(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の領域と、第二の領域とを有する半導体装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜上に設けられた第二絶縁膜とを備え、
前記第一絶縁膜の第一の領域には、平膜状の遮光膜が形成されるとともに、第二の領域には、配線が形成され、
前記第二絶縁膜の第一の領域には、複数の第一の凹部が形成されるとともに、第二の領域には、前記第一の凹部と略同一形状である複数の第二の凹部が形成され、
前記遮光膜は、平面視において、中心から外郭までの距離が２μｍ以上であり、
前記遮光膜の上方に前記複数の第一の凹部が位置する半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記遮光膜は、平面視において、中心から全ての外郭までの距離が２μｍ以上である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記第一の凹部は、この第一の凹部の形状を測定することにより、前記第二の凹部の形状を把握するための測定用のものである半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の第一の凹部と、前記複数の第二の凹部とは同一の配列パターンである半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第一の凹部は、この第一の凹部の形状を検出するための光学測定用の測定光が照射されるものであり、
前記遮光膜は、前記測定光のスポット径以上の大きさである半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第一の領域がスクライブ領域であり、前記第二の領域が回路形成領域である半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記遮光膜は、平面視において、中心から外郭までの距離が１５μｍ以上である半導体
装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第一の凹部および前記第二の凹部は、スリット状の溝である半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第二の凹部は、ビアホールであり、
前記第一の凹部は、前記ビアホールと同径の孔である半導体装置。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記遮光膜と前記配線とが、同種の材料で構成され、銅または銅合金である半導体装置。
【請求項１１】
基板上に第一絶縁膜を形成する工程と、
前記第一絶縁膜の第一の領域に第一の穴部を形成するとともに、第二の領域に配線溝を形成する工程と、
前記第一絶縁膜上に、前記第一の穴部内および前記配線溝を埋め込む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を研磨により選択的に除去して、前記第一の穴部内に中心から外郭までの距離が２μｍ以上となる平膜状の第一遮光膜を形成するとともに、前記配線溝中に配線を形成する工程と、
前記第一絶縁膜上に第二絶縁膜を形成する工程と、
前記第二絶縁膜の一部を選択的に除去して、第一の領域内に、前記第一遮光膜の上方に位置する複数の第一の凹部を形成するとともに、第二の領域に、前記第一の凹部と略同一形状である複数の第二の凹部を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第一遮光膜は、平面視において、中心から全ての外郭までの距離が２μｍ以上である半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第一の凹部に対して光を照射し、反射光を検出する工程と、
検出した反射光から前記第一の凹部の形状を取得して、前記第二の凹部の形状を把握する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第一の領域は、スクライブ領域であり、前記第二の領域は回路形成領域である半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程においては、絶縁膜中にエッチングにより配線溝やビアホールを形成し、形成された配線溝やビアホール中に金属層を埋め込み、配線やビアを形成する方法が採用されている。
配線溝やビアホール（以下、配線溝等という）の形状は、従来、エッチング時間により管理していたが、エッチング時間による管理では、配線溝等の形状を正確に把握することが困難であるという問題があった。
たとえば、特許文献６には、マスクパターンが形成された被エッチング膜の下層に形成された膜が露出するまでエッチングを行い、光学顕微鏡を用いて被エッチング膜のエッチングレートをモニターすることが開示されている。この方法ではエッチングレートを把握することはできるものの、配線溝等の形状を把握することは難しい。
そこで、光を配線溝等に照射して、反射光から配線溝等の形状を把握する方法（たとえば、スキャトロメトリ法、ＯＣＤ（Optical Critical Dimension）法）が提案されている（特許文献１〜４参照）。
たとえば、特許文献１、２では、配線溝等が形成された絶縁膜に対し、光を照射し、絶縁膜からの反射光を検出する。そしてこの反射光の強度に基づいて、配線溝の形状を把握している。
この方法では、計測対象となる配線溝の下方には、配線層が配置されている。計測対象となる配線溝の下方の配線層の配線間隔よりも２倍より大きい波長領域の光を用いて、配線溝を測定する。このようにすることで、光が配線層の下方に透過することを抑制し、反射光に、配線層よりも下方の層の情報が含まれてしまうことを抑制している。
たとえば、配線層は、幅１７５ｎｍ、厚さ２５０ｎｍ、ピッチ３５０ｎｍのストライプ状のタングステン金属膜であり、配線間隔は１７５ｎｍとされている。そして、測定に用いる光の波長領域は、９００ｎｍ〜１６００ｎｍとされている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２２９４１４号公報
【特許文献２】特開２００２−９３８７０号公報
【特許文献３】特表２００６−５０６８１２号公報
【特許文献４】特表２００６−５１８９４２号公報
【特許文献５】特開２００６−２９５１７１号公報
【特許文献６】特開２００６−０７３７０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、以上のような測定方法では、以下のような課題がある。
配線層を形成する際には、絶縁膜中に配線溝を形成し、この配線溝を金属膜で埋め込んだ後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により金属膜を研磨して除去する。このとき、図６に示すように、エロージョンが発生する。
図６中、９０１は絶縁膜であり、９０２は金属膜であり、９０３は、エッチングストッパ膜、９０４は層間絶縁膜、９０５はキャップ膜である。
図６に示したように、エロージョンの影響により、配線層上部のキャップ膜９０５表面に段差が発生し、表面が波打つこととなる。
このような状態で、配線溝を形成すると、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線溝を形成する際のマスクの開口の形成位置のずれにより、配線溝９０６の形状が大きくばらつくこととなる。そのため、配線溝９０６の測定条件を一定条件に固定することが難しくなり、生産性に影響を及ぼす。
また、エロージョンの影響によりキャップ膜９０５表面に段差が生じているため、配線溝９０６を形成した後においても、キャップ膜９０５表面に段差が残ってしまう。この場合には、段差により測定光が反射され、配線溝９０６の計測の際に、誤情報が発生しやすくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、第一の領域と、第二の領域とを有する半導体装置であって、基板と、前記基板上に形成された第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜上に設けられた第二絶縁膜とを備え、前記第一絶縁膜の第一の領域内には、平膜状の遮光膜が形成されるとともに、第二の領域には、配線が形成され、前記第二絶縁膜の第一の領域には、複数の第一の凹部が形成されるとともに、第二の領域には、前記第一の凹部と略同一形状である複数の第二の凹部が形成され、前記遮光膜は、平面視において、中心から外郭までの距離が２μｍ以上であり、前記遮光膜の上方に前記複数の第一の凹部が位置する半導体装置が提供される。
【０００６】
本発明では、遮光膜を平面視した際に、中心から外郭までの距離を２μｍ以上の大きさとしているので、遮光膜をＣＭＰにより研磨する際において、第一絶縁膜にエロージョンが発生してしまうことを抑制できる。
エロージョンは、一般的に、配線幅が狭く、密に配置されている場合に生じる現象であり、たとえば、配線幅が１．６μｍ以下の場合に顕著に発生するとされている。
これに対し、本発明のように、遮光膜を中心から外郭までの距離を２μｍ以上の大きさとし、遮光膜の平面形状を大きく形成した場合には、エロージョンが発生してしまうことを確実に防止できる。
これにより、第一の凹部を形成する際のマスクの開口の形成位置に誤差が生じたとしても、第二絶縁膜に形成された第一の凹部の形状のばらつきを抑制することができる。そのため、測定条件を一定条件に定めて測定することができ、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【０００７】
なお、本発明の第一の凹部、第二の凹部は、第二絶縁膜を貫通しないものであってもよく、また、第二絶縁膜を貫通するものであってもよい。また、第一の凹部、第二の凹部の形状は特に限定されず、たとえば、スリット状の溝であってもよく、また、ビアホールと同形状の孔等であってもよい。
【０００８】
さらには、エロージョンの発生が防止されるので、従来のように絶縁膜表面に段差が形成されてしまうことを抑制でき、測定光が段差により反射され、第一の凹部の計測の際に測定誤差が生じることを抑制できる。
また、遮光膜を、平面視した際に、中心から外郭までの距離が２μｍ以上の大きさとしているので、光を照射し、反射光を検出し、第一の凹部の形状を測定する際に、遮光膜よりも下層の情報を効果的に遮断できる。
さらに、本発明では、第一の凹部と、第二の凹部とは略同じ大きさ形状である。そのため、第一の凹部に光を照射して、第一の凹部の形状を把握することで、第二の凹部の形状を把握することができる。
第二の凹部の形状を把握するために、第二の凹部を直接測定しようとした場合、第一絶縁膜のうち、第二の凹部の下部の領域（第一絶縁膜の第二の領域内）に遮光膜を配置する必要がある。第一絶縁膜の第二の領域には、配線が形成されているので、遮光膜を配置するスペースを確保することが難しい。
これに対し、本発明のように、第二の凹部と同じ大きさ形状の第一の凹部を形成し、この第一の凹部の下方に遮光膜を設けることで、遮光膜が配線と干渉することを抑制できる。
また、第一の凹部、遮光膜は、半導体装置の第一の領域に形成され、配線や、第二の凹部は半導体装置の第二の領域に形成されている。従って、本発明の半導体装置では、凹部測定用のサンプルではなく、実際の製品として製造される半導体装置において、凹部の形状を把握することができる。
【０００９】
また、本発明によれば、以上のような半導体装置を製造する製造方法も提供することができる。
すなわち、本発明によれば、基板上に第一絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜の第一の領域に第一の穴部を形成するとともに、配線溝を形成する工程と、前記第一絶縁膜上に、前記第一の穴部内および前記配線溝を埋め込む金属膜を形成する工程と、前記金属膜を研磨により選択的に除去して、前記第一の穴部内に中心から外郭までの距離が２μｍ以上となる平膜状の第一遮光膜を形成するとともに、前記配線溝中に配線を形成する工程と、前記第一絶縁膜上に第二絶縁膜を形成する工程と、前記第二絶縁膜の一部を選択的に除去して、第一の領域内に、前記遮光膜の上方に位置する複数の第一の凹部を形成するとともに、第二の領域に、前記第一の凹部と略同一形状である複数の第二の凹部を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法も提供することができる。
【００１０】
なお、本発明の第一の凹部、第二の凹部は、第二絶縁膜を貫通しないものであってもよく、また、第二絶縁膜を貫通するものであってもよい。また、第一の凹部、第二の凹部の形状は特に限定されず、たとえば、スリット状の溝であってもよく、また、円筒状の孔等であってもよい。
さらには、第一の穴部は、第一絶縁膜を貫通するものであってもよく、貫通しないものであってもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、生産性を向上することができ、凹部の計測を正確に行うことができる半導体装置および半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第一実施形態）
図１〜図４を参照して、本発明の第一実施形態について説明する。
はじめに、本実施形態の半導体装置１の概要について説明する。
図１に示すように、半導体装置１は、第一絶縁膜１１中に形成された平膜状の第一遮光膜１２と、この第一遮光膜１２の上部に設けられ、複数の第一の凹部１３１が形成された第二絶縁膜１３とを有する。遮光膜１２は、平面視において、中心から外郭までの距離が２μｍ以上であり、遮光膜１２上に第二絶縁膜１３の複数の第一の凹部１３１が位置する。
また、半導体装置１では、第一絶縁膜１１の第一の領域に第一遮光膜１２が形成され、第二の領域に配線１２１が形成されている。
第二絶縁膜１３の第一の領域に第一の凹部１３１が形成され、第二の領域に第二の凹部（配線溝）１３３が形成されている。第一の凹部１３１と、第二の凹部１３３とは同一の大きさ形状である。
【００１３】
次に、半導体装置１について詳細に説明する。
半導体装置１は複数の内部回路形成領域（第二の領域）が形成され、各内部回路形成領域間にスクライブ領域（第一の領域）が形成されたウェハ状のものである。
半導体装置１は、基板（半導体基板）１００上に前述した第一絶縁膜１１、第一遮光膜１２，第二絶縁膜１３に加え、第二遮光膜１４、第三絶縁膜１５、第三遮光膜１６，第四絶縁膜１７を有し、さらには、第一絶縁膜１１〜第四絶縁膜１７が積層されて形成される。
なお、ここでは、絶縁膜が４層のみ積層された半導体装置を開示しているが、半導体装置の積層構造はこれに限られるものではない。
【００１４】
第一絶縁膜１１は、半導体基板１００、たとえば、シリコン基板上に形成されるものであり、たとえば、ＳｉＯ２膜である。また、図１に示すように半導体基板１００上にゲート構造および拡散層からなるトランジスタ１０を有する層間絶縁膜１１０を備えていてもよい。トランジスタ１０は内部回路形成領域内に位置する。
この第一絶縁膜１１は、内部回路形成領域からスクライブ領域にまたがって形成されるものである。この第一絶縁膜１１のスクライブ領域に位置する部分には、穴部（第一の穴部）１１１が形成されている。
この穴部１１１は基板面側から見て、中心から外郭までの距離が２μｍ以上である。本実施形態では穴部１１１は、平面矩形形状であり、たとえば、一辺が５μｍ以上である。なかでも、一辺が３０μｍ以上であることが好ましい。また、一辺が８０μｍ以下であることが好ましい。
この穴部１１１内には、第一遮光膜１２が埋設されている。この第一遮光膜１２は、スクライブ領域内にのみ形成され、スクライブ領域からはみ出さないように形成されている。
【００１５】
第一遮光膜１２は、基板面側からの平面視において、中心（重心）から外郭までの距離が２μｍ以上である。具体的には、第一遮光膜１２は、穴部１１１の形状に応じて形成され、基板面側から見て平面矩形形状である。第一遮光膜１２の一辺は、５μｍ以上である。なかでも、第一遮光膜１２は、基板面側からの平面視において、その大きさは、後述する測定光の光スポット径以上であることが好ましく、具体的には、中心から外郭までの距離が１５μｍ以上であることが好ましい。また遮光膜１２は、基板面側からの平面視において、中心から外郭までの距離が４０μｍ以下であることが好ましい。
本実施形態では、具体的には、図４に示すように、第一遮光膜１２は平面正方形形状であり、一辺の長さＬ２は、６０μｍである。これは、詳しくは後述するが、溝１３１の形状を測定する際に、半導体装置が設置されるステージと、測定光を照射する照射部とのアライメント誤差を考慮し、測定光のスポット径に前記アライメント誤差を加えた大きさ以上としたものである。
また、第一遮光膜１２の厚みは、たとえば０．１μｍ〜１．２μｍである。
この第一遮光膜１２は金属製であり、本実施形態では、銅あるいは銅合金で構成されている。
また、第一絶縁膜１１内の内部回路形成領域には、配線１２１が形成されている。配線１２１は第一遮光膜１２と同じ材料で構成され、銅あるいは銅合金で構成されている。
【００１６】
第二絶縁膜１３は、第一絶縁膜１１上に設けられており、たとえば、比誘電率３．５以下の低誘電率膜を含んで構成される。第二絶縁膜１３は、たとえば、ＳｉＣＮ膜１３０Ａと、ＳｉＯＣ膜１３０Ｂと、ＳｉＯ２膜１３０Ｃとがこの順で積層された積層膜である。
第二絶縁膜１３も第一絶縁膜１１と同様、内部回路形成領域からスクライブ領域にまたがって形成されるものである。
この第二絶縁膜１３のスクライブ領域に位置する部分には、穴部（第二の穴部）１３２と、複数の溝１３１（第一の凹部）とが形成されている。穴部１３２と、複数の溝１３１とは所定距離離れて形成されている。
穴部１３２および溝１３１は、第二絶縁膜１３のＳｉＯ２膜１３０Ｃを貫通し、ＳｉＯＣ膜１３０Ｂの厚みの途中位置まで達している。
【００１７】
溝１３１は、スリット状に形成されたものであり、たとえば、幅（図４の左右方向の寸法）１４０ｎｍ、配列ピッチ１４０ｎｍ、長さＬ１（図４の上下方向の寸法）５０μｍ、高さ（深さ）３５０ｎｍである。
【００１８】
複数本の溝１３１は、等間隔で規則的に配置され、互いに平行に延びている。溝１３１と後述する配線溝１３３とは同一の大きさ形状であるため、溝１３１の形状を把握することで、配線溝１３３の形状が把握できる。したがって、複数本の溝１３１は、配線溝測定用のマークであるといえる。
この複数本の溝１３１で形成される測定用のマークは、図４に示すように、測定光のスポットＳの径以上であることが好ましい。たとえば、測定光のスポット径（直径）が３０μｍである場合には、測定用のマークの平面中心から測定用マークの外郭までの距離が１５μｍ以上であることが好ましい。このようにすることで、確実に計測が行われる。
本実施形態では、測定光のスポット径は３０μｍであり、複数本の溝１３１で形成される測定用のマークの一辺の長さＬ１（溝１３１の配列方向の長さであり、配列方向に沿った一方の側の溝１３１から他方の溝１３１までの距離）は、５０μｍである。
【００１９】
この複数本の溝１３１は、いずれも、前述した穴部１１１内の遮光膜１２上に位置しており、図４に示すように、基板表面側から平面視した際に、遮光膜１２からはみ出さずに配置されている。複数本の溝１３１、すなわち、一つの測定用のマークに対し、遮光膜１２は、１枚のみ設けられている。
図１に示したように、溝１３１内には、金属膜１４Ａが充填されている。この金属膜１４Ａは配線溝１３３、後述する配線溝１３５中に充填される配線１４Ｂ、ビア１４Ｃ、さらには後述する遮光膜１４と同様のもの（同じ材料）であり、たとえば、銅や銅合金である。なお、溝１３１中の金属膜１４Ａと、遮光膜１２とは第二絶縁膜１３のＳｉＯＣ膜１３０Ｂ、ＳｉＣＮ膜１３０Ａにより絶縁されている。
【００２０】
穴部１３２は、平面における大きさおよび形状が穴部１１１と同じである。なお、穴部１３２の高さは、穴部１１１よりも高くなっている。
この穴部１３２内には、遮光膜（第二遮光膜）１４が配置される。この遮光膜１４の平面における大きさおよび形状は、遮光膜１２と同じである。また、遮光膜１４の材料も遮光膜１２と同じである。この第二遮光膜１４は、スクライブ領域内にのみ形成され、スクライブ領域からはみ出さないように形成されている。
【００２１】
さらに、第二絶縁膜１３の内部回路形成領域内には、溝１３１と同形状の複数の配線溝１３３が形成されている。この配線溝１３３の配列パターンと、溝１３１の配列パターンとは同じであり、また、配線溝１３３の幅、長さ、高さは、いずれも溝１３１と略同じである。すなわち、配線溝１３３と、溝１３１とは略同一の大きさ形状である。ここで、略同一とは、エッチング等の製造工程における誤差により、配線溝１３３と、溝１３１との形状の違いを同一とみる趣旨である。
また、配列パターンが同じであるとは、配線溝１３３の配列間隔等が、溝１３１と同じであればよく、配線溝１３３の本数と、溝１３１の本数とが異なっていても良い。
【００２２】
また、第二絶縁膜１３の内部回路形成領域には、配線溝１３５が形成されている。この配線溝１３５は、配線溝１３３とは配線幅が異なる溝であり、配線溝１３３の幅よりも大きな幅を有する。配線溝１３５は、ビアホール１３４と連通している。配線溝１３５中には配線１４Ｂが形成され、ビアホール１３４中に形成されるビア１４Cを介して、配線１２１に接続される。
さらに、第二絶縁膜１３の内部回路形成領域には、溝１３６も形成されている。溝１３６は、第二絶縁膜１３を貫通するように設けられており、配線溝１３３と、この配線溝１３３に連通するビアホール１３４で構成される。溝１３６中には、配線１４Ｂおよびビア１４Ｃが充填されている。そして、溝１３６中に充填されたビア１４Ｃは、配線１２１に接続されている。
【００２３】
第二絶縁膜１３上には、第三絶縁膜１５が形成される。
この第三絶縁膜１５は、第二絶縁膜１３と同じ層構成であり、たとえば、ＳｉＣＮ膜１５０Ａと、ＳｉＯＣ膜１５０Ｂと、ＳｉＯ２膜１５０Ｃとがこの順で積層された積層膜である。
第三絶縁膜１５も第一絶縁膜１１等と同様、内部回路形成領域からスクライブ領域にまたがって形成されるものである。この第三絶縁膜１５のスクライブ領域に位置する部分には、穴部（第三の穴部）１５２と、複数の溝１５１とが形成されている。穴部１５２と、複数の溝１５１とは所定距離離れて形成されている。
穴部１５２および溝１５１は、第三絶縁膜１５のＳｉＯ２膜１５０Ｃを貫通し、ＳｉＯＣ膜１５０Ｂの厚みの途中位置まで達している。
溝１５１は、スリット状に形成されたものであり、たとえば、幅１４０ｎｍ、配列ピッチ１４０ｎｍ、長さ５０μｍ、高さ３５０ｎｍである。
この複数本の溝１５１は、いずれも、前述した穴部１３２内の遮光膜１４上に位置しており基板表面側から平面視した際に、遮光膜１４からはみ出さずに配置されている。
この溝１５１内には、金属膜１５Ａが充填されている。この金属膜１５Ａは配線溝１５３、後述する配線溝１５５中に充填される配線１５Ｂ、ビア１５Ｃ、さらには後述する遮光膜１６と同様のもの（同じ材料）であり、たとえば、銅や銅合金である
なお、溝１５１中の金属膜１５Ａと、遮光膜１４とは第三絶縁膜１５のＳｉＯＣ膜１５０Ｂ、ＳｉＣＮ膜１５０Ａにより絶縁されている。
【００２４】
穴部１５２は、穴部１３２と同じ大きさ形状である。
この穴部１５２内には、遮光膜（第三遮光膜）１６が配置される。この遮光膜１６の平面における大きさおよび形状は、遮光膜１２と同じである。また、遮光膜１６の材料も遮光膜１２と同じである。この遮光膜１６は、スクライブ領域内にのみ形成され、スクライブ領域からはみ出さないように形成されている。
【００２５】
さらに、第三絶縁膜１５の内部回路形成領域内には、溝１５１と同様の複数の配線溝１５３が形成されている。この配線溝１５３の配列パターンと、溝１５１の配列パターンとは同じであり、また、配線溝１５３の幅、長さ、高さは、いずれも溝１５１と略同じである。ここで、略同一としたのは、エッチングの誤差による配線溝１５３と、溝１５１との形状の違いを考慮したものである。
また、第三絶縁膜１５の内部回路形成領域内には、配線溝１５５が形成されている。
この配線溝１５５は、配線溝１５３とは配線幅が異なる溝であり、配線溝１５３の幅よりも大きな幅を有する。
配線溝１５５は、ビアホール１５４と連通しており、ビアホール１５４中のビア１５Ｃは、溝１３６中の配線１４Ｂに接続される。
さらに、第三絶縁膜１５の内部回路形成領域には、溝１５６も形成されている。溝１５６は第三絶縁膜１５を貫通するように設けられており、配線溝１５３と、この配線溝１５３に連通するビアホール１５４で構成される。溝１５６中には、配線１５Ｂおよびビア１５Ｃが充填されている。そして、溝１５６中に充填されたビア１５Ｃは、配線溝１３５中の配線１４Ｂに接続されている。
【００２６】
第三絶縁膜１５上には、第四絶縁膜１７が設けられる。
この第四絶縁膜１７は、第二絶縁膜１３と同じ層構成であり、たとえば、ＳｉＣＮ膜１７０Ａと、ＳｉＯＣ膜１７０Ｂと、ＳｉＯ２膜１７０Ｃとがこの順で積層された積層膜である。
第四絶縁膜１７も第一絶縁膜１１等と同様、内部回路形成領域からスクライブ領域にまたがって形成されるものである。この第四絶縁膜１７のスクライブ領域に位置する部分には、複数の溝（第三の凹部）１７１が形成されている。
溝１７１は、第四絶縁膜１７のＳｉＯ２膜１７０Ｃを貫通し、ＳｉＯＣ膜１７０Ｂの厚みの途中位置まで達している。
【００２７】
溝１７１は、スリット状に形成されたものであり、たとえば、幅１４０ｎｍ、配列ピッチ１４０ｎｍ、長さ５０μｍ、高さ３５０ｎｍである。
この複数本の溝１７１は、いずれも、前述した穴部１５２内の遮光膜１６上に位置しており基板表面側から平面視した際に、遮光膜１６からはみ出さずに配置されている。
この溝１７１内には、金属膜１７Ａが充填されている。この金属膜１７Ａは配線溝１７３、後述する配線溝１７５中に充填される配線１７Ｂ、ビア１７Ｃと同様のもの（同じ材料）であり、たとえば、銅や銅合金である
なお、溝１７１中の金属膜１７Ａと、遮光膜１６とは第四絶縁膜１７のＳｉＯＣ膜１７０Ｂ、ＳｉＣＮ膜１７０Ａにより絶縁されている。
【００２８】
さらに、第四絶縁膜１７の内部回路形成領域内には、溝１７１と同形状の配線溝１７３が形成されている。この配線溝１７３の配列パターンと、溝１７１の配列パターンとは同じであり、また、配線溝１７３の幅、長さ、高さは、いずれも溝１７１と略同じである。ここで、略同一としたのは、エッチングの誤差による配線溝１７３と、溝１７１との形状の違いを考慮したものである。
また、第四絶縁膜１７の内部回路形成領域内には、配線溝１７５が形成されている。
この配線溝１７５は、配線溝１７３とは配線幅が異なる溝であり、配線溝１７３の幅よりも大きな幅を有する。
配線溝１７５は、ビアホール１７４と連通しており、ビアホール１７４中のビア１７Ｃは、配線溝１５６中の配線１５Ｂに接続される。
さらに、第四絶縁膜１７の内部回路形成領域には、溝１７６も形成されている。溝１７６は第四絶縁膜１７を貫通するように設けられており、配線溝１７３と、この配線溝１７３に連通するビアホール１７４で構成される。溝１７６中には、配線１７Ｂおよびビア１７Ｃが充填されている。そして、溝１７６中に充填されたビア１７Ｃは、配線溝１５５中の配線１５Ｂに接続されている。
【００２９】
以上のような半導体装置では、遮光膜１２上に複数の溝１３１が配置され、複数の溝１３１上に、遮光膜１６が配置され、遮光膜１６上に溝１７１が配置される。基板面側からの平面視において、遮光膜１６から、複数の溝１３１は、はみ出していない。
一方で、遮光膜１４上に溝１５１が形成されている。
【００３０】
次に、図２，３を参照して半導体装置１の製造方法について説明する。
図２，３では、半導体基板１００や、層間絶縁膜１１０は図示を略している。
はじめに半導体基板１００に、ゲート構造および拡散層からなるトランジスタ１０を形成し、その後、層間絶縁膜１１０を設ける。さらに、層間絶縁膜１１０上に絶縁膜１１を成膜する。
次に、絶縁膜１１をエッチングにより選択的に除去し、穴部１１１や配線１２１用の配線溝を形成する。その後、穴部１１１および前記配線溝内を充填するとともに、絶縁膜１１表面を被覆するように金属膜（遮光層）を形成する。その後、前記金属膜をＣＭＰにより研磨し、穴部１１１や、配線溝に残す。これにより遮光膜１２が形成されることとなる。また、内部回路形成領域には同時に配線１２１が形成される（図２（Ａ））。
【００３１】
次に、絶縁膜１１上に絶縁膜１３を設ける。続いて内部回路形成領域にビアホール１３４を形成するためのマスク（図示略）を設けて絶縁膜１３にビアホール１３４を開口する。ここで、ビアホール１３４を開口した時点で、ＳｉＣＮ膜１３０Ａは開口しておらず、後述する第二実施形態によりビアホール１３４の形状把握を行ってもよい。
さらにビアホール１３４と接続するように配線溝１３３を形成するととともに、他の配線溝１３３、配線溝１３５、穴部１３２、溝１３１を形成するためのマスク（図示略）を設ける。絶縁膜１３をエッチングにより選択的に除去し、絶縁膜１３のスクライブ領域内に、穴部１３２、溝１３１、回路形成領域内に、配線溝１３３、配線溝１３５が形成される。（図２（Ｂ））。
次に、複数の溝１３１に対し、光を照射し、反射光を検出し、検出した反射光から溝１３１の形状が取得される。
ここで、反射光から溝１３１の形状を取得する方法としては、たとえば、スキャトロメトリ法（光波散乱計測法）がある。この方法は、たとえば、あらかじめ溝の形状（たとえば、溝の深さ（高さ）、溝の幅寸法、溝の底面に対する側壁の角度等）と、反射光の波形とを関連付けたデータベースを作成しておく。そして、溝１３１に光を照射し、その反射光の波形と、データベース中の波形とが照合される。反射光の波形とデータベース中の波形とが一致したら、データベース中の波形に関連づけられた溝の形状が、実際の溝の形状の最適値として把握される。
複数の溝１３１と、内部回路形成領域内に形成されている配線溝１３３とは同様の大きさ形状であり、さらには、配列パターンも同様であるため、溝１３１が所望の形状であった場合には、内部回路形成領域に形成された配線溝１３３が所望の形状となっていると判断できる。
一方、溝１３１の形状が所望の形状でなかった場合には、内部回路形成領域内の配線溝１３３も所望の形状となっていないと考えられる。内部回路形成領域内の配線溝１３３が所望の形状となっていない半導体装置は、次の工程に進まないように排除する。
また、溝１３１の形状と、所望の形状とのずれを取得し、エッチング条件、たとえばエッチング時間等を調整する。これにより、次の半導体装置において配線溝１３３を形成する際に所望の形状が得られる。
【００３２】
次に、穴部１３２、溝１３１、配線溝１３３、配線溝１３５、ビアホール１３４を埋め込むとともに、絶縁膜１３の表面を被覆する金属膜（遮光層）を形成する。この金属膜はＣＭＰによる研磨の後、穴部１３２、溝１３１、配線溝１３３、配線溝１３５、ビアホール１３４内に残る。これにより、遮光膜１４、溝１３１内の金属膜１４Ａ、配線１４Ｂ、ビア１４Cが形成されることとなる。
【００３３】
次に、図３（Ａ）に示すように、絶縁膜１３上に絶縁膜１５が設けられる。続いて内部回路形成領域にビアを形成するためのマスク（図示略）を設けて絶縁膜１５にビアホール１５４を開口する。ここで、ビアホールを開口した時点では、ＳｉＣＮ膜１５０Aは開口されておらず、後述する第二実施形態によりビアホールの形状把握を行ってもよい。
さらにビアホール１５４と接続する配線溝１５５、配線溝１５３、穴部１５２および溝１５１を形成するためのマスクを設ける。絶縁膜１５はエッチングにより選択的に除去され、絶縁膜１５のスクライブ領域内に、穴部１５２、溝１５１、回路形成領域内に配線溝１５３、配線溝１５５が形成される。
そして、溝１３１の形状を取得した場合と同様の方法で、溝１５１の形状を取得し、配線溝１５３が所望の形状となっているかどうか判断する。所望の形状でない場合には、この半導体装置が、次の工程に進まないように排除する。
また、溝１５１の形状と、所望の形状とのずれを取得し、エッチング条件、たとえばエッチング時間等を調整する。これにより、次の半導体装置において配線溝１５３を形成する際に所望の形状とすることができる。
次に、金属膜（遮光層）が、穴部１５２、溝１５１、配線溝１５３、ビアホール１５４、配線溝１５５を埋め込むとともに、絶縁膜１５の表面を被覆するように形成される。この金属膜はＣＭＰによる研磨の後、穴部１５２、溝１５１、配線溝１５３、配線溝１５５、ビアホール１５４内に残る。これにより、遮光膜１６、溝１５１内の金属膜１５Ａ、配線１５Ｂ、ビア１５Cが形成されることとなる。
【００３４】
次に、図３（Ｂ）に示すように、絶縁膜１５上に絶縁膜１７が設けられる。
その後、絶縁膜１７は絶縁膜１３、１５と同様にビアホール１７４を形成した後、さらに、配線溝１７５、配線溝１７３、溝１７１を形成するマスクを配置し、エッチングにより選択的に除去する。そして、絶縁膜１７のスクライブ領域内に、溝１７１、回路形成領域内に溝１７３、配線溝１７５、ビアホール１７４が形成される。後述する第二実施形態によりビアホール１７４形成の際に形状把握を行ってもよい。
そして、溝１３１の形状を取得した場合と同様の方法で、溝１７１の形状を取得し、配線溝１７３が所望の形状となっているかどうか判断する。所望の形状でない場合には、この半導体装置が、次の工程に進まないように排除する。
また、溝１７１の形状と、所望の形状とのずれを取得し、エッチング条件、たとえばエッチング時間等を調整する。これにより、次の半導体装置において配線溝１７３を形成する際に所望の形状とすることができる。
次に、金属膜（遮光層）が溝１７１、配線溝１７３、配線溝１７５、ビアホール１７４を埋め込むとともに、絶縁膜１７の表面を被覆するように形成される。その後、この金属膜はＣＭＰによる研磨の後、溝１７１、配線溝１７３、配線溝１７５、ビアホール１７４内に残る。これにより、溝１７１内の金属膜１７Ａ、配線溝１７３、配線溝１７５内の配線１７Ｂ、ビアホール１７４内のビア１７Cが形成されることとなる。
以上の工程により、半導体装置１が完成する。
【００３５】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、遮光膜１２，１４，１６を平面視した際に、中心から外郭までの距離を２μｍ以上の大きさとしているので、遮光膜１２，１４，１６をＣＭＰにより研磨して形成する際に、絶縁膜１１，１３，１５にエロージョンが発生してしまうことを抑制できる。特に、遮光膜１２，１４，１６はそれぞれ１枚のみ単独で配置され、スペースを空けて複数配置している構成ではないため、確実にエロージョンの発生を抑制できる。
これにより、溝１３１，１５１，１７１を形成するためのマスクの開口の配置にアライメント誤差があったとしても、溝１３１，１５１，１７１の形状のばらつきが抑制される。そのため、測定条件を一定条件に定めて測定することができ、生産性を向上させることができる。
さらには、絶縁膜１１でのエロージョンの発生を防止できるため、絶縁膜１１上に形成される絶縁膜１３表面にエロージョンの影響による段差が形成されてしまうことを防止できる。
これにより、溝１３１を計測する際に、測定光が前記段差により反射され、溝１３１の測定値に誤差が生じることを抑制できる。
同様の効果は、溝１５１，１７１を形成する際にも生じる。
【００３６】
また、遮光膜１２を、平面視した際に、中心から外郭までの距離が２μｍ以上の大きさとしている。これにより、光を照射し、反射光を検出し、溝１３１の形状を測定する際に、遮光膜１２よりも下の層からの反射光が混在してしまうことを抑制することができる。これにより、溝１３１の形状が正確に把握される。
遮光膜１４，１６も平面視した際に、中心から外郭までの距離が２μｍ以上の大きさとしているため、溝１３１と同様、溝１５１，１７１の形状を正確に把握される。
【００３７】
さらに、本実施形態では、遮光膜１２は、溝１３１に照射される光のスポット径以上の大きさである。一般に、スキャトロメトリ法では、光のスポット径は３０μｍであるため、遮光膜１２を平面視において、中心から外郭までの距離を１５μｍ以上とすることで、遮光膜１２よりも下側に光が透過してしまうことを防止できる。
これにより、溝１３１からの反射光に遮光膜１２よりも下の層の情報が含まれてしまうことを抑制でき、溝１３１の形が精度よく把握される。
なお、遮光膜１４，１６も溝１５１，１７１に照射される光のスポット径以上の大きさとしているため、同様の効果がある。
【００３８】
さらに、本実施形態では、溝を測定する測定装置において、絶縁膜等が積層される基板が設置されるステージと、測定光を照射する照射部とのアライメント誤差を考慮し、遮光膜１２，１４，１６の平面における大きさを、測定光のスポット径に前記アライメント誤差を加えた大きさ以上としているので、溝１３１，１５１，１７１の形状がより確実に正確に把握される。
一方で、遮光膜１２，１４，１６の大きさの上限値を、遮光膜１２，１４，１６の中心から外郭までの距離が４０μｍであるとすることで、遮光膜１２，１４，１６により、スクライブ領域が狭められてしまうことが防止される。
【００３９】
また、本実施形態では、遮光膜１２，１４，１６および溝１３１，１５１，１７１をスクライブ領域に形成しているため、遮光膜１２，１４，１６および溝１３１，１５１，１７１により、内部回路形成領域が狭められてしまうことを防止できる。
【００４０】
また、本実施形態では、溝１３１（１５１、１７１）と、配線溝１３３（１５３，１７３）とが同じ大きさ形状であるため、溝１３１（１５１、１７１）を計測することで、配線溝１３３（１５３，１７３）の形状を把握することができる。特に、溝１３１（１５１、１７１）の配列パターンと、配線溝１３３（１５３，１７３）の配列パターンとを同じものとすることで、溝１３１（１５１、１７１）を計測することで、配線溝１３３（１５３，１７３）の形状を確実に把握することができる。
【００４１】
配線溝１３３（１５３，１７３）を直接測定しようとした場合、配線溝１３３（１５３，１７３）の下部に遮光膜を配置する必要がある。配線溝１３３（１５３，１７３）が形成された領域は、内部回路形成領域であり、配線溝１３３（１５３，１７３）の下方の領域には配線が形成されているので、遮光膜を配置するスペースを確保することが難しい。
これに対し、スクライブ領域に、配線溝１３３（１５３，１７３）と同様の大きさ形状の溝１３１（１５１、１７１）を形成し、この溝１３１（１５１、１７１）を測定用とし、この溝１３１（１５１、１７１）の下方に遮光膜を設けることで、遮光膜が配線と干渉することを抑制できる。
【００４２】
さらに、本実施形態では、遮光膜１２上に複数の溝１３１が配置され、複数の溝１３１上に遮光膜１６が配置され、遮光膜１６上に溝１７１が配置されている。さらには、遮光膜１４上に溝１５１が配置されている。
このような構成を採用することで、平面視において、溝や遮光膜を形成するスペースは最小限にとどめられる。スクライブ領域中には、位置あわせマーク等の様々なマークが形成されることがある。遮光膜および溝をスクライブ領域に形成する場合において、スクライブ領域を狭めてしまうことなく、スクライブ領域を様々な用途に有効活用することができる。
【００４３】
さらに、本実施形態では、第一絶縁膜１１中に配線１２１を形成するとともに、遮光膜１２を形成することで、配線１２１を形成する工程において、同時に遮光膜１２を形成することができる。これにより、半導体装置の製造を迅速に行うことができる。
他の絶縁膜においても、配線等と遮光膜を同時に形成することができるので、同様の効果を奏する。
【００４４】
さらに、本実施形態では、第一絶縁膜１１中に配線１２１を形成するとともに、遮光膜１２を形成し、さらに、第二絶縁膜１３中に配線溝１３３，１３５と、溝１３１を形成している。
このようにすることで、凹部測定用のサンプルではなく、実際の製品として製造される半導体装置１において、凹部の形状を把握することができる。
【００４５】
（第二実施形態）
図５を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
前記実施形態では、スリット状の溝１３１，１５１，１７１を形成していたが、これにかえて、本実施形態では、図５に示すように、円筒状の複数の孔（第一の凹部）２３１が形成される。
この複数の孔２３１は、前記実施形態と同様スクライブ領域に形成されるものであり、絶縁膜１３の内部回路形成領域には、孔２３１と同様の大きさ形状のビアホール（第二の凹部）（図示略）が形成される。ビアホールの配列パターンと、孔２３１の配列パターンは同じである。
さらに、図５（Ｂ）に示すように、平面視において、複数の孔２３１は、遮光膜１２からはみ出さないように形成されている。
孔２３１内には、金属膜２４Ａが充填されている。この金属膜２４Ａは金属膜１４Ａと同様のものであり、ビアホールに充填されるビアと同様の材料で構成される。
他の点は前記実施形態と同様である。前記実施形態と同様、絶縁膜１５や、絶縁膜１７にも溝１５１，１７１にかえて孔２３１が形成され、内部回路形成領域に孔２３１と同様の大きさ形状、配列パターンのビアホールが形成される。さらに、平面視において、絶縁膜１５に形成された複数の孔２３１は、遮光膜１４からはみ出さないように形成され、絶縁膜１７に形成された複数の孔２３１は、遮光膜１６からはみ出さないように形成される。
このような本実施形態では、前記実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
従来、ビアホールの形状（たとえば、ビアホールの底部の寸法等）を取得するためには、測長ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）を使用していた。これに比べ、本実施形態のようにスキャトロメトリ法で計測すれば、計測に時間を要しない。
【００４６】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、溝１３１等の形状を測定する際に、溝１３１からの反射光の波形と、あらかじめデータベース中にある波形とを照合し、一致したデータベース中の波形から、溝の形状を求めた。
しかしながら、溝１３１等の形状測定方法は、このような方法に限らず、たとえば、特許文献１のように、溝１３１等からの反射光の強度に基づいて、溝１３１等の形状を把握してもよい。
【００４７】
さらには、前記実施形態では、溝１３１等、および遮光膜１２等はスクライブ領域に形成したが、これに限らず、内部回路形成領域に形成されてもよい。
また、前記第一実施形態では、遮光膜１２上に複数の溝１３１が配置され、複数の溝１３１上に遮光膜１６が配置され、遮光膜１６上に溝１７１が配置されているとしたが、このような構造に限られるものではない。すなわち、複数の溝１３１上からずれた位置に遮光膜１６が設けられていてもよい。
【００４８】
また、前記各実施形態では、基板面側から平面視した際に、複数の溝１３１が遮光膜１２からはみ出さないように配置されていたが、これに限らず、溝１３１の一部、たとえば、溝１３１の長手方向の端部が遮光膜１２からはみ出して配置されていてもよい。
ただし、前記実施形態のように、複数の溝１３１が遮光膜１２からはみ出さないように配置することで、溝１３１の形状を測定する際に、遮光膜１２により下層の情報を確実に遮断することができる。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
第一実施形態と同様の半導体装置を製造した。具体的には、絶縁膜１１中に遮光膜１２を形成した。遮光膜１２の大きさは、一辺が４μｍの正方形形状とした。遮光膜１２を形成する際に、ＣＭＰを行ったが、エロージョンは発生しなかった。
また、遮光膜１２上に、絶縁膜１３を設けたが、絶縁膜１３表面は平坦であり、凹凸は形成されなかった。その後、複数の溝１３１および配線溝１３３が絶縁膜１３に形成された。
溝１３１および配線溝１３３の幅（短辺方向の長さ）は１４０ｎｍ、高さは３７０ｎｍ、溝１３１および配線溝１３３の奥行き（長辺方向の長さ）は５０μｍとした。
複数の溝１３１で構成される正方形の測定マークの１辺の長さＬ１は５０μｍとした。
遮光膜１２を中心から外郭までの距離を２μｍ以上の大きさとすれば、エロージョンが発生しない。このため、複数の溝１３１および配線溝１３３を形成する際のマスクの開口の形成位置に誤差が生じたとしても、複数の溝１３１および配線溝１３３の形状のばらつきは抑制される。また、絶縁膜１３表面に凹凸が形成されないため、測定光が段差により反射され、測定誤差が生じることを抑制できることがわかる。
また、スキャトロメトリ法により溝１３１の計測を行った。測定光のスポット径は、３０μｍとした。実施例１では、溝１３１の計測を正確に行うことができた。
【００５０】
（実施例２）
第一実施形態と同様の半導体装置を製造した。遮光膜１２が絶縁膜１１中に形成された。遮光膜１２の大きさは、一辺の長さＬ２が６０μｍの正方形形状とした。遮光膜１２上に、絶縁膜１３を設け、絶縁膜１３に複数の溝１３１および配線溝１３３が形成された。
複数の溝１３１で構成される正方形の測定マークの１辺の長さＬ１は５０μｍとした。スキャトロメトリ法により、溝１３１の計測を行った。ここでの測定光のスポット径は、３０μｍとした。
第一実施形態と同様、スキャトロメトリ法で測定した複数の溝１３１の底部の深さと、断面ＳＥＭにて測定した複数の溝１３１の深さとを表１に示す。
【００５１】
【表１】
0005420228.tif 000002
【００５２】
これにより、遮光膜を設けることで、正確に計測することができることがわかる。
なお、遮光膜を設ける際に、ＣＭＰを行ったが、エロージョンは発生していなかった。
【００５３】
（実施例３）
実施例３では、第二実施形態と同様の半導体装置を製造した。遮光膜１２が絶縁膜１１中に形成された。遮光膜１２の大きさは、一辺の長さＬ２が６０μｍの正方形形状とした。遮光膜１２上に、絶縁膜１３を設け、絶縁膜１３に複数の孔２３１およびビアホールが形成された。
複数の孔２３１で構成される正方形の測定マークの１辺の長さ（正方形の一辺の端の孔２３１から他方の端の孔２３１までの長さ）Ｌ１は５０μｍとした。
他の点は実施例２と同じである。
半導体基板面内において孔２３１、１７点の底部の幅寸法をスキャトロメトリ法により測定した。また、前記孔２３１、１７点の底部の幅寸法を測長ＳＥＭにて、測定した。
結果を表２に示す。
【００５４】
【表２】
0005420228.tif 000003
【００５５】
これにより、遮光膜を設けることで、正確に計測することができることがわかる。
なお、遮光膜を設ける際に、ＣＭＰを行ったが、エロージョンは発生していなかった。
【００５６】
（比較例１）
半導体基板上に絶縁膜を設け、この絶縁膜に幅１７５ｎｍ、高さ２５０ｎｍ、ピッチ３５０ｎｍの配線溝が形成された。次に、タングステン金属膜が、この配線溝を埋め込むとともに、絶縁膜を被覆するように成膜された後、平坦化のために研磨された。
この場合には、絶縁膜にエロージョンが発生し、絶縁膜表面に凹凸が形成されてしまった。
次に、前記絶縁膜上に第二の絶縁膜を設け、第二の絶縁膜に幅１７５ｎｍ、高さ２５０ｎｍ、ピッチ３５０ｎｍの配線溝が形成された。エロージョンの影響により、第二の絶縁膜表面には凹凸が形成されてしまった。
実施例２と同様に配線溝の形状測定を行ったところ、第二の絶縁膜表面の凹凸により、ＳＥＭによる測定値と、スキャトロメトリ法による測定値とが大きくずれてしまった。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第一実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。
【図２】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】測定光のスポット径と、溝と、遮光膜との関係を示す平面図である。
【図５】本発明の第二実施形態にかかる半導体装置を示す図である。
【図６】従来の半導体装置を示す図である。
【図７】従来の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１    半導体装置
１０    トランジスタ
１１    第一絶縁膜
１２    第一遮光膜
１３    第二絶縁膜
１４    第二遮光膜
１４Ａ    金属膜
１４Ｂ    配線
１４Ｃ    ビア
１５    第三絶縁膜
１５Ａ    金属膜
１５Ｂ    配線
１５Ｃ    ビア
１６    第三遮光膜
１７    第四絶縁膜
１７Ａ    金属膜
１７Ｂ    配線
１７Ｃ    ビア
２４Ａ    金属膜
１００    半導体基板
１１０    層間絶縁膜
１１１    穴部（第一の穴部）
１２１    配線
１３０Ａ    ＳｉＣＮ膜
１３０Ｂ    ＳｉＯＣ膜
１３０Ｃ    ＳｉＯ２膜
１３１    溝（第一の凹部）
１３２    穴部
１３３    配線溝（第二の凹部）
１３３，１３５    配線溝
１３４    ビアホール
１３６    溝
１５０Ａ    ＳｉＣＮ膜
１５０Ｂ    ＳｉＯＣ膜
１５０Ｃ    ＳｉＯ２膜
１５１    溝
１５２    穴部
１５３    配線溝
１５４    ビアホール
１５５    配線溝
１５６    配線溝
１７０Ａ    ＳｉＣＮ膜
１７０Ｂ    ＳｉＯＣ膜
１７０Ｃ    ＳｉＯ２膜膜
１７１    溝
１７３    配線溝
１７４    ビアホール
１７５    配線溝
１７６    溝
２３１    孔
９０５    キャップ膜
９０６    配線溝
Ｓ    スポット
【図１】
0005420228.tif 000004
【図２】
0005420228.tif 000005
【図３】
0005420228.tif 000006
【図４】
0005420228.tif 000007
【図５】
0005420228.tif 000008
【図６】
0005420228.tif 000009
【図７】
0005420228.tif 000010