(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変リラクタンスデバイスであって、
（ａ）互いに相対的に変位し、可変リラクタンスを有する磁気回路を提供する第１及び第２の磁気部材と、
（ｂ）使用時に、電流を受けて前記磁気回路を通過する磁束を生成するコイルと、
（ｃ）前記磁気回路を通過する磁束を表す測定信号を生成し、前記磁気回路を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置された測定コイルと、
（ｄ）入力端子で前記測定信号を受信し、それに応答して、出力端子で測定信号に基づいて制御信号を提供して電流の振幅又は別のデバイスの力を制御するように配置された制御ユニットと、を備え、
前記磁束に対して実質的に垂直の測定コイルの断面が、前記可変リラクタンスデバイスの実際の力と前記可変リラクタンスデバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択され、計算された力Ｆｃが、Ｆｃ＝ｋ・φ２で決定され、ここで、ｋは定数であり、φは前記測定信号から誘導される磁束を表す、可変リラクタンスデバイス。
【請求項２】
前記第１の磁気部材がＣコア又はＥコアを備え、前記測定コイルが前記Ｃコア又はＥコアの脚部に巻かれている、請求項１に記載の可変リラクタンスデバイス。
【請求項３】
前記脚部に対する前記測定コイルの位置が、前記可変リラクタンスデバイスの実際の力と前記可変リラクタンスデバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択され、計算された力Ｆｃが、Ｆｃ＝ｋ・φ２で決定され、ここで、ｋは定数であり、φは前記測定信号から誘導される磁束を表す、請求項１又は請求項１を引用する請求項２のいずれかに記載の可変リラクタンスデバイス。
【請求項４】
前記第１及び／又は第２の磁気部材が、前記磁気回路を通過する磁束を生成して前記第１及び第２の磁気部材の間にバイアス力を生成する永久磁石をさらに備える、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の可変リラクタンスデバイス。
【請求項５】
オブジェクトを位置決めするステージ装置であって、
（ａ）前記オブジェクトを受けるオブジェクトテーブルと、
（ｂ）前記オブジェクトテーブルを支持するベースと、
（ｃ）前記ベースに対して前記オブジェクトテーブルを位置決めする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の可変リラクタンスデバイスと、
を備えるステージ装置。
【請求項６】
前記オブジェクトテーブルを位置決めする別のデバイスをさらに備え、前記制御ユニットが、使用時に、前記別のデバイスによって提供される力を制御するように構成される、請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記制御信号が、第１のフィルタリングされた制御信号を得る低域通過フィルタを通過し、次に第２のフィルタリングされた制御信号を得る高域通過フィルタを通過し、前記第１のフィルタリングされた制御信号が印加されて可変リラクタンスデバイスの電流が制御され、前記第２のフィルタリングされた制御信号が印加されて前記別のデバイスの力が制御される、請求項６に記載のステージ装置。
【請求項８】
（ａ）放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
（ｂ）前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、
（ｃ）基板を保持するように構成された基板テーブルと、
（ｄ）前記基板のターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が、前記パターニングデバイス又は前記基板を位置決めする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載のステージ装置をさらに備える、リソグラフィ装置。
【請求項９】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、
前記デバイス製造方法が請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載のステージ装置によってパターニングデバイス及び／又は基板を位置決めするステップを含む、デバイス製造方法。
【請求項１０】
オブジェクトを位置決めするステージ装置であって、
該装置が、
前記オブジェクトを受けるように構成されたオブジェクトテーブルと、
前記オブジェクトテーブルを支持するように構成されたベースと、
前記ベースに対して前記オブジェクトテーブルを位置決めするように構成された可変リラクタンスデバイスと、を備え、
前記可変リラクタンスデバイスが、
互いに相対的に変位して、可変リラクタンスを有する磁気回路を提供するように構成された第１及び第２の磁気部材と、
電流を受けて前記磁気回路を通過する磁束を生成するコイルと、
前記磁気回路を通過する磁束を表す測定信号を生成するように構成され、前記磁気回路を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置された測定コイルと、
入力端子で前記測定信号を受信し、それに応答して、出力端子で前記測定信号に基づいて制御信号を提供して前記電流の振幅又は別のデバイスの力を制御するように配置された制御ユニットと、を備え、
前記磁束に対して実質的に垂直の測定コイルの断面が、前記可変リラクタンスデバイスの実際の力と前記可変リラクタンスデバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択され、計算された力Ｆｃが、Ｆｃ＝ｋ・φ２で決定され、ここで、ｋは定数であり、φは前記測定信号から誘導される磁束を表す、ステージ装置。
【請求項１１】
オブジェクトテーブルを位置決めする別のデバイスをさらに備え、前記制御ユニットが、別のデバイスによって提供される力を制御するようにさらに配置される、請求項１０に記載のステージ装置。
【請求項１２】
前記制御信号が、第１のフィルタリングされた制御信号を得る低域通過フィルタを通過し、次に第２のフィルタリングされた制御信号を得る高域通過フィルタを通過し、前記第１のフィルタリングされた制御信号が印加されて前記可変リラクタンスデバイスの電流が制御され、前記第２のフィルタリングされた制御信号が印加されて別のデバイスの力が制御される、請求項１１に記載のステージ装置。
【請求項１３】
回転軸の位置を能動的に制御する能動型軸受けシステムであって、
回転軸と、
前記回転軸を回転させる回転運動アクチュエータと、を備え、
前記能動型軸受けシステムは、請求項１乃至４に記載の可変リラクタンスデバイスを更に備える、能動型軸受けシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、例えば、ステージ装置又はリソグラフィ装置内に適用可能な可変リラクタンスデバイスおよびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。パターニングデバイスをウェーハ又は基板に対して正確に位置決めするために、リソグラフィ装置は、多くの場合、オブジェクトテーブルを位置決めする、例えば、パターニングデバイス又は基板を保持するための１つ又は複数の位置決めデバイスを備えている。そのような位置決めデバイスは、例えば、オブジェクトテーブル又は支持体を位置決めするための１つ又は複数のリニアモータ及び／又はローレンツアクチュエータなどのリニアアクチュエータを備える。リソグラフィ装置では、正確な位置決め及びスループット（例えば、１時間当たりのウェーハの処理数）の両方が同様に重要であると考えられる。高いスループットを得るために、オブジェクトテーブルの加速と減速に優れて連続する露光の間の空き時間を低減する強力なアクチュエータとモータが必要である。正確な位置決めをするために、リニアモータ又はアクチュエータによって生成される力の正確な制御が必要である。これらの要件を満たすために、生成された力の正確な制御が可能なローレンツアクチュエータが正確な（例えば、６自由度（ＤＯＦ）の）位置決めに適用されることが多い。しかし、可変リラクタンスアクチュエータなどのその他のタイプのアクチュエータと比較すると、ローレンツアクチュエータを用いて入手可能な放散に対する力密度又は力は比較的小さい。ローレンツアクチュエータと比較して、可変リラクタンスアクチュエータ、より一般的には、可変リラクタンスデバイスは、力密度を増大させながら同時にアクチュエータの質量を低減し（移動させ）放散レベルを低減できる。しかし、可変リラクタンスデバイスには、デバイスの力が可変リラクタンスデバイスの磁気部材の相対位置に大きく依存しているために、正確な力の制御が困難であるという欠点がある。したがって、周知の可変リラクタンスデバイスを用いて、特定の磁気化電流が印加された時のデバイスの応答を予測することは困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
[0003]  より正確な力の制御が可能な可変リラクタンスデバイス又は一般に別のタイプの電磁デバイスを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0004]  本発明のある実施形態によれば、第１及び第２の磁気部材と、コイルと、測定コイルと、制御ユニットとを備える可変リラクタンスデバイスが提供される。第１及び第２の磁気部材は、相対的に変位して可変リラクタンスを有する磁気回路を提供する。コイルを用いて電流を受け、磁気回路を通過する磁束を生成する。測定コイルは、磁気回路を通過する磁束を表す測定信号を生成する。測定コイルは、磁気回路を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置されている。制御ユニットは、入力端子で磁束信号を受信し、それに応答して、出力端子で測定信号に基づいて制御信号を提供して電流の振幅又は別のデバイスの力を制御する。
【０００５】
[0005]  本発明の別の実施形態では、オブジェクトを位置決めするステージ装置であって、オブジェクトテーブルと、ベースと、可変リラクタンスデバイスとを備える装置が提供される。オブジェクトテーブルはオブジェクトを受ける。ベースはオブジェクトテーブルを支持する。可変リラクタンスデバイスは、ベースに対してオブジェクトテーブルを位置決めする。
【０００６】
[0006]  本発明のさらに別の実施形態では、照明システムと、支持体と、基板テーブルと、ステージと、投影システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、放射ビームを調節するように構成される。支持体は、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築される。基板テーブルは、基板を保持するように構築される。投影システムは、基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影するように構成される。ステージは、パターニングデバイス又は基板を位置決めする。
【０００７】
[0007]  本発明のさらに別の実施形態では、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、本発明のステージ装置によってパターニングデバイス及び／又は基板を位置決めするステップを含む方法が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明のさらなる特徴及び利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。本発明は本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示的目的のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて、追加の実施形態が当業者には明白になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は本発明を図示し、説明とともに、さらに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成し、使用できるような働きをする。
【図１】[0010]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２ａ】[0011]本発明のある実施形態による第１の可変リラクタンスデバイスの断面図である。
【図２ｂ】[0012]図２ａに示すデバイスの磁束分布の概略図である。
【図３ａ】[0013]測定コイルの位置及び形状の関数としての力の偏差の概略図である。
【図３ｂ】[0014]デバイスの磁気部材に対する測定コイルの最適な位置及び形状の概略図である。
【図４ａ】[0015]本発明の実施形態によるデバイスが適用可能な１つの制御方式の概略図である。
【図４ｂ】[0015]本発明の実施形態によるデバイスが適用可能な別の制御方式の概略図である。
【図４ｃ】[0015]本発明の実施形態によるデバイスが適用可能なさらに別の制御方式の概略図である。
【図５】[0016]本発明の可変リラクタンスデバイスの別の実施形態の概略図である。
【図６】[0017]図５に示す可変リラクタンスデバイスの概略断面図である。
【００１０】
[0018]  以下で述べる詳細な説明を図面との関連で理解することにより本発明の特徴及び利点がさらに明白になり、図面では全体を通して類似の参照文字が対応する要素を識別する。図面では、類似の参照番号が全体的に同一、機能的に類似、及び／又は構造的に類似の要素を示す。要素が最初に現れる図面を、対応する参照番号の最も左側の桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0019]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１２】
[0020]  記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１３】
[0021]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実施することもできる。機械読み取り式媒体は、機械（例えば、計算デバイス）で読み取り可能な形態で情報を記憶するか、伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１４】
[0022]  しかし、このような実施形態についてさらに詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施できる例示的環境を提示することが有益である。
【００１５】
[0023]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はその他の任意の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスの正確な位置決めのための第１の位置決めデバイスＰＭとしての本発明のステージ装置を備える。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル又は一般にオブジェクトテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、基板又はウェーハの正確な位置決めのための第２の位置決めデバイスＰＷとしての本発明のステージ装置を備える。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡによって基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に放射ビームＢに付与されるパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳをさらに含む。
【００１６】
[0024]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１７】
[0025]  マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。マスク支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このマスク支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１８】
[0026]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１９】
[0027]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２０】
[0028]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして、広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２１】
[0029]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２２】
[0030]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板支持体」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスク支持体」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、又は１つ又は複数の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。
【００２３】
[0031]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２４】
[0032]  図１を参照すると、照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯから照明システムＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及び照明システムＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２５】
[0033]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを含んでいてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２６】
[0034]  放射ビームＢは、マスク支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
[0035]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２８】
[0036]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２９】
[0037]  ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３０】
[0038]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３１】
[0039]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３２】
[0040]  本発明によるリソグラフィ装置は、上記のように、パターニングデバイス又は基板などのオブジェクトを位置決めする本発明のステージ装置を備える。しかし、リソグラフィ装置内の本発明のステージ装置又は本発明の可変リラクタンスデバイスのその他の用途も可能である。一例として、本発明の可変リラクタンスデバイスは、例えば、レチクルマスキングブレード、投影システムの光学コンポーネントなどを位置決めする可変リラクタンスアクチュエータ又はハイブリッドアクチュエータとして適用可能である。別の例として、本発明の可変リラクタンスデバイスは、例えば、磁気浮上を用いて負荷を支持する磁気軸受として又は回転軸を浮上させる別の例として適用可能である。
【００３３】
[0041]  以下に、本発明の可変リラクタンスデバイス及びステージ装置について詳述する。
【００３４】
[0042]  図２ａに本発明の第１の可変リラクタンスデバイス、例えば、可変リラクタンスアクチュエータの断面図を示す。デバイス１００は、互いに変位可能で（例えば、Ｘ方向に）そこを磁束が通過できる磁気回路（点線で示す）１３０を形成する第１の磁気部材１１０（ステータとも呼ばれる）と、第２の磁気部材１２０（ムーバとも呼ばれる）とを備える。そのような磁束を生成するために、デバイスは、例えば電源（図示せず）から電流を供給されるように配置されたコイル１４０（図示の実施形態では、コイルは、第１のコイル１４０．１と、第２のコイル１４０．２とを含む）を備える。この実施形態に示すように、コイル１４０．１及び１４０．２は、それぞれ第１の磁気部材の脚部１１０．１と１１０．２とに巻かれている。第１の磁気部材又は第２の磁気部材のその他の位置に上記複数又は単数のコイルを装着してもよい。磁気部材は、フェライト又は希土材料を含む焼結材料など透過率が比較的大きい鉄の材料を用いて製造できる。可変リラクタンスデバイスは、測定信号１６０を生成する測定コイル１５０をさらに備える。測定信号は、例えば、磁気回路内で生成される磁束によって測定コイル１５０内で誘導される電圧であってもよい。本発明によれば、測定コイル１５０は、磁気回路１３０を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置されている。本発明者らによって、磁気回路を通過する磁束を表す測定信号によって追加の測定値を実質的に必要とせずに生成された力の正確な予測が可能になるように工夫がされ、これは、対照的にホールセンサなどを用いてアクチュエータのエアギャップ内の磁束密度などの局所的な測定値を得ることになった。本発明によれば、測定コイルから得られる測定信号１６０は、デバイスの制御ユニット１８０の入力端子１７０に提供される。制御ユニットは、測定信号（例えば、誘導電圧）から磁気回路を通過する磁束を表す信号を得るためのインテグレータ（図示せず）を備えていてもよい。制御ユニット１８０は、測定信号１６０に基づいて、制御ユニットの出力端子１９０で制御信号を生成し、それによって制御信号を印加してコイル１４０に提供された電流の振幅を制御するようにさらに構成される。したがって、例えば、制御ユニットを電源に提供して供給される電流を制御することができる。代替的に又は追加的に、制御ユニットによって誘導された制御信号を印加して別のデバイスの力を制御できるが、これについては以下に詳述する。さらに例示するように、例えば、磁気回路１３０を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置されたコイルを、デバイス１００の磁気部材１１０、１２０の１つの磁気部材の脚部に巻きつけることで、オブジェクト（例えば、リソグラフィ装置内のオブジェクトテーブル）に印加される力をより正確に制御し、オブジェクトのより正確な位置制御を可能にするために印加できる測定信号を制御ユニットに提供できる。
【００３５】
[0043]  本発明者らによって測定コイルの最適な形状と位置を得てデバイスの動作領域内の力の予測を向上させることができるように工夫がされている。
【００３６】
[0044]  一般に、リラクタンス型デバイスでは、図２ａに示す力Ｆは、磁気部材１１０、１２０の相対位置に大きく依存する。力Ｆは以下のように表される。
【数１】
0005530983.tif 000002
上式で，ｙはデバイスの両方の部材１１０、１２０、すなわち、ステータ１１０とムーバ１２０との間のギャップ２００を表し、ｙ０はオフセット値を表す。使用時に、ステータ１１０は一般に静止部分に装着され、ムーバは位置決め又は移動されるオブジェクト（例えば、オブジェクトテーブル）に装着されることに留意されたい。式（１）から、デバイスの剛性Ｃは（１）を微分することで得られる。
【数２】
0005530983.tif 000003
この式は、生成された力Ｆの強い位置依存性を示す。
【００３７】
[0045]  通常、可変リラクタンスデバイスの剛性は、２・１０６［Ｎ／ｍ］の大きさである。
【００３８】
[0046]  正確な位置制御を行うためには、デバイスによる生成された力Ｆの正確な予測が必要である。
【００３９】
[0047]  したがって、ステータに対するムーバの位置（及び向き）が知られている場合、（２）に従って力の変動（デバイスの剛性による）を計算し、コイル１４０に提供される電流を補正して力を所望のレベルに調整することができる。
【００４０】
[0048]  本発明者らによって、ステータとムーバとの相対位置の決定は煩雑であり、又は少なくとも生成された力Ｆ又は剛性Ｃを決定するには不正確であることが確認されている。以下の障害が識別できる。
−リソグラフィ装置内に適用される時には、リラクタンスデバイスのステータはロングストロークポジショナ（例えば、上記ポジショナＰＷ又はＰＭの一部）に接続され、その位置決め誤差は動的な性格を有し、加速時に１０〜１００［μｍ］程度である。オブジェクトテーブル（ムーバが装着される）の位置測定と組み合わせたロングストロークポジショナの位置測定によって、ステータに対するムーバの位置を推定できる。しかし、上記位置測定値は、デバイスのムーバとステータとの間の機構の機械的な剛性に限度があるために精度に限界がある。
−システムの加熱によって機構が変形し、ムーバとステータとの相対位置が変化することがある。
−ムーバとステータとの相対位置の直接の測定も考えられるが、専用の位置測定システムが必要であり（したがって、コスト増となる）、スペースに限度があるため実施不可能と思われる。
【００４１】
[0049]  したがって、デバイスのステータとムーバとの相対位置を測定することを要せずにリラクタンス型デバイスの正確な力の予測を得ることが特に必要である。
【００４２】
[0050]  コイルが磁気回路内で生成された磁束を実質的に取り囲むように測定コイルを適当に位置決めすることで、正確な力の予測が得られる。
【００４３】
[0051]  これを例示するために、図２ｂは、図２ａに示すデバイスの磁束分布２１０を概略的に示す。図２ｂでは、Φ１は、デバイスの第１の磁気部材の脚部１１０．１の端部のエアギャップ２２０．１を横切る磁束を表し、一方、Φ２は、第１の磁気部材１１０の脚部１１０．２の端部のエアギャップ２２０．２を横切る磁束を表す。
【００４４】
[0052]  図２ａを参照すると、各々の脚部１１０．１、１１０．２の周囲にそれぞれ磁束Φ１、Φ２を測定する測定コイル１５０が提供されている。一般に、Φ１はΦ２に等しいため、第１又は第２の磁気部材の一方の脚部に巻かれた単一の測定コイルだけで磁気回路を通過する磁束を決定するのに十分であることに留意されたい。
【００４５】
[0053]  磁束Φ１及びΦ２に基づいて、デバイスの力とトルクを以下の式に従って計算できる。
【数３】
0005530983.tif 000004
上式で、φ１及びφ２は、図２ｂに示すように、それぞれリラクタンスデバイスの極又は脚部を通過する磁束に対応する。概略的に示すＣコア型デバイスでは、Ｚ軸周りのトルクＴｚは一般に寄生効果と考えられることに留意されたい。
【００４６】
[0054]  式（３）から明らかなように、磁束Φ１及びΦ２とパラメータｆ及びｇが周知の場合、例えば、制御ユニットによって正確な力とトルクが計算でき、制御信号として位置コントローラ又は電源へフィードバックされる。こうして、所期の力のセットポイントからのいかなる偏差についても補正が可能である。極を通過する磁束は、例えば、１つ又は複数の測定コイルの両端の電圧を積分することで決定できる。
【００４７】
[0055]  一般に、式（３）のパラメータｆ及びｇは、わずかとはいえ、ムーバ及びステータも相対位置に依存することに留意されたい。本発明者らによって式（４）のゲインｆ及びｇの位置依存性が最小限になる測定コイルの一意的な形状と位置がデバイスの動作領域内に存在するように工夫がされている。最適な位置及び／又は形状に到達するためにシミュレーションを実行した。シミュレーションでは、位置と形状を変化させ、デバイスによって生成される力（ムーバに対するステータの様々な位置で、したがって、デバイスの動作領域を画定して）を、パラメータｆを一定に保ちながら、式（３）を用いて計算した力と比較した。図３ａで、生成された力と計算された力との間の最大偏差ΔＦ（ムーバに対するステータの様々な位置で、すなわち、デバイスの動作領域上で決定された）がグラフ（ａ）では測定コイルの様々な形状（測定コイル１５０の幅Ｄの変動によって示す）に対して示され、グラフ（ｂ）ではデバイスの脚部１１０．１に対する測定コイルの様々な位置（脚部１１０．１に対する測定コイル１５０の相対位置ｄの変動によって示す）に対して示されている。グラフに示す力の偏差ΔＦを最小限にする一意的な位置が存在することに留意されたい。これらの一意的な位置は、ステータ及びムーバの形状と、ムーバとステータとの間に発生するエアギャップとによって決定される。
【００４８】
[0056]  したがって、ある実施形態では、測定コイルの断面は磁束に対して実質的に垂直であるか、又は測定コイルの位置は、デバイスの実際の力（測定又はシミュレーションの一方から得られる）とデバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択される。計算された力Ｆｃは、Ｆｃ＝ｋ・φ２のように決定され、ここでｋは定数であり、φは測定信号から誘導された磁束を表す。
【００４９】
[0057]  磁気部材又は磁束部材の脚部に対する測定コイルの位置に関して、驚くべきことに、測定コイルの最適位置は、少なくとも部分的に第１及び第２の磁気部材を分離するエアギャップの内部にあることが分かっている。図２ａのデバイスの部材１１０．１及び１２０の拡大図とエアギャップ２００．１内の最適位置の測定コイル１５０を示す図３ａに概略的に示す。
【００５０】
[0058]  なお、測定コイルの最適位置及び形状を適用することで、磁束検知による正確な力のフィードバックを得ながら大幅な較正及び／又は追加の測定は不要になる。
【００５１】
[0059]  本発明の可変リラクタンスデバイスの磁気部材のレイアウトに関して、様々なオプションが存在することに留意されたい。図２ａ及び図２ｂに概略的に示す実施形態では、第１の磁気部材はいわゆるＣコアを含む、すなわち、磁気部材は文字Ｃの形状を有する。なお、Ｅコアなどのその他の形状も適用可能で、それによって、例えば、Ｃコア又はＥコアの１つ又は複数の脚部に１つ又は複数の測定コイルを提供できる。
【００５２】
[0060]  なお、本発明のリラクタンスデバイスの磁気回路、すなわち、第１の磁気部材又は第２の磁気部材は、磁気回路内にバイアス磁束を生成できる１つ又は複数の永久磁石を含んでいてもよい。そのようなバイアス磁束は、コイルに印加された電流がゼロに等しい時でも第１及び第２の磁気部材の間に磁束、したがって力を生成できる。そのようなバイアス力は、例えば、オブジェクトをＺ方向、すなわち、鉛直方向に支持するデバイスが適用された場合に有利である。そのような構成では、支持するオブジェクトの重量に少なくとも部分的に打ち消すようにバイアス力を印加してもよい。本発明に従って、測定コイルによって測定信号が生成されて制御ユニットに提供される時には、制御ユニットは測定信号に基づいて制御信号を決定できる。さらに、コイルによる磁束測定を（周知の）ホール素子と併用してもよい。そのような実施形態では、コイルによる磁束測定を用いて高周波磁束を測定し、ホール素子を用いて低周波磁束（ＤＣ）を測定できる。コイルとホール素子の両方から得た測定値に基づいて高帯域の力のフィードバックが達成できるため、これは有益である。
【００５３】
[0061]  ある実施形態では、制御信号を印加してデバイスに印加される電流を補正して本発明のリラクタンス型デバイスによってより正確な力Ｆを得ることができる。磁束を表す測定信号１６０を受けるように配置された制御ユニット１８０を含む可変リラクタンスデバイス１００を概略的に示す図４ａにそのような構成を概略的に示す。測定信号に基づいて、制御信号４００が制御ユニットによって決定され、力のセットポイント（Ｆｙ，ｓｅｔｐ）と比較され、デバイスに電流ｉを提供するように配置された電源５００に供給される。したがって、所期の力のセットポイントからのいかなる偏差についても補正を実行できる。
【００５４】
[0062]  図４ｂに概略的に示すある実施形態では、制御ユニット１８０によって決定される制御信号４００が提供されて別のデバイス６００、例えば、ローレンツアクチュエータの力のセットポイントが制御又は調整される。そのような構成では、可変リラクタンスデバイスは、例えば、オブジェクトテーブル上に装着されたオブジェクトの位置を制御するために特定の方向に力（又はトルク）を提供する別のデバイスと協働することができる。可変リラクタンスデバイスと別のデバイスの組み合わせの力を用いて所望の力のセットポイントを得ることができる。この構成では、制御信号４００が力のセットポイントＦｙ  ｓｅｔｐと比較され、別のデバイス６００に電流ｉを供給する電源５１０によって使用される。
【００５５】
[0063]  さらに別の実施形態では、低周波外乱をリラクタンスデバイスの制御ループにフィードバックし、高周波外乱を別のデバイスの制御ループに提供できる。低周波外乱（比較的大きい場合がある）は可変リラクタンスデバイスによって扱われるので、この戦略では別の１つ又は複数のデバイスによって生成される必要な力が制限される。図４ｂと異なり、低域通過フィルタ６１０と、高域通過フィルタ６２０とを備える図４ｃにこの実施形態を概略的に示す。この実施形態では、制御信号４００が低域通過フィルタ６１０を通過して第１のフィルタリングされた制御信号４００．１が得られ、高域通過フィルタ６２０を通過して第２のフィルタリングされた制御信号４００．２が得られ、第１のフィルタリングされた制御信号が印加されて可変リラクタンスデバイス１００の力が制御され、第２のフィルタリングされた制御信号が印加されて別のデバイス６００、例えば、ローレンツアクチュエータの力が制御される。
【００５６】
[0064]  上記可変リラクタンスデバイスは、例えば、リソグラフィ装置内でパターニングデバイス又は基板などのオブジェクトを位置決めするステージ装置に適用できる。そのようなステージ装置では、可変リラクタンスデバイスは、例えば、オブジェクトテーブルの正確な位置決めのために適用できる。そのようなステージ装置では、リラクタンス型デバイスの磁気回路の磁束を実質的に取り囲む測定コイルから得た測定信号から決定される、所望の力のセットポイントと実際の力との正確な関連性を得るために図４ａ〜図４ｃで説明する任意の戦略を適用できる。したがって、図４ｂ及び図４ｃで説明する戦略を参照すると、ステージ装置は別のデバイス（例えば、ローレンツアクチュエータ）を備えることができ、それによって、ローレンツアクチュエータによって生成される力は、可変リラクタンスデバイスの所望の力Ｆｙ  ｓｅｔｐと計算された実際の力との間の偏差に基づく。
【００５７】
[0065]  さらに別の実施形態では、測定コイルは、例えば、能動型磁気軸受（ＡＭＢ）内に適用できる。軸周りにｚ方向に回転自在であって（Ｒｚアクチュエータは図示せず）、ｘ及びｙ方向の軸（ＡＸ）の位置を能動的に制御する能動型磁気軸受（ＡＭＢ）によって支持された軸（ＡＸ）を示す図５に、そのような実施形態の一例を示す。図５に示す例では、実際に軸（ＡＸ）をｘ、ｙ、Ｒｘ及びＲｙ方向に制御可能なこれら２つの能動型磁気軸受（ＡＭＢ１，ＡＭＢ２）が示されている。ｚ及びＲｚ方向のための軸受は図示していないが、軸（ＡＸ）を例えば任意の好適な受動又は能動型軸受によってｚ方向に支持することができる。
【００５８】
[0066]  図６は、図５の矢印「Ａ」で切った断面図を示す。図６は、電磁石アセンブリ（ＣＬ，ＣＣ）を備えるロータ（ＲＴＲ）とステータ（ＳＴＴ）との間の電磁懸垂の原理に基づく能動型磁気軸受（ＡＭＢ）と、電磁石（ＣＣ）に電流を供給する一組の電力増幅器（図示せず）と、コントローラ（図示せず）と、ギャップ（ＧＰ）内のロータ（ＲＴＲ）の位置を制御するのに必要なフィードバックを提供する関連付けられた電子回路を備えた本発明の測定コイル（ＭＣ）とを示す断面図を示す。測定コイル（ＭＣ）の動作原理は、他の実施形態で説明したものと同様であり、したがって、アクチュエータについて説明した測定コイル（ＭＣ）の一般動作原理も、能動型磁気軸受（ＡＭＢ）を用いた用途で有効である。通常の実施形態では、電力増幅器は、ロータ（ＲＴＲ）の周囲に配置された電磁石に等しいバイス電流を供給する。図６に示す例では、３対の能動型磁気軸受（ＡＭＢ）が示されているが、別の数、例えば、２つ、４つ又はそれ以上の数の能動型磁気軸受（ＡＭＢ）も可能である。ロータ（ＲＴＲ）の位置は、ロータが中心位置からそれるとバイアス電流をオフセットするコントローラによって制御される。能動型磁気軸受は摩耗がなく、低摩擦であるため従来の軸受と比較して有利であり、能動型磁気軸受は質量分布の不規則性を自動的に収容できることが多く、能動型磁気軸受は質量中心周りに極めて低い振動で回転することができる。
【００５９】
[0067]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００６０】
[0068]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００６１】
[0069]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００６２】
[0070]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００６３】
[0071]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。
【００６４】
[0072]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【００６５】
[0073]  特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項目ではなく、「発明を実施するための形態」の項目を使用するよう意図されていることを認識されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項目は、本発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【００６６】
[0074]  以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係の助けにより、本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。
【００６７】
[0075]  特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【００６８】
[0076]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１】
0005530983.tif 000005
【図２ａ】
0005530983.tif 000006
【図２ｂ】
0005530983.tif 000007
【図３ａ】
0005530983.tif 000008
【図３ｂ】
0005530983.tif 000009
【図４ａ】
0005530983.tif 000010
【図４ｂ】
0005530983.tif 000011
【図５】
0005530983.tif 000012
【図６】
0005530983.tif 000013
【図４ｃ】
0005530983.tif 000014