(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられた壁部と、  前記可動電極および前記固定電極の上方において前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持するために前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部と、を含み、
前記膜部材は、前記固定電極の少なくとも一部に対して固定されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記支持部は、前記可動電極の上方において開口する開口部を有し、
前記可動電極は、前記開口部を介して前記膜部材と対向している、
請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記壁部はグランド電位に接続され、かつ、前記壁部の一部が前記可動電極および前記固定電極からなる信号ラインに対して平行に設けられている、
請求項１または２記載の電子デバイス。
【請求項４】
基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられ、前記可動電極および前記固定電極よりも高さが高い壁部と、
前記可動電極および前記固定電極との間に間隙を有した状態で前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、を含み、
前記可動電極または前記固定電極を前記基板に対して支持する部分であってかつそれらに対して電気的な接続を行うための電極基部が、前記壁部と同じ高さに形成されており、 前記膜部材は、前記電極基部によって前記空間の内側から支持されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持する支持部と、
を含む請求項４記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記壁部は、その内部に、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するための犠牲層が残留した状態で形成されている、
請求項４または５記載の電子デバイス。
【請求項７】
可動電極と、前記可動電極に対向する固定電極と、を含む複数の構造物を、基板上に形成する工程と、
前記複数の構造物を互いに隔てる格子状の壁部を前記基板上に形成する工程と、
前記壁部の上面に固定される可撓膜を形成することによって前記複数の構造物を前記可撓膜により覆う工程と、
前記可撓膜、前記壁部、および前記基板を、前記壁部に沿って切断し、前記構造物ごとに個片化する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記可動電極を前記基板上に形成した後で、前記可動電極および前記基板の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に対し、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するためにかつ前記壁部の一部に対応する部分が残留するようにパターニングする工程と、
前記犠牲層をパターニングした後で、前記壁部および前記固定電極をメッキによって形成するとともに、前記壁部の一部に対応する前記犠牲層の残留部分をメッキによって覆う工程と、
を含む請求項７記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所謂ウェハレベルパッケージと呼ばれる構造とすることの可能な電子デバイス、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話の高周波部品（ＲＦ部品）に対する小型化・高性能化の要求に応えるため、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いた高周波用（ＲＦ用）のスイッチであるＭＥＭＳスイッチの開発が行われている。ＭＥＭＳスイッチは、従来からある半導体スイッチと比べて損失が低く絶縁性が高いこと、また歪み特性がよいことなどが特長である。
【０００３】
図２９は従来のＭＥＭＳスイッチ８０ｊの構造を示す断面図、図３０はＭＥＭＳスイッチ８０ｊの機能部分ＫＮｊを示す平面図である。なお、図３０において、各部材の形状を明確にするため断面でない部分にハッチングを入れてある。
【０００４】
図２９および図３０において、ＭＥＭＳスイッチ８０ｊは、基板８１、基板８１上に形成された可動コンタクト電極８２、固定コンタクト電極８３、可動駆動電極８４、固定駆動電極８５、およびグランド電極８６などからなる。可動コンタクト電極８２および可動駆動電極８４は、絶縁材料を用いて形成され、カンチレバーを構成する可動部ＫＢに一体に設けられる。
【０００５】
可動駆動電極８４と固定駆動電極８５との間に電圧を印加することにより、それらの間に静電引力が発生し、可動駆動電極８４が固定駆動電極８５に吸引されて移動する。これにより、可動駆動電極８４と一体となった可動部ＫＢおよび可動コンタクト電極８２が移動し、可動コンタクト電極８２が固定コンタクト電極８３に当接して接点が閉じる。
【０００６】
図２９において、機能部分ＫＮｊは、裏返しの状態でセラミック製のパッケージ８７に収容され、窒素ガスなどを封入した状態でキャップ８８が被せられて封止される。各電極にはバンプＢＰが設けられ、パッケージ８７を貫通する孔を利用した端子ＴＢが設けられる。ＭＥＭＳスイッチ８０ｊは、端子ＴＢを用いて、例えば外部のプリント基板などに半田付けによって実装される。
【０００７】
このように、ＭＥＭＳスイッチ８０ｊの機能部分ＫＮｊは、パッケージ８７およびキャップ８８によって乾燥窒素雰囲気中に封止されることによって、外力による破損から保護され安定な接点開閉動作が得られるようになる。
【０００８】
また、ウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package:  ＷＬＰ）の例として、機能素子が設けられた第一基板と、各機能素子を封止するように貼り合わされた第二基板とを備えたウェハレベルパッケージ構造体が提案されている（特許文献１）。これによると、第二基板は、入出力電極にそれぞれ対向する貫通孔と、その貫通孔に充填された第一導体とを有し、各機能素子の入出力端子を貫通孔と第一導体とを含むように構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２５１８９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図２９で示した従来のパッケージ方法では、機能部分ＫＮｊを封止するセラミック製のパッケージ８７が大型化するので、小型化および低背化（薄型化）の要求に応えるのが困難である。また、セラミック製のパッケージ８７の部品コストおよび封止工程のコストなどがかかるため低コスト化が容易ではない。
【００１１】
また、ＭＥＭＳスイッチ８０ｊのように可動部分を有するデバイスでは、ウェハを基板８１として多数の機能部分ＫＮｊを形成した場合に、パッケージ８７に封止する前にダイシングを行う必要がある。そうすると、ダイシングに用いる切削水によって可動部が破損したり、ダイシング後の乾燥工程において水の表面張力で可動部が変形したりする可能性がある。これを防ぐために、従来においては、犠牲層を残した状態でダイシングを行い、ダイシングを行った後のチップ状態で犠牲層の除去工程を行う必要があり、工程数が増えてコスト高となる。
【００１２】
この点、特許文献１で提案されたパッケージ方法では、第一基板と第二基板とを貼り合わせた状態でダイシングが行われるので、ダイシング時における可動部の破損や変形の問題は生じない。しかし、第一基板に設けられた機能素子を封止するのに第一基板よりも厚さの大きい第二基板を必要とするので、低背化（薄型化）の点で問題がある。また、入出力端子の貫通配線部分での損失が無視できない点、および入出力端子の構造が複雑になるのでコストの点で問題がある。
【００１３】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすることの可能な電子デバイス、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本明細書に開示される実施形態によると、電子デバイスは、基板と、前記基板の上方に設けられた可動電極と、前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられた壁部と、前記可動電極および前記固定電極の上方において前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持するために前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部と、を含み、前記膜部材は、前記固定電極の少なくとも一部に対して固定されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすることの可能な電子デバイス、およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの正面図である。
【図２】図１のＭＥＭＳスイッチにおいて膜部材がない状態を示す正面図である。
【図３】図１に示すＭＥＭＳスイッチの断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの変形例を示す断面図である。
【図５】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の例を示す図である。
【図６】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の例を示す図である。
【図７】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の例を示す図である。
【図８】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の例を示す図である。
【図９】ウェハ基板の状態の例を示す図である。
【図１０】ウェハ基板の機能部分に膜部材を貼り付ける工程の例を示す図である。
【図１１】第２の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの正面図である。
【図１２】第３の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの正面図である。
【図１３】第４の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの正面図である。
【図１４】第５の実施形態に係るＭＥＭＳ可変キャパシタの正面図である。
【図１５】図１４のＭＥＭＳ可変キャパシタにおいて膜部材がない状態を示す正面図である。
【図１６】図１４に示すＭＥＭＳ可変キャパシタのＤ−Ｄ線断面矢視図である。
【図１７】ＭＥＭＳ可変キャパシタの製造工程の例を示す図である。
【図１８】ＭＥＭＳ可変キャパシタの製造工程の例を示す図である。
【図１９】ＭＥＭＳ可変キャパシタの製造工程の例を示す図である。
【図２０】ＭＥＭＳ可変キャパシタの製造工程の例を示す図である。
【図２１】第６の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの正面図である。
【図２２】図２１のＭＥＭＳスイッチにおいて膜部材がない状態を示す正面図である。
【図２３】図２１に示すＭＥＭＳスイッチの断面図である。
【図２４】図２１に示すＭＥＭＳスイッチの断面図である。
【図２５】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の例を示す図である。
【図２６】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の例を示す図である。
【図２７】第７の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの正面図である。
【図２８】第８の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの断面図である。
【図２９】従来のＭＥＭＳスイッチの構造を示す断面図である。
【図３０】図２９に示すＭＥＭＳスイッチの機能部分を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に種々の実施形態について説明するが、以下に説明する実施形態は例示であり、その構造、形状、寸法、材料などについて種々変更することが可能である。
〔第１の実施形態〕
まず、第１の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１について、図１〜図４を参照して説明する。なお、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、それぞれ、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１のＡ−Ａ線断面矢視図、Ｂ−Ｂ線断面矢視図、Ｃ−Ｃ線断面矢視図である。図４は図１に示すＭＥＭＳスイッチ１のＡ−Ａ線断面矢視図である。図２においてはバンプ１９および膜部材２０の図示を省略している。
【００１８】
図１〜図３において、ＭＥＭＳスイッチ１は、基板１１、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、固定駆動電極１５、壁部１７、支持部１８、バンプ１９、および膜部材２０などからなる。
【００１９】
基板１１は、支持基板１１ａ、中間酸化膜１１ｂ、および活性層１１ｃからなる３層のＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板である。支持基板１１ａは、シリコンからなり、厚さは５００μｍ程度である。中間酸化膜１１ｂは、ＳｉＯ2 からなり、厚さは４μｍ程度である。活性層１１ｃは、シリコン薄膜であり、厚さは１５μｍ程度である。ＳＯＩ基板のシリコンの抵抗率は１０００Ωｃｍ程度以上である。
【００２０】
活性層１１ｃには、正面視（平面視）で略コ字形のスリット１６が設けられ、これによって可動部ＫＢが形成される。可動部ＫＢを含む領域に対応した中間酸化膜１１ｂは除去されて空間ＫＫとなっている。したがって、可動部ＫＢは、スリット１６が設けられていない部分を支点とするカンチレバーを構成し、支点とは反対側の端縁部が図３における上下方向に移動することが可能である。可動部ＫＢの表面に、後述する電極部１２ａおよび電極部１４ａが密着して形成されている。
【００２１】
図３（Ａ）によく示されるように、可動コンタクト電極１２は、可動部ＫＢに密着して形成された細長くて薄い電極部１２ａ、および電極部１２ａの一端部の上に形成されたアンカー部１２ｂからなる。
【００２２】
固定コンタクト電極１３は、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１３ａ、および、電極基部１３ａに連続し、電極部１２ａの上方において対向するように設けられた固定コンタクト部１３ｂからなる。固定コンタクト部１３ｂには、接点部ＳＴが設けられている。
【００２３】
電極部１２ａと固定コンタクト部１３ｂとの間で開閉可能な接点が形成されており、可動部ＫＢが上方へ撓んで電極部１２ａが固定コンタクト部１３ｂに当接することによって接点が閉じる。可動コンタクト電極１２と固定コンタクト電極１３とによって信号ラインＳＬが形成されており、接点が閉じたときには、この信号ラインＳＬを高周波信号が通過する。
【００２４】
図３（Ｃ）によく示されるように、可動駆動電極１４は、可動部ＫＢに密着して形成された細長い部分とその先端部に連続して形成された矩形の部分とからなる電極部１４ａ、および電極部１４ａの一端部の上に形成されたアンカー部１４ｂからなる。
【００２５】
図３（Ｂ）によく示されるように、固定駆動電極１５は、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１５ａ，１５ｃ、および、電極基部１５ａ，１５ｃに支持されて可動部ＫＢの上方を跨ぐようにブリッジを形成する電極対向部１５ｂからなる。電極対向部１５ｂは、電極部１４ａの矩形の部分に対し、その上方において対向する。
【００２６】
これらアンカー部１２ｂ，１４ｂ、電極基部１３ａ、および電極基部１５ａ，１５ｃは、それら自体の高さ（厚さ）は互いに同じである。固定コンタクト部１３ｂと電極対向部１５ｂとは、上面の高さ位置が互いに同じである。また、固定駆動電極１５は、信号ラインＳＬに対して平行に設けられている。
【００２７】
なお、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５の材料として、金属材料、例えば金が用いられる。
【００２８】
壁部１７は、基板１１上において、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５などを囲むように、矩形枠状に設けられている。つまり、壁部１７は、４つの辺部１７ａ〜１７ｄからなる。４つの辺部１７ａ〜１７ｄは、互いに同じ高さ（厚さ）であり、かつ、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、電極基部１３ａ、および電極基部１５ａ，１５ｃとも同じ高さ（厚さ）である。辺部１７ｂは電極基部１５ｃと一体に繋がっており、辺部１７ｄは電極基部１５ａと繋がっている。
【００２９】
支持部１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、基板１１上において、壁部１７で囲まれた内側に設けられている。支持部１８ｃは、基板１１に密着して設けられた支持基部１８ｃ１と、支持基部１８ｃ１に連続する支持本体部１８ｃ２とからなる。
【００３０】
支持部１８ａと支持部１８ｃとは、固定駆動電極１５を対称軸として互いにほぼ対称な形状および位置に設けられている。支持部１８ｃは、固定駆動電極１５を対称軸として、固定コンタクト電極１３とほぼ対称な形状および位置に設けられている。
【００３１】
なお、固定コンタクト部１３ｂと電極対向部１５ｂおよび支持部１８ａとの間隙、支持本体部１８ｃ２と電極対向部１５ｂまたは支持部１８ｂとの間隙は、いずれも１００μｍ程度以下、さらに好ましくは５０μｍ程度以下となっている。
【００３２】
また、壁部１７と支持部１８ａ，１８ｂとは、同じ金属材料、例えば金によって、互いに連続して一体に形成されている。つまり、支持部１８ａは、その一方の側面が辺部１７ａと、他方の側面が電極対向部１５ｂと、それぞれ接して繋がっている。支持部１８ｂは、その一方の側面が電極対向部１５ｂと、他方の側面が辺部１７ｃと、それぞれ接して繋がっている。
【００３３】
支持部１８ａ、支持部１８ｂ、および支持本体部１８ｃ２の上面の高さ位置は、互いに同じであって、かつ、電極対向部１５ｂの上面の高さと同じである。これら支持部１８ａ，１８ｂ，１８ｃのいずれかまたは全部を指して、「支持部１８」と記載することがある。
【００３４】
支持部１８は、膜部材２０をその空間の内側から支持するために、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５などとは別に設けられたものである。つまり、支持部１８は、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５などとは異なったものであり、それらの機能に直接に関与するものではない。
【００３５】
膜部材２０は、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５の上方において、それらを覆うように配置され、その縁部が、壁部１７の上面において溶着（融着）または粘着などによって密着して固定されている。つまり、膜部材２０は、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５を含む空間、つまり壁部１７で囲まれた空間を、外部から封止する。膜部材２０の厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度である。
【００３６】
膜部材２０は、また、固定コンタクト部１３ｂ、支持部１８ａ、電極対向部１５ｂ、支持部１８ｂ、および支持本体部１８ｃ２の上面においても、溶着または粘着などによって固定されている。なお、膜部材２０を溶着するには、所定の高い温度において電極や支持部１８に所定の圧力で押し付ければよい。
【００３７】
膜部材２０の材料として、耐熱性および絶縁性を有するフィルムが用いられる。例えば液晶ポリマーなどが用いられる。防湿性のあるものが好ましいが、防湿性が十分でない場合には、防湿性の高い材料を用いて２重膜構造などとすればよい。
【００３８】
例えば、図４に示すように、膜部材２０として、封止膜２０ａと保護膜２０ｂとの２重膜構造とする。封止膜２０ａとして、フォトレジストまたはポリイミドなどが用いられる。感光性ポリイミドを用いることも可能である。保護膜２０ｂとして、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ) などが用いられる。保護膜２０ｂは、封止膜２０ａの端縁および壁部１７の側面をも覆っている。保護膜２０ｂは、厚さが例えば５μｍ程度である。封止膜２０ａによって、ＭＥＭＳスイッチ１の内部が封止され、かつ封止膜としての機械的強度が保たれる。保護膜２０ｂによって、十分な防湿性が得られる。
【００３９】
膜部材２０には、配線のための複数の孔がレーザなどによって設けられ、その複数の孔の中に複数のバンプ１９が設けられている。すなわち、辺部１７ａの両端部、電極基部１３ａ、電極基部１５ａ，１５ｃ、およびアンカー部１２ｂ，１４ｂの上面に対応する位置において、膜部材２０に孔が設けられ、そこにバンプ１９ａ〜ｇが設けられている。
【００４０】
バンプ１９ａ〜ｇは、金属材料、例えば金によって、最大直径が例えば６０μｍ程度、長さが例えば１００μｍ程度に形成される。バンプ１９ａ〜ｇは、辺部１７ａ、電極基部１３ａ、電極基部１５ａ，１５ｃ、およびアンカー部１２ｂ，１４ｂの上面に、超音波による溶着または融着などによって固定される。
【００４１】
なお、壁部１７、および壁部１７と電気的に接続された部分は、グランド電位に接続される。したがって、支持部１８ａ，１８ｂについては、壁部１７を介してグランド電位に接続されることとなる。また、支持部１８ｃについても、グランド電位に接続される。
【００４２】
上に述べた実施形態のＭＥＭＳスイッチ１では、基板１１上に形成された可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５などによる機能部分ＫＮが、壁部１７で囲まれ、膜部材２０によって覆われて封止されることにより、パッケージ構造となっている。壁部１７および支持部１８の高さは固定コンタクト電極１３などの機能部分ＫＮとほぼ同じであり、その上に膜部材２０が被せられているだけであるから、高さ寸法が大きく増えることがなく、低背化が可能である。ＭＥＭＳスイッチ１の高さは、例えば４００μｍ程度とすることができる。また、ＭＥＭＳスイッチ１の縦横寸法つまり底面積を小さくすることができ、小型化が可能である。
【００４３】
また、壁部１７および支持部１８を形成し膜部材２０を設けることによってパッケージ構造となるので、製造工程が複雑になることなく、低コスト化を図ることができる。また、壁部１７および支持部１８を、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３などと同時に形成することが可能であるので、それだけ製造工程を簡単化することができる。
【００４４】
また、基板１１としてウェハを用い、ウェハ上に多数のＭＥＭＳスイッチ１を形成し、その後にダイシングを行って個々のＭＥＭＳスイッチ１に切り出すことにより製造することが可能である。
【００４５】
つまり、１枚のウェハ上に、多数のＭＥＭＳスイッチ１に対応する可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、固定駆動電極１５、および支持部１８などを形成した後、それら全体に対応する壁部１７をウェハ上に枡目状に形成し、その上に膜部材２０をウェハの全体を覆うように貼り付けた後、バンプ１９を取り付ける。これによって、１枚のウェハ上に多数のＭＥＭＳスイッチ１が形成されるので、これを、壁部１７に沿ってダイシングする。
【００４６】
このようにすることによって、ＭＥＭＳスイッチ１をウェハレベルパッケージ構造とすることができ、パッケージのための工程を大幅に簡単化することができる。また、ダイシングの際には、既にパッケージが完了しており、機能部分ＫＮは膜部材２０によって封止されているので、ダイシングに用いる切削水によって機能部分ＫＮが破損したり変形することがない。
【００４７】
また、パッケージの役割を果たす膜部材２０は、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、固定駆動電極１５、壁部１７、支持部１８などによって支持されているので、ダイシングの際や通常の使用の際に撓んだり破損したりすることがない。
【００４８】
膜部材２０は、基板１１に対して固定された部分に固定されているので、可動部ＫＢの動作に支障をきたすことはない。また、支持部１８は、可動部ＫＢとの間に適当な間隙を持っており、可動部ＫＢの動作に干渉したり支障をきたすことはない。
【００４９】
ＭＥＭＳスイッチ１において、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３で構成される信号ラインＳＬは、壁部１７の辺部１７ａおよび固定駆動電極１５とともにコプレーナ構造（ＣＰＷ）となっており、壁部１７が封止のみでなく有効に利用されている。これによって一層の小型化が図られている。
【００５０】
次に、ＭＥＭＳスイッチ１の製造方法について、図５〜図１０を参照して説明する。なお、図５〜図８における断面図は、図１におけるＡ−Ａ線断面と同じ位置に基づくものである。
【００５１】
本実施形態においては、まず、図９に示すようなＳＯＩウェハの基板１１ＵＨを準備する。基板１１ＵＨは、図３において説明したように、支持基板１１ａ、中間酸化膜１１ｂ、および活性層１１ｃからなる。ウェハの基板１１ＵＨに多数の機能部分ＫＮを形成し、壁部１７および膜部材２０を形成した後にダイシングを行ってＭＥＭＳスイッチ１を完成させる。以下において、１つのＭＥＭＳスイッチ１に対応する部分のみについて説明する。
【００５２】
図５において、活性層１１ｃの表面に、密着層としてクロムを５０ｎｍ程度の厚さに、続けて金を５００ｎｍ程度の厚さに、それぞれスパッタ成膜する。これをフォトリソグラフィおよびイオンミリングによって加工し、可動コンタクト電極１２の電極部１２ａおよび可動駆動電極１４の電極部１４ａを同時形成する。
【００５３】
次に、活性層１１ｃにおける電極部１２ａ，１４ａの周囲の部分に、大小２つのコ字形の２μｍ程度の幅のスリット１６をＤｅｅｐ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により加工し、カンチレバーの部分を形成する。さらに、プラズマＣＶＤによって二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を５μｍ程度の厚さで成膜して犠牲層３１とする。
【００５４】
次に、フォトリソグラフィおよびＲＩＥによって、犠牲層３１をエッチングする。このときに、接点部ＳＴとアクチュエータ部では犠牲層３１を所望の厚さまでハーフエッチングし、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、電極基部１３ａ，１５ａ，１５ｃなどに対応する部分では犠牲層３１を全て除去する。また、支持基部１８ｃ１および壁部１７に対応する部分についても、犠牲層３１を全て除去する。
【００５５】
そして、メッキ形成を行うためのシード層をスパッタ成膜する。シード層は下層が５０ｎｍ程度の厚さのモリブデン、上層が３００ｎｍ程度の厚さの金からなる。次に、メッキ法（鍍金法）によって、金のメッキ膜を２０μｍ程度の厚さに形成する。
【００５６】
これにより、図６に示すように、可動コンタクト電極１２のアンカー部１２ｂ、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４のアンカー部１４ｂ、固定駆動電極１５、支持部１８、および壁部１７を、同時に形成する。これらは、メッキによって同時に形成されるので、互いに同じ厚さとなる。このとき、これらの各部の正面視（平面視）における間隔（距離）が、５０μｍ程度以下となるようにする。
【００５７】
なお、カンチレバー上では犠牲層３１のハーフエッチングを行うことなく、固定駆動電極１５をブリッジ状に形成する。また、支持部１８ａ，１８ｂ，１８ｃについても同様にブリッジ状に形成する。すわなち、犠牲層３１を除去した後に固定駆動電極１５と可動駆動電極１４の電極部１４ａとの間にできるエアギャップ（ギャップ）ＧＰ１は、可動コンタクト電極１２の電極部１２ａと接点部ＳＴとのエアギャップＧＰ２よりも広い。例えば、エアギャップＧＰ１は、エアギャップＧＰ２の２倍程度である。そのため、カンチレバーの駆動のために可動駆動電極１４の電極部１４ａに与える電圧による動作への影響は無視できる。
【００５８】
次に、図７に示すように、メッキで覆われていない部分のシード層をイオンミリングおよびＲＩＥで除去する。そして、犠牲層３１およびカンチレバーの下部の中間酸化膜１１ｂを、フッ酸を用いたエッチングにより除去し、空間ＫＫを形成する。なお、図７に対応した正面視の状態はほぼ図２に示す状態である。さらに、固定コンタクト電極１３から突出した接点部ＳＴの表面に露出したシード層の下層のモリブデンを、ウェットエッチングによって除去する。ここまでの工程は、メッキのパターンが異なる点以外は従来の製造方法とよく似た工程とすることができる。
【００５９】
次に、図８に示すように、フィルム状の膜部材２０を基板１１ＵＨの全面に貼り付ける。すなわち、壁部１７の上面に固定される膜部材２０からなる可撓膜を形成することによって、複数の構造物である機能部分ＫＮをその可撓膜により覆う。膜部材２０の材料として、上に述べたように液晶ポリマーなどが用いられる。
【００６０】
図１０に示すように、機能部分ＫＮが形成された基板１１ＵＨをチャンバーＲＭ内に入れ、膜部材２０を基板１１ＵＨの上面に配置し、所定の高い温度と圧力をかけて膜部材２０を基板１１ＵＨに押し付ける。これによって、膜部材２０を、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、固定コンタクト電極１３、固定駆動電極１５、支持部１８ａ〜ｃ、および壁部１７の上面に溶着させる。
【００６１】
壁部１７で囲まれた空間において、固定コンタクト電極１３、可動コンタクト電極１２、固定駆動電極１５などの表面の隙間が支持部１８によって狭い間隔で埋められているため、膜部材２０を貼り付けた際に膜部材２０の撓みはほとんど生じない。したがって、膜部材２０の撓みによって可動コンタクト電極１２などに接触するといったことがなく、カンチレバーの動作に必要な空間が確保される。なお、図８においては、膜部材２０が壁部１７の表面内で収まるように示されているが、実際には基板１１ＵＨの全面に設けられる。そして、膜部材２０に、バンプ１９のための孔ＡＮをレーザ加工によって設ける。
【００６２】
膜部材２０として永久レジストまたは感光性ポリイミドを用いた場合には、フォトリソグラフィによって孔ＡＮを設けることが可能であり、加工が容易である。この場合には、それらは水分遮断性能が乏しいため、さらに保護膜２０ｂを設けて２重膜としてもよい。
【００６３】
そして、図１に示すように、孔ＡＮの中に複数のバンプ１９ａ〜ｇを溶着などによって取り付ける。
【００６４】
最後に、基板１１ＵＨを各機能部分ＫＮの壁部１７と壁部１７との間に沿ってダイシングし、ＭＥＭＳスイッチ１を完成させる。つまり、膜部材２０、壁部１７、および基板１１を、壁部１７に沿って切断し、構造物ごとに個片化してＭＥＭＳスイッチ１とする。ＭＥＭＳスイッチ１において、可動部ＫＢは壁部１７および膜部材２０によって保護されているため、このままの状態でプリント基板などに実装することができる。
【００６５】
このように、本実施形態によると、壁部１７および支持部１８を、膜部材２０の土台として使うことにより、最小限の工程数でウェハレベルパッケージを実現でき、小型化、低背化、および低損失化を実現することができる。
【００６６】
なお、可動コンタクト電極１２および可動駆動電極１４は可動電極の例であり、固定コンタクト電極１３および固定駆動電極１５は固定電極の例である。
〔第２の実施形態〕
次に、第２の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｂについて説明する。第２の実施形態において、第１の実施形態と相違する部分についてのみ説明する。第１の実施形態と同様な部分については同じ符号を付し、説明を省略しまたは簡略化する。以下の各実施形態についても同様である。
【００６７】
図１１は第２の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチ１Ｂの正面図である。なお、図１１においてはＭＥＭＳスイッチ１Ｂにおいて膜部材がない状態が示されている。
【００６８】
図１１において、支持部１８Ｂａ，１８Ｂｂは、電極部１２ａ，１４ａの上方において開口する開口部ＫＡを有する。つまり、支持部１８Ｂａは、支持部片１８Ｂａ１，１８Ｂａ２からなり、支持部１８Ｂｂは、支持部片１８Ｂｂ１，１８Ｂｂ２からなる。支持部片１８Ｂａ１は辺部１７ａと繋がり、支持部片１８Ｂａ２および１８Ｂｂ２は固定駆動電極１５と繋がり、支持部片１８Ｂｂ１は辺部１７ｃと繋がる。
【００６９】
したがって、可動コンタクト電極１２の電極部１２ａおよび可動駆動電極１４の電極部１４ａは、それぞれ開口部ＫＡを介して膜部材２０と対向することとなる。
【００７０】
開口部ＫＡを設けることにより、電極部１２ａ，１４ａの浮遊容量が低減する。そのため、高周波特性が改善される。なお、開口部ＫＡの幅は、電極部１２ａ，１４ａの幅程度とすればよい。
〔第３の実施形態〕
次に、第３の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｃについて説明する。
【００７１】
図１２において、支持部１８Ｃａはアンカー部１２ｂに繋がるように設けられ、支持部１８Ｃｂはアンカー部１４ｂに繋がるように設けられる。つまり、支持部１８Ｃａ，１８Ｃｂは、信号線から延伸する形状となる。これにより、支持部１８Ｃａ，１８Ｃｂは、グランド電位に接続されることなく、可動コンタクト電極１２または可動駆動電極１４にそれぞれ与えられる電位と等しくなる。
【００７２】
第３の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｃにおいても、電極部１２ａ，１４ａの浮遊容量が低減し、高周波特性が改善される。
〔第４の実施形態〕
次に、第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｄについて説明する。
【００７３】
図１３において、支持部１８Ｄａは、固定コンタクト部１３ｂの先端から延伸されたように設けられる。支持部１８Ｄｃは、第１の実施形態の支持部１８ｃと同様に、支持基部１８Ｄｃ１および支持本体部１８Ｄｃ２を有する。支持本体部１８Ｄｃ２の先端に延伸された状態で、支持部１８Ｄｂが設けられる。
【００７４】
これにより、支持部１８Ｄａ，１８Ｄｂは、グランド電位に接続されることなく、可動コンタクト電極１２または支持部１８Ｄｃにそれぞれ与えられる電位と等しくなる。
【００７５】
第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｄにおいても、電極部１２ａ，１４ａの浮遊容量が低減し、高周波特性が改善される。
【００７６】
なお、図１６は、図１４に示すＭＥＭＳ可変キャパシタ１ＥのＤ−Ｄ線断面矢視図である。つまり、図１６は、図１４に示すＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅの中心位置から上方向に切断し、かつ中心位置から右方向に切断し、それぞれ右方と上方を見た状態を示した図である。図１７〜図２０における断面図についても、同様の位置における断面矢視図が示されている。
【００７７】
図１４〜図１６において、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅは、基板１１Ｅ、下部電極２１、上部電極２２、壁部１７Ｅ、支持部１８Ｅ、バンプ１９Ｅ、および膜部材２０Ｅなどからなる。
【００７８】
ＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅは、ガラスの基板１１Ｅ上に下部電極２１および上部電極２２が設けられたものであり、下部電極２１と上部電極２２との間に印加する電圧による静電吸引力によって、それらの間の静電容量が可変される。
【００７９】
下部電極２１は、正面視（平面視）が矩形の電極部２１ａと、電極部２１ａの両端部の上に形成されたアンカー部２１ｂ，２１ｃとを有する。上部電極２２は、下部電極２１の上方をブリッジ状に跨いでおり、正面視が矩形の電極部２２ａと、電極部２２ａの両端部の上に形成されたアンカー部２２ｂ，２２ｃを有する。下部電極２１および上部電極２２の材料として、金などの金属材料が用いられる。
【００８０】
壁部１７Ｅは、基板１１Ｅ上において、下部電極２１および上部電極２２などを囲むように、かつ囲んだ範囲における下部電極２１および上部電極２２以外のほぼ全域を覆うように設けられている。
【００８１】
つまり、壁部１７Ｅは、４つの辺部１７Ｅａ〜１７Ｅｄと、それら辺部１７Ｅａ〜１７Ｅｄで囲まれた角部に設けられた支持壁部１７Ｅｅ〜１７Ｅｈとが、同じ高さ（厚さ）で一体に形成されたものである。
【００８２】
壁部１７Ｅは、アンカー部２１ｂ，２１ｃ、２２ｂ，２２ｃと同じ高さ（厚さ）である。
【００８３】
支持部１８Ｅは、正面視が矩形であり、壁部１７Ｅに対して高さが高く、しかし壁部１７Ｅの各支持壁部１７Ｅｅ〜１７Ｅｈの角部に連続して繋がって形成されている。
【００８４】
膜部材２０Ｅは、下部電極２１、上部電極２２、および支持部１８Ｅの上方において、それらを覆うように配置され、その縁部が、壁部１７Ｅの上面の外形に近い位置で溶着（融着）または粘着などによって密着して固定されている。つまり、膜部材２０Ｅは、下部電極２１および上部電極２２を含む機能部分ＫＮの空間を外部から封止する。膜部材２０Ｅの厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度である。
【００８５】
膜部材２０Ｅは、壁部１７Ｅの支持壁部１７Ｅｅ〜１７Ｅｈの上面においても、溶着または粘着などによって固定されている。
【００８６】
膜部材２０Ｅには、アンカー部２１ｂ，２１ｃ、２２ｂ，２２ｃに対応する位置に孔が設けられ、それらの孔の中にバンプ１９Ｅａ〜ｄが設けられている。バンプ１９Ｅａ〜ｄは、金属材料、例えば金によって形成され、アンカー部２１ｂ，２１ｃ、２２ｂ，２２ｃに溶着または融着されて固定されている。
【００８７】
第５の実施形態のＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅでは、基板１１Ｅ上に形成された下部電極２１および上部電極２２などによる機能部分ＫＮが、壁部１７Ｅで囲まれ、膜部材２０Ｅによって覆われて封止されることにより、パッケージ構造となっている。
【００８８】
基板１１Ｅ上に壁部１７Ｅが設けられ、その上に膜部材２０Ｅが被せられているだけであるから、高さ寸法が大きく増えることがなく、低背化が可能である。また、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅの縦横寸法つまり底面積を小さくすることができ、小型化が可能である。
【００８９】
また、壁部１７Ｅおよび支持部１８Ｅを形成し膜部材２０Ｅを設けることによってパッケージ構造となるので、製造工程が複雑になることなく、低コスト化を図ることができる。また、壁部１７Ｅおよび支持部１８Ｅを、下部電極２１および上部電極２２のアンカー部２１ｂ，２１ｃ、２２ｂ，２２ｃと同時に形成することが可能であるので、それだけ製造工程を簡単化することができる。
【００９０】
また、基板１１Ｅとしてウェハを用い、ウェハ上に多数のＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅを形成し、その後にダイシングを行って個々のＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅに切り出すことにより、低コストで製造することが可能である。
【００９１】
次に、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅの製造方法について、図１７〜図２０を参照して説明する。
【００９２】
図１７に示すように、まず、ＳＯＩウェハの基板１１ＥＵＨ上に、下部電極２１、犠牲層３２、および上部電極２２を積層し、デバイス構造を形成する。次に、図１８に示すように、全体を犠牲層３３で被覆する。
【００９３】
次に、パターニングを行い、また必要なシード層を形成した後、図１９に示すように、アンカー部２１ｂ，２１ｃ、２２ｂ，２２ｃ、壁部１７Ｅ、および支持部１８Ｅを、金などのメッキによって同時に形成する。メッキ膜の厚さは２０μｍ程度である。その際に、上部電極２２ａがブリッジ状になった部分において、上部電極２２ａに対して間隔をあけて支持部１８Ｅが形成されるようにする。また、アンカー部２１ｂ，２１ｃ、２２ｂ，２２ｃと壁部１７Ｅまたは支持部１８Ｅとの間の正面視（平面視）における間隙は、いずれも１００μｍ程度以下、さらに好ましくは５０μｍ程度以下とする。
【００９４】
次に、図２０（Ａ）に示すように、犠牲層３２，３３を全て除去する。そして、図２０（Ｂ）に示すように、壁部１７Ｅおよび支持部１８Ｅの上面に膜部材２０Ｅを貼り付けて固定する。その後、膜部材２０Ｅに孔をあけ、そこにバンプ１９Ｅを取り付ける。
【００９５】
最後に、基板１１ＵＨを各機能部分ＫＮの壁部１７Ｅと壁部１７Ｅとの間に沿ってダイシングし、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅを完成させる。ＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅにおいて、下部電極２１および上部電極２２などの機能部分ＫＮは、壁部１７Ｅおよび膜部材２０Ｅによって保護されているため、このままの状態でプリント基板などに実装することができる。
〔第６の実施形態〕
次に、第６の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｆについて、図２１〜図２４を参照して説明する。
【００９６】
なお、図２２においてはバンプ１９Ｆおよび膜部材２０Ｆがない状態が示されている。図２３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、それぞれ、図２１に示すＭＥＭＳスイッチ１ＦのＡ−Ａ線断面矢視図、Ｂ−Ｂ線断面矢視図、Ｃ−Ｃ線断面矢視図である。
【００９７】
図２４は、図２１に示すＭＥＭＳスイッチ１Ｆを階段状に断面し、かつ一部を回転断面したものである。つまり、Ｘ−Ｘ線よりも左方についてはＡ−Ａ線断面矢視、Ｘ−Ｘ線よりも右方についてはＣ−Ｃ線断面矢視、その中間のＡ−Ａ線とＣ−Ｃ線との間についてはＸ−Ｘ線断面矢視を、それぞれ示す。ただし、Ｘ−Ｘ線断面矢視の部分については一部を省略してある。後の図２５、図２６、図２８についても図２４と同様な方法で断面したものである。
【００９８】
上に述べた第１〜第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１，１Ｂ〜Ｄでは、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂが、壁部１７よりも高く形成されている。そのため、壁部１７に固定して張られた膜部材２０は、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂの上面にも接触する。
【００９９】
したがって、膜部材２０の張力またはその上方からの圧力などによって、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂが基板１１の方に向かって押し付けられる可能性がある。そのため、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂが電極部１２ａ，１４ａに不測に接触しないよう、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂの強度を十分なものとしておく必要がある。
【０１００】
ここで説明する第６の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｆでは、壁部１７Ｆが、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂよりも高く形成される。したがって、壁部１７Ｆに固定して張られる膜部材２０Ｆは、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂには接触しない。
【０１０１】
すなわち、図２１〜図２４において、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆは、基板１１、可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、固定駆動電極１５Ｆ、壁部１７Ｆ、バンプ１９、および膜部材２０Ｆなどからなる。
【０１０２】
基板１１は、支持基板１１ａ、中間酸化膜１１ｂ、および活性層１１ｃからなる３層のＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板である。
【０１０３】
活性層１１ｃには、正面視（平面視）で略コ字形のスリット１６が設けられ、これによって可動部ＫＢが形成される。可動部ＫＢを含む領域に対応した中間酸化膜１１ｂは除去されて空間ＫＫとなっている。したがって、可動部ＫＢは、スリット１６が設けられていない部分を支点とするカンチレバーを構成し、支点とは反対側の端縁部が図３における上下方向に移動することが可能である。
【０１０４】
図２３（Ａ）によく示されるように、可動コンタクト電極１２は、可動部ＫＢに密着して形成された細長くて薄い電極部１２ａ、および電極部１２ａの一端部の上に形成されたアンカー部１２ｂからなる。
【０１０５】
アンカー部１２ｂには、その内部に、製造工程に形成された犠牲層の残留部分（残存部分）が、残留犠牲層１２ｃとして設けられている。アンカー部１２ｂは、残留犠牲層１２ｃがあるために２段形状となっており、上段部の高さは固定コンタクト部１３ｂよりも高くなっている。
【０１０６】
固定コンタクト電極１３Ｆは、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１３ａ、および、電極基部１３ａに連続し、電極部１２ａの上方において対向するように設けられた固定コンタクト部１３ｂからなる。
【０１０７】
電極基部１３ａには、その内部に、犠牲層の残留部分が残留犠牲層１３ｃとして設けられている。電極基部１３ａは、残留犠牲層１３ｃがあるために２段形状となっており、上段部の高さはアンカー部１２ｂの上段部の高さと同じであり、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂよりも高くなっている。
【０１０８】
固定コンタクト部１３ｂには、接点部ＳＴが設けられている。電極部１２ａと固定コンタクト部１３ｂとの間で開閉可能な接点が形成されており、可動部ＫＢが上方へ撓んで電極部１２ａが固定コンタクト部１３ｂに当接することによって接点が閉じる。
【０１０９】
図２３（Ｃ）によく示されるように、可動駆動電極１４Ｆは、可動部ＫＢに密着して形成された細長い部分とその先端部に連続して形成された矩形の部分とからなる電極部１４ａ、および電極部１４ａの一端部の上に形成されたアンカー部１４ｂからなる。
【０１１０】
アンカー部１４ｂには、その内部に、犠牲層の残留部分が残留犠牲層１４ｃとして設けられている。アンカー部１４ｂは、残留犠牲層１４ｃがあるために２段形状となっており、上段部の高さはアンカー部１２ｂの上段部の高さと同じであり、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂよりも高くなっている。
【０１１１】
図２３（Ｂ）によく示されるように、固定駆動電極１５Ｆは、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１５ａ，１５ｃ、および、電極基部１５ａ，１５ｃに支持されて可動部ＫＢの上方を跨ぐようにブリッジを形成する電極対向部１５ｂからなる。電極対向部１５ｂは、電極部１４ａの矩形の部分に対し、その上方において対向する。
【０１１２】
電極基部１５ａには、その内部に、犠牲層の残留部分が残留犠牲層１５ｄとして設けられている。電極基部１５ａは、残留犠牲層１５ｄがあるために２段形状となっており、上段部の高さはアンカー部１２ｂの上段部の高さと同じであり、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂよりも高くなっている。
【０１１３】
このように、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆにおいて、アンカー部１２ｂ、電極基部１３ａ、アンカー部１４ｂ、電極基部１５ａは、その高さが互いに同じであり、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂよりも高い。
【０１１４】
なお、可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、および固定駆動電極１５Ｆの材料として、金属材料、例えば金が用いられる。
【０１１５】
壁部１７Ｆは、基板１１上において、可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、および固定駆動電極１５Ｆなどを囲むように、矩形枠状に設けられている。つまり、壁部１７Ｆは、同じ高さ（厚さ）の４つの辺部１７ａ〜１７ｄからなる。
【０１１６】
各辺部１７ａ〜１７ｄには、その内部に、犠牲層の残留部分が残留犠牲層１７ｅとして設けられている。残留犠牲層１７ｅは、各辺部１７ａ〜１７ｄに沿って矩形枠状に設けられる。各辺部１７ａ〜１７ｄは、残留犠牲層１７ｅがあるためにいずれも２段形状となっている。
【０１１７】
辺部１７ａ〜１７ｄの上段部の高さは、アンカー部１２ｂ、電極基部１３ａ、アンカー部１４ｂ、および電極基部１５ａと同じ高さに形成されている。したがって、辺部１７ａ〜１７ｄの上段部の高さは、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂよりも高くなっている。なお、壁部１７Ｆはグランド電位に接続される。
【０１１８】
膜部材２０Ｆは、可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、および固定駆動電極１５Ｆの上方において、それらを覆うように配置され、その縁部が、壁部１７Ｆの上面において溶着（融着）または粘着などによって密着して固定されている。
【０１１９】
つまり、膜部材２０Ｆは、壁部１７Ｆで囲まれた内部空間を外部から封止する。膜部材２０Ｆの厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度である。
【０１２０】
膜部材２０Ｆは、アンカー部１２ｂ、電極基部１３ａ、アンカー部１４ｂ、および電極基部１５ａの上面においても、溶着または粘着などによって固定される。
【０１２１】
膜部材２０Ｆの材料として、耐熱性および絶縁性を有するフィルムが用いられる。例えば液晶ポリマーまたはポリイミドなどが用いられる。また、図４に示すように防湿性の高い材料を用いて２重膜構造としてもよい。
【０１２２】
膜部材２０Ｆには、配線のための複数の孔がレーザなどによって設けられ、その複数の孔の中に複数のバンプ１９が設けられている。すなわち、辺部１７ａの両端部、電極基部１３ａ、電極基部１５ａ、およびアンカー部１４ｂの上面に対応する位置において、膜部材２０Ｆに孔が設けられ、そこにバンプ１９ａ〜ｇが設けられている。
【０１２３】
上に述べた実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｆでは、基板１１上に形成された可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、および固定駆動電極１５Ｆなどによる機能部分ＫＮが、壁部１７Ｆで囲まれ、膜部材２０Ｆによって覆われて封止されることにより、パッケージ構造となっている。
【０１２４】
壁部１７Ｆの高さは、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂなどの機能部分ＫＮよりも高い。したがって、膜部材２０Ｆは、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂとの間にギャップ（間隙）ＧＰ３，４を有し、それらに接触することがない。ギャップＧＰ３，４の大きさは、いずれも数μｍ程度、例えば２μｍ程度である。
【０１２５】
したがって、膜部材２０Ｆの張力が固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂなどに加わるおそれはなく、また膜部材２０Ｆの上方から圧力が作用した場合でも、その圧力がそれらに加わったりそれらを押し付けたりすることはない。
【０１２６】
このように、膜部材２０Ｆの撓みによって固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂなどに接触するといったことがなく、可動部ＫＢの動作に必要な空間が確保される。
【０１２７】
そのため、それら固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂなどの強度は、それ自体の機能を果たすに必要な程度にしておけばよく、膜部材２０Ｆなどからの外力を考慮した大きな強度とする必要はない。
【０１２８】
また、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆは、その高さ寸法が上に述べたＭＥＭＳスイッチ１，１Ｂ〜Ｄよりも数μｍ程度増えるものの、従来よりも低背化および小型化が可能である。
【０１２９】
また、壁部１７Ｆおよび膜部材２０Ｆを設けることによってパッケージ構造となるので、製造工程が複雑になることなく、低コスト化を図ることができる。
【０１３０】
また、壁部１７Ｆなどの高さを高くするために、製造工程に形成された犠牲層の残留部分である残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅを利用するので、工程数を増やさなくても製造が可能であり、製造工程を簡単化することができる。
【０１３１】
また、基板１１としてウェハを用い、ウェハ上に多数のＭＥＭＳスイッチ１Ｆを形成し、その後にダイシングを行って個々のＭＥＭＳスイッチ１Ｆに切り出すことにより製造することが可能である。
【０１３２】
つまり、１枚のウェハ上に、多数のＭＥＭＳスイッチ１Ｆに対応する可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、固定駆動電極１５Ｆ、および壁部１７Ｆなどを形成した後、その上に膜部材２０Ｆをウェハの全体を覆うように貼り付け、バンプ１９を取り付ける。これによって、１枚のウェハ上に多数のＭＥＭＳスイッチ１Ｆが形成されるので、これを、壁部１７Ｆに沿ってダイシングする。
【０１３３】
このようにすることによって、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆをウェハレベルパッケージ構造とすることができ、パッケージのための工程を大幅に簡単化することができる。また、ダイシングの際には、既にパッケージが完了しており、機能部分ＫＮは膜部材２０Ｆによって封止されているので、ダイシングに用いる切削水によって機能部分ＫＮが破損したり変形することがない。
【０１３４】
また、パッケージの役割を果たす膜部材２０Ｆは、アンカー部１２ｂ，１４ｂおよび電極基部１３ａ，１５ａの上面によって支持されているので、ダイシングの際や通常の使用の際に撓んだり破損したりすることがない。
【０１３５】
ＭＥＭＳスイッチ１Ｆにおいて、可動コンタクト電極１２Ｆおよび固定コンタクト電極１３Ｆで構成される信号ラインＳＬは、壁部１７Ｆの辺部１７ａおよび固定駆動電極１５Ｆとともにコプレーナ構造（ＣＰＷ）となっており、壁部１７Ｆが封止のみでなく有効に利用されている。これによって一層の小型化が図られている。
【０１３６】
次に、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆの製造方法について、図２５〜図２６を参照して説明する。なお、図２５〜図２６は、図２２に示すＭＥＭＳスイッチ１Ｆを図２４と同じ位置で断面して示した図である。
【０１３７】
本実施形態においては、まず、図９に示すようなＳＯＩウェハの基板１１ＵＨを準備する。基板１１ＵＨは、図３において説明したように、支持基板１１ａ、中間酸化膜１１ｂ、および活性層１１ｃからなる。ウェハの基板１１ＵＨに多数の機能部分ＫＮを形成し、壁部１７Ｆおよび膜部材２０Ｆを形成した後にダイシングを行ってＭＥＭＳスイッチ１Ｆを完成させる。以下において、１つのＭＥＭＳスイッチ１Ｆに対応する部分のみについて説明する。
【０１３８】
図２５（Ａ）において、活性層１１ｃの表面に、密着層としてクロムを５０ｎｍ程度の厚さに、続けて金を５００ｎｍ程度の厚さに、それぞれスパッタ成膜する。これをフォトリソグラフィおよびイオンミリングによって加工し、可動コンタクト電極１２Ｆの電極部１２ａおよび可動駆動電極１４Ｆの電極部１４ａを同時形成する。
【０１３９】
次に、活性層１１ｃにおける電極部１２ａ，１４ａの周囲の部分に、大小２つのコ字形の２μｍ程度の幅のスリット１６をＤｅｅｐ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により加工し、カンチレバーの部分を形成する。さらに、プラズマＣＶＤによって二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を５μｍ程度の厚さで成膜して犠牲層３１とする。
【０１４０】
なお、電極部１２ａ，１４ａおよびスリット１６の平面形状については、図５（Ａ）を参照することができる。
【０１４１】
次に、図２５（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィおよびＲＩＥによって、犠牲層３１を順にエッチングする。つまり、嵩上げしたい残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅの部分、および電極などを形成しない部分が残留（残存）するよう、これら以外の部分について、ハーフエッチングを繰り返し、犠牲層３１を所定のパターンに形成する。
【０１４２】
まず、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂが形成される部分、および、壁部１７Ｆの残留犠牲層１７ｅ以外の部分、アンカー部１２ｂの残留犠牲層１２ｃ以外の部分、電極基部１３ａの残留犠牲層１３ｃ以外の部分、アンカー部１４ｂの残留犠牲層１４ｃ以外の部分、電極基部１５ａの残留犠牲層１５ｄ以外の部分について、犠牲層３１を４μｍ程度の深さでハーフエッチングする。
【０１４３】
次に、接点部ＳＴが形成される部分、および、壁部１７Ｆの残留犠牲層１７ｅ以外の部分、アンカー部１２ｂの残留犠牲層１２ｃ以外の部分、電極基部１３ａの残留犠牲層１３ｃ以外の部分、アンカー部１４ｂの残留犠牲層１４ｃ以外の部分、電極基部１５ａの残留犠牲層１５ｄ以外の部分について、犠牲層３１をさらに０．５μｍ程度の深さでハーフエッチングする。
【０１４４】
最後に、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、電極基部１３ａ，１５ａ、および壁部１７Ｆなどに残った０．５μｍ程度の犠牲層３１を全て除去する。これにより、犠牲層３１は、残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅの部分、および電極などを形成しない部分のみが、残留する。
【０１４５】
このようにして残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅを残留させるので、ハーフエッチングの工程数を増やさなくてもよい。
【０１４６】
そして、メッキ形成を行うためのパターンを形成するために、シード層をスパッタ成膜する。シード層は下層が５０ｎｍ程度の厚さのモリブデン、上層が３００ｎｍ程度の厚さの金からなる。
【０１４７】
次に、図２５（Ｃ）に示すように、メッキ法（鍍金法）によって、金のメッキ膜を２０μｍ程度の厚さに形成する。これにより、各部において同じ厚さの金のメッキ膜が、同時に形成される。
【０１４８】
すなわち、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、固定コンタクト電極１３Ｆ、固定駆動電極１５Ｆ、および壁部１７Ｆが、同時に形成される。これらは、メッキによって同時に形成されるので、各部分が互いに同じ厚さとなる。
【０１４９】
これによって、残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅの部分は、金のメッキ膜によって完全に覆われる。
【０１５０】
また、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂは、予め犠牲層３１がハーフエッチングされているため、電極基部１３ａ、アンカー部１４ｂ、および壁部１７Ｆなどよりも高さが低くなる。
【０１５１】
次に、メッキ膜で覆われていない部分のシード層を、イオンミリングとＲＩＥで除去する。そして、図２６（Ａ）に示すように、犠牲層３１およびカンチレバーの下部の中間酸化膜１１ｂを、フッ酸を用いたエッチングにより除去する。このとき、メッキ膜によって覆われた残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅの部分は、エッチングで除去されずに残る。
【０１５２】
さらに、固定コンタクト部１３ｂから突出した接点部ＳＴの表面に露出したシード層の下層のモリブデンを、ウェットエッチングによって除去する。
【０１５３】
次に、図２６（Ｂ）に示すように、フィルム状の膜部材２０Ｆを基板１１ＵＨの全面に貼り付ける。すなわち、壁部１７Ｆの上面に固定される膜部材２０Ｆからなる可撓膜を形成することによって、複数の構造物である機能部分ＫＮをその可撓膜により覆う。このとき、膜部材２０Ｆと各壁部１７Ｆとの位置合わせを行う必要がなく、膜部材２０Ｆを基板１１ＵＨの全面に貼り付ければよい。
【０１５４】
つまり、例えば、機能部分ＫＮが形成された基板１１ＵＨをチャンバーＲＭ内に入れ、膜部材２０Ｆを基板１１ＵＨの上面に配置し、所定の高い温度と圧力をかけて膜部材２０Ｆを基板１１ＵＨに押し付ける。これによって、膜部材２０Ｆを、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、電極基部１３ａ，１５ａ、および壁部１７Ｆの上面に溶着させる。
【０１５５】
そして、膜部材２０Ｆに、バンプ１９のための孔ＡＮをレーザ加工によって設ける。孔ＡＮの中に、それぞれバンプ１９ａ〜ｇを溶着などによって取り付ける。
【０１５６】
最後に、基板１１ＵＨを各機能部分ＫＮの壁部１７Ｆと壁部１７Ｆとの間に沿ってダイシングし、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆを完成させる。
【０１５７】
ＭＥＭＳスイッチ１Ｆにおいて、可動部ＫＢは壁部１７Ｆおよび膜部材２０Ｆによって保護されているため、このままの状態でプリント基板などに実装することができる。
【０１５８】
このように、本実施形態によると、少ない工程数でウェハレベルパッケージを実現でき、小型化、低背化、および低損失化を実現することができる。
【０１５９】
しかも、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂの上面は、膜部材２０Ｆの下面よりも２μｍ程度低いため、膜部材２０Ｆからの圧力がかかることがなく、それらの間のギャップＧＰ３，４が維持される。
〔第７の実施形態〕
次に、第７の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｇについて、図２７を参照して説明する。第７の実施形態において、第６の実施形態と相違する部分についてのみ説明する。
【０１６０】
図２７は第７の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチ１Ｇの正面図である。図２７においては、膜部材２０Ｆおよびバンプ１９の図示が省略されている。
【０１６１】
図２７において、ＭＥＭＳスイッチ１Ｇには、上に述べたＭＥＭＳスイッチ１Ｆに対し、支持部１８Ｇが追加され、かつ電極基部１５ｃよりも高さの高い電極基部１５ｅが形成されている。
【０１６２】
すなわち、電極基部１３ａ，１５ａなどと同じ高さの支持部１８Ｇが、基板１１上に設けられている。支持部１８Ｇは、電極基部１３ａ，１５ａなどと同様に、その内部に、製造工程に形成された犠牲層３１の残留部分が、残留犠牲層として設けられている。支持部１８Ｇは、残留犠牲層があるために電極基部１３ａと同様な２段形状となり、その上段部の高さは電極基部１３ａ，１５ａおよび壁部１７Ｆなどと同じ高さである。
【０１６３】
また、電極基部１５ｅについても、その内部に、製造工程に形成された犠牲層３１の残留部分が、残留犠牲層として設けられている。電極基部１５ｅは、残留犠牲層があるために電極基部１５ａなどと同様な２段形状となり、その上段部の高さは電極基部１５ａおよび壁部１７Ｆなどと同じ高さである。
【０１６４】
図示しない膜部材２０Ｆは、可動コンタクト電極１２Ｆ、固定コンタクト電極１３Ｆ、可動駆動電極１４Ｆ、および固定駆動電極１５Ｆの上方において、それらを覆うように配置され、その縁部が、壁部１７Ｆの上面において溶着（融着）または粘着などによって密着して固定されている。さらに、膜部材２０Ｆは、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、電極基部１３ａ，１５ａ、１５ｅ、および支持部１８Ｇの上面に溶着されている。
【０１６５】
このように、本実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｇでは、膜部材２０Ｆが、より多くの箇所で固定され、支持されるので、膜部材２０Ｆがより強固に固定され、その撓みがより一層確実に防止される。
【０１６６】
このように、追加の支持部１８Ｇなどを設けることは、例えば、ｍＰｎＴスイッチのように、入力数（ｍ）および出力数（ｎ）が多くデバイス規模が大きく、壁部１７Ｆで囲まれた空間が大きい場合に、特に有効である。
〔第８の実施形態〕
次に、第８の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｈについて、図２８を参照して説明する。第８の実施形態において、第６の実施形態と相違する部分についてのみ説明する。
【０１６７】
図２８は第８の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチ１Ｈの断面図である。
【０１６８】
図２８において、ＭＥＭＳスイッチ１Ｈでは、上に述べたＭＥＭＳスイッチ１Ｆに対し、膜部材２０Ｆおよびバンプ１９が設けられておらず、それに代えて、貫通電極４２，４３を設けたキャップ基板４０が、半完成品ＨＫに対し直接に接合して取り付けられている。
【０１６９】
キャップ基板４０は、セラミック基板４１の適所に設けられた孔に、貫通電極４２，４３が取り付けられて形成される。セラミック基板４１は、例えば酸化アルミニウムなどのセラミック材料によって、厚さ十分の数ｍｍ程度の板状に形成されている。セラミック基板４１の、電極基部１３ａ，１５ａ、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、および壁部１７Ｆの上面（図では下面）に対応した位置に、複数の貫通電極４２ａ〜ｂ、４３ａ〜ｂなどが設けられている。
【０１７０】
図２８において、基板１１に機能部分ＫＮが形成された半完成品ＨＫに対し、それを裏返しにした状態で、キャップ基板４０が被せられて封止される。壁部１７Ｆの上面とキャップ基板４０との間は、その全周がシール部材ＳＢによって密封される。電極基部１３ａ，１５ａ、アンカー部１２ｂ，１４ｂ、および壁部１７Ｆの上面（図では下面）と、貫通電極４２ａ〜ｂ、４３ａ〜ｂなどとは、互いに溶着され、電気的に接続される。機能部分ＫＮが形成された空間に、窒素ガスなどの適当な不活性ガスを封入してもよい。
【０１７１】
半完成品ＨＫにセラミック基板４１を取り付けるに際し、ウェハの基板１１ＵＨに形成された多数の半完成品ＨＫの全体に対して、多数のキャップ基板４０を形成した１枚の基板を取り付け、後でダイシングを行えばよい。
【０１７２】
このようにすると、少ない工程数でウェハレベルパッケージを実現でき、小型化、低背化、低コスト化を図ることができる。
【０１７３】
また、ウェハの基板１１ＵＨに形成された多数のそれぞれの半完成品ＨＫに対し、１つずつキャップ基板４０を取り付けてもよい。１つの半完成品ＨＫごとに１つのキャップ基板４０を取り付けることも可能である。
【０１７４】
また、キャップ基板４０に対して、さらにその外面に、貫通電極４２ａ〜ｂ、４３ａ〜ｂに接続される他の基板またはデバイスを取り付けることも可能である。
【０１７５】
上に述べた実施形態において、残留犠牲層１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅの大きさ、断面形状などは、上に述べた以外のものとしてもよい。また、アンカー部１２ｂ、１４ｂ、電極基部１３ａ、１５ａ、および壁部１７Ｆの大きさおよび断面形状なども、上に述べた以外のものとしてもよい。
【０１７６】
上に述べた第１〜第８の実施形態において述べた事項は、矛盾のない限り他の実施形態に取り入れて組み合わせることが可能である。
【０１７７】
上に述べた各実施形態のＭＥＭＳスイッチ１、１Ｂ〜１Ｄ、１Ｆ〜１ＨおよびＭＥＭＳ可変キャパシタ１Ｅにおいて、それらの各部または全体の構成、構造、形状、寸法、厚さ、個数、配置、材料、形成方法、形成順序などは、本発明の主旨に沿って適宜変更することができる。ＭＥＭＳスイッチおよびＭＥＭＳ可変キャパシタ以外の種々の電子デバイスにも、本発明を適用することができる。
【０１７８】
本実施形態には次に記載する形態も含まれる。
（付記１）
基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられた壁部と、
前記可動電極および前記固定電極の上方において前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持するために前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部と、
を含むことを特徴とする電子デバイス。
（付記２）
前記壁部と前記支持部の少なくとも一部とは、同じ金属材料によって互いに連続して一体に形成されている、
付記１記載の電子デバイス。
（付記３）
前記膜部材は、前記固定電極の少なくとも一部に対して固定されている、
付記１または２記載の電子デバイス。
（付記４）
前記支持部は、前記可動電極の上方において開口する開口部を有し、
前記可動電極は、前記開口部を介して前記膜部材と対向している、
付記３記載の電子デバイス。
（付記５）
前記壁部はグランド電位に接続され、かつ、前記壁部の一部が前記可動電極および前記固定電極からなる信号ラインに対して平行に設けられている、
付記１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス。
（付記６）
前記膜部材は、フォトレジストまたはポリイミドを含む封止膜と、二酸化シリコンを含む保護膜とを有する、
付記１ないし５のいずれかに記載の電子デバイス。
（付記７）
基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられ、前記可動電極および前記固定電極よりも高さが高い壁部と、
前記可動電極および前記固定電極との間に間隙を有した状態で前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、
を含むことを特徴とする電子デバイス。
（付記８）
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持する支持部と、
を含む付記７記載の電子デバイス。
（付記９）
前記可動電極または前記固定電極を前記基板に対して支持する部分であってかつそれらに対して電気的な接続を行うための電極基部が、前記壁部と同じ高さに形成されており、
前記膜部材は、前記電極基部によって前記空間の内側から支持されている、
付記７または８記載の電子デバイス。
（付記１０）
前記膜部材は、複数の貫通電極を有したキャップ基板であり、
前記複数の貫通電極が、前記電極基部および前記壁部に電気的に接続されている、
付記９記載の電子デバイス。
（付記１１）
前記壁部は、その内部に、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するための犠牲層が残留した状態で形成されている、
付記７ないし１０のいずれかに記載の電子デバイス。
（付記１２）
可動電極と、前記可動電極に対向する固定電極と、を含む複数の構造物を、基板上に形成する工程と、
前記複数の構造物を互いに隔てる格子状の壁部を前記基板上に形成する工程と、
前記壁部の上面に固定される可撓膜を形成することによって前記複数の構造物を前記可撓膜により覆う工程と、
前記可撓膜、前記壁部、および前記基板を、前記壁部に沿って切断し、前記構造物ごとに個片化する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
（付記１３）
前記複数の構造物には、前記可動電極よりも高い位置まで延び、前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部が含まれる、
付記１２記載の電子デバイスの製造方法。
（付記１４）
前記支持部および前記壁部をメッキによって互いに同時に形成する、
付記１３記載の電子デバイスの製造方法。
（付記１５）
前記可動電極を前記基板上に形成した後で、前記可動電極および前記基板の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に対し、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するためにかつ前記壁部の一部に対応する部分が残留するようにパターニングする工程と、
前記犠牲層をパターニングした後で、前記壁部および前記固定電極をメッキによって形成するとともに、前記壁部の一部に対応する前記犠牲層の残留部分をメッキによって覆う工程と、
を含む付記１２記載の電子デバイスの製造方法。
【符号の説明】
【０１７９】
１、１Ｂ〜１Ｄ、１Ｆ〜１Ｈ  ＭＥＭＳスイッチ（電子デバイス）
１Ｅ  ＭＥＭＳ可変キャパシタ（電子デバイス）
１１，１１ＵＨ  基板
１２  可動コンタクト電極（可動電極）
１３  固定コンタクト電極（固定電極）
１４  可動駆動電極（可動電極）
１５  固定駆動電極（固定電極）
１７  壁部
１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１７ｅ  残留犠牲層
１８  支持部
１９  バンプ
２０  膜部材
２０ａ  封止膜
２０ｂ  保護膜
２１  下部電極（固定電極）
２２  上部電極（可動電極）
３１，３２，３３  犠牲層
４０  キャップ基板（膜部材）
４２、４３  貫通電極
ＫＡ  開口部
ＳＬ  信号ライン
【図１】
0005494038.tif 000002
【図２】
0005494038.tif 000003
【図３】
0005494038.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005494038.tif 000008
【図８】
0005494038.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005494038.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005494038.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
0005494038.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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