(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
基板と、
前記トランジスタの上方に設けられた遮光層と、
前記トランジスタと前記遮光層との間に配置され、屈折率がｎである第１絶縁層と、
前記トランジスタと前記基板との間に配置された第２絶縁層と、を有し、
前記トランジスタは、前記基板の第１の面に設けられたゲート電極と、ソース領域とドレイン領域とを備えた半導体層と、を含み、
前記第１の面の法線方向から見た平面視において、前記ゲート電極と前記半導体層とが重なる、前記半導体層の部分をチャネル領域としたとき、
前記チャネル領域と前記遮光層とを含む、前記第１の面に平行、かつ、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶ方向と直角な方向である第１方向から見た断面において、
前記チャネル領域の複数の端部の一つである、第１チャネル端部と、
前記遮光層の複数の端部のうち、前記第１チャネル端部に近い側の端部である第１遮光端部と、の位置関係は、
前記第１チャネル端部と前記第１遮光端部との間の距離であるＬc1（ｎｍ）と、
前記第１遮光端部から前記第２絶縁層へ下ろした垂線の長さであるｔ1（ｎｍ）と、を用いて、
関係式、
ｎｔ12／２４４  ＜  Ｌc1 
を満たすように配置されていることを特徴とする電気光学基板。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学基板において、
さらに、前記チャネル領域と前記遮光層とを含み、前記第１の面に平行、かつ、前記第１方向と直角な方向である第２方向から見た断面において、
前記チャネル領域の複数の端部の一つであり、前記第１チャネル端部と異なる端部である第２チャネル端部と、
前記遮光層の複数の端部のうち、前記第２チャネル端部に近い側の端部である第２遮光端部と、の位置関係は、
前記第２チャネル端部と前記第２遮光端部との間の距離であるＬc2（ｎｍ）と、
前記第２遮光端部から前記半導体層へ下ろした垂線の長さであるｔ2（ｎｍ）と、を用いて、
関係式、
ｎｔ22／２４４  ＜  Ｌc2 
を満たすように配置されていることを特徴とする電気光学基板。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学基板において、
前記ｔ1は、前記ｔ2と同一の長さであることを特徴とする電気光学基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学基板において、
前記第１絶縁層は、屈折率が同一の複数の層からなることを特徴とする電気光学基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学基板において、
さらに、前記トランジスタは、ＬＤＤ領域と、を含み、
前記ＬＤＤ領域、前記チャネル領域及び前記遮光層を含む、前記第１の面に平行、かつ、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶ方向と直角な方向である第３方向から見た断面において、
前記ＬＤＤ領域の複数の端部のうち、前記チャネル領域と逆側に位置する端部である第１ＬＤＤ端部と、
前記遮光層の複数の端部のうち、前記第１ＬＤＤ端部に近い側の端部である第３遮光端部と、の位置関係は、
前記第１ＬＤＤ端部と前記第３遮光端部との間の距離であるＬl1（ｎｍ）と、
前記第３遮光端部から前記第２絶縁層へ下ろした垂線の長さであるｔ3（ｎｍ）と、を用いて、
関係式、
ｎｔ32／２４４  ＜  Ｌl1 
を満たすように配置されていることを特徴とする電気光学基板。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学基板において、
さらに、前記ＬＤＤ領域と前記遮光層とを含み、前記第１の面に平行、かつ、前記第３方向と直角な方向である第４方向から見た断面において、
前記ＬＤＤ領域の複数の端部の一つであり、前記第１ＬＤＤ端部と異なる端部である第２ＬＤＤ端部と、
前記遮光層の複数の端部のうち、前記第２ＬＤＤ端部に近い側の端部である第４遮光端部と、の位置関係は、
前記第２ＬＤＤ端部と前記第４遮光端部との間の距離であるＬl2（ｎｍ）と、
前記第４遮光端部から前記半導体層へ下ろした垂線の長さであるｔ4（ｎｍ）と、を用いて、
関係式、
ｎｔ42／２４４  ＜  Ｌl2 
を満たすように配置されていることを特徴とする電気光学基板。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学基板において、
前記ｔ3は、前記ｔ4と同一の長さであることを特徴とする電気光学基板。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学基板において、
前記ｔ1は、前記ｔ3と同一の長さであることを特徴とする電気光学基板。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれかに記載の電気光学基板において、
前記第１方向と前記第３方向と、は同一の方向であることを特徴とする電気光学基板。
【請求項１０】
トランジスタと、
基板と、
前記トランジスタの上方に設けられた遮光層と、
前記トランジスタと前記遮光層との間に配置され、屈折率がｎである第１絶縁層と、
前記トランジスタと前記基板との間に配置された第２絶縁層と、を有し、
前記トランジスタは、前記基板の第１の面に設けられたゲート電極と、ソース領域とドレイン領域とを備えた半導体層と、を含み、
前記第１の面の法線方向から見た平面視において、前記ゲート電極と前記半導体層とが重なる、前記半導体層の部分をチャネル領域としたとき、
前記チャネル領域と前記遮光層とを含む、前記第１の面に平行、かつ、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶ方向と直角な方向である第１方向から見た断面において、
前記チャネル領域の複数の端部の一つである第１チャネル端部と、
前記遮光層の複数の端部のうち、前記第１チャネル端部に近い側の端部である第１遮光端部と、の位置関係は、
前記第１遮光端部から前記第２絶縁層へ下ろした垂線の長さであるｔ1（ｎｍ）と、
前記第１遮光端部から前記第２絶縁層へ下ろした垂線と、前記第１チャネル端部と、の間の最短距離であるＸc1（ｎｍ）と、
前記基板に入射される光の最短波長であるλ（ｎｍ）と、を用いて、
関係式、
ｎｔ12／０．６１λ  ＜  （  ｔ12  ＋  Ｘc12  ）0.5
を満たすように配置されていることを特徴とする電気光学基板。
【請求項１１】
トランジスタ、基板、遮光層及び複数の絶縁層を有する電気光学基板の設計方法であって、
前記トランジスタの上方に前記遮光層を配置し、
前記トランジスタと前記遮光層との間に、屈折率がｎである第１絶縁層を配置し、
前記トランジスタと前記基板との間に、第２絶縁層を配置し、
前記トランジスタは、前記基板の第１の面に設けられたゲート電極と、ソース領域とドレイン領域とを備えた半導体層と、を含み、
前記第１の面の法線方向から見た平面視において、前記ゲート電極と前記半導体層とが重なる、前記半導体層の部分をチャネル領域としたとき、
前記チャネル領域と前記遮光層とを含む、前記第１の面に平行、かつ、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶ方向と直角な方向である第１方向から見た断面において、
前記チャネル領域の複数の端部の一つである、第１チャネル端部と、
前記遮光層の複数の端部のうち、前記第１チャネル端部に近い側の端部である第１遮光端部と、の位置関係が、
前記第１チャネル端部と前記第１遮光端部との間の距離であるＬc1（ｎｍ）と、
前記第１遮光端部から前記第２絶縁層へ下ろした垂線の長さであるｔ1（ｎｍ）と、を用いて、
関係式、
ｎｔ12／２４４  ＜  Ｌc1 
を満たすように設計されていることを特徴とする電気光学基板の設計方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の電気光学基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学基板、電気光学装置、電気光学基板の設計方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタ等の電子機器に用いられる電気光学装置としての液晶装置では、例えば当該液晶装置の一方の面から光が入射される。そして入射された光を、当該液晶装置の光透過性を電気的に制御する薄膜トランジスタを駆動し、液晶領域に電位を与えることで、光特性を空間的に変調する。そして当該光を、当該液晶装置の他方の面から出射させることで画像や文字のパターンを形成させている。ここで、当該光が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射することで発生する光リーク電流を抑えるため、薄膜トランジスタと前記光の光源との間に遮光層を設ける構造が用いられている。
【０００３】
またこの他にも、一方の面から入射した光が電気光学基板の他方の面での反射などにより薄膜トランジスタのチャネル部に戻ることがある。このような光が薄膜トランジスタに入射されるのを防ぐため、薄膜トランジスタと電気光学基板の第２面との間に別の遮光層を設ける構造が用いられている。この別の遮光層によって直接薄膜トランジスタの半導体層に光が入射するのを防いでいる。
【０００４】
また、近年では表示装置の多画素化に伴う１画素あたりの書き込み時間の短縮化や、高コントラスト化の要請に伴い、ＳＯＩ技術が検討されてきている。ＳＯＩ技術を用いることで多結晶の薄膜トランジスタに代えて単結晶の薄膜トランジスタを用いることができるため、高速スイッチングが可能となる。ＳＯＩ技術を用いて基板に近い側の遮光層を得る製造方法は例えば特許文献１に記載されている。この製造方法は、光透過性基板表面に遮光層を形成し、その上を酸化シリコン層で覆って研磨により平坦化し、その平坦面に単結晶シリコン基板を貼り合わせ、単結晶シリコン薄層を残して単結晶シリコン基板を除きＳＯＩを有する基板を形成するものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２９３３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶装置を含む表示装置の内部では、多くの光学部品や構成部材などからの乱反射光が存在し、薄膜トランジスタを形成した電気光学基板に対しては垂直に入射する光以外に、迷光として斜めに入射する光の成分が生じている。特に近年ではより明るい映像を得るために光源の明るさが上昇してきており、薄膜トランジスタ中へ侵入する迷光強度が増加する傾向にある。迷光による光リーク電流の発生に伴う表示画質の低下を防ぐためには、この斜めに入射する光に対しても十分な遮光性能を有する電気光学基板が必要である。
【０００７】
また薄膜トランジスタを構成する半導体として結晶性に優れた単結晶シリコン層を用いた場合、光の入射による励起によって発生した電子や正孔などのキャリアは殆ど再結合しない。そのため光の入射による半導体素子のソース・ドレイン間を通過する光リーク電流を抑制するには多結晶シリコン層を用いる場合と比べ、より高い遮光性を必要とする。本願発明者の調査によると、結晶欠陥の多い多結晶シリコン層を用いた場合に比べて、単結晶シリコン層の場合では約１０倍程度光リーク電流は増加し、表示画質の低下を招くという課題がある。
【０００８】
よって本発明は、光リーク電流が抑制された薄膜トランジスタを有する電気光学基板、電気光学装置、電気光学基板の設計方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本出願では、「上」とは基板の第１面を介して、当該基板を構成する物体から離れて行く方向と定義する。また、「開口部」とは、画素電極と重なる領域のうち、表示に寄与する部分と定義する。
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学基板は、透明基板と、前記透明基板の第１面側に、平面視にて開口部を囲う領域の少なくとも一部に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層と前記透明基板との間に挟まれる絶縁層として屈折率ｎ、層厚ｔ（ｎｍ）とを有する第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記透明基板との間に配置され、チャネル領域が平面視にて前記第１遮光層の内側に位置する薄膜トランジスタを含み、かつ前記第１遮光層端部と前記チャネル領域端部との距離Ｌc（ｎｍ）が、ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc（ｎｍ）（関係式１）を満たす半導体層と、少なくとも前記チャネル領域を覆うゲート絶縁層と前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル領域と対向する領域に配置されるゲート電極と、前記半導体層と前記透明基板との間に配置される第２遮光層と、前記半導体層と前記第２遮光層との間に配置される第２絶縁層と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、光の侵入を防ぐ条件は、光の波長をλ（ｎｍ）、多層構造を有する第１絶縁体層（導光層と呼ぶ）の総層厚をｔ（ｎｍ）、第１絶縁体層の屈折率をｎ、迷光の入射角度をθとした場合、レイリーの回折条件から以下の式で表される。
【００１２】
ｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθ）（関係式５）。この場合、λを可視光の最短波長となる４００ｎｍとする。そしてｓｉｎθ（対辺／斜辺）を第１遮光層端部とチャネル領域端部との距離Ｌc（ｎｍ）を用いて表すとＬcが斜辺、導光層の層厚がｔと対応するため、ｓｉｎθ＝ｔ／Ｌcとなる。この対応関係を関係式５に代入するとｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc（ｎｍ）（関係式１）が得られる。関係式１を満たすようにチャネル領域を配置することで、チャネル領域端部を光の侵入限界を超えた位置に配置することができる。そのため、チャネル領域への迷光に由来する光リーク電流の発生を抑制することができる。光リーク電流の発生が抑えられることで、迷光に由来するノイズの発生を抑制することが可能となり、画質の高い電気光学基板を提供することができる。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学基板は、前記薄膜トランジスタはＬＤＤ領域を含み、前記第１遮光層端部と前記チャネル領域端部との距離Ｌc（ｎｍ）が前記関係式１を満たし、かつ前記第１遮光層端部と前記ＬＤＤ領域端部との距離Ｌl（ｎｍ）が、ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌl（ｎｍ）（関係式２）を満たす半導体層を含むことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、光の侵入深さを超えた位置にチャネル領域及びＬＤＤ領域が配置される。ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc（ｎｍ）（関係式１）及びｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌl（ｎｍ）（関係式２）を満たすようにチャネル領域及びＬＤＤ領域を配置することで、当該領域への迷光の侵入を抑制することができる。チャネル領域での光リーク電流の発生とＬＤＤ領域での光リーク電流の発生を共に抑制することができる。光リーク電流の発生がＬＤＤ領域でも抑えられることで、迷光に由来するノイズの発生を抑制することが可能となり、さらに画質の高い電気光学基板を提供することが可能となる。
【００１５】
また、上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学基板は、透明基板と、前記透明基板の第１面側に、平面視にて開口部を囲う領域の少なくとも一部に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層と前記透明基板との間に挟まれる絶縁層として屈折率ｎ、層厚ｔ（ｎｍ）とを有する第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記透明基板との間に配置され、チャネル領域が平面視にて前記第１遮光層の内側に位置する薄膜トランジスタを含み、かつ前記第１遮光層端部と前記チャネル領域端部から前記第１遮光層に下ろした垂線との距離をＸc（ｎｍ）とし、前記透明基板に入射し得る光の最短波長をλ（ｎｍ）とした場合、ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘc2）0.5（ｎｍ）（関係式３）を満たす半導体層と、少なくとも前記チャネル領域を覆うゲート絶縁層と前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル領域と対向する領域に配置されるゲート電極と、前記半導体層と前記透明基板との間に配置される第２遮光層と、前記半導体層と前記第２遮光層との間に配置される第２絶縁層と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、光の侵入を防ぐ条件は、透明基板に入射し得る光の最短波長をλ（ｎｍ）、多層構造を有する第１絶縁体層（導光層と呼ぶ）の総層厚をｔ（ｎｍ）、第１絶縁体層の平均屈折率をｎ、迷光の入射角度をθとした場合、以下の式で表される。
【００１７】
ｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθ）（関係式５）。この場合ｓｉｎθ（対辺／斜辺）を第１遮光層端部とチャネル領域端部から第１遮光層に下ろした垂線との距離をＸc（ｎｍ）を用いて表すと（ｔ2＋Ｘc2）0.5（ｎｍ）が斜辺、導光層の層厚ｔが対辺に対応するため、ｓｉｎθ＝ｔ／（ｔ2＋Ｘc2）0.5となる。この対応関係を関係式５に代入するとｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘc2）0.5（ｎｍ）（関係式３）が得られる。関係式３を満たすようにチャネル領域を配置することで、チャネル領域端部を光の侵入限界を超えた位置に配置することができる。そのため、チャネル領域への迷光に由来する光リーク電流の発生を抑制することができる。光リーク電流の発生が抑えられることで、迷光に由来するノイズの発生を抑制することが可能となり、画質の高い電気光学基板を提供することができる。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学基板は、前記薄膜トランジスタはＬＤＤ領域を含み、前記第１遮光層端部と前記チャネル領域端部から前記第１遮光層に下ろした垂線との距離Ｘl（ｎｍ）が前記関係式３を満たし、かつ前記第１遮光層端部と前記ＬＤＤ領域端部から前記第１遮光層に下ろした垂線との距離Ｘl（ｎｍ）が、ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘl2）0.5（ｎｍ）（関係式４）を満たす半導体層を含むことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、光の侵入深さを超えた位置にチャネル領域及びＬＤＤ領域が配置される。ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘc2）0.5（ｎｍ）（関係式３）及びｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘl2）0.5（ｎｍ）（関係式４）を満たすようにチャネル領域及びＬＤＤ領域を配置することで、当該領域への迷光の侵入を抑制することができる。チャネル領域での光リーク電流の発生とＬＤＤ領域での光リーク電流の発生を共に抑制することができる。光リーク電流の発生がＬＤＤ領域でも抑えられることで、迷光に由来するノイズの発生を抑制することが可能となり、さらに画質の高い電気光学基板を提供することが可能となる。
【００２０】
また、本発明に係る電気光学基板の設計方法は、透明基板と、前記透明基板の第１面側に、平面視にて開口部を囲う領域の少なくとも一部に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層と前記透明基板との間に挟まれる絶縁層として屈折率ｎ、層厚ｔ（ｎｍ）とを有する第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記透明基板との間に配置され、チャネル領域が平面視にて前記第１遮光層の内側に位置する薄膜トランジスタを含む電気光学基板の設計方法であって、前記第１遮光層端部と前記チャネル領域端部との距離Ｌc（ｎｍ）が、ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc（ｎｍ）（関係式１）を満たすよう設計することを特徴とする。
【００２１】
この設計方法によれば、第１遮光層により、薄膜トランジスタのチャネル領域に対して遮光性を向上させた電気光学基板を設計することができる。さらに、第１絶縁体層の層厚の関数であるＬcに対して、上記関係式を満たすよう設計することで、光リーク電流を効果的に低減することができる。
【００２２】
また、本発明に係る電気光学基板の設計方法は、透明基板と、前記透明基板の第１面側に、平面視にて開口部を囲う領域の少なくとも一部に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層と前記透明基板との間に挟まれる絶縁層として屈折率ｎ、層厚ｔ（ｎｍ）とを有する第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記透明基板との間に配置され、チャネル領域が平面視にて前記第１遮光層の内側に位置する薄膜トランジスタを含む電気光学基板の設計方法であって、前記第１遮光層端部と前記チャネル領域端部から前記第１遮光層に下ろした垂線との距離をＸc（ｎｍ）、前記透明基板に入射し得る最短波長をλ（ｎｍ）とした場合、ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘc2）0.5（ｎｍ）（関係式３）を満たすよう設計することを特徴とする。
【００２３】
この設計方法によれば、第１遮光層により、薄膜トランジスタのチャネル領域に対して遮光性を向上させた電気光学基板を設計することができる。さらに、第１絶縁体層の層厚の関数である上記関係式を満たすよう設計することで、光リーク電流を効果的に低減することができる。
【００２４】
また、本発明に係る電気光学基板の設計方法は、透明基板と、前記透明基板の第１面側に、平面視にて開口部を囲う領域の少なくとも一部に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層と前記透明基板との間に挟まれる絶縁層として屈折率ｎ、層厚ｔ（ｎｍ）とを有する第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記透明基板との間に配置され、ＬＤＤ領域が平面視にて前記第１遮光層の内側に位置する薄膜トランジスタを含む電気光学基板の設計方法であって、前記第１遮光層端部と前記ＬＤＤ領域端部との距離Ｌl（ｎｍ）が、ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌl（ｎｍ）（関係式２）を満たすよう設計することを特徴とする。
【００２５】
この設計方法によれば、第１遮光層により、薄膜トランジスタのＬＤＤ領域に対しても遮光性を向上させた電気光学基板を設計することができる。さらに、第１絶縁体層の層厚の関数である上記関係式を満たすよう設計することで、光リーク電流を効果的に低減することができる。
【００２６】
また、本発明に係る電気光学基板の設計方法は、透明基板と、前記透明基板の第１面側に、平面視にて開口部を囲う領域の少なくとも一部に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層と前記透明基板との間に挟まれる絶縁層として屈折率ｎ、層厚ｔ（ｎｍ）とを有する第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記透明基板との間に配置され、ＬＤＤ領域が平面視にて前記第１遮光層の内側に位置する薄膜トランジスタを含む電気光学基板の設計方法であって、前記第１遮光層端部と前記ＬＤＤ領域端部から前記第１遮光層に下ろした垂線との距離をＸl（ｎｍ）、前記透明基板に入射し得る最短波長をλ（ｎｍ）とした場合、ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘl2）0.5（ｎｍ）（関係式４）を満たすよう設計することを特徴とする。
【００２７】
この設計方法によれば、第１遮光層により、薄膜トランジスタのＬＤＤ領域に対しても遮光性を向上させた電気光学基板を設計することができる。さらに、第１絶縁体層の層厚の関数である上記関係式を満たすよう設計することで、光リーク電流を効果的に低減することができる。
【００２８】
また、本発明に係る電気光学装置は、上記記載の電気光学基板を含むことを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、光リーク電流の発生が抑制された電気光学基板を含むため、高輝度で表示可能な電気光学装置を提供することが可能となる。
【００３０】
また、本発明に係る電子機器は、上記記載の電気光学装置を含むことを特徴とする。
【００３１】
この構成によれば、高輝度で表示可能な電気光学装置を含むため、視認性に優れた表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態について図面を用いて説明する。
図１は、薄膜トランジスタを含む電気光学基板の平面図である。信号線９とゲート配線６を通して伝達される電力で薄膜トランジスタ２０５は駆動される。そしてドレイン電極８は例えばＩＴＯを用いた画素電極１９と接続され、画素電極１９の電位を制御している。
【００３３】
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。ここでは、迷光による影響を受けない構成については省略している。透明基板としての石英基板１には、タングステンシリサイドを用いた第２遮光層４が形成されている。第２遮光層４の層厚としては、例えば１００〜１０００ｎｍ程度の層厚を用いることができる。ここで、第２遮光層４の材質としてタングステンシリサイドに代えてモリブデン、タングステン、タンタルなど、電気光学基板２２０を形成する最大温度に耐える金属や、多結晶シリコン、モリブデンシリサイドなどを用いることができる。そして、第２遮光層４を覆うように例えば酸化シリコンを用いた第１絶縁体層５が配置されている。そして、平面視にて第２遮光層４に覆われるようにシリコン層２が配置されている。シリコン層２には、ドレイン領域２０８、ソース領域２０９、ＬＤＤ領域２０１、チャネル領域２００が割り当てられている。シリコン層２には、ポリシリコン、単結晶シリコン（ＳＯＩ技術を用いる）、アモルファスシリコンを用いることができる。単結晶シリコンは迷光の侵入により発生するリーク電流がポリシリコンと比べて１０倍程度大きくなるため、本実施形態を用いることが好適である。迷光の影響を緩和できることで、単結晶シリコンが有する高い移動度に起因する、高い相互コンダクタンス（ｇｍ）を持つ薄膜トランジスタを用いることができる。
【００３４】
そして、シリコン層２を覆うように、シリコン層２を熱酸化することで得られる熱酸化ゲート絶縁層１４０、ＣＶＤ法などの成層方法を用いたデポゲート絶縁層１４が配置されている。デポゲート絶縁層１４の材質としては、例えば酸化シリコンが好適である。また、酸化シリコンに代えて、窒化シリコンや酸化ハフニウムを含む材質を用いても良い。そして、デポゲート絶縁層１４の一部を覆い、チャネル領域２００と自己整合的に揃えられた位置にゲート電極３が配置されている。
そして、第１層間絶縁層１５がゲート電極３やデポゲート絶縁層１４を覆うように配置されている。そして、第１層間絶縁層１５を覆うよう第２層間絶縁層１０が配置されている。そして、ドレイン電極８は、ドレイン領域２０８と電気的に接続されている。また、この位置にはドレイン配線１１が配置されており、このドレイン配線１１は薄膜トランジスタ２０５への光の侵入を阻止するための遮光層（第１遮光層）としての機能を有している。
【００３５】
図２において、ドレイン配線１１により遮光された領域から斜め方向に侵入する迷光を抑えることで光リーク電流による影響を抑えることができる。具体的には、ドレイン配線１１と、シリコン層２と、ドレイン配線１１とシリコン層２に挟まれた第１絶縁体層としての絶縁体（導光層となる）を含む等価導波路の遮断距離を越えてチャネル領域２００を配置することで、チャネル領域２００への迷光の侵入を遮断することができる。図２に示されるように、チャネル領域２００の長さ方向に見た等価導波路の導光層は熱酸化ゲート絶縁層１４０（層厚をｔ１（ｎｍ）とする）、デポゲート絶縁層１４（層厚をｔ２（ｎｍ）とする）、第１層間絶縁層１５（層厚をｔ３（ｎｍ）とする）の３層構造で表される。ここで、光の侵入を防ぐためには、レイリーの回折条件から、光の波長をλ（ｎｍ）、多層構造を有する導光層の総層厚をｔ（ｎｍ）、導光層の屈折率をｎ、迷光の入射角度をθc1とした場合、以下の式で表される。ｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθc1）（関係式５ａ）。この場合、λを可視光の最短波長となる４００ｎｍとする。そしてｓｉｎθc1（対辺／斜辺）を、図２に示されるドレイン配線１１とチャネル領域２００の端部との距離Ｌc1（ｎｍ）を用いて表すとＬc1が斜辺、導光層の層厚がｔと対応するため、ｓｉｎθc1＝ｔ／Ｌc1となる。この対応関係を関係式５に代入するとｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc1（ｎｍ）（関係式１ａ）が得られる。Ｌc1（ｎｍ）がこの関係を満たすようドレイン配線１１に対して、平面視にて内側に囲われるよう配置することでチャネル領域２００への迷光の入射を抑えることができる。例えば、等価導波路の導光層は熱酸化ゲート絶縁層１４０と、デポゲート絶縁層１４、第１層間絶縁層１５の３層全てを屈折率１．５の酸化シリコンで構成し、Ｌc1（ｎｍ）を例えば５００ｎｍ程度とするには、総層厚となるｔ（ｔ１＋ｔ２＋ｔ３）を２８５ｎｍ未満に抑えることで実現される。ここで、薄膜トランジスタ２０５の構成として、ＬＤＤ領域２０１を有する場合について説明したが、チャネル領域２００への迷光入射を遮断する構成を用いる場合、ＬＤＤ領域２０１の存在は必須ではなく省略可能である。
【００３６】
また、チャネル領域２００に加え、ＬＤＤ領域２０１への迷光の侵入を抑制するためには、上記した関係式１ａを満たすと共に、上記した説明と同様にして、その構成を導くことができる。ここで図２に示したドレイン配線１１の端部とＬＤＤ領域２０１の端部との距離Ｌl1（ｎｍ）を用いて表すと、ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌl1（ｎｍ）（関係式２ａ）となる。この関係式を満たす条件でＬＤＤ領域２０１を設計することでＬＤＤ領域２０１中への迷光の侵入を遮断することができる。
【００３７】
また、迷光の侵入経路としては、図２に示すように薄膜トランジスタ２０５のソース領域２０９から侵入する経路に加え、図３に示す図１のＢ−Ｂ線断面図方向（シリコン層２の側面と呼ぶ）からの侵入経路がある。この場合、熱酸化ゲート絶縁層１４０（図２のｔ１）は迷光の入射経路に形成されていないため、光の侵入深さは図２で示した場合と異なる値をとる。ドレイン配線１１と、シリコン層２と、ドレイン配線１１とシリコン層２とに挟まれた領域を含む等価導波路の導光層の総層厚ｔはｔ２＋ｔ３（ｎｍ）で与えられる。この場合でも同様にｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc2（ｎｍ）（関係式１ｂ）を満たすことで、チャネル領域２００の側方からの迷光の侵入を遮断することができる。また、ＬＤＤ領域２０１への側面からの侵入は同様にして、図１のＣ−Ｃ線断面図である図４に示すように、導光層の総層厚ｔはｔ２＋ｔ３（ｎｍ）で与えられる。この場合に対してもｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌl2（ｎｍ）（関係式２ｂ）を満たすことで、ＬＤＤ領域２０１の側面からの迷光の侵入を遮断することができる。
また本実施の形態に係る薄膜トランジスタの設計においては、上記関係式を満たすようにｔ，Ｌc1，Ｌc2，Ｌl1，Ｌl2が設定される。例えば電気光学基板の高精細化に伴い１画素当りの面積の縮小が進み、Ｌc、又はＸcが小さくなる場合には、例えば導光層を構成する第１層間絶縁層１５の層厚を上記関係式を満たす範囲になるように小さくすることによって、遮光性を維持した設計が行える。
【００３８】
（第２の実施形態：異なる屈折率を持つ膜の積層構造の例）
以下、第２の実施形態について図面を用いて説明する。第１の実施形態では、第１絶縁体層として導光層を構成する熱酸化ゲート絶縁層１４０、デポゲート絶縁層１４、第１層間絶縁層１５の各層の屈折率が全て等しくｎである場合について説明したが、これらの各層の屈折率が異なる構造の場合にも同様に展開することができる。
例えば熱酸化ゲート絶縁層１４０と第１層間絶縁層１５が酸化シリコン膜で、デポゲート絶縁層１４が窒化シリコン膜の場合には、各々の屈折率は約１．５と約２．１であり、これらの値と各層の層厚を考慮することによって、上記第１の実施形態と同様に、迷光の侵入深さを越えた位置にチャネル領域、及びＬＤＤ領域を配置することができる。
【００３９】
また、第１層間絶縁層を酸化シリコン層と窒化シリコン層との多層構造を用いることも可能である。窒化シリコン層を用いることで、シリコン層への不純物の侵入を抑制することができる。また、窒化シリコン層は、例えばＣＭＰ法を用いる場合に良好なエッチングストップ層として機能するため、画素電極領域も含めた平坦化を容易に行うことができる。
【００４０】
図５は、薄膜トランジスタを含む電気光学基板の平面図である。信号線９とゲート配線６を通して薄膜トランジスタ２０５は駆動される。そしてドレイン電極８は例えばＩＴＯを用いた画素電極１９と接続され、画素電極１９の電位を制御している。そして、窒化シリコン層２１０は遮光層としての機能を有するドレイン配線１１の内周に収まるよう配置されている。
【００４１】
図６は、図５のＡ−Ａ線断面図である。ここでは、迷光による影響を受けない構成については省略している。透明基板としての石英基板１には、タングステンシリサイドを用いた第２遮光層４が形成されている。第２遮光層４の層厚としては、例えば１００〜１０００ｎｍ程度の層厚を用いることができる。ここで、第２遮光層４の材質としてタングステンシリサイドに代えてモリブデン、タングステン、タンタルなど、電気光学基板２２０を形成する最大温度に耐える金属や、多結晶シリコン、モリブデンシリサイドなどを用いることができる。そして、第２遮光層４を覆うように例えば酸化シリコンを用いた第１絶縁体層５が配置されている。そして、平面視にて第２遮光層４に囲われるようにシリコン層２が配置されている。シリコン層２には、ドレイン領域２０８、ソース領域２０９、ＬＤＤ領域２０１、チャネル領域２００が割り当てられている。シリコン層２にはポリシリコン、単結晶シリコン（ＳＯＩ技術を用いる）、アモルファスシリコンを用いることができる。単結晶シリコンは迷光の侵入により発生するリーク電流がポリシリコンと比べて１０倍程度大きくなるため、本実施形態を用いることが好適である。迷光の影響を緩和できることで、単結晶シリコンが有する高い移動度に起因する、高い相互コンダクタンス（ｇｍ）を持つ薄膜トランジスタを構成することができる。
【００４２】
そして、シリコン層２を覆うように、シリコン層２を熱酸化することで得られる熱酸化ゲート絶縁層１４０、ＣＶＤ法などの成層方法を用いたデポゲート絶縁層１４が配置されている。デポゲート絶縁層１４の材質としては、例えば酸化シリコンが好適である。また、酸化シリコンに代えて、窒化シリコンや酸化ハフニウムを含む材質を用いても良い。そして、デポゲート絶縁層１４の一部を覆い、チャネル領域２００と揃えられた位置にゲート電極３が配置されている。
【００４３】
そして、第１層間絶縁層１５がゲート電極３やデポゲート絶縁層１４を覆うように配置されている。第１層間絶縁層１５は窒化シリコン層２１０と酸化シリコン層２１１を含んでいる。窒化シリコン層２１０を含むことで例えばＣＭＰ法を用いる場合に良好なエッチングストップ層として機能するため、画素電極領域も含めた平坦化を容易に行うことができるという効果を有する。また、酸化シリコン層２１１を、窒化シリコン層２１０と薄膜トランジスタ２０５の間に挟むことで、窒化シリコン層２１０に起因する応力の影響を緩和することができる。
【００４４】
そして、第１層間絶縁層１５を覆うよう第２層間絶縁層１０が配置されている。そしてドレイン電極８がドレイン領域２０８と電気的に接続されるよう形成されている。また、この位置にはドレイン配線１１が配置されており、このドレイン配線１１は薄膜トランジスタ２０５への光の侵入を阻止するための遮光層（第１遮光層）としての機能を有している。
【００４５】
図６において、ドレイン配線１１により遮光された領域から斜め方向に侵入する迷光を抑えることで光リーク電流による影響を抑えることができる。具体的には、ドレイン配線１１と、シリコン層２と、ドレイン配線１１とシリコン層２に挟まれた絶縁体（導光層となる）を含む等価導波路の遮断距離を越えてチャネル領域２００を配置することで、チャネル領域２００への迷光の侵入を遮断することができる。図６に示されるように、チャネル領域２００の長さ方向に見た等価導波路の導光層は熱酸化ゲート絶縁層１４０（層厚をｔ１（ｎｍ）とする）と、デポゲート絶縁層１４（層厚をｔ２（ｎｍ）とする）、第１層間絶縁層１５を構成する酸化シリコン層２１１（層厚をｔ３（ｎｍ）とする）と、窒化シリコン層２１０（層厚をｔ４（ｎｍ）とする）の４層構造で表される。
この場合においても、導光層を構成する各層の屈折率と膜厚を考慮してＬc3を設定することによって、上記第１の実施形態と同様に、迷光の侵入深さを越えた位置にチャネル領域、及びＬＤＤ領域を配置することができる。
【００４６】
ここで、薄膜トランジスタ２０５の構成として、ＬＤＤ領域２０１を有する場合について説明したが、チャネル領域２００への迷光入射を遮断する構成を用いる場合、ＬＤＤ領域２０１の存在は必須ではなく省略可能である。
【００４７】
また、図６に示される構造を用いた場合、チャネル領域２００に加え、ＬＤＤ領域２０１への迷光の侵入を抑制するためには、上記した説明と同様に、ドレイン配線１１とＬＤＤ領域２０１の端部との距離Ｌl3（ｎｍ）が、迷光の侵入深さを越えた位置とすることで、ＬＤＤ領域２０１へ迷光の侵入を遮断することができる。
【００４８】
また、迷光の侵入経路としては、薄膜トランジスタ２０５のソース領域２０９から侵入する経路に加え、図５に示すＢ−Ｂ線断面図方向（シリコン層２の側面と呼ぶ）からの侵入経路がある。図７は図５に示す平面図のＢ−Ｂ線断面図である。図７に示す方向には（シリコン層２の側面と呼ぶ）、熱酸化ゲート絶縁層１４０は迷光の入射経路に形成されていないため、光の侵入深さは図で示した場合と異なる値をとる。ドレイン配線１１と、シリコン層２と、ドレイン配線１１とシリコン層２とに挟まれた絶縁体（導光層となる）を含む等価導波路の導光層の総層厚ｔはｔ２＋ｔ３＋ｔ４（ｎｍ）で与えられる。この場合でも同様にドレイン配線１１とチャネル領域２００の端部との距離Ｌc4（ｎｍ）が、迷光の侵入深さを越えた位置とすることで、チャネル領域２００の側方からの迷光の侵入を遮断することができる。また、ＬＤＤ領域２０１への側面からの侵入は同様にして、図５のＬＤＤ領域にあたるＣ−Ｃ線断面図としての図８に示されるように、ドレイン配線１１とＬＤＤ領域２０１の端部との距離Ｌl4（ｎｍ）が、迷光の侵入深さを越えた位置とすることでＬＤＤ領域２０１の側面からの迷光の侵入を遮断することができる。
また、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの設計においては、例えば電気光学基板の高精細化に伴い１画素当りの面積の縮小が進み、Ｌc、又はＸcが小さくなる場合には、導光層を構成する第１層間絶縁層１５の総層厚ｔを等価導波路の遮断距離よりも小さくするよう設計することで、遮光性を維持した設計が行える。
【００４９】
（第３の実施形態）
本実施の形態においては、導光層を構成する層の屈折率ｎと膜厚ｔ（＝（ｔ２＋ｔ３）ｎｍ）に対し、第１遮光層端部とチャネル領域端部から第１遮光層に下ろした垂線との距離をＸc（ｎｍ）と、透明基板（電気光学基板）に入射し得る光の最短波長λ（ｎｍ）との設定について説明する。
図１２は、図３と同様に薄膜トランジスタ２０５のチャネル領域２００に侵入角θc、で迷光が侵入する状態を示す図であり、チャネル領域２００に迷光が到達しないようにするためには、レイリーの回折限界の式から、層厚ｔ以下の式を満たせば良い。
ｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθc）（関係式５ａ）。
関係式５ａで、ｓｉｎθcは対辺／斜辺となり、この関係は（層厚ｔ（ｎｍ））／（距離（Ｘc2＋ｔ2）0.5（ｎｍ）と記述できる。これを関係式５ａに代入し、整理することで以下の関係式を得ることができる。
ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘc2）0.5（ｎｍ）（関係式３）。
また、上記した関係式１（ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌc（ｎｍ））も成立する必要がある。
【００５０】
このように、入射し得る光の最短波長λと導光層を構成する層の屈折率ｎに対して、上記関係式３を満たすように導光層を構成する層の総層厚ｔと、第１遮光層端部とチャネル領域端部から第１遮光層に下ろした垂線との距離Ｘcを制御することで、迷光のチャネル領域２００への侵入を防ぎ、迷光に由来するノイズが抑制されることで、画質の高い電気光学基板を提供することができる。
【００５１】
また本実施の形態に係る薄膜トランジスタの設計においては、上記関係式１及び関係式３の関係を満たすようにｔ，Ｌc，Ｘcが設定される。例えば電気光学基板の高精細化に伴い１画素当りの面積の縮小が進み、Ｌc、又はＸcが小さくなる場合には、例えば導光層を構成する第１層間絶縁層１５の層厚を関係式１又は関係式３の関係を満たす範囲になるように小さくすることによって、遮光性を維持することができる設計が行える。
【００５２】
（第４の実施形態）
本実施の形態においては、導光層を構成する層の屈折率ｎと膜厚ｔ（ｎｍ）に対し、第１遮光層端部とＬＤＤ領域端部から第１遮光層に下ろした垂線との距離をＸl（ｎｍ）と、透明基板（電気光学基板）に入射し得る光の最短波長λ（ｎｍ）との設定について説明する。
【００５３】
図１３は、図４と同様に薄膜トランジスタ２０５のＬＤＤ領域２０１に侵入角θl、で迷光が侵入する状態を示す図であり、ＬＤＤ領域２０１に迷光が到達しないようにするためには、レイリーの回折限界の式から導かれる下式を満たせば良い。
ｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθl）（関係式５ａ）。
関係式５ａで、ｓｉｎθlは対辺／斜辺となり、この関係は（層厚ｔ（ｎｍ））／（距離（Ｘl2＋ｔ2）0.5（ｎｍ）と記述できる。これを関係式５ａに代入し、整理すると下式を得ることができる。
ｎｔ2／０．６１λ（ｎｍ）＜（ｔ2＋Ｘl2）0.5（ｎｍ）（関係式４）。
また、上記した関係式２（ｎｔ2／２４４（ｎｍ）＜Ｌl（ｎｍ））も成立する必要がある。
このように、入射し得る光の最短波長λと導光層を構成する層の屈折率ｎに対して、上記関係式４を満たすように導光層を構成する層の総層厚ｔと、第１遮光層端部とＬＤＤ領域端部から第１遮光層に下ろした垂線との距離Ｘlを制御することで、迷光のＬＤＤ領域２０１への侵入を防ぎ、迷光に由来するノイズが抑制されることで、画質の高い電気光学基板を提供することができる。
【００５４】
また本実施の形態に係る薄膜トランジスタの設計においては、上記関係式２及び関係式４の関係を満たすようにｔ，Ｌl，Ｘlが設定される。例えば電気光学基板の高精細化に伴い１画素当りの面積の縮小が進み、Ｌl、又はＸlが小さくなる場合には、例えば導光層を構成する第１層間絶縁層１５の層厚を上記関係式を満たす範囲になるように小さくすることによって、遮光性を維持した設計が行える。
【００５５】
（第５の実施形態）
以下、第５の実施形態として、上記した電気光学基板を含む電気光学装置として、液晶パネルについて説明する。図９は液晶パネルの平面図である。図９に示すように、液晶パネル３０は、透明基板としての石英基板１上に表示画素領域２７が設けられており、画素電極１９がマトリクス状に配置される電気光学基板２２０（図６参照）を含んでいる。表示画素領域２７の周辺には、表示信号を処理する駆動回路が配置されている。ゲート線駆動回路２１はゲート信号配線（図示せず）を順次走査し、データ線駆動回路２２はソース信号配線（図示せず）に画像データに応じた画像信号を供給する。またパッド領域２６を介して外部から入力される画像データを取り込む入力回路２３や、これらの回路を制御するタイミング制御回路２４などの回路が設けられている。
【００５６】
図１０は図９で述べた液晶パネルのＡ−Ａ線での断面図である。液晶パネル３０は、表示画素と駆動回路を形成した基板３１と、透明導電膜として例えばＩＴＯを含む対向電極３３を有する透明基板３２が一定間隔をおいて配置されている。そして、周辺をシール材３５で封止した隙間内にＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ＿Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶３４又は電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直に配向されたＳＨ（Ｓｕｐｅｒ＿Ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ）型液晶などが充填されている。電気光学装置としての液晶パネル３０には上記した構成が用いられている。なお、外部から信号を入力できるように、パッド領域２６はシール材３５の外側に来るようにシール材３５を設ける位置が設定されている。液晶パネル３０は、上記したように斜め方向からの迷光の侵入が抑えられた薄膜トランジスタ２０５を用いているため、高輝度光源を用いる（迷光強度が強い）場合の応用に好適な電気光学装置としての液晶パネル３０を提供することができる。
【００５７】
（第６の実施形態）
以下、第６の実施形態として、上記した電気光学装置としての液晶パネルを用いた電子機器について説明する。図１１は電子機器として上記した電気光学装置としての液晶パネルを搭載したリア型プロジェクタの模式図である。リア型プロジェクタ２３０は、上記した液晶パネル３０をライトバルブとして用いている。光源２３１より供給される光は液晶パネル３０により画像情報が与えられる。そして、光学系２３２により光束を制御する。そして、反射鏡２３３と反射鏡２３４によりスクリーン２３５に画像が表示される。リア型プロジェクタ２３０に用いられる液晶パネル３０に入射する光強度は極めて高く、また高画質が要求される。光強度が極めて高いことから、その迷光の強度は高い。上記した構成を有する液晶パネル３０はこの迷光の影響を抑制することができる。そのため、液晶パネル３０を含む電子機器としてのリア型プロジェクタ２３０は迷光に由来する影響を抑えることができ、出力画像の高画質化を実現することができる。また、リア型プロジェクタ２３０以外の応用分野として、フロント型プロジェクタ、携帯電話、ビデオカメラ、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどの電子機器にも適用することができる。
【００５８】
（変形例）第１の実施形態乃至第４の実施形態では、トップゲート型の薄膜トランジスタを用いた例について説明したが、これはボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】薄膜トランジスタを含む電気光学基板の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に対応する、薄膜トランジスタを含む電気光学基板の断面図。
【図３】チャネル領域側面からのチャネル領域への迷光侵入経路を示す図１の電気光学基板のＢ−Ｂ線断面図。
【図４】ＬＤＤ領域側面からＬＤＤ領域への迷光侵入経路を示す図１の電気光学基板のＣ−Ｃ線断面図。
【図５】薄膜トランジスタを含む電気光学基板の平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ線に対応する、薄膜トランジスタを含む電気光学基板の断面図。
【図７】チャネル領域側面からチャネル領域への迷光侵入経路を示す図５の電気光学基板のＢ−Ｂ線断面図。
【図８】ＬＤＤ領域側面からＬＤＤ領域への迷光侵入経路を示す図５の電気光学基板のＣ−Ｃ線断面図。
【図９】電気光学装置としての、液晶パネルの平面図。
【図１０】図９のＡ−Ａ線断面図としての液晶パネルの断面図。
【図１１】電子機器としてのリア型プロジェクタの模式図。
【図１２】チャネル領域側面からのチャネル領域への迷光侵入経路を示す図１の電気光学基板のＢ−Ｂ線断面図。
【図１３】ＬＤＤ領域側面からＬＤＤ領域への迷光侵入経路を示す図１の電気光学基板のＣ−Ｃ線断面図。
【符号の説明】
【００６０】
１…石英基板、２…シリコン層、３…ゲート電極、４…第２遮光層、５…第１絶縁体層、６…ゲート配線、８…ドレイン電極、９…信号線、１０…第２層間絶縁層、１１…ドレイン配線、１４…デポゲート絶縁層、１５…第１層間絶縁層、１９…画素電極、２１…ゲート線駆動回路、２２…データ線駆動回路、２３…入力回路、２４…タイミング制御回路、２６…パッド領域、２７…表示画素領域、３０…液晶パネル、３１…基板、３２…透明基板、３３…対向電極、３４…ＴＮ型液晶、３５…シール材、１４０…熱酸化ゲート絶縁層、２００…チャネル領域、２０１…ＬＤＤ領域、２０５…薄膜トランジスタ、２０８…ドレイン領域、２０９…ソース領域、２１０…窒化シリコン層、２１１…酸化シリコン層、２２０…電気光学基板、２３０…リア型プロジェクタ、２３１…光源、２３２…光学系、２３３…反射鏡、２３４…反射鏡、２３５…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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