(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部を有する基体と、
前記基体上であって、平面視して前記一対の凹部で挟まれる領域に設けられる温度ヒューズエレメントと、
前記基体内であって、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、
前記基体上に前記温度ヒューズエレメントと電気的に接続される電極層とを備え、
前記電極層は、前記基体の上面から前記凹部の内壁面にわたって形成されることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記凹部は、前記基体を貫通していることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記温度ヒューズエレメントと前記基体の前記温度ヒューズエレメントが実装される実装面との間には、溶融した前記温度ヒューズエレメントとの濡れ性が前記実装面との濡れ性よりも小さい被覆層が形成されていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記発熱抵抗体と前記温度ヒューズエレメントとの間には、伝熱層が更に設けられることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記温度ヒューズエレメントは、フラックスで被覆されていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項６】
複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部を有し、平面視して前記一対の凹部で挟まれる領域に温度ヒューズエレメントが実装される実装面を有する基体と、
前記基体内であって、平面透視して前記実装面と重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、
前記基体上に前記温度ヒューズエレメントと電気的に接続される電極層とを備え、
前記電極層は、前記基体の上面から前記凹部の内壁面にわたって形成されることを特徴
とする抵抗温度ヒューズパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度ヒューズエレメントが実装される抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに、外部からの信号に基づいて発熱抵抗体を高温にし、発熱抵抗体の温度に起因して温度ヒューズエレメントを溶断する抵抗温度ヒューズに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズの作動特性を向上させる開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−９６８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
抵抗温度ヒューズの開発において、温度ヒューズエレメントの作動特性を良好にする技術が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性を良好にすることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の実施の態様に係る抵抗温度ヒューズは、複数の基板を積層するとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部を有する基体と、前記基体上であって、平面視して前記一対の凹部で挟まれる領域に設けられる温度ヒューズエレメントと、前記基体内であって、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、前記基体上に前記温度ヒューズエレメントと電気的に接続される電極層とを備え、前記電極層は、前記基体の上面から前記凹部の内壁面にわたって形成されることを特徴とする。
【０００６】
本発明の実施の態様に係る抵抗温度ヒューズパッケージは、複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部を有し、平面視して前記一対の凹部で挟まれる領域に温度ヒューズエレメントが実装される実装面を有する基体と、前記基体内であって、平面透視して前記実装面と重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、前記基体上に前記温度ヒューズエレメントと電気的に接続される電極層とを備え、前記電極層は、前記基体の上面から前記凹部の内壁面にわたって形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、作動特性を良好にすることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージの概観を示す斜視図である。
【図３】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの基体の分解斜視図である。
【図４】図２のＸ−Ｘ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図５】図２のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図６】図２のＺ−Ｚ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図７】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズと支持体とを接合した状態を示す斜視図である。
【図８】一変形例に係る基体の上層に位置する基板の斜視図である。
【図９】一変形例に係る基体の下層に位置する基板の斜視図である。
【図１０】一変形例に係る抵抗温度ヒューズパッケージの断面図である。
【図１１】一変形例に係る抵抗温度ヒューズと支持体とを接合した状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる抵抗温度ヒューズ、抵抗温度ヒューズパッケージの実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。
【００１０】
＜抵抗温度ヒューズの概略構成＞
図１は、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを形成したものである。図２は、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメント及びフラックスを除いた状態を示すものである。なお、図１のフラックスは、透過したものである。
【００１１】
また、図３は、第２図に示す温度ヒューズパッケージの分解斜視図である。図４は、図２のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。図５は、図２のＹ−Ｙ’の位置に沿った図１に示す抵抗温度ヒューズの断面図である。
【００１２】
本実施形態の抵抗温度ヒューズ１は、回路保護素子として用いるものであって、特定の回路に異常検出器とともに組み込むものである。そして、回路の異常発生時に、異常検出器が回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、抵抗温度ヒューズ１は、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させるものである。
【００１３】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１は、抵抗温度ヒューズパッケージ２と、抵抗温度ヒューズパッケージ２に実装される温度ヒューズエレメント３とを備えている。
【００１４】
また、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージ２は、複数の基板を積層するとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部Ｐを有し、平面視して一対の凹部Ｐで挟まれる領域に温度ヒューズエレメント３が実装される実装面Ｒを有する基体４と、基体４内であって、平面透視して実装面Ｒと重なる領域に設けられる発熱抵抗体５と、を備えている。
【００１５】
基体４は、絶縁性の基板を複数積層したものであって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基体４を構成する基板の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、基板の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１６】
基体４の最上層に位置する基板４ａの上面には、温度ヒューズエレメント３を実装したときに、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続される電極層６が形成されている。また、電極層６の一部は、基体４の上面から基体４の側面を介して基体４内にわたって形成されている。なお、本実施形態では、基体４の最上層に位置する第１基板を基板４ａとし、基体４の最下層に位置する第２基板を基板４ｂとする。
【００１７】
基体４内にまで延在される電極層６の一部は、基板４ｂの上面にまで形成される。そして、基板４ｂの上面に形成される発熱抵抗体５と電気的に接続される。
【００１８】
本実施形態では、電極層６は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層６が電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層６は、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層６の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、電極層６の幅とは、電極層６に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。
【００１９】
電極層６は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、或いはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００２０】
基板４ａに形成される一対の凹部Ｐは、実装面Ｒの両側に形成される。そして、一対の凹部Ｐと挟まれる領域に電極層６の一部が延在されている。さらに、その電極層６の一部と温度ヒューズエレメント３が電気的に接続される。凹部Ｐは、基板４ａを貫通しており、基板４ａと基板４ｂを重ね合わせたときに、凹部Ｐから基板４ｂの上面の一部が露出する。凹部Ｐは、平面視して一辺の長さが、例えば１ｍｍ以上１１ｍｍ以下に設定されている。また、凹部Ｐの深さは、例えば０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。
【００２１】
また、基体４の最下層に位置する基板４ｂは、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に設けるときに、土台となるものである。そして、基体４の最下層に位置する基板４ｂが外部の回路との接合用土台となることができる。
【００２２】
基体４の最下層に位置する基板４ｂの下面には、導電層７が形成されている。導電層７は、基体４の下面から基体４の側面を介して基板４ａと基板４ｂとの間に形成される。抵抗温度ヒューズ１とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出により、導電層７を介して、発熱抵抗体５に通電し、発熱抵抗体５の温度を上昇させる。さらに、発熱抵抗体５の温度に起因して、温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。なお、導電層７の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、導電層７の幅とは、導電層７に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。
【００２３】
導電層７は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００２４】
基体４の最上層に位置する基板４ａの一対の凹部Ｐの間には、温度ヒューズエレメント３が実装される。温度ヒューズエレメント３は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント３は、例えば、インジウム、ビスマス又は錫等の導電材料、或いはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント３の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。
【００２５】
温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体５と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。また、温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体５が存在する領域から食み出さないように設けられると、発熱抵抗体５の温度を効率良く温度ヒューズエレメント３に伝えることができる。なお、温度ヒューズエレメント３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下に設定されている。
【００２６】
図５に示すように、基体４の最上層に位置する電極層６同士の間には、温度ヒューズエレメント３と重なる領域の一部に被覆層８が形成されている。被覆層８は、基板４の温度ヒューズエレメント３が実装される実装面Ｒ上に形成されている。被覆層８は、温度ヒューズエレメント３の溶融体との濡れ性が基板４の上面に形成された温度ヒューズエレメント実装面Ｒの濡れ性よりも小さい濡れ性の材料であって、例えば、ガラス又はポリテトラフルオロエチレン等の材料から成る。
【００２７】
実装面Ｒは、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れやすくするためのものであって、被覆層８上に溶断した温度ヒューズエレメント３の一部が付着しにくくするものである。実装面Ｒは、実装面Ｒ上に溶断した温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れ、溶融体の表面張力作用により被覆層８上の温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体を吸収する作用により、被覆層８上に温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が残存付着しにくくなり、温度ヒューズエレメント３の直下に位置する一対の電極層６間を電気的にオープンにすることができる。
【００２８】
発熱抵抗体５、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域であって、温度ヒューズエレメント３と間を空けて基体４中に形成されている。発熱抵抗体５は、図３又は図５に示すように、基体４の基板４ｂの上面に形成されている。発熱抵抗体５は、温度ヒューズエレメント３に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント３を溶断するものである。発熱抵抗体５は、温度ヒューズエレメント３と基板４ａを介して設けられている。
【００２９】
発熱抵抗体５は、図３又は図５に示すように、一端が電極層６と接続され、他端が導電層７と接続される。発熱抵抗体５は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状は基板４ｂの上面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体５の幅は、電極層６及び導電層７の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体５の幅を電極層６及び導電層７の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体５の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体５部分にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。
【００３０】
発熱抵抗体５には、抵抗温度ヒューズとともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層７を介して発熱抵抗体５に通電する。そして、発熱抵抗体５の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体５の温度が上昇する。さらに、その温度が、基板４ａを介して温度ヒューズエレメント３に伝わり、温度ヒューズエレメント３が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体５は、例えば、タングステン又はプラチナ等の材料から成る。
【００３１】
温度ヒューズエレメント３は、フラックス９で被覆されている。フラックス９は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、或いは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス９は、温度ヒューズエレメント３に発熱抵抗体５の温度を伝えやすくするものである。そして、発熱抵抗体５の温度と温度ヒューズエレメント３の温度差を小さくすることができる。
【００３２】
図７は、抵抗温度ヒューズ１と支持体１０とを接続した状態を示す概観斜視図である。
【００３３】
図７に示すように、抵抗温度ヒューズ１の基体４の下層に位置する基板４ｂの下面には、支持体１０が形成されている。支持体１０は、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に実装するときに、外部の回路と電気的に接続するものである。抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に実装するときに、仮に、支持体１０が無く抵抗温度ヒューズ１の基体４を半田等の接着材を介して外部の回路と接続しようとすると、接着材の溶融温度によっては、抵抗温度ヒューズ１の温度ヒューズエレメント３が溶断する虞がある。このようなケースにおいては、抵抗温度ヒューズ１に支持体１０を設け、支持体１０の下面を介して外部の回路と接続することにより、抵抗温度ヒューズの実装作業を容易にするとともに、実装後の抵抗温度ヒューズの作動信頼性を向上させ得る。
【００３４】
支持体１０には、図７に示すように、孔Ｈが形成されている。孔Ｈは、支持体１０の下面の高さ位置よりも高い箇所であって、抵抗温度ヒューズ１と支持体１０との間に設けられている。支持体１０の下面を半田等の接着材を介して外部の回路と接続するときに、支持体１０の下面の電気伝導性接合材の接合時の熱が抵抗温度ヒューズ１に伝わろうとする。支持体１０と抵抗温度ヒューズ１との間に孔Ｈが形成されていることにより、支持体１０の下面から抵抗温度ヒューズ１に向かって伝わる熱の熱伝導断面積を小さくすることができ、抵抗温度ヒューズ１に熱を伝わりにくくすることができる。
【００３５】
上述したように、本実施形態によれば、発熱抵抗体５の発熱を凹部Ｐ以外の部分、特に、発熱抵抗体５と温度ヒューズエレメント３の間に位置する基板４ａに伝わりやすくすることができる。そして、基板４ａに伝わった熱をその直上に位置する温度ヒューズエレメント３に素早く伝え、所定温度にて温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。つまり、発熱抵抗体５の発熱を素早く温度ヒューズエレメント３及び実装面Ｒに伝え、温度ヒューズエレメント３及び実装面Ｒの温度上昇を早くすることで、作動特性を良好にする事が可能となる。その結果、作動特性を良好に維持することが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【００３６】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る抵抗温度ヒューズ１のうち、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００３７】
＜変形例＞
図８は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズパッケージ２の上層に位置する基板４ａの概観斜視図である。上述した実施形態では、図３に示すように、凹部Ｐ内の内壁面には、電極層の一部が延在されていなかったが、これに限られない。例えば、図８に示すように、凹部Ｐ内にまで、電極層の一部６ａが延在されていても構わない。
【００３８】
電極層の一部６ａは、基板４ａの上面から凹部Ｐの内壁面にわたって形成されている。また、凹部Ｐの内壁面に形成される電極層の一部６ａは、凹部Ｐの内壁面の一面から隣接する他面にわたって形成されている。また、電極層６は、一対の凹部Ｐで挟まれる領域において、一端から他端にかけて形成されている。なお、電極層の一部６ａは、電極層６と同じ材料からなり、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、或いはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００３９】
電極層の一部６ａは、凹部Ｐ内の内壁面にまで延在されて構成されることにより、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層の一部６ａを介して、凹部Ｐ内にまで溶断した一部が流れ込みやすくなる。そして、一対の凹部Ｐで挟まれる電極層６同士を電気的にオープンに素早く行なうことができる。
【００４０】
図９は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズパッケージ２の下層に位置する基板４ｂの概観斜視図である。上述した実施形態では、図３に示すように、基板４ｂには、凹部が形成されていなかったが、これに限られない。例えば、図９に示すように、基板４ｂに一対の第２の凹部Ｐ２を設けても構わない。
【００４１】
第２の凹部Ｐ２は、平面視して凹部Ｐ１と重なる領域に設けられている。そして、第２の凹部Ｐ２は、凹部Ｐ１と連続して繋がっている。第２の凹部Ｐ２は、平面視して発熱抵抗体５を間に挟んで、その両側に形成さられている。さらには、第２の凹部Ｐ２は、平面透視して温度ヒューズエレメント３を間に挟んで、その両側に形成されている。なお、第２の凹部Ｐ２は、平面視して一辺の長さが、例えば１ｍｍ以上１１ｍｍ以下に設定されている。また、凹部Ｐの深さは、例えば０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。ここで、第２の凹部Ｐ２は、基板４ｂを貫通していてもよい。
【００４２】
第２の凹部Ｐ２は、発熱抵抗体５の両側に形成されていることによって、発熱抵抗体５から発せられる熱が第２の凹部Ｐ２に伝わるよりも、その直上に位置する温度ヒューズエレメント３に向かって伝わりやすくすることができる。そして、温度ヒューズエレメント３に発熱抵抗体５から発生する熱の多くを、素早く伝えることで、温度ヒューズエレメント３の溶断特性を向上させることができる。
【００４３】
図１０は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズパッケージ２の断面図であって、温度ヒューズエレメント３の実装面Ｒと発熱抵抗体５との間に伝熱層１１を介在させたものである。
【００４４】
上述した実施形態では、図３に示すように、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体５との間には基板４ａが介在されているのみの構成であったが、これに限られない。例えば、図１０に示すように、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体５との間に、熱伝導率の優れた伝熱層１１を設けても良い。
【００４５】
伝熱層１１は、図１０に示すように、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体５との間であって、平面透視して温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体５と重なる領域に設けられる。基体４の基板４ａを複数層に形成することにより、その内部に伝熱層１１を設けることができる。また、基板４ａを複数層から構成し、その内部に発熱抵抗体５を形成することにより、発熱抵抗体５と温度ヒューズエレメント３との間の距離を短くすることができ、発熱抵抗体５の温度を温度ヒューズエレメント３に伝えやすくすることができる。
【００４６】
伝熱層１１は、発熱抵抗体５から、発熱抵抗体５と伝熱層１１の間に位置する基板４の一部を介して熱が伝わる。伝熱層１１に伝わる熱は、伝熱層１１から、伝熱層１１と温度ヒューズエレメント３との間に位置する基板４ａの一部を介して熱が伝わる。伝熱層１１は、発熱抵抗体５から熱が伝わりやすいように、例えば、銅又はタングステン等の熱伝導率の優れた材料、或いはこれらの混合材料から成る。
【００４７】
伝熱層１１は、基板４ａ又は基板４ｂを構成する材料よりも熱伝導率の大きな材料である。伝熱層１１は、基板４ａ又は基板４ｂを構成する材料よりも熱伝導率の大きな材料から構成することによって、発熱抵抗体５のから発生する熱の多くが伝わりやすくすることができる。そして、温度ヒューズエレメント３を素早く溶断することができ、作動特性を良好にすることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【００４８】
図１１は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１と支持体１０とを接合した状態を示す斜視図であって、支持体１０を平板としたものである。
【００４９】
上述した実施形態では、図７に示すように、支持体１０を基体４の下方に向かって延在したが、これに限られない。例えば、図１１に示すように、支持体１０を基体４の下面に沿って平面方向に沿って延在させてもよい。支持体１０の厚みを小さくすることで、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に組み込む自由度を向上させることができる。
【００５０】
＜抵抗温度ヒューズの製造方法＞
ここで、図１に示す抵抗温度ヒューズ１、並びに抵抗温度ヒューズパッケージ２の製造方法について説明する。
【００５１】
先ず、基体４を構成する基板４ａ及び基板４ｂを準備する。基体４を構成する各基板が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。
【００５２】
また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、グリーンシートの状態の基板４ａの上面に対して、金属ペーストを塗って、電極層６をパターニングする。
【００５３】
次に、グリーンシートの状態の基板４ａに貫通孔を形成する。なお、貫通孔は、複数の基板を積層後に、凹部Ｐとして機能する。
【００５４】
そして、基板４ａと同様に、基板４ｂ用のグリーンシートを成形する。また、基板４ｂの上面及び下面のそれぞれに、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体５、電極層６の一部及び導電層７の一部を形成する。さらに、基板４ｂの下面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って導電層７を形成する。
【００５５】
次に、基板４ａ及び基板４ｂを積層し、約１６００度の温度で一体焼成する。さらに、一体後の基体４の、温度ヒューズエレメント搭載部、回路基板実装部及び支持体の表面に所要のめっきを行う。ここでは、抵抗温度ヒューズについての個片製品の製法を述べたが、多数個取のシート形状による製造が量産性、コスト面からは好ましい。このようにして、抵抗温度ヒューズパッケージ２を作製することができる。
【００５６】
次に、基体４の上層に位置する基板４ａ上の所定箇所に温度ヒューズエレメント３を実装する。そして、温度ヒューズエレメント３と電極層６とを電気的に接続する。また、基体４上に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス９を形成する。このようにして、抵抗温度ヒューズ１を作製することができる。
【００５７】
なお、多数個取のシート形状にて作成した抵抗温度ヒューズパッケージ２の個々の抵抗温度ヒューズに相当する部位の所定箇所に温度ヒューズエレメント３を実装した後に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス９を形成し、その後に多数個取シートを個片に分割することが量産性、コスト面からは好ましい。
【符号の説明】
【００５８】
１  抵抗温度ヒューズ
２  抵抗温度ヒューズパッケージ
３  温度ヒューズエレメント
４  基体
４ａ，４ｂ  基板
５  発熱抵抗体
６  電極層
７  導電層
８  被覆層
９  フラックス
１０  支持体
１１  伝熱層
Ｐ  凹部
Ｐ２  第２の凹部
Ｒ  実装面
Ｈ  孔
【図１】
0005489684.tif 000002
【図２】
0005489684.tif 000003
【図３】
0005489684.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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