(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションと、
前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、被処理基板を検査する検査装置と、
前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、前記検査装置で検査された基板を洗浄する検査後洗浄装置と、を有し、
前記後処理ステーション内の圧力は、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、
前記インターフェイスステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陰圧であり、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、
前記検査装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陽圧であり、
前記検査後洗浄装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陰圧であることを特徴とする、剥離システム。
【請求項２】
剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離システムは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションと、
前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、被処理基板を検査する検査装置と、
前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、前記検査装置で検査された基板を洗浄する検査後洗浄装置と、を有し、
前記剥離方法は、
前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
前記剥離工程後、被処理基板を検査する検査工程と、
前記検査工程後、被処理基板を洗浄する後洗浄工程と、
前記後洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程と、を有し、
前記後処理ステーション内の圧力は、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、
前記インターフェイスステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陰圧であり、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記検査装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陽圧であり、
前記検査後洗浄装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陰圧であることを特徴とする、剥離方法。
【請求項３】
請求項２に記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項４】
請求項３に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、剥離装置においては、剥離処理に伴い発生した汚れが剥離装置内に付着し、当該剥離装置からパーティクルが発生してしまう。
【０００６】
そして、剥離装置から発生したパーティクルが剥離装置の外部に拡散すると、パーティクルの発生減が広がってしまう。こうなると、例えば処理前のウェハがこのパーティクルに汚染され、ウェハ処理の際に欠陥を生じてしまう。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、剥離装置により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションと、前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、被処理基板を検査する検査装置と、前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、前記検査装置で検査された基板を洗浄する検査後洗浄装置と、を有し、前記後処理ステーション内の圧力は、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記インターフェイスステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陰圧であり、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記検査装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記検査後洗浄装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陰圧であることを特徴としている。
【０００９】
本発明の剥離システムによれば、後処理ステーション内の圧力が、剥離装置を備えた剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧となっているので、後処理ステーションから剥離処理ステーションに向かう気流が生じる。即ち、剥離処理ステーションから外部に雰囲気が流出することがない。したがって、剥離処理ステーションから外部にパーティクルが流出することがない。これにより、被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、剥離処理ステーションの外部に拡散することを抑制することができる。
【００１３】
別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションと、前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、被処理基板を検査する検査装置と、前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、前記検査装置で検査された基板を洗浄する検査後洗浄装置と、を有し、前記剥離方法は、前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、前記剥離工程後、被処理基板を検査する検査工程と、前記検査工程後、被処理基板を洗浄する後洗浄工程と、前記後洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程と、を有し、前記後処理ステーション内の圧力は、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記インターフェイスステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陰圧であり、前記剥離処理ステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記検査装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陽圧であり、前記検査後洗浄装置内の圧力は、前記インターフェイスステーション内の圧力に対して陰圧であることを特徴としている。
【００１７】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１８】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、剥離装置により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置を備えた剥離ステーションの外部に拡散することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図８】剥離システム内に生じる気流の説明図である。
【図９】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１０】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１１】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１２】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１３】第１の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１４】ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１５】他の実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００２２】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００２３】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５と、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置６と、を一体に接続した構成を有している。
【００２４】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、搬送ステーション７が設けられている。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。また、検査装置６は、インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に配置されており、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置６の反対側、即ちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置８が配置されている。
【００２５】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００２６】
搬送ステーション７の内部に形成されたウェハ搬送領域９には、搬送機構２０が配置されている。搬送機構２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。搬送機構２０は、ウェハ搬送領域９内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。搬送ステーション７の内部、即ちウェハ搬送領域９には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域９の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００２７】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００２８】
検査装置６では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置８では、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄部８ａ、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄部８ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部８ｃを有している。
【００２９】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な他の搬送機構としての搬送機構４１が設けられている。搬送機構４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置６及び検査後洗浄装置８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。インターフェイスステーション５の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、インターフェイスステーション５の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００３０】
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。また、後処理ステーション４の内部にも、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、後処理ステーション４の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００３１】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体１００を有している。筐体１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、本実施の形態における筐体１００は、例えばステンレススチールの薄板等で構成されたものであり、その内部を密閉するものではないが、筐体１００の構造は本実施の形態に限定されるものではなく、例えば内部を密閉可能な気密容器であってもよい。
【００３２】
筐体１００の底面には、当該筐体１００の内部の雰囲気を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。そして、排気口１０１から筐体１００内部の雰囲気を排気することにより、筐体１００内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。
【００３３】
筐体１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、筐体１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００３４】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体１２１が設けられている。多孔質体１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００３５】
また、本体部１２０の内部であって多孔質体１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えば多孔質体１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２と多孔質体１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００３６】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００３７】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、筐体１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は筐体１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００３８】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００３９】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００４０】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００４１】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００４２】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００４３】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００４４】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように筐体１８０を有している。筐体１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００４５】
筐体１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有している。多孔質体１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００４６】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００４７】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。なお、洗浄装置３１の筐体１８０の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、排気管１９６は、筐体１８０の内部の雰囲気も排気する。
【００４８】
図５に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００４９】
アーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
【００５０】
洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００５１】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂの構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、この第１の洗浄装置３１と同様であるので、接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂについては説明を省略する。
【００５２】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。
【００５４】
次に、上述した搬送装置３２の構成について説明する。搬送装置３２は、図１に示されるように、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３３及びウェハ搬送領域９に囲まれた領域である、ウェハ搬送領域２３０に設けられた搬送機構２３１を有している。搬送機構２３１は、図７に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３２を有している。ベルヌーイチャック２３２は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック２３２は、支持アーム２３３に支持されている。支持アーム２３３は、第１の駆動部２３４に支持されている。この第１の駆動部２３４により、支持アーム２３３は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３４の下方には、第２の駆動部２３５が設けられている。この第２の駆動部２３５により、第１の駆動部２３４は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。なお、搬送装置３２の内部、即ちウェハ搬送領域２３０には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域２３０の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００５５】
なお、搬送機構４１は、上述した搬送装置３２の搬送機構２３１と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、搬送機構４１の第２の駆動部２３５は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、搬送機構４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
【００５６】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００５７】
次に、以上のように構成された剥離システム１において重合ウェハＴの剥離処理を行う際、当該剥離システム１内に生じる気流について図８に基づいて説明する。なお、図８中の矢印は気流の向きを示している。
【００５８】
剥離システム１では、後処理ステーション４、インターフェイスステーション５及び剥離処理ステーション３のうち、後処理ステーション内の圧力が最も高圧になり、剥離処理ステーション３内の圧力が、最も低圧になる。したがって、後処理ステーション４内の圧力はインターフェイスステーション５内の圧力に対して陽圧となるため、後処理ステーション４からインターフェイスステーション５に向かう気流が生じる。また、インターフェイスステーション５内の圧力は剥離処理ステーション３内の圧力に対して陽圧となるため、インターフェイスステーション５からは、剥離処理ステーション３に向かう気流が生じる。
【００５９】
また、インターフェイスステーション５内の圧力は、検査装置６内の圧力に対して陰圧であり、検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａ非接合面洗浄部８ｂ及び反転部８ｃに対して陽圧となっている。これにより、検査装置６からインターフェイスステーション５の向かう気流と、インターフェイスステーション５から検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａ非接合面洗浄部８ｂ及び反転部８ｃにそれぞれ向かう気流が生じる。
【００６０】
また、搬送ステーション７内の圧力は、剥離処理ステーション３の剥離装置３０内の圧力、第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３内の圧力に対して陽圧となっている。これにより、搬送ステーション７から剥離装置３０、第１の洗浄装置３１及び第２の洗浄装置３３にそれぞれ向かう気流が生じる。
【００６１】
また、搬送装置３２内の圧力は、剥離装置３０内の圧力及び第２の洗浄装置内の圧力に対して陽圧となっている。これにより、搬送装置３２から剥離装置３０及び第２の洗浄装置３３にそれぞれ向かう気流が生じる。
【００６２】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図９は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００６３】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。搬送機構２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００６４】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１０に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００６５】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００６６】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１１に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図１２に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図９の工程Ａ１）。
【００６７】
このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成された電子回路（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハＳが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて設定される。
【００６８】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、搬送機構２３１によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、搬送機構２３１による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
【００６９】
図１３に示すように支持アーム２３３を伸長させて、ベルヌーイチャック２３２を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２３２を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３２に被処理ウェハＷが受け渡される。このとき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３２に保持されるが、ベルヌーイチャック２３２は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持されるため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。
【００７０】
次に図１４に示すように、支持アーム２３３を回動させてベルヌーイチャック２３２を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３２を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３２からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００７１】
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図９の工程Ａ２）。
【００７２】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００７３】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、搬送機構４１によって検査装置６に搬送される。なお、この搬送機構４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した搬送機構２３１による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【００７４】
検査装置６においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図９の工程Ａ３）。検査装置６において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは搬送機構４１により検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａに搬送され、接合面洗浄部８ａで接合面ＷＪが洗浄される（図９の工程Ａ４）。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは搬送機構４１によって反転部８ｃに搬送され、反転部８ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部８ａに搬送されることなく反転部８ｃにて反転される（図９の工程Ａ５）。
【００７５】
その後、反転された被処理ウェハＷは、搬送機構４１により再び検査装置６に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図９の工程Ａ６）。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは搬送機構４１によって非接合面洗浄部８ｂに搬送され、非接合面ＷＮの洗浄が行われる（図９の工程Ａ７）。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、搬送機構４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部８ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
【００７６】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図９の工程Ａ８）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【００７７】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、搬送機構２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図９の工程Ａ９）。
【００７８】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１〜Ａ９が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、搬送機構２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図９の工程Ａ１０）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
【００７９】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、搬送機構２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図９の工程Ａ１１）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００８０】
以上の実施の形態によれば、搬送ステーション７内の圧力が剥離装置３０内の圧力に対して陽圧となっているので、搬送ステーション７から剥離装置３０に向かう気流が生じる。換言すれば、剥離装置３０内の雰囲気が搬送ステーション７側に流出することがない。また、搬送装置３２内の圧力も剥離装置３０内の圧力に対して陽圧となっているので、搬送装置３２から剥離装置３０に向かう気流が生じる。このため、剥離装置３０内の雰囲気が搬送装置３２側に流出することもない。したがって、剥離装置３０から外部にパーティクルが流出することがない。これにより、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、剥離装置３０の外部に拡散することを抑制することができる。
【００８１】
また、インターフェイスステーション５内の圧力は剥離処理ステーション３内の圧力に対して陽圧となっており、後処理ステーション４内の圧力に対して陰圧となっているので、後処理ステーション４から剥離処理ステーション３向かう気流が生じる。したがって、剥離処理ステーション３内にパーティクルが拡散してしまった場合においても、剥離処理ステーション３からインターフェイスステーション５及び後処理ステーション４にパーティクルが流入することを抑制することができる。これにより、後工程を行う後処理ステーション４内を清浄に保つことができ、後処理ステーション４においてパーティクルが被処理ウェハＷに付着することにより歩留まりが低下することを抑制できる。
【００８２】
また、搬送ステーション７内の圧力が第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３の圧力に対して陽圧となっているので、搬送ステーション７から第１の洗浄装置３１及び第２の洗浄装置３３に向かう気流がそれぞれ生じる。したがって、各洗浄装置３１、３３から洗浄に伴い発生したパーティクルが搬送ステーション７に流入することを抑制できる。これにより、搬送中に重合ウェハＴ、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳにパーティクルが付着するのを抑制することができる。
【００８３】
また、検査装置６内の圧力はインターフェイスステーション５内の圧力に対して陽圧となっているので、検査装置６からインターフェイスステーション５に向かう気流が生じる。したがって、インターフェイスステーション５にパーティクルが拡散してしまった場合においても、検査装置６にパーティクルが流入することを抑制できる。これにより、検査装置６内を清浄に保つことができるので、例えば正常な被処理ウェハＷが検査装置６内でパーティクルに汚染されることがない。
【００８４】
また、インターフェイスステーション５内の圧力が検査後洗浄装置８内の圧力に対して陽圧となっているので、インターフェイスステーション５から検査後洗浄装置８に向かう気流が生じる。したがって、インターフェイスステーション５での被処理ウェハＷの搬送中に、被処理ウェハＷにパーティクルが付着するのを抑制することができる。
【００８５】
さらに、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３３、剥離装置３０及び検査後洗浄装置８内の雰囲気は外部に排気されるので、剥離システム１内の雰囲気はすべて外部に排気されるようになっている。したがって、剥離システム１内の雰囲気中にパーティクルが存在するのを抑制することができる。
【００８６】
また、以上の実施の形態によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００８７】
また、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷが正常な被処理ウェハＷである場合、後処理ステーション４において当該被処理ウェハＷに所定の後処理が行われ、製品化される。一方、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷが欠陥のある被処理ウェハＷである場合、当該被処理ウェハＷは搬入出ステーション２から回収される。このように正常な被処理ウェハＷのみが製品化されるので、製品の歩留まりを向上させることができる。また、欠陥のある被処理ウェハＷを回収し、欠陥の程度によってはこの被処理ウェハＷを再利用することもでき、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
【００８８】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【００８９】
また、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、洗浄後、搬入出ステーション２から回収されるので、当該支持ウェハＳを再利用することができる。したがって、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
【００９０】
また、剥離装置３０では、重合ウェハＴを加熱しながら、移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離している。このように鉛直方向及び水平方向の両方向に第２の保持部１１１を移動させることによって、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が微小な場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避することができる。したがって、電子回路の損傷を抑制し、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を適切に行うことができる。
【００９１】
また、搬送機構２３１と搬送機構４１は被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３２を有しているので、被処理ウェハＷが薄型化していても当該被処理ウェハＷを適切に保持することができる。さらに、搬送機構２３１においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３２に保持されるが、ベルヌーイチャック２３２は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持されるため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。
【００９２】
また、第１の洗浄装置３１は被処理ウェハＷを保持するポーラスチャック１９０を有しているので、被処理ウェハＷが薄型化していても当該被処理ウェハを適切に保持することができる。
【００９３】
以上の実施の形態では、検査装置６において被処理ウェハＷを検査することができるので、検査結果に基づいて剥離システム１における処理条件を補正することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切に剥離することができる。
【００９４】
以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
【００９５】
以上の剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
【００９６】
また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１１１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１１１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよく、第２の保持部１１１の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。
【００９７】
なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【００９８】
以上の実施の形態の搬送機構２３１において、ベルヌーイチャック２３２の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口（図示せず）が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック２３２から第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３２から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給して当該接合面ＷＪを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック２３２自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック２３２も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。
【００９９】
以上の実施の形態では、搬送機構４１はベルヌーイチャック２３２を有していたが、このベルヌーイチャック２３２に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。
【０１００】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【０１０１】
また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【０１０２】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１０３】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１０４】
なお、以上の実施の形態では、研磨処理により薄型化した被処理ウェハＷに剥離処理を行った場合について説明したが、本発明の参考例として、研磨処理により被処理ウェハＷが薄型化される前の重合ウェハＴを剥離する場合について説明する。被処理ウェハＷが薄型化される前の段階での重合ウェハＴの剥離処理は、例えば薄型化される前の段階で当該重合ウェハＴの検査を行い、検査により異常が検出された場合などに行われる。かかる場合は、例えば図１５に示すように、搬入出ステーション２、剥離処理ステーション３、搬送ステーション７及び後処理ステーション３１０を有する剥離システム３２０により行われる。なお、剥離システム３２０においては、薄型化される前の被処理ウェハＷが扱われるため、図１５に示す第２の洗浄装置３３は、第１の洗浄装置３１であってもよい。
【０１０５】
後処理ステーション３１０は、剥離された研磨処理前の被処理ウェハＷ、即ち検査により異常が検出された被処理ウェハＷを処理するものであり、搬送ステーション７に隣接して設けられている。後処理ステーション３１０の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。また、後処理ステーション４の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【０１０６】
そして、剥離システム３２０では、後処理ステーション３１０内の圧力が搬送ステーション７内の圧力に対して陰圧となるように圧力が設定されている。このため、搬送ステーション７から後処理ステーション３１０に向かう気流が生じる。なお、搬送ステーション７内の圧力と剥離処理ステーション３内の圧力との関係は上述の剥離システム１と同様であるので、説明は省略する。
【０１０７】
そして、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、搬送ステーション７の搬送機構により後処理ステーション３１０に搬送され、後処理ステーションで所定の処理が行われる。
【０１０８】
以上の実施の形態によれば、剥離装置３０から搬送ステーション７側にパーティクルが流出することがない。これにより、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、剥離装置３０の外部に拡散することを抑制することがでる。また、搬送ステーション７から剥離処理ステーション３及び後処理ステーション３１０に向かう気流がそれぞれ形成されるので、搬送中に重合ウェハＴ、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳにパーティクルが付着するのを抑制することができる。
【０１０９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１１０】
１    剥離システム
２    搬入出ステーション
３    剥離処理ステーション
４    後処理ステーション
５    インターフェイスステーション
６    検査装置
７    搬送ステーション
８    検査後洗浄装置
９    ウェハ搬送領域
２０  搬送機構
３０  剥離装置
３１  第１の洗浄装置
３２  搬送装置
３３  第２の洗浄装置
４１  搬送機構
１００  筐体
１１０  第１の保持部
１１１  第２の保持部
１２４  加熱機構
１４１  加熱機構
１５０  移動機構
１５１  鉛直移動部
１５２  水平移動部
１９０  ポーラスチャック
２３０  搬送領域
２３１  搬送機構
２３２  ベルヌーイチャック
３００  制御部
３１０  後処理ステーション
３２０  剥離システム
Ｇ    接着剤
Ｓ    支持ウェハ
Ｔ    重合ウェハ
Ｗ    被処理ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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