(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃを含有するＦｅＰｔ系磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタ面に対する水平面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が２以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｃを含有するＦｅＰｔ系磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、
スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（００１）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（１００）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が１．０以下であって、かつ、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（００１）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（１００）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が１．０以上であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｐｔ含有量が５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｃ含有量が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
添加元素として、Ｂ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕからなる群から選択した一種以上の元素を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
添加材として、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物からなる群から選択した一種以上の無機物材料を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットにおいて、扁平状あるいは板状の原料粉末を粉砕混合した後成形し、この成形体を一軸加圧焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録メディアの磁性体薄膜、特に、熱アシスト磁気記録メディアの磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットに関し、マグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に安定した放電が得られるパーティクル発生の少ないＦｅＰｔ系強磁性材スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）に代表される磁気記録媒体の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなる複合材料が多く用いられている。そしてハードディスク等の磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。【０００３】
一方、磁気記録媒体の記録密度は年々急速に増大しており、現状の１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の面密度から、将来は１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に達すると考えられている。１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に記録密度が達すると、記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想され、現在、使用されている磁気記録媒体、例えばＣｏ−Ｃｒ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料、又はこれにさらにＢを添加して磁性粒間の磁気結合を弱めたような媒体では十分ではないことが予想される。１０ｎｍ以下のサイズで安定に強磁性として振る舞う粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。【０００４】
上記のようなことから、Ｌ１０構造を持つＦｅＰｔ相が超高密度記録媒体用材料として注目されている。また、Ｌ１０構造を持つＦｅＰｔ相は耐食性、耐酸化性に優れているため、記録媒体としての応用に適した材料と期待されている。このＦｅＰｔ相は１５７３Ｋに規則−不規則変態点を持ち、通常合金を高温から焼き入れても急速な規則化反応によりＬ１０構造を持つ。そして、ＦｅＰｔ相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したＦｅＰｔ粒子を磁気的に分離させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。【０００５】
このようなことから、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ磁性粒子を炭素といった非磁性材料で磁気的に分離されたグラニュラー構造磁性薄膜が、熱アシスト磁気記録方式を採用した次世代ハードディスクの磁気記録媒体用として提案されている。このグラニュラー構造磁性薄膜は、磁性粒子同士が非磁性物質の介在により磁気的に絶縁される構造となっている。グラニュラー型の磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７などを挙げることができる。【０００６】
上記磁気記録層はＦｅ−Ｐｔ合金などの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして炭素が有効である。このような磁気記録層は通常スパッタリング成膜法により形成されるが、炭素が含まれる強磁性材スパッタリングターゲットは炭素が凝集しやすい上に焼結しにくく、マグネトロンスパッタ装置でスパッタしようとすると、スパッタリング中に異常放電を引き起こし、パーティクル（基板上に付着したゴミ）が発生するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３０６２２８号公報
【特許文献２】特開２０００−３１１３２９号公報
【特許文献３】特開２００８−５９７３３号公報
【特許文献４】特開２００８−１６９４６４号公報
【特許文献５】特開２０１２−１０２３８７号公報
【特許文献６】特開２０１１−２０８２６５号公報
【特許文献７】国際公開ＷＯ／２０１２／０８６３３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記磁気記録層は、ＦｅＰｔ系合金などの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして炭素（Ｃ）を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものであり、スパッタリング時に凝集しやすい炭素を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制した強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明者は鋭意研究を行った結果、扁平状あるいは板状のＣ相を一定の方向に揃うように分散させることにより、安定的なスパッタリングを可能とし、異常放電を抑制できることを見出した。すなわち、ターゲットにおけるＣ相の分散状態を改善することにより、スパッタリングの異常放電を抑制することができ、パーティクルの発生を低減できることを見出した。【００１０】
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｃを含有するＦｅＰｔ系磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタ面に対する水平面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が２以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット、
２）Ｃを含有するＦｅＰｔ系磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、
スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（００１）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（１００）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が１．０以下であって、かつ、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（００１）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（１００）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が１．０以上であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、
３）スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さが１０μｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット、
４）Ｐｔ含有量が５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、
５）Ｃ含有量が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、
６）添加元素として、Ｂ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕからなる群から選択した一種以上の元素を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記１）〜５）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、
７）添加材として、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物からなる群から選択した一種以上の無機物材料を含有することを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。【００１１】
また、本発明は、
８）上記１）〜７）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲットにおいて、扁平状あるいは板状の原料粉末を粉砕混合した後成形し、この成形体を一軸加圧焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
上記磁気記録層は、Ｆｅ−Ｐｔ合金などの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして炭素を利用した強磁性材スパッタリングターゲットに関する。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタリングの際、凝集しやすい炭素を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制した強磁性材スパッタリングターゲットを提供することができるという優れた効果を有する。
そして、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層を効率的に成膜することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一例である。
【図２】本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一例である。
【図３】扁平化処理したＦｅ−Ｐｔ合金粉のＳＥＭ写真である。
【図４】原料粉末である薄片化黒鉛のＳＥＭ写真である。
【図５】スパッタ面に対する水平面とスパッタ面に対する垂直断面を表す概略図である。
【図６】本願実施例１のターゲット組織（スパッタ面に対する水平面：写真左、スパッタ面に対する垂直断面：写真右）を示すレーザー顕微鏡写真である。
【図７】本願実施例２のターゲット組織（スパッタ面に対する水平面：写真左、スパッタ面に対する垂直断面：写真右）を示すレーザー顕微鏡写真である。
【図８】本願実施例３のターゲット組織（スパッタ面に対する水平面：写真左、スパッタ面に対する垂直断面：写真右）を示すレーザー顕微鏡写真である。
【図９】本願比較例１のターゲット組織（スパッタ面に対する水平面：写真左、スパッタ面に対する垂直断面：写真右）を示すレーザー顕微鏡写真である。
【図１０】本願実施例１のターゲットのＸ線回折ピーク強度比（スパッタ面に対する水平面：上段、スパッタ面に対する垂直断面：下段）である。
【図１１】本願実施例２のターゲットのＸ線回折ピーク強度比（スパッタ面に対する水平面：上段、スパッタ面に対する垂直断面：下段）である。
【図１２】本願実施例３のターゲットのＸ線回折ピーク強度比（スパッタ面に対する水平面：上段、スパッタ面に対する垂直断面：下段）である。
【図１３】本願比較例１のターゲットのＸ線回折ピーク強度比（スパッタ面に対する水平面：上段、スパッタ面に対する垂直断面：下段）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のターゲットは、ＦｅＰｔ系合金からなる強磁性材中に扁平状あるいは板状の非磁性材のＣ相が特定の方向に揃うように分散することで、安定的なスパッタリングを可能とし、異常放電を抑制してパーティクル発生を低減することができる。
前記のＣ相の分散状態を、Ｃを含有するＦｅＰｔ系磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタ面に対する水平面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度の強度比を２以上と規定することができる。一方、前記強度比の上限値については特に制限はないが、より好ましくは１５以下とすることができる。
なお、前記スパッタ面に対する水平面及び前記スパッタ面に対する垂直断面を表す概略図を図５に示す。スパッタ面に対する水平面はホットプレス時の加圧される面に相当する。
【００１５】
本発明のターゲットは扁平状あるいは板状のＣ粉末だけでなく、扁平状あるいは板状のＦｅＰｔ系合金粉末を用いることで、これらの原料粉末からなる成形体の加圧時にＦｅＰｔ系合金相が特定の方向に揃うよう加圧されるので、それに伴って、Ｃ相を特定の方向に揃うように分散することができる。前記のＦｅＰｔ合金相の状態を、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（００１）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（１００）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が１．０以下であって、かつ、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（００１）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金（１００）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が１．０以上と規定することができる。
【００１６】
Ｃ相は、グラフェンシートを積層させたグラファイトで構成されており、電気伝導性に異方性を有する。そのため、スパッタリングターゲット中のＣ相の結晶の向きがランダムになると、電気伝導性に影響を及ぼし、スパッタリングが不安定になって、異常放電の原因となると考えられる。したがって、扁平状あるいは板状のＣ相を特定の方向に揃えて分散させることにより、スパッタリング時の異常放電を抑制することができ、パーティクル発生を低減することが可能となる。前記扁平状あるいは板状のＣ相は薄片化処理したＣ粉を用いることで得ることができ、その平均厚さは１μｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｐｔ含有量５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残部Ｆｅ及びＣであることが好ましい。Ｐｔ含有量が５ｍｏｌ％未満又は６０ｍｏｌ％を超えると、所望の磁気特性が得られない場合があるからである。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、Ｃ含有量が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下、残部Ｆｅ及びＰｔであることが好ましい。Ｃ含有量が１０ｍｏｌ％未満であると所望の磁気特性が得られない場合があり、一方、Ｃ含有量が７０ｍｏｌ％を超えるとＣが凝集して、パーティクル増加の原因となるからである。
【００１８】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、磁気特性を向上させるために、添加元素としてＢ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕからなる群から選択した一種以上の元素を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することが好ましい。また、添加材として、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物からなる群から選択した一種以上の無機物材料を添加することで、さらに磁気特性を向上させることができる。
【００１９】
本発明のスパッタリングターゲットは、図１や図２に示すような粉末冶金法によって作製する。
まず、原料粉末（Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃ粉末、必要に応じて添加金属元素の粉末、添加無機物材料の粉末）を用意する。このとき、Ｃ粉末は扁平状あるいは板状の黒鉛や図４に示すような薄片化黒鉛（グラファイトの層数が少ない黒鉛）を使用することが好ましい。特に薄片化黒鉛は、通常の黒鉛よりも電気伝導に優れるため、異常放電の抑制とパーティクルの低減に特に有効である。
また、必要に応じて、金属成分であるＦｅ粉末やＰｔ粉末をボールミルや媒体攪拌ミル等で処理し、図３に示すような扁平状あるいは板状のものを使用することが好ましい。これにより、Ｃ相をより特定の方向に揃えることができる。
これら扁平状あるいは板状の原料粉末は、それぞれ平均厚さが０．０１μｍ以上２０μｍ以下のものを使用することが好ましい。
【００２０】
Ｆｅ粉末やＰｔ粉末として、金属単体の粉末を使用してもよいが、あらかじめ熱処理やアトマイズ装置によって合金化した合金粉末（Ｆｅ−Ｐｔ粉）を用いることができる。また、目標組成に応じて、合金化したＦｅ−Ｐｔ合金粉末と、Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末とを組み合わせて用いることができる。
特に、金属単体のＦｅ粉末は酸化しやすいため、Ｆｅ−Ｐｔ合金粉やＦｅ−Ｐｔアトマイズ粉を用いることによって、酸素の持ち込みを低減することができ、ターゲットの伝導性と純度を高めるためには、これらの合金粉、アトマイズ粉を用いることが有効である。
【００２１】
そして、上記の粉末を所望の組成になるように秤量し、攪拌媒体ミルやボールミル、乳鉢等を用いて、混合を兼ねて粉砕する。但し、粉砕し過ぎるとＣ粉末が小さくなって凝集し易くなるため、Ｃ粉末の粒子径は小さくとも、０．１μｍとするのが好ましい。Ｂ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属粉末や、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物などの無機物材料を添加する場合は、この段階で、混合すればよい。
【００２２】
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、一軸方向加圧のホットプレスで成型・焼結する。このような一軸方向加圧のホットプレス時にＣ相が特定の方向に揃うことになる。焼結時の保持温度は、スパッタリングターゲットの組成にもよるが、多くの場合、１０００〜１６００°Ｃの温度範囲とする。また、必要に応じて、ホットプレスから取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施すことができる。熱間等方加圧加工は、焼結体の密度向上に有効である。熱間等方加圧加工時の保持温度は、焼結体の組成にもよるが、多くの場合１０００〜１６００°Ｃの温度範囲である。また加圧力は１００Ｍｐａ以上に設定する。
このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットは作製できる
【００２３】
以上のように、扁平化あるいは板状にした原料粉末を混合し、一軸方向加圧のホットプレスを実施することにより、Ｃ相が特定の方向に揃って分散したスパッタリングターゲットを製造することができる。そして、このようなターゲットは、スパッタリング時の異常放電を抑制できるので、パーティクルが少ないという効果を得ることができる。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００２５】
（実施例１）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径６μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−４０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
得られた焼結体の端部を切り出し、スパッタ面に対する水平面及び垂直断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ箇所を１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を図６に示す（組織観察画像の黒っぽいところがＣ相に該当する部分である）。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ０．６μｍであった。
また、Ｘ線回折装置を用いて、焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した。Ｘ線回折装置による測定条件は次のとおりである。装置：株式会社リガク社製（ＵｌｔｉｍａIV ｐｒｏｔｅｃｔｕｓ）、管球：Ｃｕ、管電圧：４０ｋＶ、管電流：３０ｍＡ、走査範囲（２θ）：１０°〜９０°、測定ステップ（２θ）：０．０１°、スキャンスピード（２θ）：毎分１°、スキャンモード２θ／θ。なお、グラファイト（００２）面の回折ピークは２６．３８°付近に現れ、Ｆｅ−Ｐｔ合金（００１）面の回折ピークは２３．９３°付近に現れ、Ｆｅ−Ｐｔ合金（１００）面の回折ピークは３２．９８°付近に現れる。
その結果を図１０に示す。図１０から得られたグラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．４５であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．４９であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．５０であった。
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が０．２５μｍ以上のパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１２０個であった。【００２６】
【表１】
0005457615.tif 000002
【００２７】
（実施例２）
Ｃ粉末に平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛粉末を用いた以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。この焼結体を光学顕微鏡で撮影した画像を図７に示す（組織観察画像の黒っぽいところがＣ相に該当する部分である）。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．１μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、図１１から得られたグラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．５３であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．０４であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７５であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は９０個であった。【００２８】
（実施例３）
Ｃ粉末に平均粒子径２０μｍのグラファイト粉末を用いた以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。この焼結体を光学顕微鏡で撮影した画像を図８に示す（組織観察画像の黒っぽいところがＣ相に該当する部分である）。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１５μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、図１２から得られたグラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は１３．７７であった。また、水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は１．０９であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．８９であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は２５０個であった。【００２９】
（実施例４）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−１０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−１０Ｐｔ）−１０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．２μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．３８であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．１７であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．６２であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は１５個であった。【００３０】
（実施例５）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＦｅ2Ｂ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＦｅ2Ｂ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−４２．５Ｐｔ−５Ｂ）−４０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１３００℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．０μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．４９であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．３６であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７１であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は８２個であった。【００３１】
（実施例６）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＡｇ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＡｇ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−４５Ｐｔ−１０Ａｇ）−６０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は９５０℃、熱間等方加圧加工の保持温度は９５０℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．１μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．２８であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．１３であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．５５であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は５６個であった。【００３２】
（実施例７）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＡｕ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＡｕ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−４９Ｐｔ−２Ａｕ）−４０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１０５０℃、熱間等方加圧加工の保持温度は９５０℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．１μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．４３であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．０９であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７３であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は４９個であった。【００３３】
（実施例８）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＣｕ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＣｕ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−４５Ｐｔ−１０Ｃｕ）−４０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１０６０℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．２μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．５２であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．３８であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．６９であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は７８個であった。【００３４】
（実施例９）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＲｕ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−６６．７Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＲｕ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−６０Ｐｔ−１０Ｒｕ）−４０Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１４００℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．２μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．２８であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．２８であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．６５であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は７８個であった。【００３５】
（実施例１０）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＦｅ−Ｂ粉末とＳｉＯ２粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−５ＳｉＯ２−２５Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１１００℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．１μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．５０であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．０７であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７０であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は１４個であった。【００３６】
（実施例１１）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５０μｍのＴｉＣ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＴｉＣ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−５ＴｉＣ−２５Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１４００℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．１μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．３９であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．２３であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７４であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は３８個であった。【００３７】
（実施例１２）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５０μｍのＳｉ３Ｎ４粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末は薄片化黒鉛粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末から組成比Ｆｅ−５０Ｐｔ（ａｔ．％）からなる合金化粉末を作製し、このＦｅ−Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールとともに容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入し、３００ｒｐｍで４時間粉砕して、扁平状の合金粉末を得た。
その後、この合金粉末とＳｉＮ粉末とＣ粉末とを乳鉢を用いて組成比（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−５Ｓｉ３Ｎ４−２５Ｃ（ａｔ．％）となるように混合し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１４００℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ１．２μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は６．１３であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は２．０７であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．６２であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は８９個であった。【００３８】
（比較例１）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径４８ｎｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末はアセチレンブラック粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末とＣ粉末とを組成比（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−４０Ｃ（ａｔ．％）となるように、粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールと共に容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入して２時間粉砕し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
得られた焼結体の端部を切り出し、スパッタ面に対する水平面及び垂直断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ箇所を１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を図９に示す（組織観察画像の黒っぽいところがＣ相に該当する部分である）。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ０．２μｍであった。
また、実施例１と同様の条件で焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した。その結果を図１３に示す。図１３から得られたグラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は１．０７であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．９９であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７９であった。
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、３．５インチ径のアルミ基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１３００個であった。【００３９】
（比較例２）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径４８ｎｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末はアセチレンブラック粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末とＣ粉末とを組成比（Ｆｅ−１０Ｐｔ）−１０Ｃ（ａｔ．％）となるように、粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールと共に容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入して２時間粉砕し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。それ以外、比較例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ０．２μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は１．０４であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．９６であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７７であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、比較例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は５１０個であった。【００４０】
（比較例３）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＡｇ粉末、平均粒子径４８ｎｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末はアセチレンブラック粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末とＡｇ粉末とＣ粉末とを組成比（Ｆｅ−４５Ｐｔ−１０Ａｇ）−６０Ｃ（ａｔ．％）となるように、粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールと共に容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入して２時間粉砕し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は９５０℃、熱間等方加圧加工の保持温度は９５０℃とした。それ以外、比較例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ０．２μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は１．１３であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．９７であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７６であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、比較例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は８２４個であった。【００４１】
（比較例４）
原料粉末として平均粒子径３μｍのＦｅ粉末、平均粒子径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒子径４８ｎｍのＣ粉末を用意した、Ｃ粉末はアセチレンブラック粉末を用いた。
次に、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末とＣ粉末とを組成比（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−５ＳｉＯ２−２５Ｃ（ａｔ．％）となるように、粉砕媒体の直径５ｍｍのジルコニアボールと共に容量５リットルの媒体攪拌ミルに封入して２時間粉砕し、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの保持温度は１１００℃、熱間等方加圧加工の保持温度は１１００℃とした。それ以外、比較例１と同様の条件で焼結体を作製した。そして、スパッタ面に対する垂直断面におけるＣ相の平均厚さを測定したところ０．３μｍであった。次に、この焼結体のスパッタ面に対する水平面と垂直断面のＸ線回折強度を測定した結果、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）は１．０４であった。また、スパッタ面に対する水平面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．７６であり、スパッタ面に対する垂直断面におけるＦｅ−Ｐｔ合金のＸ線回折強度比［（００１）面／（１００）面］は０．６９であった。この焼結体を所定の形状に加工した後、比較例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数を測定した結果、パーティクル個数は３０３個であった。【００４２】
以上の結果をまとめたものが表１である。表１に示すように、本発明のスパッタリングターゲットの実施例はいずれの場合においても、スパッタリングターゲットのＣ相が特定方向に揃って分散しており、スパッタリング時に発生するパーティクルは比較例に比べ常に少ないという結果が得られた。また、図１０〜１３に、実施例１〜実施例３及び比較例１のＸ線回折強度プロファイルを示す。図１０〜１２に示すように、グラファイト（００２）面のＸ線回折強度比（スパッタ面に対する水平面／スパッタ面に対する垂直断面）から、扁平状あるいは板状のＣ相が水平面に対して水平に分散していることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
上記磁気記録層は、Ｆｅ−Ｐｔ合金などの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして炭素を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものである。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタリングの際、凝集しやすい炭素を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制した強磁性材スパッタリングターゲットを提供することができるという優れた効果を有する。したがって、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜用強磁性材スパッタリングターゲットに有用である。
【要約】
Ｃを含有するＦｅＰｔ系磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタ面に対する水平面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度に対する、スパッタ面に対する垂直断面におけるグラファイト（００２）面のＸ線回折ピーク強度の強度比が２以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。磁気記録層は、Ｆｅ−Ｐｔ合金などの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして炭素を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものであり、スパッタリングの際、凝集しやすい炭素を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制した強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【選択図】図６【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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