(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の金属イオン源と下記式を有する１以上の化合物とを含む金属メッキ組成物：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’ ）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり、
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ− ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり、
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−であり、またはｐ＝０のとき−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ここで、Ｈ−およびＱは、ｐ＝０のとき、化学結合を形成し、
ｒ’は、２〜４の整数であり、
ｗ’は、１〜５０の整数であり、
ｘ’は、２〜６の整数であり、
ｙ’は、０〜５の整数であり、
ここで、Ｈ−およびＱは、ｙ’が０であるとき、化学結合を形成し、
ｒは、２〜４の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、
ｘは、２〜６の整数であり、
ｙは、０〜５の整数であり、ここで、Ｈ−は、ｙが０であるとき、末端−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の窒素へ結合し、
ｔは、２〜４の整数であり、
ｕは、１〜２０の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、および、
ｚは、１〜５０の整数である）。
【請求項２】
１以上の光沢剤、抑制剤、界面活性剤、酸、光沢剤分解阻害化合物、およびアルカリ金属塩をさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記金属イオンが、銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、またはこれらの合金から選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
前記金属イオンは、銅イオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
ａ）１以上の金属イオン源と下記式を有する１以上の化合物とを含む金属メッキ組成物を提供する工程：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり、
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ− ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり、
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−であり、またはｐ＝０のとき−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ここで、Ｈ−およびＱは、ｐ＝０のとき、化学結合を形成し、
ｒ’は、２〜４の整数であり、
ｗ’は、１〜５０の整数であり、
ｘ’は、２〜６の整数であり、
ｙ’は、０〜５の整数であり、
ここで、Ｈ−およびＱは、ｙ’が０であるとき、化学結合を形成し、
ｒは、２〜４の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、
ｘは、２〜６の整数であり、
ｙは、０〜５の整数であり、ここで、Ｈ−は、ｙが０であるとき、末端−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の窒素へ結合し、
ｔは、２〜４の整数であり、
ｕは、１〜２０の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、および、
ｚは、１〜５０の整数である）；
ｂ）基体と前記組成物とを接触させる工程；および
ｃ）金属を前記基体上に堆積させる工程；
を含む方法。
【請求項６】
前記金属イオンが、銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、またはこれらの合金から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記金属イオンは、銅イオンである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記基体は、電気デバイスまたは装飾品である、請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記電気デバイスは、プリント配線基板である、請求項８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属メッキ組成物および方法を対象とする。より具体的には、本発明は、改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
金属メッキは、メッキ組成物中に複数の成分を包含する複合プロセスである。金属源およびイオン伝導性を与える金属塩および他のイオンに加えて、他の成分には、金属堆積物の輝度、延性、およびメッキ分布を改良するための添加剤が含まれる。このような添加剤には、界面活性剤、光沢剤、担体、およびレベラーが包含される。
【０００３】
基体上の金属の均一分布は例えば、表面層、ならびにいくつかのスルーホール、およびブラインドビア（ｖｉａｓ）を有するプリント配線基板の金属化において必要である。金属の薄層のみが、これらのスルーホールおよびブラインドビアに堆積されれば、これは、熱応力または機械応力下に、例えばハンダ付け中に裂けることがあり、したがって電流の通過が中断される。このタイプの破損は、電子用途への使用には許容し得ないプリント配線基板を生じさせる。ますます小さくなってゆく孔直径、例えば０．２５ｍｍ以下の孔直径を有するプリント配線基板が製造されつつあるので、表面上へおよびスルーホール中へ、均一に分布された金属層を同時に電気めっきすることがますます難しくなっている。金属層の厚さは、多くのプリント配線基板において、とくに小さい直径の孔において不充分であることが観察されてきた。高い熱信頼性を有する均一厚さの光沢のある金属層を得ることは、多くの回路基板設計にとって簡単なことではない。
【特許文献１】米国特許第６，４２５，９９６号明細書
【特許文献２】特開昭第６３−５２１２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
メッキ浴へレベラーを添加することによって不均一メッキの問題に取り組むために、多くのメッキ処方は化学溶液を用いる。種々の性能を有する様々な化合物が用いられてきた。銅メッキ浴中に用いられるレベラーの一種の一例は、エピハロヒドリン、ジハロヒドリン、または１−ハロゲン−２，３−プロパンジオール、および米国特許第６，４２５，９９６号に開示されているようなポリアミドアミンから形成された変換生成物である。レベラーのもう１つの例は、特開昭第６３−５２１２０号に開示されているものである。これらのレベラーは、エトキシル化ジカルボン酸およびエトキシル化ジアミンである。これら２つの特許に開示された化合物は、許容しうるレベリング性能を有するとされているが、金属メッキ性能を改良する化合物へのニーズが依然として存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの態様において、本発明は、下記一般式を有する化合物を包含する：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり；
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ− ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり；
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−であり、またはｐ＝０のとき−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ここで、Ｈ−およびＱは、ｐ＝０のとき、化学結合を形成し、
ｒ’は、２〜４の整数であり、
ｗ’は、１〜５０の整数であり、
ｘ’は、２〜６の整数であり、
ｙ’は、０〜５の整数であり、
ここで、Ｈ−およびＱは、ｙ’が０であるとき、化学結合を形成し、
ｒは、２〜４の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、
ｘは、２〜６の整数であり、
ｙは、０〜５の整数であり、ここで、Ｈ−は、ｙが０であるとき、末端−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の窒素へ結合し、
ｔは、２〜４の整数であり、
ｕは、１〜２０の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、そして
ｚは、１〜５０の整数である）。
【０００６】
別の態様において、本発明は、１以上の金属イオン源、および下記式を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を包含する：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり、
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ− ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり、
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐ＝１のとき、−ＮＨ−であるか、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ここで、Ｈ−およびＱは、ｐ＝０のとき、化学結合を形成し、
ｒ’は、２〜４の整数であり、
ｗ’は、１〜５０の整数であり、
ｘ’は、２〜６の整数であり、
ｙ’は、０〜５の整数であり、
ここで、Ｈ−およびＱは、ｙ’が０であるとき、化学結合を形成し、
ｒは、２〜４の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、
ｘは、２〜６の整数であり、
ｙは、０〜５の整数であり、ここで、Ｈ−は、ｙが０であるとき、末端−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の窒素へ結合し、
ｔは、２〜４の整数であり、
ｕは、１〜２０の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、そして
ｚは、１〜５０の整数である）。
【０００７】
さらなる態様において、本発明は、１以上の金属イオン源、および下記式を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を提供する工程：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり、
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ− ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり；
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐ＝１のとき、−ＮＨ−であるか、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ここで、Ｈ−およびＱは、ｐ＝０のとき、化学結合を形成し、
ｒ’は、２〜４の整数であり、
ｗ’は、１〜５０の整数であり、
ｘ’は、２〜６の整数であり、
ｙ’は、０〜５の整数であり、
ここで、Ｈ−およびＱは、ｙ’が０であるとき、化学結合を形成し、
ｒは、２〜４の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、
ｘは、２〜６の整数であり、
ｙは、０〜５の整数であり、ここで、Ｈ−は、ｙが０であるとき、末端−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の窒素へ結合し、
ｔは、２〜４の整数であり、
ｕは、１〜２０の整数であり、
ｗは、１〜５０の整数であり、そして
ｚは、１〜５０の整数である）；
基体と前記組成物とを接触させる工程；および、
金属を基体上に堆積させる工程；を含む方法を包含する。
【０００８】
水溶性化合物は、金属メッキが行なわれるあらゆる産業における金属メッキ組成物において用いることができる。例えばこれらの金属メッキ組成物は、電気デバイス、例えばプリント配線基板、一般にスルーホール、ビア、集積回路、電気接触表面およびコネクタ、電解ホイル、マイクロチップ用途のためのシリコンウエハー、半導体および半導体パッケージング、太陽電池、リードフレーム、光電子工学のデバイスおよびパッケージング、およびはんだバンプ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｕｍｐ）の製造において用いることができる。これらの金属メッキ組成物はまた、装飾品、例えば宝飾品、建具金物、自動車部品、および衛生器具を金属メッキするために用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本明細書全体で用いられる場合に、次の略語は、文脈が他を示左内限り、次の意味を有するものとする：℃＝摂氏度；ｇ＝グラム；ｍｇ＝ミリグラム；Ｌ＝リットル；ｍｌ＝ミリリットル；ｄｍ＝デシメートル；Ａ＝アンペア；ｍｍ＝ミリメートル；ｃｍ＝センチメートル；ｐｐｂ＝１０億分の１；ｐｐｍ＝１００万分の１；ｍｂａｒ＝ミリバール；ミル＝０．００１インチ；２．５４ｃｍ＝１インチ；ｗｔ％＝重量％；ＮＭＲ＝核磁気共鳴；ＳＥＣ＝サイズ排除クロマトグラフィー；および「均一電解性」（ｔｈｒｏｗｉｎｇ  ｐｏｗｅｒ）＝表面においてメッキされた金属の厚さと比較された、スルーホールの中心においてメッキされた金属の厚さの比である。すべてのパーセンテージは、他に注記がない限り重量による。すべての分子量は、他に注記がない限り、グラム／モルである。すべての数字範囲は両端の数字を含み、かかる数字範囲が合計して１００％になることが論理的である場合を除いて、任意の順序で組み合わせ可能である。
【００１０】
化合物は、下記一般式を有する：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり、
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり、
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐ＝１のとき、−ＮＨ−であるか、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ここで、Ｈ−およびＱは、ｐ＝０のとき、化学結合を形成し、
ｒ’は、２〜４、または例えば２〜３の整数であり、
ｗ’は、１〜５０、または例えば１〜４０、または例えば２〜３５の整数であり、
ｘ’は、２〜６、または例えば２〜３の整数であり、
ｙ’は、０〜５、または例えば２〜３の整数であり、
ここで、Ｈ−およびＱは、ｙ’が０であるとき、化学結合を形成し、
ｒは、２〜４、または例えば２〜３の整数であり、
ｗは、１〜５０、または例えば１〜４０、または例えば２〜３５の整数であり、
ｘは、２〜６、または例えば２〜３の整数であり、
ｙは、０〜５または例えば２〜３の整数であり、ここで、Ｈ−は、ｙが０であるとき、末端−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の窒素へ結合し、
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数であり、
ｕは、１〜２０、または例えば１〜１０の整数であり、
ｗは、１〜５０、または例えば１〜４０、または例えば２〜３５の整数であり、そして
ｚは、１〜５０、または例えば１〜４０、または例えば１〜１６の整数である）。
【００１１】
典型的には、これらの化合物は、下記一般式を有する化合物を包含する：
Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ］ｕ−Ｈ  （Ｉ）
（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’− ；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−であり、
Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ− ；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−であり、
Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、−ＮＨ−または−Ｏ−であり、
ｐは、０または１であり、ｐ＝０のとき、その場合にはＱは−Ｏ−であり、ｐ＝１のとき、その場合にはＱは−ＮＨ−であり、
ｒ’は、２〜４、または例えば２〜３の整数であり、
ｗ’は、２〜３６、または例えば３２〜３６の整数であり、ｘ’は２〜６、または例えば３〜６の整数であり、
ｙ’は、０〜５、または例えば２〜５、または例えば３〜５の整数であり、ｙ’が０であるとき、その場合にはＱは、Ｈ−とともに化学結合を形成し、
ｒは、２〜４、または例えば２〜３の整数であり、
ｗは、２〜３６、または例えば３２〜３６の整数であり、
ｘは、２〜６、または例えば３〜６の整数であり、
ｙは、０〜５、または例えば２〜５、または例えば３〜５の整数であり、ｙが０であるとき、その場合にはＨ−が、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−の末端窒素へ結合し、
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数であり、ｕは１〜５、または例えば１〜４、または例えば１〜２、または例えば２〜５、または例えば３〜５の整数であり、そして
ｚは、１〜１３、または例えば９〜１３、または例えば１〜３の整数である）。
【００１２】
より典型的には、かかる化合物は次のものを包含するが、これらに限定されるわけではない：
Ｈ−（（ＮＨ−（ＣＨ２）２ ）５）ｐ −Ｑ−［Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｏ（（Ｒ１ＣＨ）ｔＯ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）２ＮＨ）５］１−２−Ｈ  （ＩＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そしてｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（（ＮＨ−（ＣＨ２）２ ）５）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｏ（Ｒ１ＣＨ）ｔＯ）１−３−ＣＨ２Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）２−ＮＨ）５］１−２−Ｈ  （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（ＮＨ（ＣＨ２）２ ）３ −（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）２−（Ｏ（ＣＨ２）３）−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）３−（Ｏ−（Ｒ１ＣＨ）ｒ）２−Ｏ−（ＣＨ２）３−ＮＨ］２−４−Ｈ  （ＩＶ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、
ｒおよびｒ’は、同一または異なっていてもよく、かつ２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２であり、そしてｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（ＮＨ−（ＣＨ２）３−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）２−Ｏ−（ＣＨ２ ）３）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）１−３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）３−（Ｏ−（Ｒ１ＣＨ）ｒ）２−Ｏ−（ＣＨ２）３−ＮＨ］２−４−Ｈ  （Ｖ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、
ｒおよびｒ’は、同一または異なっていてもよく、かつ２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（ＮＨ−（ＣＨ２）３−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）３２−３６−Ｏ−（ＣＨ２ ）３）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）３−（Ｏ−（Ｒ１ＣＨ）ｒ）３２−３６−Ｏ−（ＣＨ２）３−ＮＨ］３−５−Ｈ  （ＶＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、ｒおよびｒ’は、同一または異なっていてもよく、かつ２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（（ＮＨ−（ＣＨ２）６）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）１−３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ］３−５−Ｈ  （ＶＩＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（（ＮＨ−（ＣＨ２）６）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ］２−４−Ｈ  （ＶＩＩＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（（ＮＨ−（ＣＨ２）６）２）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）１−３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）６−ＮＨ）２］２−４−Ｈ  （ＩＸ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そしてｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（ＮＨ−（ＣＨ２）６）２）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）６−ＮＨ）２］１−３−Ｈ  （Ｘ）
（式中、Ｒ１は、より典型的には−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ−）２−Ｃ２Ｈ４）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）１−３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）２−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ］２−４−Ｈ  （ＸＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；
Ｈ−（ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）２−Ｏ−）２−Ｃ２Ｈ４）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）２−Ｏ）２−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ］１−３−Ｈ  （ＸＩＩ）
（式中、Ｒ１は、より典型的には−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）；並びに、
Ｈ−（（ＮＨ−（ＣＨ２）３）３）ｐ−Ｑ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）９−１３−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）３−ＮＨ）３］１−２−Ｈ  （ＸＩＩＩ）
（式中、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｑは、ｐが１であるとき、−ＮＨ−であり、ｐが０であるとき、−Ｏ−であり、そして
ｔは、２〜４、または例えば２〜３の整数、または例えば２である）。
【００１３】
これらの化合物の数平均分子量は、２５０以上の範囲にあるか、または例えば５００〜１５，０００、または例えば９００〜１０，０００の範囲にある。これらの化合物の分子量は、当該技術分野における任意の従来の方法を用いて決定され得る。
【００１４】
式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）の化合物は、従来の縮合反応を用いて、１以上のポリエチレングリコール、および１以上のポリアルコキシル化ジアミンまたはアルキレントリアミンから調製され得る。
【００１５】
式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）の化合物を調製するために用いることができるポリエチレングリコール二酸は、下記式を有するポリエチレングリコール二酸を包含するが、これらに限定されるわけではない：
ＨＯ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−（Ｏ−（ＣＨＲ２）ｇ）ｈ−ＯＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＯＨ  （ＸＩＶ）
（式中、ｇは２〜４の整数であり、ｈは、１〜１５０の整数であり、Ｒ２は−Ｈまたは−ＣＨ３である）。
かかるポリエチレングリコール二酸は、２５０以上の範囲の数平均分子量を有する。
【００１６】
式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）の化合物を作るために用いることができるポリアルコキシル化ジアミンは、下記式を有する化合物を包含するが、これらに限定されるわけではない：
Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）ｊ−（Ｏ−（ＣＨＲ２）ｇ）ｈ−（ＣＨ２）ｋ−ＮＨ２  （ＸＶ）
または
Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｍＮＨ２  （ＸＶＩ）
（式中、ｇ、ｈ、およびＲ２は、上に定義されているとおりであり、ｊは２〜６の整数であり、ｋは、０〜６の整数であり、ｍは、６〜１０の整数である）。
【００１７】
式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）の化合物を作るために用いることができるアルキレントリアミンは、下記式を有する化合物を包含するが、これらに限定されるわけではない：
Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＨ）ｎ−（ＣＨ２）２−ＮＨ２  （ＸＶＩＩ）、
または
Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２  （ＸＶＩＩＩ）。
【００１８】
当該技術分野において公知であるか、または文献において公開されている任意の従来の方法を、式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）の化合物を作るために用いることができる。出発原料は、商業的に入手しうるか、または当該技術分野および文献において公知である方法によって合成することができる。酸末端ポリアルキレングリコールは、カルボン酸を生成するための、１分子あたりすべてのヒドロキシル基がカルボン酸基へ酸化されて二酸を形成するまで米国特許第５，２５０，７２７号および米国特許第５，１６６，４２３号に開示されているようなポリアルキレングリコールの酸化によって合成されうる。酸末端ポリアルキレングリコールはまた、ポリアルキレングリコールとクロロ酢酸とを、塩基の存在下に反応させることによって、周知のウイリアムソンエーテル合成によっても作ることができる。
【００１９】
ポリ（エチレンオキシド）ジアミンは、ビヒドロキシル−開始剤とエチレンオキシドとの反応、ついでこの結果として生じた末端ビヒドロキシル基のアミンへの転化によって調製され得る。ポリ（アルキレンオキシド）アミンのＪｅｆｆａｍｉｎｅ（商標）銘柄が、米国テキサス州ヒューストンのＨｕｎｔｓｍａｎ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能であり、プロピルアミン末端ポリエチレンオキシドは、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）から入手可能である。
【００２０】
一般に、これらの反応体は、１：１〜３：１の重量比の範囲内にあってもよい。縮合反応は、不活性ガス雰囲気下、例えばＮ２（ｇ）雰囲気下に進行する。温度は１８０℃〜２５０℃の範囲であってもよく、圧力は１０ミリバール〜大気圧であってもよい。反応の進行は、分光法、例えばＮＭＲ分光法によってモニターされ得る。
【００２１】
金属メッキ組成物の性能を向上するために、アミド化合物が金属メッキ組成物へ添加されてもよい。これらのアミド化合物は、金属メッキ組成物中に、０．００１ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌ、または例えば０．０１ｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌの量で含まれる。
【００２２】
１以上の金属イオン源が、金属をメッキするために金属メッキ組成物中に含まれる。１以上の金属イオン源は、これらに限定されるわけではないが、銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、およびインジウムをはじめとする金属イオンを提供する。合金には、これらに限定されるわけではないが、前記金属の二元合金および三元合金が包含される。典型的には、銅、錫、ニッケル、金、銀、またはインジウムから選択された金属が、金属メッキ組成物でメッキされる。より典型的には、銅、錫、銀、またはインジウムから選択された金属がメッキされる。最も典型的には、銅がメッキされる。
【００２３】
金属メッキ組成物中に用いることができる銅塩には、銅ハライド、硫酸銅、銅アルカンスルホン酸銅、アルカノールスルホン酸銅、およびクエン酸銅のうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。典型的には、硫酸銅、アルカノールスルホン酸銅、またはこれらの混合物が、メッキ組成物中に用いられる。
【００２４】
金属メッキ組成物中に用いることができる錫塩には、硫酸錫、錫ハライド、アルカンスルホン酸錫、例えばメタンスルホン酸錫、エタンスルホン酸錫、およびプロパンスルホン酸錫など、アリールスルホン酸錫、例えばフェニルスルホン酸錫、およびトルエンスルホン酸錫など、およびアルカノールスルホン酸錫のうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。典型的には、硫酸錫またはアルカンスルホン酸錫が、金属メッキ組成物において用いられる。
【００２５】
金属メッキ組成物中に用いることができる金塩には、三塩化金、三臭化金、シアン化金、塩化金カリウム、シアン化金カリウム、塩化金ナトリウム、およびシアン化金ナトリウムのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００２６】
金属メッキ組成物中に用いることができる銀塩には、硝酸銀、塩化銀、酢酸銀、および臭化銀のうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。典型的には硝酸銀が、金属メッキ組成物中に用いられる。
【００２７】
金属メッキ組成物中に用いることができるニッケル塩には、塩化ニッケル、酢酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、および硫酸ニッケルのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００２８】
金属メッキ組成物中に用いることができるパラジウム塩には、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、塩化パラジウムカリウム、および塩化パラジウムカリウムのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００２９】
用いることができる白金塩には、三塩化白金、硫酸白金、および塩化白金酸ナトリウムのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００３０】
用いることができるインジウム塩には、アルカンスルホン酸および芳香族スルホン酸のインジウム塩、例えばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、およびトルエンスルホン酸のインジウム塩など、スルファミン酸の塩、硫酸塩、インジウムの塩化物塩および臭化物塩、硝酸塩、水酸化物塩、インジウムオキシド、フッ化臭素塩、カルボン酸のインジウム塩、例えばクエン酸、アセト酢酸、グリオキシル酸、ピルビン酸、グリコール酸、マロン酸、ヒドロキサム酸、イミノジ酢酸、サリチル酸、グリセリン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、ヒドロキシ酪酸、アミノ酸のインジウム塩、例えばアルギニン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グリシン、グルタミン、ロイシン、リシン、トレオニン、イソロイシン、およびバリンのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００３１】
金属メッキ組成物中に含めることができる追加金属には、ビスマス、コバルト、クロム、および亜鉛のうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。かかる金属は、合金金属として上記された金属のうちの１以上とともに含めることができる。ビスマスイオン源には、クエン酸ビスマスアンモニウムおよびリン酸ビスマスのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。コバルトイオン源には、硫酸コバルトアンモニウム、酢酸コバルト、硫酸コバルト、および塩化コバルトのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。クロムイオン源には、酢酸クロム、硝酸クロム、および臭化クロムのうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。亜鉛イオン源には、臭化亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛、および硫酸亜鉛のうちの１以上が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００３２】
これらの金属メッキ組成物からメッキされ得る二元合金には、錫と銅、錫とビスマス、金と銀、インジウムとビスマス、インジウムと亜鉛、および金とコバルトの合金が包含されるが、これらに限定されるわけではない。典型的には、錫と銅の合金がメッキされる。
【００３３】
これらの金属メッキ組成物からメッキされうる三元合金は、錫と銀と銅、並びに金と銀と銅の合金が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
【００３４】
一般に、これらの金属塩は、金属イオンが、０．０１ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、または例えば０．５ｇ／Ｌ〜１５０ｇ／Ｌ、または例えば１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ、または例えば５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの濃度の範囲にあるようにメッキ組成物中に含まれる。典型的には金属塩は、金属イオン濃度が、０．０１〜１００ｇ／Ｌ、より典型的には０．１ｇ／Ｌ〜６０ｇ／Ｌの範囲になるような量で含まれる。
【００３５】
これらの金属メッキ組成物はまた、１以上の通常の希釈剤を含んでいてもよい。典型的にはこれらの金属メッキ組成物は、水性である。しかしながら、所望であれば通常の有機希釈剤が用いられてもよい。任意の通常のメッキ組成物添加剤もまた、含まれていてもよい。このような添加剤は、光沢剤、抑制剤、界面活性剤、無機酸、有機酸、光沢剤分解阻害化合物、アルカリ金属塩、およびｐＨ調節化合物のうちの１以上を包含するが、これらに限定されるわけではない。特定の基体のために金属メッキの性能を調整するために、追加添加剤がこれらの金属メッキ組成物中に含まれてもよい。このような追加添加剤は、均一電解性に影響を与えるほかのレベラーおよび化合物を包含しうるが、これらに限定されるわけではない。典型的には、銅またはその合金の１つがメッキされる時、メッキ組成物は、１以上の光沢剤および１以上の抑制剤を含む。
【００３６】
光沢剤は、３−メルカプト−プロピルスルホン酸ナトリウム塩、２−メルカプト−エタンスルホン酸ナトリウム塩、ビススルホプロピルジスルフィド（ＢＳＤＳ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステルナトリウム塩（ＤＰＳ）、（Ｏ−エチルジチオカルボナト）−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステルカリウム塩（ＯＰＸ）、３−［（アミノ−イミノメチル）−チオ］−１−プロパンスルホン酸（ＵＰＳ）、３−（２−ベンズチアゾリルチオ）−１−プロパンスルホン酸ナトリウム塩（ＺＰＳ）、ビススルホプロピルジスルフィドのチオール（ＭＰＳ）、硫黄化合物、例えば３−（ベンズチアゾイル−２−チオ）−プロピルスルホン酸ナトリウム塩、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸ナトリウム塩、エチレンジチオジプロピルスルホン酸ナトリウム塩、ビス−（ｐ−スルホフェニル）−ジスルフィドジナトリウム塩、ビス−（ω−スルホブチル）−ジスルフィドジナトリウム塩、ビス−（ω−スルホヒドロキシプロピル）−ジスルフィドジナトリウム塩、ビス−（ω−スルホヒドロキシプロピル）−ジスルフィドジナトリウム塩、ビス−（ω−スルホプロピル）−ジスルフィドジナトリウム塩、ビス−（ω−スルホプロピル）−スルフィドジナトリウム塩、メチル−（ω−スルホプロピル）−ジスルフィドナトリウム塩、メチル−（ω−スルホプロピル）−トリスルフィドジナトリウム塩、Ｏ−エチル−ジチオ炭酸−Ｓ−（ω−スルホプロピル）−エステル、チオグリコール酸カリウム塩、チオリン酸−Ｏ−エチル−ビス−（ω−スルホプロピル）−エステルジナトリウム塩、およびチオリン酸−トリス（ω−スルホプロピル）−エステルトリナトリウム塩のうちの１以上を包含するが、これらに限定されるわけではない。
【００３７】
光沢剤は、これらの金属メッキ組成物へ通常の量で添加することができる。一般に光沢剤は、１ｐｐｂ〜１ｇ／Ｌ、または例えば１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｍの量で添加される。
【００３８】
抑制剤は、酸素含有高分子量化合物、例えばカルボキシメチルセルロース、ノニルフェノールポリグリコールエーテル、オクタンジオールビス−（ポリアルキレングリコールエーテル）、オクタノールポリアルキレングリコールエーテル、オレイン酸ポリグリコールエステル、ポリエチレンプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリオキシプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルアルコール、ステアリン酸ポリグリコールエステル、およびステアリルアルコールポリグリコールエーテルのうちの１以上を包含するが、これらに限定されるわけではない。典型的にはポリ（アルコキシル化）グリコールが用いられる。このような抑制剤は、金属メッキ組成物に通常の量、例えば０．０１ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、または例えば０．５ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌで含まれ得る。
【００３９】
１以上の通常の界面活性剤が用いられてもよい。典型的には界面活性剤は、非イオン性界面活性剤、例えばアルキルフェノキシポリエトキシエタノールを包含するが、これらに限定されるわけではない。複数のオキシエチレン基を含有するほかの適切な界面活性剤も用いることができる。このような界面活性剤は、２０〜１５０もの反復単位を有するポリオキシエチレンポリマーの化合物を含む。このような化合物はまた、抑制剤としても機能しうる。ポリオキシエチレン（ＥＯ）およびポリオキシプロピレン（ＰＯ）のブロックおよびランダムのどちらのコポリマーもポリマーの種類に包含される。界面活性剤は、通常の量、例えば０．０５ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ、または例えば０．５ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌで添加され得る。
【００４０】
通常のレベラーは、アルキル化ポリアルキレンイミンおよび有機スルホスルホネートのうちの１以上を包含するが、これらに限定されるわけではない。このような化合物の例としては、４−メルカプトピリジン、２−メルカプトチアゾリン、エチレンチオ尿素、チオ尿素、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジンチオン（ＨＩＴ）、およびアルキル化ポリアルキレンイミンが挙げられる。このようなレベラーは、通常の量で含まれる。典型的にはこのようなレベラーは、１ｐｐｂ〜１ｇ／Ｌ、または例えば１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｍの量で含まれる。
【００４１】
１以上の無機および有機酸が、マトリックスの溶液導電性を増加させるため、およびまたメッキ組成物のｐＨを調節するために、これらの金属メッキ組成物中に含まれる。無機酸は、硫酸、塩酸、硝酸、およびリン酸を包含するが、これらに限定されるわけではない。有機酸は、アルカンスルホン酸、例えばメタンスルホン酸を包含するが、これらに限定されるわけではない。酸は、通常の量でこれらのメッキ組成物中に含まれる。
【００４２】
メッキ組成物中に含めることができるアルカリ金属塩はこれに限定されないが、ハロゲンのナトリウムおよびカリウム塩、例えば、塩化物、フッ化物および臭化物を包含する。典型的には、塩化物が使用される。かかるアルカリ金属塩は通常の量で使用される。
【００４３】
１以上の光沢剤分解阻害化合物をメッキ組成物中に含めることができる。光沢剤分解阻害化合物は、組成物の他の成分と混合可能であり、かつメッキ組成物中の光沢剤の分解を防止または少なくとも阻害する任意の化合物を包含する。典型的には、かかる化合物は、不溶性陽極を有する電気メッキ用金属メッキ浴中に含められる。かかる化合物は、これに限定されないが、アルデヒド、例えば、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、３，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド、２，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシシンナムアルデヒド、３，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド一水和物、シリングアルデヒド、２，５−ジヒドロキシベンズアルデヒド、２，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド、３，５−ヒドロキシベンズアルデヒド、３，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、４−カルボキシベンズアルデヒド、２−クロロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、および３−フランアルデヒドを包含する。他のアルデヒドは、これに限定されないが、ピリジンカルボキシアルデヒド、ベンズアルデヒド、ナフトアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、アントラセンアルデヒド、フェナントラセンアルデヒド、および２−ホルミルフェノキシ酢酸を包含する。
【００４４】
光沢剤分解阻害剤として機能し得るヒドロキシルアミンは、これに限定されないが、硫酸ヒドロキシルアミン、硝酸ヒドロキシルアミンおよび塩化ヒドロキシルアミンを包含する。典型的には、硫酸ヒドロキシルアミンまたは硝酸ヒドロキシルアミンが使用される。
【００４５】
様々なアルコールもまた、光沢剤分解阻害化合物として用いることができる。このようなアルコールは、非分岐および分岐のアルキル、アルケニル、およびアルキニルアルコール、ならびに芳香族アルコール、非芳香族環式アルコール、およびヘテロ環式アルコールを包含するが、これらに限定されるわけではない。このようなアルコールは、クロチルアルコール、２−メチレン−１，３−プロパンジオール、３−ブテン−１−オール、および１，４−アンヒドロ−エリトリトールを包含する。ほかのアルコールは、ナフタレン誘導体、例えば１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸ジナトリウム塩、６，７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸、６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸、４−アミノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレンジスルホン酸モノナトリウム塩、１，５−ジヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドラ−ナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ナフトール−３，６−ジスルホン酸ジナトリウム塩水和物、デカヒドロ−２−ナフトール、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトール、２−ナフタレンメタノール、１，６−ジヒドロキシナフタレン、６，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸半水和物、および４−ヒドロキシ−１−ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩を包含する。好ましい芳香族アルコールは、５−メトキシレゾルシノール、４−クロロレゾルシノール、２−ニトロレゾルシノール、２−アリルフェノール、１，２，４−ベンゼントリオール、イソオイゲノール、α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、３−ヒドロキシ−１−ベンジルアルコール、４−ヒドロキシベンジルアルコール、フロログルシノール二水和物および無水物、オリベトール、および３−クロロフェノールを包含する。
【００４６】
ほかの好適なアルコールの例は、１，２−ベンゼンジメタノール、１，３−ベンゼンジメタノール、４−アミノフェノール、４−メトキシフェノール、４−エチルレゾルシノール、ヒドロキノン、クロロキノン、ヒドロキノンスルホン酸カリウム塩、４−（メチルチオ）−ベンジルアルコール、ベンジルアルコール、コニフェリルアルコール、３−メトキシカテコール、４−メルカプト−フェノール、４，４’−チオジフェノール、３−メトキシフェノール、フェノール、クレゾール、およびオルシノール一水和物を包含する。他の好ましい化合物は、これに限定されないが、２’，４’，６’−トリヒドロキシアセトフェノン一水和物、２，５−ジヒドロキシ−１，４−ベンゾキノン、およびテトラヒドロキシ−１，４−キノン水和物を包含する。
【００４７】
ヘテロ環式化合物は、飽和ラクトン、もしくは１以上の二重結合を有するラクトンを包含する。このようなラクトンは、アスコルビン酸およびα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンを包含する。かかるラクトンの金属塩、例えばナトリウム、カリウム、および鉄塩も包含される。他のヘテロ環式化合物の例は、２−ヒドロキシベンゾフラン、５，６−ジヒドロ−４−ヒドロキシ−６−メチル−２Ｈ−ピラン−２−オン、２−ヒドロキシベンゾフラン、ナリンジン水和物、セサモール、２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン、および１，２，４−トリアゾロ（１，５−Ａ）−ピリミジンを包含する。
【００４８】
他の好適な化合物の例は、３−フランメタノール、２，４，５−トリヒドロキシ−ピリミジン、５，６−イソプロピリデンアスコルビン酸、およびデヒドロアスコルビン酸を包含する。
【００４９】
有機酸はまた、光沢剤分解阻害化合物としても機能しうる。かかる酸は、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸レゾルシノール、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，４，６−トリヒドロキシ安息香酸、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸、メチル−３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート、メチル−２，４−ジヒドロキシベンゾエート、４−ヒドロキシマンデル酸一水和物、３−（フェニルチオ）酢酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、没食子酸、４−ビニル安息香酸、３，４−ジヒドロキシ桂皮酸、４−メトキシ桂皮酸、２−ヒドロキシ桂皮酸、フタル酸、トランス−３−フラニルアクリル酸、ビニル酢酸、およびスルファニル酸のうちの１以上を包含するが、これらに限定されるわけではない。同様に、酸無水物、例えば無水フタル酸も包含される。
【００５０】
光沢剤分解阻害化合物として機能しうるほかの化合物は、メチルスルホキシド、メチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、チオグリコール酸、２（５Ｈ）チオフェノン、１，４−ジチアン、トランス−１，２−ジチアン、４，５−ジオール、テトラヒドロチオフェン−３−オン、３−チオフェンメタノール、１，３，５−トリチアン、３−チオフェン酢酸、チオテトロン酸、チオクト酸、クラウンエーテル、クラウンチオエーテル、テトラピリド、エタンチオスルホネート、（２−スルホナトエチル）メタンスルホネート、カルボキシエチルメタンチオスルホネート、２−ヒドロキシエチルメタンチオスルフェート、１，４−ブタンジイルビスメタンチオスルホネート、１，２−エタンジイルビスメタンチオスルホネート、１，３−プロパンジイルメタンチオスルホネート、（３−スルホナトプロピル）メタンチオスルホネート、プロピルメタンチオスルホネート、ｐ−トリルジスルホキシド、ｐ−トリルジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）スルフィド、イソプロピルスルホニルクロライド、４−（クロロスルホニル）安息香酸、ジプロピルトリスルフィド、ジメチルトリスルフィド、ジメチルテトラスルフィド、ビス（３−トリエトキシシリル）プロピルテトラスルフィド、フェニルビニルスルホン、４−ヒドロキシ−ベンゼンスルホン酸、１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサメチル−１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサアザシクロオクタデカン、１，４，７，１０−テトラ−ｐ−トシル−１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン、および１，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザシクロオクタデカンを包含するが、これらに限定されるわけではない。
【００５１】
光沢剤分解阻害化合物は、メッキ組成物中に、０．００１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌの量で含まれる。典型的にはかかる化合物は、０．０１ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌの量で含まれる。
【００５２】
金属メッキ組成物の測定されたｐＨは、−１〜１４、または例えば−１〜８の範囲であり得る。典型的には、これらのメッキ組成物の測定されたｐＨは、−１〜５、より典型的には−１〜３の範囲であってもよい。これらの組成物のｐＨを制御するために、通常の緩衝化合物が含まれてもよい。
【００５３】
金属メッキ組成物は、当該技術分野および文献において公知のあらゆる方法によって、基体上に金属または金属合金をメッキするために用いられ得る。典型的には、金属または金属合金は、通常の装置を用いた通常の電気メッキ方法を用いて電気メッキされる。可溶または不溶陽極が、電気メッキ組成物とともに用いられ得る。
【００５４】
パルスメッキまたは直流（ＤＣ）メッキまたはＤＣとパルスメッキとの組み合わせが用いられてもよい。このようなメッキ方法は、当該技術分野において公知である。電流密度および電極表面電位は、メッキされる個々の基体に応じて変化し得る。一般に、陽極および陰極電流密度は、０．０１〜１５Ａ／ｄｍ２の様々なものであってもよい。低速メッキは、０．１Ａ／ｄｍ２〜３Ａ／ｄｍ２の範囲にある。高速メッキは、３Ａ／ｄｍ２以上、典型的には３Ａ／ｄｍ２〜１５Ａ／ｄｍ２の範囲にある。メッキ浴は、２０℃〜１１０℃、または例えば２０℃〜５０℃の温度範囲に維持される。メッキ温度は、メッキされる金属に応じて変化し得る。
【００５５】
金属メッキ組成物中にアミドを含むことによって、多くの従来の金属メッキ組成物よりも少なくとも改良されたレベリング性能が提供される。かかる金属メッキ組成物は、スルーホールおよびビア、集積回路、電気接触表面およびコネクタ、電解ホイル、マイクロチップ用途のためのシリコンウエハー、半導体および半導体パッケージング、リードフレーム、オプトエレクトロニクスおよび光電子工学のパッケージング、およびはんだバンプをはじめとする、電気デバイス、例えばプリント配線基板の製造における金属メッキに用いることができる。これに加えて、これらの金属メッキ組成物は、装飾品、例えば宝飾品、建具金物、自動車部品、および衛生器具を金属メッキするために用いられてもよい。
【００５６】
次の実施例は、本発明の範囲を制限することを意図するものではなく、本発明をさらによく説明するために提供される。
【実施例１】
【００５７】
Ｆｌｕｋａ（スイス国ブフス（Ｂｕｃｈｓ）の化学会社）からの数平均分子量６００の２４ｇのポリ（エチレングリコール）ビス（カルボキシメチル）エーテル６００を、６時間１９０〜２００℃で、アルドリッチからの１９ｇのペンタエチレン−ヘキサミンと、１：１．７のモル比で、短いガラス管、蒸留ヘッド、リービッヒ冷却器、および受け入れフラスコを有する丸底フラスコにおいて、一定不活性ガス供給下に反応させる。水がフラスコから留去される。反応液が、凝縮器および受け入れフラスコを用いて、２００℃、１５ミリバールで加熱される。残留生成物が水中に溶解され、エーテルで抽出される。水相が蒸発によって乾燥され、下記式を有するポリアミドアミンを得た。
Ｈ−（ＮＨ−（ＣＨ２）２）５ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｏ（Ｃ２Ｈ４）１１−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）２−ＮＨ）５］−Ｈ  （ＸＩＸ）
この構造は、炭素１３および水素１ＮＭＲ分光法を用いて決定される。数平均分子量は、ＳＥＣによって決定された場合１０５０である。
【実施例２】
【００５８】
数平均分子量２５０を有する、アルドリッチからの１３ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）２５０を、実施例１に記載されているように、６時間１９０〜２００℃で、２３ｇのペンタエチレン−ヘキサミンと、１：２のモル比で反応させる。反応は、２００℃、３０ミリバールで完了される。構造は、ＮＭＲ分光法を用いて決定される。
【００５９】
ポリアミドアミンの構造が、ついで炭素１３および水素１ＮＭＲ分光法を用いて決定される。このポリアミドアミンは次の式を有する。
Ｈ−（ＮＨ−（ＣＨ２）２）５−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）２−ＮＨ）５］−Ｈ  （ＸＸ）
数平均分子量は、ＳＥＣによって決定された場合６００〜６５０である。
【実施例３】
【００６０】
１８ｇのポリエチレングリコールビス（カルボキシメチルエーテル）６００を、アルドリッチからの７ｇの４，７，１０−トリオキサ−１，１３−トリデカンジアミンと、２時間１９０〜２４０℃で、実施例１に記載されているように反応させる。該反応物のモル比は１：１．１である。反応水が留去され、生成物は、下記式を有する。
ＨＯ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）１１−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）３−（ＯＣ２Ｈ４）２−Ｏ−（ＣＨ２）３−ＮＨ］３−Ｈ  （ＸＸＩ）
この式は、ＮＭＲ分光法を用いて決定される。数平均分子量は、ＳＥＣによって決定された場合２４３０である。
【実施例４】
【００６１】
１０ｇのポリエチレングリコールビス（カルボキシルメチルエーテル）２５０を、１８ｇの４，７，１０−トリオキサ−１，１３−トリデカンジアミンと、１時間１８０〜２２０℃で、実施例１に記載されているように、１：２のモル比で反応させる。反応は、２２０〜２５０℃へ３０ミリバールで４時間加熱することによって、さらに２５０℃、１ミリバールでの３時間後に完了される。反応生成物の構造は、ＮＭＲ分光法を用いて決定され、次の構造を有する。
Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３−（ＯＣ２Ｈ４）２−Ｏ−（ＣＨ２）３−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）２−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）３−（ＯＣ２Ｈ４）２−Ｏ（ＣＨ２）３−ＮＨ］３−Ｈ  （ＸＸＩＩ）
数平均分子量は、ＳＥＣによって決定された場合１６００である。
【実施例５】
【００６２】
６ｇのポリエチレングリコールビス（カルボキシメチルエーテル）６００を、２時間２３０〜２４０℃で、アルドリッチからの１６ｇのＯ，Ｏ’−ビス（３−アミノプロピル）ポリエチレングリコール１５００と、１：１のモル比で反応させる。反応装置は、実施例１に記載されているものと同じである。反応水が留去されると、褐色がかった固体を生じる。生成物が水中に溶解され、活性炭フィルターを通して濾過され、ついで微細濾過される。生成物が蒸発によって乾燥される。反応生成物の構造は、ＮＭＲ分光法によって決定され、次の構造を有する。
ＨＯ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）１１−ＣＨ２Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）３−（ＯＣ２Ｈ４）３４−Ｏ−（ＣＨ２）３−ＮＨ］４−Ｈ  （ＸＸＩＩＩ）
数平均分子量は、ＳＥＣによって決定された場合８８００である。
【実施例６】
【００６３】
２４ｇのポリエチレングリコールビス（カルボキシルメチルエーテル）２５０を、５時間２００℃で、アルドリッチからの１８ｇの１，６−ジアミノヘキサンと、１：１．６のモル比で反応させる。装置は、実施例１に記載されているものと同じである。反応水が、いくらかの抽出物をともなって留出される。抽出物が水中に溶解される。水が蒸発され、抽出物が、２１０〜２２０℃、３０ミリバールで３時間にわたって留出される。黄色がかったワックス生成物が得られる。この生成物の構造は、ＮＭＲ分光法によって決定され、次の構造を有する。
Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）６−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２Ｈ４Ｏ）２−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ］４−Ｈ  （ＸＸＩＶ）
ＳＥＣによって決定された分子量は、１３００である。
【実施例７】
【００６４】
２４ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）６００を、３．５時間２００〜２１０℃で、９．５ｇの１，６−ジアミノヘキサンと、１：２のモル比で反応させる。反応は、上の実施例１に記載されているものと同じ装置を用いて実施される。反応水がいくらかのアミンをともなって留去される。さらなるアミンが、２００〜２１０℃、３０ミリバールで除去されると、下記式を有する生成物を生じる。
Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）６−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）１１−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ］３−Ｈ  （ＸＸＶ）
数平均分子量は、ＳＥＣによって、２２００であると決定される。
【実施例８】
【００６５】
１２．５ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）２５０を、１９ｇのビス（ヘキサメチレン）トリアミンと、４．５時間２００〜２３０℃で、１：１．８のモル比で反応させる。反応水が留去される。加熱が２４０℃で５時間、ついで１時間にわたって２５０℃、３０ミリバールで続行され、シロップ状油が残され、これは、室温で放置した際に固化した。この油状物は、濁った溶液としておよび透明溶液として、濃縮された研究室グレードの硫酸を添加した場合に水中に可溶である。この重縮合体は、次の構造を有する。
Ｈ（ＮＨ−（ＣＨ２）６）２−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）２−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）６−ＮＨ）２］３−Ｈ  （ＸＸＶＩ）
数平均分子量は、１４００である。
【実施例９】
【００６６】
２４ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）６００を、１５ｇのビス（ヘキサメチレン）トリアミンと、１時間２００〜２１０℃で、１：１．７のモル比で反応させる。反応水が留去される。加熱が２４０℃で５時間、そして最後に２４０℃、３０ミリバールで５時間にわたって続行される。生成物は、次の式を有する。
Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）６−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）１１−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ−（ＣＨ２）６−ＮＨ］２−Ｈ  （ＸＸＶＩＩ）
数平均分子量は、１８００である。
【実施例１０】
【００６７】
１２．５ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）２５０を、１５ｇの２，２’−エチレンジオキシビスエチルアミンと、２．５時間１８０〜１８５℃で、および１．５時間２００〜２１０℃で、１：２のモル比で反応させる。反応水が留去される。さらに２時間２２０℃、３０ミリバールでの加熱後、油状物が得られる。この油状生成物は、式を有する。
Ｈ２Ｎ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）２−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）２−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）３Ｃ２Ｈ４−ＮＨ］３−Ｈ  （ＸＸＶＩＩＩ）
数平均分子量は、１１５０である。
【実施例１１】
【００６８】
２１ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）６００を、１０ｇの２，２’−エチレンジオキシビスエチルアミンと、４時間２００〜２１０℃で、１：２のモル比で反応させる。反応水が留去される。さらに２時間２２０℃、３０ミリバールでの加熱後、油状物が得られる。この油状物が水中に溶解され、活性炭で処理される。これはついで微細濾過され、乾燥され、凍結乾燥され、褐色がかったシロップ状油が得られる。生成物は、次の式を有する。
Ｈ２Ｎ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）２−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）１１−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）２−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ］２−Ｈ  （ＸＸＩＸ）
数平均分子量は、１６００である。
【実施例１２】
【００６９】
１６ｇのポリエチレングリコール−ビス（カルボキシメチルエーテル）６００を、１０ｇのＮ，Ｎ’−ビス−（３−アミノプロピル）−１，３−プロパンジアミンと、１：２のモル比で２．５時間、１８０〜１９０℃で、ついで１．５時間、２００〜２２０℃で反応させる。反応水が留去される。ついでさらなる加熱が、２５０℃、１５ミリバールで実施される。黒い油状物が反応容器中に残留した。この油状物が水中に溶解され、活性炭で処理される。濾過、および蒸発による乾燥後、オレンジ色の油状物が得られる。生成物は、下記式を有する。
Ｈ−（ＮＨ（ＣＨ２）３）３−ＮＨ−［Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（ＣＨ２Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）１１−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（（ＣＨ２）３−ＮＨ）３］−Ｈ  （ＸＸＸ）
この生成物の分子量は、９６０である。
【実施例１３】
【００７０】
水性銅メッキ組成物のストック溶液が、次の濃度の材料：８０ｇ／硫酸銅５水和物、２２５ｇ／Ｌ硫酸、および６０ｍｇ／Ｌの塩素イオンを供給するのに十分な量の塩酸；を用いて調製される。光沢剤および抑制剤を含有する１４個の１４００ｍｌ溶液を作るために、ストック溶液からアリコートが取られる。また１２個の溶液は、実施例１〜１２からの化合物を含んでいる。下記の表は、１４個の処方を開示している。
【００７１】
【表１】
0005503111.tif 000002
【００７２】
実施例１〜１２の化合物が、１ｇ／Ｌの量でサンプル中に含まれる。光沢剤は、０．０１ｇ／Ｌの量で含まれ、抑制剤は、０．５ｇ／Ｌの量で含まれる。水性銅メッキ組成物の各々１４００ｍｌのアリコートが、ついで通常のハーリングセルへ添加される。リン含有銅陽極が、ハーリングセルの両側に浸漬され、通常の整流器へ電気接続される。両面銅クラッドパネル（０．１６ｃｍ厚さ、５ｃｍ×１５ｃｍ）が、ついでハーリングセルの中心に浸漬され、これらのパネルはついで、５０分間、３Ａ／ｄｍ２で空気撹拌をともなってメッキされる。電気メッキは、室温で実施される。
【００７３】
５０分後、これらのパネルは除去され、２０容量％の水性Ａｎｔｉｔａｒｎｉｓｈ（商標）７１３０（マサチューセッツ州マールボロー、ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズから入手可能）の曇り防止溶液中に浸漬され、ブロワーで空気乾燥された。実施例１〜１２の化合物を有するこれらの溶液中でメッキされたパネル上の銅メッキは、光沢があり滑らかであると予想される。これに加えて、パネル上の観察しうる欠陥、例えば小塊（ｎｏｄｕｌｅ）、ステップメッキ（ｓｔｅｐ  ｐｌａｔｉｎｇ）、および指紋は観察されないと予想される。これに対して、実施例１〜１２の化合物を有さない溶液でメッキされたパネルは、濁っていると予想される。
【００７４】
上の手順が、３つの新しいパネルセットを用いて繰り返される。１つのセットは、１Ａ／ｄｍ２で１５０分間メッキされ、２つ目のセットは、２Ａ／ｄｍ２で７０分間メッキされ、３つ目のセットは、４Ａ／ｄｍ２で３５分間メッキされる。実施例１〜１２の化合物を含有するサンプルで電気メッキされたパネルのすべては、光沢のある滑らかな銅メッキを有し、観察しうる欠陥をともなわないと予想される。これに対して、実施例１〜１２の化合物を含まないサンプルは、濁っていると予想される。
【実施例１４】
【００７５】
実施例１３に記載されているような銅電気メッキストック溶液が調製される。５０個の別々のテスト溶液を作るために、５０個の１４００ｍｌアリコートが、ストック溶液から取られる。各テスト溶液の組成が、下の表２に開示されている。
【００７６】
【表２】
0005503111.tif 000003
【００７７】
各サンプルは、光沢剤を１ｇ／Ｌの量で含み、かつ抑制剤を５ｇ／Ｌの量で含んでいる。各サンプル中の実施例１〜１２からの化合物の量は、様々である。サンプル１〜４は、実施例１からの化合物を、それぞれ０．００１ｇ／Ｌ、０．０１ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル５〜８は、実施例２からの化合物を、それぞれ０．００５ｇ／Ｌ、０．０１ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル９〜１２は、実施例３からの化合物を、それぞれ０．０５ｇ／Ｌ、０．２５ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル１３〜１６は、実施例４からの化合物を、それぞれ０．０１ｇ／Ｌ、０．２５ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル１７〜２０は、実施例５からの化合物を、それぞれ０．００１ｇ／Ｌ、０．０５ｇ／Ｌ、０．１ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル２１〜２４は、実施例６からの化合物を、それぞれ０．００１ｇ／Ｌ、０．０１ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル２５〜２８は、実施例７からの化合物を、それぞれ０．０１ｇ／Ｌ、０．２５ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル２９〜３２は、実施例８からの化合物を、それぞれ０．００１ｇ／Ｌ、０．０１ｇ／Ｌ、０．１ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル３３〜３６は、実施例９からの化合物を、それぞれ０．０５ｇ／Ｌ、０．２５ｇ／Ｌ、０．７５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル３７〜４０は、実施例１０からの化合物を、それぞれ０．０５ｇ／Ｌ、０．２５ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および０．７５ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル４１〜４４は、実施例１１からの化合物を、それぞれ０．０５ｇ／Ｌ、０．１ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。サンプル４５〜４８は、実施例１２からの化合物を、それぞれ０．０１ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌ、０．７５ｇ／Ｌ、および１ｇ／Ｌの量で含んでいる。
【００７８】
各サンプルがハーリングセルに入れられ、リン含有銅陽極が、各ハーリングセルの両側に浸漬される。これらのセルは、通常の整流器へ電気的に接続される。複数の０．２ｍｍ直径スルーホールを有する両面銅クラッドパネル（０．１６ｃｍ厚さ、５ｃｍ×１５ｃｍ）が、各ハーリングセルの中心に置かれる。各パネルが、５０分間、３Ａ／ｄｍ２で空気撹拌をともなって電気メッキされる。電気メッキは室温で行なわれる。電気メッキが完了した後、これらのパネルがハーリングセルから除去され、スルーホールの銅メッキの厚さを調べるために横断面切断される。これらのスルーホールは、光学顕微鏡を用いて２００×倍率で検査される。実施例１〜１２の化合物を含有するサンプルでのスルーホールは、２つの対照サンプルよりも、より厚くかつより均一な銅層をこれらのスルーホールの中心に有することによって、改良された均一電解性を示すと予想される。
【実施例１５】
【００７９】
硫酸錫からの錫イオン２０ｇ／Ｌ、硫酸４０ｇ／Ｌ、平均分子量２，２００を有するエチレンオキシド／プロピレンオキシドコポリマー０．５ｇ／Ｌ、硫酸化アルキルエトキシレート（ＴＲＩＴＯＮ（商標）ＱＳ−１５）１０ｍｌ／Ｌ、および実施例１の化合物ＸＩＸ０．１ｇ／Ｌを含んでいる水性錫メッキ組成物が、実施例１３に記載されているようにハーリングセルに入れられる。この錫メッキ組成物のｐＨは１未満であり、温度は３０℃である。基体は、青銅クーポン５ｃｍ×１５ｃｍである。錫電気メッキは、３Ａ／ｄｍ２で５０分間行なわれる。錫層は、滑らかで、観察しうるいかなる欠陥も含んでいないと予想される。
【実施例１６】
【００８０】
硫酸錫からの錫イオン３０ｇ／Ｌ、硫酸銅５水和物からの銅イオン２０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、平均分子量３，０００を有するエチレンオキシド／プロピレンオキシドコポリマー１ｇ／Ｌ、ポリエトキシル化アミン（Ｊｅｆｆａｍｉｎｅ（商標）Ｔ−４０３、Ｈｕｎｔｓｍａｎ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能）２０ｍｌ／Ｌ、および実施例２の化合物ＸＸ０．１ｇ／Ｌを含んでいる水性錫／銅合金メッキ組成物が、実施例１３に記載されているようにハーリングセルに入れられる。錫／銅メッキ組成物のｐＨは１未満であり、温度は３０℃である。基体は、青銅クーポン５ｃｍ×１５ｃｍである。錫／銅電気メッキは、４Ａ／ｄｍ２で３５分間行なわれる。錫／銅合金層は、滑らかで、観察しうるいかなる欠陥も含んでいないと予想される。
【実施例１７】
【００８１】
硫酸錫からの錫イオン２５ｇ／Ｌ、三塩化ビスマスからのビスマスイオン１０ｇ／Ｌ、硫酸９０ｇ／Ｌ、平均分子量２，５００を有するエチレンオキシド／プロピレンオキシドコポリマー２ｇ／Ｌ、硫酸化アルキルエトキシレート（ＴＲＩＴＯＮ（商標）ＱＳ−１５）１０ｍｌ／Ｌ、および実施例３の化合物ＸＸＩ０．１ｇ／Ｌを含んでいる水性錫／ビスマス合金メッキ組成物が、実施例１３に記載されているようにハーリングセルに入れられる。錫／ビスマスメッキ組成物のｐＨは１未満であり、温度は３０℃である。基体は、青銅クーポン５ｃｍ×１５ｃｍである。錫／ビスマス電気メッキは、２Ａ／ｄｍ２で６０分間行なわれる。錫／ビスマス合金層は、滑らかで、観察しうるいかなる欠陥も含んでいないと予想される。
【実施例１８】
【００８２】
硫酸錫からの錫イオン３５ｇ／Ｌ、三塩化インジウムからのインジウムイオン５ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、平均分子量５，０００を有するエチレンオキシド／プロピレンオキシドコポリマー１ｇ／Ｌ、硫酸化アルキルエトキシレート（ＴＲＩＴＯＮ（商標）ＱＳ−１５）１０ｍｌ／Ｌ、および０．１ｇ／Ｌの実施例４のＸＸＩＩ  を含んでいる水性錫／インジウム合金メッキ組成物が、実施例１３に記載されているようにハーリングセルに入れられる。錫／インジウム組成物のｐＨは１未満であり、温度は３０℃である。基体は、青銅クーポン５ｃｍ×１５ｃｍである。錫／インジウム電気メッキは、１Ａ／ｄｍ２で１００分間行なわれる。錫／インジウム合金層は、滑らかで、観察しうるうかなる欠陥も含んでいないと予想される。
【実施例１９】
【００８３】
メタンスルホン酸錫からの錫イオン４０ｇ／Ｌ、メタンスルホン酸銀からの銀イオン１ｇ／Ｌ、メタンスルホン酸銅からの銅１ｇ／Ｌ、メタンスルホン酸９０ｇ／Ｌ、エトキシル化ビスフェノール２ｇ／Ｌ、１−アリル−２−チオ尿素４ｇ／Ｌ、および実施例５の化合物ＸＸＩＩＩ０．１ｇ／Ｌを含んでいる水性錫／銀／銅合金メッキ組成物が、実施例１３に記載されているようにハーリングセルに入れられる。錫／銀／銅組成物のｐＨは１であり、温度は３０℃である。基体は、青銅クーポン５ｃｍ×１５ｃｍである。錫／銀／銅電気メッキは、２Ａ／ｄｍ２で１００分間行なわれる。錫／銀／銅合金層は、滑らかで、観察しうるうかなる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２０】
【００８４】
実施例１５に記載された金属メッキ方法が、化合物が実施例６の化合物ＸＸＩＶであることを除いて同じタイプの錫メッキ組成物、および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上に堆積された錫層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２１】
【００８５】
実施例１５に記載された金属メッキ方法が、化合物が実施例７の化合物ＸＸＶであることを除いて同じタイプの錫メッキ組成物、および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上に堆積された錫層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２２】
【００８６】
実施例１６に記載された金属メッキ方法が、化合物が実施例８の化合物ＸＸＶＩであることを除いて同じ型の錫／銅メッキ組成物および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上の錫／銅層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２３】
【００８７】
実施例１６に記載された金属メッキ方法が、化合物が実施例９の化合物ＸＸＶＩＩであることを除いて同じ型の錫／銅メッキ組成物および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上の錫／銅層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２４】
【００８８】
実施例１７に記載された金属メッキ方法が、ただし化合物が実施例１０の化合物ＸＸＶＩＩＩであることを除いて同じ型の錫／ビスマスメッキ組成物および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上の錫／ビスマス層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２５】
【００８９】
実施例１７に記載された金属メッキ方法が、化合物が実施例１１の化合物ＸＸＩＸであることを除いて同じ型の錫／ビスマスメッキ組成物および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上の錫／ビスマス層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２６】
【００９０】
実施例１６に記載された金属メッキ方法が、化合物が実施例１２の化合物ＸＸＸであることを除いて同じ型の錫／銅メッキ組成物、および金属メッキパラメーターを用いて繰り返される。これらのパネル上の錫／銅層は、滑らかで、観察しうる欠陥を含んでいないと予想される。
【実施例２７】
【００９１】
銅メッキ浴から電気メッキされた堆積銅の厚さに対するレベラー成分の効果を比較するために、一連の実験が実施された。下の各事例において、個々のレベラー（またはいくつかの事例ではレベラーが無い）が、銅メッキ浴へ添加され、ついでパネルが電気メッキされ、このパネルはついで加工処理され、電気メッキされた銅堆積物の厚さがついで、このパネルの表面、ならびにパネル中に穿孔されたスルーホールの中心の両方において測定された。メッキ実験の後、溶液が廃棄され、新鮮なストック溶液が、次の実験において用いられた。
【００９２】
水性銅メッキ浴のストック溶液が、次の濃度無機材料を用いて調製された：７５ｇ／Ｌの硫酸銅５水和物、１９０ｇ／Ｌの硫酸、および６０ｍｇ／Ｌの塩素イオンを供給するのに十分な量の塩酸。３ｍＬ／Ｌのローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズのＣｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ（商標）ＳＴ−９０１Ａ添加剤（光沢剤）および１．５ｇ／Ｌのポリ（アルコキシル化）グリコール（抑制剤）が、ストック溶液へ添加された。１５００ｍＬのこの溶液が、ついでハーリングセルへ添加された。リン含有銅スラブが、ハーリングセルの両側に浸漬され、メッキサイクルの間、陽極として用いられた。両面銅クラッドパネル（１．６ｍｍ厚さ、５ｃｍ×１０ｃｍメッキ面積）が、ハーリングセルの中心に置かれ、メッキサイクルの間、陰極としての役目を果たした。空気撹拌が、メッキ実験の間を通して用いられた。スルーホールをパネル中に穿孔し、薄いが接着性の銅層（２０〜２５ｍｍ）が、スルーホールを含むパネルの全体的な露出した表面上に化学的に堆積されるように、パネルをあらかじめ処理した。ついである量のレベラーが、ハーリングセル中の溶液へ添加されるか、またはレベラーは添加されなかった。ついで銅が、３Ａ／ｄｍ２の電流密度で５０分間電気メッキされた。ついでパネルが、脱イオン水中で洗浄された。基体上およびスルーホール（直径０．３２ｍｍ）の中心にメッキされた銅の厚さが測定されるようにボードの領域を処理した。スルーホールの中心における銅厚さの寸法は、この浴の均一電解性、または特定のメッキ浴がスルーホールの内部で銅を電気メッキする能力の指標であった。スルーホール中で測定されたより厚い堆積物は、より高い均一電解性を示し、より望ましいものであった。様々なレベラーを含有するメッキ浴からの測定された銅厚さが、表３に示されている。
【００９３】
【表３】
0005503111.tif 000004
【００９４】
すべてのレベラーは、レベラーを含有しないメッキ浴と比較して、スルーホールの中心でのメッキされた銅の厚さにおいて改良を示した。