(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路動作に関与する回路パターンを有する回路パタ−ン領域と、
前記回路パターン領域上に形成されたアクティブエリアと、
前記アクティブエリア上であり、前記アクティブエリアの端から１０μｍ以上１１μｍ以下の位置に形成され、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下のピッチであり、光を反射し回路動作に関与しない複数のダミーゲートを有するダミーパターンと、
を備えた半導体基板の主面に波長が１０μｍ以上１１μｍ以下の光を照射するレーザースパイクアニーリングを行う際に、
前記ダミーゲートの配列方向と前記光の投影方向とのなす角度を０°以上３０°以下に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
回路動作に関与する回路パターンを有する回路パターン領域と、
前記回路パターン領域上に形成されたアクティブエリアと、
前記アクティブエリアの外側であり、前記アクティブエリアの端から１０μｍ以上１１μｍ以下の位置に形成され、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下のピッチであり、光を反射し回路動作に関与しない複数のダミーゲートを有するダミーパターンと、
を備えた半導体基板の主面に波長が１０μｍ以上１１μｍ以下の光を照射するレーザースパイクアニーリングを行う際に、
前記ダミーゲートの配列方向と前記光の投影方向とのなす角度は０°以上１８°以下に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本国特許出願公開第２００９−１４１０７５号公報は、半導体基板の温度が低下している箇所にダミーパターンを形成することによって、半導体基板の温度が低下している箇所の温度を上昇させて、半導体基板の温度ムラを低減することができる半導体装置に関する技術を開示している。【０００３】
しかしながら、日本国特許出願公開第２００９−１４１０７５号公報に開示された技術では、半導体基板で温度が上昇している箇所の温度を下げるという技術が開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本国特許出願公開第２００９−１４１０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、半導体装置を製造する工程において、半導体基板の温度が上昇している箇所の温度を下げることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、回路動作に関与する回路パターンを有する回路パタ−ン領域と、前記回路パターン領域上に形成されたアクティブエリアと、前記アクティブエリア上であり、前記アクティブエリアの端から１０μｍ以上１１μｍ以下の位置に形成され、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下のピッチであり、回路動作に関与しない複数のダミーゲートを有するダミーパターンと、を備えた半導体基板の主面に波長が１０μｍ以上１１μｍ以下の光を照射するレーザースパイクアニーリングを行う際に、前記ダミーゲートの配列方向と前記光の投影方向とのなす角度を０°以上３０°以下に設定することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す図。
【図２Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置の基本構造を示す図。
【図２Ｂ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図。
【図２Ｃ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図。
【図２Ｄ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図。
【図３】光吸収率変化のシミュレーション結果を示す図。
【図４】光照射方向と半導体基板の光吸収率の変化を示す図。
【図５】第１の実施形態を説明する図。
【図６】第１の実施形態に係る変形例を示す図。
【図７】第１の実施形態に係る変形例を示す図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す図。
【図９】光吸収率変化のシミュレーション結果を示す図。
【図１０】第２の実施形態に係る変形例を示す図。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を示す図。
【図１２】光吸収率変化のシミュレーション結果を示す図。
【図１３】光吸収率変化のシミュレーション結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。また、以下に説明する複数の実施形態において共通する構成については、図面において同じ符号を付すとともに重複した説明は省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置１０を示す図である。本実施形態に係る半導体装置１０は、半導体基板主面２０上に、回路動作に関与する集積回路パターンを有する回路パターン領域３０を有する。
【００１０】
回路パターン領域３０には、ＧＣ（Ｇａｔｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ゲートコンダクター、ゲート）４０、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ：素子分離領域）５０、ＡＡ（Ａｃｔｉｖｅ  Ａｒｅａ、アクティブエリア）６０が形成されている。ＡＡ６０とは、半導体においてソース・ドレイン領域やチャネル領域が設けられる領域のことを示す。ＧＣ４０及びＡＡ６０は主にＳｉを含む構成を有している。ＳＴＩ５０は、主にＳｉＯ２を含む構成を有している。
【００１１】
ＧＣ４０の膜厚は１００〜３００ｎｍであり、ＡＡ６０のチャネル長方向とチャネル幅方向ともにその長さは１０μｍ以上５００μｍ以下である。なお、チャネル長方向とは、ソースとドレイン間で導通が起こる方向を示し、チャネル幅方向は、チャネル長方向に垂直な方向を示す。
【００１２】
ＡＡ６０には、複数のダミーＧＣ（Ｇａｔｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、ダミーゲート）７０が周期的に配置されたダミーパターン７７が設けられている。
ダミーパターン７７を構成する複数のダミーＧＣ７０は、チャネル長方向とその配列方向が一致しており、ＡＡ６０の両端から１０μｍ以上１１μｍ以下の少なくとも一方に設けられている。なお、上記した１０μｍ以上１１μｍ以下の範囲内にダミーパターン７７の一部があれば本実施形態の効果は得られる。ここで、ＡＡ６０に対して「端」と示す場合、ＡＡ６０のどの方向の端でも本実施形態の効果は得られる。また、ダミーＧＣ７０の形状は長方形であり、短軸方向はチャネル長方向と一致しており、長軸方向はチャネル幅方向と一致している。ダミーＧＣ７０のチャネル長方向の長さは１００ｎｍとする。ダミーＧＣ７０のチャネル幅方向の長さはＡＡ６０のチャネル幅方向の長さと一致する。
【００１３】
また、ダミーＧＣ７０とダミーＧＣ７０との間隔のことをピッチ７５という。ピッチ７５は、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下である。また、ダミーＧＣ７０の膜厚は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００１４】
なお、ダミーパターン７７は、回路の機能には寄与しない部分であり、温度の均衡を保つためのものである。ダミーパターン７７は、半導体装置の後工程で配線を施さないようにすることや、ソース・ドレイン領域を形成しないようにすることで形成することができる。一方で、ＧＣ４０は、チャネルを形成するために、そのチャネルの両端にソース・ドレイン領域が形成されている。ダミーパターン７７の形状は、長方形状であれば、作成が容易となるので好ましい。
【００１５】
また、本実施形態に係る半導体装置１０は、図２Ａのような半導体基板８０上にＧＣ４０とＳＴＩ５０によって構成される基本回路構造を有する。また、半導体基板主面２０とは、半導体集積回路が配置されている半導体基板８０の表面を示す。
【００１６】
次に、製造工程及び半導体装置１０の動作原理について説明する。
図２Ｂは、本実施形態に係る半導体装置１０の製造工程を説明するための図である。図２Ｂは、図１に示す半導体装置１０をチャネル長方向から見た断面図を示し、ダミーパターン７７とＧＣ４０を形成する前の図である。図２Ｃは、本実施形態に係る半導体装置１０のチャネル長方向から見た断面図を示す。
【００１７】
図２Ｂの構成は、半導体基板８０上に窒化膜を積層し、選択的にエッチングをし、選択的にエッチングした領域を酸化することによりＳＴＩ５０が形成し、窒化膜をエッチングすることによって得られる。このとき、ＳＴＩ５０で挟まれた領域がＡＡ６０となる。
【００１８】
次に、マスクをＳＴＩ５０とＡＡ６０上に施し、リソグラフィーとエッチングを用いてダミーパターン７７よＧＣ４０を形成することにより、図２Ｃの構成を得る。
最後に、図２Ｄに示すように、本実施形態に係る半導体基板主面２０は、ＬＳＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｓｐｉｋｅ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ、レーザースパイクアニーリング）という光アニール工程を用いて数ミリ秒で半導体基板主面２０を高温にすることによって処理される。
【００１９】
ＬＳＡは、ＣＯ２レーザーを光源として、波長約１０μｍ以上１１μm以下のレーザー光２５（光とも言う）を半導体基板主面２０に照射して、半導体基板主面２０を１０００℃以上の高温にする技術である。レーザー光の半導体基板主面２０に対する入射角度は、光の吸収強度が最大になるブリュースター角に設定されており、半導体基板主面２０でレーザー光はほぼ１００％吸収される。このため、他の光アニール技術と比較して、反射光による装置の損傷が少ない。なお、ブリュースター角は、物質に依存してその角度が変化するが、ＧＣ４０及びＡＡ６０を主に構成する材料であるＳｉとＳＴＩ５０を構成するＳｉＯ２のブリュースター角はほぼ等しいので、これらの平均値を用いることができる。ブリュースター角は本実施形態では約７６°に設定してある。
【００２０】
図３は、ダミーパターン７７を用いないで、ＬＳＡを半導体基板８０に対して行ったシミュレーション結果を示す図である。図３は半導体基板８０上にＡＡ６０が形成されていることを示している。シミュレーションは、ベクトル回折手法によって光の干渉効果を厳密に解くことができるＲＣＷＡ（Ｒｉｇｏｒｏｓ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｗａｖｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）法を用いた。横軸（ｘ軸）はチャネル長方向を示し、縦軸（ｚ軸）は半導体基板８０の厚さ方向を示す。色が濃いほど、光の吸収が強いこと、つまり、温度上昇が起きていることを示している。
【００２１】
なお、シミュレーション結果から、この温度上昇が起きている部分の光吸収率は、ＡＡ６０における他の部分と比較して約２〜４％で高い。本実施形態において、光吸収率の１％は約１２℃の温度に相当する。つまり、約２４℃〜約４８℃の温度上昇が生じることがわかる。
【００２２】
このように、温度上昇が起こると、最終的に製造された半導体装置１０に対する電気的特性の悪化に繋がる。一般的に、２０℃以上の温度変化が起こると、半導体装置を構成するＳｉやドープされている不純物の電気的な活性化度が変化し、閾値電圧、抵抗値などの基本特性が回路ごとに変化してしまう。その結果、集積回路としての電気的特性が悪化してしまうことが知られている。
【００２３】
例えば、非特許文献１のFIG.3、FIG.4によると、回路の抵抗値は温度（レーザーパワー）に大きく依存しており、温度は一様化するように制御する必要があることがわかる。ロジック回路などの半導体集積回路に対し、２０℃に相当する温度ムラによる抵抗値や閾値電圧の差は許容できない。（非特許文献１：A. Shima, A. HIRAIWA, “Ultra-Shallow Junction Formation by Non-Melt Laser Spike Annealing and its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Devices in 65-nm Node”）
【００２４】
図３からわかるように、ｘ軸の値が２５（μｍ）と６５（μｍ）の位置、すなわち、ＡＡ６０の両端で光の吸収が強くなっていることがわかる。これは、ＡＡ６０の両端では、端部に入射する光と反射する光の干渉、および光の全反射によってエバネッセント波が発生しているためである。入射波と反射波が干渉して電場分布が強めあう領域、およびエバネッセント波が強く存在する領域は、いずれもＡＡ６０の端からの距離が波長領域内である。ここで、照射するレーザー光の波長は１０μｍ以上１１μｍ以下であり、光の吸収が強くなる領域はＡＡ６０の端からの距離が１０μｍ〜１１μｍ程度ということになる。光の吸収が高い領域は、温度も高くなり、この領域に温度ムラが発生する。この温度上昇は、半導体基板回路内での温度ムラを引き起こし、熱応力による結晶欠陥、回路の溶解、回路の閾値電圧のバラツキ等におり回路性能の劣化を招く。
【００２５】
そこで、本実施形態では、ＡＡ６０の両端から１０μｍ以上１１μｍ以下の少なくとも一方に複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０からなるダミーパターン７７を設けることによって、ＡＡ６０の両端の温度上昇を抑えることができる。これは、光吸収率が高くなっている領域はＡＡ６０の端からの距離が１０μｍ〜１１μｍの領域であるため、この領域に光を強く反射するダミーパターン７７を置くことで、光吸収率を下げ、他の領域と光吸収率を同じにし、光吸収率を一様化できる。
【００２６】
つまり、ダミーパターン７７内で光の反射を誘起して、ＡＡ６０内で光の過剰な吸収を抑制することができるからである。なお、ＡＡ６０の外側に配置した場合でも、熱拡散の効果によりＡＡ６０の端で起こる温度上昇を下げることができるので、ダミーパターン７７をチャネル長方向に沿って配置すれば、本実施形態の効果は得られる。
図４は、半導体基板８０の厚さ方向を回転軸とした回転角度φとダミーパターン７７を配置した半導体基板８０内で光吸収率がどのように変化するかを示す図である。横軸が回転角度φ、縦軸が光吸収率を示している。なお、ダミーゲートＧＣ７０の厚さは１５０ｎｍである。
【００２７】
回転角度φが９０°の場合、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０の配列方向とレーザー光の投影方向が平行であることを示す。一方で、回転角度φが０°の場合、レーザー光の投影方向に対してダミーＧＣ７０の配列方向が垂直であることを示す。ここで、レーザー光の投影方向とは、図５に示すように、半導体基板主面２０上にレーザー光９０を投影した方向を示す。
【００２８】
図４に示す複数の線は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０間のピッチ７５を示しており、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲で変化させている。なお、回転角度φと光吸収率の関係は、ＲＣＷＡ法により計算している。
【００２９】
図４より、光吸収率は最低でも９４．３％であることがわかる。通常、光吸収率は、回転角度φが９０°の場合、１００％になると考えるが、本実施形態では、ＧＣ４０やＳＴＩ５０やＡＡ６０がＳｉやＳｉＯ２から構成されるとして、これらの材料から得られるブリュースター角の平均値を用いているので、誤差が１％と生じていると考えられる。すなわち、約２０℃以上の温度降下を実現するには、図４からもわかるように、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０間のピッチ７５が１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲においては、回転角度φを０°以上３２°以下に設定すれば、光吸収率を２％以上４％以下の範囲で下げることができる。つまり、温度を約２４℃〜約４８℃下げることができる。
【００３０】
上記したように、ダミーＧＣ７０間のピッチ７５を１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下にし、ＡＡ６０の両端からレーザー光の波長以下の範囲の距離にダミーパターン７７を配置して設け、ダミーパターン７７を構成するダミーＧＣ７０の配列方向に対してレーザー光の投影方向を０°以上３０°以下にすると、ＡＡ６０の端で温度上昇を抑制することができるので、半導体装置を製造する過程で生じる温度ムラを低減することができる。
【００３１】
（変形例１）
図６は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の変形例を示す図である。ＡＡ６０に設けられた複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０を横切るようにＧＣ４０が設けられている点で第１の実施形態と相違する。
【００３２】
このように、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０を横切るようにＧＣ４０を設けても、周期的に配置されたダミーＧＣ７０間で光の干渉効果は生じるので、温度を下げることができる。
【００３３】
（変形例２）
図７は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の変形例を示す図である。ＡＡ６０のチャネル長方向と複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０の配列方向とが半導体基板主面２０内で一致していない点で第１の実施形態と相違する。
【００３４】
このように、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０の配列方向とＡＡ６０の配置方向が一致していなくても、周期的に配置されたダミーＧＣ７０間で光の干渉効果は生じるので、温度を下げることができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図８は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００を示す図である。半導体装置１００は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ１１０を有するダミーパターン１７７がＳＴＩ５０内に設けられている点で半導体装置１０と相違する。なお、半導体装置１０と同様の構成については、説明を省略する。
【００３６】
ダミーパターン１７７は、ＡＡ６０の端から１０μｍ以上１１μｍ以下の位置に設けられている。
【００３７】
図９は、半導体基板８０の厚さ方向を回転軸とした回転角度φと半導体基板８０内で光吸収率がどのように変化するかを示す図である。横軸が回転角度φ、縦軸が光吸収率を示している。なお、ダミーゲートＧＣ１１０の厚さは１５０ｎｍである。また、回転角度φが９０°場合、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０の配列方向とレーザー光の投影方向が平行であることを示す。
【００３８】
図９に示す複数の線は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０間のピッチ７５を示しており、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲で変化させている。なお、回転角度φと光吸収率の関係は、ＲＣＷＡ法により計算している。
【００３９】
図９より、光吸収率は最低でも９４．３％であることがわかる。通常、光吸収率は、回転角度φが９０°の場合、１００％になると考えるが、本実施形態では、ＧＣ４０やＳＴＩ５０やＡＡ６０がＳｉやＳｉＯ２から構成されるとして、これらの材料から得られるブリュースター角の平均値を用いているので、誤差が１％と生じていると考えられる。すなわち、約２０℃以上の温度降下を実現するには、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ１１０間の間隔が１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲においては、回転角度φを０°以上１８°以下に設定すれば、光吸収率を２％以上４％以下の範囲で下げることができるので、温度を約２４℃〜約４８℃下げることができる。
【００４０】
上記したように、ダミーＧＣ１１０間のピッチ７５を１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下にし、ＡＡ６０の端からレーザー光の波長以下の範囲の距離にダミーパターン１７７を配置して設け、ダミーパターン１７７を構成するダミーＧＣ１１０の配列方向に対してレーザー光の投影方向を０°以上１８°以下にすると、ＡＡ６０の端で温度上昇を抑制することができるので、半導体装置を製造する過程で生じる温度ムラを低減することができる。
【００４１】
（変形例３）
図１０は、第２の実施形態に係る半導体装置１００の変形例を示す図である。
ＳＴＩ５０に設けられた複数の周期的に配置されたダミーＧＣ１１０を横切るようにＧＣ４０が設けられている点で第１の実施形態と相違する。
【００４２】
このように、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ１１０を横切るようにＧＣ４０を設けても、周期的に配置されたダミーＧＣ１１０間で光の干渉効果は生じるので、温度を下げることができる。
【００４３】
（第３の実施形態）
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置２００を示す図である。図１１は、チャネル幅方向から見た断面図を示している。
【００４４】
半導体装置２００は、ダミーパターン２７７を構成するダミーＧＣ２１０の膜厚を変化させている点が第１の実施形態と相違する。半導体装置１０と同様な構成については、説明を省略する。
【００４５】
本実施形態に係るダミーＧＣ２１０の膜厚は３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
図１２は、半導体基板８０の厚さ方向を回転軸とした回転角度φと半導体基板８０内で光吸収率がどのように変化するかを示す図である。横軸が回転角度φ、縦軸が光吸収率を示している。また、回転角度φが９０°は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ２１０の配列方向とレーザー光の投影方向が平行であることを示す。
【００４６】
図１２に示す複数の線は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ２１０間のピッチ７５を示しており、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲で変化させている。なお、回転角度φと光吸収率の関係は、ＲＣＷＡ法により計算している。
【００４７】
通常、光吸収率は、回転角度φが９０°の場合、１００％になると考えるが、本実施形態では、ＧＣ４０やＳＴＩ５０やＡＡ６０がＳｉやＳｉＯ２から構成されるとして、これらの材料から得られるブリュースター角の平均値を用いているので、誤差が１％と生じていると考えられる。
【００４８】
すなわち、図１２より約２０℃以上の温度降下を実現するには、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ２１０間の間隔が１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲においては、回転角度φを０°以上３３°以下に設定すれば、光吸収率を２％以上４％以下の範囲で下げることができるので、温度を約２４℃〜約４８℃下げることができる。
【００４９】
図１３は、半導体基板８０の厚さ方向を回転軸とした回転角度φと半導体基板８０内で光吸収率がどのように変化するかを示す図である。横軸が回転角度φ、縦軸が光吸収率を示している。また、回転角度φが９０°は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ２１０の配列方向とレーザー光の投影方向が平行であることを示す。
【００５０】
図１３に示す複数の線は、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ２１０間のピッチ７５を示しており、１０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の範囲で変化させている。なお、回転角度φと光吸収率の関係は、ＲＣＷＡ法により計算している。
【００５１】
通常、光吸収率は、回転角度φが９０°の場合、１００％になると考えるが、本実施形態では、ＧＣ４０やＳＴＩ５０やＡＡ６０がＳｉやＳｉＯ２から構成されるとして、これらの材料から得られるブリュースター角の平均値を用いているので、誤差が１％と生じていると考えられる。
【００５２】
すなわち、図１３より約２０℃以上の温度降下を実現するには、複数の周期的に配置されたダミーＧＣ７０間の間隔が１０ｎｍ〜５１０ｎｍの範囲においては、回転角度φを０°以上４６°以下に設定すれば、光吸収率を２％以上４％以下の範囲で下げることができるので、温度を約２４℃〜約４８℃下げることができる。
【００５３】
以上から、ダミーＧＣの膜厚は厚くなるほど、回転角度φの幅が広がるころがわかる。これは、ダミーＧＣ内での光干渉効果がより強くなっているからである。
【００５４】
このようにＡＡ６０の両端からレーザー光９０の波長以下の範囲の距離にダミーパターン２７７を配置すると、ＡＡ６０の温度上昇が生じている位置に対して温度を下げることができるので、温度ムラが少なく回路性能が高い半導体装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０、１００、２００…半導体装置、２０…半導体基板主面、３０…回路パターン領域、４０…ＧＣ（Ｇａｔｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、５０…ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）、６０…ＡＡ（Ａｃｔｉｖｅ  Ａｒｅａ）、７０、１１０、２１０…ダミーＧＣ（Ｇａｔｅ  Ｃｏｎｄｏｃｔｏｒ）、７７、１７７、２７７…ダミーパターン、８０…半導体基板、９０…レーザー光
【図１】
0005439491.tif 000002
【図２Ａ】
0005439491.tif 000003
【図２Ｂ】
0005439491.tif 000004
【図２Ｃ】
0005439491.tif 000005
【図２Ｄ】
0005439491.tif 000006
【図３】
0005439491.tif 000007
【図４】
0005439491.tif 000008
【図５】
0005439491.tif 000009
【図６】
0005439491.tif 000010
【図７】
0005439491.tif 000011
【図８】
0005439491.tif 000012
【図９】
0005439491.tif 000013
【図１０】
0005439491.tif 000014
【図１１】
0005439491.tif 000015
【図１２】
0005439491.tif 000016
【図１３】
0005439491.tif 000017