(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するための要素であって、
下側導体と称する第１の導体（２１０）と、
前記第１の導体上の誘電層（２３０）と、
前記誘電層上の第２の導体（２２０）であって、前記下側導体（２１０）の上方にブリッジを形成する、上側導体と称する前記第２の導体（２２０）と、
一方で前記下側導体（２１０）の方に現れ、そして他方で前記上側導体（２２０）の方に現れる、前記誘電層における空洞（２４０）と、を含んでおり、
前記空洞（２４０）は、該空洞（２４０）が前記上側導体（２２０）の方に現れる水平面で、該上側導体（２２０）の両側に２つのベント（２４３）を形成しており、
前記要素は更に、
前記下側導体（２１０）の上面にあるか又は前記上側導体（２２０）の下面にある、カーボンナノチューブ（２５０）の成長を助ける触媒層（２６０）と、
前記空洞（２４０）に配置された前記カーボンナノチューブ（２５０）の配列とを含んでいる、要素。
【請求項２】
前記触媒層（２６０）が前記下側導体（２１０）の上面にある場合の請求項１に記載の前記要素であって、前記下側導体（２１０）の上面と前記触媒層（２６０）との間に拡散バリア層を含む、要素。
【請求項３】
前記触媒層（２６０）が前記下側導体（２１０）の上面にある場合の請求項１又は２に記載の前記要素であって、該要素は更に、前記カーボンナノチューブ（２５０）の成長を抑制するための抑制層（２６１）を含んでおり、該抑制層（２６１）は前記触媒層（２６０）上に付着されており、前記抑制層（２６１）が前記触媒層（２６０）への前記ベント（２４３）の直角投影にほぼ対応する区域を被っている、要素。
【請求項４】
前記触媒層（２６０）が前記下側導体（２１０）の上面にある場合の請求項１〜３のいずれか１項に記載の前記要素であって、導電性の前記カーボンナノチューブ（２５０）の配列は、前記触媒層（２６０）から前記上側導体（２２０）の下面まで及んでいる、要素。
【請求項５】
前記触媒層（２６０）が前記下側導体（２１０）の上面にある場合の請求項１〜３のいずれか１項に記載の前記要素であって、前記上側導体（２２０）の下に直接配置された電気的接触層（２２３）を更に含む、要素。
【請求項６】
前記触媒層（２６０）が前記上側導体（２２０）の下面にある場合の請求項１に記載の前記要素であって、更に、前記上側導体（２２０）の下面と前記触媒層（２６０）との間に拡散バリア層を含む、要素。
【請求項７】
前記触媒層（２６０）が前記上側導体（２２０）の下面にある場合の請求項１又は６に記載の前記要素であって、前記カーボンナノチューブ（２５０）の配列は、前記触媒層（２６０）から前記下側導体（２１０）の上面まで及んでいる、要素。
【請求項８】
前記触媒層（２６０）が前記上側導体（２２０）の下面にある場合の請求項１又は６に記載の前記要素であって、更に、前記下側導体（２１０）に直接配置された電気的接触層（２１１）を含む、要素。
【請求項９】
前記触媒層（２６０）が前記上側導体（２２０）の下面にある場合の請求項１又は８に記載の前記要素であって、前記カーボンナノチューブ（２５０）の配列は、前記触媒層（２６０）から前記電気的接触層（２１１、２２３）まで及んでいる、要素。
【請求項１０】
前記電気的接触層の構成材料はパラジウムまたはニッケルである、請求項５、８、９のいずれか１項に記載の要素。
【請求項１１】
前記拡散バリア層の構成材料は、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルである、請求項２又は６に記載の要素。
【請求項１２】
前記下側導体（２１０）の上面にある、前記カーボンナノチューブ（２５０）の成長を助ける第１の触媒層と、前記上側導体（２１０）の下面にある第２の触媒層とを備える、請求項１に記載の要素。
【請求項１３】
前記触媒層は、ニッケル系、ニッケル−パラジウム合金系、鉄系、イットリウム系、プラチナ系またはコバルト系の金属ナノ粒子を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の要素。
【請求項１４】
前記カーボンナノチューブ（２５０）は単層タイプナノチューブを含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の要素。
【請求項１５】
前記カーボンナノチューブ（２５０）は多層タイプナノチューブを含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の要素。
【請求項１６】
前記下側導体（２１０）および／または前記上側導体（２２０）の構成材料は、銅、アルミニウム、ニッケルまたはケイ化コバルトである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の要素。
【請求項１７】
前記誘電層（２３０）は埋め込み導電層（２７０）を含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の要素。
【請求項１８】
マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するための要素を製造する方法であって、
下側導体と称する第１の導体を実現するステップと、
前記下側導体上への第１の誘電層を実現するステップと、
前記第１の誘電層上での、上側導体と称する第２の導体を実現するステップと、
一方で前記下側導体の方に現れ、そして他方で前記上側導体の方に現れる空洞を実現するステップと、を含んでおり、
前記上側導体は、前記下側導体の上方にブリッジを形成し、前記空洞は、該空洞が前記上側導体の方に現れる水平面で、前記上側導体の両側に２つのベントを形成し、
前記方法は更に、
前記下側導体の上面にあるか又は前記上側導体の下面にある、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層を実現するステップと、
前記触媒層から前記カーボンナノチューブを前記空洞において成長させるステップと、を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、更に
ダマシン形式技法により前記第１の誘電層における前記下側導体のデザインを実現するステップと、
拡散バリア層の付着が先立つにせよしないにせよ、前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層の付着のステップと、
前記第１の誘電層の付着および前記触媒層上に現れる前記空洞のエッチングのステップと、
第２の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
ダマシン形式技法による前記第２の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
前記第２の誘電層の選択エッチングのステップとを含む、方法。
【請求項２０】
前記第２の誘電層の選択エッチングのステップの後に前記カーボンナノチューブの成長を抑制するための抑制層の直接付着が続いて、該抑制層により、前記上側導体の下側に対面している前記空洞の底部の領域を除き、前記空洞の内部を被う、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の誘電層の付着後かつ前記上側導体の実現の前に、電気的接触層を付着させる、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の方法であって、更に
ダマシン形式技法による前記第１の誘電層における前記下側導体のデザインの実現のステップと、
前記第１の誘電層の付着および前記下側導体上に現れる空洞のエッチングのステップと、
第２の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層とともに、ダマシン形式技法による前記第２の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
前記第２の誘電層の選択エッチングのステップと、を含む、方法。
【請求項２３】
前記触媒層を実現するステップの後に拡散バリア層の付着が続く、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記触媒層は、前記上側導体のデザインを画成しているエッチングエッジの上方に突出部を形成するハードマスクを通じて付着される、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２５】
電気的接触層が前記第１の誘電層の付着の前に前記下側導体上に直接付着される、請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記カーボンナノチューブを成長させる前記ステップの後、次のステップは、前記上側導体を被う前記第２の誘電層の付着のステップであり、このようにして得られた構造は、前記上側導体が前記構造の表面で明瞭になるまで、研磨によって平坦化される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１８〜２１または２２〜２６に記載の方法の諸ステップは、請求項２６に記載された前記付着のステップを実行する前に繰り返され、現在の繰り返しの前記上側導体は後続する繰り返しにおいて前記下側導体の役割を果たす、請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロニクスの領域、より詳細には集積回路内部の層間配線要素の領域に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の２つの異なるプラン間の電気的接続は、従来、ビアホールによって具体化されている。ビアホールは、下側導電層と上側導電層とを分離している絶縁層を横断する孔としてみなすことができ、この孔は、両導電層間の電気的接続を保証するために、一般に銅といった金属で充填される。
【０００３】
この種の接続は、マイクロメートル的な層間配線手段には良好である。しかし、より小さいラテラル寸法を備える設計には、１００ｎｍ未満の、または５０ｎｍ未満でさえもの直径のビアホールを利用するという制約がある。それゆえビアホールの高さ／直径比は高くなり、当該ビアホールが最終的に完全に充填される前にその上部で部分的な閉塞を受けやすいという事実のために、金属デポジットを特に微妙にさせる。加えて、ビアホールの直径がより小さくなればなるほど、エレクトロマイグレーション現象が過敏になり、それによって流れることができる最大電流および接続の寿命の両方を低減させる。最終的に、ビアホールの直径の縮小は層間配線抵抗の増大をもたらし、集積回路の最大機能速度を同じ程度だけ低減させる。
【０００４】
上記の欠点を克服するために、金属ビアホールをカーボンナノチューブの配列によって代替することが提案された。それらの優れた伝導特性および、それらの機械的および熱的安定性のために、カーボンナノチューブは、極めて小さい寸法のビアホールへの使用に実に適している。そのようなビアホールは、例えばＷＯ０１／６１７５３出願に記載されている。
【０００５】
図１は、当業者に既知のナノチューブを用いたビアホールを例示している。簡略化の理由で、基板は図示されていない。
【０００６】
ビアホールは、誘電層１３０によって分離された下側導体１１０と上側導体１２０との間の接続を付与する。ビアホール１４０は、下側導体１１０から上側導体１２０まで及んでいるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１５０を含む。
【０００７】
ＣＮＴ１５０は触媒合成によって作られる。より正確には、触媒（一般にニッケルナノ粒子を使用）は、蒸気相での化学蒸着段階（ＣＶＤ）の間にＣＮＴ１５０の形成を開始させるために下側導体１１０上に付着される。ＣＮＴ１５０は引き続き下側導体１１０から上側導体１２０へ成長する。触媒デポジットはビアホール１４０の底部において局所化されなければならない。それに反して、触媒がビアホールの壁面に付着した場合、これはＣＮＴ１５０のラテラル成長を増強し、下側および上側導体１１０、１２０間の電気的接続の唯一の効果的な関与者である垂直配列の成長を乱すか、または妨げさえする。ビアホールの壁面への付着を防ぐことは、直径が小さい場合、よりいっそう肝要である。
【０００８】
ＣＮＴの寄生的ラテラル成長を回避するために、Ｆ．クループル（Kreupl）により発表された「層間配線用途のためのカーボンナノチューブ（Carbon Nanotubes for Interconnect Applications）」（マイクロエレクトロニックエンジニアリング（Microelectron.Eng.）６４、ｐ．３９９−４０８、２００２）と題する論文において、誘電層の付着に着手する前に初めに下側導体上での触媒の付着に着手することが提案された。ビアホールは引き続き、ＣＮＴを成長させる前に触媒領域までエッチングされる。この技法を具体化することは、それがエッチングプロセスを数ナノメートルの厚さの触媒層で停止させることを要求するので、極めて繊細である。さらに、触媒層の物理化学的特性は誘電層の付着およびエッチングの諸段階によって影響を受けるかもしれず、そしてその触媒活性は結果的に著しく影響を受けるかもしれない。
【０００９】
どのような触媒付着の様式が選択されるにせよ、それはＣＮＴを下側導体から成長させることを伴い、そして一般的に言えば、次のステップは化学機械的平坦化（ＣＭＰ）に移ることを含む。引き続き、上側導体が平坦化された表面に付着される。
【００１０】
この技法で生じる主な難題は、ＣＮＴと下側および上側導体との間でオーム接点を得ることである。上側導体の付着は比較的低い温度で実行され、アニーリングは集積回路の熱収支に負担をかけるであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の第１の目的は、カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を実現することである。
【００１２】
本発明の第２の目的は、触媒層への損傷の危険にさらすことなくＣＮＴのラテラル成長を制限または著しく低減することである。
【００１３】
本発明の第３の目的は、カーボンナノチューブの成長後の研磨ステップを排除することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素によって規定され、要素は、
−下側導体と称する第１の導体と、
−前記第１の導体上の誘電層と、
−前記誘電層上の第２の導体であって、前記下側導体の上方にブリッジを形成する、上側導体と称する前記第２の導体と、
−一方で前記下側導体の方に現れ、そして他方で前記上側導体の方に現れる、前記誘電層における空洞とを含んでおり、
前記空洞は、該空洞が前記上側導体の方に現れる水平面で、該上側導体の両側に２つのベントを形成しており、
前記要素は更に、
前記下側導体の上面にあるか又は前記上側導体の下面にある、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層と、
前記空洞に配置された前記カーボンナノチューブの配列とを含んでいる。
【００１５】
第１の実施形態によれば、前記要素は、前記下側導体の上面にカーボンナノチューブの成長を助長する触媒層を含む。
【００１６】
この場合、前記要素は、下側導体の上面と触媒層との間に拡散バリア層を含んでいてもよい。
【００１７】
この変形例によれば、要素はカーボンナノチューブの成長を抑制するための抑制層を含んでおり、前記抑制層は触媒層上に付着されており、付着される領域は、触媒層上へのベントの直角投影にほぼ対応する区域を被う。
【００１８】
引き続きカーボンナノチューブの導電性配列が空洞に形成され、前記配列は触媒層から上側導体の下面まで及んでいる。
【００１９】
電気的接触層が上側導体の下に直接配置されると有利である。
【００２０】
本発明の第２の実施形態によれば、前記要素は、前記上側導体の下面上にカーボンナノチューブの成長を助長する触媒層を含む。
【００２１】
この場合、前記要素はまた上側導体と触媒層の下面との間に拡散バリア層を含んでもよい。
【００２２】
引き続きナノチューブの導電性配列が空洞に形成され、前記配列は触媒層から下側導体の上面まで及んでいる。
【００２３】
有利なのは、電気的接触層が上側導体の下に直接配置されることである。
【００２４】
この特定の場合において、カーボンナノチューブの配列が空洞に形成され、前記配列は触媒層から電気的接触面まで及んでいる。
【００２５】
電気的接触層の構成材料はパラジウムまたはニッケルであるとしてよい。
【００２６】
拡散バリア層の構成材料は、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルであるとしてよい。
【００２７】
触媒層は、ニッケル系金属ナノ粒子、ニッケル−パラジウム合金、鉄、イットリウム、プラチナまたはコバルトを含むとしてよい。
【００２８】
カーボンナノチューブは、単層または多層タイプのナノチューブを含むとしてよい。
【００２９】
下側導体および／または上側導体の構成材料は、銅、アルミニウム、ケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトであるとしてよい。
【００３０】
本発明はまた、マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素を製造する方法に関連し、この方法は、
−下側導体と称する第１の導体を実現するステップと、
−前記下側導体上への第１の誘電層を実現するステップと、
−前記第１の誘電層上での、上側導体と称する第２の導体を実現するステップと、
−一方で前記下側導体の方に現れ、そして他方で前記上側導体の方に現れる空洞を実現するステップとを含んでおり、
前記上側導体は、前記下側導体の上方にブリッジを形成し、前記空洞は、該空洞が前記上側導体の方に現れる水平面で、前記上側導体の両側に２つのベントを形成し、
前記方法は更に、
前記下側導体の上面にあるか又は前記上側導体の下面にある、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層を実現するステップと、
前記触媒層から前記カーボンナノチューブを前記空洞において成長させるステップとを含む。
【００３１】
第１の実施形態によれば、上述の方法は更に、
−ダマシン形式技法により前記第１の誘電層における前記下側導体のデザインを実現するステップと、
−拡散バリア層の付着が先立つにせよしないにせよ、前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層の付着のステップと、
−前記第１の誘電層の付着および前記触媒層上に現れる前記空洞のエッチングのステップと、
−第２の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
−ダマシン形式技法による前記第２の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
−前記第２の誘電層の選択エッチングのステップとを含む。
【００３２】
第２の誘電層の選択エッチングステップの後に、カーボンナノチューブの成長を抑制するための抑制層の直接付着が続くのが好ましく、それにより前記抑制層は、上側導体の下面に対面する空洞の底部の区域を除き、前記空洞の内部を被う。
【００３３】
電気的接触層は第２の誘電層の付着後かつ上側導体の実現の前に付着されるのが有利である。
【００３４】
第２の実施形態によれば、該方法は更に、
−ダマシン形式技法による前記第１の誘電層における前記下側導体のデザインの実現のステップと、
−前記第１の誘電層の付着および前記下側導体上に現れる空洞のエッチングのステップと、
−第２の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
−前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層とともに、ダマシン形式技法による前記第２の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
−前記第２の誘電層の選択エッチングのステップとを含む。
【００３５】
好ましくは、触媒層の実現の後に拡散バリア層の付着が続くべきである。
【００３６】
有利なのは、触媒層および、適用可能であれば、拡散バリア層は、上側導体のパターンを画成しているエッチング側壁の上方に突出部を形成するハードマスクを通じて付着されることである。
【００３７】
電気的接触層が誘電層の付着の前に下側導体上に直接付着される。
【００３８】
この方法は引き続き触媒層からのカーボンナノチューブの成長のステップを含んでもよい。
【００３９】
前記カーボンナノチューブを成長させる前記ステップの後、次のステップは、前記上側導体を被う前記第２の誘電層の付着のステップであることが有利であり、このようにして得られた構造は、前記上側導体が前記構造の表面で明瞭になるまで、研磨によって平坦化される。
【００４０】
上記方法のステップは繰り返すことができ、現在の繰り返しの上側導体は以後の繰り返しにおいて下側導体の役割を果たす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本発明のさらなる特徴および利益は、添付図面に関してなされる本発明の好ましい実施形態の読解時に明白となるであろう。
【００４２】
本発明の基本概念は、誘電層に作られた空洞の上方にブリッジ構造を備える層間配線要素を実現することであり、前記空洞は、一方で下側導体の上へ現れており、他方で上側導体の両側にベントを形成している。
【００４３】
一般的な様態において、本発明は、マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つのコネクタを層間配線するために設計された要素の実現を可能にする。要素はその後、反応装置に入れられ、そこにおいてさらにカーボンナノチューブの成長が実行される。
【００４４】
ＣＮＴ成長段階の前または後のいずれかの要素の構造は本発明の一部であると理解することが重要である。
【００４５】
図２ａは、ＣＮＴ成長段階前の層間配線要素の平面図を図示している。図２ｂおよび２ｃはそれぞれ、ＸＸ’軸に沿った下側導体およびＹＹ’軸に沿った上側導体の同じ要素の断面を図示している。
【００４６】
簡略化の理由で、基板は図２ａ〜２ｃには図示されておらず、それは以降の図にも当てはまる。
【００４７】
層間配線要素２００は、ここでは導電ライン（導体）の形態を有する下側導体２１０を含む。下側導体は誘電層２３０によって被われており、その上に上側導体２２０が、同様にここでは第１のものに直交する導電ラインの形態で示されて配置されている。しかし、本発明が直交する導電ラインに限定されないことは明らかである。導体は、連結されるかまたは別の態様で、より複雑なデザインまたはパターンを呈していてもよく、同様に本発明の範囲内に留まりながら非直交的な交差を呈してもよい。下側導体２１０は、例えば、ＣｕまたはＡｌの金属層である。誘電層２３０は、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４であり、またはＳｉＯＣであってもよい。
【００４８】
空洞２４０が、一方で下側導体２１０の方に、そして他方で上側導体２２０の方に現れるように誘電層２３０に設けられている。上側導体２２０は、空洞２４０および下側導体２１０の上方にブリッジを形成する。この空洞２４０は、それが酸化物の上面に現れる水平面で、上側導体２２０の両側に２つのベント２４３を形成している。そうするために、酸化物の上面の平面内の層間配線点Ｐで上側導体２２０の直交軸に従って得られる空洞２４０の寸法ｌｃｓｕｐは、この導体の幅Ｌｓｃよりも著しく大きくなるように選定される。
【００４９】
ベント２４３の大きさは、図２ｂにおいて矢線で示されたように、上側導体２２０の下で空洞２４０のガスの流れの自由な循環を可能にするために十分に大きいように選定される。
【００５０】
有利には、層間配線点Ｐにおいて、空洞２４０が下側導体２２０の方に現れる水平面で、下側導体２１０の直交軸に従って得られる空洞２４０の寸法ｌｃｉｎｆは、その上面の幅全体が空洞２４０の底面で開かれるように、導体の幅Ｌｉｃよりもわずかに大きいとして選定される。
【００５１】
図３ａおよび３ｂは、本発明の第１の実施形態に従った層間配線要素を図示している。図３ａは、ＣＮＴ成長段階の後の前記要素の上面図を図示している。図３ｂは、ＸＸ’軸に沿ったこの要素の断面を図示している。
【００５２】
この実施形態では、触媒層２６０が、空洞２４０の底部の下側導体２１０の上面に付着された。有利には、バリア層が触媒層２６０上に前もって付着されることであり、それによって下側導体２１０への触媒の拡散を回避するであろう。上側導体２２０の両側にあるベント２４３は、ＣＮＴの触媒合成段階の間のガスの循環を可能にする。カーボンナノチューブ２５０は、下側導体２１０の上面上で開始し、それらが上側導体２２０の下面と接触するまで自由に成長する。ベント２４３の水平面で、カーボンナノチューブの成長は、符号２５１において示したように、上側導体２２０の両側で誘電層２３０を越えて生じる。符号２５１でのＣＮＴ突出部は、付加的な任意の平坦化ステップによって除去することができる。このステップは、後に明らかにする通り、複数水平面の層間配線が要求される場合、必要であろう。
【００５３】
図４ａおよび４ｂは本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を図示している。前の実施形態と同様、図４ａはＣＮＴ成長段階の後の前記要素の上面図を図示しており、図４ｂはＸＸ’軸に沿ったこの要素の断面を図示している。
【００５４】
この第２の実施形態は、触媒層２６０が保護または抑制層２６１で部分的に被覆されるという点で第１の実施形態と異なる。より正確には、この抑制層２６１は、空洞２４０の底へのベント２４３の直角投影にほぼ対応する触媒層２６０の領域を被う。このようにして、ＣＮＴ成長はベント２４３の上で抑制され、それはＣＮＴ成長を上側導体２２０および下側導体２１０と対面する区域に制限する。同様に、ガスの循環は結果的に助長され、それは空洞２４０におけるＣＮＴ成長を著しく高める。
【００５５】
図５ａおよび５ｂは、本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を図示している。前の実施形態と同様、図５ａはＣＮＴ成長段階の後の前記要素の上面図を図示しており、図５ｂはＸＸ’軸に沿ったこの要素の断面を図示している。
【００５６】
この好ましい実施形態は、触媒層２６０が上側導体２２０の下面にあるという点で前のものと異なる。ＣＮＴ成長は従ってこの表面から生じ、やがてカーボンナノチューブ２５０は下側導体２１０の上面と接触する。この実施形態は抑制層の付着を必要とすることなく寄生的ラテラル成長をもたらさない点に留意しなければならない。さらに、ベント２４３は成長段階全体の間のガスの循環を可能にする。有利には、カーボンナノチューブ２５０と下側導体２１０との改善された電気的接触を可能にする層を下側導体２１０の表面に直接付着させてもよい。
【００５７】
本発明の第４の実施形態によれば（図示せず）、触媒層２６０は、第１または第２の実施形態と同様に下側導体２１０の上面および、第３の実施形態と同様に上側導体２２０の下面の両方に付着される。従って、カーボンナノチューブ２５０の成長は２つの対向する方向で生じる。より具体的には、ＣＮＴの第１の配列が下側導体２１０の上面から上側導体２２０の下面に向けて成長するのに対し、ＣＮＴの第２の配列が上側導体２２０の下面から下側導体２１０の上面に向けて成長する。この実施形態は、空洞におけるＣＮＴのより高い密度につながり、それゆえ接続品質を向上させる。
【００５８】
第１から第４の実施形態の変形例によれば、誘電層２３０は、例えば金属層などの埋め込み導電層を含んでもよい。この導電層は、図３ｂにおいて、すなわち第１の実施形態の例証として表現されている。この導電層２７０に適切に極性を与えることによって、ＣＮＴの導電率は増大させることができる。
【００５９】
図６ａ〜６ｊは、本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法のステップを図示している。第１の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法は、繰り返しを避けるために明示的には説明しない。第１の実施形態が第２の実施形態とどのように異なるかの詳細は以下で詳述する。
【００６０】
図６ａ〜６ｊのそれぞれで、下側導体２１０のＸＸ’軸に沿った層間配線要素の断面は左に図示され、上側導体２２０のＹＹ’軸に沿った断面は右に図示されている。
【００６１】
方法の最初のステップは、符号２３０で示された絶縁層Ａを、基板（図示せず）上に付着させて、絶縁層の内部に下側導体２１０を実現することにある。これを行うために、当業者に周知のダマシン形式（Damascene-type）技法が使用される。すなわち、導電性パターンが絶縁層にエッチングされてから、例えば銅などの金属で充填される。その後、絶縁層の上面は研磨されて図６ａに図示された構造を得る。ここで、該構造は、絶縁層２３０に形成された第１の導体としての下側導体２１０より構成される。
【００６２】
次のステップは、下側導体２１０上への触媒層２６０の付着である。そのために、犠牲層２６３が下側導体２１０およびハードマスク２６５上に前もって付着され、触媒デザインを区切る。エッチングはリソグラフィによって（例えば電子ビームによって）実行される。触媒の付着後の結果は図６ｂに図示されている。
【００６３】
有利なのは、１０〜５０ｎｍ（図示せず）のバリア層が触媒層の前に下側導体上に付着されることである。バリア層は、例えばチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）またはアルミニウム（Ａｌ）で実現することができる。
【００６４】
触媒の選択は成長することが望まれるＣＮＴのタイプに依存する。一般に、金属粒子が使用される（ニッケル、コバルト、鉄、イットリウム、プラチナその他、または前記材料の合金）。ある特定の場合には、バリア層は必要ではない。
【００６５】
一例として、多層タイプのナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）を好適に作成するために、以下のものが選択される。
−ＴｉＮまたはＴａＮの（例えば１０ｎｍの）キャリア層上に付着された厚さが３ｎｍのニッケルの層；
−厚さ３ｎｍのニッケル−パラジウム合金Ｐｄ０.２５Ｎｉ０.７５；
−銅（第１または第２の導体）上に直接付着された、各層が（１０ｎｍのＡｌ、３ｎｍのＮｉ）によって画成されるバイレイヤ；
−各層が（５ｎｍのＳｉ、３ｎｍのＦｅ）によって画成されるバイレイヤ。
【００６６】
逆に、単層タイプのナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）が好ましい場合、以下のものが選択される。
−各層が（２０のＡｌ、０.５ｎｍのＦｅ、０.２のＡｌ）によって画成されるバイレイヤ；
−各層が（５ｎｍのＳｉ、０.５ｎｍのＦｅ）によって画成されるバイレイヤ；
−各層が（３ｎｍのＳｉ、１ｎｍのＣｏ）によって画成されるバイレイヤ。当業者は、単層および多層タイプのカーボンナノチューブ両方の任意の混合物を得るために触媒の厚さを適応させることができるであろう。
【００６７】
触媒の付着後、引き続き犠牲層２６３が除去され、新しい絶縁層Ａが付着される。その後、空洞２４０が、化学またはリアクティブエッチングプロセス（ＲＩＥ）を用いてこの絶縁層に開けられる。エッチングのプロフィールは有利には、図６ｃに図示されたように傾斜勾配として選択できる。エッチングは触媒層で止まる。
【００６８】
空洞２４０はその後、符号２３５で示された第２の絶縁体Ｂで充填されてから、引き続き上面の平坦化に移り、図６ｄに図示された構造を得る。
【００６９】
上側導体２２０はその後、図６ｅ〜６ｇに図示された、ダマシン形式方法によって絶縁体Ｂにおいて実現される。
【００７０】
より正確には、上側導体２２０のデザイン２２１（ここではＹＹ’軸に従った単純な導電ライン）は、絶縁体Ｂにおいてエッチングされる。エッチングは絶縁体Ａとの界面で止まる。エッチングの結果は図６ｅに図示されている。
【００７１】
引き続き、例えばパラジウムまたはチタンのコンタクト層２２３が付着されてから、例えば銅の上側導体２２０が付着される。操作の結果は図６ｆに図示されている。
【００７２】
上側導体２２０の上面は、ここでは図６ｇに図示されたように単純な導電体である上側導体２２０のデザインが明瞭になるまで、ＣＭＰ平坦化によって平坦化される。
【００７３】
その後、絶縁体Ｂの完全なエッチングが行われ、図６ｈに図示されたように空洞２４０がもたらされる。その後、保護層２６１が方向性付着（directional deposition）技法を用いて付着される。保護層は有利であるが、必ずしも絶縁体Ａの材料から構成される必要があるわけではない。操作の結果は図６ｉに図示されている。
【００７４】
最後に、カーボンナノチューブが成長させられる。触媒が下側導体に配置されているので、成長は底部から上方へ生じる。最終結果は図６ｊに図示されている。
【００７５】
成長方法は、要求されるＣＮＴタイプの成長に依存し、すなわち多層カーボンナノチューブが好ましい場合、
−温度は０．４ｍＢａｒのＨ２下での反応装置において１０ｍｎで５４０℃まで高められる；
−反応装置エンクロージャは空にされる；
−ＣＮＴは０．４ｍＢａｒのＣ２Ｈ２下で５４０℃で成長させられる；
−温度は、デバイスを急速に冷却するような方式で、Ｈ２またはＨｅの流れに露呈中に低減される。
【００７６】
単層ナノチューブが好ましい場合、
−温度は０．４ｍＢａｒのＨ２下での反応装置において７００℃まで高められる；
−反応装置エンクロージャは空にされる；
−ＣＮＴは、Ｃ２Ｈ２の５ｓｃｃｍ、Ｈ２ ５０ｓｃｃｍおよびＨｅ ５０ｓｃｃｍの流量による０．４ｍＢａｒのＣ２Ｈ２、Ｈ２およびＨｅの混合物を伴う雰囲気下で７００℃にある。
【００７７】
当業者は、ＮＷＣＮＴおよびＳＷＣＮＴの任意の混合物を得るために触媒の厚さを適応させることが可能であろう。
【００７８】
第１の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法は保護層の付着（図６ｉ参照）の省略だけに関して上に概説したものと異なる点に留意しなければならない。
【００７９】
図７ａ〜７ｉは、本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法のステップを図示している。
【００８０】
最初のステップ（図７ａ参照）は、図６ａに関して述べたそれと、すなわちダマシン形式方法を用いて、符号２３０で示された誘電層Ａにおける第１の導体２１０の形成においてと同一である。
【００８１】
引き続き、任意ではあるが好ましくは、例えばパラジウムまたはチタンのコンタクト層２１１が、例えば銅の下側導体２１０上に電気化学的手段によって付着される。付着の結果は図７ｂに見ることができる。
【００８２】
次のステップは、図７ｃに図示されたように、絶縁層Ａの付着に続く下側導体２１０の上方での空洞２４０の開口を含む。空洞２４０のエッチングは有利には、傾斜勾配に従って行われるはずであり、コンタクト層の水平面で止まるはずである（図７ｃ参照）。
【００８３】
空洞２４０はその後、２３５で参照された第２の絶縁体Ｂによって充填される。上面は、図７ｄに図示されたプロフィールを得るためにＣＭＰによって平坦化される。
【００８４】
その後ハードマスク２２５が絶縁体Ｂに付着され、上側導体２２０のパターン２２１（ここではＹＹ’軸における単純な導電体）が図７ｅに図示されたようにこの絶縁体においてエッチングされる。エッチングは絶縁体Ａの水平面で止められる。ハードマスクは、エッチングのエッジに突き出る「キャップ」が作られるのを可能にする。
【００８５】
次のステップは、触媒層２６０の付着に続く、適用可能であれば、バリア層のそれを含む（図示せず）。触媒およびバリア層に使用される材料は、第２の実施形態について述べたそれらと同じである。キャップ形のハードマスクは、エッチングのエッジにおける触媒の付着を回避するのを助ける。引き続き、好ましくは銅である上側導体が付着される。このステップの結果は図７ｆに図示されている。
【００８６】
引き続き、上側導体２２０の上面は、絶縁体Ｂの表面において上側導体のパターンの表面を露呈するためにＣＭＰによって平坦化される。平坦化の結果は図７ｇに図示されている。
【００８７】
次のステップは絶縁体Ｂの完全なエッチングであり、それは空洞２４０を露呈させる。ブリッジ形構造はこのようにして、図７ｈに図示されたように得られる。
【００８８】
最後に、ＣＮＴ２５０が第２の実施形態について前述したのと同じ状態で成長させられる。当然、ここでの成長は上側導体２２０の下面から生起し、やがてカーボンナノチューブはコンタクト層２１１（またはコンタクト層がない場合は下側導体２１０）と接触する。これは図７ｉに図示された構造を完成させる。
【００８９】
上述の実施形態において、絶縁体または誘電体Ａは、マイクロエレクトロニクスで広範に使用されている、シリコンまたは低誘電係数を備える材料（低ｋ誘電体）である。絶縁体Ｂは有利には、水素化シルセスキオキサン（ＨＳＱ）または窒化ケイ素とすることができる。絶縁体ＡおよびＢは、Ａと比較して顕著な選択性を伴うＢのエッチングを可能にするように選択される。
【００９０】
本発明に従った層間配線要素は、いくつかの水平面の層間配線を実現するために使用することができる。そうするために、図６ｉまたは７ｈに図示された構造に始まり、符号２３０で参照された絶縁層Ａは、図８ａに図示されたように、上側導体２２０を被うためにさらに付着される。上面はその後、上側導体２２０に達するまで、すなわち図８ｂに図示されたデザインが得られるまで、ＣＭＰ研磨によって平坦化される。従って、上側導体２２０は、プロセスの開始時に下側導体２１０によってそれまで果たされた役割を果たすことができる。言い換えれば、図６ａ〜６ｊまたは図７ａ〜７ｉに続き図８ａおよび８ｂのステップにより構成されるシーケンスは、マイクロエレクトロニクス回路のいくつかの水平面を接続するために繰り返すことができる。
【００９１】
本発明に従った接続要素は、ＶＬＳＩ集積回路のための極めて小さな直径のビアホールを実現することに特に適用可能である。それはまた、トランジスタにおける第１の水平面の層間配線を実現することを可能にする。この場合、下側導体２１０は、例えばニッケルまたはケイ化コバルトより構成される、ソース電極、ドレイン電極またはゲート電極である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】当業者に既知の層間配線要素を図示している。
【図２ａ】カーボンナノチューブの成長段階前の本発明に従った層間配線要素の一般的構造を図示している。
【図２ｂ】カーボンナノチューブの成長段階前の本発明に従った層間配線要素の一般的構造を図示している。
【図２ｃ】カーボンナノチューブの成長段階前の本発明に従った層間配線要素の一般的構造を図示している。
【図３ａ】本発明の第１の実施形態に従った層間配線要素を略示している。
【図３ｂ】本発明の第１の実施形態に従った層間配線要素を略示している。
【図４ａ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を略示している。
【図４ｂ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を略示している。
【図５ａ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を略示している。
【図５ｂ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を略示している。
【図６ａ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｂ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｃ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｄ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｅ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｆ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｇ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｈ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｉ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図６ｊ】本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ａ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｂ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｃ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｄ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｅ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｆ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｇ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｈ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図７ｉ】本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。
【図８ａ】層間配線のいくつかの水平面を実現するために本発明に従った層間配線要素の適用を図示している。
【図８ｂ】層間配線のいくつかの水平面を実現するために本発明に従った層間配線要素の適用を図示している。
【符号の説明】
【００９３】
１１０  下側導体
１２０  上側導体
１３０  誘電層
１４０  ビアホール
１５０  カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
２００  層間配線要素
２１０  下側導体
２２０  上側導体
２３０  誘電層
２４０  空洞
２４３  ベント
２５０  カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
２６０  触媒層
２６１  抑制層
２６３  犠牲層
２７０  導電層
２２３  コンタクト層
【図１】
0005414987.tif 000002
【図２ａ】
0005414987.tif 000003
【図２ｂ】
0005414987.tif 000004
【図２ｃ】
0005414987.tif 000005
【図３ａ】
0005414987.tif 000006
【図３ｂ】
0005414987.tif 000007
【図４ａ】
0005414987.tif 000008
【図４ｂ】
0005414987.tif 000009
【図５ａ】
0005414987.tif 000010
【図５ｂ】
0005414987.tif 000011
【図６ａ】
0005414987.tif 000012
【図６ｂ】
0005414987.tif 000013
【図６ｃ】
0005414987.tif 000014
【図６ｄ】
0005414987.tif 000015
【図６ｅ】
0005414987.tif 000016
【図６ｆ】
0005414987.tif 000017
【図６ｇ】
0005414987.tif 000018
【図６ｈ】
0005414987.tif 000019
【図６ｉ】
0005414987.tif 000020
【図６ｊ】
0005414987.tif 000021
【図７ａ】
0005414987.tif 000022
【図７ｂ】
0005414987.tif 000023
【図７ｃ】
0005414987.tif 000024
【図７ｄ】
0005414987.tif 000025
【図７ｅ】
0005414987.tif 000026
【図７ｆ】
0005414987.tif 000027
【図７ｇ】
0005414987.tif 000028
【図７ｈ】
0005414987.tif 000029
【図７ｉ】
0005414987.tif 000030
【図８ａ】
0005414987.tif 000031
【図８ｂ】
0005414987.tif 000032