(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材の表面に、Ｉｎ又はＩｎを８０質量％以上１００質量％未満含有する合金からなる表面めっき層が設けられ、該表面めっき層の下地に、該表面めっき層よりも硬い硬質めっき層が形成され、該硬質めっき層は、１）ＣｕとＩｎの金属間化合物、もしくは、２）Ｃｕ及びＩｎに、更にＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐ、及びＢのいずれか１種又は２種以上を含む金属間化合物からなることを特徴とする接続用端子。
【請求項２】
請求項１記載の接続用端子において、前記表面めっき層の平均厚みは０．０５〜１０μｍであることを特徴とする接続用端子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の接続用端子において、前記硬質めっき層の平均厚みは０．０５〜１０μｍであることを特徴とする接続用端子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続用端子において、前記硬質めっき層の下地に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる下地めっき層を設けたことを特徴とする接続用端子。
【請求項５】
請求項４記載の接続用端子において、前記下地めっき層の平均厚みは１０μｍ以下であることを特徴とする接続用端子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続用端子において、前記表面めっき層は、電気めっき処理して、又は該電気めっき処理後にリフロー処理して形成されていることを特徴とする接続用端子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の接続用端子において、摩擦係数が０．１〜０．４５であることを特徴とする接続用端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として自動車や家電製品（民生）に使用される端子やコネクタ等の接続用端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車等の電線の接続に用いられるコネクタには、通常、銅合金にＳｎめっきを施したオス端子とメス端子の組み合わせからなる嵌合型端子が使用されている。この嵌合型端子が複数個集合したコネクタを、多極端子コネクタという。
自動車の電装化が進む中にあっては、このようなコネクタの極数、即ち、コネクタ中の端子の極数が増加する傾向にある。この端子の極数が増加するに伴って挿入力が大きくなるため、実装に際しては、道具が必要となったり、また人が挿入させる場合でも大きな力を必要とするようになり、組み立て作業の効率を低下させてしまう問題がある。
そのため、極数が増加しても、挿入力が従来よりも大きくならないような低挿入力端子が要求されている。
【０００３】
また、自動車には、エンジンの点火時期、燃料噴射の時期、及びスロットル開度等を、自動的に制御し、燃焼効率や燃費を適正化するための電子部品として、エンジンコントロールユニット（以下、ＥＣＵともいう）が搭載されている。このＥＣＵには、そのプリント基板上に上記した目的に合わせた多数のＬＳＩ等の電子部品が配置され、接続用端子であるＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）コネクタ用端子（以下、単にＰＣＢ端子ともいう）が接続されて、電気信号の入出力を行っている。
なお、ＰＣＢ端子は、多極の端子より構成され、導電性、めっき性、曲げ加工性、機械的強度等の特性を必要とすることから、ＰＣＢ端子に銅又は銅合金からなる母材を用いることが多い。また、表面には、耐食性等の問題から通常Ｓｎめっきが施されている。
【０００４】
このＰＣＢ端子は、一方側にオス端子としてコネクタのメス端子に挿入され、ＥＣＵへの電気信号の入出力回路を構成する端子嵌合部が、また他方側に、ＥＣＵのプリント基板のスルーホールに挿入され、はんだ付けや、プレスフィット等の機械的接続がなされる基板接続部が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
この場合においても、端子嵌合部の低挿入力化は求められている。
例えば、このＰＣＢ端子の端子嵌合部をメス端子に挿入するに際しては、例えば、１端子あたり５Ｎ程度の挿入力が必要であるが、前記したように、ＰＣＢ端子は多極の端子を有するため、例えば、２０極の場合だと１００Ｎ（１０ｋｇ）程度の挿入力が必要となる。
このように、挿入力が高くなると組立て時における作業性等が悪くなる。そこで、摩擦係数を２０％程度低減させ、総挿入力を８０Ｎ以下にできる端子、具体的には、母材の表面に、Ｎｉ（ニッケル）めっき、Ｃｕ（銅）めっき、及びＳｎめっきを順次行い、更にリフロー処理により形成された表面被覆層を有する端子が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２８７９４２号公報
【特許文献２】特開２００８−２７４３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載されたＰＣＢ端子であっても、端子の数（極数）が更に多くなれば、ＰＣＢ端子の総挿入力が大きくなるため、総挿入力の更なる低減（即ち、１端子あたりの挿入力の低減）が求められていた。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、総挿入力の低減が図れ、更には安定した電気的な接続信頼性を備えることが可能な接続用端子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係る接続用端子は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材の表面に、Ｉｎ又はＩｎを８０質量％以上１００質量％未満含有する合金からなる表面めっき層が設けられ、該表面めっき層の下地に、該表面めっき層よりも硬い硬質めっき層が形成され、該硬質めっき層は、１）ＣｕとＩｎの金属間化合物、もしくは、２）Ｃｕ及びＩｎに、更にＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐ、及びＢのいずれか１種又は２種以上を含む金属間化合物からなる。
【０００９】
本発明に係る接続用端子において、前記表面めっき層の平均厚みは０．０５〜１０μｍであることが好ましい。
【００１０】
本発明に係る接続用端子において、前記硬質めっき層の平均厚みは０．０５〜１０μｍであることが望ましい。
【００１１】
本発明に係る接続用端子において、前記硬質めっき層の下地に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる下地めっき層を設けることが好ましい。
ここで、前記下地めっき層の平均厚みは１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る接続用端子において、前記表面めっき層は、電気めっき処理して、又は該電気めっき処理後にリフロー処理して形成されるのがよい。
【００１３】
本発明に係る接続用端子において、摩擦係数が０．１〜０．４５であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る接続用端子は、母材の表面に、Ｉｎ又はＩｎを主体とする合金からなる表面めっき層が設けられ、この表面めっき層の下地に、この表面めっき層よりも硬い硬質めっき層が形成されているので、この相乗効果で摩擦係数を低減できる。即ち、端子の挿入力の低減が可能となる。
従って、総挿入力の低減を図ることが可能な接続用端子を提供できる。
【００１５】
ここで、表面めっき層の平均厚みを０．０５〜１０μｍにする場合、表面めっき層の厚みを、表面めっき層による摩擦係数の低減効果が十分に得られる厚みに調整できる。
【００１６】
また、硬質めっき層を、１）ＣｕとＩｎの金属間化合物、もしくは、２）Ｃｕ及びＩｎに、更にＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐ、及びＢのいずれか１種又は２種以上を含む金属間化合物で構成するので、これらのめっき層は熱的に安定しており、例えば、高温環境下において、母材元素の最表面への拡散を抑制でき、表面めっき層でのＩｎとの合金化も抑制できる。更に、硬質めっき層の下地に下地めっき層を設ける場合も、高温環境下において、下地めっきの元素の拡散を抑制できる。
従って、安定した電気的な接続信頼性を備えることができる。
【００１７】
そして、硬質めっき層の下地に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる下地めっき層を設ける場合、硬質めっき層と下地めっき層により、経時による母材元素の拡散抑制が可能となり、長期に渡って接触抵抗の上昇を防止できる。また、ＣｕとＮｉは相互に拡散し難いため、下地めっき層がバリア層となり、母材元素、特にＣｕ元素が、硬質めっき層、表面めっき層、更には最表面へ拡散することを抑制でき、表面めっき層でのＩｎとの合金化や、最表面での母材元素の酸化も抑制できる。
従って、下地めっき層を設けることで、製品の信頼性への効果がより大きくなる。
【００１８】
また、表面めっき層は、電気めっき処理して、又は電気めっき処理後にリフロー処理して形成されるのがよい。
上記した硬質めっき層と表面めっき層は、リフロー処理を施さない場合においても、Ｉｎ及びＣｕの相互拡散により常温域で自然に形成できる。しかし、例えば、下地めっき層の表面に、ＣｕもしくはＣｕ合金めっき層と、ＩｎもしくはＩｎ合金めっき層を形成した後、リフロー処理することで、硬質めっき層と表面めっき層を容易に形成できる。ここで、硬質めっき層となるＣｕ−Ｉｎ合金層は、金属間化合物となっているため、十分な硬さを有している。このため、硬い硬質めっき層の上面に軟らかい表面めっき層を設けた相乗効果で、摩擦係数の低減が十分可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（Ａ）本発明の一実施の形態に係る接続用端子の部分側断面図、（Ｂ）は変形例に係る接続用端子の部分側断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る接続用端子の製造方法の説明図である。
【図３】接続用端子のＩｎめっき厚さと摩擦係数との関係を示す説明図である。
【図４】接続用端子の表面めっき層であるＩｎ厚さと摩擦係数との関係を示す説明図である。
【図５】接続用端子の表面ＥＤＸ組成分析によるＩｎ／Ｃｕの質量比と摩擦係数との関係を示す説明図である。
【図６】接続用端子の接触信頼性を評価した結果の説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ接続用端子の微摺動磨耗特性を評価した結果の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
図１（Ａ）、図２に示すように、本発明の一実施の形態に係る接続用端子１０は、母材１１の端子嵌合部の表面に、下地めっき層１２と、硬質めっき層１３と、表面めっき層１４とを順次設けたものであり、例えば、工場等で使用される電子機器、航空機、船舶、自動車等の各種電子機器、特に自動車の電子制御装置（ＥＣＵ）への使用に適したＰＣＢコネクタ用端子や中継用端子等である。以下、詳しく説明する。
【００２１】
母材１１は、Ｃｕ（銅）又はＣｕ合金からなる板材（図示しない）を、接続用端子１０と同一形状にプレス加工することにより得られる接続用端子材である。
この母材１１の端子嵌合部の表面には、Ｎｉ（ニッケル）又はＮｉ合金（例えば、Ｎｉ−Ｐ（ニッケル／リン）、Ｎｉ−Ｂ（ニッケル／ホウ素）、Ｎｉ−Ｃｏ（ニッケル／コバルト）等）からなる下地めっき層１２が設けられている。なお、Ｎｉめっきには、無光沢めっきや半光沢めっき、更には、緻密な光沢めっきを使用することができるが、リフロー処理を施す場合は、半光沢めっきもしくは無光沢めっきを施すことが好ましい。
この下地めっき層１２は、母材１１中のＣｕ、及びその他のＣｕ合金中元素の拡散を抑制するためのもの（バリア層）であり、その平均厚みは、１０μｍ以下（好ましくは、下限を０．０５μｍ）とするのがよい。ここで、下地めっき層の厚みに上限を設けたのは、厚みの増加に伴う拡散抑制効果が小さいことによる。なお、生産性の観点から、好ましくは、５μｍ以下、更には３μｍ以下とするのがよい。また、下地めっき層は形成しなくてもよい。
【００２２】
下地めっき層１２の表面には、Ｃｕ−Ｉｎ（銅／インジウム）の金属間化合物を主体とする硬質めっき層１３と、表面めっき層１４とが、順次設けられている。
なお、硬質めっき層は、Ｃｕ−Ｉｎ合金の代わりに、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ（銅／錫）合金、Ｉｎ−Ｚｎ（インジウム／亜鉛）合金、Ｉｎ−Ｎｉ（インジウム／ニッケル）合金、Ｉｎ−Ｆｅ（インジウム／鉄）合金等の金属間化合物（合金層）等で構成することもできる。
ここで、硬質めっき層中の金属間化合物の含有量は、９０質量％以上１００質量％未満であればよい。
更に、硬質めっきにＣｕ−Ｉｎの金属間化合物からなるＣｕ−Ｉｎ合金層（金属間化合物の含有量：１００質量％）を用いる場合、Ｃｕ−Ｉｎ合金層中に下地めっき元素や素材元素であるＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ（亜鉛）、Ｐ（リン）、及びＢ（ホウ素）のいずれか１種又は２種以上を含むこともできる。
【００２３】
上記した硬質めっきの平均厚みは、０．０５〜１０μｍであることが好ましい。
硬質めっきの平均厚みが０．０５μｍ未満であると、下地めっきであるＮｉ及び母材元素の拡散抑制効果が小さくなる。従って、望ましくは、０．１μｍ以上とするのがよい。
一方、硬質めっきの平均厚みが１０μｍを超えると、生産性を阻害させる。従って、望ましくは５μｍ以下とするのが良い。
表面めっき層は、Ｉｎ（インジウム及び不可避的不純物）で構成されることが好ましいが、表面めっき層中に、母材元素や下地めっきの元素、更には硬質めっきの元素が拡散して含まれる場合もある。
また、表面めっき層は、Ｉｎの代わりに、Ｉｎを主体とする合金めっきで構成することもできる。このＩｎ合金めっきは、Ｉｎ含有量が４０質量％以上（好ましくは６０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上）、１００質量％未満であり、他は、Ｉｎの軟らかさを損なわない範囲で、添加元素及び不可避的不純物を含んでいる。
【００２４】
このように、接続用端子１０は、下地めっき層１２と表面めっき層１４との間に、表面めっき層１４よりも硬い硬質めっき層１３が設けられている。このため、硬い硬質めっき層１３の表面が、軟らかい表面めっき層１４で覆われ、この表面めっき層１４が接続用端子１０の表面に露出した構成となり、硬質めっき層１３と表面めっき層１４の相乗効果で、接続用端子１０の挿入力の低下が図れる。
ここで、表面めっき層をＩｎで構成した場合に、Ｉｎのめっき厚さが摩擦係数μに及ぼす影響について、図３を参照しながら説明する。この図３で説明した接続用端子の試験片は、厚さ１μｍのＮｉの下地めっき層（無光沢Ｎｉめっき）の上に、厚みの異なるＣｕのめっき層（０．１μｍ：◆、０．１８μｍ：■、０．２６μｍ：▲）と、Ｉｎのめっき層を順次形成し、これをリフロー処理して、Ｉｎの表面めっき層を形成したものである。なお、図３の横軸は、リフロー処理前のＩｎのめっき厚みを示している。
【００２５】
図３に示すように、Ｉｎのめっき厚み（表面めっき層であるＩｎ厚さとＣｕ−Ｉｎ合金中のＩｎの見かけの厚さの合計、以下同様）が厚くなると共に、試験片の摩擦係数が低下する傾向にあることが分かる。なお、前記した従来のＳｎめっき（リフロー処理済み）が設けられた端子の摩擦係数は、例えば０．５〜０．６程度であり、また、母材の表面に、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、及びＳｎめっきを順次設けてリフロー処理した端子の摩擦係数は、例えば、０．４〜０．５程度である。
これら従来の端子の摩擦係数を考慮（目標値：摩擦係数０．４以下）すれば、Ｉｎの平均めっき厚みを０．４μｍ以上、更には０．４５〜１０μｍ（上限は、好ましくは５μｍ、更に好ましくは１．５μｍ）にすることが好ましい。ここで、Ｉｎのめっき厚みに上限を設けたのは、Ｉｎの使用量増加に伴う摩擦係数の低減効果が小さいことによる。
【００２６】
次に、表面めっき層であるＩｎ厚さと摩擦係数の関係を、図４に示す。なお、図４の横軸は、リフロー処理後の最表層のＩｎ厚さである（Ｃｕ−Ｉｎ合金層中の見かけのＩｎ厚さは含まない）。
図４より、表面めっき層であるＩｎ厚さは、０μｍで摩擦係数が０．４〜０．５程度であるのに対し、Ｉｎ厚さを０．０５μｍとすることで、摩擦係数を０．３８〜０．４５まで低減できる。更に、摩擦係数の目標値０．４以下を考慮すると、表面めっき層であるＩｎ厚さは、０．１５μｍ以上が望ましい。なお、摩擦係数の目標値は、端子使用時の表面めっき層とその接触部との接触性等を考慮すれば、現実的には０．１以上であるのがよい。
【００２７】
続いて、硬質めっき層をＣｕ−Ｉｎ合金で構成した場合に、端子材表面のＥＤＸ組成分析によるＩｎ／Ｃｕの質量比が摩擦係数μに及ぼす影響について、図５を参照しながら説明する。この図５は、図３の各試験片について、表面のＩｎ／Ｃｕの質量比を、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析法、加速電圧：１０ｋＶ）を用いて分析し、摩擦係数とＩｎ／Ｃｕの質量比との関係に整理し直したものである。
図５に示すように、表面ＥＤＸ組成分析で検出されるＩｎ量が増加すると共に、摩擦係数が低下する傾向にあることが分かる。なお、上記した従来の端子の摩擦係数を考慮（目標値：摩擦係数０．４以下）すれば、Ｉｎの質量がＣｕの質量の０．８倍以上、更には１倍以上にすることが好ましい。
【００２８】
以上に示した構成の接続用端子を用い、その接触信頼性を評価した結果について、図６を参照しながら説明する。ここでは、１６０℃の大気雰囲気下において、１０００時間までの所定時間の加熱を行い、その後、接続用端子の試験片に５Ｎの荷重をかけながら試験片を１Ｈｚの摺動周波数（周期）で往復摺動させ、時間経過と接触抵抗との関係について評価した。
なお、使用した実施例１〜３の試験片は、０．９μｍのＮｉ下地めっき層の上に、０．１８μｍのＣｕめっき層と、厚みの異なるＩｎのめっき層（０．７μｍ：◆、０．９μｍ：■、１．１μｍ：▲）を順次形成し、これをリフロー処理して、Ｃｕ−Ｉｎ合金の硬質めっき層の上にＩｎの表面めっき層を形成したものである。また、図６には、前記した従来のＳｎめっき（リフロー処理済み）が設けられた比較例１の試験片（○）と、母材の表面に、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、及びＳｎめっきを順次設けてリフロー処理した比較例２の試験片（●）の各接触抵抗も示している。
【００２９】
図６から明らかなように、実施例１〜３の各試験片は、１６０℃の雰囲気下において、いずれも１０００時間まで、ほぼ一定（０．５ｍΩ）の接触抵抗を示しており、接触抵抗の上昇はみられなかった。
一方、比較例１の試験片は、時間の経過と共に、接触抵抗が増加する傾向にあった。これは、時間の経過と共に、母材元素であるＣｕがＳｎめっき中に拡散し、更にめっき表面にも拡散してＣｕ−Ｏ酸化物を形成し、このＣｕ−Ｏ酸化物が接触抵抗の増加をもたらしたことによる。
また、比較例２の試験片の接触抵抗は、比較例１よりは優れるものの、接触抵抗の大きさは実施例１〜３の試験片の１〜２倍程度であった。
以上のことから、実施例１〜３の試験片は、安定した電気的な接続信頼性を備えることが分かった。
【００３０】
そして、接続用端子を、例えば、メス端子に挿入した後、微摺動磨耗特性を評価した結果について、図７（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら説明する。ここでは、接続用端子の試験片に３Ｎの荷重をかけながら、試験片を摺動距離が５０μｍ、摺動周波数が１Ｈｚで往復摺動させ、摺動回数と接触抵抗との関係について評価した。
なお、使用した実施例の試験片は、０．９μｍのＮｉ下地めっき層の上に、０．１８μｍのＣｕめっき層と、０．９μｍのＩｎのめっき層を順次形成し、これをリフロー処理して、Ｃｕ−Ｉｎ合金の硬質めっき層の上にＩｎの表面めっき層を形成したものである。また、図７（Ａ）は、メス端子側に、前記した従来のＳｎめっき（リフロー処理済み）を設け、図７（Ｂ）は、メス端子側に、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、及びＳｎめっきを順次設けてリフロー処理したものを使用した。
【００３１】
図７（Ａ）では、同一種類の試験片を用いて３回試験を行い、図７（Ｂ）では、同一種類の試験片を用いて２回試験を行ったが、いずれも同様の挙動を示した。具体的には、摺動回数が３０回を超えたあたりから接触抵抗の最初の増大が現れ、その後低下し、摺動回数が５００回を超えたあたりから接触抵抗の次の増大が現れた。ここで、接触抵抗の最初の増大は最表層のめっき層の酸化の影響によるものであり、次の接触抵抗の増大は、めっきが剥がれて母材が露出し、母材であるＣｕが酸化したことによるものである。
上記した接触抵抗の挙動は、試験片に従来のＳｎめっき（リフロー処理済み）を設け、メス端子側に、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、及びＳｎめっきを順次設けてリフロー処理したものを用いて、微摺動磨耗試験を行った場合と同様の挙動を示した。
以上のことから、実施例の試験片は、Ｓｎと同程度の微摺動磨耗特性を備えることが分かった。
【００３２】
続いて、本発明の一実施の形態に係る接続用端子１０の製造方法について説明する。
まず、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる板材（素材）を、接続用端子１０と同一形状にプレス加工することにより、母材１１を形成する（以上、準備工程）。
次に、図２に示すように、母材１１の端子嵌合部の表面に、Ｎｉめっきによる下地めっきを行い、Ｎｉめっき層１５を形成する。なお、Ｎｉめっき層１５の平均厚みは、１０μｍ以下である（以上、Ｎｉめっき工程）。
そして、このＮｉめっき層１５の表面にＣｕめっきを行い、Ｃｕめっき層１６を形成する。なお、Ｃｕめっき層１６の平均厚みは、例えば、０．０３〜５μｍ程度である。ここで、Ｃｕめっき層の厚みが０．０３μｍ未満（特に、０．０２μｍ程度）であり、下地めっき層にＮｉめっきを施した場合、Ｎｉの拡散により、合金層が急成長してしまい、更に加熱経時後の接触信頼性に悪影響を及ぼす。一方、Ｃｕめっき層の厚みは、生産性の観点より５μｍ以下とするのがよい。
また、Ｎｉめっきを施さない場合は、Ｃｕめっきを省略することもできる（以上、Ｃｕめっき工程）。
【００３３】
更に、Ｃｕめっき層１６の表面に、ＩｎによるＩｎめっきを行い、Ｉｎめっき層１７を形成する。なお、Ｉｎめっき層１７の平均厚みは、例えば、０．１〜１０μｍ程度である（以上、Ｉｎめっき工程）。
以上に示した、各めっきは、電解めっきが好ましいが、無電解めっきや溶融めっきでもよい。
そして、上記したＮｉめっき層１５、Ｃｕめっき層１６、及びＩｎめっき層１７が形成された母材１１をリフロー処理する。この加熱方法には、例えば、熱風等による直接加熱、雰囲気加熱、又は高周波加熱等のいずれかの方法がある。
これにより、図１（Ａ）、図２に示すように、母材１１の端子嵌合部の表面に、Ｎｉの下地めっき層１２、Ｃｕ−Ｉｎ合金の硬質めっき層１３、及びＩｎの表面めっき層１４が順次設けられた接続用端子１０を製造できる。なお、本端子をＰＣＢ端子として使用する場合、母材１１の基盤接続部については、特に限定されるものではなく、例えば、Ｓｎめっき（はんだ付け時）やＣｕ−Ｓｎの硬質めっき（プレスフィット時）がなされている。
【００３４】
ここで、めっき処理された母材１１をリフロー処理する場合の加熱温度と加熱時間は、母材１１の表面に、Ｎｉの下地めっき層１２、Ｃｕ−Ｉｎ合金の硬質めっき層１３、及びＩｎの表面めっき層１４が形成されれば、特に限定されるものではない（Ｃｕ−Ｉｎ合金の硬質めっき層を短時間で形成させるため、Ｉｎの融点１５６℃よりも高い加熱温度、例えば、２２０〜２８０℃程度で加熱するのがよい）。
以上のように、Ｎｉめっき層１５の上に、Ｃｕめっき層１６とＩｎめっき層１７を形成し、これらを加熱して、Ｃｕ−Ｉｎ合金の硬質めっき層１３を形成しているので、比較的簡便に、端子嵌合部に硬質めっき層１３とＩｎの表面めっき層１４を形成できる。
【００３５】
なお、硬質めっき層と表面めっき層は、上記したように、めっき処理された母材を加熱して生成させるものに限定されるものではなく、例えば、図１（Ｂ）に示す接続用端子１８のように、下地めっき層１２の表面に合金の硬質めっき層１９を形成させた後、表面めっき層２０を形成させてもよい。また、リフロー処理等の加熱処理を施さない場合においても、常温域にて、Ｉｎめっき層中のＩｎと、Ｃｕめっき層中のＣｕは相互拡散して、金属間化合物層、即ち硬質めっき層を形成できる。
これにより、総挿入力の低減が図れ、更には安定した電気的な接続信頼性を備えることが可能な接続用端子を製造できる。
【００３６】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。例えば、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組合せて本発明の接続用端子を構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３７】
１０：接続用端子、１１：母材、１２：下地めっき層、１３：硬質めっき層、１４：表面めっき層、１５：Ｎｉめっき層、１６：Ｃｕめっき層、１７：Ｉｎめっき層、１８：接続用端子、１９：硬質めっき層、２０：表面めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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