(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体上に形成される静電潜像を評価する画像評価方法であって、
複数のレーザ光源と、前記各レーザ光源からレーザ光を射出させる駆動手段と、前記各レーザ光を前記感光体上で走査して前記感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記静電潜像を測定する静電潜像測定手段とを用い、
前記静電潜像の最小単位である１ドットを複数のレーザ光源で形成し、前記駆動手段は前記レーザ光源のパルス幅及びオーバシュートの調整機能を有し、前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の大きさを求めた後、さらに前記オーバシュートを変化させると共に前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の大きさを求める工程を有し、前記オーバシュートを段階的に変化させて前記工程を繰り返すことにより前記パルス幅と前記静電潜像の大きさとの相関関係を求めることを特徴とする画像評価方法。
【請求項２】
請求項１記載の画像評価方法において、
前記パルス幅と前記静電潜像の大きさとの相関関係から好適なオーバシュートの値を求めることを特徴とする画像評価方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の画像評価方法において、
前記静電潜像の形状がドット状であり、前記静電潜像の大きさが前記静電潜像形成手段における主走査方向の長さであることを特徴とする画像評価方法。
【請求項４】
感光体上に形成される静電潜像を評価する画像評価方法であって、
複数の光源を有する垂直面発光レーザと、前記各光源からレーザ光を射出させる駆動手段と、前記各レーザ光を前記感光体上で走査して前記感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記静電潜像を測定する静電潜像測定手段とを用い、
前記静電潜像の最小単位である１ドットを複数のレーザ光源で形成し、前記駆動手段は前記各光源のパルス幅及びオーバシュートの調整機能を有し、前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の空間周波数特性を求めた後、さらに前記オーバシュートを変化させると共に前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の空間周波数特性を求める工程を有し、前記オーバシュートを段階的に変化させて前記工程を繰り返すことにより複数の空間周波数特性を求めることを特徴とする画像評価方法。
【請求項５】
請求項４記載の画像評価方法において、
前記複数の空間周波数特性から好適なオーバシュートの値を求めることを特徴とする画像評価方法。
【請求項６】
請求項４または５記載の画像評価方法において、
前記空間周波数特性はドット状の静電潜像の面積と該静電潜像を円で近似したときの直径とから定められることを特徴とする画像評価方法。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか一つに記載の画像評価方法を行う画像評価装置であって、
感光体を帯電させるための荷電粒子を発生させる荷電粒子発生手段と、複数の光源を有する垂直面発光レーザと、前記各光源からレーザ光を射出させる駆動手段と、前記各レーザ光を前記感光体上で走査して前記感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記感光体上に形成された静電潜像を観察する静電潜像観察手段と、前記静電潜像観察手段により観察した静電潜像から所望の情報を電子的に処理する情報処理手段とを有することを特徴とする画像評価装置。
【請求項８】
請求項１ないし６の何れか一つに記載の画像評価方法または請求項７記載の画像評価装置により得られた画像評価結果を画像形成に反映させ、好適な前記オーバシュートを記憶する記憶手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真における静電潜像の測定技術、特に光書き込みの光源として垂直面発光レーザを用いた場合の静電潜像の精密測定技術、画像の高品位化を図る電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル複写機あるいはレーザプリンタに応用されている電子写真プロセスにおいて、光書き込みの高精細化を図る目的で、複数の発光源を配列させた垂直面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）が用いられるようになってきている。これにより６００ｄ．ｐ．ｉといった従来の解像度から１２００ｄ．ｐ．ｉ、２４００ｄ．ｐ．ｉ、さらには４８００ｄ．ｐ．ｉといった高い解像度の画像形成が可能となってきている。この高解像度化により、紙出力において高精細かつ高品位な画像が実現される。
【０００３】
上述の垂直面発光レーザの一例を図２９に示す。図２９は、複数の発光源を配列させた垂直面発光レーザを光軸（紙面垂直）から見た模式図であり、図中の黒丸が一つの垂直面発光レーザの発光源を表している。光の射出方向は平行光束として紙面垂直方向である。垂直面発光レーザは半導体プロセスを用いて半導体基板上にモノリシックに作製され、これにより発光源のアレイ化が容易となる利点がある。図２９に符号ｗ，ｈで示す発光源同士の間隔は、数十μｍ（たとえば３０〜５０μｍ）といった大きさであり、光源自体が小型であることからもアレイ化光源の高密度化に有利である。発光の波長（λ）はたとえば７８０ｎｍであり、赤外領域の光の出力が可能である。図２９では３０（５×６）個の光源が配列されており、これらは電気的制御によって独立発光可能に構成されている。
【０００４】
ここで、本発明の特徴であるオーバシュートについて説明する。オーバシュートはレーザの発光特性を改善する技術として用いられ、電気的な信号の入出力により設定及び調整できるため、垂直面発光レーザに限られず端面発光レーザにも同様に用いられる。
【０００５】
端面発光レーザあるいは垂直面発光レーザの光応答波形をフォトダイオード（ＰＤ）等の受光器で測定することを考える。図３０において、符号１１は垂直面発光レーザを、符号１２は光学系を、符号１３はフォトダイオードを、符号１４はオシロスコープ等の検出器をそれぞれ示している。光学系１２は後述する走査光学系を用いるが、実験的には単レンズであってもよい。この構成において検出器１４で受光するレーザ光源からの光を光応答波形と呼ぶ。
【０００６】
垂直面発光レーザ１１は、図３０に符号１０で示すパルス状の入力信号により駆動される。このとき、理想的には光応答波形も同図に符号１００で示すような矩形となるが、実際には垂直面発光レーザ１１に含まれる電気電子回路において遅延が発生し、光応答波形は矩形とならずに同図に符号１０１で示すように立ち上がりが鈍った波形となる。このため所望のパルス幅（発光時間）に対して同図に符号１０２で示すように差（波形１００と波形１０１との差）が生じて積分光量が不足する。ここで積分光量とは、光応答波形の強度を発光時間で積分したものであり、光応答波形を関数ｆ（ｔ）とし、ｆ（ｔ）の積分をｔ０からｔ１の範囲で行ったもの、すなわち面積Ｓである。オーバシュートはこの不足を補うために用いられ、同図に符号１５で示すように入力信号の開始の強度を高く設定し、光応答波形の立ち上がりの鈍さを低減させて矩形に近付けるためのものである。
【０００７】
オーバシュートの設定値は適切に定める必要があり、設定値が適切であれば図３１（ｂ）に示すように矩形に近い光応答波形が得られる。しかし、設定値が大きければ図３１（ｃ）に示すように先頭の強度が大きい光応答波形となり、積分強度も所望の値よりも大きくなってしまい、設定値が小さければ図３０に符号１０１で示すように積分強度の小さな光応答波形となる。
【０００８】
以上の説明はフォトダイオードで測定した光応答波形に関するものであり、どのような光応答波形が好適か、積分光量はどの程度が好適か、オーバシュートの設定値はどの程度が好適かを求めることができる。しかし、実際のデジタル複写機やレーザプリンタ等の電子写真装置においては、レーザ光源から射出された光は走査光学系を経て感光体に到達して静電潜像を形成するため、感光体が２次元の検出器の役割を果たすこととなる。上述したように、フォトダイオードで得られる情報は１次元的であるのに対し感光体上の静電潜像は２次元であり、光応答波形では得られない情報が得られる特徴がある。また静電潜像は、出力画像（紙等の記録媒体上に記録されたトナー像）の前段階の画像と言え、静電潜像で評価した方がフォトダイオードで評価するよりも好ましい場合がある。  
「特許文献１」には荷電粒子ビームを用いた静電潜像測定に関する技術が開示されており、「特許文献２」には電子写真装置におけるオーバシュートにより画質の向上を図る技術が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
「特許文献１」に開示された技術ではオーバシュートに関する技術は含まれておらず、「特許文献２」に開示された技術では静電潜像により好適なオーバシュートを求めてこれを画像に反映させる技術は開示されていない。  
本発明は、静電潜像からオーバシュートの好適値を求める評価方法に関し、レーザ光源の発光特性と静電潜像の大きさとの相関関係を求める評価方法、及びこの評価方法を具現化する画像評価装置、及び画像評価装置により得られた結果を反映させて高品位画像を形成する画像形成装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の発明は、感光体上に形成される静電潜像を評価する画像評価方法であって、複数のレーザ光源と、前記各レーザ光源からレーザ光を射出させる駆動手段と、前記各レーザ光を前記感光体上で走査して前記感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記静電潜像を測定する静電潜像測定手段とを用い、前記静電潜像の最小単位である１ドットを複数のレーザ光源で形成し、前記駆動手段は前記レーザ光源のパルス幅及びオーバシュートの調整機能を有し、前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の大きさを求めた後、さらに前記オーバシュートを変化させると共に前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の大きさを求める工程を有し、前記オーバシュートを段階的に変化させて前記工程を繰り返すことにより前記パルス幅と前記静電潜像の大きさとの相関関係を求めることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の画像評価方法において、さらに前記パルス幅と前記静電潜像の大きさとの相関関係から好適なオーバシュートの値を求めることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の画像評価方法において、さらに前記静電潜像の形状がドット状であり、前記静電潜像の大きさが前記静電潜像形成手段における主走査方向の長さであることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明は、感光体上に形成される静電潜像を評価する画像評価方法であって、複数の光源を有する垂直面発光レーザと、前記各光源からレーザ光を射出させる駆動手段と、前記各レーザ光を前記感光体上で走査して前記感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記静電潜像を測定する静電潜像測定手段とを用い、前記静電潜像の最小単位である１ドットを複数のレーザ光源で形成し、前記駆動手段は前記各光源のパルス幅及びオーバシュートの調整機能を有し、前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の空間周波数特性を求めた後、さらに前記オーバシュートを変化させると共に前記パルス幅を、前記１ドットを形成するレーザ光源数分の１をパルス幅の変化量として段階的に変化させ複数の静電潜像を形成して各静電潜像の空間周波数特性を求める工程を有し、前記オーバシュートを段階的に変化させて前記工程を繰り返すことにより複数の空間周波数特性を求めることを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の画像評価方法において、さらに前記複数の空間周波数特性から好適なオーバシュートの値を求めることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項４または５記載の画像評価方法において、さらに前記空間周波数特性はドット状の静電潜像の面積と該静電潜像を円で近似したときの直径とから定められることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の発明は、請求項１ないし６の何れか１つに記載の画像評価方法を行う画像評価装置であって、感光体を帯電させるための荷電粒子を発生させる荷電粒子発生手段と、複数の光源を有する垂直面発光レーザと、前記各光源からレーザ光を射出させる駆動手段と、前記各レーザ光を前記感光体上で走査して前記感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記感光体上に形成された静電潜像を観察する静電潜像観察手段と、前記静電潜像観察手段により観察した静電潜像から所望の情報を電子的に処理する情報処理手段とを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし６の何れか一つに記載の画像評価方法または請求項７記載の画像評価装置により得られた画像評価結果を画像形成に反映させ、好適な前記オーバシュートを記憶する記憶手段を有する画像形成装置であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、各オーバシュートにおいてパルス幅と静電潜像との相関関係を求める画像評価方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】レーザ光源をパルス発光させるための入力信号を示す概略図である。
【図２】オーバシュートを付加した入力信号を示す概略図である。
【図３】パルス幅を段階的に変化させた入力信号を示す概略図である。
【図４】オーバシュートを段階的に変化させた入力信号を示す概略図である。
【図５】パルス幅及びオーバシュートを段階的に変化させた入力信号を示す概略図である。
【図６】入力信号のパルス幅及びオーバシュートを変化させた際に形成される静電潜像を示す概略図である。
【図７】ドット状の静電潜像を示す概略図である。
【図８】パルス幅とオーバシュートとを段階的に変化させて測定を行い潜像面積とパルス幅との関係を表す線図である。
【図９】パルス幅とオーバシュートとを段階的に変化させて測定を行い潜像面積とパルス幅との関係を表す線図である。
【図１０】パルス幅とオーバシュートとを段階的に変化させて測定を行い潜像面積とパルス幅との関係を表す線図である。
【図１１】パルス幅が同じでオーバシュートが異なる入力信号を示す概略図である。
【図１２】パルス幅が同じでオーバシュートが異なる入力信号の応答波形を示す概略図である。
【図１３】パルス幅と主走査径との相関関係を示す線図である。
【図１４】パルス幅と主走査径との相関関係を示す線図である。
【図１５】１ドットの静電潜像を示す概略図である。
【図１６】オーバシュート及びパルス幅を一定として平均強度を段階的に変化させた入力信号を示す概略図である。
【図１７】オーバシュート及びパルス幅を一定として平均強度及びオーバシュートを段階的に変化させた入力信号を示す概略図である。
【図１８】オーバシュート及びパルス幅を一定として平均強度及びオーバシュートを段階的に変化させた入力信号により形成された静電潜像を示す概略図である。
【図１９】静電潜像の空間周波数と発光強度及びオーバシュートとの関係を示す線図である。
【図２０】発光強度及びオーバシュートを３段階に変化させて形成した静電潜像を示す概略図である。
【図２１】オーバシュートを一定値として発光強度を６段階に変化させて形成した静電潜像の面積及び空間周波数及び静電潜像形成の安定性を説明する概略図である。
【図２２】発光強度を段階的に変化させて測定した射出光強度を示す線図である。
【図２３】オーバシュートを３段階に変化させ発光強度を１０％毎に変化させた測定結果を示す線図である。
【図２４】本発明の一実施形態に用いられる走査光学系を示す概略図である。
【図２５】本発明の一実施形態を採用した画像評価装置を示す概略図である。
【図２６】本発明の一実施形態を適用可能な電子写真装置の要部概略図である。
【図２７】本発明の一実施形態に用いられる感光体の層構成及び帯電及び光照射の様子を示す模式図である。
【図２８】本発明の一実施形態における画像評価方法及び画像評価装置により得られた結果を電子写真装置に反映する際の概念を示す概略図である。
【図２９】垂直面発光レーザを示す概略図である。
【図３０】レーザの光応答波形を受光器で測定する構成を説明する概略図である。
【図３１】オーバシュートの最適値を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、レーザ光源をパルス発光させるための入力信号を示している。同図において横軸は時間を縦軸は信号強度をそれぞれ示しており、パルス幅の時間は数ピコ秒〜数百ナノ秒である。縦軸の信号強度は設定値（任意強度）であり、これがレーザ光源への注入電流値（単位アンペア）等に変換される。入力信号は矩形波（パルスとは矩形状であり時間が短いものを指すものとする）であるが、実際に射出光をフォトダイオード等の検出器で測定すると、その光応答波形は矩形とはならずに図３０に示すように立ち上がり部分が鈍った形状となる。光応答波形の測定に用いるフォトダイオードは高速応答のものを用いることが好ましく、オーバシュートの応答波形を精度よく測定するためには数ピコ秒の時間分解能を有するものが望ましい。
【００２１】
図２は、オーバシュートを付加した場合の入力信号を示している。オーバシュートは図２に示すようにパルスの開始時における強度を高めるものであり、ここでは高めた強度をピーク強度、それ以降の強度を平均強度と呼び互いに区別するものとし、ピーク強度から平均強度を差し引いたものをＩｏｖと表す。ピーク強度は平均強度に対してプラス数％〜数十％程度が一般的である。ピーク強度の大小とレーザ光源の寿命とはトレードオフの関係があり、ピーク強度が大きいほどレーザ光源の寿命は短くなるため適切に設定する必要が生じる。オーバシュートの強度は電流値換算で数十分の一ミリアンペア〜数ミリアンペア程度であり、オーバシュートの設定値に対して線形に変化するものとする。またオーバシュートの幅（継続時間）はパルス幅の数分の一〜数十分の一、あるいは数百分の一程度であり、たとえばパルス幅を１００ナノ秒とするとオーバシュート幅は数ナノ秒である。
【００２２】
図３はパルス幅を段階的に変化させる様子を示しており、このときの平均強度は一定である。また図４はオーバシュートを段階的に変化させる様子を示しており、このときの平均強度及びオーバシュート幅は一定である。図５は、パルス幅及びオーバシュートを共に段階的に変化させる様子を示している。最初にオーバシュートを定め（オーバシュート（１））、パルス幅を変化させる（Ｗ（１）→Ｗ（２）→Ｗ（３））。次にオーバシュートを変化させ（オーバシュート（２））、同様にパルス幅をＷ（１）→Ｗ（２）→Ｗ（３）へと変化させ、さらにオーバシュートを変化させ（オーバシュート（３））、パルス幅をＷ（１）→Ｗ（２）→Ｗ（３）へと変化させる。ここではパルス幅及びオーバシュートの変化を共に３段階としたが、変化の段階はこれに限られず、変化の段階が多いほど精度のよい測定が行われる。このオーバシュートの段階的変化には設定値ゼロを含む。
【００２３】
上述した平均強度、パルス幅、オーバシュートは、たとえば評価装置に接続したパーソナルコンピュータの画面上でこれらの数値を入力し実行させる構成が好ましい。さらにレーザ光源を制御用の電子回路基板に接続し、この電子回路基板がインタフェースを介してパーソナルコンピュータに接続されていればよい。制御用電子回路基板は、レーザ光源のパルス幅、発光強度、オーバシュート設定値等の発光特性の制御機能を有するものとする。
【００２４】
図６を用い、パルス幅及びオーバシュートを変化させたときに感光体上に形成される静電潜像の様子を説明する。この静電潜像は、後述する走査光学系である静電潜像形成手段によって形成される。図６において、静電潜像は左から右に向かって形成される（走査方向）ものとし、形成開始位置（または時間）をＴｒ、形成終了位置（または時間）をＴｆとする。
【００２５】
先ず、入力信号においてパルス幅Ｗ（１）、オーバシュートＯＶ（１）で形成した静電潜像を図６（ａ）に示す。この静電潜像は形成開始位置の大きさ（縦方向の大きさ）が小さく、オーバシュートが少し不足している（光応答波形で示すとたとえば図３０の符号１０１）場合を示している。次にパルス幅をＷ（２）とすると、静電潜像は図６（ｂ）に示すように左から右へとパルス幅の分だけ長さが伸びる。このとき形成開始位置（縦方向の大きさ）は小さいままである。さらにパルス幅をＷ（３）とすると、図６（ｃ）に示すように静電潜像の長さはさらに伸びるが、形成開始位置の大きさは小さいままである。形成開始位置において静電潜像の大きさが小さい原因は、光応答波形１０１で示したように光量が不足しているためである。
【００２６】
次にオーバシュートをＯＶ（２）に変化させ、パルス幅Ｗ（１）で静電潜像を形成する。このとき図６（ｄ）に示すように、形成開始位置での静電潜像の大きさは図６（ａ）に比して大きくなり、それ以降も同じ大きさとなる。これは光量が足りているためである。さらにパルス幅をＷ（２）、Ｗ（３）と大きくしていくと、これに応じて静電潜像の長さも図６（ｅ）、図６（ｆ）で示すように長くなる。このとき形成開始位置における静電潜像の大きさは変化しない。次にオーバシュートをＯＶ（３）に変化させてパルス幅をＷ（１）とすると、静電潜像は図６（ｇ）に示すように形成開始位置が大きくなりその後小さくなる。これは形成開始位置における光量が大きいためである。さらにパルス幅をＷ（２）、Ｗ（３）と大きくしていくと、これに応じて静電潜像の長さも図６（ｈ）、図６（ｉ）で示すように長くなる。このときの静電潜像は、形成開始位置では大きくそれ以降では少し小さくなる。
【００２７】
上述した実施形態中、図６（ｄ），（ｅ），（ｆ）で示した静電潜像がＴｒ−Ｔｆ間において縦方向における大きさが一貫して変わらないが、これが必ずしも好ましいということではない。この静電潜像の大きさが変わらない状態は、光応答波形の積分強度が矩形に近いことと対応している。
【００２８】
図７はドット状の静電潜像を示しており、静電潜像の大きさとしては面積Ｓと長さｄとがある。長さｄは走査光学系の主走査方向と対応しており、主潜像径とも呼べる。
【００２９】
上述した方法によりパルス幅とオーバシュートとを段階的に変化させて測定を行い、潜像面積Ｓとパルス幅ｔとの関係を表すと図８に示す関係となる。当然パルス幅ｔの増加に応じて潜像面積Ｓは増加し、この関係はパルス幅ｔが短すぎない領域では直線で近似でき、直線の傾き、切片、相関関係等が求められる。このときオーバシュートが大きいほどｙ切片は原点に近付き、オーバシュートが小さければマイナスとなる。これは、パルス幅ｔが短くオーバシュートが不足すると適切に静電潜像を形成することができないことを意味する。すなわち、静電潜像の形成能力が低いパルス幅ｔが短い領域において静電潜像が形成できるほど、潜像形成能力が高く好ましいということである。
【００３０】
パルス幅ｔが短い領域では、図９に示すように潜像面積Ｓとパルス幅ｔとの関係を直線で近似できない場合がある。この場合には適切な曲線により近似を行い、特に潜像面積Ｓがゼロとなるｘ切片を求めることにより、静電潜像形成時における最低限必要なパルス幅ｔを求めることができる。
【００３１】
上述の構成により、パルス幅とオーバシュートとを段階的に変化させて静電潜像の計測を行うことにより、形成した静電潜像とパルス幅との相関関係からパルス幅ｔと潜像面積Ｓとの関係をグラフ化し、直線あるいは曲線で近似することにより傾き、切片、相関係数等を求めることができる。これにより、各オーバシュートにおいてパルス幅と静電潜像との相関関係を求める画像評価方法を提供することができる。
【００３２】
図８、図９に示したグラフでは、オーバシュートが大きいほどパルス幅が小さい領域であっても静電潜像を形成できることから、好適なオーバシュートはＯＶ３であることが判る。
【００３３】
上述の測定とは別に、図１０に示すようなパルス幅ｔと潜像面積Ｓとの関係が得られた場合を考え、所望の仕様が図中破線で示されているものとする。図１０においてＯＶ（１）は仕様を満足していないが、ＯＶ（２）とＯＶ（３）とは仕様を満足している。さらにＯＶ（２）とＯＶ（３）とは近接しており、静電潜像の形成能力もたとえばレーザ光源の寿命等を考慮するとＯＶ（２）で十分であることが判る。これは、オーバシュートの大小はレーザ光源に注入する電流に比例しており、大きな電流を流すほどレーザ光源の寿命が短くなるためである。上述したように、レーザ光源のパルス幅とオーバシュートの値とを段階的に変化させ、パルス幅と静電潜像の大きさとの相関関係を求めることにより好適なオーバシュートの値を求めることができる。これにより、オーバシュート毎のパルス幅と静電潜像との相関関係から優劣を求めることができ、好適なオーバシュートを決定する画像評価方法を提供することができる。
【００３４】
図６において、ドット状の静電潜像はパルス幅が同じである場合にオーバシュートが大きいほど静電潜像が長さ方向に大きくなることが判る。これは、オーバシュートを大きく設定するほど発光の遅延が解消されるというレーザ光源の特性によるものである。ここで、図１１に示すようにパルス幅が同じでオーバシュートが異なる入力信号を用いるとすると、この応答波形は図１２に示すようになる。図１２において、ｔ１−ｔ０が図１１に示す入力信号のパルス幅Ｗに相当する。図１２において発光終了位置Ｔｆはそれぞれ揃えてありｔ１である。これに対して発光開始位置ＴｒはＯＶ（１），ＯＶ（２），ＯＶ（３）でそれぞれ異なり、オーバシュートが大きいほど０に近づく。これは、オーバシュートが不足すると遅延が生じ、発光開始時間が遅れることに起因している。この遅延時間は時間の長さであって一次元であり、従ってこのようなオーバシュートの特性を評価するには同じく一次元の量である静電潜像の長さを用いることが好ましく、さらにパルス幅の広がりは主走査方向と直接対応しているためにより好ましい。パルス幅が長くなると静電潜像の主走査方向の長さが長くなる。
【００３５】
パルス幅とオーバシュートとを段階的に変化させて静電潜像を形成し、その主走査径を測定してパルス幅と主走査径との相関関係をグラフ化すると図１３に示すようになる。パルス幅を１００ナノ秒前後から４００ナノ秒前後としたときに形成された静電潜像の主走査径は２０μｍから１５０μｍ程度の大きさであった。図１３に示すように曲線で近似するとｘ切片を求めることができ、オーバシュートの値が大きい方がパルス幅が短い領域においても静電潜像を形成できることが判る。また、図１４に示すように直線で近似してもよい。上述したようにパルス幅と静電潜像の主走査径とを対応させて相関関係を求めることにより、オーバシュートの好適な値を求めることが可能となる。静電潜像の大きさにパルス幅と直接対応した値である主走査径を用いることにより、より精度の高い画像評価方法を提供することができる。
【００３６】
ここで、上述した測定の具体例を説明する。光源には垂直面発光レーザを用い、波長を７８０ｎｍとした。光源射出直後の射出光強度をパワーメータで測定した結果１．４ｍＷであった。この条件において、図２４に示すような走査光学系を用いてドット状の静電潜像を形成した。走査光学系により射出光強度は１／２０程度まで減少するため、感光体に到達する出射光強度もこの値となる。静電潜像の主走査方向の大きさはパルス幅の増大と共に大きくなることは上述の通りであるが、これに対して副走査方向の大きさは概ね一定である。汎用のビームプロファイル測定装置（ＰＨＯＴＯＮ社製：ＢｅａｍＳｃａｎ）により射出光を測定すると、感光体の位置において副走査方向の大きさは６０μｍ程度であった（ビームプロファイルの最大値に対して１／ｅ２でのプロファイルの断面）。
【００３７】
図１５（ａ）は１ドットの静電潜像を示しており、この静電潜像は図１５（ｂ）に示すように４個の１／４ドット１，２，３，４から形成されている。各１／４ドット１，２，３，４から形成される１ドットは、走査光学系において各１／４ドット１，２，３，４を走査方向に４個隣接させることにより形成される。電子写真装置において１ドットを表現する場合には通常１個の１ドットを用いるが、レーザ光源の光量が低い場合には４個の１／４ドットをまとめて１ドットとする場合がある。特に複数の光源を配列させた面発光レーザの場合には１つの光源からの射出光量（パワー）が小さいため、４つの光源からの射出光を用いて１ドットを形成している。各１／４ドット１，２，３，４の主走査方向の大きさは、上述のビームプロファイル測定装置により測定した結果５０μｍ程度であった。各１／４ドット１，２，３，４のビームサイズはこれに限られず、主走査方向×副走査方向とした場合に６０μｍ×６０μｍ、７０μｍ×７０μｍ、８０μｍ×８０μｍ等であってもよい。ここで、１ドットのパルス幅が１００ナノ秒であれば各１／４ドット１，２，３，４のパルス幅はそれぞれ２５ナノ秒である。１ドットの整数分の１をパルス幅の変化の単位とすることにより、より精密な静電潜像の測定を行うことができる。たとえば変化させるパルス幅の全体を４００ナノ秒、変化の単位を２５ナノ秒毎とすると、変化の段階は１６となる。
【００３８】
レーザ光源は、垂直面発光レーザであっても端面発光レーザであってもよい。垂直面発光レーザはたとえば発光の波長（λ）が７８０ｎｍで光源数が４０（８×５のアレイ）、端面発光レーザは発光の波長が６５５ｎｍといったものであるが、これに限られることはない。感光体は、たとえば市販のデジタル複写装置やレーザプリンタに用いられるものでよく、ＵＬ，ＣＧＬ，ＣＴＬの３層構造を有し、ＣＴＬがガリウムフタロシアニンであり厚みが３０μｍといったものである。
【００３９】
ここで図１６を用い、入力信号においてオーバシュート及びパルス幅を一定として平均強度を段階的に変化させる場合を考える。図１６においてオーバシュート（１）及びパルス幅Ｗ（１）は共に一定であり、発光強度としての平均強度をＩ（１），Ｉ（２），Ｉ（３）と段階的に変化させる。図１６に示す状態からさらにオーバシュートを段階的に変化させた様子を図１７に示す。図１７において発光強度はＩ（１）＜Ｉ（２）＜Ｉ（３）の関係にあり、オーバシュートもオーバシュート（１），オーバシュート（２），オーバシュート(３)の３段階に変化させると、感光体上に形成される静電潜像は図１８に示すようになる。図１８から判るように、発光強度が大きいほど、またはオーバシュートが大きいほど形成される静電潜像は大きくなる。なお、発光強度及びオーバシュートの変化は３段階に限られず、他の段階であってもよい。
【００４０】
図１８で得られた静電潜像の長さ（主走査径）を測定してその長さをｄとすると、静電潜像の空間周波数は１／２ｄとなる。たとえば静電潜像の主走査径が５０μｍ（０．０５ｍｍ）の場合は、空間周波数は１／（２×０．０５）＝１０（ｃｙｃｌｅ／ｍｍ）となる。
【００４１】
図１８に示す静電潜像の空間周波数と発光強度及び各オーバシュートとの関係をグラフ化すると図１９に示すようになる。図１９から判るように、発光強度が大きいほど静電潜像が大きくなり、従って空間周波数が小さくなる。また、グラフを曲線で近似することにより、近似曲線及びそのパラメータ、相関係数等の、複数の周波数特性を求めることができる。これにより、各オーバシュートにおいて発光強度と空間周波数特性とを求める画像評価方法を提供することができる。
【００４２】
図１９に示すグラフにおいてある空間周波数Ｆを実現したいとした場合に、各オーバシュートＯＶ（１），ＯＶ（２），ＯＶ（３）の曲線でどの程度の発光強度が必要かを調べると、オーバシュートＯＶ（３）において最も発光強度が小さくてよいことが判る（Ｉ１＜Ｉ２＜Ｉ３であることから）。同じ空間周波数を実現する際に発光強度は小さいほどよく、オーバシュートＯＶ（３）が好適であると決定することができる。これにより、各オーバシュート毎の空間周波数特性から特性の優劣が求められ、好適なオーバシュートを決定する画像評価方法を提供することができる。
【００４３】
発光強度に拘わらず静電潜像の大きさが変化しないのであれば静電潜像の形成は安定していることとなるが、実際には発光強度により静電潜像の大きさが変化するため、この変化率が小さいほど静電潜像の形成が安定しているといえる。これは感光体の性質に依存しており、この変化率から感光体の安定性を推定することが可能となる。
【００４４】
図１８に示したように静電潜像は理想的な円形とはならず、多少歪んだ形状となることから、これを円形で近似してその半径を求めることを考える。静電潜像の面積をＳとすると、半径ｒはｒ＝（Ｓ／ｎ）１／２となり、直径は２ｒとなる。この直径を円相当径とする。
【００４５】
発光強度及びオーバシュートをそれぞれ３段階に変化させて形成した静電潜像を図２０に示す。ここで発光強度は発光強度（１）＜発光強度（２）＜発光強度（３）である。形成された静電潜像をそれぞれ静電潜像１，静電潜像２，静電潜像３とし、各静電潜像の面積Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３及び円相当径ｄ１，ｄ２，ｄ３をそれぞれ求める。ここで円相当径ｄ２を用いてその空間周波数を求めると、空間周波数は１／（２×ｄ２）となる。次に、静電潜像２に関して、先に示した発光強度の変化に対する静電潜像形成の安定性をＳ３／Ｓ１により定義する。
【００４６】
オーバシュートをある値とし、発光強度を６段階に変化させて静電潜像を形成及び測定し、面積及び空間周波数及び静電潜像形成の安定性を求める様子を図２１に示す。図２１では、静電潜像の空間周波数特性を静電潜像の面積と円相当径とで表している。
【００４７】
発光強度の段階的な変化は一定であることが好ましい。レーザ光源からの射出光をパワーメータで測定することを考える。発光強度を段階的に変化させ、その都度射出光強度を測定すると、発光強度がある範囲内では図２２に示すように線形の関係が得られる。このときのある発光強度をＩ（２）とし、Ｉ（２）の１０％減をＩ（１）、Ｉ（２）の１０％増をＩ（３）とする。
【００４８】
オーバシュートを３段階に変化させ発光強度を１０％毎に変化させて測定した結果を図２３に示す。この例では発光強度１０段階に変化させ直線で近似した。図２３に示すように、オーバシュートが大きいほど高い空間周波数でも静電潜像が安定していることが判る。つまり直線の傾きが緩やかである方が静電潜像が高い空間周波数においても安定して形成されることを示している。このことから、オーバシュートは高い方が好適であることが求められる。これにより、空間周波数特性が静電潜像の面積と空間周波数とにより定義され、これが適切に静電潜像の空間周波数特性を表すため、より精度の高い画像評価方法を提供することができる。
【００４９】
上述の例において、レーザ光源として発光の波長（λ）が７８０ｎｍの垂直面発光レーザを用いた。パワーメータで測定すると、発光強度は感光体位置においておおよそ１０μＷ〜７０μＷの範囲であった。オーバシュートＯＶ（３）は数ｍＡの電流をレーザに注入し、オーバシュートＯＶ（２）はＯＶ（３）のおおよそ半分の電流量、オーバシュートＯＶ（１）は電流量ゼロである。
【００５０】
上述の例ではオーバシュートの変化を３段階として説明したが、変化は３段階には限られない。またオーバシュートの上限はレーザ光源に注入可能な電流値によって決定され、レーザ光源が破壊しない程度の電流値が上限であり、下限値はゼロである。上限値と下限値との間にどの程度の幅を設けるかは回路の制御に依存し、たとえば４ビットといった値である。発光強度は、たとえば評価装置に接続したパーソナルコンピュータ等により設定できることが好ましい。またレーザ光源は、制御用に電子回路基板に接続されており、電子回路基板がインタフェースを介してパーソナルコンピュータと接続されていることが好ましい。
【００５１】
図２４は走査光学系の一例を示しており、この走査光学系は光源１３１、コリメートレンズ１３２、シリンドリカルレンズ１３３、第１のミラー１３４、静電潜像形成手段としてのポリゴンミラー１３５、第１の走査レンズ１３６、第２の走査レンズ１３７、第２のミラー１３８等を有している。ポリゴンミラー１３５は図示しない駆動手段によって回転軸１３５１を中心に１万ｒｐｍ前後から数万ｒｐｍの高速で回転駆動され、入射される光を走査する。ポリゴンミラー１３５による走査方向が主走査方向であり、これは感光体１３９の長手方向に相当する。感光体１３９は図示しない駆動手段によって回転軸１３９１を中心に回転駆動され、この回転方向が副走査方向となる。感光体１３９上には、ポリゴンミラー１３５からの光照射により静電潜像１３９２が形成される。
【００５２】
上述の構成において、感光体１３９は走査光学系に含まれなくともよい。光源１３１とコリメートレンズ１３２との間には図示しない開口（アパーチャ）が設けられており、光源１３１から射出された射出光の発光強度はこの開口位置で測定し、光パワーメータのプローブはこの位置に配置されている。また感光体１３９上における発光強度は静電潜像１３９２形成位置において測定する。光源１３１としては、たとえば波長（λ）が７８０ｎｍの垂直面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｃａｆｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）や波長（λ）が６５５ｎｍの端面発光レーザ等が挙げられるが、波長はこれに限定されない。
【００５３】
図２５は、本発明の画像評価装置を示している。同図において画像評価装置１４１は、電子銃１４２、コンデンサレンズ１４３、走査レンズ１４４、対物レンズ１４５、静電潜像形成手段としての光照射光学系１４６、試料（感光体）１４７、試料ステージ１４５０、電子検出器１４３０、インタフェース１４８、真空ポンプ１４９、情報処理手段としての電子計算機（コンピュータ及びディスプレイ）１４１０等を有している。図中、符号１４４０は帯電した感光体上に光照射により形成した任意パターンの静電潜像を誇張して拡大したものを、符号１４２０は入力情報及び観察した静電潜像をコンピュータ上でデータ・画像処理している様子をそれぞれ示す。
【００５４】
上述の構成において、試料である感光体１４７を帯電させるための荷電粒子を発生させる手段は電子銃１４２、各レンズ１４３，１４４，１４５であり、感光体１４７に光照射させる手段は光照射光学系１４６であり、感光体１４７上に形成された任意パターンの静電潜像１４４０を観察する手段は電子銃１４２、各レンズ１４３，１４４，１４５及び静電潜像測定手段としての電子検出器１４３０である。電子銃１４２は、たとえば走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で用いられているものでよく、熱フィラメントやフィールドエミッション等が挙げられ、何れであってもよい。
【００５５】
電子銃１４２を用い、電子で感光体１４７を帯電させることを考えると、電子銃１４２及び感光体１４７等を真空中に配置する必要がある。これは本装置に固有の構成ではなくＳＥＭと同様である。このため真空ポンプ１４９を配置して装置全体を真空とさせている。上述の構成では、便宜的に真空ポンプ１４９を１個のみ使用しているが、達成させる真空度に応じてロータリポンプ、ターボ分子ポンプ、イオンスパッタポンプ等を併用してもよい。荷電粒子は負の極性を有する電子が一般的であるが、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）で用いられているイオン銃のようにイオンであってもよい。ここで用いられるイオンは、たとえばＧａ＋等のイオン種である。コンデンサレンズ１４３、走査レンズ１４４、対物レンズ１４５は何れも磁界レンズあるいは静電レンズである。走査レンズ１４４により荷電粒子ビームを感光体１４７上で２次元的に走査する。
【００５６】
感光体１４７を帯電させる際に、好適には電子が用いられる。電子を用いた場合には、感光体１４７表面の帯電電位は主に電子の加速電圧と照射時間とに影響され、電子の加速電圧が高いほど感光体１４７表面の帯電電位が高くなる。本発明では電子写真と同等の条件とする必要があり、その条件は加速電圧（Ｖａｃｃ）１．０〜数ｋＶ程度、照射時間数十秒〜数十分程度である。帯電電位は、たとえば汎用の表面電位計を用いて測定すると−６００〜−１０００Ｖ程度の値が得られ、実際の複写装置やプリンタと同等の帯電電位となる。また、加速電圧を変化させることに代えて、感光体１４７に対してバイアス電圧をかける等により帯電電位を調整してもよい。
【００５７】
感光体１４７上に光照射を行い任意パターンの静電潜像１４４０を形成する手段は光照射光学系１４６であり、具体的には図２４に示した走査光学系である。図２５に示す構成では光照射光学系１４６は装置内部に配置されているが、装置外部（大気中）に配置されていてもよい。この場合には装置内部の真空を維持するため、画像評価装置１４１に透過率の高いガラス等の透明な窓を密封させて配置するなどして、光照射光学系１４６からの光を感光体１４７まで導けばよい。
【００５８】
図２４に示した走査光学系には、光源１３１として垂直面発光レーザあるいは端面発光レーザが設けられている。これらのレーザ光源には発光特性制御用の電子電気回路が搭載されており、その制御はインタフェース１４８を介して電子計算機１４１０により行っている。上述したパルス幅、発光強度、オーバシュート設定値は、電子計算機１４１０の画面を見ながら行う。図２５において試料である感光体１４７は平板（あるいはシート状）であるが、円筒（あるいは図２４に示す感光体１３９のようなドラム状）であってもよい。試料ステージ１４５０はｘ方向、ｙ方向、ｚ方向へ３次元的に移動可能に構成されている。
【００５９】
ここで、一般的な電子写真プロセスの概要について説明する。電子写真プロセスは帯電、露光、現像、転写、クリーニング、定着の各工程により行われる。現像は、暗所において帯電器を用い、光半導体である感光体の表面を帯電させる。露光は、帯電させた感光体に光照射を行い、光が照射された部分の電荷が除去されてこれにより静電潜像を形成する。現在、デジタル機器においてはネガが主流である。現像は、静電潜像とは逆極性に帯電させた微小粒子であるトナーを静電潜像に対して静電的に付着させる。転写は、記録媒体である記録紙を現像後のトナー像に重ね、記録紙の裏側に配置された帯電器によりトナーの帯電極性とは逆極性の電荷を記録紙に与え、静電力によりトナーを記録紙に転写する。クリーニングは、転写されずに感光体に残った残留トナーをブレードや磁気ブラシ等のクリーナを用いて除去する。定着は、熱ローラ定着機に記録紙を送り、熱と圧力とにより記録紙に付着しているトナーを定着させる。上述の帯電、露光、現像、転写、クリーニング、定着の各工程を行う電子写真装置の一例を図２６に示す。
【００６０】
図２６に示す電子写真装置において、符号１５１は感光体（ＯＰＣ）を、符号１５２は帯電チャージャを、符号１５３は露光用光源を、符号１５４はトナーを、符号１５５は記録紙を、符号１５６は転写チャージャを、符号１５７は定着ローラを、符号１５８はクリーニングブレードを、符号１５９は除電用光源をそれぞれ示している。上述した電子写真プロセスと対応させると、帯電チャージャ１５２により感光体１５１の帯電が行われた後に露光用光源１５３により露光が行われ、形成された静電潜像にトナー１５４を静電的に付着させることにより現像が行われる。現像後、感光体１５１上のトナー像を転写チャージャ１５６により記録紙１５５に転写させることにより転写が行われ、感光体１５１上の残留トナーがクリーニングブレード１５８によって除去されることによりクリーニングが行われ、トナー像が転写された記録紙１５５が定着ローラ１５７に送られることにより定着が行われる。定着工程において、トナーは主として記録紙１５５等の紙に定着されるが、オーバヘッドプロジェクタ（ＯＨＰ）シート等の高分子材料に対して定着を行う場合もある。
【００６１】
上述の現像工程はいくつかの方式に分類され、方式により使用される現像剤及びトナーが分類される。先ず方式には乾式と湿式とがあり、現在では高速性に勝る点で乾式が主流である。乾式に用いられる現像剤としてはトナーのみを有する１成分現像剤とトナーとキャリアとを有する２成分現像剤とがあり、１成分現像剤及び２成分現像剤に用いられるトナーには非磁性トナーと磁性トナーとがある。トナーはその大部分がポリマーにより構成され、着色剤等を含む場合もあり、その大きさは数μｍ〜十数μｍである。キャリアは鉄粉等の金属系材料から構成され、その大きさは数十μｍ〜数百μｍである。
【００６２】
感光体は光導電材料（Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり、現在は低コストであり加工性が良好である点から有機電子写真感光体（ＯＰＣ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）が主に採用されている。一般的にＯＰＣは多層構造であり、導電性支持体（導電層）の上に中間層を設け、電荷発生層（ＣＧＬ：Ｃｈａｒｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）と電荷輸送層（ＣＴＬ：Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）とが積層されており、この構成（順層構成）では負帯電方式となり、ＣＧＬとＣＴＬとの積層順を逆にした構成では正帯電方式となる。また、電荷発生と電荷輸送とを混合させた材料を用いた単層感光体もある。中間層は電荷リーク等の防止のために設けられている。上述した層構成、帯電及び光照射の様子を図２７に模式的に示す。
【００６３】
図２７は順層構成を示しており、図中符号１６１は導電層を、符号１６２は電荷発生層を、符号１６３は電荷輸送層を、符号１６４は照射光を、符号１６５はホールの電荷輸送層中の移動方向を、符号１６６は電子を、符号１６７はホールをそれぞれ示している。表面を帯電させたＯＰＣに光を照射すると、ＣＧＬにおいて光が吸収され正負電荷が発生する。この正負の電荷は、表面の電界により一方の電荷がＣＴＬに、他方の電荷が導電性支持体にそれぞれ注入される。ＣＴＬに注入された電荷は、ＣＴＬを通り感光体の表面に到達し、表面に存在する電荷を打ち消す。そして、照射する光を２次元的に走査させ、文字や画像のパターンを形成する。このパターンに応じて上述した電荷発生や移動が起こり、表面の電荷が打ち消される。これが静電潜像である。一般的にＣＧＬの厚みはサブμｍ程度であり、ＣＴＬの厚みは数十μｍ程度である。静電潜像は文字や画像であるが、最小単位はドットである。
【００６４】
感光体上に静電潜像が形成される原理は上述した通りである。本発明においてこの静電潜像を観察する手段として好適なのは電子を用いる構成であり、これには図２５に示した電子銃１４２が使用可能であるが電流値を弱くする必要があり、たとえば帯電時の電流値が数ｎＡの場合には観察時の電流値は数ｐＡと千分の一程度とする。これは静電潜像が電子の照射により消えてしまうことを防ぐためであり、強い電流値の電子線を照射するほど静電潜像は速く消失してしまう。
【００６５】
図２４に示す電子検出器１４３０は２次電子検出器である。観察用の電子は感光体１４７に到達し、感光体１４７から２次電子を放出させる。静電潜像が測定可能である原理は、静電潜像が形成されている場所からは２次電子はあまり放出されず、静電潜像が形成されていない場所から２次電子が多量に放出されることによる。２次電子検出器１４３０は、電子が照射されることにより光を放出する蛍光体、導光路、放出された光を倍増する光電子倍増等により構成される。２次電子検出器１４３０は走査型の検出器であるが、電子線の感光体１４７上の走査に追随する。
【００６６】
図２４に示す各構成は、インタフェース１４８を介して電子計算機１４１０により制御する。各構成の詳細な制御は、電子計算機１４１０内のソフトウェアにより行う。図２４において静電潜像１４４０を形成しているとすると、観察したこの静電潜像１４４０は電子計算機１４１０のディスプレイ上に出力され、各種データ及び画像処理が成されて処理状況１４２０として出力される。電子計算機１４１０により上述したデータ処理や演算等を行い、評価する値を求める。このデータ処理や演算は特別なものではなく、汎用のデータ及び画像処理ソフト等を用いても行うことが可能である。これにより、パルス幅と静電潜像の大きさとの相関関係、発光強度と静電潜像の大きさの周波数特性、及びこれらから求まる好適なオーバシュートの値が決定される。
【００６７】
上述した画像評価装置１４１に関し、装置の制約がある場合がある。たとえば電子線を走査する範囲を広くできない、あるいは試料（感光体１４７）のサイズに制約がある場合等である。電子線の捜査範囲に関しては、汎用のＳＥＭと比較して数ｎｍといったオーダの分解能を犠牲にすれば、ある程度（数ｍｍ四方）の範囲を走査することが可能となる。しかし、感光体は直径数ｃｍで長手方向数十ｃｍの大きさのものが多く、この感光体全面を一度に走査することは難しく、感光体を移動させて部分的な走査を繰り返すこととなる。また、この大きさの感光体を試料とすると試料ステージが大型となり、真空槽も大容量のものを使用する必要があるため、感光体を切り出して測定する等の工夫が必要となる。この場合には、走査はごく狭い範囲で行えばよいこととなる。
【００６８】
図２８は、上述した画像評価方法及び画像評価装置により得られた結果をデジタル複写装置やレーザプリンタといった電子写真装置に反映する際の概念を示している。先ず、初期条件として電子写真装置に使用するレーザ光源、走査光学系、感光体等が決定され、これらを搭載した実機あるいは実験機等を用い上述した評価（オーバシュートを段階的に変化させパルス幅と静電潜像の大きさとの相関関係、発光強度と周波数特性との相関関係を調査）を行う。そして、この結果が所望の画像仕様を達成しているか否かの判断を行い、達成されていれば好適なオーバシュートが決定され、達成されていなければ初期条件及び装置の仕様を見直す。決定されたオーバシュートは実機の記憶手段に記憶され、画像形成時にこのオーバシュートが用いられる。記憶手段は、電気電子回路あるいは装置付属の電子計算機、そのソフトウェアに初期設定値としてこのオーバシュートを与え、このオーバシュートを基に電子写真装置は解像度が高くかつ高品質な画像を形成する。
【符号の説明】
【００６９】
１３１  レーザ光源（光源）
１３５  静電潜像形成手段（ポリゴンミラー）
１３９，１４７，１５１  感光体
１４１  画像評価装置
１４６  静電潜像形成手段（光照射光学系）
１５３  レーザ光源（露光用光源）
１３９２，１４４０  静電潜像
１４１０  情報処理手段（電子計算機）
１４３０  静電潜像測定手段（電子検出器）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７０】
【特許文献１】特開２００３−２９５６９６号公報
【特許文献２】特開２００１−９６７９４号公報
【図１】
0005564903.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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