(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向して配置された第１基板及び第２基板と、
前記第２基板に対向した前記第１基板の対向面と前記第１基板に対向した前記第２基板の対向面との間に保持される液晶と、
前記第１基板及び前記第２基板の夫々の前記対向面の複数部位には複数の画素が配置され、前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素に対応している複数の画素電極と、
前記第２基板の前記対向面上で、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の画素電極に対向された対向電極と、
前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素電極に対応して配置され、絶縁膜と半導体膜と導電膜とを含む複数の材料が積層して形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素に沿う複数の位置において夫々が突起部を有し、該突起部の突出端に接点を有する複数の部分と、
前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素に沿い、前記複数の部分の前記複数の位置とは異なる複数の位置の各々において、無機材料により形成された絶縁膜を前記突起部に積層して形成された複数の土台と、
前記第２基板の前記対向面上で、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の部分の前記接点に対向した複数の第１の位置に形成された複数の接点用突起と、
前記第２基板の前記対向面上で、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の土台に対向した複数の第２位置に形成された複数の柱状スペーサと、
を備えており、
前記突起部は、前記第１基板の前記対向面に、前記薄膜トランジスタを形成している前記複数の材料を含む基部上に、前記薄膜トランジスタを覆っているオーバーコート絶縁層と同じ材料の第１絶縁膜と、前記画素電極と同じ導電膜と、を積層して形成され、
前記第１基板の前記対向面からの前記複数の土台の夫々の高さは前記第１基板の前記対向面からの前記複数の部分の夫々の前記接点の高さよりも高く、
前記第２基板の前記対向面上の前記複数の柱状スペーサの突出端が前記第１基板の前記対向面上の対応する前記複数の土台の突出端に載置されることにより、前記第１基板と前記第２基板との間には所定の隙間が設定されるとともに、前記第１基板の前記複数の部分の前記接点と前記第２基板の前記複数の接点用突起の突出端との間には前記所定の隙間よりも短い別の所定の隙間が提供される、
ことを特徴とする接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタを形成している前記複数の材料は、前記薄膜トランジスタのゲート線と同じ材料の導電材料膜と，前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料の第２絶縁膜と，前記薄膜トランジスタの真性シリコン層と同じ材料の真性シリコン層と，前記薄膜トランジスタのチャネル保護層と同じ材料の第３絶縁膜と，前記薄膜トランジスタのｎ＋真性シリコン層と同じ材料のｎ＋真性シリコン層と，前記薄膜トランジスタのドレイン線及びソース線と同じ材料の導電性金属膜と，を含むことを特徴とする請求項１に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２基板の前記対向面には前記複数の画素に対応した複数の開口を有する格子状の遮光膜が形成されていて、
前記第２基板の前記対向面の前記複数の接点用突起及び前記複数の柱状スペーサは、前記遮光膜上に形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２基板の前記対向面には前記複数の画素に対応して複数のカラーフィルターが形成されている、ことを特徴とする請求項３に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２基板の前記対向面の前記対向電極は、前記第２基板の前記対向面の前記複数の接点用突起及び前記複数の柱状スペーサを覆っている、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板の前記対向面には、前記第１基板の前記対向面の前記複数の部分の夫々の前記接点及び前記複数の土台の突出端面を除き、第１配向膜が適用されている、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２基板の前記対向面の前記対向電極は、前記第２基板の前記対向面の前記複数の接点用突起の突出端及び前記複数の柱状スペーサの突出端を除く第２配向膜により覆われている、ことを特徴とする請求項６に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２基板の前記対向面から前記複数の接点用突起及び前記複数の柱状スペーサの夫々は相互に同じ高さで突出している、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板の前記対向面からの、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の部分の夫々の前記突出端の高さは相互に同じであり、
前記第１基板の前記対向面からの、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の土台の夫々の前記突出端の高さは相互に同じである、
ことを特徴としている請求項１乃至８のいずれか１項に記載の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置に関係している。
【背景技術】
【０００２】
従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の構造は、特開２００７−９５０４４号公報（特許文献１）により知られている。
【０００３】
従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、図８及び図９中に要部が拡大されて概略的に図示されている如く、相互に平行に対向して配置されている第１基板１００と第２基板１０２とを備えている。第１基板１００及び第２基板１０２の夫々は、透明なガラス製である。
【０００４】
第１基板１００と第２基板１０２との間には、第１基板１００及び第２基板１０２を相互に平行に離間させ支持する基板支持構造１０４が介在されている。
【０００５】
第１基板１００と第２基板１０２との間の空間の所定の範囲は枠状のシール部材によりシールされたシール部になっており、この前記所定の範囲のシール部にはシール部材により液晶が保持されている。
【０００６】
第１基板１００と第２基板１０２の夫々の対向面には、これらの間の液晶の所望の複数の部位を選択的に操作しこれら所望の複数の部位の光透過率を選択的に調整する為の液晶操作構造が形成されている。前記所望の複数の部位は画素と呼ばれていて、第１基板１００と第２基板１０２の夫々の対向面間にマトリックス状に配置されている。
【０００７】
前記液晶操作構造は、第１基板１００の対向面上において一方向（図８中では、左から右に向かう又はこの逆に向かう方向であり、Ｘ方向とする）と直交する他方向（図８中では、上下に向かう方向であり、Ｙ方向とする）で所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記一方向に延出した複数の走査線１０６と、第１基板１００の対向面上において前記一方向で所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記他方向に延出した複数の信号線１０８と、を含む。
【０００８】
即ち、第１基板１００の対向面上において複数の走査線１０６と複数の信号線１０８とは格子状に配置されており、前記格子の隙間に液晶の前述したマトリックス状に配置されている所望の複数の画素が位置している。即ち、格子状に配置されている複数の走査線１０６と複数の信号線１０８とは液晶の前述したマトリックス状に配置されている所望の複数の画素を取り囲んでいる。
【０００９】
前記液晶操作構造はさらに、第１基板１００の対向面上に前述した所望の複数の画素に対応してマトリックス状に配置されている複数の画素電極１１０を含む。複数の画素電極１１０の夫々は、透明な導電性材料により形成されている。
【００１０】
前記液晶操作構造はまたさらに、第１基板１００の対向面上に複数の画素電極１１０の夫々に対応して配置された複数の薄膜トランジスタ１１２を含んでいる。複数の薄膜トランジスタ１１２の夫々は、対応する画素電極１１０と、対応する画素電極１１０に隣接した１つの信号線１０８と、対応する画素電極１１０に隣接した１つの走査線１０６と、に接続され、１つの信号線１０８から対応する画素電極１１０に向かう信号を前述した１つの走査線１０６からの信号により制御して対応する画素電極１１０の動作を制御する。
【００１１】
複数の薄膜トランジスタ１１２は、複数の走査線１０６，複数の信号線１０８，そして複数の画素電極１１０とともに、同時に同じ製造技術により第１基板１００の対向面上に形成されている。
【００１２】
ここにおいて、複数の走査線１０６，複数の信号線１０８，そして複数の画素電極１１０は、薄膜トランジスタ１１２の製造技術により提供されている多層の絶縁膜を含む透明絶縁膜部分１１４より相互に電気的に絶縁されている。第１基板１００の対向面上において複数の画素電極１１０は透明絶縁膜部分１１４上に配置されている。
【００１３】
また、複数の薄膜トランジスタ１１２の夫々のドレイン電極１１２ａ，ソース電極１１２ｂ，そしてゲート電極１１２ｃは、対応する画素電極１１０，対応する画素電極１１０に隣接した１つの信号線１０８，そして対応する画素電極１１０に隣接した１つの走査線１０６に電気的に接続されている。
【００１４】
第２基板１０２の対向面上には、第１基板１００の対向面上に液晶の前述した所望の複数の画素を取り囲むよう格子状に配置されている複数の走査線１０６と複数の信号線１０８とに対応した格子状の遮光膜１１６（いわゆるブラックマスク）が形成されている。
【００１５】
第２基板１０２の対向面上にはさらに、第１基板１００の対向面上の複数の画素電極１１０に対応して所定の配列で複数の赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターが形成されている。
【００１６】
前記液晶操作構造はまたさらに、第２基板１０２の対向面上において格子状の遮光膜１１６，複数の赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターを覆う対向電極１１８を含んでいる。
【００１７】
従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、第１基板１００及び第２基板１０２の夫々の対向面に設けられ第２基板１０２の外側面のタッチ位置を検出するタッチ位置検出構造を備えている。
【００１８】
タッチ位置検出構造は、第１基板１００の対向面上で複数の信号線１０８の中の所望の複数の信号線１０８に沿い延出したＸ座標検出ライン１２０と、第１基板１００の対向面上で複数の走査線１０６の中の所望の複数の走査線１０６に沿い延出した複数のＹ座標検出ライン１２２と、を含む。
【００１９】
複数のＸ座標検出ライン１２０と複数のＹ座標検出ライン１２２とは透明絶縁膜部分１１４の多層の絶縁膜により相互に電気的に絶縁されているとともに、複数の走査線１０６や複数の信号線１０８や複数の画素電極１１０に対しても透明絶縁膜部分１１４の多層の絶縁膜により電気的に絶縁されている。
【００２０】
複数のＸ座標検出ライン１２０の夫々は複数のＹ座標検出ライン１２２との交差位置の近傍の複数の位置にＸ座標検出用接点１２０ａを有している。また、複数のＹ座標検出ライン１２２の夫々は、複数のＸ座標検出ライン１２０との交差位置の近傍の複数の位置においてＸ座標検出用接点１２０ａと隣接してＹ座標検出用接点１２２ａを有している。
【００２１】
複数のＸ座標検出用接点１２０ａと複数のＹ座標検出用接点１２２ａとは、第１基板１００の対向面上の前記複数の位置の夫々に、複数の薄膜トランジスタ１１２の為の製造技術と同じ製造技術により複数の薄膜トランジスタ１１２と同時に作成される。
【００２２】
この薄膜トランジスタ１１２の製造技術において使用される多層の絶縁膜が、透明絶縁膜部分１１４の多層の絶縁膜を提供している。
【００２３】
前記タッチ位置検出構造はさらに、第２基板１０２の対向面において第１基板１００上の前記複数の位置に対向した複数の第１位置に形成され夫々が所定の高さを有している接点用突起１２４を含んでいる。前記複数の第１位置は第２基板１０２の対向面上の遮光膜１１６上にあり、接点用突起１２４は対向電極１１８の形成前に遮光膜１１６上に形成され、対向電極１１８により覆われている。
【００２４】
対向電極１１８において接点用突起１２４の突出端面（先端）を覆う部分は、第１基板１００の対向面上において接点用突起１２４の突出端面（先端）に対向しているＸ座標検出用接点１２０ａ又はＹ座標検出用接点１２２ａと協働する接点電極１２４ａとして機能する。
【００２５】
基板支持構造１０４は、第２基板１０２の対向面において対向電極１１８に覆われている遮光膜１１６上で複数の接点用突起１２４の複数の第１位置とは異なる複数の第２位置に形成された複数の柱状スペーサ１２６を含んでいる。
【００２６】
遮光膜１１６上の複数の第１位置の複数の接点用突起１２４の夫々は遮光膜１１６上に直接的に形成されていて、遮光膜１１６上の複数の第２位置の複数の柱状スペーサ１２６は遮光膜１１６上に対向電極１１８を介して間接的に形成されている。夫々の接点用突起１２４と夫々の柱状スペーサ１２６とは相互に同じ材料で相互に同じ製造工程（光硬化性樹脂材料の塗布，露光，現像，そして硬化）により形成されているが、相互に異なる製造時期に相互に異なる高さを有するよう形成されている。従って、夫々の接点用突起１２４の寸法精度と夫々の柱状スペーサ１２６の寸法精度とは異なる。
【００２７】
第１基板１００の対向面上の透明絶縁膜部分１１４は、複数の画素電極１１０，Ｘ座標検出用接点１２０ａ，Ｙ座標検出用接点１２２ａ，そして複数の薄膜トランジスタ１１２とともに、第１配向膜１２８により覆われている。第１配向膜１２８の外表面がラビング処理をされると、Ｘ座標検出用接点１２０ａ及びＹ座標検出用接点１２２ａから第１配向膜１２８が剥ぎ取られ、これらは第１配向膜１２８から露出される。
【００２８】
第２基板１０２の対向面上の対向電極１１８は、柱状スペーサ１２６とともに、第２配向膜１３０により覆われている。第２配向膜１３０の外表面がラビング処理される間に、第２配向膜１３０において柱状スペーサ１２６の突出端面（先端）及び接点用突起１２４の突出端面（先端）上に配置されている部分が剥ぎ取られ、これらは第２配向膜１３０から露出される。
【００２９】
第１基板１００及び第２基板１０２は、第１配向膜１２８又は第２配向膜１３０上の前述した所定の範囲を前述した枠状のシール部材により囲んだ後に、第２基板１０２の対向面上の複数の柱状スペーサ１２６の夫々の突出端面（先端）を第１基板１００の対向面上の透明絶縁膜部分１１４における対向位置に第１配向膜１２８を介して載置させられる。これにより、第１基板１００と第２基板１０２とは前述した枠状のシール部材により相互に接合されている間に、相互に離間し相互に平行に支持される。この後、前述した枠状のシール部材に囲まれたシール部に形成した液晶注入口を介し第１基板１００と第２基板１０２との間に基板支持構造１０４の柱状スペーサ１２６により規定された所定の高さの第１隙間ＳＧに液晶が注入され、最後に前記液晶注入口が塞がれる。
【００３０】
この時、基板支持構造１０４は、第２基板１０２の複数の接点用突起１２４の夫々の突出端面（先端）における対向電極１１８の部分（接点電極１２４ａ）と第１基板１００における対応するＸ座標検出用接点１２０ａ及びＹ座標検出用接点１２２ａとの間に所定の第２隙間（接点間隔）ＣＧを提供する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３１】
【特許文献１】特開２００７−９５０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
前述した従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置の第２基板１０２においては、接点用突起１２４の形成は対向電極１１８の形成前に行なわれ、基板支持構造１０４の柱状スペーサ１２６の形成は対向電極１１８の形成後に行なわれる。
【００３３】
接点用突起１２４及び柱状スペーサ１２６の夫々は同じ材料を使用して同じ製造工程（光硬化性樹脂材料の塗布，露光，現像，そして硬化）により形成されるが、夫々の形成は上述した如く相互に独立して相互に異なった時期に行なわれる。このことは、第２基板１０２及びその対向面上に形成された前述した種々の部材を含むユニット（ＣＦ基板ユニットＣＦＵ）の製造工程を複雑化させている。
【００３４】
さらに、相互に異なった高さの接点用突起１２４及び柱状スペーサ１２６の夫々の形成を相互に独立して相互に異なった時期に行なうことにより、接点用突起１２４及び柱状スペーサ１２６の夫々の寸法の仕上がり精度が異なっている。このことは、複数のＣＦ基板ユニットＣＦＵと第１基板１００及びその対向面上に形成された前述した種々の部材を含むユニット（ＴＦＴ基板ユニットＴＦＵ）との複数の組み合わせにおいて、第２隙間（接点間隔）ＣＧに多くの差異が生じることを意味している。
【００３５】
即ち、前述した従来の複数の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置間では、ＣＦ基板ユニットＣＦＵの接点用突起１２４の突出端面（先端）に位置する対向電極１１８の部分（接点電極１２４ａ）を第１基板１００の対応するＸ座標検出用接点１２０ａ又はＹ座標検出用接点１２２ａに接触させるのに必要な第２基板１０２を押圧する力が相互に異なり、また上記押圧により第２基板１０２が撓む量も異なる。第２基板１０２の撓み量の異なりは、第２基板１０２と第１基板１００との間における接点用突起１２４の周辺における液晶の厚さ（即ち、光透過量）の異なりを生じさせ、従来の複数の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置間で画像表示品質の差異を生じさせる。
【００３６】
この発明は上記事情の下でなされ、この発明の目的は、前述した従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置に比べ、製造工程を複雑化することなく、同じ製造工程で製造された同じ種類の複数のタッチ式液晶表示装置間で接点動作押圧力及び画像表示品質における差異を無くすことが出来る、接点内蔵型タッチ式液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３７】
上述したこの発明の目的を達成する為に、この発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、相互に対向して配置された第１基板及び第２基板と、前記第２基板に対向した前記第１基板の対向面と前記第１基板に対向した前記第２基板の対向面との間に保持される液晶と、前記第１基板及び前記第２基板の夫々の前記対向面の複数部位には複数の画素が配置され、前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素に対応している複数の画素電極と、前記第２基板の前記対向面上で、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の画素電極に対向された対向電極と、前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素電極に対応して配置され、絶縁膜と半導体膜と導電膜とを含む複数の材料が積層して形成された複数の薄膜トランジスタと、前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素に沿う複数の位置において夫々が突起部を有し、該突起部の突出端に接点を有する複数の部分と、前記第１基板の前記対向面上で前記複数の画素に沿い、前記複数の部分の前記複数の位置とは異なる複数の位置の各々において、無機材料により形成された絶縁膜を前記突起部に積層して形成された複数の土台と、前記第２基板の前記対向面上で、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の部分の前記接点に対向した複数の第１の位置に形成された複数の接点用突起と、前記第２基板の前記対向面上で、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の土台に対向した複数の第２位置に形成された複数の柱状スペーサと、を備えており、前記突起部は、前記第１基板の前記対向面に、前記薄膜トランジスタを形成している前記複数の材料を含む基部上に、前記薄膜トランジスタを覆っているオーバーコート絶縁層と同じ材料の第１絶縁膜と、前記画素電極と同じ導電膜と、を積層して形成され、前記第１基板の前記対向面からの前記複数の土台の夫々の高さは前記第１基板の前記対向面からの前記複数の部分の夫々の前記接点の高さよりも高く、前記第２基板の前記対向面上の前記複数の柱状スペーサの突出端が前記第１基板の前記対向面上の対応する前記複数の土台の突出端に載置されることにより、前記第１基板と前記第２基板との間には所定の隙間が設定されるとともに、前記第１基板の前記複数の部分の前記接点と前記第２基板の前記複数の接点用突起の突出端との間には前記所定の隙間よりも短い別の所定の隙間が提供される、ことを特徴としている。
【００３９】
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記薄膜トランジスタを形成している前記複数の材料は、前記薄膜トランジスタのゲート線と同じ材料の導電材料膜と，前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料の第２絶縁膜と，前記薄膜トランジスタの真性シリコン層と同じ材料の真性シリコン層と，前記薄膜トランジスタのチャネル保護層と同じ材料の第３絶縁膜と，前記薄膜トランジスタのｎ＋真性シリコン層と同じ材料のｎ＋真性シリコン層と，前記薄膜トランジスタのドレイン線及びソース線と同じ材料の導電性金属膜と，を含むことが好ましい。
【００４１】
さらに、前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第２基板の前記対向面には前記複数の画素に対応した複数の開口を有する格子状の遮光膜が形成されていて、前記第２基板の前記対向面の前記複数の接点用突起及び前記複数の柱状スペーサは、前記遮光膜上に形成されている、ことが好ましい。
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第２基板の前記対向面には前記複数の画素に対応して複数のカラーフィルターが形成されている、ことが好ましい。
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第２基板の前記対向面の前記対向電極は、前記第２基板の前記対向面の前記複数の接点用突起及び前記複数の柱状スペーサを覆っている、ことが好ましい。
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第１基板の前記対向面には、前記第１基板の前記対向面の前記複数の部分の夫々の前記接点及び前記複数の土台の突出端面を除き、第１配向膜が適用されている、ことが好ましい。
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第２基板の前記対向面の前記対向電極は、前記第２基板の前記対向面の前記複数の接点用突起の突出端及び前記複数の柱状スペーサの突出端を除く第２配向膜により覆われている、ことが好ましい。
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第２基板の前記対向面から前記複数の接点用突起及び前記複数の柱状スペーサの夫々は相互に同じ高さで突出している、ことが好ましい。
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、前記第１基板の前記対向面からの、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の部分の夫々の前記突出端の高さは相互に同じであり、前記第１基板の前記対向面からの、前記第１基板の前記対向面上の前記複数の土台の夫々の前記突出端の高さは相互に同じである、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００４２】
前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置では、第１基板の対向面上で複数の画素に沿う複数の位置に夫々が突出端に接点を有する複数の部分を備え、また、第１基板の対向面上で複数の画素に沿い、前記複数の位置とは異なる複数の位置に複数の土台を備えている。さらに、第２基板の対向面上で、第１基板の対向面上の複数の部分の接点に対向した複数の第１の位置に複数の接点用突起が形成され、また、第２基板の対向面上で、第１基板の対向面上の複数の土台に対向した複数の第２位置に複数の柱状スペーサが形成されている。
【００４３】
従って、複数の接点用突起と複数の柱状スペーサの夫々とを同じ仕上がり寸法で製造することが出来る。
【００４４】
しかも、第１基板の対向面上で複数の画素に沿う複数の位置に夫々が突出端に接点を有する複数の部分を備えているので夫々を共通して同時に同じ高さに形成することが出来、また、第１基板の対向面上で複数の画素に沿い、前記複数の位置とは異なる複数の位置に複数の土台を備えているので、夫々を共通して同じ高さに形成することが出来る。
【００４５】
そして、前記第１基板の前記対向面からの前記複数の土台の夫々の高さは前記第１基板の前記対向面からの前記複数の部分の夫々の前記接点の高さよりも高く、
前記第２基板の前記対向面上の前記複数の柱状スペーサの突出端が前記第１基板の前記対向面上の対応する前記複数の土台の突出端に載置されることにより、前記第１基板と前記第２基板との間には所定の隙間が設定されるとともに、前記第１基板の前記複数の部分の前記接点と前記第２基板の前記複数の接点用突起の突出端との間には前記所定の隙間よりも短い別の所定の隙間が提供される。
【００４６】
従って前述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置は、前述した従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置に比べ、製造工程を複雑化することなく、同じ製造工程で製造された同じ種類の複数の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置間で接点動作押圧力及び画像表示品質における差異を無くすことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、この発明の一実施形態に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置のＴＦＴ基板の対向面における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の構成を拡大して概略に示す拡大部分平面図である。
【図２】図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図１のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線，ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線，そしてＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線に沿った、ＴＦＴ基板における基板支持構造の土台，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点及びこれらの周辺の断面を、これらに対応しているＣＦ基板における基板支持構造の柱状スペーサ及び接点用突起そしてこれらの周辺の断面とともに拡大して概略的に示す断面図である。
【図３】図３の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図１のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線，ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線，ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線，そしてＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線に沿った、ＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の作成工程の最初の段階の断面を概略的に示す断面図である。
【図４】図４の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図１のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線，ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線，ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線，そしてＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線に沿った、ＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の作成工程において第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）が形成される直前の段階の断面を概略的に示す断面図である。
【図５】図５の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図１のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線，ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線，ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線，そしてＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線に沿った、ＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の作成工程において第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）が形成された直後の段階の断面を概略的に示す断面図である。
【図６】図６の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図１のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線，ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線，ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線，そしてＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線に沿った、ＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の作成工程において、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の如き透明な導電性材料の膜の加工前の段階の断面を概略的に示す断面図である。
【図７】図７の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）は、図１のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線，ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線，ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線，そしてＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線に沿った、ＴＦＴ基板の対向面の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の作成工程において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の完成後に柱状スペーサ対応部が完成された直後の段階の断面を概略的に示す断面図である。
【図８】図８は、従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置のＴＦＴ基板の対向面における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点の構成を拡大して概略に示す拡大部分平面図である。
【図９】図９の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図１のＩＸＡ−ＩＸＡ線，ＩＸＢ−ＩＸＢ線，そしてＩＸＣ−ＩＸＣ線に沿った、従来の接点内蔵型タッチ式液晶表示装置のＴＦＴ基板における柱状スペーサ対応部，Ｘ座標検出用接点，そしてＹ座標検出用接点及びこれらの周囲の断面を、これらに対応しているＣＦ基板における柱状スペーサ及び接点用突起そしてこれらの周囲の断面とともに拡大して概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
最初に、図１及び図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）を参照しながら、この発明の一実施形態に従った接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の主要部の構成を説明する。接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０は、矩形の第１基板１２ａを伴った第１基板ユニット１２と、矩形の第２基板１４ａを伴った第２基板ユニット１４と、を備えている。第１基板１２ａ及び第２基板１４ａの夫々は、透明なガラス製である。
【００４９】
第１基板１２ａと第２基板１４ａとは、第１基板１２ａと第２基板１４ａとの間に介在されている基板支持構造１６により相互に離間して相互に平行に支持されている。
【００５０】
第１基板１２ａの対向面の周辺部と第２基板１４ａの対向面の周辺部との間は、枠状のシール部材によりシールされた所定の領域がシール部となっていて、この間のシール部には液晶が保持されている。
【００５１】
第１基板１２ａと第２基板１４ａの夫々の対向面の前記所定の領域には、これらの対向面間の前記所定の領域の所望の複数の部位の液晶を選択的に操作し前記所望の複数の部位の光透過率を選択的に調整する液晶操作構造ＬＣＯが設けられている。前記所望の複数の部位はマトリックス状に配置されている。そして、この様な複数の部位の夫々は、画素と呼ばれている。
【００５２】
第１基板１２ａと第２基板１４ａの夫々の対向面の前記所定の領域にはさらに、第２基板１４ａの外側面のタッチ位置を検出するタッチ位置検出構造ＴＰＳが設けられている。
【００５３】
第１基板１２ａ及び第２基板１４ａの夫々の対向面間において所望の複数の部位の液晶を選択的に操作し前記所望の複数の部位の光透過率を選択的に調整する為の液晶操作構造ＬＣＯは、第１基板１２ａの対向面上において一方向（図１中では、左から右に向かう又はこの逆に向かう方向であり、Ｘ方向とする）と直交する他方向（図１中では、上又は下に向かう方向であり、Ｙ方向とする）で所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記一方向（Ｘ方向）に延出した複数の走査線１８と、第１基板１２ａの対向面上において前記一方向（Ｘ方向）で所定間隔に相互に離間した複数の位置の夫々で前記他方向（Ｙ方向）に延出した複数の信号線２０と、を含む。
【００５４】
第１基板１２ａの対向面上において複数の走査線１８と複数の信号線２０とは、前述した図示されていない液晶のマトリックス状に配置されている所望の複数の部位（画素）を取り囲むよう格子状に配置されている。
【００５５】
第１基板１２ａの対向面上における液晶操作構造ＬＣＯの一部は、第１基板１２ａの対向面上に前述した所望の複数の部位（画素）に対応してマトリックス状に配置されている複数の画素電極２２を含む。複数の画素電極２２の夫々は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の如き透明な導電性材料の膜により形成されている。
【００５６】
複数の走査線１８の夫々は前記一方向（Ｘ方向）に沿って配列されている複数の画素電極２２の一方の側に沿っていて、複数の信号線２０の夫々は前記他方向（Ｙ方向）に沿って配列されている複数の画素電極２２の一方の側に沿っている。
【００５７】
第１基板１２ａの対向面上における液晶操作構造ＬＣＯの一部はまたさらに、第１基板１２ａの対向面上に複数の画素電極２２の夫々に対応して配置された複数の薄膜トランジスタ２４を含んでいる。複数の薄膜トランジスタ２４の夫々は、対応する画素電極２２，対応する画素電極２２に隣接した１つの信号線２０，そして対応する画素電極２２に隣接した１つの走査線１８、に接続されており、前記１つの信号線２０から対応する画素電極２２に向かう信号の伝達を前記１つの走査線１８からの信号により制御して対応する画素電極２２の動作を制御する。
【００５８】
複数の薄膜トランジスタ２４の夫々は、対応する画素電極２２とドレイン線２４ａにより接続され、対応する画素電極２２に隣接した前記１つの信号線２０とソース線２４ｂにより接続され、対応する画素電極２２に隣接した前記１つの走査線１８とゲート線２４ｃによりに接続され、そして、ドレイン線２４ａとソース線２４ｂとゲート線２４ｃとの間には半導体のオーミックス層２４ｄが介在されている。薄膜トランジスタ２４の薄膜トランジスタは、前記１つの信号線２０からソース線２４ｂ及びドレイン線２４ａを介して対応する画素電極２２に向かう信号の伝達を、前記１つの走査線１８からのゲート線２４ｃを介した信号によりオーミックス層２４ｄにおいて制御して、対応する画素電極２２の動作を制御する。
【００５９】
複数の薄膜トランジスタ２４は、複数の走査線１８，複数の信号線２０，そして複数の画素電極２２とともに、第１基板１２ａの対向面上に形成されている。
【００６０】
ここにおいて、複数の走査線１８，複数の信号線２０，そして複数の画素電極２２は、複数の薄膜トランジスタ２４の形成の間に後に詳細に説明する多層の透明絶縁膜により相互に電気的に絶縁されている。そして第１基板１２ａの対向面上において複数の画素電極２２は前記多層の透明絶縁膜の最上位の透明絶縁膜上に配置されている。
【００６１】
そして、複数の薄膜トランジスタ２４の夫々のドレイン線２４ａ，ソース線２４ｂ，そしてゲート線２４ｃは、対応する画素電極２２，対応する画素電極２２に隣接した前記１つの信号線２０，そして対応する画素電極２２に隣接した前記１つの走査線１８に電気的に接続されている。
【００６２】
タッチ位置検出構造ＴＰＳにおいて第１基板１２ａの対向面上に設けられている一部は、第１基板１２ａの対向面上で前記一方向（この実施形態では、Ｘ方向）に沿った複数の位置で前記一方向に対し直交する他方向（この実施形態では、Ｙ方向）に延出した複数の第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６と、第１基板１２ａの対向面上で前記他方向（この実施形態では、Ｙ方向）に沿った複数の位置で前記一方向（この実施形態では、Ｘ方向）に延出した複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８と、を含んでいる。
【００６３】
この実施形態において複数の第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６は、第１基板１２ａの対向面上で複数の信号線２０の中の所望の複数の信号線２０に沿い延出しており、また、複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８は、第１基板１２ａの対向面上で複数の走査線１８の中の所望の複数の走査線１８に沿い延出している。
【００６４】
複数の第１座標検出ライン（この実施形態では、Ｘ座標検出ライン）２６の夫々は、前記他方向（この実施形態では、Ｙ方向）に沿った複数の位置に第１座標検出用接点（この実施形態ではＸ座標検出用接点）２６ａを有している。夫々の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａは、複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８との交差位置の近傍に配置されている。
【００６５】
複数の第２座標検出ライン（この実施形態では、Ｙ座標検出ライン）２８の夫々は、前記一方向（この実施形態では、Ｘ方向）に沿った複数の位置に第２座標検出用接点（この実施形態ではＹ座標検出用接点）２８ａを有している。夫々の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の複数の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａは、夫々の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８が沿っている前記一方向（Ｘ方向）に並んでいる複数の画素電極２２の中で第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａが隣接して配置されている複数の画素電極２２と第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６を挟んで反対側に位置している複数の画素電極２２に隣接して配置されている。
【００６６】
基板支持構造１６において第１基板１２ａの対向面上に設けられている一部は、所望の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に隣接し複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ及び複数の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａとは異なる位置に相互に同じ高さを有した複数の土台３０を含んでいる。
【００６７】
複数の土台３０は、複数の薄膜トランジスタ２４の形成の間に複数の薄膜トランジスタ２４の形成技術を利用して提供されている。
【００６８】
即ち、この実施形態においては、第１基板１２ａの対向面上に設けられている液晶操作構造ＬＣＯの一部，タッチ位置検出構造ＴＰＳの一部，そして基板支持構造１６の一部は同じ形成技術により共通して提供されている。
【００６９】
図１及び図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）からは、第１基板１２ａの対向面上における：液晶操作構造ＬＣＯの一部である走査線１８，信号線２０，画素電極２２，そして薄膜トランジスタ２４；タッチ位置検出構造ＴＰＳの一部である第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６，第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ，第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８，そして第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａ；及び、基板支持構造１６の一部である土台３０、の２次元的な配置関係及び３次元的な配置関係をより詳細に見ることが出来る。
【００７０】
特に、図１からは、前記一方向（Ｘ方向）に延出している走査線１８に沿い配置されている複数の画素電極２２に対応して走査線１８上の複数の位置に複数の薄膜トランジスタ２４が配置されていて、走査線１８に隣接した第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に沿い走査線１８上の複数の薄膜トランジスタ２４の相互間の複数の位置に、土台３０，第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ，そして第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａが所定の順序で配置されていることが判る。
【００７１】
図１からはさらに、第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８において第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａに対応した部分は第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａと接続する為の接続部分２８ｂを提供していることがわかる。また、第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６において第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａに対応した部分には、前述した多層の絶縁膜を含む透明絶縁膜部分により第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に対し電気的に絶縁されている第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６から第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａと接続する為の接続部分２６ｂが延びていることがわかる。
【００７２】
また、図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）からは、第１基板１２ａの対向面上において、第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６，第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ，第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８，第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａ，そして土台３０が相互に上下方向に離間して配置されているとともに、これらが前述した多層の絶縁膜を含む透明絶縁膜部分により相互に絶縁されていることが判る。
【００７３】
図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）にはさらに、第１基板１２ａの対向面上において第２基板１２ａの対向面に最も近い位置に適用されている第１配向膜３２が図示されている。第１配向膜３２は、第１基板１２ａの対向面からの突出高さが比較的大きな複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ，第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａ，そして土台３０の突出端面（先端）３０ａでは、厚さが他の部分に比べ薄くなっている。
【００７４】
従って、適用当初の第１配向膜３２の外表面にラビング処理を含む配向処理を施すことにより、第１配向膜３２において土台３０の突出端面（先端）３０ａ，第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ，そして第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａ上に位置する厚さが比較的薄い部分は、これらの上から取り除かれている。
【００７５】
図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）にはまたさらに、第１基板１２ａの外側面に貼り付けられている偏光板３４及び第２基板１４ａの外側面に貼り付けられている偏光板３６が図示されている。
【００７６】
図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）には、第１基板１２ａの対向面上に前述した所望の複数の画素を取り囲むよう格子状に配置されている複数の走査線１８と複数の信号線２０とに対向して第２基板１４ａの対向面上に形成されている格子状の遮光膜３８（いわゆるブラックマスク）が図示されている。
【００７７】
第２基板１４ａの外側面の偏光板３６から第１基板１２ａを見た時に、格子状の遮光膜３８は第１基板１２ａの対向面上の複数の走査線１８と複数の信号線２０とを覆い、さらに、前記所望の走査線１８と前記所望の信号線２０とに沿っている複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８と複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６とに対向し複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８と複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６とを覆っている。遮光膜３８はまた、複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８に沿って配置されている複数の薄膜トランジスタ２４，複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ，複数の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａ，そして複数の土台３０を覆っている。第１基板１２ａの対向面上の複数の画素電極２２は、格子状の遮光膜３８中の複数の開口に対応していて遮光膜３８により覆われていない。
【００７８】
第２基板１４ａの対向面上にはさらに、格子状の遮光膜３８中の複数の開口に対応して、即ち、第１基板１２ａの対向面上の複数の画素電極２２に対応して、所定の配列で例えば赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターが形成されている。前記各カラーフィルターの一部分は遮光膜３８上にも形成される。
【００７９】
図２の（Ｂ）及び（Ｃ）中に図示されている如く、第２基板１４ａの対向面における前述したタッチ位置検出構造ＴＰＳの残部は、第２基板１４ａの対向面の遮光膜３８上において、第１基板１２ａの対向面の複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ及び複数の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａに対向した複数の第１位置に形成された複数の接点用突起４０を含む。複数の接点用突起４０は、夫々が相互に同じ構成であり相互に同じ所定の高さを有している。図２の（Ｂ）及び（Ｃ）には、第１基板１２ａの対向面の複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの１つに対向している１つの接点用突起４０及び第１基板１２ａの対向面の複数の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの１つに対向している接点用突起４０が図示されている。
【００８０】
図２の（Ａ）中に図示されている如く、第２基板１４ａの対向面における基板支持構造１６の残部は、第２基板１４ａの対向面の遮光膜３８上において、第１基板１２ａの対向面の複数の土台３０に対向し前記複数の第１位置とは異なる複数の第２位置に形成された複数の柱状スペーサ４２を含む。複数の柱状スペーサ４２の夫々は、複数の接点用突起４０の夫々と相互に同じ構成であり相互に同じ所定の高さを有している。複数の柱状スペーサ４２の夫々は、複数の接点用突起４０の夫々と、同じ材料を使用し同じ製造工程（光硬化性樹脂材料の塗布，露光，現像，そして硬化）により形成されている。従って、複数の柱状スペーサ４２の夫々と複数の接点用突起４０の夫々とは、相互に同じ寸法精度で第２基板１４ａの対向面の遮光膜３８上の複数の前記第１位置の夫々及び複数の前記第２位置の夫々に形成されているので、第２基板１４ａの対向面上の遮光膜３８、即ち第２基板１４ａの対向面、から相互に同じ高さＨで突出している。
【００８１】
そして、前述した如く前記各カラーフィルターの一部が遮光膜３８上にも形成される場合には、遮光膜３８上で複数の接点用突起４０及び複数の柱状スペーサ４２が形成される場所を避けるよう前記各カラーフィルターの一部が形成される。
【００８２】
第２基板１４ａの対向面における前述した液晶操作構造ＬＣＯの残部は、図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）中に図示されている如く、第２基板１４ａの対向面に形成されている全ての部材（即ち、遮光膜３８，複数の赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルター，複数の柱状スペーサ４２及び複数の接点用突起４０）を覆う対向電極４４を含む。第２基板１４ａの対向表面上の対向電極４４は、第１基板１２ａの対向面上の複数の画素電極２２と対向している。対向電極４４は透明な導電性材料を使用して形成されている。
【００８３】
対向電極４４は、図２の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）中に図示されている如く、第２配向膜４６に覆われている。しかしながら、第２基板１４ａの対向面からの突出高さが比較的高い複数の柱状スペーサ４２及び複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）では、第２配向膜４６の厚さが他の部分に比べ薄くなっている。
【００８４】
従って、適用当初の第２配向膜４６の外表面にラビング処理を含む配向処理を施すことにより、第２配向膜４６において複数の柱状スペーサ４２及び複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）上に位置する厚さが比較的薄い部分は、図２の（Ｂ）及び（Ｃ）中に図示されている如く、これらの上から取り除かれている。この結果として、対向電極４４において複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）上に露出された部分は、複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）を覆う接点電極４８としても機能することが出来る。
【００８５】
この実施形態において、第１基板ユニット１２は：第１基板１２ａ；第１基板１２ａの対向面上において液晶操作構造ＬＣＯの一部を構成している、複数の走査線１８，複数の信号線２０，複数の画素電極２２，複数の薄膜トランジスタ２４，前述した多層の透明絶縁層；第１基板１２ａの対向面上においてタッチ位置検出構造ＴＰＳの一部を構成している、複数の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａを夫々が伴った複数の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６，複数の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａを夫々が伴った複数の第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８；第１基板１２ａの対向面上において基板支持構造１６の一部を構成している複数の土台３０；そして第１基板１２ａの対向面上の第１配向膜３２、により構成されている。第１基板ユニット１２はＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板ユニットとも呼ばれ、単独で取り扱い可能である。
【００８６】
そして、第２基板ユニット１４は：第２基板１４ａ；第２基板１４ａの対向面上の遮光膜３８；第２基板１４ａの対向面上の例えば複数の赤色フィルター，緑色フィルター，そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルター；第２基板１４ａの対向面上において液晶操作構造ＬＣＯの残部を構成している対向電極４４；第２基板１４ａの対向面上においてタッチ位置検出構造ＴＰＳの残部を構成している複数の接点用突起４０及びその突出端面（先端）の接点用電極４８；第２基板１４ａの対向面上において基板支持構造１６の残部を構成している複数の柱状スペーサ４２；そして第２基板１４ａの対向面上の第２配向膜４６、により構成されている。第２基板ユニット１４はＣＦ（Color Filter）基板ユニットとも呼ばれ、単独で取り扱い可能である。
【００８７】
前述した如く構成された第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）１２及び第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）１４は、第１配向膜３２又は第２配向膜４６上の所定の範囲を枠状のシール部材により囲んだ後に、第２基板１４ａの対向面上の基板支持構造１６の複数の柱状スペーサ４２の突出端面（先端）を第１基板１２ａの対向面上の対応する複数の土台３０の突出端面（先端）３０ａ上に載置させられる。このことにより、第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）１２と第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）１４とは前述したシール部材により相互に接合され、第１基板１２ａと第２基板１４ａとは基板支持構造１６により相互間に所定の第１隙間ＣＬを介し相互に離間し相互に平行に支持される。この後、前記枠状のシール部材により囲まれたシール部に形成した液晶注入口を介し第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）１２と第２基板ユニット（ＣＦ基板ユニット）１４との間の空間で前記枠状のシール部材により囲まれた前述したシール部の所定の範囲に液晶が注入され、最後に前記液晶注入口が塞がれる。
【００８８】
この時、基板支持構造１６を提供している第２基板１４ａの対向面上の複数の柱状スペーサ４２と第１基板１２ａの対向面上の対応する複数の土台３０とは、第２基板１４ａの複数の接点用突起４０の夫々の突出端面（先端）における対向電極４４の部分である接点電極４８と第１基板１２ａにおける対応する第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ及び第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａとの間に所定の第２隙間（接点間隔）ＣＫを提供する。当然のことながら第２隙間（接点間隔）ＣＫは、第１基板１２ａと第２基板１４ａとの間に基板支持構造１６により設定された所定の第１隙間ＣＬよりも短い。
【００８９】
次に、図３の（Ａ）乃至図７の（Ｄ）を参照しながら、第１基板１２ａの対向面上における薄膜トランジスタ２４，第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａ及び第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａを含むタッチ位置検出構造ＴＰＳの一部，そして基板支持構造１６に共通の製造工程について説明する。
【００９０】
なお、図３乃至図７の夫々の（Ａ）では、図１中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において薄膜トランジスタ２４が順次形成される様子が、図１の断面線ＶＩＩＡ−ＶＩＩＡに沿った概略的な断面において示されている。
【００９１】
また、図３乃至図７の夫々の（Ｂ）では、図１中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において、図３乃至図７の夫々の（Ａ）の薄膜トランジスタ２４の製造と同時に同様に基板支持構造１６の土台３０が順次形成される様子が、図１の断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿った概略的な断面において示されている。
【００９２】
また、図３乃至図７の夫々の（Ｃ）では、図１中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において、図３乃至図７の夫々の（Ａ）の薄膜トランジスタ２４の製造と同時に同様に、第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａを含むタッチ位置検出構造ＴＰＳが順次形成される様子が、図１の断面線ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣに沿った概略的な断面において示されている。
【００９３】
また、図３乃至図７の夫々の（Ｄ）では、図１中に示されている接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０の第１基板１２ａの対向面において、図３乃至図７の夫々の（Ａ）の薄膜トランジスタ２４の製造と同時に同様に、第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａを含むタッチ位置検出構造ＴＰＳが順次形成される様子が、図１の断面線ＶＩＩＤ−ＶＩＩＤに沿った概略的な断面において示されている。
【００９４】
最初は図３の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第１基板１２ａの対向面上にフォトリソグラフィ法により導電材料を使用して走査線１８及び走査線１８に沿い延出している第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８が形成される。そして、図１中に示されている如く、走査線１８において複数の薄膜トランジスタ２４に対応した部分は薄膜トランジスタ２４の為のゲート線２４ｃを提供している。また図１中に示されている如く、第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８において第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａに対応した部分は第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの為の接続部分２８ｂを提供している。
【００９５】
次に、図４の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第１基板１２ａの対向面上には例えばＳｉＮｘを使用した透明な第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０が走査線１８及び第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８を覆うよう形成される。
【００９６】
次に、例えばａ−Ｓｉ層５２及びｎ＋ａ−Ｓｉ層５４が、部分的に例えばＳｉＮｘを使用した第２絶縁膜（チャネル保護層）５６を介して、積層される。
【００９７】
次に、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５４を覆うよう導電性金属膜５８が形成される。導電性金属膜５８は、図１中に示されている薄膜トランジスタ２４の近傍の信号線２０及び第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの近傍の第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６を提供している。
【００９８】
そして、図４の（Ｃ）中には、図１を参照しながら前述した第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６において第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａに対応した部分が提供している、第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの為の接続部分２６ｂが示されている。
【００９９】
ｎ＋ａ−Ｓｉ層５４及び導電性金属膜５８は、図１の断面線ＶＩＩＡ−ＶＩＩＡに沿った断面の一部を示している図４の（Ａ）中に示されている如く、画素電極２２に近い側（図４の（Ａ）中では右側）と画素電極２２から遠い側（図４の（Ａ）中では左側）とで２分割される。
【０１００】
ａ−Ｓｉ層５２，第２絶縁膜（チャネル保護層）５６，そしてこの様に２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４の積層の組み合わせは、薄膜トランジスタ２４のオーミックス層２４ｄを提供している。また、このように２分割された導電性金属膜５８は、画素電極２２に近い側（図４の（Ａ）中では右側）が図１中に示されている薄膜トランジスタ２４のドレイン線２４ａを、また画素電極２２から遠い側（図４の（Ａ）中では左側）が図１中に示されている薄膜トランジスタ２４において信号線２０から延びているソース線２４ｂを提供している。
【０１０１】
次に、図５の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、導電性金属膜５８を覆う例えばＳｉＮｘを使用した透明な第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０が形成される。
【０１０２】
ここで、図５の（Ａ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０において薄膜トランジスタ２４の対応部分においては、導電性金属膜５８のドレイン線２４ａに対応した位置にドレイン線２４ａを露出させる為のコンタクトホール６０ａが形成される。コンタクトホール６０ａは、図１中にも図示されている。
【０１０３】
また、図５の（Ｃ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０において第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの為の接続部分２６ｂに対応した部分に接続部分２６ｂを露出させる為のコンタクトホール６０ｂが形成される。コンタクトホール６０ｂは、図１中にも図示されている。
【０１０４】
さらに、図５の（Ｄ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０において第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの為の接続部分２８ｂに対応した部分に接続部分２８ｂを露出させる為のコンタクトホール６０ｃが形成される。コンタクトホール６０ｃは、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０と第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの為の接続部分２８ｂとの間に存在している第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０も貫通している。コンタクトホール６０ｃは、図１中にも図示されている。
【０１０５】
この段階で、図５の（Ａ）中に図示されている薄膜トランジスタ２４の対応部分においては：走査線１８のゲート線２４ｃ；ゲート線２４ｃに重なった第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０の部分；第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）５０の前記部分に重なった、ａ−Ｓｉ層５２，第２絶縁膜（チャネル保護層）５６，そして２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４を含む半導体の為のオーミックス層２４ｄ；オーミックス層２４ｄの２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４上のドレイン線２４ａ及びソース線２４ｂ：そしてドレイン線２４ａ及びソース線２４ｂを覆う第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０が、薄膜トランジスタ２４を提供している。
【０１０６】
次に、図６の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている如く、第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）６０を覆うよう例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の如き材料の透明な導電膜６２が形成される。
【０１０７】
導電膜６２は、図６の（Ａ）中に図示されている如く、ドレイン線２４ａを露出させる為のコンタクトホール６０ａ中にも形成されてドレイン線２４ａと電気的に接続される。導電膜６２はまた、図６の（Ｃ）中に図示されている如く、第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの為の接続部分２６ｂを露出させる為のコンタクトホール６０ｂ中にも形成されて接続部分２６ｂと電気的に接続される。導電膜６２はさらに、図６の（Ｄ）中に図示されている如く、第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの為の接続部分２８ｂを露出させる為のコンタクトホール６０ｃ中にも形成されて接続部分２８ｂと電気的に接続される。
【０１０８】
導電膜６２が形成された時点で、図６の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），そして（Ｄ）中に図示されている図１の（Ａ）の断面線ＶＩＩＡ−ＶＩＩＡに沿った薄膜トランジスタ２４の対応部分の断面，図１の（Ｂ）の断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿った土台３０の対応部分の断面，図１の（Ｃ）の断面線ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣに沿った第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａを含むタッチ位置検出構造ＴＰＳの断面，そして図１の（Ｄ）の断面線ＶＩＩＤ−ＶＩＩＤに沿った第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａを含むタッチ位置検出構造ＴＰＳの断面の夫々は、薄膜トランジスタ２４を形成する為の前述した製造方法よって第１基板１２ａの対向面上に共通して同時に形成されているので、第１基板１２ａの対向面からの高さは相互に同じである。
【０１０９】
次に、図１の（Ｂ）の断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿った土台３０の対応部分の断面を示している図６の（Ｂ）においては、導電膜６２の上にさらに、所定の高さになるまで例えばＳｉＮｘを使用した透明な第４絶縁膜（土台用絶縁膜）により高さ調整部分３０ｂが形成され、その頂点が土台３０の突出端面（先端）３０ａを提供している。
【０１１０】
最後に導電膜６２は、図１の（Ａ）の薄膜トランジスタ２４の対応部分では、図１の（Ａ）の断面線ＶＩＩＡ−ＶＩＩＡに沿った薄膜トランジスタ２４の対応部分の断面を示している図７の（Ａ）中に示されている如く、ドレイン線２４ａと電気的に接続されたコンタクトホール６０ａ中の部分及び薄膜トランジスタ２４に隣接した画素電極２２を提供する部分を除き削除される。
【０１１１】
また最後に導電膜６２は、図１の（Ｂ）の土台３０の対応部分では、図１の（Ｂ）の断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿った土台３０の対応部分の断面を示している図７の（Ｂ）中に示されている如く、高さ調整部分３０ｂに覆われている部分を除き削除される。
【０１１２】
また最後に導電膜６２は、図１の（Ｃ）の第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの対応部分及び第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の接続部分２６ｂでは、図１の（Ｃ）の断面線ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣに沿った第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの対応部分及び第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の接続部分２６ｂの断面を示している図７の（Ｃ）中に示されている如く、第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの対応部分及び第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａを第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）２６の接続部分２６ｂに電気的に接続させるコンタクトホール６０ｂ中の部分を除き削除される。
【０１１３】
さらに最後に導電膜６２は、図１の（Ｄ）の第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの対応部分及び第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の接続部分２８ｂでは、図１の（Ｄ）の断面線ＶＩＩＤ−ＶＩＩＤに沿った第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの対応部分及び第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の接続部分２８ｂの断面を示している図７の（Ｄ）中に示されている如く、第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの対応部分及び第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａを第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）２８の接続部分２８ｂに電気的に接続させるコンタクトホール６０ｃ中の部分を除き除去される。
【０１１４】
図１の（Ａ）の断面線ＶＩＩＡ−ＶＩＩＡに沿った薄膜トランジスタ２４の対応部分の最終的な断面を示す図７の（Ａ），図１の（Ｂ）の断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿った土台３０の対応部分の最終的な断面を示す図７の（Ｂ），図１の（Ｃ）の断面線ＶＩＩＣ−ＶＩＩＣに沿った第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの対応部分の最終的な断面を示す図７の（Ｃ），そして、図１の（Ｄ）の断面線ＶＩＩＤ−ＶＩＩＤに沿った第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの対応部分の最終的な断面を示す図７の（Ｄ）を見比べると、以下のことがわかる。
【０１１５】
即ち、第１基板１２ａの対向面から図７の（Ｃ）に示されている第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの突出端面（先端）までの高さ及び図７の（Ｄ）に示されている第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの突出端面（先端）までの高さは相互に同じである。第１基板１２ａの対向面から図７の（Ａ）に示されている薄膜トランジスタ２４の突出端面（先端）までの高さは、図７の（Ｃ）に示されている前述した第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの突出端面（先端）までの高さ及び図７の（Ｄ）に示されている第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの突出端面（先端）までの高さよりも、最後に薄膜トランジスタ２４の突出端面（先端）から除去された導電膜６２の厚さ分だけ低い。さらに、第１基板１２ａの対向面から土台３０の突出端面（先端）３０ａまでの高さは、図７の（Ｃ）に示されている前述した第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）２６ａの突出端面（先端）までの高さ及び図７の（Ｄ）に示されている第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）２８ａの突出端面（先端）までの高さよりも、最後に導電膜６２の上に形成された高さ調整部分３０ｂの突出端面（先端）３０ａまでの高さ分だけ高い。
【０１１６】
上述した接点内蔵型タッチ式液晶表示装置１０においては、対向電極４４を有した第２基板ユニット（ＣＦ（Color Filter）基板ユニット）１４は、遮光膜３８及び例えば赤色フィルター，緑色フィルター,そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターを有していてＣＦ（Color Filter）基板ユニットと呼ばれていたが、この発明の理念に従えば、第２基板ユニット１４は遮光膜３８及び例えば赤色フィルター，緑色フィルター,そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターを有していなくとも良いし、遮光膜３８のみを有していなくても良いし、さらには例えば赤色フィルター，緑色フィルター,そして青色フィルターを含む複数のカラーフィルターを有していなくとも良い。
【符号の説明】
【０１１７】
１０…接点内蔵型タッチ式液晶表示装置、
１２…第１基板ユニット（ＴＦＴ基板ユニット）、１２ａ…第１基板、１４…第２基板ユニット、１４ａ…第２基板、１６…基板支持構造、ＬＯＣ…液晶操作構造、ＴＰＳ…タッチ位置検出構造、１８…走査線、２０…信号線、２２…画素電極、２４…薄膜トランジスタ、２４ａ…ドレイン線、２４ｂ…ソース線、２４ｃ…ゲート線、２４ｄ…オーミックス層、２６…第１座標検出ライン（Ｘ座標検出ライン）、２６ａ…第１座標検出用接点（Ｘ座標検出用接点）、２８…第２座標検出ライン（Ｙ座標検出ライン）、２８ａ…第２座標検出用接点（Ｙ座標検出用接点）、３０…土台，３０ａ…突出端面、３０ｂ…高さ調節部分、３２…第１配向膜、３４，３６…偏光板、３８…遮光膜（ブラックマスク）、４０…接点用突起、４２…柱状スペーサ、４４…対向電極、４６…第２配向膜、４８…接点電極、５０…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、５２…ａ−Ｓｉ層、５４…ｎ＋ａ−Ｓｉ層、５６…第２絶縁膜（チャネル保護層）、５８…導電性金属膜、６０…第３絶縁膜（オーバーコート絶縁膜）、６０ａ…コンタクトホール、６０ｂ…コンタクトホール、６０ｃ…コンタクトホール、６２…導電膜、ＣＬ…第１隙間、ＣＫ…第２隙間（接点間隔）、Ｈ…高さ。
【図１】
0005500013.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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