(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空の石英ピースからなるエピタキシャル反応器（ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｒｅａｃｔｏｒ）の反応室（ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｃｈａｍｂｅｒ）において、前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分（１；１１）と、前記石英ピースの部分（１；１１）の中の軸が通る穴（２；１２）とを備え、前記石英ピースの部分（１；１１）は、三方向のうち二方向に準じて、前記反応室の反応沈着ゾーン（３；１３）を定め、前記軸が通る穴（２；１２）の中に、熱せられる少なくとも一つのサセプター（４；１４）を収容し、前記反応室は、前記サセプター（４；１４）によって放射される、１０００ｎｍと１００００ｎｍの間の波長を持つ赤外線放射を反射し返すように適合された反射層（５；１５）を備えることを特徴とし、前記反射層（５；１５）は、石英に基づく物質から作られており、前記石英ピースの部分（１；１１）に塗布され、
前記石英ピースの部分（１；１１）は、透明な石英（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｑｕａｒｔｚ）から作られており、
前記反射層（５；１５）は、分散アモルファス（ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）の石英粒子の内容物を有する半流動体のスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）から得られ、該スラリーは、塗布され、乾燥され、焼結（ｈｏｔ  ｓｉｎｔｅｒ）されることを特徴とする、エピタキシャル反応器の反応室。
【請求項２】
前記反射層（５；１５）が、前記石英ピースの部分（１；１１）の内側、及び／または、外側に位置する、請求項１に記載の反応室。
【請求項３】
前記反射層（５；１５）が、前記石英ピースの部分（１；１１）を部分的に、または、完全に被覆することを特徴とする、請求項１又は２に記載の反応室。
【請求項４】
前記反射層が、ガラス化した（ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ）石英の層に、部分的に、または、完全に被覆されている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項５】
前記石英ピースの部分（１）に、前記サセプター（４）によって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された、他の反射層（６）を備え、前記他の反射層（６）は、金に基づく物質から出来ていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項６】
前記反射層（５、６）が、前記石英ピースの部分（１）の別個の領域を被覆していることを特徴とする、請求項５に記載の反応室。
【請求項７】
前記中空の石英ピースの端部にフランジ（ｆｌａｎｇｅ）（７；１７）を備え、前記フランジ（７；１７）は、不透明な石英（ｏｐａｑｕｅ  ｑｕａｒｔｚ）から作られていることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項８】
少なくとも一つのガスフロー（ｇａｓ  ｆｌｏｗ）、あるいは液流（ｌｉｑｕｉｄ  ｆｌｏｗ）によって冷却されるよう適合されていることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反応室を備えることを特徴とする、エピタキシャル反応器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル反応器（ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｒｅａｃｔｏｒ）の反応室（ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｃｈａｍｂｅｒ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャル反応器は、単結晶や多結晶の層を、基板の上に、平坦に均一に沈着（ｄｅｐｏｓｉｔ）させるために設計された機械である。そして、上述のように扱われた基板は、電気装置（例えば、太陽電池）、電子装置（例えば、ＭＯＳＦＥＴ（モス電界効果トランジスタ）、ＬＥＤ）、及び、マイクロ電子デバイス（例えば、集積回路）を生産する為に用いられる。
【０００３】
基板は、直径が幅広い値を取る（概して、１インチ＝２５ｍｍから１８インチ＝４５０ｍｍの間の値を取る）とても薄いディスク（その厚さは、概して、１００μｍから１５００μｍの間の値を取る）から成り、例えば、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、酸化アルミニウムあるいはサファイア（Ａｌ２Ｏ３）、あるいは、窒化ガリウム（ＧａＮ）から作ることが出来る。
【０００４】
沈着される物質は、概して、導体、あるいは半導体の物質であり、例えば、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。
【０００５】
沈着層とその下層にある基板は、同一の物質から作られてもよいし、異なる物質から作られてもよい。
【０００６】
沈着層の厚さは、数ナノメーターから数ミリメーターという幅広い値から取ってもよい。沈着層の厚さが１ｍｍを超えると、沈着プロセスは一般に「バルク成長（ｂｕｌｋ  ｇｒｏｗｔｈ）」と呼ばれる。
【０００７】
周知のエピタキシャル反応器は、一般には原則的に中空の石英ピース（ｈｏｌｌｏｗ  ｑｕａｒｔｚ  ｐｉｅｃｅ）を有する反応室を備える。前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分と、軸が通る穴（ａｘｉａｌ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｈｏｌｅ）を備える。前記石英ピースの部分は、三方向のうち二方向に準じて（ａｃｃｏｒｄｉｎｇ  ｔｏ  ｔｗｏ  ｏｆ  ｔｈｒｅｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎｓ）、反応沈着ゾーンを定め、軸が通る穴の中に、熱せられる少なくとも一つのサセプター（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）を収容する。サセプターは、基板を支え、しばしば熱するために用いられる。
【０００８】
多くの種類の反応器が存在する。種類によっては、反応室が鉛直に、あるいは水平に配置されてもよい。（斜めに配置されることは、ほとんどない。）種類によっては、サセプターは、円盤型、角柱型、円柱型、ピラミッド型、あるいは錐体型でもよく、無垢であっても中空であってもよい。サセプターは、抵抗（ｒｅｓｉｓｔｏｒ）、誘導子（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、ランプによって熱せられてもよい。（内部バーナーによって熱せられることは、ほとんどない。）反応器は、「冷壁（ｃｏｌｄ−ｗａｌｌ）型」でも「温壁（ｈｏｔ−ｗａｌｌ）型」でもよい。（これらの用語は、反応や沈着の行われる場所の輪郭を示す壁について言及している。）
エピタキシャル反応器の中のプロセスは、高温で、すなわち、セ氏数百度から数千度の間で、実行される。（例えば、多結晶シリコンの沈着は、概して、４５０℃から８００℃の間の温度で行われる。シリコン基板への単結晶シリコンの沈着は、概して、８５０℃から１２５０℃の間の温度で行われる。シリコンカーバイド基板への単結晶シリコンカーバイドの沈着が、１５００℃から１７００℃の間の温度で行われると「エピタキシャル成長」と呼ばれ、１９００℃から２４００℃の間の温度で行われると「バルク成長」と呼ばれる。）そして、そのプロセスには、熱する為に多くのエネルギー（数十ＫＷ）が必要となる。したがって、発生した熱エネルギーの周りへの消散を防ぐことが重要である。
【０００９】
この目的を達成する為に、金に基づく（ｇｏｌｄ−ｂａｓｅｄ）物質の薄い（１００μｍ未満の）層を、エピタキシャル反応器の反応室の外部表面に適用することが、何十年もの間、一般的な方法であった。そのような金の層は、一定回数の塗布と乾燥サイクルによって形成される。（平坦に、小穴なく形成するのは、容易ではない。）そして、サセプターによって放射される赤外線放射を、十分反射する。
【００１０】
サセプターが、基板を熱する為に用いられる主要な要素となっているエピタキシャル反応器（例えば、誘導加熱（ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  ｈｅａｔｉｎｇ）エピタキシャル反応器）において、適切な反射によって、成長プロセスの間、基板の前面と背面の間の温度の差異は小さくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
この解決法の難点の一つが、しばらく経つと（２、３ヶ月後）、金の層が反応室の石英の表面から剥落するということである。石英の表面が熱くなればなるほど、金の層は早く剥落する。というのも、金の熱膨張は、石英の熱膨張よりも大きいからである。もし反応室がガスフロー（ｇａｓ  ｆｌｏｗ）（かなり一般的な手法である）によって冷却されるなら、この現象はなおさら早く起きる。というのも、ガスフローによって、層の上に機械的作用がもたらされるからである。それに加えて、以前の洗浄サイクルから反応室の表面に残っているほんのわずかな酸によって、この現象は、更に促進される。
【００１２】
金の層の剥落によって、エピタキシャル反応器によって消費される電力は増加する。というのも、サセプターによって放射される赤外線放射の一部が、周りに消散するからである。
【００１３】
更に、金の層の、一様でなくむらのある剥落によって、成長基板（ｇｒｏｗｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の質の低下も生じる。
【００１４】
その結果、前記剥落が起こると、反応室をエピタキシャル反応器から取り外し、金の層（すでに一部は剥落している）を完全に除去し、新たな金の層を貼り付け、反応室をエピタキシャル反応器に再び設置する必要が生じる。これらの工程は、コストが高く時間もかかる。そして、限られた回数しか実行できない。
【００１５】
本発明の一般的目的は、上記の難点を克服することである。
【００１６】
この目的やその他の目的は、付加された請求項で提示された特徴を持つ反応室によって成し遂げられ、それらの請求項は、本明細書に欠くことの出来ない部分であることを意図している。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
いくつかの他の解決法を考慮に入れた後、出願人は、反応室の物質と、化学的に（同一の、あるいは類似の化学的性質、例えば、耐性（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を持つ）、機械的に（同一の、あるいは類似の機械的性質を持つ）、熱的に（同一の、あるいは類似の熱的性質、例えば、ＣＴＥ（熱膨張率）を持つ）、相性の良い物質で出来た反射層を持つ反応室を提供する構想を持った。
【００１８】
出願人は、石英に基づく（ｑｕａｒｔｚ−ｂａｓｅｄ）反射物質を使用することとした。
【００１９】
この解決法によって、先行技術で用いられる金の層の反射と類似の反射（例えば、入射放射線（ｉｎｃｉｄｅｎｔ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）の７０〜９０％、あるいはそれ以上の反射）が可能となった。
【００２０】
この方法によって、反応室とサセプターに関連して、反射層の、より柔軟で、効果的で、効率的な配置への道が開かれるが、このことは、後に示す。
【００２１】
概して、本発明によるエピタキシャル反応器の反応室は、原則的に、中空の石英ピースからなる。前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分と、前記石英ピースの部分の中の軸が通る穴とを備える。前記石英ピースの部分は、三方向のうち二方向に準じて、反応沈着ゾーンを定め、前記軸が通る穴の中に、熱せられる、少なくとも一つのサセプターを収容する。本発明による反応室は、更に、前記サセプターによって放射される、１０００ｎｍと１００００ｎｍの間、好ましくは、１５００ｎｍと３０００ｎｍの間の波長を持つ赤外線放射を反射し返すように適合された反射層を備える。前記反射層は、石英に基づく物質から作られており、前記石英ピースの部分、及び／または、前記反応室の石英の構成要素に塗布される。
【００２２】
前記反射層は、前記石英ピースの部分の内側、及び／または、外側に位置してもよい。
【００２３】
前記反射層は、前記石英ピースの部分を部分的に、または、完全に被覆してもよい。
【００２４】
前記反射層は、ガラス化した（ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ）石英の層に、部分的に、または、完全に被覆されていてもよい。
【００２５】
前記石英ピースの部分には、前記サセプターによって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された、他の反射層を備えていてもよく、前記他の反射層は、金に基づく物質から出来ている。
【００２６】
前記反射層は、前記石英ピースの部分の別個の領域を、被覆していてもよい。
【００２７】
前記石英ピースの部分は、透明な石英（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｑｕａｒｔｚ）から作られていてもよい。
【００２８】
本発明による反応室は、前記中空の石英ピースの端部にフランジ（ｆｌａｎｇｅ）を備えていてもよく、前記フランジは、不透明な石英（ｏｐａｑｕｅ  ｑｕａｒｔｚ）から作られている。
【００２９】
本発明による反応室は、少なくとも一つのガスフロー（ｇａｓ  ｆｌｏｗ）、あるいは液流（ｌｉｑｕｉｄ  ｆｌｏｗ）によって冷やされるよう適合されていてもよい。
【００３０】
更なる側面に従えば、本発明は、上述の特徴のいずれを備える反応室を持つエピタキシャル反応器にも関連する。
【００３１】
本発明は、付随する図を参照して、詳細に述べられる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】先行技術による第一の反応室の三つの異なる図面である。（図１Ａは側面図、図１Ｂは上面図、図１Ｃは前面図である。）
【図２】先行技術による第二の反応室の側面図である。
【図３】先行技術による第三の反応室の側面図である。
【図４】先行技術による第四の反応室の側面図である。
【図５】本発明による反応室の第一の態様の三つの異なる部分図である。（図５Ａは側面図、図５Ｂは上面図、図５Ｃは前面図である。）図５の反応室は、図１の反応室に本発明に合致した技術的特徴の付加する反応室に対応するものである。
【図６】本発明による反応室の第二の態様の側面図である。図６の反応室は、図４の反応室に本発明に合致した技術的特徴が付加する反応室に対応するものである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
前記記述及び図面は、非限定的な説明例としてのみ考慮される。付け加えて、それは、概略図であり、簡略化されている。
【００３４】
図１で説明されているのは、エピタキシャル反応器の反応室であって、原則的に、中空の石英ピースからなる。前記石英ピースは、角柱の形状（長手方向の角には、丸みが付けられている。）を持つ石英ピースの部分１と、前記部分１の中に備えられた、軸が通る穴２を備える。部分１は、三方向のうち二方向に準じて（すなわち、幅方向と高さ方向。図１Ｃ参照。）、反応沈着ゾーン３（図１では強調されていない。）を定め、穴２の中に熱せられるサセプター（図１には示されていない。）を少なくとも一つ収容するよう、適合されている。穴２は、部分１の横断面に対応する長方形の横断面（角は丸くなっている。）を持ち、その結果、部分１は、実質的に一定の横断面となっている壁を持つチューブとなっている。
【００３５】
図１の反応室は、水平に配置され、円盤状のサセプターを収容し、誘導加熱手段が付随し、「冷壁の」反応器（そこでは、エピタキシャル成長過程の間、中空の石英ピースの部分の温度は４００〜６００℃を超えず、そのため、サセプターの温度よりもかなり低い。）の中で用いられるように適合されている。
【００３６】
図２が示しているのは、エピタキシャル反応器の反応室であって、原則的に、中空の石英ピースからなる。前記石英ピースは、円筒の形状を持つ石英ピースの部分と、前記部分の中に設けられた、軸が通る穴を備える。図１の場合と同様に、この場合において、中空の石英ピースの部分は、三方向のうち二方向に準じて、反応沈着ゾーン（円筒の形状をしている。）を定め、穴の中に熱せられるサセプター（円筒の形状をしている。）を少なくとも一つ収容するよう、適合されている。穴は、石英ピースの部分の円形の横断面に対応する、円形の横断面を持ち、その結果、石英ピースの部分は、一定の横断面となっている壁を持つチューブとなっている。
【００３７】
図２の反応室は、水平に配置され、それに適した断熱手段を持つ円筒状のサセプターを収容し、誘導加熱手段が付随するように適合されている。
【００３８】
図２の反応室は、中空の石英ピースの端部に二つのフランジを備える。
【００３９】
図３が示すエピタキシャル反応器の反応室は、図２で説明される反応器に、とても類似している。唯一の実質的な違いは、いかなるフランジも存在しないことである。さらに、図３の反応室は、この図では水平に描かれているとは言え、鉛直に配置されてもよいように、適合されている。
【００４０】
図４が示しているのは、エピタキシャル反応器の反応室であって、原則的に、中空の石英ピースからなる。前記中空の石英ピースは、円筒の形状をした第一の石英ピースの部分１１と、逆さまの丸みを帯びたじょうごの形状をしており、第一の部分１１につながった、第二の石英ピースの部分１９とを備える。（部分１１と部分１９は、ともに、単一の石英ピースを構成する。図４の水平な点線は、二つの部分の境界を示すためにのみ用いられている。）第一の部分１１には、軸の通る穴１２も設けられている。（それは、第二の部分１９まで、更に伸びるが、断面は異なる。）第一の部分１１は、三方向のうち二方向（すなわち、お互いに直交する水平の二方向）に準じて、反応沈着ゾーン１３（図４では強調されていない。）を定め、穴１２の中に、熱せられる少なくとも一つのサセプター（図４では示されていない。）を収容する。穴１２は、第一の部分１１の円形の横断面に対応する、円形の横断面を持つが、その結果、第一の部分１１は、一定の横断面となっている壁を持つチューブとなっている。図４の反応室の全体の形状は、「ベル」と呼ばれる。
【００４１】
図４の反応室は、鉛直に配置され、先を切り取ったピラミッドの形状を持つサセプターを収納し、誘導加熱手段が付随し、「冷壁の」反応器（そこでは、成長過程の間、中空の石英ピースの部分１の温度が４００〜６００℃を超えず、そのため、サセプターの温度よりもかなり低い。）の中で用いられるように適合されている。
【００４２】
図４の反応室は、中空の石英ピースの端部に二つのフランジ１７を備える。
【００４３】
図５が示すのは、それによって支持され回転する鉛直の軸に備え付けられた円盤の形状をしたサセプター４である。サセプター４は、複数の浅い凹部（ｍｏｄｅｒａｔｅ  ｒｅｃｅｓｓ）（ここでは５つの凹部）を頂部に持つ。それらの凹部は、エピタキシャル成長にさらされる基板を収容するように適合されている。軸８は、反応室の壁の一つに設けられた（図には示されていないシーリング手段が用いられた）円形の穴を通る。この図は、反応沈着ゾーン３も明確に示している。注目すべきは、サセプター４も、軸８も、反応室の一部ではないことである。
【００４４】
図５の反応室は、サセプター４によって放射される、１０００ｎｍと１００００ｎｍの間、好ましくは１５００ｎｍと３０００ｎｍの間の波長を持つ赤外線放射を反射し返すように適合された反射層５を備えるという点で、図１に記載の反応室とは異なる。反射層５は石英に基づく物質から作られ、部分１に塗布される。
【００４５】
反射層５の厚さは、概して、０．５ｍｍから１．５ｍｍの間の値であるが、好ましくは約１ｍｍである。
【００４６】
反射層５は、以下のプロセスによって、得ることが出来る。
――高い濃度（例えば、８０％を超え、９５％未満）の石英粒子の分散アモルファス（ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）の半流動体のスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）（分散液は、例えば、水でもアルコールでも良い。）を、透明な石英の反応室に塗布する。
――塗布したスラリーを乾燥させる。そして、
――乾燥したスラリーを焼結（ｈｏｔ  ｓｉｎｔｅｒ）する。
【００４７】
このようにして、層に達する（上記した範囲内の波長の、被覆された表面の単位当たりの）赤外線放射を、平均７０〜９０％（あるいはそれ以上）反射することが可能な層が得られる。指摘しておかなくてはならないのは、層の反射の度合いは、反射層を得るために用いられるプロセスによってのみならず、プロセスがどのように実行されたかによっても（例えば、上記した手法に準拠して、混合物（ｍｉｘｔｕｒｅ）が塗布される手法によって）、大きく影響されるということである。
【００４８】
図５の例において、反射層５は、部分１の外側に設けられているが、とりわけ上半分において、５０％をわずかに下回る範囲で被覆している。その代案として、被覆が、全面的に、あるいはほぼ全面的に、例えば７５〜９５％（あるいはそれ以上）を覆っていてもよい。
【００４９】
反射層が、石英部の、サセプターの近くの領域を被覆しているということが重要である。サセプターが石英部の中心ゾーンに配置されているありがちな場合においては、反射層が、石英部の一つ以上の中心の領域を被覆していることが重要である。図５の例においては、反射層は、例えば、サセプター４の鉛直上部、及び／または、下部に配置されてもよい。付け加えて、サセプター４の側部に沿った領域も、同様に反射層に被覆されてもよい。もちろん、上記した仕様を超えて反射層を広げることは、本発明の目的にとって有利となり得るのみである。
【００５０】
図５の例においては、部分１は、サセプター４によって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された、別の（追加的だが、有利な）反射層６も備わっている。反射層６は、金に基づく物質、とりわけ、金泥（ｇｏｌｄ  ｐａｉｎｔ）から出来ている。反射層６の厚さは、１００μｍ未満である。
【００５１】
図５の例においては、反射層６は、部分１の外部に配置され、とりわけ下半分において、５０％をわずかに下回る範囲で被覆している。
【００５２】
図５の例においては、層５と６は、重なり合わない。すなわち、それらは、石英ピースの部分の別の領域を被覆する。
【００５３】
この図からは、部分１の外部表面に、被覆されていない領域があるように見えるかもしれないが、これは、図が概略図であるためにすぎない。実際、本発明によれば、石英ピースの部分の全表面が、石英の、及び／または、金の反射層によって被覆されていることが望ましい。それは、熱エネルギーの周りへの消散を出来る限り制限するためである。従って、例えば、温度の値を高温計によって読むために、被覆されていない小窓をいくつか残す必要があり得る。
【００５４】
冷却に関しては、図５の反応室の下半分は、液流、主として水（とりわけ、それは水で満たされたタブ（ｔｕｂ）に入れられる。）によって冷却される一方、上半分は、ガスフロー、主として空気によって冷却される。もちろん、これとは異なる配置や組み合わせも、同様に可能である。
【００５５】
反射層５は、ガラス化した石英によって、部分的に、あるいは完全に被覆されてもよい。前記ガラス化層の厚さは、概して、０．５ｍｍから１．５ｍｍまでの間の値である。
【００５６】
反射石英層と、それに重なるガラス化した石英層は、以下のプロセスによって得ることが出来る。
――高い濃度の（例えば、８０％を超え、９５％未満の）石英粒子の分散アモルファスの反流動体のスラリー（分散液は、例えば、水でもアルコールでも良い。）を、透明な石英の反応室に塗布する。
――塗布されたスラリーを乾燥させる。そして、
――乾燥したスラリーを焼結する。そして、
――焼結されたスラリーの表面が、所定の深さまで、例えば、炎やレーザービームによって、ガラス化される。
【００５７】
もちろん、反射石英層とガラス化した石英層の両方を製造するに必要なだけ、十分なスラリーが塗布されなければならないであろう。
【００５８】
ガラス化した層は、その下にある反射層を、化学的、及び機械的な観点の両方から保護する。その結果、素晴らしい質の層が製造されるのであれば、中空の石英ピースの部分の内側に、反射層を設置することも可能である。それによって、周りに消散する熱エネルギーの総量が、更に制限される。
【００５９】
図５の反応室は、中空の石英ピース、ここでは部分１の端部に、二つのフランジ７も備える。
【００６０】
部分１は透明な石英、とりわけ、可視光及び赤外線に対して透明な石英で製造されている。
【００６１】
フランジ７は、不透明な石英、とりわけ、可視光及び赤外線に対して不透明な石英（すなわち、それらを通過させず、一部は反射し、一部は吸収する。）で製造されている。
【００６２】
図６が示しているのは、先端が切り取られたピラミッドの形をしたサセプター１４である。サセプター１４は、この図には示されていない適切な手段によって支えられ、回転する。サセプター１４は、その側面に（図示されていない）複数の浅い凹部を備え、その凹部は、基板を収容するように適合されている。この図は、反応沈着ゾーン１３も明確に示している。最後に、注目すべきことは、サセプター１４は、反応室の一部ではない、ということである。
【００６３】
図６の反応室は、サセプター４によって放射される、１０００ｎｍと１００００ｎｍの間、好ましくは１５００ｎｍと３０００ｎｍの間の波長を持つ、赤外線放射を反射し返すように適合された反射層１５を備えるという点で、図４に記載の反応室とは異なる。反射層１５は、石英に基づく物質から製造されており、部分１１に塗布されている。反射層１５は、一部が、部分１９の上に広がっていてもよい。
【００６４】
図６の層１５は、図５の層５と同一の特徴を持ち、同一の手法によって得ることが出来る。
【００６５】
図６の例において、反射層１５は、部分１１の外側に設置され、完全に被覆する。さらに、一部は、部分１９の上に広がっている。代案として、被覆が、石英部１１のほぼ全体、例えば、７５〜９５％（あるいはそれ以上）を覆っていてもよい。
【００６６】
反射層が、石英部の、サセプターの近くの領域を被覆していることが重要である。サセプターが石英部の中心ゾーンに配置されている、ありがちな場合においては、反射層が、石英部の一つ以上の中心の領域を被覆していることが重要である。図６の例においては、反射層は、例えば、サセプター１４の脇を水平方向に配置され、そこから全面的、あるいはほぼ全面的に（例えば８０％〜９０％）、鉛直方向に広がっていてもよい。もちろん、上記した仕様を超えて反射層を広げることは、本発明の目的にとって有利となり得るのみである。
【００６７】
冷却に関しては、図６の反応室は、ガスフロー、主として空気によって冷却されるのみである。
【００６８】
図６の反応室は、中空の石英ピースの端部、ここでは、部分１１の下方の端部と部分１９の上方の端部に、二つのフランジ１７も備える。
【００６９】
部分１１と部分１９は、透明な石英、とりわけ、可視光及び赤外線に対して透明な石英で製造されている。
【００７０】
フランジ１７は、不透明な石英、とりわけ、可視光及び赤外線に対して不透明な石英で製造されている。
【００７１】
図５及び図６に関連して、ここで述べた二つの態様において、反射石英層は、原則的に反応室を有する中空の石英ピースの部分に塗布される。代案、あるいは、付加的な案として、本発明によれば、反射石英層は、サセプターによって放射される赤外線放射を反射し返すことを目的に、反応室の石英の構成要素に塗布されてもよい。例えば、図５の場合において、反射石英層を持つ、穴のあいた円盤からなる石英の構成要素が、サセプター４の下にあるゾーン３の中に備えられてもよい。
【００７２】
上記の説明からは、反射層が多くの異なる手法で設置されてもよいことは、明らかである。
【００７３】
ここで述べられたような反応室は、主として、エピタキシャル反応器の中に用いられたり、備えられたりすることが、有利である。
【符号の説明】
【００７４】
１  石英ピースの部分
２  軸が通る穴
３  反応沈着ゾーン
４  サセプター
５  反射層
６  反射層
７  フランジ
８  軸
１１  第一の石英ピースの部分
１２  穴
１３  反応沈着ゾーン
１４  サセプター
１５  反射層
１７  フランジ
１９  第二の石英ピースの部分
【図１Ａ】
0005600324.tif 000002
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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