(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（２）の主面上に、オーバーグリッド（４）でコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド（３）を製造する方法であって、
−  前記主面上にネットワークマスクと呼ばれるミリメートルに満たない開口部を有するマスク（１）を作製するステップであって、
−  溶媒の中で安定化され分散しているコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液からのマスキング層の堆積であって、前記ポリマー粒子が所与のガラス転移温度Ｔgを有する堆積と、
−  マスク領域の実質的に直線の縁を有する開口部（１０）のネットワークを有するマスクが得られるまでの前記温度Ｔgよりも低い温度での前記マスキング層の乾燥とを含むステップと、
−  開口部の深さの一部分が充填されるまで、グリッド材料と呼ばれる少なくとも１種の導電性材料を堆積することを含む前記導電性グリッドを前記ネットワークマスクから形成するステップと、
−  Ｔgの０．８倍以上の温度で、前記グリッド材料を有する前記マスキング層を熱処理し、その結果、前記マスク領域の収縮が生じ、その後、マスク領域の縁と前記グリッドの横の縁（３１）との間に間隔を作り出すステップと、
−  前記グリッド上およびマスク領域（１）の縁と前記グリッドの前記横の縁（３１）との間の前記間隔の中に被覆層材料と呼ばれる材料で作製された被覆層と呼ばれる層を堆積するステップと、
−  前記オーバーグリッド（４）でコーティングされた前記導電性グリッド（３）が現れるまで、前記マスキング層を除去するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記開口部（１０）を通って前記グリッド（３）の下のアンダーグリッドと呼ばれる層（５）の堆積を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１８０℃以下の温度で前記熱処理が実行されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記乾燥が５０℃以下の温度で実行されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記グリッド（３）の堆積、前記熱処理および前記オーバーグリッド（４）の堆積が、減圧を中断することなく同じ堆積チャンバの中で実行されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ポリマーナノ粒子が、以下のポリマー：アクリル酸共重合体、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステルまたはこれらのブレンドの１つからまたは、そのポリマーから選択されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記溶液が水性であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記マスキング層が液体の経路を経て除去されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法によって得られた、オーバーグリッド（４）でコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド（３）を主面上に備えた基材（２）。
【請求項１０】
前記オーバーグリッド（４）が腐食保護層を含むことを特徴とする請求項９に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１１】
前記腐食保護層がＮｉＣｒの層であることを特徴とする請求項１０に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１２】
腐食保護アンダーグリッド（５）が存在することを特徴とする請求項１０または１１に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１３】
アルカリ金属に対するバリヤであるか、または前記グリッドの付着を促進するための、アンダーグリッドを含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１４】
前記アンダーグリッドがＮｉＣｒであることを特徴とする請求項１３に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１５】
前記オーバーグリッド（４）が、１０％未満の反射の純度Ｐｅおよびおよそ４８０ｎｍの反射の主波長を有する暗色化層を含むことを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１６】
前記オーバーグリッド（４）がＮｉＣｒの層を含むことを特徴とする請求項１５に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１７】
暗色化アンダーグリッド（５）が存在することを特徴とする請求項１５または１６に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項１８】
前記オーバーグリッド（３）材料は、前記グリッド（４）材料で作製されることを特徴とする請求項９〜１７のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッドを有する基材。
【請求項１９】
前記グリッドは、７と４０との間である、前記素線のミリメートルに満たない幅（Ａ’）に対する前記素線間の距離（Ｂ’）の比率、および／または２００ｎｍと５０μｍとの間の幅Ａ’および５μｍと５００μｍとの間の距離Ｂ’を有することを特徴とする請求項９〜１８のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項２０】
前記導電性グリッド（３，４）は、０．１Ω／□と３０Ω／□との間のシート抵抗を有することを特徴とする請求項９〜１９のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッドを有する基材。
【請求項２１】
前記基材（２）および前記コーティングされたグリッドの光透過率および／または紫外および／または赤外における透過率は、７０％と８６％との間であることを特徴とする請求項９〜２０のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッド（３）を有する基材（２）。
【請求項２２】
複合的なグレージングユニットまたは積層されたグレージングユニットの一部であることを特徴とする請求項９〜２１のいずれか１項に記載のコーティングされたグリッドを有する基材。
【請求項２３】
様々な光学的および／またはエネルギ特性を有する電気化学的および／または電気的制御可能なデバイスにおけるアクティブ層としての請求項９〜２２のいずれか１項に記載のコーティングされた導電性グリッドの使用。
【請求項２４】
前記アクティブ層が加熱層または電極である、請求項２３に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを作製するための方法およびオーバーグリッドでコーティングされた上記グリッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
ミクロンサイズの金属グリッドを得ることができる製造技術が知られている。これらは、約７５〜８５％の光透過率（ＴL）を達成しながら１Ω／□未満の表面抵抗を達成するのに有利である。これらのグリッドを作製する方法は、液体の経路を経た化学的浸食のプロセスと組み合わせたフォトリソグラフィプロセスまたはレーザ溶発技術のいずれかによって金属層をエッチングする技術に基づく。
【０００３】
さらに、金属または金属被覆ポリマーのワイヤの織り込みによる自立導電性グリッドが知られており、それは電磁シールドに使用される。これらのグリッドは、少なくとも２０μｍの寸法を有する撚糸を有する。これらのグリッドは機械的にあまり強くなく、平坦さの欠陥を有し、織り込んで製造している間、張力を制御する必要がある。また、その他に、多くの欠陥、メッシュの変形、引き裂き、ほぐれなどの危険性が存在する。
【０００４】
さらに、ある用途では、ミリメートルに満たない導電性グリッドをコーティングすることが要求される。
【０００５】
たとえば、審美的な理由のため、自動車のフロントガラスでは、織られたタングステンまたは銅のワイヤで作製された加熱グリッドが炭素を使用して暗色化されている。金属ワイヤは、グリッドに織られたり編まれたりする前に、暗色化される（炭素の懸濁液を使用してコーティングされる）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明は、経済的であり、（製造工程の数が限られるなど）迅速および／または簡単であり、再生可能である、コーティングされた導電性のミリメートルに満たないグリッドを製造する方法を提案することによって先行技術の欠点を克服することを目的とする。
【０００７】
また、本発明の目的は、とくに新しい機能性を可能にすることによって、導電性グリッドを基にした利用可能な製品の範囲を広げることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的のため、本発明の第一の対象は、基材、とくに平坦なおよび／または透明な基材の主面上のミリメートルに満たない導電性グリッド、とくに、オーバーグリッドでコーティングされた（少なくともグリッドの幅に関して）サブミクロンの寸法のグリッドを製造する方法であって、
−  前記主面上に、ミリメートルに満たない開口部を有し、ネットワークマスクと呼ばれるマスクを作製するステップであって、
−  溶媒の中で安定化され分散され、所与のガラス転移温度Ｔgを有するコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液からのマスキング層の堆積、および
−  マスク領域の実質的な直線の縁を有する開口部のネットワークを有する前記マスクが得られるまでの、前記温度Ｔgよりも低い温度での前記マスキング層の乾燥を含むステップと、
−  前記ネットワークマスクからの導電性グリッドの形成のステップであって、前記開口部の深さの一部分が充填されるまでのグリッド材料と呼ばれる少なくとも１種の導電性材料の堆積を含むステップと、
−  Ｔgの０．８倍以上の、とくにＴgとＴgの１．５倍の温度との間の温度で前記グリッド材料を有する前記マスキング層を熱処理し（局所的であってもよいし、なくてもよい）、結果としてマスク領域を縮小し、したがって、マスク領域の縁と前記グリッドの横の縁と間に間隔を生じさせるステップと、
−  前記グリッド上および、マスク領域の縁と、前記グリッドの横の縁との間の前記間隔の中に、被覆層材料と呼ばれる材料で作製された、被覆層と呼ばれる層の堆積のステップと、
−  オーバーグリッドでコーティングされた前記導電性グリッドが現れるまでの前記マスキング層の除去のステップとを含む。
【発明の効果】
【０００９】
このグリッドの光学的特性および／または導電特性は、先行技術のものに少なくとも匹敵する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明は、限定しない例および図面の助けを借りて、今、より詳細に記載されるであろう。
【図１】図１は、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【図２】図２は、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【図３】図３は、本発明によるコーティングされたグリッドを１つの変形で製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【図４】図４は、本発明によるコーティングされたグリッドを１つの変形で製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【図５】図５は、本発明によるコーティングされたグリッドを１つの変形で製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【図６】図６は、本発明による方法で使用されるマスクの例を表す。
【図７】図７は、本発明による方法で使用されるマスクの例を表す。
【図８】図８ａ，８ｂは、本発明による方法で使用されるマスクの例を表す。
【図９】図９は、ネットワークマスクのプロファイルを説明するＳＥＭ像である。
【図１０】図１０は、異なる乾燥正面を有するネットワークマスクを表す。
【図１１】図１１は、異なる乾燥正面を有するネットワークマスクを表す。
【図１２】図１２ａ，１２ｂは、ネットワークマスクにおける熱処理の影響を説明する。
【図１３】図１３ａ，１３ｂは、ネットワークマスクにおける熱処理の影響を説明する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明による開口部のネットワークを有するマスクおよび本発明によるその製造方法は、想定されるグリッドについてかなりの数の有利な点を有する。熱処理およびオーバーグリッドの追加に関連する有利な点は、以下に説明されるであろう。
【００１２】
したがって、マスクは、ネットワークの少なくとも１つの特性方向に沿った（したがって、基材の表面に対して平行な）、または２つ（すべての）方向に沿った不規則な非周期構造を有する。したがって、グリッドの素線の配置は、開口部のネットワークの配置の実質的にレプリカであってもよい。
【００１３】
ネットワークマスク領域の縁は、実質的に直線、すなわち、表面に関して（表面が曲がっている場合、接平面に関して）８０°と１００°との間、さらに８５°と９５°との間の中央平面に沿っている。
【００１４】
（熱処理の前および後の両方の）マスク領域の直線の縁により、
−  グリッドを形成する堆積された層は、不連続であり（その縁に沿って堆積されないか少ししか堆積されない）、
−  オーバーグリッドを形成する堆積された層は不連続である（その縁に沿って堆積されないか少ししか堆積されない）。
【００１５】
したがって、オーバーグリッドおよび被覆されているグリッドにダメージを与えることなく、（グリッドおよびオーバーグリッドでコーティングされていても）マスクを除去することが可能である。
【００１６】
実質的に直線の縁を得るために、
−  好ましくは少なくとも１つの特性（平均）寸法、たとえば、１０ｎｍと３００ｎｍとの間の、さらに５０ｎｍと１５０ｎｍとの間の平均直径を有する、制限されたサイズの粒子、それゆえナノ粒子を、粒子の分散を促進するために選択すること、および
−  （とくに表面電荷を介する、たとえば表面活性剤を介しての処理によって、ｐＨを制御することによって、）溶媒中のナノ粒子を安定化させて、それらが一緒に固まること、沈殿することおよび／または重力によって沈降することを防止すること、
の両方が必要になる。
【００１７】
さらに、ナノ粒子の濃度は、好ましくは５重量％または１０重量％と６０重量％との間に、さらに好ましくは２０重量％と４０重量％との間に調節される。バインダの添加はしないようにされる（または、マスクに影響を与えない程、十分に少ない量である）。
【００１８】
この特定の方法によれば、以下の好適な特性方向の、不規則な（形状および／またはサイズの）非周期パターンを構成するマスクをより低コストで得ることが可能になる。
−  ミクロンサイズ、またはナノスケールの幅Ａ、とくに数百ナノメートルから数十ミクロン、とくに２０ｎｍと５０μｍとの間になるように選択されたネットワークの開口部の（平均）幅Ａ（換言すれば、隣接するマスク領域間の距離）。
−  マスク領域またはパターン（それゆえ、隣接する開口部間のサイズ）の（平均）サイズＢは、ミリメートル、またはミリメートルに満たない、とくに５μｍと５００μｍとの間、または１００〜２５０μｍ。
−  Ｂ／Ａ比率が、とくに粒子の性質しだいで、とくに７と２０または４０との間で調整可能である。
−  開口部の最大幅と開口部の最小幅との間の差異が、マスクの所与の範囲で、または表面の大部分または全体にわたって、４未満、または２以下である。
−  最大パターン寸法と最小パターン寸法との間の差異が、マスクの所与の範囲で、または表面の大部分または全体にわたって、４未満、または２以下である。
−  開口パターン（非貫通または「ブラインド（ｂｌｉｎｄ）」開口部）の量、換言すれば、相互接続断絶の量が、マスクの所与の範囲で、または表面の大部分または全体にわたって、５％未満または２％以下である。したがって、マスクは制限された、さらにほとんどゼロであるネットワークの断絶を有し、それは、所望により減少され、ネットワークのエッチングによって除去され得る。
−  所与のパターン、そのパターンの大部分またはすべてについて、表面の所与の範囲または全体にわたって、パターンの最大特性寸法とパターンの最小特性寸法との間の差異が、その等方性を強くするために、２未満である。そして、
−  ネットワークの区分の大部分または全部について、縁は、平行に、とくに１０μｍのスケールで絶えず一定の間隔に配置されている（たとえば、光学顕微鏡を使用して２００倍の倍率で観察される）。
【００１９】
幅Ａは、たとえば、１μｍと２０μｍとの間、または１μｍと１０μｍとの間であってもよく、Ｂは５０μｍと２００μｍとの間であってもよい。
【００２０】
したがって、本発明の方法を介して、開口部のメッシュを形成することが可能になり、それは、表面全体にわたって広がっていてもよく、それにより等方的な特性を得ることが可能になる。
【００２１】
マスクの厚みは、数十ミクロンまでのサブミクロンのサイズであってもよい。マスク層が厚くなると、幅Ａ（およびＢ）が大きくなる。
【００２２】
開口部によって定められたパターン（そして、それゆえ、グリッドおよび／またはオーバーグリッドのメッシュ）は、多種の形状であり、概して、３つ、４つまたは５つの辺を有し、たとえば、大体は、４辺を有し、および／または様々な寸法であり、これらは、不規則に、かつ非周期に分布している。
【００２３】
パターン（それぞれメッシュ）の大部分またはすべてについて、１つのメッシュの２つの隣接する辺の間の角度は、６０°と１１０°との間、とくに８０°と１００°との間であってもよい。
【００２４】
一構成では、（所望により略平行である）開口部と（平行なネットワークと所望により略直交する）開口部の二次的ネットワークとを有する主要なネットワークが得られ、それらの位置および距離は不規則である。二次的開口部は、たとえば、主要開口部よりも小さな幅を有する。
【００２５】
これにより、開口部の幅Ａと、（メッシュの）開口部間の間隔Ｂに実質的に一致する素線間の（平均）間隔Ｂ’とに実質的に一致する平均素線幅Ａ’により規定されるグリッドを実質的に作製することが可能になる。
【００２６】
とくに、素線のサイズＡ’は、好ましくは数十ミクロンと数百ナノメートルとの間であってもよい。比率Ｂ’／Ａ’は、７と、２０、さらに３０〜４０との間で選択されてもよい。
【００２７】
さらに、一般に、規則的であり、周期的な形状（正方形、矩形形状）である、フォトリソグラフィによって作製された先行技術のグリッドの特性寸法は、たとえば、３００μｍ離れて間隔を開けられた２０〜３０μｍ幅の金属素線のネットワークを形成し、点光源によって照らされる場合、それは回折パターンの源である。そして、不規則なパターンを有するグリッドを作製することはさらに難しく、費用がかかるであろう。作製されるべきパターンのそれぞれは、特定のマスクが必要であろう。
【００２８】
先行技術におけるこの製造技術は、およそ数十μｍの分解能の限界をさらに有し、これにより、パターンが審美的に見えたままである。
【００２９】
また、非常に細いワイヤ自体の織り込みは、欠点、とくにワイヤの比較的大きな直径（＞４０μｍ）が必要であるという欠点を有する。そして、織り込みは、周期的パターンのみ作製できる。
【００３０】
したがって、本発明によるネットワークマスクは、より低いコストで、任意のサイズの他の形状の不規則なグリッドを構想することを可能にする。したがって、グリッドは、少なくとも１つの（グリッド）方向で不規則である。
【００３１】
乾燥により、マスキング層と表面のナノ粒子の部分とが収縮し、結果として、緩和を経て開口部を形成する層に引張応力が生じる。
【００３２】
乾燥の後、次に、ナノ粒子の堆積物が、それ自体様々なサイズである開口部によって分離された様々なサイズのクラスターの形態で得られる。ナノ粒子は、一緒に凝集する場合でさえ、識別可能のままである。ナノ粒子は、溶かされて、連続層を形成しない。
【００３３】
乾燥は、開口部のネットワークを作り出すためにガラス転移温度より低い温度で実行される。実際は、このガラス転移温度よりも高くなると、連続層が形成されるか、または厚み全体を貫く開口部を有さない層がほとんど形成されないことが観察されている。
【００３４】
したがって、好ましくは球状の（硬い）ナノ粒子の堆積物を簡単に構成する弱い付着の層は、基材上に堆積される。これらの硬いナノ粒子は、ナノ粒子同士間のまたは基材の表面とのどちらでも強い化学結合を確立しない。その層の凝集力は、ファン・デル・ワールス力または静電力タイプの弱い力によってすべて同じく提供される。
【００３５】
区画は、ナノ粒子のクラスターから構成されるので、熱処理の間の温度の作用の下、マスク領域または区画は密になるように見える。区画のサイズ（Ｂ）は減少し、すなわち、それらの表面積は（およびその厚みも）減少する。したがって、この熱処理を経て、マスクの特性寸法、すなわち、メッシュの開口部とメッシュの幅との間の比率が変わる。
【００３６】
好ましくは、加熱時間は、処理温度しだいで調整される。概して、時間は、１時間未満であってもよく、好ましくは１〜３０分である。
【００３７】
マスクのコンパクト化は、その上、可能な除去のステップ（水溶液からコロイドが堆積した場合、単に水で洗浄すること）を保っている間の取り扱い（それの欠け落ちを避ける）を容易にできる基材に対するこの密着性を改善する。
【００３８】
熱処理は、局所的であってもよく、グリッド表面全体にわたってもよい。
【００３９】
熱処理によって改変される領域は、任意の形状の周辺または中央であってもよい。
【００４０】
したがって、コロイドマスクのコンパクト化のための熱処理によって、（フォトリソグラフィまたはエッチングのための）新しいマスクに頼る必要がなく、局部的にまたは表面全体にわたって、その特性寸法を変えることができる。
【００４１】
したがって、メッシュの形状（幅、高さ）を局所的に変更し、伝導性勾配を有する領域を作り出すことが可能になる。残りの部分を冷やしたままにしながら局所的に加熱できる。
【００４２】
したがって、Ｂ／Ａ比率は、第１のグリッド領域と第２のグリッド領域とで、たとえば、少なくとも２倍で異なる。第１および第２の領域は、異なる形状でも等しい形状でもよく、および／または異なるサイズでも等しいサイズでもよい。
【００４３】
したがって、メッシュ開口部／素線サイズの様々な比率によって、
−  光透過率勾配、
−  （加熱、霜取り、非矩形表面上の均一な熱の流れの発生に適用する）電力の勾配、
を有する領域を作り出すことが可能になる。
【００４４】
同じように、オーバーグリッドの堆積は、熱処理されたグリッド領域の全領域内でもよいし、この領域の一部分または複数部分の領域内であってもよい。
【００４５】
熱処理は、区画の縁とグリッドの横の縁とを有する充分な間隔を空ける。その結果、追加の堆積は、グリッドを（好ましくは全体的に）被覆し、囲むことができる。
【００４６】
オーバーグリッドは、マスクを除去する間および後の操作の間、所望によりあまり付着しないグリッドを保護するために使用されてもよい。
【００４７】
グリッドの縁は、直線のマスクの縁および（好ましくはＰＶＤタイプの）オーバーグリッド堆積法により傾斜している。したがって、オーバーグリッドは連続であり、グリッドを完全に被覆する。オーバーグリッドの厚みは、必ずしも一定ではない（たとえば、グリッドの辺の上ではより小さい）。
【００４８】
フォトリソグラフィタイプの技術を経て、１つのステップでそのようなオーバーグリッドを作製することは不可能であろう。位置合わせを伴うマスキングの作り直しを行い、その後、剥離する必要があるであろう。それは、費用がかかり、複雑である。
【００４９】
その方法は、アンダーグリッドと呼ばれる、開口部を通りグリッドの下に至る層、とくにグリッドの付着のためのアンダーグリッド、アルカリ金属のバリヤであるアンダーグリッドなどの堆積をさらに含んでもよい。
【００５０】
本発明による方法を経て、材料の数層をエッチングすることが問題であるとき、とくに複雑で費用がかかるフォトリソグラフィタイプの技術を不要にする。これは、エッチングのしすぎを回避するために同じ速度で様々な積層された材料をエッチングするエッチング溶液を見つけることが必要になる。
【００５１】
グリッド材料、とくに金属（銀、金、銅など）のとくにガラス上の付着を促進するための層として、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌの単一物または混合物、金属酸化物がドープされたもの（ＩＴＯなど）またはドープされないものをベースとした層を選択することができる。その層は、たとえば、５ｎｍ以下の厚みを有する。
【００５２】
アルカリ金属に対するバリヤ材料または暗色化材料の例は、後に記載されている。
【００５３】
したがって、単純化の目的のために、方向性がある（そして好ましくは同一である）グリッド材料およびオーバーグリッド材料および所望によりアンダーグリッド材料を堆積するための技術が好まれ得る。堆積は、開口部を通しておよびマスク上の両方で実行されてもよい。
【００５４】
本発明の好ましい態様では、以下の配置の一方のものおよび／または他方のものを所望によりさらにとることが可能である。
−  グリッド材料の堆積物は、マスク開口部の一部を充填し、さらにマスクの表面を被覆する。
−  グリッド材料の堆積は、とくにプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングまたは蒸着による減圧下での堆積である。
−  オーバーグリッド材料の堆積物は、マスク開口部の一部を充填し（およびグリッドを被覆し）、さらにマスクの表面を被覆する。
−  オーバーグリッド材料の堆積は、とくにプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングまたは蒸着による減圧下での堆積である。
−  アンダーグリッド材料の堆積物は、マスクの一部を充填し、さらにマスクの表面を被覆する。そして、
−  アンダーグリッド材料の堆積は、とくにプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングまたは蒸着による減圧下での堆積である。
【００５５】
その後、周囲温度で実行することができ、および／または単純であり（とくに触媒を必然的に必要とする触媒堆積よりも単純である）、および／または密度の高い堆積物を付与する１種または２種以上の堆積技術を選択することが可能である。
【００５６】
グリッド層またはオーバーグリッド層またはアンダーグリッド層を堆積するための方法は、所望によりプラズマ支援される真空熱蒸着タイプのもの（DresdenのFraunhoferにより開発された技術）であってもよい。それらは、マグネトロンスパッタリングによって得られる堆積速度よりも大きな堆積速度を有する。
【００５７】
好ましくは、グリッド堆積、熱処理およびオーバーグリッド堆積（および好ましくは所望によるアンダーグリッド堆積）は、減圧を中断することなく、同じ堆積チャンバ（たとえば、スパッタリングまたは蒸着チャンバ）内で実行される。
【００５８】
基材に、色がついていてもよい。
【００５９】
ネットワークマスクを受け取る基材は、平坦でも曲がっていてもよい。
【００６０】
その主面は、矩形、正方形またはさらに他のいずれかの形状（円形、卵形、多角形など）であってもよい。この基材は大きなサイズのものであってもよく、たとえば、０．０２ｍ2、または０．５ｍ2、または１ｍ2よりも大きな、表面積を有する。
【００６１】
基材は、実質的に透明であってもよく、無機であってもよく、またはポリカーボネートＰＣ、またはポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ、または代わりにＰＥＴ、ポリビニルブチラルＰＶＢ、ポリウレタンＰＵ、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥなどのブラスチックで作製されてもよい。
【００６２】
マスクを受け取る基材は、連続的な副層（とくに基材にもっとも近いベース（base）層を含んでもよい。その層は、アルカリ金属に対するバリヤになり得る。
【００６３】
そのような副層は、（とくに電極を形成するための）導電性堆積の場合、任意の汚染（デラミなどの機械的欠陥を導く汚染）からグリッド材料を保護し、さらに、その導電率を保つ。
【００６４】
ベース層は、強く、様々な技術により速くおよび容易に堆積する。それは、たとえば、とくに気相としてのとくに熱分解技術（略語ＣＶＤによって「化学的蒸着」を示されることが多い技術）によって堆積され得る。堆積パラメータの好適な調節により、強化バリヤ用の非常に密度の高い層を得ることが可能になるので、この技術は、本発明に関して有利である。
【００６５】
減圧下での堆積をより安定化させるために、ベース層は、アルミニウムおよび／またはホウ素で所望によりドープされてもよい。ベース層（所望によりドープされた単一層または複数層）は、１０ｎｍと１５０ｎｍとの間、より好ましくはさらに１５ｎｍと５０ｎｍとの間の厚みを有していてもよい。
【００６６】
ベース層は好ましくは、
−  酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、一般式ＳｉＯＣの層をベースとし、
−  窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化窒化ケイ素、一般式ＳｉＮＯＣ、とくにＳｉＮ、とくにＳｉ3Ｎ4の層をベースとしてもよい。
【００６７】
とくに、ドープされたまたはドープされない窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4で（主に）作製されたベース層が好ましい。窒化ケイ素は、非常に速く堆積され、アルカリ金属に対する優れたバリヤを形成する。
【００６８】
大気圧プラズマ源を使用して開口部のネットワークを清浄させることが可能である。
【００６９】
本方法は、コロイド溶液の乾燥から製造されたマスクを使用する。したがって、マスクの堆積面は、使用される水または他の溶媒に対して化学的に安定であることが必要である。そして、水性溶液の場合には、表面は、好ましくは親水性である。
【００７０】
マスキング層の堆積のための表面は、フィルム形成面であり、すでに示したように、溶媒が水性の場合、とくに好ましくは親水性の表面である。これは、以下の表面である。
−  ガラス、プラスチック（たとえば、ポリウレタンまたはポリカーボネート）の基材の表面であり、プラスチックは、親水性になるように、所望により（たとえば、プラズマによって）処理され、たとえば、処理ＰＥＴ、処理ＰＭＭＡである。
−  所望により機能が付加された連続的な副層の表面であり、
−  副層は、
−  親水性層（たとえば、ＰＥＴ、ＰＭＭＡなどの疎水性プラスチック上のシリカ層）、マスクの充分な付着を促進するための層、および／またはすでに記載したアルカリ金属バリヤ層であり、
−  および／または（最後の層として）グリッド材料の付着を促進するための層であり、
−  および／または（透明である）導電層および／または装飾、着色または不透明層である。
【００７１】
マスク層と基材との間には、複数の副層が存在してもよい。
【００７２】
１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下の温度で熱処理を実行できるＴgが選択される。
【００７３】
好ましくは、５０℃と１２０℃との間のＴgが選択される。
【００７４】
乾燥の結果、１つのステップで、溶媒が除去され、開口部が形成するようにしてもよい。
【００７５】
得られたマスクは、高い塩基性の溶液または潜在的に汚染する有機化合物を必要とせずに、冷たいまたは暖かい純水、とくに水性溶媒を使用して容易に除去することができる。
【００７６】
溶液のナノ粒子について十分に高いＴgを選択することによって、（溶液の堆積のためのステップと好ましくは同じように）乾燥ステップは、５０℃よりも低い温度、好ましくは周囲温度、概して２０℃と２５℃との間の温度で（実質的に）実行されてもよい。
【００７７】
溶液の粒子の所与のガラス転移温度Ｔgと乾燥温度との間の差異は好ましくは１０℃または２０℃よりも大きい。
【００７８】
マスキング層を乾燥するステップは、たとえば、減圧下での乾燥よりはむしろ大気圧で実質的に実行されてもよい。
【００７９】
開口部間の距離Ｂ、開口部のサイズＡおよび／またはＢ／Ａ比率を調整するために、乾燥パラメータ（制御パラメータ）、とくに湿度および乾燥速度の程度を変更することができる。
【００８０】
湿度が高くなると（他のすべてのものは等しい）、Ａは小さくなる。
【００８１】
温度が高くなると（他のすべてのものは等しい）、Ｂは高くなる。
【００８２】
標準的な液体技術を経て（水性または非水性）溶液のコロイドを堆積することが可能である。
【００８３】
Ｂ、Ａおよび／またはＢ／Ａ比率を調整するために、とくに基材にナノテクスチュアを形成することによって固まったコロイドと基材の表面との間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズおよび初期ナノ粒子濃度、溶媒の性質ならびに堆積技術によって決まる厚みから選択された他の制御パラメータを変更することが可能である。
【００８４】
密度が高くなると（他のすべてのものは等しい）、Ｂ／Ａは低くなる。
【００８５】
湿式の技術として、以下を言及する。
−  スピンコーティング、
−  カーテンコーティング、
−  ディップコーティング、
−  スプレーコーティング、および
−  フローコーティング。
【００８６】
すでに形成されたナノ粒子を有する溶液は、もともと安定であってもよく、ポリマー前駆体タイプの反応性成分を含まない（または無視できる量である）ことが好ましい。
【００８７】
溶媒は、好ましくは水ベースであるか、さらに全体が水である。
【００８８】
（水ベースであるか、さらに全体が水である溶媒を好ましくは有する）コロイドの溶液は、ポリマーナノ粒子を含む。
【００８９】
たとえば、アクリル酸共重合体、スチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステルまたはそれらの混合物が選択される。
【００９０】
したがって、マスキング層（乾燥前）は、本質的にコロイド状ナノ粒子（したがって、溶媒に不溶である材料のナノ粒子）の堆積物からなるようにしてもよく、それは、認識可能であり、ポリマーである。
【００９１】
ポリマーナノ粒子は、好ましくは固体、水不溶性ポリマーからなってもよい。
【００９２】
表現「本質的に〜なる」は、マスキング層は、マスクの特性（ネットワークの形成、除去しやすさなど）に影響を与えない他の化合物を微量に所望により含んでもよいことを意味すると理解される。
【００９３】
コロイド水性溶液は、好ましくは水およびコロイド状ポリマー粒子からなり、したがって、（たとえば、顔料、バインダ、可塑剤などの）他の任意の化学剤は除かれる。同様に、コロイド水性分散は、好ましくは、マスクを形成するために使用される化合物のみである。
【００９４】
したがって、乾燥した後のネットワークマスクは、本質的に、ナノ粒子、好ましくは、ポリマーの識別可能なナノ粒子の堆積物からなってもよい。そのポリマーナノ粒子は、固体、水不溶性ポリマーからなる。
【００９５】
溶液は、好ましくは、シリカ、アルミナまたは酸化鉄の無機ナノ粒子を累積的に含んでもよい。
【００９６】
好ましくは、マスクの除去は、グリッドに対して不活性である溶媒、たとえば、水、アセトンまたはアルコールによって液体の経路を経て（所望により高温で、および／または超音波の助けを借りて）実行される。
【００９７】
また、グリッド材料の堆積が実行される前に、開口部のネットワークを清浄することは可能である。
【００９８】
また、本発明は、とくに透明であり、すでに前に規定した製造方法から形成されるオーバーグリッドでコーティングされたグリッドを備える基材に関する。
【００９９】
グリッドを有する基材の光透過率とコーティングされたグリッドを有する基材の光透過率との間の差異は、好ましくは２５％以下であり、より好ましくは１０％以下である。
【０１００】
とくに金属（銀、アルミニウム、銅など）のオーバーグリッドの場合、オーバーグリッドは、グリッドを被覆し囲む腐食保護層を含む。
【０１０１】
被覆層材料として、以下を選択することができる。
−  （光透過率を変更させない）窒化ケイ素、シリカ、
−  窒化炭素、
−  グリッド材料よりも酸化しづらい金属、たとえば、アルミニウムについてＣｒ、Ｍｏ、ＮｉＣｒを選択。
【０１０２】
説明として、十分な腐食保護のため以下が選択される。
−  オーバーグリッドの厚みが、１０ｎｍ以上、好ましくはグリッドの厚みの半分よりも薄く、１００ｎｍ以下である。
−  グリッドの縁から始まるオーバーグリッドの幅が、Ａ’／２以上および３Ａ’以下、好ましくは２Ａ’以下である。
【０１０３】
好ましくは、オーバーグリッド材料で作製された５０ｎｍ以下の厚みを好ましくは有する腐食保護副層が付加される。
【０１０４】
したがって、封入が完璧である。
【０１０５】
オーバーグリッドは、１０％未満の反射の純度Ｐｅおよび青色スペクトル（およそ４８０ｎｍ）ぐらいの反射の主波長を有する暗色化層を含んでもよい。
【０１０６】
これは、赤色スペクトル（およそ６００ｎｍ）くらいの反射の主波長を有する銅の暗色化のためにとくに使用されてもよい。
【０１０７】
被覆層材料として、Ｃｒ、ＮｉＣｒが選択され得る。
【０１０８】
光反射のこの減少（赤色から青色スペクトルに変わること）は、美的さを改善する。
【０１０９】
説明として、十分な暗色化のために、以下が選択される。
−  オーバーグリッドの厚みが２０ｎｍ以上であり、好ましくはグリッドの厚みの半分よりも薄い。
−  グリッドの縁から始まるオーバーグリッドの幅は、Ａ’／２以上および２Ａ’以下であり、好ましくは１．５Ａ’以下である。
【０１１０】
好ましくは、とくにオーバーグリッド材料で作製され、好ましくは５０ｎｍ以下の厚みを有する暗色化副層が付加される。
【０１１１】
斜入射でグリッドを観察することによって、グリッドは面全体にわたって黒く見える。
【０１１２】
また、オーバーグリッド材料は、前記グリッド材料で作製されてもよい。したがって、素線は、縁よりも中央の方が厚くなる。また、これにより、電気伝導率を増加させることができる。
【０１１３】
オーバーグリッドは、製品を製造するための後続のステップと適合できるようにしてもよい。
【０１１４】
たとえば、オーバーグリッドはグリッド金属拡散バリヤ層、たとえば、銅グリッド上のアルミニウムまたはモリブデンで作製されたバリヤ層であってもよい。銅は、任意の有機層、たとえば、ＯＬＥＤデバイスの有機層を汚染する。
【０１１５】
たとえば、中間層（とくにＰＶＢ）との適合が不十分である酸化可能金属グリッド（銅など）の積層を容易にするため、オーバーグリッドは、酸化物（金属酸化物など）で作製されてもよい。
【０１１６】
たとえば、オーバーグリッドは、エッチング停止層を含んでもよい。それは、絶縁性であり、または、もし必要なら伝導性である。
【０１１７】
グリッドは、副層、たとえば、すでに示された親水性および／または付着促進および／またはバリヤおよび／または装飾の副層の上に堆積されてもよい。
【０１１８】
グリッド（およびそのオーバーグリッド、そのアンダーグリッド）は、不規則、すなわち、不規則、非周期的メッシュ（素線によって範囲が定められた閉じたパターン）を有する素線の二次元メッシュネットワークであってもよい。
【０１１９】
グリッド（またはそのオーバーグリッド）は、以下の特徴の１つまたは２つ以上を有していてもよい。
−  ７と４０との間の、素線のミリメートルに満たない（平均）幅（Ａ’）に対する素線間の（平均）間隔（Ｂ’）の比率、
−  グリッドパターンが不規則（非周期的）であり、種々の形状および／またはサイズを有し、
−  メッシュが、３つおよび／または４つおよび／または５つの辺、たとえば、大部分は４つの辺を有し、
−  グリッドが、少なくとも一次元、好ましくは二次元で非周期的な（または不規則な）構造を有し、
−  所与の領域または全表面にわたるメッシュの大部分またはすべてについて、メッシュのもっとも大きな特性寸法とメッシュのもっとも小さな特性寸法との間の差異が２未満であり、
−  メッシュの大部分またはすべてについて、１つのメッシュの２つの隣接する辺の角度は６０°と１１０°との間、とくに８０°と１００°であってもよく、
−  所与のグリッド領域では、または表面の大部分もしくは全部にわたって、素線の最大幅と素線の最小幅との間の差異は、４未満、または２以下であり、
−  所与のグリッド領域では、または表面の大部分もしくは全部にわたって、封止されていないメッシュおよび／または切断されている（「ブラインド（blind）」）素線部分の量は、５％未満、または２％以下あり、すなわち、制限された、さらにほとんどゼロのネットワーク断絶であり、
−  所与のグリッド領域では、または表面の大部分もしくは全部にわたって、最大メッシュ寸法（メッシュを形成する素線間の間隔）と最小メッシュ寸法との間の差異は４未満であり、または２以下であり、
−  大部分について、素線の縁は一定の間隔が開けられ、とくに実質的に直線的であり、平行であり、１０μｍのスケールである（たとえば、２００倍の光学顕微鏡を使用して観察される）。
【０１２０】
本発明によるグリッドは、等方性電気特性を有していてもよい。
【０１２１】
本発明による不規則なグリッドは、点光源を回折しなくてもよい。
【０１２２】
グリッドの素線の厚みは、厚みが実質的に一定でもよいし、基部でより広くなっていてもよい。
【０１２３】
グリッド（およびそのオーバーグリッド）は、素線を有する主要ネットワーク（所望によりおよそ平行である）および素線の二次ネットワーク（所望によりその平行ネットワークに対しておよそ直交している）を含んでもよい。
【０１２４】
グリッドは、基材、とくに、すでに示したように、ガラス機能を有し、プラスチックまたは無機材料で作製された基材の表面の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
【０１２５】
導電性グリッド（または、そのオーバーグリッド）は、０．１Ω／□と３０Ω／□との間のシート抵抗を有していてもよい。好都合なことに、本発明による導電性グリッドは、とくに、１μｍ以上、好ましくは１０μｍ未満または５μｍ以下のグリッド厚みについて、５Ω／□以下、または１Ω／□もしくは０．５Ω／□以下のシート抵抗を有してもよい。
【０１２６】
Ｂ’／Ａ’比率は、たとえば、第１のグリッド領域と第２のグリッド領域とで少なくとも２倍異なっていてもよい。第１および第２の領域は、形状が異なっていても同じでもよく、および／または、サイズが異なっていても同じでもよい。
【０１２７】
したがって、様々なメッシュ開口部／素線サイズの比率で、以下の領域を作り出すことができる。
−  光透過率勾配、および
−（加熱、霜取り、非矩形表面にわたる均一な熱の流れの発生に適用する）電力の勾配。
【０１２８】
グリッド（およびそのオーバーグリッド）の光透過率は、素線の平均幅Ａに対する素線間の平均距離ＢのＢ／Ａ比率によって決まる。
【０１２９】
好ましくは、Ｂ／Ａ比率は、５と１５との間であり、より好ましくはおよそ１０であり、透明性を容易に維持し、および製造を容易にする。たとえば、ＢおよびＡは、およそ５０μｍおよび５μｍにそれぞれ等しい。
【０１３０】
とくに、平均素線幅Ａは、１００ｎｍと３０μｍとの間、好ましくは、それらの視認性を制限するために１０μｍまたは５μｍ以下から、製造しやすくし、高伝導性および透明性を容易に維持するために、１μｍ以上から選択される。
【０１３１】
とくに、透明性を容易に維持するために、Ａ’よりも大きな、５μｍと３００μｍとの間の、または２０μｍと１００μｍとの間の素線間の平均距離Ｂ’をさらに選択することができる。
【０１３２】
素線の厚みは、透明性および高伝導性を容易に維持するために、１００ｎｍと５μｍとの間、とくにミクロンサイズ、より好ましくは０．５〜３μｍであってもよい。
【０１３３】
本発明によるグリッドは、広い表面積、たとえば、０．０２ｍ2以上、または０．５ｍ2もしくは１ｍ2以上の表面積にわたってもよい。
【０１３４】
グリッドについて、Ｂ’／Ａ’比率（素線間の間隔Ｂ’を素線の幅Ａ’、素線のサイズで割る）を変更することによって、１％と２０％との間のヘイズ値を得る。
【０１３５】
基材は、すでに示したように実質的に透明であってもよい。基材は、実質的に透明である場合、および無機材料（たとえば、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス）をベースとする場合、または（ポリカーボネートＰＣまたはポリメチルメタクリレートＰＭＭＡなどの）プラスチックをベースとする場合、ガラス機能を有していてもよい。
【０１３６】
ＵＶ光を透過させるために、基材は、石英、シリカ、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）またはフッ化カルシウム（ＣａＦ2）、ホウケイ酸ガラスもしくは０．０５％未満のＦｅ2Ｏ3を有するガラスから好ましくは選択される。
【０１３７】
３ｍｍの厚みについて例を示す。
−  マグネシウムまたはカルシウムのフッ化物は、ＵＶ帯の全範囲、すなわち、ＵＶＡ（３１５ｎｍと３８０ｎｍとの間）、ＵＶＢ（約２８０ｎｍと３１５ｎｍとの間）、ＵＶＣ（２００ｎｍと２８０ｎｍとの間）およびＶＵＶ（約１０ｎｍと２００ｎｍとの間）にわたって８０％または９０％を超えて透過する。
−  石英およびある高純度シリカは、ＵＶＡ、ＵＶＢおよびＵＶＣ帯の全範囲にわたって、８０％、さらに９０％を超えて透過する。
−  SchottからのBorofloat（登録商標）などのホウケイ酸ガラスは、全ＵＶＡ帯にわたって７０％を超えて透過する。そして、
−  ０．０５％未満のＦｅ（ＩＩＩ）またはＦｅ2Ｏ3を有するソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、とくにSaint-Gobainからのガラス、Diamant（登録商標）、Pilkingtonからのガラス、Optiwhite（登録商標）およびSchottからのガラス、Ｂ２７０は、全ＵＶＡ帯にわたって、７０％、さらに８０％を超えて透過する。
【０１３８】
しかし、Saint-Gobainによって販売されているガラス、Planilux（登録商標）などのソーダ石灰ケイ酸塩ガラスは、３６０ｎｍを越えて８０％よりも大きな透過率を有する。それは、ある構造およびある用途にとって十分であり得る。
【０１３９】
また、所与の赤外帯、たとえば、１μｍと５μｍとの間で透明であるための基材が、選択され得る。たとえば、それはサファイアであってもよい。
【０１４０】
コーティングされたグリッドを備えた基材の全光透過率は、５０％以上、より好ましくは７０％以上であってもよく、とくに７０％と８６％との間である。
【０１４１】
所与のＩＲ帯、たとえば、１μｍと５μｍとの間におけるコーティングされたグリッドを備えた基材の全透過率は、５０％以上、より好ましくは７０％以上であってもよく、とくに７０％と８６％との間である。ターゲットとする用途は、赤外視覚システムを有する、とくに夜間視界のための加熱されたグレージング（glazing）ユニットである。
【０１４２】
所与のＵＶ帯におけるコーティングされたグリッドを備えた基材の全透過率は、５０％以上、より好ましくは７０％以上であってもよく、とくに７０％と８６％との間である。
【０１４３】
複合的な積層グレージングユニット（ＥＶＡ、ＰＵ、ＰＶＢなどの積層中間層タイプ）は、本発明によるコーティングされたグリッドを有する基材に組み込んでもよい。
【０１４４】
本発明によるコーティングされたグリッドは、とくに有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）、とくにボトムエミッション（bottom emission）型ＯＬＥＤまたはボトムおよびトップエミッション（bottom and top emission）型ＯＬＥＤの（基材にもっとも近い）下方電極として使用されてもよい。
【０１４５】
本発明のさらに別の態様によれば、それは、前に記載されたようなグリッドの以下のものとしての使用をターゲットにする。
−  様々な光学的および／またはエネルギ特性を有する電気化学的におよび／または電気的に制御可能なデバイス、たとえば、液晶デバイスまたは光起電力デバイス、または有機もしくは無機発光デバイス（ＴＦＥＬなど）、ランプ、とくにフラットランプもしくは所望によりフラットＵＶランプのアクティブ層（単一層または複数層の電極）。
−  車両用（加熱されたフロントガラス、加熱されたリアウインド）または放熱器、タオルウォーマまたは冷蔵庫タイプの電気商品用途用、霜取り、防露もしくは防曇用などの加熱デバイスの加熱グリッド、
−  電磁シールドグリッド、
−  または、（所望により（準）透明である）導電性グリッドを必要とする任意の他のデバイス。
【０１４６】
心覚えに、エレクトロクロミックシステムには、「全固体」エレクトロクロミックシステム（本発明の文脈の中では、用語「全固体」は、すべての層が無機質である複数層の積層体に関連して規定される）または「全ポリマー」エレクトロクロミックシステム（本発明の文脈の中では、用語「全ポリマー」は、すべての層が有機質である複数層の積層体に関連して規定される）、または混合もしくはハイブリッドエレクトロクロミックシステム（この中では、積層体の層が有機質および無機質である）または液晶もしくはビオロゲンシステムが存在する。
【０１４７】
心覚えに、放電ランプは、能動素子として蛍光物質を含む。とくにフラットランプは、少し離して保持され、数ミリメートル未満で一般に分離され、そして減圧下でガスを含むように密閉して封止された２枚のガラス基材を含む。その中では、電気的放電は、その後可視光を放射する蛍光物質を励起する概して紫外線の範囲の放射を作り出す。
【０１４８】
フラットＵＶランプは、当然のこととして壁の少なくとも１つについて同じ構造を有していてもよい。（すでに記載されたように）ＵＶを透過する材料が選択される.ＵＶ放射は、プラズマガスおよび／または好適な追加の蛍光物質によって直接作り出される。
【０１４９】
フラットＵＶランプの例として、国際公開第２００６／０９００８６号パンフレット、国際公開第２００７／０４２６８９号パンフレット、国際公開第２００７／０２３２３７号パンフレットおよび国際公開第２００８／０２３１２４号パンフレットが参照され得る。それは、参照することによって組み入れられる。
【０１５０】
たとえば、参照することによって組み入れられる国際公開第２００４／０１５７３９号パンフレット、国際公開第２００６／０９００８６号パンフレットまたは国際公開第２００８／０２３１２４号パンフレットに記載されているように、電極（アノードおよびカソード）間の放電は、面を介してまたは厚みで（外部および内部の両方、一方が内部で他方が外部、基材の少なくとも一方など）、基材とそれぞれ関連するアノードおよびカソードを有する共面型（「面−面」）型であってもよい。
【０１５１】
参照することによって組み入れられる国際公開第２００７／０２３２３７号パンフレットに記載されているように、ＵＶランプおよびフラットランプでは、電極（アノードおよびカソード）間の放電は、共面型（１つの同じ面の、１つの同じ基材上の、アノードおよびカソード）であってもよい。
【０１５２】
それは、別のタイプの照明システム、すなわち、無機発光デバイスであってもよい。その能動素子は、たとえば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｍｎ、またはＣａＳまたはＳｒＳから選択されるドープされた蛍光物質をベースとする無機発光層である。この層は、絶縁層によって電極から好ましくは分離される。そのようなグレージングの例は、文書欧州特許第１  ５５３  １５３Ａ明細書に（たとえば、表６の材料と一緒に）記載されている。
【０１５３】
液晶グレージング（glazing）は、様々な光散乱グレージングとして使用されてもよい。それは、ポリマー材料をベースとし、２つの伝導層の間に配置されたフィルムの使用に基づく。上記材料の中では、液晶、とくに、正の誘電異方性を有するネマチック液晶の液滴が分散している。フィルムに電圧が印加された場合、液晶は好ましい方向に配向し、それにより見えるようになる。電圧が印加されない場合、結晶は整列せず、フィルムは散乱し、視界を妨げる。そのようなフィルムの例は、とくに、欧州特許第０  ２３８  １６４号明細書および米国特許第４４３５０４７号明細書、米国特許第４８０６９２２号明細書および米国特許第４７３２４５６号明細書に記載されている。２枚のガラス基材の間に一度積層され、取り込まれるこのタイプのフィルムは、「Privalite」のブランド名の下でSAINT-GOBAIN GLASSによって販売されている。
【０１５４】
実際に、「ＮＣＡＰ」（ネマチック曲線配向相：Nematic Curvilinearly Aligned Phases）、または「ＰＤＬＣ」（ポリマー分散液晶：Polymer Dispersed Liquid Crystal）、または「ＣＬＣ」（コレステリック液晶：Cholesteric Liquid Crystal）の用語の下で知られている液晶をベースとする任意の成分を使用することが可能である。
【０１５５】
また、後者は、液晶の液滴中のとくに溶液中に二色性染料を含んでもよい。そうすれば、システムの光散乱および光吸収を一緒に調節することが可能である。
【０１５６】
また、国際公開第９２／１９６９５号パンフレットに記載されているもののように、たとえば、少量の架橋されたポリマーを含むコレステリック液晶をベースとするゲルを使用することが可能である。
【０１５７】
また、本発明は、グレージングで、透過率の操作で、前に記載されたマスクの作製から得られたもののなどのグリッドの組み込みに関する。
【０１５８】
用語「グレージング」（glazing）は、広い意味で理解されなければならず、ガラス機能を有する本質的に透明である任意の材料を含有する。それは、ガラスおよび／または（ポリカーボネートＰＣまたはポリメチルメタクリレートＰＭＭＡなどの）ポリマー材料で作製される。キャリア基材および／または対向基材、すなわち、アクティブシステムの側面に配置する基材は、堅くてもよいし、曲げやすくてもよいし、やや曲げやすくてもよい。
【０１５９】
また、本発明は、主にグレージングまたは鏡としてこれらのデバイスのために見つけられ得る様々な用途に関する。すなわち、それらは、建築用グレージング、とくに外面グレージング、内部仕切りまたはグレージングのドアを作製するために使用されてもよい。また、それらは、列車、飛行機、車、船および作業車両などの輸送形態の窓、屋根または内部仕切りのために使用されてもよい。また、それらは、投射スクリーン、テレビまたはコンピュータースクリーンなどのディスプレイスクリーン、タッチ感応スクリーン、照明表面および加熱グレージングのために使用されてもよい。
【０１６０】
図１および２は、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【０１６１】
コーティングされたグリッドを製造するための方法は、以下を含む。
−  以下を含む、ネットワークマスクと呼ばれ、ミリメートルに満たない開口部を有するマスク１を、基材２の主面の上に製造すること。
−  溶媒中に安定化され、分散されたコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液からのマスキング層の堆積。そのポリマー粒子は、所与のガラス転移温度Ｔgを有する。
−  マスク領域の実質的に直線の縁を有する開口部１０のネットワークを有するマスク１が得られるまでの上記温度Ｔgよりも低い温度でのマスキング層の乾燥。開口部はマスク領域を分離する。
−  開口部の深さの部分が充填されるまで、グリッド３材料と呼ばれる少なくとも一種の導電性材料のＰＶＤによる堆積を含むネットワークマスクからの導電性グリッド３の形成、およびマスク領域の表面をさらに被覆すること。
−  Ｔgの０．８倍以上の温度でのグリッド材料を有するマスキング層の熱処理。その結果、マスク領域の収縮が生じ、その後、マスク領域の縁とグリッドの横の縁との間に間隔を作り出す。
−  グリッド上のおよびマスク領域の縁とグリッドの横の縁との間の間隔の中に、被覆層４材料として呼ばれる材料で作製された、被覆層と呼ばれる層の堆積、およびマスク領域の表面をさらに被覆すること。そして、
−  オーバーグリッドでコーティングされたグリッドが現れるまでのマスキング層の除去。
【０１６２】
マスク領域の縁は直線であるので、グリッド３を形成する層は、図１に示すように、傾斜した縁３１を有する。
【０１６３】
マスク領域の縁は、熱処理の後、さらに離れるので、オーバーグリッド４を形成する層は、傾斜した横の縁３１を被覆し（その結果、傾斜している横の縁４１に調和する）、図２に示すように、マスク領域の縁まで延びる。
【０１６４】
グリッド３の３つの面を被覆するこのオーバーグリッドは、腐食に対して保護するため、難しい方法のステップを考慮してグリッドの保護のため、または暗色化のための層として作用してもよい。
【０１６５】
図３〜５は、１つの変形で、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
【０１６６】
この変形では、本方法が、開口部１０を通って、グリッド４の下へのアンダーグリッド５と呼ばれる層、とくにグリッドの付着のためのアンダーグリッド、アルカリ金属に対するバリヤであるアンダーグリッドまたは暗色化アンダーグリッドの堆積（および、さらにマスク領域の表面を被覆すること）を含む点で異なる。
【０１６７】
図５のようにグリッド３の４つの面を被覆するアンダーグリッドおよびオーバーグリッド。
【０１６８】
主な製造ステップは、引き続き順番に、１つ１つ、今、詳細に説明されるであろう。
【０１６９】
ネットワークマスクの製造
アクリル酸共重合体をベースとし、４０重量％の濃度で、５．１のｐＨでおよび１５ｍＰａに等しい粘度で、水中に安定化されたコロイド状粒子の単純なエマルションは、湿式方法の技術によって、スピンコーティングによって、たとえば、平坦で無機物でありガラス機能を有する基材の一部の上に堆積される。コロイド状粒子は、８０ｎｍと１００ｎｍとの間の特性寸法を有し、「NEOCRYL XK 52」（登録商標）のトレードマークの下でDSMによって販売され、１１５℃に等しいＴgを有する。
【０１７０】
溶媒を蒸発して開口部を形成するように、その後、コロイド状粒子を組み込んでいる層の乾燥が実行される。この乾燥は、任意の好適な方法（熱風乾燥など）によって、Ｔgよりも低い温度で、たとえば、周囲温度で実行されてもよい。
【０１７１】
この乾燥ステップの間、そのシステムは、それ自体再配列し、開口部１０のネットワークおよびマスク領域を含むネットワークマスク１を形成する。それは、パターンを描く。その例示的態様は、図６および７に表されている（４００μｍ×５００μｍの像）。
【０１７２】
安定しているネットワークマスク１が、アニールに頼らずに得られ、後にＡと呼ばれる開口部の（平均）幅と、後にＢと呼ばれる開口部間の（平均）間隔によって特徴付けられる構造を有する。この安定化されたネットワークマスクは、比率Ｂ／Ａによって、後に規定されるであろう。
【０１７３】
開口部における二次元のメッシュ化された、メッシュの少しの断絶（封鎖開口部）を有するネットワークが得られる。
【０１７４】
乾燥温度の影響が評価された。２０％のＲＨの下、１０℃の乾燥の結果、８０μｍのメッシュになる（図８ａ）。一方、２０％のＲＨの下、３０℃の乾燥の結果、１３０μｍのメッシュになる（図８ｂ）。
【０１７５】
乾燥条件、とくに湿度の程度の影響が評価された。「XK52」をベースとした層が、試料の底と頂上との間の厚みのバリエーション（１０μｍから２０μｍまで）を付与するフローコーティングによってこのとき堆積された。その結果、メッシュサイズのバリエーションが生じた。湿度が高くなると、Ｂは小さくなる。
【０１７６】
【表１】
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【０１７７】
また、このＢ／Ａ比率は、たとえば、固まったコロイドと基材の表面との間の摩擦係数、またはナノ粒子のサイズ、または蒸発速度、または初期粒子濃度、または溶媒の性質、または堆積技術によって決まる厚みを調節することによって変更される。
【０１７８】
これらの様々な可能性を説明するために、コロイド溶液の２つの濃度（Ｃ0および０．５×Ｃ0）およびディップコータの上昇速度を調節することによって堆積された様々な厚みを有する実験的デザインを以下に示す。濃度および／または乾燥速度を変えることによって、Ｂ／Ａ比率を変えることが可能であることが観察される。
その結果は以下の表に示される。
【０１７９】
【表２】
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【０１８０】
コロイド溶液は、様々な厚みのフィルムドロワ（film-drawer）を使用することによってＣ0＝４０％の濃度で堆積される。これらの実験は、素線のサイズおよび素線間の距離はコロイド層の初期厚みを調節することによって変えられ得ることを示す。
【０１８１】
【表３】
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【０１８２】
最後に、基材の表面粗さは、大気圧プラズマを使用したエッチングによって変更された。その表面は、Ａｇの小塊のマスクを介したガラスの表面である。この粗さは、コロイドと接触する領域のサイズの規模のオーダであり、それはこれらのコロイドの基材との摩擦係数を増加させる。以下の表は、Ｂ／Ａ比率およびマスクの形態における摩擦係数を変えることの効果を示す。同一の初期厚みでより小さなメッシュサイズおよび増加するＢ／Ａ比率が得られるように見える。
【０１８３】
【表４】
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【０１８４】
別の例示的態様では、前に記載されたコロイド状粒子を含有する１つの同じエマルションのスピンコーティングによって得られた開口部のネットワークの寸法のパラメータを以下に示す。スピンコーティング装置の様々な回転速度はマスクの構造を変える。
【０１８５】
【表５】
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【０１８６】
マスクの形態における乾燥前面の広がり（図１０および１１参照）の効果が研究された。乾燥前面の存在により、およそ平行な開口部のネットワークを作り出すことが可能になる。ネットワークの方向は、この乾燥前面と直交する。一方、平行ネットワークとおよそ直交する開口部の二次ネットワークが存在する。そのため、開口部間の位置および距離が不規則になる。
【０１８７】
本方法の実施のこの段階では、ネットワークマスク１が得られる。
【０１８８】
マスクの形態学的研究は、開口部が直線の開口プロファイルを有することを示した。ＳＥＭを使用して得られた基材２上のマスク１の横断図である図９を参照することができる。
【０１８９】
図９に表された開口部１０の（すなわち、マスク領域の）プロファイルは、以下に関してとくに有利な点を有する。
−  大きな厚みの材料を堆積すること。そして、
−  マスクを除去した後、マスクと同じようになるとくに大きな厚みのパターンを保持すること。
【０１９０】
その後、得られたマスクは、そのまま使用されてもよいし、様々な後処理によって変更されてもよい。発明者は、開口部の底に位置する有機粒子の清浄のための源としてのプラズマ源の使用は、グリッドとして使用される材料の付着を実質的に改善できることをさらに見出した。
【０１９１】
この構成によれば、コロイド状粒子は、開口部の底に存在しない。したがって、開口部を充填するために導入される材料（これは、本テキストでは、後で詳細に記載されるであろう）の、ガラス機能を有する基材との最大付着が存在するであろう。
【０１９２】
例示的態様として、酸素／ヘリウム混合をベースとする移行型アークプラズマを使用した大気圧プラズマ源の助けを借りる清浄により、開口部の底に堆積された材料の付着を改善すること、および開口部の幅を大きくすることの両方を可能にする。Surfxから販売されているブランド「ATOMFLOW」のプラズマ源を使用してもよい。
【０１９３】
別の態様では、５０重量％の濃度で、３のｐＨで、および２００ｍＰａ・ｓに等しい粘度で水中に安定化されているアクリル酸共重合をベースとするコロイド状粒子の単純なエマルションが堆積される。そのコロイド状粒子は、およそ１１８ｎｍの特性寸法を有し、「NEOCRYL XK 38」（登録商標）のトレードマークの下、DSMによって販売され、７１℃に等しいＴgを有する。得られたネットワークは図１２ａに示される。開口部間の間隔は、５０ｎｍと１００μｍとの間であり、開口部の幅の範囲は、３μｍと１０μｍとの間である。
【０１９４】
グリッドの製造
本発明によるマスクから始めて、導電性グリッドが作製される。これをするために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、これらの金属の合金、ならびに、とくにＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｂ、ＳｎＯ2：ＦおよびＳｎＯ2：Ｓｂから選択される導電酸化物などの導電性材料が、マスクを介して電気的に堆積される。その材料は、開口部を充填するように、開口部のネットワークの内側に堆積される。その充填は、たとえば、マスクの高さのおよそ半分の厚みに実行される。
【０１９５】
たとえば、３００ｎｍの厚みを有するＡｇの層は、マグネトロンスパッタリングによって堆積される。
【０１９６】
この堆積相は、たとえば、マグネトロンスパッタリングによって実行される。
【０１９７】
熱処理
ネットワークに関するパラメータにおける処理の影響が評価された。
【０１９８】
第１の例では、熱処理前（図１２ａ）および熱処理後（図１２ｂ）における「XK38」を使用して堆積されたマスクにおける変化が比較された。結果は、以下の表に集められる。
【０１９９】
【表６】
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【０２００】
図１２ｂ（１００℃で１５分間の処理された試料）に示すように、縮小によって、開口部の幅は２倍またはさらに３倍になる。
【０２０１】
第２の例では、熱処理前（図１３ａ参照）と１４０℃で１５分間の熱処理後（１３ｂ参照）とで、（XK38を使用して）堆積されたマスクにおける変化が比較された。開口部の幅のより大きな増加が観察された。
【０２０２】
オーバーグリッドの製造
熱処理後、オーバーグリッドが、開口部を通して堆積された。
【０２０３】
１つの例では、オーバーグリッドのためにグリッドと同じ材料、すなわち銀が堆積された。マスクは、「XK52」から作製された。
【０２０４】
参照試料は、熱処理を受けず、オーバーグリッドでコーティングされていない銀グリッドである。
【０２０５】
以下の表が、光学的特性、電気特性および熱処理の関数として素線の占有率のレベルにおける変化を示す。グリッドの（およびオーバーグリッドの）堆積方法および時間は、すべての試験について同じである。
【０２０６】
【表７】
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【０２０７】
シート抵抗の低下（電極用途についてとくに望まれている）、および、たとえば、光学的写真からおよび画像処理の後に測定された被覆率の程度の増加が観察された。ＴＬが少し減少した。
【０２０８】
マスク除去
マスクからオーバーグリッドでコーティングされたグリッドの構造を現れるようにするため、「リフトオフ」（lift-off）作業が行われる。この作業は、コロイドの凝集は、弱いファン・デル・ワールスタイプの力（バインダなし、またはアニールに起因する結合）に起因するという事実によって容易にされる。その後、コロイド状マスクは、水およびアセトンを含有する溶液（洗浄溶液は、コロイド粒子の性質によって選択される）の中に浸漬され、その後、コロイドでコーティングされているすべての部分を除去するように洗浄される。超音波の使用によってその現象を加速することができ、コロイド状粒子のマスクを落として、グリッドを形成することになる相補形部分（材料により充填された開口部のネットワーク）が現れる。
【０２０９】
腐食保護オーバーグリッドを有するグリッドの例
「XK52」をベースとするマスクが使用される。
グリッド材料として、アルミニウムが、４×１０-3ｍｂａｒの圧力でマグネトロンスパッタリングによって堆積される。
【０２１０】
アニールの後、３５ｎｍのシリカの層が、オーバーグリッド材料として堆積される。
【０２１１】
【表８】
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【０２１２】
この保護されているグリッドは、たとえば、ＥＭＩシーリングデバイスまたは加熱デバイス、主として、フロントガラスまたは放熱器または（デパート、棚、冷凍槽などのための）冷蔵庫の壁に使用されてもよい。
【０２１３】
アンダーグリッドおよび暗色化オーバーグリッドを有するグリッドの例
「XK52」をベースとするマスクが使用される。
【０２１４】
最初に、１５ｎｍのＮｉＣｒが開口部を通して堆積される。
【０２１５】
グリッド材料として、１０-3ｍｂａｒの圧力でマグネトロンスパッタリングによって２００ｎｍの銅が堆積される。
【０２１６】
熱処理が実行される。
【０２１７】
オーバーグリッド材料として、１５ｎｍのＮｉＣｒの層が堆積される。
【０２１８】
【表９】
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【０２１９】
グリッド素線の４つの辺は、黒くなり、審美的になる。斜入射では、コーティングされたグリッドは、すべての面にわたって黒く見える。
【０２２０】
この審美的なグリッドは、たとえば、フラットランプ電極用またはエレクトロクロミック電極用に、スクリーン用、色の描写が厳格である製品用に使用される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２ａ】
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【図１２ｂ】
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【図１３ａ】
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【図１３ｂ】
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