(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体であって、１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、９〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部をＦｅ２Ｏ３を主成分とし、さらに２（ＭｎＯ）換算で０.１〜４.０ｍｏｌ％のＭｎＯを含み、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｍ以上であるとともに、前記焼結体の断面観察において、空孔を除いた観察面積に対する、スピネル型フェライト相の面積比率およびＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率が共に１％以下であることを特徴とするフェライト焼結体。
【請求項２】
１００ｋＨｚでの初透磁率μｉが５０以上である方向を有する請求項１に記載のフェライト焼結体。
【請求項３】
六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体であって、１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、９〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部をＦｅ２Ｏ３を主成分とし、前記焼結体の断面観察において、空孔を除いた観察面積に対する、スピネル型フェライト相の面積比率およびＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率が共に１％以下であり、１００ｋＨｚでの初透磁率μｉが５０以上である方向を有することを特徴とするフェライト焼結体。
【請求項４】
焼結体密度が５.０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフェライト焼結体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のフェライト焼結体を用いた電子部品。
【請求項６】
混合した素原料を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程で得られた仮焼粉を粉砕する粉砕工程と、前記粉砕工程で得られた粉砕粉を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程とを有する、ＢａＯ、ＣｏＯおよびＦｅ２Ｏ３を主成分とする六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体の製造方法であって、
前記フェライト焼結体の組成は、１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、９〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部をＦｅ２Ｏ３を主成分とし、Ｚ型フェライトの化学量論組成よりもＢａＯリッチであるとともに、
前記仮焼工程において、前記混合した素原料を酸素中で１３００℃以上に加熱することを特徴とするフェライト焼結体の製造方法。
【請求項７】
前記粉砕粉の比表面積が３．５４ｍ２／ｇ以上であることを特徴とする請求項６に記載のフェライト焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用磁性材料に係るもので、特に数ＭＨｚから数ＧＨｚまでの高周波帯域においてチョークコイル、ノイズ除去素子、アンテナなどの電子部品や電波吸収体に使用される六方晶Ｚ型フェライトに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や無線ＬＡＮ、パソコンなどの信号の高周波化に伴い、装置内部で使用される素子もまた高周波で使用可能なものが要求されている。このような要求に対し、従来用いられてきたスピネル系フェライトでは高周波帯域においてスネークの限界と呼ばれる周波数限界が存在するため使用することが困難となる。そこで六方晶系の結晶構造を有する六方晶フェライトがかかる周波数限界を超える高周波用材料として検討されている。
【０００３】
六方晶系フェライトの中でも特にＣｏを含有したＺ型フェライトが比較的高い初透磁率を有し優れた高周波特性を示すことが知られている。例えば特許文献１には、ＢａＯを過剰な組成とした、初透磁率などの磁気特性に優れたＺ型フェライトが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５０−３２２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたＺ型フェライトも、初透磁率は十分な水準とは言えず、さらに高い初透磁率を有する六方晶Ｚ型フェライトが望まれていた。よって、本発明はこの点を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のフェライト焼結体は、六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体であって、１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、９〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部をＦｅ２Ｏ３を主成分とし、前記焼結体の断面観察において、空孔を除いた観察面積に対する、スピネル型フェライト相の面積比率およびＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率が共に１％以下であることを特徴とするフェライト焼結体である。かかる構成によって高い初透磁率を示すフェライト焼結体を得ることができる。
【０００７】
また、前記フェライト焼結体において、焼結体密度が５.０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上であることが望ましい、焼結体密度の向上に伴い、初透磁率も向上し、これを用いた電子部品の高性能化に寄与する。
【０００８】
さらに、前記フェライト焼結体において、さらに２（ＭｎＯ）換算で０.１〜４.０ｍｏｌ％のＭｎＯを含み、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｍ以上であることが好ましい。フェライト焼結体が高い初透磁率と高絶縁性を併せ持つことで、該焼結体を用いて構成する電子部品の小型化を図ることができる。
【０００９】
更に、前記フェライト焼結体において、１００ｋＨｚでの初透磁率μｉが５０以上である方向を有することが望ましい。かかる構成とすることでそれを用いた電子部品の高性能化に寄与する。
【００１０】
前記フェライト焼結体を用いることにより高性能な電子部品を提供することが可能となる。
【００１１】
本発明のフェライト焼結体の製造方法は、混合した素原料を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程で得られた仮焼粉を粉砕する粉砕工程と、前記粉砕工程で得られた粉砕粉を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程とを有する、ＢａＯ、ＣｏＯおよびＦｅ２Ｏ３を主成分とする六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体の製造方法であって、前記フェライト焼結体の組成は、１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、９〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部をＦｅ２Ｏ３を主成分とし、Ｚ型フェライトの化学量論組成よりもＢａＯリッチであるとともに、前記仮焼工程において前記混合した素原料を酸素中で１３００℃以上に加熱することを特徴とする。かかる条件で仮焼を行なうことにより、異相の含有率が少ない、初透磁率の高いフェライト焼結体を得ることができる。
【００１２】
前記フェライト焼結体の製造方法において、前記粉砕粉の比表面積が３．５４ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。かかる範囲の比表面積を有する粉砕粉を用いることで高い焼結体密度及び初透磁率を持つＺ型フェライト焼結体を得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高い初透磁率を有するＺ型フェライト焼結体を提供することができ、それを用いたチョークコイル、インダクタ、アンテナ、電波吸収体などの電子部品の高性能化を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。本発明に係るフェライト焼結体は、混合した素原料を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程で得られた仮焼粉を粉砕する粉砕工程と、前記粉砕工程で得られた粉砕粉を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程とを有する、フェライトの製造に適用される通常の粉末冶金的方法によって製造することができる。すなわち、素原料を例えば湿式のボールミルにて混合し、電気炉などを用いて仮焼することにより仮焼粉を得る。また得られた仮焼粉を湿式のボールミルなどを用いて粉砕し、得られた粉砕粉をプレス機により成形し例えば電気炉などを用いて焼成を行い、六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体を得る。
【００１５】
六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体では、Ｚ相が生成し易い温度域において本焼成を行っても十分な初透磁率を得ることが難しい。これはＺ相が生成し易い温度域において十分焼結が進まず焼結体密度が低いためである。逆に高い温度域で焼成を行うとＺ相が生成しにくく、著しく特性が劣化する。したがって、高い初透磁率を有する六方晶Ｚ型フェライトのフェライト焼結体を得るためには、Ｚ相が安定な温度域において十分高い焼結体密度を得られるようにすることが必要である。
【００１６】
高い焼結体密度を有する場合でも、焼結体中にスピネル型フェライト相（以下、単にスピネル相ともいう）やＢａＦｅ２Ｏ４相が生成する場合があり、これを所定の範囲に低減することによって、さらに高い初透磁率が得られる。すなわち、フェライト焼結体の組成を１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、９〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、焼結体の断面観察において、空孔を除いた観察面積に対する、スピネル型フェライト相の面積比率およびＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率を共に１％以下にすることで更に高い初透磁率を持つフェライト焼結体を得ることができること見出した。
【００１７】
ＢａＯが化学量論組成よりも過剰な前記組成とすることでＺ相が安定な温度域で高い焼結体密度を得ることができる。しかしＢａＯを過剰とするとＢａＦｅ２Ｏ４相が生成し、初透磁率が発現しにくくなる。これはＢａＦｅ２Ｏ４相が非磁性相であるためである。ＢａＦｅ２Ｏ４相は１％を超えると全体の組成バランスが崩れ、特性が大きく低下するため、１％以下であることが望ましい。
【００１８】
本発明者は、ＢａＯが化学量論組成よりも過剰な前記組成に対して、仮焼工程において、混合した素原料を酸素中雰囲気で１３００℃以上に加熱するという反応が進みやすい条件を採用することで、高密度を有し、ＢａＦｅ２Ｏ４相の生成も抑制されたＺ型フェライト焼結体が得られることを見出した。焼結体密度の向上により、高い初透磁率を持つ焼結体が得られるようになる。仮焼を行なう雰囲気は酸素中であることが望ましく、１３００℃以上の温度で一定時間保持を行なうことが望ましい。十分な反応のためには保持時間は３０分以上であることが望ましく、保持時間が長すぎると反応が進みすぎ粉体の解砕が困難になるため、１０時間以下が望ましい。なお、仮焼温度は、それが高くなりすぎると融解が生じるので、１３８０℃以下とすることがより好ましい。
【００１９】
上記のような高温での仮焼を行なった場合、化学量論組成ではスピネル相が生成してしまう。これに対して、化学量論組成よりもＢａＯが過剰な組成を用いることによって、スピネル相の生成を抑制することができる。スピネル相はＺ型フェライトよりも低い周波数で初透磁率が減衰するため、かかるスピネル相を１％以下にすることで、初透磁率の向上を図ることができる。以上の観点から、高初透磁率を得るために望ましい主成分組成範囲は、ＢａＯ換算で１８〜２１ｍｏｌ％、ＣｏＯ換算で９〜１１．５ｍｏｌ％、残部をＦｅ２Ｏ３である。また該範囲を外れると初透磁率が低下する一方、２１．０ｍｏｌ％を超えると反応が過剰に進み粉砕前の仮焼粉の解砕が困難になるという問題も発生する。一方、ＣｏＯ含有量の含有量が極端に低下するとＺ型フェライトの周波数特性が劣化するため９ｍｏｌ％以上が望ましい。また残部となるＦｅ２Ｏ３の一部をＭｎＯで置換することにより体積抵抗率が著しく増加し、初透磁率の周波数特性が改善される。ＭｎＯの量は、２（ＭｎＯ）換算で主成分全体の０．１ｍｏｌ％未満では効果が十分発揮されず、４.０ｍｏｌ％超としてもそれ以上の効果は発揮されない。したがって、ＭｎＯの量は、主成分全体に対して、２（ＭｎＯ）換算で０.１〜４.０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。また置換する元素はＭｎＯのみではなく、ＮｉＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯなど他の２価の金属イオンを用いることも可能である。また、本発明の効果が損なわれない範囲でＳｉＯ２等の添加物を含んでもよいし、ＢａＯやＣｏＯの一部を他の元素の酸化物で置換してもよい。
【００２０】
前記主成分組成範囲にて高温で仮焼を行なってフェライト焼結体を作製することにより、異相の抑制及び焼結体の高密度化が図られ、５．０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上の焼結体密度を得ることができる。これは、初透磁率の向上に寄与する。また、５．０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上の焼結体密度とすることで種々の加工にも耐え、所望の電子部品への加工を容易とする充分な強度を得ることができる。より好ましくは５．１×１０３ｋｇ／ｍ３以上、さらに好ましくは５．１５×１０３ｋｇ／ｍ３以上である。また前記スピネル相は、焼結体の断面観察における面積比較で、空隙よりも少ない方が望ましい。これは、空隙と異なり、スピネル相が磁気損失を有するためである。特に高周波において低損失が望まれる場合、焼結体密度またはＺ型フェライト相を同じとすれば、スピネル相が空隙よりも少ない方が有利である。
【００２１】
また、フェライト焼結体の製造方法において、粉砕粉の比表面積が３．５４ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。同一条件で粉砕を行なった場合、粉砕粉比表面積はＢａＯ過剰な組成とすることで増加する。比表面積の増加に伴い、粉体が活性化し、焼結体の密度も向上する。即ち５．０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上の高い焼結体強度を得るためには、比表面積は３．５４ｍ２／ｇ以上が好ましい。焼結体密度の向上の観点からは比表面積の上限はこれを特に限定するものではないが、比表面積が大きくなりすぎると、異常粒成長が生じやすいため、６.５ｍ２／ｇ以下であることが好ましい。
【００２２】
更に、前記フェライト焼結体において焼結体の体積抵抗率が１０３Ω・ｍ以上であることが好ましい。フェライト焼結体が高い絶縁性を備えることで、フェライト焼結体に巻き線を施す場合でも、被覆などの絶縁層を省略することができるため、電子部品の小型化を図ることができる。また、体積抵抗率の向上に伴い、初透磁率の周波数特性も改善し、これを用いた電子部品の高性能化に寄与する。
【００２３】
前記の主成分範囲、仮焼条件で作製した粉体を粉砕し、一定濃度のスラリーとし磁界中で結晶を配向させることにより、更に高い初透磁率を発揮させることができる。配向処理としては、一定方向に磁界を印加し、各結晶粒子のＣ面を磁界印加方向に平行に揃える一方向配向、及び回転磁界などで各結晶粒子のＣ面同士も平行に揃える面配向を採用することができる。一方向配向では磁界印加方向、面配向では回転磁界を印加した面に平行な任意の方向の初透磁率が特に高くなる。前記の条件にて作製した粉砕粉を配向させることにより初透磁率μｉが５０以上のＺ型フェライト焼結体を得ることもできる。特に初透磁率μｉが５０以上のＺ型フェライト焼結体は、電子部品の材料として特に好適である。更に主成分組成を１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、１０〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部Ｆｅ２Ｏ３とすることで、更に高い初透磁率を持つフェライト焼結体を得ることができ、初透磁率μｉが６０以上のＺ型フェライト焼結体を得ることもできる。なお、混合した素原料を酸素中雰囲気で１３００℃以上に加熱する仮焼工程を経た粉砕粉は、配向性も良好であるため、成形工程において上記配向処理を行う場合に特に好適である。
【００２４】
前述したような面配向または一方向配向などの配向処理によって異方性が付与されたフェライト焼結体の初透磁率は、以下に述べるような手法で評価する。その概念図を図１に示した。図に示したように、初透磁率が５０００以上の、リング形状の高透磁率フェライト１にギャップを形成し、巻線を施す（以降ヨーク部と呼ぶ）。巻線したフェライトのインダクタンスはインピーダンスアナライザ３にて評価する。後述の実施例ではヨーク部として１００kHzでμｉ＝８１００のＭｎ−Ｚｎフェライトを用いた。標準試料として初透磁率が０〜６０の範囲の既知の初透磁率を持つ磁性体を用意する。後述の実施例では、無配向の六方晶フェライト（μｉ＝２.８、５.７、１２.９）、圧粉金属（μｉ＝４５、６０）、スピネルフェライト（μｉ＝１４.０、１９.２、２９.３、３２.８、５０.０、５５.０）を用意した。それらを図１のようにヨーク部のギャップ部位と断面形状が一致するように加工した後、ギャップ部位に挿入し、１００ｋＨｚにおけるインダクタンス値を測定した。標準試料の初透磁率は既知であるので、これにより０〜６０までの初透磁率とインダクタンスの関係を得る。すなわち、初透磁率およびインダクタンスの対応関係を６次の多項式によって近似し、近似曲線を得る。上記標準試料の場合と同様に、図１に示すギャップ部位に収まるように、初透磁率が未知の焼結体４を加工して測定試料２を得る。該測定試料２の１００ｋＨｚでのインダクタンスＬを測定し、得られたインダクタンスＬの値から上記の近似曲線を用い初透磁率を算出する。ここで得られた初透磁率は測定試料２の厚み方向の初透磁率となる。以降、本手法をギャップ法と呼ぶことにする。
【００２５】
また、本発明に係る上記のフェライト焼結体において、測定範囲が２θ＝２０〜８０°であるＸ線回折パターンにおいて、六方晶Ｚ型フェライトの全ての回折ピークの積分強度和をΣＩ（ＨＫＬ）とし（但し、Ｉ（ＨＫＬ）は指数（ＨＫＬ）で表される回折ピークの積分強度を示す）、Ｌ＝０であるすべての（ＨＫ０）の回折ピークの積分強度和をΣＩ（ＨＫ０）とした場合、ｆｃ＝ΣＩ（ＨＫ０）／ΣＩ（ＨＫＬ）で与えられる配向度ｆが０.３以上であるｃ軸配向面を有することが好ましい。かかる配向度ｆが０．３以上となると焼結体の方向が、特に初透磁率の高い方向になり、初透磁率μｉが５０以上の材料を得ることも可能となる。配向度ｆが０．３未満では無配向状態に近く初透磁率向上の効果は小さいため、配向度ｆは０．３以上が望ましい。
【００２６】
また本発明にて得られたフェライトは１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚまでで使用される高周波用電子部品材料として特に好適である。例えば本発明のフェライト焼結体をコアとして用いるコイル部品を作製すれば、１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚにおいて高いインピーダンスを生じ、コモンモードチョークコイルなどのノイズ除去素子、高周波用アンテナとして好適に用いることができる。特に初透磁率μｉが５０以上の材料を用いれば電子部品として優れた特性を示す。
【実施例】
【００２７】
比較例１〜３、実施例１〜３の試料については、主成分組成が表１に示す割合となるように、Ｆｅ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｏＯを秤量し、湿式ボールミルにて１６時間混合した。混合後１３３０℃において酸素中で３時間仮焼し、仮焼粉を湿式ボールミルにて１８時間粗粉砕し、更にメディア・回転数を変え４時間微粉砕した。得られたスラリーを沈降させ上澄み液を除去し、スラリー濃度６８％になるように調整し、一方向の静磁界中で湿式成形を行った。得られた成形体を１３００℃において酸素中で３時間焼成し焼結体を得た。比較例４、５の試料については、主成分組成が表１に示す割合となるように、Ｆｅ２Ｏ３、ＢａＣＯ３及びＣｏＯを秤量し、湿式ボールミルにて１６時間混合した。混合後１２００℃において大気中で２時間仮焼し、仮焼粉を湿式ボールミルにて１８時間粉砕した。作製した粉砕粉にバインダー（ＰＶＡ）を添加し、造粒した。造粒後圧縮成形し、その後、酸素雰囲気中、１３４０℃で３時間焼結した。
【００２８】
【表１】
0005541475.tif 000002
【００２９】
上記のように作製した比較例１〜５、実施例１〜３の焼結体の焼結体密度を評価し、表２に示した。また内部断面を鏡面研磨して撮影した１０００倍のＳＥＭ写真により、観察面積を４００００μｍ２としてスピネル相、ＢａＦｅ２Ｏ４相の面積を測定し、これらの面積を空孔を除いた観察領域全体の面積で除して各相の生成率を面積比率として算出した。表２に各相の面積比率を併せて示した。なお、本実施例の１０００倍のＳＥＭ写真では、Ｚ型フェライト相、スピネル型フェライト相及びＢａＦｅ２Ｏ４相以外の相が確認されなかったため、ここで述べる面積比率は、実質的に、焼結体中のＺ型フェライト相、スピネル型フェライト相及びＢａＦｅ２Ｏ４相の全体に対するスピネル型フェライト相またはＢａＦｅ２Ｏ４相の割合に相当する。図２〜４に比較例１、比較例５および実施例２のＳＥＭ写真を示した。図２には写真大部分を占めるＺ型フェライト相５の他に、周囲より暗く見えるスピネル相６及び空孔７が存在していることが分かる。また図３には周囲よりも明るいコントラストを示すＢａＦｅ２Ｏ４相８が存在していることが確認できる。また、図４に示す実施例２の試料ではこれら異相が観察されず、ポアの他にはＺ型フェライト相のみが観察された。なお、これらの相は、ＸＲＤ（Ｘ線回折パターン）及びＥＤＸ（エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置）を用いて同定した。
【００３０】
表２より、１３３０℃において酸素中で仮焼を行なった場合、ＢａＯが１８ｍｏｌ％未満である比較例１を除き何れもスピネル相及びＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率は１％以下であった。実施例１〜３の試料では、スピネル相及びＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率は０％であった。すなわち、実質的にスピネル相及びＢａＦｅ２Ｏ４相が生成していないことがわかる。また、焼結体密度はＢａＯを１８ｍｏｌ％以上とすることで、５．０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上となることが分かる。一方、１２００℃において大気で仮焼を行なった比較例５では、Ｂａリッチな組成を用いたことにより、５．２１×１０３ｋｇ／ｍ３の高い焼結体密度が得られるが、１％を超えるＢａＦｅ２Ｏ４相の生成が確認された。なお、１２００℃において大気で仮焼を行なった、ＢａＯが１８ｍｏｌ％未満である比較例４では異相の生成は見られなかったものの焼結体密度が低く、望ましい焼結体が得られないことが分かる。
【００３１】
【表２】
0005541475.tif 000003
【００３２】
上記比較例１〜５、実施例１〜３の試料の１００ｋＨｚの初透磁率、体積抵抗率、配向度および粉砕粉の比表面積を表３に示した。１００ｋＨｚの初透磁率は前述したギャップ法を用いて最も初透磁率が高くなる方向で評価した。該方向は本実施例では成形中に磁界を印加した方向に相当する。粉砕粉の比表面積はＭａｃｓｏｒｂ社製Ｍｏｄｅｌ−１２０１を用いてガス吸着法（ＢＥＴ法）により評価した。体積抵抗率は２端子法にて評価した。配向度ｆは作製した焼結体の中で最もＣ面から回折線強度：Ｉ（００Ｌ）が弱くなるような断面が得られるよう焼結体を切断し、切断面におけるＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ  ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行い、配向度ｆを評価した。本実施例においては、磁界を印加した方向を法線に持つ面を用いて、Ｘ線回折パターンを取得した。２θ＝２０〜８０°の測定範囲でＸＲＤを行い、得られたＸ線回折パターンにおいて、六方晶Ｚ型フェライトの全ての回折ピークの積分強度和をΣＩ（ＨＫＬ）とし、Ｌ＝０であるすべての（ＨＫ０）の回折ピークの積分強度和をΣＩ（ＨＫ０）とした。ｆｃ⊥＝ΣＩ（ＨＫ０）／ΣＩ（ＨＫＬ）の式から配向度ｆｃ⊥を算出した。なお、Ｉ（ＨＫＬ）とは（ＨＫＬ）)面の回折線のピーク角度をθ（ＨＫＬ）とした時、θ（ＨＫＬ）−０.４°からθ（ＨＫＬ）＋０.４°までの範囲で積分した値である。
【００３３】
【表３】
0005541475.tif 000004
【００３４】
表３に示したように配向処理を行なった比較例１〜３及び実施例１〜３は何れも配向度ｆが０．６を超え、配向処理を行なわなかった比較例４，５は共に０．３未満であった。初透磁率は比較例１〜３で４０以上、実施例１〜３で５０以上であったが、比較例４，５では２０以下であった。より詳細には、１８〜２１ｍｏｌ％のＢａＯ、１０〜１１．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、残部Ｆｅ２Ｏ３の主成分組成を有する、実施例１〜３の試料では、初透磁率は６０以上であり、比較例の試料に比べて大幅に初透磁率が向上していることがわかる。さらに、配向度が０.７以上の実施例１および２では６５以上の非常に高い初透磁率が得られた。また、粉砕粉の比表面積は組成がＢａＯ過剰側にて増加する傾向があり、比表面積が３．５４ｍ２／ｇを超えると５．０５×１０３ｋｇ／ｍ３以上の焼結体密度が得られていることが分かる。
【００３５】
実施例１〜３、比較例１〜３の組成に対し、Ｆｅ２Ｏ3の一部をＭｎＯで置換した組成の焼結体試料を作製した（比較例６〜８、実施例４〜６）。その組成を表４に示した。また、表５に比較例６〜８、実施例４〜６の試料のスピネル相及びＢａＦｅ２Ｏ４相の面積比率及び焼結体密度を示した。表５に示すように、比較例６の試料では４．８％のスピネル相が生成したが、他の比較例７、８、実施例４〜６の試料にはスピネル相及びＢａＦｅ２Ｏ４相ともに観察されなかった。また表６に上記手法にて評価した１００ｋＨｚの初透磁率、体積抵抗率、配向度、粉砕粉の比表面積を示した。
【００３６】
表６に示したように比較例６〜８、実施例４〜６はいずれも配向度ｆが０．６以上となっているが、初透磁率は比較例６〜８では４０未満となり、実施例４〜６では、４０以上の初透磁率が得られている。また、同時にＦｅ２Ｏ３の一部をＭｎＯで置換することによって、１０3Ω・ｍを以上の高い体積抵抗率が得られている。実施例４〜６の試料は、実施例１〜３に比べて、初透磁率がやや低いものの、４０以上の高透磁率と１０3Ω・ｍ以上の高体積抵抗率の併せ持ち、優れた特性を具備している。特に、１９〜２０ｍｏｌ％のＢａＯ、１０〜１０．５ｍｏｌ％のＣｏＯ、２〜３ｍｏｌ％の２（ＭｎＯ）、残部Ｆｅ２Ｏ３の主成分組成範囲に入る実施例５の試料は、５０以上の初透磁率と１０3Ω・ｍ以上の高体積抵抗率を示した。
【００３７】
【表４】
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【００３８】
【表５】
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【００３９】
【表６】
0005541475.tif 000007
【００４０】
実施例２、実施例５の焼結体よりリング形状の試料を切り出し、インピーダンスメータ４２９１Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）にて１０ＭＨｚ〜１.８ＧＨｚまでの複素比初透磁率を測定した。得られた初透磁率に対し１００ＭＨｚの初透磁率実数部が２０％低下する周波数を評価したところ実施例２、実施例５ではそれぞれ５．7０ＧＨｚ、８．２５ＧＨｚとＦｅ２Ｏ３の一部をＭｎＯで置換することにより初透磁率の周波数特性が改善することが分かった。ＭｎＯに置換することにより１００ｋＨｚの初透磁率は同組成のＭｎＯを置換しなかった場合に比べ、１０〜２０程度低下するが上記のように体積抵抗率・周波数特性向上の効果が発揮された。
【００４１】
また、比較例６及び実施例２の観察領域全体の面積をＡmm2、スピネル相の面積をＢmm2、空隙の面積をＣmm2としたとき、観察領域全体に占めるスピネル相の割合（Ｂ／Ａ）を観察領域全体に占める空隙の割合（Ｃ／Ａ）で除して、空隙の面積に対するスピネル相の面積の比を算出したところそれぞれ１．０２及び０となった。すなわち比較例６では空隙よりもスピネル相の方が多くなっていた。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】ギャップ法の測定方法を示す概念図である。
【図２】比較例１の焼結体のＳＥＭ像である。
【図３】比較例５の焼結体のＳＥＭ像である。
【図４】実施例２の焼結体のＳＥＭ像である。
【符号の説明】
【００４３】
１：高透磁率磁性体  ２：測定試料  ３：インピーダンスアナライザ  ４：焼結体
５：スピネル相  ６：空孔  ７：ＢａＦｅ２Ｏ４相  ８：Ｚ型フェライト相
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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