(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードを製造する方法であって、
基板の上に、III族窒化物であって第１導電型を有する第１エピタキシャル領域を形成するステップと、
前記第１エピタキシャル領域の上に、III族窒化物であって第２導電型を有する第２エピタキシャル領域を形成して、前記第１及び第２エピタキシャル領域によりｐｎ接合を形成するステップと、
前記第２エピタキシャル領域の表面の周囲部分が露呈するように、前記第２エピタキシャル領域の中央部に金属接点を置くステップと、
前記露呈された周囲部分の全体を通じて基板にイオンを注入することなしに前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入し、該イオンが高濃度にドープされたイオン注入済の周囲部分を画定して、前記イオン注入済の周囲部分の内側に前記ｐｎ接合を隔離するステップと、
発光ダイオードをリード・フレームの上に前記金属接点とリード・フレームとが接するように配置するステップと
を含んでおり、
前記イオン注入済の周囲部分に対応する前記第２エピタキシャル領域の高抵抗周囲部分は、前記ｐｎ接合を前記リード・フレームから隔離しており、
前記金属接点はオーミック・コンタクト層と接合パッドとを少なくとも含み、前記金属接点は前記第２エピタキシャル領域とのオーミック・コンタクトを形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記金属接点はバリア層を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、前記金属接点は反射層を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記オーミック・コンタクト層のエッジは前記接合パッドのエッジを超えて延長していることを特徴とする方法。  
【請求項５】
請求項４記載の方法において、該方法は更に、
前記金属接点にフォトレジストを被着するステップと、
前記フォトレジストをパターニングするステップと、
前記第２エピタキシャル領域の周囲部分へのイオン注入の前に、前記フォトレジストによって露出された前記金属接点の一部を選択的にエッチングして、前記第２エピタキシャル領域の表面の周囲部分を露呈させるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、該方法は更に、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入する前に、前記フォトレジストを除去するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記フォトレジストを除去する前に前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記金属接点をイオン注入マスクとして用いて前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入した後に、前記第１及び第２エピタキシャル領域の露出された表面のパシベーションを行うステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記オーミック・コンタクト層を通過して前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項５記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するときには、前記パターニングされたフォトレジストをイオン注入マスクとして用いるステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項４記載の方法において、前記金属接点のエッジは前記第２エピタキシャル領域の周囲部分を画定することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項５記載の方法において、該方法は更に、二酸化シリコン、窒化シリコン、絶縁性ポリマ、及びそれらの組み合わせから選択されたパシベーション層を、前記第２エピタキシャル層の露出部分の上に被着するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、窒素、燐、アルミニウム、ヘリウム、水素、及びＮ２から成る群から選択されたイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域は窒化ガリウムのｐ型エピタキシャル領域を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１記載の方法において、イオンを注入するステップの前に、第２エピタキシャル領域の表面にマスクを被着するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法において、前記マスクを被着するステップは、前記金属接点を、パターニングされた金属接点として前記第２エピタキシャル領域の上に被着するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１記載の方法において、前記イオンを注入するステップは、イオン・エネルギ、イオン投与量、及びその組み合わせから選択された要因に従って相互に異なる少なくとも２つの注入ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１記載の方法において、前記第２のエピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、約１×１０１３ｃｍ−２から２×１０１３ｃｍ−２までの投与量及び約１００ｋｅＶから２００ｋｅＶまでのエネルギで、約１×１０１７ｃｍ−３のｐ型キャリア濃度を有する前記第２エピタキシャル領域にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域はｐ型のIII族窒化物のエピタキシャル領域を含み、該方法は、
前記金属接点の一部をマスキングするステップと、
前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入する前に、残留している露出された金属接点を前記第２エピタキシャル領域から除去するステップと、
前記金属接点から前記マスクを除去するステップと
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法において、前記金属接点の一部をマスキングするステップは、前記金属接点の一部をフォトレジストを用いてマスキングするステップを含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光ダイオード（「ＬＥＤ」）の製造及びパッケージングに関する。ＬＥＤは、電流がそれを流れるときにはいつでも光を放出する半導体素子である。その最も単純な形態では、発光ダイオードは、ｐ−ｎ接合ダイオードを規定するｐ型部分及びｎ型部分を含む。リード・フレーム上に実装され、封止材（大抵の場合ポリマ）内に密閉されると、ＬＥＤパッケージ全体を「ランプ」とも呼ぶ。
【０００２】
高い信頼性、長寿命、及び総合的な低コストのため、ＬＥＤは多くの応用分野において種々の発光用途に広く受け入れられている。
ＬＥＤランプは極めて強靭である。これらは、通常、ガラスを含まず、フィラメントを完全に排除している。その結果、ＬＥＤランプは、白熱ランプよりも遥かに酷使に耐えることができ、その高い信頼性は、多くの保守率及びコストを大幅に低下又は皆無にすることができる。
【０００３】
ＬＥＤランプは、非常に効率的であり、例えば、白熱ランプの１０パーセントの電気のみを消費して、それに等しい光を放出することができる。多くのＬＥＤは、１００，０００時間の寿命を有する。即ち、１１年の連続使用と同等である。したがって、統計的な観点からは、殆どのＬＥＤは、初期状態において検査したなら（通常、生産プロセスの一部として）、全く故障しないはずである。ＬＥＤランプは、爆発性気体や液体の近くというような、異常な環境又は困難な環境における使用に優れている。個々の光の選択（ソリッド・ステート対白熱又は蛍光）はなおも個々の使用毎に設計し検査しなければならないが、概して、ＬＥＤの光は、広範囲の用途において、より安全な選択となる。
ＬＥＤランプは、エネルギ効率が高くしかも環境に優しい。これらは、電気及びバッテリの使用を極力抑え、その比較的低い電流要求量は、それらを太陽光で給電することが更に容易にできることを意味する。
【０００４】
ＬＥＤの特質、構造及び動作は、一般によく理解されている。発光ダイオードの特質及び動作の概念的論述及び理解、ならびにその動作を支える物理及び化学は、例えば、SzeのPHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES 2nd ED. (1981)（非特許文献１）、及びSzeのMODERN SEMICONDCUTOR DEVICE PHYSICS (1998)（非特許文献２）にて見ることができる。本願と同じ譲受人に譲渡された多数の特許、及び多数の同時係属中の特許出願も同様に、発光ダイオードの理論及び特質について論じており、米国特許第６，５８２，９８６号（特許文献１）、第６，４５９，１００号（特許文献２）、第６，３７３，０７７号（特許文献３）、第６，２０１，２６２号（特許文献４）、第６，１８７，６０６号（特許文献５）、第５，９１２，４７７号（特許文献６）、第５，４１６，３４２号（特許文献７）、及び第５，８３８，７０６号（特許文献８）、ならびに公開米国特許出願第２００２００９３０２０号（特許文献９）、及び第２００２０１２３１６４号（（特許文献１０）が含まれるが、これらに限定されるという訳ではない。これらの内容は、ここで引用したことにより、その全体が本願にも含まれるものとする。
【０００５】
これらの資料全てが証明するように、発光ダイオードが放出する色は、それを形成する半導体材料の特質によって決まる。本願と同じ譲受人に譲渡された特許及び出願において具体的に明記されているが、電磁スペクトルの緑、青、紫、及び紫外部分における光は、赤や黄色光と比較すると、高いエネルギを有する。このような高エネルギ光は、通常、広いバンドギャップ、即ち、必要なエネルギを有する光子を生ずるのに十分なバンドギャップを有する材料を用いなければ、発生することはできない。（「バンドギャップ」とは、半導体材料の本質的品質であり、当該材料において光子が発生するときに放出されるエネルギを決定する。）炭化珪素、窒化ガリウム、及びその他のＩＩＩ群窒化物、ならびにＺｎＳｅ及びＸｎＳのようなＩＩ−ＶＩ化合物は、青、緑及び／又はＵＶ光を発生することができる広バンドギャップ半導体材料の例である。先に本願に含まれるものとした引例に更に詳しく明記されているが、これらの材料の内、窒化ガリウム及びその他のＩＩＩ群窒化物は、ＬＥＤ生産に最も適した材料として台頭し始めている。
【０００６】
多数のパッケージング及び使用用途では、発光ダイオードに望ましい設計は、「縦型」配位である。「縦型」という用語は、素子全体の最終的な位置を記述するために用いられるのではなく、電流を素子及びそのｐ−ｎ接合部に通過させるために用いる電気接点を素子内において互いに対向する面（軸方向）に位置付ける際における、素子内での配位を記述するために用いている。したがって、その最も基本的な形態では、縦型素子は、導電性基板と、この基板の一方の面上の金属接点と、ｐ−ｎ発光接合部を形成するための基板の対向面上にある２つ以上のエピタキシャル層と、これらの層及びその接合部ならびに基板を貫通して基板接点まで電流路を設けるために最上部のエピタキシャル層上にある上位接点とを含む。
【０００７】
本発明の譲受人が生産する最新世代のＬＥＤ、例えば、公開米国出願第２００２０１２３１６４号（特許文献１０）では、基本的ＬＥＤ構造は、炭化珪素基板と、この基板上のｎ型窒化ガリウム・エピタキシャル層と、ｎ型層上にありこれによってｐ−ｎ接合部を形成するｐ型窒化ガリウム層と、素子に対して上位接点も形成する、ｐ型層上の金属スタックとを含む。このような素子からの光の放出を増大させるには、基板の透過性及び形状寸法(geometry)を注意深く選択し、その予期される波長、ならびに炭化珪素基板の屈折率、及び得られると思われるパッケージング材料の屈折率に基づいて、光の放出を最大にすることによって可能となることがわかっている。したがって、最新の商用実施形態では、発光ダイオードは、リード・フレーム上に配置され、ダイオードのエピタキシャル層がリード・フレームに隣接し、炭化珪素基板がそれらの上にある。この配位は、「フリップ・チップ」又は「接合部下位」(junction down)と呼ばれることもあり、図面に関連付けて更に詳しく論ずることにする。リード・フレームは、ダイを取り付け、接合する金属フレームである。リード・フレームの一部は、回路の外部接続部となることもできる。
【０００８】
「フリップ・チップ」設計は利点があるものの、リード・フレーム、ダイ取付金属、素子の金属接点層、及びエピタキシャル層の終端縁間には、非常に小さな余裕即ち空間しか得られない場合がある。エピタキシャル層はｐ−ｎ接合部を含み規定するので、金属及び接合間の余裕は、１から５ミクロン程度にすることができる。したがって、ＬＥＤをリード・フレーム上に実装する際、基板を上、接合部を下にし、リード・フレームとダイオードのｐ型部分へのオーミック・コンタクトとの間に電気的接触を得るために金属（又はその他の機能的に導電性の材料）を用いると、ＬＥＤをリード・フレームに取り付けるために用いる金属が、ｎ型層と接触し、当業者にはショットキ接触(Schottky contact)として知られている、寄生（即ち、不要な）金属−半導体接続を偶発的に形成する可能性がある。
【０００９】
加えて、ダイオードを保護するために多くの場合追加するパシベーション層（通常では窒化シリコン）に、熱的又は力学的応力によって亀裂が入り、このため素子のエピタキシャル層への望ましくない接触に発展するという更に別の可能性も生じ得る。
【００１０】
比較及び説明の目的で述べると、今説明している問題は、ダイオードをリード・フレーム上に配置し、エピタキシャル層ではなく基板がリード・フレームに隣接するようにすれば、本質的に存在しないことである。このような場合、ダイ取付金属と（通常）ｎ型炭化珪素基板との間の直接的な電気的接触は、基板及び接合部を通過する電流路を得るためには、勿論、望ましいものである。
典型的なＬＥＤ製造プロセスでは、１つ以上の半導体材料のエピタキシャル層を半導体基板ウェハ上に成長させる。このようなウェハは、使用する半導体材料によって異なるが、通常、直径が２インチ及び４インチの間である。個々のＬＥＤダイは通常非常に小さい（例えば、３００×３００ミクロン）ので、大量のＬＥＤダイを基板ウェハ及びそのエピタキシャル層上に幾何学的格子パターンで形成することができる。個々の素子を首尾良く生産するためには、格子内のＬＥＤダイを互いに、物理的及び電気的双方で分離させなければならない。一旦ＬＥＤをウェハ上に形成したなら、次に、鋸引き(sawing)、けがき／分割(scribe-and-break)等のような周知の分離技法を用いて、これらを個々のダイ、又はダイ群に分離する。
【００１１】
ダイ分離のプロセスは、露出するｐ−ｎ接合領域には有害となる虞れがある。したがって、分離の前に、個々のダイがウェハ上にあるまま、これらを隔離することが知られている。最も典型的な隔離方法は、１回以上のフォトリソグラフィ工程を実行し、エピタキシャル層をエッチングして、素子又は素子先駆体毎に接合部を含むメサを規定することであり、これは素子及びそれらのオーミック・コンタクトのための位置を明確に規定するのにも役立つ。
【００１２】
フォトリソグラフィは、半導体設計及び製造において有用な技法であるが、特定の機器や材料を必要とし、プロセス工程が増加する。例えば、典型的なフォトリソグラフィ・プロセスは、フォトレジスト（通常、感光性ポリマ樹脂）の層を半導体構造に追加し、フォトレジスト上にマスクを配し、フォトレジストをそれが応答する（化学的変化を経ることによる、大抵の場合特定の溶剤におけるその溶解度）光の周波数に露光し、フォトレジストをエッチングして露出又は未露出パターン（選択するレジストによって異なる）を除去するステップを含み、次いで残ったパターンに対して次の所望の工程を実行する可能性がある。即ち、パターニング工程の目的がＧａＮ系層においてエッチ・パターンを規定することである場合、所望の材料パターンを完全に除去する前にエッチング材がレジストを除去してしまうと、ＧａＮの化学的、物理的、及び熱的安定性（仕上がった素子において有利な特性である）が更に別の難題を引き起こす虞れがある。
【００１３】
このため、上位接点金属層を含むメサ型ＬＥＤを形成するには、通常、これらの工程全体を少なくとも２回、メサをパターニングしエッチングするために１回、金属接点層をパターニングし堆積するために別の１回必要となる。
したがって、素子を互いに隔離する改良により、対応する改良がＬＥＤ及びＬＥＤの層の構造や性能にも得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
これより、本発明の好適な実施形態を示す添付図面を参照しながら、更に詳しく説明する。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で実現することもでき、ここに明記する実施形態に限定するように解釈してはならない。逆に、これらの実施形態は、本開示が綿密かつ完全であり、本発明の範囲を全て当業者に伝えるように提示するものである。図面において、層の厚さ及び領域は、明確さのために誇張されている。層、領域又は基板のような要素を、他の要素「上」にあると言う場合、それは直接他の要素の上にあるとすることができ、又は介在する要素も存在してもよいことは理解されよう。対照的に、ある要素が他の要素の「直接上」にあると言う場合、介在する要素は存在しないものとする。更に、第１要素又は層が第２要素又は層と「電気的に接触する」と記載する場合、第１及び第２要素又は層は、直接互いに物理的に接触している必要はなく、第１及び第２要素又は層間に電流の流れを可能にする導電性要素又は層を介在して接続されていてもよいことも理解されよう。
【００１５】
図１は、全体的に２０で示す発光ダイオードの断面模式図であり、発光ダイオードをある配位で実装したときに発生し得る潜在的な問題を示す。発光ダイオード２０は、かなり簡略化して示されているが、素子２０がここに図示するよりも精巧である（即ち、もっと多くの要素を含む）ことは、当業者には理解されよう。しかしながら、現状況では、本発明は、基本的な図を用いれば、明確に理解することができる。２０で示す形式のダイオードの一例、及びその変形の一部も、本願と同じ譲受人に譲渡され同時係属中の特許出願第ＵＳ２００２０１２３１６４号に記載されている。その内容は、ここで引用したことにより本願にも全体が含まれるものとする。
【００１６】
ダイオード２０は、基板２１を含む。基板２１は、２Ｈ、４Ｈ、６Ｈ、１５Ｒ、及び３Ｃポリタイプの炭化珪素から成る群から選択したポリタイプを有するｎ型炭化珪素である。素子２０のダイオード部分は、それぞれのｎ型窒化ガリウム領域２２及びｐ型窒化ガリウム領域２３によって示され、これら双方でｐ−ｎ接合部２４を規定する。領域２２及び領域２３は、各々、単一層、又は異なる組成、厚さ、ドーパント濃度、又はその他の品質を有する１群の関連層で構成されるものであってもよい。また、ダイオード２０は、ｐ型窒化ガリウム・エピタキシャル領域２３へのオーミック・コンタクト２５、及びこのオーミック・コンタクトと電気的に接触しているダイ取付金属２６とを含む。米国特許出願第１０／２００，２４４号に記載されているように、ダイ取付金属２６は、金層又は銀層のような、接合パッド（図示せず）に物理的に接触してもよい。この特許出願の内容は、ここで引用することにより、あたかも全体がここに明記されているが如く、本願にも含まれるものとする。更に、ダイ取付金属２６及びオーミック・コンタクト２５の間には、反射体、バリア、及びその他の金属層（図示せず）を形成してもよい。オーミック・コンタクト１５は、前述のように縦型素子を形成するために、基板２１上に形成してもよく、ワイヤ・リード２９を接点１５に接続し、素子を外部回路に接続するようにしてもよい。更に、図１に示す素子では、窒化シリコン又は二酸化シリコンのような絶縁材料又はポリアミドのような絶縁ポリマから成るパシベーション層５がエピタキシャル領域２２、２３の露出面を被覆し保護する。
【００１７】
ダイオード２０は、通常、金属又はメタライズ・リード・フレーム２７上に実装され、リード・フレーム２７は、ダイオード２０と外部回路との間に電気的接点を設ける。背景において明記したように、典型的な環境では、ダイ取付金属２６は、比較的低い温度、例えば、オーミック・コンタクト２５よりも低く、他のパッケージ構成要素がダイ取付プロセス中に損傷を受けないように、十分に低い温度で溶融する金属で形成されている。したがって、ダイ取付金属２６は、錫のようなはんだ、又は金／錫のような合金で構成するとよい。ダイ取付金属は、ダイオード２０を、はんだ又は熱音波接合によって、素早くかつ簡単にリード・フレームに実装することができる。これに関して、図１は、ダイ取付金属が不正確に形成されている場合（素子の殆どは非常に規模及びサイズが小さいので、常に可能性がある）、ダイ取付金属２６の一部３０が所望のオーミック・コンタクト２５との接触からはみ出す可能性があり、ｐ型窒化ガリウム領域２３又はｎ型窒化ガリウム領域２２と接触する可能性がある。これらの状況では、ダイ取付金属の不正確な部分又は不要な部分３０は、ｎ型窒化ガリウム層２２と接触する虞れがあり、ｎ型層２２と共に不要な寄生ショットキ・ダイオードを形成する可能性があり、あるいはこれが十分遠くまで延びる場合、寄生ショットキ・ダイオードをｎ型炭化珪素基板２１と共に形成する可能性がある。
【００１８】
図２は、発光ダイオードにおいて接合部を規定又は隔離する従来の様式を示す。図１の場合と同様、ダイオード（全体的に３２で示す）は、その基礎的な面が示されており、付加的な要素を含むことができるが、明確化のために図２には示されていない。図１におけるダイオード２０の場合と同様、ダイオード３２は、ｎ型炭化珪素基板３３、基板３３上にある窒化ガリウムのｎ型エピタキシャル層３４、及びｎ型層上にある窒化ガリウムのｐ型層３５を含み、ｐ−ｎ接合部３６を規定する。接合部を規定し隔離するために、通常、エピタキシャル層３４及び３５をエッチングして、図２の右側部分に示すメサ構造を形成する。図２は、ｐ型エピタキシャル層３５へのオーミック・コンタクト３７も示す。多くの状況において、層３４及び３５をエッチングすることによって形成されたメサ内にある接合部３６は、二酸化シリコン又はその他の何らかのしかるべき絶縁材料又は誘電体材料で被覆し、ダイ分離、パッケージング、又はその他の処理工程、あるいは動作中における接合部３６の外部汚染及び／又は損傷からの保護を強化する。
【００１９】
当業者には認められようが、層３５及び３６をメサ型に形成するためには、多数の追加工程を実行しなければならない。これらは、通常、エッチングのためのパターンを規定するマスキング工程を含む。一方、マスキング工程は、マスク（通常、フォトレジスト）を被着し、フォトレジスト上に光学パターンを配置し、露出し、レジストを現像し、マスクの現像された部分（又は、場合によっては現像されなかった部分）を除去し、下地のエピタキシャル層をエッチングし、次いでフォトレジストを除去する工程を含む。これらの工程は、今日では半導体業界において知られており、高い正確度で実行することができるが、これらのために製造プロセス全体に余分な設計及びコスト要因が増加して行き、理由は十分理解されているであろうが、余分な製造工程の各々が最終素子における許容度や正確性を多少損ねる可能性がある。
【００２０】
図３は、本発明の実施形態に係る接合部規定方法の全体的な模式図である。この方法は、模式的に矢印４０で表したイオンを、全体的に４２で示すダイオード内の、ｐ−ｎ接合部４３に隣接するエピタキシャル層４１内にインプラントする（打ち込む、注入する）ことから成る。エピタキシャル層４１は、第１導電型（図３ではｐ型として示す）を有する。インプラントするイオンの型及び量によって、インプラント領域４４の固有抵抗が増大し、インプラント領域４４を高抵抗性及び／又は半絶縁性にすることができる。これに関連して、「高抵抗性」とは、物質が十分に抵抗性となり、ウェハ上の隣接するダイのアノードに電圧バイアスを印加したときに、無視し得る電流しか流れないようになることを意味する。即ち、インプラント領域４４における物質は、実質的に電気的に隣接するダイを隔離する場合、本発明の目的上、高抵抗性であると見なされる。実施形態の中には、インプラント領域４４の固有抵抗が少なくとも２０００Ω−ｃｍである場合もある。物質の固有抵抗が十分に高い場合、この物質は、ｐ型又はｎ型半導体材料ではなく、半絶縁（又は「ｉ型」）材料と見なすことができる。一般に、常温において１×１０５Ω−ｃｍを超える固有抵抗を有する材料は、本発明の主旨から、半絶縁性と見なすことができる。
【００２１】
イオン４０は、パターン状にインプラントされ、図３Ａに更に明確に示すような、インプラントされた周囲４４を規定することができる。該周囲４４には、高抵抗性となるようにインプラントされたイオン４０が十分にドープされており、これによってインプラントされた周囲４４によって接合部４３をアイソレート即ち隔離規定することができる。また、図３は、ｎ型層４５、基板４６、及び金属接点４７も示す。また、エピタキシャル層４１における斜線は、図３の構造における周囲の位置を示している。
【００２２】
実施形態の中には、基板４６が、２Ｈ、４Ｈ、６Ｈ、８Ｈ、１５Ｒ、及び３Ｃポリタイプの炭化珪素から成る群から選択したポリタイプを有するｎ型炭化珪素で構成したものもある。しかしながら、当業者には認められようが、基板４６は、サファイア、窒化ガリウムのようなその他の材料、あるいはＭｇＯ、スピネル、又はＺｎＯのようなその他の適した材料で構成することも可能である。更に、基板４６を導電性にすれば、縦型素子の形成が可能となり、あるいは基板４６を絶縁性又は半絶縁性にすることもできる。
【００２３】
本発明の実施形態の中には、イオン４０を素子内にインプラントする際の打ち込みマスクとして、金属接点４７を使用することができるものもある。例えば、金属接点４７が、イオン４０が層４１に達するのを防止する程十分な厚さを有する金属スタックで構成される場合、別個のインプラント・マスクを堆積することを回避できる場合もある。
【００２４】
図３において模式的に示すように、一実施形態では、本方法は、窒素又は燐のようなイオンをｐ型窒化ガリウム層にインプラントすることを含む。水素、ヘリウム、アルミニウム、及びＮ２を含む他のイオンを用いると、インプラントによって領域の固有抵抗を高めることができる。本方法の他の面については、図５に関して示すことにする。
【００２５】
インプラントは、従来通りに常温にて行うことができる。現在最良に理解されているところでは（そして、特定の理論によって限定されないとする）、イオンをインプラントすることによってＧａＮ内に損傷が発生し、バンドギャップ内に深いレベルが生ずる。一方、これらは、ＧａＮ内の自由キャリアを捕獲し、これによって材料を高抵抗性にする。
【００２６】
ＧａＮのようなＩＩＩ群窒化物の発光ダイオードは、ｎ型基板及びｐ型最上層の使用に限定される訳ではない。しかしながら、何故一般にＳｉＣ基板の方が多く用いられているかについては、多数の理由が有り、当技術分野ではよく理解されている。つまり、本発明もｎ型層にインプラントを行い、その固有抵抗を高めることができる。しかしながら、ｎ型基板の使用の方が一般的であるので、本明細書における説明の殆どは、そのような構造に言及している。
【００２７】
２層（ｎ型及びｐ型）の窒化ガリウム層を組み込んだ発光ダイオードを示すが、ダイオード４２は、１つ以上の量子ウエル、又は超格子構造、あるいはその双方を含むことができること、そして１つ又は複数の活性層は窒化ガリウムのみの場合よりも広い範囲のＩＩＩ群窒化化合物を含むことができることは、当業者には認められよう。しかしながら、これらの変形は、本発明を明確に理解するためには、詳しく述べる必要はなく、したがって、ここではこれらについては詳しく論じない。よって、更に精巧な素子の関連部分も、「活性層」、「ダイオード部分」、「ダイオード領域」、又は「ダイオード構造」と呼んでもよく、本発明の範囲から逸脱することはない。
【００２８】
図４は、図１と同様の模式断面図であるが、本発明の打ち込み周囲領域５４を組み込み、全体的に５０で示すダイオードを示す。ダイオード５０は、基板５１を含み、多くの実施形態では、これはｎ型炭化珪素である。
基板５１上にｎ型窒化ガリウム・エピタキシャル層があり、図４に示す「フリップ・チップ」配位で基板５１直下に見られる。ｐ型層５３がｎ型層５２に隣接し、これら２つの層が、それらの間にｐ−ｎ接合部５８を規定する。このダイオードは、オーミック・コンタクト５５、及びダイ取付金属部５６も含む。
【００２９】
図３に関して説明したような様式でインプラントが行われたので、ダイオードは、図４において点線に隣接して示す、高抵抗周囲部分５４を含む。理想的に配置されていないダイ取付金属６０の部分５４も、リード・フレーム５７上に示す。このように図示すると、本発明の様々な進展が見られる。第１に、金属部分６０に利用可能な幾何学的空間面積は、ここでは一層制限されている。何故なら、ダイオード５０のインプラントされた領域５４は、メサを形成するために必要な多数の工程を必要としないからである。このため、ｐ型層及びその絶縁部分５４が、過剰金属の幾何学的空間阻止を強化する。加えて、インプラントされた部分５４は非常に抵抗が高いので、過剰金属６０とインプラントされた周囲部分５４との間には、電気的相互作用が殆ど又は全くない。最後に、ｎ型エピタキシャル層５２に達するためには必要となる、望ましくない過剰金属６０の量は遥かに多い。別の言い方をすると、本発明は、標準的な又は規定された量のダイ取付金属５６、６０を用いる場合、誤差に対する許容範囲を拡大することができる。先に図１に関して注記したように、動作及び実施上では、ダイオード５０は、リード・フレームに対してアノード及びカソードの双方が接続するが、本発明の例示を明確化するために、これらの接続の詳細は除外してある。
【００３０】
更に本発明の更なる詳細の一部について、基板５１は、導電性炭化珪素で形成したものとして図４に示したが、半絶縁炭化珪素又は（絶縁体である）サファイアで構成することもできる。これは、本発明の利点が、エピタキシャル層において得られる利点に基づくからである。このため、絶縁又は半絶縁基板は、パッケージングのためには、導電性ＳｉＣ基板とは多少異なる外形寸法を必要とするが、本発明及びエピタキシャル層に関する原理は同一のままである。更に、発光ダイオードでは、基板５１は、電位差を素子に印加したときに接合部５８が放出する光に対して、実質的に透過性であることが好ましい。炭化珪素は可視スペクトルのエネルギが高い方の部分において発光するので、基板は、約３９０〜５５０ナノメートルの間の波長を有する光に対して実質的に透過性であることが好ましく、更に好ましくは、約４８５〜５５０ナノメートルの間である。米国特許第５，７１８，７６０９号並びにその関連特許第６，０２５，２８９号及び第６，２００，９１７号は、無色のＳｉＣを生産する技術について記載している。これらの特許は、本発明と同じ譲受人に譲渡されており、ここで引用したことにより、その全体が本願にも含まれるものとする。
【００３１】
前述のように、半絶縁境界部分５４は、境界５４がｎ型である場合にはショットキー挙動を生ずる金属と境界５４が接触しているときも、ショットキー挙動を排除するのに十分な固有抵抗を有する。
【００３２】
図７に示すように、本発明及び図３又は図４に示した種類の発光ダイオード７８は、パッケージ内に実装することができる。パッケージは、ヘッダ７３、電気リード７２、及び封止材７４（エポキシ等）を備えており、封止材７４はレンズ７５の形状に成形することができる。ＬＥＤ７８は、従来の基板下方配位、又はエピタキシャル層がヘッダ７３に隣接する「フリップ・チップ」配位で実装することができる。その結果、ＬＥＤランプ７９は、ディスプレイの一部として組み込むことができ、指示光、バックライト、又はその他の用途として用いることができる。
【００３３】
ｐ型層へのオーミック・コンタクトは、通常、プラチナ、ニッケル、金、チタン、アルミニウム、銀、及びこれらの組み合わせから成る群から選択され、炭化珪素基板に対してオーミック・コンタクトを構成する場合、大抵の場合、ニッケル、プラチナ、パラディウム、アルミニウム、チタン、及びその組み合わせから成る群から選択される。基板に対するオーミック・コンタクト（図４には示されていない）は、光が放出することが望ましい方向に、見えるように配置するので、そして接点が大きい程電流拡散の利点があるので、オーミック・コンタクトとして、できるだけ透明に近いものを選択し形成することが好ましく、通常、該当する回路への電流の流れを増大させるために、更に小さい追加パッドを付加する。
【００３４】
同様に、オーミック・コンタクト５５及びダイ取付金属５６は、ミラー又は反射体として作用し、ダイオード５０がパッケージ化され使用されるときに、ダイオード５０の最終的な出力を高めるように選択することができる。あるいは、この目的のために、追加の金属層（又は複数の層）を含ませることができる。更に、汚染物の拡散を防止するためのバリア層や、外部接点を素子に接合するための接合層のように、他の目的のために他の金属層を金属スタックに含めてもよい。
【００３５】
素子の基本的な図に関して、そして前述の方法に関して先に注記したように、本発明の構造は、図４の模式図に限定される訳ではない。多数の理由により、バッファ層は、構造の一部として、炭化珪素基板と第１窒化ガリウム（又はその他のＩＩＩ群窒化物）層との間に含まれることが多い。多くの場合、バッファ層は、窒化アルミニウム、又は炭化珪素基板付近におけるより高いアルミニウム濃度から、窒化ガリウム・エピタキシャル層との界面におけるより高い窒化ガリウム濃度まで遷移する窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＧａＮ）の漸変層で構成することができる。この種のダイオードに組み込むことができ、本発明が特に適している他の構造的部分は、素子の結晶全体の安定性を高めるための超格子構造、光の出力を高めるか又はそれを特定の周波数に同調させるための量子ウエル、あるいは活性層の層数を追加しそれらの間の関係を定めることによって素子の明るさを高めるための多数の量子井ウエルを含む。加えて、環境保護のために、素子５０のエピタキシャル層５２、５３の露出面を不動態化すなわちパッシベートすることが望ましいこともある。前述のように、このような不動態化は、ＰＥＣＶＤ、スパッタリング、又はその他の適した不動態化技術によって堆積する二酸化シリコン又は窒化シリコンで構成することができる。
【００３６】
図５は、本発明の方法の態様の一部を示す。広義な意味では、本方法は、ダイオードにおいて、最も好ましくはＩＩＩ群窒化物又は窒化ガリウム系ダイオードにおいて、ダイオードを使用のために実装するときの望ましくない電気的接触及び経路を最小限に止めるか又は回避するため、及び／又はダイ分離中におけるｐ−ｎ接合部への損傷を防止するために、ｐ−ｎ接合部を電気的に規定又は隔離する。この態様では、本方法は、ｐ−ｎ接合部の一部である窒化ガリウムのｐ型エピタキシャル層の中央部分上にオーミック金属コンタクト層を形成し、この金属層上にエッチング・マスクを配することによって該金属層のパターニングを行い、エッチング・マスク及び金属層の一部を除去し、次いでエッチング・マスクによって被覆されていないｐ型エピタキシャル層の周囲部分にイオンを打ち込むことから成る。
【００３７】
更に態様を多少詳しく述べると、本方法は、オーミック金属層（及び潜在的にオーミック・コンタクト上の接合パッド）の一部にマスキングを施し、残りの露出したオーミック金属コンタクト層をエピタキシャル層から除去し、露出部分の固有抵抗を高めるのに十分な原子をエピタキシャル層の露出部分にインプラントし（そして潜在的に露出部分を半絶縁性にし）、オーミック・コンタクト（及び接合パッド）からマスクを除去することによって、ｐ型層の高固有抵抗部分を形成する。この態様では、本方法は、マスキング工程の前にオーミック・コンタクト及び接合パッドを形成し、オーミック・コンタクト金属にフォトレジストでマスキングを施すことを含むことができる。
【００３８】
図５に戻って更に詳細に説明すると、全体的に６０で示すデバイス先駆体が示されている。ダイオード先駆体６０は、基板６１（ある実施形態では、ｎ型ＳｉＣで構成する）、基板６１上にあるｎ型窒化ガリウム・エピタキシャル層６２、ｎ型層６２上にあるｐ型窒化ガリウム・エピタキシャル層６３、ｐ型層６３上にあるオーミック・コンタクト層６５、及びオーミック・コンタクト層６５上にある金属接合パッド６６を含む。基板及びエピタキシャル層を形成し、オーミック・コンタクト及び接合パッドを形成する種々の工程は、一般に当技術分野では周知であり、ここでは詳細に説明しない。代表的な記載は、本願と同じ譲受人に譲渡された、発行済みの米国特許第６，２９７，５２２号、第６，２１７，６６２号、第６，０６３，１８６号、第５，６７９，１５３号、第５，３９３，９９３号、及び第５，１１９，５４０号に含まれるが、これらに限定されるのではない。
【００３９】
図５の（Ｂ）は、フォトレジストを堆積し、マスキングし、パターニングして、図５の（Ｂ）に示すように、フォトレジスト部分６７を接合パッド全て、そしてオーミック・コンタクト６５の一部であるが全てではないエリアの上に形成した後のダイオード先駆体６０を示す。次に、図５の（Ｂ）の先駆体をエッチングして、フォトレジスト６７によって被覆されていないオーミック・コンタクト層６５の部分を除去する。このエッチングは、しかるべき様式であれば任意のもので行うこともできるが、塩素系プラズマを用いた反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）が１つの可能な方法である。このエッチングによって、図５の（Ｃ）に示す構造が得られ、オーミック・コンタクトのサイズが、６５（ａ）で表される面積に縮小されている。また、図５の（Ｃ）は、オーミック・コンタクト層６５の一部を除去したため、ｐ型エピタキシャル窒化ガリウム層の一部が露出していることも示す。
【００４０】
次に、図５の（Ｄ）は、接合部６４を規定し隔離するｐ型窒化ガリウム層６３における高抵抗領域７１を形成するためのイオン７０のインプラントを（模式的に）示す。実施形態の中には、高抵抗のインプラントされた領域７１が半絶縁性となるものもある。
あるいは、図５の（Ｄ）に示す打ち込み工程は、オーミック・コンタクト層６５が十分に薄く、打ち込み工程を実質的に妨害しないのであれば、オーミック・コンタクト層６５をエッチングする工程の前に実施してもよい。
【００４１】
フォトレジスト６７を除去すると、図５の（Ｅ）に示す先駆体構造が得られる。次いで、先駆体構造を個々のダイに分離することができる。
フォトレジスト６７は２工程（オーミック・コンタクト層６５をエッチングし、イオン７０をインプラントする）のマスクとして機能するので、本発明の方法は、製作サイクル時間、ウェハ処理及び薬品消費を削減し、同様に、他の場合にはマスキング及びエッチング手順に伴う歩留まりの損失を低減する。
【００４２】
本発明の別の実施形態を図６の（Ａ）〜図６の（Ｄ）に示す。この実施形態では、基板８１と、エピタキシャル領域８２及び８３を備えたウェハ８０を用意する。図６の（Ａ）に示すように、エピタキシャル領域８３上に金属スタック８６を形成する。先に論じたように、エピタキシャル領域８３は第１導電型を有し、エピタキシャル領域８２は第１導電型とは逆の第２導電型を有する。エピタキシャル領域８２及び８３の各々は、同じ導電型の１つ以上の層で構成することができる。金属スタック８６は、多数の金属層で構成することができ、その各々は特定の機能を有する。例えば、金属スタック８６は、エピタキシャル領域８３とオーミック・コンタクトを形成する金属層を備えることができる。また、金属スタック８６は、反射体、バリア、接着層、接合層、及び／又はその他の層も備えることができる。
【００４３】
図６の（Ｂ）に示すように、金属スタック８６上にエッチング・マスク８５を形成し、フォトリソグラフィによってパターニングして開口を形成し、金属スタック８６の表面部分８６Ａを選択的に露呈させる。あるいは、金属スタック８６は、フォトリソグラフィ、デポジット、及びリフトオフ技術によって形成することができる。これらは当技術分野では周知である。即ち、金属スタック８６は、ブランケット・フォトレジストをエピタキシャル領域８３の表面に配し、これを露光し現像することによってフォトレジストをパターニングし、金属をブランケット層として堆積し、不要な金属を剥離することによって、形成することができる。
【００４４】
これより図６の（Ｃ）に移ると、金属スタック８６を選択的にエッチングし、エピタキシャル領域８３の表面部分８３Ａを露呈させる。次いで、従来の方法でエッチング・マスク８５を除去する。次に、エピタキシャル領域８３の露出部分にイオン８７をインプラントし、前述のように、インプラント領域８４を高抵抗性とし、構造内にｐ−ｎ接合領域８８を規定する。この実施形態では、パターニングした金属層８６がインプラント・マスクとして機能する。
【００４５】
最後に、図６の（Ｄ）に示すように、エッチング／インプラント・マスク８５を除去し、規定したｐ−ｎ接合領域８８がダイの側壁９０から離間し、これによって物理的及び電気的に隔離するように、従来の技法を用いて個々のダイ８９に分離する。
【００４６】
実験結果
本発明を評価するに当たり、以下のインプラント手順を実行した。
以下の評価の各々において、ｎ型炭化珪素基板、ｎ型エピタキシャル領域、及びｐ型エピタキシャル領域を備えたＬＥＤ先駆体を用意した。ｐ型エピタキシャル領域は、キャリア濃度が約１〜５×１０１７ｃｍ−３のＭｇをドープしたＧａＮ／ＡｌＧａＮから成り、厚さの合計は約２１０ｎｍであった。第１の評価において、１平方センチメートル当たり１０１３の投与量（ｃｍ−２）の一価窒素（Ｎ＋１）を２０ｋｅＶで、１．４×１０１３ｃｍ−２の投与量のＮ＋１を１２５ｋｅＶで、そして２×１０１３ｃｍ−２の投与量の二価窒素（Ｎ＋２）を１２５ｋｅＶで、連続投与を実行した。
【００４７】
第２の評価において、１０１３ｃｍ−２の投与量のＮ＋１窒素を２０ｋｅＶで打ち込み、続いて、１．４×１０１３ｃｍ−２において一価窒素を１２５ｋｅＶで投与した。
第３の評価において、１０１３ｃｍ−２の投与量でＮ＋１を用いて、最初の投与を２０ｋｅＶで実行し、続いて１．４×１０１３ｃｍ−２の投与量及び１２５ｋｅＶで投与し、その後に１．７×１０１３ｃｍ−２のＮ＋１を１９０ｋｅＶで投与した。
【００４８】
以上３つの条件では、全てで接合部の隔離及び規定が得られた。接合部の隔離を検証する際、隣接する金属スタックを探針で調べ、連続性の測定を行った。ｐ−ｎ接合部の破壊以前には、測定可能な電流は観察されなかった。インプラントしたヘリウム及び窒素は抵抗性条件も生じさせ、常温において殆ど任意のイオンをｐ型窒化ガリウムにインプラントしても、物質は劇的に抵抗性が高くなるという、予想されていた結論に至った。
しかしながら、本発明者はいずれの特定的な理論にも縛られることを望んでいない。したがって、予想されていた結論についてここで論じたのは、限定ではなく例示のために行ったのである。
【００４９】
これらのインプラント工程により、接合部の端縁は、絶縁性で不活性（要望により）となる。また、インプラント工程は、ｐ型窒化ガリウムが表明した低ホール濃度（約１×１０１７ｃｍ−３）のために、ｐ型窒化ガリウムにも適している。本発明の打ち込みによって生じた不活性特性は、９００℃付近の温度まで安定であると思われる。したがって、この技法による接合部の隔離は、ｐ型層を組み込んだいずれの窒化物素子にも適していると思われる。この理由のため、サファイア上ならびに炭化珪素及びその他の基板上の窒化物系発光ダイオードは、接合部の隔離用の打ち込みの使用により、等しく効果が得られると思われる。
【００５０】
Cree Inc.から市販されているダイに対して、以下の評価を行った。
標準的なインプラント条件は、以下の（１）の通りであった。他の条件（２）〜（５）も試験した。（２）の条件は、インプラントしたイオン当たりの排除したキャリア数を評価することを意図した。条件（３）及び（５）は、素子のｐ側のみに打ち込みを行う効果を評価することを意図した。条件（４）は、（１）及び（２）の比較と同様、キャリアを捕獲する効率を評価した。インプラントを行う際、Cree社の緑色ＬＥＤには、Cree社の青色ＬＥＤに比較して、高いエネルギがインプラントに必要であることが判明した。
【００５１】
青色に対して考察した打ち込み条件（連続投与を示す）
（１）１ｅ１３＠２０ｋｅＶ、１．４ｅ１３＠１２５ｋｅＶ、１．７ｅ１３＠１９０ｋｅＶ（標準的な三重投与条件）
（２）１ｅ１２＠２０ｋｅＶ、１．４ｅ１２＠１２５ｋｅＶ、１．７ｅ１２＠１９０ｋｅＶ（１／１０投与における標準的な条件）
（３）１．４ｅ１３＠１２５ｋｅＶ（＃１の標準的条件の内１回の投与）
（４）１．４ｅ１２＠１２５ｋｅＶ（＃４の１／１０の投与）
（５）１ｅ１３＠３０ｋｅＶ、１．４ｅ１３＠１００ｋｅＶ
【００５２】
Cree社の青色発光ダイオードについて、そしてＴＲＩＭシミュレーションに基づくと、条件（１）及び（２）の１９０ｋｅＶでの打ち込みは、ｐ−ｎ接合部よりも遥か深くまで達し、１９０ｋｅＶで打ち込んだ窒素の殆どがｎ側に行ってしまう。条件（３）及び（４）の１２５ｋｅＶでの１回の投与、及び条件（５）の二重投与について検討した。１００及び１２５ｋｅＶのエネルギでは、窒素濃度のピークがｐ−ｎ接合部又はその周囲に位置し、これは表面から１５００〜１８００Ａ下方である。１００及び１２５ｅｋＶでの打ち込みについてシミュレートしたピークは、それぞれ、１６００及び２０００Ａである。ＧａＮ材料は、低抵抗性から高抵抗性に変換される。
【００５３】
Ｐ型ＧａＮの厚さは約１０００〜１５００Ａであり、自由ホール濃度は約２〜５Ｅ１７／ｃｍ３である。
Ｐ型ＡｌＧａＮの厚さは約３００Ａであり、ホール濃度は約５〜２０Ｅ１６／ｃｍ３である。
条件（１）は、青色ＬＥＤに対しては常に有効である（即ち、所望の隔離及び静電放電（ＥＳＤ）発生量）。
条件（２）では、素子の隔離は首尾良く行われるものの、ＥＳＤ発生量が乏しい。
条件（３）では、素子が隔離され、ＥＳＤ発生量も多い。
条件（４）では、素子は完全には隔離されず、ＥＳＤ発生量も多くない。
条件（５）では、素子が隔離され、ＥＳＤ発生量も多い。
【００５４】
Cree社の緑色発光ダイオードでは、条件（１）〜（５）の各々において、高抵抗ｐ型材料が得られ、隣接する素子は隔離されたが、生じたＥＳＤ発生量は多くなかった。しかしながら、２Ｅ１３／ｃｍ２の投与量で更に２３０ｋｅＶの窒素打ち込みを追加したところ、隔離及びＥＳＤ発生量共に非常に有効であった。
【００５５】
生産再生プロセス(Production Recovery Process)：他のデバイスには、製作後に不動態化を行った。この場合、デバイスには厚さ約１６００Ａの窒化シリコンを被覆した。青色に対する最良の条件は、前述の条件（１）に変わりないが、パシベーション層を貫通するために３０ｋｅＶの割り増しエネルギを要する。緑色ＬＥＤについても、２Ｅ１３／ｃｍ２における追加の２３０ｋｅＶでのインプラントにさらに割り増しの３０ｋｅＶを加えることによって、同様の結果が得られた。
【００５６】
固有抵抗の推定：固有抵抗は、２×１０３オーム−ｃｍよりも大きいと推定した。これは、２ボルトの電圧を印加して２つの隣接するパッド間に流れる電流を評価することによって行った。得られた電流は測定不能であった（＜５０ｎＡ）。これは、４０×１０６オームよりも大きい抵抗に対応する。パッド間の距離は、７０ミクロンであり、幅は２３０ミクロンである。したがって、平方数(number of squares)は、これらの間で約０．３である。フリンジング効果を無視して、固有抵抗について最悪の場合の下限推定値を求めた。これによって、面抵抗に平方当たり１３３×１０６オームの下限が得られた。厚さを０．１５×１０−４ｃｍの厚さにとると、２０００オーム−ｃｍよりも大きな固有抵抗が得られる。
【００５７】
本発明の実施形態を図面及び明細書に明記した。特定的な用語を用いたが、これらは包括的及び記述的な意味で用いたに過ぎず、限定を目的としたのではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲において規定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】フリップ・チップ配位でリード・フレーム上に実装した、従来技術によるＬＥＤの断面図である。
【図２】メサを形成しメサ接点を追加する前及び後におけるＬＥＤの基本的要素の断面図である。
【図３】ＬＥＤの断面図であり、本発明の実施形態による打ち込みを模式的に示す断面図である。
【図４】フリップ・チップ配位でリード・フレーム上に実装した、本発明によるＬＥＤの断面図である。
【図５】本発明の実施形態の方法工程の進展を示す模式断面図である。
【図６】本発明の別の実施形態の方法工程の進展を示す模式断面図である。
【図７】ランプの形態にパッケージした、本発明の実施形態の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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