(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セリア粒子またはセリア−ジルコニア固溶体粒子からなる砥粒と、
２−ピリジンカルボン酸からなる分散剤と、
水とを含有する研磨スラリー原液を作製し、
当該研磨スラリー原液の砥粒をその結晶子径の減少割合が１０％以下となるように分散し、その後、水を加え、また前記分散剤と同じものを添加することを特徴とするｐＨが２〜７である研磨スラリーの製造方法。
【請求項２】
研磨スラリー原液の砥粒を湿式ジェットミルにより分散することによる当該砥粒の結晶子径の減少割合が１０％以下である請求項１に記載の研磨スラリーの製造方法。
【請求項３】
研磨スラリー原液における砥粒の結晶子径が５〜１００ｎｍである請求項１または２に記載の研磨スラリーの製造方法。
【請求項４】
研磨スラリー原液における砥粒の平均一次粒子径が５〜１００ｎｍである請求項１〜３のいずれかに記載の研磨スラリーの製造方法。
【請求項５】
研磨スラリー原液における砥粒の結晶子径に対する平均一次粒子径の比が０．８〜２．５である請求項１〜４のいずれかに記載の研磨スラリーの製造方法。
【請求項６】
研磨スラリー原液の砥粒が、酸化物基準のモル％表示で、ＣｅＯ２またはＣｅＯ２とＺｒＯ２の混合物を５〜５０％、ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる１種以上）を１０〜５０％、Ｂ２Ｏ３を３０〜７５％含有する溶融物を得る工程と、前記溶融物を急速冷却して非晶質物質とする工程と、前記非晶質物質からセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を析出させて結晶化物とする工程と、得られた結晶化物からセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を分離する工程とをこの順に含むことを特徴とする製造方法により製造されたものである請求項１〜５のいずれかに記載の研磨スラリーの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の研磨スラリーの製造方法により製造された研磨スラリー。
【請求項８】
砥粒の含有割合が０．１〜４０質量％である請求項７に記載の研磨スラリー。
【請求項９】
メディアン径が１０〜３００ｎｍである請求項７または８に記載の研磨スラリー。
【請求項１０】
研磨される表面がＳｉＯ２を含有する被研磨体を請求項７〜９のいずれかに記載の研磨スラリーを用いて研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項１１】
前記研磨スラリーの砥粒のζ電位が正であり、前記被研磨体のζ電位が負である請求項１０に記載の研磨方法。
【請求項１２】
ＳｉＯ２を含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板の主表面の研磨に請求項１０または１１に記載の研磨方法を用いる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＳｉＯ２を含有する磁気ディスク用ガラス基板の主表面などの研磨方法、そのような研磨方法において好適に用いられる研磨スラリーおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブなどの情報処理機器に搭載される磁気ディスクに対する高記録密度化の要請は近年強くなっており、このような状況の下、従来のアルミニウム基板に替わってガラス基板が広く用いられるようになってきている。
しかし、高記録密度化の要請はさらに強くなっており、このような要請に応えるべくガラス基板主表面を高精度で研磨する方法について種々のものが提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１０５１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気ディスク用ガラス基板（以下、単にガラス基板ともいう。）の主表面を高精度で研磨できるとして提案されている特許文献１に記載されている発明は、フラックス法により作製したセリア結晶微粒子を用いて主表面を高精度で研磨するというものである。
一般的にセリア粒子による研磨速度はコロイダルシリカによる研磨速度と比較して高いが、高精度の表面性状を得るためにセリア結晶微粒子を用いたガラス基板研磨では、粒子が微小であるためにコロイダルシリカと比較して十分に研磨速度が速いとはいえないのが課題である。【０００５】
本発明は、たとえセリア結晶微粒子またはセリア−ジルコニア固溶体結晶微粒子を用いる場合であってもガラス基板主表面を高速で研磨できる研磨方法、そのような研磨方法に好適な研磨スラリーおよびそのような研磨スラリーの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、セリア粒子またはセリア−ジルコニア固溶体粒子からなる砥粒と２−ピリジンカルボン酸からなる分散剤と水とを含有する研磨スラリー原液を作製し、当該研磨スラリー原液の砥粒をその結晶子径の減少割合が１０％以下となるように分散し、その後、水を加えて砥粒の濃度を調整し、また前記分散剤と同じものを添加することを特徴とするｐＨが２〜７である研磨スラリーの製造方法を提供する。
【０００７】
また、前記研磨スラリーの製造方法により製造された研磨スラリーを提供する。
また、研磨される表面がＳｉＯ２を含有する被研磨体を前記研磨スラリーを用いて研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。
また、ＳｉＯ２を含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板の主表面の研磨に前記研磨方法を用いる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。【０００８】
本発明者は上記目的を達成するために、分散剤、分散後の添加剤、分散方法について鋭意検討した結果、Ｘ線回折測定によりシェラー法を使用して計算した砥粒の結晶子径が減少しないまたは顕著には減少しない方法で分散を行い、分散剤および添加剤として特定のｐＨ範囲で砥粒が正、被研磨物が負となりやすいものを用い、そのｐＨ範囲内で研磨することにより、高速で研磨できることを見出し、本発明に至った。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、セリア結晶微粒子またはセリア−ジルコニア固溶体結晶微粒子を用いて、磁気ディスク用ガラス基板の主表面などを高速に研磨できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、通常次のような各工程を経てガラス基板が製造される。すなわち、ＳｉＯ２を含有する円形ガラス板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行う。その後、このような加工が行われた円形ガラス板を積層して内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面にたとえばポリシラザン化合物含有液をスプレー法等によって塗布し、焼成して内周端面に被膜（保護被膜）を形成する。次に、内周端面に被膜が形成された円形ガラス板の主表面を研磨して平坦かつ平滑な面とし磁気ディスク用ガラス基板とされる。
【００１１】
本発明の製造方法はこのようなものに限らず、たとえば、内周端面に対する保護被膜形成に替えて内周端面のブラシ研磨を行ってもよく、主表面ラッピング工程を粗ラッピング工程と精ラッピング工程に分けそれらの間に形状加工工程（円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨）を設けてもよく、主表面研磨工程の後に化学強化工程を設けてもよい。なお、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には、円形ガラス板中央の孔開けは不要である。
主表面ラッピングは通常、平均粒径が６〜８μｍである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。
【００１２】
ラッピングされた主表面は通常、次のようにして研磨される。
まず、平均粒径が０．９〜１．８μｍである酸化セリウムを含有するスラリーとウレタン製研磨パッドとを用いて研磨する。なお、板厚の減少量（研磨量）は典型的には３０〜４０μｍである。
そして、本発明の研磨方法を用いて研磨を行う。パッドとしてはたとえばウレタン製研磨パッドを用いる。
【００１３】
本発明の研磨スラリーにおける砥粒は、研磨速度または研磨精度を高くするために通常、セリア粒子またはセリア−ジルコニア固溶体粒子からなるものとされる。
【００１４】
研磨スラリー原液に用いられるセリア粒子またはセリア−ジルコニア固溶体粒子からなる砥粒（以下、単に砥粒ということがある。）の結晶子径ＤＣは５〜１００ｎｍであることが好ましい。５ｎｍ未満では十分に研磨が進行しないおそれがある。より好ましくは１０ｎｍ以上、典型的には２０ｎｍ以上である。１００ｎｍ超ではスクラッチの原因となるおそれがある。より好ましくは５０ｎｍ以下、典型的には４０ｎｍ以下である。なお、ここでいう結晶子径はＸ線回折装置により測定した回折ピークの広がりからシェラーの式に基づき算出される。
【００１５】
研磨スラリー原液に用いられる砥粒の平均一次粒子径ＤＡは５〜１００ｎｍであることが好ましい。５ｎｍ未満では研磨速度が低下するおそれがある。より好ましくは１０ｎｍ以上、典型的には２０ｎｍ以上である。１００ｎｍ超では被研磨面にスクラッチが発生するおそれがある。より好ましくは５０ｎｍ以下、典型的には４０ｎｍ以下である。なお、ここでいう平均一次粒子径はＢＥＴ法による比表面積測定から真球近似をして算出される。
【００１６】
前記結晶子径ＤＣに対する前記平均一次粒子径ＤＡの比すなわち粒径比ＤＡ／ＤＣは０．８〜２．５であることが好ましい。０．８以上にすることにより単結晶の形状を維持しやすくなり、結晶格子欠陥を少なくできる結果、研磨速度の向上に寄与する活性部位を常に研磨粒子の外表面に確保することが可能となり、高速で研磨することができると考えられる。より好ましくは１．０以上である。また、ＤＡ／ＤＣを２．５以下にすることにより酸化物微粒子の形状を単結晶の形状に維持しやすくなる結果、多結晶からなる粗大粒子が混在することによるスクラッチの発生を抑えられると考えられる。より好ましくは２．０以下、特に好ましくは１．８以下である。
【００１７】
砥粒は、フラックス法、水熱法、固相反応法、ゾルゲル法または気相法といった公知の方法により作製されうる。
このうち、フラックス法および固相反応法を用いれば、結晶性の高い粒子が得られるため、粒径比ＤＡ／ＤＣが０．８〜２．５の範囲の、単結晶の形状の保たれた酸化物微粒子を得るうえで特に好適である。
フラックス法の中でも、ガラスマトリックス中で酸化物粒子を結晶化させた後、ガラスマトリックス成分を除去する、ガラス結晶化法と呼ばれる方法を用いると、小粒径でかつ単結晶の形状の保たれた、結晶質の微粒子が得られるため特に好適である。すなわち、ガラスマトリックス融液中に酸化物微粒子として析出させる成分を溶解させておき、融液を急速冷却してガラス化させた後、再度加熱処理を行うことで、ガラスマトリックス中に酸化物微粒子を析出させる方法である。析出した酸化物微粒子は、ガラスマトリックスを適当な薬液により溶解させることにより取り出される。上記ガラスマトリックスとしては、ホウ酸塩系、リン酸塩系、ケイ酸塩系等が使用できるが、溶融性や目的酸化物との複合化合物の製造のしやすさおよびガラスマトリックスの溶脱の容易性等から、ホウ酸塩系のガラス母材が好ましく用いられる。
【００１８】
砥粒を前記ガラス結晶化法で作製する場合、酸化物基準のモル％表示で、ＣｅＯ２またはＣｅＯ２とＺｒＯ２の混合物を５〜５０％、ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる１種以上）を１０〜５０％、Ｂ２Ｏ３を３０〜７５％含有する溶融物を得る工程と、前記溶融物を急速冷却して非晶質物質とする工程と、前記非晶質物質からセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を析出させて結晶化物とする工程と、得られた結晶化物からセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を分離する工程とをこの順に含むことを特徴とする製造方法により製造することが好ましい。このようにして製造することにより組成および粒子径の均一性に優れ、かつ小粒子径のセリア結晶微粒子またはセリア−ジルコニア結晶微粒子を容易に得ることができる。
前記の溶融物を得る工程の温度は、１２００〜１６００℃が好ましく、１４００〜１５５０℃がより好ましい。また、該工程の時間は、昇温時間を含み１〜６時間が好ましい。前記溶融物を急速冷却して非晶質物質とする工程における冷却速度は１０３〜１０６℃／秒が好ましく、１０４〜１０６℃／秒がより好ましい。また、得られた結晶化物からセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を分離する工程においては、得られた結晶化物から上記ガラスマトリックスを硝酸、塩酸等の無機酸、または有機酸等の適当な薬液により２０〜９０℃で１〜１００時間溶解させ、その後、ろ過、乾燥または遠心分離等の方法によりセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を分離するのが好ましい。
【００１９】
このとき、非晶質物質からセリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を析出させる工程を大気中、６００〜８５０℃で行うことが好ましい。この結晶化工程を６００℃以上の温度で行うことで、セリア結晶またはセリア−ジルコニア固溶体結晶を充分に析出させることができる。一方、この結晶化工程を８５０℃以下の温度で行うことで、粒径比ＤＡ／ＤＣが０．８〜２．５であり、単結晶の形状を有するセリア結晶微粒子またはセリア−ジルコニア結晶微粒子を得やすくなる。より好ましくは、上記の結晶化工程を大気中、６５０〜８００℃で行うことものとし、特には６８０〜８００℃で行うことが好ましい。なお、加熱を高温で行うほど析出する結晶のＤＣが大きくなる傾向があるので、所望の結晶子径に応じて加熱温度を設定すればよい。この結晶化工程の時間は、０．５〜１２８時間が好ましく、２〜３２時間がより好ましい。
【００２０】
研磨スラリー原液はその砥粒のＤＣの減少割合が１０％以下となるように分散される、または湿式ジェットミルにより分散される。なお、湿式ジェットミルにより分散される場合においても砥粒のＤＣの減少割合が１０％以下となるようにすることが好ましい。砥粒のＤＣの減少割合は、２％以下が好ましく、０％が特に好ましい。
研磨スラリー原液の砥粒のＤＣの減少割合が１０％以下となるように分散する方法としては、粉砕媒体を用いない分散方法であれば一般的な分散方法でよく、たとえば周知の湿式ジェットミルや超音波分散法が例示される。
【００２１】
ここで、湿式ジェットミルは、ボールミルなどと違い粉砕媒体を用いずに懸濁液や溶液などを混合する方法であり、スラリー、懸濁液、溶液などを高速で互いに衝突させ短時間での混合・分散を可能にするものである。
スラリーの湿式ジェットミルとしては、２つ以上のノズルから噴流させた高圧スラリーを衝突させることにより、粒子同士を衝突させて、衝突の運動エネルギーで凝集体を解砕、分散させるもの（スギノマシン社スターバースト（商品名））や、スラリーを高速でスリットに通すことによりそのせん断力で凝集体を解砕、分散させるもの（吉田機械興業社ナノマイザー（商品名））が知られている。
また、超音波分散法は超音波のエネルギーにより凝集体を解砕、分散させる方法である。
【００２２】
なお、このようなメディアレス分散とは違い、ボールミルのようなメディアを使用した分散においては、粒子に加わるせん断力が大きすぎるため、分散と同時に粒子が破壊されてＤＣが１０％を超えて減少し、その結果研磨レートも低下しやすく好ましくない。
ＤＣが１０％を超えて減少すると研磨レートが低下しやすくなる理由は必ずしも明確ではないが、発明者らは結晶の破壊に伴い、粒子表面にもダメージが入って、不活性層ができて研磨を阻害しているものと考えている。
【００２３】
研磨スラリー原液は先に述べたような分散法による分散を促進してスラリー中の砥粒の分散粒子径（粒度分布の累積５０％粒子径であるメディアン径）を小さくし、研磨におけるスクラッチの発生を抑制するために、２−ピリジンカルボン酸またはグルタミン酸からなる分散剤を含有する。
前記分散剤の研磨スラリー原液における含有割合は０．１〜５質量％であることが好ましい。０．１質量％未満では前記分散を促進する効果が小さい。好ましくは０．１５質量％以上である。５質量％超では凝集するおそれがある。
【００２４】
研磨スラリー原液を先に述べたように分散して得られた分散液には砥粒の濃度を調整するために水が加えられる。
【００２５】
また、当該分散液には前記分散剤と同じものが添加される。すなわち、分散剤が２−ピリジンカルボン酸である場合には分散液に２−ピリジンカルボン酸が添加され、分散剤がグルタミン酸である場合には分散液にグルタミン酸が添加される。
分散液に前記分散剤と同じものを添加することにより砥粒のゼータ電位を高くすることができ、ガラス基板の等電位点であるｐＨ２から砥粒の等電位点であるｐＨ７の間で砥粒が正、ガラス基板が負に帯電する状態となり、砥粒とガラス基板の相互作用が強くなるため、研磨レートを高くすることが可能になる。
【００２６】
また、分散液に前記分散剤と同じものが添加されないと、ポットライフすなわち研磨スラリーの使用可能期間が短くなるおそれがある、または、砥粒が凝集しやすくなる。
【００２７】
前記分散剤と同じものの添加割合は、研磨スラリーにおける含有割合として０．０１〜２質量％であることが好ましい。０．０１質量％未満では十分な研磨レートが得られないおそれがある。より好ましくは０．０３質量％以上、特に好ましくは０．３質量％以上である。２質量％超では凝集するおそれがある。より好ましくは１．５質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。
【００２８】
なお、分散液中の凝集粒子や粗大粒子を除去するためにフィルターによる濾過処理や遠心分離を施してもよい。
【００２９】
このようにして製造される研磨スラリーのｐＨは２〜７に調整される。２未満では凝集しやすくなる。好ましくは３以上である。７超ではやはり凝集しやすくなる、または砥粒のζ電位が負になりやすくなる。好ましくは５以下である。
なお、ｐＨ調整剤またはｐＨ緩衝剤としては硝酸等の無機酸、コハク酸、クエン酸等の有機酸、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウムヒドロキシドおよびアルカリ金属水酸化物等が好適に用いられる。
【００３０】
研磨スラリーの砥粒の含有割合は研磨レート、均一分散性、分散時の安定性などを考慮して適切に設定すればよいが、通常は０．１〜４０質量％の範囲内とされる。含有割合が０．１質量％未満では研磨が十分進行しないおそれがある。好ましくは０．５質量％以上である。４０質量％超ではスラリーの粘度が高くなり、または分散性を充分に保つことが難しくなり、研磨スラリーとしての取扱いが困難となる。好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。
【００３１】
研磨スラリーのメディアン径は１０〜３００ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍ未満では研磨が十分に進行しないおそれがある。より好ましくは２０ｎｍ以上である。３００ｎｍ超ではスクラッチの原因となるおそれがある。より好ましくは２００ｎｍ以下である。
【００３２】
本発明の研磨スラリーは砥粒、水、２−ピリジンカルボン酸またはグルタミン酸を含有するが、この他に本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有してもよい。
たとえば、先に述べたｐＨ調整剤またはｐＨ緩衝剤は必要に応じて含有し、スラリーの粘性を調整するためにポリエチレングリコール、ポリエチレンイミンなどを含有してもよいし、研磨特性や分散安定性を高める目的で、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等の水溶性または水と混和しうる比誘電率の高い溶媒を含有してもよい。また、酸化剤、還元剤、微粒子の安定化剤となる樹脂、ディッシング防止剤、エロージョン防止剤等を含有してもよい。
【００３３】
本発明の研磨方法においては、研磨スラリーが２−ピリジンカルボン酸またはグルタミン酸を含有するので通常、研磨スラリーの砥粒のζ電位は正であり、被研磨体のζ電位は負となる。このようなものであると、砥粒と被研磨体の相互作用が強くなり好ましい。砥粒のζ電位は３０〜５０ｍＶ、被研磨体のζ電位は−５０〜−１０ｍＶであるのが好ましい。
【実施例】
【００３４】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。
（実施例１）
酸化セリウム（セリア、ＣｅＯ２）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）および酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を、ＣｅＯ２、ＢａＯおよびＢ２Ｏ３基準のモル％表示でそれぞれ３３．４％、１３．３％および５３．３％となるように秤量し、エタノール少量を用いて自動乳鉢でよく湿式混合した後、乾燥させて原料混合物とした。【００３５】
得られた原料混合物を、融液滴下用のノズルのついた白金製容器（ロジウムを１０質量％含有）に充填し、ケイ化モリブデンを発熱体とした電気炉において１３５０℃で２時間加熱し、完全に溶融させた。ついで、ノズル部を加熱し、融液を電気炉の下に設置された双ロール（ロール径：１５０ｍｍ、ロール回転数：３００ｒｐｍ、ロール表面温度：３０℃）に滴下し、フレーク状の固形物を得た。得られたフレーク状固形物は透明を呈し、粉末Ｘ線回折の結果、非晶質物質であることが確認された。【００３６】
この非晶質物質を、５ｍｍφのジルコニアボールを用いて８時間、乾式ボールミル粉砕を行って粉砕物を得た。
得られた粉砕物を７００℃で３２時間加熱し、セリア結晶を析出させた。
ついで、この結晶化物を８０℃に保った１ｍｏｌ／Ｌの酢酸水溶液中に添加し、１２時間撹拌した後、遠心分離、水洗浄、乾燥を行って砥粒たるセリア結晶微粒子（以下、微粒子Ａともいう）を得た。【００３７】
微粒子Ａの鉱物相を、Ｘ線回折装置を用いて同定した結果、立方晶を呈し、さらに既存のＣｅＯ２（ＪＣＰＤＳカード番号：３４−０３９４）の回折ピークと一致しており、ＣｅＯ２単相からなる結晶性の高い微粒子であることが判明した。また、微粒子Ａの結晶子径は３１ｎｍであり、平均一次粒子径は３２ｎｍであり、結晶子径：平均一次粒子径＝１：１．０であった。
なお、結晶子径はリガク社製Ｘ線回折装置（型式：ＲＩＮＴ２５００）により測定した回折線の広がりからシェラーの式に基づき算出し、平均一次粒子径はＭｉｃｒｏｍｅｔｒｉｃｓ社製比表面積測定装置（型式：ＡＳＡＰ２０２０）により多点ＢＥＴ法から求めた比表面積から真球近似をして算出した。【００３８】
さらに、微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０３６．５ｇと、２−ピリジンカルボン酸すなわち分散剤１３．５ｇとを混合し研磨スラリー原液を得た（分散剤の含有割合＝０．９質量％）。
この研磨スラリー原液についてスギノマシン社製湿式ジェットミル装置（形式：ＨＪＰ−２５００５）を用いて分散処理を行い、分散液Ａとした。分散液Ａの微粒子の結晶子径は３１ｎｍであり、結晶子径の減少は０％であった。【００３９】
次に、分散液Ａを微粒子Ａの濃度が２質量％となるように純水で濃度調整し、これを０．４質量％の２−ピリジンカルボン酸水溶液と質量比１：１となるようにして撹拌して混合し、研磨スラリー１を得た。なお、分散液Ａに添加された２−ピリジンカルボン酸は研磨スラリー１における含有割合として０．２質量％、研磨スラリー１中の砥粒の含有割合は１質量％である。
研磨スラリー１のメディアン径は１４８ｎｍであり、ｐＨは３．６であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は３８ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−１３ｍＶであった。
なお、メディアン径は日機装株式会社製粒度分布測定装置（型式：ＵＰＡ−ＳＴ１５０）を用いて求め、ゼータ電位は大塚電子社製ゼータ電位測定装置（形式：ＥＬＳ−８０００）を用いて測定した。【００４０】
そして、研磨スラリー１を用いて、スピードファム社製小型研磨機（形式：ＦＡＭ１２ＢＳ）でケイ酸塩ガラス基板の研磨を行った。その研磨レートは０．１１６μｍ／ｍｉｎであった。なお、この研磨レートは０．１μｍ／ｍｉｎ以上であることが好ましい。【００４１】
（実施例２）
前記分散液Ａを微粒子Ａの濃度が２質量％となるように純水で濃度調整し、これを１質量％の２−ピリジンカルボン酸水溶液と質量比１：１で混合して、研磨スラリー２を得た。なお、分散液Ａに添加された２−ピリジンカルボン酸は研磨スラリー２における含有割合として０．５質量％、研磨スラリー２中の砥粒の含有割合は１質量％である。
研磨スラリー２のメディアン径は１４８ｎｍであり、ｐＨは３．３であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は３８ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−１１ｍＶであった。
そして、研磨スラリー２を用いて実施例１と同様にして測定した研磨レートは０．１３５μｍ／ｍｉｎであった。【００４２】
（実施例３）
前記分散液Ａを微粒子Ａの濃度が２質量％となるように純水で濃度調整し、これを２質量％の２−ピリジンカルボン酸水溶液と質量比１：１で混合して、研磨スラリー３を得た。なお、分散液Ａに添加された２−ピリジンカルボン酸は研磨スラリー３における含有割合として１質量％、研磨スラリー３中の砥粒の含有割合は１質量％である。
研磨スラリー３のメディアン径は１４５ｎｍであり、ｐＨは３．２であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は３９ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−１４ｍＶであった。
そして、研磨スラリー３を用いて実施例１と同様にして測定した研磨レートは０．１１９μｍ／ｍｉｎであった。【００４３】
（参考例４）
微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０４５．５ｇと、グルタミン酸すなわち分散剤４．５ｇとを混合し研磨スラリー原液を得た（分散剤の含有割合＝０．３質量％）。
この研磨スラリー原液についてスギノマシン社製湿式ジェットミル装置（形式：ＨＪＰ−２５００５）を用いて分散処理を行い、分散液Ｂとした。分散液Ｂの微粒子の結晶子径は３１ｎｍであり、結晶子径の減少は０％であった。
前記分散液Ｂを微粒子Ａの濃度が２質量％となるように純水で濃度調整し、これを１質量％のグルタミン酸水溶液と質量比１：１で混合して、研磨スラリー４を得た。なお、分散液Ｂに添加された２−ピリジンカルボン酸は研磨スラリー４における含有割合として０．５質量％、研磨スラリー４中の砥粒の含有割合は１質量％である。
研磨スラリー４のメディアン径は１３７ｎｍであり、ｐＨは３．１であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は４４ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−４５ｍＶであった。
そして、研磨スラリー４を用いて実施例１と同様にして測定した研磨レートは０．１２５μｍ／ｍｉｎであった。
【００４４】
（実施例５）
酸化セリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）および酸化ホウ素を、ＣｅＯ２、ＢａＯ、ＣａＯおよびＢ２Ｏ３基準のモル％表示でそれぞれ１７．８％、４．４％、３５．６％および４２．２％となるように秤量し、エタノール少量を用いて自動乳鉢でよく湿式混合した後、乾燥させて原料混合物とした。【００４５】
得られた原料混合物を実施例１と同様にして溶融などしてフレーク状の固形物を得、これを粉砕した。
得られた粉砕物を８００℃で８時間加熱し、セリア−ジルコニア固溶体結晶を析出させた。
ついで、この結晶化物を８０℃に保った１ｍｏｌ／Ｌの酢酸水溶液中に添加し、１２時間撹拌した後、遠心分離、水洗浄、乾燥を行って砥粒たるセリア−ジルコニア固溶体結晶微粒子（以下、微粒子Ｂともいう）を得た。
微粒子Ｂの結晶子径は２２ｎｍであり、平均一次粒子径は２５ｎｍであり、結晶子径：平均一次粒子径＝１：１．１であった。【００４６】
さらに、微粒子Ｂ４５０ｇと、純水１０３６．５ｇと、２−ピリジンカルボン酸すなわち分散剤１３．５ｇとを混合し研磨スラリー原液を得た（分散剤の含有割合＝０．９質量％）。
この研磨スラリー原液についてスギノマシン社製湿式ジェットミル装置（形式：ＨＪＰ−２５００５）を用いて分散処理を行い、分散液Ｃとした。分散液Ｃの微粒子の結晶子径は２２ｎｍであり、結晶子径の減少は０％であった。【００４７】
次に、分散液Ｃを微粒子Ｂの濃度が１質量％となるように純水で濃度調整し、これを１質量％の２−ピリジンカルボン酸水溶液と質量比１：１で混合して、研磨スラリー５を得た。なお、分散液Ｃに添加された２−ピリジンカルボン酸は研磨スラリー５における含有割合として０．５質量％、研磨スラリー５中の砥粒の含有割合は１質量％である。
研磨スラリー５のメディアン径は１３２ｎｍであり、ｐＨは３．３であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は４３ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−１２ｍＶであった。
そして、研磨スラリー５を用いて実施例１と同様にして測定した研磨レートは０．１１０μｍ／ｍｉｎであった。【００４８】
（比較例１）
前記微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０４７．７ｇと、ポリアクリル酸アンモニウム２．３ｇとを混合し、分散処理を行った以外は実施例１と同様にして、分散液Ｄを得た。分散後の微粒子の結晶子径は３１ｎｍであり、結晶子径の減少は０％であった。
次に、上記分散液Ｄを微粒子濃度が３質量％となるように純水で濃度調整し、研磨スラリー１１を得た。研磨スラリー１１のメディアン径は１３１ｎｍであり、ｐＨは８．１であった。
さらに、研磨スラリー１１を用いて、実施例１と同様に研磨を行った。その研磨レートは０．０５５μｍ／ｍｉｎであり、微粒子のゼータ電位は−３８ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−４２ｍＶであった。【００４９】
（比較例２）
前記分散液Ｄを微粒子濃度が６質量％となるように純水で濃度調整し、１質量％の２−ピリジンカルボン酸水溶液と重量比１：１で混合して、研磨スラリー１２を得た。研磨スラリー１２のメディアン径は４８０ｎｍであり、ｐＨは７．０であった。
さらに、研磨スラリー１２を用いて、実施例１と同様に研磨を行った。その研磨レートは０．０３４μｍ／ｍｉｎであり、微粒子のゼータ電位は−４６ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−４３ｍＶであった。【００５０】
（比較例３）
前記微粒子Ｂ４５０ｇと、純水１０４７．７ｇと、ポリアクリル酸アンモニウム２．３ｇとを混合し、分散処理を行った以外は実施例１と同様にして、分散液Ｅを得た。分散後の微粒子の結晶子径は２２ｎｍであり、結晶子径の減少は０％であった。
次に、分散液Ｅを微粒子濃度が３質量％となるように純水で濃度調整し、研磨スラリー１３を得た。研磨スラリー１３のメディアン径は１２５ｎｍであり、ｐＨは８．１であった。
さらに、研磨スラリー１３を用いて、実施例１と同様に研磨を行った。その研磨レートは０．０６９μｍ／ｍｉｎであり、微粒子のゼータ電位は−４０ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−４５ｍＶであった。【００５１】
（比較例４）
前記微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０３６．５ｇと、２−ピリジンカルボン酸１３．５ｇとを混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアボールを用いたボールミルで７２時間、分散処理を行い、分散液Ｆを得た。分散後の微粒子の結晶子径は２５ｎｍであり、結晶子径の減少は１９％であった。【００５２】
次に、分散液Ｆを微粒子濃度が微粒子濃度が２質量％となるように純水で濃度調整し、１質量％の２−ピリジンカルボン酸水溶液と重量比１：１で混合して、研磨スラリー１４を得た。研磨スラリー１４のメディアン径は９９ｎｍであり、ｐＨは３．８であった。
さらに、研磨スラリー１４を用いて、実施例１と同様に研磨を行った。その研磨レートは０．０４０μｍ／ｍｉｎであり、微粒子のゼータ電位は４１ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−８ｍＶであった。【００５３】
（比較例５）
前記微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０４７．７ｇと、ポリアクリル酸アンモニウム２．３ｇとを混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアボールを用いたボールミルで７２時間、分散処理を行い、分散液Ｇを得た。分散後の微粒子の結晶子径は２５ｎｍであり、結晶子径の減少は１９％であった。
次に、分散液Ｇを微粒子濃度が微粒子濃度が３質量％となるように純水で濃度調整し、研磨スラリー１５を得た。研磨スラリー１５のメディアン径は７２ｎｍであり、ｐＨは８．２であった。
さらに、研磨スラリー１５を用いて、実施例１と同様に研磨を行った。その研磨レートは０．００５μｍ／ｍｉｎであり、微粒子のゼータ電位は−３９ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−４２ｍＶであった。【００５４】
（比較例６）
粒子径３０ｎｍのコロイダルシリカを１５．７質量％に濃度調整し、硝酸でｐＨ２として、研磨スラリー１６を得た。研磨スラリー１６のメディアン径は３７ｎｍであった。
さらに、研磨スラリー１６を用いて、実施例１と同様に研磨を行った。その研磨レートは０．０４０μｍ／ｍｉｎであり、微粒子のゼータ電位は−２ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−４ｍＶであった。【００５５】
（比較例７）
前記微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０５０ｇとを混合し、スギノマシン社製湿式ジェットミル装置（形式：ＨＪＰ−２５００５）を用いて分散処理を行った。得られたスラリーは沈降性であり、分散しなかった。【００５６】
（比較例８）
前記微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０４５．５ｇと、グリシン４．５ｇとを混合し、スギノマシン社製湿式ジェットミル装置（形式：ＨＪＰ−２５００５）を用いて分散処理を行った。得られたスラリーは沈降性であり、分散しなかった。【００５７】
（比較例９）
前記微粒子Ａ４５０ｇと、純水１０４５．５ｇと、２、３−ピリジンジカルボン酸４．５ｇとを混合し、スギノマシン社製湿式ジェットミル装置（形式：ＨＪＰ−２５００５）を用いて分散処理を行った。得られたスラリーは沈降性であり、分散しなかった。【００５８】
（比較例１０）
前記分散液Ａを微粒子Ａの濃度が１質量％となるように純水で濃度調整し、研磨スラリー１７を得た。研磨スラリー１７のメディアン径は１４８ｎｍであり、ｐＨは４．２であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は２５ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−１８ｍＶであった。
そして、研磨スラリー１７を用いて実施例１と同様にして測定した研磨レートは０．０３７μｍ／ｍｉｎであった。【００５９】
（比較例１１）
前記分散液Ｂを微粒子Ａの濃度が１質量％となるように純水で濃度調整し、研磨スラリー１８を得た。研磨スラリー１８のメディアン径は１４１ｎｍであり、ｐＨは３．８であり、砥粒たる微粒子のゼータ電位は１７ｍＶであり、ガラス基板のゼータ電位は−３５ｍＶであった。
そして、研磨スラリー１８を用いて実施例１と同様にして測定した研磨レートは０．０３１μｍ／ｍｉｎであった。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
磁気ディスク、光ディスク、半導体デバイス、ディスプレイなどのガラス基板や光学レンズなどの研磨に利用できる。
なお、２００８年１０月１日に出願された日本特許出願２００８−２５６１０３号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。