(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子が形成され、前記複数の素子の境界領域が改質又は加工された半導体ウェハを個片化して半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、
回動自在な回転台と、
前記回転台に搭載され、径方向に移動可能な複数の台座と
を含み、
前記半導体ウェハが一方の面に固着され、前記半導体ウェハよりも平面視で大きく、伸縮性を有するシート部材を前記複数の台座に固着し、前記回転台を回転させて前記複数の台座を遠心力で径方向外側に移動させることにより、前記シート部材を径方向に延伸させて、前記シート部材に固定された前記半導体ウェハを個片化する、半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記回転台は、径方向外側に向かって延伸する複数のガイド部を有するとともに、前記複数の台座の各々は、前記複数のガイド部の各々に対して摺動自在に係合されている、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記複数のガイド部の径方向内側の端部は、すべて前記回転台の回転中心から等距離にある、請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記複数のガイド部の径方向外側の端部は、すべて前記回転台の回転中心から等距離にある、請求項２又は３に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記回転台は、前記台座が径方向外側の所定位置まで移動した際に、前記台座を当該所定位置で固定するための係合部を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記回転台は、前記係合部の係合状態を解除するための解除機構を有する、請求項５に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
複数の素子が形成された半導体ウェハを個片化して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハの前記複数の素子の境界領域を改質又は加工する工程と、
前記半導体ウェハよりも平面視で大きく、伸縮性を有するシート部材の一方の面に前記半導体ウェハを固定する工程と、
前記シート部材を回転させて遠心力で径方向に延伸させることにより、前記シート部材に固定された前記半導体ウェハを個片化する工程と
を含む、半導体製造装置の製造方法。
【請求項８】
回転台に搭載され、前記回転台の回転による遠心力により径方向に移動可能な複数の台座に前記シート部材を固定する工程をさらに含み、
前記回転台を回転させて前記複数の台座を径方向外側に移動させることにより、前記シート部材を径方向に延伸させて、前記シート部材に固着された前記半導体ウェハを個片化する、請求項７に記載の半導体製造装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ウェハに半導体素子を形成した後に、チップに分断（個片化）する手法として、種々の方法が用いられている。
【０００３】
例えば、ウェハに形成された複数の半導体素子の境界領域をダイシングブレードで分断するダイシング法があった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、ウェハに形成された複数の半導体素子の境界領域にレーザを照射して分断用の改質層を形成し、伸縮性のあるダイシングテープに接着したウェハに応力を与えて分断するレーザダイシング法があった。ウェハへの応力の付与は、ダイシングテープを放射状に延伸させて境界領域に引き伸ばす力を付与する手法や、ウェハが接着された伸縮性テープに幅広いスキージを押し当てて折り曲げる力を付与する手法によって行われていた（例えば、特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２０３０２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１６０１号公報
【特許文献３】特開２００６−０６６５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザダイシング法は、研削水、洗浄水を使用しないため、タクトタイムの短縮化や製造装置の簡略化を図ることができ、また、特に、チップへの水分の混入を避けたい場合に有効的である。
【０００７】
しかしながら、従来のレーザダイシング法による半導体装置の製造方法では、ウェハを搭載した伸縮性テープを放射状に延伸させてチップの個片化を行う際に、チップ同士の間で破片が生じる場合があった。破片が発生してチップ（半導体装置）に付着又は混入することで、歩留まり率が低下する可能性があった。
【０００８】
また、幅広いスキージを伸縮性テープに沿って走査してウェハに局所的に応力をかける手法では、スキージが接触している部分の周囲にあるチップ（半導体装置）同士が干渉し合い、分断によって生じ得る破片の発生確率が高まる可能性があった。
【０００９】
また、スキージを伸縮性テープに接触させながら走査するため、静電気が発生し、個片化されたチップ（半導体装置）が静電気を帯びる（帯電する）可能性があった。チップ（半導体装置）が帯電すると、破片や異物が付着しやすくなるという問題があった。
【００１０】
また、レーザダイシングではなく、ダイシングブレードで個片化を行う手法においても、破片の発生による問題が生じていた。
【００１１】
上述のような破片の付着、混入、帯電による異物の付着等は、半導体装置の信頼性低下、又は歩留まり率の低下に繋がるため、低減されることが望まれていた。
【００１２】
そこで、分断時に生じ得る破片等の付着等を抑制し、半導体装置の信頼性及び歩留まり率を向上させることのできる半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の実施の形態の半導体装置の製造装置は、複数の素子が形成され、前記複数の素子の境界領域が改質又は加工された半導体ウェハを個片化して半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、回動自在な回転台と、前記回転台に搭載され、径方向に移動可能な複数の台座とを含み、前記半導体ウェハが一方の面に固着され、前記半導体ウェハよりも平面視で大きく、伸縮性を有するシート部材を前記複数の台座に固着し、前記回転台を回転させて前記複数の台座を遠心力で径方向外側に移動させることにより、前記シート部材を径方向に延伸させて、前記シート部材に固定された前記半導体ウェハを個片化する。
【００１４】
また、前記回転台は、径方向外側に向かって延伸する複数のガイド部を有するとともに、前記複数の台座の各々は、前記複数のガイド部の各々に対して摺動自在に係合されていてもよい。
【００１５】
また、前記複数のガイド部の径方向内側の端部は、すべて前記回転台の回転中心から等距離にあってもよい。
【００１６】
また、前記複数のガイド部の径方向外側の端部は、すべて前記回転台の回転中心から等距離にあってもよい。
【００１７】
また、前記回転台は、前記台座が径方向外側の所定位置まで移動した際に、前記台座を当該所定位置で固定するための係合部を有していてもよい。
【００１８】
前記回転台は、前記係合部の係合状態を解除するための解除機構を有していてもよい。
【００１９】
本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法は、複数の素子が形成された半導体ウェハを個片化して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの前記複数の素子の境界領域を改質又は加工する工程と、前記半導体ウェハよりも平面視で大きく、伸縮性を有するシート部材の一方の面に前記半導体ウェハを固定する工程と、前記シート部材を回転させて遠心力で径方向に延伸させることにより、前記シート部材に固定された前記半導体ウェハを個片化する工程とを含む。
【００２０】
また、回転台に搭載され、前記回転台の回転による遠心力により径方向に移動可能な複数の台座に前記シート部材を固定する工程をさらに含み、前記回転台を回転させて前記複数の台座を径方向外側に移動させることにより、前記シート部材を径方向に延伸させて、前記シート部材に固着された前記半導体ウェハを個片化してもよい。
【発明の効果】
【００２１】
分断時に生じ得る破片等の付着等を抑制し、半導体装置の信頼性及び歩留まり率を向上させることのできる半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１の半導体装置の製造装置を示す図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の製造装置の要部を拡大して示す図である。
【図３】実施の形態１の半導体装置の製造装置１００の動作状態を示す図である。
【図４】実施の形態１の半導体装置の製造装置によって行われる製造工程の一部を説明するための図である。
【図５】実施の形態１の半導体装置の製造装置１００によるダイシング処理を説明するための図である。
【図６】実施の形態２の半導体装置の製造装置を示す図である。
【図７】実施の形態２の半導体装置の製造装置２００によるダイシング処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００２４】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１の半導体装置の製造装置を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’矢視断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ’矢視断面を拡大して示す図である。
【００２５】
ここでは、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００の動作説明を通じて、実施の形態１の半導体装置の製造方法についての説明を行う。
【００２６】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００は、基台１０及び回転台２０を含み、回転台２０は、基台１０内に配設されるモータ１１の回転軸１２に軸支されている。
【００２７】
基台１０は、円板状の筐体であり、モータ１１を内蔵し、モータ１１の回転軸１２が上面１０Ａから突出している。基台１０は、例えば、鉄製又はステンレス製であればよい。
【００２８】
モータ１１は、例えば、サーボモータであればよく、回転軸１２に軸支される回転台２０を所定の回転数で回転させるために用いられる。モータ１１には、基台１０の外部から電力が供給される。
【００２９】
回転台２０は、後述する半導体装置（チップ）の個片化を行うために用いる部材であり、回転軸１２に着脱自在に軸支されている。このため、個片化を行った後に回転軸１２から取り外せば、半導体装置の搬送に利用することも可能である。なお、回転台２０は、例えば、ステンレス製であればよい。
【００３０】
回転台２０は、図１（Ａ）に示すように、回転中心２０Ｃから放射状に延伸する８本のアーム部２１Ａ〜２１Ｈを有する。アーム部２１Ａ〜２１Ｈは、等角度間隔で配設されている。図１（Ａ）には８本のアーム部２１Ａ〜２１を示すため、アーム部２１Ａ〜２１Ｈの各々の間は、４５度である。なお、以下では、８つのアーム部２１Ａ〜２１Ｈを区別しない場合には、アーム部２１と称す。
【００３１】
アーム部２１Ａ〜２１Ｈには、それぞれ、長手方向に沿ってガイド部としての溝部２２Ａ〜２２Ｈが形成されている。アーム部２１Ａ〜２１Ｈ及び溝部２２Ａ〜２２Ｈの各々の長手方向は、回転台２０の径方向と一致する。溝部２２Ａ〜２２Ｈは、回転台２０が回転する際に、遠心力で台座２３Ａ〜２３Ｈを径方向外側に案内するために設けられている。
【００３２】
なお、以下では、８つの溝部２２Ａ〜２２Ｈを区別しない場合には、溝部２２と称し、８つの台座２３Ａ〜２３Ｈを区別しない場合には、台座２３と称す。
【００３３】
溝部２２Ａ〜２２Ｈは、すべて同一の長さ、幅、及び深さを有する。溝部２２Ａ〜２２Ｈの各々の径方向内側の端部から回転台２０の回転中心２０Ｃまでの距離は、すべて同一に設定されており、同様に、溝部２２Ａ〜２２Ｈの各々の径方向外側の端部から回転中心２０Ｃまでの距離も、すべて同一に設定されている。これは、回転台２０が回転する際に、台座２３Ａ〜２３Ｈの各々の位置を回転中心に対して等距離にすることにより、回転バランスを良好にするためである。
【００３４】
また、図１（Ｃ）に示すように、溝部２２は、長手方向に対する断面が逆Ｔ字型であり、台座２３は溝部２２の逆Ｔ字型に対応する逆Ｔ字型の突起部２３１を有する。台座２３の突起部２３１は溝部２２に係合しており、台座２３は溝部２２の長手方向に摺動可能になっている。
【００３５】
なお、アーム部２１Ａ〜２１Ｈは、それぞれ、溝部２２Ａ〜２２Ｈよりも径方向における外側に、係合部２４Ａ〜２４Ｈを有するが、係合部２４Ａ〜２４Ｈの構成については後述する。以下、係合部２４Ａ〜２４Ｈを区別しない場合には、係合部２４と称す。
【００３６】
図２は、実施の形態１の半導体装置の製造装置の要部を拡大して示す図であり、（Ａ）は台座２３の側面図、（Ｂ）は台座２３の背面図、（Ｃ）、（Ｄ）はアーム部２１の径方向外側の部分の断面を示す図である。
【００３７】
図２（Ａ）に示すように、台座２３は、突起部２３１が形成されていない側に凹部２３２を有する。台座２３は、凹部２３２が径方向の外側に位置するように溝部２２に係合される。凹部２３２は、円筒状に凹んでおり、台座２３を溝部２２の径方向外側の端部に固定する際に用いる。なお、図２（Ｂ）の背面図は、図２（Ａ）の側面図における左側から台座２３を見た状態を示す。
【００３８】
ここで、台座２３は、例えば、ステンレス製であればよい。
【００３９】
また、図２（Ｃ）に示すように、係合部２４は、可動部２４１、ばね２４２、及び電磁石２４３を有しており、これらはアーム２１の上面側に形成された穴部２４４内に配設されている。
【００４０】
可動部２４１は、強磁性体（典型的には、鉄）で構成されており、電磁石２４３を励磁しているときは、磁気吸着されて実線で示す収納位置に納まる。収納位置では、係合部の上面は、アーム２１の上面と同一面、あるいはアーム２１の上面よりも少し下がった位置にある。また、可動部２４１が収納位置にあるときは、ばね２４２は自然長よりも収縮した状態にある。
【００４１】
電磁石２４３を消磁すると、ばね２４２は、復元力によって長さが伸びるため、可動部２４１は図２（Ｄ）に示す突出位置まで突出する。突出位置では、可動部２４１は、下半分が穴部２４４内に残りつつ、上半分がアーム部２１の上面から突出した状態になる。
【００４２】
係合部２４は、実際には、アーム部２１Ａ〜２１Ｈ（図１（Ａ）参照）の各々に配設されるため、８つ存在する。
【００４３】
なお、各係合部２４は、回転台２０に搭載されるため、電磁石２４３への電力供給は、例えば、回転軸１２（図１（Ｂ）参照）の近傍で、ロータリコネクタのように回転体に電力供給を行う部品を用いて行えばよい。
【００４４】
また、可動部２４１を収納位置と突出位置との間で移動させる際の各電磁石２４３の励磁／消磁の切替制御と、モータ１１（図１（Ｂ）参照）の回転駆動制御とについては、電磁石２４３のオン／オフとモータ１１のオン／オフとを行える操作部を設け、電磁石２４３の励磁／消磁の切り替えと、モータ１１の回転／停止の切り替えとを操作できるようにすればよい。
【００４５】
図３は、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００の動作状態を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は係合部２４の動作状態を拡大して示す図である。
【００４６】
実施の形態１の半導体装置の製造装置１００は、電磁石２４３に電流を流して可動部２４１を収納位置に引っ込ませた状態（図２（Ｃ）参照）で、モータ１１（図１（Ｂ）参照）を所定の回転数で回転させると、回転板２０が回転され、台座２３Ａ〜２３Ｈが遠心力によって溝部２２Ａ〜２２Ｈに沿って回転板２０の径方向外側に移動する（図３（Ａ）参照）。
【００４７】
台座２３Ａ〜２３Ｈが溝部２２Ａ〜２２Ｈの径方向外側の端部まで移動したときに、電磁石２４３を消磁すると、図３（Ｂ）に示すように可動部２４１が突出し、可動部２４１の上半分は凹部２３２の内部に挿入される。このとき、可動部２４１の下半分は穴部２４４内に残っているため、可動部２４１を突出位置に移動させることにより、台座２３を溝部２２の径方向外側の端部に固定することができる。なお、台座２３を溝部２２の径方向外側の端部に固定することの利用方法については後述する。
【００４８】
図４は、実施の形態１の半導体装置の製造装置によって行われる製造工程の一部を説明するための図であり、（Ａ）はウェハをポーラスシートに接着する工程、（Ｂ）はウェハにレーザ加工を行う工程を示す。
【００４９】
図４（Ａ）に示すように、ウェハ５０は、ダイシングテープ６０に接着される。ウェハ５０は、例えば、シリコンウェハであり、複数の素子が形成されている。これら複数の素子は、例えば、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）素子であり、分断（個片化）されることにより、各々が半導体装置になる。このため、ここでは、各素子を半導体装置５１と称す。ＭＥＭＳ素子は、半導体製造工程によって作製される振動子を有する微小な電子部品であり、振動子の変位による静電容量等の物理量の変位を検出することができる。このようなＭＥＭＳ素子は、例えば、車両のヨーレートセンサに用いられるため、分断（個片化）時の処理は水分を避けた処理が望ましい。
【００５０】
ダイシングテープ６０は、伸縮性を有するシートであり、平面視でウェハ５０よりも大きく、表面にはウェハ５０を接着するための接着剤が塗布されている。なお、この接着剤は、例えば、紫外線硬化するものを用いればよい。
【００５１】
図４（Ａ）に示すように、複数の半導体装置５１が形成されたウェハ５０は、ダイシングテープ６０に接着される。ダイシングテープ６０へのウェハ５０の搭載は、周知のウェハマウンタ等の装置を用いて行えばよい。
【００５２】
次に、図４（Ｂ）に示すように、レーザ装置７０を用いてレーザ７１をウェハ５０に照射し、ダイシングテープ６０に接着されたウェハ５０の複数の半導体装置５１同士の間の境界領域５２にレーザ加工を行う。
【００５３】
レーザ装置７０としては、例えば、ＹＡＧレーザ装置を用いることができる。ＹＡＧレーザ装置７０から出力されるレーザ７１のレーザ出力及びパルス幅を調整することにより、ウェハ５０の境界領域５２内に、例えば、３０〜５０ｎｍ程度の改質層を形成することができる。
【００５４】
このレーザ加工により、境界領域５２内のシリコンの単結晶は、多結晶又はアモルファスのように、機械的強度が低いものに改質されている。
【００５５】
図５は、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００によるダイシング処理を説明するための図であり、（Ａ１）と（Ａ２）はダイシングを行う前の状態を示す断面図と平面図、（Ｂ１）と（Ｂ２）はダイシングが終了した状態を示す断面図と平面図、（Ｃ１）と（Ｃ２）はダイシング終了後にチップを搬送するための状態を示す断面図と平面図である。
【００５６】
図５（Ａ２）は（Ａ１）のＡ−Ａ’矢視断面図であり、（Ｂ２）は（Ｂ１）のＡ−Ａ’矢視断面図であり、（Ｃ２）は（Ｃ１）のＡ−Ａ’矢視断面図である。
【００５７】
実施の形態１の半導体装置の製造装置１００によるダイシング処理は、図５（Ａ１）、（Ａ２）に示すようにウェハ５０が接着されたダイシングテープ６０を台座２３Ａ〜２３Ｈに搭載した状態から開始する。ダイシングテープ６０を台座２３Ａ〜２３Ｈに搭載する際には、ウェハ５０の中心と、回転台２０の回転中心２０Ｃ（図１（Ａ）参照）を一致させた状態で、ダイシングテープ６０の下面を台座２３Ａ〜２３Ｈに接着すればよい。ここで、ダイシングテープ６０としては、例えば、裏面（底面）のうち、台座２３Ａ〜２３Ｈの接触する部分に接着剤が塗布されているものを用いればよい。
【００５８】
次に、モータ１１を駆動し、回転台２０を所定の回転数で回転させる。回転台２０が回転すると、台座２３Ａ〜２３Ｈは、それぞれ、遠心力により溝部２２Ａ〜２２Ｈに沿って回転台２０の径方向外側に徐々に移動する。
【００５９】
台座２３Ａ〜２３Ｈが径方向外側に移動するに連れて、ダイシングテープ６０は平面視で放射状に延伸されるため、ダイシングテープ６０上に接着されたウェハ５０にも平面視で放射状に延伸する応力がかかる。
【００６０】
ウェハ５０は、上述のように、レーザ加工により複数の半導体装置５１同士の間の境界領域５２が改質されて機械的強度が落とされているため、放射状に延伸しようとするダイシングテープ６０によって放射状に引っ張られ、これにより、ウェハ５０は、図５（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、複数の半導体装置５１に個片化される。
【００６１】
このとき、個片化を行うためにウェハ５０を引き伸ばす方向（放射状の方向）と、ウェハ５０にかかる荷重の方向（径方向）とが一致しているので、ウェハ５０への無理な力が軽減され、破片の発生等を抑制することができる。
【００６２】
なお、回転台２０を回転させる際の所定の回転数は、ウェハ５０の境界領域５２の強度、ダイシングテープ６０の伸縮度、台座２３Ａ〜２３Ｈの質量等に応じて決定すればよい。
【００６３】
個片化処理が終了したら、モータ１１を駆動して回転台２０を回転させたまま、係合部２４の電磁石２４３を消磁させて、図５（Ｃ１）に示すように可動部２４１を突出させる。これにより、可動部２４１は凹部２３２の内部に挿入される。なお、可動部２４１は、アーム部２１Ａ〜２１Ｈの各々に一つずつ配設されているため、台座２３Ａ〜２３Ｈの各々の裏面に形成された凹部２３２に挿入されることになる。
【００６４】
そして、この結果、台座２３Ａ〜２３Ｈは、溝部２２Ａ〜２２Ｈの径方向外側の端部に固定される。
【００６５】
次に、可動部２４１を突出させて上半分を凹部２３２の内部に挿入し、台座２３Ａ〜２３Ｈを溝部２２Ａ〜２２Ｈの径方向外側の端部に固定した状態で、モータ１１を停止させると、回転台２０は停止される。
【００６６】
このとき、台座２３Ａ〜２３Ｈを固定していないと、回転台２０の回転速度の低下に伴い、台座２３Ａ〜２３Ｈにかかる遠心力が小さくなるため、引き伸ばされたダイシングテープ６０が収縮又は変形する力等により、台座２３Ａ〜２３Ｈが溝部２２Ａ〜２２Ｈに沿って回転中心２０Ｃの方向に引き戻される可能性がある。台座２３Ａ〜２３Ｈが回転中心２０Ｃの方向に引き戻されてしまうと、個片化が終了した複数の半導体装置５１同士が接触したり、重なったりすることにより、破片が生じたり、半導体装置５１が損傷を受ける可能性がある。
【００６７】
しかしながら、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００によれば、回転台２０の回転数を落とす前に、台座２３Ａ〜２３Ｈを溝部２２Ａ〜２２Ｈの径方向外側の端部に固定するため、回転台２０が停止しても、台座２３Ａ〜２３Ｈが溝部２２Ａ〜２２Ｈに沿って回転中心２０Ｃの方向に引き戻されることはない。
【００６８】
このため、回転台２０が停止しても、ダイシングテープ６０を平面視で放射状に引き伸ばした状態に保持でき、これにより、複数の半導体装置５１を個片化が終了した時点の状態に保持できる。
【００６９】
なお、この状態で回転台２０を回転軸１２から取り外しても、台座２３Ａ〜２３Ｈは径方向外端で固定されているので、次の処理工程のために搬送することが可能である。
【００７０】
以上、実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、個片化の際にウェハ５０を引き伸ばす方向（放射状の方向）と、ウェハ５０にかかる荷重の方向（径方向）とが一致しているので、ウェハ５０への無理な力が軽減され、破片の発生等を抑制しながら個片化を行うことができる。
【００７１】
また、個片化を終了した後に、ダイシングテープ６０を平面視で放射状に引き伸ばした状態に保持できるので、半導体装置５１同士の接触等を抑制できるため、破片の発生を抑制することができる。
【００７２】
また、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００は、ウェハ５０を回転させながら個片化を行うため、仮に破片が生じた場合であっても、回転によって生じる遠心力で破片をウェハ５０よりも外側に飛ばし去ることができる。
【００７３】
このため、従来のように、ウェハ５０を回転させることなく個片化を行っていた場合に比べて、仮に破片が生じても、破片が半導体装置５１に付着又は混入する確率を大幅に低下させることができる。
【００７４】
また、ダイシングの際に、従来のようにスキージで走査すると半導体装置５１が帯電する可能性があるが、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００には、静電気を発生させるような動作が含まれていないため、帯電による異物の付着を抑制することもできる。
【００７５】
以上により、実施の形態１によれば、分断時に生じ得る破片等の付着等を抑制し、半導体装置５１の歩留まり率を向上させることのできる半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００７６】
また、以上では、ウェハ５０の半導体装置５１の境界領域５２をレーザ照射によって改質する形態について説明したが、境界領域５２の強度を落とすための処理は、レーザ照射による改質に限られるものではなく、例えば機械的な加工等による処理であってもよい。例えば、ダイシングブレードを用いて境界領域５２の表面から所定の深さだけ削り取る加工を行うことによって溝を形成し、境界領域５２の強度を落とす処理であってもよい。
【００７７】
このように、機械的な処理によって境界領域５２の改質を行う場合でも、上述のようにウェハ５０及びダイシングテープ６０を回転させて個片化を行えば、仮に破片があったとしても、破片を遠心力でウェハ５０よりも外側に飛ばし去ることができるので、半導体装置５１への破片の付着又は混入を抑制し、歩留まり率を向上させることができる。
【００７８】
また、以上では、回転台２０が８本のアーム部２１Ａ〜２１Ｈを有する形態について説明したが、アーム部２１の本数は８本に限られるものではなく、使用形態等に応じて本数を選択すればよい。
【００７９】
また、アーム部２１が断面逆Ｔ字型の溝部２２を有し、台座２３が溝部２２に係合する断面逆Ｔ字型の突起部２３１を有する形態について説明したが、これらの形状は一例に過ぎず、回転台２０に搭載される台座２３が回転台２０の回転によって生じる遠心力によって径方向外側に移動可能に構成されていれば、回転台２０に対して台座２３が摺動する構成は、どのようなものであってもよい。
【００８０】
また、以上では、係合部２４が可動部２４１、ばね２４２、及び電磁石２４３を有する形態について説明したが、係合部２４は、台座２３Ａ〜２３Ｈを径方向における所定の位置に固定できるものであれば、可動部２４１、ばね２４２、及び電磁石２４３に限られるものではない。例えば、電動式のアクチュエータを用いて可動部２４１を突出させてもよい。
【００８１】
また、以上では、ウェハ５０に形成される素子がＭＥＭＳ素子である形態について説明したが、ウェハ５０に形成される素子はＭＥＭＳ素子に限定されず、例えば、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration：大規模集積回路）やメモリ等の記憶素子であっても何でもよい。
【００８２】
＜実施の形態２＞
実施の形態２の半導体装置の製造装置は、台座の形状が実施の形態１の半導体装置の製造装置１００と異なる。その他の構成は、実施の形態１の半導体装置の製造装置１００と同一であるため、同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８３】
なお、実施の形態２の半導体装置の製造方法は、実施の形態１の半導体装置の製造方法と同一である。
【００８４】
図６は、実施の形態２の半導体装置の製造装置を示す図であり、（Ａ）は回転前の状態を表す平面図、（Ｂ）は回転後の状態を表す平面図である。
【００８５】
図６（Ａ）に示すように、実施の形態２の半導体装置の製造装置２００は、平面視で扇形の台座２２３Ａ〜２２３Ｈを有する。台座２２３Ａ〜２２３Ｈは、上部の形状が異なるだけで、その他の構成は実施の形態１の半導体装置の製造装置１００の台座２３と同一である。
【００８６】
このため、実施の形態２の半導体装置の製造装置２００の台座２２３Ａ〜２２３Ｈは、それぞれ、下部側に突起部２３１及び凹部２３２（図２参照）を有し、回転台２０の溝部２２Ａ〜２２Ｈに沿って径方向外側に移動可能である。
【００８７】
図６（Ｂ）は、実施の形態２の半導体装置の製造装置２００の台座２２３Ａ〜２２３Ｈが溝部２２Ａ〜２２Ｈ（図１（Ａ）参照）に沿って径方向の外端に移動した状態を示す平面図である。
【００８８】
図６（Ｂ）に示すように、台座２２３Ａ〜２２３Ｈは、溝部２２Ａ〜２２Ｈ（図１（Ａ）参照）に沿って径方向の外端に移動した際に、外周部が同一の円Ｃ上に位置するように構成されている。これは、ダイシングテープ６０に、より均等に応力が加わるようにするためと、分断後に半導体装置５１同士が接触しにくくするためである。また、個片化処理の終了後に、次の処理を行うべく搬送等をする場合に、治具等への取り付けをより安定的に行えるようにするためである。
【００８９】
図７は、実施の形態２の半導体装置の製造装置２００によるダイシング処理を説明するための図であり、（Ａ１）と（Ａ２）はダイシングを行う前の状態を示す断面図と平面図、（Ｂ１）と（Ｂ２）はダイシングが終了した状態を示す断面図と平面図、（Ｃ１）と（Ｃ２）はダイシング終了後にチップを搬送するための状態を示す断面図と平面図である。
【００９０】
図７（Ａ２）は（Ａ１）のＡ−Ａ’矢視断面図であり、（Ｂ２）は（Ｂ１）のＡ−Ａ’矢視断面図であり、（Ｃ２）は（Ｃ１）のＡ−Ａ’矢視断面図である。
【００９１】
実施の形態２の半導体装置の製造装置２００によるダイシング処理は、図７（Ａ１）、（Ａ２）に示すようにウェハ５０が接着されたダイシングテープ６０を台座２２３Ａ〜２２３Ｈに搭載した状態から開始する。ダイシングテープ６０を台座２２３Ａ〜２２３Ｈに搭載する際には、ウェハ５０の中心と、回転台２０の回転中心２０Ｃを一致させた状態で、ダイシングテープ６０の下面を台座２２３Ａ〜２２３Ｈに接着すればよい。
【００９２】
次に、モータ１１を駆動し、回転台２０を所定の回転数で回転させと、台座２２３Ａ〜２２３Ｈは、それぞれ、遠心力により溝部２２Ａ〜２２Ｈに沿って回転台２０の径方向外側に徐々に移動する。
【００９３】
台座２２３Ａ〜２２３Ｈが径方向外側に移動するに連れて、ダイシングテープ６０は平面視で放射状に延伸され、ウェハ５０は、図７（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、複数の半導体装置５１に個片化される。
【００９４】
このとき、個片化を行うためにウェハ５０を引き伸ばす方向（放射状の方向）と、ウェハ５０にかかる荷重の方向（径方向）とが一致しているので、ウェハ５０への無理な力が軽減され、破片の発生等を抑制することができる。
【００９５】
個片化処理が終了したら、モータ１１を駆動して回転台２０を回転させたまま、係合部２４の電磁石２４３を消磁させて、図７（Ｃ１）に示すように可動部２４１を突出させることにより、台座２２３Ａ〜２２３Ｈを溝部２２Ａ〜２２Ｈの径方向外側の端部に固定する。
【００９６】
最後に、モータ１１を停止させることにより、回転台２０を停止させる。
【００９７】
この状態では、図７（Ｃ２）に示すように、台座２２３Ａ〜２２３Ｈの外周部は同一の円Ｃ上に位置するので、ダイシングテープ６０に、より均等に応力が加わるようになり、また、分断後に半導体装置５１同士が接触しにくくなる。また、回転台２０を回転軸１２から取り外して、次の処理工程のために搬送する場合に、治具等への取り付けをより安定的に行うことができる。
【００９８】
また、台座２２３Ａ〜２２３Ｈの外周部は同一の円Ｃ上に位置することにより、回転中にダイシングテープ６０が台座２２３Ａ〜２２３Ｈと密着し、これにより、宙に浮くようなことを抑制でき、安定的にダイシングテープ６０を引き伸ばすことができる。なお、ダイシングテープ６０と台座２２３Ａ〜２２３Ｈの各々との接着は、ダイシングテープ６０の均一な引き延ばしを妨げないように行えばよい。例えば、台座２２３Ａ〜２２３Ｈの扇形の中心角の中央を通る径方向の直線上でダイシングテープ６０の最も外側となる位置（あるいはその周辺）で、ダイシングテープ６０と台座２２３Ａ〜２２３Ｈの各々とを接着すればよい。
【００９９】
以上により、実施の形態２によれば、分断時に生じ得る破片等の付着等を抑制し、半導体装置５１の歩留まり率を向上させることのできる半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【０１００】
また、台座２２３Ａ〜２２３Ｈは、外周部が同一の円Ｃ上に位置するように構成されているので、次の処理工程のために搬送する場合に、治具等への取り付けをより安定的に行うことができる。
【０１０１】
以上、本発明の例示的な実施の形態の半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０２】
１０  基台
１０Ａ  上面
１１  モータ
１２  回転軸
２０  回転台
２０Ｃ  回転中心
２１、２１Ａ〜２１Ｈ  アーム部
２２、２２Ａ〜２２Ｈ  溝部
２３、２３Ａ〜２３Ｈ、２２３、２２３Ａ〜２２３Ｈ  台座
２３１  突起部
２３２  凹部
２４  係合部
２４１  可動部
２４２  ばね
２４３  電磁石
５０  ウェハ
５１  半導体装置
５２  境界領域
６０  ダイシングテープ
７０  レーザ装置
１００、２００  半導体装置の製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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