(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置されるプローブピンを取りつける接続パッドと、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、
を具えることを特徴とする、配線基板であって、
前記接続パッドと抵抗値測定用パッドとが一体化されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記接続パッドにおいて、測定用領域の、前記配線と電気的に接触する側が、前記ビアパッドに向けてテーパ状に狭小化されてなることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線基板と、
前記配線基板の前記接続パッドと電気的に接続されてなるプローブピンと、
を具えることを特徴とする、ＩＣ電気特性検査用配線基板。
【請求項４】
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにしてビアパッドを形成する工程と、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置するようにして、測定用領域が画定されてなるプローブピンを取りつける接続パッドを形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、ＩＣ電気特性検査用配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン等の半導体ウエハに形成した半導体チップや集積回路の検査用にはテスタが用いられてきた。このような回路検査においては、前記テスタに接続されたプローブカードなどの電気特性測定用配線基板のプロ―ブを、前記半導体チップや前記集積回路と接続することにより行われる（特許文献１）。
【０００３】
一方、近年においては、半導体ウエハ上に形成された半導体素子毎ではなく、それら複数の半導体素子に対して同時にそれらの電気特性を測定することが望まれている。しかしながら、前記半導体ウエハは、最大で数十ｃｍの大きさにも達するため、このような半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を同時に測定するに際しては、電気特性測定用配線基板の大きさも数十ｃｍの大きさまで拡大しなければならない。
【０００４】
一方、上述のようにして複数の半導体素子の電気特性を、電気特性測定用配線基板を用いて同時に測定するに際しては、電気特性を予め設定していた範囲（電圧及び電流のレンジ）に収まるようにする必要がある。そのため、前記測定用配線基板の抵抗値、特に実際に測定に供する配線の抵抗値を所定の値となるように設定しなければならない。
【０００５】
上述のような測定用配線基板における配線の抵抗を測定するに際しては、測定プローブを前記測定用配線基板の前記配線に直接接触させて測定したり、前記配線と連続した接続パッドやビアパッドに接触したりして行う。
【０００６】
しかしながら、上記測定プローブを接続パッドやビアパッドに接触させてしまうと、その際の圧力によって前記接続パッドや前記ビアパッドが変形したり、窪みができたりして、上記測定用配線基板が不良品化してしまう場合がある。
【０００７】
例えば、前記接続パッドが変形してしまうと、プローブピンの接続精度が劣化してしまい、前記測定用配線基板と半導体ウエハとの電気的接触が不完全となり、前記半導体ウエハの電気的特性を高精度に測定できなくなってしまう場合がある。また、前記ビアパッドが変形してしまうと、上述した配線を含む前記測定用配線基板における全体の配線抵抗が変化して、同様に前記半導体ウエハの電気的特性を高精度に測定できなくなってしまうばかりか、断線によって前記測定用配線基板の機能不全を引き起こしてしまう場合がある。
【０００８】
また、上記測定プローブを配線に直接接触させて抵抗値の測定を行う場合は、前記抵抗値が前記測定プローブの、前記配線に対する接触状態に大きく影響されるようになる。例えば、前記配線の幅が小さくなった場合においては、前記測定プローブとの接触状態を良好に保つことが困難となることから、目的とする前記抵抗値を測定することが困難になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−９８１４６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子の電気特性を同時に測定することが可能な、いわゆる電気特性測定用配線基板において、その抵抗値を、前記配線基板を破損させることなく、正確に測定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成すべく、本発明は、
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにし
て形成されてなるビアパッドと、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置
されるプローブピンを取りつける接続パッドと、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、
を具えることを特徴とする、配線基板であって、
前記接続パッドと抵抗値測定用パッドとが一体化されている、
ことを特徴とする配線基板に関する。
【００１２】
さらに、本発明は、
厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにし
てビアパッドを形成する工程と、
前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置
するようにして、測定用領域が画定されてなるプローブピンを取りつける接続パッドを形成する工程と、
前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１３】
上記配線基板及び製造方法においては、接続パッドの一部を抵抗値測定用パッドとして用い、いわば接続パッドと抵抗値測定用パッドとを一体化させている。この抵抗値測定用パッドは、上記配線基板において、その配線抵抗を測定するために、いわば付随的に設けられたパッドである。
【００１４】
したがって、多少変形しても、配線基板全体の配線抵抗等には何らの影響も与えず、また、実際の半導体ウエハの電気特性評価に何らの影響を与えるものではない。したがって、前記抵抗値測定用パッドに対して測定プローブを接触させて前記配線基板の配線抵抗を測定することにより、上述したビアパッドの破損や接続パッドの変形に伴う問題を生ぜしめることなく、前記配線基板の前記配線抵抗を測定することができる。
【００１５】
また、前記抵抗値測定用パッドと前記ビアパッドとに測定プローブを接触させて配線抵抗を測定するので、前記ビアパッドと前記接続パッドとの間の配線全体の抵抗値をほぼ正確に測定することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体素子
の電気特性を同時に測定することが可能な、いわゆる電気特性測定用配線基板において、
その抵抗値を、前記配線基板を破損させることなく、正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態における配線基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態における配線基板の概略構成図である。
【図３】同じく、第１の実施形態における配線基板の概略構成図である。
【図４】第２の実施形態における配線基板の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点について説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す平面図であり、図２〜３は、図１に示す配線基板の、一主面上に形成されたビアパッド、接続パッド及び配線の領域を拡大して示す構成図である。なお、図１〜３においては、本態様の特徴を明確にすべく、実際の構成とは異なる場合がある。また、特に図２〜３においては、本態様の特徴を明確にすべく、構成を簡略化して描いている。
【００２０】
図１に示すように、本態様の配線基板１０は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の主面１１Ａ上に形成されたビアパッド１２と、このビアパッド１２と離隔して配置された接続パッド１３と、ビアパッド１２及び接続パッド１３間を接続する配線１４とを具えている。絶縁基板１１には貫通孔１１Ｂが形成され、ビアパッド１２は貫通孔１１Ｂの開口部を覆うようにして形成されている。また、ビアパッド１２と接続パッド１３との間には、配線１４と電気的に接続されてなるとともに、接続パッド１３に対して抵抗値測定用パッド１５が形成されている。
【００２１】
なお、貫通孔１１Ｂ内には図示しない層間接続体が形成されており、主面１１Ａと相対向する側の主面に形成された図示しない外部端子と電気的に接続されている。
【００２２】
抵抗値測定用パッド１５は本態様の特徴的構成要素であり、以下において詳述する。
【００２３】
なお、ビアパッド１２の大きさと比較して接続パッド１３の大きさは小さいので、接続パッド１３は集積化して配置されている。
【００２４】
絶縁基板１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）セラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス、ガラスセラミックス等の各種セラミックスから構成することができる。セラミック基板を用いると、絶縁基板１１に対して高い剛性を付与することができるので、後に半導体ウエハ（上に形成された複数の半導体素子）の電気特性を測定する際に、上記接続パッド１３上に形成したプローブピンが絶縁基板１１に沈み込んで接続不良となるのを防止することができる。また、セラミック基板とすることで、量産が容易となる。
【００２５】
但し、絶縁基板１１は、上述したセラミック基板の他、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテ
トラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ）、四ふっ化エチレン・エチレン共重合樹脂（テトラフ
ルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ）、四ふっ化エチレン・パーフルオロア
ルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエ
ーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂よりなる基板、ガラスエポキシ樹脂よりなる
基板、ポリイミド等の樹脂よりなる基板などでもよい。
【００２６】
なお、絶縁基板１１の厚さは特に限定されるものではないが、０．１ｍｍ〜１０．０ｍ
ｍ程度である。
【００２７】
ビアパッド１２、接続パッド１３、配線１４及び抵抗値測定用パッド１５は、薄膜形成法、印刷ペーストによるメタライズ法、金属箔をエッチングしてパターン化する方法、パターン状の金属箔を転写する方法、またはメッキ法等によって形成することができる。通常、ビアパッド１２から測定用パッド１５は同一の工程において形成する。
【００２８】
メッキ法の場合、例えばスパッタリング法等で、絶縁基板１１の主面１１Ａに、厚さ０．１μｍ程度のＴｉ／Ｃｕ膜を形成した後、レジストを形成し、Ｃｕ／Ｎｉ膜を電解メッキで形成した後、レジスト剥離及びメッキ膜の積層体を厚さ方向にエッチングしてリッジ形状とした後、得られたリッジ形状の積層体に対してＮｉ／Ａｕ膜を電解メッキ（オーバーメッキ）して形成することができる。
【００２９】
なお、ビアパッド１２、接続パッド１３、配線１４及び測定用パッド１５の大きさ及び線幅は、上記レジストのパターン幅を制御することによって実施する。
【００３０】
次に、抵抗値測定用パッド１５について説明する。図２に示す例では、ビアパッド１２及び接続パッド１３間が配線１４によって電気的に接続されてなるとともに、接続パッド１３に対して抵抗値測定用パッド１５が一体的に形成されている。抵抗値測定用パッド１５は、配線基板１０において、その配線抵抗を測定するために、いわば付随的に設けられたパッドである。
【００３１】
したがって、多少変形しても、配線基板１０全体の配線抵抗等には何らの影響も与えず、また、実際の半導体ウエハの電気特性評価に何らの影響を与えるものではない。したがって、抵抗値測定用パッド１５に対して測定プローブを接触させて前記配線基板の配線抵抗を測定することにより、上述したビアパッドの破損や接続パッドの変形に伴う問題を生ぜしめることなく、配線基板１０の前記配線抵抗を測定することができる。
【００３２】
また、抵抗値測定用パッド１５とビアパッド１２とに測定プローブを接触させて測定を行うことにより、ビアパッド１２と接続パッド１３との間の配線１４全体の抵抗値をほぼ正確に測定することができる。
【００３３】
図３に示す例では、接続パッド１３と一体化された抵抗値測定用パッド１５の、配線１４と接触する側が、ビアパッド１２に向けてテーパ状に狭小化されている。この場合においても、配線基板１０は、高周波特性に優れるようになる。すなわち、測定用パッド１５がビアパッド１２に向けてテーパ状に狭小化されていると、高周波が測定用パッド１５に入射した際に反射波の生成が抑制されるようになる。したがって、配線基板１０全体のインピーダンス、すなわち抵抗値が当初設定値からずれてしまうようなことがない。
【００３４】
（第２の実施形態）
第１の実施形態から第３の実施形態で説明した配線基板１０を、実際の電気特性測定用配線基板（ＩＣ電気特性検査用配線基板）として使用するためには、接続パッド１３においてプローブピンを上方に向けて延在するようにして形成する。例えば、図２に対応させた拡大断面図である図４に示すように、接続パッド１３上に上方に延在したプローブピン１８を形成する。そして、プローブピン１８を測定すべき半導体ウエハ上の半導体素子に接触させ、所定の電圧電流を負荷することによって、前記半導体素子の電気特性を評価する。
【００３５】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定さ
れるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能で
ある。
【符号の説明】
【００３６】
１１  絶縁基板
１２  ビアパッド
１３  接続パッド
１４  配線
１５  （抵抗値）測定用パッド
１７  抵抗体
１８  プローブピン
【図１】
0005450855.tif 000002
【図２】
0005450855.tif 000003
【図３】
0005450855.tif 000004
【図４】
0005450855.tif 000005