(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
描画データに含まれている複数の図形が近接効果補正用マップ内に位置するように、複数のメッシュを有する近接効果補正用マップを作成する近接効果補正用マップ作成部と、
各メッシュ内に位置する図形の総面積と等しい面積を有し、各メッシュ内に位置する図形の重心と同じ重心を有する代表図形を作成する代表図形作成部と、
各メッシュ内に位置する代表図形の面積に基づいて各メッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を算出する近接効果補正照射量算出部と、
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、代表図形作成部によって代表図形が作成される前に、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積を変更する図形面積変更部と、
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、近接効果補正照射量算出部によって算出された荷電粒子ビームの近接効果補正照射量のうち、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する近接効果補正照射量変更部とを具備し、
前記代表図形作成部は、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、前記面積が変更された図形を用いて前記代表図形を作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形と近接効果補正照射量を変更する必要がない図形とが近接効果補正用マップの同一のメッシュ内に位置する場合に、近接効果補正照射量算出部および近接効果補正照射量変更部が、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量と、近接効果補正照射量を変更する必要がない図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量とを別個に設定することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形と近接効果補正照射量を変更する必要がない図形とが近接効果補正用マップの同一のメッシュ内に位置する場合に、
代表図形作成部が、図形面積変更部によって変更された後の近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積と、近接効果補正照射量を変更する必要がない図形の面積との合計面積と等しい面積を有する代表図形を作成し、
近接効果補正照射量変更部が、図形面積変更部によって変更された後の近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積と、近接効果補正照射量を変更する必要がない図形の面積との合計面積と等しい面積を有する代表図形の面積に基づいて算出された、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更することを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形と近接効果補正照射量を変更する必要がない図形とが近接効果補正用マップの同一のメッシュ内に位置する場合に、
代表図形作成部が、図形面積変更部によって変更された後の近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積と、近接効果補正照射量を変更する必要がない図形の面積との合計面積と等しい面積を有する代表図形を作成し、
近接効果補正照射量算出部が、図形面積変更部によって変更された後の近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積と、近接効果補正照射量を変更する必要がない図形の面積との合計面積と等しい面積を有する代表図形の面積に基づいて、近接効果補正照射量を変更する必要がない図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を算出することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法において、
描画データに含まれている複数の図形が近接効果補正用マップ内に位置するように、複数のメッシュを有する近接効果補正用マップを作成する工程と、
各メッシュ内に位置する図形の総面積と等しい面積を有し、各メッシュ内に位置する図形の重心と同じ重心を有する代表図形を代表図形作成部によって作成する工程と、
各メッシュ内に位置する代表図形の面積に基づいて各メッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を近接効果補正照射量算出部によって算出する工程と、
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、代表図形作成部によって代表図形が作成される前に、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積を変更する工程と、
近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、近接効果補正照射量算出部によって算出された荷電粒子ビームの近接効果補正照射量のうち、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する工程とを含み、
前記代表図形を作成する際に、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、前記面積が変更された図形を用いて前記代表図形を作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンが試料の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レジストが上面に塗布された例えばマスク基板（レチクル）、ウエハなどのような試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データ（ＥＢデータ）に含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００３−３１８０７７号公報）の図５、図６、段落〔００８７〕、段落〔０１１４〕などに記載されたものがある。特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、描画データ（ＥＢデータ）に含まれている複数の図形が近接効果補正用マップ内に位置するように、複数の２μｍ□のメッシュを有する近接効果補正用マップが作成される（特許文献１の図１０（ａ）、図１０（ｃ）および段落〔００９５〕参照）。更に、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、各メッシュ内に位置する図形の総面積と等しい面積を有する代表図形が作成される（特許文献１の図１０（ｃ）および段落〔００９６〕参照）。また、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果補正方程式（特許文献１の段落〔００３０〕中の式）を解くことにより、２μｍ□のメッシュ毎の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量（最適照射量Ｄ（ｘ））が算出される（特許文献１の図１０（ｄ）、段落〔００４１〕、段落〔０００４４〕、段落〔００７２〕、段落〔０１０９〕等参照）。
【０００３】
詳細には、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、２μｍ□のメッシュ毎の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量（最適照射量Ｄ（ｘ））が算出される時に、各メッシュ内の代表図形の面積が反映される。具体的には、メッシュ内の代表図形の面積が大きい場合には、つまり、メッシュ内の図形の面積密度が高い場合には、そのメッシュ内の図形に対応するパターンを描画するために照射される荷電粒子ビーム量が多くなり、従って、周辺のメッシュ内の図形に与える後方散乱の影響は大きくなる。それに対し、メッシュ内の代表図形の面積が小さい場合には、つまり、メッシュ内の図形の面積密度が低い場合には、そのメッシュ内の図形に対応するパターンを描画するために照射される荷電粒子ビーム量が少なくなり、従って、周辺のメッシュ内の図形に与える後方散乱の影響が小さくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１８０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
下記の数式１は、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置における「荷電粒子ビームの前方散乱によりレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー」（数式１の左辺の左側部分）と「荷電粒子ビームの後方散乱によりレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー」（数式１の左辺の右側部分）と「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーの合計値」（数式１の右辺）との関係を示している。
【０００６】
【数１】
0005530688.tif 000002
【０００７】
詳細には、数式１において、Ｅ０（数式１の右辺）は、レジスト上のうち、任意の位置ｘ（詳細には、ｘは位置ベクトルを表している。）におけるレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーを示している。また、数式１において、Ｄ（ｘ）はレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒から照射される荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を示している。更に、数式１の左辺の左側部分（Ｄ（ｘ）／２）は、レジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒から照射される荷電粒子ビームのうち、位置ｘでレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーを示している。つまり、数式１は、レジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒から照射される荷電粒子ビームの照射量（Ｄ（ｘ））の半分の量（Ｄ（ｘ）／２）が位置ｘでレジストに蓄積される、という考え方に基づいている。更に、数式１の左辺の右側部分は、光学鏡筒からレジストの描画領域全体の任意の位置ｘ’に照射される荷電粒子ビームのうち、近接効果（後方散乱）によってレジスト上の位置ｘに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーを示している。詳細には、数式１において、ηは近接効果補正係数を示しており、ｇは近接効果影響分布を示している。従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果影響分布ｇとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられている。下記の数式２〜数式８は、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置で用いられる近接効果補正方程式を示している。
【０００８】
【数２】
0005530688.tif 000003
【数３】
0005530688.tif 000004
【数４】
0005530688.tif 000005
【数５】
0005530688.tif 000006
【数６】
0005530688.tif 000007
【数７】
0005530688.tif 000008
【数８】
0005530688.tif 000009
【０００９】
数式３は特許文献１の段落〔００３０〕の式１に対応しており、数式４は特許文献１の段落〔００３０〕の式２に対応しており、数式６は特許文献１の段落〔００３０〕の式３に対応しており、数式７は特許文献１の段落〔００３０〕の式４に対応しており、数式８は特許文献１の段落〔００３０〕の式５に対応している。数式２において、σは近接効果影響分布ｇの標準偏差を示している。また、数式５において、Ｄｂａｓｅは荷電粒子ビームの基準照射量を示している。つまり、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビームの前方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の左側部分）と、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との合計値（数式１の右辺）が、試料の描画領域全体のうち、例えばチップ程度の単位描画領域で一定値になるという条件の下で近接効果補正方程式（数式２〜数式８）を解くことにより、メッシュ毎の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出されていた。
【００１０】
ところで、試料に描画されるパターンに異常が生じる場合には、例えばチップ程度の単位描画領域全体のパターンに異常が生じる場合のみならず、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じる場合がある。仮に、例えばチップ程度の単位描画領域全体のパターンの線幅が所望の線幅よりも細くなるという異常が生じる場合、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビームの前方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の左側部分）と、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との合計値（数式１の右辺）が例えばチップ程度の単位描画領域全体で一定値になるという条件の下で各メッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を増加させることにより、パターンの異常の問題を解決することができる。また、仮に、例えばチップ程度の単位描画領域全体のパターンの線幅が所望の線幅よりも太くなるという異常が生じる場合、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビームの前方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の左側部分）と、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との合計値（数式１の右辺）が例えばチップ程度の単位描画領域全体で一定値になるという条件の下で各メッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を減少させることにより、パターンの異常の問題を解決することができる。
【００１１】
ところが、仮に、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じる場合、その異常の問題を解決するために、例えばチップ程度の単位描画領域のうちのあるメッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）のみを変更すると、「合計値（数式１の右辺）が例えばチップ程度の単位描画領域全体で一定値になる」という条件が満たされなくなってしまう。そのため、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えばチップ程度の単位描画領域のうちのあるメッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）のみを変更することができず、それゆえ、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を解決することができなかった。そこで、従来においては、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を解決する必要がある場合に、例えば、一般的なリソグラフィ技術あるいは計算機リソグラフィ技術が用いられていた。
【００１２】
例えば一般的なリソグラフィ技術では、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常が、例えばレジストプロセス（詳細には、例えばレジストの塗布、プリベーク、現像、ポストベークなど）に起因すると考えられる場合、パターンの形状を少しずつ変えてシミュレーションを行うことにより、描画されるパターンの形状が所望のパターンの形状に近付けられる。その結果、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を解決することができる。ところが、一般的なリソグラフィ技術では、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を解決するために、荷電粒子ビームの照射量を変更するのみならず、マスクプロセス（レジストプロセス）全体の変更を検討しなければならない。そのため、一般的なリソグラフィ技術では、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を簡易的な手法によって解決することができない。
【００１３】
また、近年急速に発展している計算機リソグラフィ技術では、マスクパターン、光学系などの設定が最適化された上で計算機を駆使し、マスクプロセス（レジストプロセス）補正を適用することにより、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を解決することができる。ところが、計算機リソグラフィ技術においても、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を解決するために、マスクプロセス（レジストプロセス）全体を考慮したマスクプロセスモデルの変更を検討しなければならない。また、計算機による計算時間が膨大になるためにコストが嵩んでしまう。そのため、計算機リソグラフィ技術によっても、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を簡易的な手法によって解決することができない。
【００１４】
上述した問題点に鑑み、本発明は、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を簡易的な手法によって解決することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法を提供することを目的とする。詳細には、本発明は、例えばレジストプロセス（マスクプロセス）、未知のメカニズムなどに起因する例えば寸法の変動等のような異常であって、例えばチップ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を簡易的な手法によって解決することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一態様によれば、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、描画データに含まれている複数の図形が近接効果補正用マップ内に位置するように、複数のメッシュを有する近接効果補正用マップを作成する近接効果補正用マップ作成部と、各メッシュ内に位置する図形の総面積と等しい面積を有し、各メッシュ内に位置する図形の重心と同じ重心を有する代表図形を作成する代表図形作成部と、各メッシュ内に位置する代表図形の面積に基づいて各メッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を算出する近接効果補正照射量算出部と、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、代表図形作成部によって代表図形が作成される前に、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積を変更する図形面積変更部と、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、近接効果補正照射量算出部によって算出された荷電粒子ビームの近接効果補正照射量のうち、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する近接効果補正照射量変更部とを具備し、
前記代表図形作成部は、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、前記面積が変更された図形を用いて前記代表図形を作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００１６】
本発明の別の一態様によれば、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法において、描画データに含まれている複数の図形が近接効果補正用マップ内に位置するように、複数のメッシュを有する近接効果補正用マップを作成する工程と、各メッシュ内に位置する図形の総面積と等しい面積を有し、各メッシュ内に位置する図形の重心と同じ重心を有する代表図形を代表図形作成部によって作成する工程と、各メッシュ内に位置する代表図形の面積に基づいて各メッシュの荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を近接効果補正照射量算出部によって算出する工程と、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、代表図形作成部によって代表図形が作成される前に、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形の面積を変更する工程と、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、近接効果補正照射量算出部によって算出された荷電粒子ビームの近接効果補正照射量のうち、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する工程とを含み、
前記代表図形を作成する際に、近接効果補正照射量を変更する必要がある図形が存在する場合に、前記面積が変更された図形を用いて前記代表図形を作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、局所的な部分のパターンのみに生じる異常の問題を簡易的な手法によって解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。
【図２】図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。
【図３】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍの描画領域に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。
【図４】図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。
【図５】描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。
【図６】図２に示す近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理などを詳細に説明するための図である。
【図７】図２に示す近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理などを詳細に説明するための図である。
【図８】図２に示す近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理などを詳細に説明するための図である。
【図９】図２に示す近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理などを詳細に説明するための図である。
【図１０】どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。
【図１１】どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。
【図１２】どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。
【図１３】どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。
【図１４】どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。
【図１５】どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。
【図１６】近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０と近接効果補正照射量を変更する必要がない図形ＦＧ６１とが近接効果補正用マップの同一のメッシュＭａ内に位置する場合を示した図である。
【図１７】描画データＤ上で同一サイズのチップＣＰ０１，ＣＰ０２，ＣＰ０３が同一位置に配置されている例などを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、レジストが上面に塗布された例えばマスク基板（レチクル）、ウエハなどのような試料Ｍに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって試料Ｍの描画領域に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
【００２０】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。
【００２１】
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、描画データＤが制御計算機１０ｂ１に入力されると、入力された描画データＤが、ショット分割部１０ｂ１ａに送られ、後で詳細に説明するショット分割処理が行われる。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、入力された描画データＤが、近接効果補正部１０ｂ１ｂにも送られ、後で詳細に説明する近接効果補正処理が行われる。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショット分割部１０ｂ１ａによるショット分割処理結果と近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理結果とに基づいて、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより、試料Ｍの描画領域にパターンを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域内の所望の位置に照射される。
【００２２】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。
【００２３】
図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍの描画領域に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍの描画領域にパターンＰ（図３（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍの描画領域内の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図３（Ａ）参照）を試料Ｍの描画領域に描画することができる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって制御することにより、例えば、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）および図３（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、図３（Ｆ）、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）および図３（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍの描画領域に描画することができる。
【００２４】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。
【００２５】
図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたレイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）および描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
【００２６】
図４は図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１および図２参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、図４に示す例では、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…（図４参照）に対応する多数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）の描画領域に描画される。
【００２７】
図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図５は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍの描画領域に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が、最大サイズのパターンＰよりも大きい場合などに、ショット分割部１０ｂ１ａ（図２参照）によって、描画データＤに含まれる図形ＦＧ１が、パターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉ（図５参照）に対応する複数の小さい図形（図示せず）に描画データＤ上で分割処理（ショット分割処理）される。更に、ショット分割部１０ｂ１ａによるショット分割処理結果に基づいて、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によってショットデータが生成される。
【００２８】
詳細には、図５に示す例では、例えば、まず最初に、図５（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａが試料Ｍの描画領域に描画される。次いで、図５に示す例では、例えば、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットによってパターンＰ１ｂ（図５（Ｂ）参照）が描画され、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｃ（図５（Ｃ）参照）が描画され、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｄ（図５（Ｄ）参照）が描画され、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｅ（図５（Ｅ）参照）が描画され、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｆ（図５（Ｆ）参照）が描画され、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｇ（図５（Ｇ）参照）が描画され、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｈ（図５（Ｈ）参照）が描画され、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｉ（図５（Ｉ）参照）が描画される。その結果、図５に示す例では、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図５（Ｉ）参照）が試料Ｍ（図５参照）の描画領域に描画される。
【００２９】
図５に示す例では、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットを４回行っても試料Ｍの描画領域にパターンＰ１を描画することができず、試料Ｍの描画領域にパターンＰ１を描画するためには９回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの４回のショットと、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの５回のショットとにショット分割処理されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばパターンＰ１ｉ（図５（Ｉ）参照）のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割処理が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの９回のショットによってパターンＰ１（図５（Ｉ）参照）を描画する場合には、パターンＰ１を図５の左右方向３列×図５の上下方向３列に９等分したパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットによって描画される。
【００３０】
図６〜図９は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の特徴的な部分である図２に示す近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理などを詳細に説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じる場合であってもその異常の問題を解決することができるように、近接効果補正部１０ｂ１ｂ（図２参照）が構成されている。まず最初に、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じない場合における第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理を説明する。例えばチップＣＰ１程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じない場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においても、数式１に示す関係が適用され、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置と同様の近接効果補正処理が行われる。
【００３１】
具体的には、例えば、制御計算機１０ｂ１（図２参照）に入力された描画データＤ（図２参照）に図形ＦＧ０１，ＦＧ０２（図６（Ａ）参照）が含まれている場合、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、まず最初に、例えば、近接効果補正用マップ作成部１０ｂ１ｂ１（図２参照）によって、図形ＦＧ０１，ＦＧ０２が近接効果補正用マップ（図６（Ａ）参照）内に位置するように、複数の例えば２μｍ□のメッシュ（図６（Ａ）参照）を有する近接効果補正用マップが作成される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、代表図形作成部１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって、各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１，ＦＧ０２（図６（Ａ）参照）の一部分の総面積と等しい面積を有する代表図形ｆ００，…，ｆ６０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図６（Ｃ）参照）が作成される。図６に示す例では、計算を簡略化させるために、代表図形ｆ００，…，ｆ６０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図６（Ｃ）参照）の重心位置が各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）の中心位置に設定されているが、厳密な計算が要求される他の例では、代表図形ｆ００，…，ｆ６０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図６（Ｃ）参照）の重心位置が、代表図形ｆ００，…，ｆ６０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２が作成される前における各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１，ＦＧ０２（図６（Ａ）参照）の一部分の重心位置に一致せしめられる。
【００３２】
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）内に位置する代表図形ｆ００，…，ｆ６０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図６（Ｃ）参照）の面積に基づいて各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，…，Ｍ６１，Ｍ０２，…，Ｍ６２の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００，…，Ｄ６０，Ｄ０１，…，Ｄ６１，Ｄ０２，…，Ｄ６２（図６（Ｄ）参照）が算出される。詳細には、図６に示す例では、例えば、代表図形ｆ０１（図６（Ｃ）参照）の面積が大きいメッシュＭ０１（図６（Ｂ）参照）内において、メッシュＭ０１内に位置する図形ＦＧ０１（図６（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の量が多くなり、従って、周辺のメッシュ内の図形（例えば図形ＦＧ０２（図６（Ａ）参照））に与える後方散乱（数式１の左辺の右側部分）の影響が大きくなる。一方、例えば、代表図形ｆ６０（図６（Ｃ）参照）の面積が小さいメッシュＭ６０（図６（Ｂ）参照）内では、メッシュＭ６０内に位置する図形ＦＧ０２（図６（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の量が少なくなり、従って、周辺もメッシュ内の図形（図示せず）に与える後方散乱（数式１の左辺の右側部分）の影響が小さくなる。
【００３３】
更に詳細には、図６に示す例では、数式２〜数式８に示す近接効果補正方程式を解くことにより、各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，…，Ｍ６１，Ｍ０２，…，Ｍ６２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００，…，Ｄ６０，Ｄ０１，…，Ｄ６１，Ｄ０２，…，Ｄ６２（図６（Ｄ）参照）が算出される。具体的には、図６に示す例では、特許文献１の例えば段落〔０１０４〕〜段落〔０１０９〕に記載されている例と同様に、第１項相当の照射量ｄ０（ｘ）（ｎ＝０）（数式４参照）と、第２項相当の照射量ｄ１（ｘ）（ｎ＝１）（数式６参照）と、第３項相当の照射量ｄ２（ｘ）（ｎ＝２）（数式６参照）との和（ｄ０（ｘ）＋ｄ１（ｘ）＋ｄ２（ｘ））が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）（数式３参照）として用いられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じない場合、例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置と同様に、荷電粒子ビームの前方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の左側部分）と、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との合計値（数式１の右辺）が、試料Ｍ（図１参照）の描画領域全体のうち、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域で一定値Ｅ０になるという条件の下で近接効果補正方程式（数式２〜数式８）を解くことにより、各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，…，Ｍ６１，Ｍ０２，…，Ｍ６２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００，…，Ｄ６０，Ｄ０１，…，Ｄ６１，Ｄ０２，…，Ｄ６２（図６（Ｄ）参照）が算出される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ショット分割部１０ｂ１ａ（図２参照）によって、図６（Ａ）に示す図形ＦＧ０１が複数の小さいショット図形Ｓ０１ａ，Ｓ０１ｂ，Ｓ０１ｃ，…（図７参照）にショット分割処理され、図６（Ｂ）に示す図形ＦＧ０２が複数の小さいショット図形Ｓ０２ａ，Ｓ０２ｂ，Ｓ０２ｃ，Ｓ０２ｄ，Ｓ０２ｅ，Ｓ０２ｆ，Ｓ０２ｇ，Ｓ０２ｈ（図７参照）にショット分割処理される。詳細には、図７に示す例では、例えば、ショット図形Ｓ０１ａ，Ｓ０１ｂの例えば重心がメッシュＭ００（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０１ａ，Ｓ０１ｂに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ００（図６（Ｄ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０１ｃの例えば重心がメッシュＭ１０（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０１ｃに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ１０（図６（Ｄ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ａの例えば重心がメッシュＭ２０（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０２ａに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ２０（図６（Ｄ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０２ｂ，Ｓ０２ｃの例えば重心がメッシュＭ３０（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０２ｂ，Ｓ０２ｃに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ３０（図６（Ｄ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ｄ，Ｓ０２ｅの例えば重心がメッシュＭ４０（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０２ｄ，Ｓ０２ｅに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ４０（図６（Ｄ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０２ｆ，Ｓ０２ｇの例えば重心がメッシュＭ５０（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０２ｆ，Ｓ０２ｇに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ５０（図６（Ｄ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ｈの例えば重心がメッシュＭ６０（図６（Ｂ）参照）内に位置するため、ショット図形Ｓ０２ｈに対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ６０（図６（Ｄ）参照）になる。
【００３４】
次に、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じる場合における第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理を説明する。図８は例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２に対応する線状のパターンが目標線幅よりも狭くなってしまう異常が生じる例を示している。図９は例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２に対応する線状のパターンが目標線幅よりも太くなってしまう異常が生じる例を示している。例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じる場合、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、下記の数式９に示す関係が適用され、近接効果補正処理が行われる。
【００３５】
【数９】
0005530688.tif 000010
【００３６】
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分のパターンのみに異常が生じる場合、荷電粒子ビームの前方散乱による蓄積エネルギー（数式９の左辺の左側部分）と、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギー（数式９の左辺の右側部分）との合計値（数式９の右辺）が、試料Ｍ（図１参照）の描画領域全体のうち、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域で一定値Ｅ０（数式９の右辺の定数項）にならないという条件の下で近接効果補正方程式（数式２〜数式８）を解くことにより、各メッシュＭ００，…，Ｍ６０，Ｍ０１，…，Ｍ６１，Ｍ０２，…，Ｍ６２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が算出される。
【００３７】
具体的には、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２（図８（Ａ）参照）に対応する線状のパターンが目標線幅よりも狭くなってしまう異常が生じる場合、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、まず最初に、例えば、近接効果補正用マップ作成部１０ｂ１ｂ１（図２参照）によって、図形ＦＧ０１，ＦＧ０２が近接効果補正用マップ（図８（Ａ）参照）内に位置するように、複数の例えば２μｍ□のメッシュ（図８（Ａ）参照）を有する近接効果補正用マップが作成される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、代表図形作成部１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって代表図形ｆ２０，ｆ３０，ｆ４０，ｆ５０，ｆ６０（図６（Ｃ）参照）が作成される前に、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ０２（図８（Ａ）参照）の面積が大きくなるように変更される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、代表図形作成部１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって、各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１（図８（Ａ）参照）の一部分の総面積と等しい面積を有する代表図形ｆ００，ｆ１０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図８（Ｂ）参照）が作成されると共に、各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）内に位置する面積が大きくされた図形ＦＧ０２（図８（Ａ）参照）の一部分の総面積と等しい面積を有する代表図形ｆ２０ａ，ｆ３０ａ，ｆ４０ａ，ｆ５０ａ，ｆ６０ａ（図８（Ｂ）参照）が作成される。詳細には、図８に示す例では、例えば、代表図形ｆ２０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ２０ａが、代表図形ｆ２０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ２０よりもｘ１％大きくなる。また、代表図形ｆ３０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ３０ａが、代表図形ｆ３０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ３０よりもｘ１％大きくなる。更に、代表図形ｆ４０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ４０ａが、代表図形ｆ４０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ４０よりもｘ１％大きくなる。また、代表図形ｆ５０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ５０ａが、代表図形ｆ５０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ５０よりもｘ１％大きくなる。更に、代表図形ｆ６０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ６０ａが、代表図形ｆ６０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ６０よりもｘ１％大きくなる。
【００３８】
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）内に位置する代表図形ｆ００，ｆ１０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図８（Ｂ）参照）の面積に基づいて各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００’，Ｄ１０’，Ｄ０１’，Ｄ１１’，Ｄ０２’，…，Ｄ３２’（図８（Ｃ）参照）が算出されると共に、各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）内に位置する代表図形ｆ２０ａ，ｆ３０ａ，ｆ４０ａ，ｆ５０ａ，ｆ６０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積に基づいて各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０’，Ｄ３０’，Ｄ４０’，Ｄ５０’，Ｄ６０’（図８（Ｃ）参照）が算出される。つまり、図８に示す例のように各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）内の代表図形ｆ２０ａ，ｆ３０ａ，ｆ４０ａ，ｆ５０ａ，ｆ６０ａ（図８（Ｂ）参照）の面積が図６に示す例よりも大きくされると、その影響が周りのメッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）にもおよぶため、図８に示す例における各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００’，Ｄ１０’，Ｄ０１’，Ｄ１１’，Ｄ０２’，…，Ｄ３２’（図８（Ｃ）参照）が、図６に示す例における各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００，Ｄ１０，Ｄ０１，Ｄ１１，Ｄ０２，…，Ｄ３２（図６（Ｄ）参照）とは異なってくる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ０２（図８（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０’，Ｄ３０’，Ｄ４０’，Ｄ５０’，Ｄ６０’（図８（Ｃ）参照）が変更される。詳細には、図８に示す例では、例えば、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出されたメッシュＭ２０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０’（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ２０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０ｂ（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ２０’よりｘ１％多くなる。また、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ３０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ３０’（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ３０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ３０ｂ（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ３０’よりｘ１％多くなる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ４０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ４０’（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ４０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ４０ｂ（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ４０’よりｘ１％多くなる。また、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ５０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ５０’（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ５０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ５０ｂ（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ５０’よりｘ１％多くなる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ６０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ６０’（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ６０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ６０ｂ（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ６０’よりｘ１％多くなる。
更に、図８に示す例では、例えば、ショット図形Ｓ０１ａ，Ｓ０１ｂ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ００’（図８（Ｃ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０１ｃ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ１０’（図８（Ｃ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ａ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ２０ｂ（図８（Ｃ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０２ｂ，Ｓ０２ｃ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ３０ｂ（図８（Ｃ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ｄ，Ｓ０２ｅ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ４０ｂ（図８（Ｃ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０２ｆ，Ｓ０２ｇ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ５０ｂ（図８（Ｃ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ｈ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ６０ｂ（図８（Ｃ）参照）になる。
【００３９】
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２（図８（Ａ）参照）に対応する線状のパターンが目標線幅よりも狭くなってしまう異常が生じる場合、図８に示すような近接効果補正処理が行われる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２（図８（Ａ）参照）に対応するパターンのみに生じる異常の問題を解決することができる。
【００４０】
一方、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２（図９（Ａ）参照）に対応する線状のパターンが目標線幅よりも太くなってしまう異常が生じる場合、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、まず最初に、例えば、近接効果補正用マップ作成部１０ｂ１ｂ１（図２参照）によって、図形ＦＧ０１，ＦＧ０２が近接効果補正用マップ（図９（Ａ）参照）内に位置するように、複数の例えば２μｍ□のメッシュ（図９（Ａ）参照）を有する近接効果補正用マップが作成される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、代表図形作成部１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって代表図形ｆ２０，ｆ３０，ｆ４０，ｆ５０，ｆ６０（図６（Ｃ）参照）が作成される前に、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ０２（図９（Ａ）参照）の面積が小さくなるように変更される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、代表図形作成部１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって、各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１（図９（Ａ）参照）の一部分の総面積と等しい面積を有する代表図形ｆ００，ｆ１０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図９（Ｂ）参照）が作成されると共に、各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）内に位置する面積が小さくされた図形ＦＧ０２（図９（Ａ）参照）の一部分の総面積と等しい面積を有する代表図形ｆ２０ｃ，ｆ３０ｃ，ｆ４０ｃ，ｆ５０ｃ，ｆ６０ｃ（図９（Ｂ）参照）が作成される。詳細には、図９に示す例では、例えば、代表図形ｆ２０ｃ（図９（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ２０ｃが、代表図形ｆ２０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ２０よりもｘ２％小さくなる。また、代表図形ｆ３０ｃ（図９（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ３０ｃが、代表図形ｆ３０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ３０よりもｘ２％小さくなる。更に、代表図形ｆ４０ｃ（図９（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ４０ｃが、代表図形ｆ４０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ４０よりもｘ２％小さくなる。また、代表図形ｆ５０ｃ（図９（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ５０ｃが、代表図形ｆ５０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ５０よりもｘ２％小さくなる。更に、代表図形ｆ６０ｃ（図９（Ｂ）参照）の面積Ｓｆ６０ｃが、代表図形ｆ６０（図６（Ｃ）参照）の面積Ｓｆ６０よりもｘ２％小さくなる。
【００４１】
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）内に位置する代表図形ｆ００，ｆ１０，ｆ０１，ｆ１１，ｆ０２，…，ｆ３２（図９（Ｂ）参照）の面積に基づいて各メッシュＭ００，Ｍ１０，Ｍ０１，Ｍ１１，Ｍ０２，…，Ｍ３２（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ００”，Ｄ１０”，Ｄ０１”，Ｄ１１”，Ｄ０２”，…，Ｄ３２”（図９（Ｃ）参照）が算出されると共に、各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）内に位置する代表図形ｆ２０ｃ，ｆ３０ｃ，ｆ４０ｃ，ｆ５０ｃ，ｆ６０ｃ（図９（Ｂ）参照）の面積に基づいて各メッシュＭ２０，…，Ｍ６０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０”，Ｄ３０”，Ｄ４０”，Ｄ５０”，Ｄ６０”（図９（Ｃ）参照）が算出される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ０２（図９（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０”，Ｄ３０”，Ｄ４０”，Ｄ５０”，Ｄ６０”（図９（Ｃ）参照）が変更される。詳細には、図９に示す例では、例えば、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出されたメッシュＭ２０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０”（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ２０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ２０ｄ（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ２０”よりｘ２％少なくなる。また、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ３０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ３０”（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ３０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ３０ｄ（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ３０”よりｘ２％少なくなる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ４０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ４０”（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ４０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ４０ｄ（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ４０”よりｘ２％少なくなる。また、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ５０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ５０”（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ５０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ５０ｄ（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ５０”よりｘ２％少なくなる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３によって算出されたメッシュＭ６０（図６（Ｂ）参照）の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ６０”（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更される。その結果、変更後のメッシュＭ６０の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄ６０ｄ（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量Ｄ６０”よりｘ２％少なくなる。
更に、図９に示す例では、例えば、ショット図形Ｓ０１ａ，Ｓ０１ｂ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ００”（図９（Ｃ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０１ｃ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ１０”（図９（Ｃ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ａ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ２０ｄ（図９（Ｃ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０２ｂ，Ｓ０２ｃ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ３０ｄ（図９（Ｃ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ｄ，Ｓ０２ｅ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ４０ｄ（図９（Ｃ）参照）になる。また、ショット図形Ｓ０２ｆ，Ｓ０２ｇ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ５０ｄ（図９（Ｃ）参照）になる。更に、ショット図形Ｓ０２ｈ（図７参照）に対応するパターンを照射するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量がＤ６０ｄ（図９（Ｃ）参照）になる。
【００４２】
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２（図９（Ａ）参照）に対応する線状のパターンが目標線幅よりも太くなってしまう異常が生じる場合、図９に示すような近接効果補正処理が行われる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、例えばチップＣＰ１（図４参照）程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形ＦＧ０２（図９（Ａ）参照）に対応するパターンのみに生じる異常の問題を解決することができる。
【００４３】
図１０〜図１５は描画データＤに含まれている複数の図形のうち、どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示した図である。詳細には、図１０（Ａ）は描画データＤ（図１参照）のデータリストの一部を示しており、図１０（Ｂ）は描画データＤに含まれている指標番号と変更比率との関係テーブルを示している。図１０に示す例では、第１図形群データ（図１０（Ａ）参照）のヘッダ（図１０（Ａ）参照）を読むことにより、第１図形群データに含まれている図形ＦＧ１０，ＦＧ１１，ＦＧ１２のタイプコードが「１」である旨を把握することができる。更に、第１図形群データの指標番号リスト（図１０（Ａ）参照）を読むことにより、第１図形群データに含まれている図形ＦＧ１０，ＦＧ１１，ＦＧ１２の指標番号が「０１」である旨を把握することができる。また、図１０（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０１」に対応する第１図形群データに含まれている図形ＦＧ１０，ＦＧ１１，ＦＧ１２の変更比率が「０％」である旨を把握することができる。その結果、図１０に示す例では、第１図形群データに含まれている図形ＦＧ１０，ＦＧ１１，ＦＧ１２が、例えば図８に示す図形ＦＧ０１と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形であると識別される。また、図１０に示す例では、第２図形群データ（図１０（Ａ）参照）のヘッダ（図１０（Ａ）参照）を読むことにより、第２図形群データに含まれている図形ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２のタイプコードが「２」である旨を把握することができる。更に、第２図形群データの指標番号リスト（図１０（Ａ）参照）を読むことにより、第２図形群データに含まれている図形ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２の指標番号が「０２」である旨を把握することができる。また、図１０（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０２」に対応する第２図形群データに含まれている図形ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２の変更比率が「＋２０％」である旨を把握することができる。その結果、図１０に示す例では、第２図形群データに含まれている図形ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。詳細には、図１０に示す例では、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、図形ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２の面積が、変更比率「＋２０％」に基づいて２０％増加せしめられる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出された図形ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２に関する荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が、変更比率「＋２０％」に基づいて近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって２０％増加せしめられる。
【００４４】
尚、図１０に示す例では、図形ＦＧ１０データ、図形ＦＧ１１データ、図形ＦＧ１２データ、図形ＦＧ２０データ、図形ＦＧ２１データおよび図形ＦＧ２２データのそれぞれに、図形ＦＧ１０，ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２０，ＦＧ２１，ＦＧ２２の位置、形状などが含まれている。図１０に示す例では、第１図形群データに「指標番号リスト（指標番号＝０１）」が含まれ、第２図形群データに「指標番号リスト（指標番号＝０２）」が含まれているが、他の例では、代わりに、第１図形群データに「変更比率＝０％」を含め、第２図形群データに「変更比率＝＋２０％」を含めることも可能である。
【００４５】
図１１（Ａ）は描画データＤ（図１参照）上で同一サイズのセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３が同一位置に配置されている例を示している。図１１（Ａ）中の３個のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のうち、セルＣＬ１のみを抜き出して示すと図１１（Ｂ）に示すようになり、セルＣＬ２のみを抜き出して示すと図１１（Ｃ）に示すようになり、セルＣＬ３のみを抜き出して示すと図１１（Ｄ）に示すようになる。図１１に示す例では、セルＣＬ１に図形ＦＧ３０が所属しており、セルＣＬ２に図形ＦＧ４０，ＦＧ４１，ＦＧ４２，ＦＧ４３，ＦＧ４４，ＦＧ４５，ＦＧ４６，ＦＧ４７が所属しており、セルＣＬ３に図形ＦＧ５０，ＦＧ５１が所属している。図１２は図１１に示す図形ＦＧ３０，ＦＧ４０，ＦＧ４１，ＦＧ４２，ＦＧ４３，ＦＧ４４，ＦＧ４５，ＦＧ４６，ＦＧ４７，ＦＧ５０，ＦＧ５１のうち、どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の一例を示している。詳細には、図１２（Ａ）は描画データＤ（図１参照）のデータリストの一部を示しており、図１２（Ｂ）は描画データＤに含まれている指標番号と変更比率との関係テーブルを示している。図１２に示す例では、セルＣＬ１（図１１参照）の位置、セルＣＬ１のセルパターンデータ（図１２（Ａ）参照）にリンクするためのポインタなどがセル参照情報（図１２（Ａ）参照）のセルＣＬ１データ（図１２（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ１データに含まれているポインタを読むことにより、図１２（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ１のセルパターンデータのヘッダ（図１２（Ａ）参照）を読むことができる。次いで、セルＣＬ１のセルパターンデータの指標番号リスト（図１２（Ａ）参照）を読むことにより、セルＣＬ１に所属している図形ＦＧ３０（図１１参照）の指標番号が「０１」である旨を把握することができる。また、図１２（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０１」に対応する図形ＦＧ３０の変更比率が「０％」である旨を把握することができる。その結果、図１２に示す例では、セルＣＬ１に所属している図形ＦＧ３０が、例えば図８に示す図形ＦＧ０１と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形であると識別される。また、図１２に示す例では、セルＣＬ２（図１１参照）の位置、セルＣＬ２のセルパターンデータ（図１２（Ａ）参照）にリンクするためのポインタなどがセル参照情報（図１２（Ａ）参照）のセルＣＬ２データ（図１２（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ２データに含まれているポインタを読むことにより、図１２（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ２のセルパターンデータのヘッダ（図１２（Ａ）参照）を読むことができる。次いで、セルＣＬ２のセルパターンデータの指標番号リスト（図１２（Ａ）参照）を読むことにより、セルＣＬ２に所属している図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７（図１１参照）の指標番号が「０２」である旨を把握することができる。また、図１２（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０２」に対応する図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７の変更比率が「＋２０％」である旨を把握することができる。その結果、図１２に示す例では、セルＣＬ２に所属している図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。詳細には、図１２に示す例では、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７の面積が、変更比率「＋２０％」に基づいて２０％増加せしめられる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出された図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７に関する荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が、変更比率「＋２０％」に基づいて近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって２０％増加せしめられる。更に、図１２に示す例では、セルＣＬ３（図１１参照）の位置、セルＣＬ３のセルパターンデータ（図１２（Ａ）参照）にリンクするためのポインタなどがセル参照情報（図１２（Ａ）参照）のセルＣＬ３データ（図１２（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ３データに含まれているポインタを読むことにより、図１２（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ３のセルパターンデータのヘッダ（図１２（Ａ）参照）を読むことができる。次いで、セルＣＬ３のセルパターンデータの指標番号リスト（図１２（Ａ）参照）を読むことにより、セルＣＬ３に所属している図形ＦＧ５０，ＦＧ５１（図１１参照）の指標番号が「０３」である旨を把握することができる。また、図１２（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０３」に対応する図形ＦＧ５０，ＦＧ５１の変更比率が「＋４０％」である旨を把握することができる。その結果、図１２に示す例では、セルＣＬ３に所属している図形ＦＧ５０，ＦＧ５１が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。詳細には、図１２に示す例では、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、図形ＦＧ５０，ＦＧ５１の面積が、変更比率「＋４０％」に基づいて４０％増加せしめられる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出された図形ＦＧ５０，ＦＧ５１に関する荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が、変更比率「＋４０％」に基づいて近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって４０％増加せしめられる。
【００４６】
図１３は図１１に示す図形ＦＧ３０，ＦＧ４０，ＦＧ４１，ＦＧ４２，ＦＧ４３，ＦＧ４４，ＦＧ４５，ＦＧ４６，ＦＧ４７，ＦＧ５０，ＦＧ５１のうち、どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の他の例を示している。詳細には、図１３（Ａ）は描画データＤ（図１参照）のデータリストの一部を示しており、図１３（Ｂ）は描画データＤに含まれている指標番号と変更比率との関係テーブルを示している。図１３に示す例では、セルＣＬ１（図１１参照）の指標番号リスト（図１３（Ａ）参照）、セルＣＬ１の位置情報（図１３（Ａ）参照）、および、セルＣＬ１のセルパターンデータ（図１３（Ａ）参照）にリンクするためのポインタ（図１３（Ａ）参照）が、セル参照情報（図１３（Ａ）参照）のセルＣＬ１データ（図１３（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ１の指標番号リストを読むことにより、セルＣＬ１の指標番号が「０１」である旨を把握することができる。また、図１３（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０１」に対応する変更比率が「０％」である旨を把握することができる。更に、セルＣＬ１データに含まれているポインタを読むことにより、図１３（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ１のセルパターンデータのヘッダ（図１３（Ａ）参照）を読むことができる。更に、セルＣＬ１のセルパターンデータを読むことにより、図形ＦＧ３０（図１１参照）がセルＣＬ１に所属していることを把握することができる。また、セルＣＬ１に所属している図形ＦＧ３０の変更比率が「０％」である旨を把握することができる。その結果、図１３に示す例では、セルＣＬ１に所属している図形ＦＧ３０が、例えば図８に示す図形ＦＧ０１と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形であると識別される。また、図１３に示す例では、セルＣＬ２（図１１参照）の指標番号リスト（図１３（Ａ）参照）、セルＣＬ２の位置情報（図１３（Ａ）参照）、および、セルＣＬ２のセルパターンデータ（図１３（Ａ）参照）にリンクするためのポインタ（図１３（Ａ）参照）が、セル参照情報（図１３（Ａ）参照）のセルＣＬ２データ（図１３（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ２の指標番号リストを読むことにより、セルＣＬ２の指標番号が「０２」である旨を把握することができる。また、図１３（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０２」に対応する変更比率が「＋２０％」である旨を把握することができる。更に、セルＣＬ２データに含まれているポインタを読むことにより、図１３（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ２のセルパターンデータのヘッダ（図１３（Ａ）参照）を読むことができる。更に、セルＣＬ２のセルパターンデータを読むことにより、図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７（図１１参照）がセルＣＬ２に所属していることを把握することができる。また、セルＣＬ２に所属している図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７の変更比率が「＋２０％」である旨を把握することができる。その結果、図１３に示す例では、セルＣＬ２に所属している図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。更に、図１３に示す例では、セルＣＬ３（図１１参照）の指標番号リスト（図１３（Ａ）参照）、セルＣＬ３の位置情報（図１３（Ａ）参照）、および、セルＣＬ３のセルパターンデータ（図１３（Ａ）参照）にリンクするためのポインタ（図１３（Ａ）参照）が、セル参照情報（図１３（Ａ）参照）のセルＣＬ３データ（図１３（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ３の指標番号リストを読むことにより、セルＣＬ３の指標番号が「０３」である旨を把握することができる。また、図１３（Ｂ）に示す指標番号と変更比率との関係テーブルを読むことにより、指標番号「０３」に対応する変更比率が「＋４０％」である旨を把握することができる。更に、セルＣＬ３データに含まれているポインタを読むことにより、図１３（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ３のセルパターンデータのヘッダ（図１３（Ａ）参照）を読むことができる。更に、セルＣＬ３のセルパターンデータを読むことにより、図形ＦＧ５０，ＦＧ５１（図１１参照）がセルＣＬ３に所属していることを把握することができる。また、セルＣＬ３に所属している図形ＦＧ５０，ＦＧ５１の変更比率が「＋４０％」である旨を把握することができる。その結果、図１３に示す例では、セルＣＬ３に所属している図形ＦＧ５０，ＦＧ５１が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。
【００４７】
図１４は図１１に示す図形ＦＧ３０，ＦＧ４０，ＦＧ４１，ＦＧ４２，ＦＧ４３，ＦＧ４４，ＦＧ４５，ＦＧ４６，ＦＧ４７，ＦＧ５０，ＦＧ５１のうち、どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別する手法の更に他の例を示している。詳細には、図１４（Ａ）は描画データＤ（図１参照）のデータリストの一部を示しており、図１４（Ｂ）は描画データＤに含まれている指標番号と変更比率との関係テーブルを示している。図１４に示す例では、セルＣＬ１（図１１参照）の位置、セルＣＬ１のリンク参照情報（図１４（Ａ）参照）にリンクするためのポインタなどがセル参照情報（図１４（Ａ）参照）のセルＣＬ１データ（図１４（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ１データに含まれているポインタを読むことにより、図１４（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ１のリンク参照情報を読むことができる。セルＣＬ１のリンク参照情報には、セルＣＬ１のセルパターンデータ（図１４（Ａ）参照）のヘッダ（図１４（Ａ）参照）にリンクするためのポインタ（図１４（Ａ）参照）およびセルＣＬ１の指標番号リスト（図１４（Ａ）参照）が含まれている。そのため、セルＣＬ１の指標番号リストを読むことにより、セルＣＬ１の指標番号が「０１」である旨を把握することができる。更に、セルＣＬ１のリンク参照情報に含まれているポインタを読むことにより、図１４（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ１のセルパターンデータのヘッダを読むことができる。更に、セルＣＬ１のセルパターンデータを読むことにより、図形ＦＧ３０（図１１参照）がセルＣＬ１に所属していることを把握することができる。また、セルＣＬ１に所属している図形ＦＧ３０の変更比率が「０％」である旨を把握することができる。その結果、図１４に示す例では、セルＣＬ１に所属している図形ＦＧ３０が、例えば図８に示す図形ＦＧ０１と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形であると識別される。また、図１４に示す例では、セルＣＬ２（図１１参照）の位置、セルＣＬ２のリンク参照情報（図１４（Ａ）参照）にリンクするためのポインタなどがセル参照情報（図１４（Ａ）参照）のセルＣＬ２データ（図１４（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ２データに含まれているポインタを読むことにより、図１４（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ２のリンク参照情報を読むことができる。セルＣＬ２のリンク参照情報には、セルＣＬ２のセルパターンデータ（図１４（Ａ）参照）のヘッダ（図１４（Ａ）参照）にリンクするためのポインタ（図１４（Ａ）参照）およびセルＣＬ２の指標番号リスト（図１４（Ａ）参照）が含まれている。そのため、セルＣＬ２の指標番号リストを読むことにより、セルＣＬ２の指標番号が「０２」である旨を把握することができる。更に、セルＣＬ２のリンク参照情報に含まれているポインタを読むことにより、図１４（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ２のセルパターンデータのヘッダを読むことができる。更に、セルＣＬ２のセルパターンデータを読むことにより、図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７（図１１参照）がセルＣＬ２に所属していることを把握することができる。また、セルＣＬ２に所属している図形ＦＧＦＧ４０，…，ＦＧ４７の変更比率が「＋２０％」である旨を把握することができる。その結果、図１４に示す例では、セルＣＬ２に所属している図形ＦＧ４０，…，ＦＧ４７が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。更に、図１４に示す例では、セルＣＬ３（図１１参照）の位置、セルＣＬ３のリンク参照情報（図１４（Ａ）参照）にリンクするためのポインタなどがセル参照情報（図１４（Ａ）参照）のセルＣＬ３データ（図１４（Ａ）参照）に含まれている。そのため、セルＣＬ３データに含まれているポインタを読むことにより、図１４（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ３のリンク参照情報を読むことができる。セルＣＬ３のリンク参照情報には、セルＣＬ３のセルパターンデータ（図１４（Ａ）参照）のヘッダ（図１４（Ａ）参照）にリンクするためのポインタ（図１４（Ａ）参照）およびセルＣＬ３の指標番号リスト（図１４（Ａ）参照）が含まれている。そのため、セルＣＬ３の指標番号リストを読むことにより、セルＣＬ３の指標番号が「０３」である旨を把握することができる。更に、セルＣＬ３のリンク参照情報に含まれているポインタを読むことにより、図１４（Ａ）中に矢印で示すように、セルＣＬ３のセルパターンデータのヘッダを読むことができる。更に、セルＣＬ３のセルパターンデータを読むことにより、図形ＦＧ５０，ＦＧ５１（図１１参照）がセルＣＬ３に所属していることを把握することができる。また、セルＣＬ３に所属している図形ＦＧＦＧ５０，ＦＧ５１の変更比率が「＋４０％」である旨を把握することができる。その結果、図１４に示す例では、セルＣＬ３に所属している図形ＦＧ５０，ＦＧ５１が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。
【００４８】
図１５に示す例では、描画データＤ（図１参照）に含まれている複数の図形のうち、どの図形が荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であるかを識別するために、図１５（Ａ）に示すように、複数の例えば１００μｍ□のメッシュｍ００，…，ｍ６２（図１５（Ａ）参照）を有する変更比率マップが作成される。詳細には、描画データＤに含まれている複数の図形が変更比率マップ（図１５（Ａ）参照）内に位置するように、複数の例えば１００μｍ□のメッシュｍ００，…，ｍ６２を有する変更比率マップが作成される。図１５に示す例では、メッシュｍ００，ｍ１０，ｍ５０，ｍ６０，ｍ０１，ｍ１１，ｍ５１，ｍ６１，ｍ０２，ｍ１２，ｍ５２，ｍ６２（図１５（Ａ）参照）の変更比率が０％（図１５（Ｂ）参照）に設定されている。そのため、図１５に示す例では、描画データＤ（図１参照）に含まれている複数の図形のうち、メッシュｍ００，ｍ１０，ｍ５０，ｍ６０，ｍ０１，ｍ１１，ｍ５１，ｍ６１，ｍ０２，ｍ１２，ｍ５２，ｍ６２内に位置する図形が、例えば図８に示す図形ＦＧ０１と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形であると識別される。また、図１５に示す例では、メッシュｍ２０，ｍ３０，ｍ４０，ｍ２１，ｍ４１，ｍ２２，ｍ３２，ｍ４２（図１５（Ａ）参照）の変更比率が＋５％（図１５（Ｂ）参照）に設定されている。そのため、図１５に示す例では、描画データＤ（図１参照）に含まれている複数の図形のうち、メッシュｍ２０，ｍ３０，ｍ４０，ｍ２１，ｍ４１，ｍ２２，ｍ３２，ｍ４２内に位置する図形が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。詳細には、図１５に示す例では、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、メッシュｍ２０，ｍ３０，ｍ４０，ｍ２１，ｍ４１，ｍ２２，ｍ３２，ｍ４２内に位置する図形の面積が、変更比率「＋５％」に基づいて５％増加せしめられる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出されたメッシュｍ２０，ｍ３０，ｍ４０，ｍ２１，ｍ４１，ｍ２２，ｍ３２，ｍ４２内に位置する図形に関する荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が、変更比率「＋５％」に基づいて近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって５％増加せしめられる。更に、図１５に示す例では、メッシュｍ３１（図１５（Ａ）参照）の変更比率が＋１０％（図１５（Ｂ）参照）に設定されている。そのため、図１５に示す例では、描画データＤ（図１参照）に含まれている複数の図形のうち、メッシュｍ３１内に位置する図形が、例えば図８に示す図形ＦＧ０２と同様に、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形であると識別される。詳細には、図１５に示す例では、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、メッシュｍ３１内に位置する図形の面積が、変更比率「＋１０％」に基づいて１０％増加せしめられる。更に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出されたメッシュｍ３１内に位置する図形に関する荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が、変更比率「＋１０％」に基づいて近接効果補��照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって１０％増加せしめられる。
【００４９】
図１６は荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０と荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形ＦＧ６１とが近接効果補正用マップの同一のメッシュＭａ内に位置する場合における第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の近接効果補正部１０ｂ１ｂによる近接効果補正処理を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図１６（Ａ）に示すように、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０と荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形ＦＧ６１とが近接効果補正用マップの同一の（１個の）メッシュＭａ内に位置する場合に、図１６（Ｂ）に示すように、図形面積変更部１０ｂ１ｂ２ａ（図２参照）によって、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０の面積が、変更比率「＋ｘａ％」に基づいてｘａ％増加せしめられる。一方、図１６（Ｂ）に示すように、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形ＦＧ６１の面積は、変更されない。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、代表図形作成部１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって、面積がｘａ％増加せしめられた後の図形ＦＧ６０’（図１６（Ｂ）参照）の面積と、図形ＦＧ６１（図１６（Ｂ）参照）の面積との合計面積と等しい面積を有する代表図形ｆａ’（図１６（Ｃ）参照）が作成される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量作成部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、代表図形ｆａ’（図１６（Ｃ）参照）の面積に基づいて、図形ＦＧ６０，ＦＧ６１（図１６（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ’（図１６（Ｄ）参照）が算出される。次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量作成部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって算出された荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ’（図１６（Ｄ）参照）のうち、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０（図１６（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ’が、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって変更比率「＋ｘａ％」に基づいてｘａ％増加せしめられる。その結果、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ”（←Ｄａ’×（１＋ｘａ／１００））（図１６（Ｄ）参照）が得られる。一方、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がない図形ＦＧ６１（図１６（Ａ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ’は、近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４によって変更されない。
【００５０】
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を変更する必要がある図形ＦＧ６０（図１６（Ａ）参照）と荷電粒子ビーム近接効果補正照射量を変更する必要がない図形ＦＧ６１（図１６（Ａ）参照）とが近接効果補正用マップ（図１６（Ａ）参照）の同一のメッシュＭａ（図１６（Ａ）参照）内に位置する場合に、近接効果補正照射量算出部１０ｂ１ｂ３（図２参照）および近接効果補正照射量変更部１０ｂ１ｂ４（図２参照）によって、図形ＦＧ６１に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ’（図１６（Ｄ）参照）と、図形ＦＧ６０に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ”（図１６（Ｄ）参照）とが別個に設定される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、図形ＦＧ６１に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ’および図形ＦＧ６０に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビームの近接効果補正照射量Ｄａ”の両方を最適な値にすることができる。
【００５１】
図１７（Ａ）は描画データＤ（図１参照）上で同一サイズのチップＣＰ０１，ＣＰ０２，ＣＰ０３が同一位置に配置されている例を示している。図１７（Ａ）中の３個のチップＣＰ０１，ＣＰ０２，ＣＰ０３のうち、チップＣＰ０１のみを抜き出して示すと図１７（Ｂ）に示すようになり、チップＣＰ０２のみを抜き出して示すと図１７（Ｃ）に示すようになり、チップＣＰ０３のみを抜き出して示すと図１７（Ｄ）に示すようになる。図１７に示す例では、チップＣＰ０１に多数の図形を含むセルＣＬ３０が所属しており、チップＣＰ０２に多数の図形を含むセルＣＬ４０，ＣＬ４１，ＣＬ４２，ＣＬ４３，ＣＬ４４，ＣＬ４５，ＣＬ４６，ＣＬ４７が所属しており、チップＣＰ０３に多数の図形を含むセルＣＬ５０，ＣＬ５１が所属している。図１７に示す例では、例えば、チップＣＰ０１に属するセルＣＬ３０に含まれる多数の図形に指標番号０１（図１２（Ｂ）参照）が適用され、チップＣＰ０２に属するセルＣＬ４０，ＣＬ４１，ＣＬ４２，ＣＬ４３，ＣＬ４４，ＣＬ４５，ＣＬ４６，ＣＬ４７に含まれる多数の図形に指標番号０２（図１２（Ｂ）参照）が適用され、チップＣＰ０３に属するセルＣＬ５０，ＣＬ５１に含まれる多数の図形に指標番号０３（図１２（Ｂ）参照）が適用される。
つまり、図１７に示す例のように、例えばチップＣＰ０１，ＣＰ０２，ＣＰ０３（図１７参照）の外枠の大きさ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形（詳細には、セルＣＬ４０，ＣＬ４１，ＣＬ４２，ＣＬ４３，ＣＬ４４，ＣＬ４５，ＣＬ４６，ＣＬ４７，ＣＬ５０，ＣＬ５１に含まれる図形）に対応するパターンのみに異常が生じる場合、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８、図９、図１６などに示した例と同様の近接効果補正処理が行われる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、例えばチップＣＰ０１，ＣＰ０２，ＣＰ０３（図１７参照）の外枠の大きさ程度の単位描画領域のうちの局所的な部分の図形に対応するパターンのみに生じる異常の問題を解決することができる。
【００５２】
第３の実施形態では、上述した第１および第２の実施形態ならびに各例を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０                          荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ                        描画部
１０ａ１ｂ                    荷電粒子ビーム
１０ｂ１ｂ                    近接効果補正部
１０ｂ１ｂ１                  近接効果補正用マップ作成部
１０ｂ１ｂ２                  代表図形作成部
１０ｂ１ｂ２ａ                図形面積変更部
１０ｂ１ｂ３                  近接効果補正照射量算出部
１０ｂ１ｂ４                  近接効果補正照射量変更部
Ｍ                            試料
【図１】
0005530688.tif 000011
【図２】
0005530688.tif 000012
【図３】
0005530688.tif 000013
【図４】
0005530688.tif 000014
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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