(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電部を少なくとも表面に有する導電性粒子と、前記導電性粒子の表面上に配置された複数の絶縁性粒子とを備え、
前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．２５以下である、絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項２】
前記絶縁性粒子が、有機粒子又は無機粒子であり、
前記絶縁性粒子が有機粒子である場合には、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．１２以下であり、
前記絶縁性粒子が無機粒子である場合には、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０８以上、０．２５以下である、請求項１に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項３】
前記絶縁性粒子が有機粒子であり、
前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．１２以下である、請求項２に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項４】
前記絶縁性粒子が無機粒子であり、
前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０８以上、０．２５以下である、請求項２に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項５】
前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項６】
前記絶縁性粒子全体の重量の前記基材粒子の重量に対する比が０．０８６を超え、０．６００未満である、請求項５に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項７】
前記導電性粒子が、前記導電部の表面に複数の突起を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項８】
前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有し、
前記絶縁性粒子全体の重量の前記基材粒子の重量に対する比が０．０８６を超え、０．６００未満であり、
前記導電性粒子が、前記導電部の表面に複数の突起を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項９】
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記突起の平均高さよりも大きい、請求項７又は８に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項１０】
バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項１１】
電極間の電気的な接続に用いられ、
電気的に接続される前記電極が、上下に対向するように配置されたときに、
前記電極が形成されていない部分のスペースである横方向に隣接する電極間幅の最小値が２０μｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１３】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の絶縁性粒子付き導電性粒子により形成されているか、又は前記絶縁性粒子付き導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記絶縁性粒子付き導電性粒子における前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項１４】
電気的に接続された前記第１の電極と前記第２の電極とが、上下に対向するように配置されたときに、
前記第１の電極が形成されていない部分のスペースである横方向に隣接する電極間幅の最小値と前記第２の電極が形成されていない部分のスペースである横方向に隣接する電極間幅の最小値とがそれぞれ２０μｍ以下である、請求項１３に記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性粒子の表面上に絶縁性粒子が配置されている絶縁性粒子付き導電性粒子に関する。また、本発明は、上記絶縁性粒子付き導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂などに複数の導電性粒子が分散されている。【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。【０００４】
また、上記導電性粒子として、導電性粒子の表面上に絶縁性粒子が配置されている絶縁性粒子付き導電性粒子が用いられることがある。【０００５】
上記絶縁性粒子付き導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、導電性粒子の表面の一部が絶縁性粒子により被覆された絶縁性粒子付き導電性粒子が開示されている。この絶縁性粒子付き導電性粒子では、絶縁性粒子の質量が、導電性粒子の質量の２／１０００〜２６／１０００である。また、特許文献１の実施例及び比較例に示された絶縁性粒子付き導電性粒子では、絶縁性粒子の質量が、導電性粒子の質量の９／１０００〜３０／１０００の範囲内である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４３８０３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のような従来の絶縁性粒子付き導電性粒子を含む異方性導電材料を電極間の電気的な接続に用いた場合には、電極間に複数の導電性粒子を効率的に配置することが困難なことがある。電極が形成されている部分のライン（Ｌ）だけでなく、電極が形成されていない部分のスペース（Ｓ）にも、導電性粒子が配置されやすいという問題がある。このため、スペースにも導電性粒子が配置されることを前提として、導電性粒子を多く用いなければならないことがある。さらに、スペースに導電性粒子が配置された結果、絶縁不良が生じやすいという問題がある。【０００８】
また、近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴って、電極幅及び電極間幅のＬ／Ｓがより一層狭くなってきている。このようなＬ／Ｓが狭い電極間を導電接続した場合に、電極上に絶縁性粒子付き導電性粒子を高精度に配置することが困難である。【０００９】
また、特許文献１に記載のような従来の絶縁性粒子付き導電性粒子を含む異方性導電材料では、該異方性導電材料中で、絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性が低いことがある。【００１０】
本発明の目的は、電極間の電気的な接続に用いた場合に、導電性粒子を電極上に効率的に配置することができる絶縁性粒子付き導電性粒子、並びに該絶縁性粒子付き導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。【００１１】
本発明の限定的な目的は、導電材料中での分散性を高めることができる絶縁性粒子付き導電性粒子、並びに該絶縁性粒子付き導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、導電部を少なくとも表面に有する導電性粒子と、前記導電性粒子の表面上に配置された複数の絶縁性粒子とを備え、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．２５以下である、絶縁性粒子付き導電性粒子が提供される。【００１３】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記絶縁性粒子が、有機粒子又は無機粒子であり、前記絶縁性粒子が有機粒子である場合には、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．１２以下であり、前記絶縁性粒子が無機粒子である場合には、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０８以上、０．２５以下である。【００１４】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記絶縁性粒子が有機粒子であり、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．１２以下である。【００１５】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記絶縁性粒子が無機粒子であり、前記絶縁性粒子全体の重量の前記導電性粒子の重量に対する比が、０．０８以上、０．２５以下である。【００１６】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する。【００１７】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記絶縁性粒子全体の重量の前記基材粒子の重量に対する比が、０．０８６を超え、０．６００未満である。【００１８】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、前記導電部の表面に複数の突起を有する。【００１９】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記突起の平均高さよりも大きい。【００２０】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、該絶縁性粒子付き導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられる。【００２１】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子のある特定の局面では、該絶縁性粒子付き導電性粒子は、電極間の電気的な接続に用いられ、前記電極が形成されていない部分のスペースの電極間幅の最小値が２０μｍ以下である。【００２２】
本発明の広い局面によれば、上述した絶縁性粒子付き導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。【００２３】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した絶縁性粒子付き導電性粒子により形成されているか、又は前記絶縁性粒子付き導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記絶縁性粒子付き導電性粒子における前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。【００２４】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の電極が形成されていない部分のスペースの電極間幅の最小値と前記第２の電極が形成されていない部分のスペースの電極間幅の最小値とがそれぞれ２０μｍ以下である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、導電部を少なくとも表面に有する導電性粒子と、上記導電性粒子の表面上に配置された複数の絶縁性粒子とを備えており、更に上記絶縁性粒子全体の重量の上記導電性粒子の重量に対する比が、０．０３を超え、０．２５以下であるので、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を電極間の電気的な接続に用いた場合に、導電性粒子を電極上に効率的に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図５】図５は、被覆率の評価方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２８】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、導電部を少なくとも表面に有する導電性粒子と、上記導電性粒子の表面上に配置された複数の絶縁性粒子とを備える。本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子では、上記絶縁性粒子全体の重量Ｘの上記導電性粒子の重量Ｙに対する比（重量比（Ｘ／Ｙ））が、０．０３を超え、０．２５以下である。
【００２９】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子における上述した構成の採用によって、特に上記比（重量（Ｘ／Ｙ））が０．０３を超えることによって、すなわち絶縁性粒子の大きさが比較的大きくなり、さらに絶縁性粒子の数が比較的多くなることによって、接続構造体を得る際に絶縁性粒子付き導電性粒子の過度の流動が抑えられ、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極上に効率的に配置することができる。
【００３０】
また、本発明では、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極上に効率的に配置できる結果、電極が形成されていない部分のスペース（Ｓ）にも絶縁性粒子付き導電性粒子が配置されることを前提として、絶縁性粒子付き導電性粒子を多く用いる必要がないため、絶縁性粒子付き導電性粒子の使用量を少なくすることもできる。
【００３１】
さらに、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子における上述した構成の採用によって、絶縁性粒子付き導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を作製すると、絶縁性粒子付き導電性粒子の凝集が生じ難くなり、絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性が高くなる。さらに、上記導電材料中に絶縁性粒子付き導電性粒子の凝集物が生じていても、上記導電材料を撹拌することで、絶縁性粒子付き導電性粒子の凝集物を個々の絶縁性粒子付き導電性粒子に分離することができる。
【００３２】
また、近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴って、電極が形成されている部分のライン（Ｌ）である電極幅と、電極が形成されていない部分のスペース（Ｓ）の電極間幅とが狭くなってきている。例えば、Ｌ／Ｓが２０μｍ以下／２０μｍ以下の微細な電極間を電気的に接続する必要が高まっている。Ｌ／Ｓが小さい電極間を電気的に接続する場合には、従来の導電材料では、スペース（Ｓ）に絶縁性粒子付き導電性粒子が多く配置されやすいので、絶縁不良が特に生じやすいという問題がある。
【００３３】
これに対して、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子の使用により、スペース（Ｓ）に導電性粒子が配置され難くなり、絶縁不良が生じるのを効果的に抑制できる。特に、絶縁性粒子の重量が比較的大きいことから、絶縁性が効果的に高くなり、Ｌ／Ｓが２０μｍ以下／２０μｍ以下の微細な電極間を導電接続する場合であっても、絶縁信頼性を十分に高くすることができる。
【００３４】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子では、特に、電極（第１，第２の電極）が形成されている部分のライン（Ｌ）である電極幅と、電極（第１，第２の電極）が形成されていない部分のスペース（Ｓ）の電極間幅とを示すＬ／Ｓが３０μｍ以下／３０μｍ以下である場合に、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、Ｌ／Ｓが２０μｍ以下／２０μｍ以下である場合に、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、Ｌ／Ｓが１７．５μｍ以下／１７．５μｍ以下である場合に、絶縁信頼性を更に一層効果的に高めることができ、Ｌ／Ｓが１５μｍ以下／１５μｍ以下である場合に、絶縁信頼性を特に効果的に高めることができる。上記Ｌ／Ｓは５０μｍ以下／５０μｍ以下であってもよい。
【００３５】
また、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子により導通信頼性を高めることができるので、電極（第１，第２の電極）が形成されている部分のライン（Ｌ）である電極幅の最小値は、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１７．５μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下である。ライン（Ｌ）である電極幅は、絶縁性粒子付き導電性粒子における平均粒子径よりも大きいことが好ましく、更に導電性粒子の平均粒子径の１．１倍以上であることがより好ましく、２倍以上であることが更に好ましく、３倍以上であることが特に好ましい。上記ライン（Ｌ）である電極幅は、５０μｍ以下であってもよい。
【００３６】
また、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子により絶縁信頼性を高めることができるので、電極（第１，第２の電極）が形成されていない部分のスペース（Ｓ）である電極間幅の最小値は、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１７．５μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下である。スペース（Ｓ）である電極間幅は、絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子の平均粒子径よりも大きいことが好ましく、更に導電性粒子の平均粒子径の１．１倍以上であることがより好ましく、２倍以上であることが更に好ましく、３倍以上であることが特に好ましい。上記スペース（Ｓ）である電極間幅は、５０μｍ以下であってもよい。
【００３７】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子の使用により絶縁信頼性が効果的に高くなることから、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、電極間の電気的な接続に用いられ、該電極が形成されていない部分のスペースである電極間幅の最小値が２０μｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
絶縁性粒子付き導電性粒子を電極の表面上により一層効率的に配置し、導電材料中での絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性をより一層高める観点からは、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））は、好ましくは０．０３１以上である。また、絶縁性粒子付き導電性粒子を容易に作製する観点からは、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））は、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１５以下、更に好ましくは０．１２以下である。
【００３９】
上記絶縁性粒子が、有機粒子又は無機粒子であることが好ましい。上記絶縁性粒子が有機粒子である場合には、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））は、好ましくは０．０３を超え、好ましくは０．１２以下である。上記絶縁性粒子が無機粒子である場合には、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））は、好ましくは０．０８以上、好ましくは０．２５以下である。
【００４０】
絶縁性粒子付き導電性粒子を容易に作製し、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極の表面上により一層効率的に配置し、導電材料中での絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子が有機粒子であり、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））が、０．０３を超え、０．１２以下であることが好ましい。
【００４１】
絶縁性粒子付き導電性粒子を容易に作製し、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極の表面上により一層効率的に配置し、導電材料中での絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子が無機粒子であり、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））が、０．０８以上、０．２５以下であることが好ましい。
【００４２】
コストを低減したり、導電性粒子の柔軟性を高くして、電極間の導通信頼性を高めたりする観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有することが好ましい。上記導電部は、導電層であることが好ましい。また、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子の使用により、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））及び後述する比（重量比（Ｘ／Ｚ））を好適な範囲に制御することが容易である。
【００４３】
絶縁性粒子付き導電性粒子を電極の表面上により一層効率的に配置し、導電材料中での絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性をより一層高める観点からは、絶縁性粒子全体の重量Ｘの上記基材粒子の重量Ｚに対する比（重量比（Ｘ／Ｚ））は、０．０８６を超え、好ましくは０．０８９以上である。絶縁性粒子付き導電性粒子を容易に作製する観点からは、上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））は、好ましくは０．６００未満、より好ましくは０．５９０以下、更に好ましくは０．５６０以下である。
【００４４】
上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））及び上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））は、絶縁性粒子、導電部及び基材粒子に用いる材料の種類により、更に絶縁性粒子、導電性粒子及び基材粒子の大きさ等により適宜調整可能である。
【００４５】
上記絶縁性粒子が、有機粒子又は無機粒子であり、上記絶縁性粒子が有機粒子である場合には、上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））は、好ましくは０．０８６を超え、好ましくは０．３５０以下である。上記絶縁性粒子が無機粒子である場合には、上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））は、好ましくは０．２００以上、好ましくは０．５９０以下である。
【００４６】
絶縁性粒子付き導電性粒子を容易に作製し、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極の表面上により一層効率的に配置し、導電材料中での絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子が有機粒子であり、上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））が、０．０８６を超え、０．３５０以下であることが好ましい。
【００４７】
絶縁性粒子付き導電性粒子を容易に作製し、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極の表面上により一層効率的に配置し、導電材料中での絶縁性粒子付き導電性粒子の分散性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子が無機粒子であり、上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））が、０．２００以上、０．６００未満であることが好ましく、０．２００以上、０．５９０以下であることがより好ましい。
【００４８】
上記導電性粒子の表面積全体に占める上記絶縁性粒子により被覆されている部分の面積である被覆率は好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、更に好ましくは５０％を超え、特に好ましくは６０％以上である。上記被覆率が上記下限以上であると、隣接する導電性粒子がより一層接触し難くなる。上記被覆率は好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下、更に好ましくは８０％以下、特に好ましくは７０％以下である。上記被覆率が上記上限以下であると、電極の接続の際に、熱及び圧力を必要以上に付与しなくても、絶縁性粒子を充分に排除できる。
【００４９】
上記被覆率は、具体的には、以下のようにして求められる。
【００５０】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）での観察により１００個の絶縁性粒子付き導電性粒子を観察し、絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子の被覆率Ｘ１（％）（付着率Ｘ１（％）ともいう）を求める。上記被覆率Ｘ１は、導電性粒子の表面積全体に占める絶縁性粒子により被覆されている部分の面積（投影面積）である。
【００５１】
具体的には、図５に示すように、絶縁性粒子付き導電性粒子Ａを一方向から走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した場合、絶縁性粒子付き導電性粒子Ａの導電部の外表面（外周縁）の円内に存在する絶縁性粒子Ｂ１を１個、絶縁性粒子付き導電性粒子Ａの導電部の外表面（外周縁）の円周上に存在する絶縁性粒子Ｂ２を０．５個とカウントする。上記被覆率は、絶縁性粒子付き導電性粒子Ａの投影面積に対する絶縁性粒子の投影面積の割合で示される。
【００５２】
すなわち、上記被覆率は下記式（１）で表される。
【００５３】
被覆率（％）＝（（（円内の絶縁性粒子の数）×１＋（円周上の絶縁性粒子の数）×０．５）×絶縁性粒子の投影面積）／（絶縁性粒子付き導電性粒子の投影面積））×１００  ・・・式（１）
【００５４】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、ペースト状の導電ペーストに用いられることが好ましい。上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。
【００５５】
絶縁性粒子付き導電性粒子を用いて電極間を接続したときに、接続されてはならない隣り合う電極間で短絡をより一層生じ難くし、かつ接続されるべき上下の電極間の導通性を十分に確保する観点からは、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度が１００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下である導電ペーストに用いられることが好ましく、導電ペーストの２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度は、１００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００５６】
電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子付き導電性粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは８％以下、より好ましくは５％以下である。
【００５７】
上記変動係数（ＣＶ値）は下記式で表される。
【００５８】
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：絶縁性粒子付き導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：絶縁性粒子付き導電性粒子の粒子径の平均値
【００５９】
なお、上記絶縁性粒子付き導電性粒子には、導電性粒子の表面上に、導電性粒子の表面の極性基と吸着可能な高分子電解質を介して、該高分子電解質と吸着可能な絶縁性粒子が配置されている絶縁性粒子付き導電性粒子が含まれる。この絶縁性粒子付き導電性粒子は、例えば、導電性粒子の表面の少なくとも一部に、上記高分子電解質を静電的に吸着させた後、上記絶縁性粒子を静電的にさらに吸着させることにより得られる。
【００６０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより本発明を明らかにする。
【００６１】
（絶縁性粒子付き導電性粒子）
図１に、本発明の第１の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を断面図で示す。
【００６２】
図１に示す絶縁性粒子付き導電性粒子１は、導電性粒子２と、導電性粒子２の表面上に配置された複数の絶縁性粒子３とを備える。導電性粒子２の表面に、絶縁性粒子３が付着している。絶縁性粒子３は、絶縁性を有する材料により形成されている。絶縁性粒子３は被覆粒子ではない。絶縁性粒子３にかえて後述する絶縁性粒子４３を用いてもよい。
【００６３】
導電性粒子２は、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電部１２とを有する。導電部１２は導電層である。導電部１２は、基材粒子１１の表面を覆っている。導電性粒子２は、基材粒子１１の表面が導電部１２により被覆された被覆粒子である。導電性粒子２は表面に導電部１２を有する。
【００６４】
図２に、本発明の第２の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を断面図で示す。
【００６５】
図２に示す絶縁性粒子付き導電性粒子２１は、導電性粒子２２と、導電性粒子２２の表面上に配置された複数の絶縁性粒子３とを備える。導電性粒子２２の表面に、絶縁性粒子３が付着している。絶縁性粒子３にかえて後述する絶縁性粒子４３を用いてもよい。
【００６６】
導電性粒子２２は、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電部３１とを有する。導電部３１は導電層である。導電性粒子２２は、基材粒子１１の表面上に複数の芯物質３２を有する。導電部３１は、基材粒子１１と芯物質３２とを被覆している。芯物質３２を導電部３１が被覆していることにより、導電性粒子２２は表面に、複数の突起３３を有する。芯物質３２により導電部３１の表面が隆起されており、複数の突起３３が形成されている。
【００６７】
図３に、本発明の第３の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を断面図で示す。
【００６８】
図３に示す絶縁性粒子付き導電性粒子４１は、導電性粒子４２と、導電性粒子４２の表面上に配置された複数の絶縁性粒子４３とを備える。導電性粒子４２の表面に、絶縁性粒子４３が付着している。絶縁性粒子４３にかえて絶縁性粒子３を用いてもよい。
【００６９】
導電性粒子４２は、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電部５１とを有する。導電部５１は導電層である。導電性粒子４２は、導電性粒子２２のように芯物質を有さない。導電部５１は、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。導電性粒子４２は表面に、複数の突起５２を有する。複数の突起５２を除く部分が、導電部５１の上記第１の部分である。複数の突起５２は、導電部５１の厚みが厚い上記第２の部分である。絶縁性粒子４３は、被覆粒子である。
【００７０】
絶縁性粒子４３は、絶縁性粒子本体４５と、絶縁性粒子本体４５の表面を覆っている層４６とを有する。層４６は、有機化合物により形成されていることが好ましく、高分子化合物により形成されていることが好ましい。
【００７１】
層４６は、絶縁性粒子本体５の表面全体を被覆している。従って、導電性粒子４２と絶縁性粒子本体４５との間に層４６が配置されている。層４６は、絶縁性粒子本体の表面の少なくとも一部の領域を覆うように存在していればよく、絶縁性粒子本体の表面全体を覆っていなくてもよい。層４６は、導電性粒子と絶縁性粒子本体との間に配置されていることが好ましい。
【００７２】
絶縁性粒子付き導電性粒子１，２１，４１では、絶縁性粒子３，４３全体の重量Ｘの導電性粒子２，２２，４２の重量Ｙに対する比（重量比（Ｘ／Ｙ））は、０．０３を超え、０．２５以下である。このような絶縁性粒子付き導電性粒子１，２１，４１を電極間の電気的な接続に用いた場合に、導電性粒子２，２２，４２を電極上に効率的に配置することができる。さらに、導電材料中で、絶縁性粒子付き導電性粒子１，２１，４１の凝集が生じ難くなり、絶縁性粒子付き導電性粒子１，２１，４１の分散性が高くなる。
【００７３】
以下、導電性粒子及び絶縁性粒子の詳細を説明する。
【００７４】
［導電性粒子］
導電部を少なくとも表面に有する導電性粒子の表面上に、上記絶縁性粒子を配置することにより、絶縁性粒子付き導電性粒子を得ることができる。上記導電性粒子における上記導電部は導電層であることが好ましい。
【００７５】
上記導電性粒子は、少なくとも表面に導電部を有していればよい。該導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子であることが好ましい。
【００７６】
上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。
【００７７】
上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。絶縁性粒子付き導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、絶縁性粒子付き導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより絶縁性粒子付き導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。
【００７８】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００７９】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００８０】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００８１】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００８２】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００８３】
上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００８４】
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、タングステン、モリブデン、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗がより一層低くなるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムがより好ましい。
【００８５】
なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部は絶縁性粒子と化学結合しやすく、例えば水酸基を有する絶縁性粒子と化学結合する。
【００８６】
上記導電部（導電層）は、１つの層により形成されていてもよい。導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層又はパラジウム層であることがより好ましく、金層であることが特に好ましい。最外層がこれらの好ましい導電部である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。
【００８７】
上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【００８８】
上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法として物理的な衝突による方法も、生産性を高める観点で有効である。物理的な衝突により形成する方法としては、例えばシータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いてコーティングする方法がある。
【００８９】
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁性粒子付き導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００９０】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００９１】
上記導電部（導電層）の厚みは好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。
【００９２】
上記導電部（導電層）が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、特に最外層が金層である場合の金層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆を均一にでき、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。
【００９３】
上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子又は絶縁性粒子付き導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。
【００９４】
上記導電性粒子は導電性の表面に、複数の突起を有することが好ましい。上記導電部は表面（外表面）に、複数の突起を有することが好ましい。絶縁性粒子付き導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。さらに、上記導電性粒子の導電部の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に絶縁性粒子付き導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗が低くなる。さらに、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性粒子を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００９５】
導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で、芯物質を無電解めっき液中に添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。無電解めっき等により導電部を形成する際に、導電部の厚みを部分的に異ならせることによっても、上記突起を形成できる。
【００９６】
上記導電性粒子は、基材粒子の表面上に第１の導電部を有し、かつ該第１の導電部の表面上に第２の導電部を有していてもよい。この場合に、第１の導電部の表面に芯物質を付着させてもよい。芯物質は第２の導電部により被覆されていること好ましい。上記第１の導電部の厚みは、好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以下である。導電性粒子は、基材粒子の表面上に第１の導電部を形成し、次に該第１の導電部の表面上に芯物質を付着させた後、第１の導電部及び芯物質の表面上に第２の導電部を形成することにより得られていることが好ましい。
【００９７】
上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。
【００９８】
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を構成する金属は、上記導電部を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００９９】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１００】
［絶縁性粒子］
上記絶縁性粒子は、絶縁性を有する粒子である。絶縁性粒子は導電性粒子よりも小さいことが好ましい。絶縁性粒子付き導電性粒子を用いて電極間を接続すると、絶縁性粒子により、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子が接触したときに、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子間には絶縁性粒子が存在するので、上下の電極間ではなく、横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で絶縁性粒子付き導電性粒子を加圧することにより、導電部と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。導電部の表面に突起が設けられている場合には、導電部と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。さらに突起部分が電極との接触を容易にするため接続信頼性が向上する。
【０１０１】
上記絶縁性粒子を構成する材料としては、絶縁性の樹脂、及び絶縁性の無機物等が挙げられる。上記絶縁性の樹脂としては、基材粒子として用いることが可能な樹脂粒子を形成するための樹脂として挙げた上記樹脂が挙げられる。上記絶縁性の無機物としては、基材粒子として用いることが可能な無機粒子を形成するための無機物として挙げた上記無機物が挙げられる。
【０１０２】
上記絶縁性粒子は、有機粒子又は無機粒子であることが好ましい。上記有機粒子は、有機化合物（例えば、絶縁性の樹脂）を用いて形成されている。上記無機粒子は、無機化合物を用いて形成されている。
【０１０３】
上記絶縁性粒子の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。
【０１０４】
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。
【０１０５】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子では、絶縁性粒子が、絶縁性粒子本体と、該絶縁性粒子本体の表面の少なくとも一部の領域を覆っている層とを有することが好ましい。これにより、導電材料の作製の際の混練により、導電性粒子の表面から絶縁性粒子がより一層脱離し難くなる。さらに、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子が接触したときに、導電性粒子の表面から絶縁性粒子が脱離し難くなる。絶縁性粒子の意図しない脱離を効果的に抑制するために、上記絶縁性粒子又は上記絶縁性粒子本体の材料は、無機化合物であることが好ましく、上記絶縁性粒子又は上記絶縁性粒子本体は無機粒子であることが好ましい。絶縁性粒子の意図しない脱離を効果的に抑制するために、上記絶縁性粒子本体の表面の少なくとも一部の領域を覆っている層は、有機化合物により形成されていることが好ましく、該有機化合物は高分子化合物であることが好ましい。なお、無機粒子の表面が有機化合物により形成されている層により覆われている粒子は、本明細書では、無機粒子と呼ぶ。有機粒子の表面が有機化合物により形成されている層により覆われている粒子は、本明細書では、有機粒子と呼ぶ。上記無機粒子は、大部分（例えば８０重量％以上）が無機化合物により形成されている粒子である。上記有機粒子は、大部分（例えば８０重量％以上）が有機化合物により形成されている粒子である。
【０１０６】
上記絶縁性粒子付き導電性粒子は、絶縁性粒子本体の表面の少なくとも一部の領域を覆うように、高分子化合物又は高分子化合物となる化合物を用いて、高分子化合物により形成された層を形成し、絶縁性粒子を得る工程と、導電部を少なくとも表面に有する導電性粒子の表面に、上記絶縁性粒子を付着させ、絶縁性粒子付き導電性粒子を得る工程を経て得られることが好ましい。
【０１０７】
熱圧着時の絶縁性粒子の脱離性をより一層高める観点からは、絶縁性粒子又は絶縁性粒子本体は、無機粒子であることが好ましく、シリカ粒子であることが好ましい。上記無機粒子としては、シラス粒子、ハイドロキシアパタイト粒子、マグネシア粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化アルミニウム粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ケイ素粒子、窒化アルミニウム粒子及びシリカ粒子等が挙げられる。シリカ粒子としては、粉砕シリカ、球状シリカが挙げられ、球状シリカを用いることが好ましい。また、シリカ粒子は表面に、例えばカルボキシル基、水酸基等の化学結合可能な官能基を有することが好ましく、水酸基を有することがより好ましい。無機粒子は比較的硬く、特にシリカ粒子は比較的硬い。このような硬い絶縁性粒子をそのまま絶縁性粒子として用いた絶縁性粒子付き導電性粒子をバインダー樹脂中に添加して混練すると、絶縁性粒子が硬いので、導電性粒子の表面から絶縁性粒子が脱離しやすい傾向がある。絶縁性粒子が上記高分子化合物により形成された層を有する場合には、硬い絶縁性粒子を用いたとしても、上記混練の際に、硬い絶縁性粒子が脱離するのを抑制できる。
【０１０８】
上記有機化合物により形成された層及び上記高分子化合物により形成された層は、例えば柔軟層としての役割を果たす。上記高分子化合物により形成された層における高分子化合物又は重合等により該高分子化合物となる化合物としては、重合可能な反応性官能基を有する化合物であることが好ましい。該重合可能な反応性官能基は、不飽和二重結合であることが好ましい。例えば、絶縁性粒子本体の表面上で不飽和二重結合を有する化合物（高分子化合物となる化合物）を重合反応させてもよく、また高分子化合物と絶縁性粒子本体の表面の反応性官能基とを反応させてもよい。上記高分子化合物としては、（メタ）アクリロイル基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物及びビニル基を有する化合物等が挙げられる。絶縁性粒子付き導電性粒子を分散する際などに、導電性粒子の表面から絶縁性粒子の脱離を抑制する観点からは、上記高分子化合物又は該高分子化合物となる化合物は、（メタ）アクリロイル基、グリシジル基及びビニル基からなる群から選択された少なくとも１種の反応性官能基を有することが好ましい。なかでも、絶縁性粒子の脱離をより一層抑制する観点からは、上記高分子化合物又は該高分子化合物となる化合物は、（メタ）アクリロイル基を有することが好ましい。
【０１０９】
上記（メタ）アクリロイル基を有する化合物の具体例としては、メタクリル酸、ヒドロキシエチルアクリレート及びジメタクリル酸エチレングリコール等が挙げられる。
【０１１０】
上記エポキシ化合物の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びレゾルシノールグリシジルエーテル等が挙げられる。
【０１１１】
上記ビニル基を有する化合物の具体例としては、スチレン及び酢酸ビニル等が挙げられる。
【０１１２】
上記絶縁性粒子の平均粒子径は、導電性粒子の粒子径及び絶縁性粒子付き導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性粒子の平均粒子径は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、更に好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁性粒子の平均粒子径が上記下限以上であると、絶縁性粒子付き導電性粒子がバインダー樹脂に分散されたときに、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性粒子を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。
【０１１３】
上記絶縁性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。絶縁性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。
【０１１４】
上記絶縁性粒子の平均粒子径は、導電性粒子の粒子径の１／２以下であることが好ましく、１／３以下であることがより好ましく、１／４以下であることが更に好ましく、１／５以下であることが特に好ましい。絶縁性粒子の粒子径は、導電性粒子の粒子径の１／１０００以上であることが好ましく、１／１０以上であることがより好ましく、１／１０を超えることが更に好ましい。絶縁性粒子の平均粒子径が導電性粒子の粒子径の１／５以下であると、例えば、絶縁性粒子付き導電性粒子を製造する際に、絶縁性粒子が導電性粒子の表面により一層効率的に付着する。
【０１１５】
上記絶縁性粒子の平均粒子径は、上記導電性粒子における上記導電部（導電層）の厚みの０．５倍以上であることが好ましく、１倍以上であることが更に好ましい。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、上記導電性粒子における上記導電部（導電層）の厚みの２０倍以下であることが好ましく、１０倍以下であることが更に好ましい。絶縁性粒子の平均粒子径と導電部の厚みとがこのような好ましい関係を満足すると、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子同士が接触し難くなり、導電部と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。
【０１１６】
上記絶縁性粒子の平均粒子径は、芯物質の平均粒子径よりも大きいことが好ましく、１．１倍以上であることがより好ましい。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、芯物質の平均粒子径の２０倍以下であることが好ましく、１０倍以下であることが更に好ましい。上記絶縁性粒子の平均粒子径と上記芯物質の平均粒子径とがこのような好ましい関係を満足すると、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子同士が接触し難くなり、導電部と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。
【０１１７】
上記芯物質の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。芯物質の平均粒子径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。
【０１１８】
上記絶縁性粒子の平均粒子径は、上記突起の平均高さよりも大きいことが好ましく、１．１倍以上であることがより好ましい。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、上記突起の高さの２０倍以下であることが好ましく、１０倍以下であることがより好ましい。上記絶縁性粒子の平均粒子径と上記突起の高さとがこのような好ましい関係を満足すると、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子における導電性粒子同士が接触し難くなり、導電部と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。
【０１１９】
上記突起の平均高さは、複数の突起の高さの平均である。
【０１２０】
上記絶縁性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１％以上、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下である。
【０１２１】
粒子径の異なる２種以上の絶縁性粒子を用いてもよい。この場合には、導電性粒子の表面の大きな絶縁性粒子の間に、小さな絶縁性粒子を存在させることができるので、導電性粒子の露出面積を小さくすることができる。従って、複数の絶縁性粒子付き導電性粒子が接触したとしても、隣接する導電性粒子は接触し難いため、隣接する電極間の短絡を抑制できる。小さな絶縁性粒子の平均粒子径は、大きな絶縁性粒子の平均粒子径の１／２以下であることが好ましい。小さな絶縁性粒子の数は、大きな絶縁性粒子の数の１／４以下であることが好ましい。
【０１２２】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した絶縁性粒子付き導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記絶縁性粒子付き導電性粒子を用いた場合には、絶縁性粒子付き導電性粒子をバインダー樹脂中に分散させる際などに、導電性粒子の表面から絶縁性粒子が脱離し難い。本発明に係る導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。
【０１２３】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂としては、一般的には絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体又はエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２４】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１２５】
上記導電材料は、上記絶縁性粒子付き導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１２６】
上記バインダー樹脂中に上記絶縁性粒子付き導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記絶縁性粒子付き導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、上記バインダー樹脂中に上記絶縁性粒子付き導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、上記絶縁性粒子付き導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、並びに上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記絶縁性粒子付き導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。
【０１２７】
上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電ペーストは、導電インク又は導電粘接着剤であってもよい。また、上記導電フィルムには、導電シートが含まれる。上記絶縁性粒子付き導電性粒子を含む導電材料が、導電フィルムである場合には、絶縁性粒子付き導電性粒子を含む導電フィルムに、絶縁性粒子付き導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。ただし、上述のように、本発明に係る導電材料は、ペースト状であることが好ましく、導電ペーストであることが好ましい。ペースト状には液状が含まれる。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０１２８】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に絶縁性粒子付き導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１２９】
上記導電材料１００重量％中、上記絶縁性粒子付き導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下である。上記絶縁性粒子付き導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１３０】
（接続構造体）
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０１３１】
上記接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と、上記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備える。上記接続部が、上述した絶縁性粒子付き導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている。上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記絶縁性粒子付き導電性粒子における上記導電性粒子により電気的に接続されている。
【０１３２】
図４に、本発明の第１の実施形態に係る絶縁性粒子付き導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。
【０１３３】
図４に示す接続構造体８１は、第１の接続対象部材８２と、第２の接続対象部材８３と、第１，第２の接続対象部材８２，８３を接続している接続部８４とを備える。接続部８４は、絶縁性粒子付き導電性粒子１を含む導電材料により形成されている。接続部８４は、絶縁性粒子付き導電性粒子１を複数含む導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。なお、図４では、絶縁性粒子付き導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。絶縁性粒子付き導電性粒子１にかえて、絶縁性粒子付き導電性粒子２１，４１などを用いてもよい。
【０１３４】
第１の接続対象部材８２は表面（上面）に、複数の第１の電極８２ａを有する。第２の接続対象部材８３は表面（下面）に、複数の第２の電極８３ａを有する。第１の電極８２ａと第２の電極８３ａとが、１つ又は複数の絶縁性粒子付き導電性粒子１における導電性粒子２により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材８２，８３が絶縁性粒子付き導電性粒子１における導電性粒子２により電気的に接続されている。
【０１３５】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。
【０１３６】
上記積層体を加熱及び加圧する際に、導電性粒子２と第１，第２の電極８２ａ，８３ａとの間に存在していた絶縁性粒子３を排除できる。例えば、上記加熱及び加圧の際には、導電性粒子２と第１，第２の電極８２ａ，８３ａとの間に存在していた絶縁性粒子３が溶融したり、変形したりして、導電性粒子２の表面が部分的に露出する。なお、上記加熱及び加圧の際には、大きな力が付与されるので、導電性粒子２の表面から一部の絶縁性粒子３が剥離して、導電性粒子２の表面が部分的に露出することもある。導電性粒子２の表面が露出した部分が、第１，第２の電極８２ａ，８３ａに接触することにより、導電性粒子２を介して第１，第２の電極８２ａ，８３ａを電気的に接続できる。
【０１３７】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、電子部品を接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料はペースト状の導電ペーストであり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。
【０１３８】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子の使用により絶縁信頼性が効果的に高くなることから、上記第１の電極が形成されていない部分のスペースである電極間幅の最小値と上記第２の電極が形成されていない部分のスペースである電極間幅の最小値とがそれぞれ２０μｍ以下であることが好ましい。
【０１３９】
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、特にガラス基板と半導体チップとを接続対象部材とするＣＯＧ、ガラスエポキシ基板とフレキスブルプリント基板（ＦＰＣ）とを接続対象部材とするＦＯＢ又はガラス基板とフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）とを接続対象部材とするＦＯＧに好適に使用され、ＣＯＧ又はＦＯＧに使用されてもよく、ＦＯＢ又はＦＯＧに使用されてもよい。本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は、ＣＯＧに用いられてもよく、ＦＯＢに用いられてもよく、ＦＯＧに用いられてもよい。本発明に係る接続構造体では、上記第１，第２の接続対象部材が、ガラス基板と半導体チップとであるか、ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板とであるか、又はガラス基板とフレキシブルプリント基板とであることが好ましい。上記第１，第２の接続対象部材は、ガラス基板と半導体チップとであってもよく、ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板とであってもよく、ガラス基板とフレキシブルプリント基板とであってもよい。
【０１４０】
ガラス基板と半導体チップとを接続対象部材とするＣＯＧで使用される半導体チップには、バンプが設けられていることが好ましい。該バンプサイズは１０００μｍ２以上、１００００μｍ２以下の電極面積であることが好ましい。該バンプ（電極）が設けられた半導体チップにおける電極スペースは好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以下である。このようなＣＯＧ用途に、本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子は好適に用いられる。ガラス基板とフレキシブルプリント基板とを接続対象部材とするＦＯＧで使用されるＦＰＣでは、電極スペースは好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
【０１４１】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１４２】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１４３】
（導電性粒子）
以下の導電性粒子Ａ〜Ｇを用意した。なお、導電層の表面に複数の突起を有する導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子とニッケルめっき層との間に複数のニッケル微粒子を配置することで形成した。
【０１４４】
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．７８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．１１μｍ）が形成されている導電性粒子Ａ（導電層の表面に突起を有さない、平均粒子径３．００μｍ）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．７８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．１２５μｍ）が形成されている導電性粒子Ｂ（導電層の表面に突起を有さない、平均粒子径３．０３μｍ）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．７８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．０８μｍ）が形成されており、該ニッケルめっき層の表面上に金層（導電層、厚み０．０３μｍ）が形成されている導電性粒子Ｃ（導電層の表面に突起を有さない、平均粒子径３．００μｍ）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．７８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．１１μｍ）が形成されている導電性粒子Ｄ（導電層の表面に複数の突起（平均高さ０．１μｍ）を有する、平均粒子径３．００μｍ）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．７８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．１２５μｍ）が形成されている導電性粒子Ｅ（導電層の表面に複数の突起（平均高さ０．１μｍ）を有する、平均粒子径３．０３μｍ）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．７８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．０８μｍ）が形成されており、該ニッケルめっき層の表面上に金層（導電層、厚み０．０３μｍ）が形成されている導電性粒子Ｆ（導電層の表面に複数の突起（平均高さ０．２μｍ）を有する、平均粒子径３．００μｍ）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒子径２．２８μｍ）の表面上にニッケルめっき層（導電層、厚み０．１１μｍ）が形成されている導電性粒子Ｇ（導電層の表面に複数の突起（平均高さ０．１μｍ）を有する、平均粒子径２．５０μｍ）
【０１４５】
（絶縁性粒子の作製工程）
以下の絶縁性粒子ａ〜ｃを作製した。
【０１４６】
メタクリル酸メチル、ジメタクリル酸エチレングリコール、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレート、及び重合開始剤を含むモノマー組成物を使用し、ソープフリー重合を行って、絶縁性粒子ａ（平均粒子径２５０ｎｍ）、絶縁性粒子ｂ（平均粒子径１８０ｎｍ）、絶縁性粒子ｃ（平均粒子径３５０ｎｍ）を得た。
【０１４７】
以下の絶縁性粒子ｄ〜ｆを用意した。
【０１４８】
ゾルゲル法により作製されたシリカ粒子である絶縁性粒子ｄ（平均粒子径４００ｎｍ）
ゾルゲル法により作製されたシリカ粒子である絶縁性粒子ｅ（平均粒子径１５０ｎｍ）
ゾルゲル法により作製されたシリカ粒子である絶縁性粒子ｆ（平均粒子径５００ｎｍ）
【０１４９】
得られた絶縁性粒子ａ〜ｆをそれぞれ蒸留水に分散させて、絶縁性粒子ａ〜ｆの１０重量％分散液を得た。
【０１５０】
（実施例１）
導電部の表面に突起を有さない導電性粒子Ａと、絶縁性粒子ａの１０重量％分散液とを用意した。
【０１５１】
導電性粒子Ａ５０重量部を蒸留水３００ｍＬに分散させた後、絶縁性粒子ａの１０重量％分散液を滴下し、５０℃で８時間撹拌し、撹拌液を得た。得られた撹拌液をろ過した後、メタノールで洗浄し、５０℃で７時間真空乾燥することで、絶縁性粒子付き導電性粒子を得た。なお、実施例１、後述する実施例及び後述する比較例では、上記被覆率は、絶縁性粒子ａ〜ｆの１０重量％分散液の滴下量により、調整した。
【０１５２】
得られた絶縁性粒子付き導電性粒子における上記被覆率Ｘ１、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））及び上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））を下記の表１に示した。
【０１５３】
（実施例２〜７及び比較例１，２）
導電性粒子及び絶縁性粒子の種類を下記の表１に示すように変更したこと、並びに上記被覆率Ｘ１を下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、絶縁性粒子付き導電性粒子を得た。
【０１５４】
（実施例８）
導電部の表面に突起を有する導電性粒子Ｄと、絶縁性粒子ａの１０重量％分散液とを用意した。
【０１５５】
導電性粒子Ｄ５０重量部を蒸留水３００ｍＬに分散させた後、絶縁性粒子ａの１０重量％分散液を滴下し、５０℃で８時間撹拌し、撹拌液を得た。得られた撹拌液をろ過した後、メタノールで洗浄し、５０℃で７時間真空乾燥することで、絶縁性粒子付き導電性粒子を得た。
【０１５６】
得られた絶縁性粒子付き導電性粒子における上記被覆率Ｘ１、上記比（重量比（Ｘ／Ｙ））及び上記比（重量比（Ｘ／Ｚ））を下記の表２に示した。
【０１５７】
（実施例９〜１５及び比較例３，４）
導電性粒子及び絶縁性粒子の種類を下記の表２に示すように変更したこと、並びに上記被覆率Ｘ１を下記の表２に示すように設定したこと以外は実施例８と同様にして、絶縁性粒子付き導電性粒子を得た。
【０１５８】
下記の表１，２に示す重量比は実測値である。但し、重量比は以下の重量比の計算方法により求めることもできる。本願実施例及び比較例では、実測値と以下の重量比の計算方法により求められた値とは一致していた。
【０１５９】
（重量比の計算方法）
導電性粒子１個の重量を、比重、導電部の厚み及び体積から計算して求める。また、絶縁性粒子付き導電性粒子１個当たりの絶縁性粒子の数を、被覆率（被覆密度）等から計算し、絶縁性粒子付き導電性粒子１個当たりの絶縁性粒子の数に絶縁性粒子の比重をかけて絶縁性粒子付き導電性粒子１個当たりの絶縁性粒子全体の重量とする。それぞれの重量比を計算する。
【０１６０】
（評価）
（１）異方性導電ペーストの作製
熱硬化性化合物であるエポキシ化合物（ナガセケムテックス社製「ＥＰ−３３００Ｐ」）２０重量部と、熱硬化性化合物であるエポキシ化合物（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４０３２Ｄ」）１５重量部と、熱硬化剤であるイミダゾールのアミンアダクト体（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−Ｆ」））１０重量部と、硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾール１重量部と、フィラーであるアルミナ（平均粒子径０．５μｍ）２０重量部とを配合し、さらに実施例及び比較例の絶縁性粒子付き導電性粒子を配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。
【０１６１】
（２）第１の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍのＡｌ−Ｔｉ４％電極パターン（Ａｌ−Ｔｉ４％電極厚み１μｍ）を上面に有するガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍの金電極パターン（金電極厚み２０μｍ）を下面に有する半導体チップを用意した。
【０１６２】
上記ガラス基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ２０μｍとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、異方性導電材料層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３．０ＭＰａの圧力をかけて、異方性導電材料層を１８５℃で硬化させ、第１の接続構造体を得た。
【０１６３】
（３）第２の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍのＡｌ−Ｔｉ４％電極パターン（Ａｌ−Ｔｉ４％電極厚み１μｍ）を上面に有するガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍの金電極パターン（金電極厚み２０μｍ）を下面に有する半導体チップを用意した。
【０１６４】
Ｌ／Ｓが異なる上記ガラス基板及び半導体チップを用いたこと以外は第１の接続構造体の作製と同様にして、第２の接続構造体を得た。
【０１６５】
（４）第３の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍのＡｌ−Ｔｉ４％電極パターン（Ａｌ−Ｔｉ４％電極厚み１μｍ）を上面に有するガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍの金電極パターン（金電極厚み２０μｍ）を下面に有する半導体チップを用意した。
【０１６６】
Ｌ／Ｓが異なる上記ガラス基板及び半導体チップを用いたこと以外は第１の接続構造体の作製と同様にして、第３の接続構造体を得た。
【０１６７】
（５）粘度
得られた導電材料（異方性導電ペースト）の粘度を、Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、２５℃及び２．５ｒｐｍの条件で測定した。粘度を下記の基準で判定した。
【０１６８】
［粘度の判定基準］
Ａ：１００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下
Ｂ：Ａに相当しない
【０１６９】
（６）電極上の導電性粒子の配置精度
得られた第１，第２，第３の接続構造体において、導電材料により形成された接続部に含まれる導電性粒子を確認した。電極上に配置されている導電性粒子と電極間に配置されている導電性粒子との個数の割合（％）を評価した。電極上の導電性粒子の配置精度を下記の基準で判定した。
【０１７０】
［電極上の導電性粒子の配置精度の判定基準］
○○：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が７０％以上
○：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が６０％以上、７０％未満
△：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が５０％以上、６０％未満
×：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が５０％未満
【０１７１】
（７）上下の電極間の導通信頼性
得られた第１，第２，第３の接続構造体（ｎ＝１５個）において、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０１７２】
［導通信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が２．０Ω以下
○：接続抵抗の平均値が２．０Ωを超え、５．０Ω以下
△：接続抵抗の平均値が５．０Ωを超え、１０．０Ω以下
×：接続抵抗の平均値が１０．０Ωを超える
【０１７３】
（８）隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた第１，第２，第３の接続構造体（ｎ＝１５個）において、８５℃、８５％の雰囲気中に１００時間放置後、隣接する電極間が絶縁状態か導通状態かを２５か所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
【０１７４】
［絶縁信頼性の判定基準］
○○：絶縁状態の電極間が２５か所
○：絶縁状態の電極間が２０か所以上、２５か所未満
△：絶縁状態の電極間が１５か所以上、２０か所未満
×：絶縁状態の電極間が１５か所未満
【０１７５】
結果を下記の表１，２に示す。
【０１７６】
【表１】
0005530571.tif 000002
【０１７７】
【表２】
0005530571.tif 000003
【０１７８】
なお、実施例３と実施例１０とでは第１，第２，第３の接続構造体の導通評価の結果の判定結果は同じであるが、実施例１０の方が実施例３よりも接続抵抗の値は低かった。実施例５と実施例１２とでは第１，第２，第３の接続構造体の導通評価の結果の判定結果は同じであるが、実施例１２の方が実施例５よりも接続抵抗の値は低かった。実施例７と実施例１４とでは第１，第２，第３の接続構造体の導通評価の結果の判定結果は同じであるが、実施例１４の方が実施例７よりも接続抵抗の値は低かった。
【符号の説明】
【０１７９】
１…絶縁性粒子付き導電性粒子
２…導電性粒子
３…絶縁性粒子
１１…基材粒子
１２…導電部
２１…絶縁性粒子付き導電性粒子
２２…導電性粒子
３１…導電部
３２…芯物質
３３…突起
４１…絶縁性粒子付き導電性粒子
４２…導電性粒子
４３…絶縁性粒子
４５…絶縁性粒子本体
４６…層
５１…導電部
５２…突起
８１…接続構造体
８２…第１の接続対象部材
８２ａ…第１の電極
８３…第２の接続対象部材
８３ａ…第２の電極
８４…接続部
【要約】
導電性粒子を電極上に効率的に配置することができる絶縁性粒子付き導電性粒子を提供する。
本発明に係る絶縁性粒子付き導電性粒子１は、導電部１２を少なくとも表面に有する導電性粒子２と、導電性粒子２の表面上に配置されている複数の絶縁性粒子３とを備える。絶縁性粒子３全体の重量の導電性粒子２の重量に対する比は、０．０３を超え、０．２５以下である。【図１】
0005530571.tif 000004
【図２】
0005530571.tif 000005
【図３】
0005530571.tif 000006
【図４】
0005530571.tif 000007
【図５】
0005530571.tif 000008