(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、
前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであり、
前記白色顔料以外の充填材がシリカを含み、
前記エポキシ化合物の全体のエポキシ当量と前記酸無水物硬化剤の全体の硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜３：１であり、
前記白色顔料の含有量が３重量％以上、９５重量％以下であり、
前記白色顔料以外の充填材の含有量が５重量％以上、９５重量％以下であり、
前記エポキシ化合物１００重量部に対して、前記硬化促進剤の含有量が０．０１重量部以上、１０重量部以下であり、
示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、１００Ｊ／ｇ以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
１８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ未満である、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物のエポキシ当量が３００以下である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
離型剤を含まないか、又は離型剤をさらに含みかつ光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中の前記離型剤の含有量が２重量％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
離型剤をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
光半導体装置において光半導体素子が搭載されたリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後、前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体であって、  請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
【請求項９】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備え、
前記成形体が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成形体が配置されている。該枠部を有する成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
また、成形材料を成形して上記成形体を得る際には、通常、金型を用いて、圧縮成形法、トランスファー成形法又は射出成形法などによって、加熱加圧下で連続的に成形する。成形材料を連続成形する場合、得られた成形体の金型からの離型性が、生産性に著しい影響を及ぼす。従来、成形体の金型からの離型性を高めるために、成形材料に離型剤が用いられることが多い。
【０００５】
下記の特許文献１には、（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物との特定の反応物と、（Ｂ）特定のグリセリン型の内部離型剤と、（Ｃ）反射部材と、（Ｄ）無機充填材とを含む成形材料が開示されている。
【０００６】
下記の特許文献２には、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）硬化触媒と、（Ｄ）無機充填材と、（Ｅ）白色顔料と、（Ｆ）添加剤と、（Ｇ）離型剤とを含む成形材料が開示されている。この成形材料では、トランスファー成形法による連続成形可能ショット数が１００回以上である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１９２８８８号公報
【特許文献２】特開２００９−０９７００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１，２に記載のような従来の成形材料を連続成形する場合には、上記成形材料に含まれる離型剤によって、成形体の金型からの離型性が高くなり、連続成形性は高くなる。しかし、上記成形材料に含まれる離型剤が成形体にも含まれる結果、成形体の密着対象物に対する密着性が悪くなる。特に、リードフレーム上に成形体を配置したときに、成形体とリードフレームとの密着性が悪くなり、成形体とリードフレームとの剥離が生じやすいという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、リードフレームなどの密着対象物に対する成形体の密着性を高めることができる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、１００Ｊ／ｇ以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。
【００１１】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、１８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ未満である。
【００１２】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記エポキシ化合物のエポキシ当量が３００以下である。
【００１３】
前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。前記充填材がシリカを含むことが好ましい。前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであり、かつ、前記充填材がシリカを含むことが好ましい。
【００１４】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、該光半導体装置用白色硬化性組成物は、離型剤を含まないか、又は離型剤をさらに含みかつ光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中の前記離型剤の含有量が２重量％以下である。
【００１５】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、該光半導体装置用白色硬化性組成物は、離型剤をさらに含む。
【００１６】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子が搭載されたリードフレーム上に配置される成形体を得るために好適に用いられる。
【００１７】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後、前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために好適に用いられる。
【００１８】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体であって、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体が提供される。
【００１９】
本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備え、前記成形体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、更に示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、１００Ｊ／ｇ以下であるので、リードフレームなどの密着対象物に対する成形体の密着性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２３】
（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、白色顔料（Ｃ）と、白色顔料以外の充填材（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、硬化剤（Ｂ）は、酸無水物硬化剤である。
【００２４】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、１００Ｊ／ｇ以下である。
【００２５】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することで、更に硬化開始から硬化完了までの発熱量が上記下限以上であることで、リードフレームなどの密着対象物に対する成形体の密着性を高めることができる。特に、銀めっき及び銅の表面を有する密着対象物に対する成形体の密着性が高くなる。また、例えば、リードフレーム上に、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を配置したときに、リードフレームと成形体の密着性が高くなる。この結果、リードフレームと成形体との剥離を抑えることができる。さらに、成形体を所定の形状に成形することができ、成形体の意図しない変形を抑えることができる。例えば、成形体の湾曲を抑えることができる。
【００２６】
なお、上記発熱量は１００Ｊ／ｇを超えても、リードフレームなどの密着対象物に対する成形体の密着性を高めることはできるが、硬化収縮による成形体の変形を抑える観点から、上記発熱量は１００Ｊ／ｇ以下である。
【００２７】
また、複数の光半導体装置を得るために、後に複数のリードフレームに分割される分割前リードフレーム上に、成形体を配置した後、分割前リードフレームを分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。さらに、複数の光半導体装置を得るために、リードフレーム上に、後に複数の成形体に分割される分割前成形体を配置した後、分割前成形体を分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。
【００２８】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、分割前リードフレーム及び分割前成形体を分割する際に、リードフレームからの成形体の剥離を効果的に抑制することができる。また、本発明では、例えば、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した後、ランナー部分から、成形された成形体を含むＬＥＤパッケージを分離する際に、成形体がリードフレーム等から剥離し難くなる。
【００２９】
また、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、リードフレーム以外の密着対象物に関しても、成形体の密着対象物に対する密着性を高めることができる。上記リードフレーム以外の密着対象物としては、封止剤等が挙げられる。
【００３０】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、複数の成形体を連続して成形する際に、連続成形性を高めることができる。すなわち、複数の成形体を連続して成形したとしても、成形体に欠けが生じ難く、ウェルドなどの成形異常が生じ難くなる。
【００３１】
上記発熱量は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）により、上記光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化開始から硬化完了までの発熱量を測定することにより求めることができる。上記ＤＳＣを行う際に、例えば、エイアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ  ＤＳＣ７０２０」等が用いられる。上記硬化開始温度は一般に５０℃以上の温度である。従って、上記ＤＳＣでは、室温（２３℃）から昇温速度１０℃／分で硬化が完了するまでの発熱量（総発熱量）を測定することにより求めることができる。上記ＤＳＣにおいて、温度と熱流とをプロットしたときに、ベースラインから熱流が上昇し始めたときを硬化開始と判断し、熱流が下降してベースラインに至ったときを硬化完了と判断する。
【００３２】
上記発熱量を制御する方法としては、上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との当量比を制御する方法、上記白色顔料（Ｃ）の配合量を制御する方法、上記白色顔料以外の充填材（Ｄ）の配合量を制御する方法、並びに上記硬化促進剤（Ｅ）の配合量を制御する方法等が挙げられる。
【００３３】
成形性をより一層高める観点からは、上記光半導体装置用白色硬化性組成物の１８０℃での溶融粘度は、好ましくは２００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ未満である。上記溶融粘度の下限は特に限定されない。過度の流動を抑える観点からは、上記光半導体装置用白色硬化性組成物の１８０℃での溶融粘度は、好ましくは３Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５Ｐａ・ｓ以上である。
【００３４】
上記溶融粘度の測定には、例えば、島津製作所社製の高化式フローテスター等が用いられる。測定条件は、温度１８０℃、荷重２０ｋｇｆ、ダイ穴径１ｍｍ及びダイ長さ１ｍｍの条件である。
【００３５】
以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００３６】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含む。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３７】
上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、及び複素環式エポキシ化合物等が挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。
【００３８】
上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。
【００３９】
上記エポキシ化合物（Ａ）は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物（Ａ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。
【００４０】
過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。
【００４１】
上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記硬化性組成物の連続成形性、及び成形体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。
【００４２】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００４３】
［硬化剤（Ｂ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤である。該酸無水物硬化剤の使用によって、成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４４】
上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００４５】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００４６】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００４７】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１００重量部以下である。
【００４８】
また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜３：１であることが好ましく、１．３：１〜２：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。
【００４９】
［白色顔料（Ｃ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は上記白色顔料（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記白色顔料（Ｃ）の使用によって、上記白色顔料（Ｃ）以外の充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記白色顔料（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５０】
上記白色顔料（Ｃ）は特に限定されない。上記白色顔料（Ｃ）として従来公知の白色顔料を使用可能である。
【００５１】
上記白色顔料（Ｃ）としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。
【００５２】
成形体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、１種又は２種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化ジルコニウムであってもよい。
【００５３】
上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。
【００５４】
上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００５５】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。
【００５６】
上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成形体の加工性及び成形体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００５７】
上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成形体の加工性及び成形体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００５８】
上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。
【００５９】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の成形体がより一層高くなる。
【００６０】
（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）以外の充填材である。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）とは異なる。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６１】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。
【００６２】
上記硬化性組成物の成形性、並びに成形体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましい。
【００６３】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、上記硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。上記平均粒径が上記上限以下であると、成形体の外観不良がより一層生じ難くなる。
【００６４】
上記充填材（Ｄ）における平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ  Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ  １３  ３２０」等が挙げられる。
【００６５】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。
【００６６】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成形性及び成形体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成形体の強度がより一層高くなり、上記硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。
【００６７】
（硬化促進剤（Ｅ））
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との反応を促進するために、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記硬化促進剤（Ｅ）を含む。硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性が高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６８】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００６９】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【００７０】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【００７１】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００７２】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。
【００７３】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。
【００７４】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００７５】
上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【００７６】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【００７７】
（離型剤（Ｆ））
本発明では、離型剤（Ｆ）を用いなくても、また離型剤（Ｆ）を用いる場合に離型剤（Ｆ）の含有量が少なくても、成形体の密着対象物に対する密着性が高くなり、かつ連続成形性が高くなる。但し、連続成形性をより一層高める観点からは、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、離型剤（Ｆ）を含んでいてもよい。離型剤（Ｆ）を用いる場合であっても、本発明の構成を備える場合には、本発明の構成を備えていない場合と比べて、連続成形性を高く維持しつつ、成形体の密着対象物に対する密着性を高めることができる。上記離型剤（Ｆ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７８】
上記離型剤（Ｆ）は特に限定されない。上記離型剤（Ｆ）として、従来公知の離型剤を使用可能である。上記離型剤（Ｆ）としては、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００７９】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）の含有量は０重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいなくてもよい。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記下限以上であると、連続成形性がより一層高くなる。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記上限以下であると、密着対象物と成形体との密着性がより一層高くなる。
【００８０】
密着対象物と成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか、又は上記離型剤（Ｆ）をさらに含みかつ上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中の上記離型剤（Ｆ）の含有量が２重量％以下であることが特に好ましい。
【００８１】
（他の成分）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、カップリング剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【００８２】
上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。
【００８３】
上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【００８４】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。
【００８５】
（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、金型を用いて成形体を得るために用いられることが好ましい。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置され、枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成形体を得るために用いられることが好ましい。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成形体を得るために用いられることが好ましい。
【００８６】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
【００８７】
光の反射率が高い成形体が得られるので、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。
【００８８】
光の反射率が高い成形体が得られるので、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成形体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成形体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。
【００８９】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。
【００９０】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）と白色顔料（Ｃ）と白色顔料以外の充填材（Ｄ）と硬化促進剤（Ｅ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。
【００９１】
本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【００９２】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。
【００９３】
トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。
【００９４】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備える。上記光半導体装置における上記成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
【００９５】
本発明に係る光半導体装置では、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【００９６】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。
【００９７】
本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成形体４は、枠部である。第２の成形体５は、底部である。光半導体装置１では、成形体は、枠部（第１の成形体４）と、底部（第２の成形体５）とを有する。第１の成形体４である枠部は、外壁部である。第１の成形体４である枠部は、環状である。
【００９８】
なお、成形体は、底部を有さない成形体であってもよい。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成形体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成形体は、枠部のみの枠状の成形体であってもよい。上記底部材は、成形体であってもよい。
【００９９】
リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成形体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５（枠部及び底部を有する成形体）は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。第１の成形体４のみが、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であってもよい。
【０１００】
第１の成形体４（枠部）は、光半導体素子３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成形体４，５は、白色である。第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。
【０１０１】
光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。
【０１０２】
光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。
【０１０３】
図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー２３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。
【０１０４】
なお、図１，２に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１０５】
また、図３に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。
【０１０６】
さらに、図４に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１，２に示す光半導体装置１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図３，４では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。
【０１０７】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。
【０１０８】
実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１０９】
（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＥＨＰＥ３１５０（脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量１７７、ダイセル社製）
２）ＴＥＰＩＣ（トリグリシジルイソシアヌレート、エポキシ当量１００、日産化学社製）
３）ＹＤ−０１１（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量４５０、新日鉄住金化学社製）
【０１１０】
（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＴＨ（テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）リカシッドＭＨ（４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
３）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
【０１１１】
（白色顔料（Ｃ））
１）ＣＲ−５８（酸化チタン、ルチル型、Ａｌにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、石原産業社製）
２）ＵＴ７７１（酸化チタン、ルチル型、Ａｌ、Ｚｒにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、有機処理されている、石原産業社製）
３）酸化亜鉛Ｉ種（平均粒径１μｍ、堺化学工業社製）
４）ＵＥＰ（酸化ジルコニウム、平均粒径０．５μｍ、第一稀元素化学工業社製）
【０１１２】
（充填材（Ｄ））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＡＡ（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
３）Ｂ−５５（破砕充填材である硫酸バリウム、平均粒径１．２μｍ、堺化学工業社製）
【０１１３】
（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業社製）
３）ＰＸ−４ＰＢ（テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、日本化学工業社製）
４）Ｃ１１Ｚ−ＣＮ（１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、四国化成工業社製）
【０１１４】
（離型剤（Ｆ））
１）セリダスト３７１５（ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン社製）
２）Ｍ−９６７６（ステアリン酸ステアリル、日油社製）
【０１１５】
（実施例１〜２１及び比較例１〜６）
下記表１〜４に示す各成分を下記表１〜４に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（東洋精機製作所社製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて７０℃で１０分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物が常温で固体である場合には、該溶融混練物を常温で粉砕した。次に、５０℃のオーブン内で下記の表１〜４に示す時間でエイジングを行った後、又はエイジングを行わなかった後（エイジング時間：０時間）、打錠して、白色硬化性組成物を得た。なお、溶融混練物が液体である場合には、液状のままで白色硬化性組成物として用いた。
【０１１６】
（測定）
（１）硬化開始から硬化完了までの発熱量
得られた白色硬化性組成物５０ｍｇを、アルミパンに秤量し、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行った。
【０１１７】
上記ＤＳＣを行うために、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ  ＤＳＣ７０２０」を用いた。測定条件は、室温（２３℃）から昇温速度１０℃／分で加熱する条件とした。上記硬化性組成物の熱硬化に伴う発熱量を測定した。
【０１１８】
（２）溶融粘度
島津製作所社製の高化式フローテスターを用いて、温度１８０℃、荷重２０ｋｇｆ、ダイ穴径１ｍｍ及びダイ長さ１ｍｍの条件で、得られた白色硬化性組成物の１８０℃における溶融粘度を測定した。
【０１１９】
（評価）
（１）連続成形性
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、リードフレーム（銀めっき表面、厚み０．２ｍｍ）を得た。
【０１２０】
金型として、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成形用金型を用意した。キャビティサイズは、１個当たり４ｍｍ×２ｍｍ、深さ１ｍｍとした。金型クリーニング材（日本カーバイド社製「ニカレットＲＣＣ」）を用いて、上記金型を３回クリーニングした後、金型離型回復材（日本カーバイド社製「ニカレットＥＣＲ−Ｃ  ＫＵ」）を用いて、金型に離型性を付与した。
【０１２１】
離型性が付与された金型を用いて、得られた白色硬化性組成物のトランスファー成形を繰り返し行い、金型に成形後の上記硬化性組成物に由来する物質が付着して、成形が不可能になるまでの成形回数を測定した。
【０１２２】
（２）成形性
上記（１）連続成形性の評価と同じ条件で、得られた白色硬化性組成物のトランスファー成形を行い、光半導体装置搭載用基板を得た。得られた光半導体装置搭載用基板を目視により検査し、成形性を下記の基準で判定した。
【０１２３】
［成形性の判定基準］
○：成形体に充填不良による欠け及びウェルドなどの外観異常がない
×：成形体に充填不良による欠け及びウェルドなどの外観異常が１つ以上ある
【０１２４】
（３）成形体と銀めっきとの密着性
上記（１）連続成形性の評価と同じ条件で、得られた白色硬化性組成物のトランスファー成形を行い、光半導体装置搭載用基板を得た。得られた光半導体装置搭載用基板を、１５０℃２時間の条件でアフターキュアを行った。アフターキュア後の成形体において、リックス社製「ＡＸ−９３０」を用いてバリを除去した。バリを除去する条件は、電解電流４Ａ、電解時間９０秒及び洗浄圧力１０ＭＰａの条件とした。
【０１２５】
バリを除去した後の成形体のキャビティ部（１５０箇所）に、キャビティからこぼれないように赤インクを滴下し、２４時間放置した。２４時間後に目視により、成形体と銀めっきとの密着性を以下の基準で判定した
【０１２６】
［成形体と銀めっきとの密着性の判定基準］
○○：成形体とリードフレームとの界面からインクが漏れ出している箇所が、１５０箇所中０箇所
○：成形体とリードフレームとの界面からインクが漏れ出している箇所が、１５０箇所中１箇所以上、３箇所以下
×：成形体とリードフレームとの界面からインクが漏れ出している箇所が、１５０箇所中３箇所を超える
【０１２７】
（４）成形体と銅との密着性
リードフレームに銀めっきを施さなかったリードフレーム（銅表面、厚み０．２ｍｍ）を用意した。このリードフレームを用いたこと以外は、上記（１）連続成形性の評価と同じ条件で、得られた白色硬化性組成物のトランスファー成形を行い、光半導体装置搭載用基板を得た。得られた光半導体装置搭載用基板を、１５０℃２時間の条件でアフターキュアを行った。アフターキュア後の成形体において、リックス社製「ＡＸ−９３０」を用いてバリを除去した。バリを除去する条件は、電解電流４Ａ、電解時間９０秒及び洗浄圧力１０ＭＰａの条件とした。
【０１２８】
バリを除去した後の成形体のキャビティ部（１５０箇所）に、キャビティからこぼれないように赤インクを滴下し、２４時間放置した。２４時間後に目視により、成形体と銅との密着性を以下の基準で判定した。
【０１２９】
［成形体と銅との密着性の判定基準］
○○：成形体とリードフレームとの界面からインクが漏れ出している箇所が、１５０箇所中０箇所
○：成形体とリードフレームとの界面からインクが漏れ出している箇所が、１５０箇所中１箇所以上、３箇所以下
×：成形体とリードフレームとの界面からインクが漏れ出している箇所が、１５０箇所中３箇所を超える
【０１３０】
（５）成形体の変形
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、寸法が７５ｍｍ×２５０ｍｍのリードフレーム（銀めっき表面、厚み０．２ｍｍ）を得た。
【０１３１】
金型として、縦２５個×横１２個のマトリックス状に配置された３００個の凹部（光半導体素子搭載部）を４ブロック有する一括成形用金型を用意した。キャビティサイズは、１個当たり４ｍｍ×２ｍｍ、深さ０．５ｍｍとした。金型クリーニング材（日本カーバイド社製「ニカレットＲＣＣ」）を用いて、上記金型を３回クリーニングした後、金型離型回復材（日本カーバイド社製「ニカレットＥＣＲ−Ｃ  ＫＵ」）を用いて、金型に離型性を付与した。
【０１３２】
離型性が付与された金型を用いて、得られた白色硬化性組成物のトランスファー成形を行い、１７０℃で２時間の条件でアフターキュアを実施した。
【０１３３】
アフターキュア後の成形体を水平な平面上に置き、平面からの成形体の垂直方向の変形量を測定した。成形体の変形を以下の基準で判定した。
【０１３４】
［成形体の変形の判定基準］
○：成形体の垂直方向の変形量が１ｍｍ未満
×：成形体の垂直方向の変形量が１ｍｍ以上
【０１３５】
結果を下記の表１〜４に示す。なお、比較例６では、成形体の変形が生じたため、（３）成形体と銀めっきとの密着性、及び（４）成形体と銅との密着性については評価を行わなかった。
【０１３６】
【表１】
0005613308.tif 000002
【０１３７】
【表２】
0005613308.tif 000003
【０１３８】
【表３】
0005613308.tif 000004
【０１３９】
【表４】
0005613308.tif 000005
【符号の説明】
【０１４０】
１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
【図１】
0005613308.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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