(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品が実装された基板と、
空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、
前記第１樹脂を覆い、かつ前記第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、
少なくとも前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、
前記金属層に設けられ、かつ少なくとも前記第１樹脂の一部を前記金属層の外部に露出させる開口部と、
前記電子部品の側面と接する前記第１樹脂と、前記電子部品の側面と対向する位置に設けられる金属層との間に、前記第２樹脂を介在させた封止部と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品。
【請求項２】
前記封止部の前記第２樹脂は、前記基板と接する請求項１に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項３】
前記封止部は、前記金属層と前記第１樹脂との距離が、０．０１ｍｍ以上である請求項１又は２に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項４】
前記封止部は、前記金属層と前記第１樹脂との距離が、前記電子部品の側面と対向する金属層から前記側面へ向かう方向と平行な方向における前記電子回路モジュール部品の寸法の０．５％以上である請求項１又は２に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項５】
前記第１樹脂の空隙率は、１体積％以上５０体積％以下である請求項１から４のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項６】
基板上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように、空隙を有する第１樹脂を設ける工程と、
一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りに存在する前記第１樹脂の一部を、前記基板が露出するまで取り除く工程と、
前記第１樹脂及び露出した前記基板を、前記第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂で覆う工程と、
前記第１樹脂が取り除かれた部分を覆う前記第２樹脂から前記基板のグランドまで切断する工程と、
少なくとも前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、
前記一つの電子回路モジュール部品の周りをすべて前記基板まで切断する工程と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１樹脂及び露出した前記基板を第２樹脂で覆う工程の後、前記金属層が形成される前に、
一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りにおいて、前記第１樹脂の一部を取り除いた部分以外の部分の少なくとも一部を、前記第２樹脂の途中まで切断する工程を有する請求項６に記載の電子回路モジュール部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１樹脂の一部を取り除く工程においては、
一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部を、前記基板の途中まで切断する請求項６又は７に記載の電子回路モジュール部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を覆った絶縁樹脂の表面に金属層が形成された電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路モジュール部品は、複数の電子部品、例えば、受動素子や能動素子、あるいはＩＣ（Integrated  Circuit）等を基板に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの電子部品としたものである。例えば、特許文献１には、絶縁材からなる封止樹脂部で電子部品の全体を覆い、この電子部品を埋設した状態で、多層基板の上面全体に設けられるとともに、メッキ等によって形成された金属膜が、封止樹脂部の上面部の全面と、封止樹脂部の互いに対向する１対の側面部の全面と、多層基板の上面から積層間の接地用パターンまでの間に位置する多層基板の互いに対向する１対の側面の全面に設けられている電子回路ユニットが記載されている。また、特許文献２には、電子部品を配線基板の電極とはんだで接続しこれらを絶縁樹脂で覆い、絶縁樹脂の表面に金属めっき膜による電磁界シールド層を形成した電子部品内蔵モジュールが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３２２５５号公報
【特許文献２】特開２００５−３９００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子回路モジュール部品は、絶縁樹脂で基板に実装された電子部品を覆うが、電子回路モジュール部品の製造工程や保管環境によっては、絶縁樹脂あるいは実装された基板及び電子モジュールの内部に水分等の液体が浸入することがある。この液体は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程で加熱されることによって蒸発し、膨張する。特許文献１に記載された技術は、絶縁樹脂の全面にシールド層として金属層が形成されているので、リフロー時の加熱によって発生する水蒸気等の気体が絶縁樹脂から抜けにくい。その結果、特許文献１に記載された技術は、絶縁樹脂あるいは実装された基板に割れが発生したり、電子回路モジュール部品の変形等が発生したり、はんだの短絡が発生したりするおそれがある。
【０００５】
特許文献２に記載された技術は、はんだが再溶融した際に、溶融による体積膨張で発生した応力が、電子部品と配線基板間に存在する絶縁樹脂を電子部品側に押しつけるように作用することにより、電子部品と配線基板との間へのはんだの流出を防止している。しかし、リフロー時に電子回路モジュール部品内に発生する応力は、電子回路モジュール部品の形状によって異なる他、電子回路モジュール部品内の液体が蒸発することによる内圧の上昇等にも影響を受ける。このように、電子回路モジュール部品をリフローする際に発生する不具合は、改善の余地がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、電子部品と、前記電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、前記第１樹脂を覆い、かつ前記第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、少なくとも前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、前記金属層に設けられ、かつ少なくとも前記第１樹脂の一部を前記金属層の外部に露出させる開口部と、前記電子部品の側面と接する前記第１樹脂と、前記電子部品の側面と対向する位置に設けられる金属層との間に、前記第２樹脂を介在させた封止部と、を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品である。
【０００８】
この電子回路モジュール部品は、空隙を有する第１樹脂が電子部品の少なくとも一部に接するとともに、第１樹脂の一部を金属層の外部に対して露出させる開口部を有する。このような構造により、電子部品の少なくとも一部は、第１樹脂を介して開口部とつながるため、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は、第１樹脂の空隙を通って開口部から電子回路モジュール部品の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品は、絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は外部へ抜けやすくなる。また、第２樹脂の表面を金属層で被覆する際には、例えば、電解めっき等を用いる。この場合、第１樹脂及び第２樹脂で基板及び基板に実装された電子部品を覆ったモジュール素体をめっき液に浸漬する。この電子回路モジュール部品は、第１樹脂を第２樹脂で覆うとともに、第１樹脂の周囲に第２樹脂の封止部を設けるので、前記モジュール素体をめっき液に浸漬させても、第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂の封止部が第１樹脂へのめっき液等の浸入を抑制する。このため、第１樹脂に含まれる揮発成分の量を抑制することができるので、実装時の加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生する気体の量を低減できる。これらの作用により、この電子回路モジュール部品は、表面に金属層を有している場合でも、実装時の加熱による電子回路モジュール部品内部の圧力の上昇が抑制されるので、第１樹脂又は第２樹脂の割れ及び自身が変形するおそれ及びはんだショートを低減できる。その結果、この電子回路モジュール部品は、リフロー工程において発生する不具合が低減される。
【０００９】
本発明において、前記封止部の前記第２樹脂は、前記基板と接することが好ましい。このように、第２樹脂と基板とを接触させることにより、第１樹脂を第２樹脂と基板とで封止できるので、第１樹脂への液体の浸入をより確実に抑制できる。また、第２樹脂と基板とが接触することにより、電子回路モジュール部品全体の強度も向上する。
【００１０】
本発明において、前記封止部は、前記金属層と前記第１樹脂との距離が、０．０１ｍｍ以上であることが好ましい。封止部の寸法がこの範囲であれば、第２樹脂と基板との密着強度を確保できるので、第２樹脂と基板との間を通過してめっき液等の液体が第１樹脂の内部へ浸入するおそれを確実に低減できる。また、封止部の寸法がこの範囲であれば、電子回路モジュール部品の製造誤差があったとしても、確実に封止部を設けることができる。このため、封止部の寸法がこの範囲であれば、第１樹脂への液体の浸入をより確実に抑制できる。
【００１１】
本発明において、前記封止部は、前記金属層と前記第１樹脂との距離が、前記電子部品の側面と対向する金属層から前記側面へ向かう方向と平行な方向における前記電子回路モジュール部品の寸法の０．５％以上であることが好ましい。封止部は、上述したように、金属層と第１樹脂との距離が０．０１ｍｍ以上であればよい。しかし、電子回路モジュール部品の寸法が大きくなった場合には、封止部の寸法をより大きくすることが好ましい。この場合、金属層と第１樹脂との距離で規定される封止部の寸法を、電子回路モジュール部品の寸法の０．５％以上とすることにより、第２樹脂と基板との密着強度を十分に確保することができる。その結果、第１樹脂への液体の浸入をより確実に抑制できる。
【００１２】
本発明において、前記第１樹脂の空隙率は、１体積％以上５０体積％以下であることが好ましい。このようにすることで、絶縁樹脂の内部で発生する気体をより抜けやすくすることができるとともに、第１樹脂の強度も確保できる。
【００１３】
本発明は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように、空隙を有する第１樹脂を設ける工程と、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りに存在する前記第１樹脂の一部を、前記基板が露出するまで取り除く工程と、前記第１樹脂及び露出した前記基板を、前記第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂で覆う工程と、前記第１樹脂が取り除かれた部分を覆う前記第２樹脂から前記基板のグランドまで切断する工程と、少なくとも前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、前記一つの電子回路モジュール部品の周りをすべて前記基板まで切断する工程と、を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法である。
【００１４】
この電子回路モジュール部品の製造方法は、第１樹脂を基板の表面に設けた後、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りに存在する第１樹脂の一部を、基板が露出するまで取り除く。この後に、第２樹脂で第１樹脂及び第１樹脂から露出した基板を覆うことにより、電子回路モジュール部品の側部を覆う金属層と第１樹脂との間に、第２樹脂の封止部を設けることができる。この封止部により、例えば、電解めっきにより金属層を形成する場合には、めっき液の第１樹脂への浸入を抑制できる。その結果、この電子回路モジュール部品の製造方法によって製造された電子回路モジュール部品は、表面に金属層を有している場合でも、実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇が抑制されるので、第１樹脂又は第２樹脂の割れや自身が変形するおそれを低減できる。このように、この電子回路モジュール部品の製造方法によって製造された電子回路モジュール部品は、リフロー工程において発生する不具合が低減される。
【００１５】
本発明において、前記第１樹脂及び露出した前記基板を第２樹脂で覆う工程の後、前記金属層が形成される前に、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りにおいて、前記第１樹脂の一部を取り除いた部分以外の部分の少なくとも一部を、前記第２樹脂の途中まで切断する工程を有することが好ましい。このようにすることで、金属層が形成される前においては、第１樹脂を第２樹脂で覆うことができるので、第１樹脂への液体の浸入を確実に抑制できる。また、電子回路モジュール部品の開口部の面積をより小さくして、金属層で第２樹脂の表面をより多く被覆することができるので、金属層による電磁のシールド性能を向上させることができる。
【００１６】
本発明において、前記第１の樹脂の一部を取り除く工程においては、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部を、前記基板の途中まで切断することが好ましい。このようにすることで、簡単かつ確実に第１樹脂を取り除くことができる。なお、第１の樹脂の一部を取り除く工程においては、基板の途中まで切断することがより好ましい。このようにすれば、より確実に第１樹脂を取り除くことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。
【図２】図２は、図１の矢印Ａ方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第１樹脂の概念図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。
【図７】図７は、第１樹脂と電子部品との関係を示す図である。
【図８】図８は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。
【図９】図９は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１−１】図１１−１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−２】図１１−２は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−３】図１１−３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−４】図１１−４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−５】図１１−５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−６】図１１−６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−７】図１１−７は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−８】図１１−８は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１１−９】図１１−９は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１２−１】図１２−１は、２つの側面にそれぞれ開口部を有する電子回路モジュール部品を製造する際の工程を説明するための図である。
【図１２−２】図１２−２は、２つの側面にそれぞれ開口部を有する電子回路モジュール部品を製造する際の工程を説明するための図である。
【図１３−１】図１３−１は、３つの側面にそれぞれ開口部を有する電子回路モジュール部品を製造する際の工程を説明するための図である。
【図１３−２】図１３−２は、３つの側面にそれぞれ開口部を有する電子回路モジュール部品を製造する際の工程を説明するための図である。
【図１４】図１４は、電子回路モジュール部品の１つの側面全面が開口する開口部を示す正面図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例によって製造された電子回路モジュール部品の開口部に導電層を設けた例を示す一部断面図である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例によって製造された電子回路モジュール部品の開口部に導電層を設けた例を示す一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で記載された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２０】
電子回路モジュール部品に発生するクラック又ははんだの短絡は、はんだ溶融時のはんだ及び樹脂の体積膨張に起因する応力と、急速に発生する揮発成分に起因する応力とが、電子回路モジュール部品の密着力又は強度の閾値を超えることが原因であると考えられる。揮発成分とは、例えば、水分、はんだに含まれるフラックス、溶剤等といった、リフロー時の温度で揮発する液体及び固体成分であり、電子回路モジュール部品の基板、樹脂、空間又はそれらの界面等に存在すると考えられている。このため、例えば、比較的大型の電子部品（例えば、１６０８、すなわち、寸法が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ以上）を基板に実装した場合又は小型の電子部品（例えば、０６０３、すなわち、寸法が０．６ｍｍ×０．３ｍｍ以下）であっても複数の電子部品を基板に実装した場合は、はんだの量が多くなる。その結果、はんだが溶融したときの体積膨張を十分に緩和できないおそれがある。
【００２１】
電子回路モジュール部品の基板に実装される電子部品の数が増加すると、電子部品と樹脂との界面も増加するため、揮発成分が蓄積されやすい。電子回路モジュール部品の基板に実装される電子部品の種類にもよるが、例えば、電子回路モジュール部品の基板に電子部品が実装される領域が５０％を超える場合、電子部品と基板とを接続するために必要なはんだの体積及び飽和吸水率は増加する。例えば、外形が７ｍｍ×７ｍｍ×１．０ｍｍの電子回路モジュール部品は、電子部品と基板とを接続するために必要なはんだの体積は０．４ｍｍ３を超え、飽和吸水率は、０．２質量％以上となる。このような場合、リフロー時において電子回路モジュール部品が加熱されることにより、電子回路モジュール部品の内部に急速に発生する揮発成分を、電子回路モジュール部品の外へ十分に逃がすことができないことがある。その結果、はんだ溶融時のはんだ膨張に起因する応力及び揮発成分が急速に蒸発することによって発生する気体に起因する応力を十分に緩和することができず、クラックやはんだショートを発生するおそれがある。本実施形態に係る電子回路モジュール部品は、これらの点を考慮して、電子回路モジュール部品の内部に発生した揮発成分を電子回路モジュール部品の外部に逃がすことができるとともに、電子回路モジュール部品の内部へ揮発成分が浸入することを低減できる構造を有するものである。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図２は、図１の矢印Ａ方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。図３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第１樹脂の概念図である。図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、複数の電子部品２を基板３に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの機能を持つ電子部品としたものである。電子部品２は、基板３の表面に実装されたり、基板３の内部に実装されたりする。本実施形態において、電子回路モジュール部品１を構成する電子部品２としては、例えば、コイル又はコンデンサ又は抵抗等の受動素子及びダイオード又はトランジスタ等の能動素子がある。電子部品２は、これらに限定されるものではない。
【００２３】
図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９と、金属層５と、開口部５Ｈと、封止部１０とを含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。電子部品２は、はんだによって基板３の実装面（電子部品２が実装される面）３ＰＩに設けられた端子電極６に接合されて、基板３に実装される。隣接する端子電極６の間には、ソルダーレジスト１１が設けられる。ソルダーレジスト１１により、電子部品２を基板３へ実装する際におけるはんだの飛散を抑制することができる。ソルダーレジスト１１は、必ずしも設ける必要はない。
【００２４】
基板３は、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間にグランド８を有している。グランド８は、例えば、Ｃｕ等の電気の良導体である。グランド８は、基板３の実装面３ＰＩに設けられた、電子部品２のグランド端子と接続される端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。また、基板３が実装面３ＰＩにグランド端子を有する場合、グランド８は、前記グランド端子とビアホール等によって電気的に接続される。基板３は、実装面３ＰＩの反対側の面（反実装面）３ＰＲに、端子電極（モジュール端子電極）７を有する。モジュール端子電極７は、電子回路モジュール部品１が備える電子部品２と電気的に接続される。また、反実装面３ＰＲにグランド端子を有する場合、そのグランド端子とグランド８とは電気的に接続される。また、基板３は、少なくとも表面に回路パターンを有しており、必要に応じて基板３の内部（例えば、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間）にも回路パターンを有している。
【００２５】
第１樹脂４は、電子部品２の少なくとも一部と接する。第１樹脂４は、電子部品２と基板３の実装面３ＰＩとの間にも設けられていてもよい。このようにすることで、電子部品２と基板３との密着強度が向上するので、電子回路モジュール部品１の強度が向上する。図３に示すように、第１樹脂４は、樹脂４Ｍに空隙４Ｈを有する。第２樹脂９は、第１樹脂４の表面を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率が低い。前記空隙率は、単位体積あたりに存在する空隙の体積の割合（体積％）である。第２樹脂９の空隙率を第１樹脂４よりも低くすることにより、第２樹脂９は第１樹脂４よりも強固になる。このような第２樹脂９によって、電子部品２を第１樹脂４とともに基板３へ封止して、電子回路モジュール部品１の十分な強度を確保する。第２樹脂９の空隙率は０体積％であってもよい。
【００２６】
第１樹脂４及び第２樹脂９は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂であり、電子部品２を基板３上に封止する機能を有する。第１樹脂４及び第２樹脂９は、例えば、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間の一部に前記熱硬化性樹脂が配合されて空隙が形成される。
【００２７】
金属層５は、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続される。グランド８は、基板３の側面（実装面３ＰＩ及び反実装面３ＰＲと交差（直交）する面）の表面に現れる。金属層５は、基板３の側面を被覆することにより、グランド８と電気的に接続される。このように、本実施形態において、金属層５は、少なくとも第２樹脂９を被覆し、さらに、基板３の側面も被覆する。
【００２８】
本実施形態において、金属層５は導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）の薄膜である。本実施形態では、金属層５は単数の導電材料で構成されてもよいし、複数の導電材料の層で構成されてもよい。金属層５は、例えば、めっき（電解めっき）、導電性ペーストの塗布又はスパッタリング等によって形成される。金属層５は、第１樹脂４及び第２樹脂９の表面を被覆することにより、第１樹脂４及び第２樹脂９に封入された電子部品２を、電子回路モジュール部品１の外部からの高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したり、電子部品２から放射される高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、金属層５は、電磁気シールドとして機能する。金属層５を電磁気シールドとして用いることにより、板金部材を電磁気シールドとした場合と比較して、電子回路モジュール部品１の外形をより小さくできる。
【００２９】
開口部５Ｈは、金属層５に設けられ、かつ第１樹脂４の一部を少なくとも金属層５の外部、すなわち、電子回路モジュール部品１の外部に対して露出させる。図１、図２に示すように、本実施形態において、開口部５Ｈは、第１樹脂４の一部及び第２樹脂９の一部を金属層５の外部に対して露出させる。開口部５Ｈは、平面視が矩形の形状である。本実施形態において、開口部５Ｈは、平面視が長方形又は正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１の一辺の全体にわたって開口している。電子回路モジュール部品１の平面視とは、電子回路モジュール部品１の基板３の板面と直交する方向から電子回路モジュール部品１を見た場合をいう。
【００３０】
電子回路モジュール部品１の平面視の形状は四角形であればよく、長方形あるいは正方形に限定されるものではない。例えば、台形や菱形等であってもよい（以下同様）。また、開口部５Ｈの形状は矩形に限定されるものではない。金属層５の厚さをｔとし、開口部５Ｈが設けられる電子回路モジュール部品１の一辺の長さをＬ１とし、開口部５Ｈの長辺側の長さをＬ２とすると、Ｌ１＝Ｌ２＋２×ｔとなる。開口部５Ｈの高さ（基板３と直交する方向における開口部５Ｈの寸法）はｈであり、金属層５が電磁波を遮蔽する能力に応じて設定される。なお、開口部５Ｈの高さｈは、第１樹脂４の厚みよりも大きく、第１樹脂４の厚みの１倍以上５倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部５Ｈの高さｈは、第１樹脂４の厚みの２倍以上３倍以下である。開口部５Ｈの高さｈがこの範囲であれば、開口部５Ｈに第１樹脂４を確実に露出させることができるので、二次実装におけるリフロー時には電子回路モジュール部品１の内圧を確実に低下させることができる。また、開口部５Ｈの高さｈが前記範囲であれば、金属層５は、電磁波の遮蔽機能を十分に発揮できる。
【００３１】
封止部１０は、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた部分である。すなわち、封止部１０は、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子回路モジュール部品１の側面１Ｓの金属層５との間に介在する第２樹脂９である。上述したように、金属層５を電解めっきで形成する場合には、第１樹脂４及び第２樹脂９で基板３及び基板３に実装された電子部品２を覆ったモジュール素体をめっき液に浸漬させる。電子回路モジュール部品１は、封止部１０を有するので、前記モジュール素体をめっき液に浸漬させても、第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９の封止部１０が、第１樹脂４へのめっき液等の浸入を抑制する。このため、電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４に含まれる液体の量が抑制されるので、実装時の加熱により電子回路モジュール部品１の内部で発生する気体の量を低減できる。その結果、電子回路モジュール部品１は、表面に金属層５を有していても、実装時の加熱による電子回路モジュール部品１内部の圧力の上昇が抑制されるので、第１樹脂４又は第２樹脂９の割れ及び電子回路モジュール部品１自身が変形するおそれを低減できる。
【００３２】
封止部１０は、金属層５と第１樹脂４との距離Ｂ（図１参照）が、０．０１ｍｍ以上であることが好ましい。封止部１０の寸法が０．０１ｍｍ以上あれば、第２樹脂９と基板３との密着強度を確保できるので、第２樹脂９と基板３との間を通過してめっき液等の液体が第１樹脂４の内部へ浸入するおそれを確実に低減できる。また、封止部１０の距離Ｂが０．０５ｍｍ以上あれば、電子回路モジュール部品１の製造誤差があったとしても、確実に封止部１０を設けることができる。このため、封止部１０の距離Ｂが０．０５ｍｍ以上あれば、第１樹脂４への液体の浸入をより確実に抑制できる。
【００３３】
また、封止部１０は、金属層５と第１樹脂４との距離Ｂが、電子部品２の側面２Ｓと対向する金属層５から側面２Ｓへ向かう方向と平行な方向における電子回路モジュール部品１の寸法Ｌ１の０．５％以上であることが好ましい。寸法Ｌ１は、電子回路モジュール部品１の上面１Ｔにおける外形で規定する。上述したように、封止部１０は、距離Ｂが少なくとも０．０１ｍｍ以上であればよい。しかし、電子回路モジュール部品１の寸法が大きくなった場合には、封止部１０の寸法をより大きくすることが好ましい。この場合、距離Ｂで規定される封止部１０の寸法を、電子回路モジュール部品１の寸法Ｌ１の０．５％以上とすることにより、第２樹脂９と基板３との密着強度を十分に確保することができる。その結果、第１樹脂４への液体の浸入をより確実に抑制できる。
【００３４】
距離Ｂは、大きい程液体の浸入を抑制できるので好ましい。しかし、距離Ｂを大きくすると、電子回路モジュール部品１の平面視における寸法が大きくなる結果、電子回路モジュール部品１が取り付けられる基板の占有面積が増加する。このため、距離Ｂは、液体の浸入の抑制に効果がある範囲で適宜設定される。
【００３５】
図４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。電子回路モジュール部品１は、電子回路モジュール部品１が取り付けられる基板（電子機器が備える基板であり、以下、機器基板という）１３の端子電極（機器基板端子電極）１４とはんだ１２によって接合される。なお、電子回路モジュール部品１と機器基板端子電極１４とを接合する材料ははんだ１２に限定されるものではない。例えば、導電性ペーストや導電性接着剤等を用いて電子回路モジュール部品１と機器基板端子電極１４とを接合してもよい。このような構造で、電子回路モジュール部品１は、機器基板１３に取り付けられる。そして、電子部品２と機器基板１３との間で電気信号や電力をやり取りする。
【００３６】
図４に示す機器基板１３は、電子回路モジュール部品１が実装される基板であり、例えば、電子機器（車載電子機器、携帯電子機器等）に搭載される。電子回路モジュール部品１は、電子機器の機器基板に実装されて（二次実装）、電子機器の機能を発揮させる部品の一つとなる。機器基板１３に電子回路モジュール部品１を実装する場合、例えば、機器基板端子電極１４にはんだ１２を含むはんだペーストを印刷等により塗布し、実装装置を用いて電子回路モジュール部品１を機器基板１３に搭載する。そして、電子回路モジュール部品１が搭載された機器基板１３をリフロー炉に通炉して、モジュール端子電極７と機器基板端子電極１４とが接合される。これによって、電子回路モジュール部品１が機器基板１３に実装される。
【００３７】
電子回路モジュール部品１は、電子部品２を基板３に実装するときや電子回路モジュール部品１が保管されている期間や環境によって、第１樹脂４及び第２樹脂９（以下、必要に応じて絶縁樹脂という）の内部に液体が浸入することがある。例えば、基板３が樹脂基板の場合は、絶縁樹脂及び基板３の表面、及び絶縁樹脂と基板３との接触界面から液体が浸入するが、セラミックス等の無機材料を基板３に用いた場合は、主に絶縁樹脂、及び絶縁樹脂と基板３との接触界面から液体が浸入する。このため、電子回路モジュール部品１を機器基板１３に実装する際のリフローにより、電子回路モジュール部品１内部に浸入した液体が蒸発して水蒸気（気体）が発生することがある。
【００３８】
電子回路モジュール部品１は、金属層５が絶縁樹脂の表面を被覆しているために、蒸発した液体が絶縁樹脂から抜けにくくなる。このため、電子回路モジュール部品１は、電子回路モジュール部品１の内部の圧力（以下、部品内圧という）が上昇する。その結果、絶縁樹脂に割れ等が発生したり、電子回路モジュール部品１に変形が生じたりするおそれがある。絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１が変形するおそれを抑制するために、本実施形態及びその変形例では、金属層５に開口部５Ｈを設けて、リフロー時の加熱によって蒸発し、膨張した気体を、電子回路モジュール部品１から抜けやすくして、電子回路モジュール部品１の内圧の上昇を抑制する。
【００３９】
図５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。図６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。電子回路モジュール部品１は、複数の電子部品２を有している。第１樹脂４は、複数の電子部品２の少なくとも一部と接している。本実施形態及びその変形例では、図１に示すように、第１樹脂４がすべての電子部品２を覆っており、すべての電子部品２の頂部の全体に第１樹脂４が接している。さらに、図１、図５に示すように、第１樹脂４は、すべての電子部品２の側部全体に接している。このような構成のため、電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４が電子部品２の基板対向面を除いた表面と接し、かつ、第１樹脂４がすべての電子部品２と接している。第１樹脂４は、少なくとも一部が開口部５Ｈの位置で金属層５の外部に露出している。このため、すべての電子部品２の少なくとも一部は、第１樹脂４を介して開口部５Ｈとつながっている。
【００４０】
第１樹脂４は、空隙を有しているため、気体が通過しやすい。このため、上述した構造を採用することにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品１の内部で発生した水蒸気等の気体Ｖは、図３に示す第１樹脂４の空隙４Ｈを通って開口部５Ｈから電子回路モジュール部品１の外部へ速やかに放出される。その結果、電子回路モジュール部品１が金属層５を有している場合でも、リフロー時における部品内圧の上昇が抑制されるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１が変形するおそれを効果的に抑制できる。このように、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品１の不良の発生を抑制できる。また、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品１の不具合の発生を効果的に抑制して品質を維持できるので、電子回路モジュール部品１の機能を十分に発揮させることができる。
【００４１】
電子回路モジュール部品１の開口部５Ｈは、平面視が長方形又は正方形である電子回路モジュール部品１の一辺の全体にわたって開口している。このため、電子回路モジュール部品１の内部の気体Ｖは、電子回路モジュール部品１の一辺全域から電子回路モジュール部品１の外部へ放出される。その結果、開口部５Ｈは、電子回路モジュール部品１で発生した気体を効率的に外部へ放出させることができるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１の変形のおそれを確実に回避できる。
【００４２】
開口部５Ｈの高さｈが小さくなると、金属層５による電磁波ノイズの遮蔽機能の低下は大きくなる。電子回路モジュール部品１の一辺の全体にわたって開口部５Ｈを設けることにより、開口部５Ｈの高さｈの増加を抑制しつつ、開口部５Ｈの面積を確保することができる。したがって、開口部５Ｈを電子回路モジュール部品１の一辺の全体にわたって設けるようにすれば、開口部５Ｈの高さｈを抑制できるので、電磁波の遮蔽機能を確保しつつ、開口部５Ｈは効率的に気体を放出することができる。
【００４３】
第１樹脂４が有する空隙４Ｈは、例えば、第１樹脂４の基材となる樹脂にフィラーを添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間に樹脂が配合されて形成される。空隙率が１体積％を下回ると、電子回路モジュール部品１内で発生した気体が第１樹脂４内を移動する速度が低下するため、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。また、第１樹脂４の空隙率が５０体積％を上回ると、第１樹脂４の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。したがって、第１樹脂４の空隙率は１体積％以上５０体積％以下が好ましい。このようにすれば、第１樹脂４の強度を確保しつつ、二次実装における部品内圧の上昇を確実に抑制できる。なお、空隙率が３０体積％以下であれば、第１樹脂４の強度をさらに高くすることができるとともに、電子回路モジュール部品１内で発生した気体の移動速度も確保できる。したがって、空隙率は、１体積％以上３０体積％以下がさらに好ましい。
【００４４】
第１樹脂４が有する空隙４Ｈの平均直径（Ｄ５０）が０．１μｍよりも小さくなると、電子回路モジュール部品１内で発生した気体が開口部５Ｈまで移動する速度が低下し、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。第１樹脂４が有する空隙４Ｈの平均直径（Ｄ５０）が１０μｍを超えると、第１樹脂４の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。このため、電子回路モジュール部品１内で発生した気体を外部へ効果的に放出し、かつ第１樹脂４の強度を維持する観点から、空隙４Ｈの平均直径（Ｄ５０）は０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。また、空隙４Ｈの分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．１以上０．８以下とすることが好ましい。このようにすれば、第１樹脂４内でのフィラーの分散や空隙４Ｈの分散が改善される。
【００４５】
平均直径（Ｄ５０）は複数の空隙４Ｈの直径を測定した場合において、積算値５０％の直径であり（メジアン径）、Ｄ９０は積算値９０％の直径であり、Ｄ１０は積算値１０％の直径である。完成した電子回路モジュール部品１を適切な位置で切断して、切断面をイオンミリングすることで樹脂ダレのない切断面を作製した。そして、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、倍率は３０００倍）で写真撮影して得られた画像から、空隙４Ｈの平均直径が求められた。このとき、前記写真撮影によって得られた画像は、空隙のみが黒くなるように二値化処理された。空隙４Ｈの分布は、前記画像から求めたＤ５０と累積度数直径の１０％に該当するＤ１０と９０％に該当するＤ９０とから規定した。また、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡で写真撮影して得られた画像から、空隙の体積比として空隙率が算出された。本実施形態及びその変形例においては、前記写真撮影によって得られた画像の全面積に占める空隙の面積の割合を空隙の体積比とみなした。
【００４６】
図７は、第１樹脂と電子部品との関係を示す図である。図１に示すように、上述した電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４が電子部品２の頂部を覆っていたが、図７に示すように、第１樹脂４が電子部品２の頂部２Ｔを覆わないようにしてもよい。この場合、第１樹脂４が電子部品２の側部２Ｓの少なくとも一部に接するようにして、電子部品２の近傍から発生する気体の通路を確保する。このようにすると、電子部品２の頂部２Ｔには第２樹脂９が接することになり、頂部２Ｔと第２樹脂９との間に第１樹脂４は介在しない。その結果、電子部品２の頂部２Ｔの表面に第１樹脂４が存在しなくなる分、電子回路モジュール部品１の高さを低減できるので、電子回路モジュール部品１の低背化に有利である。第１樹脂４が電子部品２の頂部２Ｔを覆わないようにするためには、第１樹脂４で電子部品２を覆った後、吸収ローラー等を頂部２Ｔの上で転動させることによって、第１樹脂４を吸収ローラー等で除去する。
【００４７】
図８、図９は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。図５において、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形の電子回路モジュール部品１は、四辺のうちの一辺に開口部５Ｈを有していた。図８に示すように、電子回路モジュール部品１ａは、四辺のうち二辺それぞれに開口部５Ｈ１、５Ｈ２を有し、残りの二辺に金属層５を有していてもよい。開口部５Ｈ１、５Ｈ２はそれぞれ対向して配置される。また、図９に示す電子回路モジュール部品１ｂのように、四辺のうち三辺に開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３を有し、残りの一辺に金属層５を有していてもよい。開口部５Ｈ１、５Ｈ２はそれぞれ対向して配置され、開口部５Ｈ３は金属層５と対向して配置される。開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３は、図２に示すように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５の外部に露出させている。なお、後述するように、開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３に露出している第２樹脂９及び第１樹脂４の一部を導電材料で覆うことにより、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に露出させることもできる。
【００４８】
このように、本実施形態において、電子回路モジュール部品１が有する開口部の数は１個に限定されるものではない。開口部の数が多くなれば、電子回路モジュール部品１に内蔵された複数の電子部品２と開口部との距離差を小さくできるので、より効率的に電子回路モジュール部品１で発生した気体を外部へ放出させることができる。その結果、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１の変形のおそれをさらに確実に回避できる。なお、開口部を増加させると、金属層５の電磁波の遮蔽機能に影響を与えることもあるので、気体の抜けと前記遮蔽機能とのバランスで開口部の数や面積を設定することが好ましい。
【００４９】
なお、電子回路モジュール部品１は、一辺のみに開口部５Ｈを有することが最も好ましい。このようにすれば、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させて絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１の膨れを確実に抑制でき、さらに、金属層５に電磁波の遮蔽機能を確実に発揮させることができる。しかし、電子回路モジュール部品１が、二辺又は三辺に開口部５Ｈを有することを排除するものではない。例えば、湿度の高い場所で電子回路モジュール部品１を二次実装する場合、電子回路モジュール部品１は内部に多くの液体が浸入していると考えられる。このような場合、電子回路モジュール部品１は、二辺又は三辺に開口部５Ｈを有するようにすることで、開口部５Ｈは、二次実装におけるリフロー時には気体を効率的に放出できる。その結果、電子回路モジュール部品１の内部に多くの液体が浸入しているような場合でも、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１の膨れを確実に抑制できる。次に、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を説明する。
【００５０】
図１０は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図１１−１〜図１１−９は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。まず、図１、図２、図５に示す電子回路モジュール部品１を製造する例を説明する。電子回路モジュール部品１は、図５に示すように、平面視が長方形であり、４つの側面のうち１つに開口部５Ｈを有している。ステップＳ１において、図１１−１に示す基板３に電子部品２を実装する（実装工程）。基板３の内部には、グランド８が設けられる。基板３に電子部品２が実装された状態の個体を、第１のモジュール素体１Ａという。
【００５１】
第１のモジュール素体１Ａは、例えば、次のような手順で作製される。
（１）基板３の実装面に設けられた端子にはんだを含むはんだペーストを印刷する。
（２）実装装置（マウンタ）を用いて電子部品２を基板３に搭載する。
（３）電子部品２が搭載された基板３をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストに含まれるはんだが溶融し、その後硬化することにより電子部品２の端子と基板３の端子電極とが接合される。
（４）電子部品２や基板３の表面に付着したフラックスを洗浄する。
【００５２】
第１のモジュール素体１Ａが完成したら、ステップＳ２へ進み、図１１−２に示すように、電子部品２が実装された基板３上、すなわち、図１１−１に示す第１のモジュール素体１Ａの電子部品２の少なくとも一部と接するように、基板３に第１樹脂４が設けられる（第１樹脂設置工程）。この例では、第１樹脂４で電子部品２及び基板３を覆う。第１樹脂４は、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナであるが、これに限定されない）を添加し、これを硬化させたものである。第１樹脂４は、例えば、熱硬化性樹脂の溶液にフィラーを添加して作製した第１樹脂４の溶液を、ディップ法、ノズルコート法、カーテンコート法やスピンコート法等によってモジュール素体１Ａの表面に塗布し（塗布工程）、熱硬化させる。このようにすることで、フィラー同士の隙間の一部に樹脂が配合されて空隙４Ｈが形成された第１樹脂４で電子部品２及び基板３が被覆される。
【００５３】
第１樹脂４に含まれるフィラーは、球形状に近いものが好ましい。このようなフィラーを用いれば、第１樹脂４に含まれる空隙４Ｈの寸法、形状及び分布を制御しやすいからである。しかし、フィラーの形状は、このようなものに限定されるものではない。第１樹脂４に含まれるフィラーは、平均直径（Ｄ５０）を１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましく、２μｍ以上７μｍ以下とすることがより好ましい。また、フィラーの粒度分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．１〜０．８の範囲とすることが好ましい。このようにすれば、第１樹脂４内におけるフィラーや空隙４Ｈが均等に分散しやすくなる。なお、平均直径（Ｄ５０）は複数のフィラーの直径を測定した場合において、積算値５０％の直径であり（メジアン径）、Ｄ９０は積算値９０％の直径でありＤ１０は積算値１０％の直径である。フィラーの粒度分布は、粒度分布計で測定した数平均値（メジアン径）Ｄ５０と累積度数粒径の１０％に該当するＤ１０と９０％に該当するＤ９０とから規定した。
【００５４】
フィラーの種類は、電子回路モジュール部品１が有する電子部品２や回路の電気的特性に影響を及ばさないものであれば特に限定されるものではないが、第１樹脂４となる熱硬化性樹脂に対して分散性がよいものであることが好ましい。例えば、平均直径が１μｍより小さいフィラーを使用すると、空隙の大きさが減少したり空隙へのフィラーの充填率が上昇したりすることにより、空隙率が小さくなる結果、部品内圧を抑制する作用が低減する。また平均直径が１０μｍより大きいフィラーを使用すると、モジュール素体１Ａの表面に塗布する際の膜厚が厚くなり、モジュール１の外形高さを大きくしなければならないおそれがある。さらに、平均直径が１０μｍより大きいフィラーを使用すると、形成された第１樹脂４の強度が低下し、クラックが発生しやすくなるおそれがある。
【００５５】
フィラーは、小さい平均直径（Ｄ５０）と大きい平均直径（Ｄ５０）とを組み合わせてもよい。また、フィラーの平均直径（Ｄ５０）は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。大きい平均直径（Ｄ５０）のフィラーの添加量は、フィラーの全添加量に対して５体積％以上３０体積％以下であることが好ましい。このように、平均直径の異なるフィラーを混合することによって、フィラー同士のパッキング状態の調整が可能になる。そして、適切な樹脂配合により、所望の空隙直径、空隙分布を実現しやすくなる。平均直径の異なるフィラーを用いる場合、すべて同じ種類のフィラーを用いてもよく、異なる種類（組成）のフィラーを用いてもよく、特に限定されるものではない。
【００５６】
第１のモジュール素体１Ａの表面に第１樹脂４の溶液が塗布されたら、所定の時間加熱して熱硬化性樹脂を硬化させる（第１硬化工程）。このようにすることで、第１のモジュール素体１Ａの表面に第１樹脂４が設けられ、電子部品２の少なくとも一部と第１樹脂４とが接する。第１樹脂４で電子部品２及び基板３が被覆された状態の個体を、第２のモジュール素体１Ｂという。次に、ステップＳ３に進み、図１１−３、図１１−４に示すように、第２のモジュール素体１Ｂは、一つの電子回路モジュール部品１となる部分（以下、モジュール部品単位という）Ｕの周りに存在する第１樹脂４の一部が、基板３が露出するまで取り除かれる（第１樹脂除去工程）。モジュール部品単位とＵの周りに存在する第１樹脂４の一部が取り除かれた状態の個体を、第３のモジュール素体１Ｃという。
【００５７】
上述したように、本実施形態において、電子回路モジュール部品１は長方形（正方形を含む）形状である。この製造例では、図１１−４に示すように、モジュール部品単位Ｕの３辺と対向する部分に存在する第１樹脂４が取り除かれる。すなわち、互いに直交する複数の除去ラインＣ１ａ及び複数の除去ラインＣ１ｂの部分に存在する第１樹脂４が取り除かれる。この例において、一方の複数の除去ラインＣ１ａは、互いに平行に設けられ、かつ複数のモジュール部品単位Ｕが二列配列された群毎に設けられる。他方の複数の除去ラインＣ１ｂは、互いに平行に設けられ、かつそれぞれ複数の除去ラインＣ１ａと直交するとともに、複数のモジュール部品単位Ｕが一列配列された群毎に設けられる。
【００５８】
第１樹脂除去工程においては、モジュール部品単位Ｕの周りの一部を、基板３の途中まで切断することにより、第１樹脂４の一部を、３基板が露出するまで取り除く。このようにすることで、簡易かつ確実に第１樹脂４を取り除いて基板３の一部を第１樹脂４から露出させることができる。なお、第１樹脂除去工程は、上述した手法に限定されるものではない。例えば、第１樹脂設置工程（ステップＳ２）において、基板３の表面において第１樹脂４を取り除く部分をレジスト等でマスキングした後に、第１樹脂４を基板３の表面に設ける。その後、第１樹脂除去工程（ステップＳ３）でマスキングを取り除くことにより、マスキングの部分を覆っていた第１樹脂４を取り除く。このような手法により、第１樹脂除去工程を実現してもよい。第１樹脂除去工程が終了したら、ステップＳ４に進む。
【００５９】
ステップＳ４において、図１１−５に示すように、第１樹脂４及び露出した基板３を第２樹脂９で覆う（第２樹脂設置工程）。第２樹脂９は、例えば、エポキシ樹脂である。本実施形態では、エポキシ樹脂のシート状材料を第１樹脂４の表面に載置して（被覆工程）、これを熱プレスすることにより、第２樹脂９を硬化させる（第２硬化工程）。このような方法で、第２樹脂９で第１樹脂４の表面を被覆する。その結果、電子部品２は、第１樹脂４を介して第２樹脂９によって封止される。第２樹脂９で覆われた状態の個体を、第４のモジュール素体１Ｄという。
【００６０】
第２樹脂設置工程により、第１樹脂４から露出した基板３の表面に第２樹脂９が設けられ、かつ第１樹脂４が取り除かれた部分（図１１−５に示す例では、除去Ｃ１ａの部分）が第２樹脂９で埋められる。その結果、電子部品２の側面２Ｓの外側に設けられた第１樹脂４は、第２樹脂９で覆われる。また、電子部品２の上面２Ｔ（基板３の実装面３ＰＩと対向する面とは反対面）に設けられた第１樹脂４も、第２樹脂９で覆われる。本実施形態では、除去ラインＣ１ａの部分の基板３は一部が除去されている。このため、電子部品２の側面２Ｓの外側に設けられた第１樹脂４と基板３との境界も、第２樹脂９で覆われる。
【００６１】
次に、ステップＳ５に進み、図１１−５に示す第４のモジュール素体１Ｄの基板３は、第１樹脂４が取り除かれた部分を覆う第２樹脂９から基板３のグランド８まで切断される（ハーフカット工程）。すなわち、第４のモジュール素体１Ｄの基板３は、前記第１樹脂が取り除かれた部分を覆う前記第２樹脂の位置で、モジュール部品単位Ｕで途中まで、より具体的には基板３のグランド８まで切断される。この場合、図１１−４に示す除去ラインＣ１ａ、Ｃ１ｂの位置（第１樹脂４が部分的に取り除かれた位置）は、基板３のグランド８まで切断される。その結果、図１１−６に示すような第５のモジュール素体１Ｅが得られる。第５のモジュール素体１Ｅは、第１ハーフカット工程が終了した後における個体を、第５のモジュール素体１Ｅという。図１１−６には、切断ラインＣ３ａにおける第２樹脂９及び基板３の切断の状態が示されている。
【００６２】
図１１−７に示す切断ラインＣ３ａ、Ｃ３ｂの位置、すなわち、図１１−４に示す除去ラインＣ１ａ、Ｃ１ｂの位置（第１樹脂４が部分的に取り除かれた位置）は、ハーフカット工程により、図１１−６に示すように、電子部品２の側面２Ｓの外側に設けられた第１樹脂４を覆う、第２樹脂９の封止部１０が形成される。この封止部１０は、例えば、電解めっき又は金属ペーストの塗布等により金属層５を形成する際に、めっき液又は金属ペーストが第１樹脂４の空隙に浸入することを抑制する。その結果、製造された電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４に含まれる液体が少ないため、リフロー時に電子回路モジュール部品１を加熱しても、前記液体が内部で蒸発して発生する気体の量は少ない。その結果、リフロー時における電子回路モジュール部品１の内圧の上昇が抑制されて、第１樹脂４又は第２樹脂９の割れ及び電子回路モジュール部品１自身が変形するおそれを低減できる。
【００６３】
本実施形態では、図１１−７に示す除去ラインＣ２の位置、すなわち、隣接する切断ラインＣ３ａ、Ｃ３ａの間において、図１１−６に示すように、隣接するモジュール部品単位Ｕの間（切断ラインＣ２の位置）が、第２樹脂９の途中まで切断される。すなわち、図１１−５に示す第４のモジュール素体１Ｄの基板３は、モジュール部品単位Ｕの周りにおいて、第１樹脂４の一部を取り除いた部分以外の部分の少なくとも一部が、第２樹脂９の途中まで切断される。図１１−６、図１１−７に示す例では、切断ラインＣ２の位置が、第２樹脂９の途中まで切断される。このようにすることで、図２に示すように、開口部５Ｈの高さｈを小さくすることができる。このため、開口部５Ｈの開口面積が小さくなるので、金属層５が電子回路モジュール部品１の表面を被覆する面積を大きくすることができる。その結果、金属層５の電磁波の遮蔽機能を高くすることができる。なお、ハーフカット工程において、第１樹脂４の一部を取り除いた部分以外の部分の少なくとも一部を、第２樹脂９の途中まで切断しなくともよい。この場合、得られる電子回路モジュール部品１の開口部５Ｈは、電子回路モジュール部品１の１つの側面全面が開口する。
【００６４】
ステップＳ５が終了したら、ステップＳ６に進む。ステップＳ６において、図１１−８に示すように、第５のモジュール素体１Ｅ（図１１−６参照）の表面に金属層５を形成する。金属層５が形成された個体を、第６のモジュール素体１Ｆという。金属層５は、例えば、無電解めっきでＣｕの第１層を形成した後、電解めっきでＣｕの第２層を形成し、さらに防錆層としてＮｉの層を電解めっきで形成することにより得られる。図１１−６に示すように、金属層５が形成される前は、基板３の切断ラインＣ３ａの位置に形成された溝の内壁面にグランド８が露出している。したがって、ステップＳ６で図１１−６に示す第５のモジュール素体１Ｅの表面に金属層５が形成されると、図１１−８に示すように、金属層５とグランド８とが電気的に接続される。この状態の個体を、第６のモジュール素体１Ｆという。
【００６５】
金属層５が形成されたら、ステップＳ７へ進み、第６のモジュール集合体１Ｆは、モジュール部品単位Ｕで基板３まで完全に切断される（フルカット工程）。すなわち、第６のモジュール集合体１Ｆは、図１１−７に示す切断ラインＣ３ａ、Ｃ３ｂ、Ｃ２の位置で基板３まで完全に切断される。その結果、図１１−９に示す電子回路モジュール部品１が得られる。電子回路モジュール部品１は、ステップＳ８で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図１１−９に示すような、電子部品２の少なくとも一部が第１樹脂４に接し、かつ少なくとも第２樹脂９が金属層５で被覆され、さらに電子部品２の側面と接する第１樹脂４と、電子部品２の側面と対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０を有する電子回路モジュール部品１を製造できる。
【００６６】
図１２−１、図１２−２は、２つの側面にそれぞれ開口部を有する電子回路モジュール部品を製造する際の工程を説明するための図である。図８に示す電子回路モジュール部品１ａは、平面視が長方形であり、４つの側面を有する。そして、そのうち２つの側面にそれぞれ開口部５Ｈ１、５Ｈ２を有する。電子回路モジュール部品１ａを製造する場合、第１樹脂除去工程（ステップＳ３）において、図１２−１に示す第３のモジュール素体１Ｃのように、複数の除去ラインＣ１の部分に存在する第１樹脂４が取り除かれる。複数の除去ラインＣ１は、互いに平行に設けられ、かつ複数のモジュール部品単位Ｕが一列配列された群毎に設けられる。
【００６７】
また、ハーフカット工程（ステップＳ５）において、図１２−２に示す第５のモジュール素体１Ｅのように、複数の切断ラインＣ３の位置（第１樹脂４が部分的に取り除かれた位置であり、第３のモジュール素体１Ｃでは複数の除去ラインＣ１の位置）が、基板３のグランド８まで切断される。このとき、必要に応じて、複数の除去ラインＣ２の位置が、第２樹脂９の途中まで切断されてもよい。除去ラインＣ２は、複数の切断ラインＣ３と直交し、かつ切断ラインＣ３と平行な方向に向かって複数のモジュール部品単位Ｕが一列配列された群毎に設けられる。なお、ハーフカット工程において除去ラインＣ２の位置を第２樹脂９の途中まで切断しなくてもよい。この場合、第６のモジュール集合体１Ｆの複数の除去ラインＣ２の位置は、フルカット工程（ステップＳ７）において、金属層５から基板３まで完全に切断される。そして、図８に示す開口部５Ｈ１、５Ｈ２は、電子回路モジュール部品１ａの１つの側面全面が開口する。
【００６８】
フルカット工程（ステップＳ７）において、第６のモジュール集合体１Ｆは、複数の切断ラインＣ３及び複数の除去ラインＣ２の位置で、基板３まで完全に切断される。このようにすることで、除去ラインＣ２の位置がそれぞれ開口部となる。その結果、図８に示すような、２つの側面にそれぞれ開口部５Ｈ１、５Ｈ２を有する電子回路モジュール部品１ａを製造することができる。
【００６９】
図１３−１、図１３−２は、３つの側面にそれぞれ開口部を有する電子回路モジュール部品を製造する際の工程を説明するための図である。図９に示す電子回路モジュール部品１ｂは、平面視が長方形であり、４つの側面を有する。そして、そのうち３つの側面にそれぞれ開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３を有する。電子回路モジュール部品１ｂを製造する場合、第１樹脂除去工程（ステップＳ３）において、図１３−１に示す第３のモジュール素体１Ｃのように、複数の除去ラインＣ１の部分に存在する第１樹脂４が取り除かれる。複数の除去ラインＣ１は、互いに平行に設けられ、かつ複数のモジュール部品単位Ｕが二列配列された群毎に設けられる。
【００７０】
また、ハーフカット工程（ステップＳ５）において、図１３−２に示す第５のモジュール素体１Ｅのように、複数の切断ラインＣ３の位置（第１樹脂４が部分的に取り除かれた位置であり、第３のモジュール素体１Ｃでは複数の除去ラインＣ１の位置）が、基板３のグランド８まで切断される。このとき、必要に応じて、複数の除去ラインＣ２ａ、Ｃ２ｂの位置が、第２樹脂９の途中まで切断されてもよい。除去ラインＣ２ａは、隣接する切断ラインＣ３、Ｃ３の間において、隣接するモジュール部品単位Ｕの間に設けられる。また、除去ラインＣ２ｂは、複数の切断ラインＣ３と直交し、かつ切断ラインＣ３と平行な方向に向かって複数のモジュール部品単位Ｕが一列配列された群毎に設けられる。なお、ハーフカット工程において除去ラインＣ２ａ、Ｃ２ｂの位置を第２樹脂９の途中まで切断しなくてもよい。この場合、第６のモジュール集合体１Ｆの複数の除去ラインＣ２ａ、Ｃ２ｂの位置は、フルカット工程（ステップＳ７）において、金属層５から基板３まで完全に切断される。そして、図９に示す開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３は、電子回路モジュール部品１ｂの１つの側面全面が開口する。
【００７１】
フルカット工程（ステップＳ７）において、第６のモジュール集合体１Ｆは、複数の切断ラインＣ３及び複数の除去ラインＣ２ａ、Ｃ２ｂの位置で、基板３まで完全に切断される。このようにすることで、１つのモジュール部品単位Ｕの周りの除去ラインＣ２ａ、Ｃ２ｂの位置がそれぞれ開口部となる。その結果、図９に示すような、３つの側面にそれぞれ開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３を有する電子回路モジュール部品１ｂを製造することができる。
【００７２】
図１４は、電子回路モジュール部品の１つの側面全面が開口する開口部を示す正面図である。ハーフカット工程（ステップＳ５）において、図１１−７、図１２−２、図１３−２に示す除去ラインＣ２、Ｃ２ａ、Ｃ２ｂの位置を、第２樹脂９の途中まで切断しない場合、フルカット工程（ステップＳ７）において、第６のモジュール集合体１Ｆは、除去ラインＣ２、Ｃ２ａ、Ｃ２ｂの位置で金属層５から基板３まで完全に切断される。このときに得られる開口部５Ｈは、図１４に示すように、電子回路モジュール部品１ｃの１つの側面全面に開口する。すなわち、開口部５Ｈは、基板３の表面から金属層５の第２樹脂９と接する部分まで開口する。
【００７３】
図１５、図１６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法によって製造された電子回路モジュール部品の開口部に金属層を設けた例を示す一部断面図である。本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法において、電子回路モジュール部品の切断面は、電子回路モジュール部品１ｃの１つの側面全面が開口して、第１樹脂４及び第２樹脂９が露出する。この場合、図１４に示す電子回路モジュール部品１ｃが有する開口部５Ｈのように、１つの側面全面が開口する。このような場合、電子回路モジュール部品１ｃの切断面（すなわち開口部５Ｈ）に現れた第１樹脂の少なくとも一部を残して、切断面を導電層で覆ってもよい。このようにすると、電子回路モジュール部品１ｃの電磁気シールドの性能が向上する。
【００７４】
例えば、図１５に示す電子回路モジュール部品１ｄは、切断面３Ｓ２に現れた第１樹脂４の少なくとも一部を残して、切断面３Ｓ２を導電層２２が覆っている。より具体的には、導電層２２は、切断面３Ｓ２において、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の全部とを覆い、かつ金属層５と電気的に接続されている。電子回路モジュール部品１ｄは、第１樹脂４の一部が露出している部分が開口部５Ｈｄとなる。また、図１６に示す電子回路モジュール部品１ｅは、切断面３Ｓ２において、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の全部と基板３の全部とが導電層２２で覆われるとともに、導電層２２と金属層５とが電気的に接続されている。電子回路モジュール部品１ｅは、第１樹脂４の一部が露出している部分が、開口部５Ｈｅとなる。なお、電子回路モジュール部品１ｄ、１ｅは、切断面３Ｓ２において、第１樹脂４の全部が露出し、残りの部分はすべて導電層２２で覆われていてもよい。
【００７５】
本実施形態において、導電層２２は、金属又は金属ペースト等を用いることができる。金属としては、例えば、銅、銀等を導電層２２に用いることができ、金属ペーストとしては、例えば、銀ペーストを導電層２２に用いることができる。なお、導電層２２に用いることができる金属又は金属ペーストは、これらに限定されるものではない
【００７６】
金属を導電層２２として用いる場合、例えば、スパッタ、蒸着等によって電子回路モジュール部品１ｄ、１ｅの切断面３Ｓ２に導電層２２を形成することができる。これらの手法を用いる場合、導電層２２で切断面３Ｓ２を覆う部分を除き、例えば、レジスト等で切断面３Ｓ２を覆い、スパッタ又は蒸着を施す。その後、前記レジストを除去することで、切断面３Ｓ２に現れた第１樹脂４の少なくとも一部を残して、第２切断面３Ｓ２が導電層２２に覆われる。
【００７７】
金属ペーストを導電層２２として用いる場合、例えば、転写、ローラーによる塗布、印刷等により、電子回路モジュール部品１ｄ、１ｅの切断面３Ｓ２に導電層２２を形成することができる。これらの手法を用いる場合、導電層２２が切断面３Ｓ２を覆う形状で、金属ペーストを第２切断面３Ｓ２に印刷したり転写したりする。
【符号の説明】
【００７８】
１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ  電子回路モジュール部品
１Ａ  第１モジュール素体
１Ｂ  第２モジュール素体
１Ｃ  第３モジュール素体
１Ｄ  第４モジュール素体
１Ｅ  第５モジュール素体
１Ｆ  第６モジュール素体
２  電子部品
２Ｓ  側部
２Ｔ  頂部
３  基板
３Ｓ  側面
４  第１樹脂
４Ｈ  空隙
４Ｍ  樹脂
５、５ｂ  金属層
５Ｈ、５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３、５Ｈｄ、５Ｈｅ  開口部
８  グランド
９  第２樹脂
１０  封止部
２０  補強部材
２１  接着部材
【図１】
0005500095.tif 000002
【図２】
0005500095.tif 000003
【図３】
0005500095.tif 000004
【図４】
0005500095.tif 000005
【図５】
0005500095.tif 000006
【図６】
0005500095.tif 000007
【図７】
0005500095.tif 000008
【図８】
0005500095.tif 000009
【図９】
0005500095.tif 000010
【図１０】
0005500095.tif 000011
【図１１−１】
0005500095.tif 000012
【図１１−２】
0005500095.tif 000013
【図１１−３】
0005500095.tif 000014
【図１１−４】
0005500095.tif 000015
【図１１−５】
0005500095.tif 000016
【図１１−６】
0005500095.tif 000017
【図１１−７】
0005500095.tif 000018
【図１１−８】
0005500095.tif 000019
【図１１−９】
0005500095.tif 000020
【図１２−１】
0005500095.tif 000021
【図１２−２】
0005500095.tif 000022
【図１３−１】
0005500095.tif 000023
【図１３−２】
0005500095.tif 000024
【図１４】
0005500095.tif 000025
【図１５】
0005500095.tif 000026
【図１６】
0005500095.tif 000027