(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペーストを連続して塗布するノズルを移動して、前記ペーストを基板の平面における所定の領域の周囲に連続して塗布するペースト塗布装置であって、
前記ノズルが移動を開始する始点から所定長に亘る始端部では、前記基板から前記ノズルまでのノズル高さを所定の基準高さより低くして前記ノズルを移動し、
前記ノズルが移動を終了する終点までの所定長に亘る終端部では、前記ノズル高さを前記基準高さより高くして前記ノズルを移動し、
前記始端部および前記終端部以外の部分では前記ノズル高さを前記基準高さとして前記ノズルを移動し、
さらに、前記始端部と前記終端部の少なくとも一部で前記ペーストが重なって塗布されるように前記ノズルを移動し、
前記始端部では、
前記基準高さを前記ノズル高さとして前記ノズルが移動するときに前記基板に塗布される前記ペーストの塗布高さに許容される許容誤差に相当する量だけ前記ノズル高さを前記基準高さより低くし、
前記終端部では、
前記許容誤差に相当する量だけ前記ノズル高さを前記基準高さより高くすることを特徴とするペースト塗布装置。
【請求項２】
前記領域の周囲の１点を前記始点として当該領域の周囲に沿って前記始端部を形成し、前記領域の周囲の１点を前記終点として当該領域の周囲に沿って、かつ、前記始端部と少なくとも一部が重なって前記終端部を形成するように前記ノズルを移動することを特徴とする請求項１に記載のペースト塗布装置。
【請求項３】
前記ペーストを収納するペースト収納部と、
前記ペーストを前記ノズルから塗布するために前記ペースト収納部に吐出圧を供給する加圧源と、を備え、
前記終端部が形成されるより先に前記加圧源から前記ペースト収納部への吐出圧の供給が停止されることを特徴とする請求項２に記載のペースト塗布装置。
【請求項４】
前記領域の周囲から外方に外れた１点を前記始点として前記領域の周囲に向かって前記始端部を形成し、
前記領域の周囲から外方に外れた１点を前記終点として前記領域の周囲から当該終点に向かって、かつ、前記始端部と交差して前記終端部を形成するように前記ノズルを移動することを特徴とする請求項１に記載のペースト塗布装置。
【請求項５】
ペーストを連続して塗布するノズルを移動して、前記ペーストを基板の平面における所定の領域の周囲に連続して塗布するペースト塗布方法であって、
前記基板から前記ノズルまでのノズル高さを所定の基準高さより低くして前記ノズルを移動し、前記ノズルが移動を開始する始点から所定長に亘る始端部を形成する始端部形成工程と、
前記ノズル高さを前記基準高さより高くして前記ノズルを移動し、前記ノズルが移動を終了する終点までの所定長に亘る終端部を形成する終端部形成工程と、
前記始端部および前記終端部以外の部分で前記ノズル高さを前記基準高さにして前記ノズルを移動する標準移動工程と、を有し、
前記始端部と前記終端部の少なくとも一部で前記ペーストが重なって塗布されるように前記ノズルを移動し、
前記始端部形成工程では、
前記基準高さを前記ノズル高さとして前記ノズルを移動するときに前記基板に塗布される前記ペーストの塗布高さに許容される許容誤差に相当する量だけ前記ノズル高さを前記基準高さより低くし、
前記終端部形成工程では、
前記許容誤差に相当する量だけ前記ノズル高さを前記基準高さより高くすることを特徴とするペースト塗布方法。
【請求項６】
前記始端部形成工程は、
前記領域の周囲の１点を前記始点とし、前記領域の周囲に沿って前記ノズルを移動して前記始端部を形成する工程であり、
前記終端部形成工程は、
前記領域の周囲の１点を前記終点とし、前記領域の周囲に沿って、かつ、前記始端部と少なくとも一部が重なるように前記ノズルを移動して前記終端部を形成する工程であること、を特徴とする請求項５に記載のペースト塗布方法。
【請求項７】
前記終端部形成工程の実行より先に、前記ペーストの塗布を停止させる塗布停止工程が実行されることを特徴とする請求項６に記載のペースト塗布方法。
【請求項８】
前記始端部形成工程は、
前記領域の周囲から外方に外れた１点を前記始点とし、前記領域の周囲に向かって前記ノズルを移動して前記始端部を形成する工程であり、
前記終端部形成工程は、
前記領域の周囲から外方に外れた１点を前記終点とし、前記領域の周囲から前記終点に向かって、かつ、前記始端部と交差するように前記ノズルを移動して前記終端部を形成する工程であること、を特徴とする請求項５に記載のペースト塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にペーストを塗布するペースト塗布装置およびペースト塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルの製造工程において、有機ＥＬ素子が蒸着された基板に封止用のガラス（封止ガラス）を貼り合わせる工程では、基板にペースト（ガラスペースト）を塗布して封止ガラスを貼り合せ、レーザビームをガラスペーストに照射して接合する。
この工程では、基板に塗布されるガラスペーストの高さ（塗布高さ）に高精度の均一性が要求されるため、印刷法によって基板にガラスペーストが塗布されることが多い。
【０００３】
印刷法は、ガラスペーストを塗布するパターン（塗布パターン）が形成されたスクリーンを通してガラスペーストを基板に塗布する構成であり、塗布パターンの形状ごとにスクリーンが必要になるという問題がある。
また、スクリーンは極薄の部材であるため製造可能な大きさに限界がある。したがって、スクリーンを用いた印刷法で製造される有機ＥＬパネルの大きさが制限されるという問題がある。
さらに、スクリーンは塗布パターンの部分のガラスペーストを基板に塗布する構成であり、塗布パターンが形成される部分以外はマスクされる部分となる。そしてマスク部分のガラスペーストは残留するため、この残留するガラスペーストが余剰分（無駄）となりガラスペーストの使用効率が低下するという問題がある。
【０００４】
このような印刷法の問題点を解消してガラスペーストを塗布する方法として、塗布パターンに沿って移動するノズルからガラスペーストを基板に塗布する方法が知られている。
例えば特許文献１には、前回ペーストを塗布したときのノズル高さに基づいて２回目以降にペーストを塗布するときのノズル高さを調節しながらノズルを移動してペーストを塗布するペースト塗布装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３１６０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ノズルを移動してペーストを塗布する場合、基板に蒸着された有機ＥＬ素子の周囲にペーストを連続して切れ目なく塗布するためには、ノズルが移動を開始する始点とノズルが移動を終了する終点の間でガラスペーストが重なって塗布される（オーバーラップする）構成が好ましい。この構成によって、始点と終点の間でペーストの塗布が途切れることがなくペーストを切れ目なく連続して塗布できる。しかしながら、オーバーラップする部分において、先に塗布されたガラスペーストにノズルが接触するとガラスペーストが削り取られ、さらに、削り取られたガラスペーストが先に塗布されているガラスペーストに重なって塗布高さが高くなる。したがって、ガラスペーストの塗布高さを均一にできないという問題がある。
特許文献１に記載されるペースト塗布装置は、ノズルが移動を開始する始点とノズルが移動を終了する終点の間でペーストがオーバーラップして塗布されるときに、ノズルがペーストを削り取ることを回避することについて検討されていない。
【０００７】
そこで、本発明は、ガラスペーストの塗布高さを所定の誤差範囲に好適に維持できるペースト塗布装置およびペースト塗布方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、ペーストを連続して塗布するノズルを移動して、前記ペーストを基板の平面における所定の領域の周囲に連続して塗布するペースト塗布装置とする。そして、前記ノズルが移動を開始する始点から所定長に亘る始端部では、前記基板から前記ノズルまでのノズル高さを所定の基準高さより低くして前記ノズルを移動し、前記ノズルが移動を終了する終点までの所定長に亘る終端部では、前記ノズル高さを前記基準高さより高くして前記ノズルを移動し、前記始端部および前記終端部以外の部分では前記ノズル高さを前記基準高さとして前記ノズルを移動し、さらに、前記始端部と前記終端部の少なくとも一部で前記ペーストが重なって塗布されるように前記ノズルを移動し、前記始端部では、前記基準高さを前記ノズル高さとして前記ノズルが移動するときに前記基板に塗布される前記ペーストの塗布高さに許容される許容誤差に相当する量だけ前記ノズル高さを前記基準高さより低くし、前記終端部では、前記許容誤差に相当する量だけ前記ノズル高さを前記基準高さより高くすることを特徴とするペースト塗布装置とする。また、このようにペーストを塗布するペースト塗布方法とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、ガラスペーストの塗布高さを所定の誤差範囲に好適に維持できるペースト塗布装置およびペースト塗布方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ペースト塗布装置の斜視図である。
【図２】（ａ）は塗布ヘッドの側面図、（ｂ）は塗布ヘッドの斜視図である。
【図３】（ａ）は蒸着部の周囲にガラスペーストを塗布する塗布パターンの第１パターンを示す図、（ｂ）は蒸着部の周囲にガラスペーストを塗布する塗布パターンの第２パターンを示す図である。
【図４】（ａ）は第１パターンの始端部を示す図、（ｂ）は第１パターンの終端部を示す図である。
【図５】（ａ）は第２パターンの始端部を示す図、（ｂ）は第２パターンの終端部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、適宜図を参照して詳細に説明する。
本実施形態に係るペースト塗布装置１００は、図１に示すように、架台１、フレーム２、固定部３Ａ，３Ｂ、可動部４Ａ，４Ｂ、塗布ヘッド５、基板８を載置する基板保持盤６、制御部９、モニタ１１、キ一ボード１２を含んで構成される。
また、架台１の長手方向をＸ軸、幅方向をＹ軸、高さ方向（上下方向）をＺ軸とする座標軸を設定する。
なお、図１には１つの塗布ヘッド５が図示されているが、複数の塗布ヘッド５が備わるペースト塗布装置１００であってもよい。
【００１２】
また、架台１上には、固定部３Ａ，３Ｂと可動部４Ａ，４Ｂとを含んでなるＸ軸移動機構が設けられている。固定部３Ａ，３Ｂは架台１の、例えばＹ軸方向の両端部にＸ軸方向に沿って固定されて可動部４Ａ，４Ｂのガイド部材として機能する。可動部４Ａは固定部３Ａ上に、可動部４Ｂは固定部３Ｂ上に夫々移動可能に備わり、さらに、可動部４Ａと可動部４Ｂとにまたがって（即ち、Ｙ軸方向に沿って）フレーム２が設けられている。この構成によると、フレーム２は、Ｙ軸方向に延伸するように備わる。
Ｘ軸移動機構は、ボールねじ機構やリニアモータなどの駆動装置によって可動部４Ａ，４Ｂが固定部３Ａ，３Ｂに沿って移動可能に構成される。
【００１３】
フレーム２には、長手方向（即ち、Ｙ軸方向）に移動可能に塗布ヘッド５が備わっている。以降、フレーム２の長手方向に塗布ヘッド５を移動するための移動機構をＹ軸移動機構と称する。Ｙ軸移動機構は、ボールねじ機構やリニアモータなどの駆動装置によって塗布ヘッド５がフレーム２に沿って移動可能に構成される。
【００１４】
また、架台１の上面で固定部３Ａ，３Ｂの間の領域には、有機ＥＬ素子が蒸着部Ａ１に蒸着された基板８を載置するテーブルとして基板保持盤６が備わっている。基板保持盤６は図示しない吸着機構等によって載置された基板８を固定可能に構成される。
さらに、架台１には、操作手段としてモニタ１１やキーボード１２が設けられ、ペースト塗布機１００を制御する制御手段として制御部９が内蔵されている。
【００１５】
また、ペースト塗布装置１００には、空気を加圧して塗布ヘッド５に備わるペースト収納部（シリンジ５５）に供給することによって、ガラスペーストＧｐをノズル５５ａから吐出するための圧力（吐出圧）をシリンジ５５に供給する加圧源１０が備わっている。
加圧源１０は加圧配管１０ｃを介して塗布ヘッド５に備わるシリンジ５５に接続され、加圧した空気を供給してシリンジ５５内を加圧し、塗布ヘッド５に吐出圧を供給する。加圧配管１０ｃには加圧源１０で加圧された空気を所望の圧力（吐出圧）に調圧する正圧レギュレータ１０ａと加圧された空気の流通を遮断するためのバルブ１０ｂが備わっている。バルブ１０ｂは制御部９からの制御信号に応じて加圧配管１０ｃを開閉する電動式の開閉弁であって、バルブ１０ｂが閉弁したときに加圧配管１０ｃにおける空気の流通が遮断されるように構成される。
【００１６】
図２の（ａ）、（ｂ）に示すように、塗布ヘッド５は、フレーム２にＹ軸移動機構を介して駆動可能に取り付けられる基台部５０を有し、基台部５０にはフレーム２に備わるリニアスケール２ａの検出器５１が備わっている。リニアスケール２ａはフレーム２の一方の側面にＹ軸方向に沿って延設され、これを検出する検出器５１は、リニアスケール２ａと対向するように基台部５０に取り付けられる。制御部９（図１参照）は、検出器５１がリニアスケール２ａを検出した結果に基づいてＹ軸移動機構を制御することによって、塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）のＹ軸方向を位置制御する。なお、Ｘ軸移動機構にも図示しないリニアスケールと検出器が備わって塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）のＸ軸方向の位置制御が可能な構成であることが好ましい。
【００１７】
塗布ヘッド５の基台部５０にはＺ軸サーボモータ５２ａが備わるＺ軸ガイド５２が取り付けられ、このＺ軸ガイド５２にはＺ軸サーボモータ５２ａでＺ軸方向（上下方向）に移動するＺ軸テーブル５３が取り付けられる。また、Ｚ軸テーブル５３にはガラスペーストＧｐを収納するためのペースト収納部（シリンジ５５）が備わっている。さらに、シリンジ５５には収納されたペースト（本実施形態においてはガラスペーストＧｐ）を基板８（図１参照）に塗布するためのノズル５５ａと、基板保持盤６に載置された基板８からノズル５５ａまでの高さ（ノズル高さＮｈ）を計測する距離計（例えば、光学式距離計５４）と、が備わっている。
【００１８】
図２の（ｂ）に示す光学式距離計５４は発光部と受光部を含んで構成され、発光部が基板８（図１参照）に向かって照射した光（レーザ光）が基板８で反射した反射光の受光量に基づいて基板８からノズル５５ａまでのノズル高さＮｈを計測する。
具体的には、ノズル高さＮｈが長くなるほど受光部による反射光の受光量が低下することから、光学式距離計５４は、発光部での発光量に対する受光部での受光量の比率に基づいてノズル高さＮｈを計測するように構成される。
【００１９】
Ｚ軸サーボモータ５２ａは、Ｚ軸テーブル５３上に設置された光学式距離計５４の計測値に基づく制御部９（図１参照）の制御によって、Ｚ軸テーブル５３を介してシリンジ５５（ノズル５５ａ）をＺ軸方向、つまり上下方向に移動する。
【００２０】
以上のように構成されるペースト塗布装置１００（図１参照）は、例えば、図３の（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子が蒸着された基板８に封止ガラスを接合するためのガラスペーストＧｐを塗布する装置であり、例えば略矩形の平面形状で有機ＥＬ素子が蒸着された蒸着部Ａ１を所定の領域としてその周囲にガラスペーストＧｐを所定の高さ（塗布高さＨｔ）で盛り上げるように塗布する。ペースト塗布装置１００でガラスペーストＧｐが塗布された基板８は、次の工程で封止ガラスが貼り合わされた後、レーザビームがガラスペーストＧｐに照射されて封止ガラスが接合される。このとき、有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１が真空状態となるように、封止ガラスは真空の作業環境で真空貼りされる。
【００２１】
基板８に形成される有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１はガラスペーストＧｐと封止ガラスによって真空状態が維持されることが要求され、ペースト塗布装置１００（図１参照）は略矩形に有機ＥＬ素子が蒸着された蒸着部Ａ１の周囲に連続して切れ目なくガラスペーストＧｐを塗布することが要求される。
例えば、ペースト塗布装置１００の制御部９（図１参照）は、図３の（ａ）に示すように、基板８における有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１の周囲の１点（白丸）をノズル５５ａの移動を開始する始点Ｐｓとし、始点Ｐｓまでノズル５５ａを移動させる。つまり、始点Ｐｓが蒸着部Ａ１の周囲の１点として設定される。
さらに制御部９は加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して開弁する。適宜調圧された空気が正圧レギュレータ１０ａ（図１参照）からシリンジ５５（図１参照）に供給されることによってシリンジ５５に吐出圧が供給される。シリンジ５５の内部は吐出圧によって昇圧し、収納されているガラスペーストＧｐが吐出圧によってシリンジ５５から押し出され、ノズル５５ａから連続して塗布される。
【００２２】
この状態で、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａを蒸着部Ａ１の周囲に沿うように移動させる。ノズル５５ａをＸ軸方向に移動する場合、制御部９はＸ軸移動機構によって可動部４Ａ，４Ｂ（図１参照）を固定部３Ａ，３Ｂ（図１参照）に沿って移動させる。また、ノズル５５ａをＹ軸方向に移動する場合、制御部９はＹ軸移動機構によって塗布ヘッド５をフレーム２（図１参照）に沿って移動させる。
ノズル５５ａの移動にともなってノズル５５ａから塗布されるガラスペーストＧｐが蒸着部Ａ１の周囲に連続的に塗布されてノズル５５ａの移動する軌跡に沿った塗布パターン（第１パターンＰｔ１）が連続的に形成される。
【００２３】
そして、ノズル５５ａが蒸着部Ａ１の周囲を１周して始点Ｐｓの位置に戻ると、制御部９（図１参照）は、加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して閉弁する。さらに、制御部９は、先に塗布されているガラスペーストＧｐ上に沿ってオーバーラップするように、ノズル５５ａの移動を終了する終点Ｐｅ（白四角）までノズル５５ａを移動する。つまり、終点Ｐｅも蒸着部Ａ１の周囲の１点として設定される。
バルブ１０ｂが閉弁してシリンジ５５（図１参照）への吐出圧の供給が停止されてもシリンジ５５内は吐出圧の残圧による高圧の状態が続き、ノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布は継続される。そして、吐出圧の供給が停止されたシリンジ５５の内部は徐々に減圧し、シリンジ５５内部の減圧にともなってノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布量が減少し、シリンジ５５の内部が大気圧程度まで減圧した時点でノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布が停止する。
【００２４】
このようにガラスペーストＧｐが塗布される塗布パターンに、始点Ｐｓから終点Ｐｅまでの間にガラスペーストＧｐが重なって塗布されるオーバーラップ部１０１を設けることによって、蒸着部Ａ１の周囲に連続的な切れ目のない矩形の第１パターンＰｔ１をガラスペーストＧｐの塗布で形成できる。
【００２５】
または、図３の（ｂ）に示すように、制御部９は、略矩形を呈する蒸着部Ａ１の１つの辺の延長線上の一点に始点Ｐｓ（白丸）を設定し、始点Ｐｓまでノズル５５ａを移動させる。この構成によると、蒸着部Ａ１の周囲から外方に外れた１点に始点Ｐｓが設定される。
さらに制御部９は加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して開弁し、正圧レギュレータ１０ａ（図１参照）から適宜調圧された空気をシリンジ５５（図１参照）に供給する。シリンジ５５に吐出圧が供給されてノズル５５ａからガラスペーストＧｐが連続的に塗布される。
【００２６】
この状態で、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａを蒸着部Ａ１の周囲に沿うように移動させる。ノズル５５ａから塗布されるガラスペーストＧｐが蒸着部Ａ１の周囲に塗布されて、ノズル５５ａの移動する軌跡に沿った塗布パターン（第２パターンＰｔ２）が連続的に形成される。そして、ノズル５５ａが蒸着部Ａ１の周囲を１周して始点Ｐｓから蒸着部Ａ１までガラスペーストＧｐが塗布されている部分（この部分を始端部１０１Ｓと称する）に達したとき、制御部９は始端部１０１Ｓを横切るようにノズル５５ａを移動させ、適宜決定する１点（白四角）を終点Ｐｅに設定してノズル５５ａを停止する。そして、制御部９は加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して閉弁する。この構成によると、蒸着部Ａ１の周囲から外方に外れた１点に終点Ｐｅが設定される。
【００２７】
このようにガラスペーストＧｐが塗布される塗布パターンに、ガラスペーストＧｐが交差する交差点１０３（黒丸）を設けることによって蒸着部Ａ１の周囲に、連続的な切れ目のない形状の第２パターンＰｔ２をガラスペーストＧｐの塗布で形成できる。
【００２８】
また、制御部９（図１参照）は第１パターンＰｔ１または第２パターンＰｔ２でガラスペーストＧｐを基板８に塗布するとき、基板８に塗布するガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔにノズル高さＮｈを調節してノズル５５ａを移動する。
例えば、塗布高さＨｔの基準値（基準塗布高さＳｔｄＨ）を「３０μｍ」とする場合、制御部９はノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨの「３０μｍ」に維持して、つまり、基準塗布高さＳｔｄＨをノズル高さＮｈの基準高さとしてノズル５５ａを移動する。例えば制御部９は、光学式距離計５４（図２の（ａ）参照）の計測値を取得し、この計測値が基準塗布高さＳｔｄＨ（３０μｍ）となるようにＺ軸テーブル５３（図２の（ａ）参照）をＺ軸方向（上下方向）に移動してノズル高さＮｈを「３０μｍ」に維持する。
【００２９】
封止ガラスを接合する工程において、レーザビームの照射によるガラスペーストＧｐの温度上昇を塗布パターン（第１パターンＰｔ１、第２パターンＰｔ２）の全周に亘って均一にするために、ガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが塗布パターンの全周に亘って均一であることが好ましい。そこで制御部９（図１参照）は、ノズル高さＮｈを精度よく基準塗布高さＳｔｄＨに維持してノズル５５ａ（図２の（ａ）参照）を移動するように構成される。
【００３０】
このように、基板８に塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨ（例えば３０μｍ）を維持するように、ガラスペーストＧｐの塗布によって塗布パターン（第１パターンＰｔ１、第２パターンＰｔ２）が形成される。
また、レーザビームによって封止ガラスを接合する工程において、レーザビームが照射されたガラスペーストＧｐの温度を塗布パターンの全集に亘って均一にして封止ガラスを好適に接合するために、塗布高さＨｔが精度よく誤差管理されることが要求される。例えば、塗布パターンの全周に亘って、「３０μｍ」の基準塗布高さＳｔｄＨに対して「±１０μｍ」程度の誤差（以下、許容誤差ΔＨｔと称する）に塗布高さＨｔの変化を抑え込むことができると好適に封止ガラスを接合できる。
そこで、制御部９は基準塗布高さＳｔｄＨ（３０μｍ）に対して許容誤差ΔＨｔ（±１０μｍ）の範囲で変動するようにノズル高さＮｔを制御して塗布パターンを形成するように構成される。
つまり、許容誤差ΔＨｔは、ガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔに許容される誤差である。
【００３１】
しかしながら、図３の（ａ）に示す第１パターンＰｔ１では、オーバーラップ部１０１でガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨより高くなることがある。例えば、ノズル５５ａが始点Ｐｓから終点Ｐｅに向かって先に塗布されたガラスペーストＧｐと重なるように移動するとき、ノズル５５ａが先に塗布されたガラスペーストＧｐに接触するとガラスペーストＧｐがノズル５５ａによって削り取られる場合がある。この場合、ノズル５５ａの進行方向後方にはノズル５５ａから新たにガラスペーストＧｐが塗布されるが、進行方向前方はノズル５５ａによってガラスペーストＧｐが削り取られ、終点Ｐｅでノズル５５ａの移動が停止すると進行方向前方に相当する位置に削り取られたガラスペーストＧｐが蓄積して塗布高さＨｔが高くなることがある。
【００３２】
また、図３の（ｂ）に示す第２パターンＰｔ２では、ガラスペーストＧｐが交差する交差点１０３で、ノズル５５ａが始端部１０１Ｓに塗布されているガラスペーストＧｐを削り取りながら移動する場合がある。この場合、始端部１０１Ｓに連続して蒸着部Ａ１の周囲に塗布されているガラスペーストＧｐが始端部１０１Ｓとともに削り取られてガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが低くなることがある。
【００３３】
そこで、本実施形態に係る制御部９（図１参照）は、ガラスペーストＧｐの塗布で形成される塗布パターンにおける始点Ｐｓおよび終点Ｐｅの近傍での塗布高さＨｔを好適に管理できるように塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）の動作を制御する。
【００３４】
《第１実施形態》
本発明の第１実施形態は、図３の（ａ）に示す第１パターンＰｔ１の形状にガラスペーストＧｐを塗布するための実施形態である。
第１パターンＰｔ１の形状にガラスペーストＧｐを塗布するとき、制御部９（図１参照）は、始点Ｐｓでバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して開弁し、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより低く設定してガラスペーストＧｐの塗布を開始する。例えば、制御部９（図１参照）は、図４の（ａ）に示すように、塗布高さＨｔに許容される許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ基準塗布高さＳｔｄＨより低いノズル高さＮｈでガラスペーストＧｐを塗布する。この状態で制御部９は所定の長さ（第１所定長Ｌ１１）だけ蒸着部Ａ１（図１参照）の周囲に沿ってノズル５５ａを移動した後、ノズル高さＮｈが基準塗布高さＳｔｄＨとなるようにノズル５５ａを上昇させる。始点Ｐｓから第１所定長Ｌ１１の間は、基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐが塗布される。
【００３５】
第１実施形態においては、この、始点Ｐｓからの所定長（第１所定長Ｌ１１）に亘る部分を始端部１０１Ｓと称する。つまり、制御部９（図１参照）は、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ低くしてノズル５５ａを移動し、蒸着部Ａ１（図３の（ａ）参照）の周囲に沿って、第１所定長Ｌ１１に亘る始端部１０１Ｓを形成する工程（始端部形成工程）を実行する。このことによって、始点Ｐｓからの第１所定長Ｌ１１（始端部１０１Ｓ）に亘って、基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐが塗布される。また、始端部１０１Ｓは蒸着部Ａ１の周囲に沿って形成される。
そして、始端部形成工程は、蒸着部Ａ１の周囲の１点を始点Ｐｓとし、蒸着部Ａ１の周囲に沿ってノズル５５ａを移動して始端部１０１Ｓを形成する工程となる。
なお、始点Ｐｓから第１所定長Ｌ１１に亘る部分の少なくとも一部で、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ低くしてノズル５５ａを移動する構成としてもよい。
例えば、オーバーラップ部１０１が形成される範囲だけ、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ低くしてノズル５５ａを移動する構成としてもよい。
【００３６】
例えば、基準塗布高さＳｔｄＨが「３０μｍ」で許容誤差ΔＨｔが「±１０μｍ」のとき、制御部９（図１参照）は始点Ｐｓから第１所定長Ｌ１１に亘る部分（始端部１０１Ｓ）はノズル高さＮｈを「２０μｍ（３０μｍ−１０μｍ）」としてガラスペーストＧｐを塗布する。その後、制御部９はノズル高さＮｈが基準塗布高さＳｔｄＨ（３０μｍ）になるまでノズル５５ａを上昇させてガラスペーストＧｐを塗布する。
【００３７】
ノズル５５ａが蒸着部Ａ１（図３の（ａ）参照）の周囲を略一周し、図４の（ｂ）に示すように始点Ｐｓから所定の長さ（第２所定長Ｌ１２）だけ手前の位置に来たとき、制御部９（図１参照）は、バルブ１０ｂ（図１参照）を閉弁する工程を実行し、バルブ１０ｂに制御信号を送信して閉弁する。
シリンジ５５（図１参照）への吐出圧の供給が停止され、吐出圧の残圧によってシリンジ５５に収納されるガラスペーストＧｐをノズル５５ａから塗布する。
バルブ１０ｂを閉弁する工程は、ガラスペーストＧｐのノズル５５ａからの塗布を停止させる工程（塗布停止工程）であり、制御部９は、終端部１０１Ｅを形成する工程（終端部形成工程）の実行より先に、ガラスペーストＧｐの塗布を停止させる塗布停止工程を実行する。
【００３８】
さらに、ノズル５５ａが始点Ｐｓから第２所定長Ｌ１２より短い所定の長さ（第３所定長Ｌ１３）の位置に来たとき、制御部９（図１参照）は、Ｚ軸テーブル５３（図２の（ａ）参照）を上昇させてノズル５５ａを上昇させ、ノズル高さＮｈを高くする。具体的に制御部９は、許容誤差ΔＨｔに相当する量だけノズル５５ａを上昇する。例えば、基準塗布高さＳｔｄＨが「３０μｍ」で許容誤差ΔＨｔが「±１０μｍ」のとき、制御部９はノズル５５ａを１０μｍだけ上昇させ、基準塗布高さＳｔｄＨ（３０μｍ）であったノズル高さＮｈを「４０μｍ（３０μｍ＋１０μｍ）」とする。このように、第１実施形態においては、基準塗布高さＳｔｄＨより高いノズル高さＮｈでノズル５５ａが移動する部分を終端部１０１Ｅと称する。そして終端部１０１Ｅの長さを第４所定長さＬ１４とする。つまり、終端部１０１Ｅは終点Ｐｅまでの第４所定長Ｌ１４に亘る部分であり、蒸着部Ａ１（図３の（ａ）参照）の周囲に形成される。また、第１パターンＰｔ１では終端部１０１Ｅにおいて、少なくともその一部分に基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ高い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐが塗布される。
【００３９】
また、第１実施形態においては、ノズル高さＮｈが高くなる終端部１０１Ｅが形成されるより先に加圧源１０（図１参照）からのシリンジ５５（図１参照）への吐出圧の供給が停止される。
このときノズル５５ａからは吐出圧の残圧によってガラスペーストＧｐが塗布される。その状態で始点Ｐｓから先に塗布されたガラスペーストＧｐとオーバーラップするようにノズル５５ａが終点Ｐｅまで移動すると、ノズル５５ａから塗布されるガラスペーストＧｐが、先に塗布されているガラスペーストＧｐに重なって塗布されてオーバーラップ部１０１が形成される。
【００４０】
このときのガラスペーストＧｐの塗布量はシリンジ５５（図２の（ａ）参照）の残圧の大きさによって変動する量であって制御された塗布量ではない。しかしながら、オーバーラップ部１０１では、先に基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐが塗布されているため、その上に新たにガラスペーストＧｐが重なって塗布される場合、塗布高さＨｔは基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い高さ以上を確保できる。
【００４１】
また、ノズル５５ａが終点Ｐｅに到達する前にシリンジ５５の内部が略大気圧まで低下してガラスペーストＧｐの塗布が停止しても、基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さは確保できる。換言すると、塗布高さＨｔは始端部１０１Ｓで基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔを超えて低くなることがない。また、ノズル高さＮｈは、基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高いことから基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔを超えてガラスペーストＧｐが塗布されることがない。以上のことから始端部１０１ＳにおいてガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨに対して許容誤差ΔＨｔの範囲内に抑えることができる。
【００４２】
また、始端部１０１Ｓにおいて先に塗布されているガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨより高い場合であっても、始端部１０１Ｓと重なって移動するノズル５５ａのノズル高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高いことから、始端部１０１Ｓに先に塗布されたガラスペーストＧｐとノズル５５ａとの接触が防止され、ノズル５５ａによってガラスペーストＧｐが削り取られることがない。したがって、ノズル５５ａで削り取られるガラスペーストＧｐによって塗布高さＨｔが高くなることが防止される。
【００４３】
なお、始端部１０１Ｓの所定長（第１所定長Ｌ１１）、バルブ１０ｂ（図１参照）が閉弁される始点Ｐｓからの第２所定長Ｌ１２、ノズル５５ａを上昇させる始点Ｐｓからの第３所定長Ｌ１３、および、終端部１０１Ｅの所定長（第４所定長Ｌ１４）は、事前の実験計測等によって好適に設定される値であることが好ましい。
【００４４】
例えば、第４所定長Ｌ１４に亘って形成される終端部１０１Ｅをノズル５５ａが移動する間にノズル５５ａが始端部１０１Ｓとオーバーラップして移動するように、第３所定長Ｌ１３および第４所定長Ｌ１４が設定されることが好ましい。また、終点Ｐｅが始端部１０１Ｓの位置に重なって形成されるように、始端部１０１Ｓの第１所定長Ｌ１１が設定されることが好ましい。つまり、始端部１０１Ｓと少なくとも一部が重なるように終端部１０１Ｅが形成される構成が好ましい。
また、始点Ｐｓより第２所定長Ｌ１２だけ手前の位置でバルブ１０ｂが閉じられた後、終点Ｐｅまでノズル５５ａが移動する間にガラスペーストＧｐの塗布が停止し、さらに、始端部１０１Ｓに重ねてガラスペーストＧｐを塗布してオーバーラップ部１０１が形成されるように第２所定長Ｌ１２が設定されることが好ましい。つまり、始端部１０１Ｓと終端部１０１Ｅが重なる部分の少なくとも一部でガラスペーストＧｐが重なって塗布される構成が好ましい。
【００４５】
この構成によって、終端部形成工程は、蒸着部Ａ１（図３の（ａ）参照）の周囲の１点を終点Ｐｅとし、蒸着部Ａ１の周囲に沿って、かつ、始端部１０１Ｓと少なくとも一部が重なるようにノズル５５ａを移動して終端部１０１Ｅを形成する工程となる。
【００４６】
以上のような構成によると、蒸着部Ａ１（図３の（ａ）参照）を略１周したノズル５５ａが始点Ｐｓに到達する前（始点Ｐｓより第３所定長Ｌ１３だけ手前の位置）でノズル高さＮｈが許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高くなるため、仮に始端部１０１Ｓに先に塗布されたガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨより高い場合であっても、ノズル５５ａが始端部１０１Ｓに塗布されたガラスペーストＧｐに接触してガラスペーストＧｐが削り取られることが回避される。そして、ノズル５５ａで削り取られたガラスペーストＧｐによって塗布高さＨｔが許容誤差ΔＨｔを越えて高くなることが防止される。
【００４７】
このように、制御部９（図１参照）は、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高くしてノズル５５ａを移動し、蒸着部Ａ１（図３の（ａ）参照）の周囲に沿って、かつ、始端部１０１Ｓと少なくとも一部が重なるように、終点Ｐｅまでの第４所定長Ｌ１４に亘る終端部１０１Ｅを形成する終端部形成工程を実行して、終端部１０１Ｅを形成する。
【００４８】
さらに制御部９は、始端部１０１Ｓから終端部１０１Ｅまでの間（始端部１０１Ｓと終端部１０１Ｅ以外の部分）では、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨにしてノズル５５ａを移動する工程（標準移動工程）を実行し、第１パターンＰｔ１に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８（図１参照）に塗布する。
【００４９】
以上のように、図３の（ａ）に示す第１パターンＰｔ１に沿ってガラスペーストＧｐを塗布する第１実施形態において、制御部９（図１参照）は、始端部１０１Ｓを形成する始端部形成工程を実行して、図４の（ａ）に示すように、始点Ｐｓから第１所定長Ｌ１１に亘る始端部１０１Ｓでは基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐを塗布する。さらに、制御部９は終端部１０１Ｅを形成する終端部形成工程を実行して、始点Ｐｓより第３所定長Ｌ１３だけ手前の位置でノズル高さＮｈを許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高くし、始端部１０１Ｓとオーバーラップするようにノズル５５ａを第４所定長Ｌ１４に亘って終点Ｐｅまで移動する。そして、始端部形成工程と終端部形成工程の間では、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨにしてノズル５５ａを移動する標準移動工程を実行してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。この構成によって、ガラスペーストＧｐの塗布による第１パターンＰｔ１の形成時において、始点Ｐｓと終点Ｐｅの近傍の塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨから許容誤差ΔＨｔの範囲内に抑えることができる。
【００５０】
《第２実施形態》
本発明の第２実施形態は、図３の（ｂ）に示す第２パターンＰｔ２の形状にガラスペーストＧｐを塗布するための実施形態である。
第２パターンＰｔ２の形状にガラスペーストＧｐを塗布するとき、制御部９（図１参照）は、基板８の平面上に略矩形に形成される蒸着部Ａ１の１つの辺の延長線上に設定された始点Ｐｓでバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して開弁し、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより低く設定してガラスペーストＧｐの塗布を開始する。例えば、図５の（ａ）に示すように、塗布高さＨｔに許容される許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ基準塗布高さＳｔｄＨより低いノズル高さＮｈでガラスペーストＧｐを塗布する。制御部９は、この状態で所定の長さ（第５所定長Ｌ２１）だけ、始点Ｐｓを延長線上に有する１辺に沿ってノズル５５ａを蒸着部Ａ１の側に移動する。このように、基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐが塗布される部分（始点Ｐｓから第５所定長Ｌ２１に亘る範囲）が第２実施形態における始端部１０１Ｓとなる。始端部１０１Ｓの長さ（第５所定長Ｌ２１）は、始点Ｐｓと蒸着部Ａ１との距離以上の長さであることが好ましい。
【００５１】
第２パターンＰｔ２において始点Ｐｓは、蒸着部Ａ１の周囲から外方に外れた１点であり、制御部９（図１参照）は、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ低くし、ノズル５５ａを始点Ｐｓから蒸着部Ａ１の周囲に向かって移動して、第５所定長Ｌ２１に亘る始端部１０１Ｓを形成する始端部形成工程を実行する。
【００５２】
始端部１０１Ｓの第５所定長Ｌ２１が始点Ｐｓと蒸着部Ａ１との距離より長い場合、蒸着部Ａ１の周囲の一部に始端部１０１Ｓが形成される。しかしながら、始端部１０１Ｓは基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔであり、蒸着部Ａ１の周囲の一部に始端部１０１Ｓが形成された場合であっても、蒸着部Ａ１の周囲の塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨに対して許容誤差ΔＨｔの範囲に抑えることができる。
【００５３】
例えば、基準塗布高さＳｔｄＨが「３０μｍ」で許容誤差ΔＨｔが「±１０μｍ」のとき、制御部９（図１参照）は始点Ｐｓから第５所定長Ｌ２１に亘る部分（始端部１０１Ｓ）ではノズル高さＮｈを「２０μｍ（３０μｍ−１０μｍ）」としてガラスペーストＧｐを塗布する。その後、制御部９はノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨ（３０μｍ）にして蒸着部Ａ１の周囲にガラスペーストＧｐを塗布する。
なお、始点Ｐｓから第５所定長Ｌ２１に亘る部分の少なくとも一部で、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ低くしてノズル５５ａを移動する構成としてもよい。
例えば、ガラスペーストＧｐが交差する交差点１０３の近傍だけ、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ低くしてノズル５５ａを移動する構成としてもよい。
【００５４】
ノズル５５ａが蒸着部Ａ１の周囲を略１周し、図５の（ｂ）に示すように始端部１０１Ｓと直交する辺上において、始端部１０１Ｓより所定の長さ（第６所定長Ｌ２２）だけ手前の位置に来たとき、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａを上昇させる。具体的に制御部９は、許容誤差ΔＨｔに相当する量だけノズル５５ａを上昇させる。例えば、基準塗布高さＳｔｄＨが「３０μｍ」で許容誤差ΔＨｔが「±１０μｍ」のとき、制御部９はノズル５５ａを１０μｍだけ上昇させ、基準塗布高さＳｔｄＨ（３０μｍ）であったノズル高さＮｈを「４０μｍ（３０μｍ＋１０μｍ）」とする。
【００５５】
この状態で制御部９（図１参照）は始端部１０１Ｓを横切るようにノズル５５ａを移動し、適宜設定する終点Ｐｅでノズル５５ａの移動を停止する。さらに制御部９は、バルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して閉弁する。
制御部９がノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ上昇させてノズル５５ａを移動する部分が第２実施形態における終端部１０１Ｅとなる。
なお終端部１０１Ｅの長さ、つまり、制御部９がノズル高さＮｈを高くする、始端部１０１Ｓより第６所定長Ｌ２２だけ手前の位置から終点Ｐｅまでの長さを第７所定値Ｌ２３とする。
このように第２実施形態では、始端部１０１Ｓと終端部１０１Ｅとが交差点１０３で交差して第２パターンＰｔ２（図３の（ｂ）参照）が形成される。
【００５６】
つまり、制御部９（図１参照）は、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高くするとともに、蒸着部Ａ１の周囲から外方に外れた終点Ｐｅに向かって、かつ、始端部１０１Ｓと交差点１０３で交差するようにノズル５５ａを移動して、第７所定長Ｌ２３に亘る終端部１０１Ｅを形成する終端部形成工程を実行する。
【００５７】
さらに、制御部９は、始端部１０１Ｓから終端部１０１Ｅまでの間（始端部１０１Ｓと終端部１０１Ｅ以外の部分）では、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨにしてノズル５５ａを移動する標準移動工程を実行し、第２パターンＰｔ２（図３の（ｂ）参照）に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８（図１参照）に塗布する。
【００５８】
なお、制御部９（図１参照）がノズル５５ａの上昇を開始させる、始端部１０１Ｓからの所定の長さ（第６所定長Ｌ２２）は、始端部１０１Ｓに向かって第６所定長Ｌ２２だけ移動する間に、ノズル５５ａが基準塗布高さＳｔｄＨから許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ上昇できる長さであればよい。
【００５９】
始端部１０１Ｓにおける塗布高さＨｔと始端部１０１Ｓを横切るときのノズル５５ａのノズル高さＮｈが等しい場合、誤差等によってノズル５５ａが始端部１０１Ｓに先に塗布されたガラスペーストＧｐに接触してガラスペーストＧｐが削り取られる場合がある。このとき、蒸着部Ａ１に沿って塗布されたガラスペーストＧｐの一部が始端部１０１ＳのガラスペーストＧｐとともに削り取られると、その部分の塗布高さＨｔが低くなって蒸着部Ａ１の周囲の塗布高さＨｔが均一でなくなる。
【００６０】
第２実施形態においては、始端部１０１Ｓに塗布されたガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低くし、また、ノズル５５ａが始端部１０１Ｓを横切るときのノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高くすることから、ノズル５５ａが始端部１０１Ｓを横切るときに、始端部１０１Ｓに塗布されたガラスペーストＧｐとノズル５５ａが接触することを回避できる。
したがって、蒸着部Ａ１の周囲に塗布されたガラスペーストＧｐが始端部１０１Ｓに塗布されたガラスペーストＧｐとともにノズル５５ａによって削り取られることを防止でき、蒸着部Ａ１の周囲におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨから許容誤差ΔＨｔの範囲内に抑えることができる。
【００６１】
また、終端部１０１Ｅにおけるノズル高さＮｈは基準塗布高さＳｔｄＨから許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高く、終端部１０１ＥにおけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨから許容誤差ΔＨｔの範囲内に抑えることができる。
【００６２】
以上のように、図３の（ｂ）に示す第２パターンＰｔ２に沿ってガラスペーストＧｐを塗布する第２実施形態において、制御部９（図１参照）は、始端部１０１Ｓ（図５の（ａ）参照）を形成する始端部形成工程を実行し、始点Ｐｓから第５所定長Ｌ２１に亘って、基準塗布高さＳｔｄＨより許容誤差ΔＨｔだけ低い塗布高さＨｔでガラスペーストＧｐを塗布し、始端部１０１Ｓを形成する。さらに、制御部９は、ノズル５５ａが有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１の周囲を略１周したときに、終端部１０１Ｅ（図５の（ｂ）参照）を形成する終端部形成工程を実行し、始端部１０１Ｓより第６所定長Ｌ２２だけ手前の位置でノズル高さＮｈを許容誤差ΔＨｔに相当する量だけ高くしてノズル５５ａが始端部１０１Ｓを横切るようにノズル５５ａを移動する。そして、始端部形成工程と終端部形成工程の間では、ノズル高さＮｈを基準塗布高さＳｔｄＨにしてノズル５５ａを移動する標準移動工程を実行してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００６３】
この構成によって、ノズル５５ａが始端部１０１Ｓを横切るときに先に塗布されたガラスペーストＧｐと接触することが回避され、ノズル５５ａによってガラスペーストＧｐが削り取られることを防止できる。
そして、第２パターンＰｔ２の形成時における始点Ｐｓと終点Ｐｅの近傍の塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨから許容誤差ΔＨｔの範囲内に抑えることができる。
【００６４】
なお、本発明は図３の（ａ）に示す第１パターンＰｔ１および図３の（ｂ）に示す第２パターンＰｔ２以外の形状の塗布パターンに沿ってガラスペーストＧｐを塗布する場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００６５】
８      基板
５５    シリンジ（ペースト収納部）
５５ａ  ノズル
１００  ペースト塗布装置
１０１Ｓ  始端部
１０１Ｅ  終端部
Ａ１    蒸着部（所定の領域）
Ｇｐ    ガラスペースト（ペースト）
Ｐｓ    始点
Ｐｅ    終点
ΔＨｔ  許容誤差
【図１】
0005628123.tif 000002
【図２】
0005628123.tif 000003
【図３】
0005628123.tif 000004
【図４】
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【図５】
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