(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量性マイクロマシン超音波トランスデューサであって、
シリコン基板と、
キャビティと、
前記シリコン基板と前記キャビティとの間に配される第１の電極であって、前記キャビティより下に配される第１の電極と、
前記キャビティより上に、前記第１の電極と対向して配されるメンブレンと、
前記キャビティより上に、前記第１の電極と対向して配される第２の電極であって、前記第２の電極は、前記メンブレン内に又はその近傍に配され、前記第１の電極及び前記第２の電極は、電圧を供給されるように構成される、第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配される第１の絶縁層であって、誘電体を含む第１の絶縁層と、
を有し、前記第１の絶縁層は、酸化物を含む第１のサブレイヤ及び窒化物を含む第２のサブレイヤを有し、酸化物を含む第１のサブレイヤを配して、窒化物を含む第２のサブレイヤにおける電荷トラップを防ぐように構成される、トランスデューサ。
【請求項２】
前記トランスデューサは、酸化物を含む第３のサブレイヤを更に有する、請求項１に記載のトランスデューサ。
【請求項３】
前記第２のサブレイヤは、前記第１のサブレイヤと前記第３のサブレイヤとの間に配される、請求項２に記載のトランスデューサ。
【請求項４】
前記第１の絶縁層は、少なくとも５ｎｍの厚さを有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項５】
前記第１の絶縁層が、前記第１の電極と前記キャビティとの間に配され、前記トランスデューサは、前記第２の電極と前記キャビティとの間に配される第２の絶縁層を有し、前記第２の絶縁層は、誘電体を含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項６】
前記誘電体は、窒化物、酸化アルミニウム又は酸化ハフニウムを含む層のような高ｋ層であり、又はＯＮＯ層を構成する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項７】
前記キャビティは、１気圧以下の圧力を有する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項８】
前記キャビティは、真空キャビティである、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項９】
前記第１の絶縁層の第１のサブレイヤの酸化物がSiO2であり、及び／又は前記第１の絶縁層の第２のサブレイヤの窒化物がSi3N4である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項１０】
前記第２の電極が、前記メンブレンに組み込まれている、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項１１】
前記トランスデューサは、崩壊トランスデューサタイプ、事前崩壊トランスデューサタイプ、屈曲トランスデューサタイプ及びこれらのタイプの組み合わせを含むトランスデューサタイプのグループからの少なくとも１つのトランスデューサタイプである、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のトランスデューサを有するシステム。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のトランスデューサの線形アレイ又は２次元アレイを有する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
請求項１乃至５、７乃至１１のいずれか１項に記載のトランスデューサを製造する方法であって、ＣＭＯＳプロセスの間の後処理フィーチャとして前記トランスデューサを製造するステップを含む、方法。
【請求項１５】
前記トランスデューサの製造中、４００℃以下の温度が使用される、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ、超音波を生成し又は検出するシステム、及びトランスデューサを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（capacitive micromachined ultrasound transducer、ＣＭＵＴ）は、本質的に、平行プレートキャパシタである。上部電極は、メンブレンに組み込まれている。電極間のＲＦ電圧は、一般に数ＭＨｚのメンブレン振動を生じさせる。容量性マイクロマシン超音波トランスデューサは、高性能及び高出力パワーで知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、帯電は、従来技術の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの知られている不利益であり、しばしばその実際的な実現の妨げとなる。帯電のため、トランスデューサは不安定になりえ、その特性がドリフトしうる。
【０００４】
従って、帯電問題を解決するための改善されたトランスデューサ及び方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の概念による帯電問題のソリューションは、特定のアプリケーションの独立性により、さまざまなアプリケーションのために使用されることができる容量性マイクロマシン超音波トランスデューサにつながる。特に、いわゆるＯＮＯ誘電体層が、本発明による帯電のソリューションを与える。
【０００６】
本発明の第１の見地によれば、シリコン基板と、キャビティと、シリコン基板とキャビティとの間に配置される第１の電極であって、キャビティより下に配置される第１の電極と、キャビティより上に、第１の電極と対向して配置されるメンブレンと、キャビティより上に、第１の電極と対向して配置される第２の電極であって、第２の電極は、メンブレン内に又はその近傍に配置され、第１の電極及び第２の電極は、電圧を供給されるように適応される、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に配置される第１の絶縁層であって、誘電体を含む第１の絶縁層と、を有する容量性マイクロマシン超音波トランスデューサが提供される。
【０００７】
本発明の主な本質は、帯電を防ぐことである。使用される誘電層が電荷をトラップしうる場合、帯電が起こりうる。本発明は、付加層を加えることによって電荷トラッピングを防ぐことに着目する。
【０００８】
本発明によれば、容量性マイクロマシントランスデューサのメンブレンは、電圧によって活性化される。通常、より高い周波数を有する電圧が使用され、特に、ＲＦ電圧にＤＣバイアスを加えたものが使用される。この電圧は、幾つかの電極に供給される。一般に、２つの電極がある。しかしながら、より多くの数の電極を使用することも可能である。帯電の問題は、電極の一方を離れる電荷担体によって引き起こされる。これらの電荷担体は、異なる電位の別の電極に到達しようとする。電極が、それらの電極を離れる場合、トランスデューサの特性が変化しうる。トランスデューサの特性のドリフトが生じうる。従って、電荷担体が離れることは、帯電を防ぐために阻止されなければならない。本発明によれば、離れる電荷担体のための障壁が、電荷担体の経路が絶たれるようなやり方で配置され、又は離れる電荷担体の少なくとも幾つかが、障壁のない状況に関して低減される。本発明によれば、障壁は、例えば電極間に構成される。更に、障壁は、ただ１つの障壁又は複数の障壁から構成されることができ、それらは、空間的に有利に構成される。
【０００９】
容量性マイクロマシントランスデューサは、キャビティを有し、キャビティは、真空キャビティであり、又は低い圧力を有する。キャビティの寸法は、超音波振動が、キャビティの上部におけるメンブレンの変形を生じさせ、従って、キャビティの変形及びゆえにキャパシタンス値の変化を生じさせるようなやり方で、選択される。本発明によれば、メンブレンと同様に変形される電極がある。有利には、電極は、メンブレンの近傍に又はメンブレン内に配置される。超音波振動による電極の変形は、電極に供給される電圧又は電流の変化を生じさせる。これらの変化は、電子回路によって検出されることができる。この場合、トランスデューサは、受信器として作用する。更に、電圧又は電流の変化は、それぞれ、メンブレンの変形を生じさせることができ、これは、結果的に、超音波振動を生じさせる。この場合、トランスデューサは、送信器／送信機として作用する。
【００１０】
本発明によれば、電極間の電荷担体のフローを防ぎ又は低減するための障壁として作用する絶縁層がある。一般に、絶縁層は、電極間に配置される。しかしながら、電荷担体のフローが低減され又は止められるようなやり方で絶縁層を配置すればよい。従って、本発明によれば、電荷担体の経路がブロックされる場合、絶縁層が電極間に配置されないようなやり方で絶縁層を配置することも可能である。
【００１１】
トランスデューサは、シリコン基板上に構築され、シリコン基板又はシリコンオンインサレータ（ＳＯＩ）基板が、ベースプレートとして使用される。
【００１２】
酸化物を含む層は、ＬＰＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ又はＰＥＣＶＤによって堆積されるＳｉＯ２層でありうる。窒化物を含む層は、ＬＰＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ又はＰＥＣＶＤによって堆積されるＳｉ３Ｎ４層でありうる。
【００１３】
本発明の第２の見地によれば、超音波を生成し又は測定するシステムであって、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のトランスデューサを有するシステムが提供される。
【００１４】
本発明によれば、システムは、超音波の受信器又は送信器としてトランスデューサを使用することができる。特に、システムは、医療用に使用されることができる。システムは、超音波振動を検出する手段、特に電子回路、を有することができる。電子回路は、一定の電圧源又は一定の電流源を有することができる。メンブレンの変化は、電流の変化により第１の代替例に従って、及び電圧の変化により第２の代替例に従って検出される。検出される超音波振動は、パーソナルコンピュータを用いて表されることができる。パーソナルコンピュータは、検出のプロシージャを制御するために使用されることができる。システムは、超音波を送信する手段を有することができる。
【００１５】
本発明の第３の見地によれば、本発明によるトランスデューサを製造する方法であって、トランスデューサが、ＣＭＯＳ製造プロセスを用いて製造され、トランスデューサが、ＣＭＯＳプロセスの間の後処理フィーチャとして製造されることができる、方法が提供される。本発明によれば、トランスデューサは、ＣＭＯＳ互換性があり、ＣＭＯＳプロセスに付加機能を提供するためにＣＭＯＳ後処理オプションとして使用されることができる。本発明によれば、トランスデューサは、代替例として、フリップチッププロセス又は基板搬送プロセスを使用してＣＭＯＳウエハに加えられることができる。
【００１６】
他の実施形態は、従属請求項に組み込まれている。
【００１７】
本発明によれば、トランスデューサが第２の絶縁層を有し、第２の絶縁層が、第２の電極とキャビティとの間に配置され、第１の絶縁層が、第１の電極とキャビティとの間に配置され、第２の絶縁層が、誘電体を有する、トランスデューサが提供される。
【００１８】
本発明によれば、電荷担体をそれらの対応する電極に保持することが有用である。従って、誘電層によって実現される障壁を、あらゆる電極と隣り合って配置することが提案される。このような配置は、可能な限り電荷担体のフローを防ぐ。本発明の別の見地は、誘電層による電極のカプセル化である。このような構造は、電荷担体による障壁の迂回を更に防ぐ。
【００１９】
本発明によれば、酸化物層は、ホールトンネリングによる帯電を防ぐために、窒化物層と組み合わされて配置される。窒化物層は導電性でないが、窒化物層に印加される十分なバイアスがある場合、窒化物層を通じた電荷担体のホールトンネリングが起こりうる。従って、付加の酸化物層が、窒化物層中のホールトンネリングによる電荷担体のフローを防ぐために使用される。
【００２０】
例示的な実施形態によれば、第１の絶縁層が第１のサブレイヤを有し、第１のサブレイヤが酸化物を含む、トランスデューサが提供される。酸化物は導電性ではない。従って、電荷担体がそれらの電極を離れることを防ぐために、酸化物が、例えば誘電体として使用されることができる。
【００２１】
別の例示的な実施形態によれば、誘電体が、窒化物、酸化アルミニウム又は酸化ハフニウムを含む層のようなより高いｋ層である、トランスデューサが提供される。
【００２２】
例示的な実施形態によれば、第１の絶縁層が第１のサブレイヤを有し、第１のサブレイヤが少なくとも５ｎｍの厚さを有する、トランスデューサが提供される。
【００２３】
本発明によれば、絶縁層は、絶縁層が電荷担体のトンネル効果を防ぐようなやり方で、形成される。トンネル効果は、絶縁層の最小の厚さによって阻止されることができる。絶縁層のこの最小の厚さは、少なくとも５ｎｍの厚さである。従って、絶縁層は、少なくとも５ｎｍの最小の厚さを有する。
【００２４】
別の例示的な実施形態によれば、第１の絶縁層が、酸化物を含む第１のサブレイヤと、窒化物を含む第２のサブレイヤと、を有する、トランスデューサが提供される。
【００２５】
例示的な実施形態によれば、第１の絶縁層が、酸化物を含む第１のサブレイヤと、窒化物を含む第２のサブレイヤと、酸化物を含む第３のサブレイヤと、を有する、トランスデューサが提供される。
【００２６】
例示的な実施形態によれば、第１の絶縁層が、金属を含む第１のサブレイヤと、酸化物を含む第２のサブレイヤと、窒化物を含む第３のサブレイヤと、を有するトランスデューサが提供される。
【００２７】
別の例示的な実施形態によれば、第２のサブレイヤが、第１のサブレイヤと第３のサブレイヤとの間に配置される、トランスデューサが提供される。
【００２８】
別の例示的な実施形態によれば、キャビティが真空キャビティであるトランスデューサが提供される。真空は、完全な真空のみならず、低い圧力、特に１気圧以下の圧力をも意味する。
【００２９】
例示的な実施形態によれば、第２の電極がメンブレンに組み込まれているトランスデューサが提供される。
【００３０】
例示的な実施形態によれば、トランスデューサが、崩壊トランスデューサタイプ、事前崩壊トランスデューサタイプ、屈曲トランスデューサタイプ及びこれらのタイプの組み合わせを含むトランスデューサタイプのグループからの少なくとも１つのトランスデューサタイプである、トランスデューサが提供される。好適な動作モードは、メンブレンが、キャビティの下部まで部分的に崩壊される場合、（事前に）崩壊されるモードである。この動作モードは、より良好な受信感度に対してより大きい出力を生じさせる。しかしながら、この動作モードは、帯電の影響を一層受けやすい。
【００３１】
例示的な実施形態によれば、システムが、本発明のトランスデューサの１つによるトランスデューサの線形アレイ又は２次元アレイを有する、システムが提供される。
【００３２】
トランスデューサの帯電を防ぐことが、本発明の主な本質として考えられることができる。帯電の防止は、トランスデューサの安定した特性をもたらす。帯電は、少なくとも１つの障壁の配置によって阻止され又は少なくとも低減される。この障壁は、付加の誘電層によって実現されることができる。１つの電極から出発してターゲット電極に向かう電荷担体のフローを中断するために、障壁が、電荷担体の経路に配置される。
【００３３】
上述の特徴は、組み合わせられることができることに注意すべきである。上述の特徴の組み合わせは、明示的に詳しく記述されていなくとも、相乗効果をもたらすこともできる。
【００３４】
本発明のこれら及び他の見地は、以下に記述される実施形態を参照して明らかになり、説明される。
【００３５】
本発明の例示的な実施形態が、添付の図面を参照して以下に記述される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】基本的な原理を示すための容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの断面図。
【図２】ＯＮＯ容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの構造の断面図。
【図３】異なる容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの信号の測定結果を示す図。
【図４】本発明の概念による容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの信号の測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
トランスデューサは、ＣＭＯＳ互換性のある処理によって製造されることができ、その場合、低い温度が使用される。ＣＭＯＳ互換性は４００℃以下の温度を必要とするので、プロセスは、低温で実行される。第１に、Ａｌの犠牲エッチ又はＰｏｌｙ／ＸｅＦ２エッチを用いて、真空キャビティが生成される。第２に、アルミニウムを電極として挿入することによって、ＰＥＣＶＤ窒化ケイ素内に、メンブレンが製作される。ＰＥＣＶＤ窒化物誘電層は、それらが、高い誘電率ε〜７及び良好な機械的特性（Ｅ〜２５０ＭＰａ）を有するという理由で、使用される。
【００３８】
帯電の制御は、良好な安定した容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの動作のための重要な課題である。帯電は、誘電層への担体のトラッッピング及び誘電層内の関連する電界の劇的な変化を意味する。その結果、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの特性は変化する（電界が強い影響を受ける）。これは、非常に望ましくない出力圧力を生じさせる。
【００３９】
本発明によるトランスデューサは、例えば中心周波数（２−２０Ｍｈｚ）、優れた帯域幅（＞１００％）、非常に高い最大超音波出力圧力（＞３ＭＰａ）、良好な安定性（４０時間にわたって０．２％）及び寿命（＞＞１００時間、水中）のようなすべての重要な装置パラメータに対処する。
【００４０】
２つの電極を絶縁するためのさまざまな異なる可能性がある。１つの可能性は、窒化物のみからなる層である。このような絶縁層の不利益は、特に低温プロセスの窒化物層では、それが重く帯電し、ピンホールに苦しむことである。第２の可能性は、酸化物−窒化物の組み合わせを含む絶縁層である。このような層は、窒化物層を帯電させる既知の原因であるホールトンネリングのための障壁を増大させるので、電荷が窒化物に達することを防ぐ。更に、酸化物窒化物層は、ピンホールをカバーする。本発明による別の可能性は、ＯＮＯ構造である。ＯＮＯ構造の利点は、帯電がＣＭＵＴ装置において十分に阻止されるという事実によって要約されることができる。この効果は、５ｎｍの最小の厚さを有する酸化物層に基づく。酸化物は、ホールトンネリング及びゆえに窒化物層の帯電を防ぐ良好な絶縁体である。酸化物の厚さのようなパラメータを適切に選択することが重要である。トンネリング障壁を増大させるために、酸化物の最小の厚さが要求され、それは一般に５ｎｍより厚い。層のＯＮＯ構造の更なる利点は、ＯＮＯ構造がＣＭＯＳプロセスにおいて容易に実現されることができることである。ＯＮＯ構造は容易に認識されることができるので、侵害が容易に検出される。このようなＯＮＯ構造の不利益は、誘電率が低下することである。
【００４１】
本発明による別の実施形態は、電極を互いから絶縁するために、両方の電極上にＯＮ誘電体を有する容量性マイクロマシントランスデューサ（ＣＭＵＴ）である。酸化アルミニウム又は酸化ハフニウムを含む層を使用することも可能である。酸化アルミニウム又は酸化ハフニウムは、高い誘電率εの利点を有する。しかしながら、これらの材料は、まだＣＭＯＳ互換性がない。更に、酸化物は、より低い誘電率εを有し、乏しいメンブレン特性を有するだけである。
【００４２】
図１は、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの構造の断面を示している。容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの一般的な構造が示されている。窒化ケイ素又は窒化物を含む第１の層１０１がある。この層は、約１μｍの幅を有する。この層には、約１００ボルトの電圧に関して寸法決めされた電極１０８が組み込まれる。真空キャビティ１０７及び他の電極１０９を有する第２の層１０２がある。真空キャビティは、犠牲エッチングによって製作される。真空キャビティ１０７は、約０．３μｍの高さを有する。電極１０８及び他の電極１０９は、ＲＦ電圧を供給される。電極１０８は、ワイヤ１０５によってＲＦ電圧源に接続され、電極１０９は、ワイヤ１０６を介してＲＦ電圧源に接続される。
【００４３】
電極１０８、１０９は、ＲＦ電圧源１０４及びＤＣバイアスによる電圧の供給により、互いによって引き寄せられる。その結果、電極が組み込まれている層１０１、１０２に振動が生じる。容量性マイクロマシン超音波トランスデューサは、センサとしても使用されることができる。圧力波を受け取ることにより、真空キャビティ１０７と隣接している層１０１、１０２に振動をもたらす。これらの振動は、電極１０８と他の電極１０９との間のキャパシタンスの変化を生じさせる。構造が、一定の電圧を供給される場合、キャパシタンスの変化は、例えば電流の変化を用いて検出されることができる。
【００４４】
図２は、本発明による容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの断面図を示す。電極２０３（上部電極）及び他の電極２０７（下部電極）が示されており、これらの電極２０３、２０７は、例えば真空キャビティのような間隙２０５によって隔てられている。本発明によれば、２つのＯＮＯ層２０４、２０６があり、第１のＯＮＯ層２０４が、電極２０３と間隙２０５との間にあり、第２のＯＮＯ層が、他の電極２０７と間隙２０５との間にある。これらのＯＮＯ層２０４、２０６は、２つの電極２０３、２０７の互いからの完全な絶縁により、帯電が生じないという効果をもたらす。ＯＮＯ層２０４、２０６は、３つのサブレイヤを有し、例えば４０ｎｍの厚さを有する２つの酸化物サブレイヤ及び例えば１５０ｎｍの厚さを有する１つの窒化物サブレイヤがある。一般に、窒化物サブレイヤは、２つの酸化物サブレイヤの間に配置される。間隙２０５は、例えば２５０ｎｍアルミニウム及び４０ｎｍモリブデンの犠牲エッチによって形成され、結果的に得られる２９０ｎｍの間隙を生成する。下部電極である他の電極２０７は、例えば厚さ１４０ｎｍのアルミニウムのサブレイヤ及び厚さ４０ｎｍのモリブデンのサブレイヤを含む。一般に、他の電極２０７の下に、１００ｎｍの厚さを有する窒化物層２１０がある。窒化物層２１０の下に、１０００ｎｍの高さを有する熱酸化物ＳｉＯ２層２０８がある。熱酸化物層２０８の下に、例えば６７０ミクロンの標準の６''モニタウエハを有するシリコン基板２０９がある。シリコン基板２０９は、ベースプレートとして使用される。電極２０３は、２５０ｎｍの厚さを有するアルミニウムのサブレイヤ及び４０ｎｍの厚さを有するモリブデンのサブレイヤを有する。電極２０３の上に、酸化物窒化物層２０２があり、この層において、酸化物サブレイヤは、２０ｎｍの高さを有し、窒化物層は、２００ｎｍの高さを有する。この酸化物窒化物層２０２の上に、６００ｎｍの高さを有する窒化物層２０１がある。
【００４５】
図３は、経時的な信号の変化を示す。曲線３０１は、本発明による容量性マイクロマシン超音波トランスデューサに対応する。曲線３０２は、従来技術による容量性マイクロマシン超音波トランスデューサに対応する。測定結果３０２は、帯電による特性の変化のため、時間と共に変化する。信号は、時間と共に低下し、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサを使用する可能性が少なくなる。曲線３０２のランとは異なり、曲線３０１は、時間と共に大幅に変化しない。従って、本発明による容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの有用性は、時間と共に制限されない。
【００４６】
図４は、本発明による容量性マイクロマシン超音波トランスデューサの測定結果４０１を、図３の曲線３０１のランと比較して拡大された寸法で示している。曲線４０１の典型的な振動のみがあり、連続的な傾向がないことが認められることができる。従って、帯電が、阻止されていることが分かる。
【００４７】
本発明は、医用超音波トランスデューサ（従来の、カーブした又はマトリックストランスデューサ、カテーテル）、存在検出のための空中超音波、圧力センサ、カプノグラフィ又は建物内の空調用の（超音波に基づく）ＣＯ２センサ、液面及び液体品質センサ及び指紋認識センサに適用されうることに注意すべきである。
【００４８】
「有する、含む」という語は、他の構成要素又はステップを除外せず、「a」又は「an」は、複数性を除外しないことに注意すべきである。更に、それぞれ異なる実施形態に関連して記述されている構成要素は、組み合わせられることが可能である。
【００４９】
請求項における参照符号は、請求項の範囲を制限するものとして解釈されないことに注意すべきである。
【００５０】
本発明は、図面及び前述の説明において詳しく図示され記述されているが、このような図示及び記述は、説明的又は例示的なものであり、制限的なものとして解釈されるべきではない。本発明は、開示される実施形態に制限されない。
【００５１】
開示される実施形態に対する他の変更は、図面、開示及び添付の請求項の検討から、請求項に記載の本発明を実施する際に当業者によって理解され、実現されることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０１  窒化ケイ素を含む層、１０２  真空キャビティを含む層、１０３  シリコン基板、１０４  ＲＦ電圧源、１０５  ＲＦ電圧を供給するワイヤ、１０６  ＲＦ電圧を供給するワイヤ、１０７  真空キャビティ、１０８  電極、１０９  電極、２０１  窒化物を含む層、２０２  酸化物及び窒化物を含む層、２０３  上部電極、２０４  酸化物サブレイヤ、窒化物サブレイヤ及び付加の酸化物サブレイヤを含む層、２０５  間隙、２０６  酸化物サブレイヤ、窒化物サブレイヤ及び付加の酸化物サブレイヤを含む層、２０７  下部電極、２０８  熱酸化物を含む層、２０９  シリコン基板、２１０  窒化物を含む層、３０１  測定結果、３０２  測定結果、４０１  測定結果。
【図１】
0005628178.tif 000002
【図２】
0005628178.tif 000003
【図３】
0005628178.tif 000004
【図４】
0005628178.tif 000005