(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有する直方体状のセラミック積層体本体と、前記セラミック積層体本体の内部において前記第１及び第２の主面と平行に設けられており、前記第１の端面並びに前記第１及び第２の側面に露出している第１の内部電極と、前記セラミック積層体本体の内部において前記第１の内部電極とセラミック層を介して厚み方向に対向するように設けられており、前記第２の端面並びに前記第１及び第２の側面に露出している第２の内部電極とを有するセラミック積層体を用意する用意工程を備え、
前記用意工程は、
前記第１または第２の内部電極を構成するための導電膜が表面の上に形成されたセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する工程と、
前記セラミックグリーンシート積層体を切断して前記第１及び第２の内部電極のうちのいずれか一方が露出した前記第１及び第２の端面を形成する第１の切断工程と、
前記セラミックグリーンシート積層体を切断して前記第１及び第２の内部電極の両方が露出した前記第１及び第２の側面を形成する第２の切断工程と、
を有し、
前記第２の切断工程において、長さ方向に沿ってカット刃を移動させることにより前記セラミックグリーンシート積層体を押切りする、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記セラミックグリーンシートの厚みが１．５μｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第１の切断工程において、前記セラミックグリーンシート積層体を短冊状に切断し、前記短冊体を基盤に粘着させた状態で前記第２の切断工程を行う、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の切断工程に先立って、前記セラミックグリーンシート積層体の外周部を切除し、前記導電膜を露出させる工程をさらに備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器の小型化が進むにつれて、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の小型化が急速に進んできている。
【０００３】
例えば特許文献１には、積層セラミックコンデンサの製造方法として、内部電極形成用の導電膜が内部に形成されたマザーセラミック積層体を、厚み方向に垂直な第１の方向に沿って配されたカット刃を厚み方向に移動させることにより押切りし、短冊状にしたのちに、さらに、厚み方向及び第１の方向に垂直な第２の方向に沿って配されたカット刃を厚み方向に移動させることにより押切りし、直方体状の電子部品本体を得る方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６１−２４８４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、積層セラミック電子部品の高性能化を図る観点から、第１の内部電極と第２の内部電極との間に位置するセラミック層の薄膜化が進められている。このセラミック層の薄い積層セラミック電子部品を特許文献１に記載の製造方法により製造しようとすると、第１の内部電極と第２の内部電極との短絡が生じやすいという問題がある。
【０００６】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、セラミック層の薄い積層セラミック電子部品であっても、第１及び第２の内部電極間の短絡が生じ難く、好適に製造し得る方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有する直方体状のセラミック積層体本体と、セラミック積層体本体の内部において第１及び第２の主面と平行に設けられており、第１の端面並びに第１及び第２の側面に露出している第１の内部電極と、セラミック積層体本体の内部において第１の内部電極とセラミック層を介して厚み方向に対向するように設けられており、第２の端面並びに第１及び第２の側面に露出している第２の内部電極とを有するセラミック積層体を用意する用意工程を行う。用意工程では、第１または第２の内部電極を構成するための導電膜が表面の上に形成されたセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する。セラミックグリーンシート積層体を切断して第１及び第２の内部電極のうちのいずれか一方が露出した第１及び第２の端面を形成する第１の切断工程を行う。セラミックグリーンシート積層体を切断して第１及び第２の内部電極の両方が露出した第１及び第２の側面を形成する第２の切断工程を行う。第２の切断工程において、長さ方向に沿ってカット刃を移動させることによりセラミックグリーンシート積層体を押切りする。
【０００８】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法のある特定の局面では、セラミックグリーンシートの厚みが１．５μｍ以下である。
【０００９】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の他の特定の局面では、第１の切断工程において、セラミックグリーンシート積層体を短冊状に切断し、短冊体を基盤に粘着させた状態で第２の切断工程を行う。
【００１０】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の別の特定の局面では、電子部品の製造方法は、第１及び第２の切断工程に先立って、セラミックグリーンシート積層体の外周部を切除し、導電膜を露出させる工程をさらに備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、セラミック層の薄い積層セラミック電子部品であっても、第１及び第２の内部電極間の短絡が生じ難く、好適に製造し得る方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態における積層セラミック電子部品の略図的斜視図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切り出した部分の略図的断面図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線で切り出した部分の略図的断面図である。
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ線で切り出した部分の略図的断面図である。
【図５】図３におけるＶ−Ｖ線で切り出した部分の略図的断面図である。
【図６】導電性ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートの模式的平面図である。
【図７】セラミックグリーンシート積層体の模式的分解側面図である。
【図８】第２の切断工程を説明するための模式的斜視図である。
【図９】第２の切断工程を説明するための模式的斜視図である。
【図１０】生のセラミック積層体の模式的斜視図である。
【図１１】生のセラミック積層体の略図的断面図である。
【図１２】生のセラミック積層体の略図的断面図である。
【図１３】生のセラミック素体の模式的斜視図である。
【図１４】第２の切断工程において、導電膜の積層方向に沿ってセラミックグリーンシート積層体を切断した場合を説明するための略図的断面図である。
【図１５】第２の実施形態におけるセラミックグリーンシートの模式的平面図である。
【図１６】第２の実施形態におけるセラミックグリーンシート積層体の模式的分解側面図である。
【図１７】第２の実施形態の第１の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。
【図１８】第２の実施形態の第２の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。
【図１９】第２の実施形態の第２の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的側面図である。
【図２０】第３の実施形態におけるセラミックグリーンシートの模式的平面図である。
【図２１】第３の実施形態におけるセラミックグリーンシートの積層工程を説明するための模式的平面図である。
【図２２】第３の実施形態の第１の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。
【図２３】第３の実施形態の第２の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１４】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１５】
（第１の実施形態）
（積層セラミック電子部品１の構成）
図１は、第１の実施形態における積層セラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切り出した部分の略図的断面図である。図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線で切り出した部分の略図的断面図である。図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ線で切り出した部分の略図的断面図である。図５は、図３におけるＶ−Ｖ線で切り出した部分の略図的断面図である。
【００１６】
まず、図１〜図５を参照しながら、本実施形態において製造する積層セラミック電子部品１の構成について説明する。
【００１７】
図１〜３に示すように、積層セラミック電子部品１は、直方体状のセラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂを有する。セラミック素体１０は、図１及び図３に示すように、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びる第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄを有する。また、図２に示すように、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆを有する。
【００１８】
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００１９】
セラミック素体１０の寸法は、特に限定されないが、例えば、セラミック素体１０の高さ寸法、長さ寸法及び幅寸法のそれぞれは、０．１ｍｍ〜１０ｍｍ程度とすることができる。
【００２０】
セラミック素体１０は、適宜のセラミックスからなる。セラミック素体１０を構成するセラミックスの種類は、所望する積層セラミック電子部品１の特性に応じて適宜選択することができる。
【００２１】
例えば、積層セラミック電子部品１が、コンデンサである場合は、セラミック素体１０を誘電体セラミックにより形成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などが挙げられる。
【００２２】
例えば、積層セラミック電子部品１が、圧電部品である場合は、セラミック素体１０を圧電セラミックにより形成することができる。圧電セラミックの具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックなどが挙げられる。
【００２３】
例えば、積層セラミック電子部品１が、サーミスタである場合は、セラミック素体１０を半導体セラミックにより形成することができる。半導体セラミックの具体例としては、例えば、スピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２４】
例えば、積層セラミック電子部品１が、インダクタである場合は、セラミック素体１０を磁性体セラミックにより形成することができる。磁性体セラミックの具体例としては、例えば、フェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２５】
図２及び図３に示すように、セラミック素体１０の内部には、略矩形状の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行である。第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいて、セラミック層１０ｇを介して、互いに対向している。
【００２６】
なお、セラミック層１０ｇの厚さは、１．５μｍ以下であることが好ましい。このように、セラミック層１０ｇを薄くすることにより、積層セラミック電子部品１の高性能化を図ることができる。
【００２７】
第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第２の端面１０ｆには露出していない。一方、第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１の端面１０ｅには露出していない。このため、第１の内部電極１１と、第２の内部電極１２とは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌにおける中央部であって、幅方向Ｗにおける中央部において厚み方向Ｔに対向している。この第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とが厚み方向Ｔに対向している部分が、積層セラミック電子部品１の機能を発現している有効部を構成している。
【００２８】
図３に示すように、セラミック素体１０の幅方向Ｗの両側部分には、第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられていない保護部１０ｈが設けられている。この保護部１０ｈは、積層セラミック電子部品１の機能発現に寄与しない。このため、積層セラミック電子部品１の高性能化を図る観点からは、保護部１０ｈは、薄いほど好ましい。例えば積層セラミック電子部品１がセラミックコンデンサである場合は、保護部１０ｈが薄いほど、静電容量を大きくできる。但し、保護部１０ｈが薄すぎたり保護部１０ｈを設けなかったりすると、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２との間に大気中から水分が侵入して耐湿性が低下するため、好ましくない。
【００２９】
保護部１０ｈの幅方向Ｗに沿った寸法は、例えば、０．０２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましい。
【００３０】
第１及び第２の内部電極１１，１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた金属またはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）により構成することができる。
【００３１】
図１及び図２に示すように、積層セラミック電子部品１は、第１及び第２の外部電極１３，１４を備えている。第１の外部電極１３は、図２及び図４に示すように、第１の内部電極１１に接続されている。一方、第２の外部電極１４は、図２及び図５に示すように、第２の内部電極１２に接続されている。
【００３２】
図１，図２，図４及び図５に示すように、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれは、両端面１０ｅ、１０ｆから、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。換言すれば、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれの一部は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置している。
【００３３】
詳細には、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅ上に形成されている第１の部分１３ａと、第１の主面１０ａ上に形成されている第２の部分１３ｂと、第２の主面１０ｂ上に形成されている第３の部分１３ｃと、第１の側面１０ｃ上に形成されている第４の部分１３ｄと、第２の側面１０ｄ上に形成されている第５の部分１３ｅとを有する。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆ上に形成されている第１の部分１４ａと、第１の主面１０ａ上に形成されている第２の部分１４ｂと、第２の主面１０ｂ上に形成されている第３の部分１４ｃと、第１の側面１０ｃ上に形成されている第４の部分１４ｄと、第２の側面１０ｄ上に形成されている第５の部分１４ｅとを有する。
【００３４】
第１の外部電極１３の第４の部分１３ｄ及び第５の部分１３ｅは、第２の内部電極１２と保護部１０ｈにより電気的に絶縁されている。第２の外部電極１４の第４の部分１４ｄ及び第５の部分１４ｅは、第１の内部電極１１と保護部１０ｈにより電気的に絶縁されている。
【００３５】
第１及び第２の外部電極１３，１４は、適宜の導電材料により構成することができる。また、第１及び第２の外部電極１３，１４は、複数層の導電膜で構成されていてもよい。
【００３６】
本実施形態では、具体的には、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれは、第１，第２の端面１０ｅ、１０ｆ上に形成されている１または複数の導電膜からなる下地層と、下地層の上に形成されている１または複数のめっき層とを有する。
【００３７】
下地層は、例えば、焼結金属層や、めっき層、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂に導電性フィラーを添加した導電性樹脂からなる導電性樹脂層により構成することができる。焼結金属層は、第１及び第２の内部電極１１，１２と同時焼成したコファイアによるものであってもよいし、導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものであってもよい。
【００３８】
下地層に含ませる導電材料は、特に限定されないが、下地層に含ませる導電材料の具体例としては、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属、Ａｇ−Ｐｄなどの上記金属の１種以上を含む合金などが挙げられる。
【００３９】
下地層の最大厚みは、例えば、２０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００４０】
めっき層は、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属、Ａｇ−Ｐｄなどの上記金属の１種以上を含む合金などにより形成することができる。
【００４１】
めっき層１層あたりの最大厚みは、例えば、１μｍ〜１０μｍとすることができる。
【００４２】
なお、下地層とめっき層との間に、応力緩和用の樹脂層を配置してもよい。
【００４３】
（積層セラミック電子部品１の製造方法）
図６は、導電性ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートの模式的平面図である。図７は、セラミックグリーンシート積層体の模式的分解側面図である。図８は、第２の切断工程を説明するための模式的斜視図である。図９は、第２の切断工程を説明するための模式的斜視図である。図１０は、生のセラミック積層体の模式的斜視図である。図１１は、生のセラミック積層体の略図的断面図である。図１２は、生のセラミック積層体の略図的断面図である。図１３は、生のセラミック素体の模式的斜視図である。図１４は、第２の切断工程において、導電膜の積層方向に沿ってセラミックグリーンシート積層体を切断した場合を説明するための略図的断面図である。
【００４４】
次に、主として図６〜図１４を参照しながら、本実施形態における積層セラミック電子部品１の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、セラミック素体１０を形成するためのセラミックグリーンシート２０（図６を参照）を複数作製する。セラミックグリーンシート２０は、例えば以下の要領で作製することができる。まず、セラミック粉末と、分散媒と、必要に応じてバインダー等を含むセラミックペーストを準備する。このセラミックペーストを樹脂フィルム等のフィルム状にシート状に印刷し、乾燥させることによりセラミックグリーンシート２０を作製することができる。なお、セラミックペーストの印刷は、例えばダイコーター法、グラビアコーター法、マイクログラビアコーター法等により行うことができる。
【００４６】
なお、本実施形態においては、セラミックグリーンシート２０の厚みは、１．５μｍ以下である。このようにすることにより、セラミック層１０ｇを薄くすることができる。従って、積層セラミックコンデンサを高容量化することができる。
【００４７】
次に、セラミックグリーンシート２０の上に、内部電極１１，１２を形成するための導電膜２１を形成する。具体的には、複数の導電膜２１をｘ方向に相互に間隔をおいてストライプ状に印刷する。導電膜２１の印刷は、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、グラビア印刷法等により行うことができる。導電膜２１の厚みは、例えば１．５μｍ以下とすることができる。
【００４８】
次に、図７に示すように、導電膜２１が印刷されていないセラミックグリーンシート２０を複数積層した後に、導電膜２１が印刷されたセラミックグリーンシート２０を、導電膜２１の延びる方向ｙと垂直な方向ｘに交互にずらして複数積層する。次に、さらにその上から、導電膜２１が印刷されていないセラミックグリーンシート２０を複数積層する。これにより、セラミックグリーンシート積層体２２を完成させる。必要に応じて、セラミックグリーンシート積層体２２を厚み方向ｚに静水圧プレスしてもよい。
【００４９】
このセラミックグリーンシート積層体２２を、複数に分断することにより、図１０〜図１２に示す生のセラミック積層体２３を作製する。以上の要領で、生のセラミック積層体２３を用意する用意工程を行う。
【００５０】
生のセラミック積層体２３は、直方体状のセラミック積層体本体２４を有する。セラミック積層体本体２４は、第１及び第２の主面２４ａ、２４ｂと、第１及び第２の側面２４ｃ、２４ｄと、第１及び第２の端面２４ｅ、２４ｆとを有する。第１及び第２の主面２４ａ、２４ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面２４ｃ、２４ｄは、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１及び第２の端面２４ｅ、２４ｆは、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。
【００５１】
セラミック積層体本体２４の内部には、導電膜２１から形成された第１及び第２の内部電極１１，１２が形成されている。第１の内部電極１１は、第１及び第２の主面２４ａ、２４ｂと平行である。第１の内部電極１１は、第１の端面２４ｅ並びに第１及び第２の側面２４ｃ、２４ｄに露出している。第１の内部電極１１は、第２の端面２４ｆには露出していない。
【００５２】
第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面２４ａ、２４ｂと平行である。第２の内部電極１２は、第２の端面２４ｆ並びに第１及び第２の側面２４ｃ、２４ｄに露出している。第２の内部電極１２は、第１の端面２４ｅには露出していない。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック層２４ｇを介して厚み方向Ｔに対向している。
【００５３】
次に、図１３に示すように、生のセラミック積層体２３に保護部２９ａ，２９ｂを設ける。具体的には、まず、セラミック粉末と、分散媒と、必要に応じてバインダー等とを含むセラミックペーストを準備する。このセラミックペーストは、セラミックグリーンシート２０の形成に用いたセラミックペーストと同種のものであってもよい。次に、セラミックペーストを、生のセラミック積層体２３の第１及び第２の側面２４ｃ、２４ｄのそれぞれの上に、第１及び第２の内部電極１１，１２を覆うように塗布し、乾燥させる。これにより、第１及び第２の保護部２９ａ、２９ｂを形成し、第１及び第２の保護部２９ａ、２９ｂと生のセラミック積層体２３とを有する生のセラミック素体３０を得る。また、セラミックグリーンシートに生のセラミック積層体２３を押し付けて、打ち抜くことによりセラミックグリーンシートを生のセラミック積層体２３に貼りつけることで保護部を形成してもよい。
【００５４】
以上の要領で作成した生のセラミック素体３０を焼成することにより、生のセラミック素体３０が焼成されてなるセラミック素体１０と、第１及び第２の内部電極１１，１２とを有する電子部品本体９を完成させることができる。なお、保護部１０ｈは、保護部２９ａ、２９ｂが焼成されてなるセラミック層により構成される。
【００５５】
最後に、第１及び第２の外部電極１３，１４を形成することにより、積層セラミック電子部品１を完成させることができる。第１及び第２の外部電極１３，１４の形成は、例えば導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成してもよいし、めっき法により形成してもよい。
【００５６】
次に、本実施形態におけるセラミックグリーンシート積層体２２を分断する工程について、図７〜図９を参照しながら詳細に説明する。
【００５７】
まず、セラミックグリーンシート積層体２２の外周部を切除することにより、セラミックグリーンシート積層体２２の４つの端面に導電膜２１もしくは切断用の位置マークを露出させる。外周部が切除されたセラミックグリーンシート積層体２２のｘ方向の両側の端面と、ｙ方向両側の端面とでは、露出した導電膜２１もしくは一マークの形状が異なる。このため、本実施形態のように、セラミックグリーンシート積層体２２の外周部を予め切除しておくことにより、セラミックグリーンシート積層体２２内に配置されている導電膜２１が延びる方向の識別が容易となる。
【００５８】
次に、第１の切断工程を行う。具体的には、ｙ方向に沿って延びる第１のカットラインＣＬ１に沿って配されたカット刃４１をｚ方向に沿って移動させることによりセラミックグリーンシート積層体２２を押切りする。これにより、図１０に示す第１及び第２の端面２４ｅ、２４ｆを形成する。すなわち、第１及び第２の端面２４ｅ、２４ｆとなる第１及び第２の側面３１ａ、３１ｂを有する短冊体３１を複数形成する。
【００５９】
次に、第２の切断工程を行う。具体的には、短冊体３１を図８に示すカットラインＣＬ２によりカットすることにより、第１及び第２の側面２４ｃ、２４ｄを形成し、図１０に示す生のセラミック積層体２３を完成させる。
【００６０】
この第２の切断工程においては、ｚ方向（積層方向）に沿って配されたカット刃４２をｚ方向（導電膜２１の積層方向）に対して垂直なｘ方向に沿って移動させることにより、短冊体３１をｚ方向及びｘ方向に沿って押切りする。
【００６１】
より具体的には、複数の短冊体３１を第１の側面３１ａが上を向くように相互に平行に弾性体からなる基盤４３上に保持させる。その状態で、ｚ方向及びｙ方向に沿って配されたカット刃４２（図９においては図示せず）をｘ方向に移動させることにより短冊体３１を押切りしていく。この押切り工程を繰り返し行うことにより、短冊体３１から複数の生のセラミック積層体２３を作製する。なお、複数の短冊体３１を同時に押切りしてもよい。この場合、切断効率が一層高められる。本実施形態のように、弾性体からなる基盤４３に短冊体３１を保持させることにより、例えば短冊体３１の上面に導電膜２１に起因する凸部が形成されていた場合であっても好適に固定することができる。よって、第２の切断工程を好適に行うことができる。
【００６２】
ところで、製造容易性の観点からは、セラミックグリーンシート積層体２２の分断は、第２の切断工程においても、図１４に示すように、カット刃４２をｚ方向に沿って移動させて押切りを行うことが好ましい。この場合、第１の切断工程と第２の切断工程との間に、短冊体３１を回転させて固定する工程を行う必要がなく、製造工程を簡略化することができるためである。
【００６３】
しかしながら、本実施形態のようにセラミック層１０ｇの厚みが１．５μｍと薄いような場合には、カット刃４２のｚ方向に沿った移動と共にセラミックグリーンシート２０及び導電膜２１の切断部付近がｚ方向に変位する。これにより、形成される第１及び第２の内部電極が短絡してしまう場合がある。
【００６４】
それに対して本実施形態では、図８に示すように、第２の切断工程において、ｚ方向に沿って配されたカット刃４２を、積層方向であるｚ方向に対して垂直なｘ方向に移動させることにより短冊体３１のカットを行う。よって、押切りと共に導電膜２１が変形しにくく、第１及び第２の内部電極１１，１２間の短絡が生じ難い。従って、セラミック層１０ｇが薄い積層セラミック電子部品１であっても、好適に、高い良品率で製造することができる。特に積層セラミック電子部品１が、コンデンサである場合、セラミック層１０ｇを薄くすることで高い容量を得るとともに、高い良品率で製造することができる。
【００６５】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００６６】
（第２及び第３の実施形態）
図１５は、第２の実施形態におけるセラミックグリーンシートの模式的平面図である。図１６は、第２の実施形態におけるセラミックグリーンシート積層体の模式的分解側面図である。図１７は、第２の実施形態の第１の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。図１８は、第２の実施形態の第２の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。図１９は、第２の実施形態の第２の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的側面図である。図２０は、第３の実施形態におけるセラミックグリーンシートの模式的平面図である。図２１は、第３の実施形態におけるセラミックグリーンシートの積層工程を説明するための模式的平面図である。図２２は、第３の実施形態の第１の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。図２３は、第３の実施形態の第２の切断工程におけるカットラインを説明するための模式的平面図である。
【００６７】
上記第１の実施形態では、複数の導電膜２１がストライプ状に形成されたセラミックグリーンシート２０を用いてセラミックグリーンシート積層体２２を形成する例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。例えば、以下のようにしてセラミックグリーンシート積層体２２を形成してもよい。
【００６８】
第２の実施形態では、図６に示すセラミック部のみからなるセラミックグリーンシート２０と共に、図１５に示すように、導電部５０ａと、導電部５０ａに設けられた複数の貫通孔を通して、表面に露出している複数の線状セラミック部５０ｂとを有するセラミックグリーンシート５０とを用意する。次に、セラミックグリーンシート２０を複数枚積層した上に、図１６に示すように、複数のセラミックグリーンシート５０を線状セラミック部５０ｂの位置がｙ方向に沿って交互にずれるように積層し、さらにその上に複数枚のセラミックグリーンシート２０を積層することにより、セラミックグリーンシート積層体２２を形成する。この場合は、第１の切断工程において、図１７に示すように、線状セラミック部５０ｂの延びる方向と平行なｘ方向に延びるカットラインＣＬ１１に沿って配されたカット刃をｚ方向に移動させることによりセラミックグリーンシート積層体２２を押切りして短冊体３１を形成し、第２の切断工程において、図１８及び図１９に示すように、ｚ方向に延びるカットラインＣＬ１２に沿ったカット刃４２を積層方向であるｚ方向に対して垂直なｙ方向に移動させることにより、短冊体３１を押切りする。このようにした場合であっても、第１の実施形態と同様に、セラミック層１０ｇが薄い高性能な積層セラミック電子部品１であっても、好適に、高い良品率で製造することができる。
【００６９】
第３の実施形態では、図６に示すセラミック部のみからなるセラミックグリーンシート２０と共に、図２０に示すように、導電部６０ａと、導電部６０ａに設けられた複数の貫通孔を通して、表面に露出している複数の線状セラミック部６０ｂと、複数のドット状セラミック部６０ｃとを有するセラミックグリーンシート６０とを用意する。複数の線状セラミック部６０ｂは、ｙ方向に相互に間隔をおいて配列されている。複数のドット状セラミック部６０ｃは、ｙ方向に隣り合う線状セラミック部６０ｂの間において、ｘ方向に沿って相互に間隔をおいて配列されている。次に、セラミックグリーンシート２０を複数枚積層した上に、図２１に示すように、複数のセラミックグリーンシート６０を線状セラミック部６０ｂとドット状セラミック部６０ｃとがｚ方向に重なるように積層し、さらにその上に複数枚のセラミックグリーンシート２０を積層することにより、セラミックグリーンシート積層体２２を形成する。この場合は、第１の切断工程において、図２２に示すように、線状セラミック部６０ｂの延びる方向と平行なｘ方向に延びるカットラインＣＬ２１に沿って配されたカット刃をｚ方向に移動させることによりセラミックグリーンシート積層体２２を押切りして短冊体３１を形成し、第２の切断工程において、図２３に示すように、ｚ方向に延びるカットラインＣＬ２２に沿ったカット刃４２を積層方向であるｚ方向に対して垂直なｙ方向に移動させることにより、短冊体３１を押切りする。このようにした場合であっても、第１の実施形態と同様に、セラミック層１０ｇが薄い高性能な積層セラミック電子部品１であっても、好適に、高い良品率で製造することができる。
【００７０】
（実施例）
第１の実施形態に係る製造方法で、第１の実施形態に係る積層セラミック電子部品１と同様の積層セラミック電子部品を、下記の条件で約３０００個作製した。次に約３０００個のサンプルから２００個のサンプルを抜き出し、第１及び第２の内部電極１１，１２間の短絡の有無を測定し、短絡不良が発生した不良率を算出した。結果を表１に示す。
【００７１】
セラミック素体１０の長さ：１．２ｍｍ
セラミック素体１０の幅：０．６ｍｍ
セラミック素体１０の厚み：０．６ｍｍ
内部電極の厚み：０．４μｍ
セラミックグリーンシートの積層数：５００枚
セラミックグリーンシートの厚み：１．５μｍ、１．２μｍ、１．０μｍまたは０．７μｍ
【００７２】
（比較例）
第２の切断工程において積層方向であるｚ方向にカット刃を移動させることにより押切りした以外は、実施例と同様にして積層セラミックコンデンサを約３０００個作製した。次に約３０００個のサンプルから２００個のサンプルを抜き出し、第１及び第２の内部電極１１，１２間の短絡の有無を測定し、短絡不良が発生した不良率を算出した。結果を表１に示す。
【００７３】
【表１】
0005590054.tif 000002
【００７４】
表１に示す結果から、第２の切断工程において積層方向と垂直な方向にカット刃を移動させて押切りを行うことにより、内部電極の短絡を効果的に抑制できることが分かる。
【００７５】
また、セラミックグリーンシートの厚みが１．５μｍ以上の場合に内部電極間の短絡が生じやすいことが分かる。
【符号の説明】
【００７６】
１…積層セラミック電子部品
９…電子部品本体
１０…セラミック素体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１０ｇ…セラミック層
１０ｈ…保護部
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１４…第２の外部電極
２０…セラミックグリーンシート
２１…導電膜
２２…セラミックグリーンシート積層体
２３…セラミック積層体
２４…セラミック積層体本体
２４ａ…第１の主面
２４ｂ…第２の主面
２４ｃ…第１の側面
２４ｄ…第２の側面
２４ｅ…第１の端面
２４ｆ…第２の端面
２４ｇ…セラミック層
２９ａ、２９ｂ…保護部
３０…セラミック素体
３１…短冊体
３１ａ…第１の側面
３１ｂ…第２の側面
４１，４２…カット刃
４３…基盤
５０…セラミックグリーンシート
５０ａ…導電部
５０ｂ…線状セラミック部
６０…セラミックグリーンシート
６０ａ…導電部
６０ｂ…線状セラミック部
６０ｃ…ドット状セラミック部
【図１】
0005590054.tif 000003
【図２】
0005590054.tif 000004
【図３】
0005590054.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005590054.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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