(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層スタックと、
第２電極層スタックと、
前記第１電極層スタックと前記第２電極層スタック間に形成された収容空間と、を備えたエレクトロウェッティング光学素子であって、
前記収容空間の側面を画定する１つまたは複数のピクセル壁が前記第１および第２電極層スタック間に延在し、
前記収容空間は、互いに非混和性の極性液体と無極性液体とを少なくとも含み、
前記第１電極層スタックは、基板と、第１電極層と、前記収容空間との疎水性第１界面表面を有する絶縁層と、を備え、
前記第２電極層スタックは、上板と、前記収容空間との第２界面表面を有する第２電極層と、を備え、
前記疎水性第１界面表面の疎水性は、前記第２界面表面のそれより高く、
前記第２電極層スタックの前記第２界面表面上に固定的に搭載されて前記第１電極層に向かって延在するピクセル壁に特徴付けられる前記エレクトロウェッティング光学素子は、前記無極性液体に対して前記極性液体を再配置するために前記第１および第２電極層に通電できるように配置され、
前記第１電極層スタックと反対側の前記１つまたは複数のピクセル壁の端面は、前記疎水性第１界面表面にゆるく面しており、
前記１つまたは複数のピクセル壁は、前記端面上に形成されている疎水性表面を備えることを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子。
【請求項２】
前記端面と前記疎水性第１界面表面間に、前記無極性液体を引き込むためのスリットが存在することを特徴とする請求項１に記載のエレクトロウェッティング光学素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載のエレクトロウェッティング光学素子を１つまたは複数を備えることを特徴とするエレクトロウェッティングディスプレイ。
【請求項４】
上板と第２界面表面を有する第２電極層とを備える第２電極層スタックを準備するステップと、
前記第２電極層スタックの前記第２界面表面上にピクセル壁を固定的に搭載し、前記第２界面表面と前記ピクセル壁とで画定される収容空間を形成するステップと、
非混和性の極性液体と無極性液体で前記収容空間を充填するステップと、
基板と、第１電極層と、疎水性第１界面表面を有する絶縁層と、を備える第１電極層スタックで前記収容空間を被覆するステップと、を備え、
前記疎水性第１界面表面の疎水性は、前記第２界面表面のそれより高く、前記ピクセル壁の端面は、前記第１電極層スタックの前記疎水性第１界面表面にゆるく面しており、
前記ピクセル壁を搭載するステップは、前記ピクセル壁の前記端面上に疎水性表面を形成するステップをさらに備えることを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記収容空間を被覆するステップは、前記端面と前記疎水性第１界面表面間に、前記無極性液体を引き込むためのスリットを形成するステップを備えることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記充填するステップは、
前記極性液体で前記収容空間を前記ピクセル壁の上端まであるいはそれを超えて充填するステップと、
前記収容空間のすべてが所定の高さまで充填されるように前記極性液体を蒸発させるステップと、
前記収容空間の残りを前記無極性液体で充填するステップと、を備えることを特徴とする請求項４または５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロウェッティング光学素子、エレクトロウェッティング光学素子を備えるディスプレイおよびエレクトロウェッティング光学素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロウェッティング技術は、一方では、液体の表面張力と固体表面の濡れ特性間のエネルギーバランスの変化に、他方では、境界層を備えるコンデンサ配置間への印加電圧によって誘起される静電気力間のエネルギーバランスの変化に基づくものである。
【０００３】
最先端技術による、エレクトロウェッティング素子とも呼ばれるエレクトロウェッティング光学素子は、底部から頂部に向かって、基板と、第１電極層と、互いに非混和性の極性液体と無極性液体と相互作用する電気絶縁性疎水性層すなわち、前記第１電極層の反対側に疎水性表面を有する絶縁層と、を備える第１電極層スタックと、前記極性液体と電気的に接触する第２電極と、前記第２電極層を支持する上板と、を備える第２電極層スタックと、からそれぞれ構成されていてもよい。該第２電極層の疎水性は、第１電極層スタックの疎水性界面表面のそれより低い。このために、該無極性液体は、第１電極スタックの疎水性表面近くに存在し、該極性液体は、第２電極スタックのより低疎水性の界面表面近くに存在する。該第１電極層スタックに取り付けられ、ここから第２電極層スタックに向けて延在するピクセル壁は、第１および第２電極スタックとピクセル壁間に収容空間を形成する。従って、該ピクセル壁は、エレクトロウェッティングセルと隣接するエレクトロウェッティングセル間の無極性液体に対するバリアを形成する。
【０００４】
エレクトロウェッティング素子はこのように、画像素子すなわち画素を形成できる。電気的に抑制された複数のエレクトロウェッティング素子は互いに、画素を備えたディスプレイまたはその一部を形成でき、そうしたディスプレイまたはその一部は、それを構成するエレクトロウェッティング素子を適切に制御することによって任意の画像表示に用いられる。エレクトロウェッティング素子は、ピクセル壁の形状によって定まる任意の形状を有することができ、それによって、ディスプレイは特定の目的用として製造できる。
【０００５】
エレクトロウェッティング素子は、ピクセル壁によって形成される各ピクセル内の無極性液体を除いて、殆ど透明である。該無極性液体は多くの場合、不透明かあるいは光透過係数が低い。無極性液体の透過係数は典型的には、エレクトロウェッティング素子の用途に依存する。カラーディスプレイでは、着色された無極性液体を含むエレクトロウェッティング素子を使用してもよい。
【０００６】
エレクトロウェッティング素子は、例えば、ディスプレイ画面のバックライトを用いる光透過性の実施に適用される。別の実施では、エレクトロウェッティング素子は、例えば、電極層のうちの１つに（正反射性または乱反射性の）反射面を設けることによって、反射性機構に適用されてもよい。
【０００７】
エレクトロウェッティング素子の操作原理は以下の通りである。非通電状態、すなわち、第１および第２電極間に電圧が印加されていない場合、系のエネルギー最小状態では、無極性液体が極性液体と絶縁層の疎水性表面間に境界層を形成する。これは、極性液体が疎水性層によってはじかれるためである。その後、無極性液体の透過率が低いことによって、系を貫通する光は阻止される。
【０００８】
電極間に電圧が印加されると、系のエネルギー最小状態は、（導電性の）極性液体が（低導電性のすなわち絶縁性の）無極性液体を押しのけて、極性液体が絶縁性疎水性層と直接接触する状態になる。ここで電圧は、極性液体を疎水性層から分離する反発力および表面張力に静電気力が打ち勝つのに十分大きなものでなければならないことに留意のこと。この状態では、極性液体の良好な透過率と無極性液体が押しやられていることによって、系を貫通する光の絶縁性疎水性層へのアクセスは阻止されない。こうして、電極間に電圧が印加された通電状態では、エレクトロウェッティング素子は透過性となる。エレクトロウェッティングタイプのディスプレイとスクリーンには、この動作原理が用いられている。
【０００９】
最先端技術によるエレクトロウェッティング素子は、ピクセル壁の疎水性表面への付着性は低く、ピクセル壁が劣化することによって、これによって画定されるエレクトロウェッティング素子とその周囲のエレクトロウェッティング素子とが破壊される。これは、疎水性表面の接触角ヒステリシスが非常に小さく表面張力も小さいために、ピクセル壁が形成されるフォトレジストの均一なコーティングを設けることが極端に困難であるという事実による。さらに、フォトレジストの疎水性表面への付着性が非常に小さいために、ピクセル壁の付着性が小さく劣化を生じる。この問題は、ピクセル壁が作成されるエレクトロウェッティング素子の製造中に既に起こり得る。その結果、商用の製造プロセスでの歩留りは低下し、エレクトロウェッティングディスプレイの技術的な寿命も短くなる。
【００１０】
当分野においては、疎水性表面の疎水性をより小さくする表面改質によってピクセル壁の付着性を改善できる。ピクセル壁の製造後、アニーリングステップによってその表面を疎水性状態に戻す。しかしながら、最小の接触角ヒステリシスを有する疎水性状態への戻しは完全でないことが多く、非通電状態に切替え後のオイルの拡散が不完全になる。従って、こうした方法では、切替え操作中のピクセルの開閉に問題が生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、従来技術における上記の問題および欠点をなくし、構造的一体性と切替え動作が改善されたエレクトロウェッティング光学素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の１態様では、上記の目的は、第１電極層スタックと、第２電極層スタックと、前記第１電極層スタックと第２電極層スタック間に形成された収容空間と、を備え、前記収容空間の側面を画定する１つまたは複数のピクセル壁が前記第１および第２電極スタック間に延在し、前記収容空間は、互いに非混和性の極性液体と無極性液体とを少なくとも含むことを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子によって達成される。
【００１３】
前記第１電極層スタックは、基板と、第１電極層と、前記収容空間との疎水性界面表面を有する絶縁性層と、を備え、前記第２電極層スタックは、上板と、前記収容空間との間に第２界面表面を有する第２電極層と、を備える。前記疎水性界面表面の疎水性は第２界面表面のそれより高い。
【００１４】
エレクトロウェッティング素子は、前記無極性液体に対して前記極性液体を再配置するために、前記第１および第２電極層への通電を可能にするように配置される。
【００１５】
前記ピクセル壁は、前記第２電極層スタックの前記第２界面表面上に固定的に搭載されて前記第１電極層に向かって延在し、前記第１電極層スタックと反対側の前記１つまたは複数のピクセル壁の端面は、前記疎水性界面表面にゆるく面している。
【００１６】
前記の「ゆるく」とは、ピクセル壁の端面上には、前記第１電極層スタックの疎水性界面との何らの固定や構造的取付けもなされていないことを意味する。この端面は、必ずしもそうではないが、第１電極層スタックの疎水性表面に隣接していてもよい。この実施形態の利点は、ピクセル壁と第１電極層スタック間にいかなる構造的取付けも必要でないために、この端面が製造プロセスで容易に作成できることである。
【００１７】
第２電極層のより低疎水性の第２界面表面上にピクセル壁が作成されるので、その高さは、無極性液体がピクセルからピクセルに広がり各ピクセル内に含まれることを防止するために、ピクセル壁が第２電極層スタックから第１電極層スタックまで十分に遠くに延在するものとなる。これは、ピクセル壁とより低疎水性の第２界面表面間の接続が、従来技術におけるピクセル壁と疎水性界面表面との接続に比べてただ機械的に強いために、ピクセル壁の構造的一体性を損なうことなく行える。従って、最終製品の構造的一体性は改善される。
【００１８】
前記第２および第１電極層間の全距離に及ぶ高さを有するピクセル壁の利点は、第１および第２電極層を所望の距離に維持するスペーサとしてピクセル壁が機能することである。これによって、エレクトロウェッティング素子の光学的および構造的特性も改善される。
【００１９】
「疎水性界面表面」および「より低疎水性の第２界面表面」とは、第１および第２電極層スタックのそれぞれの表面は、前記収容空間とのそれぞれの界面が疎水性およびより低疎水性すなわち親水性であるようになされていることを意味する。
【００２０】
前記極性液体は通常、水または主に水系の物質であろう。なぜなら、水は容易に入手でき、電気双極子形成構造を有する分子から成るためである。しかしながら、当業者であれば、他の極性液体もエレクトロウェッティング素子での使用に適切であることは理解するであろう。さらに、前記無極性液体は多くの場合、適切な色および光学的特性を有する油性物質であろう。しかしながら、エレクトロウェッティング光学素子で使用でき、前記極性液体と非混和性で、非ゼロの化学極性を有する分子を含まない任意の適切な物質で無極性液体を形成してもよい。
【００２１】
本発明によるある実施形態では、前記無極性液体をその中に引き込むスリットが前記端面と疎水性界面間に存在する。これによって、通電状態でのエレクトロウェッティング素子の切替え時に、無極性液体が疎水性表面から低エネルギー状態に後退するために、エレクトロウェッティング素子の操作動作が改善される。さらに、通電状態で、第１電極の疎水性表面近くのピクセル壁の一端部上に形成された小さな毛細管表面は、無極性液体がスリット内に引き込まれた結果として、散乱光の量を低減し、エレクトロウェッティング素子の光学的特性を改善する。この実施形態では、スリット形成のために、ピクセル壁の高さは第１および第２電極層間の距離よりわずかに短い。
【００２２】
ピクセル壁が疎水性表面を備えるさらなる実施形態によっても、エレクトロウェッティング素子の光学的特性は改善される。その場合、極性液体はピクセル壁にはじかれて、無極性液体がエネルギー的にピクセル壁近傍により留まり易くなるであろう。この実施形態では、通電状態において、ピクセル壁と疎水性表面間のスリットの一端部における前述の毛細管表面は、無極性液体（オイル）がピクセル壁を「ずり上がる」傾向を有するために、より大きくなるであろう。この実施形態での散乱光の量はさらに低減される。
【００２３】
本発明によるさらなる実施形態では、ピクセル壁の疎水性表面は、前記第１電極層と反対側のピクセル壁の端面上に形成される。これによって、エレクトロウェッティングセルの通電状態において、疎水性表面と疎水性の第１表面の両方によって誘引される無極性液体は、より容易にスリット内に引き込まれる。
【００２４】
本発明の第２の態様では、上記のエレクトロウェッティング素子を１つまたは複数備えるエレクトロウェッティングディスプレイが提供される。適切に制御することによって、前記エレクトロウェッティング素子は、種々の目的のための任意の画像または形状を表示するディスプレイを形成するように組み合わせられて、好都合に操作される。
【００２５】
本発明の第３の態様では、上板と第２界面表面を有する第２電極層とを備える第２電極層スタックを準備するステップと、前記第２電極層スタックの前記第２界面表面上にピクセル壁を固定的に搭載し、少なくとも前記第２界面表面と前記ピクセル壁とで画定される収容空間を形成するステップと、非混和性の極性液体と無極性液体で前記収容空間を充填するステップと、基板と、第１電極層と、疎水性界面表面を有する絶縁層と、を備える第１電極層スタックで前記収容空間を被覆するステップと、を備えることを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子の製造方法が提供される。前記疎水性界面表面の疎水性は、前記第２界面表面のそれより高い。前記ピクセル壁の端面は、前記第１電極層スタックの前記疎水性界面表面にゆるく面している。
【００２６】
本発明のこの方法の利点は、前記製造方法が直接に実施できることである。なぜなら、従来技術によるエレクトロウェッティング素子と比較して、ピクセル壁が固定的に搭載される第２電極層上に形成される収容空間の配列が、最初に前記極性液体で所望の高さまで、次に無極性液体でより容易に充填されるためである。さらに、従来技術による方法と比較して、前記第２電極表面上にピクセル壁を搭載するという構造一体性ははるかに優れているため、本製造方法では、従来技術による方法と比較して、完全に機能するエレクトロウェッティング素子の歩留りが高い。
【００２７】
ある実施形態では、前記収容空間を被覆する方法ステップは、スリットが前記端面と前記疎水性界面表面間に形成されるように行われる。これによって、前記第１電極層スタックの疎水性界面表面と前記ピクセル壁の端面の毛管作用によっても、無極性液体がスリット内に引き寄せられるので、無極性液体の引込みが容易になる。
【００２８】
特定の実施形態では、本方法は、ピクセル壁を疎水性にするステップをさらに含み、これによって、無極性液体のピクセル壁のずり上がりが可能になる。
【００２９】
上記に関連して、ピクセル壁にどの程度の疎水性／親水性を持たせるかは、ピクセル壁が疎水性すぎる（それによって、エレクトロウェッティング素子の切替え性が阻害される）場合、無極性液体がピクセル壁に付着しないように最適化され得ることは留意されるべきである。
【００３０】
さらなる実施形態では、前記第１電極層スタックの前記疎水性界面表面と反対側のピクセル壁の端面だけを疎水性界面表面とする。これによって、無極性液体のピクセル壁側面への付着を弱め、無極性液体が前記スリット内により容易に引き込まれるようになる。
【００３１】
別の実施形態では、前記収容空間を充填するステップは、前記極性液体で収容空間をピクセル壁の上端まであるいはそれを超えて充填するステップと、前記収容空間のすべてが所定の高さまで充填されるように前記極性液体を蒸発させるステップと、前記収容空間の残りを前記無極性液体で充填するステップと、を備える。前記上端は、ピクセル壁端面と一致していてもよい。これによって、充填ステップ中に極性液体の高さを監視する必要なしに、エレクトロウェッティング素子を充填できる。極性液体を蒸発させる間は、その高さを監視するであろう。正しい高さに達すると、収容空間の残りに無極性液体を供給する。
【００３２】
本発明の実施形態を例示した添付図面を参照して、本発明をさらに説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】発明によるエレクトロウェッティング光学素子を示す。
【図２Ａ】本発明によるエレクトロウェッティング光学素子の製造方法の種々の方法ステップを示す。
【図２Ｂ】本発明によるエレクトロウェッティング光学素子の製造方法の種々の方法ステップを示す。
【図２Ｃ】本発明によるエレクトロウェッティング光学素子の製造方法の種々の方法ステップを示す。
【図３】本発明の方法を概略的に示す。
【発明を実施するための詳細な説明】
【００３４】
図１は、参照番号１で一般的に示され、隣接するエレクトロウェッティング素子間に位置するエレクトロウェッティング光学素子またはエレクトロウェッティング素子を示す。エレクトロウェッティング素子１において、収容空間２５は、第１電極層スタック３と第２電極層スタック５間に存在する。第１電極層スタック３は、基板１１と、絶縁層１２と、第１電極層１３と、以下に説明する選択的な反射層１４と、を備える。第１電極層スタック３は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの導電性材料で形成され、収容空間２５との界面を形成する疎水性界面表面１０を有する。疎水性界面表面１０は、ＣＹＴＯＰｔｍまたはＡＦ１６００ｔｍなどの適切なフッ素ポリマーの層で形成できる。
【００３５】
第２電極層スタック５は、上板７と、上板７に支持された第２電極層６と、を備える。第２電極層６は極性液体２９に接触しており、より低疎水性すなわち親水性の界面表面を有している。第２電極層６は、ＩＴＯあるいは他の任意の透明導電性材料などの透明導電性材料の層で形成される。当分野で既知の、疎水性の第１界面表面１０より低疎水性の導電性有機材料も使用できる。第２電極層６は、エレクトロウェッティング素子１の極性液体２９に接触していなければならないが、必ずしも図１に示すような隣接層でなくてもよい。それが収容空間２５の少なくとも一部を被覆していれば十分である。
【００３６】
第１および第２電極層６、１３は共に、それらに適切な電圧を印加することによって、エレクトロウェッティング素子１への通電および非通電を可能にする。
【００３７】
任意の適切な材料で上板層７および基板層１１を形成してもよい。これらの層は多くの場合、透明なガラス層で形成されるが、エレクトロウェッティング光学セルが透明タイプか反射タイプかに応じて、基板層１１は不透明層で形成されてもよい。あるいは、上板層７および基板層１１は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリチオフェン（ＰＴ）、フェノールノボラック（ＰＮ）あるいはポリカーボネート（ＰＣ）などの硬質または柔軟なポリマー材料で形成されてもよい。
【００３８】
選択的な反射層１４によって、エレクトロウェッティング素子の反射的な使用が可能になるが、その場合、素子１の上板側または第２電極層スタック５側に入射した光は、反射層１４で反射され、第２電極層スタック５側を経由して再び現れる。反射層１４は、基板１１上に堆積されたアルミニウムなどの金属で作られる。反射タイプのエレクトロウェッティング素子では、反射層１４は、第１電極層として作動してもよい。
【００３９】
電気絶縁層１２は、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウムあるいは、電圧印加時に短絡を防止し、無極性液体を押しのけて極性液体が第１電極層１３に引き付けられるように電界を構築する他の任意の適切な材料で形成できる。
【００４０】
疎水性界面表面１０は、光学セルの切替え性改善のために、すなわち通電状態と非通電状態の切替時のセルのスムーズな開閉を可能にするために、接触角ヒステリシスは小さい方が好ましい。
【００４１】
ピクセル壁１９は、第２電極層６のより低疎水性すなわち親水性の表面上に固定的に搭載される。第２電極層上にピクセル壁１９を搭載した結果およびより低疎水性表面の物性によって、ピクセル壁１９と親水性界面表面６間は機械的に強く接続される。これによって、第２電極層スタック５上に搭載した時点で、ピクセル壁の良好な構造的一体性が得られる。
【００４２】
ピクセル壁１９、第１電極層スタック３および第２電極層スタック５はそれぞれ、エレクトロウェッティング光学セル１の収容空間２５を画定する。収容空間２５は、極性液体２９および無極性液体３０で充填される。極性液体２９および無極性液体３０は互いに非混和性である。また、極性液体２９は、非ゼロの化学極性を有する分子を含む物質で形成される。無極性液体は、化学極性が無視できるほどのすなわち非常に小さい分子を有する物質で形成される。その結果、通電状態および非通電状態の電極の切替えによって、無極性液体、極性液体および疎水性表面間の力バランスが変化し、エレクトロウェッティング光学セルの開閉に適切なようにこれらの液体が再配置される。
【００４３】
ピクセル壁１９は、第２電極層スタック５と第１電極層スタック３間の距離に及ぶ寸法で作られる。これによって、ピクセル壁１９は、無極性液体３０が隣接するエレクトロウェッティング素子へ広がらないようにする。ピクセル壁１９には選択的に疎水性表面２１が設けられ、無極性液体３０は、ピクセル壁１９の疎水性表面にはじかれる極性液体よりも容易に、ピクセル壁に近接して留まる。
【００４４】
ピクセル壁１９は、第１電極層３の疎水性表面１０の反対側に端面３４を備える。図１では、端面３４と第１電極層１２の疎水性表面層１０間に、小さなスリット３２が示されている。これによって、無極性液体３０がスリット３２内に引き込まれ、ピクセル壁１９の端部近傍のスリットの他方側に、スリット３２内の毛管現象で生じた小さな界面２４が形成される。該小さな毛管界面は、ピクセル壁１９によって生じたエレクトロウェッティング光学セル１中の散乱光の量を大幅に低減するという効果を有する。
【００４５】
無極性液体のスリット内への引込みをさらに改善するために、ピクセル壁１９の端面３４に疎水性表面３５を設けて、エレクトロウェッティング素子の通電状態におけるスリット３２内への無極性液体３０の引込みと、第１電極層スタック３の疎水性界面表面１０上への無極性液体の戻りをより容易にしてもよい。
【００４６】
図２Ａ〜２Ｃは、本発明によるエレクトロウェッティング素子の製造方法の種々の方法ステップを示す。図３は、その方法を概略的に示す。図３および図２Ａ〜２Ｃを参照して、本発明の方法を説明する。
【００４７】
図３に示す方法のステップ６５において、基板層７と、より低疎水性表面を有する第２電極層６と、から成る第２電極層スタック５を設けることから製造方法がスタートする。第２電極層６には、その光学的および電気的特性を考慮して、酸素（Ｏ２）処理ガスによるプラズマ処理技術を用いてより低疎水性すなわち親水性になり得る適切なコーティング、例えばＩＴＯを設けてもよい。
【００４８】
ステップ６７において、フォトレジスト層を層６の親水性表面上に堆積してピクセル壁１９だけを残すようにエッチングするドライフィルムレジストリソグラフィ（ＤＦＲ）などの適切な技術を用いて、第２電極層スタック５のより低疎水性表面６上にピクセル壁１９を搭載する。その結果、第２電極層６のより低疎水性表面上に固定的に搭載されてピクセル壁１９が形成される。
【００４９】
また、ＣＦ４を含む処理ガスを用いて、ピクセル壁１９を有する第２電極層スタック５のプラズマ処理を行える。これによって、ピクセル壁１９は疎水性になる。好適には、ピクセル壁１９のエッチング前にその端面３４に対してのみこの処理を行い、これによって、エレクトロウェッティング素子の製造が完了した時点で形成されるスリット３２内への無極性液体の引込みが可能となる。
【００５０】
ステップ６７におけるピクセル壁１９の形成後、ステップ６８において、第２電極層スタック５上に形成された収容空間２５に、適切な極性液体２９および無極性液体３０を充填する。本実施形態では、ステップ６８は、３つの別個のステップ６８１、６８３および６８５から成る。ステップ６８１において、ピクセル壁１９の手段で形成された収容空間に極性液体２９を充填する。多くの場合、極性液体２９は主に、水およびまたは、グリコールおよびまたはメタノールなどのより溶解性の有機物を含んでいるであろう。
【００５１】
ステップ６８３において、極性液体２９の一部を蒸発させる。蒸発は極性液体の全表面に亘って平等に起こるので、蒸発後に、第２表面上のピクセル壁１９間の収容空間の充填高さは表面の全域で等しい。極性液体２９にメタノールを添加すると、混合物中の他の溶剤よりも容易に蒸発するが、これによって蒸発を改善でき、極性液２９の全面的高さは、蒸発後（極性液体２９中にはメタノールはもう存在しない）に、一定量例えば約２５％低減するであろう。
【００５２】
図２Ａは、極性液体の蒸発ステップを示す。図２Ａは、上板層７とより低疎水性表面を有する第２電極層６とを備える第２電極層スタック５を示す。充填ステップ６８１は、収容空間２５を完全に充填し、極性液体２９の高さをピクセル壁１９の高さを超える高さまで上昇させて行われる。その後、極性液体２９の表面上部の矢印４０で概略的に示すように蒸発６８３が起こる。これによって、極性液体２９の高さは、該表面全域で等しく点線４２で概略的に示した所定の高さまで低下する。図からわかるように、エレクトロウェッティング素子１の各収容空間２５では、蒸発後の極性液体の高さは等しい。
【００５３】
その後ステップ６８５において、第２電極表面５の収容空間に無極性液体３０を添加する。あるいは、無極性液体３０の量が第１電極層スタック３の表面１０全域に広がるようにするだけで、無極性液体３０を第１電極層３の表面１０に添加してもよい。
【００５４】
充填ステップ６８のステップ６８５後のステップ６９において、エレクトロウェッティング素子１を第１電極層スタック３で被覆する。図２Ｂはステップ６９を示す。本方法では、図２Ｂに示すように、無極性液体３０は、既に第２電極層スタック５のピクセル壁を超える高さまで充填されているとする。第２電極層スタック５の側全域に設けられ、ある量の接着剤または粘着性物質を含むフレーム４５によって、第１電極層スタック３を第２電極層スタック５の頂部に強固に搭載して収容空間を閉じることができる。
【００５５】
第２電極層スタック５を第１電極層スタック３で被覆するステップ６９は、第２電極層スタック５の頂部に第１電極層スタック３をゆっくり押し付けるステップ（ステップ６９１）と、同時にステップ６９３において、過剰の無極性液体３０を収容空間２５から除去するステップと、を備える。これは、主に第１電極層スタック３の中央部分に力を加えることで行われる。第１電極層スタック３側の力５１および５２は、第１電極層スタック３の中央部分に働く力５０より小さくても良く、第１電極層スタック３を少し変形させて、その中央部分が、第１電極層側のピクセル壁および端部より早く、第２電極層スタック５上のピクセル壁１９の端面に接触する。これによって、収容空間２５内の過剰の無極性液体３０は、第２電極層スタック５の外側に周辺まで押しやられ、そこでステップ６９３で除去される。
【００５６】
過剰の無極性液体３０を第２電極層スタック５から除去するために、エレクトロウェッティング素子１を囲む第２電極層スタック５のフレーム５５は、図２Ｃに示されるように、そのコーナー部にチャネル５８、５９、６０および６１を備える。無極性液体３０が第２電極層スタック５の外側にその周辺に向けて押し付けられると、第１電極層スタック３を第２電極層スタック５に固定する前に、フレーム５５に形成されたチャネル５８〜６１を通って押し付けられるであろう。
【００５７】
その後ステップ７２において、形成されたエレクトロウェッティング素子１のフレームの出口５８〜６１は、樹脂などの適切な物質によって閉じられる。その後、本発明によるエレクトロウェッティング素子１は、用途に応じてさらなる処理の準備をされて、本製造方法はステップ７４において終了される。
【００５８】
当業者には理解されるように、本発明は、本明細書で具体的に説明した方法以外の方法で実施され得る。説明した実施形態に対する明らかな変更および特定の設計選択は、当業者には明らかであろう。本発明の範囲は添付の請求項によってのみ画定される。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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