(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路と、
前記発振回路を駆動するためのバイアス信号を生成するバイアス生成回路と、
電源電圧を昇圧し、前記発振回路は駆動せず前記バイアス生成回路を駆動するための昇圧電圧を生成する昇圧回路と、
を有し、
前記バイアス生成回路は、
前記電源電圧により駆動される第１のバイアス生成回路と、
前記昇圧回路から出力される昇圧電圧により駆動される第２のバイアス生成回路と、
前記第１のバイアス生成回路の出力と、前記第２のバイアス生成回路の出力と、を切り替えて、前記バイアス信号として出力する切り替え部と、
を備えることを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記昇圧回路は、前記発振回路の出力信号により駆動されることを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項３】
前記第１のバイアス生成回路は、発振を促進するための発振促進用バイアス生成回路であり、
前記第２のバイアス生成回路は、通常動作を行うための通常動作用バイアス生成回路であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発振器。
【請求項４】
前記切り替え部における切り替え動作を制御する制御回路をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項５】
前記制御回路は、前記昇圧回路から出力される前記昇圧電圧が所定の電圧であるか否かを判定し、前記昇圧電圧が所定の電圧である場合には、前記切り替え部における切り替え処理を実行するための制御信号を出力することを特徴とする請求項４に記載の発振器。
【請求項６】
前記第２のバイアス生成回路は、温度補償回路であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項７】
前記バイアス信号は、温度補償電圧を含むことを特徴とする請求項６に記載の発振器。
【請求項８】
前記バイアス信号は、前記発振回路内にある電圧可変容量素子の制御電圧として供給されることを特徴とする請求項７に記載の発振器。
【請求項９】
前記第２のバイアス生成回路は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧あるいは基準電流を生成する回路であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１０】
前記バイアス信号は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧や基準電流を含むことを特徴とする請求項９に記載の発振器。
【請求項１１】
前記バイアス信号は、前記発振回路内の発振器電流のリファレンスとして供給されることを特徴とする請求項１０に記載の発振器。
【請求項１２】
発振回路と、
前記発振回路を駆動するためのバイアス信号を生成するバイアス生成回路と、
電源電圧を昇圧し、前記発振回路は駆動せず前記バイアス生成回路を駆動するための昇圧電圧を生成する昇圧回路と、
を有し、
前記バイアス生成回路は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧あるいは基準電流を生成する回路であり、
前記バイアス信号は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧や基準電流を含み、前記発振回路内の発振器電流のリファレンスとして供給されることを特徴とする発振器。
【請求項１３】
前記第２のバイアス生成回路は、温度補正用パラメータを格納するメモリ回路であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１４】
発振回路と、前記発振回路を駆動するためのバイアス信号を生成するバイアス生成回路と、電源電圧を昇圧し、前記発振回路は駆動せず前記バイアス生成回路を駆動する昇圧回路と、を内部に備え、
前記電源電圧を供給する外部の電源からの電力の供給を受けるための電源用端子と、
前記発振回路によって制御される振動子と前記発振回路とを接続するための振動子用端子と、
接地接続のための接地用端子と、
前記発振回路の出力信号を出力するための出力端子と、
を備え、
前記バイアス生成回路は、
前記電源電圧により駆動される第１のバイアス生成回路と、
前記昇圧回路から出力される昇圧電圧により駆動される第２のバイアス生成回路と、
前記第１のバイアス生成回路の出力と、前記第２のバイアス生成回路の出力と、を切り替えて、前記バイアス信号として出力する切り替え部と、
を備えることを特徴とするＩＣチップ。
【請求項１５】
発振回路と、前記発振回路を駆動するためのバイアス信号を生成するバイアス生成回路と、電源電圧を昇圧し、前記発振回路は駆動せず前記バイアス生成回路を駆動する昇圧回路と、を内部に備え、
前記電源電圧を供給する外部の電源からの電力の供給を受けるための電源用端子と、
前記発振回路によって制御される振動子と前記発振回路とを接続するための振動子用端子と、
接地接続のための接地用端子と、
前記発振回路の出力信号を出力するための出力端子と、
を備え、
前記バイアス生成回路は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧あるいは基準電流を生成する回路であり、
前記バイアス信号は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧や基準電流を含み、前記発振回路内の発振器電流のリファレンスとして供給されることを特徴とするＩＣチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周波数信号を発振する発振器およびＩＣチップに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＣＸＯ（温度補償型水晶発振器）は、周囲温度の変化に対し、安定した出力周波数が得られる。そのため、ＴＣＸＯは、携帯電話やＰＮＤ（パーソナル・ナビ・デバイス）等に広く用いられている。
近年、これらの機器は、高機能化や動作可能時間の長寿命化が要求され、その実装部品には低消費電力化が求められている。従来は、ＴＣＸＯを間欠動作させることによって低消費電力化を図ってきたが、更なる低消費電力化を実現するために、ＴＣＸＯを低電圧で動作させることが求められている。このような温度補償型水晶発振器を用いた従来の発振器として、例えば、特許文献１に記載の発振器が存在する。【０００３】
図７は、特許文献１に記載の発振器の主要部を示す構成図である。この発振器は、電圧によって周波数を変えることが可能な発振回路１と、この発振回路１を駆動するために必要なバイアス信号を生成するバイアス生成回路２とからなる。
ここで、バイアス生成回路２は、特許文献１の近似３次関数発生装置等が該当する。
図８は、特許文献１に記載の発振器の近似３次関数発生装置を示す構成図である。例えば、ＡＴカットの水晶振動子を用いる場合、発振周波数は３次関数で近似される温度特性を有しているので、この近似３次関数発生装置２１により温度特性を打ち消すことができる。【０００４】
近似３次関数発生装置２１は、温度変化に対して１次関数的に変化する温度検出回路２２からの温度検出値が入力信号ＶＩＮとして入力され、水晶の温度特性を補償する温度補償電圧（バイアス信号ＢＩＡＳ）を発生し、これを発振回路１に供給する。近似３次関数発生装置２１は、加算器２３と、３次成分兼定数成分発生部２４と、１次成分発生部２５と、加算回路２６とからなる。加算器２３は、入力信号ＶＩＮに３次関数曲線の中心温度を調整するための可変電圧Ｖ０を加算し、加算出力ＶＳを出力する。３次成分兼定数成分発生部２４は、加算出力ＶＳを入力し、出力信号ＶＡＯＵＴを出力する。１次成分発生部２５は、加算出力ＶＳを入力し、出力信号ＶＢＯＵＴを出力する。加算回路２６は、出力信号ＶＡＯＵＴと出力信号ＶＢＯＵＴとを加算し、温度補償電圧（バイアス信号ＢＩＡＳ）を出力する。近似３次関数発生装置２１を構成する３次成分兼定数成分発生部２４、１次成分発生部２５、加算回路２６は、電源電圧ＶＤＤを供給する外部の電源からの電力の供給を受けている。【０００５】
バイアス生成回路２は、発振回路１を駆動するための温度補償電圧（バイアス信号ＢＩＡＳ）や、発振回路１を駆動するために必要な基準電圧あるいは基準電流を生成し、これらは発振回路１に供給される。これにより、水晶発振器の温度特性を正確に補償することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許３２３３９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来の発振器の回路構成では、電源電圧を低電圧化しようとしても、大幅な低減は望めない。更には、従来の発振器の回路構成で、単に電源電圧を低電圧化するだけでは、ダイナミック・レンジが減少してしまい、位相ノイズが劣化してしまうことがある。このため、従来の発振器の回路構成では、電源電圧の低電圧化が困難であった。また、このような問題は、水晶発振子を用いる水晶発振器のみならず、他の発振素子を用いる発振回路にも同様に存在する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、従来の回路構成を採用しつつ、位相ノイズを劣化させること無く、電源電圧を低電圧化することが可能な発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある態様による発振器は、発振回路と、前記発振回路を駆動するためのバイアス信号を生成するバイアス生成回路と、電源電圧を昇圧し、前記バイアス生成回路を駆動するための昇圧電圧を生成する昇圧回路と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、従来の回路構成を採用しつつ、位相ノイズを劣化させること無く、電源電圧を低電圧化することが可能である。【０００９】
上記発振器において、前記昇圧回路は、前記発振回路の出力信号により駆動されるようにしてもよい。
こうすれば、昇圧回路の出力電圧に発生するスプリアス・トーンが発振周波数の整数倍のみとなり、昇圧電圧ＨＶＤＤには非高調波スプリアスが現れることはないという効果がある。【００１０】
上記発振器において、前記バイアス生成回路は、前記電源電圧により駆動される第１のバイアス生成回路と、前記昇圧回路から出力される昇圧電圧により駆動される第２のバイアス生成回路と、前記第１のバイアス生成回路の出力と、前記第２のバイアス生成回路の出力と、を切り替える切り替え部と、を備えるようにしてもよい。
こうすれば、電源投入時における発振回路の起動特性を向上させつつ、バイアス生成回路を昇圧回路で駆動することが可能となる。【００１１】
上記発振器において、前記第１のバイアス生成回路は、発振を促進するための発振促進用バイアス生成回路であり、前記第２のバイアス生成回路は、通常動作を行うための通常動作用バイアス生成回路であってもよい。
上記発振器は、前記切り替え部における切り替え動作を制御する制御回路をさらに有してもよい。【００１２】
上記発振器において、前記制御回路は、前記昇圧回路から出力される前記昇圧電圧が所定の電圧であるか否かを判定し、前記昇圧電圧が所定の電圧である場合には、前記切り替え部における切り替え処理を実行するための制御信号を出力してもよい。
こうすれば、必要最低限の時間で、かつ、安定した発振回路の起動が可能となる。
上記発振器において、前記バイアス生成回路は、温度補償回路で実現してもよい。【００１３】
上記発振器において、前記バイアス信号は、温度補償電圧を含んで実現してもよい。
上記発振器において、前記バイアス信号は、前記発振回路内にある電圧可変容量素子の制御電圧として供給されるように実現してもよい。
上記発振器において、前記バイアス生成回路は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧あるいは基準電流を生成する回路で実現してもよい。【００１４】
上記発振器において、前記バイアス信号は、前記発振回路を駆動するために必要な基準電圧や基準電流を含んで実現してもよい。
上記発振器において、前記バイアス信号は、前記発振回路内の発振器電流のリファレンスとして供給されるように実現してもよい。
上記発振器において、前記バイアス生成回路は、温度補正用パラメータを格納するメモリ回路で実現してもよい。【００１５】
本発明のある態様によるＩＣチップは、発振回路と、前記発振回路を駆動するためのバイアス信号を生成するバイアス生成回路と、電源電圧を昇圧し、前記バイアス生成回路を駆動する昇圧回路と、を内部に備え、前記電源電圧を供給する外部の電源からの電力の供給を受けるための電源用端子と、前記発振回路によって制御される振動子と前記発振回路とを接続するための振動子用端子と、接地接続のための接地用端子と、前記発振回路の出力信号を出力するための出力端子と、を備えることを特徴とする。【００１６】
この構成によれば、発振回路は一つのＩＣチップ内に実装され、ＩＣチップの外部の電源からの電源電圧を受け取り、ＩＣチップ内の昇圧回路で電源電圧を昇圧する。このため、例えば、実装基板上に備えられている電源や他のＩＣチップを製造する場合に、ＩＣチップ外部に備えられている電源の電源電圧の低下による発振回路への影響を考慮せずに電源やＩＣチップ等を製造することが可能である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様によれば、従来の回路構成を採用しつつ、位相ノイズを劣化させること無く、電源電圧を低電圧化することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る水晶発振器の動作の一例を示すタイミング図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る水晶発振器の動作の一例を示すタイミング図である。
【図７】特許文献１に記載の発振器の主要部を示す構成図である。
【図８】特許文献１に記載の発振器の近似３次関数発生装置を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下の説明において参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によって示される。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。図１は、第１の実施形態に係る（発振器である）水晶発振器が一つのＩＣチップ１０内に実装され、電子機器内の実装基板１００上に配置されている場合を図示している。また、実装基板１００上には、ＩＣチップ１０とは別に、処理回路が実装されたＩＣチップ２０が配置されている。ＩＣチップ２０の処理回路は、具体的には、例えば、ＩＣチップ１０の水晶発振器からの出力周波数を受けて、入出力装置等の処理を実行する処理回路である。また、図１においては、水晶振動子１ａは、実装基板１００上に配置され、ＩＣチップ１０の外部に設けられているが、ＩＣチップ１０と水晶振動子１ａとは、同一モジュール内に実装されていてもよい。
【００２０】
ＩＣチップ１０に実装されている第１の実施形態に係る水晶発振器は、水晶振動子１ａに電圧を印加する発振回路１と、発振回路１に必要なバイアス信号ＢＩＡＳを生成するバイアス生成回路２と、昇圧回路３とから構成される。ここで、昇圧回路３は、バイアス生成回路２を駆動するための回路である。なお、発振回路１とバイアス生成回路２とは、それぞれ、図７における発振回路１とバイアス生成回路２と同様である。
【００２１】
ここで、発振回路１と、バイアス生成回路２と、昇圧回路３とは、ＩＣチップ１０内に実装されている。また、このＩＣチップ１０は、外部の電源から電源電圧ＶＤＤの供給を受けるための電源用端子１１と、接地接続のための接地用端子１２と、水晶振動子１ａと発振回路１とを接続するための振動子用端子１３と、発振回路１からの出力周波数をＩＣチップ１０の外部に出力する出力端子ＦＯＵＴと、をさらに備える。
【００２２】
バイアス生成回路２は、例えば、特許文献１に記載の近似３次関数発生装置等からなる温度補償回路で実現してもよく、発振回路１を駆動するために必要な基準電圧あるいは基準電流を生成する回路で実現してもよく、温度補正用パラメータを格納するメモリ回路等で実現してもよい。
バイアス生成回路２から出力されるバイアス信号ＢＩＡＳは、例えば、ＴＣＸＯの場合は、温度補償電圧を含むバイアス信号ＢＩＡＳである。そして、そのバイアス信号ＢＩＡＳは、発振回路１内にある電圧可変容量素子の制御電圧として供給される事で、発振周波数を任意に制御し、水晶の温度特性を補償することができる。
【００２３】
また、バイアス生成回路２から出力されるバイアス信号ＢＩＡＳは、例えば、ＳＰＸＯ（パッケージ水晶発振器）の場合は、発振回路１を駆動するために必要な基準電圧や基準電流を含むバイアス信号ＢＩＡＳである。そして、そのバイアス信号ＢＩＡＳは、発振回路１内の発振器電流等のリファレンスとして供給されることで、電源電圧ＶＤＤの変動による発振周波数の変動を良好にすることができる。
【００２４】
また、昇圧回路３は、電源電圧ＶＤＤを昇圧して電源電圧ＶＤＤよりも高い電圧である昇圧電圧ＨＶＤＤを生成する回路であり、この昇圧電圧ＨＶＤＤにより生成回路２を駆動する。すなわち、第１の実施形態に係る水晶発振器は、昇圧回路３を有することによって、電源電圧ＶＤＤが低くてもバイアス生成回路２を昇圧電圧ＨＶＤＤで駆動できる。これにより、従来の回路構成をそのまま採用することが可能であるとともに、バイアス生成回路２内のダイナミック・レンジも減少しないため、位相ノイズ劣化を防ぐことが可能となる。この様に、水晶発振器を構成するバイアス生成回路の種類に関わらず、本発明は有用であるといえる。
【００２５】
また、水晶発振器が実装されるＩＣチップ１０と、その他の素子（電源やＩＣチップ２０等）は、それぞれ、異なるメーカーによって製造される場合がある。この場合、図１に示すように、水晶発振器が一つのＩＣチップ１０内に実装されていれば（すなわち、昇圧回路３がＩＣチップ１０内に備えられていれば）、電子機器の省電力化のために電源電圧ＶＤＤが低くなるように設定したい場合でも、電源やＩＣチップ２０等を製造するメーカーは、その低電力化による水晶発振器への影響を考慮せずに、電源やＩＣチップ２０等を製造することが可能となる。
【００２６】
また、昇圧回路３の動作に必要なクロックは、ＩＣチップ１０の外部から入力されるように構成することも可能である。しかしながら、近年、水晶発振器は、小型化が進んでおり、ピン数に制約がある。そこで、ＲＣ回路等で構成される発振回路をＩＣチップ１０内に内蔵することによって、ピン数を増やすことなく第１の実施形態に係る水晶発振器を実現することが可能である。
【００２７】
また、バイアス生成回路２は、出力周波数の温度特性を補償する温度補償信号を生成する回路を含み、その温度補償信号がバイアス信号ＢＩＡＳとして発振回路１に供給されるようになっていてもよい。さらに、バイアス生成回路２は、バイアス生成回路２を構成する全ての回路が昇圧電圧ＨＶＤＤで駆動される必要はなく、その一部の回路が電源電圧ＶＤＤで駆動されるようになっていてもよい。
【００２８】
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。なお、図２においては、実装基板１００上のＩＣチップ１０以外の構成については省略しており、水晶発振器が実装されたＩＣチップ１０の構成のみを図示している（以降の実施形態においても同様）。図２に示される第２の実施形態に係る水晶発振器は、第１の実施形態に係る水晶発振器の構成とほぼ同様の構成を採るが、昇圧回路３が、発振回路１の出力信号により駆動される点が異なる。
【００２９】
すなわち、昇圧回路３は、発振回路１の出力信号をクロックとして昇圧動作が実行される。これにより、昇圧回路３の出力電圧（昇圧電圧ＨＶＤＤ）に発生するスプリアス・トーンが発振周波数の整数倍のみとなり、昇圧電圧ＨＶＤＤには非高調波スプリアスが現れることはない。
【００３０】
ここで、出力端子ＦＯＵＴには、出力波形（矩形、クリップド・サイン等）に起因する発振周波数の整数倍の高調波スプリアスが元々存在しているため、昇圧回路３の出力に上述のスプリアス・トーンが発生しても問題とならない。例えば、ＲＣ発振回路により昇圧回路３を駆動した場合、ＲＣ発振回路の出力周波数がスプリアス成分として出力端子ＦＯＵＴに発生することがある。さらに、ＲＣ発振回路の出力周波数と発振回路１の発振周波数とがミキシングすることにより、様々な周波数帯に非高調波スプリアスが発生してしまう。しかしながら、第２の実施形態の水晶発振器によれば、これらの問題を回避することができる。
【００３１】
（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。図３に示されるように、第３の実施形態に係る水晶発振器を構成するバイアス生成回路２は、（第１のバイアス回路である）発振促進用バイアス生成回路２ａと、（第２のバイアス回路である）通常動作用バイアス生成回路２ｂと、切り替え部４とから構成される。また、第３の実施形態の水晶発振器は、切り替え部４を制御するための制御回路５を含んで構成される。
【００３２】
発振促進用バイアス生成回路２ａは、電源電圧ＶＤＤにより駆動され、水晶発振器の負性抵抗が向上して、発振が促進されるようなバイアスＢＩＡＳＤを出力する。一方、通常動作用バイアス生成回路２ｂは、昇圧電圧ＨＶＤＤにより駆動され、水晶発振器が通常動作となるようなバイアスＢＩＡＳＨを出力する。ここでの「通常動作」とは、例えば、ＴＣＸＯの場合には、温度補償が行われて予め定められた所定の発振周波数が出力される状態を意味する。
【００３３】
また、制御回路５は、切り替え部４へ制御信号ＣＯＮＴＲＯＬを出力する。切り替え部４は、この制御信号ＣＯＮＴＲＯＬに応じて、発振促進用バイアス生成回路２ａが出力するバイアスＢＩＡＳＤと通常動作用バイアス生成回路２ｂが出力するバイアスＢＩＡＳＨとを切り替える動作を行う。
【００３４】
図４は、第３の実施形態に係る水晶発振器の動作の一例を示すタイミング図である。図４に示されるように、電源投入（電源電圧ＶＤＤの立ち上がり）とほぼ同時に、発振促進用バイアス生成回路２ａが出力するバイアスＢＩＡＳＤがバイアス信号ＢＩＡＳとして発振回路１に入力され、水晶発振器の発振動作が促進される発振促進状態となる。発振動作が開始されて出力端子ＦＯＵＴにクロックが出力されると、昇圧回路３が動作し、昇圧電圧ＨＶＤＤが立ち上がる。その後、制御回路５の制御信号ＣＯＮＴＲＯＬによってバイアスＢＩＡＳＤとバイアスＢＩＡＳＨとが切り替えられ、水晶発振器は通常動作状態へと移行する。
【００３５】
以上のように、第３の実施形態の水晶発振器によれば、電源投入時における水晶発振器の起動特性を向上させつつ、バイアス生成回路２を昇圧回路３で駆動することが可能となる。
なお、制御回路５は、タイマー回路等により構成されることにより、時定数で制御を行うようになっていてもよい。
【００３６】
（第４の実施形態）
図５は、第４の実施形態に係る水晶発振器の構成の一例を示すブロック図である。図５に示される第４の実施形態に係る水晶発振器の構成は、第３の実施形態に係る水晶発振器の構成（図３）とほぼ同様である。しかしながら、図３と異なる点は、制御回路５が、昇圧回路３の出力電圧（昇圧電圧ＨＶＤＤ）に基づいて、切り替え部４を制御し、バイアスの切り替え動作を実行させる点である。
【００３７】
昇圧回路３が出力する昇圧電圧ＨＶＤＤが、予め定められた所定の電圧Ｖｔｈ未満の場合、通常動作用バイアス生成回路２ｂの動作が不安定となることがある。通常動作用バイアス生成回路２ｂの動作が不安定な状態で、バイアスＢＩＡＳＨがバイアス信号ＢＩＡＳとして発振回路１に印加された場合には、負性抵抗が劣化して起動時間が遅くなり、発振が停止してしまうことがある。そのため、切り替え部４における切替え動作は、昇圧電圧ＨＶＤＤが所定の電圧Ｖｔｈ以上になるようなタイミングで実行されることが望ましい。
【００３８】
図６は、第４の実施形態に係る水晶発振器の動作の一例を示すタイミング図である。図４で説明したように、発振動作が開始されて出力端子ＦＯＵＴにクロックが出力されると、昇圧回路３が動作して昇圧電圧ＨＶＤＤが立ち上がる。第４の実施形態の水晶発振器では、その後、昇圧電圧ＨＶＤＤがあらかじめ定められた所定の電圧Ｖｔｈになったことを制御回路５が検出すると、制御回路５は、切り替え部４に制御信号ＣＯＮＴＲＯＬを出力する。そして、この制御信号ＣＯＮＴＲＯＬによって、切り替え部４は、発振回路１に出力するバイアス信号ＢＩＡＳを、バイアスＢＩＡＳＤからバイアスＢＩＡＳＨに切り替える。
【００３９】
以上のように、第４の実施形態の水晶発振器によれば、制御回路５が、昇圧回路３の昇圧電圧ＨＶＤＤが予め定められた所定の電圧Ｖｔｈであるか否かを判定し、出力電圧ＨＶＤＤが所定の電圧Ｖｔｈである場合には、制御信号ＣＯＮＴＲＯＬを切り替え部４に出力する。切り替え部４は、この制御信号ＣＯＮＴＲＯＬが入力されることにより、発振回路１に出力するバイアス信号ＢＩＡＳを、バイアスＢＩＡＳＨからバイアスＢＩＡＳＤに切り替える動作を実行する。これにより、必要最低限の時間で、かつ、安定した水晶発振器の起動が可能となる。なお、所定の電圧Ｖｔｈは、電源電圧ＶＤＤの立上り時と立下り時とでヒステリシスを有してもよい。
【００４０】
なお、上記に説明した本発明の各実施形態においては、発振器の一例として水晶発振器で説明したが、発振器の発振素子を水晶振動子に限定するものでは無い。例えば、水晶振動子の代わりとして、ＳＡＷ（surface acoustic wave）振動子やＢＯＷ（bulk acoustic wave）振動子、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、セラミック発振子などを用いてもよい。これらの振動子であっても、同様の効果を奏する。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、すべての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【符号の説明】
【００４２】
１  発振回路
１ａ  水晶振動子
２  バイアス生成回路
２ａ  発振促進用バイアス生成回路
２ｂ  通常動作用バイアス生成回路
３  昇圧回路
４  切り替え部
５  制御回路
１０  ＩＣチップ（水晶発振器）
１１  電源用端子
１２  接地用端子
１３  振動子用端子
２０  ＩＣチップ（処理回路）
２１  近似３次関数発生装置
１００  実装基板
ＢＩＡＳ  バイアス信号
ＢＩＡＳＨ  通常動作用バイアス
ＢＩＡＳＤ  発振促進用バイアス
ＣＯＮＴＲＯＬ  制御信号
ＦＯＵＴ  出力端子
ＶＤＤ  電源電圧
ＨＶＤＤ  昇圧電圧
Ｖｔｈ  所定の電圧 
【図１】
0005592562.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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