(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
前記誘電体素体に設けられている線状の信号線と、
前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体であって、該信号線に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、
積層方向から平面視したときに、前記第１の開口と重なっており、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている浮き導体であって、他の導体と接続されていない第１の浮き導体と、
を備えていること、
を特徴とする高周波信号線路。
【請求項２】
前記複数の第１の浮き導体は、前記各第１の開口に対応するように設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
【請求項３】
前記第１の浮き導体及び前記第１のグランド導体は、同じ前記誘電体層に設けられていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項４】
前記第１の浮き導体は、前記第１のグランド導体よりも積層方向の一方側に設けられていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項５】
前記第１の浮き導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の開口と略同一形状をなしていること、
を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
【請求項６】
前記第１の浮き導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の開口内に収まっていること、
を特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項７】
前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項８】
前記第２のグランド導体には、前記信号線に沿って並ぶ複数の第２の開口が設けられており、
前記高周波信号線路は、
積層方向から平面視したときに、前記第２の開口と重なっており、かつ、前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられている浮き導体であって、他の導体と接続されていない第２の浮き導体を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項７に記載の高周波信号線路。
【請求項９】
前記第１の開口のサイズは、前記第２の開口のサイズよりも小さいこと、
を特徴とする請求項８に記載の高周波信号線路。
【請求項１０】
前記誘電体素体は可撓性を有していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項１１】
筐体と、
前記筐体に収容されている高周波信号線路と、
を備えており、
前記高周波信号線路は、
複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
前記誘電体素体に設けられている線状の信号線と、
前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体であって、該信号線に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、
積層方向から平面視したときに、前記第１の開口と重なっており、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている浮き導体であって、他の導体と接続されていない第１の浮き導体と、
を備えていること、
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号を伝送する高周波信号線路及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波信号線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。該信号線路は、積層体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。積層体は、複数の絶縁シートが積層されて構成されている。信号線は、積層体内に設けられている。２つのグランド導体は、積層体内において積層方向から信号線を挟んでいる。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。【０００３】
更に、グランド導体には、積層方向から平面視したときに、信号線と重なる複数の開口が設けられている。これにより、複数の開口が設けられている位置においては信号線とグランド導体との間に容量が形成されにくくなる。よって、信号線の特性インピーダンスを小さくしすぎることなく、信号線とグランド導体との積層方向における距離を小さくすることが可能となる。その結果、高周波信号線路の薄型化を図ることが可能となる。以上のような高周波信号線路は、２つの回路基板間の接続等の用途に用いられる。【０００４】
ところで、特許文献１に記載の信号線路では、グランド導体に開口が設けられているので、開口を介して電磁界が漏れてしまう。その結果、信号線路の周囲の電子機器に向けて不要輻射が放射されてしまう。また、信号線路がバッテリーパックの様な金属体に貼り付けられる場合には、信号線とバッテリーパックとが開口を介して電磁界結合する。その結果、信号線の特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスからずれてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、グランド導体に設けられた開口を介して電磁界が漏れることを抑制できる高周波信号線路及び電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る高周波信号線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線と、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体であって、該信号線に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、積層方向から平面視したときに、前記第１の開口と重なっており、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている浮き導体であって、他の導体と接続されていない第１の浮き導体と、を備えていること、を特徴とする。【０００８】
本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線と、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体であって、該信号線に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、積層方向から平面視したときに、前記第１の開口と重なっており、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている浮き導体であって、他の導体と接続されていない第１の浮き導体と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、グランド導体に設けられた開口を介して電磁界が漏れることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。
【図２】図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図３】図１の高周波信号線路の信号線及び補助グランド導体を透視した図である。
【図４】図３のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図５】図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図６】高周波信号線路のコネクタの外観斜視図である。
【図７】高周波信号線路のコネクタの断面構造図である。
【図８】高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。
【図９】高周波信号線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。
【図１０】第１の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１１】第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１２】第３の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１３】第４の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１４】第５の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の信号線２０及び補助グランド導体２４を透視した図である。図４は、図３のＡ−Ａにおける断面構造図である。図５は、図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。
【００１３】
高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられるフラットケーブルである。高周波信号線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体（第２のグランド導体）２２、補助グランド導体（第１のグランド導体）２４、浮き導体２８、ビアホール導体（層間接続部）ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。
【００１４】
誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ，１８ｂ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１５】
線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。
【００１６】
誘電体シート１８ａ，１８ｂは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ，１８ｂは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１７】
誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図４及び図５に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも大きい。誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層後において、厚さＴ１は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。
【００１８】
また、誘電体シート１８ａは、図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。
【００１９】
信号線２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２に設けられている導体である。本実施形態では、信号線２０は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されており、ｘ軸方向に延在する直線状の導体である。信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの中央に位置している。信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの中央に位置している。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることを指す。また、信号線２０の表面には平滑化が施されるので、信号線２０が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線２０が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２０】
基準グランド導体２２は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線２０と重なる位置には開口が設けられていない。基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２１】
また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００２２】
ここで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ，１８ｂの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線２０と基準グランド導体２２によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。
【００２３】
補助グランド導体２４は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。補助グランド導体２４には、信号線２０に沿って並ぶ複数の開口３０が設けられている。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの裏面に形成され、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２４】
また、補助グランド導体２４は、図２に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｂ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２４ｂは、接続部１８ｂ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、接続部１８ｂ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００２５】
また、線路部２４ａには、図２に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、線路部２４ａは、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。
【００２６】
補助グランド導体２４は、シールドとしても機能する。また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。
【００２７】
複数の浮き導体２８はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なっており、かつ、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。本実施形態では、浮き導体２８は、補助グランド導体２４が設けられている誘電体シートと同じ誘電体シート１８ｂの裏面に設けられている。浮き導体２８は、各開口３０に対応するように設けられている。
【００２８】
また、浮き導体２８のｘ軸方向の長さは、開口３０のｘ軸方向の長さよりもわずかに小さい。更に、浮き導体２８のｙ軸方向の幅は、開口３０のｙ軸方向の幅よりもわずかに小さい。そして、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０の外縁と接触せずに、開口３０内に収まっている。これにより、浮き導体２８の外縁と開口３０の外縁との間には僅かな隙間が形成されている。その結果、浮き導体２８は、他の導体とは接続されておらず、浮遊電位に保たれている。
【００２９】
また、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、浮き導体２８の外縁と開口３０の外縁との間に形成された隙間を除いて、浮き導体２８及び補助グランド導体２４に覆われている。
【００３０】
外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００３１】
以上のように、信号線２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、補助グランド導体２４と信号線２０とのｚ軸方向における距離は、基準グランド導体２２と信号線２０とのｚ軸方向における距離よりも小さい。
【００３２】
ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、誘電体シート１８ａに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
【００３３】
複数のビアホール導体Ｂ１は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。本実施形態では、複数のビアホール導体Ｂ１は、ブリッジ部６０に対してｙ軸方向の正方向側に設けられている。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。本実施形態では、複数のビアホール導体Ｂ２は、ブリッジ部６０に対してｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ２とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
【００３４】
複数のビアホール導体Ｂ３は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。本実施形態では、複数のビアホール導体Ｂ３は、ブリッジ部６０に対してｙ軸方向の負方向側に設けられている。複数のビアホール導体Ｂ４は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。本実施形態では、複数のビアホール導体Ｂ４は、ブリッジ部６０に対してｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ３とビアホール導体Ｂ４とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
【００３５】
保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
【００３６】
また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。
【００３７】
接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００３８】
接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００３９】
保護層１５は、誘電体シート１８ｂの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
【００４０】
以上のように構成された高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線２０において浮き導体２８及び開口３０と重なっている区間Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、区間Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。
【００４１】
一方、信号線２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、区間Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、区間Ａ１と区間Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。よって、信号線２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線２０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。
【００４２】
コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図６は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図７は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。
【００４３】
コネクタ１００ｂは、図１、図６及び図７に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
【００４４】
外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。
【００４５】
中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。
【００４６】
以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図６及び図７に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。
【００４７】
高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図８は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図９は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。
【００４８】
電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。
【００４９】
筐体２１０は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
【００５０】
レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。
【００５１】
ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関して基準グランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の基準グランド導体２２が位置している。
【００５２】
（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。
【００５３】
まず、表面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面に銅箔を張り付ける。また、更に、誘電体シート１８ａの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａは、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。
【００５４】
次に、両主面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ｂを準備する。具体的には、誘電体シート１８ｂの両面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８ｂの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ｂは、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。
【００５５】
次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。
【００５６】
次に、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面上に形成する。更に、図２に示す補助グランド導体２４及び浮き導体２８を誘電体シート１８ｂの裏面に形成する。なお、信号線２０、補助グランド導体２４及び浮き導体２８の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００５７】
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。
【００５８】
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねて誘電体素体１２を形成する。そして、誘電体シート１８ａ，１８ｂに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ，１８ｂを一体化する。
【００５９】
次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。
【００６０】
次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ｂの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。
【００６１】
最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子部２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。
【００６２】
（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なっており、かつ、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられており、他の導体と接続されていない。これにより、信号線２０に高周波信号が流れることによって生じる磁束φは、図５に示すように、浮き導体２８によって、誘電体素体１２内に閉じ込められるようになる。そのため、磁束φが誘電体素体１２外に漏れることが抑制される。更に、信号線２０から放射される電気力線は、浮き導体２８に吸収される。そのため、電気力線が誘電体素体１２外に漏れることが抑制される。以上より、高周波信号線路１０によれば、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることが抑制される。
【００６３】
また、高周波信号線路１０では、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。より詳細には、図５に示すように、信号線２０と浮き導体２８とが対向する面積は大きいので、信号線２０と浮き導体２８との間には大きな容量Ｃ１が形成されている。また、浮き導体２８と補助グランド導体２４とが対向する面積は微小であるので、浮き導体２８と補助グランド導体２４との間には、微小な容量Ｃ２が形成されている。浮き導体２８は、他の導体に接続されておらず、浮遊電位に保たれている。そのため、信号線２０とグランド（補助グランド導体２４）との間には、容量Ｃ１と容量Ｃ２とが直列接続されている。容量Ｃ２は容量Ｃ１に比べてはるかに小さいので、容量Ｃ１と容量Ｃ２との合成容量は、容量Ｃ２と略等しくなり微小な値となる。すなわち、浮き導体２８が設けられることにより、信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量は、容量Ｃ２と略等しく極めて微小である。よって、浮き導体２８が設けられることによって、信号線２０に生じる特性インピーダンスの変動も極めて微小である。以上より、高周波信号線路１０では、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００６４】
また、高周波信号線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０では、区間Ａ１において、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号線路１０によれば、信号線２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。
【００６５】
また、高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０は、信号線２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、信号線２０の特性インピーダンスが低下することが抑制される。
【００６６】
また、高周波信号線路１０では、浮き導体２８は、前記の通り、磁気シールド及び電界シールドとして機能する。そのため、誘電体素体１２の裏面に電子機器の筐体等の金属体が接近しても、信号線２０と金属体とが開口３０を介して電磁気的に結合することが抑制される。その結果、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることがより効果的に抑制される。
【００６７】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１０は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。高周波信号線路１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。
【００６８】
高周波信号線路１０ａは、浮き導体２８及び開口３０の形状において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、浮き導体２８及び開口３０は、十字型をなしている。開口３０のｘ軸方向の中央部分におけるｙ軸方向の幅は、開口３０のｘ軸方向の両端部分におけるｙ軸方向の幅よりも大きい。同様に、浮き導体２８のｘ軸方向の中央部分におけるｙ軸方向の幅は、浮き導体２８のｘ軸方向の両端部分におけるｙ軸方向の幅よりも大きい。ただし、浮き導体２８の外縁と開口３０の外縁との間には僅かな隙間が形成されている。これにより、浮き導体２８は、他の導体とは接続されておらず、接地電位に保たれている。
【００６９】
以上のように構成された高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることを抑制できる。
【００７０】
また、高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００７１】
また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、薄型化を図ることができる。
【００７２】
また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ａがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。
【００７３】
また、高周波信号線路１０ａによれば、開口３０のｘ軸方向の中央部分における信号線２０と補助グランド導体２４との距離は、開口３０のｘ軸方向の両端部分における信号線２０と補助グランド導体２４との距離よりも大きい。そのため、開口３０のｘ軸方向の中央部分における信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量は、開口３０のｘ軸方向の両端部分における信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量よりも小さい。よって、開口３０のｘ軸方向の中央部分における信号線２０の特性インピーダンスは、開口３０のｘ軸方向の両端部分における信号線２０の特性インピーダンスよりも大きい。
【００７４】
一方、ブリッジ部６０では、信号線２０と補助グランド導体２４とは大きな面積で対向している。そのため、信号線２０と補助グランド導体２４との間には、開口３０のｘ軸方向の両端部分における信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量よりも大きな容量が形成される。したがって、ブリッジ部６０における信号線２０の特性インピーダンスは、開口３０のｘ軸方向の両端部分における信号線２０の特性インピーダンスよりも小さくなる。
【００７５】
以上より、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、信号線２０の特性インピーダンスは、ブリッジ部６０において最小値をとり、開口３０のｘ軸方向の負方向側の端部において中間値をとり、開口３０のｘ軸方向の中央部分において最大値をとり、開口３０のｘ軸方向の正方向側の端部において中間値をとり、ブリッジ部６０において最小値をとる。このように、信号線２０の特性インピーダンスは、段階的に変動するようになる。その結果、信号線２０において高周波信号の反射が抑制されるようになる。
【００７６】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。高周波信号線路１０ｂの外観斜視図については、図１を援用する。
【００７７】
高周波信号線路１０ｂは、浮き導体２８、開口３０及び信号線２０の形状において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、浮き導体２８及び開口３０は、図１１に示すように、ｘ軸方向の両端近傍においてテーパー状をなしている。ただし、浮き導体２８の外縁と開口３０の外縁との間には僅かな隙間が形成されている。これにより、浮き導体２８は、他の導体とは接続されておらず、接地電位に保たれている。
【００７８】
また、区間Ａ２における信号線２０の線幅は、区間Ａ１における信号線２０の線幅よりも小さい。また、信号線２０は、区間Ａ１のｘ軸方向の両端近傍においてテーパー状をなしている。
【００７９】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることを抑制できる。
【００８０】
また、高周波信号線路１０ｂでは、高周波信号線路１０と同様に、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００８１】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、薄型化を図ることができる。
【００８２】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｂがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。
【００８３】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０ａと同様に、信号線２０において高周波信号の反射が抑制される。
【００８４】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、信号線２０において高周波信号の反射がより効果的に抑制される。より詳細には、開口３０は、ｘ軸方向の両端においてテーパー状をなしている。これにより、開口３０のｘ軸方向の両端において、信号線２０と補助グランド導体２４との距離は、徐々に変化するようになる。その結果、開口３０のｘ軸方向の両端において、信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量も徐々に変化するようになり、信号線２０の特性インピーダンスも徐々に変化するようになる。以上より、信号線２０において高周波信号の反射がより効果的に抑制されるようになる。
【００８５】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、挿入損失が低減されるようになる。より詳細には、区間Ａ１では、信号線２０は、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、区間Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２４との間には、容量が形成されにくい。一方、区間Ａ２では、信号線２０は、補助グランド導体２４と重なっている。そのため、区間Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２４との間には、容量が形成されやすい。そこで、区間Ａ１における信号線２０の線幅を、区間Ａ２における信号線２０の線幅よりも大きくしている。これにより、区間Ａ１における信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量を殆ど大きくすることなく、区間Ａ１における信号線２０の抵抗値を低減することが可能である。その結果、高周波信号線路１０ｂでは、挿入損失が低減される。
【００８６】
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの誘電体素体１２の分解図である。高周波信号線路１０ｃの外観斜視図については、図１を援用する。
【００８７】
高周波信号線路１０ｃは、誘電体シート１８ｃが設けられている点、及び、補助グランド導体２４及び浮き導体２８が誘電体シート１８ｃに設けられている点において高周波信号線路１０と相違する。
【００８８】
より詳細には、誘電体素体１２は、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより構成されている。また、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に形成されている。浮き導体２８は、誘電体シート１８ｃの裏面に形成されている。すなわち、浮き導体２８は、補助グランド導体２４よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。
【００８９】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることを抑制できる。
【００９０】
また、高周波信号線路１０ｃでは、高周波信号線路１０と同様に、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００９１】
また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、薄型化を図ることができる。
【００９２】
また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｃがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。
【００９３】
なお、高周波信号線路１０ｃでは、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に収まっている。しかしながら、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と略同一形状をなしていてもよいし、開口３０よりもわずかに大きくてもよい。これにより、開口３０を介して電磁界が漏れることがより効果的に抑制されるようになる。
【００９４】
また、高周波信号線路１０ｃにおける信号線２０と浮き導体２８との距離は、高周波信号線路１０における信号線２０と浮き導体２８との距離よりも大きい。そのため、高周波信号線路１０ｃにおける信号線２０と浮き導体２８との間の容量は、高周波信号線路１０における信号線２０と浮き導体２８との間の容量よりも小さい。そのため、高周波信号線路１０ｃにおいて浮き導体２８が設けられることによる信号線２０の特性インピーダンスの変動量は、高周波信号線路１０において浮き導体２８が設けられることによる信号線２０の特性インピーダンスの変動量よりも小さくなる。
【００９５】
（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１３は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。高周波信号線路１０ｄの外観斜視図については、図１を援用する。
【００９６】
高周波信号線路１０ｄは、補助グランド導体２４及び浮き導体２８が設けられている位置において高周波信号線路１０ｃと相違する。
【００９７】
より詳細には、高周波信号線路１０ｄでは、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの裏面に設けられている。浮き導体２８は、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。
【００９８】
また、ビアホール導体Ｂ５は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５は、１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。
【００９９】
また、ビアホール導体Ｂ６は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６は、１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。
【０１００】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０ｃと同様に、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることを抑制できる。
【０１０１】
また、高周波信号線路１０ｄでは、高周波信号線路１０ｃと同様に、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【０１０２】
また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０ｃと同様に、薄型化を図ることができる。
【０１０３】
また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０ｃと同様に、高周波信号線路１０ｄがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。
【０１０４】
なお、高周波信号線路１０ｄでは、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に収まっている。しかしながら、浮き導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と略同一形状をなしていてもよいし、開口３０よりもわずかに大きくてもよい。これにより、開口３０を介して電磁界が漏れることがより効果的に抑制されるようになる。
【０１０５】
（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１４は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの誘電体素体１２の分解図である。高周波信号線路１０ｅの外観斜視図については、図１を援用する。
【０１０６】
高周波信号線路１０ｅは、基準グランド導体２２に開口３４が設けられている点及び浮き導体３２が設けられている点において高周波信号線路１０と相違する。
【０１０７】
より詳細には、基準グランド導体２２の線路部２２ａには、図２に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３４が設けられている。これにより、線路部２２ａは、梯子状をなしている。また、基準グランド導体２２において、隣り合う開口３４に挟まれた部分をブリッジ部６２と呼ぶ。ブリッジ部６２は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３４及び複数のブリッジ部６２とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線２０は、開口３４及びブリッジ部６２のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。
【０１０８】
また、開口３４のサイズは、開口３０のサイズよりも小さい。より詳細には、開口３４のｘ軸方向の長さは、開口３０のｘ軸方向の長さよりも大きい。また、開口３４のｙ軸方向の幅は、開口３０のｙ軸方向の幅よりも小さい。そして、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０の外縁と開口３４の外縁とは重なっていない。開口３４は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に収まっている。
【０１０９】
複数の浮き導体３２はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３４と重なっており、かつ、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。本実施形態では、浮き導体３２は、基準グランド導体２２が設けられている誘電体シートと同じ誘電体シート１８ａの表面に設けられている。浮き導体３２は、各開口３４に対応するように設けられている。
【０１１０】
また、浮き導体３２のｘ軸方向の長さは、開口３４のｘ軸方向の長さよりもわずかに小さい。更に、浮き導体３２のｙ軸方向の幅は、開口３４のｙ軸方向の幅よりもわずかに小さい。そして、浮き導体３２は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３４の外縁と接触せずに、開口３４内に収まっている。これにより、浮き導体３２の外縁と開口３４の外縁との間には僅かな隙間が形成されている。その結果、浮き導体３２は、他の導体とは接続されておらず、浮遊電位に保たれている。
【０１１１】
また、浮き導体３２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、浮き導体３２の外縁と開口３４の外縁との間に形成された隙間を除いて、浮き導体３２及び基準グランド導体２２に覆われている。
【０１１２】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｅによれば、高周波信号線路１０と同様に、補助グランド導体２４に設けられた開口３０を介して電磁界が外部に漏れることを抑制できる。
【０１１３】
また、高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０と同様に、浮き導体２８が設けられても、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【０１１４】
また、高周波信号線路１０ｅによれば、高周波信号線路１０と同様に、薄型化を図ることができる。
【０１１５】
また、高周波信号線路１０ｅによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｅがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。
【０１１６】
また、高周波信号線路１０ｅによれば、挿入損失の低減を図ることができる。高周波信号線路１０ｅでは、信号線２０に電流ｉ１が流れると基準グランド導体２２に帰還電流（反電流）ｉ２が流れ、補助グランド導体２４に帰還電流（反電流）ｉ３が流れる。帰還電流ｉ２，ｉ３は、表皮効果によって、開口３０，３４の外縁に沿って流れる。ただし、高周波信号線路１０ｅでは、開口３０の外縁と開口３４の外縁とが重なっていない。これにより、帰還電流ｉ２が流れる位置と帰還電流ｉ３が流れる位置とが離れるようになる。その結果、帰還電流ｉ２と帰還電流ｉ３との結合を弱めることができ、電流ｉ１が流れやすくなる。よって、高周波信号線路１０ｅの挿入損失の低減が図られる。
【０１１７】
なお、高周波信号線路１０ｅにおいて、浮き導体３２は必ずしも設けなくてもよい。
【０１１８】
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１１９】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅにおいて、基準グランド導体２２は必ずしも設けなくてもよい。この場合、補助グランド導体２４が基準グランド導体となるマイクロストリップラインとなる。なお、電磁界が外部に漏れることを抑制するために、基準グランド導体２２は高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅに示すように設けられていることが好ましい。
【０１２０】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅの構成を組み合わせてもよい。
【０１２１】
保護層１４は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。
【０１２２】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。
【０１２３】
なお、ビアホール導体の代わりに、スルーホール導体が用いられてもよい。スルーホール導体とは、誘電体素体１２に設けられた貫通孔の内周面にめっきにより導体を形成した層間接続部である。
【０１２４】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
以上のように、本発明は、高周波信号線路及び電子機器に有用であり、特に、グランド導体に設けられた開口を介して電磁界が漏れることを抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【０１２６】
１０，１０ａ〜１０ｅ  高周波信号線路
１２  誘電体素体
１８ａ〜１８ｃ  誘電体シート
２０  信号線
２２  基準グランド導体
２４  補助グランド導体
２８，３２  浮き導体
３０，３４  開口
６０，６２  ブリッジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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