(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウント基板の上面の一側部にサブマウント基板が実装され、
前記サブマウント基板はシリコン基板であり、前記サブマウント基板の上面に導波路形成用溝が形成され、この導波路形成用溝内に、光を導波するコアと、このコアを周囲から覆って保持するクラッドとで構成されて、外部導波路と接続する内部導波路が配設され、
電気信号を光信号に変換して発光するまたは受光して光信号を電気信号に変換する光素子は、前記サブマウント基板に実装され、
前記サブマウント基板の前記導波路形成用溝内における前記光素子の真下となる位置に、光素子の光の光路を略９０°変換するミラー部が形成され、前記光素子と光学的に結合する前記内部導波路は、前記ミラー部から前記サブマウント基板の端面まで延びるように形成され、
光素子に電気信号を送信するまたは光素子から電気信号を受信するための信号処理部は、前記マウント基板の上面の他側部に実装され、
外部の電気接触端子を着脱可能なコネクタは、前記マウント基板の前記サブマウント基板と前記信号処理部とが実装される上面と反対の下面で、かつ前記サブマウント基板と前記信号処理部とに跨るほぼ真下の位置に実装若しくは形成されていることを特徴とする光電気変換装置。
【請求項２】
前記サブマウント基板側とマウント基板側との電気的接続は、ワイヤーボンディングであることを特徴とする請求項１に記載の光電気変換装置。
【請求項３】
前記サブマウント基板側とマウント基板側との電気的接続は、面実装であることを特徴とする請求項１に記載の光電気変換装置。
【請求項４】
前記サブマウント基板に、外部導波路と導波路とを光結合するために位置合わせする嵌合部を形成していることを特徴とする請求項１に記載の光電気変換装置。
【請求項５】
前記サブマウント基板には、光素子として、発光素子と受光素子とを実装していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電気変換装置。
【請求項６】
前記光電気変換装置として、発光側光電気変換部と受光側光電気変換部とを備え、これら両部の導波路を接続する外部導波路はフレキシブルであり、
これら両部のマウント基板の配線パターンは、電気信号を伝達するフレキシブル基板の回路パターンで接続していることを特徴とする請求項１に記載の光電気変換装置。
【請求項７】
前記フレキシブル基板は、マウント基板のサブマウント基板が実装される面およびその反対の面との少なくとも一方の面に接続していることを特徴とする請求項６に記載の光電気変換装置。
【請求項８】
前記フレキシブル基板は、２層に形成したマウント基板の間に挟んで接続していることを特徴とする請求項６に記載の光電気変換装置。
【請求項９】
前記フレキシブル基板がマウント基板を兼ねていることを特徴とする請求項６に記載の光電気変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子を備えた光電気変換装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光電気変換装置としては、電気信号を光信号に変換して発光する発光素子と、この発光素子に電気信号を送信するためのＩＣ回路（信号処理部）が形成され、発光素子が発光する側と反対側から一方面に実装される基板が設けられている。また、発光素子から基板の一方面と直交する方向に延びるように配設されて、発光素子が発光する光を伝送する導波路を設けたものが知られている（特許文献１参照）。以下では、発光素子と受光素子とを、単に光素子と言うことがある。
【特許文献１】特開２００１−４２１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、基板に、光素子と信号処理部（ＩＣ回路若しくはＩＣ基板）とが実装されているような場合、光素子と信号処理部とを個別に検査することが困難であるという問題がある。
【０００４】
また、光素子と信号処理部のいずれかが不良であると、基板全体がロスになるという問題がある。
【０００５】
さらに、信号処理部からの熱が光素子の発光特性や受光特性に影響をもたらす場合には、熱影響が及ばないようにしなければならない。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑み、光素子と信号処理部とを個別に検査することができ、いずれかが不良であっても、基板全体がロスにならず、信号処理部からの熱影響が光素子に及ばないようにした光電気変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、マウント基板の上面の一側部にサブマウント基板が実装され、前記サブマウント基板はシリコン基板であり、前記サブマウント基板の上面に導波路形成用溝が形成され、この導波路形成用溝内に、光を導波するコアと、このコアを周囲から覆って保持するクラッドとで構成されて、外部導波路と接続する内部導波路が配設され、電気信号を光信号に変換して発光するまたは受光して光信号を電気信号に変換する光素子は、前記サブマウント基板に実装され、前記サブマウント基板の前記導波路形成用溝内における前記光素子の真下となる位置に、光素子の光の光路を略９０°変換するミラー部が形成され、前記光素子と光学的に結合する前記内部導波路は、前記ミラー部から前記サブマウント基板の端面まで延びるように形成され、光素子に電気信号を送信するまたは光素子から電気信号を受信するための信号処理部は、前記マウント基板の上面の他側部に実装され、外部の電気接触端子を着脱可能なコネクタは、前記マウント基板の前記サブマウント基板と前記信号処理部とが実装される上面と反対の下面で、かつ前記サブマウント基板と前記信号処理部とに跨るほぼ真下の位置に実装若しくは形成されていることを特徴とする光電気変換装置を提供するものである。
【００１０】
前記サブマウント基板側とマウント基板側との信号処理部との電気的接続は、ワイヤーボンディングであることが好ましい。
【００１１】
前記サブマウント基板側とマウント基板側との電気的接続は、面実装であることが好ましい。
【００１３】
前記サブマウント基板に、外部導波路と導波路とを光結合するために位置合わせする嵌合部を形成していることが好ましい。
【００１４】
前記サブマウント基板には、光素子として、発光素子と受光素子とを実装していることが好ましい。
【００１５】
前記光電気変換装置として、発光側光電気変換部と受光側光電気変換部とを備え、これら両部の導波路を接続する外部導波路はフレキシブルであり、これら両部のマウント基板の配線パターンは、電気信号を伝達するフレキシブル基板の回路パターンで接続している構成とすることができる。
【００１６】
前記フレキシブル基板は、マウント基板のサブマウント基板が実装される面およびその反対の面との少なくとも一方の面に接続している構成とすることができる。
【００１７】
前記フレキシブル基板は、２層に形成したマウント基板の間に挟んで接続している構成とすることができる。
【００１８】
前記フレキシブル基板がマウント基板を兼ねている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、マウント基板の上に実装するサブマウント基板に、光素子を実装するとともに、マウント基板に、信号処理部とコネクタとを実装したものである。これにより、マウント基板の上にサブマウント基板を実装する前に、マウント基板の信号処理部と、サブマウント基板の光素子とは、個別に検査することが容易になる。
【００２０】
また、光素子と信号処理部のいずれかが不良であっても、マウント基板またはサブマウント基板の一方が不良となるだけであるので、基板全体がロスにならなくなる。
【００２１】
さらに、信号処理部を実装したマウント基板では無く、サブマウント基板に光素子が実装されているから、信号処理部からの熱影響が光素子に及びにくくなって、発光特性が安定するようになる。
【００２２】
また、サブマウント基板は、サイズを小さくできるので、シリコンウェハ等からの取数が増えて、低コスト化が可能になる。さらに、サブマウント基板の導波路形成用溝内に内部導波路とミラー部とを形成すれば、光電気変換装置の薄型化が可能となる。
【００２３】
また、マウント基板の上面の一側部にサブマウント基板を実装し、マウント基板の上面の他側部に信号処理部を実装し、マウント基板の下面で、サブマウント基板と信号処理部とに跨るほぼ真下の位置にコネクを実装若しくは形成しているから、マウント基板の両面を実装面若しくは形成面として利用できるので、光電気変換装置の実装・形成面積を低減できるようになる。
【００２５】
一方、本発明の好ましい形態として、サブマウント基板側とマウント基板側との電気的接続がワイヤーボンディングであれば、接続の信頼性が向上するようになる。
【００２６】
また、サブマウント基板側とマウント基板側との電気的接続が面実装であれば、接続の信頼性が向上するようになる。また、リフロー等により一括接続が可能となり、工数を短縮できるようになる。
【００２８】
また、位置合わせ用の嵌合部を形成すれば、サブマウント基板の導波路と外部導波路との光結合精度が向上するようになる。
【００２９】
さらに、光素子としての発光素子と受光素子とを同一のサブマウント基板に実装すれば、光電気変換装置が双方向モジュールとなるので、小型化が可能になる。また、双方向モジュールは、個別に検査が可能となる。
【００３０】
また、発光側光電気変換部と受光側光電気変換部との間で光信号と電気信号とを伝送する際、光信号用の光コネクタ（外部導波路）と別に、電気信号用の電気コネクタが必要であった。これに対して、両部のマウント基板の配線パターンを、電気信号を伝達するフレキシブル基板の回路パターンで接続すれば、電気コネクタが不要となる。また、フレキシブル基板と外部導波路は、フレキシブルで屈曲性があるために、配線の自由度が高くなる。これらにより、省スペース、コストダウン、電気コネクタの実装タクトが不要となる。
【００３１】
さらに、フレキシブル基板をサブマウント基板が実装される面に接続すれば、フレキシブル基板と外部導波路との間隔が狭くなるので、フレキシブル基板と外部導波路との屈曲性がよくなる。また、フレキシブル基板をサブマウント基板が実装される面およびその反対の面の双方に接続すれば、フレキシブル基板が２層となるので、電気配線数を増やすことができる。
【００３２】
また、フレキシブル基板は、２層に形成したマウント基板の間に挟んで接続すれば、マウント基板の両面がリジッドとなるため、いずれかの面がフレキシブル基板となる場合と比較して、部品やワイヤボンドの密着強度が大きくとれるので、実装信頼性がよくなる。
【００３３】
さらに、フレキシブル基板がマウント基板を兼ねていれば、マウント基板をリジッドなものを用いる場合と比較して、マウント基板の厚みをフレキシブル基板と同じ厚さまで薄くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３５】
図１に、本発明の第１実施形態に係る光電気変換装置１Ａを示す。この光電気変換装置１Ａは、一方（図１では左側）の配線基板２に電気コネクタ（以下、単にコネクタという）６，７同士の嵌合によって装着される発光側光電気変換部（Ｅ／Ｏモジュールともいう）１Ａ１を備えている。また、他方（図１では右側）の配線基板２にコネクタ６，７同士の嵌合によって装着される受光側光電気変換部（Ｏ／Ｅモジュールともいう）１Ａ２を備えている。さらに、これらの変換部１Ａ１，１Ａ２を光学的に連結する外部導波路９を備えている。
【００３６】
なお、本明細書では、図１の上下方向を光電気変換装置１Ａの上下方向、図１の紙面と直交する方向を光電気変換装置１Ａの左右方向というとともに、発光側光電気変換部１Ａ１に対しては図１の右側を前方、左側を後方といい、受光側光電気変換部１Ａ２に対しては図１の左側を前方、右側を後方という。
【００３７】
図６にも示すように、発光側光電気変換部１Ａ１は、平面視で前後方向に延びる長方形状をなすマウント基板３を備えている。
【００３８】
このマウント基板３の上面３ｃの前側部には、サブマウント基板１２の下面が接着等で実装されている。このサブマウント基板１２の上面には、電気信号を光信号に変換して発光する発光素子４Ａが実装されているとともに、発光素子４Ａと光学的に結合する内部導波路３１が形成されている。
【００３９】
サブマウント基板１２の上面には、発光素子４Ａの真下となる位置に、発光素子４Ａが発光する光の光路を略９０°変換するミラー部３３が形成されている。この発光素子４Ａと光学的に結合する内部導波路３１は、ミラー部３３からサブマウント基板１２の前端面まで延びるように形成されている。
【００４０】
さらに、マウント基板３の上面３ｃの後側部には、発光素子４Ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）５が実装されている。
【００４１】
また、マウント基板３の下面３ａには、コネクタ６が実装されている。このコネクタ６は、図１からも明らかなように、マウント基板３の下面３ａで、かつサブマウント基板１２とＩＣ基板（信号処理部）５とに跨るほぼ真下の位置に実装されている。
【００４２】
マウント基板３の上面３ｃには、発光素子４Ａの駆動用電源ラインや信号ライン等の配線パターン３６が形成されている。
【００４３】
前記発光素子４Ａとしては、半導体レーザーであるＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）が採用されている。なお、発光素子４Ａとしては、ＬＥＤ等も採用可能である。しかし、ＬＥＤ等は指向性がなく、内部導波路３１に光結合する割合が小さいので、光の効率に余裕があることが条件となり、その場合には低価格という点で有利である。
【００４４】
前記ＩＣ基板５は、ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣである。そして、発光素子４ＡおよびＩＣ基板５は、金等のワイヤー１３でマウント基板３の配線パターン３６に接続されている（ワイヤーボンディング）。なお、ワイヤー１３や配線パターン３６は、封止樹脂１４により封止されている。
【００４５】
サブマウント基板１２は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光伝送効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の熱影響による位置変動を極力抑制する必要がある。このため、サブマウント基板１２としては、シリコン基板が採用されている。また、サブマウント基板１２は、発光素子４Ａと線膨張係数の近い材料で構成されていることが好ましく、シリコン以外には、ＶＣＳＥＬ材料と同系統のＧａＡｓ等の化合物半導体で構成されていてもよい。または、線膨張係数や熱伝導率の良い材料として窒化アルミや窒化ケイ素等のセラミックス材料でもよい。
【００４６】
ミラー部３３は、サブマウント基板１２がエッチングされることにより形成された４５°傾斜面に金やアルミニウムを蒸着することにより形成することができる。なお、４５°傾斜面は、例えば水酸化カリウム溶液による異方性エッチングにより形成することができる。
【００４７】
内部導波路３１は、サブマウント基板１２の上面に沿って形成されており、発光素子４Ａが発光する光をサブマウント基板１２の上面と平行な方向に伝送するものである。この内部導波路３１は、屈折率の異なる２種類の樹脂から構成されている。
【００４８】
具体的には、内部導波路３１は、光を導波するコアと、このコアを周囲から覆って保持するクラッドとで構成されており、サブマウント基板１２の上面に形成された導波路形成用溝内に配設されている。コアは屈折率の高い樹脂からなり、クラッドは屈折率の低い樹脂からなっている。コアおよびクラッドのサイズは、発光素子４Ａの発散角度と後述する受光素子４Ｂの受光径等による光損失計算から決定される。なお、内部導波路３１は、樹脂以外にも石英等の光透過性のある材料であれば無機材料で構成されていてもよい。
【００４９】
サブマウント基板１２の前端面には、外部導波路９が光学用接着剤によって接合されるようになっており、この接合により、内部導波路３１は外部導波路９と光学的に結合されるようになる。すなわち、ミラー部３３および内部導波路３１によって、本発明の導波路が構成される。なお、ミラー部３３から外部導波路９までの距離が短ければ、単に空気中に光を伝搬させるようにしても損失が少ない場合がある。この場合には、内部導波路３１を省略して、ミラー部３３から外部導波路９に直接光を入射させるようにしてもよい。
【００５０】
外部導波路９は、樹脂光導波路を薄型化したフレキシブルなフィルム状のものを用いた方が取り扱い上便利である。つまり、フィルム状の外部導波路９であれば、屈曲性に優れており、例えば携帯電話等の折り曲げ部に使用しても問題ない。折り曲げの曲率によっては光の損失が発生することもあるが、これはコアとクラッドの屈折率差を大きくすることによって低減させることが可能である。なお、外部導波路９としては、フィルム状のもの以外でも、石英系ファイバやプラスチックファイバであってもよい。
【００５１】
サブマウント基板１２の前端面と外部導波路９との接合は、具体的には、サブマウント基板１２と外部導波路９との隙間を５〜３０μｍにし、その隙間に接着剤を充填して、紫外線により接着剤を硬化させることにより行う。または、サブマウント基板１２と外部導波路９との隙間を１００μｍ程度にしたときに接着剤を充填し、その後にサブマウント基板１２と外部導波路９との隙間を小さくするようにすれば、接着剤を不足することなく充填することができる。
【００５２】
受光側光電気変換部１Ａ２の基本的な構成は、発光側光電気変換部１Ａ１と同様であるため、詳細な説明は省略するが、受光素子は、符号４Ｂで示している。
【００５３】
そして、発光側光電気変換部１Ａ１および受光側光電気変換部１Ａ２に、上述したように外部導波路９を接合すれば、発光側光電気変換部１Ａ１と受光側光電気変換部１Ａ２とが光学的に連結されるようになる。
【００５４】
第１実施形態の光電気変換装置１Ａでは、マウント基板３の上面３ｃに実装するサブマウント基板１２の上面に、発光素子４Ａを実装するとともに、マウント基板３の上面３ｃにＩＣ基板５を実装し、下面３ａにコネクタ６を実装したものである。
【００５５】
これにより、マウント基板３の上面３ｃにサブマウント基板１２を実装する前に、マウント基板３のＩＣ基板５と、サブマウント基板１２の発光素子４Ａとは、個別に検査することが容易になる。
【００５６】
また、発光素子４ＡとＩＣ基板５のいずれかが不良であっても、マウント基板３またはサブマウント基板１２の一方が不良となるだけであるので、基板全体がロスにならなくなる。
【００５７】
さらに、ＩＣ基板５を実装したマウント基板３ではなく、サブマウント基板１２に発光素子４Ａが実装され、ミラー部３３および内部導波路３１が形成されている。これにより、ＩＣ基板５からの熱影響が発光素子４Ａに及びにくくなって、発光特性が安定するようになる。
【００５８】
また、サブマウント基板１２は、サイズを小さくできるので、シリコンウェハ等からの取数が増えて、低コスト化が可能になる。
【００５９】
さらにまた、サブマウント基板１２の導波路形成用溝内に内部導波路３１とミラー部３３とを形成することにより、光電気変換装置の薄型化が可能となる。
【００６０】
また、マウント基板３のサブマウント基板１２が実装される上面３ｃと反対の下面３ａに、コネクタ６を実装することで、マウント基板３の両面を実装面として利用できるので、光電気変換装置の実装面積を低減できるようになる。
【００６１】
さらに、サブマウント基板１２側とマウント基板３側の電気的接続がワイヤーボンディングであるので、接続の信頼性が向上するようになる。
【００６２】
図２は、第２実施形態の光電気変換装置１Ｂである。第１実施形態の光電気変換装置１Ａと相違する点は、ＩＣ基板５は、金または半田からなるバンプ１１でマウント基板３の配線パターン３６に接続したことである。このように、ＩＣ基板５を金または半田からなるバンプ１１でマウント基板３の配線パターン３６に接続することで、ワイヤーボンディング接続するよりも高周波特性に優れるようになる（インピーダンス整合が取り易い）。
【００６３】
図３は、第３実施形態の光電気変換装置１Ｃである。第１実施形態の光電気変換装置１Ａと相違する点は、ＩＣ基板５は、金または半田からなるバンプ１１でマウント基板３の配線パターン３６に接続する。また、サブマウント基板１２は、上下逆向きに反転されて、金または半田からなるバンプ１１でマウント基板３の配線パターン３６に接続したことである。
【００６４】
このように、ワイヤーボンディング接続を全て無くすることにより、さらに高周波特性を向上させることができる。また、ワイヤーに外部ノイズが印加されることが防止でき、ノイズ特性にも優れるようになる。また、サブマウント基板１２側とマウント基板３側の電気的接続が面実装であるので、接続の信頼性が向上するようになる。
【００６５】
図４（ａ）は、第４実施形態の光電気変換装置１Ｄである。第１実施形態の光電気変換装置１Ａと相違する点は、コネクタ６に代えて、マウント基板３の上面３ｃに、ＳＤカード等１７を差し込むための電気接続端子１５を有するスロット（コネクタ）１８を設けたことである。これにより、マウント基板３の上面（片面）３ｃにサブマウント基板１２とスロット（コネクタ）１８とを実装するので、光電気変換装置の薄型化が可能となる。なお、図４（ｂ）に示すように、マウント基板３の上面３ｃに、電気接続端子１５を設けるとともに、相手の基板５０にスロット（コネクタ）１８を設けることもできる。
【００６６】
図５は、第５実施形態の光電気変換装置１Ｅである。第１実施形態の光電気変換装置１Ａと相違する点は、マウント基板３のサブマウント基板１２やＩＣ基板５をシールドカバー１９でカバーしたことである。これにより、シールドカバー１９をマウント基板３のグランドと接続することで、外部ノイズに対する影響を低減することができる。また、自己放射ノイズを外部に放出することを抑制できる。
【００６７】
図７（ａ）（ｂ）は、第６実施形態の光電気変換装置１Ｆである。第１実施形態の光電気変換装置１Ａと相違する点は、発光側光電気変換部１Ａ１と受光側光電気変換部１Ａ２のマウント基板３の配線パターン３６を、電気信号を伝達するフレキシブル基板２２の回路パターン２２ａで接続している点である。
【００６８】
すなわち、発光側光電気変換部１Ａ１と受光側光電気変換部１Ａ２との間で光信号と電気信号とを伝送する際、光信号用の光コネクタ（外部導波路９）と別に、図１には具体的に図示していないが、電気信号用の電気コネクタが必要であった。つまり、電源供給、グランド配線、光信号の伝達を安定動作せるためのフィードバック制御等のためである。
【００６９】
これに対して、第６実施形態の光電気変換装置１Ｆでは、外部導波路９はフレキシブルであることを前提としている。そして、発光側と受光側の光電気変換部１Ａ１，１Ａ２のマウント基板３の配線パターン３６を、フレキシブル基板２２の回路パターン２２ａで接続している。なお、回路パターン２２ａ，２２ｆの部分は、分かりやすくするために、ハッチングで表示している。
【００７０】
具体的には、発光側と受光側の光電気変換部１Ａ１，１Ａ２のフレキシブル基板２２の端部２２ｂ，２２ｃは、その側のマウント基板３と同じ外形状に形成されて、各マウント基板３の下面に接続している。
【００７１】
また、フレキシブル基板２２の回路パターン２２ａは、図７（ｂ）では、発光側と受光側の光電気変換部１Ａ１，１Ａ２のマウント基板３の配線パターン３６を、２本の回路パターン２２ａで接続している。なお、回路パターン２２ａは、簡略化のために２本としたが、２本に限られるものではない。
【００７２】
また、発光側と受光側の光電気変換部１Ａ１，１Ａ２のフレキシブル基板２２の回路パターン２２ａの端部２２ｄ，２２ｅは、各電気コネクタ６の端子６ａに接続している。フレキシブル基板２２には、別に多数の回路パターン２２ｆが形成されて、各回路パターン２２ｆは、各電気コネクタ６の適宜な端子に接続している。なお、２２ｇはスルーホールであり、第５実施形態のシールドカバー１９の脚部等を差し込んで、フレキシブル基板２２のグランド用回路パターン２２ｆと接続している。
【００７３】
また、フレキシブル基板２２の回路パターン２２ａ，２２ｆは、マウント基板３、サブマウント基板１２、ＩＣ基板５等の回路や部品に接続してもよい。
【００７４】
第６実施形態の光電気変換装置１Ｆであれば、発光側と受光側の光電気変換部１Ａ１，１Ａ２のマウント基板３の配線パターン３６を、電気信号を伝達するフレキシブル基板２２の回路パターン２２ａで接続することにより、電気コネクタが不要となる。
【００７５】
また、フレキシブル基板２２と外部導波路９は、フレキシブルで屈曲性があるために、配線の自由度が高くなる。これらにより、省スペース、コストダウン、電気コネクタの実装タクトが不要となる。
【００７６】
図７（ａ）（ｂ）では、フレキシブル基板２２をマウント基板３の下面に接続したが、図８（ａ）のように、フレキシブル基板２２をマウント基板３の上面に接続することができる。
【００７７】
このようにすれば、フレキシブル基板２２をサブマウント基板１２が実装されるマウント基板３の上面に接続できるから、フレキシブル基板２２と外部導波路９との間隔ｔが狭くなるので、フレキシブル基板２２と外部導波路９との屈曲性がよくなる。
【００７８】
また、図８（ｂ）のように、フレキシブル基板２２は、マウント基板３の上面と下面の双方に接続することができる。
【００７９】
このようにすれば、フレキシブル基板２２が２層となるので、電気配線数を増やすことができる。
【００８０】
さらに、図８（ｃ）のように、フレキシブル基板２２は、２層に形成したマウント基板３（３ｄ，３ｅ）の間に挟んで接続することができる。
【００８１】
このようにすれば、マウント基板３（３ｄ，３ｅ）の両面がリジッドとなるため、いずれかの面がフレキシブル基板２２となる場合〔図８（ａ）（ｂ）参照〕と比較して、部品やワイヤボンドの密着強度が大きくとれるので、実装信頼性がよくなる。
【００８２】
さらにまた、図８（ｄ）のように、フレキシブル基板２２をマウント基板３に兼用することができる。すなわち、リジッドなマウント基板３を省略して、フレキシブル基板２２の端部２２ｂ，２２ｃをマウント基板３´として利用するのである。
【００８３】
このようにすれば、マウント基板３をリジッドなものを用いる場合と比較して、マウント基板３´の厚みをフレキシブル基板２２と同じ厚さまで薄くできる。
【００８４】
前記各実施形態において、サブマウント基板１２の内部導波路３１と外部導波路９とを光結合するために位置合わせする嵌合形状を形成することが好ましい。
【００８５】
すなわち、図９（ｂ）に示すように、サブマウント基板１２の上面には、内部導波路３１のコア３１ａを中心にした左右位置に、略台形状（勾配状）の嵌合凹部１２ａ，１２ｂがそれぞれ形成されている。なお、クラッドの図示は省略している。
【００８６】
また、図９（ａ）に示すように、外部導波路９の下面には、コア９ａを中心にした左右位置に、サブマウント基板１２の各嵌合凹部１２ａ，１２ｂに嵌り合い可能な略台形状（勾配状）の嵌合凸部９ｂ，９ｃがそれぞれ形成されている。なお、クラッドの図示は省略している。
【００８７】
そして、図１０に示すように、サブマウント基板１２の各嵌合凹部１２ａ，１２ｂに、外部導波路９の各嵌合凸部９ｂ，９ｃをそれぞれ嵌め合わせる。
【００８８】
これにより、サブマウント基板１２の内部導波路３１のコア３１ａと、外部導波路９のコア９ａとが、互いに左右方向（幅方向）にずれないように、軸心を位置合わせすることができる。この結果、サブマウント基板１２の内部導波路３１と外部導波路９との光結合精度が向上するようになる。
【００８９】
前記各実施形態は、サブマウント基板１２に発光素子４Ａを実装し、発光素子４Ａと光学的に結合する内部導波路３１を形成するとともに、マウント基板３に、発光素子４Ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（Ｄｒｖ−ＩＣ）５を実装した単方向モジュールであった。
【００９０】
これに対して、図１１（ａ）に示すように、サブマウント基板１２に発光素子（ＶＣＳＥＬ）４Ａと受光素子（ＰＤ）４Ｂとを実装するとともに、発光素子４Ａと光学的に結合する内部導波路３１とは別に、受光素子４Ｂと光学的に結合する内部導波路４０を形成する。
【００９１】
また、発光側の外部導波路９とは別に、内部導波路４０と光結合する受光側の外部導波路４１を設ける。
【００９２】
さらに、マウント基板３には、ＩＣ基板（Ｄｒｖ−ＩＣ）５とは別に、受光素子４Ｂからの電気信号を受信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（ＴＩＡ…トランス・インピーダンス・アンプ）４２を実装する。
【００９３】
このようにして、発光素子４Ａと受光素子４Ｂとを同一のサブマウント基板１２に実装することで、光電気変換装置が双方向モジュールとなるので、小型化が可能になる。また、双方向モジュールは、個別に検査が可能となる。なお、図１１（ｂ）のように、ＩＣ基板５，４２を一体化したＩＣ基板（Ｄｒｖ＋ＴＩＡ）４３とすることもできる。
【００９４】
また、図１１（ａ）に対応する図１２（ａ）と、図１１（ｂ）に対応する図１２（ｂ）それぞれに示すように、外部導波路９，４１を一体化（２ｃｈ化）した外部導波路４４とすることもできる。
【００９５】
このようにして、集積化したＩＣ基板（Ｄｒｖ＋ＴＩＡ）４３や外部導波路４４を設ければ、小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光電気変換装置およびこの光電気変換装置が接続される配線基板の概略構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態の光電気変換装置の発光側光電気変換部の要部断面側面図である。
【図３】本発明の第３実施形態の光電気変換装置の発光側光電気変換部の要部断面側面図である。
【図４】（ａ）（ｂ）は、本発明の第４実施形態の光電気変換装置の発光側光電気変換部の要部断面側面図である。
【図５】本発明の第５実施形態の光電気変換装置の発光側光電気変換部の要部断面側面図である。
【図６】第１実施形態に係る発光側光電気変換部の平面図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係る光電気変換装置であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は底面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６実施形態に係る光電気変換装置の変形例の側面図である。
【図９】（ａ）は外部導波路の嵌合形状の斜視図、（ｂ）はサブマウント基板の嵌合形状の斜視図である。
【図１０】図９における外部導波路とサブマウント基板の嵌合状態の平面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は、それぞれ１ｃｈの外部導波路で双方向モジュールとした発光側光電気変換部の平面図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は、それぞれ２ｃｈの外部導波路で双方向モジュールとした発光側光電気変換部の平面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１Ａ〜１Ｆ  光電気変換装置
１Ａ１  発光側光電気変換部
１Ａ２  受光側光電気変換部
２    配線基板
３    マウント基板
３ａ  下面
３ｃ  上面
３１  内部導波路（導波路）
３３  ミラー部
３６  配線パターン
４Ａ  発光素子（光素子）
４Ｂ  受光素子（光素子）
５    ＩＣ基板（信号処理部）
６    電気コネクタ
７    電気コネクタ
９    外部導波路
１２  サブマウント基板
２２  フレキシブル基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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