(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の接続領域（１８）及び第二の接続領域（２０）が設けられた絶縁基板（１２）を形成するステップと、
前記第一の接続領域（１８）から前記第二の接続領域（２０）まで第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子（１４）であって、第一のゼーベック係数を有する素子（１４）の第一の組を前記絶縁基板（１２）上に形成するステップと、
前記第一の接続領域（１８）から前記第二の接続領域（２０）まで前記第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子（２２）であって、前記第一の組の素子（１４）から電気的に絶縁されて、前記第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する素子（２２）の第二の組を前記絶縁基板（１２）上に形成するステップと、
前記絶縁基板の前記第一の接続領域（１８）及び第二の接続領域（２０）に、電気接続素子（２４）を提供するステップとを備え、前記電気接続素子（２４）の寸法（Ｐ）が、各電気接続素子（２２）が前記第一の組の少なくとも一つの素子（１４）を前記第二の組の少なくとも一つの素子（２２）と電気的に接続することができるように選択される、ゼーベック効果熱電マイクロ構造（１０）の製造方法であって、
単一の組の二つの導体又は半導体の素子（１４、２２）が、接続領域（１８、２０）における所定の平均距離（ｄ１、ｄ２）によって所定の方向に分離され、
前記所定の方向における前記電気接続素子（２４）の平均寸法（Ｐ）が、単一の組の素子間の平均距離（ｄ１、ｄ２）の最大値よりも大きく、
二つの電気接続素子（２４）の縁の間の前記所定の方向における距離（Ｅ）が、単一の組の素子間の平均距離（ｄ１、ｄ２）の最小値よりも小さいことを特徴とするゼーベック効果熱電マイクロ構造（１０）の製造方法。
【請求項２】
前記導体又は半導体の素子の第一の組及び第二の組が、前記絶縁基板（１２）の両面に各々形成され、前記電気接続素子（２４）を提供するステップが、前記両面の間で前記絶縁基板を貫通する電気接続部を形成するステップ、特に前記絶縁基板を貫通する少なくとも一つの孔を形成し該孔の内部に導体コンタクトを成形するステップを含む、請求項１に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造（１０）の製造方法。
【請求項３】
前記所定の方向における前記電気接続素子（２４）の平均寸法（Ｐ）が、単一の組の素子間の平均距離（ｄ１、ｄ２）の最大値の二倍よりも大きい、請求項１に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造（１０）の製造方法。
【請求項４】
前記導体又は半導体の素子（１４、２２）が、バンド、ワイヤ、ナノワイヤ、及び／又は、単結晶繊維によって構成される、請求項１から３のいずれか一項に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造（１０）の製造方法。
【請求項５】
少なくとも一方の組の前記導体又は半導体の素子（１４、２２）が薄膜によって構成され、前記薄膜が、異方性導電性を有し、前記絶縁基板の面の一方に取り付けられ、他方の組の素子とは異なる方向において最大電流伝導軸を有する、請求項２に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造（１０）の製造方法。
【請求項６】
第一の接続領域（１８）及び第二の接続領域（２０）が設けられた絶縁基板（１２）と、
前記絶縁基板（１２）上において、前記第一の接続領域（１８）と前記第二の接続領域（２０）との間で第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子（１４）であって、第一のゼーベック係数を有する素子（１４）の第一の組と、
前記絶縁基板（１２）上において、前記第一の接続領域（１８）から前記第二の接続領域（２０）まで前記第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子（２２）であって、前記第一の組の素子（１４）から電気的に絶縁されていて、前記第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する素子（２２）の第二の組と、
前記第一及び第二の接続領域（１８、２０）内において前記第一の組の少なくとも一つの素子（１４）を前記第二の組の少なくとも一つの素子（２２）と電気的に接続する電気接続素子（２４）とを備えたゼーベック効果熱電発電機用のマイクロ構造（１０）であって、
単一の組の二つの導体又は半導体の素子（１４、２２）が、接続領域（１８、２０）における所定の平均距離（ｄ１、ｄ２）によって所定の方向に分離されていて、
前記所定の方向における前記電気接続素子（２４）の平均寸法（Ｐ）が、単一の組の素子間の平均距離（ｄ１、ｄ２）の最大値よりも大きく、
二つの電気接続素子（２４）の縁の間の前記所定の方向における距離（Ｅ）が、単一の組の素子間の平均距離（ｄ１、ｄ２）の最小値よりも小さいことを特徴とするゼーベック効果熱電発電機用のマイクロ構造（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゼーベック効果熱電マイクロ発電装置の分野に係り、言い換えると、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する構造であって、その機能素子が１ミリメートルよりも小さい構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ゼーベック効果熱電発電装置の機能は、その発電装置が受ける温度勾配を電流に変換することである。このような特性は、例えば電流発生用に使用されるが、冷却や、温度又は熱流の測定にも使用される。従って、熱電発電装置は、ＭＥＭＳとの頭字語の方が良く知られている微小電気機械システム（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）において一般的に使用される。
【０００３】
温度勾配から電流を生成するため、電気的に直列で熱的に並列に接続された異なるゼーベック係数の材料を用いた一組の接合（例えば直列に接続されたｐ‐ｎ接合）が形成される。
【０００４】
このような接続に用いられる構造のタイプがどのようなものであれ、また、特許文献１のような平坦な構造であれ又は非特許文献１のようなコラム構造であれ、異なる素子（例えば１ミリメートルよりも小さい寸法の接合又は接続素子を形成する導体又は半導体素子）の微視的特性は通常、熱電効率を保証するための一続きの長い接合が得られるようにそれらの接合を設けるために、非常に正確な位置合わせプロセスを強いる。実際、精密機器を用いた非常に多くのステップを、熱電マイクロ構造を製造するために行う必要がある。実際、従来技術の熱電マイクロ構造は一般的に高価であり、製造に時間がかかる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６８７２８７９号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｇ．Ｊｅｆｆｅｒｙ  Ｓｎｙｄｅｒ  ｅｔ  ａｌ、“Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｂｙ  ａ  ＭＥＭＳ−ｌｉｋｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ”、Ｎａｔｕｒｅ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ、第２巻、２００３年８月、www.nature.com/naturematerial
【非特許文献２】http://www.poweredbythermolife.com
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、非常に正確な位置合わせを必要としない一方で、接合の誤りに対するロバスト性の向上を保証する熱電マイクロ構造を製造するための簡単な方法を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このため、本発明の対象は、
・  第一及び第二の接続領域が設けられた絶縁基板を形成するステップと、
・  第一の接続領域から第二の接続領域まで第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第一の組（その素子は第一のゼーベック係数を有する）を基板上に形成するステップと、
・  第一の接続領域から第二の接続領域まで第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第二の組（第二の組の素子は、第一の組の素子から電気的に絶縁されて、第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する）を基板上に形成するステップと、
・  基板の第一及び第二の接続領域に電気接続素子（その電気接続素子の寸法は、各接続素子が第一の組の少なくとも一つの素子を第二の組の少なくとも一つの素子に電気的に接続することができるように選択される）を提供するステップとを備えたゼーベック効果熱電マイクロ構造の製造方法である。
【０００９】
本発明によると、
・  単一の組の二つの導体又は半導体素子は、接続領域内における所定の平均距離によって所定の方向に分離されていて、
・  所定の方向における接続素子の平均寸法は、単一の組の素子間の平均距離の最大値よりも大きく、
二つの接続素子の縁の間の所定の方向における距離は、単一の組の素子間の平均距離の最小値よりも小さい。
【００１０】
言い換えると、本発明のマイクロ構造の製造の第一フェイズにおいて、後に接合用に使用される素子が、単一の組内の位置合わせを気にする必要なく、第一の組と第二の組の正確な相対的向きに関わりなく、形成される。第二フェイズでは、コネクタを用いて、素子が相互接続されて、接合を形成する。コネクタの平均寸法は、接続領域内の素子間の間隔の二倍よりも大きい。このようにすることによって、複数の接合が電気的に直列に形成されることが確実となる。更に、コネクタの顕著なサイズに起因して、複数の一続きの接合が並列に形成されて、一つの接合が壊れた場合に、電流に対して並列な経路が依然として存在するようになる。
【００１１】
従来技術における目的は、単一の電気的に一続きの接合を得ることであり、素子の正確な位置合わせを必要としたが、本発明は、二つよりも多くの隣接する素子を互いに接続することが欠点ではなくて逆により大きなロバスト性をもたらすという点を活用している。従って、本発明では、特に並列電気経路を多重化して、究極的には構造のロバスト性を増大させるが、可能な限り接合を構成する素子に対するコネクタの正確な位置決めの必要性をなくすために、電気接続の最大密度を求めることが利点となる。二つの素子のみの接続を求める必要がないので、本方法は、高レベルの精度を必要とせず、マイクロ構造の製造を単純化する。
【００１２】
本発明によると、第一及び第二の組は絶縁基板の両面に各々形成され得て、接続素子の形成は、二つの面の間で基板を貫通する電気接続部の提供、特に、基板を貫通する少なくとも一つの孔の形成、及びこれに続いて、この孔内の導体コンタクトの形成を含む。
【００１３】
より具体的には、所定の方向における接続素子の平均寸法は、単一の組の素子間の平均距離の最大値の二倍よりも大きい。
【００１４】
本発明の他の構成によると、導体又は半導体素子は、バンド、ワイヤ、ナノワイヤ、及び／又は、単結晶繊維である。
【００１５】
一代替例では、素子は、異方性電気伝導性を有する薄膜によって構成され得る。
【００１６】
本発明の更なる目的は、
・  第一の接続領域及び第二の接続領域が設けられた絶縁基板と、
・  基板上の、第一の接続領域と第二の接続領域との間において第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第一の組（その素子は第一のゼーベック係数を有する）と、
・  基板上の、第一の接続領域から第二の接続領域まで第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第二の組（第二の組の素子は、第一の組から電気的に絶縁されていて、第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する）と、
・  第一及び第二の接続領域内の、第一の組の少なくとも一つの素子を第二の組の少なくとも一つの素子に電気的に接続する電気接続素子とを備えたゼーベック効果熱電発電機用のマイクロ構造である。
【００１７】
本発明によると、
・  単一の組の二つの導体又は半導体素子は、接続領域における所定の平均距離によって所定の方向に分離されていて、
・  所定の方向における接続素子の平均寸法は、単一の組の素子間の平均距離の最大値よりも大きく、
・  二つの接続素子の縁の間の所定の方向における距離は、単一の組の素子間平均距離の最小値よりも小さい。
【００１８】
上述の方法に従って製造されたこのような構造は、ロバストで製造が簡単である。
【００１９】
本発明は、添付図面を参照して提供される単に例示目的の以下の説明を読むことによって、より良く理解されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る熱電マイクロ構造の概略的な前面図である。
【図２】図１のマイクロ構造の軸ＩＩ‐ＩＩに沿った概略的な断面図である。
【図３】本発明のマイクロ構造の導体又は半導体素子のレイアウトを示す概略図である。
【図４】本発明のマイクロ構造の導体又は半導体素子のレイアウトを示す概略図である。
【図５】図３及び図４のレイアウトと組み合わせられる接触孔が設けられた絶縁基板の概略的な前面図である。
【図６】本発明のマイクロ構造の積層体の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本願において、“上”、“下”、“右”、“左”との表現は、図１に対して定義されるものである。
【００２２】
図１及び図２において、本発明に係る第一の実施形態のゼーベック効果熱電マイクロ構造１０は、例えば、マイクロエレクトロニクスにおいて使用されるような薄層技術を用いて製造され、以下のものを含む：
・  絶縁体の薄い基板１２（例えば、基板又は薄膜）；
・  絶縁基板１２の第一の面上に設けられた導体又は半導体製のバンド１４の組。バンド１４は、互いに等間隔で実質的に平行に形成され、基板１２の第一の領域１８（基板の上縁に配置されている）から、基板１２の第二の領域２０（基板の下縁に配置されている）まで延伸する；
・  基板１２の第一の面の反対側の第二の面上に設けられた導体又は半導体製のバンド２２（破線で示される）の組。バンド２２も、互いに等間隔で実質的に平行に形成され、第一の領域１８から第二の領域２０まで延伸する。更に、バンド２２は、バンド１４とは異なる方向を有する；
・  絶縁基板１２を貫通して領域１８及び２０に設けられた金属接続コンタクト２４の組。金属コンタクト２４（例えば楕円断面）は、等間隔であり、第一及び第二の組のバンド１４、２２を互いに電気的に接続する；
・  基板１２の左縁及び右縁に沿って形成された金属コレクタコンタクト２６、２８。金属コレクタコンタクト２６はバンド１４のみと接触していて、金属コレクタコンタクト２８はバンド２２のみと接触している。
【００２３】
バンド１４及び２２の物質は、異なるゼーベック係数を有するように異なる。例えば、バンド１４は、正のゼーベック係数を有するＰ型半導体製であり、バンド２２は、負のゼーベック係数を有するＮ型半導体製である。バンド１４、２２の半導体は、例えば、Ｂｉ２Ｔｅ３、Ｂｉ２Ｓｅ３及びＳｂ２Ｔｅ３の固溶体、Ｓｉ又はＳｉＧｅベースの物質、シリサイド、ゲルマニド、Ｍｇ２Ｓｉ、Ｍｇ２Ｇｅ又はＭｇ２Ｓｎベースの固溶体、ＰｂＴｅ又はＰｂＳｅｘＴｅ１−ｘ等の他の物質から選択される。
【００２４】
好ましくは、バンド１４及び２２の物質は、２００μＶ／Ｋよりも大きな絶対値のゼーベック係数の差を有するように選択される。このようにして、これらの物質は大きなＺＴ指数を有し、特に、１以上のＺＴ指数を有する。既知のように、ＺＴ指数は、物質の熱電性能を特徴付けて、物質の“性能指数（フィギュアオブメリット）”として従来設定される。
【００２５】
バンド１４、２２は、従来技術において知られているように、例えば、絶縁体でコーティングされた導体又は半導体層を有する基板を削ることによって、コーミングによって、又は薄膜の長いバンドの除去によって、得られる。
【００２６】
従って、マイクロ構造１０は、異なるゼーベック係数を有する物質の接合（例えば金属コンタクト２４によって設けられたＰＮ接合）の組を有し、それらの接合は、金属コレクタコンタクト２６、２８の間において、電気的に直列で熱的に並列に配置される。
【００２７】
有利には、金属接続コンタクト２４は、第一の組の複数のバンド１４を、第二の組の複数のバンド２２に接続する。従って、金属コレクタコンタクト２６及び２８の間の電流用に複数の平行で独立的な経路が存在する。
【００２８】
従って、マイクロ構造１０の上縁及び下縁を異なる温度Ｔｈ及びＴｃに晒して、コレクタコンタクト２６、２８を負荷３０に接続して閉回路を形成することによって、電流が、ゼーベック効果により発生し、直列の接合の形状の電気経路（例えば図１に太線で示される経路等）に沿って流れる。
【００２９】
好ましくは、金属接続コンタクト２４は、基板１２の平面内において同じ組の二つよりも多くの隣接するバンド、例えば三つ又は四つの隣接するバンドを接続して、結果として、並列の接合の複数の配列が形成される。従って、コレクタコンタクト２６、２８の間の電気経路に対して、並列の複数の接合によって構成された分岐が接続領域１８、２０の間に存在する。接合又は構成要素に欠陥が生じると、他の有効な接合が電流に対して常に存在することになる。
【００３０】
好ましい実施形態では、単位面積当たりのバンド密度が、単位体積当たりの高い接合密度が得られるように高く、コレクタコンタクト２６、２８の端子における電圧を増大させることによって、大量の電力を必要とする応用において使用可能な熱電マイクロ構造が得られる。
【００３１】
直線的なバンドについて説明してきたが、他の形状のバンドも考えられる。例えば、図３は、バンド１４のレイアウトの代替形状を示す。従って、バンド１４は、例えば“Ｓ”字型等のあらゆる形状を取り得る。直線的なレイアウトが、簡単さ及び製造コストの面から好ましいものであるが、非直線的な形状は、例えば、絶縁基板１２の機能化領域（接続部、接続領域等）をバイパスするために好ましいものとなり得る。
【００３２】
同様に、平行で等間隔なバンドについて説明してきた。図３及び図４に見て取れるように、バンド１４（図３）及びバンド２２（図４）は、その間隔及びその平行性において互いに交差し得る限度において多様性を有し得る。
【００３３】
同様に、第一の組のバンド１４と第二の組のバンド２２の間の方向の相違は、非常に多様なものであり得る。バンドのずれを、接続領域１８におけるバンド端部から接続領域２０におけるバンド端部までのｘ座標の軸（“ｘ”軸）に沿った距離として定義することによって、第一の組のバンド１４のずれＤ１が、第二の組のバンド２２のずれＤ２と異なってはいるが同じ符号のもの又は異なる符合のものとなる。ずれＤ１及びＤ２は、接続領域１８、２０の間の距離にわたって、第一の組のバンド１４が第二の組のバンド２２と交差するように選択される。
【００３４】
同様に、バンドについて説明してきた。一代替例として、他のタイプの直線的な導体又は半導体素子が適切なものとなる。例えば、ワイヤ、ナノワイヤ、又は繊維状単結晶が使用される。この代替例では、例えば電気泳動法を用いて、ワイヤ、ナノワイヤ、又は繊維状単結晶を、基板１２にわたって分散させて、電場によって整列させる。一代替例として、異方性導電性を有する薄膜を、絶縁基板の各面に用い得て、各膜は、適切な方向に最大電流伝導軸を有する。
【００３５】
一代替例では、第一の組の素子が薄膜によって構成されて、第二の組の素子がバンドによって構成される。しかしながら、異方性の方向が明確なので、バンドが好ましい。他方、実施の単純性において膜が好ましくなり得る。
【００３６】
同様に、バンドは、その端部が、接続領域１８及び２０が直線的になるように整列されるものとして説明されてきた。一代替例として、バンドの端部は、例えば基板の特定領域を避けるために、蛇行レイアウトとなり得る。
【００３７】
同様に、第一のタイプの物質製のバンド１４が、第二のタイプの物質製のバンド２２から絶縁基板１２によって分離されている両面マイクロ構造について説明してきた。この基板の使用は、特に、有効で実施が簡単なバンド２２に対するバンド１４の絶縁を可能にする。一代替例では、バンド１４及び２２は、短絡を防止するためにその形成中においてバンド１４がバンド２２から電気的に絶縁されることを保証して、絶縁基板２２の同じ面に設けられる。例えば、バンドは、絶縁体でコーティングされた導体又は半導体製のコアによって構成されたナノワイヤ型の素子である。そして、コンタクト２４は、孔開けステップ、及びそれに続く、形成された孔の金属化ステップ（孔を金属で充填又は内側を覆う）によって形成される。そして、孔開けがナノワイヤのコアを露出することによって、接合の形成が可能になる。
【００３８】
一般的に、本発明に係るマイクロ構造の好適な製造方法は、
・  ｄ１≦｜Ｄ１−Ｄ２｜及びｄ２≦｜Ｄ１−Ｄ２｜となるような個々の平均間隔ｄ１及びｄ２（図３及び図４）で接続領域１８及び２０の間に平行なバンド１４、２２を形成するステップと、
・  幅Ｐ（図５）が、ｍａｘ（ｄ１，ｄ２）及び変動ΔＰよりも大きな平均値
【数１】
0005536879.tif 000002
を有して
【数２】
0005536879.tif 000003
となるような金属コンタクト２４を形成するステップとを備え、
間隔Ｅ（つまり二つのコンタクト２４の二つの隣接する縁を分離する距離）が好ましくはｍｉｎ（ｄ１，ｄ２）未満であり、有利には、金属コンタクト２４が接触せずに可能な限り小さい。有利には
【数３】
0005536879.tif 000004
であり、単一の組の複数のバンドを互いに接続するようにする。
【００３９】
このようにすることによって、少なくとも一つの電流経路が確実に得られて、コンタクト２４の幅Ｐが増大し、及び／又は、バンド１４、２２の間隔ｄ１及びｄ２が減少すると、複数の平行な電流経路が得られる。
【００４０】
特に、バンド１４、２２を互いに又は金属コンタクト２４に対して正確に配置する必要がない点は特に留意されたい。従って、本製造方法は、寸法の変動を許容し又は接合の構成部分を形成する異なる複数の素子の位置決めという点に関してロバストである。従って、非制限的な許容性を有する物質が使用可能であり、及び／又は、製造によって生じる変動を気にせずに、高い生産速度が得られる。
【００４１】
コンタクト２４は、例えば、絶縁基板１２に孔開けをして、これに続いて、形成された孔を金属で充填又は内側を覆うことによって得られる。一代替例では、二つの直線的な開口が形成される。そして、個々の金属コンタクトがそこに挿入されるか、又は、開口が、金属で充填されて、そのようにして得られた直線的な金属コンタクトが、例えばエッチングによって個々の素子に分割される。
【００４２】
更に、金属コレクタコンタクト２６、２８は、基板１２の高さ全体にわたって、またはその一部のみにわたって延伸し、及び／又は、基板１２の角を含み得る。好ましくは、コレクタコンタクト２６、２８は、接続領域１８及び２０の間の距離の大部分にわたって延伸して、複数のバンドと接触する。
【００４３】
有利には、複数の本発明の熱電マイクロ構造を組み合わせて、図１に関して説明したのと同じタイプの複数の構造を並置することによって最終的な二次元構造を得ることができ、又は三次元構造を得ることができる。
【００４４】
例えば、図６は、例えば図１及び図２のものと同一のマイクロ構造である本発明に係る四つのマイクロ構造１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを組み合わせることによって得られた三次元構造の例を示す。
【００４５】
従って、左側の電気コレクタコンタクト２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ及び右側の電気コレクタコンタクト２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを電気接続することによって、三次元構造が簡単に得られる。従って、マイクロ構造１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄは並列に配置され、アセンブリのロバスト性を増強して、利用可能な電力を増大させる。
【００４６】
これから、本発明に係るマイクロ構造の実施形態の数値的な例について説明する。
【００４７】
マイクロ構造を、
・  １．４ｍｍ×１．４ｍｍで厚さ０．０１ｍｍの絶縁基板を有し、
・  平均直径０．００２ｍｍで４００本ワイヤ／ｍｍの密度で配置されたＢｉ２Ｔｅ２．７Ｓｅ０．３製のｎ型半導体ワイヤを基板の一方の面上に有し、
・  平均直径０．００２ｍｍで４００本ワイヤ／ｍｍの密度で配置されたＢｉ０．５Ｓｂ１．５Ｔｅ３製のｐ型半導体ワイヤを基板の他方の面上に有し、
・  平均幅０．０１６ｍｍで、二つのコンタクト間の平均間隔０．００４ｍｍの電気接続コンタクトを有するように製造した。コンタクトは、ニッケルメッキのテルル化ビスマス製であり、１０−９Ωｍ−２の表面抵抗を有する。従って、平均で７本のワイヤが一つのコンタクトに接続される。
【００４８】
ｐ型ワイヤは実質的に直線状であり、基板の垂直軸に対して０．１６３ｒａｄの平均角度を有し、標準偏差は０．１ｒａｄである。同様に、ｎ型ワイヤは実質的に直線状であり、−０．１６３ｒａｄの平均角度及び０．１ｒａｄの標準偏差を有する。
【００４９】
以下の表は、このようなマイクロ構造の例の電気特性を、非特許文献１に記載の所謂“Ｔｈｅｒｍｏｌｉｆｅ”マイクロ構造（その電気特性は非特許文献２に見い出すことができる）のものと比較したものである。
【００５０】
【表１】
0005536879.tif 000005
【００５１】
従って、本発明によって、
・  正確な位置合わせを必要とせずに低いコストで高い生産出力を可能にする製造方法が得られ、
・  基板及びその環境の特殊性を考慮することができる製造方法が得られ（例えば、適切な非直線状導体素子を用いて、一部基板領域をバイパス可能にすることによって）、
・  使用意図に応じて両面又は単面のマイクロ構造を得るための方法が得られ、
・  複数の電流経路を並列に配置することによってロバストな熱電マイクロ構造が得られ、
・  高い接合密度によって高電圧熱電マイクロ構造が得られ、また、
・  他のマイクロ構造と単純な方法で組み合わせ可能な熱電マイクロ構造が得られる。
【符号の説明】
【００５２】
１０  ゼーベック効果熱電マイクロ構造
１２  絶縁基板
１４、２２  導体又は半導体素子
１８、２０  接続領域
２４  電気接続素子
２６、２８  金属コレクタコンタクト
３０  負荷
【図１】
0005536879.tif 000006
【図２】
0005536879.tif 000007
【図３】
0005536879.tif 000008
【図４】
0005536879.tif 000009
【図５】
0005536879.tif 000010
【図６】
0005536879.tif 000011