(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部（８０）に対して仮想直線（Ｌｘ）上を移動する検出対象（６１）の位置を検出するストローク量検出装置（１）であって、
前記検出対象または前記固定部のいずれか一方に設けられ、磁性材料により筒状に形成され、前記仮想直線に垂直な方向にヨークの外側に向かって膨らみ前記仮想直線からの垂直な距離が最大となる頂点部（１１６、１２６、１３６、１４６、１５６）が形成されている凸部（１１５、１２５、１３５、１４５、１５５）を有するヨーク（１１、１２、１３、１４、１５）と、
前記検出対象または前記固定部のいずれか他方に設けられ、前記ヨークの内側に位置する磁束発生手段（２０）と、
前記磁束発生手段と前記凸部との間であって、前記磁束発生手段に対して定位置に配置され、前記磁束発生手段を流れる磁束の方向と直交する方向に感磁方向を有し、磁気検出素子に対するヨークの相対移動に伴って発生する磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出手段（３１、３７）と、
を備えるストローク量検出装置。
【請求項２】
前記頂点部（１１６、１２６、１３６）は、前記ヨークの前記移動方向の中央に形成されることを特徴とする請求項１に記載のストローク量検出装置。
【請求項３】
前記凸部（１１５、１２５、１３５）は、前記仮想直線方向の前記頂点部（１１６、１２６、１３６）の両側が線対称になることを特徴とする請求項２に記載のストローク量検出装置。
【請求項４】
前記頂点部（１４６、１５６）は、前記ヨーク（１４、１５）の前記仮想直線方向の中央とは異なる箇所に形成されることを特徴とする請求項１に記載のストローク量検出装置。
【請求項５】
前記凸部（１１５）は、前記頂点部（１１６）に対向する位置で前記仮想直線からの距離の変化率がゼロとなり、前記頂点部から離れるにしたがって前記変化率が漸増する形状であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項６】
前記凸部（１２５）は、前記頂点部（１２６）に対向する位置で前記仮想直線からの距離の変化率がゼロとなり、前記頂点部から離れるにしたがって前記変化率が一定する形状であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項７】
前記凸部（１３５）は、前記頂点部（１３６）に対向する位置で前記仮想直線からの距離の変化率がゼロとなり、前記頂点部から離れるにしたがって前記変化率が漸減する形状であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項８】
前記磁気検出手段（３１）は、ホール素子（３１）であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項９】
前記磁気検出手段（３７）は、磁気抵抗素子（３７）であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項１０】
前記磁気検出手段から出力された信号の直線性を向上させる補正を行うリニア補正手段（３２３）をさらに備えることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ストローク量検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、検出対象のストローク量を検出するストローク量検出装置が知られている。例えば、特許文献１に開示されているストローク量検出装置は、ホール素子、ヨーク、およびヨークに設けられている永久磁石を備え、ホール素子の出力信号に基づき検出対象のストローク量を検出する。特許文献１では、磁力の反発力を利用しているため、検出対象が移動する仮想直線を挟んで互いに対向する二つの永久磁石がヨークに設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２０７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示のストローク量検出装置の場合、二つの永久磁石が設けられているため部品点数が多くなる。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、部品点数を低減可能なストローク量検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、固定部に対して仮想直線上を移動する検出対象の位置を検出するストローク量検出装置において、仮想直線に垂直な方向にヨークの外側に膨らむ凸部を有するヨーク、ヨークの内側に位置する磁束発生手段、および、磁束発生手段とヨークの凸部との間であって磁束発生手段に対して定位置に配置される磁気検出手段を備え、磁気検出手段が磁束発生手段を流れる磁束の方向と直交する方向に感磁方向を有し磁束密度に応じた信号を出力することを特徴とする。
【０００６】
これにより、磁気検出手段および磁束発生手段に対してヨークが相対移動することにより、ヨークの凸部と磁気検出手段との間のギャップ量が変化し、磁気検出手段により検出される磁束のベクトルが変化する。このため、例えば、ヨークが磁気検出手段に対して相対移動するとき、磁気検出手段に対するヨークの相対位置を検出することができる。
【０００７】
また、磁束発生手段を一つのみ使用することで固定部と検出対象との相対ストローク量を検出することができるため、部品点数を低減することができる。
【０００８】
本発明では、磁束発生手段をヨークに接合する必要がなくなるため、磁束発生手段とヨークとの接合工程を廃止することができ、製造工数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置が適用されるシステムの全体構成を示すブロック図。
【図２】図１ＩＩ―ＩＩ線断面図。
【図３】本発明の第１実施形態による磁気検出ＩＣの回路を示すブロック図。
【図４】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置の作動を示す模式図。
【図５】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置の作動を示す模式図。
【図６】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置の作動を示す模式図。
【図７】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置の作動を示す模式図。
【図８】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置の作動を示す模式図。
【図９】本発明の第１実施形態によるホール素子の検出磁束密度を示す模式図。
【図１０】本発明の第２実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１１】本発明の第３実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１２】本発明の第４実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１３】本発明の第４実施形態によるホール素子の検出磁束密度を示す模式図。
【図１４】本発明の第４実施形態の変形例によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１５】本発明の第４実施形態の変形例によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１６】本発明の第５実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１７】本発明の第５実施形態によるホール素子の検出磁束密度を示す模式図。
【図１８】本発明の第５実施形態の変形例によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１９】本発明の第５実施形態の変形例によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図２０】本発明の他の実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態によるストローク量検出装置を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
本実施形態のストローク量検出装置は、例えば、自動車のトランスミッション、アクセル、ブレーキ等のストローク部に適用されて検出対象のストローク量を検出する装置である。
【００１１】
ストローク量検出装置１は、図１に示すように、ヨーク１１、磁束発生手段としての永久磁石２０、および磁気検出ＩＣ３０を備えている。ヨーク１１は、リニアアクチュエータ６０のストローク部６１に設けられ、ストローク部６１とともに仮想直線Ｌｘ上を往復移動可能である。磁気検出ＩＣ３０は、永久磁石２０とともに固定部８０に固定され、磁束ベクトルの変化に応じた磁束密度を検出する。ここで、図１に示すように、ストローク部６１の移動方向を「Ｘ方向」といい、紙面に垂直な方向を「Ｙ方向」という。また、仮想直線Ｌｘとは、後述するホール素子３１のＹ方向の中点をＸ方向に通る直線を言う。  
【００１２】
図２に示すように、ヨーク１１は、例えば鉄等の磁性材料により筒状に形成され、第１壁１１１、第２壁１１２、第３壁１１３および第４壁１１４を有する。第１壁１１１、第２壁１１２、および第３壁１１３は、それぞれ板状に形成され、「コ」字状を形成する。ここで、第１壁１１１および第３壁１１３の端部は、仮想直線Ｌｘ上に位置する。第４壁１１４は、第１壁１１１と第３壁１１３との間の第２壁１１２と対向する位置に形成される。第４壁１１４は、第２壁１１２と反対側のヨークの外側に膨らむ凸部１１５を有する。凸部１１５は、第４壁１１４のＸ方向の中央に頂点部１１６を有する。また、凸部１１５は第２壁１１２側の内壁に凹面１１７を有し、頂点部１１６は第２壁１１２側の内壁に底点部１１８を有する。本実施形態では、凸部１１５の凹面１１７は、仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が頂点部１１６でゼロとなり、かつ、頂点部１１６から離れるにしたがって仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が漸増する形状に形成されている。また、凸部１１５の内側の凹面１１７は、仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が底点部１１８でゼロとなり、かつ、底点部１１８から離れるにしたがって仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が漸増する形状に形成されている。つまり、凸部１１５および凹面１１７は、円弧状に形成されている。
【００１３】
図２に示すように、永久磁石２０はヨーク１１の内側に位置する。永久磁石２０は、永久磁石２０を流れる磁束の方向がＹ方向と平行になるよう設けられている。永久磁石２０は、Ｎ極が凸部１１５に対向し、Ｓ極が第２壁１１２に対向するよう設けられている。
【００１４】
磁気検出ＩＣ３０は、永久磁石２０のＮ極と凸部１１５との間に位置するよう設けられている。磁気検出ＩＣ３０は、磁気検出手段としてのホール素子３１、信号処理装置３２、およびメモリ３３を有する。
【００１５】
ホール素子３１は、半導体薄膜で形成されており、感磁面３１１を有する（図２参照）。ホール素子３１は、感磁面３１１を通る磁束ベクトルの変化に伴う磁束密度に対応した信号を出力する。磁気検出ＩＣ３０は、感磁面３１１とＸ方向とが直交となるよう設けられている。ここで、感磁面３１１に垂直な方向は特許請求の範囲における「感磁方向」に対応する。
【００１６】
信号処理装置３２は、例えばＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）により構成され、オフセット補正回路３２１、振幅補正回路３２２、及び、磁気検出ＩＣ３０の出力信号をストローク量に対して直線化するリニア補正回路３２３等を有している。リニア補正回路３２３は、特許請求の範囲に記載の「リニア補正手段」に対応する。
メモリ３３は、例えば、読み出し専用メモリ、ならびに、書き込みおよび消去可能なメモリを含み、信号処理装置３２で使われる各種データが記憶されている。
【００１７】
磁気検出ＩＣ３０は、図２に示すように、ホール素子３１と信号処理装置３２とメモリ３３との他に、ホール素子３１の出力信号を増幅するアンプ回路３６、アナログ−デジタル変換回路（以下、「ＡＤＣ」という）３４、および、デジタル−アナログ変換回路（以下、「ＤＡＣ」という）３５がモールド部３８によりモールドされたＩＣチップである。
【００１８】
永久磁石２０および磁気検出ＩＣ３０は、ヨーク１１の内側に位置するよう、固定部８０に固定されている。つまり、磁気検出ＩＣ３０は、永久磁石２０に対して定位置に配置されている。本実施形態の場合、永久磁石２０および磁気検出ＩＣ３０は、緩衝材４０によりセンサカバー４１内に封止され、一体に固定されている。ここで、「一体に固定」とは、永久磁石２０および磁気検出ＩＣ３０が相対移動不能に固定されていることを意味する。永久磁石２０と磁気検出ＩＣ３０とは、互いに当接しても良いし、所定距離離れても良い。本実施形態では、永久磁石２０と磁気検出ＩＣ３０とは互いに当接し、ホール素子３１はモールド部３８を介して永久磁石２０と当接する。緩衝材４０は、例えばシリコンゴム等の材料が用いられる。
【００１９】
ヨーク１１は、ストローク部６１の直線移動に伴って磁気検出ＩＣ３０および永久磁石２０に対してＸ方向に相対移動する。磁気検出ＩＣ３０および永久磁石２０とヨーク１１との相対移動を図４〜図８で示す。ここで、Ｙ方向において、ホール素子３１の中心を通る線をホール素子３１の基準線Ｌｙｈとし、凸部１１５の頂点部１１６および第２壁１１２のＸ方向の中心を通る線をヨーク１１の基準線Ｌｙｙとする。
【００２０】
ホール素子３１の感磁面３１１を通過する磁束密度は、ヨーク１１がホール素子３１および永久磁石２０に対して相対ストロークすることにより変化する。ホール素子３１は、感磁面３１１を通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。ＡＤＣ３４は、ホール素子３１が出力するアナログ値をデジタル値に変換し、信号処理装置３２に伝送する。以下、ＡＤＣ３４によって変換されたデジタル値を「実出力値」という。信号処理装置３２は、実出力値に対しリニア補正等の補正処理を行う。また、信号処理装置３２は、処理結果をＤＡＣ３５に伝送する。以下、ＤＡＣ３５に伝送する補正処理後の値を「補正後の値」という。ＤＡＣ３５は、信号処理装置３２から伝送されたデジタル値をアナログ値に変換しＥＣＵ（電子制御ユニット）５０に出力する。
【００２１】
図４〜図８に対応するストローク部６１のストローク量と実出力値との関係を図９に示す。ストローク部６１の直線移動に伴って、ヨーク１１が磁気検出ＩＣ３０および永久磁石２０に対してＸ方向に相対移動すると、実出力値は破線Ｓ０に示すように変化する。本実施形態では、ホール素子３１の基準線Ｌｙｈとヨーク１１の基準線Ｌｙｙとが重なるとき、実出力値がゼロとなり、ストローク部６１のストローク量をゼロとする。また、ホール素子３１の基準線Ｌｙｈがヨーク１１の基準線Ｌｙｙに対して左側に位置したときのストローク量を負の値で表し、ホール素子３１の基準線Ｌｙｈがヨーク１１の基準線Ｌｙｙに対して右側に位置したときのストローク量を正の値で表す。ここで、ストローク範囲の両側部である「＋Ｐ」部、「−Ｐ」部で検出磁束密度の直線性が低下している。そこで、リニア補正回路３２３は、実出力値を直線化するように補正して、実線Ｓ１に示す補正後の値を出力する。
【００２２】
検出されたストローク量は、ＥＣＵ５０に出力される。ＥＣＵ５０は、ストローク量検出装置１から出力されたストローク量に基づいて、リニアアクチュエータ６０をフィードバック制御する。
【００２３】
本実施形態の効果を以下通り説明する。
（１）上述したように、本実施形態では、ホール素子３１は、永久磁石２０とヨーク１１の凸部１１５との間に位置し、永久磁石２０に対して定位置に固定されている。また、磁気検出ＩＣ３０は、ホール素子３１の感磁面３１１に垂直な方向と永久磁石２０を流れる磁束の方向とが直交となるよう設けられている。つまり、磁気検出ＩＣ３０は、ホール素子３１の感磁方向と永久磁石２０を流れる磁束の方向とが直交するよう設けられている。これにより、磁気検出ＩＣ３０および永久磁石２０とヨーク１１との相対移動により、凸部１１５と磁気検出ＩＣ３０との間のギャップ量が変化し、磁気検出ＩＣ３０により検出される磁束のベクトルが変化する。このため、磁気検出ＩＣ３０に対するヨーク１１の相対位置を検出することができる。
【００２４】
ここで、本実施形態では、永久磁石２０を一つのみ用いてストローク部６１の位置を検出するため、従来のストローク量検出装置（例えば、特許文献１に記載のストローク量検出装置）に比べ、部品点数を低減することができる。また、永久磁石２０をヨーク１１に接合する必要がなくなるため、永久磁石２０とヨーク１１との接合工程を廃止することができ、製造工数を低減することができる。
【００２５】
（２）本実施形態では、凸部１１５の頂点部１１６は、ヨーク１１第４壁１１４のＸ方向の中央に形成されている。これにより、ホール素子３１の基準線Ｌｙｈとヨーク１１の基準線Ｌｙｙとが重なるとき、つまり、ホール素子３１がヨーク１１のＸ方向の中央に位置するとき、磁束密度がゼロとなる。磁束密度がゼロの場合、原理的に温度特性がなくなるので検出精度が最も高くなる。このため、検出精度が高く要求されている位置を、ストローク範囲の中央に設定することができる。
【００２６】
（３）本実施形態では、凸部１１５は、頂点部１１６を通るヨーク１１の基準線Ｌｙｙを境にＸ方向の両側が線対称になっている。また、凸部１１５および凹面１１７は円弧状に形成されている。このため、凸部１１５および凹面１１７と磁気検出ＩＣ３０との間のギャップ量は、磁気検出ＩＣ３０が頂点部１１６から離れるにしたがって減少する。これにより、ホール素子３１の基準線Ｌｙｈとヨーク１１の基準線Ｌｙｙが重なる位置に対してＸ方向の両側が同じ出力変化となるような実出力値を得ることができる。
【００２７】
（４）本実施形態では、実出力値に対するリニア補正を行うリニア補正回路を備える。これにより、補正後の値の直線性を高めることができる。
【００２８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態のストローク量検出装置を図１０に基づいて説明する。上記第１実施形態と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態では、ヨーク１２の第４壁１２４は凸部１２５を有する。凸部１２５は、第４壁１２４の外側に向かって膨らむよう形成され、頂点部１２６を有する。凸部１２５は、第２壁１１２側の内壁に、凹面１２７を有し、頂点部１２６と対向する位置に底点部１２８を有する。本実施形態では、凸部１２５は、凸部１２５の頂点部１２６から離れるにしたがって仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が一定に減少する形状に形成される。また凸部１２５の内側の凹面１２７は、凹面１２７の底点部１２８から離れるにしたがって仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が一定に減少する形状に形成される。つまり、ヨーク１２の凸部１２５および凹面１２７は、角状に形成されている。
【００２９】
本実施形態では、磁気検出手段として磁気抵抗素子３７が磁気検出ＩＣ３０に設けられている。磁気抵抗素子３７の感磁方向は感磁面３７１と直交する。本実施形態では、磁気抵抗素子３７は、感磁方向が永久磁石２０を流れる磁束の方向と平行になるよう設けられている。磁気抵抗素子３７は、感磁面３７１を通る磁束のベクトルに対応する信号を出力する。ここで、仮想直線Ｌｘとは、磁気抵抗素子３７のＹ方向の中点をＸ方向に通る直線を言う。
本実施形態は、上記第１実施形態の効果と同様な効果を有する。
【００３０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態のストローク量検出装置を図１１に基づいて説明する。上記第１実施形態と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態では、ヨーク１３の第４壁１３４は凸部１３５を有する。凸部１３５は、第４壁１３４の外側に向かって膨らむよう形成され、頂点部１３６を有する。凸部１３５は、第２壁１１２側の内壁に、凹面１３７を有し、頂点部１３６と対向する位置に底点部１３８を有する。本実施形態では、凸部１３５は、凸部１３５の頂点部１３６から離れるにしたがって仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が漸減する形状に形成される。また、凹面１３７は、凹面１３７の底点部１３８から離れるにしたがって仮想直線Ｌｘからの距離の変化率が漸減する形状に形成される。つまり、ヨーク１３の凸部１３５および凹面１３７は、裾野状に形成されている。
本実施形態は、上記第１実施形態の効果と同様な効果を有する。
【００３１】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態のストローク量検出装置を図１２〜１５に基づいて説明する。上記第１実施形態と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態では、ヨーク１４の第４壁１４４は凸部１４５を有する。凸部１４５は、頂点部１４６に対してＸ方向の両側が非対称に形成されている。図１２に示すように、頂点部１４６は、ヨーク１１の基準線Ｌｙｙのストローク部６１側に形成される。
【００３２】
これにより、ストローク範囲において、ストローク量が負の値で表された位置で磁束密度が０となるので、温度特性が低減する。このため検出精度を高くすることができる（図１３参照）。よって、磁束密度がゼロとなる点を中心として精度の良い領域を選択的に利用することができる。
本実施形態の変形例を図１４、１５に示す。本実施形態の変形例は本実施形態の効果と同様な効果を有する。
【００３３】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態のストローク量検出装置を図１６〜１９に基づいて説明する。上記第１実施形態と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態では、ヨーク１５の第４壁１５４は凸部１５５を有する。凸部１５５は、頂点部１５６のＸ方向の両側が非対称に形成されている。図１６に示すように、頂点部１５６は、ヨーク１５の基準線Ｌｙｙのストローク部６１とは反対側に形成される。
【００３４】
これにより、ストローク範囲において、ストローク量が正の値で表された領域に、検出精度が高く要求されている位置を設定することができる（図１７参照）。よって、磁束密度がゼロとなる点を中心として精度の良い領域を選択的に利用することができる。
本実施形態の変形例を図１８、１９に示す。本実施形態の変形例は本実施形態の効果と同様な効果を有する。
【００３５】
（他の実施形態）
上記実施形態では、第４壁が円弧状、角状、または裾野状に形成される例を示した。これに対し、他の実施形態では、第４壁の内壁面のみ円弧状、角状、または裾野状に形成することとしても良い。
【００３６】
上記１、３、４、５実施形態では、磁気検出ＩＣは、ホール素子の感磁方向と永久磁石を流れる磁束の方向とが直交するよう設けられている。これに対し、他の実施形態では、図２０に示すように、ホール素子の感磁方向と永久磁石を流れる磁束の方向とが平行になるよう磁気検出ＩＣを設けることとしても良い。ただし、この場合のストローク検出範囲は、磁気検出ＩＣが凸部の頂点部からＸ方向の負側、もしくは正側まで移動する片側範囲に限られる。
【００３７】
上記実施形態では、磁気検出ＩＣと永久磁石とが当接している例を示した。これに対し、他の実施形態では、磁気検出ＩＣと永久磁石とは所定距離離れていることとしても良い。この場合、好ましくは、ホール素子と永久磁石とはモールド部および緩衝材を介して当接する。
【００３８】
上記実施形態では、ヨークの第１壁および第３壁の端部が、仮想直線上に位置する例を示した。これに対し、他の実施形態では、所望する出力特性に応じて、ヨークの第１壁および第３壁の端部は仮想直線より下側、もしくは上側に位置することとしても良い。
【００３９】
上記実施形態では、永久磁石のＮ極が凸部に対向し、永久磁石のＳ極が第２壁に対向する例を示した。これに対し、他の実施形態では、Ｎ極が第２壁に対向し、Ｓ極が凸部に対向するように永久磁石を設置することとしても良い。
【００４０】
上記２実施形態では、磁気検出ＩＣは、磁気抵抗素子の感磁方向が永久磁石を流れる磁束の方向と平行になるよう設けられている例を示した。これに対し、他の実施形態では、磁気検出ＩＣ磁気抵抗素子の感磁方向と永久磁石を流れる磁束の方向とが直交するように磁気抵抗素子を設けることとしても良い。この場合において、ストローク検出範囲は、磁気検出ＩＣが凸部の頂点部からＸ方向の負側、もしくは正側まで移動する片側範囲に限られる。
以上説明した本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１・・・ストローク量検出装置、
１１、１２、１３、１４、１５・・・ヨーク、
１１５、１２５、１３５、１４５、１５５・・・凸部、
２０・・・永久磁石（磁束発生手段）、
３１・・・ホール素子（磁気検出手段）、
３７・・・磁気抵抗素子（磁気検出手段）、
６１・・・ストローク部（検出対象）、
８０・・・固定部、
Ｌｘ・・・仮想直線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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