(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させてケイフッ化アンモニウムを生成する第１の工程と、前記反応によって生じたケイフッ化アンモニウムをガス排気手段による排気を停止した状態で３００℃以上に加熱して蒸発・除去させる第２の工程とを有することを特徴とする酸化膜の除去方法。
【請求項２】
前記第２の工程の加熱温度が３００℃以上、５３０℃以下であることを特徴とする請求項１記載の酸化膜の除去方法。
【請求項３】
前記第１の工程と前記第２の工程とを別々のチャンバで行うことを特徴とする請求項１又は２記載の酸化膜の除去方法。
【請求項４】
前記第１の工程と前記第２の工程とを同一のチャンバで行うことを特徴とする請求項１又２記載の酸化膜の除去方法。
【請求項５】
前記第２の工程の後に、前記シリコンウェハ上に成膜を行う第３の工程を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の酸化膜の除去方法。
【請求項６】
前記第１の工程を第１のチャンバで行い、前記第２の工程と前記第３の工程とを同一の第２のチャンバで行うことを特徴とする請求項５記載の酸化膜除去方法。
【請求項７】
前記第１の工程と前記第２の工程と前記第３の工程とを其々別々のチャンバで行うことを特徴とする請求項５記載の酸化膜の除去方法。
【請求項８】
前記第１の工程と前記第２の工程と前記第３の工程とを同一のチャンバで行うことを特徴とする請求項５記載の酸化膜の除去方法。
【請求項９】
前記第２の工程のチャンバの圧力が大気圧に設定されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の酸化膜の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化膜の除去方法に関し、特にウェハ上の酸化膜を揮発性の物質に変換して除去する際に、ドライエッチングによりそのエッチ量を増加させて除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進められると共に、デバイスの動作速度の高速化、高集積化や、薄膜化の要求がますます高まっている。その際に、シリコンウェハ（Ｓｉ基板）上に各種の薄膜を形成するが、このような種々の成膜工程においては、その下地となる基板表面に自然酸化膜等の酸化膜（ＳｉＯ２膜）が存在するとデバイス特性が悪化するため、成膜前に自然酸化膜等を除去し、活性状態のウェハ表面とし、その上に所望の薄膜を堆積させる必要がある。【０００３】
従来、この自然酸化膜の除去には、フッ酸等を使用する湿式処理や、１０００℃程度の高温による水素アニール処理が用いられていた。しかし、微細なホールの底部まで液が浸透し難いこと及びウェハ表面に好ましくないフッ素が残留すること等の問題があり、また、処理温度の低温化と半導体デバイスの微細化に伴って、乾式処理による自然酸化膜除去の要求がある。【０００４】
このような低温、乾式処理の自然酸化膜除去方法の一つとして、少なくとも水素原子を含むガスを高周波放電させ、プラズマを発生させて生成した、少なくとも水素を含むラジカルと三フッ化窒素ガス（ＮＦ３ガス）との混合物から生成したフッ化アンモニウム（ＮＨｘＦｙ）をエッチングガスとして用いたエッチング方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。このエッチング方法では、前記エッチングガスと基板表面の自然酸化膜とを反応せしめることで基板表面にケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）等の反応生成物を生じせしめ、この反応生成物を所定の温度に加熱して分解、蒸発させて除去することにより酸化膜のない清浄な基板表面を得ている。【０００５】
特許文献１の場合、自然酸化物を除去するために要する温度は１２０〜１５０℃であり、自然酸化物の除去処理に要する時間は３０分強である。しかし、基板表面の反応生成物の加熱・除去をチャンバのガス排気をしながら行うので、昇華した反応生成物の対流による再エッチングが行われず、反応生成物の除去速度（レート）が遅いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特許文献１：特開２００３−１３３２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、シリコンウェハ上の自然酸化物を含めた酸化膜（ＳｉＯ２膜）を除去する際に、エッチング量を増加させる酸化膜の除去方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の酸化膜の除去方法は、フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させてケイフッ化アンモニウムを生成する第１の工程と、前記反応によって生じたケイフッ化アンモニウムをガス排気手段による排気を停止した状態で３００℃以上に加熱して蒸発・除去させる第２の工程とを有することを特徴とする。【０００９】
排気を停止した状態で加熱処理を行うことにより、基板表面から蒸発・除去された反応生成物及び反応生成物から分解生成した物質が成膜空間内に対流する。これらの物質の対流により、基板上の揮発性物質を再エッチングすると考えられ、その結果、ウェハ表面の酸化膜のエッチング量を増加させることができる。特に、ウェハ中心部のエッチング量を増加させることができる。【００１０】
ここで、ウェハ中心部のエッチング量が特に増加する理由は、昇華した揮発性物質が外周部より反応室内に拡散するため、外周部はエッチングされにくいことによる。【００１１】
前記第２工程の加熱温度が３００℃以上、５３０℃以下であることを特徴とする。【００１２】
前記加熱の温度が３００〜５３０℃であると、ウェハ酸化膜のエッチング量を増加せしめることができる。特に、ウェハ中心部のエッチング量を増加させることができる。【００１３】
前記第１の工程と前記第２の工程とを同一のチャンバ又は別々のチャンバで行うことを特徴とする。【００１４】
前記第２の工程の後に、前記シリコンウェハ上に成膜を行う第３の工程を有することを特徴とする。【００１５】
前記第１の工程を第１のチャンバで行い、前記第２の工程と前記第３の工程とを同一の第２のチャンバで行うことを特徴とする。【００１６】
前記第１の工程と前記第２の工程と前記第３の工程とを同一のチャンバ又は其々別々のチャンバで行うことを特徴とする。【００１７】
前記第２の工程のチャンバの圧力が大気圧に設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、反応生成物を、排気を停止した状態で３００〜５３０℃の温度で蒸発・除去させることにより、エッチング量を増加させることができる。特に、ウェハ中心部のエッチング量を増加させることが可能であるという効果を奏する。【００１９】
従来の反応生成物を蒸発させる工程では、排気をしながら蒸発を行っており、反応生成物蒸気が対流しない。しかし、本発明によれば、昇華した反応生成物及び反応生成物から分解生成した物質の対流による再エッチングを行うことができるので、ウェハ酸化膜のエッチング量を増加せしめることができる。特にウェハ中心部のエッチング量を増加させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の酸化膜の除去方法に用いるドライエッチング装置の模式的断面図。
【図２】図１に示したドライエッチング装置１によりエッチング処理した後のウェハを加熱処理して反応生成物を蒸発せしめる縦型炉（高温炉）の模式的断面図。
【図３】図１に示すドライエッチング装置及び図２に示す縦型炉を用いて本発明の酸化膜の除去を実施するプロセスを説明するためのフローチャートであり、（ａ）はドライエッチング装置での処理、（ｂ）は縦型炉での処理。
【図４】実施例１における揮発性物質を蒸発させる工程の温度に対するウェハの中心部からの距離とエッチング量との関係及び比較例における反応生成物を蒸発させる工程の温度に対するウェハの中心部からの距離とエッチング量との関係を示すグラフであり、（ａ）は、加熱温度が３００℃の場合（加熱蒸発）、（ｂ）は、加熱温度が３５０℃の場合（加熱蒸発）、（ｃ）は、加熱温度が５３０℃の場合（加熱蒸発）、（ｄ）は、排気しながらエッチング装置で２００℃に加熱した場合、（ｅ）は、２００℃に加熱したチャンバ内で排気を停止した状態で蒸発を行った場合、（ｆ）は、ケイフッ化アンモニウムの蒸発を、圧力が２Ｐａに設定され、真空ポンプ２７による排気が停止され、かつ、温度が５３０℃に保持されたチャンバ内で行った場合である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明に係る酸化膜の除去方法の実施の形態によれば、フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の自然酸化膜と２０〜５０℃（好ましくは２５℃程度）で反応させてケイフッ化アンモニウムを生成する第１の工程をドライエッチング装置内で実施する。次に、酸化膜除去後の成膜工程を行う成膜装置内の圧力を大気圧程度に設定し、かつ、排気を停止した状態で、３００℃以上に加熱する。その後、シリコンウェハを成膜装置内に移送し、前記反応によって生じたケイフッ化アンモニウムを蒸発・除去させるので、ウェハのエッチング量を増加せしめることができる。特にウェハ中心部の酸化膜のエッチング量を増加せしめることができ、このエッチング量は、２００℃で加熱して得られたエッチング量の周縁部のエッチング量に対する増分と比べて、３倍乃至６倍である。
【００２２】
上記したように、揮発性反応生成物を３００℃以上で蒸発・除去させる。自然酸化膜等の酸化膜（ＳｉＯ２膜）を除去した後の各種成膜の工程が３００℃以上の温度で実施される場合は、高温炉などを用いて、わざわざ反応生成物を蒸発させる工程を設けなくても、揮発性反応生成物はこの成膜工程で蒸発させることができる。成膜装置は、成膜前に装置内温度を予め成膜温度まで上昇させて、装置内が安定した状態で成膜を始めるので、成膜温度を安定させる過程で揮発性反応生成物を蒸発させることができる。そのため、揮発性反応生成物の生成後に、成膜装置内で、この生成物の加熱除去工程と３００℃以上で実施される成膜工程とを連続して行うので、酸化膜除去に要する時間を短縮できる。なお、加熱時の炉内圧力が大気圧付近の圧力で揮発性反応生成物を十分に蒸発除去できる。
【００２３】
本発明の実施の形態によれば、ウェハ上の自然酸化膜を除去する工程は、（１）水素ガス及び／又はアンモニアガスを、例えば、マイクロ波や触媒線などの励起手段で励起して得られる水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとを反応させてフッ化アンモニウムガスを生成せしめ、このフッ化アンモニウムガスからなるエッチングガスとシリコンの酸化膜とを反応させ、ケイフッ化アンモニウムを生成させる工程と、（２）ケイフッ化アンモニウムが生成されているウェハを所定の温度に加熱してケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程とを有する。このような工程を用いることにより酸化膜除去の処理時間を短縮することが可能である。なお、（１）のフッ化アンモニウムガスを生成してこのフッ化アンモニウムガスをシリコン酸化膜と反応させる工程では、シリコン基板表面にフッ化アンモニウムガスを供給できればよく、また、水素ガス、アンモニアガス、三フッ化窒素ガスを加熱分解してフッ化アンモニウムガスを生成して供給してもよい。さらに、フッ化アンモニウム粉末を昇華させてフッ化アンモニウムガスを生成し供給してもよい。
【００２４】
上記（１）の工程では、ウェハ上での反応温度は、一般に２０〜５０℃程度で良く、２５℃程度が好ましく、温度が５０℃を超えて高いと、却ってケイフッ化アンモニウムを生成する反応が進み難い。また、上記（２）の工程では、ウェハ温度は３００℃以上、６５０℃以下が好ましい。温度が３００℃未満であると、実用的な範囲でエッチング量を増加させることができない。また、６５０℃を超えると、現在の装置の仕様上妥当でない。より好ましくは３００℃〜５３０℃であれば十分である。
【００２５】
図１は、本発明の酸化膜の除去方法に用いるドライエッチング装置の模式的断面図である。本装置１は、例えば、２５枚程度のバッチ単位でシリコンウェハ１０の自然酸化膜の除去処理を行うものであり、エッチング室１１と、エッチング室内へ導入される反応ガス（Ｎ２、ＮＨ３）を励起して活性種（ラジカル）を発生させるためのマイクロ波励起機構１２と、エッチング室と連結されているロードロック室１３と、ロードロック室１３と連結されているクリーンブース１４とで構成されている。エッチング室１１内には、図面上では、処理されるシリコンウェハ１０を所定の間隔で載置してある石英製ウェハボート１５が、ロードロック室１３から搬送され、配置されている状態が示されている。エッチング室１１の外周には、ヒータ等の加熱手段１６が設けられ、また、このエッチング室１１には、エッチング室１１内を排気できるように真空ポンプ１７が取り付けられている。ロードロック室１３には、室内を排気するための真空ポンプ１８が取り付けられている。クリーンブース１４内には、ウェハカセット１９が載置され、このウェハカセット１９をロボット２０によりクリーンブース１４とロードロック室１３との間を搬送できるように構成されている。
【００２６】
図２は、図１に示したドライエッチング装置１によりエッチング処理した後のウェハを加熱処理して揮発性反応生成物を蒸発せしめる縦型炉の模式的断面図である。この縦型炉２は、例えば、チャンバ２１（高温炉）と、チャンバ２１に連結されているロードロック室２２と、ロードロック室２２と連結されているクリーンブース２３とで構成されている。チャンバ２１内には、図面上では、処理されるシリコンウェハ２４を所定の間隔で載置してある石英製ウェハボート２５が、ロードロック室２２から搬送され、配置されている状態が示されている。チャンバ２１の外周には、ヒータ等の加熱手段２６が設けられ、また、チャンバ２１には、チャンバ内を排気できるように真空ポンプ２７が取り付けられている。ロードロック室２２には、室内を排気するための真空ポンプ２８が取り付けられている。クリーンブース２３内には、ウェハカセット２９が載置され、このウェハカセット２９をロボット３０によりクリーンブース２３とロードロック室２２との間を搬送できるように構成されている。
【００２７】
本発明で用いるドライエッチング装置と縦型炉とを別々に示して説明したが、これらを組み合わせて一つの酸化膜除去及び成膜装置としてもよいことは勿論である。
【００２８】
以下、図１に示すドライエッチング装置及び図２に示す縦型炉を用いて本発明の酸化膜の除去を実施するプロセスについて、図３のフローチャートを参照して説明する。
【００２９】
例えば、図３（ａ）のフローチャートに示すように、まず、図１のクリーンブース１４内に載置されているウェハカセット１９をロボット２０によりロードロック室１３へ移送し、ここでウェハをウェハボート１５に移し、ロードロック室内を所定の圧力（例えば、１Ｐａ）まで排気する。次いで、ウェハボート１５をエッチング室１１内に移送した後、反応ガス（例えば、窒素ガス、アンモニアガス等）を導入する際に、マイクロ波励起機構１２によりマイクロ波を印加（５〜１０分間、また、１〜３ｋＷ、好ましくは２．８ｋＷ投入）し、励起して生成したＨラジカルをエッチング室内へ導入し、圧力２００〜１０６６Ｐａ、温度２５〜５０℃で反応（エッチング）を行う。この反応ガスの導入量は、一般に４０００〜６０００ｓｃｃｍであればよい。また、反応ガスとしての三フッ化窒素は、マイクロ波励起機構１２を介さずに直接エッチング室１１内へ導入する（一般に、３０００〜４０００ｓｃｃｍ）。また、反応ガスとしてのアンモニアガス：窒素ガス：三フッ化窒素ガスの混合比は、一般には、１〜３：５〜７：２〜４、好ましくは２〜３：６〜７：３〜４、より好ましくは２：６：３であって、その合計流量が１３〜１５リットル／分であれば良い。このような条件下で所定の時間（２〜５分）エッチングする。
【００３０】
上記エッチングプロセスにおいては、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスを励起して得られる水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとの反応により、エッチング室内でフッ化アンモニウムを生成せしめ、このフッ化アンモニウムとウェハ上の酸化膜との反応により、ケイフッ化アンモニウムを形成せしめる。これは、以下の反応式で示される。
【００３１】
〔化１〕
ＮＨ３  →  ＮＨ２  ＋  Ｈ＊
Ｈ＊  ＋  ＮＦ３  →  ＮＨ４Ｆ
ＳｉＯ２  ＋  ＮＨ４Ｆ  →  Ｈ２Ｏ  ＋  （ＮＨ４）２ＳｉＦ６
【００３２】
エッチングの終了後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止し、エッチング室の排気を行う。エッチング室中のウェハボート１５をロードロック室１３内へ移送し、このボートからウェハをウェハカセット１９に移す。
【００３３】
次いで、図３（ｂ）のフローチャートに示すように、上記したようにして得られたケイフッ化アンモニウムが表面に形成されたウェハが載置されているウェハカセット２９を、図２に示す縦型炉のクリーンブース２３からロボット３０によりロードロック室２２内へ移送し、ここでウェハをウェハボート２５に移す。次いでチャンバ２１内の圧力を大気圧（１０１３ｈＰａ）程度に設定し、真空ポンプ２７による排気を行わない状態で、ヒータ２６により、チャンバ２１を所定の温度（３００℃〜５３０℃）に加熱した。その後、ウェハボートをチャンバ２１に移送し、このウェハボートを３０分加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させる。その後、チャンバ２１内をベントし、チャンバ内のウェハボート２５をロードロック室２２内に移送し、このボートからウェハをウェハカセット２９に移し、このカセットをクリーンブース２３内へ移送して酸化膜の除去プロセスを終了する。この全工程の処理時間は、５０分程度である。
【実施例１】
【００３４】
本実施例では、図１及び２に示す装置を用い、図３（ａ）及び（ｂ）に示すフローチャートに従ってシリコンウェハ表面上の自然酸化膜を除去した。【００３５】
始めに、真空中で、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスに対してマイクロ波を印加して励起し、水素ラジカルを得た。かくして得られた水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとを反応させてフッ化アンモニウムガスを生成せしめ、エッチングガスとしてのこのフッ化アンモニウムガスとシリコンウェハ上の自然酸化膜とを反応させてケイフッ化アンモニウムを生成させた。このとき、シリコンウェハは、アンモニアガス、窒素ガス、及び三フッ化窒素ガスの混合比が２：６：３で合計流量が１４．４リットル／分、圧力が２６６Ｐａの雰囲気に晒し、８分間、励起マイクロ波を２．８ｋＷ投入して処理された。【００３６】
上記全工程の処理時間は、５０分であった。【００３７】
次いで、図２に記載のチャンバ２１内の圧力を大気圧（１０１３ｈＰａ）程度に設定し、真空ポンプ２７による排気を行わない状態で、ヒータ２６により、チャンバ２１を３００℃、３５０℃、５３０℃の温度に加熱した。その後、ウェハボートをチャンバ２１に移送し、このウェハボートを３０分加熱して、ケイフッ化アンモニウムを揮発させた後、ウェハを取り出した。【００３８】
なお、加熱を行う場合の圧力範囲は、１０Ｐａ〜大気圧（１０１３ｈＰａ）程度であることが望ましい。【００３９】
圧力が１０Ｐａ以上であると対流の効果を顕著に発揮できるからである。圧力範囲の上限を大気圧程度とすることは現状の装置の仕様やその後の工程の排気時間を考慮したものであって、大気圧以上の圧力下で加熱を行う場合にも本発明の効果を発揮することができる。【００４０】
各チャンバ内温度の場合について、ウェハ面内のエッチング量を評価し、その結果を図４（ａ）〜（ｃ）に示す。図４（ａ）〜（ｃ）において、横軸はウェハ中心からの距離（ｍｍ）を示し、縦軸はエッチング量（単位（Å））を示し、そして図中の「Ｘ軸」及び「Ｙ軸」という文言は、それぞれ、ウェハ表面の中心を通る横方向及び縦方向を示す。【００４１】
（比較例１）
比較のために、上記実施例１で説明した場合と異なり、エッチング室とは異なるチャンバで排気しながら２００℃で蒸発を行った場合と、ケイフッ化アンモニウムの蒸発を、ケイフッ化アンモニウムを生成したエッチング室でガス排気手段による排気を停止した状態で２００℃に加熱して行った場合と、ケイフッ化アンモニウムの蒸発を、圧力が２Ｐａに設定され、真空ポンプ２７による排気が停止され、かつ、温度が５３０℃に保持されたチャンバで行った場合とについて、それらのエッチング量を、それぞれ、図４（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）に示す。【００４２】
これらの図４から明らかなように、エッチング室とは異なるチャンバで排気しながら２００℃で蒸発を行った場合と、エッチング室で排気を停止した状態で２００℃に加熱を行った場合とに比べ、チャンバ内を大気圧に設定し、真空ポンプによる排気を停止した状態で３５０℃以上に加熱して蒸発させた場合の方が、ウェハのエッチング量が増加していることがわかる。特にシリコンウェハ中心部でのエッチング量は、チャンバ内の温度が高くなるにつれて増加し、３００℃以上に加熱した場合は、２００℃で加熱して得られたウェハ中心部のエッチング量の周縁部のエッチング量に対する増分と比べて、３倍乃至６倍である。
【実施例２】
【００４３】
図１に記載のエッチング装置を用いてケイフッ化アンモニウムを形成した後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止した。次に、エッチング装置内の圧力を１０Ｐａ程度に設定した後、真空ポンプ２７による排気を行わない状態で、所定の時間（２０〜３０分）、ヒータ１６により、ウェハボートを所定の温度（３００℃から５００℃）に加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させた。この場合にも、図４（ａ）〜（ｃ）と同じような結果が得られ、エッチング量が増加したことがわかる。
【実施例３】
【００４４】
図１に記載のエッチング装置を用いてケイフッ化アンモニウムを形成した後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止した。【００４５】
次に、エッチング装置内の圧力を大気圧（１０１３ｈＰａ）程度に設定した後、真空ポンプ２７による排気を行わない状態で、所定の時間（２０〜３０分）、ヒータ１６により、ウェハボートを所定の温度（３００℃から５００℃）に加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させた。その後、連続してＳｉ原子含有ガス（例えば、ＳｉＨ４）、Ｇｅ原子含有ガス（ＧｅＨ４）、ハロゲンガス（Ｃｌ２ガス）を用い、ＣＭＯＳデバイス用シリコンウェハを製造するためのＳｉＧｅ膜を形成した。【００４６】
この場合にも図４（ａ）〜（ｃ）と同じような結果が得られ、エッチング量が増加したことがわかる。
【実施例４】
【００４７】
図１に記載のエッチング装置を用いてケイフッ化アンモニウムを形成した後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止し、エッチング室の排気を行った。次いで、図２に記載のチャンバ２１内の圧力を大気圧（１０１３ｈＰａ）程度に設定し、真空ポンプ２７による排気を行わない状態で、ヒータ２６により、チャンバ２１を所定の温度（３００℃から５００℃）に加熱した。その後、ウェハボートを図２に記載のチャンバ２１に移送し、このウェハボートを所定の時間（２０〜３０分）加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させた。その後、ウェハボートを図示しない成膜チャンバに移送し、ＣＭＯＳデバイス用シリコンウェハを製造するためのＳｉＧｅ膜を形成した。【００４８】
この場合にも図４（ａ）〜（ｃ）と同じような結果が得られ、エッチング量が増加したことがわかる。【００４９】
なお、「ケイフッ化アンモニウムを形成する工程」、「ケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程」、「その後の成膜工程（例えば、ＣＭＯＳデバイス用シリコンウェハを製造するためのＳｉＧｅ膜を形成する工程）」を行う装置形態は、実施例の場合には限定されず、「ケイフッ化アンモニウムを形成する工程」を１つの装置で行い、その後の「ケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程」と「その後の成膜工程」とをもう１つの装置で行ってもよい。また、「ケイフッ化アンモニウムを形成する工程」と「ケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程」とを１つの装置で行い、「その後の成膜工程」をもうひとつの装置で行ってもよい。【００５０】
さらに、上記３つの本発明は、基板搬送ロボット等の基板搬送装置を載置して基板搬送室の周囲に接続された複数の成膜室で基板を大気に晒さずにエッチングや成膜等の処理をすることができるいわゆる枚葉式の真空処理装置を用いて処理を行うこともできる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明によれば、ウェハ表面上に形成されており、半導体デバイス特性の劣化の原因となる自然酸化膜等の酸化膜を除去する際に、エッチング量を従来よりも増加させることができる。従って、酸化膜の除去された活性状態のウェハ表面に所望の薄膜を堆積させることが可能であるので、半導体デバイス分野での各種成膜の際に利用可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１  ドライエッチング装置                ２  縦型炉
１０  シリコンウェハ                    １１  エッチング室
１２  マイクロ波励起機構                １３  ロードロック室
１４  クリーンブース                    １５  ウェハボート
１６  加熱手段（ヒータ）                １７、１８  真空ポンプ
１９  ウェハカセット                    ２０  ロボット
２１  チャンバ                          ２２  ロードロック室
２３  クリーンブース                    ２４  シリコンウェハ
２５  ウェハボート                      ２６  加熱手段（ヒータ）
２７、２８  真空ポンプ                  ２９  ウェハカセット
３０  ロボット
【図１】
0005420077.tif 000002
【図２】
0005420077.tif 000003
【図３】
0005420077.tif 000004
【図４】
0005420077.tif 000005