(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子と、
電源からの電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、
信号線からの信号電圧を前記駆動トランジスタのゲートに印加するための書き込みトランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に配置されたターンオン電圧導入用トランジスタと、
前記駆動トランジスタのドレインと前記電源との間に配置された第１の補正用トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートと前記書き込みトランジスタとの間に配置された保持容量と、
前記書き込みトランジスタと前記保持容量とが接続される接続点と前記電源との間に配置された第２の補正用トランジスタと、
を含み、
前記駆動トランジスタと前記第２の補正用トランジスタとの相互コンダクタンスを高く設定し、
信号電圧書き換えのタイミングで、前記第１及び第２の補正用トランジスタのオンオフと前記書き込みトランジスタ及び前記ターンオン電圧導入用トランジスタのオンオフとを反転制御する
ことを特徴とする画素回路。
【請求項２】
請求項１に記載の画素回路において、
駆動トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、
駆動ＴＦＴのチャネル層が、多結晶シリコン、または、アモルファスシリコン、または、微結晶シリコン、または、酸化物半導体で形成されることを特徴とする画素回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画素回路において、
周囲温度、ディスプレイ本体の温度、表示画像、または表示画像の履歴によって、有機ＥＬ素子の温度を推定し、画素に供給される電源電圧または信号電圧を調整する機能を有することを特徴とする画素回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の画素回路を用いたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光素子を用いた画素回路と、その表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬディスプレイの開発が盛んに行われ、進歩が著しい。有機ＥＬなどの自発光素子を用いたディスプレイは、視野角特性やコントラストに優れ、良好な表示特性を示す。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、パッシブ方式、またはアクティブ方式により駆動される。有機ＥＬ素子は高い電流密度で使用すると劣化しやすいため、大画面・高精細・高リフレッシュレートのディスプレイでは、主にアクティブ方式が採用される。アクティブマトリクス駆動方式は、アナログ駆動方式とデジタル駆動方式に大別される。
【０００４】
アナログ駆動方式の画素回路は、例えば図１のような構成が採用される。Ｐ型チャネルの駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔ１としてＰ型チャネルのものが採用され、そのソースが電源ＶＤＤに接続されると共にゲート・ソース間に保持容量Ｃｓが配置される。また、駆動トランジスタＴ１のドレインは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介し、電源ＣＶに接続される。また、駆動トランジスタＴ１のゲートには、スイッチＳＷを介しデータ線からのデータ信号Ｖｄａｔａが供給される。このように、基本的に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは駆動トランジスタＴ１のドレイン接続にされる。
【０００５】
輝度階調に応じた信号電圧Ｖｄａｔａが駆動トランジスタＴ１のゲートに印加され、この信号電圧Ｖｄａｔａが保持容量Ｃｓによって１フレーム期間保持され、信号電圧Ｖｄａｔａに応じた画素電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される。
【０００６】
駆動トランジスタＴ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（ＶＤＤ−Ｖｄａｔａ）で画素電流を制御するため、駆動トランジスタＴ１は飽和領域で駆動される。通常、有機ＥＬの駆動電圧は３Ｖ〜１０Ｖ程度であるが、駆動トランジスタＴ１を飽和領域で動作させるため、電源電圧としては５Ｖ程度余計に必要となる。
【０００７】
図２Ａに、複数のＶｇｓにおける、駆動トランジスタＴ１のドレインＶａとドレイン電流の関係Ｖｄｓと、有機ＥＬ素子ＬＥＤの印加電圧Ｖａと有機ＥＬ素子の電流Ｉｏｌｅｄの関係を示す。Ｖｇｓが決定されるとＶｄｓとの関係で駆動電流が決定されるため、Ｖｇｓにより選択された特性とＶｏｌｅｄの交点で、ＶａおよびＩｏｌｅｄが決まる。このように、駆動トランジスタＴ１を飽和領域で使用することになり、そのＶｄｓ＝ＶＤＤ−Ｖａは、かなり大きな値となる。
【０００８】
駆動ＴＦＴは、通常多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどが用いられる。前者は結晶粒の不均一に起因する特性ばらつきが、後者は駆動に伴う閾値シフトがあり、アナログ駆動では有機ＥＬ素子の駆動電流が駆動ＴＦＴの特性の影響を受け、画素の輝度ばらつきを引き起こす。
【０００９】
このため、アナログ駆動では、駆動ＴＦＴの閾値電圧ばらつきを補償する画素回路駆動方法が提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
一方、デジタル駆動方式では、駆動ＴＦＴは単純なスイッチとして機能し、輝度階調は時分割駆動によって実現される。１フレーム期間を複数のサブフレームに分割し、表示階調に応じて各サブフレームにおける発光・非発光を制御する。
【００１１】
デジタル駆動では、駆動ＴＦＴは線形領域で動作する。このため、図２Ｂに示すように、ドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電圧Ｖｏｌｅｄに比べ低い（ＶａとＶＤＤの差がＶｄｓである）。このため、アナログ駆動に比べ駆動ＴＦＴの特性ばらつきの影響を受けにくく、また、消費電力を小さくできる利点がある。
【００１２】
反面、輝度階調を発光時間によって制御するため、発光している間の電流密度は高く、１フレームを表示階調に応じたサブフレームに分割して駆動する必要がある。さらに、サブフレームの分割に限界があることから、高階調表現や高解像表現は難しくなる。このため、データ書込ＴＦＴに加え、データ消去ＴＦＴを備え、隣接するサブフレーム同士を時間的にオーバーラップさせる駆動方法も提案されている（特許文献２参照）。
【００１３】
また、有機ＥＬ素子は、一般的に電流密度の１．５乗〜１．７乗に比例した速度で劣化が進む。時分割駆動で階調を表現し、発光している間の電流密度が高いデジタル駆動では、有機ＥＬ素子は比較的劣化しやすい。さらに、有機ＥＬ素子は駆動による劣化に伴い駆動電圧が高くなる傾向があり、定電圧駆動となるデジタル駆動では画素輝度の低下はさらに大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−３１００３４号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述のように、アナログ駆動方式はデジタル駆動方式に比べ消費電力が高くならざるを得ず、デジタル駆動方式には以上のような問題があり応用が狭い。一方で、有機ＥＬディスプレイの低消費電力化への要請は高く、低消費電力駆動に対する期待は高い。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る画素回路は、有機ＥＬ素子と、電源からの電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、信号線からの信号電圧を前記駆動トランジスタのゲートに印加するための書き込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に配置されたターンオン電圧導入用トランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインと前記電源との間に配置された第１の補正用トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートと前記書き込みトランジスタとの間に配置された保持容量と、前記書き込みトランジスタと前記保持容量とが接続される接続点と前記電源との間に配置された第２の補正用トランジスタとを含み、前記駆動トランジスタと前記第２の補正用トランジスタとの相互コンダクタンスを高く設定し、信号電圧書き換えのタイミングで、前記第１及び第２の補正用トランジスタのオンオフと前記書き込みトランジスタ及び前記ターンオン電圧導入用トランジスタのオンオフとを反転制御することを特徴とする。
【００１８】
また、駆動トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、駆動ＴＦＴのチャネル層が、多結晶シリコン、または、アモルファスシリコン、または、微結晶シリコン、または、酸化物半導体で形成されることが好適である。
【００２０】
また、周囲温度、ディスプレイ本体の温度、表示画像、または表示画像の履歴によって、有機ＥＬ素子の温度を推定し、画素に供給される電源電圧または信号電圧を調整する機能を有することが好適である。
【００２１】
また、本発明に係る表示装置は、上述の画素回路を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
このように、本発明によれば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、低消費電力でのアナログ駆動が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来の画素回路の構成を示す図である。
【図２Ａ】従来のアナログ駆動のバイアス模式図である。
【図２Ｂ】従来のデジタル駆動のバイアス模式図である。
【図３】実施形態１の画素回路の構成を示す図である。
【図４】実施形態１の駆動のバイアス模式図である。
【図５】実施形態２の画素回路の構成を示す図である。
【図６】実施形態２の駆動のタイミングチャートである。
【図７】実施形態１の変形例の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００２５】
「概要説明」
実施形態に係る表示装置によれば、有機ＥＬ素子は駆動ＴＦＴのソースに接続される。通常、有機ＥＬ素子は駆動トランジスタ（ＴＦＴ）にドレイン接続され、駆動トランジスタの表示面積当たりの相互コンダクタンスは１×１０−１２〜５×１０−１２（Ａ／Ｖ２／ｍ２）程度に設計される。本実施形態では、駆動トランジスタの表示面積当たりの相互コンダクタンスを１×１０−１１（Ａ／Ｖ２／ｍ２）以上、好ましくは１×１０−１０（Ａ／Ｖ２／ｍ２）以上とする。ここでトランジスタの相互コンダクタンスは、ドレイン電流をゲート電圧で偏微分した値として定義され、通常チャネル電界依存性を持つ。したがって相互コンダクタンスの値はトランジスタに印加するゲート電圧に依存する。そこで慣習的に、適当なゲート電圧範囲内でのドレイン電流のゲート電圧偏微分の最大値が相互コンダクタンス値として採用されている。
【００２６】
これにより、駆動トランジスタのゲート・ソース間に必要な電圧は、１Ｖ以下、好ましくは０．４Ｖ以下となり、有機ＥＬ素子の駆動電圧と比較して十分小さくなる。このため、駆動トランジスタを飽和領域で動作させるために必要なドレイン・ソース間電圧は有機ＥＬ素子の駆動電圧に比べて数分の１、好ましくは１０分の１以下とすることができる。
【００２７】
このように、本実施形態によれば、従来のアナログ駆動で駆動トランジスタのドレイン・ソース間電圧が５Ｖ程度必要な場合と比較して、３０％〜６０％電源電圧を下げることが可能となり、その分消費電力を低減できる。
【００２８】
また、デジタル駆動では、有機ＥＬ素子の劣化に伴う駆動電圧の上昇が大きい場合、輝度の補正が難しかったが、本実施形態はアナログ駆動であるため、駆動トランジスタのゲートに有機ＥＬ素子の駆動電圧上昇分を加算することは、画素回路内で比較的容易にできる。
【００２９】
本実施形態の実施に当たっては、相互コンダクタンスの高いトランジスタを用いる必要がある。相互コンダクタンスを上げる手段としては、チャネル移動度を上げる、チャネル容量を下げる、チャネル幅・長さ比を大きくする、などが挙げられる。
【００３０】
ＴＦＴからなる駆動トランジスタの相互コンダクタンスを上げる最も簡単な方法はチャネル移動度を上げることである。移動度の高いＴＦＴチャネル材料としては、多結晶シリコン（ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌ）法、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法、レーザーアニール法など）、酸化物半導体（ＺｎＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯなど）が挙げられる。この場合、移動度は１５ｃｍ２／Ｖｓ以上、好ましくは２０ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好適である。
【００３１】
多結晶シリコンは、キャリアの移動度が高く、本実施形態の駆動トランジスタに好適である。通常、多結晶シリコンはＰ型チャネルを形成するため、有機ＥＬ素子のカソードにコンタクトを形成するか、通常とは逆にカソードから順に積層して有機ＥＬ素子を形成することが好適である。
【００３２】
また、酸化物半導体は、通常Ｎ型チャネルを形成し、移動度も高く、好適である。酸化物半導体は、初期特性の均一性に優れ、バイアス印加素子安定性も良好で、好適である。特に、移動度が十分高いか、透明電極、チャネルなどを用いてチャネル幅・チャネル長比を大きくできる場合、ゲート電圧を低くできゲートに印加される電界を極小にできるため、バイアスストレスによる駆動トランジスタの劣化を抑えることができ好適である。
【００３３】
チャネル容量を上げることによっても、駆動トランジスタの相互コンダクタンスを上げることができる。チャネル容量を上げる方法としては、ゲート絶縁膜形成に化学気相成長（ＣＶＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法などの積層法を用いることが好適である。ゲート絶縁膜の厚さとしては、１０００Ａ（オングストローム）以下、好ましくは５００Ａ程度以下とすることが好適である。
【００３４】
駆動トランジスタのチャネル幅・チャネル長比を上げることによっても駆動トランジスタの相互コンダクタンスを挙げることが可能である。チャネル長を短くすることは、プロセス精度や歩留まりの観点から限界があるため、これは主にＴＦＴチャネル幅を大きくすることによって達成される。
【００３５】
ここで、駆動トランジスタのサイズを大きくするには、有機ＥＬ素子の発光面積を確保しながらチャネル幅を大きくすることが好適である。このため、有機ＥＬ素子の発光を駆動トランジスタなどのＴＦＴが配置されるＴＦＴ基板側とは逆側に取り出すトップエミッション構造とすることが好適である。
【００３６】
また、ボトムエミッション構造とした場合では、透明電極、透明チャネルを用い駆動トランジスタの一部と有機ＥＬ発光領域をオーバーラップさせ、ＴＦＴの一部に光を通過させることが好適である。この場合、透明チャネル・電極の可視光に対する波長透過率は最大で７０％以上とすることが好ましい。さらに好ましくは、可視光のほぼ全域に渡り７０％以上、可視光に対する波長最大透過率８０％以上とすることが好適である。これによって、駆動トランジスタのチャネル幅を大きくして駆動トランジスタを大型化しても画素の開口率を十分なものに維持することが可能となる。
【００３７】
本実施形態のように有機ＥＬ素子を負荷に用いたソースフォロワ回路は、回路のＩＶ特性が有機ＥＬ素子の特性に依存する。特に、有機ＥＬ素子はＩＶの温度依存性が高く、本発明を用いた画素回路のＩＶ特性も動作温度に強く依存してしまう。このため、ディスプレイ温度、環境温度、表示内容などに基づき、電源電圧または信号電圧を調整し、有機ＥＬ素子の温度依存性に基づく画素回路ＩＶの温度依存性を補正する機能を有することが好適である。すなわち、ディスプレイ本体温度、環境温度（周囲温度）を計測したりすることで有機ＥＬ素子の温度を推定できる。また、映像データの内容（表示内容）の履歴などから、ディスプレイ電流を推定し、推定結果に基づいて有機ＥＬ素子の温度を推定できる。そして、このようにして得た有機ＥＬ素子の推定温度に基づき、電源電圧を調整したり、信号電圧を調整することで、温度変化に基づく有機ＥＬ素子の駆動電流（＝発光輝度）の変化を補償することが可能になる。
【００３８】
「実施形態１」
図３は、本発明の実施形態１の画素回路構成図である。２ＴＦＴと保持容量で構成されている。
【００３９】
Ｎ型の駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔ１のドレインは電源ＶＤＤに接続され、ゲートは書込みトランジスタ（ＴＦＴ）Ｔ２を介して信号線と接続されている。Ｎ型チャネルの駆動トランジスタＴ１のゲート・ドレイン間には保持容量Ｃｓが接続される。駆動トランジスタＴ１のソースには有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノードが接続され、そのカソードは電源ＣＶに接続される。
【００４０】
実施形態１の回路の動作を詳しく説明する。図３の回路は従来の画素回路同様、信号線から信号電圧ＶｄａｔａをＴ１のゲートに印加することによって、駆動トランジスタＴ１から目的輝度に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。ただし、図３の回路では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが駆動トランジスタＴ１のソース側に接続され、いわゆるソースフォロワ回路を形成しているため、ゲートに印加する電圧Ｖｇは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電流を供給するのに必要な駆動トランジスタＴ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ自身の駆動電圧Ｖｏｌｅｄの和となる（Ｖｇｓ＝Ｖｇｓ＋Ｖｏｌｅｄ）。
【００４１】
ここで、駆動トランジスタＴ１の相互コンダクタンスを１×１０−１１（Ａ／Ｖ２／ｍ２）以上、好ましくは１×１０−１０（Ａ／Ｖ２／ｍ２）以上とすると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動に必要な駆動トランジスタＴ１のＶｇｓは通常１Ｖ以下となる。
【００４２】
例えば、有機ＥＬディスプレイが８ビットの階調を持つとすると、アナログ駆動では信号電圧を２５６階調で制御する必要がある。駆動トランジスタＴ１の駆動レンジが小さくなると、階調を正確に制御することは難しくなる。本実施形態によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電圧との和を制御すればよいので、相互コンダクタンスの高い駆動トランジスタＴ１でも階調電圧を正確に制御することができる。
【００４３】
図４は、実施形態１の回路の動作バイアスの例である。曲線Ｖａは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電位Ｖａの変化と有機ＥＬ素子に流れる電流Ｉｏｌｅｄの関係を示し、曲線Ｖｇは、駆動トランジスタＴ１のゲート電圧Ｖｇとそのとき流れる電流Ｉｏｌｅｄの関係を示している。駆動トランジスタＴ１に流れる電流と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流は等しいため、図４の駆動トランジスタのゲート電圧Ｖｇと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電圧（＝駆動トランジスタＴ１のソース電圧）Ｖａの差が駆動トランジスタＴ１のＶｇｓに相当する。また、図４においては、駆動トランジスタＴ１のＶｇｓを一定値としてそのソース電位を変更した時に駆動トランジスタＴ１に流れる電流値も示している。
【００４４】
このように、駆動トランジスタＴ１の相互コンダクタンスを高くとっているため、駆動トランジスタＴ１のＶｇｓは比較的小さく、従って駆動トランジスタＴ１を飽和領域で動作させるためのドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓも小さくてすむ。図４を、図２Ａに示した従来技術の動作バイアスと比較すると電源電圧ＶＤＤ−ＣＶが低く抑えられていることがわかる。すなわち、Ｖｇｓによって駆動電流Ｉｏｌｅｄを変更することができるが、Ｖｄｓ＝ＶＤＤ−Ｖａが比較的小さくてよいため、ＶＤＤを比較的低い電圧にすることが可能になる。
【００４５】
また、駆動トランジスタＴ１のゲートバイアスを低く抑えられるので、駆動トランジスタＴ１として微結晶シリコンや酸化物半導体を用いた場合の閾値電圧シフトを極小に抑えられることが期待でき、従来これらの半導体を駆動ＴＦＴに用いたときの素子劣化の問題を解決できる。
【００４６】
「実施形態２」
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが駆動に伴い高抵抗化する場合、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電圧Ｖｏｌｅｄを劣化後のターンオン電圧の上昇分オフセットすることが有効である。実施形態２として、駆動ＴＦＴのゲートに有機ＥＬ素子のターンオン電圧を加算する機能を有する回路を挙げる。
【００４７】
図５に実施形態２の回路図を、図６にその駆動タイミングチャートを示す。なお、簡単のため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位ＣＶを０とする。
【００４８】
駆動トランジスタＴ１のドレインと電源ＶＤＤの間には、トランジスタＴ４が配置され、保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴ１のゲートと書き込みトランジスタＴ２との間に配置される。また、駆動トランジスタＴ１のゲート・ソース間には、トランジスタＴ３が配置され、書き込みトランジスタＴ２と保持容量の接続点はトランジスタＴ５を介し電源ＶＤＤに接続されている。また、トランジスタＴ４，Ｔ５は、信号ＥＮＢによってオンオフされ、トランジスタＴ３は書き込みトランジスタＴ２と同じ信号ＳＣＮによってオンオフされる。
【００４９】
信号電圧書き換えのタイミングで信号ＥＮＢをロウレベル、信号ＳＣＮをハイレベルに設定する。これによって、トランジスタＴ４がオフされ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの両端電圧が下がり発光を停止する。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電位Ｖａはターンオン電圧Ｖｔｕｒｎ−ｏｎになっている。トランジスタＴ３がオンされるので、駆動トランジスタＴ１のゲートにＶｔｕｒｎ−ｏｎが導入される。駆動トランジスタＴ１としてディプレッション型のＴＦＴを用いれば、駆動トランジスタＴ１は導通状態にあるので、ゲート電圧ＶｇにＶｔｕｒｎ−ｏｎを導入できる。
【００５０】
同時に、トランジスタＴ５がオフされ、書き込みトランジスタＴ２がオンされるので、保持容量Ｃｓの書き込みトランジスタＴ２側の電圧Ｖｂに信号電圧Ｖｄａｔａが書き込まれる。信号電圧Ｖｄａｔａは目的のゲート・ソース電圧をＶｇｓとして、
Ｖｄａｔａ＝ＶＤＤ−（Ｖｇｓ−ΔＶｏｌｅｄ）
とする。ただし、有機ＥＬ素子の目的駆動電圧をＶｏｌｅｄとすると、
ΔＶｏｌｅｄ＝Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｕｒｎ−ｏｎ
である。
【００５１】
次に、信号ＥＮＢをロウレベル、信号ＳＣＮをハイレベルに設定して、トランジスタＴ２、Ｔ３をオフにして、トランジスタＴ４、Ｔ５をオンにすると、ＶｇはＶｇｓ＋Ｖｏｌｅｄとなる。これによって、駆動トランジスタＴ１のゲート・ソース間にはＶｇｓが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにはＶｏｌｅｄが印加され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電圧上昇ΔＶｏｌｅｄによって引き起こされる輝度ばらつきを補正できる。
【００５２】
トランジスタＴ１、Ｔ５は相互コンダクタンスを高く設計してあるので、電源電圧ＶＤＤ−ＣＶは実施形態１と同様有機ＥＬ素子の駆動電圧とほぼ等しく、実施形態２の回路も低消費電力で動作する。
【００５３】
ここで、図３の画素回路において、駆動トランジスタＴ１をＰ型ＴＦＴとした実施形態１の変形例の構成を、図７に示す。この場合、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノードが電源ＣＶに接続され、カソードが駆動トランジスタＴ１のソースに接続される。駆動トランジスタＴ１のドレインは電源ＶＤＤに接続され、ゲートはトランジスタＴ２を介し信号線に接続される。また、駆動トランジスタＴ１のゲート・ドレイン間に保持容量Ｃｓが接続される。なお、この例の場合は、電源ＣＶが電源ＶＤＤより高電圧で、電源ＣＶからの電流が、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＴ１に流れる。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソードが画素毎に形成された画素電極となり、アノードが全画素共通の共通電極となる。上述したように、多結晶シリコンは、通常、多結晶シリコンはＰ型チャネルを形成するため、この構成が好適である。
【符号の説明】
【００５４】
Ｃｓ  保持容量、ＯＬＥＤ  有機ＥＬ素子、Ｔ１  駆動トランジスタ、Ｔ２  書き込みトランジスタ、Ｔ３〜Ｔ５  トランジスタ。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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