(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体デバイスの製造方法であって、
ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成されたウエーハの表面に熱を加えることにより収縮する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの表面に貼着されている保護テープに熱を加えて保護テープを収縮させることにより、分割溝を閉塞せしめる分割溝閉塞工程と、
該分割溝閉塞工程が実施されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープによって支持せしめる接着フィルム装着工程と、
該接着フィルム装着工程を実施した後に、ダイシングテープを拡張して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを個々のデバイスの外周縁に沿って破断する接着フィルム破断工程と、
該接着フィルム破断工程が実施されデバイスの外周縁に沿って破断された接着フィルムが装着されているデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体デバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置が用いられており、このダイシング装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体デバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割された半導体デバイスは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと呼ばれるダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切断することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体デバイスを形成している。
【０００４】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体デバイスが要求されている。より薄く半導体デバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と呼ばれる分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着して半導体ウエーハの裏面を研削することにより裏面に分割溝を表出させ個々の半導体デバイスに分割する技術であり、半導体デバイスの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００５】
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体デバイスに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着して裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００６】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介して半導体デバイスをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する半導体デバイスの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１９３２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、上記特許文献１に開示された半導体デバイスの製造方法においては、先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するので、隣接する半導体デバイス間に形成された分割溝に対応する位置にも接着フィルムが存在する。従って、この接着フィルムを介して半導体デバイスをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張して接着フィルムに引張力を付与して接着フィルムを分割溝に沿って破断すると、分割溝に相当する分が半導体デバイスの外周縁からはみ出した状態で破断されるため、このはみ出した分の接着フィルムが半導体デバイスの表面に形成されたボンディングパッドに付着して導通不良を起こし半導体デバイスの品質を低下させるという問題がある。
また、ダイシングテープを拡張して接着フィルムに引張力を付与する際に、隣接する半導体デバイス間に形成された分割溝に対応する位置に存在する接着フィルムが伸張するため、接着フィルムが半導体デバイスの外周縁に沿って破断されない場合があり、半導体デバイスをダイシングテープからピックアップできないという問題もある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面に装着された接着フィルムをデバイスの外周縁からはみ出すことなく外周縁に沿って確実に破断することができる半導体デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体デバイスの製造方法であって、
ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成されたウエーハの表面に熱を加えることにより収縮する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの表面に貼着されている保護テープに熱を加えて保護テープを収縮させることにより、分割溝を閉塞せしめる分割溝閉塞工程と、
該分割溝閉塞工程が実施されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープによって支持せしめる接着フィルム装着工程と、
該接着フィルム装着工程を実施した後に、ダイシングテープを拡張して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを個々のデバイスの外周縁に沿って破断する接着フィルム破断工程と、
該接着フィルム破断工程が実施されデバイスの外周縁に沿って破断された接着フィルムが装着されているデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝が形成されたウエーハの表面に熱を加えることにより収縮する保護テープを貼着し、上記ウエーハ分割工程を実施した後に保護テープに熱を加えて保護テープを収縮させることにより分割溝を閉塞せしめた後に、上記接着フィルム装着工程および接着フィルム破断工程を実施するので、ダイシングテープを拡張して接着フィルムに引張力を付与し接着フィルムを個々のデバイスの外周縁に沿って破断する接着フィルム破断工程が実施される際には、個々のデバイスは互いに接近して分割溝が閉塞せしめられ溝幅が実質的に零（０）になっており、ダイシングテープを拡張することにより個々のデバイス間が広がり間隔が形成される。このため、ウエーハの裏面に貼着された接着フィルムはデバイスの外周縁からはみ出すことなくデバイスの外周縁に沿って正確に破断されるとともに、接着フィルムの伸張が制限されデバイスの外周縁に沿って確実に破断される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。
【図２】本発明によるデバイスの製造方法における分割溝形成工程の説明図。
【図３】本発明によるデバイスの製造方法における保護テープ貼着工程の説明図。
【図４】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ分割工程の説明図。
【図５】本発明によるデバイスの製造方法における分割溝閉塞工程の説明図。
【図６】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程の説明図。
【図７】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程の他の実施形態を示す説明図。
【図８】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図９】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム破断工程の説明図。
【図１０】本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程の説明図。
【図１１】本発明によるデバイスの製造方法によって製造された半導体デバイスの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明による半導体デバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数のストリート２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数のストリート２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割する手順について説明する。
【００１５】
半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割するには、先ず半導体ウエーハ2の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（各デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。この分割溝形成工程は、図示の実施形態においては図２の(a)に示す切削装置３を用いて実施する。図２の(a)に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り機構によって図２の(a)において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１６】
上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２aで示す方向に回転せしめられるようになっている。上記撮像手段３３は、スピンドルハウジング３２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１７】
上述した切削装置３を用いて分割溝形成工程を実施するには、図２の(a)に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００１８】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１９】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード３２３を図２の(a)において矢印３２２aで示す方向に回転しつつ下方に移動して切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２３の外周縁が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、５０μｍ）に設定されている。このようにして、切削ブレード３２３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード３２３を回転しつつチャックテーブル３１を図２の(a)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図２の（ｂ）に示すようにストリート２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、５０μｍ）の分割溝２１０が形成される（分割溝形成工程）。
【００２０】
上述した分割溝形成工程を実施することにより半導体ウエーハ２の表面２ａにストリート２１に沿って所定深さの分割溝２１０を形成したら、図３の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａ（デバイス２２が形成されている面）に、熱を加えることにより収縮する保護テープ４を貼着する（保護テープ貼着工程）。熱を加えることにより収縮する保護テープとしては、延伸エチレン酢酸ビニル共重合体からなる厚みが５０〜１００μmのシート材や、厚みが５０〜１００μmのポリエチレンテレフタレートからなるシートの表面にアクリル系粘着層（厚み：１０〜２０μm）を形成したシート材を用いることができる。
【００２１】
次に、保護テープ４が貼着された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、分割溝２１０を裏面２ｂに表出させて半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図４の（ａ）に示す研削装置5を用いて実施する。図４の（ａ）に示す研削装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削するための研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備している。この研削装置5を用いて上記ウエーハ分割工程を実施するには、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の保護テープ４側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する。従って、チャックテーブル５１に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにして、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５３の研削砥石５２を矢印５２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめて研削し、図４の（ｂ）に示すように分割溝２１０が裏面２ｂに表出するまで研削する。このように分割溝２１０が表出するまで研削することによって、図４の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２は個々のデバイス２２に分割される。なお、分割された複数のデバイス２２は、その表面に保護テープ４が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
【００２２】
上述したウエーハ分割工程を実施したならば、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４に熱を加えて保護テープ４を収縮させることにより、分割溝２１０を閉塞せしめる分割溝閉塞工程を実施する。この分割溝閉塞工程は、図５の(a)に示す加熱装置６を用いて実施する。図５の(a)に示す加熱装置６は、ウエーハを保持する保持テーブル６１と、該保持テーブル６１上に載置されたウエーハに温風を吹き付ける温風供給手段６２とからなっている。この加熱装置６を用いて分割溝閉塞工程を実施するには、保持テーブル６１上に上述したウエーハ分割工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。従って、保持テーブル６１上に載置された半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４が上側となる。このようにして、保持テーブル６１上に半導体ウエーハ２を載置したならば、温風供給手段６２を作動して８０〜１００℃の温風を半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４に向けて吹き付ける。この結果、熱を加えることにより収縮する保護テープ４が収縮するため、図５の(b)に示すように分割溝２１０によって分割されている個々のデバイス２２が、図５の(c)に示すように保護テープ４の収縮により互いに接近して分割溝２１０を閉塞せしめられ溝幅が実質的に零（０）になる。
【００２３】
上述した分割溝閉塞工程を実施したならば、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープによって支持せしめる接着フィルム装着工程を実施する。即ち、図６の（ａ）および(b)に示すように個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム７を装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム７は、エポキシ系樹脂で形成されており、厚さが２０μｍのフィルム材からなっている。このようにして半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム７を装着したならば、図６の（c）に示すように接着フィルム７が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム７側を環状のフレームに装着された伸張可能なダイシングテープに貼着する。従って、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４は上側となる。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４を剥離する。
【００２４】
上述した接着フィルム装着工程の他の実施形態について、図７を参照して説明する。
図７に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め接着フィルム７が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図７の（ａ）、（ｂ）に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム７に、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム７を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、上記ダイシングテープTは、図示の実施形態においては厚さが９５μｍのポリオレフィンシートかならっている。このように接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、ダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム７に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着することにより、接着フィルム７が装着された半導体ウエーハ２が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTによって支持される。そして、図７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４を剥離する。
【００２５】
上述した接着フィルム装着工程を実施したならば、ダイシングテープTを拡張して接着フィルム７に引張力を付与し、接着フィルム７を個々のデバイス２２の外周縁に沿って破断する接着フィルム破断工程を実施する。この接着フィルム破断工程は、図８に示すテープ拡張装置８を用いて実施する。図８に示すテープ拡張装置８は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段８１と、該フレーム保持手段８１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段８２と、ピックアップコレット８３を具備している。フレーム保持手段８１は、環状のフレーム保持部材８１１と、該フレーム保持部材８１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８１２とからなっている。フレーム保持部材８１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面８１１ａを形成しており、この載置面８１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面８１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８１は、テープ拡張手段８２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２６】
テープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１の内側に配設される拡張ドラム８２１を具備している。この拡張ドラム８２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム８２１は、下端に支持フランジ８２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１を上下方向に進退可能な支持手段８２３を具備している。この支持手段８２３は、上記支持フランジ８２２上に配設された複数のエアシリンダ８２３aからなっており、そのピストンロッド８２３bが上記環状のフレーム保持部材８１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ８２３aからなる支持手段８２３は、図９の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材８１１を載置面８１１ａが拡張ドラム８２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図９の（ｂ）に示すように拡張ドラム８２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
【００２７】
以上のように構成されたテープ拡張装置８を用いて実施する接着フィルム破断工程について図９を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２（ストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割されている）の接着フィルム７側が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段８１を構成するフレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に載置し、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材８１１は図９の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段８２を構成する支持手段８２３としての複数のエアシリンダ８２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材８１１を図９の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図９の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム８２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム７は放射状に引張力が作用する。このように接着フィルム７に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割されているので、個々のデバイス２２間が広がり、間隔Sが形成される。このため、接着フィルム７には引張力が作用するので、接着フィルム７は破断される。
【００２８】
この接着フィルム破断工程が実施される際には、上述した分割溝閉塞工程が実施されることにより図９の（c）に示すように個々のデバイス２２は互いに接近して分割溝２１０が閉塞せしめられ溝幅が実質的に零（０）になっており、上記テープ拡張工程を実施することにより図９の（d）に示すように個々のデバイス２２間が広がり間隔Sが形成される。このため、接着フィルム７はデバイス２２の外周縁からはみ出すことなくデバイス２２の外周縁に沿って正確に破断されるとともに、接着フィルム７の伸張が制限されデバイス２２の外周縁に沿って確実に破断される。
【００２９】
次に、図１０に示すようにピックアップコレット８３を作動してデバイス２２（裏面に接着フィルム７が装着されている）を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップすることにより、図１１に示すようにデバイス２２の外周縁に沿って正確に破断された接着フィルム７が裏面に貼着された半導体デバイス２２が得られる。なお、ピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム６が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。
【符号の説明】
【００３０】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２１０：切削溝
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２１：切削ブレード
４：保護テープ
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５３：研削手段
６：加熱装置
７：接着フィルム
８：テープ拡張装置
８１：フレーム保持手段
８２：テープ拡張手段
８３：ピックアップコレット
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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