(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に垂直磁気記録層を形成する工程と，
前記形成された垂直磁気記録層上に，マスクを形成する工程と，
前記マスクが形成された垂直磁気記録層を２５０℃以上，５００℃以下の温度に加熱し，ミリングする工程と，
前記ミリングされた垂直磁気記録層上に保護層を成膜する工程と，を具備し，
前記垂直磁気記録層は，Ｆｅ，Ｃｏから選択される第１の元素と，Ｐｔ，Ｐｄから選択される第２の元素と，を含み，かつＬ１０またはＬ１１構造を有する硬磁性合金材料を有する，
パターンド媒体の製造方法。
【請求項２】
前記マスクを形成する工程が，
前記垂直磁気記録層上にマスク材料層を形成する工程と，
前記マスク材料層をミリングしてパターニングする工程と，を有し，
前記マスク材料層のミリング中の基板の温度が，２５０℃以上，５００℃以下である
請求項１に記載のパターンド媒体の製造方法。
【請求項３】
前記垂直磁気記録層が，
前記硬磁性合金材料を有する硬磁性記録層と，
ｆｃｃ構造の，Ｃｏ−ＰｔまたはＦｅ−Ｐｔ合金を有する，軟磁性記録層と，を有する，
請求項１または２に記載のパターンド媒体の製造方法。
【請求項４】
前記軟磁性記録層が，４０原子％以上，７０原子％以下のＰｔを含む，
請求項３に記載のパターンド媒体の製造方法。
【請求項５】
前記垂直磁気記録層が，
前記硬磁性記録層と前記軟磁性記録層の間に配置され，Ｐｔ，Ｐｄ，またはＺｎＯを含む，非磁性中間層をさらに有する，
請求項３または４に記載のパターンド媒体の製造方法。
【請求項６】
前記非磁性中間層の膜厚が，０．５ｎｍ以上，２ｎｍ以下である，
請求項５に記載のパターンド媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は，磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を記録，再生する磁気記憶装置（ＨＤＤ）の記憶密度の増大が要求されている。記憶密度の増大のため，面内磁気記録方式に代わって，垂直磁気記録方式が，ＨＤＤの磁気記録方式として，利用されるようになってきている。垂直磁気記録方式では，基板上の磁気記録層中の磁性結晶粒子が，基板に垂直な磁化容易軸を有する。
【０００３】
ここで，複数の磁性ドットを有する，パターンド媒体が検討されている。パターンド媒体では，垂直磁気記録層を微細加工することで，空隙を有する複数の磁性ドットを作成する。空隙により，磁性ドットを磁気的に孤立，安定化できる。
【０００４】
このとき，高記録密度化に伴い，磁性ドットの微細化が必要となる。このため，記録磁化の熱揺らぎ耐性を維持するために，磁性材料の磁気異方性エネルギー密度（Ｋｕ）を高くすることが必要となる。
【０００５】
パターンド媒体作成時の垂直磁気記録層の微細加工には，Ａｒ等の不活性ガスイオンを用いたイオンミリングが，一般に用いられる。しかしながら，イオンミリングにより，磁性材料の特性（例えば，磁気異方性エネルギー密度（Ｋｕ））が低下する畏れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許３８８６８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は，微細加工時での磁性材料の特性の劣化を防止し，高密度記録が可能な磁気記録媒体の製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態のパターンド媒体の製造方法は，基板上に垂直磁気記録層を形成する工程と，前記垂直磁気記録層上に，マスクを形成する工程と，前記垂直磁気記録層をミリングする工程と，前記垂直磁気記録層上に保護層を成膜する工程と，を具備する。前記垂直磁気記録層は，Ｆｅ，Ｃｏから選択される第１の元素と，Ｐｔ，Ｐｄから選択される第２の元素と，を含み，かつＬ１０またはＬ１１構造を有する硬磁性合金材料を有する。前記ミリング中の前記基板の温度が，２５０℃以上，５００℃以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係るパターンド媒体１０を表す断面図である。
【図２】パターンド媒体１０の製造工程を表すフロー図である。
【図３Ａ】製造中のパターンド媒体１０を表す断面図である。
【図３Ｂ】製造中のパターンド媒体１０を表す断面図である。
【図３Ｃ】製造中のパターンド媒体１０を表す断面図である。
【図３Ｄ】製造中のパターンド媒体１０を表す断面図である。
【図３Ｅ】製造中のパターンド媒体１０を表す断面図である。
【図４】変形例１に係るパターンド媒体１０ａを表す断面図である。
【図５】変形例２に係るパターンド媒体１０ｂを表す断面図である。
【図６】変形例３に係るパターンド媒体１０ｃを表す断面図である。
【図７】パターンド媒体１０ａ〜１０ｃの製造工程を表すフロー図である。
【図８】第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を表す図である。
【図９】保磁力分散幅ΔＨｃの評価法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下，図面を参照して，実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は，第１の実施形態に係るパターンド媒体１０を表す断面図である。図２は，パターンド媒体１０の作成手順を表すフロー図である。図３Ａ〜図３Ｅは，作成中のパターンド媒体１０を表す断面図である。
【００１１】
パターンド媒体１０では，基板１１上に，非磁性下地層１２，垂直磁気記録層１３，保護層１４，潤滑剤層１５が順に積層される。
【００１２】
（１）基板１１上への垂直磁気記録層１３の形成（ステップＳ１１，図３Ａ参照）
基板１１上に，垂直磁気記録層１３を形成する。なお，後述のように，必要に応じて，非磁性下地層１２が形成される。
【００１３】
基板１１の材料として，ガラス，Ａｌ系の合金，表面が酸化したＳｉ単結晶，セラミックス，及びプラスチック等の非磁性材料を使用できる。これら非磁性材料の表面にＮｉＰ合金などのメッキが施されても良い。
【００１４】
垂直磁気記録層１３では，硬磁性記録層１３１，非磁性中間層１３２，軟磁性記録層１３３が順に積層される。
【００１５】
垂直磁気記録層１３は，いわゆるＥＣＣ（Exchange Coupled Composite）媒体として機能する。順に積層される，硬磁性記録層１３１，非磁性中間層１３２，軟磁性記録層１３３から，垂直磁気記録層１３を構成することで，反転磁界のばらつきＳＦＤを低減できる。ＥＣＣ媒体では，記録磁化の保持を担う硬磁性記録層１３１と，磁化反転を容易にする軟磁性記録層１３３とが，薄い非磁性中間層１３２を介して，交換結合している。
【００１６】
硬磁性記録層１３１は，硬磁性記録層１３１の積層方向（基板１１に対して垂直方向）を向く磁化容易軸を有する，硬磁性結晶粒からなる。硬磁性結晶粒の材料は，適度な保磁力Ｈｃおよび高い磁気異方性エネルギー密度Ｋｕを有することが好ましい。適度な保磁力Ｈｃは，外部磁界，浮遊磁界等に対して，逆磁区の発生を抑制するためである。高い磁気異方性エネルギー密度Ｋｕは，十分な熱揺らぎ耐性を得るためである。
【００１７】
硬磁性結晶材料として，Ｌ１０構造を持ち，かつ磁性金属元素及び貴金属元素を主成分とするものが好ましく用いられる。磁性金属は，Ｆｅ，Ｃｏから選択される少なくとも１種であり，貴金属元素は，Ｐｔ，Ｐｄからなる群より選択される少なくとも１種である。具体的には，磁性元素：貴金属元素の原子数比が，４：６乃至６：４の範囲にあるＦｅ−Ｐｔ合金，Ｃｏ−Ｐｔ合金，Ｆｅ−Ｐｄ合金を利用できる。これらの材料は，Ｌ１０構造（または後述のＬ１１構造）をとった（規則合金化した）場合に，ｃ軸方向に１０７ｅｒｇ／ｃｃ以上と，非常に高い磁気異方性エネルギー密度Ｋｕを有し，熱揺らぎ耐性に優れる。
【００１８】
硬磁性記録層１３１中に，磁気特性あるいは電磁変換特性を向上させる目的で，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｉｒといった元素を適量添加してもよい。
【００１９】
硬磁性記録層１３１を構成する結晶粒子がＬ１０構造をもっているかどうかは，一般的なＸ線回折装置で確認することができる。不規則な面心立方格子（ＦＣＣ）では観測されない面（（００１），（００３）面など）を表わすピーク（規則格子反射）が，それぞれの面間隔に一致する回折角度で観察できれば，Ｌ１０構造が存在しているといえる。
【００２０】
硬磁性結晶粒子が完全なＬ１０構造に近い構造をとっているかを評価する指標として，規則度Ｓが一般に用いられる。「規則度Ｓ＝１」の場合は完全なＬ１０構造であり，「規則度Ｓ＝０」の場合は完全な不規則構造を意味する。上述の合金の場合，一般に規則度Ｓが高いほど磁気異方性エネルギー密度Ｋｕが高くなり，好ましい。規則度Ｓの評価にはＸ線回折測定によって得られた，（００１），（００２）面それぞれのピークの積分強度を用い，次式で評価できる。
Ｓ＝  ０．７２・（Ｉ００１／Ｉ００２）１／２
【００２１】
ここでＩ００１，Ｉ００２はそれぞれ，（００１），（００２）面による回折ピークの積分強度である。パターンド媒体において，規則度Ｓが０．６を超えている場合，Ｌ１０構造を有していると言って良い。
【００２２】
また，硬磁性結晶材料が（００１）面配向（ｃ軸配向）かどうかも，一般的なＸ線回折装置で確認することができる。
【００２３】
硬磁性結晶材料としては，これらＬ１０構造の材料以外に，同様の元素，組成から成るＬ１１構造の材料も用いることができる。Ｌ１１構造の結晶粒は，たとえばＲｕ，Ｒｅといったｈｃｐ（hexagonal close-packed）構造を有する材料からなる非磁性下地層１２を設けた場合に形成できる。
【００２４】
上述の硬磁性材料は，室温で成膜した場合，準安定相である不規則相を形成する傾向がある。このため，成膜中での基板１１の加熱によって，合金原子に拡散を生じさせ，安定相である規則相を形成させる必要がある。
【００２５】
このときの基板１１の温度としては，２５０℃乃至５００℃の範囲が，硬磁性結晶材料の規則度Ｓが向上し，好ましい。３００℃乃至４００℃の範囲であれば，さらに好ましい。基板１１の温度が２５０℃未満であれば，合金原子の拡散が生じにくく，規則相が形成されにくいため，好ましくない。一方，基板１１の温度が５００℃を超えると，垂直磁気記録層１３の平坦性が劣化し，ステップＳ１２でのミリングマスク２１の形成が困難となるため，好ましくない。
【００２６】
また，上述の硬磁性材料をスパッタリング法で成膜する場合，Ａｒ等の希ガス（スパッタリング用ガス）の圧力を４Ｐａ乃至１２Ｐａの範囲とすると，規則度Ｓが向上し，好ましい。スパッタリング用ガスの圧力が，６Ｐａ乃至１０Ｐａの範囲が更に好ましい。
【００２７】
非磁性中間層１３２は，硬磁性記録層１３１と軟磁性記録層１３３の間に配置され，両層間の交換結合力を適度に弱め，ＥＣＣ媒体化する機能を有する。これにより，反転磁界をさらに低減することに加え，反転磁界分散（ＳＦＤ）を低減することができる。
【００２８】
非磁性中間層１３２として，Ｐｔ，Ｐｄ，ＺｎＯを好ましく用いることができる。ＺｎＯは，熱的に安定である。これに加え，ＺｎＯは，一般的な酸化物，窒化物，炭化物等の化合物に比べて，垂直磁気記録層１３の加工時でのミリング速度が速く，パターン加工が容易である。
【００２９】
非磁性中間層１３２の膜厚は，０．５ｎｍ乃至２ｎｍの範囲が好ましい。０．５ｎｍ未満では，前述の拡散抑制効果が現れにくく，２ｎｍを超えると，硬磁性記録層と軟磁性記録層間に働く交換相互作用が著しく低下するため，好ましくない。
【００３０】
非磁性中間層１３２をスパッタリング法で成膜する場合，Ａｒ等の希ガス（スパッタリングガス）の圧力は低い方が緻密な膜が形成されやすく，ＳＦＤ低減効果が高まるため好ましい。具体的には，０．１Ｐａ乃至２Ｐａのスパッタリングガス圧力範囲とすることが好ましい。
【００３１】
軟磁性記録層１３３の構成材料として，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｏ−Ｐｔ合金，Ｆｅ−Ｐｔ合金が挙げられる。このうち，Ｃｏ−Ｐｔ合金，Ｆｅ−Ｐｔ合金は，より好ましい。Ｃｏ−Ｐｔ合金，Ｆｅ−Ｐｔ合金は，Ｐｔを含有しているため，酸化耐性が高い。このため，Ｏ２を用いたＲＩＥまたはイオンミリングで，後述のマスク材料をパターン加工する場合に，酸化による特性劣化を抑制できる。これらの合金は，前述の規則合金ではなくＦＣＣ構造を有し，かつＰｔ組成が４０乃至７０原子％の範囲であることが好ましい。
【００３２】
これらの合金は前述の硬磁性記録層１３１の構成材料と組成がほぼ同じため，後述のミリング加工の際の基板１１の加熱によって規則合金化しやすい。スパッタリング法により，低いガス圧力下で，軟磁性記録層１３３を成膜すると，加熱による規則合金化を抑制できることが判った。具体的には，０．１乃至２Ｐａの範囲で成膜すると好ましいことが，実験により明らかとなった。
【００３３】
垂直磁気記録層１３の合計の厚さはシステムの要求値によって決定されるが，一般的に２０ｎｍよりも薄い方が好ましく，５ｎｍよりも薄いとより好ましい。垂直磁気記録層１３の合計の厚さが，２０ｎｍを超えると，ドットパターン加工が困難となる。垂直磁気記録層１３の合計の厚さが，０．５ｎｍより薄いと，再生時の信号強度が著しく低下する。
【００３４】
既述のように，必要に応じて，垂直磁気記録層１３の形成に先立ち，非磁性下地層１２が形成される。
【００３５】
非磁性下地層１２は，垂直磁気記録層１３（硬磁性記録層１３１）の結晶配向を制御するほか，規則合金化を促進する機能を有する。
具体的な材料としては，垂直磁気記録層１３（硬磁性記録層１３１）がＬ１０構造を有する場合，（１００）面配向させたＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，ＭｇＯ等を好ましく用いることができる。特に，非磁性下地層１２材料がＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒまたはそれらの合金の場合，垂直磁気記録層１３の平坦性が高まるため，前述のミリングマスク２１形成が容易となり，好ましい。
【００３６】
非磁性下地層１２材料がＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒまたはそれらの合金を用いた場合，前述の成膜時及びイオンミリング時の基板１１の温度は，いずれも４００℃以下の範囲で行うのが好ましい。４００℃を超えると，非磁性下地層１２と垂直磁気記録層１３との固溶が生じ，磁気特性が劣化する。垂直磁気記録層１３がＬ１１構造を有する場合，（０００１）面配向させたＲｕまたはその合金を好ましく用いることができる。
【００３７】
非磁性下地層１２の膜厚は，１ｎｍ乃至２０ｍの範囲が好ましく，３ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲であればより好ましい。膜厚が１ｎｍ未満では，上述の配向分散低減効果が顕著には現れ難い。膜厚が２０ｎｍを超えると，後述の軟磁性下地層１８と垂直磁気記録層１３との磁気的な空間が広がりすぎ，記録特性（writability）が低下する。
【００３８】
（２）垂直磁気記録層１３のへのミリングマスク２１の形成（ステップＳ１２，図３Ｂ参照）
垂直磁気記録層１３上にマスク材料を成膜し，凹凸パターン（微細形状配列構造）を形成する（転写）。
【００３９】
（ａ）マスク材料の成膜
垂直磁気記録層１３上に，たとえば，Ｃやその化合物をマスク材料として成膜する。
【００４０】
（ｂ）レジスト材料の塗布，パターンの転写
マスク材料の表面に光硬化樹脂等のレジスト材料を塗布する。そして，ドットパターンが転写されたスタンパを用い，ナノインプリント法によりレジスト材料に凹凸パターン（微細形状配列構造）を転写する。
【００４１】
ナノインプリント法に替えて，ジブロックポリマーの自己組織化を利用しても良い。マスク材料表面に，ＰＳ（ポリスチレン）−ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のジブロックポリマーを塗布し，ジブロックポリマーを自己組織化することで，パターンを形成する。
【００４２】
（ｃ）マスク材料のパターニング
凹凸パターンを有するレジスト材料をマスクとして，マスク材料に凹凸パターンを転写する。例えば，マスク材料を酸素イオンにより反応性イオンミリング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）する。
【００４３】
（３）垂直磁気記録層１３のミリング（ステップＳ１３，図３Ｃ，図３Ｄ参照）
Ａｒイオンミリングにより垂直磁気記録層１３をエッチングする。その後，ＣＦ４ガスによる反応性イオンミリング（ＲＩＥ）により，垂直磁気記録層１３からＳＯＧミリングマスク２１を除去する。
【００４４】
微細形状配列構造を有するミリングマスク２１を用いて，垂直磁気記録層１３を微細形状配列構造に加工する。
イオンミリングによって垂直磁気記録層１３をパターン加工する。即ち，イオンIを垂直磁気記録層１３に入射することで，垂直磁気記録層１３をエッチングする。ミリング用イオン種としては，Ａｒ，Ｘｅ，Ｈｅ，Ｎｅといった希ガスのほか，水素等も好ましく用いることができる。イオンミリング方法としては，イオンガンによるイオン照射のほか，誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングや，ＲＩＥ，スパッタリング装置を用いた逆スパッタ等を好ましく用いることができる。
【００４５】
ここで，イオンミリングによる垂直磁気記録層１３のパターン加工工程時において，基板１１の温度を２５０℃乃至５００℃としている。
イオンミリング工程では，磁性合金原子にイオンの衝突によって周りの原子との結合エネルギーを上回るエネルギーが与えられた結果，磁性合金元素がミリングされる。このエネルギーは温度に換算すると，１６００℃以上になる。その際，ミリングされた原子に隣接していた，ドットの側壁部分の合金元素も，この温度に近い温度まで局所的に加熱される。本実施形態で用いられる規則合金は，高温では不規則相が安定であり，例えばＦｅＰｔ合金の場合，１３００℃以上ではＬ１０規則相が不規則相に変態してしまう。
【００４６】
基板１１を加熱しないでイオンミリングした場合，不規則相に変態したドットの側壁部分は，ミリング後に室温付近まで急速に冷却され，不規則相が保持される。即ち，イオンミリングの際のイオンの衝突のエネルギーによって，規則合金材料中に，局所的に不規則相が形成される。この合金における不規則相の磁気異方性エネルギー密度Ｋｕは，規則相のそれに比べて遥かに低い。このため，不規則相が形成されると磁性ドットの平均の磁気異方性エネルギー密度Ｋｕが低下し，パターンド媒体の熱揺らぎ耐性が低下する。
【００４７】
これに対し，イオンミリング加工中に基板１１を加熱すると，不規則相に変態したドットの側壁部分は，ミリング後もある程度の高温に保たれ，規則相に再変態可能となる。このとき，基板１１の温度を，規則相が安定に存在でき，かつ原子の拡散が可能な温度に設定しておく。この結果，ミリングの際に不規則相に変態した側壁部分を，規則相に再変態させることが可能となり，ミリング工程による不規則相の形成を抑制できる。
【００４８】
具体的には基板１１の温度が２５０℃乃至５００℃の範囲にあれば，ミリング工程による不規則相形成を効果的に抑制できる。３００℃乃至４００℃の範囲であれば，さらに好ましい。基板１１の温度が２５０℃未満であれば合金原子の拡散が生じにくいため，好ましくない。一方，基板１１の温度が５００℃を超えると，マスク材料と硬磁性結晶粒間に固溶が発生するため，好ましくない。
【００４９】
一方，ミリング加工後のポストアニールにより，不規則相を再規則化させる手法も考えられる。しかしながら，この手法では，不規則相部分の原子はミリング後，一旦室温付近まで冷却されるため，不規則相状態で原子間が強固に結合してしまう。強固に結合した不規則相に原子拡散を生じさせ規則相に再変態させるためには，５００℃を超える高温が必要となる。
【００５０】
これに対し，本実施形態のように，基板１１を加熱した状態でイオンミリングする場合，合金原子はミリング後の十分熱的に励起された状態から基板１１の温度に達する。このため，イオンミリング中は原子間の結合が強固にならず，比較的低い加熱温度でも拡散が生じ，規則相に再変態させることができる。
【００５１】
イオンミリング工程中，基板１１の温度は，維持される必要がある。イオンミリング中に基板１１の温度を低下すると，不規則相形成抑制効果が十分ではなくなる。従って，イオンミリング開始直前までに基板１１の加熱を開始することが好ましい。
【００５２】
さらに，ＲＩＥによるミリングマスク２１の加工時（ステップＳ１２の（ｃ））においても，磁性合金の不規則相化が問題になる場合がある。このため，ミリングマスク２１の加工工程においても，垂直磁気記録層１３のイオンミリング時と同様に，基板１１を加熱すれば，より好ましい。
【００５３】
ただし，垂直磁気記録層１３のイオンミリング工程とは異なり，ミリングマスク２１加工工程においては，ミリングイオンが磁性合金元素に熱エネルギーを与えうるのはミリングマスク２１加工工程終了直前のみであるため，ミリングマスク２１加工全工程中加熱温度が維持される必要はない。特に，ミリングマスク２１材料が二層以上から構成される場合，垂直磁気記録層１３に接する層の加工工程中のみ基板１１を加熱すればよい。
【００５４】
（４）保護層１４，潤滑剤層１５の形成（ステップＳ１４，Ｓ１５，図３Ｅ，図１参照）
垂直磁気記録層１３上に，保護層１４，潤滑剤層１５を設けることができる。保護層１４としては，例えば，Ｃ，ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ），ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＣＮｘがあげられる。潤滑剤層１５を構成する潤滑剤として，例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を用いることができる。
【００５５】
（変形例１）
図４は，変形例１に係るパターンド媒体１０ａを表す断面図である。パターンド媒体１０ａでは，基板１１上に，第２の非磁性下地層１６，非磁性下地層１２，垂直磁気記録層１３，保護層１４，および潤滑剤層１５が順に積層される。垂直磁気記録層１３は，硬磁性記録層１３１，非磁性中間層１３２，および軟磁性記録層１３３が順に積層され，かつパターン化された微細形状配列構造を有する。
【００５６】
垂直磁気記録層１３がＬ１０構造を有する場合，非磁性下地層１２の結晶配向性を向上させる目的で，非磁性下地層１２と基板１１との間に，第２の非磁性下地層１６を設けることができる。具体的には，（１００）面配向のＣｒまたはＣｒ合金を用いることができる。Ｃｒ合金としては，Ｃｒ−Ｒｕ合金またはＣｒ−Ｔｉ合金を好ましく用いることができる。
【００５７】
第２の非磁性下地層１６の膜厚は，１ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲が好ましく，５ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲であれば，より好ましい。膜厚が１ｎｍ未満では，上述の配向分散低減効果が現れ難い。膜厚が２０ｎｍを超えると，後述の軟磁性下地層１８と垂直磁気記録層１３との磁気的な空間が広がりすぎ，記録特性（writability）が低下する。
【００５８】
パターンド媒体１０ａは，図７中のステップＳ２４，Ｓ１１〜Ｓ１５の工程で作成できる。
【００５９】
（変形例２）
図５は，変形例２に係るパターンド媒体１０ｂを表す断面図である。パターンド媒体１０ｂでは，基板１１上に，非晶質シード層１７，第２の非磁性下地層１６，非磁性下地層１２，垂直磁気記録層１３，保護層１４，および潤滑剤層１５が順に積層されている。垂直磁気記録層１３では，硬磁性記録層１３１，非磁性中間層１３２，軟磁性記録層１３３が順に積層され，かつパターン化された微細形状配列構造を有する。
【００６０】
第２の非磁性下地層１６と基板１１との間に，Ｎｉを含有する非晶質合金からなる非晶質シード層１７を配置すると，非磁性下地層１２の（１００）面への配向分散が向上して好ましい。
【００６１】
ここでいう非晶質とは，必ずしもガラスのような完全な非晶質を意味するものではなく，局所的に２ｎｍ以下の粒径の微細結晶がランダムに配向した状態の膜でも良い。
【００６２】
このようなＮｉを含有する合金としては，例えばＮｉ−Ｎｂ合金，Ｎｉ−Ｔａ合金，Ｎｉ−Ｚｒ合金，Ｎｉ−Ｗ合金，Ｎｉ−Ｍｏ合金，またはＮｉ−Ｖ合金といった合金系が好ましく用いられる。
【００６３】
これらの合金中のＮｉ含有量は，２０から７０原子パーセントの範囲であれば，非晶質になりやすく，好ましい。さらに，酸素を含む雰囲気中に，シード層の表面を曝露させると好ましい場合がある。
【００６４】
非晶質シード層１７の膜厚は，１ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲が好ましく，５ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲であればより好ましい。膜厚が１ｎｍ未満では，上述の配向分散低減効果が顕著には現れ難い。膜厚が２０ｎｍを超えると，後述の軟磁性下地層１８と垂直磁気記録層１３との磁気的な空間が広がりすぎ，記録特性（writability）が低下する。
【００６５】
パターンド媒体１０ｂは，図７中のステップＳ２３，Ｓ２４，Ｓ１１〜Ｓ１５の工程で作成できる。
【００６６】
（変形例３）
図６は，変形例３に係るパターンド媒体１０ｃを表す断面図である。パターンド媒体１０ｃでは，基板１１上に，軟磁性下地層１８，非晶質シード層１７，第２の非磁性下地層１６，非磁性下地層１２，垂直磁気記録層１３，保護層１４，および潤滑剤層１５が順に積層されている。垂直磁気記録層１３では，硬磁性記録層１３１，非磁性中間層１３２，軟磁性記録層１３３が順に積層され，かつパターン化された微細形状配列構造を有する。
【００６７】
非磁性下地層１２と基板１１との間に高透磁率な軟磁性下地層１８を設けることにより，いわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において，軟磁性下地層１８は，磁気ヘッドの機能の一部を担う。即ち，軟磁性下地層１８は，垂直磁気記録層１３を磁化するための磁気ヘッド，例えば，単磁極ヘッドからの記録磁界を，水平方向に通し，磁気ヘッド側へ還流させる。軟磁性下地層１８は，急峻で充分な垂直磁界を磁界の記録層に印加させ，記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００６８】
軟磁性下地層１８の構成材料として，例えば，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＢ，ＣｏＴａＺｒ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＴａＣ，ＣｏＴａＣ，ＮｉＦｅ，Ｆｅ，ＦｅＣｏＢ，ＦｅＣｏＮ，ＦｅＴａＮ，ＣｏＩｒ等が挙げられる。
【００６９】
軟磁性下地層１８は，二層以上の多層膜であっても良い。その場合，それぞれの層の材料，組成，膜厚が異なっていても良い。また，軟磁性下地層１８は，これらの二層を薄いＲｕ層を挟んで積層させた，三層構造としても良い。軟磁性下地層１８の膜厚は，重ね書き（ＯＷ：Over Write）特性と信号対雑音比（ＳＮＲ: Signal Noise Ratio）のバランスにより適宜調整される。
【００７０】
各層の成膜法としては真空蒸着法，スパッタリング法，化学気相成長法，レーザーアブレーション法を用いることができる。スパッタリング法として，コンポジットターゲットを用いた単元のスパッタリング法及びそれぞれの物質のターゲットを用いた，多元同時スパッタリング法を用いることができる。
【００７１】
パターンド媒体１０ｃは，図７中の工程で作成できる。
【００７２】
（第２の実施形態）
図８は，第２の実施形態に係る磁気記録再生装置６０を示す図である。
磁気記録再生装置６０は，ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。記録用媒体ディスク６２は，スピンドルモータ６３に装着され，駆動装置制御部（図示せず）からの制御信号に応答するモータ（図示せず）により矢印Ａの方向に回転する。本実施形態に係る磁気記録再生装置６０は，複数の記録用媒体ディスク６２を備えたものとしても良い。
【００７３】
記録用媒体ディスク６２が回転すると，サスペンション６４による押付け圧力とヘッドスライダーの媒体対向面（ＡＢＳともいう）で発生する圧力とが釣り合う。その結果，ヘッドスライダーの媒体対向面は，記録用媒体ディスク６２の表面から所定の浮上量をもって保持される。
【００７４】
サスペンション６４は，駆動コイル（図示せず）を保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム６５の一端に接続されている。アクチュエータアーム６５の他端には，リニアモータの一種であるボイスコイルモータ６７が設けられている。ボイスコイルモータ６７は，アクチュエータアーム６５のボビン部に巻き上げられた駆動コイル（図示せず）と，このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とから構成することができる。
【００７５】
アクチュエータアーム６５は，軸受部６６の上下２箇所に設けられたボールベアリング（図示せず）によって保持され，ボイスコイルモータ６７により回転摺動が自在にできる。その結果，磁気記録ヘッドを記録用媒体ディスク６２の任意の位置に移動できる。
【実施例】
【００７６】
以下，実施例を具体的に説明する。
（実施例１）
２．５インチハードディスク形状の非磁性のガラス製基板１１（ＯＨＡＲＡ社製ＴＳ−１０ＳＸ）を，ＡＮＥＬＶＡ社製ｃ−３０１０型スパッタリング装置の真空チャンバー内に導入した。
【００７７】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を１×１０−５Ｐａ以下に排気した後，軟磁性下地層１８としてＣｏ−５％Ｚｒ−５％Ｎｂ合金を２０ｎｍ，非晶質シード層１７としてＮｉ−４０％Ｔａを５ｎｍ，順次成膜した。その後，チャンバー内圧力が５×１０−２ＰａとなるようにＡｒ−１％Ｏ２ガスを導入し，このＡｒ／Ｏ２雰囲気中に非晶質シード層１７の表面を５秒間曝露した。その後，第２の非磁性下地層１６としてＣｒを５ｎｍ，非磁性下地層１２としてＰｔを１０ｎｍ成膜した。
【００７８】
その後，赤外線ランプヒーターを用いて基板１１を３００℃に加熱した。昇温時間は１３秒であった。加熱後，垂直磁気記録層１３（硬磁性記録層１３１）としてＦｅ−５０％Ｐｔを５ｎｍ成膜した。さらに，基板１１の温度を室温まで冷却したのち，ミリングマスク２１としてＣを２０ｎｍ，Ｓｉを３ｎｍ，順次成膜した。
【００７９】
軟磁性下地層１８，非晶質シード層１７，第二の非磁性下地層１６，非磁性中間層１３２，軟磁性記録層１３３，非磁性下地層１２，ミリングマスク２１の成膜時のＡｒ圧力はいずれも０．７Ｐａ，硬磁性記録層１３１（ＦｅＰｔ）成膜時のＡｒ圧力は８Ｐａであった。スパッタリングターゲットはそれぞれ直径１６４ｍｍのＣｏ−５％Ｚｒ−５％Ｎｂターゲット，Ｎｉ−４０％Ｔａターゲット，Ｃｒターゲット，Ｐｔターゲット，Ｆｅ−５０％Ｐｔターゲット，Ｃターゲット，Ｓｉターゲットを用い，ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て１００Ｗとした。ターゲットと基板１１の間の距離は５０ｍｍとした。
【００８０】
このほか，垂直磁気記録層１３を，Ｃｏ−５０％Ｐｔ，Ｆｅ−５０％Ｐｄとしたものも，同様の要領で作製した。
【００８１】
このほか，非磁性下地層１２をＲｕに変えたものを，以下の要領で作製した。
スパッタリング装置の真空チャンバー内を１×１０−５Ｐａ以下に排気した後，軟磁性下地層１８としてＣｏ−５％Ｚｒ−５％Ｎｂ合金を２０ｎｍ，第二の非磁性下地層１６としてＰｄを５ｎｍ，非磁性下地層１２としてＲｕを２０ｎｍ，順次成膜した。その後，赤外線ランプヒーターを用いて基板１１を３００℃に加熱した。昇温時間は１３秒であった。加熱後に垂直磁気記録層１３（硬磁性記録層１３１）としてＣｏ−５０％Ｐｔを５ｎｍ成膜した。さらに，基板１１の温度を室温まで冷却した後，ミリングマスク２１としてＣを２０ｎｍ，Ｓｉを３ｎｍ，順次成膜した。
【００８２】
成膜後，以下の要領で垂直磁気記録層１３をドットにパターン加工した。基板１１をスパッタリング装置から取り出し，ＰＳ（ポリスチレン）−ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ジブロックポリマーを有機溶剤に溶かしたものをスピンコート法で塗布し，２００℃で熱処理した。
【００８３】
その後ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥで相分離したＰＭＭＡを除去した。その後，Ｏ２ガスを用いたＲＩＥで，Ｃからなるドット形状のミリングマスク２１を形成した。このとき，基板１１を加熱していない。即ち，ミリングマスク２１の形成時（ミリングマスク２１のミリング時）の温度Ｔ１は，室温（ＲＴ）である。
【００８４】
その後，赤外線ランプヒーターを用いて基板１１を３００℃に加熱した。この温度を維持した状態で，イオンガンを用いたＡｒイオンミリングで垂直磁気記録層１３をエッチングした。即ち，垂直磁気記録層１３のミリング時の温度Ｔ２は，３００℃である。Ａｒイオンの加速電圧は６００Ｖ，ミリング時間は８ｓ（秒）とした。この結果，１７ｎｍピッチのビットパタン配列が作製された。
【００８５】
（比較例１）
比較例として，イオンミリング時に基板１１を加熱せずに，パターンド媒体を以下の要領で作製した。イオンミリング時に基板１１を加熱しない以外は，実施例１と同様の要領でパターンド媒体を作製した。即ち，ミリングマスク２１の形成時（ミリングマスク２１のミリング時）の温度Ｔ１および垂直磁気記録層１３のミリング時の温度Ｔ２はいずれも，室温（ＲＴ）である。
【００８６】
（比較例２）
比較例として，イオンミリング時に基板１１を加熱せず，イオンミリング後にポストアニールを行ったパターンド媒体を以下の要領で作製した。比較例１と同様の要領でイオンミリングした。即ち，ミリングマスク２１の形成時（ミリングマスク２１のミリング時）の温度Ｔ１および垂直磁気記録層１３のミリング時の温度Ｔ２はいずれも，室温（ＲＴ）である。
【００８７】
その後，電気炉を用いて，真空中で基板１１を３００℃に加熱してパターンド媒体を作製した。昇温時間は３０分，温度保持は６０分間であった。
【００８８】
得られた各パターンド媒体について，Ｐｈｉｌｉｐｓ社製Ｘ線回折装置Ｘ‘ｐｅｒｔ−ＭＲＤを用いて，Ｃｕ−Ｋα線を加速電圧４５ｋＶ，フィラメント電流４０ｍＡの条件で発生させ，θ−２θ法により，結晶構造及び結晶面配向性を評価した。
【００８９】
各パターンド媒体の垂直磁気記録層１３の膜垂直方向のＨｃは，ネオアーク社製極Ｋｅｒｒ効果評価装置ＢＨ−Ｍ８００ＵＶ−ＨＤ−１０にて，波長４０８ｎｍのレーザ光源を用い，最大印加磁界２０ｋＯｅ，磁界掃引速度１３３Ｏｅ／ｓの条件にて評価した。
【００９０】
各パターンド媒体の反転磁界分散（ＳＦＤ）は，極Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いたΔＨｃ／Ｈｃ法にて評価した。図９に，ΔＨｃとその評価法を示す。すなわち，前述の要領でヒステリシスループ（太い実線）を得た後，ヒステリシスループ上の−Ｈｃの点から印加磁界を折り返して，Ｈｓまで至らせ，マイナーループ（太い点線）を得る。マイナーループ上におけるθｓ／２となる磁界とヒステリシスループの第二象限上における磁界との差を２ΔＨｃとし，Ｈｃで規格化してΔＨｃ／Ｈｃを得る。
【００９１】
反転磁界分散（ＳＦＤ）は，次の式を用いて算出した。
ＳＦＤ  ＝  ΔＨｃ／１．３８Ｈｃ
【００９２】
また，上記装置を用い，各パターンド媒体の熱揺らぎ耐性指標βを以下の要領で評価した。なお，βの値が大きいほど熱揺らぎ耐性が高い。
βは，残留保磁力の磁界印加時間（ｔ）依存性Ｈｃｒ（ｔ）より，次の式を用いて得ることができる；
Ｈｃｒ（ｔ）＝Ｈ０（１−（ｌｎ（ｆ０・ｔ）／β）０．５）
【００９３】
ここで，Ｈ０は時刻ゼロでの保磁力，ｆ０は頻度因子（１０９秒），β＝ＫｕＶ／ｋＢＴであり，Ｋｕは磁気異方性エネルギー密度，ｋＢはボルツマン定数，Ｔは絶対温度である。種々のｔに対してフィッティングでβとＨ０を求めることができる。
【００９４】
通常のＫｅｒｒ測定の結果をこれに用いるために，挿引速度ｔｓｗｐを変えて測定を行い，得られた保磁力Ｈｃ（ｔｓｗｐ）を残留保磁力Ｈｃｒ（ｔ）に変換した。この変換は，文献（M.P.Sharrock: IEEE Trans. Magn. 35 p.4414 (1999)）中にある式をセルフコンシステントに解くことで行った。
【００９５】
各垂直磁気記録媒体の各層の微細構造は，加速電圧４００ｋＶのＴＥＭを用いて評価した。各パターンド媒体のドット形状は，走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて評価した。
【００９６】
ＸＲＤ評価の結果，非磁性下地層１２としてＣｒ及びＰｔを用いた媒体は，いずれも硬磁性結晶粒はＬ１０構造を有していることが分かった。一方，非磁性下地層１６としてＲｕを用いた硬磁性結晶粒は，Ｌ１１構造を有していることが分かった。いずれの媒体も硬磁性記録層１３１の結晶粒子もｃ面配向していることが分かった。
【００９７】
ＳＥＭ観察の結果，いずれのパターンド媒体の磁性ドットも，ドットピッチ約１７ｎｍの規則的配列構造を取っていることが分かった。
【００９８】
表１に，Ｋｅｒｒ測定によって得られた保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及びＸＲＤ評価によって得られた硬磁性記録層の規則度Ｓを示す。
【００９９】
【表１】
0005535293.tif 000002
【０１００】
実施例１のパターンド媒体は比較例１，２の媒体に比べて，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓが向上している。イオンミリング中に基板１１を加熱することによって，硬磁性結晶粒内の不規則相形成が抑制され，規則度Sが向上した結果，磁気異方性エネルギー密度Ｋｕが増加したためと考えられる。
【０１０１】
比較例２のパターンド媒体は，比較例１のパターンド媒体に比べて，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓのいずれも大きな改善が見られなかった。これは，ミリング時に基板１１を加熱したときに比べて，ミリング後に基板１１を加熱（アニール）したときは，硬磁性結晶が再規則化しにくく，規則度Sが大きく向上しなかったためと考えられる。
【０１０２】
以上のように，第１の元素（ＦｅまたはＣｏ），第２の元素（ＰｔまたはＰｄ）を含み，Ｌ１０またはＬ１１構造を有する硬磁性合金材料を硬磁性記録層１３１とし，３００℃でミリングすることで，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓが向上することが判った。
【０１０３】
（実施例２）
イオンミリング加工時の基板１１の温度Ｔ２を，２００から６００℃の範囲で変化させたパターンド媒体を，以下の要領で作製した。
【０１０４】
イオンミリング加工時の基板１１の温度Ｔ２を，２００から６００℃の範囲で変化させた以外は，実施例１と同様の要領で作製した。
【０１０５】
ＸＲＤ評価の結果，非磁性下地層１２としてＣｒ及びＰｔを用いた媒体は，いずれも硬磁性結晶粒はＬ１０構造を有していることが分かった。一方，非磁性下地層１２としてＲｕを用いた硬磁性化粧粒は，Ｌ１１構造を有していることが分かった。いずれの媒体も硬磁性記録層１３１の結晶粒子もｃ面配向していることが分かった。
【０１０６】
ＳＥＭ観察の結果，イオンミリング時の基板１１の温度Ｔ２が５００℃以下のパターンド媒体の磁性ドットはドットピッチ約１７ｎｍの規則的配列構造を取っていることが分かった。一方，基板１１の温度Ｔ２が５００℃を超えるパターンド媒体は，一部のドットで凝集が認められた。
【０１０７】
表２に，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓを示す。
【０１０８】
【表２】
0005535293.tif 000003
【０１０９】
基板１１の温度Ｔ２が２５０℃乃至５００℃の範囲であれば，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓが向上している。これは，イオンミリング中に基板１１を加熱することによって，硬磁性結晶粒内の不規則相形成が抑制され，規則度Ｓが向上した結果，磁気異方性エネルギー密度Ｋｕが増加したためと考えられる。基板１１の温度Ｔ２が，３００℃乃至４００℃の範囲にあれば，さらに好ましいことが分かる。
【０１１０】
一方，基板１１の温度Ｔ２が５００℃を超えると，保磁力Ｈｃ及び熱揺らぎ耐性指標βが劣化し，好ましくない。これは，ドット間の凝集や非磁性下地層１２と硬磁性結晶粒間の固溶が発生したため，磁気特性が劣化したためと考えられる。
【０１１１】
（実施例３）
ミリングマスク２１の加工時に基板１１を加熱したパターンド媒体を，以下の要領で作製した。基板１１を加熱した状態でＯ２ガスを用いたＲＩＥでＣからなるドット形状のミリングマスク２１を形成した以外は実施例１と同様の要領で作製した。
【０１１２】
ＸＲＤ評価の結果，非磁性下地層１２としてＣｒ及びＰｔを用いた媒体は，いずれも硬磁性結晶粒はＬ１０構造を有していることが分かった。一方，非磁性下地層１２としてＲｕを用いた硬磁性結晶粒は，Ｌ１１構造を有していることが分かった。いずれの媒体も硬磁性記録層１３１の結晶粒子もｃ面配向していることが分かった。
【０１１３】
ＳＥＭ観察の結果，いずれのパターンド媒体の磁性ドットも，ドットピッチ約１７ｎｍの規則的配列構造を取っていることが分かった。
【０１１４】
表３に，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓを示す。
【０１１５】
【表３】
0005535293.tif 000004
【０１１６】
ミリングマスク２１形成時の基板１１の温度Ｔ１が２５０℃乃至５００℃の範囲であれば，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓがさらに向上している。これは，イオンミリング中に基板１１を加熱することによって，硬磁性結晶粒内の不規則相形成が抑制され，規則度が向上した結果，磁気異方性エネルギー密度Ｋｕが増加したためであると考えられる。さらに，基板１１の温度Ｔ１が，３００℃乃至４００℃の範囲にあれば，さらに好ましいことが分かる。
【０１１７】
一方，ミリングマスク２１形成時の基板１１の温度Ｔ１が５００℃を超えると，Ｈｃ及びβが劣化し，好ましくないことが分かった。これは，非磁性下地層１２と硬磁性結晶粒間の固溶が発生したため，磁気特性が劣化したためと考えられる。
【０１１８】
（実施例４）
垂直磁気記録層１３を，硬磁性記録層１３１と軟磁性記録層１３３の二層としたパターンド媒体を，以下の要領で作製した。
実施例１と同様の要領で，硬磁性記録層１３１を成膜したのち，軟磁性記録層１３３として，Ｃｏ−５０％Ｐｔを１ｎｍ成膜した。軟磁性記録層１３３の成膜時のＡｒ圧力はいずれも０．７Ｐａで行った。このほか，軟磁性記録層１３３の材料をＦｅ−５０％Ｐｔに変えたもの，及びＰｔ組成を変化させたものも作製した。
【０１１９】
その後，実施例１と同様の要領で，ミリングマスク材料の成膜，ミリングマスク２１の形成（エッチング），垂直磁気記録層１３のミリングを順次行った。
【０１２０】
ＸＲＤ評価の結果，非磁性下地層１２としてＣｒ及びＰｔを用いた媒体は，いずれも硬磁性結晶粒はＬ１０構造を有していることが分かった。一方，非磁性下地層１２としてＲｕを用いた硬磁性結晶粒は，Ｌ１１構造を有していることが分かった。
【０１２１】
また，いずれのパターンド媒体の軟磁性記録層１３３も，規則合金化しておらず，ｆｃｃまたはｈｃｐ構造を有することが分かった。いずれの媒体も硬磁性記録層１３１の結晶粒子もｃ面配向していることが分かった。
【０１２２】
ＳＥＭ観察の結果，いずれのパターンド媒体の磁性ドットも，ドットピッチ約１７ｎｍの規則的配列構造を取っていることが分かった。
【０１２３】
表４に，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓを示す。
【０１２４】
【表４】
0005535293.tif 000005
【０１２５】
軟磁性記録層１３３として，ｆｃｃ構造を有し，かつＰｔ組成が４０乃至７０原子％の範囲のＣｏ−Ｐｔ合金を用いると，好ましいことが分かった。熱揺らぎ耐性指標βを維持したまま保磁力Ｈｃを低減できる。Ｐｔ組成が４０％未満では，顕著な効果が見られなかった。これは，ミリングマスク２１形成工程における酸素ＲＩＥによって，軟磁性記録層のＣｏ原子の一部が酸化したためであると考えられる。また，Ｐｔ組成が７０％を超えると，顕著な効果が見られなかった。これは軟磁性記録層の飽和磁化量が低下したためであると考えられる。
【０１２６】
同様の傾向は，軟磁性記録層１３３がＦｅ−Ｐｔ合金の場合にも認められた。即ち，軟磁性記録層１３３として，ｆｃｃ構造を有し，かつＰｔ組成が４０乃至７０原子％の範囲のＦｅ−Ｐｔ合金を用いると，好ましい。
【０１２７】
なお，表４において，硬磁性記録層１３１の材料，ミリング時の温度T２が同一なので，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓは実質的に同一となる。
【０１２８】
（実施例５）
垂直磁気記録層１３を，硬磁性記録層１３１，非磁性中間層１３２，軟磁性記録層１３３の三層としたパターンド媒体を，以下の要領で作製した。
【０１２９】
硬磁性記録層１３１と軟磁性記録層１３３の間に非磁性中間層１３２としてＰｔを成膜した以外は，実施例４と同様の要領で作製した。
【０１３０】
非磁性中間層１３２としてＰｔの代わりに，Ｐｄ，ＺｎＯを用いたものも同様に作製した。
【０１３１】
非磁性中間層１３２の成膜時のＡｒ圧力はいずれも０．７Ｐａ，スパッタリングターゲットはそれぞれ，直径１６４ｍｍのＰｔターゲット，Ｐｄターゲット，ＺｎＯ−２ｗｔ．％Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用い，ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て１００Ｗとした。
【０１３２】
ＸＲＤ評価の結果，非磁性下地層１２としてＣｒ及びＰｔを用いた媒体は，いずれも硬磁性結晶粒はＬ１０構造を有していることが分かった。一方，非磁性下地層１２としてＲｕを用いた硬磁性結晶粒は，Ｌ１１構造を有していることが分かった。また，いずれのパターンド媒体の軟磁性記録層１３３も，規則合金化しておらず，ｆｃｃ構造を有することが分かった。いずれの媒体も硬磁性記録層１３１の結晶粒子もｃ面配向していることが分かった。
【０１３３】
ＳＥＭ観察の結果，いずれのパターンド媒体の磁性ドットも，ドットピッチ約１７ｎｍの規則的配列構造を取っていることが分かった。
【０１３４】
表５に，保磁力Ｈｃ，反転磁界のばらつきＳＦＤ，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓを示す。
【０１３５】
【表５】
0005535293.tif 000006
【０１３６】
硬磁性記録層１３１等と軟磁性記録層１３３の間に，Ｐｔの非磁性中間層１３２を０．５乃至２ｎｍの範囲で設けることが，好ましいことが分かった。熱揺らぎ耐性指標βを維持したまま，保磁力Ｈｃ及び反転磁界のばらつきＳＦＤを低減できる。
【０１３７】
同様の傾向は，非磁性中間層１３２がＰｄ，ＺｎＯの場合にも認められた。即ち，非磁性中間層１３２がＰｄ，ＺｎＯの場合でも，膜厚が０．５乃至２ｎｍの範囲であることが，好ましい。
【０１３８】
なお，表５において，硬磁性記録層１３１の材料，ミリング時の温度T２が同一なので，熱揺らぎ耐性指標β，及び規則度Ｓは実質的に同一となる。
【０１３９】
以上の実施形態では，パターンド媒体を説明したが，実施形態の技術は，磁気記録媒体一般にも適用できる。
【０１４０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが，これらの実施形態は，例として提示したものであり，発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は，その他の様々な形態で実施されることが可能であり，発明の要旨を逸脱しない範囲で，種々の省略，置き換え，変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は，発明の範囲や要旨に含まれるとともに，特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４１】
１０   パターンド媒体
１１   基板
１２   非磁性下地層
１３   垂直磁気記録層
１３１ 硬磁性記録層
１３２ 非磁性中間層
１３３ 軟磁性記録層
１４   保護層
１５   潤滑剤層
１５   潤滑剤層
１５   潤滑剤層
１６   非磁性下地層
１７   非晶質シード層
１８   軟磁性下地層
６０   磁気記録再生装置
６２   記録用媒体ディスク
６３   スピンドルモータ
６４   サスペンション
６５   アクチュエータアーム
６６   軸受部
６７   ボイスコイルモータ
【図１】
0005535293.tif 000007
【図２】
0005535293.tif 000008
【図３Ａ】
0005535293.tif 000009
【図３Ｂ】
0005535293.tif 000010
【図３Ｃ】
0005535293.tif 000011
【図３Ｄ】
0005535293.tif 000012
【図３Ｅ】
0005535293.tif 000013
【図４】
0005535293.tif 000014
【図５】
0005535293.tif 000015
【図６】
0005535293.tif 000016
【図７】
0005535293.tif 000017
【図８】
0005535293.tif 000018
【図９】
0005535293.tif 000019