(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング動作を行う半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子が表面側に実装されたプリント基板と、
前記プリント基板の表面側に配置され、前記半導体スイッチング素子から発生する熱を放熱する導電体と、
前記プリント基板の表面側に形成され、前記半導体スイッチング素子のスイッチング動作にて電位が変動しない端子に接続された第１プリントパターンと、
前記プリント基板の裏面側に形成され、前記半導体スイッチング素子のスイッチング動作にて電位が変動する端子に接続された第２プリントパターンと、を備え、
前記第２プリントパターンと前記導電体とが重なり合う領域が覆われるように前記第１プリントパターンを配置することを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記第１プリントパターンと前記導電体とが重なり合う領域は、前記第２プリントパターンと前記導電体とが重なり合う領域よりも面積が大きいことを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力変換装置に関し、特に、電力変換装置に用いられる半導体デバイスの実装方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
インバータなどの半導体電力変換装置からは伝導・放射ノイズが発生し、電子機器メーカは、この伝導・放射ノイズの規格に準拠した製品を製造および販売する必要がある。
図７は、インバータを用いた半導体電力変換装置の一例を示す図である。
図７において、三相交流電源１０１は、整流器１０２および平滑コンデンサＣ４を介してインバータ１０３に接続され、インバータ１０３はモータ１０４に接続されている。そして、三相交流電源１０１の各相は、コモンモードノイズを低減するために、接地コンデンサＣ１〜Ｃ３をそれぞれ介して接地されている。ここで、整流器１０２には、整流ダイオードＤ１〜Ｄ６が設けられるとともに、インバータ１０３には、スイッチング素子Ｍ１１〜Ｍ１６およびスイッチング素子Ｍ１１〜Ｍ１６にそれぞれ逆並列接続された帰還ダイオードＤ１１〜Ｄ１６が設けられている。
【０００３】
なお、スイッチング素子Ｍ１１〜Ｍ１６としては、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いることができる。
そして、三相交流電源１０１にて生成された交流電圧は整流器１０２および平滑コンデンサＣ４にて直流電圧に変換され、整流器１０２および平滑コンデンサＣ４にて生成された直流電圧はインバータ１０３にて交流電圧に変換されてモータ１０４に供給される。
【０００４】
ここで、各スイッチング素子Ｍ１１〜Ｍ１６と各帰還ダイオードＤ１１〜Ｄ１６の組で基本回路（アーム）が構成され、インバータ１０３は、この基本回路を６個用いることで構成することができる。
そして、インバータモジュールは、冷却のためにヒートシンク１０５上に設置され、このヒートシンク１０５は、一般に安全のためにアース電位に接続される。
【０００５】
なお、インバータモジュールは、ＩＧＢＴのディスクリート構成とする方法の他、上下アーム２素子分を１組（２ｉｎ１タイプ）とするか、あるいは６素子分を１組（６ｉｎ１タイプ）として構成することができ、３相インバータでは、ディスクリート構成のＩＧＢＴを２直列−３並列接続する方法の他、２素子の組を３並列接続するか、６素子の組をそのまま用いることができる。
【０００６】
図８は、ディスクリート構成のＩＧＢＴの外観構成を示す斜視図である。
図８において、ＩＧＢＴ１１１は封止樹脂にて封止され、ＩＧＢＴ１１１のゲート端子１１１ａ、正側出力端子に接続されるコレクタ端子１１１ｂおよび負側出力端子に接続されるエミッタ端子１１１ｃが封止樹脂から取り出されている。
【０００７】
図９は、従来のＩＧＢＴの実装方法を示す斜視図、図１０は、従来のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
図９および図１０において、ＩＧＢＴ１１１にてインバータを構成する場合、ＩＧＢＴ１１１は、放熱のためにアース電位に接続されたヒートシンク１２３にねじ止めされる。例えば、三相インバータでは、上アーム用として３個、下アーム用として３個のＩＧＢＴ１１１を１組として同一のヒートシンク１２３にねじ止めすることができる。
そして、ヒートシンク１２３にねじ止めされたＩＧＢＴ１１１は、プリントパターン１２２が形成されたプリント基板１２１上に実装され、ゲート端子１１１ａ、コレクタ端子１１１ｂおよびエミッタ端子１１１ｃがプリントパターン１２２に接続される。
【０００８】
ここで、ＩＧＢＴ１１１を構成する半導体チップを出力端子と接続できるようにするために、ＩＧＢＴ１１１のパッケージ内部では半導体チップは金属パターン上に実装される。そして、ＩＧＢＴ１１１をヒートシンク１２３上に搭載すると、ＩＧＢＴ１１１のパッケージ内部の金属パターンとヒートシンク１２３とが対向するように配置されることから、ＩＧＢＴ１１１のコレクタとヒートシンク１２３との間に浮遊容量Ｃ１２２が形成される。
【０００９】
また、ヒートシンク１２３にねじ止めされたＩＧＢＴ１１１をプリント基板１２１上に実装すると、プリントパターン１２２とヒートシンク１２３とが対向するように配置されることから、プリントパターン１２２とヒートシンク１２３との間の静電結合によって浮遊容量Ｃ１２１が形成されるとともに、プリントパターン１２２が互いに近接して配置されると、プリントパターン１２２間にも浮遊容量が形成される。
【００１０】
すなわち、簡単のためにＩＧＢＴ１１１の周辺の静電結合に限定して考えると、直流中間コンデンサの正極と上アーム用のＩＧＢＴ１１１のコレクタを接続するプリントパターン１２２をパターンＡ、上アーム用のＩＧＢＴ１１１のエミッタと下アーム用のＩＧＢＴ１１１のコレクタを接続するプリントパターン１２２をパターンＢ、下アーム用のＩＧＢＴ１１１のエミッタと直流中間コンデンサの負極を接続するプリントパターン１２２をパターンＣとすると、プリントパターンＡ、Ｂ、Ｃとヒートシンク１２３との間、プリントパターンＡ、Ｂ間、プリントパターンＢ、Ｃ間、プリントパターンＡ、Ｃ間の静電結合によって浮遊容量が形成される。
【００１１】
図１１は、図７の２素子構成のインバータを用いた場合におけるコモンモード電流経路を示す図である。
図１１において、インバータモジュールは、アース電位と同電位のヒートシンク１０５上に実装され、上アーム側コレクタとヒートシンク１０５との間および下アーム側コレクタとヒートシンク１０５との間に形成される浮遊容量Ｃ５、Ｃ６もアース電位に接続される。これらの浮遊容量Ｃ５、Ｃ６の充放電電流がコモンモード電流となり、このコモンモード電流は、浮遊容量C５、Ｃ６を通るコモンモード電流経路ＲＣを介して主に流れる。同様に、プリントパターン１２２とヒートシンク１２３との間の浮遊容量Ｃ１２１の充放電電流がコモンモード電流となる。
【００１２】
そして、伝導ノイズや放射ノイズの大きさはコモンモード電流の大きさに依存し、コモンモード電流の大きさは上下アーム接続点とアースとの間の浮遊容量に比例することから、上下アーム接続点とアースとの間の浮遊容量が大きくなるに従って、伝導ノイズや放射ノイズも大きくなる。
また、特許文献１には、電力変換回路から浮遊容量を介して流れる充放電電流によって発生する不要電磁波を、電力変換回路の半導体モジュール内の電流ループの面積を小さくすることで低く抑えられるようにするために、電力変換回路を構成する半導体モジュールに直流正側電位の出力電極、直流負側電位の出力電極および負荷と接続される出力電極のほかに、アース電位等と同電位となる出力電極を設けるとともに、これを、銅バーを介してアース電位と同電位の銅ベースへ接続する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−７８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来のＩＧＢＴ１１１の実装方法では、プリントパターン１２２とヒートシンク１２３とが対向するように配置される。このため、プリントパターン１２２とヒートシンク１２３との間の浮遊容量Ｃ１２１が増大し、コモンモード電流が増加することから、伝導ノイズや放射ノイズを増大させる要因となるという問題があった。
また、特許文献１に開示された方法では、コモンモード電流経路を小さくすることができるが、プリントパターン１２２とヒートシンク１２３との間の浮遊容量Ｃ１２１については考慮されていないため、コモンモード電流の大きさを低減することができないという問題があった。
そこで、本発明の目的は、半導体スイッチング素子の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能な電力変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の電力変換装置によれば、スイッチング動作を行う半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子が表面側に実装されたプリント基板と、前記プリント基板の表面側に配置され、前記半導体スイッチング素子から発生する熱を放熱する導電体と、前記プリント基板の表面側に形成され、前記半導体スイッチング素子のスイッチング動作にて電位が変動しない端子に接続された第１プリントパターンと、前記プリント基板の裏面側に形成され、前記半導体スイッチング素子のスイッチング動作にて電位が変動する端子に接続された第２プリントパターンと、を備え、前記第２プリントパターンと前記導電体とが重なり合う領域が覆われるように前記第１プリントパターンを配置することを特徴とする。
【００１６】
これにより、プリントパターンと導電体とを重ねて配置した場合においても、プリントパターンと導電体との間に形成される浮遊容量を小さくすることが可能となる。このため、実装面積の増大を抑制しつつ、半導体スイッチング素子の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となり、伝導ノイズや放射ノイズを低減することができる。
【００１７】
また、第２プリントパターンから導電体に到達する電気力線を第１プリントパターンにて遮蔽することができ、第２プリントパターンと導電体とを重ねて配置した場合においても、第２プリントパターンと導電体との間に形成される浮遊容量を小さくすることが可能となることから、実装面積の増大を抑制しつつ、半導体スイッチング素子の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となる。
【００１８】
また、請求項２記載の電力変換装置によれば、前記第１プリントパターンと前記導電体とが重なり合う領域は、前記第２プリントパターンと前記導電体とが重なり合う領域よりも面積が大きいことを特徴とする。
これにより、第２プリントパターンから導電体に到達する電気力線を減らすことができ、第２プリントパターンと導電体との間に形成される浮遊容量を小さくすることが可能となることから、半導体スイッチング素子の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る電力変換装置によれば、プリントパターンと導電体との間に形成される浮遊容量を小さくすることが可能となり、半導体スイッチング素子の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となることから、伝導ノイズや放射ノイズを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に関連する第１実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第６実施形態に係る電力変換装置の概略構成を回路的に示す図である。
【図７】インバータを用いた半導体電力変換装置の一例を示す図である。
【図８】ディスクリート構成のＩＧＢＴの外観構成を示す斜視図である。
【図９】従来のＩＧＢＴの実装方法を示す斜視図である。
【図１０】従来のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
【図１１】図７の２素子構成のインバータを用いた場合におけるコモンモード電流経路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態に係る電力変換装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明に関連する第１実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
図１において、ＩＧＢＴ１４は、放熱のためにアース電位に接続されたヒートシンク１３にねじ止めされている。例えば、三相インバータでは、上アーム用として３個、下アーム用として３個のＩＧＢＴ１４を１組として同一のヒートシンク１３にねじ止めすることができる。
【００２４】
そして、ヒートシンク１３にねじ止めされたＩＧＢＴ１４は、プリントパターン１２が形成されたプリント基板１１上に実装され、ＩＧＢＴ１４のゲート端子、コレクタ端子およびエミッタ端子がプリントパターン１２に接続される。
ここで、ヒートシンク１３は、ＩＧＢＴ１４のスイッチング動作にて電位が変動する端子に接続されたプリントパターン１２と対向しない位置に配置することができる。例えば、ＩＧＢＴ１４を用いて三相インバータを構成した場合、上下アーム接続点に接続されたプリントパターン１２はヒートシンク１３と対向しない位置に配置することができる。
【００２５】
これにより、プリントパターン１２とヒートシンク１３とを離して配置することが可能となり、コンデンサの静電容量は電極面積および比誘電率に比例し、電極間距離に反比例することから、プリントパターン１２とヒートシンク１３との間に形成される浮遊容量Ｃ１１を小さくすることが可能となる。このため、ＩＧＢＴ１４の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となり、伝導ノイズや放射ノイズを低減することができる。
【００２６】
図２は、本発明の第２実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
図２において、ＩＧＢＴ２４は、放熱のためにアース電位に接続されたヒートシンク２３にねじ止めされている。例えば、三相インバータでは、上アーム用として３個、下アーム用として３個のＩＧＢＴ２４を１組として同一のヒートシンク２３にねじ止めすることができる。
【００２７】
また、プリント基板２１の表面には、プリントパターン２２ｂが形成されるとともに、プリント基板２１の裏面には、プリントパターン２２ｂと対向するようにしてプリントパターン２２ａが形成されている。そして、ヒートシンク２３にねじ止めされたＩＧＢＴ２４は、プリント基板２１の表面側に実装され、ＩＧＢＴ２４のスイッチング動作にて電位が変動しない端子はプリントパターン２２ｂに接続されるとともに、ＩＧＢＴ２４のスイッチング動作にて電位が変動する端子はプリントパターン２２ａに接続されている。なお、ＩＧＢＴ２４のスイッチング動作にて電位が変動する端子をプリントパターン２２ａに接続する方法としては、例えば、プリント基板２１に形成されたスルーホールを介して行うことができる。
【００２８】
例えば、ＩＧＢＴ２４を用いて三相インバータを構成した場合、上下アーム接続点となる端子はプリントパターン２２ａに接続し、電力変換器の正極や負極に接続される端子はプリントパターン２２ｂに接続することができる。ここで、プリントパターン２２ｂはヒートシンク２３との間で浮遊容量を形成した場合においても、ＩＧＢＴ２４のスイッチング動作にて電位が変動しないことから、コモンモード電流が流れることはない。一方、プリントパターン２２ａと対向するようにしてプリントパターン２２ｂを形成することにより、プリントパターン２２ａ、２２ｂ間の静電結合を強めることができ、プリントパターン２２ａからヒートシンク２３に到達する電気力線をプリントパターン２２ｂにて遮蔽することができる。
【００２９】
これにより、プリントパターン２２ａとヒートシンク２３とを重ねて配置した場合においても、プリントパターン２２ａとヒートシンク２３との間に形成される浮遊容量Ｃ２１を小さくすることが可能となることから、実装面積の増大を抑制しつつ、ＩＧＢＴ２４の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となり、伝導ノイズや放射ノイズを低減することができる。
【００３０】
図３は、本発明の第３実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
図３において、ＩＧＢＴ３４は、放熱のためにアース電位に接続されたヒートシンク３３にねじ止めされている。例えば、三相インバータでは、上アーム用として３個、下アーム用として３個のＩＧＢＴ３４を１組として同一のヒートシンク３３にねじ止めすることができる。
また、プリント基板３１の表面には、プリントパターン３２ｂが形成されるとともに、プリント基板３１の裏面には、プリントパターン３２ａが形成されている。ここで、プリントパターン３２ｂは、プリントパターン３２ａとヒートシンク３３とが重なり合う領域が覆われるようにプリント基板３１の表面に配置するとともに、プリントパターン３２ｂに流れる電流を確保するための必要最小限の面積に設定することができる。
【００３１】
そして、ヒートシンク３３にねじ止めされたＩＧＢＴ３４は、プリント基板３１の表面側に実装され、ＩＧＢＴ３４のスイッチング動作にて電位が変動しない端子はプリントパターン３２ｂに接続されるとともに、ＩＧＢＴ３４のスイッチング動作にて電位が変動する端子はプリントパターン３２ａに接続されている。
例えば、ＩＧＢＴ３４を用いて三相インバータを構成した場合、上下アーム接続点に接続される端子はプリントパターン３２ａに接続し、電力変換器の正極や負極に接続される端子はプリントパターン３２ｂに接続することができる。ここで、プリントパターン３２ｂはヒートシンク３３との間で浮遊容量を形成した場合においても、ＩＧＢＴ３４のスイッチング動作にて電位が変動しないことから、コモンモード電流が流れることはない。一方、プリントパターン３２ａと対向するようにしてプリントパターン３２ｂを形成することにより、プリントパターン３２ａ、３２ｂ間の静電結合を強めることができ、プリントパターン３２ａからヒートシンク３３に到達する電気力線をプリントパターン２２ｂにて遮蔽することができる。
【００３２】
これにより、プリントパターン３２ａとヒートシンク３３とを重ねて配置した場合においても、プリントパターン３２ａとヒートシンク３３との間に形成される浮遊容量Ｃ３１を小さくすることが可能となり、実装面積の増大を抑制しつつ、ＩＧＢＴ３４の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となる。
【００３３】
図４は、本発明の第４実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
図４において、ＩＧＢＴ４４は、放熱のためにアース電位に接続されたヒートシンク４３にねじ止めされている。例えば、三相インバータでは、上アーム用として３個、下アーム用として３個のＩＧＢＴ４４を１組として同一のヒートシンク４３にねじ止めすることができる。
【００３４】
また、プリント基板４１の表面には、プリントパターン４２ｂが形成されるとともに、プリント基板４１の裏面には、プリントパターン４２ａが形成されている。ここで、プリントパターン４２ｂは、プリントパターン４２ａとヒートシンク４３とが重なり合う領域が覆われるようにプリント基板４１の表面に配置するとともに、プリントパターン４２ｂとヒートシンク４３とが重なり合う領域は、プリントパターン４２ａとヒートシンク４３とが重なり合う領域よりも面積が大きくなるように設定することができる。そして、ヒートシンク４３にねじ止めされたＩＧＢＴ４４は、プリント基板４１の表面側に実装され、ＩＧＢＴ４４のスイッチング動作にて電位が変動しない端子はプリントパターン４２ｂに接続されるとともに、ＩＧＢＴ４４のスイッチング動作にて電位が変動する端子はプリントパターン４２ａに接続されている。
【００３５】
例えば、ＩＧＢＴ４４を用いて三相インバータを構成した場合、上下アーム接続点に接続される端子はプリントパターン４２ａに接続し、電力変換器の正極や負極に接続される端子はプリントパターン４２ｂに接続することができる。ここで、プリントパターン４２ｂはヒートシンク４３との間で浮遊容量を形成した場合においても、ＩＧＢＴ４４のスイッチング動作にて電位が変動しないことから、コモンモード電流が流れることはない。一方、プリントパターン４２ａと対向するようにしてプリントパターン４２ｂを形成することにより、プリントパターン４２ａ、４２ｂ間の静電結合を強めることができ、プリントパターン４２ａからヒートシンク４３に到達する電束をプリントパターン４２ｂにて遮蔽することができる。
【００３６】
これにより、プリントパターン４２ａとヒートシンク４３とを重ねて配置した場合においても、プリントパターン４２ａからヒートシンク４３に到達する電気力線を減らすことができ、プリントパターン４２ａとヒートシンク４３との間に形成される浮遊容量Ｃ４１を小さくすることが可能となることから、実装面積の増大を抑制しつつ、ＩＧＢＴ４４の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となる。
【００３７】
図５は、本発明の第５実施形態に係る電力変換装置のＩＧＢＴの実装方法を示す断面図である。
図５において、２ｉｎ１タイプのＩＧＢＴ５４は、放熱のためにアース電位に接続されたヒートシンク５３にねじ止めされている。また、プリント基板５１の表面にはプリントパターン５２が形成され、プリントパターン５２はスルーホール５７を介してプリント基板５１の裏面に引き出されている。そして、ＩＧＢＴ５４の出力端子に接続された電極５６は、バスバー５５を介してプリントパターン５２に接続されている。
ここで、プリントパターン５２は、ＩＧＢＴ５４のスイッチング動作にて電位が変動する端子に接続することができ、例えば、ＩＧＢＴ５４を用いて三相インバータを構成した場合、上下アーム接続点に接続することができる。
【００３８】
また、プリントパターン５２の面積が大きい場合、プリントパターン５２はヒートシンク５３と対向するように配置することができる。このような構成にするのは以下の理由からである。プリント基板はたかだか１〜２mm程度の厚さであるに対し、一般的に基板に使用されるFR4は比誘電率４〜５程度ある。基板の裏面にパターンをひくことで、浮遊容量の電極間距離が約１〜２mm長くなるが、基板比誘電率が大気（比誘電率１）より大きいために、静電容量が増加してしまう。したがって、別のプリントパターンによる遮蔽が困難な場合には、スイッチングにより激しく電位変動するパターンをヒートシンクに対向した位置に配置した方が、問題となる浮遊容量は小さく、漏れ電流は少なくなる。
【００３９】
ここで、ヒートシンク５３と対向するようにプリントパターン５２を配置する場合、プリントパターン５２に流れる電流を確保するための必要最小限の面積に設定する。
これにより、プリントパターン５２とヒートシンク５３とが対向して配置された場合においても、プリントパターン５２の面積を極力小さくすることが可能となることから、プリントパターン５２とヒートシンク５３との間に形成される浮遊容量Ｃ５１を小さくすることが可能となる。このため、ＩＧＢＴ５４の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となり、伝導ノイズや放射ノイズを低減することができる。
【００４０】
なお、上述した実施形態では、スイッチング素子としてＩＧＢＴを例にとって説明したが、パワーＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタを用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、ディスクリート構成のＩＧＢＴを用いて三相インバータを構成する方法を例にとって説明したが、本発明はインバータのアーム数や半導体の種類を問うことなく適用することができる。
【００４１】
さらに、上述した実施形態では、ヒートシンクがアースされている場合を例にとって説明したが、ヒートシンクがアースされてない場合に適用してもよい。
また、上述した実施形態では、スイッチングアームの直列回路で構成したインバータを例にとって説明したが、スイッチング素子が一つだけからなる電力変換装置に適用してもよい。
【００４２】
図６は、本発明の第６実施形態に係る電力変換装置の概略構成を回路的に示す図である。
図６において、フライバックコンバータでは、図１１のスイッチング素子Ｍ１１および帰還ダイオードＤ１１の代わりに、トランス６２の１次側が上アーム側に接続される。そして、トランス６２の２次側には、ダイオードＤ６１を介してコンデンサＣ６１と抵抗Ｒ６１との並列回路が接続されている。
【００４３】
ここで、トランス６２とスイッチング素子Ｍ１４との接続点がプリントパターン６１に接続されるものとすると、スイッチング素子Ｍ１４の放熱に使われるヒートシンクは、プリントパターン６１と対向しない位置に配置することができる。あるいは、スイッチング素子Ｍ１４のスイッチング動作にて電位が変動しないプリントパターンをプリント基板の表面に形成するとともに、スイッチング素子Ｍ１４のスイッチング動作にて電位が変動するプリントパターンをプリント基板の裏面に形成し、スイッチング素子Ｍ１４の放熱に使われるヒートシンクをプリント基板の表面に配置するようにしてもよい。
【００４４】
これにより、スイッチング素子が一つだけからなる電力変換装置に適用した場合においても、プリントパターン６１とヒートシンクとの間に形成される浮遊容量を小さくすることが可能となり、スイッチング素子Ｍ１４の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制することが可能となる。
【符号の説明】
【００４５】
１１、２１、３１、４１、５１…プリント基板
１２、２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂ、４２ａ、４２ｂ、５２…プリントパターン
１３、２３、３３、４３、５３…ヒートシンク
１４、２４、３４、４４、５４…ＩＧＢＴ
５５…バスバー
５６…電極
５７…スルーホール
Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ３１、Ｃ４１、Ｃ５１…浮遊容量
【図１】
0005516623.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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