(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の表面に形成された第１溝内の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するようにシリコン基板の表面側に実装された光素子と、シリコン基板の表面に第１溝と連なって形成された略Ｖ字形状の第２溝内に設置され、前記ミラー部を介して前記光素子と光学的に結合されるファイバーコア部を有する光ファイバーを備え、前記光素子は、ミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部からの光信号を受光する光モジュールにおいて、
前記ミラー部と前記光ファイバーのファイバーコア部の先端との間に隙間があり、
この隙間からの漏れ光は、
前記光素子が発光素子であるときは、第２溝の側面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、
前記光素子が受光素子であるときは、第１溝と第２溝との間の境界面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、
前記シリコン基板の表面に、前記漏れ光を検出するフォトダイオードが実装されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記第１溝内に内部導波路が設けられ、この内部導波路のコア部と前記光ファイバーのファイバーコア部とが光学的に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図８に示す光モジュール５０は、発光（送信）側光モジュール５０Ａと受光（受信）側光モジュール５０Ｂの各第１基板５１の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路５２と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部５３とが設けられている。また、各第１基板５１の表面に実装され、ミラー部５３を介して内部導波路５２のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部５３を介して内部導波路５２のコア部からの光信号を受光する発光素子（光素子）５４Ａと受光素子（光素子）５４Ｂとが設けられている。さらに、発光素子５４Ａと受光素子５４Ｂの各内部導波路５２のコア部と光学的に結合される外部導波路（光ファイバー）５５が設けられている（特許文献１参照）。なお、特許文献１では、外部導波路として、樹脂光導波路を薄型化したフレキシブルなフィルム状のものを用いている。
【０００３】
この特許文献１では、各第１基板５１の表面に、発光素子５４Ａの発光面と受光素子５４Ｂの受光面を実装面として、それぞれバンプでフリップチップ実装している。
【０００４】
また、各第１基板５１は、別の第２基板（インタポーザ基板）５６の表面にそれぞれ設置されている。この各第２基板５６の表面には、発光素子５４Ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板５７Ａと、受光素子５４Ｂからの電気信号を受信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板５７Ｂがそれぞれ実装されている。
【０００５】
そして、発光素子５４Ａと受光素子５４Ｂと、各第２基板６のＩＣ基板５７Ａ，５７Ｂとは、ワイヤーボンディング５８でそれぞれ電気的に接続されている。なお、５９は、各ＩＣ基板５７Ａ，５７Ｂを他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタである。
【０００６】
ところで、発光側光モジュール５０Ａと、受光側光モジュール５０Ｂと、外部導波路（光ファイバー）５５とが分離できるタイプで、光通信でビットエラー等の異常が発生したとする。この場合には、発光側光モジュール５０Ａの光出力検査、受光側光モジュール５０Ｂの光受光強度の検査、外部導波路５５の検査を個別にすることが可能であるため、異常箇所を特定して修理等をすることができる。
【０００７】
なお、光導波路の一部から光を分岐させて、モニタする方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２６０２２７号公報
【特許文献２】特開２００６−２０８７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１のように、発光側光モジュール５０Ａと受光側光モジュール５０Ｂと外部導波路（光ファイバー）５５とが分離できないタイプで、光通信でビットエラー等の異常が発生したとする。この場合には、各光モジュール５０Ａ，５０Ｂと外部導波路（光ファイバー）５５の検査を個別にすることは不可能であり、異常箇所を特定して修理等をすることが困難である。
【００１０】
そのため、特許文献２のような方法を採用することも考えられる。しかし、光通信に用いる光の一部を使用するために光効率が低下することから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させると、レーザ寿命が低下するという懸念がある。
【００１１】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、発光側光モジュールと受光側光モジュールと外部導波路とが分離できないタイプであっても、簡易に異常箇所を特定することができる光モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するために、本発明は、シリコン基板の表面に形成された第１溝内の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するようにシリコン基板の表面側に実装された光素子と、シリコン基板の表面に第１溝と連なって形成された略Ｖ字形状の第２溝内に設置され、前記ミラー部を介して前記光素子と光学的に結合されるファイバーコア部を有する光ファイバーを備え、前記光素子は、ミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部からの光信号を受光する光モジュールにおいて、前記ミラー部と前記光ファイバーのファイバーコア部の先端との間に隙間があり、この隙間からの漏れ光は、前記光素子が発光素子であるときは、第２溝の側面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、前記光素子が受光素子であるときは、第１溝と第２溝との間の境界面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、前記シリコン基板の表面に、前記漏れ光を検出するフォトダイオードが実装されていることを特徴とする光モジュールを提供するものである。
【００１５】
前記第１溝内に内部導波路が設けられ、この内部導波路のコア部と前記光ファイバーのファイバーコア部とが光学的に結合されている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を、基板の表面方向に反射若しくは拡散させ、この反射若しくは拡散された漏れ光を検出する。例えば、漏れ光を発光側光モジュールと光ファイバーとの間で検出できれば、発光側光モジュールは正常と判断でき、ついで光ファイバーと受光側光モジュールとの間で検出できれば、光ファイバーは正常と判断できる。このようにして、発光側光モジュール、受光側光モジュール、光ファイバーの異常箇所を、簡易に特定することができる。
【００１７】
また、光通信に用いる光ではなく、その漏れ光を利用するだけであるから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させる必要もない。
【００１８】
特に、発光素子は、発光面を下向きとして基板にフリップチップ実装している場合には、動作確認が困難である。そこで、発光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を基板の表面方向に反射若しくは拡散させることにより、発光素子の動作確認が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る光モジュールの側面図である。
【図２】図１の発光側光モジュールの第１基板であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図２の第１基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路を形成した斜視図である。
【図４】第１基板であり、（ａ）は発光素子を実装した斜視図、（ｂ）は光ファイバーを挿入した斜視図である。
【図５】漏れ光を示す発光側光モジュールであり、（ａ）は概略側面断面図、（ｂ）は第１基板の平面図、（ｃ）は（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図６】漏れ光を示す受光側光モジュールの概略側面断面図である。
【図７】フォトダイオードを実装した第１基板であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は平面図である。
【図８】従来の光モジュールの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明に係る光モジュール４０の側面断面図である。図２は図１の発光側光モジュール４０Ａであり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は第１基板１であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路１６を形成した斜視図である。図４は第１基板１であり、（ａ）は発光素子１２ａを実装した斜視図、（ｂ）は光ファイバー２を挿入した斜視図である。
【００２１】
図１において、光モジュール４０は、発光側光モジュール４０Ａと、受光側光モジュール４０Ｂと、この発光側と受光側の光モジュール４０Ａ，４０Ｂを光学的に結合する光ファイバー２とを備えている。
【００２２】
発光側光モジュール４０Ａの第１基板（マウント基板）１と受光側光モジュール４０Ｂの第１基板（マウント基板）１は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光結合効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００２３】
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）、溝内に内部導波路１６（後述）を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。
【００２４】
第１基板１は、それよりもサイズが大きい第２基板（インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００２５】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ（図２参照）でフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００２６】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００２７】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面と第２基板６の表面に形成されたメタル回路（銅や金スパッタによるパターニング回路）に接続されている。
【００２８】
第１基板１の表面には、図３（ａ）に示すように、略台形状の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、第１溝１ａよりも深い略Ｖ字形状の第２溝１ｂが前後方向に連なって形成されている。なお、第１溝１ａは、第２溝１ｂよりも浅い略Ｖ字形状の溝であってもよい。
【００２９】
第１溝１ａの先端部には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。
【００３０】
第１基板１の第１溝１ａ内には、図３（ｂ）に示すように、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。この内部導波路１６は、ミラー部１５から第２溝１ｂの方向に延在していて、第１溝１ａの後端部１ｄと面一となっている。
【００３１】
内部導波路１６は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。図２（ｃ）のように、コア部１７の左右の両面は、クラッド部１８で覆われている。なお、第１溝１ａが第２溝１ｂよりも浅い略Ｖ字形状の溝である場合には、コア部１７は、断面略正方形状でなく、略Ｖ字形状の溝に沿った断面略五角形状に形成する。
【００３２】
図４（ａ）のように、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装され、この発光素子１２ａとコア部１７との間の空間には、図２（ａ）のように、光学透明樹脂１３が充填されている。
【００３３】
図１に戻って、受光側光モジュール４０Ｂの第１基板１について説明する。この受光側光モジュール４０Ｂの第１基板１の基本的な構成は、発光側光モジュール４０Ａの第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側光モジュール４０Ｂの第１基板１の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてバンプでフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側光モジュール４０Ａの第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）が採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００３４】
次に、光ファイバー２を説明する。光ファイバー２は、図１および図４（ｂ）に示すように、発光側光モジュール４０Ａの第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と、受光側光モジュール４０Ｂの第１基板１の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバーコア部２１を内部に有している。そして、このファイバーコア部２１の外周を包囲するファイバークラッド部２２と、このファイバークラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部２１とファイバークラッド部２２と被覆部２３は円形状である。
【００３５】
光ファイバー２は、図１のように、第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされて、ファイバークラッド部２２が露出されている。
【００３６】
そして、図２（ａ）（ｃ）および図４（ｂ）のように、第１基板１の第２溝１ｂに光ファイバー２のファイバークラッド部２２を設置して、第１溝１ａとの境部分の斜面１ｃでファイバークラッド部２２の位置決めをする。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２のファイバーコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
【００３７】
第１基板１の内部導波路１６のコア部１７の端面と光ファイバー２のファイバーコア部２１の端面との間の隙間は、２００μｍ以下となる。一般的には、光結合効率が１００％となる、隙間０が好ましいが、本構成においては、第１基板１の溝幅とファイバークラッド部２２の外径サイズの制約上、隙間は６０μｍから１００μｍとなる。
【００３８】
第１基板１の表面の位置において、図２（ａ）（ｂ）のように、第２溝１ｂ内には、光ファイバー２を第１基板１に固定するために、接着性の光学透明樹脂１４が充填されている。
【００３９】
そして、発光側光モジュール４０Ａでは、発光素子１２ａからミラー部１５を介して光ファイバー２のファイバーコア部２１に光信号を発光する。また、受光側光モジュール４０Ｂでは、ミラー部１５を介して光ファイバー２のファイバーコア部２１からの光信号を受光素子１２ｂで受光する。
【００４０】
図５は、発光側光モジュール４０Ａであり、（ａ）は概略側面断面図、（ｂ）は第１基板１の平面図、（ｃ）は（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図５の発光側光モジュール４０Ａは、第１溝１ａ内に内部導波路１６を設けていないタイプであり、このタイプにおける発光側光モジュール４０Ａでの漏れ光ｂについて説明する。
【００４１】
図５（ａ）のように、発光素子１２ａからミラー部１５を介して光ファイバー２のファイバーコア部２１に光信号ａが発光される。このとき、ミラー部１５と光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端との間に隙間Ｓがあることから、図５（ｂ）のように、光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端に至らない漏れ光ｂが発生する。
【００４２】
この漏れ光ｂは、図５（ｃ）のように、略Ｖ字形状の第２溝１ｂの側面である斜面（反射若しくは拡散させる部位…反射面若しくは拡散面）１ｅで、第１基板１の表面（上）方向に反射若しくは拡散されるようになる。また、光ファイバー２のファイバークラッド部２２に入光した光もファイバークラッド部２２を透過して斜面１ｅに到達し、同様に、反射若しくは拡散されるようになる。
【００４３】
図６は、受光側光モジュール４０Ｂの概略側面断面図である。図６の受光側光モジュール４０Ｂは、図５の発光側光モジュール４０Ａと同様に、第１溝１ａ内に内部導波路１６を設けていないタイプであり、このタイプにおける受光側光モジュール４０Ｂでの漏れ光ｃについて説明する。
【００４４】
図６のように、ミラー部１５を介して光ファイバー２のファイバーコア部２１からの光信号ａが受光素子１２ｂで受光される。このとき、ミラー部１５と光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端との間に隙間Ｓがあることから、ミラー部１５に至らない漏れ光ｃが発生する。
【００４５】
この漏れ光ｃは、第１溝１ａと第２溝１ｂとの間の境界面である斜面（反射若しくは拡散させる部位…反射面若しくは拡散面）１ｃで、第１基板１の表面（上）方向に反射若しくは拡散されるようになる。また、斜面１ｃ以外に、略台形状（または略Ｖ字形状）の第１溝１ａの斜面でも、同様に、反射若しくは拡散されるようになる。
【００４６】
図５の発光側光モジュール４０Ａであれば、発光素子１２ａと光ファイバー２との間の漏れ光ｂを、斜面１ｅで第１基板１の表面方向に反射若しくは拡散させる。この反射若しくは拡散された漏れ光ｂを、第１基板１の表面側に配置した漏れ光検出手段（後述する。）で検出する。
【００４７】
また、図６の受光側光モジュール４０Ｂであれば、光ファイバー２と受光素子１２ｂの間の漏れ光ｃを、斜面１ｃ（前述のように、斜面１ｃ以外に、略台形状（または略Ｖ字形状）の第１溝１ａの斜面も含む。以下同様。）で第１基板１の表面方向に反射若しくは拡散させる。この反射若しくは拡散された漏れ光ｃを、第１基板１の表面側に配置した漏れ光検出手段（後述する。）で検出する。
【００４８】
例えば、漏れ光ｂを発光側光モジュール４０Ａと光ファイバー２との間で検出できれば、発光側光モジュール４０Ａは正常と判断でき、ついで光ファイバー２と受光側光モジュール４０Ｂとの間で漏れ光ｃを検出できれば、光ファイバー２は正常と判断できる。このようにして、発光側光モジュール４０Ａ、受光側光モジュール４０Ｂ、光ファイバー２の異常箇所を、簡易に特定することができる。また、光通信に用いる光ではなく、その漏れ光ｂ，ｃを利用するだけであるから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させる必要もない。
【００４９】
特に、発光素子１２ａ（受光素子１２ｂも同様。）は、発光面を下向きとして第１基板１にフリップチップ実装されているから、このままでは動作（発光）確認が困難である。そこで、発光素子１２ａと光ファイバー２との間の漏れ光ｂを第１基板１の表面方向に反射若しくは拡散させることにより、発光素子１２ａの動作確認が容易になる。
【００５０】
ここで、漏れ光ｂ，ｃを、第１基板１の表面方向に反射等させる部位として、発光側光モジュール４０Ａでは、第２溝１ｂの側面である斜面１ｅとし、受光側光モジュール４０Ｂでは、第１溝１ａと第２溝１ｂとの間の境界面である斜面１ｃとしている。
【００５１】
すなわち、第１基板１がシリコン基板であれば、シリコン基板の結晶方位を利用して、エッチング等により、ミラー部１５と第１溝１ａと第２溝２ｂとを同時に形成する際に、各斜面１ｅ，１ｃも一度のエッチングプロセスで同時に形成することも可能である。このようにして形成された斜面１ｅ，１ｃは、光学反射面としての平滑性が確保されている。
【００５２】
このように、シリコン基板（第１基板１）にエッチング等で第１溝１ａと第２溝１ｂを形成する際に、斜面（反射面若しくは拡散面）１ｅ，１ｃを高精度で同時に形成することができる。これにより、漏れ光ｂ，ｃを効率的に反射若しくは拡散することができる。また、反射面若しくは拡散面は、第１溝１ａと第２溝１ｂの斜面１ｅ，１ｃをそのまま利用できるので、反射面若しくは拡散面の形成用のスペースも不要になる。
【００５３】
ここで、シリコン基板は、近赤外線を透過するために、斜面１ｅ，１ｃの表面には、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ等の金属薄膜（数十ｎｍ以上）を形成して、反射面となるようにすることが好ましい。この金属薄膜の形成としてスパッタリング等の手法が有効である。また、発光素子１２ａまたは受光素子１２ｂの回路パターン形成時に、同一の金属メッキ等を形成してもよい。
【００５４】
つぎに、漏れ光検出手段を説明する。一般的な光通信に用いられる波長は、８５０ｎｍ、１３１０ｎｍ、１５５０ｎｍ等の近赤外線であるため、目視で漏れ光ｂ，ｃの検出はできない。そのため、通信波長に対応した感度のある赤外線カメラを漏れ光検出手段として用いれば、漏れ光ｂ，ｃの検出が可能となる。
【００５５】
ただし、第１基板１の斜面１ｅ，１ｃに、通信波長に対応して蛍光発光（可視光に変換）する蛍光材を漏れ光検出手段として配置（塗布）すると、赤外線カメラを用いなくても、漏れ光ｂ，ｃの検出が目視で可能となる。
【００５６】
しかし、前記のような漏れ光検出手段では、発光強度の検出には、精度を欠く懸念がある。そこで、図７に示すように、第１基板１の表面（上）方向に反射若しくは拡散される漏れ光ｂに対応して、第１基板１の表面に、漏れ光検出手段としてのフォトダイオード２５を実装する。
【００５７】
このように、漏れ光検出手段がフォトダイオード２５であれば、より高精度に通信状態を検知することができる。また、フォトダイオード２５では、正常動作時から漏れ光を検知することができるために、異常動作をいち早く検知することが可能となる。
【００５８】
図５〜図７の実施形態は、発光側と受光側光モジュール４０Ａ，４０Ｂのいずれにも、第１溝１ａ内に内部導波路１６を設けていないタイプであった。これに対して、図１〜図４に示した実施形態のように、発光側と受光側光モジュール４０Ａ，４０Ｂのいずれにも、第１溝１ａ内に内部導波路１６を設けて、そのコア部１７と光ファイバー２のファイバーコア部２１とを光学的に結合させることもできる。
【００５９】
すなわち、発光素子１２ａまたは受光素子１２ｂの直下に光ファイバー２を配置すると、その実装工程で、発光素子１２ａまたは受光素子１２ｂと光ファイバー２とが接触するおそれがある。そのため、図５（ａ）のように、発光素子１２ａ（または受光素子１２ｂ）と光ファイバー２との間に距離〔図５（ａ）の隙間Ｓに相当〕を隔てることが望ましい。
【００６０】
しかし、半導体レーザ等の発光素子１２ａから出射される光は、１０度〜３０度ほどの広がり角度を持つため、発光素子１２ａと光ファイバー２との距離が離れると、光ファイバー２に入光する効率が悪くなる。同様に、受光素子１２ｂ側でも、光ファイバー２から出射される光は、光ファイバー２の開口数（ＮＡ）に依存した広がり角度をもって出射されるため、受光素子１２ｂに入光する効率が悪くなる。
【００６１】
そのため、発光素子１２ａまたは受光素子１２ｂと光ファイバー２との間に内部導波路１６を形成すると、発光素子１２ａまたは受光素子１２ｂと光ファイバー２との光結合効率が向上する。その結果、光モジュール全体の光利用効率（発光素子１２ａから受光素子１２ｂに到達する光量の割合）が高まって、光通信の信頼性が向上するようになる。
【００６２】
以上のように、本発明に係る光モジュールは、基板の表面に形成された第１溝内の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面側に実装された光素子と、基板の表面に第１溝と連なって形成された第２溝内に設置され、前記ミラー部を介して前記光素子と光学的に結合されるファイバーコア部を有する光ファイバーを備え、前記光素子は、ミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部からの光信号を受光する光モジュールにおいて、前記基板に、前記光素子と前記光ファイバーとの間の漏れ光を、基板の表面方向に反射若しくは拡散させる部位が形成され、前記基板の表面側に、前記漏れ光を検出する手段が配置されていることを特徴とするものである。
【００６３】
これによれば、光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を、基板の表面方向に反射若しくは拡散させ、この反射若しくは拡散された漏れ光を検出する。例えば、漏れ光を発光側光モジュールと光ファイバーとの間で検出できれば、発光側光モジュールは正常と判断でき、ついで光ファイバーと受光側光モジュールとの間で検出できれば、光ファイバーは正常と判断できる。このようにして、発光側光モジュール、受光側光モジュール、光ファイバーの異常箇所を、簡易に特定することができる。また、光通信に用いる光ではなく、その漏れ光を利用するだけであるから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させる必要もない。特に、発光素子は、発光面を下向きとして基板にフリップチップ実装している場合には、動作確認が困難である。そこで、発光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を基板の表面方向に反射若しくは拡散させることにより、発光素子の動作確認が容易になる。
【００６４】
前記漏れ光を検出する手段は、基板の表面に実装されたフォトダイオードである構成とすることができる。
【００６５】
これによれば、漏れ光を検出する手段がフォトダイオードであれば、より高精度に通信状態を検知することができる。また、フォトダイオードでは、正常動作時から漏れ光を検知することができるために、異常動作をいち早く検知することが可能となる。
【００６６】
前記基板はシリコン基板であり、前記漏れ光を基板の表面方向に反射若しくは拡散させる部位は、シリコン基板の第１溝と第２溝に形成された反射面若しくは拡散面である構成とすることができる。
【００６７】
これによれば、シリコン基板にエッチング等で第１溝と第２溝を形成する際に、反射面若しくは拡散面を高精度で同時に形成することができる。これにより、漏れ光を効率的に反射若しくは拡散することができる。また、反射面若しくは拡散面は、第１溝と第２溝の斜面をそのまま利用できるので、形成用のスペースも不要になる。
【００６８】
前記第１溝内に内部導波路が設けられ、この内部導波路のコア部と前記光ファイバーのファイバーコア部とが光学的に結合されている構成とすることができる。
【００６９】
これによれば、第１溝内に内部導波路を設けることで、光モジュール全体の光利用効率（発光素子から受光素子に到達する光量の割合）が高まって、光通信の信頼性が向上するようになる。
【符号の説明】
【００７０】
１      第１基板
１ａ    第１溝
１ｂ    第２溝
１ｃ，１ｅ  斜面（漏れ光を反射若しくは拡散させる部位）
２      光ファイバー
１２ａ  発光素子（光素子）
１２ｂ  受光素子（光素子）
１５    ミラー部
１６    内部導波路
１７    コア部
２１    ファイバーコア部
２５    フォトダイオード（漏れ光検出手段）
４０    光モジュール
４０Ａ  発光側光モジュール
４０Ｂ  受光側光モジュール
ｂ，ｃ  漏れ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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