(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバ内で膜形成プロセス中にウエハを処理する方法であって：
該反応チャンバに水素含有ガスを導入するステップと；
該水素含有ガスから隔離された別のコンジット内にある、該水素含有ガスと自然反応するエッチング化学物質を、該反応チャンバに導入し、該水素含有ガスと該エッチング化学物質との反応種ガス濃度をもたらすステップと；
１つ以上の反応条件を制御することにより該水素含有ガスと該エッチング化学物質との自然反応を防ぐステップと；
該反応条件のうちの１つ以上の反応条件を調節し、制御された反応条件のもとで、該水素含有ガスと該エッチング化学物質を該ウエハの表面に隣接した領域で反応させて、該ウエハの表面に隣接して準安定化学種を形成するステップと；
該準安定化学種をその後の成長又はエッチング反応に使用するステップと；
を含み、
該反応条件のうちの１つ以上の反応条件は、分圧、反応種ガス濃度及びそれらの組み合わせからなる群から選択される前記方法。
【請求項２】
該水素含有ガスが、化学前駆物質又はキャリヤガスの形である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該エッチング化学物質が、ハライド含有化学物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該エッチング化学物質が、酸化するものである、請求項３記載の方法。
【請求項５】
該エッチング化学物質が分子の形である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
該エッチング化学物質が、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、ＣＨ３Ｃｌ、ＣＣｌ４、ＮＦ３、Ｆ２、ＣＦ４及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
該反応チャンバに導入される水素と該エッチング化学物質の相対量を調節することによって該反応を制御するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該反応チャンバに希釈ガスを追加することによって該反応を制御するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
該プロセスが、全体的（blanket）膜堆積プロセスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該プロセスが、選択的膜堆積プロセスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
炭素またはドーパントを該膜に組込むことを改善する反応が用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
反応チャンバ内で膜形成プロセス中にウエハを処理する方法であって：
該ウエハ表面に隣接した別々のコンジットに自然反応性化学物質を送出し、反応種濃度をもたらすステップと；
分圧、反応種濃度及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、１つ以上の反応条件を制御し、該自然反応性物質の自然反応を防ぐステップと；
分圧、温度、反応種濃度及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、該反応条件のうちの１つ以上の反応条件を調節し、制御された条件のもとで、該化学物質を、該ウエハ表面に隣接した領域で反応させて準安定化学種を形成するステップと；
該準安定化学種をその後の反応に用いるステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１３】
該化学物質が、Ｈ２、Ｎ２、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｃｌ２、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ５Ｈ１２、ＧｅＨ４、ＧｅＣｌ４、ＳｉＣＨ６、ＳｉＣ３Ｈ１０、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、ＣＨ３Ｃｌ、ＣＣｌ４、ＮＦ３、Ｆ２、ＣＦ４、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
反応チャンバ内で膜形成プロセス中にウエハ上の膜を処理する方法であって：
該ウエハの温度を約７００℃未満に維持するステップと；
該ウエハ表面に隣接してＣｌ２とシランを混合して、該ウエハ表面に隣接してＳｉＣｌｘ中間体を形成するステップと；
該ウエハ表面上に膜を堆積させるステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１５】
過剰量のＣｌ２を分離し且つ該ウエハの一部をエッチングするステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
[0001]本発明の実施形態は、反応性エッチングと成長の化学種の形成及び基板上のエッチング反応と堆積反応の調節に関する。
【０００２】
[0002]Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣをドープされた形でもドープされていない形でも含むがこれらに限定されない半導体ウエハのような基板上に形成された膜は、先端電子構成要素の製造に用いられる。このような膜は、形態やドーピング濃度のような種々の特性を示すが、ある許容範囲内に制御されなければならない。過去数十年にわたって電子工学において示された進歩は、回路パターン密度を増加させる半導体製造工場の能力の結果である。これらのパターン密度が増加するにつれて、回路の製造に必要とされる薄膜の許容範囲は、ますます厳密になる。それ故、薄膜の形成の慎重な制御とこのような膜の結果として得られる特性は、電子工学における継続した進歩に重要である。
【０００３】
[0003]反応チャンバ内で行われる種々の熱膜堆積プロセスの場合、例えば、エピタキシャル（全体的又は選択的堆積）、シリコン膜（ゲルマニウム、炭素等でドープされた膜を含む）、多結晶シリコン／アモルファス膜、又は関係のある誘電体膜（例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、炭素でドープされたシリコンガラス、炭化シリコン）、水素含有ガスとシリコン含有前駆物質が、堆積又は膜成長の間に用いられる。選択的な堆積の場合、膜成長はエッチングと同時に又は交互に起こるので、堆積速度／成長速度の正味の差が典型的な半導体ウエハ上にある種々の表面上で達成される。ここで、水素ガスとシリコン含有前駆物質は、コフロー方式（堆積ガスとエッチングガスが同時に用いられる、例えば、ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＨＣｌ＋Ｈ２、ある選択的な膜堆積）か或いは交互方式（堆積が一段で行われ（例えば、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｈ２を用いて）、続いてエッチングが行われる（例えば、Ｃｌ２を用いる））でエッチング化学物質と共に用いられ、これらのステップは、所望の厚さに達するまで何度も交互に行われる。全体的／選択的エピタキシャル又は多結晶シリコン又はアモルファスＳｉ堆積の間に又は後に、エッチング化学物質が用いられる場合にインサイチュチャンバ洗浄が追加される。
【０００４】
[0004]現在、たいていは従来の化学物質、例えば、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＨＦ、ＨＢｒ等が、シリコンをエッチングするために用いられている。あるプロセスにおいて、典型的には天然に酸化するエッチング化学物質と、典型的には、シリコンと水素とキャリヤガス（典型的には水素）を含有する堆積プロセスガスは、これらの化学物質（Ｈ２＋Ｃｌ２）間の発熱自然反応から生じる安全問題のために限られた条件下以外、一緒に用いることができないか又は“不適合性”である。これらの不適合性化学物質間の反応の制御もまた難しい傾向にある。更に、あるエッチング化学物質、例えば、フッ素、塩素、臭素等の除去は、これらの化学物質を充分な分解又は除去することが不可能な多くの市販のシステムの課題であり得る。
【０００５】
[0005]温度が下がるにつれて堆積化学とエッチング化学の双方がそれらの効率を失うことから、選択的な膜堆積プロセスは、より低い温度で不充分な成長速度を受ける傾向がある。低温（例えば、７００℃未満）選択的化学気相堆積は、活性化学中間体が製造されることが必要であり、堆積とエッチングの低温同時プロセスに効果的に関与する。選択的膜堆積に好ましいＳｉＣｌｘ成長化学種は、低温ですぐに利用可能なガス前駆物質（例えば、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン等）から製造されない。Ｃｌ２と水素添加シリコンガス前駆物質（例えば、シランや高級シラン、例えば、ジシラン、トリシラン、ペンタシラン等）を混合すると、自然反応によってＳｉＣｌｘ中間体を形成するが、混合によって製造される中間体は、典型的には、堆積に効果がない。温度が低下するにつれてより強力なエッチャントと堆積化学物質を使用し得るが、これらの化学物質の反応性は、低温でさえ制御することが難しく、非常に異なる成長特性とエッチング特性が生じる。
【０００６】
[0006]より反応性の堆積前駆物質がより低温で堆積を可能にするように用いられる場合に選択性を達成するために、ウエハ表面全体にわたるエッチングと堆積の条件はそれ故正確に調整されなければならない。選択性の損失をもたらす結果として、望まれていない領域に続いての堆積が生じる過剰エッチング又はエッチング不足のために問題が生じ得る。エッチング反応は、主にエッチャント濃度と温度、又はそれらの組み合わせによって制御される。多く用途において、温度によりエッチング反応を制御することはあまり望ましいことでなく、エッチング化学種濃度の増加又は低下が、生産性全体の負の作用に加えて、過剰エッチング、エッチング不足、或いは深刻なウエハレベルの不均一性を生じることがある。
【０００７】
[0007]従って、強力なエッチング化学物質と、水素含有ガスとシリコン含有ガスとを安全に反応させ得るプロセス及び装置を提供すること及び膜成長とエッチングのためにこれらの反応の生成物を有益に利用することが望ましい。基板上の膜形成に用いられるチャンバ内での堆積とエッチングとこのような反応の制御の交互のプロセスを提供することも望ましい。
【概要】
【０００８】
[0008]発明の実施形態は、反応チャンバ内で膜形成プロセスの間にウエハを処理する方法に関する。方法は、ウエハ表面に隣接した準安定化学種を形成する条件下でウエハ表面に隣接する自然反応性化学物質、典型的にはガスを分配するステップを必要とする。準安定化学種は、膜形成、エッチング又は膜の選択的堆積に使用し得る。
【詳細な説明】
【０００９】
[0011]本発明のいくつかの例示的な実施形態を記載する前に、本発明が以下の説明に示される構造又はプロセスステップの詳細に限定されないことは理解すべきである。本発明は、他の実施形態が可能であり、種々の方法で実施又は実行することができる。
【００１０】
[0012]本発明の態様は、基板上に薄膜を形成するための方法を提供する。他の様態は、基板の少なくとも一部又は基板上の膜をエッチングすることに関する。一つ以上の実施形態は、自然に反応する反応種の戦略的な噴射及び堆積又はエッチングに適した圧力又は温度のようなプロセス条件のときにシリコンウエハに隣接した又は近接した反応種の反応を提供する。反応チャンバ内で準安定化学種を形成する新規なプロセスは、トランジスタのような先進的電子工学の製造を改善するために本明細書に記載される。
【００１１】
[0013]本発明の一つ以上の実施形態に従って、反応性エッチング成長化学種は、装置の重要な不可欠な設計と適切なセーフティインターロックが可能にした、エッチング化学物質と水素とシリコンのソースガスのいずれか一方又は双方の間の反応条件を制御することによって形成することができる。セーフティインターロックの例としては、反応種の別々の噴射及び／又は装置の低圧領域でのみの混合が挙げられる。反応を制御し、このようなリアクタの特徴とインターロックを与えることによって、不適合性化学物質は、反応チャンバ内部で混合されるとともに有益に使用され得る。ある実施形態において、これらの化学物質の組み合わせによって、化学種自体の分子変形例より反応性であることもないこともあるが、それらが作用する成長特性又はエッチング特性に特に望まれる準安定化学種が形成されることになる。これらの準安定化学種は、寿命が短く、ウエハ表面に隣接した反応チャンバ内でこれらの化学種を形成することによって、本明細書に記載されるように利用され得る。
【００１２】
[0014]更に、反応チャンバ内の環境の反応性が高く、また、一つ以上の実施形態に従って製造される反応が激しいために、高度に酸化する化学物質のより温和な生成物へのほとんど完全な変換が生じる。また、このことにより、除去の厳密な要求が少なくなり、より環境的に容認できるプロセスがもたらされる。
【００１３】
[0015]当業者が理解するように、既存のプロセスによれば、プロセスに用いられるエッチング化学種のある分子形態の反応性が比較的低いために、典型的には、より多量のエッチングガスと長いエッチング時間が、チャンバ洗浄（特に、熱インサイチュチャンバ洗浄の）の間に必要とされる。例えば、ＨＣｌベースの熱洗浄プロセスは、洗浄事象に対して数標準リットルを必要とする。従来の分子化学による本熱洗浄プロセスには、より高温度が必要である。代替方法は、非常に強力なエッチング化学物質（例えば、Ｃｌ２）を用いるものであるが、より強力なエッチング化学物質を用いることの難点は、エッチング電力が制御されない限り、リアクタパーツの寿命を短縮させる。本発明の実施形態によれば、水素とこのような強力なエッチング化学物質のインサイチュ混合は、より速やかであるが、制御されたエッチングプロセスを可能にする。このようなプロセスは、リアクタパーツのより長い寿命の維持を可能にしつつ、従来のより反応性でないエッチャントの多量の使用を減少させ、その結果、処理と環境の課題を減少させる。
【００１４】
[0016]本発明の一つ以上の実施形態によれば、熱エッチング反応と膜形成反応は、水素ガス及び／又はシリコン含有ガスと共に前述のエッチング化学物質を混合することによってインサイチュで変更され得る。上記のように、水素及び／又はシリコン含有ガス及びエッチング化学物質を混合することによって、化学種自体の別々の分子変形例から製造されたものより望ましいある準安定化学種が形成される。このような反応を用いると、選択的シリコン含有膜のような錯体膜の堆積と関係があるノーマルトレードオフを扱うのに多くの可撓性を得ることができる。例えば、必要とされるより低い温度で高成長速度を可能にするある種のシリコン源化学物質は、等角性、形態、均一性のような膜特性を意味する。これらのシリコン含有ガスとエッチング化学物質とをインサイチュで反応させることにより、同時高成長速度と良好な膜特性のプロセス窓を得ることができる。
【００１５】
[0017]以下の開示のために、膜形成プロセスは、プロセスチャンバへの基板の挿入と、プロセスチャンバからの基板の取り出しの間で、処理時間と呼ばれる時間全体に及ぶ。単一プロセスは、一つ以上のステップを組み込むことができ、例えば、プロセスには、予備洗浄／表面調整ステップと、膜堆積ステップと、冷却ステップが含まれるのがよい。本発明は、例えば、エピタキシャル多結晶シリコン／アモルファスシリコン膜堆積プロセス、例えば、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ（炭素がドープされたシリコン）、ＳｉＧｅＣ（ドープされた又はドープされていない形で）に適用することができ、他のプロセスにも幅広く適用することができる。
【００１６】
[0018]本明細書に記載される成長プロセスとエッチングプロセスは、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｄｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できるＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）低圧ＣＶＤシステムで行うことができる。ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）システムは、単一ウエハ、マルチチャンバ、モジュール設計を使った完全自動化半導体製造システムであり、種々のウエハのサイズが収容される。ＣＶＤチャンバに加えて、複数のチャンバとしては、予備洗浄チャンバ、ウエハオリエンタチャンバ、冷却チャンバ、独立して作動させたロードロックチャンバが含まれるのがよい。本明細書に示されるＣＶＤチャンバを図１に概略図で示すが、産業で利用可能なＣＶＤチャンバのいずれもが、他のプロセスパラメータに多少調整して、本明細書に記載される堆積、成長、調整、エッチングの化学を利用することができなければならない。図１の概略図に示した装置は、Ａｎｄｅｒｓｉｎらの米国特許第５,１０８,７９２号により詳述され、この開示内容は本明細書に援用されている。装置１０には、堆積ゾーン２４を画成する囲壁２３を持つ堆積チャンバ２２を封入するハウジング２０が含まれる。堆積チャンバ２２内のホルダー２６は、堆積ゾーン２４内に基板２８を保持することができる。ホルダー２６は、所望により、堆積された膜の均一性を高めるために基板２８を回転させるのに設けられるドライブアセンブリ２９を備えてもよい。入口ガスコンジット３０は、堆積ゾーン２４にプロセスガスを供給し、排出ガスコンジット３２は、堆積ゾーン２４からプロセスガス副生成物を排出する。
【００１７】
[0019]ハウジング２０内のヒータ４０は、基板ホルダーによって保持された基板２８を加熱するのに設けられる。ヒータ４０は、上と下の石英ドーム４１を通って堆積ゾーン２４に放熱し、好ましくは、Ａｎｄｅｒｓｏｎらの米国特許第５,１７９,６７７号に記載された種類の左右対称のヒータであり、この開示内容は本明細書に援用されている。
【００１８】
[0020]ガス排出コンジット３２は、好ましくは、排出ライン７２を堆積チャンバ２２に接続する排出マニホールド７０を備える。排出ライン７２は、その中に遮断弁７４と圧力制御弁７６を持つ。
【００１９】
[0021]本発明の一実施形態によれば、不適合性又は自然反応性ガス（例えば、Ｃｌ２やシリコン水素化物のような強力なエッチングガス）が、意図的に選ばれ、互いに分離され、その後、反応チャンバに別々に導入されて、ウエハ表面に近接して活性であるが寿命の短い化学中間体を生成する。分離した分配コンジットで反応種を分離することによって、早期の再結合と望まない副反応によって、化学中間体の早期形成や非活性化を防止する。同時に又は交互に行うことができる反応種のリアクタへの個々の空間的又は一時的噴射は、ウエハに隣接した又はウエハの上の位置でのみ反応を開始する。具体的な堆積プロセスとエッチングプロセスに適切な時間と条件も同様に制御され得る。
【００２０】
[0022]上述の実施形態の実施に適切な装置は、米国特許第５,４８２,７３９号や米国特許第６,１５９,８６６号に記載され、これらの双方の開示内容全体は本明細書に援用されている。ここで図２ａを参照すると、ガス入口コンジットは、好ましくは、専用エッチャントガスフィードライン３０ａと別々の水素とシリコン含有ガスフィードライン３０ｂを備える。フィードライン３０ａと３０ｂは、堆積ゾーン２４に隣接したガスを混合する入口ガスマニホールド６０に接続されている。堆積ゾーン２４に隣接したガスを混合すると、不適合性反応性ガスの早期反応が制限される。堆積ゾーンでのみ不適合性ガスの反応を可能にする好ましいガス入口の限定されない例を、図２ｂ-図２ｅに示す。
【００２１】
[0023]既知のＣＶＤ膜の種類と選択的ＣＶＤに適切な堆積とエッチング化学の限定されない例を下記表１に示す。本発明の実施形態として、堆積化学とエッチング化学の一部は不適合性であるが、ウエハの付近でのみ混合するように意図的に選ばれる。
【００２２】
【表１】
0005420397.tif 000002
【００２３】
[0024]特に、発明の実施形態は、単一ウエハランプ加熱熱反応チャンバ、例えば、図１に記載されたチャンバ内で水素含有ガス及び／又はシリコン含有ガスと、強力な酸化又はエッチング化学物質、例えば、塩素、臭素、フッ素、又はヨウ素とを混合又は反応させるために用いられる方法及び装置に関する。例えば、Ｃｌ２＋ＳｉＨ４の反応は、励起状態で寿命の短いＳｉＣｌｘとＨＣｌを生じる。このような方法と反応チャンバは、種々の膜形成プロセスに、例えば、シリコン含有膜、ゲルマニウム含有膜、又は炭素含有膜（又はこれらの組み合わせ）膜の堆積又はこのようなプロセス後のインサイチュ熱チャンバ洗浄に使用し得る。これらの膜は、ホウ素、ヒ素、リン又は他の適切なｐ形又はｎ形のドーパントでドープされてもドープされなくてもよく、これらは先端的デバイスの形成に技術的に重要である。
【００２４】
[0025]一つ以上の実施形態において、水素含有ガス（独立したソースガスとして又はある前駆化合物を持つキャリヤガスとして）は、制御された条件下で分子エッチング化学物質（例えば、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、又はＩ２）と反応チャンバへ同時に噴射されて、ウエハ表面に隣接して準安定化学種を形成する。成長とエッチングの反応経路で著しく変動する種々の準安定化学種が生成され得る。例えば、本発明の実施形態によれば、水素含有ガスをウエハ表面に隣接して２００℃を超える温度で減圧（例えば、２００トール未満）において塩素と種々の組成（０％水素〜１００％の水素、混合物の残りは塩素）で混合して、堆積やエッチングのような種々のプロセスに使用し得る準安定化学種を形成する。
【００２５】
[0026]水素含有ガスとエッチングガスの反応は、反応が準安定化学種を形成させるのに充分な温度にウエハを加熱することによって低圧で開始され又は触媒される。加熱したウエハが反応の開始源として用いられることから、準安定化学種反応は低圧でウエハ表面に近接してのみ生じる。反応種ガス濃度と分圧は、チャンバ内で自然の完全な反応を防止するように制御される。反応中、所定値以下で反応種ガス混合物のチャンバの分圧を保つことによって、いかなる反応種ガス濃度も、望まない再結合が完了する前にウエハ上に膜成長とエッチング用の準安定化学種を形成するために用いることができる。
【００２６】
[0027]特に準安定化学種でエッチングすることを含むプロセスに関する実施形態において、少なくとも二つの方法がエッチング濃度を調節のために使用し得る。一実施形態によれば、水素とエッチングガス、例えば、塩素の相対的組成が調整される。他の実施形態において、組成物は、エッチングプロセスを制御するために、追加の不活性ガス、例えば、窒素又はアルゴンを噴射することによって希釈され得る。更に、プロセス圧と流量は調節を可能にするように変更され得る。
【００２７】
[0028]図３は、プロセスガスの割合を調整する影響及びシリコン堆積速度に対する影響を示すグラフである。図３は、六つの異なるプロセス条件に対する標準化シリコン堆積速度のグラフである。図３のデータ点の各々は、各データ点の下に指定される以外、シリコン膜の堆積のための標準堆積条件を用いてＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ Ｅｐｉ Ｒｐ Ｃｅｎｔｕｒａ（登録商標）リアクタで作成した。各データ点について、プロセスガスの割合及び／又は組成は、堆積速度に対する影響を求めるように調整した。図３のデータ点１-４については、堆積は、約６２０℃の温度、１０トールの圧力で水素キャリヤガスを用いて行った。シリコン源ガスは、各データ点について同一にした。データ点１については、水素と塩素とシリコンの流量は１５.４：０：０.００２５であった。データ点２については、塩素と水素ガスは、データ点１での条件を用いて形成された膜をエッチングするために基板に隣接して導入した。データ点２については、エッチングの間の水素と塩素とシリコン源ガスの流量は、１５：０.００１：０にした。条件３については、データ点１のプロセス条件を用いて形成された膜をエッチングするために塩素と窒素を用いた。データ点３では、水素と塩素とシリコンガスの割合は、０：０.０１：０とした。条件４では、データ点１で流した堆積ガスと共に塩素を流した。データ点４における水素と塩素とシリコン源ガスの割合は、１５.４：０.０１：０.００２５であった。
【００２８】
[0029]データ点５と６については、約５７０℃の温度と１０トールの圧力で窒素キャリヤガス中で堆積を行った。データ点５については、水素と塩素とシリコン源ガスを０.４：０：０.００２５の流量比でシリコン膜を堆積した。データ点６では、水素と塩素とシリコン源ガス０.４：０.００１５：０.００２５の流量比でデータ点５を作成するために用いた堆積ガスと塩素を同時に流した。これらのデータ点が単なる例示であり、広い範囲の流量比、温度、圧力、他の態様が本発明の範囲内であることを当業者が容易に理解することは当然のことである。図３に示したデータは、シリコンの堆積流量に対するプロセスガスの流量比の変化の影響を示すグラフである。
【００２９】
[0030]不適合性化学物質間の反応は、単一ウエハランプ加熱熱反応チャンバ内で制御することができ、その場合、内部表面温度とウエハ温度は急速な調節を受けることができる。温度がフィードガスを破壊又は分解するのに充分でないような冷却条件下でリアクタにガスを供給するこのような単一ウエハリアクタは、準安定化学種がウエハ表面に隣接して又はウエハ表面でリアクタの内部で生成され得る点で可撓性を与える。従って、本発明の準安定化学種生成反応は、ウエハの加熱した表面が反応を起こさせるのに必要であるが、準安定化学種を形成する反応には消費されないことから、“表面触媒”と呼ばれる。
【００３０】
[0031]更に、加熱するためにランプを用いる急速に加熱したリアクタにおいて、準安定化学種を形成する反応は、ウエハ温度とリアクタ内の他の加熱した表面、例えば、サセプタ、ライナ又はドームを上げたり下げたりすることによって急速に制御され得る。このことは、強度だけでなく、これらの反応の開始と終了を調節する都合の良い方法である。ランプ加熱によっても、これらの反応を調節するエネルギーが追加され、一部はランプが供給する熱エネルギーに加えて感光性がある。ランプ放熱は、紫外ランプ（ＵＶ又はＶＵＶ範囲１００-４００ｎｍ波長）だけでなく赤外ランプに及ぶ種々のランプによって供給され得る。ＵＶ放熱は、分子エッチング化学がより低温で、同様の利点を得る水素が少ないか又は全く含まずに分解され得る点で更に有利である。
【００３１】
[0032]本発明を本明細書では具体的な実施形態によって記載してきたが、これらの実施形態は本発明の原理と適用を単に例示していることは理解すべきである。種々の修正や変更が、発明の精神と範囲から逸脱せずに本発明の方法を行うことができることは当業者に明らかである。従って、本発明には、添付の特許請求の範囲の範囲内である修正や変更、また、これらの等価物が含まれることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の実施形態に従って用いられる個々のＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）低圧ＣＶＤ装置を示す概略図である。
【図２ａ】図２ａは、本発明の実施形態に従って図１の装置と使用し得るマニホールドを示す断面である。
【図２ｂ】図２ｂは、本発明の実施形態に従って図１の装置と使用し得るマニホールドを示す断面である。
【図２ｃ】図２ｃは、本発明の実施形態に従って図１の装置と使用し得るマニホールドを示す断面である。
【図２ｄ】図２ｄは、本発明の実施形態に従って図１の装置と使用し得るマニホールドを示す断面である。
【図２ｅ】図２ｅは、本発明の実施形態に従って図１の装置と使用し得るマニホールドを示す断面である。
【符号の説明】
【００３３】
１０…装置、２０…ハウジング、２２…堆積チャンバ、２３…囲壁、２４…堆積ゾーン、２６…ホルダー、２８…基板、２９…ドライブアセンブリ、３０…入口ガスコンジット、３０ａ…フィードライン、３０ｂ…フィードライン、３２…ガス排出コンジット、４０…ヒータ、４１…石英ドーム、６０…入口ガスモニホールド、７０…排出マニホールド、７２…排出ライン、７４…遮断弁、７６…圧力制御バルブ。
【図１】
0005420397.tif 000003
【図２ａ】
0005420397.tif 000004
【図２ｂ】
0005420397.tif 000005
【図２ｃ】
0005420397.tif 000006
【図２ｄ】
0005420397.tif 000007
【図２ｅ】
0005420397.tif 000008
【図３】
0005420397.tif 000009