(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的水素化反応において使用され、触媒の内面がイオン液体で被覆されることを特徴とする多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項２】
粉末又は成形体として構成されることを特徴とする請求項１に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項３】
触媒のＢＥＴ比表面積は、イオン液体被覆がなければ、１０〜３００ｍ2 ／ｇであることを特徴とする請求項１又は２に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項４】
触媒の全孔容積は、イオン液体被覆がなければ、１００ｍｍ3 ／ｇより大きいことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項５】
イオン液体の陽イオンは、以下の一般式ＩＬ−１〜ＩＬ−２３の化合物から選択され、
【化１】
0005544454.tif 000005
0005544454.tif 000006
ラジカルＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ他と独立して、水素、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘトロ原子、及び／又はＣ1-Ｃ18アルキル置換複素環、Ｃ12-Ｃ18アルキル、Ｃ6-Ｃ12アリール、（一つ又は複数の隣接しない酸素原子、及び／又は硫黄原子、及び／又は一つ又は複数の置換された又は置換されていない）イミノ基に割り込まれたＣ5-Ｃ12シクロアルキル、（酸素原子、窒素原子及び／又は硫黄原子を有する）５〜６員複素環からなる群から選択されたラジカルであり、
前記のラジカルの二つは、不飽和である又は飽和された環部分であって（一つ又は複数の酸素原子、及び／又は、硫黄原子、及び／又は、一つ又は複数の置換された又は置換されていない）イミノ基に任意的に割り込まれる環部分の生成で、ともに結合され、
環部分は、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘトロ原子及び／又は複素環ラジカルによって、置換され、
そして加えて、Ｒ4は、Ｃ1-Ｃ18アルキロイル、Ｃ1-Ｃ18アルキルオキシカルボニル、Ｃ5-Ｃ12シクロアルキルカルボニル及びＣ6-Ｃ12アリーロイルからなるラジカルの群から選択され、
前記群のメンバーは、一つ又は複数の官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘトロ原子及び／又は複素環ラジカルによって、それぞれ置換され、
Ｃ1-Ｃ18、Ｃ5-Ｃ12、又はＣ6-Ｃ12は、アルキル鎖を参照することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項６】
イオン液体の陰イオンは、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＢＦ4-、アルキル硫酸塩、エーテル硫酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、トリフラート、亜硫酸塩、硫酸水素塩、メチル硫酸塩、エチル硫酸塩、亜硫酸塩、亜硫酸水素、塩化アルミニウム、三臭化アルミニウム、亜硝酸塩、硝酸塩、金属錯体、金属ハロゲン、リン酸塩、リン酸、リン酸水素、リン酸二水素、炭酸塩、炭酸水素塩、スルホン酸塩、トシル基、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、シアン化物及びイソシアン酸塩、からなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項７】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１．７イオン層の厚さより大きく且つイオン液体の８．６イオン層の厚さより小さいことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項８】
イオン液体被覆は、均一系触媒を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項９】
多孔質触媒は、担持触媒であって、触媒担体は、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、ケイ酸マグネシウム、酸化亜鉛、ゼオライト、及び、例えばカーボン・ナノチューブ又はカーボン・ナノフィブルのようなナノマテリアルからなる群から選択された材料を使用して生成されることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の多孔質不均一系遷移金属担持触媒。
【請求項１０】
内面がイオン液体で被覆される多孔質不均一系遷移金属担持触媒の生成プロセスであって、以下のステップを含むことを特徴とする生成プロセス。
ａ）所定の溶媒の中にイオン液体を溶解するステップ。
ｂ）多孔質不均一系遷移金属担持触媒を、ステップａ）によるイオン液体を含んでいる溶媒と接触させるステップ。
ｃ）溶媒を取り除くステップ。
【請求項１１】
多孔質不均一系遷移金属担持触媒は、請求項１〜９の何れか１項に記載の触媒であることを特徴とする請求項１０に記載の生成プロセス。
【請求項１２】
内面がイオン液体で被覆される多孔質不均一系遷移金属担持触媒の生成プロセスであって、以下のステップを含むことを特徴とする生成プロセス。
ａ）所定の溶媒の中にイオン液体を溶解するステップ。
ｂ）吸引によってもたらされる流れと大気圧以下の圧力とが支配するチャンバーの中に、多孔質不均一系遷移金属担持触媒を導入するステップ。
ｃ）イオン液体を含んでいる溶媒をチャンバーの中に導入するステップ。
ｄ）ガスとイオン液体を含んでいる溶媒との混合体を生成するステップ。
ｅ）ステップｄ）からの混合体を触媒に連続的に通すステップ。
ｆ）溶媒を取り除くステップ。
【請求項１３】
シクロオレフィンを生成するための芳香族化合物の水素化、エチレンを形成するためのアセチレンの水素化、1-ブテン及び／又は2-ブテンを形成するためのブタジエンの水素化、スチレンを形成するためのフェニルアセチレンの水素化、プロピレンを形成するためのメチルアセチレン及びプロパジエンの水素化、芳香族化合物をロスすること無しで芳香族化合物のフローの中におけるオレフィン及びジオレフィンの水素化、又はシクロドデセンを形成するためのシクロドデカトリエンの水素化のために、請求項１〜９の何れか１項に記載の触媒を使用することを特徴とする触媒使用方法。                                                                              
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多孔質不均一系遷移金属担持触媒、生成プロセス、及び触媒使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
選択的水素化反応は、例えば有用な中間生産物を合成して生成するための石油処理によって得られるカーボンカットのプロセス（例えば、シクロオレフィンを生成するための芳香族化合物の選択的水素化、エチレンを生成するためのアセチレンの水素化、1-ブテン及び／又は2-ブテンを生成するためのブタジエンの水素化、及びスチレンを生成するためのフェニルアセチレンの水素化）において、非常に重要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
選択的水素化反応において使用される触媒は、しばしば、例えばニッケル担持触媒、パラジウム担持触媒、又は白金担持触媒といった、金属担持触媒である。これらの触媒は、所望の水素化反応を促進し、同じことに関して所定の選択性をまた有するが、望まれていない副産物の比率は、特に高い変換速度において、一般に、まだ比較的高い。
【０００４】
本発明の目的は、それゆえ、ポリ不飽和化合物の各不飽和結合における比較的高い水素化選択性で触媒作用を及ぼす触媒を提供することである。
【０００５】
この目的は、触媒の内面がイオン液体（ＩＬ）で被覆されるという、前記によるタイプの触媒を基幹として達成される。
【０００６】
ポリ不飽和化合物の各不飽和結合の水素化においては、発明による触媒は、比較的高い変換速度にて、比較的高い選択性を有する。
【０００７】
発明による触媒は、プロセス工学の点において容易に生成され得ると共に、すぐに入手できる物質をこのように安価で使用することができる。
【０００８】
発明による触媒は、気体又は液体の状態で反応を触媒するために使用され得るという有利な点もまた有する。しかしながら、発明による触媒の高い選択性をできる限り長く確保するために、触媒は、好ましくは、イオン液体被覆の剥離をもたらさない反応条件だけを基本的に受ける。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
既に上述したように、発明による触媒は、内面がイオン液体で被覆される多孔質不均一系遷移金属担持触媒である。多孔質不均一系触媒は、それ自身、前もって形成された触媒である、即ち、発明による触媒は、十分に作られた多孔質触媒を使用することと、それをイオン液体で被覆することとによって、生成される。
【００１０】
本発明は、イオン液体で被覆される特別な不均一系触媒に制限されない。適した触媒は、例えば、ニッケル、コバルト、銅、鉄、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム及び白金からなる群から選択された金属を含む。前に挙げられた金属の触媒は、任意に、骨格触媒の構成にもなり得る。不均一系触媒は、ドープされ得るし、又はドープされ得ない。適したドーピング金属は、例えば、ＩＵＰＡＣ命名法（Handbook of Chemistry and Physics ，第８０版，１９９９−２０００年）による要素の周期表におけるグループ３〜１２の要素から選択され得る。
【００１１】
発明による触媒が金属担持触媒を含むならば、触媒活性金属は、発明による触媒の総重量に対して、好ましくは０．１〜６０重量％、特に好ましくは１〜５０重量％、特に２〜１０重量％の量を有する。
【００１２】
ＷａｓｓｅｒｓｃｈｅｉｄとＫｅｉｍとによって、「Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ  Ｃｈｅｍｉｅ」２０００，１１２の３９２６〜３９４５頁で定義されているように、イオン液体は、比較的低い温度で溶ける塩である。イオン液体は、それゆえ比較的低い温度ですでに液体である。加えて、それらは、一般に、可燃性ではなく、そして、測定可能な蒸気圧を有しない。
【００１３】
本発明のフレームワーク内では、イオン液体は、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１００℃以下の融解点又は融解範囲を有する塩を意味する。
【００１４】
さらに、好まれるイオン液体は、好ましくは少なくとも１,０００ｇ／ｍｏｌ、特に好ましくは少なくとも５００ｇ／ｍｏｌのモル質量を有するそれらである。
【００１５】
さらに、好まれるイオン液体は、実際には有機であるそれらの陽イオン（カチオン）と、実際には有機又は無機であるそれらの陰イオン（アニオン）である。
【００１６】
イオン液体は、陽（ポジティブ）イオン及び陰（ネガティブ）イオンから構成されるが、電荷として全体で中性である。その陽（ポジティブ）イオンと、そしてまた、その陰（ネガティブ）イオンとは、主に１価であるが、５以下、好ましくは４以下、特に好ましくは３以下、特に好ましくは２以下の電荷を有する多価の陽イオン（アニオン）及び／又は陰イオン（カチオン）でも可能である。各イオンの中の電荷は、局部的であるか又は非局部的であるかのどちらかである。
【００１７】
本発明は、内面が特定のイオン液体で被覆された触媒に制限されず、全ての適したイオン液体が使用され得るし、異なったイオン液体の混合体もまた含まれる。
【００１８】
発明による触媒が対象とする目的により、触媒は、固体触媒又は担持不均一系触媒であるならば、好まれ得る。
【００１９】
発明の好まれる実施形態によれば、発明による触媒は、粉末又は成形体として構成される。
【００２０】
発明による触媒は、懸濁プロセスにおいて、高い生産性及び選択性を有する粉末として、使用され得る。粉末のような標準的な粒のサイズは、１０〜２５０マイクロメートルであるが、１マイクロメートルよりさらに小さい粒もまた、例えば触媒担体としてカーボンブラックを使用しているときに、使用され得る。
【００２１】
成形体は、例えば、固定ベッドで操作されるプロセスにおいて、好んで使用される。好まれる成形体は、球、コーン、ストランド、中空ストランド、星型ストランド、固体シリンダ、中空シリンダ、タブレット、三つ葉、砂粒、等であって、０．５〜５ｍｍの特徴のある直径、又は、モノリスや同じようなに構成されたパック（Ｕｌｌｍａｎｎ'ｓ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  第６版  ２０００年電子リリース  Ｃｈａｐｔｅｒ  Ｆｉｘｅｄ-Ｂｅｄ  Ｒｅａｃｔｏｒｓ,Ｐａｒ.２：Ｃａｔａｌｙｓｔ  Ｆｏｒｍｓ  ｆｏｒ  Ｆｉｘｅｄ−Ｂｅｄ  Ｒｅａｃｔｏｒｓ  参照）を有する。
【００２２】
イオン液体で被覆している多孔質不均一系触媒によって、触媒の活性が非常に顕著に減少し得るので、２ｃｍ以上の直径を有する成形体でさえも、受け入れなければならない生成物選択性に関して、重大なロスをすること無く使用され得ること、が発見された。好まれる成形体は、それゆえ、１ｍｍ〜２ｃｍ、好ましくは２ｍｍ〜１．８ｃｍ、好ましくは４ｍｍ〜１．５ｃｍ、そしてより好ましくは６ｍｍ〜１．２ｃｍの直径又は外寸を有する。
【００２３】
多孔質不均一系触媒は、金属担持触媒であり、金属担持触媒は、遷移金属担持触媒、好ましくは特に貴金属担持触媒である。
【００２４】
触媒のＢＥＴ比表面積は、イオン液体被覆がなければ、１０〜３００ｍ2 ／ｇ、好ましくは１５〜８０ｍ2 ／ｇ、特に好ましくは２０〜５０ｍ2 ／ｇであること、が好まれ得る。ＢＥＴ比表面積は、ドイツ工業規格６６１３２による窒素吸着によって、一点方法で測定される。
【００２５】
触媒のＢＥＴ比表面積は、イオン液体被覆があれば、８〜２４０ｍ2 ／ｇ、好ましくは１２〜６４ｍ2 ／ｇ、特に好ましくは１６〜４０ｍ2 ／ｇであること、がさらに好まれ得る。
【００２６】
加えて、触媒の全孔容積（ドイツ工業規格６６１３３（水銀ポロシメータ）により測定された孔容積）は、イオン液体被覆がなければ、１００ｍｍ3 ／ｇより大きく、好ましくは１８０ｍｍ3 ／ｇより大きいこと、が好まれ得る。
【００２７】
触媒の全孔容積は、イオン液体被覆があれば、８０ｍｍ3 ／ｇより大きく、好ましくは１４４ｍｍ3 ／ｇより大きいこと、もまた好まれ得る。
【００２８】
発明による触媒の好まれる実施形態によれば、触媒の孔容積の最大１０％、好ましくは最大８％、好ましくは最大６％、そして特に好ましくは最大５％は、イオン液体被覆がなければ、１０ｎｍより小さい半径を有する孔で構成される。
【００２９】
本発明による触媒のさらに好まれる実施形態によれば、触媒の孔容積の最大１０％、好ましくは最大８％、好ましくは最大６％、そして特に好ましくは最大５％は、イオン液体被覆がなければ、５００ｎｍより大きい半径を有する孔で構成される。
【００３０】
発明による触媒のさらに好まれる実施形態においては、触媒の平均孔直径は、イオン液体被覆がなければ、１０〜１００ｎｍであること、を提供される。
【００３１】
加えて、発明による触媒の好まれる変更によれば、触媒の平均孔直径は、イオン液体被覆があれば、５〜１００ｎｍとなり得る。
【００３２】
原則として、本発明のフレームワーク内では、発明による触媒は、どんなイオン液体及び陽イオン（カチオン）で被覆され得ると共に、それに応じてどんなタイプにでもなり得る。陽イオン（カチオン）として好まれるのは、一般に、例えばアンモニウムイオン、又はホスホニウムイオン、又は、五又は六員複素環を少なくとも一つ含む陽イオン（カチオン）であって、その複素環は、少なくとも一つのリン原子又は窒素原子と、任意に一つの酸素原子又は硫黄原子とを備える。特に好まれるのは、五又は六員複素環を少なくとも一つ含む陽イオン（カチオン）であって、その複素環は、一つ、二つ又は三つの窒素原子と、一つの硫黄原子又は一つの酸素原子とを備える。さらに特に好まれるのは、一つ又は二つの窒素原子を有する五又は六員複素環を少なくとも一つ含む陽イオン（カチオン）である。
【００３３】
イオン液体の陽イオン（カチオン）は、以下の一般式ＩＬ−１〜ＩＬ−２３の化合物から選択されること、が好まれ得る。
【化１】
0005544454.tif 000002
0005544454.tif 000003
ラジカルＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ他と独立して、水素、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘトロ原子、及び／又はＣ1-Ｃ18アルキル置換複素環、Ｃ12-Ｃ18アルキル、Ｃ6-Ｃ12アリール、（一つ又は複数の隣接しない酸素原子、及び／又は硫黄原子、及び／又は一つ又は複数の置換された又は置換されていない）イミノ基に割り込まれたＣ5-Ｃ12シクロアルキル、（酸素原子、窒素原子及び／又は硫黄原子を有する）５〜６員複素環からなる群から選択されたラジカルとなり得るものであり、
前記のラジカルの二つは、不飽和である又は飽和された環部分であって（一つ又は複数の酸素原子、及び／又は、硫黄原子、及び／又は、一つ又は複数の置換された又は置換されていない）イミノ基に任意的に割り込まれ得る環部分の生成で、ともに結合され得るものであり、環部分は、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘトロ原子及び／又は複素環ラジカルによって、置換され得るものであり、
そして加えて、Ｒ4は、Ｃ1-Ｃ18アルキロイル、Ｃ1-Ｃ18アルキルオキシカルボニル、Ｃ5-Ｃ12シクロアルキルカルボニル及びＣ6-Ｃ12アリーロイルからなるラジカルの群から選択され、前記群のメンバーは、一つ又は複数の官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘトロ原子及び／又は複素環ラジカルによって、それぞれ置換され、Ｃ1-Ｃ18、Ｃ5-Ｃ12、又はＣ6-Ｃ12は、アルキル鎖を参照する。
【００３４】
それらの前記官能基は、以下の官能基の群を意味する。アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又はＣ1-Ｃ18アルキルで置換された複素環、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、2-エチルヘキシル、2,4,4-トリメチルペンチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、1,1-ジメチルプロピル、1,1-ジメチルブチル、1,1,3,3-テトラメチルブチル、ベンジル、1-フェニルエチル、2-フェニルエチル、アルファ-アルファ-ジメチルベンジル、ベンズヒドリル、p-トリルメチル、1-（p-ブチル-フェニル）-エチル、p-クロロベンジル、2,4-ジクロロベンジル、p-メトキシベンジル、m-エトキシベンジル、2-シアノエチル、2-シアノプロピル、2-メトキシカルボンエチル、2-エトキシカルボニルエチル、2-ブトキシカルボニルプロピル、1,2-ジ（メトキシカルボニル）-エチル、2-メトキシエチル、2-エトキシエチル、2-ブトキシエチル、ジエトキシメチル、ジエトキシエチル、1,3-ジオキソラン-2-イル、1,3-ジオキサン-2-イル、2-メチル-1,3-ジオキソラン-2-イル、4-メチル-1,3-ジオキソラン-2-イル、2-イソプロポキシエチル、2-ブトキシプロピル、2-オクチルオキシエチル、クロロメチル、2-クロロエチル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、1,1-ジメチル-2-クロロエチル、2-メトキシイソプロピル、2-エトキシエチル、ブチルチオメチル、2-ドデシルチオエチル、2-フェニルチオエチル、2,2,2-トリフルオロエチル、2-ヒドロキシエチル、2-ヒドロキシプロピル、3-ヒドロキシプロピル、4-ヒドロキシブチル、6-ヒドロキシヘキシル、2-アミノエチル、2-アミノプロピル、3-アミノプロピル、4-アミノブチル、6-アミノヘキシル、2-メチルアミノエチル、2-メチルアミノプロピル、3-メチルアミノプロピル、4-メチルアミノブチル、6-メチルアミノヘキシル、2-ジメチルアミノエチル、2-ジメチルアミノプロピル、3-ジメチルアミノプロピル、4-ジメチルアミノブチル、6-ジメチルアミノヘキシル、2-ヒドロキシ-2,2-ジメチルエチル、2-フェノキシエチル、2-フェノキシプロピル、3-フェノキシプロピル、4-フェノキシブチル、6-フェノキシエチル、2-メトキシエチル、2-メトキシプロピル、3-メトキシプロピル、4-メトキシブチル、6-メトキシヘキシル、2-エトキシエチル、2-エトキシプロピル、3-エトキシプロピル、4-エトキシブチル又は6-エトキシヘキシル、一つ又は複数の隣接しない酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は一つ又は複数の置換された又は置換されていないイミノ基に割り込まれたＣ2-Ｃ18アルキル、例えば、5-ヒドロキシ-3-オキサ-ペンチル、8-ヒドロキシ-3、6-ジオキサン-オクチル、11-ヒドロキシ-3,6,9-トリオキサウンデシル、7-ヒドロキシ-4-オキサ-ヘプチル、11-ヒドロキシ-4,8-ジオキサウンデシル、15-ヒドロキシ-4,8,12-トリオキサ-ペンタジシル、9-ヒドロキシ-5-オキサノニル、14-ヒドロキシ-5,10-オキサテトラジシル、5-メトキシ-3-オキサペンチル、8-メトキシ-3,6-ジオキサオクチル、H-メトキシ-3,6,9-トリオキサウンデシル、7-メトキシ-4-オキサ-ヘプチル、11-メトキシ-4,8-ジオキサウンデシル、15-メトキシ-4,8,12-トリオキサペンタデシル、9-メトキシ-5-オキサノニル、14-メトキシ-5,10-オキサテトタラデシル、5-メトキシ-3-オキサペンチル、8-エトキシ-3,6-ジオキサオクチル、11-エトキシ-3,6,9-トリオキサウンデシル、7-エトキシ-4-オキサヘプチル、11-エトキシ-4,8-ジオキサウンデシル、15-エトキシ-4,8,12-トリオキサペンタデシル、9-エトキシ-5-オキサ-ノニル及び14-エトキシ-5,10-オキサテトラジシル。
【００３５】
二つのラジカルは、お互いで環を構成するなら、これらのラジカルは共に、好ましくは、1-3-プロピレン、1,4-ブチレン、2-オキサ-1,3-プロピレン、1-オキサ-1,3-プロピレン、2-オキサ-1,3-プロピレン、1-オキサ-1,3-プロピレン、1-アザ-1,3-プロピレン、1-Ｃ1-Ｃ4アルキル-1-アザ-1,3-プロピレン、1-4-ブタ-1,3-ジエニレン、1-アザ-1,4-ブタ-1,3-ジエニレン又は2-アザ1,4-ブタ-1,3-ジエニレンを表し得る。
【００３６】
イオン液体の好まれる陽イオン（カチオン）において、酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又はイミノ基の数は、制限されない。一般に、ラジカルごとに、５より多くなく、好ましくは４より多くなく、特に３より多くない。さらに、少なくとも一つ、特に好ましくは、少なくとも二つの炭素原子が、二つのヘテロ原子間に有する。
【００３７】
好まれるイミノ基は、例えば、イミノ、メチルイミノ、イソ-プロピルイミノ、n-ブチルイミノ又はt-ブチルイミノであり得る。
【００３８】
さらに、前記官能基は、以下の官能基の群を表す。カルボキシ、カルボキサミド、ヒドロキシ、ジ-（Ｃ1-Ｃ4-アルキル）アミノ、Ｃ1-Ｃ4-アルキルオキシカルボニル、シアノ、Ｃ1-Ｃ4アルキルオキシ、官能基によって置換されたＣ6-Ｃ12アリール、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環、例えば、フェニル、トリル、キシリル、アルファ−ナフチル、ベータ−ナフチル、4-ジフェニリル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、ジフロオロフェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、ジエチルフェニル、イソプロポリフェニル、t-ブチルフェニル、ドデシルフェニル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、エトキシフェニル、ヘキシルオキシフェニル、メチルナフチル、イソプロピルナフチル、クロロナフチル、エトキシナフチル、2,6-ジメチルフェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、2,6-ジエトキシフェニル、2,6-ジクロロフェニル、4-ブロモフェニル、2-又は4-ニトロフェニル、2,4-又は2,6-ジニトロフェニル、4-ジメチルアミノフェニル、4-アセチルフェニル、メトキシエチルフェニル又はエトキシエチルフェニル、官能基によって置換されたＣ5-Ｃ12シクロアルキル、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環、例えば、シクロペンチル、シクロへキシル、シクロオクチル、シクロドデシル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、ジエチルシクロヘキシル、ブチルシクロヘキシル、メトキシシクロヘキシル、ジメトキシシクロヘキシル、ジエトキシシクロヘキシル、ブチルチオシクロヘキシル、クロロシクロへキシル、ジクロロシクロヘキシル又はジクロロシクロペンチル、置換された又は置換されてない二環系（例えば、ノルボルニル又はノルボルネニル）、（酸素、窒素及び／又は硫黄原子を有している）五又は六員複素環、例えば、フリル、チオフェニル、ピリル、ピリジル、インドリル、ベンゾキサゾリル、ジオキソリル、ジオキシル、ベンズイミダゾリル、ベンジチアゾリル、ジメチルピリジル、メチルチノリル、ジメチルピリル、メトキシフリル、ジメトキシピリジル、ジフルオロピリジル、メチルチオフェニル、イソプロピルチオフェニル又はt-ブチルチオフェニル、及びＣ1-Ｃ4アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、s-ブチル又はt-ブチル。
【００３９】
Ｃ1-Ｃ4アルキロイル（アルキルカルボニル）は、例えば、アセチル、プロピオニル、n-ブチロイル、s-ブチロイル、t-ブチロイル、2-エチルヘキシルカルボニル、デカノイル、ドデカノイル、クロロアセチル、トリクロロアセチル又はトリフルオロアセチルであり得る。
【００４０】
Ｃ1-Ｃ18アルキルオキシカルボニルは、例えば、メチルオキシカルボニル、エチルオキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、n-ブチルオキシカルボニル、s-ブチルオキシカルボニル、t-ブチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル又はベンジルオキシカルボニルであり得る。
【００４１】
Ｃ5-Ｃ12シクロアルキルカルボニルは、例えば、シクロペンチルカルボニル、シクロヘキシルカルボニル又はシクロドデシルカルボニルであり得る。
【００４２】
Ｃ5-Ｃ12アリーロイル（アリールカルボニル）は、例えば、ベンゾイル、トルイル、キシロイル、アルファ−ナフトイル、ベータ−ナフトイル、クロロベンゾイル、ジクロロベンゾイル、トリクロロベンゾイル又はトリメチルベンゾイルであり得る。
【００４３】
好まれるのは、水素、メチル、エチル、n-ブチル、2-ヒドロキシエチル、2-シアノエチル、2-（メトキシカルボニル）-エチル、2-エトキシカルボニル-エチル、2-n-ブトキシカルボニル-エチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ又は塩素から、それぞれお互いに独立するＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10である。
【００４４】
Ｒ4は、好ましくは、メチル、エチル、n-ブチル、2-ヒドロキシエチル、2-シアノエチル、2-メトキシカルボニル-エチル、2-エトキシカルボニル-エチル、2-n-ブトキシカルボニル-エチル、アセチル、プロピオニル、t-ブチリル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル又はn-ブトキシカルボニルである。
【００４５】
特に好まれるアンモニウムイオン（ＩＬ−１）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択され、そして、Ｒ1，Ｒ2及びＲ3がメチル、エチル、n-ブチル、2-ヒドロキシエチル、ベンジル又はフェニルから選択される。
【００４６】
特に好まれるホスホニウムイオン（ＩＬ−１）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択され、そして、Ｒ1，Ｒ2及びＲ3がフェニル、フェノキシ、エトキシ及びn-ブトキシから選択される。
【００４７】
特に好まれるピローリジウムイオン（ＩＬ−３）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ3及びＲ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択され、そして、全ての他のラジカルが水素を表す。
【００４８】
特に好まれる1-ピラゾーリニウムイオン（ＩＬ−４）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ4までの全てのラジカルが水素又はメチルから選択され、そしてＲ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択される。
【００４９】
特に好まれる2-ピラゾーリニウムイオン（ＩＬ−５）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ5が水素、メチル、エチル又はフェニルから、そして、Ｒ4がアクチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そしてその他のラジカルが水素又はメチルから選択される。
【００５０】
特に好まれる3-ピラゾーリニウムイオン（ＩＬ−６）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ3及びＲ5がハロゲン、メチル、エチル又はフェニルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そして残りのラジカルが水素又はメチルから選択される。
【００５１】
特に好まれる1H-ピラゾーリニウムイオン（ＩＬ−７）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ5がハロゲン、メチル又はエチルから、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が水素又はメチルから、そしてＲ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択される。
【００５２】
特に好まれる3H-ピラゾーリニウムイオン（ＩＬ−８）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ2が水素、メチル又はエチルから、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5が水素又はメチルから、そしてＲ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択される。
【００５３】
特に好まれる4H-ピラゾーリニウムイオン（ＩＬ−９）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ5が水素又はメチルから、そしてＲ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから選択される。
【００５４】
特に好まれるイミダゾーリニウムイオン（ＩＬ−１０）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ5又はＲ6が水素、メチル又はエチルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そして他のラジカルが水素又はメチルから選択される。
【００５５】
特に好まれるイミダゾーリニウムイオン（ＩＬ−１１）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ5、Ｒ6又はＲ7が水素、メチル又はエチルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そして他のラジカルが水素又はメチルから選択される。
【００５６】
特に好まれるイミダゾーリニウムイオン（ＩＬ−１２）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ3又はＲ7が水素、メチル、エチル、n-ブチル又はフェニルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、Ｒ5又はＲ6が水素、メチル又はエチルから、そしてＲ1又はＲ2が水素又はメチルから選択される。
【００５７】
特に好まれるイミダゾーリニウムイオン（ＩＬ−１３）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ1がメチル、エチル、n-プロピル、n-ブチル、n-ペンチル、n-オクチル、n-デシル、n-ドデシル、2-ヒドロキシエチル及び2-シアノエチルからなる群から、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そしてその他のラジカルがお互いから独立して水素、メチル又はエチルから選択される。
【００５８】
特に好まれる1,2,4-トリアゾニウムイオン（ＩＬ−１４）及び（ＩＬ−１５）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ1又はＲ2並びにＲ1又はＲ3がそれぞれ水素、メチル、エチル、又はフェニルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そしてＲ3又はＲ2が水素、メチル又はフェニルから選択される。特に好まれる1,2,3-トリアゾニウムイオン（ＩＬ−１６）及び（ＩＬ−１７）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ3及びＲ1がそれぞれ水素、メチル又はエチルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そしてＲ1又はＲ2並びにＲ2又Ｒ3がそれぞれ水素又はメチルから選択され、もしくは、Ｒ1及びＲ2並びにＲ2及びＲ3がそれぞれ1,4-ブタ-1,3-ジエニレンであり、そして全ての他のラジカルが水素である。
【００５９】
特に好まれるチアゾリウムイオン（ＩＬ−１８）又はオキサゾリウムイオン（ＩＬ−１９）は、お互いから独立するそれらであり、Ｒ1が水素、メチル、エチル、又はフェニルから、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルから、そしてＲ2又はＲ3が水素又はメチルから選択される。
【００６０】
特に好まれるピリジニウムイオン（ＩＬ−２０）は、それらのラジカルの内一つであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6がメチル、エチル又は塩素であり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルであり、そして全ての他のラジカルが水素である、もしくは、Ｒ1がジメチルアミノであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はブチルであり、そして全ての他ラジカルが水素である、もしくは、Ｒ2がカルボキシ又はカルボキサミド、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチル、そして全ての他のラジカルが水素である、もしくは、Ｒ2及びＲ3もしくはＲ2及びＲ1が1,4-ブタ-1,3-ジエニレンであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルであり、そして全ての他のラジカルが水素である。
【００６１】
特に好まれるピリジニウムイオン（ＩＬ−２１）は、それらであり、Ｒ1、Ｒ4及びＲ5が水素又はメチルであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルであり、そしてＲ3が水素、メチル又はエチルである、もしくは、Ｒ2及びＲ5がメチルであり、Ｒ1が水素であり、Ｒ3が水素、メチル又はエチルであり、そしてＲ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルである。
【００６２】
特に好まれるピリジニウムイオン（ＩＬ−２２）は、それらのラジカルの内一つであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ5がメチル又はエチルであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルであり、そして全ての他のラジカルが水素である、もしくは、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチル、そして全ての他のラジカルが水素である。
【００６３】
特に好まれるピリジニウムイオン（ＩＬ−２３）は、それらであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ5が全てメチルであり、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチルである、もしくは、Ｒ4がアセチル、メチル、エチル又はn-ブチル、そして全ての他のラジカルが水素である。
【００６４】
上記陽イオン（カチオン）基のＩＬ−１〜ＩＬ−２３について、上記アミノニウムイオン、ホスホニウムイオン、ピリジニウムイオン及びイミダゾリウムイオンは、特に好まれる。
【００６５】
陽イオン（カチオン）として、とても特に好まれるのは、1,2-ジメチルピリジニウム、1-メチル-2-エチルピリジニウム、1-メチル-2-エチル-6-メチルピリジニウム、n-メチルピリジニウム、1-ブチル-2-メチルピリジニウム、1-ブチル-2-エチルピリジニウム、1-ブチル-2-エチル-6-メチルピリジニウム、n-ブチルピリジニウム、1-ブチル-4-メチルピリジニウム、1,3-ジメチルイミダゾリウム、1,2,3-トリメチルイミダゾリウム、1-n-ブチル-3-メチルイミダゾリウム、1,3,4,5-テトラメチルイミダゾリウム、1,3,4-トリメチルイミダゾリウム、2,3-ジメチルイミダゾリウム、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウム、3,4-ジメチルイミダゾリウム、2-エチル-3,4-ジメチルイミダゾリウム、3-メチル-2-エチルイミダゾリウム、3-ブチル-1-メチルイミダゾリウム、3-ブチル-1-エチルイミダゾリウム、3-ブチル-1,2-ジメチルイミダゾリウム、1,3-ジ-n-ブチルイミダゾリウム、3-ブチル-1,4,5-トリメチルイミダゾリウム、3-ブチル-1,4-ジメチルイミダゾリウム、3-ブチル-2-メチルイミダゾリウム、1,3-ジブチル-2-メチルイミダゾリウム、3-ブチル-4-メチルイミダゾリウム、3-ブチル-2-エチル-4-メチルイミダゾリウム及び3-ブチル-2-エチルイミダゾリウム、1-メチル-3-オクチルイミダゾリウム、1-デシル-3-メチルイミダゾリウムである。
【００６６】
特に好まれるのは、1-ブチル-4-メチルピリジニウム、1-n-ブチル-3-メチルイミダゾリウム及び1-n-ブチル-3-エチルイミダゾリウムである。
【００６７】
ジアザビシクロノネン又はジアザビシクロウンデセンに由来する陽イオン（カチオン）もまた可能である。
【００６８】
上記実施形態と同じように、イオン液体の陰イオン（アニオン）は、どんなタイプからもなり得る。しかしながら、イオン液体の陰イオン（アニオン）が、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＢＦ4-、アルキル硫酸塩、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ18のアルキル硫酸塩、エーテル硫酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、トリフラート、亜硫酸塩、硫酸水素塩、メチル硫酸塩、エチル硫酸塩、亜硫酸塩、亜硫酸水素、塩化アルミニウム、好ましくは、ＡｌＣｌ4-、Ａｌ2Ｃｌ7-又はＡｌ3Ｃｌ10-、三臭化アルミニウム、亜硝酸塩、硝酸塩、金属錯体、例えば、塩化銅ＣｕＣｌ2-のような金属ハロゲン、リン酸塩、リン酸、リン酸水素、リン酸二水素、炭酸塩、炭酸水素塩、スルホン酸塩、トシレート（トシル基）、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、シアン化物及びイソシアネート（イソシアン酸塩）、からなる群から選択されるならば、好まれる。
【００６９】
エーテル硫酸塩は、一般式の目下の化合物を意味し、
【化２】
0005544454.tif 000004
ｎが１〜８の整数であり、そしてＲがＣ1〜Ｃ18のアルキルラジカルである。
【００７０】
イオン液体被覆の平均厚さが少なくともイオン液体の各イオン層の厚さと等しければ、発明による触媒の有利な効果が特に明らかになること、が分かった。
【００７１】
発明による触媒の好まれる実施形態によれば、イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の各イオン層の厚さと等しい又はイオン液体の各イオン層の厚さより大きく、好ましくは１．１イオン層の厚さより大きく、好ましくは１．２イオン層の厚さより大きく、さらに好ましくは１．３イオン層の厚さより大きく、特に好ましくは１．４イオン層の厚さより大きく、そしてさらに特に好ましくは１．５イオン層の厚さより大きい。イオン層は、本発明のフレームワーク内では、イオン液体の陽イオン（アニオン）／陰イオン（カチオン）ペアの単層被覆を意味する。
【００７２】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１．６イオン層の厚さより大きく、好ましくは１．７イオン層の厚さよりも大きく、好ましくは１．８イオン層の厚さよりも大きく、さらに好ましくは１．９イオン層の厚さよりも大きく、特に好ましくは少なくとも２．０イオン層の厚さよりも大きく、そしてさらに特に好ましくは少なくとも２．１イオン層の厚さよりも大きいこと、がさらに好まれる。
【００７３】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の２．２イオン層の厚さより大きく、好ましくは２．３イオン層の厚さより大きく、好ましくは２．４イオン層の厚さより大きく、さらに好ましくは２．５イオン層の厚さより大きく、特に好ましくは少なくとも２．６イオン層の厚さより大きく、そしてさらに特に好ましくは少なくとも２．７イオン層の厚さよりも大きいこと、がさらに好まれ得る。
【００７４】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の２．８イオン層の厚さよりも大きく、好ましくは２．９イオン層の厚さよりも大きく、好ましくは３．０イオン層の厚さよりも大きく、さらに好ましくは３．１イオン層の厚さよりも大きく、特に好ましくは少なくとも３．２イオン層の厚さより大きく、そしてさらに特に好ましくは少なくとも３．３イオン層の厚さより大きいこと、もまた好まれ得る。
【００７５】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の３．４イオン層の厚さより大きく、好ましくは３．５イオン層の厚さより大きく、好ましくは３．６イオン層の厚さより大きく、さらに好ましくは３．７イオン層の厚さより大きく、特に好ましくは少なくとも３．８イオン層の厚さより大きく、そしてさらに特に好ましくは少なくとも３．９イオン層の厚さより大きいこと、もまた好まれ得る。
【００７６】
原則として、イオン液体被覆は、非常に大きい厚さを有し得る。しかしながら、層厚さが所定の層厚さを越えてさらにどんなに増加されても、これは、その結果、選択性が変わらないままであるが、触媒の活性においては、減少へと単純につながる。発明による触媒の他の実施形態において、イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の４０イオン層の厚さより小さく、好ましくは３８イオン層の厚さより小さく、好ましくは３６イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは３４イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは３２イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは３０イオン層の厚さより小さいこと、が好まれる。
【００７７】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の２８イオン層の厚さより小さく、好ましくは２６イオン層の厚さより小さく、好ましくは２４イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは２２イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは２０イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは１９イオン層の厚さより小さいこと、もまた好まれ得る。
【００７８】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１８イオン層の厚さより小さく、好ましくは１７イオン層の厚さより小さく、好ましくは１６イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは１５イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは１４イオンの厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは１３イオン層の厚さより小さいこと、もまた好まれ得る。
【００７９】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１２イオン層の厚さより小さく、好ましくは１１イオン層の厚さより小さく、好ましくは１０イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは９．５イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは９イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは、８．８イオン層の厚さより小さいこと、がさらに好まれ得る。
【００８０】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の８．６イオン層の厚さより小さく、好ましくは８．４イオン層の厚さより小さく、好ましくは８．２イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは８イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは７．８イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは７．６イオン層の厚さより小さいこと、もまた好まれ得る。
【００８１】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の７．４イオン層の厚さより小さく、好ましくは７．２イオン層の厚さより小さく、好ましくは７．０イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは６．８イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは６．６イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは６．４イオン層の厚さより小さいこと、もまた好まれて提供され得る。
【００８２】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の６．２イオン層の厚さより小さく、好ましくは６イオン層の厚さより小さく、好ましくは５．８イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは５．６イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは５．４イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは５．２イオン層の厚さより小さいこと、もまた好まれ得る。
【００８３】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の５イオン層の厚さより小さく、好ましくは４．８イオン層の厚さより小さく、好ましくは４．６イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは４．４イオン層の厚さより小さく、特に好ましくは４．２イオン層の厚さより小さく、そしてさらに特に好ましくは４イオン層の厚さより小さいこと、もまた好まれ得る。
【００８４】
本発明によるプロセスのさらに好まれる実施形態によれば、イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１イオン層の厚さより大きく且つイオン液体の１０イオン層の厚さより小さく、好ましくは１．１イオン層の厚さより大きく且つ９．８イオン層の厚さより小さく、好ましくは１．２イオン層の厚さより大きく且つ９．６イオン層の厚さより小さく、さらに好ましくは１．３イオン層の厚さより大きく且つ９．４イオン層の厚さより小さく、より好ましくは１．４イオン層の厚さより大きく且つ９．２イオン層の厚さより小さく、さらにより好ましくは１．５イオン層の厚さより大きく且つ９イオン層の厚さより小さく、そして特に好ましくは１．６イオン層の厚さより小さく且つ８．８イオン層の厚さより小さい。
【００８５】
本発明による触媒の他の好まれる実施形態によれば、イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１．７イオン層の厚さより大きく且つイオン液体の８．６イオン層の厚さより小さく、好ましくは１．８イオン層の厚さより大きく且つ８．４イオン層の厚さより小さく、好ましくは１．９イオン層の厚さより大きく且つ８．２イオン層の厚さより小さく、より好ましくは２イオン層の厚さより大きく且つ８イオン層の厚さより小さく、より好ましくは２．１イオン層の厚さより大きく且つ７．８イオン層の厚さより小さく、さらにより好ましくは２．２イオン層の厚さより大きく且つ７．６イオン層の厚さより小さく、そして特に好ましくは２．３イオン層の厚さより大きく且つ７．４イオン層の厚さより小さいこと、が提供される。
【００８６】
発明による触媒の他の好まれる実施形態において、イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の２．４イオン層の厚さより大きく且つイオン液体の７．２イオン層の厚さより小さく、好ましくは２．５イオン層の厚さより大きく且つ７イオン層の厚さより小さく、好ましくは２．６イオン層の厚さより大きく且つ６．８イオン層の厚さより小さく、より好ましくは２．７イオン層の厚さより大きく且つ６．６イオン層の厚さより小さく、より好ましくは２．８イオン層の厚さより大きく且つ６．４イオン層の厚さより小さく、さらにより好ましくは２．９イオン層の厚さより大きく且つ６．２イオン層の厚さより小さく、そして特に好ましくは３イオン層の厚さより大きく且つ６イオン層の厚さより小さいこと、が提供される。
【００８７】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の３．１イオン層の厚さより大きく且つイオン液体の５．８イオン層の厚さより小さく、好ましくは３．２イオン層の厚さより大きく且つ５．６イオン層の厚さより小さく、好ましくは３．３イオン層の厚さより大きく且つ５．４イオン層の厚さより小さく、より好ましくは３．４イオン層の厚さより大きく且つ５．２イオン層の厚さより小さく、より好ましくは３．５イオン層の厚さより大きく且つ５イオン層の厚さより小さく、さらにより好ましくは３．６イオン層の厚さより大きく且つ４．８イオン層の厚さより小さく、そして特に好ましくは３．７イオン層の厚さより大きく且つ４．６イオン層の厚さより小さいこと、も好まれて提供される。
【００８８】
イオン液体被覆は、平均厚さを有し、該厚さは、イオン液体の１イオン層の厚さと同じもしくは１イオン層の厚さより大きく且つイオン液体の１０イオン層の厚さより小さく、好ましくは２イオン層の厚さより大きく且つ９イオン層の厚さより小さく、好ましくは３イオン層の厚さより大きく且つ８イオン層の厚さより小さく、より好ましくは４イオン層の厚さより大きく且つ７イオン層の厚さより小さく、より好ましくは５イオン層の厚さより小さく６イオン層の厚さより小さいこと、が特に好まれる。
【００８９】
発明による触媒の他の好まれる実施形態によれば、イオン液体被覆は、０．１５〜１０ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．１６〜９．５ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．１７〜９ｎｍの平均厚さ、さらに好ましくは０．１８〜８．５ｎｍの平均厚さ、特に好ましくは０．１９〜８ｎｍの平均厚さ、そして最も好ましくは０．２〜７．５ｎｍの平均厚さを有すること、が提供される。
【００９０】
イオン液体被覆は、０．２１〜７ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．２２〜６．５ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．２３〜６ｎｍの平均厚さ、さらに好ましくは０．２４〜５．５ｎｍの平均厚さ、特に好ましくは０．２５〜５ｎｍの平均厚さ、そして最も好ましくは０．２６〜４．５ｎｍの平均厚さを有すること、が好まれ得る。
【００９１】
イオン液体被覆は、０．２７〜４ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．２８〜３．５ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．２９〜３ｎｍの平均厚さ、さらに好ましくは０．３〜２．５ｎｍの平均厚さ、特に好ましくは０．３〜２ｎｍの平均厚さ、そして最も好ましくは０．３〜１．５ｎｍの平均厚さを有すること、もまた好まれ得る。
【００９２】
イオン液体被覆は、０．３〜１．３ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．３〜１．２ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．３〜１．１ｎｍの平均厚さ、さらに好ましくは０．３〜１ｎｍの平均厚さ、特に好ましくは、０．３〜０．８ｎｍの平均厚さ、そして最も好ましくは０．３〜０．６ｎｍの平均厚さを有すること、もまた好まれ得る。
【００９３】
発明による触媒の他の好まれる実施形態によれば、イオン液体被覆は、０．１７〜１．７ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．３４〜１．５３ｎｍの平均厚さ、好ましくは０．５１〜１．３６ｎｍの平均厚さ、さらに好ましくは０．６８〜１．１９ｎｍの平均厚さ、そして特に好ましくは０．８５〜１．０２ｎｍの平均厚さを有すること、が提供される。
【００９４】
本発明による触媒のさらに好まれる実施形態によれば、均一系触媒は、イオン液体被覆に含まれること、が提供される。
【００９５】
発明による触媒のさらに好まれる実施形態によれば、多孔質触媒は、担持触媒であって、触媒担体は、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、ケイ酸マグネシウム、酸化亜鉛、ゼオライト、及び、例えばカーボン・ナノチューブ又はカーボン・ナノフィブルのようなナノマテリアルからなる群から選択された材料を使用して生成される、ことが提供される。
【００９６】
上記酸化された担体材料は、好ましくは、例えば、混合酸化物、又は、例えばＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＳｉＣ2又はＺｎＯといった所定の組成の生成に使用され得る。さらに、好ましい、カーボンブラック、アセチレン・ブラック、石炭、グラファイト、ハイドロタルサイト又は当業者にそれ自体が知られるさらなる担体材料は、異なった可能性のある変更において、使用され得る。担体材料は、好ましくは、例えばアルカリ性又はアルカリ土類金属で、又はリン、ハロゲン化物及び／又は硫酸塩で、ドープされ得る。一般に、酸／塩基性質は、触媒の性質上好ましい効果を奏し得るそのようなドーピングによって、変更される。上記水素化活性金属は、適当なプロセスによって、例えば、含浸、イオン交換、共沈（例えば、担体と結合沈殿、前記担体の上に沈殿、イオン交換又は化学蒸着（ＣＶＤ））によって、担体上に溶着され得る。
【００９７】
発明は、また、内面がイオン液体で被覆される多孔質不均一系触媒の生成のためのプロセスにも関し、以下のステップを含む。
ａ）所定の溶媒の中にイオン液体を溶解するステップ。
ｂ）多孔質不均一系遷移金属担持触媒を、ステップａ）によるイオン液体を含んでいる溶媒と接触させるステップ。
ｃ）溶媒を取り除くステップ。
【００９８】
多孔質不均一系遷移金属担持触媒が発明による触媒である。
【００９９】
発明は、また、ステップａ）〜ｃ）を有する上記プロセスによって得ることができる触媒にも関する。
【０１００】
発明は、また、内面がイオン液体で被覆される多孔質不均一系遷移金属担持触媒の生成するためのプロセスにも関し、以下のステップを含む。
ａ）所定の溶媒の中にイオン液体を溶解するステップ。
ｂ）吸引によってもたらされる流れと大気圧以下の圧力とが支配するチャンバーの中に、多孔質不均一系遷移金属担持触媒を導入するステップ。
ｃ）イオン液体を含んでいる溶媒をチャンバーの中に導入するステップ。
ｄ）ガスとイオン液体を含んでいる溶媒との混合体を生成するステップ。
ｅ）ステップｄ）からの混合体を触媒に連続的に通すステップ。
ｆ）溶媒を取り除くステップ。
【０１０１】
使用されるガスは、例えば希ガス又は窒素のような、保護ガスである。ガスは、空気の成分によって、イオン液体の分解を防止するために使用される。
【０１０２】
チャンバーの吸引によってもたらされる大気圧以下の圧力は、８００ｍｂａｒ（８０ｋＰａ）以下であること、が好まれる。
【０１０３】
プロセスは、３００ｍｂａｒ（３０ｋＰａ）〜５００ｍｂａｒ（５０ｋＰａ）の圧力にて実施されること、もまた好まれる。
【０１０４】
ガスと、イオン液体を含んでいる溶媒との混合体を生成する間に、１マイクロメートル〜９００マイクロメートルの平均直径を有するドロップが生成されること、もまた好まれる。
【０１０５】
発明は、また、ステップａ）〜ｆ）を有する上記プロセスによって得ることができる触媒にも関する。
【０１０６】
発明は、また、発明による触媒の使用にも関し、ポリ不飽和化合物の不飽和基の選択的水素化のために、特に、シクロオレフィンを生成するための芳香族化合物の水素化、エチレンを生成するためのアセチレンの水素化、モノレフィン中のジオレフィンの水素化、特に、1-ブテン及び／又は2-ブテンを生成するためのブタジエンの水素化、スチレンを形成するためのフェニルアセチレンの水素化、プロピレンを形成するためのメチルアセチレン及びプロパジエンの水素化、芳香族化合物をロスすること無しで芳香族化合物のフローの中におけるオレフィン及びジオレフィンの水素化、又はシクロドデセンを生成するためのシクロドデカトリエンの水素化のために、使用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０７】
以下の実施例は、図面の説明と併せて、発明を説明する役割を果たす。
【０１０８】
（実施例１）
６×６ｍｍに計量している錠剤の形態にて市販されるＳuｄ−Ｃｈｅｍｉｅ株式会社のＧ−３３  ＲＳのニッケル担持触媒は、ボールミルを用いて、粉末となった。１２５〜２５０マイクロメートルの範囲の直径を有する粒子は、ニッケル金属を活性化するために、粉末の生成物から分離され、水素雰囲気を減少させられ、３００℃の温度で加熱された。
【０１０９】
上記活性化された、被覆されてないニッケル触媒（イオン液体被覆のない触媒）は、次の計測や反応における比較例として、使用された。
【０１１０】
（実施例２）
発明による触媒を生成するために、上記実施例１において生成され、被覆されてない活性ニッケル触媒の０．８１４５ｇは、１００ｍｌのＣＨ2Ｃｌ2と０．０５ｇの1-ブチル-3-メチル-イミダゾリウムオクチル硫酸塩とからなるイオン液体としての溶媒の中に、保護窒素雰囲気下、及び蒸発されたＣＨ2Ｃｌ2溶媒下、及びロータリ蒸発器による真空下で、懸濁された。
【０１１１】
（実施例３）
実施例１によるイオン液体被覆のない活性ニッケル触媒の孔系と、実施例２によるイオン液体被覆を有するニッケル触媒の孔系は、ＢＥＴ及びポロシメータ計測を用いて、特徴付けられた。
【０１１２】
図１は、被覆された及び被覆されてない触媒の孔容積と、孔径との間の関係を表す。被覆されてない及び被覆された触媒の曲線１ａ及び２ａは、それぞれ被覆された触媒の孔が直径に関わらず大部分において十分に均一な厚さにてイオン液体で被覆されること、を表す。データは、イオン液体が被覆されてないニッケル触媒のオリジナル体積の約２２ｖｏｌ％を覆うこと、を表す。
【０１１３】
図２は、被覆されてない及び被覆されたニッケル触媒の内表面積（比表面積）と、孔径との間の関係を表す。被覆されてない及び被覆されたニッケル触媒の曲線１ｂ及び２ｂは、それぞれイオン液体被覆に起因して、被覆された触媒の内表面積（比表面積）が被覆されていない触媒と比較して約４５％減少されること、を表す。約０．６ｎｍのイオン液体被覆の平均厚さは、これから計算され得る。
【０１１４】
（実施例４）
被覆されてないニッケル触媒の活性量と被覆されているニッケル触媒の活性量とを確かめるために、二つの前記触媒は、シクロオクタジエンの水素化反応において、使用される。
【０１１５】
被覆されてないニッケル触媒を用いたシクロオクタジエンの水素化は、以下の反応条件内で起きた。
dcat = 125-250 μm
m0cyclooctadiene = 0.178 g
Vdodecane = 150 ml
T = 50°C
pH2 = 50 bar
n = 2000 l/min
mcat = 0.1134.
【０１１６】
イオン液体で被覆されているニッケル触媒を用いたシクロオクタジエンの水素化は、以下の反応条件下で起きた。
dcat = 125-250 μm
m0cyclooctadiene = 0.172 g
Vdodecane = 150 ml
T = 50°C
pH2 = 50 bar
n = 2000 l/min
mcat = 0.8145.
【０１１７】
図３において、改良された実験時間に関して、非荷電ニッケル触媒（曲線１ｃ）と、イオン液体で被覆されたニッケル触媒（曲線１ｃ）とに対し、シクロオクタジエンの水素化の変換速度を表している。
【０１１８】
曲線は、イオン液体で被覆されたニッケル触媒にとって、５０％のシクロオクタジエンの変換のために必要な実験時間が約５，０００ｋｇ ｓ／ｍ3であり、一方、被覆されてないニッケル触媒にとって、同じ変換速度のために、約１５，０００ｋｇ ｓ／ｍ3の実験時間が必要であること、を表す。したがって、イオン液体で被覆されたニッケル触媒にとっての反応速度が約３倍遅いこと、になる。
【０１１９】
反応の後に、イオン液体で満たされるニッケル触媒は、１１０℃の温度の真空下で乾き、それからＢＥＴ及び水銀ポロシメータ計測を用いて特徴付けられる孔系となった。孔容積と孔径との間の関係、及び内表面積（比表面積）と孔径との関係は、それぞれ図１及び図２の曲線３ａ及び３ｂによって、表される。被覆されたニッケルの孔容積と内表面積（比表面積）とにおけるそれぞれの減少は、恐らく、孔が２１６℃の沸点を有するドデカン溶媒の残留物で覆われるという事実によるものである。
【０１２０】
（実施例５）
水素化反応に関して、被覆されてないニッケル触媒の選択性を測定するために、非荷電ニッケル触媒は、シクロオクタジエンの水素化反応の間に、使用された。シクロオクタジエンは、以下の反応条件下で水素化された。
mcat = 0.11 g
dcat = 125-250 μm
m0cyclooctadiene = 0.18 g
Vdodecane = 150 ml
T = 50°C
pH2 = 50 bar
n = 2000 l/min
c0cyclooctadiene = 10.9 mol/m3
c0H2 = 194 mol/m3.
【０１２１】
図４において、シクロオクタジエンの残留部分、シス−シクロオクテン及びシクロオクテンの生成の変化は、１ｄ、１ｅ及び１ｆと番号付けられたそれぞれの曲線によって、表される。１ｅは、水素化反応の間に、シス−シクロオクテンの比率が最大約２０％に到達すること、を表し、それは、２６％のシス−シクロオクテンに関する選択性に一致する。
【０１２２】
図５において、曲線１ｇ及び１ｈは、問題になっている反応のシス−シクロオクテン及びシクロオクテンに関するそれぞれの選択性の変化を表す。曲線１ｇは、シクロオクタジエン変換が増加するにつれて、シス−シクロオクテンの選択性における比較的急な下降を表す。
【０１２３】
（実施例６）
水素化反応に関して、イオン液体で被覆されたニッケル触媒の選択性を確かめるために、被覆されたニッケル触媒は、シクロオクタジエンの水素化において、以下の反応条件下で使用された。
mcat = 0.81 g
dcat = 125-250 μm
m0cyclooctadiene = 0.17 g
Vdodecane = 150 ml
T = 50°C
pH2 = 50 bar
n = 2000 l/min.
【０１２４】
上記された水素化反応以降の、シクロオクタジエンの、シス−シクロオクテンの、シクロオクテンの変化は、２ｄ、２ｅ及び２ｆとそれぞれに番号付けられた曲線によって、表される。曲線２ｅは、６５％のシス−シクロオクテンの最大比率を有し、それは、７２％のシス−シクロオクテンに関する選択性と一致する。問題となっている反応の間に、シス−シクロオクテン及びシクロオクテンに関する選択性の変化は、図７において、２ｇ及び２ｈとそれぞれ番号付けられた曲線を用いて、表される。被覆されてないニッケル触媒と比較すると、イオン液体で被覆された発明によるニッケル触媒は、シス−シクロオクテンの選択性においては、シクロオクタジエンの水素化が増加する間のシクロオクタジエン交換のように比較的緩やかな下降を表す。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】水素化反応に用いられた後の、イオン液体被覆されてないニッケル担持触媒（曲線１ａ）、比較例として、イオン液体で被覆された発明によるニッケル触媒（曲線２ａ）、及び発明による触媒（曲線３ａ）の孔容積と孔径との間における、ＢＥＴ及び水銀ポロシメータを用いて確認された関係のグラフ表示を示す。
【図２】水素化反応に用いられた後の、イオン液体被覆されてないニッケル担持触媒（曲線１ｂ）、イオン液体で被覆された発明によるニッケル触媒（曲線２ｂ）、及び発明による触媒（曲線３ｂ）の内表面積（比表面積）と孔径との間における、ＢＥＴ及び水銀ポロシメータを用いて確認された関係のグラフ表示を示す。
【図３】水素とのシクロオクタジエンの反応において、イオン液体被覆のない触媒（曲線１ｃ）及び発明による触媒（曲線２ｃ）の、変換速度と改良された実験時間との間の関係を示す。
【図４】イオン液体被覆のないニッケル担持触媒を用いて、シクロオクタジエンの水素化の間に、改良された実験時間に関して、シクロオクタジエンの残留部分（曲線１ｄ）と、シス−シクロオクテン（曲線１ｅ）及びシクロオクテン（曲線１ｆ）の生成を示す。
【図５】イオン液体被覆のないニッケル担持触媒を用いて、シクロオクタジエンの水素化の間に、シクロオクタジエン変換に関して、シス−シクロオクテン（曲線１ｇ）及びシクロオクテン（曲線１ｈ）に関する選択性を示す。
【図６】イオン液体に被覆されたニッケル担持触媒を用いて、シクロオクタジエンの水素化の間に、改良された実験時間に関して、シクロオクタジエンの残留部分（曲線２ｄ）と、シス−シクロオクテン（曲線２ｅ）及びシクロオクテン（曲線２ｆ）の生成を示す。
【図７】イオン液体で被覆されたニッケル担持触媒を用いて、シクロオクタジエンの水素化の間に、シクロオクタジエン変換に関して、シス−シクロオクテン（曲線２ｇ）及びシクロオクテン（曲線２ｈ）に関する選択性を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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