(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを提供する放射源と、
金属汚染物質を保持する第１表面を有するオブジェクトであって、前記第１表面は、リソグラフィプロセスの間、前記放射源により生成された前記放射ビームが横断する領域の実質的に外側に配置される、該オブジェクトと、
第２表面を有する光エレメントと、
を含み、
前記オブジェクトは前記光エレメントとは別に配置され、かつ前記第２表面から金属堆積物が洗浄される洗浄プロセスの間前記光エレメントに隣接して配置されるように移動可能に構成された
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記洗浄プロセスの間、前記第１表面と前記第２表面との間の距離が０．１〜２０ｃｍであり、
前記第１表面は、リソグラフィプロセスの間、放射源により生成される放射ビームの経路内に配置されない、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１表面は、Ｓｎ、ＭｎおよびＺｎからなる群から選択される１つ以上の元素の、金属、金属酸化物、金属水酸化物、金属水素化物、金属ハロゲン化物、および／または、金属のオキシハライドからなる群から選択される金属汚染物質を保持する、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記放射源は、金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源を含み、前記第１表面は、前記金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源からの金属を保持する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記放射源はＳｎ放射源である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第１表面は、金属表面を含み、前記金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１つ以上の金属である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
水素含有ガス源、及び水素ラジカル源を含む第１洗浄構成をさらに含み、
前記第１洗浄構成は、前記光エレメントの前記第２表面へと水素含有ガスを提供し、前記第１表面を有する前記オブジェクトは、さらに金属再堆積物を保持する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１洗浄構成は、水素含有ガスおよび／または水素ラジカル含有ガスを、前記第１表面と前記第２表面との間に提供する、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記オブジェクトは前記第２表面の方向に移動可能であり、前記第１洗浄構成は、前記第１表面と前記第２表面との間に水素含有ガスおよび／または水素ラジカル含有ガスを提供する、請求項７または８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記第１洗浄構成は、ハロゲン含有ガス源をさらに含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記第１洗浄構成は、前記光エレメントの前記第２表面に水素ラジカル含有ガスおよび／またはハロゲン含有ガスを提供する、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記第１洗浄構成は、水素含有ガス、水素ラジカル含有ガス、および／または、ハロゲン含有ガスを前記第１表面と前記第２表面との間に提供する、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記第１表面は、触媒表面を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
第２洗浄構成をさらに含み、
前記第２洗浄構成は、前記第１表面から金属堆積物を洗浄する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
ハロゲン含有ガス源を含む第１洗浄構成をさらに含み、
前記第１洗浄構成はハロゲン含有ガスを前記光エレメントの前記第２表面へ提供し、前記第１表面を有する前記オブジェクトはさらに金属再体積物を保持する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記第１洗浄構成は、前記第１表面と前記第２表面との間にハロゲン含有ガスを提供する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記オブジェクトは前記第２表面の方向に移動可能であり、前記第１洗浄構成は前記ハロゲン含有ガスを前記第１表面と前記第２表面との間に提供する、請求項１５または１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
放射ビームを提供する放射源と、
金属汚染物質を保持する第１表面を有するオブジェクトであって、前記第１表面は、リソグラフィプロセスの間、前記放射源によって生成される前記放射ビームが横断する領域の実質的に外側に配置され、前記第１表面は、金属表面を含み、前記金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、および、Ａｕからなる群から選択される１つ以上の金属であり、前記第１表面は、光エレメントの表面層ではない、該オブジェクトと、
第２表面を有する光エレメントと、
を含み、
前記オブジェクトは前記光エレメントとは別に配置され、かつ前記第２表面から金属堆積物が洗浄される洗浄プロセスの間前記光エレメントに隣接して配置されるように移動可能に構成された
リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属汚染物質を保持するゲッタを備えたリソグラフィ装置に関する。また、本発明は、光エレメントから金属堆積物を洗浄する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置では、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長により制限される。素子の密度が高く、それゆえに作業速度の速い集積回路を作るには、小さなフィーチャを結像できることが望ましい。最近のリソグラフィ投影装置では、水銀ランプまたはエキシマレーザにより生成された紫外線光を採用しているが、一方で、例えば約１３ｎｍといった、より短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、その放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または、電子蓄積リング(Electron Storage Ring)からのシンクロトロン放射が考えられる。
【０００４】
ＥＵＶ放射源は、一般にプラズマ源であり、例えば、レーザ生成プラズマ源または放電源である。プラズマ源に共通した特徴は、プラズマから全方向へ放出された高速のイオンおよび原子を生成することである。これらの粒子は、一般に、脆弱表面を有する多層ミラーまたはかすめ入射ミラーである、コレクタまたはコンデンサミラーを損傷することがある。この表面は、プラズマから放出される粒子の衝突やスパッタリングにより徐々に劣化し、このため、ミラーの寿命が減少する。スパッタリング効果は、特に（ＥＵＶ源に対する相対近接(relative close proximity)の観点から）放射コレクタにおいて問題となる。このミラーの目的は、プラズマ源により全方向へ放出された放射を集め、照明システム内の他のミラーへと誘導することである。放射コレクタは、プラズマ源に非常に近く、かつ、プラズマ源との視準線上に配置されるため、プラズマからの高速粒子の大きな放射束を受ける。システム内の他のミラーは、ある程度遮断され得るため、一般に、プラズマから放出される粒子のスパッタリングから受ける損傷の程度は小さい。
【０００５】
近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）源は、スズ（Ｓｎ）または他の金属蒸気を使用してＥＵＶ放射を生成するようになるだろう。スズは、リソグラフィ装置内に漏洩することがあり、リソグラフィ装置内のミラー、例えば（コレクタとも呼ばれる）放射コレクタのミラー）に堆積する。このような放射コレクタのミラーは、例えばルテニウム（Ｒｕ）のＥＵＶ反射上層を有する。反射ルテニウム層上の約１０ｎｍを上回るスズの堆積は、バルクＳｎと同様にＥＵＶ放射を反射する。ＳｎベースのＥＵＶ源の近傍には、数ｎｍのＳｎ層が急速に堆積することが想定される。スズの反射係数は、ルテニウムの反射係数よりもかなり低いため、コレクタの全体透過は著しく減少し得る。放射源からのデブリ、またはこのデブリから生成される二次粒子が放射コレクタ上に堆積するのを防止するめに、汚染物質バリアを使用することができる。このような汚染物質バリアは、デブリの一部を取り除くことができるものの、放射コレクタや、かすめ入射ミラー、直入射ミラーなどの他の光エレメント上には、依然としていくらかのデブリが堆積する。さらに、炭素（Ｃ）もミラーなどの光エレメント上に堆積する可能性があり、これも、反射等の光学特性の減少を引き起こし得る。
【発明の概要】
【０００６】
汚染物質の存在が減少するような、または、そのような汚染物質が除去されるか無害化されるような、リソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【０００７】
本発明の第１実施形態によれば、放射源を含むリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、金属汚染物質を保持する第１表面を有するオブジェクトをさらに含み、前記第１表面は、リソグラフィプロセスの間、前記放射源により生成された放射ビームが横断する領域の実質的に外側に配置される。また、このようなリソグラフィ装置として、金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源を含むものも提供する。
【０００８】
本発明の他の実施形態によれば、放射源を含むリソグラフィ装置において金属を結合する方法が提供され、この方法は、リソグラフィ装置内のオブジェクトを使用することを含み、前記オブジェクトは、金属汚染物質を保持する前記第１表面を含み、この第１表面は、リソグラフィプロセスの間、前記放射源により生成される放射ビームが横断する領域の実質的に外側に配置される。また、このような方法として、リソグラフィ装置が金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源を含むものも提供する。
【０００９】
本発明のさらに他の実施形態によれば、放射源を含むリソグラフィ装置において光エレメントを洗浄する方法が提供され、この方法は、前記リソグラフィ装置内のオブジェクトを使用することを含み、前記オブジェクトは、金属汚染物質を保持する第１表面を有し、前記第１表面は、リソグラフィプロセスの間、前記放射源によって生成された放射ビームが横断する領域の実質的に外側に配置され、前記光エレメントは第２表面を有し、前記第２表面から金属堆積物が洗浄され、この方法は、水素含有ガス、水素ラジカル含有ガス、および／またはハロゲン含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを、前記光エレメントの前記第２表面に提供することをさらに含む。また、このような方法として、リソグラフィ装置が金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源を含むものも提供する。
【００１０】
他の実施形態では、前記第１表面は、リソグラフィプロセスの間、前記放射源により生成される放射ビームの光路内には配置されない。
【００１１】
他の実施形態では、前記第１表面は、金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源からの金属汚染物質を保持するように構成され得る。
【００１２】
他の実施形態では、前記第１表面は金属表面を含み、前記金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、および、Ａｕからなる群から選択される１つ以上の金属である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】図２は、図１のリソグラフィ装置のＥＵＶ照明システムおよび投射光学系を示す側面図である。
【図３】図３は、金属を保持する表面を持つオブジェクトを有するリソグラフィ装置の一実施形態を示す。
【図４】図４ａ〜図４ｄは、本発明の実施形態を示す。
【図５】図５ａ〜図５ｄは、本発明に係るプロセスの実施形態を示す。
【図６】図６は、実験に使用した機構を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００１６】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１７】
サポートは、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。 
【００１８】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１９】
パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２０】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２１】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２２】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。 
【００２３】
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２４】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２５】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２６】
放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。  
【００２７】
例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２８】
１．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２９】
２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３０】
３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３２】
本発明の一実施形態では、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板上のターゲット部分へパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、本発明に係る第１の表面を有するオブジェクトと、を含むリソグラフィ装置を提供する。他の実施形態では、このリソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成されたＥＵＶ源を備える。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム内に配置される（下記参照）。照明システムは、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
【００３３】
「レンズ」という用語は、文脈上可能な限り、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型の光コンポーネントを含む、多様な光コンポーネントのうちのいずれか１つか、あるいはそれらの組み合わせを指すことができる。
【００３４】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長λを有する）紫外線（ＵＶ）および（例えば、５〜２０ｎｍの範囲（例えば１３．５ｎｍ）の周波数を有する）極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）、ならびに、イオンビームや電子ビームのような粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含する。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（または、それ以上）の波長を有する放射は、赤外放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。通常、リソグラフィでは、それは水銀放電ランプ（Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍおよび／またはＩ線３６５ｎｍ）により生成することができる波長にも適用される。ＶＵＶは、真空ＵＶ（つまり、空気により吸収されるＵＶ）であって、約１００〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは、深紫外線であって、通常リソグラフィでは、１２６〜２４８ｎｍのようなエキシマレーザで生成される波長に対して使用される。例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射は、少なくともその一部が、５〜２０ｎｍの範囲にある特定の波長帯域を有する放射に関係することを理解されたい。
【００３５】
「ハロゲン含有ガス」または「水素含有ガス」は、それぞれ、少なくともハロゲンガスまたは水素ガスを含むガスまたは混合ガスを意味する。「ハロゲン含有ガス」という用語における「ハロゲン」は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される少なくとも１つ以上を指し、これは原子（ラジカル）としてのものであり、または化合物、例えばＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、例えばＣＩＦ３などのハロゲン間化合物、または、約５０〜５００°の温度で気相にすることができるＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される一つ以上を有する他の化合物など化合物としてのものでもある。一実施形態では、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２のうち１つ以上が使用可能であり、特にＩ２が使用可能である。
【００３６】
「水素」および「水素ラジカル」という用語は、それらの同位体も含み、特に、重水素も含む。よって、「水素含有ガス」は、Ｈ２を含むガス、あるいは、その重水素または三重水素の類似体を指す。一実施形態において、水素含有ガスは、Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴＴ２からなる群から選択される一つ以上を含む。よって、「水素含有ガス」という用語は、Ｈ２、Ｄ２、Ｔ２、ＨＤ、ＨＴおよびＤＴを含有するガスからなる群から選択されるガスを指す。ハロゲン含有ガスまたは水素含有ガスは、さらに、Ａｒなどのバッファガスのような追加的な成分を含有してもよい。「水素ラジカルの流れ」は、ガス流を指し、このガス流において、ガス中にも水素ラジカルが存在する。水素のすべてがラジカルに変換されるわけではないため、かつラジカルが再結合することにより、通常、このようなガスは（Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴ、および、Ｔ２のうち１つ以上の）水素分子も含むことになる。「水素ラジカル含有ガス」は、水素ラジカル、あるいは、その重水素または三重水素の類似体を含むガスを指す。このようなガスは、解離されていない、または水素ラジカルから再結合された、Ｈ２等の他の成分をさらに含んでもよい。「水素含有ガス源」という用語は１つ以上のガス源を指し、このガス源において、ガスは少なくとも水素分子（および／またはその類似体、上記参照）を含む。「水素ラジカル源」という用語は、水素ラジカル含有ガスが提供されるように、少なくとも（水素含有ガスの）水素ガスの一部を水素ラジカルに変換するデバイスを指す。ここで、「少なくとも水素含有ガスの一部を水素ラジカル含有ガスに変換する」という文言は、（水素含有ガス源からの）水素含有ガスの水素分子の総量の少なくとも一部が、水素ラジカルに変換され、それにより水素ラジカル含有ガスを形成するプロセスを指す。
【００３７】
「洗浄構成」および「洗浄する方法」という用語は、洗浄プロセスで使用可能な構成および方法を指す。後述するが、水素ラジカルの提供は、酸化スズ（または他の酸化物）のような酸化物を還元するために使用することができ、次プロセスでは（例えばＩ２のような）ハロゲンは、ハロゲン化物の形成によりＳｎ（またはＭｎやＺｎ）のような金属を除去することができる。よって、本文脈における「洗浄」という用語は、望ましくない堆積物の完全な、または部分的な除去を含意し得るが、還元のような（実質的に堆積物を除去しない）洗浄プロセスをも含意し得る。したがって、「洗浄」という用語は、洗浄プロセスにおける洗浄の過程において、ガスを使って処理すること（処理）も含む。また、一実施形態では、水素ラジカルは、（例えば水素化スズ（または水素化マンガンや水素化亜鉛）の形成による）堆積物を除去するために使用することができる。洗浄プロセスは、（ＣＨ４のような揮発性炭化水素の形成による）Ｃ（炭素）の堆積を、少なくとも部分的に除去するためにも使用することができる。「洗浄される」という文言は、「部分的に洗浄される」ことも指す。
【００３８】
「光エレメント」および「被洗浄面」という語は、それぞれ、複数の「光エレメント」および「被洗浄面」にも関連する。
【００３９】
図２は、投影装置１をより詳細に示し、この投影装置１は、放射システム４２と、照明光学ユニット４４と、投影システムＰＳとを含む。放射システム４２は、放電プラズマにより形成され得る放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、内部で非常に高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ帯域の放射を発する、例えばＸｃガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気により、生成し得る。この非常に高温のプラズマは、例えば放電により、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせることにより生成される。放射を効率的に生成するには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気や、その他の適切なガスや蒸気の分圧、例えば１０Ｐａが必要となり得る。放射源ＳＯにより放出された放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７の内部か後部に配置されるガスバリアまたは汚染トラップ４９を介して、コレクタチャンバ４８内へと通過する。汚染物質トラップ４９は、チャネル構造を有し得る。また、汚染トラップ４９は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。一実施形態では、ＥＵＶ源としてＳｎ源が適用される。
【００４０】
コレクタチャンバ４８は、一実施形態では、かすめ入射コレクタにより構成され得る（コレクタミラーまたはコレクタとも呼ばれる）放射コレクタ５０を含む。放射コレクタ５０は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯのイメージの近傍に配置され得る。コレクタ５０を通過した放射は、格子スペクトルフィルタ５１に反射され、コレクタチャンバ４８の開口で仮想放射源点５２に合焦され得る。コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６は、照明光学ユニット４４内で法線入射リフレクタ５３、５４を介し、レチクルテーブルまたはマスクテーブルＭＴ上のレチクルまたはマスク上に反射される。パターン付きビーム５７が形成され、これが投影システムＰＳ内で反射エレメント５８、５９を介して、ウェハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内には、通常、図示されている以上のエレメントが存在し得る。格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに応じて、任意で設けてもよい。さらに、図中に示される以上のミラーを設けても良く、例えば５８、５９以外に１〜４つの反射エレメントを設けてもよい。放射コレクタ５０は、従来技術により周知である。
【００４１】
一実施形態において、放射コレクタ５０はかすめ入射コレクタであってもよい。放射コレクタ５０は、上段側放射コレクタ面５０ａおよび下段側放射コレクタ面５０ｂを有する。コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはそのイメージは、光軸Ｏ上に配置される。放射コレクタ５０は、（いくつかのウォルタ型リフレクタを含むウォルタ型リフレクタとしても知られる）リフレクタ１４２、１４３、１４６を含み得る。それらは、シェルと呼ばれることもある。これらのリフレクタ１４２、１４３、１４６は、入れ子式で、かつ、光軸Ｏに対して回転対称に構成され得る。図２において、内側のリフレクタは符号１４２で示され、中間のリフレクタは符号１４３で示され、外側のリフレクタは符号１４６で示される。放射コレクタ５０は、所定のボリューム、つまり外側リフレクタ１４６内のボリュームを内包する。通常、この外側リフレクタ１４６内のボリュームは、小さな開口部はあるものの、周方向に閉じられている。全てのリフレクタ１４２、１４３、１４６は、少なくとも一部が単層の反射層または多層の反射層を含む表面を有する。よって、リフレクタ１４２、１４３、１４６（リフレクタがさらに含まれても良く、（コレクタミラーとも呼ばれる）放射コレクタ５０が３つ以上のリフレクタまたはシェルを含む実施形態もここに含まれる）は、少なくとも部分的に、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されており、リフレクタの少なくとも一部分は、ＥＵＶ放射を反射および集光するようには設計されなくてもよい。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部はＥＵＶ放射を反射および集光するようには設計されなくてもよい。後半の部分は、裏面と呼んでもよい。これら反射層の表面上には、保護用もしくはこれら反射層の表面の少なくとも一部に設けられる光学フィルタとして、キャップ層をさらに設けてもよい。参照符号１８０は、２つのリフレクタ間、例えばリフレクタ１４２と１４３との間のスペースを指す。各リフレクタ１４２、１４３、１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含み得て、これらの反射面は、放射源ＳＯから遠いものほど、放射源ＳＯに近いものに比べ、光軸Ｏに対して小さい角度で配置されている。このように、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝播する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するように構成されている。少なくとも２つのリフレクタが実質的に同軸に、かつ、光軸Ｏに対して実質的に回転対称に延在し得る。放射コレクタ５０は、外側リフレクタ１４６の外面または外側リフレクタ１４６の周囲に、例えば保護ホルダやヒータなどのフィーチャをさらに有してもよい。
【００４２】
コレクタミラー５０として、かすめ入射ミラーの代わりに、法線入射コレクタも適用することができる。リフレクタ１４２、１４３、１４６を有する入れ子式のコレクタとして一実施形態中に詳述され、かつ図２および３に概略的に示されるように、コレクタミラー５０は、本明細書において、コレクタの例としてさらに使用される。よって、適用可能な場合は、かすめ入射コレクタとしてのコレクタミラー５０は、一般的なコレクタとしても、また、他の実施形態においては法線入射コレクタとしても、解釈され得る。
【００４３】
さらに、図２に概略的に示される格子５１の代わりに、透過性の光学フィルタを適用してもよい。ＥＵＶに対して透過性があり、かつ、ＵＶに対しては透過性が低いか、もしくは実質的にＵＶを吸収する光学フィルタが、従来技術により周知である。よって、本明細書中、「格子スペクトル純度フィルタ」は、さらに、「スペクトル純度フィルタ」とも示され、これには格子または透過性フィルタが含まれる。図２には示さないが、任意の光エレメントとして、例えばコレクタミラー５０の上段側に配置されるＥＵＶ透過性光学フィルタを含んでもよく、または照明ユニット４４および／または投影システムＰＳ内に光学ＥＵＶ透過性フィルタを含んでもよい。
【００４４】
以下、金属汚染物質として、特にＳｎを例に本発明を説明する。よって、この金属汚染物質は、しばしば「Ｓｎ堆積」または「Ｓｎ汚染」とも示される。しかしながら、例えばＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射を生成するにあたって、他の金属蒸気源が適用されることもあり、その場合、他の金属汚染物質が生成され、それによる堆積物が生成され得る。金属汚染物質を生成する放射源ＳＯとしての金属源に加え、はんだ、フィラメント、サポートなどの他の生成源（非光学源）からも、金属汚染物質は生じ得る。よって、「Ｓｎ堆積」または「Ｓｎ汚染」という用語は、特にＳｎの堆積物や汚染物質を指すものの、他の金属の堆積物や汚染物質も包含することがある。「Ｓｎ汚染」（および同様の堆積）は、金属性のＳｎ堆積物も指す。しかし、（微量の）酸素が存在するため、Ｓｎ汚染は酸化され酸化Ｓｎにもなり得る。酸化Ｓｎまたは水酸化Ｓｎも、「Ｓｎ汚染」および「Ｓｎ堆積」という用語に包含される。また、Ｓｎのオキシハライドも包含される。これは、ＭｎやＺｎなどの他の金属にも同様に適用される。よって、他の実施形態において、金属汚染物質は、Ｓｎ、ＭｎおよびＺｎからなる群から選択される１つ以上の元素の、金属、金属酸化物、金属水酸化物、金属水素化物、金属ハロゲン化物および金属のオキシハライドからなる群から選択される。Ｓｎは、（Ｓｎベースの放射源の場合）放射源ＳＯにより、もしくは、はんだなどの他の発生源から、リソグラフィ装置１に侵入する。ここで、水素化物（この例においては、ＳｎＨ４）の形成によって、ミラーへの金属の望ましくない移動が引き起こされる。同様に、Ｍｎ（マンガン）およびＺｎ（亜鉛）は、リソグラフィツールの部品が部分的に加熱されることにより、リソグラフィ装置１内に侵入し得る。第３のメカニズムとして、洗浄作業中の金属酸化物の還元が上げられる。洗浄中に生成される原子としての水素は、金属酸化物を還元し、結果として生じた金属は、酸化金属の蒸気圧に比べて金属蒸気圧が高いため、金属源のように作用する。
【００４５】
さらに、汚染物質は、例えばＬｉ源からのＬｉ汚染物質でもあり得る。Ｓｎ、ＭｎおよびＺｎ金属の水素化物またはハロゲン化物は、ゲッタ上に堆積すると考えられる。
【００４６】
「堆積物」という用語は、表面上に保持された（結合された）汚染物質を指す。金属汚染物質は、ガスまたは粒子として、リソグラフィ装置内に存在し得る。表面に接触し、その表面に（例えば、イオン結合、金属結合、または、ヴァンデルワールス結合により）結合すると、金属汚染物質は堆積物を形成し得る。このような堆積物は、汚染物質の、１つ以上の層、島状構造、または（他の）局所的な積層を含み得る。堆積物は、堆積する前のガスや粒子としての特性とは別の特性を有し得る。例えば、水素化スズは、Ｓｎの金属堆積物（再堆積物を含む）または酸化スズの堆積物（再堆積物を含む）を形成し得る。
【００４７】
図２に示す全ての光エレメント（および本実施形態の概略図には示されない光エレメント）は汚染物質の堆積に対して脆弱である。特に、金属蒸気源を使用する場合、例えばＳｎ源からのＳｎのような、放射源ＳＯにより生成される金属、金属粒子または金属化合物は、光エレメント上に堆積し得る。これは、放射コレクタ５０および（含まれる場合は）スペクトル純度フィルタ５１に該当することであるが、法線入射リフレクタ５３、５４、反射エレメント５８、５９、または例えば付加的なミラー、格子、（透過性）光学フィルタ等の他の光エレメントにも該当する。異なる光エレメントは、少なくとも部分的には、例えばＳｎ（またはたの金属）および／またはＣの堆積物が洗浄されるか、もしくはゲッタを用いて汚染物質の堆積から保護される必要があるだろう。一実施形態において、光エレメントは、コレクタミラー５０、（放射源コレクタモジュールとしても知られる）放射システム４２、照明システムＩＬ、および、（投影光ボックスＰＯＢとしても知られる）投影システムＰＳからなる群から選択される。一実施形態においては、このエレメントはスペクトル純度フィルタ５１であってもよい。また、他の実施形態においては、このエレメントはマスク、特に反射多層マスクであってもよい。よって、一実施形態において、光エレメントは、コレクタミラー５０（法線入射コレクタまたはかすめ入射コレクタのいずれでも）、スペクトル純度フィルタ５１（格子または透過性フィルタ）、放射システム（光）センサ（図示なし）など放射システム４２に含まれる光エレメントと、ミラー５３、５４（または、他にある場合は、その他のミラー）および照明システム（光）センサ（図示なし）など照明システム４４に含まれる光エレメントと、ミラー５８、５９（または、他にある場合は、その他のミラー）および投影システム（光）センサ（図示なし）など投影システムＰＳに含まれる光エレメントと、からなる群から選択される。他の実施形態では、「光エレメント」という用語は、汚染物質バリア４９も含む。したがって、「光エレメント」という用語は、格子スペクトルフィルタ、透過性光学フィルタ、多層ミラー、多層ミラー上のコーティングフィルタ、かすめ入射ミラー、（多層コレクタなどの）法線入射ミラー、かすめ入射コレクタ、法線入射コレクタ、（ＥＵＶ感知センサなどの）（光）センサ、汚染物質バリア４９およびマスクからなる群から選択される１つ以上のエレメントを指す。
【００４８】
さらに、光エレメントだけでなく、壁、ホルダ、サポートシステム、ガスロック、汚染物質バリア４９なども、Ｓｎなどによって汚染され得る。この堆積物は、光エレメントの光学特性に直接は影響を与えないが、再堆積することにより、この堆積物は光エレメント上に堆積（つまり、再堆積）し得るため、光学特性に影響を及ぼす。よって、光エレメント上に堆積していない堆積物でさえ、後の段階で再堆積によって光エレメント表面の汚染を引き起こし得る。これにより、反射、透過、均等性などの光学性能の低下につながることがある。
【００４９】
このため、他の実施形態において、リソグラフィ装置１内にはゲッタが配置される。図３は、限定的でない実施形態およびその変形例を概略的に示す。図３は、放射システム４２の一部を概略的に示す。このモジュール内には、オブジェクト３０１が配置される。これらのオブジェクトは、どこに配置されても良いが、特に、リソグラフィプロセスにおいて放射源ＳＯから生成される放射ビームＢの経路内には配置されない。オブジェクト３０１は、移動可能であってもよい（下記も参照）。
【００５０】
オブジェクト３０１は、第１表面として示される表面３０２を含み、この表面３０２は、金属蒸気ベースの放射源ＳＯ、および／または、リソグラフィ装置１内の他の金属源からの金属を保持するように構成される（つまり、オブジェクト３０１は、ゲッタ(getter)であり、特に、化学ゲッタ(chemical getter)である）。このような表面は、実質的に平らでもよく、湾曲していても良く、有効表面が増すようにミクロン規模で粗くてもよい。オブジェクト３０１は、例えば、プレートであってもよい。一実施形態では、表面３０２の外面積が１〜１０００ｃｍ２、特に５〜５００ｃｍ２であるプレートが使用される。
【００５１】
他の実施形態において、表面３０１は、表面３０１の表面積を増加させるようなメッシュ、スポンジ、または、その他の粗目のものを含み、これにより金属分子を保持する機能を高めている。さらに他の実施形態では、表面３０１は、（例えばエッチングプロセスで得られる）ナノ細孔または（例えばデポジションやスパッタリングで得られる）ナノ粒子などのナノ構造を含む。
【００５２】
他の実施形態では、第１表面３０２は、光エレメントの表面層ではない。上述したように、一実施形態では、第１表面３０２は、リソグラフィプロセスの間、放射源ＳＯから生成される放射ビームＢが横断する領域の実質的に外側に配置される。特に、表面３０２とビームＢとの間の最短距離は、約０．１ｍｍ〜１００ｃｍである。他の実施形態では、表面３０２とビームＢとの間の最短距離は、約０．５〜１０ｃｍである。
【００５３】
他の実施形態において、第１表面３０２は金属表面を含み、この金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１つ以上の金属である。これらの表面、つまりこれらの金属の表面は、Ｓｎを除去する（保持する）ことができると考えられる。よって、オブジェクト３０１を設けることにより、Ｓｎは表面３０２に保持される。表面３０２は、ゲッタのような役割をする。他の実施形態では、この表面はＰｔを含む。また、他の実施形態では、この表面はＲｕを含む。さらに他の実施形態では、表面３０２は金属表面を含む。さらに他の実施形態では、表面３０２は金属酸化物を含む。よって、一実施形態において、「金属表面」という用語は、金属酸化物表面も含む。
【００５４】
ここで説明する実施形態では第１表面３０２が、他の実施形態ではオブジェクト３０１全体が、（リソグラフィプロセスの間）イメージの形成に寄与する放射経路の実質的な（または完全な）外側に位置する。例えば反射面のエッジなどで、ゲッタ面３０２がいくらかの放射を受けても、イメージの形成が実質的な影響を受けない限り、重大な問題ではないだろう。他の例を挙げると、放射がシステム内の残りの部分を通って進行しないようにブロックする領域上にゲッタ面を有する開口を設けてもよい。そのような実施形態では、表面３０２は、少なくとも部分的には放射ビーム内にあるが、放射ビームのうち次段の光コンポーネントに届く部分内にはない。よって、放射経路のうちイメージの形成に寄与する部分は、表面３０２によって妨害されない。したがって、「リソグラフィプロセスの間、放射源ＳＯから生成される放射ビームＢが横断する領域の実質的に外側に配置される」という文言は、ウェーハＷ上のイメージ形成を妨害せずに、表面３０２（および、特にオブジェクト３０１全体）を装置内に配置する配置を指す。しかし、他の実施形態では、第１表面３０２も、リソグラフィプロセスの間、放射源から生成される放射ビームの経路内にも配置されない、つまり第１表面３０２は、放射源ＳＯからの放射を実質的に受けず、放射ビームＢの側面からさえも受けない。
【００５５】
さらに、水素または水素ラジカル（下記参照）もしくはこれら両方の存在により、Ｓｎ（または他の金属）の表面３０２への堆積が促進し、ゆえに、そのゲッタ機能も促進すると考えられる。よって、他の実施形態では、水素含有ガスまたは水素ラジカル含有ガスは、オブジェクト３０１（つまり、表面３０２）が配置されるモジュール内に適用される。リソグラフィ装置１内またはオブジェクト３０１が配置されるモジュール内のガスは、室温に保つことができ、また表面３０２も室温に保つことができる。高温、例えば表面３０２を約２５０℃まで加熱してもよい。しかし、室温でも、表面３０２はゲッタ機能を有し、Ｓｎ等を回収すると考えられる。前述した金属以外の表面が使用される場合、一般に、ゲッタ機能は弱くなるか、または無くなることさえある。例えば、Ｓｉ表面を使用する場合、Ｓｎの堆積は、一桁以上低下する。
【００５６】
他の実施形態では、オブジェクト３０１を含むモジュールは、約１０−７〜５００ｍｂａｒ、特に約１０−２〜１ｍｂａｒの圧力に保たれる。
【００５７】
他の実施形態において、モジュール内の水素（つまり、上述した類似体を含む）の分圧は、約０．０１〜５００ｍｂａｒ、好ましくは約１０〜３００ｍｂａｒである。一実施形態における全ガス圧は、約５００ｍｂａｒ以下であり、好ましくは約３００ｍｂａｒ以下であり、より好ましくは２００ｍｂａｒ以下である（つまり水素ガスを含む）。
【００５８】
他の実施形態では、光エレメントはコレクタミラー５０を含み、モジュール４２内の水素の分圧は、約０．０１〜５００ｍｂａｒ、好ましくは約１０〜３００ｍｂａｒである。一実施形態における全ガス圧は、約５００ｍｂａｒ以下であり、好ましくは約３００ｍｂａｒ以下であり、より好ましくは、２００ｍｂａｒ以下である（つまり水素ガスを含む）。これらの条件は、コレクタミラー５０が、「ウォルタコレクタ」として上述し、かつ図２および３に示すコレクタミラーを含む場合に、特に有用である。
【００５９】
さらに他の実施形態では、光エレメント２０１は、照明ユニットＩＬまたは投影システムＰＳに含まれる光エレメントを含む。ＩＬまたはＰＳのモジュール内の水素の分圧は、約０．０１〜１００ｍｂａｒであり、好ましくは約０．０１〜１ｍｂａｒである。一実施形態における全ガス圧は、約１００ｍｂａｒ以下であり、好ましくは約１以下である（つまり水素ガスを含む）。同様に、リソグラフィ装置１のうちマスクを含む部分は、このような圧力に保たれる。
【００６０】
図４ａを参照すると、水素ラジカルは、流れまたは拡散により存在する。例えば、水素を使用し、かつ意図的に追加し得るガスロックが存在することにより、水素は存在し得る。水素ラジカルは、多くの方法により生成することができる（下記参照）。水素ラジカル含有ガスは、符号９６で示される。光エレメント２０１は、表面２０２上に望ましくない堆積物３０２を有し得る。光エレメント２０１は、例えばレンズ、ミラー、センサなど（上記参照）の光エレメントの表面のような、堆積物（または再堆積物）の影響を受け得るあらゆる表面を表す（上記も参照）。光エレメント２０１は、コレクタミラー５０およびスペクトル純度フィルタ５１を指すこともある。オブジェクト３０１は、表面２０２に隣接して配置し得る。水素ラジカル９６が存在することにより、堆積物は、水素化スズや水素化亜鉛などの揮発性の水素化物を形成する。この揮発性の水素化物は、水素ラジカル含有ガス９６の流れの存在により、拡散または移動する。水素化物は、表面３０２に優先的に堆積する（つまり、再堆積する）と考えられる。このようにして、表面２０２の洗浄は増進し、および／または、オブジェクト３０１の表面３０２によるゲッタリング（つまり、望ましくない汚染物質の保持）は増進する。したがって、このようにして、表面２０２上の（再）堆積物も減少し得る。すなわち、他の場所からの汚染物質は、表面３０２上に（再）堆積する。例えば、放射源ＳＯ（Ｓｎベースの場合）からのＳｎは、Ｓｎ粒子であっても（Ｓｎと水素ラジカル９６の存在により形成された）水素化Ｓｎであっても、表面３０２上に堆積し得る。この水素化物が表面３０２に接触すると、ＳｎまたはＳｎの化合物は堆積（結合）し、水素ラジカルが形成され、再びモジュール内の（光）エレメント上の汚染物質または堆積物との反応に使用され得る。表面３０２は、一種の化学ゲッタとしての役目を果たす。一実施形態において、これは洗浄構成（の一部）としても機能し得る。
【００６１】
図４ｂは、他の実施形態を示し、この実施形態では、やはり（光）エレメント２０１が使用されるが、ここでは移動可能な（任意の特徴）オブジェクト３０１を使用する。オブジェクト３０１は、例えば、任意の従来メカニズムにより移動し得る。図４ｂは、一実施形態を示し、この実施形態において、オブジェクト３０１は移動可能なアーム３６０により移動し得る。移動可能なオブジェクト３０１を使用して、オブジェクト３０１は、リソグラフィプロセスの間、放射ビームＢの外側に配置され得るが、洗浄プロセスの間は（光）エレメント２０１に隣接して配置され得る（下記も参照のこと）。ここで、一実施形態において、「隣接」という用語は、第２表面３０２と第１表面２０２と間の最短距離が約０．１〜２０ｃｍ、より好ましくは約０．５ｍｍ〜１０ｃｍであることを示す。
【００６２】
図４ｂの構成は、さらに水素源７００を含む。水素源７００は、「付加的な」ソースでもよく、例えば放射モジュール４２と照明モジュールＩＬとの間のガスロックのような「自然な」ソースでもよい。一実施形態では、ソース７００は、水素ラジカル源１０３へと導かれる水素含有ガス１００源である。ガス１００は、チューブ１０４を介して供給され、水素含有ガス源７００から水素含有ガス１００を水素ラジカル源１０３へ供給するように構成される。水素ラジカルは、熱フィラメント、（つまりＲＦ生成された）プラズマ、放射（特にＵＶ放射）およびＨ２を水素ラジカルに変換する触媒からなる群から選択される１つ以上のラジカル形成手段により、Ｈ２含有ガス１００のＨ２から水素ラジカル源１０３によって生成され得る。したがって、水素ラジカル源１０３は、（フィラメントの温度を調整するように構成されたデバイスを含む）加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射源（つまり、放射源ＳＯではない放射源）および触媒からなる群から選択される１つ以上を含む。水素ラジカル源１０３の実施形態は、参照により本明細書に引用する米国特許出願公報２００６／００７２０８４Ａ１に記載されている。他の実施形態では、水素ラジカル源１０３は、水素の解離に対する触媒作用のある触媒表面を含む。他の実施形態では、この触媒作用表面は、チューブ１０４の少なくとも一部の内面であってもよい。
【００６３】
さらに他の実施形態では、水素ラジカル源１０３は放射源ＳＯを含み、例えばＵＶ放射の放射源ＳＯは水素ラジカルを生成するために使用し得る。
【００６４】
チューブ１０４は、ソース７００とガス状接触しており、例えば表面２０２から数センチメートル内の所定の位置にガス１００を供給するように構成される。他の実施形態にでは、アウトレット１０６は表面２０２の少なくとも一部から約１０ｃｍ未満の位置である。
【００６５】
一実施形態において、チューブ１０４は、例えばコレクタミラー５０の２つのシェル間（図２中、参照符号１８０で示す）の所定の位置に位置付けられるまで移動可能である。
【００６６】
水素含有ガス１００は、例えばチューブ１０４内にガス流を誘発させるように構成されるポンプにより、または光エレメント２０１が配置されるボリュームの圧力に対してソース７００内が過圧になっていることにより、または排気ポンプ４００により、少なくとも部分的に表面２０２の方向に流れる。チューブ１０４に流れ１００を作るように構成されたポンプ、および、光エレメント２０１が配置されるボリュームからガスを排出するように構成されたポンプ４００のように、２つ以上を組み合わせてもよい。図４ｂに概略的に示す構成では、流れが表面２０２に提供され得る。この流れは、初期的に流れ１００を含み、これは水素含有ガスである。さらに、上記に加え、「流れ」という用語は、水素ガス１００の拡散を含んでもよく、かつ適用可能な場合は、水素ラジカル９６の拡散も含み得る。よって、水素含有ガス１００の流れを使用する場合、この流れは表面２００の方向に誘導されることもあるが、これに限られる必要はない。揮発性反応生成物もまた、拡散により、表面２０２から拡散し得る。
【００６７】
水素ラジカル源１０３は、水素含有ガス１００から水素ラジカル含有ガス９６を生成する。この水素ラジカル含有ガス９６は、エレメント２０１の表面２０２へと誘導される／流れる。水素ラジカルの存在により、表面２０２上の金属汚染物質および金属堆積物２０３は、揮発性水酸化物へと変換される（再堆積物の除去）。これは参照符号２０４で示される。揮発性水酸化物は、ポンプ４００などを使って、排気部５５０から排出される。さらに、揮発性の汚染物質は、オブジェクト３０２の第１表面３０１でゲッタリングされるため、移動性が低い、または非移動性の堆積物が表面３０２上に形成される。
【００６８】
例えば、（ＣＨ４、ＳｎＨ４等、または、塩化Ｓｎやヨウ化Ｓｎ等のハロゲン化Ｓｎのようなハロゲン化物等の）揮発性水素化物として、汚染物質２０３の少なくとも一部は除去されるであろうが、（酸化Ｓｎが還元されてＳｎになる場合は）Ｈ２Ｏも形成され（上記参照）、除去され得る。揮発性の汚染物質は、排気部を介して除去され得る。一実施形態において、揮発性の汚染物質は、少なくとも部分的にポンプ４００により排出される。ポンプ４００は、開口部１０７またはインレット（排気開口）または複数の開口部１０７および排気部５５０を含む。任意で、開口部１０７は、ポンプ４００とガス状接触するチューブ４７１内へと設けられてもよい。一実施形態では、チューブ４７１は、水素ラジカルおよび任意のハロゲンとの処理による揮発性汚染物質２０４が排出されるような配置となるように、被洗浄面に近い所定の場所へと移動可能であってもよい。
【００６９】
一実施形態では、水素ラジカル含有ガス流９６は、少なくとも１ｍ／ｓである。
【００７０】
代替的に、または追加的に、他のガス源を設けてもよい。これは、参照符号７００’として図４ｂに示し、ハロゲン含有ガス１００’のガス源を指す。ハロゲンは、Ｓｎなどの金属と揮発性ハロゲン化物を形成する。このようにして、金属も移動可能となり、オブジェクト３０１の表面３０２に堆積し得るため、移動性が低い、または非移動性の堆積物が表面３０２上に形成される。
【００７１】
ガスは、それぞれ、チューブ１０４、１０４’およびアウトレット１０６、１０６’を介してモジュール内に導入される。しかし、チューブ１０４、１０４’は単一でも複数でも良く、またアウトレット１０６、１０６’も単一でも複数でもよい。
【００７２】
上述したように、一実施形態では、例えば水素ラジカルおよび／またはハロゲンの存在と組み合わせることにより、表面３０２はある種の化学ゲッタとしての役割を果たし得る。よって、表面３０２は、金属汚染物質を保持するように構成され、金属汚染物質を結合するための方法において使用することができる。しかし、他の実施形態では、このゲッタ機能は、洗浄するための方法において使用される。上述したように、表面３０２を有するオブジェクト３０１は、光エレメントを洗浄する（処理する）洗浄構成（の一部）としての役割を果たし得る。以下、表面３０２の後者の機能について、より詳しく説明する。
【００７３】
水素ラジカルおよびハロゲンを使用した金属汚染物質や金属堆積物の洗浄および処理は、組み合わせるか、または交互に使用することができる。一実施形態においては例えばＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２などの（ガスとしての）ハロゲンにより、他の実施形態においては水素ラジカルにより、さらに他の実施形態においては水素ラジカルと一つ以上のハロゲンの組み合わせ（同時に適用される場合、または続いて適用される場合のいずれでも）により、例えばＳｎなどを含む堆積物などの堆積物は除去し得る。例えばＳｎを含む堆積物がある場合、少量の酸素が存在することにより、通常ある程度の酸化Ｓｎも存在することになる。酸化Ｓｎを除去するために、元素としてのＳｎが除去される前に、還元工程を使用することができる。よって、一実施形態において、被洗浄面の洗浄プロセスは、この被洗浄面に水素ラジカル含有ガスを提供するプロセスを含む。さらに他の実施形態では、洗浄プロセスは、水素ラジカル含有ガスを被洗浄面に提供するプロセスを含み、この水素ラジカル含有ガスは、さらに１つ以上の（上述したような）ハロゲンガスを含む。他の実施形態では、被洗浄面の洗浄プロセスは、被洗浄面に水素ラジカル含有ガスを提供し、その後、水素ラジカル含有ガスを被洗浄面に提供するプロセスを含んでも良く、この水素ラジカル含有ガスは、さらに１つ以上のハロゲンガスを含む。さらに他の実施形態では、被洗浄面の洗浄プロセスは、水素ラジカル含有ガスを被洗浄面に提供し、続いてハロゲン含有ガスを被洗浄面に提供するプロセスを含み得る。これらの実施形態のプロセスは、水素ラジカル含有ガスを被洗浄面に提供する後続のプロセスを任意でさらに含んでも良い。これらのプロセスによって、Ｓｎ（または他の金属）および／またはＣは除去可能であり、特にＳｎの除去に適用可能である。
【００７４】
したがって、水素ラジカルは、還元または除去のいずれに使われる場合でも、コレクタの表面の少なくとも一部には提供される必要があり、もしくは、一般には光エレメント２０１の被洗浄面２０２の少なくとも一部には提供されなくてはならない。このような表面は、例えばＳｎのような堆積物により汚染されたリフレクタ１４２、１４３、１４６のＥＵＶ反射面である。さらに、水素ラジカルは、揮発性炭化水素を形成することにより、炭素の堆積物を除去するために使用することができる。
【００７５】
他の実施形態では、オブジェクト３０１を含むモジュールは、洗浄（処理）中、約１０−７〜５００ｍｂａｒｍ、好ましくは１０−２〜１ｍｂａｒの圧力下に維持される。他の実施形態では、モジュール内の（前述した類似体を含む）水素の分圧は、約０．０１〜５００ｍｂａｒ、好ましくは約１０〜３００ｍｂａｒである（上記も参照）。一実施形態において、全ガス圧は、約５００ｍｂａｒ以下、好ましくは約３００ｍｂａｒ以下、さらに好ましくは約２００ｍｂａｒ以下である（つまり水素ガスを含む）。上述した圧力は、洗浄／処理中にも適用される。同様に、一実施形態における水素ラジカル含有ガス流９６は、少なくとも１ｍ／ｓである。
【００７６】
図４ｂを参照して、本発明は、第１洗浄構成２５０をさらに含むリソグラフィ装置１に関連し、この第１洗浄構成２５０は、水素含有ガス源７００と、水素ラジカル源１０３と、任意のハロゲン含有ガス源７００’とを含み、このリソグラフィ装置１は、第２の表面２０２を有するエレメント２０１（または他のエレメント）をさらに含み、この第２表面２０２から、放射源ＳＯまたは他のソースや発生源（上記参照）からの金属堆積物（直接堆積物、再堆積物、または直接堆積物および再堆積物の両方、のいずれでも；一実施形態では金属酸化物を含む）が洗浄され、この洗浄構成２５０は、水素ラジカル含有ガス９６、任意のハロゲン含有ガス１００’、または水素ラジカル含有ガス９６と任意のハロゲン含有ガス１００との両方を、光エレメント２０１の第２表面２０２へ提供するように構成され、第１表面３０２を有するオブジェクト３０１は、（前述したように）さらに金属の再堆積物を保持するように構成される。
【００７７】
他の実施形態では、洗浄構成は、例えば図４ａ（および図４ｃ）に概略的に示すように、水素ラジカル含有ガス９６を第１表面３０２と第２表面２０２との間に提供するよう構成される。さらに、オブジェクト３０１は、第２表面２０２の方向に移動可能であり、洗浄構成２５０は、水素ラジカル含有ガス９６を第１表面３０２と第２表面２０２との間に提供するように構成し得る。ここで、表面３０２は、水素化Ｓｎおよび／または揮発性ハロゲン化Ｓｎ２０４および／または（小さな）Ｓｎ粒子のような揮発性水素化物２０４を除去するゲッタとして使用し得る。
【００７８】
第１表面３０２は、ゲッタとして使用されるだけでなく、第１表面３０２は触媒としても使用され得る。特に、金属表面３０２がＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１つ以上の金属である場合、水素含有ガス１００内の水素は、表面３０２上で解離し、水素ラジカルを形成する。これは、室温でも起こりうる。よって、図４ｃに示すように、第２表面３０２は、Ｓｎなどの汚染物質を保持するだけでなく、水素（および、任意のその類似体）を解離するように構成され得るため、水素ラジカル源１０３として構成され得る。ここで、第１表面３０２は、触媒表面を含む、つまり、水素ラジカルジェネレータ１０３でもある。
【００７９】
したがって、他の実施形態では、洗浄構成２５０は、第１表面３０２と第２表面２０２との間に水素含有ガス１００を提供するように構成される。ここでも、オブジェクト２０１は第２表面２０２の方向に移動可能であってもよい（それゆえ、リソグラフィプロセスの間、放射源ＳＯにより生成される放射ビームＢが横断する領域の外側に配置される）。他の実施形態では、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、および、Ｐｔからなる群のうち一つ以上の金属が適用される。変形例では、ＲｕおよびＰｔのうち１つ以上が選択される。
【００８０】
図４ｂおよび４ｃを参照すると、さらに他の実施形態では、リソグラフィ装置１は、第1洗浄構成２５０をさらに含み、この第1洗浄構成２５０は水素含有ガス源７００’を含み、リソグラフィ装置１は第２表面２０２を有する光エレメント２０１を含み、この第２表面２０２からは、放射源ＳＯ、または他のソースや発生源からの金属堆積物２０３が洗浄され、この洗浄構成２５０は、ハロゲン含有ガス１００’を光エレメント２０１の第２表面に提供するよう構成され、第１表面３０２を有するオブジェクトは、さらに金属再堆積物を保持するように構成される。表面３０２に付着する汚染物質と金属堆積物２０３は、ハロゲンの存在により、表面３０２上の再堆積物（通常、金属または金属酸化物）とともに（Ｓｎ、ＺｎまたはＭｎの塩化物またはヨウ化物などの）揮発性ハロゲン化物を形成する。揮発性ハロゲン化物の少なくとも一部は、排気されてもよい（上記参照の）。洗浄構成２５０は、第１表面３０２と第２表面２０２との間にハロゲン含有ガス１００’を提供するように構成され、上述したように、オブジェクト３０１は、表面３０２を表面２０２の方向へと移動することができるように、移動可能であってもよい。このようにして、表面２０２上の揮発化された堆積物２０３の表面３０２上への（再）堆積物は増加し得、堆積物２０３の減少または除去につながる。揮発化された堆積物は、符号２０４で示す。
【００８１】
図４ｄは、さらに他の実施形骸を示す。図４ｄは、コーティング２０５を有する光エレメント２０１、特にミラーまたは格子を概略的に示す。一実施形態では、このコーティングは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｐｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１つ以上の金属を含む。このようなコーティングは、キャップ層やスペクトル純度層などとして使用され得る。光エレメント２０１は、ビームＢにより部分的に照射されるように、リソグラフィ装置１に内に配置される。例えば、光エレメント２０１は、コレクタミラー５０またはスペクトル純度フィルタ５１などであり、この光エレメントはコーティング２０５でコーティングされている。この表面の一部がビームＢにより照射される。この部分も、一般に、放射源ＳＯから直接発生する金属堆積物２０３が相当量見られる部分である（これは、光エレメント２０１としてコレクタミラー５０が使用されている場合に、特に当てはまる）。光エレメント２０１の表面２０２上の堆積物は、参照符号２０３で示す。コーティング２０５の一部は、照射されない。これを斜線領域２０５’で示す。これらの領域は、堆積物２０３を全く含まないか、少量のみ含む表面を有する。よって、ビームＢにより照射されないこれらの部分、つまり図４ｄ中の領域２０５’は、表面３０２として適用される。したがって、一実施形態では、ビームＢにより照射されない表面２０２の部分２０５’は、表面３０２として使用されるため、例えば水素１００、水素ラジカル９６およびハロゲンガス１００’の１つ以上との組み合わせによって、ゲッタ（および任意でラジカルジェネレータ１０３の機能を発揮する。表面２０２の部分２０５’は、リソグラフィ装置１においてビームＢ内に配置されるエレメントの影に入る部分でもある。例えば、汚染トラップ４９は、例えばコレクタミラー５０上にいくらかの影をもたらし得る。これらの影領域は、領域２０５’でもあるが、ビームＢには照射されず、ゲッタ表面３０２および／または触媒表面１０３としても使用し得る。
【００８２】
図４ｄを参照し、さらに他の実施形態では、表面２０３の部分２０５は放射ビームＢに照射され得る。この部分は、（装置内にさらに設けられ、図示しない）ウェーハ上へのイメージ形成に使用される。この部分は、放射源ＳＯにより生成される放射ビームＢが横断する領域の中にあり、イメージの形成に使用される。しかし、ここで表面２０２の部分２０５’として示される第１表面３０２は、放射ビームＢが横断する領域の実質的に外側であり、ビームＢが横断しない部分である。ただし、ビームＢのサイド／ウィングが表面２０２の部分２０５’に照射し得る。よって一実施形態では、部分２０５’はリソグラフィプロセスの間、放射源ＳＯにより生成される放射ビームＢが横断する領域の実質的に外側に配置されるが、放射ビーム全体の外側でなくてもよい。しかし、部分２０５’間が（図４ｄに示すよりも）離れている場合は、放射ビームＢの外側にも配置され得る。
【００８３】
図４ｂ、４ｃおよび４ｄを参照して上述した実施形態は、光エレメント２０１から堆積物２０３を洗浄するために使用するだけでなく、代替的に、または追加的に汚染物質の堆積物（特にＳｎおよびＣの堆積物）から光エレメント２０１の表面２０２を保護するために使用してもよい、つまり、（上述したように）オブジェクト３０１は、ゲッタである。ハロゲンおよび／または水素ラジカルの存在により、揮発性の汚染物質が形成され、排気される（ハロゲン化Ｓｎまたは水素化Ｓｎ、ＣＨ４）か、もしくは、金属またはその化合物として、オブジェクト３０１の表面３０２上に優先的に保持される（ハロゲン化Ｓｎまたは水素化Ｓｎ）。
【００８４】
本発明の他の実施形態において、放射源ＳＯを含むリソグラフィ装置１内の金属汚染物質を結合する方法が提供され、この放射源ＳＯは、一実施形態では（ＥＵＶ放射を生成するためのＳｎ放電源のような）金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源ＳＯであり、この方法は、リソグラフィ装置１において第１表面３０２を有するオブジェクト３０１を使用することを含み、この第１表面３０２は金属表面を含み、一実施形態においてこの金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、および、Ａｕからなる群から選択する１つ以上の金属であり、第１表面３０２は、金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源から、および／または、他のソースや発生源からの金属を保持するように構成され、第１表面３０３２は、リソグラフィプロセスの間、放射源ＳＯにより生成される放射ビームＢが横断する領域の実質的に外側に配置される。この方法は、水素含有ガス１００、水素ラジカル含有ガス９６、およびハロゲン含有ガス１００’からなる群から選択される１つ以上のガスを提供すること、をさらに含む。これらガスの１つ以上の存在により、堆積物は、揮発化され、表面３０２上に堆積する（上記参照）。
【００８５】
表面３０２によりゲッタリングされる汚染物質は、金属、金属酸化物、金属水素化物、金属水酸化物、金属ハロゲン化物、および、金属のオキシハライドからなる群から選択される１つ以上の汚染物質である。これらの汚染物質は、揮発性であるか、揮発化されたものでもよく、表面３０２に堆積して、ここで金属、金属酸化物、金属水素化物、金属水酸化物、金属ハロゲン化物、および、金属のオキシハライドの堆積物を形成する。
【００８６】
他の実施形態では、金属汚染物質を結合する（保持する）方法は、光エレメント２０１の表面２０２または他の光エレメントを洗浄する（処理も含む）ために使用される。したがって、提供される方法において、リソグラフィ装置１が第２表面を有する光エレメント２０１をさらに含み、この表面２０２から（他からの再堆積物を含む）金属堆積物２０３が洗浄され、この方法は、水素含有ガス１００、水素ラジカル含有ガス９６およびハロゲン含有ガス１００’からなる群から選択される1つ以上のガスを、光エレメント２０１の第２表面２０２へ提供することをさらに含む。特に、リソグラフィ装置１の光エレメント２０１を洗浄する方法が提供され、この方法は、リソグラフィ装置１がｓ第１表面３０２を有するオブジェクト３０１を使用することを含み、この第１表面３０２は金属表面を含み、一実施形態では、この金属はＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１つ以上の金属であり、第１表面３０２は、金属蒸気ベースのＥＵＶ放射源ＳＯからの金属汚染物質、または第１表面３０２上に（再）堆積し得る他のソースからの汚染物質を保持するように構成され、第１表面３０２は、リソグラフィプロセスの間、放射源ＳＯにより生成された放射ビームＢが横断する領域の実質的に外側に配置され、光エレメント２０１は第２表面２０２を有し、この第２表面２０２から金属堆積物が洗浄され、この方法は、水素含有ガス１００、水素ラジカル含有ガス９６、および、ハロゲン含有ガス１００’からなる群から選択される１つ以上のガス提供することをさらに含む。
【００８７】
第１表面３０２は汚染物質をゲッタリングし、水素ラジカル（または水素）およびハロゲンの１つ以上の存在により、光エレメントまたは他のエレメント上の堆積物を除去し、第１表面３０２上に堆積させる効果をもたらす。第１表面３０２は、これにより汚染される。例えば、表面３０２も水素ラジカルを生成するように構成される場合、表面３０２の汚染（つまり、水素ラジカル源１０３の汚染）は望ましくないこともある。よって、他の実施形態では、リソグラフィ装置１は第２洗浄構成をさらに含み、この第２洗浄構成は第１表面３０２から金属堆積物を洗浄するように構成される。さらに、上述したように、第１表面から金属堆積物を洗浄することをさらに含む方法が提供される。この第２洗浄構成は、図示されない。第２洗浄構成は、リソグラフィ装置１のインシチュ(in situ)で設けても、エックスシチュ(ex situ)で設けてもよい。
【００８８】
図５ａ〜図５ｃは、実行され得る多くのプロセスを概略的に示す。ステージ１９１において、オブジェクト３０１はゲッタとして機能し、汚染物質を除去する。しばらく経過した後、オブジェクト３０１の表面３０２は、任意で第２洗浄構成へと搬送され、ステージ１９２において、オブジェクト３０１の表面３０２が洗浄される。オブジェクト３０１の表面３０２上の堆積物を実質的に除去した後、オブジェクトは再び使用可能となり、第２洗浄構成から、ゲッタ機能を果たす（汚染物質を保持する）位置まで戻される。例えば、このようなプロセスは、表面３０２を有する回転ディスク、または、表面３０２、可動アーム３６０などを有する並進テープを使用して実行され得る。
【００８９】
図５ｂは、上述のスキームと同様のものを示す。ただし、オブジェクト３０１は、放射源からの金属をゲッタリングするのに使用されるだけでなく、光エレメント２０１のようなリソグラフィ装置のエレメントを洗浄する（つまり、堆積物を除去する）のにも使用される。これは参照符号１９３として示し、光エレメント２０１の表面２０２が（洗浄構成２５０を用いて）洗浄される洗浄ステージを示す。この洗浄は、水素ラジカルおよび／またはハロゲンの存在によって起こる。これらは堆積物を揮発化し、金属汚染物質はその後表面３０１に堆積し得る。しばらく経過した後、オブジェクト３０１の表面３０２は、任意で第２洗浄構成へと搬送され、ステージ１９２でオブジェクト３０１の表面３０２が洗浄される。オブジェクト３０１の表面３０２上の堆積物を実質的に除去した後、オブジェクトは再び使用可能となり、第２洗浄構成から、ゲッタ機能および洗浄機能を果たす（汚染物質を保持する）位置まで戻される。
【００９０】
図５ｃにおいて、表面３０２はゲッタだけでなく、水素ラジカル源１０３としての機能も
有する。これらの機能は、１９１／１９４として示され、これらの参照符号はゲッタリングステージと洗浄ステージを示し、ここでオブジェクト３０１はゲッタ（１９１）および水素から水素ラジカルを形成するための触媒（１９４）である。しばらく経過した後、オブジェクト３０１の表面３０２は、任意で第２洗浄構成に搬送され、ステージ１９２でオブジェクト３０１の表面３０２が洗浄される。オブジェクト３０１の表面３０２上の堆積物が実質的に除去されると、オブジェクトは再び使用可能となり、第２洗浄構成から、ゲッタ機能１９１、洗浄機能１９３および水素ラジカル生成機能１９４を果たす位置まで戻される。
【００９１】
上述したプロセスは、熱を加えることにより促進され得る。よって、他の実施形態では、リソグラフィ装置は、水素含有ガス、水素ラジカル含有ガス、ハロゲン含有ガスおよび光エレメント２０１からなる群から選択されるひとつ以上を加熱するように構成された加熱構成（図示なし）をさらに含んでもよい。加熱は、例えば、室温〜約２５０℃、特に約１００〜２５０℃の範囲で行われる。例えば、加熱エレメントは、上述したように洗浄プロセス中にコレクタミラー５０を１００℃〜２５０℃まで加熱するため使用することができる。
【００９２】
本発明は、光エレメントや他のエレメントからＳｎなどを洗浄する際に使用されるだけでなく、炭素堆積物の洗浄において使用してもよい。例えば図４ａに示すような別体の水素ラジカル源１０３によって、または貴金属表面（または白金族の金属の金属表面）によって、水素ラジカル９６を形成することにより、炭素の堆積物もまた、ＣＨ４のような揮発性炭化水素の形成により除去される。これらの炭化水素は、単に排気部５５０から（ポンプ４００を介して）排気し得る。
【００９３】
本発明の他の実施形態では、真空環境用のオブジェクト２０１を設けており、この真空環境は、０．０１〜５００ｍｂａｒの圧力で水素ガス１００を含み、このオブジェクト２０１は、金属原子とその化合物を保持するように構成された第１表面２０２を含む。
【００９４】
図６を参照し、フローチューブ９０の入口に配置したＳｎの厚い層９１と、それぞれ距離ｄ１、ｄ２を置いて、チューブ９０内のより下流に配置した清浄なサンプル９２、９３とを使用して実験を行った。
【００９５】
全ての輸送実験において、全体的にガラスで作られたフローチューブが使用されている。一度目の実験では、圧力は２０ｍｂａｒで、ウィットネスサンプル(witness sample)としてベアシリコンサンプル９２及び９３を使用した。チューブ入り口のサンプル９１は、シリコン基板に堆積させた約５０〜６０ｎｍのＳｎ層を有する。水素ラジカル９６がチューブ９０内をサンプル９１の上方を流れると、この厚いサンプル９１からいくらかのＳｎが除去される。ウィットネスサンプル９２、９３は、Ｓｎがこれらのサンプル９２、９３上に再堆積するかどうかを調べるために使用される。この一度目の実験では、約４分間水素ラジカルへ曝した後、ウィットネスサンプル上からＳｎが検出された。
【００９６】
次に、Ｒｕサンプルをウィットネスサンプル９２、９３として使用し、同様の実験を繰り返した。このケースでは、Ｓｎが移動してウィットネスサンプル上に堆積した明確な証拠が見られた。３分間水素に曝した後、両方のウィットネスサンプル９２、９３上に０．１ｎｍのＳｎがあり、一方、厚いＳｎサンプル９１からは約５ｎｍのＳｎが除去されていた。
【００９７】
これらの２つの実験を比較すると、基板材料９２、９３の種類が、Ｓｎが堆積するか否かに影響を与えていることが明らかである。（ＡｕやＡｇのような）貴金属および（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、および、Ｐｔのような）白金族への堆積は優れ、一方、他の材料への堆積は劣る。表面３０２は堆積物を保持するように構成されるため、表面３０２の材料は、特に、本明細書に記載する貴金属および白金族の金属から選択され、Ｒｕおよび／またはＰｔがより望ましい。
【００９８】
ここで、チューブとは、ガスチューブまたはガスパイプ、つまり水素のようなガスを輸送するチューブを指す。
【００９９】
ガス流の方向は、図示されたものとは異なってもよいことを理解されたい。
【０１００】
本発明は、ＥＵＶ放射のみに限定されるのではなく、上述したように、他の放射を使用するリソグラフィ装置に使用してもよい。Ｓｎ放射源以外の放射源ＳＯから、および、はんだ等の他の発生源から生成される他の汚染物質も、本発明の洗浄構成２５０および洗浄方法により除去し得る。さらに、上述したＳｎ、Ｚｎ、および、Ｍｎベースの金属や金属化合物に加えて、他の金属（または他の金属化合物）も第１表面３０２により保持され得る。
【０１０１】
本発明の洗浄方法は、光エレメントの表面だけでなく、壁、支持構造、ガスロックなどの他の表面を洗浄するのに使用してもよい。同様に、金属汚染物質を保持する方法は、光エレメントの表面だけでなく、壁、支持構造、ガスロックなどの他の表面に堆積しうる金属汚染物質をゲッタリングするのに使用してもよい。ゲッタ（第1表面）は、光エレメント上の堆積を防止または減少させるためだけでなく、壁のような他のエレメント上への堆積も防止または減少させ得る。一実施形態において、エレメント２０１は光エレメントのみを表す必要は無く、リソグラフィ装置１のいずれのエレメントを表してもよい。リソグラフィ装置１内の各表面は、表面３０２の存在の利点を享受し得る。
【０１０２】
本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいことが理解されるべきである。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【０１０３】
光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【０１０４】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【０１０５】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６】
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