(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
大面積の担体基板上に、それぞれのＭＥＭＳチップ毎に取付位置が設けられ、取付位置は、担体基板の上側に対応する数の電気的接続パッドと、担体基板の下側に電気的接続パッドに接続される外部接点と、を有し、
接続パッドを取り囲む平坦な表面を有する金属フレームが取付位置ごとに備えられ、
ＭＥＭＳ構造を有し、下側に電気的接点を有するＭＥＭＳチップが備えられ、
金属フレームの上に、ＭＥＭＳチップの下側の端部領域が位置するような方法で、取付位置ごとに、それぞれのＭＥＭＳチップが担体基板上に配置され、
フリップチップ工程による一つの工程で、バンプによって接点は接続パッドに接続され、金属フレームもまたＭＥＭＳチップに接続され、ＭＥＭＳチップと担体基板との間に閉キャビティが形成され、
担体基板を平面視した場合に金属フレームの外縁がＭＥＭＳチップの外縁と比較して周囲に位置し、金属フレームの上面がＭＥＭＳチップで覆われていない領域を有するように、ＭＥＭＳチップを金属フレーム上に配置し、
金属フレームは、電解的又は無電解的な手法によって、実質的に銅により製造され、
金属フレームは、ＭＥＭＳチップと担体基板との接続前のミリングにより、平坦な面が形成される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
接続手段は、ＭＥＭＳチップの配置前に、金属フレーム及び／又はＭＥＭＳチップの下側端部領域に塗布される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
ポリマー層は、接続手段として塗布され、ポリマー層を用いてＭＥＭＳチップと、金属フレームと、が接着接合又は溶接される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
はんだ層は、接続手段として塗布される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
枠型構造体は、各々のＭＥＭＳチップの下側端部領域に塗布され、
ＭＥＭＳチップは、枠型構造体により金属フレーム上に配置され、
枠型構造体および金属フレームは互いに直接に、又は、接続手段を用いて、接続されることを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
ＭＥＭＳチップの配置前に、はんだ又はスタッドバンプは、ＭＥＭＳチップの接点上に製造される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
ＭＥＭＳチップと担体基板との接続のために、第一はんだ層は、金属フレーム（ＭＲ）
上に製造され、さらなるはんだ層は接点（Ｋ）上に製造され、
柱は、金属フレームとともに担体基板（ＴＳ）上の接続パッド（ＡＦ）上に製造され、
第一及び第二はんだ層は、はんだ材質及びはんだ層の厚さから選択される少なくとも一つのパラメータが異なるように実現される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
サーモソニック法は、ＭＥＭＳチップと担体基板との接続のために使用される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
接続部の作成の前又は作成中において、ＭＥＭＳチップ及び担体基板は、互いに押圧される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
ＭＥＭＳチップと担体基板の接続後、金属層が、担体基板、金属フレーム、ＭＥＭＳチップ、及び、もし存在するならば、枠型構造体の覆われていない表面の全体に、塗布されることを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
金属層は、二段階で製造され、まず、ベース金属層がスパッタリングによって塗布され、次に、ベース金属層が、電解方法で、又は、電流を用いない方法で、強化される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
ＭＥＭＳチップと担体基板の接続後、担体基板上に製造された配置は、プラスチック組成物の射出成形によって、埋め込まれ、又は、封入される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１３】
ＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
大面積の担体基板上に、それぞれのＭＥＭＳチップ毎に取付位置が設けられ、取付位置は、担体基板の上側に対応する数の電気的接続パッドと、担体基板の下側に電気的接続パッドに接続される外部接点と、を有し、
接続パッドを取り囲む平坦な表面を有する金属フレームが取付位置ごとに備えられ、
ＭＥＭＳ構造を有し、下側に電気的接点を有するＭＥＭＳチップが備えられ、
金属フレームの上に、ＭＥＭＳチップの下側の端部領域が位置するような方法で、取付位置ごとに、それぞれのＭＥＭＳチップが担体基板上に配置され、
フリップチップ工程による一つの工程で、バンプによって接点は接続パッドに接続され、金属フレームもまたＭＥＭＳチップに接続され、ＭＥＭＳチップと担体基板との間に閉キャビティが形成され、
金属フレームは、実質的に銅により製造され、
金属フレームは、ＭＥＭＳチップと担体基板の接続前のミリングにより、平坦な面が備えられ、
金属フレームの表面は、ミリング後、不動態化され、腐食から保護される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１４】
ＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
大面積の担体基板上に、それぞれのＭＥＭＳチップ毎に取付位置が設けられ、取付位置は、担体基板の上側に対応する数の電気的接続パッドと、担体基板の下側に電気的接続パッドに接続される外部接点と、を有し、
接続パッドを取り囲む平坦な表面を有する金属フレームが取付位置ごとに備えられ、
ＭＥＭＳ構造を有し、下側に電気的接点を有するＭＥＭＳチップが備えられ、
金属フレームの上に、ＭＥＭＳチップの下側の端部領域が位置するような方法で、取付位置ごとに、それぞれのＭＥＭＳチップが担体基板上に配置され、
フリップチップ工程による一つの工程で、バンプによって接点は接続パッドに接続され、金属フレームもまたＭＥＭＳチップに接続され、ＭＥＭＳチップと担体基板との間に閉キャビティが形成され、
枠型構造体は、ＭＥＭＳチップの下側に製造され、
金属フレームと枠型構造体よりも硬い材料からなるナノ粒子が、金属フレーム又は枠型構造体の表面に塗布され、
ナノ粒子は、ＭＥＭＳチップを配置する間に、圧力下で、枠型構造体及び／又は金属フレームの中に押し込まれる
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ要素のためのパッケージの製造方法であって、
ＭＥＭＳチップは、担体基板に接続された後、取付位置の間を走る分離線に沿って、単体化される
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System)要素のためのパッケージの製造方法、特に、ＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)要素、ＦＢＡＲ(Thin Film Bulk Acoustic Resonator)要素及び圧力センサー、回転速度センサー、そしてＭＥＯＭＳ(Micro Electro Opto Mechanically System)をパッケージにするための製造方法に関する。これら、及びこれらと同様の構成部品は、チップを構成しているＭＥＭＳの要素の表面で、機械的に感受性が高い構造を有しており、その構造は、チップ表面上のキャビティをパッケージの中に封入されていなければならない。例えば、ＭＥＭＳチップ上の電気的接点とプリント回路基板との間の電気的接続は、封入に加えて、又は、とまとめた封入が不可欠である。
【０００２】
このようなＭＥＭＳチップの好ましい実装は、電気的接続を構成している基板上のフリップチップの配置、特に、配線によるものである。チップと基板との間の電気的接続は、例えば、はんだ又は金からなるバンプを構成することができる。
【０００３】
望ましくは、基板と面しているチップの下縁では、チップと基板との間の隙間は閉じられている。この目的のために、様々な技術が提案されている。
【背景技術】
【０００４】
例えば、特許文献１には、チップは基板上の支持突起を押圧し、残存する隙間はジェット印刷法によりポリマー又は電気的伝導性のある組成物で閉じられる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００５／１０２９１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
さらなる可能性は、積層された被覆フィルムの下の要素を覆うことにある。
【０００７】
公知の封入方法における一つの不都合な点は、チップの実装と封入に、その方法が複雑であるため多くの加工段階を必要とし、故に費用がかかることである。
【０００８】
それゆえ、単純な方法で、ＭＥＭＳの要素を高い信頼性で封入するＭＥＭＳパッケージの製造方法を明確に述べることが本発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題は、請求項１の特徴を有する方法によって実現される。発明の有利な形態は追加的な請求項から得られる。
【００１０】
特に、パネルにおいて実行できる方法が提案される。この目的を達成するため、特に広い表面を出発点として捉え、担体基板は多数のＭＥＭＳチップのための取付位置をもつものと考える。担体基板上の各取付位置は、その上面にチップの接点の数に対応した電気的接続パッドを多数備える。担体基板の下面にある外部接点は、接続パッドに電気的に接続される。この接続は、本来純粋に抵抗性のものであり得るが、誘導性又は容量性のものでもあり得、又は同時に上記のものとは異なる複数の可能性を含むものでもあり得る。
【００１１】
各取付位置は、平らな表面を持った金属フレームを有しており、この金属フレームは接続パッドを包む。各取付位置ごとに、金属フレーム上にＭＥＭＳチップの下面の端部領域を取り付けるような方法で、下面に電気的接点を備え、ＭＥＭＳ構造を有するＭＥＭＳチップが担体基板上に配置される。
【００１２】
ＭＥＭＳチップの配置は、個々に、又はパネルの中で、又はチップ集合体の中で定められる。この場合、比較的多くのＭＥＭＳチップが、対応する取付位置に同時に配置されることができる。このようなことは、担体基板が平らな表面と特に小さな反りを有している場合に特に良好に成し遂げられ、その結果、比較的多くの取付位置が規則正しく共通の平面内に配置される。
【００１３】
一般的に、単一のフリップチップ工程において、担体基板とＭＥＭＳチップとの間の電気的及び機械的接続を実現するために、備えられる。そこでは、典型的には６０〜１００ｋＨｚの超音波に曝されたＭＥＭＳチップに対して、典型的にはチップ領域当たり２．５〜５Ｎ／ｍｍ２の圧力がかけられる。その後、個別に設けられた接続領域に対するバンプと金属フレームの好ましい接続は、室温においても生じる。しかしながら、高い温度の方が有利であり得る。
【００１４】
ＭＥＭＳチップと担体基板の相対位置が、最初の純粋に熱的な、若しくは超音波によって補助されたフリップチップ工程によってすでに定められている場合には、第二工程（言わば部分パネル）で、加圧を伴う超音波フリップチップ工程も同様に行われ得る。いずれにしても、単一の共通工程で直接まとめて、若しくは共通の接続工程の直に連続した二つの部分的な工程で、二つの接着工程を行うことができる。部分的な工程の間には、さらなる手段は必要でないか、若しくは得策ではない。
【００１５】
はんだ接続部の場合、加圧を伴う超音波フリップチップ工程によってチップを固定することを含む手順も可能である。このとき、ＭＥＭＳチップと金属フレームとの間に残った隙間は完全に許容される。次に、固定されたＭＥＭＳチップによって十分に占められた担体基板（パネル）は、ＭＥＭＳチップが固定された状態で金属フレームに接続されるように、真空プレス若しくは真空積層ユニットによって、圧縮されてもよい。このとき、金属フレーム上のポリマーの場合には、接着接続が生じるように、溶けたはんだの場合には、はんだ接続が生じるように、温度が選択される。
【００１６】
このような方法で、金属フレームによって包まれている閉キャビティは、ＭＥＭＳチップと担体基板との間における接続工程と同じ早さで形成される。
【００１７】
提案された方法は、一つの共通の工程、若しくは二つの連続した類似する部分的な工程で直接、ＭＥＭＳパッケージの密閉と、ＭＥＭＳチップと担体基板の間の電気的及び機械的接続の双方を可能にする。密閉のための付加的な工程は、もはや必要ではない。
【００１８】
ＭＥＭＳチップに金属フレームを接続するための一つの単純な可能性は、ＭＥＭＳチップの配置の前に、接続手段を金属フレーム及び／又はＭＥＭＳチップの下面の端部領域に塗布することにある。接続手段は、熱接続工程において金属フレームとＭＥＭＳチップの間に、固定された接続部を製造する。
【００１９】
例として、プラスチック層は接続手段として適しており、熱工程の中で、プラスチック層は、接続される二つの表面の溶着及び／又は接着をする。溶着は熱可塑性プラスチック材料又はポリマーにより実現できる。また、接着は、未硬化か、あるいは部分的な反応性硬化樹脂によっても行われる。この部分的な反応性硬化樹脂は、熱工程の間又はそれによって硬化が始まるものであり、ＭＥＭＳチップと金属フレームとの間に接着接続を形成する。
【００２０】
さらなる可能性は、接続手段としてはんだ層を塗布することにある。これは、枠型構造と同様に実現され、接続領域に形成された構造体との組み合わせにおいて特に有利である。これは即ち、ＭＥＭＳチップの下面の端部領域において、金属フレームを配置するとき、ＭＥＭＳチップが金属フレームに全体的に接続されるようにＭＥＭＳチップの大きさを規定するということである。超音波に補助された熱工程は、加圧状態で実行され、もし適切であれば、枠型構造体と金属フレームとの間に、はんだ接続部の形成をもたらす。
【００２１】
ＭＥＭＳチップと担体基板の間の電気的接続、あるいは対応する表面に形成された電気的接点と接続パッドは、例としては、スタッド又ははんだバンプとして実現されるバンプにより達成される。これらのバンプは、ＭＥＭＳチップの下面の電気的接点の接続に、予め形成される。しかしながら、原理的には、担体基板の電気的接続パッド上にバンプを形成することも可能である。
【００２２】
しかしながら、バンプの取付のときに、適用できる許容範囲がより狭く、また、よりよい構造性をもたせるため、バンプはＭＥＭＳチップ上に取り付けられるのが望ましい。
【００２３】
担体基板の表面の金属フレームは、平坦な表面を有する。このため、ＭＥＭＳチップを配置する前に、元々金属フレームに配置可能な平坦なＭＥＭＳチップを、継ぎ目無く空隙ができないようにするために、別の工程で平坦化することが可能である。しかし、金属フレームが製造される前に担体基板の表面を平坦化することもまた可能である。このようにして、一つ又は複数の均一な金属層の成長の間、金属フレームの平坦な表面も保証される。十分滑らかな表面を有する担体基板は、さらなる平坦化を必要としない。
【００２４】
接続させるために金属及び／又はプラスチックからなる表面が互いに押圧されるように、加圧により接続工程をサポートすることが有利である。
【００２５】
金属フレームが、例えばはんだ層のような、比較的柔らかい表面コーティングを有している場合有利であり、この金属フレームは、はんだより堅い材料を選択されたＭＥＭＳチップ上の枠型構造体と組み合わせられる。このようにして、加圧により、枠型構造体を相対的に柔らかいはんだ層に押圧することができ、それ故、より単純にそして確実に二つの面を接続することができる。
【００２６】
この場合は、枠型構造体が比較的小さな断面又は金属フレームによって形成された接地面積に対して小さな接地面積を有すれば、有利である。
【００２７】
特に金属からなる枠型構造体の表面上に、微細分布における微粒子、特にナノ粒子を塗布することもできる。ナノ粒子は特に金属フレーム及び枠型構造体より高い硬度を有する材料から製造される。それにより、金属フレームの上にＭＥＭＳチップの配置をした後、加圧したときに、金属フレーム及び／又は枠型構造体の中にナノ粒子を押圧することでき、その工程で、接続された表面積の拡大の結果として、より密接な接続を形成することができる。このように得られたものも、基板とＭＥＭＳチップの相互の横の相対位置は維持されており、熱工程の間に滑りが起きても変わらない。
【００２８】
典型的な粒子の大きさが０．１〜３．０μｍからなるナノ粒子は、特に、高い硬度を有するセラミック材料から製造され、有利な電気導電性を有する。例として、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化物、及び特に導電性のＳｉＣが適する。
【００２９】
金属フレームのための構造物は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ又はＰｄからなる層に続いて、例えば、接着層（例えばＴｉ又はＣｒからなる）を含む。しかし、前述の少なくとも二つの後に続く層を接着層の上とすることも可能である。基板が、例えば、ＨＴＣＣ又はＬＴＣＣのように対応した前処理がされているならば、接着剤層は、省略され得る。後に続く層には、無電解方法（すなわち、電流なし）が適用され、又はもう一つの方法として、シード層が存在しているときは、電解方法が適用される。
【００３０】
金属フレームの好ましい材料の一つは銅であり、銅は担体基板上の電解工程の中で、単純な方法で塗布され、構築される。ベース金属層が塗布された後、カットアウトは電解方法又は無電解方法による単純な方法により金属で満たされる。有利なことには、レジストマスクの除去の前の方法の最後に、金属フレームの平面を作り出す平坦化工程が行われ、これは特にミリング法で行われる。このことは、たとえ平らでない表面からなる担体基板の場合であっても、確実で密接な接続のために必要な平面が、その後金属フレームの上に製造されることを意味する。この場合、レジストマスクは、ミリング法による損傷や汚れから担体基板の残りの部分を保護する。レジストマスクは、その後除去される。 
【００３１】
銅を含有した金属フレームの表面は、銅層の接合特性又ははんだぬれ性を維持するための不動態層により腐食及び酸化から保護される。このために、貴金属層、特にＡｕ、Ｐｄ、ＰｔそしてＡｇは、銅フレームの上の薄い層で塗布される。接続部を形成する機能を有する金属フレームの表面のみが不動態化される場合、これは特にミリング工程の直後に実施され得る。
【００３２】
ＭＥＭＳチップと担体基板の間の接続部の形成は、適切には、加圧状態で、少なくとも一回の超音波に補助されたフリップチップ工程を実行することが必要である。電気的接続部がはんだバンプによって製造されるならば、この目的のため、リフローはんだ付けが十分適する。スタッドバンプによる電気的接続部は、摩擦溶接接合を形成するサーモソニック法で達成される。しかし、原理的には、ＭＥＭＳチップと担体基板に、この目的のために必要な過大で長時間の熱暴露をすることなく、十分な熱量を供給できる他の方法も適する。
【００３３】
記載された方法であれば、ＭＥＭＳチップの下側の要素の構造は、キャビティの中に包まれ、封入の間にさらにあり得る損傷又は機能的欠陥から保護される。
【００３４】
ＭＥＭＳチップと担体基板からなる集合物の電磁遮蔽のため及び機械的安定化のため、
背面から金属層でＭＥＭＳチップを覆うことは有益である。金属層は、担体基板、金属フレーム、枠型構造体及びＭＥＭＳチップの覆われていない表面全面に塗布される。このため、特に二段階方法が有益であり、まず第一段階では、例えば、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法又はその他の方法、例えばプラズマ強化により、ベース金属層が薄い層の厚さで塗布される。ベース金属層はその後に電解又は無電解の方法で補強される。
【００３５】
優れた遮蔽と十分な機械的安定化は、例えば約１０μｍの厚さからなる金属層により得られる。しかし、さらに薄い金属層でも塗布され得る。
【００３６】
金属層を形成するための二段階法は、例えば、チタニウムを含有しているベース層を塗布することもあり、例えば、その後に銅及び／又はニッケルで強化することもできる。チップ取付位置の外側に配置され、特にグランド接続された、担体基板の表面にある付加的な電気的接続パッドに接触して接続されることは、この金属層にとってさらに有益である。
【００３７】
封入されたＭＥＭＳ要素の機械的安定化は、さらに、十分な厚さのプラスチック層で覆われることにより増加される。そのようなプラスチック層は、例えば、ドロッピング法又はキャスティング法により塗布され、硬化される。しかし、成形法又はインサート成形法により、プラスチックでＭＥＭＳチップの背面を覆うことも可能である。プラスチックのカバーは、電磁遮蔽としても適しているような伝導性のある粒子を含有したドープ塗料を塗られる。しかし、このプラスチックカバー又は同様に金属又は導電性の不純物を添加されたものも、対応する前処理の後、無電解法で塗布され、遮蔽として利用される金属層のためのシード層としての役割を果たす。プラスチックのカバーもまた金属層と結合し、射出成形によるプラスチック層で封入される。
【００３８】
低圧力封入は、金属フレームと枠型構造体の材料の適切な選択により可能となる。特に、枠型構造体と金属フレームが二つの異なる材料で構成されている場合は、それらの金属フレームと枠型構造体からなる結合体全体の熱膨張係数を選択することができる。その熱膨張係数は、ＭＥＭＳチップと担体基板の間において、チップエリアに垂直方向に、バンプによる電気的接続部と同じになるように選択することができる。材料の所定の選択で、チップエリアに対して垂直方向の適切で効果的な全体の膨張係数は、金属フレームと枠型構造体の全体の高さの適切な比に対応して設定することにより得られる。このようにして得られたものは、温度変化の場合でさえ、電気的接続と封入により、担体基板とＭＥＭＳチップの間に熱応力を生じさせない。もしＭＥＭＳチップと担体基板の材料が、熱膨張の観点で、互いに適応し、そして望ましくは同一であるなら、さらに有益である。
【００３９】
ＬＴＣＣ担体基板として４２°ＬＴチップ（ＬＴ４２＝４２°回転ｘｙカットであり、チップ平面の熱膨張係数が７〜１４ｐｐｍ／°Ｋであるタンタル酸リチウム）の複合体を選択するならば、ＬＴ４２のｘｙ平面内の２つのＣＴＥ（熱膨張係数）値の平均値におおよそ一致するＣＴＥ（熱膨張係数）値からなるＬＴＣＣ、すなわち、膨張係数が１０．５ｐｐｍ／°Ｋと近似するか、又は同等のＬＴＣＣを選ぶことは有益である。
【００４０】
本発明は、下記の典型的な実施形態及び関連する図面に基づいて、より詳細に説明される。図面はもっぱら発明を説明するための役割を果たし、それゆえ、図面は単に概要的に描かれたものであり、尺度が異なる。そのため、相対的及び絶対的寸法の詳細は、図から推測することはできない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】第１の典型的な実施形態に基づいた、接続前のＭＥＭＳチップと担体基板の配置を概略横断面図で簡潔に示す図である。
【図２】担体基板を概略平面図で示す図である。
【図３】第２の典型的な実施形態に基づいて横断面図で配置を示す図である。
【図４】第３の典型的な実施形態に基づいて横断面図で配置を示す図である。
【図５】第４の典型的な実施形態に基づいて横断面図で配置を示す図である。
【図６】第５の典型的な実施形態に基づいて横断面図で配置を示す図である。
【図７】担体基板とＭＥＭＳチップの接続後の配置を示す図である。
【図８】接続後の配置と金属層の塗布を概略横断面図で示した図である。
【図９】さらにプラスチックカバーを塗布した後の配置を概略横断面図で示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
図１は、担体基板ＴＳとＭＥＭＳチップＭＣが接続する前の、二つの要素の配置を概略断面図で示している。ＭＥＭＳチップＭＣは、チップの形で存在し、その下側には電気的要素構造体（図示せず）のための電気的接点Ｋを有している要素である。要素構造体は好ましくはＭＥＭＳチップの下側領域に配置されるが、ＭＥＭＳチップの中に備えることもできる。ＭＥＭＳチップは、異なる電気的接点接続方法を説明するために、図の左側部分にスタッドバンプによる方法又は図の右側にはんだバンプＢＵ’による方法の二つに分けられて説明されている。バンプＢＵは、ＭＥＭＳチップ上に作成済みであり、電気的接点Ｋの上に直接塗布される。従来のバンプの作成方法は、このために使われ得る。
【００４３】
はんだバンプＢＵ’の形成することが容易で、費用効率が高い方法の一つは、例えば、ステンシルによる印刷方式である。スタッドバンプは、例えばワイヤーボンドにより金バンプを一つ一つ形成する形式で塗布される。しかしながら、直接ＭＥＭＳチップの下側に電解方法で、例えば、Ｃｕ及び／又はＮｉ及び／又は金から構成され、又はＳｎ又はＳｎＡｇなどから構成される柱を製造することも可能である。
【００４４】
はんだバンプ（つぶれる前の高さｈは≒７５μｍである）は、つぶれた後、典型的には高さ５０μｍであり、この高さは、ＭＥＭＳチップと担体基板との間の距離と一致するが、超音波フリップチップ工程の前の典型的なスタッドバンプの高さは３５μｍであり、接着後の高さは２０μｍである。
【００４５】
はんだバンプは、つぶれた後、典型的には高さが約５０μｍであり、そのこともＭＥＭＳチップと担体基板との間の距離と一致するが、スタッドバンプの典型的な高さは約２０μｍである。
【００４６】
担体基板ＴＳは、望ましくはセラミック基板であり、その表面又は内部で相互接続は実現される。望ましくは、担体基板は多層化され、その場合、図では破線で示されているが、内部に少なくとも一つの配線面を有する。例えば、各々の層は厚さが７５μｍであり、二層構造の担体基板は全体で厚さが約１５０μｍである。担体基板ＴＳは、例えばカプトン膜又はＬＣＰ膜のような膜であってもよく、それらは、担体基板の単層構造の場合では、典型的には厚さが５０μｍである。
【００４７】
担体基板ＴＳは、上側に、担体基板内の電気配線（図示せず）と接続される電気的接続パッドＡＦを有する。下側では、回路環境内で、仕上げられた要素が固定され、接点接続されることにより、相互接続配線が外部接点ＡＫと通じる。
【００４８】
担体基板ＴＳは、表面上にさらに閉じられた金属フレームＭＲを有しており、当該金属フレームはＭＥＭＳチップＭＣのための取付位置、特に、ＭＥＭＳチップとの接点を供給する担体基板の表面上にある電気的接続パッドＡＦを囲んでいる。金属フレームＭＲは、特に平面によって区別される。担体基板ＴＳに使用される多層化されたセラミックは、特に、広い領域で実現されたならば、焼結時の反りにより平坦でない表面を有するので、金属フレームＭＲは、好ましくは、特に平らな面を得るための平坦化方法によって平坦にされる。金属フレームの高さは、担体基板とＭＥＭＳチップの結合の後のバンプＢＵの高さと一致し、すなわち、スタッドバンプの場合は約２０μｍであり、はんだバンプの場合は約５０μｍである。縦横比は、おおよそ１以下に設定され、当該フレームの幅は、例えば２０又は５０μｍである。
【００４９】
少なくとも金属フレームＭＲの表面の部分に、接続手段ＶＭが、フレーム高さより比較的薄い層で塗布される。接続手段は同様に枠型に構築され、少なくともＭＥＭＳチップのチップ端部領域に配置される。しかし、金属フレーム全体を又はその表面を覆うことも可能である。それゆえ、接続手段は、接続手段の上のＭＥＭＳチップの端部領域に接するような方法で形成される。
【００５０】
第一の模範的実施形態において、ポリマー層又はポリマーを形成するために硬化された層が、接続手段ＶＭとして使用される。容易に塗布が可能であり、一定の変形ができるような構造化を可能にするように、予め硬化するように改良した反応樹脂を使用することが望ましい。このように、予め硬化する反応樹脂は十分に位置関係が安定しており、例えば、ＭＥＭＳチップと担体基板が接続されるときの熱を利用する間に望ましくない流れが起きないように、印刷による構築方法を適用することができる。しかし、広いエリアによる方式では、例えば、写真プロセス又はレーザーによる直接構築により、熱可塑性高分子を接続手段ＶＭとして塗布して、構築することも可能である。ポリマーからなるそのような接続手段の適切な層の厚さは、１〜１０μｍである。ポリマー層は、金属フレームＭＲの部分を独立させたままで、その後の段階で金属化するという方法により構築される。
【００５１】
一つの変形例において、特にはんだ接続を製造するのに適する材料として、例えばはんだが、そして例えばスズ層が接続手段ＶＭとして塗布される。ポリマーを含む接続手段の変形例とは対照的に、ＭＥＭＳチップＭＣの端部領域のはんだの変形例では、ＭＥＭＳチップ内に対応する金属表面は不可欠であり、それは、はんだ層への接続に適する。このため、ＭＥＭＳチップＭＣの下側には、例えば、チップの端部に沿って走り、要素と厚さの観点で、ＵＢＭ（下バンプ金属層）のように形成される、同じ形の枠型の金属層を有する。前記金属層は単層又は多層であり、はんだ付け可能な表面、特にニッケル又は金の表面を有する。ＭＥＭＳチップの電気的接点と担体基板の接続パッドとの間の電気的接続部、及び金属フレームとＭＥＭＳチップとの間の機械的接続部を作成するため、十分な温度量の対策が必要であり得る。これは、接続手段を利用する二つの変形例において、好ましくはリフロー工程によって得られる。加えて、リフロー工程の前又は後、もし適切なら同時に、サーモソニック法によって、対応する接続パッドＡＦにスタッドバンプとして実現されるバンプＢＵのはんだ溶接接続部が製造される。はんだバンプＢＵ’の変形例にとって、リフロー工程はこのように同時にバンプ接続と接続手段ＶＭによる金属フレームへのチップ端部の接続を製造するのに十分である。
【００５２】
図２は、担体基板ＴＳの表面の一つの可能な構造を概略的に示している。後者は、好ましくは、例えば、広いエリアの形式及びウェハーとして実現され、ＭＥＭＳチップのための連続した取付位置ＣＡを有する。各々の取付位置において、はんだ付け可能な金属層によって連続した電気的接続パッドが備えられ、その数と配置は、ＭＥＭＳチップＭＣに依存し、ＭＥＭＳチップの電気的接点Ｋの配置に対応する。各々の取付位置の接続パッドＡＦは、金属フレームＭＲによって取り囲まれ、好ましくは、金属フレームＭＲは、例えばＭＥＭＳチップの形又はその外縁の形に従い、矩形で実現される。しかし、原則として、ＭＥＭＳチップＭＣを矩形から外れた形状にすることもまた可能であり、また金属フレームを連続的にＭＥＭＳチップのチップ端部に従わない形状にすることも可能であり、例えば、丸い”角”を有することも可能である。各々の取付位置ＣＡは、完成した要素が後に単体化できるような仮想分離線ＴＬによって、それぞれ隣り合ったチップ取付位置と分離される。提案された方法で、共通の担体基板ＴＳ上に異なったＭＥＭＳチップＭＣを形成することも可能である。
【００５３】
図１に説明される方法のさらなる変形例において、その代わりに、又は、それに加えて、ＭＥＭＳチップの下側の端部領域に接続手段を塗布することも可能である。ポリマーからなる、又は、ポリマーを形成するために硬化し得るプラスチック層は、単結晶、半導体物質、酸化物、金属又はその他の材料からなる表面のＭＥＭＳチップの端部領域に直接塗布される。はんだからなる接続手段は、ＭＥＭＳチップの端部領域に備えられたはんだ付け可能な金属層にも塗布される。
【００５４】
接続手段として使用される、一つの例となる材料は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であり、それはポリマーを形成するために熱硬化する。後者は、例えば、１〜５μｍの層の厚さで塗布される。一つの変形例として、ＭＥＭＳチップの端部領域に塗布されたＢＣＢ層は、さらに、金属フレーム上の接続手段ＶＭとして塗布されたポリマーと結合し、例えば、約５μｍの厚さを有する。
【００５５】
金属フレームＭＲは、望ましくは、塗布することが容易で、特に、平坦化することができる材料で構成されている。適切な材料の例としては、Ｃｕ又はＮｉ又はＡｕを含有する材料であり、それは十分に柔らかく、ミリング法により十分に平坦化される。金属フレームＭＲの高さは、望ましくは、バンプ接続部が形成された後のバンプの高さに対応する。もちろん、この場合、高さ寸法は接続前の接続手段ＶＭの層の高さも含む。 
【００５６】
フレームの幅は、ＭＥＭＳチップがフレーム上に配置された時、十分許容できるような幅である。フレームの外縁はＭＥＭＳチップの外縁に適合するが、好ましくは、ＭＥＭＳチップの外縁を超えて伸び、それ故、ＭＥＭＳチップの外縁より大きなベース領域を取り囲む。例えば、適切で典型的なフレームの幅は約５０μｍである。しかし、形成の影響によるアスペクト比に従って金属フレームの幅を選択することも可能である。それでも１以上のアスペクト比は機械的安定性が欠如するため不利である。
【００５７】
図３は、概略の横断面図であり、ＭＥＭＳチップＭＣが担体基板ＴＳにしっかりとかつ単純な方法で、いかに連結されているかについてのさらなる変形例を示す。この変形例では、ＭＥＭＳチップ上に作成されたバンプＢＵは、スタッドバンプとしてのみ説明されているが、もちろん、はんだバンプも適合でき、この実施形態及び他の全ての実施形態で、はんだバンプが製造されることで、より一層費用の面で効果的である。変形例との比較により、図３で説明された変形例は、接続手段ＶＭによる効果が異なり、接続手段ＶＭは、ＭＥＭＳチップの端部領域に塗布され、かつ金属製フレームの形式で実現される。この金属製フレームは、例えばサーモソニック法で、金属フレームＭＲの表面に溶接され得る表面を有する。
【００５８】
好適には、ＭＥＭＳチップの下側の金属製フレームは、金属フレームＭＲの幅に対して細い形状で実現され、例えば、約５×５μｍ２の横断面を有する。これは、接続部の製造のために使用されるサーモニック法適用の際に、利点を有する。超音波によって導入された機械的エネルギーは、ここで接続手段ＶＭとして働く金属製枠型構造体の小さなエリアに集中する。このようにして、より小さな力で、そしてより大きな接続領域で溶接部を製造することができる。
【００５９】
枠型構造体の高さは、任意に低く選択することができるが、金属フレームＭＲに溶接部を溶接するための抵抗を得るために十分な材料が存在しなければならない。溶接抵抗接続に適した表面を形成するために、対応する酸化物のない表面を有する金属、特に、銅、ニッケル、金、パラジウム、又はプラチナなどは、接続手段ＶＭとして働く金属製枠型構造体の材料として適する。しかし、金属製枠型構造体を多層構造で実現することも可能であり、また、その表面を、例えば薄い金の層の形で、はんだ付け可能な、又は、溶接可能なように実現することも可能である。
【００６０】
金属製枠型構造体は電解法で製造され、特に、枠構造の構造体であるレジストマスクが取り除かれる場合に使用される。予め、ベース金属層に塗布することによって、電解法により、金属は均一で十分な層厚さで、望ましい層厚さで蒸着される。チップ下側の枠型構造体の平面性は、金属枠と比べて、ＭＥＭＳチップの下側の平面によって、予め定められている。
【００６１】
図４は、提案される接続方法のさらなる変形例を示しており、ここでも、接続される二つの部分が、互いにまだ分離されたままで、再度説明されている。この変形例では、ＭＥＭＳチップは、図３と同じ枠型構造体を備える。しかし、その例とは対照的に、図４では、特に、枠型構造体と比べると柔らかい層、例えばはんだ層である金属製のＷＳ層が、金属フレームＭＲの上にさらに塗布されている。層は相対的に薄い層であり、ＭＥＭＳチップが有する枠構造より大きな幅を有する。この実施形態は、ＭＥＭＳチップが金属フレーム上に配置され、ＭＥＭＳチップに圧力をかけることにより、枠型構造体は柔らかい金属層ＷＳに押し込まれる、という利点を有する。このようにして、枠型構造体が柔らかい金属層ＷＳの中にもっと深く又はもっと浅く押し込まれることにより、可能なだけ高さの違いが補われるので、平面性に関しては、より大きな許容差が許される。押し込みは、例えば、１５０〜２００℃で行われる。これは、後の固定接続の間及びこの目的のために必要な高い温度の時に、封入されたキャビティの中に許容されない過度の圧力がもはや溜まり得ないという有利な効果を有する。
【００６２】
枠型構造体が柔らかい層に押し込まれることにより、接続された金属の間の密接な接続は、枠型構造体と金属フレーム又はそれに塗布された柔らかい金属層ＷＳの間の最終接続を容易にする。柔らかい金属層がはんだ層として実現された場合に、枠型構造体とのはんだ付けは、達成される。それとは異なる、柔らかい金属層ＷＳが選択されると、サーモソニック法で枠型構造体と溶接される。約２７５℃で、枠材料と共に非可溶性のＳｎＣｕ合金が少なくとも部分的に形成されるように、はんだ層の厚さは、有利に選択される。そして、はんだ層は、もはやリフローはんだ付けの間には流動することがなく、それ故、内部は永久にキャビティとしてしっかりと閉じられたままである。
【００６３】
図５は、概略の横断面図で、さらなる変形例を示しており、ここでは、金属フレームの高さは下側バンプ金属層（ＵＢＭ）の高さに減少する。ＵＢＭは多層で構成され、例えば、接着層と、はんだ付け可能な層又はボンド付け可能な層又はボンド付け可能若しくははんだ付け可能な表面を有している層と、で構成されている。従って、この実施形態での金属フレームＭＲの高さは、上述の実施形態での高さより著しく低い。
【００６４】
一方では、金属により形成された対応して高い高さを有する枠型構造体ＲＳは、具体的には、ＭＥＭＳチップＭＣの下側端部領域に製造されている。構造体は上記の材料から構成され得る。高さが高く、さらに好ましいアスペクト比に適合させるため、構造体は図３と図４に記述された変形例よりも、高い幅を有する。この実施形態は、平らな或いは後に平坦化される担体基板に使用されたとき、例えば、後に平坦化されるＬＴＣＣが担体基板として使用されたとき、特に利点がある。この場合、ＭＥＭＳチップの下側に、付随して追加的な支持構造、いわゆる柱を製造することも得策であり、この柱はすでに本来平面を有するものである。柱及び枠型構造体ＲＳとは、両側共に平坦な面を有するため、同一平面の上に、ＵＢＭとして形成された金属フレームＭＲの配置位置上にごく小さな隙間を有し得る。
【００６５】
この方法の一つの改良において、薄いスズ層が、少なくとも金属フレームＭＲの表面又は枠型構造体ＲＳの表面に塗布され、そのスズ層がはんだ付けを可能にする。金属フレームＭＲと接続パッドＡＦは同じ材料又は同じ材料の組み合わせから製造される。しかし、金属フレームＭＲのためのＵＢＭ及びその上に配置されたスズ層とは対照的に、接続パッドＡＦのためにＵＢＭを製造することも可能であり、そのとき、ＵＢＭはＳｎ又はＳｎＡｇＣｕの表面を有する。この典型的な実施形態では、接続構造は、サーモニック法又はリフロー工程又はその両方の方法の組み合わせによって達成される。さらに、担体基板上に柱を適用すること、金属フレーム上にはんだ層を備えることが可能である。はんだ層は、ＭＥＭＳチップ上の柱に一致する接触面に塗布されることもできる。金属フレーム上と接触エリア上のはんだ層は、異なる構成とすることも可能であり、最適化の間に、担体基板の表面の法線方向に対応する熱膨張係数に適合させることが可能である。柱による電気的接続部の形成よりむしろ、金属フレームでの接続部の形成のため、硬さ、融点、強さに関して異なるはんだを使うことも可能である。
【００６６】
Ｃｕを含有する枠型構造体ＲＳと、適切な場合は柱と、を伴う、スズめっきしたＵＢＭとして実現された金属フレームの場合には、ＳｎＣｕはんだは、リフロー工程の間、柱及び／又はＵＢＭのＣｕ接触面によって生じる。
【００６７】
図６は、接続前の配置を示しており、この配置は、図３ですでに説明された配置に原則的に類似する。電気的接続のためのバンプＢＵと平行して、この配置は担体基板ＴＳ上の金属フレームＭＲと、ＭＥＭＳチップＭＣの下側の端部領域の金属製枠型構造体ＲＳとを含む。高さｈ２の金属フレームＭＲと高さｈ１の枠型構造体ＲＳは、同一又は異なる材料で構成され、ほぼ同じ高さを有する。材料は、サーモソニック法によって接続可能なものが選ばれる。この目的のために好適な材料は、上述と同じように銅であり、それは、十分に平坦化することができる。また、金からなる接着可能な表面を備えることにより、例えば、それは、サーモニック法で同様の表面に接続することができる。
【００６８】
この方法の一つの変形例として、さらなる金属層又は部分的な層、例えば、ダイヤモンド粒子のような硬い材料の微粒子が組み込まれた層が、金属フレーム又は金属製枠型構造体のどちらかの金属表面上に製造される。当該層は、特に平坦化された後、金属フレーム上に塗布される。これらの硬く細かい分割された粒子は、それらが組み込まれた層又は一部の層の表面から部分的に突出する。担体基板とＭＥＭＳチップが接続されたとき、または枠型構造体が金属フレーム上に配置されたとき、これらの突き出ている硬い微粒子は、それぞれ向かい合った金属表面に圧入される。この方法で得られたものは、形成された酸化物層ができる限り壊され又は穴が開けられ、下部金属は被覆が取られ、接続工程に利用できる。さらに、この方法は、”ナノピアシング”とも呼ばれ、硬い微粒子が穴を開けることにより、相互に組み合わさる結果としてより強い接続を保証する。
【００６９】
金属フレームＭＲと枠型構造体ＲＳとが異なる材料で構成されている場合、担体基板上及びＭＥＭＳチップの上のそれらの高さが、望ましい熱膨張係数を得るために適切な関係にされることは有利である。もし、金属フレームと枠型構造体とからなる集合体が、全体でバンプＢＵと同じ熱膨張動作を有するのであれば、最適である。このことは、対応する高さと熱膨張係数が以下の関係であれば、達成される。
ｈ２×ＣＴＥ（ＭＲ）＋ｈ１×ＣＴＥ（ＲＳ）＝（ｈ１＋ｈ２）×ＣＴＥ（ＢＵ）
【００７０】
もし接続手段がバンプの材料から非常に外れた膨張係数を有するのならば、ストレスがない集合体を作成するために対応するように適合された膨張係数と高さに関するこの寸法が入った公式も、図１による具体例において特に興味深い。これは、特に、金属に対しておよそ１０倍大きな膨張係数を有するポリマーの場合である。これは、対応する小さな比であるｈ１：ｈ２の場合にのみ補償され得る。
【００７１】
図７は、横断面で、ＭＥＭＳチップと担体基板の接続後の配置を示す。バンプは、ここでは、接続パッドＡＦに電気的接点Ｋを接続し、一方、キャビティＨＲは、金属フレームと枠型構造体ＲＳによっていわば密閉されたＭＥＭＳチップと担体基板の間に製造され、封入される。これは、金属フレーム、枠型構造体又は適切な場合は接続手段として選択された材料から独立している。
【００７２】
異なる材料がＭＥＭＳチップＭＣと担体基板ＴＳに使用された場合、特に、ｘｙ平面内のＭＥＭＳチップのせん断を防ぐため、ｘｙ平面内の接続の機械的強度を増加させる必要があるだろう。この目的のため、原理的には、二つの可能性が適しており、さらにそれらは互いに結合され得る。
【００７３】
この点において、図８は、概略横断面図で一つの可能性を示し、ＭＥＭＳチップの裏側、金属フレーム及び担体基板の全面に金属層が設けられる。この金属層は、例えば２０〜５０μｍの厚さで塗布され、二段階法で製造される。この目的のため、まず、気相、例えば、スパッタリング法によって、薄い金属層が全面に塗布される。チタン及び／又はニッケルを含有している相はこの目的に適している。望ましい厚さを与えるための強化は電解法によってもたらされる。スパッタリング法又はその後の電解工程のとき、望ましくない材料の浸入、特に水の浸入を恐れる必要がなく、傷つきやすい構造体への損傷が防止されることは、十分堅固に閉鎖された中に配置されたＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップを構成している構造体の下に密封されたキャビティにとって、有利となる。
【００７４】
図８に明記された全面の金属層では、ＭＥＭＳチップはｘｙ方向では安定化しており、担体基板に固定される。この方法で、接続の強度は増加され、その接続が分離し又は損傷を受けることは実質的に不可能である。金属層ＧＭは、十分に銅を含有し、例えば、電解法で塗布されることが容易である。保護層として、ニッケル又は金の層をさらに塗布することは必要ではないが可能である。
【００７５】
さらなる実施形態では、全面に金属層が塗布される前に、まず、プラスチックフィルムが、ＭＥＭＳチップＭＣ、金属フレームＭＲ及び担体基板ＴＳの表面を覆うように、裏側全体に塗布される。その後、少なくとも金属フレームの部位では、プラスチックフィルムの部分は除去され、その部位で金属フレームは露出する。その露出した部分は、望ましくはＭＥＭＳチップを封入している外形に沿って達成される。もし、プラスチックフィルムに感光性フィルムが使用されているならば、光又はレーザーによって直接構造化することができる。しかし、さらに塗布されたフォトレジストを用いたフォトパターニング、又は単なるレーザーの熱作用による覆いの除去も可能である。その後、上記のように、全面に金属層が塗布され、露出した部位の金属フレームの処理を終了し、気密シーリングを可能にする。
【００７６】
プラスチックフィルムは、音響学的な減衰構造がＭＥＭＳチップの裏側でも同時に発生するような方法で、直接的又は間接的に形成される。その後に、金属層が塗布される間にＭＥＭＳチップの裏側のプラスチックフィルムの中に形成された均一又は不均一な模様が、対応する金属層の模様を製造する。その中で、邪魔をするバルクの音波が結合し、その後減少するか若しくは減衰する。約２６０℃までリフロー安定で、厚さ２〜２０μｍのプラスチックフィルムとの関連で、この目的のためには、金属層の厚さは約１０〜３０μｍが適切である。銅又はニッケル又はニッケルと銅を含有した層の組み合わせは、金属として塗布されることができる。
【００７７】
図９は、横断面図で、更なる要素を説明しており、当該要素はここでは全面の金属層に加えてプラスチックカバーＧＴにも覆われる。プラスチックカバーは、注入法により塗布されており、例えば、射出成形により又は液滴先端組織としての反応樹脂のドロップワイズにより塗布される。このプラスチック封入物ＧＴは、加えて又は金属層に代わるものとして製造される。プラスチック筐体には金属層よりも著しく高い厚さが適用され得、例えば５０〜５００μｍの厚さで塗布される。
【００７８】
ＭＥＭＳチップと担体基板の接続、裏側の金属層及び／又はプラスチック封入物でのカバーの後、ＭＥＭＳ要素の作成過程は終了する。もし、広いエリアの担体基板上に多数の要素が製造されるならば、単一の要素はその後単体化される。このことは、例えば、図２で説明されている分割線ＴＬに沿って切ることによりもたらされる。
【００７９】
しかし、もし、ＭＥＭＳウエハー上に配置された多数のＭＥＭＳチップがウエハーレベルで使用され、それゆえウエハー上に実現された多数のＭＥＭＳチップが多数の金属フレームの上に一緒に配置され、それに接続されているのならば、チップ側面で単体化が行われることも可能である。ＭＥＭＳチップの単体化は、（研磨前にさいの目に切られる）ＤＢＧ法で行われ、まず（担体基板上に配置される前に）ＭＥＭＳウエハーの中に、（実装された状態で下側に対応する）上側から、チップの望ましい層厚さに対応する深さまで分割線に沿って、切り込みが入れられる。その後、ＭＥＭＳウエハーは、切り込みが他方側から摩耗されるまで、裏側から摩耗し、そして、要素は単体化される。そのようにして、チップの単体化は金属層及び／又はプラスチックカバーの塗布の前に行われる。
【００８０】
本発明は、図面に記載された変形例や模範的実施形態に制限されない。それどころか、接続方法の個々の手段をお互い組み合わせることが可能である。しかし、この場合における常に重要で有利なことは、一つの共通過程又は直に連続する二つの同様の過程において、電気的接続と、ＭＥＭＳチップと担体基板の間のキャビティの密封との両方が、もたらされることである。そのことは、金属及び／又はプラスチックでのカバーによるその後の過程によってさらに要素が封入されることを、確実にする。
【符号の説明】
【００８１】
ＴＳ  担体基板
ＭＣ  ＭＥＭＳチップ
ＣＡ  取付位置
ＡＦ  担体基板上の電気的接続パッド
ＭＲ  ＴＳ上の金属フレーム
ＲＳ  ＭＣ上の枠型構造体
ＡＫ  担体基板の外部接点
ＶＭ  接続手段
ＢＵ  バンプ
Ｋ  ＭＥＭＳチップの接点
ＴＬ  分割線
ＨＢＵ  バンプの高さ
ｈ１  枠型構造体の高さ
ｈ２  金属フレームの高さ
ＨＲ  キャビティ
ＧＴ  プラスチックカバー
ＧＭ  金属層
ＷＳ  柔らかい層
【図１】
0005450396.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005450396.tif 000008
【図８】
0005450396.tif 000009
【図９】
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