(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場、勾配磁場、および複数のＲＦコイルによるＲＦ磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するＭＲＩ装置であって、
複数のＲＦコイルにより対象にそれぞれ印加されるＲＦ磁場の強度が均等になるように複数のＲＦコイルの供給電力の比を調節する調節手段と、
複数のＲＦコイルの各々のインピーダンスを測定するインピーダンス測定部と、
を具備し、
前記調節手段は、
前記インピーダンス測定部により測定されたインピーダンスに基づいて前記比を調節することを特徴とする記載のＭＲＩ装置。
【請求項２】
前記比は、前記インピーダンスの逆数の比である、
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＲＩ装置。
【請求項３】
前記複数のＲＦコイルは対象を円筒状に取り囲む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＲＩ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ）装置に関し、とくに、静磁場、勾配磁場および複数のＲＦコイル（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｃｏｉｌ）によるＲＦ磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するＭＲＩ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パラレルイメージング（ｐａｒａｌｌｅｌ  ｉｍａｇｉｎｇ）等を行うＭＲＩ装置では、対象からの磁気共鳴信号の受信は複数のＲＦコイルを用いて行われる。複数のＲＦコイルの受信信号は複数の受信器を通じてそれぞれ受信される。複数のＲＦコイルは相互に電磁結合しないように構成されており、そのようなＲＦコイルはフェーズドアレイ・コイル（ｐｈａｓｅｄ  ａｒｒａｙ  ｃｏｉｌ）とも呼ばれる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−０９７６０６号公報（第５−７頁、図１−２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フェーズドアレイ・コイルを送信コイルとしても使用する試みがあるが、フェーズドアレイ・コイルは対象に近接して使用されるので、個々のＲＦコイルごとに対象との位置関係が異なることがあり得る。そのような場合は、各ＲＦコイルに同一のＲＦ電力を供給しても、個々のＲＦコイルによる対象へのＲＦ磁場の印加が均等にならず、適切なイメージングは行えない。
【０００５】
そこで、本発明の課題は、複数のＲＦコイルによるＲＦ磁場の印加が均等なＭＲＩ装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するための本発明は、静磁場、勾配磁場および複数のＲＦコイルによるＲＦ磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するＭＲＩ装置であって、複数のＲＦコイルにより対象にそれぞれ印加されるＲＦ磁場の強度が均等になるように複数のＲＦコイルの供給電力の比を調節する調節手段、を具備することを特徴とするＭＲＩ装置である。
【０００７】
前記調節手段は、共通のセンサによるＲＦ磁場検出信号に基づいて前記比を調節することが、センサ数を最小限にする点で好ましい。
【０００８】
前記比は、前記共通のセンサによるＲＦ磁場検出信号として、対象が存在しない状態において複数のＲＦコイルに同一強度のＲＦ磁場をそれぞれ発生させたときのＲＦ磁場検出信号に一致する信号が得られる比であることが、電力比を適正化する点で好ましい。
【０００９】
前記調節手段は、複数のＲＦコイルごとのセンサによるＲＦ磁場検出信号に基づいて前記比を調節することが、ＲＦ磁場検出条件を平等にする点で好ましい。
【００１０】
前記比は、前記検出信号の２乗の逆数の比であることが、電力比を適正化する点で好ましい。
【００１１】
前記調節手段は、複数のＲＦコイルの個別のインピーダンスに基づいて前記比を調節することが、ＲＦコイルの電気的特性値を利用する点で好ましい。
【００１２】
前記比は、前記インピーダンスの逆数の比であることが、電力比を適正化する点で好ましい。
【００１３】
前記複数のＲＦコイルは対象を円筒状に取り囲むことが、撮像中心の共有が容易な点で好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＭＲＩ装置が、静磁場、勾配磁場および複数のＲＦコイルによるＲＦ磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するＭＲＩ装置であって、複数のＲＦコイルにより対象にそれぞれ印加されるＲＦ磁場の強度が均等になるように複数のＲＦコイルの供給電力の比を調節する調節手段を具備するので、複数のＲＦコイルによるＲＦ磁場の印加を均等にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を実施するための最良の形態の一例のブロック図である。
【図２】受信コイル部の主要部を示す図である。
【図３】受信コイル部と対象の関係を示す図である。
【図４】ＲＦコイル部１０８、ＲＦ駆動部１４０、データ収集部１５０およびシーケンス制御部１６０の構成を示す図である。
【図５】ＲＦコイル部１０８、ＲＦ駆動部１４０、データ収集部１５０およびシーケンス制御部１６０の構成を示す図である。
【図６】ＲＦコイル部１０８、ＲＦ駆動部１４０、データ収集部１５０およびシーケンス制御部１６０の構成を示す図である。
【図７】磁気共鳴撮影用のパルスシーケンスの一例を示す図である。
【図８】磁気共鳴撮影用のパルスシーケンスの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、本発明は発明を実施するための最良の形態に限定されるものではない。図１にＭＲＩ装置のブロック（ｂｌｏｃｋ）図を示す。本装置は発明を実施するための最良の形態の一例である。本装置の構成によって、ＭＲＩ装置に関する本発明を実施するための最良の形態の一例が示される。
【００１７】
同図に示すように、本装置はマグネットシステム（ｍａｇｎｅｔ  ｓｙｓｔｅｍ）１００を有する。マグネットシステム１００は主磁場コイル（ｃｏｉｌ）部１０２、勾配コイル部１０６およびＲＦコイル部１０８を有する。これら各コイル部は概ね円筒状の形状を有し、互いに同軸的に配置されている。
【００１８】
マグネットシステム１００の概ね円柱状の内部空間（ボア：ｂｏｒｅ）に、撮像の対象１がクレードル（ｃｒａｄｌｅ）５００に搭載されて図示しない搬送手段により搬入および搬出される。対象１の例えば頭部はＲＦコイル部１０８内に収容されている。ＲＦコイル部１０８については、後にあらためて説明する。
【００１９】
主磁場コイル部１０２はマグネットシステム１００の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向は概ね対象１の体軸の方向に平行である。すなわちいわゆる水平磁場を形成する。主磁場コイル部１０２は例えば超伝導コイルを用いて構成される。なお、超伝導コイルに限らず常伝導コイル等を用いて構成してもよい。
【００２０】
勾配コイル部１０６は、互いに垂直な３軸すなわちスライス（ｓｌｉｃｅ）軸、位相軸および周波数軸の方向において、それぞれ静磁場強度に勾配を持たせるための３つの勾配磁場を生じる。
【００２１】
静磁場空間における互いに垂直な座標軸をｘ，ｙ，ｚとしたとき、いずれの軸もスライス軸とすることができる。その場合、残り２軸のうちの一方を位相軸とし、他方を周波数軸とする。また、スライス軸、位相軸および周波数軸は、相互間の垂直性を保ったままｘ，ｙ，ｚ軸に関して任意の傾きを持たせることも可能である。本装置では対象１の体幅の方向をｘ方向とし、体厚の方向をｙ方向とし、体軸の方向をｚ方向とする。
【００２２】
スライス軸方向の勾配磁場をスライス勾配磁場ともいう。位相軸方向の勾配磁場を位相エンコード（ｅｎｃｏｄｅ）勾配磁場ともいう。周波数軸方向の勾配磁場をリードアウト（ｒｅａｄ  ｏｕｔ）勾配磁場ともいう。リードアウト勾配磁場は周波数エンコード勾配磁場と同義である。このような勾配磁場の発生を可能にするために、勾配コイル部１０６は図示しない３系統の勾配コイルを有する。以下、勾配磁場を単に勾配ともいう。
【００２３】
ＲＦコイル部１０８は静磁場空間に対象１の体内のスピン（ｓｐｉｎ）を励起するためのＲＦ磁場を形成する。以下、ＲＦ磁場を形成することをＲＦ励起信号の送信ないしＲＦ送信ともいう。また、ＲＦ励起信号をＲＦパルス（ｐｕｌｓｅ）ともいう。
【００２４】
励起されたスピンが生じる電磁波すなわち磁気共鳴信号は、ＲＦコイル部１０８によって受信される。磁気共鳴信号は、周波数ドメイン（ｄｏｍａｉｎ）すなわちフーリエ（Ｆｏｕｒｉｅｒ）空間の信号となる。
【００２５】
位相軸方向および周波数軸方向の勾配により、磁気共鳴信号のエンコードを２軸で行えば、磁気共鳴信号は２次元フーリエ空間についてのサンプリング信号として得られ、スライス勾配をも利用してエンコードを３軸で行えば３次元フーリエ空間についての信号として得られる。各勾配は、２次元あるいは３次元フーリエ空間における信号のサンプリング位置を決定する。以下、フーリエ空間をｋスペース（ｋ−ｓｐａｃｅ）ともいう。
【００２６】
勾配コイル部１０６には勾配駆動部１３０が接続されている。勾配駆動部１３０は勾配コイル部１０６に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆動部１３０は、勾配コイル部１０６における３系統の勾配コイルに対応して、図示しない３系統の駆動回路を有する。
【００２７】
ＲＦコイル部１０８にはＲＦ駆動部１４０が接続されている。ＲＦ駆動部１４０はＲＦコイル部１０８に駆動信号を与えてＲＦパルスを送信させ、対象１の体内のスピンを励起する。
【００２８】
ＲＦコイル部１０８には、また、データ（ｄａｔａ）収集部１５０が接続されている。データ収集部１５０は、ＲＦコイル部１０８が受信した受信信号をディジタルデータ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｄａｔａ）として収集する。
【００２９】
勾配駆動部１３０、ＲＦ駆動部１４０およびデータ収集部１５０にはシーケンス（ｓｅｑｕｅｎｃｅ）制御部１６０が接続されている。シーケンス制御部１６０は、勾配駆動部１３０ないしデータ収集部１５０をそれぞれ制御して磁気共鳴信号の収集を遂行する。
【００３０】
シーケンス制御部１６０は、例えばコンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等を用いて構成される。シーケンス制御部１６０はメモリ（ｍｅｍｏｒｙ）を有する。メモリはシーケンス制御部１６０用のプログラム（ｐｒｏｇｒａｍ）および各種のデータを記憶している。シーケンス制御部１６０の機能は、コンピュータがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより実現される。
【００３１】
データ収集部１５０の出力側はデータ処理部１７０に接続されている。データ収集部１５０が収集したデータがデータ処理部１７０に入力される。データ処理部１７０は、例えばコンピュータ等を用いて構成される。データ処理部１７０はメモリを有する。メモリはデータ処理部１７０用のプログラムおよび各種のデータを記憶している。
【００３２】
データ処理部１７０はシーケンス制御部１６０に接続されている。データ処理部１７０はシーケンス制御部１６０の上位にあってそれを統括する。本装置の機能は、データ処理部１７０がメモリに記憶されたプログラムを実行することによりを実現される。
【００３３】
データ処理部１７０は、データ収集部１５０が収集したデータをメモリに記憶する。メモリ内にはデータ空間が形成される。このデータ空間はｋスペースに対応する。データ処理部１７０は、ｋスペースのデータを逆フ−リエ変換することにより画像を再構成する。
【００３４】
データ処理部１７０には表示部１８０および操作部１９０が接続されている。表示部１８０は、グラフィックディスプレー（ｇｒａｐｈｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ）等で構成される。操作部１９０はポインティングデバイス（ｐｏｉｎｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）を備えたキーボード（ｋｅｙｂｏａｒｄ）等で構成される。
【００３５】
表示部１８０は、データ処理部１７０から出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操作部１９０は、使用者によって操作され、各種の指令や情報等をデータ処理部１７０に入力する。使用者は表示部１８０および操作部１９０を通じてインタラクティブ（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ）に本装置を操作することが可能である。
【００３６】
図２に、ＲＦコイル部１０８の主要部を斜視図によって示す。同図に示すように、ＲＦコイル部１０８は複数のコイル８０２−８０８を有する。コイル８０２−８０８は、それぞれが長方形のコイルであり、全体として円筒を形成するように配置される。このように配置することにより、撮像中心を共有することが容易になる。円筒の軸方向は体軸方向と一致する。コイル８０２−８０８は、本発明における複数のＲＦコイルの一例である。
【００３７】
ここでは、コイル数が４である例を示すが、それ以外の適宜の複数であってよい。コイル８０２−８０８はそれぞれ閉ループ（ｌｏｏｐ）をなす。各ループは、キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を直列に有する導体のループである。ただし、キャパシタの図示は省略してある。
【００３８】
コイル８０２−８０８は、相互に電磁的にカップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）しないように構成されている。すなわち、コイル８０２−８０８はフェーズドアレイ・コイルとなっている。フェーズドアレイ・コイルは、各ループに中和回路を設けること等によって実現される。
【００３９】
ＲＦコイル部１０８内に対象１を収容した状態を図３に示す。同図は、体軸方向に見た図である。対象１はその輪郭が概ね楕円形ではあるが、一般的には厳密な体軸対称性を持たない。さらに、体軸がＲＦコイル部１０８の中心軸に常に一致するとは限らない。したがって、対象１とコイル８０２−８０８の位置関係はコイルごとに相違する。
【００４０】
このため、コイル８０２−８０８に供給するＲＦ電力を全て同一にしても、対象１に実際に印加されるＲＦ磁場は、負荷条件等の相違によりコイルごとに相違することとなるが、本装置は、対象１とコイル８０２−８０８の個々の位置関係の相違に関わらず、対象１に実際に印加されるＲＦ磁場を均等にする手段を備えている。以下、それについて説明する。
【００４１】
図４に、ＲＦコイル部１０８、ＲＦ駆動部１４０、データ収集部１５０およびシーケンス制御部１６０の主要な構成の一例を示す。同図に示すように、ＲＦ駆動部１４０は出力段にパワーアンプ（ｐｏｗｅｒ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）４０２−４０８を有する。パワーアンプ４０２−４０８は可変ゲイン（ｇａｉｎ）のアンプである。パワーアンプ４０２−４０８は入力のＲＦパルスを電力増幅し、送受切換器４１２−４１８を通じてＲＦコイル部１０８のコイル８０２−８０８にそれぞれ供給する。
【００４２】
コイル８０２−８０８の受信信号は、送受切換器４１２−４１８を通じてデータ収集部１５０の入力段のプリアンプ（ｐｒｅ−ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）５０２−５０８にそれぞれ入力される。
【００４３】
ＲＦコイル部１０８の近傍には、センサ（ｓｅｎｓｏｒ）４２０が設けられ、ＲＦコイル部１０８が発生するＲＦ磁場の強度が検出される。センサ４２０は、本発明における共通のセンサの一例である。共通のセンサを用いるので、センサ数を最小限にすることができる。センサ４２０としては、例えばサーチコイル（ｓｅａｒｃｈ  ｃｏｉｌ）等が用いられる。センサ４２０の検出信号は調節部４３０に入力される。
【００４４】
調節部４３０は、入力信号に基づいてパワーアンプ４０２−４０８のゲインを個々に調節する。パワーアンプ４０２−４０８の個々のゲインは、コイル８０２−８０８によって対象１にそれぞれ印加されるＲＦ磁場の強度が全て同じになるように調節される。調節部４３０は、本発明における調節手段の一例である。
【００４５】
ゲイン調節について説明する。ゲイン調節に当たっては、まず、ＲＦコイル部１０８内に対象１を収容しない状態で、コイル８０２−８０８に同一のＲＦ電力を逐次供給して同一磁場強度のＲＦ磁場をそれぞれ発生させ、そのつど得られるセンサ４２０の検出値をそれぞれ記憶する。これによって、コイル８０２−８０８に同一のＲＦ磁場をそれぞれ発生させたときの、センサ４２０の位置におけるＲＦ磁場強度検出値がコイルごとに得られる。
【００４６】
次に、ＲＦコイル部１０８内に対象１を収容した状態で、コイル８０２−８０８のうちの１つ例えばコイル８０２について、上記と同一のＲＦ電力を供給してＲＦ磁場を発生させ、そのときのセンサ４２０の検出値を求める。
【００４７】
対象１を収容したことに伴う負荷条件等の変化により、同一のＲＦ電力を供給しても、コイル８０２が発生するＲＦ磁場は先の無負荷時と同じになるとは限らない。磁場強度が相違する場合は、先の検出値とは異なる検出値が得られる。
【００４８】
そのような場合は、調節部４３０は、パワーアンプ４０２のゲインを調節してコイル８０２に供給するＲＦ電力を変化させ、磁場強度の検出値が先の検出値と一致するようにする。検出値の一致は磁場強度の一致を示しているので、このとき、パワーアンプ４０２の
出力電力は、コイル８０２に無負荷時と同一強度のＲＦ磁場を発生させるＲＦ電力となる。これによって、コイル８０２に無負荷時と同一強度のＲＦ磁場を発生させるＲＦ電力を供給するための、パワーアンプ４０２のゲインが定まる。
【００４９】
同様なゲイン調節が他のパワーアンプ４０４−４０８についてもそれぞれ行われ、無負荷時と同一強度のＲＦ磁場をコイル８０４−８０８にそれぞれ発生させるための、パワーアンプ４０４−４０８のゲインがそれぞれ定まる。
【００５０】
このようにして定められたパワーアンプ４０２−４０８のゲインの比は、現在の負荷条件等の下で、コイル８０２−８０８に同一強度のＲＦ磁場をそれぞれ発生させるための、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の比を表す。
【００５１】
したがって、撮影用のＲＦ励起時には、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力をこの比を維持して行うことにより、コイル８０２−８０８から対象１に印加されるＲＦ磁場強度を全て均等にすることができる。なお、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の絶対値すなわちＲＦ磁場強度の絶対値は、所望するスピン励起の度合いに応じて適宜に制御される。
【００５２】
図５に、ＲＦコイル部１０８、ＲＦ駆動部１４０、データ収集部１５０およびシーケンス制御部１６０の主要な構成の他の例を示す。同図において図４に示したものと同様な部分は同一の符号を付して説明を省略する。
【００５３】
同図では、ＲＦ磁場用のセンサ４２２−４２８がコイル８０２−８０８ごとに設けられる。センサ４２２−４２８は対応するコイルの近傍にそれぞれ設けられる。センサ４２２−４２８は、本発明における複数のＲＦコイルごとのセンサの一例である。複数のＲＦコイルごとにセンサを設けることにより、ＲＦ磁場検出条件を平等にすることができる。
【００５４】
調節部４３０は、センサ４２２−４２８からの入力信号に基づいてパワーアンプ４０２−４０８のゲインを個々に調節する。パワーアンプ４０２−４０８の個々のゲインは、コイル８０２−８０８によって対象１にそれぞれ印加されるＲＦ磁場の強度が全て同じになるように調節される。調節部４３０は、本発明における調節手段の一例である。
【００５５】
ゲイン調節について説明する。ゲイン調節はＲＦコイル部１０８内に対象が収容された状態で行われる。すなわち、ＲＦコイル部１０８内に対象１を収容した状態で、コイル８０２−８０８に同一のＲＦ電力を逐次供給してＲＦ磁場をそれぞれ発生させ、そのつど得られるセンサ４２２−４２８の検出値をそれぞれ求める。これによって、コイル８０２−８０８に同一のＲＦ電力をそれぞれ供給したときの、ＲＦ磁場強度検出値がコイルごとに得られる。
【００５６】
対象１とコイル８０２−８０８の位置関係がコイルごとに異なることにより、同一のＲＦ電力を供給しても、コイル８０２−８０８が発生するＲＦ磁場は全て同じになるとは限らない。磁場強度が相違する場合は、センサ４２２−４２８によってそれぞれ異なる検出値が得られる。
【００５７】
調節部４３０は、パワーアンプ４０２−４０８のゲインの比をセンサ４２２−４２８の検出値の２乗の逆数の比となるように調節する。このようにして定められたパワーアンプ４０２−４０８のゲインの比は、現在の負荷条件等の下で、コイル８０２−８０８に同一強度のＲＦ磁場をそれぞれ発生させるための、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の比となる。
【００５８】
したがって、撮影時のＲＦ励起は、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の比をこの比に維持して行うことにより、コイル８０２−８０８から対象１に印加されるＲＦ磁場強度を全て均等にすることができる。なお、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の絶対値は、所望するスピン励起の度合いに応じて適宜に制御される。
【００５９】
図６に、ＲＦコイル部１０８、ＲＦ駆動部１４０、データ収集部１５０およびシーケンス制御部１６０の主要な構成の他の例を示す。同図において図４に示したものと同様な部分は同一の符号を付して説明を省略する。
【００６０】
同図では、コイル８０２−８０８のインピーダンス（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）がインピーダンス測定部４４０によって測定される。インピーダンス測定部４４としては、例えば、反射波利用形のインピーダンス測定器等が用いられる。
【００６１】
調節部４３０は、インピーダンス測定部４４０から入力されるコイル８０２−８０８ごとのインピーダンスに基づいてパワーアンプ４０２−４０８のゲインを個々に調節する。パワーアンプ４０２−４０８の個々のゲインは、コイル８０２−８０８によって対象１にそれぞれ印加されるＲＦ磁場の強度が全て同じになるように調節される。調節部４３０は、本発明における調節手段の一例である。
【００６２】
ゲイン調節について説明する。ゲイン調節はＲＦコイル部１０８内に対象が収容された状態で行われる。すなわち、ＲＦコイル部１０８内に対象１を収容した状態で、コイル８０２−８０８のインピーダンスをそれぞれ測定する。
【００６３】
対象１とコイル８０２−８０８の位置関係がコイルごとに異なることにより、コイル８０２−８０８インピーダンスが全て同じになるとは限らない。インピーダンスが相違する場合は、コイル８０２−８０８についてそれぞれ異なる値が測定される。
【００６４】
調節部４３０は、パワーアンプ４０２−４０８のゲインの比をコイル８０２−８０８のインピーダンスの逆数の比となるように調節する。複数のＲＦコイルの個別のインピーダンスに基づいて比を調節するので、ＲＦコイルの電気的特性値を利用した調節を行うことができる。
【００６５】
このようにして定められたパワーアンプ４０２−４０８のゲインの比は、現在の負荷条件等の下で、コイル８０２−８０８に同一強度のＲＦ磁場をそれぞれ発生させるための、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の比となる。
【００６６】
したがって、撮影用のＲＦ励起時には、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力をこの比を維持して行うことにより、コイル８０２−８０８から対象１に印加されるＲＦ磁場強度を全て均等にすることができる。なお、パワーアンプ４０２−４０８の出力電力の絶対値すなわちＲＦ磁場強度の絶対値は、所望するスピン励起の度合いに応じて適宜に制御される。
【００６７】
図７に、撮影用のパルスシーケンスの一例を示す。このパルスシーケンスはＥＰＩ（ｅｃｈｏ  ｐｌａｎａｒ  ｉｍａｇｉｎｇ）によるパルスシーケンス（ｐｕｌｓｅ  ｓｅｑｕｅｎｃｅ）である。パルスシーケンスは左から右に進行する。以下同様である。
【００６８】
同図において、（１）はＲＦ信号のシーケンスを示す。（２）−（４）はいずれも勾配磁場のシーケンスで、（２）はスライス勾配、（３）は周波数エンコード勾配、（４）は位相エンコード勾配である。なお、静磁場は一定の磁場強度で常時印加されている。
【００６９】
まず、９０°パルスによるスピン励起が行われる。９０°励起の所定時間後に１８０°パルスによる１８０°励起が行われる。いずれもスライス勾配Ｇｓｌｉｃｅの下での選択励起である。
【００７０】
次に、位相エンコード勾配Ｇｐｈａｓｅおよび周波数エンコード勾配Ｇｆｒｅｑが所定のシーケンスで印加され、複数のエコーが逐次読み出される。複数のエコーは位相エンコードがそれぞれ異なる。エコーは中心信号で代表する。以下同様である。
【００７１】
このようなパルスシーケンスが、繰り返し時間ＴＲで所定回数繰り返され、そのつど、複数のエコーが読み出される。すなわち、マルチショット（ｍｕｌｔｉ−ｓｈｏｔ）のスキャン（ｓｃａｎ）が行われる。繰り返しのたびにエコーの位相エンコードが変更され、所定回数の繰り返しによって、ｋスペース全体についてのサンプリングが行われる。このデータを２次元逆フーリエ変換することにより、２Ｄ画像が再構成される。
【００７２】
パルスシーケンスはＥＰＩに限らず他の適宜のパルスシーケンスでよい。ＥＰＩ以外のパルスシーケンスとして、例えば、３Ｄグラディエントエコー（３  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ  Ｅｃｈｏ）法によるパルスシーケンスがある。
【００７３】
図８に、そのパルスシーケンスを示す。同図において、（１）はＲＦ信号のパルスシーケンスを示す。（２）−（４）はいずれも勾配磁場のパルスシーケンスを示す。（２）はスライス勾配およびスライス方向の位相エンコード勾配、（３）は周波数エンコード勾配、（４）は位相エンコード勾配勾配である。なお、静磁場は一定の磁場強度で常時印加されている。
【００７４】
まず、α°パルスによるスピン励起が行われる。α°励起はスライス勾配Ｇｓｌｉｃｅの下での選択励起である。α°励起後に、スライス方向の位相エンコード勾配Ｇｓｌｉｃｅ、周波数エンコード勾配Ｇｆｒｅｑおよび位相エンコード勾配Ｇｐｈａｓｅが所定のシーケンスで印加され、エコーが読み出される。
【００７５】
このようなパルスシーケンスが、繰り返し時間ＴＲで所定回数繰り返され、そのつど、エコーが読み出される。繰り返しのたびにエコーの位相エンコードが変更され、所定回数の繰り返しによって、ｋスペース全体についてのサンプリングが行われる。このデータを３次元逆フーリエ変換することにより３Ｄ画像が再構成される。
【符号の説明】
【００７６】
１  対象
１００  マグネットシステム
１０２  主磁場コイル部
１０６  勾配コイル部
１０８  ＲＦコイル部
１１０  受信コイル部
１３０  勾配駆動部
１４０  ＲＦ駆動部
１５０  データ収集部
１６０  シーケンス制御部
１７０  データ処理部
１８０  表示部
１９０  操作部
５００  クレードル
８０２−８０８  コイル
４０２−４０８  パワーアンプ
４１２−４１８  送受切換器
４２０−４２８  センサ
４３０  調節部
４４０  信号測定部
４５０  インピーダンス測定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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