(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＩＩａの構造を有する共役ポリマー。
【化１】
0005647121.tif 000054
（式中、
Ａ１およびＡ２の一方は単結合であり、他方はＣＲ１Ｒ２であり、
Ａ３およびＡ４の一方は単結合であり、他方はＣＲ３Ｒ４であり、
Ｕ１およびＵ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−であり、他方は−Ｘ−であり、
Ｕ３およびＵ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−であり、他方は−Ｘ−であり、
ただし、Ａｉが単結合の場合、対応するＵｉはＸであり（ただし、ｉは、１〜４の添え字であり）、
Ｘは、それぞれの出現において独立に、−Ｓ−および−Ｓｅ−より選択され、
Ｒ１〜４は、それぞれ互いに独立に、直鎖状または分岐状のＣ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ２０−チオアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−シリル、Ｃ１〜Ｃ２０−エステル、Ｃ１〜Ｃ２０−アミノ、Ｃ１〜Ｃ２０−フルオロアルキルより選択され、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ互いに独立に、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル、２，１，３−ベンゾセレナジアゾール−４，７−ジイル、２，３−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，５−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−フェニレン、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−２，５−ジイル、キノキサリン−５，８−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、チアゾールおよびオキサゾールから成る群より選択され、該基の全ては無置換であるか、上記のＲ１で一置換または多置換されており、
Ｙ１およびＹ２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮであり、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ互いに独立に、０または１、２、３または４であり、
ｎは１より大きい整数であり、
Ｒ５およびＲ６は、それぞれ互いに独立に、
Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ０Ｒ００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ０（ただし、Ｘ０はハロゲンである。）、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ０、−ＮＨ２、−ＮＲ０Ｒ００、−ＳＨ、−ＳＲ０、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ２Ｒ０（ただし、Ｒ０およびＲ００は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、または１個以上のヘテロ原子を含んでいてもよく置換されていてもよいカルビルまたはヒドロカルビル基である。）、−ＯＨ、−ＮＯ２、−ＣＦ３、−ＳＦ５、Ｐ−Ｓｐ−（ただし、Ｐは重合性基であり、Ｓｐは、スペーサー基または単結合である。）、置換されていてもよいシリル、または、１〜４０個のＣ原子のカルビルまたはヒドロカルビル（該基は置換されていてもよく、１個以上のヘテロ原子を含んでいてもよい）より選択される同一または異なる基であるか、または
−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＳｉＲ’Ｒ”Ｒ”’、−ＳｎＲ’Ｒ”Ｒ”’、−ＢＲ’Ｒ”、−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ”）、−Ｂ（ＯＨ）２またはＰ−Ｓｐを表し、ただし、ＰおよびＳｐは上で定義される通りであり、Ｒ’、Ｒ”およびＲ”’は、それぞれ互いに独立に、上で与えられるＲ０の意味の１つを有し、また、Ｒ’およびＲ”は、それらが接続されているヘテロ原子と共に環を形成していてもよい。）
【請求項２】
以下のサブ式から成る群より選択されることを特徴とする請求項１に記載のポリマー。
【化２】
0005647121.tif 000055
【化３】
0005647121.tif 000056
【化４】
0005647121.tif 000057
（式中、Ｒ１〜６およびｎは請求項１において定義される通りであり、Ａｒは請求項１において与えられるＡｒ１の意味の１つを有する。）
【請求項３】
以下の式から選択される請求項１または２に記載のポリマー。
【化５】
0005647121.tif 000058
（式中、Ｒ１〜６およびｎは請求項１において定義される通りである。）
【請求項４】
Ｒ１〜４は、それぞれ互いに独立に、直鎖状または分岐状のＣ１〜Ｃ２０−アルキルより選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項５】
ｎは、２〜５，０００の整数であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項６】
式ＩＩａ１から選択される請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリマー。
【化６】
0005647121.tif 000059
（式中、Ｒ５およびＲ６は請求項１において定義される通りであり、「ｃｈａｉｎ」は、請求項２において定義される通りのサブ式ＩＩ１〜ＩＩ１０およびＩＩ２ａから成る群より選択されるポリマー鎖である。）
【請求項７】
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ互いに独立に、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイルおよび２，１，３−ベンゾセレナジアゾール−４，７−ジイルより選択されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の１種類以上のポリマーと、半導体性、電荷輸送、ホール／電子輸送、ホール／電子ブロック、導電性、光導電性または発光特性を有するポリマーより選択される１種類以上のポリマーとを含むポリマーブレンド。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の１種類以上のポリマーまたはポリマーブレンドと、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物。
【請求項１０】
光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント部品または装置における、電荷輸送、半導体、導電性、光導電性または発光材料としての、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリマー、ポリマーブレンドおよび配合物の使用。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の１種類以上のポリマー、ポリマーブレンドまたは配合物を含む光学的、電気光学的または電子的部品または装置。
【請求項１２】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、論理回路、キャパシタ、無線識別（ＲＦＩＤ：ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、装置または部品、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電装置（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）、ソーラーセル、レーザーダイオード、光導電体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサー装置、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ：ｐｏｌｙｍｅｒ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）における電荷注入層、電荷輸送層または中間層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解質膜（ＰＥＭ：ｐｏｌｙｍｅｒ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  ｍｅｍｂｒａｎｅ）、導電性基板、導電性パターン、電池における電極材料、配向層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティーマーク、セキュリティー装置、および、ＤＮＡ配列を検出および区別するための部品または装置から成る群より選択されることを特徴とする請求項１１に記載の部品または装置。
【請求項１３】
バルクヘテロ接合ＯＰＶ装置である請求項１２に記載の部品または装置。
【請求項１４】
式Ｉａの１種類以上のモノマーと、任意成分として、式Ｒ７−Ａｒ１−Ｒ８および／またはＲ７−Ａｒ２−Ｒ８の１種類以上のモノマーとを、アリール−アリールカップリング反応させることによる、請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリマーを調製する方法。
【化７】
0005647121.tif 000060
（式中、Ｕ１〜４、Ａ１〜４、Ａｒ１、２、ｍ１およびｍ２は請求項１で与えられる意味を有し、Ｒ７およびＲ８は、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ−トシラート、Ｏ−トリフラート、Ｏ−メシラート、Ｏ−ノナフラート、−ＳｉＭｅ２Ｆ、−ＳｉＭｅＦ２、−Ｏ−ＳＯ２Ｚ、−Ｂ（ＯＺ１）２、−ＣＺ２＝Ｃ（Ｚ２）２、−Ｃ≡ＣＨおよび−Ｓｎ（Ｚ３）３から成る群より選択され、ただし、ＺおよびＺ１〜３はアルキルおよびアリールから成る群より選択され、それぞれ置換されていてもよく、また、２個の基Ｚ１は環式基を形成していてもい。）
【請求項１５】
式Ｉａのモノマー。
【化８】
0005647121.tif 000061
（式中、Ｕ１〜４、Ａ１〜４、Ｒ７、８、Ａｒ１、２、ｍ１およびｍ２は、請求項１４において定義される通りである。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダセノジチオフェンまたはインダセノセレノフェン単位またはそれらの誘導体を含む共役ポリマーと、それらの調製方法と、そこで使用される新規なモノマー単位と、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置における該ポリマーの使用と、該ポリマーを含むＯＥ装置とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、より多目的で、より低コストな電子装置を製造するために、有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）材料が開発されてきた。そのような材料の用途が広範囲の装置または機構において見出されており、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、光検出器、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セル、センサー、記憶素子および論理回路が、数例として挙げられる。有機半導体材料は、典型的には、電子装置中で、例えば、１ミクロン厚未満の薄層の形態で存在している。
【０００３】
ＯＦＥＴ装置の性能は、主として、半導体材料の電荷キャリア移動度および電流オン／オフ比に基づいており、よって、理想的な半導体は、高い電荷キャリア移動度（１×１０−３ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より高い）と組み合わされて、オフ状態で低い導電率を有していなければならない。加えて、半導体材料が酸化に対して比較的安定であること、即ち、酸化が装置性能の低下につながるので、半導体材料が高いイオン化ポテンシャルを有することが重要である。半導体材料に対する更なる要求は、特に、薄膜および所望のパターンを大規模に製造するための良好な加工性、および、有機半導体層の高い安定性、フィルムの均一性および完全性である。
【０００４】
先行技術では、ＯＦＥＴにおいてＯＳＣとして使用するために各種の材料が提案されており、例えば、ペンタセンなどの小分子、および、例えば、ポリヘキシルチオフェンなどのポリマーが挙げられる。しかしながら、これまで検討されてきた材料および装置は依然として幾つかの欠点を有しており、それらの特性、特に、加工性、電荷キャリア移動度、オン／オフ比および安定性は依然として更なる改良の余地を有する。
【０００５】
共役ポリマーのなかでも有望な部類はインデノフルオレン単位を基礎としてきた。最初に、インデノフルオレンのホモポリマーがエレクトロルミネセント用途における青色発光用の候補材であることが、Ｍｕｌｌｅｎおよび共同研究者らによって報告された［Ｓ．Ｓｅｔａｙｅｓｈ、Ｄ．ＭａｒｓｉｔｚｋｙおよびＫ．Ｍｕｌｌｅｎ、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、２０００年、３３巻、２０１６頁（非特許文献１）］。また、インデノフルオレンコポリマーも、トランジスタ装置におけるＯＳＣとしての用途が示唆されてきた（国際特許出願公開第２００７／１３１５８２号パンフレット（特許文献１））。
【０００６】
しかしながら、先行技術において開示されるＯＳＣ材料の性能は、依然として、これらの材料における現在の要求を常に満足するものではなく、更なる改良の余地を有する。
【０００７】
特に、高い電荷キャリア移動度を示すＯＳＣ材料に対する要求が依然としてある。更に、ＯＦＥＴにおいて使用するためには、ソース−ドレイン電極からポリマー半導体層中への電荷注入を改良できるＯＳＣ材料に対する要求がある。ＯＰＶセルにおいて使用するためには、光活性層による集光性の改良が可能となり、より高いセル効率に至ることができ、低いバンドギャップを有するＯＳＣ材料に対する要求がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際特許出願公開第２００７／１３１５８２号パンフレット
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｓ．Ｓｅｔａｙｅｓｈ、Ｄ．ＭａｒｓｉｔｚｋｙおよびＫ．Ｍｕｌｌｅｎ、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、２０００年、３３巻、２０１６頁
【非特許文献２】Ｋ−Ｔ．Ｗｏｎｇ、Ｔ−Ｃ．Ｃｈａｏ、Ｌ−Ｃ．Ｃｈｉ、Ｙ−Ｙ．Ｃｈｕ、Ａ．Ｂａｌａｉａｈ、Ｓ−Ｆ．Ｃｈｉｕ、Ｙ−Ｈ．ＬｉｕおよびＹ．Ｗａｎｇ、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．、２００６年、８巻、５０３３頁
【非特許文献３】Ｘ．Ｍ．ＨｏｎｇおよびＤ．Ｍ．Ｃｏｌｌａｒｄ、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、２０００年、４１巻（１号）、１８９頁
【非特許文献４】Ｃ．Ｚｈａｏ、Ｘ．Ｃｈｅｎ、Ｙ．ＺｈａｎｇおよびＭ−Ｋ、Ｎｇ、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．、Ｐａｒｔ  Ａ：Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．、２００８年、４６巻、２６８０頁
【非特許文献５】Ｓ−Ｈ．Ｃｈａｎ、Ｃ−Ｐ．Ｃｈｅｎ、Ｔ−Ｃ．Ｃｈａｏ、Ｃ．Ｔｉｎｇ、Ｃ−Ｓ．ＬｉｎおよびＢ−Ｔ  Ｋｏ、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、２００８年、オンライン発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の一つの目的は、上記の望ましい特性を有し、特に、良好な加工性、高い電荷キャリア移動度、高いオン／オフ比、高い酸化安定性および電子装置において長い寿命を示し、電子装置において使用するための新たなＯＳＣ材料を提供することである。もう一つの目的は、専門家が入手可能なＯＳＣ材料の蓄積を広げることである。本発明の他の目的は、以下の詳細な記載より専門家には直ちに明らかである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
これらの目的は以下に記載される通りの材料を提供することにより達成できることを、本発明の発明者らは見出した。これらの材料は、以下の式によって表される通りの、１個以上のｓ−インダセノジチオフェンまたはｓ−インダセノジセレノフェン単位またはそれらの誘導体を含むポリマーを基礎とする。
【００１２】
【化１】
0005647121.tif 000002
（式中、ＸはＳまたはＳｅであり、Ｒ１〜４は、例えば、ヒドロカルビル基を表す。）
【００１３】
これらのポリマーは良好な加工性を有すると同時に、高い電荷キャリア移動度および高い酸化安定性を示すため、電子装置、特に、ＯＦＥＴおよびＯＰＶセルにおけるＯＳＣ材料として、および、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ：ｐｏｌｙｍｅｒ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）における電荷輸送層または中間層材料として使用することに、これらのポリマーが適していることが見出された。
【００１４】
また、インデノフルオレンにおける末端フェニル環をチオフェン環で置き換えることにより、共役核の電子に富む性質が増加し、従って、結果として生じるホモポリマーであるポリ（２，７−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン）のＨＯＭＯのエネルギーレベルが増加することも見出された。ポリ（２，８−インデノフルオレン）において、ＨＯＭＯのエネルギーレベルは低置である（サイクリックボルタンメトリーによる測定では、ＥＨＯＭＯ＝−５．４９ｅＶ）。この低いＨＯＭＯのエネルギーレベルを増加すれば、電界効果トランジスタに適用した場合、ソース−ドレイン電極（典型的には金より作製され、ほぼ５．１ｅＶの仕事関数を有する）からポリマー半導体層中への電荷注入を改良できる。
【００１５】
加えて、光起電用途のための新規な低いバンドギャップのポリマーを調製するために、このように電子の豊富度を追加することを開発できる。電子が豊富なｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン単位と、電子が不足している単位（例えば、ベンゾチアジアゾール）とを組み合わせることで、結果として生じるコポリマーは低いバンドギャップ（２ｅＶ未満のＥｇ）を有する。低いバンドギャップの半導体ポリマーは、光活性層による集光性の改良が可能となり、より高いセル効率に至ることができるため、バルクヘテロ接合光起電セルにおいて有利である。
【００１６】
先行技術において、ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの報告があるが、小型分子の材料としてのみである［Ｋ−Ｔ．Ｗｏｎｇ、Ｔ−Ｃ．Ｃｈａｏ、Ｌ−Ｃ．Ｃｈｉ、Ｙ−Ｙ．Ｃｈｕ、Ａ．Ｂａｌａｉａｈ、Ｓ−Ｆ．Ｃｈｉｕ、Ｙ−Ｈ．ＬｉｕおよびＹ．Ｗａｎｇ、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．、２００６年、８巻、５０３３頁（非特許文献２）］。また、ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンのホモポリマーの報告もあるが［Ｘ．Ｍ．ＨｏｎｇおよびＤ．Ｍ．Ｃｏｌｌａｒｄ、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、２０００年、４１巻（１号）、１８９頁（非特許文献３）］、しかしながら、これは、以下に記載する通りの末端２，７−位においてではなく、４，９−位の架橋において重合されている。
【００１７】
更に、バルクヘテロ接合光起電における用途向けに、４，９−ジヒドロ−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−４，９−ジオンのコポリマーの報告がある［Ｃ．Ｚｈａｏ、Ｘ．Ｃｈｅｎ、Ｙ．ＺｈａｎｇおよびＭ−Ｋ、Ｎｇ、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．、Ｐａｒｔ  Ａ：Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．、２００８年、４６巻、２６８０頁（非特許文献４）］。しかしながら、当該文献で報告されたコポリマーは、本発明において望まれる通りの低いバンドギャップのポリマーを生成するはずである電子が不足のコモノマーの代わりに、電子が豊富なチオフェン系のコモノマーを含んでいる。
【００１８】
加えて、再び、バルクヘテロ接合光起電における用途向けに、４，４，９，９−テトラアリール−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンのホモポリマーおよびコポリマーの報告がある［Ｓ−Ｈ．Ｃｈａｎ、Ｃ−Ｐ．Ｃｈｅｎ、Ｔ−Ｃ．Ｃｈａｏ、Ｃ．Ｔｉｎｇ、Ｃ−Ｓ．ＬｉｎおよびＢ−Ｔ  Ｋｏ、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、２００８年、オンライン発行（非特許文献５）］。しかしながら、報告された該コポリマーも、より低いバンドギャップのポリマーを生成するはずである電子が不足のコモノマーの代わりに、電子が豊富なチオフェン系のコモノマーを含んでいる。更に、４−および９−架橋位置におけるテトラアリール置換基では、直鎖状または分岐鎖状のアルキル置換基ほどは、ポリマーを可溶化する効果がないはずである。加えて、テトラアリール置換基では、ポリマー鎖の固体状態における充填に劣る結果となるはずである。これは、立体相互作用のために、これらのアリール環がポリマー骨格の面をツイストすることとなり、従って、ポリマー鎖が密に充填されることが妨げられ、電荷キャリア移動度が低下する結果となるはずだからである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜発明の概要＞
本発明は、式Ｉの１個以上の同一または異なるモノマー単位を含む共役ポリマーに関する。
【００２０】
【化２】
0005647121.tif 000003
式中、
Ａ１およびＡ２の一方は単結合であり、他方はＣＲ１Ｒ２であり、
Ａ３およびＡ４の一方は単結合であり、他方はＣＲ３Ｒ４であり、
Ｕ１およびＵ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−であり、他方は−Ｘ−であり、
Ｕ３およびＵ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−であり、他方は−Ｘ−であり、
ただし、Ａｉが単結合の場合、対応するＵｉはＸであり（ただし、ｉは、１〜４の添え字であり）、
Ｘは、それぞれの出現において独立に、−Ｓ−および−Ｓｅ−より選択され、
Ｒ１〜４は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ０Ｒ００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ０、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ０、−ＮＨ２、−ＮＲ０Ｒ００、−ＳＨ、−ＳＲ０、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ２Ｒ０、−ＯＨ、−ＮＯ２、−ＣＦ３、−ＳＦ５、Ｐ−Ｓｐ−、置換されていてもよいシリル、または、１〜４０個のＣ原子のカルビルまたはヒドロカルビル（該基は置換されていてもよく、１個以上のヘテロ原子を含んでいてもよい）より選択される同一または異なる基であり、
Ｐは重合性基であり、
Ｓｐは、スペーサー基または単結合であり、
Ｘ０はハロゲンであり、
Ｒ０およびＲ００は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、または１個以上のヘテロ原子を含んでいてもよく置換されていてもよいカルビルまたはヒドロカルビル基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ互いに独立に、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基、−ＣＹ１＝ＣＹ２−または−Ｃ≡Ｃ−であり、
Ｙ１およびＹ２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮであり、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ互いに独立に、０または１、２、３または４である。
【００２１】
本発明は、更に、本発明による１種類以上のポリマーまたはポリマーブレンドと、１種類以上の溶媒（好ましくは、有機溶媒より選択される。）とを含む配合物に関する。
【００２２】
本発明は、更に、本発明による１種類以上のポリマーと、１種類以上のポリマー（好ましくは、半導体性、電荷輸送、ホール／電子輸送、ホール／電子ブロック、導電性、光導電性または発光特性を有するポリマーより選択される。）とを含むポリマーブレンドに関する。
【００２３】
本発明は、更に、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント部品または装置における、電荷輸送、半導体、導電性、光導電性または発光材料としての、本発明によるポリマー、ポリマーブレンドおよび配合物の使用に関する。
【００２４】
本発明は、更に、本発明による配合物の１種類以上のポリマー、ポリマーブレンドを含む電荷輸送、半導体、導電性、光導電性または発光材料または成分に関する。
【００２５】
本発明は、更に、本発明による１種類以上のポリマー、ポリマーブレンド、配合物、成分または材料を含む光学的、電気光学的または電子的部品または装置に関する。
【００２６】
光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントおよびフォトルミネセント部品または装置としては、限定することなく、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、論理回路、キャパシタ、無線識別（ＲＦＩＤ：ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、装置または部品、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電装置（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）、ソーラーセル、レーザーダイオード、光導電体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサー装置、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ：ｐｏｌｙｍｅｒ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）における電荷注入層、電荷輸送層または中間層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解質膜（ＰＥＭ：ｐｏｌｙｍｅｒ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  ｍｅｍｂｒａｎｅ）、導電性基板、導電性パターン、電池における電極材料、配向層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティーマーク、セキュリティー装置、および、ＤＮＡ配列を検出および区別するための部品または装置が挙げられる。
【００２７】
＜発明の詳細な記載＞
本発明によるポリマーは、幾つかの有利な特性を示す。
【００２８】
−文献３に記載される小型分子例のＸ線結晶学的解析により確認される通り、ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン単位は同一平面構造を示す。また更に、２個の末端チオフェン上の３位に置換基がなければ（置換基があると、ポリマー骨格のツイストが立体的に誘発される結果となる）、ホモポリマーであるポリ（２，７−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン）の個々のポリマー鎖も、固体状態において高度に同一平面構造をとっているはずである。ホモポリマーは、より容易に形成でき、溶液より加工できる利点を有し、電荷輸送に好都合な密に充填された薄膜のモルフォロジーを構築できる。
【００２９】
−ポリ（２，８−インデノフルオレン）（ＰＩＦ：ｐｏｌｙ（２，８−ｉｎｄｅｎｏｆｌｕｏｒｅｎｅ））（それのＨＯＭＯレベルは低置である（サイクリックボルタンメトリーによる測定では、ＥＨＯＭＯ＝−５．４９ｅＶ）。）と比較して、ホモポリマーであるポリ（２，７−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン）のＨＯＭＯレベルが僅かに上昇する。このため、電界効果トランジスタ装置に適用した場合、ソース−ドレイン電極（典型的には金より作製され、ほぼ５．１ｅＶの仕事関数を有する）からポリマー半導体層中への電荷注入が改良される結果となる。加えて、該ポリマーが改良された酸化安定性を有するように、該ホモポリマーのＨＯＭＯレベルは、本質的に、Ｐ３ＨＴおよび他のポリチオフェン材料のものより低い。
【００３０】
−電子供与性または電子求引性の置換基を介して、ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン核の電子エネルギーを更に直接改変するか、または、適切な電子が不足のコモノマー（例えば、ベンゾチアジアゾール）と共重合するかのいずれかにより、電子エネルギー（ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯレベル）を追加して精密に調整することで、低いバンドギャップのポリマー（該ポリマーは、集光性が改良されているため、バルクヘテロ接合光起電セルにおいて有利である。）が可能となる。これにより、より高いバルクヘテロ接合セル効率への手段が与えられる。
【００３１】
共役ポリマーは、好ましくは、式ＩＩより選択される。
【００３２】
【化３】
0005647121.tif 000004
式中、Ｕ１〜４、Ａ１〜４、Ａｒ１、２、ｍ１およびｍ２は式Ｉの意味を有し、ｎは１より大きい整数である。
【００３３】
式ＩＩａのポリマーが特に好ましい。
【００３４】
【化４】
0005647121.tif 000005
式中、Ｕ１〜４、Ａ１〜４、Ａｒ１、２、ｍ１、ｍ２およびｎは式ＩＩの意味を有し、および
Ｒ５およびＲ６は、それぞれ互いに独立に、Ｒ１の意味の１つを有するか、または、Ｈ、ハロゲン、−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＳｉＲ’Ｒ”Ｒ”’、−ＳｎＲ’Ｒ”Ｒ”’、−ＢＲ’Ｒ”、−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ”）、−Ｂ（ＯＨ）２またはＰ−Ｓｐを表し、ただし、ＰおよびＳｐは上で定義される通りであり、Ｒ’、Ｒ”およびＲ”’は、それぞれ互いに独立に、上で与えられるＲ０の意味の１つを有し、また、Ｒ’およびＲ”は、それらが接続されているヘテロ原子と共に環を形成していてもよい。
【００３５】
以下の式Ｉの単位および式ＩＩのポリマーが特に好ましい。
【００３６】
−ＸはＳである。
【００３７】
−Ｒ１〜４は、それぞれ互いに独立に、好ましくは、直鎖状または分岐状のＣ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ２０−チオアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−シリル、Ｃ１〜Ｃ２０−エステル、Ｃ１〜Ｃ２０−アミノおよびＣ１〜Ｃ２０−フルオロアルキルより選択される。
【００３８】
−Ｒ１〜４はＨである。
【００３９】
−ｍ１およびｍ２は０である。
【００４０】
−ｍ１およびｍ２は１または２である。
【００４１】
−ｍ２は０であり、ｍ１は１または２である。
【００４２】
−Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ互いに独立に、好ましくは、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル、２，１，３−ベンゾセレナジアゾール−４，７−ジイル、２，３−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，５−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−フェニレン、３，４−ジフルオロチオフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−２，５−ジイル、キノキサリン−５，８−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ｐ−ｐ’−ビフェニル、ナフタレン−２，６−ジイル、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、２，２−ジチオフェン、２，２−ジセレノフェン、チアゾールおよびオキサゾールから成る群より選択されるアリールまたはヘテロアリールであり、該基の全ては無置換であるか、好ましくは、上で定義される通りのＲ１で一置換または多置換されており、特に好ましくは、ｍは１または２である。
【００４３】
−ｎは、２〜５，０００、好ましくは、１０〜５，０００、非常に好ましくは、１００〜１０００の整数である。
【００４４】
−分子量（Ｍｗ）は、５，０００〜３００，０００、特には、２０，０００〜２００，０００である。
【００４５】
−Ｒ５およびＲ６は、Ｈ、ハロゲン、−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＳｉＲ’Ｒ”Ｒ”’、−ＳｎＲ’Ｒ”Ｒ”’、−ＢＲ’Ｒ”、−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ”）、−Ｂ（ＯＨ）２、Ｐ−Ｓｐ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−フルオロアルキル、および、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールより選択される。
【００４６】
−少なくとも１個、好ましくは、１個または２個のＲ１〜４は、Ｐ−Ｓｐ−を表す。
【００４７】
式Ｉのモノマー単位は、好ましくは、以下のサブ式から成る群より選択される。
【００４８】
【化５】
0005647121.tif 000006
【００４９】
【化６】
0005647121.tif 000007
【００５０】
【化７】
0005647121.tif 000008
【００５１】
【化８】
0005647121.tif 000009
式中、Ｒ１〜４は式Ｉにおいて定義される通りであり、Ａｒは上および下で与えられるＡｒ１の意味の１つを有する。
【００５２】
Ａｒが２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイルまたは２，１，３−ベンゾセレナジアゾール−４，７−ジイルであるこれらのサブ式、特に、式Ｉ２、Ｉ４、Ｉ１３およびＩ１４のサブ式のモノマー単位が特に好ましい。
【００５３】
本発明のポリマーは、サブ式Ｉ１〜Ｉ１６から成る群より選択される１種類以上の同一または異なるモノマー単位を好ましくは含み、非常に好ましくは、これらより成る。
【００５４】
本発明のポリマーとしては、統計またはランダムコポリマー、交互コポリマーおよびブロックコポリマー、ならびに、それらの組み合わせなどのホモポリマーおよびコポリマーが挙げられる。
【００５５】
式ＩＩのポリマーは、好ましくは、以下のサブ式から成る群より選択される。
【００５６】
【化９】
0005647121.tif 000010
【００５７】
【化１０】
0005647121.tif 000011
【００５８】
【化１１】
0005647121.tif 000012
【００５９】
【化１２】
0005647121.tif 000013
式中、Ｒ１〜４およびｎは式ＩＩにおいて定義される通りであり、Ａｒは上および下で与えられるＡｒ１の意味の１つを有する。
【００６０】
Ａｒが２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイルまたは２，１，３−ベンゾセレナジアゾール−４，７−ジイルであるこれらのサブ式、特に、式Ｉ２、Ｉ４、Ｉ１３およびＩ１４のサブ式のポリマーが特に好ましい。
【００６１】
以下の式のポリマーが特に好ましい。
【００６２】
【化１３】
0005647121.tif 000014
式中、Ｒは上で与えられる通りのＲ１の意味の１つを有し、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ２０−チオアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−シリル、Ｃ１〜Ｃ２０−エステル、Ｃ１〜Ｃ２０−アミノおよびＣ１〜Ｃ２０−フルオロアルキルから成る群より選択され、それら全ては直鎖状または分岐状である。
【００６３】
式ＩＩａ１のポリマーが更に好ましい。
【００６４】
【化１４】
0005647121.tif 000015
式中、Ｒ５およびＲ６は式ＩＩａにおいて定義される通りであり、「ｃｈａｉｎ」は、サブ式ＩＩ１〜ＩＩ１０およびＩＩ２ａから成る群より選択されるポリマー鎖である。
【００６５】
本発明によるポリマーにおいて、繰り返し単位の総数ｎは、好ましくは１０以上、非常に好ましくは２０以上、最も好ましくは５０以上であり、好ましくは５００まで、非常に好ましくは１，０００まで、最も好ましくは２，０００までであり、ｎの前述の下限および上限の任意の組み合わせを含む。
【００６６】
一般に、用語「ポリマー」は高い相対分子量の分子を意味し、その構造は低い相対分子量の分子より実際または概念上で誘導される単位の複数の繰返しを本質的に含む（ＰＡＣ、１９９６、６８、２２９１）。一般に、用語「オリゴマー」は中程度の相対分子量の分子を意味し、その構造は、より低い相対分子量の分子より実際または概念上で誘導される少数の複数の単位を本質的に含む（ＰＡＣ、１９９６、６８、２２９１）。本発明に従った好ましい意味において、ポリマーは、１個より多い、好ましくは１０個より多い繰り返し単位を有する化合物を意味し、オリゴマーは、１個より多く、および２０個未満、好ましくは１０個以下の繰り返し単位の化合物を意味する。
【００６７】
用語「繰り返し単位」は構造上の繰返し単位（ＣＲＵ：ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ  ｒｅｐｅａｔｉｎｇ  ｕｎｉｔ）を意味し、規則的な巨大分子、規則的なオリゴマー分子、規則的なブロックまたは規則的な鎖を構成する繰り返しの最小の構造上の単位である（ＰＡＣ、１９９６、６８、２２９１）。
【００６８】
用語「脱離基」は、特定の反応に関与する分子の残基部または主要部だと考えられるものの中の原子より分離することになる原子または基（荷電または非荷電）を意味する（ＰＡＣ、１９９４、６６、１１３４も参照）。
【００６９】
用語「共役」は、ｓｐ２−混成（またはｓｐ−混成でもよい）のＣ原子を主に含有する化合物を意味し、ヘテロ原子により置き換えられていてもよい。最も単純な場合で、これは、例えば、Ｃ−Ｃ単結合と二重結合（または三重結合）とが交互に存在する化合物であるが、１，３−フェニレンなどの単位の化合物も含む。この文意において、「主に」は、共役の中断に至る場合もある自然に（自発的に）生じる欠陥を有する化合物を依然として共役化合物と見なすことを意味する。
【００７０】
他に明言しない限り、分子量は、ポリスチレン標準に対してゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ：ｇｅｌ  ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により決定される数平均分子量Ｍｎまたは重量平均分子量Ｍｗとして与えられる。重合度（ｎ）は重合の数平均重合度を意味し、ｎ＝Ｍｎ／Ｍｕとして与えられ、式中、Ｍｕは単一の繰り返し単位の分子量である。
【００７１】
上および下で使用する場合、用語「カルビル基」は、非炭素原子を一切有していない（例えば、−Ｃ≡Ｃ−など）か、または、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅなどの少なくとも１個の非炭素原子と組み合わされていてもよい（例えば、カルボニルなど）かのいずれかで少なくとも１個の炭素原子を含む、任意の一価または多価の有機基部分を表す。用語「ヒドロカルビル基」は、１個以上のＨ原子を追加的に含有しており、例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅなどの１個以上のヘテロ原子を含有していてもよいカルビル基を表す。
【００７２】
また、３個以上のＣ原子の鎖を含むカルビルまたはヒドロカルビル基は、スピロおよび／または縮合環を含めて、直鎖状であっても、分枝状であっても、および／または環状であってもよい。
【００７３】
好ましいカルビルおよびヒドロカルビル基としては、アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシおよびアルコキシカルボニルオキシ（それぞれの該基は置換されていてもよく、１〜４０個、好ましくは１〜２５個、非常に好ましくは１〜１８個のＣ原子を有する。）、更に、６〜４０個、好ましくは６〜２５個のＣ原子を有する置換されていてもよいアリールまたはアリールオキシ、更に、アルキルアリールオキシ、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールカルボニルオキシおよびアリールオキシカルボニルオキシ（それぞれの該基は置換されていてもよく、６〜４０個、好ましくは７〜４０個のＣ原子を有する。）が挙げられる。
【００７４】
カルビルまたはヒドロカルビル基は、飽和または不飽和の非環式基、または、飽和または不飽和の環式基でよい。不飽和非環式または環式基、特に、アリール、アルケニルおよびアルキニル基（特に、エチニル）が好ましい。Ｃ１〜Ｃ４０カルビルまたはヒドロカルビル基が非環式の場合、該基は直鎖状または分枝状のいずれでもよい。Ｃ１〜Ｃ４０カルビルまたはヒドロカルビル基としては、例えば：Ｃ１〜Ｃ４０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ４０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ４０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ４０アリル基、Ｃ４〜Ｃ４０アルキルジエニル基、Ｃ４〜Ｃ４０ポリエニル基、Ｃ６〜Ｃ１８アリール基、Ｃ２〜Ｃ１８ヘテロアリール基、Ｃ６〜Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ６〜Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ４〜Ｃ４０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ４０シクロアルケニル基などが挙げられる。前述の基の中で、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ２０アリル基、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルジエニル基、Ｃ６〜Ｃ１２アリール基、Ｃ２〜Ｃ１２ヘテロアリール基およびＣ４〜Ｃ２０ポリエニル基がそれぞれ好ましい。また、炭素原子を有する基と、例えば、シリル基、好ましくはトリアルキルシリル基で置換されているアルキニル基、好ましくはエチニルなどのヘテロ原子を有する基との組み合せも挙げられる。
【００７５】
更に好ましいカルビルおよびヒドロカルビル基としては、１〜４０個、好ましくは１〜２５個のＣ原子の直鎖状、分枝状または環状のアルキルが挙げられ、該基は無置換であるか、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮによって単置換または多置換されており、ただし、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｏおよび／またはＳ原子が互いに直接結合しないようにして、それぞれの場合で互いに独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ０−、−ＳｉＲ０Ｒ００−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−ＮＲ０−、−ＮＲ０−ＣＯ−、−ＮＲ０−ＣＯ−ＮＲ００−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−または−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられていてもよく、式中、Ｙ１およびＹ２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮであり、Ｒ０およびＲ００は、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは置換されていてもよい１〜２０個のＣ原子の脂肪族または芳香族炭化水素である。
【００７６】
Ｒ０およびＲ００は、好ましくは、Ｈ、１〜１２個のＣ原子の直鎖状または分岐状のアルキルまたは６〜１２個のＣ原子のアリールより選択される。
【００７７】
−ＣＹ１＝ＣＹ２−は、好ましくは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−である。
【００７８】
ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００７９】
好ましいアルキル基としては、限定することなく、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチル、ドデカニル、テトラデシル、ヘキサデシル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロヘキシルなどが挙げられる。
【００８０】
好ましいアルケニル基としては、限定することなく、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルなどが挙げられる。
【００８１】
好ましいアルキニル基としては、限定することなく、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、オクチニルなどが挙げられる。
【００８２】
好ましいアルコキシ基としては、限定することなく、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、２−メチルブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキシ、ｎ−オクトキシなどが挙げられる。
【００８３】
好ましいアミノ基としては、限定することなく、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノなどが挙げられる。
【００８４】
アリール基は、単核、即ち、芳香環を１個のみ有するもの（例えば、フェニルまたはフェニレンなど）、または、多核、即ち、２個以上の芳香環を有するもの（該基は縮合していてもよく（例えば、ナフチルまたはナフチレンなど）、個々に共有結合で連結されていてもよく（例えばビフェニルなど）、および／または、縮合および個々に連結された芳香環の両者の組み合わせでもよい。）のいずれでも構わない。好ましくは、アリール基は、実質的に基全体にわたって実質的に共役している芳香族基である。
【００８５】
アリールおよびヘテロアリールは、好ましくは、２５個までのＣ原子の単環式、二環式または三環式の芳香族またはヘテロ芳香族基を表し、また、該基は縮合環を含んでいてもよく、置換されていてもよい。
【００８６】
好ましいアリール基としては、限定することなく、ベンゼン、ビフェニレン、トリフェニレン、［１，１’：３’，１”］ターフェニル−２’−イルエン、ナフタレン、アントラセン、ビナフチレン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、テトラセン、ペンタセン、ベンズピレン、フルオレン、インデン、インデノフルオレン、スピロビフルオレンなどが挙げられる。
【００８７】
好ましいヘテロアリール基としては、限定することなく、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、テトラゾール、フラン、チオフェン、セレノフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾールなどの５員環、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジンなどの６員環、および、カルバゾール、インドール、イソインドール、インドリジン、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、プリン、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、キノリン、イソキノリン、プテリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、ベンゾイソキノリン、アクリジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾピリダジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントリジン、フェナントロリン、チエノ［２，３ｂ］チオフェン、チエノ［３，２ｂ］チオフェン、ジチエノチオフェン、ジチエノピリジン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾチアジアゾチオフェンなどの縮合系、または、それらの組み合わせが挙げられる。ヘテロアリール基は、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、フルオロ、フルオロアルキル、または、更なるアリールまたはヘテロアリール置換基で置換されていてもよい。
【００８８】
好ましいアリールアルキル基としては、限定することなく、２−トリル、３−トリル、４−トリル、２，６−ジメチルフェニル、２，６−ジエチルフェニル、２，６−ジ−ｉ−プロピルフェニル、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル、ｏ−ｔ−ブチルフェニル、ｍ−ｔ−ブチルフェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキフェニルなどが挙げられる。
【００８９】
好ましいアルキルアリール基としては、限定することなく、ベンジル、エチルフェニル、２−フェノキシエチル、プロピルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、または、ナフタリニルメチルが挙げられる。
【００９０】
好ましいアリールオキシ基としては、限定することなく、フェノキシ、ナフトキシ、４−フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、ビフェニルオキシ、アントラセニルオキシ、フェナントレニルオキシなどが挙げられる。
【００９１】
アリール、ヘテロアリール、カルビルおよびヒドロカルビル基は、好ましくは、シリル、スルホ、スルホニル、ホルミル、アミノ、イミノ、ニトリロ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ハロゲン、Ｃ１〜１２アルキル、Ｃ６〜１２アリール、Ｃ１〜１２アルコキシ、ヒドロキシ、および／または、それらの組み合わせより選択される１個以上の置換基を含んでいてもよい。任意成分としての置換基は、同一の基、および／または、複数の（好ましくは２個の）上述の基における化学的に可能な全ての組み合わせを含むことができる（例えば、アミノおよびスルホニルで、互いに直接結合している場合、スルホアモイル基を表す）。
【００９２】
好ましい置換基としては、限定することなく、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ０Ｒ００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ０、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ０、−ＮＲ０Ｒ００、置換されていてよいシリル、６〜４０個、好ましくは６〜２０個のＣ原子のアリール、２〜４０個、好ましくは２〜２０個のＣ原子のヘテロアリール、および、直鎖状または分岐状で、１〜２０個、好ましくは１〜１２個のＣ原子のアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシ−カルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシが挙げられ、ただし、１個以上のＨ原子は、ＦまたはＣｌで置き換えられていてもよく、式中、Ｒ０およびＲ００は、上で定義される通りであり、Ｘ０は、ハロゲンである。
【００９３】
特に好ましい置換基は、好ましい基Ｒ１、２に対して下に定義される通りの、アルキル、アルコキシ、アルケニル、オキサアルキル、チオアルキル、フルオロアルキルおよびフルオロアルコキシ基より選択される。
【００９４】
Ｒ１〜４の１つがアルキルまたはアルコキシ基、即ち、末端のＣＨ２基が−Ｏ−で置き換えられている場合、これは直鎖状でも分岐状でもよい。それは、好ましくは直鎖状で２〜８個の炭素原子を有しており、従って、好ましくは、例えば、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシまたはオクトキシであり、更に、メチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデコキシである。ｎ−ヘキシルおよびｎ−ドデシルが特に好ましい。
【００９５】
Ｒ１〜４の１つが、１個以上のＣＨ２基が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられているアルキル基の場合、これは直鎖状でも分岐状でもよい。それは、好ましくは直鎖状で２〜１２個のＣ原子を有しており、従って、好ましくは、ビニル、プロパ−１−またはプロパ−２−エニル、ブタ−１−、２−またはブタ−３−エニル、ペンタ−１−、２−、３−またはペンタ−４−エニル、ヘキサ−１−、２−、３−、４−またはヘキサ−５−エニル、ヘプタ−１−、２−、３−、４−、５−またはヘプタ−６−エニル、オクタ−１−、２−、３−、４−、５−、６−またはオクタ−７−エニル、ノナ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−またはノナ−８−エニル、デカ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−またはデカ−９−エニル、ウンデカ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−またはウンデカ−１０−エニル、ドデカ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、−９、−１０またはウンデカ−１１−エニルである。アルケニル基は、Ｅ−またはＺ−立体配置のいずれのＣ＝Ｃ−結合を含んでよく、または、それらの混合物でもよい。
【００９６】
Ｒ１〜４の１つがオキサアルキル、即ち、１個のＣＨ２基が−Ｏ−で置き換えられている場合、好ましくは、例えば、直鎖状の２−オキサプロピル（即ち、メトキシメチル）、２−（即ち、エトキシメチル）または３−オキサブチル（即ち、２−メトキシエチル）、２−、３−または４−オキサペンチル、２−、３−、４−または５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−または６−オキサヘプチル、２−、３−、４−、５−、６−または７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５−、６−、７−または８−オキサノニル、または、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−または９−オキサデシルである。
【００９７】
Ｒ１〜４の１つがチオアルキル、即ち、１個のＣＨ２基が−Ｓ−で置き換えられている場合、好ましくは、直鎖状のチオメチル（−ＳＣＨ３）、１−チオエチル（−ＳＣＨ２ＣＨ３）、１−チオプロピル（即ち、−ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）、１−（チオブチル）、１−（チオペンチル）、１−（チオヘキシル）、１−（チオヘプチル）、１−（チオオクチル）、１−（チオノニル）、１−（チオデシル）、１−（チオウンデシル）、または、１−（チオドデシル）であり、ただし、好ましくは、ｓｐ２混成のビニルの炭素原子に隣接するＣＨ２基が置き換えられている。
【００９８】
Ｒ１〜４の１つがフルオロアルキルまたはフルオロアルコキシの場合、それは、好ましくは、直鎖状の基（Ｏ）ＣｉＦ２ｉ＋１（式中、ｉは１〜１５の整数である。）、特に、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５またはＣ８Ｆ１７、非常に好ましくは、Ｃ６Ｆ１３、または、対応するフルオロアルコキシ基である。
【００９９】
また、ポリマーは、ポリマーを形成するプロセスの間、保護されていてもよい重合性または反応性基で置換されてもよい。このタイプの特に好ましいポリマーは、Ｒ１がＰ−Ｓｐを表す式Ｉのポリマーである。高い電荷キャリア移動度および高い熱的、機械的および化学的安定性の架橋されたポリマーフィルムを生成するために、半導体部品用の薄膜中にポリマーを加工する最中または加工後に、例えば、その場重合によって、基Ｐを介して架橋できるため、これらのポリマーは半導体または電荷輸送材として特に有用である。
【０１００】
好ましくは、重合性または反応性基Ｐは、ＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯＯ−、ＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯ−、
【０１０１】
【化１５】
0005647121.tif 000016
ＣＨ２＝ＣＷ２−（Ｏ）ｋ１−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２Ｎ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２Ｎ−ＣＯ−、ＨＯ−ＣＷ２Ｗ３−、ＨＳ−ＣＷ２Ｗ３−、ＨＷ２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ２Ｗ３−ＮＨ−、ＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯ−ＮＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＯＯ）ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）ｋ２−、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＯ）ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）ｋ２−、Ｐｈｅ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＨＯＯＣ−、ＯＣＮ−およびＷ４Ｗ５Ｗ６Ｓｉ−より選択され、ただし、Ｗ１は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ３、フェニルまたは１〜５個のＣ原子のアルキル、特に、Ｈ、ＣｌまたはＣＨ３であり、Ｗ２およびＷ３は、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは１〜５個のＣ原子のアルキル、特に、Ｈ、メチル、エチルまたはｎ−プロピルであり、Ｗ４、Ｗ５およびＷ６は、それぞれ互いに独立に、Ｃｌ、１〜５個のＣ原子のオキサアルキルまたはオキサカルボニルアルキルであり、Ｗ７およびＷ８は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｃｌまたは１〜５個のＣ原子のアルキルであり、Ｐｈｅは１，４−フェニレン（該基は、上で定義される通りの１個以上の基Ｌで置換されていてもよい。）であり、ｋ１およびｋ２は、それぞれ互いに独立に、０または１である。
【０１０２】
あるいは、Ｐは、これらの基の保護された誘導体（本発明によるプロセスのために記載される条件下において非反応性である。）である。適切な保護基、例えば、アセタール類またはケタール類などは通常の専門家に既知であり、文献、例えば、Ｇｒｅｅｎ、「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ」、Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ａｎｄ  Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ（１９８１年）に記載されている。
【０１０３】
特に好ましい基Ｐは、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＯＯ−、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−Ｏ−、
【０１０４】
【化１６】
0005647121.tif 000017
または、それらの保護された誘導体である。
【０１０５】
基Ｐの重合は、通常の専門家に既知で、文献、例えば、Ｄ．Ｊ．Ｂｒｏｅｒ；Ｇ．Ｃｈａｌｌａ；Ｇ．Ｎ．Ｍｏｌ、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ，１９９１年、１９２巻、５９頁に記載される方法に従って行うことができる。
【０１０６】
用語「スペーサー基」は先行技術において既知であり、適切なスペーサー基Ｓｐは通常の専門家に既知である（例えば、Ｐｕｒｅ  Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．７５巻（５号）、８８８頁（２００１年）参照）。スペーサー基Ｓｐは、好ましくは、Ｐ−Ｓｐ−がＰ−Ｓｐ’−Ｘ’−となる式Ｓｐ’−Ｘ’のもので、式中、
Ｓｐ’は、無置換であるか、または、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで一置換または多置換されている３０個までのＣ原子のアルキレンであり、また、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、それぞれの場合で互いに独立に、Ｏおよび／またはＳ原子が互いに直接結合しないようにして、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ０−、−ＳｉＲ０Ｒ００−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていることも可能であり、
Ｘ’は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ０−、−ＮＲ０−ＣＯ−、−ＮＲ０−ＣＯ−ＮＲ００−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｓ−、−ＳＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ０−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、
Ｒ０およびＲ００は、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは１〜１２個のＣ原子のアルキルであり、および
Ｙ１およびＹ２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮである。
【０１０７】
Ｘ’は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｓ−、−ＳＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ０−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合、特には、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−または単結合である。もう一つの好ましい実施形態において、Ｘ’は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＹ１＝ＣＹ２−などの共役系を形成できる基、または、単結合である。
【０１０８】
典型的な基Ｓｐ’は、例えば、−（ＣＨ２）ｐ−、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｑ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ２ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−ＮＨ−ＣＨ２ＣＨ２−または−（ＳｉＲ０Ｒ００−Ｏ）ｐ−であり、ただし、ｐは２〜１２の整数、ｑは１〜３の整数、およびＲ０およびＲ００は上で与えられる意味を有する。
【０１０９】
好ましい基Ｓｐ’は、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、オクタデシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレン−チオエチレン、エチレン−Ｎ−メチル−イミノエチレン、１−メチルアルキレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンである。
【０１１０】
本発明のポリマーは、当業者に既知で文献に記載される方法に従うか類似して合成することができる。他の調製方法は、例より分かる。例えば、山本カップリング、鈴木カップリング、スティルカップリング、薗頭カップリングまたはヘックカップリングなどのアリール−アリールカップリング反応によって適切にポリマーを調製することができる。鈴木カップリングおよび山本カップリングが、特に好ましい。
【０１１１】
ポリマーの繰り返し単位を形成するために重合されるモノマーは、当業者に既知の方法に従って調製できる。
【０１１２】
好ましくは、式Ｉａのモノマーよりポリマーを調製する。
【０１１３】
【化１７】
0005647121.tif 000018
式中、Ｕ１〜４、Ａ１〜４、Ａｒ１、２、ｍ１およびｍ２は上で与えられる意味を有し、Ｒ７およびＲ８は、好ましくは、それぞれ互いに独立に、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ−トシラート、Ｏ−トリフラート、Ｏ−メシラート、Ｏ−ノナフラート、−ＳｉＭｅ２Ｆ、−ＳｉＭｅＦ２、−Ｏ−ＳＯ２Ｚ、−Ｂ（ＯＺ１）２、−ＣＺ２＝Ｃ（Ｚ２）２、−Ｃ≡ＣＨおよび−Ｓｎ（Ｚ３）３から成る群より選択され、ただし、ＺおよびＺ１〜３はアルキルおよびアリールから成る群より選択され、それぞれ置換されていてもよく、また、２個の基Ｚ１は環式基を形成していてもよい。
【０１１４】
式Ｉａの新規なモノマーは、本発明のもう一つの態様である。
【０１１５】
本発明のもう一つの態様は、重合反応において、式Ｉの単位を基礎とする１種類以上の同一または異なるモノマーをそれぞれ互いにカップリングすることによってポリマーを調製する方法である。
【０１１６】
本発明のもう一つの態様は、重合反応、好ましくは、アリール−アリールカップリング反応において、式Ｉ、好ましくは、式Ｉａから選択される単位を基礎とする１種類以上の同一または異なるモノマーを、それぞれ互いに、および／または、１種類以上のコモノマーとカップリングすることによってポリマーを調製する方法である。
【０１１７】
適切で好ましいコモノマーは、以下の式のものである。
【０１１８】
【化１８】
0005647121.tif 000019
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ７およびＲ８は、式Ｉａにおいて定義される通りである。
【０１１９】
重合のための好ましい方法は、例えば、国際特許出願公開第００／５３６５６号パンフレットに記載される通りの鈴木重合、例えば、Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏら、Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９３年、１７巻、１１５３〜１２０５頁または国際特許出願公開第２００４／０２２６２６号パンフレットに記載される通りの山本重合、およびスティルカップリングなどのＣ−ＣカップリングまたはＣ−Ｎカップリングに至るものである。例えば、山本重合により直鎖状ポリマーを合成する場合、好ましくは、２個の反応性ハライド基Ｒ７、８を有する上記の通りのモノマーを使用する。鈴木重合により直鎖状ポリマーを合成する場合、好ましくは、少なくとも一方の反応性基Ｒ７、８がボロン酸またはボロン酸誘導体基である上記の通りのモノマーを使用する。
【０１２０】
ホモポリマーならびに統計、交互およびブロックランダムコポリマーを調製するために、鈴木重合を使用できる。反応性基Ｒ７およびＲ８の一方がハロゲンで、他方の反応性基がボロン酸またはボロン酸誘導体基である式ＩＩの上のモノマーより、統計またはブロックコポリマーを調製できる。統計、交互およびブロックコポリマーの合成は、例えば、国際特許出願公開第０３／０４８２２５号パンフレットまたは国際特許出願公開第２００５／０１４６８８号パンフレットに詳細に記載されている。
【０１２１】
鈴木重合は、Ｐｄ（０）錯体またはＰｄ（ＩＩ）塩を用いる。好ましいＰｄ（０）錯体は、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４などの少なくとも１個のホスフィン配位子を持つものである。もう一つの好ましいホスフィン配位子は、トリス（オルト−トリル）ホスフィン、即ち、Ｐｄ（ｏ−Ｔｏｌ）４である。好ましいＰｄ（ＩＩ）塩としては、酢酸パラジウム、即ち、Ｐｄ（ＯＡｃ）２が挙げられる。鈴木重合は、塩基、例えば、炭酸ナトリウム、リン酸カリウムまたは炭酸テトラエチルアンモニウムなどの有機塩基の存在下において実行される。山本重合は、Ｎｉ（０）錯体、例えば、ビス（１，５−シクロオクタジエニル）ニッケル（０）を用いる。
【０１２２】
上記の通りのハロゲンの代替として、式−Ｏ−ＳＯ２Ｚ（式中、Ｚは上記の通りである。）の脱離基を使用できる。そのような脱離基の特別な例は、トシラート、メシラートおよびトリフラートである。
【０１２３】
式ＩおよびＩａのモノマー単位およびモノマーと、それらのホモポリマーと、式ＩＩおよびＩＩａのコポリマーの特に適切で好ましい合成方法を、以下に示す合成スキームにおいて図解する。そこにおいて、Ｒは、式Ｉにおいて与えられるＲ１の意味の１つを有する。
【０１２４】
４，４，９，９−テトラアルキルｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの好ましい合成を、スキーム１において例示的に図解する。
【０１２５】
【化１９】
0005647121.tif 000020
【０１２６】
対応するｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェン化合物は、上に示す第２の反応工程において、２−置換チオフェンの代わりに２−置換セレノフェン遊離体を使用することにより、類似の方法で調製できる。
【０１２７】
従って、１種類のチオフェン環および１種類のセレノフェン環の対応する「混合された」インダセノ化合物、例えば、式Ｉ９またはＩ１３のものなどを、２つの個々の段階においてではなく、スキーム１における第２の反応工程に従って調製できる。第１に、２−置換チオフェン遊離体の反応および中間体生成物の単離、続いて、２−置換セレノフェンの第２の反応により、「混合された」生成物を生じる。
【０１２８】
４，４，９，９−テトラアルキルｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの官能化を、スキーム２において例示的に図解する。
【０１２９】
【化２０】
0005647121.tif 000021
【０１３０】
４，４，９，９−テトラアルキルｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンのホモ重合を、スキーム３において例示的に図解する。
【０１３１】
【化２１】
0005647121.tif 000022
【０１３２】
４，４，９，９−テトラアルキルｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの共重合を、スキーム４において例示的に図解する。
【０１３３】
【化２２】
0005647121.tif 000023
【０１３４】
ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン／セレノフェン化合物を、スキーム５において図解する通りに調製できる。
【０１３５】
【化２３】
0005647121.tif 000024
【０１３６】
上および下に記載される通りのポリマーの新規な調製方法は、本発明のもう一つの態様である。
【０１３７】
本発明によるポリマーは、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント部品または装置における、電荷輸送、半導体、導電性、光導電性または発光材料として有用である。
【０１３８】
特に好ましい装置は、ＯＦＥＴ、ＴＦＴ、ＩＣ、論理回路、キャパシタ、ＲＦＩＤタグ、ＯＬＥＤ、ＯＬＥＴ、ＯＰＶ、ソーラーセル、レーザーダイオード、光導電体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサー装置、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板、導電性パターンである。これらの装置において、本発明のポリマーは、典型的には、薄層またはフィルムとして適用される。
【０１３９】
有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）材料がゲート誘電体とドレインおよびソース電極との間に薄膜として配置されているＯＦＥＴは、一般的に既知で、例えば、米国特許第５，８９２，２４４号明細書、国際特許出願公開広報第００／７９６１７号パンフレット、米国特許第５，９９８，８０４号明細書、および、背景技術の章において引用される文献に記載されている。本発明によるポリマーの溶解特性を用いて低コストで生産できること、それによって大面積の加工を可能にしていることなどの利点があるため、これらのＦＥＴの好ましい用途は、集積回路、ＴＦＴディスプレイおよびセキュリティー用途などである。
【０１４０】
また、本発明によるポリマーは、ＯＬＥＤ装置において中間体層または電荷ブロック層として使用するために、例えば、電荷輸送、半導体性、導電性、光導電性および／または発光半導体特性を有する他のポリマーと共に、または、例えば、ホールブロックまたは電子ブロック特性を有するポリマーと共にポリマーブレンド中でも使用できる。よって、本発明のもう一つの態様は、本発明による１種類以上のポリマーと、１つ以上の上述の特性を有する１種類以上の更なるポリマーとを含むポリマーブレンドに関する。これらのブレンドは、先行技術において記載され専門家に既知である従来法によって調製できる。典型的には、ポリマーを互いに混合するか、または、適切な溶媒に溶解し、溶液を混合する。
【０１４１】
本発明のもう一つの態様は、上および下で記載される通りの１種類以上のポリマーまたはポリマーブレンドと、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物に関する。
【０１４２】
適切で好ましい有機溶媒の例としては、限定することなく、ジクロロメタン、トリクロロメタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、メシチレンおよび／またはそれらの混合物が挙げられる。
【０１４３】
溶液中におけるポリマーの濃度は、好ましくは、０．１〜１０重量％、より好ましくは、０．５〜５重量％である。また、例えば、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットに記載される通り、レオロジー特性を調整するために、１種類以上のバインダーを溶液は含んでもよい。
【０１４４】
適切に混合およびエージングを行った後、溶液を次のカテゴリーの１つとして評価する：完全な溶液、可溶性および不溶性の境界上の溶液または不溶性。コントア線を、可溶性および不溶性を分ける溶解性パラメータ−水素結合の限界の輪郭を得るために描く。可溶性領域内に収まる「完全な」溶媒は、「Ｃｒｏｗｌｅｙ、Ｊ．Ｄ．、Ｔｅａｇｕｅ、Ｇ．Ｓ．ＪｒおよびＬｏｗｅ、Ｊ．Ｗ．Ｊｒ．、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐａｉｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、３８巻、４９６号、２９６頁（１９６６年）」で刊行されているなどの文献値より選択できる。また、溶媒ブレンドも用いることができ、「Ｓｏｌｖｅｎｔｓ、Ｗ．Ｈ．Ｅｌｌｉｓ、Ｆｅｄｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｏｃｉｅｔｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、９〜１０頁、１９８６年」中に記載されるように特定できる。ブレンド中に少なくとも１種類の真性溶媒を有するのが望ましいが、そのような手順によって、本発明のポリマーの両者を溶解する「非」溶媒のブレンドに至る場合もある。
【０１４５】
また、本発明によるポリマーは、上および下に記載される通りの装置におけるパターン化ＯＳＣ層においても使用できる。最新のマイクロエレクトロニクスにおける用途のためには、一般に、コスト（単位面積当たり、より多くの装置）および電力消費を低減するために、小さな構造またはパターンを生成することが望ましい。本発明によるポリマーを含む薄膜のパターン化は、例えば、フォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィーまたはレーザーパターン化によって行うことができる。
【０１４６】
電子または電気光学的装置における薄膜として使用するためには、本発明のポリマー、ポリマーブレンドまたは配合物を任意の適切な方法によって堆積して構わない。装置を液体塗工する方が真空蒸着技術よりも好ましい。溶液堆積法が特に好ましい。本発明の配合物によって、多くの液体塗工技術の使用が可能となる。好ましい堆積技術としては、限定することなく、浸漬塗工、スピン塗工、インクジェット印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、ドクターブレード塗工、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、噴霧塗工、はけ塗り塗工またはパッド印刷が挙げられる。高解像度の層および装置を調製できるため、インクジェット印刷が特に好ましい。
【０１４７】
本発明の選択された配合物は、インクジェット印刷またはミクロディスペンシングによって既製の装置基板に塗布できる。有機半導体層を基板に塗布するには、好ましくは、限定することなく、Ａｐｒｉｏｎ社、Ｈｉｔａｃｈｉ−Ｋｏｋｉ社、ＩｎｋＪｅｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社、、Ｏｎ  Ｔａｒｇｅｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社、Ｐｉｃｏｊｅｔ社、Ｓｐｅｃｔｒａ社、Ｔｒｉｄｅｎｔ社、Ｘａａｒ社によって供給されるものなどの工業的圧電印刷ヘッドを使用できる。加えて、Ｂｒｏｔｈｅｒ社、Ｅｐｓｏｎ社、Ｋｏｎｉｃａ社、Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｔｏｓｈｉｂａ  ＴＥＣ社によって製造されるものなどの半工業的ヘッドまたはＭｉｃｒｏｄｒｏｐ社およびＭｉｃｒｏｆａｂ社によって生産されるものなどの単一ノズルミクロディスペンサーを使用してもよい。
【０１４８】
インクジェット印刷またはミクロディスペンシングによって塗布するためには、第一に、ポリマーは適切な溶媒に溶解しなければならない。溶媒は上述の要件を満足していなければならず、選択された印刷ヘッドに対して一切有害な効果を有していてはならない。加えて、溶媒は、印刷ヘッドの内側で溶媒が乾燥することによって生ずる操作上の問題を防ぐために、１００℃を超える、好ましくは１４０℃を超える、より好ましくは１５０℃を超える沸点を有していなければならない。上述の溶媒は別とし、適切な溶媒としては、置換および無置換のキシレン誘導体、ジ−Ｃ１〜２−アルキルホルムアミド、置換および無置換のアニソール類および他のフェノール−エーテル誘導体、置換されたピリジン類、ピラジン類、ピリミジン類、ピロリジノン類などの置換されたヘテロ環類、置換および無置換のＮ，Ｎ−ジ−Ｃ１〜２−アルキルアニリン類および他のフッ素化または塩素化された芳香族類が挙げられる。
【０１４９】
インクジェット印刷によって本発明によるポリマーを堆積するために好ましい溶媒は、１個以上の置換基中の炭素原子の総数が少なくとも３個である１個以上の置換基によって置換されたベンゼン環を有するベンゼン誘導体を含む。例えば、ベンゼン誘導体はプロピル基または３個のメチル基で置換されていてもよく、いずれの場合も、全部で少なくとも３個の炭素原子が存在する。そのような溶媒によって、噴霧の際にジェットの目詰まりおよび成分の分離を低減または防止し、ポリマーと共に溶媒を含むインクジェット流体の形成が可能となる。溶媒（１種類または多種類）としては、以下の例のリストより選択されるものが挙げられる：ドデシルベンゼン、１−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、テルピネオールリモネン、イソジュレン、テルピノレン、シメン、ジエチルベンゼン。溶媒は、２種類以上の溶媒の組み合わせである溶媒混合物でもよく、それぞれの溶媒は、好ましくは１００℃を超え、より好ましくは１４０℃を超える沸点を有している。また、そのような溶媒（１種類または多種類）は、堆積された層中の膜形成を促進し、層中の欠陥を減少させる。
【０１５０】
インクジェット流体（即ち、溶媒、バインダーおよび半導体化合物の混合物）は、好ましくは、２０℃で、１〜１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１〜５０ｍＰａ・ｓ、最も好ましくは１〜３０ｍＰａ・ｓの粘度を有する。
【０１５１】
加えて、本発明によるポリマーまたは配合物は、例えば、表面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散助剤、疎水化剤、接着剤、流動性改良剤、消泡剤、脱気剤、反応性または非反応性のいずれでも構わない希釈剤、補助剤、着色剤、色素または顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子または禁止剤などの１種類以上の更なる成分を含んでよい。
【０１５２】
本発明によるＯＦＥＴ装置は、好ましくは、
−ソース電極と、
−ドレイン電極と、
−ゲート電極と、
−有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）層と、
−１つ以上ゲート絶縁体層と、
−任意構成として基板と、
を含み、
ただし、ＯＳＣ層は、本発明による１種類以上のポリマーを含む。
【０１５３】
ソースおよびドレイン電極が絶縁体層によってゲート電極より分離されており、ゲート電極および半導体層の両者が絶縁体層とコンタクトしており、ソース電極およびドレイン電極の両者が半導体層とコンタクトしているのであれば、ＯＦＥＴ装置におけるゲート、ソースおよびドレイン電極および絶縁体および半導体層は、どのような順序で配置してもよい。ＯＦＥＴ装置は、トップゲート装置またはボトムゲート装置のいずれでも構わない。ＯＦＥＴ装置の適切な構造および製造方法は当業者に既知であり、文献、例えば、国際特許出願公開第０３／０５２８４１号パンフレットに記載されている。
【０１５４】
本発明によるＯＰＶ装置は、好ましくは、
−低仕事関数電極（例えば、アルミニウム）と、
−一方は透明である高仕事関数電極（例えば、ＩＴＯ）と、
−ホール輸送および電子輸送材料から成る二重層と；ただし、該二重層は、２つの別個の層として、または、ブレンドされた混合物としてのいずれで存在しても構わず（例えば、Ｃｏａｋｌｅｙ、Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ、Ｍ．Ｄ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４年、１６巻、４５３３頁を参照）、
−任意の構成要素として、ホールに対するオーミックコンタクトを与えるために高仕事関数電極の仕事関数を改変するための導電性ポリマー層（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなど）と、
−任意の構成要素として、電子に対するオーミックコンタクトを与えるための高仕事関数電極上の被覆（ＬｉＦなど）と
を含む。
【０１５５】
ブレンド中のホール輸送ポリマーは、本発明のポリマーの１種で存在する。電子輸送材料は、酸化亜鉛またはセレン化カドミウムなどの無機材料、または、フラーレン誘導体（例えば、ＰＣＢＭ、［（６，６）−フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル］、または、ポリマー、例えば、Ｃｏａｋｌｅｙ、Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ、Ｍ．Ｄ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４年、１６巻、４５３３頁を参照）などの有機材料でよい。二重層がブレンドの場合、装置性能を最適化するために、任意工程としてアニール工程が必要となることがある。
【０１５６】
セキュリティー用途において、本発明によるＯＦＥＴおよび半導体材料を有する他の装置、トランジスタまたはダイオードなどは、例えば、貨幣、クレジットカードまたはＩＤカード、国の身分証明書類、免許証または金銭的価値を有する任意の製品、例えば、切手、チケット、株券、小切手などの有価証券を証明し、偽造を防止するためのＲＦＩＤタグまたはセキュリティーマーキング用に使用できる。
【０１５７】
あるいは、本発明による材料は、有機発光装置またはダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）において、例えば、ディスプレイ用途において、または、例えば、液晶ディスプレイのバックライトとして使用できる。一般的なＯＬＥＤは、多層構造を用いて実現される。発光層は、一般的に、１つ以上の電子輸送および／またはホール輸送層の間に挟まれている。電圧を印加することにより、電荷キャリアとしての電子およびホールは発光層の方向に移動し、そこで、それらの組み替えにより励起、よって発光層中に含まれるルモフォア単位のルミネセンスに至る。本発明の化合物、材料およびフィルムは、それらの電気的および／または光学的特性に対応して、１つ以上の電荷輸送層および／または発光層において用いることができる。更に、発光層内でのそれらの使用は、本発明による化合物、材料およびフィルムが、それら自体エレクトロルミネセント特性を示すか、またはエレクトロルミネセント基または化合物を含む場合に、特に有利である。ＯＬＥＤにおいて使用するための好適なモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物または材料の選択、特性解析ならびに加工は、一般的に、当業者に知られており、例えば、Ｍｅｅｒｈｏｌｚ、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、１１１〜１１２巻、２０００年、３１〜３４頁、Ａｌｃａｌａ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、８８巻、２０００年、７１２４〜７１２８頁およびそこで引用されている文献を参照。
【０１５８】
他の使用によれば、本発明による材料、特に、フォトルミネセント特性を示すものは、例えば、欧州特許出願公開第０  ８８９  ３５０号公報またはＣ．Ｗｅｄｅｒら、Ｓｃｉｅｎｃｅ、２７９巻、１９９８年、８３５〜８３７頁に記載されるなどのディスプレイ装置の光源の材料として用いることができる。
【０１５９】
本発明の更なる態様は、本発明によるポリマーの酸化形態および還元形態の両者に関する。電子の損失または獲得の結果、高い導電性で高度に非局在化されたイオン性形態が形成される。このことは、一般的なドーパントへの暴露で生じさせることができる。適切なドーパントおよびドーピング方法は、例えば、欧州特許第０  ５２８  ６６２号明細書、米国特許第５，１９８，１５３号明細書または国際特許出願公開第９６／２１６５９号パンフレットより当業者に既知である。
【０１６０】
ドーピングプロセスは、典型的には、半導体材料を酸化剤または還元剤で酸化還元反応において処理することを意味し、適用されたドーパントに由来する対応する対イオンで、材料中に非局在化されたイオン性中心部を形成する。適切なドーピング方法は、例えば、大気圧または減圧下においてドーピング蒸気に暴露すること、ドーパントを含有する溶液中で電気化学的にドーピングすること、ドーパントを熱的に拡散されるべき半導体材料と接触させること、およびドーパントを半導体材料中にイオン注入することを含む。
【０１６１】
電子をキャリアとして使用する場合、適切なドーパントは、例えば、ハロゲン（例えば、Ｉ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、ＩＣｌ、ＩＣｌ３、ＩＢｒおよびＩＦ）、ルイス酸（例えば、ＰＦ５、ＡｓＦ５、ＳｂＦ５、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＳｂＣｌ５、ＢＢｒ３およびＳＯ３）、プロトン酸、有機酸またはアミノ酸（例えば、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＦＳＯ３ＨおよびＣｌＳＯ３Ｈ）、遷移金属化合物（例えば、ＦｅＣｌ３、ＦｅＯＣｌ、Ｆｅ（ＣｌＯ４）３、Ｆｅ（４-ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３）３、ＴｉＣｌ４、ＺｒＣｌ４、ＨｆＣｌ４、ＮｂＦ５、ＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ５、ＭｏＦ５、ＭｏＣｌ５、ＷＦ５、ＷＣｌ６、ＵＦ６およびＬｎＣｌ３（ただし、Ｌｎは、ランタノイドである）、アニオン（例えば、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、Ｉ３-、ＨＳＯ４-、ＳＯ４２-、ＮＯ３-、ＣｌＯ４-、ＢＦ４-、ＰＦ６-、ＡｓＦ６-、ＳｂＦ６-、ＦｅＣｌ４-、Ｆｅ（ＣＮ）６３-および、アリール-ＳＯ３-などの種々のスルホン酸のアニオン）である。ホールをキャリアとして使用する場合、ドーパントの例は、カチオン（例えば、Ｈ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋およびＣｓ＋）、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓ）、アルカリ土類金属（例えば、Ｃａ、ＳｒおよびＢａ）、Ｏ２、ＸｅＯＦ４、（ＮＯ２＋）（ＳｂＦ６-）、（ＮＯ２＋）（ＳｂＣｌ６-）、（ＮＯ２＋）（ＢＦ４-）、ＡｇＣｌＯ４、Ｈ２ＩｒＣｌ６、Ｌａ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ、ＦＳＯ２ＯＯＳＯ２Ｆ、Ｅｕ、アセチルコリン、Ｒ４Ｎ＋（Ｒは、アルキル基である）、Ｒ４Ｐ＋（Ｒは、アルキル基である）、Ｒ６Ａｓ＋（Ｒは、アルキル基である）およびＲ３Ｓ＋（Ｒは、アルキル基である）である。
【０１６２】
本発明のポリマーの導電性形態は、ＯＬＥＤ用途における電荷注入層およびＩＴＯ平坦化層、フラットパネルディスプレイおよびタッチスクリーン用のフィルム、帯電防止フィルム、印刷された導電性基板、印刷回路基板およびコンデンサなどの電子的用途におけるパターンまたは区域を含む（ただし、限定されない。）用途において、有機「金属」として使用できる。
【０１６３】
もう一つの使用によれば、本発明による材料は、例えば、米国特許出願公開第２００３／００２１９１３号公報に記載される通り、単独または他の材料と共に、ＬＣＤまたはＯＬＥＤ装置における配向層において、または配向層として使用できる。本発明による電荷輸送化合物を使用することにより、配向層の導電性を増大させることができる。ＬＣＤにおいて使用する場合、この増大された導電性によって、スイッチ可能なＬＣＤセルにおける不都合な残留ｄｃ効果を減少させることができ、画像の固着を抑制でき、または、例えば、強誘電性ＬＣＤにおいて、強誘電性ＬＣの自発的な分極電荷のスイッチにより生じる残留電荷を減少させることができる。配向層上に設けられた発光材料を含むＯＬＥＤ装置において使用する場合、この増大された導電性によって、発光材料のエレクトロルミネセンスを増大することができる。メソゲン特性または液晶特性を有する本発明による化合物または材料は、上記の通り配向した異方性フィルムを形成することができ、これは、配向層として、前記異方性フィルム上に設けられた液晶媒体における配向を誘発または増大するのに、特に有用である。また、本発明による材料は、米国特許出願公開第２００３／００２１９１３号公報に記載される通り、光配向層において、または光配向層として使用するための光異性化可能な化合物および／または発色団と組み合わせることもできる。
【０１６４】
もう一つの使用によれば、本発明による材料、特に、それらの水溶性誘導体（例えば、極性またはイオン性側鎖で）またはイオン的にドープされた形態は、ＤＮＡ配列を検出および区別するための化学的センサーまたは材料として用いることができる。そのような使用は、例えば、Ｌ．Ｃｈｅｎ、Ｄ．Ｗ．ＭｃＢｒａｎｃｈ、Ｈ．Ｗａｎｇ、Ｒ．Ｈｅｌｇｅｓｏｎ、Ｆ．ＷｕｄｌおよびＤ．Ｇ．Ｗｈｉｔｔｅｎ、Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．Ｕ．Ｓ．Ａ．１９９９年、９６巻、１２２８７頁；Ｄ．Ｗａｎｇ、Ｘ．Ｇｏｎｇ、Ｐ．Ｓ．Ｈｅｅｇｅｒ、Ｆ．Ｒｉｎｉｎｓｌａｎｄ、Ｇ．Ｃ．ＢａｚａｎおよびＡ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ、Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．Ｕ．Ｓ．Ａ．２００２年、９９巻、４９頁；Ｎ．ＤｉＣｅｓａｒｅ、Ｍ．Ｒ．Ｐｉｎｏｔ、Ｋ．Ｓ．ＳｃｈａｎｚｅおよびＪ．Ｒ．Ｌａｋｏｗｉｃｚ、Ｌａｎｇｍｕｉｒ  ２００２年、１８巻、７７８５頁；Ｄ．Ｔ．ＭｃＱｕａｄｅ、Ａ．Ｅ．Ｐｕｌｌｅｎ、Ｔ．Ｍ．Ｓｗａｇｅｒ、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０００年、１００巻、２５３７頁に記載されている。
【０１６５】
文脈が明らかに他を示さない限り、本明細書で用いられる場合、本明細書における用語の複数形は単数形を含むものと解釈されることとし、逆もまた同様である。
【０１６６】
本明細書の記載および請求項を通して、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」および「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ）」という言葉および該言葉の活用形、例えば、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」および「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」は、「限定せず挙げられる」を意味し、他の成分を排除することを意図としない（排除しない）。
【０１６７】
本発明の前述の実施形態は、本発明の範囲内にありながら変更できると理解されるであろう。他に明言しない限り、本明細書において開示されるそれぞれの特徴を、同一、同等または同様の目的に働く代替の特徴で置き換えても構わない。よって、他に明言しない限り、開示されるそれぞれの特徴は、包括的で一連の同等または同様な特徴の一例に過ぎない。
【０１６８】
本明細書において開示される特徴の全ては、その様な特徴および／または工程の少なくとも幾つかが互いに排他的である組み合せを除いて、任意の組み合わせで組み合わせて構わない。特に、本発明の好ましい特徴は本発明の全ての態様に適用可能であり、任意の組み合わせにおいて使用できる。同様に、本質的でない組み合わせで記載される特徴は、個別に（組み合わせずに）使用できる。
【０１６９】
ここで、本発明を、以下の例（単に解説するのみで、本発明の範囲を一切限定しない。）を参考にして更に詳細に説明する。
【実施例】
【０１７０】
＜例１＞
＜２，５−ジチエン−２−イルテレフタル酸ジメチルエステルの調製＞
ジメチル２，５−ジブロモテレフタレート（６．０９ｇ、１７．３０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（無水、１００ｃｍ３）中に溶解し、次いで、２−チエニル亜鉛ブロミド（ＴＨＦ中０．５０Ｍ、９０ｃｍ３、４５．０ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．５０ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）を加える。混合物を６７℃において２時間加熱する。冷却後、反応混合物を水中に注ぐ。濾過によって沈殿を回収し、水、メタノールおよびジエチルエーテルで洗浄し、次いで、真空中で乾燥し、淡黄色の固体として生成物を生じる（５．４１ｇ、８７％）。
【０１７１】
【表１】
0005647121.tif 000025
【０１７２】
＜２，５−ジチエン−２−イルテレフタル酸の調製＞
【０１７３】
【化２４】
0005647121.tif 000026
水酸化ナトリウム（４．８０ｇ、１２０．０ｍｍｏｌ）を水中（３０ｃｍ３）に溶解し、次いでエタノール（２５０ｃｍ３）および２，５−ジチエン−２−イルテレフタル酸ジメチルエステル（５．３０ｇ、１４．８ｍｍｏｌ）を加える。この混合物を７８℃で一晩加熱する。溶媒を元の体積の約半分まで減圧下で蒸発させ、次いで水を加える。結果として生じる混合物を濃塩酸で中和する。濾過によって沈殿を回収し、水およびメタノールで洗浄し、次いで、真空中で乾燥し、黄色味がかった白色の固体として生成物を生じる（４．１３ｇ、８４％）。
【０１７４】
【表２】
0005647121.tif 000027
【０１７５】
＜２，５−ジチエン−２−イルテレフタル酸クロリドの調製＞
【０１７６】
【化２５】
0005647121.tif 000028
２，５−ジチエン−２−イルテレフタル酸（４．０６ｇ、１２．２９ｍｍｏｌ）およびオキサリルクロリド（３．１２ｇ、２４．５８ｍｍｏｌ）のＤＣＭ（１００ｃｍ３）中の溶液にＤＭＦ（１ｃｍ３）を０℃において加える。１０分後、この混合物を放置して２３℃まで温め、一晩撹拌する。溶媒を減圧下で除去し、黄色の油分として粗生成物を与える（４．３８ｇ、９７％）。
【０１７７】
【表３】
0005647121.tif 000029
更に精製することなく、この生成物を次の工程のために使用する。
【０１７８】
＜４，９−ジヒドロ−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−４，９−ジオンの調製＞
【０１７９】
【化２６】
0005647121.tif 000030
ＤＣＭ（１００ｃｍ３）中の２，５−ジチエン−２−イルテレフタル酸クロリド（４．３８  ｇ、１１．９３ｍｍｏｌ）の溶液を、ＤＣＭ（１００ｃｍ３）中のＡｌＣｌ３（無水、５．０ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）の懸濁液に０℃で加える。結果として生じる混合物を更に３０分、次いで２３℃において一晩撹拌する。反応混合物を、氷冷の２ＭのＨＣｌ溶液中に注ぐ。沈殿を回収し、２ＭのＨＣｌおよび水で洗浄し、次いで真空中で乾燥し、藍色の固体として生成物を生じる（２．９１ｇ、８３％）。
【０１８０】
【表４】
0005647121.tif 000031
【０１８１】
＜４，９−ジヒドロ−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０１８２】
【化２７】
0005647121.tif 000032
抱水ヒドラジン（１１．９ｃｍ３、２４５ｍｍｏｌ）を、ジエチレングリコール（１００ｃｍ３）中の４，９−ジヒドロ−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−４，９−ジオン（９．６ｇ、３２．６ｍｍｏｌ）およびＫＯＨ（５．５ｇ、９７．８ｍｍｏｌ）の懸濁液に加える。混合物を１８０℃まで６時間加熱し、次いで放置して、２３℃まで一晩冷却する。ＮＨ３／Ｈ２Ｏ（１：１，２００ｃｍ３）を加え、混合物を３０分撹拌する。濾過によって固体を回収し、Ｈ２Ｏ（２×３００ｃｍ３）およびＩＭＳ（２×３００ｃｍ３）で洗浄し、真空中で乾燥して、褐色の固体として生成物を生じる（６．８９ｇ、７９％）。
【０１８３】
【表５】
0005647121.tif 000033
【０１８４】
＜４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラオクチル−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０１８５】
【化２８】
0005647121.tif 000034
４，９−ジヒドロ−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（３．０ｇ、１１．３ｍｍｏｌ）およびＤＭＳＯ（無水、６０ｃｍ３）を三口フラスコに加え、混合物を２０分脱気する。この混合物に、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（６．６９ｇ、６８．９ｍｍｏｌ）を数回に分けて加え、混合物を８０℃まで加熱する。確実に反応混合物の温度が９０℃よりも上がらないようにして、１−ブロモオクタン（１２ｃｍ３、６９．５ｍｍｏｌ）を滴下により３０分にわたって加える。次いで、混合物を８５℃において３時間加熱する。混合物を放置して７０℃まで冷却し、氷水（１００ｃｍ３）中に注ぐ。生成物をＤＣＭ（２×２００ｃｍ３）で抽出し、合わされた有機物を水（３×２００ｃｍ３）で洗浄し、硫酸マグネシウム（無水）上で乾燥し、濾過して、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル４０〜６０）で精製し、黄色の油分として生成物を生じ、それを黄色の固体に結晶化する（２．８３ｇ、２８％）。
【０１８６】
【表６】
0005647121.tif 000035
【０１８７】
＜２，７−ジブロモ−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラオクチル−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０１８８】
【化２９】
0005647121.tif 000036
ＴＨＦ（無水、１００ｃｍ３）中の４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラオクチル−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（２．０ｇ、２．２ｍｍｏｌ）の溶液にＮＢＳ（０．９８ｇ、５．５ｍｍｏｌ）を加え、溶液を５０℃で２時間、次いで４０℃で１７時間加熱する。混合物を放置して冷却し、水（１００ｃｍ３）中に注ぐ。生成物をＤＣＭ（２×１００ｃｍ３）で抽出し、合わされた有機抽出物を硫酸マグネシウム（無水）上で乾燥し、濾過して、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル４０〜６０）、続いてＤＣＭ／ＭｅＯＨより再結晶して精製し、鮭肉色の結晶性固体として生成物を生じる（１．８１ｇ、９３％）。
【０１８９】
【表７】
0005647121.tif 000037
【０１９０】
＜例２＞
＜４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０１９１】
【化３０】
0005647121.tif 000038
１（３．００ｇ、１１．３ｍｍｏｌ）およびＤＭＳＯ（無水、６０ｃｍ３）を２５０ｃｍ３の三口フラスコに加え、混合物を２０分脱気（撹拌されている混合物中にＮ２バブリングする）を行う。これに、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（６．６９ｇ、６８．９ｍｍｏｌ）を数回に分けて加え、次いで混合物を８０℃まで加熱する。確実に反応混合物が９０℃よりも上がらないようにして、１−ブロモヘキサデカン（２１．９ｃｍ３、６９．５ｍｍｏｌ）を滴下により３０分にわたって加える。次いで、混合物を８５℃において３時間加熱する。混合物を放置して７０℃まで冷却し、氷水（１００ｃｍ３）中に注ぐ。生成物をＤＣＭ（２×２００ｃｍ３）で抽出し、合わされた有機物を水（３×２００ｃｍ３）で洗浄し、硫酸マグネシウム（無水）上で乾燥し、濾過して、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル４０〜６０）、続いてＤＣＭより再結晶して精製し、黄色味がかった白色の固体として生成物を生じる（１．４５ｇ、１１％）。
【０１９２】
【表８】
0005647121.tif 000039
【０１９３】
＜２，７−ジブロモ−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０１９４】
【化３１】
0005647121.tif 000040
ＴＨＦ（無水、５０ｃｍ３）中の１（１．００ｇ、０．８６ｍｍｏｌ）の溶液にＮＢＳ（０．３２ｇ、１．８ｍｍｏｌ）を加え、溶液を５０℃で２時間、次いで４０℃で１７時間加熱する。混合物を放置して冷却し、水（５０ｃｍ３）中に注ぎ、生成物をＤＣＭ（２×５０ｃｍ３）で抽出する。合わされた有機抽出物を硫酸マグネシウム（無水）上で乾燥し、濾過して、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル４０〜６０からＥｔＯＡｃ）、続いてＤＣＭ／ＭｅＯＨより再結晶して精製し、薄鮭肉色の固体として生成物を生じる（０．７０ｇ、６２％）。
【０１９５】
【表９】
0005647121.tif 000041
【０１９６】
＜例３＞
＜２，７−ビス（２−チエニル）−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０１９７】
【化３２】
0005647121.tif 000042
ＤＭＦ（無水、１５０ｃｍ３）中の２，７−ジブロモ−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（４．８１ｇ、３．６４ｍｍｏｌ）および２−（トリブチルスタンニル）チオフェン（２．６８ｃｍ３、８．０ｍｍｏｌ）の脱気された混合物に、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１３ｇ、０．１８ｍｍｏｌ）を加え、混合物を更に脱気する。混合物を１００℃において１７時間加熱する。混合物を放置して冷却し、水（５００ｃｍ３）中に注ぎ、生成物をＤＣＭ（３×３００ｃｍ３）で抽出する。合わされた有機抽出物を硫酸マグネシウム（無水）上で乾燥し、濾過して、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル４０〜６０）で精製し、黄色の固体として生成物を生じる（４．０９ｇ、８５％）。
【０１９８】
【表１０】
0005647121.tif 000043
【０１９９】
＜２，７−ビス（５−ブロモチエン−２−イル）−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの調製＞
【０２００】
【化３３】
0005647121.tif 000044
ＴＨＦ（無水、１００ｃｍ３）中の２，７−ビス（２−チエニル）−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（２．００ｇ、１．５ｍｍｏｌ）の溶液にＮＢＳ（０．５４ｇ、３．０ｍｍｏｌ）を加え、溶液を２３℃において１７時間撹拌する。混合物を水（３００ｃｍ３）中に注ぎ、生成物をＤＣＭ（２×２５０ｃｍ３）で抽出する。合わされた有機抽出物を硫酸マグネシウム（無水）上で乾燥し、濾過して、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル４０〜６０）、続いてＭｅＣＮ／トルエンより再結晶して精製し、黄色の固体として生成物を生じる（１．９５ｇ、８７％）。
【０２０１】
【表１１】
0005647121.tif 000045
【０２０２】
＜例４＞
＜ポリ［（２，７−（４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン））−ａｌｔ−４，７−（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）］（１）の調製＞
【０２０３】
【化３４】
0005647121.tif 000046
２，７−ジブロモ−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（０．６０ｇ、０．４５ｍｍｏｌ）、４，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１７６ｇ、０．４５ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（８．３ｍｇ、０．００９ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１１ｍｇ、０．０４ｍｍｏｌ）およびトルエン（１５ｃｍ３）の混合物にＡｌｉｑｕａｔ３３６（０．１０ｇ）を加え、混合物を脱気する。混合物に炭酸ナトリウムの脱気された水溶液（２．０Ｍ、０．７ｃｍ３）を加え、混合物を更に脱気する。混合物を１１０℃において１７時間加熱する。混合物を放置して冷却し、メタノール（１００ｃｍ３）中に注ぐ。濾過によって粗生成物を回収し、メタノール（１００ｃｍ３）、水（１００ｃｍ３）およびメタノール（１００ｃｍ３）で洗浄する。粗生成物を水（１００ｃｍ３）中で１時間撹拌し、濾過し、メタノール（２００ｃｍ３）で洗浄する。固体をトルエン（２０ｃｍ３）中に溶かし、撹拌されているメタノール（６０ｃｍ３）中に沈殿させる。濾過によって沈殿物を回収し、紫色の固体としてポリマー１を与える（０．５２ｇ、８８％）。１Ｈ  ＮＭＲは期待される通りである。
【０２０４】
【表１２】
0005647121.tif 000047
【０２０５】
＜例５＞
＜ポリ［（２，７−ビス（２−チエニル）−（４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン）−ａｌｔ−４，７−（２，１，３−ベンゾチアジアゾール））（２）の調製＞
【０２０６】
【化３５】
0005647121.tif 000048
２，７−ビス（５−ブロモチエン２−イル）−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（ヘキサデシル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（１．００ｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、４，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．２６ｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１２ｍｇ、０．０１３ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１６ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）およびトルエン（２５ｃｍ３）の混合物にＡｌｉｑｕａｔ３３６（０．１０ｇ）を加え、混合物を脱気する。混合物に炭酸ナトリウムの脱気された水溶液（２．０Ｍ、１．０ｃｍ３）を加え、混合物を更に脱気する。混合物を１１０℃において１７時間加熱する。混合物を放置して冷却し、メタノール（１００ｃｍ３）中に注ぐ。濾過によって粗生成物を回収し、メタノール（１００ｃｍ３）、水（５０ｃｍ３）およびメタノール（５０ｃｍ３）で洗浄する。固体を温トルエン（７５ｃｍ３）中に溶かし、撹拌されているメタノール（２５０ｃｍ３）中へ沈殿させる。濾過によって沈殿物を回収し、メタノール（５０ｃｍ３）、水（５０ｃｍ３）およびメタノール（５０ｃｍ３）で洗浄する。ヘプタンおよびアセトンでソックレー洗浄し、シクロヘキサンで抽出して、ポリマーを更に精製する。シクロヘキサン混合物を真空中で１５０ｃｍ３に濃縮し、撹拌されているメタノール（６００ｃｍ３）中に沈殿させる。濾過によってポリマーを回収して、メタノール（１００ｃｍ３）で洗浄し、暗赤色の固体としてポリマー２を与える（０．８６ｇ、８７％）。１Ｈ  ＮＭＲは期待される通りである。
【０２０７】
【表１３】
0005647121.tif 000049
【０２０８】
＜例６＞
＜ポリ［（２，７−（４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラキス（オクチル）−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン）−ａｌｔ−４，４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ−（４−（１−メチルプロピル）フェニル）アミン））（３）の調製＞
【０２０９】
【化３６】
0005647121.tif 000050
２，７−ジブロモ−４，９−ジヒドロ−４，４，９，９−テトラオクチル−ｓ−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（１．２５０ｇ、１．４３２ｍｍｏｌ）、４，４−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ−（４−（１−メチルプロピル）フェニル）アミン（０．７９２ｇ、１．４３ｍｍｏｌ）、トリルボロンエステル（１．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびリン酸カリウム一水和物（１．４５ｇ、６．３ｍｍｏｌ）の混合物に、脱気されたトルエン（１４ｃｍ３）、脱気された１，４−ジオキサン（１４ｃｍ３）および脱気された水（１４ｃｍ３）を加える。混合物を更に脱気し、１０５℃で予め加熱された油浴に浸ける。混合物が還流し始めた時点で、脱気された１，４−ジオキサン（２ｃｍ３）中の酢酸パラジウム（ＩＩ）（２．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２０．９ｍｇ、０．０７ｍｍｏｌ）の脱気された溶液を加える。混合物を激しく２時間１０５℃において撹拌する。混合物に、トリルボロンエステル（５．５ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）および脱気された１，４−ジオキサン（２ｃｍ３）中の酢酸パラジウム（ＩＩ）（２．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２０．９ｍｇ、０．０７ｍｍｏｌ）の脱気された溶液を加える。混合物を激しく１時間１０５℃において撹拌する。混合物を６５℃まで冷却し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物の水溶液（１４ｃｍ３、１０％）およびトルエン（１４ｃｍ３）を加える。混合物を６５℃において１７時間撹拌する。混合物を放置して冷却し、トルエン（２０ｃｍ３）を加え、有機層を水（３×２００ｃｍ３）で洗浄する。混合物を撹拌されているメタノール（１５０ｃｍ３）中へ沈殿させ、濾過によって沈殿物を回収する。粗生成物をトルエン（４０ｃｍ３）中に３０℃において溶解し、温トルエン（２×８０ｃｍ３）で洗浄しながらセライトパッドを通して濾過する。合わされた溶液を撹拌されているメタノール（５００ｃｍ３）中へ沈殿させ、濾過によってポリマーを回収し、メタノール（３０ｃｍ３）で洗浄して、橙色の固体としてポリマー３を与える（１．１３ｇ、７８％）。１Ｈ  ＮＭＲは期待される通りである。
【０２１０】
【表１４】
0005647121.tif 000051
【０２１１】
＜例７：トランジスタの製造および測定＞
基板が共通ゲート電極として働く熱成長酸化ケイ素（ＳｉＯ２）絶縁層を有する高ドープシリコン基板上に薄膜有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を製造する。ＳｉＯ２層上に、トランジスタのソース−ドレイン金製電極をフォトリソグラフィーで規定する。有機半導体の堆積に先立ち、ＦＥＴ基板をオクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ）で処理する。次いで、ジクロロベンゼン中のポリマー溶液（１重量％）をスピンコートすることよって半導体薄膜をＦＥＴ基板上に堆積する。次いで、サンプルを乾燥し、１００℃において窒素下１０分アニールする。乾燥窒素中および環境空気雰囲気中の両者において、コンピュータ制御Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５５Ｃ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ  Ａｎａｌｙｓｅｒを使用し、トランジスタ装置の電気的な特性解析を行う。
【０２１２】
例４および５のポリマー１および２に関するトランジスタ装置の特性を、それぞれ薄膜上で計測し、装置は、良好な電流変調、良好に規定される線形および飽和領域を有する典型的なｐ型挙動を示す。ポリマー１および２に関する飽和領域における電荷キャリア移動度（μｓａｔ）を計算し、表１に示す。電界効果移動度は、式（１）を使用し、飽和領域（Ｖｄ＞（Ｖｇ−Ｖ０））において計算した。
【０２１３】
【数１】
0005647121.tif 000052
式中、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｉは絶縁層の静電容量、Ｉｄは飽和領域におけるソース−ドレイン電流、Ｖｄはソース−ドレイン電圧、Ｖｇはゲート電圧、Ｖ０は電源投入時電圧、μｓａｔは飽和領域における電荷キャリア移動度である。電源投入時電圧（Ｖ０）は、ソース−ドレイン電流の開始時に決定する。
【０２１４】
【表１５】
0005647121.tif 000053