(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた素子電極とを有し、前記素子電極が、機能電極部と、前記機能電極部に接続されたパッド部とを含む電子部品の製造方法であって、
前記基板を構成するためのマザー基板の上に、複数の前記素子電極と、給電ラインとを形成する工程であって、平面視において前記複数の素子電極のそれぞれの前記パッド部と前記給電ラインとがギャップを介して対向し、且つ当該パッド部よりも前記給電ラインが下方に位置するように前記複数の素子電極と前記給電ラインとを形成する電極形成工程と、
前記給電ラインに給電しながら電解めっきを行うことにより、前記給電ラインと前記パッド部とを電気的に接続するめっき膜を形成するめっき工程と、
前記マザー基板を個片化することにより前記電子部品を得る個片化工程と、
を備える、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記めっき工程に先立って、前記パッド部にプローブを接触させることによって、前記機能電極部を検査する検査工程をさらに備える、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記マザー基板上に絶縁層を形成する工程をさらに備え、
前記電極形成工程において、前記パッド部の少なくとも一部を前記絶縁層の上に形成する、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記マザー基板に凹部を形成する工程をさらに備え、
前記電極形成工程において、前記給電ラインの前記パッド部と対向している部分を前記凹部の上に形成する、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記電極形成工程において、前記素子電極と前記給電ラインとを同一プロセスで形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記電極形成工程において、前記素子電極の少なくとも前記機能電極部を形成した後に、前記給電ラインを形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記基板が圧電基板であると共に前記機能電極部がＩＤＴ電極を含み、前記電子部品が弾性波部品である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記個片化工程において、前記パッド部同士が前記給電ラインによって電気的に接続されないように、前記給電ラインの少なくとも一部を切除する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に設けられた電極を有する電子部品が種々知られている。電子部品の具体例としては、例えば、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極を有する弾性波装置等が挙げられる。【０００３】
弾性波装置を製造する場合は、例えば特許文献１に記載されているように、圧電体からなるマザー基板に複数の弾性波装置分の電極を形成する。その後、マザー基板を分断することにより複数の弾性波装置に個片化する。マザー基板上においては、各電極に給電ラインが接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８-１３５９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の弾性波装置の製造方法においては、マザー基板上において、すべての端子電極が給電ラインによって接続されている。このため、マザー基板上に設けられた電極を個別に検査することが困難である。【０００６】
本発明は、製造工程において中間検査可能な電子部品の製造方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品の製造方法は、基板と、基板上に設けられた素子電極とを有し、素子電極が、機能電極部と、機能電極部に接続されたパッド部とを含む電子部品の製造方法に関する。本発明に係る電子部品の製造方法は、電極形成工程と、めっき工程と、個片化工程とを備える。電極形成工程は、基板を構成するためのマザー基板の上に、複数の素子電極と、給電ラインとを形成する工程であって、平面視において複数の素子電極のそれぞれのパッド部と給電ラインとがギャップを介して対向し、且つ当該パッド部よりも給電ラインが下方に位置するように複数の素子電極と給電ラインとを形成する工程である。めっき工程は、給電ラインに給電しながら電解めっきを行うことにより、給電ラインとパッド部とを電気的に接続するめっき膜を形成する工程である。個片化工程は、マザー基板を個片化することにより電子部品を得る工程である。【０００８】
本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、電子部品の製造方法は、検査工程をさらに備える。検査工程は、めっき工程に先立って、パッド部にプローブを接触させることによって、機能電極部を検査する工程である。【０００９】
本発明に係る電子部品の製造方法の別の特定の局面では、電子部品の製造方法は、マザー基板上に絶縁層を形成する工程をさらに備える。電極形成工程において、パッド部の少なくとも一部を絶縁層の上に形成する。【００１０】
本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、電子部品の製造方法は、マザー基板に凹部を形成する工程をさらに備える。電極形成工程において、給電ラインのパッド部と対向している部分を凹部の上に形成する。【００１１】
本発明に係る電子部品の製造方法のさらに他の特定の局面では、電極形成工程において、素子電極と給電ラインとを同一プロセスで形成する。【００１２】
本発明に係る電子部品の製造方法のさらに別の特定の局面では、電極形成工程において、素子電極の少なくとも機能電極部を形成した後に、給電ラインを形成する。【００１３】
本発明に係る電子部品の製造方法のまた他の特定の局面では、基板が圧電基板であると共に機能電極部がＩＤＴ電極を含み、電子部品が弾性波部品である。【００１４】
本発明に係る電子部品の製造方法のさらにまた別の特定の局面では、個片化工程において、パッド部同士が給電ラインによって電気的に接続されないように、給電ラインの少なくとも一部を切除する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、製造工程において中間検査可能な電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図３】図３は、図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図５】図５は、図４の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図７】図７は、図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける略図的断面図である。
【図８】図８は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図９】図９は、図８の線ＩＸ−ＩＸにおける略図的断面図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図１１】図１１は、図１０の線ＸＩ−ＸＩにおける略図的断面図である。
【図１２】図１２は、第１の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１３】図１３は、第１の例に係る電子部品の略図的回路図である。
【図１４】図１４は、第２の例に係る電子部品の略図的回路図である。
【図１５】図１５は、第１の実施形態において製造された電子部品の略図的平面図である。
【図１６】図１６は、第２の実施形態における電子部品の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１８】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１９】
（第１の実施形態）
本実施形態では、図１５に示される電子部品１の製造方法の一例について、図１〜図１４を参照しながら説明する。なお、図２，４，６，８，１０においては、マザー基板２１のうちの下記のひとつの領域２１ａのみを図示している。
【００２０】
電子部品１は、基板１０と、素子電極１１とを有している。素子電極１１は、基板１０上に設けられている。素子電極１１は、機能電極部１１ａと、機能電極部１１ａに接続されたパッド部１１ｂとを含む。パッド部１１ｂの上には、アンダーバンプメタルが設けられている。
【００２１】
電子部品１は、例えば基板１０が圧電基板により構成されており、機能電極部１１ａがＩＤＴ電極を含む、弾性表面波部品や、バルク弾性波部品、弾性境界波部品などの弾性波部品であってもよい。
【００２２】
例えば、図１３に示されるように、電子部品１は、ラダー型弾性波フィルタ部１８を備える弾性波フィルタ部品であってもよい。また、図１４に示されるように、電子部品１は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部１９を備える弾性波フィルタ部品であってもよい。
【００２３】
まず、図１に示されるマザー基板２１を用意する。マザー基板２１は、複数の基板１０を構成するための基板である。すなわち、マザー基板２１は、基板１０を構成するための領域２１ａを複数有している。なお、図１においては、各領域２１ａの境界を一点破線で示している。
【００２４】
（マザー基板２１の用意）
例えば基板１０が圧電基板である場合は、マザー基板２１を、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などからなる圧電基板により構成することができる。
【００２５】
（電極形成工程）
次に、電極形成工程を行う。電極形成工程においては、マザー基板２１の上に、複数の素子電極１１と、給電ライン２２（図４を参照）とを形成する。本実施形態では、まず、図１〜図３に示されるように、機能電極部１１ａ及び複数のパッド部１１ｂを含む素子電極１１を複数形成し、その後に、図４に示されるように、給電ライン２２を形成する。
【００２６】
複数の素子電極１１の形成方法は、特に限定されない。例えば、少なくともひとつの導電層を形成した後にパターニングすることにより複数の素子電極１１を形成することができる。導電層の形成方法としては、例えばスパッタリング法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等が挙げられる。導電層のパターニング方法としては、例えばフォトリソグラフィー法等が挙げられる。
【００２７】
より具体的には、まず、図１に示されるように、機能電極部１１ａを形成する。次に、図２及び図３に示されるように、マザー基板２１の、パッド部１１ｂを形成しようとする部分の上に、絶縁層２３を形成する。パッド部１１ｂと給電ライン２２とがより確実に絶縁されるように、絶縁層２３は、給電ライン２２よりも厚いことが好ましい。絶縁層２３の厚みは、１．５倍以上であることがより好ましい。絶縁層２３の構成材料は、特に限定されない。絶縁層２３は、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、エポキシ等により構成することができる。また、絶縁層２３の側面とマザー基板２１とがなす角θ（図３参照）はθ≦９０°であることが好ましい。
【００２８】
次に、図４及び図５に示されるように、パッド部１１ｂの少なくとも一部が絶縁層２３の上に位置するように、パッド部１１ｂ及びパッド部１１ｂと機能電極部１１ａとを接続する配線１１ｃとを形成する。なお、パッド部１１ｂには、第１〜第４のパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４が含まれる。
【００２９】
さらに、本実施形態では、パッド部１１ｂ及び配線１１ｃと同一プロセスで、給電ライン２２を形成する。具体的には、図６に示すように、平面視においてパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４と給電ライン２２とがギャップを介して対向し、且つパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４よりも給電ライン２２が下方に位置するようにパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４及び給電ライン２２を形成する。さらに具体的には、平面視においてパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４と給電ライン２２とがギャップを介して対向するように、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４を絶縁層２３の上に形成し、給電ライン２２をマザー基板２１の上に形成する。
【００３０】
給電ライン２２のパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４との対向部２２ａは、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４の一部を包囲するように馬蹄状（Ｃの字状）に設けられる。円形に設けられたパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４と対向部２２ａとは同心円状である。
【００３１】
次に、図７に示すように、各パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４を包囲するように隔壁２５を形成する。隔壁２５は、例えば、塗布やスパッタで絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ―法でパターニングすることにより形成することができる。隔壁２５の構成材料は、特に限定されない。隔壁２５は、例えば、ポリイミド、エポキシ等により構成することができる。
【００３２】
次に、図８及び図９に示されるように、隔壁２５の上に、カバー板２６をマザー基板２１の実質的に全体を覆うように配置する。次に、図１０及び図１１に示されるように、カバー板２６に開口２６ａを形成する。これにより、隔壁２５により包囲された、パッド部１１ｂ及び給電ライン２２の一部が露出する。
【００３３】
（めっき工程）
次に、給電ライン２２に給電しながら電解めっきを行う。このめっき工程の当初においては、給電ライン２２のカバー板２６から露出した部分の上にのみめっき膜が成長していく。めっき膜は上方に成長していくと共に、面方向にも成長していく。ここで、本実施形態では、平面視においてパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４が給電ライン２２とギャップを介して対向しており、かつ、給電ライン２２がパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４よりも下方に位置している。このため、成長しためっき膜がパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４に接触する。すると、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４にも給電されることとなる。従って、給電ライン２２のカバー板２６から露出した部分と、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４との上に、給電ライン２２とパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４とを電気的に接続するめっき膜２７が形成される。このめっき膜２７によりアンダーバンプメタルが構成されている。
【００３４】
（個片化工程）
次に、マザー基板２１を複数の電子部品１に個片化する。このマザー基板２１の個片化は、例えばダイシングにより行うことができる。
【００３５】
個片化工程において、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４同士が給電ライン２２によって電気的に接続されないように、給電ライン２２の少なくとも一部を切除することが好ましい。
【００３６】
本実施形態のように、アンダーバンプメタルをめっき膜により構成する場合は、パッド部に通電する必要がある。このため、一般的には、複数のパッド部を給電ラインにより電気的に接続しておき、給電ラインを経由して複数のパッド部に給電する。
【００３７】
しかしながら、この場合は、複数のパッド部が給電ラインにより電気的に接続されているため、パッド部にプローブを接触させることにより、機能電極部を検査することができない。
【００３８】
それに対して本実施形態では、めっき工程において給電ライン２２とパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４とが電気的に接続されるものの、めっき工程が行われる以前は、給電ライン２２とパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４とは電気的に接続されていない。このため、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４にプローブを接触させることによって機能電極部１１ａを検査する検査工程を行うことができる。検査工程では、例えば、周波数特性や電気的特性などの各種特性について検査を行うことができる。この検査工程を行うことにより、後工程に不良品が供給されることを抑制でき、電子部品１の良品率を向上することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、機能電極部１１ａを形成した後に、給電ライン２２を形成する。このため、給電ライン２２を形成する前においても機能電極部１１ａを検査することができる。従って、検査に対する、給電ライン２２と機能電極部１１ａとの間に形成される容量の影響を排除することができる。その結果、高精度な検査が可能となる。もっとも、本発明において、給電ライン及び素子電極を同一プロセスで形成するようにしてもよい。そうすることにより、電子部品の製造工程を簡略化することができる。
【００４０】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００４１】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、絶縁層２３の上にパッド部１１ｂ１〜１１ｂ４を形成することにより、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４を給電ライン２２よりも上方に位置させる例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。
【００４２】
例えば図１６に示されるように、マザー基板２１に凹部２１ｂを形成し、その凹部２１ｂの上に給電ライン２２の対向部２２ａを形成することにより、パッド部１１ｂ１〜１１ｂ４を給電ライン２２よりも上方に位置させてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１…電子部品
１０…基板
１１…素子電極
１１ａ…機能電極部
１１ｂ…パッド部
１１ｃ…配線
１２…アンダーバンプメタル
１８…ラダー型弾性波フィルタ部
１９…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
２１…マザー基板
２１ａ…領域
２１ｂ…凹部
２２…給電ライン
２２ａ…対向部
２３…絶縁層
２５…隔壁
２６…カバー板
２６ａ…開口
２７…めっき膜
【図１】
0005500316.tif 000002
【図２】
0005500316.tif 000003
【図３】
0005500316.tif 000004
【図４】
0005500316.tif 000005
【図５】
0005500316.tif 000006
【図６】
0005500316.tif 000007
【図７】
0005500316.tif 000008
【図８】
0005500316.tif 000009
【図９】
0005500316.tif 000010
【図１０】
0005500316.tif 000011
【図１１】
0005500316.tif 000012
【図１２】
0005500316.tif 000013
【図１３】
0005500316.tif 000014
【図１４】
0005500316.tif 000015
【図１５】
0005500316.tif 000016
【図１６】
0005500316.tif 000017