(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電子顕微鏡を校正するための校正用標準部材であって、
前記走査電子顕微鏡は、試料ステージ上の試料に対して電子ビームを走査する照射光学系を備え、前記試料上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測するものにおいて、
一定の固定積層ピッチで周期的に異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記照射光学系の倍率校正に用いられる第１のパターン領域と、
一方向に向かってピッチ寸法が変化する変動積層ピッチで異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記電子ビームの調整に用いられる第２のパターン領域とを備え、
前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域とは、前記２つの凹凸パターンが１軸上に隣接して実質的に同じ高さに配置されており、
前記第１のパターン領域のピッチ寸法は、光またはＸ線回折により予め求められており、
前記第２のパターン領域の前記変動積層ピッチは、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも大きな少なくとも１つの電子ビーム粗調整用ピッチ寸法と、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも小さな少なくとも１つの電子ビーム高精細調整用のピッチ寸法とを含むことを特徴とする校正用標準部材。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のパターン領域の前記凹凸パターンは、一定の固定積層ピッチで周期的に異なる材料を積層させた多層膜を有する断面において、前記異なる材料の一方を選択的にエッチングして形成されたものであり、
前記第２のパターン領域の前記凹凸パターンは、一方向に向かってピッチ寸法が変化する変動積層ピッチで異なる材料を積層させた多層膜を有する断面において、前記異なる材料の一方を選択的にエッチングして形成されたものであることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項３】
請求項１において、
前記走査電子顕微鏡の第１の標準倍率の時に、前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域及びパターン位置識別マークが入射電子に対して同一の視野内にあることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域の入射電子に対する水平距離が１０μｍ以内であることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項５】
請求項１において、
前記入射電子に対する前記第２のパターン領域の基板面の高さが、前記入射電子に対する前記第１のパターン領域の基板面の高さと実質的に同じであることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のパターン領域の基板面の高さと前記第１のパターン領域の基板面の高さの差が、１μｍ以内であることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項７】
請求項１において、
前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチは、２ｎｍ〜９０ｎｍの範囲にあり、前記第２のパターン領域の前記変動積層ピッチは、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にあることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項８】
請求項１において、
前記第１のパターン領域は、同じ厚さの複数のシリコン層と同じ厚さの複数のモリブデン層が交互に積層されたものであり、前記複数のシリコン層をエッチングすることで作製された周期的な凹凸パターンからなり、
前記第２のパターン領域は、厚さの異なる複数のシリコン層と同じ厚さの複数のモリブデン層が交互に積層されたものであり、前記複数のシリコン層をエッチングすることで作製された不定ピッチの凹凸パターンからなることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項９】
請求項１において、
前記第１のパターン領域は、同じ厚さの複数のシリコン層と同じ厚さの複数のモリブデン層が交互に積層されたものであり、前記複数のシリコン層をエッチングすることで作製された周期的な凹凸パターンからなり、
前記第２のパターン領域は、同じ厚さの複数のシリコン層と厚さの異なる複数のモリブデン層が交互に積層されたものであり、前記複数のシリコン層をエッチングすることで作製された変動ピッチの凹凸パターンからなることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項１０】
請求項１において、
前記第２のパターン領域が前記第１のパターン領域が形成された第１の基板とは異なる第２の基板上に形成されており、かつ
前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた構造であることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項１１】
請求項１において、
前記第２のパターン領域において周期パターンのピッチ寸法が前記第１のパターン領域の積層ピッチ寸法およびその整数倍以外のピッチ寸法を有する周期パターンを含むことを特徴とする校正用標準部材。
【請求項１２】
請求項１において、
前記標準部材は、前記測定試料と同じサイズのウェーハ型の標準部材であり、
前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域を有する２組の凹凸パターンが、パターン方向を９０度回転した状態で形成されていることを特徴とする校正用標準部材。
【請求項１３】
試料もしくは校正用標準部材を保持する試料ステージと、前記試料ステージ上の試料に対して電子ビームを走査する照射光学系と、前記電子ビームの走査により発生する二次電子または反射電子を検出する検出器と、前記検出器から得られる電子信号を処理することにより前記試料を測長する信号処理手段と、測長結果が表示される表示手段と、前記電子ビームの加速電圧を制御するための電圧を前記試料ステージに印加するバイアス電源と、前記試料ステージ上に搭載された前記校正用標準部材に対する前記二次電子または反射電子強度の情報から前記照射光学系の倍率校正を行う校正機能とを備え、
測定試料上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡において、
前記校正用標準部材は、
一定の固定積層ピッチで周期的に異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記照射光学系の倍率校正に用いられる第１のパターン領域と、
一方向に向かってピッチ寸法が変化する変動積層ピッチで異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記電子ビームの調整に用いられる第２のパターン領域とを備え、
前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域とは、前記２つの凹凸パターンが１軸上に隣接して実質的に同じ高さに配置されており、
前記凹凸パターンである第１のパターンのピッチ寸法は、光またはＸ線回折により予め求められており、
前記第２のパターン領域の前記変動積層ピッチは、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも大きな少なくとも１つの電子ビーム粗調整用ピッチ寸法と、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも小さな少なくとも１つの電子ビーム高精細調整用のピッチ寸法とを含むことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記信号処理手段で求めた前記いずれかの膜のピッチ寸法と、前記光またはＸ線回折により予め求められたピッチ寸法とを比較して、その差が略ゼロになるように前記照射光学系の倍率校正を行う機能を有していることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記校正用標準部材は、前記測定試料と同じサイズのウェーハ型の標準部材であり、前記試料ステージに搭載可能に構成されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１６】
測定試料上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡を校正する走査電子顕微鏡の校正方法であって、
前記走査電子顕微鏡は、試料もしくは校正用標準部材を保持する試料ステージと、前記試料ステージ上の試料に対して電子ビームを走査する照射光学系と、前記電子ビームの走査により発生する二次電子または反射電子を検出する検出器と、前記検出器から得られる電子信号を処理することにより前記試料を測長する信号処理手段と、測長結果が表示される表示手段と、前記電子ビームの加速電圧を制御するための電圧を前記試料ステージに印加するバイアス電源と、前記試料ステージ上に搭載された前記校正用標準部材に対する前記二次電子または反射電子強度の情報から前記照射光学系の倍率校正を行う校正機能とを備え、
前記校正用標準部材は、一定の固定積層ピッチで周期的に異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記照射光学系の倍率校正に用いられる第１のパターン領域と、一方向に向かってピッチ寸法が変化する変動積層ピッチで異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記電子ビームの調整に用いられる第２のパターン領域とを備え、前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域とは、前記２つの凹凸パターンが１軸上に隣接して実質的に同じ高さに配置されており、
前記第１のパターン領域のピッチ寸法は、光またはＸ線回折により予め求められており、
前記第２のパターン領域の凹凸パターンであって、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも大きなピッチ寸法の変動積層ピッチを利用して前記電子ビームの粗調整を行い、
前記第２のパターン領域の凹凸パターンであって、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも小さなピッチ寸法の変動積層ピッチを利用して前記電子ビームの高精細調整を行い、
前記信号処理手段で求めた前記第１のパターン領域の固定積層ピッチ寸法と、前記光またはＸ線回折により予め求められたピッチ寸法とを比較して、その差が略ゼロになるように前記照射光学系の倍率校正を行う
ことを特徴とする走査電子顕微鏡の校正方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記校正用標準部材は、前記走査電子顕微鏡の第１の標準倍率の時に、前記第２のパターン領域と前記第１のパターン領域及びパターン位置識別マークが入射電子に対して同一の視野内にあり、
前記パターン位置識別マークを利用して前記第２のパターン領域を電子ビーム直下に位置させることを特徴とする走査電子顕微鏡の校正方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
ステージを駆動して前記第１の標準倍率にて前記標準部材を観察しパターン位置識別マークを検出し、
該パターン位置識別マークの示す方向により前記第２のパターン領域を前記電子ビーム直下に移動し、前記第１の標準倍率よりも高倍の第２の標準倍率で前記電子ビームを前記標準部材上で走査し、
前記標準部材の前記第２のパターン領域での二次電子信号波形からレンズ制御部を調節して、該第２のパターン領域の変動積層ピッチの各パターンを用いて軸調整の粗調整及び高精細調整を行い、
前記偏向制御部により電子ビーム走査を前記第１のパターン領域に移動して前記軸調整の高精細調整時と同じ倍率で該第１のパターン領域を走査して二次電子信号を検出し、
該二次電子信号波形から該第１のパターン領域の固定積層ピッチの凹凸パターンのピッチ寸法を測定し、
該凹凸パターンのピッチ寸法をX線回折法で求めたピッチ寸法と比較して、前記電子ビームによる測定値の校正係数を決定し、
上記校正係数を記憶装置に記憶する
ことを特徴とする走査電子顕微鏡の校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査電子顕微鏡を校正する標準試料、及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子は微細化が益々進んでおり、より高精度な寸法管理が必要となる。そこで、半導体製造の現場では走査電子顕微鏡を基にした電子ビーム測長装置を用いた寸法管理が行われている。この寸法管理の計測精度は、走査電子顕微鏡の倍率校正精度で決定される。【０００３】
特許文献１および特許文献２には、校正パターンが、１μｍオーダーの微小寸法校正用の複数の異なるピッチのパターンを備えた構成が開示されている。しかし、半導体素子の微細化に対応してより高倍率での計測を行うと、走査電子顕微鏡の視野が狭い領域になるために、倍率校正を行う標準試料のパターンも半導体パターンと同程度かそれ以上の微細性が要求される。【０００４】
これに対しピッチ寸法１００ｎｍ以下の微細性を有した校正試料として、特許文献３および非特許文献１に示されるような超格子試料が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２８５５０２号公報
【特許文献２】特開２００３−２７９３２１号公報
【特許文献３】特許第３１０４８９９号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】三隅他、２００６年度精密工学会春季大会学術講演会論文集  ｐｐ．１０９１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来技術の校正試料を走査電子顕微鏡の倍率校正に用いるには、以下の課題を有する。  
校正試料として断面試料を用いる場合、基板に埋め込む際に基板表面と段差が生じる。半導体検査に用いる走査電子顕微鏡では試料側に電圧を印加して電子ビームの加速電圧を制御する（リターディング）ため、上記段差があると段差部で局所的な表面電界分布が発生して、非点ずれが生じる。この結果、校正精度が悪化してしまう。【０００８】
そこで、特許文献３および非特許文献１に示されるような超格子試料では、同じ断面試料を貼り合わせて基板に埋め込む方法が考えられている。しかし、このような試料では、以下のような課題がある。【０００９】
第１に、ビーム調整が容易でない。すなわち、走査電子顕微鏡の倍率校正を行う場合には、まず校正試料上で電子ビームを高精細にするための焦点や非点などを精度良く調整しておく必要がある。通常、校正試料のパターンは測定するパターン寸法程度かそれ以下の寸法から構成されている。従って、ステージ移動によりビーム直下に校正試料のパターンを移動させても、パターンが高精細なので電子ビーム収差調整前はパターンを解像できない。そのため、電子ビームの焦点などビーム調整が容易ではない。【００１０】
逆に、電子ビームの焦点などを精度良く調整しやすいように校正パターンのピッチ寸法を粗くすると、測定したい微細パターンに用いる高倍率条件での校正ができない。このためビーム調整用のパターンをステージに別の場所に用意しておく必要がある。しかし、ビーム調整用のパターンと上記倍率校正パターンが同じ高さに設置されていないと、調整条件が試料の高さにより異なるので電子ビーム収差調整と倍率校正を同時に実現するという課題を解決できない。【００１１】
第２に、倍率校正パターンでは、そのピッチ寸法が何らかの測定手段で予め高精度に求められている必要がある。同一ピッチ寸法の周期パターンでは光やＸ線を用いた回折角測定を用いるとそのピッチ寸法を高精度に測定することができる。この光やＸ線を用いた回折角測定では光やＸ線が校正試料の１ｍｍ角以上の領域に照射されその照射領域内の平均ピッチ寸法が求められる。しかし、特許文献３および非特許文献１に示されるような超格子試料では、同じピッチ寸法の断面試料を背中合わせで貼り合わせている構造のため、光やＸ線を用いた回折角測定を行うと、背中合わせで貼り合われた二つの断面試料に光やＸ線が照射される。この測定で、二つの断面試料の層間ピッチ寸法が全く同一の場合、二つの断面試料同士の距離が厳密に層間ピッチの整数倍でないと回折光同士が干渉するために回折強度が減衰し高精度測定ができない。また二つの断面試料の層間ピッチ寸法が少し異なる場合、回折光同士が重なり合い二つの断面試料の層間ピッチ寸法の平均ピッチ寸法が求められてしまう。走査電子顕微鏡の倍率校正を行う場合には、高い倍率で試料を測定するため、片方の断面試料の層間ピッチ寸法で校正すると誤差が生じるという課題がある。【００１２】
そこで、本発明の目的は、電子顕微鏡で用いられる倍率校正を高精度で行う校正用標準部材を提供し、さらには、それを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では、上記課題を解決するために、同一ピッチ寸法の周期パターンからなる倍率校正パターンと電子ビームを高精細にするため焦点や非点などを精度良く調整するパターンを隣接して同じ高さに配置させることを基本構成とする。【００１４】
本発明では、上記課題を解決するために、同一ピッチ寸法の周期パターンからなる倍率校正パターンと電子ビームを高精細にするため焦点や非点などを精度良く調整するパターンを隣接して同じ高さに配置させることを基本構成とする。本発明の代表的な構成を示すと次の通りである。本発明の校正用標準部材は、走査電子顕微鏡を校正するための校正用標準部材であって、前記走査電子顕微鏡は、試料ステージ上の試料に対して電子ビームを走査する照射光学系を備え、前記試料上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測するものにおいて、一定の固定積層ピッチで周期的に異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記照射光学系の倍率校正に用いられる第１のパターン領域と、一方向に向かってピッチ寸法が変化する変動積層ピッチで異なる材料が積層されて形成された多層膜断面の凹凸パターンを有し前記電子ビームの調整に用いられる第２のパターン領域とを備え、前記第１のパターン領域と前記第２のパターン領域とは、前記２つの凹凸パターンが１軸上に隣接して実質的に同じ高さに配置されており、前記第１のパターン領域のピッチ寸法は、光またはＸ線回折により予め求められており、前記第２のパターン領域の前記変動積層ピッチは、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも大きな少なくとも１つの電子ビーム粗調整用ピッチ寸法と、前記第１のパターン領域の前記固定積層ピッチよりも小さな少なくとも１つの電子ビーム高精細調整用のピッチ寸法とを含むことを特徴とする。
【００１５】
また、この標準部材を予め光またはＸ線回折によりその積層部の凹凸周期を求めておき電子顕微鏡に搭載する。電子ビーム収差調整用パターンは上記凹凸周期と同じ周期性を含んでいないので光またはＸ線回折では高精度な凹凸周期のピッチ寸法が得られる。該走査電子顕微鏡で上記調整用パターンにより電子ビームを高精細にするための焦点や非点などを精度良く調整した後、積層凹凸周期を計測した結果を光またはＸ線回折により求めた積層凹凸周期と比較することにより走査電子顕微鏡の倍率校正を行う。【００１６】
以下、本発明に含まれる特徴的構成例について列挙する。【００１７】
（１）本発明の校正用標準部材は、被検査物上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡を校正する校正用標準部材であって、多層膜が積層された基板断面を積層材料選択エッチングすることで作製した積層凹凸周期からなる第１のパターン領域と、電子ビームを高精細にするための調整用パターンからなる第２のパターン領域を有することを特徴とする。【００１８】
（２）前記構成の校正用標準部材において、前記電子ビームを高精細にするための調整用パターンからなる第２のパターン領域は調整がしやすいように粗調整用の第１のパターン領域のピッチ寸法より大きなピッチ寸法と高精細調整用の第１のパターン領域のピッチ寸法より小さなピッチ寸法を有し、第１のパターン領域と第２のパターン領域をビーム偏向の範囲内である１０マイクロメートル以内の近傍に焦点裕度範囲内の１マイクロメートル以内に配置することで、平坦で段差部での局所的な表面電界分布が発生せず、かつビーム調整が高精度で行ったビーム状態のまま第１のパターン領域にて倍率校正を行うことができることを特徴とする。
【００１９】
（３）前記構成の校正用標準部材において、第１のパターン領域の凹凸パターン（ライン/スペースパターン）のピッチ寸法が、光またはＸ線回折により求められ、かつ第２のパターン領域には、光またはＸ線回折の測定精度に影響を与えないパターン構成、すなわち第１のパターン領域の凹凸パターン（ライン/スペースパターン）のピッチ寸法と同じかその整数倍のピッチ寸法のパターンを含まない構成になっていることを特徴とする。この結果、試料の成膜段階の厚さ測定ではなく、調整用パターン断面との貼り付け後の校正試料が完成した後の断面凹凸パターン（ライン/スペースパターン）のピッチ寸法が求められているので、試料作製時のパターン変形等の影響を加味した電子顕微鏡に装着形態での校正試料凹凸パターン（ライン/スペースパターン）ピッチ寸法が得られており、また実際の電子顕微鏡測定で得られる同じ試料表面からの電子ビーム照射位置での試料凹凸情報からの二次電子および反射電子信号からピッチ寸法を測定することで光またはＸ線回折と同じ試料箇所で同じ凹凸という幾何学情報値での比較校正が行えるので高精度な装置校正が可能となる特徴を有する。【００２０】
（４）本発明の走査電子顕微鏡は、試料を保持する試料ステージと、前記試料ステージ上の試料に対して電子ビームを走査する照射光学系と、前記電子ビーム走査により発生する二次電子または反射電子を検出する検出器と、前記検出器から得られる電子信号を処理することにより前記試料を測長する信号処理手段と、測長結果が表示される表示手段と、前記二次電子または反射電子強度の情報から、前記照射光学系の倍率校正を行うために用いられる上記記載の校正用標準部材を有することを特徴とする。【００２１】
（５）前記構成の走査電子顕微鏡において、第２のパターン領域において焦点や非点などの電子ビーム収差調整を行った後の高精細のビーム状態で、第１のパターン領域の凹凸パターン（ライン/スペースパターン）におけるピッチ寸法を測定し、その結果を光またはＸ線回折により予め求められたピッチ寸法と比較して、その差が略ゼロになるように前記照射光学系の倍率校正を行うことを特徴とする。【００２２】
（６）前記構成の走査電子顕微鏡において、前記校正用標準部材は、前記試料ステージに搭載されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、電子顕微鏡で用いられる倍率校正を高精度で行う校正用標準部材を含む走査電子顕微鏡技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の第１の実施例になる校正用標準部材の概略を示す図であり、図１Ｂの校正パターン領域を拡大して示した図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施例になる校正用標準部材の概略を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例になる標準部材の作製方法を説明する図である。
【図３】第１の実施例になる校正用標準部材を用いた走査電子顕微鏡のシステム構成例を説明する図である。
【図４】第１の実施例になる校正用標準部材の使用状態を示す図である。
【図５】第１の実施例になる校正用標準部材を用いて倍率校正を行う際のフローチャート図である。
【図６Ａ】本発明の第２の実施例になる校正用標準部材の縦断面を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の第２の実施例になる校正用標準部材の上面図である。
【図６Ｃ】第２の実施例になる校正用標準部材の使用状態を示す図である。
【図７】第２の実施例になる標準試料の作製方法を説明する図である。
【図８Ａ】本発明の第３の実施例になる校正用標準部材の概略を示す図であり、図８Ｂの校正パターン領域を拡大して示した図である。
【図８Ｂ】本発明の第３の実施例になる校正用標準部材の概略を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して、詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１〜図２で、本発明の第１の実施例になる校正用標準部材の構成及びその製法について説明する。まず、図１（図１Ａ、図１Ｂ）は、本発明の校正用標準部材の概略図であり、図１Ｂは校正パターンの全体を示す斜視図、図１Ａは、図１Ｂの校正パターン領域を拡大して示した図である。【００２７】
図１Ｂに示すように、校正用標準部材１５は、一対のシリコン基板３、８の各端面部に形成され導電性接着剤９で貼り合わされた積層構造部（第１のパターン領域）１及び積層構造部（第２のパターン領域）５を有している。また、シリコン基板８の上面にはパターン位置識別マーク１０８が設けられている。矢印はシリコン基板の劈開断面部を示している。【００２８】
図１Ａに示すように、校正用標準部材は、多層膜が積層された基板断面を積層材料選択エッチングすることで作製した積層凹凸周期からなり倍率校正部となる第１のパターン領域１０と、電子ビームを高精細にするための調整用パターンからなる第２のパターン領域１１と、これら２つのパターン領域を接続する導電性接着剤９とが、「校正パターン領域」内に形成されている。すなわち、第１のパターン領域１０と第２のパターン領域１１は、校正用標準部材の長手方向（ｘ方向）に１軸上に直列に隣接して実質的に同じ高さに配置されており、両者の幅（ｚ方向）は実質的に等しい。また、第１のパターン領域１０と第２のパターン領域１１は、それらの基板面の高さ（ｙ方向）が同じである。すなわち、入射電子に対する第１のパターン領域１０の基板面の高さは、入射電子に対する第２のパターン領域１１の基板面の高さと実質的に同じである。【００２９】
第１のパターン領域１０は、同じ厚さの複数のシリコン層２と同じ厚さの複数のモリブデン層４とが交互に積層された凹凸パターン（ライン/スペースパターン）部、すなわちシリコン/モリブデン積層構造１を有しており、例えば、各層１０ｎｍの厚さで４０層ずつイオンビーム成膜にて形成されたものである。第１のパターン領域１０は、シリコン基板３に形成された積層構造１に対して、材料選択エッチングによりシリコン基板３及びシリコン層２を深さ２０ｎｍ程度エッチングして基板面とすることで、この基板面から突出したモリブデン層４の周期的な凸パターン（ラインパターン）が形成されている。【００３０】
一方、第２のパターン領域１１を構成する積層構造部５は、厚さがステップ状に増大する複数のシリコン層６と同じ厚さの複数のモリブデン層７が交互に積層されたものである。第２のパターン領域１１は、シリコン基板８に形成された積層構造５に対して、材料選択エッチングによりシリコン基板８及びシリコン層６を深さ２０ｎｍ程度エッチングして基板面とすることで、この基板面から突出した第２のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）７の積層凹凸パターン（ライン/スペースパターン）部を構成している。【００３１】
本実施例では、第１のパターン領域１１の複数のモリブデン層４は、実質的に同じピッチ寸法で配列されている。換言すると、第１のパターン領域１０は、実質的に一定の固定積層ピッチで周期的に異なる材料を積層させた多層膜構造になっている。他方、第２のパターン領域１１のシリコン層６は、第１のパターン領域１０のシリコン層２より薄いもの及び厚いものを含んでいる。第２のパターン領域１１では、同じ厚さのモリブデン層７の周期ピッチ寸法が、導電性接着剤９の側から外側に向けて、連続的に増大する変動積層ピッチとなっている。【００３２】
図２は、校正用標準部材１５の作製方法を示す図である。まず図２の（Ａ）に示すように、断面試料の劈開及び貼り合わせを行なう。すなわち、シリコン/モリブデンの積層１は、各層１０ｎｍの厚さで４０層ずつ交互にイオンビーム成膜にて形成した厚さ５００μｍのシリコン基板３を、（Ａ）に示すように、長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍの大きさで劈開により切り出す。【００３３】
次に、同じようにシリコン/モリブデンの積層５で、シリコン層６を２ｎｍから順に２ｎｍずつ増やしながら４０ｎｍの厚さまでの２０層を、モリブデン層７が一定の５ｎｍの幅で交互にイオンビーム成膜にて形成した厚さ５００μｍのシリコン基板８、を長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍで劈開により切り出す。【００３４】
そして、これら二つの断面試料３、８の積層表面を背中合わせにし、二つの試料の劈開面が同じ高さになるようにして、導電性接着剤９で貼り合わせ、貼り合わせ断面試料１２とする。【００３５】
次に、図２の（Ｂ）に示すように、断面試料１２の材料選択エッチングを行なう。すなわち、貼り合わせた断面試料１２を水酸化カリウム水溶液に浸してエッチングを行なう。この結果、劈開断面部のシリコン基板３，８およびシリコン層２，６のみ深さ２０ｎｍ程度エッチングされる。これにより、貼り合わせた片側の基板３の断面に、第１のパターン領域としてモリブデン層４の周期的な凸パターン（ラインパターン）１０が形成される。また、他方の基板８の断面に、第２のパターン領域として不定ピッチすなわち成膜表面に近くなるほど周期ピッチが小さくなるモリブデン層７が５ｎｍ幅の凸パターン（ラインパターン）が並んだパターン１１が形成される。【００３６】
次に、図２の（Ｃ）に示すように、断面試料１２のホルダーへの貼り付けを行なう。まず、貼り合わせ断面試料１２の左右のパターン領域１０、１１が第１、第２パターン領域のいずれであるかを判別できるようにするために、第２パターン領域近傍のシリコン基板８上に、三角形の頂点方向に第２パターン領域が位置するように三角形のパターン位置識別マーク１０８（図１Ｂ参照）を、例えば深さ１μmになるように、イオンビームエッチングにて形成する。次に、このエッチング済みの貼り合わせ断面試料１２を保持用ホルダー１３の凹部に埋め込み、導電性接着剤１４で固定して標準部材１５が完成する。【００３７】
例えば、高さ２０ｍｍ、直径２０ｍｍの保持用ホルダー１３の幅１．１ｍｍ、深さ３ｍｍの凹部に、表面がホルダーの表面と一致するようにして断面試料１２を埋め込み、導電性接着剤１４で固定して標準部材１５とする。また、このとき二つの断面試料における第１のパターン領域の外側端から第２のパターン領域の外側端までの水平距離となる図１Ａに示す「校正パターン領域」の大きさは、１０μｍ以下とするのが望ましい。また、左右のパターン領域１０、１１間の高さの差、換言すると、パターン領域１０の基板面と、パターン領域１１の基板面の高さの差は１μｍ以下とするのが望ましい。【００３８】
本実施例の校正用標準部材１５は、被検査物上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡を校正するのに用いられる。一例として、「校正パターン領域」の水平距離が８μｍ、基板面の高さの差が０．５μｍの標準部材１５について、波長０．１５ｎｍのＸ線回折法による回折角度測定を行ったところ、第２の領域１１のパターンからの影響のない３次以上の高次までの明解な回折光が得られ、第１のパターン領域１０のモリブデン層３とシリコン層２の周期的な凹凸パターン（ライン/スペースパターン）周期としてピッチ寸法１９.９８ｎｍが得られた。このピッチ寸法は、測定時にＸ線が照射された断面試料１２の表面全体の上記凹凸パターン（ライン/スペースパターン）の平均値となるものである。【００３９】
本実施例の校正用標準部材により、走査電子顕微鏡の電子ビーム収差調整と倍率校正を高精度にかつ同時に実現することができる。
【実施例２】
【００４０】
次に、本発明の第２の実施例として、上記実施例１に基き作製した校正用標準部材を用いた走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）並びに走査電子顕微鏡の校正方法について説明する。【００４１】
図３は、本発明による走査電子顕微鏡のシステム構成を示した概略図、図４は走査電子顕微鏡のステージ部分の拡大斜視図、図５は本発明により走査電子顕微鏡の倍率校正を行う際のフローチャート図である。【００４２】
図３、図４に示すように、本実施例では、実施例１で述べたシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層構造の断面試料１２をホルダー１３に埋め込んで形成した標準部材１５を、走査電子顕微鏡のステージ２１に搭載して走査電子顕微鏡の校正を行う。なお、このステージ２１上には、測定試料（ウェーハ）２２が積置される。また、このステージ２１には、ビーム加速電圧を制御するために電圧を印加するバイアス電源２８が接続されている。【００４３】
ここで、本発明が適用される走査電子顕微鏡の全体的な構成例について簡単に説明する。走査電子顕微鏡は、電子ビーム１７を放出する電子銃（電子源）１６、電子ビーム１７を試料上で走査するための走査偏向器２０、被測長試料２２上における電子ビームのフォーカスを調整するためのレンズ１８，１９、１次電子線照射により発生する二次電子２３を検出するための電子検出器２４、情報処理装置２６０を含むSEM制御系２５等を備えている。SEM制御系２５は、レンズ１８を制御するレンズ制御部２５１，１次電子線の走査偏向を制御するビーム偏向制御部２５２、レンズ１９を制御するレンズ制御部２５３，電子検出器２４からの出力信号を処理する二次電子信号処理部２５４、及び、被測長試料２２または標準部材１５が載置されるステージ２１の移動を制御するステージ制御部２５５などにより構成される。SEM制御系２５を構成する情報処理装置２６０は、SEM制御部から入力される各情報ないし制御信号を演算処理するためのCPUによる演算処理部（寸法演算部２６２、寸法校正演算部２６４）、このCPU上で動作する倍率校正処理等の種々のソフトウェアが展開されるメモリ（図示略）、測長レシピ等の情報や種々のソフトウェアが格納される外部記憶装置（校正値記憶部２６３、寸法記憶部２６５）等により構成されている。情報処理装置２６０には、更に、CPUによる情報処理結果が表示される表示部（波形表示部２６１、寸法表示部２６６、画像表示部２６７）や、情報処理に必要な情報を情報処理装置に入力するための情報入力手段（図示略）等が接続されている。【００４４】
図３では、各演算部、制御部、表示部等は制御系２５に含まれた形態であるが、必ずしも制御系２５に含まれていなくてもよい。【００４５】
図４に示す通り、本実施例では、標準部材１５と被測長試料２２とは同じステージ２１上に載置されている。【００４６】
次に、走査電子顕微鏡の動作について、簡単に説明する。電子銃（電子源）１６から放出された電子ビーム１７を、レンズ１８，１９および偏向器２０により、試料上で走査する。ステージ２１には、ビーム加速電圧を制御するためにバイアス電圧が印加されている。また、半導体検査に用いる走査電子顕微鏡では試料側に電圧を印加して電子ビームの加速電圧を制御する。一例として、測定試料として絶縁膜を有する半導体基板がステージ２１に搭載されている場合、４ＫＶの電子銃（電子源）１６に対して、負のバイアス電圧を印加し、印加電圧を１ＫＶ以下に抑えることで、電子ビーム１７のリターディングを行う。また、電子ビーム照射により発生する二次電子２３を検出する電子検出器２４からの信号に基づいて二次電子（もしくは反射電子）像ないし二次電子信号波形の表示および測長を行う。そのときのステージ位置は、ステージ制御部２５５にて検知、制御される。【００４７】
次に、図３、図４を参照しながら、図５のフローチャートに沿って、本発明により倍率校正を行う処理の手順を説明する。まず、実施例１で作製したシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層構造の断面試料１２をホルダ１３に有した標準部材１５をステージ２１上に搭載する。そして、ステージ２１を移動して第１の所定の倍率、例えば一万倍の低倍率で図１Ｂに示した試料上のパターン位置判別マーク１０８を検出する（ステップ４１）。【００４８】
次に、第１の所定の倍率で電子ビームを標準部材１５上で走査する。ビームの加速電圧は、例えば、５００Ｖになるようにステージ２１にマイナス１.５ｋＶの電圧が印加されている。【００４９】
ここで、第１の所定の倍率、例えば一万倍は、図１Ｂに示した標準部材１５の全体が同じ視野に見える倍率であり、かつ、標準部材１５の中の最も大きなパターンにも対応しない、低い倍率であるものとする。この低倍率では、積層凹凸構造断面試料１２のパターン領域にある積層凹凸構造が微細すぎるので第１、第２のパターン領域の区別ができないが、試料上のパターン位置判別マーク１０８により容易にパターン領域の区別及び位置決めは可能である。【００５０】
次に、その方向情報によりステージを駆動し積層凹凸構造断面試料１２の第２のパターン領域を電子ビーム１７直下に位置させ（ステップ４２）、第２の所定の倍率、例えば１０万倍でビームを標準部材上で走査する（ステップ４３）。すなわち、標準部材のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸構造部をビーム直下に位置させて１０万倍でビーム走査を行い、二次電子信号処理部を通して得られる波形表示部の二次電子信号波形を観察する。そして、第２のパターン領域での二次電子信号波形からレンズ制御部を調節して第２のパターン領域で大きなパターンを用いて軸調整の粗整を行う（ステップ４４）。
【００５１】
このとき、第２の所定の倍率は、第１の領域のパターン１０よりも大きな、第２のパターン領域の中の最大のパターンに対応した、高倍率であるものとする。この倍率では、標準部材１５のさらに小さなパターンには対応していない。そこで、レンズ制御部を調節して倍率をアップし、標準部材１５上でビーム走査を行なう（ステップ４５、４６）。すなわち、第２の所定の倍率では照射ビームの調整が不十分で積層凹凸構造部上でのビームボケが大きいために第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸の回折格子パターン１０が高精細すぎて判別できなかったと仮定する。通常ビーム調整なしでは高精細パターンは解像できない。そこで本発明では、次のステップとして、第３の所定の倍率に倍率をアップし（ステップ４６）、第２の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸１１でビーム調整を行う（ステップ４４）。【００５２】
例えば、第２の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸１１は第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸の回折格子パターンピッチ寸法である２０ｎｍよりも大きいピッチ寸法４０ｎｍ以上であるシリコン層の溝幅４０ｎｍはビーム調整前の状態（第２の所定の倍率）でも判別できた場合、このシリコン層の溝幅４０ｎｍパターンで電子光学鏡筒のレンズ１８，１９をレンズ制御系で制御しでビームの非点や焦点の調整を含めた軸調整を行う。この結果、再度このビーム条件で標準部材のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸構造部でビーム走査を行い、二次電子信号処理部を通して得られる波形表示部の二次電子信号波形を観察する。第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸の回折格子パターンと同じピッチ寸法である２０ｎｍを判別可能となる。さらにこのビーム条件でシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸１１を観察したとき、第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸の回折格子パターンピッチ寸法である２０ｎｍよりも小さいピッチ寸法１０ｎｍ以下であるシリコン層６の溝幅４ｎｍが判別できないとする。この場合、さらに倍率を４０万倍（第３の所定の倍率）に上げてこのシリコン層６の溝幅４ｎｍパターンで電子光学鏡筒のレンズ１８，１９をレンズ制御系で制御してビームの非点や焦点の調整を含めた軸調整を行い、第２の領域のシリコン層６の溝幅４ｎｍを判別可能に軸調整する。必要に応じて、以下同様に、第ｎの所定の倍率で、第２の領域の可能な限り小さなパターンが分解できるように電子ビームの非点・焦点など収差を抑えるように軸調整を行う。（ステップ４４〜４６）。【００５３】
次に、上記軸調整後、偏向制御部により電子ビーム走査を第１のパターン領域に移動して上記軸調整時と同じ倍率で第１のパターン領域を走査する（ステップ４７〜４８）。このとき、第ｎの所定の倍率、例えば第３の所定の倍率である倍率４０万倍では第２のパターン領域と同一視野内に第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸の回折格子パターン１０は見えないので、このビーム条件のまま、最大偏向範囲１０マイクロメートルの偏向器２０を用いて水平距離８μｍ相当のビーム偏向により第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸の回折格子パターン１０にビーム走査位置を移動してビーム走査を行う。【００５４】
二次電子信号処理部を通して得られる波形表示部の二次電子信号波形を観察することにより、例えば、高さ０．５μｍに相当する焦点補正のビーム調整のみでこれまでのビーム条件に比べより先鋭な第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の凹凸回折格子パターンの二次電子信号波形が得られる。【００５５】
このビーム条件で、第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の凹凸回折格子パターンに電子ビームを走査することにより得られた二次電子信号処理部を通して得られる波形表示部の二次電子信号波形から、寸法演算部においてピッチ寸法を求める（ステップ４９）。この測定を第１の領域のシリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の凹凸回折格子パターン１０の異なる位置で２０点測定を繰り返す（ステップ４７〜５０）。【００５６】
次に、上記ステップ４９の測定で得られた２０点のピッチ寸法の平均値、例えば２０.０５ｎｍを演算により求め、寸法値記憶部に記憶する（ステップ５１）。【００５７】
次に、寸法校正演算部により寸法演算部で求めたピッチ寸法と、予めＸ線回折法で求められ寸法値記憶部に記憶されたピッチ寸法１９.９８ｎｍとを比較して、ビームによる測定値の校正係数を決定し（ステップ５２）、その差が０になるようにビーム偏向制御部２５２に補正を行い、その校正係数を校正値記憶部２６３に記憶する（ステップ５３）。【００５８】
一方、試料ステージ２１を駆動して測定ウェーハ２２上のパターンを測長し（ステップ５４）、校正値記憶部２６３にある上記校正係数から上記測長値を校正して、寸法表示部、画像表示部で表示し、記憶する（ステップ５５）。【００５９】
本実施例の装置を用いた実験によれば、ホルダー１４表面と二つのシリコン/モリブデンの積層断面１３表面は１μｍ以内の段差で略同一平面であることから、ステージに印加されているマイナス１.５ｋＶのバイアス電圧による表面電界の乱れがなく、二つのシリコン/モリブデンの積層断面表面でのビーム条件で非点変調が発生しなかった。その結果、校正精度は０.２５ｎｍ以下が得られた。【００６０】
また、ホルダー１４上のシリコン/モリブデンの積層断面１３表面の高さがステージ２１面に対し７７５μｍと、測定するシリコンウェーハ２２の高さ７７５±５μｍと高さの誤差が５μｍと小さいために、上記校正後に得られた実際のシリコンウェーハ２２表面パターン測長の確からしさは０.１ｎｍ以下であった。【００６１】
これに対して、従来技術の標準部材の場合には、片方の断面基板の凹凸回折格子パターンと他方の断面基板の凹凸回折格子パターンが同じピッチ寸法かほぼ同じピッチ寸法であるために、光またはＸ線回折では互いの凹凸回折格子パターンの回折光同士が干渉し合い測定に十分な回折光強度が得られなかった。このため、ピッチ寸法測定は二つの断面を貼り合わせる前にＸ線反射法による成膜厚さ計により求めたが、この方法では断面表面以外の基板内部の膜厚情報が加わることと、測定がエッチングや貼り合わせ前に行われるために作製時の寸法変動がわからないために、ピッチ寸法精度は不確定のものである。【００６２】
また、従来技術の標準部材の場合、第１のパターン領域の凹凸回折格子パターンを用いて焦点や非点などの電子ビーム収差調整を行った場合には、粗調整時には凹凸回折格子パターンが高精細すぎて調整が困難となる、あるいは微調整時には凹凸回折格子パターンがビーム径に対して荒すぎるために十分なビーム調整が行えないなどの問題があり、校正精度は０.５ｎｍ以上になってしまう。【００６３】
本発明によれば、倍率校正を高精度で行う校正用標準部材を含む走査電子顕微鏡を提供できる。
【実施例３】
【００６４】
本発明による標準部材は、ウェーハ型の形態でも可能である。次に、本発明の第３の実施例として、校正用標準の他の例を図６（図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ）、図７で説明する。  
図６Ａは第３の実施例になる校正用標準部材の平面図、図６Ｂは図６ＡのＡ−Ａ断面図である。図６Ｃは校正用標準部材の使用状態を示す走査電子顕微鏡のステージ部分の拡大斜視図である。【００６５】
図６において、２７はウェーハ型の標準部材、１０２及び１０３はパターン位置識別マーク，１０４は第２のパターン領域を有する断面試料、１０５は第１のパターン領域を有する断面試料、１０６，１０７は、シリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸パターン（ライン/スペースパターン）部、１１０は積層埋め込み用凹部である。この例では、同じ標準部材２７にパターン方向が９０度回転した２組のパターンが形成されている。各組の第１のパターン領域の外側端から第２のパターン領域の外側端までの水平距離となる「校正パターン領域」の大きさは、図１の例と同様、１０μｍ以下とするのが望ましい。【００６６】
本実施例の場合、まず図６Ｃに示したようにステージ上に校正用標準部材を積置して走査電子顕微鏡の校正を行い、次に、ステージ上で試料の測定を行う。【００６７】
図７は校正用標準の製法を示す図である。まず、図７の（Ａ）に示すように、ウェーハ型の標準部材２７に積層断面の埋め込みを行う。すなわち、第１、第２それぞれのパターン領域となる積層を含んだ断面片３、８を予め凹部１１０を設けたシリコン基板２６に導電性接着剤１４を用いて埋め込む。凹部１１０をエッチングにより作製する際にパターン位置識別マーク１０１を同じエッチングにより同じ深さの凹部として作製しておく。【００６８】
次に、（Ｂ）に示すように、断面片３、８の研磨を行なう。すなわち、研磨により、シリコン基板２６および二つの断面試料３、８を全て同じ高さに調製する。【００６９】
次に、（Ｃ）に示すように、材料選択エッチングを行ない第１のパターン領域を有する断面試料１０と第２のパターン領域を有する断面試料１１およびパターン位置識別マーク１０２を含んだウェーハ型標準部材２７を形成する。【００７０】
このウェーハ型標準部材２７を用いても、実施例１の場合と同等の効果か得られる。【００７１】
さらに、ウェーハ型標準部材２７では、第１のパターン領域を有する断面試料１０（１０６）と第２のパターン領域を有する断面試料１１（１０７）およびパターン位置識別マーク１０２と同じ作製方法で、同じ基板内にパターン方向が９０度回転した第１のパターン領域を有する断面試料１０５と第２のパターン領域を有する断面試料１０４およびパターン位置識別マーク１０３を作りこむことが可能である。【００７２】
本実施例によれば、走査電子顕微鏡の電子ビーム収差調整と倍率校正を高精度に実現することができる。また、測定したい半導体デバイス等のパターンの方向に対応したいずれかの校正パターン（１０６と１０７、もしくは１０５と１０４）を選択して走査電子顕微鏡を校正することができる。
【実施例４】
【００７３】
次に、本発明の第４の実施例として、校正用標準の他の例を図８（図８Ａ、図８Ｂ）で説明する。図８は、本実施例の校正用標準部材の概略図であり、図８Ｂは校正パターンの全体を示す斜視図、図８Ａは図８Ｂの校正パターン領域を拡大して示した図である。【００７４】
先に述べた各実施例では、第２のパターン領域１１のモリブデン層７の積層厚さを一定にすることで、凸パターン（ラインパターン）のライン幅が一定でシリコン層６の厚さを変化させ凹パターン（スペースパターン）のスペース幅を変化させた変動積層ピッチの校正パターンの構成を説明した。これに代えて、図８に示したように、第２のパターン領域１１のモリブデン層１１１の積層厚さを変化させることでライン幅を変化させ、シリコン層１１２の厚さを一定にすることでスペース幅を一定にさせた変動積層ピッチの校正パターンの構成としても同じ効果が得られる。【００７５】
図８の試料の構成および作製方法は以下の通りである。倍率校正部となるシリコン/モリブデンの積層１は、各層１０ｎｍの厚さで４０層ずつイオンビーム成膜にてシリコン基板３形成したものを材料選択エッチングによりシリコン層２を深さ２０ｎｍ程度エッチングしてモリブデン層４の周期的な凸パターン（ラインパターン）を形成してある。【００７６】
まずシリコン/モリブデンの積層１は、各層１０ｎｍの厚さで４０層ずつ交互にイオンビーム成膜にて形成した厚さ５００μｍのシリコン基板３を、図２に示したように、長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍで劈開により切り出す。【００７７】
次に、同じようにシリコン/モリブデンの積層で、図８のようにモリブデン層１１１を２ｎｍから順に２ｎｍずつ増やしながら４０ｎｍの厚さまでの２０層をシリコン層１１２が一定の５ｎｍで交互にイオンビーム成膜にて形成した厚さ５００μｍのシリコン基板１１３を長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍで劈開により切り出す。【００７８】
これら二つの断面試料の積層表面を背中合わせにして二つの試料の劈開面が同じ高さになるようにして導電性接着剤９で貼り合わせる。次にこの貼り合わせた試料を水酸化カリウム水溶液に浸してエッチングを行なう。この結果、劈開断面部のシリコン基板３，１１３およびシリコン層２，１１２のみ深さ２０ｎｍ程度エッチングして貼り合わせた片側の基板の断面に第１のパターン領域としてモリブデン層２の周期的な凸パターン（ラインパターン）１０が、他方の基板の断面に第２のパターン領域として成膜表面に近くなるほど周期ピッチが小さくなりながらシリコン層が５ｎｍ幅の凹パターン（スペースパターン）が並んだパターン１１４を形成してある。【００７９】
本実施例では、第２のパターン領域１１４のシリコン層１１２は、第１のパターン領域１０のシリコン層２と同じ厚さであり、モリブデン層１１１の厚さが変化している。第２のパターン領域１１４では、モリブデン層１１１の周期ピッチが導電性接着剤９の側から外側に向けて、連続的に増大する変動積層ピッチとなっている。【００８０】
次に、貼り合わせ断面試料１２の左右のパターン領域が第１、２いずれであるかを判別できるように第２パターン領域近傍のシリコン基板１１３上に、第２パターン領域の位置がわかるように大きさの異なる矩形パターンが配置されたパターン位置識別マーク１０９を深さ１μmになるようにイオンビームエッチングにてエッチングした。【００８１】
なお、第１のパターン領域及び第２のパターン領域の凹凸パターンは、回折格子としての機能を有するものであれば、実施例に示した形状に限定されない。材料についても、同様である。【００８２】
本発明は、図３、４に示した測長用の走査電子顕微鏡に限らず、他の電子線装置にも応用できる。【００８３】
また、本実施例の積層構造は、すべて導電性材料であるため、走査電子顕微鏡での測定において帯電現象のない安定した校正が可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１、５…積層構造部、２、６，１１１…シリコン層、４、７、１１２…モリブデン層、３、８、２６，１１３…シリコン基板、９，１４…導電性接着剤、１０、１１、１０４，１０５，１０６，１０７、１１４…シリコン/モリブデン（Ｓｉ/Ｍｏ）の積層凹凸パターン（ライン/スペースパターン）領域、１２…材料選択エッチング済み断面試料、１３…ホルダー、１５・・・標準部材、１６…電子銃、１７…電子ビーム、１８，１９…レンズ、２０…偏向器、２１…ステージ、２２…測定ウェーハ試料、２３…二次電子または反射電子、２４…検出器、２５…制御系、２７…ウェーハ型の標準部材、２８…バイアス電源、１０１，１０２，１０８，１０９…パターン位置識別マーク、１１０…積層埋め込み用凹部。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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