(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている半導体ウエハーを、前記スクライブラインに沿ってダイシングする半導体ウエハーのダイシング方法であって、
前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工された半導体ウエハーを準備する半導体ウエハー準備工程と、
前記角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うダイシング工程と、
をこの順序で含み、
前記角部は、前記周縁部の断面形状がＬ字形状となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部の全周に渡って形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちの前記各スクライブラインに対応する領域のみに形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項５】
曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている半導体ウエハーを、前記スクライブラインに沿ってダイシングする半導体ウエハーのダイシング方法であって、
前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工された半導体ウエハーを準備する半導体ウエハー準備工程と、
前記角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うダイシング工程と、
をこの順序で含み、
前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項６】
曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている半導体ウエハーを、前記スクライブラインに沿ってダイシングする半導体ウエハーのダイシング方法であって、
前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工された半導体ウエハーを準備する半導体ウエハー準備工程と、
前記角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うダイシング工程と、
をこの順序で含み、
前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちの前記各スクライブラインに対応する領域のみに形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記角部は、前記周縁部が傾斜面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記角部は、前記周縁部の端面が垂直面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記半導体ウエハーは、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、炭化珪素半導体ウエハーであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、窒化ガリウム半導体ウエハーであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、
前記ダイシング工程は、前記ダイシングブレードを上方から垂直方向に下降させて前記半導体ウエハーの前記角部に切り込みを入れる動作を行いながら、前記半導体ウエハーを水平方向に移動させるようにしてダイシングを行うことを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硬度の高い半導体ウエハーのダイシングに好適な半導体ウエハーのダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などを半導体材料として用いた硬度の高い半導体ウエハー（以下、高硬度の半導体ウエハーともいう。）が知られている。このような高硬度の半導体ウエハーは、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーとして注目されているが、硬度が高いことから、ダイシング装置でダイシングを行う際、ダイシングブレードが容易には食い込んで行かず、破片が飛び散って、飛び散った破片によりダイシングブレードが破損してしまうといった不具合が生じるおそれがある。このため、これら高硬度の半導体ウエハーをダイシングする際には、ダイシングをし易くするために、従来から様々な工夫がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載された半導体ウエハーのダイシング方法は、半導体ウエハーの両面にダイシングテープを貼付した状態でダイシングを行うというものであり、これによれば、ダイシングしたときに、破片の飛散を防ぐことができるとしている。
【０００４】
ところで、このような高硬度の半導体ウエハー及びその他の一般的な半導体ウエハーは、周縁部が曲面状の面取り部となるように加工してあるものが多い。
【０００５】
図８は、周縁部が曲面状の面取り部となるように加工した半導体ウエハー９００のダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、図８は半導体ウエハー９００の周縁部の断面とダイシングブレード９２０との関係を示すものである。図８に示す半導体ウエハーのダイシング方法は、半導体ウエハー９００の周縁部に形成されている曲面状の面取り部９１０にダイシングブレード９２０を当接させて、図示しないスクライブラインに沿ってダイシングを行うものである。
【０００６】
図８に示すように、面取り部９１０は曲面状をなしており、ダイシングブレード９２０は、曲面状の面取り部９１０に当接した状態でダイシングを開始することとなる。なお、ダイシングブレード９２０は、矢印Ｒ方向に回転することによってダイシングを行うものとする。
【０００７】
このようなダイシング方法は、シリコン半導体ウエハーなど硬度の低い半導体ウエハーであれば、ダイシングブレードは面取り部に容易に食い込むことができるため、良好なダイシングが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１３０３１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図８に示すような半導体ウエハーのダイシング方法は、高硬度の半導体ウエハー（以下、炭化珪素を半導体材料として用いた炭化珪素半導体ウエハーを例にとって説明する。）をダイシングする場合においては、炭化珪素半導体ウエハーをそのままダイシングブレード９２０でダイシングしようとすると、ダイシングブレード９２０が曲面状の面取り部９１０に当接したときに、ダイシングブレード９２０が面取り部上で左右方向に滑ってしまい、ダイシングブレード９２０が炭化珪素半導体ウエハーに容易には食い込んで行かなくなる。その結果、炭化珪素半導体ウエハーの破片が飛び散って、飛び散った破片によりダイシングブレードが破損するといった不具合が生じる場合もある。
【００１０】
これに対処するために、例えば、特許文献１に記載された半導体ウエハーのダイシング方法、すなわち、ダイシングテープを半導体ウエハーの両面に貼付した状態でダイシングを行うという方法を採用し、ダイシングテープを曲面状の面取り部に貼付することが考えられる。
【００１１】
しかしながら、たとえ、ダイシングテープを曲面状の面取り部に貼付したとしても、ダイシングブレード９２０が、ダイシングテープを添付した面取り部９１０に当接したときに、面取り部が曲面状である限り、ダイシングテープ上でダイシングブレード９２０が左右方向に滑ってしまう可能性が高い。このため、ダイシングブレード９２０が炭化珪素半導体ウエハーに容易には食い込まず、結果として、炭化珪素ウエハーの破片が飛び散って、飛び散った破片によりダイシングブレードが破損してしまうといった不具合が生じるおそれがある。
【００１２】
このように、硬度の半導体ウエハーの周縁部が曲面状の面取り部となるように加工してあると円滑なダイシングが行えないという課題がある。
【００１３】
そこで、本発明は、硬度の高い半導体ウエハーを円滑にダイシング可能とする半導体ウエハーのダイシング方法および半導体ウエハーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
［１］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法は、曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている硬度の高い半導体ウエハーを、前記スクライブラインに沿ってダイシングする半導体ウエハーのダイシング方法であって、前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工された半導体ウエハーを準備する半導体ウエハー準備工程と、前記角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とする。
【００１５】
［２］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記周縁部が平滑な傾斜面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることが好ましい。
【００１６】
［３］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記周縁部の断面形状がＬ字形状となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることもまた好ましい。
【００１７】
［４］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記周縁部の端面が垂直面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることもまた好ましい。
【００１８】
［５］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部の全周に渡って形成されていることが好ましい。
【００１９】
［６］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみの周縁部のみに形成されていることもまた好ましい。
【００２０】
［７］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちの前記各スクライブラインに対応する領域のみに形成されていることもまた好ましい。
【００２１】
［８］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記半導体ウエハーは、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーであることが好ましい。
【００２２】
［９］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、炭化珪素半導体ウエハーであることが好ましい。
【００２３】
［１０］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、窒化ガリウム半導体ウエハーであることもまた好ましい。
【００２４】
［１１］本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記ダイシング工程は、前記ダイシングブレードを上方から垂直方向に下降させて前記半導体ウエハーの前記角部に切り込みを入れる動作を行いながら、前記半導体ウエハーを水平方向に移動させるようにしてダイシングを行う工程を含むことが好ましい。
【００２５】
［１２］本発明の半導体ウエハーは、曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている硬度の高い半導体材料を用いた半導体ウエハーであって、前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の半導体ウエハーのダイシング方法によれば、曲面状の面取り部に角部が形成されるように周縁部を加工しておくことにより、ダイシング開始時においては、ダイシングブレードがまずは角部に当接すなわち点接触して当該角部をダイシング開始位置としてダイシングを開始する。これにより、曲面状の面取り部上でダイシングを開始する場合のように、ダイシングブレードが曲面状の面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレードが半導体ウエハーに食い込みやすくなるため、硬度の高い半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。
【００２７】
また、本発明の半導体ウエハーによれば、曲面で構成される面取り部に角部が形成されているため、ダイシング開始時においては、ダイシングブレード３００がまずは角部に当接すなわち点接触して当該角部をダイシング開始位置としてダイシングを開始するようになる。このため、本発明の半導体ウエハーは、硬度の高い半導体ウエハーであっても、ダイシングを行う際に、ダイシングブレードが面取り部の表面上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレードが半導体ウエハーに食い込みやすくなるため、円滑なダイシングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを説明するために示す図である。
【図２】実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。
【図３】実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂを説明するために示す図である。
【図４】実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。
【図５】実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃを説明するために示す図である。
【図６】実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。
【図７】実施形態４に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄを説明するために示す図である。
【図８】周縁部が曲面状の面取り部となるように加工した半導体ウエハー９００のダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、下記に示す実施形態においては、硬度の高い半導体ウエハーとして、炭化珪素半導体ウエハーを例にとって説明する。
【００３０】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを説明するために示す図である。図１（ａ）は炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを表面側からみた場合の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるａ−ａ線矢視拡大断面図である。
【００３１】
実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａは、図１（ａ）に示すように、表面１１１にはｘ軸方向に複数本（６本とする。）のスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６が設けられているとともにｙ軸方向にも複数本（６本とする。）のスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６が設けられている。
【００３２】
また、実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａは、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、周縁部における上端側に全周に渡って平滑な傾斜面１２０が形成されている。図１（ａ）において灰色で示す領域は傾斜面１２０を示している。なお、傾斜面１２０は、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの周縁部にもともと設けられている面取り部（図８参照。）を加工することによって形成されるものである。
【００３３】
実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの周縁部をこのように加工することによって、傾斜面１２０の上部側と下部側とにそれぞれ角部（上部側の角部Ｃ１及び下部側の角部Ｃ２という。）が形成される（図１（ｂ）参照。）。
【００３４】
なお、図１（ａ）においては、ｘ軸方向に沿ったスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６及びｙ軸方向に沿ったスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６のうちのスクライブラインＬｘ３，Ｌｘ４，Ｌｘ５及びスクライブラインＬｙ３，Ｌｙ４，Ｌｙ５を示す符号「Ｌｘ３，Ｌｘ４，Ｌｙ５」及び「Ｌｙ３，Ｌｘ４，Ｌｙ５」が省略されている。これは、図３、図５及び図７においても同様である。
【００３５】
図２は、実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａのダイシングは、一般的な半導体ウエハーのダイシングと同様に、まずは、ダイシングを行う前段階の工程として、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの裏面１１２にダイシングテープ２００を貼付し、ダイシングテープ２００を貼付した炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを、図示しない円環状フレームに取り付けて、円環状フレームに取り付けられた炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを、図示しないダイシング装置のステージに真空吸着させるといった操作を行う。
【００３６】
なお、図２においては、円環状フレーム及びダイシング装置などの図示は省略し、ダイシングテープ２００を添付した炭化珪素半導体ウエハー１００Ａとダイシングブレード３００との関係のみを示している。
【００３７】
このようなダイシングを行う前段階の工程が終了したら、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを水平方向（図２における矢印ｂ方向）移動させることによって、ダイシングブレード３００によりダイシングを行う。このとき、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの周縁部には、傾斜面１２０における上部側の角部Ｃ１及び下部側の角部Ｃ２が形成されているため、ダイシングブレード３００は、まずは、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの角部（図２の例においては下部側の角部Ｃ２）に当接すなわち点接触し、当該角部Ｃ２をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。
【００３８】
これにより、実施形態１に係る半導体ウエハーのダイシング方法によれば、曲面で構成される面取り部上でダイシングを開始する場合（図８参照。）のように、ダイシングブレード３００が面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレード３００が炭化珪素半導体ウエハー１００Ａに食い込み易くなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。
【００３９】
［実施形態２］
図３は、実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂを説明するために示す図である。図３（ａ）は炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを表面側からみた場合の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるａ−ａ線矢視拡大断面図である。実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂも、実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａと同様に、表面１１１にはｘ軸方向に複数本（６本とする。）のスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６が設けられているとともにｙ軸方向にも複数本（６本とする。）のスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６が設けられている。
【００４０】
また、実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、周縁部の断面形状がＬ字形状となるような切り欠き部１３０が形成されている。図３（ａ）において灰色で示す領域は切り欠き部１３０を示している。この切り欠き部１３０は、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂの周縁部に設けられている面取り部（図８参照。）を加工することによって形成されるものである。
【００４１】
炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂをこのように加工することによって、Ｌ字形状の切り欠き部１３０の垂直方向側端部と水平方向側端部とにそれぞれ角部（垂直方向側端部の角部Ｃ１及び水平方向側端部の角部Ｃ２という。）が形成される（図３（ｂ）参照。）。
【００４２】
図４は、実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、実施形態２に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法においても、ダイシングを行う前段階の工程として、実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法と同様の工程を行う。なお、図４においても、円環状フレーム及びダイシング装置などの図示は省略し、ダイシングテープ２００を添付した炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂとダイシングブレード３００との関係のみを示している。
【００４３】
そして、ダイシングを行う前段階の工程が終了したら、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂを水平方向（図４における矢印ｂ方向）移動させることによって、ダイシングブレード３００によりダイシングを行う。このとき、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂの周縁部にはＬ字形状の切り欠き部１３０における垂直方向側端部の角部Ｃ１及び水平方向側端部の角部Ｃ２が形成されているため、ダイシングブレード３００は、まずは、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂの角部（図２の例においては水平方向側端部の角部Ｃ２）に当接すなわち点接触し、当該角部Ｃ２をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。
【００４４】
これにより、実施形態２に係る半導体ウエハーのダイシング方法によれば、曲面で構成される面取り部上でダイシングを開始する場合（図８参照。）のように、ダイシングブレード３００が面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレード３００が炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂに食い込み易くなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。
【００４５】
［実施形態３］
図５は、実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃを説明するために示す図である。図５（ａ）は炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを表面側からみた場合の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるａ−ａ線矢視拡大断面図である。実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃも実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａと同様に、表面１１１にはｘ軸方向に複数本（６本とする。）のスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６が設けられているとともにｙ軸方向にも複数本（６本とする。）のスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６が設けられている。
【００４６】
また、実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃは、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、周縁部には垂直面１４０が形成されている。この垂直面１４０は、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの周縁部に設けられている面取り部（図８参照。）を加工することによって形成されるものである。なお、垂直面１４０と炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃの表面１１１とのなす角度及び垂直面１４０と炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃの裏面１１２とのなす角度は、実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃにおいては、それぞれ直角としている。
【００４７】
炭化珪素半導体ウエハーをこのように加工することによって、炭化珪素半導体ウエハーにおける上端面側には全周に渡って直角の角部Ｃ１（上部側の角部Ｃ１という。）が形成されるとともに下端面側にも直角の角部Ｃ２（下部側の角部Ｃ２という。）が形成される（図５（ｂ）参照。）。
【００４８】
図６は、実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、実施形態３に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法においても、ダイシングを行う前段階の工程として、実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法と同様の工程を行う。なお、図６においても、円環状フレーム及びダイシング装置などの図示は省略し、ダイシングテープ２００を添付した炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃとダイシングブレード３００との関係のみを示している。
【００４９】
そして、ダイシングを行う前段階の工程が終了したら、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃを水平方向（図６における矢印ｂ方向）移動させることによって、ダイシングブレード３００によりダイシングを行う。このとき、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃの周縁部には直角の角部（上部側の角部Ｃ１及び下部側の角部Ｃ２）が形成されているため、ダイシングブレード３００は、まずは、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃの上部側の角部Ｃ１に当接すなわち点接触し、当該角部Ｃ１をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。
【００５０】
このように、ダイシング開始時においては、ダイシングブレード３００がまずは上部側の角部Ｃ１に当接すなわち点接触して当該角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うことにより、曲面で構成される面取り部上でダイシングを開始する場合（図８参照。）のように、ダイシングブレード３００が面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレード３００が炭化珪素半導体ウエハー１００Ｃに食い込みやすくなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。
【００５１】
［実施形態４］
上記各実施形態においては、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃにおける周縁部の全周に渡って角部を形成するようにしたが、必ずしも全周に渡って角部を形成する必要はなく、例えば、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部のみに形成するようにしてもよく、また、各スクライブラインに対応する領域のみに設けるようにしてもよい。なお、各スクライブラインに対応する領域に設ける場合、ダイシング開始側の周縁部内のスクライブラインに対応する領域のみに設けるようにしてもよい。
【００５２】
図７は、実施形態４に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄを説明するために示す図である。図７（ａ）は炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに角部を設けるようにした場合を示す図であり、図７（ｂ）はダイシング開始側の周縁部内に存在するスクライブラインに対応する領域のみに角部を設けるようにした場合を示す図である。なお、角部は、上記実施形態１に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ａと同様に、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄの周縁部を傾斜面１２０とすることによって形成されるものとする。
【００５３】
また、この場合、ダイシングを行う際の炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄの移動方向は上記した各実施形態と同様に、図示の左方向（矢印ｂ方向）であるとする。すなわち、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄを矢印ｂ方向に移動させたときに、ダイシングブレード３００（図７においては図示せず。）によりダイシングされるものとする。
【００５４】
実施形態４に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄにおいて、ダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに角部を形成する場合は、図７（ａ）に示すように、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄの周縁部における全周のうちのＰｓ〜Ｐｅまでの周縁部（領域Ａという。）を傾斜面とするように加工する。なお、図７（ａ）において灰色で示す領域は傾斜面となるよう加工した領域Ａであることを示している。
【００５５】
このように、領域Ａのみに角部を設けることにより、例えば、最初にｘ軸方向に沿ったスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６をダイシングし、続いて、ｙ軸方向に沿ったスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６をダイシングするといった順序でダイシングを行う場合においては、まずは、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄを、領域Ａ側からｘ軸方向の各スクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６を順次ダイシングし、ｘ軸方向のすべてのスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６をダイシングし終わったら、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄを、反時計方向に９０度回転させて、領域Ａ側からｙ軸方向に沿った各スクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６を順次ダイシングする。
【００５６】
この場合、領域Ａに対応する周縁部には角部（上部側に角部Ｃ１及び下部側の角部Ｃ２）が形成されているため、実施形態１において説明したように、ダイシングブレード３００（図７においては図示せず。）が炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄに食い込みやすくなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。
【００５７】
一方、実施形態４に係る炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄにおいて、ダイシング開始側の周縁部（領域Ａ）内に存在するスクライブラインに対応する領域のみに角部を設ける場合は、図７（ｂ）に示すように、ｘ軸方向のスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６に対応する領域Ａｘ１，Ａｘ２，・・・，Ａｘ６を傾斜面１２０とするように加工するとともに、ｙ軸方向のスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６に対応する領域Ａｙ１，Ａｙ２，・・・，Ａｙ６を傾斜面１２０とするように加工する。なお、図７（ｂ）において灰色で示す領域は、傾斜面１２０とするよう加工した領域であることを示している。
【００５８】
このように、ｘ軸方向のスクライブラインＬｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６に対応する領域Ａｘ１，Ａｘ２，・・・，Ａｘ６及びｙ軸方向のスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６に対応する領域Ａｙ１，Ａｙ２，・・・，Ａｙ６にそれぞれ傾斜面１２０を形成することにより、領域Ａｘ１，Ａｘ２，・・・，Ａｘ６及び領域Ａｙ１，Ａｙ２，・・・，Ａｙ６には、実施形態１において示したと同様の角部（上部側の角部Ｃ１及び下部側の角部Ｃ２）がそれぞれ形成される。
【００５９】
これにより、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄを矢印ｂ方向に移動させることによってダイシングを行う場合、実施形態１において説明したように、ダイシングブレード３００は、領域Ａｘ１，Ａｘ２，・・・，Ａｘ６及び領域Ａｙ１，Ａｙ２，・・・，Ａｙ６における下部側の角部Ｃ２に当接すなわち点接触し、当該角部Ｃ２をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。このため、ダイシングブレード３００は、炭化珪素半導体ウエハー１００Ｄに食い込みやすくなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。
【００６０】
なお、図７（ｂ）において、傾斜面であることを示す符号「１２０」、当該傾斜面１２０の上部側の角部及び下部側の角部であることを示す符号「Ｃ１」，「Ｃ２」は、図面の簡単化のため、領域Ａｘ１及びＡｙ１のみに付されているが、他の領域Ａｘ２，Ａｘ３，・・・，Ａｘ６及びＡｙ２，Ａｙ３，・・・，Ａｙ６においても同様の傾斜面１２０及び当該傾斜面１２０における上部側の角部Ｃ１、下部側の角部Ｃ２が形成されている。
【００６１】
また、図７（ｂ）において、ｘ軸方向のスクライブラインＬｘ５，Ｌｘ６に対応する領域Ａｘ５，Ａｘ６及びｙ軸方向のスクライブラインＬｙ１，Ｌｙ２に対応する領域Ａｙ１，Ａｙ２は、それぞれが近接しているため、これらをまとめて１つの領域として、当該領域全体を傾斜面１２０としてもよい。
【００６２】
また、領域Ａ（ダイシング開始側の周縁部）及び各スクライブラインに対応する領域Ａｘ１，Ａｘ２，・・・，Ａｘ６及び領域Ａｙ１，Ａｙ２，・・・，Ａｙ６は、炭化珪素半導体ウエハーの周縁部を傾斜面とする場合を例示したが、傾斜面ではなく、実施形態２で説明したようなＬ字形状の切り欠き部１３０であってもよく、また、実施形態３で説明したような垂直面１４０であってもよい
【００６３】
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
【００６４】
（１）上記各実施形態においては、ダイシングを行う際は、炭化珪素半導体ウエハー（炭化珪素半導体ウエハー１００Ａとする。）を水平方向に移動させることによってダイシングブレード３００によりダイシングを行うというように、ダイシングブレード３００に対して炭化珪素半導体ウエハーを水平方向に移動させることによってダイシングを行うものであったが、ダイシングの動作はこれに限られるものではない。例えば、ダイシングブレード３００を上下方向（垂直軸に沿った方向）に移動可能とする機構を設け、ダイシングを行う際は、まずは、ダイシングブレード３００を上方から垂直方向に下降させて炭化珪素半導体ウエハー１００Ａの角部に切り込みを入れる動作を行いながら、炭化珪素半導体ウエハー１００Ａを水平方向に移動させるようにしてダイシングを行うようにしてもよい。このようなダイシングの動作は、他の炭化珪素半導体ウエハー１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄにおいても同様に実施可能である。
【００６５】
（２）上記各実施形態においては、硬度の高い半導体ウエハーとして、炭化珪素半導体ウエハーを例にとって説明したが、炭化珪素半導体ウエハーに限られるものではなく、本発明は、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーに広く適用可能である。なお、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーとしては、上記実施形態で説明した炭化珪素半導体ウエハーだけではなく、窒化ガリウム半導体ウエハーなども含まれる。
【００６６】
（３）半導体ウエハーにおいて形成する角部は、上記実施形態で説明した形状に限られるものではなく種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ・・・炭化珪素半導体ウエハー、１１１・・・表面、１１２・・・裏面、１２０・・・傾斜面、１３０・・・切り欠き部、１４０・・・垂直面、２００・・・ダイシングテープ、３００・・・ダイシングブレード、Ａ・・・領域（ダイシングブレード開始側の周縁部）、Ｃ１，Ｃ２・・・角部、Ｌｘ１，Ｌｘ２，・・・，Ｌｘ６・・・ｘ軸方向のスクライブライン、Ｌｙ１，Ｌｙ２，・・・，Ｌｙ６・・・ｙ軸方向のスクライブライン、Ａｘ１，Ａｘ２，・・・，Ａｘ６・・・ｘ軸方向のスクライブラインに対応する領域、Ａｙ１，Ａｙ２，・・・，Ａｙ６・・・ｙ軸方向のスクライブラインに対応する領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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