(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層に臨む一方の面に設けられ、表示領域を構成する複数の画素の夫々に対応して形成されて、前記第２基板の側から前記複数の画素の夫々に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極と、
前記第１基板の一方の面とは反対側の面において、前記第１基板に接するように設けられており、前記第１基板より熱伝導率が高い熱伝導層と、
を備え、
前記第１基板は、石英基板であり、
前記熱伝導層は、多結晶シリコン層であることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１基板は、前記反対側の面に配置される他の層を含み、
前記熱伝導層は、前記他の層に接するように積層され、
前記他の層は、前記第１基板の液晶層に臨む面に形成される層と並行して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、反射型液晶装置等の液晶装置、及びそのような液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射型液晶装置は、液晶層から見てＴＦＴアレイ基板の反対側に配置された対向基板から入射した光を利用して画像を表示する。より具体的には、対向基板側から入射した入射光は、ＴＦＴアレイ基板上に形成された反射電極によって反射され、当該反射光を液晶によって変調することによって画像が表示される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
反射型液晶装置では、画素スイッチングＴＦＴ等の半導体素子が形成されたＴＦＴアレイ基板として、通常、単結晶シリコン基板が用いられることが多い。しかし、反射型液晶装置のＴＦＴアレイ基板が必ずしも単結晶シリコン基板で構成されている必要はなく、反射型液晶装置のＴＦＴアレイ基板として廉価なガラス基板や石英基板を用いることも提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８７７６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
反射型液晶装置が画像を表示する際には、対向基板側から画像表示領域に入射する入射光によって当該反射型液晶装置の温度が上昇し、液晶及び配向膜の劣化を招く。このような劣化が生じた場合、当該液晶装置の表示性能及び信頼性が低下してしまう問題点が生じる。特に、石英基板は、単結晶シリコン基板に比べて熱伝導率が低い。より具体的には、０℃におけるシリコンの熱伝導率は１６８Ｗ／ｍＫであるが、石英ガラスの熱伝導率は１．４Ｗ／ｍＫである。石英ガラスの熱伝導率はシリコンのそれより２桁以上も低い。
【０００６】
したがって、ＴＦＴアレイ基板に石英基板が用いられた場合、液晶装置の放熱特性が低下し、温度上昇に伴って液晶装置の表示性能及び信頼性の低下は一層顕著になる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、反射型液晶装置の表示性能及び信頼性を高めることが可能な液晶装置、及びそのような液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層に臨む一方の面に設けられ、表示領域を構成する複数の画素の夫々に対応して形成されて、前記第２基板の側から前記複数の画素の夫々に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極と、前記第１基板の一方の面とは反対側の面において、前記第１基板に接するように設けられており、前記第１基板より熱伝導率が高い熱伝導層と、を備え、前記第１基板は、石英基板であり、前記熱伝導層は、多結晶シリコン層であることを特徴とする。
また、上記の本発明に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層に臨む一方の面に設けられ、表示領域を構成する複数の画素の夫々に対応して形成されて、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極と、前記第１基板の一方の面とは反対側の面において、前記第１基板に接するように設けられており、前記第１基板より熱伝導率が高い熱伝導体とを備える。
【０００９】
本発明に係る液晶装置によれば、複数の画素電極は、前記第１基板の両面のうち前記液晶層に臨む一方の面の側における表示領域を構成し、例えば、マトリクス状に配列された複数の画素の夫々に形成されている。このような画素電極は、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する反射電極である。したがって、当該液晶装置は、第２基板側から入射する光を反射することによって表示領域に画像を表示可能な反射型液晶装置として用いられることができる。
【００１０】
熱伝導体は、第１基板の両面の他方の面の側において前記第１基板に接するように設けられている。したがって、当該液晶装置の動作時に、第１基板から当該熱伝導体に熱エネルギーが直接伝播可能である。ここで、熱伝導体は、第１基板より熱伝導率が高いため、第２基板側から入射した光に起因して第１基板に蓄積される熱エネルギーが第１基板から熱伝導体に速やかに伝播し、熱伝導体を介して液晶装置外部に逃がされる。特に、熱伝導体は、第１基板に直に接しているため、第１基板の他方の面が空気に曝されている場合に比べて、液晶装置から熱エネルギーを効率良く逃がすことが可能である。
【００１１】
したがって、本発明に係る液晶装置によれば、液晶装置の動作時に生じる当該液晶装置の温度上昇を抑制でき、熱エネルギーに起因して生じる液晶及び配向膜等の各部の劣化を抑制できる。これにより、熱伝導体を設けない場合に比べて、液晶装置の表示性能及び信頼性の高めることが可能である。
【００１２】
尚、本発明に係る液晶装置は、第１基板側から入射した光を画素電極で反射することによって画像を表示可能に構成されている。したがって、第１基板及び熱伝導体の夫々は、不透明材料を用いて構成することが可能であり、第１基板及び熱伝導体の夫々を構成する材料の選択枝が広がるという利点もある。
【００１３】
本発明に係る液晶装置の一の態様では、前記熱伝導体は、前記第１基板に積層された前記第１基板より熱伝導率が高い熱伝導層であってもよい。
【００１４】
この態様によれば、第１基板に直接熱伝導層を形成し、放熱性を高めることが可能になる。
【００１５】
この態様では、前記第１基板は、石英基板であり、前記熱伝導層は、多結晶シリコン層であってもよい。
【００１６】
この態様によれば、通常、石英基板は単結晶シリコン基板より廉価であるため、第１基板に石英基板を用いることによって、液晶装置の部品に要するコストを下げることが可能である。また、第１基板が単結晶シリコン基板の場合、画素電極の隙間を透過した光が単結晶シリコン基板に入射し、単結晶シリコン基板で反射した光が多重反射を繰り返してＴＦＴに入射することがある。しかし、第１基板が石英基板の場合、ほとんどの光は石英基板を透過するので、ＴＦＴに光が入射し難い。よって、第１基板に石英基板を用いた場合には、ＴＦＴに光リーク電流が流れ難く、高品位な表示を得ることができる。
【００１７】
多結晶シリコン層は、石英基板より熱伝導率が高いため、液晶装置から熱エネルギーが効率良く装置外部に逃がされる。
【００１８】
この態様によれば、特に、第１基板上に各種半導体素子、或いは配線等の導電部として多結晶シリコン層を形成する工程と並行して、他方の面にも多結晶シリコン層の形成が可能であるため、液晶装置の製造プロセスに別途工程を追加する必要がないという利点もある。
【００１９】
本発明に係る液晶装置の他の態様では、前記熱伝導体は、前記第１基板に積層され、前記第１基板より熱伝導率が高い熱伝導層を含む多層構造を有しており、前記熱伝導層は、前記多層構造の最下層に形成されており、前記多層構造のうち前記熱伝導層の上層側に形成された他の層は、前記第１基板の液晶層に臨む面に形成される層と並行して形成されていてもよい。
【００２０】
この態様によれば、熱伝導体は、例えば、第１基板上に半導体層及び絶縁層の夫々を形成する際に、同時に他方の面に形成される他の層を含んで構成される多層構造を有している。このような熱伝導体のうち当該多層構造の最下層に前記第１基板より熱伝導率が高い熱伝導層が形成されていることによって、熱伝導層を設けない場合に比べて効率良く液晶装置から熱エネルギーを逃がすことが可能である。
【００２１】
この態様では、前記第１基板は、石英基板であり、前記熱伝導層は、多結晶シリコン層であってもよい。
【００２２】
この態様によれば、石英基板より熱伝導率が高い多結晶シリコン層を介して熱エネルギーを効率良く逃がすことが可能である。特に、多結晶シリコン層は、第１基板上に半導体素子、或いは配線等の導電部を形成する際に同時に形成可能であるため、別途熱伝導層を形成する工程を追加することなく、放熱特性に優れた液晶装置を構成することが可能である。
【００２３】
本発明に係る液晶装置の他の態様では、前記第１基板は、石英基板であり、前記熱伝導層は、金属層であってもよい。
【００２４】
この態様によれば、熱伝導層として多結晶シリコン層を用いる場合に比べてより効果的に熱エネルギーを装置外部に逃がすことが可能である。このような金属層を構成する金属材料の一例としては、アルミニウム、タングステン、タングステン・シリサイド等が挙げられる。
【００２５】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の液晶装置を具備している。
【００２６】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る液晶装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００２７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る液晶装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００２９】
＜１：液晶装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本発明に係る液晶装置の一実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動される反射型液晶装置である。
【００３０】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明の「第１基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と、本発明の「第２基板」の一例である対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられた、本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００３２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３３】
液晶装置１は、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４を備えている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるように形成された複数の配線１０５によって相互に電気的に接続されている。
【００３４】
対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間で電気的な導通をとることができる。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。遮光膜２３は形成されない場合もある。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
液晶装置１は、その動作時に、図中上側である対向基板２０側から液晶装置１に液晶層５０に入射した入射光を画素電極９ａによって対向基板２０側に向かって反射し、画像を表示する。ＴＦＴアレイ基板１０の下面には、本発明の「熱伝導体」の一例である多結晶シリコン層１５０が形成されている。
【００３７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の回路部に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３８】
次に、図３を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける回路構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【００３９】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態にすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４１】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００４２】
次に、図４及び図５を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図４は、液晶装置１の画素部を拡大して示した平面図であり、図５は図４のＶ−Ｖ´断面図である。尚、図５では、説明の便宜上、液晶装置１の画素電極９ａより下層側の構造を示している。
【００４３】
図４及び図５において、画素部７２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に各々形成されたＴＦＴ３０、蓄積容量７０、データ線６、走査線３ａ、及び画素電極９ａを有している。多結晶シリコン層１５０は、ＴＦＴアレイ基板１０の下面に直に接するように形成されている、
ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、例えば多結晶シリコン層であり、ゲート電極３ａ１に重なるチャネル領域１ａ´、ソース領域１ｓ、及びドレイン領域１ｄを含んでいる。チャネル領域１ａ´には、走査線３ａに電気的に接続されたゲート電極３ａ１からの電界によりチャネルが形成される。
【００４４】
ゲート電極３ａ１は、多結晶シリコン膜等の導電膜や、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｌ等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等によって形成されており、ソース領域１ｓ及びドレイン領域１ｄに重ならないようにゲート絶縁膜４２を介してチャネル領域１ａ´上に設けられている。
【００４５】
コンタクトホール８１は、ゲート絶縁膜４２、絶縁膜４３、絶縁膜４４及び４５を貫通するように形成されており、データ線６ａ及びソース領域１ｓを相互に電気的に接続している。コンタクトホール８２は、ゲート絶縁膜４２及び絶縁膜４３を貫通するように形成されており、下側容量線７３及びドレイン領域１ｄを相互に電気的に接続している。
【００４６】
コンタクトホール８３は、絶縁膜４６、４５、及び４４を貫通するように形成されており、下側容量線７３及び画素電極９ａを相互に電気的に接続している。したがって、データ線６ａ及び画素電極９ａは、コンタクトホール８１、ＴＦＴ３０、コンタクトホール８２、下側容量線７３、及びコンタクトホール８３を介して相互に電気的に接続されており、ゲート電極３ａ１に供給される走査信号に応じて、画像信号に応じた電位が画素電極９ａに供給されることになる。
【００４７】
尚、蓄積容量７０は、下側容量線７３及び上側容量線７４間に延びる絶縁膜４４を誘電体膜として構成されており、ＴＦＴ３０の動作に応じて画素電極９ａに供給された電位を保持する。
【００４８】
液晶装置１の動作時には、図中上側から液晶層を介して画素電極９ａに到達した入射光が画素電極９ａによって反射され、画像信号に応じた画像が画像表示領域１０ａに表示される。
【００４９】
多結晶シリコン層１５０は、ＴＦＴアレイ基板１０より熱伝導率が高い。したがって、液晶装置１の動作時に入射光に起因してＴＦＴアレイ基板１０に蓄積される熱エネルギーがＴＦＴアレイ基板１０から多結晶シリコン層１５０に速やかに伝播し、多結晶シリコン層１５０を介して液晶装置１外部に逃がされる。特に、多結晶シリコン層１５０は、ＴＦＴアレイ基板１０に直に接しているため、ＴＦＴアレイ基板１０の下面が空気（０℃における熱伝導率が０．０２４１Ｗ／ｍＫ）に曝されている場合に比べて、ＴＦＴアレイ基板１０から熱エネルギーを効率良く逃がすことが可能である。
【００５０】
したがって、液晶装置１によれば、液晶装置１の動作時に生じる当該液晶装置１の温度上昇を抑制でき、熱エネルギーに起因して生じる液晶及び配向膜等の各部の劣化を抑制できる。これにより、多結晶シリコン層１５０を設けない場合に比べて、液晶装置１の表示性能及び信頼性の高めることが可能である。
【００５１】
尚、液晶装置１は、対向基板２０側から入射した入射光を画素電極９ａで反射することによって画像を表示可能に構成されているため、ＴＦＴアレイ基板１０及び多結晶シリコン層１５０の夫々に相当する基板及び熱伝導体を不透明な材料で構成することが可能である。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０及び多結晶シリコン層１５０の夫々に相当する部分は、石英及び多結晶シリコンと異なる材料を用いて各々が構成することも可能である。
【００５２】
加えて、液晶装置１では、走査線３ａ、即ちゲート電極３ａ１として多結晶シリコン層を用いる場合には、走査線３ａを形成する工程と並行して、ＴＦＴアレイ基板１０の下面に多結晶シリコン層１５０を形成可能である。したがって、液晶装置１の製造プロセスにおいて、別途多結晶シリコン層１５０を形成する工程を追加することなく、液晶装置１の放熱特性を高める構造を作り込むことが可能である。
【００５３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上にＴＦＴ３０等の半導体素子、及び各種配線部を形成するに先んじて、ＴＦＴアレイ基板１０の下面に多結晶シリコン層１５０を形成しておくいことにより、ＴＦＴ３０等を形成する際に生じる静電気を多結晶シリコン１５０を介してＴＦＴアレイ基板１０から逃がすことができる。したがって、多結晶シリコン層１５０によれば、ＴＦＴ３０等の静電破壊を低減することも可能である。
【００５４】
（変形例）
次に、本実施形態に係る液晶装置１の変形例を説明する。図６は、本例に係る液晶装置における図５に対応する断面図である。尚、以下では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００５５】
図６において、本例に係る液晶装置は、本発明の「熱伝導体」の一例である多層構造部１５０ａがＴＦＴアレイ基板１０の下面に形成されている点で上述の液晶装置１と相互に異なる。
【００５６】
多層構造部１５０ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の下面に近い側から順に形成された絶縁膜４１ａ、半導体層１ａａ、絶縁膜４２ａ、半導体層３ａａ、絶縁膜４３ａ、半導体層７３ａ、絶縁膜４４ａ、及び半導体層１５１から構成されている。これら半導体層及び絶縁膜は、ＴＦＴアレイ基板１０を基準にして、断面上でＴＦＴアレイ基板１０上に形成された各半導体層及び絶縁膜と対称に形成されている。即ち、多層構造部１５０ａを構成する各層は、ＴＦＴアレイ基板１０に半導体層及び絶縁膜を形成する工程と並行してＴＦＴアアレイ基板１０の下面側に順次形成されている。特に、多層構造部１５０ａの最下層に形成された半導体層１５１は、本発明の「熱伝導層」の一例を構成しており、上側容量線７４を形成する工程と並行して形成された多結晶シリコン層であり、上述の多結晶シリコン層１５０と同様にＴＦＴアレイ基板１０から効率良く熱エネルギーを逃がすことが可能である。
【００５７】
ここで、多層構造部１５０ａが形成される工程を詳細に説明する。縦型炉を用いたＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学気相堆積）法でＴＦＴアレイ基板１０上にＴＦＴの下地となる酸化シリコン層４１を形成し、その上に非晶質シリコン層を形成する。縦型炉を用いたＬＰ−ＣＶＤ法を用いているので、酸化シリコン層と非晶質シリコン層はＴＦＴアレイ基板１０の両側に形成される。次に、６００℃から７００℃の窒素雰囲気中で熱処理を行い、非晶質シリコン層を結晶化して多結晶シリコン層とする。この際、ＴＦＴアレイ基板１０の下面側に形成されていた非晶質シリコン層も多結晶シリコン層となる。次に、ＴＦＴアレイ基板１０の上面側の多結晶シリコン層を島状に加工する。ＴＦＴアレイ基板１０上において島状に形成された多結晶シリコン層１ａを熱酸化することによって、ゲート絶縁膜４２として用いられる酸化シリコン層を形成する。この際、ＴＦＴアレイ基板１０の下面側にも、酸化シリコン層からなる絶縁膜４２ａが同時に形成される。尚、このような酸化シリコン層は、縦型炉を用いたＬＰ−ＣＶＤ法を用いて形成することも可能である。次に、縦型炉を用いたＬＰ−ＣＶＤ法によって、ゲート電極３ａ１として、不純物が注入された多結晶シリコン層を形成する。これと同時に、ＴＦＴアレイ基板１０の下面側に半導体層３ａａが形成される。次に、ＴＦＴアレイ基板１０上の島状の多結晶シリコン層１ａに不純物を注入することによって、半導体層１ａにソース領域１ｓ及びドレイン領域１ｄを形成する。縦型炉を用いたＬＰ−ＣＶＤ法によって、層間絶縁膜４３として、酸化シリコン層を形成する。コンタクトホール８２は、層間絶縁膜４３を含む積層部分を貫通するように形成される。そして、縦型炉を用いたＬＰ−ＣＶＤ法によって、下側容量電極７３としての不純物が注入された多結晶シリコン層、容量絶縁膜４４としての酸化シリコン層、及び上側容量線７４としての不純物が注入された多結晶シリコン層を形成する。それと並行して、ＴＦＴアレイ基板１０の下面側に半導体層７３ａ、絶縁膜４４ａ、半導体層１５１が形成される。続いて、枚葉式のプラズマＣＶＤ法を用いて層間絶縁膜４５としての酸化シリコン層を形成する。枚様式のプラズマＣＶＤ法を用いているので、ＴＦＴアレイ基板１０の下面側に酸化シリコン層は形成されない。コンタクトホール８１を形成し、スパッタリング法によってデータ線６ａとしてのアルミニウム膜を形成する。スパッタリング法を用いているので、ＴＦＴアレイ基板１０の下面側にアルミニウム膜は形成されない。枚様式プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜４６としての酸化シリコン層を形成し、コンタクトホール８３を形成する。スパッタリング法によって画素電極９ａとしてのアルミニウム膜を形成する。このようにして、ＴＦＴアレイ基板１０上にＴＦＴ３０等を形成する工程と並行して多層構造部１５０ａが形成可能になっている。
【００５８】
尚、多層構造部１５０の最下層の半導体層１５１の代わりに、或いは半導体層１５１の下面にアルミニウム等の金属膜を形成し、液晶装置の放熱特性を高めることも可能である。アルミニウム膜を形成する際には、スパッタリング法を用いることができる。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、入射光に起因して生じる液晶装置における温度上昇を低減でき、液晶及び配向膜の熱エネルギーによる劣化を低減できる。したがって、本実施形態に係る液晶装置によれば、液晶装置の表示性能及び信頼性の両方を高めることが可能である。
【００６０】
（電子機器）
次に、図７を参照しながら、上述の液晶装置をライトバルブとして用いた反射型プロジェクタを説明する。図７は、本実施形態に係る電子機器の一例である反射型プロジェクタの構成を示した図である。
【００６１】
図７において、プロジェクタ４００では、光源ランプ２００から出射された光（概ね白色光）は、クロスダイクロイックミラーからなる色分解ミラー２０１により青色光Ｂと赤色光Ｒ・緑色光Ｇに分光される。また、各光はミラー２０２を介して偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２０３に入射され、ＰＢＳ２０３によりＳ偏光光が色光変調用の反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇに入射される。入射された色光は、各ライトバルブによって変調された後、各ライトバルブから出射される。ＰＢＳ２０３では反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから戻ってきたＳ偏光成分が反射しＰ偏光成分を透過する。従って、各ＰＢＳ２０３からは、液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから出射された光の偏光軸の回転程度に応じた光量の色光が透過してくる。この光量が、各色光に割り当てられた階調レベルに応じた光量（透過率）に相当する。各ＰＢＳ２０３を透過した色光は、色合成プリズム２０４内にＸ字状に形成された青色光反射・赤色光反射の波長選択反射層により、青色光Ｂと赤色光Ｒが反射され、緑色光Ｇが透過されて、カラー光が合成されて射出される。このカラー光を投射レンズ２０５によりスクリーン２０６に画像が投射される。本実施形態に係るプロジェクタ４００によれば、上述の液晶装置を具備してなるので、表示性能及び信頼性の両方を向上可能に構成されていることになる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本実施形態に係る液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素部を拡大して示した平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の変形例における図５に対応する断面図である。
【図７】本実施形態に係る電子機器の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６３】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、９ａ・・・画素電極、１５０・・・多結晶シリコン層、１５０ａ・・・多層構造部、１５１・・・半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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