(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布した階層構造を有し、
前記階層構造は、複数個のサブ層系（Ｐ’’，Ｐ’’’）を含み、各サブ層系は、一連の個別層よりなる少なくとも１個の周期（Ｐ２，Ｐ３）の周期的配列で構成し、
前記周期（Ｐ２，Ｐ３）は、高屈折率層（Ｈ’’，Ｈ’’’）および低屈折率層（Ｌ’’，Ｌ’’’）としての異なる材料からなる２個の個別層を含み、かつ各サブ層系（Ｐ’’，Ｐ’’’）に関しては、隣接するサブ層系の周期厚と相違する一定の厚さ（ｄ２，ｄ３）を有する、ＥＵＶ波長域用のミラーであって、
前記ミラーは、１３．５ｎｍの波長に対し、３５％を超える反射率を有し、０°〜３０°、１７．８°〜２７．２°、１４．１°〜２５．７°、８．７°〜２１．４°、２．５°〜７．３°の入射角域群から選択された入射角域に対し、反射率の変化がＰＶ値で０．２５以下であることを特徴とするミラー。
【請求項２】
基板上に設けられた階層構造を有し、
前記階層構造は、複数個のサブ層系（Ｐ’’，Ｐ’’’）を含み、各サブ層系は、一連の個別層よりなる少なくとも１個の周期（Ｐ２，Ｐ３）の周期的配列で構成し、
周期（Ｐ２，Ｐ３）は、高屈折率層（Ｈ’’，Ｈ’’’）および低屈折率層（Ｌ’’，Ｌ’’’）としての異なる材料からなる２個の個別層を含み、かつ各サブ層系（Ｐ’’，Ｐ’’’）に関しては、隣接するサブ層系の周期厚と相違する一定の厚さ（ｄ２，ｄ３）を有する、ＥＵＶ波長域用のミラーであって、
前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）は、基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）における周期（Ｐ２）の個数（Ｎ２）より多い周期（Ｐ３）の個数（Ｎ３）を有する、及び／又は前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）における高屈折率層（Ｈ’’’）の厚さが、前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）の高屈折率層（Ｈ’’）の厚さと０．１ｎｍ超相違することを特徴とするミラー。
【請求項３】
請求項２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記サブ層系（Ｐ’’，Ｐ’’’）を同じ材料で構成したミラー。
【請求項４】
請求項２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）は、高屈折率層（Ｈ’’’）が前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）における高屈折率層（Ｈ’’）の厚さの２倍超に達する厚さをもつミラー。
【請求項５】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記階層構造は少なくとも３個のサブ層系（Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’）を有し、基板に最も近く位置するサブ層系（Ｐ’）の周期（Ｐ１）の個数（Ｎ１）が、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）より多い、及び／又は前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）よりも多いミラー。
【請求項６】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）の周期（Ｐ３）の個数（Ｎ３）が９〜３６の範囲における値に相当するミラー。
【請求項７】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）の周期（Ｐ２）の個数（Ｎ２）が２〜１２の範囲における値に相当するミラー。
【請求項８】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）の周期（Ｐ３）の厚さ（ｄ３）を７．２ｎｍ〜７．７ｎｍの範囲における値にしたミラー。
【請求項９】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）の周期（Ｐ３）における高屈折率層（Ｈ’’’）の厚さが３．４ｎｍより厚いミラー。
【請求項１０】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）の周期（Ｐ３）における低屈折率層（Ｌ’’’）の厚さが、前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）の周期（Ｐ２）における低屈折率層（Ｌ’’）の厚さの３分の２に満たないミラー。
【請求項１１】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）の周期（Ｐ２）における低屈折率層（Ｌ’’）の厚さが５ｎｍよりも厚いミラー。
【請求項１２】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、周期をなす２個の個別層の材料は、モリブデンおよびシリコンまたはルテニウムおよびシリコンとし、前記個別層は少なくとも１個のバリア層によって分離し、前記バリア層は、Ｂ４Ｃ、Ｃ、窒化Ｓｉ、炭化Ｓｉ、硼化Ｓｉ、窒化Ｍｏ、炭化Ｍｏ、硼化Ｍｏ、窒化Ｒｕ、炭化Ｒｕ、硼化Ｒｕよりなる材料群から選択した材料、またはこれら材料群で構成される化合物からなるミラー。
【請求項１３】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、被覆層系が少なくとも１個の化学的に不活性な材料からなる層（Ｍ）を備え、この不活性材料層によりミラーの階層構造を終端させたミラー。
【請求項１４】
請求項２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、ミラーは、１３．５ｎｍの波長に対し、３５％を超える反射率をもち、０°〜３０°、１７．８°〜２７．２°、１４．１°〜２５．７°、８．７°〜２１．４°、２．５°〜７．３°よりなる入射角域群から選択した入射角域に対し、反射率の変化がＰＶ値で０．２５以下であるミラー。
【請求項１５】
請求項１または１４に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、反射率の変化がＰＶ値で０．１８以下であるミラー。
【請求項１６】
請求項１または２に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、ミラー表面に沿った前記階層構造の厚さ係数を０．９〜１．０５の範囲における値とするミラー。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、ミラー表面の位置における階層構造の厚さ係数が、その位置で確約される最大入射角と相関するミラー。
【請求項１８】
請求項１に記載のＥＵＶ波長域用のミラーであって、前記サブ層系（Ｐ’’，Ｐ’’’）を同一材料で構成し、前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）は、前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）の周期（Ｐ２）の個数（Ｎ２）より多い周期（Ｐ３）の個数（Ｎ３）を有する、及び／又は前記基板から最も遠く離れたサブ層系（Ｐ’’’）の高屈折率層（Ｈ’’’）の厚さが、前記基板から２番目に遠く離れたサブ層系（Ｐ’’）の高屈折率層（Ｈ’’）の厚さの２倍超に達するミラー。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一に記載のミラーを備えるマイクロリソグラフィ用投影対物鏡。
【請求項２０】
請求項１９に記載の投影対物鏡を備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＥＵＶ波長域用のミラーに関する。また、本発明はそのようなミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物鏡に関する。さらに、本発明はそのような投影対物鏡を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶ波長域のマイクロリソグラフィ用の投影露光装置は、像平面へのマスク露光または結像に用いられるミラーが高反射率を有しているという前提に頼らざるを得ないが、この理由としては、第１に、個別ミラーの各反射率値の積により投影露光装置の全体透過率が決まり、また第２に、ＥＵＶ光源の光パワーが制限されるからである。
【０００３】
１３ｎｍ程度のＥＵＶ波長域用の高反射率値を有するミラーとしては、例えば、特許文献１（独国特許出願公開第１０１５５７１１号）に記載されているものがある。この特許文献１に記載されたミラーは、基板上に塗布した、一連の個別層を有する階層構造からなり、階層構造は複数のサブ層系を含み、各サブ層系は、異なる材料の少なくとも２個の個別層よりなる一連の個別層であって、これら一連の個別層は周期を形成する。個別サブ層系の周期回数および周期の厚さは、基板から表面に向かい減少する。このようなミラーは、入射角域が０゜〜２０゜である場合、３０％より高い反射率をもつ。
【０００４】
しかし、これらの層の不利な点は、特定入射角域における反射率が一定ではなく、大きくばらつくことである。入射角に対するミラーの反射率の大きなばらつきは欠点であるが、投影対物鏡またはマイクロリソグラフィ用の投影露光装置内の高入射角となる位置および入射角の変化が大きい位置でこうしたミラーを使用する場合、こうした変化が例えば、そのような投影対物鏡または投影露光装置の瞳アポダイゼーションに過大な変化をもたらすためである。この場合、瞳アポダイゼーションは投影対物鏡の射出瞳に対する強度変動の目安となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０１５５７１１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって本発明は、投影対物鏡または投影露光装置内の高入射角となる位置および入射角の変化が大きい位置で使用可能であるとともに、従来技術の上述した欠点を回避する、ＥＵＶ波長域用のミラーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によると、この目的は、基板に設けられ、複数のサブ層系を含む階層構造を有するＥＵＶ波長域用のミラーを使用することにより達成される。ここで、各サブ層系は、一連の複数個の個別層よりなる少なくとも１個の周期の周期的配列で構成する。この場合、各周期は、高屈折率層および低屈折率層としての異なる材料からなる２個の個別層を含み、各サブ層系に関しては、隣接するサブ層系の周期厚と相違する一定の厚さを有する。この場合、基板から最も遠く離れたサブ層系における周期の個数は、基板から２番目に遠く離れたサブ層系における周期の個数より多くする、及び／又は基板から最も離れたサブ層系における高屈折率層の厚さが、基板から２番目に遠く離れたサブ層系における高屈折率層の厚さと０．１ｎｍ超相違するようにする。この場合、本発明によるミラーの階層構造における各サブ層系は、追加的なサブ層系により分離することなく互いに直接連続させる。ただし、サブ層系を互いに適合させ、または階層構造の光学特性を最適化するためには、個別の中間層によりサブ層系間を分離することも考えられる。
【０００８】
本発明によれば、広い入射角域にわたって高く均一な反射率をえるためには、基板から最も遠く離れたサブ層系における周期の個数を、基板から２番目に遠く離れたサブ層系における周期の個数よりも多くする必要があると認識した。これに加え、またはこれに代えて、広い入射角域にわたって高く均一な反射率を達成するためには、基板から最も遠く離れたサブ層系における高屈折率層の厚さが、基板から２番目に遠く離れたサブ層系における高屈折率層の厚さと０．１ｎｍ超相違する必要がある。
【０００９】
この場合、生産技術上の理由から、こうしたサブ層系をすべて同じ材料で構成すると、そのようなミラーの製造が簡略化され有利である。
【００１０】
さらに、サブ層系の個数が少ない場合、基板から最も遠く離れたサブ層系における高屈折率層の厚さが、基板から２番目に遠く離れたサブ層系における高屈折率層の厚さの２倍を超える厚さに達するようにすると、とくに高い反射率値を達成することができる。
【００１１】
さらにまた、本発明の目的は、本発明による、基板に塗布した階層構造を有するＥＵＶ波長域用のミラーにより達成され、階層構造は複数のサブ層系を含み、この場合、サブ層系は、一連の個別層よりなる少なくとも１個の周期の周期的配列で構成する。この場合、各周期は、高屈折率層および低屈折率層としての異なる材料からなる２個の個別層を含み、各サブ層系に関しては、隣接するサブ層系の周期厚と相違する一定の厚さを有するものとする。この場合、１３．５ｎｍの波長に対してミラーは３５％を超える反射率を有し、０゜〜３０゜、１７．８゜〜２７．２゜、１４．１゜〜２５．７゜、８．７゜〜２１．４゜、２．５゜〜７．３゜の入射角域群から選択した入射角域に対し、反射率の変化がＰＶ値で０．２５以下、特には０．２３以下であるものとする。
【００１２】
ここでＰＶ値は、想定される入射角域における最大反射率Ｒｍａｘと最小反射率Ｒｍｉｎ との差を、想定される入射角域における平均反射率Ｒａｖｅｒａｇｅで割ったものと定義する。すなわち、ＰＶ＝（Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ）／Ｒａｖｅｒａｇｅ である。この場合、入射角域は、光学的設計を考慮して光軸からの所与の距離に関して層設計により確約されるべき最大入射角と最小入射角との間における角度範囲とみなされる。この入射角域は略してＡＯＩ（angle of incidence）域とも略称される。
【００１３】
本発明によれば、投影対物鏡内における高入射角となる位置および入射角の変化の大きい位置で用いられるＥＵＶ波長域用のミラーを有する投影対物鏡における低瞳アポダイゼーションを達成するためには、そのようなミラーの入射角に対する反射率の変化の目安となるいわゆる反射率のＰＶ値が特定の入射角域に対し特定の値を超えてはならないと認識した。
【００１４】
この場合、高入射角となる位置および入射角の変化が大きい位置で用いられる投影対物鏡のミラーにおける高いＰＶ値は、投影対物鏡の瞳アポダイゼーションの結像収差が、収差の他の要因よりも目立つようになり、これらミラーの高いＰＶ値には、投影対物鏡における瞳アポダイゼーションの結像収差に対し、１：１の相関がある。この相関は、ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の投影対物鏡におけるそのようなミラーのＰＶ値に関して、およそ０．２５の値から発生する。
【００１５】
本発明によるミラーの階層構造は少なくとも３個のサブ層系を有し、基板の最も近くに位置するサブ層系における周期の個数は、基板から最も遠く離れたサブ層系における周期の個数より多くすると、有利である。さらに、階層構造が少なくとも３個のサブ層系を有し、基板の最も近くに位置するサブ層系における周期の個数が、基板から２番目に遠く離れたサブ層系におけるよりも多いと有利である。これらの手法によりミラーの反射特性が下層または基板に対し非干渉化（デカップリング）され、ミラーの階層構造の下に他の機能特性をもつ他の層または他の基板材料を用いることが可能となる。
【００１６】
基板から最も遠く離れたサブ層系の周期の個数が９〜１６の範囲における値に相当するＥＵＶ波長域用のミラー、および基板から２番目に遠く離れたサブ層系の周期の個数が２〜１２の範囲における値に相当するＥＵＶ波長域用のミラーは、ミラーに必要な層の総数を限定し、ミラー製造における複雑さおよびリスクの低減につながる。
【００１７】
ＥＵＶ波長域用のミラーは、基板から最も遠く離れたサブ層系の周期厚を７．２ｎｍ〜７．７ｎｍの範囲における値にすると有利である。同様に、基板から最も遠く離れたサブ層系における周期の高屈折率層の厚さを３．４ｎｍよりも大きくすると有利である。このため、広い入射角域に対し、非常に高く均一な反射率値を実現することが可能となる。
【００１８】
基板から最も遠く離れたサブ層系の周期における低屈折率層の厚さが、基板から２番目に遠く離れたサブ層系の周期における低屈折率層の厚さの３分の２より小さいＥＵＶ波長域用のミラー、および基板から２番目に遠く離れたサブ層系の周期における低屈折率層の厚さが５ｎｍより大きいＥＵＶ波長域用のミラーは、層設計を反射率自体に関して適合させるだけでなく、求められる入射角域にわたりｐ偏光した光の反射率に対するｓ偏光した光の反射率に関しても適合させることができるという利益をもたらす。
【００１９】
さらに、本発明のミラーは、周期をなす２個の個別層の材料は、モリブデン（Ｍｏ）およびシリコン（Ｓｉ）または、ルテニウム（Ｒｕ）およびシリコン（Ｓｉ）とすると有利である。これにより、とくに高い反射率値を達成するとともに、生産技術的な利益を実現することが可能になるが、これはミラーの階層構造におけるサブ層系の製造に２種類の異なる材料のみが使われるからである。この場合、各層間は少なくとも１つのバリア層により分断すると好都合であり、バリア層は、Ｂ４Ｃ、Ｃ、窒化Ｓｉ、炭化Ｓｉ、硼化Ｓｉ、窒化Ｍｏ、炭化Ｍｏ、硼化Ｍｏ、窒化Ｒｕ、炭化Ｒｕ、硼化Ｒｕよりなる材料群から選択した材料、またはこれら材料群で構成される化合物からなるものとする。このようなバリア層は、周期における２個の個別層間での相互拡散を抑制し、これにより２個の個別層間での遷移における光学コントラストが高くなる。モリブデン（Ｍｏ）およびシリコン（Ｓｉ）の材料を周期における２個の個別層として用いる場合、Ｍｏ層・Ｓｉ層間には１個のバリア層で十分なコントラストが得られる。この場合、ある周期におけるＳｉ層と、その周期に隣接する周期におけるＭｏ層との間には第２バリア層を省くことができる。この点において、ある周期における２個の個別層を分断する少なくとも１個のバリア層を設けるべきであり、少なくとも１個のバリア層は上記の材料またはそれらの化合物のいずれかにより全体を構成してもよく、またこの場合、異なる材料またはそれらの化合物の層状構造にすることもできる。
【００２０】
有利には、本発明のミラーは化学的に不活性な材料からなる少なくともの１個の層を含む被覆層系を有し、この不活性材料層によりミラーの階層構造を終端させる。ミラーはそのため、周囲の影響から保護される。
【００２１】
また、本発明のミラーは、ミラー表面に沿った階層構造の厚さ係数が０．９〜１．０５の範囲における値、特に０．９３３〜１．０１８の範囲における値をもつことを前提とすると好都合である。これにより、ミラー表面の異なる位置を、その位置で確約される異なる入射角に対し、より照準を合わせて適合させることができる。
【００２２】
ここで、厚さ係数は、所与の層設計の層厚に、これを乗じると、基板上のある位置で厚さが実現される係数である。そのため厚さ係数が１は、通常の層設計に相当する。
【００２３】
さらなる自由度として厚さ係数は、ミラー自体の層設計を変更する必要なく、ミラーの異なる位置を、そこで生じる異なる入射角域に、より照準を合わせて適合させることができるようになる。その結果、ミラーは最終的にミラー上の異なる位置にわたり、より広い入射角域に対し、かかる層設計自体に許容されるよりも高い反射率値をもたらす。厚さ係数を適合させることにより、確約できる高い入射角にわたり、またそれ以上でも、本発明によるミラーの入射角に対する反射率の変化をさらに抑制することが可能になる。
【００２４】
この場合、ミラー表面の位置における階層構造の厚み係数が、その位置で確約される最大入射角と相関すると好都合であるが、これは、より大きい最大入射角が確約されるために、より大きい厚さ係数が適合に必要とされるためである。
【００２５】
また、本発明の目的は、本発明によるミラーを少なくとも１個有する投影対物鏡を用いることにより達成される。
【００２６】
さらにまた、本発明の目的はそうした投影対物鏡を有するマイクロリソグラフィのための本発明による投影露光装置を用いることにより達成される。
【００２７】
本発明の他の特徴および利点は、本発明に必須な細部を示す図面を参照する以下の本発明による実施形態の説明および請求項により明らかになるであろう。本発明の変更例において、個々の特徴は、それぞれ単独、または複数の所望される特徴の組み合わせにより実現することができる。
以下に、本発明の例示的な実施形態を図面につきより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明ミラーの略図である。
【図２】本発明別のミラーの略図である。
【図３】マイクロリソグラフィ用の投影露光装置のための、本発明による投影対物鏡の略図である。
【図４】投影対物鏡の像フィールドの略図である。
【図５】投影対物鏡内の光軸に対して本発明によるミラーの位置が離れる離間距離に対する最大入射角及び入射角の域長を例示的に示す図である。
【図６】本発明ミラーの基板上における光学的に利用される領域（ハッチングした部分）の略図である。
【図７】本発明の第１実施形態によるミラーの入射角に対する幾つかの反射率値の略図である。
【図８】入射角に対する本発明の第１実施形態によるミラーの入射角に対する別の反射率値の略図である。
【図９】本発明の第２実施形態によるミラーの入射角に対する反射率値の略図である。
【図１０】本発明の第２実施形態によるミラーの入射角に対する別の反射率値の略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１は、基板Ｓ上に塗布した一連の個別層を有する階層構造を備える、本発明によるＥＵＶ波長域用のミラー１の略図を示す。この際、階層構造は複数のサブ層系Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’を含み、各サブ層系は、
異なる材料Ｈ’’，Ｌ’：Ｈ’’，Ｌ’’およびＨ’’’，Ｌ’’’の少なくとも２個の個別層であって周期的に配列した一連の個別層を有し、これら一連の個別層は周期Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を形成する。さらに、周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ は、図１の各サブ層系Ｐ’、Ｐ’’、Ｐ’’’内において、それぞれ一定の厚さｄ１，ｄ２，ｄ３ を有し、各厚さは隣接するサブ層系の周期の厚さと相違する。この場合、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’は周期Ｐ３ をＮ３個有する、この個数Ｎ３は基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’の周期Ｐ２の個数Ｎ２よりも多い。
【００３０】
図２は、基板Ｓ上に塗布した、一連の個別層を有する階層構造を備えた、本発明によるＥＵＶ波長域用の別のミラー１における略図を示す。この際、階層構造は複数のサブ層系Ｐ’’，Ｐ’’’を含み、各サブ層系は異なる材料Ｈ’’，Ｌ’’およびＨ’’’，Ｌ’’’の少なくとも２個の個別層であって周期的に配列した一連の個別層を有し、これら一連の個別層は周期Ｐ２，Ｐ３を形成する。また、図１の各サブ層系Ｐ’’，Ｐ’’’内において、周期Ｐ２，Ｐ３はそれぞれ一定の厚さｄ２，ｄ３をもち、各厚さは隣接するサブ層系の周期の厚さと相違する。この場合、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’は周期膜Ｐ３をＮ３個有し、この個数Ｎ３は基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’の周期Ｐ２の個数Ｎ２よりも多い。代替的に又は付加的に、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’の高屈折率層Ｈ’’’の厚さを、基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’の高屈折率層Ｈ’’の厚さと０．１ｎｍより多く相違させる。特に、サブ層系の個数が少ない、例えば２個のみのサブ層系である場合には、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’における高屈折率層Ｈ’’’の厚さを、基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’における高屈折率層Ｈ’’の厚さの２倍を超える厚さにすると、非常に高い反射率値が得られることが分かった。
【００３１】
図１および図２の本発明によるミラーの階層構造における各サブ層系は順次に直接連続し、また他のサブ層系により分離しない。ただし、個別の中間層によりサブ層系間を分離することは、サブ層系を順次に適合させる、または階層構造における光学特性を最適化する上で、考えられる。
【００３２】
図１および図２においてＨ、Ｈ’、Ｈ’’、Ｈ’’’で示した層は、同一サブ層系のＬ、Ｌ’、Ｌ’’、Ｌ’’’で示した層に比べて、ＥＵＶ波長域に対し高屈折率層である材料からなる層である（表２における材料の複素屈折率を参照）。逆に、図１および図２においてＬ、Ｌ’、Ｌ’’、Ｌ’’’で示した層は、同一サブ層系のＨ、Ｈ’、Ｈ’’、Ｈ’’’で示した層に比べて、ＥＵＶ波長域に対し低屈折率層である材料からなる層である。したがって、「高屈折率」および「低屈折率」という表現はＥＵＶ波長域に対し、サブ層系の周期内で順次に連続する層に関する相対的な表現である。サブ層系が通常ＥＵＶ波長域において機能するのは、通常、サブ層系の周期における主構成要素として、高屈折率で光学的に作用する層と、これに対し光学的に低い屈折率をもつ層とを組み合わせた場合のみである。材料のシリコンは通常高屈折率層に用いられる。シリコンとの組み合わせにおいて、材料のモリブデンおよびルテニウムは低屈折率層と称されるべきものである（表２における材料の複素屈折率を参照）。
【００３３】
図１および図２のいずれの場合においても、バリア層Ｂはシリコン（Ｓｉ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる個別層間、並びにシリコン（Ｓｉ）およびルテニウム（Ｒｕ）からなる個別層間に位置する。この場合、バリア層は、Ｂ４Ｃ、Ｃ、窒化Ｓｉ、炭化Ｓｉ、硼化Ｓｉ、窒化Ｍｏ、炭化Ｍｏ、硼化Ｍｏ、窒化Ｒｕ、炭化Ｒｕ、硼化Ｒｕからなる材料群から選択した材料、またはこれら材料群で構成される化合物からなるものとすると有利である。このようなバリア層は、周期における２個の個別層間での相互拡散を抑制し、これにより２個の個別層における層遷移で光学的コントラストが高くなる。１つの周期における２個の個別層対してモリブデン（Ｍｏ）およびシリコン（Ｓｉ）の材料を用いる場合、Ｍｏ層とＳｉ層との間における１個のバリア層で十分なコントラストが得られる。この場合、１つの周期におけるＳｉ層と隣接する周期におけるＭｏ層との間の第２バリア層は省くことができる。この点に関して、１つの周期における２個の個別層を分断するため少なくとも１個のバリア層を設けるべきであり、このとき、少なくとも１個のバリア層は上記の材料またはそれらの化合物のいずれかにより全体を構成してもよく、またこの場合、異なる材料またはそれらの化合物を層状構成にしてもよい。
【００３４】
本発明によるミラー１の場合、サブ層系Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’の周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の個数Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３ は、いずれも図１および図２に示した各周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ が１００回もの周期に達するものとすることができる。また、図１および図２に示した階層構造と基板Ｓとの間には、階層構造の応力補償の機能を果たす中間層または中間層構造を設けることができる。階層構造自体と同じ材料を、中間層または中間層構造の材料として用いることができる。中間層構造を用いる場合、各層間のバリア層を省略することができるが、これは中間層または中間層構造が通常、ミラーの反射率にほとんど寄与しないためであり、この場合にはバリア層によるコントラストの上昇の問題が重要ではないからである。Ｃｒ／Ｓｃ多階層構造または非晶質のＭｏもしくはＲｕの層を、同様に中間層または中間層構造とすることも考えられる。
【００３５】
図１および図２において、本発明によるミラー１の階層構造は、終端層Ｍとして、化学的に不活性な材料、例えばＲｈ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｐｄ，ＡｕまたはＳｉＯ２ 等からなる少なくとも１個の層を有する被覆層系Ｃにより終端する。該終端層Ｍはこうして周囲の影響によるミラー表面の化学的変質を防ぐ。
【００３６】
図１および図２に示されるように、周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ の１周期厚は、当該周期における各層の厚さの合計、つまり、高屈折率層における厚さ、低屈折率層における厚さ、および２個のバリア層における厚さの合計となる。そのため、図１および図２のサブ層系Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’は、周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ のそれぞれが異なる厚さｄ１，ｄ２，ｄ３ をもつという利点によって互いに区別することができる。その結果、本発明に関しては、異なるサブ層系Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’ は周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ の厚さｄ１，ｄ２，ｄ３ が０．１ｎｍ超異なるサブ層系であると理解される。なぜならば、０．１ｎｍ未満の差ではサブ層系の光学的効果の相違が想定されないからである。さらにまた、コヒーレントに同一のサブ層系であっても、異なる製造装置での製造中にこの絶対値分で周期厚がばらつく可能性がある。モリブデンおよびシリコンからなる周期をもつサブ層系Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’の場合、上述したとおり、周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 内の第２バリア層を省略することも可能であり、この場合には周期Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ の厚さは、高屈折率層の厚さ、低屈折率層の厚さ、バリア層の厚さとなる。
【００３７】
図３は、少なくとも本発明ミラー１を１個有して、６個のミラー１，１１を備える、マイクロリソグラフィ用の投影露光装置のための本発明による投影対物鏡２の略図である。マイクロリソグラフィ用の投影露光装置の役割は、マスク（レチクルとも呼ぶ）の構造を、像平面においていわゆるウェハ上にリソグラフ的に結像させることである。この目的のために、図３における本発明の投影対物鏡２は、物体平面５上に配置する物体フィールド３を、像平面７内の像フィールドとして結像させる。構造保持マスク（分かりやすくするために、図面には示さない）は、物体平面５における物体フィールド３の位置にセットする。方向付けのために、図３にはカルテシアン座標系を示し、そのｘ軸は図面の紙面に突入する方向を指す。ここで、ｘｙ座標面は物体平面５と一致し、ｚ軸は物体平面５に直交して下方を指す。投影対物鏡は物体フィールド３を通過しない光軸９を有する。投影対物鏡２のミラー１，１１は光軸に対し回転対称の設計面を有するが、この場合、設計面は完成したミラーの物理的表面と混同してはいけない。後者の物理的表面は、ミラーを経る光の通路を確保するため、設計面をトリミングしたものである。この例示的な実施形態では、開口絞り１３は、物体平面５から像平面７への光路における第２ミラー１１に配置する。投影対物鏡２の作用は３本の光線、すなわち主光線１５および２本の開口の周縁光線１７，１９により示し、すべての光線は物体フィールド３の中心を起点とする。物体平面に直交する垂線に対し６゜の角度で延びる主光線１５は、開口絞り１３の平面で光軸９と交差する。物体平面５から見ると、主光線１５が入射瞳平面２１で光軸と交差するように見える。このことは図３において、第１ミラー１１を通る主光線１５の延長破線で示される。そのため、開口絞り１３の虚像、すなわち入射瞳は入射瞳平面２１に位置する。投影対物鏡の射出瞳は同様に、像平面７から進む主光線１５の後方の延長線により同じ構成として見える。しかし、像平面７においては主光線１５が光軸９に平行になっており、そのため、これら２つの光線の後方投射は投影対物鏡２の前方無限遠に交点を生じ、よって、投影対物鏡２の射出瞳は無限遠にあることになる。したがって、この投影対物鏡２は、いわゆる像側テレセントリックの対物鏡と言える。物体フィールド３の中心は光軸９からＲの距離に位置し、像フィールド７の中心は光軸９からｒの距離に位置し、これにより投影対物鏡がこの反射構成の場合に、物体フィールドから生じる放射光の望ましくない口径食が起こらないようにする。
【００３８】
図４は、図３に示す投影対物鏡２に生じるような弧状の像フィールド７ａの平面図を示し、カルテシアン座標系の軸は図３のものに対応する。像フィールド７ａはアニュラス（環帯）から切り取った扇形であり、環帯の中心は光軸９が物体平面と交差する点を通る。例図の場合、平均半径ｒは３４ｍｍである。ここでは、像フィールド７ａのｙ方向の幅ｄは２ｍｍである。像フィールド７ａのフィールド中心点は像フィールド７ａ内に小円でマーク付けする。代替的に、湾曲した像フィールドは、同一半径をもち、ｙ方向に互いにずれる２つの円弧により画定することもできる。投影露光装置が走査装置として動作する場合、走査方向は、物体フィールドの短手方向、すなわちｙ方向の方向になる。
【００３９】
図５は、図３における投影対物鏡２の物体平面５から像平面７への光路における最後から２番目にあたるミラー１の、ミリ［ｍｍ］単位で表した異なる半径または位置と光軸との間の距離に対する、度［°］の単位で表した最大入射角（矩形で示す）および度［°］の単位で表した入射角域の域長（円で示す）を例示的に示すグラフである。ＥＵＶ波長域のための６個のミラー１，１１を有するマイクロリソグラフィ用投影対物鏡２の場合、当該ミラー１は、通常、最大入射角および最大入射角域または最大の入射角変動を保証すべきミラーである。本明細書において、入射角変動の目安となる入射角域の域長は、光学設計の要求により、光軸からの任意の距離を確保する必要があるミラーコーティングの、最大入射角と最小入射角との間における角度範囲に関する角度数値であると理解される。
【００４０】
表１による投影対物鏡の光学的データは、図５のベースとなるミラー１の場合に適用可能である。この場合、この光学設計によるミラー１，１１の非球面度Ｚ（ｈ）は、下記非球面式によってミリ［ｍｍ］の単位で示した、個別ミラーの非球面点と光軸と間における距離ｈの関数として与えられる。
【数１】
0005491618.tif 000002
ただし、ミラーの半径Ｒは１／ｒｈｏであり、ｋｙ，ｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４，ｃ５，ｃ６は変数（パラメータ）である。ここで、上記変数ｃｎは［１／ｍｍ２ｎ＋２］にしたがってミリ［ｍｍ］の単位で正規化し、非球面度Ｚ（ｈ）が、同じくミリ［ｍｍ］の単位の距離ｈの関数となるようにする。
【００４１】
表１：図２に基づいた設計の略図にしたがった図５のミラー１の入射角に関する光学設計データ。
【表１】
0005491618.tif 000003
【００４２】
図５から、ミラー１の異なる位置において最大入射角が２４゜、域長が１１゜になることが分かる。したがって、ミラー１の階層構造は、異なる入射角および異なる入射角域に対し、高く均一な反射率値を生じなければならない。そうでなければ投影対物鏡２の高い全体透過率および許容される瞳アポダイゼーションを確保できないからである。この際、図２と表１の設計にしたがった像平面７の手前に位置する投影対物鏡２の最後から２番目におけるミラーであるミラー１のＰＶ値が高いことにより、瞳アポダイゼーションが高い値になることを考慮すべきである。この場合、ＰＶ値が０．２５超と高い投影対物鏡２において、ミラー１のＰＶ値と瞳アポダイゼーションの結像収差には１：１の相関がある。
【００４３】
図５において、棒線２３は、光軸に対し最大入射角がおよそ２１゜、その域長が１１゜であるミラー１の特定の半径またはその位置の特定の距離を示すために用いられる。棒線で示したかかる半径は、図６では、ミラー１の光学領域２０を示すハッチングした領域２０内に点線で描いた円２３ａ上の位置に対応する。
【００４４】
図６は、図３の投影対物鏡２の物体平面５から像平面７にいたる光路における最後から２番目のミラー１の完成基板Ｓを、平面図として光軸９を中心とする実線円で示す。この場合、投影対物鏡２の光軸９は基板の対称軸線９に一致する。また図６では、ミラー１の光軸からずれた光学領域２０をハッチングで示し、円２３ａを点線で示す。
【００４５】
ここで、光学領域内に点線で示した円２３ａの部分が、図５に示した棒線２３により特定されるミラー１の位置に対応する。そのため、図５のデータにしたがった光学領域２０内で点線円２３ａの一部に沿うミラー１の階層構造により、２１゜の最大入射角およびおよそ１０゜の最小入射角の両方に対する高反射率値を確保することが必要である。この場合、域長が１１゜であることを考慮すると、図５では最大入射角が２１゜であるため、最小入射角はおよそ１０゜となる。２つの上記の入射角の極値が現れる点線円上の位置は、図６において、矢印２６の先端で１０゜の入射角が、矢印２５の先端で２１゜の入射角が強調される。
【００４６】
階層構造は、大きな技術的投資なくしては基板Ｓ上の位置において局所的に変更することができず、また階層構造は通常基板の対称軸線９に対し回転対称であるため、図６の点線円２３の位置に沿う階層構造は、図７〜１０につき説明する特定の実施形態で説明するような、図１または図２の基本構造で示したものと同一の階層構造からなる。この場合、階層構造を有する基板Ｓの対称軸線９に対し基板Ｓを回転対称となるようコーティングすることには、階層構造のサブ層系Ｐ’，Ｐ’’，Ｐ’’’の周期配列がミラーのすべての位置で維持され、対称軸線からの距離に依存する階層構造の周期厚のみが基板Ｓに対し回転対称な分布をもつという効果があることを考慮すべきである。
【００４７】
適当なコーティング技術、例えば、ディストリビューションダイアフラムを用いることにより、基板上におけるコーティングの厚さの回転対称放射分布を適合させることが可能であることを考慮するとよい。そのため、コーティング自体の設計に加え、コーティング設計のいわゆる厚さ係数の基板に対する放射分布に関し、さらなる自由度がもたらされ、コーティング設計を最適化することができる。
【００４８】
図７〜１０に示した反射率値を、１３．５ｎｍの波長で、使用される材料に、表２で示した複素屈折指標ｎ＝ｎ−ｉ×ｋを用いて計算した。この場合、実際のミラーの反射率値は、図７〜１０に示した理論反射率値より低くなる可能性があるが、これは特に実際の薄層の屈折率が表２で示した文献値とずれる可能性があるからであることを考慮すべきである。
【表２】
0005491618.tif 000004
表２：１３．５ｎｍに対し屈折指標ｎ＝ｎ−ｉ×ｋを用いた
【００４９】
さらに、図７〜１０に関する層設計に関しては、図１および図２に関する層シーケンスを表す下記の短い表記で示す。
基板／．．．／（Ｐ１）×Ｎ１／（Ｐ２）×Ｎ２／（Ｐ３）×Ｎ３／被覆層系Ｃ
ただし、
Ｐｌ＝Ｈ’ＢＬ’Ｂ、Ｐ２＝Ｈ’’ＢＬ’’Ｂ、Ｐ３＝Ｈ’’’ＢＬ’’’Ｂ、Ｃ＝ＨＢＬＭ
とする。
【００５０】
この場合、小括弧内で指定される個別の層の厚さには［ｎｍ］の単位が適用される。図７および図８で採用される層設計は、したがって下記の短い表記で指定することができる。
基板／．．．／ (4.737 Si 0.4 B4C 2.342 Mo 0.4 B4C)×28／ (3.443 Si 0.4 B4C 2.153 Mo 0.4 B4C)×5／ (3.523 Si 0.4 B4C 3.393 Mo 0.4 B4C)×15／ 2.918 Si 0.4 B4C 2 Mo 1.5 Ru
【００５１】
この例においてバリア層Ｂ４Ｃの厚さは常に０．４ｎｍであるため、Ｂ４Ｃからなる０．４ｎｍ厚のバリア層が、以下に特定するそれぞれのＭｏ層とＳｉ層の間に位置するという説明は以後省略することもできる。したがって、図７および図８における層設計は以下のように短縮して指定することもできる。
基板／．．．／ (4.737 Si 2.342 Mo)×28／ (3.443 Si 2.153 Mo)×5／ (3.523 Si 3.193 Mo)×15／ 2.918 Si 2 Mo 1.5 Ru
【００５２】
これに応じて、図９および図１０における層設計は以下のように短い表記で表すことができる。
基板／．．．／ (1.678 Si 0.4 B4C 5.665 Mo 0.4 B4C)×27／ (3.798 Si 0.4 B4C 2.855 Mo 0.4 B4C)×14／ 1.499 Si 0.4 B4C 2 Mo 1.5 Ru
【００５３】
この層配置においてもバリア層Ｂ４Ｃの厚さは常に０．４ｎｍであるため、この層配置にも、上記の説明で短縮した表記を用いることができる。
基板／．．．／ (1.678 Si 5.665 Mo)×27／ (3.798 Si 2.855 Mo)×14／ 1.499 Si 2 Mo 1.5 Ru
【００５４】
図７は図１の本発明によるミラー１の例示的な第１実施形態における、［°］の単位で表した入射角に関する、［％］の単位で表した非偏光放射光の反射率値を示す。ここで、ミラー１の階層構造における第１サブ層系Ｐ’はＮ１＝２８個の周期Ｐ１からなり、周期Ｐ１はＳｉ４．７３７ｎｍの高屈折率層およびＭｏ２．３４２ｎｍの低屈折率層からなり、それぞれ０．４ｎｍのＢ４Ｃからなる２個のバリア層も含む。周期Ｐ１はしたがって７．８７９ｎｍの厚さｄ１を有する。ミラー１の階層構造における第２サブ層系Ｐ’’はＮ２＝５個の周期Ｐ２からなり、周期Ｐ２はＳｉ３．４４３ｎｍの高屈折率層およびＭｏ２．１５３ｎｍの低屈折率層を含み、さらにそれぞれ０．４ｎｍのＢ４Ｃからなる２個のバリア層も含む。周期Ｐ２はしたがって６．３９６ｎｍの厚さｄ２を有する。ミラー１の階層構造における第３サブ層系Ｐ’’’はＮ３＝１５個の周期Ｐ３からなり、周期Ｐ３はＳｉ３．５２３ｎｍの高屈折率層およびＭｏ３．１９３ｎｍの低屈折率層を含み、さらにそれぞれ０．４ｎｍのＢ４Ｃからなる２個のバリア層も含む。周期Ｐ３はしたがって７．５１６ｎｍの厚さｄ３を有する。ミラー１の階層構造は、特別な順序で２．９１８ｎｍのＳｉ、０．４ｎｍのＢ４Ｃ、２ｎｍのＭｏおよび１．５ｎｍのＲｕからなる被覆層系Ｃにより終端させる。そのため、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’は、基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’の周期Ｐ２の個数Ｎ２より多い個数Ｎ３の周期Ｐ３をもつ。
【００５５】
この、１３．５ｎｍの波長で、厚さ係数１の標準層設計において［％］の単位で表す反射率値は、図７において、［°］の単位で表される入射角に対して実線で示す。また、１４．１゜〜２５．７゜の入射角域に対するこの標準層設計の平均反射率は、実線の水平線として示す。さらにまた、図７はこれに応じて波長１３．５ｎｍ、厚さ係数０．９３３での、入射角に対する反射率値を一点鎖線で、２．５゜〜７．３゜の入射角域に対する上記の層設計の平均反射率を点線で示す。したがって、図７に一点鎖線で示される反射率値に関する階層構造の周期厚は、対応する標準層設計の周期厚の９３．３％に達するにすぎない。換言すれば、この階層構造は、ミラー１のミラー表面における、２．５゜と７．３゜との間の入射角を確保する必要がある位置において標準層設計よりも６．７％薄い。
【００５６】
図８は図７に対応し、波長１３．５ｎｍ、厚さ係数１．０１８での、入射角に対する反射率値を細線で、１７．８゜〜２７．２゜の入射角域に対する上記の層設計の平均反射率を細棒線で示し、また同様に、厚さ係数が０．９７２であるときの入射角に対する反射率値を太線で、１４．１゜〜２５．７゜の入射角域に対する上記の層設計の平均反射率を太棒線で示す。したがって、この階層構造は、ミラー１のミラー表面で、１７．８゜と２７．２゜との間に入射角を確保する必要のある位置において、標準層設計よりも１．８％厚く、これに対応して、１４．１゜と２５．７゜の間の入射角を確保する必要のある位置において、標準層配置よりも２．８％薄い。
【００５７】
図７および図８の階層構造を用いることにより達成される平均反射率およびＰＶ値は、表３の入射角域および厚さ係数に従う。上記の階層構造からなるミラー１は、波長１３．５ｎｍで、２．５゜と２７．２゜との間の入射角に対し、平均反射率が４５％を超え、ＰＶ値での反射率の変化が０．２３以下となる。
【表３】
0005491618.tif 000005
表３：度数で表される入射角域および厚さ係数に対する図７および図８の層設計の平均反射率およびＰＶ値。
【００５８】
図９は図２の本発明によるミラー１の例示的な第２実施形態における、［°］の単位で表した入射角に関する、［％］の単位で表した非偏光放射光の反射率値を示す。この場合、ミラー１の階層構造におけるサブ層系Ｐ’’はＮ２＝２７個の周期Ｐ２ からなり、周期Ｐ２はＳｉ１．６７８ｎｍの高屈折率層およびＭｏ５．６６５ｎｍの低屈折率層を含み、さらにそれぞれ０．４ｎｍのＢ４Ｃからなる２個のバリア層も含む。周期Ｐ２ は、したがって８．１４３ｎｍの厚さｄ２ を有する。ミラー１の階層構造におけるサブ層系Ｐ’’’はＮ３＝１４個の周期Ｐ３ からなり、周期Ｐ３は、Ｓｉ３．７９８ｎｍの高屈折率層およびＭｏ２．８５５ｎｍの低屈折率層を含み、さらにそれぞれ０．４ｎｍのＢ４Ｃからなる２個のバリア層も含む。したがって、周期Ｐ３ は７．４５３ｎｍの厚さｄ３ を有する。ミラー１の階層構造は順に１．４９９ｎｍのＳｉ、０．４ｎｍのＢ４Ｃ、２ｎｍのＭｏおよび１．５ｎｍのＲｕからなる被覆層系Ｃにより終端させる。そのため、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’の高屈折率層Ｈ’’’の厚さは、基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’の高屈折率層Ｈ’’の厚さと０．１ｎｍより多く相違する。特にこの場合、基板から最も遠く離れたサブ層系Ｐ’’’は高屈折率層Ｈ’’’の厚さは、基板から２番目に遠く離れたサブ層系Ｐ’’における高屈折率層Ｈ’’の厚さの２倍超に達する。
【００５９】
この、１３．５ｎｍの波長で、厚さ係数１の標準層設計において［％］の単位で表した反射率値は、図９において、［°］の単位で表した入射角に対して実線で示す。また、１４．１゜〜２５．７゜の入射角域に対するこの標準層設計の平均反射率は、実線の水平棒線として示す。さらにまた、図９はこれに応じて波長１３．５ｎｍ、厚さ係数０．９３３での、入射角に対する反射率値を破線で、２．５゜〜７．３゜の入射角域に対する上記の層設計の平均反射率を破線棒線で示す。したがって、図９に破線で示した反射率値に関する階層構造の周期厚は、対応する標準層設計における周期厚の９３．３％に達するにすぎない。換言すれば、この階層構造は、ミラー１のミラー表面で、２．５゜と７．３゜の間の入射角を確保する必要がある位置において標準層設計よりも６．７％薄い。
【００６０】
図１０は、図９に対応し、波長１３．５ｎｍ、厚さ係数１．０１８での、入射角に対する反射率値を細線で、１７．８゜〜２７．２゜の入射角域に対する上記の層設計の平均反射率を細棒線で示し、また同様に、厚さ係数が０．９７２であるときの入射角に対する反射率値を太線で、１４．１゜〜２５．７゜の入射角域に対する上記の層設計の平均反射率を太棒線で示す。したがって、この階層構造は、ミラー１のミラー表面で、１７．８゜と２７．２゜との間の入射角を確保する必要のある位置において、標準層設計よりも１．８％厚く、これに対応して、１４．１゜と２５．７゜の間の入射角を確保する必要のある位置において、標準層設計よりも２．８％薄い。
【００６１】
図９および図１０の階層構造を用いることにより達成される平均反射率およびＰＶ値は、表４の入射角域および厚さ係数に従う。上記の階層構造からなるミラー１は、波長１３．５ｎｍで、２．５゜と２７．２゜の間の入射角に対し、平均反射率が３９％を超え、ＰＶ値での反射率の変化が０．２２以下となる。
【表４】
0005491618.tif 000006
表４：度数で表される入射角域および厚さ係数に対する図９および図１０の層設計の平均反射率およびＰＶ値。
【図１】
0005491618.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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