(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層と、前記セラミック絶縁層を貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体と、前記絶縁基体の一方主面および他方主面に形成された接続パッドとを備え、少なくとも前記一方主面に形成された前記接続パッドの表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とのみからなり、前記白金の中に前記金が、互いに繋がらずほぼ均一に分散していることを特徴とする生体適合性を有する多層配線基板。
【請求項２】
アルミナ粉末を主成分とするセラミックグリーンシートを作製し、該セラミックグリーンシートに貫通孔を形成して該貫通孔にタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体用導体ペーストを充填するとともに前記セラミックグリーンシートの一方主面にタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層用導体ペーストを塗布し、前記貫通孔に貫通導体用導体ペーストが充填され、一方主面に配線層用導体ぺーストが塗布された前記セラミックグリーンシートを複数積層してセラミックグリーンシート積層体を作製し、該セラミックグリーンシート積層体を窒素と水素との混合雰囲気中１３５０〜１７００℃で焼成した後、前記セラミックグリーンシート積層体を焼成して得られた絶縁基体の少なくとも一方主面に、無機物成分として７１〜８８質量％の白金粉末と残部の金粉末とのみが混合された接続パッド用導体ペーストを塗布し、真空中８５０〜１０００℃で焼成することを特徴とする、生体適合性を有する多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生体内に埋設される体内埋設機器に用いられる多層配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
生体内に埋め込まれる体内埋設機器用途に、セラミックスからなる絶縁基体を備えた多層配線基板が用いられることが知られていて、その需要は近年高まってきている。
【０００３】
この体内埋設機器用途の多層配線基板は、移動体通信分野などで用いられる多層配線基板と同様の基本構成であって、複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体と、絶縁基体の内部に形成された配線層と、セラミック絶縁層を貫通する貫通導体と、絶縁基体の一方主面および他方主面に形成された接続パッドとを備えている。
【０００４】
ところで、体内埋設機器用途の多層配線基板には生体適合性が求められることから、セラミック絶縁層の形成材料としてアルミナ質焼結体を用い、貫通導体および接続パッドの形成材料として白金を用いることが知られている（特許文献１を参照）。
【０００５】
しかし、白金は高価な材料である。そこで、コストを削減するために、生体に直接接触しない内部配線層や貫通導体の形成材料を白金ではなくより安価なタングステンやモリブデンとし、接続パッドの形成材料のみを白金とすることが考えられる。
【０００６】
ここで、このような多層配線基板を製造するためには、アルミナ粉末を主成分とするセラミックグリーンシートを作製し、このセラミックグリーンシートに貫通孔を形成して該貫通孔に貫通導体用導体ペーストを充填するとともに前記セラミックグリーンシートの一方主面に配線層用導体ペーストを塗布する等したうえで、このセラミックグリーンシートを複数積層してセラミックグリーンシート積層体を作製して焼成する方法が挙げられる。
【０００７】
ところが、タングステンやモリブデンを主成分とする貫通導体用または配線層用の導体ペーストを焼成するためには、その酸化を防止するために水素窒素混合雰囲気で焼成する必要があり、このような雰囲気で白金を主成分とする接続パッド用導体ペーストを同時に焼成してしまうと、白金を主成分とする接続パッド用導体ペーストの最表面に形成されている酸化物が水素により還元されてしまうため、接続パッド用導体ペーストとセラミック絶縁層との濡れ性が低下し、接合強度が低下するという問題が生じてしまう。
【０００８】
そこで、アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体と、絶縁基体の内部に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層と、セラミック絶縁層を貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体とを備える多層配線基板の前駆体を作製した後、絶縁基体の主面に、白金を主成分とする接続パッド用導体ペーストを塗布し、あらためて真空中にて焼成する方法が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特表２００５−５０２４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、白金を主成分とする接続パッド用導体ペーストを、例えば１２８０℃で焼成して接続パッドを形成しようとすると、貫通導体の形成材料であるタングステンまたはモリブデンと接続パッドを形成する白金との金属間化合物が形成されて、この金属間化合物が接続パッドの表面まで達することで、生体適合性が低下してしまうおそれがある。
【００１１】
一方、白金を主成分とする接続パッド用導体ペーストを、例えば８５０〜１０００℃で焼成して接続パッドを形成しようとすると、上記のような金属間化合物の形成をなくすことができるが、焼成温度が低いことから接続パッドを形成する白金の緻密性が不十分となる。このため、多層配線基板を生体内で使用する際に接続パッドを通過して体液が貫通導体の表面まで達することで、生体適合性が低下してしまうおそれがある。
【００１２】
したがって、接続パッドは、貫通導体の形成材料との金属間化合物が形成されず、緻密に形成されたものである必要がある。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、より安価に製造でき、生体適合性に優れた白金を主成分とする緻密な接続パッドを備えた多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の多層配線基板は、アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層と、前記セラミック絶縁層を貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体と、前記絶縁基体の一方主面および他方主面に形成された接続パッドとを備え、少なくとも前記一方主面に形成された前記接続パッドの表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とのみからなり、前記白金の中に前記金が、互いに繋がらずほぼ均一に分散しており、生体適合性を有していることを特徴とするものである。
【００１５】
また本発明の多層配線基板の製造方法は、上記構成の本発明の多層配線基板の製造方法であって、アルミナ粉末を主成分とするセラミックグリーンシートを作製し、該セラミックグリーンシートに貫通孔を形成して該貫通孔にタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体用導体ペーストを充填するとともに、前記セラミックグリーンシートの一方主面にタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層用導体ペーストを塗布し、前記貫通孔に貫通導体用導体ペーストが充填され、一方主面に配線層用導体ペーストが塗布された前記セラミックグリーンシートを複数積層してセラミックグリーンシート積層体を作製し、該セラミックグリーンシート積層体を窒素と水素との混合雰囲気中１３５０〜１７００℃で焼成した後、前記セラミックグリーンシート積層体を焼成して得られた絶縁基体の少なくとも一方主面に、無機物成分として７１〜８８質量％の白金粉末と残部の金粉末とのみが混合された接続パッド用導体ペーストを塗布し、真空中８５０〜１０００℃で焼成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の多層配線基板によれば、少なくとも絶縁基体の一方主面に形成された接続パッドの表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とのみからなり、白金の中に金が、互いに繋がらずほぼ均一に分散していることで、生体適合性に優れた白金を主成分とする緻密な接続パッドを備えた、生体適合性を有する多層配線基板を実現することができる。
【００１７】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体と、絶縁基体の内部に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層と、セラミック絶縁層を貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体とを備える多層配線基板の前駆体を作製した後、無機物成分として７１〜８８質量％の白金粉末と残部の金粉末とのみが混合された接続パッド用導体ペーストを塗布し、真空中８５０〜１０００℃で焼成することで、接続パッド用導体ペーストに含まれる白金と金とが合金とならず（白金の結晶格子中に金の原子が取り込まれることなく）、金の焼結助剤としての働き（金による接着効果）が保たれた状態で、白金の中に金がほぼ均一に分散した状態の緻密な接続パッドを形成することができる。また、接続パッド用導体ペーストに含まれる金と金が繋がって連続相を形成することがないので、多層配線基板を使用中に金が生体内に溶出した場合でも貫通導体が露出することを防ぐことができ、生体適合性に優れた多層配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の多層配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態の例について図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の多層配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図であり、図１に示す多層配線基板は、アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の内部に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層２と、セラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体３と、絶縁基体１の一方主面および他方主面に形成された接続パッド４１、４２とを備え、少なくとも一方主面に形成された接続パッド４１の表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とからなり、白金の中に金がほぼ均一に分散していることを特徴とするものである。
【００２１】
絶縁基体１は、アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４からなるもので、それぞれのセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４は、８８〜９６質量％のアルミナと残部のガラス（焼結助剤成分）とで形成されている。このアルミナの含有量は、Ｘ線回折の回折メインピーク強度からリートベルト解析により求められたものである。なお、アルミナの平均結晶粒径は、例えば１〜５μｍ程度であって、この平均結晶粒径は、測定試料（アルミナ質焼結体）の表面を鏡面研磨し、例えば燐酸を用いてエッチングを行って粒界を溶かした後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による例えば１０００倍の画像の所定領域について複数の線を引いて各線の粒界との交点の数を数える、いわゆるインタセプト法により求めることができる。また、残部のガラスとしては、ＳｉＯ２、ＭｇＯおよびＣａＯを含むものが挙げられる。
【００２２】
なお、複数のセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の厚みは通常５０〜２００μｍ程度、絶縁基体１の厚みは通常０．２〜０．８ｍｍ程度で、縦横それぞれ１〜３０ｍｍ程度（多数個取り基板の状態では５〜１５０ｍｍ程度）に形成されたものであり、絶縁基体１（複数のセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４）がこのようなアルミナ質焼結体からなることで、絶縁基体１の生体適合性は良好なものとなる。
【００２３】
絶縁基体１の内部には、タングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層２が設けられているとともに、セラミック絶縁層１１、１２、１３、１４をそれぞれ貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体３が設けられている。配線層２は、タングステン粉末またはモリブデン粉末を主成分とする配線層用導体ペーストの焼結によって形成され、貫通導体３は、タングステン粉末またはモリブデン粉末を主成分とする貫通導体用導体ペーストの焼結によって直径５０〜２００μｍ程度に形成されたものである。配線層２および貫通導体３には、セラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の形成材料と同種の材料が、微量添加や拡散によって含まれていてもよい。
【００２４】
絶縁基体１の一方主面および他方主面には、接続パッド４１、４２が形成されている。そして、少なくとも一方主面に形成された接続パッド４１の表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とからなり、白金の中に金がほぼ均一に分散している。
【００２５】
ここで、接続パッドの表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とからなるのは、一方主面に形成された接続パッド４１のみでもよく、一方主面および他方主面の両主面に形成された接続パッド４１、４２でもよく、どちらの形態とするかは、生体内に埋設されたときの生体適合性を考慮して適宜決定される。例えば、本発明の多層配線基板が半導体素子収納用パッケージの一部を構成しており、他方主面に形成された接続パッド４２が半導体素子収納用パッケージの内部空間に面しており、生体と接触する可能性がない場合には、一方主面の接続パッド４１の表面のみが、７１〜８８質量％の白金と残部の金とからなり、白金の中に金がほぼ均一に分散しているようになっていればよい。
【００２６】
また、接続パッド４１、４２の少なくとも表面が、７１〜８８質量％の白金と残部の金とからなり、白金の中に金がほぼ均一に分散しているものであればよく、接続パッド４１、４２の全体がこのように形成されたものでもよく、貫通導体３と電気的に接続されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする第１層と、この第１層を被覆するように白金および金で形成された表面側の第２層とで構成されていてもよいことを意味している。
【００２７】
具体的には、接続パッド４１、４２の全体が上記のように白金および金で形成され、貫通導体３に直接電気的に接続されている場合、接続パッド４１、４２の厚みは３〜５０μｍ程度に形成され、接続パッド４１、４２の直径は貫通導体３の直径よりも１０〜４００μｍ程度大きく形成される。
【００２８】
また、接続パッド４１、４２が、貫通導体３と電気的に接続されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする第１層と、この第１層を被覆するように白金および金で形成された第２層とで構成されている場合には、第１層の厚みは３〜１５μｍ程度、直径は７５〜３００μｍ程度に形成され、第２層の厚みは３〜５０μｍ程度、直径は１００〜４００μｍ程度に形成される。
【００２９】
そして、本発明の多層配線基板においては、接続パッド４１、４２の表面が７１〜８８質量％の白金と残部の金とからなっていることが重要である。白金と金とがこのような割合で、白金の中に金がほぼ均一に分散していることで、製造時（後述する真空中８５０〜１０００℃での焼成時）にこれらが合金とならず（白金の結晶格子中に金の原子が取り込まれることなく）、金の焼結助剤としての働き（金による接着効果）が維持されたまま、緻密に焼結して接続パッド４１、４２が形成される。白金の割合が７１質量％未満であると、後述の焼成条件において、金と金とが繋がって連続相を形成し、多層配線基板を使用中に金が生体内に溶出した場合に貫通導体３が露出するおそれが生じ、接続パッド４１、４２の生体適合性を低下させるおそれがある。一方、白金の割合が８８質量％を超えると、後述の焼成条件において、白金と金とが合金を形成してしまい、白金の結晶格子中に金の原子が取り込まれてしまうので、金の焼結助剤としての働き（金による接着効果）が低下し、接続パッド４１、４２の緻密性を低下させるおそれがある。
【００３０】
なお、白金が７１〜８８質量％の割合になっていることは、接続パッド４１、４２のＸ線回折の回折ピークにおける、白金と金のメインピーク強度比より測定することができる。
【００３１】
また、金と金とが繋がって連続相を形成しているかどうかは、接続パッド４１、４２を切断し断面を研磨して、この断面を波長分散型Ｘ線マイクロアナライザー分析（ＥＰＭＡ）法により、１０００倍の倍率にて元素マッピングすることで、測定することができる。
【００３２】
また、接続パッド４１、４２の緻密性については、接続パッド４１、４２を切断し断面を研磨して、この断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による１０００倍の画像を画像処理することにより二値化し、測定することができる。二値化したうちのボイド部分の割合を数値化することにより、ボイド率を算出することができる。
【００３３】
以上述べたように、本発明の多層配線基板によれば、生体適合性に優れた白金を主成分とする緻密な接続パッドを備えた多層配線基板を実現することができ、接続パッド４１、４２を通過して貫通導体を形成するタングステンまたはモリブデンの導体成分が、使用時に生体内に溶出するのを抑制することができる。
【００３４】
次に、上記構成の多層配線基板を製造するための製造方法について説明する。
【００３５】
本発明の多層配線基板の製造方法は、まず、アルミナ粉末を主成分とするセラミックグリーンシートを作製する。
【００３６】
例えば、平均粒径１〜５μｍのアルミナ粉末を８８〜９６質量％に、２〜８質量％のＳｉＯ２粉末、０．５〜２質量％のＭｇＯ粉末および０．１〜２質量％のＣａＯ粉末を混合し、この混合粉末に例えばアクリル系、セルロース系などの有機バインダ、トルエン、アルコールなどの有機溶剤を添加してスラリーを調整した後、プレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法によってセラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの厚みは、例えば６０〜２３０μｍ程度に形成される。
【００３７】
次に、セラミックグリーンシートに貫通孔を形成して貫通孔にタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体用導体ペーストを充填するとともに、セラミックグリーンシートの一方主面にタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層用導体ペーストを塗布する。
【００３８】
貫通孔は、マイクロドリル、レーザ等により直径６０〜２３０μｍ程度に形成されたものである。そして、タングステン粉末またはモリブデン粉末に上記のような有機バインダ、有機溶剤等を添加してなる貫通導体用導体ペーストを、貫通孔に充填する。一方、タングステン粉末またはモリブデン粉末に上記のような有機バインダ、有機溶剤等を添加してなる配線層用導体ペーストを、セラミックグリーンシートの一方主面にスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により塗布する。
【００３９】
次に、貫通孔に貫通導体用導体ペーストが充填され、一方主面に配線層用導体ぺーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する。
【００４０】
積層する方法は、積み重ねたセラミックグリーンシート積層体に熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダ、可塑剤、溶剤等からなる密着剤をセラミックグリーンシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。なお、積層の際の加熱加圧の条件は、用いる有機バインダ等の種類や量により異なり、例えば３０〜１００℃、２〜２０ＭＰａに設定される。
【００４１】
次に、セラミックグリーンシート積層体を窒素と水素との混合雰囲気中１３５０〜１７００℃で焼成する。
【００４２】
ここで、窒素と水素との混合雰囲気とは、例えば窒素８０〜９５％、水素５〜２０％程度の雰囲気であり、このような雰囲気中１３５０〜１７００℃で焼成して、アルミナ質焼結体からなる複数のセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の内部に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線層２と、セラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を貫通するタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体とを備える多層配線基板の前駆体が作製される。
【００４３】
最後に、得られた前駆体における絶縁基体１の少なくとも一方主面に、７１〜８８質量％の白金粉末と残部の金粉末とが混合された接続パッド用導体ペーストを塗布し、真空中８５０〜１０００℃で焼成する。
【００４４】
接続パッド用導体ペーストは、７１〜８８質量％の白金粉末と残部（１２〜２９質量％）の金粉末との混合粉末に、例えばアクリル系、セルロース系などの有機バインダ、トルエン、アルコールなどの有機溶剤を添加してなるものであり、例えば、混合粉末１００質量部に対し、外添で有機バインダを５〜３０質量部、有機溶剤を０．１〜５質量部添加したものが採用される。
【００４５】
なお、作製される接続パッド４１、４２の全体が上記のように白金および金で形成され、貫通導体３に直接電気的に接続される場合、接続パッド用導体ペーストの厚みは５〜６０μｍ程度に形成され、接続パッド用導体ペーストの直径は貫通孔の直径よりも１０〜４００μｍ程度大きく形成される。
【００４６】
また、作製される接続パッド４１、４２が、貫通導体３と電気的に接続されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする第１層と、この第１層を被覆するように白金および金で形成された第２層とで構成される場合には、第１層の厚みは５〜２０μｍ程度、直径は８５〜３５０μｍ程度に形成され、第２層の厚みは５〜６０μｍ程度、直径は１００〜４００μｍ程度に形成される。
【００４７】
ここで、あらためて真空中８５０〜１０００℃で焼成することが重要である。真空中で焼成することで、先に形成されたタングステンまたはモリブデンを主成分とする貫通導体および配線層の酸化を防止することができ、また、白金と水素とが反応することなく焼成できるからである。また、焼成温度が８５０℃以上であることで、この接続パッド用導体ペーストの焼結に必要な最低限の温度を確保でき、焼成温度が１０００℃以下であることで、この接続パッド用導体ペーストと貫通導体用導体ペーストとの金属間化合物の形成を抑制することができるからである。
【００４８】
そして、白金粉末と金粉末との混合粉末において、白金粉末の含有量が７１〜８８質量％であることが重要である。
【００４９】
白金粉末のみ場合では、白金の融点が１７００℃以上と高温のため、１０００℃以下程度の温度では物質の移動（拡散）が生じにくく、焼結が進行しにくい状態にある。ここで、白金内に金を分散させて存在させ、それぞれが独立して存在していると、金は融点が１０８０℃程度なので、１０００℃程度の温度でも活発に物質の移動が生じる。この金の活発な物質移動を生かして、金と白金との間で「相互拡散」現象が生じ、白金単体では移動度が低かった白金が、物質移動を始めるようになる。金と白金は結晶構造が近いので、相互拡散が生じやすいからである。この物質移動を利用して白金の焼結が促進される。
【００５０】
本発明では、接続パッド用導体ペーストを焼結させるための焼成温度を８５０〜１０００℃としており、白金と金との２元系状態図によれば、この温度で焼成して白金と金とが合金とならずに独立して存在するためには、白金粉末の割合が３２〜８８質量％であることが必要である。形成される接続パッド４１、４２において、白金と金との合金が形成され、白金の結晶格子中に金の原子が取り込まれてしまうと、金の焼結助剤としての働きが低下し、接続パッド４１、４２の緻密性を低下させるおそれがある。白金と金とが合金相を形成している場合は、最初から白金と金とが相互拡散をし終わった状態で存在していることになるので、わざわざそれ以上の拡散現象を起こそうというポテンシャルが働かなくなり焼結の促進効果は生まれないからである。
【００５１】
ところが、単純立方格子のサイトパーコレーションの計算結果によれば、白金粉末の割合が７１質量％未満であると、金粉末と金粉末とが繋がって連続相を形成し、多層配線基板を使用中に金が生体内に溶出した場合に貫通導体が露出する恐れが生じ、接続パッド４１、４２の生体適合性を低下させるおそれがある。
【００５２】
したがって、白金粉末と金粉末との混合粉末において、白金粉末の含有量が７１〜８８質量％であることが重要となる。この割合は焼結後においても同じ割合となる。
【００５３】
以上述べたように、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、接続パッド用導体ペーストに含まれる白金と金とが合金とならず、また接続パッド用導体ペーストに含まれる金と金が繋がって連続相を形成せず、金による焼結助剤成分としての働き（金による接着効果）が保たれた状態で、白金の中に金がほぼ均一に分散した状態の緻密な接続パッドを形成することができ、生体適合性に優れた多層配線基板を得ることができる。
【実施例】
【００５４】
平均粒径２μｍのアルミナ粉末９２質量％に、６質量％のＳｉＯ２粉末、１質量％のＭｇＯ粉末および１質量％のＣａＯ粉末を混合し、この混合粉末にアクリル系の有機バインダおよびトルエンを添加してスラリーを調整した後、ドクターブレード法によってセラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの厚みは、１８０μｍとした。
【００５５】
次に、セラミックグリーンシートに直径２３５μｍの貫通孔を形成し、この貫通孔にモリブデン粉末を主成分とする貫通導体用導体ペーストをスクリーン印刷法にて充填するとともに、モリブデン粉末を主成分とする配線層用導体ペーストを、セラミックグリーンシートの一方主面にスクリーン印刷にて塗布した。
【００５６】
次に、貫通孔に貫通導体用導体ペーストが充填され、または前記接続パッド用導体ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを３層積層して、セラミックグリーンシート積層体を作製し、セラミックグリーンシート積層体を、窒素と水素との混合雰囲気にて１６００℃で１時間かけて焼成して、多層配線基板の前駆体を作製した。
【００５７】
この前駆体における絶縁基体１の一方主面および他方主面に、表１に示す白金の割合で混合した白金粉末と金粉末との混合粉末１００質量部に、外添でアクリル系有機バインダを１２質量部、ターピネオールを１質量部添加した接続パッド用導体ペーストを４０μｍの厚みに塗布した。
【００５８】
そして、真空中にて表１に示す温度で１時間かけて焼成して、多層配線基板を作製した。
【００５９】
得られた多層配線基板について、接続パッドにおける金のつながりの有無を波長分散型Ｘ線マイクロアナライザー分析（ＥＰＭＡ）法により測定した。
また、接続パッドの緻密性について、走査型電子顕微（ＳＥＭ）による１０００倍の画像を画像処理することにより二値化し、ボイド率を求めた。これらの結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
0005489701.tif 000002
【００６１】
表１によれば、本発明範囲内の試料である試料Ｎｏ．２〜３および６〜７は、金のつながりもなく、ボイド率も３２体積％未満で貫通導体が露出することがない。
【００６２】
一方、本発明範囲外の試料である試料Ｎｏ．１、４〜５、および８は、金のつながりが観察されるか、あるいは３２体積％以上のボイド率が観察され、生体適合性に対してリスクが高い状態となっている。
【符号の説明】
【００６３】
１：絶縁基体
１１、１２、１３、１４：セラミック絶縁層
２：配線層
３：貫通導体
４１、４２：接続パッド
【図１】
0005489701.tif 000003