(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ放電チャンバ、
前記プラズマ放電チャンバの側壁に取り付けられた、第１のリング部材および第２のリング部材を備えたリング状取付けプラットホーム、
前記リング状取付けプラットホームの前記第１のリング部材と第２のリング部材の間に取り付けられた抽出電極アセンブリ、および
前記抽出電極アセンブリを前記リング状取付けプラットホームに固定する固定部材を有するイオンビーム発生器であって、
前記取付けプラットホームの前記第１、第２のリング部材および前記抽出電極アセンブリの各々がその周縁領域に前記固定部材を挿入するための開口を有し、前記開口内に、前記固定部材がその周囲に絶縁体を配して挿入され、前記固定部材が前記抽出電極アセンブリを前記第１のリング部材と第２のリング部材の間に固定し、
前記抽出電極アセンブリが有する開口の内側面が前記固定部材を取り囲んでいる前記絶縁体の外部表面と緊密に接触し、前記第１および第２のリング部材が有する開口が該第１および第２のリング部材の半径方向に細長くなっており、それにより前記第１および第２のリング部材が有する開口の前記内側面と、前記固定部材を取り囲んでいる前記絶縁体の前記外部表面との間に空間が存在しているイオンビーム発生器。
【請求項２】
前記取付けプラットホームの材料が、Ｔｉである、請求項１に記載のイオンビーム発生器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイオンビーム発生器に関し、詳細にはグリッド中の熱ひずみを小さくするための構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
特表２００５−５０６６５６号に従来のイオンビーム発生器の１つが開示されている。スパッタリング・システムまたはエッチング・システムにイオンビーム発生器を使用する場合、アルゴンなどの適切なガスがガス導入手段を介して放電チャンバに導入される。プラズマは、このガスにｒｆ電力を印加することによって生成される。通常、生成されたプラズマは、放電チャンバ内に閉じ込められる。プラズマの一部は、個々のファセット内のイオンビーム抽出ユニットの近傍に存在している。イオンビーム抽出ユニットの各々には、放電チャンバからイオンをその中に抽出し、イオンをそれによって加速するグリッドのアセンブリが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００５−５０６６５６号：ＰＣＴ／ＧＢ２００２／００２５４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のイオンビーム発生器は、動作中、ビーム抽出ユニットが熱によって膨張し、そのためにユニットのグリッドがひずむ、という技術的な問題を抱えている。したがってビーム抽出効率が低下し、延いてはエッチング性能あるいはスパッタリング性能が悪くなっている。したがって本発明の目的は、プロセス品質において改善されたイオンビーム発生器を提供するために、抽出ユニット内の熱ひずみを防止する（小さくする）ことである。熱ひずみのこのような低減により、長期間にわたる安定した性能が得られるだけでなく、イオンビーム発生器のスタートアップ時間が短縮される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、プラズマ放電チャンバ、プラズマ放電チャンバの側壁に取り付けられた、第１のリング部材および第２のリング部材を備えたリング状取付けプラットホーム、リング状取付けプラットホームの第１のリング部材と第２のリング部材の間に取り付けられた抽出電極アセンブリ、および抽出電極アセンブリを前記リング状取付けプラットホームに固定する固定部材を有するイオンビーム発生器であって、取付けプラットホームの第１、第２のリング部材および抽出電極アセンブリの各々がその周縁領域に固定部材を挿入するための開口を有し、開口内に、固定部材がその周囲に絶縁体を配して挿入され、固定部材が抽出電極アセンブリを第１のリング部材と第２のリング部材の間に固定し、抽出電極アセンブリが有する開口の内側面が固定部材を取り囲んでいる絶縁体の外部表面と緊密に接触し、第１および第２のリング部材が有する開口が該第１および第２のリング部材の半径方向に細長くなっており、それにより第１および第２のリング部材が有する開口の内側面と、固定部材を取り囲んでいる絶縁体の外部表面との間に空間が存在しているイオンビーム発生器が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のイオンビーム発生器によれば、グリッド中のひずみが抑制され、したがって高品質イオンビームが生成される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明によるイオンビーム発生器を備えた基板処理装置の略図である。
【図２】この実施形態によるイオンビーム発生器の第１の実施形態の横断面図である。
【図３】本発明によるイオンビーム発生器内のグリッドの平面図である。
【図４】本発明によるイオンビーム発生器内のグリッド・アセンブリの横断面図である。
【図５】本発明によるイオンビーム発生器の第２の実施形態の横断面図である。
【図６】図２のイオンビーム発生器の第１の実施形態における熱膨張した第１のリングを示す図である。
【図７】図５のイオンビーム発生器の第２の実施形態における熱膨張した第１のリングを示す図である。
【図８】イオンビーム発生器内のステンレス鋼製取付けプラットホームに対するエッチング速度および一様性の時間依存性を示すグラフである。
【図９】イオンビーム発生器内のチタン製取付けプラットホームに対する速度および一様性の時間依存性の改善を示すグラフである。
【図１０】本発明によるイオンビーム発生器を備えた成膜用イオンビームスパッタリング装置の略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。しかしながら、本発明は、これらの実施形態に限定されない。
【０００９】
本発明の一実施形態による、たとえばエッチング装置などの基板処理装置について、図１を参照して説明する。図１は、基板エッチング装置の構成を示したものである。図１に示されている基板処理装置１００は、基板処理チャンバ２、基板（ウェーハ）１０を保持するように構成されたホルダ１１、基板ホルダ１１をサポートする回転可能ステージ１２、イオンビームを生成するためのイオンビーム発生器２００およびチャンバ２の内部の大気を排気するための真空ポンプ３を備えている。イオンビーム発生器２００の中には、プラズマ放電チャンバ１の前側表面に、プラズマ中のイオンを抽出するための抽出電極アセンブリ２０が配置されている。基板ホルダ１１は、イオンビームＢが移動する方向に対して、選択された角度で傾斜するように構成されている。入射するイオンビームに対するウェーハ表面の角度は、ステージ１２をパンすることによって変更することができる。基板は、スリットＳを介してイオンビーム・エッチング・チャンバの中へ輸送され、また、イオンビーム・エッチング・チャンバから搬出される。
【００１０】
図２は、イオンビーム発生器２００の第１の実施形態の横断面図である。抽出電極アセンブリ２０は、３つの円板状グリッド２１、２２および２３からなっており、これらのグリッドの開口は整列している。抽出電極アセンブリ２０は、環状またはリング状取付けプラットホーム４０を介してプラズマ放電チャンバ１の環状側壁１Ａに取り付けられている。円板状グリッド２１〜２３の環状周辺領域をプラズマ放電チャンバ１の上に取り付けるための取付けプラットホーム４０は、キャップ・リング４１ならびに第１および第２のリング４２および４３を備えている。キャップ・リング４１は、チャンバ１の側壁１Ａに取り付けられている。第１のリング４２は、キャップ・リング４１と接触している。第１のリング４２の下部表面は、スクリーン・グリッド２１と接触している。グリッド２１、２２および２３は、第１のリング４２と第２のリング４３の間に配置されており、これらは、すべて、アセンブリ２０をリング４２と４３の間にはさんで一体にボルト締めされている。金属固定ボルト２８が第２のリング４３にねじ込まれており、抽出電極アセンブリ２０を取付けプラットホーム−第１のリング４２の上に確実に取り付けている。金属固定ボルト２８は、円筒状アライメント絶縁体３０によってスクリーン・グリッド２１、加速グリッド２２および減速グリッド２３から絶縁されている。金属固定ボルト２８は、さらに、絶縁ボルト・キャップ２７によってキャップ・リング４１から絶縁されている。固定ボルト２８の頂部はキャップ・リング４１で蓋がされているが、絶縁ボルト・キャップ２７は、キャップ・リング４１によって所定の位置に保持されている。円筒状絶縁体３０は、グリッド２１、２２および２３のグリッド開口のためのアライメント・フィクスチャとして機能している。グリッド２１、２２および２３の各々の開口３６の内部表面は、絶縁体３０の外部表面と緊密に接触している。グリッド２１、２２および２３は、円筒状絶縁体３０に固定されている。つまり、固定ボルト２８は、第１および第２のリング４２および４３ならびに抽出電極アセンブリ２０の開口すなわちボルト孔に挿入された円筒状アライメント絶縁体３０によって覆われており、したがって抽出電極アセンブリ２０のすべてのグリッドは、それぞれの位置で正確に整列している。第２のリング４３の上部表面は減速グリッド２３と接触している。スペーサ絶縁体２９Ａは、スクリーン・グリッド２１と加速グリッド２２の間に配置されている。スペーサ絶縁体２９Ｂは、加速グリッド２２と減速グリッド２３の間に配置されている。電極アセンブリは、サイズに応じて、電極縁の周囲に一様に分散した２０個を超えるボルト開口を、それに付随する円筒状絶縁体、スペーサおよび絶縁キャップと共に有することができる。抽出電極アセンブリ２０をプラズマ・チャンバ１の側壁１Ａに取り付けるための他の手段を取付けプラットホーム４０内に提供することができる。たとえば、上で言及した、第１のリング４２をチャンバ１の側壁１Ａにボルト締めするための孔と孔の間に、貫通孔すなわち開口を提供することができる。また、スクリーン・グリッド２１を第１のリングおよびキャップ・リングと共にチャンバ１の側壁１Ａにボルト締めすることも可能である。グリッド２１、２２および２３は、プラズマ放電チャンバ１の側壁１Ａから電気的に分離されている。
【００１１】
図１および２の実施形態では、チャンバ１の側壁１Ａに使用されている共通の材料は、ＡｌまたはＳＵＳである。チャンバ内へ外部磁界または電界を与える誘導的に結合された電力ソースの場合、プラズマ・チャンバ１のいくつかの部分には、通常、アルミナまたは水晶などの誘電材料が利用されている。誘電材料は、通常、ＳＵＳまたはＡｌなどの剛直材料によって所定の位置に保持され、かつ、サポートされている。さらに、取付けプラットホーム４０が取り付けられる部分は、強く、かつ、剛直でなければならず、同じくＡｌまたはＳＵＳのいずれかでできている。プラズマ放電チャンバ２は、空気または水による強制冷却することができる。グリッド２１、２２および２３は、通常、熱膨張係数が小さく、また、高温での強度が高いため、ＭｏまたはＣでできている。取付けプラットホームに対してはその剛直性に重点が置かれてきた。Ｍｏグリッド上の取付け孔を（熱）膨張方向に沿って細長くすることも可能であるが、これらのグリッドの相互の整列が重要であり、妥協があってはならない。
放電チャンバ１の側壁１Ａは、プラズマが放電チャンバ１内で点火されると温かくなる。また、電極グリッド２１、２２および２３も同じく加熱されるが、これらのグリッドの熱容量は放電チャンバ１の熱容量より小さいため、グリッド２１、２２および２３は著しく加熱されることになる。さらに、加速器電圧が高い場合、加速器グリッド２２は、材料をスパッタリングするだけの十分なエネルギーでイオンを引き付けることができる。また、高エネルギー・イオンは加熱にも寄与している。冷却は、通常は取付けプラットホームおよび放電チャンバ壁と接触しているグリッド縁に対する放射および伝導によって実行される。高い温度および温度勾配は、エッチングの一様性、安定性およびグリッド調整時間に影響を及ぼすグリッドの変形あるいはグリッド開口の不整列の原因になっている。特定の実施形態の場合、プラズマ放電チャンバ１および抽出電極アセンブリ２０を備えたイオンビーム発生器２００が動作している間、プラズマ放電チャンバ１の側壁１Ａの温度は約７５℃まで上昇し、また、グリッド２１、２２および２３の温度は約２００℃まで上昇する。ここでは、グリッド温度として与えられるグリッドの温度は一様ではなく、つまり、グリッドの温度は中心部分が最も熱く、また、縁部分が最も冷たい。グリッド２１、２２および２３を固着し、かつ、取り付けるために、取付けプラットホーム４０は、プラズマ放電チャンバ１と抽出電極アセンブリ２０の間に配置されている。動作時の熱ひずみを小さくするためには、次の関係を満足するようにそれらの間の熱膨張係数を選択しなければならない。
αＰ＞αＭ≧αＧ
上式で、取付けプラットホーム４０と接触するプラズマ放電チャンバ１の側壁１Ａの熱膨張係数はαＰであり、取付けプラットホーム４０の熱膨張係数はαＭであり、また、抽出電極アセンブリ２０の熱膨張係数はαＧである。
【００１２】
実施形態のように、側壁１Ａの材料は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）およびアルミニウムのグループから選択される。取付けプラットホーム４０の材料は、ＴｉおよびＭｏのグループから選択される。グリッド２１、２２および２３の材料は、Ｍｏ、ＷおよびＣのグループから選択される。グリッドに使用されるＭｏの熱膨張係数は５×１０−６Ｋ−１であり、取付けプラットホーム４０に使用されるＴｉの膨張係数は８．７×１０−６Ｋ−１であり、また、側壁１Ａに使用されるＡｌの熱膨張係数は２３×１０−６Ｋ−１である。これらの材料の上記組合せは、（αＰ＞αＭ≧αＧ）の関係を満足している。
【００１３】
Ａｌ製のプラズマ放電側壁１Ａおよび直径＝４００ｍｍのＭｏグリッドからなる円形ビーム抽出電極アセンブリ２０は、一例と見なされている。とりわけスクリーン・グリッドの熱ひずみに対するステンレス鋼（ＳＵＳ）製取付けプラットホームの効果とＴｉ製取付けプラットホームの効果が比較されている。縁の近くに一様に分散した、スクリーン・グリッド２１および取付けプラットホーム４０をプラズマ放電チャンバ側壁１Ａに固着するためのボルト用の８個のボルト開口３６が提供されている。これらの開口は、互いに１４９ｍｍの間隔を隔てて配置されている。イオンビーム発生器が動作している間、プラズマ放電チャンバ１の側壁１Ａの温度が室温から約７５℃まで上昇し、取付けプラットホームの温度が約１４０℃まで上昇し、また、平均グリッド温度が約２００℃まで上昇する。Ｍｏグリッド開口の位置は、グリッドの半径方向にΔＲ＝０．１６ｍｍの熱膨張のため、図２および図５の半径方向Ｒに沿ってシフトする。グリッド開口とグリッド開口の間の距離は、円周に沿ってΔＣ＝０．１３ｍｍだけ長くなる。Ａｌ製側壁１Ａ−開口位置は、半径方向にΔＲ＝０．２０ｍｍだけシフトし、また、開口間距離は、ΔＣ＝０．１５ｍｍだけ長くなる。ＳＵＳ製取付けプラットホーム４０（α＝１５×１０−６Ｋ−１）の場合、ΔＲ＝０．３１ｍｍであり、また、ΔＣは０．２５ｍｍである。Ｔｉ製取付けプラットホーム（α＝５×１０−６Ｋ−１）の場合、ΔＲ＝０．１８ｍｍであり、また、ΔＣは０．１４ｍｍである。これらの値は、Ａｌ製チャンバ側壁１Ａ、Ｔｉ製プラットホーム４０およびＭｏ製スクリーン・グリッドの場合の値に極めて近い。スクリーン・グリッド、取付けプラットホームおよび側壁の０．１ｍｍの相対開口位置のシフトは、ビーム抽出電極全体の直径と比較すると小さく、スタートアップ性能を改善するためには十分である。
【００１４】
図３は、本発明によるイオンビーム発生器のグリッドの一実施形態を示したものである。グリッド２１、２２および２３の各々は、中央開口領域６および中央開口領域６を取り囲んでいる外部領域７を備えている。中央開口領域６は、多くのマイクロイオンビーム開口６Ａを有している。プラズマ放電チャンバ１から抽出されたイオンビームは、中央開口領域６のイオンビーム開口６Ａを通過する。外部領域７は、８個（またはそれ以上）のボルト２８を挿入するように構成された８個（またはそれ以上）のボルト開口３６を有することができ、ボルトの各々は、円筒状アライメント絶縁体３０によって封入されている。
【００１５】
図４は、本発明によるイオンビーム発生器内の抽出電極アセンブリ２０のグリッドのビーム抽出電極の断面を示したものである。ボルト２８を個々のグリッドのボルト開口３６に挿入することにより、図４に示されているように、スクリーン・グリッド２１の中央開口領域６の開口６Ａ、加速グリッド２２の中央開口領域６の開口６Ａ、および減速グリッド２３の中央開口領域６の開口６Ａが空間的に順序付けられ、整列する。この実施形態では、スクリーン・グリッド２１の厚さＤＳは３ｍｍ、加速グリッド２２の厚さＤＡも３ｍｍ、減速グリッド２３の厚さＤＤは２ｍｍである。スクリーン・グリッド２１と加速グリッド２２の間の間隔ＤＳＡは２ｍｍであり、加速グリッド２２と減速グリッド２３の間の間隔ＤＡＤも２ｍｍである。グリッドの厚さをより分厚くすることによってひずみを小さくすることができる。これは、開口領域におけるボルト締めが望ましくない場合にとりわけ有用である。グリッドがより分厚い場合（＞２ｍｍ）、スクリーン・グリッドは、テーパが付けられていることが好ましい。厚さが増すと加速器電圧Ｖ２の要求事項が高くなり、良好なビームの直進性を達成するためには１０００Ｖを超える電圧になるからである。
スクリーン・グリッド２１では、イオンビーム開口は、その深さＤＴに及ぶ上部分は直径Ｌｓ１を有しており、また、その下部部分はＬｓ１より大きい直径Ｌｓ２を有している。加速グリッド２２の個々の開口の直径ＬＡは、減速グリッド２３のそれの直径ＬＤより小さい。この構成の開口を使用することにより、良好に平行化された、発散の小さいイオンビームが得られる。スクリーン・グリッド２１の個々の開口は、図４に示されているように、直線的に穿たれた、直径が異なる第１および第２の孔を有している。これらの孔はテーパ孔で結合されており、直径が大きい方の孔が加速グリッド２２に面している。
【００１６】
抽出グリッド２１、２２および２３は、通常、プラズマ・チャンバ上への取付けに先立って一体化される。この方法によれば、電極すなわちグリッドの整列および間隔をより容易にチェックすることができる。グリッド２１、２２および２３は、スペーサ２９Ａおよび２９Ｂ（図２）をより分厚くすることができるよう、その縁部分を薄くトリムすることができる。トリムすることによって短絡およびアークの発生が少なくなる。縁をトリムする代わりに、グリッド・アライメントのためのボルト開口３６の周囲に凹所領域を提供することも可能である。さらに、リング４２およびリング４３の内部表面にテーパを施し（テーパー角度＜０．５°）、グリッドのうちのとりわけスクリーン・グリッド２１および減速グリッド２３を同心状に湾曲させることができる（皿形にすることができる）。リング４２または４３の内部表面は、極めて浅い円錐の一部を形成している。グリッドの外部領域がこのような表面に押し付けられると、同心状に歪曲する、つまりグリッドが皿形になることが想定される。グリッドが皿形になることによって構造的な安定性が改善される。最後に、第１のリング４２を介したボルトによって抽出電極アセンブリ２０がプラズマ放電チャンバ側壁１Ａに取り付けられる。
【００１７】
図５は、本発明によるイオンビーム発生器２００のグリッド・アセンブリ２０の第２の実施形態を示したものである。図５のイオンビーム発生器２００は、基本的には図２の構成と同じ構成を有している。同じ部材には同じ参照数表示が割り当てられており、したがって詳細な説明は省略する。
【００１８】
図２の構成と異なっている特徴は、円筒状アライメント絶縁体３０の内径が大きくなっており、また、取付けリング４２および４３内のボルト開口３６が広くなっていることである。即ち、グリッド２１、２２及び２３のボルト開口３６の内側面はボルト２８を囲む絶縁体３０の外部表面と緊密に接触しているが、リング４２と４３のボルト開口３６の内側面は絶縁体３０の外部表面との間に空間がある。グリッドの熱膨張と比較すると、取付けリング４２、４３の方が熱膨張が若干大きいため、ボルト２８は、円筒状スペーサの中心から外方向へシフトする（半径方向に外側に向かって）。開口３６に挿入された絶縁体３０で囲まれたボルト２８は、これらの広い開口により取付けリング４２、４３の外方向シフトを許容し、グリッドを大きく外方向に引張ることなく円筒状取付けリングを自由に膨張させることができる。
【００１９】
異なる熱膨張にさらに適応するために、半径方向Ｒに細長くなった細長い開口３６を第１および第２のリング４２および４３の中に配置することができる。これらの開口３６は半径方向に沿って細長くなっており、したがってグリッドからの熱によって抽出電極アセンブリ全体が温かくなってもグリッド構成（皿状構成、等々）が著しくひずむことはない。したがって安定したエッチング速度および一様性が短時間で達成される。
【００２０】
次に、本発明による基板処理装置１００の動作について、図１を参照して説明する。プラズマ放電チャンバ１の圧力は、通常、約１０−４Ｐａ（１０−５ミリバール）ないし約１０−２Ｐａ（１０−３ミリバール）の範囲に維持されている。不活性ガス（Ａｒ、ＸｅまたはＫｒ）などの処理ガスがガス導入手段（図示せず）によってプラズマ放電チャンバ１に供給される。たとえば、ガス導入手段によってＡｒがプラズマ放電チャンバ１に供給され、また、ＲＦ電力がＲＦコイル手段（図示せず）に印加され、それによりプラズマが生成される。放電チャンバ１内に閉じ込められたプラズマ中のイオンがイオン抽出電極アセンブリ２０によって抽出され、基板１０に対するエッチングが実施される。
【００２１】
図１に示されている実施形態では、スクリーン・グリッド２１の電位ＶＳは、１００Ｖないし１０００Ｖなどのプラス電位に設定されており、加速器グリッド２２の電位ＶＡは、−１０００Ｖないし−３０００Ｖの間のマイナス電位の範囲に設定されている。また、減速グリッド２３の電位は接地に設定されている。好ましい一例として、スクリーン・グリッド２１および加速グリッド２２の厚さが３ｍｍであり、減速グリッドの厚さが２ｍｍないし３ｍｍであり、また、グリッド間隔が２ｍｍである場合、ＶＳ＜３００ＶおよびＶＡ＜−１５００Ｖの条件下において５°未満のビーム発散θが得られる。
【００２２】
図６は、８個の開口３６に、円筒状絶縁体３０によって取り囲まれたボルト２８が挿入された第１の取付けリング４２に対する熱膨張の効果を示したものである。これらの開口は、グリッドを取付けプラットホーム４０に固定するために必要な開口に対応していてもよい（図２参照）。第１の取付けリング４２は、開口部分でボルト２８によって剛直に保持され、平らな表面（リングおよびグリッドに平行の）に取り付けられる。シミュレーションによれば、ボルト締めされない領域（ボルトによって固定される位置を除く領域）は、（平面）半径方向に沿って膨張し、かつ、スクリーン・グリッド２１に向かう方向に隆起する（平面外）ことが分かる。後者の運動によってスクリーン・グリッド２１が変形し、そのためにエッチング速度が局部的に変化し、したがって一様性が損なわれる。プラズマ・チャンバ側壁１Ａも、第１の取付けリング４２、グリッド２１、２２および２３の同じような熱膨張があると上記変形が抑制される。グリッドからプラズマ・チャンバへの温度勾配が存在するため（ＴＰ＜ＴＭ＜ＴＧ）、（αＰ＞αＭ≧αＧ）の関係であることが好ましい。図７は、プラズマ・チャンバ側壁１Ａと第１の取付けリング２２の間の相対運動を許容する第１の取付けリング４２に対する熱膨張の効果を示したものである。これは、半径方向に沿って細長くなったボルト開口３６を提供することによって達成されたものである。第１のリング４２は、同じく半径方向に膨張するが、平面外成分の変形が最小化されている。取付けリング４２および４３を熱膨張係数が小さいＭｏグリッドよりさらに膨張させることを許容する、図５に示されている構成に対して、同様の微小ひずみ効果が期待される。
【００２３】
図８は、関係（αＰ＞αＭ≧αＧ）を満足しない取付けリング・プラットホーム４０に対するエッチング速度および一様性の時間依存性を示したものである。ここでは、取付けリングはステンレス鋼でできている。複数のウェーハが同じ条件でエッチングされた。これは、通常、ツールの「ウェーハ間」（Ｗａｆｅｒ−ｔｏ−Ｗａｆｅｒ:ＷｔＷ）性能安定性を決定するために実施される。この場合、ツールはコールド・スタートからのものであり、つまりツールを温めるための事前条件付けは一切なされなかった。コールド・スタートからのＷｔＷによって、製造ウェーハを処理することができるようになるまでの間にどの程度の事前条件付けが必要であるかについての知見が得られる。取付けリングがＳＵＳでできている場合、安定したエッチング速度および一様性を得るためには１００分を超える時間が必要である。安定した速度または一様性を得るためのこの長い待ち時間または条件付け時間のため、ツールの総合的な利用が制限されている。また、保守以外の他の理由でツールが停止する時間が存在することになるが、長い事前条件付け手順のため、さらに、総ツール・アップタイムが短縮され、また、運転コストが増加する。
【００２４】
図９は、本発明によるチタン製取付けプラットホーム４０（αＰ＞αＭ≧αＧを満足する）に対する速度および一様性の時間依存性の改善を示したものである。コールド・スタートから安定した速度および一様性を得るまでに要する時間は約１５分ないし２０分である。事前条件付け継続期間が短いため、総ツール・アップタイムが長くなり、また、所与の数のウェーハに対する総合運転コストが低減される。取付けプラットホームにチタンを使用し、かつ、熱ひずみを解放する手段を提供することにより、グリッド・アセンブリは、従来のステンレス鋼プラットホームを使用した場合よりも速く安定した構成を達成する。チタンは、その膨張係数がステンレス鋼の膨張係数の約１／２であり、したがってＭｏおよびＣなどの共通グリッドすなわち共通電極材料の微小熱係数とのより良好な整合を提供する。尚、図９の条件付け（調整）時間データは図５の構成によったものである。
【００２５】
図１０は、基板１０の上に膜を形成するためのスパッタリング装置１００’の中にイオンビーム発生器２００が取り付けられた他の実施形態を示したものである。この実施形態には、図２に示されているイオンビーム発生器と同じイオンビーム発生器が使用されている。したがってイオンビーム発生器２００についての詳細な説明は省略する。イオンビーム発生器２００は、陰極５の上に取り付けられているターゲット１５に斜めに入射する（たとえばＸ度＜９０°などで）イオンビームを放出するようになされている。ターゲット・マウント５は、最大６個のターゲットを保持するための６個の取付けファセットを有している。このターゲットは、選択された１つのターゲットがイオンビームによって照射されるように配置されるよう、平らな面に直角の軸Ａの周りに回転コンベヤのように回転させることができる。基板１０を保持している基板ホルダ１１は、照射されたターゲットからのスパッタ粒子を一様に付着させることができる位置に、それが可能な角度で配置されている。基板ホルダ１１は、保持されている基板の表面に直角の軸Ｂの周りに回転させることができる。また、前記ホルダ１１は、基板１０の表面に平行で、かつ、軸Ａに平行の軸に沿ってパンさせることも可能である。パニングによってターゲットから入射する粒子の入射角が制御される。
【符号の説明】
【００２６】
２００  イオンビーム発生器
１  プラズマ放電チャンバ
２  処理チャンバ
２０  抽出電極アセンブリ
１００  エッチング装置／基板処理装置
３  真空ポンプ
１０  基板（ウェーハ）
１１  基板ホルダ
１２  回転可能陰極
Ｓ  スリット
１Ａ  放電チャンバ１の側壁
４０  取付けプラットホーム
４１  キャップ・リング
４２  第１のリング
４３  第２のリング
２１  スクリーン・グリッド
２２  加速グリッド
２３  減速グリッド
２７  キャップ絶縁体
２８  固定ボルト
２９  スペーサ絶縁体
３０  円筒状アライメント絶縁体
３１  タップ
６  中央開口領域
７  外部領域
３６  ボルト開口
１００’  スパッタリング装置
５  回転式ターゲット・マウント
１５  ターゲット
【図１】
0005380263.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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