(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶基板として、主表面が［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であるシリコン単結晶基板を用い、
該シリコン単結晶基板の主表面にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法により製造されたシリコンエピタキシャルウェーハを、
ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせて貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法において、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハとして用いて貼り合わせＳＯＩウェーハを製造することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記ドーパントをリンとすることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
ベースウェーハの上部に、少なくとも、埋め込み酸化膜、ＳＯＩ層が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハであって、
前記ＳＯＩ層のドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上であり、かつ、該ＳＯＩ層主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜しており、前記角度θ及び角度φが１０′未満であることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハ。
【請求項４】
前記ベースウェーハは、シリコン単結晶基板にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであり、該シリコンエピタキシャルウェーハの主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であることを特徴とする請求項３に記載の貼り合わせＳＯＩウェーハ。
【請求項５】
ベースウェーハの上部に、少なくとも、埋め込み酸化膜、ＳＯＩ層が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハであって、
前記ベースウェーハは、シリコン単結晶基板にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであり、該シリコンエピタキシャルウェーハの主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハ。
【請求項６】
前記ドーパントがリンであることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載の貼り合わせＳＯＩウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法、並びに、貼り合わせＳＯＩウェーハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板として使用されるシリコン単結晶基板は、例えばＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットに対して、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨などを施すことで作製される。
【０００３】
また、該シリコン単結晶基板の表面部分の結晶品質を向上させるため、高温条件下でシリコン単結晶基板の主表面にシリコン原料を供給することにより、シリコンエピタキシャル層を気相成長させる方法も用いられる。
このようなシリコンエピタキシャルウェーハ（以下、単にエピタキシャルウェーハと記載することがある。）の製造方法においては、条件によっては、表面に凹凸が形成され、デバイス特性を悪化させることが知られている。
【０００４】
このような凹凸を防ぐ方法として、例えば特許文献１では、エピタキシャル成長を行うシリコン単結晶基板の主表面の結晶学的ステップ密度を約１０１０個／ｃｍ２以下に制御する技術が提案されている。
また、特許文献２では、シリコン単結晶基板表面に対する結晶軸の角度範囲を規定することで、ヘイズと呼ばれる凹凸を低減する方法が提案されている。
また、特許文献３では、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）と呼ばれる欠陥が存在するシリコン単結晶基板上に、エピタキシャルシリコン層を成長させる場合に、ティアドロップと呼ばれる凹凸が発生するのを防ぐため、シリコン単結晶基板表面に対する結晶軸の角度範囲を規定する技術が提案されている。
【０００５】
ここで、シリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長法において、エピタキシャル層を成長させる際に、高濃度のドーパントをドープすると、エピタキシャル層表面に段差が縞状に形成され、表面形状が悪化する問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−３３８４６４
【特許文献２】特開２０００−２６０７１１
【特許文献３】特開２００４−３３９００３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させる際に、高濃度のドーパントをドープすると、エピタキシャル層表面に段差が縞状に形成され、表面形状が悪化する問題がある。
【０００８】
しかし、何れの上記技術もエピタキシャル層の成長時に高濃度のドーパントをドープした場合に発生する凹凸の抑制に関しては記述がなされていない。このような凹凸が存在すると、デバイス特性に悪影響を及ぼし、また、このような凹凸のあるシリコンエピタキシャルウェーハを貼り合わせて、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）と呼ばれるウェーハを作製すると、貼り合わせ面の密着性が悪くなり、欠陥が発生する問題がある。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、シリコン単結晶基板主表面に、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上と高濃度であるエピタキシャル層が形成された場合であっても、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたものとなるシリコンエピタキシャルウェーハ、及びこの製造方法、並びに該シリコンエピタキシャルウェーハを使用した貼り合わせＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明では、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板の主表面は、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であり、前記シリコンエピタキシャル層のドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【００１１】
このように、シリコン単結晶基板の主表面を（１００）面から実質的に特定の方向にのみ一定の傾き（［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、角度θ及び角度φが１０′未満である傾き）をもつように調整することによって、該シリコン単結晶基板上にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上という高濃度のエピタキシャル層が形成された場合でも、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたシリコンエピタキシャルウェーハとなる。
ここで、ドーパントはリンとすることができる。
【００１２】
また、本発明では、シリコン単結晶基板の主表面に、シリコンエピタキシャル層を気相成長させる工程を有するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記シリコン単結晶基板として、主表面が［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であるシリコン単結晶基板を用い、該シリコン単結晶基板の主表面にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【００１３】
このような本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を用いれば、ドーパントを高濃度にドープする場合であっても、シリコンエピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
ここで、ドーパントをリンとすることができる。
【００１４】
また、本発明では、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせて貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法において、前記の方法により製造されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハとして用いて貼り合わせＳＯＩウェーハを製造することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【００１５】
このように、前記の方法により製造されたシリコンエピタキシャルウェーハをボンドウェーハとして用いれば、高濃度（ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上）のＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造することができる。また、前記の方法により製造されたシリコンエピタキシャルウェーハをベースウェーハとして用いると、絶縁膜（埋め込み酸化膜）直下に高濃度層（エピタキシャル層）を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造することができる。また、前記の方法により製造されたシリコンエピタキシャルウェーハを、ボンドウェーハとベースウェーハの両方に用いることもできる。
【００１６】
また、本発明では、ベースウェーハの上部に、少なくとも、埋め込み酸化膜、ＳＯＩ層が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハであって、前記ＳＯＩ層のドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上であり、かつ、該ＳＯＩ層主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜しており、前記角度θ及び角度φが１０′未満であることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハを提供する。
【００１７】
このような本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハは、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上の高濃度のＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハであり、更に、貼り合わせ界面の密着性が改善されたものとなり、貼り合わせ不良に起因する欠陥の発生が抑制された高品質な貼り合わせＳＯＩウェーハとなる。
【００１８】
この場合、前記ベースウェーハは、シリコン単結晶基板にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであり、該シリコンエピタキシャルウェーハの主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満とすることができる。
【００１９】
このように、ベースウェーハが上記シリコンエピタキシャルウェーハであれば、埋め込み酸化膜直下に高濃度層（エピタキシャル層）を有するものとできる上、更に、貼り合わせＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面の密着性が改善されたものとなり、貼り合わせＳＯＩウェーハの欠陥の発生が大幅に抑制されたものとなる。
【００２０】
また、本発明では、ベースウェーハの上部に、少なくとも、埋め込み酸化膜、ＳＯＩ層が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハであって、前記ベースウェーハは、シリコン単結晶基板にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであり、該シリコンエピタキシャルウェーハの主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハを提供する。
【００２１】
このような本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハは、埋め込み酸化膜直下に高濃度層（エピタキシャル層）を有する貼り合わせＳＯＩウェーハとなる上、更に、貼り合わせ界面の密着性が改善されたものとなり、貼り合わせ不良に起因する欠陥の発生が抑制された高品質な貼り合わせＳＯＩウェーハとなる。またこのとき、ドーパントをリンとすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、シリコン単結晶基板主表面に、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上と高濃度であるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであり、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたシリコンエピタキシャルウェーハ及びこの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、欠陥の発生が抑制された高品質な、高濃度（ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上）のＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハや、絶縁膜（埋め込み酸化膜）直下に高濃度層（エピタキシャル層）を有する貼り合わせＳＯＩウェーハ、並びにこれらの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）は［０−１−１］方向を示すミラー指数による表示であり、（ｂ）は［０１−１］方向を示すミラー指数による表示であり、（ｃ）は［０−１１］方向を示すミラー指数による表示である。
【図２】本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハを示す縦断面図である。
【図３】シリコン単結晶基板の主表面の傾き（オフアングル）を説明するための図である。
【図４】シリコン単結晶基板の主表面の傾斜範囲を示す図である。
【図５】ドーパント濃度が低い場合のシリコンエピタキシャル成長の説明図である。
【図６】ドーパント濃度が高い場合のシリコンエピタキシャル成長の説明図である。
【図７】本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル成長の説明図である。
【図８】本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示したフロー図である。
【図９】本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの別の例を示す図である。
【図１０】（ａ）実施例１、比較例１、及び比較例２で得られたシリコンエピタキシャルウェーハの表面の段差の大きさを比較する図である。（ｂ）ＡＦＭ装置による実施例１及び比較例１で得られたエピタキシャルウェーハの表面の観察図である。
【図１１】実施例２および、比較例３で得られた、ＳＯＩウェーハ上の貼り合わせ不良欠陥の個数を比較する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させたエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル層の成長時に高濃度のドーパントをドープした場合に縞状の凹凸が発生する問題が生じていた。
【００２５】
本発明者らが種々検討した結果、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、シリコン単結晶基板の主表面を（１００）面から実質的に特定の方向にのみ一定の傾きをもつように調整することによって、シリコン単結晶基板の主表面にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上となる条件でエピタキシャル層を形成しても、エピタキシャル層表面の凹凸が抑制されたものとなることを見出した。
【００２６】
すなわち、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハは、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであって、シリコン単結晶基板の主表面は、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、角度θ及び角度φが１０′未満であり、シリコンエピタキシャル層のドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上であることを特徴とする。
ここで、［０−１−１］方向、［０１−１］方向、［０−１１］方向とは、図１（ａ）〜（ｃ）に示す方向のことである。
【００２７】
本発明によれば、シリコン単結晶基板の主表面を、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけオフアングルさせるとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけオフアングルさせ、かつ、オフアングル角度θ及びオフアングル角度φが１０′未満とすることにより、該シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させた際に、シリコンエピタキシャル層のドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上となる条件であっても、エピタキシャル層表面の凹凸が大幅に抑制されたものとなる。
【００２８】
以下、図２は本発明のシリコンエピタキシャルウェーハを示す縦断面図である。図２に示すように、シリコンエピタキシャルウェーハＷは、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層２を、主表面１ａ上に気相成長させたシリコン単結晶基板１を備えている。
【００２９】
シリコン単結晶基板１の主表面１ａは、（１００）面から実質的に特定の方向にのみ一定の傾き（オフアングル）をもつように調整されている。ここで、シリコン単結晶基板１の主表面１ａのオフアングルについて図３を参照して説明する。
【００３０】
図３において、（１００）面３内の一点をＯ点とする。また、（１００）面３内に、Ｏ点を通る結晶軸［０１１］、［０−１−１］、［０１−１］、及び［０−１１］をとる。更に、（１００）面３内に直方体４を配置する。より詳細には、直方体４の一つの頂点をＯ点に置き、この頂点に集まる３辺を［０１１］［０１−１］及び［１００］軸に一致させて直方体４を配置する。
【００３１】
このとき、直方体４の側面５，６の対角線ＯＡ，ＯＢが［１００］軸となす傾斜角度（オフアングル角度）を角度θ、角度φとすると、直方体４の対角線ＯＣを法線とするシリコン単結晶基板１は、その主表面１ａが［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向に角度θだけ傾斜し、かつ［０１−１］方向に角度φだけ傾斜したものとなる。これら、角度θ及び角度φは、図４に示す様に、共に１０′未満となっている。
【００３２】
シリコン単結晶基板の［１００］軸に対し、主表面の傾斜角度φおよびθが大きくなると、シリコン単結晶基板の主表面上に結晶学的な原子ステップが形成される。この場合の主表面でのシリコンエピタキシャル成長の様子を図を用いて説明する。
【００３３】
リン等のドーパント濃度が低い通常のエピタキシャル成長では、図５の（ａ）のように、ステップ位置にシリコン原子が固着することで、シリコン原子層が積層される。この場合積層が進行しても、図５の（ｂ）に示すように、ステップの高さは１原子分を保ち、極端に大きくなることはない。
【００３４】
これに対し、エピタキシャル層中のドーパント（例えばリン）の濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上となる条件でのエピタキシャル成長について、図６を用いて説明する。リンの濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上と高い場合は、図６の（ａ）のように、ステップ位置にリン原子が固着する確率が高まる。このリン原子の位置では、図６の（ｂ）のように、シリコンの固着が阻害され、一時的に成長が遅れる。ステップの密度が高い場合は、この遅延の間に次のステップが追いつき、原子２個分の段差をもつステップが形成される。２原子分のステップは１原子ステップに比べ、成長に必要なシリコン原子の数が２倍となり、ステップの成長移動が遅くなる。したがって、このような異常ステップが形成されると、図６の（ｃ）に示すように、１原子ステップが次々と追いつき、段差がさらに大きくなる。この現象が複数の場所で発生すると、図６（ｄ）に示すような主表面の凹凸が形成されてしまう。このような現象は、リン以外のドーパント（アンチモン、砒素、ボロン）においても発生する。
【００３５】
本発明では、傾斜角度φおよびθを１０′未満に設定することで、エピタキシャル成長を行うシリコン単結晶基板の主表面の結晶学的な原子ステップの密度を低減する。この場合の効果を図７を用いて説明する。ステップの密度が低い場合、図７（ａ）に示すように、リン原子による一時的なステップの成長遅延が生じた場合でも、図７（ｂ）のように、次の原子ステップが到着する前にシリコンの成長が再開される確率が高まる。この場合、原子ステップの間隔に多少の変化が生じるが、図７（ｃ）および（ｄ）に示すように原子ステップの段差は１段分のままである。従って、高濃度のドーパントを含むエピタキシャル成長であってもシリコンエピタキシャルウェーハ主表面の凹凸を低減することができる。
【００３６】
次に、本発明に係る図２のシリコンエピタキシャルウェーハＷの製造方法について説明する。
まず、ＣＺ法によってシリコン単結晶インゴット（不図示）を引上げる。次に、シリコン単結晶インゴットに対して、ブロック切断を行う。続いて、シリコン単結晶インゴットをスライスする。
ここで、生成されるべきシリコン単結晶基板１の主表面１ａが、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、かつ、これらの角度θ及び角度φが１０′未満になるように、シリコン単結晶インゴットをスライスする。更に、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨及び洗浄などの表面処理を行い、シリコン単結晶基板１を準備する。
【００３７】
そして、シリコン単結晶基板１の主表面１ａに、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層２を気相成長させる。
尚、気相成長は従来の一般的な方法で行うことができる。本発明においては、ドーパントガスとしてホスフィンガス等、原料ガスとしてジクロロシランガスやモノシランガス等を用い、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上となる条件で、エピタキシャル層２を気相成長させる。尚、ドーパントとしてはリン以外の、アンチモン、砒素、ボロン等を採用することもできる。
従来、高濃度のドーパントがドープされたエピタキシャル層の表面には凹凸が発生する問題が生じていたが、本発明のシリコンエピタキシャル層２の表面はこのような縞状の凹凸が大幅に抑制されたものとなる。
【００３８】
また、このようにして得られたシリコンエピタキシャルウェーハＷをボンドウェーハ及び／又はベースウェーハとして用い、貼り合わせＳＯＩウェーハを作製すると、貼り合わせ面における密着性が向上するため、貼り合わせＳＯＩウェーハの欠陥の発生を抑制することができる。
【００３９】
貼り合わせウェーハの製造方法においては、２枚のウェーハを貼り合せた後、一方のウェーハを薄膜化する方法として、研削・研磨で行う方法とイオン注入剥離法（スマートカット（登録商標）法ともいう）が一般的に知られているが、いずれの方法にも、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハを用いることができる。
本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法（スマートカット法（登録商標））の一例を図８に示す。
【００４０】
まず、図８の工程（ａ）では、ボンドウェーハ７及びベースウェーハ８を用意する。本発明においては、ボンドウェーハ７及び／又はベースウェーハ８として上記エピタキシャルウェーハＷを使用することができる。図８においては、上記エピタキシャルウェーハＷをボンドウェーハ７として用いた際の貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を示す。
尚、上記エピタキシャルウェーハＷを用いない方のウェーハとしては、例えば、シリコン単結晶のポリッシュドウェーハ、熱処理ウェーハ等、様々なウェーハを適用することができる。
【００４１】
予めボンドウェーハ７及びベースウェーハ８の両ウェーハに、又はどちらか一方に絶縁膜９を形成する。また、両ウェーハともに形成されていなくても良い。図８（ａ）においては、ボンドウェーハ７に絶縁膜９が形成されている。この時絶縁膜９としては、例えば熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜等を形成させることができる。
【００４２】
次に、工程（ｂ）では、ボンドウェーハ７の絶縁膜９の表面から水素イオン、希ガスイオン等の少なくとも１種類以上のガスイオンをイオン注入してウェーハ（エピタキシャル層）内部にイオン注入層１０を形成する。この際、注入エネルギー、注入量、注入温度等その他のイオン注入条件を、所定の厚さのＳＯＩ層を得ることができるように適宜選択することができる。
【００４３】
次に、工程（ｃ）では、ボンドウエーハ７の絶縁膜９と、ベースウェーハ８を密着させて貼り合わせる。
【００４４】
次に、工程（ｄ）では、剥離熱処理を行うことによって、ボンドウェーハ７をイオン注入層１０にて剥離してベースウェーハ８上に埋め込み酸化膜（絶縁膜）９を介して、ＳＯＩ層１１が形成された貼り合わせＳＯＩウェーハ１２を作製する。
【００４５】
この剥離熱処理としては、特に限定されないが、貼り合わせられたウェーハを窒素雰囲気で５００〜６００℃まで昇温しながら熱処理を行うことでボンドウェーハ７の剥離を行うことができる。
【００４６】
このように作製された貼り合わせＳＯＩウェーハ１２に、例えば貼り合わせ界面の結合強度を高めるための結合熱処理を酸化性雰囲気下又は非酸化性雰囲気下で１０００℃以上で行い、その後ＳＯＩ層側を所望の厚さまで薄膜化するように研磨や犠牲酸化処理を行う等して、最終的な貼り合わせＳＯＩウェーハが完成する。
【００４７】
このように、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハＷを、ボンドウェーハ７として用いることにより、貼り合わせＳＯＩウェーハ１２を製造することができる。
【００４８】
即ち、本発明においては、図８（ｄ）に示すような、ベースウェーハ８の上部に、少なくとも、埋め込み酸化膜９、ＳＯＩ層１１が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハ１２であって、ＳＯＩ層１１のドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上であり、かつ、このＳＯＩ層１１の主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜しており、この角度θ及び角度φが１０′未満である貼り合わせＳＯＩウェーハ１２を提供することができる。
そして、ドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上という高濃度エピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハＷをボンドウェーハ７として用いると、高濃度ＳＯＩ層１１を有するＳＯＩウェーハ１２を提供することができる。また、このような貼り合わせＳＯＩウェーハ１２は、貼り合わせ界面の密着性が改善されたものとなり、欠陥の発生が抑制された高品質な貼り合わせＳＯＩウェーハ１２となる。
【００４９】
図８に示す本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、更に、ベースウェーハ８としても、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハＷを用いることができる。
即ち、本発明によれば、図９（ａ）に示すように、シリコン単結晶基板１にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層２を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハＷであり、シリコンエピタキシャルウェーハＷの主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であるシリコンエピタキシャルウェーハＷの上部に、埋め込み酸化膜９、ＳＯＩ層１１が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハ１３を製造することができる。このように、高濃度エピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハＷを、ボンドウェーハ７とベースウェーハ８の両方に用いてもよい。
【００５０】
また、本発明の高濃度エピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハＷを、ベースウェーハ８のみに用いることができる。
すなわち、本発明によれば、図９（ｂ）に示すように、シリコン単結晶基板１にドーパント濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上のシリコンエピタキシャル層２を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハＷであり、該シリコンエピタキシャルウェーハＷの主表面は、［１００］軸に対し（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、前記角度θ及び角度φが１０′未満であるリコンエピタキシャルウェーハＷの上部に、少なくとも、埋め込み酸化膜９、ＳＯＩ層１１’が順次形成された貼り合わせＳＯＩウェーハ１４を提供することができる。即ち、埋め込み酸化膜９直下に高濃度のエピタキシャル層２を有する貼り合わせＳＯＩウェーハ１４を作製することができる。
【００５１】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハを、ボンドウェーハ及び／又はベースウェーハに用いるかの選択は、貼り合わせＳＯＩウェーハを用いて作製されるデバイスの仕様に基いて決定される。
このような本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハ１２、１３、１４は、貼り合わせ不良に起因するＳＯＩ表面の欠陥が大幅に抑制されたものとなる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５３】
（実施例１）
シリコン単結晶基板の主表面が、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向に角度φだけ傾斜し、角度θとφが６′（０．１°）≦θ≦９′（０．１５°）、φ＝１′を満たす複数のシリコン単結晶基板（直径３００ｍｍ）の主表面に、エピタキシャル層中のリンの濃度が２×１０１９／ｃｍ３となる条件で、ホスフィン（ＰＨ３）ガスを導入しながら、１０８０℃の成長温度で３μｍのエピタキシャル層を気相成長させた。原料ガスはジクロロシランを用いた。
【００５４】
（比較例１）
上記角度θとφが１０′≦θ≦１４′、１′≦φ≦５′を満たす複数のシリコン単結晶基板（直径３００ｍｍ）の主表面に、エピタキシャル層中のリンの濃度が２×１０１９／ｃｍ３となる条件で、ホスフィン（ＰＨ３）ガスを導入しながら、１０８０℃の成長温度で３μｍのエピタキシャル層を気相成長させた。原料ガスはジクロロシランを用いた。
【００５５】
（比較例２）
上記の角度θとφが１０′≦θ≦１４′、１′≦φ≦５′を満たす複数のシリコン単結晶基板（直径３００ｍｍ）の主表面に、エピタキシャル層中のリンの濃度が５×１０１８／ｃｍ３となる条件で、ホスフィン（ＰＨ３）ガスを導入しながら、１０８０℃の成長温度で３μｍのエピタキシャル層を気相成長させた。原料ガスはジクロロシランを用いた。
【００５６】
実施例１、比較例１、及び比較例２で得られたシリコンエピタキシャルウェーハの表面の段差の大きさを比較するグラフを図１０（ａ）に示す。なお、段差の測定にはＡＦＭ装置を使用し、３０μｍ角の領域の測定を実施し、その領域内のＰ−Ｖ（Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｖａｌｌｅｙ）値を段差とした。尚、ＡＦＭ装置による実施例１及び比較例１で得られたエピタキシャルウェーハの表面の観察図を図１０（ｂ）に示す。
【００５７】
比較例１で得られたエピタキシャルウェーハは、０．５ｎｍを超える段差が形成され、かつ、その大きさはθのオフ角に依存して大きくなる傾向が見られた。これに対し、実施例１のウェーハの表面の段差は０．５ｎｍ未満に抑制された。このことから、θを１０′未満とすることで、ウェーハの表面の段差を０．５ｎｍ未満に抑制できることが確認された。なお、０．５ｎｍという段差の値はこの測定装置で測定される段差の下限値にほぼ等しく、この値以下であれば段差は軽微と判断される。
【００５８】
なお、実施例１と比較例１では、何れもφを５′以下に固定し、θを変化させたが、結晶学的にθとφは等価な関係にあることから、φについても同様の角度依存性があることは明らかである。
また、比較例２では、比較例１と同様にθを変化させているが、この場合はθに関係なく０．５ｎｍ未満の段差に抑制された。これは、比較例２では、ドーパントの濃度が低く、θの角度が大きくても、段差が大きくならなかったものと思われる。
【００５９】
更に、エピタキシャル層のリン濃度を１×１０１９／ｃｍ３、３×１０１９／ｃｍ３、５×１０１９／ｃｍ３とした以外は、実施例１と同一条件で作製されたシリコンエピタキシャルウェーハの表面の段差の大きさを測定したところ、いずれの場合も０．５ｎｍ未満の段差に抑制された。このことから、本発明はエピタキシャル層のリン濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上となる場合に、有効といえる。
【００６０】
次に、上記実験で得られたエピタキシャルウェーハを使用して、貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した場合の効果について、以下の実施例と比較例を用いて説明する。
【００６１】
（実施例２）
実施例１で得られたエピタキシャルウェーハをボンドウェーハ（ＳＯＩ層を形成するウェーハ）として利用し、図８に示す貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法（イオン注入剥離法）により、以下の条件で貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。
（ボンドウェーハ）実施例１で作製したエピタキシャルウェーハ
（ベースウェーハ）シリコン単結晶基板、直径３００ｍｍ  、ｐ型（１００）、１０Ωｃｍ
（酸化膜形成）ボンドウェーハの表面に１５０ｎｍの熱酸化膜形成
（イオン注入）ボンドウェーハ表面の酸化膜を通して、水素イオン、５０ｋｅＶ、６×１０１６／ｃｍ２
（剥離熱処理）５００℃、３０分
【００６２】
剥離後のＳＯＩウェーハに対して酸化性雰囲気で結合熱処理を行い、表面酸化膜を除去した後、平坦加熱処理としてＡｒ雰囲気下、１２００℃、１時間の熱処理を行い、更に、最終ＳＯＩ層膜厚が１００ｎｍになるように犠牲酸化処理を行った。その後、ＳＯＩ表面を表面欠陥検査装置ＳＰ２（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて観察し、０．５μｍ以上のサイズの欠陥を貼り合わせ不良欠陥の個数としてカウントした。
【００６３】
（比較例３）
比較例１で得られた段差のあるエピタキシャルウェーハウェーハをボンドウェーハ（ＳＯＩ層を形成するウェーハ）として利用し、実施例２と同様の条件でイオン注入剥離法により貼り合わせＳＯＩウェーハを作製し、表面の欠陥を観察した。
【００６４】
実施例２および、比較例３で得られた、ＳＯＩウェーハ上の貼り合わせ不良欠陥の個数を比較するグラフを図１１に示す。比較例３のＳＯＩウェーハは、材料となるエピタキシャルウェーハの凹凸により、貼り合わせ不良に起因するＳＯＩ表面の欠陥が多発したのに対し、実施例２では欠陥の発生が抑制された。
【００６５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、本発明においては、シリコン単結晶基板の主表面として（１００）面、主表面からの傾斜方向として［０１１］又は［０−１−１］、［０１−１］又は［０−１１］と開示しているが、これらと等価な主表面及び傾斜方向であれば本発明と同様な作用効果を奏するものであり、本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６６】
１…シリコン単結晶基板、  １ａ…主表面  ２…シリコンエピタキシャル層、  ３…（１００）面、  ４…直方体、  ５，６…直方体の側面、  ７…ボンドウェーハ、  ８…ベースウェーハ、  ９…絶縁膜（埋め込み酸化膜）、  １０…イオン注入層、  １１…高濃度ＳＯＩ層、  １１’…ＳＯＩ層、  １２，１３，１４…貼り合わせＳＯＩウェーハ、  Ｗ…シリコンエピタキシャルウェーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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