(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に雷インパルス電圧を印加した記録波形データを取得する記録波形データ取得部と、
前記記録波形データの立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域において、第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部を抽出する波頭領域抽出部と、
前記記録波形データの波高値通過後の波尾領域において、第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部を抽出する波尾領域抽出部と、
前記波頭領域中核部および前記波尾領域中核部のデータを用いて下記の式（１）を回帰分析することにより、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数を算出する基準波形算出部と、
前記基準波形関数と前記記録波形データの波高値に基づきオーバーシュート率を算出して、前記対象物の絶縁耐性を判定する絶縁耐性判定部と、
を有することを特徴とする雷インパルス耐電圧試験システム。
【数１】
0005505185.tif 000009
【請求項２】
前記第１閾値が波高値に対し２０％、前記第２閾値が波高値に対し７５％〜８５％、前記第３閾値が波高値に対し７５％〜８５％、前記第４閾値が波高値に対し４０％であることを特徴とする請求項１に記載の雷インパルス耐電圧試験システム。
【請求項３】
雷インパルス耐電圧試験に用いる基準波形関数を算出するためにコンピュータを、
対象物に雷インパルス電圧を印加した記録波形データを取得する記録波形データ取得手段、
前記記録波形データの立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域において、第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部を抽出する波頭領域抽出手段、
前記記録波形データの波高値通過後の波尾領域において、第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部を抽出する波尾領域抽出手段、並びに
前記波頭領域中核部および前記波尾領域中核部のデータを用いて下記の式（１）を回帰分析することにより、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数を算出する基準波形算出手段、
として機能させるための基準波形算出プログラム。
【数２】
0005505185.tif 000010
【請求項４】
対象物に雷インパルス電圧を印加して記録波形データを取得する記録波形データ取得ステップと、
前記記録波形データの立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域において、第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部を抽出する波頭領域抽出ステップと、
前記記録波形データの波高値通過後の波尾領域において、第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部を抽出する波尾領域抽出ステップと、
前記波頭領域中核部および前記波尾領域中核部のデータを用いて下記の式（１）を回帰分析することにより、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数を算出する基準波形算出ステップと、
前記基準波形関数と前記記録波形データの波高値に基づきオーバーシュート率を算出して、前記対象物の絶縁耐性を判定する絶縁耐性判定ステップと、
を含むことを特徴とする雷インパルス耐電圧試験方法。
【数３】
0005505185.tif 000011
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、雷インパルス耐電圧試験に適用される雷インパルス耐電圧試験システムおよび基準波形算出プログラム、並びに雷インパルス耐電圧試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力機器の絶縁耐性を判定するための１つの方法として、ＩＥＣ６００６０−１に基づく雷インパルス耐電圧試験が採用されている。ＩＥＣ６００６０−１に基づく雷インパルス耐電圧試験では、例えば特許文献１に記載されているような試験装置を使用して、対象物に雷インパルス電圧を印加して記録波形データ（時間に対する推移データ）を取得する。そして、記録波形データを取得したら、これに基づき基準波形関数を導出する。
【０００３】
現状において基準波形関数は、記録波形データの立ち上がり部分の波高値に対して２０％以上の部分から収束部分（終端部分）の４０％以上の部分までのデータを用いて、下記の式（１）を回帰分析することにより４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して算出される。なお、上記算出法を用いずに、基準波形を記録波形データに基づき経験（目分量）で設定することも行われている。
【０００４】
【数４】
0005505185.tif 000002
【０００５】
基準波形関数（基準波形）が求まると、記録波形データと基準波形関数の波高値に基づきオーバーシュート率が算出される。オーバーシュート率は下記の式（２）によって求められる。このオーバーシュート率によって、対象物の絶縁耐性が判定される。
【０００６】
【数５】
0005505185.tif 000003
【０００７】
現行のＩＥＣ６００６０−１では、オーバーシュート率を５％以内とすることを規定している。しかし、ＵＨＶ（Ultra High Voltage）に適用する大型機器では、静電容量および電源ライン等の残留インダクタンス（寄生容量）が必然的に大きくなるので振動成分の重畳の抑制（オーバーシュート率の低減）が極めて困難である。そこで、オーバーシュート率を１０％以内に緩和するとともに、ｋ−ファクタ法を導入しようというＩＥＣ６００６０−１の改定案が了承されつつある。ｋ−ファクタ法に関しては、例えば非特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１６８７３３号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】加藤利次、“ｋ-ファクタ法によるインパルスパラメータの決定法”、［online]、同志社大学  理工学部、［平成22年7月20日検索］、インターネット＜ＵＲＬ: http://kairo.doshisha.ac.jp/~kato/documents/temp/080924B%83p%83l%83%8B/%89%c1%93%a1-Kfactor.ppt＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した従来の基準波形関数の算出法では、記録波形データのオーバーシュートした部分に引っ張られて、その波高値が高めに算出される傾向がある。基準波形関数とは、対象物に雷インパルス電圧を印加した際に振動成分が重畳してオーバーシュートすることのない理想的な波形を仮定したものであるため（寄生容量等を把握できないため正確な導出は不可能）、オーバーシュートした部分に引っ張られることは本来の波形からの乖離につながる。なお、ＥＭＰＴ（Electro Magnetic Transients Program）解析等によってこの理想的な波形を概算しても、従来の基準波形関数の算出法ではその波高値が高めに算出されることが証明される。
【００１１】
基準波形関数の波高値が高めに算出されると、絶縁耐性の判定基準たるオーバーシュート率が低めに算出される。これより、規格に適合しているか否かの判定が甘めになり、不合理をもたらす可能性がある。一方、基準波形を記録波形データに基づき経験で設定する場合には、人員の主観性に強く依存するため、判定基準を一定に保てないおそれがある。
【００１２】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、雷インパルス耐電圧試験において対象物の絶縁耐性を正確に判定することが可能な雷インパルス耐電圧試験システムおよびこれに利用される基準波形算出プログラム、並びに雷インパルス耐電圧試験方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明者らは鋭意検討し、記録波形データのオーバーシュートした部分に着目した。上記のようにＵＨＶ（Ultra High Voltage）に適用する大型機器では、静電容量および電源ライン等の残留インダクタンス（寄生容量）が必然的に大きく、振動成分の重畳を防止してオーバーシュートを回避することは実質的に不可能である。そこで、記録波形データのオーバーシュートした部分の影響を除外して基準波形関数を導出できるように研究を重ねた結果、記録波形データを立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域と波高値通過後の波尾領域に分割して、それぞれの中核部を抜き出す新手法を見出し、本発明を完成するに到った。
【００１４】
すなわち、本発明にかかる雷インパルス耐電圧試験システムの代表的な構成は、対象物に雷インパルス電圧を印加した記録波形データを取得する記録波形データ取得部と、記録波形データの立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域において第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部を抽出する波頭領域抽出部と、記録波形データの波高値通過後の波尾領域において第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部を抽出する波尾領域抽出部と、波頭領域中核部および波尾領域中核部のデータを用いて上記の式（１）を回帰分析することにより、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数を算出する基準波形算出部と、基準波形関数と記録波形データの波高値に基づきオーバーシュート率を算出して対象物の絶縁耐性を判定する絶縁耐性判定部と、を有することを特徴とする。
【００１５】
かかる構成によれば、記録波形データのオーバーシュートした部分の影響を除外して考慮するので、より適切な基準波形関数を算出することができる。よって、対象物の絶縁耐性を正確に判定することが可能となる。
【００１６】
上記第１閾値が波高値に対し２０％、上記第２閾値が波高値に対し７５％〜８５％、上記第３閾値が波高値に対し７５％〜８５％、上記第４閾値が波高値に対し４０％であるとよい。これにより、さらに適切な基準波形関数を算出することができる。
【００１７】
本発明にかかる基準波形算出プログラムの代表的な構成は、雷インパルス耐電圧試験に用いる基準波形関数を算出するためにコンピュータを、対象物に雷インパルス電圧を印加した記録波形データを取得する記録波形データ取得手段、記録波形データの立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域において第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部を抽出する波頭領域抽出手段、記録波形データの波高値通過後の波尾領域において第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部を抽出する波尾領域抽出手段、並びに、波頭領域中核部および波尾領域中核部のデータを用いて上記の式（１）を回帰分析することにより、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数を算出する基準波形算出手段、として機能させることを特徴とする。
【００１８】
かかる構成によれば、適切な基準波形関数を算出するプログラムとして、汎用化を図ることができる。なお、上述した雷インパルス耐電圧試験システムにおける技術的思想に対応する構成要素やその説明は、当該基準波形算出プログラムにも適用可能である。
【００１９】
本発明にかかる雷インパルス耐電圧試験方法の代表的な構成は、対象物に雷インパルス電圧を印加して記録波形データを取得する記録波形データ取得ステップと、記録波形データの立ち上がりから波高値に至るまでの波頭領域において第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部を抽出する波頭領域抽出ステップと、記録波形データの波高値通過後の波尾領域において第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部を抽出する波尾領域抽出ステップと、波頭領域中核部および波尾領域中核部のデータを用いて上記の式（１）を回帰分析することにより、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数を算出する基準波形算出ステップと、基準波形関数と記録波形データの波高値に基づきオーバーシュート率を算出して対象物の絶縁耐性を判定する絶縁耐性判定ステップと、を含むことを特徴とする。
【００２０】
かかる構成によれば、雷インパルス耐電圧試験において対象物の絶縁耐性を正確に判定することが可能となる。なお、上述した雷インパルス耐電圧試験システムにおける技術的思想に対応する構成要素やその説明は、当該雷インパルス耐電圧試験方法にも適用可能である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、雷インパルス耐電圧試験において対象物の絶縁耐性を正確に判定することが可能な雷インパルス耐電圧試験システムおよびこれに利用される基準波形算出プログラム、並びに雷インパルス耐電圧試験方法を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態にかかる雷インパルス耐電圧試験システムの概略構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態にかかる雷インパルス耐電圧試験方法について説明するフローチャートである。
【図３】基準波形関数の算出について説明する図である。
【図４】評価波形データの算出について説明する図である。
【図５】評価波形データの判定について説明する図である。
【図６】本実施形態の基準波形算出法と従来の基準波形算出法の精度を比較した図である。
【図７】重畳する振動成分が３００ｋＨｚの場合と、重畳する振動成分が６００ｋＨｚの場合とを比較した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００２４】
図１は、本実施形態にかかる雷インパルス耐電圧試験システム１００の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、雷インパルス耐電圧試験システム１００は、システム制御部１０２および記憶部１０４を含んで構成されるコンピュータシステムである。システム制御部１０２は、中央処理装置（CPU:Central Processing Unit）を含む半導体集積回路であって、雷インパルス耐電圧試験システム１００全体の管理、制御を行う。記憶部１０４は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、不揮発性ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＨＤＤ等で構成され、システムで利用されるプログラムや各種データを記憶する。
【００２５】
また、雷インパルス耐電圧試験システム１００には、入力部１０６および出力部１０８が備えられている。入力部１０６は、キーボードやマウス、タッチパネル、あるいはファイル入出力装置やネットワークを通じたデータ通信等により、外部からシステムへ所定の情報を取り込む。出力部１０８は、ディスプレイやプリンタ等で構成され、使用者に情報を表示したり、印刷を行ったりする。また、出力内容をデータとして記録媒体に保存したり、ネットワークを通じたデータ通信やウェブ表示などを行ったりすることも可能である。
【００２６】
以下、図２〜図５を用いて雷インパルス耐電圧試験システム１００の記録波形データ取得部１１０、波頭領域抽出部１１２、波尾領域抽出部１１４、基準波形算出部１１６、絶縁耐性判定部１１８、残差波形算出部１２０、残差波形処理部１２２、評価波形算出部１２４および評価波形判定部１２６について説明する。
【００２７】
図２は、本実施形態にかかる雷インパルス耐電圧試験方法について説明するフローチャートである。雷インパルス耐電圧試験システム１００は、図２のフローチャートの各ステップを経て対象物の絶縁耐性を判定する。図３は、基準波形関数ＢＣの算出について説明する図である。図４は、評価波形データＥＤの算出について説明する図である。図５は、評価波形データＥＤの判定について説明する図である。
【００２８】
記録波形データ取得ステップＳ１１０では、記録波形データ取得部１１０によって、対象物に雷インパルス電圧を印加した記録波形データＲＤ（時間に対する推移データ）が取得される（図３（ａ）参照）。記録波形データ取得部１１０は、自らが上記の雷インパルス電圧を対象物に印加する試験装置（回路）であってもよいし、このような装置から出力された記録波形データＲＤを受け取る部分として構成してもよい。
【００２９】
なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、本実施形態では記録波形データＲＤにおいてその立ち上がりから波高値Ｐ（波高点）に至るまでを波頭領域Ｗ１とする。また、記録波形データＲＤにおいて波高値Ｐ通過後を波尾領域Ｗ２とする。
【００３０】
波頭領域抽出ステップＳ１１２では、波頭領域抽出部１１２が波頭領域Ｗ１から、第１閾値以上であって第２閾値以下の波頭領域中核部Ｗｆを抽出する（図３（ｂ）参照）。波尾領域抽出ステップＳ１１４では、波尾領域抽出部１１４が波尾領域Ｗ２から、第３閾値以下であって第４閾値以上の波尾領域中核部Ｗｒを抽出する（図３（ｂ）参照）。なお、図２のフローチャートでは波頭領域抽出ステップＳ１１２の後に波尾領域抽出ステップＳ１１４を実施しているが、この順番は逆にしても良く、並列的に同時に処理してもよい。
【００３１】
基準波形算出ステップＳ１１６では、基準波形算出部１１６が、上記波頭領域中核部Ｗｆおよび上記波尾領域中核部Ｗｒのデータを用いて下記の式（１）を回帰分析することにより（下記の式（１）がこれらのデータを近似するように回帰分析することにより）、４つの係数Ａ、α、β、ｔ０を決定して基準波形関数ＢＣを算出する（図３（ｃ）参照）。
【００３２】
【数６】
0005505185.tif 000004
【００３３】
本実施形態では、第１閾値を波高値Ｐに対し２０％、第２閾値を波高値Ｐに対し７５％〜８５％、第３閾値を波高値Ｐに対し７５％〜８５％、第４閾値を波高値Ｐに対し４０％としている。すなわち、波頭領域抽出部１１２、波尾領域抽出部１１４は波高値Ｐを算出してこれらの比率を乗じ、各閾値を算出する。少なくとも第２閾値および第３閾値を８０％（許容誤差＋５％〜−５％）とすれば、オーバーシュートした部分の影響を除外して適切な基準波形関数ＢＣを導出可能なことが確認されている。
【００３４】
なお、従来の算出法、すなわち記録波形データＲＤの８０％を超える範囲も含んで算出された基準波形関数ＢＣｐは、オーバーシュートした部分に引っ張られてその波高値が相対的に高めに算出される。これはＥＭＰＴ解析により概算される振動成分が重畳してオーバーシュートすることのない理想的な波形（本来の波形）からも乖離することとなる。よって、対象物の絶縁耐性を正確に判定できないおそれがある。
【００３５】
絶縁耐性判定ステップＳ１１８では、絶縁耐性判定部１１８が、記録波形データＲＤの波高値Ｐと、基準波形関数ＢＣの波高値ＰBCに基づき、下記の式（２）よりオーバーシュート率ＯＳｒを算出する。ＩＥＣ６００６０−１において、オーバーシュート率ＯＳｒは、現行では５％以内、改定案では１０％以内とされている。
【００３６】
【数７】
0005505185.tif 000005
【００３７】
上記のオーバーシュート率ＯＳｒが所定範囲内（例えば１０％以内）でなかった場合には（絶縁耐性判定ステップＳ１１８Ｎｏ）、対象物の絶縁耐性が所定の規格外と見なされ、その旨がユーザに出力される（非適合出力ステップＳ１３０）。上記のオーバーシュート率ＯＳｒが所定範囲内であった場合には（絶縁耐性判定ステップＳ１１８Ｙｅｓ）、さらに下記の各ステップを経て、記録波形データＲＤの波高値Ｐの裕度、規格波頭長、規格波尾長が所定範囲内であるか否かが判定される。
【００３８】
残差波形算出ステップＳ１２０では、残差波形算出部１２０が、記録波形データＲＤから基準波形関数ＢＣを差し引いた残差波形データＧＤを算出する（図４（ａ）参照）。残差波形処理ステップＳ１２２では、残差波形処理部１２２が、残差波形データＧＤをｋ−ファクタ法に基づきフィルタリング処理して、フィルタリング処理後の残差波形データＧＤｆを出力する（図４（ｂ）参照）。ｋ−ファクタ法に関しては、当業者において周知であるためその説明を省略する。
【００３９】
評価波形算出ステップＳ１２４では、評価波形算出部１２４が、上記で求めた基準波形関数ＢＣにフィルタリング処理後の残差波形データＧＤｆを足し合わせて、評価波形データＥＤを算出する（図４（ｃ）参照）。これより、評価波形判定ステップＳ１２６にて、評価波形判定部１２６が、評価波形データＥＤの波高値ＰEDの裕度（目標電圧値（規定値）と実測値との差）、規格波頭長Ｔ１、規格波尾長Ｔ２が所定範囲内であるか否かを判定する。
【００４０】
図５は、評価波形データＥＤの判定について説明する図である。図５に示すように、規格波頭長Ｔ１とは、波形の立ち上がり部分において波高値ＰEDに対し３０％および９０％を通る直線Ｌが時間軸と交わる規格原点Ｏ１から、この直線Ｌが波高値ＰEDに至るまでの時間のことである。規格波尾長Ｔ２とは、規格原点Ｏ１から、波高値ＰED通過後に波高値ＰEDに対し５０％に低下するまでの時間のことである。現行の基準では、評価波形データＥＤの波高値ＰEDの裕度は＋３％から−３％とされている。また、規格波頭長Ｔ１は、１.２μs（許容誤差＋３０％〜−３０％）とされており、規格波尾長Ｔ２は、５０μs（許容誤差＋２０％〜−２０％）とされている。
【００４１】
波高値ＰEDの裕度、規格波頭長Ｔ１、規格波尾長Ｔ２が上記の基準を満たしている場合には（評価波形判定ステップＳ１２６Ｙｅｓ）、対象物の絶縁耐性が所定の規格を満たしていると見なされ、その旨がユーザに出力される（適合出力ステップＳ１２８）。一方、波高値ＰEDの裕度、規格波頭長Ｔ１、規格波尾長Ｔ２が上記の基準を満たしていない場合には（評価波形判定ステップＳ１２６Ｎｏ）、対象物へ雷インパルス電圧を印加する試験装置を調整して（例えば、制動抵抗を増減して）、再び対象物に雷インパルス電圧を印加して記録波形データＲＤを取得する。
【００４２】
以上、上述した雷インパルス耐電圧試験システム１００によれば、従来よりも正確な基準波形関数ＢＣを算出することができるため、対象物の絶縁耐性をより正確に判定することが可能となる。なお、コンピュータを記録波形データ取得部１１０（記録波形データ取得手段）、波頭領域抽出部１１２（波頭領域抽出手段）、波尾領域抽出部１１４（波尾領域抽出手段）および基準波形算出部１１６（基準波形算出手段）として機能させる基準波形算出プログラムを構築することで、汎用のコンピュータを用いて上述した基準波形算出方法を実施することができる。従来の基準波形算出法に比して、本実施形態の基準波形算出法が優れていることは明確であり、新たなスタンダードとしての定着が見込まれるため、このような汎用化は顕著な効果を奏する。
【００４３】
以下、本実施形態が奏する効果について確認するために、本発明者らが行った検討手法について実施例として記載する。
【実施例】
【００４４】
本実施例では、下記の式（３）に基づき記録波形データＲＤを模擬する。そして、記録波形データＲＤを模擬したものに、上記実施形態の基準波形算出法と従来の基準波形算出法を適用して、これらの精度を比較する。なお、式（３）では右辺第１項（式（１）に相当する部分）が振動成分を除外した理想的な波形（本来の波形）を表し、右辺第２項（式（１）に相当する部分を除いた残りの部分）がインダクタンスの影響によりこれに重畳する振動成分を表している。精度を確認するために、１０００ｋＶ級の試験装置にて実測した記録波形データＲＤをこの式（３）にあてはめたところ、非常によく模擬できることを確認した。
【００４５】
【数８】
0005505185.tif 000006
【００４６】
ここでは、右辺第１項は、標準雷インパルス電圧（規格波頭長１.２μs（許容誤差＋３０％〜−３０％）、規格波尾長５０μs（許容誤差＋２０％〜−２０％））となるように、各パラメータ（Ａ０、α０、β０、ｔ０’）を決定した。具体的には、所定の定数Ａ０を１．０３７３、波尾要素α０を０．０１４６５９、波頭要素β０を２．４６８９に設定した。右辺第２項は、右辺第１項と上記式（３）すなわち模擬した記録波形データＲＤとの波高値に基づき算出されるオーバーシュート率ＯＳｒが所定の値（１０％、２０％、３０％）となるように各パラメータ（Ｃ、ｆ、θ、γ）を決定した。詳細には、振幅Ｃは所定の定数Ａ０と同値に固定した。周波数ｆは１００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの間にて１００ｋＨｚごとに設定した。位相θと減衰率γはオーバーシュート率ＯＳｒが所定の値となるように設定した。
【００４７】
表１では、周波数ｆをそれぞれ１００ｋＨｚ、２００ｋＨｚ、３００ｋＨｚ、４００ｋＨｚに設定して記録波形データＲＤを模擬し、これに本実施形態の基準波形算出法と従来の基準波形算出法を適用した場合の精度を示している。また、図６は、これらの精度を比較する図である。表１および図６に示すように、記録波形データＲＤの重畳周波数を１００ｋＨｚ〜４００ｋＨｚとして模擬した場合に対して、本実施形態の基準波形算出法を適用すると従来の基準波形算出法よりもはるかに高い精度を獲得できることが証明された。
【００４８】
【表１】
0005505185.tif 000007
【００４９】
表２では、周波数ｆをそれぞれ５００ｋＨｚ、６００ｋＨｚ、７００ｋＨｚ、８００ｋＨｚに設定して記録波形データＲＤを模擬し、これに本実施形態の基準波形算出法と従来の基準波形算出法を適用した場合の精度を示している。また、図７は、重畳する振動成分が３００ｋＨｚの場合と、重畳する振動成分が６００ｋＨｚの場合とを比較した図である。表２に示すように、本実施形態の基準波形算出法と従来の基準波形算出法の精度の差は、周波数ｆが高いものに適用するほど少なくなる。これは、図７に示すように、高周波になるほど波高値通過後の谷部Ｃ１、Ｃ２の割合（降下範囲）が大きくなり、従来の基準波形算出法を適用したとしてもオーバーシュートした部分の影響が相殺されるためと考えられる。いずれにせよ、本実施形態の基準波形算出法では、高い精度が確保されることが証明された。
【００５０】
【表２】
0005505185.tif 000008
【００５１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、雷インパルス耐電圧試験に適用される雷インパルス耐電圧試験システムおよび基準波形算出プログラム、並びに雷インパルス耐電圧試験方法として利用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１００…雷インパルス耐電圧試験システム、１０２…システム制御部、１０４…記憶部、１０６…入力部、１０８…出力部、１１０…記録波形データ取得部、１１２…波頭領域抽出部、１１４…波尾領域抽出部、１１６…基準波形算出部、１１８…絶縁耐性判定部、１２０…残差波形算出部、１２２…残差波形処理部、１２４…評価波形算出部、１２６…評価波形判定部、Ｏ１…規格原点、Ｐ、ＰED、ＰBC…波高値、Ｔ１…規格波頭長、Ｔ２…規格波尾長、Ｗ１…波頭領域、Ｗ２…波尾領域、Ｗｆ…波頭領域中核部、Ｗｒ…波尾領域中核部、ＲＤ…記録波形データ、ＢＣ…基準波形関数、ＢＣｐ…従来手法に基づく基準波形関数、ＧＤ…残差波形データ、ＧＤｆ…フィルタリング処理後の残差波形データ、ＥＤ…評価波形データ、Ｃ１、Ｃ２…谷部
【図１】
0005505185.tif 000012
【図２】
0005505185.tif 000013
【図３】
0005505185.tif 000014
【図４】
0005505185.tif 000015
【図５】
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【図６】
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【図７】
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