(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向して配置された第１基板及び第２基板の間に介在され前記第１基板及び前記第２基板を相互に離間し相互に平行に支持する基板支持構造を備えているアクティブマトリクス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置であって、
前記基板支持構造は、
前記第２基板の対向面において複数の画素対応部間に、複数の接点用突起と同時に同じ材料により同じ高さに形成された複数の柱状スペーサと、
前記第１基板において前記複数の柱状スペーサに対向して設けられ、複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に形成される複数の土台基部と、前記複数の薄膜トランジスタ形成後に前記複数の土台基部に積層して形成された複数の高さ調整部と、を含んでおり、夫々が相互に同じ高さを有した複数の土台と、
を備えていて、
前記第２基板の前記複数の柱状スペーサの先端を前記第１基板の前記複数の土台の突出端面に接触させることにより、前記第１基板と前記第２基板とが相互間に所定の第１隙間を介して支持されるとともに、前記複数の接点用突起の先端の夫々と前記複数の接点用突起の夫々の先端が対向している前記第１基板の複数の接点電極の夫々との間に前記第１隙間よりも短い所定の第２隙間を生じさせ、
前記第１基板の複数の画素対応部の複数の画素電極及び前記複数の接点電極が、前記複数の土台の前記複数の高さ調整部の形成前に形成された第１透明導電膜と、前記複数の土台の前記複数の高さ調整部の形成後に前記第１透明導電膜に重複して形成された第２透明導電膜と、で形成されており、
前記複数の高さ調整部の夫々は、前記第１透明導電膜の形成後に前記第１透明導電膜に積層された絶縁膜によって前記複数の土台基部の夫々に対応した部分を成形して形成され、
前記複数の高さ調整部の下部以外の前記第１透明導電膜の表面は、前記複数の高さ調整部のエッチングにより荒れており、前記複数の高さ調整部の当該下部の前記第１透明導電膜の表面は、荒れていない、
ことを特徴とする接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の土台基部の夫々は、
前記第１基板の対向面上に、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料の第１導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一材料の第１絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタの真性シリコン層と同一材料の真性シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル保護層と同一材料の第２絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーミック層と同一材料のｎ＋シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と同一材料の第２導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーバーコート絶縁膜と同一材料の第３絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された前記画素電極と同一材料の前記第１透明導電膜と、
をこれらの記載順に積層して形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜による前記複数の高さ調整部の夫々の成形は、前記絶縁膜をドライエッチングすることにより行なわれている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２基板の前記複数の接点用突起に対向して前記第１基板に設けられる、前記第１基板の前記複数の接点電極の基部は、前記複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に形成され、夫々が相互に同じ高さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板の前記複数の接点電極の基部の夫々は、
前記第１基板の対向面上に、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料の第１導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一材料の第１絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタの真性シリコン層と同一材料の真性シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル保護層と同一材料の第２絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーミック層と同一材料のｎ＋シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と同一材料の第２導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーバーコート絶縁膜と同一材料の第３絶縁膜と、
をこれらの記載順に積層して形成され、
前記複数の接点電極の夫々は、前記第３絶縁膜に前記第１透明導電膜及び前記第２透明導電膜をさらに積層して形成されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項６】
相互に対向して配置された第１基板及び第２基板の間に介在され前記第１基板及び前記第２基板を相互に離間し相互に平行に支持する基板支持構造を備えているアクティブマトリクス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法であって、
前記基板支持構造が、
前記第２基板の対向面において複数の画素対応部間に、複数の接点用突起と同時に同じ材料により同じ高さに形成された複数の柱状スペーサと、
前記第１基板において前記複数の柱状スペーサに対向して設けられ、複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に形成される複数の土台基部と、前記複数の薄膜トランジスタ形成後に前記複数の土台基部に積層して形成された複数の高さ調整部と、を含んでおり、夫々が相互に同じ高さを有した複数の土台と、
を有し、
前記第２基板の前記複数の柱状スペーサの先端を前記第１基板の前記複数の土台の突出端面に接触させることにより、前記第１基板と前記第２基板とが相互間に所定の第１隙間を介して支持されるとともに、前記複数の接点用突起の先端の夫々と前記複数の接点用突起の夫々の先端が対向している前記第１基板の複数の接点電極の夫々との間に前記第１隙間よりも短い所定の第２隙間を生じさせ、
前記第１基板の対向面における前記複数の土台の前記複数の土台基部及び前記複数の接点電極の基部を、前記複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に相互に同じ高さに形成する薄膜トランジスタ／基部形成工程と、
前記薄膜トランジスタ／基部形成工程の後に、前記第１基板において複数の画素対応部に配置された複数の画素電極と、前記第１基板における前記複数の土台の前記複数の高さ調整部と、前記複数の接点電極と、を形成する電極／高さ調整部形成工程と、
を備え、
前記電極／高さ調整部形成工程が、前記薄膜トランジスタ／基部形成工程後に、
第１透明導電膜の成膜工程と、
絶縁膜の成膜工程と、
前記絶縁膜をパターニングし前記複数の高さ調整部を形成する工程と、
第２透明導電膜の成膜工程と、
前記第２透明導電膜と前記第１透明導電膜とをパターニングする工程と、
の順序で行なわれ、
前記複数の高さ調整部の下部以外の前記第１透明導電膜の表面は、前記複数の高さ調整部のパターニングにより荒れており、前記複数の高さ調整部の当該下部の前記第１透明導電膜の表面は、荒れていない、
ことを特徴とする接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１基板の対向面上に、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料の第１導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一材料の第１絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタの真性シリコン層と同一材料の真性シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル保護層と同一材料の第２絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーミック層と同一材料のｎ＋シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と同一材料の第２導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーバーコート絶縁膜と同一材料の第３絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された前記画素電極と同一材料の前記第１透明導電膜と、
をこれらの記載順に積層して、前記複数の土台基部の夫々を形成する、
ことを特徴とする請求項６に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１透明導電膜の形成後に前記第１透明導電膜に積層された前記絶縁膜において前記複数の土台基部の夫々に対応した部分を成形して、前記複数の土台基部の夫々を形成する、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁膜のパターニングをドライエッチングにより行なう、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板の対向面上に、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料の第１導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一材料の第１絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタの真性シリコン層と同一材料の真性シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル保護層と同一材料の第２絶縁膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーミック層と同一材料のｎ＋シリコン膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と同一材料の第２導電性金属膜と、
前記複数の薄膜トランジスタのオーバーコート絶縁膜と同一材料の第３絶縁膜と、
をこれらの記載順に積層して、前記第１基板の前記複数の接点電極の基部の夫々を形成し、
前記第３絶縁膜に前記第１透明導電膜及び前記第２透明導電膜をさらに積層して、前記複数の接点電極の夫々を形成する、
ことを特徴とする請求項６に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置及びその製造方法に関係している。
【背景技術】
【０００２】
従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の構造は、特開２００７−９５０４４号公報（特許文献１）により知られている。
【０００３】
従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、図１３及び図１４中に要部が拡大されて概略的に図示されている如く、相互に平行に対向して配置されている第１基板１００と第２基板１０２とを備えている。第１基板１００及び第２基板１０２の夫々は、透明なガラス製である。
【０００４】
第１基板１００と第２基板１０２との間には、第１基板１００及び第２基板１０２を相互に平行に離間させ支持する基板支持構造１０４が介在されている。
【０００５】
第１基板１００と第２基板１０２とはそれらの対向面の周縁部が枠状のシール材を介して接合されており、第１基板１００と第２基板１０２との間の間隙においてシール材により囲まれた領域には、液晶が封入されている。
【０００６】
第１基板１００と第２基板１０２との夫々の対向面には、これらの間の液晶の所望の複数の部位を選択的に操作しこれら所望の複数の部位の光透過率を選択的に調整する為の液晶操作構造が形成されている。前記所望の複数の部位は画素と呼ばれていて、第１基板１００と第２基板１０２との夫々の対向面間にマトリックス状に配置されている。
【０００７】
前記液晶操作構造は、第１基板１００の対向面上において一方向（図１３中では、左から右に向かう又はこの逆に向かう方向であり、Ｘ方向とする）と直交する他方向（図１３中では、上下に向かう方向であり、Ｙ方向とする）で所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記一方向に延出した複数の走査線１０６と、第１基板１００の対向面上において前記一方向で所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記他方向に延出した複数の信号線１０８と、を含む。
【０００８】
即ち、第１基板１００の対向面上において複数の走査線１０６と複数の信号線１０８とは格子状に配置されており、前記格子の隙間に液晶の前述したマトリックス状に配置されている所望の複数の画素が位置している。即ち、格子状に配置されている複数の走査線１０６と複数の信号線１０８とは液晶の前述したマトリックス状に配置されている所望の複数の画素を取り囲んでいる。
【０００９】
前記液晶操作構造はさらに、第１基板１００の対向面上に前述した所望の複数の画素に対応してマトリックス状に配置されている複数の画素電極１１０を含む。複数の画素電極１１０の夫々は、透明な導電性材料により形成されている。
【００１０】
前記液晶操作構造はまたさらに、第１基板１００の対向面上に複数の画素電極１１０の夫々に対応して配置された複数の薄膜トランジスタ１１２を含んでいる。複数の薄膜トランジスタ１１２の夫々は、対応する画素電極１１０と、対応する画素電極１１０に隣接した１つの信号線１０８と、対応する画素電極１１０に隣接した１つの走査線１０６と、に接続され、１つの信号線１０８から対応する画素電極１１０に向かう信号を前述した１つの走査線１０６からの信号により制御して対応する画素電極１１０の動作を制御する。複数の薄膜トランジスタ１１２は、複数の走査線１０６，複数の信号線１０８，そして複数の画素電極１１０とともに、同時に同じ製造技術により第１基板１００の対向面上に形成されている。
【００１１】
ここにおいて、複数の走査線１０６，複数の信号線１０８，そして複数の画素電極１１０は、薄膜トランジスタ１１２の製造技術により提供されている多層の絶縁膜を含む透明絶縁膜部分１１４より相互に電気的に絶縁されている。第１基板１００の対向面上において複数の画素電極１１０は透明絶縁膜部分１１４上に配置されている。
【００１２】
また、複数の薄膜トランジスタ１１２の夫々のドレイン電極１１２ａ，ソース電極１１２ｂ，そしてゲート電極１１２ｃは、対応する画素電極１１０，対応する画素電極１１０に隣接した１つの信号線１０８，そして対応する画素電極１１０に隣接した１つの走査線１０６に電気的に接続されている。
【００１３】
第２基板１０２の対向面上には、第１基板１００の対向面上に液晶の前述した所望の複数の画素を取り囲むよう格子状に配置されている複数の走査線１０６と複数の信号線１０８とに対応した格子状の遮光膜１１６（いわゆるブラックマスク）が形成されている。
【００１４】
第２基板１０２の対向面上にはさらに、第１基板１００の対向面上の複数の画素電極１１０に対応して所定の配列で複数の赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターが形成されている。
【００１５】
前記液晶操作構造はまたさらに、第２基板１０２の対向面上において格子状の遮光膜１１６，複数の赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターを覆う透明な対向電極１１８を含んでいる。
【００１６】
従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、第１基板１００及び第２基板１０２の夫々の対向面に設けられ第２基板１０２の外側面のタッチ位置を検出するタッチ位置検出構造を備えている。
【００１７】
タッチ位置検出構造は、第１基板１００の対向面上で複数の信号線１０８の中の所望の複数の信号線１０８に沿い延出したＸ座標検出ライン１２０と、第１基板１００の対向面上で複数の走査線１０６の中の所望の複数の走査線１０６に沿い延出した複数のＹ座標検出ライン１２２と、を含む。
【００１８】
複数のＸ座標検出ライン１２０と複数のＹ座標検出ライン１２２とは透明絶縁膜部分１１４の多層の絶縁膜により相互に電気的に絶縁されているとともに、複数の走査線１０６や複数の信号線１０８や複数の画素電極１１０に対しても透明絶縁膜部分１１４の多層の絶縁膜により電気的に絶縁されている。
【００１９】
複数のＸ座標検出ライン１２０の夫々は複数のＹ座標検出ライン１２２との交差位置の近傍の複数の位置にＸ座標検出用接点１２０ａを有している。また、複数のＹ座標検出ライン１２２の夫々は、複数のＸ座標検出ライン１２０との交差位置の近傍の複数の位置においてＸ座標検出用接点１２０ａと隣接してＹ座標検出用接点１２２ａを有している。
【００２０】
複数のＸ座標検出用接点１２０ａと複数のＹ座標検出用接点１２２ａとは、第１基板１００の対向面上の前記複数の位置の夫々に、複数の薄膜トランジスタ１１２の為の製造技術と同じ製造技術により複数の薄膜トランジスタ１１２と同時に作成される。
【００２１】
この薄膜トランジスタ１１２の製造技術において使用される多層の絶縁膜が、透明絶縁膜部分１１４の多層の絶縁膜を提供している。
【００２２】
前記タッチ位置検出構造はさらに、第２基板１０２の対向面において第１基板１００上の前記複数の位置に対向した複数の第１位置に形成され夫々が所定の高さを有している接点用突起１２４を含んでいる。前記複数の第１位置は第２基板１０２の対向面上の遮光膜１１６上にあり、接点用突起１２４は対向電極１１８の形成前に遮光膜１１６上に形成され、対向電極１１８により覆われている。
【００２３】
対向電極１１８において接点用突起１２４の突出端面（先端）を覆う部分は、第１基板１００の対向面上において接点用突起１２４の突出端面（先端）に対向しているＸ座標検出用接点１２０ａ又はＹ座標検出用接点１２２ａと協働する接点電極１２４ａとして機能する。
【００２４】
基板支持構造１０４は、第２基板１０２の対向面において対向電極１１８に覆われている遮光膜１１６上で複数の接点用突起１２４の複数の第１位置とは異なる複数の第２位置に形成された複数の柱状スペーサ１２６を含んでいる。
【００２５】
遮光膜１１６上の複数の第１位置の複数の接点用突起１２４の夫々は遮光膜１１６上に直接的に形成されていて、遮光膜１１６上の複数の第２位置の複数の柱状スペーサ１２６は遮光膜１１６上に対向電極１１８を介して間接的に形成されている。夫々の接点用突起１２４と夫々の柱状スペーサ１２６とは相互に同じ材料で相互に同じ製造工程（光硬化性樹脂材料の塗布，露光，現像，そして硬化）により形成されているが、相互に異なる製造時期に相互に異なる高さを有するように形成されている。従って、夫々の接点用突起１２４の寸法精度と夫々の柱状スペーサ１２６の寸法精度とは異なる。
【００２６】
第１基板１００の対向面上の透明絶縁膜部分１１４は、複数の画素電極１１０，Ｘ座標検出用接点１２０ａ，Ｙ座標検出用接点１２２ａ，そして複数の薄膜トランジスタ１１２とともに、透明な第１配向膜１２８により覆われている。第１配向膜１２８の外表面がラビング処理をされると、第１基板１００の対向面上から最も突出しているＸ座標検出用接点１２０ａ及びＹ座標検出用接点１２２ａ上から第１配向膜１２８が剥ぎ取られ、これらは第１配向膜１２８から露出される。
【００２７】
第２基板１０２の対向面上の対向電極１１８は、柱状スペーサ１２６とともに、第２配向膜１３０により覆われている。第２配向膜１３０の外表面がラビング処理される間に、第２配向膜１３０において第２基板１０２の対向面上から大きく突出している柱状スペーサ１２６の突出端面（先端）及び接点用突起１２４の突出端面（先端）上に配置されている部分が剥ぎ取られ、これらは第２配向膜１３０から露出される。
【００２８】
第１基板１００及び第２基板１０２は、第１配向膜１２８又は第２配向膜１３０上の前述した所定の範囲を前述した枠状のシール部材により囲んだ後に、第２基板１０２の対向面上の複数の柱状スペーサ１２６の夫々の突出端面（先端）を第１基板１００の対向面上の透明絶縁膜部分１１４における対向位置に第１配向膜１２８を介して載置させられる。これにより、第１基板１００と第２基板１０２とは前述した枠状のシール部材により相互に接合されている間に、相互に離間し相互に平行に支持される。この後、第１基板１００と第２基板１０２との間の前述した枠状のシール部材に形成した液晶注入口を介して第１基板１００と第２基板１０２との間で前述した枠状のシール部材に囲まれたシール部において基板支持構造１０４の柱状スペーサ１２６により規定された所定の高さの第１隙間ＳＧに液晶が注入され、最後に前記液晶注入口が塞がれる。
【００２９】
この時、基板支持構造１０４は、第２基板１０２の複数の接点用突起１２４の夫々の突出端面（先端）における対向電極１１８の部分（接点電極１２４ａ）と第１基板１００における対応するＸ座標検出用接点１２０ａ又はＹ座標検出用接点１２２ａとの間に所定の第２隙間（接点間隔）ＣＧを提供する。当然のことながら、第２隙間（接点間隔）ＣＧは第１隙間ＳＧよりも小さい。
【００３０】
そして、以上説明した如く第１基板１００と第２基板１０２との間の液晶をマトリックス状に配置された画素として駆動する為にアクティブ素子の一種である薄膜トランジスタを使用している接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、アクティブマトリックス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置と呼ばれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３１】
【特許文献１】特開２００７−９５０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
前述した従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の第２基板１０２の対向面においては、前記タッチ位置検出構造の接点用突起１２４の形成は対向電極１１８の形成前に行なわれ、基板支持構造１０４の柱状スペーサ１２６の形成は対向電極１１８の形成後に行なわれる。
【００３３】
接点用突起１２４及び柱状スペーサ１２６の夫々は同じ材料を使用して同じ製造工程（光硬化性樹脂材料の塗布，露光，現像，そして硬化）により形成されるが、夫々の形成は上述した如く相互に独立して相互に異なった時期に行なわれる。このことは、第２基板１０２及びその対向面上に形成された前述した種々の部材を含むユニット（ＣＦ基板ユニットＣＦＵ）の製造工程を複雑化させている。
【００３４】
さらに、相互に異なった高さの接点用突起１２４及び柱状スペーサ１２６の夫々の形成を相互に独立して相互に異なった時期に行なうことにより、接点用突起１２４及び柱状スペーサ１２６の夫々の寸法の仕上がり精度が異なっている。このことは、複数のＣＦ基板ユニットＣＦＵと第１基板１００及びその対向面上に形成された前述した種々の部材を含むユニット（ＴＦＴ基板ユニットＴＦＵ）との複数の組み合わせにおいて、第２隙間（接点間隔）ＣＧに多くの差異が生じることを意味している。
【００３５】
即ち、前述した従来の複数の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置間では、ＣＦ基板ユニットＣＦＵの複数の接点用突起１２４の夫々の突出端面（先端）に位置する対向電極１１８の部分（接点電極１２４ａ）を第１基板１００の対応するＸ座標検出用接点１２０ａ又はＹ座標検出用接点１２２ａに接触させるのに必要な第２基板１０２を押圧する力が複数の接点用突起１２４の相互間で異なり、また上記押圧により第２基板１０２が撓む量も異なる。第２基板１０２の撓み量の異なりは、第２基板１０２と第１基板１００との間における接点用突起１２４の周辺における液晶の厚さ（即ち、光透過量）の異なりを生じさせ、従来の複数の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置間で画像表示品質の差異を生じさせる。
【００３６】
さらに、ＣＦ基板ユニットＣＦＵ及びＴＦＴ基板ユニットＴＦＵの夫々が導電材料及び絶縁材料の夫々の塗布または付着と塗布又は付着された導電材料及び絶縁材料の夫々のエッチングとの繰り返しにより形成される接点内蔵型タッチ式液晶表示装置では、所望のエッチングが確実に正しく行なわれる確率を向上させることにより製造歩留まりを向上させることが常に望まれている。
【００３７】
この発明は上記事情の下でなされ、この発明の目的は、前述した従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置に比べ、製造工程を複雑化することなく、同じ製造工程で製造された同じ種類の複数のタッチ式液晶表示装置間で接点動作押圧力及び画像表示品質における差異を無くすことが出来ると共に製造歩留まりを向上させることが出来る、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３８】
前記目的を果たすため、本発明の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の一態様は、相互に対向して配置された第１基板及び第２基板の間に介在され前記第１基板及び前記第２基板を相互に離間し相互に平行に支持する基板支持構造を備えているアクティブマトリクス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置であって、前記基板支持構造は、前記第２基板の対向面において複数の画素対応部間に、複数の接点用突起と同時に同じ材料により同じ高さに形成された複数の柱状スペーサと、前記第１基板において前記複数の柱状スペーサに対向して設けられ、複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に形成される複数の土台基部と、前記複数の薄膜トランジスタ形成後に前記複数の土台基部に積層して形成された複数の高さ調整部と、を含んでおり、夫々が相互に同じ高さを有した複数の土台と、を備えていて、前記第２基板の前記複数の柱状スペーサの先端を前記第１基板の前記複数の土台の突出端面に接触させることにより、前記第１基板と前記第２基板とが相互間に所定の第１隙間を介して支持されるとともに、前記複数の接点用突起の先端の夫々と前記複数の接点用突起の夫々の先端が対向している前記第１基板の複数の接点電極の夫々との間に前記第１隙間よりも短い所定の第２隙間を生じさせ、前記第１基板の複数の画素対応部の複数の画素電極及び前記複数の接点電極が、前記複数の土台の前記複数の高さ調整部の形成前に形成された第１透明導電膜と、前記複数の土台の前記複数の高さ調整部の形成後に前記第１透明導電膜に重複して形成された第２透明導電膜と、で形成されており、前記複数の高さ調整部の夫々は、前記第１透明導電膜の形成後に前記第１透明導電膜に積層された絶縁膜によって前記複数の土台基部の夫々に対応した部分を成形して形成され、前記複数の高さ調整部の下部以外の前記第１透明導電膜の表面は、前記複数の高さ調整部のエッチングにより荒れており、前記複数の高さ調整部の当該下部の前記第１透明導電膜の表面は、荒れていない、ことを特徴としている。
【００３９】
前記目的を果たすため、本発明の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法の一態様は、相互に対向して配置された第１基板及び第２基板の間に介在され前記第１基板及び前記第２基板を相互に離間し相互に平行に支持する基板支持構造を備えているアクティブマトリクス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法であって、前記基板支持構造が、前記第２基板の対向面において複数の画素対応部間に、複数の接点用突起と同時に同じ材料により同じ高さに形成された複数の柱状スペーサと、前記第１基板において前記複数の柱状スペーサに対向して設けられ、複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に形成される複数の土台基部と、前記複数の薄膜トランジスタ形成後に前記複数の土台基部に積層して形成された複数の高さ調整部と、を含んでおり、夫々が相互に同じ高さを有した複数の土台と、を有し、前記第２基板の前記複数の柱状スペーサの先端を前記第１基板の前記複数の土台の突出端面に接触させることにより、前記第１基板と前記第２基板とが相互間に所定の第１隙間を介して支持されるとともに、前記複数の接点用突起の先端の夫々と前記複数の接点用突起の夫々の先端が対向している前記第１基板の複数の接点電極の夫々との間に前記第１隙間よりも短い所定の第２隙間を生じさせ、前記第１基板の対向面における前記複数の土台の前記複数の土台基部及び前記複数の接点電極の基部を、前記複数の薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記複数の薄膜トランジスタと同時に相互に同じ高さに形成する薄膜トランジスタ／基部形成工程と、前記薄膜トランジスタ／基部形成工程の後に、前記第１基板において複数の画素対応部に配置された複数の画素電極と、前記第１基板における前記複数の土台の前記複数の高さ調整部と、前記複数の接点電極と、を形成する電極／高さ調整部形成工程と、を備え、前記電極／高さ調整部形成工程が、前記薄膜トランジスタ／基部形成工程後に、第１透明導電膜の成膜工程と、絶縁膜の成膜工程と、前記絶縁膜をパターニングし前記複数の高さ調整部を形成する工程と、第２透明導電膜の成膜工程と、前記第２透明導電膜と前記第１透明導電膜とをパターニングする工程と、の順序で行なわれ、前記複数の高さ調整部の下部以外の前記第１透明導電膜の表面は、前記複数の高さ調整部のパターニングにより荒れており、前記複数の高さ調整部の当該下部の前記第１透明導電膜の表面は、荒れていない、ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００４６】
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置では、第１基板と第２基板とを相互に支持する基板支持構造の柱状スペーサが、前記第２基板の対向面において、タッチ位置検出構造の複数の接点用突起と同時に同じ材料で同じ高さに形成されている。
【００４７】
従って、複数の接点用突起と複数の柱状スペーサの夫々とを同じ仕上がり寸法で製造することが出来る。
【００４８】
しかも、前記基板支持構造において、前記第１基板において前記複数の柱状スペーサに対向して設けられた複数の土台の夫々が相互に同じ高さを有している。
【００４９】
そして、前記第２基板の前記複数の柱状スペーサの先端を前記第１基板の前記複数の土台の突出端面に接触させることにより、前記第１基板と前記第２基板とが相互間に所定の第１隙間を介して支持されるとともに、前記複数の接点用突起の先端の接点電極の夫々と前記複数の接点用突起の夫々の先端が対向している前記第１基板の複数の接点電極の夫々との間に前記第１隙間よりも短い所定の第２隙間を生じさせる。
【００５０】
従って前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、前述した従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置に比べ、製造工程を複雑化することなく、同じ製造工程で製造された同じ種類の複数の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置間で接点動作押圧力及び画像表示品質における差異を無くすことが出来る。
【００５１】
しかも、この発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、液晶操作構造の複数の画素電極及びタッチ位置検出構造の複数の接点電極が、前記土台の高さ調整部の形成前に形成された第１透明導電膜と前記高さ調整部の形成後に前記第１透明導電膜に重複して形成された第２透明導電膜とで形成されている。
【００５２】
前記複数の土台の前記複数の高さ調整部は、前記第１基板の前記対向面上において、第１透明導電膜が形成された後に形成される。詳細には、前記複数の土台の前記複数の高さ調整部は、前記第１透明導電膜上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜において前記複数の高さ調整部に対応した複数の部分のみをレジスト膜で覆い、レジスト膜により覆われていない部分をエッチング処理し、レジスト膜により覆われている部分を前記複数の高さ調整部として残すことにより形成される。そして、このエッチング処理が前記レジスト膜に覆われていない前記第１透明導電膜の表面を荒らす。
【００５３】
この後に、前記第１透明導電膜において複数の前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記複数のドレイン電極，そして前記タッチ位置検出構造の前記接点電極に対応している部分をレジスト膜で覆い、レジスト膜により覆われていない部分をエッチング処理することにより、レジスト膜により覆われている部分を複数の前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記タッチ位置検出構造の前記接点電極として残すことが出来る。
【００５４】
しかしながら、この場合、前述した如く表面が荒れた前記第１透明導電膜に適用されたレジスト膜は前記第１透明導電膜に対する付着不良が生じ易い。比較的大きな付着不良が前記第１透明導電膜に沿ったレジスト膜の境界に生じると、前記第１透明導電膜からエッチングにより形成された複数の前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記タッチ位置検出構造の前記接点電極のいずれかに寸法精度の不良が生じる可能性が大きくなる。ひいては、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造歩留まりが低くなる。
【００５５】
この様な事態を避ける為に、前記第１基板の前記対向面上において、前記複数の高さ調整部の形成後に、前記第１透明導電膜に対して上述した如くエッチングを行なわず、前記第１透明導電膜に第２透明導電膜を重複させ、この後に前記第２透明導電膜において複数の前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記タッチ位置検出構造の前記接点電極に対応している部分をレジスト膜で覆い、レジスト膜により覆われていない部分をエッチング処理することにより、レジスト膜により覆われている前記第２透明導電膜の部分及びその下の前記第１透明導電膜の部分を複数の前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記タッチ位置検出構造の前記接点電極として残している。
【００５６】
即ち、前記第１基板の複数の画素対応部の複数の画素電極及び前記複数の接点電極が、前記土台の前記高さ調整部の形成前に形成された第１透明導電膜と、前記土台の前記高さ調整部の形成後に前記第１透明導電膜に重複して形成された第２透明導電膜と、で形成されている。
【００５７】
前記複数の土台の前記複数の高さ調整部の形成の為のエッチングにより荒れた前記第１透明導電膜に対する前記第２透明導電膜の付着は、前記第１透明導電膜に対する前述した直接のエッチング処理の為のレジスト膜の付着に比べると遥かに良好であり、付着不良を殆ど生じさせないことがわかっている。
【００５８】
従って、前記第１透明導電膜に対して前記第２透明導電膜を付着させた後に、前記複数の土台の前記複数の高さ調整部の形成の為のエッチングにより荒れていない前記第２透明導電膜において、前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記タッチ位置検出構造の前記接点電極に対応している部分をレジスト膜で覆うと、前記第２透明導電膜に対するこのレジスト膜の付着に不良が生じることが殆どない。
【００５９】
従って、この後にエッチング処理することにより、前記レジスト膜又は前記複数の土台の前記複数の高さ調整部により覆われていない前記第２透明導電膜及び前記第１透明導電膜は取り除かれ、前記第１基板の前記対向面上において、前記液晶操作構造の前記複数の画素電極及び前記タッチ位置検出構造の前記複数の接点電極を、相互に重複している前記第１透明導電膜及び前記第２透明導電膜により常に確実に良好な製造歩留まりで形成することが出来る。ひいては、この発明に従った、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造歩留まりが大きくなる。
【００６０】
そして、前述した如く前記第１基板の複数の画素対応部の複数の画素電極及び前記複数の接点電極が、前記土台の前記高さ調整部の形成前に形成された第１透明導電膜と、前記土台の前記高さ調整部の形成後に前記第１透明導電膜に重複して形成された第２透明導電膜と、で形成されるようにする為に、この発明に従った、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の製造方法は、
前記第１基板の対向面における前記土台の前記土台基部及び前記接点電極の基部を、前記薄膜トランジスタの複数の材料の少なくとも一部を使用して前記薄膜トランジスタと同時に相互に同じ高さに形成する薄膜トランジスタ／基部形成工程と、
薄膜トランジスタ／基部形成工程の後に、前記第１基板において複数の画素対応部に配置された複数の画素電極と、前記第１基板における前記土台の前記高さ調整部と、前記複数の接点電極と、を形成する電極／高さ調整部形成工程と、
を備え、
前記電極／高さ調整部形成工程が、前記薄膜トランジスタ／基部形成工程後に、
第１透明導電膜の成膜工程と、
絶縁膜の成膜工程と、
前記絶縁膜をパターニングし前記高さ調整部を形成する工程と、
第２透明導電膜の成膜工程と、
前記第２透明導電膜と前記第１透明導電膜とをパターニングする工程と、
の順序で行なわれる、
ことを特徴としている。
【００６１】
この製造方法ではさらに、前記絶縁膜のパターニングが、ドライエッチングにより行なわれることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、この発明の一実施形態に従ったアクティブマトリックス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の全体の外観をその周辺機器とともに概略的に示す概略図である。
【図２】図２は、図１において後側に位置する第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）の第１基板の対向面に設けられている液晶操作構造の一部及び基板支持構造の一部を概略的に示す概略的な平面図である。
【図３】図３は、この発明の一実施形態に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置のＴＦＴ基板の対向面における液晶操作構造の画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，そしてタッチ位置検出構造のＸ座標検出用接点電極及びＹ座標検出用接点電極の構成を拡大して概略に示す拡大部分平面図である。
【図４】図４の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図３のＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面における基板支持構造の土台，そしてタッチ位置検出構造のＸ座標検出用接点電極及びＹ座標検出用接点電極の周囲を、これらに対応しているＣＦ基板の対向面における基板支持構造の柱状スペーサ，及びタッチ位置検出構造の接点用突起とともに拡大して概略的に示す断面図である。
【図５】図５の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程の最初の段階を概略的に示す断面図である。
【図６】図６の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、相互に共通に形成された、前記液晶操作構造の前記複数の薄膜トランジスタの夫々，前記基板支持構造の前記複数の土台の土台基部，そして前記タッチ位置検出構造において前記複数のＸ座標検出用接点電極及び前記複数のＹ座標検出用接点電極の夫々を除いた接点電極基部の夫々に、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）が形成される直前の段階を概略的に示す断面図である。
【図７】図７の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、相互に共通に形成された、前記液晶操作構造の前記複数の薄膜トランジスタの夫々，前記基板支持構造の前記複数の土台の土台基部，そして前記タッチ位置検出構造において前記複数のＸ座標検出用接点電極及び前記複数のＹ座標検出用接点電極の夫々を除いた接点電極基部の夫々に、共通な第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）が形成された直後の段階を概略的に示す断面図である。
【図８】図８の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、画素電極，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の為の第１透明導電膜の形成、及びそれに続く前記土台の高さ調整部の為の絶縁膜の形成の段階を概略的に示す断面図である。
【図９】図９の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、図８の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）における前記土台の高さ調整部の為の絶縁膜のエッチング処理が終了した直後の段階を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、図９の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）における前記土台の高さ調整部の為の絶縁膜のエッチング処理が終了した後に画素電極，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の為の第２透明導電膜が形成された直後の段階を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１１の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、図１０の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）における第２透明導電膜に、画素電極，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極のエッチング処理の為のレジスト膜が付着された直後の段階を概略的に示す断面図である。
【図１２】図１２の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図３のＶＩＡ−ＶＩＡ線，ＶＩＢ−ＶＩＢ線，ＶＩＣ−ＶＩＣ線，そしてＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿ったＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の作成工程において、図１１の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）における第２層の導電膜がエッチング処理され、画素電極，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極が第１透明導電膜及び第２透明導電膜により提供された段階を概略的に示す断面図である。
【図１３】図１３は、従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置のＴＦＴ基板の対向面における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の構成を拡大して概略に示す拡大部分平面図である。
【図１４】図１４の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図１３のＸＩＶＡ−ＸＩＶＡ線，ＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線，そしてＸＩＶＣ−ＸＩＶＣ線に沿った従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置のＴＦＴ基板における基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点電極，そしてＹ座標検出用接点電極の周囲を、これらに対応しているＣＦ基板における柱状スペーサ，及び接点用突起とともに拡大して概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６３】
最初に、図１及び図２を参照しながら、この発明の一実施形態に従ったアクティブマトリックス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の全体の構成を概略的に説明する。
【００６４】
図１には、この発明の一実施形態に従ったアクティブマトリックス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の外観がその周辺機器とともに概略的に示されている。接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０は、タッチパネル機能を有する液晶表示パネル７０と、液晶表示パネル７０に搭載されており液晶を駆動する為のドライバ素子７２と、液晶表示パネル７０におけるタッチ位置に関する座標データを外部に出力する為の一対の外部出力端子７３ａ，７３ｂと、を備えている。
【００６５】
ドライバ素子７２にはドライバ素子７２を制御する為の表示用コントローラ７４が接続されており、一対の外部出力端子７３ａ，７３ｂには座標検出用コントローラ７５が接続されており、さらに表示用コントローラ７４と座標検出用コントローラ７５とにはこれらを制御する為のメインコントローラ７６が接続されている。
【００６６】
液晶表示パネル７０は、図１において後側に位置する矩形の第１基板１２ａを伴った第１基板ユニット１２と、図１において第１基板ユニット１２の前側に位置する矩形の第２基板１４ａを伴った第２基板ユニット１４と、を備えている。第１基板１２ａ及び第２基板１４ａの夫々は、透明なガラス製である。
【００６７】
第１基板１２ａと第２基板１４ａとは、第１基板１２ａと第２基板１４ａとの間に介在されている後述する基板支持構造により相互に離間して相互に平行に支持されている。
【００６８】
第１基板１２ａの対向面の周辺部と第２基板１４ａの対向面の周辺部との間は、枠状のシール部材７８によりシールされていて、第１基板１２ａの対向面と第２基板１４ａの対向面との間の隙間においてシール部材７８により囲まれているシール部には液晶が保持されている。
【００６９】
表側の第２基板１４ａの外表面において枠状のシール部材７８に囲まれているシール部の内側の所定の領域は画像表示領域（画面エリア）８０となっている。第１基板１２ａと第２基板１４ａとの夫々の対向面において、画像表示領域（画面エリア）８０に対応する部分には、図２中にそれらの一部が示されている如く、これらの対向面間の前記所定の領域に対応する所望の複数の部位の液晶を選択的に操作し前記所望の複数の部位の光透過率を選択的に調整する液晶操作構造ＬＣＯや前述した基板支持構造１６が設けられている。前記所望の複数の部位はマトリックス状に配置されている。そして、この様な複数の部位の夫々は、画素と呼ばれている。
【００７０】
第１基板１２ａと第２基板１４ａとの夫々の対向面において、画像表示領域（画面エリア）８０に対応する部分にはさらに、図２中にその一部が示されている如く、第１基板１２ａと第２基板１４ａとの複数の位置に配置され画像表示領域（画面エリア）８０に沿ったタッチ位置を検出するタッチ位置検出構造ＴＰＳが設けられている。
【００７１】
図２中に示されている如く、液晶操作構造ＬＣＯは、第１基板１２ａの対向面上において一方向（図２中では、左から右に向かう又はこの逆に向かう方向であり、Ｘ方向とする）と直交する他方向（図２中では、上又は下に向かう方向であり、Ｙ方向とする）において所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記一方向（Ｘ方向）に延出した複数の走査線１８と、第１基板１２ａの対向面上において前記一方向（Ｘ方向）において所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記他方向（Ｙ方向）に延出した複数の信号線２０と、を含む。
【００７２】
第１基板１２ａの対向面上において複数の走査線１８と複数の信号線２０とは、前述した図示されていない液晶のマトリックス状に配置されている所望の複数の部位（画素対応部）を取り囲むように格子状に配置されている。
【００７３】
第１基板１２ａの対向面上における液晶操作構造ＬＣＯの一部は、第１基板１２ａの対向面上に前述した所望の複数の部位（画素対応部）に対応してマトリックス状に配置されている複数の画素電極２２を含む。複数の画素電極２２の夫々は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の如き透明な導電性材料の膜により形成されている。
【００７４】
複数の走査線１８の夫々は前記一方向（Ｘ方向）に沿って配列されている複数の画素電極２２の一方の側に沿っていて、複数の信号線２０の夫々は前記他方向（Ｙ方向）に沿って配列されている複数の画素電極２２の一方の側に沿っている。
【００７５】
第１基板１２ａの対向面上における液晶操作構造ＬＣＯの一部はまたさらに、第１基板１２ａの対向面上に複数の画素電極２２の夫々に対応して配置された複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４を含んでいる。複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の夫々は、対応する画素電極２２，対応する画素電極２２に隣接した１つの信号線２０，そして対応する画素電極２２に隣接した１つの走査線１８、に接続されており、前記１つの信号線２０から対応する画素電極２２に向かう信号の伝達を前記１つの走査線１８からの信号により制御して対応する画素電極２２の動作を制御する。
【００７６】
複数の薄膜トランジスタ２４は、複数の走査線１８，複数の信号線２０，そして複数の画素電極２２とともに、第１基板１２ａの対向面上に形成されている。
【００７７】
ここにおいて、複数の走査線１８，複数の信号線２０，そして複数の画素電極２２は、複数の薄膜トランジスタ２４の形成の間に後に詳細に説明する多層の透明絶縁膜により相互に電気的に絶縁されている。そして第１基板１２ａの対向面上において複数の画素電極２２は、前記多層の透明絶縁膜の最上位置の透明絶縁膜上に配置されている。
【００７８】
タッチ位置検出構造ＴＰＳにおいて第１基板１２ａの対向面上に設けられている一部は、第１基板１２ａの対向面上において前記一方向（この実施形態では、Ｘ方向）に沿った複数の位置で前記一方向に対し直交する他方向（この実施形態では、Ｙ方向）に延出した複数の第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６と、第１基板１２ａの対向面上において前記他方向（この実施形態では、Ｙ方向）に沿った複数の位置で前記一方向（この実施形態では、Ｘ方向）に延出した複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８と、を含んでいる。第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６は複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８から前述した多層の絶縁膜により相互に電気的に絶縁されている。
【００７９】
この実施形態において複数の第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６は、第１基板１２ａの対向面上で複数の信号線２０の中の所望の複数の信号線２０に沿い延出しており、また、複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８は、第１基板１２ａの対向面上で複数の走査線１８の中の所望の複数の走査線１８に沿い延出している。
【００８０】
複数の第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６の夫々は、前記他方向（この実施形態では、Ｙ方向）に沿った複数の位置に第１座標検出用接点電極（この実施形態ではＸ座標検出用接点電極）２６ａを有している。夫々の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａは、複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８との交差位置の近傍に配置されている。
【００８１】
複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８の夫々は、前記一方向（この実施形態では、Ｘ方向）に沿った複数の位置に第２座標検出用接点電極（この実施形態ではＹ座標検出用接点電極）２８ａを有している。夫々の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａは、夫々の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８が沿っている前記一方向（Ｘ方向）に並んでいる複数の画素電極２２の中で、第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａが隣接して配置されている画素電極２２と第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６を挟んで反対側に位置している画素電極２２に隣接して配置されている。
【００８２】
基板支持構造１６において第１基板１２ａの対向面上に設けられている一部は、所望の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に隣接し、複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａとは異なる位置に、相互に同じ高さを有した複数の土台３０を含んでいる。
【００８３】
即ち、第１基板１２ａの対向面上において、複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａが配置されている複数の位置を第１位置とすると、複数の土台３０が配置されている複数の位置は前記第１位置とは異なる第２位置とすることが出来る。
【００８４】
第１基板１２ａの対向面上に設けられていて基板支持構造１６の一部である土台３０の大部分を占める土台基部は、複数の薄膜トランジスタ２４の形成の間に複数の薄膜トランジスタ２４の複数の材料の少なくとも一部を使用し複数の薄膜トランジスタ２４の形成技術を利用して複数の薄膜トランジスタ２４と同時に形成されている。
【００８５】
夫々の土台３０はさらに、土台基部上に、複数の薄膜トランジスタ２４の形成後に積層して形成され土台３０の突出端を提供する高さ調整部を含み、複数の土台３０は相互に同じ高さを有している。ここに記載した土台基部と高さ調整部とを含む土台３０の詳細な構造は、図３及び図４を参照して後述される。
【００８６】
この実施形態においては、上述した基板支持構造１６の一部である土台３０と同様に、第１基板１２ａの対向面上に設けられている液晶操作構造ＬＣＯの一部及びタッチ位置検出構造ＴＰＳの一部も、複数の薄膜トランジスタ２４の形成の間に複数の薄膜トランジスタ２４の複数の材料の少なくとも一部を使用し複数の薄膜トランジスタ２４の形成技術を利用して、複数の薄膜トランジスタ２４と同時に相互に同じ形成技術により、共通して提供されている。
【００８７】
また、第１基板１２ａの対向面において、画像表示領域（画面エリア）７０に対応した部位を取り囲んでいるシール部材７８の外側に位置する周辺部には、前述したドライバ素子７２が搭載されている。ドライバ素子７２は、複数の走査線１８の夫々の一端が接続された走査ドライバ８２と、複数の信号線２０の夫々の一端が接続されたデータドライバ８４と、が形成されたＬＳＩ（大規模集積回路）である。
【００８８】
第１基板１２ａの対向面の上記周辺部にはさらに、複数の第１座標検出用薄膜トランジスタ（この実施形態ではＸ座標検出用薄膜トランジスタ）２６ｂ及び複数の第２座標検出用薄膜トランジスタ（この実施形態ではＹ座標検出用薄膜トランジスタ）２８ｂが搭載されている。
【００８９】
複数の第１座標検出用薄膜トランジスタ（Ｘ座標検出用薄膜トランジスタ）２６ｂのゲート電極は複数の走査線１８の他端に接続されていて、ソース電極は複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６に接続されていて、ドレイン電極は共通の第１座標検出用出力ライン（Ｘ座標検出用出力ライン）２６ｃを介して一方の外部出力端子７３ａに接続されている。そして、図２から明らかなように、第１座標検出用出力ライン（Ｘ座標検出用出力ライン）２６ｃも一方の外部出力端子７３ａも第１基板１２ａの対向面の上記周辺部に配置されている。
【００９０】
また、複数の第２座標検出用薄膜トランジスタ（Ｙ座標検出用薄膜トランジスタ）２８ｂのゲート電極は複数の走査線１８の他端に接続されていて、ソース電極は複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に接続されていて、ドレイン電極は共通の第２座標検出用出力ライン（Ｙ座標検出用出力ライン）２８ｃを介して他方の外部出力端子７３ｂに接続されている。そして、図２から明らかなように、第２座標検出用出力ライン（Ｙ座標検出用出力ライン）２８ｃも他方の外部出力端子７３ｂも第１基板１２ａの対向面の上記周辺部に配置されている。
【００９１】
第２基板１４ａの対向面において画像表示領域（画面エリア）８０に対応した領域には、第１基板１２ａの対向面の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａに対向して、第２基板１４ａ側でタッチ位置検出構造ＴＰＳの残部を提供している接点用突起が形成されている。
【００９２】
第２基板１４ａの対向面において画像表示領域（画面エリア）８０に対応した領域にはさらに、液晶操作構造ＬＣＯの残部としての対向電極が設けられていて、前記対向電極は前記接点用突起の突出端面（先端）も覆い、前記接点用突起の突出端面（先端）においてタッチ位置検出構造ＴＰＳの残部の為の接点電極を提供している。
【００９３】
第１基板ユニット１２及び第２基板ユニット１４の夫々の最も内側には第１配向膜及び第２配向膜が配置されているが、これら配向膜は第１基板ユニット１２及び第２基板ユニット１４の間で選択的に行なわれる電気的な接続を妨げない。
【００９４】
次に、液晶パネル７０がタッチパネルとして動作する為のタッチ位置検出構造ＴＰＳの機能を概略的に説明する。
【００９５】
液晶表示パネル７０の第２基板１４ａの外表面における画像表示領域（画面エリア）８０に対するタッチ入力は、液晶表示パネル７０が画像表示の為に駆動されている間に、画像表示領域（画面エリア）８０の任意の位置を例えば指先やタッチペン等の先細な先端部を有した物体の前記先端部によりタッチすることにより行われる。
【００９６】
前記タッチ入力が行われると、第２基板１４ａのタッチされた部分（以下、タッチ部という）が内側に撓む。そして、前記タッチ部に位置している第２基板１４ａの対向面の複数の前記接点用突起の突出端(先端)の前記接点電極が、第１基板１２ａの対向面において前記タッチ部に対応している第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａと第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａとに接触し、前記接点電極と前記第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び前記第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａとの電気的な接続が行なわれる。
【００９７】
前述した如く電気的な接続が行われ選択された前記第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａが接続されている第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６及び前述した如く電気的な接続が行われ選択された前記第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａが接続されている第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に、前記対向電極からのコモン信号の電圧と同じ電圧がチャージされる。
【００９８】
前記選択された前記第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａに接続されている第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６からのコモン信号電圧がソース電極に入力されている第１座標検出用薄膜トランジスタ（Ｘ座標検出用薄膜トランジスタ）２６ｂは、そのゲート電極が接続されている走査線１８にゲート信号が入力された時に、そのドレイン電極から前記コモン信号電圧に対応した信号を第１座標検出用出力ライン（Ｘ座標検出用出力ライン）２６ｃに出力する。
【００９９】
また、前記選択された前記第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａに接続されている第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８からのコモン信号電圧がソース電極に入力されている第２座標検出用薄膜トランジスタ（Ｙ座標検出用薄膜トランジスタ）２８ｂは、そのゲート電極が接続されている走査線１８にゲート信号が入力された時に、そのドレイン電極から前記コモン信号電圧に対応した信号を第２座標検出用出力ライン（Ｙ座標検出用出力ライン）２８ｃに出力する。
【０１００】
複数の走査線１８の選択順に第１座標検出用出力ライン（Ｘ座標検出用出力ライン）２６ｃに出力されたＸ座標シリアルデータ信号は、外部出力端子７３ａを介して座標検出用コントローラ７５に含まれている第１座標検出用コンパレータ（Ｘ座標検出用コンパレータ）のデータ信号端子に入力される。
【０１０１】
また、複数の走査線１８の選択順に第２座標検出用出力ライン（Ｙ座標検出用出力ライン）２８ｃに出力されたＹ座標シリアルデータ信号は、外部出力端子７３ｂを介して座標検出用コントローラ７５に含まれている第２座標検出用コンパレータ（Ｙ座標検出用コンパレータ）のデータ信号端子に入力される。
【０１０２】
第１座標検出用コンパレータ（Ｘ座標検出用コンパレータ）は、個々のＸ座標シリアルデータ信号の電圧と前記コモン信号電圧よりも低い図示しないリファレンス信号発生部からの所定のリファレンス電圧Ｖrefとを比較する。そして、第１座標検出用コンパレータ（Ｘ座標検出用コンパレータ）は、個々のＸ座標シリアルデータ信号の電圧がリファレンス電圧Ｖrefよりも高ければ１の値のデジタル信号を出力し、個々のＸ座標シリアルデータ信号の電圧がリファレンス電圧Ｖrefよりも低ければ０の値のデジタル信号を出力する。
【０１０３】
第２座標検出用コンパレータ（Ｙ座標検出用コンパレータ）は、個々のＹ座標シリアルデータ信号の電圧と前記コモン信号電圧よりも低い図示しないリファレンス信号発生部からの所定のリファレンス電圧Ｖrefとを比較する。そして、第２座標検出用コンパレータ（Ｙ座標検出用コンパレータ）は、個々のＹ座標シリアルデータ信号の電圧がリファレンス電圧Ｖrefよりも高ければ１の値のデジタル信号を出力し、個々のＹ座標シリアルデータ信号の電圧がリファレンス電圧Ｖrefよりも低ければ０の値のデジタル信号を出力する。
【０１０４】
座標検出用コントローラ７５は、前記第１座標検出用コンパレータ（Ｘ座標検出用コンパレータ）及び前記２座標検出用コンパレータ（Ｙ座標検出用コンパレータ）から、複数の走査線１８の選択順に出力される第１座標（Ｘ座標）及び第２座標（Ｙ座標）に関するデジタル信号から、液晶表示パネル７０の第２基板１４ａの外表面における画像表示領域（画面エリア）８０におけるタッチ位置をメインコントローラ７６に出力する。
【０１０５】
次に、図３及び図４を参照しながら表示パネル７０の構造についてより詳細に説明する。
【０１０６】
図３及び図４からは、第１基板１２ａの対向面上における：液晶操作構造ＬＣＯの一部である走査線１８，信号線２０，画素電極２２，そして画素駆動用薄膜トランジスタ２４；タッチ位置検出構造ＴＰＳの一部である第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６，第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ，第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８，そして第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａ；及び、基板支持構造１６の一部である土台３０、の２次元的な配置関係及び３次元的な配置関係をより詳細に見ることが出来る。
【０１０７】
特に、図３からは、第１基板１２ａの対向面上において、前記一方向（Ｘ方向）に延出している走査線１８に沿い配置されている複数の画素電極２２に対応して走査線１８上の複数の位置に複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４が配置されていて、走査線１８に隣接した第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に沿い走査線１８上の複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の相互間の複数の位置に、土台３０，第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ，そして第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａが所定の順序で配置されていることが判る。
【０１０８】
図３からはまた、複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の夫々が、対応する画素電極２２に電気的に接続されたドレイン電極２４ａ，対応する画素電極２２に隣接した前記１つの信号線２０に電気的に接続されたソース電極２４ｂ，対応する画素電極２２に隣接した前記１つの走査線１８に電気的に接続されたゲート電極２４ｃ，そして、ドレイン電極２４ａとソース電極２４ｂとの間に隙間２４ｄを介して対向している半導体のオーミック層を有することがわかる。画素駆動用薄膜トランジスタ２４は、前記１つの信号線２０からソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ａを介して対応する画素電極２２に向かう信号の伝達を、前記１つの走査線１８からのゲート電極２４ｃを介した信号により前述したオーミック層において制御して、対応する画素電極２２の動作を制御する。
【０１０９】
図３からはさらに、第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８において第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａに対応した部分は、第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａと接続する為の接続部分２８ｄを提供していることがわかる。また、第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６において第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａに対応した部分は、第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａと接続する為の接続部分２６ｄを提供していることがわかる。
【０１１０】
また、図４からは、第１基板１２ａの対向面上において、第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６，第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ，第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８，第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａ，そして土台３０が相互に上下方向に離間して配置されているとともに、これらが前述した多層の絶縁膜により相互に絶縁されていることが判る。
【０１１１】
図４にはさらに、第１基板１２ａの対向面上において第２基板１２ａの対向面に最も近い位置に適用されている第１配向膜３２が図示されている。第１配向膜３２は、第１基板１２ａの対向面からの突出高さが比較的大きな複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ，第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点）２８ａ，そして土台３０の突出端面（先端）３０ａでは、厚さが他の部分に比べて薄くなっている。
【０１１２】
従って、適用当初の第１配向膜３２の外表面にラビング処理を含む配向処理を施すことにより、第１配向膜３２において土台３０の突出端面（先端）３０ａ，第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ，そして第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａ上に位置する厚さが比較的薄い部分は、これらの上から取り除かれている。
【０１１３】
図４にはまたさらに、第１基板１２ａの外側面に貼り付けられている偏光板３４及び第２基板１４ａの外側面に貼り付けられている偏光板３６が図示されている。
【０１１４】
図４には、図３を参照しながら前述した如く第１基板１２ａの対向面上において所望の複数の画素に対応している複数の画素対応部位を取り囲むよう格子状に配置されている複数の走査線１８と複数の信号線２０とに対向して、第２基板１４ａの対向面上に形成されている格子状の遮光膜３８（いわゆるブラックマスク）が図示されている。
【０１１５】
第２基板１４ａの外側面の偏光板３６から第１基板１２ａを見た時に、格子状の遮光膜３８は、第１基板１２ａの対向面上の複数の走査線１８と複数の信号線２０とを覆い、さらに、前記所望の走査線１８と前記所望の信号線２０とに沿っている複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８と複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６とに対向し複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８と複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６とを覆っている。
【０１１６】
遮光膜３８はまた、複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に沿って配置されている複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４，複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ，複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａ，そして複数の土台３０を覆っている。
【０１１７】
第１基板１２ａの対向面上の複数の画素電極２２は、格子状の遮光膜３８中の複数の開口に対応していて遮光膜３８により覆われていない。
【０１１８】
第２基板１４ａの対向面上にはさらに、格子状の遮光膜３８中の複数の開口に対応して、即ち、第１基板１２ａの対向面上の複数の画素電極２２に対応して、所定の配列で例えば赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターが形成されている。前記各カラーフィルターの一部分は遮光膜３８上にも形成される。
【０１１９】
図４中に図示されている如く、第２基板１４ａの対向面における前述したタッチ位置検出構造ＴＰＳの残部は、第２基板１４ａの対向面の遮光膜３８上において、第１基板１２ａの対向面の複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａに対向した複数の第１位置に形成された複数の接点用突起４０を含む。複数の接点用突起４０は、夫々が相互に同じ構成であり相互に同じ所定の高さを有している。図４には、第１基板１２ａの対向面の複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの１つに対向している１つの接点用突起４０及び第１基板１２ａの対向面の複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの１つに対向している接点用突起４０が図示されている。
【０１２０】
第２基板１４ａの対向面における基板支持構造１６の残部は、第２基板１４ａの対向面の遮光膜３８（即ち、複数の画素対応部の間）上において、第１基板１２ａの対向面の複数の土台３０に対向し前記複数の第１位置とは異なる複数の第２位置に形成された複数の柱状スペーサ４２を含む。複数の柱状スペーサ４２の夫々は、複数の接点用突起４０の夫々と相互に同じ構成であり相互に同じ所定の高さを有している。複数の柱状スペーサ４２の夫々は、複数の接点用突起４０の夫々と、同じ材料を使用し同じ製造工程（光硬化性樹脂材料の塗布，露光，現像，そして硬化）により同時に形成されている。従って、複数の柱状スペーサ４２の夫々と複数の接点用突起４０の夫々とは、相互に同じ寸法精度で第２基板１４ａの対向面の遮光膜３８上の複数の前記第１位置の夫々及び複数の前記第２位置の夫々に形成されているので、第２基板１４ａの対向面上の遮光膜３８、即ち第２基板１４ａの対向面、から相互に同じ高さＨで突出している。
【０１２１】
そして、前述した如く前記各カラーフィルターの一部が遮光膜３８上にも形成される場合には、遮光膜３８上で複数の接点用突起４０及び複数の柱状スペーサ４２が形成される場所を避けるよう前記各カラーフィルターの一部が形成される。
【０１２２】
第２基板１４ａの対向面における前述した液晶操作構造ＬＣＯの残部は、第２基板１４ａの対向面に形成されている全ての部材（即ち、遮光膜３８，複数の赤色フィルター，複数の緑色フィルター，そして複数の青色フィルター，複数の柱状スペーサ４２及び複数の接点用突起４０）を覆う対向電極４４を含む。第２基板１４ａの対向表面上の対向電極４４は、第１基板１２ａの対向面上の複数の画素電極２２と対向している。対向電極４４は透明な導電性材料を使用して形成されている。
【０１２３】
対向電極４４は、第２配向膜４６に覆われている。しかしながら、第２基板１４ａの対向面からの突出高さが比較的高い複数の柱状スペーサ４２及び複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）では、第２配向膜４６の厚さが他の部分に比べ薄くなっている。
【０１２４】
従って、適用当初の第２配向膜４６の外表面にラビング処理を含む配向処理を施すことにより、第２配向膜４６において複数の柱状スペーサ４２及び複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）上に位置する厚さが比較的薄い部分は、これらの上から取り除かれている。この結果として、対向電極４４において複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）上に露出された部分は、複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）を覆う接点電極４８としても機能することが出来る。
【０１２５】
この実施形態において、前述した第１基板ユニット１２は：第１基板１２ａ；第１基板１２ａの対向面上において液晶操作構造ＬＣＯの一部を構成している、複数の走査線１８，複数の信号線２０，複数の画素電極２２，複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４，前述した多層の透明絶縁層；第１基板１２ａの対向面上においてタッチ位置検出構造ＴＰＳの一部を構成している、複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａを夫々が伴った複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６，複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａを夫々が伴った複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８；第１基板１２ａの対向面上において基板支持構造１６の一部を構成している複数の土台３０；そして第１基板１２ａの対向面上の第１配向膜３２、により構成されている。第１基板ユニット１２はＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板ユニットとも呼ばれ、単独で取り扱い可能である。
【０１２６】
そして、この実施形態において、前述した第２基板ユニット１４は：第２基板１４ａ；第２基板１４ａの対向面上の遮光膜３８；第２基板１４ａの対向面上の例えば複数の赤色フィルター，複数の緑色フィルター，そして複数の青色フィルターを含む複数のカラーフィルター；第２基板１４ａの対向面上において液晶操作構造ＬＣＯの残部を構成している対向電極４４；第２基板１４ａの対向面上においてタッチ位置検出構造ＴＰＳの残部を構成している複数の接点用突起４０及びその突出端面（先端）の接点用電極４８；第２基板１４ａの対向面上において基板支持構造１６の残部を構成している複数の柱状スペーサ４２；そして第２基板１４ａの対向面上の第２配向膜４６、により構成されている。第２基板ユニット１４はＣＦ（Color Filter）基板ユニットとも呼ばれ、単独で取り扱い可能である。
【０１２７】
前述した如く構成された第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）１２及び第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）１４は、第１配向膜３２又は第２配向膜４６上の所定の範囲を前述した図示しない枠状のシール部材により囲んだ後に、第２基板１４ａの対向面上の基板支持構造１６の複数の柱状スペーサ４２の突出端面（先端）を第１基板１２ａの対向面上の対応する複数の土台３０の突出端面（先端）３０ａ上に載置され接触させられる。このことにより、第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）１２と第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）１４とは前述したシール部材により相互に接合され、第１基板１２ａと第２基板１４ａとは基板支持構造１６により相互間に所定の第１隙間ＣＬを介して相互に離間し相互に平行に支持される。この後、前記枠状のシール部材により囲まれたシール部に形成した液晶注入口を介して第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）１２と第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）１４との間の空間で前記枠状のシール部材により囲まれた前述したシール部の所定の範囲に液晶が注入され、最後に前記液晶注入口が塞がれる。
【０１２８】
この時、基板支持構造１６を提供している、第２基板１４ａの対向面上の複数の柱状スペーサ４２と第１基板１２ａの対向面上の対応する複数の土台３０とは、第２基板１４ａの複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）における対向電極４４の部分である接点電極４８と第１基板１２ａにおける対向している第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａとの間に所定の第２隙間（接点間隔）ＣＫを提供する。当然のことながら第２隙間（接点間隔）ＣＫは、第１基板１２ａと第２基板１４ａとの間に基板支持構造１６により設定された所定の第１隙間ＣＬよりも短い。
【０１２９】
この実施形態において重要なことは、第１基板１２ａの対向面において、複数の画素電極２２の夫々，複数の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの夫々、そして複数の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの夫々が、相互に重複されている導電性材料の第１透明導電膜ＦＬ及び第２透明導電膜ＳＬにより提供されていることである。
【０１３０】
次に、図５乃至図１２を参照しながら、第１基板１２ａの対向面上における、画素電極２２及び画素駆動用薄膜トランジスタ２４を含む液晶操作構造ＬＣＯの一部，第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａを含むタッチ位置検出構造ＴＰＳの一部，そして土台３０を含む基板支持構造１６の一部に共通の製造工程について説明する。
【０１３１】
なお、図５乃至図１２の（Ａ）では、図３中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において画素駆動用薄膜トランジスタ２４及び画素電極２２が順次形成される様子が、図３の断面線ＶＩＡ−ＶＩＡに沿った概略的な断面において示されている。
【０１３２】
また、図５乃至図１２の（Ｂ）では、図３中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において、（Ａ）の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の製造と同時に同様に基板支持構造１６の土台３０の土台基部が順次形成される様子及び次に追加の高さ調整部が形成される様子が、図３の断面線ＶＩＢ−ＶＩＢに沿った概略的な断面において示されている。
【０１３３】
また、図５乃至図１２の（Ｃ）では、図３中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において、（Ａ）の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の製造と同時に同様に、タッチ位置検出構造ＴＰＳのＸ接点電極基部が順次形成される様子及び次に第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａが形成される様子が、図３の断面線ＶＩＣ−ＶＩＣに沿った概略的な断面において示されている。
【０１３４】
また、図５乃至図１２の（Ｄ）では、図３中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において、（Ａ）の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の製造と同時に同様に、タッチ位置検出構造ＴＰＳのＹ接点電極基部が順次形成される様子及びさらに第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａが形成される様子が、図３の断面線ＶＩＤ−ＶＩＤに沿った概略的な横断面において示されている。
【０１３５】
最初は図５の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第１基板１２ａの対向面上にフォトリソグラフィ法により、ゲート電極２４ｃを提供することになるゲートメタルである第１導電性金属膜を使用して走査線１８及び走査線１８に沿い延出している第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８が形成される。そして、図３中に示されている如く、第１導電性金属膜の走査線１８において複数の薄膜トランジスタ２４に対応した部分は薄膜トランジスタ２４の為のゲート電極２４ｃを提供している。また図３中に示されている如く、第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８において第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａに対応した部分は第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの為の接続部分２８ｄを提供している。
【０１３６】
次に、図６の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第１基板１２ａの対向面上には例えばＳｉＮｘを使用した透明な第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０が走査線１８及び第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８を覆うように形成される。
【０１３７】
次に、真性シリコン膜及びオーミック層として例えばａ−Ｓｉ層５２及びｎ＋ａ−Ｓｉ層５４が、部分的に例えばＳｉＮｘを使用した第２絶縁膜（チャネル保護層）５６を介して、積層される。
【０１３８】
次に、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５４を覆うようにドレイン電極２４ａを提供することになるドレインメタルである第２導電性金属膜５８が形成される。第２導電性金属膜５８は、図３中に示されている画素駆動用薄膜トランジスタ２４の近傍の信号線２０及び第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの近傍の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６を提供している。
【０１３９】
そして、図３を参照しながら前述した如く、第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６において第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａに対応した部分は、第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの為の接続部分２６ｄ（図６の（Ｃ））を提供している。
【０１４０】
ｎ＋ａ−Ｓｉ層５４及び第２導電性金属膜５８は、図３の断面線ＶＩＡ−ＶＩＡに沿った断面の一部を示している図６の（Ａ）中に示されている如く、隙間２４ｄにより画素電極２２に近い側（図６の（Ａ）中の右側）と画素電極２２から遠い側（図６の（Ａ）中の左側）とに２分割される。
【０１４１】
そしてこの様に２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４は、画素駆動用薄膜トランジスタ２４のオーミック層を提供している。また、このように２分割された第２導電性金属膜５８は、画素電極２２に近い側（図６の（Ａ）中の右側）が図３中に示されている画素駆動用薄膜トランジスタ２４のドレイン電極２４ａを、また画素電極２２から遠い側（図６の（Ａ）中の左側）が図３中に示されている画素駆動用薄膜トランジスタ２４において信号線２０から延びているソース電極２４ｂを提供している。
【０１４２】
次に、図７の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第２導電性金属膜５８を覆う例えばＳｉＮｘを使用した透明な第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０が形成される。
【０１４３】
ここで、図７の（Ａ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０において画素駆動用薄膜トランジスタ２４の対応部分においては、第２導電性金属膜５８のドレイン電極２４ａに対応した位置にドレイン電極２４ａを露出させる為のコンタクトホール６０ａが形成される。コンタクトホール６０ａは、図３中にも図示されている。
【０１４４】
また、図７の（Ｃ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０において第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの為の接続部分２６ｄに対応した部分に接続部分２６ｄを露出させる為のコンタクトホール６０ｂが形成される。コンタクトホール６０ｂは、図３中にも図示されている。
【０１４５】
さらに、図７の（Ｄ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０において第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの為の接続部分２８ｄに対応した部分に、接続部分２８ｄを露出させる為のコンタクトホール６０ｃが形成される。コンタクトホール６０ｃは、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０と第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの為の接続部分２８ｄとの間に存在している第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０も貫通している。コンタクトホール６０ｃは、図３中にも図示されている。
【０１４６】
この段階で、図５の（Ａ）中に図示されている薄膜トランジスタ２４の対応部分においては：走査線１８のゲート電極２４ｃ；ゲート電極２４ｃに重なった第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０の部分；第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０の前記部分に重なった、ａ−Ｓｉ層５２，第２絶縁膜（チャネル保護層）５６，そして２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４のオーミック層；オーミック層の２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４上のドレイン電極２４ａ及びソース電極２４ｂ：そして、オーミック層の２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４の間及びドレイン電極２４ａ及びソース電極２４ｂの間の隙間２４ｄ，ドレイン電極２４ａ及びソース電極２４ｂを覆う第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０が、薄膜トランジスタ２４を提供している。
【０１４７】
次に、図８の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０を覆うように例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の如き材料の第１透明導電膜ＦＬが形成される。
【０１４８】
第１透明導電膜ＦＬは、図８の（Ａ）中に図示されている如く、ドレイン電極２４ａを露出させる為のコンタクトホール６０ａ中にも形成されてドレイン電極２４ａと電気的に接続される。第１透明導電膜ＦＬはまた、図８の（Ｃ）中に図示されている如く、第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの為の接続部分２６ｄを露出させる為のコンタクトホール６０ｂ中にも形成されて接続部分２６ｄと電気的に接続される。第１透明導電膜ＦＬはさらに、図８の（Ｄ）中に図示されている如く、第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの為の接続部分２８ｄを露出させる為のコンタクトホール６０ｃ中にも形成されて接続部分２８ｄと電気的に接続される。
【０１４９】
第１透明導電膜ＦＬが形成された時点で、図８の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている図３の（Ａ）の断面線ＶＩＡ−ＶＩＡに沿った第１基板１２ａの対向面上における画素駆動用薄膜トランジスタ２４の対応部分の断面，図３の（Ｂ）の断面線ＶＩＢ−ＶＩＢに沿った第１基板１２ａの対向面上における土台３０の土台基部の断面，図３の（Ｃ）の断面線ＶＩＣ−ＶＩＣに沿った第１基板１２ａの対向面上におけるタッチ位置検出構造ＴＰＳの第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａを除く第１座標検出用接点電極基部（Ｘ座標検出用接点電極基部）の断面，そして図３の（Ｄ）の断面線ＶＩＤ−ＶＩＤに沿った第１基板１２ａの対向面上におけるタッチ位置検出構造ＴＰＳの第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａを除く第２座標検出用接点電極基部（Ｙ座標検出用接点電極基部）の断面の夫々は、画素駆動用薄膜トランジスタ２４を形成する為の前述した製造方法によって第１基板１２ａの対向面上に同じ材料で共通して同時に形成されているので、第１基板１２ａの対向面からの高さは相互に同じである。
【０１５０】
次に、図８の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第１透明導電膜ＦＬを覆うように所定の厚さの例えばＳｉＮｘ（窒化シリコン）を使用した透明な第４絶縁膜６２が積層される。
【０１５１】
次に、図９の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第４絶縁膜６２は、図９の（Ｂ）に図示されている前記土台基部の上に位置する部分のみを残して第１透明導電膜ＦＬの上から除外される。即ち、パターニングされる。この実施形態において上記除外はドライエッチングにより行なわれ、図９の（Ｂ）に図示されている前記土台基部の上に残された第４絶縁膜６２の部分は土台３０の高さ調整部３０ｂに成形される。そして、高さ調整部３０ｂの頂点が土台３０の突出端面（先端）３０ａを提供している。
【０１５２】
ここで重要なことは、第１透明導電膜ＦＬをパターニングする前に第１透明導電膜ＦＬ上に第４絶縁膜６２を積層させ、その後に第４絶縁膜６２を前述した如くパターニングして図９の（Ｂ）に図示されている如く前記土台基部の上に残された第４絶縁膜６２の部分を土台３０の高さ調整部３０ｂに成形することである。
【０１５３】
この第４絶縁膜６２のドライエッチングのときに、第１透明導電膜ＦＬがドライエッチングストッパーとして働く。従って、第１透明導電膜ＦＬは全面に形成されている必要があり、第４絶縁膜６２の形成前にパターン加工することは出来ない。もしも第１透明導電膜ＦＬが第４絶縁膜６２の形成前にパターン加工されてしまうと、そのパターン加工部で第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０が露出してしまうため、第４絶縁膜６２のドライエッチングのときに、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０も同時にドライエッチングされてしまい不具合となってしまうことになる。
【０１５４】
この実施形態のように、前述した如く、第１透明導電膜ＦＬをパターニングする前に第１透明導電膜ＦＬ上に第４絶縁膜６２を積層させ、その後に第４絶縁膜６２を前述した如くパターニングして図９の（Ｂ）に図示されている如く前記土台基部の上に残された第４絶縁膜６２の部分を土台３０の高さ調整部３０ｂに成形すると、第４絶縁膜６２のパターニングの為のドライエッチングにより第１透明導電膜ＦＬは、ドライエッチングストッパーとしてドライエッチングにさらされた露出表面部分（高さ調整部３０ｂで覆われていない部分）の表面が荒れてしまう。
【０１５５】
この後、第１透明導電膜ＦＬをパターニングするためにレジスト膜を適用すると、第１透明導電膜ＦＬ上のレジスト膜の縁に第１透明導電膜ＦＬとの間に隙間が生じやすくなる。このような隙間は、第１透明導電膜ＦＬのパターニングの寸法精度を低下させ、第１透明導電膜ＦＬのパターニングの不良を生じさせる。即ち、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の製造歩留まりを低下させる。
【０１５６】
この様な事態を無くすために、この実施形態では、次に、図１０の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、土台３０の高さ調整部３０ｂ及び第１透明導電膜ＦＬの前記露出表面部分を第２透明導電膜ＳＬにより覆う。ここにおいて第１透明導電膜ＦＬの前記露出表面部分は前述した如く荒れているので、第１透明導電膜ＦＬの前記露出表面部分に対する第２透明導電膜ＳＬの付着力は強化される。
【０１５７】
次に、図１１の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第２透明導電膜ＳＬは、図１１の（Ａ）の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の対応部分，図１１の（Ｃ）の第１座標検出用接点電極基部（Ｘ座標検出用接点電極基部），そして図１１の（Ｄ）の第２座標検出用接点電極基部（Ｙ座標検出用接点電極基部）の夫々において以下の部位がレジスト膜６４により覆われる。
【０１５８】
即ち、図１１の（Ａ）の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の対応部分においてレジスト膜６４により覆われる第２透明導電膜ＳＬの部位は、ドレイン電極２４ａと電気的に接続されているコンタクトホール６０ａ中の第１透明導電膜ＦＬの部分と画素駆動用薄膜トランジスタ２４に隣接した第１透明導電膜ＦＬの画素対応部分とに対応した部位であり；
図１１の（Ｃ）の第１座標検出用接点電極基部（Ｘ座標検出用接点電極基部）においてレジスト膜６４により覆われる第２透明導電膜ＳＬの部位は、第１座標検出用接点電極基部（Ｘ座標検出用接点電極基部）を覆う第１透明導電膜ＦＬの部分と第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の接続部分２６ｄと電気的に接続されているコンタクトホール６０ａ中の第１透明導電膜ＦＬの部分とに対応した部位であり；そして、
図１１の（Ｄ）の第２座標検出用接点電極基部（Ｙ座標検出用接点電極基部）においてレジスト膜６４により覆われる第２透明導電膜ＳＬの部位は、第２座標検出用接点電極基部（Ｙ座標検出用接点電極基部）を覆う第１透明導電膜ＦＬの部分と第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の接続部分２８ｄと電気的に接続されているコンタクトホール６０ｃ中の第１透明導電膜ＦＬの部分とに対応した部位である。
【０１５９】
前述した如く、第１透明導電膜ＦＬには第２透明導電膜ＳＬが強固に付着され、第２透明導電膜ＳＬはエッチング処理されていないので滑らかである。従って、第２透明導電膜ＳＬに対するレジスト膜６４の適用は、それらの間（特にレジスト膜６４の境界に沿った領域）に隙間を生じさせることなく所望の精密な寸法形状で行なうことが出来る。
【０１６０】
その後、第２透明導電膜ＳＬは、それが直接付着し重複している第１透明導電膜ＦＬとともに、前述した如くレジスト膜６４により覆われている部位を除きエッチング処理により取り除かれ、さらにレジスト膜６４が取り除かれる。
【０１６１】
そして、上記エッチング処理により残された第２透明導電膜ＳＬの部位は、それが直接付着し重複している第１透明導電膜ＦＬの部位とともに、レジスト膜６４に覆われた部位と精密な寸法形状で対応していて、前述した所望の精密な寸法形状を有するパターニングが行なわれる。
【０１６２】
この状態が図１２の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている。
【０１６３】
図１２の（Ａ）の画素駆動用薄膜トランジスタ２４の対応部分では、第２透明導電膜ＳＬは、それが直接付着し重複している第１透明導電膜ＦＬとともに、ドレイン電極２４ａと電気的に接続されたコンタクトホール６０ａ中の部位及び画素駆動用薄膜トランジスタ２４に隣接した画素電極対応部位のみが残され、その結果、コンタクトホール６０ａにおいてドレイン電極２４ａと電気的に接続された画素電極２２を提供している。
【０１６４】
図１２の（Ｂ）の土台３０の対応部分では、高さ調整部３０ｂを覆っていた第２透明導電膜ＳＬが取り除かれて、高さ調整部３０ｂの突出端面（先端）３０ａ及び側面が露出される。
【０１６５】
図１２の（Ｃ）の第１座標検出用接点電極基部（Ｘ座標検出用接点電極基部）では、第２透明導電膜ＳＬは、それが直接付着し重複している第１透明導電膜ＦＬとともに、第１座標検出用接点電極基部（Ｘ座標検出用接点電極基部）を覆っていた部位及び第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の接続部分２６ｄと電気的に接続されているコンタクトホール６０ａ中の部位のみが残され、その結果、第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の接続部分２６ｄとコンタクトホール６０ｂにおいて電気的に接続された第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａを提供している。
【０１６６】
図１２の（Ｄ）の第２座標検出用接点電極基部（Ｙ座標検出用接点電極基部）では、第２透明導電膜ＳＬは、それが直接付着し重複している第１透明導電膜ＦＬとともに、第２座標検出用接点電極基部（Ｙ座標検出用接点電極基部）を覆っていた部位及び第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の接続部分２８ｄと電気的に接続されているコンタクトホール６０ｃ中の部位のみが残され、その結果、第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の接続部分２８ｄとコンタクトホール６０ｃにおいて電気的に接続された第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａを提供している。
【０１６７】
図３の（Ａ）の断面線ＶＩＡ−ＶＩＡに沿った画素駆動用薄膜トランジスタ２４の最終的な断面を示す図１２の（Ａ），図３の（Ｂ）の断面線ＶＩＢ−ＶＩＢに沿った土台３０の最終的な断面を示す図１２の（Ｂ），図３の（Ｃ）の断面線ＶＩＣ−ＶＩＣに沿った第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及びその基部の最終的な断面を示す図１２の（Ｃ），そして、図３の（Ｄ）の断面線ＶＩＤ−ＶＩＤに沿った第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａ及びその基部の最終的な断面を示す図１２の（Ｄ）を見比べると、以下のことがわかる。
【０１６８】
即ち、第１基板１２ａの対向面から図１２の（Ｃ）に示されている第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２８ａの突出端面（先端）までの高さ及び図１０の（Ｄ）に示されている第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの突出端面（先端）までの高さは相互に同じである。
【０１６９】
第１基板１２ａの対向面から図１２の（Ａ）に示されている画素駆動用薄膜トランジスタ２４の突出端面（先端）までの高さは、図１２の（Ｃ）に示されている前述した第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの突出端面（先端）までの高さ及び図１２の（Ｄ）に示されている第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの突出端面（先端）までの高さよりも、最後に画素駆動用薄膜トランジスタ２４の突出端面（先端）から取り除かれた、相互に重複している第１透明導電膜ＬＦ及び第２透明導電膜ＳＦの合計の厚さ分だけ低い。
【０１７０】
さらに、第１基板１２ａの対向面から土台３０の突出端面（先端）３０ａまでの高さは、図１２の（Ｃ）に示されている前述した第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａの突出端面（先端）までの高さ及び図１２の（Ｄ）に示されている第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの突出端面（先端）までの高さの夫々よりも、第１透明導電膜ＦＬの上に形成された高さ調整部３０ｂの突出端面（先端）３０ａの高さから、第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの夫々を第１透明導電膜ＦＬとともに構成している第２透明導電膜ＳＦの厚さを引いた分だけ高い。
【０１７１】
上述した接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０においては、対向電極４４を有した第２基板ユニット（ＣＦ（Color Filter）基板ユニット）１４は、遮光膜３８及び例えば赤色フィルター，緑色フィルター,そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターを有していてＣＦ（Color Filter）基板ユニットと呼ばれていたが、この発明の理念に従えば、第２基板ユニット１４は遮光膜３８及び例えば赤色フィルター，緑色フィルター,そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターを有していなくとも良いし、遮光膜３８のみを有していなくても良いし、さらには例えば赤色フィルター，緑色フィルター,そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターを有していなくとも良い。
【０１７２】
以上詳述したこの発明の一実施形態のアクティブマトリックス型の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０を要約すると以下のようである。
【０１７３】
相互に対向して配置された第１及び第２基板１２ａ，１４ａの間に介在され第１及び第２基板１２ａ，１４ａを相互に離間し相互に平行に支持する基板支持構造１６と、第１及び第２基板１２ａ，１４ａの間で第１及び第２基板１２ａ，１４ａの少なくともいずれか一方に沿った複数の位置に配置され前記少なくともいずれか一方に沿ったタッチ位置を検出するタッチ位置検出構造ＴＰＳと、第１及び第２基板１２ａ，１４ａの間に保持された液晶の光透過率を前記第１及び第２基板１２ａ，１４ａに沿った複数の画素対応部位において選択的に調整する液晶操作構造ＬＣＯと、を備えた接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０であり：
液晶操作構造ＬＣＯは、第１基板１２ａの対向面において複数の画素対応部位に配置された複数の画素電極２２及び複数の画素電極２２に接続された複数のドレイン電極２４ａを有する複数の薄膜トランジスタ２４を含んでおり；
タッチ位置検出構造ＴＰＳは、第１基板１２ａの対向面において前記複数の位置に配置された複数の接点電極２６ａ，２８ａ及び第２基板１４ａの対向面において第１基板１２ａの複数の接点電極２６ａ，２８ａに対向して設けられた複数の接点用突起４０を含んでおり；
第２基板１４ａの対向面及び複数の接点用突起４０の突出端には、液晶操作構造ＬＣＯの複数の画素電極２２及び複数の接点電極２６ａ，２８ａに対向して対向電極４４が設けられており；
基板支持構造１６は、第２基板１４ａの対向面において前記複数の画素対応部位間に複数の接点用突起４０と同時に同じ材料で同じ高さに形成された複数の柱状スペーサ４２と、第１基板１２ａにおいて複数の柱状スペーサ４２に対向して夫々が同じ高さに設けられた複数の土台３０と、を含み、複数の柱状スペーサ４２の先端を複数の土台３０の突出端３０ａに接触させ載置させることにより、第１及び第２基板１２ａ，１４ａが相互間に第１隙間ＣＬを介して支持されるとともに、第２基板１４ａの複数の接点用突起４０の先端の対向電極４４の夫々と第１基板１２ａの複数の接点電極２６ａ，２８ａの夫々との間に第１隙間ＣＬよりも短い第２隙間ＣＫを生じさせ；
複数の画素電極２２の夫々そして複数の接点電極２６ａ，２８ａの夫々は、相互に重複された第１透明導電膜ＦＬ及び第２透明導電膜ＳＬを有していて；
第１基板１２ａの対向面上における基板支持構造１６の複数の土台３０の夫々は、同じく第１基板１２ａの対向面上における液晶操作構造ＬＣＯの複数の画素駆動用薄膜トランジスタ２４及びタッチ位置検出構造ＴＰＳにおいて複数の接点電極２６ａ，２８ａの夫々を除いた接点電極基部と共通に形成された土台基部と、土台基部に追加され重複した高さ調整部３０ｂと、を備えており、
複数の土台３０の複数の高さ調整部３０ｂは、第１基板１２ａの対向面上において、複数の画素電極２２，複数の前記接点電極本体部分，複数の前記土台基部，そしてこれらの間の残余部分上に第１透明導電膜ＦＬが形成された後に複数の前記土台基部に対応して形成され、そして、
第２透明導電膜ＳＬは、第１基板１２ａの対向面上において、複数の高さ調整部３０ｂの形成後に、第１透明導電膜ＦＬ上に形成され、
最後に、複数の高さ調整部３０ｂ上の第２透明導電膜ＳＬ，そして複数の画素電極２２に対応している部分及び前記接点電極基部に対応している部分以外で相互に重複している第１透明導電膜ＦＬ及び第２透明導電膜ＳＬを取り除くことにより、第１基板１２ａの対向面上において、液晶操作構造ＬＣＯの複数の画素電極２２及びタッチ位置検出構造ＴＰＳの複数の接点電極２６ａ，２８ａを相互に重複している第１透明導電膜ＦＬ及び第２透明導電膜ＳＬにより提供する。
【０１７４】
上述した接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０において、第１配向膜３２及び第２配向膜４６としてラビング処理が不要な配向膜を使用した場合には、柱状スペーサ４２、接点用突起４０、土台３０、第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａの夫々の先端又は突出端面は配向膜に覆われたままとなる。
【０１７５】
この場合でも、土台３０の突出端面３０ａに対する柱状スペーサ４２の先端の載置は第１配向膜３２及び第２配向膜４６を介して安定して確実に行なわれる。
【０１７６】
また、第２基板１４ａが押圧されて撓んだ時に、第２基板１４ａの対向面の押圧部位の複数の接点用突起４０の接点電極４８は、第１基板１２ａの対向面の対応する第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａに対して直接接触することなく第１配向膜３２及び第２配向膜４６をそれらの間に挟持した状態で対向する。この様な状態でも、複数の接点用突起４０の接点電極４８と第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）２６ａ及び第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）２８ａとの間の導通は確実に行なわれる。
【符号の説明】
【０１７７】
１０…接点内蔵型タッチ式液晶表示装置、
１２…第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）、１２ａ…第１基板、１４…第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）、１４ａ…第２基板、１６…基板支持構造、ＬＯＣ…液晶操作構造、ＴＰＳ…タッチ位置検出構造、１８…走査線、２０…信号線、２２…画素電極、２４…画素駆動用薄膜トランジスタ、２４ａ…ドレイン電極、２４ｂ…ソース電極、２４ｃ…ゲート電極、２４ｄ…隙間、２６…第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）、２６ａ…第１座標検出用接点電極（Ｘ座標検出用接点電極）、２６ｂ…第１座標検出用薄膜トランジスタ（Ｘ座標検出用薄膜トランジスタ）、２６ｃ…第１座標検出用出力ライン（Ｘ座標検出用出力ライン）、２６ｄ…接続部分、２８…第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）、２８ａ…第２座標検出用接点電極（Ｙ座標検出用接点電極）、２８ｂ…第２座標検出用薄膜トランジスタ（Ｙ座標検出用薄膜トランジスタ）、２８ｃ…第２座標検出用出力ライン（Ｙ座標検出用出力ライン）、２８ｄ…接続部分、３０…土台，３０ａ…突出端面、３０ｂ…高さ調整部、３２…第１配向膜、３４，３６…偏光板、３８…遮光膜（ブラックマスク）、４０…接点用突起、４２…柱状スペーサ、４４…対向電極、４６…第２配向膜、４８…接点電極、５０…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、５２…ａ−Ｓｉ層（真性シリコン膜）、５４…ｎ＋ａ−Ｓｉ層（オーミック層）、５６…第２絶縁膜（チャネル保護層）、５８…導電性金属膜、６０…第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）、６０ａ…コンタクトホール、６０ｂ…コンタクトホール、６０ｃ…コンタクトホール、６２…第４絶縁膜、ＦＬ…第１透明導電膜、ＳＬ…第２透明導電膜、ＣＬ…第１隙間、ＣＫ…第２隙間（接点間隔）、Ｈ…高さ，
７０…液晶表示パネル、７２…ドライバ素子、７４…表示用コントローラ、７５…座標検出用コントローラ、７６…メインコントローラ、７８…シール部、８０…画像表示領域（画面エリア）、８２…走査ドライバ、８４…データドライバ、８６…外部接続端子、８８…外部接続端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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