(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の擬制表面に高められた多数の高化構造の整然配列を含む造成表面を備え、
前記高化構造の少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜１００μｍの範囲にあり、
前記配列の基本ユニットは、前記擬制表面に平行な第１の方向に沿って引き伸ばされ、前記第１の方向に対して垂直な第１の断面を含む第１の高化構造を備え、
前記配列は、第１の方向に沿って引き伸ばされ、前記第１の方向に対して垂直な第２の断面を含む第２の高化構造を更に備え、
前記第２の断面は、前記第１の断面よりも小さい、基材。
【請求項２】
前記第１の断面及び前記第２の断面が、長方形である、請求項１に記載の基材。
【請求項３】
前記第１の断面及び前記第２の断面が、正方形である、請求項２に記載の基材。
【請求項４】
前記配列において、前記第１の高化構造及び前記第２の高化構造間の前記第１の方向に垂直な第１の距離が、前記第２の高化構造と次の前記第１の高化構造間の第２の距離とは異なる、請求項２又は３に記載の基材。
【請求項５】
前記第１の断面の第１サイドと前記第１の距離の長さが等しく、前記第２の断面の第１サイドと前記第２の距離の長さが等しい、請求項４に記載の基材。
【請求項６】
前記第１の断面及び前記第２の断面が三角形である、請求項２に記載の基材。
【請求項７】
前記第１の断面の前記擬制表面に対する垂線の長さは、前記第２の断面の前記擬制表面に対する垂線の長さの２倍である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基材。
【請求項８】
基材の擬制表面に高められた多数の高化構造の整然配列を含む造成表面を備え、
前記高化構造の少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜１００μｍの範囲にあり、
前記配列が均一に間隔を空けた錐体を備える、基材。
【請求項９】
前記錐体の底面の側線は、夫々平行に形成される、請求項８に記載の基材。
【請求項１０】
基材の擬制表面に高められた多数の高化構造の整然配列を含む造成表面を備え、
前記高化構造の少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜１００μｍの範囲にあり、
前記配列の基本ユニットは、第１の体積を有する第１の直方体及び第２の体積を有する第２の直方体を備え、
前記第２の体積は、前記第１の体積よりも小さい、基材。
【請求項１１】
前記第１の直方体及び前記第２の直方体は、立方体である、請求項１０に記載の基材。
【請求項１２】
前記第２の体積は、前記第１の体積の８分の１の大きさである、請求項１０又は１１に記載の基材。
【請求項１３】
前記擬制表面に垂直な前記第１の直方体の第１の高さは、前記擬制表面に垂直な前記第２の直方体の第２の高さの２倍である、請求項１２に記載の基材。
【請求項１４】
前記第１の直方体及び前記第２の直方体の基本ユニットは、基材の前記擬制表面に平行な第１の方向と、前記擬制表面に平行で前記第１の方向に垂直な第２の方向とに繰り返される、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の基材。
【請求項１５】
前記第１の直方体及び前記第２の直方体は、夫々前記第１の方向及び前記第２の方向に平行になるように形成される、請求項１４に記載の基材。
【請求項１６】
前記少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜５０μｍの範囲にある、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の基材。
【請求項１７】
前記少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜２μｍの範囲にある、請求項１６に記載の基材。
【請求項１８】
前記高化構造は、前記擬制表面の溝が転化することで形成される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の基材。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の基材を備える、ターゲットプレート。
【請求項２０】
前記造成表面は、微結晶の円滑な結晶化を起こさせるか、又は基材の疎水特性を向上させる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材及びターゲットプレート（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ａｎｄ  ｔａｒｇｅｔ  ｐｌａｔｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ポリマー材料、シリコン、金属、又は合金のような固体の表面を液体によって濡らすことで、固体及び液体分子の表面間の相互作用（液体の固体表面への吸着）、固体と液体間の競争的な吸着現象、液体分子間の結合を引き起こす。吸着よりも結合が強い場合には、水和性は低減し、吸着よりも結合が弱い場合には、水和性は増加する。
【０００３】
液体である水への水和性の良さは親水特性で表され、上記水和性の悪さは疎水特性で表される。
【０００４】
このような水和性は、量的に固体表面の接触角を測定することによって評価される。疎水特性は、主に表面の化学的特性、より具体的には、ミクロ及びナノ構造の化学的特性に依存する。
【０００５】
表面構造を修飾することによって疎水性の表面を造るための様々な方法が報告されてきている（例えば、特許文献１。）。これまで、疎水性の表面は、例えば、ポリプロピレンエッチング、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマポリマー化、ポリブタジエンのプラズマフッ素化、マイクロ波によるアルミナの陽極酸化、アルキルケテンの二量体の固化、カーボンフィルムのナノ構造化、ポリプロピレンのコーティング、カーボンナノチューブの直線状化、ポリビニルアルコールナノファイバーの形成、ポリジメチルシロキサンポーラス表面の形成、又は酸素プラズマ処理による、表面エネルギーを変える化学的処理で、又は、表面粗さを変える化学的処理で造られている。
【０００６】
例えば、たんぱく質を解析するための生命科学の診断学では、当該たんぱく質が液体中に溶けていて、結晶化基質、後に当該結晶化基質の組み合わせの小滴と呼ばれていて、基材の表面に適用される分析物とも呼ばれている。結晶化基質は蒸発して、たんぱく質／基質の混合物は、基材の表面で結晶化する。その後結晶化したたんぱく質は、例えば、質量分光手法で分析される。
【０００７】
知られている結晶化基質は、例えば、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシ桂皮酸、４−ヒドロキシ−３−メトキシ桂皮酸、α−シアノ−４−ヒドロキシ桂皮酸、ピコリン酸、又は、３−ヒドロキシピコリン酸のような化合物を有し、それら夫々の溶媒及び適用例は、図７に示されていて、図７では、分析用に使用されるＵＶ領域での波長も示している。更に、例えば、ジトラノール（Ｄｉｔｈｒａｎｏｌ）と呼ばれる基質をポリマーが探すように、基質は使われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第２００７／００１３１０６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、分析手法の効率や精度において、更なる改良が求められていた。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、分析手法を改良するための基材及びターゲットプレート（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ａｎｄ  ｔａｒｇｅｔ  ｐｌａｔｅ）を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的は、請求項１〜２０に係る基材及びターゲットプレートによって解決される。上記発明の更なる詳細は、図と詳細な説明から明らかとなる。
【００１１】
より具体的には、上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基材の擬制表面に高められた多数の高化構造の整然配列を含む造成表面を備え、上記高化構造の少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜１００μｍの範囲にあり、上記造成表面は、微結晶の円滑な結晶化を起こさせるか、又は基材の疎水特性を向上させる、基材が提供される。
【００１２】
また、上記配列の基本ユニットは、上記擬制表面に平行な第１の方向に沿って引き伸ばされ、上記第１の方向に対する第１の断面図の垂線を含む第１の高化構造を備え、上記配列は、第１の方向に沿って引き伸ばされ、上記第１の方向に対する第２の断面図の垂線を含む第２の高化構造を更に備え、上記第２の断面図は、上記第１の断面図よりも小さくてもよい。
【００１３】
また、上記第１の断面図及び上記第２の断面図が、長方形であってもよい。
【００１４】
また、上記第１の断面図及び上記第２の断面図が、正方形であってもよい。
【００１５】
また、上記配列において、上記第１の高化構造及び上記第２の高化構造間の上記第１の方向に垂直な第１の距離が、上記第２の高化構造と上記次の第１の高化構造間の第２の距離とは異なってもよい。
【００１６】
また、上記第１の断面図の第１サイドと上記第１の距離の長さが等しく、上記第２の断面図の第１サイドと上記第２の距離の長さが等しくてもよい。
【００１７】
また、上記第１の断面図及び上記第２の断面図が三角形であってもよい。
【００１８】
また、上記第１の断面図の上記擬制表面に対する垂線の長さは、上記第２の断面図の上記擬制表面に対する垂線の長さの２倍であってもよい。
【００１９】
また、上記配列が均一に間隔を空けた錐体を備えてもよい。
【００２０】
また、上記錐体の底面の側線は、夫々平行に形成されてもよい。
【００２１】
また、上記配列の基本ユニットは、第１の体積を有する第１の直方体及び第２の体積を有する第２の直方体を備え、上記第２の体積は、上記第１の体積よりも小さくてもよい。
【００２２】
また、上記第１の直方体及び上記第２の直方体は、立方体であってもよい。
【００２３】
また、上記第２の体積は、上記第１の体積の８分の１の大きさであってもよい。
【００２４】
また、上記擬制表面に垂直な上記第１の直方体の第１の高さは、上記擬制表面に垂直な上記第２の直方体の第２の高さの２倍であってもよい。
【００２５】
また、上記第１の直方体及び上記第２の直方体の基本ユニットは、基材の上記擬制表面に平行な第１の方向と、上記擬制表面に平行で上記第１の方向に垂直な第２の方向とに繰り返されてもよい。
【００２６】
また、上記第１の直方体及び上記第２の直方体は、夫々上記第１の方向及び上記第２の方向に平行になるように形成されてもよい。
【００２７】
また、上記少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜５０μｍの範囲にあってもよい。
【００２８】
また、上記少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜２μｍの範囲にあってもよい。
【００２９】
また、上記構造は、上記擬制表面の溝が転化することで形成されてもよい。
【００３０】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記の基材を備える、ターゲットプレートが提供される。
【発明の効果】
【００３１】
以上説明したように本発明によれば、分析手法の効率及び精度は改善される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１ａ】本発明の第１の実施形態に係る基材を示す説明図である。
【図１ｂ】同実施形態に係る基材を上から見た様子を示す説明図である。
【図１ｃ】同実施形態に係る基材を横から見た様子を示す説明図である。
【図１ｄ】同実施形態に係る基材を図１ｂのＡ−Ａ線で切断した場合の断面図である。
【図１ｅ】同実施形態に係る基材について図１ｄに係る断面図の一部を拡大した説明図である。
【図１ｆ】同実施形態に係る基材について図１ｅに係る断面図の一部を拡大した説明図である。
【図１ｇ】同実施形態に係る基材の表面の眺望図である。
【図２ａ】本発明の第２の実施形態に係る基材を示す説明図である。
【図２ｂ】同実施形態に係る基材を上から見た様子を示す説明図である。
【図２ｃ】同実施形態に係る基材を横から見た様子を示す説明図である。
【図２ｄ】同実施形態に係る基材を図２ｂのＡ−Ａ線で切断した場合の断面図である。
【図２ｅ】同実施形態に係る基材について図２ｄに係る断面図の一部を拡大した説明図である。
【図２ｆ】同実施形態に係る基材について図２ｅに係る断面図の一部を拡大した説明図である。
【図２ｇ】同実施形態に係る基材について図２ｆに係る断面図の一部を更に拡大した説明図である。
【図２ｈ】同実施形態に係る基材の表面の眺望図である。
【図３ａ】本発明の第３の実施形態に係る基材を上から見た様子を示す説明図である。
【図３ｂ】同実施形態に係る基材を横から見た様子を示す説明図である。
【図３ｃ】同実施形態に係る基材について図３ａに係る上から見た様子を拡大した説明図である。
【図３ｄ】同実施形態に係る基材について図３ｃに係る上から見た様子を更に拡大した説明図である。
【図３ｅ】同実施形態に係る基材の表面の眺望図である。
【図４ａ】本発明の第４の実施形態に係る基材を上から見た様子を示す説明図である。
【図４ｂ】同実施形態に係る基材を横から見た様子を示す説明図である。
【図４ｃ】同実施形態に係る基材について図４ａに係る上から見た様子を拡大した説明図である。
【図４ｄ】同実施形態に係る基材について図４ｂに係る横から見た様子を拡大した説明図である。
【図４ｅ】同実施形態に係る基材の表面の眺望図である。
【図５】本発明の更に他の実施形態に係るターゲットプレートを上から見た様子を示す説明図である。
【図６】造成表面と組み立てられていない表面とを比較した典型的な表である。
【図７】既知の結晶化基質とそれらの適用例に関する表である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３４】
［第１の実施形態］
ここで記載される種々の実施例の特徴は、特に明記されない限り互いに結合されてもよい。図１ａにおいて、本発明の第１の実施形態に係る基材１００が、組み立てられた表面１０２（以下、造成表面１０２と呼ぶ。）と共に説明される。基材１００は、ポリマー、処理されたポリマー、金属、合金であってよく、又はセラミックスに基づいていてもよい。造成表面１０２は、かたどって造ること（ｍｏｌｄ）、浮き上がらせること（ｅｍｂｏｓｓ）、エッチングすること（ｅｔｃｈｉｎｇ）、あるいは当業者に知られているその他のあらゆる表面組み立て方法によるものであると認識される。
【００３５】
基材１００を上から見た図１ｂに記載されているが、基材１００の直径Ｄは、１．５ｍｍである。しかし、直径を有する上記基材１００の形状は、例えば、四角形、長方形、又は特異的な形状にもなりうる。上記基材１００は、特異的に形成された部材の上に積層されたり、置かれたりする結果、当該部材上に造成表面を提供することができる。
【００３６】
図１ｃに示すように、横から見た場合、上記基材１００の厚みｔは、０．３ｍｍであり、他の厚みは、同様であってもよい。
【００３７】
図１ｄでは、図１ａのＡ−Ａ線で切断した場合の基材１００の断面図を示しており、また、図１ｅでは、図１ｄの当該断面図の一部を拡大した図を示しており、より具体的には、Ｚでラベルされた領域に対応する部分を示している。図１ｆでは更に拡大された詳細、又は図１のＹでラベルされた領域を示している。
【００３８】
図１ｇでは、第１実施形態の造成表面１０２の眺望図を示している。図１ｇで示すように、より顕著には、図１ｆで示すように、造成表面１０２は、多数の高められた構造（以下、高化構造１０６と呼ぶ。）の規則正しい配列１０４（以下、整然配列１０４と呼ぶ。）を含んでいて、上記の高化構造の１０６、１０８が有する少なくとも２つの寸法は１ｎｍ〜１００μｍの範囲にあり、好ましくは１ｎｍ〜５０μｍの範囲にあり、更に好ましくは１ｎｍ〜２μｍの範囲にある。上記の高化構造は、上記の基材１００の擬制表面１１０についてまで高められる。上記構造が転化する際、例えば、上記構造が擬制表面にまで高められずに、上記の擬制表面の下にある溝である際に、類似した円滑な結晶化の効果が、達成可能である。
【００３９】
更に、分析物の小滴が基材１００上に滴下される際、造成表面１０２は、微結晶の円滑な結晶化を蓄積するように構成される。
【００４０】
微細構造とも表現できる、造成表面１０２は、同時に基材１００の疎水特性を高める。
【００４１】
造成表面１０２の性質、寸法、及び形態は、結晶化基質の特性及び疎水特性と同様に、サイズ、結晶化形態、及び微結晶の形態を考慮に入れることによって決定される。
【００４２】
整然、又は均一な配列は、均一な、又は円滑な結晶化を引き起こす。一方、ほぼ完全なまでに平らな光沢のある表面で異なる流体及び結晶化基質の微結晶は、自己組織化のルールに従い、堅固な樹状型結晶構造又は他の主に自己類似型（ｓｅｌｆ−ｓｉｍｉｌａｒ）結晶構造を形成する。上記結晶構造は、例えば、単結晶又は鎖状のクラスターの密集した層と同等の結晶配列である。このような配列は、ほぼ完全なまでに平らな表面に不規則なばらつきを有し、例えば、微結晶を気化するために用いられるレーザが、上記基材の表面に不規則な微結晶配列のため、異なる微結晶量を気化することとなり、分析装置に均一でないシグナルをもたらす。
【００４３】
高化構造１０６、１０８の整然配列１０４は、表面１０２上の滴の接触角又は塗布角（ｃｏａｔｉｎｇ  ａｎｇｌｅ）を高め、それによって、基質滴の広がりを低減することができ、また分析物と基質との接触表面を低減することができ、上記の用いられている基質の結晶化のためのコアを提供する。これによって、より円滑で、より均質な結晶化が実現される。また、結晶に要する時間が低減され、分析装置の処理量が増加する。
【００４４】
上記基材は、生命科学、又は、例えば、環境的／化学的な解析学、犯罪学でたんぱく質を分析するため、及びポリマー、糖、脂質、代謝物等のような他の分析物に用いられる。
【００４５】
付加的な表面処理又は更なる表面の化学的性質は不要である。
【００４６】
図１ａ〜図１ｇで説明されている本願の第１実施形態は、第１の高化構造１０６及び第２の高化構造１０８の基本ユニットを含み、それら構造１０６、１０８は、表面１０２に平行である第１の方向であるｘに沿って引き伸ばされる。上記第１の高化構造１０６の断面図は、上記第２の高化構造１０８の断面図よりも大きい。引き伸ばされた構造又は隆起部の基本ユニットを異なる断面図で規則正しく繰り返す配列は、非常に円滑な結晶化をもたらすことが見出されている。前記第１の断面図及び前記第２の断面図が、長方形であってよく、さらに、正方形であってもよい。前記第１の高化構造及び前記第２の高化構造間の前記第１の方向に垂直な第１の距離が、前記第２の高化構造と前記次の第１の高化構造間の第２の距離とは異なってもよい。また、第１の断面図及び前記第２の断面図が三角形であってもよい。
【００４７】
上記配列において、上記第１の高化構造１０６と上記第２の高化構造１０８との間の第１の距離ｄ１は、上記第２の高化構造１０８と次の第１の高化構造１０６との間の第２の距離ｄ２とは異なる場合、結晶化の円滑さが更に改善される。
【００４８】
上記第１の距離ｄ１と上記第１の断面図の第１の側ｌ１とが長さについて等しく、上記第２の距離ｄ２と上記第２の断面図の第１の側ｌ２とが長さについて等しい場合、配列はより改善される。図１ｆにおいて、上記第１の距離は０．０００７９２ｍｍであって、上記第２の距離は０．０００３９６ｍｍである。
【００４９】
上記の擬制表面１１０に垂直な上記第１の断面図の高さｈ１は、上記の擬制表面１１０に垂直な上記第２の断面図の高さｈ２の２倍である場合、更に配列は改善される。図１ｆでは、上記第１の高さｈ１は、０．０００７９２ｍｍであって、上記第２の高さｈ２は、０．０００３９６ｍｍである。
【００５０】
［第２の実施形態］
図２ａ〜図２ｈでは、本願の第２実施形態に係る基材が異なる角度から示されている。図２ａは、第２の表面２０２を有する第２の基材２００の眺望図で概略的なものを示している。図２ｂは、上から見た図を示し、図２ｃは、横から見た図を示し、図２ｄは、図２ｂのＡ−Ａ線で切断した場合の断面図を示し、図２ｅは、図２ｄでの断面図の“Ｚ”を表す部分を拡大したものであり、図２ｆは、図２ｅでの断面図の“Ｙ”を表す部分をより拡大したものであり、図２ｇは、図２ｈでの断面図の“Ｘ”を表す部分を上記寸法で共に、より拡大したものであり、図２ｈは、より拡大した眺望図を示している。
【００５１】
基材２００の直径Ｄは、１．５ｍｍである。上記表面の構造の配列は、第３の高化構造２０６及び第４の高化構造２０８の基本ユニットを含み、それらの構造２０６、２０８は、例えば、図２ｈに示されているように表面２０２に平行な第１の方向ｘを引き伸ばす。上記第３の高化構造２０６及び第４の高化構造２０８の断面図は、三角形である。また、図２ｇで示されているように、上記第３の高化構造２０６の断面図は、上記第４の高化構造２０８の断面図よりも大きい。
【００５２】
擬制表面２１０に関する上記第３の高化構造の高さｈ３は、０．００１ｍｍにされ、このようにｈ３は、擬制表面２１０に関する上記第４の高化構造の高さｈ４の２倍であり、ｈ４は、０．０００５ｍｍである。上記第３の高化構造の幅ｗ１は、０．００１ｍｍとされ、上記第４の高化構造の幅は、０．０００５ｍｍとされる。
【００５３】
［第３の実施形態］
図３ａ〜図３ｅでは、本願の第３の実施形態に係る基材が異なる角度から示されている。第３の組み立てられた構造３０２を有する基材３００は、図３ａでは上から見た図として示されていて、図３ｂでは横から見た図として示されている。Ｚとして表されている図３ａの上から見た図についての拡大した図が、図３ｃで示されていて、Ｙとして表されている図３ｃの上から見た図の更に拡大した図が、図３ｄで示されている。図３は、多数の高化構造３０４を有する表面の眺望を示している。
【００５４】
上記配列の基本ユニットとして、上記の高化構造３０４は正方形の底面を含む錐体の形状を有し、異なる錐体の底面の側線が、夫々平行に形成される。例えば、側線は、０．００１７２５ｍｍの幅を有し、０．００１５８４ｍｍの幅を互いに隔てて位置している。擬制表面３１０に関する錐体の高さは、０．００１１ｍｍとされている。
【００５５】
［第４の実施形態］
図４ａ〜図４ｅでは、本願の第４の実施形態に係る基材が異なる角度から示されている。図４ａでは、第４の基材４００を上から見た図を示していて、図４ｂは、図４ａに対応した、横から見た図を示している。図４ｃは、図４ａに示した上から見た図のＺとして表されている部分を拡大した図を示していて、図４ｄは、図４ｂに示した横から見た図のＹとして表されている部分を拡大した図を示している。図４ｅは、第４の基材４００の表面４０２の眺望図を示している。
【００５６】
第４の実施形態として使われる配列は、第５の高化構造と第６の高化構造の基本ユニットを含んでいる。上記第５の高化構造と第６の高化構造は、異なった体積を有した第１の立方体４０４と第２の立方体４０６として形成される第４の実施形態内で、上記第１の立方体４０４の側線は、上記第２の立方体４０６の側線の２倍の長さを有しており、その結果として、上記第１の立方体４０４の体積は、上記第２の立方体４０６の体積の８倍となる。
【００５７】
上記第１の立方体４０４の側線の長さｃ１は、０．０１６０３２ｍｍとされていて、上記第２の立方体４０６の側線の長さｃ１は、０．００８０１６ｍｍとされている。上記の配列は、上記第１の立方体４０４及び上記第２の立方体４０６の整然配列から形成され、上記第１の立方体４０４及び上記第２の立方体４０６は、第１の方向ｘ及び第２の方向ｙに広がる擬制表面４１０に平行になるように、交互に平行に配列され、それらｘとｙとは、擬制表面４１０に平行であって、互いに垂直である。
【００５８】
上記第１の立方体４０４及び上記第２の立方体４０６の側線は、夫々が上記第１の方向ｘ及び上記第２の方向ｙに平行になるように配列される。
【００５９】
造成表面を形成するために立方体を用いる代わりに、もしくは立方体と共に、異なる側線の長さを有する直方体を利用することも可能である。
【００６０】
［ターゲットプレートについて］
図５では、多数の基材５０２及び基材５０４を備える、ターゲットプレート５００について上から見た図が示されている。基材５０２及び基材５０４は、上記第１〜第４の実施形態において説明した造成表面を備える。このようなターゲットプレートでは、多数の異なった分析における滴が、基材５０２や基材５０４などに滴下される。
【００６１】
基材５０２、基材５０４は、同一の造成表面又は異なる造成表面を有することができる。
【００６２】
多数の基材が同一の造成表面を有することで、多数の異なった分析を瞬時に分析することができる。
【００６３】
多数の基材が異なった造成表面を有することで、分析方法における異なった造成表面の効果を分析することができる。
【００６４】
当業者にとって明らかであるように、上記の高化構造の備え付けられた寸法は、他の応用例に変えられうる。当該応用例としては、例えば、他の結晶化基質が挙げられる。例えば、類似の効果を得るために同一量だけ寸法の割合を増すことも可能である。
【００６５】
示された実施形態は、一つの造成表面を含むが、当業者であれば、上または下の両方の、基材の表面に造成表面を利用することも可能である。更に、ターゲットプレート５０２及び５０４の間にある、領域５０６は、例えば、基材５０２、基材５０４に使われるよりも他の構造によって組み立てられうる。
【００６６】
図６では、表が示され、当該表は、微結晶化の結果を比較している。同一の基質、分析物、及び溶剤からなる０．５μｌの滴が、ポリマー基材の組み立てられていない表面に滴下される。当該ポリマー基材は、ダイヤモンドライクカーボン（表中央）でコーティングされる。または、上記滴は、ポリプロピレン基材の本願の実施形態に係る造成表面に滴下される（表左）。表の最上段にある顕微鏡画像が、上記の造成されていない表面の場合には強いクラスタリングを示し、上記の造成表面の場合には円滑な結晶化を示している。
【００６７】
提案された基材及びターゲットプレートでは、微細構造は、微結晶の円滑な結晶化を蓄積することが提案される。上記基材及び上記ターゲットプレートは、また、組み立てられていない表面と比較して、上記表面の疎水特性を高める、強める、増加する、又は影響を及ぼすために使われる。
【００６８】
特別の実施形態は、ここで記載又は説明されたが、当業者の通常の知識によって理解される。類似した円滑な結晶化の効果は、上記構造が転化された際に得られる。例えば、上記構造が擬制表面について高められずに、それぞれ断面図及び寸法において上記擬制表面以下に溝として形成される。このように転化された構造は上記高化構造の負の方向の画像として解釈されることも可能である。
【００６９】
図は、具体例の更なる理解を与えるために含まれ、明細書中に取り入れられ、一部を成している。図は、具体例を説明して、明細書と共に主要な具体例を説明している。他の具体例及びその多くの意図された効果は、上記の詳細な説明を参照することによってより理解されるものであると認識される。図面の要素は必ずしも互いに適切に縮小されている必要はない。
【００７０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７１】
１００、２００、３００、４００    基材
１０２、２０２    表面
１０４    整然配列
１０６、１０８、２０６、２０８    高化構造
１１０    擬制表面
５００    ターゲットプレート
【図１ａ】
0005500852.tif 000002
【図１ｂ】
0005500852.tif 000003
【図１ｃ】
0005500852.tif 000004
【図１ｄ】
0005500852.tif 000005
【図１ｅ】
0005500852.tif 000006
【図１ｆ】
0005500852.tif 000007
【図１ｇ】
0005500852.tif 000008
【図２ａ】
0005500852.tif 000009
【図２ｂ】
0005500852.tif 000010
【図２ｃ】
0005500852.tif 000011
【図２ｄ】
0005500852.tif 000012
【図２ｅ】
0005500852.tif 000013
【図２ｆ】
0005500852.tif 000014
【図２ｇ】
0005500852.tif 000015
【図２ｈ】
0005500852.tif 000016
【図３ａ】
0005500852.tif 000017
【図３ｂ】
0005500852.tif 000018
【図３ｃ】
0005500852.tif 000019
【図３ｄ】
0005500852.tif 000020
【図３ｅ】
0005500852.tif 000021
【図４ａ】
0005500852.tif 000022
【図４ｂ】
0005500852.tif 000023
【図４ｃ】
0005500852.tif 000024
【図４ｄ】
0005500852.tif 000025
【図４ｅ】
0005500852.tif 000026
【図５】
0005500852.tif 000027
【図６】
0005500852.tif 000028
【図７】
0005500852.tif 000029