(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を、有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
0005414544.tif 000168
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｑ１は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１４は水素原子、又は−Ｑ２（Ｒ１６）（Ｒ１７）Ｒ１８を表す。Ｑ２は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。ｎは１又は２を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
0005414544.tif 000169
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ２４は水素原子、又は−Ｃ（Ｒ２６）（Ｒ２７）Ｒ２８を表す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ２５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【化３】
0005414544.tif 000170
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ３６を表す。Ｒ３６は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【化４】
0005414544.tif 000171
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ４１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ４４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ４６を表す。Ｒ４６はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ４５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項５】
前記一般式（ＩＶ）で表される化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【化５】
0005414544.tif 000172
（一般式（Ｖ）中、Ｒ５１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ５５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項６】
前記一般式（Ｖ）で表される化合物において、Ｒ５５が水素原子である請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化６】
0005414544.tif 000173
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ７４は水素原子、又は−Ｃ（Ｒ７６）（Ｒ７７）Ｒ７８を表す。Ｒ７６、Ｒ７７、Ｒ７８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ７５、Ｒ７９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項８】
前記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【化７】
0005414544.tif 000174
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ８１は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ８４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ８６を表す。Ｒ８６は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ８５、Ｒ８９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項９】
前記一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＸ）で表される化合物であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【化８】
0005414544.tif 000175
（一般式（ＩＸ）中、Ｒ９１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ９４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ９６を表す。Ｒ９６はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ９５、Ｒ９９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項１０】
前記一般式（ＩＸ）で表される化合物が、下記一般式（Ｘ）で表される化合物であることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【化９】
0005414544.tif 000176
（一般式（Ｘ）中、Ｒ１０１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ１０５、Ｒ１０９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【請求項１１】
前記一般式（Ｘ）で表される化合物において、Ｒ１０５とＲ１０９が水素原子である請求項１０に記載の有機電界発光素子
【請求項１２】
前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物のＴ１が６１ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上である請求項１〜１１のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の分子量が４５０〜１２００である請求項１〜１２のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記発光層が前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体の少なくとも１種とを含む請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１０】
0005414544.tif 000177
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【請求項１５】
前記発光層が前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（１）で表される４座白金錯体の少なくとも１種とを含む請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１１】
0005414544.tif 000178
（一般式（１）中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4の内、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7、Ｘ8、Ｘ9及びＸ10は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ11、Ｘ12は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ13、Ｘ14及びＸ15は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ14及びＸ15により表される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、２以下である。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。）
【請求項１６】
さらに、下記一般式（ａ）で表される化合物を発光層に含むことを特徴とする請求項１０〜１５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１２】
0005414544.tif 000179
（一般式（ａ）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン基、パーフルオロアルキル基、シリル基を表し、該Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基である。Ｘ１〜Ｘ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン基、パーフルオロアルキル基、シリル基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」とも言う）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
【０００３】
近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。有機発光層と陰極の間にＮ−フェニルカルバゾール骨格を有する化合物を用い、陰極との密着性を向上させ、素子の長期保存性を改良し、ダークスポットを減少させた有機電界発光素子に関する発明が開示されている（特許文献１及び２参照）。
【０００４】
また、特許文献３には、イリジウム錯体材料とともに発光層を形成するホスト材料として、例えば下記式で表されるＮ−フェニルカルバゾール骨格を有する化合物を用いた有機電界発光素子に関する発明が開示されている。
【０００５】
【化１】
0005414544.tif 000002
【０００６】
しかし、上記の化合物を用いた素子の耐久性は不十分であり、駆動電圧の点においても更なる改良が求められていた。
【０００７】
更に、特許文献４には、発光層に例えば下記式で表されるＮ−フェニルカルバゾール骨格を有する化合物を用いた有機電界発光素子に関する発明が開示されている。
【０００８】
【化２】
0005414544.tif 000003
【０００９】
しかし、上記の化合物を用いた素子の耐久性は不十分であり、駆動電圧の点においても更なる改良が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平８−８８０８３号公報
【特許文献２】特開平８−６０１４４号公報
【特許文献３】国際公開０４／１０１７０７号
【特許文献４】特開２００３−３３５７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、発光効率が高く、かつ耐久性が高い有機電界発光素子の提供にある。また、特に青色領域に発光を有する有機電界発光素子であって、発光効率が高く、かつ耐久性が高い有機電界発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は下記の手段により達成された。
【００１３】
〔１〕
一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を、有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【００１４】
【化３】
0005414544.tif 000004
【００１５】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｑ１は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１４は水素原子、又は−Ｑ２（Ｒ１６）（Ｒ１７）Ｒ１８を表す。Ｑ２は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。ｎは１又は２を表す。）
〔２〕
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１６】
【化４】
0005414544.tif 000005
【００１７】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ２４は水素原子、又は−Ｃ（Ｒ２６）（Ｒ２７）Ｒ２８を表す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ２５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔３〕
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする〔２〕に記載の有機電界発光素子。
【００１８】
【化５】
0005414544.tif 000006
【００１９】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ３６を表す。Ｒ３６は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔４〕
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする〔３〕に記載の有機電界発光素子。
【００２０】
【化６】
0005414544.tif 000007
【００２１】
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ４１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ４４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ４６を表す。Ｒ４６はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ４５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔５〕
前記一般式（ＩＶ）で表される化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする〔４〕に記載の有機電界発光素子。
【００２２】
【化７】
0005414544.tif 000008
【００２３】
（一般式（Ｖ）中、Ｒ５１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ５５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔６〕
前記一般式（Ｖ）で表される化合物において、Ｒ５５が水素原子である〔５に記載の有機電界発光素子。
〔７〕
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００２４】
【化８】
0005414544.tif 000009
【００２５】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ７４は水素原子、又は−Ｃ（Ｒ７６）（Ｒ７７）Ｒ７８を表す。Ｒ７６、Ｒ７７、Ｒ７８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ７５、Ｒ７９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔８〕
前記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする〔７〕に記載の有機電界発光素子。
【００２６】
【化９】
0005414544.tif 000010
【００２７】
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ８１は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ８４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ８６を表す。Ｒ８６は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ８５、Ｒ８９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔９〕
前記一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＸ）で表される化合物であることを特徴とする〔８〕に記載の有機電界発光素子。
【００２８】
【化１０】
0005414544.tif 000011
【００２９】
（一般式（ＩＸ）中、Ｒ９１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ９４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ９６を表す。Ｒ９６はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ９５、Ｒ９９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔１０〕
前記一般式（ＩＸ）で表される化合物が、下記一般式（Ｘ）で表される化合物であることを特徴とする〔９〕に記載の有機電界発光素子。
【００３０】
【化１１】
0005414544.tif 000012
【００３１】
（一般式（Ｘ）中、Ｒ１０１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ１０５、Ｒ１０９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
〔１１〕
前記一般式（Ｘ）で表される化合物において、Ｒ１０５とＲ１０９が水素原子である〔１０〕に記載の有機電界発光素子。
〔１２〕
前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物のＴ１が６１ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上である〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１３〕
前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の分子量が４５０〜１２００である〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１４〕
前記発光層が前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体の少なくとも１種とを含む〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【００３２】
【化１２】
0005414544.tif 000013
【００３３】
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
〔１５〕
前記発光層が前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（１）で表される４座白金錯体の少なくとも１種とを含む〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【００３４】
【化１３】
0005414544.tif 000014
【００３５】
（一般式（１）中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4の内、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7、Ｘ8、Ｘ9及びＸ10は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ11、Ｘ12は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ13、Ｘ14及びＸ15は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ14及びＸ15により表される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、２以下である。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。）
〔１６〕
一般式（ａ）で表される化合物を発光層に含むことを特徴とする〔１０〕〜〔１５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【００３６】
【化１４】
0005414544.tif 000015
【００３７】
（一般式（ａ）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン基、パーフルオロアルキル基、シリル基を表し、該Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基である。Ｘ１〜Ｘ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン基、パーフルオロアルキル基、シリル基を表す。）
【発明の効果】
【００３８】
本発明の発光素子は、耐久性に優れ、駆動電圧を低減し得る。また、青色領域においても低い駆動電圧で発光し、かつ耐久性に優れる。また、初期劣化（初期輝度から１０％劣化の耐久時間）に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に係る発光装置の一例を示す概略図である。
【図３】本発明に係る照明装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を、有機層に含有することを特徴とする。
【００４１】
【化１５】
0005414544.tif 000016
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｑ１は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１４は水素原子、又は−Ｑ２（Ｒ１６）（Ｒ１７）Ｒ１８を表す。Ｑ２は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。ｎは１又は２を表す。）
【００４２】
本発明の有機電界発光素子は、有機層として、少なくとも一つの発光層を有する。また発光層以外の有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、励起子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、保護層などが適宜配置されていてもよく、それぞれ他の層の機能を兼ね備えていても良い。また各層は複数の層から構成されていても良い。
【００４３】
本発明の有機電界発光素子は、励起一重項からの発光（蛍光）を利用するものでも励起三重項からの発光（燐光）を利用するものでもよいが、発光効率の観点から、燐光を利用するものの方が好ましい。
【００４４】
本発明の有機電界発光素子の発光層は少なくとも一種の発光材料と、少なくとも一種のホスト材料から構成されていることが好ましい。ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／又は電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／又は電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。
【００４５】
本発明の化合物は、有機層のうちいずれの層に含有されていてもよく、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有されていることが好ましく、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有されていることがより好ましく、発光層に含有されていることが更に好ましく、発光層にホスト材料として含有されていることが最も好ましい。発光層にホスト材料として含有される場合、発光層における本発明の化合物の含有率は、５０〜９９．９質量％であることが好ましく、６０〜９８質量％であることがより好ましい。また正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有される場合、各層における本発明の化合物の含有率は、７０〜１００％であることが好ましく、８５〜１００％であることがより好ましく、９９〜１００％であることが最も好ましい。
本発明の化合物は、少なくとも１層の有機層に含有されていればよく、複数の有機層に含有されていても良い。
【００４６】
一般式（Ｉ）で表される化合物について説明する。
【００４７】
【化１６】
0005414544.tif 000017
【００４８】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｑ１は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１４は水素原子、又は−Ｑ２（Ｒ１６）（Ｒ１７）Ｒ１８を表す。Ｑ２は炭素原子又はケイ素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。ｎは１又は２を表す。）
【００４９】
これまでの発明はカルバゾール基を有する化合物は活性位である３、６位をすべて安定な置換基であるトリアルキルメチル基やトリアルキルシリル基で保護することで、有機電界発光素子にホスト材料として用いた場合に分解を防ぐことができ、素子の耐久性向上が行われてきた。しかし、本発明において、種々の検討、解析を行うことにより、トリアルキルメチル基やトリアルキルシリル基は嵩高な置換基であるため、カルバゾール基の活性位を全て置換基により保護してしまうと、電荷の輸送を担うカルバゾール主骨格同士の分子間距離を大きくし、電荷の輸送を妨げ、大幅な電圧上昇や素子耐久性悪化につながることを見出した。
本発明において、種々の検討、解析を行うことにより、一般式（Ｉ）で表される化合物は、カルバゾール基の活性位を一箇所のみ（３位のみ）トリアルキルメチル基やトリアルキルシリル基で保護することで、有機電界発光素子にホスト材料として用いた場合に分解を防ぐことができることを見出した。すなわち、電圧上昇や耐久性劣化が促進しない範囲で活性位を置換基で保護することが耐久性を大幅に上昇することができることを見出した。
また、一般式（Ｉ）で表される化合物は、ｎが１の場合は一方のカルバゾール基に対してもう一方のカルバゾール基がｍ−（メタ）位に結合し、ｎが２の場合はカルバゾール基がビフェニル基の３，３’位に結合する構造的な特徴を有する。
上記の構造を有することで、三重項（Ｔ１）エネルギーが高くすることができ、青色燐光発光材料とともに発光層を形成した場合でも高効率の有機電界発光素子を提供できる。
【００５０】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表し、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、ｓｅｃ−ヘキシル、ｎｅｏ−ヘキシル、４，４-ジメチルブチル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル基であり、より好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル基であり、更に好ましくはメチル、エチル基であり、最も好ましくはＲ１１がメチル基又はエチル基、Ｒ１２、Ｒ１３がメチル基である。
Ｑ１は炭素原子又はケイ素原子であり、炭素原子が好ましい。Ｑ２は水素原子、炭素原子又はケイ素原子であり、水素原子又は炭素原子が好ましい。
Ｒ１５は複数存在する場合は各々独立して水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。
【００５１】
Ｒ１５で表されるアルキル基としては、置換基若しくは無置換のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であり、更に好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００５２】
Ｒ１５で表されるアリール基としては、置換若しくは無置換のアリール基、例えば、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、ナフチル基、シアノフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、シアノフェニル基が挙げられ、より好ましくはフェニル基が挙げられる。
【００５３】
Ｒ１５で表されるヘテロアリール基としては、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、例えば、含窒素へテロ五員環、含窒素へテロ六員環、含酸素へテロ五員環、含硫黄へテロ五員環などが挙げられ、具体的にはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，２，４−トリアジン環、１，３，５−トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、１，２，３−トリアゾール環、１，２，４−トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、１，２，３−オキサジアゾール環、１，２，４−オキサジアゾール環、１，３，４−オキサジアゾール環、１，２，３−チアジアゾール環、１，２，４−チアジアゾール環、１，３，４−チアジアゾール環、セレノフェン環、テルロフェン環、カルバゾール環などが挙げられる。電荷輸送性及び素子の駆動耐久性の観点から、芳香環母核の安定性、薄膜のイオン化ポテンシャルや電子親和力のコントロール、π電子系の広がりなどを考慮すると、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，３，５−トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、１，２，４−トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、チアゾール環、１，３，４−オキサジアゾール環、１，３，４−チアジアゾール環、カルバゾール環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チオフェン環、カルバゾール環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、カルバゾール環であり、更に好ましくは、ピラゾール環、カルバゾール環であり、特に好ましくは、カルバゾール環である。
【００５４】
電荷輸送性及び素子の駆動耐久性の観点から、置換基の嵩高さ、電子的な摂動を考慮すると、Ｒ１５として好ましくは、水素原子、フェニル基、ピラゾール環、カルバゾール環であり、より好ましくは水素原子、フェニル基、カルバゾール環であり、更に好ましくは水素原子、又はフェニル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００５５】
Ｒ１５で表されるアリール基又はヘテロアリール基が置換基を有する場合の置換基としては後述の置換基群Ａを挙げることができ、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基が好ましく、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シアノ基がより好ましい。
【００５６】
Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表し、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、ｓｅｃ−ヘキシル、ｎｅｏ−ヘキシル、４，４-ジメチルブチル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル基であり、より好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル基であり、更に好ましくはメチル、エチル基であり、最も好ましくはＲ１１がメチル基又はエチル基、Ｒ１２、Ｒ１３がメチル基である。
【００５７】
ｎは１又は２を表す。
【００５８】
ここで、本発明における置換基群Ａ及び置換基群Ｂについて説明する。
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニ、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、シアノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレニエニル、テルリエニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）
本発明において、上記アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。
【００５９】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、好ましくは一般式（ＩＩ）で表される化合物である。次に一般式（ＩＩ）で表される化合物について説明する。
【００６０】
【化１７】
0005414544.tif 000018
【００６１】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ２４は水素原子、又は−Ｃ（Ｒ２６）（Ｒ２７）Ｒ２８を表す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ２５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【００６２】
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８は一般式（Ｉ）におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００６３】
一般式（ＩＩ）で表される化合物は、好ましくは一般式（ＩＩＩ）で表される化合物である。次に一般式（ＩＩＩ）で表される化合物について説明する。
【００６４】
【化１８】
0005414544.tif 000019
【００６５】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ３６を表す。Ｒ３６は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
Ｒ３１、Ｒ３５、及びＲ３６は一般式（Ｉ）におけるＲ１１、Ｒ１５、及びＲ１６と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００６６】
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、好ましくは一般式（ＩＶ）で表される化合物である。次に一般式（ＩＶ）で表される化合物について説明する。
【００６７】
【化１９】
0005414544.tif 000020
【００６８】
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ４１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ４４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ４６を表す。Ｒ４６はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ４５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【００６９】
Ｒ４５は般式（Ｉ）におけるＲ１５と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００７０】
一般式（ＩＶ）で表される化合物は、好ましくは一般式（Ｖ）で表される化合物である。次に一般式（Ｖ）で表される化合物について説明する。
【００７１】
【化２０】
0005414544.tif 000021
【００７２】
（一般式（Ｖ）中、Ｒ５１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ５５は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【００７３】
Ｒ５５は般式（Ｉ）におけるＲ１５と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００７４】
一般式（Ｉ）で表される化合物の別の好ましい形態は、下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物である。次に一般式（ＶＩＩ）で表される化合物について説明する。
【００７５】
【化２１】
0005414544.tif 000022
【００７６】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ７４は水素原子、又は−Ｃ（Ｒ７６）（Ｒ７７）Ｒ７８を表す。Ｒ７６、Ｒ７７、Ｒ７８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ７５、Ｒ７９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７６、Ｒ７７、及びＲ７８はは一般式（Ｉ）におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１６、Ｒ１７、及びＲ１８と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ７５及びＲ７９は一般式（Ｉ）におけるＲ１５と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００７７】
一般式（ＶＩＩ）で表される化合物は、好ましくは一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物である。次に一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物について説明する。
【００７８】
【化２２】
0005414544.tif 000023
【００７９】
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ８１は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ８４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ８６を表す。Ｒ８６は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ８５、Ｒ８９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【００８０】
Ｒ８１、Ｒ８６、及びＲ８８は一般式（Ｉ）におけるＲ１１、Ｒ１６、及びＲ１８と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ８５及びＲ８９は一般式（Ｉ）におけるＲ１５と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００８１】
一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、好ましくは一般式（ＩＸ）で表される化合物である。次に一般式（ＩＸ）で表される化合物について説明する。
【００８２】
【化２３】
0005414544.tif 000024
【００８３】
（一般式（ＩＸ）中、Ｒ９１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ９４は水素原子、又は−Ｃ（ＣＨ３）２Ｒ９６を表す。Ｒ９６はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ９５、Ｒ９９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
【００８４】
Ｒ９５及びＲ９９は一般式（Ｉ）におけるＲ１５と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００８５】
一般式（ＩＸ）で表される化合物は、好ましくは一般式（Ｘ）で表される化合物である。次に一般式（Ｘ）で表される化合物について説明する。
【００８６】
【化２４】
0005414544.tif 000025
【００８７】
（一般式（Ｘ）中、Ｒ１０１はメチル基又はエチル基を表す。Ｒ１０５、Ｒ１０９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は無置換のヘテロアリール基を表す。）
Ｒ１０５、及びＲ１０９は一般式（Ｉ）におけるＲ１５と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００８８】
本発明においては、前記（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（Ｉａ）で表される化合物であることも好ましい。
【００８９】
【化２５】
0005414544.tif 000026
【００９０】
（一般式（Ｉａ）中、Ｑは各々独立にｔ−ブチル基又はトリメチルシリル基を表す。Ｒは複数存在する場合は各々独立して水素原子、アルキル基、シアノ基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。ｎは１又は２を表す。）
また、一般式（Ｉａ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩａ）で表される化合物であることも好ましい。
【００９１】
【化２６】
0005414544.tif 000027
【００９２】
（一般式（ＩＩａ）中、Ｑは各々独立にｔ−ブチル基又はトリメチルシリル基を表す。Ｒは水素原子、アルキル基、シアノ基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。）
また、一般式（ＩＩａ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩＩａ）で表される化合物であることも好ましい。
【００９３】
【化２７】
0005414544.tif 000028
【００９４】
（一般式（ＩＩＩａ）中、Ｒは水素原子、アルキル基、シアノ基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。）
また一般式（Ｉａ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＶａ）で表される化合物であることも好ましい。
【００９５】
【化２８】
0005414544.tif 000029
【００９６】
（一般式（ＩＶａ）中、Ｑは各々独立にｔ−ブチル基又はトリメチルシリル基を表す。Ｒは各々独立に水素原子、アルキル基、シアノ基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。）
一般式（ＩＶａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｖａ）で表される化合物であることが好ましい。
【００９７】
【化２９】
0005414544.tif 000030
【００９８】
（一般式（Ｖａ）中、Ｒは各々独立に水素原子、アルキル基、シアノ基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。）
【００９９】
本発明の一般式（Ｉ）〜（Ｘ）、（Ｉａ）〜（Ｖａ）で表される化合物の分子量は低分子量化合物であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物若しくは、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の構造を主鎖に持つ高分子量化合物であっても良いが、好ましくは低分子量化合物であり、一般式（Ｉ）〜（Ｘ）、（Ｉａ）〜（Ｖａ）で表される化合物の分子量は４５０〜１２００であることが好ましい。より好ましくは５００〜１１００であり、更に好ましくは５００〜９００である。
以下に、本発明における一般式（Ｉ）〜（Ｘ）、（Ｉａ）〜（Ｖａ）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１００】
【化３０】
0005414544.tif 000031
【０１０１】
【化３１】
0005414544.tif 000032
【０１０２】
【化３２】
0005414544.tif 000033
【０１０３】
【化３３】
0005414544.tif 000034
【０１０４】
【化３４】
0005414544.tif 000035
【０１０５】
【化３５】
0005414544.tif 000036
【０１０６】
【表１】
0005414544.tif 000037
【０１０７】
【表２】
0005414544.tif 000038
【０１０８】
【表３】
0005414544.tif 000039
【０１０９】
【表４】
0005414544.tif 000040
【０１１０】
【表５】
0005414544.tif 000041
【０１１１】
【表６】
0005414544.tif 000042
【０１１２】
【表７】
0005414544.tif 000043
【０１１３】
【表８】
0005414544.tif 000044
【０１１４】
【表９】
0005414544.tif 000045
【０１１５】
【表１０】
0005414544.tif 000046
【０１１６】
【表１１】
0005414544.tif 000047
【０１１７】
【表１２】
0005414544.tif 000048
【０１１８】
【表１３】
0005414544.tif 000049
【０１１９】
【表１４】
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【０１２０】
【表１５】
0005414544.tif 000051
【０１２１】
【表１６】
0005414544.tif 000052
【０１２２】
【表１７】
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【０１２３】
【表１８】
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【０１２４】
【表１９】
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【０１２５】
【表２０】
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【０１２６】
【化３６】
0005414544.tif 000057
【０１２７】
本発明の一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。
一般的には、カルバゾール化合物に関してはＡ）アリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｔｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））、Ｂ）パラジウム触媒を用いるアリールベンゼン誘導体とアニリン誘導体のアミネーション反応又はアリールトリフラート誘導体とアニリン誘導体の反応の後、パラジウム触媒を用いる分子内直接アリール化反応による合成（オーガニック・レターズ７巻１８５７頁（２００５年）、ジャーナル オブ アメリカン ソサイエティ１２８巻５８１頁（２００６年）、テトラヘドロン６４巻６０３８頁（２００８年））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒又は銅触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。非対称の化合物を合成する場合は、Ｄ）に示すように、カルバゾール化合物とブロモフルオロベンゼンの求核置換反応の後、カルバゾール化合物をパラジウム触媒又は銅触媒を用いるカップリング反応を行う方法、又は、Ｅ）に示すように、Ｎ−（３-ブロモフェニル）カルバゾール誘導体をボロン酸化後、Ｎ−（３-ブロモフェニル）カルバゾール誘導体との鈴木カップリング反応を行う方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。
【０１２８】
本発明の素子が燐光を利用する発光素子である場合には、本発明の化合物の最低励起三重項エネルギー（Ｔ１エネルギー）は、６１ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２５５．５９ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下が好ましく、６３ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２６３．９７ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下がより好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下が更に好ましい。
【０１２９】
ここで、Ｔ１エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約５０ｎｍの膜厚に成膜し、薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でＦ−７０００日立分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ）を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することによりＴ１エネルギーを求めることができる。
次に本発明の化合物を含有する有機電界発光素子について説明する。
【０１３０】
［有機電界発光素子］
発光層と陰極との間に少なくとも一層の有機層を有し、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を該発光層と陰極との間の有機層に含有することが好ましい。
本発明の有機電界発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層を含む有機層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【０１３１】
本発明における有機層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けても良い。
なお、各層は複数の層に分かれていてもよい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、支持基板２上において、陽極３と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極３と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７、及び電子輸送層８がこの順に積層されている。
【０１３２】
有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１３３】
次に、本発明の発光素子を構成する要素について、説明する。
（基板）
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。
（陽極）
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
（陰極）
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
（有機層）
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、発光層以外の他の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
（発光層）
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【０１３４】
基板、陽極、陰極、有機層、発光層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。してもよい。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
＜発光材料＞
本発明における発光材料としては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれも用いることができる。
本発明における発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光材料を含有することができる。発光材料の少なくとも一種が燐光発光材料であることが好ましい。
本発明における発光材料は、更に前記ホスト材料との間で、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすことが駆動耐久性の観点で好ましい。ここで、△Ｉｐは、ホスト材料と発光材料のＩｐ値の差を、△Ｅａはホスト材料と発光材料のＥａ値の差を意味する。
前記発光材料の少なくとも一種が白金錯体材料又はイリジウム錯体材料であることが好ましい。
本発明においては、発光層に白金錯体材料を含むことが好ましく、発光層に４座配位子を有する白金錯体材料を含むことがより好ましい。
蛍光発光材料、燐光発光材料については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１３５】
白金錯体として好ましくは、下記一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体である。
【０１３６】
【化３７】
0005414544.tif 000058
【０１３７】
（式中、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。Ｌ１、Ｌ２及びＬ３はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。）
【０１３８】
一般式（Ｃ−１）について説明する。Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。この時、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４中のＰｔに結合する原子の内、少なくとも一つが炭素原子であることが好ましく、二つが炭素原子であることがより好ましく、二つが炭素原子で、二つが窒素原子であることが特に好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＱ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４としては、アニオン性の配位子でも中性の配位子でもよく、アニオン性の配位子としてはビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。中性の配位子としてはカルベン配位子が挙げられる。
窒素原子でＰｔに結合するＱ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としては含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサゾール配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））、アミン配位子、ニトリル配位子、イミン配位子が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アミノ配位子、イミノ配位子、含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピロール配位子、イミダゾール配位子、トリアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えはインドール配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））が挙げられる。
酸素原子でＰｔに結合するＱ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはエーテル配位子、ケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子、含酸素ヘテロ環配位子（フラン配位子、オキサゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾオキサゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子などが挙げられる。
硫黄原子でＰｔに結合するＱ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはチオエーテル配位子、チオケトン配位子、チオエステル配位子、チオアミド配位子、含硫黄ヘテロ環配位子（チオフェン配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子などが挙げられる。
リン原子でＰｔに結合するＱ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはホスフィン配位子、リン酸エステル配位子、亜リン酸エステル配位子、含リンヘテロ環配位子（ホスフィニン配位子など）が挙げられ、アニオン性の配位子としては、ホスフィノ配位子、ホスフィニル配位子、ホスホリル配位子などが挙げられる。
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４で表される基は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い（Ｑ３とＱ４が連結した場合、環状四座配位子のＰｔ錯体になる）。
【０１３９】
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４で表される基として好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、より好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アリールオキシ配位子であり、更に好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子である。
【０１４０】
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、単結合又は二価の連結基を表す。Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、更に置換基を有していてもよい。
錯体の安定性及び発光量子収率の観点から、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、更に好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、更に好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、更に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。
【０１４１】
一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましくは下記一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体である。
【０１４２】
【化３８】
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【０１４３】
（式中、Ｌ２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ２１、Ａ２２はそれぞれ独立にＣ又はＮを表す。Ｚ２１、Ｚ２２はそれぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ２３、Ｚ２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。）
【０１４４】
一般式（Ｃ−２）について説明する。Ｌ２１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１４５】
Ａ２１、Ａ２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２１、Ａ２２の内、少なくとも一方は炭素原子であることが好ましく、Ａ２１、Ａ２２が共に炭素原子であることが、錯体の安定性の観点及び錯体の発光量子収率の観点からより好ましい。
【０１４６】
Ｚ２１、Ｚ２２は、それぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ２１、Ｚ２２で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点から、Ｚ２１、Ｚ２２で表される環として好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、より好ましくはピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、更に好ましくはピリジン環、ピラゾール環であり、特に好ましくはピリジン環である。
【０１４７】
前記Ｚ２１、Ｚ２２で表される含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。炭素原子上の置換基として好ましくはアルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子である。置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、短波長化させる場合には電子供与性基、フッ素原子、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、フッ素原子、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また長波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばシアノ基、ポリフルオロアルキル基などが選択される。Ｎ上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。
【０１４８】
Ｚ２３、Ｚ２４は、それぞれ独立にベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ２３、Ｚ２４で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点からＺ２３、Ｚ２４で表される環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラゾール環であり、更に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。
【０１４９】
前記Ｚ２３、Ｚ２４で表されるベンゼン環、含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子である。置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、長波長化させる場合には電子供与性基、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また短波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばフッ素基、シアノ基、ポリフルオロアルキル基などが選択される。Ｎ上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。
【０１５０】
一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−４）で表される白金錯体である。
【０１５１】
【化３９】
0005414544.tif 000060
【０１５２】
（一般式（Ｃ−４）中、Ａ４０１〜Ａ４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ４１は単結合又は二価の連結基を表す。）
【０１５３】
一般式（Ｃ−４）について説明する。
Ｌ４１は一般式（Ｃ−２）におけるＬ２１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ａ４０１〜Ａ４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ４０１〜Ａ４０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ４０１〜Ａ４０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ４０２、Ａ４０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素基である。Ａ４０１、Ａ４０３、Ａ４０４、Ａ４０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。
【０１５４】
Ａ４０７〜Ａ４１４としては、Ａ４０７〜Ａ４１０とＡ４１１〜Ａ４１４のそれぞれにおいて、Ｎ（窒素原子）の数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ４０８、Ａ４１２の少なくとも一方がＮ原子であることが好ましく、Ａ４０８とＡ４１２が共にＮ原子であることが更に好ましい。
Ａ４０７〜Ａ４１４がＣ−Ｒを表す場合に、Ａ４０８、Ａ４１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、フェニル基、ポリフルオロアルキル基、シアノ基である。Ａ４０７、Ａ４０９、Ａ４１１、Ａ４１３のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フェニル基、フッ素基である。Ａ４１０、Ａ４１４のＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。Ａ４０７〜Ａ４０９、Ａ４１１〜Ａ４１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。
【０１５５】
一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体である。
【０１５６】
【化４０】
0005414544.tif 000061
【０１５７】
（一般式（Ｃ−５）中、Ａ５０１〜Ａ５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ５１は単結合又は二価の連結基を表す。）
【０１５８】
一般式（Ｃ−５）について説明する。Ａ５０１〜Ａ５０６及びＬ５１は、前記一般式（Ｃ−４）におけるＡ４０１〜Ａ４０６及びＬ４１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０１５９】
Ａ５０７、Ａ５０８、Ａ５０９、Ａ５１０、Ａ５１１及びＡ５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ５０７、Ａ５０８、Ａ５０９、Ａ５１０、Ａ５１１及びＡ５１２がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して縮環構造を形成してもよい。Ａ５０７、Ａ５０８及びＡ５０９のうち少なくとも一つは、又はＡ５１０、Ａ５１１及びＡ５１２のうち少なくとも一つはＮであることが好ましく、特にＡ５１０がＮであることが好ましい。
【０１６０】
一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましい別の態様は下記一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体である。
【０１６１】
【化４１】
0005414544.tif 000062
【０１６２】
（式中、Ｌ６１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ６１はそれぞれ独立にＣ又はＮを表す。Ｚ６１、Ｚ６２はそれぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ６３はそれぞれ独立にベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）
【０１６３】
一般式（Ｃ−６）について説明する。Ｌ６１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１６４】
Ａ６１はＣ又はＮを表す。錯体の安定性の観点及び錯体の発光量子収率の観点からＡ６１はＣであることが好ましい。
【０１６５】
Ｚ６１、Ｚ６２は、それぞれ前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ２１、Ｚ２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ６３は、前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ２３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１６６】
ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。非環状配位子とはＰｔに結合する原子が配位子の状態で環を形成していないものである。Ｙ中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、窒素原子、酸素原子がより好ましく、酸素原子が最も好ましい。  炭素原子でＰｔに結合するＹとしてはビニル配位子が挙げられる。窒素原子でＰｔに結合するＹとしてはアミノ配位子、イミノ配位子が挙げられる。酸素原子でＰｔに結合するＹとしては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子、カルボキシル配位子、リン酸配位子、スルホン酸配位子などが挙げられる。硫黄原子でＰｔに結合するＹとしては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子、チオカルボン酸配位子などが挙げられる。
Ｙで表される配位子は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い。
【０１６７】
Ｙで表される配位子として好ましくは酸素原子でＰｔに結合する配位子であり、より好ましくはアシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、更に好ましくはアシルオキシ配位子である。
【０１６８】
一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体である。
【０１６９】
【化４２】
0005414544.tif 000063
【０１７０】
（式中、Ａ７０１〜Ａ７１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ７１は単結合又は二価の連結基を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）
【０１７１】
一般式（Ｃ−７）について説明する。Ｌ７１は、前記一般式（Ｃ−６）中のＬ６１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ７０１〜Ａ７１０は一般式（Ｃ−４）におけるＡ４０１〜Ａ４１０と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙは一般式（Ｃ−６）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１７２】
一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体として具体的には、特開２００５−３１０７３３号公報の〔０１４３〕〜〔０１５２〕、〔０１５７〕〜〔０１５８〕、〔０１６２〕〜〔０１６８〕に記載の化合物、特開２００６−２５６９９９号公報の〔００６５〕〜〔００８３〕に記載の化合物、特開２００６−９３５４２号公報の〔００６５〕〜〔００９０〕に記載の化合物、特開２００７−７３８９１号公報の〔００６３〕〜〔００７１〕に記載の化合物、特開２００７−３２４３０９号公報の〔００７９〕〜〔００８３〕に記載の化合物、特開２００６−９３５４２号公報の〔００６５〕〜〔００９０〕に記載の化合物、特開２００７−９６２５５号公報の〔００５５〕〜〔００７１〕に記載の化合物、特開２００６−３１３７９６号公報の〔００４３〕〜〔００４６〕が挙げられ、その他以下に例示する白金錯体が挙げられる。
【０１７３】
【化４３】
0005414544.tif 000064
【０１７４】
【化４４】
0005414544.tif 000065
【０１７５】
【化４５】
0005414544.tif 000066
【０１７６】
一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体化合物は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ５３，７８６，（１９８８）、Ｇ．Ｒ．Ｎｅｗｋｏｍｅ  ｅｔ  ａｌ．）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法及びその組み合わせ、Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ  Ｂｅｒｉｃｈｔｅ  １１３，２７４９（１９８０）、Ｈ．Ｌｅｘｙほか）の、２７５２頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキシド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【０１７７】
本発明の発光層における一般式（Ｃ−１）で表される化合物の含有量は発光層中１〜３０質量％であることが好ましく、３〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが更に好ましい。
上記白金錯体材料として好ましくは、下記一般式（１）で表される白金錯体材料である。
本発明の一の態様において、発光層が前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（１）で表される４座白金錯体の少なくとも１種とを含むことが好ましい。
【０１７８】
【化４６】
0005414544.tif 000067
【０１７９】
（一般式（１）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４の内、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１１、Ｘ１２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により表される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、２以下である。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。）
【０１８０】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４が更に置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０１８１】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４のうち、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。窒素原子の数は１〜２が好ましく、１が更に好ましい。
窒素原子の位置は、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４のいずれでもよいが、Ｘ２又はＸ３が窒素原子であることが好ましく、Ｘ３が窒素原子であることがより好ましい。
一般式（１）中、２つの炭素原子、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４から形成される６員環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４から形成される６員環が、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環（特に好ましくはピリジン環）であることにより、ベンゼン環と比較して、金属−炭素結合を形成する位置に存在する水素原子の酸性度が向上する為、より金属錯体を形成しやすくなるため、有利である。
【０１８２】
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。好ましくは、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９及びＸ１０は炭素原子である。
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９及びＸ１０が更に置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９及びＸ１０が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、ジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０１８３】
Ｘ１１、Ｘ１２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１１及びＸ１２は、いずれか一方が炭素原子で、他方が窒素原子であることが好ましい。
Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、好ましくは、炭素原子又は窒素原子である。
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により表される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、２以下（０、１、又は２）であり、１又は２が好ましく、２がより好ましい。
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５が更に置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５が置換基を有している場合、その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０１８４】
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により表される５員環骨格における結合は単結合、二重結合のいかなる組み合わせでもよい。Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５から形成される５員環としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、フラン環、チオフェン環等が挙げられ、より好ましくは、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環であり、更に好ましくはピロール環、ピラゾール環である。Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５から形成される５員環が、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環（更に好ましくはピロール環、ピラゾール環）であることにより、金属錯体の安定性が向上するため、有利である。
【０１８５】
Ｌは、単結合又は二価の連結基を表す。Ｌで表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、更に置換基を有していてもよい。これらの連結基が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。
Ｌとして好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、更に好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、更に好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、更に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基であり、最も好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基である。
下記に二価の連結基の具体例を示すが、これらに限定されることはない。
【０１８６】
【化４７】
0005414544.tif 000068
【０１８７】
上記Ｒｏは前記置換基群Ａから選ばれる置換基を表す。Ｒｏとして好ましくはアルキル基であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。ｍは１〜５の整数を表す。ｍは好ましくは２〜５であり、より好ましくは２〜３である。
【０１８８】
一般式（１）で表される金属錯体は、好ましくは一般式（２）で表される白金錯体である。
【０１８９】
【化４８】
0005414544.tif 000069
【０１９０】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４のうち、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ１１、Ｘ１２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により表される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、２以下である。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０１９１】
一般式（２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５及びＬは、一般式（１）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０１９２】
一般式（２）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、及びＲ４６はそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、及びＲ４６で表される置換基としては、置換基群Ａと同義である。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、及びＲ４６は可能であればお互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１９３】
前記Ｒ４１及びＲ４６として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、スルホニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくは、水素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、フッ素原子、シアノ基、ピリジル基であり、更に好ましくは、水素原子、メチル基、フッ素原子であり、特に好ましくは水素原子である。
【０１９４】
前記Ｒ４３及びＲ４４として好ましくは、前記Ｒ４１及びＲ４６の好ましい範囲と同義である。
【０１９５】
前記Ｒ４２及びＲ４５として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、ヘテロ環基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヘテロ環基であり、更に好ましくは、水素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、ジアルキルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メトキシ基、フェノキシ基、フッ素原子、イミダゾリル基、ピロリル基、カルバゾリル基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１９６】
一般式（２）で表される白金錯体の好ましい形態の１つは、一般式（２ａ−１）で表される白金錯体である。
【０１９７】
【化４９】
0005414544.tif 000070
【０１９８】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４の内、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５を含有する５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、１又は２である。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０１９９】
一般式（２ａ−１）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＬは、一般式（２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２００】
Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５が更に置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０２０１】
一般式（２ａ−１）中、炭素原子、窒素原子、Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５にて形成される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、１又は２であり、２が好ましい。
【０２０２】
炭素原子、窒素原子、Ｘ５３、Ｘ５４及びＸ５５から形成される５員環としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環が挙げられ、より好ましくはピロール環、ピラゾール環であり、最も好ましくは、ピラゾール環である。
【０２０３】
一般式（２ａ−１）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（２ａ−２）で表される白金錯体である。
【０２０４】
【化５０】
0005414544.tif 000071
【０２０５】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４の内、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ５３及びＸ５４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ５３及びＸ５４を含有する５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、１又は２である。Ｒ７５は、水素原子又は置換基を表す。Ｌは単結合若しくは２価の連結基を表す。
【０２０６】
一般式（２ａ−２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５３、Ｘ５４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＬは、一般式（２ａ−１）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５３、Ｘ５４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２０７】
Ｒ７５は水素原子又は置換基を表す。その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。Ｒ７５は、水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であることが好ましく、より好ましくは水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、フッ素原子であり、最も好ましくはシアノ基、フッ素原子、水素原子である。また可能な場合は、Ｘ５４若しくはＸ５３の置換基と連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０２０８】
一般式（２ａ−２）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（２ａ−３）で表される白金錯体である。
【０２０９】
【化５１】
0005414544.tif 000072
【０２１０】
式中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ５３及びＸ５４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ５３及びＸ５４を含有する５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、１又は２である。Ｒ７５は、水素原子又は置換基を表す。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０２１１】
一般式（２ａ−３）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ５３、Ｘ５４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ７５及びＬは、一般式（２ａ−２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ５３、Ｘ５４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ７５及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２１２】
一般式（２ａ−３）中、Ｘ１、Ｘ２、窒素原子、Ｘ４、炭素原子、炭素原子から形成される６員環骨格に含まれる窒素原子の数は１以上３以下であることが好ましく、１、２がより好ましく、１が更に好ましい。具体的な６員環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、であり、更に好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。
【０２１３】
一般式（２ａ−３）で表される白金錯体は、好ましくは下記一般式（２ａ−４）で表される白金錯体である。この一般式（２ａ−４）で表される白金錯体は、新規の化合物である。
【０２１４】
【化５２】
0005414544.tif 000073
【０２１５】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ７４、及びＲ７５は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０２１６】
一般式（２ａ−４）におけるＲ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ７５、及びＬは、一般式（２ａ−３）におけるＲ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ７５、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２１７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、及びＲ７４はそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。また可能な場合は、Ｒ４とＲ４１及びＲ１とＲ２は、置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよいし、Ｒ１とＲ７５の置換基同士が連結して、配位子全体が環状構造を形成してもよい。
【０２１８】
Ｒ１として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、スルホニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基であり、更に好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、トリフルオロメチル基、フッ素原子、シアノ基である。
【０２１９】
Ｒ２とＲ４として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、フッ素原子で置換されたフェニル基、フッ素で置換されたアルコキシ基、パーフルオロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されたフェニル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、フェノキシ基であり、更に好ましくは、水素原子、フッ素原子、パーフルオロフェニル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、電子求引性置換基で置換されたフェノキシ基であり、特に好ましくは、水素原子、フッ素原子であり、最も好ましくはフッ素原子である。
【０２２０】
Ｒ７４として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、スルホニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基であり、更に好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、トリフルオロメチル基、フッ素原子、シアノ基であり、最も好ましくはトリフルオロメチル基、シアノ基である。
【０２２１】
一般式（２ａ−４）で表される白金錯体は、有機ＥＬ素子に用いる各種材料のほか、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等の分野において好適に使用可能な発光材料、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター、分析用途、太陽電池用材料、有機薄膜トランジスタ用材料等として用いることができる。
【０２２２】
一般式（２）で表される白金錯体の好ましい形態の別の形態は、一般式（２ｂ−１）で表される白金錯体である。
【０２２３】
【化５３】
0005414544.tif 000074
【０２２４】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４のうち、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ６１は、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ６１、炭素原子、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により表される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、２以下である。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０２２５】
一般式（２ｂ−１）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、及びＬは、一般式（２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２２６】
Ｘ６１は炭素原子若しくは窒素原子を表す。好ましくは窒素原子である。
【０２２７】
一般式（２ｂ−１）中、Ｘ６１、炭素原子、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５にて形成される５員環骨格に含まれる窒素原子の数は、０、１、又は２であり、１又は２が好ましく、２がより好ましい。
【０２２８】
Ｘ６１、炭素原子、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により形成される５員環骨格における結合は単結合、二重結合のいかなる組み合わせでもよい。Ｘ６１、炭素原子、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５により形成される５員環としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、フラン環、チオフェン環等が挙げられ、より好ましくは、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環であり、更に好ましくピラゾール環である。
【０２２９】
一般式（２ｂ−１）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（２ｂ−２）で表される白金錯体である。
【０２３０】
【化５４】
0005414544.tif 000075
【０２３１】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４のうち、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ９４及びＸ９５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ９４及びＸ９５の少なくともいずれか一方は、炭素原子を表す。Ｒ９３は、水素原子又は置換基を表す。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０２３２】
一般式（２ｂ−２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、及びＬは、一般式（２ｂ−１）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２３３】
Ｘ９４及びＸ９５はそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ９４及びＸ９５のいずれか一方は、炭素原子を表す。好ましくは、Ｘ９４が炭素原子で、Ｘ９５が窒素原子である。
Ｘ９４及びＸ９５が更に置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。Ｘ９４及びＸ９５が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０２３４】
一般式（２ｂ−２）中、窒素原子、炭素原子、炭素原子、Ｘ９４及びＸ９５により形成される５員環としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環が挙げられ、より好ましくは、ピラゾール環、イミダゾール環であり、更に好ましくピラゾール環である。
【０２３５】
Ｒ９３は水素原子又は置換基を表す。その置換基としては、上記置換基群Ａに表される置換基が挙げられる。Ｒ９３としては、水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子であり、最も好ましくはフッ素原子、水素原子である。また可能な場合は、Ｘ９４、Ｘ９５の置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
【０２３６】
一般式（２ｂ−２）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（２ｂ−３）で表される白金錯体である。
【０２３７】
【化５５】
0005414544.tif 000076
【０２３８】
式中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２及びＸ４のうち、いずれか１つ以上は、窒素原子を表す。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ９４及びＸ９５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ９４及びＸ９５の少なくともいずれか一方は、炭素原子を表す。Ｒ９３は、水素原子又は置換基を表す。Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。
【０２３９】
一般式（２ｂ−３）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ９４、Ｘ９５、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ９３及びＬは、一般式（２ｂ−２）におけるＸ１、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ９４、Ｘ９５、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ９３及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２４０】
一般式（２ｂ−３）中、Ｘ１、Ｘ２、窒素原子、Ｘ４、炭素原子、炭素原子から形成される６員環骨格に含まれる窒素原子の数は１以上３以下であり、１、２がより好ましく、１が好ましい。具体的な６員環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、であり、更に好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。
【０２４１】
前記特定構造を有する金属錯体は、低分子量化合物であってもよいし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）若しくは、前記特定構造を有する金属錯体の構造を主鎖に持つ高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）であってもよいが、低分子量化合物であることが好ましい。
高分子量化合物の場合はホモポリマーであってもよいし、他のポリマーとの共重合体であってもよく、共重合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよい。更に共重合体の場合、発光機能を有する化合物及び／又は電荷輸送機能を有する化合物をポリマー内に有してもよい。
【０２４２】
以下に、一般式（１）で表される金属錯体の好ましい具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されることはない。
【０２４３】
【化５６】
0005414544.tif 000077
【０２４４】
【化５７】
0005414544.tif 000078
【０２４５】
【化５８】
0005414544.tif 000079
【０２４６】
【化５９】
0005414544.tif 000080
【０２４７】
【化６０】
0005414544.tif 000081
【０２４８】
【化６１】
0005414544.tif 000082
【０２４９】
【化６２】
0005414544.tif 000083
【０２５０】
【化６３】
0005414544.tif 000084
【０２５１】
【化６４】
0005414544.tif 000085
【０２５２】
【化６５】
0005414544.tif 000086
【０２５３】
【化６６】
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【０２５４】
【化６７】
0005414544.tif 000088
【０２５５】
【化６８】
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【０２５６】
【化６９】
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【０２５７】
【化７０】
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【０２５８】
次に、一般式（１）で表される金属錯体の製造方法を説明する。
【０２５９】
一般式（１）で表される金属錯体は、溶媒存在下、一般式（Ｃ−０）（以下、配位子とも呼ぶ）で表される化合物と白金塩とを反応させることにより得ることができる。
【０２６０】
【化７１】
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【０２６１】
一般式（Ｃ−０）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４，Ｘ１５、及びＬは、前記一般式（１）のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４，Ｘ１５、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０２６２】
白金錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に、用いられる白金塩としては、２価の白金を含むものとして、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金、プラチナアセチルアセトナート、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）プラチナ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロプラチナ、ジアンミンジヨードプラチナ、ポタッシウムテトラブロモプラチナ−ト、ポタッシウムテトラクロロプラチナート、ソジウムテトラクロロプラチナート、ジメチルビス（ジメチルスルホキシド）白金、ジメチルビス（ジメチルスルフィド）白金、ジメチル（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）白金等が挙げられる。
【０２６３】
より好ましい白金塩としては、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（ベンゾニトリル）、ジクロロプラチナビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ等のオレフィン錯体、が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体が更に好ましい。
【０２６４】
白金錯体の製造において使用する白金塩は、結晶水、結晶溶媒、配位溶媒を含んでいても良い。金属の価数は、特に問わないが、金属が、２価と０価が好ましく、より好ましくは２価である。
【０２６５】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応時に用いる白金塩の使用量は、該白金塩中に錯体を形成する金属原子が１つ含まれる場合は、通常、配位子１モルに対して０．１〜１０モル、好ましくは０．５〜５モル、更に好ましくは、１〜３モルである。なお、白金塩に錯体を形成する金属原子が、ｎ個含まれる場合は、その使用量は、１／ｎ倍で良い。
【０２６６】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応時に使用される溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、４塩化炭素、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、水等が挙げられる。
【０２６７】
より好ましい溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類が挙げられ、この中でもアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類が更に好ましい。
【０２６８】
これらの溶媒は、単独で使用しても、２種類以上混合して使用しても構わない。
【０２６９】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応時に用いられる溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限されないが、通常は使用する配位子に対して、１〜２００倍体積量、好ましくは５〜１００倍体積量が好ましい。
【０２７０】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応時に、ハロゲン化水素等の酸性物質が生成する場合、塩基性物質の存在下で反応を行っても構わない。塩基性物質としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８−ジメチルアミノナフタレン等の３級アミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基類が挙げられる。
【０２７１】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等が挙げられる。
【０２７２】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応時における反応温度、反応時間、反応圧力は、原料、溶媒などによって異なるが、通常、２０℃〜３００℃、好ましくは５０℃〜２５０℃、更に好ましくは８０℃〜２２０℃の範囲である。反応時間は、通常３０分〜２４時間であるが、好ましくは１〜１２時間、更に好ましくは２〜１０時間であり、反応圧力に関しては、通常、常圧であるが、必要に応じて加圧下でも減圧下でも差し支えない。
【０２７３】
白金錯体の製造において、白金塩と配位子の錯体形成反応時の、加熱手段は特に限定されない。具体的には、オイルバス、マントルヒーターによる加熱や、マイクロ波照射による加熱を使用することができる。
【０２７４】
このようにして得られた白金錯体は、必要に応じて単離、精製を行うことができる。単離、精製の方法としては、カラムクロマトグラフィー、再結晶、再沈殿、昇華等が挙げられる。これらは単独で用いても併用しても構わない。
【０２７５】
なお、一般式（１）で表される白金錯体のうち、一般式（２ａ−１）で表される白金錯体は以下の製造方法によっても合成可能である。ただし、下記方法に限定されることはない。
【０２７６】
【化７２】
0005414544.tif 000093
【０２７７】
上記式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５３、Ｘ５４、Ｘ５５、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、及びＬは、前記一般式（２ａ−３）におけるそれらと同義である。また、Ｘは置換可能な任意の基である。
【０２７８】
（Ａ−１）から（Ｂ−１）を得る工程及び（Ｂ−２）から（Ｃ−１）を得る工程として、Ｓｙｎｔｈ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，  １１，  ５１３  （１９８１）に記載の方法等を用いることにより、目的の化合物を合成することができる。
【０２７９】
（Ｂ−１）から（Ｃ−１）を得る工程及び（Ａ−１）から（Ｂ−２）を得る工程として、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，４２，２０５１−２０５３（２００３）に記載の方法等を利用することにより、目的の化合物を合成することができる。
【０２８０】
（Ｃ−１）から一般式（２ａ−１）で表される白金錯体を得る工程として、化合物（Ｃ−１）と、１〜１．５当量の塩化第一白金をベンゾニトリルに溶解させ、１３０℃〜加熱還流温度（ベンゾニトリルの沸点：１９１℃）に加熱し、３０分〜４時間攪拌することにより目的の化合物を合成することができる。一般式（４）で表される白金錯体はクロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、キシレン、アセトニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、酢酸エチル等を用いた再結晶や、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、昇華精製などにより精製することができる。
【０２８１】
なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、又は該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．  Ｗ．
Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。
【０２８２】
本発明の他の態様において、発光層が前記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体の少なくとも１種とを含むことが好ましい。
なお、本発明における配位子の一般式中、＊は金属への配位部位であって、Ｅ１ａと金属の結合、及びＥ１ｐと金属の結合はそれぞれ独立に共有結合であっても、配位結合であっても良い。
【０２８３】
以下、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される２座配位子について説明する。
〔一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される２座配位子〕
【０２８４】
【化７３】
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【０２８５】
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０２８６】
該２座配位子は他の配位子と結合して３座、４座、５座、６座の配位子を形成しても良い。
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは炭素原子又はヘテロ原子から選ばれ、好ましくは炭素原子又は窒素原子から選ばれる。また、Ｅ１ａとＥ１ｐは異なる原子である事が好ましい。また、該金属錯体は１８π電子構造を有する。
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅから形成される環は５員のヘテロ環を表し、具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられる。好ましくはイミダゾール又はピラゾールであり、より好ましくはイミダゾールである。これらの５員環は他の環によって縮環されていても良い。
また、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち少なくとも１つは窒素原子を表すことが好ましく、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち２つ、又は３つが窒素原子を表すことが更に好ましく、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち２つが窒素原子を表すことが特に好ましい。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち２つが窒素原子を表す場合、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、及びＥ１ｅのうち２つが窒素原子を表すことが好ましく、Ｅ１ａとＥ１ｄ、又はＥ１ａとＥ１ｅが窒素原子を表すことがより好ましく、Ｅ１ａとＥ１ｄが窒素原子を表すことが更に好ましい。
【０２８７】
Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋから形成される環は５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環であり、好ましくは６員環であり、より好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋから形成される環の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。
【０２８８】
Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑから形成される環は、５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環であり、好ましくは６員環であり、より好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑから形成される環の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。
【０２８９】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。該置換基は、好ましくは以下に説明する置換基群Ｚから選ばれる基である。
【０２９０】
置換基群Ｚについて具体的には、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子などが挙げられる。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよい。
【０２９１】
ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられる。
【０２９２】
また、アルケニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
【０２９３】
また、アルキニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。
【０２９４】
アリール基とは、芳香族炭化水素モノラジカルを指す。アリール基が置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ原子置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。アリール基として好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられる。
【０２９５】
ヘテロアリール基とは、芳香族ヘテロ環状モノラジカルを指す。置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ元素置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。ヘテロ環基として例えば、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。
【０２９６】
また、アミノ基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。
【０２９７】
また、アルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。
【０２９８】
また、アリールオキシ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。
【０２９９】
また、ヘテロ環オキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。
【０３００】
また、アシル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。
【０３０１】
また、アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。
【０３０２】
また、アリールオキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。
【０３０３】
また、アシルオキシ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。
【０３０４】
また、アシルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。
【０３０５】
また、アルコキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【０３０６】
また、アリールオキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【０３０７】
また、スルホニルアミノ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。
【０３０８】
また、スルファモイル基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。
【０３０９】
また、カルバモイル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。
【０３１０】
また、アルキルチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。
【０３１１】
また、アリールチオ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。
【０３１２】
また、ヘテロアリールチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。
【０３１３】
また、スルホニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル、トリフルオロメタンスルホニルなどが挙げられる。
【０３１４】
また、スルフィニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。
【０３１５】
また、ウレイド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。
【０３１６】
また、リン酸アミド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。
【０３１７】
又はハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【０３１８】
また、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えば、ピペリジル、モルホリノ、ピロリジルなどが挙げられる。
【０３１９】
また、シリル基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル、トリ−１−ナフチルシリル、トリ−２−ナフチルシリルなどが挙げられる。
【０３２０】
また、シリルオキシ基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。
【０３２１】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、好ましくは水素原子、炭化水素置換基（好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基）、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、ＢＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉ、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃのうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。窒素原子に結合している場合、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは存在しない
【０３２２】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは少なくとも１つが母骨格に対し２面角が７０度以上であるアリール基であることが好ましく、下記一般式ｓｓ−１で表される置換基であることがより好ましく、２，６−ジ置換アリール基であることが更に好ましく、Ｒ１ｂが２，６−ジ置換アリール基であることが最も好ましい。
【０３２３】
【化７４】
0005414544.tif 000095
【０３２４】
（一般式ｓｓ−１中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基のいずれかを表す。Ｒｃの数は０〜３個である。）
【０３２５】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられ、メチル基、又はイソプロピル基が好ましい。
【０３２６】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられ、フェニル基、２，６−キシリル、メシチル、が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【０３２７】
Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基又はアリール基から選ばれることが好ましく、Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基から選ばれることがより好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にアルキル基であることが更に好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にメチル基、又はイソプロピル基であることが最も好ましい。
２，６−ジ置換アリール基として好ましくは２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、２，６−ジメチル−４−フェニルフェニル基、２，６−ジメチル−４−（２，６−ジメチルピリジン−４−イル）フェニル基、２，６−ジフェニルフェニル基、２，６−ジフェニル−４−イソプロピルフェニル基、２，４，６−トリフェニルフェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（４−イソプロピルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（ピリジン−４−イル）フェニル基、又は２，６−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基である。
【０３２８】
Ｒｃの数は、好ましくは０又は１である。複数のＲｃは同一でも異なっても良い。
【０３２９】
一方で、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、少なくとも１つがアルキル基であることが好ましい。特に、Ｒ１ｅがアルキル基であることがより好ましい。アルキル基は４以上の炭素原子から成るベンジル位より離れた部位で分岐しているアルキル基であることが好ましく、メチル基又はネオペンチル基であることが好ましく、ネオペンチル基であることがより好ましい。
Ｒ１ａ及びＲ１ｂの少なくとも１つは電子供与性基であることが好ましく、Ｒ１ａが電子供与性置換基であることが好ましく、Ｒ１ａがメチル基であることがより好ましい。
【０３３０】
炭化水素置換基とは、１価又は２価で、鎖状、分岐又は環状の置換基であり、炭素原子と水素原子のみからなるものを指す。
１価の炭化水素置換基の例としては、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基等が挙げられる。
２価の炭化水素基の例としては、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、１，２−フェニレン基等が挙げられる。
【０３３１】
本発明における燐光性金属錯体が有する金属は、原子量４０以上の金属であり、周期表の８族〜１０族に属する金属であることが好ましい。また、非放射性であることが好ましい。本発明における燐光性金属錯体が有する金属は、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、又はＡｕのいずれかであることがより好ましく、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔであることが更に好ましく、Ｉｒ、Ｐｔであることが特に好ましく、高い発光効率、高い錯体安定性、発光層内の正孔・電子輸送のキャリアバランス制御の観点からＩｒであることが最も好ましい。
【０３３２】
本発明においては、一般式の配位子から成る金属錯体は主配位子若しくはその互変異性体と副配位子若しくはその互変異性体の組み合わせで構成されるか、金属錯体の配位子の全てが主配位子又はその互変異性体で表される部分構造のみで構成されていてもよい。
【０３３３】
更に従来公知の金属錯体形成に用いられる、所謂配位子として当該業者が周知の配位子（配位化合物ともいう）を必要に応じて副配位子として有していてもよい。
【０３３４】
本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。錯体分子内に反応性基を導入する際には合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。
【０３３５】
従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著  １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、シアノ配位子、ホスフィン配位子、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）が挙げられる。好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体である。
【０３３６】
以下に、副配位子の例を具体的に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０３３７】
【化７５】
0005414544.tif 000096
【０３３８】
（上記Ｍ１は原子量４０以上の金属原子を表す。Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【０３３９】
一般式（Ａ１）〜（Ａ４）のいずれかで表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【０３４０】
一般式（Ａ１）及び（Ａ３）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、好ましくは一般式（Ａ１−１）若しくは（Ａ３−１）又は（Ａ１−２）若しくは（Ａ３−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【０３４１】
【化７６】
0005414544.tif 000097
【０３４２】
（一般式（Ａ１−１）、（Ａ３−１）、（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−１）、（Ａ３−１）、（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０３４３】
一般式（Ａ１−１）、（Ａ３−１）、（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、一般式（Ａ１）及び（Ａ３）におけるＥ１ｆ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【０３４４】
一般式（Ａ１−１）、（Ａ３−１）、（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−３）又は（Ａ３−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【０３４５】
【化７７】
0005414544.tif 000098
【０３４６】
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０３４７】
一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は（Ａ１−１）、（Ａ３−１）、（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）におけるＥ１ｆ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【０３４８】
一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体は、一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体であることが好ましい。
【０３４９】
【化７８】
0005414544.tif 000099
【０３５０】
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは前記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選ばれる少なくとも１種のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【０３５１】
一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものと同様である。
Ｘ−Ｙは副配位子を表し、ｎは１から３の整数を表し、好ましくはｎ＝３である。副配位子として具体的には前記で挙げた例と同様の配位子を好適に用いる事ができ、好ましくはアセチルアセトナト配位子又は置換されたアセチルアセトナト配位子類縁体である。
合成の容易さの観点からはｎは３である事が好ましいが、ｎを１〜２として配位子を安価な副配位子に置き換える事もコスト削減の観点からまた好ましい。
ｎが３である場合、前記一般式（Ａ９）は、下記一般式（Ａ９−１）で表される。
【０３５２】
【化７９】
0005414544.tif 000100
【０３５３】
（一般式（Ａ９−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【０３５４】
一般式（Ａ９−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｈと同様である。
【０３５５】
一般式（Ａ９）で表される金属錯体は、一般式（Ａ１０）で表される金属錯体であることが好ましい。
【０３５６】
【化８０】
0005414544.tif 000101
【０３５７】
一般式（Ａ１）及び（Ａ３）は、より具体的には以下のような構造が好ましく、中でも（Ｘ−６４）〜（Ｘ−６８）が最も好ましい。以下の具体例中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、一般式（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０３５８】
【化８１】
0005414544.tif 000102
【０３５９】
【化８２】
0005414544.tif 000103
【０３６０】
【化８３】
0005414544.tif 000104
【０３６１】
【化８４】
0005414544.tif 000105
【０３６２】
【化８５】
0005414544.tif 000106
【０３６３】
【化８６】
0005414544.tif 000107
【０３６４】
発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【０３６５】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０３６６】
＜ホスト材料＞
本発明に用いられるホスト材料としては、本発明の化合物の他、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ホスト材料は電子輸送材料及びホール輸送性材料を挙げることができ、電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
【０３６７】
本発明における発光層において、前記ホスト材料（一般式（Ｉ）で表される化合物も含む）の三重項最低励起エネルギー（Ｔ１エネルギー）が、前記燐光発光材料のＴ１エネルギーより高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
【０３６８】
また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
【０３６９】
有機電界発光素子は、更に、下記一般式（ａ）で表される化合物を発光層に含むことが好ましい。
一般的に、積層型有機電子デバイスの有機薄膜界面での電荷（電子／正孔）注入においては、隣接しているふたつの材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）同士や電子親和力（Ｅａ）同士の差が小さい方が、電荷の注入障壁が小さくなり、有機電界発光素子の駆動電圧を低減できることが知られているが、材料のＩｐやＥａ以外にも、材料の分子間の相互作用等に由来するエネルギー準位が重要な役割を果たす。また、有機層内の電荷の移動に関しても、材料分子間の相互作用を適切に制御することにより、電荷移動度を大きくし、素子の駆動電圧を下げることができる。一般式（ａ）で表される化合物を発光材料とともに適切に用いることにより、材料分子間の相互作用を制御できる可能性があり、結果的に、駆動電圧を低下させることが可能となる。
また、素子駆動時における材料分子間の相互作用状態（例えば、会合状態）の変化は、素子特性の変化を引き起こし、結果的に素子の輝度（すなわち、素子寿命）の低下の一因となりうるが、一般式（ａ）で表される化合物を用いることにより、予め、安定な相互作用状態を形成し、この問題を回避できる。本発明の有機電界発光素子において用いられる、一般式（ａ）で表される化合物は、化学的な安定性に優れ、素子駆動中における材料の分解等の変質が少なく、当該材料の分解物による、有機電界発光素子の効率低下や素子寿命の低下を防ぐことが出来る。
【０３７０】
次に本発明の有機電界発光素子に用いる一般式（ａ）で表される化合物について、詳細に説明する。
【０３７１】
【化８７】
0005414544.tif 000108
【０３７２】
一般式（ａ）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン基、パーフルオロアルキル基、シリル基を表し、該Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基である。Ｘ１〜Ｘ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン基、パーフルオロアルキル基、シリル基を表す。
【０３７３】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル（すなわち、２−ブチル）、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
【０３７４】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル（すなわち、１−（２−プロペニル））、１−（１−プロペニル）、２−プロペニル、１−（１−ブテニル）、１−（２−ブテニル）、１−（３−ブテニル）、１−（１，３−ブタジエニル）、２−（２−ブテニル）、１−（１−ペンテニル）、５−（シクロペンタジエニル）、１−（１−シクロヘキセニル）などが挙げられる。
【０３７５】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギル（すなわち、１−（２−プロピニル））、１−（１−プロピニル）、１−ブタジイニル、１−（１，３−ペンタジイニル）などが挙げられる。
【０３７６】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアリール基としては、例えば、フェニル、ｏ−トリル（すなわち、１−（２−メチルフェニル））、ｍ−トリル、ｐ−トリル、１−（２，３−ジメチルフェニル）、１−（３，４−ジメチルフェニル）、２−（１，３−ジメチルフェニル）、１−（３，５−ジメチルフェニル）、１−（２，５−ジメチルフェニル）、ｐ−クメニル、メシチル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−アントラニル、２−アントラニル、９−アントラニル、及び、４−ビフェニリル（すなわち、１−（４−フェニル）フェニル）、３−ビフェニリル、２−ビフェニリルなどのビフェニリル類、４−ｐ−テルフェニリル（すなわち、１−４−（４−ビフェニリル）フェニル）、４−ｍ−テルフェニリル（すなわち、１−４−（３−ビフェニリル）フェニル）などのテルフェニリル類などが挙げられる。
【０３７７】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるヘテロアリール基としては、含まれるヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などが挙げられ、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。
【０３７８】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、シクロプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、シクロヘキシロキシ、フェノキシなどが挙げられる。
【０３７９】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアシル基としては、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。
【０３８０】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアシロキシ基としては、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。
【０３８１】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアミノ基としては、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、モルフォリノなどが挙げられる。
【０３８２】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるエステル基としては、例えば、メチルエステル（すなわち、メトキシカルボニル）、エチルエステル、イソプロピルエステル、フェニルエステル、ベンジルエステルなどが挙げられる。
【０３８３】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアミド基としては、例えば、アミドの炭素原子で連結した、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド（すなわち、ジメチルアミノカルボニル）、Ｎ−フェニルアミド、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミドや、アミドの窒素原子で連結した、Ｎ−メチルアセトアミド（すなわち、アセチルメチルアミノ）、Ｎ−フェニルアセトアミド、Ｎ−フェニルベンズアミドなどが挙げられる。
【０３８４】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるハロゲンとしては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【０３８５】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるパーフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、１−パーフルオロプロピル、２−パーフルオロプロピル、パーフルオロペンチルなどが挙げられる。
【０３８６】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるシリル基としては、例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、トリフェニルシリル、メチルジフェニルシリル、ジメチルフェニルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルなどが挙げられる。
【０３８７】
上記のＲ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２は、更に他の置換基で置換されていてもよい。例えば、アルキル基にアリール基が置換したものとしては、ベンジル、９−フルオレニル、１−（２−フェニルエチル）、１−（４−フェニル）シクロヘキシルなどが挙げられ、アリール基にヘテロアリール基が置換されたものとしては、１−（４−Ｎーカルバゾリル）フェニル、１−（３，５−ジ（Ｎーカルバゾリル））フェニル、１−（４−（２−ピリジル）フェニル）などが挙げられる。
【０３８８】
上記のＲ１〜Ｒ４として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、エステル基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基であり、特に好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基である。
【０３８９】
上記のＸ１〜Ｘ１２として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、エステル基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは、水素原子である。
【０３９０】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアルキル基としては好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシルであり、より好ましくは、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシルであり、特に好ましくは、メチル、エチルである。
【０３９１】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表されるアリール基として好ましくは、フェニル、ｏ−トリル、１−（３，４−ジメチルフェニル）、１−（３，５−ジメチルフェニル）、１−ナフチル、２−ナフチル、９−アントラニル、及び、ビフェニルリル類、テルフェニリル類であり、より好ましくは、フェニル、ビフェニルリル類、テルフェニリル類であり、より好ましくは、フェニルである。
【０３９２】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２で表される水素原子は、重水素原子であってもよく、重水素原子である方が好ましい。
【０３９３】
一般式（ａ）で表される化合物に含まれる水素原子は、その一部、若しくは、すべてが重水素原子で置換されていても良い。
【０３９４】
Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基であるが、二重結合としては、例えば、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ，Ｃ＝Ｎ、Ｎ＝Ｎ、Ｓ＝Ｏ、Ｐ＝Ｏなどが挙げられ、好ましくはＣ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ、Ｓ＝Ｏ、Ｐ＝Ｏであり、より好ましくはＣ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎであり、特に好ましくはＣ＝Ｃである。三重結合としては、Ｃ≡Ｃ、Ｃ≡Ｎが挙げられ、好ましくはＣ≡Ｃである。
【０３９５】
Ｒ１〜Ｒ４の二重結合あるいは三重結合を有する基としては、アリール基が好ましく、なかでも、下記で表されるフェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。
【０３９６】
【化８８】
0005414544.tif 000109
【０３９７】
Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基であるが、Ｒ１〜Ｒ４で二重結合、あるいは三重結合を有するものの数は２−４が好ましく、３−４がより好ましく、４が特に好ましい。
【０３９８】
Ｒ１〜Ｒ４で二重結合、あるいは三重結合を有するものの数が１−３の場合、残りの単結合のみからなるＲ１〜Ｒ４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、シリル基が好ましく、水素原子、アルキル基、シリル基が好ましく、水素原子、アルキル基が特に好ましい。
【０３９９】
Ｒ１〜Ｒ４、及び、Ｘ１〜Ｘ１２は互いに連結して環構造を形成していても良い。たとえば、下記のように、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ９が互いに連結して、ジアマンタン構造を形成していてもよく、更に、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ１２が互いに連結して、トリアマンタン構造を形成していてもよい。これらのジアマンタン構造、トリアマンタン構造は、更に置換基で置換されていてもよい。
【０４００】
【化８９】
0005414544.tif 000110
【０４０１】
本発明に於いては、一般式（ａ）で表される化合物は、好ましくは複数混合して含有される。好ましくは、二重結合を有する基が互いに異なる化合物、若しくはその置換数が互いに異なる化合物を混合して用いることができる。例えば、二重結合を有する基として上記のフェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基が挙げられ、それらの置換数が１〜４の化合物が挙げられる。例えば、これらの二重結合を有する基の置換数が１のモノ置換体と置換数が４のテトラ置換体を混合して用いることができる。
【０４０２】
以下に本発明に用いられる一般式（ａ）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明の化合物がこれらに限定されるものではない。
【０４０３】
【化９０】
0005414544.tif 000111
【０４０４】
【化９１】
0005414544.tif 000112
【０４０５】
【化９２】
0005414544.tif 000113
【０４０６】
【化９３】
0005414544.tif 000114
【０４０７】
一般式（ａ）で表される化合物は、アダマンタン、若しくは、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキル若しくは、アルキルマグネシウムハライド（グリニヤー試薬）を適当に組み合わせることによって合成できる。例えば、インジウムを用いて、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキルをカップリングすることができる（文献１）。また、ハロゲン化アルキルをアルキル銅試薬に変換し、芳香族化合物のグリニヤー試薬とカップリングすることもできる（文献２）。また、ハロゲン化アルキルを、適当なアリールホウ酸とパラジウム触媒を用いてカップリングすることもできる（文献３）。
文献１：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．  ３９，  １９９８，  ９５５７−９５５８．
文献２：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．  ３９，  １９９８，  ２０９５−２０９６．
文献３：Ｊ．  Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．  １２４，  ２００２，  １３６６２−１３６６３．
【０４０８】
アリール基を有するアダマンタン骨格は、アダマンタン、若しくは、ハロゲン化アダマンタンと、対応するアレーンやアリールハライドを適当に組み合わせることにより合成できる。
【０４０９】
なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、又は該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．  Ｗ．
Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。
【０４１０】
一般式（ａ）で表される化合物の分子量は、有機電界発光素子を真空蒸着プロセスや溶液塗布プロセスを用いて作成するので、蒸着適性や溶解性の観点から、２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることが特に好ましい。また、蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３５０以上がより好ましく、４００以上が特に好ましい。
【０４１１】
一般式（ａ）で表される化合物は、一般式（Ｉ）で表される化合物と組み合わせて用いることが好ましく、一般式（Ｉ）で表される化合物及び４座配位子を有する白金錯体と組み合わせて用いることがより好ましい。
【０４１２】
本発明において本発明の一般式（ａ）で表される化合物は、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に含有されてもよい。本発明の一般式（ａ）で表される化合物の導入層としては、後述の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれか、若しくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが特に好ましく、発光層に用いることが最も好ましい。
【０４１３】
一般式（ａ）で表される化合物の発光層における含量は、電荷輸送性材料の電荷輸送性を抑制しない程度の量に制限して用いる必要があり、本発明の一般式（ａ）で表される化合物は０．１〜７０質量％含まれることが好ましく、０．１〜３０質量％含まれることがより好ましく、０．１〜２５質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ａ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。
【０４１４】
本発明の有機電界発光素子は前記電極が陽極を含み、前記発光層と該陽極の間に電荷輸送層を有し、該電荷輸送層がカルバゾール化合物を含むことが好ましい。（電荷輸送層）
電荷輸送層とは、有機電界発光素子に電圧を印加した際に電荷移動が起こる層をいう。具体的には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層又は電子注入層が挙げられる。好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層である。塗布法により形成される電荷輸送層が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層であれば、低コストかつ高効率な有機電界発光素子の製造が可能となる。また、電荷輸送層として、より好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロック層である。
（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
【０４１５】
正孔注入層、正孔輸送層がカルバゾール化合物を含有することが好ましい。
カルバゾール化合物は下記一般式（ａ）で表されるカルバゾール化合物であることが好ましい。
【０４１６】
【化９４】
0005414544.tif 000115
【０４１７】
（一般式（ａ）中、Ｒは該骨格の水素原子に置換し得る置換基を表し、Ｒは複数存在する場合はそれぞれ同じでも異なってもよい。ｎは０〜８の整数を表す。）
【０４１８】
一般式（ａ）で表される化合物を、正孔輸送層中で用いる場合は、一般式（ａ）で表される化合物は５０〜１００質量％含まれることが好ましく、８０〜１００質量％含まれることが好ましく、９５〜１００質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ａ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。
【０４１９】
一般式（ａ）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（ａ）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。
【０４２０】
一般式（ａ）で表される化合物を含む正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、該正孔輸送層は発光層に接して設けられている事が好ましい。
該正孔輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０４２１】
Ｒが表す置換基としては具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、芳香族複素環基が挙げられ、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基が好ましく、炭素数６以下のアルキル基である事がより好ましい。  ｎは０〜８の整数を表し、０〜４が好ましく、０〜２がより好ましい。
【０４２２】
一般式（ａ）を構成する水素原子は、水素の同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が水素同位体に置き換わっていてもよく、また一部が水素同位体を含む化合物である混合物でもよい。
【０４２３】
一般式（ａ）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。  最も一般的には、カルバゾール化合物に関してはアリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。
【０４２４】
本発明の一般式（ａ）で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、８００以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３００以上が特に好ましい。
【０４２５】
以下に、本発明における一般式（ａ）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０４２６】
【化９５】
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【０４２７】
【化９６】
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【０４２８】
【化９７】
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【０４２９】
【化９８】
0005414544.tif 000119
【０４３０】
（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
【０４３１】
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０４３２】
（正孔ブロック層）
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノラート（Ａｌｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）    ４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（略号ＢＡｌｑ））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（略号：ＢＣＰ））等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０４３３】
（電子ブロック層）
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（保護層）
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
【０４３４】
保護層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０４３５】
（封止）
更に、本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０４３６】
本発明の素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０４３７】
本発明の素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、発光装置、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
【０４３８】
次に、図２を参照して本発明の発光装置について説明する。
本発明の発光装置は、前記有機電界発光素子を用いてなる。
図２は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。
図２の発光装置２０は、透明基板（支持基板）２、有機電界発光素子１０、封止容器１１等により構成されている。
【０４３９】
有機電界発光素子１０は、基板２上に、陽極（第一電極）３、有機層１１、陰極（第二電極）９が順次積層されて構成されている。また、陰極９上には、保護層１２が積層されており、更に、保護層１２上には接着層１４を介して封止容器１６が設けられている。なお、各電極３、９の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。
ここで、接着層１４としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。
【０４４０】
本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。
【０４４１】
次に、図３を参照して本発明の照明装置について説明する。
本発明の実施携帯にかかる照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機電界発光素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機電界発光素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
光散乱部材３０は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図３においては、透明基板３１に微粒子３２が分散した部材とされている。例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子３２としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置４０は、有機電界発光素子１０からの発光が光り散乱部材３０の光入射面３０Ａに入射されると、入射光を光散乱部材により散乱させ、散乱光を光出射面３０Ｂから照明光として出射するものである。
【実施例】
【０４４２】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０４４３】
＜合成例＞
合成例１：例示化合物Ａ−１の合成
【０４４４】
【化９９】
0005414544.tif 000120
【０４４５】
ナスフラスコにフェニルヒドラジン３６．０３ｇ、４−ターシャル−ブチルシクロヘキサノン５１．３９ｇ、エタノール６００ｍｌ、塩酸２００ｍｌを入れ、加熱還流下にて４時間攪拌した。その後室温まで冷却し、析出した結晶をろ過し、乾燥した。目的の化合物（１）が６８．３０ｇ（収率９０．１％）得られた。１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．００（ｓ，９Ｈ），１．５３（ｍ，２Ｈ），２．１０（ｍ，１Ｈ），２．４０（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｍ，２Ｈ），２．８３（ｍ，１Ｈ），７．１０（ｍ，２Ｈ），７．２６（ｄｄ，Ｊ＝４．５，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４６（ｄｄ，Ｊ＝４．５，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．６３（ｂ，１Ｈ）
【０４４６】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（１）６８．００ｇ、パラジウム／炭素（１０％）（水含率５０％）１７．７ｇ、キシレン６００ｍｌを入れ、加熱還流下にて３日間攪拌した。ろ過によりパラジウム／炭素を除去し、ろ液はエバポレーターにより濃縮した。得られた残留物にヘキサン５００ｍｌを入れ、加熱還流した。冷却後、ろ過により沈殿物を回収した。目的の化合物（２）が４０．８６ｇ（収率６１．１％）得られた。１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，  ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．４４（ｓ，９Ｈ），７．２１（ｍ，１Ｈ），７．３７−７．４０（ｍ，３Ｈ），７．４９（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．９４（ｂ，１Ｈ），８．０７（ｓ，１Ｈ），８．０９（ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ，１Ｈ）
【０４４７】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（２）４．６８ｇ、ｍ−ジブロモベンゼン２．３６ｇ、酢酸パラジウム０．０９ｇ、炭酸ルビジウム９．２７ｇ、キシレン１００ｍｌを入れた後、トリ−ターシャル−ブチルホスフィン０．３２ｇを入れ、加熱還流下にて８時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物Ａ−１が４．３９ｇ（収率８４％）得られた。１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．４５（ｓ，１８Ｈ），７．２８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），７．４１（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４６−７．５３（ｍ，６Ｈ），７．６７（ｄｄ，Ｊ＝７．８，１．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７９−７．８２（ｍ，２Ｈ），８．１４（ｓ，２Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ）
【０４４８】
合成例２：例示化合物Ａ−３６の合成
【０４４９】
【化１００】
0005414544.tif 000121
【０４５０】
窒素下、三つ口フラスコに水素化ナトリウム（油性６０％）２０ｇ、ＤＭＦ１００ｍｌを入れ、ＤＭＦ２００ｍｌに溶かしたカルバゾール６１．４５ｇを徐々に滴下した。滴下後、３０分攪拌し、３−ブロモフルオロベンゼン６１．２５ｇを滴下し、１１０℃で６時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物（３）が５７．５ｇ（収率５０．８％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in CDCl3):δ(ppm)＝7.28-7.33(m, 2H), 7.39-7.62(m, 7H), 7.75 (s, 1H), 8.14(d,  J=3.9Hz, 2H)
【０４５１】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（２）２．４６ｇ、化合物（３）３．２２ｇ、酢酸パラジウム０．０４５ｇ、炭酸ルビジウム４．６２ｇ、キシレン１００ｍｌを入れた後、トリ−ターシャル−ブチルホスフィン０．１６ｇを入れ、加熱還流下にて８時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物Ａ−３６が２．１８ｇ（収率４７％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in CDCl3):δ(ppm)＝1.51(s, 9H), 7.31(t, J=6.9Hz, 3H), 7.41(t, J=7.2Hz, 1H), 7.44(t, J=7.2Hz, 2H), 7.50-7.54(m, 5H), 7.66-7.72(m, 2H), 7.79-7.82(m, 2H), 8.13-8.17(m, 4H)
【０４５２】
合成例３：例示化合物Ｃ−１の合成
【０４５３】
【化１０１】
0005414544.tif 000122
【０４５４】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（２）１１．１６ｇ、３，３‘−ジブロモビフェニル６．２４ｇ、酢酸パラジウム０．１８ｇ、炭酸ルビジウム１８．４８ｇ、キシレン２００ｍｌを入れた後、トリ−ターシャル−ブチルホスフィン０．６４ｇを入れ、加熱還流下にて１２時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物Ｃ−１が８．９３ｇ（収率７４．８％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in CDCl3):δ(ppm)＝1.45(s, 18H), 7.27(t, J=6.6Hz, 2H), 7.36-7.51(m, 8H), 7.57(dt, J=3.4, 2.1Hz, 2H), 7.64-7.72(m, 4H), 7.85(s, 2H), 8.15-8.17(m, 4H)
【０４５５】
合成例４：例示化合物Ｃ−９の合成
【０４５６】
【化１０２】
0005414544.tif 000123
【０４５７】
窒素下、三つ口フラスコに１−ブロモ−４−(トリメチルシリル)ベンゼン１３．２９ｇ、ｏ−クロロアニリン７．０１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．１３ｇ、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．３４ｇ、トルエン６０ｍｌを入れた後、トリ−ターシャル−ブチルホスフィン１．１２ｇを入れ、、加熱還流下にて１０時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、ヘキサン５０ｍｌを加え、還流し、沈殿物をろ過回収し、目的の化合物（４）が１３．５０ｇ（収率８９％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in DMSO-d6):δ(ppm)＝0.20(s, 9H), 6.98(t, J=7.8Hz, 1H), 7.07(d, J=8.4Hz, 2H), 7.24(t, J=8.1Hz, 1H), 7.32(d, J=8.4Hz, 2H),7.37-7.42(m, 2H), 7.96(s, 1H)
【０４５８】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（４）１２．４１ｇ、酢酸パラジウム０．５６ｇ、炭酸カリウム６９．０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２５０ｍｌを入れた後、トリシクロヘキシルホスフィン１．４５ｇを入れ、加熱還流下にて１２時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物（５）が６．９１ｇ（収率６４．２％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in DMSO-d6):δ(ppm)＝0. 20(s, 9H), 7.14(t, J=7.8Hz, 1H), 7.38(t, J=8.1Hz, 1H), 7.41(m, 2H), 7.51(d, J=7.8Hz, 1H), 7.99(d, J=7.8Hz, 1H), 8.23(s, 1H), 11.45(s, 1H)
【０４５９】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（５）５．７４ｇ、３，３‘−ジブロモビフェニル３．１２ｇ、酢酸パラジウム０．０９ｇ、炭酸ルビジウム９．２４ｇ、キシレン１００ｍｌを入れた後、トリ−ターシャル−ブチルホスフィン０．３２ｇを入れ、加熱還流下にて１２時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物Ｃ−９が４．９３ｇ（収率７８．４％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in DMSO-d6):δ(ppm) ＝0. 20(s, 9H), 7.24(t, J=7.8Hz, 2H), 7.38(t, J=8.1Hz, 2H), 7.40-7.48(m, 4H), 7.50-7.53(m, 4H), 7.66(d, J=7.8Hz, 2H), 7.78(d, J=7.5Hz, 2H), 8.09(s, 2H), 8.13(d, J=7.8Hz, 2H), 8.37(s, 2H)
【０４６０】
合成例５：例示化合物Ｃ−３２の合成
【０４６１】
【化１０３】
0005414544.tif 000124
【０４６２】
ナスフラスコにフェニルヒドラジン８．８ｇ、４−ターシャル−アミルシクロヘキサノン１３．６ｇ、エタノール３００ｍｌ、塩酸１００ｍｌを入れ、加熱還流下にて４時間攪拌した。その後室温まで冷却し、析出した結晶をろ過し、乾燥し、目的の化合物（７）を得た。窒素下、三つ口フラスコに得られた化合物（７）、パラジウム／炭素（１０％）（水含率５０％）４．４ｇ、キシレン１５０ｍｌを入れ、加熱還流下にて３日間攪拌した。ろ過によりパラジウム／炭素を除去し、ろ液はエバポレーターにより濃縮した。得られた残留物にヘキサン１００ｍｌを入れ、加熱還流した。冷却後、ろ過により沈殿物を回収した。目的の化合物（８）が１０．４ｇ（収率５４．３%）得られた。1H-NMR (300 MHz, in DMSO-d6):δ(ppm)＝0.64(t, J=7.5Hz, 3H), 1.35(s, 6H), 1.71(q, J=7.2Hz, 2H), 7.12(t, J=8.1Hz, 1H), 7.34(t, J=8.1Hz, 1H), 7.39(m, 2H), 7.44(d, J=8.1Hz, 1H), 8.03(s, 1H), 8.11(d, J=7.5Hz, 1H), 11.08(s, 1H)
【０４６３】
窒素下、三つ口フラスコに水素化ナトリウム（油性６０％）１．１ｇ、ＤＭＦ２０ｍｌを入れ、ＤＭＦ３０ｍｌに溶かした化合物（８）５．３３ｇを徐々に滴下した。滴下後、３０分攪拌し、３−ブロモフルオロベンゼン３．９４ｇを滴下し、１１０℃で６時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物（９）が５．７３ｇ（収率６５％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): 2H), 7.14-7.46(m, 5H), 7.60-7.74(m, 3H), 7.74 (s, 1H), 8.18(s, 1H), 8.28(d, J=7.8, 1H)
【０４６４】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（９）５．１７ｇ、ＴＨＦ１００ｍｌを入れ、ドライアイス−アセトンバスを用いて、−６０℃以下に冷却した。１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム ヘキサン溶液９．１ｍｌ滴下した後、３０分攪拌し、更に２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン３．６９ｇを加え、攪拌しながら室温まで戻した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物（１０）が３．０７ｇ（収率５３％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in DMSO-d6):2H), 7.24-7.31(m, 2H), 7.33(s, 1H), 7.43(t, J=8.1Hz, 1H), 7.52(d, J=7.8Hz, 1H), 7.67-7.82(m, 4H), 8.24(s, 1H), 8.28(d, J=7.2Hz, 1H)
【０４６５】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（１０）２．２２ｇ、３，５−ジブロモベンゾニトリル２．６０ｇ、酢酸パラジウム２６ｍｇ、トリフェニルホスフィン０．１３ｇ、炭酸ナトリウム２．６５ｇ、ジメトキシエタン５０ｍｌ、水５０ｍｌを入れ、加熱還流下にて１０時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物（１１）が１．４８ｇ（収率６０％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in DMSO-d6):δ(ppm)＝0.64(t, J=7.5Hz, 3H), 1.35(s, 6H), 1.71(q, J=7.2Hz, 2H), 7.31(t, J=8.1Hz, 1H), 7.41-7.47(m, 4H), 7.70(d, J=7.8, 1H), 7.80(t, J=7.8Hz, 1H), 7.96(d, J=7.5Hz, 1H), 8.11(s, 1H), 8.17(s, 1H), 8.24-8.28(m, 2H), 8.32-8.38(m, 2H)
【０４６６】
窒素下、三つ口フラスコに化合物（１１）１．２３ｇ、カルバゾール０．４７ｇ、酢酸パラジウム１４ｍｇ、炭酸ルビジウム１．７３ｇ、キシレン２０ｍｌを入れた後、トリ−ターシャル−ブチルホスフィン０．０５ｇを入れ、加熱還流下にて８時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルにて抽出を行った。得られた油層をエバポレーターにより濃縮し、残留物をシリカゲルカラムにて精製した。目的の化合物Ｃ−３２が１．１６ｇ（収率８０％）得られた。1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝0.68(t, J=7.2Hz, 3H), 1.24(s, 6H), 1.64(q, J=7.2Hz, 2H), 7.28-7.36(m, 3H), 7.40-7.46(m, 8H), 7.66-7.78(m, 3H), 7.85(s, 1H), 7.70(s, 1H), 7.99(s, 1H), 8.11(s, 1H), 8.13-8.17(m, 4H)
【０４６７】
＜有機電界発光素子＞
（実施例１）［比較素子Ｃ１−１の作成］
厚み０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
本発明の実施例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。
【０４６８】
第１層：ＨＩ−３及びＦ４ＴＣＮＱ（表中に記載せず）：（重量比９９：１）；膜厚１２０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：膜厚７ｎｍ
第３層：ＨＴ−８：膜厚３ｎｍ
第４層（発光層）：発光材料Ａ及び比較化合物１（重量比１５：８５）：膜厚３０ｎｍ
第５層：ＥＴ−３：膜厚２９ｎｍ
第６層：ＥＩ−１：膜厚１ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍ及び金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、素子Ｃ１−１を得た。
【０４６９】
［比較素子Ｃ１−２、本発明の素子１−１〜１−３６の作製］
各層の構成を表５に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ１−２、本発明の素子１−１〜１−３６を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表５にまとめた。
なお、本明細書の全ての実施例において、第４層に２種のホスト材料を用いた場合、表中においては「第１のホスト材料／第２のホスト材料」と記載する。また、その場合の２種類のホスト材料と発光材料との重量比は、発光材料：第１のホスト材料：第２のホスト材料＝１５：６５：２０である。
【０４７０】
（有機電界発光素子の性能評価）
（ａ）駆動耐久性
各素子を輝度が１０００ｃｄ／ｍ２になるように直流電圧を印加し、輝度が５００ｃｄ／ｍ２になるまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。（ｂ）駆動電圧
各素子を輝度が１０００ｃｄ／ｍ２になるように直流電圧を印加し発光させる。この時の印加電圧を駆動電圧評価の指標とした。
得られた結果を相対値として表５にまとめた。
【０４７１】
【表２１】
0005414544.tif 000125
【０４７２】
【表２２】
0005414544.tif 000126
【０４７３】
（実施例２）［比較素子Ｃ２−１、本発明の素子２−１〜２−３０の作製］
各層の構成を表６に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ２−１、本発明の素子２−１〜２−３０を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表６にまとめた。
【０４７４】
【表２３】
0005414544.tif 000127
【０４７５】
（実施例３）
［比較素子Ｃ３−１、Ｃ３−２、本発明の素子３−１〜３−９の作製］
各層の構成を表７に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ３−１、Ｃ３−２、本発明の素子３−１〜３−９を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表７にまとめた。
【０４７６】
【表２４】
0005414544.tif 000128
【０４７７】
（実施例４）［比較素子Ｃ４−１、Ｃ４−２、本発明の素子４−１〜４−１０の作製］
各層の構成を表８に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ４−１、Ｃ４−２、本発明の素子４−１〜４−１０を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表８にまとめた。
【０４７８】
【表２５】
0005414544.tif 000129
【０４７９】
（実施例５）［比較素子Ｃ５−１、Ｃ５−２、本発明の素子５−１〜５−１０、５−２１〜５−２９、５−３１〜５−３３の作製］
各層の構成を表９に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ５−１、Ｃ５−２、本発明の素子５−１５−１０、５−２１〜５−２９、５−３１〜〜５−３３を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表９にまとめた。
【０４８０】
【表２６】
0005414544.tif 000130
【０４８１】
（実施例６）［比較素子Ｃ６−１、Ｃ６−２、本発明の素子６−１〜６−１０、６−２１〜６−２８の作製］
各層の構成を表１０に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ６−１、Ｃ６−２、本発明の素子６−１〜６−１０、６−２１〜６−２８を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１０にまとめた。
【０４８２】
【表２７】
0005414544.tif 000131
【０４８３】
（実施例７）［比較素子Ｃ７−１、本発明の素子７−１〜７−５の作製］
各層の構成を表１１に記載のものに変更し、第３層を設けなかったこと以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ７−１、本発明の素子７−１〜７−５を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１１にまとめた。
【０４８４】
【表２８】
0005414544.tif 000132
【０４８５】
（実施例８）［比較素子Ｃ８−１、Ｃ８−２、本発明の素子８−１〜８−３３の作製］
各層の構成を表１２に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ８−１、Ｃ８−２、本発明の素子８−１〜８−３３を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１２にまとめた。
【０４８６】
【表２９】
0005414544.tif 000133
【０４８７】
【表３０】
0005414544.tif 000134
【０４８８】
（実施例９）［比較素子Ｃ９−１、本発明の素子９−１〜９−２６の作製］
各層の構成を表１３に記載のものに変更し、第３層を設けなかったこと以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ９−１、本発明の素子９−１〜９−２６を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１３にまとめた。
【０４８９】
【表３１】
0005414544.tif 000135
【０４９０】
（実施例１０）［比較素子Ｃ１０−１、本発明の素子１０−１〜１０−９の作製］
各層の構成を表１４に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ１０−１、本発明の素子１０−１〜１０−９を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１４にまとめた。
【０４９１】
【表３２】
0005414544.tif 000136
【０４９２】
（実施例１１）［比較素子Ｃ１１−１、本発明の素子１１−１〜１１−１１の作製］
各層の構成を表１５に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ１１−１、本発明の素子１１−１〜１１−１１を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１５にまとめた。
【０４９３】
【表３３】
0005414544.tif 000137
【０４９４】
（実施例１２）［比較素子Ｃ１２−１、Ｃ１２−２、本発明の素子１２−１〜１２−１８の作製］
各層の構成を表１６に記載のものに変更した以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ１２−１、Ｃ１２−２、本発明の素子１２−１〜１２−１８を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１６にまとめた。
【０４９５】
【表３４】
0005414544.tif 000138
【０４９６】
（実施例１４）［比較素子Ｃ１４−１、Ｃ１４−２、本発明の素子１４−１〜１４−１３の作製］
各層の構成を表１７に記載のものに変更し、第３層を設けなかったこと以外は比較素子Ｃ１−１と同様に比較素子Ｃ１４−１、Ｃ１４−２、本発明の素子１４−１〜１４−１３を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１７にまとめた。
【０４９７】
【表３５】
0005414544.tif 000139
【０４９８】
（実施例１５及び１６）
各層の構成を表１８〜１９に記載のものに変更し、第３層を設けなかったこと以外は比較素子Ｃ１−１と同様に表１８〜１９に記載の素子を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表１８〜１９にまとめた。
【０４９９】
【表３６】
0005414544.tif 000140
【０５００】
【表３７】
0005414544.tif 000141
【０５０１】
（実施例１７〜２５）
各層の構成を表２０〜２８に記載のものに変更したこと以外は比較素子Ｃ１−１と同様に表２０〜２８に記載の素子を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表２０〜２８にまとめた。
【０５０２】
【表３８】
0005414544.tif 000142
【０５０３】
【表３９】
0005414544.tif 000143
【０５０４】
【表４０】
0005414544.tif 000144
【０５０５】
【表４１】
0005414544.tif 000145
【０５０６】
【表４２】
0005414544.tif 000146
【０５０７】
【表４３】
0005414544.tif 000147
【０５０８】
【表４４】
0005414544.tif 000148
【０５０９】
【表４５】
0005414544.tif 000149
【０５１０】
【表４６】
0005414544.tif 000150
【０５１１】
上記結果から明らかなように、本発明の素子は比較素子に比べ、駆動電圧に優れ、かつ耐久性に極めて優れている。
【０５１２】
（実施例２６〜３０）
各層の構成を表２９〜３３に記載のものに変更したこと以外は比較素子Ｃ１−１と同様に表２９〜３３に記載の素子を作製し、評価した。用いた発光材料に由来するりん光発光が得られた。得られた結果を表２９〜３３にまとめた。なお、表３３に示す比較素子Ｃ３０−１と本発明の素子３０−１〜３０−４については第３層を設けなかった。
【０５１３】
（有機電界発光素子の性能評価）
（ｃ）駆動耐久性各素子を輝度が３００ｃｄ／ｍ２になるように直流電圧を印加し、輝度が１５０ｃｄ／ｍ２になるまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。
（ｄ）初期耐久性
各素子を輝度が３００ｃｄ／ｍ２になるように直流電圧を印加し、輝度が２７０ｃｄ／ｍ２になるまでの時間を測定した。この１０％輝度低下時間を初期耐久性評価の指標とした。
【０５１４】
【表４７】
0005414544.tif 000151
【０５１５】
【表４８】
0005414544.tif 000152
【０５１６】
【表４９】
0005414544.tif 000153
【０５１７】
【表５０】
0005414544.tif 000154
【０５１８】
【表５１】
0005414544.tif 000155
【０５１９】
上記結果から明らかなように、本発明の素子は比較素子に比べ、耐久性に優れ、かつ初期耐久性に極めて優れている。
【０５２０】
実施例で使用した化合物の構造を以下に示す。
【０５２１】
【化１０４】
0005414544.tif 000156
【０５２２】
【化１０５】
0005414544.tif 000157
【０５２３】
【化１０６】
0005414544.tif 000158
【０５２４】
【化１０７】
0005414544.tif 000159
【０５２５】
【化１０８】
0005414544.tif 000160
【０５２６】
【化１０９】
0005414544.tif 000161
【０５２７】
【化１１０】
0005414544.tif 000162
【０５２８】
【化１１１】
0005414544.tif 000163
【０５２９】
【化１１２】
0005414544.tif 000164
【０５３０】
【化１１３】
0005414544.tif 000165
【０５３１】
【化１１４】
0005414544.tif 000166
【０５３２】
【化１１５】
0005414544.tif 000167
【符号の説明】
【０５３３】
２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
１１・・・有機層
１２・・・保護層
１４・・・接着層
１６・・・封止容器
２０・・・発光装置
３０・・・光散乱部材
３０Ａ・・・光入射面
３０Ｂ・・・光出射面
３２・・・微粒子
４０・・・照明装置
【図１】
0005414544.tif 000180
【図２】
0005414544.tif 000181
【図３】
0005414544.tif 000182