(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第１のカプラと、
光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第２のカプラと、
光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第３のカプラと、
を有し、前記第１のカプラの前記第２の側の一方の入出力ポートと前記第２のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートとは第１の導波路により接続されており、前記第１のカプラの前記第２の側の他方の入出力ポートと前記第３のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートとは第２の導波路により接続されており、
前記第２のカプラの前記第２の側の２つの入出力ポートは第３の導波路により接続されており、前記第３のカプラの前記第２の側の２つの入出力ポートは第４の導波路により接続されており、
前記第３の導波路には所定の共振波長の光の位相を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されており、前記第４の導波路には所定の共振波長の光の位相を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されていないものであって、
前記第１のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートより、前記第１のカプラに入射した光のうち、前記第３の導波路において光の位相が１８０°シフトした前記所定の共振波長の光が、前記第１のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートより出射され、
前記第１のカプラは、前記第１の側または前記第２の側の入出力ポートより入射した光を１：１に均等に分岐するものであって、前記第２のカプラ及び前記第３のカプラは、前記第１の側または前記第２の側の入出力ポートより入射した光を均等に分岐するものではないことを特徴とする狭帯域反射フィルタ。
【請求項２】
前記共振器は、リング共振器またはディスク共振器であることを特徴とする請求項１に記載の狭帯域反射フィルタ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の狭帯域反射フィルタと、
前記第２のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに導波路を介し接続された第１の光モジュールと、
前記第３のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに導波路を介し接続された第２の光モジュールと、
を有し、第１の光モジュールは前記所定の共振波長の光の位相をシフトさせるものであって、第２の光モジュールは前記所定の共振波長の光の位相をシフトさせるものであることを特徴とする光変調装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の狭帯域反射フィルタと、
前記第２のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに接続された第５の導波路と、
前記第３のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに接続された第６の導波路と、
前記第５の導波路に近接して設けられた共振器と、
前記第６の導波路に近接して設けられた共振器と、
前記第５の導波路と第１の側の一方の入出力ポートとが接続され、前記第６の導波路と前記第１の側の他方の入出力ポートが接続されている第４のカプラと、
を有することを特徴とする光変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、狭帯域反射フィルタ及び光変調装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信用の変調器の小型化、低駆動電圧化を図るために、リング共振器を用いた変調器（リング共振器型変調器）が検討されている。リング共振器型変調器は、バス導波路にリング状の導波路（リング導波路）を結合した構造のものであり、リング導波路の周囲には導波路の屈折率を変調するための電極が形成されている。
【０００３】
リング共振器型変調器では、バス導波路の一方の端部から入力した連続光は、リング導波路に印加される電圧に応じて強度変調され、他方の端部から変調光として出力するものである。このようなリング共振器型変調器では、リング共振器が、周囲の温度に依存して共振波長が変化し、また、連続光の供給源となる半導体レーザ等も周囲の温度に依存して共振波長が変化する。このため、同一チップ上に、半導体レーザ等の光源とリング型共振器を搭載した構成の光半導体装置が開示されている。
【０００４】
また、波長可変フィルタとしては、リング共振器を用いた構造のものであって、外部素子から入射した光を２つのポートに分岐するものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２７６６４号公報
【特許文献２】国際公開第０７／０２９６４７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなリング共振器を用いた光素子としては、図１（ａ）に示すような４ポートのリング共振器型狭帯域フィルタと、図１（ｂ）に示すような２ポートのリング共振器型全域通過フィルタとがある。図１（ａ）に示す４ポートのリング共振器型狭帯域フィルタは、リング共振器２１１の共振波長に対応したフィルタであり、リング共振器２１１は、２つの導波路２１２及び２１３に近接して配置されている。このため４つの入出力部２１２ａ、２１２ｂ、２１３ａ、２１３ｂを有している。また、図１（ｂ）に示す２ポートのリング共振器型全域通過フィルタは、導波路の波長の光を全域通過させるものであり、リング共振器２２１は、１つの導波路２２２に近接して配置されている。このため２つの入出力部２２２ａ、２２２ｂを有している。尚、図１（ｂ）に示す２ポートのリング共振器型全域通過フィルタは、単独では特定の波長を取り出す等の機能を有するものではない。
【０００７】
ところで、シリコンフォトニクス等において用いられるシリコン等からなる導波路は、導波路の周囲との屈折率差が大きい。従って、リング共振器及び導波路を製造する際の製造誤差が、リング共振器を用いた光素子の特性に大きく影響を与える。このため、光素子を有するものとして、４ポートのリング共振器型狭帯域フィルタと、２ポートのリング共振器型全域通過フィルタを混在させた場合、双方の構造が異なることから、共振波長を一致させることは困難であった。また、４ポートのリング共振器型狭帯域フィルタでは、リング共振器２１１を２つの導波路２１２及び２１３に近接して、配置する必要があるため、製造する際の誤差をより受けやすい。
【０００８】
このため製造誤差の影響を受けにくく、環境条件等が変化した場合においても安定的に用いることのできる狭帯域反射フィルタ及び光変調装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施の形態の一観点によれば、光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第１のカプラと、光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第２のカプラと、光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第３のカプラと、を有し、前記第１のカプラの前記第２の側の一方の入出力ポートと前記第２のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートとは第１の導波路により接続されており、前記第１のカプラの前記第２の側の他方の入出力ポートと前記第３のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートとは第２の導波路により接続されており、前記第２のカプラの前記第２の側の２つの入出力ポートは第３の導波路により接続されており、前記第３のカプラの前記第２の側の２つの入出力ポートは第４の導波路により接続されており、前記第３の導波路には所定の共振波長の光の位相を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されており、前記第４の導波路には所定の共振波長の光の位相を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されていないものであって、前記第１のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートより、前記第１のカプラに入射した光のうち、前記第３の導波路において光の位相が１８０°シフトした前記所定の共振波長の光が、前記第１のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートより出射され、前記第１のカプラは、前記第１の側または前記第２の側の入出力ポートより入射した光を１：１に均等に分岐するものであって、前記第２のカプラ及び前記第３のカプラは、前記第１の側または前記第２の側の入出力ポートより入射した光を均等に分岐するものではないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
開示の反射フィルタ及び光変調装置によれば、製造誤差の影響を受けにくく、また、温度変化等の影響を受けにくいため、環境条件等が変化した場合においても安定して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】リング共振器の説明図
【図２】第１の実施の形態における狭帯域反射フィルタの構造図
【図３】第１の実施の形態における狭帯域反射フィルタの製造方法を示す製造工程図
【図４】第１の実施の形態における導波路とリング共振器の説明図
【図５】第１の実施の形態における光変調装置の構造図
【図６】第２の実施の形態における光変調装置の構造図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態として、狭帯域反射フィルタ及び光変調装置について説明する。本実施の形態は、リング共振器等においては、所定の共振波長（共振点）は、位相が１８０°シフトする現象に基づくものであり、光カプラとリング共振器等と導波路により形成される狭帯域反射フィルタ及びこの反射フィルタを有する光変調装置である。
【００１４】
図２に基づき本実施の形態における狭帯域反射フィルタについて説明する。本実施の形態における狭帯域反射フィルタは、同一チップ（基板）１上に、第１のカプラ２０、第２のカプラ３０、第３のカプラ４０、リング共振器５０及びこれらを接続する導波路を有している。この狭帯域反射フィルタは、光源となるＳＯＡ（Semiconductor Optical Amplifier）１０に接続されるものであり、図２においては、チップ１上にＳＯＡ１０が設けられているものを示している。
【００１５】
ＳＯＡ１０は、反射型ＳＯＡであり、一方の側に全反射ミラー１１が設けられており、全反射ミラー１１の設けられていない他方の側において、導波路１２と接続されている。
【００１６】
第１のカプラ２０は、入射した光を１：１に分岐、結合する２×２カプラであり、一方の側（第１の側）にポート２１及び２２を有し、他方の側（第２の側）に入出力ポート２３及び２４を有している。第２のカプラ３０は、例えば入射した光を４５：５５に分岐、結合する２×２カプラであり、一方の側（第１の側）に入出力ポート３１及び３２を有し、他方の側（第２の側）に入出力ポート３３及び３４を有している。第３のカプラ４０は、例えば入射した光を４５：５５に分岐、結合する２×２カプラであり、一方の側（第１の側）に入出力ポート４１及び４２を有し、他方の側（第２の側）に入出力ポート４３及び４４を有している。尚、第２のカプラ３０及び第３のカプラ４０は、結合比が１：１よりも若干ずれていれば、上記以外の比でもよく、用途や使用状況に応じて最適となる比率となるように形成されている。また、第１のカプラ２０、第２のカプラ３０及び第３のカプラ４０は、どのような光カプラでもよく、ＭＭＩ（Multi-Mode Interference）カプラまたは、導波路を近接させた構造のもの等により形成されている。
【００１７】
第１のカプラ２０の一方の入出力ポート２１は導波路１２と接続されており、ＳＯＡ１０からの光は導波路１２を介し入出力ポート２１より第１のカプラ２０に入射する。入出力ポート２１より第１のカプラ２０に入射した光は、第１のカプラ２０内で分岐され、入出力ポート２３を介し導波路２５に入射する光と、入出力ポート２４を介し導波路２６に入射する光に分けられる。
【００１８】
導波路２５に入射した光は、第２のカプラ３０の一方の側（第１の側）の入出力ポート３１より第２のカプラ３０に入射する。第２のカプラ３０では、他方の入出力ポート３３及び３４は一つの導波路３５に接続されている。即ち、入出力ポート３３には、導波路３５の一方の端部が接続されており、入出力ポート３４には、導波路３５の他方の端部が接続されている。よって、入出力ポート３１より第２のカプラ３０に入射した光は、第２のカプラ３０内で分岐されて、入出力ポート３３及び３４より出射され、ともに導波路３５に入射する。導波路３５には、近接してリング共振器５０が設けられており、リング共振器５０における共振波長λ０の光は、リング共振器５０により位相が１８０°シフト（１８０°反転）される。一方、共振波長λ０以外の波長の光は、リング共振器５０により位相がシフトされることはない。この後、導波路３５の光は、再び入出力ポート３３及び３４に入射し、第２のカプラ３０内において結合、分岐がなされ、入出力ポート３１及び３２により出射される。この際、出力ポート３２より導波路３６に取り出される光は、干渉による影響を受けるため第２のカプラ３０の結合比の差に対応した光量の光となる。一方、入出力ポート３１から出射した光は、導波路２５を介し第１のカプラ２０の入出力ポート２３に入射する。
【００１９】
また、導波路２６に入射した光は、第３のカプラ４０の一方の側（第１の側）の入出力ポート４１より第３のカプラ４０に入射する。第３のカプラ４０では、他方の入出力ポート４３及び４４は一つの導波路４５に接続されている。即ち、入出力ポート４３には、導波路４５の一方の端部が接続されており、入出力ポート４４には、導波路４５の他方の端部が接続されている。よって、入出力ポート４１より第３のカプラ４０に入射した光は、第３のカプラ４０内で分岐されて、入出力ポート４３及び４４より出射され、ともに導波路４５に入射する。導波路４５には近接してリング共振器は設けられていないため、位相がシフトすることはない。即ち、波長λ０の光においても位相が１８０°シフトすることはない。この後、導波路４５の光は、再び入出力ポート４３及び４４に入射し、第３のカプラ４０内において結合、分岐がなされ、入出力ポート４１及び４２により出射される。この際、入出力ポート４２より導波路４６に取り出される光は、干渉による影響を受けるため第３のカプラ４０の結合比の差に対応した光量の光となる。一方、入出力ポート４１から出射した光は導波路２６を介し、第１のカプラ２０の入出力ポート２４に入射する。
【００２０】
第１のカプラ２０に入射する光のうち、リング共振器５０における共振波長である波長λ０の光は、入出力ポート２３から入射する光と入出力ポート２４から入射する光との位相が、位相が１８０°シフトしている。このため、第１のカプラ２０内において干渉により、最初に第１のカプラ２０に入射した入出力ポート２１より光が出射され、導波路１２を介しＳＯＡ１０に入射する。ＳＯＡ１０の反対側には全反射ミラー１１が設けられているため、この全反射ミラー１１と上述した狭帯域反射フィルタにより共振器が形成され、ＳＯＡ１０において、波長λ０の光がレーザ発振する。このように本実施の形態における狭帯域フィルタは、波長λ０の光に対してミラーとして機能する。
【００２１】
一方、第１のカプラ２０に入射する光のうち、波長λ０以外の波長の光は、入出力ポート２３から入射する光と入出力ポート２４から入射する光との位相が同じである。このため、第１のカプラ２０内における干渉により、最初に第１のカプラ２０に入射した入出力ポート２１とは異なる入出力ポート２２より出射される。従って、ＳＯＡ１０には戻ることはないため、ＳＯＡ１０に再び入射することはない。
【００２２】
以上より、本実施の形態における狭帯域反射フィルタは、第１のカプラ２０、第２のカプラ３０、第３のカプラ４０、リング共振器５０及びこれらを接続する導波路により形成されており、特定の波長の光のみを反射させることができるものである。よって、上述のとおり、この狭帯域反射フィルタと反射型のＳＯＡ１０とを組み合わせることにより、レーザが形成される。尚、本実施の形態における狭帯域反射フィルタは、ＳＯＡ１０と同一チップ１上に設けられている必要はないが、ＳＯＡ１０と狭帯域反射フィルタとを同一チップ１上に設けることにより、より温度変化の影響を受けにくいものとすることができる。
【００２３】
（製造方法）
次に、図３に基づき本実施の形態における狭帯域反射フィルタの製造方法について説明する。
【００２４】
最初に、図３（ａ）に示すようなＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板６０を用意する。このＳＯＩ基板６０は、シリコン（Ｓｉ）基板６１上に、厚さ約３μｍのＳｉＯ２が形成されたＢＯＸ層６２、更に、厚さ約２５０ｎｍのシリコン層６３が形成されているものである。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、シリコン層６３に導波路７０を形成する。この導波路７０は所定の波長の光の導波路となる光導波路であり、導波路７０の幅Ａは約４８０ｎｍ、高さＢは約２００ｎｍである。具体的に、この導波路７０の形成方法は、シリコン層６３上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、導波路７０の形成される領域に不図示のレジストパターンを形成する。この後、このレジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等によるドライエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のシリコン層６３を除去する。このＲＩＥ等によるドライエッチングは、レジストパターンの形成されていない領域におけるシリコン層６３の厚さＣが約５０ｎｍとなるまで行なう。この後、レジストパターンを除去することにより、リブ領域７１を有するリブ構造の導波路７０を形成する。この際、導波路７０のうち、第２の導波路３０の入出力ポート３３及び３４に接続されている導波路３５とリング共振器５０の導波路との最も近接している部分の間隔Ｄは、約１５０ｎｍとなるように形成する。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、導波路７０及びリブ領域７１上に層間絶縁膜６４を形成する。層間絶縁膜６４は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等によりＳｉＯ２からなる膜を厚さ１μｍ堆積させることにより形成する。
【００２７】
このように形成された導波路７０は、図２に示す導波路１２、２５、２６、３５、３６、４５、４６及びリング共振器５０の導波路となるものである。尚、第１のカプラ２０、第２のカプラ３０及び第３のカプラ４０についても、導波路により形成されるものである場合には、上述した導波路７０と同様の方法により形成することが可能となる。
【００２８】
本実施の形態におけるリング共振器５０は、真円に近い形状のものであってもよく、また、楕円、レーストラック型の形状のものであってもよい。例えば、図４に示す構造のリング共振器５０は、約２．５μｍの直線部分と、曲率半径が約７．２μｍの曲線部分とを組み合わせた形状のものである。この際、リング共振器５０と導波路３５とは、リング共振器５０の直線部分において最も近接して配置されており、この近接して配置されている部分における間隔は、約１５０ｎｍである。
【００２９】
また、リング共振器５０が形成されている共振器部分では、波長λ０の光の位相を１８０°シフトすることのできるものであれば、どのような構造の共振器であってもよく、例えば、中央部に開口を有しない構造のディスク型の共振器であってもよい。
【００３０】
（光変調装置）
次に、図５に基づき本実施の形態における光変調装置について説明する。この光変調装置は、上述した狭帯域反射フィルタを有する光変調装置であり、同一チップ（基板）２上に、上述した狭帯域反射フィルタ、導波路３６に接続された第１のモジュレータ８０及び導波路４６に接続された第２のモジュレータ９０を有している。この第１のモジュレータ８０及び第２のモジュレータ９０は、同様の構造のものであり、マッハツェンダー（ＭＺ）型変調器である。
【００３１】
具体的には、第１のモジュレータ８０は、カプラ８１とカプラ８１により分岐された導波路８２及び８３と、導波路８２及び８３と接続されたカプラ８４を有している。導波路８２には、近接してリング共振器群８５が設けられており、導波路８３には、近接してリング共振器群８６が設けられている。リング共振器群８５及び８６は、位相シフタとなるものであり、リング共振器群８５は、リング共振器８５ａ、８５ｂ及び８５ｃにより形成され、リング共振器群８６は、リング共振器８６ａ、８６ｂ及び８６ｃにより形成されている。これにより共振波長において効率的に光の位相シフトさせることができる。
【００３２】
同様に、第２のモジュレータ９０は、カプラ９１とカプラ９１により分岐された導波路９２及び９３と、導波路９２及び９３と接続されたカプラ９４を有している。導波路９２には、近接してリング共振器群９５が設けられており、導波路９３には、近接してリング共振器群９６が設けられている。リング共振器群９５及び９６は、位相シフタとなるものであり、リング共振器群９５は、リング共振器９５ａ、９５ｂ及び９５ｃにより形成され、リング共振器群９６は、リング共振器９６ａ、９６ｂ及び９６ｃにより形成されている。これにより共振波長において効率的に光の位相シフトさせることができる。尚、図５では、一例として、各々３個のリング共振器により、リング共振器群が形成されている場合を示している。
【００３３】
また、第１のモジュレータ８０及び第２のモジュレータ９０は、導波路とカプラとリング共振器により形成されているため、本実施の形態における狭帯域反射フィルタと同様の方法により、同時に作製することが可能である。また、本実施の形態においては、第１のモジュレータ８０及び第２のモジュレータ９０を有する光変調装置、即ち、２つのモジュレータを有する光変調装置について説明したが、３以上のモジュレータを設けた構造の光変調装置であってもよい。
【００３４】
本実施の形態における光変調装置は、すべてのリング共振器は同一チップ上に形成されており、また、リング共振器９５ａ、９６ａ、５０は、すべて同一形状で形成されており、各々の導波路からの距離も略同じ間隔で形成されている。このように、すべてのリング型共振器を同一形状等で形成することにより、製造時における誤差を最小限に抑えることができ、また、温度変化等の光学的特性を変化させる要因が生じた場合においても、可能な限り安定した動作を実現することができる。また、図２に示す場合と同様に、ＳＯＡ１０をチップ２上に配置することにより、より温度変化への対応を高めたものとすることが可能である。
【００３５】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態における光変調装置は、第１の実施の形態における狭帯域反射フィルタを有する構造のものであり、一つのＭＺ型変調器を有する光変調装置である。
【００３６】
図６に基づき本実施の形態における光変調装置について説明する。本実施の形態における光変調装置は、同一チップ（基板）１０１上に、第１の実施の形態における狭帯域反射フィルタ、導波路３６及び４６が接続されたカプラ（第４のカプラ）１１０、リング共振器群１２１及びリング共振器群１２２を有している。尚、リング共振器群１２１は導波路３６に近接して配置されており、リング共振器群１２２は導波路４６に近接して配置されている。リング共振器群１２１及び１２２は、位相シフタとなるものであり、リング共振器群１２１は、リング共振器１２１ａ、１２１ｂ及び１２１ｃにより形成され、リング共振器群１２２は、リング共振器１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ及び１２２ｄにより形成されている。これにより、共振波長において効率的に位相シフトさせることができる。尚、本願では、導波路３６を第５の導波路、導波路４６を第６の導波路と称する場合があり、導波路３６及び導波路４６は、カプラ（第４のカプラ）１１０の一方の側（第１の側）の一方の入出力ポート１１１及び他方の入出力ポート１１２と各々接続されている。
【００３７】
尚、本実施の形態では、リング共振器群１２１は、３個のリング共振器１２１ａ、１２１ｂ及び１２１ｃにより形成されているが、リング共振器群１２２は、４個のリング共振器１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ及び１２２ｄにより形成されている。これは、導波路３６からの光は、リング共振器５０により変調された光であるため、特性の安定性等をより高めるため、導波路３６を通る光と導波路４６を通る光が同じ数のリング共振器により変調されるようにするためである。また、本実施の形態における光変調装置は、一つのＭＺ変調器を有する構造のものであるが、第１の実施の形態における光変調装置と比べて、カプラの数を一つ少なくすることができる。
【００３８】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３９】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第１のカプラと、
光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第２のカプラと、
光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第３のカプラと、
を有し、前記第１のカプラの前記第２の側の一方の入出力ポートと前記第２のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートとは第１の導波路により接続されており、前記第１のカプラの前記第２の側の他方の入出力ポートと前記第３のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートとは第２の導波路により接続されており、
前記第２のカプラの前記第２の側の２つの入出力ポートは第３の導波路により接続されており、前記第３のカプラの前記第２の側の２つの入出力ポートは第４の導波路により接続されており、
前記第３の導波路には所定の波長を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されており、前記第４の導波路には所定の波長を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されていないことを特徴とする狭帯域反射フィルタ。
（付記２）
前記共振器は、リング共振器またはディスク共振器であることを特徴とする付記１に記載の狭帯域反射フィルタ。
（付記３）
前記第１のカプラの前記第１の側の一方の入出力ポートには、反射型のＳＯＡが、前記反射型のＳＯＡにおいてミラーが形成されている面と反対側の面で接続されることを特徴とする付記１または２に記載の狭帯域反射フィルタ。
（付記４）
前記第１のカプラ、前記第２のカプラ、前記第３のカプラ及び前記共振器は、前記ＳＯＡと同一の基板上に形成されていることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の狭帯域反射フィルタ。
（付記５）
前記第１のカプラは、前記第１の側または前記第２の側の入出力ポートより入射した光を１：１に均等に分岐するものであって、前記第２のカプラ及び前記第３のカプラは、前記第１の側または前記第２の側の入出力ポートより入射した光を均等に分岐するものではないことを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の狭帯域反射フィルタ。
（付記６）
付記５に記載の狭帯域反射フィルタと、
前記第２のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに導波路を介し接続された第１の光モジュールと、
前記第３のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに導波路を介し接続された第２の光モジュールと、
を有することを特徴とする光変調装置。
（付記７）
前記第１の光モジュール及び前記第２の光モジュールは、マッハツェンダー型変調器であることを特徴とする付記６に記載の光変調器。
（付記８）
前記第３のカプラ及び前記第２の光モジュール、または、前記第２のカプラ及び前記第１の光モジュールは複数設けられていることを特徴とする付記６または７に記載の光変調器。
（付記９）
付記５に記載の狭帯域反射フィルタと、
前記第２のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに接続された第５の導波路と、
前記第３のカプラの前記第１の側の他方の入出力ポートに接続された第６の導波路と、
前記第５の導波路に近接して設けられた共振器と、
前記第６の導波路に近接して設けられた共振器と、
前記第５の導波路と第１の側の一方の入出力ポートとが接続され、前記第６の導波路と前記第１の側の他方の入出力ポートが接続されている第４のカプラと、
を有することを特徴とする光変調装置。
（付記１０）
前記第６の導波路に近接して設けられた共振器は複数設けられており、前記第５の導波路に近接して設けられた共振器の数よりも、前記第６の導波路に近接して設けられた共振器の数が一つ多いことを特徴とする付記９に記載の光変調装置。
【符号の説明】
【００４０】
１          チップ（基板）
１０        ＳＯＡ
１１        全反射ミラー
１２        導波路
２０        第１のカプラ
２１、２２、２３、２４        入出力ポート
２５        導波路（第１の導波路）
２６        導波路（第２の導波路）
３０        第２のカプラ
３１、３２、３３、３４        入出力ポート
３５        導波路（第３の導波路）
３６        導波路
４０        第３のカプラ
４１、４２、４３、４４        入出力ポート
４５        導波路（第４の導波路）
４６        導波路
５０        リング共振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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