(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット（１０）にスパッタ現象を生じさせ、ターゲット（１０）の被スパッタ粒子を基板（２０）の表面（２０ａ）に衝突させるスパッタ法により、前記基板表面（２０ａ）上に前記基板表面の法線方向に対して結晶軸が傾斜した結晶軸傾斜膜を製造する結晶軸傾斜膜の製造方法であって、
ターゲット（１０）に正対する位置から前記基板表面（２０ａ）に平行な方向にずらした位置に前記基板（２０）を配置した斜め入射スパッタ法により、前記基板表面（２０ａ）上に前記結晶軸傾斜膜のシード層（２１）を形成するシード層形成工程と、
前記シード層（２１）の表面を平坦化する平坦化工程と、
ターゲット（１０）に正対する位置に前記基板（２０）を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化された前記シード層（２１）の表面上に、前記シード層（２１）と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層（２３）を形成する成長層形成工程と、
を有することを特徴とする結晶軸傾斜膜の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化工程は、前記シード層（２１）の表面にスパッタ現象を生じさせるものであることを特徴とする請求項１に記載の結晶軸傾斜膜の製造方法。
【請求項３】
前記シード層形成工程では、前記ターゲット（１０）と前記基板（２０）の間に、スリット（３１）を有する遮蔽部材（３０）を配置するとともに、前記ターゲット（１０）と前記スリット（３１）との位置関係を一定に保ちながら、前記基板表面（２０ａ）に平行な方向に、前記ターゲット（１０）と前記基板（２０）とを相対移動させながら、前記斜め入射スパッタ法により前記シード層（２１）を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の結晶軸傾斜膜の製造方法。
【請求項４】
前記ターゲット（１０）として、前記シード層形成工程と前記成長層形成工程とで、それぞれ、予め異なる位置に配置されたものを用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の結晶軸傾斜膜の製造方法。
【請求項５】
前記シード層形成工程では、表面の全部もしくは一部が、前記基板表面（２０ａ）に平行な面に対して傾斜した傾斜面（１０ｂ）であるターゲット（１０）を用い、前記傾斜面（１０ｂ）に対して垂直な仮想延長線上に前記基板（２０）を配置することを特徴とする請求項４に記載の結晶軸傾斜膜の製造方法。
【請求項６】
前記結晶軸傾斜膜は、横波型弾性表面波の励振用の圧電薄膜であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の結晶軸傾斜膜の製造方法。
【請求項７】
前記シード層形成工程では、前記ターゲット表面（１０ａ）の中心と前記基板表面（２０ａ）の中心とを結んだ直線と、前記基板表面（２０ａ）の法線とのなす角度が２０〜４０度となる位置に、前記基板（２０）を配置することを特徴とする請求項６に記載の結晶軸傾斜膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶軸傾斜膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電薄膜を用いて横波型弾性表面波（ＳＨ波）を励振する方法の１つとして、基板表面の法線方向に対して結晶軸を傾斜配向させた圧電薄膜、例えば、六方晶系のｃ軸を傾斜配向させた圧電薄膜を用いる方法がある。
【０００３】
また、磁気記録媒体として、基板表面の法線方向に対して結晶軸が傾斜している結晶軸傾斜膜を有するものがある（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００４】
そして、このような結晶軸傾斜膜は、斜め入射スパッタ法により製造される（例えば、特許文献１〜４参照）。斜め入射スパッタ法は、一般的に、結晶軸傾斜膜を成長させる基板を、ターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置に配置することで、ターゲットからの被スパッタ粒子を、基板表面の法線方向に対して所定の入射角度をもって基板表面に衝突させる方法である。
【０００５】
結晶軸の傾斜角度は、被スパッタ粒子の基板への入射角度によって決まり、被スパッタ粒子の基板への入射角度は、ターゲットと基板の位置関係によって決まる。このため、結晶軸の傾斜角度を大きくするためには、基板の位置を、ターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向へ遠ざけることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１１６１２４号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３３１２号公報
【特許文献３】特開２００２−２６０２１８号公報
【特許文献４】特開平５−１４３９８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、一般的に、スパッタ法では、スパッタ粒子はターゲット表面に垂直に入射し、ターゲットから飛び出す被スパッタ粒子もターゲット表面の法線方向に飛び出していくものが最も多く、ターゲット表面の法線方向に対して傾斜した方向に飛び出すものは、それよりも少なくなる。
【０００８】
このため、基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法は、結晶軸傾斜膜の製造に時間がかかってしまう。
【０００９】
また、上述の斜め入射スパッタ法では、基板表面に入射する被スパッタ粒子の入射量が基板面内で均一ではないため、膜厚が均一な結晶軸傾斜膜が得られない。
【００１０】
なお、被スパッタ粒子の基板への入射角度を大きくするにつれて、基板表面に入射する被スパッタ粒子の入射量が少なくなるとともに、基板面内でより不均一となることから、このような問題は結晶軸の傾斜角度を大きくした場合に顕著となる。
【００１１】
本発明は上記点に鑑みて、基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、製造時間の短縮と、膜厚の均一性の向上が可能な結晶軸傾斜膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、
ターゲット（１０）に正対する位置から基板表面（２０ａ）に平行な方向にずらした位置に基板（２０）を配置した斜め入射スパッタ法により、基板表面（２０ａ）上に結晶軸傾斜膜のシード層（２１）を形成するシード層形成工程と、
シード層（２１）の表面を平坦化する平坦化工程と、
ターゲット（１０）に正対する位置に基板（２０）を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化されたシード層（２１）の表面上に、シード層（２１）と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層（２３）を形成する成長層形成工程とを有することを特徴としている。
【００１３】
なお、本発明において、基板の位置が「ターゲットに正対する位置」とは、基板の中心軸とターゲットの中心軸とが一致する位置関係を意味し、基板の位置が「ターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置」とは、基板の中心軸とターゲットの中心軸とが一致せず、ずれている位置関係を意味する。
【００１４】
このように、本発明では、まず、シード層形成工程を行うことで、結晶軸が基板表面の法線方向に対して傾斜したシード層を形成する。このとき、形成されたシード層は、膜厚が均一ではないので、平坦化工程を行うことで、シード層の表面を平坦化する。
【００１５】
続いて、成長層形成工程を行うことで、平坦化されたシード層の表面上に、シード層と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層を形成することで、結晶軸傾斜膜を製造する。このとき、成長層では結晶粒が基板表面に垂直な方向に成長するが、下地のシード層の結晶軸方向に倣って、結晶軸が基板表面の法線方向に対して傾斜した向きとなって、結晶粒が成長する。
【００１６】
ここで、成長層形成工程で行う垂直入射スパッタ法の方が、上述の斜め入射スパッタ法よりも、基板表面に入射する被スパッタ粒子の入射量が多く、被スパッタ粒子の入射量の基板面内での均一性が高い。
【００１７】
したがって、本発明によれば、斜め入射スパッタ法で成膜し続ける従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、結晶軸傾斜膜の製造時間を短縮でき、膜厚の均一性を向上できる。
【００１８】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、平坦化工程は、シード層（２１）の表面にスパッタ現象を生じさせるものであることを特徴としている。
【００１９】
これによれば、平坦化工程をスパッタ装置から基板を取り出すことなく行うことができ、シード層形成工程、平坦化工程および成長層形成工程を、同じスパッタ装置内で連続して行うことができる。
【００２０】
請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の発明において、シード層形成工程は、ターゲット（１０）と基板（２０）の間に、スリット（３１）を有する遮蔽部材（３０）を配置するとともに、ターゲット（１０）とスリット（３１）との位置関係を一定に保ちながら、基板表面（２０ａ）に平行な方向に、ターゲット（１０）と基板（２０）とを相対移動させながら、斜め入射スパッタ法によりシード層（２１）を形成することを特徴としている。
【００２１】
これによれば、スリットを通過した被スパッタ粒子のみを基板表面に到達させることができ、基板表面に到達する被スパッタ粒子の入射角度を限定できるので、スリットを有する遮蔽部材を用いない場合と比較して、シード層における結晶軸の傾斜角度の均一性を向上できる。
【００２２】
請求項４に記載の発明では、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の発明において、ターゲット（１０）として、シード層形成工程と成長層形成工程とで、それぞれ、予め異なる位置に配置されたものを用いることを特徴としている。
【００２３】
これによれば、シード層形成工程と成長層形成工程とを、同じスパッタ装置を用いて、基板やターゲットの位置を変更せずに行うことができる。
【００２４】
請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の発明において、シード層形成工程では、表面の全部もしくは一部が、基板表面（２０ａ）に平行な面に対して傾斜した傾斜面（１０ｂ）であるターゲット（１０）を用い、傾斜面（１０ｂ）に対して垂直な仮想延長線上に基板（２０）を配置することを特徴とする。
【００２５】
これによれば、ターゲット表面全体が基板表面に平行な平坦面である場合と比較して、シード層の形成時間を短縮できる。
【００２６】
請求項１ないし５のいずれか１つに記載の発明は、例えば、請求項６に記載のように、横波型弾性表面波の励振用の圧電薄膜を製造することができる。
【００２７】
請求項７に記載のように、シード層形成工程では、ターゲット表面（１０ａ）の中心と基板表面（２０ａ）の中心とを結んだ直線と、基板表面（２０ａ）の法線とのなす角度が２０〜４０度となる位置に、基板（２０）を配置することが好ましい。これにより、電気機械結合係数ｋ15’が大きな圧電薄膜を製造できるからである。
【００２８】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す図である。
【図２】第２実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す図である。
【図３】図２中の破線で囲まれた領域の上面図である。
【図４】膜厚およびc軸傾斜角度が不均一になった場合のシード層を示す図である。
【図５】第３実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す図である。
【図６】第４実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第４実施形態で用いるターゲットの表面形状の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３１】
（第１実施形態）
図１（ａ）〜（ｃ）に、本実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す。本実施形態は、スパッタ装置を用いて、ＳＨ波の励振用の圧電薄膜であって、六方晶系のＳｃＡｌＮ膜を製造するものである。
【００３２】
まず、図１（ａ）に示すように、ＳｃＡｌＮ膜のシード層形成工程を行う。
【００３３】
この工程では、スパッタ装置内において、ターゲット１０に正対する位置に基板２０を配置するのではなく、ターゲット１０に正対する位置から基板表面２０ａに平行な方向にずらした位置に、基板２０を配置する。具体的には、図１（ａ）に示すように、ターゲット１０の真上の位置から水平方向にずらした位置に、基板２０を配置する。
【００３４】
このとき用いるスパッタ装置は、ＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタ装置であり、ターゲット１０は、マグネット１２を有する陰極１３の上に設置される。スパッタ装置としては、基板位置を、図１（ａ）に示す位置とターゲット１０に正対する位置とに変更可能なものであれば、一般的なスパッタ装置を採用できる。なお、ターゲット１０はＳｃＡｌＮ膜の原料からなるものである。
【００３５】
そして、このように基板２０を配置した斜め入射スパッタ法を行う。すなわち、ターゲット１０に高周波電圧をかけて、ターゲット１０にスパッタ現象（スパッタリング現象）を生じさせ、ターゲット１０の被スパッタ粒子１１を基板表面２０ａの法線に対して所定の入射角度θ１を持たせて基板２０に入射させる。これにより、基板表面２０ａ上にc軸が基板表面２０ａの法線方向に対して傾斜したシード層２１を形成する。
【００３６】
このとき、被スパッタ粒子１１が基板表面２０ａに対して斜めに入射するので、シード層２１では、柱状の結晶粒２２が基板表面２０ａに対して斜めの方向に成長し、基板２０の影響を受けなければ、ｃ軸は柱状の結晶粒２２の成長方向と平行、すなわち、基板表面２０ａに対して斜めの方向に成長する。したがって、ｃ軸の向きに影響を及ぼさない基板２０を用いことが望ましく、このような基板２０としては、例えば、石英等を採用できる。
【００３７】
本実施形態では、ＳＨ波の励振用の圧電薄膜を形成するために、基板面内において、シード層２１におけるｃ軸の向きがすべて揃うように、シード層２１を形成する。また、シード層２１の厚さは、良好な結晶配向性のｃ軸の傾斜膜が得られる厚さであれば良く、後述の成長層２３よりも薄いことが好ましい。
【００３８】
また、シード層２１は、被スパッタ粒子１１が所定の入射角θ１を持って衝突することにより形成されていることから、シード層２１の表面は平坦ではない。
【００３９】
そこで、膜厚が均一なＳｃＡｌＮ膜を得るために、図１（ｂ）に示すように、シード層２１の表面を平坦化する平坦化工程を行う。
【００４０】
ところで、平坦化しない場合、シード層２１の最表面には、ｃ軸が並んだ面２２ａと、それとは異なる面２２ｂとの両方が存在する。ｃ軸が並んだ面２２ａとはｃ軸の向きに垂直な結晶格子面のことである。
【００４１】
これに対して、シード層２１の最表面を平坦化することにより、シード層２１の最表面には、c軸が並んだ面２２ａのみを出すことができるので、平坦化しない場合に比べ、配向性を向上できる。
【００４２】
平坦化方法としては、ターゲット１０ではなく基板２０側のシード層２１の表面にスパッタ現象を生じさせる方法を採用することができる。例えば、シード層形成工程で用いたスパッタ装置内で、高周波電圧を印加する対象を基板２０側に切り替えることにより、基板２０側に対して高周波電圧をかけて、シード層２１に対して逆スパッタを行う。
【００４３】
これによれば、シード層形成工程で用いたスパッタ装置から基板２０を取り出すことなく平坦化工程を行うことができ、シード層形成工程、平坦化工程および次の成長層形成工程を、同じスパッタ装置内で連続して行うことができる。
【００４４】
その後、図１（ｃ）に示すように、成長層形成工程を行う。
【００４５】
この工程では、シード層形成工程および平坦化工程に用いたスパッタ装置において、基板２０の位置をターゲット１０に正対する位置に変更する。
【００４６】
そして、このように基板２０を配置した垂直入射スパッタ法を行う。すなわち、ターゲット１０にスパッタ現象を生じさせ、ターゲット１０の被スパッタ粒子１１を基板表面２０ａに対して垂直に入射させる。これにより、平坦化されたシード層２１の表面上に、シード層２１と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層２３を形成する。
【００４７】
このとき、被スパッタ粒子１１が基板表面２０ａに対して垂直に入射するので、成長層２３では、柱状の結晶粒２４が基板表面２０ａに垂直な方向に成長するが、下地のシード層２１の表面上にエピタキシャル成長することで、シード層２１のｃ軸方向に倣って、ｃ軸は基板表面２０ａに対して傾斜した向きとなる。
【００４８】
このようにして、シード層２１と成長層２３とを形成することで、ｃ軸が基板表面２０ａの法線方向に対して傾斜したＳｃＡｌＮ膜を製造することができる。
【００４９】
なお、製造されるＳｃＡｌＮ膜のｃ軸の傾斜角度については、シード層形成工程における被スパッタ粒子１１の入射角度θ１によって調整でき、すなわち、ターゲット１０と基板２０との位置関係によって調整できる。
【００５０】
特に、ＳＨ波の励振効率に関係する電気機械結合係数ｋ１５を大きくするためには、シード層形成工程において、ターゲット表面１０ａの中心と基板表面２０ａの中心とを結んだ直線と基板表面２０の法線とのなす角度を２０〜４０度程度とすることが好ましい。
【００５１】
また、高傾斜角度のc軸傾斜ＳｃＡｌＮ膜を製造するためには、シード層形成工程において、ターゲット表面１０ａと基板表面２０ａの間隔Ｌ１を２０ｍｍ程度まで近づけたり、基板２０の位置を、基板表面２０ａの法線方向に基板２０を投影したときに、ターゲット１０と重複しない位置としたりすることが望ましい。
【００５２】
以上の説明の通り、本実施形態では、ＳｃＡｌＮ膜の成膜工程を、シード層形成工程と、成長層形成工程とに分けている。
【００５３】
ここで、成長層形成工程で行う垂直入射スパッタ法の方が、シード層形成工程で行う斜め入射スパッタ法よりも、基板表面に入射する被スパッタ粒子の入射量が多く、被スパッタ粒子の入射量の基板面内での均一性が高い。
【００５４】
さらに、本実施形態では、シード層形成工程で形成されたシード層２１は、膜厚が均一ではないので、成長層形成工程前に、シード層表面の平坦化工程を行うようにしている。
【００５５】
したがって、本実施形態によれば、斜め入射スパッタ法で成膜し続ける従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、c軸傾斜ＳｃＡｌＮ膜の製造時間を短縮でき、膜厚の均一性を向上できる。
【００５６】
なお、本実施形態では、成長層形成工程を行う前に、基板２０の位置を変更したが、基板２０の位置を変更する代わりに、ターゲット１０の位置を変更しても良い。要するに、本実施形態のように、１つのターゲット１０を用いて、シード層形成工程と成長層形成工程の両方を行う場合は、成長層形成工程を行う前に、ターゲット１０と基板２０とを相対的に移動させれば良い。
【００５７】
（第２実施形態）
図２に、本実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す。また、図３に、図２中の破線で囲まれた領域の上面図を示す。本実施形態は、第１実施形態に対して、シード層形成工程を変更したものであり、平坦化工程および成長層形成工程は、第１実施形態と同様である。以下では、この変更点について説明する。
【００５８】
本実施形態では、図２に示すように、ターゲット１０と基板２０との間に、スリット３１を有する遮蔽部材３０を配置する。この遮蔽部材３０は、特定の入射角度θ１をなす方向に向かう被スパッタ粒子１１のみを、スリット３１を介して、基板２０に到達させ、それ以外の被スパッタ粒子１１を遮蔽するものである。スリット３１は、基板表面２０ａの全域よりも小さく、図３に示すように、例えば、細長い形状である。なお、遮蔽部材３０は、被スパッタ粒子１１の軌道が変わらないよう絶縁体であることが望ましい。
【００５９】
そして、基板２０をターゲット１０に対し、基板表面２０ａに平行な方向に、一定の速度で移動させながら、第１実施形態と同様に斜め入射スパッタ法によりシード層２１を形成する。
【００６０】
ここで、第１実施形態のシード層形成工程では、基板２０に入射する被スパッタ粒子１１の入射角度θ１および入射量が基板面内で均一ではないため、図４に示すように、基板表面２０ａ上に形成されるシード層２１は、基板面内において、結晶粒２２の成長方向が不均一になりやすく、膜厚およびc軸傾斜角度が不均一になりやすい。
【００６１】
これに対して、本実施形態では、斜め入射スパッタ法を行う際に、ターゲット１０と基板２０との間にスリット３１を有する遮蔽部材３０を配置するので、スリット３１を通過した被スパッタ粒子１１のみを基板表面２０ａに到達させることができ、基板２０に到達する被スパッタ粒子１１の入射角度θ１をある程度限定できる。この結果、本実施形態によれば、基板表面２０ａ上に形成されるシード層２１のc軸傾斜角度の均一性を向上することができる。また、基板２０を一定の速度で移動させることで、シード層２１の膜厚の均一性を向上することができる。
【００６２】
なお、本実施形態では、基板２０を移動させながら、斜め入射スパッタ法を行ったが、基板２０を移動させる代わりに、ターゲット１０および遮蔽部材３０を移動させても良い。要するに、本実施形態では、基板２０に到達する被スパッタ粒子１１の入射角度θ１を限定するように、ターゲット１０とスリット３１との位置関係を一定に保ちながら、基板表面２０ａに平行な方向に、ターゲット１０と基板２０とを相対移動させれば良い。
【００６３】
（第３実施形態）
図５に、本実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す。本実施形態は、第１実施形態に対して、シード層形成工程と成長層形成工程とで、ターゲットを使い分けるように変更したものであり、以下では、この変更点について説明する。
【００６４】
本実施形態では、スパッタ装置として、図５に示すように、２つのターゲットを予め異なる位置に配置できるものを使用する。
【００６５】
そして、シード層形成工程用のターゲット１０および陰極１３（第１のターゲットおよび第１の陰極）を、基板２０に正対する位置から基板表面２０ａに平行な方向にずらした位置に配置し、成長層形成工程用のターゲット１０および陰極１３（第２のターゲットおよび第２の陰極１３）を、基板２０に正対する位置に予め配置しておく。
【００６６】
シード層形成工程では、シード層形成工程用のターゲット１０を用いて、第１実施形態と同様に、斜め入射スパッタ法により、シード層２１を形成する。一方、成長層形成工程では、成長層形成工程用のターゲット１０を用いて、第１実施形態と同様に、垂直入射スパッタ法により、成長層２３を形成する。
【００６７】
第１実施形態では、成長層形成工程を行う前に、基板２０とターゲット１０とを相対移動させたが、本実施形態のように、シード層形成工程と成長層形成工程とで、それぞれ、予め異なる位置に配置されたターゲットを用いることで、シード層形成工程から成長層形成工程までを、基板２０やターゲット１０の位置を変更せずに連続で行うことができる。
【００６８】
（第４実施形態）
図６に、本実施形態におけるＳｃＡｌＮ膜の製造方法を示す。本実施形態は、第３実施形態に対して、シード層形成工程用のターゲットの形状を変更したものであり、以下では、この変更点について説明する。
【００６９】
第１〜第３実施形態で用いたターゲット１０は、図１、２、５に示すように、表面１０ａの全体が基板表面２０ａに平行な平坦面であった。このため、ＲＦマグネトロンスパッタ法によるシード層２１の形成時では、ターゲット１０の表面１０ａに対しスパッタ粒子は垂直に入射し、被スパッタ粒子１１も垂直方向に飛び出していくものが最も多く、ターゲット表面１０ａの法線に対する傾斜が大きくなるほど（基板表面２０ａの法線に対する被スパッタ粒子１１の入射角度θ１が大きくなるほど）、被スパッタ粒子１１は少なくなる。このため、斜め入射スパッタ法では、基板２０まで到達する被スパッタ粒子１１の量が少なく、スパッタレートが小さいことから、シード層２１の形成に時間がかかる。
【００７０】
そこで、本実施形態では、使用するスパッタ装置において、シード層形成工程用のターゲット１０として、図６に示すように、表面に複数の山部を有する鋸形状のターゲット１０を用い、山部の傾斜面１０ｂに対して垂直な仮想延長線上に基板２０を配置する。
【００７１】
これによれば、ターゲット表面全体が基板表面に平行な平坦面である場合と比較して、基板２０に到達する被スパッタ粒子１１の量を増やすことができ、すなわち、スパッタレートを上げることができ、シード層２１の形成時間を短縮できる。
【００７２】
なお、図６に示すターゲット１０は、鋸形状であったが、ターゲット１０として他の表面形状を有するものを用いても良い。図７（ａ）〜（ｃ）に、ターゲット１０の断面図を示す。
【００７３】
ターゲット１０として、例えば、図７（ａ）に示すように、表面に複数の山部を有し、各山部が傾斜面１０ｂを有するものや、図７（ｂ）に示すように、表面全部が傾斜面１０ｂであるものを用いることができる。このように、ターゲット表面の全部もしくは一部が、基板表面２０ａに平行な面に対して傾斜した傾斜面１０ｂを有するターゲット１０を用いることができる。
【００７４】
また、ターゲット１０として、例えば、図７（ｃ）に示すように、表面に複数の凸部を有し、凸部の断面形状が半円形状であることにより、表面に曲面１０ｃを有するターゲットを用いることもできる。このようにしても、ターゲット表面全体が基板表面に平行な平坦面である場合と比較して、スパッタレートを上げることができ、シード層２１の形成時間を短縮できる。
【００７５】
（他の実施形態）
（１）上述の各実施形態では、平坦化工程におけるシード層２１の表面の平坦化方法として、シード層２１の表面をスパッタする方法を採用したが、シード層２１の表面を機械的に研磨する方法を採用しても良い。
【００７６】
（２）上述の各実施形態では、ＳｃＡｌＮ膜の製造方法に本発明を適用したが、ＡｌＮ膜等の六方晶系や他の結晶系の圧電薄膜の製造方法や、圧電薄膜以外の膜の製造方法においても、本発明の適用が可能である。また、上述の各実施形態では、スパッタ装置として、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いたが、成膜可能であれば、他のスパッタ装置を用いても良い。  
【００７７】
（３）上述の各実施形態を実施可能な範囲で組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００７８】
１０    ターゲット
１１    被スパッタ粒子
２０    基板
２０ａ  基板表面
２１    シード層
２２    シード層の結晶粒
２３    成長層
２４    成長層の結晶粒
３０    遮蔽部材
３１    スリット  
【図１】
0005510403.tif 000002
【図２】
0005510403.tif 000003
【図３】
0005510403.tif 000004
【図４】
0005510403.tif 000005
【図５】
0005510403.tif 000006
【図６】
0005510403.tif 000007
【図７】
0005510403.tif 000008