ごとに凹凸を有することで形成され、且つ、その凹凸は、前記セラミック多層基板の厚み方向における中央部分のセラミック層が内側に凹んだコ字状に形成されており、更に、前記セラミック多層基板が接着剤によって他の基板に接合される基板であり、前記各セラミック層の外周側において、前記他の基板側の縁部が該他の基板と反対側の縁部より平面方向外側に張り出していることを特徴とする。
【００１８】
本発明のセラミック多層基板は、自身の側面に少なくとも一つの切欠部を有しており、その切欠部の側面は、セラミック層ごとに凹凸を有する形状であり、しかも、その凹凸は、厚み方向における中央部分のセラミック層が内側（側面における露出側と反対側）に凹んだコ字状に形成されている。
【００１９】
従って、このセラミック多層基板を、接着剤を用いて他の基板、例えばマザーボードなどのプリント基板に接合する際には、接着剤がコ字状に凹んだ凹部に入り込むので、、接着面積が増加するとともに、アンカー効果によって、セラミック多層基板を他の基板に強固に接合することができる。
【００２０】
その結果、例えば他の基板が大きく撓む様な場合でも、電気的な接続不良や接着剤が剥がれる等の接合不良が発生し難いという顕著な効果を奏する。
更に、本発明のセラミック多層基板では、各セラミック層において、（接合される）他の基板側の縁部が、他の基板と反対側の縁部より外側に張り出していることにより、接着剤を塗布した際に、接着剤が剥がれ難いという利点がある。
なお、前記切欠部は、セラミック多層基板の厚み方向において複数存在することが、電気的接続不良や接合不良の改善にとって好ましく、更に、セラミック多層基板の厚み方向の全体わたって形成されることが一層好ましい。つまり、切欠部は、厚み方向においてどちらかの主面側に偏って形成されるよりも、厚み方向全体にわたって形成された方が、セラミック多層基板の上部と下部との接着強度の偏りを防ぐことができる。
【００２１】
また、前記切欠部は、セラミック多層基板を厚み方向から見た場合に、複数存在することが、電気的接続不良や接合不良の改善にとって好ましく、更に、等間隔に又は対称に配置されることが一層好ましい。
【００２２】
（３）本発明では、第３態様として、前記セラミック多層基板は、前記厚み方向から見た場合に多角形であり、前記切欠部が、前記多角形の少なくとも一つの角部に形成されていることを特徴とする。
【００２３】
本態様では、図１（ａ）に例示するように、セラミック多層基板を厚み方向から見た場合に、角部に切欠部が形成されているので、角部において接着剤が剥がれにくいという利点がある。また、角部に切欠部を設けても、主面に部品を実装する場合に妨げにならない。さらには、セラミック多層基板を他の基板に実装する作業の妨げにならないという利点がある。
【００２４】
なお、図１（ｃ）は図１（ａ）の切欠部が無い箇所（点線部）におけるａ１−ａ１断面を模式的に示し、図１（ｄ）は図１（ａ）の切欠部がある箇所（実線部）におけるａ２−ａ２断面を模式的に示している。
【００２５】
（４）本発明では、第４態様として、前記セラミック多層基板は、前記厚み方向から見た場合に多角形であり、前記切欠部が、前記多角形の少なくとも一つの辺に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本態様では、図１（ｂ）に例示するように、セラミック多層基板を厚み方向から見た場合に、その辺に切欠部が形成されているので、（角部に設ける場合より）セラミック多層基板から接着剤が一層剥がれにくいという利点がある。これは、接着される側面の面積が増加するためである。
【００２７】
（５）本発明では、第５態様として、前記複数のセラミック層のうち、前記他の基板に対して最も離れた位置に配置されたセラミック層の少なくとも一部が、他のセラミック層より平面方向外側に張り出していることを特徴とする。
【００２８】
この様に、（接合される）他の基板に対して最も離れた位置に配置された（即ち最上層の）セラミック層の少なくとも一部が、他のセラミック層より外側に張り出していることにより、ＬＳＩ等の電子部品の実装面積が増加するという効果がある。また、最上層のセラミック層の表面に接着剤が回り込みにくいという効果がある。つまり、最上層のセラミック層の表面や実装されたＬＳＩ等の部品が接着剤によって汚染されにくいので、ＬＳＩ等の電子部品の実装面積が増加するという効果がある。
【００３１】
以下に、上述した発明の構成について更に説明する。
・例えば、前記接着剤とは、セラミック多層基板と他の基板とを接合する材料を示しており、加熱等によって接合するいわゆる硬化性樹脂（例えば封止材、アンダーフィル、サイドフィル、非導電性フィルム・シート）などを含む概念である。
【００３２】
・また、図１（ｅ）、（ｆ）に例示する様に、セラミック多層基板の平面形状において、縦Ｄ、Ｃの寸法としては、０．５〜１００ｍｍ（好ましくは２〜５０ｍｍ）の範囲の基板を採用できる。
【００３３】
・更に、図１（ｅ）、（ｆ）に例示する様に、平面形状における切欠部の縦横の寸法Ａ、Ｂとしては、０．１〜３ｍｍ（好ましくは、０．５〜１．５ｍｍ）の範囲を採用できる。
【００３４】
これは、切り欠きの寸法が小さすぎると、凹凸を有する端面の面積が少なく、接合強度向上の効果が少ないからである。一方、切り欠きの寸法が大きすぎると、基板上面の面積が減少し、ＬＳＩ等の電子部品の実装や表面の配線の形成の妨げになるからである。
【００３５】
・また、切欠部の寸法Ａ、Ｂと基板外形の寸法Ｃ、Ｄとの関係は、Ａ／Ｃ（Ｂ／Ｄ）で表すと、例えば０．０１〜０．２（好ましくは０．０５〜０．１）の範囲を採用できる。
なお、比Ａ／Ｃと比Ｂ／Ｄは、接合強度を同じにするために、辺毎に同じであることが好ましいが、デバイスの形状、大きさ、配置、数、並びに、電極の数、配置など、必要に応じて異なっていてもよい。
【００３６】
・更に、図１（ｇ）に例示する様に、複数のセラミック層が積層されたセラミック多層基板において、隣り合うセラミック層の平面方向における凹凸のずれＥとしては、１０〜５００μｍ（好ましくは２０〜２００μｍ）の範囲を採用できる。
【００３７】
これは、凹凸のずれが小さすぎると、接着剤の入り込む量が少なく、接合強度向上の効果が少ないからである。一方、凹凸のずれが大きすぎると、基板上面の平坦度が低下し、ＬＳＩ等の電子部品の実装の妨げになるからである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（ａ）は角に切欠部を有する基板の平面図、（ｂ）は辺に切欠部を有する基板の平面図、（ｃ）は切欠部の無い箇所の側面図、（ｄ）は切欠部がある箇所の側面図、（ｅ）及び（ｆ）は基板の長さ及び切欠部の長さを示す平面図、（ｇ）は凹凸の長さを示す側面図である。
【図２】実施例１のセラミック多層基板を実装したプリント基板を図３のＢ−Ｂにて厚み方向に破断した状態を示す説明図である。
【図３】（ａ）はセラミック多層基板の平面図、（ｂ）はセラミック多層基板を（ａ）のＢ−Ｂにて破断した断面図である。
【図４】（ａ）は切欠部を示す斜視図、（ｂ）は切欠部を分解して示す斜視図、（ｃ）は切欠部をＹ方向から見た側面図、（ｄ）は切欠部をＸ方向から見た側面図である。
【図５】（ａ）は各グリーンシートを分解して示す斜視図、（ｂ）はグリーンシート積層体の切断を示す説明図である。
【図６】実施例１のセラミック多層基板をプリント基板に実装する手順を示す説明図である。
【図７】実施例２のセラミック多層基板を実装したプリント基板を図１０のＧ−Ｇにて厚み方向に破断した状態を示す説明図である。
【図８】実施例２のセラミック多層基板を製造する手順を示す説明図である。
【図９】実施例２のセラミック多層基板を製造する手順を示す説明図である。
【図１０】（ａ）は実施例３のセラミック多層基板の平面図、（ｂ）はセラミック多層基板を（ａ）のＧ−Ｇにて破断した断面図である。
【図１１】（ａ）は切欠部を示す斜視図、（ｂ）は切欠部を（ａ）のＨ−Ｈで破断した状態を示す断面図である。
【図１２】（ａ）は各グリーンシートを分解して示す斜視図、（ｂ）はグリーンシート積層体の切断を示す説明図である。
【図１３】実施例４のセラミック多層基板をプリント基板に実装する手順を示す説明図である。
【図１４】実施例５のセラミック多層基板をプリント基板に実装する手順を示す説明図である。
【図１５】実施例５のセラミック多層基板をプリント基板に実装する手順を示す説明図である。
【図１６】（ａ）は他の実施例のセラミック多層基板を示す側面図、（ｂ）は更に他の実施例のセラミック多層基板を示す側面図、（ｃ）はプリント基板の貫通孔にセラミック多層基板を埋設した状態を厚み方向に破断して示す説明図、（ｄ）はプリント基板の凹部にセラミック多層基板を埋設した状態を厚み方向に破断して示す説明図である。
【図１７】従来技術の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の実施形態の例（実施例）について説明する。
【実施例１】
【００４０】
ａ）まず、本実施例のセラミック多層基板の構成等について、図２〜図４に基づいて説明する。
図２に模式的に示す様に、本実施例のセラミック多層基板１は、（図示しない）ビアや配線層などを有する複数個（例えば６枚）のセラミック層３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ（３と総称する）が、その厚み方向に積層された構成を有している。
【００４１】
このセラミック多層基板１の厚み方向の第１主面５側（同図上側）には、例えばＣＰＵやレーザやフォトダイオード等の光素子等を含めた電子部品７が、接着剤、はんだ、導電性ペースト等（図示せず）によって接合されて実装されている。
【００４２】
一方、セラミック多層基板１の第２主面９側（同図下方）には、半田からなる半田バンプ１１及び接着剤からなる接着部１２によってプリント基板１３が接合されている。
詳しくは、セラミック多層基板１の第２主面９にはパッド１５が形成され、プリント基板１３の表面にもパッド１７が形成されており、これらの両パッド１５、１７間を接合して電気的に接続するように半田バンプ１１が配置されている。更に、半田バンプ１１をモールドする様に、セラミック多層基板１の側方の外周には、例えばアンダーフィル材の様な液状硬化性樹脂からなる接着剤が充填されており、この接着剤によって、セラミック多層基板１がプリント基板１３に接合されて搭載されている。
【００４３】
ここで、前記セラミック多層基板１の形状について説明する。
図３に示す様に、前記セラミック多層基板１は、その平面形状（第１主面５側から見た形状：厚み方向から見た形状）が略四角形であり、その四隅の角部１９には、略Ｌ字状に切り欠かれた形状の切欠部２１が形成されている。
【００４４】
この切欠部２１は、図４（ａ）に拡大して示す様に、セラミック多層基板１の角部１９における側面側（厚み方向と垂直の側）が、Ｘ方向から見た場合とＹ方向から見た場合に、共に凹凸があるように、各セラミック層３の側面側が異なる寸法にて切り欠かれたものである。そのため、図４（ｂ）に分解して示す様に、各セラミック層３の平面形状（即ち各セラミック層３における切欠部２１を構成する部分の平面形状）は、前記各セラミック層３毎にそれぞれ異なっている。
【００４５】
詳しくは、図４（ｃ）、（ｄ）に示す様に、セラミック多層基板１を側面側（Ｘ方向及びＹ方向）から見た場合に、各セラミック層３の側面が凹凸を有する様に（ここでは凹字状に凹んだ形状を有する様に）形成されている。しかも、この凹凸の形状は、Ｘ方向及びＹ方向の異なる２方向（Ｘ方向とＹ方向は垂直に交差する）から見た場合にも、同様に側面が凹凸を有する様に形成されている。
【００４６】
つまり、Ｘ方向から見た場合に、図４（ｄ）に示す様な左端の凹凸が現れるとともに、Ｙ方向から見た場合に、図４（ｃ）に示す様な右端の凹凸が現れるように、隣接するセラミック層３の切欠寸法が異なるように設定されている。
【００４７】
なお、本実施例では、切欠部２１において最上層のセラミック層３が、他のセラミック層３より、平面方向（側方）において外側に張り出している。
ｂ）次に、前記セラミック多層基板１の製造方法について、図５に基づいて説明する。
【００４８】
・まず、セラミック層３を形成するための原料粉末として、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末（平均粒径：３μｍ、比表面積：１．０ｍ2／ｇ）と、ムライト粉末（平均粒径：２μｍ、比表面積：３．０ｍ2／ｇ）とを用意した。また、セラミックのグリーンシートを形成する際のバインダ成分及び可塑剤成分として、アクリル系バインダとＤＯＰ（ジ・オチクル・フタレート）を用意した。
【００４９】
次に、前記ホウケイ酸系ガラス粉末とムライト粉末とを、重量比で５０：５０、総量で１ｋｇとなるように秤量して、ポットに入れた。
これに、前記アクリル樹脂（バインダ）を１２０ｇと、適当な粘度とシート強度を持たせるのに必要な溶剤（ＭＥＫ：メチルエチルケトン）及び可塑剤（ＤＯＰ）の適量を、前記ポットに入れ、５時間混合することにより、セラミックスラリーを得た。
【００５０】
得られたセラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、図５（ａ）に示す様に、厚み０．１５ｍｍの（６枚の）グリーンシート３１を得た。
なお、このグリーンシート３１に対しては、周知の方法により、層間を電気的に接続するためのビアや各層上に配線層を形成するが、ここでは、その説明は省略する。なお、複数個の基板を同時に製造するように配置してもよい。
【００５１】
・次に、各グリーンシート３１に対して、前記切欠部２１を形成するために、パンチングによる穴開け加工を行って、各グリーンシート３１の四隅の方向に、それぞれ正方形の開口部３３を形成する。このとき、各セラミック層３の形状に対応して、各グリーンシート３１の開口部３３の位置及び大きさを設定する。
【００５２】
なお、開口部３３の位置及び大きさや、後述する各セラミック層３の各辺に対応した縦横の切断ラインＣ１〜Ｃ４は、各グリーンシート３１の四隅にあけた共通のスルーホール３５の位置を基準として設定することができる。つまり、所定の形状をした長方形の四隅に各グリーンシート３１共通のスルーホール３５を形成することにより、このスルーホール３５の位置を基準として、開口部３３や切断ラインＣ１〜Ｃ４を設定することができる。
【００５３】
・次に、図５（ｂ）に示す様に、各グリーンシート３１の各スルーホール３５の位置が、厚み方向（図の上下方向）に一致する様にして、各グリーンシート３１を積層してグリーンシート積層体３７を形成する。
【００５４】
・次に、全てのグリーンシート３１の開口部３３が重なった位置を通る様に、即ち、上述した側面に凹凸のある切欠部２１を有するセラミック多層基板１の形状となる様に、グリーンシート積層体３７を厚み方向に切断する。
【００５５】
詳しくは、全ての開口部３３が厚み方向に連なって貫通する貫通孔３９の（平面形状における）例えば中心を通る様に、グリーンシート積層体３７の縦横の辺と平行なカットラインＣ１〜Ｃ４を設定し、カッターを用いて、このカットラインＣ１〜Ｃ４に沿って、グリーンシート積層体３７を切断する。
【００５６】
・その後、周知の様に、この切断されたグリーンシート積層体３７を所定の温度（例えば１０００℃）で焼成することにより、切欠部２１を有するセラミック多層基板１を得た。
【００５７】
なお、セラミック多層基板１上のパッド１５は、セラミック多層基板１の表面の配線層に対して、（例えばＮｉＡｕの）メッキを施すことにより形成することができる。
ｃ）次に、上述の様に製造されたセラミック多層基板１をプリント基板１３に実装する方法について、図６に基づいて説明する。
【００５８】
・図６（ａ）に示す様に、電子部品７が下方になる様に、セラミック多層基板１を上下逆にし、セラミック多層基板１の第２主面９側において、治具（図示せず）を用いて、パッド１５に重なる様に半田バンプ材料を位置決めして保持する。
【００５９】
この半田バンプ材料の形成方法としては、周知の技術を用いることができ、例えばマスクを用いてパッド１５上に半田ボールを乗せても良いし、クリーム半田を印刷してもよい。
【００６０】
・次に、（溶融する前の）半田バンプ材料を保持した状態で、全体を半田バンプ材料の融点以上まで昇温し半球状の半田バンプ１１とし、その半田バンプ１１の片側をパッド１５に接合した状態とする。
【００６１】
・次に、図６（ｂ）に示す様に、半田バンプ１１がパッド１５に接合した状態で、セラミック多層基板１を裏返し、半田バンプ１１がプリント基板１３のパッド１７と接する様に、セラミック多層基板１とプリント基板１３との位置決めを行う。
【００６２】
・次に、この様に位置決めされた状態で、再度昇温し、半田バンプ１１とパッド１７とを接合する。
・次に、図６（ｃ）に示す様に、セラミック多層基板１の側方の外周に、詳しくは、角部１９の切欠部２１を含む外周全体に、例えばニードル４１を用いて、適度な粘度を有する接着剤を供給する。
【００６３】
・次に、全体を昇温することにより、この接着剤を硬化させて接着部１２を形成し、セラミック多層基板１とプリント基板１３とを接合する。
このとき、接着剤は、最上層のセラミック層３より下の各セラミック層３の側面全体を覆う様に供給する。
【００６４】
ｄ）この様に、本実施例のセラミック多層基板１は、（平面形状において）四角形の角部１９が切り欠かれた切欠部２１を有しており、その切欠部２１の側面側の端面は、セラミック層３ごとに凹凸を有する形状である。しかも、その凹凸は、セラミック多層基板１を厚み方向に見たときに、複数方向に形成されているとともに、側面側においてセラミック層３の中央部分にて内側に凹んでコ字状の凹部となっている箇所が複数個形成されている。
【００６５】
従って、このセラミック多層基板１を、接着剤を用いてプリント基板１３に接合する際には、接着剤が凹部に入り込むので、接着面積が増加するとともに、アンカー効果によって、セラミック多層基板１をプリント基板１３に強固に接合することができる。
【００６６】
その結果、例えばプリント基板１３が大きく撓む様な場合でも、電気的な接続不良や接着剤が剥がれる等の接合不良が発生し難いという顕著な効果を奏する。
更に、本実施例では、最上層のセラミック層３ａが、他のセラミック層３ｂ〜３ｆより外側に張り出しているので、部品実装のための有効面積が増加するという効果がある。また、最上層のセラミック層３ａの表面に接着剤が回り込みにくいので、最上層のセラミック層３ａの表面が接着剤によって汚染されにくいという効果がある。
【００６７】
なお、切欠部２１における最上層のセラミック層３ａが、他のセラミック層３ｂ〜３ｆより外側に張り出していることが好ましいが、一部でも張り出していれば効果はある。
また、本実施例では、各切欠部２１は、セラミック多層基板１の所定箇所にて、基板全体を厚み方向に切り欠くように形成されているが、同じ厚み方向において特定のセラミック層３に１箇所又は複数箇所に離散的に切欠部２１を設けてもよい。
【実施例２】
【００６８】
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
本実施例のセラミック多層基板は、前記実施例１とは、切欠部の凹凸の形状が異なるので、異なる内容について説明する。
【００６９】
ａ）まず、本実施例のセラミック多層基板の構成について、図７に基づいて説明する。
図７に示す様に、本実施例のセラミック多層基板５１は、前記実施例１とほぼ同様に、複数（例えば５枚）のセラミック層５３が積層された基板であり、このセラミック多層基板５１の（平面方向における四隅の）角部には、切欠部５５が形成されている。
【００７０】
また、セラミック多層基板５１にはＬＳＩ等の電子部品５７が実装されており、このセラミック多層基板５１は、半田バンプ５９や（例えば切欠部５５に充填された接着剤からなる）接着部６１によってプリント基板６３に実装されている。
【００７１】
特に本実施例では、５枚のセラミック層５３のうち、３枚のセラミック層５３ａ、５３ｃ、５３ｅの平面形状が同じで、その間の２枚のセラミック層５３ｂ、５３ｄの平面形状が同じように設定されている。これにより、切欠部５５の側面の凹凸形状が規則的になっている。
【００７２】
ｂ）次に、本実施例のセラミック多層基板５１の製造方法について、図８及び図９に基づいて説明する。なお、図８及び図９の各分図において上図が平面図であり、下図が（各Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｃ１、Ｆ−Ｆのラインで切断した）断面図である。
【００７３】
・まず、図８（ａ）に示す様に、前記実施例１と同様にして、グリーンシート７１を得た。
・次に、図８（ｂ）に示す様に、このグリーンシート７１に対して、切欠部５５を形成するために、パンチングによる穴開け加工を行って、グリーンシート７１の四隅の方向に、それぞれ正方形の開口部７３を形成する。ここでは、この様なグリーンシート７１を、セラミック層７３の枚数に対応して例えば５枚作製する。
【００７４】
・次に、図８（ｃ）に示す様に、各グリーンシート７１を積層してグリーンシート積層体７５を形成するが、その際には、開口部７３の位置を（貫通孔７７が積層方向に貫通する様に）厚み方向に揃えるとともに、開口部７３を平面方向（Ｘ方向及びＹ方向に）に若干ずらすようにする。
【００７５】
詳しくは、厚み方向から見た場合に、第１グリーンシート７１ａと第３グリーンシート７１ｃと第５グリーンシート７１ｅとの位置を一致させて、各グリーンシート７１ａ、７１ｃ、７１ｅの開口部７３の位置を一致させる。同様に、第２グリーンシート７１ｂと第４グリーンシート７１ｄとの位置を一致させて、各グリーンシート７１ｂ、７１ｄの開口部７３の位置を一致させる。このとき、第１、３、５グリーンシート７１ａ、７１ｃ、７１ｅの開口部７３の位置と、第２、４グリーンシート７１ｂ、７１ｄの開口部７３の位置を、Ｘ方向及びＹ方向にわずかにずらせる。
【００７６】
・次に、図９（ａ）に示す様に、全てのグリーンシート７１の開口部７３が重なった位置を通る様に、詳しくは、貫通孔７７の（平面形状における）中心を通る様に、グリーンシート７１の縦横の辺と平行なカットラインＣ１〜Ｃ４を設定し、カッターを用いて、このカットラインＣ１〜Ｃ４に沿って、グリーンシート積層体７５を切断する。
【００７７】
・これによって、図９（ｂ）に示す様に、四隅の切欠部５５に対応した未焼成切欠部７９を有するグリーンシート積層体７５が形成される。
その後、周知の様に、この（カット後の）グリーンシート積層体７５を所定の温度で焼成することにより、切欠部５５を有するセラミック多層基板７１を得た。
【００７８】
上述した様にして得られたセラミック多層基板７１は、前記実施例１と同様な効果を奏する。
【実施例３】
【００７９】
次に、実施例３について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
本実施例のセラミック多層基板は、前記実施例１とは、切欠部を形成する位置が異なるので、異なる内容について説明する。
【００８０】
ａ）まず、本実施例のセラミック多層基板の構成について、図１０及び図１１に基づいて説明する。
図１０に示す様に、本実施例のセラミック多層基板８１は、前記実施例１と同様に、複数のセラミック層８３が積層された基板である。
【００８１】
特に本実施例では、セラミック多層基板８１の各辺の中央部分に、１箇所づつ（平面形状が）略コ字状の切欠部８５が形成されている。
図１１に示す様に、この切欠部８５においても、前記実施例１と同様に、各セラミック層８３の側方の端面は、Ｘ方向及びＹ方向において凹凸のある形状となっている。
【００８２】
つまり、各セラミック層８３の切欠部８５側では、Ｘ方向及びＹ方向において内側に引き込む寸法を、隣接するセラミック層８３同士で異なるように設定することにより、切欠部８５の側方（三方向）の端面において、凹凸を形成するようにしている。
【００８３】
ｂ）次に、セラミック多層基板８１の製造方法について説明する。
本実施例のセラミック多層基板８１を製造する場合には、図１２（ａ）に示す様に、前記実施例１と同様に、各セラミック層８３に対応した各グリーンシート９１に、それぞれ切欠部８５の側面の形状に対応した開口部９３を設ける。そして、図１２（ｂ）に示す様に、各グリーンシート９１を積層してグリーンシート積層体９５を形成し、次に、（セラミック多層基板８１と対応した形状となる様に）開口部９３が重なりあって形成される貫通孔９７の位置で各辺に沿ってＣ１〜Ｃ４で切断し、その後焼成する。
【００８４】
なお、切欠部８５の側面における凹凸の状態が実施例２と同様に規則的な場合には、実施例２の製造方法の様に、同じ開口部の配置のグリーンシートを作製して積層する際に、Ｘ方向及びＹ方向にわずかにずらすことによって製造することもできる。
【００８５】
本実施例によっても、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、各辺の中央部に切欠部８５が形成されて接着剤が充填されているので、接着面積が増えて一層接合強度が高いという利点がある。
【実施例４】
【００８６】
次に、実施例４について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
本実施例のセラミック多層基板は、前記実施例１と同様な構成であるが、このセラミック多層基板をプリント基板に実装する方法が異なるので、異なる内容について説明する。
【００８７】
本実施例は、電極（パッド）同士を押しつけて接続するとともに、非導電性接着剤によって接合するものである。
具体的には、まず、図１３（ａ）に模式的に示す様に、プリント基板１０１の表面のパッド１０３を覆うように、非導電性接着剤１０５を配置する。
【００８８】
次に、図１３（ｂ）に模式的に示す様に、（電子部品１０６を実装した）セラミック多層基板１０７を非導電性接着剤１０５の中に押し入れるとともに、セラミック多層基板１０７のパッド１０９をプリント基板１０１のパッド１０３に押し当てる。
【００８９】
次に、図１３（ｃ）に模式的に示す様に、この状態で加熱し、アンダーフィル１０５を硬化させて（接着部１１１とし）、この接着部１１１によって、セラミック多層基板１０７とプリント基板１０１とを接合する。
【００９０】
なお、他の方法として、電極に凸部を形成しておいても良い。凸部の形成方法は、周知の方法を用いることができ、例えばワイヤボンディングを行った後、ワイヤをネック部分から切断することでパッドに凸部を取り付けることができる。
【００９１】
本実施例によっても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
【実施例５】
【００９２】
次に、実施例５について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
本実施例のセラミック多層基板は、前記実施例１と同様な構成であるが、このセラミック多層基板をプリント基板に実装する方法が異なるので、異なる内容について説明する。
【００９３】
本実施例は、異方導電性フィルムによって接合するものである。
具体的には、まず、図１４（ａ）に模式的に示す様に、プリント基板１２１の表面のパッド１２３を覆うように、熱硬化性の接着シート１２５の中に導電性微粒子（通常は銀粒子）１２７が分散した異方導電性フィルム１２９を配置する。
【００９４】
次に、図１４（ｂ）に模式的に示す様に、（電子部品１３０が実装された）セラミック多層基板１３１を異方導電性フィルム１２９の中に押し入れるとともに、セラミック多層基板１３１のパッド１３３を（導電性微粒子１２７を挟んで）プリント基板１２１のパッド１２３に押し当てる。
【００９５】
次に、図１４（ｃ）に模式的に示す様に、この状態で加熱し、異方導電性フィルム１２９を硬化させて（接着部１３５とし）、この接着部１３５によって、セラミック多層基板１３１とプリント基板１２１とを接合する。
【００９６】
本実施例によっても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
【実施例６】
【００９７】
次に、実施例６について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
本実施例のセラミック多層基板は、前記実施例１と同様な構成であるが、このセラミック多層基板をプリント基板に実装する方法が異なるので、異なる内容について説明する。
【００９８】
本実施例は、ワイヤボンディングにより電気接続を行うものである。
具体的には、図１５（ａ）に示すように、接着剤１３７によりセラミック多層基板１３９とプリント基板１４１とを接合する。接着剤１３７としては、非導電性の接着剤や銀ペーストなど通常の接着剤を用いることができる。
【００９９】
その後、図１５（ｂ）に示すように、セラミック多層基板１３９とプリント基板１４１をワイヤボンディング１４３により電気的に接続する。
その後、図１５（ｃ）に示すように、接着剤１４５で、ワイヤボンディング１４３を含むセラミック多層基板１３９とプリント基板１４１との接続部を覆う。接着剤１４５としては、非導電性の接着剤が使用される。なお、非導電性であれば前記接着剤１３７と同じでも良い。
【０１００】
本実施例によっても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【０１０１】
（１）例えば、図１６に示す様に、各セラミック層１５１、１５３は、グリーンシートから切断する際に、一方の主面側（最初にカッターが当たる側と反対側）の方が、外周側（側方）に張り出す形状となるが、特に、図１６（ｂ）に示す様に、各セラミック層１５３の外周に張り出す側をプリント基板１５５側とすると、その先端に接着剤が引っかかり易く、よって、接合強度が一層向上するので、好適である。
【０１０２】
（２）また、セラミック多層基板に実装する電子部品としては、光素子以外に、例えばＬＳＩやＣＰＵ等の各種の電子部品が挙げられる。
（３）更に、セラミック多層基板が実装される他の基板としては、プリント基板に限らず、例えばセラミック配線基板が挙げられる。
【０１０３】
（４）また、セラミック多層基板を他の基板に実装する場合には、他の基板の表面（主面）にセラミック多層基板を接合する場合に限らず、図１６（ｃ）、（ｄ）に示す様に、他の基板（プリント基板１６１、１６３等）に貫通孔１６５や凹部１６７を設け、その貫通孔１６５や凹部１６７内に、接着剤からなる接着部１６９、１７１によって、（切欠部１７２、１７３を有する）セラミック多層基板１７５、１７７を埋設してもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１、５１、８１、１０７、１３１、１３９、１７５、１７７…セラミック多層基板
３、５３、８３、１５１、１５３…セラミック層
５…第１主面
７、５７、１０６、１３０…電子部品
９…第２主面
１１…半田バンプ
１２、１１１、１３５、１６９、１７１…接着部
１３、６３、１０１、１２１、１４１、１５５、１６１、１６３…プリント基板
１５、１７、１０３、１０９…パッド
１９…角部
２１、５５、８５、１７２、１７３…切欠部
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１】
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【図１４】
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