(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物、及び
下記化学式１で表される化合物、
を含む組成物から由来するポリイミドを含む配向膜：
【化１】
0005539813.tif 000018
・・・（化学式１）
前記化学式１において、Ｘ１及びＸ２は、互いに独立的にＦ、ＣｌまたはＣＮであり、Ｒ１は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項２】
前記配向膜のイミド化率は７０％以上である、請求項１に記載の配向膜。
【請求項３】
前記二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物は、前記組成物対比４０モル％乃至６０モル％である、請求項１に記載の配向膜。
【請求項４】
前記化学式１で表される化合物は、前記組成物対比１０モル％乃至２０モル％である、請求項３に記載の配向膜。
【請求項５】
前記組成物は、下記化学式２で表される化合物をさらに含む請求項１に記載の配向膜：
【化２】
0005539813.tif 000019
・・・（化学式２）
前記化学式２において、Ｙは、酸素原子、カルボニル基、カルボキシル基、アミド基、置換または非置換されたＣ２−Ｃ１２のアルキレン基、または置換または非置換されたＣ２−Ｃ１２のフェニレン基であり、Ｒ２は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項６】
前記化学式２で表される化合物は、前記組成物対比２５モル％乃至４５モル％である、請求項５に記載の配向膜。
【請求項７】
前記化学式１で表される化合物は、前記組成物対比１０モル％乃至２０モル％である、
請求項１に記載の配向膜。
【請求項８】
前記配向膜のイミド化率は７０％以上である、請求項７に記載の配向膜。
【請求項９】
前記二無水物系化合物は、下記化学式３で表される化合物、下記化学式４で表される化合物、またはこれらの混合物である、請求項１に記載の配向膜。
【化３】
0005539813.tif 000020
・・・（化学式３）
【化４】
0005539813.tif 000021
・・・（化学式４）
【請求項１０】
互いに対向する第１基板と第２基板、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層、及び
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する配向膜、
を含み、
前記配向膜は、
二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物、及び
下記化学式１で表される化合物、
を含む組成物から由来するポリイミドを含む液晶表示装置：
【化５】
0005539813.tif 000022
・・・（化学式１）
前記化学式１において、Ｘ１及びＸ２は、互いに独立的にＦ、ＣｌまたはＣＮであり、Ｒ１は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向膜及びこれを含む液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、電界生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、二枚の表示板、及びその間に挿入されている液晶層を含む。液晶表示装置は、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の方向を決定して入射光の偏光を制御することにより画像を表示する。
【０００３】
一方、表示板の内側には、液晶層の液晶分子を配向するための配向膜が形成されている。電界生成電極に電圧が加わらない場合、液晶分子は配向膜によって一定の方向に配列されており、電界生成電極に電圧が加えられる場合、電界の方向によって液晶分子が回転する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明には、最適な配向膜を提供することを目的とする。 
【０００５】
上記課題以外にも、具体的に言及されない他の課題を達成することに用いることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る垂直配向膜は、二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物、及び下記化学式１で表される化合物を含む組成物から由来するポリイミドを含む。
【０００７】
【化１】
0005539813.tif 000002
【０００８】
前記化学式１において、Ｘ１及びＸ２は、互いに独立的にＦ、ＣｌまたはＣＮであり、Ｒ１は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。
【０００９】
前記垂直配向膜のイミド化率は７０％以上でありうる。
【００１０】
前記二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物は４０モル％乃至６０モル％でありうる。
【００１１】
前記化学式１で表される化合物は、前記組成物対比１０モル％乃至２０モル％でありうる。
【００１２】
前記組成物は、下記の化学式２で表される化合物をさらに含むことができる。
【００１３】
【化２】
0005539813.tif 000003
【００１４】
前記化学式２において、Ｙは、酸素原子、カルボニル基、カルボキシル基、アミド基、置換または非置換されたＣ２−Ｃ１２のアルキレン基、または置換または非置換されたＣ２−Ｃ１２のフェニレン基であり、Ｒ２は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。
【００１５】
前記化学式２で表される化合物は２５モル％乃至４５モル％でありうる。
【００１６】
前記二無水物系化合物は、下記化学式３で表示される化合物、下記化学式４で表される化合物、またはこれらの混合物でありうる。
【００１７】
【化３】
0005539813.tif 000004
【００１８】
【化４】
0005539813.tif 000005
【００１９】
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板と第２基板、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層、及び前記第１基板と前記第２基板との間に位置する垂直配向膜を含み、前記垂直配向膜は、二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物、及び前記化学式１で表される化合物を含む組成物から由来するポリイミドを含む。
【００２０】
前記液晶表示装置は、前記第１基板上に位置するゲート線、前記第１基板上に位置する第１データ線、前記第１基板上に位置する第２データ線、前記ゲート線及び前記第１データ線と接続する第１薄膜トランジスタ、前記ゲート線及び前記第２データ線と接続する第２薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタと接続する第１副画素電極、及び前記第２薄膜トランジスタと接続する第２副画素電極をさらに含むことができる。前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極のそれぞれは、主枝と、前記主枝に接続する櫛形状の複数の部枝を含むことができる。
【００２１】
前記液晶表示装置は、前記第１基板上に位置する第１ゲート線、前記第１基板上に位置する第２ゲート線、前記第１基板上に位置するデータ線、前記第１ゲート線及び前記データ線と接続する第１薄膜トランジスタ、前記第２ゲート線及び前記データ線と接続する第２薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタと接続する第１副画素電極、及び前記第２薄膜トランジスタと接続する第２副画素電極をさらに含むことができる。前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極はそれぞれ傾斜方向の結晶部材を含むことができ、前記傾斜方向の結晶部材は切開部を含むことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一実施形態によれば、最適な配向膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置における一つの画素に対する等価回路図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。
【図３】図２の液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図２の液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置における一つの画素に対する等価回路図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。
【図７】図６の液晶表示装置のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図８】図６の液晶表示装置のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。
【図１０】図９の液晶表示装置のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図１１】ＶＨＲを測定したグラフである。
【図１２】イオン密度を測定したグラフである。
【図１３Ａ】ＶＨＲの変化を測定したグラフである。
【図１３Ｂ】ＶＨＲの変化を測定したグラフである。
【図１４Ａ】液晶表示装置を撮影した写真である。
【図１４Ｂ】液晶表示装置を撮影した写真である。
【図１５Ａ】液晶表示装置を撮影した写真である。
【図１５Ｂ】液晶表示装置を撮影した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、種々の相異な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。図面において、本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書の全体にわたって同一または類似する構成要素に対しては同一の図面符号を付けた。また、広く知られている公知技術の場合、その具体的な説明は省略する。
【００２５】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるという時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“下に”あるという時、これは他の部分の“すぐ下に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ下に”あるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２６】
本明細書において、特別な言及がない限り、“置換”とは、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ１２のハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ１２のアルキル基、Ｃ１−Ｃ１２のアルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１２のアリール基、またはＣ６−Ｃ１２のアリルオキシ基に置換されたことを意味する。
【００２７】
以下、本発明の一実施形態に係る垂直配向膜について詳細に説明する。
【００２８】
液晶表示装置は、二つの表示板を含み、表示板の内側には液晶層の液晶分子を配向するための配向膜が形成されている。電界生成電極に電圧が加わらない場合、液晶分子は垂直配向膜によって一定の方向に配列されている。例えば、垂直配向膜による液晶分子のプレチルト角度は約８０度乃至約９５度でありうる。
【００２９】
垂直配向膜はポリイミドを含み、ポリイミドは二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）系化合物、及び下記化学式１で表される化合物を含む組成物から由来する。
【００３０】
【化５】
0005539813.tif 000006
【００３１】
前記化学式１において、Ｘ１及びＸ２は、互いに独立的にＦ、ＣｌまたはＣＮであり、Ｒ１は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。
【００３２】
前記化学式１で表される化合物から誘導された側鎖によって液晶分子が配向される。前記化学式１で表される化合物は、酸素原子の右側に３個の環状炭化水素が接続されており、側鎖の長さが長いために剛性（ｒｉｇｉｄｉｔｙ）と直進性（ｓｔｒａｉｇｈｔｌｉｎｅａｒｉｔｙ）が強く、前記化学式１で表される化合物の疎水性と液晶分子の配向安定性が増加できる。例えば、３個の環状炭化水素は２個の環状炭化水素より、強直性、直進性及び疎水性が強い。また、３個の環状炭化水素はコレステロールよりも少なくバルキー（ｂｕｌｋｙ）し、強直性及び直進性が強い。また、前記化学式１で表される化合物は３個の環状液晶分子と類似する構造を有するので、液晶分子の配向安定性を増加できる。また、前記化学式１で表される化合物の使用によって疎水性が増加し、滴下ムラを減少させることができる。
【００３３】
前記化学式１で表される化合物は、全体組成物対比約１０モル％乃至約２０モル％でありうる。１０モル％以上の場合に滴下ムラをさらに減少させることができ、２０モル％以下の場合に配向膜の溶解性をさらに増加させることができる。
【００３４】
垂直配向膜のイミド化率はほぼ７０％以上でありうる。例えば、溶液状態の組成物のイミド化率は約８０％であり、組成物の硬化後のイミド化率も約８０％でありうる。垂直配向膜のイミド化率はほぼ７０％以上の場合に滴下ムラを減少させることができ、配向膜の信頼性を改善可能である。さらに、垂直配向膜のイミド化率が高くても、前記化学式１で表される化合物の使用によって、配向膜の印刷不良を減少でき、配向膜の再加工率（ｒｅｗｏｒｋｒａｔｉｏ）を減少できる。
【００３５】
前記組成物は一つ以上の二無水物系化合物を含むことができる。例えば、二無水物系化合物は、下記化学式３で表示される化合物、下記の化学式４で表される化合物などでありうる。
【００３６】
【化６】
0005539813.tif 000007
【００３７】
【化７】
0005539813.tif 000008
【００３８】
前記化学式３で表される化合物は屈曲構造を有するので、表面積が広くなって、配向膜の溶解性が増加して、配向膜の印刷不良を減少できる。
【００３９】
前記二無水物系化合物は４０モル％乃至６０モル％でありうる。二無水物系化合物の含有量は、垂直配向膜のイミド化率と関係する。例えば、４０モル％以上で、６０モル％以下である場合、イミド化率をさらに増加でき、配向膜の信頼性をさらに改善できる。
【００４０】
前記組成物は、下記化学式２で表される化合物をさらに含むことができる。
【００４１】
【化８】
0005539813.tif 000009
【００４２】
前記化学式２において、Ｙは、酸素原子、カルボニル基、カルボキシル基、アミド基、置換または非置換されたＣ２−Ｃ１２のアルキレン基、または置換または非置換されたＣ２−Ｃ１２のフェニレン基であり、Ｒ２は、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のアルコキシ基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルキル基、置換または非置換されたＣ１−Ｃ１２のハロゲン元素含有アルコキシ基、またはこれらの組み合わせである。
【００４３】
前記化学式２で表される化合物は、ベンゼン環に極性構造を有する作用基が置換されている。したがって、配向膜の溶解性を増加させることができ、印刷不良を減少できる。
【００４４】
前記化学式２で表される化合物は、約２５モル％乃至約４５モル％とすることができる。２５モル％以上の場合に配向膜の溶解性をさらに増加でき、４５モル％以下の場合に配向膜の側鎖の剛性及び直進性をさらに増加できる。
【００４５】
前記組成物は。溶媒、架橋剤（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｅｒ）などをさらに含むことができる。溶媒は、Ｎ−メチルピロリドン、ブチルセロソルブ、ガンマ−ブチロラクトン、またはこれらの混合物などを用いることができる。例えば、Ｎ−メチルピロリドンとブチルセロソルブをほぼ４．５：５．５の比率で混合して用いることができ、この場合、配向膜の溶解性を増加でき、印刷不良を減少できる。
【００４６】
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について、図１乃至図４を参照して詳細に説明する。
【００４７】
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置における一つの画素に対する等価回路図であり、図２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図３は、図２の液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図であり、図４は、図２の液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【００４８】
図１を参照すれば、液晶表示装置は、複数の信号線（１２１、１３１、１７１ａ、１７１ｂ）、及びこれに接続されている画素（ＰＸ）を含む。
【００４９】
図１を参照すれば、本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する第１表示板１００と第２表示板２００、及びその間に挿入されている液晶層３を含む。第１表示板１００は、複数のゲート線（ＧＬ）、複数対のデータ線（ＤＬａ、ＤＬｂ）、及び複数の維持電極線（ＳＬ）を含む信号線と、これに接続された複数の画素（ＰＸ）を含む。
【００５０】
各画素（ＰＸ）は一対の副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）を含み、副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）は、スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）、液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）、及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）を含む。
【００５１】
スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）は、第１表示板１００に備えられている薄膜トランジスタであって、制御端子はゲート線（ＧＬ）と接続され、入力端子はデータ線（ＤＬａ、ＤＬｂ）と接続され、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）と接続されている。
【００５２】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）は、副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電極２７０とを二端子とし、二端子の間の液晶層３部分を誘電体として形成される。
【００５３】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）の補助的な役割を果たすストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）は、第１表示板１００に具備された維持電極線（ＳＬ）と副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）とが絶縁体を介在して重畳して形成され、維持電極線（ＳＬ）には共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧が印加される。
【００５４】
図１乃至図２を参照すれば、ガラス、プラスチックなどで作られた絶縁性基板１１０の上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１、１３５が形成されている。各ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、ほぼ行方向に延びている。各ゲート線１２１は、上に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを含む。
【００５５】
維持電極線１３１、１３５は、ゲート線１２１と実質的に平行に延びた幹線１３１と、これから延び出た複数の維持電極１３５とを含む。この時、維持電極線１３１と維持電極１３５の形状と配置は多様に変更できる。しかし、維持電極線１３１と維持電極１３５は省略することも可能である。
【００５６】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１、１３５の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などを含むことができる。
【００５７】
ゲート絶縁膜１４０の上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉと記す）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などを含む複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。
【００５８】
半導体１５４ａ、１５４ｂの上にはそれぞれ複数対のオーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６１ｂ、１６３ｂ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ）が形成されており、  オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６１ｂ、１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ）は、金属シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質を含むことができる。
【００５９】
オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６１ｂ、１６３ｂ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ）及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数対のデータ線１７１ａ、１７１ｂと複数対の第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂが形成されている。また、周辺領域にはデータ線１７１ａ、１７１ｂと同一層に維持電圧供給線（図示せず）が形成されている。維持電圧供給線はほぼ列方向に形成されており、複数の維持電極線１３１を電気的に接続する。
【００６０】
データ線１７１ａ、１７１ｂは、列方向に延びて、ゲート線１２１及び維持電極線の幹線１３１と交差する。データ線１７１ａ、１７１ｂは第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延びてＵ字状に曲がった第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを含み、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを中心に第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと対向する。
【００６１】
第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂ、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂ、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂと共に第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）を構成する。薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャネルは、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂと第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂとの間の第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂに形成されている。第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂはそれぞれ液晶表示装置の画素電極１９１ａ、１９１ｂと接続して、駆動電圧を印加することができる。
【００６２】
オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６１ｂ、１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ）は、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂと、その上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間に存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。
【００６３】
第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂに存在するチャネル部分を除いては、第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂ、オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６１ｂ、１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ）、並びに第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを含むデータ線１７１ａ、１７１ｂと第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの３個の層の平面形状は実質的に同一である。この場合、これら３個の層は１枚のマスクを利用して形成されたものである。しかし、第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂ、オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６１ｂ、１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ）は、島型であってもよい。その他にも、これら３個の層の形状は多様に変更できる。
【００６４】
データ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、窒化ケイ素、酸化ケイ素などを含む下部膜１８０ｐが形成されている。
【００６５】
下部膜１８０ｐの上に、青色カラーフィルタ２３０Ｂ、緑色カラーフィルタ２３０Ｇ、及び赤色カラーフィルタ２３０Ｒが形成されている。各カラーフィルタ（２３０Ｂ、２３０Ｇ、２３０Ｒ）は帯形態を有することができる。また、各カラーフィルタ（２３０Ｂ、２３０Ｇ、２３０Ｒ）はインクジェット工程によって印刷されるので、工程性に優れている。
【００６６】
各カラーフィルタ（２３０Ｂ、２３０Ｇ、２３０Ｒ）の上に上部膜１８０ｑがある。上部膜１８０ｑは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、感光性有機物質などを含むことができる。上部膜１８０ｑは薄膜トランジスタ表示板を平坦化する役割を果たす。
【００６７】
下部膜１８０ｐと上部膜１８０ｑとの間には遮光部材２２０ａ、２２０ｂが形成されている。遮光部材２２０ａ、２２０ｂはデータ線１７１ａ、１７１ｂと平行するようにほぼ列方向に延びており、第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）を覆う突出部２２０ｂを含んでいる。遮光部材２２０は、各カラーフィルタ（２３０Ｂ、２３０Ｇ、２３０Ｒ）の間を覆うことによって、光漏れを防止することができる。
【００６８】
下部膜１８０ｐと上部膜１８０ｑとの間には、遮光部材２２０と同一層に間隔材３２０が形成されている。しかし、間隔材３２０は遮光部材２２０とは異なる層に形成されてもよい。間隔材３２０は、液晶層３のギャップを維持する役割を果たし、柱型間隔材（ｃｏｌｕｍｎａｒ  ｓｐａｃｅｒ）３２０とすることができる。柱型間隔材３２０は第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）と第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）との間に位置することができる。
【００６９】
遮光部材２２０と柱型間隔材３２０は同一の材料を含むことができ、ハーフトーンマスクなどを用いて互いに異なる厚さに形成することができる。その他にも、柱型間隔材３２０の配置と形状は多様に変更可能である。
【００７０】
上部膜１８０ｑの上には複数の画素電極１９１と接続部材８２が形成されている。複数の画素電極１９１と接続部材８２はＩＴＯ、ＩＺＯなどの同一の材料を含むことができ、同一の工程によって形成することができる。
【００７１】
各画素電極１９１は、間隙９１を間に置いて互いに分離されている第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む。
【００７２】
第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂの全体的な形状は四角形である。画素電極１９１の全体において、第２副画素電極１９１ｂが占める面積を、第１副画素電極１９１ａが占める面積より大きくすることができる。第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂそれぞれは主枝と副枝を含む。主枝はゲート線１２１またはデータ線１７１とほぼ平行する。副枝は櫛形状の微細枝である。
【００７３】
第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂは、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃ、１８５ｄ）を通じて第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的、電気的に接続されており、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂからデータ電圧の印加を受ける。
【００７４】
複数の画素電極１９１と接続部材８２の上には下部配向膜１１が形成されている。下部配向膜１１は上述した垂直配向膜でありうる。
【００７５】
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について、図５乃至図８を参照して詳細に説明する。上述した液晶表示装置の説明と重複する説明は省略する。
【００７６】
図５は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置における一つの画素に対する等価回路図であり、図６は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図７は、図６の液晶表示装置のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図であり、図８は、図６の液晶表示装置のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００７７】
図５を参照すれば、二つのゲート線（ＧＬａ、ＧＬｂ）それぞれにスイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）が接続されている。スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）は一つのデータ線（ＤＬ）を共有する。画素（ＰＸ）、副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）、液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）、及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）、維持電極線（ＳＬ）に対する説明は、上述した通りである。共通電圧Ｖｃｏｍは共通電極（図示せず）に供給される電圧である。
【００７８】
図６乃至図８を参照すれば、互いに対向する第１表示板１００と第２表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を含み、液晶層３は液晶材料３１を含む。
【００７９】
絶縁基板１１０の上に、複数対の第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂ、複数の維持電極線１３１、複数の光遮断膜１２０ｓ、１２０ｎを含む複数のゲート導電体が形成されている。
【００８０】
第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。
【００８１】
第１ゲート線１２１ａは、図６中の下方向に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと、端部１２９ａとを含む。第２ゲート線１２１ｂは、図６中の上方向に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと、端部１２９ｂとを含む。
【００８２】
維持電極線１３１は主に横方向に延びている。維持電極線１３１は、それぞれ第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂとの間に位置し、第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂからほぼ同じ距離に位置する。各維持電極線１３１は、維持電極線１３１の幅に対して図６中の上下方向に拡張された複数の維持電極１３７を含む。しかし、維持電極１３７をはじめとする維持電極線１３１の形状及び配置は種々の形態に変更できる。
【００８３】
光遮断膜（１２０ｓ、１２０ｎ）は主に縦方向に延びて、互いに離れている複数の小遮断膜を含む。光遮断膜（１２０ｎ、１２０ｓ）は、第１ゲート線１２１ａ、第２ゲート線１２１ｂ、及び維持電極線１３１と短絡しないようにいくつかの部分に分割されている。
【００８４】
ゲート導電体（１２０ｓ、１２０ｎ、１２１ａ、１２１ｂ、１３１）の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００８５】
ゲート絶縁膜１４０の上には複数の線状半導体（１５１ｓ、１５１ｎ）が形成されている。線状半導体（１５１ｓ、１５１ｎ）は主に縦方向に延びて、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延び出た複数の第１突出部１５４ａ及び第２突出部１５４ｂを含む。
【００８６】
半導体（１５１ｓ、１５１ｎ）の上には複数の線状オーミックコンタクト部材（１６１ｓ、１６１ｎ）、第１島型オーミックコンタクト部材１６５ａ、及び第２島型オーミックコンタクト部材１６５ｂが形成されている。線状オーミックコンタクト部材（１６１ｓ、１６１ｎ）は、複数の第１突出部１６３ａ及び第２突出部１６３ｂを有しており、この第１突出部１６３ａ及び第２突出部１６３ｂと第１島型オーミックコンタクト部材１６５ａ及び第２島型オーミックコンタクト部材１６５ｂとは対をなして半導体（１５１ｓ、１５１ｎ）の第１突出部１５４ａ及び第２突出部１５４ｂの上に配置されている。
【００８７】
オーミックコンタクト部材（１６１ｓ、１６１ｎ、１６５ａ、１６５ｂ）及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数のデータ線（１７１ｓ、１７１ｎ）と、複数対の第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。
【００８８】
データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。
【００８９】
各データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）は、全体にわたって直線状ではなく、少なくとも二回屈折するように形成されている。つまり、データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）は、ゲート線（１２１ｓ、１２１ｎ）と直交する方向の複数の垂直部と、垂直部に対して傾いた斜線部とを含む。垂直部と斜線部は繰り返して接続されており、垂直部と斜線部が接続して複数の屈曲した部分（Ｃｓ１〜Ｃｓ８、Ｃｎ１〜Ｃｎ８）を形成する。データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）は光遮断膜（１２０ｓ、１２０ｎ）と重畳し、光遮断膜（１２０ｓ、１２０ｎ）はデータ線（１７１ｓ、１７１ｎ）の形態に応じて屈曲した部分を有し、データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）より幅が同一であるか、または広い。
【００９０】
各データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）は、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かってそれぞれ延びた複数対の第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂと、端部（１７９ｓ、１７９ｎ）とを含む。
【００９１】
第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを中心に第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂと対向し、棒状の端部はソース電極１７３ａ、１７３ｂの方向に折れて、ソース電極１７３ａ、１７３ｂによって一部が取り囲まれている。
【００９２】
第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂ、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂ、並びに第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂと共にそれぞれ第１及び第２薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）（Ｑａ、Ｑｂ）を構成し、第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）のチャネルは、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂと、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂとの間の第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂに形成される。
【００９３】
オーミックコンタクト部材（１６１ｓ、１６１ｎ、１６５ａ、１６５ｂ）は、その下の半導体（１５４ａ、１５４ｂ）と、その上のデータ導電体（１７１ｓ、１７１ｎ、１７５ａ、１７５ｂ）との間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体（１５４ａ、１５４ｂ）には、ソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）との間をはじめとして、データ導電体（１７１ｓ、１７１ｎ、１７５ａ、１７５ｂ）によって覆われずに露出した部分がある。
【００９４】
一方、線状半導体（１５１ｓ、１５１ｎ）、データ導電体（１７１ｓ、１７１ｎ、１７５ａ、１７５ｂ）、及びその下部のオーミックコンタクト部材（１６１ｓ、１６１ｎ、１６５ａ、１６５ｂ）と実質的に同一の平面形状を有している。
【００９５】
データ導電体（１７１ｓ、１７１ｎ、１７５ａ、１７５ｂ）及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ）部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０には、データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）の端部（１７９ｓ、１７９ｎ）と第１及び第２ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の一方の部分をそれぞれ露出する複数のコンタクトホール（１８２ｓ、１８２ｎ、１８５ａ、１８５ｂ）が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）の端部（１２９ａ、１２９ｂ）をそれぞれ露出する複数のコンタクトホール（１８１ａ、１８１ｂ）が形成されている。
【００９６】
保護膜１８０の上には、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材（８１ａ、８１ｂ、８２ｓ、８２ｎ）が形成されている。
【００９７】
各画素電極１９１は、互いに分離されている一対の第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは行方向に隣接し、切開部（ｃｕｔｏｕｔ）９１ａ、９１ｂを有する。共通電極２７０は、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂと対向する切開部７１ａ、７１ｂを有する。
【００９８】
第１副画素電極１９１ａは、コンタクトホール１８５ａを通じてそれぞれの第１ドレイン電極１７５ａと接続されており、第２副画素電極１９１ｂは、コンタクトホール１８５ｂを通じてそれぞれの第２ドレイン電極１７５ｂと接続されている。
【００９９】
画素電極１９１は、データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）と保護膜１８０とを介在して重畳する。一つのデータ線（１７１ｓ、１７１ｎ）は隣接する画素電極１９１と全て重畳する。データ線（１７１ｓ、１７１ｎ）は、曲がっている画素電極１９１によって、第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）を通じて接続されている自分の画素電極１９１と、自分の画素電極１９１に隣接する画素電極１９１と全て重畳する。
【０１００】
絶縁基板２１０の上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）に対応する線状部と、薄膜トランジスタと対応する面状部とを含む。遮光部材２２０は、画素電極１９１と画素電極１９１間の間隙と対応することができる。
【０１０１】
基板２１０及び遮光部材２２０の上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０によって取り囲まれた開口領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って長く延びてもよい。
【０１０２】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で作ることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略することも可能である。
【０１０３】
蓋膜２５０の上には共通電極２７０が形成されている。
【０１０４】
共通電極２７０には複数の切開部（７１ａ、７１ｂ）が形成されている。
【０１０５】
表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が形成されている。配向膜１１、２１は上述した垂直配向膜でありうる。
【０１０６】
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について、図９〜図１０を参照して詳細に説明する。図９の液晶表示装置は図８の等価回路図が適用される。上述した液晶表示装置の重複する説明は省略する。
【０１０７】
図９は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図１０は図９の液晶表示装置のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【０１０８】
ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）はゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）を含み、ほぼ列方向（横方向）に延びている。データ線１７１はソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）を含み、ほぼ行方向（縦方向）に延びている。
ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）及びデータ線１７１は、少なくとも一つの端部（１２９ａ、１２９ｂ、１７９）を含むことができる。
【０１０９】
半導体層（１５１、１５４ａ、１５４ｂ）及びオーミックコンタクト層（１６１、１６３ａ、１６５ａ）は、ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）及びデータ線１７１の間に位置することができる。
【０１１０】
保護膜１８０はデータ線１７１の上に位置する。保護膜１８０は、上部保護膜１８０ｑ、下部保護膜１８０ｐ、またはこれら両方を含むことができる。保護膜１８０は、無機絶縁物質、有機絶縁物質、またはこれらの混合物を含むことができる。保護膜１８０は、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を通じてドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の拡張部（１７７ａ、１７７ｂ）を露出させることができる。保護膜１８０は、コンタクトホール（１８１ａ、１８１ｂ、１８２）を通じて端部（１２９ａ、１２９ｂ、１７９）を露出させることができる。
【０１１１】
画素電極１９１、遮蔽電極（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）８８、及び接触部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１、８２は、保護膜１８０の上に位置し、これらは独立的に透明導電性物質または反射性物質を含むことができる。例えば、透明導電性物質はＩＴＯ、ＩＺＯなどがあり、反射性物質はアルミニウム、銀、クロム、これらの合金などがある。
【０１１２】
第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）は、第１副画素電極１９１ａと接続されているドレイン電極１７５ａ、１７７ａ、ゲート電極１２４ａ、及びソース電極１７３ａを含む。また、第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）は、第２副画素電極１９１ｂと接続されているドレイン電極１７５ｂ、１７７ｂ、ゲート電極１２４ｂ、及びソース電極１７３ｂを含む。
【０１１３】
第１副画素電極１９１ａは、データ線１７１とほぼ平行な縦辺、及びゲート線１２１と斜角をなす一対の屈曲辺を有し、ほぼ台形の形状である。
【０１１４】
第２副画素電極１９１ｂは、第１副画素電極１９１ｂと行方向に隣接してゲート線１２１またはデータ線１７１とほぼ平行な四つの主辺を有し、左側角が面取りされている。画素電極１９１の面取りされた斜辺は、ゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。
【０１１５】
第２副画素電極１９１ｂには、第１上部切開部９１ａ、第１下部切開部９１ｂ、第２上部切開部９２ａ、及び第２下部切開部９２ｂが形成されており、画素電極１９１ｂはこれら切開部（９１ａ〜９２ｂ）によって複数の領域（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）に分割される。切開部（９１ａ〜９２ｂ）は、画素電極１９１を二等分する維持電極線１３１に対してほぼ反転対称を成す。
【０１１６】
下部切開部及び上部切開部（９１ａ〜９２ｂ）は、ほぼ画素電極１９１の左側辺から右側辺に斜めに延びており、維持電極線１３１に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部切開部及び上部切開部（９２ａ、９２ｂ）はゲート線１２１に対して約４５°の角度をなして、互いに垂直に延びている。
【０１１７】
したがって、第２画素電極１９１ｂの下半部は第１下部切開部９１ｂ及び第２下部切開部９２ｂによって三つの領域に分割され、上半部も第１上部切開部９１ａ及び第２上部切開部９２ａによって三つの領域で分割される。この時、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変化することができる。
【０１１８】
共通電極２７０は複数の切開部（７１〜７５）を有する。一つの切開部（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ）の集合は一つの画素電極１９１と対向し、第１切開部７１、第１上部切開部７２ａ、第１下部切開部７２ｂ、第２上部切開部７３ａ、及び第２下部切開部７３ｂを含む。切開部（７１〜７３ｂ）のそれぞれは、画素電極１９１の隣接する切開部（９１ａ〜９２ｂ）の間、または画素電極１９１の隣接する切開部（９１ａ〜９１ｂ）と第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂとの境界部の間に配置されている。また、各切開部（７１〜７３ｂ）は、画素電極１９１の切開部（９１ａ〜９２ｂ）とほぼ平行に延びた少なくとも一つの斜線部を含み、各斜線部には凹状の少なくとも一つの切欠（ｎｏｔｃｈ）がある。切開部（７１〜７３ｂ）は維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなす。
【０１１９】
表示板（１００、２００）の内側面には配向膜（１１、２１）を形成することができる。配向膜（１１、２１）は上述した垂直配向膜であってもよい。
【０１２０】
表示板（１００、２００）の外側には偏光子（１２、２２）を形成することができる。
【０１２１】
以下、実施形態を通じて本発明についてさらに詳細に説明するが、下記の実施形態は本発明の実施形態に過ぎず、本発明が下記の実施形態に限定されることではない。
［実施形態１］
前記化学式３で表示される化合物３７．５モル％、前記化学式４で表される化合物１２．５モル％、下記の化学式５で表される化合物１５モル％、及び下記の化学式６で表示される化合物３５モル％を混合して、ポリイミドを合成する。
【０１２２】
【化９】
0005539813.tif 000010
【０１２３】
【化１０】
0005539813.tif 000011
【０１２４】
前記化学式３乃至６で表示される化合物の固形分の濃度は６．４％である。溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドンとブチルセロソルブを４６．６：５３．４の比率で混合して使用する。溶液状態のイミド化率は８２％であり、摂氏２００度での硬化（ｂａｋｅ）後のイミド化率は８２％である。粘度は１９．６Ｃｐであり、数平均分子量は２２，０００であり、重量平均分子量は５８，０００である。
［比較例１］
下記化学式９で表される化合物５０モル％、前記化学式６で表示される化合物３５モル％、下記の化学式７で表される化合物５モル％、下記の化学式８で表される化合物１０モル％及びエポキシ化合物４モル％を混合して、ポリイミドを合成する。
【０１２５】
【化１１】
0005539813.tif 000012
【０１２６】
【化１２】
0005539813.tif 000013
【０１２７】
【化１３】
0005539813.tif 000014
【０１２８】
前記化学式６乃至９で表される化合物及びエポキシ化合物の固形粉の濃度は６．５％である。溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ブチルセロソルブ、及びガンマ−ブチロラクトンを、３０：３０：４０の比率で混合して使用する。溶液状態のイミド化率は７５％であり、摂氏２００度での硬化（ｂａｋｅ）後のイミド化率は８５％である。粘度は２３Ｃｐであり、数平均分子量は１４，８００であり、重量平均分子量は８０，０００である。
【０１２９】
光特性測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、光特性を測定して下記表１に示した。
【０１３０】
【表１】
0005539813.tif 000015
【０１３１】
実施形態１と比較例１の光特性が類似していることが分かる。
【０１３２】
プレチルト測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、ラビングを実施した後のプレチルト角度を測定した。ラビングのローラ速度は１０００ｒｐｍであり、ステージ速度は５０ｍｍ／ｓであり、パイルコンタクト長さ（ｐｉｌｅ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌｅｎｇｔｈ）は０．２ｍｍである。
【０１３３】
実施形態１のプレチルト角度は８７．５度であり、比較例１のプレチルト角度は８４．８度である。したがって、実施形態１はラビング後にもプレチルト角度がさらに大きいので、実施形態１の垂直配向力がより良い。これによって、白色点ムラ（ｗｈｉｔｅ  ｓｐｏｔ  ｓｔａｉｎ）と関係した滴下ムラが減少できる。
【０１３４】
電圧維持比率（ｖｏｌｔａｇｅ  ｈｏｌｄｉｎｇ  ｒａｔｅ、ＶＨＲ）測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、ＶＨＲを測定して図１１に示した。測定は、摂氏６０度、電圧１Ｖを１６．６７ｍｓ印加して行った。
【０１３５】
熱またはＵＶ条件で実施形態１のＶＨＲが高いことが分かる。これによって、黒色点ムラ（ｂｌａｃｋ  ｓｐｏｔ  ｓｔａｉｎ）と関係した滴下ムラが減少でき、配向膜の信頼性が増加する。
【０１３６】
イオン密度測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、液晶層に含まれているイオン不純物の量を測定して図１２に示した。測定は、摂氏７０度で行った。
【０１３７】
熱またはＵＶ条件で実施形態１のイオン密度が低いことが分かる。これによって、黒色点ムラと関係した滴下ムラが減少でき、配向膜の信頼性が増加する。
【０１３８】
残留ＤＣ測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、残留ＤＣを測定して下記表２に示した。フリッカーフリー方法（ｆｌｉｃｋｅｒ  ｆｒｅｅ  ｍｅｔｈｏｄ）を用いて測定する。ＡＣ５．８Ｖ駆動下にＤＣオフセット電圧１Ｖをそれぞれ２４時間印加した後に残留ＤＣを測定し、７２時間印加した後に残留ＤＣを測定する。
【０１３９】
液晶表示装置にＤＣ電圧を加えると、イオン不純物の偏極化によって一方の電極にイオン不純物が積もり、電圧を加えない場合にも電極に電界があるように示されるものを残留ＤＣという。
【０１４０】
【表２】
0005539813.tif 000016
【０１４１】
熱またはＵＶ条件下で、実施形態１の残留ＤＣが低いことが分かる。これによって、黒色点ムラと関係した滴下ムラが減少でき、配向膜の信頼性が増加する。
【０１４２】
高温高湿測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、高温高湿下でＶＨＲの変化を測定して図１３Ａ及び図１３Ｂに示した。図１３Ａは実施形態１に対するグラフであり、図１３Ｂは比較例１に対するグラフである。
【０１４３】
摂氏８０度、相対湿度９０％の条件下で１日、３日、及び７日間液晶表示装置を放置する。次に、それぞれの液晶表示装置に液晶を注入した後、摂氏６０度でＶＨＲの変化量を測定する。
【０１４４】
実施形態１のＶＨＲが大きいことが分かる。これによって、配向膜の信頼性が増加できる。
【０１４５】
残像測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成した後、高温で長時間液晶表示装置を駆動して残像を測定し、下記表３に示した。
【０１４６】
【表３】
0005539813.tif 000017
【０１４７】
実施形態１の配向膜の残像が少なくて、さらに信頼性に優れたことが分かる。
【０１４８】
印刷不良測定
前記実施形態１及び比較例１で製造されたポリイミドを利用して、液晶表示装置に配向膜を形成する際に、配向膜が均一に塗布されたかを測定して図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ及び、図１５Ｂに示した。図１４Ａ、図１４Ｂは、それぞれ、画素に異物がない時の実施形態１及び比較例１の液晶表示装置を撮影した写真であり、図１５Ａ、図１５Ｂは、それぞれ、画素に異物がある時の実施形態１及び比較例１の液晶表示装置を撮影した写真である。図14Bと図15Bでは図14Aと図15Aと比較して、よりムラが大きいことが分かる。画素の異物の有無と無関係に、実施形態１が比較例１より配向膜の印刷不良がさらに少ないことが分かる。
【０１４９】
本発明によれば、配向膜の印刷不良を減らすことができる。また、滴下ムラを減らすことができる。また、配向膜の信頼性を改善することができる。さらに、配向膜の再加工率（ｒｅｗｏｒｋｒａｔｉｏ）を減らすことができる。 
【０１５０】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【０１５１】
３  液晶層
１２、２２  偏光板
１１、２１  配向膜
１００  第１表示板
１２１  ゲート線
１３１  維持電極線
１７１、１７１ａ、１７１ｂ  データ線
１９１、１９１ａ、１９１ｂ  画素電極
２００  第２表示板
【図１】
0005539813.tif 000023
【図２】
0005539813.tif 000024
【図３】
0005539813.tif 000025
【図４】
0005539813.tif 000026
【図５】
0005539813.tif 000027
【図６】
0005539813.tif 000028
【図７】
0005539813.tif 000029
【図８】
0005539813.tif 000030
【図９】
0005539813.tif 000031
【図１０】
0005539813.tif 000032
【図１１】
0005539813.tif 000033
【図１２】
0005539813.tif 000034
【図１３Ａ】
0005539813.tif 000035
【図１３Ｂ】
0005539813.tif 000036
【図１４Ａ】
0005539813.tif 000037
【図１４Ｂ】
0005539813.tif 000038
【図１５Ａ】
0005539813.tif 000039
【図１５Ｂ】
0005539813.tif 000040