(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表わされ、
０≦ｘ≦０．２０，
０≦ｙ≦０．４０，
０．００１≦ａ≦０．２０
の条件を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、前記ぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有するとともに、
前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、前記元素群より選ばれる元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有し、
Ｃａ，Ｓｒの割合であるｘ，ｙが
０≦ｘ≦０．２０，
０≦ｙ≦０．４０，
０．０６≦ｘ＋ｙ≦０．４
の要件を満たすこと
を特徴とする誘電体セラミック。
【請求項２】
（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表わされ、
０≦ｘ≦０．２０，
０≦ｙ≦０．４０，
０．００１≦ａ≦０．２０
の条件を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有するとともに、
前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、前記元素群より選ばれる元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有し、
Ｃａ，Ｓｒの割合であるｘ，ｙが、ｘ＝０，ｙ＝０であり、かつ、
前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂからなる希土類元素群より選ばれる少なくとも１種を、前記希土類元素に換算して０．０２ｍｏｌ部以上、０．０４ｍｏｌ部以下の割合で含有すること
を特徴とする誘電体セラミック。
【請求項３】
複数の誘電体層と複数の内部電極とが一体的に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層が、請求項１または２記載の誘電体セラミックから形成されていること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体セラミックおよびそれを用いたコンデンサに関し、詳しくは、ＢａＴｉＯ3系の誘電体セラミックおよびそれを誘電体層の構成材料として用いた積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型・軽量化にともない、小型で、大容量を取得することが可能な積層セラミックコンデンサが広く用いられている。この積層セラミックコンデンサは、例えば、図１に示すように、セラミック積層体（積層セラミック素子）１０の内部に配設された内部電極１２が、誘電体層であるセラミック層（誘電体セラミック層）１１を介して積層され、かつ、セラミック積層体１０の両端面には、交互に逆側の端面に露出した内部電極１２と導通するように一対の外部電極１３ａ，１３ｂが配設された構造を有している。
【０００３】
そして、このような積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体セラミック層を構成する材料として、高い誘電率を有するＢａＴｉＯ3系セラミック材料が広く用いられている。
【０００４】
ところで、積層セラミックコンデンサにおいて、さらなる小型化を進めようとすると、セラミック層（誘電体セラミック層）を薄層化することが必要になる。
【０００５】
しかしながら、セラミック層が薄くなると、一層あたりにかかる電界強度が相対的に大きくなり、高温環境下などにおける寿命特性が低下するという問題点がある。
【０００６】
そこで、このような問題点を解決する誘電体セラミックとして、Ｂａ，ＣａおよびＴｉを含有し、かつ、一般式ＡＢＯ3 で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Ａの酸化物（ただし、Ａは６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの範囲にある陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）を含む第５副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物は、Ｃａ元素を含有する複数の結晶粒子から構成されており、各結晶粒子の粒子内全体におけるＣａ濃度の平均値を粒内Ｃａ濃度とした場合に、結晶粒子の相互間における粒内Ｃａ濃度に、ＣＶ値で５％以上のばらつきが存在する誘電体磁器組成物（誘電体セラミック）が提案されている（特許文献１参照）。
そして、特許文献１においては、この誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、寿命などの特性に優れているとされている。
【０００７】
しかしながら、この特許文献１の誘電体磁器組成物を用いた場合にも、薄層化、小型化が進んだ近年の積層セラミックコンデンサにおいては、必ずしも近年求められているような特性を十分に実現することができないのが実情である。そのため、さらに寿命特性などの特性に優れた積層セラミックコンデンサを構成することが可能な誘電体セラミックの開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１９９５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の誘電体セラミックは、
（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表わされ、
０≦ｘ≦０．２０，
０≦ｙ≦０．４０，
０．００１≦ａ≦０．２０
の条件を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、前記ぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有するとともに、
前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、前記元素群より選ばれる元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有し、
Ｃａ，Ｓｒの割合であるｘ，ｙが
０≦ｘ≦０．２０，
０≦ｙ≦０．４０，
０．０６≦ｘ＋ｙ≦０．４
の要件を満たすこと
を特徴としている。
【００１１】
また、本発明の誘電体セラミックは、
（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表わされ、
０≦ｘ≦０．２０，
０≦ｙ≦０．４０，
０．００１≦ａ≦０．２０
の条件を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有するとともに、
前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、前記元素群より選ばれる元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有し、
Ｃａ，Ｓｒの割合であるｘ，ｙが、ｘ＝０，ｙ＝０であり、かつ、
前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂからなる希土類元素群より選ばれる少なくとも１種を、前記希土類元素に換算して０．０２ｍｏｌ部以上、０．０４ｍｏｌ部以下の割合で含有すること
を特徴としている。
【００１２】
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが一体的に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層が、請求項１または２記載の誘電体セラミックから形成されていること
を特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の誘電体セラミックは、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表わされ、０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．００１≦ａ≦０．２０を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、このぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させるとともに、ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、前記元素群より選ばれる元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有し、Ｃａ，Ｓｒの割合であるｘ，ｙが０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．０６≦ｘ＋ｙ≦０．４の要件を満たすようにしているので、本発明の誘電体セラミックを用いて誘電体層を形成してなる積層セラミックコンデンサは、高温や高電界強度の環境下でも、良好な信頼性（寿命特性）を確保することが可能である。
【００１４】
すなわち、本発明の誘電体セラミックにおいては、Ｇｅが、ペロブスカイト型複合酸化物をＡＢＯ3で表した場合におけるＢサイトに固溶することにより、酸素空孔の拡散が起こりにくくなる（Ｇｅが酸素空孔を安定化させる）と考えられ、その結果、高温や高電界強度の環境下における寿命特性（具体的には、高温負荷試験における寿命特性）が改善されるものと推測される。
【００１５】
また、上記ぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させる（Ｓｉを０．２０ｍｏｌ部以下の割合で含有させる）ようにしているので、それほど高い温度で焼成することを必要とせずに、寿命特性に優れた誘電体セラミックを提供することが可能になる。
【００１６】
なお、上記のように、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させるのが好ましいのは、Ｓｉを含有させない場合、例えば１３００℃を超えるような高温で焼成しても、十分に焼結させることができず、緻密な誘電体セラミックを得ることが困難であること、また、Ｓｉの割合が０．２０ｍｏｌ部を超える場合、二次相の生成や異常な粒成長が生じ、絶縁抵抗値が低下する傾向があることによる。
【００１７】
また、本発明の誘電体セラミックにおいては、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表されるぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対し、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有させるようにしているので、特性を制御して、所望の特性を備えた誘電体セラミックを実現することが可能になる。
【００１８】
また、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3で表わされ、０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．００１≦ａ≦０．２０を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、このぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させるとともに、ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、前記元素群より選ばれる元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有させ、Ｃａ，Ｓｒの割合であるｘ、ｙが、ｘ＝０，ｙ＝０であり、かつ、前記ペロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂからなる希土類元素群より選ばれる少なくとも１種を、前記希土類元素に換算して０．０２ｍｏｌ部以上、０．０４ｍｏｌ部以下の割合で含有させるようにした場合にも、上述の本発明の誘電体セラミックの場合と同様の効果を得ることができる。
【００１９】
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層が、本発明の誘電体セラミックから形成されているので、高温や高電界強度の環境のもとでも、良好な信頼性（寿命特性）を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２２】
(Ａ)誘電体セラミック原料の作製
まず、主成分原料として、ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，ＧｅＯ2の各粉末を準備した。
それから、これらの粉末を表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃに示す組成になるように秤量した後、ボールミルにより混合し、乾燥することにより混合粉末を得た。
【００２３】
次に、この混合粉末を１０００℃前後で仮焼して合成することにより、本発明の誘電体セラミックの主成分となるペロブスカイト型複合酸化物：（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3の粉末を作製した。
【００２４】
なお、この実施例１では、主成分原料として、各元素の酸化物もしくは炭酸塩を使用したが、各元素の他の化合物を用いることも可能であり、その場合にも同様の効果が得られる。
【００２５】
また、この実施例１では、仮焼による方法で（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3を合成するようにしたが、本発明の誘電体セラミックの主成分となるペロブスカイト型複合酸化物は、共沈法、水熱法、蓚酸法などの他の方法で合成することも可能である。
【００２６】
それから、上述のようにして作製した各（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3１ｍｏｌ部に対して、表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃに示した割合になるように、
(１)Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕからなる元素（以下、「Ｎ元素」ともいう）群より選ばれる少なくとも１種の化合物（この実施例では酸化物）と、
(２)Ｍｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａからなる元素（以下、「Ｍ元素」ともいう）群より選ばれる少なくとも１種の化合物（この実施例では酸化物）と、
(３)希土類元素（この実施例では、Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂからなる元素群より選ばれる少なくとも１種）の化合物（この実施例では酸化物）と、
(４)ＳｉＯ2と
を加え、ボールミルにより水中にて混合した後、乾燥することにより、表１Ａ，表１Ｂおよび表１Ｃに示すような組成を有する、試料番号１〜２３の誘電体セラミック原料を得た。
【００２７】
(Ｂ)積層セラミックコンデンサの作製
上記(Ａ)で作製した誘電体セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダーおよび有機溶媒（この実施例１ではエタノール）を加えて、ボールミルにより所定の時間、湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。
【００２８】
このセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、焼成後の誘電体素子厚（誘電体セラミック層の厚み）が３．０μｍになるようなセラミックグリーンシートを得た。
【００２９】
次に、上記セラミックグリーンシート上に、ニッケル粉末を導電成分とする導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成後に内部電極となる導電ペースト層（内部電極パターン）を形成した。
【００３０】
その後、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを、内部電極パターンが交互に逆側に引き出されるような態様で有効誘電体層（コンデンサ形成層）の層数が１５０層となるように積層し、さらに、上下両面側に、導電ペーストパターンが形成されていないセラミックグリーンシートを外層として積層することにより、積層ブロックを作製した。
なお、積層ブロックを作製する際の各セラミックグリーンシートの積層順序に、特別の制約はない。
【００３１】
それから、この積層ブロックを所定の寸法となるようにカットすることにより得た未焼成の積層体を、大気中で２５０〜４００℃に加熱してバインダーを燃焼させた。
【００３２】
その後、Ｈ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガス雰囲気（還元性雰囲気）中、Ｎｉ／ＮｉＯ平衡酸素分圧よりも１桁低い酸素分圧にて、１１８０〜１３００℃、１２０分間保持の条件で焼成し、焼成済みの積層体（セラミック積層体）を得た。
【００３３】
それから焼成済みの積層体の、内部電極が引き出された両端面に、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを塗布して、焼き付けることにより、内部電極と電気的に接続された外部電極（Ｃｕ外部電極）を形成した。
【００３４】
これにより、図１に模式的に示すように、積層セラミック素子（セラミック焼結体）１０の内部に配設された内部電極１２が、誘電体層（誘電体セラミック層）１１を介して積層され、かつ、積層セラミック素子１０の両端面には、交互に逆側の端面に露出した内部電極１２と導通するように一対の外部電極１３ａ，１３ｂが配設された構造を有する積層セラミックコンデンサ（特性測定用の試料）を得た。
【００３５】
なお、得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ：３．２ｍｍ、幅：１．６ｍｍ、厚さ：０．８６ｍｍであり、内部電極１２間に介在する誘電体セラミック層１１の厚み（誘電体素子厚）は３．０μｍ、内部電極１２の厚みは０．７μｍであった。
また、有効誘電体セラミック層の総数は１５０であり、一層当たりの対向電極面積は２．５ｍｍ2であった。
【００３６】
(Ｃ)特性の評価
上述のようにして作製した各試料（積層セラミックコンデンサ）について高温負荷試験（高温負荷寿命試験）を行った。高温負荷寿命試験は、温度１２５℃にて、６０Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗の経時変化を測定することにより行った。高温負荷寿命試験は、それぞれ１００個の試料について行い、１７００時間経過するまでに、絶縁抵抗値が１０ｋΩ以下になった試料を故障と判定した。そして、１７００時間経過時点の故障数が１０個以上のものを不良（×）、故障数が１０個未満のものを良（○）と評価した。
その結果を表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃに示す。
【００３７】
【表１Ａ】
0005500368.tif 000002
【００３８】
【表１Ｂ】
0005500368.tif 000003
【００３９】
【表１Ｃ】
0005500368.tif 000004
【００４０】
なお、表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃにおいて、ａ，ｘ，ｙの値は、誘電体セラミックの主成分を表す式：（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3におけるａ，ｘ，ｙの値を示す。
【００４１】
また、表１Ａ，表１Ｂ，表１ＣにおけるＮ元素のＶ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕの値は、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3１ｍｏｌ部に対する各元素（Ｎ元素）の割合（ｍｏｌ部）を示している。
【００４２】
また、表１Ａ，表１Ｂ，表１ＣにおけるＳｉの値は、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3１ｍｏｌ部に対する、ＳｉＯ2をＳｉに換算した場合のＳｉの割合（ｍｏｌ部）を示している。
【００４３】
また、表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃにおけるｍの値は、誘電体セラミックを表す下記の式：
（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3
におけるｍの値を示す。
また、表１Ａ，表１Ｂ，表１ＣにおけるＭ元素のＭｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａの値は、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3１ｍｏｌ部に対する各元素（Ｍ元素）の割合（ｍｏｌ部）を示している。
【００４４】
また、表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃにおける、希土類元素のＬａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂの値は、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3１ｍｏｌ部に対する希土類元素の割合（ｍｏｌ部）を示している。
【００４５】
なお、表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃにおいて、試料番号に※を付した試料（試料番号１，７，１０，１３，１４，１８は本発明の要件を備えていない試料（比較例としての試料）であり、その他の※印を付していない試料は、本発明の要件を備えた試料（本発明の実施例にかかる試料）である。
【００４６】
表１Ａの試料番号１の試料（比較例の試料）のように、Ｇｅを含まない試料の場合、高温負荷試験での絶縁抵抗の劣化が著しく、試験に供した１００個の試料のうち、ほとんどの試料において、１７００時間経過時点の絶縁抵抗値が１０ｋΩ以下（故障）となり、好ましい寿命特性を得ることができなかった。
【００４７】
一方、表１Ａの試料番号７の試料（比較例の試料）のように、Ｇｅが０．３０と本発明の範囲を超える場合、試験に供した１００個の試料の大多数において、１７００時間を経過した時点で、絶縁抵抗値が１０ｋΩ以下となり、故障となることが確認された。これは、Ｇｅが二次相を形成したり、異常な粒成長を引き起こしたりすることによるものである。
【００４８】
さらに、表１Ｂの試料番号１０の試料のように、Ｃａ量が本発明の範囲を超える場合や、表１Ｂの試料番号１３のように、Ｓｒ量が本発明の範囲を超える場合にも、二次相が生成し、１７００時間を経過した時点で、大部分の試料が絶縁抵抗値が１０ｋΩ以下となること（故障が発生すること）が確認された。
【００４９】
また、表１Ｂの試料番号１４の試料のように、Ｓｉ量が本発明の範囲を下回る場合、１３００℃で焼成を行っているにもかかわらず、十分に焼結した緻密化な誘電体セラミックが得られないことが確認された。なお、この試料番号１４の試料は誘電体セラミック層が未焼結であったことから、高温負荷試験は行わなかった。
【００５０】
一方、表１Ｃの試料番号１８の試料のように、Ｓｉ量が本発明の範囲を超える場合、二次相の生成や異常な粒成長が観られ、１７００時間を経過した時点で、大部分の試料が絶縁抵抗値が１０ｋΩ以下となること（故障が発生すること）が確認された。
【００５１】
これに対し、上述の試料番号１，７，１０，１３，１４，１８の試料（比較例の試料）以外の試料（試料番号に※印を付していない、本発明の実施例の試料）の場合、高温負荷寿命試験において、１７００時間が経過した時点の故障数が１０個未満であり、良好な寿命特性が得られることが確認された。
【００５２】
なお、表１Ｃの試料番号１９〜２３の試料のように、主成分である（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3に、希土類元素（Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂなど）や、Ｍ元素（Ｍｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ）を添加した場合にも、主成分が本発明に規定されている範囲内にある場合には、特性に問題となるような影響はないことが確認された。
【００５３】
なお、本発明の誘電体セラミックにおいては、主成分のＴｉの一部がＺｒまたはＨｆで置換されていてもよい。
【００５４】
さらに、上述の試料番号１，７，１０，１３，１４，１８の試料以外の、試料番号に※印を付していない、本発明の実施例の試料についは、ｍの値が１を超える場合およびｍの値が１を下回る場合の（Ｍの値が１の場合を含む）のいずれの場合にも、良好な寿命特性が得られることが確認された。
【００５５】
また、上記実施例１では特に示していないが、アルカリ金属や、遷移金属、Ｃｌ，Ｓ，Ｐなどの微量成分を含有させるようにした場合にも、本発明の効果は妨げられないことが確認されている。
【００５６】
＜参考例＞
上記実施例１では、主成分原料として、ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，ＧｅＯ2の各粉末を、表１Ａ，表１Ｂ，表１Ｃに示す組成になるような割合で混合した混合粉末を、仮焼・合成することにより、ペロブスカイト型複合酸化物：（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）m（Ｔｉ1-a，Ｇｅa）Ｏ3を作製するようにしたが、この参考例では、上記実施例１の場合と同様の方法で、Ｇｅ（ＧｅＯ2）が配合されていないことを除いては、実施例１のものと同じ混合粉末を調整し、この混合粉末を仮焼して、（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）ＴｉＯ3を合成した。それから、この（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）ＴｉＯ3に対してＧｅを添加することにより、すなわち、Ｇｅを後添加することにより誘電体セラミック原料を作製した。
【００５７】
なお、この参考例では、最終的に、表１Ａの試料番号３の試料と同じ組成となるように、まず、Ｇｅを含まない（Ｂａ1-x-y，Ｃａx，Ｓｒy）ＴｉＯ3を合成し、その後にＧｅを添加することにより、仮焼の段階ではＧｅを含まず、最終的な誘電体セラミック原料としては、Ｇｅを含み、組成が表１Ａの試料番号３の誘電体セラミック原料と同じ誘電体セラミック原料を作製した。
【００５８】
そして、この誘電体セラミック原料を用いて、セラミックグリーンシートを作製し、さらに、内部電極パターンの形成、セラミックグリーンシートを積層することによる積層ブロックの形成、カット、脱バインダー、焼成、外部電極の形成などの工程を経て積層セラミックコンデンサ（比較用の試料）を作製した。なお、積層セラミックコンデンサの製造方法は、上記実施例１の場合と同一とした。
【００５９】
それから、得られた積層セラミックコンデンサについて、高温負荷試験（高温負荷寿命試験）を行った。高温負荷寿命試験は、上記実施例１の場合と同じく、温度１２５℃にて、６０Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗の経時変化を測定することにより行った。
【００６０】
その結果、仮焼の段階ではＧｅを含まず、仮焼後の段階でＧｅを添加してなるこの参考例にかかる誘電体セラミック原料を用いて作製した積層セラミックコンデンサの場合、１７００時間を経過した時点で、大部分の試料が絶縁抵抗値が１０ｋΩ以下となること（故障が発生すること）が確認された。
これは、仮焼段階でＧｅを含有させるようにした場合には、仮焼時にＧｅを含有させるようにした場合（表１Ａの試料番号３の場合）とは異なり、Ｇｅが二次相を形成することによるものと考えられる。
【００６１】
なお、上記実施例では、本発明の誘電体セラミックを積層セラミックコンデンサに用いているが、本発明にかかる誘電体セラミックは、積層セラミックコンデンサに限らず、ＬＣ複合部品などの他の電子部品にも用いることが可能である。
【００６２】
本発明はさらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、本発明の誘電体セラミックを製造する場合の各原料の種類、仮焼工程における条件、副成分の割合などに関し、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０              積層セラミック素子
１１              セラミック層
１２              内部電極層
１３ａ，１３ｂ    外部電極
【図１】
0005500368.tif 000005