(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも出力用の第１パッドと外部端子電圧測定用の第２パッドおよびテスト用パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップが積載され且つ負荷に接続される第１の外部端子が設けられたパッケージと、
前記第１パッドと前記第１の外部端子を接続する第１の配線と、
前記第１の外部端子と前記第２パッドを接続する第２の配線を備え、
前記第１，第２の配線は前記パッケージに形成された再配線をそれぞれ備える半導体装置において、
前記第１パッドと前記第２パッドを前記テスト用パッドに対して選択的に切り替え接続するスイッチ手段が設けられていると共に、
前記スイッチ手段により前記第１パッドを前記テスト用パッドに接続することにより、前記第１の配線の電圧が前記テスト用パッドを介して測定可能に設けられ、且つ、前記スイッチ手段により前記第２パッドを前記テスト用パッドに接続することにより、前記第１の外部端子の電圧が前記第２の配線，前記第２パッドおよび前記テスト用パッドを介して測定可能に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも出力用の第１パッドと外部端子電圧測定用の第２パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップが積載され且つ負荷に接続される第１の外部端子および電圧測定用の第２の外部端子が設けられたパッケージと、
前記第１パッドと前記第１の外部端子を接続する第１の配線と、
前記第１の外部端子と前記第２パッドを接続する第２の配線を備え、
前記第１，第２の配線は前記パッケージに形成された再配線をそれぞれ備える半導体装置において、
前記第１パッドと前記第２パッドを前記第２の外部端子に対して選択的に切り替え接続するスイッチ手段が設けられていると共に、
前記スイッチ手段により前記第１パッドを前記第２の外部端子に接続することにより、前記第１の配線の電圧が前記第２の外部端子を介して測定可能に設けられ、且つ、前記スイッチ手段により前記第２パッドを前記第２の外部端子に接続することにより、前記第１の外部端子の電圧が前記第２の配線，前記スイッチ手段及び前記第２の外部端子を介して測定可能に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは前記スイッチ手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第２パッドと前記外部端子とを接続する配線に流れる電流による電圧降下は、前記第１パッドと前記外部端子とを接続する配線に流れる電流による電圧降下より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記パッケージは外表面である上面から外表面である裏面まで貫通するスルーホールを備えると共に、
前記パッケージに形成された再配線は、前記パッケージの外表面に形成された膜状の再配線部と、該膜状の再配線部に連設され且つ前記スルーホール内に形成されて外周面が前記スルーホールの内表面に密着する軸状の再配線部を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第１，第２の配線の再配線は、前記パッケージのスルーホールの内に形成された前記軸状の再配線部を共通の再配線部として有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップと、再配線を有するパッケージを備えた半導体装置において、再配線抵抗値の検査に関し、容易に精度良く測定可能なテスト回路を内蔵した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来の定電圧回路を内蔵した半導体装置の測定回路図である。
同図において、１は半導体装置、２は半導体装置１内の定電圧回路に接続されている負荷、３は半導体装置１を検査するためのテスタである。さらに半導体装置１は半導体チップ１０と再配線を有するパッケージ２０で構成されている。
【０００３】
半導体チップ１０は、基準電圧Ｖref、誤差増幅回路１１、出力トランジスタＭ１、出力電圧検出抵抗Ｒ１とＲ２で構成された定電圧回路と、スイッチ手段ＳＷ１からＳＷ３を備えている。さらに、半導体チップ１０には定電圧回路の出力用パッドＣｏｕｔ１、テスト用パッドＣｔｓｔと、外部端子に接続されたパッドＣｏｕｔ２が設けてある。
【０００４】
出力用パッドＣｏｕｔ１はパッケージ２０上の配線２１を介して半導体装置１の外部端子Ｏｕｔに接続されており、テスト用パッドＣｔｓｔはパッケージ２０上の配線２３を介して半導体装置１の外部端子ＴＳＴに接続されている。
【０００５】
配線２１には、半導体チップ１０のパッドとパッケージ２０上の電極を接続するためのワイヤボンディングや、パッケージ２０に施されたスルーホールなども含まれている。パッドＣｏｕｔ２はパッケージの外部端子Ｏｕｔに配線２２を介して接続されている。
【０００６】
スイッチ手段ＳＷ１〜ＳＷ３の一端は全て共通接続されてテスト用パッドＣｔｓｔに接続されている。スイッチ手段ＳＷ１の他端には信号Ｓ１が接続され、スイッチ手段ＳＷ２の他端はパッドＣｏｕｔ2に接続されている。スイッチ手段ＳＷ３の他端には信号Ｓ３が接続されている。
【０００７】
スイッチ手段ＳＷ１からＳＷ３は図示しない制御回路によって、テスタの測定項目と同期して選択的にオン／オフ制御されている。信号Ｓ１〜Ｓ３は、半導体チップ１０の検査に必要な信号であり、半導体チップ１０内で生成される電圧、電流、抵抗値などの電気情報信号である。図５では３つしか示していないが、いくつあっても構わない。
【０００８】
定電圧回路の出力電圧を測定する場合は、スイッチ手段ＳＷ２オンにすると、テスト用パッドＣｔｓｔに外部端子が接続されるので、外部端子ＴＳＴを介してテスタ３は定電圧回路の外部出力端子電圧を測定することができる。
【０００９】
上記のように、半導体チップ内部に設けたスイッチ手段を介して、定電圧回路の出力電圧を測定する方法は、特許文献１（特開２００７−２３４８１６号公報）に開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、半導体チップと、再配線を有するパッケージを備えた半導体装置において、再配線膜厚の製造ばらつきは、±2０％〜3０％と大きく定電圧回路から定格電流を出力した場合の出力電圧を測定する場合は、出力用パッドＣｏｕｔ１から外部端子Ｏｕｔまでの配線２１による電圧降下のばらつきが大きくなる。
【００１１】
出力用パッドＣｏｕｔ１から外部端子Ｏｕｔまでの配線抵抗を０.１Ωとし、定電圧回路の定格負荷電流を３００ｍＡとすると、配線２１の抵抗による電圧降下は３０ｍＶになるはずであるが、２１ｍＶ〜３９ｍＶと１８ｍＶばらつくことになる。さらに定格電流が大きくなると電圧降下も比例して大きくなる。
【００１２】
また、定電圧回路自体の出力電圧降下量（負荷安定度）の製造ばらつきも±１０％〜３０％あることからパッケージ外部出力端子電圧の降下を測定しても再配線膜厚のばらつきを正確には検出できない。
【００１３】
近年、半導体装置の動作電圧の低電圧化が進むと共に、負荷として接続される半導体装置の動作電圧範囲も狭くなり、±８０ｍＶという厳しいものも出てきた。このような動作範囲の場合は、上記の配線２１で生ずる電圧降下ばらつきも無視できなくなってきた。
【００１４】
このとき、再配線長を極力短くし電圧降下量を小さくすることは可能である。しかし、定電圧回路は、位相余裕を出力コンデンサＣｏｕｔとその直列等価抵抗ＥＳＲで確保しているため、再配線抵抗値のばらつきにより所定の抵抗値を下回った場合は、発振という致命的な不具合が発生することになる。従って、再配線の抵抗値は小さければ良いわけでもない。
なお、再配線技術については、必要ならば特許文献２（特許第３８５６３０４号公報）を参照されたい。
【００１５】
本発明は、上述した実情を考慮してなされたものであって、定電圧回路の再配線抵抗値が所望の範囲内であるかを、テスタによって容易にしかも精度良く検出できるようにした半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上記の目的を達成するために、次のような構成を採用した。
ａ）請求項１の発明は、少なくとも出力用の第１パッドと外部端子電圧測定用の第２パッドおよびテスト用パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップが積載され且つ負荷に接続される第１の外部端子が設けられたパッケージと、前記第１パッドと前記第１の外部端子を接続する第１の配線と、前記第１の外部端子と前記第２パッドを接続する第２の配線を備え、前記第１，第２の配線は前記パッケージに形成された再配線をそれぞれ備える半導体装置において、前記第１パッドと前記第２パッドを前記テスト用パッドに対して選択的に切り替え接続するスイッチ手段が設けられていると共に、前記スイッチ手段により前記第１パッドを前記テスト用パッドに接続することにより、前記第１の配線の電圧が前記テスト用パッドを介して測定可能に設けられ、且つ、前記スイッチ手段により前記第２パッドを前記テスト用パッドに接続することにより、前記第１の外部端子の電圧が前記第２の配線，前記第２パッドおよび前記テスト用パッドを介して測定可能に設けられていることを特徴とする。これにより、定電圧回路などの出力電圧と外部端子の正確な電圧を測定することが可能になった。
また、請求項２の発明は、少なくとも出力用の第１パッドと外部端子電圧測定用の第２パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップが積載され且つ負荷に接続される第１の外部端子および電圧測定用の第２の外部端子が設けられたパッケージと、前記第１パッドと前記第１の外部端子を接続する第１の配線と、前記第１の外部端子と前記第２パッドを接続する第２の配線を備え、前記第１，第２の配線は前記パッケージに形成された再配線をそれぞれ備える半導体装置において、前記第１パッドと前記第２パッドを前記第２の外部端子に対して選択的に切り替え接続するスイッチ手段が設けられていると共に、前記スイッチ手段により前記第１パッドを前記第２の外部端子に接続することにより、前記第１の配線の電圧が前記第２の外部端子を介して測定可能に設けられ、且つ、前記スイッチ手段により前記第２パッドを前記第２の外部端子に接続することにより、前記第１の外部端子の電圧が前記第２の配線，前記スイッチ手段及び前記第２の外部端子を介して測定可能に設けられていることを特徴とする。
これにより、定電圧回路などの出力電圧と外部端子の正確な電圧を測定することが可能になった。
【００１７】
ｂ）また、前記半導体チップは、さらにテスト用パッドを有し、前記第１パッドあるいは第２パッドは、前記テスト用パッドと接続することができる。この場合、半導体装置の外部に設けたテスタによって外部端子の正確な測定が可能である。
【００１８】
ｃ）また、前記半導体チップはスイッチ手段を有し、前記第１パッドおよび第２パッドと前記テスト用パッドは、前記スイッチ手段を介して接続することができる。この場合、半導体装置の外部に設けたテスタによって外部端子の電圧測定が可能である。
【００１９】
ｄ）また、前記スイッチ手段は、前記第１パッドまたは前記第２パッドのいずれかを選択的に前記半導体チップのテスト用パッドに接続することができる。この場合、スイッチ手段により前記第１パッドまたは前記第２パッドを選択して半導体装置の外部に設けたテスタによって外部端子の電圧測定が可能である。
【００２０】
ｅ）また、前記第２パッドと前記外部端子とを接続する配線に流れる電流による電圧降下は、前記第１パッドと前記外部端子とを接続する配線に流れる電流による電圧降下より小さくすることができる。この場合、第２パッドと外部端子とを接続する配線に流れる電流による電圧降下の影響をできるだけ小さくできる。
【００２１】
ｆ）また、前記第１パッドと前記外部端子間の配線と、前記第２パッドと前記外部端子間の配線は一部共通する部分を備えたこと、さらに、前記共通する部分が、パッケージ上のスルーホール内の再配線部を含む配線とすることができる。この場合、パッケージの大きさや外部端子のレイアウトによっては一部共通する部分が存在するが、スルーホール内の再配線部を含む配線とすることで、できるだけ少なくしている。
【００２２】
ｇ）また、前記半導体チップは電子回路を内蔵し、前記第１パッドは前記電子回路の出力に接続することができる。この場合、この場合、前記第２パッドと外部端子間には電流がほとんど流れない。
【００２３】
ｈ）また、前記半導体チップは電子回路を複数内蔵し、前記電子回路毎に、前記第１パッドと前記第２パッドと前記スイッチ手段と同様の構成を備えること、さらには、前記電子回路を定電圧回路にすることができる。この場合、所望の電子回路（定電圧回路）の出力電圧と外部出力端子電圧が、半導体装置の外部に設けたテスタによって測定可能である。これにより定電圧回路から、外部負荷へ出力電流が出力された際、その定電圧回路の出力電圧と外部出力端子電圧が測定でき、さらにはその間の再配線抵抗値を容易に検出することができるようになる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、第１パッド（出力電圧測定用パッド）と第２パッド（パッケージ外部出力端子電圧測定用パッド）間の再配線抵抗値を容易に検出できるようになり、該再配線抵抗値が所望の範囲内であるかを、テスタによって容易にしかも精度良く検出できるようになった。これにより再配線膜厚が大きくばらついても、規格外のものを確実にリジェクトできるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施例を示す半導体装置の測定回路図である。
【図２】半導体装置１の第１の構成を示す実施例である。
【図３】半導体装置１の第２の構成を示す実施例である。
【図４】半導体装置１の第３の構成を示す実施例である。
【図５】従来の定電圧回路を内蔵した半導体装置の測定回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例を示す半導体装置の測定回路図である。
図５と異なる部分は、半導体チップ１０にスイッチ手段ＳＷ4が追加され、パッドＣｏｕｔ１とパッドＣｏｕｔ2を、スイッチ手段ＳＷ4を介してさらにスイッチ手段ＳＷ2に接続したことである。
尚、スイッチ手段ＳＷ４は、図１から明らかなように、スイッチ手段ＳＷ２をパッドＣｏｕｔ１に接続しているとき、スイッチ手段ＳＷ２とパッドＣｏｕｔ２との接続をＯＦＦするようになっている。また、スイッチ手段ＳＷ４は、スイッチ手段Ｓｗ２をパッドＣｏｕｔ２に接続したとき、スイッチ手段Ｓｗ２とパッドＣｏｕｔ１との接続をＯＦＦするようになっている。このようにスイッチ手段Ｓｗ４は、図１から明らかなように、スイッチ手段Ｓｗ２をパッドＣｏｕｔ１，２に対して切り替え接続できるようになっている。
【００２７】
定電圧回路３０から外部負荷2へ大電流を供給した場合は、パッドＣｏｕｔ１から外部端子Ｏｕｔ（第１の外部端子）間の第１の配線２１に大きな電圧降下が生ずるが、パッドＣｏｕｔ2と外部端子Ｏｕｔ間の第２の配線２２には電流が流れないため、電圧降下は発生しない。
【００２８】
そのため、パッドＣｏｕｔ2の電圧は外部端子Ｏｕｔ同じ電圧となる。従って、このスイッチ手段ＳＷ４をパッドＣｏｕｔ2側に切り替え接続して、パッドＣｏｕｔ2の電圧をスイッチ手段ＳＷ４、スイッチ手段ＳＷ２、テスト用パッドＣｔｓｔ、および外部端子ＴＳＴ（第２の外部端子）を介してテスタに入力することによって、正確な外部端子Ｏｕｔ（第１の外部端子）の出力電圧を測定することができる。
【００２９】
このとき、さらに、スイッチ手段ＳＷ４をパッドＣｏｕｔ１側に切り替え接続して、パッドＣｏｕｔ１の電圧をスイッチ手段ＳＷ４、スイッチ手段ＳＷ２、テスト用パッドＣｔｓｔ、および外部端子ＴＳＴを介してテスタ３に入力するようにすれば、パッドＣｏｕｔ１の電圧を測定できるようになる。
以上の測定結果を用いて再配線抵抗値を容易にかつ正確に検出できる。
【００３０】
図２は、半導体装置１の第１の構成を示す実施例である。図１と同じ機能部品には同じ番号および記号を付与している。
【００３１】
図２において、半導体装置１は、半導体チップ１０およびパッケージ２０を有する。パッケージ２０は、その上面に半導体チップ１０を積載しており、その裏面には外部端子Ｏｕｔ（バンプＯｕｔ、即ち第１の外部端子）が形成されている。半導体チップ１０は、その上面（外表面）に出力用パッドＣｏｕｔ１（出力用の第１パッド）および外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２（外部端子電圧測定用の第２パッド）が形成されている。
【００３２】
さらに、半導体装置１０は、第１の配線２１および第２の配線２２を有する。
第１の配線２１は、図２から明らかなように、第１のワイヤボンディング３１と、パッケージ２０に形成された再配線を有する。この再配線は、パッケージ２０の上面（外表面）に形成された再配線部２１ａと、再配線部２１ａに連設され且つ第１のスルーホール３３内（内表面）に形成された再配線部３３ａとを有する。この第１のスルーホール３３は、パッケージ２０の上面（外表面）から裏面まで貫通している。また、再配線部３３ａは、図２から明らかなように、外表面が第１のスルーホール３３の内表面に密着するように形成されている。このような第１のワイヤボンディング３１および再配線を有する第１の破線２１は、半導体チップ１０の上面に形成された出力用パッドＣｏｕｔ１と、パッケージ２０の裏面に形成された外部端子Ｏｕｔとを結合する。
【００３３】
第２の配線２２は、図２から明らかなように、第２のワイヤボンディング３２と、パッケージ２０に形成された再配線を有する。この再配線は、図２から明らかなように、第２のスルーホール３４内に形成され且つ外周面が第２のスルーホール３４の内表面に密着する軸状の再配線３４ａと、再配線３４ａに連設され且つパッケージ２０の裏面（外表面）に形成された再配線部２２ａとを有する。この第２のスルーホール３４は、パッケージ２０の上面（外表面）から裏面まで貫通している。このような第２のワイヤボンディング３２および再配線を有する第２の配線２２は、半導体チップ１０の上面に形成された外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２と、パッケージ２０の裏面に形成された外部端子Ｏｕｔとを結合する。
【００３４】
上記から明らかなように、第１の配線２１および第２の配線２２は、夫々独立しており、外部端子Ｏｕｔに接続されている以外は共通部分を有さない。従って、第１の配線２１の電圧降下の影響は第２の配線２２には及ばない。定格電流出力時の定電圧回路の定格電圧を正確に測定するためには、このような構造が最も望ましい。
【００３５】
図３は、半導体装置１の第２の構成を示す実施例である。図２と同じ機能部品には同じ番号および記号を付与している。
【００３６】
図３において、半導体装置１は、半導体チップ１０およびパッケージ２０を有する。パッケージ２０は、その上面に半導体チップ１０を積載している。また、パッケージ２０の裏面には図３から明らかなように突部状の外部端子Ｏｕｔ（バンプＯｕｔ即ち第１の外部端子）が形成されている。半導体チップ１０は、その上面に出力用パッドＣｏｕｔ１および外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２を形成されている。
【００３７】
さらに、半導体装置１０は、第１の配線２１および第２の配線２２を有する。第１の配線２１は、図３から明らかなように、第１のワイヤボンディング３１と、パッケージ２０に形成された再配線を有する。この再配線は、図３から明らかなように、パッケージ２０の外表面に形成された再配線部２１ａと、再配線部２１ａに連設され且つ共通スルーホール４１内に形成された軸状の再配線部４１ａを有する。この共通スルーホール４１は、パッケージ２０の上面（外表面）から裏面まで貫通している。また、再配線部４１ａは、図３から明らかなように、外周面が共通スルーホール４１の内表面に密着するように形成されている。このような第１のワイヤボンディング３１および再配線を有する第１の配線２１は、半導体チップ１０の上面に形成された出力用パッドＣｏｕｔ１と、パッケージ２０の裏面に形成された外部端子Ｏｕｔとを結合する。
【００３８】
第２の配線２２は、図３から明らかなように、第２のワイヤボンディング３２と、パッケージ２０に形成された再配線を有する。この再配線は、パッケージ２０の上面（外表面）に形成された再配線部２２ａと、再配線部２２ａに連設され且つ共通スルーホール４１内に形成された軸状の再配線部４１ａとを有する。この共通スルーホール４１内の再配線部４１ａは、図３から明らかなように、共通スルーホール４１の内表面に密着するように形成されている。また、この再配線部４１ａは、図３から明らかなように、一端が第１の配線２１の再配線部２１ａと第２の配線２２の再配線部２２ａに連設されていることにより、第１，第２の配線２１，２２の再配線の共通部分として用いられる。このようなワイヤボンディング３２および再配線を有する第２の配線２２は、半導体チップ１０の上面に形成された外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２と、パッケージ２０の裏面に形成された外部端子Ｏｕｔとを結合する。
【００３９】
図３の半導体装置が図２と異なる部分は、第１の配線２１および第２の配線２２が同一の共通スルーホール４１内の再配線部４１ａを共用していることである。
スペース等の問題により配線の一部を共通とせざるを得ない場合、その共通部分を共通スルーホール４１内の再配線部４１ａとすることで、可能な限り共通部分を小さくすることができる。
この場合、第２の配線２２でも電圧降下は発生するが、定電圧回路に接続される負荷の動作電圧範囲が比較的大きい場合には無視することができる程度であり、再配線抵抗の検出が可能である。
【００４０】
図４は、半導体装置１の第３の構成で、ＣＳＰ(chip size package)に応用した場合の実施例である。図２と同じ機能部品には同じ番号および記号を付与している。
【００４１】
本例では、図４から明らかなように、第１の配線２１は再配線部２１ａ、２１ｂ，５１ａを備える再配線であり、第２の配線２２は配線部２２ａ，５２ａを備える再配線である。そして、半導体チップ１０の下面（裏面）に設けたパッドＣｏｕｔ１とＣｏｕｔ2は、図４から明らかなように、パッケージ２０の下面の膜状の再配線部２１ｂ，２２ａにそれぞれ接続されている。この再配線部２１ｂはスルーホール５１内の軸状の再配線部５１ａ下端に連設され、再配線部２２ａはスルーホール５２内の軸状の再配線部５２ａの下端に連設されている。このスルーホール５１，５２、パッケージ２０の上面（外表面）から裏面まで貫通している。
また、再配線部５１ａ，５２ａは、図４から明らかなように、外表面がスルーホール５１，５２の内表面に密着するように形成されている。また、スルーホール５１内の再配線部５ａは、上端がパッケージ２０の上面（外表面）の再配線部２１ａに連設されている。この再配線部２ａはパッケージ２０の上面の外部端子Ｏｕｔに接続されている。更に、スルーホール５２内の再配線部５２ａの上端はパッケージ２０の上面の外部端子Ｏｕｔに接続されている。これらにより、パッドＣｏｕｔ１とＣｏｕｔ2は第１，第２の配線２１，２２を介してパッケージ２０の上面に設けた外部端子Ｏｕｔに接続されている。
【００４２】
さらに詳しく述べると、図４において、半導体装置１は、半導体チップ１０およびパッケージ２０を有し、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）で構成されている。半導体チップ１０は、その下面に出力用パッドＣｏｕｔ１および外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２が形成されている。
【００４３】
パッケージ２０は、図４から明らかなように、半導体チップ１０の上面に出力用パッドＣｏｕｔ１および外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２を覆うように積載され、その上面には突部（バンプ）状の外部端子Ｏｕｔ（バンプＯｕｔ）が形成されている。
【００４４】
さらに、パッケージ２０は、第１の配線２１および第２の配線２２を有する。
第１の配線２１は、図４から明らかなように、パッケージ２０に形成された再配線を有する。この再配線は、パッケージ２０の上面（外表面）に形成された再配線部２１ａ、再配線部２１ａに連設され且つ第３のスルーホール５１内（内表面）に形成された再配線部５１ａと、再配線部５１ａに連設され且つパッケージ２０の裏面（外表面）に形成された再配線部２１ｂとを有する。このような再配線を有する第１の配線２１は、パッケージ２０の上面に形成された外部端子Ｏｕｔと、半導体チップ１０の上面に形成された出力用パッドＣｏｕｔ１とを結合する。
【００４５】
第２の配線２２は、図４から明らかなように、パッケージ２０に形成された再配線を有する。この再配線は、第４のスルーホール５２内に形成され且つ外表面が第４のスルーホール３２の内表面に密着する軸状の再配線部５２ａと、再配線部５２ａに連設され且つパッケージ１２０の裏面（外表面）に形成された再配線２２ａとを有する。このような再配線を有する第２の配線２２は、パッケージ１２０の上面に形成された外部端子Ｏｕｔと、半導体チップ１１０の上面に形成された外部端子電圧測定用パッドＣｏｕｔ２とを結合する。
【００４６】
このように、本発明の半導体装置は、ＣＳＰで構成されることも可能である。構造をＣＳＰとしたことにより、図２および３に示した構造とは異なり、ワイヤボンディングが不要となる。
従って、ワイヤボンディングを使用した場合に比べ、パッドと外部端子を結合する第１の配線２１および第２の配線２２の抵抗は小さくなるので、第１の配線２１および第２の２２で発生する電圧降下も小さくなる。ただし、図４に示した構造では、図２と同じく、第１の配線２１および第２の配線２２が、外部端子Ｏｕｔに接続されている以外は共通部分を有さないので、第２の配線２２では電圧降下が発生しない。
【００４７】
上記のように本発明によれば、定電圧回路の出力測定用パッドとパッケージに設けた外部出力端子測定用パッド電圧が測定でき、さらには再配線抵抗値を容易に検出することができる。
【００４８】
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではない。例えば、本発明の半導体装置は、図２、３および４に示したような構造に限らず、特許請求の範囲の適用範囲内で多種多様な構造をとることが可能である。
【００４９】
また、上記実施例では、半導体チップ１に一つの定電圧回路が内蔵され、その出力が出力用パッドＣｏｕｔ１に接続された例を示したが、図１と同様な定電圧回路を２つ以上内蔵し、その出力をそれぞれに対応して設けられた出力用パッドに接続するようにしてもよい。
【００５０】
また、上記実施例では、出力電圧を測定する電子回路として定電圧回路を例として説明したが、本発明は定電圧回路に限るものではなく、その出力電圧を正確に測定する必要がある如何なる回路にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１：半導体装置
２：負荷
３：テスタ
１０：半導体チップ
１１：誤差増幅回路
２０：パッケージ
２１〜２３：配線
２１ａ：再配線部
２２ａ：再配線部
２２ｂ：再配線部
３０：定電圧回路
３１，３２：ワイヤボンディング
３３，３４：スルーホール
３３ａ，３４ａ：再配線部
４１：共通スルーホール
４１ａ：再配線部
５１，５２：スルーホール
５１ａ，５２ａ：再配線部
Vref：基準電圧
Ｍ１：出力トランジスタ
Ｒ１，Ｒ２：抵抗
ＳＷ１〜ＳＷ４：スイッチ手段
Ｏｕｔ：
ＴＳＴ：外部端子
Ｃｔｓｔ：テスト用パッド
Ｃｏｕｔ１：出力用パッド（第１のパッド）
Ｃｏｕｔ２：パッド（第２のパッド）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５２】
【特許文献１】特開２００７−２３４８１６号公報
【特許文献２】特許第３８５６３０４号公報
【図１】
0005417912.tif 000002
【図５】
0005417912.tif 000003
【図２】
0005417912.tif 000004
【図３】
0005417912.tif 000005
【図４】
0005417912.tif 000006