(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成するための方法であって、
基板の表面にわたって複数の特徴部を形成するステップであって、少なくとも１つの空間が２つの隣接する特徴部間にあるステップと、
前記特徴部上かつ前記少なくとも１つの空間内に第１の誘電層を形成するステップであって、前記第１の誘電層は、前記少なくとも１つの空間内のより深い側面のギャップに比べて前記少なくとも１つの空間の開口部上により狭いギャップを形成するステップと、
前記第１の誘電層の一部を、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用させて第１の固体生成物を形成するステップであって、前記第１の固体生成物は、前記反応剤と前記第１の誘電層の両方からの材料を含むステップと、
前記第１の固体生成物を分解して、前記第１の誘電層の前記一部を実質的に除去するステップと、
第２の誘電層を形成して、前記少なくとも１つの空間を実質的に充填するステップと、を備える方法。
【請求項２】
複数の特徴部を形成するステップが、少なくとも複数のトレンチ、導電性ライン、開口およびトランジスタゲートを形成する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の誘電層を形成するステップが酸化シリコン層を形成する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の誘電層の前記一部を反応剤と相互作用させるステップが、
前記第１の前駆体および前記第２の前駆体をイオン化する工程と、
前記イオン化された第１の前駆体および前記イオン化された第２の前駆体を、前記第１の誘電層の前記一部と相互作用させる工程と、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の前駆体がアンモニア（ＮＨ3）であり、前記第２の前駆体が三フッ化窒素（ＮＦ3）である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の誘電層の前記一部を前記反応剤と相互作用させるステップが、
前記第１の誘電層の前記一部を前記第１の前駆体および前記第２の前駆体と相互作用させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の前駆体がアンモニア（ＮＨ3）であり、前記第２の前駆体がフッ化水素（ＨＦ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の誘電層を形成するステップが窒化シリコン層を形成する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の誘電層の前記一部を反応剤と相互作用させるステップが、
前記第１の前駆体および前記第２の前駆体をイオン化する工程と、
前記窒化シリコン層の前記一部を、前記イオン化された第１の前駆体および前記イオン化された第２の前駆体と相互作用させる工程と、
を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の前駆体が水素（Ｈ2）であり、前記第２の前駆体が三フッ化窒素（ＮＦ3）である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の固体生成物を分解するステップが、前記第１の固体生成物を熱処置して、前記第１の固体生成物を実質的に昇華させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の固体生成物を分解するステップが、前記生成物を液体溶液に溶解させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記液体溶液が水または極性溶媒を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の誘電層の下にライナーを形成するステップをさらに備えており、前記第１の誘電層対前記ライナーのエッチング選択率が約５：１以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ライナーの一部を、第３の前駆体および第４の前駆体から導出された反応剤と相互作用させて第２の固体生成物を発生させるステップと、
前記第２の固体生成物を分解して、前記ライナーの前記一部を除去するステップと、
をさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の誘電層の別の部分を、第３の前駆体および第４の前駆体から導出された反応剤と相互作用させて、第２の固体生成物を発生させるステップと、
前記第２の固体生成物を分解して、前記第１の誘電層の前記別の部分を除去するステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の誘電層を前記特徴部上かつ前記少なくとも１つの空間内に形成するステップが約６００Ｔｏｒｒ以上のプロセス圧力を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の固体生成物を分解するステップが、前記除去された第１の誘電層の傾斜側壁と、前記除去された第１の誘電層の底部との間の角度を約８７°以下に形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
底部および側壁を有する半導体構造に誘電材料を堆積するための方法であって、
前記構造の前記底部および側壁上に第１の誘電層を形成するステップであって、前記層が前記構造を部分的に充填すると共に、前記構造内のより深い側面のギャップに比べて前記構造の開口部上により狭いギャップを形成するステップと、
前記第１の誘電層の一部を、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用させて第１の固体生成物を形成するステップであって、前記第１の固体生成物は、前記反応剤と前記第１の誘電層の両方からの材料を含むステップと、
前記第１の固体生成物を熱処置して、前記第１の固体生成物を実質的に昇華させて、前記構造に傾斜開口を形成するステップと、
第２の誘電層を形成して、前記空間を実質的に充填するステップと、
を備える方法。
【請求項２０】
前記構造がギャップであり、前記ギャップの前記底部と前記側壁のうちの１つとの間に形成された第１の角度が約８９°〜約９１°に及び、前記傾斜開口の側壁と底部との間の第２の角度が８７°未満である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の誘電層の前記一部を反応剤と相互作用させるステップが、
前記第１の前駆体および前記第２の前駆体からプラズマを形成する工程と、
前記プラズマを前記第１の誘電層の前記一部と相互作用させる工程と、
を備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の前駆体がアンモニア（ＮＨ3）であり、前記第２の前駆体が三フッ化窒素（ＮＦ3）またはフッ化水素（ＨＦ）である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の誘電層の前記一部を反応剤と相互作用させるステップが、
前記第１の前駆体および前記第２の前駆体をエッチングチャンバに導入する工程と、
前記第１の誘電層の前記一部を前記第１の前駆体および前記第２の前駆体と相互作用させる工程と、
を備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の誘電層を形成するステップが窒化シリコン層を形成するステップを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の誘電層の前記一部を反応剤と相互作用させるステップが、
前記第２の前駆体をイオン化する工程と、
前記第１の前駆体および前記イオン化された第２の前駆体をエッチングチャンバに導入する工程と、
前記窒化シリコンの前記一部を前記第１の前駆体および前記イオン化された第２の前駆体と相互作用させる工程と、
を備える、請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
[0001]本願は、２００６年１２月７日に出願された米国仮特許出願第６０／８６９，０６６号の利益を主張するものである。本願はまた、「Ｍｕｌｔ−ｓｔｅｐ  Ｄｅｐ−Ｅｔｃｈ−Ｄｅｐ  Ｈｉｇｈ  Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｇａｐｆｉｌｌｓ」と題された、代理人整理番号第Ａ１１５９８／Ｔ７６８２０号を有する本願と同日に出願された米国特許出願に関する。両出願の内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]本願は、２００６年５月３０日に出願され、かつ「ＰＲＯＣＥＳＳ  ＣＨＡＭＢＥＲ  ＦＯＲ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＧＡＰＦＩＬＬ」と題された、共に譲渡されたＬｕｂｏｍｉｒｓｋｙらへの米国仮特許出願第６０／８０３，４９９号に関する。本願は、２００２年５月１４日に発行され、かつ「ＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＲＥＭＯＴＥ  ＰＬＡＳＭＡ  ＧＥＮＥＲＡＴＯＲ  ＷＩＴＨ  ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＣＨＡＭＢＥＲ」と題された、共に譲渡されたＪａｎａｋｉｒａｍａｎらへの米国特許第６，３８７，２０７号に関する。本願は、２００４年１２月１４日に発行され、かつ「ＢＬＯＣＫＥＲ  ＰＬＡＴＥ  ＢＹ−ＰＡＳＳ  ＦＯＲ  ＲＥＭＯＴＥ  ＰＬＡＳＭＡ  ＣＬＥＡＮ」と題された、共に譲渡されたＪａｎａｋｉｒａｍａｎらへの米国特許第６，８３０，６２４号に関する。本願はまた、Ｚｈａｏらへの、「ＣＶＤ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＣＨＡＭＢＥＲ」と題された、共に譲渡された米国出願第５，５５８，７１７号に関する。両関連出願の内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【発明の背景】
【０００３】
[0003]半導体デバイス形状は、数十年前に導入されて以来劇的にサイズが縮小してきた。現在の半導体製作機器は、２５０ｎｍ、１８０ｎｍおよび６５ｎｍの特徴部サイズを有するデバイスを規定どおりに生成し、また新たな機器が、さらに小さな形状を有するデバイスを作るために開発および具現化されている。しかしながら、より小さなサイズというのは、クロストークおよび寄生容量を含む電気的干渉の可能性を増大させる恐れのあるデバイス要素が緊密に動作しなければならないことを意味している。
【０００４】
[0004]電気的干渉の度合いを削減するために、誘電絶縁性材料が、デバイス要素、金属ラインおよび他のデバイス要素間のギャップ、トレンチおよび他の空間を充填するために使用される。ギャップのアスペクト比は、ギャップの幅に対するギャップの高さまたは深さの比によって定義される。これらの空間は、従来のＣＶＤ方法を使用して充填することが困難である。このようなギャップを完全に充填するという膜の能力は膜の「ギャップ充填」能力と称される。酸化シリコンは、とりわけ金属間誘電（ＩＭＤ）用途、プレメタル誘電（ＰＭＤ）用途および浅型トレンチ分離（ＳＴＩ）用途でギャップを充填するのに普通使用されるタイプの絶縁膜である。このような酸化シリコン膜はしばしばギャップ充填膜またはギャップ充填層と称される。
【０００５】
[0005]一部の集積回路製造者は、酸化シリコンギャップ充填層を堆積するための高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ−ＣＶＤ）システムの使用に転じた。ＨＤＰ−ＣＶＤシステムは、標準的な容量結合プラズマＣＶＤシステムの密度のおよそ２倍以上のプラズマを形成する。ＨＤＰ−ＣＶＤシステムの例は、とりわけ誘電結合プラズマシステムおよび電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマシステムを含む。ＨＤＰ−ＣＶＤシステムは概して、低密度プラズマシステムよりも低い圧力範囲で動作する。ＨＤＰ−ＣＶＤシステムで採用される低チャンバ圧力は、長い平均自由経路および小さい角度分布を有する活性種を提供する。プラズマの密度と組み合わさった、これらの要因は、間隔が緊密なギャップの最深部分にも達するプラズマからの相当数の構成要素に寄与し、低密度プラズマＣＶＤシステムで堆積された膜と比較してギャップ充填性能が改良された膜を提供する。
【０００６】
[0006]他のＣＶＤ技術によって堆積された膜と比較して、ＨＤＰ−ＣＶＤ技術によって堆積された膜が改良されたギャップ充填特徴を有するようにする別の要因は、膜堆積と同時にプラズマの高密度によって促進されたスパッタリングの発生である。ＨＤＰ堆積のスパッタリング要素は、隆起表面の角などの一定の特徴部への堆積をゆっくりとすることによって、ＩＤＰ堆積膜のギャップ充填能力の増大に寄与することになる。一部のＨＤＰ−ＣＶＤシステムは、スパッタリング効果をさらに促進するために、アルゴンまたは類似の重不活性ガスを導入する。これらのＨＤＰ−ＣＶＤシステムは通常、電界の作成がプラズマを基板に対してバイアスできるようにする基板サポートペデスタル内の電極を採用する。電界は、所与の膜に対してスパッタリングを発生させ、かつより良好なギャップ充填特徴を提供するためにＨＤＰ堆積プロセス全体に適用可能である。酸化シリコン膜を堆積するために普通使用されるＨＤＰ−ＣＶＤプロセスは、シラン（ＳｉＨ４）、酸素分子（Ｏ２）およびアルゴン（Ａｒ）を含むプロセスガスからプラズマを形成する。
【０００７】
[0007]しかしながら、スパッタリングと関連した制限は、スパッタリング済み材料の角度再分布である。例えば、ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限することになる。過剰な再堆積がある場合、トレンチは、底部が充填される前に閉ざされる恐れがあり、埋め込み間隙をトレンチ内に残す。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]例示的実施形態によると、半導体構造を形成するための方法は、基板の表面にわたって複数の特徴部を形成するステップであって、少なくとも１つの空間が２つの隣接する特徴部間にあるステップを含む。第１の誘電層が該特徴部上に、かつ該少なくとも１つの空間内に形成される。該第１の誘電層の一部が、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用して第１の固体生成物を形成する。該第１の固体生成物は分解されて、該第１の誘電層の該一部を実質的に除去する。第２の誘電層が、該少なくとも１つの空間を実質的に充填するために形成される。
【０００９】
[0009]例示的実施形態によると、複数の特徴部を形成するステップは、少なくとも複数のトレンチ、導電性ライン、開口およびトランジスタゲートを形成する工程を備える。
【００１０】
[0010]例示的実施形態によると、該第１の誘電層を形成するステップは酸化シリコン層を形成する工程を含む。
【００１１】
[0011]例示的実施形態によると、該第１の誘電層の該一部を反応剤と相互作用させるステップは、該第１の前駆体および該第２の前駆体をイオン化する工程と、該イオン化された第１の前駆体および該イオン化された第２の前駆体を該第１の誘電層の該一部と相互作用させる工程とを含む。
【００１２】
[0012]例示的実施形態によると、該第１の前駆体はアンモニア（ＮＨ３）であり、該第２の前駆体は三フッ化窒素（ＮＦ３）である。
【００１３】
[0013]例示的実施形態によると、該第１の誘電層の該一部を反応剤と相互作用させるステップは、該第１の誘電層の該一部を該イオン化された第１の前駆体および該第２の前駆体と相互作用させる工程を含む。
【００１４】
[0014]例示的実施形態によると、該第１の前駆体は三フッ化窒素（ＮＦ３）であり、該第２の前駆体はフッ化水素（ＨＦ）またはアンモニア（ＮＨ３）である。
【００１５】
[0015]例示的実施形態によると、該第１の誘電層の該一部を反応剤と相互作用させるステップは、該第１の誘電層の該一部を該第１の前駆体および該第２の前駆体と相互作用させる工程を含む。
【００１６】
[0016]例示的実施形態によると、該第１の前駆体はアンモニア（ＮＨ３）であり、該第２の前駆体はフッ化水素（ＨＦ）である。
【００１７】
[0017]例示的実施形態によると、該第１の誘電層を形成するステップは、窒化シリコン層を形成する工程を備える。
【００１８】
[0018]例示的実施形態によると、該第１の誘電層の該一部を反応剤と相互作用させるステップは、該第１の前駆体および該第２の前駆体をイオン化する工程と、該窒化シリコン層の該一部を該イオン化された第１の前駆体および該イオン化された第２の前駆体と相互作用させる工程と、を含む。
【００１９】
[0019]例示的実施形態によると、該第１の前駆体は水素（Ｈ２）であり、該第２の前駆体は三フッ化窒素（ＮＦ３）である。
【００２０】
[0020]例示的実施形態によると、該第１の固体生成物を分解するステップは、該第１の固体生成物を熱処置して、該第１の固体生成物を実質的に昇華させる工程を含む。
【００２１】
[0021]例示的実施形態によると、該方法はさらに、該第１の誘電層の下にライナーを形成するステップを含んでおり、該第１の誘電層対該ライナーのエッチング選択率は約８：１以上である。
【００２２】
[0022]例示的実施形態によると、該方法はさらに、該ライナーの一部を、第３の前駆体および第４の前駆体から導出された反応剤と相互作用させて第２の固体生成物を発生させるステップと、該第２の固体生成物を分解して該ライナーの該一部を除去するステップと、を含む。
【００２３】
[0023]例示的実施形態によると、該方法はさらに、該第１の誘電層の別の部分を、第３の前駆体および第４の前駆体から導出された反応剤と相互作用させて第２の固体生成物を発生させるステップと、該第２の固体生成物を分解して該第１の誘電層の該別の部分を除去するステップと、を含む。
【００２４】
[0024]例示的実施形態によると、該第１の誘電層を該特徴部上に、かつ該少なくとも１つの空間内に形成するステップは約６００Ｔｏｒｒ以上のプロセス圧力を有する。
【００２５】
[0025]例示的実施形態によると、該第１の固体生成物を分解するステップは、該除去された第１の誘電層の傾斜側壁と、該除去された第１の誘電層の底部の間に約８７°以下の角度を形成する。
【００２６】
[0026]例示的実施形態によると、半導体構造を形成するための方法は、複数のトレンチを基板の表面にわたって形成するステップを含む。第１の誘電層が該トレンチの上およびこの内部に形成される。該第１の誘電層の一部が、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用して、第１の固体生成物を形成する。該第１の固体生成物は熱処置されて、該第１の固体生成物を実質的に昇華させて、該第１の誘電層の該一部を実質的に除去する。第２の誘電層が、該空間を実質的に充填するために形成される。
【００２７】
[0027]例示的実施形態によると、上記方法の該ステップは、誘電層をエッチングおよび堆積する１つ以上の追加サイクルについて反復されてもよい。例えば、上記方法の終了時に堆積された該第２の誘電層の一部はさらに該反応剤と相互作用して、熱処置で昇華される第２の固体生成物を形成して、該第２の誘電層の該一部を除去する。第３の誘電層が、該第２の誘電層の残りの（つまり、非エッチング）部分に形成されてもよい。追加エッチングおよび誘電堆積サイクルが、残りの空間（例えば、誘電キャップ層）を実質的に充填する最終誘電層が堆積されるまで実行されてもよい。
【００２８】
[0028]本発明の性質および利点のさらなる理解が、明細書の残りの部分および図面を参照して実現されてもよく、図面中同一の参照番号が類似のコンポーネントを称するために複数の図面にわたって使用されている。一部の例において、サブラベルは参照番号と関連しており、複数の類似コンポーネントのうちの１つを記すためにハイフンに続く。既存のサブラベルに関する詳述なく参照番号を参照する場合、このような複数の類似コンポーネントのすべてを称することが意図されている。
【発明の詳細な説明】
【００２９】
[0036]基板の表面にわたって形成された少なくとも１つの特徴部、例えばトランジスタゲート上に少なくとも１つの誘電層を形成するためのシステムおよび方法が説明されている。誘電層の一部は、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用して固体生成物を形成する。固体生成物は、誘電層の一部を実質的に除去するために分解可能である。アスペクト比ギャップおよび／またはトレンチが、実質的にギャップやシームなしで誘電材料によって充填されるように、次いで別の誘電層がエッチング済み誘電層上に形成されてもよい。
【００３０】
例示的プロセス
[0037]図１Ａ〜図１Ｄは、例示的浅型トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセス方法を示す概略図である。図２は、例示的浅型トレンチ分離構造を形成するステップの例示的フローチャートを示す概略図である。
【００３１】
[0038]図１Ａを参照すると、少なくとも１つの特徴部１１５が基板１００の表面にわたって形成される。特徴部１１５は、例えばトランジスタ、トランジスタゲート、トレンチ、開口、ギャップ、導電性ライン、または約５：１以上のアスペクト比を有する他の特徴部であってもよい。一部の実施形態では、特徴部１１５はトレンチであってもよい。トレンチ１１５は基板１００にわたって形成可能である。基板１００は、例えばシリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板、シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）基板、エピ基板、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などのディスプレイ基板、プラズマディスプレイ、電気発光（ＥＬ）ランプディスプレイ、または発光ダイオード（ＬＥＤ）基板であってもよい。一部の実施形態では、基板１００は半導体ウェーハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウェーハ）であってもよい。
【００３２】
[0039]図２を参照すると、浅型トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセス２００はステップ２１０〜２５０を含むことができる。ステップ２１０は、複数の特徴部１１５を基板１００の表面にわたって形成することができる。
【００３３】
[0040]再度図１Ａを参照すると、酸化パッドなどの少なくとも１つのパッド誘電層１０５が基板１００上に形成可能である。一部の実施形態では、窒化パッドなどの少なくとも１つのパッド誘電層１１０が酸化パッド１０５上に形成可能である。パッド誘電層１０５および１１０は、例えば化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、熱プロセスおよび／または、誘電膜層を望ましく形成可能な他のプロセスによって形成可能である。一部の実施形態では、トレンチ１１５が、パッド誘電層１０５、１１０の一部および基板１００を除去するエッチングプロセスによって形成可能である。一部の実施形態では、パッド誘電層１０５は窒化物であり、パッド誘電層１１０は酸化物である。一部の実施形態では、パッド誘電層１０５および１１０は、所望のエッチング選択率を有する異なる誘電材料であってもよい。
【００３４】
[0041]図１Ｂおよび図２を参照すると、ステップ２２０は、トレンチ１１５上に、誘電層１２０などの少なくとも１つの誘電層を形成することができる。誘電層１２０はトレンチ１１５の寸法をトレンチ１１５ａの寸法に削減することが可能である。誘電層１２０は、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸窒化シリコン層、シリコンオキシカーバイド層および他の誘電層のうちの少なくとも１つを含むことができる。一部の実施形態では、誘電層１２０は、高アスペクト比プロセス（ＨＡＲＰ）酸化物、ｅＨＡＲＰ酸化物、大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）酸化物、または高温アンドープケイ酸塩ガラス（ＨＴＵＳＧ）などの熱ＣＶＤ酸化物；高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物；プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）酸化物；高温酸化物、中温度酸化物または低温酸化物などの炉堆積酸化物；原子層堆積（ＡＬＤ）酸化物および他の酸化物であってもよい。一部の実施形態では、誘電層１２０は、例えばＰＥＣＶＤ窒化物、炉堆積窒化物、ＨＤＰ窒化物、熱ＣＶＤ窒化物、ＡＬＤ窒化物および他の窒化物であってもよい。一部の実施形態では、誘電層１２０は、高アスペクト比プロセス（ＨＡＲＰ）ライナーと称されることもある。一部の実施形態では、ステップ２２０は約６００Ｔｏｒｒ以上のプロセス圧力を有することがある。
【００３５】
[0042]一部の実施形態では、誘電層１２０は、シラン（ＳｉＨ４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）および四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）などのシリコン含有前駆体と、窒素（Ｎ２）およびアンモニア（ＮＨ３）などの窒素含有前駆体とから形成されてもよい。一部の実施形態では、誘電層１２５は、アルコキシジシラン類、アルコキシ−アルキルジシラン類、アルコキシ−アセトキシジシラン類およびポリシラン類などのシリコン含有前駆体と、窒素およびアンモニアなどの窒素含有前駆体とから形成されてもよい。例えば、アルコキシジシラン類はＳｉ２（ＥｔＯ）６エトキシジシラン類、Ｓｉ２（ＭｅＯ）６メトキシジシラン類およびＳｉ６（ＭｅＯ）１２メトキシシクロヘキシルシラン類を含んでもよく、ここでＥｔはエチル基（Ｃ２Ｈ６）を記しており、Ｍｅはメチル基（ＣＨ３）を記している。一部の実施形態では、アルコキシ−アルキルジシラン類はＳｉ２（ＥｔＯ）４（Ｍｅ）２テトラエトキシ−ジメチルジシラン類、Ｓｉ２（ＥｔＯ）４（Ｅｔ）２テトラエトキシ−ジエチルジシラン類、Ｓｉ２（ＥｔＯ）２（Ｍｅ）４ジエトキシ−テトラメチルジシラン類、Ｓｉ２（ＭｅＯ）４（Ｍｅ）２テトラメトキシ−ジメチルジシラン類およびＳｉ４Ｏ２（Ｍｅ）８メチルシクロヘキシルシロキサン類、Ｓｉ６（ＭｅＯ）６（Ｍｅ）６メトキシ−メチルシクロヘキシルシラン類、Ｓｉ４Ｏ２（Ｈ２）４ヒドロシクロヘキシルシロキサン類を含んでもよい。一部の実施形態では、アルコキシ−アセトキシジシラン類は、Ｓｉ２（ＡｃＯ）６アセトキシジシラン類、Ｓｉ２（Ｍｅ）４（ＡｃＯ）２テトラメチル−ジアセトキシジシラン類およびＳｉ２（Ｍｅ）２（ＡｃＯ）４ジメチル−テトラセトキシジシラン類を含んでもよく、ここでＡｃはアセチル基を記している。一部の実施形態では、ポリシラン類はシクロペンチルシラン類や他の置換物を含んでもよい。
【００３６】
[0043]一部の実施形態では、誘電層１２０は、トレンチ１１５ａがトレンチ１１５ａの中部および／または底部ギャップより小さな上部ギャップを有するように、パッド誘電層１１０上に形成可能である。
【００３７】
[0044]図１Ｃを参照すると、エッチングプロセス１３０は、エッチング済み誘電層増１２０ａがトレンチ１１５ｂに沿って先細り側壁を有することができるように、誘電層１２０の一部を除去することができる。一部の実施形態では、エッチングプロセス１３０は図２に示されているステップ２３０および２４０を含むことができる。ステップ２３０は誘電層１２０の一部を反応剤と相互作用させて固体生成物を形成してもよい。ステップ２４０は固体生成物を分解して誘電層１２０の相互作用した部分を除去することができ、誘電層１２０ａをもたらす。エッチングプロセス１３０の例示的実施形態は以下の通りである。
【００３８】
例示的実施形態１
[0045]一部の実施形態では、誘電層１２０は酸化シリコン層であってもよい。第１の前駆体は、例えば水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アジ化水素酸（ＨＮ３）、他の水素含有前駆体およびこれらの種々の組み合わせであってもよい。第２の前駆体は、例えば三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化シリコン（ＳｉＦ４）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、フッ化メタン（ＣＨ３Ｆ）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）、他のフッ素含有前駆体やこれらの種々の組み合わせであってもよい。一部の実施形態では、アンモニア（ＮＨ３）などの第１の前駆体および三フッ化窒素（ＮＦ３）などの第２の前駆体はプラズマとしてイオン化可能である。一部の実施形態では、イオン化プロセスは、誘電層１２０を堆積するチャンバ内で実行可能である。一部の実施形態では、イオン化プロセスは外部発生されて、誘電層１２０を堆積するチャンバに導入されることが可能である。一部の実施形態では、エッチングプロセス１３０は、堆積チャンバとは異なるエッチングチャンバ内で実行可能である。一部の実施形態では、エッチングプロセス１３０は、トレンチ１１５ｂの傾斜側壁とトレンチ１１５ｂの底部間の角度を８７°以下に形成してもよい。
【００３９】
[0046]一部の実施形態では、ＮＨ３は約１０標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）〜約１，０００ｓｃｃｍの流量を有してもよい。一部の実施形態では、ＮＨ３は約１００ｓｃｃｍの流量を有してもよい。ＮＦ３は約１０ｓｃｃｍ〜約１，０００ｓｃｃｍの流量を有することが可能である。一部の実施形態では、ＮＦ３は約１００ｓｃｃｍの流量を有してもよい。プロセス温度は約０°〜約８０°であってもよい。一部の実施形態では、プロセス温度は約３０°であってもよい。プロセス圧力は約１ミリトール（ｍＴｏｒｒ）〜約１ａｔｍであってもよい。一部の実施形態では、プロセス圧力は３Ｔｏｒｒであってもよい。プラズマ電力は約１０ワット〜約２，０００ワットであってもよい。一部の実施形態では、プラズマ電力は約４５ワットであってもよい。ＮＨ３およびＮＦ３のプラズマの反応は以下の式によって表されることが可能である：
ＮＨ３（ｇ）＋ＮＦ３（ｇ）→ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）
[0047]反応剤ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）は、その後、酸化シリコン層の一部と相互作用するように導入可能である。反応剤ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）は、酸化シリコンと相互作用して、個体生成物、例えば（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を形成することもある。基板１００が、約−１００℃〜約１，０００℃（例えば、約−５０℃〜約２００℃）の温度を有するペデスタル上に配置される実施形態もある。ペデスタルが約３０℃の温度を有することもある実施形態もある。ペデスタルの温度は望ましくは、プラズマおよび窒化シリコンの相互作用を高めることもある。酸化シリコンと反応剤ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）の相互作用は以下の式として記述することが可能である：
ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）＋ＳｉＯ２（ｓ）→（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）＋Ｈ２Ｏ
[0048]再度図２を参照すると、ステップ２４０は固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を分解することができる。一部の実施形態では、ステップ２４０は、固体生成物を熱処置して、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を実質的に昇華するステップを含むことができる。一部の実施形態では、熱プロセスは、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６をシャワーヘッドに近づけることによって実施されてもよく、これは約−１００℃〜約１，０００℃（例えば、約−５０℃〜約２００℃）のプロセス温度を提供するように動作可能であってもよい。プロセス温度が約１８０℃である実施形態もある。熱プロセスが、例えばオーブン、炉、高速熱アニーリング（ＲＴＡ）装置、あるいは他の熱装置によって実施されてもよい実施形態もある。固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６の分解および／または昇華は以下の式として記述することが可能である：
（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）→ＳｉＦ４（ｇ）＋ＮＨ３（ｇ）＋ＨＦ（ｇ）
[0049]固体生成物を除去するための方法のさらなる実施形態は、生成物を熱処置によって昇華させるのではなく、水溶液（例えば純水）によって生成物含有基板をリンスするステップを含んでもよい。基板はまた、水溶液リンスではなく（またはこれに加えて）エタノールやグリコールなどの極性溶媒でリンスされてもよい。
【００４０】
例示的実施形態２
[0050]一部の実施形態では、誘電層１２０は酸化シリコン層であってもよい。第１の前駆体は、例えば水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アジ化水素酸（ＨＮ３）、他の水素含有前駆体およびこれらの種々の組み合わせであってもよい。第２の前駆体は、例えばフッ化水素（ＨＦ）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、フルオロメタン（ＣＨ３Ｆ）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）、他のフッ素含有前駆体またはこれらの種々の組み合わせであってもよい。一部の実施形態では、アンモニア（ＮＨ３）などの第１の前駆体およびフッ化水素（ＨＦ）などの第２の前駆体は、誘電層１２０と相互作用するために使用可能である。一部の実施形態では、ＮＨ３およびＨＦは、誘電層１２０を堆積するチャンバ内に導入可能である。一部の実施形態では、ＮＨ３およびＨＦは、誘電層１２０と相互作用するために、堆積チャンバとは異なるエッチングチャンバ内に導入可能である。
【００４１】
[0051]一部の実施形態では、ＮＨ３は、約１０標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）〜約１，０００ｓｃｃｍの流量を有することがある。一部の実施形態では、ＮＨ３は約１００ｓｃｃｍの流量を有することがある。ＨＦは約１０ｓｃｃｍ〜約２，０００ｓｃｃｍの流量を有することができる。一部の実施形態では、ＨＦは約２００ｓｃｃｍの流量を有することがある。プロセス温度は約０℃〜約８０℃であってもよい。一部の実施形態では、プロセス温度は約３０℃であってもよい。プロセス圧力は約１ミリトール（ｍＴｏｒｒ）〜約１ａｔｍであってもよい。一部の実施形態では、プロセス圧力は３Ｔｏｒｒであってもよい。ＮＨ３およびＨＦの相互作用は後述の式として表されてもよい：
ＮＨ３（ｇ）＋ＨＦ（ｇ）→ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）
[0052]一部の実施形態では、ＮＨ３およびＨＦは、酸化シリコン層の一部と相互作用するためにチャンバに導入可能である。ＮＨ３およびＨＦは酸化シリコンと相互作用して、固体生成物、例えば（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）を形成してもよい。基板１００が、約−１００℃〜約１，０００℃（例えば、約−５０℃〜約２００℃）の温度を有するペデスタル上に配置される実施形態もある。ペデスタルが約３０℃の温度を有することもある実施形態もある。ペデスタルの温度は望ましくは、プラズマおよび窒化シリコンの相互作用を高めることがある。酸化シリコンおよびプラズマの相互作用は以下の式として記述可能である：
ＮＨ４Ｆ（ｓ）および／またはＮＨ４Ｆｙ．ＨＦ（ｓ）＋ＳｉＯ２（ｓ）→（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）＋Ｈ２Ｏ
[0053]再度図２を参照すると、ステップ２４０は、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を分解することができる。一部の実施形態では、ステップ２４０は、固体生成物を熱処置して、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を実質的に昇華させるステップを含むことができる。一部の実施形態では、熱プロセスは、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６をシャワーヘッドに近づけることによって実施されてもよく、これは、約−１００℃〜約１，０００℃（例えば、約−５０℃〜約２００℃）のプロセス温度を提供するように動作可能であってもよい。一実施形態では、プロセス温度は約１８０℃である。他の実施形態では、熱プロセスは、例えばオーブン、炉、高速熱アニーリング（ＲＴＡ）装置、あるいは他の熱装置によって実施されてもよい。固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６の分解および／または昇華は以下の式として記述されてもよい：
（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）→ＳｉＦ４（ｇ）＋ＮＨ３（ｇ）＋ＨＦ（ｇ）
[0054]上記のように、固体生成物を除去するための方法のさらなる実施形態は、熱処置によって生成物を昇華させるのではなく（またはこれに加えて）、水溶液（例えば純水）で生成物含有基板をリンスするステップを含んでもよい。基板はまた、水溶液リンスではなく（またはこれに加えて）エタノールやグリコールなどの極性溶媒でリンスされてもよい。
【００４２】
例示的実施形態３
[0055]一部の実施形態では、誘電層１２０は窒化シリコン層であってもよい。第１の前駆体は、例えば水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アジ化水素酸（ＨＮ３）、他の水素含有前駆体およびこれらの種々の組み合わせであってもよい。第２の前駆体は、例えばフッ化水素（ＨＦ）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、フルオロメタン（ＣＨ３Ｆ）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）、他のフッ素含有前駆体またはこれらの種々の組み合わせであってもよい。水素（Ｈ２）などの第１の前駆体および三フッ化窒素（ＮＦ３）などの第２の前駆体はプラズマとしてイオン化可能である。一部の実施形態では、イオン化プロセスは、誘電層１２０を堆積するチャンバ内で生じる可能性がある。一部の実施形態では、イオン化プロセスは熱的に生じて、誘電層１２０を堆積するチャンバに導入されることが可能である。一部の実施形態では、エッチングプロセス１３０は、堆積チャンバと異なるエッチングチャンバ内で実行可能である。
【００４３】
[0056]一部の実施形態では、ＮＦ３は約１０標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）〜約１，０００ｓｃｃｍの流量を有することがある。一部の実施形態では、ＮＦ３は約１００ｓｃｃｍの流量を有することがある。Ｈ２は約１０ｓｃｃｍ〜約３，０００ｓｃｃｍの流量を有することが可能である。一部の実施形態では、Ｈ２は約６００ｓｃｃｍの流量を有することがある。プロセス温度は約０℃〜約８０℃であってもよい。一部の実施形態では、プロセス温度は約３０℃であってもよい。プロセス圧力は約１ミリトール（ｍＴｏｒｒ）〜約１ａｔｍであってもよい。一部の実施形態では、プロセス圧力は３Ｔｏｒｒであってもよい。プラズマ電力は約１０ワット〜約２，０００ワットであってもよい。一部の実施形態では、プラズマ電力は約４５ワットであってもよい。
【００４４】
[0057]その後、プラズマは酸化シリコン層の一部をエッチングするためにチャンバに導入されてもよい。遠隔発生プラズマは酸化シリコンと相互作用して、固体生成物、例えば（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を形成することがある。基板１００が、約−１００℃〜約１，０００℃（例えば、約−５０℃〜約２００℃）の温度を有するペデスタル上に配置される実施形態もある。ペデスタルが約３０℃の温度を有することもある実施形態もある。ペデスタルの温度は望ましくは、プラズマおよび窒化シリコンの相互作用を高めることもある。酸化シリコンおよびプラズマの相互作用は以下の式として記述可能である：
ＮＦ３（ｇ）＋Ｈ２（ｇ）＋Ｓｉ３Ｎ４→（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）
[0058]再度図２を参照すると、ステップ２４０は固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を分解することができる。一部の実施形態では、ステップ２４０は、固体生成物を熱処置して、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６を実質的に昇華させるステップを含むことができる。一部の実施形態では、熱プロセスは、固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６をシャワーヘッドに近づけることによって実施されてもよく、これは約−５０℃〜約１，０００℃のプロセス温度を提供するように動作可能であってもよい。一実施形態では、プロセス温度は約１８０℃である。他の実施形態では、熱プロセスは、例えばオーブン、炉、高速熱アニーリング（ＲＴＡ）装置あるいは他の熱装置によって実施されてもよい。固体生成物（ＮＦ４）２ＳｉＦ６の分解および／または昇華は以下の式として記述されてもよい：
（ＮＦ４）２ＳｉＦ６（ｓ）→ＳｉＦ４（ｇ）＋ＮＨ３（ｇ）＋ＨＦ（ｇ）
[0059]上記のように、固体生成物を除去するための方法のさらなる実施形態は、熱処置によって生成物を昇華させるのではなく（またはこれに加えて）水溶液（例えば純水）で生成物含有基板をリンスするステップを含むこともある。基板はまた、水溶液リンスではなく（またはこれに加えて）エタノールやグリコールなどの極性溶媒でリンスされてもよい。
【００４５】
[0060]再度図１Ｃを参照すると、誘電層１２０のピンチオフおよびネガティブプロファイルは実質的に排除されてもよい。エッチングされた誘電層１２０ａは、（図１Ｄに示されている）誘電層１４０などの後続の誘電層がトレンチ１１５ｂ内に望ましく形成されるような所望のプロファイルを有することもある。
【００４６】
[0061]図１Ｄおよび図２を参照すると、ステップ２５０は、エッチング済み誘電層１２０ａ上に誘電層１４０を形成することができる。誘電層１４０は、例えば酸化物、窒化物、酸窒化物、低誘電率誘電材料、超低誘電率誘電材料、他の誘電材料またはこれらの種々の組み合わせから形成されてもよい。誘電層１４０は、例えばＣＶＤプロセス、スピンコーティングプロセス、誘電層を形成するように適合された他の方法またはこれらの種々の組み合わせによって形成されてもよい。一部の実施形態では、誘電層１４０は、高アスペクト比プロセス（ＨＡＲＰ）酸化物、ｅＨＡＲＰ酸化物、大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）酸化物または高温アンドープケイ酸塩ガラス（ＨＴＵＳＧ）などの熱ＣＶＤ酸化物；高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物；プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）酸化物；高温酸化物、中温酸化物または低温酸化物などの炉堆積酸化物；原子層堆積（ＡＬＤ）酸化物および他の酸化物であってもよい。一部の実施形態では、誘電層１４０は、例えばＰＥＣＶＤ窒化物、炉堆積窒化物、ＨＤＰ窒化物、熱ＣＶＤ窒化物、ＡＬＤ窒化物および他の窒化物であってもよい。一部の実施形態では、誘電層１４０は高アスペクト比プロセス（ＨＡＲＰ）キャップ層と称されることもある。（図１Ｂに示されている）誘電層１２０のピンチオフおよびネガティブプロファイルは実質的に除去されるため、誘電層１４０は望ましくは、エッチング済み誘電層１２０ａ間のギャップ内に充填されてもよい。
【００４７】
[0062]一部の実施形態では、エッチングバックプロセスおよび／または化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスが、誘電層１４０の上部表面を実質的に平坦化するために実行される。
【００４８】
[0063]図３は、例示的トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセスの概略フローチャートである。図３を参照すると、ステップ３１０、３２０、３３０、３４０および３５０はそれぞれ、図２と関連して上述されたステップ２１０、２２０、２３０、２４０および２５０と類似している。
【００４９】
[0064]図３において、ステップ３１２は、誘電層１２０を形成する前にライナーを形成してもよい。一部の実施形態では、ライナーは、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸窒化シリコン層、シリコンオキシカーバイド層および他の誘電層のうちの少なくとも１つを含むことができる。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、約８：１以上の誘電層１２０対ライナーのエッチング選択率を有することがある。
【００５０】
[0065]一部の実施形態では、ライナーは酸化物であり、誘電層１２０は窒化物である。プラズマ反応を使用する実施形態について、誘電層１２０対ライナーのエッチング選択率は、プロセス温度、プラズマ電力、ＮＦ３流量、ＮＨ３流量および／またはプロセス圧力を変更することによって修正可能である。プラズマ反応を使用しない実施形態については、誘電層１２０対ライナーのエッチング選択率は、プロセス温度、ＮＨ３流量、ＨＦ流量および／またはプロセス圧力を変更することによって修正可能である。
【００５１】
[0066]一部の実施形態では、ライナーは窒化物であり、誘電層１２０は酸化物である。プラズマ反応を使用する実施形態については、誘電層１２０対ライナーのエッチング選択率は、プロセス温度、プラズマ電力、ＮＦ３流量、Ｈ２流量および／またはプロセス圧力を変更することによって修正可能である。
【００５２】
[0067]再度図３を参照すると、ステップ３１４は、第３の前駆体および第４の前駆体から導出された反応剤とライナーを相互作用させて、固体生成物を形成することができる。一部の実施形態では、ステップ３１４は、図２と関連して上述されたステップ２３０と類似している可能性もある。ステップ３１６は、固体生成物を分解してライナーの一部を除去することができる。一部の実施形態では、ステップ３１６は、図２と関連して上述されたステップ２４０に類似している可能性がある。
【００５３】
[0068]一部の実施形態では、ステップ３１４および３１６は、エッチング済みライナーが、（図１Ａに示されている）誘電層１２０が形成可能な所望のプロファイルを提供できるように、ライナーの一部を除去することができる。ステップ３１４および３１６を使用してライナーの一部をエッチングすることによって、誘電層１２０のピンチオフおよびネガティブプロファイルは望ましくは排除されてもよい。
【００５４】
[0069]図４は、例示的トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセスの概略フローチャートである。図４を参照すると、ステップ４１０、４２０、４３０、４４０および４５０はそれぞれ、図２と関連して上述されたステップ２１０、２２０、２３０、２４０および２５０と類似している。
【００５５】
[0070]図４において、ステップ４４２は、第３の前駆体および第４の前駆体から導出された反応剤とエッチング済み誘電層１２０ａの別の部分を相互作用させて、固体生成物を形成することが可能である。一部の実施形態では、ステップ４４２は、図２と関連して上述されたステップ２３０と類似している場合もある。ステップ４４４は、固体生成物を分解して、エッチング済み誘電層１２０ａの相互作用部分を除去することが可能である。一部の実施形態では、ステップ４４４は、図２と関連して上述されたステップ２４０と類似している場合もある。
【００５６】
[0071]一部の実施形態では、ステップ４４２および４４４は、エッチング済み誘電層１２０ａが、（図１Ａに示されている）誘電層１４０が形成可能な所望のプロファイルを提供できるように、エッチング済み誘電層１２０ａの一部を除去することができる。ステップ４４２および４４４を使用してエッチング済み誘電層１２０ａの一部をエッチングすることによって、誘電層１２０のピンチオフおよびネガティブプロファイルは望ましくは排除可能である。一部の実施形態では、ステップ４４２および４４４は、エッチング済み誘電層１２０ａの所望のプロファイルを達成するために１回以上反復可能である。
【００５７】
[0072]本発明は図１Ａ〜１Ｄおよび２〜４と関連して上述された実施形態に制限されない点が注目される。半導体基板のギャップまたは開口内の誘電層を望ましく充填するための他の方法は、上述の例示的実施形態に基づいて修正可能である。例えば、図３に示されているステップ３１２〜３１６は、半導体基板のギャップまたは開口内の誘電層を望ましく充填するために、図４に示されているステップ４４２〜４４４と組み合わされてもよい。
【００５８】
例示的膜堆積システム
[0073]誘電層を堆積可能な堆積システムは、他のタイプのシステムのうち、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ）システム、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システム、減圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）システムおよび熱化学気相堆積システムを含むことがある。本発明の実施形態を具現化可能なＣＶＤシステムの具体例は、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．ｏｆ  Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａから入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ  ＵＬＴＩＭＡＴＭＨＤＰ−ＣＶＤチャンバ／システム、およびＰＲＯＤＵＣＥＲＴＭＣｅｌｅｒａＴＭＰＥＣＶＤなどのＰＲＯＤＵＣＥＲＴＭＰＥＣＶＤチャンバ／システムを含んでいる。
【００５９】
[0074]本発明の例示的方法と併用可能な基板処理システムの例は、２００６年５月３０日に出願され、かつ「ＰＲＯＣＥＳＳ  ＣＨＡＭＢＥＲ  ＦＯＲ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＧＡＰＦＩＬＬ」と題された、Ｌｕｂｏｍｉｒｓｋｙらへの共に譲渡された米国仮特許出願第６０／８０３，４９９号に示されかつ説明されているものを含み、この内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。さらなる例示的システムは、米国特許第６，３８７，２０７号および第６，８３０，６２４号に示されかつ説明されているものを含むことがあり、これらもまた参照により本明細書に組み込まれる。
【００６０】
[0075]次に図５Ａを参照すると、チャンバ壁１５ａおよびチャンバ蓋アセンブリ１５ｂを含む真空または処理チャンバ１５を有するＣＶＤシステム１０の垂直断面図が示されている。ＣＶＤシステム１０は、プロセスチャンバ１５内にセンタリングされる加熱ペデスタル１２上に静止可能な基板（図示せず）にプロセスガスを分散させるためのガス分布マニホルド１１を含有してもよい。ガス分布マニホルド１１は、容量プラズマを形成するための電極として作用するために、導電性材料から形成されてもよい。処理中、基板（例えば、半導体ウェーハ）は、ペデスタル１２の平坦な（またはわずかに凸状の）表面１２ａ上に位置決め可能である。ペデスタル１２は（図５Ａに描かれている）下部ロード／オフロード位置と、マニホルド１１に近く隣接している（図５Ａにおいて破線１４で示されている）上部処理位置間でコントロール可能に移動可能である。中央ボード（図示せず）は、ウェーハの位置に関する情報を提供するためのセンサーを含んでもよい。
【００６１】
[0076]堆積ガスおよびキャリアガスは、従来の平坦な円形ガス分布フェースプレート１３ａの穿孔を介してチャンバ１５に導入可能である。一部の実施形態では、堆積プロセスガスは、入口マニホルド１１を介して、従来の穴あきブロッカープレートを介して、次いでガス分布フェースプレート１３ａのホールを介してチャンバに流入可能である。
【００６２】
[0077]マニホルド１１に達する前に、堆積ガスおよびキャリアガスはガスソースからガス供給ラインを介して混合システムに入力可能であり、ここでこれらは結合されてから、マニホルド１１に送られることが可能である。一部の実施形態では、各プロセスガスの供給ラインは、（i）チャンバへのプロセスガスの流れを自動的または手動でシャットオフするために使用可能な複数の安全シャットオフバルブ（図示せず）と、（ii）供給ラインを介するガスの流れを測定する質量流コントローラ（これも図示せず）とを含むことができる。有毒ガスがプロセスで使用される場合、複数の安全シャットオフバルブは従来の構成の各ガス供給ラインに位置決めされる。
【００６３】
[0078]ＣＶＤシステム１０で実行される堆積プロセスは熱プロセスおよび／またはプラズマプロセスであってもよい。プラズマプロセスにおいて、ＲＦ電源は、プロセスガス混合物を励起して、フェースプレート１３ａとペデスタル１２間の円筒形領域内にプラズマを形成するために、ガス分布フェースプレート１３ａとペデスタル１２間に電力を供給することが可能である。（この領域を「反応領域」と本明細書では称することにする。）プラズマの構成要素は反応して、ペデスタル１２上にサポートされている半導体ウェーハの表面に所望の膜を堆積する。ＲＦ電源は、真空チャンバ１５に導入された反応種の分解を高めるために、１３．５６ＭＨｚの高ＲＦ周波数（ＲＦ１）で、かつ３６０ＫＨｚの低ＲＦ周波数（ＲＦ２）で通常電力を供給する混合周波数ＲＦ電源であってもよい。熱プロセスにおいて、ＲＦ電源４４は利用されず、プロセスガス混合物は熱的に反応して、ペデスタル１２上にサポートされている半導体ウェーハの表面に所望の膜を堆積することができ、これは熱エネルギーを反応に提供するために抵抗加熱される。
【００６４】
[0079]プラズマ堆積プロセス中、プラズマは、排気通路２３およびシャットオフバルブ２４を囲むチャンバ本体１５ａの壁を含むプロセスチャンバ１０全体を加熱することができる。プラズマがオンにされない場合、あるいは熱堆積プロセス中、熱い液体がプロセスチャンバ１５の壁１５ａを循環されて、チャンバを高温に維持する。チャンバ壁１５ａの残りの部分の通路は示されていない。チャンバ壁１５ａを加熱するのに使用される流体は、通常の流体タイプ、つまり水ベースエチレングリコールやオイルベース熱転送流体を含むことができる。（「熱交換器」による加熱と称される）この加熱は望ましくは、望ましくない反応生成物の凝縮を削減および／または排除することができ、また冷却真空通路の壁に凝縮し、かつガス流のない期間に処理チャンバに再度移入する場合にプロセスを汚染する恐れのあるプロセスガスおよび他の汚染物の揮発性生成物の排除を改良することができる。
【００６５】
[0080]反応副生成物を含む、層に堆積されないガス混合物の残りは真空ポンプ（図示せず）によってチャンバ１５から排出される。一部の実施形態では、ガスは、反応領域を囲む環状スロット形状オリフィス１６を介して、環状排出プレナム１７に排出可能である。環状スロット１６およびプレナム１７は、（壁の上部誘電ライニング１９を含む）チャンバの円筒形側壁１５ａの上部と、円形チャンバ蓋２０の底部との間のギャップによって定義可能である。スロットオリフィス１６およびプレナム１７の３６０度の円形対称性および均一性は、ウェーハ上に均一な膜を堆積するために、ウェーハ全体へのプロセスガスの均一な流れを達成するように構成可能である。
【００６６】
[0081]排出プレナム１７から、ガスは排出プレナム１７の横方向延長部分２１の下方を、閲覧ポート（図示せず）を超えて、下方に延びるガス通路２３を介して、（本体が下部チャンバ壁１５ａと一体化している）真空シャットオフバルブ２４を超えて、フォーライン（ｆｏｒｅｌｉｎｅ）（これも図示せず）を介して外部真空ポンプ（図示せず）に接続する排出出口２５に流れてもよい。
【００６７】
[0082]ペデスタル１２のウェーハサポートプラッター（好ましくは、アルミニウム、セラミック、あるいはこれらの組み合わせ）は、並列同心円の形態の２つの完全ターンを作るように構成されている埋め込みシングルループの埋め込みヒーター要素を使用して抵抗加熱されることが可能である。ヒーター要素の外側部分はサポートプラッターの周囲に隣接することが可能であるのに対して、内側部分は、より小さな半径を有する同心円の経路上にある。ヒーター要素への配線はペデスタル１２の茎部を通過可能である。
【００６８】
[0083]通常、チャンバライニング、ガス入口マニホルドフェースプレートおよび種々の他の反応器ハードウェアのうちのいずれかまたは全部は、アルミニウム、陽極酸化アルミニウムまたはセラミックなどの材料から作られることが可能である。このようなＣＶＤ装置の一例は、Ｚｈａｏらに発行された、「ＣＶＤ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｃｈａｍｂｅｒ」と題された、共に譲渡された米国特許第５，５５８，７１７号に説明されており、全体を参照により本明細書に組み込まれる。
【００６９】
[0084]リフト機構およびモーター３２（図５Ａ）は、ウェーハがロボットブレード（図示せず）によって、チャンバ１０の側部の挿入／除去開口２６を介してチャンバ１５の本体に対して転送されるに伴って、ヒーターペデスタルアセンブリ１２およびこのウェーハリフトピン１２ｂを上昇および／または下降させることができる。モーター３２は処理位置１４と下部ウェーハロード位置間でペデスタル１２を上昇および／または下降させることができる。供給ライン、ガス送出システム、スロットルバルブ、ＲＦ電源およびチャンバに接続されているモーター、バルブまたは流れコントローラ、および基板加熱システムは、このうちの一部のみが示されているコントロールライン全体でシステムコントローラによってコントロール可能である。コントローラは、コントローラのコントロール下の適切なモーターによって移動されるスロットルバルブおよびサセプターなどの移動可能な機械的アセンブリの位置を判断するための光学センサーからのフィードバックに左右される可能性がある。
【００７０】
[0085]例示的実施形態では、システムコントローラは、ハードディスクドライブ（メモリ）と、フロッピーディスクドライブとプロセッサとを含むことができる。プロセッサはシングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）と、アナログおよびディジタル入力／出力ボードと、インタフェースボードと、ステッパーモーターコントローラボードとを含有してもよい。ＣＶＤシステム１０の種々のパーツは、ボードと、カードケージと、コネクタの寸法およびタイプとを定義するＶｅｒｓａ  Ｍｏｄｕｌａｒ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ（ＶＭＥ）基準に準拠することが可能である。ＶＭＥ基準は、１６ビットデータバスおよび２４ビットアドレスバスを有するバス構造を定義可能である。
【００７１】
[0086]システムコントローラは、ＣＶＤマシーンのアクティビティをコントロール可能である。システムコントローラ実行システムはソフトウェアをコントロール可能であり、これはメモリなどのコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶されているコンピュータプログラムである。一部の実施形態では、メモリはハードディスクドライブまたは他の種類のメモリであってもよい。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合物、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプター位置および特定のプロセスの他のパラメータを記す複数のセットの命令を含むことができる。例えばフロッピーディスクや他の適切なドライブを含む他のメモリデバイスに記憶されている他のコンピュータプログラムが、コントローラを操作するために使用されてもよい。
【００７２】
[0087]基板上に膜を堆積するプロセスや、チャンバ１５をクリーニングするプロセスは、コントローラによって実行されるコンピュータプログラム製品を使用して具現化可能である。コンピュータプログラムコードは任意の従来のコンピュータ読み取り可能なプログラミング言語、例えば６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｐａｓｃａｌ、Ｆｏｒｔｒａｎなどで記述可能である。適切なプログラムコードが、従来のテキストエディタを使用して単一のファイルや複数のファイルに入力され、かつ、コンピュータのメモリシステムなどのコンピュータ使用可能な媒体に記憶および具体化される。入力されたコードテキストがハイレベル言語である場合、コードはコンパイルされて、得られるコンパイラコードは次いで、プリコンパイルＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされたコンパイル済みオブジェクトコードを実行するために、システムユーザーはオブジェクトコードを呼び出し、コンピュータシステムにコードをメモリにロードさせる。ＣＰＵは次いでコードを読み取りかつ実行して、プログラムで識別されたタスクを実行する。
【００７３】
[0088]ユーザーとコントローラ３４間のインタフェースは、１つ以上のチャンバを含むこともある基板処理システムにおけるシステムモニターおよびＣＶＤシステム１０の簡略図である図５Ｂに示されているＣＲＴモニター５０ａおよびライトペン５０ｂを介するものであってもよい。一部の実施形態では、２つのモニター５０ａが使用可能であり、一方はオペレータ用のクリーンルーム壁に搭載され、他方はサービス技術者用の壁の背後にある。モニター５０ａは同じ情報を同時に表示可能である。一部の実施形態では、ライトペン５０ｂのみが有効化される場合がある。ライトペン５０ｂの先端のライトセンサーはＣＲＴディスプレイによって発光された光を検出することができる。特定のスクリーンや機能を選択するために、オペレータはディスプレイスクリーンの指定エリアにタッチすることができ、ペン５０ｂのボタンを押す。タッチされたエリアはそのハイライト色を変更することができ、あるいは新たなメニューやスクリーンが表示されて、ライトペンとディスプレイスクリーン間の通信を確認する。キーボード、マウス、あるいは他のポインティングまたは通信デバイスなどの他のデバイスが、ライトペン５０ｂの代わりに、またはこれに加えて使用されてもよく、ユーザーがコントローラ３４と通信できるようにする。
【００７４】
[0089]図５Ａは、ガス分布フェースプレート１３ａおよびガス分布マニホルド１１を含むプロセスチャンバ１５の蓋アセンブリ１５ｂに搭載された遠隔プラズマ発生器６０を示している。搭載アダプター６４は、図５Ａに最もよく見られるように、遠隔プラズマ発生器６０を蓋アセンブリ１５ｂに搭載することができる。アダプター６４は金属から作られることが可能である。アダプター６４はホール９５を含む場合があり、これはセラミック分離器６６に結合されている。混合デバイス７０は、ガス分布マニホルド１１（図５Ａ）の上流側に結合されてもよい。混合デバイス７０は、プロセスガスを混合するための混合ブロックのスロット内部に配置された混合挿入７２を含むことができる。セラミック分離器６６は、搭載アダプター６４と混合デバイス７０（図５Ａ）間に置かれることが可能である。セラミック分離器６６は、Ａｌ２Ｏ３（純度９９％）、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）などのセラミック材料から作られてもよい。混合デバイス７０およびセラミック分離器６６は、インストールされる場合、蓋アセンブリ１５ｂの一部を形成してもよい。分離器６６は金属アダプター６４を混合デバイス７０およびガス分布マニホルド１１から分離して、より詳細に後述されるように、二次プラズマのポテンシャルを最小化して蓋アセンブリ１５ｂを形成することができる。３方向バルブは、直接または遠隔プラズマ発生器６０を介し、プロセスチャンバ１５へのプロセスガスの流れをコントロール可能である。
【００７５】
[0090]遠隔プラズマ発生器６０は望ましくは、高価かつ時間のかかる修正なしで蓋アセンブリ１５ｂに便宜的に搭載され、かつ既存のチャンバに容易に組み込まれることが可能なコンパクトな内蔵型ユニットであってもよい。適切なユニットの１つは、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．ｏｆ  Ｗｏｂｕｒｎ，Ｍａｓｓから入手可能なＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生器であってもよい。ＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生器は、プロセスガスを解離させるために低電界トロイダルプラズマを利用する。一例では、プラズマは、ＮＦ３などのフッ素含有ガスおよびアルゴンなどのキャリアガスを含むプロセスガスを解離して、プロセスチャンバ１５における膜堆積物をクリーニングするために使用される自由なフッ素を発生させる。
【００７６】
例示的エッチングシステム
[0091]エッチングプロセスを具現化可能なエッチングシステムは、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．ｏｆ  Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａから入手可能なＳｉＣｏｎｉＴＭ  Ｐｒｅｃｌｅａｎチャンバ／システムを含んでもよい。
【００７７】
[0092]図６は、例示的エッチングチャンバの概略断面図である。エッチングチャンバ６００はチャンバ壁６３０を含むことがある。エッチングチャンバ６００は、プロセスチャンバ内にセンタリングされたペデスタル６２０上に静止する基板１００にプロセスプラズマ６１５を分散するためのチューブ、パイプおよび／またはマニホルドなどのプラズマ分布装置６１０を含んでもよい。エッチングチャンバ６００はプラズマ分布装置６１０を介してプラズマ発生器６０５に結合されてもよい。プラズマ発生器６０５はプラズマ６１５を発生させるように構成される。基板１００は、ピン６４０によってシャワーヘッド６５０に近い下部位置／上部位置間でコントロール可能に移動されてもよい。基板１００はトレンチ１１５および（図１Ｂに示されている）誘電層１２０をその上に形成してもよい。
【００７８】
[0093]一部の実施形態では、プラズマ分布装置６１０は、例えば図２〜４と関連して説明されたステップ２３０、３３０、４３０、３１４および４４２によって発生されたプラズマ６１５を処理チャンバ６００に導入してもよい。一部の実施形態では、エッチングプラズマ６１５の供給ラインは（i）チャンバへのプロセスプラズマの流れを自動的または手動でシャットオフするために使用可能な複数の安全シャットオフバルブ（図示せず）と、（ii）供給ラインを介してプラズマ６１５の流れを測定する質量流コントローラ（図示せず）とを含むことがある。
【００７９】
[0094]再度図６を参照すると、チャンバ壁６３０は、この上へのエッチャントおよび／または副生成物の凝縮を実質的に防止する温度を有することができる。一部の実施形態では、ペデスタル６２０は、約−１００℃〜約１，０００℃（例えば、約−５０℃〜約２００℃）の所望の温度を提供して、基板１００の表面、つまり基板１００上の誘電層１２０にエッチャントを凝縮させるように動作可能であってもよい。エッチャントは、その後、図２〜図４と関連して上述された固体生成物を発生させるために、基板１００上に形成された誘電層１２０と望ましく相互作用することもある。副生成物の発生後、ピン６４０は、シャワーヘッド６５０に近づく基板１００を持ち上げることもある。シャワーヘッド６５０は、約−５０℃〜約１，０００℃のプロセス温度を提供するように動作可能であってもよい。一部の実施形態では、シャワーヘッド６５０は、固体生成物を分解および／または昇華させて誘電層１２０およびライナーの一部を除去するための、図２〜図４と関連して上述されたステップ２４０、３４０、４４０、３１６および４４４を実行してもよい。
【００８０】
[0095]再度図６を参照すると、少なくとも１つのポンプチャネル６６０が、副生成物および／または分解済みガスを望ましく除去するためにエッチングチャンバ６００内に構成されてもよい。ポンプチャネル６６０は、副生成物が望ましく除去されるように、例えばポンプやモーターに結合されてもよい。一部の実施形態では、ポンプチャネル６６０は、副生成物が望ましく除去可能な少なくとも１つのアパーチャ（図示せず）を有してもよい。
【００８１】
[0096]一部の実施形態では、ＲＦ電源（図示せず）は、フッ素含有前駆体および水素含有前駆体を含むプロセスガスを励起してプラズマ６１５を形成するためのプラズマ発生器６０５に結合されてもよい。ＲＦ電源は、約５ワット〜３，０００ワットのＲＦ電力を提供するように動作可能であってもよい。ＲＦ電源は、約１００ｋＨｚ〜約６４ＭＨｚのＲＦ周波数で電力を供給してもよい。
【００８２】
[0097]システムコントローラ（図示せず）は、エッチングシステムのアクティビティのすべてをコントロール可能である。システムコントローラはシステムコントロールソフトウェアを実行し、これはメモリなどのコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶されたコンピュータプログラムである。一部の実施形態では、メモリはハードディスクドライブであるが、メモリは他の種類のメモリであってもよい。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合物、チャンバ圧力、チャンバ温度、および特定のプロセスの他のパラメータを記す複数のセットの命令を含む。例えばフロッピーディスクや他の適切なドライブを含むメモリデバイスに記憶されている他のコンピュータプログラムもまたコントローラを操作するために使用されてもよい。
【００８３】
[0098]基板上の膜の一部をエッチングするためのプロセスが、上記のコントローラによって実行されるコンピュータプログラム製品を使用して具現化可能である。コンピュータプログラムコードは任意の従来のコンピュータ読み取り可能なプログラミング言語、例えば６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｐａｓｃａｌ、Ｆｏｒｔｒａｎなどで記述可能である。適切なプログラムコードが、従来のテキストエディタを使用して単一のファイルまたは複数のファイルに入力され、またコンピュータのメモリシステムなどのコンピュータ使用可能な媒体に記憶または具体化される。入力されたコードテキストがハイレベル言語である場合、コードはコンパイルされ、また得られるコンパイラコードは次いで、プリコンパイルＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされたコンパイル済みオブジェクトコードを実行するために、システムユーザーはオブジェクトコードを呼び出して、コンピュータシステムにコードをメモリにロードさせる。ＣＰＵはそしてコードを読み取りかつ実行して、プログラムで識別されたタスクを実行する。
【００８４】
[0099]複数の実施形態について説明してきたが、種々の修正、代替構成および同等物が本発明の主旨から逸脱することなく使用可能であることが当業者によって認識されるであろう。加えて、多数の周知のプロセスおよび要素については、本発明を不必要に妨害することを回避するために、説明しなかった。従って、上記説明は本発明の範囲を制限するものととられるべきではない。
【００８５】
[0100]一連の値が提供される場合、この範囲の上限と下限の間の、文脈が明確に示さない限り下限の単位の小数第１位までの各中間値もまた具体的に開示される点が理解される。上記範囲における規定値または中間値とこの規定範囲の他の規定または中間値との間の各より小さな範囲が包含される。これらのより小さな範囲の上限および下限は独立してこの範囲に含まれたり排除されたりしてもよく、限界値がより小さな範囲に両方とも含まれる場合または両方とも含まれない場合の各範囲もまた本発明に包含されており、規定範囲において具体的に排除された限界に付される。規定範囲が限界値の一方または両方を含む場合、これらの含まれている限界値のいずれかまたは両方を排除する範囲もまた含まれる。
【００８６】
[0101]文中および添付の請求項で使用されるように、単数形の「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」は、文脈が明確に示さない限り複数形も含んでいる。従って、例えば「一方法」という表記は複数のこのような方法を含んでおり、「前駆体」という表記は、１つ以上の前駆体、および当業者に公知の同等物などを含んでいる。
【００８７】
[0102]また用語「ｃｏｍｐｒｉｓｅ」、「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」、「ｉｎｃｌｕｄｅ」、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ」および「ｉｎｃｌｕｄｅｓ」は、本明細書および以下の請求項で使用される場合には、規定の特徴部、整数、コンポーネントまたはステップの有無を特定することを意図しているが、１つ以上の他の特徴部、整数、コンポーネント、ステップ、動作またはグループの有無や追加を除外することはない。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１Ａ】例示的浅型トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセス方法を示す概略図である。
【図１Ｂ】例示的浅型トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセス方法を示す概略図である。
【図１Ｃ】例示的浅型トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセス方法を示す概略図である。
【図１Ｄ】例示的浅型トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセス方法を示す概略図である。
【図２】例示的浅型トレンチ分離構造を形成するステップの例示的フローチャートを示す概略図である。
【図３】例示的トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセスの概略フローチャートである。
【図４】例示的トレンチ分離構造を形成するための例示的プロセスの概略フローチャートである。
【図５Ａ】例示的薄膜堆積システムの垂直断面図を示している。
【図５Ｂ】薄膜堆積システムの例示的システムモニター／コントローラコンポーネントの簡略図である。
【図６】例示的エッチングシステムの概略断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０…ＣＶＤシステム、１１…マニホルド、１２…ペデスタル、１３ａ…ガス分布フェースプレート、１５…処理チャンバ、１５ａ…チャンバ壁、１５ｂ…チャンバ蓋アセンブリ、１６…スロット、１７…プレナム、１９…上部誘電ライニング、２０…円形チャンバ蓋、２１…横方向延長部分、２３…排出通路、２４…シャットオフバルブ、２５…排出出口、２６…挿入／除去開口、３２…モーター、３４…コントローラ、５０ａ…ＣＲＴモーター、５０ｂ…ライトペン、６０…遠隔プラズマ発生器、６４…アダプター、６６分離器、７０…混合デバイス、７２…混合挿入、１００…基板、１０５…パッド誘電層、１１０…パッド誘電層、１１５…トレンチ、１２０…誘電層、１３０…エッチングプロセス、１４０…誘電層、２００…例示的プロセス。６００…エッチングチャンバ、６１０…プラズマ分布装置、６１５…プラズマ、６２０…ペデスタル、６３０…チャンバ壁、６４０…ピン、６５０…シャワーヘッド。
【図１Ａ】
0005530062.tif 000002
【図１Ｂ】
0005530062.tif 000003
【図１Ｃ】
0005530062.tif 000004
【図１Ｄ】
0005530062.tif 000005
【図２】
0005530062.tif 000006
【図３】
0005530062.tif 000007
【図４】
0005530062.tif 000008
【図５Ａ】
0005530062.tif 000009
【図５Ｂ】
0005530062.tif 000010
【図６】
0005530062.tif 000011