(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極端子が形成された基板と、
前記基板上に搭載され、電極パッドと、受光部又は発光部を有する光半導体素子と、を備えるベアチップと、
前記電極端子と前記電極パッドとを電気的に接続する導通部材と、を備え、
前記ベアチップの少なくとも受光部又は発光部を覆うように形成され、透光性を備える絶縁層と、
前記絶縁層上の全面に形成され、透光性を備え、外部に露出する導電性膜と、を更に備え、
前記導通部材はワイヤであり、
前記電極パッドは、前記ベアチップの前記受光部又は発光部が設けられた面に設けられており、
前記絶縁層と前記導電性膜とには、それぞれ前記電極パッドが形成された領域に対応する開口が形成され、
前記ワイヤは、前記開口を介して露出する前記電極パッドと前記電極端子とを電気的に接続し、
前記ベアチップの周辺領域には、少なくとも前記ワイヤと、前記電極パッドとを覆うように樹脂が形成され、
前記樹脂が前記導電性膜の端部を被覆すると共に、前記導電性膜が電気的に浮遊電位となることを特徴とする光学半導体装置。
【請求項２】
電極端子が形成された基板と、
前記基板上に搭載され、電極パッドと、受光部又は発光部を有する光半導体素子と、を備えるベアチップと、
前記電極端子と前記電極パッドとを電気的に接続する導通部材と、を備え、
前記ベアチップの少なくとも受光部又は発光部を覆うように形成され、透光性を備える絶縁層と、
前記絶縁層上の全面に形成され、透光性を備え、外部に露出する導電性膜と、を更に備え、
前記導通部材は、貫通電極と半田ボールとから構成されると共に、前記導電性膜が電気的に浮遊電位となることを特徴とする光学半導体装置。
【請求項３】
半導体ウエハ上に形成された光半導体素子の少なくとも受光部又は発光部を覆うように、透光性を備える絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に透光性を備える導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記半導体ウエハを切断し、前記光半導体素子が形成された複数のベアチップを得るダイシング工程と、
前記ベアチップを、基板上に搭載する搭載工程と、
前記ベアチップに形成された電極パッドと前記基板上に形成された電極端子とを導通部材で電気的に接続する接続工程と、
を備え、
前記導通部材はワイヤであり、
前記電極パッドは、前記ベアチップの受光部又は発光部が設けられた面に設けられており、
前記絶縁層と前記導電性膜とに、それぞれ前記電極パッドが形成された領域に対応し、前記電極パッドと前記ワイヤとを接続可能な開口を形成する開口形成工程と、
少なくとも前記電極パッド及び前記ワイヤが、不透光性の樹脂で覆われるように前記ベアチップの外周に沿って前記不透光性の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、を更に備え、
前記導電性膜は外部に露出するように前記絶縁層の全面に形成され、前記樹脂が前記導電性膜の端部を被覆すると共に、前記導電性膜は電気的に浮遊電位であることを特徴とする光学半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記開口形成工程は、
前記絶縁層の前記電極パッドに対応する領域に開口を形成する絶縁層開口形成工程と、
前記絶縁層の前記開口に対応する領域に、前記開口を充填し、更に前記絶縁層より厚く形成されるレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記絶縁層と前記レジストを覆うように前記導電性膜を形成するための導電性層を形成する導電性層形成工程と、
前記導電性層を前記絶縁層の前記開口を充填するように形成された前記レジストが露出するまで削る、薄型化工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、から構成されることを特徴とする請求項３に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記開口形成工程は、
前記絶縁層の前記電極パッドに対応する領域に開口を形成する絶縁層開口形成工程と、
前記絶縁層の前記開口に対応する領域に、前記開口を充填し、更に前記絶縁層より厚く形成されるレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記絶縁層と前記レジストを覆うように前記導電性膜を形成するための導電性層を形成する導電性層形成工程と、
前記導電性層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層を、前記絶縁層の前記開口に充填するように形成された前記レジストが露出するまでプラズマアッシングによって除去するアッシング工程と、
前記レジスト層と、前記絶縁層の前記開口に形成された前記レジストとを除去するレジスト除去工程と、
から構成されることを特徴とする請求項３に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウエハ上に形成された光半導体素子の少なくとも受光部又は発光部を覆うように、透光性を備える絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に透光性を備える導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記半導体ウエハを切断し、前記光半導体素子が形成された複数のベアチップを得るダイシング工程と、
前記ベアチップを、基板上に搭載する搭載工程と、
前記ベアチップに形成された電極パッドと前記基板上に形成された電極端子とを導通部材で電気的に接続する接続工程と、
を備え、
前記導通部材は、貫通電極と半田ボールとから構成され、
前記ベアチップと前記基板との間に、封止材を充填する封止材形成工程を、更に備え、
前記導電性膜は、前記絶縁層上の全面に外部に露出するように形成され、電気的に浮遊電位であることを特徴とする光学半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記搭載工程では、複数の前記ベアチップを前記基板上にマトリックス状に搭載し、
前記基板を切断し、複数の前記光学半導体装置を得る切断工程を更に備えることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記搭載工程では、予め前記光学半導体装置ごとに切断された前記基板上に、前記ベアチップを搭載することを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の光学半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトダイオード等を備える光学半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトダイオード等の光学半導体素子を備える光学半導体装置において、光学半導体素子の受光面への光の導出を良好にするため受光面を露出させることが行われている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−４５０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで受光部又は発光部が露出する光学半導体装置では、静電気によってチップ表面に、塵、埃等が付着する場合がある。チップ表面にゴミが付着すると、受光部に樹脂封止がなされていないため、また入射光の結像位置とゴミとの距離が短いため受光不良を起こしやすいという問題がある。そこで、チップ表面へのゴミの付着を防止し、フォトダイオードの受光不良を抑制することが可能な光学半導体装置が求められている。なお、光学半導体素子が発光素子である場合も同様な問題があり、光を良好に導出させるためには発光面上に埃、塵等が付着しないことが好ましい。
【０００４】
本発明は、上述した実情に鑑みてなされた発明であり、埃、塵等の付着を抑制し、良好な動作性を備える光学半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る光学半導体装置は、
電極端子が形成された基板と、
前記基板上に搭載され、電極パッドと、受光部又は発光部を有する光半導体素子と、を備えるベアチップと、
前記電極端子と前記電極パッドとを電気的に接続する導通部材と、を備え、
前記ベアチップの少なくとも受光部又は発光部を覆うように形成され、透光性を備える絶縁層と、
前記絶縁層上の全面に形成され、透光性を備え、外部に露出する導電性膜と、を更に備え、
前記導通部材はワイヤであり、
前記電極パッドは、前記ベアチップの前記受光部又は発光部が設けられた面に設けられており、
前記絶縁層と前記導電性膜とには、それぞれ前記電極パッドが形成された領域に対応する開口が形成され、
前記ワイヤは、前記開口を介して露出する前記電極パッドと前記電極端子とを電気的に接続し、
前記ベアチップの周辺領域には、少なくとも前記ワイヤと、前記電極パッドとを覆うように樹脂が形成され、
前記樹脂が前記導電性膜の端部を被覆すると共に、前記導電性膜が電気的に浮遊電位となることを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る光学半導体装置は、
電極端子が形成された基板と、
前記基板上に搭載され、電極パッドと、受光部又は発光部を有する光半導体素子と、を備えるベアチップと、
前記電極端子と前記電極パッドとを電気的に接続する導通部材と、を備え、
前記ベアチップの少なくとも受光部又は発光部を覆うように形成され、透光性を備える絶縁層と、
前記絶縁層上の全面に形成され、透光性を備え、外部に露出する導電性膜と、を更に備え、
前記導通部材は、貫通電極と半田ボールとから構成されると共に、前記導電性膜が電気的に浮遊電位となることを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係る光学半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハ上に形成された光半導体素子の少なくとも受光部又は発光部を覆うように、透光性を備える絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に透光性を備える導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記半導体ウエハを切断し、前記光半導体素子が形成された複数のベアチップを得るダイシング工程と、
前記ベアチップを、基板上に搭載する搭載工程と、
前記ベアチップに形成された電極パッドと前記基板上に形成された電極端子とを導通部材で電気的に接続する接続工程と、
を備え、
前記導通部材はワイヤであり、
前記電極パッドは、前記ベアチップの受光部又は発光部が設けられた面に設けられており、
前記絶縁層と前記導電性膜とに、それぞれ前記電極パッドが形成された領域に対応し、前記電極パッドと前記ワイヤとを接続可能な開口を形成する開口形成工程と、
少なくとも前記電極パッド及び前記ワイヤが、不透光性の樹脂で覆われるように前記ベアチップの外周に沿って前記不透光性の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、を更に備え、
前記導電性膜は外部に露出するように前記絶縁層の全面に形成され、前記樹脂が前記導電性膜の端部を被覆すると共に、前記導電性膜は電気的に浮遊電位であることを特徴とする。
【００１１】
前記開口形成工程は、
前記絶縁層の前記電極パッドに対応する領域に開口を形成する絶縁層開口形成工程と、
前記絶縁層の前記開口に対応する領域に、前記開口を充填し、更に前記絶縁層より厚く形成されるレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記絶縁層と前記レジストを覆うように前記導電性膜を形成するための導電性層を形成する導電性層形成工程と、
前記導電性層を前記絶縁層の前記開口を充填するように形成された前記レジストが露出するまで削る、薄型化工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、から構成されてもよい。
【００１２】
前記開口形成工程は、
前記絶縁層の前記電極パッドに対応する領域に開口を形成する絶縁層開口形成工程と、
前記絶縁層の前記開口に対応する領域に、前記開口を充填し、更に前記絶縁層より厚く形成されるレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記絶縁層と前記レジストを覆うように前記導電性膜を形成するための導電性層を形成する導電性層形成工程と、
前記導電性層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層を、前記絶縁層の前記開口に充填するように形成された前記レジストが露出するまでプラズマアッシングによって除去するアッシング工程と、
前記レジスト層と、前記絶縁層の前記開口に形成された前記レジストとを除去するレジスト除去工程と、
から構成されてもよい。
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の第４の観点に係る光学半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハ上に形成された光半導体素子の少なくとも受光部又は発光部を覆うように、透光性を備える絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に透光性を備える導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記半導体ウエハを切断し、前記光半導体素子が形成された複数のベアチップを得るダイシング工程と、
前記ベアチップを、基板上に搭載する搭載工程と、
前記ベアチップに形成された電極パッドと前記基板上に形成された電極端子とを導通部材で電気的に接続する接続工程と、
を備え、
前記導通部材は、貫通電極と半田ボールとから構成され、
前記ベアチップと前記基板との間に、封止材を充填する封止材形成工程を、更に備え、
前記導電性膜は、前記絶縁層上の全面に外部に露出するように形成され、電気的に浮遊電位であることを特徴とする。
【００１６】
前記搭載工程では、複数の前記ベアチップを前記基板上にマトリックス状に搭載し、
前記基板を切断し、複数の前記光学半導体装置を得る切断工程を更に備えてもよい。
【００１７】
前記搭載工程では、予め前記光学半導体装置ごとに切断された前記基板上に、前記ベアチップを搭載してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体素子の受光面上に導電性膜を形成することにより、埃、塵等の付着を抑制し、良好な動作性を備える光学半導体装置とその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の各実施の形態に係る光学半導体装置及びその製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置１０の構成を示す図である。図１（ａ）は光学半導体装置１０の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す光学半導体装置１０のＡ−Ａ線断面図である。光学半導体装置１０は、半導体素子が形成されたベアチップ１１を基板１２に搭載した装置である。
【００２１】
光学半導体装置１０は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ベアチップ１１と、基板１２と、ダイパッド１３と、電極端子１４と、ワイヤ１５と、樹脂１６と、カバーレイフィルム１８と、を備える。ベアチップ１１は、受光部２１と、電極パッド２２と、パッシベーション膜２３と、導電性膜２４と、を備える。
【００２２】
ベアチップ１１は、例えばフォトダイオード等の光学半導体素子を備え、光学半導体素子の受光部（又は発光部）２１を一主面に備える。受光部２１は、図１に示すようにベアチップ１１のほぼ中央の領域に形成される。ベアチップ１１の外形は矩形に形成されており、基板１２上に設けられたダイパッド１３上に搭載される。また、ベアチップ１１の上面の各辺に沿った外周部には、電極パッド２２が形成されている。電極パッド２２は、基板１２上に形成された電極端子１４と、ワイヤ１５を介して電気的に接続される。また、ベアチップ１１の周辺領域は、樹脂１６で覆われている。
【００２３】
パッシベーション膜２３は、絶縁材料、例えばシリコン酸化膜やプラズマシリコン窒化膜などから構成され、少なくとも受光部２１を覆うようにベアチップ１１の一方の主面上に形成される。また、パッシベーション膜２３の電極パッド２２に対応する領域には、開口２３ａが形成されており、開口２３ａを介して電極パッド２２が露出する。
【００２４】
導電性膜２４は、導電性及び光透過性を備える材料、例えばピロール系の導電性ポリマー等から構成される。導電性膜２４はパッシベーション膜２３上に形成され、更に電極パッド２２、パッシベーション膜２３の開口２３ａに対応する領域に開口２４ａが形成される。また、導電性膜２４は、例えば０．０１〜１μｍの厚みに形成される。また、導電性膜２４の表面抵抗値は例えば１０１４Ω以下とすることができる。導電性膜２４によって、ベアチップ１１の帯電を良好に防ぎ、静電気等により塵、埃等が付着することを良好に防ぐことができる。従って、光学半導体素子の受光部２１の受光不良を抑制することができ、光学半導体装置１０は良好な動作性を備える。
【００２５】
基板１２は、例えば矩形に形成される。基板１２は、例えばガラスエポキシ樹脂板やポリイミドフィルム等の可撓性基板等からなる。基板１２の中央の領域にはダイパッド１３が形成されており、基板１２の外縁近傍には、外部との接続を可能とする複数の電極端子１４が、基板１２の各辺に沿って形成されている。また、電極端子１４の一部は図１（ｂ）に示すようにカバーレイフィルム１８に覆われている。
【００２６】
樹脂１６は、ベアチップ１１の４辺に形成された電極パッド２２と、ワイヤ１５と、電極端子１４の一部とを覆うように形成される。樹脂１６は、電極パッド２２等に光が照射されるのを良好に防ぐため不透光性の樹脂から形成され、例えば黒色のエポキシ樹脂等から形成される。樹脂１６によって電極パッド２２と、ワイヤ１５とが被覆されることによって、電極パッド２２、ワイヤ１５等は、埃、水分等の外部環境から保護される。
なお、上記実施例では、ベアチップ１１の４辺全てに電極パッド２２が形成されていたが、電極パッド２２はベアチップ１１の対向する２辺についてのみ、形成されていてもよい。
【００２７】
上述したように、本実施の形態の光学半導体装置１０は、受光部２１上に形成された導電性膜２４を備えることによって、チップ表面の帯電を良好に防ぐことができ、受光部２１上への塵、埃等の付着を良好に抑制することができる。従って、光学半導体装置１０は良好な動作性を備える。
【００２８】
次に、光学半導体装置１０の製造方法を図を用いて説明する。
図２及び図３は、光学半導体装置１０の製造方法を説明する図である。
【００２９】
まず、シリコン等の半導体ウエハＷ上に所定の方法で図２（ａ）に示すように受光部２１、電極パッド２２等を形成する。なお、この段階では、受光部２１、電極パッド２２等は、複数個がマトリックス状に並んで形成されている。また、受光部２１は、ベアチップ１１の実質的な中心に相当する領域に形成すると後述する樹脂１６を塗布する工程が容易となるため好ましい。
【００３０】
次に、例えばシリコン酸化膜やプラズマシリコン窒化膜等から構成されるパッシベーション膜２３を、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法やプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって受光部２１上に形成する。また、パッシベーション膜２３の電極パッド２２に対応する領域に、エッチング等によって開口２３ａを形成する。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すようにパッシベーション膜２３の開口２３ａを介して露出する電極パッド２２をフォトレジスト８１を用いてマスクする。
【００３２】
続いて、図２（ｃ）に示すようにディップコート法によって導電性ポリマーをパッシベーション膜２３、フォトレジスト８１上に塗布する。続いて、導電性ポリマーを硬化させ、パッシベーション膜２３とフォトレジスト８１の上面に導電性ポリマー層８２と、半導体ウエハＷの下面に導電性ポリマー層８３とを形成する。なお、導電性ポリマー層はスピンコート法によって形成することもでき、この場合はパッシベーション膜２３の上面にのみ導電性ポリマー層が形成される。
【００３３】
次に、パッシベーション膜２３上に形成された導電性ポリマー層８２をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって、図２（ｄ）に示すようにフォトレジスト８１が露出するまで削る。これにより、フォトレジスト８１上に形成された導電性ポリマー層８２が除去され、導電性膜２４が形成される。また、半導体ウエハＷの下面もＣＭＰ等によって所定の厚みまで削る。なお、導電性ポリマー層をディップコート法によって形成した場合、半導体ウエハＷの下面に形成された導電性ポリマー層８３は、この際同時に削られる。
【００３４】
続いて、フォトレジスト８１を除去し、図２（ｅ）に示すようにダイシングラインｄに沿って半導体ウエハＷを切断し、複数のベアチップ１１を得る。
【００３５】
続いて、図３（ｆ）に示すように、電極端子１４が設けられた基板１２に、ベアチップ１１を搭載する。ベアチップ１１が搭載されるダイパット１３部分には、予め接着用ペースト材が塗布されている。この接着用ペースト材上にベアチップ１１を搭載し、基板１２ごと加熱炉内に入れ、接着用ペースト材を熱硬化させてベアチップ１１を基板１２に固定する。なお、複数の光学半導体装置１０を製造するために、当初の基板１２には、１つの光学半導体装置１０を構成するためのダイパッド１３及び複数の電極端子１４のパターンが、マトリックス状に複数組形成されている。
【００３６】
次に、ワイヤボンダを用いてベアチップ１１の表面の外周部に形成された電極パッド２２と、基板１２上に形成された電極端子１４と、をワイヤ１５で電気的に接続する。
【００３７】
続いて、図３（ｇ）に示すように、ベアチップ１１に形成された電極パッド２２と、ワイヤ１５と、ワイヤ１５の周辺部分に樹脂１６を塗布して覆う。樹脂１６として、不透光性の樹脂、例えば熱硬化性の黒色エポキシ樹脂等を用いる。この塗布工程では、基板１２をＸ，Ｙの２方向に移動可能なＸＹステージ（図示略）に乗せ、ディスペンサに装着されたシリンダから充填された樹脂１６を押し出すと同時に、シリンダ先端とＸＹステージが相対的に所定距離だけＸ方向に移動するように、シリンダおよび／またはＸＹステージを動かし、ベアチップ１１の一辺について電極パッド２２とワイヤ１５とワイヤ１５の周辺部分とを樹脂１６で覆う。ベアチップ１１の一辺について樹脂１６が塗布された後は、樹脂１６が塗布されたベアチップ１１の一辺に直交する辺につき、連続して樹脂１６を塗布する。この作業をベアチップ１１の４辺について行い、ベアチップ１１の周辺に樹脂１６を塗布する。続いて、隣接するベアチップ１１の上及び周辺にも同様に樹脂１６を塗布する。なお、樹脂１６を塗布する際、シリンダは１本ではなく、複数本を使用してもよい。
【００３８】
次に各ベアチップ１１の全ての辺について樹脂１６の塗布が終了した基板１２を加熱炉内へ入れ、塗布した樹脂１６を熱硬化させる。
【００３９】
次に、ダイシング工程では、ダイシングカッターを用いてベアチップ１１を搭載した基板１２を所定の位置で切断し、ベアチップ１１単位で光学半導体装置１０を分離する。
以上の工程から図３（ｇ）に示すように光学半導体装置１０が製造される。
【００４０】
本実施の形態の光学半導体装置の製造方法では、半導体素子の少なくとも受光部２１上にパッシベーション膜２３を形成した上で、導電性膜２４を形成する。これにより、ベアチップ１１表面が帯電し静電気等によって塵、埃等の付着することを良好に防ぐことができ、受光部２１の受光不良を良好に抑制することができ、良好な動作性を備える光学半導体装置を製造することができる。
【００４１】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置５０を図に示す。
図４（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＢ−Ｂ線断面図である。
【００４２】
光学半導体装置５０は、いわゆるフリップチップ実装型の半導体装置であり、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ベアチップ５１と、基板５２と、電極端子５４と、封止材５７と、カバーレイフィルム５８と、を備える。ベアチップ５１は、受光部６１と、電極パッド６２と、パッシベーション膜６３と、導電性膜６４と、貫通電極６５と、バンプ６６と、を備える。
【００４３】
ベアチップ５１は、例えばフォトダイオード等の光学半導体素子を備え、光学半導体素子の受光部（又は発光部）６１を一主面に備える。ベアチップ５１の外形は矩形に形成されており、基板５２上にフィラーを介して搭載される。また、ベアチップ５１の上面の各辺に沿った外周部には、電極パッド６２が形成されている。電極パッド６２は、貫通電極６５、バンプ６６を介して基板５２上に設けられた電極端子５４と電気的に接続される。
【００４４】
パッシベーション膜６３は、絶縁材料、例えばシリコン酸化膜やプラズマシリコン窒化膜などから構成され、少なくとも受光部６１を覆うようにベアチップ５１の上面に形成される。
【００４５】
導電性膜６４は、導電性及び光透過性を備える材料、例えばピロール系の導電性ポリマー等から構成される。導電性膜６４はパッシベーション膜６３上に形成される。このように導電性膜６４を形成することによって、静電気等により塵、埃等が付着することを良好に防ぐことができる。従って、光学半導体素子の受光部６１の受光不良を抑制することができる。
【００４６】
基板５２は、例えばガラスエポキシ樹脂板やポリイミドフィルム等の可撓性基板等からなる。基板５２の上面には電極端子が形成されており、電極端子上にはバンプを介してベアチップ５１が設置される。ベアチップ５１と基板５２との間には例えばシリカ系フィラー等から構成される封止材５７が充填されている。基板５２の外縁近傍には、外部との接続を可能とする複数の電極端子５４が、基板５２の各辺に沿って形成されており、複数の電極端子５４の一部はカバーレイフィルム５８によって覆われている。
【００４７】
上述したように、本実施の形態の光学半導体装置５０は、受光部６１上に形成された導電性膜６４を備えることによって、ベアチップ５１表面の帯電を良好に防ぐことができ、受光部６１上への塵、埃等の付着を良好に抑制することができる。従って、光学半導体装置５０は良好な動作性を備える。また、特に貫通電極６５が形成され低背化された場合でも、良好にチップ表面の帯電を防止することができる。
【００４８】
次に、光学半導体装置５０の製造方法を図を用いて説明する。
図５及び図６は、光学半導体装置５０の製造方法を説明する図である。
【００４９】
まず、シリコン等の半導体ウエハＷ上に所定の方法で図５（ａ）に示すように受光部６１、電極パッド６２等を形成する。なお、この段階では、受光部６１、電極パッド６２等は、複数個がマトリックス状に並んで形成されている。
【００５０】
次に、例えばシリコン酸化膜やプラズマシリコン窒化膜等から構成されるパッシベーション膜６３を、図５（ａ）に示すようにＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等によって形成する。
【００５１】
続いて、ディップコート法によって導電性ポリマーをパッシベーション膜６３上に塗布する。続いて、導電性ポリマーを硬化させ、図５（ｂ）に示すように導電性膜６４を形成する。また、ディップコート法による場合は半導体ウエハＷの下面にも導電性ポリマー層８５が形成される。なお、導電性膜６４はスピンコート法によって形成することもできる。
【００５２】
次に、ＣＭＰ等によって半導体ウエハＷが所定の厚みとなるまで、半導体ウエハＷの下面を削る。ディップコート法による場合に形成される導電性ポリマー層８５は、この際同時に削り、除去される。
【００５３】
次に、半導体ウエハＷの下面に、図５（ｃ）に示すようにフォトリソグラフィ等により貫通電極６５を形成する領域に対応する開口を備えるレジスト（図示せず）を形成する。続いて、レジストの開口を介して半導体ウエハＷをエッチングすることにより、開口を形成する。続いて、この開口内に金属をメッキ等により充填させ、貫通電極６５を形成する。また、貫通電極６５と接続するように、図５（ｃ）に示すようにバンプ６６を形成する。
【００５４】
続いて、ダイシングカッターを用いてダイシングラインｄに沿って半導体ウエハＷを切断し、図５（ｄ）に示すように複数のベアチップ５１を得る。
【００５５】
続いて、図６（ｅ）に示すように、電極端子５４が設けられた基板５２に、電極端子５４とバンプ６６とが接触するように、ベアチップ５１を搭載し、リフロー処理を施し、電極端子５４とバンプ６６とを電気的に接続する。
【００５６】
次に、図６（ｆ）に示すようにベアチップ５１と基板５２とが対向する領域に封止材５７を充填させる。
【００５７】
次に、ダイシングカッターを用いてベアチップ５１を搭載した基板５２を所定の位置で切断し、図６（ｆ）に示すようにベアチップ５１単位で光学半導体装置５０を分離する。
以上の工程から図６（ｆ）に示すように光学半導体装置５０が製造される。
【００５８】
このように本実施の形態の光学半導体装置の製造方法では、半導体素子の少なくとも受光部６１上にパッシベーション膜６３を形成した上で、導電性膜６４を形成する。これにより、ベアチップ５１表面が帯電し静電気等によって塵、埃等の付着することを良好に防ぐことができ、受光部６１の受光不良を良好に抑制することができ、良好な動作性を備える光学半導体装置を製造することができる。
【００５９】
本発明は上述した各実施の形態に限られず、様々な変形及び応用が可能である。例えば、上述した実施の形態では、光学半導体素子としてフォトダイオードを例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば、ＬＥＤ等の発光素子に用いることも可能である。
【００６０】
また、上述した第１の実施の形態では、フォトレジスト８１上の導電性ポリマー層８２をＣＭＰによって除去する場合を例に挙げて説明したが、ＣＭＰに限らず、プラズマアッシング等によって除去することも可能である。具体的には、例えば図７（ａ）に示すように開口２３ａ内にフォトレジスト８１が形成されたパッシベーション膜２３上に導電性ポリマー層８２を形成する。続いて、図７（ｂ）に示すように導電性ポリマー層８２の上面にフォトレジスト層９１を形成する。次に、プラズマアッシングによって、フォトレジスト層９１を、図７（ｃ）に示すようにフォトレジスト８１が露出するまで除去する。続いて、図７（ｄ）に示すように残存するフォトレジスト層９１と、レジスト８１とを除去する。これにより開口２４ａを備える導電性膜２４が形成される。なお、半導体ウエハＷの下面に形成された導電性ポリマー層８３は、半導体ウエハＷを薄型化する際に同時に削られる。
【００６１】
また、上述した各実施の形態では複数のベアチップを単一の基板に搭載した後に切断する構成を例に挙げて説明したが、これに限られず、あらかじめ所定の形状に形成された基板上に、ベアチップを搭載後、ワイヤボンディング、樹脂の塗布等の工程を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置の平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の平面図であり、（ｂ）は、図４（ａ）に示すＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図７】本発明の光学半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０，５０  光学半導体装置
１１，５１  ベアチップ
１２，５２  基板
１３  ダイパッド
１４，５４  電極端子
１５  ワイヤ
１６  樹脂
２１，６１  受光部
２２，６２  電極パッド
２３，６３  パッシベーション膜
２４，６４  導電性膜
５７  封止材
６５  貫通電極
６６  バンプ
【図１】
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【図２】
0005414965.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005414965.tif 000005
【図５】
0005414965.tif 000006
【図６】
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【図７】
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