(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成され、厚み方向を貫通する開口部が形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子、外部基板と電気的に接続される外部側端子、および、前記ヘッド側端子と前記外部側端子とに接続される配線を備える導体パターンとを備え、
前記外部側端子は、前記絶縁層の前記開口部内に充填され、
前記金属支持基板には、周囲の前記金属支持基板から電気的に絶縁され、かつ、前記外部側端子と電気的に接続される支持端子が設けられ、
前記支持端子の下に形成される金属めっき層と、
前記支持端子と前記金属めっき層との間に介在され、厚みが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である導電層と
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記導電層が、金属からなり、真空蒸着法により形成される蒸着層であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記導電層が、クロム、銅、モリブデン、タングステンおよびニクロムからなる群から選択される少なくとも１種の金属からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
前記導電層は、
クロム、モリブデン、タングステンおよびニクロムからなる群から選択される少なくとも１種の金属からなり、前記支持端子に隣接する第１導電層と、
銅からなり、前記第１導電層の下に、前記金属めっき層に隣接するように形成される第２導電層と
を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
前記金属支持基板は、ステンレスからなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項６】
前記金属めっき層は、金および／またはニッケルからなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項７】
前記金属めっき層は、金から形成される金めっき層を備えていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項８】
前記金属めっき層は、
前記導電層の下に形成され、ニッケルからなるニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層の下に形成され、金からなる金めっき層と
を備えていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに一項に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項９】
金属支持基板を用意する工程、
前記金属支持基板の上に、厚み方向を貫通する開口部が形成される絶縁層を形成する工程、および、
前記絶縁層の上に、磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子、外部基板と電気的に接続される外部側端子、および、前記ヘッド側端子と前記外部側端子とに接続される配線を備える導体パターンを形成する工程を備え、
前記導体パターンを形成する工程では、前記外部側端子を、前記絶縁層の前記開口部内に充填しており、
前記金属支持基板に、周囲の前記金属支持基板から電気的に絶縁され、かつ、前記外部側端子と電気的に接続される支持端子を形成する工程、
前記支持端子の下に、厚みが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である導電層を形成する工程、および、
前記導電層の下に金属めっき層を形成する工程
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドおよび外部基板と電気的に接続して、ハードディスクドライブに搭載される。回路付サスペンション基板は、ステンレスなどからなる金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される導体パターンとを備えている。また、導体パターンは、磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子と、外部基板と電気的に接続される外部側端子と、検査で用いられる検査側端子と、それらに接続される配線とを備える。
【０００３】
そのような回路付サスペンション基板には、磁気ヘッドを、ヘッド側端子と電気的に接続するように実装した後、検査機器のプローブを検査側端子と接触させることにより、導体パターンの導通および磁気ヘッドの動作を検査している。
【０００４】
また、このような端子の表面には、金めっき層を形成することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１９８７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、上記した検査において、検査機器の配置によっては、検査側端子の上側にプローブを配置することが困難となる場合がある。その場合には、検査側端子の下側にプローブを配置することが検討される。その場合、金属支持基板に端子を形成して、磁気ヘッドと端子とを導通させた後、端子の下面に、プローブを接触させることが検討される。
【０００７】
そして、ステンレスからなる端子は、表面抵抗が高いことから、特許文献１と同様に、金めっき層を端子の下面に形成し、その金めっき層にプローブを接触させることにより、プローブと端子との導通性を向上させることが検討される。
【０００８】
しかしながら、金めっき層と端子との密着性が十分でないと、金めっき層が端子から容易に剥離するという不具合がある。
【０００９】
本発明の目的は、金属めっき層と支持端子との密着性を向上させることにより、導体パターンの導通および磁気ヘッドの動作の検査を優れた信頼性で実施することのできる、回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成され、厚み方向を貫通する開口部が形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子、外部基板と電気的に接続される外部側端子、および、前記ヘッド側端子と前記外部側端子とに接続される配線を備える導体パターンとを備え、前記外部側端子は、前記絶縁層の前記開口部内に充填され、前記金属支持基板には、周囲の前記金属支持基板から電気的に絶縁され、かつ、前記外部側端子と電気的に接続される支持端子が設けられ、前記支持端子の下に形成される金属めっき層と、前記支持端子と前記金属めっき層との間に介在され、厚みが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である導電層とを備えることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記導電層が、金属からなり、真空蒸着法により形成される蒸着層であることが好適である。
【００１２】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記導電層が、クロム、銅、モリブデン、タングステンおよびニクロムからなる群から選択される少なくとも１種の金属からなることが好適である。
【００１３】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記導電層は、クロム、モリブデン、タングステンおよびニクロムからなる群から選択される少なくとも１種の金属からなり、前記支持端子に隣接する第１導電層と、銅からなり、前記第１導電層の下に、前記金属めっき層に隣接するように形成される第２導電層とを備えていることが好適である。
【００１４】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属支持基板は、ステンレスからなることが好適である。
【００１５】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属めっき層は、金および／またはニッケルからなることが好適である。
【００１６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属めっき層は、金から形成される金めっき層を備えていることが好適である。
【００１７】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属めっき層は、前記導電層の下に形成され、ニッケルからなるニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層の下に形成され、金からなる金めっき層とを備えていることが好適である。
【００１８】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程、前記金属支持基板の上に、厚み方向を貫通する開口部が形成される絶縁層を形成する工程、および、前記絶縁層の上に、磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子、外部基板と電気的に接続される外部側端子、および、前記ヘッド側端子と前記外部側端子とに接続される配線を備える導体パターンを形成する工程を備え、前記導体パターンを形成する工程では、前記外部側端子を、前記絶縁層の前記開口部内に充填しており、前記金属支持基板に、周囲の前記金属支持基板から電気的に絶縁され、かつ、前記外部側端子と電気的に接続される支持端子を形成する工程、前記支持端子の下に、厚みが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である導電層を形成する工程、および、前記導電層の下に金属めっき層を形成する工程を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法により得られる本発明の回路付サスペンション基板によれば、外部側端子が、絶縁層の開口部内に充填され、金属支持基板に、周囲の金属支持基板と電気的に絶縁され、かつ、外部側端子と電気的に接続される支持端子が形成され、その支持端子の下に金属めっき層が形成されているので、検査機器のプローブを、金属めっき層の下側から、その下面に接触させれば、プローブと支持端子との優れた導通性を確保しつつ、導体パターンの導通、および、ヘッド側端子に接続される磁気ヘッドの動作を検査することができる。
【００２０】
また、特定厚みの導電層が、支持端子と金属めっき層との間に介在されているので、支持端子と金属めっき層との密着性を向上させることができる。
【００２１】
そのため、金属めっき層が支持端子から剥離することを防止することができる。
【００２２】
その結果、導体パターンの導通および磁気ヘッドの動作の検査の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大底面図を示す。
【図４】図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であり、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図５】図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であり、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図６】図６は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、（ａ）は、金属支持基板、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を形成する工程、（ｂ）は、導電層を形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストを形成する工程、（ｄ）は、金属めっき層を形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｆ）は、金属めっき層から露出する導電層を除去する工程、（ｇ）は、スリットおよび支持開口部を形成して、金属支持基板を外形加工する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図、図２および図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図および拡大底面図、図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であり、図２のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線にそれぞれ沿う断面図、図６は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図を示す。
【００２５】
なお、図１および図２において、導体パターン４の相対配置を明確に示すため、カバー絶縁層５を省略している。また、図１において、導体パターン４の相対配置を明確に示すため、ベース絶縁層３を省略している。
【００２６】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッドが実装されるスライダ９（仮想線）と、外部基板（図示せず）とを実装して、ハードディスクドライブに搭載される。
【００２７】
回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、金属支持基板２と、それに支持される導体パターン４とを備えている。
【００２８】
金属支持基板２は、回路付サスペンション基板１の平面形状に対応する形状に形成されている。
【００２９】
導体パターン４は、金属支持基板２の先端部（長手方向一端部）に形成されるヘッド側端子６と、金属支持基板２の後端部（長手方向他端部）に形成される外部側端子７と、ヘッド側端子６と外部側端子７とを電気的に接続する配線８とを一体的に備えている。
【００３０】
また、金属支持基板２には、ヘッド側端子６を先後方向に挟むスリット２１が厚み方向を貫通するように形成されている。また、図３〜図５に示すように、金属支持基板２には、厚み方向に投影したときに、外部側端子７を囲む支持開口部１２が形成されている。支持開口部１２は、厚み方向を貫通するように形成され、幅方向（先後方向に直交する方向）に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３１】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図４および図５に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。
【００３２】
金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【００３３】
ステンレスは、例えば、クロムを１２質量％以上含む鋼であって、例えば、ＳＵＳ３０４などが挙げられる。また、ステンレスの比抵抗（２０℃）は、例えば、５０〜１００μΩ・ｃｍである。
【００３４】
金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜５０μｍ、好ましくは、２０〜３０μｍである。
【００３５】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上面において、導体パターン４に対応するパターンに形成されている。ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００３６】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜３３μｍである。
【００３７】
導体パターン４は、ヘッド側端子６と、外部側端子７と、配線８とを備える配線回路パターンとして形成されている。
【００３８】
ヘッド側端子６は、図１に示すように、先端部において、幅方向に間隔を隔てて複数配置され、各ヘッド側端子６は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３９】
外部側端子７は、図２に示すように、後端部において、幅方向に間隔を隔てて複数配置され、各外部側端子７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００４０】
配線８は、図１に示すように、ヘッド側端子６の後端部および外部側端子７の先端部に連続するように形成されている。
【００４１】
導体パターン４を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などが挙げられる。導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００４２】
また、各ヘッド側端子６および各外部側端子７の幅（幅方向長さ）は、例えば、１０〜２０６０μｍ、好ましくは、２０〜５６０μｍであり、各ヘッド側端子６および各外部側端子７の長さ（先後方向長さ）は、例えば、１０〜２５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。各ヘッド側端子６および各外部側端子７の表面積は、例えば、２０００〜２００００μｍ２、好ましくは、２５００〜１００００μｍ２である。
【００４３】
各ヘッド側端子６間の間隔および各外部側端子７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４４】
配線８の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【００４５】
カバー絶縁層５は、図４および図５示すように、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、配線８の上面および側面とに形成されている。また、カバー絶縁層５は、ヘッド側端子６および外部側端子７を露出するように形成されている。
【００４６】
カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、ベース絶縁層を形成する絶縁材料と同様のものが挙げられる。また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。
【００４７】
次に、回路付サスペンション基板１の後端部について詳述する。
【００４８】
図２、図４および図５に示すように、回路付サスペンション基板１の後端部では、ベース絶縁層３に、各外部側端子７に対応する開口部としてのベース開口部１１が形成されている。
【００４９】
ベース開口部１１は、ベース絶縁層３の厚み方向を貫通するように形成されており、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００５０】
また、ベース開口部１１内には、外部側端子７が充填されている。すなわち、外部側端子７は、ベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填される下部２２と、下部２２の上端からベース開口部１１の周囲のベース絶縁層３の上面を被覆する上部２３とを連続して備えている。なお、外部側端子７の上部２３は、下部２２の上端から上側、先後方向両側および幅方向両側に膨出している。
【００５１】
ベース開口部１１の幅（外部側端子７の下部２２の幅）は、例えば、４０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜１０００μｍであり、長さ（外部側端子７の下部２２の長さ）は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜６００μｍである。
【００５２】
また、金属支持基板２の後端部には、支持端子１３が設けられている。
【００５３】
支持端子１３は、支持開口部１２内に、各外部側端子７に対応するように形成されている。つまり、支持端子１３は、幅方向に間隔を隔てて複数配置され、各支持端子１３は、互いに独立して、先後方向に長い底面視略矩形状に形成されている。
【００５４】
また、支持端子１３は、金属支持基板２の支持開口部１２の内周面と内側に間隔を隔てて配置されている。
【００５５】
これにより、各支持端子１３は、互いに電気的に絶縁されるとともに、支持端子１３は、支持開口部１２の周囲の金属支持基板２から電気的に絶縁されている。
【００５６】
また、支持端子１３は、図３〜図５に示すように、厚み方向に投影したときに、外部側端子７と重複している。詳しくは、各支持端子１３は、厚み方向に投影したときに、外部側端子７の上部２３と同一形状となるように形成されている。
【００５７】
各支持端子１３は、周端部（先後方向両端部および幅方向両端部）がベース絶縁層３の下面に接触するとともに、中央部が、外部側端子７の下部２２の下面に接触している。
【００５８】
これにより、各支持端子１３は、各外部側端子７と電気的にそれぞれ接続される。
【００５９】
なお、支持端子１３の下面の表面抵抗（２０℃）は、例えば、１０〜１００Ω／□、好ましくは、２０〜８０Ω／□である。なお、表面抵抗（以下の表面抵抗も同様）は、表面抵抗測定装置によって測定される。
【００６０】
そして、回路付サスペンション基板１は、支持端子１３の下面に形成される導電層１４と、導電層１４の下面に形成される金属めっき層１５とを備えている。
【００６１】
導電層１４は、各支持端子１３の下面全面にそれぞれ形成されている。
【００６２】
導電層１４を形成する導電材料としては、例えば、クロム、銅、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、コバルト、チタン、ジルコニウム、および、それらの合金（例えば、ニッケル・クロム合金（ニクロム）、クロム・モリブデン合金など）などの金属、例えば、カーボンブラックなどのカーボン、例えば、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロールなどのポリマーなどが挙げられる。
【００６３】
好ましくは、金属、さらに好ましくは、クロム、銅、モリブデン、タングステン、ニクロムが挙げられる。
【００６４】
これらの導電材料の比抵抗は、例えば、１〜１００μΩ・ｃｍ、好ましくは、例えば、２〜１０μΩ・ｃｍである。
【００６５】
これら導電材料は、単独または２種以上併用することができる。
【００６６】
導電材料は、好ましくは、２種以上併用する。具体的には、図４および図５に示すように、導電層１４は、第１導電層１６と、第２導電層１７とを備えている。
【００６７】
第１導電層１６は、支持端子１３の下面に隣接して形成されている。第１導電層１６は、例えば、クロム、モリブデン、タングステンおよびニクロムからなる群から選択される少なくとも１種の金属からなる。
【００６８】
第２導電層１７は、第１導電層の下面に形成されている。第２導電層１７は、例えば、銅からなる。
【００６９】
導電層１４の厚みは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、好ましくは、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、さらに好ましくは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００７０】
なお、導電層１４を、例えば、１０ｎｍ以上３μｍ以下とすることもできる。
【００７１】
導電層１４が第１導電層１６および第２導電層１７を備える場合には、第１導電層１６の厚みが、例えば、１０ｎｍ以上９０ｎｍ以下、好ましくは、１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、第２導電層１７の厚みが、例えば、１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、好ましくは、２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００７２】
導電層１４（第１導電層１６および第２導電層１７を含む）の厚みが上記範囲内であれば、支持端子１３と金属めっき層１５との密着性を向上させることができる。
【００７３】
金属めっき層１５は、後述するめっきにより形成されるめっき層である。金属めっき層１５は、導電層１４の下面全面に形成されている。また、導電層１４が第１導電層１６および第２導電層１７を備える場合には、金属めっき層１５は、第２導電層１７の下面に形成されている。つまり、金属めっき層１５は、第２導電層１７の下側に隣接して形成されている。
【００７４】
これにより、導電層１４は、支持端子１３と金属めっき層１５との間に介在されている。
【００７５】
金属めっき層１５を形成する金属としては、例えば、金、ニッケル、クロム、および、それらの合金などの導電材料が挙げられる。
【００７６】
上記した金属の比抵抗（２０℃）は、例えば、０．１〜１０００μΩ・ｃｍ、好ましくは、１〜１００μΩ・ｃｍである。
【００７７】
これら金属は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００７８】
上記した金属を単独使用する場合には、好ましくは、金（比抵抗（２０℃）：２．５μΩ・ｃｍ、比抵抗（０℃）：２．１９μΩ・ｃｍ）が挙げられる。つまり、金属めっき層１５が金めっき層とされる。
【００７９】
上記した金属を２種以上併用する場合には、好ましくは、金およびニッケル（比抵抗（２０℃）：６．９μΩ・ｃｍ、比抵抗（０℃）：６．９μΩ・ｃｍ）の併用が挙げられる。つまり、金属めっき層１５が、金めっき層およびニッケルめっき層とされる。その場合には、ニッケルめっき層が、導電層１４の下面に形成され、金めっき層がニッケルめっき層の下面に形成される。
【００８０】
金属めっき層１５の厚みは、例えば、０．０１〜１０μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。
【００８１】
金属めっき層１５の表面抵抗（２０℃）は、例えば、１０〜１００Ω／□、好ましくは、２０〜８０Ω／□である。
【００８２】
次に、回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６を参照して説明する。
【００８３】
まず、図６（ａ）が参照されるように、この方法では、長手方向に延びる板状の金属支持基板２を用意する。
【００８４】
次いで、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、ベース開口部１１が形成されるように、形成する。
【００８５】
ベース絶縁層３を形成するには、例えば、金属支持基板２の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【００８６】
次いで、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、上記したヘッド側端子６、外部側端子７および配線８に対応するパターンで、形成する。外部側端子７は、下部２２が、ベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填され、かつ、上部２３が、下部２２の上端から膨出するように、形成する。
【００８７】
導体パターン４を形成するには、例えば、アディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。
【００８８】
次いで、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成する。例えば、感光性の合成樹脂を、導体パターン４を含むベース絶縁層３の上に塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【００８９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、導電層１４を、金属支持基板２の下面全面に形成する。
【００９０】
導電層１４を形成する方法としては、例えば、真空蒸着、めっきなどの薄膜形成方法が挙げられる。好ましくは、真空蒸着が挙げられる。
【００９１】
真空蒸着は、製造途中の回路付サスペンション基板１の環境を真空雰囲気にした状態で、上記した導電材料を蒸発させて、金属支持基板２の下面全面に付着させる方法である。      
【００９２】
真空蒸着によって形成される導電層１４は、蒸着層とされる。
【００９３】
真空蒸着であれば、導電層１４を上記した特定厚みで形成することができる。
【００９４】
真空蒸着としては、例えば、スパッタ蒸着（スパッタリング）、抵抗加熱蒸着、電子ビーム加熱蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
【００９５】
また、第１導電層１６および第２導電層１７を備える導電層１４を形成する場合には、第１導電層１６を、金属支持基板２の下面全面に、上記した薄膜形成方法によって形成した後、第２導電層１７を、第１導電層１６の下面全面に、上記した薄膜形成方法よって形成する。
【００９６】
次いで、図６（ｃ）に示すように、めっきレジスト１９を、金属支持基板２の下面に、支持端子１３のパターンの逆パターンで形成する。
【００９７】
次いで、図６（ｄ）に示すように、金属めっき層１５を、めっきレジスト１９から露出する導電層１４の下面に、めっきにより形成する。
【００９８】
めっきとしては、例えば、電解めっき、無電解めっきが挙げられる。好ましくは、無電解めっきが挙げられる。
【００９９】
金属めっき層１５が金からなる場合には、金めっき層を、金めっき（好ましくは、無電解金めっき）によって、めっきレジスト１９から露出する導電層１４の下面に形成する。
【０１００】
金属めっき層１５が金およびニッケルからなる場合には、例えば、ニッケルめっき層を、ニッケルめっき（好ましくは、無電解ニッケルめっき）によって、めっきレジスト１９から露出する導電層１４の下面に形成し、その後、金めっき層を、金めっき（好ましくは、無電解金めっき）によって、ニッケルめっき層の下面全面に形成する。
【０１０１】
なお、金属めっき層１５は、さらに、カバー絶縁層５から露出するヘッド側端子６および外部側端子７の上面にも形成される。
【０１０２】
次いで、図６（ｅ）に示すように、めっきレジスト１９を、例えば、エッチング、剥離などによって除去する。
【０１０３】
次いで、図６（ｆ）に示すように、金属めっき層１５から露出する導電層１４を、例えば、過硫酸カリウムや過硫酸ソーダなどのエッチング液を用いるソフトエッチングによって、除去する。なお、金属めっき層１５は、このとき、エッチングレジストとなり、ソフトエッチングによって除去されないか、あるいは、金属めっき層１５の厚みが導電層１４の厚みより十分に厚いことから、ソフトエッチングによっても実質的に除去されない。
【０１０４】
その後、スリット２１（図１参照）および支持開口部１２（図３参照）を、例えば、エッチング、ドリル穿孔、レーザ加工によって形成する。また、これと同時に、金属支持基板２を外形加工する。
【０１０５】
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
【０１０６】
その後、図１の仮想線で示すように、得られた回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッドが実装されるスライダ９を搭載する。これと同時に、磁気ヘッドを、ヘッド側端子６と電気的に接続する。
【０１０７】
その後、検査機器１０（仮想線）によって、導体パターン４の導通の検査および磁気ヘッドの動作の検査を実施する。
【０１０８】
具体的には、図４および図５に示すように、検査機器１０を回路付サスペンション基板１の下に配置する。そして、検査機器１０のプローブ１８を、金属めっき層１５の下面に接触させる。なお、プローブ１８の先端面（上面）は、支持端子１３より小さく形成されており、その表面積が、例えば、４００〜１００００μｍ２、好ましくは、１０００〜２５００μｍ２である。
【０１０９】
これにより、プローブ１８と導体パターン４とが導通する。
【０１１０】
そして、プローブ１８から、検査信号（検査電流）が、金属めっき層１５および導電層１４を介して、導体パターン４、さらには、磁気ヘッドに伝導される。これによって、導体パターン４の導通の有無、および、磁気ヘッドの動作の正常／異常が検査される。
【０１１１】
その後、検査機器１０のプローブ１８を金属めっき層１５から離間させた後、フレキシブル配線回路基板などの外部基板の外部端子（図示せず）と、外部側端子７とを電気的に接続する。外部基板は、外部側端子７の上側に配置し、外部基板の外部端子を外部側端子７の上面に接触させる。
【０１１２】
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、外部側端子７は、ベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填され、金属支持基板２に、周囲の金属支持基板２と電気的に絶縁され、かつ、外部側端子７と電気的に接続される支持端子１３が形成され、その支持端子１３の下に金属めっき層１５が形成されているので、検査機器１０のプローブ１８を、金属めっき層１５の下側から、その下面に接触させて、プローブ１８と支持端子１３との優れた導通性を確保しつつ、導体パターン４の導通および磁気ヘッドの動作を検査することができる。
【０１１３】
また、特定厚みの導電層１４が、支持端子１３と金属めっき層１５との間に介在されているので、支持端子１３と金属めっき層１５との密着性を向上させることができる。
【０１１４】
そのため、金属めっき層１５が支持端子１３から剥離することを防止することができる。
【０１１５】
その結果、導体パターン４の導通および磁気ヘッドの動作の検査の信頼性を向上させることができる。
【０１１６】
一方、導電層１４を形成することなく、支持端子１３の下面に金属めっき層１５を形成する場合には、支持端子１３がステンレスからなれば、支持端子１３の下面に存在する不動態膜を剥離するためのストライクめっき（腐食力が特に強いエッチング液（例えば、硫酸銅水溶液など）を用いた短時間のめっき）し、その後、金属めっきにより金属めっき層１５を形成する必要がある。そのストライクめっき時に、支持端子１３の下面において、水素ガスが発生し、その水素ガスによって、周囲のめっきレジスト１９（図６（ｃ）参照）が容易に剥離する。
【０１１７】
しかし、支持端子１３の下面に、導電層１４（好ましくは、蒸着層）を形成（好ましくは、真空蒸着により形成）すれば、上記した水素ガスの発生がなく、めっきレジスト１９の剥離を防止することができる。
【０１１８】
また、特定の表面抵抗を有する導電層１４が、支持端子１３と金属めっき層１５との間に介在されるので、プローブ１８を支持端子１３に接触させて、検査電流が支持端子１３に流れたときに、それに起因する発熱を有効に低減することができる。そのため、上記した検査を安定して実施することができる。
【０１１９】
また、金属めっき層１５が金めっき層であれば、プローブ１８と金属めっき層１５との導通性を向上させることができる。また、金属めっき層１５が上記したニッケルめっき層および金めっき層を備えていれば、金めっき層によって、プローブ１８との導通性を向上させながら、導電層１３との密着性を向上させることができる。
【実施例】
【０１２０】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。
【０１２１】
実施例１
（導電層:クロムからなる第１導電層、および、銅からなる第２導電層）
（金属めっき層:金めっき層）
ステンレス（ＳＵＳ３０４、比抵抗（２０℃）７６μΩ・ｃｍ）からなる厚み２５μｍの金属支持基板を用意した。
【０１２２】
次いで、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に、ベース開口部が形成されるパターンで形成した。すなわち、金属支持基板の上に、感光性のポリアミック酸樹脂のワニスを塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、加熱硬化させた。
【０１２３】
ベース絶縁層の厚みは、２０μｍであった。また、ベース開口部の長さが６００μｍ、幅が６００μｍであり、開口面積が３６００μｍ２であった。
【０１２４】
次いで、銅からなり、ヘッド側端子、外部側端子および配線を備える導体パターンを、ベース絶縁層の上に、アディティブ法によって形成した。なお、外部側端子は、ベース絶縁層のベース開口部内に充填される下部と、下部の上端からベース開口部の周囲のベース絶縁層の上面を被覆する上部とを連続して備えるように形成した。
【０１２５】
導体パターンの厚みは１０μｍであった。また、ヘッド側端子部および外部側端子（の上部）の長さが４０μｍ、幅が２００μｍであった。
【０１２６】
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成した。すなわち、感光性の合成樹脂を、導体パターンを含むベース絶縁層の上に塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、加熱硬化させた。カバー絶縁層の厚みは５μｍであった。
【０１２７】
次いで、導電層を、金属支持基板の下面全面に、蒸着層として形成した（図６（ｂ）参照）。
【０１２８】
詳しくは、まず、クロムスパッタリングによって、クロムからなる厚み３０ｎｍの第１導電層を金属支持基板の下面に形成した。
【０１２９】
続いて、銅スパッタリングによって、銅からなる厚み７０ｎｍの第２導電層を、第１導電層の下面に形成した。
【０１３０】
次いで、めっきレジストを、金属支持基板の下面に、支持端子のパターンの逆パターンで形成した（図６（ｃ）参照）。
【０１３１】
次いで、金からなる金属めっき層を、めっきレジストから露出する導電層の下面に、無電解金めっきにより、金めっき層として形成した。金属めっき層の厚みは０．５μｍであった（図６（ｄ）参照）。
【０１３２】
次いで、めっきレジストを、エッチングによって除去した（図６（ｅ）参照）。
【０１３３】
次いで、金属めっき層から露出する導電層を、ソフトエッチングによって除去した（図６（ｆ）参照）。
【０１３４】
その後、スリット（図１参照）および支持開口部（図３参照）を、エッチングによって形成するとともに、金属支持基板を外形加工した。
【０１３５】
これにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【０１３６】
なお、金属支持基板および金属めっき層の下面における、表面抵抗（形成または用意した直後の表面抵抗）を測定したところ、それぞれ、４２．８Ω／□および４１．６Ω／□であった。
【０１３７】
なお、表面抵抗は、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定した。
【０１３８】
実施例２
（導電層:クロムからなる第１導電層、および、銅からなる第２導電層）
（金属めっき層:ニッケルめっき層および金めっき層）
金からなる金属めっき層に代えて、金およびニッケルからなる金属めっき層を形成した以外は、実施例１と同様に処理することによって、回路付サスペンション基板を得た。
【０１３９】
つまり、金属めっき層の形成では、まず、めっきレジストから露出する導電層の下面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層を形成し、続いて、ニッケルめっき層の下面に、無電解金めっきにより、金めっき層を形成した。
【０１４０】
めっき層の厚みは０．２５μｍであり、金めっき層の厚みは０．２５μｍであった。
【０１４１】
なお、金属支持基板および金めっき層の下面における、表面抵抗（形成または用意した直後の表面抵抗）を測定したところ、それぞれ、４２．８Ω／□および４１．６Ω／□であった。
【０１４２】
比較例１
（導電層:なし）
（金属めっき層:金めっき層）
導電層を形成しなかった以外は、実施例１と同様に処理することによって、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【０１４３】
なお、金属支持基板および金属めっき層の下面における、表面抵抗（形成した直後の表面抵抗。なお、金属支持基板については、ストライクめっき後の下面の表面抵抗）を測定したところ、それぞれ、４２．８Ω／□および４１．６Ω／□であった。
（密着性評価）
１．剥離試験
実施例１および２の回路付サスペンション基板の下面全面に、粘着テープ（Ｎｉｔｔｏ５０００Ｎｓ）を貼着し、回路付サスペンション基板を固定した状態で、粘着テープを剥離する９０℃ピール試験（剥離速度：２５ｍｍ／分）を実施した。
【０１４４】
その後、金属めっき層の剥離の有無を観察した。
【０１４５】
その結果、実施例１および２の回路付サスペンション基板では、金属めっき層の剥離が観察されなかった。
【０１４６】
なお、比較例１の回路付サスペンション基板について、剥離試験を実施しようと試みたが、すでに金属めっき層の剥離が生じていた。
２．超音波処理試験
実施例１および２の回路付サスペンション基板を５０℃の水中に漬けて、超音波発生装置にて超音波を回路付サスペンション基板に当てた。
【０１４７】
その結果、実施例１および２の回路付サスペンション基板では、金属めっき層の剥離が観察されなかった。
【符号の説明】
【０１４８】
１    回路付サスペンション基板
２    金属支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体パターン
６    ヘッド側端子
７    外部側端子
８    配線
１１  ベース開口部
１３  支持端子
１４  導電層
１５  金属めっき層
１６  第１導電層
１７  第２導電層
【図１】
0005603744.tif 000002
【図２】
0005603744.tif 000003
【図３】
0005603744.tif 000004
【図４】
0005603744.tif 000005
【図５】
0005603744.tif 000006
【図６】
0005603744.tif 000007