(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板の表面を、表面粗さＲａが０．３〜５［ｎｍ］になるまで研磨する研磨工程と、
前記研磨工程後の基板に対して、液相析出法によって表面に金属酸化膜を成膜して、磁気記録媒体用基板を製造する成膜工程と、を含み、
前記成膜工程では、水溶液中に前記研磨工程後の基板を浸漬させ、前記水溶液中において金属フルオロ錯体が加水分解することにより、前記研磨工程後の基板の表面に前記金属酸化膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化膜は、二酸化ケイ素の膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属酸化膜は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｔａ、及びＷの成分のうち、１種類又は２種類以上の成分を含む酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、ガラス基板又はアルミニウム基板であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項５】
前記成膜工程で成膜される金属酸化膜の表面粗さＲａは、０．１〜０．３［ｎｍ］であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク記録装置に用いられる磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータなどに用いられる磁気ディスク記録装置、例えばハードディスクには、ガラス基板又はアルミニウム基板が用いられている。ガラス基板又はアルミニウム基板上に磁性膜を成膜することで磁気記録媒体を作製し、その磁性膜を磁気ヘッドで磁化することにより情報を磁気記録媒体に記録する。【０００３】
磁気記録媒体に情報を記録し、又は、記録された情報を読み取るための磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対してその表面から浮上した状態で移動するように構成されている。磁気記録媒体の表面に凹凸が存在すると、磁気ヘッドが移動するときにこれらの凹凸と磁気ヘッドとが衝突し、磁気ヘッドの損傷、磁気記録媒体の損傷などの不具合が生じるおそれがある。このような不具合の発生を抑制するため、磁気記録媒体に用いられる基板はその表面が平滑面となるように高精度の研磨処理が施され、表面の凹凸の発生が極力抑えられている。【０００４】
ここで、ガラス基板を研磨して、磁気記録媒体に用いられるガラス基板を製造する従来の方法について説明する（例えば特許文献１）。まず、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融したガラスを平面形状の金型に流し込み、その金型で溶融ガラスを挟むことによりプレス成形し、円板状のガラス基板を作製する（プレス成形工程）。そのガラス基板の表面の中心部にダイヤモンドコアドリルを用いて円状の貫通孔を形成し、ドーナツ状のガラス基板を作製する（コアリング工程）。【０００５】
その後、ダイヤモンドペレットを貼り付けたプレートを保持した両面研磨機にて、ドーナツ状のガラス基板を研削加工する（第１ラッピング工程）。この第１ラッピング工程では、ガラス基板の両表面を研削加工し、ガラス基板の平行度、平坦度、及び厚さを予備調整する。【０００６】
平行度などが予備調整されたガラス基板は、外周端面と孔の内周端面とが研削され、面取りされて、ガラス基板の外径寸法、真円度、及び孔の内径寸法などが微調整される（端面研削工程）。外径寸法などが微調整されたガラス基板は、内周端面と外周端面とが研磨され、端面の鏡面化が行われる（端面研磨工程）。【０００７】
端面が研磨されたガラス基板は両表面を再度、研削加工され、ガラス基板の平行度、平坦度、及び厚さが微調整される（第２ラッピング工程）。平行度などが微調整されたガラス基板は、両表面が研磨され、表面の凹凸が均一にされる（ポリッシング工程）。ポリッシング工程では、ラッピング工程で実施された研削によるガラス基板のダメージを除去し（第１ポリッシング工程）、次に、第１ポリッシング工程で残存するダメージを除去する（第２ポリッシング工程）。そして、ポリッシング加工されたガラス基板が、磁気記録媒体用の基板に用いられる。【０００８】
また、アルミニウム基板については、表面を研削した後、無電解めっきによって表面にＮｉＰを成膜する。そして、ガラス基板と同様に、複数の研磨工程によってＮｉＰ層を研磨することで、表面を平滑にする（例えば特許文献２）。【０００９】
そして、表面が研磨されたガラス基板やアルミニウム基板の表面に磁性材料をスパッタリングなどにより成膜することで、磁気記録媒体を作製する。
【特許文献１】特開２００３−３６５２２号公報
【特許文献２】特開２００１−２０７１６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来においては、表面が平滑なガラス基板やアルミニウム基板を作製するためには、上述したように複数の研磨工程を施す必要があった。その結果、研磨コストと研磨に要する時間とが増大する問題があった。また、磁気記録媒体の記録密度の高密度化により、表面がより平滑な基板が要求されている。【００１１】
本発明は上記の問題を解決するものであり、研磨工程の一部を省いても、磁気記録媒体用基板の平滑性を向上させることが可能な磁気記録媒体用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の形態は、円板状の基板の表面を、表面粗さＲａが０．３〜５［ｎｍ］になるまで研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の基板に対して、液相析出法によって表面に金属酸化膜を成膜して、磁気記録媒体用基板を製造する成膜工程と、を含み、前記成膜工程では、水溶液中に前記研磨工程後の基板を浸漬させ、前記水溶液中において金属フルオロ錯体が加水分解することにより、前記研磨工程後の基板の表面に前記金属酸化膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法である。
【００１４】
また、本発明の第２の形態は、第１の形態に係る磁気記録媒体用基板の製造方法であって、前記金属酸化膜は、二酸化ケイ素の膜であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の第３の形態は、第１の形態に係る磁気記録媒体用基板の製造方法であって、前記金属酸化膜は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｔａ、及びＷの成分のうち、１種類又は２種類以上の成分を含む酸化膜であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の第４の形態は、第１から第３の形態のいずれかに係る磁気記録媒体用基板の製造方法であって、前記基板は、ガラス基板又はアルミニウム基板であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の第５の形態は、第１から第４の形態のいずれかに係る磁気記録媒体用基板の製造方法であって、前記成膜工程で成膜される金属酸化膜の表面粗さＲａは、０．１〜０．３［ｎｍ］であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、液相析出法によって基板の表面に金属酸化膜を成膜することで、磁気記録媒体用基板の表面の平滑性を向上させることが可能となる。そのことにより、研磨工程の一部を省いても、磁気記録媒体に用いられる基板に要求される平滑性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の断面図であり、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の一部の断面を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の一部の断面を拡大した断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  磁気記録媒体用基板
２  基板
３  金属酸化膜
４  研磨痕
２１  貫通孔
２２、２３  表面
４１、４２  溝
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板について図１と図２とを参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の断面図であり、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。【００２３】
図１と図２とに示すように、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１は、円板状の基板２を有している。基板２には、中央に、基板２の厚さ方向に貫通する貫通孔２１が形成されている。また、基板２の表面には金属酸化膜３が形成されている。【００２４】
基板２には、ガラス基板又はアルミニウム基板が用いられる。基板２の大きさは特に限定されず、例えば、０．８５インチ、１インチ、２．５インチ、又は３．５インチなどの基板が用いられる。また、ガラス基板には、フロート法、又はプレス法などの方法で製造されたソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、リチウムシリケートガラス、又はボロンシリケートガラスなどが用いられる。【００２５】
金属酸化膜３には、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｔａ、又はＷの成分のうち、１種類又は２種類以上の成分を含む酸化膜が用いられる。例えば、金属酸化膜３には、ＳｉＯ２膜やＴｉＯ２膜を用いる。【００２６】
磁気記録媒体用基板１の表面にスパッタリングなどによって磁性膜を成膜することで、磁気記録媒体を作製する。【００２７】
次に、磁気記録媒体用基板１の製造方法について説明する。本実施形態では、基板２にガラス基板を用いて磁気記録媒体用基板１を製造する場合について説明する。【００２８】
まず、従来技術と同様に、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融したガラスを平面形状の金型に流し込み、その金型で溶融ガラスを挟み込むことによりプレス成形し、円板状のガラス基板を作製する（プレス成形工程）。このプレス成形後のガラス基板の表面を評価すると、ガラス基板の表面粗さＲａは０．１〜２．０［μｍ］になり、最大高さＲｍａｘは０．５〜１０．０［μｍ］になる。そのガラス基板の表面の中心部にダイヤモンドコアドリルを用いて円状の貫通孔を形成し、ドーナツ状のガラス基板を作製する（コアリング工程）。【００２９】
その後、ダイヤモンドペレットを貼り付けたプレートを保持した両面研磨機にて、ドーナツ状のガラス基板を研削加工する（第１ラッピング工程）。この第１ラッピング工程では、ガラス基板の両表面を研削加工し、ガラス基板の平行度、平坦度、及び厚さを予備調整する。この第１ラッピング工程後のガラス基板の表面を評価すると、ガラス基板の表面粗さＲａは０．１〜０．５［μｍ］になり、最大高さＲｍａｘは０．５〜５．０［μｍ］になる。換言すると、表面粗さＲａが０．１〜０．５［μｍ］になり、最大高さＲｍａｘが０．５〜５．０［μｍ］になるまで、ガラス基板の表面を研削する。【００３０】
平行度などが予備調整されたガラス基板は、外周端面と孔の内周端面とが研削され（端面研削工程）、さらに、内周端面と外周端面とが研磨されて、端面の鏡面化が行われる（端面研磨工程）。【００３１】
端面が研磨されたガラス基板は両表面を再度、研削加工され、ガラス基板の平行度、平坦度、及び厚さが微調整される（第２ラッピング工程）。この第２ラッピング工程後のガラス基板の表面を評価すると、ガラス基板の表面粗さＲａは０．０５〜０．２［μｍ］になり、最大高さＲｍａｘは０．３〜２．０［μｍ］になる。換言すると、表面粗さＲａが０．０５〜０．２［μｍ］になり、最大高さＲｍａｘが０．３〜２．０［μｍ］になるまで、ガラス基板の表面を研削する。【００３２】
平行度などが微調整されたガラス基板の両表面を研磨する（ポリッシング工程）。このポリッシング工程後のガラス基板の表面を評価すると、ガラス基板の表面粗さＲａは０．３〜５［ｎｍ］になり、最大高さＲｍａｘは２．０〜２００［ｎｍ］になる。換言すると、表面粗さＲａが０．３〜５［ｎｍ］になり、最大高さＲｍａｘが２．０〜２００［ｎｍ］になるまで、ガラス基板の表面を研磨する。このポリッシング工程後の基板が基板２に相当する。【００３３】
ポリッシング工程では、公知のポリッシング装置が用いられ、発泡ウレタンやスエード研磨布を用いてガラス基板の両面を研磨する。ポリッシング工程で使用する研磨材は、酸化セリウムの微粒子をスラリー状にして使用する。例えば、平均粒子サイズが０．５［μｍ］程度の酸化セリウムを用いて研磨する。【００３４】
本実施形態では、ポリッシング工程後のガラス基板（基板２）の表面に金属酸化膜を成膜する。この成膜工程について図３を参照して説明する。図３は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体基板の一部の断面を示す断面図である。【００３５】
図３（ａ）に、ポリッシング工程が施された後の基板２を示す。基板２の表面２２、２３には、ラッピング工程やポリッシング工程では取り除けなかった溝状の研磨痕４が残存している。上述したように、ポリッシング工程後の基板２の表面粗さＲａは０．３〜５［ｎｍ］であり、最大高さＲｍａｘは２．０〜２００［ｎｍ］である。【００３６】
そして、図３（ｂ）に示すように、基板２の表面２２、２３上に金属酸化膜３を成膜する。本実施形態では、液相から金属酸化膜を析出させる液相析出法によって、金属酸化膜３を基板２の表面２２、２３上に成膜することで、磁気記録媒体用基板１を作製する。具体的には、水溶液中に基板２を浸漬させて、基板２の表面２２、２３に金属酸化膜３を成膜する。【００３７】
液相析出法は、水溶液中において金属フルオロ錯体の平衡反応を利用して金属酸化膜３を基板２に直接成膜する方法である。この反応は、以下の化学反応式で表すことができる。
化学反応式（１）
ＭＦｘ（ｘ−２ｎ）−＋ｎＨ２Ｏ→ＭＯｎ＋ｘＦ−＋２ｎＨ＋
化学反応式（２）
Ｈ３ＢＯ３＋４Ｈ＋＋４Ｆ−→ＨＢＦ４＋３Ｈ２Ｏ
化学反応式（１）が主反応であり、Ｍは金属を表している。【００３８】
金属フルオロ錯体が加水分解することにより金属酸化物を生成する。このとき、化学反応式（２）に示すように、系内にホウ酸を添加することによりフッ化物イオンを消費させる。フッ化物イオンが消費されると、化学反応式（１）の平衡反応を右側へシフトさせ、金属酸化物の析出反応を促進させる。この反応によって、図３（ｂ）に示すように、基板２の表面２２、２３に、均一な金属酸化膜３を形成する。【００３９】
このように液相析出法を用いて金属酸化膜３を基板２の表面２２、２３上に成膜することで、磁気記録媒体用基板１の表面の平滑性を向上させることができる。すなわち、基板２の表面２２、２３に残された研磨痕４に、液相析出法で析出された金属酸化膜３が埋まることで、磁気記録媒体用基板１の表面を平滑にすることができる。例えば、金属酸化膜３が表面に成膜された磁気記録媒体用基板１の表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にし、最大高さＲｍａｘを１．０〜１０．０［ｎｍ］にすることができる。【００４０】
以上のように、本実施形態によると、基板２の表面に金属酸化膜３を形成することで、磁気記録媒体用基板１の表面粗さＲａを、磁気記録媒体に要求されている程度に平滑にすることができる。その結果、磁気記録媒体用基板の製造工程におけるポリッシング工程の一部を省くことが可能となり、研磨コストと研磨に要する時間とを削減することが可能となる。【００４１】
また、磁気記録媒体においては、媒体の表面からのヘッド浮上高さであるフライングハイトは記録密度の上昇とともに低下し、例えば、１０［ｎｍ］以下の高さとなっている。このため、磁気記録媒体には、極微少な欠陥もなく、表面粗さＲａが数Å以下の非常に平滑な表面が必要とされている。本実施形態では、金属酸化膜３を成膜することで、磁気記録媒体用基板１の表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にすることができるため、フライングハイトが１０［ｎｍ］以下になるような磁気記録媒体にも適用することが可能となる。【００４２】
従来においては、磁気記録媒体用基板の表面を平滑にするために、最終の研磨工程として、第２ポリッシング工程を施していた。つまり、第１ポリッシング工程後のガラス基板に対して、表面粗さＲａが磁気記録媒体に要求される程度になるまで研磨を行っていた。具体的には、表面粗さＲａが０．１〜０．３［ｎｍ］になり、最大高さＲｍａｘが１．０〜１０．０［ｎｍ］になるまで、第１ポリッシング工程後のガラス基板に第２ポリッシング工程を施す必要があった。これに対して、本実施形態によると、その第２ポリッシング工程を施さなくても、表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にし、最大高さＲｍａｘを１．０〜１０．０［ｎｍ］にすることができるため、その第２ポリッシング工程を省くことが可能となる。【００４３】
また、水溶液中に基板２を浸漬させるため、基板２のすべての表面に金属酸化膜３を成膜することができる。すなわち、基板２の両面（表面２２、２３）と、貫通孔２１の内周端面と、基板２の外周端面とに同時に金属酸化膜３を成膜することができる。このように、１つの成膜工程で基板２のすべての面に金属酸化膜３を成膜することができるため、成膜工程数を増やさずに、簡便に金属酸化膜３を成膜することができる。そのことにより、成膜コストや成膜に要する時間を削減することができる。特に、ハードディスクは、磁気記録媒体の両面を記録領域として用いるため、本発明によれば、効果的に成膜の工程数を増やさず、磁気記録媒体用基板を作製することが可能となる。【００４４】
また、ドライプロセスのように基板の片面ずつ成膜する方法では、基板をチャックする時に基板に損傷を与えたり、パーティクル汚染を与えたりするおそれがある。これに対して、本実施形態によると、水溶液中に基板２を浸漬させれば良いため、基板に損傷を与えたり、パーティクル汚染を与えたりする可能性を低減することができる。さらに、水溶液中に基板２を浸漬させれば良いため、バッチ処理が可能となり、一度に複数枚の基板に対して成膜処理を施すことが可能となる。また、基板２のエッジ部に発生しやすいマイクロ微小欠陥も金属酸化膜３で埋めることができるため、磁気記録媒体用基板１の歩留まりを向上させる効果もある。【００４５】
なお、金属酸化膜を基板２の表面に成膜する方法としては、液相析出法の他に、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）、又はゾルゲル法などがある。しかしながら、真空蒸着、スパッタリング、及びＣＶＤなどのいわゆる気相法では、基板２の表面に残された研磨痕４の奥まで金属酸化膜を成膜することが困難であるため、磁気記録媒体用基板の表面を平坦にすることが困難である。また、成膜装置が高価で製造コストを削減することが困難である。また、ゾルゲル法は簡便な方法であるが、基板２の表面とゾルゲル膜との間に気泡（ボイド）が発生し、良好な金属酸化膜を成膜することが困難である。これに対して、本実施形態によると、液相析出法によって成膜することで、研磨痕４の奥まで金属酸化膜を成膜することができ、磁気記録媒体用基板１の表面を平坦にすることが可能となる。【００４６】
液相析出法は、常温の液相で金属酸化膜を成膜することができるため、基板２に用いる材料はガラスに限られず、基板２にアルミニウムを用いても同じ作用及び効果を奏することが可能である。基板２にアルミニウム基板を用いる場合、研削したアルミニウム基板上に、厚さが５〜８［μｍ］のＮｉＰを無電解めっきによって成膜する。そして、ガラス基板に対する研磨と同様に、表面粗さＲａが０．３〜５［ｎｍ］になり、最大高さＲｍａｘが２．０〜２００［ｎｍ］になるまで、アルミニウム基板上に成膜されたＮｉＰ層を研磨する。そして、ガラス基板と同様に、液相析出法によってＮｉＰ層上に金属酸化膜３を成膜することで磁気記録媒体用基板を作製する。ＮｉＰ層上に形成された研磨痕に金属酸化膜３が埋まることで、表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にし、最大高さＲｍａｘを１．０〜１０．０［ｎｍ］にすることができる。【００４７】
ここで、金属酸化膜３を成膜することで磁気記録媒体用基板１の表面が平滑になるメカニズムについて図４を参照して説明する。図４は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板の一部の断面を拡大した断面図である。【００４８】
図４（ａ）に、ポリッシング工程後の基板２の表面２２を示す。基板２の表面２２には、溝状の研磨痕４が残存している。液相析出法によると、平衡反応による界面における微小なエネルギー差で膜の析出が発生する。そのため、液相析出法によって基板２の表面に金属酸化膜３を成膜すると、研磨痕４のような溝状の形状が形成された表面２２であっても、その形状に依存せずに、同じ成膜速さで金属酸化膜３を成膜することができる。そして、金属酸化膜３の形状は、基板２の表面２２の形状に追従する。例えば図４（ｂ）に示すように、基板２の表面２２には金属酸化膜３が形成されると、研磨痕４の内部にも金属酸化膜３は形成され、研磨痕４の形状に追従して、溝４１が金属酸化膜３上に形成される。【００４９】
さらに反応を進めると、図４（ｃ）に示すように基板２の表面２２に形成された溝状の形状は徐々にカバレージされて、表面に形成された溝４２の大きさは徐々に小さくなる。さらに反応を進めると、研磨痕４に起因する溝に金属酸化膜３が埋まって、磁気記録媒体用基板１の表面は平滑になる。このように、液相析出法によって基板２の表面に金属酸化膜３を成膜することで、磁気記録媒体用基板に求められている平滑性を得ることが可能となる。【００５０】
なお、研磨痕４の深さとほぼ同じ膜厚の金属酸化膜３を表面に成膜することにより、研磨痕４の形状はほぼカバレージされるため、基板２の平滑性に合わせて金属酸化膜３の成膜量を制御すれば良い。【００５１】
なお、金属酸化膜３として、ＳｉＯ２膜又はＴｉＯ２膜を成膜することが好ましい。金属としてＳｉ又はＴｉを用いることで、水溶液中における平衡反応を円滑に進めることができるため、ＳｉＯ２膜又はＴｉＯ２膜を比較的簡単に成膜することができるからである。【００５２】
以上の工程で作製された磁気記録媒体用基板１の表面に磁性膜を成膜することで、磁気記録媒体を作製する。すなわち、本実施形態に係る磁気記録媒体は、ガラス基板又はアルミニウム基板で構成される基板２の表面に金属酸化膜３が成膜され、その金属酸化膜３上に磁性膜が成膜された構成を有している。【００５３】
また、磁気記録媒体用基板１の表面に軟磁性層を形成し、その軟磁性層上に中間層を形成し、その中間層上に磁性膜からなる記録層を形成しても良い。１例として、軟磁性層には厚さが５〜２０［ｎｍ］のＣｏＺｒＮｂを用い、中間層には厚さが１０〜２０［ｎｍ］のＰｔ−Ｃを用いる。【００５４】
また、磁性膜には、１例として、厚さが１０〜１５［ｎｍ］のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を用いる。これらの膜は、例えばスパッタリングによって成膜すれば良い。なお、基板２にアルミニウム基板を用いる場合、アルミニウム基板上にＮｉＰ層が形成され、そのＮｉＰ層上に金属酸化膜３が成膜されている。
【実施例】
【００５５】
次に、上述した実施形態の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
（基板２）
実施例１では、基板２にプレス法で作製したアルミノシリケートガラス基板を用いた。基板２の寸法を以下に示す。【００５６】
基板２の直径＝２．５インチ（６２．５［ｍｍ］）
基板２の内径（貫通孔２１の径）＝２０［ｍｍ］
基板２の厚さ＝０．６３５［ｍｍ］
（ポリッシング工程後の表面粗さＲａ）
基板２は、上述した第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、及びポリッシング工程が施された基板である。第１ラッピング工程及び第２ラッピング工程では、両面研磨機を用いて、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を調整して基板２の両面を研磨した。第１ラッピング工程及び第２ラッピング工程では、加重を６０［ｇ／ｃｍ２］とし、定盤の回転数を１０［ｒｐｍ］として研磨を行った。ポリッシング工程では、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレットに代えて、パットと研磨液を使用した。パットは硬度８０の発泡ウレタンを用いた。研磨材は、粒径が０．６［μｍ］の酸化セリウムを水に分散させてスラリー状にして用いた。定盤によるガラス基板への加重を、９０［ｇ／ｃｍ２］とし、定盤の回転数を２５［ｒｐｍ］とした。ポリッシング工程後の基板２の表面粗さＲａを、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって測定した。その結果、基板２の表面粗さＲａは０．８［ｎｍ］であり、最大高さＲｍａｘは３０．０［ｎｍ］であった。
（金属酸化膜３の成膜）
実施例１では、金属酸化膜３としてのＳｉＯ２膜を基板２の表面に成膜した。具体的には、０．５［ｍｏｌ／ｌ］の（ＮＨ４）２ＳｉＦ６水溶液と、０．２［ｍｏｌ／ｌ］のＨ３ＢＯ３水溶液とを混合させた混合溶液に、ポリッシング工程後の基板２を常温で１時間浸漬させた。実施例１では、容量が５００［ｍｌ］の混合溶液に基板２を浸漬させた。なお、一度に複数の基板に対してＳｉＯ２膜を成膜する場合は、混合溶液の容量を大きくし、その混合溶液を循環させ、その混合溶液に基板２を浸漬させれば良い。
（成膜後の表面粗さＲａ）
その浸漬により、基板２の表面に、厚さ３０［ｎｍ］のＳｉＯ２膜を成膜した。混合溶液中に基板２を浸漬させたため、基板２のすべての面に、ＳｉＯ２膜が成膜された。このＳｉＯ２膜が表面に成膜された基板が、上述した磁気記録媒体用基板１に相当する。ＳｉＯ２膜が成膜された基板の表面粗さＲａを測定した。その結果、表面粗さＲａは０．１［ｎｍ］になった。【００５７】
以上のように、実施例１によると、ポリッシング工程後の基板２の表面に、液相析出法によってＳｉＯ２膜を成膜することで、第２ポリッシング工程を施さずに、磁気記録媒体用基板として十分な平滑面を有する基板を作製することができた。換言すると、第２ポリッシング工程を施さなくても、ＳｉＯ２膜を成膜することで、第２ポリッシング工程を施した場合と同程度の表面粗さＲａを得ることができた。
（実施例２）
実施例２では、基板２にガラス基板を用い、ポリッシング工程の条件を変えた。具体的には、ポリッシング工程において、研磨量（研磨時間）を短縮した。その結果、基板２の表面粗さＲａは、５［ｎｍ］であり、最大高さＲｍａｘは、２００［ｎｍ］であった。そして、実施例１と同じ方法で、この基板２の表面に、厚さ２００［ｎｍ］のＳｉＯ２膜を成膜した。このＳｉＯ２膜が成膜された基板が、上述した磁気記録媒体用基板１に相当する。ＳｉＯ２膜が成膜された基板の表面粗さＲａは、０．１［ｎｍ］になった。【００５８】
以上のように、研磨痕の深さとほぼ同じ膜厚のＳｉＯ２膜を成膜することで、磁気記録媒体用基板１の表面を平滑にすることが可能となるため、ポリッシング工程における研磨量（研磨時間）を短縮することも可能となる。そのため、ポリッシングにおける表面粗さＲａの管理が容易となり、研磨コストを低減することが可能となる。
（実施例３）
実施例３では、基板２にアルミニウム基板を用いた。基板２の寸法は、実施例１と同じであるため、説明を省略する。【００５９】
基板２の表面を研削し、表面にＮｉＰを無電解めっきで成膜した。この実施例３では、５［μｍ］のＮｉＰ層を成膜した。そして、ガラス基板に対する研磨と同様に、基板２上に成膜されたＮｉＰ層を研磨した。研磨後の基板２の表面粗さＲａは０．８［ｎｍ］であり、最大高さＲｍａｘは３０．０［ｎｍ］であった。【００６０】
その後、実施例１と同じ混合溶液に基板２を浸漬した。その結果、ＮｉＰ層上に厚さ３０［ｎｍ］のＳｉＯ２膜を成膜した。このＳｉＯ２膜が表面に成膜された基板が、上述した磁気記録媒体用基板１に相当する。ＳｉＯ２膜が成膜された基板の表面粗さＲａを測定した。その結果、表面粗さＲａは０．１［ｎｍ］になった。【００６１】
以上のように、実施例２、３によると、実施例１と同様に、最終段階の研磨工程を行わなくても、磁気記録媒体用基板として十分な平滑面を有する基板を作製することができた。【００６２】
なお、上述した実施例１から実施例３においては、ポリッシング工程後における基板２の表面粗さＲａが０．８［ｎｍ］又は５［ｎｍ］であったが、表面粗さＲａがこれらの値以外であっても同じ効果を奏することができる。例えば、ポリッシング工程後における表面粗さＲａが０．３〜５［ｎｍ］であれば、基板２上にＳｉＯ２膜を成膜することで、表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にすることができる。例えば、ポリッシング工程後における基板２の表面粗さＲａの大きさに応じて、混合溶液に基板２を浸漬させる時間を変えたり、混合溶液の濃度を調整したりすることで、表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にすることができる。【００６３】
なお、実施例１から実施例３においては、金属酸化膜３としてＳｉＯ２膜を用いたが、本発明に係る金属酸化膜はＳｉＯ２膜に限定されない。上述した複数の金属のうち、１種類又は２種類以上の成分を含む酸化膜を用いた場合も、ＳｉＯ２膜を用いた場合と同じ作用及び効果を奏することができる。例えば、混合溶液に基板２を浸漬させる時間を変えたり、混合溶液の濃度を調整したりすることで、表面粗さＲａを０．１〜０．３［ｎｍ］にすることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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