(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置において第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードする方法であって、
前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクト上にロードすること、
前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機すること、
前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機した後に、緩和アクションを実施することにより、前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間の摩擦力を低減することを備え、
前記緩和アクションは、前記第２のオブジェクトを打撃することにより、前記第２のオブジェクトを振動させることを含む、方法。
【請求項２】
前記第１のオブジェクトが基板であり、前記第２のオブジェクトが基板テーブルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のオブジェクトが基板テーブルであり、前記第２のオブジェクトが基板テーブルを支持する支持構造である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ロードすることが、クランプデバイスを使用し、前記第１のオブジェクトに対して加えられる引力をもたらすことによって、前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクトにクランプすることを含む、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記クランプデバイスが、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも１つを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記緩和アクションが、クランプ力を一時的に低減することを含む、請求項４又は請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のオブジェクトが、高い周波数および小さい振幅で振動される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記緩和アクションが、ピンを移動させることを含み、前記ピンが、前記第２のオブジェクトの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、前記ピンが、前記ピンが前記第２のオブジェクト内に収縮される収縮位置から、前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクトから持ち上げるように前記ピンが前記第２のオブジェクトから延びる伸長位置に移動される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記緩和アクションが、前記第１のオブジェクト内の応力を低減するように実施される、請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記緩和アクションは、前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクトから一時的に持ち上げることを含む、請求項１乃至請求項９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記緩和アクションは、前記第２のオブジェクトがディタ運動するように振動させることを含む、請求項１乃至請求項９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上で保持するように構築された、リソグラフィ装置を備えるシステムであって、
前記リソグラフィ装置は、
前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクト上にロードし、
前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機し、
前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機した後に、緩和アクションを実施することにより、前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間の摩擦力を低減するように構成され、
前記緩和アクションは、前記第２のオブジェクトを打撃することにより、前記第２のオブジェクトを振動させることを含む、システム。
【請求項１３】
前記リソグラフィ装置が、前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクトから持ち上げるための持上げ装置を備え、
前記緩和アクションが、前記第２のオブジェクトを前記第１のオブジェクトから一時的に持ち上げることを含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
リソグラフィプロセスにおいて第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードする方法であって、
ａ）前記第１のオブジェクトを前記第２のオブジェクト上にロードすること、
ｂ）前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機すること、
ｃ）前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機した後に、前記第１のオブジェクトおよび前記第２のオブジェクトを含むグループの少なくとも１つの部材が受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施することを含み、
前記アクションｃ）が、前記第２のオブジェクトを打撃することにより、前記第２のオブジェクトを振動させることを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィプロセスにおいて第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードする方法、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、およびデータキャリアに関する。本方法はさらに、リソグラフィ装置内の、第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上で保持するように構築された装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造時に使用される。その場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用し、ＩＣの個々の層に形成しようとする回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（たとえば、シリコンウェーハ）上の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上への結像による。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）で放射ビームを介してパターンをスキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行で基板を同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
基板が基板テーブル上で位置決めされるとき、基板内で熱応力および機械的応力が誘起される可能性があり、質の高いパターン転写に負の影響を及ぼすおそれがある。したがって、応力を低減することが目的である。
【発明の概要】
【０００４】
一態様によれば、リソグラフィプロセスにおいて第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードする方法であって、
ａ）第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードすること、
ｂ）ある時間量だけ待つこと、
ｃ）第１のオブジェクトおよび第２のオブジェクトを含む群の少なくとも１つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
【０００５】
本発明の一態様によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含み、本方法を実施することを含むデバイス製造方法が提供される。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、コンピュータ装置上にロードされたとき、本方法を実施するように構成されているコンピュータプログラムが提供される。
【０００７】
また、そのコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。
【０００８】
他の態様によれば、リソグラフィ装置内の、第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上で保持するように構築された装置であって、
−  第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードするロード手段と、
−  第１のオブジェクトおよび第２のオブジェクトを含む少なくとも１つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施するための応力緩和手段とを備え、
第１のオブジェクトをロードすることの間で、ある時間量だけ待つように構成されている装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
次に、例示にすぎないが、本発明の諸実施形態について、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して述べる。
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。
【図２】一実施形態による基板サポートの概略的な横断面図である。
【図３】一実施形態による基板サポートの概略的な上面図である。
【図４ａ】一実施形態による基板テーブルの概略的な横断面図である。
【図４ｂ】一実施形態による基板テーブルの概略的な横断面図である。
【図５】一実施形態による基板サポートの概略的な横断面図である。
【図６】一実施形態による基板サポートの概略的な上面図である。
【図７】一実施形態による基板サポートの概略図である。
【図８】一実施形態によるコンピュータの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
−  放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（たとえば、マスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１２】
他の要素を含むことができる他のリソグラフィ装置が存在する、または考えることができることは理解されよう。たとえば、ステッパまたはマスクレス露光ツールは、第１ポジショナＰＭを有していないことがある。
【００１３】
照明システムは、放射を誘導する、形作る、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支承する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる仕方でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用することがあればそれは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００１５】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１６】
パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００１７】
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用することがあればそれは、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００１８】
本明細書では、本装置は、（たとえば、透過マスクを使用する）透過タイプのものである。別法として、本装置は、（たとえば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）反射タイプのものとすることができる。
【００１９】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加のテーブルを同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数の他のテーブルが露光用に使用されている間に、１つまたは複数のテーブル上で準備工程を実施することができる。
【００２０】
リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることができる。また、液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、マスクと投影システムの間で与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大することで、当技術分野で周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しておらず、逆に、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。
【００２１】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザであるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれることがある。
【００２２】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用し、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節することができる。
【００２３】
放射ビームＢは、サポート構造（たとえば、マスクテーブルＭＴ）上で保持されているパターニングデバイス（たとえば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、マスクＭＡを横切って、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束する。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けにより、たとえば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭと（図１には明示的に図示されない）別の位置センサを使用し、マスクＭＡを、たとえばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータだけに接続することも、固定とすることもできる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間内に位置してもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。
【００２４】
図の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に１回で投影される（すなわち、単一静的露光）。次いで、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）倍率と像反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向での）幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の（スキャン方向での）高さが決定される。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止したままであり、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中、連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２５】
上述の使用モードに対する組合せおよび／または変形形態、または全く異なる使用モードをも使用することができる。
【００２６】
図２および図３は、それぞれ一実施形態による基板サポートの側面図および上面図を示す。基板サポートは、全体的に符号１で示されている。基板サポート１は、基板テーブルＷＴが上に配置される（またおそらくはクランプされる）サポート構造２（たとえば、チャックとも呼ばれるミラーブロック）を備える。
【００２７】
基板サポート１の上側は、基板Ｗを基板サポート１上でクランプするための真空クランプ４を備える。基板サポート１は、しばしばｅピンと呼ばれる、他の３つの収縮可能なピン５を備え、これらのピンは、ピン５が基板サポート１から延びる伸長位置と、ピン５が基板サポート１内に収縮される収縮位置との間で、基板サポート１に対して移動可能である。
【００２８】
図２が可能な実施形態を示すことは理解されよう。他の実施形態によれば、ｅピン５は基板サポート１の一部でなくてもよく、サポート構造、および／または基板サポート１を支持するある構造の一部であってもよい。たとえば、ｅピン５はまた、図１を参照して述べた第２ポジショナＰＷの一部とすることができる。収縮可能なピン５は、実質的に垂直な方向、すなわちピン５によって支持されることになる基板Ｗの主平面に対して実質的に直交する方向で移動可能である。収縮可能なピン５は、基板サポート１と、ロボットまたは任意の他のタイプの基板ハンドラとの間で基板Ｗを移送するために使用することができる。収縮可能なピン５は、基板Ｗを支持するために基板Ｗの下にロボットを配置することができるように設けられる。ロボットが基板Ｗを側部または上部で保持するように構成されるとき、収縮可能なピン５は省かれてもよい。
【００２９】
ロボットは、伸長位置で基板Ｗをピン５上に配置することができる。次いで、ピン５を収縮位置に移動することができ、その結果、基板Ｗは、基板サポート１の支持表面上で止まる。基板サポート１によって支持された基板Ｗがパターン付き放射ビームで露光された後で、その基板を別の基板と交換することができる。基板Ｗを交換するために、収縮位置から伸長位置に移動される収縮可能なピン５によって、基板Ｗが基板テーブルＷＴから持ち上げられる。ピン５が伸長位置にあるとき、基板Ｗは、ロボットまたは任意の他のタイプの基板ハンドラで運んでゆくことができる。
【００３０】
真空クランプ４は、封止リム７によって囲まれる陥凹表面６によって形成される。陥凹表面６、封止リム７、および基板サポート１上に配置された、または配置されることになる基板Ｗによって境界を画された真空空間内で低圧を生み出すために、空気吸込導管８が設けられる。空気吸込導管８は、空気を真空空間から抜き取るために、空気吸込ポンプＰＵに接続される。この低圧は、支持用表面の上方の基板Ｗを基板サポート１に向かって引き寄せる真空力をもたらす。
【００３１】
陥凹表面６内には、いくつかのバール（突起）９が配置される。バール９の上端は、基板サポート１上に配置されることになる基板Ｗ用の支持表面を提供する。封止リム７、およびバール９の上端は、基板Ｗを比較的小さな接触面積で支持するために実質的に平坦な表面を提供するように、実質的に同じ平面内で配置される可能性がある。封止リム７は、シールとして働き、基板Ｗと接触する必要はない。制御された漏れを生み出すように、非常に小さな間隙が基板Ｗとリム７の間に存在してもよい。
【００３２】
基板サポート１の一実施形態では、２つ以上の真空クランプをクランプデバイスとして設けることができる。実際には、静電クランプ、磁気クランプ、または電磁クランプなど、他のタイプのクランプデバイスを、基板Ｗに対して加えられる引力をもたらすために設けることができる。
【００３３】
基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で位置決めされ基板テーブルＷＴにクランプされているとき、基板Ｗの温度と基板テーブルＷＴの温度は、分布においても合計においても異なる可能性がある。また、温度差は、基板Ｗ内で、または基板テーブルＷＴ内で存在する可能性がある。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で位置決めされた後で、これらの温度差は中和し、温度平衡に至ることになる。これらの変化する温度の結果として、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴは変形する可能性があり、熱応力を受けることになる。したがって、基板Ｗは、基板テーブルＷＴ上にクランプされ、ロード直前のその初期温度が基板テーブルＷＴの温度から逸脱するとき、または基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴがロード前に初期温度差を有するとき、熱応力を受ける可能性がある。熱応力は、基板Ｗを基板テーブルの上で（バール９の上で）滑らせるおそれがあり、これは、位置決め誤差に通じる。
【００３４】
また、基板Ｗ内の応力は、基板Ｗを基板テーブルＷＴ上で位置決めすることによって誘発されることもある。たとえば、基板Ｗが、伸長位置にある収縮可能なピン５上に配置されるとき、基板Ｗは、最初に１つのピン５に触れてから他のピン５に触れる可能性がある。これは、負荷誘発応力と呼ばれる機械的応力を引き起こす可能性がある。
【００３５】
基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置される（またおそらくはクランプされる）とき応力が誘発される可能性があることは理解されよう。基板負荷誘発応力および熱応力は、大きなオーバーレイの誘因である。
【００３６】
基板Ｗが、望ましいものでない別の形態でクランプされる可能性があるため、リソグラフィ装置の投影のオーバーレイ性能が低下するおそれがあり、これは、製品品質に対して負の影響を有するおそれがある。
【００３７】
熱応力を低減するための可能な方法は、基板Ｗの温度を正確に制御し、基板Ｗを基板テーブルＷＴにロードする前に、基板テーブルＷＴの温度に合致させることである。しかし、これは、デバイスで基板Ｗ（およびおそらくは基板テーブルＷＴ）の温度を測定および制御することを必要とする、時間のかかる方法である。したがって、基板温度を正確に制御することは、比較的複雑かつコストのかかるものであり、スループットが犠牲になる。
【実施例】
【００３８】
上述のように発生する可能性がある熱応力および負荷誘発応力を克服するための実施形態が提供される。ここに提供されている実施形態によれば、最初に第１のオブジェクトがリソグラフィ装置内で第２のオブジェクト上にロードされ、温度差を平衡させることができる所定の整定時間間隔後に、第１のオブジェクトおよび／または第２のオブジェクトが応力緩和する、または応力のないものになることができる応力緩和アクションが実施される。上述のように、第１のオブジェクトは、第２のオブジェクト上にロードされクランプされたとき、第１のオブジェクトと第２のオブジェクトの間の摩擦により応力緩和することができない可能性がある。したがって、応力緩和アクションは、第１のオブジェクトと第２のオブジェクトの間の摩擦を低減することを含む。第１のオブジェクトは基板とすることができ、第２のオブジェクトは基板テーブルＷＴとすることができる。代替によれば、第１のオブジェクトは基板テーブルＷＴとすることができ、第２のオブジェクトは、基板テーブルＷＴを支持するサポート構造２とすることができる。サポート構造は、チャックまたはミラーブロックとも呼ばれることがある。
【００３９】
摩擦の低減は、第１のオブジェクトを支持する第２のオブジェクトによって加えられる法線力を低減することによって行うことができる。これを行うためのいくつかの実施形態について下記で述べる。
【００４０】
リソグラフィ装置において第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードする方法であって、
ａ）第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードすること、
ｂ）ある待ち時間量だけ待つこと、
ｃ）応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
【００４１】
さらに、第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上で保持するように構築されたリソグラフィ装置であって、
ａ）第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードし、
ｂ）ある待ち時間量だけ待ち、
ｃ）応力緩和アクションを実施するように構成されているリソグラフィ装置が提供される。
【００４２】
第１のオブジェクトは基板Ｗとすることができ、第２のオブジェクトは基板テーブルＷＴとすることができる。一実施形態によれば、第１のオブジェクトは基板テーブルＷＴとすることができ、第２のオブジェクトは、基板テーブルＷＴを支持するためのサポート構造２とすることができる。
【００４３】
さらに、パターンをパターニングデバイスから基板Ｗ上に転写することを含み、実施形態に述べられている方法の１つを実施することを含むデバイス製造方法が提供される。
【００４４】
そのような応力緩和アクションの例が下記の実施形態で提供されている。
【００４５】
一実施形態では、第１のオブジェクトを第２のオブジェクト上にロードすることと応力緩和アクションを実施することの間で待つための待ち時間が、第１のオブジェクトと第２のオブジェクトの間で部分的な温度平衡を達成するように選択される。たとえば、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の数ケルビンの初期温度差を１００〜１５０ｍＫ程度の差に整定する必要がある場合、その温度差を平衡させるのに、約３秒の時間間隔が適切となる可能性がある。ここで、１５０ｍＫは、許容される温度の最大と考えることができる。当然ながら、この時間間隔は、初期温度差、および材料の温度特性に依存する。一実施形態では、待つための時間間隔は、たとえば予想温度差または最悪の場合の温度差、および温度差を整定するためのモデルに基づいて、予め決定される。
【００４６】
応力緩和アクションは、熱応力および負荷誘発応力を含めて、第１のオブジェクトおよび第２のオブジェクト内の応力を低減するように実施される。
【００４７】
アクションｂ）、すなわち、ある待ち時間量だけ待つことは、このアクション中に、それ以上の、または他のアクションを実施することができないことを意味するわけではないことは理解されよう。たとえば、所定の整定間隔だけ待つ間、基板Ｗがロードされる基板テーブルＷＴを、ロード位置から、基板Ｗに対して測定を実施する（形状、向き、位置などを測定する）ことができる測定位置に、または露光位置に移動させることができる。
【００４８】
（実施形態１）
一実施形態によれば、応力緩和アクションは、クランプデバイスによって加えられるクランプ力を一時的に低減することを含む。
【００４９】
上述のように、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上にロードされたとき、クランプデバイスを用意することができ、適用することができる。クランプデバイスは、基板に対して加えられる引力をもたらすことによって、基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプする。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００５０】
この実施形態によれば、応力緩和アクションは、クランプ力を一時的に低減することを含む。
【００５１】
アクションａ）が、クランプデバイスを使用し、基板に対して加えられる引力をもたらすことによって、基板を基板テーブルにクランプすることを含む、上述の方法が提供される。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも１つを含むことができる。この方法のアクションｃ）は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができる。
【００５２】
さらに、基板Ｗに対して加えられる引力をもたらすことによって基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプするためのクランプデバイスをさらに備え、アクションａ）が、そのクランプデバイスを使用して基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプすることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも１つを含むことができる。このリソグラフィ装置によって実施することができるアクションｃ）は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができる。
【００５３】
この実施形態は、追加のハードウェアフィーチャを必要としない点で、実施するのが容易である。この実施形態は、リソグラフィ装置で通常使用可能なハードウェアを使用し、したがって、実施するのが容易かつコスト効率的である。場合によっては、単に基板Ｗをクランプ解除するだけでは、基板Ｗ内の応力すべてを整定するのに十分でない可能性がある。しかし、この実施形態は、基板Ｗ内に存在する応力の一部を少なくとも整定するための非常に容易な方法を提供する。
【００５４】
（実施形態２）
一実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げることを含むことができる。これは、温度平均化が行われた後で行われ、応力の緩和の余地を与えるために行われる。応力緩和が行われた後で、基板Ｗは、基板テーブルＷＴ上に戻される。
【００５５】
上述のように、基板テーブルＷＴは、基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げることによって応力緩和アクションを実施するために使用することができる、収縮可能なピン５を備えることができる。図４ａは、基板テーブルＷＴ上にロードされた基板Ｗを示し、ピンは収縮位置にある。図４ｂは、持ち上げられた位置にある基板Ｗを示す。応力緩和アクションを実施した後で、基板Ｗは、再び基板テーブルＷＴ上に配置される。
【００５６】
応力緩和アクションが、基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げることを含むことができる、上述の方法が提供される。これはピン５を移動することによって行うことができ、ピン５は、基板テーブルの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、ピン５は、ピンが基板サポート１内に収縮される収縮位置から、基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げるようにピン５が基板サポート１から延びる伸長位置に移動される。主表面は、基板をクランプしている間、基板と接触する表面である。
【００５７】
さらに、基板Ｗを基板テーブルの主表面から時間的に持ち上げるための手段を備え、緩和アクションｃ）が、基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置はピン５を備えることができ、これらのピンは、基板テーブルＷＴの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、応力緩和アクションは、ピン５が基板テーブルＷＴ内に収縮される収縮位置から、基板を基板テーブルＷＴから持ち上げるようにピン５が基板テーブルＷＴから延びる伸長位置にピン５を移動することを含む。基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げた後で、基板Ｗは、基板テーブルＷＴの主表面上で再び位置決めされる。
【００５８】
この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げる前に低減することができ、応力緩和アクションの後で、基板Ｗを基板テーブル上で位置決めしてから再び加えることができる。
【００５９】
この実施形態は、追加のハードウェアフィーチャを必要としない点で、実施するのが容易である。この実施形態は、リソグラフィ装置で通常使用可能なハードウェアを使用し、したがって、実施するのが容易かつコスト効率的である。
【００６０】
（実施形態３）
他の実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板Ｗに対して正圧を加え、それによって基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の摩擦力を低減することによって実施される。クランプデバイスが使用される場合、クランプ力を低減することができる。
【００６１】
応力緩和アクションは、基板テーブルＷＴと基板Ｗの間の区画内で、所定の（短い）期間の間、厳格に制御された正圧を加えることによって実施することができる。これを行うことにより、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の摩擦力を低減し、さらには基板を基板テーブルＷＴから持ち上げ、それにより基板Ｗから内部応力を解放することを可能にすることが可能である。このプロセスは、単一のパルスでは応力すべてを除去するのに不十分であるとき、繰り返すことができる。１つの長いパルスではなく、いくつかの比較的小さなパルスを使用することによって、潜在的に基板を失うおそれがある基板の浮上り（すなわち．．．の移動）を回避することができる。この空気パルスは、空気の入った小さな容器を加圧し、次いで単純な二方弁を使用して、基板テーブルＷＴ内の穴を介して空気を放つことによって生成することができる。
【００６２】
図５および図６は、そのような実施形態による基板ホルダ１を概略的に示す。図５に示されているように、いくつかのノズル１０が設けられている。図５および図６に示されているように、ノズル１０は、バール９間に設けられている。しかし、これらのノズルがいくつかのバール９内に設けられてもよいことは理解されよう。図５および図６に示されている実施形態では、ノズル１０は、封止リム７によって境界を画された表面エリア全体にわたって均等に分配される。ノズル１０は、ガス供給導管１１を介してガス供給ユニットに接続され、陥凹表面に対して実質的に直交する、すなわち基板テーブルＷＴ上に配置されることになる基板Ｗの主表面に対して実質的に直交する方向で、噴射またはガスパルスを送るように構成される。噴射またはガスパルスを実際に送るために、ガス供給ユニットは、ポンプ（図示せず）、または供給導管１１に接続された別の加圧ガス源とすることができる。図５に示されているように、基板テーブルＷＴの近くの圧力に対して高い圧力を有するガスを含む容器ＣＯが用意される。供給導管１１内には、供給導管１１を開閉するように制御することができる弁ＶＡが設けられる。噴射を送るために、空気など、任意のタイプの好適なガスを使用することができることに留意されたい。
【００６３】
応力緩和アクションが基板Ｗと基板テーブルＷＴの間でガスを供給することを含む、上述の方法が提供される。ガスは、一連の少なくとも１つのガスパルスによって供給することができる。
【００６４】
さらに、基板テーブルＷＴが少なくとも１つのノズル１０を備え、ノズル１０が、ガス供給ユニットに接続されており、または接続可能であり、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間でガスを供給するように構成されており、応力緩和アクションが、基板と基板テーブルの間でガスを供給することを含むことができる、上述のリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、ガスを一連の少なくとも１つのガスパルスで供給するように構成されてもよい。
【００６５】
この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、ガスを供給する前に低減することができ、応力緩和アクションの後で再び加えることができる。
【００６６】
（実施形態４）
他の実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板テーブルＷＴを振動させることを含む。適切な振動を加えることによって、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の摩擦力が低減され、基板を応力緩和させる。振動は、任意の好適な周波数および任意の好適な振幅、たとえば約１μｍの振幅および＞５００Ｈｚ以下の周波数で行うことができる。
【００６７】
図７は、基板Ｗがロードされる基板テーブルＷＴを備える基板ホルダ１を概略的に示す。図７は、基板ホルダ１を発動させ、したがって基板テーブルＷＴを振動させるように使用することができる２つのアクチュエータＡＣによって形成された振動デバイスをさらに示す。
【００６８】
振動デバイスは、図１を参照してすでに上述した第２ポジショナによって形成することができる。しかし、振動を実施するために特別な専用のアクチュエータを設けることもできる。
【００６９】
アクチュエータは、特別に用意してもよいが、サポート構造を駆動するショートストロークモータなど、すでに存在するアクチュエータを使用することも可能である。アクチュエータは、高帯域幅サーボループを有する、ｎｍ精度のローレンツタイプのアクチュエータとすることができる。これらのモータを使用し、露光および測定中に、サポート構造および基板Ｗを位置決めする。単にディタ（ditter）信号を通常の設定点に追加することによって、サポート構造に、ターゲット方向で移動し、同時に振動移動をもたらすように指令することができる。
【００７０】
振動は、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴがそれぞれの内部の、またはそれらの間の温度差を少なくとも部分的に整定することができるように、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上にロードされた後で、ある時間量だけ加えられる。この時間量は、その差が最大許容可能な温度差より低くなると予想されるように選択される。可能な印加クランプ力を低減することができ、基板テーブルＷＴを高い周波数で振動させることができる。振動は、小さな位置振幅と大きな加速度とを有してもよい。この機械的な「ディタ」運動を使用し、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の摩擦力を克服することができる。次いで、基板Ｗは、その内部応力を解放することになる。
【００７１】
振動は、基板テーブルＷＴの表面に対して実質的に直交する、すなわち基板テーブルＷＴ上に配置されることになる基板Ｗの主表面に対して実質的に直交する方向で加えることができる。下向き運動中に、基板Ｗに対して基板テーブルＷＴによって加えられる法線力（したがって摩擦力）が一時的に低減され、基板Ｗは応力緩和することができる。
【００７２】
一変形形態によれば、振動は、基板テーブルＷＴの表面に対して実質的に平行な、すなわち基板テーブルＷＴ上に配置されることになる基板Ｗの主表面に対して実質的に平行な方向で加えられる。この運動の結果として、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴは、互いに相対移動することができ、それにより摩擦力を低減し、基板Ｗが応力緩和することを可能にする（静的摩擦係数は動的摩擦係数より高いことに留意されたい）。代替の実施形態では、振動は、ここに述べられている２つの方向以外の方向、たとえば基板テーブルＷＴの表面に対して平行な成分と直交する成分を共に有する斜め方向で加えられる。
【００７３】
他の実施形態では、振動は、基板に直接加えられる。振動アクションは、ばねまたは可撓性エレメントなど、振動ツールを使用することによって加えることができる。この振動ツールを発動させることができる。好適なアクチュエータを使用することができる。一実施形態では、振動アクションは、基板の中心部内で開始して基板上に加えられる。振動アクションは、中心グリッパによって基板／オブジェクトに加えることができる。他の工程では、振動アクションは、オブジェクトの、より外部に位置する部分に加えることができる。このようにして、オブジェクト内の応力は、オブジェクトの外部部分に「移動」される、好ましくは「解放」されることが好ましい。一実施形態では、振動デバイスとしてＥピンを使用し、オブジェクトを振動させる。
【００７４】
振動アクションは、非常に短いアクション、たとえば１周期、さらには半周期だけとすることができる。振動アクションは、少なくとも１つのアクション、好ましくは釣り合いの位置に対する移動によって特徴付けられる。これはオフセット移動とすることができる。振動アクションは、オブジェクト材料を介して移動する、波のような応力解放ローブを引き起こすことができるため、そのような振動アクションは、オブジェクト内で応力低減効果を有するであろうと考えられる。そのような波のような運動は、オブジェクト内の局部応力を低減する上で、より効果的であると考えられる。
【００７５】
他の実施形態では、振動をオブジェクトに加えるために、打撃デバイスを使用することができる。オブジェクトを打撃することによって、一時の外乱、この場合には過剰な外乱がオブジェクト上に伝達され、この外乱を使用し、オブジェクトにわたって他の内部応力を放散または解放することができる。また、打撃デバイスは、オブジェクト内で波のような運動を開始することができる。
【００７６】
一実施形態では、基板および基板テーブルに、部分的に同時に、または１つずつ、振動が加えられる。
【００７７】
基板テーブルおよび／または基板が、高い周波数および小さい振幅で振動される方法およびリソグラフィ装置が提供される。さらに、基板テーブルが振動デバイスを備え、応力緩和アクションが、基板テーブルを振動させることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。
【００７８】
この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、ガスを供給する前に低減することができ、応力緩和アクションの後で再び加えることができる。
【００７９】
（実施形態５）
上述の実施形態は、どのように基板Ｗを基板テーブルＷＴ上にロードするかについて述べている。しかし、基板テーブルＷＴそれ自体は、サポート構造２上で位置決めされる別個の部分とすることができる。基板テーブルＷＴは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも１つを含むクランプデバイスを使用して、サポート構造２にクランプすることができる。
【００８０】
最終的に基板テーブルＷＴと支持用構造２の間の滑りを引き起こす応力が基板テーブル内で発生したとき、上述の同じ応力緩和手順を基板テーブルに適用することができる。
【００８１】
基板テーブルＷＴをサポート構造２上にロードすることは、基板Ｗを基板テーブルＷＴ上にロードするのと同じ問題を伴うおそれがある、すなわち、基板テーブルＷＴ内で熱応力および機械的応力が誘起される可能性があることは理解されよう。
【００８２】
したがって、基板テーブルＷＴをサポート構造２上にロードするために、やはり上述の実施形態を使用することができる。
【００８３】
したがって、基板テーブルをサポート構造上にロードする方法であって、
ａ）基板テーブルをサポート構造上にロードすること、
ｂ）ある待ち時間量だけ待つこと、
ｃ）応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
【００８４】
アクションａ）は、クランプデバイスを使用し、基板テーブルに対して加えられる引力をもたらすことによって、基板テーブルをサポート構造にクランプすることを含むことができる。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００８５】
アクションｃ）は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができ、および／または基板テーブルとサポート構造の間でガスを供給することを含むことができる。ガスは、一連の少なくとも１つのガスパルスによって供給することができる。
【００８６】
アクションｃ）は、サポート構造を振動させることをさらに含むことができる。サポート構造は、高い周波数および小さい振幅で振動させることができる。
【００８７】
振動は、基板テーブルがサポート構造上にロードされた後で、短い時間間隔で加えられる。一実施形態では、クランプ力が低減される。別法として、または追加として、サポート構造が高い周波数で振動される。振動は、小さな位置振幅と大きな加速度とを有する。この機械的な「ディタ」運動を使用し、基板テーブルＷＴとサポート構造の間の摩擦力を克服する。次いで、基板Ｗは、その内部応力を解放することになる。
【００８８】
アクションｃ）は、たとえばピンを移動することによって、基板テーブルＷＴをサポート構造２から持ち上げることをさらに含むことができ、これらのピンは、サポート構造の主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、これらのピンは、ピンがサポート構造内に収縮される収縮位置から、基板テーブルをサポート構造の主表面から持ち上げるようにピンがサポート構造から延びる伸長位置に移動される。
【００８９】
待ち時間量は、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴがそれぞれの内部の、またはそれらの間の温度差を少なくとも部分的に整定することができるように選択することができる。
【００９０】
アクションｃ）は、基板テーブルＷＴ内の応力を低減するように実施することができる。
【００９１】
さらに、基板テーブルＷＴを保持するように構築されたサポート構造２を備えるリソグラフィ装置であって、
ａ）基板テーブルＷＴをサポート構造２上にロードし、
ｂ）所定の整定時間間隔だけ待ち、
ｃ）応力緩和アクションを実施するように構成されるリソグラフィ装置を提供することができる。
【００９２】
（コンピュータ）
上述の実施形態はすべて、たとえば図８に示されている、コンピュータＣＯを使用して実用化することができる。コンピュータＣＯは、入出力デバイスＩ／ＯおよびメモリＭＥと通信するように構成されたプロセッサＰＲを備えることができる。
【００９３】
コンピュータＣＯは、パーソナルコンピュータ、サーバ、ラップトップとすることができる。これらのデバイスはすべて、異なる種類のコンピュータである。メモリＭＥは、述べられている実施形態をコンピュータＣＯに実施させるために、プロセッサＰＲによって読取り可能かつ実行可能な命令を備えることができる。コンピュータＣＯは、述べられている実施形態を実施するために、入出力デバイスＩ／Ｏを介してリソグラフィ装置の他の部分と対話するように構成されてもよい。
【００９４】
図８は、演算を実施するためのプロセッサＰＲを備えるコンピュータＣＯの一実施形態の概略ブロック図を示す。プロセッサＰＲは、テープユニット、ハードディスク、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的消去可能なプログラム可能読出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、およびランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）など、命令およびデータを記憶することができるメモリＭＥに接続される。
【００９５】
入出力デバイスＩ／Ｏは、リソグラフィ装置１（図示せず）に含まれる他のコンピュータシステムまたはデバイスと通信リンクを介して通信するように構成される。
【００９６】
しかし、より多くの、および／または他のメモリＭＥおよびプロセッサＰＲを設けることができることを理解されたい。さらに、それらの１つまたは複数は、物理的に遠隔位置に位置してもよい。プロセッサＰＲは、１つのボックスとして示されているが、当業者には知られているように、互いに遠隔に位置してもよい、並列で機能する、または１つのメインプロセッサによって制御されるいくつかのプロセッサＰＲを含むことができる。
【００９７】
接続すべてが物理接続として示されているが、これらの接続の１つまたは複数を無線にすることができることに留意されたい。これらは、「接続されている」ユニットが互いに何らかの方法で通信するように構成されることを示すことが意図されているにすぎない。
【００９８】
コンピュータ装置上にロードされたとき、提供されている方法のいずれか１つを実施するように構成されているコンピュータプログラムが提供される。また、そのようなコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。データキャリアは、任意の種類のコンピュータ可読媒体とすることができる。
【００９９】
（他の注意）
上述の実施形態は、クランプ力を低減するための選択肢について述べている。これは、他の実施形態すべてと組み合わせて行うことができることは理解されよう。また、クランプ力を低減することは、クランプ力を実質的にゼロに低減すること、すなわちクランプ力を全く加えないことを含む。
【０１００】
ガスを送る実施形態および振動を加える実施形態は、比較的小さなスループット損失で適用することができる。また、既存のメトロロジーシーケンス内への、応力緩和アクションを実行することができる基板テーブル位置に対する制限はない。
【０１０１】
基板Ｗを基板テーブルＷＴから持ち上げる場合（実施形態２）、これはプリアライメント精度に対して負の影響を有することがある。さらに、機械／基板の安全のために、基板を持ち上げること（実施形態２）は、スループット最適でない、基板テーブルＷＴの非常に特別な場所でのみ行うことができる。
【０１０２】
上記の説明に基づいて、応力緩和アクションは、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の摩擦を一時的に低減するように実施され、基板Ｗを応力緩和させ応力を解消させることは理解されよう。クランプ力を低減すること、基板Ｗを持ち上げること、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間でガスを送ること、基板テーブルＷＴを振動させることなど、応力緩和アクションを実施するための多数の方法が提供される。
【０１０３】
応力緩和アクションは、基板Ｗの正確な処理を可能にするために、応力緩和アクションの後で、基板Ｗが基板テーブルＷＴに対して正確に位置決めされるように実施すべきであることは理解されよう。実際には、基板Ｗは、基板の水平の向きを測定するためのアライメントセンサ、および基板の表面プロファイルを測定するためのレベルセンサなど、基板Ｗの位置および向きを測定するために使用されるセンサのキャプチャレンジ内にあるべきである。キャプチャレンジは、数十ミクロン程度である。
【０１０４】
応力緩和アクションの後で、基板Ｗの位置および向きを測定するために、他の測定アクションを実施することができる。
【０１０５】
また、実施形態すべてが１つまたは複数の他の実施形態と組み合わせて使用されてもよいことは理解されよう。たとえば、供給ガス、および／またはクランプ力を低減することと組み合わせて振動を行うことができる。
【０１０６】
これらの実施形態は、第１のオブジェクトが整定することができるように、第１のオブジェクトと第２のオブジェクトの間の摩擦力を一時的に克服するために実施することができる。
【０１０７】
本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。
【０１０８】
上記では、本発明の実施形態の使用が、光リソグラフィの文脈で具体的に参照されていることがあるが、本発明は、他の応用分野、たとえばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィにより、基板上に生み出されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層に押し込むことができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後で、レジストから移動され、レジスト内にパターンを残す。
【０１０９】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（たとえば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、および（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなど粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【０１１０】
「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、および静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、または組合せを指すことがある。
【０１１１】
上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。たとえば、本発明は、上記で開示されている方法について説明する機械可読命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）の形態をとることができる。
【０１１２】
上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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