(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する配置方法選択ステップと、
前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する補助パターン配置ステップと、
を含み、
前記ルールベース領域と前記モデルベース領域との間には、前記ルールベース補助パターンが前記モデルベース領域内に配置されたメインパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えず、且つ前記モデルベース補助パターンが前記ルールベース領域内に配置されたメインパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えないよう配置された所定幅のスペース領域が設けられていることを特徴とする補助パターン配置方法。
【請求項２】
前記ルールベース領域および前記モデルベース領域は、前記メインパターンを前記基板上に形成する際の露光条件、前記メインパターンのパターンピッチ、前記メインパターンのパターン形状、前記メインパターンのパターン寸法およびマスクを作製する際のマスク制約の少なくとも１つに基づいて設定されることを特徴とする請求項１に記載の補助パターン配置方法。
【請求項３】
前記モデルベース補助パターンを配置する際には、
前記メインパターンの周辺に所定のパターンを配置した場合に前記メインパターンの解像性能に与える影響度の分布に関する分布情報が、前記モデルベース領域に応じたパターン領域内の所定領域に対して作成され、
前記モデルベース補助パターンは、前記分布情報に基づいて、前記モデル領域内に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の補助パターン配置方法。
【請求項４】
前記補助パターン配置ステップは、
前記ルールベース補助パターンを配置するルールベース配置ステップと、
前記ルールベース補助パターンを配置した後に、前記ルールベース補助パターンの配置が適切であったか否かの検証を行なう検証ステップと、
前記検証で不適切な配置と判断された前記ルールベース補助パターンを削除するとともに、前記ルールベース補助パターンが削除されたパターン領域および前記検証で前記ルールベース補助パターンが適切な位置に配置されなかったパターン領域に、前記モデルベース補助パターンを配置するモデルベース配置ステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の補助パターン配置方法。
【請求項５】
前記ルールベース補助パターンが削除されたパターン領域および前記検証で前記ルールベース補助パターンが適切な位置に配置されなかったパターン領域は、前記パターン領域内に含まれる前記補助パターンの面積密度と、所定の露光条件で露光した場合に所望の寸法を有したメインパターンを形成できる否かを判断するリソグラフィコンプライアンスチェックと、の少なくとも一方に基づいて抽出されることを特徴とする請求項４に記載の補助パターン配置方法。
【請求項６】
基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する配置方法選択ステップと、
前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する補助パターン配置ステップと、
をコンピュータに実行させ、
前記ルールベース領域と前記モデルベース領域との間には、前記ルールベース補助パターンが前記モデルベース領域内に配置されたメインパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えず、且つ前記モデルベース補助パターンが前記ルールベース領域内に配置されたメインパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えないよう配置された所定幅のスペース領域が設けられていることを特徴とする補助パターン配置プログラム。
【請求項７】
基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する配置方法選択ステップと、
前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する補助パターン配置ステップと、
前記ルールベース補助パターンおよびモデルベース補助パターンが配置されたパターンデータに光近接効果補正を行ってマスクデータを作成するマスクデータ作成ステップと、
前記マスクデータを用いてマスクを作製するマスク作製ステップと、
前記マスクを用いて前記基板上にメインパターンを形成するパターン形成ステップと、
を含み、
前記ルールベース領域と前記モデルベース領域との間には、前記ルールベース補助パターンが前記モデルベース領域内に配置されたメインパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えず、且つ前記モデルベース補助パターンが前記ルールベース領域内に配置されたメインパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えないよう配置された所定幅のスペース領域が設けられていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の補助パターン配置方法を用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、補助パターン配置方法、プログラムおよびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体リソグラフィ技術において露光パターン（メインパターン）のリソグラフィマージンを向上させる方法の１つに、補助パターン（ＳＲＡＦ：Sub-Resolution  Assist  Feature）を用いたレイアウト設計がある。
【０００３】
このようなＳＲＡＦの配置方法には、ＳＲＡＦの配置規則をルール化し、メインパターンの周囲にルールに従ってＳＲＡＦを配置するルールベースＳＲＡＦと、あるモデルを用いてメインパターンにＳＲＡＦを配置するモデルベースＳＲＡＦの２つの技術がある。
【０００４】
メインパターンの周辺にＳＲＡＦを配置する際には、ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンを含んで構成されるメインパターンに対しても短時間でＳＲＡＦを配置することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１６０４４号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施の形態は、ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンを含んで構成されるメインパターンに対してもＳＲＡＦを短時間で配置することができる補助パターン配置方法、プログラムおよびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施の形態の補助パターン配置方法は、基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類を、前記メインパターンのパターン領域毎に選択する配置方法選択ステップと、前記補助パターンを配置する補助パターン配置ステップと、を含む。配置方法選択ステップでは、前記補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れかを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する。補助パターン配置ステップでは、前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係るパターン作成装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置の処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、干渉マップ作成用領域とモデルベースＳＲＡＦ配置領域を説明するための図である。
【図４】図４は、第１の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、第１の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理を説明するための図である。
【図６】図６は、ルールベース領域とモデルベース領域との間に形成されるスペース領域を説明するための図である。
【図７】図７は、第２の実施の形態に係るパターン作成装置の構成を示すブロック図である。
【図８】図８は、第２の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置の処理手順を示すフローチャートである。
【図９】図９は、第２の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、第２の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理を説明するための図である。
【図１１】図１１は、パターン作成装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る補助パターン配置方法、プログラムおよびデバイス製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施の形態）
本実施の形態では、ルールベースＳＲＡＦの長所とモデルベースＳＲＡＦの長所の両方を生かせるよう、ルールベースとモデルベースの両方を用いて設計パターンの周辺にＳＲＡＦを配置する。ＳＲＡＦは、半導体集積回路を製造する際のフォトリソグラフィ工程で用いられるパターンである。具体的には、ＳＲＡＦは、ウェハなどの基板には転写されないマスク上パターンであり、基板転写時の限界解像度を下回る大きさの補助パターン（解像されることのないパターン）である。ＳＲＡＦは、基板に転写すべき回路パターンなどのメインパターンの近傍に配置される。なお、以下の説明では、ルールベースＳＲＡＦまたはモデルベースＳＲＡＦをＳＲＡＦという場合がある。
【００１１】
図１は、第１の実施の形態に係るパターン作成装置の構成を示すブロック図である。パターン作成装置１は、半導体装置（集積回路）を構成する設計パターン周辺の適切な位置に解像限界以下のＳＲＡＦを配置するコンピュータなどの装置である。
【００１２】
パターン作成装置１は、リソグラフィマージンを向上させるよう、設計パターンデータ上でメインパターンの近傍にＳＲＡＦを配置する。本実施の形態のパターン作成装置１は、ルールベースとモデルベースの両方を用いてメインパターンの近傍にＳＲＡＦを配置する。具体的には、ルールベースでは効果的なＳＲＡＦを配置できない狭ピッチのパターンや、予めモデルベースＳＲＡＦの適用を前提としている領域にのみ、モデルベースＳＲＡＦを配置し、その他の領域にはルールベースＳＲＡＦを配置する。これにより、ルールベースとモデルベースの両方を組み合わせて設計パターンにＳＲＡＦを配置する。ルールベースは、ルールに従ったＳＲＡＦ配置方法であり、モデルベースは、モデルを用いたＳＲＡＦ配置方法である。
【００１３】
パターン作成装置１は、入力部１１、設計パターン記憶部１２、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３、ルールベースＳＲＡＦ配置部１４、干渉マップ作成部１５、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６、出力部１７を備えている。
【００１４】
入力部１１は、半導体装置の設計パターンを入力し、設計パターン記憶部１２に送る。設計パターン記憶部１２は、入力部１１から送られてくる設計パターンを記憶するメモリなどである。
【００１５】
ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、設計パターンに基づいて、設計パターンの形成されている領域（設計パターン領域）中からルールベースＳＲＡＦを配置する領域（後述のルールベース領域Ｒ）と、モデルベースＳＲＡＦを配置する領域（後述のモデルベース領域Ｍ）と、を選択する。本実施の形態では、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、ルールベースでＳＲＡＦを配置可能な領域にはルールベースを選択し、ルールベースではＳＲＡＦを配置できない領域にはモデルベースを選択する。ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、ルールベース領域Ｒが何れの領域であるかを示す情報をルールベースＳＲＡＦ配置部１４に送る。また、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、モデルベース領域Ｍが何れの領域であるかを示す情報を、干渉マップ作成部１５とモデルベースＳＲＡＦ配置部１６に送る。
【００１６】
ルールベースＳＲＡＦ配置部１４は、ルールベース領域Ｒに選択された設計パターン領域に対して、ルールベースＳＲＡＦを配置する。ルールベースＳＲＡＦ配置部１４は、ルールベースＳＲＡＦが配置された設計パターンをモデルベースＳＲＡＦ配置部１６に送る。
【００１７】
干渉マップ作成部１５は、モデルベース領域Ｍに対して、干渉マップ法で設計パターンに応じた干渉マップを作成する。干渉マップは、投影光学系の干渉性を示すコヒーレントマップであり、マスク上に形成されるメインパターンの解像性能に与える影響度の分布（分布情報）を示している。解像性能に与える影響度は、プロセス余裕度（プロセスマージン）を含んでいる。干渉マップは、ＳＲＡＦの配置位置の適切度（最適度）の分布を示す情報であり、適切度毎に領域分けされている。例えば、干渉マップは、ＳＲＡＦを配置した場合に、メインパターンと同じ形状のパターンをプロセス変動に対してロバストに形成させることが出来る領域（適切領域）、メインパターンとは形状が大きく異なるパターンしか形成させることが出来ない領域（不適領域）などによって構成されている。干渉マップ作成部１５は、作成した干渉マップをモデルベースＳＲＡＦ配置部１６に送る。
【００１８】
モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、干渉マップに基づいて、モデルベース領域ＭにモデルベースＳＲＡＦを配置する。モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、ルールベースＳＲＡＦとモデルベースＳＲＡＦが配置された設計パターンを出力部１７に送る。出力部１７は、ルールベースＳＲＡＦとモデルベースＳＲＡＦが配置された設計パターンをＯＰＣ（Optical  Proximity  Correction）装置２などの外部装置に出力する。
【００１９】
つぎに、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置の処理手順について説明する。図２は、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置の処理手順を示すフローチャートである。パターン作成装置１の入力部１１へは、設計パターンが入力される。この設計パターンは、設計パターン記憶部１２で記憶される。
【００２０】
この後、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、設計パターン記憶部１２内の設計パターンに基づいて、設計パターン領域の中からルールベース領域Ｒに設定する領域（ルールベース適用箇所）を選択する（ステップＳ１０）。具体的には、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、ルールベースＳＲＡＦを配置できる領域やパターンをルールベース領域Ｒに設定する。
【００２１】
設計パターン領域をルールベース領域Ｒに設定するか否かの判断基準（ルールベースの適用条件）は、例えば、マスク制約（マスクを作製する際の制約）、リソグラフィマージン、設計パターン（メインパターンのピッチ、形状、大きさ（寸法））、ＳＲＡＦの基板への転写の有無、露光条件などの観点からＳＲＡＦ配置方法選択部１３に設定しておく。
【００２２】
ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、前記判断基準に基づいて、設計パターン内からルールベースでＳＲＡＦ配置できるパターンや領域を抽出し、抽出したパターンや領域をルールベース領域Ｒに設定する。
【００２３】
ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、ルールベース領域Ｒに設定した領域を示す情報をルールベースＳＲＡＦ配置部１４に送る。ルールベースＳＲＡＦ配置部１４は、ルールベース領域ＲにルールベースＳＲＡＦを配置する（ステップＳ２０）。ルールベースＳＲＡＦ配置部１４は、ルールベースＳＲＡＦを配置した設計パターンを干渉マップ作成部１５に送る。
【００２４】
また、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、設計パターン記憶部１２内の設計パターンに基づいて、設計パターン領域の中からモデルベース領域Ｍに設定する領域（モデルベース適用箇所）を選択する（ステップＳ３０）。具体的には、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、設計パターン領域のうちルールベース領域Ｒを設定できない領域をモデルベース領域Ｍに設定する。ルールベース領域Ｒを設定できない領域は、例えば所望のリソグラフィマージンはあるが、ルールベースＳＲＡＦを配置した場合にマスク制約違反となる領域である。
【００２５】
ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、モデルベース領域Ｍに設定した領域を示す情報を干渉マップ作成部１５に送る。干渉マップ作成部１５は、モデルベース領域Ｍに干渉マップを作成する。そして、干渉マップ作成部１５は、作成した干渉マップと設計パターンをモデルベースＳＲＡＦ配置部１６に送る。
【００２６】
モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、干渉マップに基づいて、所望の設計パターンを形成することができるよう、モデルベース領域ＭにモデルベースでモデルベースＳＲＡＦを配置する（ステップＳ４０）。
【００２７】
なお、ここではルールベース領域ＲにルールベースＳＲＡＦを配置した後に、モデルベース領域Ｍに設定する領域を選択する場合について説明したが、モデルベース領域Ｍに設定する領域を選択した後に、ルールベース領域ＲにルールベースＳＲＡＦを配置してもよい。また、モデルベース領域Ｍに設定する領域を選択した後に、ルールベース領域Ｒに設定する領域を選択してもよい。
【００２８】
なお、干渉マップ作成部１５が干渉マップを作成する領域と、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６がモデルベースＳＲＡＦを配置するモデルベース領域Ｍと、は異なる領域であってもよい。この場合、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、モデルベース領域Ｍの代わりに、干渉マップを作成するための領域（後述の干渉マップ作成用領域ｍ１）と、モデルベースＳＲＡＦを配置する領域（後述のモデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２）と、の２つの領域を設定する。この場合の、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２は、モデルベース領域Ｍである。
【００２９】
本実施の形態では、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３が干渉マップ作成用領域ｍ１と、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２と、を設計パターン領域に設定する場合について説明する。ここで、干渉マップ作成用領域ｍ１と、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２について説明する。
【００３０】
図３は、干渉マップ作成用領域とモデルベースＳＲＡＦ配置領域を説明するための図である。図３の（ａ）では、ルールベース領域Ｒに対し、メインパターンＰｘの近傍にルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した場合の設計パターンを示している。
【００３１】
本実施の形態では、図３の（ａ）に示すように、設計パターン領域のうち、ルールベース領域Ｒ以外の領域が、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２に設定される。また、干渉マップ作成用領域ｍ１は、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２を少し広くした領域（ルールベース領域Ｒを所定領域だけ含む領域）に設定される。干渉マップ作成用領域ｍ１は、モデルベース領域Ｒに応じて設定される領域である。具体的には、この干渉マップ作成用領域ｍ１は、モデルベース領域Ｍ内に配置されたパターンの解像度に所定値以上の影響度を与える領域である。
【００３２】
これにより、干渉マップ作成部１５は、図３の（ｂ）に示すように、干渉マップ作成用領域ｍ１に干渉マップを作成する。ここでは、干渉マップとして、メインパターンＰｘの解像性能を向上させる領域を領域Ｃ１で示している。なお、干渉マップ作成部１５は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された状態の設計パターンに対して、干渉マップ作成用領域ｍ１に干渉マップを作成してもよいし、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていない状態の設計パターンに対して、干渉マップ作成用領域ｍ１に干渉マップを作成してもよい。
【００３３】
干渉マップが作成された後、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、図３の（ｃ）に示すように、干渉マップ作成用領域ｍ１に作成された干渉マップを用いて、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２にモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する。
【００３４】
なお、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２内のメインパターンＰｘを考慮してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置してもよいし、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２内のメインパターンＰｘを無視してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置してもよい。
【００３５】
また、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを先に配置し、その後、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置してもよい。この場合、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを考慮してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置してもよいし、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを無視してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置してもよい。
【００３６】
つぎに、マスクパターン（パターンデータ）の作成処理手順について説明する。図４は、第１の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理手順を示すフローチャートであり、図５は、第１の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理を説明するための図である。
【００３７】
設計パターンＤ１が作製された後、パターン作成装置１の入力部１１に、設計パターンＤ１が入力される。この設計パターンＤ１は、図５に示すように、メインパターンＰｘが配置されたレイアウトパターンデータである。この設計パターンＤ１は、設計パターン記憶部１２で記憶される。この後、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、設計パターン領域内の各メインパターンＰｘに対し、ルールベースを適用してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できるか否かを判断する（ステップＳ１１０）。ルールベースＳＲＡＦを配置できる領域は、ルールベースＳＲＡＦを配置してもマスク制約違反とならない領域である。
【００３８】
ルールベースを適用可能と判断されたメインパターンＰｘや設計レイアウト上の領域は、ルールベース領域Ｒに設定され、ルールベースを適用不可能と判断されたメインパターンや設計レイアウト上の領域は、モデルベース領域Ｍに設定される。ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、設計パターン内のメインパターンＰｘ毎や所定の領域毎にルールベースを適用可能か否か判断する。
【００３９】
例えば、ルールベースが、特定ピッチのＳＲＡＦ配置に対応していないとする。この場合、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３は、メインパターンＰｘのパターン群をパターンピッチで分類し、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置可能なパターン群と、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できないパターン群とに分類する。
【００４０】
ルールベースを適用可能と判断された場合（ステップＳ１１０、Ｙｅｓ）、ルールベースを適用可能と判断されたルールベース領域Ｒに、ルールベースＳＲＡＦ配置部１４がルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する（ステップＳ１２０）。
【００４１】
一方、ルールベースを適用不可能と判断された場合（ステップＳ１１０、Ｎｏ）、ルールベースを適用不可能と判断された領域とその周辺に、干渉マップ作成部１５が干渉マップを作成する（ステップＳ１３０）。例えば、干渉マップ作成用領域ｍ１に図５に示すような干渉マップＤ２が作成される。そして、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２に、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６が、干渉マップＤ２に基づいて、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する（ステップＳ１４０）。換言すると、干渉マップ作成用領域ｍ１内がＳＲＡＦ化される。これにより、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが配置された設計パターンＤ３が作成される。
【００４２】
この後、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが配置された設計パターンＤ３を用いてリソグラフィターゲットが作成される。ＯＰＣ装置２は、このリソグラフィターゲットに対してＯＰＣ（光近接効果補正）を行なう（ステップＳ１５０）。これにより、ＯＰＣ後のマスクパターンＤ４が作成される。図５では、マスクパターンＤ４のうちＯＰＣ後のメインパターンをＰｙで示し、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍをＳＲＡＦ２５Ｘで示している。
【００４３】
この後、マスクパターンＤ４に対してＬＣＣ（Lithography  Compliance  Check）が行なわれる。ＬＣＣは、リソグラフィマージン検証、ＭＲＣ（Mask  Rule  Check）検証、転写検証などである。ＬＣＣとしては、例えばリソグラフィマージン検証とＭＲＣが行なわれた後に、転写検証が行なわれる。
【００４４】
リソグラフィマージン検証は、ウェハ上パターンを作製する際の露光工程におけるドーズやフォーカスなどが所望値からずれた場合であっても所望の寸法を有したウェハ上パターンが形成できる否かなどが判断される処理である。リソグラフィマージン検証は、例えばＯＰＣ後のマスクパターンＤ４に光学シミュレーションを適用することによって行なわれる。リソグラフィマージン検証の際には、リソグラフィマージンが算出され、許容スペックに未達のメインパターンＰｘや設計レイアウト上の領域が存在するか否かが検証される。リソグラフィマージン検証は、許容スペックに未達のメインパターンＰｘや設計レイアウト上の領域が存在する場合に不合格であり、存在しない場合に合格である。
【００４５】
また、ＭＲＣ検証は、マスク制約に従ってマスクパターンが作成されているか否かなどが判断される処理である。ＭＲＣ検証の際には、マスク制約に違反しているルールベースＳＲＡＦ２５ｒ、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍ、メインパターンＰｘが存在するか否かが検証される。ＭＲＣ検証は、マスク制約に違反しているルールベースＳＲＡＦ２５ｒ、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍ、メインパターンＰｘの何れかが存在する場合に不合格であり、存在しない場合に合格である。
【００４６】
リソグラフィマージン検証とＭＲＣ検証のうち少なくとも一方が不合格であった場合（ステップＳ１６０、Ｎｏ）、不合格であった領域のＳＲＡＦが不合格にならないように再配置される。具体的には、ルールベースを適用する場合には（ステップＳ１７０、Ｙｅｓ）、ステップＳ１２０の処理に戻って、ルールベースＳＲＡＦ配置部１４がルールベースＳＲＡＦ２５ｒを再配置する。例えば、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した箇所が不合格であった場合には、ルールベースが適用され、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置した箇所が不合格であった場合には、モデルベースが適用される。ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する際には、マスク制約を守り且つリソグラフィマージンが向上するようルールベースのルールを変更しておく。
【００４７】
また、ルールベースを適用しない場合には（ステップＳ１７０、Ｎｏ）、ステップＳ１３０の処理に戻って、干渉マップ作成部１５が干渉マップを作成する。このとき、マスク制約を守り且つリソグラフィマージンが広がるよう、干渉マップの作成に用いるパラメータ（干渉マップの作成条件）を変更しておく。これにより、干渉マップの調整が行なわれる。そして、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６が干渉マップに基づいてモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを再配置する。
【００４８】
リソグラフィマージン検証とＭＲＣ検証の両方が合格となるまでステップＳ１２０〜Ｓ１７０の処理が繰り返される。リソグラフィマージン検証とＭＲＣ検証の両方が合格となった場合（ステップＳ１６０、Ｙｅｓ）、転写検証が行なわれる。転写検証は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの配置された設計パターンを用いて、基板上にメインパターンＰｘをパターン形成した場合に、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが基板上に転写されるか否かの検証である。
【００４９】
本実施の形態では、ステップＳ１６０の処理の際に、リソグラフィマージン検証で光学シミュレーションを行っているので、この光学シミュレーション結果を用いて転写検証を行なう。具体的には、メインパターンＰｘ以外に露光パターンとしてのルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが形成されていないかを検証する。ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが基板上に転写される場合は、転写検証の結果が不合格であり、転写されない場合は転写検証の結果が合格である。
【００５０】
転写検証が不合格である場合（ステップＳ１８０、Ｎｏ）、基板上に転写されると判断されたルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの補正（微調整）が行われる（ステップＳ１９０）。例えば、転写検証が不合格となった、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを縮小（サイズ調整）することによって、ＳＲＡＦの補正が行われる。この後、ステップＳ１５０の処理に戻ってＯＰＣが行なわれる。
【００５１】
この後、転写検証が合格となるまで、ステップＳ１５０，Ｓ１６０，Ｓ１８０，Ｓ１９０の処理が繰り返される。なお、リソグラフィマージン検証とＭＲＣ検証のうち少なくとも一方が不合格となった場合は（ステップＳ１６０、Ｎｏ）、リソグラフィマージン検証とＭＲＣ検証の両方が合格となるまでステップＳ１２０〜Ｓ１７０の処理が繰り返される。
【００５２】
図５に示すように、リソグラフィマージン検証、ＭＲＣ検証、転写検証などのＬＣＣの際には、マスクパターンＤ４を用いて光学シミュレーションで作成されたマスク上パターン３５と、設計パターンやリソグラフィターゲット（リソグラフィプロセスにおいて形成されるべきパターン）と、が比較される。図５では、マスク上パターン３５と、リソグラフィターゲット３３と、が比較される場合を示している。
【００５３】
転写検証の結果が合格である場合（ステップＳ１８０、Ｙｅｓ）、転写検証に合格したＯＰＣ後のパターンが、マスクパターンとして採用される。そして、このマスクパターンを用いてマスクが作製される。
【００５４】
このように、ルールベース領域ＲにルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置し、モデルベース領域ＭにモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置するので、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの混在配置が可能となる。また、ルールベースで配置可能な領域にはルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置し、その他の領域にはモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置するので、ルールベースの長所とモデルベースの長所を生かしたＳＲＡＦ配置が可能となる。したがって、メインパターンＰｘを構成するラインパターンやコンタクトパターンなどのリソグラフィマージンを改善し、メインパターンＰｘを用いて形成される半導体チップの歩留まりと信頼性を向上させることが可能となる。
【００５５】
マスクパターンの作成は、例えばウェハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、マスクパターンを用いて作製されたマスクを用いて半導体デバイス（半導体集積回路）が製造される。具体的には、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍに対応するＳＲＡＦ２５Ｘが配置されたマスクパターンを用いてマスクを作製する。そして、レジストの塗布されたウェハにマスクを用いて露光を行ない、その後ウェハを現像してウェハ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンを除去した後に、レジストパターンの下層側をエッチングする。これにより、レジストパターンに対応する実パターンをウェハ上に形成する。半導体デバイスを製造する際には、上述したルールベースＳＲＡＦ２５ｒおよびモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの配置、マスクパターンの作成、マスクの作製、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００５６】
なお、干渉マップ作成部１５が干渉マップを作成する干渉マップ作成用領域ｍ１と、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６がモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置するモデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２と、は同じ領域であってもよい。また、干渉マップ作成用領域ｍ１は、設計パターンの全面であってもよい。
【００５７】
また、本実施の形態では、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍ（モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２）とが互いに隣接するようルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとを設定する場合について説明したが、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとの間に所定のスペース領域を設けておいてもよい。この場合、予めルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとの間に所定のスペース領域（後述のスペース領域６０）が設けられた設計パターンを作成しておく。
【００５８】
このスペース領域６０は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒがモデルベース領域Ｍに解像やマスク制約に関して影響を与えない程度の幅を有した領域（メインパターンＰｘの形成されていない領域）であり、且つモデルベースＳＲＡＦ２５ｍがルールベース領域Ｒに解像やマスク制約に関して影響を与えない程度の幅を有した領域である。
【００５９】
換言すると、スペース領域６０は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒがモデルベース領域Ｍ内に配置されたパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えず、且つモデルベースＳＲＡＦ２５ｍがルールベース領域Ｒ内に配置されたパターンの解像度に所定値以上の影響度を与えないよう配置された所定幅の領域である。
【００６０】
図６は、ルールベース領域とモデルベース領域との間に形成されるスペース領域を説明するための図である。図６の（ａ）に示すように、設計パターンを作成する際には、
予めルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとの間にスペース領域６０を設けておく。そして、スペース領域６０およびルールベース領域Ｒに対して、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する。また、スペース領域６０およびモデルベース領域Ｍに対して、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する。
【００６１】
このように、スペース領域６０が設けられているので、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍとの間には、所定幅が存在することとなる。また、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベース領域Ｍ内のメインパターンＰｘとの間、およびモデルベースＳＲＡＦ２５ｍとルールベース領域Ｒ内のメインパターンＰｘとの間にも所定幅が存在することとなる。このため、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒは、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍやモデルベース領域Ｍ内のメインパターンＰｘに対し、解像やマスク制約に関する影響を与えない。また、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍは、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやルールベース領域Ｒ内のメインパターンＰｘに対し、解像やマスク制約に関する影響を与えない。
【００６２】
ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとの間にスペース領域６０を設ける場合、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３によって、設計パターンにルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとを設定しておく。そして、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとが設定された設計パターンに対して、スペース領域６０を設けるよう設計パターンの補正を行なう。なお、設計パターンの作成装置にＳＲＡＦ配置方法選択部１３と同様の機能を設けておき、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３によってメインパターンＰｘを配置しながら、設計パターン内のルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍを判断し、判断結果に基づいてスペース領域６０を設けてもよい。
【００６３】
なお、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍとの間にスペース領域６０を設けておく場合、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍとは、どちらを先に配置してもよい。ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍとを同時に配置してもよいし、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの何れか一方を先に配置してもよい。
【００６４】
また、干渉マップ作成用領域ｍ１は、モデルベース領域Ｍとスペース領域６０とを合わせた領域であってもよいし、モデルベース領域Ｍと同じ領域であってもよい。また、干渉マップ作成用領域ｍ１は、スペース領域６０の一部とモデルベース領域Ｍとを合わせた領域であってもよいし、ルールベース領域Ｒの一部とスペース領域６０とモデルベース領域Ｍとを合わせた領域であってもよい。
【００６５】
また、本実施の形態では、設計パターンに対してルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する場合について説明したが、設計パターンを用いて作成されたリソグラフィターゲットの周辺にルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置してもよい。
【００６６】
また、リソグラフィマージン検証やＭＲＣ検証で合格とならなかた場合に、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを再配置することとしたが、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを結合または削除してもよい。例えば、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍとが重なり合うことによって、マスク制約を満たさない場合、重なりあうルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍとを結合してもよい。また、重なり合うルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの何れか一方を削除してもよい。
【００６７】
また、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを再配置する際に、ルールベース領域Ｒに設定する領域、干渉マップ作成用領域ｍ１に設定する領域、モデルベースＳＲＡＦ配置領域ｍ２に設定する領域などを変更してもよい。
【００６８】
また、本実施の形態では、転写検証で不合格であった場合に、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの補正を行う場合について説明したが、ステップＳ１７０の処理に戻って、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを再配置してもよい。
【００６９】
また、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍの領域分けは、メインパターン毎に行なう場合に限らず、所定の領域毎に行なってもよい。この場合、所定領域内のメインパターンＰｘのうちの１つのメインパターンＰｘでもルールベースを適用できない場合は、前記所定領域内の全てのメインパターンをモデルベース領域Ｍに設定する。これにより、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍの領域分けや、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの配置が容易になる。
【００７０】
このように第１の実施の形態によれば、設計パターンやマスク制約に基づいて、ルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍを設定しているので、適切にルールベース領域Ｒとモデルベース領域Ｍを設定することが可能となる。したがって、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの長所とモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの長所の両方を生かしたＳＲＡＦ配置が可能となる。
【００７１】
ルールベースによるＳＲＡＦ配置は、ＳＲＡＦの転写抑制およびマスク制約を考慮してＳＲＡＦルールを設計することができるので、ＳＲＡＦ配置後にＳＲＡＦの転写が発生する可能性や、マスク制約違反となってＳＲＡＦを再配置する可能性を低くすることができる。
【００７２】
また、ルールベースによるＳＲＡＦ配置は、予めＳＲＡＦの形状や大きさ、配置位置を決めて、これをルール化し、実際にＳＲＡＦ配置する際には、ルールに従うので、どのルールが適用されてどのようなＳＲＡＦが配置されるのかほぼ見当がつく。このため、ＳＲＡＦやＳＲＡＦルールの修正が容易となる。また、ルールベースＳＲＡＦを注意して設計または修正すれば、ＳＲＡＦ同士やＳＲＡＦとメインパターンとの間でのスペース不足によるマスクルール違反の発生を抑制できる。また、ルールベースによるＳＲＡＦ配置は、ＳＲＡＦ配置の演算結果を使い回して計算量を減らすことができ、この結果、マスクパターンデータ作成の処理時間を短縮することが可能となる。
【００７３】
また、モデルベースによるＳＲＡＦ配置は、リソグラフィマージンを改善しにくいレイアウトパターンや、ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンに対しても、リソグラフィマージンを向上させることのできるＳＲＡＦを配置できる。
【００７４】
（第２の実施の形態）
つぎに、図７〜図１１を用いてこの発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、ルールベース領域Ｒおよびモデルベース領域Ｍを設定することなく、設計データの全面にルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置し、その後、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを適切に配置できなかった箇所にモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する。
【００７５】
図７は、第２の実施の形態に係るパターン作成装置の構成を示すブロック図である。図７の各構成要素のうち図１に示す第１の実施の形態のパターン作成装置１と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【００７６】
パターン作成装置３は、入力部１１、設計パターン記憶部１２、干渉マップ作成部１５、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６、出力部１７、検証部３１、ＳＲＡＦ除去部３２、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４を備えている。
【００７７】
ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、ルールベースＳＲＡＦ配置部１４と同様の機能を有している。ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、設計パターン上の全領域に対して、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する。本実施の形態では、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、ＳＲＡＦ配置対象のパターン群としてどのようなメインパターンＰｘが存在するか全く分からない状況で、ひとまずルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置を試みる。ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンを検証部３１に送る。
【００７８】
検証部３１は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置された設計パターンに基づいて、所望の位置にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが適切に配置されているか否かを検証する。具体的には、検証部３１は、設計パターン上に適切にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されている箇所と、適切にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていない箇所とを判断する。例えば、検証部３１は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置ではリソグラフィマージンが所望のスペックに未達なメインパターンＰｘを、適切にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていない箇所と判断する。また、検証部３１は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒ同士が近接しすぎてマスク制約違反になってしまうメインパターンＰｘを、適切にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていない箇所と判断する。検証部３１は、適切にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていない箇所（領域）をＳＲＡＦ除去部３２に送る。
【００７９】
ＳＲＡＦ除去部３２は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが不適切に配置されている領域のルールベースＳＲＡＦ２５ｒを設計パターンから除去する。ＳＲＡＦ除去部３２は、適切な位置にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンを干渉マップ作成部１５に送る。適切な位置のみにルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンは、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンから、不適切に配置されたルールベースＳＲＡＦ２５ｒが除去された設計パターンである。
【００８０】
本実施の形態の干渉マップ作成部１５は、設計パターンのうちルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていない領域（ＳＲＡＦ非配置領域）に干渉マップを作成する。干渉マップ作成部１５は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された状態の設計パターンに対して、ＳＲＡＦ非配置領域に干渉マップを作成してもよいし、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていない状態の設計パターンに対して、ＳＲＡＦ非配置領域に干渉マップを作成してもよい。
【００８１】
メインパターンＰｘで構成された設計パターンの全てに対してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できるルールベース（ＳＲＡＦルール）の作成は困難である。設計パターンの全てに対してＳＲＡＦの配置規則をルール化するには、長時間を要するからである。このため、本実施の形態では、検証部３１が以下の（１）〜（３）のメインパターンＰｘを抽出しておく。（１）ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置ではリソグラフィマージンが所望のスペックに未達なメインパターンＰｘ。（２）ルールベースＳＲＡＦ２５ｒ同士が近接しすぎてマスク制約違反になってしまうメインパターンＰｘ。（３）ＳＲＡＦルールのＳＲＡＦ配置条件に合致せず、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できないメインパターンＰｘ。
【００８２】
ＳＲＡＦ除去部３２は、上記（１）および（２）のメインパターンＰｘの近傍に配置されているルールベースＳＲＡＦ２５ｒを除去し、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを除去した後の設計パターンを干渉マップ作成部１５に送る。干渉マップ作成部１５では、ＳＲＡＦ非配置領域に干渉マップを作成する。
【００８３】
つぎに、第２の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置の処理手順について説明する。図８は、第２の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置の処理手順を示すフローチャートである。なお、図８に示す処理のうち、第１の実施の形態の図２で説明した処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【００８４】
パターン作成装置３の入力部１１へは、設計パターンが入力される。この設計パターンは、設計パターン記憶部１２で記憶される。この後、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、設計パターンの全面にルールベースでルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する（ステップＳ２１０）。ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した設計パターンを検証部３１に送る。
【００８５】
検証部３１は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置された設計パターンに基づいて、所望の位置にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されているか否かを検証（ＳＲＡＦ配置検証）する。そして、検証部３１は、ＳＲＡＦ配置検証に基づいて、メインパターンのうちモデルベース適用箇所を選択する（ステップＳ２２０）。検証部３１は、適切なルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていないメインパターンＰｘ（ＮＧ箇所）を指定する情報と、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した設計パターンと、をＳＲＡＦ除去部３２に送る。
【００８６】
ＳＲＡＦ除去部３２は、検証部３１から送られてくる情報に基づいて、設計パターンから不適切なルールベースＳＲＡＦ２５ｒを除去する。換言すると、ＳＲＡＦ除去部３２は、設計パターン内のルールベースＳＲＡＦ２５ｒからモデルベースを適用する箇所付近のルールベースＳＲＡＦ２５ｒを削除する（ステップＳ２３０）。モデルベースを適用する箇所付近のルールベースＳＲＡＦ２５ｒは、例えば、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した場合にマスク制約違反となるルールベースＳＲＡＦ２５ｒである。ＳＲＡＦ除去部３２は、適切な位置のみにルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンを干渉マップ作成部１５に送る。
【００８７】
干渉マップ作成部１５は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていないメインパターンＰｘに対して干渉マップを作成する。このとき、干渉マップ作成部１５は、各メインパターンＰｘが、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘであるか否かを判断し、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘを抽出しておく。干渉マップ作成部１５は、例えば、設計パターン上に配置されているルールベースＳＲＡＦ２５ｒの面積密度に基づいて、各メインパターンＰｘが、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘであるか否かを判断する。
【００８８】
この場合、干渉マップ作成部１５は、メインパターンＰｘの形成される領域からメインパターンＰｘを除外したスペース領域の面積と、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの面積と、の比率に基づいて、各メインパターンＰｘが、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘであるか否かを判断する。例えば、判定対象となるメインパターンＰｘと当該メインパターンＰｘの周辺領域とからなる所定領域（例えば、矩形領域などの判定対象領域）の面積が算出される。また、この所定領域内に含まれるルールベースＳＲＡＦ２５ｒの面積が算出される。そして、所定領域の面積に対するルールベースＳＲＡＦ２５ｒの面積の割合（密度）が算出される。干渉マップ作成部１５は、設計パターン上に配置されているルールベースＳＲＡＦ２５ｒの面積密度が所定値よりも小さい場合に、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘであると判断する。これにより、容易にルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘを抽出することが可能となる。
【００８９】
ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘは、以下の（１）〜（３）のメインパターンＰｘである。（１）ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置ではリソグラフィマージンが所望のスペックに未達なメインパターンＰｘ。（２）マスク制約違反になってしまうメインパターンＰｘ。（３）ＳＲＡＦルールのＳＲＡＦ配置条件に合致しなかったためにルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されなかったメインパターンＰｘ（ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置に失敗したメインパターンＰｘ）。
【００９０】
なお、干渉マップ作成部１５は、メインパターンＰｘを含む設計パターン領域内でのルールベースＳＲＡＦ２５ｒの面積密度（密集度）に基づいて、各メインパターンＰｘが、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰｘであるか否かを判断してもよい。
【００９１】
干渉マップ作成部１５は、作成した干渉マップと設計パターンをモデルベースＳＲＡＦ配置部１６に送る。モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、干渉マップに基づいて、干渉マップの作成されている領域と同じ領域にモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する（ステップＳ２４０）。
【００９２】
このように、本実施の形態では、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒのＳＲＡＦ配置検証の結果、ルールベースでは適切にＳＲＡＦ配置できなかったメインパターンＰｘを抽出できる。このため、抽出したメインパターンＰｘに対してはモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置して、リソグラフィマージンを確保する。
【００９３】
つぎに、マスクパターン（パターンデータ）の作成処理手順について説明する。図９は、第２の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理手順を示すフローチャートであり、図１０は、第２の実施の形態に係るマスクパターンの作成処理を説明するための図である。なお、図９、図１０に示す処理のうち、第２の実施の形態の図４、図５で説明した処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【００９４】
設計パターンＤ１１が作製された後、パターン作成装置３の入力部１１に、設計パターンＤ１１が入力される。この設計パターンＤ１１は、図１０の（ａ）に示すように、メインパターンＰｘとしてメインパターンＰ１〜Ｐ６が配置されたレイアウトパターンデータである。この設計パターンＤ１１は、設計パターン記憶部１２で記憶される。
【００９５】
この後、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、設計パターンの全面にルールベースでルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する（ステップＳ３１０）。図１０の（ｂ）では、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できたメインパターンがＰ１〜Ｐ５であり、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できなかったメインパターンがＰ６である場合を示している。ルールベースＳＲＡＦ配置部３４は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した設計パターンＤ１２を検証部３１に送る。
【００９６】
検証部３１は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置された設計パターンＤ１２に基づいて、メインパターンＰ１〜Ｐ６のうち、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが適切に配置されていないＮＧ箇所となっているメインパターンＰｘを抽出する（ステップＳ３２０）。ＮＧ箇所は、例えば、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒがマスク制約に違反するメインパターンＰｘである。
【００９７】
図１０の（ｂ）では、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒ同士が重なり合ってしまうルールベースＳＲＡＦ２５ｒをＳＲＡＦ群５１として図示している。また、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒ間の距離がマスク制約よりも短いルールベースＳＲＡＦ２５ｒをＳＲＡＦ群５２として図示している。ＳＲＡＦ群５１は、メインパターンＰ１，Ｐ２のルールベースＳＲＡＦ２５ｒであり、ＳＲＡＦ群５２は、メインパターンＰ２，Ｐ３のルールベースＳＲＡＦ２５ｒである。検証部３１は、ＮＧ箇所を指定する情報としてメインパターンＰ１〜Ｐ３を指定する情報と、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した設計パターンＤ１２と、をＳＲＡＦ除去部３２に送る。
【００９８】
ＳＲＡＦ除去部３２は、検証部３１から送られてくる情報に基づいて、設計パターンＤ１２からＮＧ箇所となっているメインパターンＰｘの近傍に配置されているルールベースＳＲＡＦ２５ｒを除去する（ステップＳ３３０）。ここでのＳＲＡＦ除去部３２は、マスク制約に違反するルールベースＳＲＡＦ２５ｒとして、ＳＲＡＦ群５１，５２（メインパターンＰ１〜Ｐ３のルールベースＳＲＡＦ２５ｒ）を削除する。図１０の（ｃ）では、ＳＲＡＦ群５１，５２に対応するメインパターンＰ１〜Ｐ３のルールベースＳＲＡＦ２５ｒが設計パターンから削除された設計パターンＤ１３を示している。
【００９９】
ＳＲＡＦ除去部３２は、ＮＧ箇所のルールベースＳＲＡＦ２５ｒが除去された設計パターンＤ１３を、干渉マップ作成部１５に送る。換言すると、ＳＲＡＦ除去部３２は、適切な位置のみにルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンＤ１３を干渉マップ作成部１５に送る。
【０１００】
干渉マップ作成部１５は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていないメインパターン（ここでは、メインパターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ６）を、設計パターンＤ１３に基づいて抽出する。干渉マップ作成部１５は、抽出した情報と、設計パターンＤ１３とルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置されていないメインパターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ６を指定する情報とに基づいて、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ６の近傍に干渉マップを作成する（ステップＳ３４０）。図１０の（ｄ）では、メインパターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ６近傍の干渉マップおよびメインパターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ６を干渉マップＤ１４として図示している。干渉マップ作成部１５は、作成した干渉マップＤ１４をモデルベースＳＲＡＦ配置部１６に送る。
【０１０１】
モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、干渉マップＤ１４に基づいて、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの配置されていないメインパターン（ここではメインパターンＰ１〜３，Ｐ６）の近傍にモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する（ステップＳ３５０）。図１０の（ｅ）では、メインパターンＰ１〜３，Ｐ６の近傍にモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが配置されるとともに、メインパターンＰ４，Ｐ５の近傍にルールベースＳＲＡＦ２５ｒが配置された設計パターンＤ１５を図示している。
【０１０２】
モデルベースＳＲＡＦ配置部１６は、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置した設計パターンを、出力部１７を介してＯＰＣ装置２に出力する。この後、第１の実施の形態と同様に、ＯＰＣ装置２でＯＰＣが行なわれ（ステップＳ３６０）、これによりマスクパターンが作成される。図１０の（ｆ）に示すマスクパターンＤ１６は、ＯＰＣ後のメインパターンＰ１〜Ｐ６をメインパターンＰ１１〜Ｐ１６で示し、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒとモデルベースＳＲＡＦ２５ｍをＳＲＡＦ２５Ｘで示している。
【０１０３】
この後、第１の実施の形態と同様に、マスクパターンＤ１６に対してＬＣＣが行なわれる。ここでのステップＳ３７０〜Ｓ４００の各処理は、それぞれ第１の実施の形態のステップＳ１６０〜Ｓ１９０の処理に対応している。
【０１０４】
本実施の形態では、リソグラフィマージン検証とＭＲＣ検証のうち少なくとも一方が不合格であり、ルールベースを適用してルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置する場合には（ステップＳ３８０、Ｙｅｓ）、ステップＳ３１０の処理に戻って、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４が不合格領域にルールベースＳＲＡＦ２５ｒを再配置する。
【０１０５】
また、ルールベースを適用しない場合には（ステップＳ３８０、Ｎｏ）、干渉マップ作成部１５が干渉マップを作成する。そして、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６が干渉マップに基づいてモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを再配置する。
【０１０６】
なお、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様に、干渉マップを作成する領域と、モデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置する領域と、が異なる領域であってもよい。
【０１０７】
つぎに、第１の実施の形態で説明したパターン作成装置１、第２の実施の形態のパターン作成装置３のハードウェア構成について説明する。なお、パターン作成装置１，３は、同様の構成を有しているので、ここではパターン作成装置１の構成について説明する。
【０１０８】
図１１は、パターン作成装置のハードウェア構成を示す図である。パターン作成装置１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。パターン作成装置１では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５、図示しない出力部がバスラインを介して接続されている。
【０１０９】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムであるパターン作成プログラム９７を用いてパターンの作成を行う。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、設計パターン、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒやモデルベースＳＲＡＦ２５ｍが配置された設計パターンなどを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（ＳＲＡＦ配置に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【０１１０】
パターン作成プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図１１では、パターン作成プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【０１１１】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされたパターン作成プログラム９７を実行する。例えば、パターン作成装置１では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内からパターン作成プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【０１１２】
パターン作成装置１で実行されるパターン作成プログラム９７は、ＳＲＡＦ配置方法選択部１３、ルールベースＳＲＡＦ配置部１４、干渉マップ作成部１５、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置（ＲＡＭ９３）上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。パターン作成プログラム９７を用いて実行された処理の処理結果は、出力部から外部装置などに出力される。
【０１１３】
なお、パターン作成装置１の機能であるＳＲＡＦ配置方法選択部１３、ルールベースＳＲＡＦ配置部１４、干渉マップ作成部１５、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６をそれぞれ別構成のプログラムとしてもよいし、これらの機能を複数まとめたプログラムとしてもよい。
【０１１４】
なお、第２の実施の形態に係るパターン作成装置３で実行されるパターン作成プログラム９７は、干渉マップ作成部１５、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６、検証部３１、ＳＲＡＦ除去部３２、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
【０１１５】
また、パターン作成装置３の機能である干渉マップ作成部１５、モデルベースＳＲＡＦ配置部１６、検証部３１、ＳＲＡＦ除去部３２、ルールベースＳＲＡＦ配置部３４をそれぞれ別構成のプログラムとしてもよいし、これらの機能を複数まとめたプログラムとしてもよい。
【０１１６】
このように第２の実施の形態によれば、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置した後、適切にルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置できなかった箇所にモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置するので、ルールベースＳＲＡＦ２５ｒの長所とモデルベースＳＲＡＦ２５ｍの長所の両方を生かしたＳＲＡＦ配置が可能となる。
【０１１７】
このように第１、第２の実施の形態によれば、ルールベース領域ＲにルールベースＳＲＡＦ２５ｒを配置し、モデルベース領域ＭにモデルベースＳＲＡＦ２５ｍを配置するので、ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンを含むパターンに対してもＳＲＡＦを短時間で配置することが可能となる。
【符号の説明】
【０１１８】
１，３  パターン作成装置、２  ＯＰＣ装置、１２  設計パターン記憶部、１３  ＳＲＡＦ配置方法選択部、１４，３４  ルールベースＳＲＡＦ配置部、１５  干渉マップ作成部、１６  モデルベースＳＲＡＦ配置部、２５ｍ  モデルベースＳＲＡＦ、２５ｒ  ルールベースＳＲＡＦ、３１  検証部、３２  ＳＲＡＦ除去部、６０  スペース領域、９７  パターン作成プログラム、Ｍ  モデルベース領域、ｍ１  干渉マップ作成用領域、ｍ２  モデルベースＳＲＡＦ配置領域、Ｒ  ルールベース領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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