(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
心材を樹脂で含浸してなる第１絶縁層上に形成された導体パターンの間に存在する導電性異物を除去することと、
前記導電性異物に被覆されていた箇所の第１絶縁層を除去して、前記心材が露出した凹部を形成することと、
を含む導電性異物除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、
前記導電性異物にレーザ光を照射することで、前記導電性異物を除去する
導電性異物除去方法。
【請求項３】
請求項２に記載の導電性異物除去方法において、
前記第１絶縁層にレーザ光を照射することで、前記凹部を形成する
導電性異物除去方法。
【請求項４】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、
前記導電性異物にレーザ光を照射することで、前記導電性異物を除去すると共に前記凹部を形成する
導電性異物除去方法。
【請求項５】
請求項２に記載の導電性異物除去方法において、
レーザ光の波長が、３５０ナノメートル〜６００ナノメートルの範囲にある
導電性異物除去方法。
【請求項６】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、更に、
前記凹部が形成された第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層と、前記心材とを、前記凹部の底面で密着させること
を含む導電性異物除去方法。
【請求項７】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、
前記凹部を形成するにあたり、前記凹部の底面の一部に前記心材の一部を貫通してなる溝を形成する
導電性異物除去方法。
【請求項８】
請求項７に記載の導電性異物除去方法において、
前記凹部が形成された第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層を、前記溝に入り込ませる
導電性異物除去方法。
【請求項９】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、
前記導体パターンには複数の配線が含まれており、前記凹部は隣接する配線間に形成する
導電性異物除去方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、更に、
除去される前の導電性異物と前記導体パターンの配線との最小間隔を測定することと、
測定した最小間隔の値に応じて、前記導電性異物を除去するかしないかを決定することと、
を含む導電性異物除去方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の導電性異物除去方法において、
前記導電性異物の厚みが、前記導体パターンの配線の厚みより小さい場合に限り、前記導電性異物の除去を実行する
導電性異物除去方法。
【請求項１２】
心材を樹脂で含浸してなる第１絶縁層上に形成された導体パターンの間に存在する導電性異物を除去することと、
前記導電性異物に被覆されていた箇所の第１絶縁層を除去して、前記心材が露出した凹部を形成することと、
前記凹部が形成された第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層を形成することと、
を含む配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性異物除去方法、配線板の製造方法及び配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線板の製造過程においては、導体層を形成する際に、導体パターンの間に導電性の異物が形成されることがある。
【０００３】
形成された導電性異物は、ショート等、配線板の不具合を引き起こす要因となりかねない。このため、導電性異物を除去する必要がある。この導電性異物の除去に、レーザを用いる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２５５７３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された方法では、導体層の下層の絶縁層に入り込んだ導電性異物まで確実に除去することが難しい。除去されず残存した導電性異物は、配線板の絶縁信頼性を低下させる。
【０００６】
本発明は、上述の事情の下になされたもので、配線板の絶縁信頼性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の導電性異物除去方法は、
心材を樹脂で含浸してなる第１絶縁層上に形成された導体パターンの間に存在する導電性異物を除去することと、
前記導電性異物に被覆されていた箇所の第１絶縁層を除去して、前記心材が露出した凹部を形成することと、
を含む。
【０００８】
前記導電性異物にレーザ光を照射することで、前記導電性異物を除去するものとしても良い。
【０００９】
前記第１絶縁層にレーザ光を照射することで、前記凹部を形成するものとしても良い。
【００１０】
前記導電性異物にレーザ光を照射することで、前記導電性異物を除去すると共に前記凹部を形成するものとしても良い。
【００１１】
レーザ光の波長が、３５０ナノメートル〜６００ナノメートルの範囲にあるものとしても良い。
【００１２】
更に、前記凹部が形成された第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層と、前記心材とを、前記凹部の底面で密着させることを含むものとしても良い。
【００１３】
前記凹部を形成するにあたり、前記凹部の底面の一部に前記心材の一部を貫通してなる溝を形成するものとしても良い。
【００１４】
前記凹部が形成された第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層を、前記溝に入り込ませるものとしても良い。
【００１５】
前記導体パターンには複数の配線が含まれており、前記凹部は隣接する配線間に形成するものとしても良い。
【００１６】
更に、除去される前の導電性異物と前記導体パターンの配線との最小間隔を測定することと、
測定した最小間隔の値に応じて、前記導電性異物を除去するかしないかを決定することと、
を含むものとしても良い。
【００１７】
前記導電性異物の厚みが、前記導体パターンの配線の厚みより小さい場合に限り、前記導電性異物の除去を実行するものとしても良い。
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の配線板の製造方法は、
心材を樹脂で含浸してなる第１絶縁層上に形成された導体パターンの間に存在する導電性異物を除去することと、
前記導電性異物に被覆されていた箇所の第１絶縁層を除去して、前記心材が露出した凹部を形成することと、
前記凹部が形成された第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層を形成することと、
を含む。
【００１９】
心材を樹脂で含浸してなり、前記心材が露出した凹部を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成された導体パターンと、
前記凹部を有する第１絶縁層と前記導体パターンとを覆う第２絶縁層と、
を備える配線板も考えられる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、導体パターンの間の導電性異物を確実に除去することができるので、配線板の絶縁信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図５】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図６】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図７】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図８】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図９】第１導体パターン間に導電性異物が形成された様子を示す説明図である。
【図１０】異物除去処理を示すフローチャートである。
【図１１】異物除去処理の様子を示す説明図である。
【図１２】異物除去処理の様子を示す説明図である。
【図１３】異物除去処理の様子を示す説明図である。
【図１４】異物除去処理の様子を示す説明図である。
【図１５】凹部が形成された様子を示す説明図である。
【図１６】ガラスクロスの一部を貫通してなる溝が形成された様子を示す図である。
【図１７】ガラスクロスの一部を貫通してなる溝に第１絶縁層が入り込んだ様子を示す図である。
【図１８】異物除去処理を行った後のコア材の断面図である。
【図１９】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２０】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２１】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２２】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２３】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２４】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２５】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２６】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２７】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２８】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２９】第１実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３０】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３１】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３２】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３３】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３４】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３５】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３６】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３７】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３８】第２実施例の配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３９】導体パターンの間に形成され除去される導電性異物を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。なお、説明にあたっては、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系を用いる。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る配線板１０のＸＺ断面図である。配線板１０は、第１面Ｆと、該第１面Ｆとは反対側の第２面Ｓとを有するコア材２０と、コア材２０の第１面Ｆ上に形成されているビルドアップ層１１と、コア材２０の第２面Ｓ上に形成されているビルドアップ層１２とからなる。コア材２０は、ガラスクロス（ガラス布）にエポキシ樹脂を含浸させることにより形成されている。ガラスクロスは、樹脂との密着性を向上するために、ガラス表面にカップリング材をコーティングして使用する等、樹脂との密着性を高める処理を施したものであっても良い。
【００２４】
ビルドアップ層１１は、コア材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体パターン３１と、第１導体パターン３１を覆うようにコア材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１上に形成されている第２導体パターン３３と、第２導体パターン３３を覆うように第１絶縁層２１上に形成されているソルダレジスト層２３とからなる。
【００２５】
ビルドアップ層１２は、コア材２０の第２面Ｓ上に形成されている第１導体パターン３２と、第１導体パターン３２を覆うようにコア材２０の第２面Ｓ上に形成されている第１絶縁層２２と、第１絶縁層２２上に形成されている第２導体パターン３４と、第２導体パターン３４を覆うように第１絶縁層２２上に形成されているソルダレジスト層２４とからなる。なお、ここでいう「〜は、・・・上に形成」とは、空間的な上下関係を限定するものではなく、層としての上下関係をいうものであり、例えば「〜は・・・を覆うように形成」ということもできる。また、このことは以下の実施例で共通する。
【００２６】
貫通孔２０ａの内部には、スルーホール導体４０が形成されている。このスルーホール導体４０は、銅めっきからなる。
【００２７】
第１導体パターン３１，３２それぞれは、厚さが５〜３０μｍで、所定の形状にパターニングされている。第１導体パターン３１には複数の配線が含まれる。第１導体パターン３２にも複数の配線が含まれる。これらの第１導体パターン３１，３２は、配線板１０の電子回路を構成し、スルーホール導体４０によって電気的に接続されている。
【００２８】
第１絶縁層２１は、コア材２０と第１導体パターン３１の上に形成されている。第１絶縁層２１は、例えば硬化したプリプレグからなる。そして、コア材２０の上に形成された第１導体パターン３１と、当該第１絶縁層２１の上に形成された第２導体パターン３３とを電気的に絶縁する。配線板１０では、第１絶縁層２１の厚さは、１０〜６０μｍである。プリプレグは、例えばガラスクロスに、エポキシ樹脂を含浸させることにより形成される。ガラスクロスは、樹脂との密着性を向上するために、ガラス表面にカップリング材をコーティングして使用する等、樹脂との密着性を高める処理を施したものであっても良い。
【００２９】
第１絶縁層２１には、複数のビアホール２１ａが形成されている。ビアホール２１ａの内部には、ビア導体３３ｅが形成される。このビア導体３３ｅは、銅めっきからなる。
【００３０】
第１絶縁層２２は、コア材２０と第１導体パターン３２の上に形成されている。第１絶縁層２２は、第１絶縁層２１と同様に、例えば硬化したプリプレグからなる。そして、コア材２０の上に形成された第１導体パターン３２と、当該第１絶縁層２２の上に形成された第２導体パターン３４とを電気的に絶縁する。この第１絶縁層２２の厚さは、第１絶縁層２１と同様に、１０〜６０μｍである。プリプレグは、例えばガラスクロスに、エポキシ樹脂を含浸させることにより形成される。ガラスクロスは、樹脂との密着性を向上するために、ガラス表面にカップリング材をコーティングして使用する等、樹脂との密着性を高める処理を施したものであっても良い。
【００３１】
第１絶縁層２２には、複数のビアホール２２ａが形成されている。ビアホール２２ａの内部には、ビア導体３４ｅが形成される。このビア導体３４ｅは、銅めっきからなる。
【００３２】
第２導体パターン３３は、第１絶縁層２１の上に形成されている。また、第２導体パターン３４は、第１絶縁層２２の上に形成されている。第２導体パターン３３，３４それぞれは、厚さが５〜２０μｍで、所定の形状にパターニングされている。第２導体パターン３３には複数の配線が含まれる。第２導体パターン３４にも複数の配線が含まれる。
【００３３】
そして、第２導体パターン３３は、第１絶縁層２１に形成されたビア導体３３ｅによって、第１導体パターン３１と電気的に接続されている。また、第２導体パターン３４は、第１絶縁層２２に形成されたビア導体３４ｅによって、第１導体パターン３２と電気的に接続されている。
【００３４】
ソルダレジスト層２３は、第１絶縁層２１と第２導体パターン３３の上に形成されている。また、ソルダレジスト層２４は、第１絶縁層２２と第２導体パターン３４の上に形成されている。ソルダレジスト層２３，２４それぞれは、例えばアクリル−エポキシ系樹脂を用いた感光性樹脂、エポキシ樹脂を主体とした熱硬化性樹脂、又は紫外線硬化性の樹脂等からなる。
【００３５】
ソルダレジスト層２３には、第２導体パターン３３を配線板１０に実装される電子部品と接続するための複数の開口２３ａが形成されている。そして、開口２３ａの内部には、第２導体パターン３３の表面を被覆するための、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５１が形成されている。配線板１０に実装される電子部品の端子は、半田接続層５１に半田５３を介して接続される。
【００３６】
同様に、ソルダレジスト層２４には、複数の開口２４ａが形成されている。そして、開口の内部には、第２導体パターン３４の表面を被覆するための、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５２が形成されている。配線板１０に実装される電子部品の端子は、半田接続層５２に半田５４を介して接続される。
【００３７】
図２は、図１の一部を拡大した図である。図２には、コア材２０と、第１導体パターン３１の複数の配線の中から配線３１ａ，３１ｂと、第１絶縁層２１が拡大して示されている。図２に示すように、コア材２０には凹部２０ｂが形成されている。当該凹部２０ｂは、第１導体パターン３１の複数の配線のうち、隣接する配線３１ａと配線３１ｂとの間に形成されている。凹部２０ｂは、コア材２０の心材であるガラスクロス２０ｃにまで到達している。凹部２０ｂには、第１絶縁層２１の一部が充填され、凹部２０ｂの底面にてガラスクロス２０ｃと第１絶縁層２１とが密着している。図２では、ガラスクロス２０ｃが本願発明の心材に相当し、コア材２０が本願発明の第１絶縁層に相当し、第１絶縁層２１が本願発明の第２絶縁層に相当し、第１導体パターン３１が本願発明の導体パターンに相当する。
【００３８】
ここでは、配線板１０の一部を拡大して例示したが、必ずしも、配線間のすべてに凹部が形成されているわけではない。
【００３９】
次に、上述した配線板１０の製造方法について説明する。
【００４０】
（配線板１０の製造方法の第１実施例）
まず、図３に示されるように、コア材２０を準備し、銅張積層板２００を形成する。銅張積層板２００は、コア材２０と、銅箔２０１，２０２を合わせて熱と圧力を加えて形成する。コア材２０は、ガラスクロス２０ｃをエポキシ樹脂で含浸してなるものである。
【００４１】
次に、図４に示されるように、銅張積層板２００に、例えばＣＯ２レーザを用いて、貫通孔２０ａを形成する。このとき、銅張積層板２００の表裏からそれぞれレーザ光を照射する。なお、銅張積層板２００の表面側からのみレーザ光を照射してもよい。そして、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする触媒を、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に付与する。その後、銅張積層板２００に、無電解銅めっきを施す。これにより、図５に示されるように、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に、シード層としての無電解めっき膜２０３が形成される。
【００４２】
次に、無電解めっき膜２０３の表面に、感光性ドライフィルムをラミネートする。そして、感光性ドライフィルムに、それぞれ所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させた後に、感光性ドライフィルムを紫外線で露光する。続いて、感光性ドライフィルムに対して、アルカリ水溶液を用いた現像を行う。これにより、図６に示すように、感光性ドライフィルムに、第１導体パターン３１，３２が形成される部分が露出する開口３０１ａ，３０２ａが設けられ、めっきレジスト３０１，３０２が形成される。
【００４３】
次に、めっきレジスト３０１，３０２を水洗いし、乾燥させる。そして、めっきレジスト３０１，３０２の開口３０１ａ，３０２ａから露出する無電解めっき膜２０３上に電解銅めっきを施す。これにより、図７に示されるように、めっきレジスト３０１，３０２それぞれから露出しためっき膜２０７，２０８が形成される。
【００４４】
次に、めっきレジスト３０１，３０２を除去する。そして、めっきレジスト３０１，３０２に覆われていた箇所の無電解めっき膜２０３及び銅箔２０１，２０２を、エッチングすることにより除去する。これにより、図８に示されるように、コア材２０上に、銅箔２０１及びめっき膜２０７からなる第１導体パターン３１、及び銅箔２０２及びめっき膜２０８からなる第１導体パターン３２が形成され、貫通孔２０ａの内部にスルーホール導体４０が形成される。ここまでの段階で形成された板を、以下、内層板２９と呼ぶ。
【００４５】
ところで、コア材２０上に導体層としての第１導体パターン３１，３２を形成する工程において、導体層には、形成すべき第１導体パターン３１，３２以外に、導電性異物が形成される。図９は、第１導体パターン３１の配線と配線の間に導電性異物１が形成された様子を示す説明図である。図９の斜線部分は、第１導体パターン３１の配線の一部であり、白抜きの部分は、第１導体パターン３１の配線と配線の間である。図９のように、第１導体パターン３１の配線と配線の間に形成された導電性異物１は、本来、めっきがされず、非導電性を保つべき部分（コア材２０がむき出しになっている部分）に形成されている。このため、放置しておくと、ショート等の不良につながる可能性がある。よって、このような導電性異物１は除去することが望ましい。そこで、次に異物除去処理を行う。
【００４６】
図１０は、異物除去処理を示すフローチャートであり、図１１〜図１４は、異物除去処理の様子を示す説明図である。異物除去処理においては、まず、内層板２９をｚ軸（＋）方向からビデオカメラで撮影する（図１０のステップＳ１０）。図１１は、内層板２９をｚ軸（＋）方向からビデオカメラＣＡで撮影している様子を示す。図１１では、第１導体パターン３１の配線３１ａと配線３１ｂの間に導電性異物１が存在する様子をビデオカメラＣＡが撮影している。図１２は、撮影された画像を示す図である。図１２の画像には、導電性異物１が写っている。また、ビデオカメラＣＡで撮影された画像ではないが、導電性異物１が存在する様子を示す断面図を図１３に示す。
【００４７】
撮影された画像データはコンピュータに入力される。コンピュータは、ステップＳ１０で撮影された画像のデータと、予め記憶している第１導体パターン３１の画像データとを比較する（ステップＳ２０）。予め記憶している第１導体パターン３１の画像データとは、配線板１０の設計時に作成された設計時画像データであり、第１導体パターン３１は、この設計時画像データ通りに形成されるべきである。
【００４８】
ステップＳ２０の画像データの比較により、画像データが一致しない箇所があれば（ステップＳ３０：ＮＯ）、コンピュータは、導電性異物１が存在するものと判断して、レーザ照射装置に修正指示を出力し、レーザ照射装置が修正指示に基づいて導電性異物１に対してレーザ光の照射を行う（ステップＳ４０）。修正指示には、導電性異物１の座標が含まれる。
【００４９】
例えば、図１２のように、導電性異物１が存在すると、図１４のように、導電性異物１に対してレーザ光の照射が行われる。これにより、導電性異物１は昇華され除去される。また、同時に、コア材２０を構成するエポキシ樹脂もレーザ光により昇華され除去される。これにより、コア材２０のうち導電性異物１に被覆されていた部分に凹部２０ｂができる。なお、レーザ光は、凹部２０ｂの底面が、ガラスクロス２０ｃまで到達し、ガラスクロス２０ｃが露出するまで照射する。
【００５０】
図１５は、凹部２０ｂが形成される様子を示す説明図である。配線３１ａの面３１ｈの粗度をＲａ１とし、配線３１ａの面３１ｉの粗度をＲａ２とすると、Ｒａ１＞Ｒａ２である。同様に、配線３１ｂの面３１ｊの粗度をＲａ３とし、配線３１ｂの面３１ｋの粗度をＲａ４とすると、Ｒａ３＞Ｒａ４である。すなわち、配線３１ａ，３１ｂにおいて、レーザ光が照射された側の面の方が、レーザ光が照射されていない面より粗度が大きくなる。このように粗度の違いは生じるが、レーザ光は指向性に優れているので、配線３１ａ，３１ｂがレーザ光により消失して断線等が起こる可能性は極めて低い。なお、ステップＳ４０のレーザ光の照射が、本願発明の導電性異物を除去することと、導電性異物に被覆されていた箇所の第１絶縁層を除去して、心材が露出した凹部を形成することとに相当する。
【００５１】
ところで、ステップＳ４０でレーザ光の照射により凹部２０ｂを形成するにあたり、ガラスクロス２０ｃの一部を貫通してなる溝を形成しても良い。図１６は、ガラスクロス２０ｃの一部を貫通してなる溝２０ｄが形成された様子を示す。
【００５２】
レーザは、例えばＮｄＹＡＧレーザを第２高調波（５３２ｎｍ）、ミラー速度８０００で使用するが、これに限定されない。例えばレーザ光の波長は、３５０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で使用するものとしてもよい。
【００５３】
図１０のステップＳ２０の画像データの比較により、画像データが一致していれば（ステップＳ３０：ＹＥＳ）、導電性異物が存在しないものと判断し、内層板２９の他の箇所の撮影に移行し（ステップＳ６０）、ステップＳ２０〜ステップＳ４０の処理を繰り返す。ステップＳ２０〜ステップＳ４０の処理は、内層板２９の上面、下面すべての箇所について完了するまで繰り返される（ステップＳ５０）。内層板２９の下面の処理については、第１導体パターン３１を第１導体パターン３２と読み替える。
【００５４】
図１８は、異物除去処理を行った後の内層板２９の断面図である。ガラスクロス２０ｃの図示は省略した。配線３１ｃと配線３１ｄ間の凹部２０ｂの深さは６．４７μｍであり、配線３１ｄと配線３１ｅ間の凹部２０ｂの深さは１４．４１μｍであり、配線３１ｅと配線３１ｆ間の凹部２０ｂの深さは２４．１６μｍであり、配線３１ｆと配線３１ｇ間の凹部２０ｂの深さは３１．１９μｍである。このように、凹部２０ｂは必ずしも同じ深さになるわけではない。配線３１ｆと配線３１ｇ間に特にレーザ光が照射されたことがわかる。第１導体パターン３１，３２には、複数の配線３１ｃ〜３１ｇが含まれており、凹部２０ｂは隣接する配線間に形成される。しかし、上述したように、必ずしもすべての配線間に凹部２０ｂが形成されるわけではない。異物除去処理の説明からわかるように、ここでは、コア材２０の導電性異物１に被覆されていた部分に凹部２０ｂが形成される。
【００５５】
上記異物除去処理により、導体層には、第１導体パターン３１，３２のみが残り、本来形成すべき導体パターンに修正される。
【００５６】
異物除去処理が終わったら、次に、図１９に示されるように、内層板２９の上方にプリプレグ２１ｅ（ガラスクロスを樹脂で含浸したもの）と銅箔２１ｆを配置し、内層板２９に圧着する。これにより、図２０に示すように、内層板２９の上面に、第１導体パターン３１を覆い、プリプレグ２１ｅからなる第１絶縁層２１が形成される。
【００５７】
次に、図２０に示されるように、内層板２９の下方にプリプレグ２２ｅ（ガラスクロスを樹脂で含浸したもの）と銅箔２２ｆを配置し、内層板２９に圧着する。これにより、図２１に示すように、内層板２９の下面に、第１導体パターン３１を覆い、プリプレグ２２ｅからなる第１絶縁層２２が形成される。
【００５８】
そして、当該圧着加工により、異物除去処理により形成された凹部２０ｂにも、プリプレグ２１ｅの一部が充填され、凹部２０ｂにも第１絶縁層２１が形成される。図１５に示されるように、凹部２０ｂの底面はガラスクロス２０ｃにまで達しているので、ガラスクロス２０ｃと第１絶縁層２１とが凹部２０ｂの底面で密着し、図２で示す構成となる。
【００５９】
また、図１６に示されるように、ガラスクロス２０ｃの一部を貫通してなる溝２０ｄが形成されている場合は、プリプレグ２１ｅは圧着加工により溝２０ｄに入り込むので、第１絶縁層２１は、溝２０ｄに入り込み、図１７で示す構成となる。
【００６０】
次に、第１絶縁層２１及び第１絶縁層２２それぞれにレーザ光を照射して、図２２に示されるように、外側に向かって内径が大きくなるビアホール２１ａ，２２ａを形成する。そして、ビアホール２１ａ，２２ａの内部に残留するスミアを除去するためのデスミア処理を行う。
【００６１】
これまでの処理で形成された板を、以後、積層板２９０と呼ぶ。次に、積層板２９０を、Ｐｄ等を主成分とする触媒に浸漬する。これにより、銅箔２１ｆ，２２ｆの表面に触媒が付着する。続いて、積層板２９０を、無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図２３に示されるように、銅箔２１ｆの表面、及びビアホール２１ａの内壁に、無電解めっき膜２０５が形成される。また、銅箔２２ｆの表面、及びビアホール２２ａの内壁に、無電解めっき膜２０６が形成される。
【００６２】
次に、無電解めっき膜２０５，２０６の表面それぞれに、感光性ドライフィルムをラミネートする。そして、感光性ドライフィルムに、それぞれ所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させた後に、感光性ドライフィルムを紫外線で露光する。続いて、感光性ドライフィルムに対して、アルカリ水溶液を用いた現像を行う。これにより図２４に示すように、感光性ドライフィルムに、第２導体パターン３３，３４が形成される部分が露出する開口３０３ａ，３０４ａが設けられ、めっきレジスト３０３，３０４が形成される。
【００６３】
次に、めっきレジスト３０３，３０４を水洗いし、乾燥させる。そして、めっきレジスト３０３，３０４の開口３０３ａ，３０４ａから露出する無電解めっき膜２０５,２０６上に電解銅めっきを施す。これにより、図２５に示されるように、めっきレジスト３０３，３０４それぞれから露出しためっき膜２０７ａ，２０８ａが形成される。
【００６４】
次に、めっきレジスト３０３，３０４を除去する。そして、めっきレジスト３０３，３０４に覆われていた無電解めっき膜２０５，２０６と銅箔２１ｆ，２２ｆを、エッチングすることにより除去する。これにより、図２６に示されるように、第１絶縁層２１の表面に第２導体パターン３３が形成され、ビアホール２１ａにビア導体３３ｅが形成される。また、第１絶縁層２２の表面に第２導体パターン３４が形成され、ビアホール２２ａにビア導体３４ｅが形成される。
【００６５】
以上の処理で形成された第２導体パターン３３，３４の配線と配線の間に、導電性異物１が形成されることは、上記第１導体パターン３１，３２を形成した場合と同様である。よって、ここでも上記した異物除去処理と同じ処理を行う。異物除去処理については既に説明したので、ここでの説明は省略する。なお、ここでの異物除去処理では、上記した異物除去処理において、内層板２９を積層板２９０と、コア材２０を第１絶縁層２１，２２と、第１導体パターン３１，３２を第２導体パターン３３，３４と各々読み替える。行った異物除去処理により導電性異物１が除去されるので、導体層には、第２導体パターン３３，３４のみが残り、本来形成すべき導体パターンに修正される。また、異物除去処理により、第２導体パターン３３，３４の配線と配線の間の第１絶縁層２１，２２に、凹部が形成される。
【００６６】
次に、図２７に示されるように、第２導体パターン３３及び第２導体パターン３４を覆うように、第１絶縁層２１上及び第１絶縁層２２上にそれぞれソルダレジスト層２３，２４を形成する。異物除去処理により形成された第１絶縁層２１，２２の凹部にも、ソルダレジスト層２３，２４が形成されるので、第１絶縁層２１，２２のガラスクロスとソルダレジスト層２３，２４とが凹部の底面で密着する。第１絶縁層２１，２２の凹部にガラスクロスの一部を貫通してなる溝が形成されている場合は、ソルダレジスト層２３，２４は、溝に入り込む。
【００６７】
次に、図２８に示されるように、ソルダレジスト層２３に開口２３ａを形成し、第２導体パターン３３の少なくとも一部を露出させる。さらに、ソルダレジスト層２４に開口２４ａを形成し、第２導体パターン３４の少なくとも一部を露出させる。
【００６８】
次に、開口２３ａ，２４ａから露出する第２導体パターン３３，３４の表面に、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき処理を施す。これにより、図２９に示されるように、ソルダレジスト層２３の開口２３ａから露出する第２導体パターン３３の表面に、半田接続層５１が形成される。また、ソルダレジスト層２４の開口２４ａから露出する第２導体パターン３４の表面に、半田接続層５２が形成される。これにより、図１に示される配線板１０が完成する。
【００６９】
（配線板１０の製造方法の第２実施例）
以下では、配線板１０の製造方法の第２実施例を図３０〜図３８を用いて示す。図において、第１実施例と同じ構成要素には、第１実施例と同一の符合が付されている。
【００７０】
コア材２０上に第１導体パターン３１，３２を形成し、異物除去処理を行うまでは、第２実施例の製造方法も第１実施例と同じであるので、説明を省略する。第２実施例の製造方法では、異物除去処理の次に、図３０に示されるように、内層板２９の上方にプリプレグ２１ｅ（ガラスクロスを樹脂で含浸したもの）を配置し、内層板２９に圧着する。これにより、図３１に示すように、内層板２９の上面に、第１導体パターン３１を覆い、プリプレグ２１ｅからなる第１絶縁層２１が形成される。
【００７１】
次に、図３１に示されるように、内層板２９の下方にプリプレグ２２ｅ（ガラスクロスを樹脂で含浸したもの）を配置し、内層板２９に圧着する。これにより、図３２に示すように、内層板２９の下面に、第１導体パターン３１を覆い、プリプレグ２２ｅからなる第１絶縁層２２が形成される。第１実施例では、図１９，２０で示したように銅箔２１ｆ，２２ｆをプリプレグ２１ｅ，２２ｅと共に圧着したが、銅箔２１ｆ，２２ｆは必須ではなく、第２実施例のようにプリプレグ２１ｅ，２２ｅのみを圧着するものとしても良い。
【００７２】
そして、当該圧着加工により、異物除去処理により形成された凹部２０ｂにも、プリプレグ２１ｅの一部が充填され、凹部２０ｂにも第１絶縁層２１が形成される。図１５に示されるように、凹部２０ｂの底面はガラスクロス２０ｃにまで達しているので、ガラスクロス２０ｃと第１絶縁層２１とが凹部２０ｂの底面で密着し、図２で示す構成となる。
【００７３】
また、図１６に示されるように、ガラスクロス２０ｃの一部を貫通してなる溝２０ｄが形成されている場合は、プリプレグ２１ｅは圧着加工により溝２０ｄに入り込むので、第１絶縁層２１は、溝２０ｄに入り込み、図１７で示す構成となる。
【００７４】
次に、第１絶縁層２１、２２上に心材なしの薄い樹脂層を形成する。図３３（ａ）は、第１絶縁層２１，２２上に心材なしの薄い樹脂層２１ｇ，２２ｇが形成された様子を示す。図３３（ｂ）は、図３３（ａ）の点線の四角枠内を拡大した図である。
【００７５】
次に、第１絶縁層２１及び第１絶縁層２２それぞれにレーザ光を照射して、図３４に示されるように、外側に向かって内径が大きくなるビアホール２１ａ，２２ａを形成する。そして、ビアホール２１ａ，２２ａの内部に残留するスミアを除去するためのデスミア処理を行う。
【００７６】
これまでの処理で形成された板を、以後、積層板２９０ａと呼ぶ。次に、積層板２９０ａの樹脂層２１ｇ，２２ｇを粗化し、Ｐｄ等を主成分とする触媒に浸漬する。これにより、樹脂層２１ｇ，２２ｇの表面に触媒が付着する。続いて、積層板２９０ａを、無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図３５に示されるように、第１絶縁層２１の表面、及びビアホール２１ａの内壁に、無電解めっき膜２０５が形成される。また、第１絶縁層２２の表面、及びビアホール２２ａの内壁に、無電解めっき膜２０６が形成される。
【００７７】
次に、無電解めっき膜２０５，２０６の表面それぞれに、感光性ドライフィルムをラミネートする。そして、感光性ドライフィルムに、それぞれ所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させた後に、感光性ドライフィルムを紫外線で露光する。続いて、感光性ドライフィルムに対して、アルカリ水溶液を用いた現像を行う。これにより図３６に示すように、感光性ドライフィルムに、第２導体パターン３３，３４が形成される部分が露出する開口３０３ａ，３０４ａが設けられ、めっきレジスト３０３，３０４が形成される。
【００７８】
次に、めっきレジスト３０３，３０４を水洗いし、乾燥させる。そして、めっきレジスト３０３，３０４の開口３０３ａ，３０４ａから露出する無電解めっき膜２０５,２０６上に電解銅めっきを施す。これにより、図３７に示されるように、めっきレジスト３０３，３０４それぞれから露出しためっき膜２０７ａ，２０８ａが形成される。
【００７９】
次に、めっきレジスト３０３，３０４を除去する。そして、めっきレジスト３０３，３０４に覆われていた無電解めっき膜２０５，２０６を、エッチングすることにより除去する。これにより、図３８に示されるように、第１絶縁層２１の表面に第２導体パターン３３が形成され、ビアホール２１ａにビア導体３３ｅが形成される。また、第１絶縁層２２の表面に第２導体パターン３４が形成され、ビアホール２２ａにビア導体３４ｅが形成される。
【００８０】
以下の配線板の製造方法は、第１実施例と同じであるため説明を省略する。
【００８１】
上記実施例の導電性異物除去方法によれば、導電性異物１と、その下にある下層絶縁層（コア材２０または第１絶縁層２１，２２）とを根こそぎ除去することで、下層絶縁層まで入り込んだ導電性異物を確実に除去でき、絶縁信頼性を向上することができる。導電性異物１の除去も、凹部の形成も、レーザ光の照射で一度に行うことが可能である。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。
【００８３】
上記実施例では、導電性異物１の厚みにかかわらず、ステップＳ４０のレーザ照射を行ったが、導電性異物１の厚みが、第１導体パターン３１，３２の配線の厚みより小さい場合に限り、ステップＳ４０のレーザ照射を行うものとしても良い。具体的には、図１０のステップＳ２０の画像データの比較により、画像データが一致しない箇所があれば（ステップＳ３０：ＮＯ）、コンピュータは、導電性異物１が存在するものと判断して、撮影を内層板２９の横方向（図１１でいうｙ軸方向）から行う指示を出力する。出力は、ビデオカメラＣＡの位置を変更可能な機器に行い、ビデオカメラＣＡの位置を当該機器で自動的に変更するものとしても良い。
【００８４】
ビデオカメラＣＡは、撮影した画像データをコンピュータに送信する。コンピュータは、導電性異物１の厚みと第１導体パターン３１，３２の配線３１ａ，３１ｂの厚みを比較して、導電性異物の厚みが、第１導体パターン３１，３２の配線３１ａ，３１ｂの厚みより小さい場合に、レーザに修正指示を出力し、レーザが修正を行う。導電性異物１の厚みが、第１導体パターン３１，３２の配線３１ａ，３１ｂの厚みより大きい場合には、処理を終了し、導電性異物１の厚みが、第１導体パターン３１，３２の配線３１ａ，３１ｂ厚みより大きいことを示すメッセージを出力する。
【００８５】
なお、ここでは、導電性異物１と厚みを比較する配線は、第１導体パターン３１，３２のうち、導電性異物１と隣接している配線３１ａ，３１ｂである。しかし、その他のすべての配線と厚みを比較し、最も厚みが大きい配線より導電性異物１の厚みが大きければレーザ照射を行わないものとしても良いし、最も厚みが小さい配線より導電性異物１の厚みが大きければレーザ照射を行わないものとしても良い。
【００８６】
本実施例では、導電性異物１が存在する箇所にのみレーザ光を照射し、導電性異物１が存在する下の部分の、導電性異物１に被覆されていた箇所の下層絶縁層に凹部を形成するものとしたが、これに限らず、導電性異物１が存在しない下層絶縁層にレーザ光を照射して、下層絶縁層に凹部を形成して心材を露出させるものとしても良い。例えば、配線パターンの配線と配線の間であって、導電性異物１に被覆されていない下層絶縁層に凹部を形成するものとしても良い。
【００８７】
ただし、凹部を形成する箇所は、下層絶縁層において上部に配線パターンが存在しない部分であることは言うまでもない。下層絶縁層において上部に配線パターンが存在しない部分は、カメラ撮影により認識するものとしても良いし、配線板の設計時に作成された配線パターンの画像データに基づいて判断するものとしても良い。レーザ光を照射する箇所は、下層絶縁層の一部（数カ所、数十カ所等）であるものとしても良い。
【００８８】
上記実施例では、レーザ光により凹部を形成したが、凹部を形成する方法は、これに限らない。また、レーザ光により導電性異物を除去したが、導電性異物を除去する方法は、これに限らない。ただ、導電性異物１を除去する処理と同一の処理（本実施例では、レーザ光の照射）で凹部を形成すれば、導電性異物１を除去する処理と、凹部を形成する処理を少なくとも連続して行うことが可能である。つまり、作業環境を変えて作業を行う必要がなく、効率的である。
【００８９】
上記実施例では、コア材２０の上面に、第１導体パターン３１，第１絶縁層２１，第２導体パターン３３からなるビルドアップ層が形成され、コア材２０の下面に、第１導体パターン３２，第１絶縁層２２，第２導体パターン３４からなるビルドアップ層が形成される場合について説明した。これに限らず、コア材２０の表面には、３以上の導体パターン、及び２以上の絶縁層からなるビルドアップ層が形成されていてもよい。
【００９０】
いずれにしても、導体パターンを形成した後に異物除去処理をし、異物除去処理をした後に、導体パターンの上に絶縁層を形成する。絶縁層にはソルダレジスト層も含む。なお、実施例では、導体パターンを形成した後は、常に異物除去処理を実行するものとしたが、これに限らず、特定の層の導体パターンの形成後にのみ異物除去処理を実行するものとしても良い。
【００９１】
図３９に示すように、隣接する２つの配線Ｌ１，Ｌ２の間に形成され除去される導電性異物１は、２つの配線Ｌ１，Ｌ２両方に付着する導電性異物１ａであっても良いし、１つの配線Ｌ１にのみ付着する導電性異物１ｂであっても良いし、他の１つの配線Ｌ２にのみ付着する導電性異物１ｃであっても良いし、配線Ｌ１，Ｌ２には付着していない導電性異物１ｄであっても良い。
【００９２】
ただし、導電性異物１が配線Ｌ１，Ｌ２の両方に付着していない場合において、除去される前の導電性異物１と導体パターンの配線Ｌ１，Ｌ２との最小間隔を測定し、測定した最小間隔の値に応じて、導電性異物１を除去するかしないかを決定するものとしても良い。例えば、導電性異物１と配線Ｌ１，Ｌ２との最小間隔が５０μｍ未満の場合に限り、ステップＳ４０のレーザ照射を行うものとしても良い。導電性異物１と配線Ｌ１，Ｌ２との最小間隔が５０μｍ以上あれば、絶縁信頼性低下のリスクが小さいためである。ここで、最小間隔とは、除去される前の導電性異物１と導体パターンの配線Ｌ１，Ｌ２との距離のうち、最小のものをいう。
【００９３】
コア材２０は、グラスファイバ、アラミドファイバ等の強化材に、エポキシ樹脂を含浸させることにより形成されているものであっても良い。また、プリプレグは、グラスファイバ又はアラミドファイバに、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等含浸させることにより形成されるものであっても良い。
【００９４】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体（例えば金属層）をいう。また、めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００９５】
無電解めっきの材料として、ニッケルや、チタン、クロム等を採用してもよい。無電解めっき以外に、ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜を用いることもできる。ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜の場合、触媒は不要である。
【００９６】
同様に、電解めっき膜の材料として、ニッケルや、チタン、クロム等を採用してもよい。
【００９７】
第１導体パターン３１，３２、第２導体パターン３３，３４の形成方法、パターニング方法は限定されず、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などを、配線板１０の用途に応じて適宜選択することができる。
【００９８】
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【符号の説明】
【００９９】
１、１ａ〜１ｄ  ：導電性異物
１０            ：配線板
１１、１２      ：ビルドアップ層
２０            ：コア材
２０ａ          ：貫通孔
２０ｂ          ：凹部
２０ｃ、２１ｃ  ：ガラスクロス
２０ｄ、２１ｄ  ：溝
２１、２２      ：第１絶縁層
２１ａ、２２ａ  ：ビアホール
２１ｂ          ：凹部
２１ｅ、２２ｅ  ：プリプレグ
２１ｆ、２２ｆ  ：銅箔
２１ｇ、２２ｇ  ：樹脂層
２３、２４      ：ソルダレジスト層
２３ａ、２４ａ  ：開口
２９            ：内層板
３１、３２      ：第１導体パターン
３１ａ〜３１ｇ、３３ａ、３３ｂ、Ｌ１、Ｌ２    ：配線
３１ｈ〜３１ｋ  ：面
３３、３４      ：第２導体パターン
３３ｅ、３４ｅ  ：ビア導体
４０            ：スルーホール導体
５１、５２      ：半田接続層
５３、５４      ：半田
２００          ：銅張積層板
２０１、２０２  ：銅箔
２０３、２０５，２０６    ：無電解めっき膜
２０７、２０７ａ、２０８  ：めっき膜
２９０、２９０ａ          ：積層板
３０１、３０３  ：めっきレジスト
３０１ａ、３０２ａ、３０３ａ、３０４ａ  ：開口
ＣＡ      ：ビデオカメラ
Ｆ              ：第１面
Ｓ              ：第２面
【要約】
【課題】  配線板の絶縁信頼性を向上する。
【解決手段】  導体層には、形成すべき第１導体パターン３１ａ，３１ｂ以外に、導電性異物が形成される。レーザ照射装置が導電性異物１に対してレーザ光の照射を行う。これにより、導電性異物１は昇華され除去される。同時に、コア材２０を構成するエポキシ樹脂もレーザ光により昇華され除去される。これにより、コア材２０のうち導電性異物１に被覆されていた部分に凹部ができる。レーザ光は、凹部の底面が、ガラスクロスまで到達し、ガラスクロスが露出するまで照射する。
【選択図】  図１４【図１】
0005450751.tif 000002
【図２】
0005450751.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005450751.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0005450751.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
0005450751.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
0005450751.tif 000036
【図３６】
0005450751.tif 000037
【図３７】
0005450751.tif 000038
【図３８】
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【図３９】
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