(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられる第１温度ヒューズエレメントと、
前記基板上に設けられ、平面視して前記第１温度ヒューズエレメントと間を空けて配置される第２温度ヒューズエレメントと、
前記基板内に設けられ、平面視透視して前記第１温度ヒューズエレメントと重なる領域及び前記第２温度ヒューズエレメントと重なる領域のそれぞれに設けられる発熱抵抗体と、を備え、
前記基板は、上面の高さ位置が異なる第１主面と第２主面が形成されており、
前記第１温度ヒューズエレメントは、前記第１主面上に設けられ、
前記第２温度ヒューズエレメントは、前記第２主面上に設けられることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記第１温度ヒューズエレメントは、前記第２温度ヒューズエレメントよりも溶断温度が高いことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部からの信号に基づいて発熱抵抗体を高温にし、発熱抵抗体の温度に起因して温度ヒューズエレメントを溶断する抵抗温度ヒューズに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の誤動作を防止する目的で、外部の電子機器に組み込み、その誤動作を事前に検知する抵抗温度ヒューズが開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−９６８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
抵抗温度ヒューズの開発において、特定の回路に異常検出器とともに組み込む回路保護素子としての信頼性が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、信頼性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の実施の態様に係る抵抗温度ヒューズは、基板と、前記基板上に設けられる第１温度ヒューズエレメントと、前記基板上に設けられ、平面視して前記第１温度ヒューズエレメントと間を空けて配置される第２温度ヒューズエレメントと、前記基板内に設けられ、平面視透視して前記第１温度ヒューズエレメントと重なる領域及び前記第２温度ヒューズエレメントと重なる領域のそれぞれに設けられる発熱抵抗体と、を備え、前記基板は、上面の高さ位置が異なる第１主面と第２主面が形成されており、前記第１温度ヒューズエレメントは、前記第１主面上に設けられ、前記第２温度ヒューズエレメントは、前記第２主面上に設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、信頼性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図３】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの発熱抵抗体を示す基板内部の透過斜視図である。
【図４】平面透視して抵抗温度ヒューズと発熱抵抗体とを重ね合わせた状態を示す平面図である。
【図５】本実施形態の抵抗温度ヒューズと接続部在との接続した状態を示す概観斜視図である。
【図６】一変形例に係る抵抗温度ヒューズと接続部材とを接合した状態を示す斜視図である。
【図７】図６のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる抵抗温度ヒューズの実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。
【０００９】
＜抵抗温度ヒューズの概略構成＞
図１は、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを透過したものである。また、図２は、図１のＸ−Ｘ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。図３は、抵抗温度ヒューズの発熱抵抗体を示す基板内部の透過斜視図である。図４は、温度ヒューズエレメントと発熱抵抗体との位置関係を示す平面図である。なお、図２の断面図は、一方の温度ヒューズエレメントの断面を示すものであるが、もう一方の温度ヒューズエレメントの断面も図２と同様の断面である。また、図４では、温度ヒューズエレメントと発熱抵抗体の間に介在される基板４の一部を除いた状態である。
【００１０】
本実施形態の抵抗温度ヒューズは、回路保護素子として用いるものであって、特定の回路に異常検出器とともに組み込むものである。そして、回路の異常発生時に、異常検出器が回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、抵抗温度ヒューズは、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させるものである。
【００１１】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１は、抵抗温度ヒューズパッケージ２と、抵抗温度ヒューズパッケージ２に実装される温度ヒューズエレメント３とを備えている。なお、本実施形態では、温度ヒューズエレメント３とは、第１温度ヒューズエレメント３ａと第２温度ヒューズエレメント３ｂの総称とする。
【００１２】
また、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージ２は、基板４と、基板４上に設けられる第１温度ヒューズエレメント３ａと、基板４上に設けられ、平面視して第１温度ヒューズエレメント３ａと間を空けて配置される第２温度ヒューズエレメント３ｂと、基板４内に設けられ、平面視透視して第１温度ヒューズエレメント３ａと重なる領域及び第２温度ヒューズエレメント３ｂと重なる領域に設けられる発熱抵抗体５と、を備えている。
【００１３】
基板４は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。または、絶縁性基板４を構成する絶縁材料の内の一部分の材料として、閉気孔を多数有することにより熱伝導度を低下させたものが含まれてもよい。なお、基板４の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、基板４の熱伝導率は、例えば、８Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１４】
基板４は、複数の層を積層させて一体化したものである。基板４は、例えば、複数のセラミックグリーンシートの層を積層させた後に、一体焼成することによって形成することができる。
【００１５】
基板４の上面には、温度ヒューズエレメント３を実装したときに、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続される電極層６がパターニングして形成されている。また、電極層６の一部は、基板４の上面から基板４の側面を介して基板４の下面にわたって形成されている。本実施形態では、電極層６は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層６が電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層６は、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層６の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、電極層６の幅とは、電極層６に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。なお、電極層６の一部は、基体４の側面から基体４内にまで延在されている。
【００１６】
電極層６は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、或いはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００１７】
また、基板４の上面に形成される電極層６は、第１温度ヒューズエレメント３ａと、第２温度ヒューズエレメント３ｂのそれぞれと電気的に独立して接続されるように、パターニングされている。このように、電極層６がパターニングされるのは、第１温度ヒューズエレメント３ａ又は第２温度ヒューズエレメント３ｂのどちらか一方の温度ヒューズエレメントが溶断したときに、その電極層６に流れる電流を遮断することになるが、他方の温度ヒューズエレメントに流れる電流を遮断することがないようにするためである。
【００１８】
基板４の下面には、平面透視して発熱抵抗体５を間に挟むように一対の支持体７が設けられている。
【００１９】
支持体７は、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に設けるときに、土台となるものである。そして、支持体７が外部の回路との接合用土台となることで、外部の回路から伝わる熱を支持体７上に設けられる基板４に伝わりにくくすることができ、外部の温度影響による抵抗温度ヒューズ１の誤作動を抑制するとともに、抵抗温度ヒューズ１の発熱抵抗体５か発熱した際の熱が外部の回路に伝わりにくくすることにより、抵抗温度ヒューズ１の温度上昇特性を向上させることができる。
【００２０】
支持体７は、例えば、アルミナ又はムライト等のセラミック材料、ガラスセラミック材料、金属材料、或いはプラスチックから成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、支持体７の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、支持体７の熱伝導率は、例えば、８Ｗ／ｍ・Ｋ以上２１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００２１】
また、支持体７は、支持体７の長手方向に支持体７の高さに相当する切り欠き部を設ける手段により支持体７の熱が伝達する断面積を小さくすることによる熱抵抗を増大させたり、支持体７に基板４の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料を選択したりすることにより、外部の回路から支持体７に伝わる熱の容量を小さくすることができ、外部の回路から伝わる熱を基板４に伝わりにくくすることができる。そして、発熱抵抗体５が発する熱は、基板４を介して温度ヒューズエレメント３に伝わりやすくすることができる。
【００２２】
支持体７の下面には、導電層８が形成されている。導電層８は、支持体７の下面から支持体７及び基板４の側面を介して基板４の内部にわたって連続して形成される。
【００２３】
導電層８は、支持体７の下面、支持体７の側面及び基板４の側面に第１温度ヒューズエレメント３ａと、第２温度ヒューズエレメント３ｂのそれぞれが電気的に独立するように、パターニングされている。抵抗温度ヒューズ１とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出により、導電層８を介して、発熱抵抗体５に通電し、発熱抵抗体５の温度を上昇させる。さらに、発熱抵抗体５の温度に起因して、温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。なお、導電層８の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、導電層８の幅とは、導電層８に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。
【００２４】
導電層８は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００２５】
基板４の上面には、二つの温度ヒューズエレメント３が実装される。温度ヒューズエレメント３は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント３は、例えば、インジウム、ビスマス又は錫等の導電材料、或いはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント３の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。なお、本実施形態では、基板４に形成される温度ヒューズエレメント３の個数を二つにしているが、これに限られない。１つの基板４上に形成することができるのであれば、３個又は４個等の複数個であってもよい。
【００２６】
温度ヒューズエレメント３は、図４に示すように、平面透視したときに発熱抵抗体５と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。また、温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体５が存在する領域から食み出さないように設けられると、発熱抵抗体５の温度を効率良く温度ヒューズエレメント３に伝えることができる。なお、温度ヒューズエレメント３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下に設定されている。
【００２７】
また、第１温度ヒューズエレメント３ａは、第２温度ヒューズエレメント３ｂよりも溶断温度が高く設定されている。第１温度ヒューズエレメント３ａの溶断温度は、例えば、１４０度以上２００度以下に設定されている。また、第２温度ヒューズエレメント３ｂの溶断温度は、例えば、１２０度以上１５０度以下に設定されている。
【００２８】
第１温度ヒューズエレメント３ａの最低溶融温度が、第２温度ヒューズエレメント３ｂの最低溶融温度よりも高く設定されていることで、発熱抵抗体の熱が両者に加わったときに、第２温度ヒューズエレメント３ｂが第１温度ヒューズエレメント３ａよりも先に溶断する。そして、その溶断したときの温度が、所望する温度であれば、第１温度ヒューズエレメント３ａが溶断する温度で、所望する温度で溶断することを予測することができる。ここで、抵抗温度ヒューズ１の作動特性の確認を行なう工程では、第２温度ヒューズエレメント３ｂが溶断したのち、第１温度ヒューズエレメント３ａが溶断する温度にまで、発熱抵抗体５の温度を上昇させずに、動作確認を終了させる。
【００２９】
抵抗温度ヒューズ１は、温度ヒューズエレメント３が溶断してしまうと、外部の回路に組み込んで使用することができなくなる。そこで、抵抗温度ヒューズ１の動作特性を確認するために、抵抗温度ヒューズ１に複数の温度ヒューズエレメント３を設けて、製品出荷前に動作特性を確認する製品検査を実施することができる。そして、不良品を予め、発見することができ、不良品を出荷するという事態を低減することができ、信頼性を向上させた抵抗温度ヒューズ１を提供することができる。
【００３０】
また、本実施形態によれば、抵抗温度ヒューズ１に複数の温度ヒューズエレメント３を設けることで、一つの抵抗温度ヒューズ１が複数の機能を備えた回路保護素子として用いることができ、複数の外部回路を一つの抵抗温度ヒューズ１にて保護することができ、外部回路の保護素子としての信頼性を向上させることができる。
【００３１】
基板４上には、図２に示すように、温度ヒューズエレメント３と重なる領域の一部に被覆層９が形成されている。被覆層９は、基板４の温度ヒューズエレメント３が実装される実装面Ｒ上に形成されている。被覆層９は、温度ヒューズエレメント３の溶融体との濡れ性が、実装面Ｒの濡れ性よりも小さい濡れ性の材料であって、例えば、ガラス又はポリテトラフルオロエチレン等の材料から成る。
【００３２】
実装面Ｒは、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れやすくするためのものであって、被覆層９上に溶断した温度ヒューズエレメント３の一部が付着しにくくするものである。実装面Ｒは、実装面Ｒ上に溶断した温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れ、溶融体の表面張力作用により被覆層９上の温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体を吸収する作用により、被覆層９上に温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が残存付着しにくくなり、温度ヒューズエレメント３の直下に位置する一対の電極層６間を電気的にオープンにすることができる。
【００３３】
基板４の間には、図１又は図２に示すように、発熱抵抗体５が形成されている。発熱抵抗体５は、温度ヒューズエレメント３に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント３を溶断するものである。発熱抵抗体５は、平面透視して第１温度ヒューズエレメント３ａと重なる領域及び第２温度ヒューズエレメント３ｂと重なる領域の両方の領域に設けられている。なお、発熱抵抗体５は、第１温度ヒューズエレメント３ａと第２温度ヒューズエレメント３ｂと重なる領域に設けられていればよく、発熱抵抗体５同士が電気的に並列に接続されていても、電気的に直列に接続されていてもよい。
【００３４】
発熱抵抗体５は、図３に示すように、一端が電極層６と接続され、他端が導電層８と接続される。発熱抵抗体５は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、例えば、そのパターン形状は基板４の内にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体５の幅は、電極層６及び導電層８の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体５の幅を電極層６及び導電層８の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体５の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体５部分にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。
【００３５】
発熱抵抗体５には、抵抗温度ヒューズとともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層８を介して発熱抵抗体５に通電する。そして、発熱抵抗体５の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体５の温度が上昇する。さらに、その温度が、基板４を介して温度ヒューズエレメント３に伝わり、温度ヒューズエレメント３が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体５は、例えば、タングステン又はプラチナ等の材料から成る。
【００３６】
温度ヒューズエレメント３は、フラックス１０で被覆されている。フラックス１０は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、或いは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス１０は、温度ヒューズエレメント３に発熱抵抗体５の温度を伝えやすくするものである。そして、発熱抵抗体５の温度と温度ヒューズエレメント３の温度差を小さくすることができる。
【００３７】
図５は、抵抗温度ヒューズ１と接続部材１１とを接続した状態を示す概観斜視図である。
【００３８】
図５に示すように、抵抗温度ヒューズ１の支持体７の下面には、接続部材１１が形成されている。接続部材１１は、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に実装するときに、外部の回路と電気的に接続するものである。抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に実装するときに、仮に、接続部材１１がなく抵抗温度ヒューズ１の基板４を半田等の接着材を介して外部の回路と接続しようとすると、接着材の溶融温度によっては、抵抗温度ヒューズ１の温度ヒューズエレメント３が溶断する虞がある。このようなケースにおいては、抵抗温度ヒューズ１に接続部材１１を設け、接続部材１１の下面を介して外部の回路と接続することにより、抵抗温度ヒューズの実装作業を容易にするとともに、実装後の抵抗温度ヒューズの作動信頼性を向上させ得る。
【００３９】
接続部材１１には、図５に示すように、貫通孔Ｈが形成されている。貫通孔Ｈは、接続部材１１の下面の高さ位置よりも高い箇所であって、抵抗温度ヒューズ１と接続部材１１との間に設けられている。接続部材１１の下面を半田等の接着材を介して外部の回路と接続するときに、接続部材１１の下面の電気伝導性接合材の接合時の熱が抵抗温度ヒューズ１に伝わろうとする。接続部材１１と抵抗温度ヒューズ１との間に貫通孔Ｈが形成されていることにより、接続部材１１の下面から抵抗温度ヒューズ１に向かって伝わる熱の熱伝導断面積を小さくすることができ、抵抗温度ヒューズ１に熱を伝わりにくくすることができる。
【００４０】
上述したように、本実施形態によれば、外部回路に組み込んだ抵抗温度ヒューズ１は、抵抗温度ヒューズ１に複数の温度ヒューズエレメント３を実装し、事前に作動特性を確認したのち、外部に出荷することができ、信頼性を向上させた抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【００４１】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る抵抗温度ヒューズ１のうち、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００４２】
＜変形例＞
図６は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１の概観斜視図である。図７は、図６のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【００４３】
上述した実施形態では、図１に示すように、基板４の上面の高さ位置が一様であったが、上面の高さ位置が異なる主面を複数設け、それぞれに温度ヒューズエレメントを実装してもよい。
【００４４】
図６に示すように、基板４は、上面の高さ位置が異なる第１主面Ｓ１と第２主面Ｓ２が形成されており、第１温度ヒューズエレメント３ａは、第１主面Ｓ１上に設けられ、第２温度ヒューズエレメント３ｂは、第２主面Ｓ２上に設けられている。そして、第１主面Ｓ１の高さ位置は、第２主面Ｓ２の高さ位置よりも高く設定されている。
【００４５】
上述した実施形態では、第１温度ヒューズエレメント３ａは、第２温度ヒューズエレメント３ｂよりも溶断温度が、高く設定されていたが、これに限られない。第１温度ヒューズエレメント３ａと第２温度ヒューズエレメント３ｂを、例えば、材料組成・構造・寸法等の仕様を同一とすることにより、同一溶断温度を示すエレメントにより構成して、両者が同じ溶断温度になっても構わない。
【００４６】
第１主面Ｓ１の高さ位置を第２主面Ｓ２の高さ位置よりも高くしたことにより、同じ溶断温度の温度ヒューズエレメント３を実装したとしても、両者を加熱すると、先に、第２主面Ｓ２上に設けられる第２温度ヒューズエレメント３ｂが溶断する。その後、発熱抵抗体５を加熱し、発熱抵抗体５の温度を上昇させることで、第１主面Ｓ１上に設けられる第１温度ヒューズエレメント３ａが溶断する。
【００４７】
このように、両者の溶断するタイミングをずらすことで、抵抗温度ヒューズ１の製品出荷前に動作特性を確認する製品検査を実施することができる。そして、意図的に一方の温度ヒューズエレメントを溶断し、所望の温度条件で溶断できたか否かを見極め、不良品を発見することができる。そして、不良品を出荷するという事態を低減することができ、信頼性を向上させた抵抗温度ヒューズ１を提供することができる。
【００４８】
また、第１温度ヒューズエレメント３ａと第２温度ヒューズエレメント３ｂを、たとえば材料組成・構造・寸法等の仕様を同一とすることにより、同一溶断温度を示すエレメントにより構成して、両者を同じ溶断温度にするとともに、平面透視してそれぞれと重なる領域に位置する発熱抵抗体の温度上昇特性を異なるようにしても構わない。発熱抵抗体の温度上昇特性を異ならせることで、第１温度ヒューズエレメント３ａと第２温度ヒューズエレメント３ｂの溶断するタイミングを異ならせることができる。
【００４９】
発熱抵抗体の温度上昇特性を異ならせる方法としては、第１温度ヒューズエレメント３ａと重なる領域に位置する発熱抵抗体の材料と、第２温度ヒューズエレメント３ｂと重なる領域に位置する両発熱抵抗の材料を異ならせることにより、両発熱抵抗体の抵抗温度係数を異なるように設定する方法や、同一発熱抵抗体材料による発熱抵抗体のパターン形状を異ならせたり、同一パターン形状ではあるがパターン厚みを異ならせることにより各発熱抵抗体の抵抗値を異ならせる方法がある。
【００５０】
また、第１温度ヒューズエレメント３ａと発熱抵抗体の間、または第２温度ヒューズエレメント３ｂと発熱抵抗体のいずれか一方の間を構成する材料を、他方の当該部分を構成する材料と比較して熱伝導特性の大きい材料、または、小さい材料とすることにより第１温度ヒューズエレメント３ａと第２温度ヒューズエレメント３ｂの溶断するタイミングを異ならせることができる。
【００５１】
また、どちらか一方の発熱抵抗体の下方の基板４の内部に断熱空間層を設けることによっても両温度ヒューズエレメントの溶断タイミングを異ならせることが出来る。なお、断熱空間層の内面の温度ヒューズ配置面直下の面に、発熱抵抗体を設ける構造であってもよい。さらに、断熱空間層が、基板４の下面に形成された一対の支持体７で挟まれる空間であってもよい。
【００５２】
＜抵抗温度ヒューズの製造方法＞
ここで、図１乃至図４に示す抵抗温度ヒューズ１、並びに抵抗温度ヒューズパッケージ２の製造方法について説明する。
【００５３】
基板４となるセラミックグリーンシートを複数枚準備する。基板４が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。
【００５４】
また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。
【００５５】
そして、セラミックグリーンシートに対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体５、電極層６の一部及び導電層８の一部を形成する。また、同様にして、別のセラミックグリーンシートに対して、電極層６を形成する。
【００５６】
次に、一対の支持体７を準備する。基板４と同様に、セラミックグリーンシートを成形する。そして、支持体７の下面、側面側上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って導電層８を形成する。
【００５７】
次に、準備した焼結前の基板４及び支持体７を接続させた状態で、約１６００度の温度で焼成する。そして、基板４及び支持体７を一体焼結する。一体焼結後の部材の、温度ヒューズエレメント搭載部、回路基板実装部及び支持体の表面に所要のめっきを行う。ここでは、抵抗温度ヒューズについての個片製品の製法を述べたが、多数個取のシート形状による製造が量産性、コスト面からは好ましい。このようにして、抵抗温度ヒューズパッケージ２を作製することができる。
【００５８】
次に、基板４上の所定箇所に第１温度ヒューズエレメント３ａ及び第２温度ヒューズエレメント３ｂを実装する。そして、それぞれの温度ヒューズエレメント３と電極層６とを電気的に接続する。また、基板４上に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１０を形成する。その結果、抵抗温度ヒューズ１を作製することができる。
【００５９】
尚、多数個取のシート形状にて作成した抵抗温度ヒューズパッケージ２の個々の抵抗温度ヒューズに相当する部位の所定箇所に温度ヒューズエレメント３を実装した後に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１０を形成し、その後に多数個取シートを個片に分割することが量産性、コスト面からは好ましい。
【符号の説明】
【００６０】
１  抵抗温度ヒューズ
２  抵抗温度ヒューズパッケージ
３  温度ヒューズエレメント
３ａ  第１温度ヒューズエレメント
３ｂ  第２温度ヒューズエレメント
４  基板
５  発熱抵抗体
６  電極層
７  支持体
８  導電層
９  被覆層
１０  フラックス
１１  接続部材
Ｒ  実装面
Ｈ  貫通孔
Ｓ１  第１主面
Ｓ２  第２主面
【図１】
0005489749.tif 000002
【図２】
0005489749.tif 000003
【図３】
0005489749.tif 000004
【図４】
0005489749.tif 000005
【図５】
0005489749.tif 000006
【図６】
0005489749.tif 000007
【図７】
0005489749.tif 000008