(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種又は２種以上の一般式（Ｉ）
【化１】
0005500325.tif 000021
（前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表し、
ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表し、０≦ａ＋ｂ≦３であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良く、
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物の溶液を用意し、
前記溶液を精製剤と接触させた後、又は前記溶液を精製剤と接触させることなく、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させる一連の工程において、
結晶の晶析工程の初めから乾燥工程の終わりまでを酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う、一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法。
【請求項２】
前記溶液を精製剤と接触させた後、得られた溶液から溶媒を一部留去して、前記結晶を析出させるための溶液を得る、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項３】
前記溶液を精製剤と接触させた後、得られた溶液から溶媒を一部又は全部留去し、一部留去した後の溶液、又は、全部留去することにより得られる残渣に、溶媒を加えて、前記結晶を析出させるための溶液を得る、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項４】
前記溶液を精製剤と接触させた後、精製後の溶液に溶媒を加えるか、又は、精製後の溶液に溶媒を加えることなく、前記結晶を析出させるための溶液を得る、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項５】
前記溶液を精製剤と接触させた後、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させる一連の工程において、
精製剤との接触工程の初めから乾燥工程の終わりまでを、酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項６】
前記溶液を精製剤と接触させた後、又は前記溶液を精製剤と接触させることなく、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させ、容器に充填する一連の工程において、
結晶の晶析工程の初めから容器への充填工程の終わりまでを酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項７】
前記溶液を精製剤と接触させた後、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させ、容器に充填する一連の工程において、
精製剤との接触工程の初めから容器への充填工程の終わりまでを酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項８】
酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う工程を、酸素濃度３体積％以下かつ湿度１５％以下の雰囲気で行う、請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物の製造方法。
【請求項９】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化２】
0005500325.tif 000022
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１がトリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表す、請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物の製造方法。
【請求項１０】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化３】
0005500325.tif 000023
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニルオキシ基を表す、請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物の製造方法。
【請求項１１】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化４】
0005500325.tif 000024
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表す、請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物の製造方法。
【請求項１２】
結晶のろ取工程から乾燥工程を、ろ過機能付き乾燥機で行う、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化合物の製造方法により前記一般式（Ｉ）で表される化合物を製造して用いる、液晶組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、液晶テレビ、携帯電話やパソコンなどをはじめとする民生用途から産業用途まで広く使用されるようになった。これらの製品の寿命は数年から十数年と比較的長く、この間表示素子が正常に動作するために、液晶表示素子に使用する液晶材料には高い安定性が求められる。液晶材料の代表的な安定性の指標として比抵抗値がある。液晶表示素子が正常に動作するためには、それに使用する液晶材料の比抵抗値が十分高くなければならず、また経時劣化も抑えなければならない。【０００３】
一方、液晶材料に対する要求は、高速応答化や高コントラスト化など多岐に渡る。これら物性は単独の化合物では達成することができず、複数の液晶化合物を混合し、液晶組成物として要求に対応している。そのため高い安定性を有する液晶材料を得るためには、それを構成する各液晶化合物も高い安定性を有している必要がある。
液晶化合物の安定性を向上させるためには、不純物の除去により純度を向上させることや、液晶材料中の水分や有機イオン、無機イオン等を除去することが有効である。そのための方法としては、シリカゲルやアルミナとの接触や、再結晶による精製が一般的である（特許文献１及び２）。【０００４】
しかし、液晶材料を構成する化合物の内、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有するものは化学的安定性が低く、酸素による酸化や、水分による加水分解、あるいはフッ素原子の脱離等により純度の低下やそれに伴う比抵抗値の低下を招く場合がある。そのため、前記方法等によって化合物を精製しても、精製処理中に酸素や水分等と接触することにより酸化反応等を起こし、結果的に求められる純度や比抵抗値を持つものが得られないという問題があった。連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物を劣化させることなく、高純度、高比抵抗値のものに精製する簡便で実用的な方法が切望されているものの、具体的な解決手段はこれまでに報告されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−２１０４２０号公報
【特許文献２】特開昭５８−１７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物を精製する簡便で実用的な方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上述した状況に鑑み、鋭意検討した結果、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物を合成した後、酸素との接触機会を減らすことにより、該化合物を劣化させることなく高い比抵抗値が得られる簡便で実用的な方法が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、１種又は２種以上の一般式（Ｉ）【０００８】
【化１】
0005500325.tif 000002
【０００９】
（前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表し、
ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表し、０≦ａ＋ｂ≦３であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良く、
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物の溶液を用意し、
前記溶液を精製剤と接触させた後、又は前記溶液を精製剤と接触させることなく、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させる一連の工程において、
結晶の晶析工程の初めから乾燥工程の終わりまでを酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う、一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物を、簡便で実用的な方法により精製することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液を用意した後、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させる一連の工程において、少なくとも、結晶の晶析工程の初めから乾燥工程の終わりまでを、所定の低い酸素濃度雰囲気で行うことを特徴とする、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の製造方法を提供する。
連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物は、詳しくは後述する一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。溶液中には、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【００１２】
前記一連の工程は、前記結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させる工程（結晶の晶析工程）の前に、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液を精製剤と接触させる工程（精製剤との接触工程）、及び／又は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液から溶媒を一部又は全部留去する工程（溶媒の一部又は全部留去工程）、及び／又は、前記連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に溶媒を追加する工程（溶媒の追加工程）を経てもよく、これらの工程を経なくてもよい。精製剤との接触工程と溶媒の一部又は全部留去工程を経る場合は、精製剤との接触工程の後に溶媒の一部又は全部留去工程を経ることが好ましい。精製剤との接触工程と、溶媒の一部又は全部留去工程と、溶媒の追加工程を経る場合は、精製剤との接触工程の後に溶媒の一部又は全部留去工程を経た後、溶媒の追加工程を経ることが好ましい。
精製剤との接触工程の際に連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液の濃度が低い場合は、精製剤との接触工程の前に溶媒の一部留去工程を行うこともできる。精製剤との接触工程の前における溶液の濃度は、結晶が析出しない程度が好ましい。
結晶の晶析工程の後には、得られた結晶をろ取する工程（結晶のろ取工程）、結晶を乾燥する工程（結晶の乾燥工程）を有する。
【００１３】
結晶の乾燥工程の後には、さらに、容器に充填する工程（容器への充填工程）を有することができる。
得られた結晶を充填するための容器は、密閉可能な容器が好ましい。水分や酸素を遮断できるように、水蒸気や酸素ガスの透過性が低い材質の容器がさらに好ましい。内部を目視できるためには透明な容器が好ましく、結晶に対する紫外線などの光の影響を抑制するためには、不透明な容器又は暗色の容器が好ましい。容器の材質は、特に限定されないが、ガラス、金属、プラスチック等が挙げられる。容器の中には、得られた結晶とともに、気体などの流体を充填することが好ましい。得られた結晶とともに容器に充填する流体は、前記一連の工程において使用される雰囲気と同等程度の低い酸素濃度であることが好ましい。例えば、不活性ガスやその混合ガス等、酸素濃度の低いガスが挙げられる。
【００１４】
本発明において、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物を溶解する溶媒に使用する有機溶媒としては、炭素原子数６〜９の飽和又は芳香族の炭化水素が好ましく、ベンゼン環以外に炭素−炭素不飽和結合を有しないことが好ましい。例えば、アルカン、シクロアルカン、アルキルシクロアルカン、ベンゼン、アルキルベンゼン、ジアルキルベンゼン等が挙げられる。具体的には、ヘキサン及びその構造異性体（炭素原子数６の非環式飽和炭化水素）、ヘプタン及びその構造異性体（炭素原子数７の非環式飽和炭化水素）、オクタン及びその構造異性体（炭素原子数８の非環式飽和炭化水素）、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、及びクメン、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチル−ｔ−ブチルエーテル、アセトニトリル又はプロピオニトリルから選択される単一又はそれらの２種以上の混合溶媒が好ましく、ヘキサン及びその構造異性体、ヘプタン及びその構造異性体、及びトルエンから選択される単一溶媒、又はそれらの１種若しくは２種以上を含む混合溶媒がより好ましい。
【００１５】
結晶の晶析工程の前に、精製剤との接触工程、溶媒の一部又は全部留去工程、又は溶媒の追加工程のいずれか一つ以上の工程を経て、結晶を析出させるための溶液を得る場合は、例えば以下の（１）〜（５）の方法で行うことができる。
（１）第１の方法
第１の方法は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に対し、精製剤との接触工程を行い、得られた結晶を析出させるための溶液から、結晶を析出させる方法である。
結晶の晶析工程の前に、精製剤との接触工程を行う場合、精製剤としてシリカゲル、アルミナ、イオン交換樹脂又はそれらの混合物を使用するのが好ましい。シリカゲルやアルミナは、疎水性基や親水性基、官能基等で化学修飾したものでもよい。
精製剤の使用量は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の合計１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上が好ましく、１質量部以上が好ましく、３質量部以上が好ましく、５質量部以上が好ましく、１０質量部以上が好ましく、３０質量部以上が好ましく、また、１０００質量部以下が好ましく、５００質量部以下が好ましく、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下が好ましく、１００質量部以下が好ましく、５０質量部以下がより好ましく、１０質量部以下でもよい。
この際、溶液を精製剤と接触させる方法は特に問わないが、例えば以下の（Ａ）又は（Ｂ）のいずれかの方法で行うことができる。
【００１６】
（Ａ）連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液を、精製剤を充填したカラムクロマトグラフィーを通過させ溶液を得る。
この方法では、精製剤の使用量は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の合計１００質量部に対して１０質量部から３００質量部が好ましく、３０質量部から２００質量部がより好ましい。溶液をカラムクロマトグラフィーに通過させた後には、必要に応じて有機溶媒をさらに通過させ、得られた溶液と合わせ（混ぜ）てもよい。
【００１７】
（Ｂ）連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に精製剤を加えて一定時間撹拌し、使用した精製剤をろ過により除去して溶液を得る。
この方法では、精製剤の使用量は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の合計１００質量部に対して０．１質量部から１００質量部が好ましく、０．５質量部から５０質量部がより好ましく、０．５質量部から１０質量部が特に好ましい。
【００１８】
（２）第２の方法
第２の方法は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に対し、精製剤との接触工程を行い、得られた溶液に溶媒を追加して、得られた結晶を析出させるための溶液から、結晶を析出させる方法である。
再結晶の晶析時には溶媒の使用量は重要である。溶媒の使用量により、結晶の回収率や結晶の形状が変化してしまうからである。精製剤との接触工程を行った後の溶液は、溶媒量が少なすぎる場合があるため、溶媒を追加することにより、結晶を析出させるための溶液の量を、結晶析出のために最適な量とすることができる。
【００１９】
（３）第３の方法
第３の方法は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に対し、精製剤との接触工程を行い、得られた溶液の溶媒を一部留去して溶媒の一部留去工程を行い、得られた結晶を析出させるための溶液から、結晶を析出させる方法である。
精製剤との接触工程を行った後の溶液は、溶液の量が多すぎる場合があるため、溶媒を一部留去することにより連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の濃度を高めて、結晶を析出させるための溶液の量を、結晶析出のために最適な量とすることができる。
【００２０】
（４）第４の方法
第４の方法は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に対し、精製剤との接触工程を行い、得られた溶液の溶媒を一部留去して溶媒の一部留去工程を行い、その後、溶媒を追加して、得られた結晶を析出させるための溶液から、結晶を析出させる方法である。
連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液を、トルエン等の導電率の低い溶媒（連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶解性が高い溶媒）に溶解させて、精製剤との接触工程、及び、溶媒の一部留去工程を経た後、新たな溶媒を追加して導電率のより高い溶媒組成とすることにより、結晶を析出させるための溶液を、再結晶に適した組成に調整することができ、結晶の回収率を高めることができる。また、導電率の低い溶媒は、結晶析出、撹拌及びろ過等の際に発生した静電気が帯電しやすいが、導電率のより高い組成に調整することにより、静電気の帯電を抑えることができる。
【００２１】
（５）第５の方法
第５の方法は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液に対し、精製剤との接触工程を行い、得られた溶液の溶媒を全部留去して溶媒の全部留去工程を行い、その後、得られた残渣に溶媒を追加して、得られた結晶を析出させるための溶液から、結晶を析出させる方法である。
この方法によると、精製剤との接触工程で用いる溶液の組成と、結晶の析出工程で用いる結晶を析出させるための溶液の組成を、それぞれの工程において最適な組成に調整して用いることができる。
【００２２】
本発明では、前記一連の工程中、少なくとも、結晶の晶析工程の初めから乾燥工程の終わりまでを、所定の低い酸素濃度雰囲気で行う。所定の低い酸素濃度としては、３体積％以下が好ましく、２体積％以下、１体積％以下でもよい。連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液が酸素と接触する機会を減らすため、結晶の晶析工程の初めから容器への充填工程の終わりまで所定の低い酸素濃度雰囲気で行うことが好ましい。
前記一連の工程が精製剤との接触工程を含む場合には、精製剤との接触工程の初めから乾燥工程の終わりまで所定の低い酸素濃度雰囲気で行うことが好ましく、精製剤との接触工程の初めから容器への充填工程の終わりまで所定の低い酸素濃度雰囲気で行うことが更に好ましい。
また、水分との接触による劣化を防ぐため、所定の低い酸素濃度雰囲気で行う上記工程は、湿度１５％以下で行うことが好ましい。
【００２３】
前記の湿度および酸素濃度の雰囲気を調製するためには、不活性ガスにより置換するか、又は減圧状態とすることが好ましい。減圧状態とした後に不活性ガスを充填して減圧を解除する方法がより好ましい。不活性ガスとしては、アルゴン又は窒素が好ましい。雰囲気を減圧状態とする場合、減圧する前から酸素濃度が３体積％以下であることが好ましい。これにより、減圧の前後で雰囲気の組成が変化しないとしても、所定の酸素濃度の低さを維持することができる。雰囲気の減圧は、例えば結晶のろ取工程においてフィルターのろ液排出側から吸引する場合や、結晶を乾燥する場合に行うことが好ましい。結晶のろ取工程においてフィルターのスラリー供給側を加圧する場合には、不活性ガスやその混合ガス等、酸素濃度の低いガスを供給する。
減圧状態において、酸素濃度が３体積％以下でなくても、酸素の分圧が十分に低ければよい場合もある。例えば、大気圧（１０１３２５Ｐａ）における酸素濃度が３体積％以下となる酸素の分圧は約３０００Ｐａ以下であることから、雰囲気における酸素の分圧は約３０００Ｐａ以下が好ましく、２０００Ｐａ以下、１０００Ｐａ以下でもよい。
【００２４】
前記一連の工程に使用する装置について、溶液の調製、精製剤との接触、精製剤の除去、結晶の晶析、結晶のろ取、結晶の乾燥、及び各工程間の溶液又は化合物の移送時に使用する装置及び配管類は、すべて連結されて外気と遮断されていることが望ましい。
特に結晶のろ過工程から乾燥工程を、ろ過機能付き乾燥機で行うことが極めて好ましい。ろ過機能付き乾燥機としては、ローゼンムンド型ろ過乾燥機、ろ過機能付きＰＶミキサー、又はろ過機能付きコニカルドライヤーが好ましい。
ろ過機能付き乾燥機は、結晶と溶液を含むスラリーを入れる密閉可能な容器と、結晶をろ過するフィルターと、結晶を加熱及び／又は減圧により乾燥する乾燥装置を含むことが好ましい。ろ過機能付き乾燥機には、スラリーを撹拌する撹拌翼、容器を振動、回転又は傾斜させる動力装置、スラリーの投入口、ろ液の排出口、結晶を洗浄（リンス）する洗浄装置、得られた結晶の回収、排出装置、加熱や冷却などの温度調整装置等を付属させることができる。容器の形状は、特に限定されないが、円筒形、円錐形、球形等が挙げられる。容器を加熱する場合は、容器の外側に加熱ジャケットを設けて容器内に熱伝導させる方法、容器内外に配管を通して熱媒体を流通させる方法、容器内に高温ガスを吹き込む方法が挙げられる。乾燥方法としては、加熱乾燥、減圧乾燥、真空乾燥、凍結乾燥、あるいはこれらの２種以上の組み合わせが挙げられる。フィルター面は、容器の下部や中間部に水平面としてもよく、容器の壁面に沿った円筒面や円錐面としてもよい。結晶をフィルター面から剥離したり、容器から排出したりするため結晶を移動させる際には、機械的な掻き取りや、ガスの噴射圧力等を用いることが好ましい。ろ過機能付き乾燥機にガスを導入する場合は、容器内部の雰囲気の酸素濃度を上げないように、不活性ガスを用いることが好ましい。
【００２５】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物＞
連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物としては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。溶液中には、一般式（Ｉ）で表される化合物が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【００２６】
【化２】
0005500325.tif 000003
【００２７】
前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。
前記一般式（Ｉ）中、ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表し、０≦ａ＋ｂ≦３である。
前記一般式（Ｉ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良い。
ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良い。
ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良い。
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。
ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良い。
ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良い。
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。
【００２８】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物の第１態様＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性Δε＞０で、Δεの絶対値が大きいｐ型液晶化合物であってもよい。
この第１態様に該当する化合物群としては、例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に下記式（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）
【００２９】
【化３】
0005500325.tif 000004
【００３０】
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１がトリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表す化合物が挙げられる。
第１態様において、前記一般式（Ｉ）のＲ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第１態様の具体例としては、例えば、下記の一般式（Ｉ−１．１）から式（Ｉ−１．４）又は式（Ｉ−１．１１）から式（Ｉ−１．１６）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００３１】
【化４】
0005500325.tif 000005
【００３２】
【化５】
0005500325.tif 000006
【００３３】
前記一般式（Ｉ−１．１）から式（Ｉ−１．４）又は式（Ｉ−１．１１）から式（Ｉ−１．１６）中、Ｒ１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す。
【００３４】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物の第２態様＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性Δε＜０で、Δεの絶対値が大きいｎ型液晶化合物であってもよい。
この第２態様に該当する化合物群としては、例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に下記式（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）
【００３５】
【化６】
0005500325.tif 000007
【００３６】
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表す化合物が挙げられる。
第２態様において、前記一般式（Ｉ）のＲ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
第２態様において、前記一般式（Ｉ）のＸ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第２態様の具体例としては、例えば、下記の一般式（Ｉ−２．１）から式（Ｉ−２．１８）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００３７】
【化７】
0005500325.tif 000008
【００３８】
【化８】
0005500325.tif 000009
【００３９】
【化９】
0005500325.tif 000010
【００４０】
前記一般式（Ｉ−２．１）から式（Ｉ−２．１８）中、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ２が炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表す。
【００４１】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物の第３態様＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性Δεの絶対値が比較的小さいノン・ポーラーの液晶化合物であってもよい。
この第３態様に該当する化合物群としては、例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）
【００４２】
【化１０】
0005500325.tif 000011
【００４３】
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す化合物が挙げられる。
第３態様において、前記一般式（Ｉ）のＲ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
第３態様において、前記一般式（Ｉ）のＸ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第３態様の具体例としては、例えば、下記の一般式（Ｉ−３．１）から式（Ｉ−３．８）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００４４】
【化１１】
0005500325.tif 000012
【００４５】
前記一般式（Ｉ−３．１）から式（Ｉ−３．８）中、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ２が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す。
【００４６】
本発明により製造方法される前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、精製処理中に酸素や水分等と接触することによる酸化反応等を防ぎ、高純度、高比抵抗値の化合物が得られる。簡便で実用的であり、生産コストを抑制できる。
得られた前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、他の化合物と配合して液晶材料（液晶組成物）の調製に用いることができる。
【００４７】
液晶材料として用いる他の化合物としては、例えば下記一般式（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
【００４８】
【化１２】
0005500325.tif 000013
【００４９】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ３は炭素原子数１〜６の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。Ｒ３は炭素原子数１〜６の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜６の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜６の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜６の直鎖アルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
前記一般式（ＩＩ）中、ｍは１、２又は３を表し、Ａ５及びＡ６はそれぞれ独立に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）  １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ｍが２又は３を表しＡ５が複数存在する場合、複数存在するＡ５は同一であっても異なっていても良い。
【００５０】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｚ３は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ｍが２又は３を表しＺ３が複数存在する場合、複数存在するＺ３は同一であっても異なっていても良い。
前記一般式（ＩＩ）中、Ｙ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。
また、液晶材料として重合性化合物を用いることもできる。例えば下記一般式（ＩＩＩ）で表される重合性化合物が挙げられる。
【００５１】
【化１３】
0005500325.tif 000014
【００５２】
前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｐ１及びＰ２は、それぞれ独立に、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニロキシ基又は下記式（Ｅｐ−１）から（Ｅｐ−７）のいずれかで表される１価基を表す。
【００５３】
【化１４】
0005500325.tif 000015
【００５４】
なお、前記式（Ｅｐ−１）から（Ｅｐ−７）で表される基は、右上の結合の端で結合する。例えば（Ｅｐ−１）はグリシジルオキシ基、（Ｅｐ−３）はオキシラニル基を表す。
前記一般式（ＩＩＩ）中、ｎは０、１又は２を表し、
Ａ７及びＡ８は、それぞれ独立に、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子で置換されていても良い。）を表すが、ｎが２を表しＡ８が複数存在する場合、複数存在するＡ８は同一であっても異なっていても良い。
Ｚ４は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表すが、ｎが２を表しＺ４が複数存在する場合、複数存在するＺ４は同一であっても異なっていても良い。
【００５５】
本発明に使用する化合物は、分子内に過酸等の過酸化物（−ＯＯ−、−ＣＯ−ＯＯ−）構造を持たないこと、すなわち、酸素原子が直接隣接しないことが好ましい。また、液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物を使用しないことが好ましい。また、ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物を使用しないことが望ましい。
【００５６】
本発明の液晶組成物には、ポリマー安定化（ＰＳ）モード、ポリマー維持配向（ＰＳＡ）モード、横電界型ＰＳＶＡ（高分子安定化垂直配向）モードなどの液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。
【００５７】
本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【００５８】
本発明の重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ、ＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）及びＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示素子）に有用であるが、アクティブマトリクスアドレス装置を有するＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。
【００５９】
液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。
カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【００６０】
２枚の基板間に重合性化合物含有液晶組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）法などを用いることができる。真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。
【００６１】
重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。
照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ２〜５０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ２から５００Ｊ／ｃｍ２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２から２００Ｊ／ｃｍ２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。
【００６２】
本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に適用できる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。純度はガスクロマトグラフィー（カラム：ＤＢ−１、キャリアーガス：ヘリウム）の面積比により算出した。【００６４】
（実施例１）
下記式（１−１）【００６５】
【化１５】
0005500325.tif 000016
【００６６】
で表される化合物（純度９９．９０％）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）を準備し、カラムクロマト管の下部にはアルゴンで３回置換し、アルゴンを満たした風船を取り付けた密閉容器を連結した。先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。密閉容器内の酸素濃度は３体積％、温度は２０℃、湿度は６％であった。密閉状態を保ったまま、この溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。密閉容器を酸素濃度３体積％、温度２０℃、湿度７％のグローブボックスへ移し、その中で結晶をろ取した。結晶を乾燥用のフラスコへ移して乾燥機へ取り付け、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。減圧の解除にはアルゴンガスを使用した。得られた式（１−１）で表される化合物８２ｇの純度を測定したところ、９９．９２％であった。また得られた式（１−１）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである下記式（１−２）【００６７】
【化１６】
0005500325.tif 000017
【００６８】
で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は２．０×１０１２Ω・ｍであった。さらに、得られた液晶組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により劣化を起こすことなく、高い純度及び比抵抗値を有する式（１−１）で表される化合物が得られることがわかった。【００６９】
（実施例２）
前記式（１−１）で表される化合物（純度９９．９０％）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解した。そこへシリカゲル１ｇを加え、アルゴンで３回置換した後アルゴンで満たした風船を取り付けた。容器内の酸素濃度は３体積％、温度は２０℃、湿度は６％であった。この混合物を室温で１時間撹拌した。その後酸素濃度３体積％、温度２０℃、湿度７％のグローブボックス内でろ過を行い、得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。酸素濃度３体積％、温度２０℃、湿度７％のグローブボックスの中で結晶をろ取した。結晶を乾燥用のフラスコへ移して乾燥機へ取り付け、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。減圧の解除にはアルゴンガスを使用した。得られた式（１−１）で表される化合物８３ｇの純度を測定したところ、９９．９１％であった。また得られた式（１−１）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである前記式（１−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は１．８×１０１２Ω・ｍであった。さらに、得られた液晶組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により劣化を起こすことなく、高い純度及び比抵抗値を有する式（１−１）で表される化合物が得られることがわかった。【００７０】
（実施例３）
実施例１において、前記式（１−１）で表される化合物の代わりに下記式（１−４）【００７１】
【化１７】
0005500325.tif 000018
【００７２】
で表される化合物（純度９９．９１％）を使用し、同様の操作を行った。得られた式（１−４）で表される化合物の収量は８３ｇ、純度は９９．９３％であった。また得られた式（１−４）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである前記式（１−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は１．６×１０１２Ω・ｍであった。さらに、得られた液晶組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により劣化を起こすことなく、高い純度及び比抵抗値を有する式（１−４）で表される化合物が得られることがわかった。【００７３】
（実施例４）
実施例１において、前記式（１−１）で表される化合物の代わりに下記式（１−５）【００７４】
【化１８】
0005500325.tif 000019
【００７５】
で表される化合物（純度９９．８９％）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）を準備し、カラムクロマト管の下部にはアルゴンで３回置換し、アルゴンを満たした風船を取り付けた密閉容器を連結した。先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。密閉容器内の酸素濃度は３体積％、温度は２０℃、湿度は６％であった。得られた溶液からヘキサン４００ｍＬを減圧下に留去した。減圧の解除にはアルゴンを使用した。得られた溶液を−２０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。密閉容器を酸素濃度３体積％、温度２０℃、湿度７％のグローブボックスへ移し、その中で結晶をろ取した。結晶を乾燥用のフラスコへ移して乾燥機へ取り付け、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。減圧の解除にはアルゴンガスを使用した。得られた式（１−５）で表される化合物７５ｇの純度を測定したところ、９９．９０％であった。また得られた式（１−５）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである前記式（１−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は８．６×１０１２Ω・ｍであった。さらに、得られた液晶組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により劣化を起こすことなく、高い純度及び比抵抗値を有する式（１−５）で表される化合物が得られることがわかった。【００７６】
（実施例５）
前記式（１−１）で表される化合物（純度９９．９０％）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）を準備し、カラムクロマト管の下部にはアルゴンで３回置換し、アルゴンを満たした風船を取り付けた密閉容器を連結した。先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液から溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣９８ｇに電子材料用アセトン３００ｍＬを加えてアルゴンで３回置換した後加温溶解した。容器内の酸素濃度は３体積％、温度は２３℃、湿度は６％であった。密閉状態を保ったまま、この溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。密閉容器を酸素濃度３体積％、温度２０℃、湿度７％のグローブボックスへ移し、その中で結晶をろ取した。結晶を乾燥用のフラスコへ移して乾燥機へ取り付け、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。減圧の解除にはアルゴンガスを使用した。得られた式（１−１）で表される化合物９０ｇの純度を測定したところ、９９．９２％であった。また得られた式（１−１）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである前記式（１−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は１．２×１０１２Ω・ｍであった。さらに、得られた液晶組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により劣化を起こすことなく、高い純度及び比抵抗値を有する式（１−１）で表される化合物が得られることがわかった。【００７７】
（比較例１）
前記式（１−１）で表される化合物（純度９９．９０％）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）を準備し、カラムクロマト管の下部には風船を取り付けた密閉容器を連結した。密閉系ではあるが、不活性ガスによる置換は行っていない。先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。密閉容器内の酸素濃度は２１体積％、湿度は２３％であった。密閉状態を保ったまま、この溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。その後、酸素濃度２１体積％、湿度２３％の大気中で結晶をろ取した。結晶を乾燥用のフラスコへ移して乾燥機へ取り付け、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。減圧の解除には大気を使用した。得られた式（１−１）で表される化合物８２ｇの純度を測定したところ、９９．７９％であった。分析の結果、不純物として下記（１−３）【００７８】
【化１９】
0005500325.tif 000020
【００７９】
で表される化合物（前記式（１−１）における−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−となったもの）が新たに０．０８０％検出された。また得られた前記式（１−１）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである前記式（１−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は１．２×１０１１Ω・ｍであった。
この結果より、本比較例の精製方法では式（１−１）で表される化合物の純度が低下し、また比抵抗値も不十分であることがわかった。【００８０】
（比較例２）
前記式（１−１）で表される化合物（純度９９．９０％）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）を準備し、カラムクロマト管の下部には風船を取り付けた密閉容器を連結した。密閉容器内はアルゴンガスで１回置換した。先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。密閉容器内の酸素濃度は５体積％、湿度は１０％であった。密閉状態を保ったまま、この溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。その後、酸素濃度５体積％、湿度１０％のグローブボックス内で結晶をろ取した。結晶を乾燥用のフラスコへ移して乾燥機へ取り付け、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。減圧の解除にはアルゴンガスを使用した。得られた式（１−１）で表される化合物８２ｇの純度を測定したところ、９９．８８％であった。分析の結果、不純物として前記（１−３）で表される化合物（前記式（１−１）における−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−となったもの）が新たに０．０１５％検出された。また得られた前記式（１−１）で表される化合物を、比抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｍである前記式（１−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は８．２×１０１１Ω・ｍであった。
この結果より、本比較例の精製方法では式（１−１）で表される化合物の純度が低下し、また比抵抗値も不十分であることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の製造に利用することができる。
【要約】
連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物の溶液を用意し、前記溶液を精製剤と接触させた後、又は前記溶液を精製剤と接触させることなく、得られた結晶を析出させるための溶液から結晶を析出させることにより結晶を晶析させ、得られた結晶をろ取し、乾燥させる一連の工程において、結晶の晶析工程の初めから乾燥工程の終わりまでを酸素濃度３体積％以下の雰囲気で行う。