(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記樹脂絶縁層の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部及び上部に位置する凸部からなる導電性パッドと、
前記導電性パッドの全面を覆うはんだ層とを備え、
前記導電性パッドの前記凸部の表面は、連続した曲面形状であって、
前記導電性パッドと前記はんだ層との間に、前記導電性パッドの全面を被覆して形成されたバリアメタル層を備え、
前記はんだ層は、前記導電性パッドの全面を被覆するバリアメタル層を介して前記導電性パッドを覆い、
前記導電性パッドの前記樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成された前記バリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成された前記バリアメタル層の被覆厚みよりも大きいことを特徴とする、多層配線基板。
【請求項２】
前記はんだ層は、前記バリアメタル層上にのみ形成され、前記樹脂絶縁層とは接触しないことを特徴とする、請求項１に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子部品を搭載するパッケージとしては、コア基板の両側に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してビルドアップ層を形成した多層配線基板が用いられている。多層配線基板において、コア基板は例えばガラス繊維を含んだ樹脂からなり、高い剛性によりビルドアップ層を補強する役割がある。
【０００３】
しかしながら、コア基板は厚く形成されるため、多層配線基板の小型化の妨げになるとともに、ビルドアップ層間を電気的に接続するスルーホール導体を設ける必要があるため配線長が必然的に長くなり、高周波信号の伝送性能の劣化を招く恐れがある。
【０００４】
このような観点から、近年では、コア基板を設けることなく、小型化に適し、かつ高周波信号の伝送性能の向上が可能な構造を有する、いわゆるコアレス多層配線基板が提案されている（特許文献１、特許文献２）。このようなコアレス多層配線基板は、例えば、剥離可能な２つの金属膜を積層してなる剥離シートを表面に設けた支持体にビルドアップ層を形成した後、上記剥離シートの剥離界面で分離することによりビルドアップ層を支持体から分離して、目的とする多層配線基板を得るものである。
【０００５】
一方、多層配線基板の半導体素子搭載領域に位置し、半導体素子とフリップチップ接続するための導電性パッドは、最上層に位置するレジスト層の下方において、レジスト層に形成された開口から露出するようにして形成するのみならず、レジスト層の表面において、このレジスト層の表面から突出するようにして形成する場合がある（特許文献３）。この導電性パッドは一般に矩形状に形成されるが、このような形状の導電性パッドに対してはんだを供給してはんだ層を形成し、多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合しようとした場合において、導電性パッドの鋭角な縁部に応力集中が生じる。
【０００６】
この結果、導電性パッドにクラックが形成され、半導体素子との接続不良を生ぜしめたり、導電性パッド自体が破損したりしてしまうなどの問題が生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２８９８４８号
【特許文献２】特開２００７−２１４４２７号
【特許文献３】特開２００９−２１２１４０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、少なくとも１層の樹脂絶縁層の表面上において、表面から突出して形成された導電性パッドと、導電性パッドの上面において形成されたはんだ層とを備える多層配線基板において、導電性パッドへの応力集中を抑制し、半導体素子との接続不良及び導電性パッドの破損を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記樹脂絶縁層の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部及び上部に位置する凸部からなる導電性パッドと、
前記導電性パッドの全面を覆うはんだ層とを備え、
前記導電性パッドの前記凸部の表面は、連続した曲面形状であって、
前記導電性パッドと前記はんだ層との間に、前記導電性パッドの全面を被覆して形成されたバリアメタル層を備え、
前記はんだ層は、前記導電性パッドの全面を被覆するバリアメタル層を介して前記導電性パッドを覆い、
前記導電性パッドの前記樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成された前記バリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成された前記バリアメタル層の被覆厚みよりも大きいことを特徴とする、多層配線基板に関する。
【００１０】
本発明によれば、樹脂絶縁層の表面から突出した導電性パッドを、下部に位置する円柱部及び上部に位置し、連続した曲面状の表面を有する凸部から構成するようにしている。したがって、導電性パッドは、従来のように鋭角な縁部を有しないので、当該導電性パッドにはんだを供給して、多層配線基板を半導体素子とフリップチップ接合した場合においても、導電性パッドに対して応力集中が生じない。したがって、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を抑制することができる。
【００１１】
なお、導電性パッドを連続した曲面状の表面を有する凸部のみから構成した場合においても、導電性パッドは鋭角な縁を有しないので、上述のような作用効果が期待できるが、凸部の端部の厚さが小さくなると、当該箇所において応力集中が生じるようになる。その結果、従来同様に、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を生じる場合がある。しかしながら、本発明のように、導電性パッドを下方に位置させた円柱部と上方に位置させた凸部とから構成することにより、下方に円柱部が存在することに起因して、凸部の端部の厚さが小さくなるようなことがないので、上述した不利益を被ることがない。
【００１２】
また、上述のような構成の導電性パッドを介して多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合する場合においては、導電性パッドの全面を覆うようにしてはんだ層を形成することが好ましい。この場合、導電性パッドに対して十分な量のはんだを供給することができるので、多層配線基板の、半導体素子とのフリップチップ接合をより確実に行うことができる。
【００１３】
さらに、本発明では、導電性パッドとはんだ層との間に、導電性パッドの全面を被覆して形成されたバリアメタル層を備え、はんだ層は、導電性パッドの全面を被覆するバリアメタル層を介して導電性パッドを覆い、導電性パッドの樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みよりも大きくすることができる。
【００１４】
上述のように、導電性パッドの全面を覆うようにしてはんだ層を形成した場合、はんだ層と樹脂絶縁層、特にレジスト層との密着性は著しく低い。したがって、多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、はんだ層と樹脂絶縁層との間で剥離が生じ、半導体素子の接続不良等を生じる場合がある。
【００１５】
しかしながら、上述のように導電性パッドとはんだ層との間にバリアメタル層を形成した場合、このバリアメタル層の樹脂絶縁層に対する密着性ははんだ層の樹脂絶縁層に対する密着性に比して十分に高い。さらに、導電性パッドの樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みよりも大きくしているので、上述した密着性の向上はより顕著になる。
【００１６】
したがって、多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、バリアメタル層と樹脂絶縁層との間で剥離が生じず、その結果、はんだ層と樹脂絶縁層との間でも剥離が生じなくなる。このため、半導体素子の接続不良等を防止することができる。
【００１７】
なお、上記はんだ層をバリアメタル層上にのみ形成し、樹脂絶縁層と接触しないようにすれば、例えば、上記はんだ層の、樹脂絶縁層と接触した端部が部分的に剥離したりすることを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、少なくとも１層の樹脂絶縁層の表面上において、表面から突出して形成された導電性パッドと、導電性パッドの上面において形成されたはんだ層とを備える多層配線基板において、導電性パッドへの応力集中を抑制し、半導体素子との接続不良及び導電性パッドの破損を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態における多層配線基板の平面図である。
【図２】同じく、実施形態における多層配線基板の平面図である。
【図３】図１及び２に示す多層配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】図３に示す導電性パッドの近傍を拡大して示す断面図である。
【図５】実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図６】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図７】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図８】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図９】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１０】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１１】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１２】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１３】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１４】同じく、実施形態における多層配線基板の製造方法における一工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
（多層配線基板）
図１及び図２は、本実施形態における多層配線基板の平面図であり、図１は、多層配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図２は、多層配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び２に示す多層配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図４は、図３に示す導電性パッドの近傍を拡大して示す断面図である。
【００２２】
但し、以下に示す多層配線基板は本発明の特徴を明確にするための例示であって、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、樹脂絶縁層の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部及び上部に位置する凸部からなる導電性パッドとを備え、導電性パッドの凸部の表面が、連続した曲面形状であれば特に限定されるものではない。
【００２３】
図１〜３に示す多層配線基板１０は、必要に応じてシリカフィラー等を含む熱硬化性樹脂組成物からなる第１の樹脂絶縁層２１及び第２の樹脂絶縁層２２と、銅等の電気的良導体からなり、それぞれ所定のパターンを有する第１の導体層３１及び第２の導体層３２とが交互に積層されている。また、第１の樹脂絶縁層２１上には、開口部４１Ａが形成されてなる、例えばエポキシ系のレジスト材からなる第１のレジスト層４１が形成され、第２の樹脂絶縁層２２上には、開口部、すなわちビアホール４２Ａが形成されてなる、例えばエポキシ系のレジスト材からなる第２のレジスト層４２が形成されている。
【００２４】
なお、順次に積層されてなる第１のレジスト層４１、第１の樹脂絶縁層２１、第１の導電層３１、第２の樹脂絶縁層２２、第２の導電層３２及び第２のレジスト層４２は、ビルドアップ層を構成する。
【００２５】
また、第１の樹脂絶縁層２１及び第２の樹脂絶縁層２２には、これらの層を厚さ方向に貫通するようにして開口部、すなわちビアホール２１Ａ及び２２Ａがそれぞれ形成され、これらビアホール２１Ａ及び２２Ａを埋設するようにして、ビア導体５１及び５２がそれぞれ形成されている。なお、ビア導体５２によって第１の導体層３１及び第２の導体層３２は互いに電気的に接続されるようになる。
【００２６】
この場合、第１の導体層３１の、ビア導体５１と電気的に接触する部分３１１はビアランドを構成し、ビア導体５１と接触していない部分３１２は配線層を構成する。同じく、第２の導体層３２の、ビア導体５２と電気的に接触する部分３２１はビアランドを構成し、ビア導体５２と接触していない部分３２２は配線層を構成する。
【００２７】
第１のレジスト層４１の開口部４１Ａからは、第１の樹脂絶縁層２１上に形成された第１の導電性パッド６１が露出している。なお、ビア導体５１によって第１の導体層３１及び第１の導電性パッド６１は互いに電気的に接続されるようになる。
【００２８】
なお、第１の導電性パッド６１は、多層配線基板１０をマザーボードに接続するための裏面ランド（ＬＧＡパッド）として利用されるものであって、多層配線基板１０の裏面において矩形状に配列されている。
【００２９】
また、第２のレジスト層４２のビアホール４２Ａ内には、このビアホール４２Ａを埋設するようにしてビア導体５３が形成され、さらに第２のレジスト層４２の表面から突出するとともにビア導体５３と連続するようにして、第２の導電性パッド６２が形成されている。なお、ビア導体５３によって第２の導体層３２及び導電性パッド６２は互いに電気的に接続されるようになる。
【００３０】
なお、第２の導電性パッド６２は、図示しない半導体素子をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、半導体素子搭載領域を構成する。第２の導電性パッド６２は、多層配線基板１０の表面の略中心部において矩形状に配置されている。
【００３１】
また、上述した説明から明らかなように、ビア導体５１、５２及び５３によって、第１の導電性パッド６１、第１の導体層３１、第２の導体層３２及び第２の導電性パッド６２は、多層配線基板１０の厚さ方向において電気的に接続されている。
【００３２】
図３及び図４に示すように、第２の導電性パッド６２は、その下方に位置する円柱部６２１と、その上方に位置する連続した曲面状の表面を有する凸部６２２とから構成されている。また、第２の導電性パッド６２の全体を覆うようにしてＮｉ／Ａｕメッキ膜等からなるバリアメタル層６３が形成され、バリアメタル層６３を覆うようにして、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ等の実質的にＰｂを含有しないはんだからなるはんだ層６４が形成されている。
【００３３】
また、バリアメタル層６３の、第２の導電性パッド６２の第２のレジスト層４２側に位置する側端面６２Ａ上に形成されたバリアメタル層６３の被覆厚みｔ１が、側端面６２Ａよりも上部に位置する第２の導電性パッド６２の表面６２Ｂ上に形成されたバリアメタル層６３の被覆厚みｔ２よりも大きくなっている。さらに、はんだ層６４は、バリアメタル層６３上にのみ形成され、第２のレジスト層４２と接触しないように構成されている。
【００３４】
なお、多層配線基板１０の大きさは、例えば２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．８ｍｍの大きさに形成することができる。
【００３５】
図３及び図４に示すように、第２の導電性パッド６２は第２のレジスト層４２の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部６２１及び上部に位置し、連続した曲面状の表面を有する凸部６２２から構成するようにしている。したがって、導電性パッド６２は、鋭角な縁部を有しないので、当該導電性パッドにはんだを供給して、多層配線基板１０を半導体素子とフリップチップ接合した場合においても、導電性パッドに対して応力集中が生じない。したがって、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を抑制することができる。
【００３６】
なお、第２の導電性パッド６２を連続した曲面状の表面を有する凸部６２２のみから構成した場合においても、第２の導電性パッド６２は鋭角な縁部を有しないので、上述のような作用効果が期待できるが、凸部６２２の端部の厚さが小さくなると、当該箇所において応力集中が生じるようになる。その結果、従来同様に、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を生じる場合がある。しかしながら、本実施形態では、第２の導電性パッド６２を下方の位置させた円柱部６２１と上方に位置させた凸部６２２とから構成しており、下方に円柱部６２１が存在することに起因して、凸部６２２の端部の厚さが小さくなるようなことがないので、上述した不利益を被ることがない。
【００３７】
また、本実施形態では、第２の導電性パッド６２の全面を覆うようにしてはんだ層６４を形成しているので、第２の導電性パッド６２に対して十分な量のはんだを供給することができ、多層配線基板１０の、半導体素子とのフリップチップ接合をより確実に行うことができる。
【００３８】
さらに、本実施形態では、第２の導電性パッド６２とはんだ層６４との間に、第２の導電性パッド６２の全面を覆うようにしてバリアメタル層６３を形成している。第２の導電性パッド６２の全面を覆うようにしてはんだ層６４を形成した場合、はんだ層６４と第２のレジスト層４２との密着性は著しく低い。したがって、多層配線基板１０と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、はんだ層６４と第２のレジスト層４２との間で剥離が生じ、半導体素子の接続不良等を生じる場合がある。
【００３９】
しかしながら、上述のように第２の導電性パッド６２とはんだ層６４との間にバリアメタル層６３を形成した場合、このバリアメタル層６３の第２のレジスト層４２に対する密着性は、はんだ層６４の第２のレジスト層４２に対する密着性に比して十分に高い。また、第２の導電性パッド６２の第２のレジスト層４２側に位置する側端面６２Ａ上に形成されたバリアメタル層６３の被覆厚みｔ１を、側端面６２Ａよりも上部に位置する第２の導電性パッド６２の表面６２Ｂ上に形成されたバリアメタル層６３の被覆厚みｔ２よりも大きくしているので、上述した密着性の向上はより顕著になる。
【００４０】
したがって、多層配線基板１０と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、バリアメタル層６３と第２のレジスト層４２との間で剥離が生じず、その結果、はんだ層６４と第２のレジスト層４２との間でも剥離が生じなくなる。このため、半導体素子の接続不良等を防止することができる。
【００４１】
なお、バリアメタル層６３の上述した厚みの制御は、例えばメッキ法等によって形成した場合に自ずから実現できるものである。例えば、メッキ法によって第２の導電性パッド６２上にバリアメタル層６３を形成した場合、第２の導電性パッド６２は、その上部が連続した曲面状の表面を有する凸部６２２を有しているので、メッキだれが生じ、その結果、上述のように、第２の導電性パッド６２の第２のレジスト層４２側に位置する側端面６２Ａ上に形成されたバリアメタル層６３の被覆厚みｔ１が、側端面６２Ａよりも上部に位置する第２の導電性パッド６２の表面６２Ｂ上に形成されたバリアメタル層６３の被覆厚みｔ２よりも大きくなる。
【００４２】
また、本実施形態では、はんだ層６４をバリアメタル層６３上にのみ形成し、第２のレジスト層４２と接触しないようにしているので、例えば、はんだ層６４の、第２のレジスト層４２と接触した端部が部分的に剥離したりすることを抑制することができる。
【００４３】
なお、上述した作用効果を奏することができれば、第２の導電性パッド６２を構成する円柱部６２１及び凸部６２２の大きさは特に限定されない。
【００４４】
第２の導電性パッド６２の円柱部６２１は、第２の導電性パッド６２を形成する際に使用するマスクパターンの開口を円形にしてメッキ処理を行うことにより所定のメッキ膜として得ることができる。一方、第２の導電性パッド６２の凸部６２２は、メッキ処理を行う際のメッキ液に含有させる添加剤を調節することによって形成することができる。また、第２の導電性パッド６２をメッキ処理で形成した後の、上記マスクパターンをエッチング除去する際において、異方性エッチングを行ったり、エッチング時間を長時間化したりすることによっても形成することができる。
【００４５】
（多層配線基板の製造方法）
次に、図１〜図４に示す多層配線基板１０の製造方法について説明する。図５〜図１４は、本実施形態における多層配線基板１０の製造方法における工程図である。
【００４６】
最初に、図５に示すように、両面に銅箔１２が貼り付けられた支持基板１１を準備する。支持基板１１は、例えば耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂板）等から構成することができる。次いで、支持基板１１の両面に形成された銅箔１２上に、接着層としてのプリプレグ層１３を介して、例えば真空熱プレスにより剥離シート１４を圧着形成する。
【００４７】
剥離シート１４は、例えば第１の金属膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂからなり、これらの膜間にはＣｒメッキ等が施されて、外部張力によって互いに剥離可能に構成されている。なお、第１の金属膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂは銅箔から構成することができる。
【００４８】
次いで、図６に示すように、支持基板１１の両側に形成された剥離シート１４上にそれぞれ感光性のドライフィルムを積層し、露光及び現像することによりマスクパターン１５を形成する。マスクパターン１５には、アライメントマーク形成部Ｐａ及び外周部画定部Ｐｏに相当する開口部がそれぞれ形成されている。
【００４９】
次いで、図７に示すように、支持基板１１の両側において、マスクパターン１５を介して剥離シート１４に対してエッチング処理を行い、剥離シート１４の、上記開口部に相当する位置に、アライメントマーク形成部Ｐａ及び外周部画定部Ｐｏを形成する。図８は、図７に示すアセンブリを上側から見た場合の平面図であるが、アライメントマーク形成部Ｐａは、剥離シート１４においてプリプレグ１３が露出するようにして形成された開口部として構成され、外周部画定部Ｐｏは、剥離シート１４の端部をプリプレグ１３が露出するようにして切除して形成された切り欠きとして構成される。
【００５０】
なお、アライメントマーク形成部Ｐａ及び外周部画定部Ｐｏを形成した後、マスクパターン１５はエッチング除去する。
【００５１】
また、マスクパターン１５を除去した後に露出した剥離シート１４の表面に対してエッチング処理を施し、その表面を粗化しておくことが好ましい。これにより、剥離シート１４と後述する樹脂層との密着性を高めることができる。
【００５２】
次いで、図９に示すように、剥離シート１４上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて第１の樹脂絶縁層２１を形成する。これにより、剥離シート１４の表面が第１の樹脂絶縁層２１で覆われるとともに、アライメントマーク形成部Ｐａを構成する開口部及び外周部画定部Ｐｏを構成する切り欠きは、第１の樹脂絶縁層２１が充填された状態となる。これによって、アライメントマーク形成部Ｐａの部分にアライメントマークＡＭの構造が形成される。
【００５３】
また、外周部画定部Ｐｏも第１の樹脂絶縁層２１で覆われるようになるので、以下に示す剥離シート１４を介した剥離工程において、剥離シート１４の端面が例えばプリプレグ１３から剥がれて浮き上がり、剥離工程を良好に行うことができずに、目的とする多層配線基板１０を製造できなくなるというような不利益を排除することができる。
【００５４】
次いで、図１０に示すように、第１の樹脂絶縁層２１に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール２１Ａを形成した後、ビアホール２１Ａを含む第１の樹脂絶縁層２１に対して粗化処理を実施する。なお、第１の樹脂絶縁層２１がフィラーを含む場合は、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して第１の樹脂絶縁層２１上に残存するようになるので、適宜水洗を行う。
【００５５】
次いで、ビアホール２１Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール２１Ａ内を洗浄する。なお、上述のように水洗浄を実施した場合は、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーが第１の樹脂絶縁層上２１に残存することを抑制することができる。
【００５６】
また、上記水洗浄とデスミア処理との間に、エアーブローを行うことができる。これによって、遊離したフィラーが上述した水洗浄によって完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。
【００５７】
次いで、第１の樹脂絶縁層２１に対してパターンメッキを行い、第１の導体層３１及びビア導体５１を形成する。なお、第１の導体層３１及びビア導体５１は、セミアディティブ法によって、以下のようにして形成する。最初に、第１の樹脂絶縁層２１上に無電解メッキ膜を形成した後、この無電解メッキ膜上にレジストを形成し、このレジストの非形成部分に電解銅メッキを行うことによって形成する。第１の導体層３１及びビア導体５１を形成した後、レジストはＫＯＨ等で剥離除去する。
【００５８】
次いで、第１の導体層３１に粗化処理を施した後、第１の導体層３１を覆うようにして、第１の樹脂絶縁層２１上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて第２の樹脂絶縁層２２を形成する。
【００５９】
次いで、図１１に示すように、第２の樹脂絶縁層２２に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール２２Ａを形成した後、ビアホール２２Ａを含む第２の樹脂絶縁層２２に対して粗化処理を実施する。なお、第２の樹脂絶縁層２２がフィラーを含む場合は、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して第２の樹脂絶縁層２２上に残存するようになるので、適宜水洗を行う。
【００６０】
次いで、ビアホール２２Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール２２Ａ内を洗浄する。なお、上述のように水洗浄を実施した場合は、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーが第２の樹脂絶縁層上２２に残存することを抑制することができる。
【００６１】
また、上記水洗浄とデスミア処理との間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。
【００６２】
次いで、第２の樹脂絶縁層２２に対してパターンメッキを行い、第１の導体層３１等の場合と同様に、セミアディティブ法等により第２の導体層３２及びビア導体５２を形成する。
【００６３】
次いで、第２の樹脂絶縁層２２上に第２のレジスト層４２を形成し、この第２のレジスト層４２に対して所定のマスクを介して露光及び現像処理を施して開口部４２Ａを形成した後、第１の導体層３１等の場合と同様に、セミアディティブ法等により第２の導電性パッド６２及びビア導体５３を形成する。
【００６４】
なお、第２の導電性パッド６２は、円柱部６２１及び凸部６２２から構成されているので、第２の導電性パッド６２を形成する際に使用するマスクパターンの開口を円形にしてメッキ処理を行うことにより円柱部６２１を所定のメッキ膜として形成するとともに、凸部６２２は、メッキ処理を行う際のメッキ液に含有させる添加剤を調節することによって形成する。また、第２の導電性パッド６２をメッキ処理で形成した後の、上記マスクパターンをエッチング除去する際において、異方性エッチングを行ったり、エッチング時間を長時間化したりすることによっても形成することができる。
【００６５】
次いで、図１２に示すように、上記工程を経て得られた積層体１０ａを外周部画定部Ｐｏより僅かに内側に設定された切断線に沿って切断し、積層体１０ａから不要な外周部を除去して、多層配線基板としての有効領域を画定する。
【００６６】
次いで、図１３に示すように、外周部画定部Ｐoを基準にして不要な外周部を除去した後、積層体１０ａの剥離シート１４を構成する第１の金属膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂの剥離界面で剥離し、積層体１０ａから支持基板１１を除去する。これによって、図１３に示すような、同一構造の積層体１０ｂを得る。
【００６７】
その後、図１４に示すように、積層体１０ｂの下方に残存する剥離シート１４の第１の金属膜１４ａに対してエッチングを施し、第１の樹脂絶縁層２１上に第１の導電性パッド６１を形成する。また、第１の導電性パッド６１が露出するような開口部４１を有する第１のレジスト層４１を形成し、さらに、第２の導電性パッド６２の全体を覆うようにして、例えば、無電解Ｎｉめっきと無電解Ａｕめっきとを順次施すことで、Ｎｉ／Ａｕメッキ膜からなるバリアメタル層６３を形成し、このバリアメタル層６３の露出面全体を覆うようにしてはんだ層６４を形成することにより、図１〜４に示すような多層配線基板１０を得る。
【００６８】
なお、上述したアライメントマークＡＭは、例えば第１のレジスト層４１を形成する際の位置基準として用いることができる。
【００６９】
また、本実施形態では、多層配線基板１０の製造工程において、アライメントマークＡＭを形成するようにしているが、アライメントマークＡＭは必ずしも必要とされるものではない。また、本実施形態のように、剥離シート１４に対してエッチング処理を実施してアライメントマークＡＭを形成する代わりに、ドリル加工などの機械加工によってアライメントマークＡＭを形成することもできる。
【００７０】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  多層配線基板、
１１  支持基板
１３  プリプレグ
１４  剥離シート
１５  マスクパターン
２１  第１の樹脂絶縁層
２２  第２の樹脂絶縁層
３１  第１の導体層
３２  第２の導体層
４１  第１のレジスト層
４２  第２のレジスト層
５１，５２，５３  ビア導体
６１  第１の導電性パッド
６２  第２の導電性パッド
６２１  第２の導電性パッドの円柱部
６２２  第２の導電性パッドの凸部
６３  バリアメタル層
６４  はんだ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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