(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
を備え、
前記液体吐出ヘッドは、前記複数の液室が前記複数のノズルから成るノズル列をはさんで前記ノズル列の両側に配置される構造を有し、
前記打滴制御手段は、前記ノズル列の一方の側に配置される第１の液室と連通する第１のノズル群を第１のグループとし、前記ノズル列の他方の側に配置される第２の液室と連通する第２のノズル群を第２のグループとして、該グループごとに圧電素子の動作を制御することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液体塗布装置において、
前記液体吐出ヘッドは、前記第１のノズル群に含まれるノズルと前記第２のノズル群に含まれるノズルは交互に配置される構造を有することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液体塗布装置において、
前記第１の液室及び前記第２の液室はノズルごとに区画された構造を有し、
前記圧電素子は、前記第１の液室又は前記第２の液室に対して一体の圧電体部と、ノズルごとの区画に対応して形成された電極を有することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の液体塗布装置において、
前記基板の前記機能性を有する液体が着弾する面と平行な面内において、前記液体吐出ヘッドを回転させるヘッド回転手段と、
前記ヘッド回転手段により前記液体吐出ヘッドを回転させて、前記相対移動手段の相対移動方向と直交する方向における打滴密度を変更する打滴密度変更手段と、
を備えたことを特徴とする液体塗布装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の液体塗布装置において、
前記打滴制御手段は、前記相対移動手段の相対移動方向と平行方向における打滴ピッチを最小打滴ピッチ未満の範囲で可変させるように、前記圧電素子を動作させることを特徴とする液体塗布装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の液体塗布装置において、
前記打滴制御手段は、最小打滴周期未満の範囲で前記圧電素子を動作させるタイミングを変化させることを特徴とする液体塗布装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の液体塗布装置において、
前記打滴制御手段は、最小打滴周期未満の遅延時間を付加して前記圧電素子を動作させるタイミングを遅延させることを特徴とする液体塗布装置。
【請求項８】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
を備え、
前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の波形をグループごとに変更することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項９】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
を備え、
前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大電圧をグループごとに変更することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項１０】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
を備え、
前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大振幅部分の幅をグループごとに変更することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項１１】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
グループごとの打滴回数を計測する打滴回数計測手段と、
前記計測されたグループごとの打滴回数を記憶する打滴回数記憶手段と、
を備えたことを特徴とする液体塗布装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の液体塗布装置において、
前記打滴回数記憶手段の記憶結果に基づいて、いずれのグループのノズルを用いて打滴を行うかを選択する選択手段を備え、
前記打滴制御手段は、前記選択手段の選択結果に基づいて、前記圧電素子の動作を制御することを特徴とする液体塗布装置。
【請求項１３】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
を備え、
前記液体吐出ヘッドは、前記ノズルが正方形の平面形状を有するとともに、正方形の辺
方向が前記ノズルの配列方向と平行になるように配置される構造を有し、
ノズルの対角線の方向に対して４５°の方向について、打滴された液滴を観察する観察手段を備えたことを特徴とする液体塗布装置。
【請求項１４】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記複数の液室が前記複数のノズルから成るノズル列をはさんで前記ノズル列の両側に配置される前記液体吐出ヘッドの構造に対応して、前記複数のノズルが前記ノズル列の一方の側に配置される第１の液室と連通する第１のノズル群を第１のグループとし、前記ノズル列の他方の側に配置される第２の液室と連通する第２のノズル群を第２のグループとしてグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の液体塗布方法において、
前記液体吐出ヘッドは、前記第１のノズル群に含まれるノズルと前記第２のノズル群に含まれるノズルは交互に配置される構造を有することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の液体塗布方法において、
前記第１の液室及び前記第２の液室はノズルごとに区画された構造を有し、
前記圧電素子は、前記第１の液室又は前記第２の液室に対して一体の圧電体部と、ノズルごとの区画に対応して形成された電極を有することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項１７】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して、前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する際に、前記圧電素子に印加される駆動電圧の波形をグループごとに変更することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項１８】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して、前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する際に、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大電圧をグループごとに変更することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項１９】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して、前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する際に、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大振幅部分の幅をグループごとに変更することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項２０】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して、前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御し、グループごとの打滴回数を計測し、前記計測されたグループごとの打滴回数を記憶することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の液体塗布方法において、
前記打滴回数の記憶結果に基づいて、いずれのグループのノズルを用いて打滴を行うかを選択し、選択結果に基づいて、前記圧電素子の動作を制御することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項２２】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して、前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御し、
前記液体吐出ヘッドは、前記ノズルが正方形の平面形状を有するとともに、正方形の辺
方向が前記ノズルの配列方向と平行になるように配置される構造を有し、
ノズルの対角線の方向に対して４５°の方向について、打滴された液滴を観察することを特徴とする液体塗布方法。
【請求項２３】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、
を備え、
前記液体吐出ヘッドは、前記複数の液室が前記複数のノズルから成るノズル列をはさんで前記ノズル列の両側に配置される構造を有し、
前記打滴制御手段は、前記ノズル列の一方の側に配置される第１の液室と連通する第１のノズル群を第１のグループとし、前記ノズル列の他方の側に配置される第２の液室と連通する第２のノズル群を第２のグループとして、該グループごとに圧電素子の動作を制御することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項２４】
請求項２３に記載のナノインプリントシステムにおいて、
前記液体吐出ヘッドは、前記第１のノズル群に含まれるノズルと前記第２のノズル群に含まれるノズルは交互に配置される構造を有することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項２５】
請求項２３又は２４に記載のナノインプリントシステムにおいて、
前記第１の液室及び前記第２の液室はノズルごとに区画された構造を有し、
前記圧電素子は、前記第１の液室又は前記第２の液室に対して一体の圧電体部と、ノズルごとの区画に対応して形成された電極を有することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項２６】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、
を備え、
前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の波形をグループごとに変更することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項２７】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、
を備え、
前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大電圧をグループごとに変更することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項２８】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、
を備え、
前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大振幅部分の幅をグループごとに変更することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項２９】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、
グループごとの打滴回数を計測する打滴回数計測手段と、
前記計測されたグループごとの打滴回数を記憶する打滴回数記憶手段と、
を備えたことを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項３０】
請求項２９に記載のナノインプリントシステムにおいて、
前記打滴回数記憶手段の記憶結果に基づいて、いずれのグループのノズルを用いて打滴を行うかを選択する選択手段を備え、
前記打滴制御手段は、前記選択手段の選択結果に基づいて、前記圧電素子の動作を制御することを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項３１】
基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、
前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、
前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、
型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、
を備え、
前記液体吐出ヘッドは、前記ノズルが正方形の平面形状を有するとともに、正方形の辺
方向が前記ノズルの配列方向と平行になるように配置される構造を有し、
ノズルの対角線の方向に対して４５°の方向について、打滴された液滴を観察する観察手段を備えたことを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項３２】
請求項２３乃至３１のいずれかに記載のナノインプリントシステムにおいて、
前記転写手段は、前記型の凹凸パターンが形成されている面を、前記基板の液体が塗布された面に押し当てる押圧手段と、
前記型と前記基板との間の液体を硬化させる硬化手段と、
前記型と前記基板とを剥離させる剥離手段と、
を備えたことを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項３３】
請求項２３乃至３２のいずれかに記載のナノインプリントシステムにおいて、
前記転写手段による転写の後に、前記型を前記基板から剥離させる剥離手段と、
凹凸パターンが転写され硬化させた液体から成る膜をマスクとして、前記型の凹凸パターンに対応するパターンを前記基板に形成するパターン形成手段と、
前記膜を除去する除去手段と、
を備えたことを特徴とするナノインプリントシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステムに係り、特に、インクジェット方式により基板等の媒体上に機能性を有する液体を付与する液体付与技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、基板上に微細構造を形成するための技術として、基板上に塗布したレジスト（ＵＶ硬化性樹脂）に転写すべき所望の凹凸パターンが形成されたスタンパを押し当てた状態で紫外線を照射してレジストを硬化させ、スタンパを基板上のレジストから分離（離型）することで、スタンパに形成された微細パターンを基板（レジスト）へ転写するナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）が知られている。
【０００３】
特許文献１，２は、インクジェット方式を用いて基板にインプリント材の液体を付与するシステムを開示している。特許文献１，２に記載のシステムは、一定量の液体を基板上に分配する際にパターンやインプリント材（レジスト）の揮発量に応じて打滴密度や打滴量を変更して打滴量を最適化し、スループットの向上、残渣厚の均一化を図る旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５０２１５７号公報
【特許文献２】特開２００９−８８３７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２は、どのような打滴配置が好ましいものであるかについて、そのアルゴリズムを開示するのみであり、理想的な打滴密度や打滴量を実現するためのハードウエア等の具体的な構成は開示されていない。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、インクジェット方式による基板への機能性液の打滴が最適化され、好ましい微細パターンを形成し得る液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る液体塗布装置は、基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、を備え、前記液体吐出ヘッドは、前記複数の液室が前記複数のノズルから成るノズル列をはさんで前記ノズル列の両側に配置される構造を有し、前記打滴制御手段は、前記ノズル列の一方の側に配置される第１の液室と連通する第１のノズル群を第１のグループとし、前記ノズル列の他方の側に配置される第２の液室と連通する第２のノズル群を第２のグループとして、該グループごとに圧電素子の動作を制御することを特徴とする。  
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ノズル及びノズルに対応する圧電素子がグループ化され、グループごとに打滴制御が行われるので、ノズルや圧電素子の固体バラつきに起因する打滴密度の粗密の発生を抑制し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係るインプリントシステムの各工程を説明する図
【図２】シリコンモールドの凹凸パターンを説明する図
【図３】液滴の配置及び拡張を説明する図
【図４】液滴の配置及び拡張の他の態様を説明する図
【図５】液滴の配置のさらに他の態様を説明する図
【図６】本発明に係るインプリントシステムの全体構成図
【図７】図１に示すインプリントシステムに適用されるヘッドの平面図
【図８】図７に示すヘッドの立体的構成を示す断面図
【図９】図７に示すヘッドの立体的構成を示す分解斜視図
【図１０】図７に示すヘッドに適用される圧電素子の動作モードを説明する図
【図１１】図７に示すヘッドに適用される圧電素子の電極のパターンを示す図
【図１２】図６に示すインプリントシステムの制御系を示す要部ブロック図
【図１３】図７に示すヘッドに適用される駆動電圧の一例を説明する図
【図１４】図６に示すインプリントシステムに適用されるｘ方向の打滴密度の変更を説明する図
【図１５】図１４に示す打滴密度変更の他の態様を説明する図
【図１６】図７に示すヘッドに適用される駆動電圧の他の例を説明する図
【図１７】図６に示すインプリントシステムに適用される駆動信号生成部の概略構成を示すブロック図
【図１８】図１７に示す駆動信号生成部の他の態様を示すブロック図
【図１９】ｙ方向の打滴位置の微調整を説明する図
【図２０】図７に示すヘッドに適用される吐出検査を説明する図
【図２１】図８に示すヘッドに係るノズルの製造方法の一例を説明する図
【図２２】図２２に示す製造方法により製造されたノズルの拡大斜視図
【図２３】ノズル面に形成される撥液膜の評価実験の結果を示す図
【図２４】シリコンモールド（原盤）の製造工程を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。
【００１１】
〔ナノインプリント方法の説明〕
まず、図１（ａ）〜（ｆ）を用いて、本発明の実施形態に係るナノインプリント方法について、工程順を追って説明する。本例に示すナノインプリント方法は、モールド（例えば、Ｓｉモールド）に形成された凹凸パターンを、基板（石英基板等）上に形成された機能性を有する液体（光硬化性樹脂液）を硬化させた光硬化性樹脂膜に転写し、該光硬化性樹脂膜をマスクパターンとして基板上に微細パターンを形成するものである。
【００１２】
まず、図１（ａ）に示す石英基板１０（以下、単に「基板」と記載する。）を準備する。図１（ａ）に示す基板１０は、表側面１０Ａにハードマスク層１１が形成されており、この表側面１０Ａに微細パターンが形成される。基板１０は、紫外線などの光を透過させる所定の透過性を有し、厚みが０．３ｍｍ以上であればよい。光透過性を有することで基板１０の裏側面１０Ｂからの露光が可能となる。
【００１３】
Ｓｉモールドを用いる場合に適用される基板１０として、表面をシランカップリング剤で被覆したもの、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどからなる金属層を積層したもの、ＣｒＯ２、ＷＯ２、ＴｉＯ２などからなる金属酸化膜層を積層したもの、これらの積層体の表面をシランカップリング剤で被覆したものなどが挙げられる。
【００１４】
すなわち、図１（ａ）に図示したハードマスク層１１は、上記の金属膜や金属酸化膜等の積層体（被覆材）が用いられる。積層体の厚みが３０ｎｍを超えると光透過性が低下してしまい、光硬化性樹脂の硬化不良が起こりやすいので、該積層体の厚みは３０ｎｍ以下であり、好ましくは２０ｎｍ以下である。
【００１５】
「所定の透過性」とは、基板１０の裏側面１０Ｂから照射した光が表側面１０Ａから出射して、表面に形成される機能性を有する液体（例えば、図１（ｃ）に符号１４を付して図示した光硬化性樹脂を含有する液体）を十分に硬化させることができればよく、例えば、裏側面から照射された波長２００ｎｍ以上の光の光透過率が５％以上であるとよい。
【００１６】
また、基板１０の構造は単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。基板１０の材質は、石英以外にも、シリコン、ニッケル、アルミニウム、ガラス、樹脂、などを適宜用いることができる。これらの材料は、一種単独で使用してもよいし、二種以上を適宜合成して併用してもよい。
【００１７】
基板１０の厚みは０．０５ｍｍ以上が好ましく、０．１ｍｍ以上がより好ましい。基板１０の厚みが０．０５ｍｍ未満であると、被パターン形成体とモールドとの密着時に基板側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性がある。また、ハンドリングやインプリント中の押圧による破損を避けることを考慮して、基板１０の厚みを０．３ｍｍ以上とするとより好ましい。
【００１８】
基板１０の表側面１０Ａに対して、インクジェットヘッド１２から光硬化性樹脂を含有する複数の液滴１４が離散的に打滴される（図１（ｂ）：打滴工程）。詳細は後述するが、ここでいう「離散的に打滴される液滴」とは、基板１０上における隣接する打滴位置に着弾した他の液滴と接触せずに、所定の間隔を空けて着弾した複数の液滴を意味している。
【００１９】
図１（ｂ）に示す打滴工程において、予め液滴１４の打滴量、打滴密度、液滴の吐出（飛翔）速度が設定（調整）される。例えば、液滴量及び打滴密度は、モールド（図１（ｃ）符号１６を付して図示）の凹凸パターンの凹部の空間体積が大きい領域では相対的に大きくされ、凹部の空間体積が小さい領域や凹部がない領域では相対的に小さくされるように調整される。調整後、所定の打滴配置（パターン）に従って、基板１０上に液滴１４が配置される。
【００２０】
本例に示すナノインプリント方法は、インクジェットヘッド１２に具備される複数のノズル（図７に符号１２０を付して図示）が、インクジェットヘッド１２の構造に対応してグループ化され、グループごとに液滴１４の打滴が制御される。また、モールドの凹凸パターンに応じて、基板１０の表側面１０Ａにおける互いに略直交する２方向について液滴１４の打滴密度が変更される。さらに、グループごとに打滴回数が計測され、各グループの打滴頻度が均一化されるように各グループの打滴が制御される。かかる打滴制御の詳細は後述する。
【００２１】
図１（ｂ）に示す打滴工程の後に、凹凸パターンが形成されたモールド１６の凹凸パターン面を基板１０の表側面１０Ａに所定の押圧力によって押し付けて基板１０上の液滴１４を拡張させ、拡張させた複数の液滴１４の結合からなる光硬化性樹脂膜１８が形成される（図１（ｃ）：光硬化性樹脂膜形成工程）。
【００２２】
光硬化性樹脂膜形成工程では、モールド１６と基板１０との間の雰囲気を減圧または真空雰囲気にした後に、モールド１６を基板１０押し付けることで残留気体を低減させることができる。ただし、高真空雰囲気下では硬化前の光硬化性樹脂膜１８が揮発してしまい、均一な膜厚を維持することが困難となる可能性がある。そこで、モールド１６と基板１０との間の雰囲気を、ヘリウム（Ｈｅ）雰囲気または減圧Ｈｅ雰囲気にすることで残留気体を低減するとよい。Ｈｅは石英基板１０を透過するため、取り込まれた残留気体（Ｈｅ）は徐々に減少する。Ｈｅの透過には時間を要すため減圧Ｈｅ雰囲気とすることがより好ましい。
【００２３】
モールド１６の押圧力は、１００ｋＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲とされる。押圧力が相対的に大きい方が樹脂の流動が促進され、また残留気体の圧縮、残留気体の光硬化性樹脂への溶解や、基板１０中のＨｅの透過が促進され、タクトアップにつながる。しかし、押圧力が大きすぎるとモールド１６が基板１０に接触するときに異物を噛みこんでしまい、モールド１６及び基板１０を破損してしまう可能性があるので、モールド１６の押圧力は上記範囲とされる。
【００２４】
モールド１６の押圧力の範囲は、より好ましくは１００ｋＰａ以上５ＭＰａ以下であり、更に好ましくは１００ｋＰａ以上１ＭＰａ以下である。１００ｋＰａ以上としたのは、大気中でインプリントを行う際、モールド１６と基板１０との間が液滴１４で満たされているためであり、モールド１６と基板１０との間が大気圧（約１０１ｋＰａ）で加圧されているためである。
【００２５】
その後、基板１０の裏側面１０Ｂから紫外線を照射して、光硬化性樹脂膜１８に対する露光が行われ、光硬化性樹脂膜１８を硬化させる（図１（ｃ）：光硬化性樹脂膜硬化工程）。本例では、光（紫外線）によって光硬化性樹脂膜１８を硬化させる光硬化方式を例示したが、熱硬化性樹脂を含有する液体を用いて熱硬化性樹脂膜を形成し、加熱によって熱硬化性樹脂膜を硬化させる熱硬化方式など、他の硬化方式を適用してもよい。
【００２６】
光硬化性樹脂膜１８が十分に硬化した後に、光硬化性樹脂膜１８からモールド１６を剥離させる（図１（ｄ）：剥離工程）。モールド１６を剥離させる方法は、光硬化性樹脂膜１８のパターンに欠損が生じにくい方法であればよく、基板１０の縁部から徐々に剥離させる方法や、モールド１６の側から加圧しながら剥離させ、モールド１６が光硬化性樹脂膜１８から剥離する境界線上での光硬化性樹脂膜１８へかかる力を低減させて剥離する方法（加圧剥離法）などの方法を用いることができる。さらに、光硬化性樹脂膜１８の近傍を加温し、モールド１６と光硬化性樹脂膜１８との界面での光硬化性樹脂膜１８とモールド１６の表面との付着力を低減させ、かつ、光硬化性樹脂膜１８のヤング率を低下させて、かつ、脆性が良化させて変形による破断を抑制して剥離する方法（加熱アシスト剥離）を適用することも可能である。なお、上記の方法を適宜組み合わせた複合的手法を用いてもよい。
【００２７】
図１（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、基板１０の表側面１０Ａに形成された光硬化性樹脂膜１８にモールド１６に形成された凹凸パターンが転写される。基板１０上に形成された光硬化性樹脂膜１８は、モールド１６の凹凸形状や光硬化樹脂を含有する液体の液物性に対応して、光硬化性樹脂膜１８となる液滴１４の打滴密度が最適化されているので、残渣厚が均一化され、欠損のない好ましい凹凸パターンが形成される。次に、光硬化性樹脂膜１８をマスクとして基板１０（又は基板１０に被覆させた金属膜等）に微細パターンが形成される。
【００２８】
基板１０上の光硬化性樹脂膜１８の凹凸パターンが転写されると、光硬化性樹脂膜１８の凹部内の光硬化性樹脂が除去され、基板１０の表側面１０Ａ、又は表側面１０Ａに形成される金属層等を露出させる（図１（ｅ）：アッシング工程）。
【００２９】
さらに、光硬化性樹脂膜１８をマスクとしてドライエッチングが行われ（図１（ｆ）：エッチング工程）、光硬化性樹脂膜１８が除去されると、光硬化性樹脂膜１８に形成された凹凸パターンに対応した微細パターン１０Ｃが基板１０上に形成される。なお、基板１０の表側面１０Ａに金属膜や金属酸化膜が形成される場合は、金属膜又は金属酸化膜に対して所定のパターンが形成される。
【００３０】
ドライエッチングの具体例としては、光硬化性樹脂膜をマスクとして用いることができればよく、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
【００３１】
イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成する。これを、グリッドを通して加速させ、試料基板に衝突させてエッチングするものである。イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒガス、ＲＩＥのエッチャントとしては、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いることができる。
【００３２】
以上のように、本例に示すナノインプリント方法を用いた微細パターンの形成は、モールド１６の凹凸パターンが転写された光硬化性樹脂膜１８をマスクとして、残膜の厚みムラおよび残留気体による欠陥のない当該マスクを用いてドライエッチングを行っているので、高精度で歩留まりよく基板１０に微細パターンを形成することが可能となる。
【００３３】
なお、上述したナノインプリント法を適用して、ナノインプリント法に用いられる石英基板のモールドを作製することも可能である。
【００３４】
〔モールドの凹凸パターンの説明〕
図２（ａ）〜（ｅ）は、図１（ｃ）に示すモールド１６の凹凸パターンの具体例を示す図である。図２（ａ）は、Ａ方向について略同一の長さを有する複数の凸部２０が、Ａ方向と略直交するＢ方向について所定の間隔で等間隔に並べられた態様を示す図である。図２（ｂ）は、Ａ方向について適宜分割された凸部２２を有する態様を示す図であり、図２（ｃ）は、図２（ａ）に示す凸部２０よりもＡ方向について短い長さを有する複数の凸部２４が、Ａ方向及びＢ方向について所定の間隔で等間隔に並べられた態様（略同一形状の凸部２４がＡ方向及びＢ方向について等間隔に整列している態様）を示す図である。
【００３５】
かかる形状を有する凸部２０，２２，２４が形成されたモールド１６を使用すると、液滴１４（図１（ｂ）参照）は凸部２０間の凹部２６を伝って凹部２６の方向（Ａ方向）に拡張しやすくなるために異方性が生じ、拡張した液滴の形状が略楕円形状となる。
【００３６】
図２（ｄ）は、略円形状の平面形状を有する凸部２８が、Ａ方向について等間隔に配置されるとともに、Ｂ方向についても等間隔に配置され、さらに、（Ａ方向の配置ピッチ）＜（Ｂ方向の配置ピッチ）となるように、Ａ方向についてＢ方向よりも密に配置された態様を示す図である。かかる形状及び配置パターンを有する凸部２８が形成されたモールド１６を使用する場合にも、液滴１４がＡ方向について拡張しやすくなるために異方性が生じ、拡張した液滴の形状が略楕円形状となる。
【００３７】
一方、図２（ｅ）は、略円形状の平面形状を有する凸部２８が、Ａ方向及びＢ方向について、（Ａ方向の配置ピッチ）＝（Ｂ方向の配置ピッチ）となるように等間隔に配置された態様を示す図である。図２（ｅ）に示す形状を有する凸部２８が形成されたモールド１６を使用すると、液滴１４の拡張に異方性が明確に現れない。
【００３８】
なお、図２（ａ）〜（ｄ）では、凸部２０（２２，２４，２８）が直線状に形成又は配列された態様を示したが、これらは曲線状に形成（配置）されてもよいし。蛇行するように形成（配置）されてもよい。また、凸部２０（２２，２４，２８）の幅〈直径〉及び凹部２６の幅は１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度であり、凸部２０，２２，２４，２８の高さ（凹部２６の深さ）は、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
【００３９】
〔液滴の打滴配置及び拡張の説明〕
次に、図１（ｂ）に図示した打滴工程によって基板１０上に着弾した液滴１４の打滴位置（着弾位置）、及び図１（ｃ）に図示した光硬化性樹脂膜形成工程による液滴１４の拡張について詳説する。
【００４０】
図３（ａ）〜（ｃ）は、液滴１４を拡げる方向に異方性を持たせた態様を模式的に図示した説明図であり、図２（ａ）〜（ｄ）に図示した凹凸パターンを有するスタンパが用いられる。図３（ａ）に示す液滴１４は、Ａ方向について配置ピッチがＷａとなるように配置されるとともに、Ｂ方向について配置ピッチがＷｂ（＜Ｗａ）となるように配置されている。
【００４１】
図３（ａ）に示すようにＢ方向に対してＡ方向について液滴の打滴密度を疎にした配置パターンを有する液滴１４は、図３（ｂ）に示すように、Ａ方向を長軸方向、Ｂ方向を短軸方向とする略だ円状に拡げられる。図３（ｂ）では、拡げられている中間状態の液滴に符号１４’を付して図示している。所定の条件における液滴１４の押圧が実行されると、図３（ｃ）に示すように、隣接する打滴位置に着弾した液滴１４が合一して、均一な厚みを有する光硬化性樹脂膜１８が形成される。
【００４２】
なお、液滴１４をＡ方向及びＢ方向について均等に配置した場合は、スタンパの凹凸形状によって濡れ広がりが異なるので、隙間が発生しないように（図３（ｄ）参照）、液滴の密度が決められる。
【００４３】
図４（ａ）〜（ｃ）は、Ａ方向及びＢ方向について等間隔となるように配置された液滴１４を、等方（均等）に拡張させる態様を模式的に図示した説明図であり、例えば、図２（ｅ）に図示した凹凸パターンを有するスタンパが用いられる。
【００４４】
図４（ａ）に示すように、基板１０の表側面１０Ａの所定の打滴位置に着弾した液滴１４は、モールド１６（図１（ｃ）参照）に押圧され、図４（ｂ）に示すように中心から半径方向に略均一に拡げられる。図４（ｂ）では、拡げられている中間状態の液滴に符号１４’を付して図示している。所定の条件における液滴１４の押圧が実行されると、図４（ｃ）に示すように、隣接する打滴位置に着弾した液滴１４が合一して、均一な厚みを有する光硬化性樹脂膜１８が形成される。
【００４５】
図５（ａ）に図示した拡張させた複数の液滴（標準量の液滴）１４’の形状をそれぞれだ円形状に近似し、該だ円形状が最密充填配置されるように液滴を再配置するとよい。図５（ｂ）に示す例では、偶数列の液滴１７の中心が奇数列の液滴１４”のＡ方向における縁部に対応するように、偶数列の液滴１７のＡ方向における位置が変更され（Ａ方向の打滴ピッチが１／２ピッチずらされ）、かつ、Ｂ方向について奇数列の液滴１４”のだ円形状の円弧部と、偶数列の液滴１７のだ円形状の円弧部とを接触させるように、Ｂ方向における位置が変更されている（Ｂ方向の打滴ピッチが小さくなっている）。
【００４６】
再配置後の楕円形状のそれぞれの中心を格子点（打滴位置）として、複数の液滴の配置パターンが決められる。これにより、インクジェット方式を用いて光硬化性を有する液滴１４を塗布し、ナノインプリントを行う方法において、凹凸パターンが転写された光硬化性樹脂膜１８の残膜の厚みムラ、及び残留気体による欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【００４７】
液滴１４の塗布量の好適な量としては、モールド１６による押圧後の光硬化性樹脂膜１８の厚みが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下となる範囲内である。特に、後行程であるドライエッチング等のリソグラフィプロセス後に基板１０上に形成されるパターンの品質を良好とするためには、光硬化性樹脂膜１８の厚みを１５ｎｍ以下とすることが好ましく、１０ｎｍ以下とすることがより好ましい。光硬化性樹脂膜１８の厚みを５ｎｍ以下とすると、さらに好ましい。また残膜厚みの標準偏差値（σ値）が５ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４８】
〔ナノインプリントシステムの説明〕
次に、上述したナノインプリント方法を実現するためのナノインプリントシステムについて説明する。
【００４９】
（全体構成）
図６は、本発明の実施形態に係るナノインプリントシステムの概略構成図である。同図に示すナノインプリントシステム１００は、シリコンや石英ガラスの基板１０２上にレジスト液（光硬化性樹脂を有する液）を塗布するレジスト塗布部１０４と、基板１０２上に塗布されたレジストに所望のパターンを転写するパターン転写部１０６と、基板１０２を搬送する搬送部１０８と、を備えて構成される。
【００５０】
搬送部１０８は、例えば、搬送ステージなどの基板１０２を固定して搬送する搬送手段を含んで構成され、基板１０２を搬送手段の表面に保持しつつ、該基板１０２をレジスト塗布部１０４からパターン転写部１０６に向かう方向（以下、「ｙ方向」又は「基板搬送方向」、「副走査方向」ということもある。）に搬送を行う。該搬送手段の具体例として、リニアモータとエアスライダーの組み合わせや、リニアモータとＬＭガイドの組み合わせなどがあり得る。なお、基板１０２を移動させる代わりに、レジスト塗布部１０４やパターン転写部１０６を移動させるように構成してもよいし、両者を移動させてもよい。ここで、図６に示す「ｙ方向」は図２〜５における「Ａ方向」に対応している。
【００５１】
レジスト塗布部１０４は、複数のノズル（図６中不図示、図７に符号１２０を付して図示）が形成されるインクジェットヘッド１１０を備え、各ノズルからレジスト液を液滴として吐出することにより、基板１０２の表面（レジスト塗布面）にレジスト液の塗布を行う。
【００５２】
ヘッド１１０は、ｙ方向について複数のノズルが並べられた構造を有し、ｘ方向について基板１０２の全幅にわたって走査しながらｘ方向における液体吐出が行われるシリアル型ヘッドである。図６（ｂ）に示すように、シリアル型のヘッド１１０’による液体吐出では、ｘ方向についての液体吐出が終わると、ｙ方向について基板１０２とヘッド１１０’とを相対的に移動させて、次のｘ方向についての液体吐出が実行される。このような、動作を繰り返すことで、基板１０２の全面にわたって打滴が行われる。但し、基板１０２のｙ方向の長さがｘ方向の１回の走査で対応できる場合は、ｙ方向について基板１０２とヘッド１１０’との相対移動は不要である。
【００５３】
一方、図６（ｃ）に示すように、ｙ方向と直交するｘ方向（以下、「基板幅方向」、「主走査方向」ということもある。）の基板１０２の最大幅にわたってについて複数のノズルが一列に並べられた構造を有する長尺のフルラインヘッド１１０を適用してもよい。フルライン型のヘッド１１０を用いた液体吐出では、ヘッド１１０をｘ方向に移動させることなく、基板搬送方向について基板１０２とヘッド１１０を相対的に移動させる動作を１回行うだけで基板１０２上の所望位置に液滴を配置することができ、レジストの塗布速度の高速化を図ることができる。ここで、上述した「ｘ方向」は図２〜５における「Ｂ方向」に対応している。
【００５４】
パターン転写部１０６は、基板１０２上のレジストに転写すべき所望の凹凸パターンが形成されたモールド１１２と、紫外線を照射する紫外線照射装置１１４と、を備え、レジストが塗布された基板１０２の表面にモールド１１２を押し当てた状態で、基板１０２の裏側から紫外線照射を行い、基板１０２上のレジスト液を硬化させることにより、基板１０２上のレジスト液に対してパターン転写を行う。
【００５５】
モールド１１２は、紫外線照射装置１１４から照射される紫外線を透過可能な光透過性材料から構成される。光透過性材料としては、例えば、ガラス、石英、サファイア、透明プラスチック（例えば、アクリル樹脂、硬質塩化ビニールなど）を使用することができる。これにより、モールド１１２の上方（基板１０２とは反対側）に配置される紫外線照射装置１１４から紫外線照射が行われたとき、モールド１１２で遮られることなく基板１０２上のレジスト液に紫外線が照射され、該レジスト液を硬化させることができる。
【００５６】
モールド１１２は、図６の上下方向（矢印線により図示した方向）に移動可能に構成されており、基板１０２の表面に対してモールド１１２のパターン形成面が略平行となる状態を維持しながら下方に移動して、基板１０２の表面全体に略同時に接触するように押し当てられ、パターン転写が行われる。
【００５７】
（ヘッドの構成）
次に、ヘッド１１０の構造について説明する。図７は、ヘッド１１０を吐出面（ノズル面）側から見た平面透視図であり、図８は、図７中Ａ‐Ａ線に沿う断面図である。図７に示すように、ヘッド１１０は複数のノズル１２０がｘ方向（又はｙ方向）の全長にわたって一列に並べられた構造を有している。また、ノズル１２０の開口は平面形状が略正方形となっており、ノズル１２０の辺の方向とノズル１２０の配列方向とは略平行である。以下の説明では、図６（ｃ）に図示したフルライン型のヘッド１１０について説明するが、図６（ｂ）に図示したシリアル型ヘッド１１０’の場合は、ｘ方向とy方向とを入れ換えればよい。
【００５８】
複数のノズル１２０のうち、同図中左から奇数番目のノズル１２０Ａは同図における上側に位置する第１の液室１２２Ａと第１の連通路１２４Ａを介して連通し、同図中左から偶数番目のノズル１２０Ｂは同図における下側に位置する第２の液室１２２Ｂと第２の連通路１２４Ｂを介して連通する構造を有している。なお、図示を省略したが、第１の液室１２２Ａは第１のノズル１２０Ａごとに区画され、第２の液室１２２Ｂは第２のノズル１２０Ｂごとに区画されている。
【００５９】
なお、図７では図示を省略するが、第１の液室１２２Ａの外側及び第２の液室１２２Ｂの外側には、それぞれ圧電素子（図８に符号１２１Ａ，１２１Ｂを付して図示）が設けられている。かかる圧電素子は、第１の液室又は第２の液室に対して一体の圧電体部を有するとともに、ノズルごと（区画ごと）に個別電極（図１０（ａ）に符号１４０を付して図示）が設けられる電極分割構造が適用される。
【００６０】
また、図８に示すように、第１の液室１２２Ａは第１の連通路１２４Ａの反対側において液供給路１２６と連通し、第２の液室１２２Ｂは第２の連通路１２４Ｂの反対側において液供給路１２６と連通している。第１の液室１２２Ａの外側面は第１の圧電素子１２１Ａが設けられ、第２の液室１２２Ｂの外側面は第２の圧電素子１２１Ｂが設けられている。
【００６１】
第１の圧電素子１２１Ａを動作させると、第１の液室１２２Ａ内の液が加圧されて、図７における奇数番目のノズル１２０Ａから液滴が打滴される。一方、図８に示す第２の圧電素子１２１Ｂを動作させると、第２の液室１２２Ｂ内の液が加圧されて、図７における偶数番目のノズル１２０Ｂから液滴が打滴される。
【００６２】
本例に示すヘッド１１０は、ノズル列をはさんで一方の側（図中上側）第１の液室が配置され、他方の側（図中下側）に第２の液室１２２Ｂが配置された構造を有し、かかるヘッド１１０の流路構造に対応して、第１の液室１２２Ａと連通するノズル１２０Ａのグループと、第２の液室１２２Ｂと連通するノズル１２０Ｂのグループにグループ化されており、グループごとに液滴の打滴が制御可能に構成されている。
【００６３】
図９は、ヘッド１１０の分解斜視図である。同図に示すヘッド１１０は、複数のプレートが積層された構造を有しており、ノズル１２０（図８参照）が形成されるノズルプレート１３０に、連通路１２４（１２４Ａ，１２４Ｂ）の一部が形成されるスペーサー層１３２が積層される。
【００６４】
さらに、スペーサー層１３２には連通路１２４の一部及び液室１２２（１２２Ａ，１２２Ｂ）が形成される液室プレート１３８が積層される。この液室プレート１３８は、両側の側面に圧電素子１２１（１２１Ａ，１２１Ｂ）が形成される。さらに、液室プレート１３８には液供給路１２６が形成される供給路プレート（不図示）が積層されている。係る構造を有するヘッド１１０をヘッドモジュールとして、複数のヘッドモジュールをｘ方向についてつなぎ合わせて長尺のヘッドを構成してもよい。
【００６５】
本例に示すナノインプリントシステムに適用されるヘッド１１０は、液室を加圧する手段として圧電素子１２１が具備されている。図１０（ａ）は、圧電素子１２１の動作モード（ｄ１５モード、シェアモード）を説明する図であり、図８の縦断面に対応している。図１０（ａ）に示すように、圧電素子１２１は液室１２２と反対側の面に個別電極１４０及び共通電極１４２が設けられている。また、圧電素子１２１は液室１２２から外側へ向かう方向（厚み方向）に分極されており（分極方向を矢印線により図示）、個別電極１４０を正極、共通電極１４２を負極として所定の電界を印加すると液室１２２の内側へ変形する。図１０（ａ）は、静定状態（電界の非印加状態）を実線により図示し、変形状態（電界の印加状態）を破線により図示している。
【００６６】
なお、図１０（ｂ）に示すように、圧電素子１２１’の長くなる方向の変位を利用するｄ３３モードや、図１０（ｃ）に示すように、圧電素子１２１”の短くなる方向の変位を利用するｄ３１モードを用いることも可能である。
【００６７】
例えば、図１０（ｂ）に示す圧電素子１２１’は、液室１２２の外側壁１４４に配設され、液室１２２の外側壁１４４と反対側の面に拘束板１４６が取り付けられた構造を有し、さらに、液室１２２の外側壁１４４に取り付けられる面と直交する面に個別電極１４０’及び共通電極１４２’が設けられる構造を有している。図１０（ｂ）に示す圧電素子１２１’は、個別電極１４０’から共通電極１４２’へ向かう方向の電界が印加されると、圧電素子１２１’が上下方向に伸張して、液室１２２の外側壁１４４が内側に変形する。
【００６８】
図１０（ｃ）に示す圧電素子１２１”を用いる場合は、液室１２２の外側壁１４４側の面に共通電極１４２”が設けられ、共通電極１４２”と反対側の面に個別電極１４０”が設けられる。圧電素子１２１”は、個別電極１４０”から共通電極１４２”へ向かう方向の電界が印加されると、圧電素子１２１”横方向へ短くなり、液室１２２の外側壁１４４が内側に変形する。
【００６９】
図１１は、図１０（ａ）に図示したｄ１５モードの圧電素子１２１を用いる場合における、個別電極１４０及び共通電極１４２の配置を示す平面図である。図１１に示すように、共通電極１４２は櫛歯形状の平面形状を有しており、共通電極１４２の間に個別電極１４０が配置される。個別電極１４０の配置位置は、ノズル１２０の位置に対応している。
【００７０】
図１０（ａ）〜（ｃ）及び図１１に図示された個別電極１４０，１４０’，１４０”及び共通電極１４２，１４２’、１４２”は、不図示のフレキシブル基板を用いてヘッド１１０の外部に引き出され、ヘッドドライバー（図１２に符号１８４を付して図示）と電気的に接続される。
【００７１】
（制御系の説明）
図１２は、ナノインプリントシステム１００におけるレジスト塗布部１０４に関する制御系を示すブロック図である。同図に示すように、当該制御系は、通信インターフェース１７０、システムコントローラ１７２、メモリ１７４、モータドライバー１７６、ヒータドライバー１７８、打滴制御部１８０、バッファメモリ１８２、ヘッドドライバー１８４等を備えている。
【００７２】
通信インターフェース１７０は、ホストコンピュータ１８６から送られてくるレジスト液の配置（塗布分布）を表すデータを受信するインターフェース部である。通信インターフェース７０としては、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＩＥＥＥ１３９４、イーサネット（登録商標）、無線ネットワークなどのシリアルインターフェース、或いは、セントロニクスなどのパラレルインターフェースを適用することができる。この部分には、通信を高速化するためのバッファメモリ（不図示）を搭載してもよい。
【００７３】
システムコントローラ１７２は、通信インターフェース１７０、メモリ１７４、モータドライバー１７６、ヒータドライバー１７８等の各部を制御する制御部である。システムコントローラ１７２は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）及びその周辺回路等から構成され、ホストコンピュータ１８６との間の通信制御、メモリ１７４の読み書き制御等を行うとともに、搬送系のモータ１８８やヒータ１８９を制御する制御信号を生成する。
【００７４】
メモリ１７４は、データの一時記憶領域、及びシステムコントローラ１７２が各種の演算を行うときの作業領域として使用される記憶手段である。通信インターフェース１７０を介して入力されたレジスト液の配置を表すデータはナノインプリントシステム１００に取り込まれ、一旦メモリ１７４に記憶される。メモリ１７４としては、半導体素子からなるメモリの他、ハードディスクなどの磁気媒体を用いることができる。
【００７５】
プログラム格納部１９０には、ナノインプリントシステム１００の制御プログラムが格納される。システムコントローラ１７２はプログラム格納部１９０に格納されている制御プログラムを適宜読み出し、制御プログラムを実行する。プログラム格納部１９０はＲＯＭやＥＥＰＲＯＭなどの半導体メモリを用いてもよいし、磁気ディスクなどを用いてもよい。外部インターフェースを備え、メモリカードやＰＣカードを用いてもよい。もちろん、これらの記憶媒体のうち、複数の記憶媒体を備えてもよい。
【００７６】
モータドライバー１７６は、システムコントローラ１７２からの指示に従ってモータ１８８を駆動するドライバー（駆動回路）である。モータ１８８には、図６の搬送部１０８を駆動するためのモータやモールド１１２を上下動させるためのモータが含まれる。
【００７７】
ヒータドライバー１７８は、システムコントローラ１７２からの指示に従ってヒータ１８９を駆動するドライバーである。ヒータ１８９には、ナノインプリントシステム１００の各部に設けられた温度調節用のヒータが含まれる。
【００７８】
打滴制御部１８０は、システムコントローラ１７２の制御に従い、メモリ１７４内のレジスト液の配置データから打滴制御用の信号を生成するための各種加工、補正などの処理を行う信号処理機能を有し、生成した打滴制御信号をヘッドドライバー１８４に供給する制御部である。打滴制御部１８０において所要の信号処理が施され、該打滴データに基づいてヘッドドライバー１８４を介してヘッド１１０から打滴されるレジスト液の打滴量、打滴位置、ヘッド１１０打滴タイミングの制御が行われる。これにより、所望のレジスト液の液滴の配置（分布）が実現される。
【００７９】
打滴制御部１８０にはバッファメモリ１８２が備えられており、打滴制御部１８０における打滴データ処理時に打滴データやパラメータなどのデータがバッファメモリ１８２に一時的に格納される。なお、図１２では、バッファメモリ１８２は打滴制御部１８０に付随する態様で示されているが、メモリ１７４と兼用することも可能である。また、打滴制御部１８０とシステムコントローラ１７２とを統合して１つのプロセッサで構成する態様も可能である。
【００８０】
ヘッドドライバー１８４は、打滴制御部１８０から与えられる打滴データに基づいてヘッド１１０の圧電素子１２１（図４参照）を駆動するための駆動信号を生成し、圧電素子１２１に生成した駆動信号を供給する。ヘッドドライバー１８４にはヘッド１１０の駆動条件を一定に保つためのフィードバック制御系を含んでいてもよい。
【００８１】
センサ１９２は、ヘッド１１０から打滴された液滴の飛翔状態を検出するために設けられている。センサ１９２の構成例として、発光部（例えば、ストロボ光を発光させるストロボ装置）、及び受光部（例えば、ＣＣＤイメージセンサ等の撮像装置）を備えた構成が挙げられる。かかる光学式センサによって、液滴の飛翔速度、液滴の飛翔方向、液滴の体積等を検出することが可能である。センサ１９２によって得られた情報は、システムコントローラ１７２へ送られ、打滴制御部へフィードバックされる。
【００８２】
カウンター１９４は、ノズル１２０に対して設定されたグループごとに打滴回数をカウントするものである。本例では、打滴データに基づいてグループごとの打滴回数がカウントされ、該カウントデータは所定の記憶部（例えば、メモリ１７４）に記憶される。かかるカウントデータを用いて、グループごとの打滴回数にバラつきが生じないように、各グループの使用頻度が調整される。例えば、第１のノズル１２０Ａのみ、又は第２のグループのみに偏らないように、適宜グループの選択が変更される。
【００８３】
（駆動電圧の説明）
上述したように、本例に示すヘッド１１０はノズル１２０がグループ化されており、第１の液室１２２Ａと連通するノズル１２０Ａ（以下「第１のグループに属するノズル」と記載）と、第２の液室１２２Ｂと連通するノズル１２０Ｂ（以下「第２のグループに属するノズル」と記載）と、を含んでいる。
【００８４】
本例に示すヘッド１１０は、第１のグループに属するノズル１２０Ａに具備される圧電素子１２１（以下、「第１のグループに属する圧電素子」と記載）へ印加される駆動電圧と、第２のグループに属するノズル１２０Ｂに具備される圧電素子１２１（以下、「第２のグループに属する圧電素子」と記載）へ印加される駆動電圧と、を異ならせることが可能である。
【００８５】
図１３は、グループごとに打滴量を変更するために駆動電圧を変更する具体例を説明する図である。図１３の上段は、第１のグループに属する圧電素子へ印加される駆動電圧波形２３０が図示され、下段は第２のグループに属する圧電素子へ印加される駆動電圧波形２３２が図示されている。同図に示す駆動電圧波形２３０，２３２は、圧電素子１２１（図８等参照）を引き‐押し動作させるものであり、駆動電圧波形２３０は最大電圧がＶｏであり、駆動電圧波形２３２は最大電圧がＶｅ（＞Ｖｏ、又はＶｅ＜Ｖｏ）である。
【００８６】
すなわち、グループごとに圧電素子１２１へ印加する駆動電圧の最大値を可変させることができ、該駆動電圧の最大値を相対的に大きくすると相対的に打滴量が大きくなり、該駆動電圧の最大値を相対的に小さくすると相対的に打滴量が小さくなる。かかる駆動電圧の最大値を変更する構成の一例として、図１２に示すヘッドドライバー１８４に、圧電素子１２１（ノズル１２０）に付与されたグループに対応して電圧可変部を備える構成が挙げられる。
【００８７】
駆動電圧の最大値を変更することにより、圧電素子の個体バラつき（厚み、圧電定数、ヤング率等）に伴う吐出量のバラつきを補正することが可能である。また、駆動電圧のパルス幅を調整することによって、圧電素子の個体バラつきに伴うヘッドの共振周波数のバラつきに依存するノズルごとの吐出効率や、ノズルごとの吐出安定性を補正することができ、ヘッド全体として吐出効率や吐出安定性を向上させることができる。
【００８８】
かかる駆動電圧（駆動波形）の変更の具体例として、予めノズルごと（ノズル列ごと）の吐出特性を検査して記憶しておき、該ノズルごと（ノズル列ごと）の吐出特性のデータを参照して駆動電圧を変更する態様が挙げられる。ノズルごとの吐出特性の検査には、後述する「打滴状態の検出」を適用することができる。
【００８９】
（ｘ方向における打滴配置の説明）
次に、レジスト液のｘ方向における打滴配置（打滴ピッチ）について説明する。
【００９０】
第１のグループに属するノズル１２０Ａから打滴を行うときには、第２のグループに属するノズル１２０Ｂは休止しており、第２のグループに属するノズル１２０Ｂから打滴を行うときには、第１のグループに属するノズル１２０Ａは休止している。すなわち、ｘ方向における最小打滴ピッチは、ｘ方向における最小ノズルピッチの２倍（グループごとの最小ノズルピッチ）となっている。例えば、ｘ方向における最小打滴ピッチを４００μｍとしたときに、ｘ方向について直径が５０μｍ程度の液滴を４００μｍピッチで離散的に配置させる構成となっている。さらに、各グループをｎ個（ｎは正の整数）のグループに再グループ化して、最小打滴ピッチを４００／ｎ（μｍ）とすることも可能である。
【００９１】
なお、第１のグループに属するノズル１２０Ａ及び第２のグループに属するノズル１２０Ｂから同時の打滴を行うことも可能である。かかる態様では、最小打滴ピッチは最小ノズルピッチと同一となる。
【００９２】
また、本例に示すヘッド１１０はｘ方向について最小打滴ピッチ未満の範囲で打滴ピッチを微調整することができ、ｘ方向について液滴の打滴密度を細かく可変させることが可能となっている。図１４（ａ），（ｂ）は、ｘ方向における打滴ピッチを微調整する構成の具体例を説明する模式図である。以下に示すｘ方向の打滴ピッチ微調整手段は、ヘッド１１０を基板１０２（図６参照）の液滴が打滴される面と略平行な面内において回転させて、ｘ方向の打滴ピッチを微調整するように構成されている。
【００９３】
図１４（ａ）に示すヘッド１１０は、第１グループのノズル１２０Ａみの（又は、第２グループのノズル１２０Ｂのみ）を図示した図であり、第１グループのノズル１２０Ａは配置ピッチＰｎで等間隔に配置されている。なお、実際には、図示したノズル１２０Ａ間に第２グループのノズル１２０Ｂが配置されている。
【００９４】
このとき、ｘ方向における打滴ピッチＰｄ（図３（ａ）に示すＷｂに対応）はｘ方向のノズル間ピッチＰｎと同一である。図１４（ｂ）に示すように、ヘッド１１０をｘ方向に対して角度δをなすように回転させると、ｘ方向の打滴ピッチはＰｄからＰｄ’（＝Ｐｎ×ｃｏｓδ（但し、０°＜δ＜４５°）へ変更することができる。かかる構成を有するｘ方向の打滴ピッチ微調整手段によって、打滴するノズルを変更せずに、ｘ方向の最小打滴ピッチをＰｄ未満の範囲で微調整することが可能となる。例えば、最小打滴ピッチＰｄ＝４００μｍとしたときに、δ＝２８．９°となるようにヘッド１１０を回転させると、打滴ピッチＰｄ’＝３５０μｍとなる。
【００９５】
図１５は、２つ（複数の）ヘッドモジュール１１０‐１とヘッドモジュール１１０‐２とをｘ方向につなぎ合わせて１つの長尺ヘッドが構成される場合の、ｘ方向の打滴ピッチ微調整手段の構成を模式的に図示した図である。それぞれのヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２を回転させるとともに、ヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２間のつなぎ部分における打滴ピッチがＰｄ’になるように、いずれかのヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２をｘ方向にΔｘだけ移動させる。なお、両方のヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２をｘ方向に移動させてもよい。
【００９６】
すなわち、複数のヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２をｘ方向につなぎ合わせて長尺ヘッドを構成する態様では、ヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２ごとにｘｙ平面内において回転させる回転機構が備えられるとともに、隣接するヘッドモジュール１１０‐１，１１０‐２間のｘ方向の相対的な距離を可変させるｘ方向移動機構が備えられる。
【００９７】
なお、図１４（ａ），（ｂ）、図１５に示す態様では、ヘッド１１０の略中心を通る回転軸についてヘッド１１０を回転させる態様を例示したが、ヘッド１１０の端部を通る回転軸についてヘッド１１０を回転させてもよい。また、ヘッド１１０を回転させる具体的な構成例として、回転軸に取り付けられたモータ（ギア及びモータ）と、回転軸について回転可能にヘッド１１０を支持するヘッド支持機構と、を具備する構成が挙げられる。
【００９８】
かかる構造を有するｘ方向の打滴ピッチ微調整手段は、ｘ方向の打滴ピッチＰｄを微調整すると、ｙ方向の打滴ピッチも変わってしまうので、ｘ方向の微調整量に応じてｙ方向の打滴ピッチも微調整しなければならない。ｙ方向の打滴ピッチの微調整は以下に説明する方法を用いることが可能である。
【００９９】
（ｙ方向における打滴配置の説明）
次に、ｙ方向の打滴配置及びｙ方向の打滴ピッチの微調整の具体例について説明する。本例に示すヘッド１１０はｘ方向の全幅について、一回の打滴タイミングにおいて一度に打滴が可能である。かかる構造によって、ヘッド１１０と基板１０２とを一回だけ相対的に移動させることで、基板１０２の全域に液滴を打滴することが可能である。
【０１００】
固定されたヘッド１１０に対して基板１０２をｙ方向へ一定速度で移動させるときに、ｙ方向の最小打滴ピッチは、（最小打滴周期）×（基板１０２の移動速度）となっている。すなわち、打滴するノズルを変更せずに、ｙ方向の打滴ピッチは打滴周期のｍ倍（ｍは正の整数）ごとに調整することが可能である。また、基板１０２の移動速度を大きくするとｙ方向の打滴ピッチは大きくなり、基板１０２の移動速度を小さくするとｙ方向の打滴ピッチは小さくなる。
【０１０１】
さらに、本例に示すヘッド１１０は、ｙ方向についても（最小打滴周期）×（基板の移動速度）未満の範囲で、打滴ピッチを微調整するための打滴ピッチ微調整手段を具備している。
【０１０２】
図１６の上段は、ｙ方向について標準の打滴ピッチで打滴を行う場合の駆動電圧波形２４０である。駆動電圧波形２４０は圧電素子１２１（図８等参照）に引き‐押し動作をさせるものであり、メニスカス静定波形２４２が付与されている。また、図１６の下段は、ｙ方向について打滴ピッチの微調整を行う場合の駆動電圧波形２４４であり、駆動電圧波形２４０と同様に、圧電素子１２１に引き‐押し‐引き動作をさせるものであり、メニスカス静定波形２４６が付与されている。
【０１０３】
下段に図示した駆動電圧波形２４４は、上段に図示した駆動電圧波形２４０に所定の遅延時間が付加されており、遅れ位相となっている。したがって、駆動電圧波形２４４の圧電素子１２１を押し動作させる波形要素（立下り部）２４４Ａの終了タイミングｔＢが、駆動電圧波形２４０の圧電素子１２１を押し動作させる波形要素（立下り部）２４０Ａの終了タイミングｔＡよりも遅れている。このように駆動電圧波形を変更して吐出タイミングを微調整することで、ｙ方向における打滴ピッチの微調整が可能となる。
【０１０４】
さらに、図１６の下段に示す駆動電圧のように、遅延時間を付加して位相を変更することで、圧電素子の個体バラつき（厚み、圧電定数、ヤング率等）に伴う吐出量のバラつきを補正することが可能となり、圧電素子の個体バラつきに伴うヘッドの共振周波数のバラつきに依存するノズルごとの吐出効率のバラつきやノズルごとの吐出安定性のバラつきが均一化される。
【０１０５】
図１７は、標準の駆動電圧に遅延時間（ディレイ）を付加するための構成を示すブロック図である。同図に示す駆動信号生成部４００は、ノズル１２０ごとの駆動波形を生成する波形生成部４０４と、ｘ方向の打滴ピッチを変更する際の遅延時間をノズルごとに算出するディレイデータ生成部４０５と、ディレイデータ生成部４０５により生成された遅延時間を駆動波形データに加算する加算部４０７と、デジタル形式の駆動波形データをアナログ形式に変換するＤ／Ａコンバータ４０９と、アナログ形式の駆動波形に電圧増幅処理及び電流増幅処理を施す増幅部４０６と、を備えている。
【０１０６】
打滴データに基づいて、スイッチＩＣ４１４のスイッチ素子４１６をオンオフさせることで各ノズルに対応する圧電素子１２１を動作させると、所望のノズルからレジスト液が打滴される。
【０１０７】
また、図１８に示すように複数のアナログ波形（ＷＡＶＥ１〜３）を準備しておき、イネーブル信号によって複数のアナログ波形の中から１つを選択するように構成してもよい。なお、かかる構成はｙ方向の打滴ピッチ微調整手段として、ｘ方向の打滴ピッチ微調整手段とは独立して動作させることが可能である。
【０１０８】
図１９（ａ）は、ｙ方向の打滴ピッチの微調整前の基板１０２上の打滴位置を示す図であり、図１９（ｂ）は、ｙ方向の打滴ピッチの微調整後の基板１０２上の打滴位置を示す図である。図１９に示すように、Ｐｙ＜Ｐｙ’＜２×Ｐｙとなっており、微調整後のｙ方向の打滴ピッチＰｙ’は、ｙ方向の最小打滴ピッチＰｙ未満の範囲で調整されている。なお、図１９（ｂ）において破線で図示した打滴位置は図１９（ａ）に図示した微調整前の打滴位置を示している。
【０１０９】
上述したｘ方向及びｙ方向の打滴ピッチの微調整は、レジスト液の配置（塗布分布）のデータや、揮発性などの液物性に基づいて行われる。すなわち、基板に形成される微細パターンに対応するレジスト液の打滴データに応じて、標準よりも多く液滴を必要とする場合は、打滴ピッチが小さくなるように変更され、レジスト液はより密に塗布される。一方、標準よりも液滴量を必要としない場合は、打滴ピッチが大きくなるように変更され、レジスト液はより疎に塗布される。打滴ピッチの変更に対応して、レジスト液の打滴量を上記のように変えてもよい。また、図３及び図４を用いて説明したモールドパターンによる濡れ拡がりの異方性を考慮した打滴配置に基づいて、ｘ方向及びｙ方向の打滴ピッチの微調整を行うことが好ましい。
【０１１０】
（打滴検出の説明）
次に、ヘッド１１０の打滴検出について説明する。図２０に示すように、本例に示すヘッド１１０は打滴状態を検出するためのセンサ１９２が設けられている。図２０（ａ）は、ヘッド１１０とセンサ１９２との配置関係を模式的に表した図であり、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）に示すヘッド１１０及びセンサ１９２をヘッド１１０の短手方向の端部から見た図である。
【０１１１】
図２０（ａ）に示すように、ヘッド１１０をはさんで、ヘッド１１０の短手方向における一方の側に発光部１９２Ａが配置され、他方の側に受光部１９２Ｂが配置されている。ヘッド１１０に設けられるノズル１２０は、ヘッド１１０の打滴面から見た開口の平面形状が略正方形であり、センサ１９２の観察方向（実線の矢印線により図示）は該正方形の対角線（破線の矢印線により図示）とのなす角度が略４５°となっている。
【０１１２】
本例に適用される略正方形形状の開口を有するノズルは、頂角が特異点となるために液滴は対角線の方向へ飛翔曲がりが発生するので、かかる飛翔曲がりが発生する方向（すなわち、対角線の方向）に対して略４５°をなす方向について液滴を観察することで、得られた検出信号を解析することで、飛翔速度、飛翔曲がり、体積を把握することができる。
【０１１３】
〔ノズルプレートの説明〕
（ノズルプレートの製造方法）
次に、図８等に図示した開口の平面形状が略正方形形状のノズル１２０の製造方向について説明する。図２１（ａ）〜（ｈ）は、ノズル１２０を有するノズルプレート１３０を形成するための各工程を模式的図示した説明図である。
【０１１４】
本例に示すヘッド１１０に適用されるノズルプレート１３０（図９参照）は、単結晶のシリコンウエハに対して異方性エッチング処理が施されて形成されたものである。図２１（ａ）に示すシリコンウエハ３００は、結晶方向（１００）のＰ型又はＮ型の表面が研磨処理されたものである。図２１（ｂ）に示すように、シリコンウエハ３００の表面に処理温度１０００℃で酸化処理が施され、厚さ４５００Åの酸化膜（ＳｉＯ２）３０２が形成される。
【０１１５】
次に、図２１（ｃ）に示すように、酸化膜３０２の上にレジスト層３０４が形成され、開口パターン３０６がレジスト層３０４に露光され、現像される（図２１（ｄ））。次に、開口パターン３０６の酸化膜３０２が除去されるとともに、レジスト層３０４が除去される（図２１（ｅ））。レジスト層３０４及び開口パターン３０６の酸化膜３０２が除去されたシリコンウエハ３００は、１００℃〜１２０℃のエッチング溶液中に浸漬され、一方の面から他方の面に向かって開口面積が小さくなる形状（断面形状が略三角形形状）を有する穴３０８が形成される（図２１（ｆ））。
【０１１６】
次に、酸化膜３０２が除去された後に（図２１（ｇ）、酸化処理が施されて穴３０８の内部、及びシリコンウエハ３００の表面に酸化膜３１０が形成される（図２１（ｈ））。
【０１１７】
図２２（ａ）は、上述した製造方向を用いて形成されたノズル１２０（図８参照）を、内部側から見た平面図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の一部拡大図（斜視図）である。図２２（ａ）に示すように、ノズル１２０となる穴３０８の開口３１２，３１４は略正方形形状を有している。開口３１４は、ヘッド１１０に取り付けたときにノズル１２０の開口となる。図２２（ａ），（ｂ）に示すように、ノズル１２０となる穴３０８は、先端を切り取った略四角錐形状を有している。
【０１１８】
かかる製造方法を用いて製造されたノズルプレート１３０は、大きさや形状のバラつきのない好ましいノズル１２０が形成されたものである。
【０１１９】
（撥液処理（撥液膜）の説明）
次に、ノズルプレートの撥液処理（撥液膜）について説明する。ノズルプレート１３０（図８参照）の液滴吐出面は、吐出の安定性を確保するために所定の性能を有する撥液処理が施される。
【０１２０】
図２３は、ノズルプレート１３０に形成される撥液膜の特性による吐出特性の違いを示す実験データである。当該データを得た評価実験は、所定のインクジェットヘッドに形成された撥液膜を酸素プラズマにより強制的に劣化させて当該撥液膜の接触角を変化させ、吐出状態を観察した。接触角の測定は、接触角計ＦＴＡ１０００（ＦＴＡ社製）を使用し、接線法、拡張収縮法を用いて行った。
【０１２１】
図２３中、「静的」欄は静的接触角の値であり、この値は接線法で求められた接触角である。すなわち、後述する〔実施例〕に記載されている「レジスト組成物Ｒ１Ａ」をノズルプレート１３０に滴下して、ノズルプレート１３０上の液滴の画像の輪郭形状を円の一部と仮定して円の中心を求め、円の接線と直線でなす角度を静的接触角としている。また、「前進」欄は前進接触角の値であり、「後退」欄は後退接触角の値である。これらの値は、拡張収縮法により求められた接触角である。固体表面に接した液滴を、膨らませたときに、接触角が安定したときの接触角を前進接触角とし、固体表面に接した液滴を吸引しながら収縮させて、接触角が安定したときの接触角を後退接触角としている。
【０１２２】
図２３に示すように、条件１，２は打滴周波数１０ｋＨｚにおいて良好な打滴状態が観察され、ノズル面（吐出面）は乾燥状態であった。一方、条件３，４はそれぞれ打滴周波数５ｋＨｚ、１０ｋＨｚで飛翔曲がりが発生し、ノズル面の全面が液滴（液体）で濡れた状態であった。
【０１２３】
撥液膜は、フッ素系樹脂が利用可能である。フッ素系樹脂の材料としては、主鎖に「‐ＣＦ２‐」を含み、末端基が「‐ＣＦ３」のフルオロカーボン樹脂、主鎖に「‐ＳｉＦ２‐」を含み、末端基が「‐ＳｉＦ３」のフルオロシリコーン樹脂、もしくは、これらフルオロカーボン樹脂およびフルオロシリコーン樹脂のフッ素原子の一部を水素原子で置換したハイドロフルオロカーボン樹脂、ハイドロフルオロシリコーン樹脂等の従来公知の各種のフッ素系樹脂が利用可能である。
【０１２４】
より具体的には、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンヘキサフルオロプロピレン共重合体）、ＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレン共重合体）等のフッ素系樹脂を一例として挙げることができる。また、この中でも、ＰＴＦＥは特に好ましい例として示すことができる。
【０１２５】
また、撥液膜として、１つの端が「‐ＣＦ３」基で終結され、第２の端が「‐ＳｉＣｌ３」基で終結される炭素鎖を含む前駆物質分子が用いることができる。シリコン表面に付着する適切な前駆物質として、トリデカフルオロ−１，１，２，２‐テトラヒドロオクチルトリクロロシラン（ＦＯＴＳ）、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ‐ペルフルオロデシルトリクロロシラン（ＦＤＴＳ)が挙げられる。
【０１２６】
撥液膜に劣化が生じると、図２３に示すように吐出特性に変化が生じるので、撥液膜の状態を定期的に把握する手段を備え、撥液膜に劣化が見られるノズルが属するグループは使用しないように、ソフトウエア上でマスク処理等をすることが可能である。
【０１２７】
上記の如く構成されたナノインプリントシステム１００によれば、ヘッド１１０に具備されるノズル１２０がグループ化され、グループごとに打滴が制御されるので、グループごとの固体差（ノズルごとの吐出特性のバラつき、圧電素子ごとのバラつき）を制御することができ、該固体差に起因して残膜の厚み（残渣）が不均一になることがない。したがって、打滴された液滴により形成された膜の厚みが安定しているので、基板のエッチング工程における条件が安定し、基板には好ましい微細パターンが形成される。
【０１２８】
また、ノズルの配列方向と略平行のｘ方向、及びノズルの配列方向と略直交するｙ方向について、離散的レジスト液滴を配置させる構成において、ｘ方向、ｙ方向のいずれか、又はｘ方向及びｙ方向の両方の打滴ピッチを、最小打滴ピッチ未満の範囲で微調整する構成を具備するので、打滴パターンや揮発性等の液物性に応じて液滴の打滴密度を精密に、かつ、簡易に変更することができる。
【０１２９】
さらに、グループごとの打滴回数を計測するカウンター１９４を具備し、グループごとに打滴回数が計測され、計測結果に対応して打滴を行うグループが選択されるので、特定のグループの打滴頻度が高くなることが防止され、ヘッド１１０の耐久性が向上する。
【０１３０】
さらにまた、打滴状態を検出するためのセンサ１９２を具備し、検出結果に基づいて液滴の飛翔方向曲がりや液滴量の異常を把握することができるので、打滴状態の異常に応じてグループを選択することが可能となり、ヘッドの吐出特性が安定する。
【０１３１】
なお、本例では、基板上にレジスト液による微細パターンを形成するナノインプリントシステムを例示したが、上述した構成を一体的な装置（ナノインプリント装置）とすることも可能である。また、インクジェット方式により基板上に溶液を離散的に配置させる液体塗布装置として構成することも可能である。
【０１３２】
〔応用例〕
次に、本発明の応用例について説明する。上述した実施形態では、基板上に微細パターンを形成する手法としてナノインプリント法を適用した例を説明したが、ナノインプリント法を用いて石英モールドを形成することが可能である。
【０１３３】
（石英モールドの作製）
石英モールドは、図１（ａ）〜（ｆ）に図示した石英基板の微細パターン形成方法を適用して作製することが可能である。すなわち、上記した実施形態に係るナノインプリントシステム、方法を適用して石英モールドを作製することができる。かかる石英モールドを作製する際に、以下に作成方法を示すＳｉモールドが好適に用いられる。
【０１３４】
（Ｓｉモールドの作製）
上述した実施形態で使用されるＳｉモールドは、図２４（ａ）〜（ｅ）に示す手順により製造することができる。まず、図２４（ａ）に示すＳｉ基材３６０にシリコン酸化膜３６２を形成し、図２４（ｂ）に示すように、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層３６４を形成する。その後、図２４（ｃ）に示すように、Ｓｉ基材３６０にレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト層３６４の表面に所定のパターンを露光する。
【０１３５】
その後、図２４（ｄ）に示すように、フォトレジスト層３６４を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、所定のパターンを有するＳｉモールドを得る。
【０１３６】
本発明のナノインプリント方法で用いられるモールドは、光硬化性樹脂とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコン系やフッ素系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸや、住友スリーエム（株）製のＮｏｖｅｃ ＥＧＣ-１７２０等、市販の離型剤も好適に用いることができる。図２４（ｅ）に離型層３６６が形成されたＳｉモールドを図示する。
【０１３７】
〔光硬化性樹脂液の説明〕
次に、本例に示すナノインプリントシステムに適用される光硬化性樹脂液の一例として、レジスト組成物（以下、単に「レジスト」と記載することがある。）について詳細に説明する。
【０１３８】
レジスト組成物は、一種以上のフッ素を含む界面活性剤（含フッ素界面活性剤）と重合性化合物と、光重合開始剤Iとを少なくとも含有するインプリント用硬化性組成物である。
【０１３９】
レジスト組成物には、機能として多官能重合性基を有することによる架橋性の発現を狙い、又は炭素密度を高める、又は結合エネルギーの総量を高める、又は硬化後の樹脂中に含まれるＯ、Ｓ、Ｎ、等の電気陰性度が高い部位の含有率を抑制する等によりエッチング耐性を向上させる目的で重合性官能基を有する１官能以上のモノマー成分を含んでもよく、更に、必要に応じて、基板とのカップリング剤、揮発性溶剤、酸化防止剤等を含んでもよい。
【０１４０】
基板とのカップリング剤としては、前述の基板の密着処理剤と同様の材料を用いることができる。含有量としては、基板とレジスト層との界面に配置する程度に含有していれば良く、１０質量％以下であれば良く、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更により好ましく、０．５質量％以下であることが最も好ましい。
【０１４１】
レジスト組成物の粘度は、モールド１１２（図６参照）に形成されたパターンへのレジスト組成物中の固形分（揮発溶剤成分を除いた成分）の入り込みと、モールド１１２への濡れ広がり性の観点から、固形分の粘度は、１０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、２０ｍＰａ・ｓ以下であることが更により好ましい。しかしながら、インクジェット方式を利用する場合は、室温またはヘッドで吐出時に温度制御可能であればその温度範囲内にて２０ｍＰａ・ｓ以下となることが好ましく、またレジスト組成物の表面張力が２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下の範囲、さらに２４ｍＮ／ｍ以上、３６ｍＮ／ｍ以下となることが、インクジェットでの吐出安定性を確保する観点で好ましい。
【０１４２】
（重合性化合物）
レジスト組成物の主成分となる重合性化合物としては、以下の〔数１〕で示される化合物中のフッ素含有率が５％以下であるか、またはフルオロアルキル基またはフルオロアルキルエーテル基を実質的に含まない重合性化合物であることとする。
【０１４３】
【数１】
0005489887.tif 000002
【０１４４】
重合性化合物としては、硬化後のパターンの精度及びエッチング耐性等の品質の良好なものであることが好ましい。かかる重合性化合物としては、重合により架橋して三次元構造を有する重合体となる多官能単量体を含むことが好ましく、多官能単量体は、少なくとも１つの２価又は３価の芳香族基を有するものであることが好ましい。
【０１４５】
硬化（重合）後に三次元構造を有するレジストの場合は、硬化処理後の形状維持性が良く、モールド剥離時にモールドとレジストとの付着力によって、レジストにかかる応力がレジスト構造体の特定エリアに集中し、パターンが塑性変形することが抑制される。
しかしながら、重合後に三次元構造を有する重合体となる多官能モノマーの比率や、重合後に三次元架橋を形成する部位の密度が上昇すると、硬化後のヤング率が大きくなって変形性が低下し、また膜の脆性が悪化するため、モールド剥離時に破断しやすくなってしまうことが懸念される。特にパターンサイズが３０ｎｍ幅以下でパターンアスペクト比が２以上のパターンを残膜厚みが１０ｎｍ以下となる態様では、ハードディスクパターンや半導体パターンなどの広エリアでの形成を試みた場合に、パターンの剥がれやもげが発生する確率が大きくなると考えられる。
【０１４６】
従って、多官能単量体は、重合性化合物中に１０質量％以上含有されることが好ましく、２０質量％以上含有されることがより好ましく、３０質量％以上含有されることが更に好ましく、４０質量％以上であることが最も好ましいことを見出した。
【０１４７】
また、次式〔数２〕で表される架橋密度が０．０１個／ｎｍ２以上１０個／ｎｍ２以下であることが好ましく、０．１個／ｎｍ２以上６個／ｎｍ２以下であることがより好ましく、０．５個／ｎｍ２以上５．０個／ｎｍ２以下であることがもっとも好ましいことを見出した。組成物の架橋密度は、各分子の架橋密度を求め、更に重量平均より求めるか、または組成物の硬化後密度を測定し、Ｍｗ、および（Ｎf−１）についてそれぞれの値を重量平均した値と次式〔数２〕より求める。
【０１４８】
【数２】
0005489887.tif 000003
【０１４９】
但し、Ｄａは１分子の架橋密度、Ｄｃは硬化後密度、Ｎｆはモノマー１分子中に含まれるアクリレート官能基数、Ｎａはアボガドロ定数、Ｍｗは分子量である。
【０１５０】
重合性化合物の重合性官能基としては、特に制限されないが、反応性及び安定性が良好であることから、メタクリレート基、アクリレート基が好ましく、アクリレート基がより好ましい。
【０１５１】
ドライエッチング耐性は、レジスト組成物の大西パラメータ及びリングパラメータにより評価することができる。大西パラメータが小さく、また、リングパラメータが大きいものほどドライエッチング耐性に優れる。本発明において、レジスト組成物は、大西パラメータが４．０以下、好ましくは３．５以下、より好ましくは３．０以下となるように、また、リングパラメータが０．１以上、好ましくは０．２以上、より好ましくは０．３以上となるものを好適としている。
【０１５２】
上記各パラメータは、レジスト組成物を構成する揮発溶剤成分以外の構成物質について、構造式を元に後述の計算式を用いて算出された材料パラメータ値を、組成重量比を元に組成物全体で平均化した値として求める。従って、レジスト組成物の主成分である重合性化合物についても、レジスト組成物中のその他の成分、及び上記パラメータを考慮して選択することが好ましい。
【０１５３】
大西パラメータ＝（化合物中の総原子数）／｛（化合物中の炭素原子数）−（化合物中の酸素原子数）｝
リングパラメータ＝（環構造を形成する炭素質量）／（化合物の全質量）
重合性化合物としては、以下に示す重合性単量体、及びかかる重合性単量体が数単位重合したオリゴマー等が挙げられる。パターン形成性とエッチング耐性の観点から、重合性単量体（Ａｘ）、及び特開２００９−２１８５５０号公報明細書の段落〔００３２〕〜〔００５３〕に記載の化合物のうちの少なくとも１種類以上を含むことが好ましい。
【０１５４】
（重合性単量体（Ａｘ））
重合性単量体（Ａｘ）は、以下の〔化１〕に示す一般式（Ｉ）で表される。
【０１５５】
【化１】
0005489887.tif 000004
【０１５６】
なお、上記〔化１〕に示す一般式（Ｉ）中、Ａｒは置換基を有していてもよい２価または３価の芳香族基を表し、Ｘは単結合または有機連結基を表し、Ｒ1は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表し、ｎは２または３を表す。
【０１５７】
上記の一般式（Ｉ）中、Ａｒとしては、ｎ＝２のときは２価の芳香族基（すなわちアリーレン基）を表し、ｎ＝３のときは３価の芳香族基を表す。アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基などの炭化水素系アリーレン基；インドール、カルバゾールなどが連結基となったヘテロアリーレン基などが挙げられ、好ましくは炭化水素系アリーレン基であり、さらに好ましくは粘度、エッチング耐性の観点からフェニレン基である。アリーレン基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アミド基、スルホンアミド基が挙げられる。
【０１５８】
Ｘの有機連結基としては、鎖中にヘテロ原子を含んでいてもよいアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基が挙げられる。その中でも、アルキレン基、オキシアルキレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。Ｘとしては、単結合またはアルキレン基であることが特に好ましい。
【０１５９】
Ｒ1は、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。Ｒ1が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、特に制限はないが、例えば水酸基、ハロゲン原子（フッ素を除く）、アルコキシ基、アシルオキシ基を挙げることができる。ｎは２または３であり、好ましくは２である。
【０１６０】
重合性単量体（Ａｘ）は、以下の〔化２〕に示す一般式（Ｉ−ａ）、又は一般式（Ｉ−ｂ）で表される重合性単量体であることが、組成物粘度を低下させる観点から好ましい。
【０１６１】
【化２】
0005489887.tif 000005
【０１６２】
なお、上記の一般式（Ｉ−ａ）、Ｉ−ｂ）中、Ｘ1、Ｘ2は、それぞれ独立に単結合または炭素数１〜３の置換基を有していてもよいアルキレン基を表し、Ｒ1は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
【０１６３】
一般式（Ｉ−ａ）中、前記Ｘ1は、単結合またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが粘度低減の観点からより好ましい。Ｘ2の好ましい範囲は、前記Ｘ1の好ましい範囲と同様である。
【０１６４】
Ｒ1は上記の一般式（Ｉ）におけるとＲ1と同義であり、好ましい範囲も同様である。重合性単量体（Ａｘ）は２５℃において液体であると、添加量を増やした際にも異物の発生が抑制でき好ましい。重合性単量体（Ａｘ）は２５℃における粘度が７０ｍＰａ・ｓ未満であることがパターン形成性の観点から好ましく、５０ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、３０ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。
【０１６５】
以下の〔化３〕に好ましい重合性単量体（Ａｘ）の具体例を示す。Ｒ1は一般式（Ｉ）におけるＲ1と同義である。Ｒ1としては硬化性の観点から、水素原子が好ましい。
【０１６６】
【化３】
0005489887.tif 000006
【０１６７】
これらの中でも、以下の〔化４〕に示す化合物が２５℃において液体であり、かつ、低粘度で、さらに良好な硬化性を示し、特に好ましい。
【０１６８】
【化４】
0005489887.tif 000007
【０１６９】
レジスト組成物においては、組成物粘度、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良の観点から、必要に応じて重合性単量体（Ａｘ）と、以下に説明する重合性単量体（Ａｘ）とは異なる他の重合性単量体と、を併用することが好ましい。
【０１７０】
（他の重合性単量体）
他の重合性単量体としては、例えば、エチレン性不飽和結合含有基を１〜６個有する重合性不飽和単量体；オキシラン環を有する化合物（エポキシ化合物）；ビニルエーテル化合物；スチレン誘導体；フッ素原子を有する化合物；プロペニルエーテルまたはブテニルエーテル等を挙げることができ、硬化性の観点から、エチレン性不飽和結合含有基を１〜６個有する重合性不飽和単量体が好ましい。
【０１７１】
これらの他の重合性単量体のうち、インプリント適性とドライエッチング耐性、硬化性、粘度等の観点から、特開２００９−２１８５５０号公報明細書の段落〔００３２〕〜〔００５３〕に記載の化合物をより好ましく含むことが出来る。更に他に含むことが出来る前記エチレン性不飽和結合含有基を１〜６個有する重合性不飽和単量体（１〜６官能の重合性不飽和単量体）について説明する。
【０１７２】
まず、エチレン性不飽和結合含有基を１個有する重合性不飽和単量体（１官能の重合性不飽和単量体）としては具体的に、２−アクリロイロキシエチルフタレート、２−アクリロイロキシ２−ヒドロキシエチルフタレート、２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタレート、２−アクリロイロキシプロピルフタレート、２−エチル−２−ブチルプロパンジオールアクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルカルビトール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、アクリル酸ダイマー、ベンジル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチル（メタ）アクリレート、ブタンジオールモノ（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性（以下「ＥＯ」という。）クレゾール（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシ化フェニル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロヘンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン（以下「ECH」という）変性フェノキシアクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ＥＯ変性コハク酸(メタ)アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、ＥＯ変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリドデシル(メタ)アクリレート、ｐ−イソプロペニルフェノール、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、が例示される。
【０１７３】
これらの中で特に、芳香族構造および／または脂環炭化水素構造を有する単官能（メタ）アクリレートがドライエッチング耐性を改善する観点から好ましい。具体例ベンジル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレートが好ましく、ベンジル（メタ）アクリレート、が特に好ましい。
【０１７４】
他の重合性単量体として、エチレン性不飽和結合含有基を２個有する多官能重合性不飽和単量体を用いることも好ましい。好ましく用いることのできるエチレン性不飽和結合含有基を２個有する２官能重合性不飽和単量体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリル化イソシアヌレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド（以後「ＰＯ」という。）変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジ（メタ）アクリレート、ポリ（エチレングリコール−テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリ（プロピレングリコール−テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリエステル（ジ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、シリコーンジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリグリセロールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素が例示される。
【０１７５】
これらの中で特に、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等が本発明に好適に用いられる。
【０１７６】
エチレン性不飽和結合含有基を３個以上有する多官能重合性不飽和単量体の例としては、ＥＣＨ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１７７】
これらの中で特に、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が本発明に好適に用いられる。
【０１７８】
オキシラン環を有する化合物（エポキシ化合物）としては、例えば、多塩基酸のポリグリシジルエステル類、多価アルコールのポリグリシジルエーテル類、ポリオキシアルキレングリコールのポリグリシジルエーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエテーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエーテル類の水素添加化合物類、ウレタンポリエポキシ化合物およびエポキシ化ポリブタジエン類等を挙げることができる。これらの化合物は、その一種を単独で使用することもできるし、また、その二種以上を混合して使用することもできる。
【０１７９】
オキシラン環を有する化合物（エポキシ化合物）の具体例として、例えばビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、１,４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類；エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの脂肪族多価アルコールに１種または２種以上のアルキレンオキサイドを付加することにより得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル類；脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステル類；脂肪族高級アルコールのモノグリシジルエーテル類；フェノール、クレゾール、ブチルフェノールまたはこれらにアルキレンオキサイドを付加して得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル類；高級脂肪酸のグリシジルエステル類などが挙げられる。
【０１８０】
これらの中で特に、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、１,４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテルおよびポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルが好ましい。
【０１８１】
グリシジル基含有化合物として好適に使用できる市販品としては、ＵＶＲ−６２１６（ユニオンカーバイド社製）、グリシドール、ＡＯＥＸ２４、サイクロマーＡ２００、（以上、ダイセル化学工業（株）製）、エピコート８２８、エピコート８１２、エピコート１０３１、エピコート８７２、エピコートＣＴ５０８（以上、油化シェル（株）製）、ＫＲＭ−２４００、ＫＲＭ−２４１０、ＫＲＭ−２４０８、ＫＲＭ−２４９０、ＫＲＭ−２７２０、ＫＲＭ−２７５０（以上、旭電化工業（株）製）などを挙げることができる。これらは、１種単独で、または２種以上組み合わせて用いることができる。
【０１８２】
また、これらのオキシラン環を有する化合物はその製法は問わないが、例えば、丸善ＫＫ出版、第四版実験化学講座２０有機合成II、２１３〜、平成４年、Ed.by Alfred Hasfner,The chemistry ofheterocyclic compounds−Small RingHeterocycles part3 Oxiranes,John & Wiley and Sons,AnInterscience Publication,New York,1985、吉村、接着、２９巻１２号、３２、１９８５、吉村、接着、３０巻５号、４２、１９８６、吉村、接着、３０巻７号、４２、１９８６、特開平１１−１００３７８号公報明細書、特許第２９０６２４５号公報明細書、特許第２９２６２６２号公報明細書などの文献を参考にして合成できる。
【０１８３】
本発明で用いる他の重合性単量体として、ビニルエーテル化合物を併用してもよい。ビニルエーテル化合物は公知のものを適宜選択することができ、例えば、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ブタンジオール−１，４−ジビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−ブタンジオールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラエチレンビニルエーテル、１，１，１−トリス〔４−（２−ビニロキシエトキシ）フェニル〕エタン、ビスフェノールＡジビニロキシエチルエーテル等が挙げられる。
【０１８４】
これらのビニルエーテル化合物は、例えば、Stephen.C.Lapin,Polymers Paint Colour Journal.179(4237)、321(1988)に記載されている方法、即ち多価アルコールもしくは多価フェノールとアセチレンとの反応、または多価アルコールもしくは多価フェノールとハロゲン化アルキルビニルエーテルとの反応により合成することができ、これらは１種単独あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１８５】
また、他の重合性単量体としては、スチレン誘導体も採用できる。スチレン誘導体としては、例えば、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、β−メチルスチレン、ｐ−メチル−β−メチルスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メトキシ−β−メチルスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、等を挙げることができる。
【０１８６】
また、モールドとの剥離性や塗布性を向上させる目的で、トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、（パーフルオロブチル）エチル(メタ)アクリレート、パーフルオロブチル−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、（パーフルオロヘキシル）エチル(メタ)アクリレート、オクタフルオロペンチル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート等のフッ素原子を有する化合物も併用することができる。
【０１８７】
他の重合性単量体としては、プロペニルエーテルおよびブテニルエーテルを用いることもできる。前記プロペニルエーテルまたはブテニルエーテルとしては、例えば１−ドデシル−１−プロペニルエーテル、１−ドデシル−１−ブテニルエーテル、１−ブテノキシメチル−２−ノルボルネン、１−４−ジ（１−ブテノキシ）ブタン、１，１０−ジ（１−ブテノキシ）デカン、１，４−ジ（１−ブテノキシメチル）シクロヘキサン、ジエチレングリコールジ（１−ブテニル）エーテル、１，２，３−トリ（１−ブテノキシ）プロパン、プロペニルエーテルプロピレンカーボネート等が好適に適用できる。
【０１８８】
（含フッ素界面活性剤）
【０１８９】
本例に示すインプリントシステムでは、含フッ素界面活性剤は、レジストパターンの一部となるため、良好なパターン形成性、硬化後のモールド離型性及びエッチング耐性の良好なレジスト特性を有するものであることが好ましい。
【０１９０】
含フッ素界面活性剤の含有量は、レジスト組成物中、例えば、０．００１質量％以上５質量％以下であり、好ましくは０．００２質量％以上４質量％以下であり、さらに好ましくは、０．００５質量％以上３質量％以下である。２種類以上の界面活性剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。界面活性剤が組成物中０．００１質量％以上５質量％以下の範囲にあると、塗布の均一性の効果が良好であり、界面活性剤の過多によるモールド転写特性の悪化や、インプリント後のエッチング工程におけるエッチング適性の劣化を招きにくい。
【０２２１】
（重合開始剤Ｉ）
重合開始剤Ｉとしては、レジスト組成物を硬化させる際に用いる光Ｌ１により活性化してレジスト組成物に含まれる重合性化合物の重合を開始する活性種を発生するものであれば特に制限されない。重合開始剤Ｉとしては、ラジカル重合開始剤が好ましい。また、本発明において、重合開始剤Ｉは複数種を併用してもよい。
【０２２２】
重合開始剤Ｉとしては、アシルホスフィンオキシド系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましく、例えば、特開平２００８−１０５４１４号公報明細書の段落〔００９１〕に記載のものを好ましく採用することができる。
【０２２３】
重合開始剤Ｉの含有量は、溶剤を除く全組成物中、例えば、０．０１質量％以上１５質量％以下であり、好ましくは０．１質量％以上１２質量％以下であり、さらに好ましくは０．２質量％以上７質量％以下である。２種類以上の光重合開始剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。
【０２２４】
光重合開始剤の含有量が０．０１質量％以上であると、感度(速硬化性)、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が向上する傾向にあり好ましい。一方、光重合開始剤の含有量を１５質量％以下とすると、光透過性、着色性、取り扱い性などが向上する傾向にあり、好ましい。
【０２２５】
これまで、染料および／または顔料を含むインクジェット用組成物や液晶ディスプレイカラーフィルタ用組成物においては、好ましい光重合開始剤の添加量が種々検討されてきたが、インプリント用等の光インプリント用硬化性組成物についての好ましい光重合開始剤の添加量については報告されていない。すなわち、染料および／または顔料を含む系では、開始剤がラジカルトラップ剤として働くことがあり、光重合性、感度に影響を及ぼす。その点を考慮して、これらの用途では、光重合開始剤の添加量が最適化される。一方で、レジスト組成物では、染料および／または顔料は必須成分でなく、光重合開始剤の最適範囲がインクジェット用組成物や液晶ディスプレイカラーフィルタ用組成物等の分野のものとは異なる場合がある。
【０２２６】
本例に示すインプリントシステムに適用されるレジストに含有するラジカル光重合開始剤としては、アシルホスフィン系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。本発明で使用されるラジカル光重合開始剤は、例えば、市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、例えば、特開平２００８−１０５４１４号公報明細書の段落〔００９１〕に記載のものを好ましく採用することができる。
【０２２７】
なお、光Ｌ１には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波の他に、放射線も含まれる。前記放射線には、例えばマイクロ波、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線が含まれる。また２４８ｎｍエキシマレーザー、１９３ｎｍエキシマレーザー、１７２ｎｍエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルターを通したモノクロ光（単一波長光）を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。露光は、多重露光も可能であり、膜強度、エッチング耐性を高めるなどの目的でパターン形成した後、全面露光することも可能である。
【０２２８】
光重合開始剤Ｉは、使用する光源の波長に対して適時に選択する必要があるが、モールド加圧・露光中にガスを発生させないものが好ましい。ガスが発生すると、モールドが汚染されるため、頻繁にモールドを洗浄しなければならなくなったり、レジスト組成物がモールド内で変形し、転写パターン精度を劣化させてしまったりするなどの問題を生じる。
【０２２９】
レジスト組成物では、含まれる重合性単量体がラジカル重合性単量体であり、光重合開始剤Ｉが光照射によりラジカルを発生するラジカル重合開始剤であることが好ましい。
【０２３０】
（その他成分）
既に述べたように、本例に示すインプリントシステムに適用されるレジスト組成物は、上述の重合性化合物、含フッ素界面活性剤、及び光重合開始剤Ｉの他に種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分等その他の成分を含んでいてもよい。以下にその他の成分について概要を説明する。
【０２３１】
（酸化防止剤）
レジスト組成物では、公知の酸化防止剤を含有することができる。酸化防止剤の含有量は、重合性単量体に対し、例えば、０．０１質量％以上１０質量％以下であり、好ましくは０．２質量％以上５質量％以下である。２種類以上の酸化防止剤を用いる場合は、その合計量が上記範囲となる。
【０２３２】
前記酸化防止剤は、熱や光照射による退色およびオゾン、活性酸素、ＮＯx、ＳＯx（Ｘは整数）などの各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。特に本発明では、酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色を防止や、分解による膜厚減少を低減できるという利点がある。このような酸化防止剤としては、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。この中でも、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤が硬化膜の着色、膜厚減少の観点で好ましい。
【０２３３】
前記酸化防止剤の市販品としては、商品名Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、１０３５、１０７６、１２２２（以上、チバガイギー（株）製）、商品名 Ａｎｔｉｇｅｎｅ  Ｐ、３Ｃ、ＦＲ、スミライザーＳ、スミライザーＧＡ８０（住友化学工業（株）製）、商品名アデカスタブＡＯ７０、ＡＯ８０、ＡＯ５０３（（株）ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。
【０２３４】
（重合禁止剤）
レジスト組成物は、重合禁止剤を少量含有することが好ましい。重合禁止剤の含有量としては、全重合性単量体に対し、０．００１質量％以上１質量％以下であり、より好ましくは０．００５質量％以上０．５質量％以下、さらに好ましくは０．００８質量％以上０．０５質量％以下である、重合禁止剤を適切な量配合することで高い硬化感度を維持しつつ経時による粘度変化が抑制できる。
【０２３５】
（溶剤）
レジスト組成物は、必要に応じて、種々の溶剤を含むことができる。好ましい溶剤としては常圧における沸点が８０〜２８０℃の溶剤である。溶剤の種類としては組成物を溶解可能な溶剤であればいずれも用いることができるが、好ましくはエステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれか１つ以上を有する溶剤である。具体的に、好ましい溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、ガンマブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルから選ばれる単独あるいは混合溶剤であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する溶剤が塗布均一性の観点で最も好ましい。
【０２３６】
レジスト組成物中の溶剤の含有量は、溶剤を除く成分の粘度、塗布性、目的とする膜厚によって最適に調整されるが、塗布性改善の観点から、全組成物中０〜９９質量％が好ましく、０〜９７質量％がさらに好ましい。特に膜厚５００ｎｍ以下のパターンを形成する際には２０質量％以上９９質量％以下が好ましく、４０質量％以上９質量％以下がさらに好ましく、７０質量％以上９８質量％以下が特に好ましい。
【０２３７】
（ポリマー成分）
レジスト組成物では、架橋密度をさらに高める目的で、前記多官能の他の重合性単量体よりもさらに分子量の大きい多官能オリゴマーを、本発明の目的を達成する範囲で配合することもできる。光ラジカル重合性を有する多官能オリゴマーとしてはポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート等の各種アクリレートオリゴマーが挙げられる。オリゴマー成分の添加量としては組成物の溶剤を除く成分に対し、０〜３０質量％が好ましく、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１０質量％、最も好ましくは０〜５質量％である。
【０２３８】
レジスト組成物はドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良を観点から、ポリマー成分を含有していてもよい。かかるポリマー成分としては側鎖に重合性官能基を有するポリマーが好ましい。前記ポリマー成分の重量平均分子量としては、重合性単量体との相溶性の観点から、２０００以上１０００００以下が好ましく、５０００以上５００００以下がさらに好ましい。
【０２３９】
ポリマー成分の添加量としては組成物の溶剤を除く成分に対し、０〜３０質量％が好ましく、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１０質量％、最も好ましくは２質量％以下である。パターン形成性の観点から、レジスト組成物において、溶剤を除く成分中、分子量２０００以上のポリマー成分の含有量が３０質量％以下である方が好ましい。樹脂成分はできる限り少ない方が好ましく、界面活性剤や微量の添加剤を除き、樹脂成分を含まないことが好ましい。
【０２４０】
レジスト組成物には、上記した成分の他に必要に応じて離型剤、シランカップリング剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、熱重合開始剤、着色剤、エラストマー粒子、光酸増殖剤、光塩基発生剤、塩基性化合物、流動調整剤、消泡剤、分散剤等を添加してもよい。
【０２４１】
レジスト組成物は、上述の各成分を混合して調整することができる。また、各成分を混合した後、例えば、孔径０．００３μｍ〜５．０μｍのフィルターで濾過することによって溶液として調製することもできる。光インプリント用硬化性組成物の混合・溶解は、通常、０℃〜１００℃の範囲で行われる。濾過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。また、濾過した液を再濾過することもできる。濾過に使用するフィルターの材質は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッソ樹脂、ナイロン樹脂などのものが使用できるが特に限定されるものではない。
【０２４２】
レジスト組成物において、溶剤を除く成分の２５℃における粘度は１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。より好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下、さらに好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上３０ｍＰａ・ｓ以下である。粘度を適切な範囲とすることで、パターンの矩形性が向上し、さらに残膜を低く抑えることができる。
【実施例】
【０２４４】
＜付記＞
上記に詳述した実施形態についての記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す発明を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
【０２４５】
（発明１）：基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、を備えたことを特徴とする液体塗布装置。
【０２４６】
本発明によれば、ノズル及びノズルに対応する圧電素子がグループ化され、グループごとに打滴制御が行われるので、ノズルや圧電素子の固体バラつきに起因する打滴密度の粗密の発生を抑制し得る。
【０２４７】
本発明における「機能性を有する液体」とは、基板上に微細パターンを形成し得る機能性材料の成分を含有する液体であり、その一例としてレジスト液などの光硬化樹脂液や、加熱により硬化する熱硬化樹脂液などが挙げられる。
【０２４８】
液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化される一例として、各ノズルと連通する液室の配置、形状、構造、該液室と連通する液供給路の配置、形状、構造などにより各ノズルをグループ化する態様が挙げられる。
【０２４９】
（発明２）：発明１に記載の液体塗布装置において、前記液体吐出ヘッドは、前記複数の液室が前記複数のノズルから成るノズル列をはさんで前記ノズル列の両側に配置される構造を有し、前記打滴制御手段は、前記ノズル列の一方の側に配置される第１の液室と連通する第１のノズル群を第１のグループとし、前記ノズル列の他方の側に配置される第２の液室と連通する第２のノズル群を第２のグループとして、該グループごとに圧電素子の動作を制御することを特徴とする。
【０２５０】
かかる態様によれば、複数の液室がノズル列をはさんで両側に配置される構造を有する液体吐出ヘッドにおいて、連通される液室の配置構造に応じてノズルをグループ化することで、液流路と各ノズルとの間の流路抵抗などの流路構造に起因する吐出特性のバラつきを回避することができ、液体の配置密度を最適化することができる。
【０２５１】
（発明３）：発明２に記載の液体塗布装置において、前記液体吐出ヘッドは、前記第１のノズル群に含まれるノズルと前記第２のノズル群に含まれるノズルは交互に配置される構造を有することを特徴とする。
【０２５２】
かかる態様における液体吐出ヘッドの構造例として、ノズル列をはさんで両側に液供給路が設けられる構造が挙げられる。
【０２５３】
（発明４）：発明２又は３に記載の液体塗布装置において、前記第１の液室及び前記第２の液室はノズルごとに区画された構造を有し、前記圧電素子は、前記第１の液室又は前記第２の液室に対して一体の圧電体部と、ノズルごとの区画に対応して形成された電極を有することを特徴とする。
【０２５４】
かかる態様によれば、第１の液室に具備される圧電素子と、第２の液室に具備される圧電素子の固体差に起因する打滴のバラつきが回避される。
【０２５５】
かかる態様の具体例として、櫛歯状の共通電極と、共通電極の櫛歯形状の中に位置し、ノズル（区画）の位置に対応して設けられる個別電極と、を備える態様が挙げられる。
【０２５６】
（発明５）：発明１乃至４のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記基板の前記機能性を有する液体が着弾する面と平行な面内において、前記液体吐出ヘッドを回転させるヘッド回転手段と、前記ヘッド回転手段により前記液体吐出ヘッドを回転させて、前記相対移動手段の相対移動方向と直交する方向における打滴密度を変更する打滴密度変更手段と、を備えたことを特徴とする。
【０２５７】
かかる態様によれば、ノズルの配列方向について、ノズル配置間隔未満の範囲でノズルの配列方向における打滴位置の微調整ができ、打滴パターンに対応した平均塗布量の可変が可能である。
【０２５８】
かかる態様において、すべてのノズルが一体的に回転するように液体吐出ヘッドを構成することで、打滴密度の不連続点が生じることを回避し得る。
【０２５９】
（発明６）：発明請求項１乃至５の何れかに記載の液体塗布装置において、前記打滴制御手段は、前記相対移動手段の相対移動方向と平行方向における打滴ピッチを最小打滴ピッチ未満の範囲で可変させるように、前記圧電素子を動作させることを特徴とする。
【０２６０】
かかる態様によれば、相対移動手段の移動方向について、打滴パターンに対応した平均塗布量の可変が可能である。
【０２６１】
かかる態様において、圧電素子に印加される駆動電圧を生成する駆動電圧生成手段を備え、該駆動電圧生成手段は、駆動電圧が有する周期を変更可能に構成されることが好ましい。
【０２６２】
発明５に係る打滴密度変更手段による打滴密度の変更を行う場合は、発明６に係る打滴密度の変更を行うことが好ましい。
【０２６３】
（発明７）：発明６のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記打滴制御手段は、最小打滴周期未満の範囲で前記圧電素子を動作させるタイミングを変化させることを特徴とする。
【０２６４】
かかる態様によれば、相対移動手段の相対移動方向について、所定の最小打滴間隔未満の範囲で同方向における打滴位置の微調整が可能である。
【０２６５】
かかる態様における具体例として、最小打滴周期未満の遅延時間を生成する遅延時間生成手段を備え、該遅延時間生成手段によって生成された遅延時間を所定の打滴周期に付加する態様が挙げられる。
【０２６６】
（発明８）：発明１乃至７のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記打滴制御手段は、最小打滴周期未満の遅延時間を付加して前記圧電素子を動作させるタイミングを遅延させることを特徴とする。
【０２６７】
かかる態様において、最小打滴周期未満の遅延時間を生成する遅延時間生成手段を備える態様が好ましい。
【０２６８】
（発明９）：発明１乃至８のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の波形をグループごとに変更することを特徴とすることを特徴とする。
【０２６９】
かかる態様によれば、駆動電圧の波形を変更することで、圧電素子の個体バラつき（厚み、圧電定数、ヤング率等）に伴う打滴液滴量のバラつきを補正することが可能である。
【０２７０】
かかる態様の具体例として、グループごとの吐出特性に応じて駆動電圧の波形を変更する態様が挙げられる。
【０２７１】
（発明１０）：発明１乃至９のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大電圧をグループごとに変更することを特徴とする。
【０２７２】
かかる態様によれば、駆動電圧の最大値に応じてグループごとに打滴液滴量を変更することができ、グループ間の打滴液滴量が均一化される。
【０２７３】
（発明１１）：発明１乃至１０のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記打滴制御手段は、前記圧電素子に印加される駆動電圧の最大振幅部分の幅をグループごとに変更することを特徴とする。
【０２７４】
かかる態様によれば、グループごとに駆動電圧の最大振幅部分における幅（すなわち、パルス幅）を変更することができ、グループ間の打滴液滴量を均一化される。
【０２７５】
かかる態様における「最大振幅部分」の一例として、圧電素子を引き‐押し駆動させる駆動電圧における、引き動作が維持される状態に対応する部分が含まれる。
【０２７６】
（発明１２）：発明１乃至１１のいずれかに記載の液体塗布装置において、グループごとの打滴回数を計測する打滴回数計測手段と、前記計測されたグループごとの打滴回数を記憶する打滴回数記憶手段を備えることを特徴とする。
【０２７７】
かかる態様によれば、グループごとに打滴回数を把握することができ、打滴制御へのフィードバックが可能となる。
【０２７８】
（発明１３）：発明１２に記載の液体塗布装置において、前記打滴回数記憶手段の記憶結果に基づいて、いずれのグループのノズルを用いて打滴を行うかを選択する選択手段を備え、前記打滴制御手段は、前記選択手段の選択結果に基づいて、前記圧電素子の動作を制御することを特徴とする。
【０２７９】
かかる態様によれば、グループごとの使用頻度（打滴頻度）を均一化させることができ、液体吐出ヘッドの耐久性向上に寄与する。
【０２８０】
（発明１４）：発明１乃至１３のいずれかに記載の液体塗布装置において、前記液体吐出ヘッドは、前記ノズルが正方形の平面形状を有するとともに、正方形の辺方向が前記ノズルの配列方向と平行になるように配置される構造を有し、ノズルの対角線の方向に対して４５°の方向について、打滴された液滴を観察する観察手段を備えたことを特徴とする。
【０２８１】
かかる態様によれば、観察手段の観察結果を用いたグループの選択が可能となる。
【０２８２】
かかる態様において、観察手段の観察結果を用いてグループごとにノズルの異常の有無を判断する判断手段を備える態様が好ましい。
【０２８３】
（発明１５）：基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させ、所定の打滴周期で前記圧電素子を動作させて、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させる液体塗布方法において、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御することを特徴とする液体塗布方法。
【０２８４】
本発明において、打滴密度を可変させる打滴密度可変工程を備える態様が好ましい。また、グループごとに打滴回数を計測する打滴回数計測工程と、計測された打滴回数を記憶する記憶工程を含む態様が好ましい。
【０２８５】
（発明１６）：基板上に機能性を有する液体を打滴するための複数のノズルが所定の方向に沿って一列に並べられた構造を有し、前記複数のノズルのそれぞれに連通される複数の液室、及び前記複数の液室に対応して配設される前記液室内の液体を加圧するための圧電素子を具備する液体吐出ヘッドと、前記基板と前記液体吐出ヘッドとを相対的に移動させる相対移動手段と、前記液体を前記基板上に離散的に着弾させるように前記圧電素子を動作させるとともに、前記液体吐出ヘッドの構造に対応して前記複数のノズルがグループ化され、グループごとに圧電素子の動作を制御する打滴制御手段と、型に形成された凹凸パターンを転写する転写手段と、を備えたことを特徴とするナノインプリントシステム。
【０２８６】
本発明は、サブミクロンの微細パターンを形成するナノインプリントリソグラフィに特に好適である。また、本発明おける各手段を備えたインプリント装置とすることも可能である。
【０２８７】
（発明１７）：発明１６に記載のナノインプリントシステムにおいて、前記転写手段は、前記型の凹凸パターンが形成されている面を、前記基板の液体が塗布された面に押し当てる押圧手段と、前記型と前記基板との間の液体を硬化させる硬化手段と、前記型と前記基板とを剥離させる剥離手段と、を備えたことを特徴とする。
【０２８８】
（発明１８）：発明１６又は１７に記載のナノインプリントシステムにおいて、前記転写手段による転写の後に、前記型を前記基板から剥離させる剥離手段と、凹凸パターンが転写され硬化させた液体から成る膜をマスクとして、前記型の凹凸パターンに対応するパターンを前記基板に形成するパターン形成手段と、前記膜を除去する除去手段と、を備えたことを特徴とする。
【０２８９】
かかる態様によれば、好ましいサブミクロンの微細パターンが形成される。
【符号の説明】
【０２９０】
１０，１０２…基板、１２，１１０…インクジェットヘッド、１４…液滴、１６，１１２…モールド、１８…光硬化性樹脂膜、２０，２２，２４，２８…凸部、２６…凹部、１００…ナノインプリントシステム、１０４…レジスト塗布部、１０６…パターン転写部、１０８…搬送部、１１４…紫外線照射装置、１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ…ノズル、１２１，１２１’、１２１”…圧電素子、１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ…液室、１７２…システムコントローラ、１８０…打滴制御部、１８４…ヘッドドライバー、１９２…センサ、１９４…カウンター、４０４…波形生成部、４０５…ディレイデータ生成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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