(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向及びＸ方向と直交する方向であるＹ方向に延びるダイシングラインに沿って切断された半導体ウェーハまたはＸ方向及びＹ方向に延びる割裂誘導ラインが形成されている半導体ウェーハから、ダイボンディング層ごと半導体チップを取り出すために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、
粘接着剤からなるダイボンディング層と、
前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されており、平面形状が円形のダイシングテープ層とを備え、
前記ダイシングテープ層の外周縁に、複数の切欠きまたは切込みが形成されており、該複数の切欠きまたは切込みは、前記円形のダイシングテープの中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、及び第１の直線と直交する第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、該ダイシングテープの伸長を促進するように、前記第１の直線に平行な方向及び第２の直線に平行な方向に延びる部分を有する、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記ダイボンディング層と前記ダイシングテープ層との間に積層されている基材層をさらに備え、該基材層の前記ダイボンディング層に接している部分が非粘着性材料からなる、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記ダイボンディング層の平面形状が円形である、請求項１または２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
複数の切欠きまたは切込みが半導体ウェーハ貼付領域の外側に存在する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、該半導体チップをダイボンディングするのに用いられる、ダイシング−ダイボンディングテープに関し、より詳細には、粘接着剤からなるダイボンディングフィルム層にダイシングテープが直接または他の層を介して積層されているダイシング−ダイボンディングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す方法として、先ダイシング法と称されているダイシング法が用いられている。例えば下記の特許文献１には、先ダイシング法の一例が開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載の先ダイシング法では、まず、円形の半導体ウェーハの一方面から、切込みを形成する。この切込みは、半導体ウェーハの面内における任意の方向であるＸ方向と、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向に延びるように形成する。次に、切込みが形成されている半導体ウェーハ面に、保護シートを貼り付ける。しかる後、半導体ウェーハの保護シートが貼り付けられた面とは反対側の面から切込みが形成されている部分まで研削する。このようにして、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する。それによって、薄い多数の半導体チップを形成することができる。
【０００４】
他方、下記の特許文献２に記載のように、半導体ウェーハのダイシングすべき領域内に焦点を合わせてパルスレーザーを照射する方法も知られている。この場合には、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びる分割ラインに上記レーザー光を照射し、改質する。この改質された領域の強度が低下するため、面方向に外力を加えることにより、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割することができる。
【０００５】
ところで、特許文献２に記載のように、先ダイシングされた半導体ウェーハや、上記レーザー光の照射により分割領域が改質された半導体ウェーハから、個々の半導体チップを基板上に実装するために、ダイボンディングフィルムと称されている接着フィルムが従来より用いられている。
【０００６】
すなわち、先ダイシングされた半導体ウェーハや上記変質領域が形成された半導体ウェーハの裏面にダイボンディングフィルムを積層し、さらに該ダイボンディングフィルムの反対側の面に拡張可能なダイシングテープを積層する。次にダイシングテープに円環状のダイシングリングを貼り付ける。そして、円筒状の割裂治具によりダイシングテープを突き上げて、ダイシングテープを拡張する。それによって、先ダイシングされた半導体ウェーハの半導体チップ間を広げたり、上記変質層が分割ラインに設けられた半導体ウェーハに外力を加えることにより該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する。この外力により、ダイボンディングフィルムもまた、半導体チップとともに分割される。それによって、ダイボンディングフィルムも個片化される。従って、半導体チップを、該半導体チップの下面の個片化されたダイボンディングフィルムごと取り出すことができ、基板上に実装することができる。
【０００７】
特許文献２では、上記外力によりダイボンディングフィルムの分割を容易とするために、ダイボンディングフィルムに赤外光などの電磁波を照射する方法が開示されている。
【０００８】
また、下記の特許文献３には、上記ダイボンディングフィルムの割裂を容易とするために、ダイボンディングフィルムを、該フィルムを構成している樹脂のガラス転移温度以下に冷却する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００６−８０１４２号公報
【特許文献３】特開２００７−２７２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、先ダイシングされた半導体ウェーハや上記変質層が形成された半導体ウェーハにダイボンディングフィルムが積層されている構造から半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップするに際しては、ダイシングテープを拡張し、ダイボンディングフィルムを割裂する必要があった。この場合、円筒状の割裂治具をダイシングテープに圧接させ、ダイシングテープを径方向外側に引っ張る。それによって、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインや割裂ラインに沿ってダイボンディングフィルムを割裂させる。
【００１１】
この場合、図９に模式的平面図で示すように、ダイシングテープ１０１の下面にダイボンディング層１０２が積層されている構造において、ダイシングテープ１０１に径方向外側に広がる応力が加わることになる。この応力は、円筒状の割裂治具をダイシングテープ１０１を圧接させることにより与えられる。従って、図示の矢印で示すように、上記引っ張り応力は、円形のダイシングテープ１０１の中心から径方向外側に作用することとなる。
【００１２】
他方、ダイボンディング層１０２の割裂すべきラインは、前述したように、Ｘ方向及びＹ方向に延びている。従って、上記ダイシングテープに加わる引っ張り応力によって、ダイボンディング層が割裂すべきラインに沿って確実に割裂されないことがあった。すなわち、図９の矢印Ｘ方向及びＹ方向がダイボンディング層１０２の割裂すべきラインの方向とすると、Ｘ１で示す方向に加わる応力が作用する部分では、Ｙ方向に延びる割裂すべきラインの両側のダイボンディング層が確実に割裂される。これに対して、例えば矢印Ａで示すように、Ｘ方向やＹ方向と斜め方向に交差する方向に応力が加わる部分では、該引っ張り応力によって、Ｘ方向あるいはＹ方向に延びる切込みの両側のダイボンディング層が充分に割裂しないことがあった。そのため、半導体チップのピックアップ不良が生じることがあった。
【００１３】
本発明の目的は、ダイシングリングによりダイシングテープに引っ張り応力を加えた場合に、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に延びる割裂すべきラインに沿って確実に割裂できるダイシング−ダイボンディングテープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、Ｘ方向及びＸ方向と直交する方向であるＹ方向に延びるダイシングラインに沿って切断された半導体ウェーハまたはＸ方向及びＹ方向に延びる割裂誘導ラインが形成されている半導体ウェーハから、半導体チップをダイボンディング層ごとピックアップするのに用いられるダイシング−ダイボンディングテープである。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤からなるダイボンディング層と、前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されており、平面形状が円形のダイシングテープ層とを備える。本発明では、前記ダイシングテープ層の外周縁に、複数の切欠きまたは切込みが形成されており、該複数の切欠きまたは切込みは、前記円形のダイシングテープの中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、及び第１の直線と直交する第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、該ダイシングテープの伸長を促進するように、前記第１の直線に平行な方向及び第２の直線に平行な方向に延びる部分を有する。
【００１５】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイボンディング層と前記ダイシングテープ層との間に積層されている基材層がさらに備えられており、該基材層の前記ダイボンディング層に接している部分が非粘着性材料からなる。この場合には、ダイボンディング層の割裂後に、半導体チップをダイボンディング層と共に基材層から容易に剥離することができる。従って、ピックアップ不良がより一層生じがたい。
【００１６】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記ダイボンディング層の平面形状が円形である。ダイシングテープ及びダイボンディング層が円形である場合、ダイボンディング層の外側の円環状の領域に、ダイシングリングを容易に当接させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイシングテープ層に上記第１の直線に平行な方向及び第２の直線に平行な方向に延びる部分を有する複数の切欠きまたは切込みが形成されているので、ダイシングテープに径方向外側への引っ張り応力を加えた場合、第１，第２の直線に平行な方向に応力が確実に作用する。従って、ダイシングテープに上記引っ張り応力を加えた場合、ダイボンディング層を確実に個々の半導体チップ単位のダイボンディング層部分に割裂することができる。よって、半導体チップのピックアップ不良を著しく少なくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープのダイシングテープ層の平面図であり、（ｂ）は該ダイシング−ダイボンディングテープの正面断面図である。
【図２】本発明のダイシング−ダイボンディングテープか複数形成されているダイシング−ダイボンディングテープ列を示す平面図である。
【図３】先ダイシングされた半導体ウェーハを説明するための模式的平面図である。
【図４】（ａ）は、半導体ウェーハにダイシング−ダイボンディングテープを積層し、かつダイシングリングをダイシングテープに貼り付けた状態を示す平面図であり、（ｂ）はその正面断面図である。
【図５】本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体ウェーハから半導体チップをピックアップする工程を説明するための正面断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、ダイシングテープに割裂治具を当接させる工程を説明するための図であり、（ａ）は図４（ａ）中のＡ１−Ａ１線に沿う方向に相当する部分の部分切欠正面断面図であり、（ｂ）は図４（ａ）中のＡ２−Ａ２線に沿う方向に相当する部分切欠正面断面図である。
【図７】本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップをピックアップに際し、ダイボンディング層を割裂した状態を示す正面断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを説明するための模式的平面図である。
【図９】従来のダイシング−ダイボンディングテープの問題点を説明するための模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。
【００２０】
図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す正面断面図である。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２は、ポリエチレンテレフタレートなどの適宜の合成樹脂からなる。離型層２の表面は離型処理されていてもよい。
【００２１】
離型層２上に、ダイボンディング層３が形成されている。ダイボンディング層３は、半導体チップのダイボンディング剤として用いられる層である。すなわち、ダイボンディング層３は、半導体チップを基板または他の半導体チップに接合するために用いられる。
【００２２】
上記ダイボンディング層３は、適宜の粘接着剤からなる。
【００２３】
ダイボンディング層３は、後述するように円形の半導体ウェーハを貼り付ける部分であり、本実施形態では、ダイボンディング層３は、円形の平面形状を有する。もっとも、ダイボンディング層３は、円形以外の形状を有していてもよい。
【００２４】
ダイボンディング層３を覆うように基材層４が積層されている。基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくすればよい。
【００２５】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。また、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００２６】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性を充分に低くすることができ、基材層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつダイボンディング層３の基材層４からの剥離性を高くすることができる。
【００２７】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００２８】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００２９】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００３０】
基材層４を覆うように、ダイシングテープ５が積層されている。このダイシングテープ５は、テープ本体層５ａと、テープ本体層５ａの下面に設けられた粘着剤層５ｂとを有する。
【００３１】
テープ本体層５ａは、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの適宜の合成樹脂からなる。もっとも、後述するダイシングに際してのエクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンが好適である。
【００３２】
本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１の特徴は、上記ダイシングテープ
５において、図１（ａ）に示す複数の切欠き５ｃが形成されていることにある。
【００３３】
本実施形態では、切欠き５ｃは、ダイシングテープ５を外周縁において切除することにより形成されている。
【００３４】
切欠き５ｃは、図１（ａ）の第１の方向であるＸ方向に延びる部分５ｃ１と、Ｘ方向と直交する第２の方向であるＹ方向に延びる部分５ｃ２とを有する。このＸ方向及びＹ方向は、ダイシングテープ５の面内において、互いに直交する方向である。また、後述するように、半導体ウェーハを半導体チップに個片化するための半導体ウェーハに形成されているＸ方向及びＹ方向の切断線と平行な部分５ｃ１及び５ｃ２が位置するよう半導体ウェーハが積層され、ダイボンディング層の割裂が行われる。この点については、後述の半導体チップのピックアップ方法において詳細に説明する。
【００３５】
図１（ａ）では、ダイシングテープ５の外周縁の周方向において、４個の切欠き５ｃが等しい間隔を隔てて配置されている。もっとも、複数の切欠き５ｃの数は２以上であれば任意であり、各切欠き５ｃが、上記部分５ｃ１及び５ｃ２を有しておればよい。
【００３６】
なお、切欠きの深さは、切欠きの最奥部が半導体ウェーハの外周縁に至る寸法以下であることが好ましく、ダイシングリングの内側縁よりも切欠きの最奥部が内側に位置する寸法以上であることが好ましい。より好ましくは、切欠きの最奥部が半導体ウェーハの外周縁よりも径方向において２ｍｍ外側に位置する部分以下であることが望ましく、また、切欠きの最奥部がダイシングリングの内側縁からダイシングリングの径方向内側に５ｍｍ離れた位置よりも内側に位置していることが望ましい。半導体ウェーハの外周縁あるいは外周縁より内側に切欠きの最奥部が位置すると、ダイシングテープを半導体ウェーハに貼りつけるに際し、切欠きの一部が半導体ウェーハ面に入り込むおそれがある。切欠きの最奥部がダイシングリングの内側縁よりも外側に位置していると、切欠きを設けた効果が損なわれるおそれがある。
【００３７】
切欠き５ｃが、部分５ｃ１及び５ｃ２を有するため、ダイシングテープ５の径方向外側に引っ張り応力を加えた場合、Ｘ方向及びＹ方向に上記応力が充分に作用する。従って、後述するように、半導体ウェーハに積層されているダイボンディング層３をＸ方向及びＹ方向に沿う切断線に沿って確実に割裂することができる。
【００３８】
なお、図１（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ積層構造は、実際の製品では、図２に示すように、長尺状の離型層２上に複数構成されている。
【００３９】
上記ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた半導体チップのピックアップ方法を図３〜図７を参照して説明する。
【００４０】
図３は先ダイシングされた半導体ウェーハを説明するための模式的平面図である。円盤状の半導体ウェーハ７が保護シート８上に積層されている。保護シート８の半導体ウェーハ７が貼り合わされている面は粘着性を有する。この粘着性により、半導体ウェーハ７が、保護シート８に貼り付けられている。
【００４１】
上記保護シート８を構成する材料は、特に限定されず、片面に粘着層が設けられたポリエチレンテレフタレートなどの適宜の合成樹脂フィルムを用いることができる。また、保護シート８自体が、アクリル系粘着性フィルムにより形成されてもよい。
【００４２】
保護シート８に積層されている円盤状の半導体ウェーハ７は、周知の先ダイシング法により、ダイシングされている。すなわち、半導体ウェーハ７は、Ｘ方向に延びる複数のダイシングラインＸ１と、Ｙ方向に延びる複数のダイシングラインＹ１とに沿って切断されている。それによって、半導体ウェーハ７は、個片化された複数の半導体チップ７ａの集合体とされている。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、ステージ１０上に、上記保護シート８の上面に先ダイシングされた半導体ウェーハ７が積層されている積層体を配置する。ステージ１０上において、上記半導体ウェーハ７を取り囲むように、ダイシングリング１１を配置する。
【００４４】
他方、図１（ｂ）に示したダイシング−ダイボンディングテープ１において、離型層２を剥離し、ダイボンディング層３を半導体ウェーハ７に貼り合わせるようにして、図１（ａ）に示したダイシング−ダイボンディングテープ１を半導体ウェーハ７上に積層する。それによって、ダイボンディング層３が半導体ウェーハ７に接着される。この場合、ダイボンディング層３と半導体ウェーハ７との接着力は、ダイボンディング層３と基材層４との間の接着力よりも高くされている。また、ダイシングリング１１に、上記ダイシングテープ５が貼りつけられる。
【００４５】
しかる後、ステージ１０から上記ダイシングリング１１と共に、半導体ウェーハ７及びダイシング−ダイボンディングテープ１を有する積層体を分離する。そして、上記積層体を上下逆転させ、図５に示すように円筒状の割裂治具１３の上方に裁置する。
【００４６】
しかる後、半導体ウェーハ７に貼り合わされている保護シート８を剥離する。それによって、図６（ａ），（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ７の表面が露出する。この場合、図６（ａ）は、図４（ａ）のＡ１−Ａ１線に沿う部分に相当する断面を示し、（ｂ）はＡ２−Ａ２線に沿う部分に相当する。すなわち、図６（ａ）では、ダイシングテープ５において、切欠き５ｃが設けられている部分の断面が示されており、図６（ｂ）は、切欠き５ｃが設けられている部分の断面が示されている。
【００４７】
次に、円筒状の割裂治具１３を図６（ａ）及び（ｂ）に矢印で示すように相対的に上方に移動させ、ダイシングテープ５を突き上げる。それによって、図７に示すように、ダイシングテープ５に、ダイシングテープ５の中心から径方向外側に延びる引っ張り応力が加わることとなる。それによって、ダイシングテープ５及びダイボンディング層３上に積層されている半導体ウェーハ７において、隣り合う半導体チップ７ａ間の間隔が広がることとなる。言い換えれば、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインの両側の半導体チップ間が互いに隔てられることになる。同時に、Ｘ方向及びＹ方向に延びる上記ダイシングラインに沿って、基材層４の上面に位置しているダイボンディング層３が、複数のダイボンディング層３ａに割裂されることとなる。
【００４８】
本実施形態では、このダイボンディング層３における割裂が確実に行われる。前述したように、図９に示す従来のダイシング−ダイボンディングテープでは、径方向外側に加わる応力の向きによっては、ダイボンディング層の割裂が確実に行われないことがあった。これに対して、本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１では、切欠き５ｃが、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びる部分５ｃ１及び５ｃ２を有する。従って、ダイシングテープ５に径方向外側に向かう引っ張り応力が発生したとしても、引っ張り応力が図１の矢印Ｘａ，−Ｘａ及びＹａ，−Ｙａで示す方向が支配的となる。例えば、図１（ａ）において、矢印Ｙａに引っ張られる部分５ｄは、両側の切欠き５ｃ，５ｃが部分５ｃ２，５ｃ２を有するため、該部分５ｄにおける引っ張り応力は矢印Ｙａで示す方向が支配的となる。同様に、図１（ａ）中の部分５ｅは、両側の切欠き５ｃ，５ｃが、Ｙ方向に延びる部分５ｃ１，５ｃ１を有するため、引っ張り応力が加わる方向は、Ｘａ方向が支配的となる。
【００４９】
よって、ダイシングテープ５を割裂治具１３により突き上げ、引っ張り応力を加えたとしても、ダイシングテープ５においては、Ｘ方向及びＹ方向において径方向外側に主として引っ張り応力が作用することとなる。
【００５０】
よって、半導体ウェーハ７のダイシングライン及びダイボンディング層の割裂方向を、上記Ｘ方向及びＹ方向とし、切欠き５ｃの部分５ｃ１及び５ｃ２の延びる方向と平行とするようにして、ダイシング−ダイボンディングテープ１に半導体ウェーハ７を積層しておくことにより、ダイボンディング層３をＸ方向及びＹ方向に沿って確実に割裂することかできる。
【００５１】
従って、本実施形態のピックアップ方法では、半導体チップ７ａを、割裂されたダイボンディング層３ａと共に確実にピックアップし、基板や他の半導体チップ上に接合することができる。従って、ピックアップ不良を著しく少なくすることが可能となる。
【００５２】
図８は、本発明のダイシング−ダイボンディングテープの変形例を説明するための模式的平面図である。図８では、ダイシングリング１１上にダイシング−ダイボンディングテープ１が積層されている構造が模式的に示されている。すなわち、上述した実施形態における図１（ａ）に示す状態が図８に示されている。
【００５３】
本変形例では、上記複数の切欠き５ｃに代えて、複数の切込み５ｆが形成されている。切込み５ｆは、ダイシングテープ５の一部を完全に切除せず、ダイシングテープ５の上面から下面に貫通するように切断線を形成することにより設けられている。この切込み５ｆは、切欠き５ｃと同様に、Ｘ方向及びＹ方向に延びる部分５ｆ１，５ｆ２を有する。このように、切欠き５ｃに代えて、Ｘ方向及びＹ方向に延びる部分５ｆ１，５ｆ２を有する切込み５ｆを形成した場合においても、上記実施形態の場合と同様に、ダイシングリング１１により、径方向外側に加わる引っ張り応力を加えたとしても、ダイシングテープ５を、Ｘ方向及びＹ方向に支配的に引っ張り応力を加えることができる。
【００５４】
なお、本変形例では、ダイシングテープ５を貫通するように切込み５ｆを設けたが、切込み５ｆは、ダイシングテープ５をハーフカットする深さに形成されていてもよい。
【００５５】
なお、上記基材層４は必ずしも設けられずともよく、ダイボンディング層３が、ダイシングテープ５に直接貼りつけられていてもよい。
【００５６】
なお、上記実施形態では、先ダイシングされた半導体ウェーハ７、すなわちＸ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインに沿ってダイシングされている半導体ウェーハ７を用いた。しかしながら、本発明は、特許文献２に記載のように、Ｘ方向及びＹ方向に延びる変質層、すなわち割裂誘導ラインが形成されている半導体ウェーハを用いてもよい。このような半導体ウェーハに、上記実施形態と同様に、ダイシング−ダイボンディングテープ１を積層し、円筒状の割裂治具によりダイシングテープ５を突き上げ、ダイシングテープ５を径方向外側に引っ張ることにより、ダイボンディング層３を確実にＸ方向及びＹ方向に沿って割裂することができる。この場合には、ダイボンディング層３の割裂と同時に、半導体ウェーハもまた上記Ｘ方向及びＹ方向に延びる割裂誘導ラインに沿って割裂されることとなる。
【符号の説明】
【００５７】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
３，３ａ…ダイボンディング層
４…基材層  
５…ダイシングテープ
５ａ…テープ本体層
５ｂ…粘着剤層
５ｃ…切欠き
５ｃ１，５ｃ２…部分
５ｄ，５ｅ…部分
５ｆ…切込み
５ｆ１，５ｆ２…部分
７…半導体ウェーハ
７ａ…半導体チップ
８…保護シート
１０…ステージ
１１…ダイシングリング
１３…割裂治具
【図１】
0005613002.tif 000002
【図２】
0005613002.tif 000003
【図３】
0005613002.tif 000004
【図４】
0005613002.tif 000005
【図５】
0005613002.tif 000006
【図６】
0005613002.tif 000007
【図７】
0005613002.tif 000008
【図８】
0005613002.tif 000009
【図９】
0005613002.tif 000010