(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シートと、
前記基体シートの上に部分的又は全面に形成され厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層と、
前記金属薄膜層の上に形成されグラフェンを主成分とする透明導電膜層と、
前記透明導電膜層の一部上に形成される引き回し回路パターン層と、
を備える転写シート。
【請求項２】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シートと、
前記基体シートの上に部分的又は全面に形成され厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層と、
前記金属薄膜層の上に形成され、グラフェンを主成分とする透明導電膜層と、
前記透明導電膜層と前記金属薄膜層の端面形状に沿うようにして、前記透明導電膜層の端部から前記基体シートに亘って連続的に形成される引き回し回路パターン層と、
を備える転写シート。
【請求項３】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シートと、
前記基体シートの上に部分的又は全面に形成され厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層と、
前記金属薄膜層の上に部分的に形成され、グラフェンを主成分とする透明導電膜層と、
前記透明導電膜層の端面形状に沿うようにして、前記透明導電膜層の端部から前記金属薄膜層に亘って連続的に形成される引き回し回路パターン層と、
を備える転写シート。
【請求項４】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シートと、
前記基体シートの上に部分的に形成される引き回し回路パターン層と、
前記引き回し回路パターン層の上と、前記基体シート上の引き回し回路が形成されていない領域に前記基体シートの平滑性を反映するように部分的又は全面的に形成され、厚さが０．０１〜１μｍである金属薄膜層と、
前記金属薄膜層の上に形成されグラフェンを主成分とする透明導電膜層と、
を備える転写シート。
【請求項５】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シートと、
前記基体シートの上に部分的又は全面に形成され厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層と、
前記金属薄膜層の一部分に形成される引き回し回路パターン層と、
前記引き回し回路パターン層と並設するよう前記金属薄膜層の上に形成されるグラフェンを主成分とする透明導電膜層と、
を備える転写シート。
【請求項６】
前記基体シートの上に離型層を備える請求項１〜５のいずれかに記載される転写シート。
【請求項７】
前記金属薄膜層の上に接着層を備える請求項１〜６のいずれかに記載される転写シート。
【請求項８】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上の一部分にマスク層をパターン形成する工程と、
前記基体シートの前記マスク層の形成されていない領域の一部に引き回し回路パターン層を形成する工程と、
前記基体シートの前記マスク層と前記引き回し回路パターン層の形成されていない領域に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、
前記部分的に形成された金属薄膜層と前記引き回し回路パターン層の上とにグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを、
備える転写シートの製造方法。
【請求項９】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上の一部分に引き回し回路パターン層を形成する工程と、
前記基体シート上の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域と前記引き回し回路パターン層上、又は前記基体シート上の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域のみにマスク層を部分的に形成する工程と、
前記基体シート上の前記マスク層と前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域と、前記マスク層上と、前記引き回し回路パターン層の上に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金
属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、
前記部分的に形成した金属薄膜層上と前記引き回し回路パターン層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを、
備える転写シートの製造方法。
【請求項１０】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上にマスク層を部分的に形成する工程と、
前記基体シート上のマスク層が形成されていない領域と、前記マスク層に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記金属薄膜層が形成された基体シート上の前記マスク層が形成されていない領域に引き回し回路パターン層を形成する工程と、
前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、
前記部分的に形成された金属薄膜層上と前記引き回し回路パターン層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【請求項１１】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上にマスク層を部分的に形成する工程と、
前記基体シート上の前記マスク層が形成されていない領域と、前記マスク層上に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、
前記部分的に形成した前記金属薄膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
前記透明導電膜層の上に引き回し回路パターン層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【請求項１２】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上にマスク層を部分的に形成する工程と、
前記基体シート上のマスク層が形成されていない領域と、前記マスク層に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、
前記基体シート上の前記剥離除去された前記マスク層が形成されていた領域、又は前記領域と前記基体シートの上に部分的に形成された前記金属薄膜層に引き回し回路パターン層を形成する工程と、
前記基体シートの上に部分的に形成された前記金属薄膜層であって前記引き回し回路層が形成されていない箇所にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【請求項１３】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上に引き回し回路パターン層を部分的に形成する工程と、
前記基体シートの前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域と前記引き回し回路パターン層の上に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記金属薄膜層上の一部分にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層が形成されていない部分の前記金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シートまたは前記引き回し回路パターン層の上に部分的に形成する工程と、
前記基体シートまたは前記引き回し回路パターン層の上に部分的に形成された前記金属薄膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【請求項１４】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記金属薄膜層の上に引き回し回路パターン層を部分的に形成する工程と、
前記金属薄膜層の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域にレジスト層を部分的に形成する工程と
前記レジスト層が形成されていない箇所の前記金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、
前記部分的に形成した前記金属薄膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【請求項１５】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記金属薄膜層上にレジスト層を部分的に形成する工程と、
前記金属薄膜層の前記レジスト層が形成されていない箇所の前記金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去して、前記基体シートの上に前記金属薄膜層を部分的に形成する工程と、
前記基体シートの上に部分的に形成された前記金属薄膜層の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
前記透明導電膜層の上に引き回し回路パターン層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【請求項１６】
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍ以下である基体シート上に厚さが、０．０１〜１μｍである金属薄膜層を形成する工程と、
前記金属薄膜層の上にレジスト層を部分的に形成する工程と、
前記金属薄膜層の前記レジスト層が形成されていない箇所の前記金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去して、前記金属薄膜層を前記基体シートの上に部分的に形成する工程と、
前記金属薄膜層の上に引き回し回路パターン層を部分的に形成する工程と、
前記金属薄膜層の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、
を備える転写シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜層を有する転写シートに関し、特に透明導電膜層としてグラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法、に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの通信機器、電子情報機器、液晶ディスプレイ、太陽電池などにおいては、透明性および導電性にすぐれた透明導電フィルムが必要とされている。
【０００３】
透明導電フィルムの透明な導電材料には、主に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用されている。ただし、ＩＴＯはレアアースであるインジウムを含むことから、安定供給、環境負荷等の面から代替材料の検討がなされている。
【０００４】
ＩＴＯ代替材料としてはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、金属ナノワイヤー等が候補として挙げられている。その一つにグラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）がある。グラフェンは、炭素原子が隣接する３つの炭素原子と結合し、蜂の巣構造を有する２次元物質である。２００４年、Ａ．ＧｅｉｍとＫ．Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖが粘着テープによる高配向グラファイトの機械的剥離により初めて単離し、今まで理論的に予測されたグラフェンの特異な物性が実験的に立証されて以来、多くの研究がなされている（例えば、非特許文献１）。
【０００５】
グラフェンの成膜は、触媒であるシート状のＣｕの基板（厚み１５μｍ、２５μｍ）を円柱形の反応器に巻きつけ、１０００℃で化学気相成長（ＣＶＤ）によりＣｕ基板上に成膜した後、ロール・ツー・ロール方式が可能な長尺状の基板と貼り付け、そのＣｕ基板をエッチングにより除去する等、多くの工程がかかった（例えば、非特許文献２）。これにより、コストがかかるとともに、生成したグラフェン膜がしわ、破れ等のダメージを受け、グラフェンの品質が低下する問題があった。また、一貫したロール・ツー・ロールによって、基材上にグラフェン膜を形成する作製手法はなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｋ．Ｓ．Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖ，Ａ．Ｋ．Ｇｅｉｍ  ｅｔ  ａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ，３０６，６６６（２００４）
【非特許文献２】Ｓ．Ｂａｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ  Ｎａｎｏｔｅｃｈ．５，５７４（２０１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記問題を解消するためになされ、その目的は、品質の高いグラフェンを導電材料とする透明導電性フィルムを作製するための転写シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、発明者は鋭意検討した結果、グラフェンを導電材料とする透明導電フィルムを作製するための転写シートは、平滑性ある基体シートの上に、基体シートの平滑性を反映する金属薄膜層を形成し、その上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成した。
【０００９】
本発明の第１態様は、平滑性を備える基体シートと、前記基体シートの平滑性を反映するように基体シートの上に部分的又は全面に形成される金属薄膜層と、前記金属薄膜層の上に形成されグラフェンを主成分とする透明導電膜層と、前記透明導電膜層の上に形成される引き回し回路パターン層とを備える転写シートである。
【００１０】
本発明の第２態様は、平滑性を備える基体シートと、前記基体シートの上に部分的に形成される引き回し回路パターン層と、前記引き回し回路パターン層の上と、前記基体シート上の引き回し回路が形成されていない領域に前記基体シートの平滑性を反映するように部分的又は全面的に形成される金属薄膜層と、前記金属薄膜層の上に形成されグラフェンを主成分とする透明導電膜層と、前記透明導電膜層の上に形成される引き回し回路パターン層とを備える転写シートである。
【００１１】
本発明の第３態様は、平滑性を備える基体シートと、前記基体シートの平滑性を反映するように基体シートの上に部分的に形成される金属薄膜層と、前記金属薄膜層の上に形成され、グラフェンを主成分とする透明導電膜層と、前記透明導電膜層と前記金属薄膜層の端面形状に沿うようにして、前記透明導電膜層の端部から前記基体シートに亘って連続的に形成される引き回し回路パターン層とを備える転写シートである。
【００１２】
本発明の第４態様は、平滑性を備える基体シートと、前記基体シートの平滑性を反映するように基体シートの上に部分的に形成される金属薄膜層と、前記金属薄膜層の上に部分的に形成され、グラフェンを主成分とする透明導電膜層と、前記透明導電膜層の端面形状に沿うようにして、前記透明導電膜層の端部から前記金属薄膜層に亘って連続的に形成される引き回し回路パターン層とを備える転写シートである。
【００１３】
本発明の第５態様は、平滑性を備える基体シートと、前記基体シートの平滑性を反映するように基体シートの上に部分的又は全面に形成される金属薄膜層と、前記金属薄膜層の一部分に形成される引き回し回路パターン層と、前記引き回し回路パターン層と並設するよう前記金属薄膜層上に形成されるグラフェンを主成分とする透明導電膜層とを備える転写シートである。
【００１４】
本発明の第６態様は、前記金属薄膜層の厚さが、０．０１〜１μｍの転写シートである。
【００１５】
本発明の第７態様は、前記基体シート表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下の転写シートである。
【００１６】
本発明の第８態様は、前記基体シートの上に離型層を備える転写シートである。
【００１７】
本発明の第９態様は、前記金属薄膜層の上に接着層を備える転写シートである。
【００１８】
本発明の第１０態様は、平滑性を備える基体シート上の一部分にマスク層をパターン形成する工程と、前記基体シートの前記マスク層の形成されていない領域の一部に引き回し回路パターン層を形成する工程と、前記基体シートの前記マスク層と前記引き回し回路パターン層の形成されていない領域に金属薄膜層を形成する工程と、前記マスク層をその上に形成された金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、金属薄膜層を基体シート上に部分的に形成する工程と、前記部分的に形成された金属薄膜層と前記引き回し回路パターン層の上とにグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００１９】
本発明の第１１態様は、平滑性を備える基体シート上の一部分に引き回し回路パターン層を形成する工程と、前記基体シート上の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域と前記引き回し回路パターン層上、又は前記基体シート上の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域のみにマスク層を部分的に形成する工程と、前記基体シート上の前記マスク層と前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域と、前記マスク層上と、前記引き回し回路パターン層の上に金属薄膜層を形成する工程と、前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、前記部分的に形成した金属薄膜層上と前記透明導電膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２０】
本発明の第１２態様は、平滑性を備える基体シート上にマスク層を部分的に形成する工程と、前記基体シート上のマスク層が形成されていない領域と、前記マスク層に金属薄膜層を形成する工程と、前記金属薄膜層が形成された基体シート上の前記マスク層が形成されていない領域に引き回し回路パターン層を形成する工程と、前記マスク層をその上に形成された金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、前記部分的に形成された金属薄膜層上と前記透明導電膜上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２１】
本発明の第１３態様は、平滑性を備える基体シート上にマスク層を部分的に形成する工程と、前記基体シート上の前記マスク層が形成されていない領域と、前記マスク層上に金属薄膜層を形成する工程と、前記マスク層をその上に形成された金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を基体シート上に部分的に形成する工程と、前記部分的に形成した金属薄膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、前記透明導電膜層の上に引き回し回路パターン層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２２】
本発明の第１４態様は、平滑性を備える基体シート上にマスク層を部分的に形成する工程と、前記基体シート上のマスク層が形成されていない領域と、前記マスク層に金属薄膜層を形成する工程と、前記マスク層をその上に形成された前記金属薄膜層の一部とともに剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シート上に部分的に形成する工程と、前記基体シート上の前記剥離除去されたマスク層が形成されていた領域、又は前記領域と前記基体シートの上に部分的に形成された前記金属薄膜層に引き回し回路パターン層を形成する工程と、前記基体シートの上に部分的に形成された前記金属薄膜層であって前記引き回し回路パターン層が形成されていない箇所にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２３】
本発明の第１５態様は、平滑性を備える基体シート上に引き回し回路パターン層を部分的に形成する工程と、前記基体シートの前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域と前記引き回し回路パターン層の上に金属薄膜層を形成する工程と、前記金属薄膜層上の一部分にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層が形成されていない部分の金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去し、前記金属薄膜層を前記基体シートまたは前記引き回し回路パターン層の上に部分的に形成する工程と、前記基体シートまたは前記引き回し回路パターン層の上に部分的に形成された前記金属薄膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２４】
本発明の第１６態様は、平滑性を備える基体シート上に金属薄膜層を形成する工程と、前記金属薄膜層の上に引き回し回路パターン層を部分的に形成する工程と、前記金属薄膜層の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域にレジスト層を部分的に形成する工程と前記レジスト層が形成されていない箇所の金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去し、金属薄膜層を基体シート上に部分的に形成する工程と、前記部分的に形成した金属薄膜層上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２５】
本発明の第１７態様は、平滑性を備える基体シート上に金属薄膜層を形成する工程と、前記金属薄膜層上にレジスト層を部分的に形成する工程と、前記金属薄膜層の前記レジスト層が形成されていない箇所の金属薄膜層を除去したのち、レジスト層を剥離除去して、前記基体シートの上に前記金属薄膜層を部分的に形成する工程と、前記基体シートの上に部分的に形成された前記金属薄膜層の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程と、前記透明導電膜層の上に引き回し回路パターン層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【００２６】
本発明の第１８態様は、平滑性を備える基体シート上に金属薄膜層を形成する工程と、前記金属薄膜層の上にレジスト層を部分的に形成する工程と、前記金属薄膜層の前記レジスト層が形成されていない箇所の金属薄膜層を除去したのち、前記レジスト層を剥離除去して、前記金属薄膜層を前記基体シートの上に部分的に形成する工程と、前記金属薄膜層の上に引き回し回路パターン層を部分的に形成する工程と、前記金属薄膜層の前記引き回し回路パターン層が形成されていない領域にグラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成する工程とを備える転写シートの製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の転写シートは、平滑性を有する基体シートと、その基体シートの上に形成される金属薄膜層の膜厚も極めて薄いため、基体シート表面の平滑性が反映されて必然的に金属薄膜層表面も極めて平滑となる。したがって、その下地となり触媒でもある金属薄膜層表面が極めて平滑であるから、その上に形成する透明導電膜層はピンホール等の発生が少なく、非常に薄膜の透明導電膜層を形成する場合であっても安定して形成できる効果がある。また、透明導電膜層自体の厚みの均一性も向上する効果がある。これに加え、透明導電膜層を構成するグラフェンは非常に透明性が高いという機能も備える。
【００２８】
その結果、本発明の転写シートを用いれば、導電性、透明性に優れた透明導電体を製造できる効果がある。また、厚みの均一性が向上すれば、転写時における透明導電膜層のしわ等の発生も軽減される。さらに、金属薄膜層の膜厚が極めて薄いため、基材に接着した後の金属薄膜層の除去工程が簡易となるため、生産性よく高品質の透明導電体を製造できる効果もある。
【００２９】
本発明の転写シートは、柔軟性があるグラフェンを主成分とする透明導電膜層を用いているため、柔軟性のある被転写体上に形成できるほか、三次元形状の被転写体にも形成できる効果がある。さらに、転写シートの形成段階において金属薄膜層をパターン化できるので、被転写体上に形成した後に金属薄膜層を除去するだけで、パターン化された透明導電膜層が得られる。したがって、被転写体に形成した後の透明導電膜層のパターン化工程が不要となり工程が大幅に簡略化できる効果がある。
【００３０】
また、本発明の転写シートには、引き回し回路もパターンで形成されている。したがって、被転写体に形成した後の引き回し回路の形成およびパターン化工程が不要となり工程が大幅に簡略化できる効果がある。また、転写シート上に予め形成しているため、柔軟性のある被転写体上に形成できるほか、三次元形状の被転写体にも形成できる効果がある。さらに、非常に平滑な離型性を有する基体シート表面上に転写層の一部として形成しているので、被転写体上に転写形成した後の表面が面一であり、耐摩耗性などの性能が向上し、またデザイン性も向上する効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る転写シートの断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る転写シートの変形例の断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２実施形態に係る転写シートの断面図である。
【図４】図４は、本発明の第３実施形態に係る転写シートの断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３実施形態に係る転写シートの変形例の断面図である
【図６】図６は、本発明の第４実施形態に係る転写シートの断面図である。
【図７】図７は、本発明の第５実施形態に係る転写シートの断面図である。
【図８】図８は、本発明に係る転写シートの製造方法の第１実施形態を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明に係る転写シートの製造方法の第２実施形態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明に係る転写シートを用いて作成された透明導電体示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施例１〜５、および比較例１〜５の転写シートの評価結果を示した図である。
【００３２】
下記で、本発明に係る実施形態を図面に基づいてさらに詳細に説明する。なお、本発明の実施例に記載した部位や部分の寸法、材質、形状、その相対位置などは、とくに特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例にすぎない。
【００３３】
図１は、この発明の第１実施形態に係る転写シートを示した図である。図１を参照して、本発明の転写シート１は、基体シート２、金属薄膜層３、透明導電膜層４、引き回し回路パターン層５、離型層６および接着層７から構成されている。本発明の転写シート１は、基体シート２の上に離型層６が全面的に形成され、その離型層６の上に金属薄膜層３が部分的に形成されている。そして、上記金属薄膜層３に沿って透明導電膜層４が形成され、透明導電膜層４の端部から基体シート２に亘って、透明導電膜層４と金属薄膜層３の端面形状に沿うようにして連続的に引き回し回路パターン層が形成されている。また、接着層７が全面的に転写シート１上に形成されている。このように、転写シート１が構成されていると、転写後の引き回し回路パターン層５上には、金属薄膜層３および透明導電膜層４が形成されている部分と離型層６に接して形成される部分が存在することになる。前者の部分においては、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５を保護することとなるので金属薄膜層３をエッチングなどで除去する際、引き回し回路パターン層５が腐食されるなどの不具合が生じにくいというメリットがある。後者の部分においては、転写すると引き回し回路パターン層５が露出され、外部回路と直接的に電気接続できるメリットがある。
【００３４】
［基体シート］
基体シート２は、金属薄膜層３や透明導電膜層４を支持するためのものである。基体シートの２の表面は優れた平滑性と離型性を備えている。基体シート２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍであることが好ましい。これは基体シート２の算術平均粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍを超えると、基体シート２の上に形成される金属薄膜層３の凹凸形状が大きくなり、金属薄膜層３上に生成するグラフェンのグレインサイズが比較的小さくなる等により結晶性が低下し、グラフェンを主成分とする透明導電膜層４の導電性が低下するといった問題が発生し、反対に、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１ｎｍ未満になると基体シート２表面の凹凸形状を均一にすることができず、基体シート２の離型性能が低下する問題が発生するため、被転写体に透明導電膜層を転写できなくなるといった問題が発生するからである。なお、該算術平均粗さ（Ｒａ）は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１−１９９４に準拠したものである。
【００３５】
基体シートの厚みは、１０μｍ〜５００μｍであることが好ましい。基体シート２の厚みが、１０μｍ未満であると、基体シート２の剛性が失われるので、基体シート２の上に金属薄膜層３や透明導電膜層４を形成したとき、金属薄膜層３や透明導電膜層４を支持できなくなるといった問題が生じる。しかし、基体シートの厚みとその表面の凹凸に相関性があるので、基体シートの厚みが一定以上に厚くなると、つまり、基体シート２の厚みが５００μｍを超えると、基体シート２表面の形状が算術平均粗さ（Ｒａ）で２０ｎｍを超えてしまい、上述のような問題が生じてしまうためである
【００３６】
基体シート２の材質は、後述の透明導電膜層４の形成時において生じる熱に耐えうる耐熱性を有する材質であれれば、特に制限はない。そのような耐熱性を有する材質の例としては、ポリアラミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルフィッド、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドイミド、ポリアリレート、高密度ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビル、ポリ塩化ビニリデン、液晶ポリマー等の樹脂や、ソーダガラスなどのガラスなどが挙げられる。
【００３７】
基体シート２を構成する材質が、離型性を備えていない場合、基体シート２を離型処理するとよい。基体シート２を離型処理する方法としては（１）基体シート２にフッ化炭化水素系化合物の雰囲気で、低圧プラズマ処理する方法、（２）アルゴンとアセトン及び／又はヘリウムからなる雰囲気下で、基体シートに放電プラズマを行う方法、（３）フッ素原子含有ガスと不活性ガスからなる混合ガスの大気圧下で、対向電極面に固体誘電体を設置し、この対向電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマで、基体シートを離型処理する方法が挙げられる。
【００３８】
［金属薄膜層］
本発明の金属薄膜層３は、透明導電層４の主成分であるグラフェンを基体シート２上に生成するための触媒機能と、基体シート２の平滑性を金属薄膜層３に反映させる機能を備えた層である。金属薄膜層３の材質は、銅、ニッケル、ルテニウム、鉄、コバルト、イリジウム、白金等の金属、これらの合金などが用いられる。基体シート２の平滑性を金属薄膜層３に反映させるという観点から、本発明の金属薄膜層３の厚みは、０．０１〜１μｍが好ましい。
【００３９】
金属薄膜層３の厚みが０．０１μｍ〜１μｍの範囲にあると、基体シート２の平滑性を反映できるため、金属薄膜層３の表面が平滑となり、透明導電膜層４を構成するグラフェンのグレインサイズが比較的大きくなり、導電性の良いグラフェン膜が形成されると思われる。また、金属薄膜層３の厚みが０．０１μｍ〜１μｍの範囲にあると、転写シート１を用いて、被転写体と、透明導電膜層４とからなる透明導電体を作成する場合、その一工程である転写シート１から被転写体に金属薄膜層３、透明導電膜層４を転写し、被転写体から金属薄膜層３のみを除去する工程で、金属薄膜層の厚みが従来の厚み（１５μｍ、２５μｍ）に比べ遥かに薄いので、金属薄膜層３の除去が短時間で除去することができる。なお、金属薄膜層３の厚みが０．０１μｍより薄く均一な膜に形成することは技術的に難しく、反対に金属薄膜層３の厚みを１μｍより厚いと、基体シート２の平滑性を反映しにくくなり、凹凸の大きい金属薄膜層３となりやすくなる。その結果、金属薄膜層３上に形成される透明導電層４の厚みのバラツキが大きくなって導電性が不安定になったり、ピンホールなどの欠陥が発生しやすくなるという問題が生じるためである。また、転写シート１を用いて、被転写体と、透明導電膜層４とからなる透明導電体を作成する場合、その一工程である転写シート１から被転写体に金属薄膜層３、透明導電膜層４を転写し、被転写体から金属薄膜層３のみを除去する工程で、金属薄膜層３の厚みが１μｍより厚いと、金属薄膜層３の除去に手間が掛かるといった問題が発生するためである。
【００４０】
金属薄膜層３を上記のように構成すると、金属の触媒作用により化学反応が促進され、グラフェン膜が生成するため、金属の表面の形状に沿ったグラフェン膜が生成されると考えられる。さらに、上記のように金属薄膜層３が構成されていないと、下地の金属薄膜層の平滑性はグラフェン膜の平滑性に影響を及ぼすので、平滑でないグラフェン膜は、エネルギー安定化のために、屈曲部等に５員環等が発生し、導電性が低下すると考えられる。
また、上記のように金属薄膜層３が構成されていないと、金属薄膜層２の表面が物理的に平面でなくなるの、キャリアである電子が散乱し、導電性が低下すると考えられる。金属薄膜層３の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００４１】
［透明導電膜層］
本発明の透明導電膜層４は、主成分がグラフェンから構成される層である。主成分がグラフェンから構成されるとは、透明導電膜層を構成する物質のうちで、１層又は複数層のグラフェン膜が重量比で最も多くを占めることを意味する。透明導電膜層４には不純物がふくまれていてもよい。不純物としては、アモルファスカーボン、金属薄膜層４の金属等が挙げられる。金属薄膜層４の金属とは、被転写体への転写後のエッチング工程で残留する成分である。また、透明導電膜層４は、導電性を有し、可視領域の波長の光線透過率が全体として８０パーセント以上となるように構成されている。なお、透明導電膜層４の厚みは、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。２００ｎｍ以上であると透明導電膜層４の透明性が阻害され、反対に２ｎｍ以下であると透明導電膜層４の導電性が低下するためである。透明導電膜層４は、パターンニングされた金属薄膜層３上にのみ化学気相成長法（ＣＶＤ）などにより形成される。
【００４２】
［引き回し回路パターン層］
引き回し回路パターン層５は、透明導電膜層４で検出した電気信号を外部回路に伝えるための層であり、材質としては、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウムなどの金属や、該金属の粉を含む導電性インキのほか、カーボンなどの有機系導電体などを含む導電性物質が挙げられる。引き回し回路パターン層５の形成方法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、凸版印刷等の印刷法が挙げられる。引き回し回路パターン層５が、透明導電膜層４と接着層７との間に形成されていることにより、転写後の引き回し回路パターン層５上には、外部回路と電気接続するために表面に露出させる端子箇所を除き透明導電膜層４が形成されているため、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５を保護することとなるので、金属薄膜層３をエッチングなどで除去する際、引き回し回路パターン層５が腐食されるなどの不具合が生じにくいというメリットがある。
【００４３】
［離型層］
離型層とは、転写シート１を用いて、透明導電膜層４などを基材に転写し、基材から基体シート２を剥離するとき、基体シート２とともに基材から剥離される層であり、必要に応じて基体シート２の上に形成される。離型層６を基体シート２の上に形成することにより、基体シート２の剥離重さ（剥離に必要な力）を調整することができる。これに加えて、離型層６を基体シート２の上に形成することにより、基体シート２の表面が凹凸となっている場合であっても、離型層６が基体シート２表面の凹凸を埋めるように基体シート上に被覆するので、金属薄膜層３が形成される離型層表面の算術表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍとすることができる。その結果、第１実施形態に係る転写シートの場合と同様に、グラフェンを主成分とする透明導電膜層４の導電性が低下するといった問題や、離型層の離型性能が低下する問題が発生することがなくなる。離型層６の材質は、透明導電膜層４の形成時において生じる熱に耐えうる耐熱性と所定の離型性を有し、離型層６を基体シート２の上に形成したときに、離型層６の表面が平滑性に優れるようになるものであれば、特に制限はない。離型層６の材質としては、熱硬化性アクリル、熱硬化性ポリエステル、熱硬化性ウレタン、アクリル、エポキシ、メラミン、シリコン、フッ素等の樹脂が挙げられる。離型層６の形成方法としては、ロールコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ダイコート法等による塗布などが挙げられる。
【００４４】
［接着層］
接着層７は、基材と転写シート１とを接着するための層であり、必要に応じて転写シート１の表面に形成される。接着層７は、アクリル系またはビニル系樹脂などで構成され、絶縁性を有する。ここでいう絶縁性とは、例えば、本発明により作製した透明導電体１１につき、透明導電体１１をタッチパネルにした場合の入力操作において、位置検出の誤作動の原因となる、短絡を発生させない程度以上の絶縁性のことをいう。接着層７は、グラビアコート法、ロールコート法、コンマコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等により転写シート１上に形成される。
【００４５】
図２は、この発明の第１実施形態に係る転写シートの変形例を示した図である。この実施形態における転写シート１の基本的な構成は、第１実施形態に係る転写シートによるものと同様であるので、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００４６】
再び、図２を参照して、この発明の第１実施形態の変形例に係る転写シート１は、透明導電膜層４の端部から金属蒸着層３に亘って、透明導電膜層４の端面形状に沿って引き回し回路パターン層５が形成されている。このように、転写シート１が構成されていると、転写後の引き回し回路パターン層５上には、金属薄膜層３および透明導電膜層４が形成されている部分と金属薄膜層３のみが形成される部分が存在することになる。前者の部分においては、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５を保護することとなるので金属薄膜層３をエッチングなどで除去する際、引き回し回路パターン層５が腐食されるなどの不具合が生じにくいというメリットがある。後者の部分においては、金属薄膜層３をエッチングなどで除去すると、引き回し回路パターン層５が露出され、外部回路と直接的に電気接続できるメリットがある。
【００４７】
図３は、この発明の第２実施形態に係る転写シートを示した図である。この転写シート１の構成は、基体シート１の上に、離型層６、金属蒸着層３、透明導電膜層４とが全面的に形成され、引き回し回路パターン層５が透明導電膜層４の上に部分的に形成されている。また、接着層７が転写シート１に全面に亘って形成されている。図３を参照して、このように、転写シート１が構成されていると、転写後の引き回し回路パターン層５上には、すべて透明導電膜層４が形成されているため、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５を保護することとなるので金属薄膜層３をエッチングなどで除去する際、引き回し回路パターン層５が腐食されるなどの不具合が生じにくいというメリットがある。ただし、外部回路との電気接続には透明導電膜層４が介することになるので、接触抵抗値が高くならないよう留意する必要がある。
【００４８】
図４は、この発明の第３実施形態に係る転写シート１を示した図である。この実施形態における転写シート１の基本的な構成は、第２実施形態に係る転写シートによるものと同様であるので、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００４９】
再び、図４を参照して、この発明の第３実施形態に係る転写シート１は、引き回し回路パターン層５が離型層６と金属薄膜層３の間に形成されている点で第２実施形態に係る転写シート１と異なる。このように、引き回し回路パターン層５が、離型層６と金属薄膜層３の間に形成されていることにより、転写後の引き回し回路パターン層５は、全面露出することになる。したがって、転写後の引き回し回路パターン層５全部を外部回路と電気接続させるための端子とすることができるため、端子の位置選択の余地が大きく電気接続がしやすいというメリットがある。
【００５０】
図５は、この発明の第３実施形態に係る転写シート１の変形例を示した図である。変形例の転写シート１の基本的な構成は、第３実施形態に係る転写シートによるものと同様であるので、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００５１】
再び、図５を参照して、この発明に係る転写シート１は、金属薄膜層３と透明導電膜層４とが、基体シート２の上に部分的に形成されている点で第４実施形態に係る転写シート１と異なる。このように、転写シート１が構成されていると、転写後に金属薄膜層３を除去するだけでパターン化された透明導電層４が得られるので、転写後に透明導電膜層４をパターン化する必要がなくなり、生産性が大幅に向上できるメリットがある。
【００５２】
図６は、この発明の第４実施形態に係る転写シートを示した図である。この実施形態における転写シート１の基本的な構成は、第３実施形態に係る転写シートによるものと同様であるので、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００５３】
再び、図６を参照して、この発明の第４実施形態に係る転写シート１は、基体シート２と、離型層６と、金属薄膜層３、透明導電膜層４、引き回し回路パターン層５、および接着層７から構成されている。第４実施形態に係る転写シート１は、引き回し回路パターン層５が金属薄膜層３の上に形成されていることと、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５と並設するように金属薄膜層３の上に形成されている点で第３実施形態に係る転写シート１と異なる。このように、引き回し回路パターン層５が金属薄膜層３の上に形成され、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５と並設するように金属薄膜層３の上に形成されていることにより転写後に金属薄膜層３を除去するだけでパターン化された透明導電層４が得られるので、転写後に透明導電膜層４をパターン化する必要がなくなり、生産性が大幅に向上できるメリットがあり、かつ転写後に金属薄膜層３を除去するだけで外部回路と電気接続させるための端子とすることができるため、端子の位置選択の余地が大きく電気接続がしやすいというメリットがある。
【００５４】
図７は、この発明の第５実施形態に係る転写シートを示した図である。この実施形態における転写シート１の基本的な構成は、第２実施形態に係る転写シートによるものと同様であるので、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００５５】
再び、図７を参照して、この発明の第５実施形態に係る転写シート１は、基体シート２と、離型層６と、金属薄膜層３、透明導電膜層４、引き回し回路パターン層５、および接着層７から構成されている。第５実施形態に係る転写シート１は、透明導電膜層４が引き回し回路パターン層５と並設するように金属薄膜層３の上に形成されている点で第２実施形態に係る転写シート１と異なる。
【００５６】
このように、転写シート１が構成されていると、転写後の引き回し回路パターン層５は、金属薄膜層３をエッチングなどで除去すると全面露出することになる。したがって、転写後の引き回し回路パターン層５全部を外部回路と電気接続させるための端子とすることができるため、端子の位置選択の余地が大きく電気接続がしやすいというメリットがある。
【００５７】
次に、上記転写シート１の製造方法について説明する。上述の転写シートは、主に２通りの実施形態で製造することができる。その製造方法の説明については、まず第１実施形態を説明したのちに、第２実施形態を説明する。
【００５８】
図８は、本発明に係る転写シート１の製造方法の第１実施形態を示すものである。図８を参照して、本発明に係る転写シート１の製造方法の第１実施形態は、基体シート２の上にマスク層８を部分的に形成する工程と、マスク層８が形成されていない基体シート２上の領域に引き回し回路パターン層５を形成する工程と、マスク層８と引き回し回路パターン層５と基体シート２の上に金属薄膜層３を形成する工程と、マスク層８と、マスク層８の上に形成された金属薄膜層３を溶媒により剥離除去して、基体シート２の上と引き回し回路パターン層５の上に金属薄膜層３を形成する工程と、基体シート２と引き回し回路パターン層５の上に形成した金属薄膜層３の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層４を形成する工程とを備えている。
【００５９】
図８（ａ）を参照して、本発明に係る転写シート１の製造方法の第１工程では、上記基体シート２上の一部分にマスク層８を部分的に形成する。
【００６０】
［マスク層］
本発明のマスク層は、溶媒に可溶な層である。マスク層７の材質としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）や水溶性アクリル樹脂などが挙げられる。そして溶媒としては水溶液やアルコール溶液などが挙げられる。形成方法としては、オフセット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、凸版印刷等の印刷法が挙げられる。後述するフォトレジスト法に比べ、工程数が少ない点が特徴である。
【００６１】
図８（ｂ）を参照して、第２工程では、マスク層８が形成されていない基体シート２上の領域に引き回し回路パターン層５を形成する。引き回し回路パターン層５の形成方法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、凸版印刷等の印刷法が挙げられる。引き回し回路パターン層５の材質としては、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウムなどの金属や、該金属の粉を含む導電性インキのほか、カーボンなどの有機系導電体などを含む導電性物質が挙げられる。
【００６２】
図８（ｃ）を参照して、第３工程では、基体シート２とマスク層８と引き回し回路パターン層５の上に金属薄膜層３を形成する。透明導電膜層４を形成する場合においては、基体シート２上に全面にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等により金属薄膜層３を形成する。
【００６３】
図８（ｄ）を参照して、第４工程では、マスク層８の上に形成された金属薄膜層３を溶媒により剥離除去して、基体シート２と引き回し回路パターン層５の上に金属薄膜層３を形成する。マスク層８などを剥離除去する溶媒としては、水溶液やアルコール類が良く用いられる。
【００６４】
図８（ｅ）を参照して、第５工程では、基体シート２と引き回し回路パターン層５の上に形成した金属薄膜層３の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層４を形成する。金属薄膜層３の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層４を形成する方法としては、化学気相法（ＣＶＤ法）を用いるが、化学気相法の中でも、マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００６５】
マイクロ波プラズマＣＶＤを用いると、比較的低圧・低温条件でマイクロ波プラズマを用いてグラフェンの成膜を行うことができるので、発生するプラズマのエネルギー密度の分布を制御することができ、透明導電膜層４を支持する基体シート２に与えるダメージを減らすことができる。さらに、基体シート２のグラフェンが成膜される側の反対側は、冷却されるので、これによっても、基体シート２のダメージを減らすことができる。このように温度が比較的低い条件下で上記透明導電膜層４を金属薄膜層３を介して基体シート２の上に形成できるため、基体シート２として柔軟性のあるフィルムを用いることができる。その結果、透明導電膜層４形成においてロール・ツー・ロール方式を採用することができるようになり、転写シートを作製する工程をすべてロール・ツー・ロール方式とすることができるため、転写シートの生産性が飛躍的に向上する。
【００６６】
マイクロ波プラズマＣＶＤの原料ガスは炭化水素と希ガスの混合ガス等であり、炭化水素としては、例えば、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）等があり、希ガスとしては、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）等がある。ＣＶＤ装置のチャンバーを減圧した状態で、装置内の混合ガスによる全圧が１〜１０００Ｐａ、好ましくは１０〜４００Ｐａとなるようにする。この混合ガスに少量の水素ガスを混ぜても良い。ＣＶＤ装置のチャンバー内の温度は、２５〜４００℃、好ましくは３００〜４００℃で行う。
【００６７】
上記第１工程から第５工程までの工程を経ることによって転写シート１を得ることができる。
【００６８】
なお、必要に応じて第５工程後に、透明導電膜層４の上に接着層７を形成してもよい。接着層７の材質、形成方法は上述の通りである。
【００６９】
なお、必要に応じて第１工程前に、基体シート２の上に離型層６を形成してもよい。離型層６の材質、形成方法は上述の通りである。
【００７０】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、マスク層８を形成する工程の前に行ってもよい。このように構成することで、マスク層が透明または半透明で引き回し回路パターン層５との位置あわせが難しい場合に不透明な引き回し回路パターン層５を先に設けることで位置あわせがしやすくできる。
【００７１】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、金属薄膜層３を形成する工程とマスク層８を剥離除去する工程との間に行ってもよい。この場合、引き回し回路パターン層５は、基体シート２の上に形成された金属薄膜層３上であって、その下にマスク層が形成されていない金属薄膜層３上に形成される。このように構成することで、金属薄膜層３を除去するだけで、引き回し回路パターン層５を露出させることができるので、外部回路との電気接続が容易にできる。
【００７２】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、マスク層８を剥離除去する工程と透明導電膜層４を形成する工程の間に行ってもよい。この場合、引き回し回路パターン層５は、基体シート２から剥離除去されなかった金属薄膜層３上の一部に形成される。このように構成することで、引き回し回路パターン層５はマスク層８を剥離除去する工程において使用する溶媒の影響を直接受けないので、引き回し回路パターン層５は腐食などの不具合を考慮にいれることなく形成できる。
【００７３】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、透明導電膜層４を形成する工程の後に行ってもよい。この場合、引き回し回路パターン層５は、透明導電膜層４上に形成される。このように構成することで、転写後の引き回し回路パターン層５上には透明導電膜層４が形成されるので、引き回し回路パターン層５は透明導電膜層４によって保護される。
【００７４】
図９は、本発明に係る転写シート１の製造方法の第２実施形態を示すものである。この実施形態における転写シートの製造方法における基本的な構成は、第１実施形態に係る転写シート１の製造方法によるものと同様であるので、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００７５】
図９を参照して、本発明に係る転写シート１の製造方法の第２実施形態は、基体シート２上の一部分に引き回し回路パターン層５を形成する工程と、引き回し回路パターン層５と基体シート２の上に金属薄膜層３を形成する工程と、引き回し回路パターン層５の上に形成された金属薄膜層３の上にレジスト層９を形成するとともに、基体シート２の上に形成された金属薄膜層３の上にレジスト層９を部分的に形成する工程と、レジスト層９が形成されない箇所の金属薄膜層３を溶媒により剥離除去して、基体シート２の上に部分的に金属薄膜層とレジスト層９を形成する工程と、溶媒を用いてレジスト層９を除去し、金属薄膜層３を表面に露出させる工程と、表面に露出した金属薄膜層３の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜層４を形成する工程とを備えている。
【００７６】
図９（ａ）を参照して、本発明に係る転写シート１の製造方法の第１工程では、上記基体シート２上の一部分に引き回し回路パターン層５を形成する。
【００７７】
図９（ｂ）を参照して、本発明に係る転写シート１の製造方法の第２工程では、引き回し回路パターン層５と基体シート２の上に金属薄膜層３を形成する。
【００７８】
［レジスト層］
図９（ｃ）を参照して、第３工程では、引き回し回路パターン層５の上に形成された金属薄膜層３の上にレジスト層９を形成するとともに、基体シート２の上に形成された金属薄膜層３の上にレジスト層９を部分的に形成する。レジスト層９の材質としては、アクリル、ビニル系など各種の樹脂で形成可能でありとくに限定はない。レジスト層９の形成方法は、まずスクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、凸版印刷等の印刷法により全面形成、または上記レジスト層を備えるレジストフィルムを上記基体シート２の上に形成された金属薄膜層３に加熱と加圧で貼り合せることにより形成する。
【００７９】
但し、微細パターン化する場合は、レジスト層９としてフォトレジストにできる樹脂、たとえばノボラック樹脂やテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどを用いることが好ましい。この場合、レジスト層９を上記方法で形成したのち、上記レジスト層９に光を照射し照射した部分が反応硬化する露光工程を経たのち、光照射されていない部分を除去する現像工程を経て、レジスト層９を部分的に形成する。
【００８０】
図９（ｄ）を参照して、第４工程ではレジスト層９が形成されない箇所の金属薄膜層３を溶媒により剥離除去して、基体シート２の上に部分的に金属薄膜層３とレジスト層９を形成する。レジスト層９が形成されない箇所の金属薄膜層３を剥離除去する溶媒としては、酸またはアルカリの水溶液を用いるとよい。酸としては塩酸、硫酸、硝酸など、アルカリの水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液などを用いると良い。
【００８１】
図９（ｅ）を参照して、第５工程では溶媒を用いてレジスト層９を除去し、金属薄膜層３を表面に露出させる。レジスト層９を除去する溶媒としては、有機第４級塩基を用いることができる。有機第４級塩基としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムを挙げることができる
【００８２】
上記第１工程から第５工程までの工程を経ることによって、マスク層８で金属薄膜層３をパターンニングする場合と比較して、精細なパターニングが可能となる。
【００８３】
なお、必要に応じて第５工程後に、接着層７を形成してもよい。接着層７の材質、形成方法は上述の通りである。
【００８４】
なお、必要に応じて第１工程前に、基体シート２の上に離型層６を形成してもよい。離型層６の材質、形成方法は上述の通りである。
【００８５】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、金属薄膜層３を形成する工程とレジスト層９を形成する工程の間に行ってもよい。この場合、引き回し回路パターン層５は、基体シート２の上に形成された金属薄膜層３上の一部分に形成される。レジスト層９は、引き回し回路パターン層５の上と、金属薄膜層３の上に部分的に形成される。このように構成することで、レジスト層９が透明または半透明で引き回し回路パターン層５との位置あわせが難しい場合に、不透明な引き回し回路パターン層５を先に設けることで位置あわせがしやすくできる。
【００８６】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、レジスト層９を除去して金属薄膜層３を表面に露出させる工程と透明導電膜層４を形成する工程の間に行ってもよい。この場合、引き回し回路パターン層５は、基体シート２の上に部分的に形成された金属薄膜層３の一部に形成される。このように構成することで、金属薄膜層３を除去するだけで、引き回し回路パターン層５を露出させることができるので、外部回路との電気接続が容易にできる。
【００８７】
なお、必要に応じて引き回し回路パターン層５を形成する工程を、透明導電膜層４を形成する工程の後に行ってもよい。この場合、引き回し回路パターン層５は、透明導電膜層４の上に形成される。このように構成することで、転写後の引き回し回路パターン層５上には透明導電膜層４が形成されるので、引き回し回路パターン層５は透明導電膜層４によって保護される。
【００８８】
図１０は、この発明の第１〜第５の実施形態に係る転写シート１を用いて製造された透明導電体１１を示した図である。図１０を参照して、本発明の透明導電体１１は、基材１０と、基材１０の上に形成された、接着層７、引き回し回路パターン層５、透明導電膜層４から構成されている。
【００８９】
［基材］
基材１０は、透明で、導電性を有さず、ある程度の硬さを有する限り、特に制限はなく、フィルム形状のものの他、三次元形状の成形品であっても構わない。基材１０の材質として、例えば、ガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル、アクリル等がある。フィルム形状の基材１０の厚みは、３０〜２００μｍであることが好ましい。
【００９０】
上記透明導電体１１は、本発明の転写シート１の透明導電膜層４、金属薄膜層３と引き回し回路パターン層５とを接着層７を介して基材１０に転写したのち、基材１０から金属薄膜層３のみを除去することで得られる。すなわち、本発明の転写シート１と基材１０を、加圧または加熱等の条件下で一体化した後、基体シート２を基材１０から剥離し、金属薄膜層３をエッチング液などを用いて除去することで得られる。
【００９１】
実施例１
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が７ｎｍである厚み２５μｍのポリアラミドフィルムからなる基体シート（（製品名）ミクトロン  （会社名）東レ株式会社）の上にポリビニルアルコール樹脂を用いて、マスク層をオフセット印刷法で部分的に形成した。上記マスク層を乾燥した後、スパッタリング法を用いて金属薄膜層（厚み１００ｎｍのＣｕ層）を上記基体シートと上記マスク層の上に形成した。その後、水洗により上記マスク層と、上記マスク層の上に形成された金属薄膜層を除去することにより、部分的に形成された金属薄膜層を得た。そして得られたシートをチャンバー内に設置し、チャンバー内のメタンとアルゴンからなる原料ガス（分圧比メタン：アルゴン＝１：１）の圧力が一定（３６０Ｐａ）となるように、チャンバー内への当該原料ガスの流入速度とポンプによる排気速度を調整した。この状態で、マイクロ波プラズマＣＶＤにより３８０℃、４０秒の条件で、グラフェンを主成分とする透明導電膜層を形成した。そして、（（製品名）銀ペーストＳＡＰ−１５  （会社名）  サンワ化学工業株式会社）を用いて引き回し回路パターン層を透明導電膜層の上に形成し、最後に全面に接着層を形成し、転写シートを得た。
実施例２
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１７ｎｍである基体シートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
実施例３
金属薄膜層の厚みを０．０１μｍとしたこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
実施例４
金属薄膜層の厚みを０．８μｍとしたこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
実施例５
厚み２５μｍのポリアラミドフィルムからなる基体シート（（製品名）ミクトロン  （会社名）東レ株式会社）の上にマスク層を形成する前に、上記基体シートの上にフッ素系樹脂を用いて、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍである離型層を形成したこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
比較例１
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍである離型層を形成し、金属薄膜層の厚みを０．９μｍとしたこと以外は、実施例５と同様の操作をして、転写シートを得た。
比較例２
表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２２ｎｍである基体シートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
比較例３
金属薄膜層の厚みを０．００７μｍとしたこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
比較例４
表面の算術平均粗さを２０ｎｍとし、金属薄膜層の厚みを０．９μｍとしたこと以外は、実施例１と同様の操作をして、転写シートを得た。
比較例５
金属薄膜層の厚みを１．３μｍとしたこと以外は、実施例５と同様の操作をして、転写シートを得た。
【００９２】
次に、実施例１〜５及び実施例１〜５で得られた転写シートを被転写物である２００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに貼着したのち、転写シートの一部である基体シートまたは基体シートと離型層を、被転写物から剥離し、被転写物の表面に形成されている金属薄膜層のみをエッチング液により除去して、被転写物と透明導電膜層からなる透明導電物を得た。
【００９３】
基体シートまたは離型層の表面粗さの測定
基体シートまたは離型層の表面粗さは、株式会社小坂研究所製Ｆ３５００Ｄ）を用いて、（ＪＩＳ）Ｂ０６０１−１９９４に準ずる方法により測定した。その結果を図１１に示す。
【００９４】
転写シートの離型性評価
実施例１〜５、および比較例１〜５で得られた転写シートの離型性について、透明導電物について以下のように評価した。評価方法は、また、実施例１〜５及び実施例１〜５の転写シートを２００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに貼着し、基体シート又は基体シートおよび離型層を上記ポリエチレンテレフタレートフィルムから剥離したのち、基体シート又は離型層の上に残存していた金属薄膜層の割合を測定することにより行った。その結果を図１１に示す。
○：１ｃｍ２中０.０２ｃｍ２未満で金属薄膜層が基体シート又は離型層に付着していた。
△：１ｃｍ２中０.０２ｃｍ２以上０．１ｃｍ２未満で金属薄膜層が基体シート又は離型層に付着していた。
【００９５】
透明導電体の安定性評価
実施例１〜５、および比較例１〜５の転写シートを用いて作成した透明導電物について、導電性のばらつき度合いを以下のように評価した。評価方法は、パターンニングした透明導電膜層において同一形状の任意の端子間抵抗を１０回測定し、得られた抵抗値の標準偏差を算出し、以下のように評価した。その結果を図１１に示す。
○：平均値±１σ（標準偏差）以内  
△：平均値±２σ（標準偏差）以内
×：平均値±２σ（標準偏差）を超える
【００９６】
透明導電体の導電性評価
実施例１〜５、および比較例１〜５の転写シートを用いて作成した透明導電物の導電性について以下のように評価した。評価方法は、三菱油化（株）製表面抵抗計（ロレスタＩＰ）により膜表面の表面抵抗値を測定した。その結果を図１１に示す。
○：表面抵抗値が２００Ω/□未満
△：表面抵抗値が２００Ω/□以上、５００Ω/□以下
×：表面抵抗値が５００Ω/□を越える
【００９７】
透明導電体の透明性評価
実施例１〜５、および比較例１〜５の転写シートを用いて作成した透明導電物の透明性について以下のように評価した。評価方法は、ＪＩＳ−Ｋ−７３６１に順じ、全光線透過率を(株)村上色彩技術研究所のヘイズメータＨＲ−１００で評価した。その結果を図１１に示す。
○：全光線透過率９０％以上
△：全光線透過率８０％以上９０％未満
【符号の説明】
【００９８】
１    転写シート
２    基体シート
３    金属薄膜層
４    透明導電膜層
５    引き回し回路パターン層
６    離型層
７    接着層
８    マスク層
９    レジスト層
１０  基材
１１  透明導電体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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