(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に、液晶注入口を構成する隙間を形成するように、互いに離間した始点から終点に向けて塗布されたシール材とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
互いに対向するように配置され、複数のパネル領域をそれぞれ有する第１母基板および第２母基板のうち少なくとも一方の基板上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜のうち、個々のパネル領域の前記シール材の少なくとも前記始点および前記終点に対応する領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記保護膜を除去する工程と、
前記第１母基板および前記第２母基板を前記個々のパネル領域に分断する分断線の内側近傍でかつ前記保護膜の上に、ディスペンサ方式を用いて、液晶注入口を構成する隙間を形成するように前記始点から塗布を開始して前記終点で塗布を終了するように前記シール材を塗布する工程と、
前記第１母基板と前記第２母基板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせた前記第１母基板および前記第２母基板を前記個々のパネル領域に分断する工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜を形成する工程は、感光性材料により前記保護膜を形成する工程を含み、
前記保護膜を除去する工程は、フォトリソグラフィー技術を用いて前記保護膜の一部分を除去する工程を含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記個々のパネル領域は、平面的に見て、略矩形形状を有しており、
前記シール材を塗布する工程は、前記個々のパネル領域の外周に沿って前記シール材を塗布する工程を含み、
前記保護膜を除去する工程は、前記個々のパネル領域の辺のうちの前記液晶注入口が設けられる辺全域に対応する前記保護膜の領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記保護膜を除去する工程を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記個々のパネル領域は、平面的に見て、略矩形形状を有しており、
前記シール材を塗布する工程は、前記個々のパネル領域の外周に沿って前記シール材を塗布する工程を含み、
前記保護膜を除去する工程は、前記個々のパネル領域の辺のうちの前記液晶注入口が設けられる辺全域に対応する前記保護膜の領域のうち前記シール材の始点と終点との間の前記液晶注入口に対応する前記保護膜の領域以外の領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記保護膜を除去する工程を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜を除去する工程は、前記保護膜の前記シール材の始点および終点に対応しない領域は除去せずに、前記保護膜の前記シール材の始点および終点に対応する領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記保護膜を除去する工程を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護膜を除去する工程は、前記保護膜の前記シール材の始点および終点に対応する領域および前記保護膜の前記シール材の始点と終点との間の前記液晶注入口に対応する領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記保護膜を除去する工程を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜は、第１保護膜と第２保護膜とを含み、
前記保護膜を形成する工程は、前記第１母基板および前記第２母基板の表面上に、それぞれ、前記第１保護膜および前記第２保護膜を形成する工程を含み、
前記保護膜を除去する工程は、前記第１保護膜のうち、前記シール材の少なくとも前記始点および前記終点に対応する領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記第１保護膜を除去する工程と、前記第２保護膜のうち、前記シール材の少なくとも前記始点および前記終点に対応する領域で、かつ、前記個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の前記第２保護膜を除去する工程とを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板のうち少なくともいずれか一方の表面上に形成された保護膜と、
液晶注入口を構成する隙間を形成するように設けられ、互いに離間する始点および終点を有するとともに、前記第１基板および前記第２基板の外周に沿って前記保護膜の上に塗布されたシール材とを備え、
前記保護膜には、前記シール材の少なくとも前記始点および前記終点に対応する領域から、保護膜のシール材に対して液晶が封入される側とは反対側における端部までの前記保護膜が除去されてなり、前記シール材を流入させるための逃がし部が設けられている、液晶表示装置。
【請求項９】
前記シール材の始点および終点のうち前記保護膜の逃がし部に形成された部分の厚みは、前記保護膜の逃がし部が設けられていない部分に形成された前記シール材の厚みよりも大きい、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、互いに対向するように配置された一対の母基板を貼り合わせるためのシール材を備える液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、互いに対向するように配置された一対の母基板を貼り合わせるためのシール材を備える液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置および電子機器が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、互いに対向するように配置されたＴＦＴ基板（第１母基板）および対向基板（第２母基板）と、対向基板の表面上に形成された封入孔柱状スペーサーと、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせるための封着材（シール材）とを備えた液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、ＴＦＴ基板および対向基板の個々のパネル領域毎に、個々のパネル領域の外周に沿ってディスペンサ方式により、始点から塗布を開始して終点で塗布を終了するように封着材が塗布されている。また、封入孔柱状スペーサーは、感光性樹脂からなり、封着材の始点と隣接するパネル領域との間、および、封着材の終点と隣接するパネル領域との間にそれぞれ設けられている。また、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる際には、封着材は、ＴＦＴ基板と対向基板とによって隣接するパネル領域側に押し広げられる一方、押し広げられた封着材は、封入孔柱状スペーサーによって堰き止められるので、封着材がＴＦＴ基板および対向基板の外周部近傍から外側（隣接するパネル側）にはみ出すのが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４５６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる際に、封着材が隣接するパネル領域にはみ出るのを抑制するための封入孔柱状スペーサーを別途余分に設けているため、構造が複雑化するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、構造が複雑化することなく、シール材がはみ出るのを抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における液晶表示装置の製造方法は、互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間に、液晶注入口を構成する隙間を形成するように、互いに離間した始点から終点に向けて塗布されたシール材とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、互いに対向するように配置され、複数のパネル領域をそれぞれ有する第１母基板および第２母基板のうち少なくとも一方の基板上に保護膜を形成する工程と、保護膜のうち、個々のパネル領域のシール材の少なくとも始点および終点に対応する領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の保護膜を除去する工程と、第１母基板および第２母基板を個々のパネル領域に分断する分断線の内側近傍でかつ保護膜の上に、ディスペンサ方式を用いて、液晶注入口を構成する隙間を形成するように始点から塗布を開始して終点で塗布を終了するようにシール材を塗布する工程と、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる工程と、貼り合わせた第１母基板および第２母基板を個々のパネル領域に分断する工程とを備える。
【０００８】
この第１の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、保護膜のうち、液晶注入口を構成する隙間を形成するように始点から塗布を開始して終点で塗布を終了するシール材の少なくとも始点および終点に対応する領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域を除去することによって、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、第１母基板と第２母基板とによって押し広げられたシール材が除去された保護膜の領域に流入するので、シール材をディスペンサ方式により塗布する場合に、シール溜まりに起因してシール材のはみ出しが発生しやすい少なくとも始点および終点において、シール材がパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。これにより、第１母基板と第２母基板とによって押し広げられたシール材がパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制するために別途余分に構造物を設ける場合と異なり、保護膜を除去するだけでよいので、構造が複雑化するのを抑制することができる。
【０００９】
上記第１の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、保護膜を形成する工程は、感光性材料により保護膜を形成する工程を含み、保護膜を除去する工程は、フォトリソグラフィー技術を用いて保護膜の一部分を除去する工程を含む。このように構成すれば、保護膜の所望の領域をフォトリソグラフィー技術を用いて容易に除去することができる。
【００１０】
上記第１の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、個々のパネル領域は、平面的に見て、略矩形形状を有しており、シール材を塗布する工程は、個々のパネル領域の外周に沿ってシール材を塗布する工程を含み、保護膜を除去する工程は、個々のパネル領域の辺のうちの液晶注入口が設けられる辺全域に対応する保護膜の領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の保護膜を除去する工程を含む。このように構成すれば、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、第１母基板と第２母基板とによって押し広げられたシール材が、個々のパネル領域の辺のうちの液晶注入口が設けられる辺全域に対応する保護膜の領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域に流入するので、始点および終点のシール材のみならず液晶注入口が設けられる辺全域でシール材を除去された保護膜の部分に流入させることができる。これにより、シール材がパネル領域の液晶注入口が設けられる辺全域において外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。
【００１１】
上記第１の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、個々のパネル領域は、平面的に見て、略矩形形状を有しており、シール材を塗布する工程は、個々のパネル領域の外周に沿ってシール材を塗布する工程を含み、保護膜を除去する工程は、個々のパネル領域の辺のうちの液晶注入口が設けられる辺全域に対応する保護膜の領域のうちシール材の始点と終点との間の液晶注入口に対応する保護膜の領域以外の領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の保護膜を除去する工程を含む。このように構成すれば、液晶注入口に対応する保護膜の領域を除去する場合と異なり、液晶注入口の開口部分が大きくなるのを抑制することができるので、液晶注入口を封止する際の封止材が液晶注入口に深く入り込んでしまうのを抑制することができる。これにより、封止材が液晶注入口に深く入り込むことに起因して液晶の配向が乱れるのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、保護膜を除去する工程は、保護膜のシール材の始点および終点に対応しない領域は除去せずに、保護膜のシール材の始点および終点に対応する領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の保護膜を除去する工程を含む。このように構成すれば、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、シール溜まりに起因してはみ出しが発生しやすい始点および終点のシール材のみが、保護膜の除去された領域に流入するので、始点および終点のシール材がパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。
【００１３】
上記第１の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、保護膜を除去する工程は、保護膜のシール材の始点および終点に対応する領域および保護膜のシール材の始点と終点との間の液晶注入口に対応する領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の保護膜を除去する工程を含む。このように構成すれば、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、第１母基板と第２母基板とによって押し広げられたシール材が、パネル領域の外周部の液晶注入口側の領域に流入したとしてもパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。
【００１４】
上記第１の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、保護膜は、第１保護膜と第２保護膜とを含み、保護膜を形成する工程は、第１母基板および第２母基板の表面上に、それぞれ、第１保護膜および第２保護膜を形成する工程を含み、保護膜を除去する工程は、第１保護膜のうち、シール材の少なくとも始点および終点に対応する領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の第１保護膜を除去する工程と、第２保護膜のうち、シール材の少なくとも始点および終点に対応する領域で、かつ、個々のパネル領域の外周部近傍の領域から当該外周部の外周縁までの領域の第２保護膜を除去する工程とを含む。このように構成すれば、第１保護膜または第２保護膜の一方に除去部を設ける場合と異なり、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、第１母基板と第２母基板とによって押し広げられたシール材を、第１保護膜および第２保護膜の両方の除去部に流入させることができるので、パネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのをより効果的に抑制することができる。
【００１５】
この発明の第２の局面における液晶表示装置は、互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板のうち少なくともいずれか一方の表面上に形成された保護膜と、液晶注入口を構成する隙間を形成するように設けられ、互いに離間する始点および終点を有するとともに、第１基板および第２基板の外周に沿って保護膜の上に塗布されたシール材とを備え、保護膜には、シール材の少なくとも始点および終点に対応する領域から、保護膜のシール材に対して液晶が封入される側とは反対側における端部までの保護膜が除去されてなり、シール材を流入させるための逃がし部が設けられている。
【００１６】
この第２の局面による液晶表示装置では、上記のように、保護膜のうち、シール材の少なくとも始点および終点に対応する領域で、かつ、保護膜のシール材に対して液晶が封入される側とは反対側の部分に、保護膜の一部分を除去することにより、シール材を流入させるための逃がし部を設けることによって、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際に、第１基板と第２基板とによって押し広げられたシール材を保護膜の逃がし部に流入させることができるので、シールをディスペンサ方式により塗布する場合に、シール溜まりに起因してシール材のはみ出しが発生しやすい少なくとも始点および終点において、シール材がパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。これにより、第１基板と第２基板とに押し広げられたシール材がパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制するために別途余分に構造物を設ける場合と異なり、保護膜を除去するだけでよいので、構造が複雑化するのを抑制することができる。
【００１７】
上記第２の局面による液晶表示装置において、好ましくは、シール材の始点および終点のうち保護膜の逃がし部に形成された部分の厚みは、保護膜の逃がし部が設けられていない部分に形成されたシール材の厚みよりも大きい。このように構成すれば、保護膜の逃がし部に形成された部分の厚みが大きい分、シール材の始点および終点に対応する保護膜の逃がし部により多くのシール材を流入させることができるので、シール材の始点および終点におけるシール材のはみ出しを容易に抑制することができる。
【００１８】
この発明の第３の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、構造が複雑化することなく、シール材がはみ出るのを抑制することが可能な液晶表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。
【図３】図２の２００−２００線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、パッシベーション膜および平坦化膜（ＯＶＬ）を形成する工程を説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、平坦化膜（ＯＶＬ）に逃がし部およびコンタクトホールを形成する工程を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、パッシベーション膜に逃がし部を形成する工程を説明するための図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、平坦化膜（ＯＶＬ）の表面上に画素電極、低温パッシベーション膜、共通電極および配向膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、対向基板上にＢＭ（ブラックマトリクス）、ＣＦ（カラーフィルター）およびオーバーコート（ＯＶＣ）層を形成する工程を説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、オーバーコート層に逃がし部を形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、オーバーコート層の表面上にフォトスペーサー（ＰＳ）および配向膜を形成する工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板にシール材を塗布する工程を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる工程を説明するための図である。
【図１３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる工程を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる工程を説明するための図である。
【図１５】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。
【図１７】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。
【図１８】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。
【図１９】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。
【図２０】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。
【図２１】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、横電界モードの液晶表示装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２２】
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、略矩形形状を有するＴＦＴ基板１と、略矩形形状を有する対向基板２とを備えている。なお、ＴＦＴ基板１は、本発明の「第１基板」の一例であり、対向基板２は、本発明の「第２基板」の一例である。また、ＴＦＴ基板１と対向基板２とは、シール材３によって貼り合わされている。シール材３は、ＴＦＴ基板１および対向基板２の外周に沿ってディスペンサ方式により塗布されている。シール材３は、始点３ａから塗布を開始して終点３ｂで塗布を終了するようにＴＦＴ基板１または対向基板２の表面上に塗布されている。このシール材３の始点３ａと終点３ｂとの間の隙間は、液晶を注入するための液晶注入口４として機能する。また、ＴＦＴ基板１の表面上には、液晶表示装置１００を駆動させるための駆動ＩＣ５が設けられている。また、液晶表示装置１００は、複数の副画素６を有している。
【００２３】
副画素６の断面構造としては、図３に示すように、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極７が形成されている。ゲート電極７およびＴＦＴ基板１の表面上には、ＳｉＮなどからなるゲート絶縁膜８ａを含む絶縁膜８が形成されている。ゲート電極７と絶縁膜８とを介して対向するように、半導体層９が形成されている。なお、半導体層９は、ａ−Ｓｉとｎ＋Ｓｉとからなる。半導体層９の上部には、ソース電極１０およびドレイン電極１１が形成されている。そして、ゲート電極７、絶縁膜８、半導体層９、ソース電極１０およびドレイン電極１１により薄膜トランジスタ１２が構成されている。
【００２４】
また、ソース電極１０およびドレイン電極１１を覆うように、ＳｉＮなどからなるパッシベーション膜１３が形成されている。なお、パッシベーション膜１３は、本発明の「保護膜」の一例である。ここで、第１実施形態では、パッシベーション膜１３のＹ１方向側の端部から幅Ｗ１分（Ａ−Ｂ間）を除去することにより、シール材３を流入させるための逃がし部１３ａが設けられている。この逃がし部１３ａは、図１および図２に示す斜線部のように、パネル領域（ＴＦＴ基板１および対向基板２）の外周部近傍の領域の液晶注入口４が設けられる辺（Ｙ１方向側の辺）全域に対応するパッシベーション膜１３の領域に設けられている。具体的には、逃がし部１３ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間にＸ方向に延びるように設けられている。また、パッシベーション膜１３の逃がし部１３ａの幅Ｗ１は、約０．１μｍ以上約０．３μｍ以下である。また、図３に示すように、パッシベーション膜１３には、コンタクトホール１３ｂが形成されている。
【００２５】
また、パッシベーション膜１３の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜（ＯＶＬ）１４が形成されている。なお、平坦化膜１４は、本発明の「第１保護膜」および「保護膜」の一例である。また、第１実施形態では、平坦化膜１４のＹ１方向側の端部から幅Ｗ１分（Ａ−Ｂ間）を除去することにより、シール材３を流入させるための逃がし部１４ａが設けられている。この逃がし部１４ａは、図１および図２に示す斜線部のように、パネル領域（ＴＦＴ基板１および対向基板２）の外周部近傍の領域の液晶注入口４が設けられる辺（Ｙ１方向側の辺）全域に対応する平坦化膜１４の領域に設けられている。具体的には、逃がし部１４ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間にＸ方向に延びるように設けられている。なお、平坦化膜１４の逃がし部１４ａと、パッシベーション膜１３の逃がし部１３ａとは、平面的に見て、オーバラップするようにＴＦＴ基板１の表面上に設けられている。また、平坦化膜１４の逃がし部１４ａの幅Ｗ１は、約０．１μｍ以上約０．３μｍ以下である。また、図３に示すように、平坦化膜１４には、コンタクトホール１４ｂが形成されている。また、平坦化膜１４の逃がし部１４ａと、パッシベーション膜１３の逃がし部１３ａとは、段差がないように面一の状態に形成されている。
【００２６】
また、平坦化膜１４の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極１５が形成されている。また、パッシベーション膜１３のコンタクトホール１３ｂと平坦化膜１４のコンタクトホール１４ｂとを介して、コンタクト部１１ａにおいて画素電極１５とドレイン電極１１とが接続されている。
【００２７】
また、画素電極１５の表面上には、ＳｉＮなどからなる低温パッシベーション膜１６が形成されている。低温パッシベーション膜１６の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる共通電極１７が形成されている。共通電極１７は、複数のスリット１７ａを有している。また、共通電極１７の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１８が形成されている。なお、ＴＦＴ基板１の表面から配向膜１８の表面までの厚みｔ１は、約１．８μｍ以上約２．２μｍ以下である。
【００２８】
また、ＴＦＴ基板１と対向するように、対向基板２が設けられている。ＴＦＴ基板１は、対向基板２と約１０μｍの間隔Ｌ１を隔てて配置されている。また、対向基板２の表面上には、樹脂などからなるブラックマトリクス（ＢＭ）２０が形成されている。
【００２９】
また、ブラックマトリクス２０の表面上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）などのカラーフィルター（ＣＦ）２１が形成されている。カラーフィルター２１の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなるとともに保護膜としてのオーバーコート層（ＯＶＣ）２２が形成されている。なお、オーバーコート層２２は、本発明の「第２保護膜」および「保護膜」の一例である。また、第１実施形態では、オーバーコート層２２のＹ１方向側の端部から幅Ｗ１分（Ａ−Ｂ間）を除去することにより、シール材３を流入させるための逃がし部２２ａが設けられている。この逃がし部２２ａは、図２に示す斜線部のように、パネル領域（ＴＦＴ基板１および対向基板２）の外周部近傍の領域の液晶注入口４が設けられる辺（Ｙ１方向側の辺）全域に対応するオーバーコート層２２の領域に設けられている。具体的には、逃がし部２２ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間にＸ方向に延びるように設けられている。なお、オーバーコート層２２の逃がし部２２ａは、パッシベーション膜１３の逃がし部１３ａおよび平坦化膜１４の逃がし部１４ａと、平面的に見て、オーバラップするように対向基板２の表面上に設けられている。また、オーバーコート層２２の逃がし部２２ａの幅Ｗ１は、約０．１μｍ以上約０．３μｍ以下である。
【００３０】
また、図３に示すように、オーバーコート層２２の表面上には、樹脂からなるフォトスペーサー（ＰＳ）２３が形成されている。フォトスペーサー２３は、セルギャップ（ＴＦＴ基板１と対向基板２との間の距離）を調整する機能を有する。また、フォトスペーサー２３およびオーバーコート層２２の表面上には、ポリイミドなどからなる配向膜２４が形成されている。なお、対向基板２の表面から配向膜２４の表面までの厚みｔ２は、約２．８μｍ以上約３．２μｍ以下である。
【００３１】
また、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間に塗布されたシール材３は、エポキシ系の光硬化型樹脂からなる。また、シール材３は、配向膜１８と配向膜２４との間に塗布されているシール部３ｃと、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間にはみ出しているシールはみ出し部３ｄとを含んでいる。シールはみ出し部３ｄは、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間の逃がし部１３ａ、逃がし部１４ａおよび逃がし部２２ａにはみ出す一方、ＴＦＴ基板１および対向基板２の端部ＡよりもＹ１方向側にはみ出さない。なお、シールはみ出し部３ｄは、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の端部までは広がっておらず、シールはみ出し部３ｄのＹ１方向側の端部と、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の端部との間には、空間がある。また、シール部３ｃの厚みｔ３は、約３．８μｍ以上約４．２μｍ以下であり、シール部３ｃの幅Ｗ２は、約０．７μｍである。また、シールはみ出し部３ｄの厚みｔ４は、約１０μｍであり、シールはみ出し部３ｄの幅Ｗ３は、約０．１μｍである。つまり、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂのうち逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａに形成されたシールはみ出し部３ｄの厚みｔ４は、逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａが設けられていない部分に形成されたシール部３ｃの厚みｔ３よりも大きい。
【００３２】
また、配向膜１８と配向膜２４との間には、液晶層３０が封入されている。この液晶層３０の厚みｔ３は、約３．８μｍ以上約４．２μｍ以下である。また、ＴＦＴ基板１の矢印Ｚ１方向側には、バックライト４０が設けられている。バックライト４０は、ＴＦＴ基板１側から対向基板２側（矢印Ｚ２方向側）に向かって光が出射されるように構成されている。
【００３３】
次に、図１、図３〜図１４を参照して、本発明の第１実施形態における液晶表示装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３４】
まず、図４に示すように、大板状態のＴＦＴ基板１０１の表面上に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、下層から上層の順にＡｌ／Ｍｏ層からなるゲート電極７を形成する。なお、ＴＦＴ基板１０１は、本発明の「第１母基板」の一例である。ゲート電極７上とＴＦＴ基板１０１上とに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＮ膜などからなるゲート絶縁膜８ａを含む絶縁膜８を形成する。そして、ゲート絶縁膜８ａを介してゲート電極７と平面的に見て重なるようにフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、ａ−Ｓｉ層とｎ型の導電性を有するｎ＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層９を形成する。
【００３５】
次に、半導体層９上に、ゲート電極７および半導体層９と平面的に見て重なるとともに、半導体層９に電気的に接続される、下層から上層の順にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ層からなるソース電極１０およびドレイン電極１１を形成する。これにより、薄膜トランジスタ１２が形成される。次に、ソース電極１０、ドレイン電極１１および絶縁膜８を覆うように、ＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜などからなる保護膜としてのパッシベーション膜１３を形成する。
【００３６】
次に、パッシベーション膜１３の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての平坦化膜１４を形成する。ここで、第１実施形態では、図５に示すように、フォトリソグラフィー技術により、平坦化膜１４のＹ１方向側の端部を除去する。具体的には、平坦化膜１４は、隣接パネル領域との境界部分（分断線）からＹ２方向に向かって約０．１μｍ以上約０．３μｍ以下の幅Ｗ１分を除去される。そして、逃がし部１４ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間に形成される。また、逃がし部１４ａを形成するのと同時に、ＴＦＴ４のドレイン電極１１の表面上に形成された平坦化膜１４をフォトリソグラフィー技術により、除去する（取り除く）ことによって、コンタクトホール１４ｂを形成する。
【００３７】
次に、図６に示すように、逃がし部１４ａに対応するパッシベーション膜１３の部分をエッチングすることにより、逃がし部１３ａを形成する。なお、逃がし部１３ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間に形成される。また、逃がし部１３ａを形成するのと同時にＴＦＴ４のドレイン電極１１の表面上に形成されたパッシベーション膜１３にコンタクトホール１３ｂを形成する。これにより、ドレイン電極１１の表面が露出される。
【００３８】
次に、図７に示すように、平坦化膜１４の表面上に、スパッタ法により、ＩＴＯやＩＺＯなどからなる画素電極１５を形成する。このとき、画素電極１５の一部は、コンタクトホール１３ｂおよび１４ｂを介して、コンタクト部１１ａにおいて、ドレイン電極１１と電気的に接続される。
【００３９】
次に、画素電極１５の表面上に、ＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜などからなる低温パッシベーション膜１６を形成する。そして、低温パッシベーション膜１６の表面上に、スパッタ法により、ＩＴＯやＩＺＯなどからなる共通電極１７を形成する。この共通電極１７には、複数のスリット１７ａが形成されている。なお、低温パッシベーション膜１６を挟んで画素電極１５と共通電極１７との間に発生する電界により液晶が配向されることにより、液晶表示装置１００が駆動される。次に、共通電極１７の表面上に、塗布法により、ポリイミドなどからなる配向膜１８を形成する。これにより、液晶表示装置１００のＴＦＴ基板１０１側が形成される。なお、図７などにおいて、画素電極１５や配向膜１８などは、逃がし部１３ａおよび１４ａの位置において、パッシベーション膜１３や平坦化膜１４の端部まで形成されているが、画素電極１５や配向膜１８などは必ずしもこの位置まで延在して形成されている必要はなく、少なくとも副画素６（図１参照）が存在する表示領域まで形成すればよい。
【００４０】
次に、図８に示すように、大板状態の対向基板１０２の表面上に、たとえば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、ブラックマトリクス（ＢＭ）２０を形成する。なお、対向基板１０２は、本発明の「第２母基板」の一例である。その後、フォトリソグラフィー技術により、副画素６（図１参照）毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のカラーフィルター（ＣＦ）２１を形成する。
【００４１】
次に、ブラックマトリクス２０およびカラーフィルター２１の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート層（ＯＶＣ）２２を形成する。オーバーコート層２２は、ブラックマトリクス２０およびカラーフィルター２１の表面上の略全面を覆うように形成される。
【００４２】
また、第１実施形態では、図９に示すように、フォトリソグラフィー技術により、オーバーコート層２２の隣接パネル領域との境界部分（分断線）からＹ２方向に約０．１μｍ以上約０．３μｍ以下の幅Ｗ１分を除去する（取り除く）ことによって、逃がし部２２ａを形成する。なお、逃がし部２２ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間に形成される。
【００４３】
次に、図１０に示すように、オーバーコート層２２の表面上に、フォトリソグラフィー技術により、アクリル系の感光性樹脂からなるフォトスペーサー２３を形成する。その後、オーバーコート層２２およびフォトスペーサー２３の表面上にポリイミドなどからなる配向膜２４を形成する。これにより、液晶表示装置１００の対向基板１０２側が形成される。
【００４４】
次に、図１１に示すように、ディスペンサ方式により、個々のパネル毎に、液晶注入口４を構成する隙間を形成するように始点３ａから塗布を開始して終点３ｂで塗布を終了するようにシール材３を塗布する。シール材３は、平面的に見て、略矩形形状を有するように塗布する。また、図１２に示すように、シール材３は、ＴＦＴ基板１０１側の平坦化膜１４の上に存在する配向膜１８の表面上に塗布される。
【００４５】
そして、図１３に示すように、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との貼り合わせを行う。このとき、対向基板１０２側の配向膜２４にシール材３が接触した際に、シール材３は、ＴＦＴ基板１０１の配向膜１８と、対向基板１０２の配向膜２４とによって、Ｙ方向に押し広げられる。なお、第１実施形態のようにディスペンサ方式を用いてシール材３を塗布する場合、始点３ａおよび終点３ｂに位置する部分には、シール溜まりなどができてしまい、始点３ａおよび終点３ｂに位置する部分のシール材３の量（厚み）が、始点３ａおよび終点３ｂ以外に位置する部分のシール材３の量（厚み）よりも多くなる傾向がある。つまり、始点３ａおよび終点３ｂに位置する部分のシール材３は、始点３ａおよび終点３ｂ以外に位置する部分のシール材３に比べて押し広げられる分量が多くなる。この押し広げられたシール材３は、逃がし部１３ａ、逃がし部１４ａおよび逃がし部２２ａに入り込むように広がる。
【００４６】
その後、図１４に示すように、フォトスペーサー２３上の配向膜２４がＴＦＴ基板１０１側の配向膜１８に接触して、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とのセルギャップが調整された際に、シール材３のシールはみ出し部３ｄは、逃がし部１３ａ、逃がし部１４ａおよび逃がし部２２ａに入り込んだ状態となり、隣接パネル領域までは広がらない（はみ出さない）。このとき、シールはみ出し部３ｄは、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の端部までは広がっておらず、シールはみ出し部３ｄのＹ１方向側の端部と、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の端部との間には、空間（余裕）がある。その後、紫外線照射によりシール材３を硬化させることによって、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とを接着（固定）させる。
【００４７】
次に、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２を個々のパネル毎に分断する。そして、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に液晶を注入する。その後、光硬化性樹脂などの封止材によって液晶注入口４を封止する。そして、駆動ＩＣ５およびバックライト４０を取り付けることによって、横電界モードの液晶表示装置１００（図３参照）が完成する。
【００４８】
第１実施形態では、上記のように、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のうち、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域を除去することによって、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる際に、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とに押し広げられたシール材３がパッシベーション膜１３の逃がし部１３ａ、平坦化膜１４の逃がし部１４ａおよびオーバーコート層２２の逃がし部２２ａに流入するので、シール材３をディスペンサ方式により塗布する場合に、シール溜まりに起因してシール材のはみ出しが発生しやすい少なくとも始点および終点において、シール材３が隣接するパネル領域にはみ出るのを抑制することができる。これにより、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とに押し広げられたシール材３が隣接するパネル領域にはみ出るのを抑制するために別途余分に構造物を設ける場合と異なり、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２を除去するだけでよいので、構造が複雑化するのを抑制することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、上記のように、フォトリソグラフィー技術を用いて平坦化膜１４およびオーバーコート層２２の一部分を除去することによって、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２の所望の領域（逃がし部１４ａおよび２２ａ）をフォトリソグラフィー技術を用いて容易に除去することができる。
【００５０】
また、第１実施形態では、上記のように、個々のパネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる辺全域に対応するパッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２の領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域を除去することによって、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる際に、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とに押し広げられたシール材３が、個々のパネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる辺全域に対応するパッシベーション膜１３の逃がし部１３ａ、平坦化膜１４の逃がし部１４ａおよびオーバーコート層２２の逃がし部２２ａに流入するので、始点３ａおよび終点３ｂのシール材３のみならず液晶注入口４が設けられる辺全域でのシール材３を逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａに流入させることができる。これにより、シール材３がパネル領域の液晶注入口４が設けられる辺全域において外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。
【００５１】
また、第１実施形態では、上記のように、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂのうちパッシベーション膜１３の逃がし部１３ａ、平坦化膜１４の逃がし部１４ａおよびオーバーコート層２２の逃がし部２２ａに形成された部分の厚みｔ４を、パッシベーション膜１３の逃がし部１３ａ、平坦化膜１４の逃がし部１４ａおよびオーバーコート層２２の逃がし部２２ａが設けられていない部分に形成されたシール材３の厚みｔ３よりも大きくすることによって、逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａに形成された部分の厚みｔ４の厚みが大きい分、シール材３の始点および終点に対応する逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａにより多くのシール材３を流入させることができるので、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂにおけるシール材３のはみ出しを容易に抑制することができる。
【００５２】
（第２実施形態）
次に、図１５を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、パネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる辺全域に逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａを形成した第１実施形態とは異なり、パネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる領域以外の領域に逃がし部１１３ａ、１１４ａおよび１２２ａを形成する。
【００５３】
この第２実施形態による液晶表示装置１００ａでは、図１５に示すように、逃がし部１１３ａ、１１４ａおよび１２２ａは、それぞれ、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のＹ１方向側の外周部近傍の液晶注入口４に対応する領域以外の領域（図１５の斜線部）に設けられている。具体的には、逃がし部１１３ａ、１１４ａおよび１２２ａは、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３との間に設けられている。なお、パネル領域のＹ１方向側の外周部と液晶注入口４との間には、逃がし部１１３ａ、１１４ａおよび１２２ａは、設けられていない。なお、第２実施形態のその他の構成および製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５４】
第２実施形態では、上記のように、個々のパネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる辺全域に対応するパッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２の領域のうちシール材３の始点３ａと終点３ｂとの間の液晶注入口４に対応するパッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２の領域以外の領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域を除去することによって、液晶注入口４に対応するパッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２を除去する場合と異なり、液晶注入口４の開口部分が大きくなるのを抑制することができるので、液晶注入口４を封止する際の封止材が液晶注入口４に深く入り込んでしまうのを抑制することができる。これにより、封止材が液晶注入口４に深く入り込むことに起因して液晶の配向が乱れるのを抑制することができる。
【００５５】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５６】
（第３実施形態）
次に、図１６を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、パネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる辺全域に逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａを形成した第１実施形態とは異なり、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のシール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域を除去して逃がし部２１３ａ、２１４ａおよび２２２ａを形成する。
【００５７】
この第３実施形態による液晶表示装置１００ｂでは、図１６に示すように、逃がし部２１３ａ、２１４ａおよび２２２ａは、それぞれ、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のＹ１方向側の外周部近傍のシール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域（図１６の斜線部）のみに設けられている。つまり、逃がし部２１３ａ、２１４ａおよび２２２ａは、それぞれ、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のＹ１方向側の外周部近傍のシール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域以外の領域には、設けられていない。具体的には、逃がし部２１３ａ、２１４ａおよび２２２ａは、それぞれ、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部と、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂとの間のみに設けられている。なお、第３実施形態のその他の構成および製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５８】
第３実施形態では、上記のように、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のシール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域を除去することによって、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる際に、シール溜まりに起因してはみ出しが発生しやすい始点３ａおよび終点３ｂのシール材３のみが、パッシベーション膜１３の逃がし部２１３ａ、平坦化膜１４の逃がし部２１４ａおよびオーバーコート層２２の逃がし部２２２ａに流入するので、始点３ａおよび終点３ｂのシール材３を隣接するパネル領域にはみ出るのを抑制することができる。
【００５９】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６０】
（第４実施形態）
次に、図１７を参照して、本発明の第４実施形態について説明する。この第４実施形態では、パネル領域の辺のうちの液晶注入口４が設けられる辺全域に逃がし部１３ａ、１４ａおよび２２ａを形成した第１実施形態とは異なり、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域およびシール材３の始点３ａおよび終点３ｂとの間の液晶注入口４に対応する領域を除去して逃がし部３１３ａ、３１４ａおよび３２２ａを形成する。
【００６１】
この第４実施形態による液晶表示装置１００ｃでは、図１７に示すように、逃がし部３１３ａ、３１４ａおよび３２２ａは、それぞれ、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のＹ１方向側の外周部近傍のシール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域（図１７の斜線部）、および、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のシール材３の始点３ａと終点３ｂとの間の液晶注入口４に対応する領域（図１７の斜線部）に設けられている。具体的には、逃がし部３１３ａ、３１４ａおよび３２２ａは、それぞれ、平面的に見て、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３の始点３ａおよび終点３ｂとの間、および、パネル領域のＹ１方向側の外周部とシール材３の始点３ａと終点３ｂとの間の液晶注入口４に対応する領域に設けられている。なお、第４実施形態のその他の構成および製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６２】
第４実施形態では、上記のように、パッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のシール材３の始点３ａおよび終点３ｂに対応する領域およびパッシベーション膜１３、平坦化膜１４およびオーバーコート層２２のシール材３の始点３ａと終点３ｂとの間の液晶注入口４に対応する領域で、かつ、パネル領域の外周部近傍の領域を除去することによって、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる際に、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とに押し広げられたシール材３が、パネル領域の外周部の液晶注入口４側の領域に流入したとしてもパネル領域の外周部近傍から外側にはみ出るのを抑制することができる。
【００６３】
なお、第４実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６４】
図１８〜図２０は、それぞれ、上記した第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１００ａ、１００ｂおよび１００ｃを用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図１８〜図２０を参照して、第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１００ａ、１００ｂおよび１００ｃを用いた電子機器について説明する。
【００６５】
第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１００ａ、１００ｂおよび１００ｃは、図１８〜図２０に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）３００、第２の例としての携帯電話４００、および、第３の例としての情報携帯端末５００（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。
【００６６】
図１８の第１の例によるＰＣ３００においては、キーボードなどの入力部３１０および表示画面３２０などに第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１００ａ、１００ｂおよび１００ｃを用いることが可能である。図１９の第２の例による携帯電話４００においては、表示画面４１０に第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１００ａ、１００ｂおよび１００ｃが用いられる。図２０の第３の例による情報携帯端末５００においては、表示画面５１０に第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１００ａ、１００ｂおよび１００ｃが用いられる。
【００６７】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６８】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、横電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、横電界モード以外の方式の液晶表示装置を用いてもよい。
【００６９】
また、上記第１〜第４実施形態では、平坦化膜およびオーバーコート層の一部分をフォトリソグラフィー技術により除去する工程の一例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、平坦化膜およびオーバーコート層をエッチングなどにより除去してもよい。
【００７０】
また、上記第１〜第４実施形態では、ＴＦＴ基板および対向基板の両方の表面上に逃がし部を形成する工程の一例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ＴＦＴ基板および対向基板のうち一方の表面上のみに逃がし部を形成してもよい。また、ＴＦＴ基板側においては、パッシベーション膜にも逃がし部を形成しているが、平坦化膜のみに逃がし部を形成してもよい。いずれにしてもＴＦＴ基板および対向基板において、膜厚が最も大きい保護膜に逃がし部を形成することが、本発明の目的とするシール材の始点・終点でのはみ出し防止として効果的である。
【００７１】
また、上記第１〜第４実施形態では、対向基板の端部近傍に形成されたブラックマトリクスを覆うようにオーバーコート層を形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図２１に示す上記第１〜第４実施形態の変形例の液晶表示装置１００ｄのように、対向基板のＹ１方向側の端部近傍に形成されたブラックマトリクス２０ａの端部と、オーバーコート層１２２の逃がし部２２ａとの間に段差がない面一の状態に形成してもよい。
【符号の説明】
【００７２】
１  ＴＦＴ基板（第１基板）      ２  対向基板（第２基板）      ３  シール材      ３ａ  始点      ３ｂ  終点      ４  液晶注入口      １３  パッシベーション膜（保護膜）      １４  平坦化膜（第１保護膜）（保護膜）      １４ａ  逃がし部      ２２  オーバーコート層（第２保護膜）（保護膜）      ２２ａ  逃がし部      １００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ  液晶表示装置      １０１  ＴＦＴ基板（第１母基板）      １０２  対向基板（第２母基板）      ３００  ＰＣ（電子機器）      ４００  携帯電話（電子機器）      ５００  情報携帯端末（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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