(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴを構成する半導体層が、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物半導体を含有するＴＦＴ基板と、
ＴＦＴ基板上に設けられ、且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、
第１電極を部分的に露出させるように第１電極上に形成された、全光線透過率が波長３００〜４００ｎｍにおいて０〜１５％の範囲にある絶縁膜と、
第１電極に対向して設けられた第２電極と
を有する表示又は照明装置であり、
前記絶縁膜が、ポジ型感放射線性材料から形成された絶縁膜であり、
ポジ型感放射線性材料が、（Ａ）式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、およびアクリル樹脂（Ａ３）から選択される少なくとも１種の重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤と、（Ｃ）ノボラック樹脂とを含有し、
ポジ型感放射線性材料におけるノボラック樹脂（Ｃ）の含有量が、重合体（Ａ）１００質量部に対して２〜２００質量部である、
表示又は照明装置。
【化１】
0005613851.tif 000026
［式（Ａ１）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基である。］
【請求項２】
前記絶縁膜が第１電極を露出させる、前記絶縁膜の境界部分における断面形状が、順テーパー状である請求項１に記載の表示又は照明装置。
【請求項３】
前記絶縁膜の膜厚が、０．３〜１５．０μｍである請求項１〜２のいずれか１項の表示又は照明装置。
【請求項４】
前記（Ｂ）が、キノンジアジド化合物である請求項１〜３のいずれか１項の表示又は照明装置。
【請求項５】
ノボラック樹脂（Ｃ）が、フェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族基を有する構造単位を含む樹脂である請求項１〜４のいずれか１項の表示又は照明装置。
【請求項６】
前記絶縁膜が第１電極の少なくともエッジ部を被覆するように形成され、前記絶縁膜の境界部分における断面形状が順テーパー状である請求項１〜５のいずれか１項の表示又は照明装置。
【請求項７】
前記絶縁膜が、前記ＴＦＴ基板の面上を複数の領域に区画する隔壁であり、
前記複数の領域にそれぞれ形成された画素を有する
請求項１〜６のいずれか１項の表示又は照明装置。
【請求項８】
前記ＴＦＴ基板上に設けられ且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、前記隔壁により区画された領域において且つ第１電極上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含む有機ＥＬ素子を有する請求項７の表示又は照明装置。
【請求項９】
前記ＴＦＴ基板が、支持基板と、前記支持基板上において前記有機ＥＬ素子に対応して設けられたＴＦＴと、前記ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有するＴＦＴ基板であり、
前記隔壁が、第１電極の少なくともエッジ部を被覆しており、且つ前記隔壁が、前記ＴＦＴが有する半導体層の上方に少なくとも配置されるように、前記平坦化層上に形成されている
ことを特徴とする請求項８の表示又は照明装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜が、前記半導体層の上方に少なくとも配置されるように、ＴＦＴ基板上に形成されており、ＴＦＴ基板の上方から投影的に見た場合に、半導体層の面積の５０％以上が前記絶縁膜と重複している請求項１〜９のいずれか１項の表示又は照明装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のポジ型感放射線性材料を用いてＴＦＴ基板上に塗膜を形成する工程１、前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程２、前記放射線が照射された塗膜を現像する工程３、および前記現像された塗膜を加熱して、全光線透過率が波長３００〜４００ｎｍにおいて０〜１５％の範囲にある絶縁膜を形成する工程４を有する請求項１に記載の表示又は照明装置が有する絶縁膜の形成方法。
【請求項１２】
工程１における加熱温度が６０〜１３０℃であり、工程４における加熱温度が１３０℃を超えて３００℃以下である請求項１１に記載の絶縁膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示又は照明装置に関する。より詳しくは、本発明は、基板と、基板上に設けられた第１電極と、第１電極を部分的に露出させるように第１電極上に形成された絶縁膜と、第１電極に対向して設けられた第２電極とを有する表示又は照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイとして、非発光型である液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が普及している。また、近年では自発光型ディスプレイである電界発光ディスプレイ（ＥＬＤ）が知られている。特に有機化合物による電界発光を利用した有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は、ディスプレイに設けられる発光素子の他、次世代の照明装置に設けられる発光素子としても期待されている。
【０００３】
例えば有機ＥＬ表示又は照明装置は、平坦化膜、画素（発光素子）を区画する隔壁等の絶縁膜を有している。このような絶縁膜は、一般的に感放射線性樹脂組成物を用いて形成されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００４】
これらのフラットパネルディスプレイは、相対向する第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、または電流を流すことで動作する。しかしながらこの際に、曲率半径の小さい電極のエッジ部には電界が集中しやすいため、エッジ部では絶縁破壊やリーク電流の発生など、望ましくない現象が起きやすい。
【０００５】
この問題を解決するために、絶縁膜が第１電極を露出させる境界部分における絶縁膜の膜厚を、第１電極の中心部からエッジ部の方向に向かって徐々に厚くする、すなわち断面を順テーパー状にする技術が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
また、近年、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の研究が活発に行われている。特許文献４では、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎからなる酸化物（以下「ＩＧＺＯ」とも略す）の多結晶薄膜をＴＦＴの半導体層に用いた例が提案され、特許文献４および５では、ＩＧＺＯの非晶質薄膜をＴＦＴの半導体層に用いた例が提案されている。
【０００７】
しかしながら、ＩＧＺＯでは、自然光・点灯・製造工程等による光劣化が知られている。このため、ＩＧＺＯ等の光劣化の大きい物質からなる半導体層を含むＴＦＴを、表示又は照明装置の駆動用素子、特に有機ＥＬ素子の駆動用素子として用いる場合、ＩＧＺＯの光劣化防止の観点から、上述の絶縁膜の特性として、紫外から可視光にかけての遮光性付与が求められる。しかしながら、現在用いられている絶縁膜は、例えば３００〜４００ｎｍの波長領域において透明なものが多く、遮光性の機能付与が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１０７４７６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２３７３１０号公報
【特許文献３】特許第４９８２９２７号公報
【特許文献４】特開２００４−１０３９５７号公報
【特許文献５】国際公開第２００５／０８８７２６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、例えばＩＧＺＯ等の光劣化の大きい物質からなる半導体層を含む薄膜トランジスタを駆動用素子として有する表示又は照明装置において、これらの装置の使用に伴う前記物質の光劣化が抑制された表示又は照明装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を採用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、例えば以下の［１］〜［１３］に関する。
【００１１】
［１］ＴＦＴを構成する半導体層が、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物半導体を含有するＴＦＴ基板と、
ＴＦＴ基板上に設けられ、且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、
第１電極を部分的に露出させるように第１電極上に形成された、全光線透過率が波長３００〜４００ｎｍにおいて０〜１５％の範囲にある絶縁膜と、
第１電極に対向して設けられた第２電極と
を有する表示又は照明装置。
【００１２】
［２］前記絶縁膜が第１電極を露出させる、前記絶縁膜の境界部分における断面形状が、順テーパー状である前記［１］に記載の表示又は照明装置。
［３］前記絶縁膜の膜厚が、０．３〜１５．０μｍである前記［１］〜［２］のいずれか１項の表示又は照明装置。
【００１３】
［４］前記絶縁膜が、ポジ型感放射線性材料から形成された絶縁膜である前記［１］〜［３］のいずれか１項の表示又は照明装置。
［５］ポジ型感放射線性材料が、（Ａ）式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、およびアクリル樹脂（Ａ３）から選択される少なくとも１種の重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤とを含有する前記［４］の表示又は照明装置。
【００１４】
【化１】
0005613851.tif 000002
［式（Ａ１）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基である。］
【００１５】
［６］前記（Ｂ）が、キノンジアジド化合物である前記［５］の表示又は照明装置。
［７］ポジ型感放射線性材料が、（Ｃ）ノボラック樹脂をさらに含有する前記［５］または［６］の表示又は照明装置。
［８］ノボラック樹脂（Ｃ）が、フェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族基を有する構造単位を含む樹脂である前記［７］の表示又は照明装置。
【００１６】
［９］ノボラック樹脂（Ｃ）の含有量が、重合体（Ａ）１００質量部に対して２〜２００質量部である前記［７］または［８］の表示又は照明装置。
［１０］前記絶縁膜が第１電極の少なくともエッジ部を被覆するように形成され、前記絶縁膜の境界部分における断面形状が順テーパー状である前記［１］〜［９］のいずれか１項の表示又は照明装置。
【００１７】
［１１］前記絶縁膜が、ポジ型感放射線性材料により形成され、且つ前記ＴＦＴ基板の面上を複数の領域に区画する隔壁であり、前記複数の領域にそれぞれ形成された画素を有する前記［１］〜［１０］のいずれか１項の表示又は照明装置。
【００１８】
［１２］前記ＴＦＴ基板上に設けられ且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、前記隔壁により区画された領域において且つ第１電極上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含む有機ＥＬ素子を有する前記［１１］の表示又は照明装置。
【００１９】
［１３］前記ＴＦＴ基板が、支持基板と、前記支持基板上において前記有機ＥＬ素子に対応して設けられたＴＦＴと、前記ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有するＴＦＴ基板であり、前記隔壁が、第１電極の少なくともエッジ部を被覆しており、且つ前記隔壁が、前記ＴＦＴが有する半導体層の上方に少なくとも配置されるように、前記平坦化層上に形成されていることを特徴とする前記［１２］の表示又は照明装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、例えばＩＧＺＯ等の光劣化の大きい物質からなる半導体層を含む薄膜トランジスタを駆動用素子として有する表示又は照明装置において、これらの装置の使用に伴う前記物質の光劣化が抑制された表示又は照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、絶縁膜の形状の例を示す平面図である。
【図２】図２は、絶縁膜の断面形状として順テーパー状を説明する断面図である。
【図３】図３は、有機ＥＬ装置の主要部の構造の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の表示又は照明装置は、ＴＦＴを構成する半導体層が、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物半導体を含有する層であるＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上に設けられ、且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、第１電極を部分的に露出させるように第１電極上に形成された絶縁膜と、第１電極に対向して設けられた第２電極とを有する。ここで、前記絶縁膜の全光線透過率は、波長３００〜４００ｎｍにおいて０〜１５％である。
【００２３】
以下、表示又は照明装置を総称して単に「装置」ともいう。
本発明の表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）、電界発光ディスプレイ（ＥＬＤ）、特に有機ＥＬディスプレイが挙げられる。本発明の照明装置としては、例えば、有機ＥＬ照明が挙げられる。
【００２４】
本発明の装置において、ＴＦＴ基板、第１電極および第２電極としては、例えば、後述する〔有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明装置〕の欄に記載した具体例（支持基板およびＴＦＴ、陽極、陰極）を各々例示することができる。
【００２５】
本発明の装置において、絶縁膜は、少なくとも第１電極の一部を覆い、第１電極を部分的に露出させるように形成される。絶縁膜は、特に第１電極のエッジ部を覆うように形成されることが好ましい。
【００２６】
絶縁膜の形状の例を図１に示す。ＴＦＴ基板１００上にストライプ状に形成された第１電極１１０が形成されており、絶縁膜１２０が、第１電極１１０を部分的に露出させるようにＴＦＴ基板１００上および第１電極１１０上に形成されており、この第１電極１１０の露出部を「開口部１１１」ともいう。ここで、絶縁膜１２０は第１電極１１０のエッジ部１１２を覆うように形成されている。開口部１１１は、例えば有機ＥＬ装置では、１つの発光領域、すなわち画素に対応させることができる。
【００２７】
絶縁膜の断面形状は、第１電極を露出させる境界部分において順テーパー状であることが好ましい。ここで「順テーパー状」とは、絶縁膜１２０において第１電極１１０を露出させる境界部分の斜面１２１と第１電極面１１３とがなす角度θ、例えば図２中の角度θが、９０°未満であることに対応する。以下、角度θを「テーパー角度θ」ともいう。テーパー角度θは、好ましくは８０°以下、さらに好ましくは５〜６０°、より好ましくは１０〜４５°である。
【００２８】
例えば有機ＥＬ装置の場合、上記境界部分における絶縁膜の断面形状が順テーパー状であると、絶縁膜形成後に有機発光層および第２電極を成膜する場合でも、境界部分においてこれらの膜が滑らかに形成され、段差に起因する膜厚ムラなどを低減させることができ、安定な特性を有する発光装置を得ることができる。
【００２９】
絶縁膜の膜厚は特に限定されるものではないが、遮光性、および成膜やパターニングの容易性を考えると、好ましくは０．３〜１５．０μｍ、より好ましくは０．５〜１０．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜５．０μｍである。
【００３０】
絶縁膜は、例えば隣り合う第１電極をまたがるよう形成される。このため、絶縁膜には良好な電気絶縁性が要求される。絶縁膜の体積抵抗率は、好ましくは１０10μΩ・ｃｍ以上、より好ましくは１０12μΩ・ｃｍ以上である。
【００３１】
絶縁膜は、波長３００〜４００ｎｍにおける全光線透過率が０〜１５％であり、好ましくは０〜１０％であり、特に好ましくは０〜６％である。すなわち、波長３００〜４００ｎｍにおける全光線透過率の最大値が１５％以下であり、好ましくは１０％以下であり、特に好ましくは６％以下である。全光線透過率は、例えば分光光度計（日立製作所（株）製の「１５０−２０型ダブルビーム」）を用いて測定することができる。
【００３２】
絶縁膜は、例えば、ＴＦＴ基板の面上を複数の領域に区画する隔壁である。前記絶縁膜（隔壁）は、ＴＦＴに含まれる半導体層に対する遮光性の観点から、前記半導体層の上方に少なくとも配置されるように、ＴＦＴ基板上に形成されていることが好ましい。ここで「上方」とは、ＴＦＴ基板から第２電極へ向かう方向である。一例として、ＴＦＴ基板の上方から投影的に見た場合に、半導体層の面積の５０％以上が絶縁膜（隔壁）と重複している態様が挙げられ、特に半導体層の面積の８０％以上、さらに９０％以上、特に１００％が絶縁膜（隔壁）と重複している態様が挙げられる。
【００３３】
このように、本発明の装置において、第１電極を露出させる絶縁膜は、前記波長において遮光性を有する。このような絶縁膜を設けることで、例えばＩＧＺＯ等の光劣化の大きい物質からなる半導体層を含む薄膜トランジスタを駆動用素子として有する装置であっても、前記絶縁膜が遮光膜として働き、当該装置の使用等に伴う前記半導体層の光劣化を抑制することができる。
【００３４】
Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体等の４元系金属酸化物；Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体等の３元系金属酸化物；Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料等の２元系金属酸化物；Ｉｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体等の１元系金属酸化物が挙げられる。
【００３５】
本発明では、ＴＦＴを構成する半導体層が、上記酸化物半導体層である場合、特にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体（ＩＧＺＯ半導体）からなる酸化物半導体層である場合にも、その光劣化を防止することができる。
【００３６】
本発明の装置は、前記ＴＦＴ基板上に設けられ且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、前記隔壁により区画された領域において且つ第１電極上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含む有機ＥＬ素子を有する、有機ＥＬ装置であることが好ましい。
【００３７】
前記ＴＦＴ基板は、例えば、支持基板と、前記支持基板上において前記有機ＥＬ素子に対応して設けられたＴＦＴと、前記ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有する。例えば、第１電極は、前記平坦化層上に形成されており、前記平坦化層を貫通するスルーホールを介して、前記ＴＦＴと接続される。また、遮光性を有する絶縁膜（隔壁）は、第１電極を部分的に露出させるように、第１電極および平坦化層上に形成されることが好ましい。
【００３８】
第１電極を露出させる絶縁膜は、感放射線性材料を用いて形成することができる。感放射線性材料には、露光することで現像液に対する溶解性が増大し、露光部分が除去されるポジ型と、露光することで硬化し、非露光部分が除去されるネガ型がある。感放射線性材料から形成された塗膜を露光した場合には、通常、塗膜の表面部分で光が強く吸収され、塗膜の内部に向かうに従って吸収量は少なくなる傾向にある。このため、ポジ型では塗膜の表面部分の溶解性の方が内部の溶解性よりも大きくなり、ネガ型ではその反対の傾向にある。本発明では、絶縁膜の境界部分の断面形状を順テーパー状にすることが好ましいため、ポジ型感放射線性材料を用いてパターン形成することが好ましい。
【００３９】
〔ポジ型感放射線性材料〕
ポジ型感放射線性材料は、本発明の表示又は照明装置における上記絶縁膜の形成に好適に用いることができる。前記ポジ型感放射線性材料としては、（Ａ）式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、およびアクリル樹脂（Ａ３）から選択される少なくとも１種の重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤とを含有する材料が好ましい。
【００４０】
上記ポジ型感放射線性材料は、さらにノボラック樹脂（Ｃ）を含有することが好ましい。また、好適成分として架橋剤（Ｄ）および溶剤（Ｅ）を含有していてもよい。また、上記ポジ型感放射線性材料は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分を含有してもよい。
【００４１】
上記ポジ型感放射線性剤材料は、放射線感度が高く、前記材料を用いることでパターン形状に優れた絶縁膜を形成することができ、パターンの狭ピッチ化に要望に対応することができる。さらに、前記材料を用いることで低吸水性を有する絶縁膜を形成することもできる。
【００４２】
以下、各成分について詳述する。
［重合体（Ａ）］
重合体（Ａ）としては、式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、およびアクリル樹脂（Ａ３）から選択される少なくとも１種が挙げられる。以下、前記ポリイミドを「ポリイミド（Ａ１）」ともいい、前記前駆体を「ポリイミド前駆体（Ａ２）」ともいう。
【００４３】
ポリイミド（Ａ１）及び／又はその前駆体（Ａ２）から形成される絶縁膜は、耐熱性に優れる。このため、重合体（Ａ）としては、ポリイミド（Ａ１）及び／又はその前駆体（Ａ２）を用いることが好ましく、ポリイミド（Ａ１）を用いることがより好ましい。
【００４４】
重合体（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した値において、２，０００〜５００，０００が好ましく、３，０００〜１００，０００がより好ましく、４，０００〜５，００００がさらに好ましい。Ｍｗが前記範囲の下限値以上であると、充分な機械的特性を有する絶縁膜が得られる傾向にある。Ｍｗが前記範囲の上限値以下であると、溶剤や現像液に対する重合体（Ａ）の溶解性が優れる傾向にある。
【００４５】
重合体（Ａ）の含有量は、ポジ型感放射線性材料中の全固形分１００質量％に対して、１０〜８０質量％が好ましく、２０〜７０質量％がより好ましく、３０〜６０質量％がさらに好ましい。
【００４６】
《ポリイミド（Ａ１）》
ポリイミド（Ａ１）は、式（Ａ１）で表される構造単位を有する。
【００４７】
【化２】
0005613851.tif 000003
式（Ａ１）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基である。
Ｒ1としては、例えば、式（ａ１）で表される２価の基が挙げられる。
【００４８】
【化３】
0005613851.tif 000004
式（ａ１）中、Ｒ2は、単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、メチレン基、ジメチルメチレン基またはビス（トリフルオロメチル）メチレン基であり；Ｒ3は、それぞれ独立に水素原子、ホルミル基、アシル基またはアルキル基である。ただし、Ｒ3の少なくとも１つは水素原子である。ｎ１およびｎ２は、それぞれ独立に０〜２の整数である。ただし、ｎ１およびｎ２の少なくとも一方は１または２である。ｎ１とｎ２との合計が２以上の場合、複数のＲ3は同一でも異なっていてもよい。
【００４９】
Ｒ3において、ホルミル基が挙げられ、アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基等の炭素数２〜２０の基が挙げられ；アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の炭素数１〜２０の基が挙げられる。
【００５０】
式（ａ１）で表される２価の基としては、１つ〜４つの水酸基を有する２価の基が好ましく、２つの水酸基を有する２価の基がさらに好ましい。式（ａ１）で表される、１つ〜４つの水酸基を有する２価の基としては、例えば、下記式で表される２価の基が挙げられる。なお、下記式において、芳香環より伸びる２本の「−」は、結合手を示す。
【００５１】
【化４】
0005613851.tif 000005
【００５２】
【化５】
0005613851.tif 000006
【００５３】
【化６】
0005613851.tif 000007
【００５４】
【化７】
0005613851.tif 000008
【００５５】
Ｘで表される４価の有機基としては、例えば、４価の脂肪族炭化水素基、４価の芳香族炭化水素基、２つの芳香族炭化水素基Ａが直接結合または連結基により結合してなる基が挙げられる。４価の脂肪族炭化水素基の炭素数は、通常４〜３０であり、好ましくは８〜２４である。４価の芳香族炭化水素基および前記芳香族炭化水素基Ａの炭素数は、通常６〜３０であり、好ましくは６〜２４である。これらの中でも２つの芳香族炭化水素基Ａが直接結合または連結基により結合してなる基が好ましい。
【００５６】
４価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、分子構造中の少なくとも一部に芳香族環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
４価の鎖状炭化水素基を形成する母骨格の鎖状炭化水素としては、例えば、ｎ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカンが挙げられる。
【００５７】
４価の脂環式炭化水素基を形成する母骨格の脂環式炭化水素としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロオクタン等の単環式炭化水素；ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、ビシクロ［３．１．１］ヘプタン、ビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．２．２］オクタン、ビシクロ［２．２．２］オクタ−５−エン等の二環式炭化水素；トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−４−エン、アダマンタン、テトラシクロ［６．２．１．１3,6．０2,7］ドデカン等の三環式以上の炭化水素が挙げられる。
【００５８】
分子構造中の少なくとも一部に芳香族環を含む脂肪族炭化水素基を形成する母骨格の化合物としては、例えば、１分子中に含まれるベンゼン核の数が、３以下であるものが好ましく、１つのものが特に好ましい。より具体的には、１−エチル−６−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、１−エチル−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。
【００５９】
４価の脂肪族炭化水素基としては、下記式で表される４価の基が好ましい。なお、下記式において、炭素数４の鎖状炭化水素基および脂環より伸びる４本の「−」は、結合手を示す。
【００６０】
【化８】
0005613851.tif 000009
【００６１】
４価の芳香族炭化水素基、および２つの芳香族炭化水素基Ａが直接結合または連結基により結合してなる基としては、例えば、下記式で表される４価の基が挙げられる。前記連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、メチレン基、ジメチルメチレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基が挙げられる。なお、下記式において、芳香環より伸びる４本の「−」は、結合手を示す。
【００６２】
【化９】
0005613851.tif 000010
【００６３】
ポリイミド（Ａ１）において、式（Ａ１）で表される構造単位の含有量は、通常５質量％以上、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である。含有量が前記範囲にあると、耐熱性および露光部分の現像液に対する溶解性の点で好ましい。
【００６４】
ポリイミド（Ａ１）は、以下に説明するポリイミド前駆体（Ａ２）のイミド化によって得ることができる。ここでのイミド化は完全に進めてもよく、部分的に進めてもよい。すなわちイミド化率は１００％でなくともよい。このため、ポリイミド（Ａ１）は、以下に説明する、式（Ａ２−１）で表される構造単位および式（Ａ２−２）で表される構造単位から選択される少なくとも１種をさらに有してもよい。ポリイミド（Ａ１）において、式（Ａ１）、式（Ａ２−１）、式（Ａ２−２）で表される構造単位の合計含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
【００６５】
《ポリイミド前駆体（Ａ２）》
ポリイミド前駆体（Ａ２）は、脱水・環化（イミド化）によって、式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）を生成することができる化合物である。ポリイミド前駆体（Ａ２）としては、例えば、ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体が挙げられる。
【００６６】
（ポリアミック酸）
ポリアミック酸は、式（Ａ２−１）で表される構造単位を有する。
【００６７】
【化１０】
0005613851.tif 000011
式（Ａ２−１）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基である。Ｒ1で表される水酸基を有する２価の基およびＸで表される４価の有機基としては、各々式（Ａ１）中のＲ1およびＸとして例示した基と同様なものが挙げられる。
【００６８】
ポリアミック酸において、式（Ａ２−１）で表される構造単位の含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
【００６９】
（ポリアミック酸誘導体）
ポリアミック酸誘導体は、ポリアミック酸のエステル化等により合成される誘導体である。ポリアミック酸誘導体としては、例えば、ポリアミック酸が有する式（Ａ２−１）で表される構造単位中のカルボキシル基の水素原子を他の基に置換した重合体が挙げられ、ポリアミック酸エステルが好ましい。
【００７０】
ポリアミック酸エステルは、ポリアミック酸が有するカルボキシル基の少なくとも一部がエステル化された重合体である。ポリアミック酸エステルとしては、式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）を生成することができる、式（Ａ２−２）で表される構造単位を有する重合体が挙げられる。
【００７１】
【化１１】
0005613851.tif 000012
式（Ａ２−２）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基であり、Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキル基である。Ｒ1で表される水酸基を有する２価の基およびＸで表される４価の有機基としては、各々式（Ａ１）中のＲ1およびＸとして例示した基と同様なものが挙げられる。Ｒ4で表される炭素数１〜５のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。
【００７２】
ポリアミック酸エステルにおいて、式（Ａ２−２）で表される構造単位の含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
【００７３】
《ポリイミド（Ａ１）およびポリイミド前駆体（Ａ２）の合成方法》
ポリイミド前駆体（Ａ２）であるポリアミック酸は、例えば、テトラカルボン酸二無水物と、水酸基を有するジアミン及び必要に応じて他のジアミンを含むジアミンとを重合させることにより、得ることができる。これらの使用割合は、例えば前記テトラカルボン酸二無水物１モルに対して前記の全ジアミンを０．３〜４モル、好ましくは略等モルである。前記重合において、前記テトラカルボン酸二無水物および前記の全ジアミンの混合溶液を５０℃〜２００℃、１時間〜２４時間加熱することが好ましい。以下、前記テトラカルボン酸二無水物および前記水酸基を有するジアミンを、それぞれ「酸二無水物（Ａ１−１）および「ジアミン（Ａ１−２）」ともいう。
【００７４】
ポリアミック酸の合成は、ジアミン（Ａ１−２）を重合溶剤に溶解させた後、ジアミン（Ａ１−２）と酸二無水物（Ａ１−１）とを反応させることで行ってもよく、酸二無水物（Ａ１−１）を重合溶剤に溶解させた後、酸二無水物（Ａ１−１）とジアミン（Ａ１−２）とを反応させることで行ってもよい。
【００７５】
ポリイミド前駆体（Ａ２）であるポリアミック酸誘導体は、上記ポリアミック酸のカルボキシル基をエステル化するなどして合成することができる。エステル化の方法としては、特に限定はなく、公知の方法を適用することができる。
【００７６】
ポリイミド（Ａ１）は、例えば、上記方法でポリアミック酸を合成した後、このポリアミック酸を脱水・環化（イミド化）することで合成することができ；また、上記方法でポリアミック酸誘導体を合成した後、このポリアミック酸誘導体をイミド化することで合成することもできる。
【００７７】
ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体のイミド化反応としては、加熱イミド化反応や化学イミド化反応等の公知の方法の適用が可能である。加熱イミド化反応の場合、ポリアミック酸及び／又はポリアミック酸誘導体を含む溶液を１２０℃〜２１０℃、１時間〜１６時間加熱することが好ましい。イミド化反応は、必要に応じて、トルエン、キシレン、メシチレン等の共沸溶剤を使用して系内の水を除去しながら行ってもよい。
【００７８】
また、テトラカルボン酸二無水物に対してジアミンを過剰に用いた場合は、ポリイミド、ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体の末端基を封止する末端封止剤として、例えば、無水マレイン酸等のジカルボン酸無水物を用いてもよい。
酸二無水物（Ａ１−１）は、式（ａ２）で表される酸二無水物である。
【００７９】
【化１２】
0005613851.tif 000013
式（ａ２）中、Ｘは４価の有機基である。Ｘで表される４価の有機基としては、式（Ａ１）中のＸとして例示した基と同様なものが挙げられる。
ジアミン（Ａ１−２）は、式（ａ３）で表されるジアミンである。
【００８０】
【化１３】
0005613851.tif 000014
式（ａ３）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基である。Ｒ1で表される水酸基を有する２価の基としては、式（Ａ１）中のＲ1として例示した基と同様なものが挙げられる。
【００８１】
ジアミン（Ａ１−２）とともに、当該（Ａ１−２）以外の他のジアミンを用いてもよい。他のジアミンとしては、例えば、水酸基を有さない、芳香族ジアミンおよび脂肪族ジアミンから選択される少なくとも１種のジアミンが挙げられる。
【００８２】
ポリイミド（Ａ１）は、式（Ａ１）、（Ａ２−１）および（Ａ２−２）中のＲ1を、前記他のジアミンの残基にかえた構造単位をさらに有していてもよい。同様に、ポリイミド前駆体（Ａ２）は、式（Ａ２−１）および（Ａ２−２）中のＲ1を、前記他のジアミンの残基にかえた構造単位をさらに有していてもよい。
【００８３】
他のジアミンである芳香族ジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、５−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン、６−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、２，７−ジアミノフルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−４，４’−ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、１，４，４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、４，４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、２，２’−ビス［４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４’−ビス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキシ］−オクタフルオロビフェニルが挙げられる。
【００８４】
他のジアミンである脂肪族ジアミンとしては、例えば、メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、イソホロンジアミン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ［６．２．１．０2,7］−ウンデシレンジメチルジアミン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）が挙げられる。
【００８５】
ポリイミド（Ａ１）およびポリイミド前駆体（Ａ２）の合成に用いる重合溶剤としては、これらの合成用の原料や、前記（Ａ１）および（Ａ２）を溶解させることができ、低吸水性の溶剤が好ましい。重合溶剤としては、後述する溶剤（Ｅ）として例示した溶剤と同様の溶剤を使用することができる。
【００８６】
重合溶剤として溶剤（Ｅ）と同様の溶剤を使用することで、ポリイミド（Ａ１）またはポリイミド前駆体（Ａ２）を合成した後にこれらの重合体を単離する工程、単離後に別の溶剤に再溶解させる工程を不要とすることができる。これにより、本発明の装置の生産性を向上させることができる。
【００８７】
ポリイミド（Ａ１）およびポリイミド前駆体（Ａ２）は、水酸基を有する上記特定構造により、後述する溶剤（Ｅ）への優れた溶解性を有する。このため、これらの重合体は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）以外の低吸水性の溶剤、例えば後述する溶剤（Ｅ）にも溶解する。その結果、重合体（Ａ）を得るための重合溶剤としてＮＭＰ以外の溶剤を使用することで、ポジ型感放射線性材料から形成される絶縁膜の低吸水化が可能となる。
【００８８】
《アクリル樹脂（Ａ３）》
アクリル樹脂（Ａ３）を構成するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸の脂環式基含有エステル、および（メタ）アクリル酸のアリール基含有エステルから選ばれる少なくとも１種のモノマーＡが挙げられる。
【００８９】
また、上記（Ａ３）を構成するモノマーとしては、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、および不飽和ジカルボン酸無水物から選ばれる少なくとも１種の酸基含有モノマーＢも挙げられる。
【００９０】
また、上記（Ａ３）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル、（メタ）アクリル酸のエポキシ基含有エステル、および（メタ）アクリル酸のオキセタニル基含有エステルから選ばれる少なくとも１種の官能基含有モノマーＣも挙げられる。
【００９１】
（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレートが挙げられ；（メタ）アクリル酸の脂環式基含有エステルとしては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−メチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート等の単環式炭化水素基含有エステル、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレート等の多環式基含有エステルが挙げられ；（メタ）アクリル酸のアリール基含有エステルとしては、例えば、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００９２】
不飽和モノカルボン酸としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸が挙げられ；不飽和ジカルボン酸としては、例えば、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸が挙げられ；不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸が挙げられる。
【００９３】
（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレートが挙げられ；（メタ）アクリル酸のエポキシ基含有エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−プロピルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−ブチルアクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸−３,４−エポキシブチル、（メタ）アクリル酸−６,７−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−６,７−エポキシヘプチル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートが挙げられ；（メタ）アクリル酸のオキセタニル基含有エステルとしては、例えば、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシエチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシエチルオキセタンが挙げられる。
【００９４】
アクリル樹脂（Ａ３）において、上記モノマーＡに由来する構造単位の含有量は、通常５質量％以上、好ましくは１０〜８５質量％、更に好ましくは１５〜７５質量％であり、上記酸基含有モノマーＢに由来する構造単位の含有量は、通常５〜７０質量％、好ましくは１０〜６０質量％、更に好ましくは１５〜５０質量％であり、上記官能基含有モノマーＣに由来する構造単位の含有量は、通常９０質量％以下、好ましくは５〜８０質量％、更に好ましくは１０〜７０質量％である。
【００９５】
特に、アクリル樹脂（Ａ３）において、（メタ）アクリル酸のエポキシ基含有エステルおよび（メタ）アクリル酸のオキセタニル基含有エステルに由来する構造単位の含有量の合計は、１０〜７０質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０質量％である。この構造単位が前記範囲にあると、ポジ型感放射線性材料から形成された塗膜の加熱時に硬化反応が充分に進行し、得られるパターンの耐熱性および表面硬度が充分になる傾向にあると共に、ポジ型感放射線性材料の保存安定性も優れる傾向にある。
【００９６】
その他、アクリル樹脂（Ａ３）を構成するモノマーとしては、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等の不飽和ジカルボン酸のジエステル；スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メトキシスチレン等のスチレン系モノマーを用いることもできる。
【００９７】
アクリル樹脂（Ａ３）を合成する際に用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類；テトラヒドロフラン等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルアセテート類；その他に芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類が挙げられる。
【００９８】
アクリル樹脂（Ａ３）は、例えば上記モノマーのラジカル重合で合成することができる。ラジカル重合における重合触媒としては通常のラジカル重合開始剤が使用でき、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１−ビス−（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物、および過酸化水素が挙げられる。過酸化物をラジカル重合開始剤に使用する場合、過酸化物と還元剤とを組み合せてレドックス型の開始剤としてもよい。
【００９９】
［感放射線性酸発生剤（Ｂ）］
感放射線性酸発生剤（Ｂ）は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線が挙げられる。ポジ型感放射線性材料は、感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有することで、ポジ型の感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な放射線感度を有することができる。
【０１００】
ポジ型感放射線性材料における感放射線性酸発生剤（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常５〜１００質量部であり、好ましくは１０〜５０質量部、より好ましくは１５〜４０質量部である。感放射線性酸発生剤（Ｂ）の含有量を前記範囲とすることで、現像液となるアルカリ水溶液等に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差を大きくし、パターニング性能を向上させることができる。
【０１０１】
感放射線性酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物が挙げられる。感放射線性酸発生剤（Ｂ）は、単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
【０１０２】
《キノンジアジド化合物》
キノンジアジド化合物は、放射線の照射によってカルボン酸を発生する。キノンジアジド化合物としては、例えば、フェノール性化合物またはアルコール性化合物（以下「母核」ともいう）と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物が挙げられる。
【０１０３】
母核としては、例えば、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ポリ（ヒドロキシフェニル）アルカン、その他の母核が挙げられる。
【０１０４】
トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。
テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２’−テトラヒドロキシ−４’−メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシ−３’−メトキシベンゾフェノンが挙げられる。
【０１０５】
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、２，３，４，２’，６’−ペンタヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。
ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、３，４，５，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。
【０１０６】
ポリ（ヒドロキシフェニル）アルカンとしては、例えば、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン、４，４’−〔１−｛４−（１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル）フェニル｝エチリデン〕ビスフェノール、ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインデン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキサノール、２，２，４−トリメチル−７，２’，４’−トリヒドロキシフラバンが挙げられる。
【０１０７】
その他の母核としては、例えば、２−メチル−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４−（４−ヒドロキシフェニル）−７−ヒドロキシクロマン、１−［１−｛３−（１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル）−４，６−ジヒドロキシフェニル｝−１−メチルエチル］−３−〔１−｛３−（１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル）−４，６−ジヒドロキシフェニル｝−１−メチルエチル〕ベンゼン、４，６−ビス｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝−１，３−ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。
【０１０８】
これらの母核のうち、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、１，１，１−トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’−〔１−｛４−（１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル）フェニル｝エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。
【０１０９】
１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸クロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドが挙げられ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドが好ましい。
【０１１０】
フェノール性化合物またはアルコール性化合物（母核）と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応においては、フェノール性化合物またはアルコール性化合物中のＯＨ基数に対して、好ましくは３０〜８５モル％、より好ましくは５０〜７０モル％に相当する１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。
【０１１１】
キノンジアジド化合物としては、例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば、２，３，４−トリアミノベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸アミド等も好適に使用される。
【０１１２】
《オキシムスルホネート化合物》
オキシムスルホネート化合物としては、例えば、式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物が好ましい。
【０１１３】
【化１４】
0005613851.tif 000015
式（Ｂ１）中、ＲB1は、アルキル基、１価の脂環式炭化水素基、アリール基、またはこれらのアルキル基、１価の脂環式炭化水素基、アリール基が有する水素原子の一部もしくは全部を置換基で置換した基である。
【０１１４】
アルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。脂環式炭化水素基としては、炭素数４〜１２の脂環式炭化水素基が好ましい。アリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基がより好ましい。
【０１１５】
式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物としては、例えば、式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−３）で表されるオキシムスルホネート化合物が挙げられる。
【０１１６】
【化１５】
0005613851.tif 000016
式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−３）中、ＲB1は式（Ｂ１）と同義である。式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−２）中、ＲB2は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基である。式（Ｂ１−３）中、ＸB1は、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子である。ｍは、０〜３の整数である。ただし、ｍが２または３の場合、複数のＸB1は、同一でも異なっていてもよい。
【０１１７】
ＸB1で表されるアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましく；アルコキシ基としては、炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルコキシ基が好ましく；ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。
式（Ｂ１−３）で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば、式（Ｂ１−３−１）〜（Ｂ１−３−５）で表される化合物が挙げられる。
【０１１８】
【化１６】
0005613851.tif 000017
【０１１９】
《オニウム塩》
オニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩が挙げられる。
【０１２０】
ジフェニルヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸が挙げられる。
【０１２１】
トリフェニルスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレートが挙げられる。
【０１２２】
アルキルスルホニウム塩としては、例えば、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。
【０１２３】
ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが挙げられる。
【０１２４】
ジベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが挙げられる。
【０１２５】
置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。
【０１２６】
ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。
【０１２７】
テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネートが挙げられる。
【０１２８】
《Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物》
Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えば、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミドが挙げられる。
【０１２９】
《ハロゲン含有化合物》
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物が挙げられる。
【０１３０】
《ジアゾメタン化合物》
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾメタンが挙げられる。
【０１３１】
《スルホン化合物》
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物が挙げられる。
【０１３２】
《スルホン酸エステル化合物》
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートが挙げられ、具体的には、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルが挙げられる。
【０１３３】
《カルボン酸エステル化合物》
カルボン酸エステル化合物としては、例えば、カルボン酸ｏ−ニトロベンジルエステルが挙げられる。
【０１３４】
《感放射線性酸発生剤（Ｂ）の好適例》
感放射線性酸発生剤（Ｂ）としては、キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましく、キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物がより好ましく、キノンジアジド化合物が特に好ましい。
【０１３５】
オキシムスルホネート化合物としては、式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物が好ましく、式（Ｂ１−３−１）〜（Ｂ１−３−５）で表される化合物がより好ましい。
【０１３６】
また、オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましく、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートがさらに好ましい。スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。
【０１３７】
［ノボラック樹脂（Ｃ）］
ノボラック樹脂（Ｃ）としては、例えば、フェノール性水酸基を有するベンゼン環、およびフェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族基、から選択される少なくとも１種を有する構造単位を含むノボラック樹脂が挙げられる。
【０１３８】
フェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族基は、例えば、縮合多環式芳香族炭化水素基に含まれる、芳香環炭素に結合した水素原子の一部または全部を、水酸基に置換した基である。縮合多環式芳香族炭化水素基としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。
【０１３９】
ノボラック樹脂（Ｃ）は、熱を加えることにより発色する物質である。後述する絶縁膜の形成方法において、露光前はノボラック樹脂（Ｃ）を含むポジ型材料から形成された塗膜自体は波長３００〜４００ｎｍにおいて遮光性を有さないが、露光および現像後の加熱によりノボラック樹脂（Ｃ）がケト化して、得られた絶縁膜は前記波長において遮光性を有するものと推定される。
【０１４０】
例えば、プレベーク時の加熱温度である６０〜１３０℃程度では上記遮光性を付与せず、ポストベーク時の加熱温度である。１３０℃を超えて３００℃以下程度で上記遮光性を付与することができる、ノボラック樹脂が好ましい。
【０１４１】
ノボラック樹脂（Ｃ）としては、例えば、式（Ｃ１）で表される構造単位、式（Ｃ２−１）で表される構造単位、式（Ｃ２−２）で表される構造単位、および式（Ｃ３）で表される構造単位から選択される少なくとも１種を有する樹脂が挙げられる。
【０１４２】
【化１７】
0005613851.tif 000018
式（Ｃ１）〜式（Ｃ３）中、Ｒ1は、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基であり；Ｒ2は、メチレン基、炭素数２〜３０のアルキレン基、炭素数４〜３０の２価の脂環式炭化水素基，炭素数７〜３０のアラルキレン基または−Ｒ3−Ａｒ−Ｒ3−で表される基（Ａｒは２価の芳香族基であり、Ｒ3はそれぞれ独立にメチレン基または炭素数２〜２０のアルキレン基である）であり；ｎ１は１〜４の整数であり、ｎ２は０〜３の整数であり、ｎ１＋ｎ２≦４であり、ａ〜ｈは、それぞれ独立に０〜２の整数であり、但し、ａおよびｂが共に０である場合はなく、ｃ〜ｅの全てが０である場合はなく、ｆ〜ｈの全てが０である場合はない。ａ＋ｂ、ｃ＋ｄ＋ｅ、ｆ＋ｇ＋ｈは、各々、好ましくは１〜３の整数である。式（Ｃ１）〜式（Ｃ３）において、−ＯＨ、−Ｒ1および−Ｒ2−の結合位置は特に限定されない。
【０１４３】
Ｒ2において炭素数２〜３０のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、テトラデシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、イコシレン基、ヘンイコシレン基、ドコシレン基、トリコシレン基、テトラコシレン基、ペンタコシレン基、ヘキサコシレン基、ヘプタコシレン基、オクタコシレン基、ノナコシレン基、トリアコンチレン基が挙げられる。
【０１４４】
Ｒ2において炭素数４〜３０の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基が挙げられる。
【０１４５】
Ｒ2において炭素数７〜３０のアラルキレン基としては、例えば、ベンジレン基、フェネチレン基、ベンジルプロピレン基、ナフチレンメチレン基が挙げられる。
Ｒ2において−Ｒ3−Ａｒ−Ｒ3−で表される基としては、例えば、−ＣＨ2−Ｐｈ−ＣＨ2−で表される基（Ｐｈはフェニレン基である）が挙げられる。
【０１４６】
ノボラック樹脂（Ｃ）としては、アルカリ可溶性を有する樹脂が好ましい。ポジ型感放射線性材料にアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ｃ）を含有させることで、解像性が良好な感放射線性材料を得ることができる。
【０１４７】
ノボラック樹脂（Ｃ）は、例えばフェノール類またはフェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族化合物類と、アルデヒド類とを、酸触媒の存在下で縮合させ、必要により未反応の成分を留去することにより得ることができる。例えば、特公昭４７−１５１１１号公報、特開昭６３−２３８１２９号公報等に記載の方法を参考にすることができる。
【０１４８】
フェノール類としては、例えば、フェノール、オルトクレゾール、メタクレゾール、パラクレゾール、２，３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、３，５−ジメチルフェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール，２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、４−ｔ−ブチルカテコール、２−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、２−プロピルフェノール、３−プロピルフェノール、４−プロピルフェノール、２−イソプロピルフェノール、２−メトキシ−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、チモール、イソチモールが挙げられる。
【０１４９】
フェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族化合物類としては、例えば水酸基数が１〜６であり、好ましくは１〜３であり、かつ環数が２〜３の化合物が挙げられ、具体的には１−ナフトール、２−ナフトール等のモノヒドロキシナフタレン；１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン、１，８−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン；１−ヒドロキシアントラセン、２−ヒドロキシアントラセン、９−ヒドロキシアントラセン等のモノヒドロキシアントラセン；１，４−ジヒドロキシアントラセン、９，１０−ジヒドロキシアントラセン等のジヒドロキシアントラセン；１，２，１０−トリヒドロキシアントラセン、１，８，９−トリヒドロキシアントラセン、１，２，７−トリヒドロキシアントラセン等のトリヒドロキシアントラセン；１−ヒドロキシフェナントレン等のヒドロキシフェナントレンが挙げられる。
【０１５０】
アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒドが挙げられる。
ノボラック樹脂（Ｃ）の合成において、フェノール類またはフェノール性水酸基を有する縮合多環式芳香族化合物類の使用量は、アルデヒド類１モルに対して、通常０．５モル以上であり、好ましくは０．８〜３．０モルである。酸触媒としては、例えば、塩酸、パラトルエンスルホン酸、トリフロロメタンスルホン酸が挙げられる。
【０１５１】
ノボラック樹脂（Ｃ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常５００〜５００００であり、好ましくは７００〜５０００、より好ましくは８００〜３０００である。Ｍｗが前記範囲にあるノボラック樹脂（Ｃ）は、遮光性の点で好ましい。
【０１５２】
ポジ型感放射線性材料において、ノボラック樹脂（Ｃ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常２〜２００質量部であり、好ましくは３〜１６０質量部、より好ましくは４〜１４０質量部であり、特に好ましくは１０〜１００質量部である。ノボラック樹脂（Ｃ）の含有量が前記範囲の下限値以上であると、ノボラック樹脂（Ｃ）に基づく遮光性付与効果が発揮されやすい。ノボラック樹脂（Ｃ）の含有量が前記範囲の上限値以下であると、絶縁膜の低吸水性の悪化および耐熱性の低下が起こるおそれが小さい。
【０１５３】
［架橋剤（Ｄ）］
架橋剤（Ｄ）は、架橋性官能基を有する化合物であり、例えば、カチオン重合性基を有する化合物である。架橋剤（Ｄ）としては、１分子中に２個以上の架橋性官能基を有する化合物、例えば、１分子中に２個以上のオキセタニル基を有する化合物が挙げられる。なお、アクリル樹脂（Ａ３）および架橋剤（Ｄ）のいずれにも該当する化合物は、アクリル樹脂（Ａ３）に分類する。
【０１５４】
架橋性官能基としては、例えば、オキセタニル基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイロキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基が挙げられる。
【０１５５】
上記オキセタニル基を有する化合物としては、例えば、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メチル］ビフェニル、３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサノナン、３，３’−〔１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン）〕ビス（３−エチルオキセタン）、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル〕ベンゼン、１，２−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル〕エタン、１，３−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル〕プロパン、エチレングリコールビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ジシクロペンテニルビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、トリエチレングリコールビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、テトラエチレングリコールビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレンビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、トリメチロールプロパントリス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ〕ブタン、１，６−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ〕ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ポリエチレングリコールビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルが挙げられる。
【０１５６】
上記オキセタニル基を有する化合物としては、さらに、ジペンタエリスリトールヘキサキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとカプロラクトンとの反応生成物、ジペンタエリスリトールペンタキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとカプロラクトンとの反応生成物、ジトリメチロールプロパンテトラキス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテル、ビスフェノールＡビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとエチレンオキサイドとの反応生成物、ビスフェノールＡビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとプロピレンオキサイドとの反応生成物、水添ビスフェノールＡビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとエチレンオキサイドとの反応生成物、水添ビスフェノールＡビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとプロピレンオキサイドとの反応生成物、ビスフェノールＦビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メチル〕エーテルとエチレンオキサイドとの反応生成物が挙げられる。
【０１５７】
架橋剤（Ｄ）としては、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレン）系エポキシ化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミン樹脂、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン樹脂、カルボキシメチル基含有尿素樹脂、カルボキシメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物を挙げることもできる。
【０１５８】
ポジ型感放射線性材料において、架橋剤（Ｄ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常１〜２００質量部であり、好ましくは４〜１６０質量部、より好ましくは５〜７０質量部である。架橋剤（Ｄ）の含有量が前記範囲の下限値以上であると、絶縁膜の低吸水性が向上する傾向にある。架橋剤（Ｄ）の含有量が前記範囲の上限値以下であると、絶縁膜の耐熱性が向上する傾向にある。
【０１５９】
［溶剤（Ｅ）］
溶剤（Ｅ）は、ポジ型感放射線性材料を液状とするために使用することができる。
溶剤（Ｅ）としては、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、トリエチレングリコールジアルキルエーテルが好ましい。
【０１６０】
ジエチレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。
ジエチレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルが挙げられる。
【０１６１】
エチレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートが挙げられる。
【０１６２】
ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートが挙げられる。
【０１６３】
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテートが挙げられる。
【０１６４】
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルが挙げられる。
【０１６５】
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネートが挙げられる。
【０１６６】
トリエチレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、トリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
溶剤（Ｅ）としては、さらに、アミド系溶剤、例えばＮ，Ｎ，２−トリメチルプロピオンアミド、３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−ヘキシルオキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、イソプロポキシ−Ｎ−イソプロピル−プロピオンアミド、ｎ−ブトキシ−Ｎ−イソプロピル−プロピオンアミド等も挙げられる。
【０１６７】
溶剤（Ｅ）としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下「ＰＧＭＥＡ」ともいう）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（以下「ＰＧＭＥ」ともいう）、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（以下「ＥＤＭ」ともいう）が特に好ましい。
【０１６８】
また、溶剤（Ｅ）としては、γ−ブチロラクトン（以下「ＢＬ」ともいう）を用いることが好ましく、ＢＬを含む混合溶剤が好ましい。ＢＬの含有量としては、溶剤（Ｅ）の合計量１００質量％において、７０質量％以下が好ましく、２０〜６０質量％がより好ましい。ＢＬは、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥおよびＥＤＭから選択される少なくとも１種と併用することが好ましい。ＢＬの含有量を前記範囲とすることで、ポジ型感放射線性材料における重合体（Ａ）の溶解状態を好適に維持できる傾向にある。
【０１６９】
溶剤（Ｅ）としては、上記例示した溶剤以外に、必要に応じて、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール溶剤；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶剤などを併用することもできる。
【０１７０】
溶剤（Ｅ）として上記例示した溶剤は、ＮＭＰに比べて低吸水性である。したがって、ポジ型感放射線性材料は、吸水性の高いＮＭＰを用いることなく、低吸水性の溶剤を用いた調製が可能となる。その結果、ポジ型感放射線性材料は、低吸水性を示すことができる。また、溶剤（Ｅ）として上記例示した溶剤は、安全性が高いため、ポジ型感放射線性材料の安全性を高めることができる。
【０１７１】
溶剤（Ｅ）として上記例示した溶剤を使用する場合、ポジ型感放射線性材料から形成される絶縁膜を低吸水性とすることができる。そのため、このポジ型感放射線性材料は、有機ＥＬ素子が有する絶縁膜の形成に好適に使用することができる。
【０１７２】
溶剤（Ｅ）は、１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
ポジ型感放射線性材料において、溶剤（Ｅ）の含有量は、感放射線性材料の固形分濃度が通常５〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは１５〜４０質量％となる量である。ここで固形分とは、溶剤（Ｅ）以外の全成分をいう。溶剤（Ｅ）の含有量を前記範囲とすることで、現像性を損なうことなく、ポジ型感放射線性材料から形成される絶縁膜の低吸水性が向上する傾向にある。
【０１７３】
［その他の任意成分］
ポジ型感放射線性材料は、上記必須成分および好適成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて密着助剤（Ｆ）、界面活性剤（Ｇ）等のその他の任意成分を含有してもよい。その他の任意成分は、単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
【０１７４】
＜密着助剤（Ｆ）＞
密着助剤（Ｆ）は、基板等の膜形成対象物と絶縁膜との接着性を向上させる成分である。密着助剤（Ｆ）は、特に無機物の基板と絶縁膜との接着性を向上させるために有用である。無機物としては、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物；金、銅、アルミニウム等の金属が挙げられる。
【０１７５】
密着助剤（Ｆ）としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。官能性シランカップリング剤としては、例えば、カルボキシ基、ハロゲン原子、ビニル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基、オキセタニル基、アミノ基、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤が挙げられる。
【０１７６】
官能性シランカップリング剤としては、例えば、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランが挙げられる。これらの中でも、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【０１７７】
ポジ型感放射線性材料における密着助剤（Ｆ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下である。密着助剤（Ｆ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される絶縁膜と基板との密着性がより改善される。
【０１７８】
＜界面活性剤（Ｇ）＞
界面活性剤（Ｇ）は、ポジ型感放射線性材料の塗膜形成性を高める成分である。ポジ型感放射線性材料は、界面活性剤（Ｇ）を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、硬化膜の膜厚均一性をより向上できる。界面活性剤（Ｇ）としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤が挙げられる。
【０１７９】
界面活性剤（Ｇ）としては、例えば、特開２００３−０１５２７８号公報、および特開２０１３−２３１８６９号公報に記載された具体例を挙げることができる。
ポジ型感放射線性材料における界面活性剤（Ｇ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは０．０１〜７．５質量部、さらに好ましくは０．０５〜５質量部である。界面活性剤（Ｆ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上することができる。
【０１８０】
［ポジ型感放射線性材料の調製方法］
ポジ型感放射線性材料は、例えば溶剤（Ｅ）に、重合体（Ａ）および感放射線性酸発生剤（Ｂ）、必要に応じてノボラック樹脂（Ｃ）等の好適成分、その他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製することができる。
【０１８１】
［ポジ型感放射線性材料を用いた絶縁膜の形成方法］
本発明の表示又は照明装置が有する絶縁膜の形成方法は、上述したポジ型感放射線性材料を用いて基板上に塗膜を形成する工程１、前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程２、前記放射線が照射された塗膜を現像する工程３、および前記現像された塗膜を加熱する工程４を有する。
【０１８２】
上記絶縁膜の形成方法によれば、遮光性に優れ、境界部分が順テーパー状である絶縁膜を、ＴＦＴ基板上に形成することができる。上述のポジ型感放射線性材料は感放射線性に優れることから、当該特性を利用した露光、現像、加熱によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する絶縁膜を形成することができる。
【０１８３】
《工程１》
工程１では、ポジ型感放射線性材料を基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶剤（Ｅ）を除去することで、塗膜を形成する。前記塗膜の膜厚としては、プレベーク後の値として、通常０．３〜１５．０μｍ、好ましくは０．５〜１０．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜５．０μｍとすることができる。
【０１８４】
基板としては、例えば、樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハが挙げられる。基板としてはさらに、製造途中の有機ＥＬ素子において、例えばＴＦＴやその配線が形成された、ＴＦＴ基板や配線基板が挙げられる。本発明の装置を製造する場合、特にＴＦＴ基板上に上記塗膜を形成する。
【０１８５】
ポジ型感放射線性材料の塗布方法としては、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法が挙げられる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法およびスリットダイ塗布法が好ましい。
【０１８６】
プレベークの条件としては、ポジ型感放射線性材料の組成等によっても異なるが、例えば、加熱温度が６０〜１３０℃、加熱時間を３０秒間〜１５分間程度とされる。プレベークは、ノボラック樹脂（Ｃ）に基づく遮光性が塗膜に付与されない温度で行うことが好ましい。
【０１８７】
《工程２》
工程２では、工程１で形成された塗膜に、所定のパターンを有するマスクを介して、放射線を照射する。このときに用いられる放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線が挙げられる。可視光線としては、例えば、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）が挙げられる。紫外線としては、例えば、ｉ線（波長３６５ｎｍ）が挙げられる。遠紫外線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザによるレーザ光が挙げられる。Ｘ線としては、例えば、シンクロトロン放射線が挙げられる。荷電粒子線としては、例えば、電子線が挙げられる。
【０１８８】
これらの放射線の中でも、可視光線および紫外線が好ましく、可視光線および紫外線の中でもｇ線及び／又はｉ線を含む放射線が特に好ましい。露光量としては、６０００ｍＪ／ｃｍ2以下が好ましく、２０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2が好ましい。この露光量は、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を照度計（ＯＡＩ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社の「ＯＡＩ  ｍｏｄｅｌ３５６」）により測定した値である。
【０１８９】
《工程３》
工程３では、工程２で放射線を照射した塗膜の現像を行う。これにより、放射線の照射部分を除去し、所望のパターンを形成することができる。現像処理に用いられる現像液としては、アルカリ水溶液が好ましい。
【０１９０】
アルカリ水溶液に含まれるアルカリ性化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミノエタノール、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕−５−ノナンが挙げられる。アルカリ水溶液におけるアルカリ性化合物の濃度としては、適当な現像性を得る観点から、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。
【０１９１】
現像液としては、アルカリ水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液、またはアルカリ水溶液にポジ型感放射線性材料を溶解する各種有機溶剤を少量添加した水溶液を使用することもできる。後者の水溶液における有機溶剤としては、重合体（Ａ）やポジ型感放射線性材料を得るための溶剤（Ｅ）と同様の溶剤を使用できる。
【０１９２】
現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法が挙げられる。現像時間は、ポジ型感放射線性材料の組成によって異なるが、通常１０秒〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。
【０１９３】
《工程４》
工程４では、工程３の後に、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて、塗膜に対する加熱処理（ポストベーク処理）により塗膜の硬化処理を行うことで絶縁膜を得る。この加熱処理における加熱温度は、例えば、１３０℃を超えて３００℃以下であり、加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱処理を行う場合には５分間〜３０分間、オーブン中で加熱処理を行う場合には３０分間〜９０分間である。この際に、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。
【０１９４】
前記温度範囲の加熱処理により、波長３００〜４００ｎｍにおける全光線透過率が０〜１５％という遮光性が、絶縁膜に付与される。このようにして、目的とするパターンの絶縁膜を基板上に形成することができる。
【０１９５】
工程４において、塗膜の加熱前に、パターニングされた塗膜に対してリンス処理や分解処理を行ってもよい。リンス処理では、溶剤（Ｅ）として挙げた低吸水性の溶剤を用い、塗膜を洗浄することが好ましい。分解処理では、高圧水銀灯等による放射線を全面に照射（後露光）することで、塗膜中に残存するキノンジアジド化合物等の感放射線性酸発生剤（Ｂ）を分解することができる。この後露光における露光量は、好ましくは１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
【０１９６】
このようにして得られた絶縁膜は、波長３００〜４００ｎｍの光に対して遮光性を有するとともに、構成材料が低吸水構造を備えることから低吸水性であり、製造工程においても、低吸水性の化合物を用いた処理が可能である。前記絶縁膜は、加えて、耐熱性、パターニング性、放射線感度、解像度等の点において、良好な特性を示する。このため、前記絶縁膜は、例えば有機ＥＬ素子等が有する隔壁としての絶縁膜の他に、保護膜や平坦化膜としての絶縁膜として、好適に用いることができる。
【０１９７】
〔有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明装置〕
以下、本発明の表示又は照明装置として、有機ＥＬ表示又は照明装置を具体例にとって、図３を参照しつつ説明する。図３は、本発明に係る有機ＥＬ表示又は照明装置（以下、単に「有機ＥＬ装置」ともいう）の主要部の構造を模式的に示す断面図である。
【０１９８】
図３の有機ＥＬ装置１は、マトリクス状に形成される複数の画素を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１は、トップエミッション型、ボトムエミッション型のいずれでもよい。有機ＥＬ装置１は、支持基板２、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」ともいう）３、無機絶縁膜４、第１の絶縁膜５、第１電極としての陽極６、スルーホール７、第２の絶縁膜８、有機発光層９、第２電極としての陰極１０、パッシベーション膜１１および封止基板１２を備える。
【０１９９】
＜支持基板＞
支持基板２は、絶縁材料より形成されている。絶縁材料は、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型であるか、ボトムエミッション型であるか、すなわち支持基板２が透明であることが求められるか否かによって選択すればよい。有機ＥＬ装置１がボトムエミッション型である場合、支持基板２には高い透明性が求められる。そのため、絶縁材料としては、例えば、透明性の高いポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等の透明樹脂、無アルカリガラス等のガラス材料が好ましい。一方、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型の場合、上記絶縁材料として任意の絶縁体を用いることができ、ボトムエミッション型の場合と同様、無アルカリガラス等のガラス材料を用いることも可能である。
【０２００】
＜ＴＦＴ＞
ＴＦＴ３は、各画素部分のアクティブ素子であり、支持基板２上に形成されている。このＴＦＴ３は、ゲート電極３０、ゲート絶縁膜３１、半導体層３２、ソース電極３３およびドレイン電極３４を備えている。
【０２０１】
本発明では、ゲート電極上にゲート絶縁膜および半導体層を順に備えるボトムゲート型に限らず、半導体層上にゲート絶縁膜およびゲート電極を順に備えるトップゲート型であってもよい。
【０２０２】
《ゲート電極》
ゲート電極３０は、走査信号線（図示略）の一部をなす。このゲート電極３０は、単層膜として形成されていても、多層膜として形成されていてもよい。ゲート電極３０の厚さとしては、１０〜１０００ｎｍが好ましい。
【０２０３】
ゲート電極３０は、支持基板２上に、蒸着法やスパッタ法等により金属薄膜を形成し、エッチングプロセスを利用したパターニングを行って形成することができる。
上記金属薄膜の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）等の金属、それら金属の合金、Ａｌ−ＮｄおよびＡＰＣ合金（銀、パラジウム、銅の合金）等の合金が挙げられる。ゲート電極３０を多層膜として形成する場合、金属薄膜としては、例えばＡｌ薄膜とＭｏ薄膜との積層膜等のように異なる材料の薄膜を積層した積層膜として形成することも可能である。
【０２０４】
ゲート電極３０は、金属薄膜に代えて、金属酸化物導電膜または有機導電膜をパターニングして形成することも可能である。上記金属酸化物導電膜の材料としては、例えば、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウムドープ酸化錫）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）が挙げられる。上記有機導電膜の材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ル等の導電性の有機化合物、これらの混合物が挙げられる。
【０２０５】
《ゲート絶縁膜》
ゲート絶縁膜３１は、ゲート電極３０を被覆する。このゲート絶縁膜３１は、スパッタ法やＣＶＤ法、蒸着法等により酸化膜や窒化膜を成膜して形成することができる。
【０２０６】
ゲート絶縁膜３１は、例えば、ＳｉＯ2等の金属酸化物やＳｉＮ等の金属窒化物を用いて形成される。このゲート絶縁膜３１は、単一の絶縁膜であっても複数の絶縁膜を積層した積層膜であってもよい。ゲート絶縁膜３１は、高分子材料等の有機材料から形成することも可能である。
【０２０７】
ゲート絶縁膜１２の膜厚としては１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、特に、金属酸化物等の無機材料を用いた場合は１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、有機材料を用いた場合は５０ｎｍ〜１０μｍが好ましい。
【０２０８】
《半導体層》
半導体層３２は、ゲート電極３０上にゲート絶縁膜３１を介して配置される。半導体層３２は、ソース電極３３およびドレイン電極３４と接続されており、チャネル層を構成する。チャネル層は、キャリアが流れ、ゲート電極３０により制御される部分である。
【０２０９】
半導体層３２は、上述した、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物半導体を用いて形成することができる。この場合の酸化物としては、例えば、単結晶酸化物、多結晶酸化物、アモルファス酸化物、これらの混合物が挙げられる。
【０２１０】
ＩＧＺＯを用いたアモルファス酸化物からなる半導体層３２は、例えばＩＧＺＯターゲットを用いてスパッタ法や蒸着法により半導体層を形成し、フォトリソグラフィ法等を利用して、レジストプロセスとエッチングプロセスによるパターニングを行うことで形成される。この場合の半導体層３２の厚さとしては、１ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましい。
【０２１１】
半導体層３２を酸化物層として形成する場合、半導体層３２におけるソース電極３３およびドレイン電極３４の形成されない領域に、例えば５ｎｍ〜８０ｎｍの厚さのＳｉＯ2からなる保護層（図示略）を設けることが好ましい。この保護層は、エッチング停止層、ストップ層等と称されることもある。
【０２１２】
有機ＥＬ装置１では、第２の絶縁膜８（隔壁）が遮光性を有することから、有機発光層９から発生した光が半導体層３２に到達することを防止または低減することができる。したがって、光劣化しやすいＩＧＺＯ等からなる半導体層を用いることができる。
【０２１３】
《ソース電極およびドレイン電極》
ソース電極３３は、キャリア発生源となる電極である。ソース電極３３は、映像信号線（図示略）の一部をなしており、半導体層３２に接続される。ドレイン電極３４は、半導体層３２（チャネル層）を介して移動するキャリアを受け取る部分であり、ソース電極３３と同様に半導体層３２に接続される。
【０２１４】
なお、ソース電極３３であるかドレイン電極３４であるかは、例えば半導体層３２の導電型（ｐ型またはｎ型）、電圧印加時に高電圧側であるか低電圧側であるか等によって決定される。
【０２１５】
ソース電極３３およびドレイン電極３４は、単層膜として形成されていてもよいし、多層膜として形成されていてもよい。ソース電極３３およびドレイン電極３４の厚さとしては、１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましい。
【０２１６】
ソース電極３３およびドレイン電極３４は、印刷法、コーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等の方法により導体膜を形成した後、フォトリソグラフィ法等を利用してパターニングすることで形成することができる。
【０２１７】
ソース電極３３およびドレイン電極３４の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｗ、Ａｇ等の金属、これら金属の合金、Ａｌ−ＮｄおよびＡＰＣ等の合金などの金属材料が挙げられる。ソース電極３３およびドレイン電極３４は、多層膜として構成する場合、例えばＴｉ薄膜とＡｌ薄膜との積層膜等のように異なる材料の薄膜を積層した積層膜として形成することも可能である。
【０２１８】
ソース電極３３およびドレイン電極３４の構成材料としては、金属材料に代えて、導電性金属酸化物または導電性有機化合物を用いることもできる。導電性金属酸化物としては、例えば、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）が挙げられる。導電性有機化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルが挙げられる。
【０２１９】
＜無機絶縁膜＞
無機絶縁膜４は、半導体層３２を保護するため、例えば湿度によって半導体層３２が影響を受けることを防ぐために設けられる。無機絶縁膜４は、ＴＦＴ３の全体を被覆するように形成されている。
【０２２０】
無機絶縁膜４は、例えば、ＳｉＯ2等の金属酸化物やＳｉＮ等の金属窒化物を用いて形成される。無機絶縁膜４は、単一の絶縁膜であっても複数の絶縁膜を積層した積層膜であってもよい。無機絶縁膜４は、第１の絶縁膜５を設ける場合には省略することもできる。
【０２２１】
＜第１の絶縁膜＞
第１の絶縁膜５は、ＴＦＴ３の表面凹凸を平坦化する役割を果たす平坦化膜である。第１の絶縁膜５は、ＴＦＴ３の全体を被覆するように無機絶縁膜４上に形成されている。
【０２２２】
第１の絶縁膜５は、上述したポジ型感放射線性材料を用いて形成してもよく、従来公知の感放射線性樹脂組成物を用いて形成してもよい。これらの材料は、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型であるか、ボトムエミッション型であるかに応じて選択すればよい。第１の絶縁膜５は、これらの材料が有機材料であることから有機絶縁膜として形成されている。第１の絶縁膜５は、上述した［絶縁膜の形成方法］において説明した方法等により形成することができる。
第１の絶縁膜５の膜厚は、平坦化膜として優れた機能を奏するように大きくすることが好ましい。第１の絶縁膜５の膜厚としては、１μｍ〜６μｍが好ましい。
【０２２３】
＜陽極＞
陽極６は、画素電極をなす。陽極６は、導電性材料によって第１の絶縁膜５上に形成されている。導電性材料としては、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型であるか、ボトムエミッション型であるか、すなわち陽極６が透明であることが求められるか光反射性が求められるかによって選択すればよい。
【０２２４】
ボトムエミッション型の場合、陽極６は、透明であることが求められる。そのため、陽極６の材料としては、透明性の高いＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズが好ましい。一方、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型の場合、陽極６に光反射性が求められる。そのため、陽極６の材料としては、光反射性が高いＡＰＣ合金（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等が好ましい。
陽極６の厚さとしては、１００ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
【０２２５】
＜スルーホール＞
スルーホール７は、陽極６とドレイン電極３４とを接続するために形成される。スルーホール７は、第１の絶縁膜５に加えて、第１の絶縁膜５の下層にある無機絶縁膜４も貫通するように形成される。
【０２２６】
スルーホール７は、所望形状の貫通孔を有する第１の絶縁膜５を形成した後、無機絶縁膜４に対してドライエッチングを行うことで形成することができる。ここで、第１の絶縁膜５は、上述したポジ型感放射線性材料または従来公知の感放射線性樹脂組成物を用いて、上述した［絶縁膜の形成方法］において説明した方法と同様な手法により形成することができる。そのため、これらの材料からなる塗膜に対する放射線の照射・現像によりスルーホール７を構成する貫通孔を形成することができる。無機絶縁膜４に対するドライエッチングは、第１の絶縁膜５をマスクとして行うことができる。これにより、第１の絶縁膜５の貫通孔に連通する貫通孔が無機絶縁膜４に形成される結果、第１の絶縁膜５および無機絶縁膜４を貫通するスルーホール７が形成される。
【０２２７】
なお、ＴＦＴ３上に無機絶縁膜４が配置されていない場合、第１の絶縁膜５への放射線の照射・現像により形成される貫通孔がスルーホール７を構成する。その結果、陽極６は、第１の絶縁膜５の一部を覆うとともに、第１の絶縁膜５を貫通するよう第１の絶縁膜５に設けられたスルーホール７を介して、ドレイン電極３４と接続することができる。
【０２２８】
＜第２の絶縁膜＞
第２の絶縁膜８は、有機発光層９の配置領域を規定する凹部８０を有する隔壁（バンク）としての役割を果たす。第２の絶縁膜８は、陽極６の一部を覆う一方で陽極６の一部を露出させるように形成されている。また、第２の絶縁膜は、陽極６を露出させる境界部分における断面形状が順テーパー状である。
【０２２９】
第２の絶縁膜８は、前記ＴＦＴ３が有する半導体層３２の上方に少なくとも配置されるように、第１の絶縁膜５上に形成されていることが好ましい。ここで「上方」とは、支持基板２から封止基板１２へ向かう方向である。第２の絶縁膜８は遮光性を有することから、有機発光層９から発生した光が半導体層３２に到達することを防止または低減することができる。
【０２３０】
このような第２の絶縁膜８は、上述したポジ型感放射線性材料を用いて［絶縁膜の形成方法］において説明した方法等により形成することができる。第２の絶縁膜８は、塗膜の露光・現像によりパターニングすることで、平面視において、有機発光層９が形成される複数の凹部８０がマトリクス状に配置されたものとして形成することができる。
【０２３１】
また、第２の絶縁膜８は、スルーホール７を充填するように形成されていることが好ましい。このような構成を採用することによって、第１の絶縁膜５上に形成された絶縁膜およびスルーホール７内に形成された絶縁膜が、有機発光層９から発生した光がＴＦＴ３の半導体層３２に到達することを防止または低減する防御壁となる。
【０２３２】
凹部８０には、後述するように、例えばインクジェット法によってインク状の発光材料組成物が塗布される。この場合、第２の絶縁膜８の少なくとも凹部８０の内面は、濡れ性が低いこと（撥水性が高いこと）が望まれる。第２の絶縁膜８の濡れ性を改善する方法としては、第２の絶縁膜８をフッ素ガスでプラズマ処理する方法、ポジ型感放射線性材料の撥液性を高める方法が挙げられる。これらの方法のうち、プラズマ処理は有機ＥＬ装置１の他の構成部材に悪影響を与えるおそれがあるため、ポジ型感放射線性材料の撥液剤を高める方法が好ましい。
【０２３３】
第２の絶縁膜８の膜厚Ｔ１（第２の絶縁膜８の最上面と有機発光層９の最下面との距離）としては、０．３μｍ以上１５．０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上１０．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下が特に好ましい。第２の絶縁膜８の膜厚が１５．０μｍを超えると、第２の絶縁膜８が封止基板１２と接触するおそれがある。一方、第２の絶縁膜８の膜厚が０．３μｍ未満であると、遮光性が充分に付与されないおそれや、後述する有機発光層９を形成する場合に、第２の絶縁膜８の凹部８０に発光材料組成物を塗布するときに、発光材料組成物が凹部８０から漏れ出すおそれがある。
【０２３４】
＜有機発光層＞
有機発光層９は、電界を印加されて発光する。有機発光層９は、電界発光する有機発光材料を含む層である。有機発光層９は、第２の絶縁膜８によって規定される領域、すなわち凹部８０に形成されている。このように、凹部８０に有機発光層９を形成することで有機発光層９の周囲が第２の絶縁膜８によって包囲され、隣接する複数画素同士を区画することができる。
【０２３５】
有機発光層９は、第２の絶縁膜８の凹部８０に有機発光材料を充填することで形成される。凹部８０に有機発光材料の充填方法としては、特に限定はないが、インクジェット法が好ましい。
【０２３６】
上記有機発光材料としては、低分子有機発光材料であっても、高分子有機発光材料であってもよく、例えば、Ａｌｑ3、ＢｅＢｑ3等の基材母体にキナクリドンやクマリンをドープした材料が挙げられる。インクジェット法による有機発光材料への充填を行う場合、高分子有機発光材料が好ましい。高分子有機発光材料としては、例えば、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリアセチレン（Ｐｏｌｙａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、その誘導体、ポリフェニレン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、その誘導体、ポリパラフェニレンエチレン（Ｐｏｌｙ（ｐａｒａ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｅｔｈｙｌｅｎｅ））、その誘導体、ポリ３−ヘキシルチオフェン（Ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）（Ｐ３ＨＴ））、その誘導体、ポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ（ＰＦ））、その誘導体等が挙げられる。
【０２３７】
有機発光層９は、第２の絶縁膜８の凹部８０で陽極６と接触して形成されている。有機発光層９の厚さＴ２としては、５０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。ここで有機発光層９の厚さＴ２とは、陽極６上の有機発光層９の底面から、陽極６上の有機発光層９の上面までの距離を意味する。
【０２３８】
なお、陽極６と有機発光層９との間には、正孔注入層及び／又は中間層が配置されていてもよい。陽極６と有機発光層９との間に、正孔注入層および中間層が配置される場合、陽極６上に正孔注入層が配置され、正孔注入層上に中間層が配置され、そして中間層上に有機発光層９が配置される。また、陽極６から有機発光層９へ効率的に正孔を輸送できる限り、正孔注入層および中間層は省略されてもよい。
【０２３９】
＜陰極＞
陰極１０は、複数の画素を共通に覆って形成され、有機ＥＬ装置１の共通電極をなす。この陰極１０は、導電性部材からなる。陰極１０の形成材料は、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型であるか、ボトムエミッション型であるか、すなわち陰極１０が透明であることが求められるか否かによって選択すればよい。トップエミッション型の場合には、陰極１０は、可視光透過性の電極を構成するＩＴＯ電極やＩＺＯ電極等であることが好ましい。一方、有機ＥＬ装置１がボトムエミッション型の場合には、陰極１０が可視光透過性である必要はない。その場合、陰極１０の構成材料は、導電性であれば特に限定されないが、例えば、バリウム（Ｂａ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、アルミニウム（Ａｌ）およびＡｌを含む合金等を選択することも可能である。
なお、陰極１０と有機発光層９との間には、例えば、バリウム（Ｂａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる電子注入層が配置されていてもよい。
【０２４０】
＜パッシベーション膜＞
パッシベーション膜１１は、有機ＥＬ素子内への水分や酸素の浸入を抑制する。このパッシベーション膜１１は、陰極１１上に設けられている。パッシベーション膜１１は、ＳｉＮや窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の金属窒化物等を用いて形成されている。パッシベーション膜１１は、単一の絶縁膜であっても複数の絶縁膜を積層した積層膜であってもよい。
【０２４１】
＜封止基板＞
封止基板１２は、有機発光層９が配置された主面（支持基板２とは反対側）を封止する。封止基板１２としては、無アルカリガラス等のガラス基板を用いることができる。有機発光層９が配置された主面は、ＴＦＴ基板の外周端部付近に塗布されたシール剤（図示略）を用い、封止層１３を介して、封止基板１２により封止することが好ましい。封止層１３は、乾燥された窒素ガス等の不活性なガスの層、または接着剤等の充填材料の層とすることができる。
【０２４２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、第２の絶縁膜８が波長３００〜４００ｎｍの光に対して遮光性を有することから、当該装置の使用等に伴う半導体層３２の光劣化を抑制することができる。また、第１の絶縁膜５および第２の絶縁膜８が、低吸水性であるポジ型感放射線性材料を用いて形成することができ、またこれらの絶縁膜５，８の形成工程において、低吸水性の材料を用いた洗浄等の処理が可能である。そのため、吸着水等の形態で絶縁膜形成材料に含まれる微量の水分が徐々に有機発光層９に浸入することを低減し、有機発光層９の劣化および発光状態の悪化を低減することができる。
【実施例】
【０２４３】
以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」を示す。
【０２４４】
［ＧＰＣ分析］
重合体（Ａ）および樹脂（Ｃ）の重量平均分子量（Ｍｗ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、東ソー（株）製、商品名：ＨＬＣ−８０２０）法を用いて、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶媒の条件下、ポリスチレン換算で測定した。
・測定方法：ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法
・標準物質：ポリスチレン換算
・装置    ：東ソー（株）製、商品名：ＨＬＣ−８０２０
・カラム  ：東ソー（株）製ガードカラムＨXL−Ｈ、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ７０００ＨXL、ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨXL ２本、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ２０００ＨXLを順次連結したもの
・溶媒    ：テトラヒドロフラン
・サンプル濃度：０．７質量％
・注入量  ：７０μＬ
・流速    ：１ｍＬ／ｍｉｎ
【０２４５】
＜重合体（Ａ）の合成＞
［合成例Ａ１］重合体（Ａ−１）の合成
３口フラスコに重合溶剤としてのγ−ブチロラクトン３９０ｇを加えた後、ジアミン化合物としての２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１２０ｇを重合溶剤中に加えた。ジアミン化合物を重合溶剤に溶解させた後、酸二無水物としての４，４’−オキシジフタル酸二無水物７１ｇを加えた。その後、６０℃で１時間反応させた後、末端封止剤としての無水マレイン酸１９ｇを加え、６０℃で更に１時間反応させた後、昇温して１８０℃で４時間反応させた。重合体（Ａ−１）を含む固形分濃度が約３５質量％のポリイミド溶液を約６００ｇ得た。得られた重合体（Ａ−１）のＭｗは８０００であった。
【０２４６】
［合成例Ａ２］重合体（Ａ−２）の合成
フラスコ内を窒素置換した後、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル５．０ｇを溶解したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液２５０．０ｇを仕込んだ。引き続きメタクリル酸２０．０ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレート４５．０ｇおよび３−エチル−３−メタクリロイルオキシメチルオキセタン３０．０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を５時間保持した後、１００℃で１時間加熱させて重合を終結させた。その後、反応生成溶液を多量のメタノールに滴下し反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、テトラヒドロフラン２００ｇに再溶解し、多量のメタノールで再度、凝固させた。
【０２４７】
この再溶解−凝固操作を計３回行った後、得られた凝固物を６０℃で４８時間真空乾燥し、目的とする共重合体を得た。その後固形分濃度が約３５質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて共重合体溶液とした。得られた重合体（Ａ−２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１００００であった。
【０２４８】
［合成例Ａ３］重合体（Ａ−３）の合成
モノマーとして２−メタクリロイロキシエチルコハク酸２０．０ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレート４５．０ｇおよび３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート３０．０ｇを用いたこと以外は合成例Ａ２と同様に行った。得られた重合体（Ａ−３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は２００００であった。
【０２４９】
＜ノボラック樹脂（Ｃ）の合成＞
［合成例Ｃ１］ノボラック樹脂（Ｃ−１）の合成
温度計、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、１−ナフトール１４４．２ｇ（１．０モル）、メチルイソブチルケトン４００ｇ、水９６ｇおよび９２質量％パラホルムアルデヒド３２．６ｇ（ホルムアルデヒド換算で１．０モル）を仕込んだ。続いて攪拌しながらパラトルエンスルホン酸３．４ｇを加えた。その後、１００℃で８時間反応させた。反応終了後に純水２００ｇを加え、系内の溶液を分液ロートに移して水層を有機層から分離除去した。次いで洗浄水が中性を示すまで水洗後、有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、下記式で表される構造単位からなるノボラック樹脂（Ｃ−１）を１４０ｇ得た。得られたノボラック樹脂（Ｃ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は２０００であった。
【０２５０】
【化１８】
0005613851.tif 000019
【０２５１】
フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ-ＩＲ）による測定チャートから、原料と比較してメチレン結合による伸縮由来の吸収（２８００〜３０００ｃｍ-1）が確認でき、更に、芳香族エーテル由来の吸収（１０００〜１２００ｃｍ-1）は発見できなかった。これらの結果により、本合成例では水酸基同士の脱水エーテル化反応（水酸基が消失）は生じず、メチレン結合を有するノボラック樹脂が得られたと推定した。これらの推定は、以下の合成例Ｃ２〜Ｃ５においても同様である。
【０２５２】
［合成例Ｃ２］ノボラック樹脂（Ｃ−２）の合成
温度計、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、１−ナフトール１４４．２ｇ（１．０モル）とテレフタルアルデヒド１３４．１ｇ（１．０モル）、トリフロロメタンスルホン酸３．０ｇを装入し、攪拌を行いながら１５０〜１６０℃で４時間反応を行った。反応終了後に純水２００ｇを加え、系内の溶液を分液ロートに移して水層を有機層から分離除去した。次いで洗浄水が中性を示すまで水洗後、有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、下記式で表される構造単位からなるノボラック樹脂（Ｃ−２）を２２０ｇ得た。得られたノボラック樹脂（Ｃ−２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１５００であった。
【０２５３】
【化１９】
0005613851.tif 000020
【０２５４】
［合成例Ｃ３］ノボラック樹脂（Ｃ−３）の合成
原料成分および酸触媒としてテレフタルアルデヒド１３４．１ｇ（１．０モル）と１，６−ジヒドロキシナフタレン１６０．２ｇ（１．０モル）、トリフロロメタンスルホン酸３．０ｇを用いたこと以外は合成例Ｃ２と同様に行った。下記式で表される構造単位からなるノボラック樹脂（Ｃ−３）を２３０ｇ得た。得られたノボラック樹脂（Ｃ−３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０００であった。
【０２５５】
【化２０】
0005613851.tif 000021
【０２５６】
［合成例Ｃ４］ノボラック樹脂（Ｃ−４）の合成
原料成分として１−ヒドロキシアントラセン１９４．２ｇ（１．０モル）、メチルイソブチルケトン４００ｇ、水９６ｇおよび９２質量％パラホルムアルデヒド３２．６ｇ（ホルムアルデヒド換算で１．０モル）を用いたこと以外は合成例Ｃ１と同様に行った。下記式で表される構造単位からなるノボラック樹脂（Ｃ−４）を１８０ｇ得た。得られたノボラック樹脂（Ｃ−４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は２０００であった。
【０２５７】
【化２１】
0005613851.tif 000022
【０２５８】
［合成例Ｃ５］ノボラック樹脂（Ｃ−５）の合成
原料成分として１，４−ジヒドロキシアントラセン２１０．２ｇ（１．０モル）、メチルイソブチルケトン４００ｇ、水９６ｇおよび９２質量％パラホルムアルデヒド３２．６ｇ（ホルムアルデヒド換算で１．０モル）を用いたこと以外は合成例Ｃ１と同様に行った。下記式で表される構造単位からなるノボラック樹脂（Ｃ−５）を１９０ｇ得た。得られたノボラック樹脂（Ｃ−５）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０００であった。
【０２５９】
【化２２】
0005613851.tif 000023
【０２６０】
＜ポジ型感放射線性材料の調製＞
ポジ型感放射線性材料の調製に用いた重合体（Ａ）は合成例Ａ１〜Ａ３の重合体（Ａ−１）〜（Ａ−３）であり、ノボラック樹脂（Ｃ）は合成例Ｃ１〜Ｃ５のノボラック樹脂（Ｃ−１）〜（Ｃ−５）であり、感放射線性酸発生剤（Ｂ）、架橋剤（Ｄ）、溶剤（Ｅ）、密着助剤（Ｆ）および界面活性剤（Ｇ）は、下記の通りである。
感放射線性酸発生剤（Ｂ）
Ｂ−１：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）との縮合物（東洋合成工業社の「ＭＩＬＮＥＳＳ−ＡＣ」）
架橋剤（Ｄ）
Ｄ−１：４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メチル］ビフェニル
（宇部興産社の「ＯＸＢＰ」）
Ｄ−２：群栄化学社の「Ｃ−３５７」
溶剤（Ｅ）
Ｅ−１：γ−ブチロラクトン（ＢＬ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の質量比で３０：２０：５０の混合溶剤
密着助剤（Ｆ）
Ｆ−１：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越化学社の「ＫＢＭ−５７３」）
界面活性剤（Ｇ）
Ｇ−１：東レダウコーニング社のシリコーン系界面活性剤「ＳＨ８４００」
【０２６１】
［調製例１］
合成例Ａ１の重合体（Ａ−１）を含む重合体溶液（重合体（Ａ−１）２５部（固形分）に相当する量）に、感放射線性酸発生剤（Ｂ）として（Ｂ−１）１０部、ノボラック樹脂（Ｃ）として（Ｃ−１）４０部、架橋剤（Ｄ）として（Ｄ−１）１５部、（Ｄ−２）５部、密着剤（Ｆ）として（Ｆ−１）４部、界面活性剤（Ｇ）として（Ｇ−１）１部、および溶剤（Ｅ）として（Ｅ−１）を混合し、固形分濃度が２５質量％となるようにするとともに、口径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過して、ポジ型感放射線性材料１を調製した。
【０２６２】
［調製例２〜１１］
表２に示す種類および配合量の各成分を用いたこと以外は調製例１と同様にして、ポジ型感放射線性材料２〜１１を調製した。
【０２６３】
【表１】
0005613851.tif 000024
【０２６４】
［実施例および比較例］
調製例１〜１１のポジ型感放射線性材料１〜１１を用いて、以下に説明する方法により絶縁膜および有機ＥＬ素子を作製した。これらの絶縁膜および有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。
【０２６５】
《絶縁膜特性の評価》
絶縁膜のパターニング性、遮光性、テ―パ角度、吸水性および耐熱性を評価した。
＜パターニング性＞
スピンナーまたはスリットダイコーターを用いて、シリコン基板上に上記調製例で得られたポジ型感放射線性材料を塗布した後、１２０℃にて２分間ホットプレート上でプレベークして、塗膜を形成した。この塗膜に対して、露光機（キヤノン社の「ＭＰＡ−６０００」）を用い、パターンマスクを介して波長３６５ｎｍにおける露光量１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、８０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、乾燥させて、シリコン基板上に直径が５μｍの複数のスルーホールが列状に並ぶパターンを有する塗膜を形成した。この塗膜をクリーンオーブン中にて２５０℃で４５分間加熱して硬化させ、前記パターンを有する表２記載の膜厚を有する絶縁膜を形成した。
【０２６６】
このとき、上記塗膜において現像後の露光部が完全に溶解するか確認し、５μｍのパターンを形成し、かつ絶縁膜剥がれまたは現像残渣なく絶縁膜が形成された場合を「優良」、５μｍのパターンを形成し、かつ絶縁膜剥がれはないものの、やや現像残渣がある場合を「良好」、５μｍのパターンを形成できない、または絶縁膜剥がれが発生してしまう場合を「不良」とした。
【０２６７】
＜遮光性＞
スピンナーまたはスリットダイコーターを用いて、ガラス基板（コーニング社の「コーニング７０５９」）上に上記調製例で得られたポジ型感放射線性材料を塗布した後、１２０℃にて２分間ホットプレート上でプレベーク後、クリーンオーブン中にて２５０℃にて４５分間ポストベークして、表２記載の膜厚を有する絶縁膜を形成した。
【０２６８】
この絶縁膜を有するガラス基板について、分光光度計（日立製作所（株）製の「１５０−２０型ダブルビーム」）を用いて全光線透過率を３００ｎｍ〜７８０ｎｍの波長範囲で測定し、波長３００〜４００ｎｍでの全光線透過率を求めた。遮光性は、波長３００〜４００ｎｍにおいて最大の全光線透過率が６％以下の場合に「優良」とし、６％を超えて１５％以下の場合に「良好」とし、１５％を超える場合に「不良」とした。
【０２６９】
＜テーパー角度＞
上記＜パターニング性＞の絶縁膜において、複数のスルーホールのラインと直交する方向の垂直断面形状をＳＥＭ（日立ハイテクノロジー社の「ＳＵ３５００」）で観察した。
【０２７０】
＜吸水性＞
スピンナーまたはスリットダイコーターを用いて、シリコン基板上に上記調製例で得られたポジ型感放射線性材料を塗布した後、１２０℃にて２分間ホットプレート上でプレベーク後、クリーンオーブン中にて２５０℃にて４５分間ポストベークして、表２記載の膜厚を有する絶縁膜を形成した。この絶縁膜に対してＴｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ（ＥＳＣＯ社の「ＴＤＳ１２００」）を用いて真空度１．０×１０-9Ｐａにて、常温から２００℃に昇温した際の試料表面および試料から脱離するガスを質量分析計（アジレントテクノロジー社の「５９７３Ｎ」）で水のピーク（Ｍ／ｚ＝１８）の検出値を測定した。６０℃〜２００℃のトータルのピーク強度の積分値を取り、吸水性を評価した。吸水性は、６０℃〜２００℃のトータルのピーク強度の積分値が３．０×１０-8以下の場合に「優良」、３．０×１０-8を超えて５．０×１０-8以下の場合に「良好」とした。
【０２７１】
＜耐熱性＞
＜吸水性＞の評価と同様にしてポジ型感放射線性材料を用いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜について熱重量測定装置（ＴＡインスツルメント社の「ＴＧＡ２９５０」）を用いて、１００℃から５００℃においてＴＧＡ測定（空気下、昇温速度１０℃／分）を行うことで５％重量減少温度を求めた。耐熱性は、５％重量減少温度が３５０℃を超える場合に「優良」、３５０〜３３０℃の場合に「良好」とした。
【０２７２】
《素子特性評価》
ガラス基板（コーニング社の「コーニング７０５９」）を用い、このガラス基板上にＴＦＴを形成したＴＦＴ基板を作製した後に、このＴＦＴ基板上に絶縁膜を形成して評価用素子を作製した。この評価用素子について、素子特性の評価を行った。
【０２７３】
ＴＦＴ基板は、以下の手順で形成した。まず、ガラス基板上にスパッタリングによりモリブデン膜を形成し、レジストを用いたフォトリソグラフィおよびエッチングによりゲート電極を形成した。次いで、ガラス基板全面およびゲート電極の上層に、スパッタリングにより酸化ケイ素膜を形成してゲート絶縁膜とした。このゲート絶縁膜上にスパッタリングによりＩｎＧａＺｎＯ系アモルファス酸化物膜（ＩｎＧａＺｎＯ4）を形成し、レジストを用いたフォトリソグラフィおよびエッチングにより半導体層を形成した。半導体層の上層にスパッタリングによりモリブデン膜を形成し、レジストを用いたフォトリソグラフィおよびエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成した。最後に、基板全面、ソース電極およびドレイン電極の上層に、スパッタリングにより酸化ケイ素膜を形成してパッシベーション膜とし、ＴＦＴ基板を得た。
【０２７４】
ＴＦＴ基板上にスピンナーまたはスリットダイコーターを用いて、上記調製例で得られたポジ型感放射線性材料を塗布した後、１２０℃にて２分間ホットプレート上でプレベーク後、クリーンオーブン中にて２５０℃にて４５分間ポストベークすることで、表２記載の膜厚を有する絶縁膜を形成した。
【０２７５】
＜スイッチング応答特性＞
素子特性はスイッチング応答特性として評価した。スイッチング応答特性は、ＯＮ／ＯＦＦ比を測定することで評価した。ＯＮ／ＯＦＦ比は、プローバおよび半導体パラメーターアナライザーを用いて、ゲート電極に電圧を印可した状態でソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を測定することで算出した。具体的には、半導体層に対して上記ポジ型感放射線性材料から形成された絶縁膜の上方から波長４５０ｎｍまたは５００ｎｍを中心とした白色光（照度３００００ルックス）を照射した条件下において、ドレイン電極をプラス１０Ｖ、ソース電極を０Ｖとした場合にゲート電極に印可された電圧がプラス１０Ｖとマイナス１０Ｖの時の電流値の比をＯＮ／ＯＦＦ比とした。スイッチング応答特性、すなわち素子特性は、ＯＮ／ＯＦＦ比が１．０×１０5以上の場合に「良好」、１．０×１０5未満の場合に「不良」とした。
【０２７６】
＜ＴＦＴ信頼性＞
ＴＦＴ信頼性は、ゲート電極−ソース電極間に電気的なストレスを印可した際のＩｄ−Ｖｇ特性の変化（閾値電圧Ｖｔｈの変化量）を、評価用素子に対する光照射時と光非照射時とで比較することによって評価した。
【０２７７】
（Ｉｄ−Ｖｇ特性および閾値電圧Ｖｔｈの測定）
電気的なストレスの印可は、評価用素子のソース電極の電位を０Ｖ、ドレイン電極の電位を＋１０Ｖに保ち、ソース電極−ドレイン電極間に電圧を印可した状態で、ゲート電極の電位Ｖｇを−２０Ｖから＋２０Ｖまで変化させることで行った。このようにゲート電極の電位Ｖｇを変化させた際、ドレイン電極−ソース電極間に流れる電流Ｉｄをプロットすることで、Ｉｄ−Ｖｇ特性を得た。このＩｄ−Ｖｇ特性においては、電流値がＯＮとなる電圧を閾値電圧Ｖｔｈに設定した。
【０２７８】
（閾値電圧Ｖｔｈの変化量の測定）
電気的なストレスは、ゲート電極−ソース電極間に、＋２０Ｖの正電圧及び−２０Ｖの負電圧をそれぞれ１２時間ずつ印加することで与えた。このような電気的なストレスは、評価用素子の半導体膜に対して上方から光を照射した条件下、および半導体膜に対して光を照射しない条件下のそれぞれについて行った。閾値電圧Ｖｔｈの変化量は、光照射条件および光非照射条件のそれぞれについて、Ｉｄ−Ｖｇ特性から算出した。そして、光照射時の閾値電圧Ｖｔｈの変化量が、光非照射時の閾値電圧Ｖｔｈの変化量の１．５倍未満に抑えられている場合にＴＦＴ信頼性が「優良」であるとし、１．５倍〜２倍に抑えられている場合にＴＦＴ信頼性が「良好」であるとし、２倍を超えている場合にＴＦＴ信頼性が「不良」であるとした。
【０２７９】
【表２】
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【０２８０】
表２に示すように、調製例１〜１１のポジ型感放射線性材料１〜１１は、パターニング性、パターン形状、低吸水性および耐熱性に優れていた。また、実施例１〜１５で形成した絶縁膜は、遮光性に優れ順テーパー状であり、この絶縁膜および光劣化しやすい半導体層を使用した素子は、光照射環境下においても、素子特性（スイッチング応答特性、ＴＦＴ信頼性）に優れていた。これに対して、比較例１で形成した絶縁膜は、遮光性に劣り、この絶縁膜および光劣化しやすい半導体層を使用した素子は、光照射環境下において、素子特性（スイッチング応答特性、ＴＦＴ信頼性）に劣っていた。
【符号の説明】
【０２８１】
１…有機ＥＬ装置、２…支持基板、３…ＴＦＴ、３０…ゲート電極、３１…ゲート絶縁膜、３２…半導体層、３３…ソース電極、３４…ドレイン電極、４…無機絶縁膜、５…第１の絶縁膜（平坦化膜）、６…陽極、７…スルーホール、８…第２の絶縁膜（隔壁）、８０…凹部、９…有機発光層、１０…陰極、１１…パッシベーション膜、１２…封止基板、１３…封止層、１００…ＴＦＴ基板、１１０…第１電極、１１１…絶縁膜の開口部、１１２…第１電極のエッジ部、１１３…第１電極面、１２０…絶縁膜、１２１…絶縁膜の斜面
【要約】
【課題】例えばＩＧＺＯ等の光劣化の大きい物質からなる半導体層を含む薄膜トランジスタを駆動用素子として有する表示又は照明装置において、これらの装置の使用に伴う前記物質の光劣化が抑制された表示又は照明装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する半導体層が、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物半導体を含有するＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上に設けられ、且つ前記ＴＦＴと接続された第１電極と、第１電極を部分的に露出させるように第１電極上に形成された、全光線透過率が波長３００〜４００ｎｍにおいて０〜１５％の範囲にある絶縁膜と、第１電極に対向して設けられた第２電極とを有する表示又は照明装置。
【選択図】なし【図１】
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【図２】
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【図３】
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