(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力された後は予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を遮断する機能を備えるＲＦ信号用遮断装置であって、
少なくとも１つのコンデンサから成るコンデンサ部と、第１のインダクタおよび第２のインダクタが並列接続されて成るインダクタ部とにより構成されて、前記予め設定された周波数帯域よりも高い共振周波数を有するＬＣ共振回路を備え、
前記第２のインダクタが、前記所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号の入力により溶断するヒューズ用配線で形成されており、前記第２のインダクタの溶断後における前記ＬＣ共振回路の共振周波数が、前記予め設定された周波数帯域に設定されている
ことを特徴とするＲＦ信号用遮断装置。
【請求項２】
前記ヒューズ用配線に近接配置された磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＲＦ信号用遮断装置。
【請求項３】
前記コンデンサ部および前記インダクタ部は並列回路を構成しており、
前記並列回路の一方の接続点に接続された入力端子と、他方の接続点に接続された出力端子とを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のＲＦ信号用遮断装置。
【請求項４】
前記コンデンサ部および前記インダクタ部は直列回路を構成しており、
当該直列回路の一方の開放端に接続された入力端子および出力端子を備え、他方の開放端は接地されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＲＦ信号用遮断装置。
【請求項５】
前記ＬＣ共振回路はチップ部品に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のＲＦ信号用遮断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力された後は予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を遮断する機能を備えるＲＦ信号用遮断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７のヒューズ機能付コイルの一例に示すように、円筒形フェライトコア５０１の外周面にヒューズ線５０２が巻回されて形成されたソレノイドコイル５０３が、両端に導電性の口金５０４を備えた円筒形ガラス管５０５に封入されて成るヒューズ機能付コイル５００が知られている（例えば、特許文献１参照）。ヒューズ機能付コイル５００は、短絡電流や過負荷の保護を行う通常のヒューズ機能と、突入電流の抑制やノイズ低減に役立つコイル機能とを併せ備えており、１つの素子によって２つの機能を実現できるので、ヒューズ機能付コイル５００の取付スペースが縮小化され、電子機器の高密度実装が容易となり、装置の小型を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３３０８２４号公報（段落０００５、図１、要約書など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末の高周波化が進んでいる。上記したヒューズ機能付コイル５００が高周波化が進んだ通信携帯端末で使用された場合、次のような問題が生じる。すなわち、ヒューズ機能付コイル５００に過電流が流れることによりヒューズ線５０２が溶断した場合であっても、高周波信号（ＲＦ信号）の場合、ヒューズ線５０２の溶断部分が容量結合、磁界結合、またはその両方で結合することにより、ヒューズ線５０２の溶断部分を介してＲＦ信号が伝達されるおそれがある。【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力された後は予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を確実に遮断することができる機能を備える新規な構成のＲＦ信号用遮断装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、本発明のＲＦ信号用遮断装置は、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力された後は予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を遮断する機能を備えるＲＦ信号用遮断装置であって、少なくとも１つのコンデンサから成るコンデンサ部と、第１のインダクタおよび第２のインダクタが並列接続されて成るインダクタ部とにより構成されて、前記予め設定された周波数帯域よりも高い共振周波数を有するＬＣ共振回路を備え、前記第２のインダクタが、前記所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号の入力により溶断するヒューズ用配線で形成されており、前記第２のインダクタの溶断後における前記ＬＣ共振回路の共振周波数が、前記予め設定された周波数帯域に設定されていることを特徴としている。【０００７】
このように構成された発明では、少なくとも１つのコンデンサから成るコンデンサ部と、第１のインダクタおよび第２のインダクタが並列接続されて成るインダクタ部とにより構成されて、予め設定された周波数帯域よりも高い共振周波数を有するＬＣ共振回路により、正常時は予め設定された周波数帯域の信号が通過することができる。一方、インダクタ部の第２のインダクタが、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号の入力により溶断するヒューズ用配線で形成されており、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振回路に入力されると、ヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断する。【０００８】
インダクタ部は、第１のインダクタおよび第２のインダクタが並列接続することにより形成されているため、この並列回路のインダクタンス（Ｌ）は比較的小さい。しかしながら、ヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断することにより断線すると、並列接続されたインダクタの数が減るため、インダクタ部のインダクタンス（Ｌ）が増大する。したがって、ＬＣ共振回路の共振周波数ｆ（遮断周波数）は、コンデンサ部のキャパシタンス（Ｃ）と、インダクタ部のインダクタンスとにより、
ｆ＝１／（２π（ＬＣ）１／２）
と決定されるため、インダクタンスが増大することにより、ＬＣ共振回路の共振周波数が低く変動し、変動後の共振周波数のＲＦ信号が遮断される。【０００９】
したがって、ヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断することにより断線した後のＬＣ共振回路の共振周波数が、予め設定された周波数帯域に変動するようにコンデンサ部およびインダクタ部を設定することにより、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力されて、ヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断する異常が生じた後は、予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を確実に遮断することができる機能を備える新規な構成のＲＦ信号用遮断装置を提供することができる。【００１０】
また、前記ヒューズ用配線に近接配置された磁性体をさらに備えるとよい。【００１１】
このように構成すると、磁性体は高周波帯域における損失が大きく、ヒューズ用配線に入力されたＲＦ信号は磁性体により熱となって損失するので、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がヒューズ用配線に入力された場合に、ヒューズ用配線に近接配置された磁性体が発熱することによりヒューズ用配線がより効果的に加熱されるので、ヒューズ用配線を効率よく溶断することができる。また、ヒューズ用配線は、磁性体に設けられていることがさらに好ましい。【００１２】
また、前記コンデンサ部および前記インダクタ部は並列回路を構成しており、前記並列回路の一方の接続点に接続された入力端子と、他方の接続点に接続された出力端子とを備えているとよい。【００１３】
このように構成すると、コンデンサ部およびインダクタ部が並列接続されたＬＣ共振回路は、共振周波数においてインピーダンスが最大となる特性を有しているので、コンデンサ部およびインダクタ部が並列接続された並列回路の一方の接続点に入力端子が接続され、他方の接続点に出力端子が接続されることにより、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振回路に入力されてヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断することにより断線し、ＬＣ共振回路の共振周波数が予め設定された周波数帯域に変動した後は、入力端子に入力された予め設定された周波数帯域のＲＦ信号はＬＣ共振回路により反射されるので、予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を確実に遮断することができる。【００１４】
また、前記コンデンサ部および前記インダクタ部は直列回路を構成しており、当該直列回路の一方の開放端に接続された入力端子および出力端子を備え、他方の開放端は接地されていてもよい。【００１５】
このように構成すると、コンデンサ部およびインダクタ部が直列接続されたＬＣ共振回路は、共振周波数においてインピーダンスが最小となる特性を有しているので、コンデンサ部およびインダクタ部が直列接続された直列回路の一方の開放端に入力端子および出力端子が接続され、他方の接続点が接地されることにより、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振回路に入力されてヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断することにより断線し、ＬＣ共振回路の共振周波数が予め設定された周波数帯域に変動した後は、入力端子に入力された予め設定された周波数帯域のＲＦ信号はＬＣ共振回路を介してグランドに流れるので、予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を確実に遮断することができる。【００１６】
また、前記ＬＣ共振回路はチップ部品に形成されているとよい。【００１７】
このように構成すると、ＬＣ共振回路が１つのチップ部品として一体的に形成されることにより、ＲＦ信号用遮断装置をコンパクトに形成することができ、配線基板等にＲＦ信号用遮断装置を容易に実装することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、コンデンサ部およびインダクタ部によりＬＣ共振回路が形成されており、インダクタ部を形成する第１、第２のインダクタのうち、ヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断することにより断線した後のＬＣ共振回路の共振周波数が、予め設定された周波数帯域に変動するようにコンデンサ部およびインダクタ部を設定することにより、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力されて、ヒューズ用配線により形成された第２のインダクタが溶断する異常が生じた後は、予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を確実に遮断することができる機能を備える新規な構成のＲＦ信号用遮断装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態のＲＦ信号用遮断装置を示す図である。
【図２】図１のＲＦ信号用遮断装置の内部構成を示す図である。
【図３】図１のＲＦ信号用遮断装置の説明図であって、（ａ）は等価回路を示し、（ｂ）は周波数特性を示す。
【図４】図１のＲＦ信号用遮断装置の異なる状態での説明図であって、（ａ）は等価回路を示し、（ｂ）は周波数特性を示す。
【図５】本発明の第２実施形態のＲＦ信号用遮断装置の説明図であって、（ａ）は等価回路を示し、（ｂ）は周波数特性を示す。
【図６】図５のＲＦ信号用遮断装置の異なる状態での説明図であって、（ａ）は等価回路を示し、（ｂ）は周波数特性を示す。
【図７】従来のヒューズ機能付コイルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜第１実施形態＞
本発明のＲＦ信号用遮断装置の第１実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態のＲＦ信号用遮断装置を示す図である。図２は図１のＲＦ信号用遮断装置の内部構成を示す図である。図３および図４は図１のＲＦ信号用遮断装置の機能を説明するための図であって、（ａ）は等価回路を示し、（ｂ）は周波数特性を示す。なお、図１〜図４では、説明を簡易なものとするために、本発明にかかる基本的な構成のみ図示されており、その他の構成については図示省略されている。また、図３はＲＦ信号用遮断装置が正常な状態を示す図であり、図４はＲＦ信号用遮断装置に異常が生じた状態を示す図である。
【００２１】
（構成）
図１に示すように、ＲＦ信号用遮断装置１はチップ部品として構成されており、内部に図３（ａ）に示すＬＣ共振回路４が設けられ、積層された誘電体セラミック層および磁性体セラミック層が焼成されて形成された多層基板２と、多層基板２の両端に形成された外部電極３ａ，３ｂとを備え、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力された後は予め設定された周波数帯域のＲＦ信号を遮断するものである。また、外部電極３ａ，３ｂは、それぞれＬＣ共振回路４の入力端子ＰＩおよび出力端子ＰＯとして形成されている。
【００２２】
多層基板２は、絶縁体層２０〜２７，２９と、磁性体層２８とが積層されて構成されている。絶縁体層２２上には第１インダクタ２２ａ（インダクタＬ１）が形成され、磁性体層２８上には第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）が形成されている。絶縁体層２４，２５上には第１コンデンサ電極２４ａと第２コンデンサ電極２５ａとがそれぞれ形成され、第１コンデンサ電極２４ａ、絶縁体層２４、および第２コンデンサ電極２５ａによりコンデンサ部５（コンデンサＣ１）が形成されている。なお、この実施形態では、絶縁体層２０〜２７，２９はアルミナ系ガラスセラミックで構成され、磁性体層２８はフェライトを主成分とする磁性体セラミックで構成されている。
【００２３】
具体的には、絶縁体層２２には、インダクタＬ１を形成するミアンダ形状の第１インダクタ２２ａが設けられている。そして、第１インダクタ２２ａの一端が外部電極３ａ（入力端子ＰＩ）に接続され、他端が外部電極３ｂ（出力端子ＰＯ）に接続される。
【００２４】
絶縁体層２４には、コンデンサＣ１の一方の電極を形成する第１コンデンサ電極２４ａが設けられており、外部電極３ｂ（出力端子ＰＯ）に接続される。また、絶縁体層２５には、コンデンサＣ１の他方の電極を形成する第２コンデンサ電極２５ａが設けられており、外部電極３ａ（入力端子ＰＩ）に接続される。
【００２５】
磁性体層２８には、コイルＬ２を形成する第２インダクタ２８ａが設けられており、第２インダクタ２８ａは、その太さや長さが、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号の入力により溶断するように形成されたヒューズ用配線で形成されている。そして、第２インダクタ２８ａの一端が外部電極３ａ（入力端子ＰＩ）に接続され、他端が外部電極３ｂ（出力端子ＰＯ）に接続される。なお、「溶断」とは、第２インダクタ２８ａを構成するヒューズ用配線により形成された配線パターンが加熱されることにより溶融して断線することを意味する。
【００２６】
次に、図１のＲＦ信号用遮断装置１の製造方法の一例についてその概略を説明する。この実施形態のＲＦ信号用遮断装置１は、最初にセラミックを基材とする多層基板２を焼成により形成し、形成された多層基板２の両端に外部電極３ａ，３ｂを形成することにより製造される。
【００２７】
多層基板２を構成する各層２０〜２９を形成するセラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーが成膜装置によりシート化されたものであり、約１０００℃よりも低い温度で、所謂、低温焼成できるように構成されている。
【００２８】
具体的には、絶縁体層２０〜２７，２９を構成する絶縁体セラミックグリーンシートが、アルミナおよびガラスなどの混合粉末、有機バインダおよび溶剤等からなるセラミックスラリーがシート成形機によってシート化されることにより準備される。また、磁性体層２８を構成する磁性体セラミックグリーンシートが、フェライト材料粉末、有機バインダおよび溶剤等からなるセラミックスラリーがシート成形機によってシート化されることにより準備される。
【００２９】
次に、ＡｇやＣｕ等の導電性粉末を含む導体ペーストを用いてスクリーン印刷等により、インダクタパターン（第１インダクタ２２ａ、第２インダクタ２８ａ）、コンデンサ電極パターン（第１コンデンサ電極２４ａ、第２コンデンサ電極２５ａ）が、１枚のセラミックグリーンシート上に縦横に複数個並ぶように形成される。すなわち、第１インダクタパターン２２ａが絶縁体セラミックグリーンシート２２上に形成され、第２インダクタパターン２８ａが磁性体セラミックグリーンシート２８上に形成される。また、第１コンデンサ電極２４ａが絶縁体セラミックグリーンシート２４上に形成され、第２コンデンサ電極２５ａが絶縁体セラミックグリーンシート２５上に形成される。なお、磁性体層２８に積層されて第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）に近接配置される絶縁体層２７を形成する絶縁体セラミックグリーンシートを磁性体セラミックグリーンシートにより磁性体層として形成してもよい。
【００３０】
そして、絶縁体セラミックグリーンシートおよび磁性体セラミックグリーンシートが積層され圧着されて、マザー積層体が作製される。続いて、マザー積層体が、カット刃による押し切りやダイサーにより切断されて、子基板（多層基板２）ごとに分割される。
【００３１】
次に、絶縁体セラミックグリーンシート、磁性体セラミックグリーンシート、インダクタパターン、コンデンサ電極パターンが一体的に焼成されて多層基板２が形成される。そして、多層基板２の表面に導体ペーストが塗布され、さらにその表面にめっき処理が施されることで外部電極３ａ，３ｂが形成されることにより、ＲＦ信号用遮断装置１が完成する。
【００３２】
なお、外部電極３ａ，３ｂは、マザー積層体から子基板に分割するための分割線を跨ぐように形成されたビア導体を分割して形成してもよい。ビア導体は、まずレーザーによってセラミックグリーンシートの所定位置にビアホールを形成し、その内表面を覆う、もしくは内部を充填するように導体ペーストを供給することで形成される。
【００３３】
また、子基板への分割は、マザー積層体の焼成後であってもよい。多層基板２上に搭載部品をマウントする場合は、マウント時のハンドリング性をよくするために、搭載部品のマウント後に分割できる焼成後の分割が好ましい。
【００３４】
なお、図３に示すように、この実施形態では、コンデンサＣ１から成るコンデンサ部５と、２個のインダクタＬ１，Ｌ２が並列接続されて成るインダクタ部６とが並列接続されて並列回路が形成されており、コンデンサ部５およびインダクタ部６が並列接続された並列回路の一方の接続点に入力端子ＰＩ（外部電極３ａ）が接続され、他方の接続点に出力端子ＰＯ（外部電極３ｂ）が接続されることにより、予め設定された周波数帯域ｆ０よりも高い周波数帯域ｆ１のＲＦ信号を遮断するＬＣ共振回路４が形成されている。
【００３５】
（特性）
次に、ＲＦ信号用遮断装置１の周波数特性について説明する。なお、ＬＣ共振回路４の共振周波数ｆは、
ｆ＝１／（２π（Ｌ・Ｃ）１／２）
Ｌ：インダクタンス
Ｃ：キャパシタンス
と表すことができるため、インダクタンスＬまたはキャパシタンスＣの増大に伴い、ＬＣ共振回路４の共振周波数ｆは小さくなる。
【００３６】
しかしながら、図４（ａ）に示すように、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力端子ＰＩから入力されると、並列接続されてインダクタ部６を形成するインダクタＬ１，Ｌ２のうち、ヒューズ用配線で形成された第２インダクタ２８ａが溶断して断線するため、インダクタ部６のインダクタンスＬが増大する。
【００３７】
したがって、上記したように、インダクタンスＬが増大するとＬＣ共振回路４の共振周波数ｆが低く変動するため、ＲＦ信号用遮断装置１の周波数特性が、図４（ｂ）に示すように、予め設定された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号を遮断するように変動する。なお、この実施形態では、コンデンサＣ１およびインダクタＬ１により構成されるＬＣ共振回路４の共振周波数がｆ０となるようにコンデンサ部５およびインダクタ部６が設定されている。
【００３８】
そして、ＲＦ信号用遮断装置１は、例えば、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末の出力回路において、ＲＦ信号を増幅するパワーアンプの出力側であって、アンテナに接続されたカプラとの間に挿入され、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力された場合に遮断される周波数帯域ｆ０が、通信携帯端末の送信信号の周波数帯域と同じに設定されている。このように構成すると、パワーアンプから所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が出力された場合に、インダクタＬ２を形成する第２インダクタ２８ａが溶断して断線することにより、ＬＣ共振回路４の遮断周波数の周波数帯域がｆ０に変動する。そのため、遮断周波数の周波数帯域が変動した後は、パワーアンプから出力された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号が遮断されるので、パワーアンプから出力された所定レベル以上のＲＦ電力値を有する周波数帯域ｆ０のＲＦ信号によりカプラやアンテナが破損するのを防止することができる。
【００３９】
以上のように、この実施形態によれば、コンデンサＣ１から成るコンデンサ部５と、２個のインダクタＬ１，Ｌ２が並列接続されて成るインダクタ部６とにより構成されて、予め設定された周波数帯域ｆ０よりも高い周波数帯域ｆ１のＲＦ信号を遮断するＬＣ共振回路４により、正常時は予め設定された周波数帯域ｆ０の信号が通過することができる。一方、インダクタ部６のインダクタＬ２を形成する第２インダクタ２８ａが、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号の入力により溶断するヒューズ用配線で形成されており、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振回路４に入力されると、ヒューズ用配線により形成された第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）が溶断する。
【００４０】
インダクタ部６は、２個のインダクタＬ１，Ｌ２が並列接続することにより形成されているため、ヒューズ用配線により形成された第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）が溶断することにより断線すると、並列接続されたインダクタの数が減ることになる。このため、インダクタ部６のインダクタンスＬが増大し、インダクタンスＬが増大することにより、ＬＣ共振回路４の遮断周波数（共振周波数）の周波数帯域がｆ１からｆ０に低く変動し、変動後の遮断周波数の周波数帯域ｆ０のＲＦ信号が遮断される。
【００４１】
したがって、ヒューズ用配線により形成された第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）が溶断することにより断線した後のＬＣ共振回路４の遮断周波数の周波数帯域が、予め設定された周波数帯域ｆ０に変動するようにコンデンサ部５およびインダクタ部６を設定することにより、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が入力されて、ヒューズ用配線により形成された第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）が溶断する異常が生じた後は、予め設定された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号を確実に遮断することができる機能を備える新規な構成のＲＦ信号用遮断装置１を提供することができる。
【００４２】
また、磁性体層２８を形成するフェライト（磁性体）は高周波帯域における損失が大きく、第２インダクタ２８ａに入力されたＲＦ信号はフェライトにより熱となって損失するので、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号が第２インダクタ２８ａに入力された場合に、第２インダクタ２８ａに近接配置されたフェライトが発熱することにより第２インダクタ２８ａを形成する配線パターンがより効果的に加熱されるので、第２インダクタ２８ａを効率よく溶断することができる。
【００４３】
また、コンデンサ部５およびインダクタ部６が並列接続されたＬＣ共振回路４は、共振周波数ｆにおいてインピーダンスが最大となる特性を有しているので、コンデンサ部５およびインダクタ部６が並列接続された並列回路の一方の接続点に入力端子ＰＩが接続され、他方の接続点に出力端子ＰＯが接続されることにより、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振回路４に入力されて第２インダクタ２８ａにより形成されたインダクタＬ２が溶断することにより断線し、ＬＣ共振回路４の遮断周波数が予め設定された周波数帯域ｆ０に変動した後は、入力端子ＰＩに入力された予め設定された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号はＬＣ共振回路４により反射されるので、予め設定された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号を確実に遮断することができる。
【００４４】
また、ＬＣ共振回路４がチップ部品に形成されることにより、ＲＦ信号用遮断装置１をコンパクトに形成することができ、配線基板等にＲＦ信号用遮断装置１を容易に実装することができる。
【００４５】
＜第２実施形態＞
本発明のＲＦ信号用遮断装置の第２実施形態について、図５および図６を参照して説明する。図５および図６は本発明の第２実施形態のＲＦ信号用遮断装置の機能を説明するための図であって、（ａ）は等価回路を示し、（ｂ）は周波数特性を示す。なお、図５はＲＦ信号用遮断装置が正常な状態を示す図であり、図６はＲＦ信号用遮断装置に異常が生じた状態を示す図である。
【００４６】
この第２実施形態が、上記第１実施形態と異なる点は、図５（ａ）に示すように、コンデンサ部５およびインダクタ部６が直列接続されてＬＣ共振回路４ａが形成されており、コンデンサ部５およびインダクタ部６が直接接続された直列回路の一方の開放端に入力端子ＰＩおよび出力端子ＰＯが接続され、他方の開放端が接地されることにより、図５（ｂ）に示すように、予め設定された周波数帯域ｆ０よりも高い周波数帯域ｆ１のＲＦ信号が遮断されている点である。その他の構成および動作は上記第１実施形態と同様であるため、その構成および動作の説明は同一符号を付すことにより省略する。
【００４７】
このように構成すると、コンデンサ部５およびインダクタ部６が直列接続されたＬＣ共振回路４ａは、共振周波数においてインピーダンスが最小となる特性を有しているので、直列接続されたコンデンサ部５およびインダクタ部６の一方の開放端に入力端子ＰＩおよび出力端子ＰＯが接続され、他方の接続点が接地されることにより、図６（ａ）に示すように、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振回路４ａに入力されてヒューズ用配線により形成された第２インダクタ２８ａ（インダクタＬ２）が溶断することにより断線し、図６（ｂ）に示すように、ＬＣ共振回路４ａの遮断周波数が予め設定された周波数帯域ｆ０に変動した後は、入力端子ＰＩに入力された予め設定された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号はＬＣ共振回路４ａを介してグランドに流れるので、予め設定された周波数帯域ｆ０のＲＦ信号を確実に遮断することができる。
【００４８】
また、所定レベル以上のＲＦ電力値を有するＲＦ信号がＬＣ共振器４ａを介してグランドに流れるため、当該ＲＦ信号により他の回路部品が損傷するのを防止することができる。
【００４９】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、コンデンサ部５を形成するコンデンサの数、並列接続されてインダクタ部６を形成するインダクタの数は上記した例に限られるものではなく、例えば、ＲＦ信号用遮断装置が設けられる外部装置の回路構成に応じて、適宜、コンデンサの数およびインダクタの数を設定すればよい。
【００５０】
また、上記した実施形態では、第２インダクタ２８ａが設けられる磁性体層２８がフェライトにより形成されているが、通常のセラミック誘電体により第２インダクタ２８ａが設けられる絶縁体層を形成してもよい。また、フェライト（磁性体）をインダクタＬ２に近接配置する構成については上記した例に限らず、インダクタＬ２を形成する第２インダクタ２８ａの中央部分に部分的にフェライトを接触配置するなど、ＲＦ信号が損失することにより発熱したフェライトにより第２インダクタ２８ａを加熱することができれば、フェライトをインダクタＬ２にどのように近接配置してもよい。
【００５１】
また、ＲＦ信号用遮断装置の構成は上記したチップ部品型に限られるものではなく、例えば、複数の回路部品が実装される樹脂多層基板の内部配線パターンによりＲＦ信号用遮断装置を形成するなど、どのようにＲＦ信号用遮断装置を構成してもよい。
【００５２】
また、インダクタを形成するインダクタ（配線）パターンは、コイルのような集中定数線路であってもよいし、ストリップラインのような分布定数線路であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、種々のＲＦ信号が利用される装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１    ＲＦ信号用遮断装置
４，４ａ    ＬＣ共振回路
５    コンデンサ部
６    インダクタ部
２２ａ    第１インダクタ
２４ａ    第１コンデンサ電極（コンデンサ）
２５ａ    第２コンデンサ電極（コンデンサ）
２８ａ    第２インダクタ（ヒューズ用配線）
Ｃ１    コンデンサ
Ｌ１，Ｌ２    インダクタ（第１、第２のインダクタ）
ＰＩ    入力端子
ＰＯ    出力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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