(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置が搭載されるステージと、
前記表示装置に点灯信号を印加する点灯器と、
前記表示装置と離隔して位置し、前記点灯信号により、前記表示装置の画素内部の欠陥部で発生する光子または熱を検出する検出器と、
前記ステージおよび検出器を囲んでおり、前記表示装置に外部光が流入するのを遮断する光遮断ボックスを含み、
前記ステージは、
前記表示装置が搬送される搬送部と、
前記搬送部の内部に形成される開口部に設けられて回転する回転部とを含み、
前記表示装置は、前記回転部に搭載されることを特徴とする表示装置の修理装置。
【請求項２】
前記点灯信号は、前記画素内部の欠陥部から光子または熱を放出させると同時に、前記画素の発光部から前記欠陥部より少ない光子または熱を放出させる信号条件、または前記発光部で非発光とする信号条件を有することを特徴とする請求項１記載の表示装置の修理装置。
【請求項３】
前記検出器は、Ｓｉ物質の受光部品を有するＳｉ検出器と、ＩｎＧａＡｓ物質、ＧａＡｓ物質またはＩｎＧａＡｓＰ物質の中から選択された物質の受光部品を有するＩｎＧａＡｓ検出器と、ＩｎＳｂ物質の受光部品を有するＩｎＳｂ検出器との中から選択されたいずれか１つであることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項記載の表示装置の修理装置。
【請求項４】
前記光遮断ボックスは、前記検出器が検出する前記光子または熱の波長範囲より広い波長範囲の光を遮断することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の修理装置。
【請求項５】
前記検出器は、前記ステージの上方または下方に位置することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の表示装置の修理装置。
【請求項６】
前記点灯器は、
前記表示装置のパッドに接触する点灯プローブと、
前記点灯プローブに印加する前記点灯信号を発生させる点灯信号発生器とを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の表示装置の修理装置。
【請求項７】
前記回転部は、前記搬送部と前記回転部とを連結する回転軸を中心に回転することを特徴とする請求項１記載の表示装置の修理装置。
【請求項８】
前記点灯プローブは、
前記ステージの上部に位置する上部プローブと、
前記ステージの下部に位置する下部プローブとを含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の修理装置。
【請求項９】
前記表示装置と離隔して位置し、前記画素にレーザを照射して前記画素を修理するレーザ修理器をさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の表示装置の修理装置。
【請求項１０】
前記ステージの上方または下方に位置し、前記表示装置の画素に対する光学検査を進行する光学顕微鏡をさらに含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載の表示装置の修理装置。
【請求項１１】
前記ステージの上方または下方に位置し、前記表示装置の画素に対する光学検査を進行する光学顕微鏡をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の表示装置の修理装置。
【請求項１２】
光学顕微鏡を用いてステージに搭載された表示装置に点灯器を接触させて前記画素に点灯信号を印加し、前記画素内部の欠陥部で光子または熱を発生させるステップと、
検出器を用いて前記光子または熱を検出し、前記画素内部の欠陥部を確認するステップと、
前記画素内部の欠陥部にレーザを照射して前記画素を修理するステップとを含み、
前記表示装置および前記検出器は、外部光が流入するのを遮断する光遮断ボックスの内部に設けられ、
前記ステージは、
前記表示装置が搬送される搬送部と、
前記搬送部の内部に形成される開口部に設けられて回転する回転部とを含み、
前記表示装置は、前記回転部に搭載されることを特徴とする表示装置の修理方法。
【請求項１３】
前記点灯信号は、前記画素内部の欠陥部から光子または熱を放出させると同時に、前記画素の発光部から前記欠陥部より少ない光子または熱を放出させる信号条件、または前記発光部で非発光とする信号条件を有することを特徴とする請求項１２記載の表示装置の修理方法。
【請求項１４】
前記検出器は、Ｓｉ物質の受光部品を有するＳｉ検出器と、ＩｎＧａＡｓ物質、ＧａＡｓ物質またはＩｎＧａＡｓＰ物質の中から選択された物質の受光部品を有するＩｎＧａＡｓ検出器と、ＩｎＳｂ物質の受光部品を有するＩｎＳｂ検出器との中から選択されたいずれか１つであることを特徴とする請求項１２〜１３のいずれか一項記載の表示装置の修理方法。
【請求項１５】
前記表示装置を１８０度回転させ、前記表示装置の背面で発生する微細光子または熱を検出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項記載の表示装置の修理方法。
【請求項１６】
前記画素を修理した後、前記点灯器を用いて正常画素の可否を判断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項記載の表示装置の修理方法。
【請求項１７】
前記光学顕微鏡で前記画素内部の欠陥部が検出される場合には、直ちに前記画素内部の欠陥部にレーザを照射して前記画素を修理することを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか一項記載の表示装置の修理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の修理装置およびその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置、有機発光表示装置などの表示装置は、複数の薄膜と配線を積層して形成される。このような表示装置は、製造工程中に薄膜上に形成された不純物またはパーティクルや配線の短絡などを有する画素を含んでいることがある。
【０００３】
このような画素を検出するために、従来は、相対的なリーク電流の大きさを利用したり、光学顕微鏡を用いた点灯検査機を利用していた。つまり、光学顕微鏡で画素内の不純物またはパーティクルや配線の短絡などの欠陥を探し、その欠陥部分を修理していた。しかし、光学顕微鏡で見えない小さなサイズの不純物またはパーティクルや配線の短絡などによる欠陥が発生した場合、画素内の正確な修理位置を探すことができないという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の背景技術の問題を解決するためのものであって、光学顕微鏡で確認できない欠陥を有する画素を正常画素に修理可能な表示装置の修理装置およびその方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置は、表示装置が搭載されるステージと、前記表示装置に点灯信号を印加する点灯器と、前記表示装置と離隔して位置し、前記点灯信号により、前記表示装置の画素内部の欠陥部で発生する光子または熱を検出する検出器とを含むことができる。
【０００６】
前記ステージおよび検出器を囲んでおり、表示装置に外部光が流入するのを遮断する光遮断ボックスをさらに含むことができる。
【０００７】
前記点灯信号は、前記画素内部の欠陥部から光子または熱を放出させると同時に、前記画素の発光部から前記欠陥部より少ない光子または熱を放出させる信号条件、または前記発光部で非発光とする信号条件を有することができる。
【０００８】
前記検出器は、Ｓｉ物質の受光部品を有するＳｉ検出器と、ＩｎＧａＡｓ物質、ＧａＡｓ物質またはＩｎＧａＡｓＰ物質の中から選択された物質の受光部品を有するＩｎＧａＡｓ検出器と、ＩｎＳｂ物質の受光部品を有するＩｎＳｂ検出器との中から選択されたいずれか１つであり得る。
【０００９】
前記光遮断ボックスは、前記検出器が検出する前記光子または熱の波長範囲より広い波長範囲の光を遮断することができる。前記検出器は、前記ステージの上方または下方に位置することができる。
【００１０】
前記点灯器は、前記表示装置のパッドに接触する点灯プローブと、前記点灯プローブに印加する前記点灯信号を発生させる点灯信号発生器とを含むことができる。
【００１１】
前記ステージは、前記表示装置が搬送される搬送部と、前記搬送部の内部に形成される開口部に設けられて回転する回転部とを含み、前記表示装置は、前記回転部に搭載できる。前記回転部は、前記搬送部と前記回転部とを連結する回転軸を中心に回転することができる。
【００１２】
前記点灯プローブは、前記ステージの上部に位置する上部プローブと、前記ステージの下部に位置する下部プローブとをさらに含むことができる。
【００１３】
前記表示装置と離隔して位置し、前記画素にレーザを照射して前記画素を修理するレーザ修理器をさらに含むことができる。
【００１４】
前記ステージの上方または下方に位置し、前記表示装置の画素に対する光学検査を進行する光学顕微鏡をさらに含むことができる。
【００１５】
また、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理方法は、光学顕微鏡を用いてステージに搭載された表示装置に光学検査を実行し、画素内部の欠陥部を検出するステップと、前記光学顕微鏡で前記画素内部の欠陥部が検出されない場合には、前記表示装置に点灯器を接触させて前記画素に点灯信号を印加し、前記画素内部の欠陥部で光子または熱を発生させるステップと、検出器を用いて前記光子または熱を検出し、前記画素内部の欠陥部を確認するステップと、前記画素内部の欠陥部にレーザを照射して前記画素を修理するステップとを含むことができる。
【００１６】
前記表示装置および前記検出器は、外部光が流入するのを遮断する光遮断ボックスの内部に設置できる。
【００１７】
前記点灯信号は、前記画素内部の欠陥部から光子または熱を放出させると同時に、前記画素の発光部から前記欠陥部より少ない光子または熱を放出させる信号条件、または前記発光部で非発光とする信号条件を有することができる。
【００１８】
前記検出器は、Ｓｉ物質の受光部品を有するＳｉ検出器と、ＩｎＧａＡｓ物質、ＧａＡｓ物質またはＩｎＧａＡｓＰ物質の中から選択された物質の受光部品を有するＩｎＧａＡｓ検出器と、ＩｎＳｂ物質の受光部品を有するＩｎＳｂ検出器との中から選択されたいずれか１つであり得る。
【００１９】
前記表示装置を１８０度回転させ、前記表示装置の背面で発生する微細光子を検出するステップをさらに含むことができる。
【００２０】
前記画素を修理した後、前記点灯器を用いて正常画素の可否を判断するステップをさらに含むことができる。
【００２１】
前記光学顕微鏡で前記画素内部の欠陥部が検出される場合には、直ちに前記画素内部の欠陥部にレーザを照射して前記画素を修理することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、光学顕微鏡、検出器およびレーザ修理器を光遮断ボックスの内部にすべて設けることにより、光学顕微鏡によって見えない画素内部の欠陥部を検出器を用いて検出し、レーザ修理器を用いて画素を正常画素に直し、収率（歩留まり）を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明は、不良の類型とは関係なく、明点、暗点、線不良の欠陥を有する画素を正常画素に修理することができ、修理後、点灯器で正常画素になったか否かを直ちに確認することができ、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置のステージの平面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置の検出器として用いられる、Ｓｉ検出器の波長に応じた光子効率曲線（ａ）、およびＩｎＧａＡｓ検出器の波長に応じた光子効率曲線（ｂ）に対するグラフである。
【図４】本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置の検出器として用いられる、ＩｎＳｂ検出器の波長に応じた光子効率曲線（ｃ）に対するグラフである。
【図５】本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理方法のフローチャートである。
【図６】光学顕微鏡を用いて画素の内部に光学検査を進行した写真である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる検出器を用いて画素内部の欠陥部を確認した写真である。
【図８】有機発光表示装置にブラック点灯信号を印加した時の電圧の関係を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理方法に従って点灯信号を印加した時の電圧の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付した図面を参考にして、本発明の様々な実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２６】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
【００２７】
以下、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置について、図１および図２を参照して詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置の概略図であり、図２は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置のステージの平面図である。
【００２９】
図１および図２に示すように、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置は、表示装置１００が搭載されるステージ１０と、表示装置１００に点灯信号を印加する点灯器２０と、表示装置１００と離隔して位置し、点灯器２０で発生した点灯信号により、表示装置１００の画素内部の欠陥部で発生する光子または熱を検出する検出器３０と、ステージ１０および検出器３０を囲んでおり、表示装置１００に外部光が流入するのを遮断する光遮断ボックス４０とを含む。
【００３０】
ステージ１０は、表示装置１００が搬送される搬送部１１と、搬送部１１の内部に形成される開口部１１ａに設けられて回転する回転部１２とを含む。
【００３１】
表示装置１００は、液晶表示装置、有機発光表示装置などの平板表示装置であり得、表示装置１００は、回転部１２に搭載され、回転部１２は、搬送部１１と回転部１２とを連結する回転軸１３を中心に回転するため、表示装置１００は、回転部１２の回転によって上下反転可能である。
【００３２】
点灯器２０は、表示装置１００のパッド１１０に接触する点灯プローブ２１と、点灯プローブ２１に印加する点灯信号を発生させる点灯信号発生器２２とを含む。点灯プローブ２１は、ステージ１０の上部に位置する上部プローブ２１１と、ステージ１０の下部に位置する下部プローブ２１２とを含む。上部プローブ２１１は、表示装置１００のパッド１１０が検出器３０の位置する上方を向いている時、表示装置１００のパッド１１０に接触する点灯プローブであり、下部プローブ２１２は、表示装置１００が回転部１２によって反転して表示装置１００のパッド１１０が下方を向いている時、表示装置１００のパッド１１０に接触する点灯プローブである。
【００３３】
表示装置１００の前面から光子が検出されない場合、表示装置１００を１８０度回転させ、下部プローブ２１２を用いて点灯信号を印加することにより、検出器３０が表示装置１００の背面から光子または熱を検出することができる。
【００３４】
点灯プローブ２１を介して表示装置１００に印加される点灯信号は、表示装置１００の画素内部の欠陥部に電流などのエネルギーを注入する。この時、欠陥部では注入されたエネルギーの一部が失われ、失われたエネルギーは光子（Photon）または熱エネルギー（thermal energy）などの形態で外部に放出できる。
【００３５】
検出器３０は、放出された光子または熱エネルギーを検出し、画素内部の欠陥部の位置を探すことができる。つまり、検出器３０は、放出された光子または熱エネルギーを吸収して電流に変換するフォトダイオード（photo diode）などの受光素子を含む。このような検出器３０は、外部の光がない時にも、フォトダイオード自体で発生する電流値の暗電流（dark current）が１×１０−１５Ａ〜１×１０−１９Ａ程度と従来の検出器より低いため、より微弱な放出エネルギーを検出することができる。
【００３６】
このような検出器３０は、放出された光子または熱の受信率を高めるために、所定波長帯のエネルギーを選択的に検出可能な多様な検出器を含むことができる。つまり、検出器３０は、略１００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長の光子を検出可能なＳｉ検出器と、略８００ｎｍ〜１８００ｎｍの波長の光子を検出可能なＩｎＧａＡｓ検出器と、略３．３μｍ〜５．７μｍの波長の光子または熱を検出可能なＩｎＳｂ検出器との中から選択されたいずれか１つであり得る。
【００３７】
Ｓｉ検出器は、Ｓｉ物質の受光部品を有する検出器であり、ＩｎＧａＡｓ検出器は、ＩｎＧａＡｓ物質、ＧａＡｓ物質、ＩｎＧａＡｓＰ物質の受光部品を有する検出器であり、ＩｎＳｂ検出器は、ＩｎＳｂ物質の受光部品を有する検出器である。
【００３８】
したがって、検出器３０は、明点、暗点、線不良などのような欠陥を示す画素内部の欠陥部の位置を正確に把握することができる。
【００３９】
また、検出器３０の検出限度（数×１０−１８〜数×１０−１９Ａ）より高い信号を得るために、欠陥部にエネルギーを注入する点灯条件を強化することができる。この時、画素の欠陥部以外の領域からのエネルギー放出を防止するために、一般的な駆動とは異なる点灯条件を用いることができる。
【００４０】
本実施形態では、検出器３０がステージ１０の上方に位置するが、ステージ１０の下方に位置することができ、表示装置１００の画素に対する光学検査を進行する光学顕微鏡５０もステージ１０の上方または下方に位置することができる。
【００４１】
本実施形態では、画素にレーザを照射して画素を修理するレーザ修理器６０がステージ１０の上方に位置するが、ステージ１０の下方に位置することもできる。レーザ修理器６０は、検出器３０によって正確な位置が検出された画素内部の欠陥部にレーザを直接照射して画素を修理することができる。
【００４２】
検出器３０、光学顕微鏡５０およびレーザ修理器６０は、ステージ１０の上方または下方にそれぞれまたはすべて形成可能であり、互いに隣接して設置できる。
【００４３】
図３は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置の検出器として用いられる、Ｓｉ検出器の波長に応じた光子効率曲線（ａ）、およびＩｎＧａＡｓ検出器の波長に応じた光子効率曲線（ｂ）に対するグラフであり、図４は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理装置の検出器として用いられる、ＩｎＳｂ検出器の波長に応じた光子効率曲線（ｃ）に対するグラフである。
【００４４】
図３および図４に示すように、Ｓｉ検出器は、１００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長の光子を検出することができ、ＩｎＧａＡｓ検出器は、８００ｎｍ〜１８００ｎｍの波長の光子を検出することができ、ＩｎＳｂ検出器は、３．３μｍ〜５．７μｍの波長の光子または熱を検出することができる。
【００４５】
検出器３０が欠陥部で発生する微弱な信号を受信するために、光遮断ボックス４０は、検出器３０が検出する光子または熱の波長範囲より広い波長範囲の光を遮断することができる。つまり、光遮断ボックス４０は、１００ｎｍ〜６μｍの波長範囲の光を遮断する物質の鉄板などで製造することができる。また、光遮断ボックス４０は、欠陥部で発生する光子または熱の波長範囲と検出器３０の検出波長範囲を考慮して特定の波長のみを遮断することもできる。
【００４６】
したがって、検出器３０は、欠陥部で発生する微弱な光子または熱を外部光の干渉なく容易に短時間で検出することができる。
【００４７】
このように、光学顕微鏡、検出器およびレーザ修理器を光遮断ボックスの内部にすべて設けることにより、画素内部の欠陥部の正確な位置を把握し、レーザ修理器を用いて画素を正常画素に直し、収率を向上させることができる。
【００４８】
また、本発明は、不良の類型とは関係なく、明点、暗点、線不良の欠陥を有する画素を正常画素に修理することができ、修理後、点灯器で正常画素になったか否かを直ちに確認することができ、生産性を向上させることができる。
【００４９】
次に、図１および図２に示す表示装置の修理装置を用いた表示装置の修理方法について、図５〜図６を参照して詳細に説明する。
【００５０】
図５は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理方法のフローチャートであり、図６は、光学顕微鏡を用いて画素の内部に光学検査を進行した写真であり、図７は、本発明の一実施形態にかかる検出器を用いて画素内部の欠陥部を確認した写真である。
【００５１】
まず、図５に示すように、光学顕微鏡５０を用いてステージ１０に搭載された表示装置１００に光学検査を進行し、画素内部の欠陥部を検出する（Ｓ１００）。
【００５２】
次に、光学顕微鏡５０で画素内部の欠陥部が検出される場合には、直ちに画素内部の欠陥部にレーザを照射して画素を修理する（Ｓ２００）。そして、画素を修理した後、点灯器２０を用いて点灯検査を行い、正常画素の可否を判断する（Ｓ３００）。
【００５３】
次に、図６に示すように、光学顕微鏡５０で画素内部の欠陥部が検出されない場合には、表示装置１００に点灯器２０の上部プローブ２１１を接触させて画素に点灯信号を印加する（Ｓ４００）。点灯信号は、画素内部の欠陥部から光子または熱を放出させ、画素の発光部からは欠陥部より少ない光子または熱を放出させる信号条件、または発光部で非発光とする信号条件を有する。
【００５４】
図８は、有機発光表示装置にブラック点灯信号を印加した時の電圧の関係を示す図であり、図９は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の修理方法に従って点灯信号を印加した時の電圧の関係を示す図である。
【００５５】
図８に示すように、有機発光表示装置の１つの画素は、複数の信号線Ｓｃａｎ［ｎ］、Ｓｃａｎ［ｎ−１］、Ｖｉｎｉｔ、ｅｍ［ｎ］、ｄａｔａ、ＶＤＤと、複数の信号線に連結されている複数の薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６と、キャパシタＣ１、Ｃ２と、発光部、つまり、有機発光ダイオード（organic light emitting diode）ＯＬＥＤとを含む。
【００５６】
薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタ（driving thin film transistor）Ｔ１と、スイッチング薄膜トランジスタ（switching thin film transistor）Ｔ２と、補償薄膜トランジスタＴ３と、初期化薄膜トランジスタＴ４と、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５と、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６とを含み、キャパシタＣ１、Ｃ２は、ストレージキャパシタ（storage capacitor）Ｃｓｔと、ブースティングキャパシタ（boosting capacitor）Ｃｂとを含む。信号線は、スキャン信号を伝達するスキャン線Ｓｃａｎ［ｎ］と、初期化薄膜トランジスタＴ４に前のスキャン信号を伝達する前のスキャン線Ｓｃａｎ［ｎ−１］と、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５および第２発光制御薄膜トランジスタＴ６に発光制御信号を伝達する発光制御線ｅｍ［ｎ］と、スキャン線と交差し、データ信号を伝達するデータ線ｄａｔａと、駆動電圧を伝達し、データ線と略平行に形成されている駆動電圧線ＶＤＤと、駆動薄膜トランジスタＴ１を初期化する初期化電圧を伝達する初期化電圧線Ｖｉｎｉｔとを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線Ｓｃａｎ［ｎ］を介して伝達されたスキャン信号に応じてスイッチング動作を行う。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作に応じてデータ信号が伝達され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流を供給する。
【００５７】
駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード（anode）に電気的に接続される。そして、有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード（cathode）は共通電圧ＶＳＳに接続されている。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流を受けて発光することにより、映像を表示する。
【００５８】
画素内部の欠陥部を検出するためには、画素の発光部からは欠陥部より少ない光子を放出させる信号条件、または発光部で非発光とする信号条件に相当する点灯信号を表示装置１００のデータ線ｄａｔａまたは駆動電圧線ＶＤＤなどに印加し、画素内部の欠陥部からは光子を放出させる信号条件に相当する点灯信号を表示装置１００のデータ線ｄａｔａまたは駆動電圧線ＶＤＤなどに印加する。
【００５９】
つまり、図８に示すように、画素の発光部で非発光とするだけの信号条件に相当する点灯信号Ａ１、Ａ２、Ａ３を表示装置１００のデータ線ｄａｔａまたは駆動電圧線ＶＤＤなどに印加した場合には、画素内部の欠陥部では光子を放出しない。
【００６０】
しかし、図９に示すように、画素の発光部で非発光とする信号条件に相当すると同時に、画素内部の欠陥部からは光子を放出させる信号条件に相当する点灯信号Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３を表示装置１００のデータ線ｄａｔａまたは駆動電圧線ＶＤＤなどに印加する。
【００６１】
次に、図７に示されるように、表示装置１００の上方に位置した検出器３０を用いて光子または熱を検出し、画素内部の欠陥部Ｐの正確な位置を確認する（Ｓ５００）。この時、表示装置１００および検出器３０は、微弱な光子または熱を検出できるように外部光が流入するのを遮断する光遮断ボックス４０の内部に設置可能であり、光学顕微鏡５０、レーザ修理器６０、ステージ１０および点灯器２０も光遮断ボックス４０の内部に設置可能である。
【００６２】
この時、表示装置１００の前面から光子または熱が検出されない場合、表示装置１００を１８０度回転させ、下部プローブ２１２を用いて点灯信号を印加することにより、検出器３０が表示装置１００の背面から光子または熱を検出することができる。
【００６３】
次に、画素内部の欠陥部にレーザを照射して画素を修理する（Ｓ６００）。次に、画素を修理した後、点灯器２０を用いて点灯検査を行い、正常画素の可否を判断する（Ｓ７００）。
【００６４】
このように、光学顕微鏡５０を用いて画素内部の欠陥部の位置が見える場合には、直ちにレーザ修理器６０を用いて画素を修理し、光学顕微鏡５０を用いても画素内部の欠陥部の位置が見えない場合には、画素内部の欠陥部から光子または熱を放出させ、画素の発光部からは欠陥部より少ない光子または熱を放出させる信号条件、または発光部で非発光とする信号条件を有する点灯信号を欠陥部に流して光子または熱を発生させ、検出器３０を用いて画素内部の欠陥部の位置を把握し、レーザ修理器６０を用いて画素を修理することができる。
【００６５】
本発明を上述したように好ましい実施形態を通じて説明したが、本発明は、これに限定されず、以下に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正および変形が可能であることを、本発明の属する技術分野に従事する者は容易に理解するはずである。
【符号の説明】
【００６６】
１０：ステージ
２０：点灯器
３０：検出器
４０：光遮断ボックス
５０：光学顕微鏡
６０：レーザ修理器
【図１】
0005645988.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図９】
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【図６】
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【図７】
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