(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化８２】
0005380296.tif 000103
（式中、各Ｒ１は、２−アルキル置換アルキル基である）を有する、化合物。
【請求項２】
各Ｒ１が、２−アルキル置換ブチル基、２−アルキル置換ペンチル基、２−アルキル置換ヘキシル基または２−アルキル置換ヘプチル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
各Ｒ１が、独立に、２−メチルプロピル基、２−エチルプロピル基、２−プロピルプロピル基、２−ブチルプロピル基、２−ペンチルプロピル基、２−ヘキシルプロピル基、２−メチルブチル基、２−エチルブチル基、２−プロピルブチル基、２−ブチルブチル基、２−ペンチルブチル基、２−ヘキシルブチル基、２−メチルペンチル基、２−エチルペンチル基、２−プロピルペンチル基、２−ブチルペンチル基、２−ペンチルペンチル基、２−ヘキシルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルヘキシル基、２−ブチルヘキシル基、２−ペンチルヘキシル基、２−ヘキシルヘキシル基、２−メチルヘプチル基、２−エチルヘプチル基、２−プロピルヘプチル基、２−ブチルヘプチル基、２−ペンチルヘプチル基、２−ヘキシルヘプチル基、２−メチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−プロピルオクチル基、２−ブチルオクチル基、２−ペンチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−メチルノニル基、２−エチルノニル基、２−プロピルノニル基、２−ブチルノニル基、２−ペンチルノニル基、２−ヘキシルノニル基、２−メチルデシル基、２−エチルデシル基、２−プロピルデシル基、２−ブチルデシル基、２−ペンチルデシル基、または２−ヘキシルデシル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
各Ｒ１が、独立に、
【化８３】
0005380296.tif 000104
である、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項５】
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；および
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）
から選択される、化合物。
【請求項６】
液体媒体中に溶解または分散している請求項１から５のいずれか一項に記載の１つまたは複数の化合物を含む有機半導体用組成物。
【請求項７】
基板および該基板に堆積した薄膜半導体を含む複合材であって、該複合材は、該基板に請求項６に記載の組成物を堆積させるステップにより調製され、場合によって、該堆積させるステップが、印刷、スピンコーティング、ドロップキャスティング、ゾーンキャスティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、吹き付け、および蒸着の少なくとも１つを含む、複合材。
【請求項８】
請求項７に記載の複合材を含む電界効果トランジスタデバイス。
【請求項９】
請求項１から５のいずれか一項に記載の１つまたは複数の化合物を含む薄膜半導体。
【請求項１０】
請求項９に記載の薄膜半導体を含む電界効果トランジスタデバイス。
【請求項１１】
誘電材料を含み、該誘電材料が、有機誘電材料、無機誘電材料または有機／無機ハイブリッドの誘電材料を含む、請求項１０に記載の電界効果トランジスタデバイス。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
序論
ほとんどの有機半導体の電子構造は、主としてｓｐ２混成の炭素原子およびある程度ヘテロ原子例えば硫黄、セレン、窒素、および酸素などを構成する分子／ポリマーσ骨格内の非局在化π軌道からなる。有機固体中の電荷輸送の一次機構は、電気接点で注入された電荷担体の分子から分子（鎖から鎖）への移動を可能にするπ−π軌道相互作用をもたらす高効率の分子／ポリマー鎖スタッキングに基づく。
【０００２】
ｎ型（ここでは電子が大部分の電荷担体である）トランジスタに適用するために設計された有機半導体の場合は、さらなる要件を考慮に入れる必要がある。これらのさらなる要件としては、ＬＵＭＯ（最低空分子軌道−無機半導体用の伝導体に相当）エネルギーに関する材料の適合性、ソース／ドレイン電極に適合した適切なエネルギー、ならびにＯＮ状態のトランジスタにおける導電率を最大にするための最適化した膜の形態および微細構造が挙げられる。
【０００３】
今日まで、最適化された有機材料は、それらの改良された環境安定性のために主としてｐ型（ここでは正孔が大部分の電荷担体である）半導体である。対照的に、ｎ型有機材料は、少数の小分子およびポリマーに限られている。その限られた数の有望なｎ型半導体の中で、それらのほとんどは、空気中での不十分な安定性および通常の有機溶媒中での不十分な溶解性を含めた重大な欠点が問題であり、それによりこれらｎ型半導体化合物で使用することができる製造プロセスの様式（例えば印刷堆積）が限定される。
【０００４】
それ故、当技術分野には、コンプリメンタリ回路、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機起電素子、キャパシタ、およびセンサーを含むがこれらに限定されないさまざまなデバイス設計に組み込むことができる新規な空気中で安定であり溶液処理が可能なｎ型の有機半導体化合物、組成物、および材料に対する要望がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述を踏まえて、本教示は、上で概説したことを含む従来技術のさまざまな欠陥および短所に対処することができる有機半導体化合物および材料ならびに関連するデバイスを提供する。
【０００６】
より具体的には、本教示は、Ｎ−官能化ジイミドに基づく有機半導体化合物および材料を提供する。これらの化合物は、溶液相処理に好適であり得る一連の特性を示すと同時に有用な電気特性を提供することができることが見出されている。
【０００７】
１態様において、本教示は、式：
【０００８】
【化１】
0005380296.tif 000002
（式中、ＱおよびＲ１は、本明細書に定義されている通りである）を有する化合物を提供する。
【０００９】
本教示は、また、本明細書に開示されている化合物を含むさまざまな組成物、製品、構造物、およびデバイスも提供する。
【００１０】
本教示の前記のおよびその他の特徴ならびに利点は、以下に続く図面、記述、および特許請求の範囲からより十分に理解されよう。
【００１１】
当然のことながら、以下に記載の図面は、説明目的のみのためのものであり本教示の範囲を多少なりとも限定しようとするものではない。
本発明は、例えば以下の項目を提供する。
（項目１）
式：
【化８０】
0005380296.tif 000003
を有する化合物
［式中、
Ｑは、１〜４個のＲａ基により場合によって置換されている縮合環部分であり、
ここで、
Ｒａは、出現するごとに、独立に、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ２、ｄ）オキソ、ｅ）−ＯＨ、ｆ）Ｃ１〜２０アルキル基、ｇ）Ｃ２〜２０アルケニル基、ｈ）Ｃ２〜２０アルキニル基、ｉ）Ｃ１〜２０アルコキシ基、ｊ）Ｃ１〜２０アルキルチオ基、ｋ）Ｃ１〜２０ハロアルキル基、ｌ）−Ｙ−Ｃ３〜１０シクロアルキル基、ｍ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基、ｎ）−Ｙ−３〜１２員のシクロへテロアルキル基、またはｏ）−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基であり、ここで、該Ｃ１〜２０アルキル基、該Ｃ２〜２０アルケニル基、該Ｃ２〜２０アルキニル基、該Ｃ３〜１０シクロアルキル基、該Ｃ６〜１４アリール基、該３〜１２員のシクロへテロアルキル基、および該５〜１４員のヘテロアリール基のそれぞれは１〜４個のＲｂ基により場合によって置換されており；
Ｒｂは、出現するごとに、独立に、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ２、ｄ）オキソ、ｅ）−ＯＨ、ｆ）−ＮＨ２、ｇ）−ＮＨ（Ｃ１〜２０アルキル）、ｈ）−Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ｉ）−Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｊ）−Ｎ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ｋ）−Ｓ（Ｏ）ｍＨ、ｌ）−Ｓ（Ｏ）ｍ−Ｃ１〜２０アルキル、ｍ）−Ｓ（Ｏ）２ＯＨ、ｎ）−Ｓ（Ｏ）ｍ−ＯＣ１〜２０アルキル、ｏ）−Ｓ（Ｏ）ｍ−Ｏ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｐ）−ＣＨＯ、ｑ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜２０アルキル、ｒ）−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｓ）−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、ｔ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ１〜２０アルキル、ｕ）−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｖ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ２、ｗ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ１〜２０アルキル、ｘ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ｙ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｚ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａａ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ａｂ）−Ｃ（Ｓ）ＮＨ２、ａｃ）−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−Ｃ１〜２０アルキル、ａｄ）−Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ａｅ）−Ｃ（Ｓ）Ｎ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ａｆ）−Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａｇ）−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａｈ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮＨ２、ａｉ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮＨ（Ｃ１〜２０アルキル）、ａｊ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ａｋ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮＨ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）、ａｌ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａｍ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ａｎ）−ＳｉＨ３、ａｏ）−ＳｉＨ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ａｐ）−ＳｉＨ２（Ｃ１〜２０アルキル）、ａｒ）−Ｓｉ（Ｃ１〜２０アルキル）３、ａｓ）Ｃ１〜２０アルキル基、ａｔ）Ｃ２〜２０アルケニル基、ａｕ）Ｃ２〜２０アルキニル基、ａｖ）Ｃ１〜２０アルコキシ基、ａｗ）Ｃ１〜２０アルキルチオ基、ａｘ）Ｃ１〜２０ハロアルキル基、ａｙ）−Ｙ−Ｃ３〜１０シクロアルキル基、ａｚ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基、ｂａ）−Ｙ−３〜１２員シクロへテロアルキル基、またはｂｂ）−Ｙ−５〜１４員ヘテロアリール基であり；
Ｙは、出現するごとに、独立に、二価のＣ１〜６アルキル基、二価のＣ１〜６ハロアルキル基または共有結合であり；
ｍは、０、１または２であり、
Ｒ１は、出現するごとに、独立に、分枝Ｃ３〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルケニル基、分枝Ｃ３〜２０ハロアルキル基、−Ｌ−Ａｒ１−Ｒ２または−Ｌ−Ａｒ１−Ａｒ１−Ｒ２であり；
ここで、
Ｌは、出現するごとに、−Ｙ−Ｏ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃＣ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−［ＳｉＲｃ２］−Ｙ−、二価のＣ１〜２０アルキル基、二価のＣ１〜２０ハロアルキル基または共有結合であり；
ここで、
Ｒｃは、出現するごとに、Ｈ、Ｃ１〜６アルキル基または−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基であり；
Ａｒ１は、出現するごとに、独立に、Ｃ６〜１４アリール基または５〜１４員のヘテロアリール基であり、それぞれ１〜４個のＲｄ基により場合によって置換されており；
ここで、
Ｒｄは、出現するごとに、ハロゲン、−ＣＮ、Ｃ１〜６アルキル基、Ｃ１〜６アルコキシ基、およびＣ１〜６ハロアルキル基から独立に選択され；
Ｒ２は、出現するごとに、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基、Ｃ１〜２０アルコキシ基、−Ｌ’−Ａｒ２−Ｒ３または−Ｌ’−Ａｒ２−Ａｒ２−Ｒ３であり；
ここで、
Ｌ’は、出現するごとに、−Ｙ−Ｏ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃＣ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−［ＳｉＲｃ２］−Ｙ−、二価のＣ１〜２０アルキル基、二価のＣ１〜２０ハロアルキル基または共有結合であり；
Ａｒ２は、出現するごとに、独立に、Ｃ６〜１４アリール基または５〜１４員のヘテロアリール基であり、それぞれ１〜４個のＲｄ基により場合によって置換されており；
Ｒ３は、出現するごとに、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基である］。
（項目２）
Ｑが、
【化８１】
0005380296.tif 000004
であり、
ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈが、独立に、ＣＨ、ＣＲａ、ＳｉＨ、ＳｉＲａ、ＮまたはＰであり、Ｒａが、項目１で定義されている通りである、項目１に記載の化合物。
（項目３）
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈが、独立に、ＣＨまたはＣ（ＣＮ）である、項目２に記載の化合物。
（項目４）
式：
【化８２】
0005380296.tif 000005
（式中、Ｒ１は、項目１で定義されている通りである）を有する、項目１から３のいずれか一項に記載の化合物。
（項目５）
各Ｒ１が、独立に、分枝Ｃ３〜２０アルキル基または分枝Ｃ３〜２０アルケニル基である、項目１から４のいずれか一項に記載の化合物。
（項目６）
Ｒ１が、独立に、２−アルキル置換アルキル基である、項目１から５のいずれか一項に記載の化合物。
（項目７）
Ｒ１が、独立に、２−アルキル置換ブチル基、２−アルキル置換ペンチル基、２−アルキル置換ヘキシル基または２−アルキル置換ヘプチル基である、項目１から６のいずれか一項に記載の化合物。
（項目８）
各Ｒ１が、独立に、
【化８３】
0005380296.tif 000006
である、項目１から７のいずれか一項に記載の化合物。
（項目９）
Ｒ１が、独立に、３−アルキル置換ブチル基、３−アルキル置換ペンチル基、３−アルキル置換ヘキシル基、３−アルキル置換ヘプチル基、３−アルキル置換オクチル基または３，７−ジアルキル置換オクチル基である、項目１から５のいずれか一項に記載の化合物。
（項目１０）
各Ｒ１が、独立に、
【化８４】
0005380296.tif 000007
である、項目１から５のいずれか一項に記載の化合物。
（項目１１）
各Ｒ１が、−Ｌ−Ａｒ１−Ｒ２または−Ｌ−Ａｒ１−Ａｒ１−Ｒ２であり、Ｌ、Ａｒ１およびＲ２が項目１で定義したものである、項目１から４のいずれか一項に記載の化合物。
（項目１２）
各Ｒ１が、
【化８５】
0005380296.tif 000008
であり、
ここで、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓおよびｕが、独立に、ＣＨ、ＣＲｄ、ＳｉＨ、ＳｉＲｄ、ＮまたはＰであり、ｗが、ＣＨ、ＣＲ２、ＳｉＨ、ＳｉＲ２、ＮまたはＰであり、Ｌ、Ｒ２およびＲｄが、項目１で定義したものである、項目１１に記載の化合物。
（項目１３）
各Ｒ１が、
【化８６】
0005380296.tif 000009
であり、
ここで、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓおよびｕが、独立に、ＣＨ、ＣＦまたはＮであり、Ｌが、二価のＣ１〜１０アルキル基、二価のＣ１〜１０ハロアルキル基または共有結合であり、Ｒ２が項目１で定義されている通りである、項目１２に記載の化合物。
（項目１４）
各Ｒ２が、Ｈ、Ｆ、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基である、項目１３に記載の化合物。
（項目１５）
各Ｒ２が、直鎖Ｃ１〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０フルオロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基である、項目１４に記載の化合物。
（項目１６）
各Ｒ２が、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデカニル基、トリデカニル基、デセニル基、−Ｏ−ドデカニル基または−Ｏ−トリデカニル基である、項目１５に記載の化合物。
（項目１７）
各Ｒ２が、
【化８７】
0005380296.tif 000010
である、項目１６に記載の化合物。
（項目１８）
各Ｒ２が、−Ｌ’−Ａｒ２−Ｒ３または−Ｌ’−Ａｒ２−Ａｒ２−Ｒ３であり、Ｌ’、Ａｒ２およびＲ３が項目１で定義したものである、項目１から４のいずれか一項に記載の化合物。
（項目１９）
各Ｒ１が、
【化８８】
0005380296.tif 000011
であり、
ここで、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓ、ｕ、ｉ’、ｊ’、ｋ’、ｌ’、ｏ’、ｒ’、ｓ’、およびｕ’が、独立に、ＣＨ、ＣＲｄ、ＳｉＨ、ＳｉＲｄ、ＮまたはＰであり、ｗ’が、ＣＨ、ＣＲ３、ＳｉＨ、ＳｉＲ３、ＮまたはＰであり、Ｌ、Ｌ’、Ｒ３およびＲｄが、項目１で定義したものである、項目１８に記載の化合物。
（項目２０）
Ｒ１が、
【化８９】
0005380296.tif 000012
であり、
ここで、
ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓ、ｕ、ｉ’、ｊ’、ｋ’、ｏ’、ｒ’、ｓ’、およびｕ’が、独立に、ＣＨ、ＣＦまたはＮであり、Ｌが、二価のＣ１〜１０アルキル基、二価のＣ１〜１０ハロアルキル基または共有結合であり、Ｌ’が、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓ（Ｏ）−、二価のＣ１〜１０アルキル基、二価のＣ１〜１０ハロアルキル基または共有結合であり、
Ｒ３が、項目１で定義されている通りである、項目１９に記載の化合物。
（項目２１）
Ｒ３が、Ｈ、Ｆ、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基である、項目２０に記載の化合物。
（項目２２）
Ｒ３が、直鎖Ｃ１〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０フルオロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基である、項目２１に記載の化合物。
（項目２３）
Ｒ３が、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデカニル基、トリデカニル基、デセニル基、−Ｏ−ドデカニル基または−Ｏ−トリデカニル基である、項目２２に記載の化合物。
（項目２４）
Ｒ３が、
【化９０】
0005380296.tif 000013
である、項目２３に記載の化合物。
（項目２５）
各Ｒ１が、
【化９１】
0005380296.tif 000014
であり、
ここで、ｐが０〜２０の範囲の整数であり、各ｑが、独立に、０〜４の範囲の整数であり、Ｒ２およびＲｄが項目１で定義されている通りである、項目１から４のいずれか一項に記載の化合物。
（項目２６）
各Ｒ１が、
【化９２】
0005380296.tif 000015
であり、
ここで、ｐが０〜２０の範囲の整数であり、各ｑが、独立に、０〜４の範囲の整数であり、Ｌ’、ＲｄおよびＲ３が項目１で定義されている通りである、項目２５に記載の化合物。
（項目２７）
各Ｒ１が、
【化９３】
0005380296.tif 000016
であり、
ここで、ＲｄがＦであり、ｐが、０、１または２であり、各ｑが、独立に、０または４であり、Ｌ’が、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓ（Ｏ）−であり、Ｒ３が、Ｈ、Ｆまたはメチル基である、項目２５に記載の化合物。
（項目２８）
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，６−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル｝−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，６−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）；
Ｎ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジシアノナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミド；および
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，３：６，７−アントラセンジカルボキシイミド
から選択される化合物。
（項目２９）
液体媒体中に溶解または分散している項目１から２８のいずれか一項に記載の１つまたは複数の化合物を含む組成物。
（項目３０）
項目１から２８のいずれか一項に記載の化合物の２つ以上の位置異性体を含む、項目２９に記載の組成物。
（項目３１）
液体媒体が有機溶媒または溶媒の混合物である、項目２９または項目３０に記載の組成物。
（項目３２）
項目１から２８のいずれか一項に記載の１つまたは複数の化合物を含む製品。
（項目３３）
項目１から２８のいずれか一項に記載の化合物の２つ以上の位置異性体を含む、項目３２に記載の製品。
（項目３４）
電子デバイス、光学デバイスまたは光電子デバイスである、項目３２または項目３３に記載の製品。
（項目３５）
項目１から２８のいずれか一項に記載の１つまたは複数の化合物を含む薄膜半導体。
（項目３６）
項目１から２８のいずれか一項に記載の化合物の２つ以上の位置異性体を含む、項目３５に記載の薄膜半導体。
（項目３７）
基板および該基板に堆積した項目３５または項目３６に記載の薄膜半導体を含む複合材。
（項目３８）
項目３５または３６に記載の薄膜半導体を含む電界効果トランジスタデバイス。
（項目３９）
項目３７に記載の複合材を含む電界効果トランジスタデバイス。
（項目４０）
誘電材料を含み、該誘電材料が、有機誘電材料、無機誘電材料または有機／無機ハイブリッドの誘電材料を含む、項目３８または項目３９に記載の電界効果トランジスタデバイス。
（項目４１）
項目３５または項目３６に記載の薄膜半導体を含む光起電デバイス。
（項目４２）
項目３７に記載の複合材を含む光起電デバイス。
（項目４３）
１つまたは複数の化合物と隣接したｐ型半導体材料を含む、項目４１または項目４２に記載の光起電デバイス。
（項目４４）
項目３５または項目３６に記載の薄膜半導体を含む有機発光ダイオードデバイス。
（項目４５）
項目３７に記載の複合材を含む有機発光ダイオードデバイス。
（項目４６）
項目３２から３４のいずれか一項に記載の製品、項目３５または３６に記載の薄膜半導体、項目３８から４０のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ、項目４１から４３のいずれか一項に記載の光起電デバイス、あるいは項目４２または項目４５に記載の有機発光ダイオードデバイスを製造する方法であって、基板に項目２９から３１のいずれか一項に記載の組成物を堆積させるステップを含む方法。
（項目４７）
項目３７に記載の複合材を製造する方法であって、該基板に項目２９から３１のいずれか一項に記載の組成物を堆積させるステップを含む方法。
（項目４８）
組成物を堆積させる該ステップが、印刷、スピンコーティング、ドロップキャスティング、ゾーンキャスティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、吹き付け、および蒸着の少なくとも１つを含む、項目４７に記載の方法。
（項目４９）
項目１から２８のいずれか一項に記載の化合物を製造する方法であって、該化合物のコア構造の第２級イミド窒素を反応させてそのＲ１基（Ｒ１は項目１で定義されている通りである）を置換するステップを含む方法。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】クロロホルム中の本教示の化合物（ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２）の紫外−可視（ＵＶ−ｖｉｓ）吸収スペクトルの図である。
【図２】クロロホルム中の本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈ８−ＣＮ２）のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの図である。
【図３】クロロホルム中の本教示の化合物（ＰＤＩ１Ｐｈ−ＣＮ２）のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの図である。
【図４】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２）の代表的移動プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図５】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈ８−ＣＮ２）の代表的移動プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図６】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈ６−ＣＮ２）の代表的移動プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図７】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の代表的移動プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図８】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の代表的移動プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図９】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の代表的出力プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図１０】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２）の代表的出力プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図１１】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２）の代表的出力プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図１２】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の代表的出力プロットの図である。半導体材料は、溶液から析出させた。
【図１３】本教示の化合物（ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２）の代表的出力プロットの図である。半導体材料は、蒸気相から析出させた。
【図１４】本教示の化合物（ＰＤＩ１Ｐｈ４−ＣＮ２）の５０ｎｍ厚の膜の広角Ｘ線回折（ＷＡＸＲＤ）Θ／２Θスキャン（および００１反射のロッキングカーブ）の図である。
【図１５】図１５Ａは、本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２）の蒸気相析出膜に対するＷＡＸＲＤΘ／２Θスキャンの図である。図１５Ｂは、本教示の化合物（ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２）の溶液相析出膜に対するＷＡＸＲＤΘ／２Θスキャンの図である。
【図１６】図１６Ａは、本教示の化合物（ＰＤＩ８−ＣＮ２）のクロロホルムからスピンコートした膜に対して空気中で測定した代表的移動プロットの図である。図１６Ｂは、本教示の化合物（ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）のクロロホルムからスピンコートした膜に対して空気中で測定した代表的移動プロットの図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本教示は、化合物、例えば、有機半導体化合物、有機半導体化合物を調製するための方法、ならびに、上記化合物を含む組成物、材料、製品、構造物、およびデバイスに関する。
【００１４】
本教示は、さまざまな有機電子物品、構造物およびデバイスを組み立てるために使用することができる有用な電気的性質を示す蒸着された、溶液処理が可能な、例えばスピンコートができ、印刷することができる有機半導体材料（化合物および組成物を含む）を提供する。本明細書に開示されている該有機半導体材料は、ｎ型半導体材料（この場合電荷担体は実質的に電子である）として有用であり得、他にも用途はあるが、無機または有機のいずれかであるｐ型半導体（この場合その電荷担体は実質的に正孔である）によるコンプリメンタリ回路を形成するために使用することができる。
【００１５】
特に、本教示は、さまざまなジイミド類を提供し、その窒素原子は、全体としての化合物の溶解性を高めることができる官能基により置換される。これらの化合物は、一般的には１つまたは複数の通常の溶媒中で少なくともいくらかの溶解性を有しており、周囲条件において安定であり得る。特定の理論に拘泥するつもりはないが、窒素原子における適切な官能化は、また、電荷移動度を高めるフィルム内の微細構造の秩序化を増進することもできる。特定の実施形態において、２−アルキル置換アルキル基による本教示の化合物のイミド窒素の官能化は、スピンコートしたとき、結果として生じるデバイスの電子移動度および電流Ｉｏｎ：Ｉｏｆｆ比に予期しない増加を与える組成物をもたらす。本教示は、また、１つまたは複数のこれらの化合物を含む組成物、製品、構造物、およびデバイスも提供する。
【００１６】
本記述を通して、組成物が特定の成分を有する、包含する、もしくは含むと記載されている場合、またはプロセスが、特定のプロセスステップを有する、包含する、もしくは含むと記載されている場合、それは本教示の組成物が、また、列挙された成分から本質的に構成されるか、その成分から構成されており、本教示のプロセスも、列挙した処理ステップから本質的に構成されるか、そのステップから構成されていることを言おうとしている。
【００１７】
用語「包含する」、「包含している」、「有する」、または「有している」は、別段の記述がない限り、上限が決められておらず、限定されないものと一般に理解すべきである。
【００１８】
本出願において、要素または成分が、列挙した要素または成分のリストに包含され、かつ／またはそこから選択されると言われる場合、その要素または成分は、列挙された要素または成分のどれか１つであり得、その列挙された要素または成分の２つ以上からなる群から選択することができるものと理解すべきである。さらに、本明細書に記載の組成物の要素および／または特徴、装置、あるいは方法は、本明細書において明示されていようと黙示的であろうと、本教示の精神および範囲から逸脱することなくさまざまな方法で組み合わせることができることを理解すべきである。
【００１９】
本明細書における単数形の使用は、別段の記述がない限り、複数を含む（逆の場合もある）。加えて、用語「約」の使用が、定量値の前にある場合、別段の記述がない限り、本教示は、その特定の定量値そのものも含む。本明細書で使用される用語「約」は、名目値から±１０％の変動を意味する。
【００２０】
ステップの順序または一定の操作を実施するための順序は、本教示が実施可能のままである限りは重要でないことは当然である。その上、２つ以上のステップまたは操作を同時に行うことができる。
【００２１】
本明細書で使用する「溶液処理可能な」とは、スピンコーティング、印刷（例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア、フレキソグラフィー）、スプレーコーティング、エレクトロスプレーコーティング、ドロップキャスティング、ディップコーティング、およびブレードコーティングを含むさまざまな溶液相プロセスで使用することができる化合物、材料、または組成物を指す。
【００２２】
本明細書で使用する「縮合環部分」とは、少なくとも１つの環が芳香族であり、その芳香環（炭素環または複素環）が、芳香族または非芳香族で、炭素環または複素環であり得る少なくとも１つの他の環と共通の結合を有している少なくとも２つの環を有する多環式環系を指す。これらの多環式環系は、高度にπ共役することができ、無制限に、式：
【００２３】
【化２】
0005380296.tif 000017
を有し、式中、ａは、０〜３の範囲の整数であり得るリレン（ｒｙｌｅｎｅ）、および式：
【００２４】
【化３】
0005380296.tif 000018
を有し、式中、ｂは、０〜４の範囲の整数であり得る線状アセン（ａｃｅｎｅ）を含むことができる。
【００２５】
本明細書で使用する「イミド」とは、窒素原子を本明細書に開示されているように置換することができる−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−基を指す。
【００２６】
本明細書で用いる「ハロ」または「ハロゲン」とは、フルオロ、クロロ、ブロモ、およびヨードを指す。
【００２７】
本明細書で用いる「オキソ」とは、二重結合した酸素（すなわち、＝Ｏ）を指す。
【００２８】
本明細書で用いる「アルキル」とは、直鎖または分枝飽和炭化水素基を指す。アルキル基の例としては、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、プロピル（例えば、ｎ−プロピル、イソプロピル）、ブチル（例えば、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル）、ペンチル（例えば、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル）基などが挙げられる。さまざまの実施形態において、アルキル基は、１〜２０個の炭素原子を有することができ、すなわちＣ１〜２０アルキル基である。いくつかの実施形態において、アルキル基は、１〜６個の炭素原子を有することができ、「低級アルキル基」と称することができる。低級アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル（例えば、ｎ−プロピルおよびイソプロピル）、およびブチル（例えば、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル）基が挙げられる。いくつかの実施形態において、アルキル基は、最大４個までの独立に選択されたＲｂ基により置換されていてもよく、ここで、Ｒｂは、本明細書に開示されているものである。
【００２９】
本明細書で用いる「２−アルキル置換アルキル」とは、その２の位置がアルキル基によって置換されているアルキル基を指す。例えば、２−アルキル置換アルキル基が、本明細書に述べられている式中のＲ１のようなイミドの窒素上に存在するとき、そのイミドの窒素から離れた２番目の炭素原子が、アルキル基により置換されている。２−置換アルキル基は、３〜２０個の炭素原子を有することができ、すなわちＣ３〜２０アルキル基である。いくつかの実施形態において、該２−置換アルキル基は、３〜１０個の炭素原子（すなわちＣ３〜１０アルキル基）または３〜８個の炭素原子（すなわちＣ３〜８アルキル基）を有することができる。置換基のアルキル基は、１〜２０個の炭素原子を有することができ、すなわちＣ１〜２０アルキル基であり得る。いくつかの実施形態において、該置換基のアルキル基は、１〜１０個の炭素原子（すなわちＣ１〜１０アルキル基）、１〜８個の炭素原子（すなわちＣ１〜８アルキル基）、または１〜６個の炭素原子（すなわちＣ１〜６アルキル基）を有することができ、後の例は「低級アルキル基」と称することができる。勿論、アルキル基の各具体例は、２−置換アルキル基と置換基のアルキル基とのさまざまな具体的な組合せの中で個々に列挙されるものが考えられる。例えば、その２−置換アルキル基は、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基またはデシル基であり得る。これらの２−置換アルキル基のそれぞれと組み合わされる置換基のアルキル基は、メチル、エチル、プロピル（例えば、ｎ−プロピルおよびイソプロピル）、ブチル基（例えば、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル）、ペンチル基（例えば、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル）、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などであり得る。特定の実施形態において、該２−アルキル置換アルキル基は、２−メチルヘキシル、２−エチルヘキシル、２−プロピルへキシル、２−ブチルへキシル、２−ペンチルへキシル、または２−ヘキシルへキシルであり得る。当然のことながら、２−アルキル置換アルキル基は、置換が３番目以上の炭素原子で起こっているという条件で二置換または三置換のものであり得る。
【００３０】
本明細書で用いる「３−アルキル置換アルキル」とは、その３の位置がアルキル基によって置換されているアルキル基を指す。例えば、３−アルキル置換アルキル基が、本明細書に述べられている式中のＲ１のようなイミドの窒素上に存在するとき、そのイミドの窒素から離れた３番目の炭素原子が、アルキル基により置換されている。３−アルキル置換アルキル基のさまざまな実施形態は、置換が起こっている炭素原子が異なることを別にすれば２−アルキル置換アルキル基について上で記したものと類似している。当然のことながら、３−アルキル置換アルキル基は、置換が４番目以上の炭素原子で起こっているという条件で二置換または三置換のものであり得る。
【００３１】
本明細書で用いる「アルコキシ」とは、−Ｏ−アルキル基を指す。アルコキシ基は、１〜２０個の炭素原子、例えば１〜１０個の炭素原子（すなわち、Ｃ１〜１０アルコキシ基）を有することができる。アルコキシ基の例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ（例えば、ｎ−プロポキシおよびイソプロポキシ）、ｔ−ブトキシ基などが挙げられるがこれらに限定はされない。
【００３２】
本明細書で用いる「アルキルチオ」とは、−Ｓ−アルキル基を指す。アルキルチオ基の例としては、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ（例えば、ｎ−プロピルチオおよびイソプロピルチオ）、ｔ−ブチルチオ基などが挙げられるがこれらに限定はされない。
【００３３】
本明細書で用いる「ハロアルキル」とは、１つまたは複数のハロゲン置換基を有するアルキル基を指す。ハロアルキル基の例としては、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ＣＨＦ２、ＣＨ２Ｆ、ＣＣｌ３、ＣＨＣｌ２、ＣＨ２Ｃｌ、Ｃ２Ｃｌ５などが挙げられるがこれらに限定されない。ペルハロアルキル基、すなわちすべての水素原子がハロゲン原子により置き換わっているアルキル基（例えばＣＦ３およびＣ２Ｆ５）は、「ハロアルキル」の定義の中に含まれる。例えば、Ｃ１〜２０ハロアルキル基は、式−ＣｎＸ２ｎ＋１または−ＣｎＸ２ｎ＋１−ｔＸｔを有することができ、式中、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩであり、ｎは、１〜２０の範囲の整数であり、ｔは、ｔが２ｎ＋１以下であることを条件として０〜４１の範囲の整数である。
【００３４】
本明細書で用いる「アリールアルキル」とは、−アルキル−アリール基を指し、ここで該アリールアルキル基は、アルキル基を介して当該定義されている化学構造に共有結合している。アリールアルキル基は、−Ｌ−Ｃ６〜１４アリール基、−Ｌ’−Ｃ６〜１４アリール基または−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基の定義の範囲内であり、ここでＬ、Ｌ’およびＹは、独立に、二価のＣ１〜２０アルキル基である。アリールアルキル基の１例は、ベンジル基（−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５）である。アリールアルキル基のアリール基は、本明細書に開示されているように場合によって置換されていてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、−Ｌ−Ａｒ１−Ｒ２および−Ｌ’−Ａｒ２−Ｒ３は、独立に−Ｃ１〜２０アルキル−Ｃ６〜１４アリール基であることができ、ここでＲ２およびＲ３はＨであり、Ｃ６〜１４アリール基は１〜４個のＲｄ基により場合によって置換されていてよく、Ｒｄは本明細書に定義されている通りである。上記の場合によって置換されているアリールアルキル基は、式：
【００３５】
【化４】
0005380296.tif 000019
によって表すことができ、式中、ｐ’は、１〜２０の範囲の整数であり、ｑは、０〜４の範囲の整数であり、Ｒｄは本明細書に定義されている通りである。
【００３６】
本明細書で用いる「アルケニル」とは、１つまたは複数の炭素−炭素二重結合を有する直鎖または分枝アルキル基を指す。アルケニル基の例としては、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ブタジエニル、ペンタジエニル、ヘキサジエニル基などが挙げられるがこれらに限定されない。その１つまたは複数の炭素−炭素二重結合は、内部に（例えば２−ブテン中など）または末端に（例えば１−ブテン中など）にあることができる。さまざまな実施形態において、アルケニル基は、２〜２０個の炭素原子を有することができ、すなわちＣ２〜２０アルケニル基であり得る。いくつかの実施形態において、アルケニル基は、最大４個までの独立に選択されたＲｂ基により置換されていてもよく、ここでＲｂは、本明細書で開示されているものである。
【００３７】
本明細書で用いる「アルキニル」とは、１つまたは複数の三重の炭素−炭素結合を有する直鎖または分枝アルキル基を指す。アルキニル基の例としては、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニルなどが挙げられるがこれらに限定されない。その１つまたは複数の三重の炭素−炭素結合は、内部に（例えば２−ブチン中など）または末端に（例えば１−ブチン中など）にあることができる。さまざまな実施形態において、アルキニル基は、２〜２０個の炭素原子を有することができ、すなわちＣ２〜２０アルキニル基であり得る。いくつかの実施形態において、アルキニル基は、最大４個までの独立に選択されたＲｂ基により置換されていてもよく、ここでＲｂは、本明細書で開示されているものである。
【００３８】
本明細書で用いる「シクロアルキル」とは、環化されたアルキル、アルケニル、およびアルキニル基を含めた非芳香族炭素環基を指す。シクロアルキル基は、炭素原子が、環系の内側または外側に位置する単環式（例えばシクロヘキシル）または多環式（例えば、縮合、架橋、および／またはスピロ環系を含む）であり得る。そのシクロアルキル基の任意の適当な環の位置を当該定義されている化学構造に共有結合させることができる。シクロアルキル基の例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロヘキサジエニル、シクロヘプタトリエニル、ノルボルニル、ノルピニル、ノルカリル、アダマンチル、およびスピロ［４．５］デカニル基、ならびにそれらの同族体、異性体などが挙げられるがこれらに限定されない。さまざまな実施形態において、シクロアルキル基は、３〜１４個の炭素原子を有することができ、３〜１０個の炭素原子（すなわちＣ３〜１０シクロアルキル）を含む。いくつかの実施形態において、シクロアルキル基は、最大４個までの独立に選択されたＲｂ基により置換されていてもよく、ここでＲｂは、本明細書で開示されているものである。
【００３９】
本明細書で用いる「ヘテロ原子」とは、炭素または水素以外の任意の元素であり、例えば、窒素、酸素、ケイ素、硫黄、リン、およびセレンを含めた原子を指す。
【００４０】
本明細書で用いる「シクロへテロアルキル」とは、Ｏ、Ｎ、ＳおよびＳｅから選択される少なくとも１つの環へテロ原子を含み、１つまたは複数の二重結合または三重結合を場合によっては含む非芳香族シクロアルキル基を指す。さまざまな実施形態において、シクロへテロアルキル基は、３〜２０個の環原子を有することができ、３〜１４個の環原子（すなわち３〜１４員のシクロへテロアルキル基）を含む。シクロへテロアルキル環中の１つまたは複数のＮまたはＳ原子は、酸化されていてもよい（例えば、モルホリンＮ−オキシド、チオモルホリンＳ−オキシド、チオモルホリンＳ，Ｓ−ジオキシド）。いくつかの実施形態において、シクロへテロアルキル基の窒素原子は、置換基、例えば、水素原子、アルキル基または本明細書に記載されているようなその他の置換基を持つことができる。シクロへテロアルキル基は、また、１つまたは複数のオキソ基、例えば、オキソピペリジル、オキソオキサゾリジル、ジオキソ−（１Ｈ，３Ｈ）−ピリミジル、オキソ−２（１Ｈ）−ピリジルなどを含有することができる。シクロへテロアルキル基の例としては、とりわけ、モルホリニル、チオモルホリニル、ピラニル、イミダゾリジニル、イミダゾリニル、オキサゾリジニル、ピラゾリジニル、ピラゾリニル、ピロリジニル、ピロリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチオフェニル、ピペリジニル、ピペラジニル、などが挙げられる。いくつかの実施形態において、シクロへテロアルキル基は、最大４個までの独立に選択されたＲｂ基により置換されていてもよく、ここでＲｂは、本明細書で開示されているものである。
【００４１】
本明細書で用いる「アリール」とは、芳香族単環式炭化水素環系または２つ以上の芳香族炭化水素環が共に縮合している（すなわち、共通の結合を有する）か、または少なくとも１つの芳香族単環式炭化水素環が１つまたは複数のシクロアルキルおよび／またはシクロへテロアルキル環に縮合している多環式環系を指す。アリール基は、複数の縮合環を含むことができるその環系において６〜１４個の炭素原子を有することができる。いくつかの実施形態において、多環式アリール基は、７〜１４個の炭素原子を有することができる。そのアリール基の任意の適当な環の位置を当該定義されている化学構造に共有結合させることができる。芳香族炭素環（１つ以上）のみを有するアリール基の例としては、フェニル、１−ナフチル（二環式）、２−ナフチル（二環式）、アントラセニル（三環式）、フェナントレニル（三環式）などの基が挙げられるがこれらに限定はされない。少なくとも１つの芳香族炭素環が１つまたは複数のシクロアルキルおよび／またはシクロへテロアルキル環に縮合している多環式環系の例としては、とりわけ、シクロペンタンのベンゾ誘導体類（すなわち、５，６−二環式シクロアルキル／芳香環系であるインダニル基）、シクロヘキサンのベンゾ誘導体類（すなわち、６，６−二環式シクロアルキル／芳香環系であるテトラヒドロナフチル基）、イミダゾリンのベンゾ誘導体類（すなわち、５，６−二環式シクロへテロアルキル／芳香環系であるベンズイミダゾリニル基）、およびピランのベンゾ誘導体類（すなわち、６，６−二環式シクロへテロアルキル／芳香環系であるクロメニル基）が挙げられる。アリール基のその他の例としては、ベンゾジオキサニル、ベンゾジオキソリル、クロマニル、インドリニル基などが挙げられるがこれらに限定されない。いくつかの実施形態において、アリール基は、本明細書に開示されているＲａまたはＲｄ基から独立に選択される最大４個までの基によって置換されていてもよい。ある一定の実施形態において、アリール基は、別のアリール基によって置換されており、ビアリール基と称することができる。ビアリール基中のそれぞれのアリール基は、本明細書に開示されている最大４個までのＲｄ基によって置換されていてもよい。
【００４２】
本明細書で用いる「ヘテロアリール」とは、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、およびセレン（Ｓｅ）から選択される少なくとも１個の環へテロ原子を含有する芳香族単環式環系、または環系に存在する少なくとも１つの環が芳香族であり、少なくとも１つの環へテロ原子を含有する多環式環系を指す。多環式ヘテロアリール基としては、一緒に縮合している２つ以上のヘテロアリール環ならびに１つまたは複数の芳香族炭素環、非芳香族炭素環、および／または非芳香族シクロへテロアルキル環に縮合している単環式へテロアリール環が挙げられる。ヘテロアリール基は、全体として、例えば、５〜１４個の環原子を有し、１〜５個の環へテロ原子を含有することができる。そのヘテロアリール基は、当該定義されている化学構造に、安定な構造をもたらす任意のヘテロ原子または炭素原子のところで結合することができる。一般に、ヘテロアリール環はＯ−Ｏ、Ｓ−Ｓ、またはＳ−Ｏ結合は含有しない。しかしながら、ヘテロアリール基中の１つまたは複数のＮまたはＳ原子は、酸化され得る（例えば、ピリジンＮ−オキシド、チオフェンＳ−オキシド、チオフェンＳ，Ｓ−ジオキシド）。ヘテロアリール基の例としては、例えば、以下に示す５員の単環式および５〜６員の二環式環系：
【００４３】
【化５】
0005380296.tif 000020
が挙げられ、ここで、Ｔは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、Ｎ−アルキル、Ｎ−アリール、またはＮ−（アリールアルキル）（例えばＮ−ベンジル）である。ヘテロアリール基の例としては、ピロリル、フリル、チエニル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、イミダゾリル、イソチアゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、イソオキサゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、インドリル、イソインドリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、キノリル、２−メチルキノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンズイソチアゾリル、ベンズイソオキサゾリル、ベンズオキサジアゾリル、ベンズオキサゾリル、シンノリニル、１Ｈ−インダゾリル、２Ｈ−インダゾリル、インドリジニル、イソベンゾフリル、ナフチリジニル、フタラジニル、プテリジニル、プリニル、オキサゾロピリジニル、チアゾロピリジニル、イミダゾピリジニル、フロピリジニル、チエノピリジニル、ピリドピリミジニル、ピリドピラジニル、ピリドピラダジニル、チエノチアゾリル、チエノオキサゾリル、チエノイミダゾリルなどが挙げられる。ヘテロアリール基のさらなる例としては、４，５，６，７−テトラヒドロインドリル、テトラヒドロキノリル、ベンゾチエノピリジル、ベンゾフロピリジルなどが挙げられるがこれらに限定はされない。いくつかの実施形態において、ヘテロアリール基は、本明細書に開示されている最高４個までのＲａまたはＲｄ基により置換することができる。
【００４４】
本教示の化合物は、２つの他の部分と共有結合を形成することができる連結基として本明細書では定義される「二価の基」を含むことができる。例えば、本教示の化合物は、二価のＣ１〜２０アルキル基、例えば、メチレン基などを含むことができる。
【００４５】
本明細書のさまざまな場所に、化合物の置換基が群または範囲の形で開示されている。その記述は、かかる群および範囲の要素のあらゆる個々の副次的組合せを含むことが特に意図されている。例えば、用語「Ｃ１〜６アルキル」は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ１−Ｃ６、Ｃ１〜Ｃ５、Ｃ１〜Ｃ４、Ｃ１〜Ｃ３、Ｃ１〜Ｃ２、Ｃ２〜Ｃ６、Ｃ２〜Ｃ５、Ｃ２〜Ｃ４、Ｃ２〜Ｃ３、Ｃ３〜Ｃ６、Ｃ３〜Ｃ５、Ｃ３〜Ｃ４、Ｃ４〜Ｃ６、Ｃ４〜Ｃ５、およびＣ５〜Ｃ６アルキルを個々に開示することが特に意図されている。その他の例として、０〜４０の範囲の整数は、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、および４０を個々に開示することが特に意図されており、１〜２０の範囲の整数は、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、および２０を個々に開示することが特に意図されている。
【００４６】
本明細書に記載されている化合物は、不斉原子（キラル中心とも呼ばれる）を含有することができ、化合物によっては１つまたは複数の不斉原子または中心を含有することができ、それは従って光学異性体（鏡像異性体）およびジアステレオマーを生じさせることができる。本教示は、かかる光学異性体（鏡像異性体）およびジアステレオマー（幾何異性体）、ならびにラセミ化合物の分割された鏡像異性的に純粋な（＋）および（−）の立体異性体、ならびに（＋）および（−）の立体異性体のその他の混合物を含む。いくつかの実施形態において、光学異性体は、例えば、キラル分離、ジアステレオマー塩の形成、速度論的分割、および不斉合成を含めた当業者には既知の標準的な方法によって、鏡像異性的に濃縮された形または純粋な形で得ることができる。本教示は、また、アルケニル部分を含有する化合物類（例えば、アルケン類およびイミン類）のシスおよびトランス異性体も包含する。
【００４７】
また、当然のことながら、本教示の化合物は、純粋な形のすべての可能な位置異性体およびそれらの混合物を網羅的に含む。そのような異性体を、例えば当業者には既知の標準的な分離方法、例えば、カラムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、擬似移動床クロマトグラフィー、および高性能液体クロマトグラフィーを用いて分離することは可能であり得る。しかしながら、位置異性体の混合物は、本明細書に記載されておりかつ／または熟練した職人によって知られている本教示の特定の化合物の使用と同じように使用することができる。すなわち、本教示のリレン化合物類およびそれらの使用は、リレン化合物類のそれらの純粋な形およびそれらの混合物のそれぞれの位置異性体を含むことが特に意図されている。例えば、本教示の化合物、組成物、およびデバイスは、リレン化合物が、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、または１２個の置換基により置換されていてもよいその純粋な形の任意のリレン化合物またはその位置異性体もしくはその他の異性体の混合物を含むことができる。
【００４８】
より具体的には、該リレン化合物は、部分：
【００４９】
【化６】
0005380296.tif 000021
を有する化合物を含むことができ、ここで、Ｙは、出現するごとに、ＨまたはＲａであり得、Ｒａは、本明細書で定義されている通りである。さまざまな実施形態において、そのＹ基の２つはＨであり得、その他の２つのＹ基は独立にＲａであり得る。それ故、２つのＹ基がＨであり、その他の２つがＲａである複数の実施形態において、本教示の化合物は、式：
【００５０】
【化７】
0005380296.tif 000022
を有する位置異性体を有することができ、式中、Ｙは、出現するごとに、Ｒａであり得、ここでＲａは本明細書に定義されている通りである。ある一定の実施形態において、本教示の化合物は、式：
【００５１】
【化８】
0005380296.tif 000023
を有する化合物およびそれらの混合物を含むことができ、式中、Ｙは、独立にＲａであり得、Ｒａは本明細書に定義されているもの、例えばＢｒ等のハロゲンまたはＣＮ基である。
【００５２】
本明細書で使用する「ｐ型半導体材料」または「ｐ型半導体」とは、主要な電流キャリアとして正孔を有する半導体材料を指す。いくつかの実施形態において、ｐ型半導体材料が基板上に堆積されると、それは約１０−５ｃｍ２／Ｖｓを超える正孔移動度を提供することができる。電界効果デバイスの場合、ｐ型半導体は、また、約１０より大きい電流ｏｎ／ｏｆｆ比を示すこともできる。
【００５３】
本明細書で使用する「ｎ型半導体材料」または「ｎ型半導体」とは、主要な電流キャリアとして電子を有する半導体材料を指す。いくつかの実施形態において、ｎ型半導体材料が基板上に堆積されると、それは約１０−５ｃｍ２／Ｖｓを超える電子移動度を提供することができる。電界効果デバイスの場合、ｎ型半導体は、また、約１０より大きい電流ｏｎ／ｏｆｆ比を示すこともできる。
【００５４】
本明細書を通して、構造は、化学名により示すことができるかまたは示すことができない。命名法に関して疑問が生じた場合はその構造が優先する。
【００５５】
本教示の１態様は、式：
【００５６】
【化９】
0005380296.tif 000024
を有する化合物であって、
式中、
Ｑは、１〜４個のＲａ基により場合によって置換されている縮合環部分であり、
ここで、
Ｒａは、出現するごとに、独立に、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ２、ｄ）オキソ、ｅ）−ＯＨ、ｆ）Ｃ１〜２０アルキル基、ｇ）Ｃ２〜２０アルケニル基、ｈ）Ｃ２〜２０アルキニル基、ｉ）Ｃ１〜２０アルコキシ基、ｊ）Ｃ１〜２０アルキルチオ基、ｋ）Ｃ１〜２０ハロアルキル基、ｌ）−Ｙ−Ｃ３〜１０シクロアルキル基、ｍ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基、ｎ）−Ｙ−３〜１２員のシクロへテロアルキル基、またはｏ）−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基であり、ここで、該Ｃ１〜２０アルキル基、該Ｃ２〜２０アルケニル基、該Ｃ２〜２０アルキニル基、該Ｃ３〜１０シクロアルキル基、該Ｃ６〜１４アリール基、該３〜１２員のシクロへテロアルキル基、および該５〜１４員のヘテロアリール基のそれぞれは１〜４個のＲｂ基により場合によって置換されており；
Ｒｂは、出現するごとに、独立に、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ２、ｄ）オキソ、ｅ）−ＯＨ、ｆ）−ＮＨ２、ｇ）−ＮＨ（Ｃ１〜２０アルキル）、ｈ）−Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ｉ）−Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｊ）−Ｎ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ｋ）−Ｓ（Ｏ）ｍＨ、ｌ）−Ｓ（Ｏ）ｍ−Ｃ１〜２０アルキル、ｍ）−Ｓ（Ｏ）２ＯＨ、ｎ）−Ｓ（Ｏ）ｍ−ＯＣ１〜２０アルキル、ｏ）−Ｓ（Ｏ）ｍ−Ｏ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｐ）−ＣＨＯ、ｑ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜２０アルキル、ｒ）−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｓ）−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、ｔ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ１〜２０アルキル、ｕ）−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｖ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ２、ｗ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ１〜２０アルキル、ｘ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ｙ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ｚ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａａ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ａｂ）−Ｃ（Ｓ）ＮＨ２、ａｃ）−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−Ｃ１〜２０アルキル、ａｄ）−Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ａｅ）−Ｃ（Ｓ）Ｎ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ａｆ）−Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａｇ）−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａｈ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮＨ２、ａｉ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮＨ（Ｃ１〜２０アルキル）、ａｊ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ａｋ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮＨ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）、ａｌ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮ（Ｃ１〜２０アルキル）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール、ａｍ）−Ｓ（Ｏ）ｍＮ（−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール）２、ａｎ）−ＳｉＨ３、ａｏ）−ＳｉＨ（Ｃ１〜２０アルキル）２、ａｐ）−ＳｉＨ２（Ｃ１〜２０アルキル）、ａｒ）−Ｓｉ（Ｃ１〜２０アルキル）３、ａｓ）Ｃ１〜２０アルキル基、ａｔ）Ｃ２〜２０アルケニル基、ａｕ）Ｃ２〜２０アルキニル基、ａｖ）Ｃ１〜２０アルコキシ基、ａｗ）Ｃ１〜２０アルキルチオ基、ａｘ）Ｃ１〜２０ハロアルキル基、ａｙ）−Ｙ−Ｃ３〜１０シクロアルキル基、ａｚ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基、ｂａ）−Ｙ−３〜１２員シクロへテロアルキル基、またはｂｂ）−Ｙ−５〜１４員ヘテロアリール基であり；
Ｙは、出現するごとに、独立に、二価のＣ１〜６アルキル基、二価のＣ１〜６ハロアルキル基または共有結合であり；
ｍは、０、１または２であり、
Ｒ１は、出現するごとに、独立に、分枝Ｃ３〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルケニル基、分枝Ｃ３〜２０ハロアルキル基、−Ｌ−Ａｒ１−Ｒ２または−Ｌ−Ａｒ１−Ａｒ１−Ｒ２であり；
ここで、
Ｌは、出現するごとに、−Ｙ−Ｏ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃＣ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−［ＳｉＲｃ２］−Ｙ−、二価のＣ１〜２０アルキル基、二価のＣ１〜２０ハロアルキル基または共有結合であり；
ここで、
Ｒｃは、出現するごとに、Ｈ、Ｃ１〜６アルキル基または−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基であり；
Ａｒ１は、出現するごとに、独立に、Ｃ６〜１４アリール基または５〜１４員のヘテロアリール基であり、それぞれ１〜４個のＲｄ基により場合によって置換されており；
ここで、
Ｒｄは、出現するごとに、ハロゲン、−ＣＮ、Ｃ１〜６アルキル基、Ｃ１〜６アルコキシ基、およびＣ１〜６ハロアルキル基から独立に選択され；
Ｒ２は、出現するごとに、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基、Ｃ１〜２０アルコキシ基、−Ｌ’−Ａｒ２−Ｒ３または−Ｌ’−Ａｒ２−Ａｒ２−Ｒ３であり；
ここで、
Ｌ’は、−Ｙ−Ｏ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ−Ｙ−、−Ｙ−Ｓ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃＣ（Ｏ）−Ｙ−、−Ｙ−Ｃ（Ｏ）ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−ＮＲｃ−Ｙ−、−Ｙ−［ＳｉＲｃ２］−Ｙ−、二価のＣ１〜２０アルキル基、二価のＣ１〜２０ハロアルキル基または共有結合であり；
Ａｒ２は、出現するごとに、独立に、Ｃ６〜１４アリール基または５〜１４員のヘテロアリール基であり、それぞれ１〜４個のＲｄ基により場合によって置換されており；
Ｒ３は、出現するごとに、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基である化合物を提供する。
【００５７】
いくつかの実施形態において、Ｑは、
【００５８】
【化１０】
0005380296.tif 000025
であり、ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈは、独立に、ＣＨ、ＣＲａ、ＳｉＨ、ＳｉＲａ、ＮまたはＰであり、Ｒａは、本明細書で定義されている通りである。例えば、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈは、独立に、ＣＨ、Ｃ（Ｂｒ）またはＣ（ＣＮ）であり得る。
【００５９】
特定の実施形態において、本教示の化合物は、式：
【００６０】
【化１１】
0005380296.tif 000026
（式中、Ｒ１は、本明細書で定義されている通りである）を有することができる。例えば、ある一定の実施形態において、各Ｒ１は、独立に、３−アルキル置換アルキル基または３−アルキル置換アルケニル基、例えば、それぞれ、下に述べられている：
【００６１】
【化１２】
0005380296.tif 000027
のような、３，７−ジアルキル置換アルキル基および３，７−ジアルキル置換アルケニル基であり得る。
【００６２】
直上の化合物の特定の実施形態において、各Ｒ１は、独立に、２−アルキル置換アルキル基であり得る。例えば、各Ｒ１は、独立に、２−Ｃ１〜２０アルキル基（Ｃ３〜２０アルキル基）、２−Ｃ１〜２０アルキル基（Ｃ３〜ｌ０アルキル基）、２−Ｃ１〜２０アルキル基（Ｃ３〜８アルキル基）、２−Ｃ１〜１０アルキル基（Ｃ３〜２０アルキル基）、２−Ｃ１〜１０アルキル基（Ｃ３〜ｌ０アルキル基）、２−Ｃ１〜１０アルキル基（Ｃ３〜８アルキル基）、２−Ｃ１〜８アルキル基（Ｃ３〜２０アルキル基）、２−Ｃ１〜８アルキル基（Ｃ３〜１０アルキル基）、２−Ｃ１〜８アルキル基（Ｃ３〜８アルキル基）、２−Ｃ１〜６アルキル基（Ｃ３〜２０アルキル基）、２−Ｃ１〜６アルキル基（Ｃ３〜１０アルキル基）、または２−Ｃ１〜６アルキル基（Ｃ３〜８アルキル基）であり得る。ある一定の実施形態において、各Ｒ１は、独立に、２−メチルプロピル、２−エチルプロピル、２−プロピルプロピル、２−ブチルプロピル、２−ペンチルプロピル、２−ヘキシルプロピル、２−メチルブチル、２−エチルブチル、２−プロピルブチル、２−ブチルブチル、２−ペンチルブチル、２−ヘキシルブチル、２−メチルペンチル、２−エチルペンチル、２−プロピルペンチル、２−ブチルペンチル、２−ペンチルペンチル、２−ヘキシルペンチル、２−メチルヘキシル、２−エチルヘキシル、２−プロピルヘキシル、２−ブチルヘキシル、２−ペンチルヘキシル、２−ヘキシルヘキシル、２−メチルヘプチル、２−エチルヘプチル、２−プロピルヘプチル、２−ブチルヘプチル、２−ペンチルヘプチル、２−ヘキシルヘプチル、２−メチルオクチル、２−エチルオクチル、２−プロピルオクチル、２−ブチルオクチル、２−ペンチルオクチル、２−ヘキシルオクチル、２−メチルノニル、２−エチルノニル、２−プロピルノニル、２−ブチルノニル、２−ペンチルノニル、２−ヘキシルノニル、２−メチルデシル、２−エチルデシル、２−プロピルデシル、２−ブチルデシル、２−ペンチルデシル、または２−ヘキシルデシルであり得る。
【００６３】
ある一定の実施形態において、本教示の化合物は、式：
【００６４】
【化１３】
0005380296.tif 000028
を有することができ、それらの、特に同じイミド窒素置換を有するシスおよびトランス異性体の混合物も含む。
【００６５】
特定の理論に拘泥するつもりはないが、個々のリレンイミド化合物の分子間のコア−コアの積み重ねが効率的な電荷輸送に対して重要であるものと考えられる。該イミド基をそのコアに対しておよび／またはお互いに対して比較的柔らかいリンカー（例えば、ＬおよびＬ’）によって連結している比較的硬い芳香族単位（例えば、Ａｒ１、Ａｒ２）によりイミド基を官能化することによって、これらのリレンイミド化合物の溶解性ならびに微細構造の秩序化を高めることができることがさらに考えられる。特定の理論に拘泥するつもりはないが、高められた微細構造の秩序化は、電荷移動度を促進するものと考えられる。
【００６６】
それ故、いくつかの実施形態において、各Ｒ１は、−Ｌ−Ａｒ１−Ｒ２または−Ｌ−Ａｒ１−Ａｒ１−Ｒ２であり得、ここで、Ｌ、Ａｒ１およびＲ２は、本明細書で定義されている通りである。例えば、各Ｒ１は、
【００６７】
【化１４】
0005380296.tif 000029
であり得、式中、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓおよびｕは、独立に、ＣＨ、ＣＲｄ、ＳｉＨ、ＳｉＲｄ、ＮまたはＰであり得、ｗは、ＣＨ、ＣＲ２、ＳｉＨ、ＳｉＲ２、ＮまたはＰであり得、Ｌ、Ｒ２およびＲｄは、本明細書で定義されている通りである。特定の実施形態において、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓおよびｕは、独立に、ＣＨ、ＣＦまたはＮであり得、ｗは、ＣＲ２であり得る。例えば、各Ｒ１は、
【００６８】
【化１５】
0005380296.tif 000030
であり得、式中、ＬおよびＲ２は、本明細書で定義されている通りである。例えば、Ｌは、二価のＣ１〜１０アルキル基、二価Ｃ１〜１０のハロアルキル基または共有結合であり得る。
【００６９】
いくつかの実施形態において、Ｒ２は、Ｈ、Ｆ、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基であり得る。例えば、Ｒ２は、直鎖Ｃ１〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０フルオロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基であり得る。特定の実施形態において、各Ｒ２は、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデカニル基、トリデカニル基、デセニル基、−Ｏ−ドデカニル基または−Ｏ−トリデカニル基であり得る。ある一定の実施形態において、各Ｒ２は、
【００７０】
【化１６】
0005380296.tif 000031
であり得る。
【００７１】
その他の実施形態において、各Ｒ２は、−Ｌ’−Ａｒ２−Ｒ３または−Ｌ’−Ａｒ２−Ａｒ２−Ｒ３であり得、ここで、Ｌ’、Ａｒ２およびＲ３は本明細書で定義されている通りである。例えば、各Ｒ１は、
【００７２】
【化１７】
0005380296.tif 000032
であり得、ここで、ｉ’、ｊ’、ｋ’、ｌ’、ｏ’、ｒ’、ｓ’、およびｕ’が、独立に、ＣＨ、ＣＲｄ、ＳｉＨ、ＳｉＲｄ、ＮまたはＰであり得、ｗ’は、ＣＨ、ＣＲ３、ＳｉＨ、ＳｉＲ３、ＮまたはＰであり得、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓ、ｕ、ｗ、Ｌ、Ｌ’、Ｒ３およびＲｄは、本明細書で定義されている通りである。特定の実施形態において、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｏ、ｒ、ｓ、ｕ、ｉ’、ｊ’、ｋ’、ｏ’、ｒ’、ｓ’、およびｕ’は、独立に、ＣＨ、ＣＦまたはＮであり得、ｗ’は、ＣＲ３であり得る。例えば、各Ｒ１は、
【００７３】
【化１８】
0005380296.tif 000033
であり得、ここで、Ｌ、Ｌ’、およびＲ３は、本明細書で定義されている通りである。例えば、Ｌは、二価のＣ１〜１０アルキル基、二価のＣ１〜１０ハロアルキル基または共有結合であり得、Ｌ’は、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓ（Ｏ）−、二価のＣ１〜１０アルキル基、二価のＣ１〜１０ハロアルキル基または共有結合であり得る。
【００７４】
いくつかの実施形態において、Ｒ３は、Ｈ、Ｆ、Ｃ１〜２０アルキル基、Ｃ２〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０ハロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基であり得る。ある一定の実施形態において、Ｒ３は、直鎖Ｃ１〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルキル基、分枝Ｃ３〜２０アルケニル基、Ｃ１〜２０フルオロアルキル基またはＣ１〜２０アルコキシ基であり得る。特定の実施形態において、Ｒ３は、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデカニル基、トリデカニル基、デセニル基、−Ｏ−ドデカニル基または−Ｏ−トリデカニル基であり得る。例えば、各Ｒ３は、
【００７５】
【化１９】
0005380296.tif 000034
であり得る。
【００７６】
いくつかの実施形態において、各Ｒ１は、アリール基、ビアリール基、アリールアルキル基またはビアリールアルキル基であり得、そのアリール基のそれぞれは、ＲｄおよびＲ２の基から独立に選択される１〜４個の基により場合によって置換されていてもよい。ある一定の実施形態において、各Ｒ１は、以下の式：
【００７７】
【化２０】
0005380296.tif 000035
を有することができ、ここで、ｐは０〜２０の範囲の整数であり、ｑは０〜４の範囲の整数であり、Ｒ２およびＲｄは本明細書で定義されている通りである。
【００７８】
例えば各Ｒ１は、以下：
【００７９】
【化２１】
0005380296.tif 000036
に示されるような、ベンジル基、ビフェニル基またはフルオロ置換ビフェニル基であり得る。
【００８０】
いくつかの実施形態において、該ベンジル基、該ビフェニル基、および該フルオロ置換ビフェニル基は、−Ｌ’−アリール基または−Ｌ’−ビアリール基によりさらに置換されていてもよく、ここでそのアリール基のそれぞれは、１〜４個のＲｄ基およびＲ３基により場合によって置換されていてもよい。ある一定の実施形態において、各Ｒ１は、
【００８１】
【化２２】
0005380296.tif 000037
から選択することができ、ここで、Ｌ’、Ｒｄ、Ｒ３、ｐおよびｑは、本明細書に定義されている通りである。
【００８２】
特定の実施形態において、Ｒ１は、
【００８３】
【化２３】
0005380296.tif 000038
であり得、ここでＬ’、Ｒｄ、Ｒ３、ｐおよびｑは、本明細書に定義されている通りである。例えば、Ｒｄは、Ｆであり得、ｐは、０、１または２であり得、各ｑは、独立に、０または４であり得、Ｌ’は、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓ（Ｏ）−であり得、Ｒ３は、Ｈ、Ｆまたはメチル基であり得る。
【００８４】
各イミド基の窒素原子のところで置換されている官能基は、異なり得るが、ほとんどの実施形態において、その２つのイミド基は、同じものであるＲ１基により置換されている。
【００８５】
本教示の化合物としては、下の表１および２に示す化合物が挙げられるがこれらに限定はされない。
【００８６】
【表１−１】
0005380296.tif 000039
【００８７】
【表１−２】
0005380296.tif 000040
【００８８】
【表１−３】
0005380296.tif 000041
【００８９】
【表２】
0005380296.tif 000042
。
【００９０】
本教示は、また、式：
【００９１】
【化２４】
0005380296.tif 000043
であって、式中、Ｚは、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）またはＣＲｅＲｆであり得、ＲｅおよびＲｆが、独立に、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘＨ、ｄ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘ−ＣＨ３、ｅ）Ｃ１〜２０アルコキシ基、ｆ）Ｃ１〜２０アルキル基、ｇ）Ｃ２〜２０アルケニル基、ｈ）Ｃ２〜２０アルキニル基、ｉ）−Ｙ−Ｃ３〜１０シクロアルキル基、ｊ）−Ｙ−Ｃ６〜１４アリール基、ｋ）−Ｙ−３〜１２員シクロへテロアルキル基、またはｌ）−Ｙ−５〜１４員へテロアリール基であり、該Ｃ１〜２０アルキル基、該Ｃ２〜２０アルケニル基、該Ｃ２〜２０アルキニル基、該Ｃ３〜１０シクロアルキル基、該Ｃ６〜１４アリール基、該３〜１２員シクロへテロアルキル基、該５〜１４員へテロアリール基のそれぞれが、１〜４個のＲａ基により場合によって置換されていてよく、ｘが１〜２０の範囲の整数であり、Ｑ、Ｒ１、Ｒａ、およびＹが本明細書で定義されている通りである式を有するものを含めた本明細書に開示されているものと関連する化合物も提供する。
【００９２】
本明細書に開示されているある一定の実施形態の化合物は、通常の溶媒に溶解可能であり得るので、本教示の化合物は、電気デバイス、光学デバイス、および光電子デバイス、例えば薄膜トランジスタ、電界効果デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機起電素子、光検知器、キャパシタ、およびセンサーなどを製作するために使用するとき加工上の利点を提供することができる。本明細書で用いるとき、化合物が溶媒に溶けると考えることができるのは、少なくとも１ｍｇのその化合物が１ｍＬのその溶媒に溶けるときである。通常の有機溶媒の例としては、石油エーテル；アセトニトリル；芳香族炭化水素類、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、およびメシチレンなど；線状および環状ケトン類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノンなど；エーテル類、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ジエチルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、およびｔ−ブチルメチルエーテルなど；アルコール類、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、およびイソプロピルアルコールなど；脂肪族炭化水素類、例えば、ヘキサンなど；酢酸エステル類、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸イソプロピル、および酢酸ブチルなど；ハロゲン化脂肪族および芳香族炭化水素類、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、塩化エチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、およびフルオロベンゼンなど；ならびに環状溶媒、例えば、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、および２−メチルピロリドンなどが挙げられる。通常の無機溶媒の例としては、水およびイオン性液体が挙げられる。
【００９３】
それ故、本教示は、液体媒体、例えば、有機溶媒、無機溶媒、またはそれらの組合せ（例えば、有機溶媒、無機溶媒、または有機および無機溶媒の混合物）に溶解または分散した本明細書に開示されている１つまたは複数の化合物を含む組成物をさらに提供する。いくつかの実施形態において、上記組成物は、本明細書に開示されている１つまたは複数の化合物を含むことができ、例えば、本教示の１つまたは複数の異なる化合物を有機溶媒に溶解して堆積用の組成物を調製することができる。ある一定の実施形態において、該組成物は、２つ以上の位置異性体、例えば、式：
【００９４】
【化２５】
0005380296.tif 000044
（式中、ＹおよびＲ１は、本明細書に定義されているものであり、例えば、各Ｙは、独立に、ＣＮまたはＢｒなどのハロゲンであり得る）を有する化合物を含むことができる。さらに、当然のことながら、本明細書に記載されているデバイスは、また、本教示の１つまたは複数の化合物、例えば、本明細書に記載されている２つ以上の位置異性体を含むことができる。
【００９５】
特定の実施形態において、該組成物は、式：
【００９６】
【化２６】
0005380296.tif 000045
（式中、Ｒ１は、本明細書で定義されている通りである）を有する２つ以上の位置異性体を含むことができる。さまざまな実施形態において、各Ｒ１は、独立に、上で論じて定義した２−アルキル置換アルキル基である。例えば、各Ｒ１は、独立に、２−メチルペンチル、２−エチルペンチル、２−プロピルペンチル、２−ブチルペンチル、２−ペンチルペンチル、２−ヘキシルペンチル、２−メチルヘキシル、２−エチルヘキシル、２−プロピルヘキシル、２−ブチルヘキシル、２−ペンチルヘキシル、２−ヘキシルヘキシル、２−メチルヘプチル、２−エチルヘプチル、２−プロピルヘプチル、２−ブチルヘプチル、２−ペンチルヘプチル、または２−ヘキシルヘプチルであり得る。
【００９７】
本教示は、薄膜半導体などの半導体または半導体材料を調製する方法をさらに提供する。該方法は、有機溶媒、無機溶媒または溶媒の混合物などの液体媒体中の本明細書に開示されている１つまたは複数の化合物（例えば、位置異性体の混合物）を含む組成物を準備するステップ、およびその組成物を基板に堆積させて本明細書に開示されている１つまたは複数の化合物を含む半導体を提供するステップを含むことができる。
【００９８】
さまざまな溶液処理技術を含めたさまざまな堆積技術が、有機エレクトロニクスでは使用されてきている。例えば、印刷されるエレクトロニクス技術の多くは、インクジェット印刷に集中しており、第一にそれはこの技術が特徴の位置決めおよび多層の重ね合わせに関してより大きな制御を提供するからである。インクジェット印刷は非コンタクトプロセスであり、前もって形成されたマスターを必要としない（コンタクト印刷技術と比較して）こと、ならびにインク放出のデジタル制御の利点を示し、それによってドロップオンデマンド印刷を提供する。しかしながら、コンタクト印刷技術は、非常に高速のロールからロールへのプロセシングに対して適切である重要な有利性を有する。典型的なコンタクト印刷技術としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、タコ印刷、およびミクロコンタクト印刷が挙げられるがこれらに限定されない。その他の溶液処理技術としては、例えば、スピンコーティング、ドロップキャスティング、ゾーンキャスティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、または吹き付けが挙げられる。加えて、その堆積ステップは、真空蒸着によって行うことができる。
【００９９】
本明細書に開示されている化合物を使用する、電子デバイス、光学デバイス、および光電子デバイス、例えば、電界効果トランジスタ（例えば、薄膜トランジスタ）、光起電素子、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）、相補型インバータ、Ｄフリップフロップ、整流器、およびリング発振器などを含むさまざまな製品もまた、それを製造する方法と同様に本教示の範囲内である。
【０１００】
本教示は、基板上に析出された本教示の１つまたは複数の化合物を有する複合材を含む本明細書に記載されているさまざまなデバイスなどの製品を提供する。その製品としては、誘電成分を挙げることができる。その基板は、ドープしたシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＩＴＯコートガラス、ＩＴＯコートポリイミドまたはその他のプラスチックス、単独のまたはポリマーもしくはその他の基材にコートしたアルミニウムもしくはその他の金属、ドープしたポリチオフェンなどを含む材料から選択することができる。該誘電成分は、無機誘電材料、例えば、さまざまな酸化物（例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２）など、有機誘電材料、例えば、さまざまなポリマー材料（例えば、それぞれの全体の開示が本明細書に参照により組み込まれている米国特許出願第１１／３１５０７６号、同第６０／８１６９５２号、および同第６０／８６１３０８号に記載されている架橋ポリマーブレンド）および自己集積超格子（ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ）／自己集積ナノ誘電（ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｎａｎｏｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）（ＳＡＳ／ＳＡＮＤ）材料（その全体の開示が本明細書に参照により組み込まれているYoon,M-H. ら、PNAS、１０２（１３）、４６７８〜４６８２頁（２０
０５年）に記載されている）など、ならびに有機／無機ハイブリッドの誘電材料（その全体の開示が本明細書に参照により組み込まれている米国特許出願第１１／６４２５０４号に記載されている）から調製することができる。該複合材は、また、１つまたは複数の電気接点を含むことができる。ソース、ドレイン、およびゲート電極に適する材料としては、金属（例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ）、透明導電酸化物（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＩＴＯ，ＧＺＯ、ＧＩＯ、ＧＩＴＯ）、および導電性ポリマー（例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリピロール（ＰＰｙ））が挙げられる。本明細書に記載の１つまたは複数の複合材を、さまざまな有機電子、光学、および光電子デバイス類、例えば、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、ならびにセンサー類、太陽電池、キャパシタ、コンプリメンタリ回路（例えば、インバータ回路）などの中に組み入れることができる。
【０１０１】
本教示の化合物が有用であるもう１つの製品は、光起電素子または太陽電池である。本教示の化合物は、比較的広範囲の光吸収および／またはそれらを上記の用途に望ましいものとするプラスにシフトする還元電位を示すことができる。それ故、本明細書に記載されている化合物は、ｐｎ接合を形成する隣接するｐ型半導体材料を含む太陽光発電設計中のｎ型半導体として使用することができる。該化合物は、基板上に堆積された薄膜半導体の複合材であり得る薄膜半導体の形をしていることができる。かかるデバイス中の本開示の化合物の活用は熟練した職人の知識の範囲内である。
【０１０２】
それ故、本教示のもう１つの態様は、本教示の半導体材料を組み込む有機電界効果トランジスタを組み立てる方法に関する。本教示の半導体材料は、トップゲートトップコンタクトキャパシタ構造、トップゲートボトムコンタクトキャパシタ構造、ボトムゲートトップコンタクトキャパシタ構造、およびボトムゲートボトムコンタクトキャパシタ構造を含むさまざまなタイプの有機電界効果トランジスタを作製するために使用することができる。
【０１０３】
ある一定の実施形態において、ＯＴＦＴデバイスは、トップコンタクト配置において、誘電体としてＳｉＯ２を用いてドープしたシリコン基板上で本化合物により組み立てることができる。特定の実施形態において、少なくとも１つの本教示の化合物を内蔵する活性半導体層は、室温または高温で真空蒸着により堆積させることができる。他の実施形態において、少なくとも１つの本教示の化合物を内蔵するその活性半導体層は、スピンコーティングまたはジェット印刷により塗布することができる。トップコンタクトデバイスに対しては、金属接点をシャドーマスクを用いてフィルムの表面にパターン化することができる。
【実施例】
【０１０４】
以下の実施例は、本教示をさらに説明し、その理解を促すために提供するものであり、本発明を限定することを多少なりとも意図するものではない。
【０１０５】
特に断りのない限り、すべての試薬は、商業的供給源から購入し、さらなる精製をすることなく使用した。いくつかの試薬は、既知の方法に従って合成した。無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）は、ナトリウム／ベンゾフェノンから蒸留した。通常のシュレンク法（Ｓｃｈｌｅｎｋ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）を用い、反応は、特に断りのない限り、窒素下で行った。ＵＶ−ｖｉｓスペクトルは、Ｃａｒｙ  Ｍｏｄｅｌ  １のＵＶ−ｖｉｓ分光光度計上に記録した。ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ  Ｕｎｉｔｙ  Ｐｌｕｓ  ５００スペクトロメーター（１Ｈ、５００ＭＨｚ；１３Ｃ、１２５ＭＨｚ）上に記録した。エレクトロスプレー質量分析は、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｎｎｅｇａｎ社製モデルＬＣＱ  Ａｄｖａｎｔａｇｅ質量分析計により行った。
【０１０６】
（実施例１）
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＣｉｔｒ−Ｂｒ２）の調製
シトロネリルアミン（５．００ｇ、３１．８ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（ＰＤＡＢｒ２）（４．３７ｇ、７．９５ｍｍｏｌ）の懸濁液に加えた。その反応混合物を１２時間還流下で加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸でおよび数回メタノール（ＭｅＯＨ）で洗浄し、最後に一晩乾燥した。粗生成物（４．７１ｇ）を、シリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ジクロロメタン、ＣＨ２Ｃｌ２）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．７０ｇ、０．８５ｍｍｏｌ、収率１０．７％）。
【０１０７】
【化２７】
0005380296.tif 000046
元素分析（Ｃ４４Ｈ４４Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ６４．０９；Ｈ５．３８；Ｎ３．４０）：Ｃ６３．０６；Ｈ５．２１；Ｎ２．７９
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、３５ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス（シトロネリル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．７０ｇ、０．８５ｍｍｏｌ）とシアン化銅（Ｉ）（ＣｕＣＮ、０．３８ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体を、シリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：アセトン＝９５：５）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．３４ｇ、０．４７ｍｍｏｌ、収率５５．３％）。
【０１０８】
【化２８】
0005380296.tif 000047
元素分析（Ｃ４６Ｈ４４Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ７７．０７；Ｈ６．１９；Ｎ７．８２）：Ｃ７７．３９；Ｈ６．１８；Ｎ７．９９
（実施例２）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ６−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ６−Ｂｒ２）の調製
４−ｎ−ヘキシルアニリン（３．３９ｇ、１９．１２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（４０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（４．００ｇ、４．７８ｍｍｏｌ）の懸濁液に加えた。その反応混合物を１２時間還流下で加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸でおよび数回ＭｅＯＨで洗浄し、最後に一晩乾燥した。粗生成物（４．３８ｇ）を、シリカゲルに基づくクロマトグラフィー（クロロホルム：アセトン＝５０：５０）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（１．４９ｇ、１．７２ｍｍｏｌ、収率３６．０％）。
【０１０９】
【化２９】
0005380296.tif 000048
元素分析（Ｃ４８Ｈ４０Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ６６．３７；Ｈ４．６４；Ｎ３．２２）：Ｃ６５．８７；Ｈ４．４４；Ｎ２．９１
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ６−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（６５ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（１．３９ｇ、１．６０ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（２．６８ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（１．０３ｇ）を、ＤＭＦから再結晶化させて、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．３５ｇ、０．４６ｍｍｏｌ、収率２８．８％）。
【０１１０】
【化３０】
0005380296.tif 000049
元素分析（Ｃ５０Ｈ４０Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ７８．９３；Ｈ５．３０；Ｎ７．３６）：Ｃ７９．１１；Ｈ５．８１；Ｎ５．５５
（実施例３）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１２−Ｂｒ２）の調製
４−ドデシルアニリン（５．００ｇ、１９．１２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５２．５ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（２．６３ｇ、４．７８ｍｍｏｌ）の懸濁液に加えた。その反応混合物を１２時間還流下で加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸でおよび数回ＭｅＯＨで洗浄し、最後に一晩乾燥した。粗生成物（３．２５ｇ）を、ソックスレー抽出器を用いてクロロホルム（ＣＨＣｌ３、５００ｍＬ）により２日間にわたって抽出し、得られた固体をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）により精製して、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として提供した（１．２０ｇ、１．１１ｍｍｏｌ、収率２４．２％）。
【０１１１】
【化３１】
0005380296.tif 000050
元素分析（計算値：Ｃ６９．５０；Ｈ６．２２；Ｎ２．７０）：Ｃ６９．５７；Ｈ６．２９；Ｎ２．７６
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（３７ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（１．００ｇ、０．９６４ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（１．５７ｇ、１７．５ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．８５ｇ）を、シリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：アセトン＝９８：２）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．４０ｇ、０．４３ｍｍｏｌ、収率４４．５％）。
【０１１２】
【化３２】
0005380296.tif 000051
元素分析（計算値：Ｃ８０．１４；Ｈ６．９４；Ｎ６．０３）：Ｃ７９．７９；Ｈ６．９８；Ｎ６．１２
図１は、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２）のクロロホルム中のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを提供する。
【０１１３】
（実施例４）
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］アニリンの調製
ＴＨＦ（８０ｍＬ）中のシトロネリルマグネシウムブロミド［Ｓ−シトロネリルブロミド（１４．４６ｇ、６６ｍｍｏｌ）とマグネシウム（３．２０ｇ、１３２ｍｍｏｌとから）］を、窒素雰囲気下で、−７８℃に維持されている４−ヨードアニリン（４．３８ｇ、２０ｍｍｏｌ）および［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）、０．１５０ｇ、０．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２５ｍＬ）中の懸濁液に加えた。−７８℃で１０分間撹拌した後、その反応混合物を還流下で１６時間加熱し、次いで５％の塩酸（ＨＣｌ）によりクエンチした。その水溶液を次にエーテルで抽出（３×３０ｍＬ）し、混合した画分を水で洗浄し、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）によって乾燥し、その溶媒を蒸発させて４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］アニリンを暗色の油状物（４１．９ｇ）として生じさせ、それをさらなる精製はしないで次のステップで使用した。
【０１１４】
ＨＲＭＳ（Ｃ１６Ｈ２５Ｎに対する計算値：２３１．１９８７）：２３１．１９７６
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−Ｂｒ２）の調製
４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］アニリン（４．５３ｇ、１９．６２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（６０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．００ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、最後に一晩乾燥させた。その粗生成物（６．６８ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（１．４１ｇ、１．４４ｍｍｏｌ、収率２６．４％）。
【０１１５】
【化３３】
0005380296.tif 000052
元素分析（Ｃ５６Ｈ５２Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ６８．８６；Ｈ５．３７；Ｎ２．８７）：Ｃ６８．９４；Ｈ５．２２；Ｎ２．７７
パートＣ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（５０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（１．００ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（１．９７ｇ、２２ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で７時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．６７ｇ）を、ＤＭＦ−キシレンから再結晶化させ、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として提供した（０．５３ｇ、０．６１ｍｍｏｌ、収率５３．５％）。
【０１１６】
【化３４】
0005380296.tif 000053
元素分析（Ｃ５８Ｈ５２Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ８０．１６；Ｈ６．０３；Ｎ６．４５）：Ｃ８０．５３；Ｈ５．９９；Ｎ６．４３
（実施例５）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＯ７−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＯ７−Ｂｒ２）の調製
４−ヘプチルオキシアニリン（４．０８ｇ、１９．６２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５６ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．００ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、最後に一晩乾燥させた。その粗生成物（３．４５ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．２８ｇ、０．３１ｍｍｏｌ、収率５．７％）。
【０１１７】
【化３５】
0005380296.tif 000054
元素分析（Ｃ５０Ｈ４４Ｂｒ２Ｎ２Ｏ６に対する計算値：Ｃ６４．６６；Ｈ４．７８；Ｎ３．０２）：Ｃ６４．１８；Ｈ４．２９；Ｎ３．８８
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＯ７−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１１ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．２５ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（０．４４ｇ、４．９０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．２２ｇ）を、トリクロロベンゼンから再結晶化させた（ＴＣＢ、０．１１ｇ、０．１３ｍｍｏｌ、収率５９．１％）。
【０１１８】
【化３６】
0005380296.tif 000055
ＨＲＭＳ（Ｃ５２Ｈ４４Ｏ４Ｎ４に対する計算値：８２０．３２５５）：８２０．３２３４
（実施例６）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ−Ｂｒ２）の調製
４−アミノビフェニル（３．６９ｇ、２１．８１ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（４０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（４．００ｇ、７．２７ｍｍｏｌ）の懸濁液に加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、最後に一晩乾燥させた。その粗生成物（３．００ｇ）をさらなる精製はしないで次のステップで使用した。
【０１１９】
ＨＲＭＳ（Ｃ４８Ｈ２４Ｏ４Ｎ２Ｂｒ２に対する計算値：８５０．００９７）：８５０．００７２
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１４０ｍＬ）中の粗製Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（３．００ｇ、３．５２ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（５．９１ｇ、６６．０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（１．７３ｇ）を、ＴＣＢ−ＤＭＦから数回再結晶化させた。
【０１２０】
【化３７】
0005380296.tif 000056
ＨＲＭＳ（Ｃ５０Ｈ２４Ｎ４Ｏ４に対する計算値：７４４．１７９２）：７４４．１７８２。
【０１２１】
（実施例７）
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ８−ＣＮ２）の調製
パートＡ：ｐ−ｎ−オクチルフェニルボロン酸の調製
ｎ−ブチルリチウム（ＢｕＬｉ、ヘキサン中１．６Ｍ、２．４ｍＬ、３．８ｍｍｏｌ）を、窒素下−７８℃の乾燥ＴＨＦ（１５ｍＬ）中のｐ−ｎ−オクチルヨードベンゼン（１．０ｇ、３．２ｍｍｏｌ）の撹拌されている溶液に滴下した。３０分間撹拌し、温度を−７８℃に維持した後、ホウ酸トリメチル（０．４ｇ、３．８ｍｍｏｌ）を滴下した。その系を１時間後室温に戻し、窒素下でそのまま一晩撹拌した。濃ＨＣｌ（８ｍＬ）および水（１５ｍＬ）をつぎに加え、撹拌を２時間続けた。その混合物をエーテルで抽出した（１５×３ｍＬ）。エーテル相を混合し、ブラインと水で洗浄し（２０×２ｍＬ）、ＭｇＳＯ４により乾燥し、溶媒を真空中で除去しｐ−ｎ−オクチルフェニルボロン酸を白色固体として生じさせた（０．６３ｇ、収率８４％）。
【０１２２】
【化３８】
0005380296.tif 000057
パートＢ：４’−ニトロ−４−ｎ−オクチル−ビフェニルの調製
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．３０ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）およびｐ−ｎ−オクチルフェニルボロン酸（１．０ｇ、４．３ｍｍｏｌ）を、４−ニトロヨードベンゼン（０．８７ｇ、３．５ｍｍｏｌ）の１，２−ジメトキシエタン（１３ｍＬ）および炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、１３ｍＬ）中の乾燥窒素下で撹拌されている溶液に連続して加えた。撹拌混合物を還流下で終夜加熱し、冷却した。水を加え、その生成物をエーテルに抽出させ（３０×３ｍＬ）、混合したエーテル抽出液をブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ４により乾燥した。その溶媒を真空中で除去し、その残渣を短いシリカゲルカラムを用いるクロマトグラフィーによって精製し（ヘキサン：酢酸エチル＝５：１〜２：１）、４’−ニトロ−４−ｎ−オクチル−ビフェニルを黄色の油状物として提供し、それを放置して固化した（１．０４ｇ、収率９５％）。その固体をさらなる精製はしないで使用した。
【０１２３】
【化３９】
0005380296.tif 000058
パートＣ：４’−アミノ−４−ｎ−オクチル−ビフェニルの調製
４’−ニトロ−４−ｎ−オクチル−ビフェニル（１．２ｇ、３．９ｍｍｏｌ）を、ＴＨＦ（６０ｍＬ）とエタノール（２４ｍＬ）の混合溶媒中のパラジウム炭素（Ｐｄ／Ｃ、１．０ｇ）の懸濁液に加えた。その調合物を一定の水素流の下で３時間にわたって水素化した。その触媒を濾過して取り除き、揮発物を真空中で除去して淡黄色の油状物を生じさせた。シリカゲルに基づくクロマトグラフィーにより、無色の油状物の４−ｎ−オクチル−４’−アミノ−ビフェニルを生じさせ、それを放置して固化した（０．７５ｇ、収率６７％）。
【０１２４】
【化４０】
0005380296.tif 000059
パートＤ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ８−Ｂｒ２）の調製
プロピオン酸（１００ｍＬ）中の４−アミノ−４’−ｎ−オクチルビフェニル（５．００ｇ、１７．７７ｍｍｏｌ）および１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．２６ｇ、９．９２ｍｍｏｌ）の混合物を、還流下で２６時間にわたって加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、およびヘキサンとＭｅＯＨで数回洗浄し、最後に一晩乾燥させた。その粗生成物（５．３ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として提供した（１．１０ｇ、１．１１ｍｍｏｌ、収率２４．２％）。
【０１２５】
【化４１】
0005380296.tif 000060
元素分析（計算値、Ｃ７１．３８；Ｈ５．２４；Ｎ２．６０）：Ｃ７１．５２；Ｈ５．０９；Ｎ２．６８
パートＥ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ８−ＣＮ２）の調製
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．７０ｇ、０．６５ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（１．０６ｇ、１１．８ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（３０ｍＬ）中の混合物を、脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．５９ｇ）を、シリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：アセトン＝９８：２）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．２５ｇ、０．２６ｍｍｏｌ、収率４０．０％）。
【０１２６】
【化４２】
0005380296.tif 000061
元素分析（計算値：Ｃ８１．７９；Ｈ５．８２；Ｎ５．７８）：Ｃ８１．１５；Ｈ５．６１；Ｎ５．４８
図２は、Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈ８−ＣＮ２）のクロロホルム中のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを提供する。
【０１２７】
（実施例８）
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：１−ヨード−４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ベンゼンの調製
４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］アニリン（１０．０ｇ、４３．２ｍｍｏｌ、実施例４）の濃ＨＣｌ（９ｍＬ）および水（１００ｍＬ）中の懸濁液を、０℃まで冷却し、次いで硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ２、２．９６ｇ、４３．２ｍｍｏｌ）の水中（２２ｍＬ）の溶液を滴下した。得られたアレーンジアゾニウム塩に、ヨウ化カリウム（７．１１ｇ、４３．２ｍｍｏｌ）の水中（２２ｍＬ）の溶液を滴下し、その混合物を４０℃で２時間にわたって加熱した。チオ硫酸ナトリウムを加え、その懸濁液をエーテルで抽出し（３×５０ｍＬ）、その混合した有機相を、ブラインで洗浄し、無水硫酸ナトリウムにより乾燥し、真空中で濃縮して暗色の油状物を生じさせた。その粗製品を、エーテルに溶解し、シリカゲルのプラグに通して濾過して、１−ヨード−４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ベンゼンを無色の油状物として生じさせた（９．２７ｇ、２７．１ｍｍｏｌ、収率６２．５％）。
【０１２８】
【化４３】
0005380296.tif 000062
パートＢ：４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニルボロン酸の調製
ｎ−ＢｕＬｉ（１９．５ｍＬ、３１．２３ｍｍｏｌ、ヘキサン中１．６Ｍ）を、−７８℃に維持されている乾燥ＴＨＦ（１２０ｍＬ）中の１−ヨード−４−オクチルベンゼン（９．００ｇ、２６．３ｍｍｏｌ）の溶液に１０分間以上かけて加えた。−７８℃で３０分間撹拌した後、ホウ酸トリメチル（３．２９ｇ、３１．２３ｍｍｏｌ）を滴下し、その混合物を一晩放置して室温に到達させた。その反応混合物をＨＣｌ溶液（１２０ｍＬの水中の６５ｍＬの濃ＨＣｌ）に注ぎ、得られた懸濁液を２時間撹拌した。その生成物をジエチルエーテルで抽出し（３×６０ｍＬ）、混合した有機相をブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ４により乾燥し、濾過し、溶媒を真空中で除去して、５．０７ｇの粗生成物を提供し（１９．５ｍｍｏｌ、収率７４．１％）、さらに精製することなくそれを次のステップで使用した。
【０１２９】
【化４４】
0005380296.tif 000063
パートＣ：４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−４’−ニトロビフェニルの調製
ボロン酸（５．００ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−ニトロヨードベンゼン（３．８８ｇ、１５．６ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．３４ｇ、１．１６ｍｍｏｌ）の１，２−ジメトキシエタン（６０ｍＬ）および重炭酸ナトリウムの水溶液（２Ｍ、６０ｍＬ）中の混合物を、窒素下で、一晩還流下で加熱した。冷却後水を加え、その生成物をエーテルで抽出し（６０×３ｍＬ）、混合したそのエーテル抽出物をブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ４により乾燥した。その溶媒を真空中で除去し、残渣をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル）によって精製し、４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−４’−ニトロビフェニルを黄色の油状物として生じさせた（４．５５ｇ、１３．４９ｍｍｏｌ、収率８６．５％）。
【０１３０】
【化４５】
0005380296.tif 000064
ＨＲＭＳ（Ｃ２２Ｈ２７ＮＯ２に対する計算値：３３７．２０４２）：３３７．２０４８
パートＤ：４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−４’−アミノビフェニルの調製
４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニルボロン酸（５．００ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−ヨードアニリン（２．７９ｇ、１２．７５ｍｍｏｌ）、および第四級アンモニウム塩（Ａｌｉｑｕａｔ３３６、１．３ｇ）の混合物を、窒素で３回脱気した後、１００ｍＬの乾燥トルエンを加えた。このステップに続いて、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４６ｇ）および炭酸ナトリウム水溶液（１Ｍ、６０ｍＬ、２時間脱気）を窒素下で加えた。その混合物を激しく撹拌し、還流下で２０時間加熱した。得られた反応混合物の有機相をＣｅｌｉｔｅ（登録商標）の薄層を通して濾過し、蒸発乾燥させて３．０９ｇの粗製品を生じさせた。その粗製品をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン）によって精製し、４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−４’−アミノビフェニルを黄色の油状物として生じた（２．６４ｇ、８．５９ｍｍｏｌ、収率６７．４％）。
【０１３１】
ＨＲＭＳ（Ｃ２２Ｈ２９Ｎに対する計算値：３０７．２３００）：３０７．２３１２
パートＥ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−Ｂｒ２）の調製
４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−４’−アミノビフェニル（１．６８ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（２０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（１．００ｇ、１．８２ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（２．２ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．３７３ｇ、０．３３ｍｍｏｌ、収率１８．２％）。
【０１３２】
【化４６】
0005380296.tif 000065
元素分析（Ｃ６８Ｈ６０Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ７２．３４；Ｈ５．３６；Ｎ２．４８）：Ｃ７１．６７；Ｈ５．０３；Ｎ２．１９
パートＦ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１３ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス｛４−［４’（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．３５ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（０．４７ｇ、５．１３ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．６７ｇ）を、ＤＭＦ−キシレンから再結晶化させて、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．２２ｇ、０．２２ｍｍｏｌ、収率８１．５％）。
【０１３３】
【化４７】
0005380296.tif 000066
元素分析（Ｃ７０Ｈ６０Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ８２．３３；Ｈ５．９２；Ｎ５．４９）：Ｃ８１．７７；Ｈ５．６９；Ｎ５．８２
（実施例９）
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：４−ニトロ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニルの調製
４−ヨードニトロベンゼン（１５ｇ、０．０６０ｍｏｌ）、ブロモペンタフルオロベンゼン（１４．９ｇ、２．５６ｍＬ、０．０６０ｍｏｌ）および銅粉末（３０ｇ）の混合物を５０ｍＬのＪ−Ｙｏｕｎｇ社製ガラス管に入れ、１９０℃で２４時間加熱した。その管を冷却し、その混合物をジクロロメタンにより徹底的に抽出した。その溶媒を除去し、残渣を沸騰しているヘキサンで抽出し、熱いうちに濾過した。溶媒を除去し、得られた粘稠な固体を昇華させて、黄色固体としての４−ニトロ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニルを得た（１１．０ｇ、収率６３％）。
【０１３４】
【化４８】
0005380296.tif 000067
パートＢ：４−アミノ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル
４−ニトロ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル（１０ｇ、０．０３４５ｍｏｌ）を、無水エタノール（７５０ｍＬ）に溶解し、水素の吸収が止まるまでＰｄ／Ｃ（０．３ｇ）上の水素雰囲気（１気圧）の下で撹拌した。その溶液を濾過し、溶媒を除去した。その粗生成物をカラムクロマトグラフィーによって精製し、４−アミノ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニルの白色粉末を生じさせた（８．０ｇ、収率８９％）。
【０１３５】
【化４９】
0005380296.tif 000068
元素分析（Ｃ１２Ｈ６Ｆ５Ｎ）：Ｃ５５．６１％；Ｈ２．３３％；Ｆ３６．６５％；Ｎ５．４０％
パートＣ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ−Ｂｒ２）の調製
４−アミノ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル（１．４０ｇ、５．４０ｍｍｏｌ）と１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（１．００ｇ、１．８０ｍｍｏｌ）のプロピオン酸（２５ｍＬ）中の混合物を、還流下で５０時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ヘキサンおよびＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（１．６２ｇ）をさらに精製することなく次のステップで使用した。
【０１３６】
【化５０】
0005380296.tif 000069
ＨＲＭＳ（Ｃ４８Ｈ１４Ｂｒ２Ｆ１０Ｎ２Ｏ４に対する計算値：１０２９．９１６１）：１０２９．９１５８
パートＤ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．２１ｇ、０．２０３ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（０．３３ｇ、３．６９ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で９時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その生成物（０．１１ｇ、０．１２ｍｍｏｌ、収率５９．１％）は、通常の有機溶媒には不溶性であり、それを傾斜昇華させた。
【０１３７】
【化５１】
0005380296.tif 000070
元素分析（Ｃ５０Ｈ１４Ｆ１０Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ６４．９５；Ｈ１．５３；Ｎ６．０６）：Ｃ６５．０６；Ｈ１．７８；Ｎ６．４１
（実施例１０）
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ８−ＣＮ２）の調製
パートＡ：ｎ−オクチルリチウムの調製
リチウム（２．８６ｇ、０．４１２ｍｏｌ）のリボンを、ヘキサンで、次いでジエチルエーテルですすぎ、最後に小片に切断し（約５ｍｍの長さ）、２５０ｍＬのさらなる漏斗を備えた窒素雰囲気下の空気を含まない３つ口フラスコに入れた。無水のジエチルエーテル（４０ｍＬ）を、シリンジを用いてそのフラスコに加えた。無水ジエチルエーテル（３７．５ｍＬ）中のｎ−Ｃ８Ｈ１７Ｂｒ（３２．０４ｇ、０．１６６ｍｏｌ）の溶液のほぼ３ｍＬを、第２の漏斗から加えた。その反応混合物をリチウム粒子が明るく輝きのある外観を呈するまで室温で撹拌した。その混合物を次に、ドライアイス−アセトン浴を用いてほぼ−１０℃まで冷却した。ｎ−Ｃ８Ｈ１７Ｂｒ溶液の残りを、温度を−１０℃に維持しながら１．５時間をかけて滴下した。−１０℃で３０分間撹拌した後、その反応混合物をそのまま１０℃まで温め、さらに１時間撹拌した。上澄みを冷たいカニューレにより除去し、次のステップで使用した。
【０１３８】
パートＢ：４−アミノ−４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニルの調製
乾燥エーテル中のｎ−オクチルリチウム（９．５ｍＬ）を、−７８℃の４−アミノ−２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル（１．５ｇ、５．７９ｍｍｏｌ、実施例９）の乾燥エーテル（１００ｍＬ）中の溶液にゆっくり加えた。その溶液をこの温度で２時間撹拌し、次に５時間にわたって室温までそのまま温めた。塩酸（３Ｍ、１００ｍＬ）を加えるとその溶液から白色固体が沈殿した。その固体を濾過して乾燥した。昇華後、４−アミノ−４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニルを白色固体として得た（１．２ｇ、収率６３％）。
【０１３９】
【化５２】
0005380296.tif 000071
元素分析（Ｃ２０Ｈ２３Ｆ４Ｎ）：Ｃ６７．９７％；Ｈ６．５６％；Ｆ２１．５０％；Ｎ３．９６％
パートＣ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ８−Ｂｒ２）の調製
４−アミノ−４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル（１．７０ｇ、４．００ｍｍｏｌ）と１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（０．５０ｇ、０．９１ｍｍｏｌ）のプロピオン酸（４０ｍＬ）中の混合物を、還流下で４８時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ヘキサンおよびＭｅＯＨで洗浄し、最後に一晩乾燥させた。その粗生成物（０．７３ｇ）をさらに精製することなく次のステップで使用した。
【０１４０】
【化５３】
0005380296.tif 000072
パートＤ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ８−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１５ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．４０ｇ、０．３２５ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（０．５３ｇ、５．９ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．３１ｇ）をＴＣＢから結晶化させ、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．１５２ｇ、０．１３６ｍｍｏｌ、収率４２．０％）。
【０１４１】
【化５４】
0005380296.tif 000073
ＨＲＭＳ（Ｃ６６Ｈ４８Ｆ８Ｎ４Ｏ４に対する計算値：１１１２．３５４８）：１１１２．３５４３
（実施例１１）
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ８−ＣＮ２）の調製
パートＡ：１−ヨード−４−オクチルベンゼンの調製
水（７８０ｍＬ）中の４−オクチルアニリン（８０．０ｇ、３８９．６ｍｍｏｌ）の懸濁液に、ＨＣｌ水溶液（４０ｍＬ）を室温で加えた。その混合物を０℃まで冷却後、さらなるＨＣｌ水溶液（４３ｍＬ）を加え、続いてＮａＮＯ２（２６．９ｇ、３８９．６ｍｍｏｌ）の水（１９５ｍＬ）中の溶液を滴下した。得られたアレーンジアゾニウム水溶液に水（１９５ｍＬ）中のヨウ化カリウム（６４．６７ｇ、３８９．６ｍｍｏｌ）の溶液を滴下した。得られた混合物を撹拌して４０℃で加熱した。２時間後チオ硫酸ナトリウムを加えて脱色し、その生成物をエーテルで抽出した。そのエーテル抽出物をブラインで洗浄し、無水硫酸ナトリウムにより乾燥し、真空中で濃縮して粗製の油状物を生じさせた。その粗製品をエーテルに溶解し、シリカゲルのプラグを通して３回濾過し、真空中で乾燥して、１−ヨード−４−オクチルベンゼンを無色の油状物として生じさせた。その生成物は、さらなる精製はせずに次のステップで使用した。
【０１４２】
【化５５】
0005380296.tif 000074
パートＢ：４，４，５，５−テトラメチル−２−（４−オクチルフェニル）−１，３，２−ジオキサボロランの調製
ｎ−ＢｕＬｉ（１６．６ｍＬ、ヘキサン中１．６Ｍ）を、窒素雰囲気下、−７８℃の乾燥ＴＨＦ（１００ｍＬ）中のパートＡからの１−ヨード−４−オクチルベンゼン（６．９ｇ、２１．８ｍｍｏｌ）の溶液に１０分間で加えた。その混合物を−７８℃でさらに１０分間撹拌した。２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル［１，３，２］ジオキサボロラン（６．２１ｍＬ、３０．４ｍｍｏｌ）を、その後その混合物に滴下し、室温で一晩撹拌を続けた。その反応を次いで蒸留水によりクエンチし、ＴＨＦを真空下で除去した。その生成物を次にジエチルエーテル中に抽出し、有機相をブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ４により乾燥し、濾過して真空中で蒸発させ、６．３８ｇの４，４，５，５−テトラメチル−２−（４−オクチルフェニル）−１，３，２−ジオキサボロランを無色の油状物として生じさせた。その生成物を、さらなる精製はせずに次のステップで使用した。
【０１４３】
【化５６】
0005380296.tif 000075
パートＣ：２，３，５，６−テトラフルオロ−４’−オクチルビフェニル−４−アミンの調製
４，４，５，５−テトラメチル−２−（４−オクチルフェニル）−１，３，２−ジオキサボロラン（４１５．０ｍｇ、１．３１ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアミン（２１３．０ｍｇ、０．８７ｍｍｏｌ）、および第四級アンモニウム塩（Ａｌｉｑｕａｔ３３６、０．０９０ｇ）の混合物を、窒素で３回脱気した後、乾燥トルエン（７．０ｍＬ）を加えた。このステップに続いて、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１００．０ｍｇ）および２時間脱気した炭酸ナトリウム（水溶液、１Ｍ、４．０ｍＬ）を窒素下で加えた。その混合物を激しく撹拌し、還流温度で２０時間加熱した。得られた反応混合物の有機相をＣｅｌｉｔｅ（登録商標）の薄層を通して濾過し、蒸発乾燥させて０．６ｇの粗生成物を生じさせた。その粗製品をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（溶離液として酢酸エチル：ヘキサン（１：９）を使用）によって精製し、オフホワイトの固体としての２，３，５，６−テトラフルオロ−４’−オクチルビフェニル−４−アミンを生じさせた（０．２８０ｇ、収率９１％）。
【０１４４】
元素分析（Ｃ２０Ｈ２３Ｆ４Ｎに対する計算値：Ｃ６７．９７；Ｈ６．５６；Ｆ２１．５０）：Ｃ６８．０３；Ｈ６．４７；Ｆ２１．２０
【０１４５】
【化５７】
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パートＤ：Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ８−ＣＮ２）の調製
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＰｈＦ８−ＣＮ２）は、実施例１０、パートＣおよびＤに記載したものと同様の手順に従って調製することができる。
【０１４６】
（実施例１２）
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ−Ｂｒ２）の調製
ベンジルアミン（２．１０ｇ、１９．６２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（６０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．００ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１６時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（４．１７ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．８５７ｇ、１．１８ｍｍｏｌ、収率２１．６％）。
【０１４７】
【化５８】
0005380296.tif 000077
元素分析（Ｃ３８Ｈ２０Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ６２．６６；Ｈ２．２７；Ｎ３．８５）：Ｃ６３．０２；Ｈ２．７８；Ｎ３．１２
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（５０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．９８３ｇ、０．８５ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（２．２ｇ、２４．５．０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で７時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体を、ＤＭＦ−トルエンから複数回再結晶させて精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ−ＣＮ２）を赤色固体として生じさせた（０．４６ｇ、０．７３３ｍｍｏｌ、収率８６．３％）。
【０１４８】
【化５９】
0005380296.tif 000078
元素分析（Ｃ４０Ｈ２０Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ７７．４１；Ｈ３．２５；Ｎ９．０３）：Ｃ７７．７４；Ｈ３．４８；Ｎ８．９５
図３は、Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ−ＣＮ２）のクロロホルム中のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを提供する。
【０１４９】
（実施例１３）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ４−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ４−Ｂｒ２）の調製
５００ｍＬ丸底フラスコに、ジブロモペリレンジアンヒドリド（２．０２２ｇ、３．６６ｍｍｏｌ）、プロピオン酸（１００ｍＬ）および４−ｎ−ブチルベンジルアミン（２．５０ｍＬ、１４．８ｍｍｏｌ）を加えた。その反応混合物を窒素下の還流下で４時間加熱し、一晩そのまま冷却した。沈殿を濾過し、ＭｅＯＨで洗浄し（３×１５ｍＬ）、乾燥した。その粗製混合物をジクロロメタン：アセトン（９８％：２％）のクロマトグラフィーにより精製し、２番目のバンドを集め、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を生じた（１．３１３ｇ、１．５６ｍｍｏｌ、収率４３％）。
【０１５０】
【化６０】
0005380296.tif 000079
ＭＡＬＤＩＭＳ（計算値：８４０．６）：８４０．１
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１Ｐｈ４−ＣＮ２）の調製
１００ｍＬ丸底フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．５５７ｇ、０．６６３ｍｍｏｌ）、ＣｕＣＮ（１．１４ｇ、１２．７ｍｍｏｌ）、およびＤＭＦ（７５ｍＬ）を加えた。その反応混合物を窒素下１５０℃まで５時間加熱し、次いでそのまま冷却した。その粗生成物をＣＨＣｌ３により一晩連続して抽出し、乾燥し、ＣＨ２Ｃｌ２：アセトン（９８％：２％）によるシリカゲルに基づくクロマトグラフィーによって精製し、定量的収率でＮ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を生じた（０．４８０ｇ、０．６５５ｍｍｏｌ）。
【０１５１】
【化６１】
0005380296.tif 000080
ＭＡＬＤＩＭＳ（計算値：７３２．８）：７３２．４
（実施例１４）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈｓ４−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈｓ４−Ｂｒ２）の調製
４−ｓｅｃ−ブチルアニリン（４．７５ｇ、３１．８ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（４．３７ｇ、７．９５ｍｍｏｌ）の懸濁液に加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（１．９７ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．２０ｇ、０．２５ｍｍｏｌ、収率３．１％）。
【０１５２】
【化６２】
0005380296.tif 000081
元素分析（Ｃ３２Ｈ２４Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ５８．２０；Ｈ３．６６；Ｎ４．２４）：Ｃ５８．０５；Ｈ４．０１；Ｎ３．８９
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈｓ４−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス［４−（ｓｅｃ−ブチル）フェニル］−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．２０ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（０．４１ｇ、４．５３ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体を、シリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：アセトン＝９８：２）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．１２ｇ、０．１７ｍｍｏｌ、収率６８．０％）。
【０１５３】
【化６３】
0005380296.tif 000082
元素分析（計算値：Ｃ７８．０６；Ｈ４．５６；Ｎ７．２９）：Ｃ７７．９０；Ｈ４．７４；Ｎ７．６０
（実施例１５）
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジ
ル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１ＰｈＯＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］シアノベンゼ
ンの調製
アセトン（２００ｍＬ）中の４−シアノフェノール（６．０ｇ、５０．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２７．６ｇ、２００ｍｍｏｌ）およびシトロネリルブロミド（１３．１５ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）の混合物を還流下で２４時間にわたって加熱した。その溶媒を蒸発させ、残渣をＣＨ２Ｃｌ２（６０ｍＬ×２）で取り上げ、その溶液を濾過した。その溶媒を蒸発させ、得られた油状物を、溶離剤が（ＥｔＯＡｃ／ヘキサン１：１）のシリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色の油状の４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］シアノベンゼンを生じさせた（１１．７
６ｇ、４５．７ｍｍｏｌ、収率９１．４％）。
【０１５４】
【化６４】
0005380296.tif 000083
パートＢ：４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジルアミ
ンの調製
水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４、２９．４ｍｍｏｌ）を、乾燥エタノール（２０ｍＬ）中の４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］シアノベンゼン
（２．５２ｇ、９．８０ｍｍｏｌ）と無水塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２、９．８ｍｍｏｌ）の混合物に加えた。２時間後、その反応混合物をＣｅｌｉｔｅ（登録商標）により濾過し、そのＣｅｌｉｔｅ（登録商標）ベッドをエタノールですすいだ（２×１０ｍＬ）。その溶液を水（１５０ｍＬ）で希釈し、エーテルで抽出した（３×２５ｍＬ）。その混合したエーテル相を、水で洗浄し、ＭｇＳＯ４により乾燥し、溶媒を蒸発させて油状物を提供し、それをカラムクロマトグラフィー（ＥｔＯＡｃ−ヘキサン）により精製し、無色の油状の４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジルアミンを生じさ
せた（１．８２ｇ、６．９７ｍｍｏｌ、収率７１．１％）。
【０１５５】
【化６５】
0005380296.tif 000084
ＨＲＭＳ（Ｃ１７Ｈ２７ＮＯに対する計算値：２６１．２０９３）：２６１．２０９９
パートＣ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキ
シ］ベンジル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１ＰｈＯＣｉｔｒ−Ｂｒ２）の調製
４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジルアミン（５．１
３ｇ、１９．６２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（６０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．００ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１４時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（４．０２ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス−｛４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オク
テニルオキシ］ベンジル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（１．４６ｇ、１．４１ｍｍｏｌ、収率２５．９％）。
【０１５６】
【化６６】
0005380296.tif 000085
元素分析（Ｃ５８Ｈ５６Ｂｒ２Ｎ２Ｏ６に対する計算値：Ｃ６７．１８；Ｈ５．４４；Ｎ２．７０）：Ｃ６６．９９；Ｈ５．２１；Ｎ２．４２
パートＤ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキ
シ］ベンジル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ１ＰｈＯＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１１０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−
オクテニルオキシ］ベンジル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（２．８０ｇ、２．７０ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（４．４ｇ、４９．０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で７時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体を、ＤＭＦ−トルエンから複数回再結晶させて精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３,７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル
｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（２．２１ｇ、２．３８ｍｍｏｌ、収率８８．０％）。
【０１５７】
【化６７】
0005380296.tif 000086
元素分析（Ｃ６０Ｈ５６Ｎ４Ｏ６に対する計算値：Ｃ７７．５６；Ｈ６．０８；Ｎ６．０３）：Ｃ７６．９８；Ｈ６．７２；Ｎ５．６３
（実施例１６）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１Ｐｈ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１Ｐｈ−Ｂｒ２）の調製
４−ベンジルアニリン（３．６０ｇ、１９．６２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５６ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．００ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（３．２９ｇ）をさらなる精製はしないで次のステップで使用した。
【０１５８】
【化６８】
0005380296.tif 000087
ＨＲＭＳ（Ｃ５０Ｈ２８Ｂｒ２Ｎ２Ｏ６に対する計算値：８７８．０４１６）：８７８．０４０８
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ１Ｐｈ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１４０ｍＬ）中の粗製のＮ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（３．００ｇ、３．４１ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（５．９１ｇ、６６ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．３８ｇ）を、ＤＭＦから再結晶させて、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（０．１５ｇ、０．１９ｍｍｏｌ、収率５．６％）。
【０１５９】
【化６９】
0005380296.tif 000088
元素分析（Ｃ５２Ｈ２８Ｎ４Ｏ４に対する計算値：８０．８２；Ｈ３．６５；Ｎ７．２５）：Ｃ８１．０７；Ｈ３．９７；Ｎ７．１１
（実施例１７）
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ２Ｐｈ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ２Ｐｈ−Ｂｒ２）の調製
４−［１−（２−フェニルエチル）］アニリン（３．７７ｇ、１９．１２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５０ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（４．００ｇ、４．７８ｍｍｏｌ）の懸濁液に加えた。その反応混合物を還流下で２４時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（６．０８ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ３：アセトン＝５０：５０）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．７２５ｇ、０．８０ｍｍｏｌ、収率１６．７％）。
【０１６０】
【化７０】
0005380296.tif 000089
元素分析（Ｃ５２Ｈ３２Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：Ｃ６８．７４；Ｈ３．５５；Ｎ３．０８）：Ｃ６９．０８；Ｈ３．７０；Ｎ３．２９
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈ２Ｐｈ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（１５０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（３．４９ｇ、３．８４ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（６．４３ｇ、７２．０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体を、ＤＭＦから再結晶させて、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル｝−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色粉末として生じさせた（２．０２ｇ、２．５２ｍｍｏｌ、収率６５．７％）。
【０１６１】
【化７１】
0005380296.tif 000090
元素分析（Ｃ５４Ｈ３２Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ８０．９９；Ｈ４．０３；Ｎ７．００）：Ｃ８１．４３；Ｈ４．３８；Ｎ６．７６
（実施例１８）
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＣＯＰｈ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＣＯＰｈ−Ｂｒ２）の調製
４−アミノベンゾフェノン（３．８７ｇ、１９．６２ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（５６ｍＬ）中の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（３．００ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）の懸濁液に３つに分けて加えた。その反応混合物を還流下で１２時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸で、および数回ＭｅＯＨで洗浄し、一晩乾燥させた。その粗生成物（３．４８ｇ）をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）により精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）を赤色固体として生じさせた（０．６７ｇ、０．７４ｍｍｏｌ、収率１３．６％）。
【０１６２】
【化７２】
0005380296.tif 000091
ＨＲＭＳ（Ｃ５０Ｈ２４Ｂｒ２Ｎ２Ｏ６に対する計算値：９０６．０００１）：９０６．０００８；元素分析（Ｃ５０Ｈ２４Ｂｒ２Ｎ２Ｏ６に対する計算値：Ｃ６６．１０；Ｈ２．６６；Ｎ３．０８）：Ｃ６６．５８；Ｈ２．５３；Ｎ３．２７
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩＰｈＣＯＰｈ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（２７ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−ビス（４−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（０．６０ｇ、０．６６ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（１．０７ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）との混合物を脱気して窒素下に置いた。その反応混合物を１５０℃で６時間にわたり加熱した。室温まで冷却後、その沈殿を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄し、一晩乾燥させた。その粗製の固体（０．４２ｇ）は、通常の有機溶媒には不溶性であった。
【０１６３】
ＨＲＭＳ（Ｃ５２Ｈ２４Ｏ６Ｎ４に対する計算値：８００．１６９０）：８００．１６８７
（実施例１９）
Ｎ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジシアノナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミド（ＮＤＩＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：２，６−ジブロモナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボキシリックジアンヒドリド（ＮＤＡ−Ｂｒ２）の調製
５００ｍＬの丸底フラスコに、ナフタレン１，２：５，６−テトラカルボキシリックジアンヒドリド（１９．８ｇ、７３．８ｍｍｏｌ）および発煙硫酸（４００ｍＬ）を加えた。その懸濁液を３時間撹拌し、続いてヨウ素（０．８１２ｇ、３．２０ｍｍｏｌ）を加えた。撹拌をさらに１時間続けた。その反応混合物に、臭素（８ｍＬ、１５６ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下した。その反応混合物を次に窒素下で７２時間にわたり９５℃に加熱し、そのまま室温まで冷却した。次に６００ｍＬのビーカーに３００ｍＬの氷水を加え、その反応混合物をその氷水中にゆっくりと注いだ。得られた黄色の沈殿物を濾過して集め、ＭｅＯＨで洗浄し（３×１５ｍＬ）、乾燥させて２４．１ｇの粗生成物を生じた。その生成物をそのまま後続のステップのために使用した。
【０１６４】
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（計算値：４２６．９７）：４２６．９１
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジブロモナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミド（ＮＤＩＣｉｔｒ−Ｂｒ２）の調製
２，６−ジブロモナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボキシリックジアンヒドリド（２．００ｇ、４．７０ｍｍｏｌ）と４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］アニリン（１０．８７ｇ、４７ｍｍｏｌ）のＮ−メチルピロリジノン（７０ｍＬ）と氷酢酸（４０ｍＬ）中の混合物を窒素下の８５℃で８時間撹拌した。室温まで冷却後、その反応混合物を２００ｍＬのＭｅＯＨに注ぎ、フリーザー中に一晩置いた。得られた沈殿物を濾過して集め、ＭｅＯＨで洗浄し、乾燥させた。その粗製のオレンジ色の生成物を次にシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジブロモナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミドを山吹色の固体として生じさせた（１．５７ｇ、１．８４ｍｍｏｌ、収率３９．１％）。
【０１６５】
【化７３】
0005380296.tif 000092
ＨＲＭＳ（Ｃ４６Ｈ４８Ｂｒ２Ｎ２Ｏ４に対する計算値：８５０．１９８１）：８５０．１９８７
パートＣ：Ｎ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジシアノナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミド（ＮＤＩＣｉｔｒ−ＣＮ２）の調製
ＤＭＦ（６０ｍＬ）中のＮ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジブロモナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミド（１．５３ｇ、１．８０ｍｍｏｌ）とＣｕＣＮ（１．７２ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）との混合物を、窒素下１５０℃で５時間にわたり撹拌した。その反応混合物を氷浴で冷却し、沈殿を形成させた。その沈殿物を濾過し、ＭｅＯＨで数回洗浄した。その粗製の固体をシリカゲルに基づくクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２）によって精製し、Ｎ，Ｎ’−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，６−ジシアノナフタレン−１，４：５，８−テトラカルボン酸ジイミドを生じさせ、それをＤＭＦによりさらに結晶化させた（０．２１ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ、収率１６％）。
【０１６６】
【化７４】
0005380296.tif 000093
元素分析（Ｃ４８Ｈ４８Ｎ４Ｏ４に対する計算値：Ｃ７７．３９；Ｈ６．４９；Ｎ７．５２）：Ｃ７７．８１；Ｈ６．１２；Ｎ７．０９
（実施例２０）
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，３：６，７−アントラセンジカルボキシイミドの調製
ヨウ化ナトリウム（３．７ｇ）を、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１５ｍＬ）中の１，２，４，５−テトラキス（ジブロモメチル）ベンゼン（１．９２ｇ、２．５０ｍｍｏｌ）およびＮ−｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］｝フェニルマレイミド（１．５６ｇ、５．００ｍｍｏｌ）の溶液に加えた。その反応混合物を８５℃で１６時間にわたって加熱すると、その時間の間に沈殿が形成した。その固体を濾過して集め、水およびＭｅＯＨで洗浄し、最後に乾燥させて、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル｝−２，３：６，７−アントラセンジカルボキシイミドを山吹色の固体として生じさせた（０．５１ｇ、０．６８ｍｍｏｌ、収率２７％）。さらなる精製は、ＤＭＦ−ＴＣＢからの再結晶によって成し遂げることができる。
【０１６７】
【化７５】
0005380296.tif 000094
元素分析（Ｃ５０Ｈ５２Ｏ４Ｎ２に対する計算値：Ｃ８０．６１；Ｈ７．０４；Ｎ３．７６）：Ｃ８０．５５、Ｈ７，３８、Ｎ４．０４
（実施例２１）
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ２ＥＨ−Ｂｒ２）の調製
１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ジアンヒドリド（ＰＤＡＢｒ２）（５．１０ｇ、９．３５ｍｍｏｌ）を、プロピオン酸（８０ｍＬ）中で２−エチルヘキシルアミン（５．６０ｍＬ、３４．２ｍｍｏｌ）と混合した。その反応混合物を還流下で１６時間加熱した。室温まで冷却後、得られた固体を濾過して集め、プロピオン酸と、数回ＭｅＯＨとにより洗浄し、一晩乾燥した。濾過によって７．５７ｇの粗生成物が提供され、それをカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ３）によって精製し、ＰＤＩ２ＥＨ−Ｂｒ２を赤色固体として生じさせた（５．１２ｇ、６．６３ｍｍｏｌ、収率６５．２％）。
【０１６８】
【化７６】
0005380296.tif 000095
元素分析（計算値：Ｃ６２．１９；Ｈ５．２２；Ｎ３．６３）：Ｃ６２．２０；Ｈ５．４３；Ｎ３．３３
パートＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）の調製
窒素下、ＣｕＣＮ（２．２８ｇ、２５．３ｍｍｏｌ）を、ＰＤＩ２ＥＨ−Ｂｒ２（１．０８ｇ、１．４０ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ（５４ｍＬ）の混合物に加えた。その混合物を１５０℃に加熱し、一晩撹拌した。室温まで冷却後、その固体を濾過し、ＭｅＯＨで数回洗浄した。その粗生成物（１．０３ｇ）をカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ３／アセトン；９６：４）により精製して、約０．８ｇの赤色固体を提供した。１回２０ｍＬのＤＭＦから再結晶させた後、ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２を赤色固体として得た（５６０ｍｇ、収率６０％）。
【０１６９】
【化７７】
0005380296.tif 000096
元素分析（計算値：Ｃ７５．８８；Ｈ６．０６；Ｎ８．４３）：Ｃ７５．８５；Ｈ５．９３；Ｎ８．３３
（実施例２２）
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ２ＭＨ−ＣＮ２）の調製
パートＡ：２−メチルヘキサンニトリルの調製
−７８℃まで冷却した乾燥ＴＨＦ（８０ｍＬ）中のｉ−ＰｒＮＨ２（９．１１ｇ、１２．７ｍＬ、９０ｍｍｏｌ）溶液に、ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（５７ｍＬ、１．５９Ｍ、９０ｍｍｏｌ）溶液を５分間かけて滴下した。浴温度で１５分後、４．６３ｇ（６．０ｍＬ、８４ｍｍｏｌ）のプロピオニトリルを１５分の時間をかけて滴下した。その淡黄色の反応混合物を、−７８℃で１時間撹拌し、次いでｎ−ＢｕＢｒ（１２．３３ｇ、９．７ｍＬ、９０ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（１０ｍＬ）中の溶液を滴下した。その浴を室温までそのまま温め、その混合物を一晩撹拌した。塩酸（４０ｍＬ、１Ｎ）を次に加えた。その混合物を真空中でほぼ１００ｍＬまで濃縮し、エーテル（１５０ｍＬ）と水（３０ｍＬ）中で分配した。その有機相をＮａ２ＳＯ４により乾燥し、黄色の油状物として濃縮した。真空下７２℃での蒸留により、２−メチルヘキサンニトリルを無色の液体として生じさせた（３．７６ｇ、３４ｍｍｏｌ、収率４０．５％）。
【０１７０】
パートＢ：２−メチルヘキシルアミンの合成
氷浴で冷却した乾燥エーテル（６８ｍＬ）中の水素化アルミニウムリチウム（１．２９ｇ、３４ｍｍｏｌ）溶液に、乾燥エーテル（７ｍＬ）に溶解した２−メチルヘキサンニトリル（３．７６ｇ、３４ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。その反応混合物をそのまま２時間にわたって撹拌した。冷却および激しい撹拌を続けながら、水（１．４ｍＬ）、ＮａＯＨ水溶液（１．１ｍＬ、２０％）、および水（５．０ｍＬ）を相次いで加えた。そのエーテル溶液を白い粒状の無機残渣から別の容器に静かに注いだ。この残渣をエーテルで２回洗浄し、すべてのエーテル部分を混合した。そのエーテルを留去して粗製の２−メチルヘキシルアミンを無色の液体として生じさせた（３．０９ｇ、２７ｍｍｏｌ、収率７８．８％）。
【０１７１】
パートＣ：Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ２ＭＨ−Ｂｒ２）の調製
プロピオン酸（２０ｍＬ）中のＰＤＡＢｒ２（１．００ｇ、１．８２ｍｍｏｌ）および２−メチルヘキシルアミン（５０３ｍｇ、０．５２ｍＬ、４．３７ｍｍｏｌ）を、１４０℃で６時間撹拌した。室温まで冷却後、その溶媒を除去して残渣（１．０９ｇ）を生じさせた。その残渣をカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ３）により精製してＰＤＩ２ＭＨ−Ｂｒ２を赤色固体として提供した（５００ｍｇ、０．６７ｍｍｏｌ、収率３６．９％）。
【０１７２】
【化７８】
0005380296.tif 000097
元素分析（計算値：Ｃ６１．３０；Ｈ４．８７；Ｎ３．７６）：Ｃ６１．６５；Ｈ４．５７；Ｎ３．９１
パートＤ：Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ２ＭＨ−ＣＮ２）の調製
窒素下で、ＣｕＣＮ（１．４８ｇ、１６．４ｍｍｏｌ）を、ＰＤＩ２ＭＨ−Ｂｒ２（６７０ｍｇ、０．９０ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ（３２ｍＬ）の混合物に加えた。その混合物を１５０℃に加熱し、一晩撹拌した。室温まで冷却後、その固体を濾過して集め、ＭｅＯＨで数回洗浄した。その粗生成物（４８０ｍｇ）をカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ３／アセトン；９６：４）により精製して、ほとんど赤色の固体（３３０ｍｇ）を生じさせた。ＤＭＦ（１０ｍＬ）からの１回の再結晶後、ＰＤＩ２ＭＨ−ＣＮ２を赤色固体として得た（３２０ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ、収率５６％）。
【０１７３】
【化７９】
0005380296.tif 000098
元素分析（計算値：Ｃ７５．４５；Ｈ５．７０；Ｎ８．８０）：Ｃ７５．４３；Ｈ５．６８；Ｎ８．８２
（実施例２３）
溶解性データ
さまざまな通常の有機溶媒中の本教示の化合物についての溶解性データを得た（表３）。Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−オクチル）−１，７−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシアミド）（ＰＤＩ８−ＣＮ２）を比較化合物として含めた。とりわけ注目すべきは、イミド窒素の３−アルキル置換アルケニル基官能化を有するリレン化合物（ＰＤＩＣｉｔｒ−ＣＮ２）が、通常の既知の線状アルキル基置換を有する類似の化合物（ＰＤＩ８−ＣＮ２）と比較して、ならびに表３に見出される本教示のその他の代表的な化合物と比較して、溶解性の予想外の増加を示したことである。
【０１７４】
【表３】
0005380296.tif 000099
（実施例２４）
薄膜半導体製作
有機半導体薄膜を蒸着および溶液相堆積によって作製した。蒸着膜は、Ｄｅｎｔｏｎ  ＤＶ−５０２真空蒸着装置（１０−６〜１０−７トル）中で２５〜１２０℃に保たれた基板上に準備した。
【０１７５】
有機半導体膜は、次の基板上：ｎ＋−Ｓｉ−（３００ｎｍ）ＳｉＯ２（Ｐｒｏｃｅｓｓ
Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｉｎｃ．社）、ＩＴＯ、ＩＴＯ−（１００〜６００ｎｍ）ＣＰＢ誘電体（Ｐｏｌｙｅｒａ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社）、ＰＥＴ−Ａｌ−（１００〜６００ｎｍ）ＣＰＢ誘電体（Ｐｏｌｙｅｒａ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社）に堆積させた。これらは、水、メタノール、およびアセトンですすぎ、その後ＣＰＢまたは有機半導体膜を堆積させた。Ｓｉ／ＳｉＯ２表面のシラン官能化は、酸化ケイ素ウエハーを、窒素下の密閉容器中室温でヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）およびオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の蒸気にさらすことによって行った。
【０１７６】
膜の成長速度（０．１〜０．４Å／秒）は、るつぼの温度を調節することによって制御した。目盛り付きの水晶振動子微量天秤を用いて成長速度および膜厚を制御した。溶液堆積膜は、ドロップキャスティング（半導体濃度＝０．１〜２ｍｇ／ｍＬ）、スピンコーティング（半導体濃度＝１〜１０ｍｇ／ｍＬ、スピン速度＝５００〜５０００ｒｐｍ）、グラビア／フレキソ印刷（半導体濃度＝１０〜１３０ｍｇ／ｍＬ、アニロックス／印刷力＝１０〜５００Ｎ、印刷速度＝０．２〜１．５ｍ／秒）、およびインクジェット印刷（半導体濃度＝１〜１０ｍｇ／ｍＬ）により作製した。
【０１７７】
移動プロットが、溶液相から堆積させた以下の薄膜半導体に対して得られた：ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２（図４）ＰＤＩＰｈＰｈ８−ＣＮ２（図５）、ＰＤＩＰｈ６−ＣＮ２（図６）、ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２（図７）、およびＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２（図８）。
【０１７８】
出力プロットが、溶液相および蒸気相から堆積させた以下の薄膜半導体に対して得られた：ＰＤＩＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２−溶液（図９）、ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２−溶液（図１０）、ＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２−溶液（図１１）、ＰＤＩＰｈＰｈＣｉｔｒ−ＣＮ２−溶液（図１２）、およびＰＤＩＰｈ１２−ＣＮ２−蒸気（図１３）。
【０１７９】
（実施例２５）
有機半導体薄膜の特性決定
薄膜（５００Å）は、Ｃｕ  Ｋα放射線およびモノクロメータによる標準的なθ−２θ技法を用いるＸ線膜回折法（ＸＲＤ）により分析した。すべてのθ−２θスキャンは、Ｓｉ（１００）基板の反射により調整した。図１４は、高度の膜組織を示すＰＤＩｌＰｈ４−ＣＮ２から調製した５０ｎｍ厚の膜のＷＡＸＲＤ  Θ／２Θスキャン（および００１反射のロッキングカーブ）を提供している。図１５Ａおよび１５Ｂは、ＰＤＩＰｈＰｈ−ＣＮ２から調製した溶液相堆積膜対蒸気相堆積膜について比較したＷＡＸＲＤ  Θ／２Θスキャンを提供している。実証されているように、堆積方法にかかわりなく、両方とも膜は高度に結晶質である。
【０１８０】
（実施例２６）
有機半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタの製作および特性決定
薄膜トランジスタデバイス製作のため、トップコンタクト電極（５００Å）を、ゲート（Ｓｉ、ＩＴＯ、Ａｌ）−誘電体（ＳｉＯ２、ＣＰＢ）−有機半導体試料の表面に金を蒸発させて（圧力＜１０−５トル）堆積した。ＴＦＴデバイスチャネル寸法は、５０〜５００μｍ（Ｌ）対０．５〜４．０ｍｍ（Ｗ）である。採用した絶縁体のキャパシタンスは、４〜１１ｎＦ／ｃｍ２である。電気計測は、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６４３０型サブフェムトアンメーター（ｓｕｂｆｅｍｔｏａｍｍｅｔｅｒ）およびＫｅｉｔｈｌｅｙ２４００型ソースメータを採用し、ローカルのＬａｂｖｉｅｗプログラムおよびＧＰＩＢコミュニケーションにより操作する自家製同軸プローブステーションを用いて行った。ノイズを最小限にするために、三軸および／または同軸遮蔽をＳｉｇｎａｔｏｎプローブステーションに組み込んだ。
【０１８１】
他の有機ＦＥＴとの比較を可能にするために、標準的な電界効果トランジスタ方程式によって移動度（μ）を計算した。伝統的な金属絶縁膜半導体ＦＥＴ（ＭＩＳＦＥＴ）には、異なるＶＧにおけるＩＤＳ対ＶＤＳ曲線の中に（ここで、ＩＤＳは、ソース−ドレイン飽和電流であり、ＶＤＳは、ソースとドレインの間のポテンシャルであり、ＶＧは、ゲート電圧である）一般的には線形領域および飽和領域が存在する。大きなＶＤＳにおいて、電流は飽和し、
（ＩＤＳ）ｓａｔ＝（ＷＣｉ／２Ｌ）μ（ＶＧ−Ｖｔ）２    （１）
によって与えられ、ここで、ＬおよびＷは、それぞれデバイスのチャネルの長さと幅であり、Ｃｉは、酸化物絶縁体のキャパシタンス（３００ｎｍＳｉＯ２に対して１×１０−８Ｆ／ｃｍ２）であり、Ｖｔは、しきい値電圧である。
【０１８２】
移動度（μ）は、方程式１を再配置することにより飽和領域で計算した：
μｓａｔ＝（２ＩＤＳＬ）／［ＷＣｉ（ＶＧ−Ｖｔ）２］    （２）
（式中、Ｃｉは、この場合６・１０−８Ｆであった）。そのしきい値電圧（Ｖｔ）は、ＶＧ対（ＩＤＳ）１／２のプロットの線形領域のｘインタセプトとして見積もることができる（ＶＳＤ＝−１００Ｖにおいて）。
【０１８３】
表４は、ドロップキャストし、かつ／または蒸気相堆積させて薄膜半導体を形成した本教示の代表的な化合物についての電子移動度および電流Ｉｏｎ：Ｉｏｆｆ比をまとめている。とりわけ注目すべきは、イミド窒素の２−アルキル置換アルキル基官能化を有するリレン化合物（ＰＤＩ２ＭＨ−ＣＮ２およびＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）が、通常の既知の線状アルキル基置換を有する類似の化合物（ＰＤＩ８−ＣＮ２）およびその３位にメチル基を有する分枝アルケニル基を有する類似の化合物（ＰＤＩＣｉｔｒ−ＣＮ２）と比較して、電流Ｉｏｎ：Ｉｏｆｆ比の予想外の増加を示したことである。
【０１８４】
【表４−１】
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【０１８５】
【表４−２】
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（実施例２７）
ピンコーティングによる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）製作
代表的な化合物（位置異性体の混合物を含むことができる）（４〜８ｍｇ）を、ＣＨＣｌ３（０．５〜２ｍＬ）に溶解し、その溶液を、ＯＴＳ処理したＳｉ−ＳｉＯ２基板上にスピンコートした（１５００ｒｐｍ）。その膜を、次に真空オーブン中８０〜１２０℃で３０分〜５時間にわたりアニールした。ＦＥＴデバイス構造は、Ａｕソース／ドレインコンタクトを蒸発させることによって完成した。
【０１８６】
図１６Ａは、本教示の化合物（ＰＤＩ８−ＣＮ２）をクロロホルムからスピンコートした膜について空気中で測定した代表的な移動プロットである。図１６Ｂは、本教示の化合物（ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）をクロロホルムからスピンコートした膜について空気中で測定した代表的な移動プロットである。
【０１８７】
表５は、本教示の代表的なＰＤＩ−ＣＮ２コア化合物のスピンコート膜の電子移動度および電流Ｉｏｎ：Ｉｏｆｆ比をまとめている。とりわけ注目すべきは、イミド窒素の２−アルキル置換アルキル基官能化を有する化合物（ＰＤＩ２ＭＨ−ＣＮ２およびＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）が、通常の既知の線状アルキル基置換を有する類似の化合物（ＰＤＩ８−ＣＮ２）と比較して、電子移動度および電流Ｉｏｎ：Ｉｏｆｆ比の予想外の増加を示したことである。
【０１８８】
【表５】
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本教示は、その精神または本質的特徴から逸脱することのないその他の特定の形態を包含する。上述の実施形態は、それ故、あらゆる点で、本明細書に記載の本教示に関して限定するためというよりむしろ説明に役立たせるためと考えるべきである。本教示の範囲は、従って、上述の記述によるよりむしろ添付の特許請求の範囲によって示され、該特許請求の範囲の意図および等価の範囲にあるすべての変化は、その中に包含されることを意味する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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