(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ（Ｒ２）３基を表わす少なくとも１つの基Ｒ１が、分子中に存在することを特徴とし、さらに、少なくとも１つの式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、中央アントラセン単位に、２位及び/又は６位で結合することを特徴とする、及び/又は少なくとも１つの式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、Ａｒ基に結合し、Ａｒ基がナフチル基を表わすならば、４位で、Ａｒ基がアントリル基を表わすならば、１０位で結合することを特徴とする、及び/又は少なくとも１つの式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、Ｒ基に結合することを特徴とする式（１）のシリル置換化合物。
【化１】
0005420249.tif 000042
（ここで、使用される記号と添字は、以下が適用される：
Ａｒは、1-ナフチル基若しくは9-アントリル基であって、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよく及び/又は１以上の基Ｎ（Ａｒ１）２により置換されていてもよく、；
Ｒは、夫々は１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい、１-ナフチル又は２-ナフチルであり；
Ａｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい、５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり；
Ｙは、単結合であり；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｆ、１〜６個のＣ原子を有する直鎖アルキル若しくはアルコキシ基又は３〜１０個のＣ原子を有する分岐或いは環状アルキル若しくはアルコキシ基（各基においては、１以上のＣＨ２基は、-Ｒ３Ｃ=ＣＲ３-、Ｓｉ（Ｒ３）２、-Ｏ-、-Ｓ-若しくは-Ｎ（Ｒ３）-で置き代えられていてもよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられていてもよい）又は１以上の基Ｒ３により置換されていてもよい５〜１４個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基又は、２若しくは３個のこれらの構造の組み合わせであり、
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基又は３〜１０個のＣ原子を有する分岐或いは環状アルキル基（各基においては、珪素に直接結合しない１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｏで置き代えられていてもよく、一以上のＨ原子はＦで置き代えられていてもよい。）；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ若しくは１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基であって、脂肪族若しくは芳香族又は脂肪族及び芳香族の組み合わせであってよく、また、Ｆにより置換されていてもよく；
ｎは、出現毎に同一であるか異なり、０、１、２、３若しくは４であり、
ｍは、０である。）
【請求項２】
Ｓｉ（Ｒ２）３基を表わす少なくとも１つの基Ｒ１が存在することを特徴とする、請求項１記載の式（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物。
【化２】
0005420249.tif 000043
（ここで、Ｒ、Ａｒ１、Ｒ１、Ｙ、ｍ及びｎは、請求項１で定義される意味を有し、更に以下が適用される。
ｏは、０、１、２若しくは３であり、
ｐは、０若しくは１であり、
ｑは、０、１若しくは２である。）
【請求項３】
１、２、３若しくは４個の式Ｓｉ（Ｒ２）３基を含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
対応するアントラセン誘導体に対して、１以上のＳｉ（Ｒ２）３基により置換される官能化されたＡｒ若しくはＲ基をカップリングすることにより、Ａｒ基若しくはＲ基上に１以上のＳｉ（Ｒ２）３基を担持する、請求項１乃至３何れか１項記載の化合物の調製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３何れか１項記載の化合物の、有機電子素子での使用。
【請求項６】
請求項１乃至３何れか１項記載の少なくとも１つの化合物を含む有機電子素子。
【請求項７】
有機エレクトロルミネセンス素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ-ＬＥＴ）、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機電場消光素子（Ｏ-ＦＱＤ）、有機光受容器、発光電子化学電池（ＬＥＣ）及び有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）から選択される請求項６記載の有機電子素子。
【請求項８】
少なくとも１つの発光層、正孔輸送層、正孔注入層、正孔障壁層及び/又は電子輸送層が、請求項１乃至３何れか１項記載の少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする、請求項６又は７記載の有機電子素子。
【発明の詳細な説明】
【発明の開示】
【０００１】
本発明は、新規なアントラセン誘導体、これら化合物の有機エレクトロルミネセンス素子での使用及びこれら化合物を含む有機エレクトロルミネセンス素子に関する。
【０００２】
有機半導体は、最も広義での電子産業に帰することのできる数多くの種々の型の用途における機能性材料として使用されている。可視スペクトル領域で発光することのできる有機エレクトロルミネセンス素子の一般的構造は、例えば、US 4539507、US 5151629、EP 0676461及びWO 98/27136に記載されている。
【０００３】
しかしながら、これらの素子は、高品質のフルカラー表示装置での使用のための早急な改善を要するかなりの問題をなお有している：
１．使用される化合物は、適当な熱安定性を有さず、十分に高いガラス転移温度を有さない。
【０００４】
２．使用される化合物は、有機溶媒に十分な溶解性を有さず、調製時の純化と蒸着ユニット（例えば、シャドーマスク）の清掃をより困難にする。
【０００５】
３．これまでに使用された化合物の正孔及び電子安定性（酸化還元安定性）は、未だ不適当である。
【０００６】
言及されてもよい最も近い先行技術は、種々の縮合芳香族化合物、特に母体材料としてのアントラセン若しくはピレン誘導体の、特に青色発光エレクトロルミネセンス素子のための使用である。先行技術により知られる母体材料は、9,10-ビス（2-ナフチル）アントラセン（US 59357231）である。母体材料に適する更なるアントラセン誘導体は、例えば、WO 01/076323、WO 01/021729、WO 04/013073、WO 04/018588、WO 03/087023若しくはWO 04/018587に記載されている。アリール置換ピレン及びクリセン系母体材料は、WO 04/016575に記載され、原則的に対応するアントラセン及びフェナントレン誘導体を陵駕している。WO 03/095445及びCN 1362464は、9,10-ビス（1-ナフチル）アントラセン誘導体のＯＬＥＤへの使用を記載している。
【０００７】
本発明の目的は、改善された特性、特に、改善された母体材料と改善された青緑色発光性を有する化合物を提供することであった。
【０００８】
驚くべきことに、トリアルキルシリル基により置換されるある種のアントラセン誘導体を含む有機エレクトロルミネセンス素子が、先行技術を顕著に超える改善を有することが見出された。これらの化合物は、高い熱安定性、高いガラス転移温度、高い酸化還元安定性及び有機溶媒への良好な溶解性を有する。したがって、本発明は、これら化合物とそれらのＯＬＥＤでの使用に関する。
【０００９】
本発明は、Ｓｉ（Ｒ２）３基を表わす少なくとも１つの基Ｒ１が、分子中に存在することを特徴とする式（１）のシリル置換化合物に関する。
【化４】
0005420249.tif 000002
【００１０】
ここで、使用される記号及び添字は、以下が適用される：
Ａｒは、1-ナフチル基若しくは9-アントリル基であって、１或いは2個の炭素原子はＮによって置き換えられていてもよく、1以上の基Ｒ１により置換されていてもよく、及び/又は1以上の基Ｎ（Ａｒ１）２により置換されていてもよく、２個の基Ａｒ１は、互いに単結合若しくはＯ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１）或いはＣ（Ｒ１）２基により連結してもよく；
Ｒは、５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり、1以上の基Ｒ１若しくはＮ（Ａｒ１）２基により置換されていてもよく、２個の基Ａｒ１は、互いに単結合若しくはＯ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１）或いはＣ（Ｒ１）２基により連結してもよく；
Ａｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり；
Ｙは、出現毎に同一であるか異なり、１〜４０個のＣ原子を含む２価基若しくは-Ｏ-、-Ｓ-、Ｎ（Ｒ１）-、-Ｐ（=Ｏ）Ｒ１-若しくは単結合であり；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｎ（Ｒ３）２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基又は３〜４０個のＣ原子を有する分岐或いは環状アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基（各基は、１以上の基Ｒ３により置換されていてもよく、そして、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ３Ｃ=ＣＲ３-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、-Ｏ-、-Ｓ-、-Ｎ（Ｒ３）-若しくは-ＣＯＮＲ３-で置き代えられていてもよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ若しくはＮＯ２で置き代えられていてもよい）又は１以上の基Ｒ３により置換されていてもよい５〜２４個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基、又は１以上のＲ３基により置換されていてもよい５〜２４個の芳香族環原子を有するアリールオキシ若しくはヘテロアリールオキシ基、又は、２、３、４若しくは５個のこれらの構造の組み合わせであり；ここで、２以上の置換基Ｒ１は、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族環構造を形成するものであってもよく；
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基又は３〜４０個のＣ原子を有する分岐或いは環状アルキル基（各基においては、直接珪素に結合しない１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ３Ｃ=ＣＲ３-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、-Ｏ-、-Ｓ-、-Ｎ（Ｒ３）-若しくは-ＣＯＮＲ３-で置き代えられていてもよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ若しくはＮＯ２で置き代えられていてもよく、１以上の基Ｒ３により置換されていてもよい５〜２４個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基又は１以上のＲ３基により置換されていてもよい、５〜２４個の芳香族環原子を有するアリールオキシ若しくはヘテロアリールオキシ基で置換されてもよい）；ここで、２以上の置換基Ｒ２は、互いにモノ或いはポリ環状環構造を形成するものであってもよく；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ若しくは１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基であって、脂肪族若しくは芳香族又は脂肪族及び芳香族の組み合わせであってよく；ここで、２個以上の基Ｒ３は、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族若しくは芳香族環構造を形成するものであってもよく；
ｎは、出現毎に同一であるか異なり、０、１、２、３若しくは４であり、
ｍは、０、１、２、３、４若しくは５である。
【００１１】
本発明の目的のためには、アリール基若しくはヘテロアリール基は、夫々共通の芳香族π電子構造を有する芳香族基若しくは複素環式芳香族基を意味するものと解される。本発明の目的のためには、これは、単純なホモ若しくはヘテロ環、例えばベンゼン、ピリジン、チオフェン等であり、少なくとも２個の芳香族又は複素環式芳香族環、例えばベンゼン環が、互いに「縮合」する、即ち互いにアネレーション（anellation）により縮合する、即ち少なくとも１つの共通の辺を有し、それにより共通の芳香族π電子構造を有する、縮合芳香族環構造であることができる。これらアリール基若しくはヘテロアリール基は、置換されていても、非置換でもよく、任意の置換基も同様に更なる環構造を形成してもよい。したがって、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等のような構造は、アリール基と、そして、キノリン、アクリジン、ベンゾチオフェン、カルバゾール等は本発明の目的のためのヘテロアリール基とみなされるべきであり、一方、例えばビフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン等は、それらが、別々の芳香族電子構造を含むことから、アリール基とはしない。
【００１２】
本発明の目的のために、芳香族環構造は、６〜４０個のＣ原子を環構造中に含む。本発明の目的のために、複素環式芳香族環構造は、２〜４０個のＣ原子と少なくとも１個のヘテロ原子を環構造中に含むが、但し、Ｃ原子とヘテロ原子の合計数は少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏ及び/又はＳから選ばれる。本発明の目的のために、芳香族若しくは複素芳香族環構造は、必ずしもアリール又はヘテロアリール基のみを含む構造ではなく、加えて、複数のアリール又はヘテロアリール基は、例えば、ｓｐ３混成のＣ、Ｎ又はＯ原子のような短い非芳香族単位（Ｈ以外の原子は、１０％より少なく、好ましくは、Ｈ以外の原子は、５％より少ない）により中断されていてもよい構造を意味するものと解される。このように、例えば、9,9’-スピロビフルオレン、フルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル等の構造も、本発明の目的のための芳香族環構造を意味するものと解されることを意図されてもいる。芳香族若しくは複素芳香族環構造の部分は、ここで縮合基であってもよい。
【００１３】
本発明の目的のためには、Ｃ１〜Ｃ４０-アルキル基は、ここで、加えて、個々のＨ原子若しくはＣＨ２基が、上記した基により置換されていてよく、特に好ましくは、基メチル、エチル、ｎ-プロピル、ｉ-プロピル、ｎ-ブチル、ｉ-ブチル、ｓ-ブチル、ｔ-ブチル、２-メチルブチル、ｎ-ペンチル、ｓ-ペンチル、シクロペンチル、ｎ-ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ-ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ-オクチル、シクロオクチル、2-エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2-トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル或いはオクチニル基を意味するものと解される。Ｃ１〜Ｃ４０-アルコキシ基は、特に好ましくは、メトキシ、エトキシ、ｎ-プロポキシ、ｉ-プロポキシ、ｎ-ブトキシ、ｉ-ブトキシ、ｓ-ブトキシ、ｔ-ブトキシ、又は２-メチルブトキシを意味するものと解される。１〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族又は複素環式芳香族環構造は、各場合にも、上記した基Ｒ１若しくはＲ２により置換されていてもよく、任意の所望の部位で、芳香族又は複素環式芳香族系に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス-若しくはトランス-インデノフルオレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジンイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントリリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと解される。
【００１４】
式（１）の好ましい化合物は、記号Ａｒは、1-ナフチル基、9-アントリル基、1-、4-、5-或いは8-イソキノリン基若しくは4-或いは5-キノリニル基を表わす。式（１）の特に好ましい化合物は、記号Ａｒは、1-ナフチル基若しくは9-アントリル基である。式（１）の非常に特に好ましい化合物は、Ｓｉ（Ｒ２）３基を表わす少なくとも１つの基Ｒ１が、分子中に存在することを特徴とする、式（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物である。
【化５】
0005420249.tif 000003
【００１５】
ここで、Ｒ、Ａｒ１、Ｒ１、Ｙ、ｍ及びｎは、上記定義される意味を有し、２個の基Ａｒ１は、互いに単結合若しくはＯ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１）或いはＣ（Ｒ１）２基により連結してもよく、更に以下が適用される。
【００１６】
ｏは、０、１、２若しくは３であり、
ｐは、０若しくは１であり、
ｑは、０、１若しくは２であり、
式（１ｂ）の化合物において、添字ｐは、好ましくは１であり、換言すれば、水素以外の更なる置換基が、好ましくは１０位でアントリル基に対して結合している。
【００１７】
式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の更に好ましい化合物は、記号Ｒは、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい、６〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり、又は記号Ｒは、式（２ａ）若しくは（２ｂ）の基を表わす。
【化６】
0005420249.tif 000004
【００１８】
ここで、Ｒ１及びｐは、上記示された意味を有し、更に以下が適用される。
【００１９】
Ｘは、単結合若しくはＯ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１）或いはＣ（Ｒ１）２基であり；
Ａｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい、５〜２０個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基であり、好ましくは、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい、６〜１４個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基であり、特に好ましくは、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよいフェニル、1-ナフチル若しくは2-ナフチル基である。
【００２０】
Ａｒ基上の置換基が、Ｎ（Ａｒ１）２基を表わすならば、この置換基も、上記（２ａ）及び（２ｂ）の式から好ましくは選択もされる。
【００２１】
記号Ｒが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わすならば、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい９〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わしてもよい。特に好ましい式（１）の化合物は、記号Ｒが、１０〜１６個の芳香族環原子を有する縮合アリール若しくはヘテロアリール基又は芳香族基場合によっては架橋バイアリール基を表わし、夫々は１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい。非常に特に好ましい式（１）の化合物は、記号Ｒが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わすならば、出現毎に同一であるか異なり、１-ナフチル、２-ナフチル、9-アントリル、2-フェナントリル、9-フェナントリル、キノリニル、イソキノリニル、オルト-メタ-或いはパラ-ビフェニル、2-フルオレニル若しくは2-スピロビフルオレニル基を表わし、夫々は１以上の基Ｒ１により置換されていてもよいものを表わし、特に、１以上の基Ｒ１により置換されていてもよい１-ナフチルを表わす。
【００２２】
更に特に好ましい式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物は、記号Ｒが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わすならば、アントラセン-Ｒ回りの束縛回転を有する。本発明の目的のために、束縛回転は、室温で少なくとも８０ｋＪ/molの、好ましくは少なくとも１００ｋＪ/molの、特に好ましくは少なくとも１２０ｋＪ/molの回転障壁を意味するものと解される。この回転障壁は、温度依存性ＮＭＲ測定器により実験的に測定することができる。式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物が、１以上の結合に関してアトロプ異性を示すならば、本発明は、各場合に、対応する単離若しくは富化されたアトロプ異性体を含むＯＬＥＤに関する。これは、エナンチオマー及びジアステレオマーの双方にも関する。アントラセン-Ｒ結合回りの束縛回転は、基Ｒがオルト位に少なくとも１つの有機置換基を有するならば、及び/又は基Ｒが、例えばペリ水素（peri-hydrogen）原子を含む1-ナフチル基であるならば、達成される。
【００２３】
２個の基ＡｒとＲが同一に選択される式（１）の化合物も、基ＡｒとＲが異なって選択される式（１）の化合物も、双方とも本発明のものである。
【００２４】
更に好ましい式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物は、記号Ｒ１が、出現毎に同一であるか異なり、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｆ、１〜６個のＣ原子を有する直鎖アルキル若しくはアルコキシ基又は３〜１０個のＣ原子を有する分岐或いは環状アルキル若しくはアルコキシ基（各基においては、１以上のＣＨ２基は、-Ｒ３Ｃ=ＣＲ３-、Ｓｉ（Ｒ３）２、-Ｏ-、-Ｓ-若しくは-Ｎ（Ｒ３）-で置き代えられていてもよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられていてもよい）又は１以上の基Ｒ３により置換されていてもよい５〜１４個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基、又は、２若しくは３個のこれらの構造の組み合わせであり；ここで、２個以上の基Ｒ１は、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族環構造を形成するものであってもよい。特に好ましい基Ｒ１は、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｆ、１〜４個のＣ原子を有する直鎖アルキル基又は３〜５個のＣ原子を有する分岐アルキル基（各基においては、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられていてもよい）又は６〜１０個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基、又は、２個のこれらの構造の組み合わせであり；ここで、２個以上の隣接する基Ｒ１は、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族環構造を形成するものであってもよい。
【００２５】
更に好ましい式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物は、記号Ｙは、出現毎に同一であるか異なり、１〜１０個のＣ原子を含む直鎖アルキレン基又は３〜１０個のＣ原子を含む分岐或いは環状アルキレン若しくはアルキリデン基、６〜２５個のＣ原子を有する２価芳香族基、Ｃ=Ｏ、-Ｏ-、-Ｓ-又は式-Ｎ（Ｒ１）-若しくは-Ｐ（=Ｏ）Ｒ１-基若しくは単結合を表わす。特に、好ましい化合物は、記号Ｙは、出現毎に同一であるか異なり、１〜４個のＣ原子を含む直鎖アルキレン基又は３〜５個のＣ原子を有する分岐アルキレン若しくはアルキリデン基又は３〜１０個のＣ原子を有する環状アルキレン基又はベンゼン、ナフタレン、ビフェニル若しくはターフェニルから誘導される基から選択される２価芳香族基又はＣ=Ｏ、-Ｎ（Ｒ３）-若しくは-Ｐ（=Ｏ）Ｒ３-若しくは単結合を表わす。
【００２６】
更に好ましい式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物は、添字ｍが０、１若しくは２を、特に好ましくは０若しくは１を表わす。
【００２７】
更に好ましい式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物は、添字ｎが０、１若しくは２を、特に好ましくは０若しくは１を表わし、Ｓｉ（Ｒ２）３を表わす少なくとも1つの基Ｒ１が分子中に存在する。式（１）及び（１ａ）乃至（１ｄ）の化合物は、好ましくは、１、２、３若しくは４個の式Ｓｉ（Ｒ２）３基、特に好ましくは１若しくは２個の式Ｓｉ（Ｒ２）３基を含む。
【００２８】
式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、分子中で種々の位置で結合することができる。本発明の好ましい具体例では、少なくとも１つの式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、中央アントラセン単位に、好ましくは２位及び/又は６位で結合する。本発明のさらに好ましい具体例では、少なくとも１つの式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、Ａｒ基に結合する。Ａｒ基が1-ナフチル基を表わすならば、式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、好ましくはナフチル基の４位で結合する。Ａｒ基が9-アントリル基を表わすならば、式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、好ましくはアントラセン基の１０位で結合し又は他の基Ｒ１が１０位で結合しているならば、２位若しくは２,６-位で結合する。本発明のなお更に好ましい具体例では、少なくとも１つの式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、Ｒ基に結合する。Ｒ基がアリール基若しくはヘテロアリール基を表わすならば、式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、好ましくは、アリール基に対してパラ位で結合する。Ｒ基が式Ｎ（Ａｒ１）２基を表わすならば、式Ｓｉ（Ｒ２）３基は、好ましくは、１個或いは双方の基Ａｒ１に窒素に対してパラ位で結合する。
【００２９】
好ましいシリル基上のＲ２は、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基又は３〜１０個のＣ原子を有する分岐或いは環状アルキル基（各鎖は、直接珪素に結合しない１以上の隣接しないＣＨ２基はＯ-で置き代えられていてもよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられていてもよい）から選択され；ここで、２個以上の置換基Ｒ２は、互いにモノ或いはポリ環状構造を形成するものであってもよい。特に、好ましいシリル基上の基Ｒ２は、１〜４個のＣ原子を有する直鎖アルキル基又は３或いは４個のＣ原子を有する分岐アルキル基（各鎖は、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられていてもよい）から選ばれる。非常に特に好ましい基Ｒ２は、メチル、ＣＦ３、エチル、イソプロピル及びtert-ブチルである。非常に特に好ましいＳｉ（Ｒ２）３基は、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｍｅ）２（t-Ｂｕ）、ＳｉＭｅ（t-Ｂｕ）２及びＳｉ（i-Ｐｒ）３である。
【００３０】
更に好ましい式（１）の化合物は、その分子量が、４００〜１５００g/mol、特に好ましくは、４００〜９００g/molである。
【００３１】
種々のプロセスが、本発明の化合物の調製のために使用可能である。シリル基がアントラセンに導入されるならば、適当な出発物質は、2-ブロモアントラキノン若しくは2,6-ジブロモアントラキノン若しくは対応するクロロアントラキノン誘導体である。これは、各場合に、反応性有機金属試薬、例えばアリールグリニャール試薬或いはアリールリチウム試薬と反応させ、引き続く工程で、例えば塩化錫（II）を使用して還元され、２位若しくは２，６位に臭素或いは塩素をも担持する9.10-ジアリールアントラセン誘導体を得ることができる。金属化、例えばリチウム化及びハロゲン化シリル、例えばトリアルキルクロライドとの反応は、対応するシリル化された目標化合物を生成する。
【００３２】
シリル基が中央アントラセンに導入されず、その代わり芳香族Ａｒ若しくはＲ基に導入されるならば、第１工程でそれを導入し、次いで更なる工程でアントラセンに芳香族基をカップルだけすることも可能である。それゆえ、ジブロモ芳香族化合物は選択的にモノリチウム化され、そしてハロゲン化シリルと反応し、ブロモシリル芳香族化合物を得ることができる。これは、今度はリチウム化により対応するボロン酸或いはボロン酸誘導体に変換することができ、次いで、パラジウム触媒による鈴木カップリングでジブロモアントラセン若しくは他のアントラセン誘導体にカップルすることができる。芳香族化合物とアントラセンとの間の更なるカップリング反応は同様に適当であり、例えばスチル（Stille）カップリングである。Ｒ基がジアリールアミノ基であるならば、ハートウイッグ-ブッフバルト（Hartwig-Buckwald）カップリングも適切である。
【００３３】
本発明は、更に、１以上のＳｉ（Ｒ２）３基により対応するアントラセン誘導体に置換される官能化されたＡｒ若しくはＲ基をカップリングすることにより、Ａｒ若しくはＲ基上に１以上のＳｉ（Ｒ２）３基を担持する、本発明の式（１）の化合物の調製方法に関する。カップリングは、好ましくは遷移金属触媒カップリング反応、特に、鈴木カップリング、スチルカップリング若しくはハートウイッグ-ブッフバルトカップリングである。ここで、Ａｒ若しくはＲ基の官能化は、鈴木カップリングでの使用のためのボロン酸誘導体であってもよい。その基は、スチルカップリングでの使用のためのトリアルキル錫であってもよい。それは、ハートウイッグ-ブッフバルトカップリングでの使用のためのＮ−Ｈ官能基であってもよい。アントラセンがボロン酸誘導体により若しくはトリアルキル錫誘導体により対応して置換されているならば、それは、更に臭素化化合物であってもよい。Ａｒ若しくはＲ基上のシリル基が、金属触媒カップリング反応で損傷を受けることなく使用できること、また副反応が起こらないことは驚くべきことである。
【００３４】
式（１）の好ましい化合物の例は、以下に挙げられる化合物（Ａ１）乃至（Ａ６８）である。
【化７】
0005420249.tif 000005
【００３５】
0005420249.tif 000006
【００３６】
0005420249.tif 000007
【００３７】
0005420249.tif 000008
【００３８】
0005420249.tif 000009
【００３９】
0005420249.tif 000010
【００４０】
0005420249.tif 000011
【００４１】
0005420249.tif 000012
【００４２】
以下の表１は、更なる式（１）の好ましい構造を示している。
【００４３】
選好は、同様に、式Ｓｉ（Ｍｅ）３の基に代えて、式Ｓｉ（Ｍｅ）２（t-Ｂｕ）、ＳｉＭｅ（t-Ｂｕ）２若しくはＳｉ（i-Ｐｒ）３基を含む構造に与えられる。式（３）に関して表で使用される記号及び添字は、以下に示される。
【化８】
0005420249.tif 000013
【００４４】
ｄ＝０は、ここでは、対応する基が、1-ナフチル基であることを意味する。更に、表１の略称Ｎ（Ｐｈ）２は、ジフェニルアミノ基を表わし、Ｎ（p-Ｔｏｌ）２は、ビス（パラ-トリル）アミノ基を表わし、Ｎ（Ｐｈ）（1-Naph）は、N-フェニル-N-（1-ナフチル）アミノ基を表わす。
【表１】
0005420249.tif 000014
【００４５】
0005420249.tif 000015
【００４６】
0005420249.tif 000016
【００４７】
0005420249.tif 000017
【００４８】
0005420249.tif 000018
【００４９】
0005420249.tif 000019
【００５０】
0005420249.tif 000020
【００５１】
0005420249.tif 000021
【００５２】
0005420249.tif 000022
【００５３】
0005420249.tif 000023
【００５４】
0005420249.tif 000024
【００５５】
0005420249.tif 000025
【００５６】
0005420249.tif 000026
【００５７】
0005420249.tif 000027
【００５８】
0005420249.tif 000028
【００５９】
0005420249.tif 000029
【００６０】
式（１）の化合物は、有機エレクトロルミネセンス素子に使用することができる。置換パターン次第で、それらは、特に燐光エミッターのための母体材料として、エミッターとして、正孔輸送材料として正孔障壁材料として及び/又は電子輸送材料として使用することができる。
【００６１】
本発明は、更に、有機電子素子、特に有機エレクトロルミネセンス素子での、特に母体材料としての、エミッターとしての、正孔輸送材料としての、正孔障壁材料としての及び/又は電子輸送材料としての使用に関する。
【００６２】
本発明は、更に、陽極、陰極及び少なくとも１つの発光層を含み、少なくとも１つの層が、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、有機電子素子、特に有機エレクトロルミネセンス素子に関する。式（１）の化合物を含む層は、好ましくはエミッター層、正孔輸送層、正孔注入層、正孔障壁層又は電子輸送層である。
【００６３】
陰極、陽極及び発光層（複数の発光層）に加えて、有機エレクトロルミネセンス素子は、更なる層を含んでもよい。これらは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層及び/又は電荷生成層であることができる（T.Matsumoto,et al.,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer,IDMC2003,Taiwan;）。これらの層の材料は、ドープされていてよい。これら層は、夫々必ずしも、存在する必要はない。適する正孔輸送材料は、例えば、ｐ-ドープされていてもよい先行技術に通常使用されるような芳香族アミンである。適する電子輸送材料は、例えば、ｎ-ドープされていてもよい金属キレート錯体、例えば、ＡｌＱ３であり、電子不足ヘテロ環系化合物、例えばトリアジン誘導体若しくは、例えばWO 05/84081及びWO 05/084082に記載されるような芳香族カルボニル若しくはホスフィンオキシドである。適する電子注入層は、特に、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のフッ化物並びに酸化物、例えば、ＮａＦ、ＢａＦ２、ＣａＦ２、ＬｉＦ若しくはＬｉ２Ｏである。
【００６４】
記号Ｒが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造、特に縮合アリール若しくはヘテロアリール基を表わすならば、式（１）の化合物は、特に蛍光エミッターのための母体材料として及び/又は電子輸送材料として及び/又は正孔障壁材料として適している。
【００６５】
母体材料は、システム中でより多い割合で存在する母体とドーパントを含むシステム中の成分を意味するものと解される。母体と複数のドーパントを含むシステムにおいては、母体は、その割合が混合物中最大である成分を意味するものと解される。
【００６６】
発光層中の式（１）の母体材料中の割合は、５０．０〜９９．９重量％、好ましくは８０．０〜９９．５重量％、特に好ましくは９０．０〜９９．０重量％である。対応して、発光層中のドーパントの割合は、０．１〜５０．０重量％、好ましくは０．５〜２０．０重量％、特に好ましくは１．０〜１０．０重量％である。
【００６７】
好ましいドーパントは、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミン、芳香族クリセンジアミン、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル及びアリールアミンのクラスより選択される。芳香族アントラセンアミンは、ジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接に、好ましくは9位で結合している化合物を意味すると解される。芳香族アントラセンジアミンは、２個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接に、好ましくは9,10-位で結合している化合物を意味すると解される。芳香族ピレンアミン及び芳香族ピレンジアミン又は芳香族クリセンアミン及び芳香族クリセンジアミンも同様に定義される。モノスチリルアミンは、スチリル基と少なくとも１個のアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。ジスチリルアミンは、２個のスチリル基と少なくとも１個のアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。トリスチリルアミンは、3個のスチリル基と少なくとも１個のアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。テトラスチリルアミンは、４個のスチリル基と少なくとも１つのアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。対応するホスフィン及びエーテルは、アミン同様に定義される。本発明の目的のためには、アリールアミン若しくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３個の芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を含む化合物を意味すると解される。スチリル基は、特に好ましくはスチルベン基であり、更に置換されていてもよい。特に好ましいドーパントは、トリスチルベンアミン、芳香族スチルベンアミン、アントラセンジアミン及びピレンジアミンのクラスから選択される。非常に特に好ましいドーパントは、トリスチルベンアミンのクラスから選択される。このタイプのドーパントの例は、置換或いは非置換トリスチルベンアミン若しくはWO 06/000388、WO 06/059737及びWO 06/000389に記載されたドーパントである。
【００６８】
更に、好ましい有機エレクトロルミネセンス素子は、複数の発光層が使用され、これら層の少なくとも一つが式（１）の化合物を含むことを特徴とする。これら発光層は、特に好ましくは、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ間に全体で複数の最大発光長を有し、全体として、白色発光が生じ、換言すれば、蛍光若しくは燐光を発することができ、黄色、オレンジ色若しくは赤色光を発光する少なくとも一つの更なる発光化合物も、更なる発光層に使用される。特に好ましいものは、３層構造であり、これら層の少なくとも一つの層は、少なくとも一つの式（１）の化合物を含み、その３層は、青色、緑色及びオレンジ色若しくは赤色発光するものである。（基本構造については、例えば、WO 05/011013参照。）広帯域発光帯を有しそれゆえ白色発光を呈するエミッターも、同様に白色発光に適する。
【００６９】
式（１）の化合物に加えて、更なる物質が、発光層、例えば、正孔-若しくは電子輸送材料に存在してもよい。
【００７０】
記号Ｒが、Ｎ（Ａｒ１）２基を表わし、及び/又はＡｒ基上の置換基が、Ｎ（Ａｒ１）２基を表わすならば、式（１）の化合物は、発光化合物として及び/又は正孔輸送材料として特に適しており、以下により詳細に説明される。
【００７１】
式（１）の化合物が、正孔輸送材料として使用されるならば、正孔輸送層及び/又は正孔注入層に使用されることが好ましい。本発明の目的のためには、正孔注入層は、陽極に直接隣接する層である。本発明の目的のためには、正孔輸送層は、正孔注入層と発光層との間に位置する層である。式（１）の化合物が、正孔輸送若しくは正孔注入材料として使用されるならば、それらが、電子受容体化合物で、例えば、Ｆ４-ＴＣＮＱで若しくはEP 1476881、EP 1596445に記載された化合物でドープすることが選好されてもよい。
【００７２】
式（１）の化合物が、発光化合物として使用されるならば、母体材料と組み合わせて使用することが好ましい。
【００７３】
発光層の混合物中の式（１）の発光化合物の割合は、０．１〜５０．０重量％、好ましくは０．５〜２０．０重量％、特に好ましくは１．０〜１０．０重量％である。対応して、層中の母体材料の割合は、５０．０〜９９．９重量％、好ましくは８０．０〜９９．５重量％、特に好ましくは９０．０〜９９．０重量％である。
【００７４】
適切な母体材料は、種々のクラスの物質である。好ましい母体材料は、オリゴアリーレン（例えば、EP 676461による2,2’,7,7’-テトラフェニルスピロビフルオレン若しくはジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリ−レンビニレン（例えば、EP 676461に記載されるようなＤＰＶＢｉ若しくはスピロ-ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（例えば、WO 04/081017によ記載されるような）、正孔伝導化合物（例えば、WO 04/058911に記載されるような）、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（例えば、WO 05/084081若しくはWO 05/084082に記載されるような）、アトロプ異性体（例えば、WO 06/048268に記載されるような）若しくはボロン酸誘導体（例えば、未公開出願EP 05009643.7に記載されるような）のクラスから選択される。特に好ましい母体材料は、ナフタレン、アントラセン及び/又はピレンを含むオリゴアリーレン若しくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリ−レンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシド及びスルホキシドのクラスから選択される。非常に特に好ましい母体材料は、アントラセン及び/又はピレンを含むオリゴアリーレン若しくはこれら化合物のアトロプ異性体、ホスフィンオキシド及びスルホキシドから選択される。
【００７５】
更に好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、昇華法によって被覆されることを特徴とし、材料は、１０−５mbar未満、好ましくは１０−６mbar未満、特に好ましくは１０−７mbar未満の圧力で、真空昇華ユニット中で真空蒸着される。
【００７６】
同様に、好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、ＯＶＰＤ(有機蒸気相堆積)法あるいはキャリアーガス昇華を用いて被覆されることを特徴とし、材料は、１０−５mbar〜１barの圧力で適用される。
【００７７】
更に、好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、溶液から、例えば、スピンコーティングにより、若しくは、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷或いはオフセット印刷、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）或いはインクジェット印刷のような任意の所望の印刷プロセスにより製造されることを特徴とする。可溶性の式（１）の化合物が、この目的のためには必要である。このように、本発明の化合物は、置換により有機溶媒への高度の溶解性を有することから、溶液からの加工に非常に高度に適している。
【００７８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、先行技術を超える以下の驚くべき効果を有する。
【００７９】
１．化合物の熱安定性と特にガラス転移温度は、トリアルキルアミン基を全く含まず他は同じ構造を有する先行技術の化合物と比較して、より高くなっている。
【００８０】
２．本発明の化合物は、通常の有機溶媒に非常に良好な溶解性を有し、調製中の化合物の純化と蒸着ユニット（シャド−マスク）の清掃を単純化し、化合物を溶液プロセスに適用することを可能にする。
【００８１】
３．本発明の化合物は、Ｓｉ（Ｒ２）３基を全く含まない先行技術の材料と比較して、より高い正孔及び電子安定性（酸化還元安定性）を有する。
【００８２】
本出願の文脈は、本発明による化合物のＯＬＥＤ及び対応する表示装置に関する使用に向けられている。
【００８３】
記載が限定されているのにかかわらず、当業者は、更なる発明性を必要とすることなく、本発明による化合物を、他の電子素子での更なる使用に、例えば、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ-ＬＥＴ）、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機電場消光素子（Ｏ-ＦＱＤ）、有機光受容器、発光電子化学電池（ＬＥＣ）若しくは有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）に用いることが可能である。
【００８４】
本発明は、本発明による混合物の対応する素子への使用及びこれら素子自体に関する。
【００８５】
本発明は、以下の例によって、より詳細に説明されるが、それにより限定されることを望むものではない。
【００８６】
例
以下の合成は、他に断らない限り、保護ガス雰囲気下で行われる。出発物質は、アルドリッチ(ALDRICH)若しくはABCR（n-ブチルリチウム、２．５Ｍヘキサン中、シラン、臭素、無機物、溶媒）から購入することができる。2,6-ジブロモアントラキノリンは、Lee et al.,Org.Lett.2005,7(2),323に記載されたように調製することができる
例１：2,6-ビス（トリメチルシリル）-9,10-ビス（o-トリル）アントラセン
ａ）2,6-ジブロモ-9,10-ビス（o-トリル）アントラセン
【化９】
0005420249.tif 000030
【００８７】
対応する有機リチウム試薬が、−７８℃で６０ｍｌのn-ブチルリチウム（ヘキサン中２．５Ｍ）の添加により、５００ｍｌのＴＨＦ中の１８．０ｍｌ（１５０ミリモル）の2-ブロモトルエンから調製され、更に1時間撹拌される。２７．５ｇ（７５ミリモル）の2,6-ジブロモアントラキノンがこの試薬に添加される。反応混合物は、引き続き１時間−７８℃で撹拌され、５時間かけて室温まで暖められ、１００ｍｌの酢酸と２００ｍｌの水の混合物が、次いで添加される。固形物は、吸引ろ過され、２００ｍｌの水、１００ｍｌのエタノールと２００ｍｌのヘプタンで２度その度毎に洗浄され、乾燥される。固形物は、３００ｍｌのＤＭＦ中の１５．２ｇ（８０ミリモル）の塩化第２錫（無水）で３時間還流される。冷却後、５００ｍｌの２．５Ｎ塩酸が添加され、固形物は、吸引ろ過される。固形物は、１００ｍｌの２．５Ｎ塩酸で３度その度毎に洗浄され、１００ｍｌの水で３度その度毎に洗浄され、１００ｍｌのエタノールで３度その度毎に洗浄され、減圧下乾燥され、ＤＭＦから２度再結晶化される。収量３３．０ｇ（６４ミリモル）理論値の８５．２％；ＨＰＬＣによる純度９９％。
【００８８】
ｂ）2,6-ビス（トリメチルシリル）-9,10-ビス（o-トリル）アントラセン
【化１０】
0005420249.tif 000031
【００８９】
対応する有機リチウム試薬が、−７８℃で７７ｍｌのn-ブチルリチウム（ヘキサン中２．５Ｍ）の添加により、５００ｍｌのＴＨＦ中の３３．０ｇ（６４ミリモル）の2,6-ジブロモ-9,10-ジ-o-トリルアントラセンから調製され、更に３時間撹拌され、２６．８ｍｌ（２１０ミリモル）のクロロトリメチルシランが、引き続き添加される。反応混合物は、更に１時間撹拌された後、室温まで暖められ、ＴＨＦが減圧下除去され、残留物はジクロロメタンで５００ｍｌにされ、有機相が、５００ｍｌの水でその度毎に３度洗浄され、乾燥され、セライトによりろ過され、減圧下溶媒から遊離される。残留物は、トルエン/アセトニトリルから５度再結晶化され、次いで高真空下、ｐ＝１×１０−５mbar、Ｔ＝３１０℃で昇華される。収量２３．６ｇ（４７ミリモル）理論値の７３．４％、Ｈ-ＰＬＣによる純度９９．８％。１Ｈ-ＮＭＲによれば２種のアトロプ異性体混合物。
【００９０】
例２：本発明による更なる化合物の合成
次の化合物が、例１と同様に調製される。
【化１１】
0005420249.tif 000032
【００９１】
0005420249.tif 000033
【００９２】
0005420249.tif 000034
【００９３】
例１２：9-（4-メチルナフト-１-イル）-10-（4-トリメチルシリルナフチル）アントラセン
ａ）（4-ブロモナフト-１-イル）トリメチルシランの合成
【化１２】
0005420249.tif 000035
【００９４】
１１４．３８ｇ（４００ミリモル）の1,4-ジブロモナフタレンと１ｌのＴＨＦ（無水）が、保護ガス下−７８℃に冷却され、１６０ｍｌ（４００ミリモル）のn-ブチルリチウム（ヘキサン中２．５Ｍ）が引き続きゆっくりとこの温度で添加され、混合物は更に３０時間−７８℃で撹拌される。２００ｍｌのＴＨＦ（無水）中の５２．３ｍｌ（４００ミリモル）のクロロトリメチルシラン混合物が、このようにして得られた溶液に添加され、混合物は、ゆっくりと室温まで暖められる。１５０ｍｌのＥｔＯＨと引き続く３００ｍｌの水の添加後、有機相が単離され、硫酸マグネシウムで乾燥され、蒸発される。このようにして得られた油状物は、１１５−１３５℃で１．７mbarで蒸留され、ＨＰＬＣによる９９・０％以上の純度を有する生成物８０ｇ（２８６ミリモル）（理論値の８８％に対応）が得られる。
【００９５】
ｂ）4-（トリメチルシリル）ナフト-1-イルボロン酸の合成
【化１３】
0005420249.tif 000036
【００９６】
７３．７ｍｌ（１８４ミリモル）のn-ブチルリチウム（ヘキサン中２．５Ｍ）が、−７８℃に冷却された９５０ｍｌのジエチルエーテル中の４６．８ｇ（１６７．６ミリモル）の（4-ブロモナフト-１-イル）トリメチルシラン溶液に滴下される。反応混合物は、３０分間−７８℃で撹拌され、室温まで暖められ、次いで−７８℃に再冷却され、５０ｍｌのジエチルエーテル中の２６．４ｍｌ（２３４ミリモル）のトリメチルボレート混合物が迅速に添加される。−１０℃に暖められた後、混合物は、９０ｍｌの２Ｎ塩酸を使用して加水分解される。有機相は単離され、水で洗浄され、硫酸ナトリウムで乾燥され、蒸発乾燥される。残留物は、n-ヘプタンで２００ｍｌにされ、無色の固形物が吸引ろ過され、n-ヘプタンで洗浄され、減圧下乾燥される。収量２６ｇ（１０６ミリモル）、理論値の４５％；１Ｈ-ＮＭＲによる純度９８％。
【００９７】
ｃ）9-（4-メチルナフト-１-イル）-10-（4-トリメチルシリルナフチル）アントラセンの合成
【化１４】
0005420249.tif 000037
【００９８】
１．７８ｇ（５．６ミリモル）のトリ-o-トリルホスフィンと０．２ｇ（０．９ミリモル）のパラジウムアセテートが、５７５ｍｌの水、１００ｍｌのジオキサン及び８６０ｍｌのトルエンの混合物中の、２２．８ｇ（９３．３ミリモル）の4-トリメチルシリルナフト-1-イルボロン酸、３７．４ｇ（９３．３リモル）の9-（4-メチルナフト-1-イル）アントラセン及び９０ｇ（２３０ミリモル）の燐酸３カリウムの脱ガス懸濁液に激しく撹拌しながら添加され、混合物は、６０時間還流される。冷却後、有機相が単離され、２００ｍｌの水で３度洗浄され、２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム水溶液で１度洗浄され、引き続き、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤がろ過された後、有機相が減圧下回転蒸発器で蒸発乾燥される。この方法で得られた灰色の残留物は、ジオキサンで再結晶化される。析出した結晶は、吸引ろ過され、５０ｍｌのエタノールで洗浄され、引き続き減圧下乾燥される。収量３８ｇ、理論値の７９％；ＨＰＬＣによる純度９９．９％。
【００９９】
例１３：9,10-ビス（4-トリメチルシリルナフチル）アントラセン
【化１５】
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【０１００】
２．６ｇ（９．７ミリモル）のトリ-o-トリルホスフィンと０．３６５ｇ（１．６３ミリモル）のパラジウムアセテートが、１６３ｍｌの水、２００ｍｌのジオキサン及び２００ｍｌのトルエンの混合物中の、２９．７ｇ（１２２ミリモル）の4-トリメチルシリルナフト-1-イルボロン酸（例１２ｂから）、１３．６ｇ（４０．６リモル）の9,10ジブロモアントラセン及び４１ｇ（１７８ミリモル）の燐酸３カリウムの脱ガス懸濁液に、激しく撹拌しながら添加され、混合物は、６０時間還流される。冷却後、有機相が単離され、２００ｍｌの水で３度洗浄され、２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム水溶液で１度洗浄され、
引き続き、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤がろ過された後、有機相が減圧下回転蒸発器で蒸発乾燥される。この方法で得られた灰色の残留物は、ジオキサンで再結晶化される。析出した結晶は、吸引ろ過され、５０ｍｌのエタノールで洗浄され、引き続き減圧下乾燥される。収量２３ｇ、理論値の７８％；ＨＰＬＣによる純度９９．９％。
なお、例１、３、４、７および８は、参考例である。
【０１０１】
例１４：ＯＬＥＤの製造
ＯＬＥＤが、WO 04/058911に記載される一般的プロセスにより製造されるが、これは、特別な状況（例えば、最適な効率と色を達成するための層の厚さの変化）に対する個々の場合において適合される。使用された基本構造と材料（発光層を除いて）は、より良い比較のために同一である。以下の構造を有するＯＬＥＤは、上記の一般的プロセスと同様に製造される。
【０１０２】
正孔輸送層（ＨＴＬ）：２０ｎｍの2,2’,7,7’-テトラキス（ジ-パラ-トリルアミノ）-スピロ-9,9’-ビフルオレン（ＨＴＬ−１と略す。）、
正孔輸送層（ＨＴＬ）：２０ｎｍのＮＰＢ（N-ナフチル-N-フェニル-4,4’-ジアミノビフェニル）
発光層（ＥＭＬ）：材料、濃度及び層厚は表１参照、
電子伝導体（ＥＴＬ）：２０ｎｍのＡｌＱ３、（SynTec社から購入したトリス（キノリナート）アルミニウム（III））
陰極：１５０ｎｍのＡｌ上の１ｎｍＬｉＦ。
【０１０３】
これらのＯＬＥＤは、標準方法により特性決定される。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、効率（ｃｄ／Ａで測定）、電流/電圧/輝度密度特性線（ＩＵＬ特性線）から計算した、輝度の関数としてのパワー効率（Ｉｍ／Ｗで測定）及び寿命が測定される。寿命は、当初輝度１０００ｃｄ／ｍ２が半分に低下した時間として定義される。
【０１０４】
表２は、ドーパントＤ１、Ｄ２（本発明の例）と例８からの化合物を含むいくつかのＯＬＥＤ（例２乃至９）の結果を示し、各場合に、層厚を含むＥＭＬの組成も示される。
【０１０５】
ドーパントの構造は、以下に示す。
【化１６】
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【０１０６】
例５、１０、１２及び１３からの化合物は、本発明の母体材料として使用される。比較のために、母体材料Ｈ１とＨ２が、先行技術の母体材料として使用される。
【０１０７】
母体材料は、以下に示す。
【化１７】
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【０１０８】
表２の例から見て取れるように、本発明のエレクトロルミネセンス素子は、先行技術のエレクトロルミネセンス素子と比較して、同等の色座標でより高い効率とより長い寿命を呈する。
【表２】
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