(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ透光性導電層を具備した一対の透光性絶縁体シートにより、または、透光性導電層（複数）を具備した透光性絶縁体シートと透光性導電層を具備しない透光性絶縁体シートとにより、挟まれた領域が、
前記透光性導電層のそれぞれと個別に電気的に接続されたカソード電極とアノード電極とをそれぞれ具備する一以上の半導体発光素子と、透光性エラストマーとで充填されており、かつ
前記半導体発光素子のアノード電極及びカソード電極と前記透光性導電層との界面には前記透光性エラストマーが少なくとも部分的に存在し、前記アノード電極及びカソード電極表面上の凹部にも前記透光性エラストマーが充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子のカソード電極面およびアノード電極面のエラストマー被覆率がいずれも１０％以上９０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記透光性エラストマーのビカット軟化温度が８０℃以上１６０℃以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記透光性エラストマーの融解温度が１８０℃以上であるか、あるいはビカット軟化温度より４０℃以上高いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記透光性エラストマーの、引張貯蔵弾性率が０℃から１００℃の間で、０．０１ＧＰａ〜１０ＧＰａであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記透光性エラストマーのガラス転移温度が−２０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記透光性エラストマーがビカット軟化点において溶融していないか、もしくはビカット軟化点における、前記透光性エラストマーの引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記半導体発光素子のアノード電極およびカソード電極は、０．１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にある表面粗さＲａを有することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記透光性エラストマーがアクリル系エラストマーであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記透光性エラストマーが高分子材料の弾性体であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記透光性導電層が、導体薄膜、導電性微粒子を含む透明樹脂層、またはメッシュ電極である請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記透光性導電層が、導電材料のスパッタリング薄膜、または蒸着薄膜である請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記透光性導電層が、メッシュ電極層である請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記透光性導電層は、複数の透光性導電フィラーと前記透光性導電フィラーを接触させた状態で接着する透光性樹脂バインダーからなることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記透光性導電層中の前記透光性導電フィラーが、５０重量％以上９５重量％以下になることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記半導体発光素子のアノード電極およびカソード電極の少なくとも一方が、バンプ電極を介して対応する透光性導電層と接続されている請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１７】
前記透光性導電層のシート抵抗が１０００Ω／□以下である請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記透光性導電層の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１９】
発光装置内に外径が５００μｍ以上または半導体発光素子のチップサイズ以上である気泡が存在していないことを特徴とする請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項２０】
半導体発光素子の電極表面と、透光性導電体の透光性導電層の表面との間に、透光性エラストマーを配置した後、前記透光性エラストマーのビカット軟化温度より１０℃低い温度以上、３０℃高い温度以下の温度範囲で前記半導体発光素子と前記透光性導電体とを真空熱プレスすることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の発光装置を、表示装置、照明装置から選ばれる機器に用いることを特徴とする発光装置使用装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の引用】
【０００１】
本出願は、２０１３年３月２８日に出願した先行する日本国特許出願第２０１３−０６９９８８号と、２０１３年３月２８日に出願した先行する日本国特許出願第２０１３−０６９９８９号による優先権の利益に基礎をおき、かつ、その利益を求めており、その内容全体が引用によりここに包含される。
【技術分野】
【０００２】
本実施形態は、発光素子を実装した透光性発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
透光性発光装置は、発光素子に設けられた電極が、基材の透光性導電層に電気的に接続される。この接続方法としては、従来、ワイヤボンディング法が用いられてきたが、タッチパネルや発光装置のような透光性が要求される用途の接続法としては好ましくない。
これに対し、特許文献１、２、３、４および５には、発光装置の発光素子の接続方法として、ワイヤボンディング法を用いない方法が開示されている。【０００４】
また、特許文献３〜５に記載されるフレキシブルな透光性発光装置は、従来のフレキシブルでない透光性発光装置では実現できなかった曲面形状を実現することができる点で有用である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１７７１４７号公報
【特許文献２】特開２００２−２４６４１８号公報
【特許文献３】特表２００７−５３１３２１号公報
【特許文献４】特表２００９−５１２９７７号公報
【特許文献５】特開２０１２−８４８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、フレキシブルな透光性発光装置の用途として、自動車、列車、船舶、航空機等の窓や外装に透光性発光装置を使用することを考えると、広い温度範囲での、また繰り返し応力付加下での信頼性が求められる。前記のような繰り返し環境条件および使用条件をクリアーする信頼性がなければフレキシブルな透光性発光装置の用途は極めて限られたものとなる。こうした観点から、特許文献３、４、５に記載された発光装置は実際上の用途が極めて限定され、かつ信頼性が欠落していた。【０００７】
また、特許文献３、４および５に記載された発光装置は、製造の際に加えられる圧力により、発光素子の表面に形成された電極のエッジや電極の表面の凹凸形状、発光素子の基板と活性層の端面での段差などと、透光性導電体の透光性導電層とが当接することにより、透光性導電体の透光性導電層にクラックが生じたり透光性導電層が破断したりするおそれがあり、断線不良が発生して、製品歩留りが低下して製造コストがかさむという問題があった。さらに、特許文献３、４、５に記載された発光装置は、製造時に透光性導電体の透光性導電層に微細な亀裂が入っている場合が多いため、製造直後は発光していても、屈曲や、熱サイクルを加えると不点灯になるという信頼性上の課題があった。【０００８】
さらに、特許文献４、５に記載された発光装置は、透光性導電層とＬＥＤ電極間の接触が十分でないために、耐屈曲性に乏しいとともに、熱サイクル後の信頼性に問題があった。【０００９】
本実施形態は、上記事情に鑑みてなされたものであり、製造時又は使用時の耐屈曲性又は熱サイクル特性に優れ、あるいは、屈曲や熱負荷に対して点灯を維持できる発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、発光素子として、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）のチップの電極層と透光性導電層間に透光性エラストマーを配置したときに、その透光性エラストマーが存在する面積の、ＬＥＤチップの電極面積に対する比率や、ＬＥＤチップの電極層表面の凹凸の凹部に存在する透光性エラストマーと、発光装置の耐屈曲性との関係を発見した。同時に、本発明者は、ＬＥＤチップの電極層と透光性導電層間に透光性エラストマーが存在する面積の、ＬＥＤチップの電極面積に対する比率や、ＬＥＤチップの電極層表面の凹凸の凹部に存在する透光性エラストマーと、発光装置の耐熱サイクル性との関係も発見した。なお、本明細書で耐屈曲性とは、フィルム又はシート状の製品や材料を一定の曲率で折り曲げ又は屈曲の繰り返しを行ったとき、亀裂・破断・断線等の劣化現象が生じ難い性質を指している。【００１１】
実施形態の発光装置は、上記問題点を解決するものであり、それぞれ透光性導電層を具備した一対の透光性絶縁体シートにより、または、透光性導電層（複数）を具備した透光性絶縁体シートと透光性導電層を具備しない透光性絶縁体シートとにより、挟まれた領域が、
前記透光性導電層のそれぞれと個別に電気的に接続されたカソード電極とアノード電極とをそれぞれ具備する一以上の半導体発光素子と、透光性エラストマーとで充填されており、かつ
前記半導体発光素子のアノード電極及びカソード電極と前記透光性導電層との界面には前記透光性エラストマーが少なくとも部分的に存在し、前記アノード電極及びカソード電極表面上の凹部にも前記透光性エラストマーが充填されていること
を特徴とする。ここで、「半導体発光素子」は、半導体からなる発光層に、発光層と電気的に接続された電極対間で形成された電界（電流）を印加して発光させる素子を総称するものであり、発光ダイオード（ＬＥＤ）が代表的であるが、これに限るものではなく、有機ＥＬ素子及びレーザーダイオードを含み得る。【００１２】
実施形態の発光装置の製造方法は、上記問題点を解決するものであり、半導体発光素子の電極表面と、透光性導電体の透光性導電層の表面との間に、透光性エラストマーを配置した後、前記透光性エラストマーのビカット軟化温度より１０℃低い温度以上、３０℃もしくは２０℃高い温度以下の温度範囲で前記半導体発光素子と前記透光性導電体とを真空熱プレスすることを特徴とする。
実施形態の発光装置使用装置は、上記問題点を解決するものであり、前記発光装置を備えることを特徴とし、代表的には、照明装置や表示装置を構成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明が適用された一実施形態によれば、透光性導電層を具備した透光性絶縁体シートからなる透光性導電体の透光性導電層にクラック又は破断が生じにくく耐屈曲性又は熱サイクル特性に優れ、あるいは透光性発光装置内に気泡が残にくい発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置が得られる。【００１４】
具体的には、ＬＥＤチップと透光性導電層の間に透光性弾性体であるエラストマーを挟んで、真空下で熱プレスすることで透光性エラストマーと透明導電体間の接着効果と共に、透光性導電層のクラックや破断を防止すると共に、ＬＥＤの電極面と透光性導電層の間にエラストマーが部分的に入り込んでいることによる機械的接合効果があり、発光装置の強い屈曲時や発光装置への熱サイクル付与時に、透光性導電層にクラックや破断が生じにくく、また透光性導電層とＬＥＤチップの電極層との接触が充分に維持されることにより、透光性導電層の電気的な接続信頼性が十分にあるため、強い屈曲時や熱サイクル付与時でも点灯を維持できる発光装置および発光装置使用装置が得られる。同時に、エラストマーが溶融せず、低粘度化しない状態で加工するため、真空引きした状態で加工でき、透光性発光装置内に気泡が残こらならい。真空引きせずに、大気圧下や低真空下で熱プレスすると、発光装置内の特にＬＥＤチップの周囲に気泡が残り、この気泡は加圧されているため、熱プレス後に膨れて、ＬＥＤチップ電極と透光性導電層の剥離をもたらす。また、ＬＥＤチップと透光性導電層の間に挟んだ弾性体であるエラストマーが、熱プレス時に溶融していたり、低粘度化していると、ＬＥＤチップの位置がずれたり、傾いてしまい、意図していた通りの電気接合が得られなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態の発光装置の断面図。
【図２】図１の部分拡大図。
【図３】図２のＡ１部分の部分拡大図。
【図４】第１の実施形態の発光装置の断面走査型電子顕微鏡写真の一例。
【図５】ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電体２０Ａとの間を剥離したときの、第１の電極層１５Ａ側の表面を示す走査型電子顕微鏡写真の一例。
【図６】ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電体２０Ａとの間を剥離したときの、第１の電極層１５Ａ側の表面の元素マッピング分布像であり、図６（Ａ）は、第１の実施形態の発光装置である実施例３の、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電体２０Ａとの間を剥離したときの、第１の電極層１５Ａ側の表面を示す走査型電子顕微鏡写真であり、図６（Ｂ）は、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によるカーボンの元素マッピング写真であり、図６（Ｃ）は、ＥＤＸによるスズの元素マッピング写真。
【図７】第１の実施形態の発光装置の製造方法を説明する図。
【図８】発光装置の製造例１を説明する図。
【図９】発光装置の製造例２を説明する図を説明する図。
【図１０】製造例１で作製した発光装置９０の断面の部分拡大図。
【図１１】図１０のＢ１部分の部分拡大図。
【図１２】製造例１で作製した発光装置９０の発光装置９０の断面写真の一例。
【図１３】製造例２で作製した発光装置９０の発光装置９０Ａの断面写真の一例。
【図１４】第２の実施形態の発光装置の断面図。
【図１５】第２の実施形態の発光装置で用いられるＬＥＤチップの断面図。
【図１６】第２の実施形態の発光装置の製造方法を説明する図。
【図１７】バンプ電極を含む片面電極型発光装置例の模式断面図。
【図１８】バンプ電極を含む片面電極型発光装置例の模式断面図。
【図１９】パッド電極上に形成するＡｕバンプの形状例を示す側面図。
【図２０】片面電極型発光装置におけるバンプ電極の配置例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施形態の発光装置は、ＬＥＤチップの電極層の表面と透光性導電体の透光性導電層に間に透光性エラストマーが存在し、ＬＥＤチップの電極層の表面の凹凸形状の凹部と、透光性導電体の透光性導電層の表面との間の隙間に、透光性エラストマーが入り込んでいるとともに、ＬＥＤチップの電極層と透光性導電体の透光性導電層とが電気的に接続されているものである。
【００１７】
本明細書で記載している、厚さ、高さ、距離などの寸法は全て、室温が２０℃±２℃の部屋に１時間以上静置してから、光学的等の非接触法で測定した値であるか、電子顕微鏡、光学顕微鏡を用い、較正された基準となる長さと比較する方法で測定した値である。
【００１８】
実施形態の発光装置は、ＬＥＤチップの電極層の表面と透光性導電体の透光性導電層の表面との間の隙間に貯蔵弾性率が比較的高い、透光性エラストマー層が形成されることにより、強い屈曲時や熱サイクル付与時に、透光性導電層にクラックや破断が生じにくく、また透光性導電層とＬＥＤチップの電極層との接触が充分に維持されることにより、透光性導電層の電気的な接続信頼性が十分にあるため、強い屈曲時や熱サイクル付与時でも点灯を維持できる。
図面を参照して実施形態の発光装置について説明する。はじめに、第１の実施形態の発光装置について説明する。
【００１９】
［発光装置］
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の発光装置の要部断面図である。
発光装置１は、ＬＥＤ本体１１の表裏両方の表面に第１および第２の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）が形成されたＬＥＤチップ１０と、透光性基体２１と、この透光性基体２１の表面に形成された透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）とを有し、ＬＥＤチップ１０をそれぞれ覆う第１および第２の透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）と、ＬＥＤチップ１０の周囲１３と、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａ側の表面および透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂ側の表面とに接合している透光性エラストマー層３０と、を備える。
【００２０】
発光装置１は、要するに、ＬＥＤチップ１０を、２枚の透光性導電体２０Ａ、２０Ｂで挟み、ＬＥＤチップ１０と透光性導電体２０Ａ、２０Ｂとを透光性エラストマー層３０で接合したものである。
【００２１】
＜ＬＥＤチップ＞
図２は、図１の部分拡大図である。図３は、図２のＡ１部分の部分拡大図である。図４は、第１の実施形態の発光装置の断面走査型電子顕微鏡写真の一例である。なお、図４において、符号９５は測定試料である発光装置１を固定するための断面観察用固定樹脂であり、発光装置１を構成するものではない。
【００２２】
ＬＥＤチップ１０は、ＬＥＤの半導体発光層に相当する（積）層構成を有するＬＥＤ本体１１の表裏両方の表面に第１の電極層としての電極層１５Ａおよび第２の電極層としての電極層１５Ｂが形成されたものである。
【００２３】
ＬＥＤ本体１１は、ＧａＡｓやＳｉやＧａＰ等からなる半導体基板４１上に、Ｎ型半導体層４２およびＰ型半導体層４４を有するとともに、Ｎ型半導体層４２とＰ型半導体層４４との間に発光層４３が形成されている。半導体基板４１の表面およびＰ型半導体層４４の表面は、それぞれＬＥＤ本体１１の表面７１を構成している。ここで、ＬＥＤ本体１１の表面７１のうち、半導体基板４１の表面をＬＥＤ本体１１の第１の表面７１Ａといい、Ｐ型半導体層４４の表面をＬＥＤ本体１１の第２の表面７１Ｂという。第２の表面７１Ｂは、ＬＥＤチップ１０の発光面８５になっている。Ｐ型半導体層４４の表面には透明電極層が形成されていてもよい。この場合はこの透明電極層が第２の表面７１Ｂになる。
【００２４】
電極層１５Ａは、ＬＥＤ本体１１の第１の表面７１Ａ、すなわち半導体基板４１の表面に形成され、半導体基板４１を通して、Ｎ型半導体層４２と電気的に接続された基板側電極層である。電極層１５Ｂは、ＬＥＤ本体１１の第２の表面７１Ｂ、すなわちＰ型半導体層４４の表面に形成され、Ｐ型半導体層４４と電気的に接続された発光側電極層である。発光側電極層である電極層１５Ｂは、電極層１５Ａよりも発光層４３に近い側に設けられる。なお、半導体基板４１表面に反射膜が形成されていてもよい。
【００２５】
基板側電極層である電極層１５Ａ（この例ではカソード）は、例えばＡｕからなり、その厚さは、通常０．１〜２μｍ、好ましくは０．３〜１μｍである。発光側電極層である電極層１５Ｂ（この例ではアノード）は、例えばＡｕ  からなり、その全体の厚さ、すなわち電極層１５Ｂの側壁１７の高さは、通常０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜１０μｍである。
基板側電極層である電極層１５Ａは、ＬＥＤ本体１１の表面のうち、透光性導電体２０Ａ側の第１の表面７１Ａのほぼ全面に形成される。
【００２６】
発光側電極層である電極層１５Ｂは、発光を妨げないように、ＬＥＤ本体１１の第２の表面７１Ｂの、例えば１０〜３０％と、より小さい面積で形成される。言い換えれば、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ｂの表面の面積は、この電極層１５Ｂが形成されたＬＥＤ本体１１の第２の表面７１Ｂの面積より小さくなっている。なお、ＬＥＤ本体１１と電極層１５Ｂの間に透明電極層が存在していてもよい。
【００２７】
なお、電極層１５Ａが形成される基材としての半導体基板４１の第１の表面７１Ａには、一般に凹凸形状が形成され、その上に積層される電極層１５Ａに対応する凹凸形状４５が付与されて、隣接層との接合性の向上が図られている。  この電極層１５Ａの表面の凹凸形状４５は、電極層１５Ａの凹部４６と凸部４７からなる。
電極層１５Ａの凹凸形状４５は、一般に隣接導電層との密着性向上のために付与され、表面粗さＲａ（測定法は後述）が通常１〜５μｍである。
なお電極層１５Ｂの表面の凹凸形状（図示せず）は、通常、表面粗さＲａが０．１μｍ以上１μｍ以下である。
【００２８】
これらの凹凸形状は、凹部と凸部が連続して形成された形状であってもよいし、エンボス加工で形成されるように凹部と凸部が断続的に形成された形状であってもよい。
電極層１５Ａ，１５Ｂの表面の凹凸形状の表面粗さＲａは、０．１μｍ〜１０μｍであればよい。
【００２９】
ＬＥＤチップ１０の半導体基板４１、Ｐ型半導体層４４およびＮ型半導体層４２の構造と材質、ならびにＬＥＤチップ１０の特性は、所望の発光特性が得られる限り、特に限定されない。また、半導体基板がＰ型あるいはＮ型であること及び／または、Ｐ型半導体層４４とＮ型半導体層４２とが上下逆になることも可能である。ただし、発光効率の観点から、基板の半導体型と、隣接半導体層の型とが逆にならないことが望ましい。
【００３０】
ＬＥＤチップ１０としては、たとえば、赤色や橙色の光を放出するＬＥＤチップが用いられるが、他の発光色のＬＥＤ、複数種の発光色のＬＥＤの組合せであってもよい。
ＬＥＤチップ１０の厚さ(高さ)は、特に制限されないが、例えば、通常９０〜２９０μｍである。またその表面寸法は、当然に、発光装置全体に占めるその表示素子単位としての要請により多様に変化し得るものであるが、通常０．０４μｍ２〜２．２５ｍｍ２の範囲にある。
【００３１】
＜透光性導電体＞
透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）は、可撓性を有する透光性基体２１（２１Ａ、２１Ｂ）と、この透光性基体２１の表面に形成された透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）とを有する。透光性導電体２０は、透光性導電層２５がＬＥＤチップ１０の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）と導通するようにＬＥＤチップ１０を挟んでいる。透光性導電層２５には、１個以上の同一種または複数種のＬＥＤチップ１０を駆動する配線パターンが形成されている。
【００３２】
すなわち、透光性導電体２０は、透光性導電層２５ＡがＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａの表面と導通するようにＬＥＤチップ１０を覆う第１の透光性導電体２０Ａと、透光性導電層２５ＢがＬＥＤチップ１０の第２の電極層１５Ｂの表面と導通するようにＬＥＤチップ１０を覆う第２の透光性導電体２０Ｂとからなる。
【００３３】
［透光性基体］
透光性基体２１は、透光性および可撓性を有する基体であり、シート状になっている。なお、透光性基体２１は、透光性および可撓性を有する基体である限り、立体曲面等を有するシート状であってもよい。
【００３４】
透光性基体２１の全光透過率（日本工業規格ＪＩＳＫ７３７５：２００８に準拠して測定した全光透過率）は、通常９０％以上でより好ましくは９５％以上であり、本発明の発光装置の全光透過率が、通常１％〜８０％、更に５〜７０％の範囲内になるようにすることがより好ましい。全光透過率が高いほど発光装置の光度が高くなり好ましいが、一方で全光透過率が８０％を超えると透光性導電体の配線パターンが明瞭に見えるようになり好ましくない。また、全光透過率が１％未満になるとＬＥＤが輝点として認識できなくなるため好ましくない。
【００３５】
透光性基体２１は、曲げ弾性率（ＩＳＯ１７８（ＪＩＳ  Ｋ７１７１：２００８）による測定値）が１５０ｋｇｆ／ｍｍ２以上、好ましくは２００〜３２０ｋｇｆ／ｍｍ２のものが用いられる。透光性基体２１の曲げ弾性率が１５０ｋｇｆ／ｍｍ２以上３２０ｋｇｆ／ｍｍ２以下であると、発光装置１にも好ましい可撓性が付与される。
【００３６】
透光性基体２１に用いられる材質としては、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンサクシネート（ＰＥＳ）、ＪＳＲ社製アートン（ＡＲＴＯＮ、登録商標）、アクリル樹脂等が用いられる。透光性基体２１の厚さは、例えば、通常５０〜３００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍである。
【００３７】
［透光性導電層］
透光性導電層としては、特に限定されないが、たとえば、複数個の透光性導電フィラと隣接する透光性導電フィラ同士を接触させた状態で接着する透光性樹脂バインダとからなる厚膜、スパッタリングや蒸着で形成した導電材料の薄膜、銀系微粒子などの非透光性の導電体を含むメッシュ電極等を用いることができる。透光性導電層２５は、透光性基体２１の表面に形成された、透光性を有するとともに導電性を有する層である。透光性導電層２５は、透過率が通常１０〜８５％である。
【００３８】
即ち、透光性導電層２５としては、（１）ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透光性導体の、スパッタリング、蒸着等により形成した導体薄膜、（２）上述したＩＴＯ、ＺｎＯ等の透光性導体の微粒子を透光性樹脂（例えば紫外線硬化性アクリル樹脂）中に分散させたスラリーの塗布硬化樹脂膜、（３）例えばＡｇのような非透光性導電材料の感光性化合物、例えばハロゲン化銀の塗布、露光・現像処理によるパターン化、Ａｇ系あるいはＡｕ系微粒子等のスクリーン印刷によるパターン化、あるいはＡｇ，Ｃｕ等の非透光性良導体のスパッタ法や電子ビーム蒸着膜のレーザー照射、フォトエッチング等によるパターン化により形成したメッシュ電極、等が挙げられる。これらのうち、（１）は安定な導電性を有する薄膜電極が簡便に形成できる利点があるが、隣接する透光性エラストマーとの接着性が若干劣るため、得られる発光装置の耐屈曲性（その評価方法は後述する）に比べて劣る傾向がある。これに対し（２）及び（３）は耐屈曲性の良好な発光装置を与え、（２）は特にその効果が良好であるが、比較的高温（例えば約１００℃）の長時間放置で導電性が変化する難点がある。（３）は耐屈曲性と導電安定性のバランスが良いが、加工の手間ならびに得られる導電性のレベルが低い傾向がある。したがって、得られる発光装置の使用目的、使用態様等により、これらを適宜選択することが好ましい。
【００３９】
かくして得られる透光性導電層２５は、一般に、全光透過率が１０〜８５％、シート抵抗（測定法は後述）が１０００Ω／□以下とすることが好ましい。特に上述した（１）〜（３）の特徴を考慮すると、（１）導体薄膜は、厚さ０．０５〜２μｍとして、１００〜５００Ω／□、特に１０〜５０Ω／□のシート抵抗とすることが好ましい。
【００４０】
また（２）導電性微粒子分散の塗布型透光性導電層は、平均粒径（レーザー回折法ＩＳＯ１３３２０−１（ＪＩＳ  Ｚ８８２５−１）による測定平均値）が１０〜２００ｎｍ，特に２０〜１００ｎｍで、アスペクト比（長径／短径あるいは厚さ）が２以上の棒状あるいは板状のＩＴＯ、ＺｎＯ等の透光性導体の微粒子（フィラー）を、アクリル樹脂等の、全光透過率が８０％以上、特に８５〜９９％の透光性バインダーに、５０重量％以上、９５重量％もしくは９０重量％以下の割合で分散させた、厚さ０．５〜１０μｍ、特に１〜５μｍの塗膜とし、１００〜５００Ω／□、特に１０〜５０Ω／□のシート抵抗とすることが好ましい。
このような導電性微粒子分散型透光性導電層が、上記シート抵抗で代表される導電性を有するのは、透光性樹脂バインダー中に分散された導電性微粒子（フィラー）（複数）が、互いに接触した状態で存在することによる。このためには、透光性導電フィラーが、透光性導電層中に５０重量％以上９５重量％以下の割合で存在することが好ましい。
【００４１】
塗膜型透光性導電層２５の厚さが０．５μｍ未満であると、透光性導電層２５が導電性のない透光性樹脂バインダを含むため、透光性導電層２５のシート抵抗が過大になるおそれがある。また、透光性導電層２５の厚さが０．５μｍ未満であると、透光性導電層２５の強度および追従性が低下することから、透光性導電層２５がＬＥＤチップ１０の電極層１５の角部等のエッジを有する部位に沿って大きく屈曲するときに透光性導電層２５が破断するおそれがある。一方、透光性導電層２５の厚さが１０μｍを超えると、膜厚が大きすぎるため形成が困難になるとともに屈曲等により破壊するおそれがある。
透光性導電層２５は、複数個の透光性導電フィラを透光性樹脂バインダで接着しているため、透光性導電層２５全体が耐屈曲性または変形追従性を有する。
【００４２】
他方、（３）メッシュ型電極からなる透光性導電層は、ＡｕやＡｇ等の非透光性良導電体の断面積相当径が２〜２０μｍ、目開き１００〜１０００μｍのメッシュを形成することにより、１０〜８５％の全光透過率、０．１〜５０Ω／□、特に０．１〜１０Ω／□のシート抵抗とすることが好ましい。
メッシュ電極を構成するＡｕ等は、非透光材料であるが、メッシュ電極を構成する面積割合が小さいので、メッシュ電極全体としては透光性となり、上記のような全光透過率を与えるものである。
【００４３】
上記（１）〜（３）のいずれかの構成による透光性導電層２５は、レーザー加工やエッチング処理等によりＮ型半導体層４２上の電極層（カソード）１５Ａに接続される導電層２５ＡあるいはＰ型半導体層４４上の電極層（アノード）１５Ｂに接続される導電層２５Ｂにパターン化される。
【００４４】
＜透光性エラストマー層＞
透光性エラストマー層３０は、エラストマーからなり、ＬＥＤチップの周囲１３と、透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）側の表面とに接着して、ＬＥＤチップ１０と透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）とを接着する。
【００４５】
具体的には、透光性エラストマー層３０は、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａ側と透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂ側とでＬＥＤチップ１０を挟み込んだ状態で、透光性導電体２０Ａと透光性導電体２０Ｂとの間に形成されかつＬＥＤチップの周壁１３の周囲に形成される空間を充填するように形成される。
【００４６】
より具体的には、透光性エラストマー層３０は、ＬＥＤチップ１０の電極層１５の表面の凹凸形状４５の凹部４６と、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａの表面２６との間に形成された隙間空間４８にも充填される。このように隙間空間４８にも透光性エラストマー層３０が充填されると、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａにクラックが生じることがなくなり、かつＬＥＤチップ１０の電極層１５と透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａとが強固に接着されることから発光装置１を強く屈曲させたり熱サイクルをかけたりしても電気的接続が強固に保たれる。すなわち、発光装置１を強く屈曲させたり熱サイクルを与えたりしても、発光装置１の点灯を維持できるため好ましい。
【００４７】
図５は、ＬＥＤチップ１０のＡｕからなる第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電体２０Ａとの間を剥離したときの、第１の電極層１５Ａ側の表面を示す走査型電子顕微鏡写真の一例である。
【００４８】
図５に示されるように、剥離後のＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａの表面には、電極層１５Ａの表面の凹凸形状に沿って、またそれ以上に透光性エラストマー層３０が強く固着していることが分かる。図６は、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電体２０Ａとの間を剥離したときの、第１の電極層１５Ａ側の表面の元素マッピング分布像である。図６に示されるように、第１の実施形態の発光装置の、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電体２０Ａとの間を剥離したときの、第１の電極層１５Ａ側の表面を示す走査型電子顕微鏡写真（図６（Ａ））、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によるカーボンの元素マッピング写真（図６（Ｂ））、ＥＤＸによるスズの元素マッピング写真（図６（Ｃ））をみると、ＬＥＤ１０の第１の電極層１５Ａの表面にカーボン元素（エラストマー３０由来）が多く観察される領域にはスズ元素（ＩＴＯ分散導電層２５Ａ由来）が殆ど観察されず、逆にスズ元素が多く存在する場所にはカーボン元素が少ししか観察されないことがわかる。なお、図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）の倍率は２５０倍、電子線の加速電圧が１５．０ｋＶであり、写真図６（Ａ）の上部の数字はＳＥＭ２次電子画像の濃淡を示し、写真図６（Ｂ）と図６（Ｃ）の上部に数字で示されている濃淡は観察面における元素Ｃ（炭素）およびＳｎ（スズ）の原子％を示している。なお、図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は、実際の測定時にはカラー写真で観察することができ、前記原子％は写真の濃淡ではなく色の変化で判別することが可能になっている。
【００４９】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）において、スズが多くカーボンが殆ど観察されない領域は、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと、第１の透光性導電層２５Ａ（主に第１の透光性導電層２５Ａに含まれる透光性導電フィラＩＴＯ）とが直接接触していた領域（領域ａ）である。ここで、図６（Ｃ）で観測されたスズは、第１の電極層１５Ａと第１の透光性導電層２５Ａとの剥離時に、スズを含む透光性導電フィラが第１の電極層１５Ａに転写したことを示すものである。これらの結果より、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと第１の透光性導電層２５Ａとが良好な電気的接続をしていたことが分かった。
【００５０】
一方、図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）において、ＬＥＤ１０の第１の電極層１５Ａの表面にカーボンが多く存在してスズが殆ど観察されない領域は、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと第１の透光性導電層２５Ａとの間に透光性エラストマー層３０が入り込んで、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと第１の透光性導電層２５Ａとの間を機械的に接合させている領域（領域ｂ）である。このように本発明の発光装置では、ＬＥＤチップ１０の第１の電極層１５Ａと第１の透光性導電層２５Ａとの間に領域ａと領域ｂが共存していることで電気的接続と機械的接合が共に良好に維持されていることが分かった。
【００５１】
また、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ｂの表面には、通常、電極層１５Ａの表面の凹凸形状４５よりも微小な凹凸形状が見られるが、この電極層１５Ｂの表面の微小な凹凸形状と、透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂの表面との間に形成される微小な隙間空間にも透光性エラストマー層３０が形成される。さらには、電極層１５Ｂ側では電極層の中心付近は透光性エラストマーが豊富に存在しており、電極周辺部は電極と透光性導電層が直接接触していた痕跡が明瞭に観察される。このように透光性導電層２５Ｂの表面の微小な隙間空間にも透光性エラストマー層３０が形成され、それ以外の領域でも透光性エラストマーがある程度存在していると、透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂにクラックが生じるおそれが少なくなり、かつＬＥＤチップ１０電極層１５と透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂを強固に接着するため屈曲させたり熱サイクルをかけたりしても電気的接続が強固に保たれるため好ましい。すなわち、発光装置１を強く屈曲させたり熱サイクルを与えたりしても、発光装置１の点灯状態を維持できるため好ましい。
【００５２】
本発明者は、発光装置の透光性導電体とＬＥＤチップを剥離させた後、ＥＤＸで観察したＬＥＤ電極１５Ａおよび１５Ｂのいずれにおいても、カーボンの面分析でカーボンの原子％が５０％以上の領域の面積と当該ＬＥＤ電極の面積の比率（以後、ＬＥＤ電極のエラストマー被覆率と呼ぶ。測定法は後述。）が１０％以上９０％以下、好ましくは２０％以上８０％以下である場合に、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と透光性導電体２０の間に良好な電気接続と、機械接合が実現することを発見し、このような条件を実現する手段を考案した。
【００５３】
透光性エラストマー層３０は、透光性を有し導電性を有さないエラストマーの層である。透光性エラストマー層３０は、全光透過率が１〜９９％、好ましくは５〜９０％である。
【００５４】
透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーのビカット軟化温度（測定法は後述）は、好ましくは８０℃以上かつ１６０℃以下、より好ましくは１００℃以上かつ１４０℃以下である。また、透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーの引張貯蔵弾性率は、０℃から１００℃の間で０．０１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、０℃から１００℃の間で０．１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下の範囲である。
【００５５】
透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーは、ビカット軟化温度において溶融しておらず、ビカット軟化温度における引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ以上であり、融解温度が１８０℃以上、より好ましくは２００℃以上であるか、もしくは融解温度がビカット軟化温度よりも４０℃以上高いことが好ましく、６０℃以上高いことがより好ましい。透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーの、ガラス転移温度は好ましくは−２０℃以下、より好ましくは−４０℃以下である。
エラストマーは、高分子材料の弾性体で、樹脂である。ここで用いたエラストマーは、ビカット軟化温度を有することからも理解されるように熱可塑性を有する熱可塑性エラストマーである。例えば、室温付近でゴム弾性を示し、高温では熱可塑性を示すポリマーである。熱可塑性エラストマーは、硬化温度まで昇温することにより重合して、以後、熱可塑性を有するものであってよい。本発明の一実施形態による発光装置の製造方法は、このような熱可塑性エラストマーシートを、ＬＥＤチップ電極と導電層の間に挟んだ状態で、ビカット軟化点と同等あるいはこれより若干上で且つ融解温度より低い温度で真空プレスすることにより、過度の可塑性を付与する（流動させる）ことなく、変形させることにより、ＬＥＤチップ電極と導電層の電気的接触を良好に保ちつつ、両者間の空隙を充填して、両者間の接着力（剥離防止効果）を向上させているところに特徴がある。
【００５６】
透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーとしては、アクリル系エラストマー、オレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、エステル系エラストマー、ウレタン系エラストマー等が挙げられる。
必要に応じて他の樹脂成分、充填剤、添加剤等を含んでいても良い。
【００５７】
製品発光装置内のエラストマーの充填率を向上し且つＬＥＤチップ電極と基板導電層との接触を確保するために透光性エラストマー層３０の厚さは、ＬＥＤチップ１０の厚さと同等以下が好ましい。透光性エラストマー層３０の厚さの上限値は、好ましくはＬＥＤチップ１０の厚さ（高さ）より５μｍ小さい厚さ、さらに好ましくはＬＥＤチップ１０の厚さより１０μｍ小さい厚さ、より好ましくはＬＥＤチップ１０の厚さより２０μｍ小さい厚さである。また、透光性エラストマー層３０の厚さの下限値は、通常ＬＥＤチップ１０の厚さの１／２、好ましくはＬＥＤチップ１０の厚さの３／５である。
【００５８】
ここで、透光性エラストマー層３０の厚さとは、ＬＥＤチップ１０のＬＥＤ本体１１の周壁から１００μｍ以上離れた部分で測定した透光性エラストマー層３０の厚さであり、隣接するＬＥＤがある場合は前記ＬＥＤ間の透光性エラストマー層３０の厚さが最も薄い部分の厚さである。この厚さは、通常、通常ＬＥＤチップの上下に配置される真空プレス前のエラストマーシートの合計厚さとあまり異なることがない。
【００５９】
＜製造方法＞
発光装置１（図１）の製造方法について、図７を参照して説明する。
発光装置１は、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と、透光性導電体２０の透光性導電層２５との間に、透光性エラストマーシート３５を配置した後、弱い圧力で予備プレスした後、作業空間を真空引きする。このような真空雰囲気中にて積層体を透光性エラストマーのビカット軟化点（Ｔｖ）より１０℃低い温度より以上でかつ、３０℃高い、より好ましくは２０℃高い温度より以下の温度（Ｔｐ）（すなわち、Ｔｖ−１０℃≦Ｔｐ≦Ｔｖ＋３０℃、より好ましくはＴｖ−１０℃≦Ｔｐ≦Ｔｖ＋２０℃、で定まる範囲内の温度（Ｔｐ））に加熱しながら圧着させることにより製造することが好ましい。
なお、透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーの、ビカット軟化温度における引張貯蔵弾性率は、０．１ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは１ＭＰａ以上、例えば１ＭＰａ〜１ＧＰａである。
また、透光性エラストマー層３０に用いられるエラストマーの、加熱圧着温度での引張貯蔵弾性率は、０．１ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは１ＭＰａ以上、例えば１ＭＰａ〜１ＧＰａである。
【００６０】
これらビカット軟化温度、加熱圧着温度の引張貯蔵弾性率の好ましい範囲は、他のパラメータと同様、本明細書の他の実施形態についても同じである。
【００６１】
［積層と真空熱プレス］
より詳しくは、図７を参照して、透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂ上に、透光性導電層２５Ｂの全体を覆うように、所定の厚さの透光性エラストマーシート３５を載せ、得られる発光装置において所望の表示パターンが得られるように、その上の所定の位置と方向に一以上のＬＥＤチップ１０を配置する。さらにその上に、所定の厚さの透光性エラストマーシート３５、さらにその上に、透光性導電体２０Ａを、透光性導電層２５Ａが下向きになるようにして所定の位置に載せる。透光性エラストマーシートである第１の透光性絶縁樹脂シートは、透光性導電層２５Ａの全体を覆う形状を有している。積層の順序は、上下を逆にしても良い。
【００６２】
次に、この積層体を予備プレスした後、作業空間を真空引きする。このような真空雰囲気中にて積層体を加熱しながら、所定の時間、例えば２０〜６０分間プレスする。真空熱プレスの際の加熱温度は、たとえば、通常８０〜１８０℃、好ましくは１００〜１６０℃である。真空熱プレスの際の真空度（絶対圧）は、たとえば、通常１０ｋＰａ以下、好ましくは５ｋＰａ以下である。真空熱プレスの際に加える圧力は、たとえば、通常０．５〜２０ＭＰａ（５〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２）、好ましくは０．６〜１２ＭＰａ（６０〜１２０ｋｇｆ／ｃｍ２）である。
【００６３】
すると、積層体は透光性エラストマーシート３５が、加圧による透光性導電体層のクラックや破断を防止しつつ、軟化してＬＥＤチップ１０を包み込むとともに、軟化した透光性エラストマー層同士が接着して一体化し、透光性エラストマー層３０を形成すると同時にＬＥＤチップの電極と透光性導電体層が接触して電気接続が取れるようになる。真空熱プレスは、透光性エラストマー層３０の厚さが、ＬＥＤチップ１０の厚さより小さくなるように行われる。真空熱プレスが終了すると、図１に示される発光装置１が得られる。
【００６４】
真空熱プレスの際、透光性導電体２０の透光性導電層２５には、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と接触することにより、局所的に応力が加わる。具体的には、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａには、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ａの凸部４７からの押圧力が加わる。また、透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂには、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ｂの凹凸形状４５を構成する凸部からの押圧力がＬＥＤチップ１０の電極層１５Ｂの角部１８からの押圧力が加わる。
【００６５】
しかし、図７に示すエラストマー積層体が矢印Ｐの方向に押圧される際に、軟化したエラストマーシート３５がＬＥＤチップ１０の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）の表面と透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）との間の隙間空間４８（図２）が透光性エラストマー層３０で充填されるため、透光性導電体２０の透光性導電層２５がＬＥＤチップ１０の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）の表面の凹凸形状４５の凸部からの押圧力でクラックや破断が生じるおそれが小さい。
【００６６】
また、透光性導電体２０の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）は、透光性導電フィラ粒子（複数）と、隣接する透光性導電フィラ粒子を互いに接触させた状態で接着する透光性樹脂バインダとからなり、耐屈曲性、または変形に対する追従性を有する。このため、透光性導電体２０の透光性導電層２５にＬＥＤチップ１０の電極層１５Ａの凸部４７や電極層１５Ｂの角部１８から局所的な押圧力が加えられても、透光性導電層２５に致命的なクラックが生じにくく、またクラックが生じたとしても、透光性樹脂バインダの存在により透光性導電層の電気的な接続信頼性が高いことから点灯を維持できる。また、得られる発光装置１は、強く屈曲させたときに透光性導電層２５に致命的なクラックが生じにくく、またクラックが生じたとしても、透光性樹脂バインダが透光性導電層２５の電気的な接続を維持することにより、点灯を維持できる。
【００６７】
前記エラストマー被覆率を、好ましい領域に制御するためには透光性エラストマー層３５の合計厚さを、例えば合計厚さがＬＥＤチップ１０の厚さ（高さ）の４０〜９９％，好ましくは６０〜８５％、の範囲内で適宜制御することである程度実現できるが、それに加えて真空熱プレス加工時のプレス加工機表面が透光性導電体２０と接触する面の形状、材質、クッション性を調整することと、真空熱プレスの温度、圧力条件とそのタイミングをコントロールすることが望ましい。具体的な条件の組み合わせは、発光装置のデザインと真空熱プレス機のデザイン毎に適宜選択可能である。
【００６８】
ＬＥＤチップ１０の電極層１５と透明導電層２５の間に透光性エラストマー層３０を部分的に陥入させるためには、上記製造法以外にも、適当な大きさの粒状もしくは柱状の透光性エラストマーをＬＥＤチップ１０の電極層１５上に搭載してから真空熱プレスする方法や、透光性エラストマー粉末のエマルジョンを透明導電層２５もしくはＬＥＤチップ１０の電極層１５上に塗布もしくはスプレーした後乾燥させてから真空熱プレスをする方法などがあり、その製造手段は上記の方法に限定されない。しかし、製造の容易性を考えると、上記製造方法が優れている。
【００６９】
［製造方法の効果］
この製造方法によれば、発光装置１を容易に作製することができる。また、透光性エラストマー層３５でＬＥＤチップ１０を挟み込むため、製造の際にＬＥＤチップ１０を確実に固定することができる。
【００７０】
＜作用＞
発光装置１の作用について説明する。
発光装置１は、ＬＥＤチップ１０の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）の表面の凹凸形状４５の凹部４６と透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）の表面２６との間の隙間空間４８にも、透光性エラストマー層３０が形成されるため、ＬＥＤチップ１０の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）の表面の凹凸形状４５の凸部４７が透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）の表面２６に当接しても、透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）にクラックや破断が生じにくい。この結果透光性導電層の電気的な接続信頼性が高いことから、発光装置１を強く屈曲させたり熱サイクルを与えたりしても点灯を維持できる。
【００７１】
また、発光装置１は、ＬＥＤチップ１０の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）の表面の凹凸形状４５の凹部４６と透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）の表面２６との間の隙間空間４８にも、透光性エラストマー層３０が形成されるため、強く屈曲させたときに、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と透光性導電体２０の透光性導電層２５とが、界面に沿った方向に位置ずれしにくい。このため、発光装置１は、電気的な信頼性が高い。
【００７２】
さらに、発光装置１の透光性導電層２５は、複数個の透光性導電フィラを透光性樹脂バインダで接着しているため、透光性導電層２５全体が耐屈曲性または変形追従性を有する。すなわち、透光性導電層２５が電極層１５の角部等のエッジを有する部位に沿って屈曲する場合でも、透光性導電フィラを接着する透光性樹脂バインダ部分が撓んだり変形したりするため電極層１５の角部等のエッジを有する部位に対する追従性に富む。このため、たとえば、発光装置１の製造の際に、透光性導電層２５が電極層１５の角部等のエッジを有する部位に沿って屈曲する場合でも強く屈曲させたときに、透光性導電層２５に致命的なクラックが生じにくく、またクラックが生じたとしても、透光性樹脂バインダによって透光性導電層の電気的な接続が維持されることにより、点灯を維持できる。なお、図１では、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ａのみに凹凸形状４５を示してあるが、実際には、電極層１５Ｂにも同様な凹凸が存在する。
【００７３】
＜本発明と、異なる製造法の説明＞
本実施態様の製造方法は（１）ＬＥＤ電極層１５と透光性導電層２５を電気接続する際に、ＬＥＤ電極１５と透光性導電層２５の間に、（真空熱プレス工程において溶融もしくは、低粘度化（引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満になることをいう）しない）エラストマーシート３５を挟むこと、および、（２）透光性導電体２０とエラストマーシート３５とＬＥＤチップ１０からなる積層体を真空熱プレスすることにある。
【００７４】
［ＬＥＤ電極と透光性導電体の間にエラストマーを挟まずに真空熱プレスする製造法］
本発明者がおこなった、（１）の条件を満たさない製造例について説明する。
図８は、発光装置の製造例１を説明する図である。製造例１は、第１の実施形態の発光装置１の製造方法において、ＬＥＤチップの電極層１５Ａと透光性導電層２５Ａの間に透光性エラストマーシート３５を挟まずに積層し、透光性導電体２０とエラストマーシート３５とＬＥＤチップ１０からなる積層体を真空熱プレスした製造例である。
【００７５】
図９は、発光装置の製造例２を説明する図である。製造例２は、第１の実施形態の発光装置１の製造方法において、ＬＥＤチップの電極層１５Ｂと透光性導電層２５Ｂの間に透光性エラストマーシート３５を挟まずに積層し透光性導電体２０とエラストマーシート３５とＬＥＤチップ１０からなる積層体を真空熱プレスした製造例である。
【００７６】
製造例１で作製した発光装置９０、および製造例２で作製した発光装置９０Ａについて以下に説明する。
【００７７】
図１０は、製造例１で作製した発光装置９０の断面の部分拡大図である。図１１は、図１０のＢ１部分の部分拡大図である。図１２は、製造例１で作製した発光装置９０の発光装置９０の断面写真の一例である。図１３は、製造例２で作製した発光装置９０の発光装置９０Ａの断面写真の一例である。
【００７８】
（製造例１の発光装置９０）
図１０〜図１２に示されるように、製造例１により作成した、発光装置９０では、ＬＥＤチップ１０の電極層１５の表面の凹凸形状４５の凹部４６と、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａの表面２６との間に形成された隙間空間４８が空隙９１となり、そこには透光性エラストマー３０が殆ど存在しない、すなわち、エラストマー被覆率が明らかに１０％以下であった。
【００７９】
発光装置９０では、耐屈曲試験や熱サイクル試験の過程において容易に不点灯となった。図１１に示されるように、透光性導電体２０Ａの透光性導電層２５Ａのうち、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ａの凸部４７と当接する部分には、クラック９２が生じたていた。強く屈曲させたときに凸部４７からの応力が集中したためと考えられ、このために屈曲や熱サイクル付加によって容易に不点灯となったと推定される。
【００８０】
（製造例２の第２の発光装置９０Ａ）
図１３に、ＬＥＤチップの電極層１５Ｂと透光性導電層２５Ｂの間に透光性エラストマーシート３５を挟まずに積層し透光性導電体２０とエラストマーシート３５とＬＥＤチップ１０からなる積層体を真空熱プレスした実験例２の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。
【００８１】
図１３に示されるように、発光装置９０Ａでは、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ｂの周囲に空隙９１が生じており、この空隙９１には透光性エラストマー層３０が殆ど存在しない、すなわち、エラストマー被覆率が明らかに１０％以下であった。
【００８２】
このため、発光装置９０Ａでは、耐屈曲試験や熱サイクル試験の過程において容易に不点灯となった。透光性導電体２０Ｂの透光性導電層２５Ｂのうち、ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ｂの角部と当接する部分に、強く屈曲させたときに角部からの応力が集中して、クラックが生じていることが原因と推定される。
【００８３】
（特許文献５の製造方法による発光装置）
特開２０１２−８４８５５号公報（特許文献５）には、アクリル系エラストマーからなる中間層に貫通孔を形成し、この貫通孔に発光素子を配置することにより、発光素子の表裏を支持体で挟んだ発光装置を製造する方法が記載されている。
【００８４】
具体的には、第１支持体の表面に、貫通孔が形成されたアクリル系エラストマーを密着させ、貫通孔に発光素子を配置した後、アクリル系エラストマーの表面に第２支持体を載せて密着させ、これらを熱ドラムで挟み、加圧しながら加熱することにより発光装置を製造する方法が記載されている。
【００８５】
この方法で製造した発光装置では、ＬＥＤチップ１０の電極層１５の周囲に空隙９１が生じており、この空隙９１には透光性エラストマー層３０が殆ど存在しない、すなわち、エラストマー被覆率が明らかに１０％以下であった。また、ＬＥＤチップ近傍に多数の気泡が残った。
【００８６】
特許文献５の製造方法による発光装置では、初期点灯はおおむね実現できたが、時間がたつと不点灯になるケースが多発した。また、耐屈曲試験や熱サイクル試験の過程において容易に不点灯となった。
【００８７】
（特許文献３の製造方法による発光装置Ｃ）
特許文献３には、ＬＥＤチップの電極層１５と透光性導電層２５の間に透光性エラストマーシート３５の代わりにホットメルト接着剤を挟んで積層し、かつ透光性導電体２０とエラストマーシート３５とＬＥＤチップ１０からなる積層体を、（ホットメルト接着剤を溶融させて）熱プレスしている。本発明の製造方法で用いている透光性エラストマーは、真空熱プレス工程においても透光性エラストマーとしての性質を維持している必要がある材料であり、加工温度で溶融していることが特徴であるホットメルト接着剤とは全く異なる材料であり、真空熱プレスという製造方法に適用できない材料である。その結果として、特許文献３の製造方法による発光装置Ｃは、ＬＥＤチップの電極層１５と透光性導電層２５の間も含め、発光装置内に気泡が残留しないように製造することは困難であり、ＬＥＤチップの電極層１５と透光性導電層２５の間、ホットメルト接着剤が充填されていない空隙が残る、と共に加圧加工時に生じたと推定される透光性導電層２５と電極層１５の当接部分のクラックが生じていいた。このため、発光装置９０Ｃでは、耐屈曲試験や熱サイクル試験の過程において容易に不点灯となった。
【００８８】
（第２の実施形態）
図１４は、第２の実施形態の発光装置の断面図である。発光装置１Ａは、図１に第１の実施形態として示された発光装置１に比較して、ＬＥＤチップ１０に代えて片面に２種類の電極層１５Ａ、１５Ｂが形成されたＬＥＤチップ１０Ａを用い、第１の透光性導電体２０Ａに代えて透光性導電層２５を有さない透光性基体２１Ｄを用い、および第２の透光性導電体２０Ｂに代えて２種類の透光性導電層２５Ａ、２５Ｂが形成された透光性導電体２０Ｃを用いる点で異なり、他の構成は、発光装置１と同じてある。このため、図１４に第２の実施形態として示された発光装置１Ａと、図１に第１の実施形態として示された発光装置１とで、同じ構成に同じ符号を付し、構成および作用の説明を省略または簡略化する。
【００８９】
発光装置１Ａは、具体的には、ＬＥＤ本体１１の片面に第１および第２の電極層１５（１５Ａ、１５Ｂ）が形成されたＬＥＤチップ１０Ａと、透光性基体２１Ｃと、この透光性基体２１Ｃの表面に形成された透明な第１および第２の透光性導電層２５（２５Ａ、２５Ｂ）とを有し、ＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５が形成された表面を覆う透光性導電体２０Ｃと、ＬＥＤチップ１０Ａの他の表面を覆う透光性基体２１Ｄと、ＬＥＤチップ１０の周囲１３と、透光性導電体２０Ｃの表面と、透光性基体２１Ｄの表面とに接着し、エラストマーからなる透光性エラストマー層３０と、を備える。
【００９０】
発光装置１Ａは、要するに、ＬＥＤチップ１０Ａを、透光性導電体２０Ｃと、透光性基体２１Ｄとで挟み、ＬＥＤチップ１０Ａと透光性導電体２０Ｃと透光性基体２１Ｄとを透光性エラストマー層３０で接着したものである。
【００９１】
＜ＬＥＤチップ＞
図１５は、図１４に示したＬＥＤチップ１０Ａの拡大図である。
ＬＥＤチップ１０Ａは、ＬＥＤ本体１１Ａの片面に第１の電極層としての電極層１５Ａおよび第２の電極層としての電極層１５Ｂが形成されたものである。
【００９２】
ＬＥＤチップ１０Ａは、第１の実施形態である発光装置１で用いられるＬＥＤチップ１０に比較して、電極層１５Ａおよび電極層１５ＢがＬＥＤ本体１１Ａの片面に形成される点で異なり、他の構成は同じである。以下、ＬＥＤチップ１０Ａと、ＬＥＤチップ１０との相違点についてのみ説明する。
【００９３】
ＬＥＤ本体１１Ａは、例えば半導体またはサファイア製の基板４１Ａの上に、Ｎ型半導体層４２およびＰ型半導体層４４を有するとともに、Ｎ型半導体層４２とＰ型半導体層４４との間に発光層４３が形成されている。
【００９４】
ＬＥＤ本体１１Ａの表面７１のうち、電極層１５Ａ（カソード）、１５Ｂ（アノード）が形成される側の表面を、ＬＥＤ本体１１Ａの第３の表面７１Ｃという。この例ではＬＥＤ本体１１の第３の表面７１ＣはＰ型半導体層４４の表面になっている。電極層１５Ｂは、第３の表面７１Ｃ上に形成される。
【００９５】
また、ＬＥＤ本体１１Ａにおける第３の表面７１Ｃの裏面であり、電極層１５Ａ、１５Ｂが形成されない表面を、ＬＥＤ本体１１の第４の表面７１Ｄという。第４の表面７１ＤはＬＥＤ基板４１Ａの表面になっている。ＬＥＤ基板４１Ａの表面には図示しない反射膜が設けられている場合もあり、また、７１Ｃ面に反射膜が設けられている場合もある。第３の表面７１ＣがＬＥＤチップ１０の発光面８５になっている場合もあるが７１Ｄが発光面となる場合もある。ＬＥＤ基板４１が透明で、ＬＥＤチップ１０Ａのほぼ全面が発光面となっている場合もある。光は、片側、両側、どちらにも取り出せるので、本明細書では、発光層４３に近い側の面を、以後、便宜的に発光面と称する。
【００９６】
さらに電極層１５Ａ（カソード）は、この例では概ね発光層４３およびＰ型半導体層４４に被覆されるＮ型半導体層４２の被覆されてない露出面７２に電気的に接続した状態で形成される。Ｎ型半導体層４２の露出面７２とＬＥＤ本体１１の第３の表面７１ＣとはＬＥＤ本体１１の中心から見て同じ方向にあるため、電極層１５Ａは、Ｎ型半導体層発光層側界面７２上に形成されるとともに、ＬＥＤ本体１１の第３の表面７１Ｃ側に配置されている。
【００９７】
電極層１５Ａおよび電極層１５Ｂの厚さ（高さ）は、通常０．１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍであり、両者はほぼ同じであるが、最大で１μｍ程度異なっていてもよい。電極層１５Ａおよび電極層１５Ｂは、通常、発光を妨げないように、ＬＥＤ本体１１の表面７１Ｃよりも小さい合計面積で形成される。
【００９８】
なお、電極層１５Ａが形成されるＮ型半導体層４２の露出面７２には、ある程度の凹凸形状が形成されている。このため、この露出面７２の表面上に形成される電極層１５Ａの表面にも、面７２の凹凸形状に類似した凹凸形状が形成されている。
【００９９】
この電極層１５Ａおよび電極層１５Ｂの表面の凹凸形状の与える粗さＲａは、いずれも０．１μｍ以上であることが好ましい。これにより本発明の発光装置における、電極層１５Ａおよび１５Ｂの表面と透光性導電体２０Ｃとの密着性が高くなる。
【０１００】
＜透光性基体＞
透光性基体２１Ｄは、第１の実施形態における透光性導電体２０Ａを構成する透光性基体２１Ａと同じであるため、説明を省略する。
【０１０１】
＜透光性導電体＞
透光性導電体２０Ｃは、耐屈曲性を有する透光性基体２１Ｃと、この透光性基体２１Ｃの片方の表面に形成された２種類の透光性導電層２５Ａ、２５Ｂとを有する。透光性導電層２５ＡはＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５Ａと導通するように設けられ、透光性導電層２５ＢはＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５Ｂと導通するように設けられる。
【０１０２】
透光性導電体２０Ｃは、第１の実施形態である発光装置１で用いられる透光性導電体２０Ｂに比較して、透光性導電層２５Ａおよび透光性導電層２５Ｂが透光性基体２１Ｃの片面に形成される点で異なり、他の構成は同じである。
また透光性導電体２０Ｃ上に形成される透光性導電層２５も、第１の実施形態における透光性導電層２５と同様に、（１）導体薄膜、（２）透光性導体の微粒子を分散させた樹脂塗膜あるいは（３）メッシュ電極、のいずれでもあり得る。透光性基体２１Ｃ上に、（１）〜（３）のいずれかの構成により形成された透光性導電層２５は、レーザー加工やエッチング処理等によりＮ型半導体層４２上の電極層（カソード）１５Ａに接続される導電層２５ＡあるいはＰ型半導体層４４上の電極層（アノード）１５Ｂに接続される導電層２５Ｂにパターン化される。
【０１０３】
ＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５Ａ及び１５Ｂは、Ａｕ等の金属導体によりいわゆるパッド電極として形成され、位置合わせおよび真空プレス後に、透光性導電層２５Ａ及び２５Ｂと、それぞれ電気的に接続されるが、得られた発光装置を継続的に屈曲使用すると、点灯不良が発生する現象が見出された。その後の研究によれば、これは特に図１４に示す状態で上に凸に屈曲させたときに、電極層１５Ａに接続された透光性導電層２５Ａの先端部が接触して、カソード―アノード間の短絡が起こるためであることが判明した。そして更なる研究によれば、この不都合は、ＬＥＤチップ１０Ａのパッド電極電１５Ａ及び１５Ｂ状に、局部的に、Ａｕ，Ａｇ等の良導体による、径および高さがそれぞれ５０〜１００μｍ程度のバンプ電極を形成して、これに透光性導電層２５Ａ及び２５Ｂを接続するようにすれば、回避できることが見出された。このようなパッド電極上へのバンプ電極の形成による短絡防止効果は、第１の両面電極型ＬＥＤを用いる実施形態において、ＬＥＤチップよりも小面積で形成したパッド電極（図１の例におけるアノード電極１５Ｂ）に適用しても効果的である。
【０１０４】
図１７及び１８は、それぞれ図１４及び図１の発光装置に、このようなバンプ電極３６Ａ及び３６Ｂならびに３６をそれぞれ設けた発光装置１ＡＡ及び１ＢＡの模式断面図である。このようなバンプ電極３５，３６Ａあるいは３６Ｂは、Ａｕワイヤからワイヤボンディング装置を用いてワイヤ先端を放電することにより、例えば図１９に示すように、ＬＥＤチップのパッド電極１５（１５Ａ，１５Ｂ）上に、Ａｕバンプ３６Ｓを形成し、好ましくはその頂部Ａを押圧して平坦化した後、そのＬＥＤチップ上に、前述したようにエラストマー層３０及び導電層２５（２５Ａ，２５Ｂ）を形成した透光性導電体２０（２０Ａ、２０Ｂ）を位置合わせして重畳し、真空プレスすることのより、発光装置中に導入される。例えば図１７の発光装置については、バンプ電極３６Ａ及び３６Ｂは、平面的に図２０に示すような、パッド電極１５Ａおよび１５Ｂならびに導電層２５Ａおよび２５Ｂとの相対位置関係で配置される。
【０１０５】
＜製造方法＞
図１６を参照して、発光装置１Ａの製造方法について説明する。
図１４に模式的に示す部分断面構造を有する発光装置１Ａは、図１に第１の実施形態として示した発光装置１と同様に、ＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５と、透光性導電体２０の透光性導電層２５との間に、透光性エラストマーシート３５を配置した後、前記透光性エラストマーのビカット軟化温度より１０℃低い温度以上、３０℃高い温度以下でＬＥＤチップ１０Ａと透光性導電体２０、透光性絶縁基体２１Ｄとを真空熱プレスして、ＬＥＤチップ１０Ａと透光性導電体２０と透光性絶縁基体２１Ｄを前記透光性エラストマーで接合することにより製造される。
【０１０６】
実施形態１と異なるのは、少なくとも、ＬＥＤチップの電極面がある側と透光性導電層２５Ｃの間に透光性エラストマーシート３５を挟めば充分で、透光性基体２１ＤとＬＥＤチップの間には必ずしも透光性エラストマーシートを挟む必要がないというだけであるので、製造方法についての更なる説明は省略する。
【０１０７】
ＬＥＤチップ１０の電極層１５Ａ、１５Ｂと、透光性導電体２０Ｃとの間を剥離したときの、電極層１５Ａ、１５Ｂ側の表面についての走査型電子顕微鏡写真、ＥＤＸによるカーボンの元素マッピング写真、ＥＤＣによるスズの元素マッピング写真による解析によれば、第１の実施形態の電極層１５Ｂの状態とほぼ同様であった。特に、電極層１５Ａ、１５Ｂと、透光性導電体２０Ｃとの間の剥離部では、ＬＥＤ１０の電極層１５Ａ、１５Ｂとも表面の中央付近はカーボン元素が多く観察され、スズ元素が殆ど観察されず、逆にＬＥＤ１０の第１の電極層１５の端部付近にはスズ元素が多く存在し、カーボン元素が殆ど観察された。
【０１０８】
これらの結果より、ＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５と透光性導電層２５とが良好な電気的接続をしていたことがわかる。
【０１０９】
またＬＥＤ１０の電極層１５の表面にカーボンが多く存在してスズが殆ど観察されない領域の存在により、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と透光性導電層２５との間に透光性エラストマー層３０が入り込んで、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と透光性導電層２５との間を機械的に接合させている領域の存在が確認された。すなわち、本発明の第２の実施形態の発光装置においても、ＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５と透光性導電層２５との間で電気的接続と機械的接合が共に良好に維持されていることが分かった。
【０１１０】
本発明の発光装置の第２の実施形態においても、ＬＥＤ電極１５ＡおよびＬＥＤ電極１５Ｂのエラストマー被覆率は、１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下である場合に、ＬＥＤチップ１０の電極層１５と透光性導電体２０の間に良好な電気接続と、機械接合が実現する。
【０１１１】
本発明の第２の実施形態によれば、透光性導電層２５Ａ、２５Ｂが片面側のみに形成されたＬＥＤチップ１０Ａを用いて製造するため、製造の際に、ＬＥＤチップ１０Ａの電極層１５と、透光性導電体２０Ｃの透光性導電層２５との間の位置合わせが片面のみで済む。このため、製造が容易であり、発光装置１の歩留りが高くなる。
【０１１２】
なお、上記実施形態では、主として発光装置に、ＬＥＤチップ１０を１個含むものについて図示し、説明したが、本発明の発光装置は、ＬＥＤチップ１０を複数個含むものであってもよく、むしろこれらを所望の表示パターンに応じて、配列して用いるのが通常である。
【０１１３】
また、発光装置は、透光性導電体２０の透光性導電層２５の表面に、ＬＥＤチップ１０に加え、抵抗、タイオード、トランジスタ、ＩＣから選ばれる１種以上の半導体素子が搭載されていてもよい。
【０１１４】
＜本発明の発光装置と従来の発光装置との比較＞
本発明の完成途中において、従来の発光装置を再検討したところ、以下の事実が判明した。
【０１１５】
すなわち、発光素子の表面の電極のエッジは、通常、透光性導電体の透光性導電層に対向する表面と、側壁面とが略直角をなしているため、発光装置の屈曲時や発光装置への熱サイクル付与時に、押圧された透光性導電体の透光性導電層が、発光素子の表面の電極のエッジに当接するとクラックや破断が生じやすいことが分かった。そして、透光性導電層にクラックや破断が生じると、透光性導電層の電気的な接続が不十分になり、発光装置が不点灯になることが分かった。この問題は、製造時のみならず屈曲させて使用する際、また熱サイクル履歴の後にさらに発生しやすくなることが分かった。なお、発光装置への熱サイクル付与時の透光性導電層の当接は、材質の熱膨張率の差異によるものである。
【０１１６】
また、市販されている両面電極ＬＥＤは通常、非発光面の電極が導電ペーストでリードフレームに接合されることを想定して導電ペーストによる接着性を高めるために基板表面に凹凸形状が形成されており、結果的に電極の表面に凹凸形状が形成されている。そして、発光面側の電極表面も全反射防止等のために微細な凹凸形状が形成されている場合等があり電極表面に微細な凹凸形状が形成されている。このような場合において、発光装置の屈曲時や発光装置への熱サイクル付与時に、これらの凹凸形状の凸部に透光性導電体の透光性導電層が当接すると透光性導電層にクラックや破断が生じやすいことが分かった。そして、透光性導電層にクラックや破断が生じると、透光性導電層の電気的な接続が不十分になり、発光装置が不点灯になることが分かった。
【０１１７】
さらに、特許文献５に記載された発光装置では、中間層の厚さが発光素子の厚さよりも小さい。これにより、発光装置の屈曲時や発光装置への熱サイクル付与時に、透光性導電体の透光性導電層が、発光素子の表面の電極のエッジに強い力で当接するため、この当接した部分にクラックや破断が生じやすいことが分かった。そして、透光性導電層にクラックや破断が生じると、透光性導電層の電気的な接続が不十分になり、発光装置が不点灯になることが分かった。
【０１１８】
このように、従来の発光装置には、屈曲時、熱サイクル付与時や製造時に、透光性導電体の透光性導電層にクラックが生じたり透光性導電層が破断したりするおそれがあるという問題があった。そして、透光性導電層にクラックや破断が生じると、透光性導電層の電気的な接続が不十分になり、発光装置が不点灯になることが分かった。
【０１１９】
また、従来の発光装置は、大気圧下で熱圧着しているので、発光装置内、特にＬＥＤチップ周辺に（大気圧よりも圧力の高い）気泡が残留する。このため、熱圧着後に膨れて電気的接触不良を起こしやすく、また気泡や膨れのために光を不規則に散乱させるなど外観上好ましくなることが分かった。
【０１２０】
また、特許文献４、５に記載された発光装置では、透光性導電層とＬＥＤ電極に間には、接合性のある物質が何も介在せずただ物理的に接しているだけであるため、該発光装置を曲率半径１００ｍｍ程度以上に屈曲させると透光性導電層とＬＥＤの間の接触が維持できなくなり、高温度・低温度間の熱サイクルをかけると数百サイクル以下で点灯しなくなることが分かった。
【０１２１】
また、特許文献３に記載されている、可撓性ホットメルト接着シートなどの電気絶縁性接着剤を発光素子電極と透光性導電層との間に挟んで加熱圧着させる方法では、ホットメルト接着剤が、加熱溶融することにより流動化し、被着体に密着した後に、冷却固化して接着力を発現させるもので有り接着性と発光素子電極と透光性導電層との電気的、機械的接触を得ることはできるが、特許文献３に明記されているように、ホットメルト接着剤は溶融して圧接される。このため、製造の際に加えられる圧力により、発光素子の表面に形成された電極のエッジや電極の表面の凹凸形状、発光素子の基板と活性層の端面での段差などと、透光性導電体の透光性導電層とが当接することにより、透光性導電体の透光性導電層にクラックが生じたり透光性導電層が破断したりすることを防止する効果はホットメルト接着剤では発揮できない。そのため、通常電気部品に要求される、−２０℃から６０℃とか−４０℃から８５℃といった温度範囲での熱サイクル試験を経ると点灯状態が維持できなくなったり、大きく屈曲させると不点灯になるという問題がある。ＬＥＤチップの電極と導電回路層とを導電性接着剤で接着する場合には、複数のＬＥＤチップを搭載する場合にＬＥＤチップ間に十分な絶縁をとる事が極めて困難であり、これを解決するためには接続工程の複雑化や工数の増大等を招いて製造コストが増加する。また導電接着剤を用いた場合、発光装置の耐屈曲性をうることが困難である。さらに、加熱するとホットメルト接着剤は溶融してしまうため、接着工程を真空下で行うことが困難であり、このため発光装置内の残存空気による空隙（気泡）が生じ、接続不良や外観上の問題となることが分かった。
本発明は、上記知見に鑑み、従来技術の課題を解決するべく完成されたものである。
【０１２２】
［発光装置使用装置］
本発明の発光装置使用装置は、上記の本発明に係る発光装置を備えるものである。
発光装置使用装置としては、たとえば、テレビ、パソコン等の電子機器、展示板、掲示板等の電子表示装置、発光装置からなる照明装置や表示装置を備えた、車両、船舶、航空機等の移動体、発光装置からなる照明装置や表示装置を備えた、建築物や工作物等が挙げられる。
【実施例】
【０１２３】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。以下の記載を含めて、本願明細書に記載の特性値ならびに特性評価は、以下の基準あるいは方法による評価結果に基づくものである。【０１２４】
＜電極表面粗さＲａ＞
Ｒａは、JIS B 0601-2001に基づいた測定値の算術平均粗さで対象とする電極の横断長さの１／３以上の領域での測定値とした。【０１２５】
＜透光性導電層のシート抵抗＞
薄膜型導電層、導電粉末分散型樹脂導電層及びメッシュ電極のいずれについてもJIS K 7194に基づく四端子法により測定した。【０１２６】
＜エラストマー特性＞
使用するシート状試料について）、以下の特性の測定を行った。
・ビカット軟化温度は、安田精機製作所製のＮｏ．１４８−ＨＤ−ＰＣヒートディストーションテスタを用いて、試験加重１０Ｎ、昇温速度５０℃／時間の条件で、ＪＩＳ  Ｋ７２０６（ＩＳＯ  ３０６）記載のＡ５０法により求めた。
・ガラス転移温度および融解温度は、ＪＩＳ  Ｋ２１２１（ＩＳＯ  ３１４６）に準拠した方法で、島津製作所製示差走査熱量計ＤＳＣ−６０を用いて、−１００  ℃から吸熱ピーク（融点）まで５℃／分の昇温速度で、熱流束示差走査熱量測定を行い、求めた。
・引張貯蔵弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４（ＩＳＯ  ６７２１−４）に準拠して、株式会社エー・アンド・ディ製のＤＤＶ−０１ＧＰ動的粘弾性自動測定器を用いて、−１００℃から２００℃まで、１℃／分の等速昇温、周波数１０Ｈｚで求めた。測定は、０℃、１００℃およびビカット軟化温度について行った。【０１２７】
[製品発光装置（ＬＥＤ装置）の特性評価]
以下の項目を評価した。
＜透光性絶縁エラストマー層のＬＥＤチップ間における厚さ＞
（後述の実施例、比較例等で得られた、互いに約５ｍｍ離間して直線状に配列された直列接続の６個のＬＥＤチップ(平面寸法：０．３ｍｍ×０．３ｍｍ、高さ：１７５μｍ)を含む長さ約９０ｍｍ(幅：約５０ｍｍ)の帯状ＬＥＤ装置試料中の）透光性絶縁エラストマー層の厚さを、中央部近傍のＬＥＤチップ端から１５００μｍ離れた位置で、２０℃の室内で、光学的に測定し、１２個の試料についての測定値の算術平均として求めた。【０１２８】
＜耐屈曲性＞
得られたＬＥＤ装置１２個の内、６個について、温度２０±２℃、相対湿度６０〜７０％、常圧（８６〜１０６ｋＰａ）の環境下で耐屈曲試験を行った。
はじめに、半径が１００ｍｍから２０ｍｍまで１０ｍｍ刻みで減少する、それぞれ均一の直径及び真円状の断面を有する測定用円柱を複数種類用意した。
次に、得られた帯状ＬＥＤ装置を、その長手方向が測定用円柱の軸と直行するように且つＬＥＤチップの発光面の裏面が測定用円柱の表面の曲面に当たるようにセットした。さらに、ＬＥＤ装置を点灯させ、この状態で測定用円柱の表面の曲面に沿って１８０°屈曲させて、点灯状態が維持されるか否かを評価した。この評価を半径の大きい測定用円柱から半径の小さい測定用円柱へと順番に行い、各試料について、実用的に優れた屈曲性と判定される２０ｍｍあるいはこれに準ずる小屈曲半径の２点について、その曲率半径と６個の試料中の点灯維持試料数を記録した。【０１２９】
＜熱サイクル試験＞
得られた別の６個のＬＥＤ装置資料について、ＪＩＳ Ｃ６００６８−１４に準拠して熱サイクル試験を行った。
具体的には、水平状態に保持した点灯状態の帯状ＬＥＤ装置に対し、−２０℃〜６０℃の温度範囲で、−２０℃および６０℃における放置時間：各３０分、中間の昇降温速度３℃／ｍｉｎ(１サイクル：５３．３分)の熱サイクル試験に付し、２０００サイクル後、２５００サイクル後および３００サイクル後の各時点での、６個の試料中の点灯維持試料数を記録した。【０１３０】
(点灯条件)
上記耐屈曲性および熱サイクル試験の採用したＬＥＤ装置の点灯条件としては、基本的には直列接続した６個のＬＥＤチップに６ｍＡの一定電流が流れるようにそれらの両端に所定の直流電圧を連続印加して、透光性導電層の種類により、給電条件を以下のように変化させた。
・ＩＴＯ分散樹脂膜
厚さ１μｍ：両端電圧  ２５Ｖ， 
厚さ３μｍ：両端電圧  ２０Ｖ， 
・ＩＴＯスパッタ膜：両端電圧  ３０Ｖ， 
・Ａｇ粒子メッシュ電極膜：両端電圧  ２０Ｖ， 【０１３１】
＜外観および断面観察＞
作成後温度２０±２℃、相対湿度６０〜７０％、常圧（８６〜１０６ｋＰａ）の環境下で２４時間放置した資料について、以下の評価を行った。
(外観観察)
上記耐屈曲試験前後ならびに熱サイクル試験前後の透光性ＬＥＤ発光装置について、目視による外観検査を行った。
より具体的には、透光性ＬＥＤ装置の表面または裏面を目視にて観察し、気泡の有無を一次確認した。一次確認で気泡の観察されなかったサンプルは、気泡なしと判定し検査を終了した。一方、一次検査で気泡の観察されたサンプルは、カメラ付きの顕微鏡(倍率：×５０)を用いて、気泡の写真撮影を行った。写真を用いて、気泡の輪郭線上の任意の２点間距離を測定し、距離が最大となる長さを外径と定義した。そして気泡の外径がＬＥＤのチップサイズ以上、もしくは５００μｍ以上であるか否かに基づいて、以下の基準で、評価した。
Ａ：目視による一次確認で気泡が認められなかった。
Ｂ：目視により気泡がわずかに認められるが、顕微鏡写真による確認により、ＬＥＤのチップサイズ以上、もしくは５００μｍ以上の外径を有する気泡は存在しなかった。
Ｃ：目視により気泡が認められ、且つ顕微鏡写真による確認により、ＬＥＤのチップサイズ以上、もしくは５００μｍ以上の外径を有する気泡も認められた。【０１３２】
（断面観察）
耐屈曲試験後および熱サイクル試験後の透光性ＬＥＤ装置について断面観察を行った。  具体的には、透光性帯状ＬＥＤ装置を断面観察測定用樹脂に埋め込み、日立製作所製イオンミリング装置Ｅ−３５００でイオンミリングして現れた、中央ＬＥＤチップを含む帯状ＬＥＤ装置の長手方向と直行する断面を、日立製作所製走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)により倍率約１０，０００倍で観察して、ＬＥＤチップの表裏の電極と、対向する透光性導電層との接触およびＬＥＤチップ周壁近傍のエラストマーによる充填の良否について、以下の基準で評価した
Ａ：ＬＥＤチップ上の電極とこれに近接する透光性導電体上の導電層とが接触しており、且上記電極上の凹凸と導電層との隙間がエラストマーに充填されている。更に電極チップ周壁までエラストマーが充填されている。
Ａ２：片面電極型ＬＥＤチップ上の電極とこれに隣接する透光性導電体上の導電層とが接触しており、且つ上記電極上の凹凸と導電層との隙間がエラストマーに充填されている。更に電極チップ周壁までエラストマーが充填されている。ただし、ＬＥＤチップの電極が形成されていない側の表面と透光性基体との間にはエラストマーが充填されていない。
Ｂ１：両面電極型ＬＤＥチップの発光側電極と隣接する導電層ならびに非発光側電極と隣接する導電層とが、いずれも接触しており、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されている。またＬＥＤチップの非発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間がエラストマーで充填されている。但しＬＥＤチップの発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていない。
Ｃ１：両面電極型ＬＤＥチップの発光側電極と隣接する導電層とならびに非発光側電極と隣接する導電層とが、いずれも接触しており、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されている。またＬＥＤチップの発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間がエラストマーで充填されている。但しＬＥＤチップの非発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていない。 
Ｃ２：片面電極型のＬＥＤチップ上の電極（複数）とこれに隣接する透光性導電体上の導電層（複数）との二の対において両者が接触しており、電極チップ周壁までエラストマーが充填しているが、上記電極上の凹凸部と導電層との隙間はエラストマーが充填されていない。
Ｄ：ＬＥＤチップ上の電極とこれに近接する透光性導電体上の導電層とが接触しているが、上記電極上の凹凸と導電層との隙間がエラストマーにより充填されてなく、また電極チップ周壁までエラストマーが充填されていない。【０１３３】
＜ＬＥＤ電極面のエラストマー被覆率＞
(両面電極型)
ＬＥＤチップの配置状態としては図１及び図２とほぼ同じ、耐屈曲試験後および熱サイクル試験後の透光性ＬＥＤ装置について、長手方向端部シール部をダイヤモンドカッターで切除したのち、ミクロトームを用いて透光性エラストマー層３０に、水平方向に約５ｍｍの切れ込みを入れた。前記切れ込み端部の透光性導電体２０Ａと透光性導電体２０Ｂの外表面に、幅５ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さは透光性ＬＥＤ発光シートの端部長と同じで取っ手のついた、ステンレス製の角棒を強固に接着させた。水平に設置した堅い平板上にＬＥＤ装置試料と同じ大きさの両面粘着テープを貼り、透光性導電体２０Ｂ外表面を、両面接着テープに貼り付けることで、堅い平板に固定した。透光性導電体２０Ａに接続させたステンレス棒を水平に維持しつつ、透光性導電体２０Ｂ平面に対して９０度方向にゆっくりと引っ張り上げて透光性導電体２０Ａを透光性導電体２０Ｂから剥離させた。これらの操作によりＬＥＤチップの電極１５Ａの表面が露出したＬＥＤ装置を複数用意した。その一部を、ＬＥＤチップの電極層１５Ａのエラストマー被覆率測定用の試料とした。
上記のようにして透光性導電体２０Ａを剥離した透光性ＬＥＤ装置のうちの残部について、その露出した電極１５Ａを含む表面上に、接着剤を塗布した、厚さ１８０μｍのＰＥＴフィルムを貼りつけた。その後、上記のように透光性導電体２０Ｂの端部に設置したステンレス棒を水平な状態を維持しつつ、平面に対して９０度方向にゆっくりと引っ張り上げて、ＬＥＤ装置試料を平板から剥離させた。次に、剥離したＬＥＤ装置の上下を逆にして、接着剤を塗布した、厚さ１８０μｍのＰＥＴフィルムの外面を前と同様に両面粘着テープで堅い平板に固定した。透光性導電体２０Ｂに接続させたステンレス棒を水平状態を維持しつつ、平板平面に対して９０度方向にゆっくりと引っ張り上げて、接着剤を塗布した厚さ１８０μｍのＰＥＴフィルムから透光性導電体２０Ｂを剥離させた。この操作により、ＰＥＴフィルム上に、電極１５Ｂを表面に露出したＬＥＤチップが残った。これを用いてＬＥＤチップの電極層１５Ｂのエラストマー被覆率測定用の試料とした。【０１３４】
(片面電極型)
ＬＤＥチップの配置状態としては図１４とほぼ同じ、耐屈曲試験後および熱サイクル試験後の透光性片面型ＬＥＤ装置についても、上記方法の前半と同様にして、透光性導電体２０Ｃのみを剥離して、ＬＥＤチップ１０Ａ上の電極１５Ａおよび１５Ｂを露出させ、エラストマー被覆率測定用の試料とした。【０１３５】
エラストマー被覆率測定には、カールツァイス（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ）社製のＵＬＴＲＡ５５電界放射型走査電子顕微鏡にサーモフィッシャーサイエンティフィック（Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）社製のノーレイ・システム・シックス（ＮＯＲＡＹ Ｓｙｓｔｅｍ ＳＩＸ）エネルギー分散型Ｘ線分析装置を取り付けてＥＤＸ(エネルギー分散型Ｘ線分析)により、上記で得られた試料の電極露出面についてＰｔ−Ｐｄの導電膜付与を行った後、元素マッピングを行った。電子顕微鏡の加速電圧は１５．０Ｖ、倍率２５０倍で行った。カーボンのＫ線を使って、分析し、画像処理により、カーボン原子％が５０％以上の面積（ｃ）と電極自体の面積（ｄ）を求め、ｃ／ｄを算出して、エラストマー被覆率とした。【０１３６】
［実施例１］（両面電極型ＬＥＤ装置）
概略構造として、互いに約５ｍｍ離間して直線状に配列された直列接続の６個の両面電極型ＬＥＤチップを、それらの両面電極上に、それぞれエラストマーシートを配置した後、一対の透光性導電体シートで挟持した後、加熱真空プレスすることにより、長さ約９０ｍｍ、幅約５０ｍｍの帯状ＬＥＤ装置を製造した。その部分概略積層構造は図１及び２に示す通り。より詳細には以下の通り。【０１３７】
（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップとして、表裏両面に電極層が形成されたＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系赤色発光ＬＥＤチップ(平面寸法：約３００×３００μｍ、全体厚さ(高さ)：１７５μｍ)を用意した。ＬＥＤチップの表裏両面の電極層は、ＬＥＤ本体（１１）のＮ型半導体（Ｎ−ＧａＡｌＡｓ）層（４２）と半導体基板(４１Ａ)を介して電気的に接続された厚さが３．５μｍのＡｕからなる基板側電極層（１５Ａ）と、ＬＥＤ本体のＰ型半導体（Ｐ−ＧａＡｌＡｓ）層（４４）と電気的に接続された厚さが０．５μｍのＡｕからなる発光側電極層（１５Ｂ）とからなるものとした。ＬＥＤチップは、基板側電極層（１５Ａ）がＬＥＤ本体（１１）の表面全体に形成され、発光側電極層（１５Ｂ）がＬＥＤ本体の表面の２０％に形成されるようにした。
また、ＬＥＤチップは、基板側電極層（１５Ａ）の表面のＲａが０．５μｍ、発光側電極層（１５Ｂ）の表面のＲａが０．１３μｍであった。【０１３８】
（透光性導電体の作製）
透光性導電体（２０Ａ，２０Ｂ）を作製した。透光性導電体（２０）は、透光性基体としての厚さ１８０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のシート（２１）の表面に、ＩＴＯ微粒子を分散させたスラリーを印刷し、室温で紫外線硬化させて、厚さ１μｍの導電層を形成した後、レーザー照射によるそのパターニングにより、上述のように直線状に配列される６個のＬＥＤチップの直列接続に適した回路層(２５)を形成したものである。スラリーとしては、紫外線硬化型アクリル系透明樹脂に、平均粒径０．１５μｍ(アスペクト比：３．０)のＩＴＯ微粒子を約９０重量％の割合で分散させたものを用いた。【０１３９】
（エラストマーシート）
透光性エラストマー層を構成する（３０）材料として、ビカット軟化温度が１１０℃で、厚さが６０μｍのアクリル系エラストマーシートを用意し、透光性導電体（２０）とほぼ同面積のシート(３５)に切断して用いた。そのガラス転移温度は−４０℃、融解温度は２２０℃引張貯蔵弾性率が０℃で１．１ＧＰａ、１００℃で０．３ＧＰａ、ビカット軟化温度である１１０℃で０．２ＧＰａであった。【０１４０】
（積層）
図７（但し上下が逆）を参照して、はじめに、透光性導電体（２０Ａ）を導電回路層（２５Ａ）が上向きになるように保持した。この上に、エラストマーシート（３５）を積層し、さらにＬＥＤチップ（１０）を発光側電極層（１５Ｂ）が上向きになるように積層した。次に、ＬＥＤチップの発光側電極層（１５Ｂ）の上に、エラストマーシート（３５）を積層し、さらに透光性導電体（２０Ｂ）を導電回路層（２５Ｂ）が下向きになるように積層した。【０１４１】
（透光性ＬＥＤ発光シートの作製）
得られた積層体を０．１ＭＰａの圧力で予備プレスした後、雰囲気を５ｋＰａ以下に真空引きしながら、１２０℃、１０ＭＰａの真空熱プレスを１０分間おこなったところ、透光性導電体（２０Ａ−２０Ｂ）間かつＬＥＤチップ（１０）の周囲に密に透光性エラストマー層（３０）が形成され、気泡のない透光性ＬＥＤ発光シート(ＬＥＤ発光装置)が得られた。また、得られた透光性ＬＥＤ発光シートの周囲端面を熱硬化性樹脂でシールして、帯状ＬＥＤ発光装置を得た。
上記実施例１の製造条件の概要を、以下の実施例及び比較例の結果とまとめて、後記表１に記す。
上記で得られたＬＥＤ発光装置について、透光性絶縁エラストマー層の厚さ測定、断面観察ＬＥＤ電極のエラストマー被覆率測定、耐屈曲試験、熱サイクル試験、による評価を行った。結果を、以下の実施例及び比較例の結果とまとめて後記表２に示す。【０１４２】
［実施例２］（両面電極型）
基板側および発光面側の透光性導電体の導電層の厚さをともに２μｍにし、積層体を真空熱プレスする際の圧力を１２ＭＰａ、加熱温度を１１０℃にした以外は実施例１と同様にして、透光性ＬＥＤ発光装置を作製し、評価した。【０１４３】
［実施例３］（両面電極型）
基板側電極層側の透光性導電体の導電層の厚さおよび発光側電極層側の透光性導電体の導電層の厚さをともに３μｍにし、積層体を真空熱プレスする際の圧力を１５ＭＰａ、加熱温度を１００℃にした以外は、実施例１と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１４４】
［実施例４］（両面電極型）
透光性導電体の導電層の厚さを、基板側電極層側の透光性導電体の導電層を３μｍ、発光側電極層側の透光性導電体の導電層を３μｍにするとともに、エラストマーシートの厚さを８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。
得られた透光性ＬＥＤ発光シートについて、実施例１と同様にして耐屈曲試験、熱サイクル試験、断面観察、ＬＥＤ電極面のエラストマー被覆率測定を行った。【０１４５】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
なお、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていることが分かった。【０１４６】
［比較例１］（両面電極の表裏両面にエラストマーシートを配置しない例）
基板側電極層側の透光性導電体の導電層（２５Ａ）の厚さおよび発光側電極層側の透光性導電体の導電層（２５Ｂ）の厚さをともに３μｍにするとともに、基板側電極層側の透光性導電体（２０Ａ）とＬＥＤチップの基板側電極層との間にエラストマーシートを配置せず、発光側電極層側の透光性導電体（２０Ｂ）とＬＥＤチップの発光側電極層（１５Ｂ）との間に配置するエラストマーシート（３０）の厚さを１２０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１４７】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、供試体６個中、１個が屈曲半径１００ｍｍで不点灯になり、屈曲半径８０ｍｍでは６個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると４個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を１０サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても６個とも不点灯のままであることが分かった。【０１４８】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が１５００サイクル実施後に不点灯になり、２０００サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１４９】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
また、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、製造時にエラストマーシートを配置しなかったＬＥＤチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていないことが分かった。【０１５０】
［実施例５］（片面電極型ＬＥＤチップの電極側表面にエラストマーシートを配置する例）
概略構造としては、実施例１と同様に、互いに約５ｍｍ離間して直線状に配列された直列接続の６個の、但し片面電極型ＬＥＤチップを用意し、それらの電極側表面上に、エラストマーシートを配置した後、一対の透光性導電体シートで挟持し、加熱真空プレスすることにより、長さ約９０ｍｍ、幅約５０ｍｍの帯状ＬＥＤ装置を製造した。その部分概略積層構造は図１４及び１５に示す通り。製造のより詳細は以下の通り。【０１５１】
（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップとして、片面に２種類の電極層が形成されたＧａＮ系青色ＬＥＤチップ(平面寸法：約３５０×３５０μｍ、全体厚さ(高さ)：９０μｍ)を用意した。ＬＥＤチップ(１０Ａ)は、サファイア製基板(４１Ａ)上に、Ｎ型半導体層(４２)、発光層(４３)及びＰ型半導体層(４４)をこの順序で積層したもので、そのＰ型半導体層(４４)側の片面(発光面)上に、Ｎ型半導体層(４２)およびＰ型半導体層(４４)とそれぞれ電気的に接続されたそれぞれ厚さが１．５μｍでＡｕからなる電極（１５Ａ）および電極（１５Ｂ）を設けてなる。電極１５Ａおよび１５Ｂの表面のＲａはともに０．１５μｍであった。【０１５２】
（透光性導電体および透光性基体）
実施例１と同様に、厚さ１８０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のシートからなる透光性基体（２１）の一対を用意し、その一方を非発光面側の透光性基体２１Ｄとした。他方の透光性基体２１Ｃの一面に、紫外線硬化型アクリル系透明樹脂に、平均粒径０．１５μｍ (アスペクト比：３)のＩＴＯ微粒子を約９０重量％の割合で分散させて得たスラリーを塗布し、室温で紫外線硬化させて得た厚さ３μｍの塗膜を、レーザー照射による部分除去（パターニング）により、上述したように直線状に配列される６個のＬＥＤチップの直列接続に適した、Ｎ型半導体用電極１５Ａとの接続用の導電層２５Ａ及びＰ型半導体用電極１５Ｂとの接続用の導電層２５Ｂを形成して、透光性導電体２０Ｃとした。【０１５３】
（エラストマーシート）
実施例１と同様に、ビカット軟化温度が１１０℃で厚さが６０μｍのエラストマーシートを用意し、切断して透光性導電体２０Ｃと同程度の面積を有するエラストマーシート３５を形成した。【０１５４】
（積層）
図１６を参照して、はじめに、透光性導電体２０Ｃの上向きに配置した導電層（２５）上に、エラストマーシート３５を積層し、さらにＬＥＤチップ１０Ａ（複数）を、発光面側電極１５Ａ及び１５Ｂが、下向き且つ透光性導電体２０Ｃの導電層２５Ａ及び２５Ｂとそれぞれ対抗するように位置合わせして、積層した。次に、ＬＥＤチップ１０Ａの非発光面７１上には、エラストマーシートを積層することなく、透光性基体２１を積層した。【０１５５】
（透光性ＬＥＤ発光シートの作製）
得られた積層体を０．１ＭＰａの圧力で予備プレスした後、雰囲気を５ｋＰａ以下になるように真空引きしつつ、１２０℃、１０ＭＰａの圧力で真空熱プレスを１０分間おこなったところ、透光性導電体２０Ｃおよび透光性基体２１とＬＥＤチップ１０Ａの間かつＬＥＤチップ２１Ａの周囲に透光性エラストマー３０が充填され、気泡の無い透光性ＬＥＤ発光シート１Ａ（図１４）が得られた。また、得られた透光性ＬＥＤ発光シートについて、端面を熱硬化性樹脂でシールするシール処理を行って、透光性帯状の製品ＬＥＤ発光装置を作製し、実施例１と同様にして評価した。【０１５６】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの片面に形成された２種類の発光側電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
また、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの２種類の発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていることが分かった。
さらに、ＬＥＤチップの電極層が形成されない側の表面と透光性基体との間の隙間がエラストマーで充填されていることが分かった。【０１５７】
［実施例６］（片面電極型ＬＥＤチップの電極側表面にエラストマーシートを配置する例）
エラストマーシート３５の厚さを８０μｍとした以外は、実施例５と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１５８】
［比較例２］（片面電極型ＬＥＤチップの電極側表面にエラストマーシートを配置しない例）
厚さ６０μｍのエラストマーシート３５を、ＬＥＤチップ１０Ａの電極面側でなく透明基体４１側に配置する以外は、実施例５と同様にして透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１５９】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、供試体６個中、１個が屈曲半径５０ｍｍで不点灯になり、屈曲半径４０ｍｍでは６個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると４個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を１０サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても６個とも不点灯のままであることが分かった。【０１６０】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が１００サイクル実施後に不点灯になり、５００サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１６１】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの片面に形成された２種類の発光側電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの片面の２種類の発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていないことが分かった。
なお、ＬＥＤチップの電極層が形成されない側の表面と透光性基体との間の隙間はエラストマーで充填されていた。【０１６２】
［実施例７］（片面電極型ＬＥＤチップの両面にエラストマーシートを配置する例）
エラストマーシートの厚さを３０μｍとし、ＬＥＤチップの２種類の発光側電極層が形成された側の表面との間に加えて、ＬＥＤチップの他の表面と透光性基体との間にも配置した以外は実施例５と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１６３】
［実施例８］（両面電極の両面にエラストマーシートを配置するとともに、スパッタリングで導電層を形成する例）
厚さ１８０μｍのＰＥＴシート上に、スラリー塗布硬化型の導電層でなく、厚さ０．１５μｍのＩＴＯスパッタリング膜を導電層として形成した透光性導電体を用いる以外は、実施例１と同様にして、光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１６４】
［実施例９］（両面電極型ＬＥＤチップの両面にエラストマーシートを配置するとともに、スパッタリングで導電層を形成する例）
ビカット軟化温度が１４０℃で厚さが４５μｍのエラストマーシートを用い、真空熱プレスを１４０℃で行った以外は、実施例１と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１６５】
［比較例３］（両面電極型ＬＥＤチップの片面にエラストマーシートを配置するとともに、スパッタリングで導電層を形成する例）
透光性導電体として、実施例８と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用い、厚さ１００μｍのエラストマーシートをＬＥＤチップの発光面側にのみ配置し、エラストマーシートをＬＥＤチップの非発光面側には配置せずに、積層する以外は実施例８と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１６６】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、供試体６個中、１個が屈曲半径１００ｍｍで不点灯になり、屈曲半径８０ｍｍでは６個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると４個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を１０サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても６個とも不点灯のままであることが分かった。【０１６７】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が５０サイクル実施後に不点灯になり、５００サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１６８】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの両面に形成された２種類の電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの非発光面側電極層の表面の凹凸とこれに接触する透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていないことが分かった。
なお、ＬＥＤチップの発光面側の電極層表面と透光性基体との間の隙間はエラストマーで充填されていることが分かった。【０１６９】
［実施例１０］（片面電極の両面にエラストマーシートを配置するとともに、スパッタリングで導電層を形成する例）
透光性導電体として、実施例８と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用いた以外は、実施例７と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１７０】
［比較例４］（片面電極の電極側表面にエラストマーシートを配置しないとともに、スパッタリングで導電層を形成する例）
透光性導電体として、実施例８と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用いた以外は、比較例２と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１７１】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、供試体６個中、２個が屈曲半径５０ｍｍで不点灯になり、屈曲半径４０ｍｍでは６個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放しても５個は点灯が回復しなかった。【０１７２】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が１００サイクル実施後に不点灯になり、５００サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１７３】
［実施例１１］（片面電極の電極側表面にエラストマーシートを配置するとともに、スパッタリングで導電層を形成する例）
透光性導電体として、実施例８と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用いた以外は、実施例５と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１７４】
［実施例１２、１５および１６］
透光性導電体の導電層の厚さをそれぞれ５μｍ、０．５μｍおよび１２μｍと変更する以外は、実施例５と同様にして透光性発光装置を作成し、評価を行った。【０１７５】
これら全ての実施例で透光性ＬＥＤ発光装置の耐屈曲試験では、供試体６個中、６個とも屈曲半径が３０ｍｍまでＬＥＤチップの点灯状態が維持されことが分かった。
また、これら全ての実施例では透光性ＬＥＤ発光装置の熱サイクル試験では、２５００サイクル実施後も６個全てが点灯状態を維持した。【０１７６】
［実施例１３および１４］
導電層の厚さをそれぞれ０．５μもよび１２μｍと変更する以外は実施例１と同様にして透光性発光装置を作成し、同様にして評価を行った。【０１７７】
[実施例１７]
厚さ１８０μｍのＰＥＴシート上に、感光性化合物であるハロゲン化銀を塗布した後、露光・現像処理を施して厚さ１μｍ、線径１０μｍ、目開き５００μｍの正方格子形Ａｇ粒子メッシュ電極層を透光性導電層として有する透光性導電体を用意した。
この透光性導電体を、ＩＴＯ分散樹脂硬化膜型の透光性導電層を有する透光性導電体の代わりに用いる以外は、実施例１と同様にして、透光性発光装置を作成し、評価した。【０１７８】
[実施例１８]
実施例１７で用いたＡｇ粒子メッシュ電極層を透光性導電層として有する透光性導電体をＩＴＯ分散樹脂硬化膜型の透光性導電層を有する透光性導電体の代わりに用いる以外は、実施例５と同様にして、透光性発光装置を作成し、評価した。【０１７９】
［比較例５］（エラストマーシートに設けた貫通孔に両面電極ＬＥＤを配置した例）
特許文献５に記載された方法で透光性ＬＥＤ発光シートを作製した。
（ＬＥＤチップ）
すなわち、実施例１と同様にビカット軟化温度が１１０℃で但し厚さが１２０μｍのエラストマーシートを用い、実施例１と同じ平面寸法の帯状エラストマーシーを形成し、更にＬＥＤチップ１０を収容するに適した６個の透孔を形成した。この帯状エラストマーシートを、その透孔により、直列に配列された６個のＬＥＤチップをそれぞれ収容するように配置する以外は実施例１と同様にして積層体を形成し、その後実施例１と同様にして、真空プレスすることにより、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１８０】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、屈曲半径１００ｍｍになるまでに、供試体６個中、６個とも不点灯になることが分かった。【０１８１】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が５００サイクル実施後に不点灯になり、５５０サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１８２】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間、およびＬＥＤチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていないことが分かった。【０１８３】
［比較例６］（片面電極型ＬＥＤチップの周囲に接着剤を充填する。）
特許文献４に記載された方法で透光性ＬＥＤ発光シートを作製した。
（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップ（複数）、帯状透光性導電体および帯状透光性基体として、それぞれ、実施例５と同じものを使用した。【０１８４】
（積層）
図１６に示す参照符号を用いて説明すると、透光性導電体２０Ｃを導電層２５Ａ，２５Ｂが上向きになるように保持し、この上に、ＬＥＤチップ１０Ａを、発光側電極層である２種類の電極層１５Ａおよび１５Ｂが下向きで且つ位置合わせした導電層２５Ａおよび２５Ｂとそれぞれ、異方性導電接着剤で固定した。次に、ＬＥＤチップ１０Ａの電極層が形成されていない上側に、透光性基体２１Ｄを積層した。【０１８５】
（透光性ＬＥＤ発光シートの作製）
得られた積層体を５ｋＰａ以下の真空下におき、積層体の透光性導電体２０Ｃと透光性基体２１Ｄとの間、かつＬＥＤチップ１０Ａの周囲に紫外線硬化型アクリル樹脂系接着剤を隙間が生じないように充填した。この後、紫外線を照射してアクリル樹脂系接着剤を部分硬化させた。
これにより、耐屈曲性を有し、かつ、ＬＥＤチップ１０Ａの表面のうち電極層１５Ａ，１５Ｂ以外の表面が透光性導電体および透光性基体と接着している発光装置としての透光性ＬＥＤ発光シートが得られた。また、得られた透光性ＬＥＤ発光シートについて、端面を熱硬化性樹脂でシールするシール処理を行って、帯状のＬＥＤ発光装置を作成し、実施例５と同様にして評価した。【０１８６】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、屈曲半径６０ｍｍになるまでに、供試体６個中、６個とも不点灯になることが分かった。【０１８７】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が８０サイクル実施後に不点灯になり、６００サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１８８】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの片面に形成された２種類の発光側電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がアクリル樹脂系接着剤で充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間、およびＬＥＤチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はアクリル樹脂系接着剤で充填されていないことが分かった。【０１８９】
［比較例７］（両面電極の両面にホットメルト接着剤シートを配置する例）
ＬＥＤチップの両面に配置するエラストマーシートの代わりに、環球法（ＪＩＳ  Ｋ７２３４）による軟化点が１２０℃の市販の、厚さ６０μｍのホットメルト接着剤シートを用いて形成した積層体を、大気圧下で、温度１８０℃、圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で１分間プレスして透光性ＬＥＤ発光シートを形成する以外は、実施例１と同様にして、帯状ＬＥＤ発光装置を作成し、評価した。【０１９０】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、供試体６個中、６個とも屈曲半径が６０ｍｍまでは、点灯が維持できたが、屈曲半径が３０ｍｍになると６個とも不点灯となった。【０１９１】
＜熱サイクル試験＞
本比較例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、６００サイクル実施後に６個全てが不点灯となった。【０１９２】
＜断面観察＞
本比較例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間、およびＬＥＤチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間は接着剤が殆ど存在していないことが分かった。【０１９３】
［比較例８］
図９を参照して、基板側電極層側の透光性導電体の導電層（２５Ａ）の厚さおよび発光側電極層側の透光性導電体の導電層（２５Ｂ）の厚さをともに３μｍにするとともに、発光面側の透光性導電体とＬＥＤチップの発光面側電極層（１５Ｂ）との間にエラストマーシートを配置せず、基板側電極層側の透光性導電体（２５Ａ）とＬＥＤチップの基板側電極層（１５Ａ）との間に配置するエラストマーシート（３５）の厚さを１２０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、透光性ＬＥＤ発光シートを作製し、評価した。【０１９４】
＜耐屈曲試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、供試体６個中、１個が屈曲半径１００ｍｍで不点灯になり、屈曲半径８０ｍｍでは６個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると４個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を１０サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても６個とも不点灯のままであることが分かった。【０１９５】
＜熱サイクル試験＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、１個が１５００サイクル実施後に不点灯になり、２０００サイクル実施後では６個全てが不点灯になった。【０１９６】
＜断面観察＞
本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートは、ＬＥＤチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、ＬＥＤチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
また、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、ＬＥＤチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性ＬＥＤ発光シートでは、製造時にエラストマーシートを配置しなかったＬＥＤチップの発光面側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光面側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていないことが分かった。【０１９７】
上記実施例及び比較例の、製造条件の概要を以下の表１に、また評価の結果を表２に、それぞれ、まとめて示す。
【表１】
0005628460.tif 000002
【０１９８】
【表２】
0005628460.tif 000003
【０１９９】
上記において、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２００】
上述したように、本発明によれば、製造時および使用時の耐屈曲性および熱サイクル特性に優れ、強い屈曲や熱負荷に対して点灯を維持できる発光装置が、透光性エラストマーのビカット軟化温度より若干高い温度での真空プレスを特徴とする製造方法により提供される。
【符号の説明】
【０２０１】
１、１Ａ、１Ｂ、９０、９０Ａ  発光装置
１０  ＬＥＤチップ（両面電極型）、１０Ａ  ＬＥＤチップ（片面電極型）
１１  ＬＥＤ本体（両面電極型）、１１Ａ  ＬＥＤ本体（片面電極型）
１３  ＬＥＤチップの周囲
１５  電極層
１５Ａ  第１の電極層（カソード電極層、電極層）
１５Ｂ  第２の電極層（アノード電極層、電極層）
１７  電極層の外周面
１８  電極層の角部
２０  透光性導電体
２０Ａ  第１の透光性導電体
２０Ｂ  第２の透光性導電体
２０Ｃ  第２の実施形態の透光性導電体
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ  透光性基体
２５  透光性導電層
２５Ａ  第１の透光性導電層（透光性導電層）
２５Ｂ  第２の透光性導電層（透光性導電層）
２６  透光性導電層の表面
３０  透光性エラストマー層
３５  仮透光性エラストマー層
３６，３６Ａ，３６Ｂ  バンプ電極
３６Ｓ  Ａｕバンプ
４１  ＬＥＤ半導体基板（両面電極型）
４１Ａ  ＬＥＤ耐熱性基板（片面電極型）
４２  Ｎ型半導体層
４４  Ｐ型半導体層
４３  発光層
４５  凹凸形状
４６  凹部
４７  凸部
４８  隙間空間
７１  ＬＥＤ本体の表面
７１Ａ  ＬＥＤ本体の第１の表面
７１Ｂ  ＬＥＤ本体の第２の表面
７１Ｃ  ＬＥＤ本体の第３の表面
７１Ｄ  ＬＥＤ本体の第４の表面
７２  Ｎ型半導体層発光層側界面
８５  発光面
９１  空隙
９２  クラック
９５  断面観察用固定樹脂
【要約】
それぞれ透光性導電層を具備した一対の透光性絶縁体シートにより、または、透光性導電層（複数）を具備した透光性絶縁体シートと透光性導電層を具備しない透光性絶縁体シートとにより、挟まれた領域が、前記透光性導電層のそれぞれと個別に電気的に接続されたカソード電極とアノード電極とをそれぞれ具備する一以上の発光ダイオードと、透光性エラストマーとで充填されており、かつ前記発光ダイオードのアノード電極及びカソード電極と前記透光性導電層との界面には前記透光性エラストマーが少なくとも部分的に存在し、前記アノード電極及びカソード電極表面上の凹部にも前記透光性エラストマーが充填されていることを特徴とする発光装置。この発光装置は、製造時および使用時の耐屈曲性および熱サイクル特性に優れ、強い屈曲や熱負荷に対して点灯を維持できる。また透光性エラストマーのビカット軟化温度と同等あるいはこれより若干高い温度での真空プレスを特徴とする、上記発光装置の製造方法も開示される。【図１】
0005628460.tif 000004
【図２】
0005628460.tif 000005
【図３】
0005628460.tif 000006
【図４】
0005628460.tif 000007
【図５】
0005628460.tif 000008
【図６】
0005628460.tif 000009
【図７】
0005628460.tif 000010
【図８】
0005628460.tif 000011
【図９】
0005628460.tif 000012
【図１０】
0005628460.tif 000013
【図１１】
0005628460.tif 000014
【図１２】
0005628460.tif 000015
【図１３】
0005628460.tif 000016
【図１４】
0005628460.tif 000017
【図１５】
0005628460.tif 000018
【図１６】
0005628460.tif 000019
【図１７】
0005628460.tif 000020
【図１８】
0005628460.tif 000021
【図１９】
0005628460.tif 000022
【図２０】
0005628460.tif 000023