(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インピーダンス調整可能な半導体素子であって、
形成された基礎の導電路を規定する第１の形成された導電性領域であって、該第１の導電性領域は、第２の導電性部材から離れた第１の導電性部材を有し、該第１の導電性領域は、熱可変性のドーパント・プロファイルを有するドーピングされた領域であり、該第１の導電性部材は該基礎の導電路を規定する、第１の形成された導電性領域と、
該第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、該第２の領域を該第１の導電性領域と比較して非導電性にするドーパント・プロファイルを有するドーピングされた領域である第２の領域とを備え、
該第１および第２の導電性部材が、該第２の領域により規定されるギャップ領域によって互いに隔てられるように、該第１および第２の導電性部材は並置して配置されかつコネクタ部材により接続され、
該第２の領域は、少なくとも該ギャップ領域について熱可変性であるドーパント・プロファイルを有し、
該インピーダンス調整可能な半導体素子は、ジグザグのパターンに配置された３つのクリンプ要素を有する第２のインピーダンス調整可能な半導体素子に接続され、
該３つのクリンプ要素の中央クリンプ要素は、近接リンク要素の共通リンク要素として機能し、
該中央クリンプ要素は、ギャップ領域を横切る２つ以上の別個の凝固した導電性ブリッジを有する、インピーダンス調整可能な半導体素子。
【請求項２】
前記第２のインピーダンス調整可能な半導体素子は、ギャップ領域を横切る２つの別個の凝固した導電性ブリッジを有する、請求項１に記載のインピーダンス調整可能な半導体素子。
【請求項３】
前記別個の凝固した導電性ブリッジは、５００オームから１００キロオームの抵抗を有する請求項１又は２に記載のインピーダンス調整可能な半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子すなわち半導体デバイスの分野に関し、および、集束加熱源を使用して半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを調整（すなわち、修正または変更）する方法および装置に関する。
【０００２】
集束加熱源の溶融作用によって、より高いドーパント（dopant）濃度の隣接領域からドーパントを拡散させることによって低ドーパント濃度の領域のドーパント・プロファイル（dopantprofile）を変更する（すなわち、低ドーパント濃度の領域のドーパント濃度を増加させる）ことによって、半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを微調整するための方法が開発されている。この集束加熱源は、本願明細書で説明されている通りの当該集束加熱源の目的に留意する限りにおいて、任意の形態をとってよい。一例として、この集束加熱源は、例えばレーザのようなエネルギービームを提供してもよい。本発明は、特に、以前には存在していなかった導電リンク（conductivelinks）と導電経路とを生成するための回路に対するレーザの使用に関する。本発明は、さらに、インピーダンスの変更（すなわち、トリミングまたは調整）がギャップ領域の長さに沿った１つまたは複数の導電性ブリッジの位置に応じて有利に行われることが可能な手段に関する。
【背景技術】
【０００３】
レーザの使用によって（集積）半導体デバイスすなわち半導体素子のインピーダンスを変更することが、当業者により公知である。（集積）半導体デバイスのレーザトリミングとして知られているこうした方法は、シリコンクロミド（silicon chromide）、ケイ化セシウム（cesium silicides）、窒化タンタル、またはニクロムのような材料で作られている抵抗性薄膜構造を有する半導体デバイスすなわち半導体素子上で行われることが最も多い。（集積）半導体デバイスすなわち半導体素子のトリミングは、所要のまたは所望のインピーダンス値を得るために、抵抗性薄膜の一部分のレーザによる除去（すなわち、蒸発または焼き切り）によって得られることが可能である。言い換えると、レーザは、抵抗性薄膜構造の一部分を蒸発させるために使用される。このように抵抗性薄膜構造の一部分を蒸発させることは、残留する抵抗性薄膜構造の量の変化によって、（集積）半導体デバイスのインピーダンスの値の変化を生じさせる。
【０００４】
さらに、領域のドーパント・プロファイルを変更することによって、（集積）半導体デバイスすなわち半導体素子のインピーダンスを反復的にかつ選択的に調整することも知られている。例えば、本願明細書に引例として内容全体が組み入れられている米国特許第６，３２９，２７２号を参照されたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，３２９，２７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
集積半導体デバイスのインピーダンスを変更する（すなわち、インピーダンスを低下させる）ために、集積抵抗体の抵抗（すなわち、インピーダンス）を低下させるための比較的単純な手段を有すること、すなわち、レーザまたは他の集束熱源を使用することが可能であることが有利であろう。さらに、例えば集束レーザビームのようなエネルギービームといったような集束加熱源を使用することによって、集積半導体デバイスのインピーダンスを反復的にかつ選択的に調整するための代替的な方法を有することが有利であろう。さらに、１つの領域から別の領域へのドーパントの拡散を正確に制御しようと試みること（だけ）によってではなく、１つまたは複数の２次的な導電経路（すなわち、１つまたは複数の導電路）を形成することによって、集積半導体デバイスのインピーダンスを低下させることが可能であることも特に有利であろう。
【０００７】
本発明の目的は、半導体デバイスの（形成された状態での）基礎の（すなわち、主要な）導電路が初期の（すなわち、無限大ではない）インピーダンス（例えば、無限大ではない抵抗）を有し、かつ、このようなインピーダンスを低減させることによって上記の主要な導電路がトリミングまたは調整されることが可能であるような構成を有する半導体デバイスすなわち半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、全般的な態様において、半導体素子のインピーダンスを変更する方法を提供する。ここで、上記半導体素子は、
形成された基礎の導電路（すなわち、最初の経路）を規定する第１の導電性領域であって、第１のリンク部材（すなわち、第１のリンク部分）と第２のリンク部材（すなわち、第２のリンク部分）とを有し、かつ、熱可変性ドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域と、  第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、この第２の領域を上記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
上記第１および第２のリンク部材は、上記第１および第２のリンク部材が上記第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、上記第２の領域は、少なくとも上記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有し、
上記方法は、上記第１のリンク部材と上記第２のリンク部材とを接続するための上記ギャップ領域を横切る別個の導電性ブリッジを形成するように、１つまたは複数の（すなわち、少なくとも１つの）予め選択されたブリッジ形成区域に対してブリッジ形成サイクルを行うことを含み、
各々の上記ブリッジ形成区域は、上記ギャップ領域の少なくとも一部分を含むギャップ領域構成部分と、上記第１のリンク部材の少なくとも一部分を含む第１のリンク構成部分と、上記第２のリンク部材の少なくとも一部分を含む第２のリンク構成部分とを含み、
上記ブリッジ形成サイクルは、上記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対する１つまたは複数の加熱／冷却処理を加えることを含み、各々の加熱／冷却処理は、
溶融した上記予め選択されたターゲット区域のドーパント・プロファイルを変更するために、上記ブリッジ形成区域の予め選択されたターゲット区域を溶融させるように集束加熱源を方向付けることと、
溶融した上記予め選択されたターゲット区域が、変更されたドーパント・プロファイルを伴って凝固することを可能にすることとを含む。
【０００９】
本発明は、別の態様において、本願明細書に定義されている通りの半導体デバイスすなわち半導体素子のインピーダンスを変更する方法を提供する。この方法では、第１の導電性領域は導電性クリンプ（crimp）要素を含む（すなわち、第１の導電性領域の少なくとも一部分が導電性のクリンプ要素すなわち折り畳み要素の形態で配置されている）。この導電性クリンプ要素は基礎の（すなわち、初期の）導電路を規定し、さらに、上記導電性クリンプ要素は第１のリンク部材と第２のリンク部材とを含む。
【００１０】
本発明は、さらに別の態様において、半導体素子のインピーダンスを変更する方法を提供する。ここで、上記半導体素子は、
第１の導電性のリンク部材（すなわち、第１の導電性のリンク部分）と第２のリンク部材（すなわち、第２のリンク部分）とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域であって、上記第１の導電性のリンク部材は、形成された基礎の導電路（すなわち、初期経路）を規定する第１の導電性領域と、
上記第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、この第２の領域を上記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
上記第１および第２のリンク部材は、上記第１および第２のリンク部材が上記第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、上記第２の領域は、少なくとも上記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有し、
上記方法は、上記第１のリンク部材と上記第２のリンク部材とを接続する上記ギャップ領域を横切る別個の導電性ブリッジを形成するように、１つまたは複数の（すなわち、少なくとも１つの）予め選択されたブリッジ形成区域に対してブリッジ形成サイクルを行うことを含み、
各々の上記ブリッジ形成区域は、上記ギャップ領域の少なくとも一部分を含むギャップ領域構成部分と、上記第１のリンク部材の少なくとも一部分を含む第１のリンク構成部分と、上記第２のリンク部材の少なくとも一部分を含む第２のリンク構成部分とを含み、
上記ブリッジ形成サイクルは、上記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対する１つまたは複数の加熱／冷却処理を加えることを含み、各々の加熱／冷却処理は、
溶融した上記予め選択されたターゲット区域のドーパント・プロファイルを変更するために、上記ブリッジ形成区域の予め選択されたターゲット区域を溶融させるように集束加熱源を方向付けることと、
溶融した上記予め選択されたターゲット区域が、変更されたドーパント・プロファイルを伴って凝固することを可能にすることとを含む。
【００１１】
本発明の方法によって、ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域がブリッジ形成区域（すなわち、ブリッジ形成区域のギャップ領域構成部分と上記第１および第２のリンク構成部分の両方）を含むときに、上記別個の導電性ブリッジを形成するように、上記ブリッジ形成区域に対して加熱／冷却処理を加えることを含む。
【００１２】
さらに、本発明の方法によって、ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域が、ブリッジ形成区域のギャップ領域構成部分と上記第１または第２のリンク構成部分のいずれか一方とを含むときに、このような予め選択されたターゲット区域に対して加熱／冷却処理を加えることと、上記別個の導電性ブリッジを形成するように、上記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対して１つまたは複数の他の加熱／冷却処理を加えることとを含む。
【００１３】
本発明は、さらに、本願明細書で説明されている１つまたは複数のブリッジ形成サイクルを適用されてよい半導体デバイスすなわち半導体素子にも関する。したがって、本発明は、別の態様によって、インピーダンス調整可能な半導体素子を提供する。ここで、上記半導体素子は、
形成された基礎の導電路を規定する第１の導電性領域であって、第１のリンク部材（すなわち、第１のリンク部分）と第２のリンク部材（すなわち、第２のリンク部分）とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域と、
この第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、この第２の領域を上記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
上記第１および第２のリンク部材は、上記第１および第２のリンク部材が第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、上記第２の領域は、少なくとも上記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有する。
【００１４】
本願明細書で説明するように、この第１の導電性領域は、例えば、形成された基礎の導電路を規定する導電性クリンプ要素を含み、さらに、上記導電性クリンプ要素は上記第１のリンク部材と上記第２のリンク部材とを含む。
【００１５】
本発明は、別の態様において、さらに、インピーダンス調整可能な半導体素子を提供する。ここで、上記半導体素子は、
第１の導電性のリンク部材（すなわち、第１の導電性のリンク部分）と第２のリンク部材（すなわち、第２のリンク部分）とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域であって、上記第１の導電性のリンク部分が、基礎の導電路を規定する第１の導電性領域と、
第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、この第２の領域を上記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
上記第１および第２のリンク部材は、上記第１および第２のリンク部材が第２の領域によって規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように、並置して配置されており、上記第２の領域は、少なくとも上記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有する。
【００１６】
本発明の方法に係る態様に戻ると、導電性ブリッジは、（全面的な）ブリッジ区域全体にわたる、単一のレーザまたは熱パルスを含むブリッジ形成サイクルの適用によって得られてもよい。こうして、ブリッジ形成サイクルは、ブリッジ区域（すなわち、ブリッジ区域全体）に対して加熱／冷却処理を加え、この加熱／冷却処理は、
溶融したブリッジ形成区域のドーパント・プロファイルを変更するために、ブリッジ形成区域を溶融させるように集束加熱源を方向付けることと、
上記別個の導電性ブリッジを形成するように、溶融した上記ブリッジ形成区域が、変更されたドーパント・プロファイルを伴って凝固することを可能にすることとを含む。しかし、所望または必要に応じて、ブリッジ形成サイクルが、最初の加熱／冷却処理の後に、上記別個の導電性ブリッジを形成するために１つまたは複数の追加の加熱／冷却処理を同一のブリッジ形成区域に加えてもよい。すなわち、上記ブリッジ形成サイクルは、同一のブリッジ形成区域に対して２つ以上の加熱／冷却処理を加えることを含んでもよい。
【００１７】
あるいは、この代替案としては、導電性ブリッジが、ブリッジ区域の複数のドーパント可変性の領域または区域をターゲットとする一連の連続的なまたは同時発生のレーザパルスまたは熱パルスを含むブリッジ形成サイクルの適用によって得られてもよい。すなわち、レーザパルスが熱可変性のドーパント・プロファイルの隣接領域全体にわたって印加されてもよい。これらの領域または区域は、一方のリンク部材からギャップ領域を横切って、（予め選択されたブリッジ区域の）他方のリンク部材に延びてもよい。これに加えて、所望または必要に応じて、ブリッジ形成サイクルは、さらに、上記別個の導電性ブリッジを形成するようにブリッジ形成区域の同一の予め選択されたターゲット区域に対して２つ以上の加熱／冷却処理を加えることを含んでもよい。例えば、ブリッジ形成サイクルは、例えば前述の米国特許第６，３２９，２７２号に説明されている加熱ステップのような加熱ステップを使用してもよい。こうして、例えば、ブリッジ形成サイクルは、上記別個の導電性ブリッジを形成するためにブリッジ形成区域のそれぞれの予め選択されたターゲット区域に対して２つ以上の加熱／冷却処理を加えることを含んでよく、上記予め選択されたターゲット区域の１つが、ギャップ領域構成部分と上記第１および第２のリンク構成部分の一方とを含む第１の区域であり、さらに、別の上記予め選択されたターゲット区域が、ギャップ領域構成部分と上記第１および第２のリンク構成部分の他方とを含み、上記第１および第２のターゲット区域は互いに重なり合っている。
【００１８】
本発明によって、所望または必要に応じて、ブリッジ形成区域は、前述の区域全体の加熱／冷却処理および／または部分的区域の加熱／冷却処理の組合せを加えられてもよい。
【００１９】
本願明細書では、「インピーダンス」という用語が抵抗とキャパシタンスの両方に関係するということと、場合に応じて、集積半導体デバイスのインピーダンスを変更することが半導体デバイスすなわち半導体素子の抵抗および／またはキャパシタンスを変更することを含むものとして理解されるということとが理解されなければならない。
【００２０】
本発明によって、本願明細書では、デバイスすなわち素子の「形成された基礎の導電路」（すなわち、初期導電路）に対する言及が、本願明細書で論じられるいずれかのタイプの調整すなわちトリミングの以前に初期の（すなわち、無限大ではない）インピーダンス（例えば、無限大ではない抵抗）を有する導電路に対する言及であるということが理解されなければならない。
【００２１】
本発明によって、さらに、「集束加熱源」等に対する言及が、予め決められたターゲット区域のドーパント・プロファイルを変更するように当該ターゲット区域を加熱するために、予め決められたターゲット区域（すなわち、本願明細書で説明されるターゲット区域）に対して人間がエネルギーを方向付け、集中させ、または、加えることを可能にするためのいずれかの方法を利用した任意のタイプの加熱源に対する言及であるということが理解されなければならない。
【００２２】
本発明によって、本願明細書で説明される方法は、さらに、
ａ）ブリッジ形成サイクルの後で上記半導体デバイス素子のインピーダンスを決定するステップと、
ｂ）上記ステップａ）から得られたインピーダンスを予め決められたインピーダンスと比較するステップと、
ｃ）必要に応じて、上記予め決められたインピーダンスが得られるまで上記ブリッジ形成サイクルを繰り返すステップとを含んでよい。
【００２３】
前述の説明から理解できるように、本発明によって、２つ以上のブリッジ形成サイクルが必要とされるかまたは必要であると考えられる場合には、こうした追加のブリッジ形成サイクルのいずれかが、必要または所望に応じて、以前に処理された予め選択された区域に対して、および／または、１つまたは複数の異なる予め選択された区域に対して適用されてよい。したがって、ブリッジ形成サイクルは、すでに処理された区域または１つまたは複数の新たな（すなわち、未処理の）区域に対して再び適用されてよい。例えば、ブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように幾つかの異なる予め選択された区域（例えば、２つ以上のこうした区域）に対して適用されてもよい。さらに明確に述べると、例えば、必要または所望に応じて、ブリッジ形成サイクルが、予め決
められたインピーダンスが得られるまで１つまたは複数の追加の予め選択された区域において繰り返されてよく、さらに、各々のブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように異なる予め選択された区域に適用される。
【００２４】
本発明によって、２つ以上の導電性ブリッジが必要とされるかまたは必要であると考えられる場合には、任意の１つまたは複数のこうした追加の導電性ブリッジが初期導電性ブリッジのどちらの側に配置されてもよい。
【００２５】
本願明細書から理解されるように、本発明によって、インピーダンス変更（すなわち、トリミングまたは調整）が、ギャップ領域の連続した長さに沿った導電性ブリッジの位置に応じて有利に行われてよい。
【００２６】
本発明によって、クリンプ要素の第１および第２のリンク部材すなわちリンク部分が、第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように、その第１および第２のリンク部材すなわちリンク部分が互いに隣接して配置されなければならないということと、クリンプ要素すなわち折り畳み要素が（主要な）導電路を規定しなければならないということとに留意して、クリンプ要素が、任意の適した形状構成、所望の形状構成、適切な形状構成、または、必要な形状構成を取ってよい。ギャップ領域は、例えば、一定不変の幅、または、大きさが増大または減少する幅を有してよい。したがって、例えば、導電性クリンプ要素が、Ｕ字形クリンプ要素の横方向の腕部または脚部がスペーサ部材すなわちスペーサ部分によって連結されているＵ字形の形状を有してもよい。第１および第２のリンク部材すなわちリンク部分は、クリンプ要素を半導体デバイスの他の要素に電気的に接続するためのそれぞれの第１の接触端すなわち接続端を各々に有してよい。スペーサ部材すなわちスペーサ部分は、第１および第２のリンク部分のそれぞれの第１の端部から離れた位置において、第１および第２のリンク部分の各々に接続されている。
【００２７】
あるいは、クリンプ要素すなわち折り畳み要素は、Ｈ字形の形状、鋸歯状の形状等を有してよい。
【００２８】
さらに別の代替案として、第１の導電性区域は２つ以上の（例えば、互いに隣接しているか、または、互いに間隔を置いている）クリンプ要素すなわち折り畳み要素を規定してよい。第１の導電性領域は、例えば、当該第１の導電性領域がＶ字形の形状、Ｗ字形の形状、ジグザグ状の形状等を有するように、２つ以上の互いに隣接するクリンプ要素すなわち折り畳み要素を規定してよい。
【００２９】
本願明細書から理解できるように、本願明細書で形成される通りの別個の導電性ブリッジは、ギャップ領域を横切って第１のリンク部分と第２のリンク部分とを電気的に接続する２次的な導電路を規定する。
【００３０】
本発明によって、半導体素子すなわち半導体デバイスは、本願明細書に説明されているいずれかのトリミングすなわち調整の以前に求められている値に既に近い可能性がある初期（無限大ではない）インピーダンスを有する導電体であり、すなわち、初期値は所望の目的値よりも高い。言い換えると、本発明による調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイス等は、適切な層、基板等を形成する初期製造プロセスの結果として得られる大まかなインピーダンスを既に有する半導体素子、デバイス等であるということが、ここでさらに理解されなければならない。このことは、半導体形成物、半導体デバイス、または半導体素子が、本願明細書で説明されているいずれかのタイプのトリミングすなわち調整を受ける前にさえも検査されてもよい測定可能なインピーダンスを有し、換言すれば、その半
導体デバイスすなわち半導体素子は、前述したように、いずれかのレーザ調整プロセスの適用の以前にさえ「基礎の導電路」を有し、すなわち、「形成された基礎の導電路」である基礎の導電路を有するということを意味する。
【００３１】
さらに明確に述べると、本発明によって、形成物すなわちデバイスのインピーダンスは、例えば、特に導電性クリンプ要素等に対する別個の導電性ブリッジの位置と数とに応じて変更されてよい。
【００３２】
言い換えると、例えば、半導体デバイスすなわち半導体素子が、
ａ）１つまたは複数の導電性クリンプ要素すなわち折り畳み要素を備えており、かつ、
ｂ）各々のクリンプ要素すなわち折り畳み要素が、
ｉ）初期導電路すなわち基礎の導電路（すなわち、無限大ではないインピーダンス）を規定するように、および、
ｉｉ）初期導電路すなわち基礎の導電路の互いに反対側の部分を隔てる少なくとも１つのギャップ領域（すなわち、熱によって形成された別個の導電性ブリッジによって跨られることが可能なギャップ）を有するように、適切な形状を有する場合には、
特定のギャップ領域を跨ぐ別個の導電性ブリッジの物理的位置と数とが、その半導体デバイスすなわち半導体素子の基礎の導電路のインピーダンス（例えば、抵抗）を調整するためのパラメータまたは調節因子すなわち調整因子として有利に使用されてよい。
【００３３】
本願明細書では、「熱可変性のドーパント・プロファイル」という語句は、溶融区域の凝固において維持されることが可能なそのドーパント・プロファイルを変更するように、ドーパントが領域または区域において移動または拡散することができるように、適切な熱源の適用時に溶融することが可能な領域または区域として、領域または区域（場合に応じて）を特徴付けるということが本願明細書において理解されなければならない。
【００３４】
すなわち、本発明は以下を特徴とする。
（項目１）
半導体素子のインピーダンスを変更する方法であって、前記半導体素子は、
形成された基礎の導電路を規定する第１の導電性領域であって、第１のリンク部材と第２のリンク部材とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域と、
前記第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、該第２の領域を前記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
前記第１および第２のリンク部材は、前記第１および第２のリンク部材が前記第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、前記第２の領域は、少なくとも前記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有し、
前記方法は、前記第１のリンク部材と前記第２のリンク部材とを接続するための前記ギャップ領域を横切る別個の導電性ブリッジを形成するように、１つまたは複数の予め選択されたブリッジ形成区域に対してブリッジ形成サイクルを行うことを含み、
各々の前記ブリッジ形成区域は、前記ギャップ領域の少なくとも一部分を含むギャップ領域構成部分と、前記第１のリンク部材の少なくとも一部分を含む第１のリンク構成部分と、前記第２のリンク部材の少なくとも一部分を含む第２のリンク構成部分とを含み、
前記ブリッジ形成サイクルは、前記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対する１つまたは複数の加熱／冷却処理を加えることを含み、各々の前記加熱／冷却処理は、
溶融した前記予め選択されたターゲット区域のドーパント・プロファイルを変更するために、前記ブリッジ形成区域の予め選択されたターゲット区域を溶融させるように集束加熱源を方向付けることと、
溶融した前記予め選択されたターゲット区域が、変更されたドーパント・プロファイルを伴って凝固することを可能にすることとを含むことを特徴とする、半導体素子のインピーダンスを変更する方法。
（項目２）
ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域が、前記ギャップ領域構成部分と、前記ブリッジ形成区域の前記第１のリンク構成部分または前記第２のリンク構成部分のいずれか一方とを含むときに、このような予め選択されたターゲット区域に対して加熱／冷却処理を加えることと、前記別個の導電性ブリッジを形成するように、前記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対して１つまたは複数の他の加熱／冷却処理を加えることとを含む項目１に記載の方法。
（項目３）
前記方法が、さらに、前記別個の導電性ブリッジを形成するようにブリッジ形成区域のそれぞれの予め選択されたターゲット区域に対して２つ以上の前記加熱／冷却処理を加えることを含むブリッジ形成サイクルを含み、
１つの前記予め選択されたターゲット区域の１つが、前記ギャップ領域構成部分と前記第１のリンク構成部分または前記第２のリンク構成部分のいずれか一方とを含む第１の区域であり、別の前記予め選択されたターゲット区域が、前記ギャップ領域構成部分と前記第１のリンク構成部分または前記第２のリンク構成部分の他の一方とを含む第２の区域であり、かつ、前記第１および第２の区域が互いに重なり合っている項目１に記載の方法。
（項目４）
ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域がブリッジ形成区域を含むときに、前記別個の導電性ブリッジを形成するように前記ブリッジ形成区域に対して加熱／冷却処理を加えることを含む項目１に記載の方法。
（項目５）
ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域がブリッジ形成区域を含むときに、前記別個の導電性ブリッジを形成するように前記ブリッジ形成区域に対して加熱／冷却処理を加えることを含み、さらに、前記ブリッジ形成サイクルは、前記別個の導電性ブリッジを形成するように２つ以上の前記加熱／冷却処理を前記ブリッジ形成区域に対して加えることを含む項目１に記載の方法。
（項目６）
前記方法が、さらに、
ａ）ブリッジ形成サイクルの後で前記半導体素子のインピーダンスを決定するステップと、
ｂ）前記ステップａ）から得られたインピーダンスを予め決められたインピーダンスと比較するステップと、
ｃ）必要に応じて、前記予め決められたインピーダンスが得られるまで、１つまたは複数の追加の予め選択されたブリッジ形成区域において前記ブリッジ形成サイクルを繰り返し、さらに、各々の前記ブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように、異なる予め選択されたブリッジ形成区域に対して行われるステップとを含む項目１に記載の方法。
（項目７）
前記方法が、さらに、
ａ）ブリッジ形成サイクルの後で前記半導体素子のインピーダンスを決定するステップと、
ｂ）前記ステップａ）から得られたインピーダンスを予め決められたインピーダンスと比較するステップと、
ｃ）必要に応じて、前記予め決められたインピーダンスが得られるまで、１つまたは複数の追加の予め選択されたブリッジ形成区域において前記ブリッジ形成サイクルを繰り返し、さらに、各々の前記ブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように、異なる予め選択されたブリッジ形成区域に対して行われるステップとを含む項目４に記載の方法。
（項目８）
前記第１の導電性領域は、前記形成された基礎の導電路を規定する導電性クリンプ要素を含み、さらに、前記クリンプ要素は、前記第１のリンク部材と前記第２のリンク部材とを含む項目１に記載の方法。
（項目９）
半導体素子のインピーダンスを変更する方法であって、前記半導体素子は、
第１の導電性のリンク部材と第２のリンク部材とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域であって、前記第１の導電性のリンク部材が、形成された基礎の導電路を規定する第１の導電性領域と、
前記第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、該第２の領域を前記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
前記第１および第２のリンク部材は、前記第１および第２のリンク部材が前記第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、前記第２の領域は、少なくとも前記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有し、
前記方法は、前記第１の導電性リンク部材と前記第２のリンク部材とを接続する前記ギャップ領域を横切る別個の導電性ブリッジを形成するように、１つまたは複数の予め選択されたブリッジ形成区域に対してブリッジ形成サイクルを行うことを含み、
各々の前記ブリッジ形成区域は、前記ギャップ領域の少なくとも一部分を含むギャップ領域構成部分と、前記第１の導電性リンク部材の少なくとも一部分を含む第１のリンク構成部分と、前記第２のリンク部材の少なくとも一部分を含む第２のリンク構成部分とを含み、
前記ブリッジ形成サイクルは、前記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対する１つまたは複数の加熱／冷却処理を加えることを含み、各々の加熱／冷却処理は、
溶融した前記予め選択されたターゲット区域のドーパント・プロファイルを変更するために、前記ブリッジ形成区域の予め選択されたターゲット区域を溶融させるように集束加熱源を方向付けることと、
溶融した前記予め選択されたターゲット区域が、変更されたドーパント・プロファイルを伴って凝固することを可能にすることとを含むことを特徴とする、半導体素子のインピーダンスを変更する方法。
（項目１０）
ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域が、前記ギャップ領域構成部分と、前記ブリッジ形成区域の前記第１のリンク構成部分または前記第２のリンク構成部分のいずれか一方とを含むときに、このような予め選択されたターゲット区域に対して加熱／冷却処理を加えることと、前記別個の導電性ブリッジを形成するように、前記ブリッジ形成区域の１つまたは複数の予め選択されたターゲット区域に対して１つまたは複数の他の加熱／冷却処理を加えることを含む項目８に記載の方法。
（項目１１）
前記方法が、さらに、前記別個の導電性ブリッジを形成するようにブリッジ形成区域のそれぞれの予め選択されたターゲット区域に対して２つ以上の前記加熱／冷却処理を加えることを含むブリッジ形成サイクルを含み、
１つの前記予め選択されたターゲット区域の１つが、前記ギャップ領域構成部分と前記第１のリンク構成部分または前記第２のリンク構成部分のいずれか一方とを含む第１の区域であり、別の前記予め選択されたターゲット区域が、前記ギャップ領域構成部分と前記第１のリンク構成部分または前記第２のリンク構成部分の他の一方とを含む第２の区域であり、かつ、前記第１および第２の区域が互いに重なり合っている項目９に記載の方法。
（項目１２）
ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域がブリッジ形成区域を含むときに、前記別個の導電性ブリッジを形成するように前記ブリッジ形成区域に対して加熱／冷却処理を加えることを含む項目９に記載の方法。
（項目１３）
ブリッジ形成サイクルは、予め選択されたターゲット区域がブリッジ形成区域を含むときに、前記別個の導電性ブリッジを形成するように前記ブリッジ形成区域に対して加熱／冷却処理を加えることを含み、さらに、前記ブリッジ形成サイクルは、前記別個の導電性ブリッジを形成するように２つ以上の前記加熱／冷却処理を前記ブリッジ形成区域に対して加えることを含む項目９に記載の方法。
（項目１４）
前記方法が、さらに、
ａ）ブリッジ形成サイクルの後で前記半導体素子のインピーダンスを決定するステップと、
ｂ）前記ステップａ）から得られたインピーダンスを予め決められたインピーダンスと比較するステップと、
ｃ）必要に応じて、前記予め決められたインピーダンスが得られるまで、１つまたは複数の追加の予め選択されたブリッジ形成区域において前記ブリッジ形成サイクルを繰り返し、さらに、各々の前記ブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように、異なる予め選択されたブリッジ形成区域に対して行われるステップとを含む項目９に記載の方法。
（項目１５）
前記方法が、さらに、
ａ）ブリッジ形成サイクルの後で前記半導体素子のインピーダンスを決定するステップと、
ｂ）前記ステップａ）から得られたインピーダンスを予め決められたインピーダンスと比較するステップと、
ｃ）必要に応じて、前記予め決められたインピーダンスが得られるまで、１つまたは複数の追加の予め選択されたブリッジ形成区域において前記ブリッジ形成サイクルを繰り返し、さらに、各々の前記ブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように、異なる予め選択されたブリッジ形成区域に対して行われるステップとを含む項目１２に記載の方法。
（項目１６）
インピーダンス調整可能な半導体素子であって、
形成された基礎の導電路を規定する第１の導電性領域であって、第１のリンク部材と第２のリンク部材とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域と、
前記第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、該第２の領域を前記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
前記第１および第２のリンク部材は、前記第１および第２のリンク部材が前記第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、前記第２の領域は、少なくとも前記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有することを特徴とする、インピーダンス調整可能な半導体素子。
（項目１７）
前記第１の導電性領域は、前記形成された基礎の導電路を規定する導電性クリンプ要素を含み、さらに、前記導電性クリンプ要素は、前記第１のリンク部材と前記第２のリンク部材とを含む項目１６に記載のインピーダンス調整可能な半導体素子。
（項目１８）
インピーダンス調整可能な半導体素子であって、
第１の導電性のリンク部材と第２のリンク部材とを有し、かつ、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する第１の導電性領域であって、前記第１の導電性のリンク部材が、基礎の導電路を規定する第１の導電性領域と、
前記第１の導電性領域に隣接している第２の領域であって、該第２の領域を前記第１の導電性領域と比較して相対的に非導電性にするドーパント・プロファイルを有する第２の領域とを備え、
前記第１および第２のリンク部材は、前記第１および第２のリンク部材が前記第２の領域により規定されているギャップ領域によって互いに隔てられているように並置して配置されており、前記第２の領域は、少なくとも前記ギャップ領域と比較して相対的に熱可変性であるドーパント・プロファイルを有することを特徴とする、インピーダンス調整可能な半導体素子。
（項目１９）
前記方法が、さらに、
ａ）ブリッジ形成サイクルの後で前記半導体素子のインピーダンスを決定するステップと、
ｂ）前記ステップａ）から得られたインピーダンスを予め決められたインピーダンスと比較するステップと、
ｃ）必要に応じて、前記予め決められたインピーダンスが得られるまで、１つまたは複数の追加の予め選択されたブリッジ形成区域において前記ブリッジ形成サイクルを繰り返し、さらに、各々の前記ブリッジ形成サイクルは、それぞれ別個の導電性ブリッジを形成するように、異なる予め選択されたブリッジ形成区域に対して行われるステップとを含む項目５に記載の方法。
【発明の効果】
【００３５】
本発明の別の利点は、半導体デバイスすなわち半導体素子に関する温度係数に関係する。熱によって生じさせられた１つまたは複数の（例えば、レーザ）リンク（すなわち、レーザによって生じさせられたブリッジ）の温度係数の変化が、熱によって生じさせられた１つまたは複数の（例えば、レーザ）リンクがその半導体デバイスの抵抗（すなわち、インピーダンス）の総計に対して僅かな割合でしか影響しないように構成されることが可能なので、その半導体デバイスの総合的な温度係数に対してほとんど影響しないかまたは僅かしか影響しないであろう。
【００３６】
本発明のさらに別の利点は、半導体デバイスすなわち半導体素子の長期的な安定性に関係する。熱によって生じさせられた１つまたは複数の（例えば、レーザ）リンクの長期的な安定性の変動が、熱によって生じさせられた１つまたは複数の（例えば、レーザ）リンクがそのデバイスの総合的な長期的安定性に対して僅かな割合でしか影響しないように構成されることが可能なので、その半導体デバイスの全体的な長期的な安定性に対してほとんど影響しないかまたは僅かしか影響しないであろう。
【００３７】
本発明によって、主要な導電路の互いに反対側に位置する部分の間の熱によって生じさせられた（例えば、レーザ）リンク（すなわち、ブリッジ）は、その半導体デバイスの所望の総合抵抗値（すなわち、インピーダンス）の一部分のみの原因となるにすぎないであろう。したがって、その半導体デバイスの総合抵抗値（すなわち、インピーダンス）に関して０．１％の公差を得るために、レーザによって生じさせられるリンクの抵抗（すなわち、インピーダンス）に関して必要とされる公差の各々は、おそらく、約１．０％であることしか必要ないであろう。熱によって生じさせられた（例えば、レーザ）リンクの生産に関する精度レベルを緩和することが可能であることが、調整プロセスに対して行う制御がより少なくて済み、かつ、より高速のレーザ調整プロセスを実現することが可能であるということを意味する。半導体デバイスすなわち半導体素子の寸法および／または形状に基づいて、約０．００１％の抵抗公差を実現することが可能であろう。
【００３８】
本発明によって、高ドーパント濃度（すなわち、より高い濃度）を有する側方区域すなわち側部区域から、ドーパント濃度がより低い中間（すなわち、ギャップ）区域へのドーパントの拡散を各々が生じさせる１つまたは複数のブリッジ形成サイクルの使用による、（集積）半導体デバイスすなわち半導体素子のインピーダンスの調整（すなわち、変更または低減）の方法が提供される。
【００３９】
前述したように、本発明によって、導電性ブリッジまたはリンクが、単一の熱（例えば、レーザ）パルスの印加によって得られてもよく、あるいは、これに対する代替案として、導電性リンクが、例えば前述の米国特許第６，３２９，２７２号に説明されている一連のパルスの印加のような一連のパルスの印加によって得られてもよい。
【００４０】
本発明によって、導電性ブリッジが、所望または必要に応じて、制御された拡散によって形成されてもよく、すなわち、正確に計算されかつ測定された結果として得られるような集束エネルギーを、集積半導体デバイスに対して印加することによって形成されてもよく、この結果として、管理されたおよび／または決定可能な量のドーパントが、１つの区域から、より低いドーパント濃度を有する隣接の区域へ拡散させられることが可能である。
【００４１】
あるいは、これに対する代替案として、本発明によって、導電性ブリッジは、例えば、高出力レーザ（すなわち、エネルギーのブラスト（blast））からの無差別的なパルスの印加によって形成されてもよい。このパルスは、各リンク部分の一部分の全体にわたってギャップ領域を横切って跨ぎ、かつ、（導電性ブリッジを実現するのに必要な）最小量の拡散から所望の導電性ブリッジを同様に結果的に生じさせる最大量の拡散まで様々であってよい拡散の度合いを（予め付与された条件の下で）実現するように印加される。
【００４２】
本発明によって、半導体素子すなわち半導体デバイスが調整されてよく、この語句（「調整される（tuned ）」または「調整（tuning）」）は、集積半導体デバイスのインピーダンスが変更され、調節され、変化させられる（すなわち、低減させられる）ことが可能であるということを意味するものとして理解される。さらに、集積半導体デバイスの微調整（finetuning ）は、インピーダンスが、大まかに（すなわち、適切な層や基板等を形成する初期製造プロセスによって）得られた後に微調整されてよい（すなわち、微調節され、または、高い精度で調整されてよい）ということを意味することが理解されなければならない。微調整は、単一のステップ、または、それぞれ独立した一連のステップを含んでよい。
【００４３】
本発明の実施態様によって、集積半導体デバイスの調整は反復的に行われてよく、すなわち、反復手法（iteration technique ）または反復方法の使用によって行われてよい。したがって、「反復的に（iteratively ）」または「反復手法」は、１つの作業シーケンスの反復が所望の結果に連続的により近い結果をもたらすプロセス、処理、または手順を意味するものとして理解されなければならない。したがって、本発明の特定の実施態様の目的は、反復手法の使用によって実現されることが可能であり、この反復手法によって、異なる区域に対する集束加熱源からの熱（すなわち、１つまたは複数のパルス）の連続的な印加が、特定の集積半導体デバイスの全体にわたっての所要または所望のプロファイルに漸進的により近いインピーダンス・プロファイルを漸進的にもたらすことができる。
【００４４】
例えば、第１の場所に対する第１のレーザ印加（すなわち、第１のブリッジサイクル）が所要のインピーダンス変化の８０％を結果的に生じさせ、第２の場所に対する第２のレーザ印加（すなわち、第２のブリッジサイクル）が所要のインピーダンス変化の９１％を結果的に生じさせ、第３の場所に対する第３のレーザ印加（すなわち、第３のブリッジサイクル）が所要のインピーダンス変化の９８％を結果的に生じさせ、第４の場所に対する第４のレーザ印加（すなわち、第４のブリッジサイクル）が所要のインピーダンス変化の１００％を結果的に生じさせてよい。しかし、所要または所望のインピーダンス変化を実現するために、より多い回数またはより少ない回数のレーザ印加が必要とされることがあるということが理解されると共に、所要のインピーダンス変化が、１回または２回といったような少ない回数のレーザ印加によって実現されてもよいということがさらに理解される。
【００４５】
本発明の概略的な実施態様では、集積半導体デバイスは幾つかの構成部分を備えてよい。これらの中には、例えばｎタイプまたはｐタイプのドーパントのようなドーパントでドーピングされてよい区域が含まれてよい。デバイスの様々な区域のドーパント濃度はその使用および用途に従って様々であってよく、かつ、例えば、特定のドーパント濃度の区域が存在してよく、また一方で、この区域に隣接して、より高いドーパント濃度またはより低いドーパント濃度の区域が存在してよい。したがって、実施態様によっては、予め決められたまたは選択されたドーパント濃度の一対の第１の区域と、これに隣接する（相対的に）より低いドーパント濃度を有する中間的な第２の区域とが存在してもよい。本願明細書から理解されるように、区域間のドーパント濃度の差が、これらの区域の各々の物理的
特性および電気的特性が異なることが可能であるのに十分であり、すなわち、例えば、１つの区域が電流を伝導することができるが、また一方で、その他の区域が電流を伝導しないか、または、電気を伝導するための相対的な能力が異なっていることが可能であるのに十分であり得る。したがって、本発明は、集積半導体デバイスの互いに隣接する区域の相対的なドーパント濃度の差を変更することによって、その隣接区域の相対的な電流伝導能力を変更するための方法を実現する。
【００４６】
例えば、本発明によって、第１のドーピングされた区域と、より低いドーピング濃度を有する中間の第２のドーピングされた区域との間の相対的なドーパント濃度の差を変更するために、次の反復ステップが行われてよい。すなわち、集束加熱源が選択された区域に向けられてよく、この選択された区域は、当該区域内に、第１のドーピングされた区域の一部分と、中間の第２のドーピングされた区域の一部分とを備えてもよい。すなわち、上記の選択された区域は、第１および第２のドーピング区域の間の境界を跨っていてよい。本願明細書から理解できるように、この選択された区域は概ね円形であってよく、かつ、第１および第２のドーピング区域の間の境界を均一に跨っていても跨っていなくてもよい。
【００４７】
第１の導電性ブリッジのためのターゲット区域またはターゲット場所は、基礎の導電路すなわち主要な導電路の実際のインピーダンス（例えば、抵抗）を最初に検査することと、基礎の導電路に関する単位長さ当たりの抵抗を求めることと、予め決められた所望の全抵抗（全体の抵抗の値）に到達するために上記抵抗が低下させられなければならない量（すなわち、△Ｒで表される抵抗）を求めることと、△Ｒで表される抵抗に相当する経路長を求めることと、その次に、少なくとも最初の所望の抵抗の全体的な低減を実現するために、ギャップ領域を横切る所望の導電性ブリッジの位置を計算することとによって求められてよい。
【００４８】
本願明細書から理解できるように、こうした計算は、直列回路、並列回路、直列および並列回路等に関する計算のための既知の方程式に基づいていてよい。これは、当然のことながら、適切に構成されたコンピュータ手段によって行われることが可能である。
【００４９】
選択された場所すなわち区域がターゲットにされると、集束加熱源からの（加熱）パルスがその選択された区域に印加されてよく、この加熱パルスはその選択された区域が溶融することを引き起こし、すなわち、その選択された区域が固定状態から液体状態に変化することを引き起こす。本願明細書から理解できるように、選択された区域の外側に位置している第１のドーピングされた区域の一部分と第２のドーピングされた区域の一部分とが、加熱パルスの印加によって溶融させられることはないであろう。
【００５０】
選択された区域が溶融させられてよい期間は長くても短くてもよい（例えば、約１０フェムト秒から約１０マイクロ秒の長さ）。いずれにしても、選択された区域が溶融させられてよい期間は、当然のことながら、第１の区域からドーパント濃度がより低い第２の区域へのドーパントの拡散（すなわち、移動）を可能にするのに十分でなければならない。ドーパント濃度がより高い区域からドーパント濃度がより低い区域へのドーパントの拡散は、公知の原則に従って生じる。したがって、（管理された）拡散は非常に迅速に生じることがあり、その結果として、選択された区域が溶融させられてよい短い期間中にさえ、より低いドーパント濃度の区域のドーパント濃度の適切な変化を引き起こすことが可能になるだけの十分なドーパントが拡散することが可能である。
【００５１】
前述したように、その溶融区域は、短い期間の間だけ、すなわち、加熱パルスの印加の期間と実質的に同じ長さの期間の間だけ、液体状態のままであるにすぎないであろう。したがって、その選択された区域が凝固し終わると直ぐに、選択された区域のドーパント・プロファイルが変更され終わっていることが可能であり、したがって、このドーパント・プロファイルは、第１の区域のドーパント濃度と、ドーパント濃度がより低い第２の区域のドーパント濃度との中間である濃度になるであろう。
【００５２】
この先行のステップが完了した後に、反復プロセスのさらに別のステップが行われてよい。例えば、その次のステップは、判定、すなわち、第１の加熱パルスの印加の結果として実現される集積半導体デバイスの新たなインピーダンスの検査を含んでよい。この検査は、任意の既知の方法または所望の方法に従って行われてよく、かつ、この結果が所要または所望の最終結果と比較されてよい。
【００５３】
先行の反復ステップの結果として実現された集積半導体デバイスのインピーダンスの値に応じて、および、所要または所望の最終インピーダンスに応じて、この方法のさらに別の反復ステップを行うことが必要であることがある。例えば、インピーダンスが十分に低減させられていない場合には、インピーダンスをさらに低減させるために、集束加熱源の追加の印加が、異なる予め選択された区域（すなわち、異なる場所）に対して行われてもよい。すなわち、別の（すなわち、第２の）集束加熱源の印加が、集積半導体デバイスのその他の予め選択された区域（の全部または一部）をさらに溶融させてよく、したがって、前述したような追加の導電性ブリッジを形成することができる。
【００５４】
追加の溶融区域が凝固した後に、反復プロセスのさらに別のステップが、結果的に得られたインピーダンスを再検査することと、この結果的に得られたインピーダンスを所要の所望の結果と比較することとを含む。この結果的に得られたインピーダンスが依然として所望または所要のインピーダンスではない場合には、さらに別の反復ステップが、前述したプロセスと同様に行われてよい。
【００５５】
本願明細書から理解できるように、本発明の一例としての実施態様では、反復プロセスは、その最も一般的な形態において、集積半導体デバイスの隣接しておりかつ接触している区域の相対的なドーパント濃度における変更を引き起こすことができる加熱パルスの印加と、上記加熱パルスの印加の結果として生じるインピーダンスの検査と、必要または所望に応じて、ブリッジ形成サイクルの反復とを含む。さらに理解できるように、加熱パルスの印加の後に続く結果的に得られたインピーダンスの測定の後に、後続の１つまたは複数の加熱パルスの特性の一部または全部が変更されてよく、すなわち、調整されてよい。変更されてよい加熱パルスの特性は様々であり、かつ、その次の加熱パルスの印加が、インピーダンスのどれだけ多くのさらなる変更を実現することを必要とされているかによっ
て決まるであろう。したがって、例えば、１つの加熱パルスの印加の後に、インピーダンスが所要の結果に対して大きなパーセンテージに達していると判定された場合には、その次の集束加熱パルスの特性が変更されてよく、例えば、集束加熱源の出力が低減されてもよい。さらに別の例としては、所要の結果に可能な限り近いインピーダンスをもたらすために、加熱パルスの印加の期間が短縮されてもよい。さらに、加熱源の印加の角度が変更されてもよく、すなわち、９０度の印加から変更されてもよい。これに加えて、異なる加熱源が使用されてもよい。変更された加熱パルスの印加の後に、集積半導体デバイスがさらに検査され、その結果として、例えば、所要または所望のインピーダンスの変化のほとんど全てが実現されていると判定された場合には、加熱パルスの特性がさらに変更されて
よく、すなわち、加熱パルスの出力が再びさらに低減されてよく、かつ、加熱パルスの印加の期間もさらに短縮されてもよい。しかし、後続の加熱パルスのいずれかの特性が後続の印加において増大させられてもよく、すなわち、加熱パルスの出力、印加の期間等の一部または全部が増大させられてもよい。言い換えると、印加される加熱パルスの全てが必ずしも同一でなくてもよいが、上記インピーダンスが所望の最終値に反復的にますます近づいていくにつれて、集束加熱源の特性を低減させてよい、すなわち、低下させてよいということが予測されている。
【００５６】
さらに明確に述べると、本発明によって、相対的により低い（またはゼロの）ドーパント濃度のギャップ区域すなわちギャップ領域によって互いに間隔を開けられている相対的に高いドーパント濃度の２つの電気的に相互接続された区域すなわち領域を含むように構成され配置され得るような集積半導体デバイスが提供されてよい。したがって、より低い（またはゼロの）ドーパント濃度の区域が、より高いドーパント濃度の２つの区域の間の絶縁体として機能してよい。より低いドーパント濃度の区域のドーパントのタイプおよび／または濃度は、電流が当該区域を通って全く流れないかまたは少なくとも実質的に電流が流れないようなタイプ、および／または、十分に低い濃度であってよい。
【００５７】
幾らかの電流が、より高いドーパント濃度の２つの区域の間に配置されているより低いドーパント濃度のブリッジ区域を通って流れるためには、上記の２つの区域内のドーパントのタイプが同一であること、すなわち、全てがｎタイプであるか、または、全てがｐタイプであるということが、集積半導体デバイスの構成のために必要である。この実施態様では、本発明の方法は、そのギャップ領域の特定の一部分のドーパント濃度を変更するために使用されてよく、したがって、集積半導体デバイスの任意の部分の既存のインピーダンスを減少させるために使用されてよい。言い換えると、この実施態様の方法の使用は、（ゼロの電流とは反対に）幾らかの電流がギャップ領域を跨ぐ導電性ブリッジを越えて流れることが可能であるように、集積半導体デバイスのインピーダンスが変更されることを可能にすることができる。
【００５８】
しかし、低濃度で（すなわち、より低い濃度で）ドーピングされている領域で使用されるドーパント（または、複数のドーパント）のタイプは、高濃度で（すなわち、より高い濃度で）ドーピングされている領域で使用されるドーパントのタイプと同一でなくてもよい。例えば、高濃度でドーピングされている領域がｐタイプのドーパントを使用する場合には、低濃度でドーピングされている領域はｐタイプまたはｎタイプであることが可能であり、または、この反対であることも可能である。この場合には、より高いドーパント濃度の区域（または、複数の区域）からより低いドーパント濃度の区域へ拡散されなければならないドーパントの量は、低濃度でドーピングされている区域を電流が通って流れるように、この低濃度でドーピングされている区域内に含まれている異なるタイプのドーパントの存在に対抗するのに十分なだけ多いことが必要であろう。
【００５９】
高濃度の区域と低濃度の区域とにおけるドーパントの濃度レベルは著しく異なってよい。例えば、ドーパント濃度は、１ｃｍ3当たり１０12個から１０20個の原子の範囲で様々であってよい。低濃度でドーピングされている区域に関するドーパント濃度の範囲は、例えば、１ｃｍ3当たり１０12個から１０16個の原子であってよく、また一方で、高ドーパント濃度の区域に関するドーパント濃度は、例えば、１ｃｍ3当たり１０16個から１０20個の原子であってよい。いずれにしても、こうした１つまたは複数のドーパント濃度は、当業者により（通常）使用されるドーパント濃度であってよく、すなわち、本願明細書で述べられている濃度よりも高くても低くてもよい。
【００６０】
「低濃度でドーピングされた領域」および「高濃度でドーピングされた領域」という用語は、ドーパント濃度が（ドーパントのタイプに応じた）第２のドーピングされた領域よりもわずかに高いだけである第１のドーピング領域を排除することを意図していないということが理解されるであろう。本発明によって使用されてよいドーパントは、ボロン（ホウ素）、リン、アルミニウム、アンチモン、ヒ素、ガリウム、インジウム、リチウム、タリウム、およびビスマスを含むグループから選択されてよい。ドーパントは、ケイ素、砒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、周期表のＩＩＩ−Ｖ族とＩＩ−ＶＩ族とから選択される化合物、および、ＩＶ−ＩＶ合金を含む化合物とを含むグループから選択される材料を含む基板の中にドーピングされてよい。
【００６１】
本発明は、本願明細書においてレーザ加熱源に関連して例示的に説明されているが、本発明によって使用されてよい「集束加熱源」は、前述されているように、本発明における目的に適している任意の（例えば、公知の）加熱源であってよい。この集束加熱源は、例えば、電子ビームを使用した適切な構成の装置であってもよい（例えば、この熱源は、レーザおよび電子ビームを含むグループから選択されてよい）。さらに、上記集束加熱源の加熱パルスのエネルギーは、集積半導体デバイスに損傷を与えることを回避するのに十分なだけ低くてもよい。
【００６２】
本発明の例示的な実施形態が添付図面に示されている。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の導電性領域が、Ｕ字形の形状構成すなわちＵ字形のパターンを有する導電性クリンプ要素の形で配置されているような、本発明に係る調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスの例を概略的に示す概略図である。
【図２】第１の導電性領域が、Ｈ字形の形状構成すなわちＨ字形のパターンを有する導電性クリンプ要素の形で配置されているような、本発明に係る調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスの別の例を概略的に示す概略図である。
【図３】第１の導電性領域が、Ｖ字形の形状構成すなわちＶ字形のパターンを有する導電性クリンプ要素の形で配置されているような、本発明に係る調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスの別の例を概略的に示す概略図である。
【図４】第１の導電性領域が、Ｗ字形の形状構成すなわちＷ字形のパターンを有する導電性クリンプ要素の形で配置されているような、本発明に係る調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスの別の例を概略的に示す概略図である。
【図５】第１の導電性領域が、Ｕ字形の形状構成すなわちＵ字形のパターンを各々が有する複数（例えば、３つ）の導電性クリンプ要素の形で配置されているような、本発明に係る調整可能な半導体デバイスの別の例を概略的に示す概略図である。
【図６】図５の半導体デバイスの態様を有するが２つの導電性ブリッジだけしか持たないような調整された半導体素子すなわち半導体デバイスの電気回路図である。
【図７】図５に示されている調整可能な集積半導体デバイスのブリッジの横断面図である。
【図８】調整プロセスのために使用されるレーザシステムの概略図である。
【図９】図８に示されているレーザシステムの概略図をより完全な形で示すブロック図である。
【図９Ａ】図９ａは、予め選択されたブリッジ区域で異なるタイプの予め選択されたターゲット区域の様々な例を概略的に示す概略図（その１）である。図９ｂは、予め選択されたブリッジ区域で異なるタイプの予め選択されたターゲット区域の様々な例を概略的に示す概略図（その２）である。図９ｃは、予め選択されたブリッジ区域で異なるタイプの予め選択されたターゲット区域の様々な例を概略的に示す概略図（その３）である。
【図１０】アナログ／ディジタル変換器で使用されることが可能な直列抵抗梯子形回路の例示的な電気回路図である。
【図１１】図５に示されている複数の集積半導体デバイスが、図１０の直列抵抗梯子形回路を規定するために、どのように配置され得るかを示す模式図である。
【図１２】ディジタル／アナログ変換器で使用されることが可能なＲ−２Ｒ抵抗梯子形回路の例示的な電気回路図である。
【図１３】図５に示されている複数の集積半導体デバイスが、図１２のＲ−２Ｒ抵抗梯子形回路を規定するために、どのように配置され得るかを示す模式図である。
【図１４】クリンプ要素すなわち折り畳み要素のリンク部材すなわちリンク部分の１つが（初期においては）主要な導電路の中に存在しないような、本発明の別の調整可能な集積半導体素子すなわち半導体デバイスの一例を概略的に示す概略図である。
【図１５】図５の集積半導体デバイスのみによって得られることが可能な精度よりも高い精度を有するデバイスを提供するための、図１４に示されている集積半導体デバイスと、図５に示されている集積半導体デバイスとの例示的な組合せを概略的に示す概略図である。
【図１６】図１〜図５に示される本発明に係る調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスに加えて、導電性領域が図１に示されている導電性クリンプ要素の形で配置されており、その上部の部分が下向きに曲げられており、かつ、半導体デバイスが３つの導電性ブリッジを備えているような、調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスのさらに別の例を概略的に示す概略図である。
【図１７】図１６のデバイスの態様を有する調整された半導体素子すなわち半導体デバイスの電気回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００６４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の例示的な実施形態を説明する。図１〜図５は、本発明による調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスの例示的な実施形態を示す。なお、これ以降、各々の図面において、前述した構成要素と共通または類似のものについては、同一の参照番号を使用して表すこととする。図１〜図５の各々では、調整可能な半導体素子すなわち半導体デバイスが、参照番号１で全体的に示されている。図１〜図５の各々において、半導体デバイス１は、例えば、非導電性の基板２と、下部に位置する基板２に隣接している導電性の層または領域２ａとを含むといったように、様々な層または領域を含む。
【００６５】
領域（基板）２および領域２ａは、各々、ケイ素、ゲルマニウム、砒化ガリウム、シリコンゲルマニウムのような半導体材料、または、周期表のＩＩＩ−Ｖ族もしくはＩＩ−ＶＩ族から選択される元素を含むグループから選択される他の適切な半導体材料、または、ＩＶ−ＩＶ合金を含む化合物を含んでよい。
【００６６】
領域２ａは高濃度でドーピングされた領域であり、すなわち、熱可変性のドーパント・プロファイルを有する導電性領域である。前述したように、「熱可変性のドーパント・プロファイル」という語句は、適切な熱源の適用時に、ドーパントが、溶融した区域の凝固時に維持されることが可能なその区域のドーパント・プロファイルを変更するように、当該ドーパントがその領域または区域全体にわたって移動または拡散することが可能なように溶融することができる領域または区域として（場合に応じて）、領域または区域を特徴付ける。
【００６７】
図１〜図５に示されている領域２ａは、第１のリンク部材すなわち第１のリンク部分３と、これに隣接している第２のリンク部材すなわち第２のリンク部分４とを有する。特に図１〜図５を参照すると、図示されている半導体デバイスは、さらに、第１および第２の部分を互いにリンクさせる間隔保持リンク部材すなわち間隔保持リンク部分４ａを有する。第１および第２のリンク部分３、４は、全体的領域２によって規定されているギャップ領域５によって互いに間隔を開けられている。ギャップ領域５は、図５に関してさらに詳細に言及するように、１つまたは複数の導電性ブリッジによって跨れている。この半導体デバイスは、さらに、他の半導体デバイスに対して領域２ａを電気的に接続するための接触部材またはコネクタ部材８、９を有し、かつ、電流が少なくとも最初にはこれらの接触部材の間の領域２ａ全体を通って流れることが可能である。
【００６８】
本願明細書から理解できるように、高濃度でドーピングされている領域は、ｎタイプまたはｐタイプのドーパントで十分な濃度になるように高濃度でドーピングされてよく、および、高濃度でドーピングされている領域が導電性であるための所要または所望のプロファイルであってよい。例えば、ドーパントがリンを含んでいてもよく、かつ、１ｃｍ3当たり約１０16個から約１０20個の原子という濃度であってよい。高濃度でドーピングされている領域の厚さは、例えば０．２５マイクロメートルであってよいが、個々の製造プロセスの要件に従って、これよりも大きくても小さくてもよい。さらに、このような高濃度でドーピングされている領域の構成と配置とが、さらに、個々の製造プロセスの要件に従っていてもよい。
【００６９】
前述した領域２は、領域２ａの第１および第２のリンク部分３、４の中間に位置しているギャップ領域５を含む。このギャップ領域５は、初期製造プロセスを考慮して、例えば可能な限り小さい最小サイズから約２０ミクロンメートル以上まで様々であってよい幅寸法を有することが可能である。ギャップ幅は、例えば、使用されるべき熱パルス処理のタイプに従って様々であってよい。例えば、単一パルスが使用されることになっている場合には、可能な限り小さい幅が適切であろう。一連の熱パルスが使用されることになっている場合には、大きな幅が想定されてよい。
【００７０】
領域２は、この領域が領域２ａと比較して相対的に非導電性であるようなドーパント・プロファイルを有する。したがって、領域２はドーパントを全く含まなくてもよいし、または、低濃度でドーピングされている領域であってもよい。いずれにしても、領域２ａは、領域２の場合と同様に、少なくともギャップ領域内において熱可変性のドーパント・プロファイルを有する。ギャップ領域５は、領域２の他の部分のドーパント・プロファイルと同じドーパント・プロファイルを有してよい。あるいは、ギャップ領域５が領域２ａと比較して相対的に非導電性であり、および、特にその第１および第２のリンク部分３、４と比較して相対的に非導電性であるようなドーパント・プロファイルである場合には、ギャップ領域５は、領域２の他の部分のドーパント・プロファイルとは異なるドーパント・プロファイルを有してよい。
【００７１】
ある領域が低濃度でドーピングされている場合には、その領域は、高濃度でドーピングされている領域と同じドーパントでドーピングされてよく、または、この代わりに、隣接した高濃度ドーピング領域に含まれるドーパントとは異なるドーパントを含んでもよい。低濃度でドーピングされたギャップ領域５は、高濃度でドーピングされている第１および第２のリンク部分３、４に隣接かつ接触しているように配置されてもよい。低濃度でドーピングされているギャップ領域５におけるドーパントのタイプと濃度レベルは、本発明の実施形態による方法のステップの適用の以前に、高濃度でドーピングされている領域３、４の間のギャップ領域５を横切って電流が流れないようなタイプと濃度レベル、すなわち、低濃度でドーピングされている領域５の抵抗が、高濃度でドーピングされている領域３
、４の間を電流が流れることを（完全にではなくともほとんで）防止するのに十分な大きさであるようなタイプと濃度レベルであってよい。本願明細書から理解できるように、低濃度でドーピングされている領域のドーパントのタイプが、高濃度でドーピングされている領域のドーパントのタイプとは異なる場合には、その半導体デバイスは、電流がそれを通って流れることを全く不可能にするような互いに反対の極性の２つのダイオードに相当しているであろう。
【００７２】
図１〜図５には示されていないが、半導体素子すなわち半導体デバイスは、窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4のようなオーバレイ不活性化層を含んでもよい。さらに、この半導体デバイスは、二酸化ケイ素ＳｉＯ2のような不活性化層の下にある酸化物層を含んでもよい。
【００７３】
図５は、１つのクリンプ要素のリンク部分が、隣接したリンク要素または付近のリンク要素のための共通リンク要素として機能し得る３つのクリンプ要素を有する半導体素子すなわち半導体デバイスを示す。したがって、これらのクリンプ要素は蛇状の外観を有する。例示のために、中央クリンプ要素のリンク部分のみが参照番号３、４で示されている。３つのクリンプ要素は、約９ミクロンメートルの幅と約１１ミクロンメートルの高さとを有してよい。中央クリンプ要素は、ギャップ領域５を横切る２つの別個の凝固した導電性ブリッジすなわち導電性リンク１０、１０ａを有する形で示されている。ブリッジ１０、１０ａの各々はそれぞれに第１のリンク部分３と第２のリンク部分４とに電気的に接続され、すなわち、ブリッジ１０、１０ａはそれぞれに２次的な導電性リンクを形成する。ブリッジすなわちリンク１０、１０ａは、例えば、数Ω（例えば、５００Ω）のような低抵抗リンクから例えば１００ｋΩまでの抵抗を有するリンクまで互いに無関係に様々であってよい。図５に示されている構造は、一例として、２つの導電性ブリッジの１０、１０ａを有する形で示されているが、この構造は、所望または必要に応じて、ギャップ領域５の上方または下方に配置されている１つまたは複数の追加の導電性ブリッジを有してもよい。したがって、１つまたは複数の任意のこうした追加の導電性ブリッジが、例えばブリッジ１０、１０ａの間、ブリッジ１０と間隔保持リンク部分４ａとの間等において、導電性ブリッジの１０、１０ａのどちらの側に配置されてもよい。
【００７４】
図６は、前述のブリッジ１０、１０ａだけによって調整されている、図５に示されている半導体デバイスの概略的な回路図を示す。参照番号１２が、領域２ａによって全体的に示される基礎のインピーダンスまたは主要な初期インピーダンス（すなわち、抵抗）を示す。参照番号１４、１６は、ブリッジ１０、１０ａによって規定されるそれぞれの２次的な抵抗を表す。
【００７５】
図５は、多少とも類似した長さ寸法であるブリッジを示すが、図３、４に示されている構造のような構造に関するギャップ領域５に跨るブリッジは、異なる長さを有することがあるのみでなく、さらには、こうした異なる長さに基づいた異なる抵抗も有することがある。
【００７６】
図７を参照すると、矢印１８が、半導体デバイス１上に集束加熱源パルスを印加する方向を示す。本願明細書から理解できるように、集束加熱源は集積半導体デバイス１の上方に配置されており（図示されていない）、かつ、パルス１８をデバイス１に印加してよい。本願明細書から理解できるように、パルス１８の寸法と半導体デバイス１の寸法は一定の縮小比ではないであろう。
【００７７】
図７は、さらに、拡大された形で、図５に示されている凝固したブリッジ１０を通る調整可能な集積半導体デバイス１の断面図を示す。この凝固したブリッジ１０は、影響を受けた区域を溶融させて、溶融プール（最終的にブリッジ１０の形に凝固する）を得るように、低濃度でドーピングされているギャップ領域５と、高濃度でドーピングされているリンク部分３、４の隣接部分１９、２１の各々（点線で示されている）とを含む予め選択された区域または予め決められた区域に対して集束加熱パルス１８を印加することによって得られた。本願明細書から理解できるように、高濃度でドーピングされているリンク部分３、４はこの溶融プール内に含まれている。加熱パルス１８の印加の後に溶融するような高濃度でドーピングされている領域３、４の広がりは、加熱パルスの特性に依存する、すなわち、そのパルスの出力、そのパルスの印加の持続時間、そのパルスの直径等に依存するであろう。加熱パルスの直径は、例えば、ギャップ領域の一部分に跨り、かつ、高濃度でドーピングされているリンク部分３、４の両方の一部分を包含するような直径であってよい。より長時間にわたって溶融プールが溶融されればされるほど、高濃度でドーピングされているリンク領域３、４から低濃度ドーピング領域５の中へのドーパントの拡散がますます大きくなる。しかし、高濃度ドーピング領域３、４から低濃度でドーピングされているギャップ領域５の中に拡散するドーパントの量は、さらに、高濃度でドーピングされている領域３、４のどれだけ多くが集束加熱ビーム１８によって捉えられるかに依存するであろう。すなわち、高濃度でドーピングされている領域３および／または４の大きな部分が溶融させられる場合には、より多くのドーパントが拡散することが可能であり、また一方で、小さな部分が溶融させられる場合には、より少ないドーパントが拡散するであろう。溶融プールが溶融状態に留まる時間の長さに応じて、高濃度でドーピングされている領域３から高濃度でドーピングされている領域４への溶融プールを横切ったドーパント・プロファイルは均一でなくてもよい。ギャップ領域５に跨る単一の加熱パルスの使用によってリンク部分３、４の間の導電性ブリッジを形成することが有利であるが、必要に応じて、複数のより小さい直径の加熱パルスを印加することが可能であることがある。複数の加熱パルスが印加される場合には、この加熱パルスは、例えば、一方のリンク領域の一部分とギャップ領域５の隣接部分とを溶融させることと、その次に、他方のリンク領域の一部分とギャップ領域５の隣接部分とを最終的に溶融させるためにギャップ領域５を横切ってステップ的に進行することとを含む初期ステップから開始して、ステップ的な仕方で印加されてよい。
【００７８】
図９ａ、図９ｂおよび図９ｃを参照すると、これらの図は、図１〜図５に示されている半導体デバイスに関する予め選択されブリッジ区域から得られる幾つかの拡大された例示的な（レーザ）パルスターゲット区域を示す。図示のために、図９ｂおよび図９ｃの場合には、ブリッジ区域の境界とターゲット区域の境界とが接触していない形で示されている。実際の適用の場合には、ブリッジ形成サイクルの後では、ブリッジ区域の境界と１つまたは複数の関連のターゲット区域の境界とは隣接しているであろう。ブリッジ区域は、各々、参照番号２０によって示されている境界を有する。本願明細書から理解できるように、ブリッジ区域は、ギャップ構成部分２２と、第１のリンク構成部分２４と、第２のリンク構成部分２６とを有する。これらの構成部分の各々は、それぞれに、ギャップ領域５の一部分と、第１のリンク部材３と、第２のリンク部材４とを含む。図９ａは、ターゲット区域の境界がブリッジ区域自体の境界と同一である単一のターゲット区域を示す。図９ｂは、ブリッジ区域の境界内にあり、かつ、ギャップ構成部分内で重なり合う境界３０、３２を有する一対のターゲット区域を、例示だけのために示す。図９ｃは、同様にブリッジ区域境界内にあり、かつ、ギャップ構成部分内で重なり合う境界３４、３６および３８を有する３つのターゲット区域を、例示だけのために示す。ターゲット区域３６は、その他のターゲット区域の少なくとも１つが１つまたは複数の処理済み区域からドーパントを吸い込むように加熱／冷却処理を受けた後に、加熱／冷却処理を受ける。
【００７９】
図８および図９に戻ると、これらの図には、レーザのような集束加熱源を使用して積層半導体デバイスのインピーダンスを変更するための装置１００の概略的な実施形態の図解が示されている。集積回路１１０が位置決めテーブル上に配置されており、かつ、集束加熱源（レーザ）１０３により生じさせられる加熱源１０５の印加を受けてよい。加熱源１０５は、光学レンズまたは磁気レンズ１０７を使用して集積回路１１０上に集束させられてよく、かつ、カメラ／鏡システムが加熱源１０５の正確な位置合わせを確実なものにするために集積回路１１０の観察を可能にする。図１２は装置１００をさらに詳細に示すものである。レーザ１０３がシャッタ１１６に接続されており、これらのシャッタの各々はコンピュータ１０８として図示されている制御システムによって制御される。コンピュータ１０８は、さらに、位置決め装置１０１の制御機構１０９にも接続されている。装置１００は、さらに、カメラ１１２と光源１１４とを備える。装置１００のさらに別の構成要素は、ビームスプリッタ１１３と選択的鏡１２０である。
【００８０】
図１０〜図１３を参照すると、これらの図は本発明の実現可能な適用の例を示すものである。
【００８１】
図１０は、Ｒとして各々が全体的に示されている幾つかの抵抗部材を備えているアナログ／ディジタル変換器のための例示的な直列抵抗梯子形回路の例示的な電気回路図を示す。図１１は、図１０の直列抵抗梯子形回路が、図５に示されている複数の集積半導体デバイスを使用してどのように形成されてよいかを示している。すなわち、図５の各々のデバイスは、図１０のアナログ／ディジタル変換器のそれぞれの抵抗部材またはインピーダンス部材を各々が規定するように配置されてよい。図５に示されているような、抵抗Ｒを規定する半導体デバイスの１つが、図１１において参照番号１３０によって表される形で示されている。図１１の概略的な構造が従来通りの方法（すなわち、適切にドーピングされた層、基板、領域等を形成すること）によって形成された後に、部材１３０の各々の微調整が、本願明細書に説明されている通りに行われてよい。
【００８２】
図１２は、各々がＲまたは２Ｒとして概略的に表されている幾つかの抵抗部材を備えているディジタル／アナログ変換器のためのＲ−２Ｒ抵抗梯子形回路の例示的な電気回路図を示す。図１３は、図５に示されている複数の集積半導体デバイスが、図１２のアナログ／ディジタル変換器を規定するために、どのように配置され得るかを示す。参照番号１４０、１５０は、抵抗Ｒまたは抵抗２Ｒをそれぞれ規定する図５のデバイスを概略的に表す。図１３の概略的な構造が従来通りの方法（すなわち、適切にドーピングされた層、基板、領域等を形成すること）によって形成された後に、部材１４０、１５０の各々の微調整が、本願明細書に説明されている通りに行われてよい。
【００８３】
図１４は、クリンプ要素すなわち折り畳み要素のリンク部分の１つが（最初は）主要な導電路内に存在しないような、本発明の別の調整可能な集積半導体デバイスの例を示す。この集積半導体デバイス１５４は、様々な層または領域を含み、例えば、非導電性基板１５６と、下部に位置する基板１５６に隣接している導電性の層または領域１５８とを含む。この場合には、導電性の層または領域１５８は、大まかで主要な、または大きなリンク部材すなわちリンク部分１６０と、小さいリンク部材すなわちリンク部分１６１とを備える。大きなリンク部分１６０は、そのデバイスの基礎の導電路を規定する第１の導電性リンク部分に相当する。したがって、主要なまたは大きなリンク部分１６０はそれ自体だけで最初に接触部材１６２、１６４の間の主要な導電路を形成し、すなわち、電流が少なくとも最初にはこれらの接触部材１６２、１６４の間の領域１５８全体を通過することが可能である。コネクタ部材１６８によって主リンク部分にその片方の端部において電気的に接続されている小さなリンク部分１６１が、基板１５６の一部分であるギャップ領域１７０によってリンク部分１６０から隔てられている。図１４の半導体デバイスのインピーダンス（すなわち、抵抗）は、図５の半導体デバイスに関して前述した通りに、ギャップ領域１７０を横切る導電性ブリッジを設けることによって変更される（すなわち、低減させられる）。ギャップ領域１７０を横断する導電性ブリッジの形成は、デバイス１５４の全抵抗を僅かに変化させるようにその半導体デバイスの有効（電気的）寸法を変更するであろう。このギャップ／リンク構成は、図１〜図５に示されている半導体デバイスの場合と比較して、半導体デバイスの抵抗のより精確な調整を実現するために使用されることが可能である。
【００８４】
図１５は、図５の半導体デバイスのみによって得られることが可能な精度よりも高い精度で調整されることが可能な半導体デバイスを提供するための、図１４に示されている集積半導体デバイスと、図５に示されている集積半導体デバイスとの組合せの例を示す。この総合的なデバイスの場合には、図５の構造の最初の調整が例えば０．０１％の精度をもたらすことが可能であり、また一方で、図１４の構造の調整がデバイスに関する０．００１％の総合精度をもたらすことが可能である。
【００８５】
図１５の半導体デバイスすなわち半導体素子は、さらに、他の半導体デバイスに対して１つまたは複数の伝導領域を電気的に接続するための接触部材すなわちコネクタ部材８、１７４を有し、電流が少なくとも最初にはこれらの接触部材の間の１つまたは複数の領域全体を通過することが可能である。
【００８６】
図１６を参照すると、共通のまたは類似した要素を示すために図１〜図５で使用されている参照番号と同じ参照番号が、この図に関しても使用されている。図１６の半導体デバイス１は、図１〜図５の半導体デバイスの場合と同様に、非導電性の基板２と、下部に位置する基板２に接触している曲がりくねった導電性の層または領域２ａとを有する。導電性領域２ａは、図１で説明した導電性クリンプ要素に類似した導電性クリンプ要素の形で配置されているが、その上半分の部分は下向きに曲がっている。本願明細書から理解できるように、この上部の部分は、外側Ｕ字形部材と内側Ｕ字形部材とを半導体デバイス１に提供するように下向きに曲がっている。内側Ｕ字形部材は、第１のギャップ領域５と第２の内側のギャップ領域５ａとを半導体デバイス１に提供するように、外側Ｕ字形部材の中に入れ子式（nested）に収まっている。第１のギャップ領域５は、外側Ｕ字形部材が本願明細書に説明されている第１のリンク部材とみなされ、かつ、内側Ｕ字形部材が同様に本願明細書に説明されている第２のリンク部材とみなされるように、２つのＵ字形部材を隔てている。また一方で、第２の内側ギャップ領域５ａが、図１に示されているように第１および第２のリンク部材と同様の仕方で内側Ｕ字形部材の部分を隔てている。この結果として、図１６の半導体デバイスは、例えば導電性ブリッジ２００、２０２のような１つまたは複数の外側導電性ブリッジを提供するのみでなく、例えば内側導電性ブリッジ２０４のような１つまたは複数の内側導電性ブリッジを提供することも可能である。
【００８７】
図１７を参照すると、この図は、前述のブリッジ２００、２０２および２０４のみによって調整されるような、図１６に示されているデバイスの電気回路図を示す。参照番号２１０は、全体として領域２ａによって示されている基礎の初期インピーダンスまたは主要な初期インピーダンス（すなわち、抵抗）を示す。参照番号２１２、２１４および２１６は、それぞれ、ブリッジ２００、２０２および２０４によって規定されているそれぞれの２次的な抵抗を示す。
【符号の説明】
【００８８】
２ａ  領域
３    第１のリンク部分
４    第２のリンク部分
４ａ  間隔保持リンク部分
５    ギャップ領域
８    コネクタ部材
９    コネクタ部材
【図１】
0005544312.tif 000002
【図２】
0005544312.tif 000003
【図３】
0005544312.tif 000004
【図４】
0005544312.tif 000005
【図５】
0005544312.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0005544312.tif 000009
【図９】
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【図９Ａ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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