(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル状の主線路を含み、且つ異なる層に分割して配置された第１線路と、
前記主線路に対して絶縁層を介して配置されたコイル状の副線路を含み、且つ異なる層に分割して配置された第２線路と、
異なる層に分割して配置された第１線路の一部同士及び前記第２線路の一部同士を繋ぐ複数のビアと、
前記第１線路及び前記第２線路の端部に接続された複数の端子と、
を有し、
前記ビアは、前記絶縁層を貫通して前記主線路又は前記副線路に接続された引き出しビアを含み、
前記引き出しビアを介して前記絶縁層の同一面側に前記第１線路及び前記第２線路が引き出されており、
前記端子は、４つの端子を含み、
４つの前記端子の中心位置に前記ビアの少なくとも１つが重なるように前記ビアが配置されている、
カプラ。
【請求項２】
前記ビアは、前記主線路の内周側の端部に接続されたビアと、前記副線路の内周側の端部に接続されたビアとを含み、
全ての前記端子は、コイル状の前記主線路及び前記副線路の外周側に配置されている、
請求項１記載のカプラ。
【請求項３】
前記ビアは、前記絶縁層に平行する断面において角部を有する形状の角柱ビアを含み、
前記角柱ビアは、前記絶縁層に平行する断面において前記端子と対向する側に前記角が向いている、
請求項１又は２記載のカプラ。
【請求項４】
前記ビアは、前記絶縁層に平行する断面において円弧部を有する円柱ビアを含む、
請求項１〜３のいずれかに記載のカプラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、出力信号の一部をピックアップするディレクショナル・カプラ（Directional Coupler:方向性結合器、以下単にカプラと称する。）に関し、特に、小型薄型化に有利な薄膜プロセスにより形成されたカプラに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機器は、アンテナ、フィルタ、ＲＦスイッチ、パワーアンプ、カプラ、バラン等の各種高周波素子によって構成される。通常、パワーアンプの出力利得を一定に維持、制御するために出力の一部をピックアップしパワーアンプの入力にフィードバックをかけることを目的として、カプラが使用されている。
【０００３】
近時、携帯電話や携帯端末等の移動体通信機や無線ＬＡＮ機器等に用いられるカプラとして、更なる小型薄型化が切望されている。このようなカプラとしては、主線路の層と絶縁層を介して配置された副線路の層とにより層間で電磁気的な結合を形成する積層型のカプラが知られている（特許文献１）。積層型のカプラでは、層間の電気的な導通を確保するための複数のビアが形成される。特許文献１に記載のカプラでは、主線路及び副線路はビアを介してそれぞれ絶縁層の両側に引き出されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−６９３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、主線路及び副線路をビアを介してそれぞれ絶縁層の両側に引き出す従来構造では、小型薄型化に限界がある。単にカプラを小型薄型化した場合には、カプラを形成するコイル等の線路が不可避的に短くなり、カプラとしての結合が小さくなる恐れがある。このように、要求されるカプラの諸特性を維持しつつ、小型薄型化できるカプラが望まれている。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、要求されるカプラの諸特性を維持しつつ、小型薄型化することができるカプラを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明のカプラは、コイル状の主線路を含み、且つ異なる層に分割して配置された第１線路と、主線路に対して絶縁層を介して配置されたコイル状の副線路を含み、且つ異なる層に分割して配置された第２線路と、異なる層に分割して配置された第１線路の一部同士及び第２線路の一部同士を繋ぐ複数のビアと、第１線路及び第２線路の端部に接続された複数の端子とを有し、ビアは、絶縁層を貫通して主線路又は副線路に接続された引き出しビアを含み、引き出しビアを介して絶縁層の同一面側に第１線路及び第２線路が引き出されているものである。
【０００８】
上記構成では、ビアを介して絶縁層の同一面側に第１線路及び第２線路が引き出されることにより、第１線路及び第２線路が形成される配線層を共有することができる。これにより、カプラの層数の減少分だけカプラの薄型化が可能となり、これによりカプラの小型化が可能となる。このように本発明では、第１線路及び第２線路の線路長を短くする必要がないことから、結合を減少させることなく、カプラの小型薄型化が可能となる。
【０００９】
例えば、ビアは、主線路の内周側の端部に接続されたビアと、副線路の内周側の端部に接続されたビアとを含み、全ての端子は、コイル状の主線路及び副線路の外周側に配置されている。このように端子が主線路及び副線路の外周側に配置されていることにより、主線路及び副線路の内周側の端部に接続されたビアとの距離が確保されることから、ビアと端子との間の不要な結合が抑制される。
【００１０】
例えば、ビアは、絶縁層に平行する断面において角部を有する形状（断面矩形状）の角柱ビアを含み、角柱ビアは、絶縁層に平行する断面において端子と対向する側に角が向くように配置されている。これにより、ビアの側面と端子の側面が平行に配置されることが防止されることから、ビアと端子との間の不要な結合が抑制される。
【００１１】
ビアは、絶縁層に平行する断面において円弧部を有する形状（断面円形状）の円柱ビアを含む。円柱ビアの側面は、他のビアや端子の側面と平行に配置され難いことから、他のビアや端子との間の不要な結合が抑制される。
【００１２】
端子は、４つの端子を含み、４つの端子の中心位置にビアの少なくとも１つが重なるようにビアが配置されている。これにより、４つの端子の中心位置に配置されたビアは、全ての端子との距離が確保されていることから、端子とビアとの結合が効果的に抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ビアを介して絶縁層の同一面側に第１線路及び第２線路が引き出されることにより、第１線路及び第２線路が形成される配線層を共有することができ、カプラの層数を減少させることができる。カプラの層数の減少分だけカプラの薄型化が可能となり、これによりカプラの諸特性を維持しつつ、小型薄型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のカプラの一実施形態の構成を示す等価回路図である。
【図２】カプラの一実施形態の構成を示す垂直断面図である。
【図３】カプラ１の配線層Ｍ１における水平断面図である。
【図４】カプラ１の絶縁層Ｉ１における水平断面図である。
【図５】カプラ１の配線層Ｍ２における水平断面図である。
【図６】カプラ１の絶縁層Ｉ２における水平断面図である。
【図７】カプラ１の配線層Ｍ３における水平断面図である。
【図８】カプラ１の保護層Ｉ３における水平断面図である。
【図９】平面視したときのカプラ１の配線のレイアウト図である。
【図１０】ビアの好適な配置を示すための絶縁層Ｉ２における水平断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１６】
図１は、本発明のカプラの実施形態の構成を示す等価回路図である。カプラ１は、第１線路Ｌ１と、第１線路Ｌ１と電磁気的に結合する第２線路Ｌ２とを備えている。第１線路Ｌ１と第２線路Ｌ２との間の電磁気的な結合として、磁気結合Ｍと、容量結合Ｃ１，Ｃ２を図１に図解している。
【００１７】
このカプラ１においては、第１線路Ｌ１の一端が入力端子Ｔ１１に接続され、第１線路Ｌ１の他端が出力端子Ｔ１２に接続されている。また、第２線路Ｌ２の一端がカップリング端子Ｔ２１に接続され、第２線路Ｌ２の他端がアイソレーション端子Ｔ２２に接続されている。アイソレーション端子Ｔ２２は、抵抗Ｒを介して接地電位Ｇに固定される。
【００１８】
上述した線路Ｌ１〜Ｌ２の長さは、カプラ１の仕様に応じて異なり、例えば、対象となる伝送信号の１／４波長（λ／４）共振器回路となるよう設定することができる。
【００１９】
以下に、同図を参照してカプラ１の基本的な動作について説明する。信号は、入力端子Ｔ１１に入力され、出力端子Ｔ１２から出力される。入力端子Ｔ１１に信号が入力されると、第１線路Ｌ１には主電流ＩＭが流れる。主電流ＩＭが第１線路Ｌ１に流れると、磁気結合Ｍに基づく誘導電流ＩＬが第２線路Ｌ２において一方向に向かって流れるとともに、容量結合Ｃ１，Ｃ２に基づく変位電流ＩＣが第２線路Ｌ２において両側に向かって流れる。第２線路Ｌ２を最終的に流れる電流は、磁気結合Ｍに基づく誘導電流ＩＬと、容量結合Ｃ１，Ｃ２に基づく変位電流ＩＣの和となり、その結果、磁気結合による誘導電流の方向と一致した方向性をもつ電流がカップリング端子Ｔ２１に向かって流れることとなる。このように信号がカプラの入力端子Ｔ１１に入力され出力端子Ｔ１２から出力されると、当該信号の一部に相当する信号がカップリング端子Ｔ２１から出力される。
【００２０】
上記のカプラ１は、例えばパワーアンプ（ＰＡ）の出力モニタ用に使用される。この場合、カプラ１の入力端子Ｔ１１がパワーアンプの出力端子に接続され、カプラ１のカップリング端子Ｔ２１がＡＧＣ検波回路を介してパワーアンプの入力端子に接続される。これにより、パワーアンプから出力された信号がカプラ１の入力端子Ｔ１１に入力されると、この信号の一部に相当する信号がカプラ１のカップリング端子Ｔ２１から出力され、ＡＧＣ検波回路を通じてパワーアンプにフィードバック信号が入力される。この結果、パワーアンプの出力利得が一定に維持、制御される。
【００２１】
次に、上記のカプラの一実施形態における配線構造について説明する。図２は、カプラ１の配線構造を概略的に示す垂直断面図である。図２に示すように、例えばアルミナ等からなる絶縁性基板１００上に、例えば窒化シリコン膜からなる絶縁層１０１を介して配線層Ｍ１が形成されている。配線層Ｍ１上には、絶縁層Ｉ１を介して配線層Ｍ２が形成されている。配線層Ｍ２上には、絶縁層Ｉ２を介して配線層Ｍ３が形成されており、配線層Ｍ３上には保護層Ｉ３が形成されている。絶縁層Ｉ１，Ｉ２の一部には、ビアが形成されており、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３間の必要な接続が確保されている。カプラの周縁部において、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の積層体により端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２が形成される。保護層Ｉ３は、端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２を露出するように形成されている。端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の表面には、めっき膜１０２が形成されている。
【００２２】
絶縁層Ｉ１，Ｉ２及び保護層Ｉ３として、例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウム、二酸化シリコン等の無機系絶縁体のみならず、ポリイミド、エポキシ樹脂等の有機系絶縁体を使用できる。また、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３として、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ａｕ等を使用できる。配線層Ｍ１〜Ｍ３は、例えばスパッタリング法、蒸着法、印刷法，フォトリソグラフィ法等の方法により形成される。めっき膜１０２としては、例えば、Ｎｉ／ＡｕめっきやＮｉ／Ｓｎめっきが用いられる。このように、カプラ１は、絶縁性基板１００上に形成された薄膜多層構造から構成されている。
【００２３】
次に、カプラの各配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３のパターンの一例について詳細に説明する。以下の例は、線路Ｌ１，Ｌ２を構成する主線路及び副線路としてコイルを用いたものである。
【００２４】
図３〜図８は、カプラ１における各層Ｍ１〜Ｍ３，Ｉ１〜Ｉ３を概略的に示す水平断面図である。図３〜図８に示す如く、配線層Ｍ１〜Ｍ３の全ての層に、入力端子Ｔ１１、出力端子Ｔ１２、カップリング端子Ｔ２１，アイソレーション端子Ｔ２２が形成されており、各端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２は異なる層間において電気的に接続されている。以下、各層の構成について詳細に説明する。
【００２５】
図３に示すように、絶縁性基板１００上の配線層Ｍ１には、コイル状の第１線路Ｌ１が形成されている。配線層Ｍ１におけるコイル状の第１線路Ｌ１の外周端は、出力端子Ｔ１２に接続されており、第１線路Ｌ１の内周端はビアＰ１１（引き出しビア）に接続されている。ビアＰ１１は、絶縁層Ｉ１，Ｉ２を貫通して配線層Ｍ１から配線層Ｍ３まで延在されている。ビアＰ１１は、基板に平行する断面（絶縁層に平行する断面と同じである）において、角部を有する角柱形状である。配線層Ｍ１における第１線路Ｌ１のうち、後述する配線層Ｍ２の第２線路Ｌ２と対向した部位が主線路Ｌ１１となる。主線路とは、第１線路Ｌ１のうち異なる階層間で第２線路と電磁気的な結合をする部位をいう。
【００２６】
また、図４に示すように、配線層Ｍ１上に形成された絶縁層Ｉ１には、各端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２に対応する部位にスルーホールＨＴ１１，ＨＴ１２，ＨＴ２１，ＨＴ２２が形成されている。さらに、絶縁層Ｉ１には、ビアＰ１１に対応する部位にスルーホールＨＰ１１が形成されている。なお、本願明細書において、スルーホールとは絶縁層に設けられた開口（孔）を称し、当該スルーホール内に金属が埋め込まれることにより形成された導体をビアと称する。
【００２７】
また、図５に示すように、絶縁層Ｉ１上に形成された配線層Ｍ２には、コイル状の第２線路Ｌ２が形成されている。配線層Ｍ２におけるコイル状の第２線路Ｌ２の外周端は、アイソレーション端子Ｔ２２に接続されており、第２線路Ｌ２の内周端はビアＰ２１に接続されている。ビアＰ２１は、絶縁層Ｉ２を貫通して配線層Ｍ２から配線層Ｍ３まで延在している。配線層Ｍ２における第２線路Ｌ２の一部は、配線層Ｍ１の第１線路Ｌ１と対向しており、この対向した部位が副線路Ｌ２１となる。副線路とは、第２線路Ｌ２のうち異なる階層間で第１線路Ｌ１と電磁気的な結合をする部位をいう。また、副線路Ｌ２１の周囲（外周部）において、接続配線Ｌ１２，Ｌ２２が形成されている。接続配線Ｌ１２は、第１線路Ｌ１の一部であり、その一端が入力端子Ｔ１１に接続され、他端がビアＰ１２に接続されている。ビアＰ１２は、絶縁層Ｉ２を貫通して配線層Ｍ３まで延在している。接続配線Ｌ２２は、第２線路Ｌ２の一部であり、その一端がカップリング端子Ｔ２１に接続され、他端がビアＰ２２に接続されている。ビアＰ２２は、絶縁層Ｉ２を貫通して配線層Ｍ３まで延在している。ビアＰ１２，Ｐ２１，Ｐ２２は、例えば基板に平行する断面（絶縁層に平行する断面と同じである）において、円形状の円柱ビアである。
【００２８】
また、図６に示すように、配線層Ｍ２上に形成された絶縁層Ｉ２には、各端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２に対応する部位にスルーホールＨＴ１１，ＨＴ１２，ＨＴ２１，ＨＴ２２が形成されている。さらに、絶縁層Ｉ１には、ビアＰ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２に対応する部位にスルーホールＨＰ１１，ＨＰ１２，ＨＰ２１，ＨＰ２２が形成されている。
【００２９】
また、図７に示すように、絶縁層Ｉ２上に形成された配線層Ｍ３には、接続配線Ｌ１３，Ｌ２３が形成されている。接続配線Ｌ１３は、第１線路Ｌ１の一部であり、その一端がビアＰ１１に接続され、他端がビアＰ１２に接続されている。接続配線Ｌ２３は、第２線路Ｌ２の一部であり、その一端がビアＰ２１に接続され、他端がビアＰ２２に接続されている。
【００３０】
さらに、図８に示すように、配線層Ｍ３上には、保護層Ｉ３が形成されている。保護層Ｉ３は、端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２が形成された４隅を除く部位に形成されている。
【００３１】
図９は、平面視したときのカプラ１の配線のレイアウト図である。図９に示すように、カプラ１は、主線路Ｌ１１及び接続配線Ｌ１２，Ｌ１３（第１接続配線）を含む第１線路Ｌ１と、副線路Ｌ２１及び接続配線Ｌ２２，Ｌ２３（第２接続配線）を含む第２線路Ｌ２とを有する。図３及び図５に示すように、主線路Ｌ１１と副線路Ｌ１２は、異なる階層に配置されており、かつ平面視において重なるように配置されていることから、絶縁層Ｉ１を介して異なる階層間で電磁気的な結合がなされる。
【００３２】
本実施例では、絶縁層Ｉ１を貫通して主線路Ｌ１１に接続されたビアＰ１１が形成されている。このように、ビアＰ１１により第１線路Ｌ１を第２線路Ｌ２が形成された配線層Ｍ２側に引き出すことにより、第１線路Ｌ１及び第２線路Ｌ２が形成される配線層を共有することができる。この結果、カプラの層数の減少分だけカプラの薄型化が可能となり、これによりカプラの小型化が可能となる。このように本実施例では、第１線路Ｌ１及び第２線路Ｌ２の線路長を短くしなくてもカプラの小型薄型化が可能となることから、結合の減少といった不利益もない。また、層間の絶縁層を薄くする必要もないことから、第１線路同士及び第２線路同士の結合を抑制することができ、アイソレーション特性の劣化が抑制される。
【００３３】
本実施例では、図９に示すように、第１線路Ｌ１の接続配線Ｌ１２は、第２線路Ｌ２の副線路Ｌ２１と同一階層において隣接して平行に配置されている。これは、同一階層内において第１線路Ｌ１と第２線路Ｌ２との電磁気的な結合を確保するためである。電磁気的な結合を増大させるためには、２つの配線が平行に配置されることが好ましいが、隣接していればよい。このような構成により、第１線路Ｌ１又は第２線路Ｌ２の巻回数を増やさなくても、カプラの結合を増大させることができる。このため、方向性やアイソレーション特性の劣化を抑制しつつ、カプラの結合を増大させることができる。この結果、カプラの諸特性を維持しつつ、小型薄型化が可能となる。
【００３４】
また、本実施例では、平面視したときに同じ配線の一部同士が交差する箇所において、配線の一部同士が直交するように配置されている。すなわち、第１線路同士が交差する箇所又は第２線路同士が交差する箇所では、配線が直交するように配置されている。図９に示す例では、接続配線Ｌ１３と主線路Ｌ１１の交差箇所、接続配線Ｌ２３と副線路Ｌ２１の交差箇所において、２つの配線が互いに直交するように配置されている。通常、同じ電流が流れる配線同士の電磁気的な結合は不要な結合であることから、このような不要な結合を回避することにより、方向性（Directivity）やアイソレーション（Isolation）特性の劣化が抑制される。
【００３５】
上記の本実施例では、ビアＰ１１により第１線路Ｌ１を第２線路Ｌ２が形成された配線層Ｍ２側に引き出すことにより、第１線路Ｌ１及び第２線路Ｌ２が形成される配線層を共有している。この結果、各線路を両側に引き出す従来構造と比べて、絶縁層を貫通するビアの数が２倍となることから、ビア同士の結合及びビアと端子との結合を抑制して、アイソレーション特性の劣化を抑制することが好ましい。以下、ビア同士の結合及びビアと端子との結合を抑制するためのビアの好適な形状及び配置について説明する。
【００３６】
図１０は、ビアの好適な配置を示すための絶縁層Ｉ１における水平断面図である。なお、ビアの配置及び形状は絶縁層Ｉ１に形成されるスルーホールの配置及び形状に等しい。従って、図１０の図面を参照して、ビアの配置及び形状の説明をする。
【００３７】
４つの端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２は、基板の４隅に形成されている。この４つの端子は基板上に積層される各層の積層方向に延在しており、ビアＰ１１及びビアＰ２１と同様の延在方向となっている。そして、ビアＰ１１の形状として、基板面に平行する断面において角部を有する形状の角柱ビアを採用し本実施例では矩形としている。さらに、角部が絶縁層に平行する断面において端子と対向する側に向くように、ビアＰ１１が配置されている。より好ましくは、ビアＰ１１の角部は、端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の角部と対向している。これにより、ビアの側面と端子の側面が平行に配置されないことから、ビアと端子との間の不要な電磁結合が抑制される。これにより、アイソレーション特性を向上できる。このような角柱ビアの配置は、大きな電流が流れるビアに採用することが好ましい。通常、カプラの第１線路には大きな主電流が流れることから、ビアと端子との間の電磁結合を抑制すべく、本実施例においては第１線路Ｌ１の一部同士を繋ぐビアＰ１１の形状として角柱ビアを採用している。ただし、これに限定されない。
【００３８】
また、本実施例では、最も長いビアＰ１１の断面積を、他のビアＰ１２、Ｐ２１，Ｐ２２に比べて大きくしている。これは、ビアＰ１１を作製するためには、リソグラフィ技術及びエッチング技術により２つの絶縁層Ｉ１，Ｉ２を貫通する長いスルーホールＨＰ１１を形成する必要がある。このスルーホールのアスペクト比には限界があることから、長いスルーホールを作成するためには、スルーホールの幅を大きくすることが好ましい。スルーホールＨＰ１１の幅を大きくするに従って、ビアＰ１１の断面積が大きくなる。このように長いビアＰ１１の断面積を他のビアＰ１２，Ｐ２１，Ｐ２２に比べて大きくすることにより、ビアＰ１１の接続信頼性を向上できる。
【００３９】
さらに、本実施例では、この最も太い（断面積の大きい）ビアＰ１１が、４つの端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の中心位置に重なるように配置されている。本実施形態では、４つの端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２は、四角形の角部に配置されていることから、端子Ｔ１１，Ｔ２２を結ぶ仮想対角線と端子Ｔ１２，Ｔ２１を結ぶ仮想対角線の交点が中心位置となる（図中、点線参照）。４つの端子の中心位置に太いビアＰ１１を配置することにより、全ての端子との距離を確保できることから、端子とビアとの不要な電磁結合を効果的に抑制することができ、アイソレーション特性を向上できる。
【００４０】
さらに、本実施例では、ビアＰ１１に隣接する中央領域に、基板面に平行する断面において円形状の円柱ビアからなるビアＰ２１を配置している。ビアＰ２１の断面を円形にすることにより、ビアＰ１１の側面とビアＰ２１の側面が平行に配置されないことから、ビアＰ１１とビアＰ２１との間の電磁結合が抑制される。さらに、円柱のビアＰ１１の側面は、周囲の４つの端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の側面に対して平行に配置されないことから、ビアと端子との間の電磁結合を抑制することができ、これによりアイソレーション特性を向上できる。
【００４１】
そして、さらに、本実施例では、残りの２つのビアＰ１２，Ｐ２２のうち、一方のビアＰ１２を平面視において下側の２つの端子Ｔ１１，Ｔ１２の間に配置し、他方のビアＰ２２を平面視において上側の２つの端子Ｔ２１，Ｔ２２の間に配置している。これにより、ビア同士の間隔、ビアと端子の間隔をバランス良く確保することができ、不要な電磁結合を抑制できる。また、ビアＰ１２，Ｐ２２としていずれも円柱ビアを採用することにより、ビアＰ１２，Ｐ２２の側面が、他のビアＰ１１，Ｐ２１及び端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の側面と平行に配置されるのが防止され、不要な電磁結合を抑制することができることから、アイソレーション特性を向上できる。
【００４２】
なお、上述したとおり、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、ビアにより第１線路を第２線路側に引き出すのではなく、第２線路を第１線路側に引き出してもよい。また、基板上に積層される配線層の順序に限定はなく、例えば、主線路よりも副線路を基板側に配置してもよい。また、端子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の位置は変更可能であり、さらに端子の位置の変更に応じて配線のレイアウトも変更可能である。さらに、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々のコイル配置を採用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のカプラによれば、ビアを介して絶縁層の同一面側に第１線路及び第２線路が引き出されることにより、第１線路及び第２線路が形成される配線層を共有することができ、カプラの層数を減少させることができる。カプラの層数の減少分だけカプラの薄型化が可能となり、これによりカプラの諸特性を維持しつつ、小型薄型化が可能となる。要求されるカプラの諸特性を維持しつつ小型薄型化することができるので、特に、小型薄型化が要求される無線通信機器、装置、モジュール、及びシステム、並びにそれらを備える設備、さらには、それらの製造に広く適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１…カプラ１、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３…配線層、Ｉ１，Ｉ２…絶縁層、Ｉ３…保護層、ＩＭ…主電流、ＩＬ…誘導電流、ＩＣ…変位電流、Ｃ１，Ｃ２…容量結合、Ｍ…磁気結合、Ｒ…抵抗、Ｇ…接地電位、Ｌ１…第１線路、Ｌ２…第２線路、Ｌ１１…主線路、Ｌ１２，Ｌ１３…接続配線、Ｌ２１…副線路、Ｌ２２，Ｌ２３…接続配線、Ｐ１１,Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２…ビア、ＨＰ１１，ＨＴ１１，ＨＴ１２，ＨＴ２１，ＨＴ２２…スルーホール、Ｔ１１…入力端子、Ｔ１２…出力端子、Ｔ２１…カップリング端子、Ｔ２２…アイソレーション端子、１００…絶縁性基板、１０１…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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