(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に設けられた載置台に基板を載置して真空処理し、真空容器の底部を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降部材が昇降する真空処理装置において、
前記真空容器の底部に形成された開口部を塞ぐために当該底部に着脱自在に設けられ、前記昇降軸が貫通したカバープレートと、
前記カバープレートの下方側に伸び出している前記昇降軸の下端部が着脱自在に取り付けられる取り付け部材と、
第１の基体と、
この第１の基体に設けられ、前記取り付け部材を昇降させるための第１の昇降機構と、
前記底部の下方側に伸び出している前記昇降軸を囲むように設けられ、上端部及び下端部が夫々前記カバープレート及び前記取り付け部材に気密に着脱自在に固定された筒状のベローズ体と、
前記真空容器におけるカバープレートの外側位置に固定された第２の基体と、
この第２の基体に設けられ、前記第１の基体を昇降させるための第２の昇降機構と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記第１の基体は前記カバープレートを支持すると共にカバープレートに対して分離自在な支持部材を備えることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記昇降部材は、基板を載置台から浮上させた状態で保持し、載置台に対して外部の搬送機構との間で基板を受け渡しするためのものであることを特徴とする請求項１または２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記昇降部材は、少なくとも３本の昇降ピンと、これら昇降ピンに対して共通化され、各昇降ピンの下部が着脱自在に取り付けられると共に前記昇降軸の上部に固定された昇降体と、を備え、
前記昇降体には、昇降軸の軸周りの回転を規制するために下方側から規制部材により係合される係合部が設けられ、
前記カバープレートには、前記規制部材が貫通される貫通孔が形成され、この貫通孔は常時は蓋体により気密に塞がれていることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空容器内にて基板に対して真空処理し、真空容器の底部を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降部材が昇降する真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置の一つである真空処理装置としては、真空容器内の載置台に基板を載置して、成膜処理やドライエッチングなどの真空処理を行う装置がある。この装置において、真空容器の外部の搬送機構と載置台との間で基板の受け渡しを行う機構としては、一般的に載置台内を上下方向に貫通して昇降する例えば３本の昇降ピンを設ける構成が採用される。この場合、載置台の上方にて搬送機構により保持された基板を昇降ピンにより突き上げ、次いで搬送機構を退避させ、昇降ピンを下降させることにより基板の受け渡しが行われる。
【０００３】
これら昇降ピンは真空容器の底部領域に配置された例えば水平な基枠に着脱自在に取り付けられると共に、この基枠は真空容器の底板部を貫通する昇降軸の上に設けられる。そして昇降軸は、当該昇降軸の下端側に位置しかつ真空容器に固定された昇降機構により昇降するように構成されている。また昇降軸の昇降動作と気密性との両方を確保するために、真空容器の底板部の下方側に伸び出している昇降軸を筒状のベローズ体により囲むように構成されている。
【０００４】
ところで昇降ピンは基板の受け渡しの度に先端が基板を突き上げるため、先端が磨耗して定期的に交換する必要がある。またベローズ体も基板の受け渡しの度に伸縮することから消耗し、定期交換する必要がある。昇降ピンの交換は、真空容器の底板部のうち昇降軸が貫通しているプレート部分を取り外して昇降ピンを真空容器内から引き出して行われる。ベローズ体の交換は、昇降軸と昇降機構とを分離した状態で、ベローズ体の上下両端部を夫々真空容器及び取り付け部材から取り外すことにより行われる。更に昇降軸が昇降機構から分離されると、昇降軸がフリーな状態となるので、ベローズ体を取り外したときに軸回りに回転してしまう。そのため昇降ピンと載置台側の昇降ピン通過用の孔部との位置関係がずれてしまい、ベローズ体を含むユニットの再設置時に昇降軸の回転方向の位置合せを行う必要もある。
【０００５】
しかしながら真空容器の下方側は電気系統やガス配管あるいは温調液通流路などの用力線が引き回されている場合が多く、また真空容器を支持する支持体なども配置されていることから、作業空間が狭く、作業者の姿勢の自由度も小さい。このため、上述のメンテナンス作業の作業性が悪く、作業者に大きな負担が強いられたり、作業に長い時間がかかるという課題があった。特許文献１には、真空容器内に複数のウエハの載置台を備えた成膜装置において、当該真空容器の底板と共に前記載置台を昇降させ、各部のメンテナンスを行う技術について記載されているが、上記の昇降ピンやベローズ体の交換時の問題については記載されておらず、当該問題を解決できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−８７２３６（段落００８９、図２５など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、真空容器を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降する昇降部材に関連する部位のメンテナンス作業を行うにあたって便利な真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の真空処理装置は、真空容器内に設けられた載置台に基板を載置して真空処理し、真空容器の底部を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降部材が昇降する真空処理装置において、
前記真空容器の底部に形成された開口部を塞ぐために当該底部に着脱自在に設けられ、前記昇降軸が貫通したカバープレートと、
前記カバープレートの下方側に伸び出している前記昇降軸の下端部が着脱自在に取り付けられる取り付け部材と、
第１の基体と、
この第１の基体に設けられ、前記取り付け部材を昇降させるための第１の昇降機構と、
前記底部の下方側に伸び出している前記昇降軸を囲むように設けられ、上端部及び下端部が夫々前記カバープレート及び前記取り付け部材に気密に着脱自在に固定された筒状のベローズ体と、
前記真空容器におけるカバープレートの外側位置に固定された第２の基体と、
この第２の基体に設けられ、前記第１の基体を昇降させるための第２の昇降機構と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の具体的な態様としては、例えば以下の通りである。
（１）前記第１の基体は前記カバープレートを支持する支持部材を備える。
（２）前記昇降部材は、基板を載置台から浮上させた状態で保持し、載置台に対して外部の搬送機構との間で基板を受け渡しするためのものである。
（３）前記昇降部材は、少なくとも３本の昇降ピンと、これら昇降ピンに対して共通化され、各昇降ピンの下部が着脱自在に取り付けられると共に前記昇降軸の上部に固定された昇降体と、を備え、
前記昇降体には、昇降軸の軸周りの回転を規制するために下方側から規制部材により係合される係合部が設けられ、
前記カバープレートには、前記規制部材が貫通される貫通孔が形成され、この貫通孔は常時は蓋体により気密に塞がれている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、真空容器の底部のカバープレートを貫通する昇降軸を備えた真空処理装置において、前記昇降軸を昇降させる第１の昇降機構が設けられる第１の基体を第２の昇降機構により真空容器に対して昇降できるように構成している。このため、カバープレートを第２の昇降機構に支持された状態で真空容器から取り外すことができ、真空雰囲気側の昇降部材のメンテナンス作業を容易に行うことができる。また第１の基体が前記カバープレートから分離可能な構造とすることにより、取り付け部材と昇降軸の下端部との固定状態を解除することで、カバープレートからベローズ体を取り外して交換する作業が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の真空処理装置の実施の形態に係る成膜装置の縦断面図である。
【図２】上記の成膜装置の内部の概略構成を示す斜視図である。
【図３】前記成膜装置の真空容器の底部の縦断面図である。
【図４】昇降軸が取り付けられる取り付け部材の斜視図である。
【図５】前記成膜装置の第２の昇降機構の側面図である。
【図６】昇降ピンの交換時における前記成膜装置の下部を示した説明図である。
【図７】ベローズ体の交換時における前記成膜装置の下部を示した説明図である。
【図８】ベローズ体の交換時における前記成膜装置の下部を示した説明図である。
【図９】ウエハの昇降機構の他の例を示した斜視図である。
【図１０】ウエハの昇降機構の他の例を示した側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の真空処理装置の一実施形態であり、基板である半導体ウエハ（以下ウエハと記載する）ＷにＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）及びＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）を行う成膜装置１について説明する。図１、図２は夫々成膜装置１の縦断側面図、概略斜視図である。成膜装置１は、概ね円形状の扁平な真空容器１１と、真空容器１１内に設けられた円板状の回転テーブル１２と、を備えている。真空容器１１は大気雰囲気に設けられ、天板１３と、真空容器１１の側壁及び底部をなす容器本体１４とにより構成されている。図１中１１ａは、真空容器１１内を気密に保つためのシール部材であり、１４ａは容器本体１４の中央部を塞ぐカバーである。図中１２ａは回転駆動機構であり、回転テーブル１２を周方向に回転させる。
【００１３】
回転テーブル１２の表面には、当該回転テーブル１２の回転方向に沿って５つの凹部１６が形成されており、各凹部１６の底面には孔１９が穿孔されている。図中１７は搬送口、１８は搬送口１７を開閉自在なシャッタである。搬送口１７から不図示の搬送機構がウエハＷを保持した状態で真空容器１１内に進入すると、搬送口１７に臨む位置における凹部１６の孔１９から回転テーブル１２上に後述の昇降ピン３２が突出してウエハＷを突き上げ、その後、昇降ピン３２が下降してウエハＷが前記凹部１６内に載置される。続いて、回転テーブル１２が回転し、ウエハＷが載置されていない凹部１６が搬送口１７に臨む位置に移動し、ウエハＷを保持した前記搬送機構が再び真空容器１１内に進入する。
【００１４】
このような搬送機構、昇降ピン３２及び回転テーブル１２による一連の動作が繰り返されて、各凹部１６にウエハＷが受け渡される。真空容器１１からウエハＷが搬出される時には、昇降ピン３２が凹部１６内のウエハＷを突き上げ、前記搬送機構が突き上げられたウエハＷを受け取り、真空容器１１の外に搬出する。
【００１５】
回転テーブル１２上には、夫々回転テーブル１２の外周から中心へ向かって伸びる棒状の第１の反応ガスノズル２１、分離ガスノズル２２、第２の反応ガスノズル２３及び分離ガスノズル２４が、この順で周方向に配設されている。これらのガスノズル２１〜２４は下方に開口部を備え、回転テーブル１２の径に沿って夫々ガスを供給する。第１の反応ガスノズル２１はＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガスを、第２の反応ガスノズル２３はＯ3（オゾン）ガスを夫々吐出する。分離ガスノズル２２、２４はＮ2（窒素）ガスを吐出する。
【００１６】
真空容器１１の天板１３は、下方に突出する扇状の２つの突状部２５を備え、突状部２５は周方向に間隔をおいて形成されている。前記分離ガスノズル２２、２４は、夫々突状部２５にめり込むと共に、当該突状部２５を周方向に分割するように設けられている。前記第１の反応ガスノズル２１及び第２の反応ガスノズル２３は、各突状部２５から離れて設けられている。
【００１７】
各凹部１６にウエハＷが載置されると、容器本体１４の底面において各突状部２５、２５の下方の分離領域Ｄ、Ｄ間から回転テーブル１２の径方向外側へ向かった位置に開口した排気口２６、２６から排気されて、真空容器１１内が真空雰囲気になる。なお、図中では排気口２６は１つのみ示しており、２６ａは真空ポンプである。そして、回転テーブル１２が回転すると共に、不図示のヒータにより回転テーブル１２を介してウエハＷが加熱される。続いて、各ガスノズル２１〜２４からガスが供給され、ウエハＷは第１の反応ガスノズル２１の下方の第１の処理領域Ｐ１と第２の反応ガスノズル２３の下方の第２の処理領域Ｐ２とを交互に通過し、ウエハＷにＢＴＢＡＳガスが吸着し、次いでＯ３ガスが吸着してＢＴＢＡＳ分子が酸化されて酸化シリコンの分子層が１層あるいは複数層形成される。こうして酸化シリコンの分子層が順次積層されて所定の膜厚のシリコン酸化膜が成膜される。
【００１８】
この成膜処理時に分離ガスノズル２２、２４から前記分離領域Ｄに供給されたＮ2ガスが、当該分離領域Ｄを周方向に広がり、回転テーブル１２上でＢＴＢＡＳガスとＯ3ガスとが混合することを防ぎ、余剰のＢＴＢＡＳガス及びＯ3ガスを、前記排気口２６へ押し流す。また、この成膜処理時には、回転テーブル１２の中心部領域Ｃ上の空間２７にＮ2ガスが供給される。天板１３において、リング状に下方に突出した突出部２８の下方を介して、このＮ2ガスが回転テーブル１２の径方向外側に供給され、前記中心部領域ＣでのＢＴＢＡＳガスとＯ3ガスとの混合が防がれる。また、図示は省略しているが、カバー１４ａ内及び回転テーブル１２の裏面側にもＮ2ガスが供給され、反応ガスがパージされるようになっている。
【００１９】
次に、容器本体１４の底部の構成について詳しく説明する。容器本体１４の底部には、当該底部を厚さ方向に貫通し、真空容器１１内に連通する開口部３１が設けられている。開口部３１は少なくとも３つ以上設けられる。また、この容器本体１４の底部には扁平な筒状体３５が設けられている。筒状体３５の上端は、前記開口部３１を囲み、容器本体１４の底部に密着して設けられている。前記筒状体３５の下端には、周方向に複数のボルト孔３７が穿孔されている。
【００２０】
容器本体１４の下部には昇降ピンユニット３と、ベローズ体５１と、取り付け部材６と、第１の昇降機構７と、第２の昇降機構８とが設けられている。昇降ピンユニット３について説明すると、昇降ピンユニット３は、昇降ピン３２と、水平な板状の基枠３３と、鉛直下方に伸びる昇降軸３４とにより構成されている。昇降ピン３２は、前記開口部３１内に設けられており、その下端が前記基枠３３上に支持されている。昇降ピン３２は、基枠３３に対して着脱自在に取り付けられており、基枠３３は、筒状体３５内の空間３６を昇降可能に構成される。基枠３３の下部には前記昇降軸３４の上端が接続されている。また、詳しくは後述するが、基枠３３の下部には後述のメンテナンス時において当該基枠３３のずれを防止するためのボルト孔３８が設けられている。
【００２１】
筒状体３５の下端には、前記空間３６を塞ぐようにカバープレート４１が設けられており、前記昇降軸３４はこのカバープレート４１の中央部に形成された貫通孔４０を介して下方へと伸びている。このカバープレート４１及び当該カバープレート４１の周辺の構成について、詳しく示した図３を参照しながら説明する。カバープレート４１は、その縁部にボルト孔４２を備えており、ボルト孔４２はカバープレート４１を厚さ方向に貫通している。また、ボルト孔４２は前記筒状体３５のボルト孔３７に重なる位置に形成されている。これらボルト孔４２、３７に対応するボルト４３により、カバープレート４１は、前記筒状体３５に締結されている。
【００２２】
また、カバープレート４１において、ボルト孔４２よりも内側に、当該カバープレート４１を貫通する複数のボルト孔４４が設けられている。このボルト孔４４は、既述の基枠３３に設けられるボルト孔３８と重なる位置に設けられている。
【００２３】
カバープレート４１の下面について説明すると、前記ボルト孔４４を囲むように複数のボルト孔４５が設けられており、また、前記ボルト孔４４を塞ぐようにシール板４６が設けられている。このシール板４６の周縁部には、当該シール板４６を貫通する複数のボルト孔４７が穿孔されており、ボルト孔４７は前記ボルト孔４５と重なる位置に設けられている。これらのボルト孔４７、４５に対応するボルト４８により、シール板４６は、前記カバープレート４１に締結されている。また、カバープレート４１の下面には、前記貫通孔４０を囲むように複数のボルト孔４９が設けられており、このボルト孔４９はベローズ体５１をカバープレート４１に取り付ける役割を有する。
【００２４】
続いて、ベローズ体５１について説明する。ベローズ体５１は筒状体であり、カバープレート４１の下方へ伸び出した昇降軸３４を囲むように設けられている。ベローズ体５１は上下方向に伸縮自在に構成され、その上端、下端に夫々上側フランジ５２、下側フランジ５３を備えている。上側フランジ５２、下側フランジ５３には周方向にフランジ５２，５３を貫通する複数のボルト孔５４、５５が夫々設けられている。ボルト孔５４は、前記カバープレート４１のボルト孔４９に重なるように設けられ、これらボルト孔５４、４９に対応するボルト５６により、上側フランジ５２が前記カバープレート４１に締結されている。
【００２５】
ベローズ体５１の下方には、取り付け部材６が設けられている。取り付け部材６は、水平な板状体６１と、板状体６１の下方にて当該板状体６１に固定されたコ字型部６２とにより構成されている。板状体６１には前記ベローズ体５１が取り付けられ、コ字型部６２には前記昇降軸３４が取り付けられる。
【００２６】
前記板状体６１は、当該板状体６１を貫通する貫通孔６０を備え、貫通孔６０には昇降軸３４が挿通される。板状体６１の上面には、前記ベローズ体５１の下側フランジ５３のボルト孔５５に重なる位置にボルト孔６３が設けられており、これらボルト孔６３は前記貫通孔６０の周囲に配置されている。これらのボルト孔５５、６３に対応するボルト６５により、フランジ５３は板状体６１に締結されている。このようにシール板４６が取り付けられたカバープレート４１が筒状体３５に取り付けられ、さらにベローズ体５１がカバープレート４１及び取り付け部材６に取り付けられることにより、既述のウエハＷの成膜処理時に真空容器１１内を真空雰囲気に保つことができる。
【００２７】
前記コ字型部６２は、図４に示すように上下に設けられた水平板６４を備え、各水平板６４は、昇降軸３４が挿通される孔６５と、水平板６４の端部からこの孔６５に向かって形成された切り欠き６６とを備えている。水平板６５の側方には切り欠き６６の形成方向と直交するようにボルト孔６７が設けられており、ボルト孔６７に対応するボルト６８を締め付けることで、切り欠き６６の幅が狭まり、それによって孔６５の周面が昇降軸３４を押圧し、昇降軸３４がコ字型部６２に固定される。このようにコ字型部６２は、いわゆる割り締め構造を有しており、昇降軸３４が締結される。
【００２８】
図１に戻って説明を続けると、取り付け部材６の下方には、第１の昇降機構７が当該取り付け部材６に接続されて設けられている。第１の昇降機構７は、例えばサーボモータを備えており、この取り付け部材６を昇降させる。これによって、取り付け部材６に固定された昇降ピンユニット３が昇降し、既述のように昇降ピン３２が回転テーブル１２上で突没する。また、第１の昇降機構７には、当該第１の昇降機構７の側部から上方へ向かって伸びるように形成された第１の基体７１が固定されて設けられている。
【００２９】
この第１の基体７１の上部には、支持部材である支持フレーム７２が設けられている。この支持フレーム７２はメンテナンス時にカバープレート４１の下面を支持する役割を有し、支持フレーム７２の上端はカバープレート４１の下面に着脱自在に構成されている。なお、支持フレーム７２の形状としては図示の形状に限られず、後述する昇降ピン３２の交換時にカバープレート４１を支持できる形状であればよい。また、第１の基体７１は、第２の昇降機構８に接続される被係止部７４を備えている。
【００３０】
続いて、第２の昇降機構８について説明する。図５には、真空容器１１の中心側から外側に向かって見た第２の昇降機構８を示しており、この図５及び図１を参照しながら第２の昇降機構８について説明する。ただし、図５では、構成を明確にするために後述の直動ガイド８３と台形ネジ８４との位置関係を図１に示した位置関係からずらして示している。第２の昇降機構８は上下方向に長尺なフレーム８１を備えている。
【００３１】
フレーム８１には上下方向に伸びる直動ガイド８３と、直動ガイド８３と並行する棒状の台形ネジ８４とが設けられている。フレーム８１の下方にはハンドル８５が設けられており、ハンドル８５を回すと台形ネジ８４が連動して軸回りに回動する。前記第１の基体７１の被係止部７４は、この台形ネジ８４に係止され、台形ネジ８４が回動すると、直動ガイド８３に沿って第１の基体７１が昇降する。また、前記フレーム８１には、第２の基体８６が固定されて設けられ、この第２の基体８６は、筒状体３５の外側に固定されている。つまり、第２の昇降機構８は、真空容器１１に対して固定されている。既述のウエハＷの処理時には、昇降ピン３２が上昇したときに回転テーブル１２上にその先端が突出し、且つ下降したときには回転テーブル１２の下方にその先端が位置するように、例えば図１に示す高さ位置にあるように第１の昇降機構７の高さが第２の昇降機構８により調整される。
【００３２】
続いて、図１に示す状態で成膜処理を終えた後、メンテナンスを行うために昇降ピン３２を交換する手順について、図６を参照しながら説明する。真空容器１１の真空引きを停止し、筒状体３５とカバープレート４１とを締結するボルト４３を取り外し、前記締結を解除する。その後、第２の昇降機構８のハンドル８５を回して第１の基体７１の高さ位置を下げ、カバープレート４１が支持フレーム７２に支持されながら下降すると共に第１の昇降機構７が下降する。この第１の昇降機構７の下降によって、当該第１の昇降機構７に接続された取り付け部材６も下降し、さらにこの取り付け部材６に固定された昇降ピンユニット３が下降する。そして、昇降ピンユニット３を構成する基枠３３、続いて昇降ピン３２が筒状体３５の下方外側に移動する。ユーザは、このような位置に移動した昇降ピン３２の交換を行う。
【００３３】
昇降ピン３２の交換後は、ハンドル８５を第１の基体７１を下降させたときとは逆回転させて、当該第１の基体７１、第１の昇降機構７、昇降ピンユニット３及びカバープレート４１を上昇させて、図１の位置に戻す。カバープレート４１が筒状体３５に密着したら、ボルト４２によりカバープレート４１を筒状体３５に締結し、筒状体３５内を気密に保ち、交換作業を終了する。
【００３４】
続いて、図１の状態からメンテナンス時にベローズ体５１を交換する手順について、図３、図７及び図８を参照しながら説明する。真空容器１１の真空引きを停止した状態で図３に示したボルト４８を取り外し、シール板４６をカバープレート４１から取り外して、当該カバープレート４１のボルト孔４４を開放する。その後、このボルト孔４４及び基枠３３のボルト孔３８に対応した規制部材であるボルト５０をこれらボルト孔４４，３８に螺合させ、カバープレート４１に基枠３３を固定する。
【００３５】
基枠３３の固定後、図７に示すようにベローズ体５１の上側フランジ５２のボルト５６を取り外し、ベローズ体５１とカバープレート４１との締結を解除する。また、取り付け部材６のボルト６８をゆるめることで、取り付け部材６と昇降軸３４との締結を解除する。然る後、第２の昇降機構８のハンドル８５を回し、第１の基体７１の高さ位置を下げる。この第１の基体７１の下降により、当該第１の基体７１に接続された取り付け部材６及び当該取り付け部材６に固定されたベローズ体５１が下降する。ベローズ体５１の上端が昇降軸３４の下端よりも下方に位置したらハンドル８５の回転を停止させ、図８に示すようにベローズ体５１の下側フランジ５３のボルト６５を取り外して、下側フランジ５３と取り付け部材６との締結を解除し、ベローズ体５１を取り付け部材６から取り外す。
【００３６】
そして、新規なベローズ体５１の下側フランジ５３をボルト６５によって取り付け部材６に締結し、ハンドル８５を第１の基体７１を下降させたときとは逆回転させて、当該第１の基体７１、取り付け部材６及びベローズ体５１を上昇させる。昇降軸３４の下端がベローズ体５１内を通り、さらに取り付け部材６に設けられる孔６０、６５を通って、前記第１の基体７１、取り付け部材６及びベローズ体５１が図１の高さ位置に戻されたら、ハンドル８５の回転を停止し、ボルト６８により昇降軸３４を取り付け部材６に締結する。
【００３７】
続いて、ベローズ体５１の上側フランジ５２をカバープレート４１にボルト５６を介して締結する。そして、基枠３３のボルト孔３８及びカバープレート４１のボルト孔４４からボルト５０を取り外し、カバープレート４１に対する基枠３３の固定を解除する。ボルト４８によりシール板４６をカバープレート４１に取り付け、ボルト孔４４を塞いで筒状体３５内を気密に保ち、交換作業を終了する
【００３８】
成膜装置１は、真空容器１１の底部に設けられたカバープレート４１を貫通する昇降軸３４が固定された取り付け部材６と、前記前記昇降軸３４を昇降させる第１の昇降機構７及びカバープレート４１を支持する支持フレーム７２が設けられる第１の基体７１と、を備え、前記第１の基体７１を第２の昇降機構８により真空容器１１に対して昇降できるように構成している。このため、カバープレート４１を第１の昇降機構７に対して支持された状態で真空容器１１に対して昇降させると共に昇降軸３４を昇降させることができるので、昇降ピン３２の交換を容易に行うことができる。また、第１の基体７１は、前記カバープレート４１から分離自在に構成されているので、カバープレート４１とベローズ体５１との固定状態及び取り付け部材６と昇降軸３４の下端部との固定状態を解除し、第２の昇降機構８により第１の基体７１と共にベローズ体５１を下降させることができ、カバープレート４１に対してベローズ体５１を取り外して交換する作業が容易になる。
【００３９】
また、ボルト５０を介して基枠３３はカバープレート４１に対して固定することができるため、ベローズ体５１の交換時に昇降軸３４と取り付け部材６との結合が解除されたときに、基枠３３が昇降軸３４の軸周りに回転することが防がれる。従って、ベローズ体５１の交換終了後に昇降ピン３２の昇降軸３４の軸回りの位置を調整する必要が無く、速やかにウエハＷの成膜処理を再開することができるのでスループットの低下を抑えることができる。
【００４０】
なお、支持フレーム７２を設けず、上記の昇降ピン３２の交換時には第１の昇降機構７により取り付け部材６を上昇させ、ベローズ体５１を縮ませる。そして縮んだベローズ体５１によりカバープレート４１が支持された状態で、第２の昇降機構８により、第１の基体７１、カバープレート４１及び昇降ピンユニット３を下降させてもよい。
【００４１】
なお、昇降軸３４の先端側はピンにより構成されることに限られず、例えば図９及び図１０のように構成してもよい。この図９及び図１０の例では、既述の例と同様に昇降軸３４に基枠３３が接続され、基枠３３には昇降ピン３２が設けられているが、昇降ピン３２の先端は昇降板８１として構成されている。この昇降板８１はウエハＷの裏面を支持してウエハＷを昇降させる。図中８２は、昇降板８１が昇降するために回転テーブル１２に設けられた孔である。図中８３はウエハＷの搬送機構である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｗ      ウエハ
Ｄ      分離領域
１      成膜装置
１２    回転テーブル
１４    容器本体
２１    反応ガスノズル
３      昇降ピンユニット
３１    開口ピン
３２    昇降ピン
３３    基枠
３４    昇降軸
４１    カバープレート
４６    シール板
５１    ベローズ体
６      取り付け部材
７１    第１の基体
７      第１の昇降機構
８      第２の昇降機構
８６    第２の基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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