(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁電変換素子を内蔵するＩＣパッケージ、およびＩＣパッケージから伸びる複数のリード線を有するＩＣと、
このＩＣを収容する収容空間を有し、射出成形により外側の表面に樹脂モールド部が形成される収納容器とを備え、
前記収容空間を構成する内壁面には、前記ＩＣパッケージの表面の一部分が当接する当接領域が存在し、
前記樹脂モールド部は、前記当接領域以外の内壁面の外側のみの表面に形成され、
前記磁電変換素子は、前記ＩＣパッケージの前記当接領域への当接、および、前記収納容器の外側の表面への前記樹脂モールド部の形成により位置決めされ、
前記複数のリード線は、それぞれ、前記収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、
前記収納容器は、前記ＩＣを前記収容空間に収容するための開口を有し、
この開口は、前記ターミナルを個別に通す貫通穴を有する蓋により閉鎖され、
前記ターミナルは、前記貫通穴を通っている状態で前記蓋に係合する蓋止めを有し、
前記蓋は、前記蓋止めにより前記ターミナルと係合している状態で、熱かしめにより前記収納容器と一体化して前記開口を閉鎖することを特徴とする磁気式検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気式検出装置において、
前記収納容器は、前記収容空間を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起を有し、
この突起は、前記樹脂モールド部と融着していることを特徴とする磁気式検出装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の磁気式検出装置において、
前記ＩＣパッケージは、前記当接領域により挟まれて保持されていることを特徴とする磁気式検出装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の内のいずれか１つに記載の磁気式検出装置において、
前記収容空間には、ポッティング材が注入されていることを特徴とする磁気式検出装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の内のいずれか１つに記載の磁気式検出装置において、
前記ターミナル間にはコンデンサが取り付けられ、
このコンデンサは、ポッティング材により封止されていることを特徴とする磁気式検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホール素子などの磁電変換素子を用いる磁気式検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回転角や直線変位量の検出には、ホール素子などの磁電変換素子を用いる磁気式検出装置が用いられている。そして、この磁気式検出装置は、例えば、磁電変換素子や増幅アンプ等の処理回路を内蔵するＩＣを樹脂の射出成形によりモールドすることで、磁電変換素子を位置決めして磁電変換素子の位置を安定させている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、ＩＣをモールドする際、樹脂の射出圧がＩＣパッケージ（ＩＣの内、磁電変換素子等が内蔵されている部分）に作用するため、ＩＣの出力電圧特性が変動するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−００４１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、磁気式検出装置において、射出成形により樹脂モールド部を形成して磁電変換素子を位置決めする際に、ＩＣの出力電圧特性が変動するおそれを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の手段によれば、磁気式検出装置は、磁電変換素子を内蔵するＩＣパッケージ、およびＩＣパッケージから伸びる複数のリード線を有するＩＣと、ＩＣを収容する収容空間を有し、射出成形により外側の表面に樹脂モールド部が形成される収納容器とを備える。また、収容空間を構成する内壁面には、ＩＣパッケージの表面の一部分が当接する当接領域が存在し、樹脂モールド部は、当接領域以外の内壁面の外側のみの表面に形成される。そして、磁電変換素子は、ＩＣパッケージの当接領域への当接、および、収納容器の外側の表面への樹脂モールド部の形成により位置決めされている。
【０００６】
これにより、ＩＣパッケージに樹脂の射出圧が作用しないように射出成形して樹脂モールド部を形成することができるとともに、磁電変換素子を位置決めすることができる。このため、射出成形により樹脂モールド部を形成して磁電変換素子を位置決めする際に、ＩＣの出力電圧特性が変動するおそれを低減することができる。
【０００８】
また、複数のリード線は、それぞれ、収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、収納容器は、ＩＣを収容空間に収容するための開口を有し、開口は、ターミナルを個別に通す貫通穴を有する蓋により閉鎖されている。また、ターミナルは、貫通穴を通っている状態で蓋に係合する蓋止めを有し、蓋は、蓋止めによりターミナルと係合している状態で、熱かしめにより収納容器と一体化して開口を閉鎖する。
これにより、ターミナルを位置決めすることができる。
【００１０】
請求項２の手段によれば、収納容器は、収容空間を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起を有し、突起は樹脂モールド部と融着している。
収納容器の外側の表面と樹脂モールド部との間に界面が形成されると、界面を通じて流体が収容空間に浸入するおそれがある。そこで、収容空間を環状に包囲するように収納容器の外側の表面にツバ状の突起を設け、突起と樹脂モールド部とを融着させる。これにより、界面を経由して収容空間に至る流体の浸入路が、突起と樹脂モールド部との融着部において遮断されるので、界面を通じて流体が収容空間に浸入するおそれを低減することができる。
【００１１】
請求項３の手段によれば、ＩＣパッケージは、当接領域により挟まれて保持されている。
これにより、磁電変換素子の位置をさらに安定させることができる。また、例えば、ＩＣの出力電圧特性に影響を及ぼしにくい方向においてＩＣパッケージを挟むことができるように、ＩＣパッケージの形状や当接領域の範囲を設定することができる。
以上により、ＩＣの出力電圧特性に影響を与えることなく、磁電変換素子の位置をさらに安定させることができる。
請求項４の手段によれば、収容空間にはポッティング材が注入され、請求項５の手段によれば、ターミナル間にはコンデンサが取り付けられ、コンデンサはポッティング材により封止されている。
これにより、ターミナルやコンデンサを位置決めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は磁気式検出装置の平面図であり、（ｂ）は磁気式検出装置の側面図である（参考例１）。
【図２】（ａ）は樹脂モールド部を除いた磁気式検出装置を示す平面断面図であり、（ｂ）は樹脂モールド部を除いた磁気式検出装置を示す側面断面図である（参考例１）。
【図３】（ａ）は磁気式検出装置の要部を示す平面断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である（参考例１）。
【図４】（ａ）は磁気式検出装置の要部を示す平面断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図であり、（ｃ）は磁気式検出装置の背面図であり、（ｄ）は蓋とターミナルとの係合を示す説明図である（実施例）。
【図５】（ａ）はサブアッシーの側面図であり、（ｂ）は樹脂モールド部を除いた磁気式検出装置を示す側面断面図である（参考例２）。
【図６】磁気式検出装置の断面図である（参考例３）。
【図７】磁気式検出装置の断面図である（参考例４）。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施形態１の磁気式検出装置は、磁電変換素子を内蔵するＩＣパッケージ、およびＩＣパッケージから伸びる複数のリード線を有するＩＣと、ＩＣを収容する収容空間を有し、射出成形により外側の表面に樹脂モールド部が形成される収納容器とを備える。また、収容空間を構成する内壁面には、ＩＣパッケージの表面の一部分が当接する当接領域が存在し、樹脂モールド部は、当接領域以外の内壁面の外側の表面に形成される。そして、磁電変換素子は、ＩＣパッケージの当接領域への当接、および、収納容器の外側の表面への樹脂モールド部の形成により位置決めされている。
【００１６】
また、収納容器は、収容空間を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起を有し、突起は樹脂モールド部と融着している。
また、ＩＣパッケージは、当接領域により挟まれて保持されている。
【００１７】
さらに、収納容器は、ＩＣを収容空間に収容するための開口を有し、開口は、ターミナルを個別に通す貫通穴を有する蓋により閉鎖されている。また、ターミナルは、貫通穴を通っている状態で蓋に係合する蓋止めを有し、蓋は、蓋止めによりターミナルと係合している状態で、熱かしめにより収納容器と一体化して開口を閉鎖する。
【実施例】
【００１９】
〔参考例１の構成〕
参考例１の磁気式検出装置（以下、検出装置と呼ぶ。）１を、図１〜図３を用いて説明する。
検出装置１は、ホール素子などの磁電変換素子（図示せず）を具備するものであり、例えば、磁電変換素子に対して相対的に回転したり直線変位したりしながら磁界を変化させる永久磁石等の磁束発生手段（図示せず）と組み合わされ、回転角や直線変位量の検出に用いられる。すなわち、検出装置１は、磁電変換素子の機能により、磁束発生手段の回転角や直線変位量に応じた量の磁束を検出するとともに、検出した磁束量に応じた電圧を発生する。
【００２０】
検出装置１は、磁電変換素子を有するＩＣ２と、ＩＣ２を収容する収納容器３と、樹脂の射出成形により収納容器３の外側に形成される樹脂モールド部４とを備え、磁電変換素子は、ＩＣ２を収納容器３に収容するとともに収納容器３の外側に樹脂モールド部４を形成することで位置決めされる。
【００２１】
ＩＣ２は、磁電変換素子を内蔵するＩＣパッケージ５と、ＩＣパッケージ５から伸びる複数のリード線６とを有し、ＩＣパッケージ５は、磁電変換素子等の各種素子が搭載された半導体基板７をエポキシ樹脂等の樹脂材料によりモールドして設けられ、リード線６は、半導体基板７上の各種素子と外部とを導通するために利用される。
【００２２】
ここで、ＩＣパッケージ５は、面方向が半導体基板７と略同一となる略正方形の板状に設けられている。また、リード線６は全て、正方形の４辺の内、１つの辺をなす面のみから垂直に突出している。なお、ＩＣパッケージ５から突出するリード線６は３本であり、３本のリード線６は、それぞれ、磁電変換素子にて発生する電圧を出力するためのリード線６Ａ、電源（図示せず）と磁電変換素子とを導通するためのリード線６Ｂ、グランドと磁電変換素子とを導通するためのリード線６Ｃである。
【００２３】
収納容器３は、ＩＣ２を収容する収容空間９を有する樹脂成形品である。収容空間９は、主にＩＣパッケージ５を収容する先端側の空間領域９ａと、空間領域９ａの後端側に連続して広がる空間領域９ｂとからなる。また、空間領域９ａの先端は閉塞しており、空間領域９ｂの後端は、ＩＣ２を収容空間９に収容するための開口１０を形成している。
【００２４】
ここで、空間領域９ａにＩＣパッケージ５を収容して磁電変換素子を位置決めした状態において、Ｘ、Ｙ、Ｚ座標軸を用いた直角座標系を定義する。まず、Ｘ軸は収納容器３についての先端、後端により定義される方向を示す軸であり、Ｙ軸はＩＣパッケージ５の面方向においてＸ軸に垂直な方向を示す軸である。また、Ｚ軸はＸ軸、Ｙ軸に垂直であってＩＣパッケージ５の厚さ方向を示す軸である。さらに、Ｘ軸〜Ｚ軸に関し、一方側および他方側を図２および図３等に示すように定義する。
【００２５】
この直角座標系を用いてＩＣパッケージ５の形状を具体的に説明すると、ＩＣパッケージ５は、Ｚ軸方向で視た形状が略正方形（図３（ａ）参照）、かつＸ軸方向で視た形状がＹ軸方向に長い六角形である板状かつ直角柱状の六角柱であり、Ｙ軸方向に関して一方側と他方側とで鏡映対象をなす（図３（ｃ）参照）。
【００２６】
すなわち、ＩＣパッケージ５のＸ軸方向の一方面Ｘａ、他方面Ｘｂは、Ｙ軸方向に長い六角形であり、Ｙ軸方向に関して一方側と他方側とで鏡映対象をなす（以下、ＩＣパッケージ５のＸ軸方向の一方面Ｘａ、他方面Ｘｂを、それぞれ先端面Ｘａ、後端面Ｘｂと呼ぶ。）。
また、ＩＣパッケージ５のＺ軸方向の一方面ＺａはＺ軸に垂直な正方形であり、ＩＣパッケージ５のＺ軸方向の他方面ＺｂはＺ軸に垂直な長方形である。そして、他方面Ｚｂは、Ｘ軸方向の長さが一方面Ｚａに等しく、Ｙ軸方向の長さが一方面Ｚａよりも短い。
【００２７】
さらに、ＩＣパッケージ５のＹ軸方向の一方側は、Ｘ軸方向に長く一方面Ｚａに直交する一方側面Ｙａｌ、一方側面Ｙａ１と他方面Ｚｂとを接続する一方傾斜面Ｙａ２により画されている。同様に、ＩＣパッケージ５のＹ軸方向の他方側は、他方側面Ｙｂｌ、他方傾斜面Ｙｂ２により画されている。
【００２８】
このような形状を有するＩＣパッケージ５を保持して位置決めするため、収納容器３の空間領域９ａは、以下のような形状に設けられている。
まず、空間領域９ａは、ＩＣパッケージ５の先端面Ｘａが当接する内壁面ｘにより、Ｘ軸方向の一方側を画されており、内壁面ｘは空間領域９ａをＸ軸方向の一方側で閉塞し、内壁面ｘは、ほぼ全面で先端面Ｘａの当接を受けている。つまり、内壁面ｘの大部分は、ＩＣパッケージ５の先端面Ｘａが当接する当接領域Ｌ０をなす。
【００２９】
また、空間領域９ａは、Ｙ軸方向の長さがＩＣパッケージ５よりも僅かに大きくなるように設けられ、空間領域９ａをＹ軸方向の一方側で画する内壁面ｙａは、ＩＣパッケージ５の一方側面Ｙａｌおよび一方傾斜面Ｙａ２との間に隙間１１ｙａを形成し、同様に、空間領域９ａをＹ軸方向の他方側で画する内壁面ｙｂは、ＩＣパッケージ５の他方側面Ｙｂｌおよび他方傾斜面Ｙｂ２との間に隙間１１ｙｂを形成する。
【００３０】
また、空間領域９ａをＺ軸方向の一方側で画する内壁面ｚａには、Ｙ軸方向に幅広の浅い溝１２ａが設けられている。そして、ＩＣパッケージ５の一方面Ｚａは、Ｙ軸方向に関する一方縁近傍および他方縁近傍においてのみ内壁面ｚａに当接しており、一方縁近傍と他方縁近傍との間の広範囲において溝１２ａの底面との間に隙間１１ｚａを形成している。つまり、内壁面ｚａには、ＩＣパッケージ５の一方面Ｚａの一方縁近傍が当接する当接領域Ｌ１、他方縁近傍が当接する当接領域Ｌ２が個別に形成されている。
【００３１】
さらに、空間領域９ａをＺ軸方向の他方側で画する内壁面ｚｂにも、Ｙ軸方向に幅広の浅い溝１２ｂが設けられている。そして、ＩＣパッケージ５の他方面Ｚｂは、Ｙ軸方向に関する一方縁近傍および他方縁近傍においてのみ内壁面ｚｂに当接しており、一方縁近傍と他方縁近傍との間の広範囲において溝１２ｂの底面との間に隙間１１ｚｂを形成している。つまり、内壁面ｚｂには、ＩＣパッケージ５の他方面Ｚｂの一方縁近傍が当接する当接領域Ｌ３、他方縁近傍が当接する当接領域Ｌ４が個別に形成されている。
【００３２】
ここで、溝１２ａは、溝１２ｂよりもＹ軸方向に幅広であるから、当接領域Ｌ３、Ｌ４はＹ軸方向に関して当接領域Ｌ１、Ｌ２の間に存在する。また、当接領域Ｌ１、Ｌ３は、隙間１１ｙａを挟んで離れており、ＩＣパッケージ５のＹ軸方向一方側の部分をＺ軸方向に挟み込んで保持している。同様に、当接領域Ｌ２、Ｌ４は、隙間１１ｙｂを挟んで離れており、ＩＣパッケージ５のＹ軸方向他方側の部分をＺ軸方向に挟み込んで保持している。
【００３３】
また、ＩＣパッケージ５において、半導体基板７は、Ｙ軸方向に関して当接領域Ｌ３、Ｌ４の間に存在しており、当接領域Ｌ１、Ｌ３により挟まれる部分、当接領域Ｌ２、Ｌ４により挟まれる部分には存在していない。
【００３４】
リード線６Ａ〜６Ｃは、後端面Ｘｂから空間領域９ａに突出しており、さらに、空間領域９ａをＸ軸方向の他方側に突き抜けて空間領域９ｂまで突出する。そして、リード線６Ａ〜６Ｃは、空間領域９ｂでそれぞれターミナル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃの一端に溶接されている。また、ターミナル１３Ａ、１３Ｃ間、ターミナル１３Ｂ、１３Ｃ間には、それぞれ、ノイズ除去用のコンデンサ１４がハンダにより接続されており、コンデンサ１４は、空間領域９ｂに収容されている。そして、収容空間９には、例えば、エポキシのようなポッティング材が注入され、コンデンサ１４はポッティング材により封止されている。
【００３５】
また、収納容器３のＸ軸方向の他端であって空間領域９ｂの開口１０を形成する部分の外側の表面には、収容空間９を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起１６が設けられ、突起１６は、樹脂モールド部４と融着している（以下、収納容器３の外側の表面を外側表面１７と呼ぶ。）。
なお、ターミナル１３Ａ〜１３Ｃの他端は、空間領域９ｂからＸ軸方向の他方側に突出しており、それぞれ、樹脂モールド部４とともにコネクタ１８を構成するターミナル１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃの一端と溶接されている。
【００３６】
樹脂モールド部４は、ポリオレフィン、ポリアミドまたはポリエステル等の熱可塑性樹脂を収納容器３の外側に射出成形することで設けられている。ここで、外側表面１７の内、樹脂モールド部４と界面を形成する界面領域２０は、Ｘ軸方向に関して他方寄りの外側表面１７である。より具体的には、Ｘ軸方向に関して、リード線６Ａ〜６Ｃとターミナル１３Ａ〜１３Ｃとの溶接領域と、コンデンサ１４のハンダ付け領域との間に界面領域２０の一方縁が存在し、界面領域２０の他方縁は突起１６である。
【００３７】
このため、樹脂モールド部４は、当接領域Ｌ０〜Ｌ４以外の内壁面の外側表面１７に形成されている。
そして、磁電変換素子は、ＩＣパッケージ５の当接領域Ｌ０〜Ｌ４への当接、および、収納容器３の外側表面１７への樹脂モールド部４の形成により位置決めされている。
【００３８】
〔参考例１の効果〕
参考例１の検出装置１は、磁電変換素子を内蔵するＩＣパッケージ５、およびＩＣパッケージ５から伸びるリード線６Ａ〜６Ｃを有するＩＣ２と、ＩＣ２を収容する収容空間９を有し、射出成形により外側表面１７に樹脂モールド部４が形成される収納容器３とを備える。また、収容空間９を構成する内壁面には、ＩＣパッケージ５の表面の一部分が当接する当接領域Ｌ０〜Ｌ４が存在し、樹脂モールド部４は、当接領域Ｌ０〜Ｌ４以外の内壁面の外側表面１７に形成される。そして、磁電変換素子は、ＩＣパッケージ５の当接領域Ｌ０〜Ｌ４への当接、および、収納容器３の外側表面１７への樹脂モールド部４の形成により位置決めされている。
【００３９】
これにより、ＩＣ２のＩＣパッケージ５に樹脂の射出圧が作用しないように射出成形して樹脂モールド部４を形成することができるとともに、磁電変換素子を位置決めすることができる。このため、射出成形により樹脂モールド部４を形成して磁電変換素子を位置決めする際に、ＩＣ２の出力電圧特性が変動するおそれを低減することができる。
【００４０】
また、収納容器３は、収容空間９を環状に包囲して外側表面１７から外側に伸びるツバ状の突起１６を有し、突起１６は樹脂モールド部４と融着している。
収納容器３の外側表面１７と樹脂モールド部４との間に界面が形成されると、界面を通じて流体が収容空間９に浸入するおそれがある。そこで、収容空間９を環状に包囲するように収納容器３の外側表面１７にツバ状の突起１６を設け、突起１６と樹脂モールド部４とを融着させる。これにより、界面を経由して収容空間９に至る流体の浸入路が、突起１６と樹脂モールド部４との融着部において遮断されるので、界面を通じて流体が収容空間９に浸入するおそれを低減することができる。
【００４１】
また、ＩＣパッケージ５は、Ｙ軸方向一方側の部分を互いに離れた当接領域Ｌ１、Ｌ３により挟まれて保持され、他方側の部分を互いに離れた当接領域Ｌ２、Ｌ４により挟まれて保持されている。さらに、ＩＣパッケージ５において、半導体基板７は、Ｙ軸方向に関して当接領域Ｌ３、Ｌ４の間に存在しており、当接領域Ｌ１、Ｌ３により挟まれる部分、当接領域Ｌ２、Ｌ４により挟まれる部分には存在していない。
【００４２】
これにより、ＩＣ２の出力電圧特性は、当接領域Ｌ１、Ｌ３によるＩＣパッケージ５の挟み込み、および当接領域Ｌ２、Ｌ４によるＩＣパッケージ５の挟み込みに影響を受けない。このため、ＩＣ２の出力電圧特性に影響を与えることなく、磁電変換素子の位置をさらに安定させることができる。
【００４３】
また、リード線６Ａ〜６Ｃは、それぞれ、収容空間９の空間領域９ｂにおいてターミナル１３Ａ〜１３Ｃに電気的に接続しており、収容空間９にはポッティング材が注入されている。
これにより、ターミナル１３Ａ〜１３Ｃを位置決めすることができる。
【００４４】
さらに、ターミナル１３Ａ、１３Ｃ間およびターミナル１３Ｂ、１３Ｃ間には、それぞれコンデンサ１４が取り付けられ、コンデンサ１４はポッティング材により封止されている。
これにより、コンデンサ１４を位置決めすることができる。
【００４５】
〔実施例〕
実施例の検出装置１によれば、図４に示すように、収納容器３の開口１０は蓋２２により閉鎖されている。蓋２２は、例えば、収納容器３と同一の樹脂材料により設けられており、ターミナル１３Ａ〜１３Ｃをそれぞれ個別に通す３つの貫通穴２３を有する。また、ターミナル１３Ｃは、貫通穴２３を通っている状態で蓋２２に係合する蓋止め２４を有する。
【００４６】
そして、蓋２２は、蓋止め２４によりターミナル１３Ｃと係合している状態で、熱かしめにより収納容器３と一体化して開口１０を閉鎖する。ここで、収納容器３は、突起１６よりもＸ軸方向の他方側に伸びる熱かしめ部２５を有しており、熱かしめ部２５を熱かしめすることで蓋２２と収納容器３とが一体化している。
これにより、収容空間９にポッティング材を注入しなくてもターミナル１３Ａ〜１３Ｃを位置決めすることができる。
【００４７】
〔参考例２〕
参考例２の検出装置１によれば、図５に示すように、ＩＣ２、ターミナル１３Ａ〜１３Ｃ、およびコンデンサ１４は、インサート部品として射出成形されて１つのサブアッシー２７を構成し、ＩＣ２は、サブアッシー２７を構成する射出成形においてリード線６Ａ〜６Ｃがインサート部品とされており、ＩＣパッケージ５はインサート部品とされずに射出成形されていない。そして、サブアッシー２７を収容空間９に収容した後、サブアッシー２７を収容した収納容器３をインサート部品として射出成形により樹脂モールド部４を形成する。
【００４８】
これにより、サブアッシー２７において予めターミナル１３Ａ〜１３Ｃおよびコンデンサ１４の位置を安定させた上で、サブアッシー２７を収納容器３に収容してＩＣパッケージ５を当接領域Ｌ０〜Ｌ４に当接させるとともに、収納容器３の外側表面１７に樹脂モールド部４を形成することができる。このため、ＩＣ２の出力電圧特性が変動するおそれを低減することができるとともに、ターミナル１３Ａ〜１３Ｃおよびコンデンサ１４を位置決めしてターミナル１３Ａ〜１３Ｃおよびコンデンサ１４の位置を安定させることができる。
【００４９】
〔参考例３〕
参考例３の検出装置１によれば、図６に示すように、内壁面ｙａにＩＣパッケージ５の一方側面Ｙａｌが当接しており、当接領域Ｌ１は内壁面ｚａに存在する部分と内壁面ｙａに存在する部分とに拡大している。同様に、内壁面ｙｂにＩＣパッケージ５の他方側面Ｙｂ１が当接しており、当接領域Ｌ２は内壁面ｚａに存在する部分と内壁面ｙｂに存在する部分とに拡大している。
【００５０】
〔参考例４〕
参考例４の検出装置１によれば、図７に示すように、ＩＣパッケージ５に一方傾斜面Ｙａ２が設けられておらず、一方側面Ｙａ１がＺ軸方向の他方側に拡大され、内壁面ｙａ全体が当接領域Ｌ５となっている。つまり、参考例１、３等における当接領域Ｌ１、Ｌ３とは異なり、参考例４では、分離することなく一続きの当接領域Ｌ５となっている。同様に、ＩＣパッケージ５に他方傾斜面Ｙｂ２が設けられておらず、他方側面Ｙｂ１がＺ軸方向の他方側に拡大され、内壁面ｙｂ全体が当接領域Ｌ６となっている。つまり、参考例１、３等における当接領域Ｌ２、Ｌ４とは異なり、参考例４では、分離することなく一続きの当接領域Ｌ６となっている。
【００５１】
なお、当接領域Ｌ１、Ｌ３を一続きの当接領域Ｌ５とし、当接領域Ｌ２、Ｌ４を一続きの当接領域Ｌ６とした場合、当接領域Ｌ５自身によりＩＣパッケージ５のＹ軸方向一方側の部分をＺ軸方向に挟んで保持することができ、同様に、当接領域Ｌ６自身によりＩＣパッケージ５のＹ軸方向他方側の部分をＺ軸方向に挟んで保持することができる。
【００５２】
〔変形例〕
検出装置１の態様は、実施例に限定されず種々の変形例を考えることができる。
例えば、実施例の検出装置１によれば、磁電変換素子は、ＩＣパッケージ５の当接領域Ｌ０〜Ｌ４への当接、および、収納容器３の外側表面１７への樹脂モールド部４の形成により位置決めされていたが、ＩＣパッケージ５と収納容器３との当接の態様はこのようなものに限定されない。例えば、ＩＣパッケージ５と収納容器３との当接を、先端面Ｘａと当接領域Ｌ０との当接のみに限定し、ＩＣパッケージ５の当接領域Ｌ０への当接、および樹脂モールド部４の形成により磁電変換素子の位置決めをしてもよい。
【００５３】
また、実施例の検出装置１のＩＣ２によれば、ＩＣパッケージ５は正方形の板状を呈し、リード線６は正方形の４辺の内の１つの辺をなす後端面Ｘｂのみから垂直に突出していたが、ＩＣパッケージ５の形状を柱状に設けたり、リード線６を複数の面から異方向に突出させたりしてもよい。
【００５４】
また、実施例の検出装置１によれば、ＩＣパッケージ５の他方面ＺｂはＹ軸方向の長さが一方面Ｚａよりも短く設定されていたが、Ｙ軸方向の長さに関して、他方面Ｚｂの方が一方面Ｚａよりも長くなるように設定してもよい。
【００５５】
また、実施例の検出装置１によれば、リード線６Ａ〜６Ｃの接続パターンに関し、リード線６Ａが磁電変換素子にて発生する電圧の出力用であり、リード線６Ｂが電源と磁電変換素子との導通用であり、リード線６Ｃがグランドと磁電変換素子との導通用であったが、リード線６Ａ〜６Ｃの接続パターンは、このような態様に限定されない。
【符号の説明】
【００５６】
１  検出装置（磁気式検出装置）
２  ＩＣ
３  収納容器
４  樹脂モールド部
５  ＩＣパッケージ
６、６Ａ〜６Ｃ  リード線
９  収容空間
１０  開口
１３Ａ〜１３Ｃ  ターミナル
１４  コンデンサ
１６  突起
１７  外側表面（外側の表面）
２２  蓋
２３  貫通穴
２４  蓋止め
２７  サブアッシー
Ｘａ  先端面（ＩＣパッケージの表面）
Ｘｂ  後端面（ＩＣパッケージの表面）
Ｚａ  一方面（ＩＣパッケージの表面）
Ｚｂ  他方面（ＩＣパッケージの表面）
Ｙａ１  一方側面（ＩＣパッケージの表面）
Ｙａ２  一方傾斜面（ＩＣパッケージの表面）
Ｙｂ１  他方側面（ＩＣパッケージの表面）
Ｙｂ２  他方傾斜面（ＩＣパッケージの表面）
ｘ、ｙａ、ｙｂ、ｚａ、ｚｂ  内壁面
Ｌ０〜Ｌ６  当接領域
【図１】
0005472211.tif 000002
【図２】
0005472211.tif 000003
【図３】
0005472211.tif 000004
【図４】
0005472211.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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