(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面の上に形成された第１の窒化物半導体層及び該第１の窒化物半導体層の上に形成され、前記第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含み、前記基板の主面と平行な方向に電子が走行するチャネルを有する半導体層積層体と、
前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたカソード電極及びアノード電極と、
前記半導体層積層体の上における前記カソード電極と前記アノード電極との間の領域を覆う保護膜とを備え、
前記アノード電極は、
前記半導体層積層体の上に形成されたｐ型の第３の窒化物半導体層と、
前記第３の窒化物半導体層の上に形成され前記第３の窒化物半導体層とオーミック接触する第１の金属層と、
前記第１の金属層と接し且つ前記第３の窒化物半導体層を挟んで前記カソード電極と反対側の位置において前記チャネルとオーミック接触する第２の金属層とを有し、
前記第２の金属層は、前記第３の窒化物半導体層と接することを特徴とするダイオード。
【請求項２】
基板の主面の上に形成された第１の窒化物半導体層及び該第１の窒化物半導体層の上に形成され、前記第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含み、前記基板の主面と平行な方向に電子が走行するチャネルを有する半導体層積層体と、
前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたカソード電極及びアノード電極と、
前記半導体層積層体の上における前記カソード電極と前記アノード電極との間の領域を覆う保護膜とを備え、
前記アノード電極は、
前記半導体層積層体の上に形成されたｐ型の第３の窒化物半導体層と、
前記第３の窒化物半導体層の上に形成され前記第３の窒化物半導体層とオーミック接触する第１の金属層と、
前記第１の金属層と接し且つ前記第３の窒化物半導体層を挟んで前記カソード電極と反対側の位置において前記チャネルとオーミック接触する第２の金属層とを有し、
前記第１の金属層は、前記第２の窒化物半導体層と接することを特徴とするダイオード。
【請求項３】
前記第１の窒化物半導体層は複数であり、
前記第２の窒化物半導体層は複数であり、
前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層とは交互に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイオード。
【請求項４】
前記半導体層積層体は、前記複数の第１の窒化物半導体層のうちの最下層の第１の窒化物半導体層と、前記複数の第２の窒化物半導体層のうちの最下層の第２の窒化物半導体層との界面に達していない凹部を有し、
前記第３の窒化物半導体層は、前記凹部を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載のダイオード。
【請求項５】
前記凹部は、前記最下層の第２の窒化物半導体層に達していることを特徴とする請求項４に記載のダイオード。
【請求項６】
前記半導体層積層体は、前記第２の窒化物半導体層を貫通し且つ前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層との界面よりも下側に達するアノードリセスを有し、
前記第２の金属層は、前記チャネルと直接接していることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイオード。
【請求項７】
前記第２の金属層と前記チャネルとが接する位置と、前記第３の窒化物半導体層の前記カソード電極と反対側の端部の位置とは、実質的に揃っていることを特徴とする請求項６に記載のダイオード。
【請求項８】
前記第２の窒化物半導体層は、前記第１の窒化物半導体層に達していない凹部を有し、
前記第３の窒化物半導体層は、前記凹部を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイオード。
【請求項９】
前記第３の窒化物半導体層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のダイオード。
【請求項１０】
前記第１の金属層は、ニッケル又はパラジウムを含む材料からなり、
前記第２の金属層は、アルミニウム又はチタンを含む材料からなることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体を用いたダイオードに関し、特に電源回路等に用いられるパワーデバイスに適用できるダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表される窒化物半導体はワイドギャップ半導体であり、例えばＧａＮ及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の室温におけるバンドギャップはそれぞれ３．４ｅＶ及び６．２ｅＶである。窒化物半導体は、絶縁破壊電界が大きいという特徴や、電子の飽和ドリフト速度が砒化ガリウム（ＧａＡｓ）等の化合物半導体又はシリコン（Ｓｉ）半導体等と比べて大きいという特長を有している。ＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造においては（０００１）面上にて自発分極及びピエゾ分極によりヘテロ界面に２次元電子ガス（２ＤＥＧ：2 Dimensional Electron Gas）が生じる。２ＤＥＧのシートキャリア濃度は、アンドープ時においても１×１０13ｃｍ-2以上であり、２ＤＥＧを利用することにより、電流密度が大きいダイオード及びヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ：Hetero-junction Field Effect Transistor）を実現できる。このように、高出力化及び高耐圧化に有利な窒化物半導体を用いたパワーデバイスの研究開発が現在活発に行われている。
【０００３】
パワーデバイスとして用いるダイオードの１つにショットキーダイオードがある。ＧａＮ系のダイオードとしてＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造を用いたショットキーダイオードが開発されている。ＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造を用いたショットキーダイオードは、アンドープＡｌＧａＮ層とアンドープＧａＮ層との界面に発生する２ＤＥＧをチャネルとして用いるため低抵抗で且つ大電流動作が可能である。
【０００４】
一般に、ショットキーダイオードはスイッチング特性が優れているという長所を有しているが、逆方向リーク電流が大きいという短所がある。ショットキーダイオードの逆方向リーク電流を低減するために、次のような方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。アノード電極にショットキーバリア高さが互いに異なる２種類のメタルを用い、ショットキーバリア高さが低いメタルをショットキーバリア高さが高いメタルで覆うようにする。このような構成とすれば、順方向においてはショットキーバリア高さが低いメタルに電流が流れるため低い立上り電圧を維持でき、ダイオードの導通損失を低減できる。逆方向においてはショットキーバリア高さが高いメタルによりダイオードをオフ状態とすることができるので逆方向リーク電流も低減できると期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３１７８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記の方法では、パッシベーション膜を形成した場合には逆方向リーク電流の低減を十分に行うことができないという問題があることを本願発明者は見出した。ＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造を用いたショットキーダイオードにおいては、不純物がデバイスに侵入することを防ぐために、デバイスの表面を覆うパッシベーション膜を形成する。パッシベーション膜は表面準位の形成を抑制し電流コラプスと呼ばれる順方向電流の低下現象を低減する効果も有する。パッシベーション膜はＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造を用いたショットキーダイオードにおいて実用上不可欠である。しかし、パッシベーション膜を形成するとダイオードの逆方向リーク電流が大幅に増加することを本願発明者は見出した。ダイオードの逆方向リーク電流が増加する原因は、パッシベーション膜とアンドープＡｌＧａＮ層との界面にリークパスが形成されることによると考えられる。２種類のメタルを用いたアノード電極を用いても、パッシベーション膜によって生じる逆方向リーク電流は十分に抑制できない。また、ダイオードの立ち上がり電圧をさらに低くして導通損失を低減することが求められているが、ショットキーバリアの高さが低いメタルもショットキーバリアを形成するため、順方向立ち上がり電圧の低減には限界がある。
【０００７】
本発明は前記の問題を解決し、パッシベーション膜を形成した場合においても逆方向リーク電流を十分に低減した窒化物半導体からなるダイオードを実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明はダイオードを、アノード電極がｐ型の窒化物半導体層と、ｐ型の窒化物半導体層とオーミック接触する第１の金属層と、第１の金属層と接続されチャネルとオーミック接触する第２の金属層とを有している構成とする。
【０００９】
具体的に、本発明に係るダイオードは、基板の主面の上に形成された第１の窒化物半導体層及び第１の窒化物半導体層の上に形成され、第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含み、基板の主面と平行な方向に電子が走行するチャネルを有する半導体層積層体と、半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたカソード電極及びアノード電極と、カソード電極とアノード電極との間において半導体層積層体の上を覆う保護膜とを備え、アノード電極は、半導体層積層体の上に形成されたｐ型の第３の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層の上に形成され第３の窒化物半導体層とオーミック接触する第１の金属層と、第１の金属層と接し且つ第３の窒化物半導体層を挟んでカソード電極と反対側の位置においてチャネルとオーミック接触する第２の金属層とを有している。
【００１０】
本発明のダイオードは、アノード電極が、半導体層積層体の上に形成されたｐ型の第３の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層の上に形成され第３の窒化物半導体層とオーミック接触する第１の金属層と、第１の金属層と接し且つ第３の窒化物半導体層を挟んでカソード電極と反対側の位置において２次元電子ガス層とオーミック接触する第２の金属層とを有している。このため、順方向のバイアスが印加された場合には、チャネルとオーミック接触する第２の金属層により非常に小さいオン抵抗を実現できる。また、逆方向のバイアスが印加された場合には、第３の窒化物半導体層から拡がる空乏層によりカソード電極からアノード電極へ流れる電流を遮断できる。また、第３の窒化物半導体層により、保護膜と半導体層積層体との界面に生じる電流パスを遮断できるので、保護膜を形成した場合にも逆方向リーク電流を小さく抑えることができる。さらに、第３の窒化物半導体層とチャネルとの間隔を調整することにより、立ち上がり電圧を調整することが可能となる。
【００１１】
本発明のダイオードにおいて、第１の窒化物半導体層は複数であり、第２の窒化物半導体層は複数であり、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とは交互に形成されていてもよい。
【００１２】
この場合において、半導体層積層体は、複数の第１の窒化物半導体層のうちの最下層の第１の窒化物半導体層と、複数の第２の窒化物半導体層のうちの最下層の第２の窒化物半導体層との界面に達していない凹部を有し、第３の窒化物半導体層は、凹部を埋めるように形成されていてもよい。
【００１３】
さらに、凹部は、最下層の第２の窒化物半導体層に達していてもよい。
【００１４】
本発明のダイオードにおいて、半導体層積層体は、第２の窒化物半導体層を貫通し且つ２次元電子ガス層よりも下側に達するアノードリセスを有し、第２の金属層は、チャネルと直接接していてもよい。
【００１５】
この場合において、第２の金属層とチャネルとが接する位置と、第３の窒化物半導体層のカソード電極と反対側の端部の位置とは、実質的に揃っていてもよい。
【００１６】
本発明のダイオードにおいて、第２の窒化物半導体層は、第１の窒化物半導体層に達していない凹部を有し、第３の窒化物半導体層は、凹部を埋めるように形成されていてもよい。
【００１７】
本発明のダイオードにおいて、第３の窒化物半導体層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）とすればよい。
【００１８】
本発明のダイオードにおいて、第１の金属層は、ニッケル又はパラジウムを含む材料からなり、第２の金属層は、アルミニウム又はチタンを含む材料からなる構成とすればよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るダイオードによれば、パッシベーション膜を形成した場合においても逆方向リーク電流を十分に低減したダイオードを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】一実施形態に係るダイオードを示す断面図である。
【図２】一実施形態に係るダイオードの変形例を示す断面図である。
【図３】一実施形態に係るダイオードの変形例を示す断面図である。
【図４】一実施形態に係るダイオードの変形例を示す断面図である。
【図５】一実施形態に係るダイオードの変形例を示す断面図である。
【図６】一実施形態に係るダイオードの変形例を示す断面図である。
【図７】一実施形態に係るダイオードの変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下において、３元混晶であるＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）は、ＡｌＧａＮと略記する。他の多元混晶もそれぞれの構成元素記号の配列、例えばＡｌＩｎＮ、ＧａＩｎＮ等と略記する。例えば、ＡｌxＧａ1-x-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）はＡｌＧａＩｎＮと略記する。
【００２２】
アンドープとは、意図的に不純物を添加していないことを意味し、例えば、アンドープのＡｌＧａＮは、ｉ−ＡｌＧａＮと略記する。
【００２３】
図１は、一実施形態に係る窒化物半導体を用いたダイオードの断面構成を示している。図１に示すように、本実施形態のダイオードは、基板１０１の上に半導体層積層体１０２が形成されている。基板１０１は、Ｓｉ基板、サファイア基板、炭化珪素（ＳｉＣ）基板又はＧａＮ基板等とすればよい。半導体層積層体１０２は、順次形成された膜厚が２μｍの緩衝層１２０、膜厚が３μｍのｉ−ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１２１及び膜厚が２５ｎｍのｉ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎからなる第２の窒化物半導体層１２２とすればよい。第１の窒化物半導体層１２１の第２の窒化物半導体層１２２との界面近傍には、２ＤＥＧからなるチャネルが形成されている。
【００２４】
半導体層積層体１０２の上には、カソード電極１０３とアノード電極１０４とが互いに間隔をおいて形成されている。半導体層積層体１０２のカソード電極１０３とアノード電極１０４との間の部分は、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護膜（パッシベーション膜）１０６に覆われている。
【００２５】
カソード電極１０３は、第１の窒化物半導体層１２１と第２の窒化物半導体層１２２との界面よりも下側に達するカソードリセスに形成されており、チャネルとオーミック接触している。カソード電極１０３は、２ＤＥＧと容易にオーミック接触するチタン（Ｔｉ）又はアルミニウム（Ａｌ）等を含む材料により形成すればよく、例えば、ＴｉとＡｌとの合金等とすればよい。
【００２６】
アノード電極１０４は、第２の窒化物半導体層１２２の上に選択的に形成された第３の窒化物半導体層１４３と、第３の窒化物半導体層１４３の上に形成された第１の金属層１４１と、第１の金属層１４１と接する第２の金属層１４２とを有している。第３の窒化物半導体層１４３は、例えばキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3程度のｐ−ＡｌＧａＮ層とすればよい。第１の金属層１４１は、ｐ型の第３の窒化物半導体層１４３とオーミック接触する、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）又はパラジウム（Ｐｄ）等を含む材料により形成すればよく、例えばＮｉとＰｄとの積層体等とすればよい。第２の金属層１４２は、第３の窒化物半導体層１４３を挟んでカソード電極１０３と反対側に形成されたアノードリセスに形成されており、チャネルとオーミック接触している。第２の金属層１４２は、ＴｉとＡｌとの合金等とすればよい。
【００２７】
本実施形態のダイオードは、アノード電極１０４が、ｐ型の第３の窒化物半導体層１４３と、第３の窒化物半導体層１４３とオーミック接触する第１の金属層１４１と、第１の金属層１４１と接続され且つチャネルとオーミック接触する第２の金属層１４２とを有している。第２の金属層１４２は、チャネルとオーミック接触しているため、アノード電極１０４に順方向バイアスを印加した場合には、オン抵抗を非常に小さくすることができる。一方、アノード電極１０４に逆バイアスを印加すると、ｐ型の第３の窒化物半導体層１４３からその直下の半導体層積層体１０２へ空乏層が拡がる。これにより、チャネルが狭窄されカソード電極１０３からアノード電極１０４への電流が遮断される。また、保護膜１０６と半導体層積層体１０２との間に生じるリークパスは、ｐ型の第３の窒化物半導体層１４３により遮断される。このため、パッシベーション膜を設けた場合の逆方向リーク電流を非常に小さくすることができる。ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造の上にショットキー電極であるアノード電極とオーミック電極であるカソード電極とを形成した通常のショットキーダイオードと比較すると、保護膜を形成した場合にはリーク電流を４桁程度低減できる。また、保護膜を形成する前のショットキーダイオードと比較しても逆方向リーク電流を、ほぼ同等から１桁程度低い値に抑えることができる。
【００２８】
本実施形態のダイオードの順方向立ち上がり電圧は、ｐ型の第３の窒化物半導体層１４３の不純物濃度及び第３の窒化物半導体層１４３の直下における第２の窒化物半導体層１２２の膜厚等によって決まる。例えば、第３の窒化物半導体層１４３の直下における第２の窒化物半導体層１２２の膜厚を薄くすれば、順方向立ち上がり電圧を低くすることができ、膜厚を厚くすれば順方向立ち上がり電圧を高くすることができる。このため、図２に示すように、第２の窒化物半導体層１２２に凹部を形成し、凹部を埋めるように第３の窒化物半導体層１４３を形成することにより、順方向立ち上がり電圧を低くし、導通損失を低減したダイオードを実現できる。また、凹部の深さを調整することにより順方向立ち上がり電圧を調整することが可能となる。
【００２９】
本実施形態のダイオードは、アノードに印加する電圧をｐ型の第３の窒化物半導体層１４３からホール注入が生じる電圧よりも低い１．５Ｖ程度とした状態で動作させることができる。この場合、順方向動作の際にｐ型の第３の窒化物半導体層１４３はダイオード動作に関与しない。従って、順方向バイアスの状態から逆方向バイアスの状態に切り換える際のリカバリー時間が短く、優れたリカバリー特性を示す。
【００３０】
第１の金属層１４１は、図３に示すように第３の窒化物半導体層１４３の上だけでなく、第２の窒化物半導体層１２２とも接するように形成してもよい。第１の金属層１４１を第３の窒化物半導体層１４３の上にだけ形成しようとすると、位置合わせ等を精度良く行う必要があるが、図３に示すようにすれば第１の金属層１４１を形成する際のマージンを大きく確保することができる。また、第２の金属層１４２と第１の金属層１４１との間の抵抗を低減することもできる。
【００３１】
第２の金属層１４２は、第１の金属層１４１と電気的に接続され且つ第３の窒化物半導体層１４３を挟んでカソード電極１０３と反対側においてチャネルとオーミック接触していればよい。第２の金属層１４２がチャネルと接する位置と、第３の窒化物半導体層１４３のカソード電極１０３と反対側の端部との間隔ができるだけ狭い方が、オン抵抗を小さくでき、ダイオードの大きさも小さくできる。このため、図４に示すようにアノードリセスを、第３の窒化物半導体層１４３のカソード電極１０３と反対側の端部の位置と揃えて形成し、第２の金属層１４２がチャネルと接する位置と、第３の窒化物半導体層１４３のカソード電極１０３と反対側の端部との間隔ｔをできるだけ小さくすることが好ましい。実際には、アノードリセスを形成する際に若干のテーパが生じるため、間隔ｔは完全に０にはならないが、ほぼ０にすることができ、オン抵抗を低減できる。
【００３２】
本実施形態においては、第２の窒化物半導体層１２２と第１の窒化物半導体層１２１との界面よりも下側に達するアノードリセスを形成することにより、第２の金属層１４２をチャネルと直接オーミック接触させた構成について説明した。しかし、第２の金属層１４２は、チャネルとオーミック接触していればよく、図５に示すように第２の金属層１４２を第２の窒化物半導体層１２２の上に形成してもよい。また、カソード電極１０３についても、第２の金属層１４２と同様に、第２の窒化物半導体層１２２の上に形成してもよい。第２の金属層１４２又はカソード電極１０３を第２の窒化物半導体層１２２の上に形成する場合には、第２の金属層１４２又はカソード電極１０３直下において半導体層積層体１０２にＳｉ等のｎ型の不純物を注入してもい。このようにすれば、第２の金属層１４２又はカソード電極１０３とチャネルとのオーミック性を向上させることができる。
【００３３】
オン抵抗をさらに低減するために、図６に示すように、半導体層積層体１０２を、ｉ−ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１２１と、ｉ−ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１２２とが交互に積層されたマルチチャネル層１２５を有している構成としてもよい。マルチチャネル層１２５を形成した場合には、各第１の窒化物半導体層における第１の窒化物半導体層１２１と第２の窒化物半導体層１２２との界面近傍のそれぞれにチャネルとなる２ＤＥＧが発生する。チャネルが複数となることにより、オン抵抗を大幅に低減することが可能となる。
【００３４】
図６は、マルチチャネル層１２５が２組の第１の窒化物半導体層１２１と第２の窒化物半導体層１２２とによって形成されている例を示しているが、第１の窒化物半導体層１２１と第２の窒化物半導体層１２２との組数は３組以上であってもよい。第１の窒化物半導体層１２１と第２の窒化物半導体層１２２との組数が多いほどオン抵抗を低減できるが、あまり組数を多くすると形成が困難になる。２０組程度までは問題なく形成できる。第１の窒化物半導体層１２１の膜厚は、最下層を除いて２０ｎｍ〜８０ｎｍ程度とすればよい。第２の窒化物半導体層１２２の膜厚は１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度とすればよい。
【００３５】
マルチチャネル層１２５を用いる場合にも、第３の窒化物半導体層１４３を凹部に形成してもよい。この場合には図７に示すように、最下層の第２の窒化物半導体層１２２と最下層の第１の窒化物半導体層１２１との界面に達していない凹部を形成すればよい。凹部は必ずしも最下層の第２の窒化物半導体層１２２に達している必要はなく、必要とする順方向立ち上がり電圧に応じて凹部の深さを調整すればよい。
【００３６】
オン抵抗の低減のためには第２の金属層１４２及びカソード電極１０３を形成するリセスが、最下層の第２の窒化物半導体層１２２と最下層の第１の窒化物半導体層１２１との界面よりも下側に達していることが好ましいが、達していなくてもよい。第２の金属層１４２及びカソード電極１０３を最上層の第２の窒化物半導体層１２２の上に形成してもよい。この場合には、第２の金属層１４２及びカソード電極１０３の下側において、半導体層積層体にＳｉ等の不純物を注入してオーミック接触しやすくしてもよい。
【００３７】
第１の窒化物半導体層１２１がＧａＮ層であり、第２の窒化物半導体層がＡｌＧａＮ層である例を示したが、第１の窒化物半導体層１２１よりも第２の窒化物半導体層１２２のバンドギャップを大きくできれば、ＡｌxＧａ1-x-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）により表される任意の組成の窒化物半導体層を組み合わせて用いることができる。また、マルチチャネル層１２５を形成する場合には、すべての第１の窒化物半導体層が同一の組成である必要はなく、すべての第２の窒化物半導体層が同一の組成である必要もない。第３の窒化物半導体層は、ｐ型であればＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）により表される任意の組成の窒化物半導体層としてかまわない。また、第３の窒化物半導体層に含まれるｐ型不純物の濃度も適宜変更してかまわない。保護膜１０６はＳｉＮ膜に代えてＡｌＮ膜等としてもよい。
【００３８】
各図は、基本的なカソード電極とアノード電極との配置を示している。これに限らず、アノード電極の両側にそれぞれカソード電極を形成したり、アノード電極の周りを囲むようにカソード電極を形成してもよい。例えば、アノード電極を平面円形状に形成し、カソード電極をアノード電極を囲む平面リング状としてもよい。また、アノード電極とカソード電極とを逆にして、カソード電極の周りを囲むようにアノード電極を配置してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係るダイオードは、パッシベーション膜を形成した場合においても逆方向リーク電流を十分に低減した窒化物半導体からなるダイオードを実現でき、特にテレビを含む民生機器の電源回路等に用いることができるパワーデバイスとして有用である。
【符号の説明】
【００４０】
１０１      基板
１０２      半導体層積層体
１０３      カソード電極
１０４      アノード電極
１０６      保護膜
１２０      緩衝層
１２１      第１の窒化物半導体層
１２２      第２の窒化物半導体層
１２５      マルチチャネル層
１４１      第１の金属層
１４２      第２の金属層
１４３      第３の窒化物半導体層
【図１】
0005645304.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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