(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、前記第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成手段と、
前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの寸法と、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段と、
前記半導体装置を製造するために用いられるデータにおける前記第２のパターンと重なる前記第１のパターンを対象として、前記対象の第１のパターンと、前記対象の第１のパターンに隣接する他のパターンとの間の距離、及び、前記対象の第１のパターンの幅に応じて、前記記憶手段に記憶されている前記差分値から前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの移動量を算出する算出手段と、
前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を、所定方向に前記移動量の値に応じて移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する判定手段と、
前記所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力手段と、を備えることを特徴とする検証装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの先端の寸法と、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの先端の寸法との差分値を記憶し、
前記判定手段は、前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を、前記第２のパターンと接触する前記第１のパターンの先端方向に前記移動量の値に応じて移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の検証装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの幅の寸法と、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの幅の寸法との差分値を記憶し、
前記判定手段は、前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を、前記第２のパターンと接触する前記第１のパターンの先端方向及び幅方向に前記移動量の値だけ移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする請求項２に記載の検証装置。
【請求項４】
検証装置が、
半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、前記第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成ステップと、
前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンと、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンとの差分値を記憶する記憶手段を参照するステップと、
前記半導体装置を製造するために用いられるデータにおける前記第２のパターンと重なる前記第１のパターンを対象として、前記対象の第１のパターンと、前記対象の第１のパターンに隣接する他のパターンとの間の距離、及び、前記対象の第１のパターンの幅に応じて、前記記憶手段に記憶されている前記差分値から前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの移動量を算出する算出ステップと、
前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を所定方向に前記移動量の値だけ移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する判定ステップと、
前記所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力ステップと、を実行することを特徴とする検証方法。
【請求項５】
前記記憶手段は、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの先端の寸法と、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの先端の寸法との差分値を記憶し、
前記判定ステップは、前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を、前記第２のパターンと接触する前記第１のパターンの先端方向に前記移動量の値に応じて移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする請求項４に記載の検証方法。
【請求項６】
検証装置に、
半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、前記第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成ステップと、
前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンと、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンとの差分値を記憶する記憶手段を参照するステップと、
前記半導体装置を製造するために用いられるデータにおける前記第２のパターンと重なる前記第１のパターンを対象として、前記対象の第１のパターンと、前記対象の第１のパターンに隣接する他のパターンとの間の距離、及び、前記対象の第１のパターンの幅に応じて、前記記憶手段に記憶されている前記差分値から前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの移動量を算出する算出ステップと、
前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を所定方向に前記移動量の値だけ移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する判定ステップと、
前記所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力ステップと、を実行させるための検証プログラム。
【請求項７】
前記記憶手段は、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの先端の寸法と、前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの先端の寸法との差分値を記憶し、
前記判定ステップは、前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を、前記第２のパターンと接触する前記第１のパターンの先端方向に前記移動量の値に応じて移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする請求項６に記載の検証プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シミュレーションを用いて作成されたデータの検証に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ゲート層や配線層のパターンの幅、隣接パターンまでの距離などの１次元的なルールに従ってレイアウトを検証する方法がある。更に、６５ｎｍノード以降は、上記のような１次元的なルールでは表しきれない現象が顕著となってきており、シミュレーションを用いた検証が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１８１５２３号公報
【特許文献２】特開２００７−２７３８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
シミュレーションを用いて作成されたデータの検証では、例えば、メタル層のパターンとビア層又はコンタクト層のパターンとの接触部分を検証する。この場合、シミュレーションによって半導体基板上に形成されるビア層又はコンタクト層のパターン及びメタル層のパターンを計算する。そして、ビア層又はコンタクト層のパターンとメタル層のパターンとのＡＮＤ図形からビア層又はコンタクト層のパターンとメタル層のパターンとの重なり面積（接触面積）を求める。ビア層又はコンタクト層のパターンとメタル層のパターンとの重なり面積が十分に確保されていない場合、エラーとして検出される。
【０００５】
しかし、シミュレーションを用いた検証では、シミュレーション精度が悪い部分に、メタル層のパターンとビア層又はコンタクト層のパターンとの接触部分がある場合、検証精度が低下するという問題がある。本件は、シミュレーションを用いた検証において、シミュレーション精度が悪い部分についての検証精度の低下を抑制する技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件の一観点によれば、検証装置は、半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成手段と、シミュレーションデータにおける第１のパターンの寸法と、半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された半導体装置が有する第１のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶されている差分値からシミュレーションデータにおける第２のパターンの移動量を算出する算出手段と、シミュレーションデータにおける第２のパターンの位置を、所定方向に移動量の値に応じて移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する判定手段と、所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力手段と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本件によれば、シミュレーションを用いた検証において、シミュレーション精度が悪い部分についての検証精度の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】設計データの一例を示す図である。
【図２】模擬パターン及び製造パターンを示す図である。
【図３】検証装置のハードウェア構成図である。
【図４】検証装置の機能ブロック図である。
【図５】テストパターンの一例を示す図である。
【図６】Ｉ字型差分テーブルの例を示す図である。
【図７】Ｔ字型差分テーブルの例を示す図である。
【図８】実施例１に係る検証方法の処理を示すフロー図である。
【図９】設計データの一部を示す図である。
【図１０】先端近傍エリアが生成された後の設計データを示す図である。
【図１１】先端近傍エリアが生成された後の設計データの一部を示す図である。
【図１２】シミュレーションデータにおける接続層のパターン形状の位置を、所定方向に形状移動量の値に応じて移動する処理の例を示す図である。
【図１３】シミュレーションデータに対して、製造パターンについての接続層のパターン形状を重ね合わした図である。
【図１４】接続層が複数の先端近傍エリアと重なる場合における設計データの一部を示す図である。
【図１５】シミュレーションデータにおける２分割した接続層２のパターン形状の位置を形状移動量の値に応じて所定方向に向けて移動する処理の例を示す図である。
【図１６】テストパターンの一例を示す図である。
【図１７】メタル層のパターン形状の幅方向における寸法差分が記録された差分テーブルの例を示す図である。
【図１８】実施例２に係る検証方法の処理を示すフロー図である。
【図１９】接続層周辺エリアが生成された後の設計データを示す図である。
【図２０】接続層周辺エリアが生成された設計データの一部を示す図である。
【図２１】ＡＮＤ面積の比率を算出する処理の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態に係る検証装置及び検証方法について具体例を挙げて説明する。
【００１０】
本実施形態に係る検証方法では、設計データ（デザインデータ）が参照され、シミュレーションによってメタル層及び接続層のパターンが算出され、メタル層及び接続層のパターンのシミュレーションデータが作成される。そして、本実施形態に係る検証方法では、シミュレーションデータにおけるメタル層のパターンと接続層のパターンとの接触面積（重なり面積）が計算される。図１は、設計データの一例を示す図である。図１に示す設計データには、メタル層１及び接続層２の平面図形が図示されている。
【００１１】
メタル層１は、例えば、半導体装置が備える配線である。接続層２は、例えば、半導体装置が備えるコンタクトやビアである。コンタクトは、配線とゲート層（ゲート電極）とを電気的に導通させる導体、又は、配線と半導体装置が備える活性層（ソース又はドレイン）とを電気的に導通させる導体をいう。ビアは、上層の配線と下層の配線とを電気的に導通させる導体をいう。本実施形態では、コンタクト及びビアの両方を指す場合には、コンタクト・ビアという。
【００１２】
本実施形態に係る検証方法では、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターンと接続層２のパターンとの接触面積が所定基準を満たさない場合、エラー情報が出力される。なお、以下に説明する実施例では、メタル層１及び接続層２のパターンを検証する方法を説明するが、本実施形態はこれに限られない。すなわち、本実施形態に係る検証方法は、ゲート層及び接続層２のパターンを検証する方法に、実施例で説明するメタル層１
及び接続層２のパターンを検証する方法を適用してもよい。また、本実施形態に係る検証方法は、活性層及び接続層２のパターンを検証する方法に、実施例で説明するメタル層１及び接続層２のパターンを検証する方法を適用してもよい。本実施形態では、メタル層１、ゲート層及び活性層のパターンを第１のパターンとも表記し、接続層２のパターンを第２のパターンとも表記する。
【００１３】
パターンは、レジストパターンとデバイスパターンとがある。本実施形態において、パターンと表記する場合、レジストパターン及びデバイスパターンの両方を含むものとする。レジストパターンは、半導体装置が備えるメタル層１、接続層２、ゲート電極等を形成するために用いられるレジストのパターンである。実際の製造プロセスでは、設計データに基づいて、半導体基板上に形成されるフォトレジスト膜に対して露光及び現像の処理を行うことにより、半導体基板上にレジストパターンが形成される。本実施形態では、パターンとは、パターンの全体を指す場合とパターンの一部分を指す場合とがあり、パターンの一部分の形状を指す場合は、パターン形状と表記する。言い換えれば、パターン形状は、パターン全体に含まれる個々のパターンの形状をいう。
【００１４】
メタル層１のレジストパターンは、半導体装置が備えるメタル層１を形成するために用いられるレジストのパターンである。接続層２のレジストパターンは、半導体装置が備える接続層２を形成するために用いられるレジストのパターンである。
【００１５】
デバイスパターンは、半導体装置に形成されたメタル層１、接続層２、ゲート電極、活性層等のパターンである。メタル層１のデバイスパターンは、半導体装置に形成されたメタル層１のパターンである。接続層２のデバイスパターンは、半導体装置に形成された接続層２のパターンである。
【００１６】
パターンを算出するために用いるシミュレーションにはリソグラフィシミュレーション又はエッチングシミュレーションがある。リソグラフィシミュレーションは、露光、現像等の処理の工程を実際の製造プロセスによって行われたかのように模擬して、レジストパターンを算出する技術である。エッチングシミュレーションは、エッチング等の処理の工程を実際の製造プロセスによって行われたかのように模擬して、デバイスパターンを算出する技術である。
【００１７】
なお、本実施形態では、シミュレーションによって算出されるパターンと、実際の製造プロセスによって作成されるパターンとを区別する場合がある。その場合、シミュレーションによって算出されるパターンを模擬パターンといい、実際の製造プロセスによって作成されるパターンを製造パターンという。
【００１８】
模擬パターンと、製造パターンとが乖離する場合がある。例えば、メタル層１のパターン形状の先端部分については、シミュレーション精度が悪く、模擬パターンと製造パターンとの乖離が顕著となる。そのため、メタル層１のパターン形状の先端部分と接続層２のパターン形状との接触面積が、模擬パターンと製造パターンとで異なる場合がある。図２は、メタル層１及び接続層２のパターン形状についての模擬パターン及び製造パターンを示す図である。図２においては、模擬パターンを符号Ａと表記し、製造パターンを符号Ｂと表記する。図２に示すように、メタル層１のパターン形状の先端部分について、模擬パターンと製造パターンとでは寸法が異なる。そのため、メタル層１のパターン形状の先端部分と接続層２のパターン形状との接触面積が、模擬パターンと製造パターンとで異なる。図２に示すように、模擬パターンについては、メタル層１のパターン形状の先端部分と接続層２のパターン形状とが完全に接触しているが、製造パターンについては、メタル層１のパターン形状の先端部分と接続層２のパターン形状とが接触していない部分がある。
【００１９】
本実施形態に係る検証方法では、模擬パターンのパターン形状の寸法と製造パターンのパターン形状の寸法との差分を予め求めておき、模擬パターンのパターン形状の寸法と製造パターンのパターン形状の寸法との差分をテーブルにまとめておく。すなわち、模擬パターンのパターン形状の寸法と製造パターンのパターン形状の寸法との差分をテーブルに記録する。製造パターンのパターン形状の寸法は、例えば、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を使用して測定してもよい。本実施形態では、模擬パターンのパターン形状の寸法と製造パターンのパターン形状の寸法との差分が記録されたテーブルを差分テーブルという。本実施形態では、模擬パターンのパターン形状の寸法と製造パターンのパターン形状の寸法との差分を、寸法差分とも表記する。
【００２０】
図３は、本実施形態に係る検証方法を実行するために用いられる検証装置１０のハードウェア構成図である。図３に示すように、検証装置１０は、コンピュータプログラムを実行することで検証装置１０を制御するCentral Processing Unit（ＣＰＵ、中央処理装置）１１、ＣＰＵ１１で実行されるコンピュータプログラムやＣＰＵ１１が処理するデータを記憶するメモリ１２を有する。また、図３に示すように、検証装置１０は、インターフェース１３、ハードディスク装置１４、可搬媒体駆動装置１５、入力装置１６、表示装置１７を有している。
【００２１】
メモリ１２は、例えば、揮発性のRandom Access Memory（ＲＡＭ）や、不揮発性のRead
Only Memory（ＲＯＭ）等である。インターフェース１３は、通信回線を通じてインターネットなどのネットワークに接続され、ネットワークを介して他の装置に接続される。インターフェース１３は、例えば、モデムやLocal Area Network（ＬＡＮ）アダプタ等である。
【００２２】
ハードディスク装置１４は、メモリ１２にロードされるプログラムを格納する。また、ハードディスク装置１４は、ＣＰＵ１１で処理されるデータを記憶する。可搬媒体駆動装置１５は、例えば、Compact Disc（ＣＤ）、Digital Versatile Disk（ＤＶＤ）、ＨＤ−ＤＶＤ、ブルーレイディスク等の駆動装置である。また、可搬媒体駆動装置１５は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリを有するカード媒体の入出力装置であってもよい。可搬媒体駆動装置１５が駆動する媒体は、例えば、ハードディスク装置１４にインストールされるコンピュータプログラム、入力データ等を格納する。入力装置１６は、例えば、キーボード、マウス、ポインティングデバイス、ワイヤレスリモコン等である。
【００２３】
表示装置１７は、ＣＰＵ１１で処理されるデータやメモリ１２に記憶されるデータを表示する。表示装置１７は、例えば、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル、Cathode Ray Tube（ＣＲＴ）、エレクトロルミネッセンスパネル等である。
【００２４】
図４は、検証装置１０の機能ブロック図である。図４に示すように、検証装置１０は、記憶部２０、入力部２１、作成部２２、エッジ特定部２３、エリア生成部２４、エリア特定部２５、配置特定部２６、差分値抽出部２７、方向特定部２８、移動量算出部２９、移動部３０、判定部３１、出力部３２及び表示部３３を備える。図４に示す各機能部は、ＣＰＵ１１、メモリ１２等を含むコンピュータ、各装置及びコンピュータ上で実行されるプログラム等によって実現することができる。
【００２５】
記憶部２０は、各種のデータを記憶する。差分データは、記憶部２０に記憶される。入力部２１は、各種の指示を受け付ける。作成部２２は、設計データを参照して、シミュレーションによりメタル層１及び接続層２のパターンを算出し、メタル層１及び接続層２のパターンのシミュレーションデータを作成する。エッジ特定部２３は、設計データにおけるメタル層１のエッジについて先端のエッジを特定する。エリア生成部２４は、設計データにおけるメタル層１の先端部分に先端近傍エリア４０を生成する。エリア特定部２５は
、接続層２と先端近傍エリア４０とが重なるか否かを判定する。エリア特定部２５は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所の先端近傍エリア４０を特定する。
【００２６】
エリア生成部２４は、設計データにおける接続層２が配置されている位置に接続層周辺エリア５０を生成する。エッジ特定部２３は、設計データについて、接続層周辺エリア５０内のメタル層１のエッジを抽出する。エッジ特定部２３は、設計データについて、接続層周辺エリア５０内のメタル層１のエッジについて先端のエッジを特定する。配置特定部２６は、設計データについて、メタル層１の配置を特定する。
【００２７】
差分値抽出部２７は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１と、周囲に配置されているメタル層１との距離を算出する。差分値抽出部２７は、メタル層１の幅を算出する。差分値抽出部２７は、差分テーブルを参照することにより、寸法差分を差分テーブルから抽出する。差分値抽出部２７は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の周囲に配置されているメタル層１との距離を算出する。方向特定部２８は、メタル層１のエッジが位置している方向を特定する。
【００２８】
移動量算出部２９は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分と接触する接続層２のパターン形状の移動量を算出する。移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動する。判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積を算出し、接触面積が所定基準を満たしているか否かを判定する。出力部３２は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていない箇所の接続層２のパターン形状の座標を、エラー情報として出力する。表示部３３は、エラー情報を表示する。
【００２９】
以下、本実施形態に係る実施例を説明する。なお、以下の各実施例の構成は例示であり、本実施形態は、以下の実施例の構成に限定されない。
【実施例１】
【００３０】
以下、図５から図１５を参照して、実施例１について説明する。実施例１では、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分が算出され、差分テーブルが作成される。すなわち、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分が差分テーブルに記録される。メタル層１のパターン形状の先端方向は、メタル層１のパターン形状の先端が向いている方向である。すなわち、メタル層１のパターン形状の先端方向は、設計データにおけるメタル層１に対して先端エッジが位置している方向である。
【００３１】
実施例１では、２種類の差分テーブルを作成する例を説明する。ただし、差分テーブルの種類はこれに限らず、２種類以上の差分テーブルを作成してもよい。２種類の差分テーブルを作成するために、図５に示すように２種類のテストパターンを用意する。図５に示すテストパターンは、例示であって、本実施形態は図５に示すテストパターンに限定されない。テストパターンは、メタル層１のパターン形状を配置した図形データである。図５の（Ａ）は、Ｉ字型のテストパターンを示しており、図５の（Ｂ）は、Ｔ字型のテストパターンを示している。
【００３２】
図５の（Ａ）に示すように、Ｉ字型のテストパターンは、メタル層１のパターン形状の先端同士が対向するように、メタル層１のパターン形状が配置されている。図５の（Ｂ）に示すように、Ｔ字型のテストパターンは、メタル層１のパターン形状の長手方向と他のメタル層１のパターン形状の長手方向とが直交する方向となるように、メタル層１のパタ
ーン形状が配置されている。
【００３３】
図５に示すように、メタル層１のパターン形状のパターン幅をWidthと表記する。図５に示すように、隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離のうち、メタル層１のパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離をSpace１と表記する。また、図５に示すように、隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離のうち、メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離をSpace２と表記する。メタル層１のパターン形状の幅方向は、メタル層１のパターン形状の長手方向と直交する方向である。
【００３４】
設計データにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅に応じて、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）が決定される。すなわち、設計データにおいてパターン幅が異なる複数のメタル層１のパターン形状が存在する場合、パターン幅が異なる複数のメタル層１のパターン形状をテストパターンに配置する。また、設計データにおける隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離に応じて、テストパターンにおける隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離（Space１、Space２）が決定される。すなわち、設計データにおける隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離に応じて、テストパターンにおける隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離を変更させてメタル層１のパターン形状をテストパターンに配置する。
【００３５】
次に、テストパターンに基づいて、レチクル（フォトマスク）を作成する。テストパターンに対してＳＲＡＦ（Sub-resolution assist feature）を配置してレチクルを作成してもよいし、テストパターンに対してＯＰＣ（Optical Proximity Correction）処理を行ってレチクルを作成してもよい。また、テストパターンに対して、ＳＲＡＦの配置及びＯＰＣ処理を行ってレチクルを作成してもよい。この場合、可能な限り、量産と同等のＳＲＡＦの配置及びＯＰＣ処理を行うことにより、レチクルが実際のマスク形状に即した形状となっていることが望ましい。
【００３６】
そして、テストパターンに基づいて作成されたレチクルを使用して、サンプルウェハを作成する。本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがリソグラフィシミュレーションであれば、テストパターンに基づいて作成されたレチクルを使用して、実際の製造プロセスに従って露光及び現像の処理を行うことによりサンプルウェハを作成する。本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがエッチングシミュレーションであれば、実際の製造プロセスに従って露光及び現像の処理を行った後、実際の製造プロセスに従ってエッチングの処理を行うことによりサンプルウェハを作成する。
【００３７】
次に、サンプルウェハに形成されたメタル層１のパターン形状の測定を行う。本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがリソグラフィシミュレーションであれば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のレジストパターンを、ＳＥＭ等を用いて測定する。具体的には、メタル層１のレジストパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のレジストパターン形状の間の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。例えば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のレジストパターンについて、図５に示すテストパターンのSpace１に対応する箇所の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。
【００３８】
また、本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがエッチングシミュレーションであれば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のデバイスパターンを、ＳＥＭ等を用いて測定する。具体的には、メタル層１のデバイスパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のデバイスパターン形状の間の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。例えば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のデバイスパターンについて、図５に示すテストパターンのSpace１に対応する箇所の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。
【００３９】
更に、製造プロセスのばらつきを考慮して、本実施形態に係る検証方法においてパターン形状の太め条件や細め条件などを加味したシミュレーションを用いる場合、露光、現像、エッチング等の条件もそれに応じた条件変更を行ってサンプルウェハを作成してもよい。そして、露光、現像、エッチング等の条件変更を行って作成されたサンプルウェハを、ＳＥＭ等を用いて測定してもよい。
【００４０】
本実施形態では、実際の製造プロセスにより作成されたサンプルウェハをＳＥＭ等により測定することを実際測定とも表記し、実際測定によって得られた値を実測値とも表記する。
【００４１】
サンプルウェハの作成及び測定の後、又はサンプルウェハの作成及び測定と平行して、テストパターンに基づいて作成されたレチクルのマスクパターンについてシミュレーションを行いメタル層１のパターンを算出する。そして、メタル層１のパターンのデータを作成する。本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがリソグラフィシミュレーションであれば、テストパターンに基づいて作成されたレチクルのマスクパターンについてリソグラフィシミュレーションを行い、メタル層１のレジストパターンを算出する。そして、メタル層１のレジストパターンのデータを作成する。
【００４２】
本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがエッチングシミュレーションであれば、リソグラフィシミュレーションにより算出されたレジストパターンについてエッチングシミュレーションを行い、メタル層１のデバイスパターンを算出する。そして、メタル層１のデバイスパターンのデータを作成する。
【００４３】
次に、シミュレーションで得たメタル層１のパターンの幅を測定する。例えば、シミュレーションにより算出されたメタル層１のパターンについて、図５に示すテストパターンのSpace１に対応する箇所の距離を測定する。
【００４４】
本実施形態では、シミュレーションにより算出されたパターンを測定することを、シミュレーション測定とも表記し、シミュレーション測定によって得られた値をシミュレーション測定値とも表記する。
【００４５】
差分テーブルには、メタル層１のパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離が記録される。メタル層１のパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離は、図５においてはSpace１で示されている。本実施形態では、メタル層１のパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離を、先端方向のパターン形状間の距離とも表記する。
【００４６】
また、差分テーブルには、メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離が記録される。メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離は、図５においてはSpace２で示されている。本実施形態では、メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離を、幅方向のパターン形状間の距離とも表記する。
【００４７】
先端方向のパターン形状間の距離の大小及び幅方向のパターン形状間の距離の大小は、寸法差分の値を変動させる要因となり、先端方向のパターン形状間の距離の大小及び幅方向のパターン形状間の距離の大小によって寸法差分は異なる値となる。そのため、差分テーブルには、先端方向のパターン形状間の距離の大小及び幅方向のパターン形状間の距離の大小に応じて複数の寸法差分が記録される。
【００４８】
また、メタル層１のパターン形状の幅の大小は、寸法差分の値を変動させる要因となり、メタル層１のパターン形状の幅の大小によって寸法差分は異なる値となる。そのため、メタル層１のパターン形状の幅の大小によって、複数の差分テーブルが作成される。
【００４９】
図６及び図７は、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分が記録された差分テーブルの例を示す図である。図６は、Ｉ字型のテストパターンの差分テーブル（以下、Ｉ字型差分テーブルという。）の例を示しており、図７は、Ｔ字型のテストパターンの差分テーブル（以下、Ｔ字型差分テーブルという。）の例を示している。
【００５０】
図６及び図７に示す差分テーブルにおける最左欄の項目は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離（Space１）を示している。また、図６及び図７に示す差分テーブルにおける最上欄の項目は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離（Space２）を示している。
【００５１】
図６の（Ａ）及び図７の（Ａ）は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）が６０ｎｍ以上８０ｎｍ未満である場合の差分テーブルである。図６の（Ｂ）及び図７の（Ｂ）は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）が８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である場合の差分テーブルである。図６の（Ｃ）及び図７の（Ｃ）は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）が１００ｎｍ以上である場合の差分テーブルである。図６及び図７に示す差分テーブルは、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）を、６０ｎｍ以上８０ｎｍ未満や８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満等の範囲によって作り分けているが、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）を６０ｎｍ、７０ｎｍ等の数値で作り分けてもよい。
【００５２】
Ｉ字型のテストパターンであって、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width）が６０ｎｍ以上８０ｎｍ未満、Space１が６０ｎｍ、Space２が６０ｎｍの場合において、差分テーブルに記録する値について説明する。この場合、差分テーブルは図６の（Ａ）を対象とする。メタル層１のパターン形状の先端方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離について、実測値からシミュレーション測定値を引いた値が２０ｎｍであるとする。実測値からシミュレーション測定値を引いた値（２０ｎｍ）を２で割った値（１０ｎｍ）を、寸法差分として、差分テーブルに記録する。
【００５３】
隣接する一対のメタル層１のパターン形状のそれぞれの寸法について、模擬パターンのパターン形状と製造パターンのパターン形状とで差が生じる。そのため、実測値からシミュレーション測定値を引いた値を２で割った値を、寸法差分としている。
【００５４】
図８は、実施例１に係る検証方法の処理を示すフロー図である。図８に示すフローは、入力部２１が検証開始の指示を受け付けた場合に開始される。実施例１に係る検証方法では、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分と接触する接続層２のパターン形状が、メタル層１のパターン形状と十分に接触しているか否かを検証する。
【００５５】
まず、ステップＳ１０１の処理において、作成部２２は、設計データを参照して、シミュレーションによりメタル層１及び接続層２のパターンを算出し、メタル層１及び接続層２のパターンのシミュレーションデータを作成する。この場合、作成部２２は、メタル層１のパターンを先に算出してもよいし、接続層２のパターンを先に算出してもよい。
【００５６】
本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがリソグラフィシミュレーション
であれば、作成部２２は、設計データを参照して、メタル層１及び接続層２についてのレチクルのマスクパターンのデータを作成する。そして、作成部２２は、メタル層１及び接続層２についてのレチクルのマスクパターンのデータを使用して、リソグラフィシミュレーションを行うことによりメタル層１及び接続層２のレジストパターンを算出する。そして、作成部２２は、メタル層１及び接続層２のレジストパターンのシミュレーションデータを作成する。
【００５７】
本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがエッチングシミュレーションであれば、作成部２２は、設計データを参照して、メタル層１及び接続層２についてのレチクルのマスクパターンのデータを作成する。そして、作成部２２は、メタル層１及び接続層２についてのレチクルのマスクパターンのデータを使用して、リソグラフィシミュレーションを行うことによりメタル層１及び接続層２のレジストパターンを算出する。次に、作成部２２は、メタル層１及び接続層２のレジストパターンのシミュレーションデータを作成する。その後、作成部２２は、メタル層１及び接続層２のレジストパターンのシミュレーションデータを使用して、エッチングシミュレーションを行うことによりメタル層１及び接続層２のデバイスパターンを算出する。そして、作成部２２は、メタル層１及び接続層２のデバイスパターンのシミュレーションデータを作成する。
【００５８】
作成部２２は、ＳＲＡＦ（Sub-resolution assist feature）が配置されたレチクルのマスクパターンのデータを作成してもよい。また、作成部２２は、ＯＰＣ（Optical Proximity Correction）処理を行って、レチクルのマスクパターンのデータを作成してもよい。すなわち、作成部２２は、設計データを参照して、レチクルのマスクパターンのデータを作成する際、実際の製造プロセスにおけるマスク処理と同等の工程を行って、レチクルのマスクパターンのデータを作成してもよい。また、より簡易的な計算手法を用いることにより、マスク処理の時間を短縮してもよい。
【００５９】
更に、作成部２２は、ＯＰＣ処理が行われ、既に作成されているレチクルのマスクパターンのデータを使用してもよい。テープアウト後に実施例１に係る検証方法の処理を開始する場合、ＯＰＣ処理が行われ、既に作成されているレチクルのマスクパターンのデータが提供されている。そのため、作成部２２は、提供されたレチクルのマスクパターンデータを使用することが可能である。提供されるレチクルのマスクパターンのデータは記憶部２０に記憶される。
【００６０】
ステップＳ１０１の処理が終了すると、ステップＳ１０２の処理に進む。ステップＳ１０２の処理において、エッジ特定部２３は、設計データにおけるメタル層１のエッジについて先端のエッジを特定する。図９を参照して、エッジ特定部２３が、設計データにおけるメタル層１のエッジについて先端のエッジを特定する方法の一例を説明する。図９は、設計データの一部を示す図である。なお、エッジ特定部２３は、他の方法により、設計データにおけるメタル層１のエッジについて先端のエッジを特定してもよい。
【００６１】
図９に示す設計データにおいて、エッジ特定部２３は、メタル層１のエッジの長さが所定値Ｔ１以下であるエッジＣを検出する。そして、エッジ特定部２３は、検出したエッジＣの両端が凸形状に曲がっている場合、検出したエッジＣをメタル層１についての先端のエッジとして特定する。所定値Ｔ１は、任意の値を設定可能であるが、例えば、所定値Ｔ１として１００ｎｍを設定してもよい。
【００６２】
また、エッジ特定部２３は、検出したエッジＣの両端が凸形状に曲がっており、検出したエッジＣの両端と接するエッジＤ及びＥの長さが所定値Ｔ２以上である場合、検出したエッジＣをメタル層１についての先端のエッジとして特定してもよい。所定値Ｔ２は、任意の値を設定可能であるが、例えば、所定値Ｔ２として５０ｎｍを設定してもよい。エッ
ジ特定部２３は、設計データにおけるメタル層１のエッジの全てに対してステップＳ１０２の処理を行う。本実施形態では、メタル層１についての先端のエッジを、先端エッジとも表記する。また、本実施形態では、先端エッジの両端と接するエッジを、サイドエッジとも表記する。
【００６３】
ステップＳ１０２の処理が終了すると、ステップＳ１０３の処理に進む。ステップＳ１０３の処理において、エリア生成部２４は、設計データにおけるメタル層１の先端部分に先端近傍エリア４０を生成する。この場合、エリア生成部２４は、先端エッジを基準として、先端エッジを有するメタル層１の方向に向かって所定範囲を先端近傍エリア４０として生成する。例えば、エリア生成部２４は、先端エッジから１００ｎｍの範囲を先端近傍エリア４０として生成してもよい。図１０に、先端近傍エリア４０が生成された後の設計データを示す。図１０では、メタル層１の先端部分に対して、先端近傍エリア４０がそれぞれ生成されている。また、図１０の太線で示すエッジが先端エッジである。
【００６４】
ステップＳ１０３の処理が終了すると、ステップＳ１０４の処理に進む。ステップＳ１０４の処理において、エリア特定部２５は、設計データにおける全ての接続層２に対して、接続層２と先端近傍エリア４０とが重なるか否かを判定し、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所の先端近傍エリア４０を特定する。エリア特定部２５による判定は、設計データにおける接続層２の全体部分と先端近傍エリア４０の一部分とが重なるか否かの判定、及び、設計データにおける接続層２の一部分と先端近傍エリア４０の一部分とが重なるか否かの判定を含む。
【００６５】
ステップＳ１０４の処理が終了すると、ステップＳ１０５の処理に進む。ステップＳ１０５の処理において、配置特定部２６は、設計データについて、メタル層１の配置が図５に示すＩ字型又はＴ字型であるかを特定する。メタル層１の配置が図５に示すＩ字型又はＴ字型であるかを特定するのは、後述するステップＳ１０７の処理において、Ｉ字型差分テーブル又はＴ字型差分テーブルの何れを参照するかを特定するためである。配置特定部２６は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１の全てに対して、ステップＳ１０５の処理を行う。
【００６６】
具体的には、ステップＳ１０５の処理において、配置特定部２６は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１を対象として、対象のメタル層１と、対象のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との配置関係を特定する。配置特定部２６は、対象のメタル層１の先端エッジと対向するエッジの長さが所定値Ｔ３以上の場合、対象のメタル層１の配置をＴ字型配置として特定する。また、配置特定部２６は、対象のメタル層１の先端エッジと対向するエッジの長さが所定値Ｔ３未満の場合、対象のメタル層１の配置をＩ字型配置として特定する。所定値Ｔ３は、任意の値を設定可能であるが、例えば、所定値Ｔ３として１００ｎｍを設定してもよい。
【００６７】
例えば、図１１に示す設計データの場合、対象のメタル層１Ａの先端エッジＦと対向するエッジＧの長さは所定値Ｔ３以上であるため、配置特定部２６は、対象のメタル層１Ａの配置をＴ字型配置として特定する。
【００６８】
ステップＳ１０５の処理が終了すると、ステップＳ１０６の処理に進む。ステップＳ１０６の処理において、差分値抽出部２７は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１を対象として、対象のメタル層１と、対象のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離を算出する。対象のメタル層１と、対象のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離を算出するのは、後述するステップＳ１０７の処理において、差分テーブルに記録されている寸法差分の値のうちのどの値を抽出するかを特定するためである。本実施形態では、設計データにおける
接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１を、対象のメタル層１とも表記する。また、本実施形態では、設計データにおける対象のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１を、隣接メタル層１とも表記する。
【００６９】
対象のメタル層１と隣接メタル層１との間の距離は、対象のメタル層１の先端エッジと、対象のメタル層１の先端エッジと対向する隣接メタル層１のエッジとの間の距離がある。また、対象のメタル層１と隣接メタル層１との間の距離は、対象のメタル層１のサイドエッジと、対象のメタル層１のサイドエッジと対向する隣接メタル層１のエッジとの間の距離がある。
【００７０】
例えば、図１１に示す設計データの場合、差分値抽出部２７は、対象のメタル層１と隣接メタル層１との間の距離として、Space１の値、Space２−１の値、Space２−２の値をそれぞれ算出する。Space１は、メタル層１Ａの先端エッジＦと、メタル層１Ａの先端エッジＦと対向するメタル層１ＢのエッジＧとの間の距離である。Space２−１は、メタル層１ＡのサイドエッジＨと、メタル層１ＡのサイドエッジＨと対向するメタル層１ＣのエッジＩとの間の距離である。Space２−２は、メタル層１ＡのサイドエッジＪと、メタル層１ＡのサイドエッジＪと対向するメタル層１ＤのエッジＫとの間の距離である。
【００７１】
また、ステップＳ１０６の処理において、差分値抽出部２７は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１を対象として、対象のメタル層１の幅を算出する。対象のメタル層１の幅を算出するのは、後述するステップＳ１０７の処理で、どの差分テーブル（図７の例であれば、差分テーブル（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）のいずれか）を参照するかを特定するためである。例えば、図１１に示す設計データの場合、差分値抽出部２７は、メタル層１Ａの幅としてWidthの値を算出する。
【００７２】
ステップＳ１０６の処理が終了すると、ステップＳ１０７の処理に進む。ステップＳ１０７の処理において、差分値抽出部２７は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所を対象として、差分テーブルを参照することにより、寸法差分を差分テーブルから抽出する。
【００７３】
具体的には、差分値抽出部２７は、ステップＳ１０６の処理で算出した対象のメタル層１と隣接メタル層１との間の距離、及び、対象のメタル層１の幅に応じて、寸法差分を差分テーブルから抽出する。
【００７４】
例えば、図１１に示す設計データにおいて、Space１の値が６０ｎｍ、Space２−１の値が６０ｎｍ、Space２−２の値が３００ｎｍ、Widthの値が６０ｎｍである場合について説明する。図１１に示す設計データの場合、対象のメタル層１Ａの配置はＴ字型配置であり、Widthの値が６０ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図７に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルを参照する。図１１に示す設計データの場合、Space１の値が６０ｎｍであり、Space２−１の値が６０ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから、１０ｎｍを抽出する。また、図１１に示す設計データの場合、Space１の値が６０ｎｍであり、Space２−２の値が３００ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから、−２ｎｍを抽出する。
【００７５】
ステップＳ１０７の処理が終了すると、ステップＳ１０８の処理に進む。ステップＳ１０８の処理において、方向特定部２８は、設計データにおける接続層２と先端近傍エリア４０とが重なる箇所のメタル層１の先端エッジを対象として、先端エッジが位置している方向を特定する。先端エッジが位置している方向を特定するのは、後述するステップＳ１１０の処理において、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を
移動する方向を特定するためである。
【００７６】
例えば、方向特定部２８は、先端エッジが、先端近傍エリア４０の中心点から＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に位置する場合、先端エッジが位置している方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）と特定する。また、方向特定部２８は、先端エッジが、先端近傍エリア４０の中心点から＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に位置する場合、先端エッジが位置している方向を＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）と特定する。先端近傍エリア４０の中心点とは、先端エリア４０の２つの対角線が交わる点である。
【００７７】
図１１は、先端近傍エリア４０が生成された後の設計データの一部を示す図である。図１１の太線で示すエッジが先端エッジである。例えば、図１１に示す設計データの場合、メタル層１Ａの先端エッジＦは先端近傍エリア４０の中心点から＋Ｙ方向に位置しているため、方向特定部２８は、先端エッジＦが位置している方向を＋Ｙ方向と特定する。
【００７８】
ステップＳ１０８の処理が終了すると、ステップＳ１０９の処理に進む。ステップＳ１０９の処理において、移動量算出部２９は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分と接触する接続層２のパターン形状の移動量を算出する。設計データにおける座標と、設計データを参照して作成されたシミュレーションデータにおける座標とは対応している。移動量算出部２９は、設計データにおける先端近傍エリア４０の座標に基づいて、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分を特定する。本実施形態では、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接触する接続層２のパターン形状の移動量を、形状移動量とも表記する。
【００７９】
移動量算出部２９は、差分テーブルから抽出した寸法差分の平均値を、形状移動量として算出してもよい。すなわち、移動量算出部２９は、寸法差分を、差分テーブルから複数抽出し、抽出した複数の寸法差分の平均値を、形状移動量として算出してもよい。差分値抽出部２７により、差分テーブルから先端方向の寸法差分の値が２つ抽出されるので、移動量算出部２９は、抽出された２つの値を平均することにより形状移動量として算出してもよい。
【００８０】
例えば、図１１に示す設計データの場合、移動量算出部２９は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから抽出した１０ｎｍ及び−２ｎｍの平均値である４ｎｍを、形状移動量として算出する。これは、テーブルベースの近接効果補正で、左右のスペース値が異なるパターンの補正において、左右のエッジ毎に補正量を求めることで、結果的に得あれる補正後のパターン寸法が、左右の補正値の平均値分変化するのと同様の考え方に基づいた手法である。
【００８１】
また、移動量算出部２９は、差分テーブルから抽出した複数の寸法差分のうちいずれか一つを、形状移動量として算出してもよい。この場合、差分テーブルから抽出した複数の寸法差分のうちワーストケースの値を採用し、形状移動量として算出してもよい。差分テーブルから抽出した複数の寸法差分のうちワーストケースの値は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターンと接続層２のパターンとの接触面積が小さくなる方の値である。例えば、図１１に示す設計データの場合、移動量算出部２９は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから抽出した１０ｎｍ及び−２ｎｍのうち１０ｎｍを、形状移動量として算出してもよい。
【００８２】
ステップＳ１０９の処理が終了すると、ステップＳ１１０の処理に進む。ステップＳ１１０の処理において、移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を、所定方向に形状移動量の値に応じて移動する。所定方向は、ステップＳ１０８の処理で特定された先端エッジが位置している方向であり、シミュレーションデー
タにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向である。
【００８３】
ステップＳ１０９の処理において算出された形状移動量がプラスの値であれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の先端方向に向けて移動する。ステップＳ１０９の処理において算出された形状移動量がマイナスの値であれば、移動部３０は、接続層２のパターン形状の位置を、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向の反対方向に向けて移動する。
【００８４】
移動部３０が、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を、所定方向に形状移動量の値に応じて移動する処理の例を図１２に示す。図１２の（Ａ）は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させる前の図であり、図１２の（Ｂ）は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を形状移動量の値だけ所定方向に移動させた後の図である。図１２は、形状移動量として５ｎｍが算出された場合であり、移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を５ｎｍだけ、メタル層１のパターン形状の先端方向（図１２では上方向）に向けて移動させている。
【００８５】
また、オーバーレイ精度を考慮して、移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動してもよい。すなわち、移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を、所定方向に形状移動量の値に応じて移動する。更に、移動部３０は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置をオーバーレイ精度のスペック分だけ周囲に移動してもよい。
【００８６】
ステップＳ１１０の処理が終了すると、ステップＳ１１１の処理に進む。ステップＳ１１１の処理において、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積を算出し、接触面積が所定基準を満たしているか否かを判定する。判定部３１は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の全てに対して、ステップＳ１１１の処理を行う。
【００８７】
シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしている否かは、以下の方法によって判定することが可能である。
【００８８】
判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積を算出する。判定部３１は、算出したＡＮＤ面積を、接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を計算する。接続層２のパターン形状のターゲット面積は、例えば、設計データにおける接続層２のパターン形状のデザイン図形面積や、デザイン図形面積に内接する円の面積等である。
【００８９】
そして、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率が、基準値Ｂ１以上であるか否かを判定する。ＡＮＤ面積の比率が基準値Ｂ１以上である場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていると判定する。
【００９０】
一方、ＡＮＤ面積の比率が基準値Ｂ１未満である場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていないと判定する。基準値Ｂ１は、検証装置１０の操作者が予め設定す
ることができる。例えば、基準値Ｂ１が９０％であり、ＡＮＤ面積の比率が８５％の場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていないと判定する。
【００９１】
また、ＡＮＤ面積の比率が基準値Ｂ１以上であるか否かの判定に代えて、ＡＮＤ面積が基準値Ｂ２以上であるか否かの判定を用いてもよい。すなわち、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積が、基準値Ｂ２以上であるか否かを判定する。ＡＮＤ面積が基準値Ｂ２以上である場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていると判定する。
【００９２】
一方、ＡＮＤ面積が基準値Ｂ２未満である場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていないと判定する。基準値Ｂ２は、例えば、ＴＥＧ（Test Element Group）などの実験結果から得られた最小面積基準値等であり、検証装置１０の操作者が予め設定することができる。
【００９３】
ステップＳ１１１の処理が終了すると、ステップＳ１１２の処理に進む。ステップＳ１１２の処理において、出力部３２は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていない箇所の接続層２のパターン形状の座標を、エラー情報として出力する。出力部３２は、接続層２のパターン形状の座標とともに、ＡＮＤ面積の値又はＡＮＤ面積の比率の値を、エラー情報として出力してもよい。
【００９４】
出力部３２によって出力されたエラー情報が表示部３３に入力され、表示部３３がエラー情報を表示することにより、検証装置１０の操作者はエラー情報を確認することが可能である。検証装置１０の操作者がエラー情報を確認することにより、検証装置１０の操作者は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が十分に確保されているか否かを検証することができる。
【００９５】
図１３の（Ａ）は、図１２の（Ａ）に示すシミュレーションデータに対して、製造パターンについてのメタル層１のパターン形状を重ね合わした図である。図１３の（Ｂ）は、図１２の（Ｂ）に示すシミュレーションデータに対して、製造パターンについてのメタル層１のパターン形状を重ね合わした図である。図１３においては、模擬パターンを符号Ｌと表記し、製造パターンを符号Ｍと表記する。
【００９６】
図１３の（Ａ）に示すように、模擬パターンＬについては、メタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とが完全に接触しているが、製造パターンＭについては、メタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とが接触していない部分がある。
【００９７】
図１３の（Ｂ）に示すように、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動することにより、模擬パターンＬについて、メタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とが接触していない部分が発生する。実施例１では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動することにより、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積の検証を、寸法差分を考慮して行うことができる。すなわち、実施例１によれば、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向についての寸法差分を考慮して、シミュレーションデータの検証を行うことができる。
【００９８】
次に、設計データにおける接続層２が複数の先端近傍エリア４０と重なる場合について
の処理の一例を説明する。図１４は、接続層２が複数の先端近傍エリア４０と重なる場合における設計データの一部を示す図である。図１４の太線で示すエッジが先端エッジである。図１４に示す設計データでは、接続層２が、先端近傍エリア４０Ａと重なるとともに先端近傍エリア４０Ｂと重なる。設計データにおける接続層２が複数の先端近傍エリア４０と重なる箇所に対して、移動部３０は、ステップＳ１１０の処理を以下のように変更し、判定部３１は、ステップＳ１１１の処理を以下のように変更する。
【００９９】
まず、変更後のステップＳ１１０の処理を説明する。変更後のステップＳ１１０の処理では、移動部３０は、設計データにおける先端エッジと平行な分割線を用いて、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状を２分割し、２分割した接続層２のパターン形状を所定方向に形状移動量の値に応じてそれぞれ移動する。この場合、２分割したそれぞれの接続層２のパターン形状の形状移動量を、２分割したそれぞれの接続層２のパターン形状と近い側の先端エッジ毎に求める。所定方向は、２分割したそれぞれの接続層２のパターン形状と近い側の先端エッジが存在する方向である。すなわち、所定方向は、２分割したそれぞれの接続層２のパターン形状と近い側のメタル層１のパターン形状の先端方向である。
【０１００】
ステップＳ１０９の処理において算出された形状移動量がプラスの値であれば、移動部３０は、２分割した接続層２のパターン形状の位置を、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向に移動する。ステップＳ１０９の処理において算出された形状移動量がマイナスの値であれば、移動部３０は、２分割した接続層２のパターン形状の位置を、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向の反対方向に移動する。
【０１０１】
移動部３０が、シミュレーションデータにおける２分割した接続層２のパターン形状の位置を形状移動量の値に応じて所定方向に向けて移動する処理の例を図１５に示す。図１５の（Ａ）は、シミュレーションデータにおいて、分割線５０によって接続層２のパターン形状が２分割されており、接続層２のパターン形状の位置を移動させる前の図である。図１５の（Ｂ）は、シミュレーションデータにおいて、分割線５０によって分割された左部分の接続層２のパターン形状の位置を形状移動量の値だけ所定方向（図１５の（Ｂ）では右方向）に移動させた後の図である。図１５の（Ｃ）は、シミュレーションデータにおいて、分割線５０によって分割された右部分の接続層２のパターン形状の位置を形状移動量の値だけ所定方向（図１５の（Ｃ）では左方向）に移動させた後の図である。
【０１０２】
次に、変更後のステップＳ１１１の処理を説明する。変更後のステップＳ１１１の処理では、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と２分割したそれぞれの接続層２のパターン形状との接触面積を算出し、足し合わせた後、接触面積が所定基準を満たしているか否かを判定する。接触面積が所定基準を満たしているか否かについては、変更前のステップＳ１１１の処理と同様の方法によって判定することが可能である。
【０１０３】
図１５の（Ｂ）の場合、シミュレーションデータにおける左部分のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率が４９％である。図１５の（Ｃ）の場合、シミュレーションデータにおける左部分のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率が４９％である。図１５の（Ｂ）の場合のＡＮＤ面積の比率４９％と、図１５の（Ｃ）の場合のＡＮＤ面積の比率４９％との和（９８％）を、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率として算出する。
【０１０４】
判定部３１は、設計データにおいて接続層２の形状が複数の先端近傍エリア４０の形状
と重なっている場合でも、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を算出することが可能である。そして、判定部３１は、設計データにおいて接続層２の形状が複数の先端近傍エリア４０の形状と重なっている場合でも、メタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしているか否かを判定することが可能である。
【実施例２】
【０１０５】
実施例１では、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分を算出し、差分テーブルを作成する例を説明した。実施例２では、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分を算出するとともに、メタル層１のパターン形状の幅方向における寸法差分を更に算出し、差分テーブルを作成する例を説明する。本実施形態では、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分を、先端方向の寸法差分とも表記する。また、本実施形態では、メタル層１のパターン形状の幅方向における寸法差分を、幅方向の寸法差分とも表記する。
【０１０６】
また、実施例１では、先端方向の寸法差分が記録された差分テーブルを用いて、メタル層１及び接続層２のパターンを検証する例を説明した。実施例２では、先端方向の寸法差分が記録された差分テーブル及び幅方向の寸法差分が記録された差分テーブルを用いて、メタル層１及び接続層２のパターンを検証する例を説明する。
【０１０７】
以下、図１６から図２１を参照して、実施例２を具体的に説明する。なお、同一の構成要素については、実施例１と同一の符号を付し、その説明を省略する。また、必要に応じて図１から図１５の図面を参照する。
【０１０８】
実施例２では、実施例１と同様に、先端方向の寸法差分を算出する。そして、実施例１と同様に、メタル層１のパターン形状の先端方向における寸法差分が差分テーブルに記録される。更に、実施例２では、メタル層１のパターン形状の幅方向における寸法差分が差分テーブルに記録される。差分テーブルは、記憶部２０に記憶される。先端方向の寸法差分の算出方法や先端方向の寸法差分を記録した差分テーブルについては、実施例１と同様であるので、その説明を省略する。したがって、実施例２では、幅方向の寸法差分の算出方法及び幅方向の寸法差分を記録した差分テーブルについて、詳細に説明する。
【０１０９】
実施例２では、図５に示すテストパターンに加えて、図１６に示すテストパターンを用意する。図１６に示すテストパターンは、パターン幅が異なる複数のメタル層１のパターン形状を配置するとともに、隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離を変更させてメタル層１のパターン形状を配置させた場合の例である。図１６に示すテストパターンは、例示であって、本実施形態は図１６に示すテストパターンに限定されない。
【０１１０】
図１６に示すように、メタル層１のパターン形状のパターン幅をWidth２と表記する。図１６に示すように、隣接するメタル層１のパターン形状の間の距離のうち、メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離をSpace３と表記する。
【０１１１】
次に、テストパターンに基づいてレチクルを作成し、テストパターンに基づいて作成されたレチクルを使用して、サンプルウェハを作成する。レチクル及びサンプルウェハの作成については、実施例１と同様である。
【０１１２】
そして、サンプルウェハに形成されたメタル層１のパターン形状の測定を行う。本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがリソグラフィシミュレーションであれば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のレジストパターンを、ＳＥＭ等を用いて測定
する。具体的には、メタル層１のレジストパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のレジストパターン形状の間の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。例えば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のレジストパターンについて、図１６に示すテストパターンのWidth２に対応する箇所の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。
【０１１３】
また、本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがエッチングシミュレーションであれば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のデバイスパターンを、ＳＥＭ等を用いて測定する。具体的には、メタル層１のデバイスパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のデバイスパターン形状の間の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。例えば、サンプルウェハに形成されたメタル層１のデバイスパターンについて、図１６に示すテストパターンのWidth２に対応する箇所の距離を、ＳＥＭ等を用いて測定する。
【０１１４】
本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがリソグラフィシミュレーションであれば、テストパターンに基づいて作成されたレチクルのマスクパターンについてリソグラフィシミュレーションを行い、メタル層１のレジストパターンを算出する。そして、メタル層１のレジストパターンのデータを作成する。
【０１１５】
本実施形態に係る検証方法で用いるシミュレーションがエッチングシミュレーションであれば、リソグラフィシミュレーションによって算出されたレジストパターンについてエッチングシミュレーションを行い、メタル層１のデバイスパターンを算出する。そして、メタル層１のデバイスパターンのデータを作成する。
【０１１６】
シミュレーションによるメタル層１のパターンの算出及びメタル層１のパターンのデータの作成は、サンプルウェハの作成及び測定の後、又はサンプルウェハの作成及び測定と平行して行ってもよい。
【０１１７】
次に、シミュレーションで得たメタル層１のパターン幅を測定する。例えば、シミュレーションによって算出されたメタル層１のパターンについて、図１６に示すテストパターンのWidth２に対応する箇所の距離を測定する。
【０１１８】
差分テーブルには、メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離が記録される。メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離は、図１６においてはSpace３で示されている。本実施形態では、メタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離を、幅方向のパターン形状間の距離とも表記する。
【０１１９】
また、差分テーブルには、メタル層１のパターン形状の幅が記録される。メタル層１のパターン形状の幅は、図１６においてはWidth２で示されている。
【０１２０】
幅方向のパターン形状間の距離の大小及びメタル層１のパターン形状の幅の大小は、寸法差分の値を変動させる要因となり、幅方向のパターン形状間の距離の大小及びメタル層１のパターン形状の幅の大小によって寸法差分は異なる値となる。そのため、差分テーブルには、幅方向のパターン形状間の距離の大小及びメタル層１のパターン形状の幅の大小に応じて複数の寸法差分が記録される。
【０１２１】
図１７は、メタル層１のパターン形状の幅方向における寸法差分が記録された差分テーブルの例を示す図である。図１７に示す差分テーブルにおける最左欄の項目は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width２）を示している。図１７に示す差分テーブルにおける最上欄の項目は、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状の幅方向で隣接する一対のメタル層１のパターン形状の間の距離（Space３）
を示している。
【０１２２】
メタル層１のパターン形状の幅方向における寸法差分を差分テーブルに記録する例を説明する。ここでは、テストパターンにおけるメタル層１のパターン形状のパターン幅（Width２）が６０ｎｍ、Space３が６０ｎｍの場合において、差分テーブルに記録する値について説明する。メタル層１のパターン形状のパターン幅について、シミュレーション測定値から実測値を引いた値が−６ｎｍであるとする。シミュレーション測定値から実測値を引いた値（−６ｎｍ）を２で割った値（−３ｎｍ）を、メタル層１のパターン形状の幅方向における寸法差分として、差分テーブルに記録する。
【０１２３】
次に、実施例２に係る検証方法の処理について説明する。図１８は、実施例２に係る検証方法の処理を示すフロー図である。図１８に示すフローは、入力部２１が検証開始の指示を受け付けた場合に開始される。実施例２に係る検証方法では、シミュレーションデータにおける全ての接続層２のパターン形状が、メタル層１のパターン形状と十分に接触しているか否かを検証する。
【０１２４】
まず、ステップＳ２０１の処理において、作成部２２は、設計データを参照して、シミュレーションによりメタル層１及び接続層２のパターンを算出し、メタル層１及び接続層２のパターンのシミュレーションデータを作成する。ステップＳ２０１の具体的な処理については、実施例１に係る検証方法における処理（図８のステップＳ１０１の処理）と同様であるので、その説明を省略する。
【０１２５】
ステップＳ２０１の処理が終了すると、ステップＳ２０２の処理に進む。ステップＳ２０２の処理において、エリア生成部２４は、設計データにおける接続層２が配置されている位置に接続層周辺エリア５０を生成する。この場合、エリア生成部２４は、設計データにおける接続層２の中心位置を基準として、接続層２の形状と相似の図形を接続層周辺エリア５０として生成する。例えば、エリア生成部２４は、接続層２の形状と相似であって、接続層２の形状よりも大きい図形を、接続層周辺エリア５０として生成してもよい。なお、接続層周辺エリア５０は、接続層２の形状と相似の図形以外の図形であってもよい。図１９に、接続層周辺エリア５０が生成された後の設計データを示す。図１９に示す設計データでは、接続層２が配置されている位置に接続層周辺エリア５０が生成されている。
【０１２６】
ステップＳ２０２の処理が終了すると、ステップＳ２０３の処理に進む。ステップＳ２０３の処理において、エッジ特定部２３は、設計データについて、ステップＳ２０２の処理で生成された接続層周辺エリア５０内のメタル層１の全てのエッジを抽出する。図２０は、接続層周辺エリア５０が生成された設計データの一部を示す図である。例えば、エッジ特定部２３は、図２０に示す設計データにおいて、接続層周辺エリア５０内のメタル層１ＥのエッジＮ、Ｏ及びＰを抽出する。実施例２に係る検証方法では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状が、メタル層１のパターン形状の先端方向及び幅方向に対して十分に接触しているか否かを検証する。そのため、エッジ特定部２３は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１のパターン形状の全てのエッジを抽出する。
【０１２７】
ステップＳ２０３の処理が終了すると、ステップＳ２０４の処理に進む。ステップＳ２０４の処理において、エッジ特定部２３は、設計データについて、ステップＳ２０２の処理で生成された接続層周辺エリア５０内のメタル層１の先端エッジを特定する。接続層周辺エリア５０内のメタル層１の先端エッジを特定する処理は、実施例１に係る検証方法におけるステップＳ１０２の処理と同様であるので、その説明を省略する。
【０１２８】
ステップＳ２０４の処理が終了すると、ステップＳ２０５の処理に進む。ステップＳ２０５の処理において、配置特定部２６は、ステップＳ２０４の処理で特定された先端エッ
ジについて、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の配置が図５に示すＩ字型又はＴ字型であるかを特定する。メタル層１の配置が図５に示すＩ字型又はＴ字型であるかを特定するのは、後述するステップＳ２０７の処理において、先端エッジについてＩ字型差分テーブル又はＴ字型差分テーブルの何れを参照するかを特定するためである。具体的には、配置特定部２６は、ステップＳ２０４の処理で特定された先端エッジについて、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との配置関係を特定する。
【０１２９】
配置特定部２６は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の先端エッジと対向するエッジの長さが所定値Ｔ３以上の場合、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の配置をＴ字型配置として特定する。また、配置特定部２６は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の先端エッジと対向するエッジの長さが所定値Ｔ３未満の場合、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の配置をＩ字型配置として特定する。所定値Ｔ３は、任意の値を設定可能であるが、例えば、所定値Ｔ３として１００ｎｍを設定してもよい。
【０１３０】
例えば、図２０に示す設計データの場合、接続層周辺エリア５０内のメタル層１Ｅの先端エッジＮと対向するエッジＱの長さは所定値Ｔ３以上であるため、配置特定部２６は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１Ｅの配置をＴ字型配置として特定する。
【０１３１】
なお、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に先端エッジが存在しない場合、配置特定部２６は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との配置関係の特定を行わない。
【０１３２】
ステップＳ２０５の処理が終了すると、ステップＳ２０６の処理に進む。ステップＳ２０６の処理において、差分値抽出部２７は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離を算出する。接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離を算出するのは、後述するステップＳ２０７の処理において、差分テーブルに記録されている寸法差分の値のうちのどの値を抽出するかを特定するためである。
【０１３３】
接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の先端エッジと、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の先端エッジと対向するメタル層１のエッジとの間の距離がある。また、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１のサイドエッジと、接続層周辺エリア５０内のメタル層１のサイドエッジと対向するメタル層１のエッジとの間の距離がある。
【０１３４】
例えば、図２０に示す設計データの場合、差分値抽出部２７は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と、接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との間の距離として、Space１の値、Space２−１の値、Space２−２の値を算出する。Space１は、メタル層１Ｅの先端エッジＮと、メタル層１Ｅの先端エッジＮと対向するメタル層１ＦのエッジＱとの間の距離である。Space２−１は、メタル層１Ｅの左サイドエッジＯと、メタル層１Ｅの左サイドエッジＯと対向するメタル層１ＧのエッジＲとの間の距離である。Space２−２は、メタル層１Ｅの右サイドエッジＰと、メタル層１Ｅの右サイドエッジＰと対向するメタル層１ＨのエッジＳとの間の距離である。
【０１３５】
また、ステップＳ２０６の処理において、差分値抽出部２７は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の幅を算出する。例えば、図２０に示す設計データの場合、差分値抽出部
２７は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１Ｅの幅としてWidthの値を算出する。
【０１３６】
ステップＳ２０６の処理が終了すると、ステップＳ２０７の処理に進む。ステップＳ２０７の処理において、差分値抽出部２７は、差分テーブルを参照して、先端方向の寸法差分及び幅方向の寸法差分を差分テーブルから抽出する。
【０１３７】
差分値抽出部２７による差分テーブルから先端方向の寸法差分を抽出する具体的処理を説明する。差分値抽出部２７は、ステップＳ２０６の処理において算出した接続層周辺エリア５０内のメタル層１と接続層周辺エリア５０内のメタル層１に隣接して配置されているメタル層１との距離、及び、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の幅に応じて、先端方向の寸法差分を、差分テーブルから抽出する。
【０１３８】
例えば、図２０に示す設計データにおいて、Space１の値が６０ｎｍ、Space２−１の値が６０ｎｍ、Space２−２の値が３００ｎｍ、Widthの値が６０ｎｍである場合について説明する。図２０に示す設計データの場合、接続層周辺エリア５０内のメタル層１Ｅの配置はＴ字型配置であり、Widthの値が６０ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図７に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルを参照する。図２０に示す設計データの場合、Space１の値が６０ｎｍであり、Space２−１の値が６０ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから、１０ｎｍを抽出する。また、図２０に示す設計データの場合、Space１の値が６０ｎｍであり、Space２−２の値が３００ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから、−２ｎｍを抽出する。
【０１３９】
次に、差分値抽出部２７による差分テーブルから幅方向の寸法差分を抽出する具体的処理を説明する。差分値抽出部２７は、接続層周辺エリア５０内におけるメタル層１の幅、及び、接続層周辺エリア５０内のメタル層１と接続層周辺エリア５０内のメタル層１の幅方向に配置されているメタル層１との間の距離に応じて、幅方向の寸法差分を、差分テーブルから抽出する。接続層周辺エリア５０内のメタル層１の幅方向は２種類あり、一つは接続層周辺エリア５０内のメタル層１の右サイドエッジが位置している方向であり、もう一つは接続層周辺エリア５０内のメタル層１の左サイドエッジが位置している方向である。本実施形態では、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の右サイドエッジが位置している方向を、メタル層１の右サイドエッジ方向とも表記する。また、本実施形態では、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の左サイドエッジが位置している方向を、メタル層１の左サイドエッジ方向とも表記する。
【０１４０】
例えば、図２０に示す設計データにおいて、Space１の値が６０ｎｍ、Space２−１の値が６０ｎｍ、Space２−２の値が３００ｎｍ、Widthの値が６０ｎｍである場合について説明する。この場合、差分値抽出部２７は、メタル層１の幅方向における寸法差分が記録された差分テーブルを参照する。
【０１４１】
差分値抽出部２７は、メタル層１の右サイドエッジ方向についての寸法差分を、メタル層１の幅方向における寸法差分が記録されている差分テーブルから抽出する。例えば、図２０に示す設計データの場合、Widthの値が６０ｎｍであり、Space２−１の値が６０ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図１７に示す差分テーブルから、−３ｎｍを抽出する。
【０１４２】
また、差分値抽出部２７は、メタル層１の左サイドエッジ方向についての寸法差分を、メタル層１の幅方向における寸法差分が記録されている差分テーブルから抽出する。例えば、図２０に示す設計データの場合、Widthの値が６０ｎｍであり、Space２−１の値が３００ｎｍであるので、差分値抽出部２７は、図１７に示す差分テーブルから、０．３ｎｍ
を抽出する。
【０１４３】
ステップＳ２０７の処理が終了すると、ステップＳ２０８の処理に進む。ステップＳ２０８の処理において、方向特定部２８は、ステップＳ２０４の処理で特定された先端エッジが位置している方向を特定する。
【０１４４】
方向特定部２８は、先端エッジが、接続層周辺エリア５０の中心点から＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に位置する場合、先端エッジが位置している方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）と特定する。また、方向特定部２８は、先端エッジが、接続層周辺エリア５０の中心点から＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に位置する場合、先端エッジが位置している方向を＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）と特定する。接続層周辺エリア５０の中心点とは、接続層周辺エリア５０の２つの対角線が交わる点である。例えば、図２０に示す設計データの場合、メタル層１Ｅの先端エッジＮは接続層周辺エリア５０の中心点から＋Ｙ方向に位置しているため、方向特定部２８は、先端エッジＮが位置している方向を＋Ｙ方向と特定する。
【０１４５】
また、ステップＳ２０８の処理において、方向特定部２８は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の右サイドエッジ及び左サイドエッジが位置している方向を特定する。実施例２に係る検証方法では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状が、メタル層１のパターン形状の先端方向及び幅方向に対して十分に接触しているか否かを検証する。そのため、方向特定部２８は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１のパターン形状の全てのエッジについて、エッジが位置している方向を特定する。例えば、図２０に示す設計データの場合、方向特定部２８は、接続層周辺エリア５０内のメタル層１の右サイドエッジＰ及び左サイドエッジＯが位置している方向を特定する。
【０１４６】
方向特定部２８は、サイドエッジが、接続層周辺エリア５０の中心点から＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に位置する場合、サイドエッジが位置している方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）と特定する。また、方向特定部２８は、サイドエッジが、接続層周辺エリア５０の中心点から＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に位置する場合、サイドエッジが位置している方向を＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）と特定する。例えば、図２０に示す設計データの場合、メタル層１Ｅの左サイドエッジＯは接続層周辺エリア５０の中心点から−Ｘ方向に位置しているため、方向特定部２８は、左サイドエッジＯが位置している方向を−Ｘ方向と特定する。
【０１４７】
先端エッジ及びサイドエッジが位置している方向を特定するのは、後述するステップＳ２１０の処理において、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動する方向を特定するためである。
【０１４８】
ステップＳ２０８の処理が終了すると、ステップＳ２０９の処理に進む。ステップＳ２０９の処理において、移動量算出部２９は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向、右方向及び左方向のそれぞれについて形状移動量を算出する。上述したように、本実施形態では、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接触する接続層２のパターン形状の移動量を、形状移動量とも表記する。ステップＳ２０８の処理で特定された先端エッジが位置している方向が、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向である。ステップＳ２０８の処理で特定された右サイドエッジが位置している方向が、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の右方向である。ステップＳ２０８の処理で特定された左サイドエッジが位置している方向が、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の左方向である。
【０１４９】
移動量算出部２９は、差分テーブルから抽出した寸法差分の平均値を、形状移動量として算出してもよい。すなわち、移動量算出部２９は、寸法差分を、差分テーブルから複数
抽出し、抽出した複数の寸法差分の平均値を、形状移動量として算出してもよい。差分値抽出部２７により、差分テーブルから先端方向の寸法差分の値が２つ抽出されるので、移動量算出部２９は、抽出された２つの値を平均することにより形状移動量として算出してもよい。また、差分値抽出部２７により、差分テーブルから幅方向の寸法差分の値が１つ抽出されるので、移動量算出部２９は、抽出された値をそのまま形状移動量として算出してもよい。
【０１５０】
例えば、図２０に示す設計データの場合、移動量算出部２９は、図７の（Ａ）に示すＴ字型のテストパターンの差分テーブルから抽出した１０ｎｍ及び−２ｎｍの平均値である４ｎｍを、メタル層１のパターン形状の先端方向の形状移動量として算出する。例えば、図２０に示す設計データの場合、移動量算出部２９は、図１７に示す差分テーブルから抽出した−３ｎｍの値を、メタル層１のパターン形状の左サイドエッジＯに対する形状移動量として算出する。例えば、図２０に示す設計データの場合、移動量算出部２９は、図１７に示す差分テーブルから抽出した０．３ｎｍの値を、メタル層１のパターン形状の右サイドエッジＰに対する形状移動量として算出する。
【０１５１】
ステップＳ２０９の処理が終了すると、ステップＳ２１０の処理に進む。ステップＳ２１０の処理において、判定部３１は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の全てに対して、メタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積を算出し、接触面積が所定基準を満たしているか否かを判定する。
【０１５２】
判定部３１による判定処理の詳細を説明する。判定部３１は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させる前のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積を算出する。そして、判定部３１は、算出したＡＮＤ面積を、接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を計算する。接続層２のパターン形状のターゲット面積は、例えば、設計データにおける接続層２のパターン形状のデザイン図形面積や、デザイン図形面積に内接する円の面積等である。本実施形態では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させる前のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を、移動前のＡＮＤ面積の比率とも表記する。
【０１５３】
また、判定部３１は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を所定方向に形状移動量の値に応じて移動して、メタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積を算出する。シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置の移動は移動部３０によって行われる。所定方向は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向及び幅方向である。メタル層１のパターン形状の幅方向は、メタル層１のパターン形状の左サイドエッジ方向、及び、メタル層１のパターン形状の右サイドエッジ方向がある。
【０１５４】
そして、判定部３１は、算出したＡＮＤ面積を、接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を計算する。本実施形態では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させる前のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積を、移動前のＡＮＤ面積とも表記する。本実施形態では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させる前のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を、移動前のＡＮＤ面積の比率とも表記する。本実施形態では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させた後のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積を、移動後のＡＮＤ面積とも表記する。本実施形態で
は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させた後のメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状とのＡＮＤ面積の比率を、移動後のＡＮＤ面積の比率とも表記する。
【０１５５】
判定部３１は、移動前のＡＮＤ面積の比率及び移動後のＡＮＤ面積の比率に基づいて、最終的な移動後のＡＮＤ面積の比率を算出する。具体的には、判定部３１は、接続周辺エリア５０内に含まれるエッジの数分だけ接続層２のパターン形状の移動を行って、移動前のＡＮＤ面積の比率と移動後のＡＮＤ面積の比率との差（Δ）をエッジの数だけ算出する。そして、判定部３１は、移動前のＡＮＤ面積の比率に、エッジの数の分の差（Δ）を足した値を最終的な移動後のＡＮＤ面積の比率として算出する。図２１を参照して、判定部３１が、移動前のＡＮＤ面積の比率及び移動後のＡＮＤ面積の比率に基づいて、最終的な移動後のＡＮＤ面積の比率を算出する処理の一例を説明する。図２１は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状とメタル層１のパターン形状の一部を示す図である。
【０１５６】
図２１の（Ａ）は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させる前の接続層２のパターン形状及びメタル層１のパターン形状を示す図である。図２１の（Ａ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動前のＡＮＤ面積を算出し、移動前のＡＮＤ面積を接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、移動前のＡＮＤ面積の比率Ａ０を計算する。
【０１５７】
図２１の（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動させた後の接続層２のパターン形状及びメタル層１のパターン形状を示す図である。図２１の（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）に示すシミュレーションデータにおいては、移動前の接続層２のパターン形状の位置を実線で示し、移動後の接続層２のパターン形状の位置を点線で示している。
【０１５８】
図２１の（Ｂ）に示すシミュレーションデータでは、接続層２のパターン形状の位置が、形状移動量の値に応じて、メタル層１のパターン形状の幅方向（図２０では左方向）に移動している。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がプラスであれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の左サイドエッジ方向に向けて移動する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がマイナスであれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の右サイドエッジ方向に向けて移動する。
【０１５９】
図２１の（Ｂ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動後のＡＮＤ面積を算出し、移動後のＡＮＤ面積を接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、移動後のＡＮＤ面積の比率Ａ１を計算する。図２１の（Ｂ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動後のＡＮＤ面積の比率Ａ１から移動前のＡＮＤ面積の比率Ａ０を引いた値Δ１を算出する。
【０１６０】
判定部３１は、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号と、Δ１の値の符号とが、異なるか同一かを判定する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号とΔ１の値の符号とが異なる場合、判定部３１は、Δ１の値をそのまま採用する。例えば、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がプラスであり、Δ１の値がマイナスである場合、判定部３１は、Δ１の値をそのまま採用する。例えば、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がマイナスであり、Δ１の値がプラスである場合、判定部３１は、Δ１の値をそのまま採用する。
【０１６１】
ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号とΔ１の値の符号とが同一である場合、判定部３１は、Δ１の値をゼロ（０）とする。例えば、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がプラスであり、Δ１の値がプラスである場合、判定部３１は、Δ１の値をゼロ（０）とする。例えば、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がマイナスであり、Δ１の値がマイナスである場合、判定部３１は、Δ１の値をゼロ（０）とする。
【０１６２】
図２１の（Ｃ）に示すシミュレーションデータでは、接続層２のパターン形状の位置が、形状移動量の値に応じて、メタル層１のパターン形状の先端方向（図２０では上方向）に移動している。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がプラスであれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の先端方向に向けて移動する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がマイナスであれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の先端方向の反対方向に向けて移動する。
【０１６３】
図２１の（Ｃ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動後のＡＮＤ面積を算出し、移動後のＡＮＤ面積を接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、移動後のＡＮＤ面積の比率Ａ２を計算する。図２１の（Ｃ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動後のＡＮＤ面積の比率Ａ２から移動前のＡＮＤ面積の比率Ａ０を引いた値Δ２を算出する。
【０１６４】
判定部３１は、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号と、Δ２の値の符号とが、異なるか同一かを判定する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号とΔ２の値の符号とが異なる場合、判定部３１は、Δ２の値をそのまま採用する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号とΔ２の値の符号とが同一である場合、判定部３１は、Δ２の値をゼロ（０）とする。
【０１６５】
図２１の（Ｄ）に示すシミュレーションデータでは、接続層２のパターン形状の位置が、形状移動量の値に応じて、メタル層１のパターン形状の幅方向（図２０では右方向）に移動している。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がプラスであれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の右サイドエッジ方向に向けて移動する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値がマイナスであれば、移動部３０は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の位置を、メタル層１のパターン形状の左サイドエッジ方向に向けて移動する。
【０１６６】
図２１の（Ｄ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動後のＡＮＤ面積を算出し、移動後のＡＮＤ面積を接続層２のパターン形状のターゲット面積で割ることにより、移動後のＡＮＤ面積の比率Ａ３を計算する。図２１の（Ｄ）に示すシミュレーションデータの場合、判定部３１は、移動後のＡＮＤ面積の比率Ａ３から移動前のＡＮＤ面積の比率Ａ０を引いた値Δ３を算出する。
【０１６７】
判定部３１は、ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号と、Δ３の値の符号とが、異なるか同一かを判定する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号とΔ３の値の符号とが異なる場合、判定部３１は、Δ３の値をそのまま採用する。ステップＳ２０９の処理で算出された形状移動量の値の符号とΔ３の値の符号とが同一である場合、判定部３１は、Δ３の値をゼロ（０）とする。
【０１６８】
判定部３１は、移動前のＡＮＤ面積の比率Ａ０に、Δ１、Δ２及びΔ３を足した値を最
終的な移動後のＡＮＤ面積の比率として算出する。判定部３１は、最終的な移動後のＡＮＤ面積の比率が、基準値Ｂ１以上であるか否かを判定する。
【０１６９】
最終的な移動後のＡＮＤ面積の比率が基準値Ｂ１以上である場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていると判定する。一方、最終的な移動後のＡＮＤ面積の比率が基準値Ｂ１未満である場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていないと判定する。基準値Ｂ１は、検証装置１０の操作者が予め設定することができる。例えば、基準値Ｂ１が９０％であり、ＡＮＤ面積の比率が８５％の場合、判定部３１は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていないと判定する。
【０１７０】
ステップＳ２１０の処理が終了すると、ステップＳ２１１の処理に進む。ステップＳ２１１の処理において、出力部３２は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が所定基準を満たしていない箇所の接続層２のパターン形状の座標を、エラー情報として出力する。出力部３２は、接続層２のパターン形状の座標とともに、ＡＮＤ面積の値又はＡＮＤ面積の比率の値を、エラー情報として出力してもよい。
【０１７１】
出力部３２によって出力されたエラー情報が表示部３３に入力され、表示部３３がエラー情報を表示することにより、検証装置１０の操作者はエラー情報を確認することが可能である。検証装置１０の操作者がエラー情報を確認することにより、検証装置１０の操作者は、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積が十分に確保されているか否かを検証することができる。
【０１７２】
実施例２では、シミュレーションデータにおける接続層２のパターン形状の位置を移動することにより、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状と接続層２のパターン形状との接触面積の検証を、寸法差分を考慮して行うことができる。すなわち、実施例２によれば、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端方向及び幅方向についての寸法差分を考慮して、シミュレーションデータの検証を行うことができる。
【０１７３】
本実施形態によれば、シミュレーション精度が悪い部分についての検証精度の低下を抑制することがきる。本実施形態によれば、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分についてのシミュレーション精度が悪くても、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分についての検証精度の低下を抑止できる。本実施形態によれば、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分以外についてのシミュレーション精度が悪くても、シミュレーションデータにおけるメタル層１のパターン形状の先端部分についての検証精度の低下を抑止できる。本実施形態によれば、シミュレーションデータにおけるゲート層や活性層のパターン形状についての検証精度の低下を抑止することができる。この結果、シミュレーションを用いた検証で、歩留まり劣化を招くパターンを検出することができ、歩留まりを向上させることができる。
【０１７４】
〈コンピュータ読み取り可能な記録媒体〉
コンピュータに上記いずれかの機能を実現させるプログラムをコンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録することができる。そして、コンピュータに、この記録媒体のプログラムを読み込ませて実行させることにより、その機能を提供させることができる。ここで、コンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、
磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータから読み取ることができる記録媒体をいう。このような記録媒体のうちコンピュータから取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ、ＤＡＴ、８ｍｍテープ、メモリカード等がある。また、コンピュータに固定された記録媒体としてハードディスクやＲＯＭ等がある。
【０１７５】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、前記第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成手段と、
前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている前記差分値から前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの移動量を算出する算出手段と、
前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を、所定方向に前記移動量の値に応じて移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する判定手段と、
前記所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力手段と、を備えることを特徴とする検証装置。
（付記２）
前記記憶手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの先端の寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する第１のパターンの先端の寸法との差分値を記憶し、
前記判定手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの位置を、第２のパターンと接触する第１のパターンの先端方向に前記移動量の値に応じて移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする付記１に記載の検証装置。
（付記３）
前記記憶手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの幅の寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する第１のパターンの幅の寸法との差分値を記憶し、
前記判定手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの位置を、第２のパターンと接触する第１のパターンの先端方向及び幅方向に前記移動量の値だけ移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする付記２に記載の検証装置。
（付記４）
検証装置が、
半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、前記第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成ステップと、
前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段を参照するステップと、
前記記憶手段に記憶されている前記差分値から前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの移動量を算出する算出ステップと、
前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を所定方向に前記移動量の値だけ移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定
基準を満たすか否かを判定する判定ステップと、
前記所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力ステップと、を実行することを特徴とする検証方法。
（付記５）
前記記憶手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの先端の寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する第１のパターンの先端の寸法との差分値を記憶し、
前記判定ステップは、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの位置を、第２のパターンと接触する第１のパターンの先端方向に前記移動量の値に応じて移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする付記４に記載の検証方法。
（付記６）
前記記憶手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの幅の寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する第１のパターンの幅の寸法との差分値を記憶し、
前記判定ステップは、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの位置を、第２のパターンと接触する第１のパターンの先端方向及び幅方向に前記移動量の値だけ移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする付記５に記載の検証方法。
（付記７）
検証装置に、
半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいてシミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、前記第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する作成ステップと、
前記シミュレーションデータにおける前記第１のパターンの寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する前記第１のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段を参照するステップと、
前記記憶手段に記憶されている前記差分値から前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの移動量を算出する算出ステップと、
前記シミュレーションデータにおける前記第２のパターンの位置を所定方向に前記移動量の値だけ移動させて、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する判定ステップと、
前記所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する出力ステップと、を実行させるための検証プログラム。
（付記８）
前記記憶手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの先端の寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する第１のパターンの先端の寸法との差分値を記憶し、
前記判定ステップは、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの位置を、第２のパターンと接触する第１のパターンの先端方向に前記移動量の値に応じて移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定することを特徴とする付記７に記載の検証プログラム。
（付記９）
前記記憶手段は、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの幅の寸法と、前記半導体装置を製造するために用いられるデータに基づいて製造プロセスにより製造された前記半導体装置が有する第１のパターンの幅の寸法との差分値を記憶し、
前記判定ステップは、前記シミュレーションデータにおける第１のパターンの位置を、第２のパターンと接触する第１のパターンの先端方向及び幅方向に前記移動量の値だけ移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを
判定することを特徴とする付記８に記載の検証プログラム。
【符号の説明】
【０１７６】
１    メタル層
２    接続層
１０  検証装置
１１    ＣＰＵ
１２    メモリ
１３    インターフェース
１４    ハードディスク装置
１５    可搬媒体駆動装置
１６    入力装置
１７    表示装置
２０  記憶部
２１  入力部
２２  作成部
２３  エッジ特定部
２４  エリア生成部
２５  エリア特定部
２６  配置特定部
２７  差分値抽出部
２８  方向特定部
２９  移動量算出部
３０  移動部
３１  判定部
３２  出力部
３３  表示部
４０  先端近傍エリア
５０  接続層周辺エリア
【図１】
0005391967.tif 000002
【図２】
0005391967.tif 000003
【図３】
0005391967.tif 000004
【図４】
0005391967.tif 000005
【図５】
0005391967.tif 000006
【図６】
0005391967.tif 000007
【図７】
0005391967.tif 000008
【図８】
0005391967.tif 000009
【図９】
0005391967.tif 000010
【図１０】
0005391967.tif 000011
【図１１】
0005391967.tif 000012
【図１２】
0005391967.tif 000013
【図１３】
0005391967.tif 000014
【図１４】
0005391967.tif 000015
【図１５】
0005391967.tif 000016
【図１６】
0005391967.tif 000017
【図１７】
0005391967.tif 000018
【図１８】
0005391967.tif 000019
【図１９】
0005391967.tif 000020
【図２０】
0005391967.tif 000021
【図２１】
0005391967.tif 000022