(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有し、前記第１の主面側に基板を含まない第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられた第１の電極と、
前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に設けられた第２の電極と、
前記発光層の端部を含む前記第２の半導体層の側面に設けられた絶縁膜と、
前記第２の電極につながり、前記第２の電極側から前記発光層の端部に向けて延び、前記絶縁膜を介して前記発光層の端部に対向する金属膜と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第１の電極に接続された第１の配線であって、前記第１の電極に達する第１部分と、前記第１部分よりも前記発光層側に延びた第２部分とを有する第１の配線と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第２の電極に接続された第２の配線と、
前記第１の配線の前記第２部分上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第１の金属ピラーと、
前記第２の配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第２の金属ピラーと、
前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間で、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に設けられた樹脂と、
前記第１の半導体層の前記第１の主面側に基板を介さずに設けられた蛍光体層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
第１の主面と前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有し、前記第１の主面側に基板を含まない第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられた第１の電極と、
前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に設けられた第２の電極と、
前記第２の半導体層の側面、および前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面の端部に設けられた絶縁膜と、
前記第２の電極につながり、前記第２の電極側から前記界面の端部に向けて延び、前記絶縁膜を介して前記界面の端部に対向する金属膜と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第１の電極に接続された第１の配線であって、前記第１の電極に達する第１部分と、前記第１部分よりも前記発光層側に延びた第２部分とを有する第１の配線と、
前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第２の電極に接続された第２の配線と、
前記第１の配線の前記第２部分上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第１の金属ピラーと、
前記第２の配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第２の金属ピラーと、
前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間で、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に設けられた樹脂と、
前記第１の半導体層の前記第１の主面側に基板を介さずに設けられた蛍光体層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記発光層の端部の周囲を連続して囲み、
前記金属膜は、前記絶縁膜を介して、前記発光層の端部の周囲を連続して囲んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１の半導体層の前記第２の主面側の一部に、前記発光層を含む凸部が設けられ、
前記凸部の側面を、前記絶縁膜を介して前記金属膜が覆っていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１の半導体層は基板上に形成され、前記基板が除去された請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１の半導体層は前記基板上に結晶成長し、結晶成長させるために用いられた前記基板が除去された請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１の半導体層は基板に形成されていた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、青色発光素子と蛍光体層とを組み合わせて例えば白色を得る波長変換型発光ダイオードが知られている。例えば特許文献１には、多数個のＬＥＤが形成されたウェーハの上面に蛍光体層を形成後、個別チップサイズに切断する方式で製造されるので、蛍光体層は発光ダイオードの上面に限り形成されるとの開示がある。この場合、発光層の側面から放出される光は蛍光体層を通過せず、側面から青みの強い光が放出されてしまい、所望の白色の生成が困難になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１１６９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、色度特性の優れた半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、第１の主面と前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有し、前記第１の主面側に基板を含まない第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられた第１の電極と、前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に設けられた第２の電極と、前記発光層の端部を含む前記第２の半導体層の側面に設けられた絶縁膜と、前記第２の電極につながり、前記第２の電極側から前記発光層の端部に向けて延び、前記絶縁膜を介して前記発光層の端部に対向する金属膜と、前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第１の電極に接続された第１の配線であって、前記第１の電極に達する第１部分と、前記第１部分よりも前記発光層側に延びた第２部分とを有する第１の配線と、前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第２の電極に接続された第２の配線と、前記第１の配線の前記第２部分上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第１の金属ピラーと、前記第２の配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第２の金属ピラーと、前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間で、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に設けられた樹脂と、前記第１の半導体層の前記第１の主面側に基板を介さずに設けられた蛍光体層と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、第１の主面と前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有し、前記第１の主面側に基板を含まない第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられた第１の電極と、前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に設けられた第２の電極と、前記第２の半導体層の側面、および前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面の端部に設けられた絶縁膜と、前記第２の電極につながり、前記第２の電極側から前記界面の端部に向けて延び、前記絶縁膜を介して前記界面の端部に対向する金属膜と、前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第１の電極に接続された第１の配線であって、前記第１の電極に達する第１部分と、前記第１部分よりも前記発光層側に延びた第２部分とを有する第１の配線と、前記第１の半導体層の前記第２の主面側に設けられ、前記第２の電極に接続された第２の配線と、前記第１の配線の前記第２部分上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第１の金属ピラーと、前記第２の配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第２の金属ピラーと、前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間で、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に設けられた樹脂と、前記第１の半導体層の前記第１の主面側に基板を介さずに設けられた蛍光体層と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、色度特性の優れた半導体発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図であり、（ｂ）は同半導体発光装置における主要要素の平面レイアウトを示す模式図。
【図２】同半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。
【図３】図２に続く工程を示す模式断面図。
【図４】図３に続く工程を示す模式断面図。
【図５】本発明の他の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図。
【図６】図１（ａ）に示す凸部の拡大図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。  
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図を示す。
【０００９】
本実施形態に係る半導体発光装置は、半導体構造部と、配線層を含むパッケージ構造部と、蛍光体層とを有し、これらはウェーハ状態で一括して形成される。半導体構造部は、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３を有する。第２の半導体層１３は、発光層（または活性層）をｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで挟んだ構造を有する。第１の半導体層１２は、例えばｎ型であり、電流の横方向経路として機能する。但し、第１の半導体層１２の導電型はｎ型に限らず、ｐ型であってもよい。
【００１０】
例えば、第２の半導体層１３は、図６に示すように、ｎ型ＧａＮ層６１と、ｎ型ＩｎＧａＮ層６２と、発光層６３と、ｐ型ＧａＮ層６４と、ｐ型ＡｌＧａＮ層６５と、ｐ型ＧａＮ層６６とを有する。発光層６３は、例えば多重量子井戸構造を有する。第１の半導体層１２は、例えばｎ型ＧａＮ層である。その第１の半導体層１２側から順に、ｎ型ＧａＮ層６１、ｎ型ＩｎＧａＮ層６２、発光層６３、ｐ型ＧａＮ層６４、ｐ型ＡｌＧａＮ層６５およびｐ型ＧａＮ層６６が積層されている。
【００１１】
第１の半導体層１２の第１の主面１０から主として光が外部へと取り出される。第２の半導体層１３は、第１の主面１０の反対側の第２の主面に設けられている。第１の半導体層１２の第２の主面側の一部は凸形状に加工され、その凸部３０の表面に第２の半導体層１３が設けられている。凸部３０は、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との積層体からなり、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０を含む。
【００１２】
第１の半導体層１２の第２の主面において第２の半導体層１３が設けられていない部分には、ｎ側電極１５が設けられている。第２の半導体層１３において第１の半導体層１２と接する面の反対面にはｐ側電極１６が設けられている。
【００１３】
第２の主面及び第２の半導体層１３において、ｎ側電極１５とｐ側電極１６が設けられた部分以外の部分は、絶縁膜１４で覆われている。絶縁膜１４は、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０を含む凸部３０の側面も覆っている。
【００１４】
絶縁膜１４において凸部３０の側面を覆う部分の外側には、金属膜２０が設けられている。金属膜２０は、絶縁膜１４を介して、第２の半導体層１３の側面、および第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０の端部５０ａを含む凸部３０の側面を覆っている。すなわち、金属膜２０は、絶縁膜１４を介して、発光層６３の端部を覆っている。金属膜２０は、発光層が発する光に対して不透明であり遮光性を有する。また、金属膜２０は、発光層が発する光に対する反射性を有する。
【００１５】
例えば、金属膜２０は、ｐ側電極１６の形成時に同時に形成され、ｐ側電極１６と一体に設けられている。金属膜２０は、ｐ側電極１６側から界面５０の端部５０ａに向けて、絶縁膜１４に形成されている。金属膜２０は、ｎ側電極１５とは接続されず、また、絶縁膜１４によって第１の半導体層１２に対して絶縁されている。したがって、ｐ側電極１６は、第１の半導体層１２に対して直接電気的に接続されていない。
【００１６】
図１（ｂ）は、第１の半導体層１２、第２の半導体層１３、凸部３０の側面に形成された絶縁膜１４、金属膜２０の平面レイアウトを示す。
【００１７】
第２の半導体層１３は第１の半導体層１２よりも平面サイズが小さい。絶縁膜１４は、第２の半導体層１３の側面、および第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０の端部５０ａを含む凸部３０の側面の周囲を連続して枠状に覆っている。そして、金属膜２０は、絶縁膜１４を介して、第２の半導体層１３の側面、および第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０の端部５０ａを含む凸部３０の側面の周囲を連続して枠状に覆っている。
【００１８】
再び図１（ａ）を参照すると、絶縁膜１４、ｎ側電極１５、ｐ側電極１６および金属膜２０を覆うように、第２の主面側に絶縁層１７が設けられている。例えば、絶縁膜１４はシリコン酸化物であり、絶縁層１７はシリコン酸化物あるいはポリイミド等の樹脂である。ｎ側電極１５とｐ側電極１６とは、絶縁膜１４及び絶縁層１７によって絶縁され、互いに電気的に独立した電極となっている。
【００１９】
絶縁層１７においてｎ側電極１５及びｐ側電極１６に接する面の反対側の面は平坦化され、その面にｎ側配線１８とｐ側配線１９が設けられている。ｎ側配線１８は、ｎ側電極１５に達して絶縁層１７に形成された開口内にも設けられ、ｎ側電極１５と電気的に接続されている。ｐ側配線１９は、ｐ側電極１６に達して絶縁層１７に形成された開口内にも設けられ、ｐ側電極１６と電気的に接続されている。例えば、ｎ側配線１８とｐ側配線１９は、開口の内壁面も含めた絶縁層１７の表面に形成されたシード金属を電流経路として利用した電解めっき法によって形成される。
【００２０】
ｎ側電極１５、ｐ側電極１６、ｎ側配線１８、ｐ側配線１９、絶縁膜１４および絶縁層１７は、いずれも半導体構造部における第１の主面１０の反対側に設けられ、配線層を構成する。
【００２１】
ｎ側配線１８の下にはｎ側金属ピラー２１が設けられている。ｐ側配線１９の下にはｐ側金属ピラー２２が設けられている。ｎ側金属ピラー２１の周囲、ｐ側金属ピラー２２の周囲、ｎ側配線１８およびｐ側配線１９は、樹脂２３で覆われている。
【００２２】
第１の半導体層１２は、ｎ側電極１５及びｎ側配線１８を介してｎ側金属ピラー２１と電気的に接続されている。第２の半導体層１３は、ｐ側電極１６及びｐ側配線１９を介してｐ側金属ピラー２２と電気的に接続されている。ｎ側金属ピラー２１及びｐ側金属ピラー２２における樹脂２３から露出する下端面には、例えばはんだボール、金属バンプなどの外部端子２４が設けられ、その外部端子２４を介して、本実施形態に係る半導体発光装置は外部回路と電気的に接続可能である。
【００２３】
本実施形態の構造によれば、半導体構造部（第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３の積層体）が薄くても、ｎ側金属ピラー２１、ｐ側金属ピラー２２および樹脂２３を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、回路基板等に実装した場合に、外部端子２４を介して半導体層に加わる応力をｎ側金属ピラー２１とｐ側金属ピラー２２が吸収することで緩和することができる。ｎ側金属ピラー２１及びｐ側金属ピラー２２を支える役目をする樹脂２３は、回路基板等と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂２３として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。
【００２４】
また、ｎ側配線１８、ｐ側配線１９、ｎ側金属ピラー２１、ｐ側金属ピラー２２の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁膜との優れた密着性を備えた銅がより好ましい。
【００２５】
第１の主面１０上には、蛍光体層４０が設けられている。蛍光体層４０は、第１の主面１０の面方向にわたって略均一な厚さで設けられている。蛍光体層４０は、発光層からの光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため発光層からの光と蛍光体層４０における波長変換光との混合光が放出可能となる。例えば発光層を窒化物系とすると、その発光層からの青色光と、例えば黄色蛍光体層４０における波長変換光である黄色光との混合色として白色または電球色などを得ることができる。
【００２６】
図６に示すように、発光層６３は第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０付近に設けられ、前述した金属ピラー、配線、電極を介して、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３に電流が供給されることで発光層６３が発光する。発光層６３から発光された光は、第１の半導体層１２中を進んで、第１の主面１０から蛍光体層４０に進入し、蛍光体層４０を通過して、外部に放出される。
【００２７】
ほとんどの光は、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０付近に設けられた発光層６３から上方の第１の主面１０に向けて進むが、発光層の端部からも光が放出される。しかしながら、発光層の端部から放出された光は、上方に進む光の経路よりも大きく外側に外れて半導体発光装置の外縁部に向かう方向に進み、上方の第１の主面１０に進む光とは、蛍光体層４０内を通過する距離が大きく異なる。あるいは、発光層６３の端部から放出された光は蛍光体層４０を通過しないことも生じ得る。これは、外部に取り出される光の色度のばらつきを生じさせる原因となり得る。
【００２８】
しかし、本実施形態では、発光層６３の端部を金属膜２０で覆っているため、その発光層６３の端部から放出される光を遮光することができる。この結果、色度のばらつきを抑えて、所望の色度の光を外部に取り出すことができる。
【００２９】
また、金属膜２０は、発光層６３の端部の周囲を連続して囲んでいるため、周方向すべてにわたって色度のばらつきを抑えることができる。  
また、金属膜２０は、発光層が発する光に対して反射性を有し、発光層６３の端部から放出された光を金属膜２０で反射させて、上方の光取り出し面１０に向かわせることが可能である。これにより、輝度の低下を抑制できる。
【００３０】
次に、図２〜４を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、図２（ａ）に示すように、基板１１の主面上に第１の半導体層１２を、その上に第２の半導体層１３を形成する。第１の半導体層１２における基板１１の主面に接する面が第１の主面１０となる。例えば、発光層が窒化物系半導体の場合、第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３はサファイア基板上に結晶成長させることができる。
【００３２】
次に、例えば図示しないマスクを用いたエッチング法で、第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３の第２の主面側を選択的に除去する。図２（ｂ）に示すように、第１の半導体層１２の一部が凸形状に加工され、その凸部３０の表面に、第２の半導体層１３が選択的に残される。第２の主面側において凸部３０以外の部分には第１の半導体層１２が露出する。
【００３３】
凸部３０として残す部分以外を、第２の半導体層１３と第１の半導体層１２との界面５０よりも深くエッチングすることで、確実に界面５０付近に設けられた発光層６３の端部を露出させることができ、後の工程にて、その発光層６３の端部を絶縁膜１４を介して金属膜２０で覆うことが可能となる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３の全面を覆う絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４は、発光層６３の端部を含む凸部３０の側面を覆う。絶縁膜１４は、例えば樹脂よりも絶縁性に優れたシリコン酸化膜である。
【００３５】
次に、図３（ａ）に示すように、絶縁膜１４を選択的に開口した後、その開口から露出する第１の半導体層１２上にｎ側電極１５を形成し、同じく絶縁膜１４の開口から露出する第２の半導体層１３上にｐ側電極１６を形成する。
【００３６】
このとき、ｐ側電極１６の形成と同時に、凸部３０の側面に形成された絶縁膜１４を覆う金属膜２０も形成することで工程数の増加を抑えることができる。なお、ｎ側電極１５の形成と同時に、金属膜２０をｎ側電極１５と一体に形成してもよい。この場合には、金属膜２０は、ｐ側電極１６及び第２の半導体層１３に対して絶縁分離される。あるいは、金属膜２０は、ｎ側電極１５及びｐ側電極１６の双方に対して絶縁分離された構造でもよい。
【００３７】
ｎ側電極１５、ｐ側電極１６及び金属膜２０は、例えば蒸着法で形成することができる。これらの材料としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕなどを一例として挙げることができる。また、これら金属を複数積層させてｎ側電極１５、ｐ側電極１６、金属膜２０を構成してもよい。
【００３８】
次に、ｎ側電極１５、ｐ側電極１６、金属膜２０および絶縁膜１４を覆う絶縁層１７を形成した後、図３（ｂ）に示すように、ｎ側電極１５に達する開口と、ｐ側電極１６に達する開口を絶縁層１７に形成する。
【００３９】
次に、絶縁層１７の上面及び開口の内壁にシード金属を形成し、さらに図示しないめっきレジストを形成した後、シード金属を電流経路とした電解めっきを行う。
【００４０】
これにより、図３（ｃ）に示すように、絶縁層１７の開口内及びその周辺の絶縁層１７上に、ｎ側電極１５と接続されたｎ側配線１８と、ｐ側電極１６と接続されたｐ側配線１９とが形成される。
【００４１】
そして、ｎ側配線１８及びｐ側配線１９を形成するめっきに使っためっきレジストを除去した後、今度は金属ピラー形成用の別のめっきレジストを形成し、上記シード金属を電流経路とした電解めっきを行う。これにより、図３（ｃ）に示すように、ｎ側配線１８上にｎ側金属ピラー２１が形成され、ｐ側配線１９上にｐ側金属ピラー２２が形成される。
【００４２】
その後、めっきレジストを除去し、さらにシード金属の露出している部分を除去する。これにより、ｎ側配線１８とｐ側配線１９とのシード金属を介した電気的接続が分断される。
【００４３】
次に、図４（ａ）に示すように、ｎ側配線１８、ｐ側配線１９、ｎ側金属ピラー２１、ｐ側金属ピラー２２および絶縁層１７を、樹脂２３で覆う。その後、樹脂２３の表面を研削してｎ側金属ピラー２１及びｐ側金属ピラー２２の上面を露出させる。そして、その露出面に、はんだボール、金属バンプなどの外部端子２４を設ける。
【００４４】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１１が除去される。図４（ｂ）では、図４（ａ）と上下方向の位置関係を逆に図示している。
【００４５】
基板１１は、例えばレーザーリフトオフ法により第１の半導体層１２から剥離される。すなわち、基板１１における第１の半導体層１２が形成された主面の反対面である裏面側から第１の半導体層１２に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１１に対して透過性を有し、第１の半導体層１２に対しては吸収領域となる波長を有する。
【００４６】
レーザ光が基板１１と第１の半導体層１２との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１２はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、第１の半導体層１２がＧａＮの場合、Ｇａと窒素ガスに分解する。Ｇａは第１の半導体層１２側に残る。この分解反応により、基板１１と第１の半導体層１２との間に微小な隙間が形成され、基板１１と第１の半導体層１２とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１１を剥離する。
【００４７】
基板１１の剥離後、図１（ａ）に示すように、第１の半導体層１２の第１の主面１０上に蛍光体層４０を形成する。例えば、蛍光体粒子が混合された液状の樹脂をスピンコート法で塗布した後、熱硬化させることで、蛍光体層４０が形成される。
【００４８】
第１の主面１０上から基板１１を除去した後に蛍光体層４０を形成することで、第１の主面１０と蛍光体層４０との間に基板１１が存在せず、光取り出し効率の向上を図れる。
【００４９】
その後、ダイシングし、図１（ａ）に示すように、個片化された半導体発光装置が得られる。ダイシングの手段としては、例えばダイヤモンドブレード等を用いた機械切削、レーザ照射、高圧水などの手段を用いることが可能である。また、基板１１はすでに除去されているため、容易にダイシングでき生産性を向上できる。
【００５０】
ダイシングされるまでの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、低コストでの生産が可能となる。また、ウェーハレベルで、配線層、樹脂２３、金属ピラー２１、２２などのパッケージ構造が形成されるため、半導体発光装置全体の平面サイズをベアチップ（第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３）の平面サイズに近くした小型化が容易になる。
【００５１】
なお、基板１１をすべて除去しないで、図５に示すように、薄く研削した上で光取り出し面１０上に残してもよい。基板１１を薄層化して残すことにより、基板１１をすべて除去する構造よりも機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。また、基板１１が残っていることで、個片化した後の反りを抑制でき、回路基板等への実装が容易になる。
【００５２】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。基板、半導体層、電極、配線層、金属ピラー、絶縁膜、絶縁層、樹脂の材料、サイズ、形状、レイアウトなどに関して当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【００５３】
蛍光体層４０としては、例えば、発光層が発光する光によって励起されて赤色を発光する赤色蛍光体層、黄色を発光する黄色蛍光体層、緑色を発光する緑色蛍光体層、青色を発光する青色蛍光体層を用いることができる。
【００５４】
赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕやサイアロン系蛍光体を含有することができる。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１・・・組成式（１）（ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特に、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は次の関係を満たす。０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７）を用いることが好ましい。
組成式（１）で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
【００５５】
黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕを含有することができる。
【００５６】
緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２：Ｅｕやサイアロン系蛍光体を含有することができる。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２・・・・組成式（２）（ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特にＣａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は次の関係を満たす。０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１）を用いることが好ましい。
組成式（２）で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
【００５７】
青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを含有することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１０…光取り出し面、１１…基板、１２…第１の半導体層、１３…第２の半導体層、１４…絶縁膜、１５…ｎ側電極、１６…ｐ側電極、１７…絶縁層、１８…ｎ側配線、１９…ｐ側配線、２０…金属膜、２１，２２…金属ピラー、２３…樹脂、３０…凸部、４０…蛍光体層、５０…界面、５０ａ…界面の端部、６３…発光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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