(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドが形成された基板と、
前記電極パッドを含む前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成されるとともに、前記第１絶縁層よりも弾性率が低い応力緩和層と、
前記第１絶縁層及び前記応力緩和層に形成されるとともに前記電極パッドに通ずる開口部と、
前記開口部に充填されるとともに導電粒子及び樹脂を含んだ導電性接着剤と、
前記導電性接着剤の表面に形成された金属層と、
を備え、
前記第１絶縁層と前記応力緩和層の界面は、前記開口部において前記導電性接着剤と接することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記導電性接着剤は、前記金属層と接している前記導電性接着剤の表層部において、少なくとも前記導電粒子が前記樹脂の最外層よりも突出しており、
前記金属層は、前記樹脂を介することなく前記導電粒子と直接密着していることを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記金属層は、少なくともＮｉ層を含んでいることを特徴とする請求項１又は２記載の基板。
【請求項４】
前記金属層は、前記Ｎｉ層の表面にＡｕ層が形成されていることを特徴とする請求項３記載の基板。
【請求項５】
前記応力緩和層上に形成されるとともに、前記開口部と対応する位置にて前記金属層が露出するように開口された第３絶縁層を備え、
前記金属層の表面は、前記第３絶縁層の表面よりも低いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の基板。
【請求項６】
前記金属層の表面を覆うように形成されたはんだバンプを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の基板。
【請求項７】
基板上に電子部品が実装された実装基板であって、
請求項１乃至５のいずれか一に記載の基板と、
電極パッドが形成された電子部品と、
前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合するはんだバンプと、
を備えることを特徴とする実装基板。
【請求項８】
前記電子部品と前記基板の隙間を封止するとともに、前記応力緩和層よりも弾性率が高い第２絶縁層を備えることを特徴とする請求項７記載の実装基板。
【請求項９】
電極パッドが形成された基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に前記第１絶縁層よりも弾性率の低い応力緩和層を形成する工程と、
前記第１絶縁層及び応力緩和層に、前記電極パッドに通ずる開口部を形成する工程と、
前記開口部に樹脂及び導電粒子を含む導電性接着剤を充填する工程と、
前記導電性接着剤の表面に前記導電粒子を露出させる工程と、
前記導電性接着剤の表面に金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導電粒子を露出させる工程の後であって前記金属層を形成する工程の前に、前記応力緩和層上に、前記開口部と対応する位置にて前記金属層が露出するように開口された第３絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層を形成する工程の後に、前記応力緩和層上に、前記開口部と対応する位置にて前記金属層が露出するように開口された第３絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層上にはんだバンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一に記載の基板の製造方法。
【請求項１３】
電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、
前記電子部品と、請求項１２記載の基板の製造方法によって製造された基板とを位置合わせして、前記基板上に前記電子部品を搭載する工程と、
前記はんだバンプを溶融させて、前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程と、
を含むことを特徴とする実装基板の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程では、前記電子部品側の温度よりも前記基板側の温度を低く保ちながら接合することを特徴とする請求項１３記載の実装基板の製造方法。
【請求項１５】
前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程の後に、前記電子部品と前記基板の隙間に第２絶縁層を封入する工程を含むことを特徴とする請求項１３又は１４記載の実装基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の基板の製造方法によって製造された基板上に絶縁樹脂を供給する工程と、
電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、
前記電子部品と前記基板を位置合わせして、前記基板上に前記電子部品を搭載する工程と、
前記はんだバンプを溶融させて、前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程と、
を含むことを特徴とする実装基板の製造方法。
【請求項１７】
前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程では、前記電子部品側の温度よりも前記基板側の温度を低く保ちながら接合し、その際、前記絶縁樹脂を硬化することを特徴とする請求項１６記載の実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の記載］
本発明は、日本国特許出願：特願２００８−１５４１７５号（２００８年６月１２日出願）の優先権主張に基づくものであり、同出願の全記載内容は引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
本発明は、ベアチップ、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）などの電子部品を基板に実装した実装基板、及び基板、並びにそれらの製造方法に関し、特に、はんだバンプと導電性接着剤とを用いて電子部品と基板の間の接続を行なった実装基板、及び基板、並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の急速な発達に伴い、半導体素子にはこれまで以上に高機能化が求められるようになってきている。半導体素子の多機能化に伴い半導体素子の入出力端子数は増加し、また半導体素子を高速動作させるため配線長の短縮化が求められている。こうした要求を実現するために半導体素子と基板の接続方法として、半導体素子と基板をバンプ電極を用いて接続するフリップチップ接続がある。フリップチップ接続は、半導体素子の配線側の面にエリア上に接続パッドを設けることができるため、多ピン化に適している。また、ワイヤボンディングやテープオートメイティッドボンディングの様な他の接続方法と比較して、フリップチップ接続は、引き出し線を必要としないため、配線長の短縮化が可能である。以上のような理由から電子機器に用いられる半導体素子の基板への実装には、フリップチップ接続を使用したものが増加している。【０００３】
現在、フリップチップ接続に使用される一般的なバンプ電極の材料には、Ａｕやはんだ等が用いられている。はんだの具体例として、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだがあるが、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに限定されず、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ（共晶を除く）、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｂｉ、及びこれらの材料に特定の添加元素をさらに加えたもの等が挙げられ、目的に応じて材料が適宜選択される。【０００４】
一方、フリップチップ接続される半導体素子の多くは、半導体素子−基板間の熱膨張係数の違いによる応力を緩和するため、半導体素子−基板の隙間を樹脂封止することにより、接続信頼性を確保している。【０００５】
例えば、特許文献１では、突起電極を有する回路素子と基板電極上にはんだを有する回路基板とからなり、該回路素子と回路基板との間に熱硬化性樹脂を介在するフリップチップ接続構造体において、前記突起電極と前記はんだとの金属接合は、前記熱硬化性樹脂の硬化が完了する前に形成されたフリップチップ接続構造体が開示されている（従来例１）。【０００６】
また、特許文献２では、１個または複数個の半導体チップを搭載したＢＧＡ型半導体装置をはんだで実装するための電極パッド部が形成されているプリント配線基板において、前記電極パッド部２０５が、導電性パッド２０２と、該導電性パッド２０２上に形成された該導電性パッド径よりも小さい突起状の樹脂２０３とを有し、樹脂２０３の表面が、金属薄膜２１０で被覆されているものが開示されている（従来例２；図９参照）。【０００７】
さらに、特許文献３では、コア基板３１２の少なくとも片面に導体回路層３２４と絶縁層３２２とが交互に形成され各導体回路層３２４間が前記絶縁層３２２を貫通するスルーホール導体３１８又はバイアホールを介して電気的に接続されると共に実装面に実装される電子部品（ＩＣチップ３５０）が前記導体回路層３２４と電気的に接続されるプリント配線板３１０であって、前記複数の導体回路層３２４のうち外層に最も近い外層導体回路層３２４ａを覆うように形成され前記絶縁性樹脂（絶縁層３２２）よりも弾性率の低い材料からなる応力緩和層３３０と、前記応力緩和層３３０を貫通する貫通孔３３２と、前記貫通孔３３２の内壁に形成されたバリア層３３６と該バリア層３３６の内側に形成されたはんだ製の芯体（はんだ芯体３３７）とからなり前記外層導体回路層３２４ａと前記電子部品（ＩＣチップ３５０）とを電気的に接続する導体ポスト３３４と、を備え、前記導体ポスト３３４は、アスペクト比が１．５以上であるプリント配線板が開示されている（従来例３；図１０参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２３３５５８号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１７５３号公報
【特許文献３】特開２００６−６６５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
なお、上記特許文献１から３の全開示内容はその引用をもって本書に繰込み記載する。以下の分析は、本発明によって与えられたものである。
しかしながら、従来例１〜３は、それぞれ次のような問題がある。【００１０】
まず、従来例１（特許文献１）に係るフリップチップ接続構造体では、弾性率が高いはんだバンプ接合部（はんだ）に対し、半導体集積回路素子−回路基板間の熱膨張差により高い応力が発生し、この応力により接合部近傍の素子、バンプ、基板等が破壊されるといった問題がある。この問題を防ぐために、従来例１では、半導体集積回路素子と回路基板の隙間を熱硬化性樹脂（アンダーフィル樹脂）で封止し、はんだバンプにかかる応力を緩和することで接続信頼性を向上させている。ところが、従来例１では、熱硬化性樹脂で封止する工程前に半導体集積回路素子を回路基板に位置決めをして加熱する工程で、半導体集積回路素子−回路基板間の熱膨張差により高い応力が発生し、はんだバンプ接合部に集中的に応力がかかるため、製造工程における応力対策が必要となる。特に、弾性率が高い鉛フリーはんだを適用したり、半導体集積回路素子において機械的強度が低いＬｏｗ−ｋ膜を使用する製品が増えてくると、この問題は一層深刻になる。また、熱硬化性樹脂で封止した後においても、はんだは熱硬化性樹脂の弾性率と比較してはるかに弾性率が高い。例えば、Ａｇ（３ｗｔ％）−Ｃｕ（０．５ｗｔ％）−Ｓｎ（残余）のはんだの弾性率は約４０ＧＰａであるのに対し、熱硬化性樹脂の弾性率は充填剤を混入して高弾性率化した場合でも１０ＧＰａ程度である。このため、弾性率の高いはんだ接合部分に依然として応力が集中して、繰返しの温度変化等により、はんだバンプやその接続部近傍の素子、あるいは基板にクラックが発生するといった問題がある。【００１１】
そこで、バンプ接合部の弾性率を下げる試みとして、従来例２（特許文献２；図９参照）では、絶縁基板２０１側の導電性パッド２０２上に突起状の樹脂２０３を形成し、これにより接合部の応力緩和を図っている。しかしながら、従来例２の構成の場合、絶縁基板２０１側の導電性パッド２０２と突起状の樹脂２０３の接着強度が不足しやすく、基板導電性パッド２０２と突起状の樹脂２０３の接着界面で剥離が発生するといった問題がある。【００１２】
また、従来例３（特許文献３；図１０参照）では、多層プリント配線板Ａ上に応力緩和層３３０を形成するとともに、導体ポスト３３４であるはんだ芯体３３７のアスペクト比を制御することで、実装時の応力を緩和している。ところが、実施例３の構成の場合、導体ポスト３３４であるはんだ芯体３３７のアスペクト比の調整に加え、周囲の応力緩和層３３０による応力緩和効果が期待できるが、はんだ芯体３３７は全て弾性率の高いはんだで形成されており、はんだ芯体３３７の接合部近傍には、依然として高い応力が発生する。この構造で応力緩和を実現する際に重要な点は、はんだ芯体３３７の高さをいかに高くして弾性率が高いはんだ芯体３３７をいかに変形しやすくするかということになるが、応力緩和層３３０を厚くして導体ポスト３３４を高くしようとした場合、導体ポスト３３４の形成の際にはんだの充填不良が発生しやすくなり、応力緩和構造と接続信頼性の両立が難しいという問題がある。【００１３】
本発明の主な課題は、はんだバンプと導電性接着剤とを用いて電子部品と基板の間の接続を行なった実装基板における前記問題に対して、高信頼性の確保が可能な実装基板、及び基板、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の視点においては、基板において、電極パッドが形成された基板と、前記電極パッドを含む前記基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されるとともに、前記第１絶縁層よりも弾性率が低い応力緩和層と、前記第１絶縁層及び前記応力緩和層に形成されるとともに前記電極パッドに通ずる開口部と、前記開口部に充填されるとともに導電粒子及び樹脂を含んだ導電性接着剤と、前記導電性接着剤の表面に形成された金属層と、を備え、前記第１絶縁層と前記応力緩和層の界面は、前記開口部において前記導電性接着剤と接することを特徴とする。【００１５】
本発明の第２の視点においては、基板上に電子部品が実装された実装基板であって、前記基板（前記第１の視点の基板）と、電極パッドが形成された電子部品と、前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合するはんだバンプと、を備えることを特徴とする。【００１６】
本発明の第３の視点においては、基板の製造方法において、電極パッドが形成された基板上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に前記第１絶縁層よりも弾性率の低い応力緩和層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び応力緩和層に、前記電極パッドに通ずる開口部を形成する工程と、前記開口部に樹脂及び導電粒子を含む導電性接着剤を充填する工程と、前記導電性接着剤の表面に前記導電粒子を露出させる工程と、前記導電性接着剤の表面に金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。【００１７】
本発明の第４の視点においては、実装基板の製造方法において、電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、前記電子部品と、前記基板の製造方法によって製造された基板とを位置合わせして、前記基板上に前記電子部品を搭載する工程と、前記はんだバンプを溶融させて、前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、電極の一部に低弾性な導電性接着剤を使用しているため、はんだバンプ接合部の応力を緩和した信頼性の高い接続構造を実現できる。また、基板側表層の構造として、第１絶縁層と応力緩和層の２層構造にするとともに第１絶縁層よりも応力緩和層の弾性率を低くしておくことで、導電性接着剤に対しては第１絶縁層と応力緩和層の界面近傍付近に意図的に応力を発生させている。この効果により、基板側の電極パッドと導電性接着剤の接着界面にかかる応力は小さくなるため、実装後の応力による導電性接着剤と基板パッド界面における剥離を抑制し、高い接続信頼性を確保することが可能となる。さらに、応力緩和層と導電性接着剤の弾性率、伸びといった機械的特性を近い値に設計することで、導電性接着剤を含めた応力緩和層は、導電層、絶縁層を問わず一様で、局部的な応力集中が発生しないため、半導体素子や基板の寿命が延び、高信頼な接続を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例１に係る実装基板の構成を模式的に示した部分断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る実装基板の変形例１の構成を模式的に示した部分断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る実装基板の変形例２の構成を模式的に示した部分断面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る実装基板における導電性接着剤と金属層の状態を示した模式図であり、（Ａ）導電性接着剤の表面に導電粒子の表面に樹脂が被覆された状態、（Ｂ）導電性接着剤の表面に導電粒子が露出した状態、（Ｃ）導電性接着剤と金属層が密着した状態である。
【図５】本発明の実施例１に係る実装基板の製造方法を模式的に示した第１の工程断面図である。
【図６】本発明の実施例１に係る実装基板の製造方法を模式的に示した第２の工程断面図である。
【図７】本発明の実施例１に係る実装基板の製造方法を模式的に示した第３の工程断面図である。
【図８】本発明の実施例２に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図９】従来例２に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した断面図である。
【図１０】従来例３に係るプリント配線板の構成を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１  半導体素子
２  基板
３  電極パッド（半導体素子側）
４  電極パッド（基板側）
５  はんだバンプ
５ａ  はんだバンプ（基板側）
５ｂ  はんだバンプ（半導体素子側）
６  導電性接着剤
７  金属層
８  第１絶縁層
９  応力緩和層
１０  第２絶縁層
１０ａ  絶縁樹脂
１１  導電粒子
１２  樹脂
１３  樹脂最外層
１４  印刷用マスク
１５  フラックス
１６  第３絶縁層
２０１  絶縁基板
２０２  導電性パッド
２０３  樹脂
２０５  電極パッド部
２０７  ソルダレジスト
２１０  金属薄膜
３１０  プリント配線板
３１２  コア基板
３１４  コア基板本体
３１６  配線パターン
３１８  スルーホール導体
３２０  ビルドアップ層
３２２  絶縁層
３２４  導体回路層
３２４ａ  外層導体回路層
３２６  フィルドビア
３３０  応力緩和層
３３２  貫通孔
３３４  導体ポスト
３３６  バリア層
３３６ａ  ランド部
３３７  はんだ芯体
３３８  はんだバンプ部
３４０  実装面
３４８  はんだバンプ
３５０  ＩＣチップ
３５２  パッド
Ａ  多層プリント配線板
Ｄ  径
ｈ  高さ
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態に係る基板では、電極パッド（図１の４）が形成された基板（図１の２）と、前記電極パッド（図１の４）を含む前記基板（図１の２）上に形成された第１絶縁層（図１の８）と、前記第１絶縁層（図１の８）上に形成されるとともに、前記第１絶縁層（図１の８）よりも弾性率が低い応力緩和層（図１の９）と、前記第１絶縁層（図１の８）及び前記応力緩和層（図１の９）に形成されるとともに前記電極パッド（図１の４）に通ずる開口部と、前記開口部に充填されるとともに導電粒子及び樹脂を含んだ導電性接着剤（図１の６）と、前記導電性接着剤（図１の６）の表面に形成された金属層（図１の７）と、を備え、前記第１絶縁層（図１の８）と前記応力緩和層（図１の９）の界面は、前記開口部（領域ａ）において前記導電性接着剤（図１の６）と接する（形態１）。
さらに、以下の形態も可能である。
前記導電性接着剤は、前記金属層と接している前記導電性接着剤の表層部において、少なくとも前記導電粒子が前記樹脂の最外層よりも突出しており、前記金属層は、前記樹脂を介することなく前記導電粒子と直接密着していることが好ましい（形態１−１）。
前記金属層は、少なくともＮｉ層を含んでいることが好ましい（形態１−２）。
前記金属層は、前記Ｎｉ層の表面にＡｕ層が形成されていることが好ましい（形態１−３）。
前記応力緩和層上に形成されるとともに、前記開口部と対応する位置にて前記金属層が露出するように開口された第３絶縁層を備え、前記金属層の表面は、前記第３絶縁層の表面よりも低いことが好ましい（形態１−４）。
前記金属層の表面を覆うように形成されたはんだバンプを備えることが好ましい（形態１−５）。
本発明の実施形態に係る実装基板では、基板上に電子部品が実装された実装基板であって、前記基板と、電極パッドが形成された電子部品と、前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合するはんだバンプと、を備えることを特徴とする（形態２）。
さらに、以下の形態も可能である。
前記電子部品と前記基板の隙間を封止するとともに、前記応力緩和層よりも弾性率が高い第２絶縁層を備えることが好ましい（形態２−１）。
【００２２】
本発明の実施形態に係る基板の製造方法では、基板の製造方法において、電極パッド（図５の４）が形成された基板（図５の２）上に第１絶縁層（図５の８）を形成する工程と（図５（Ｂ））、前記第１絶縁層（図５の８）上に前記第１絶縁層（図５の８）よりも弾性率の低い応力緩和層（図５の９）を形成する工程と（図５（Ｃ））、前記第１絶縁層（図５の８）及び応力緩和層（図５の９）に、前記電極パッド（図５の４）に通ずる開口部を形成する工程と（図５（Ｄ））、前記開口部に樹脂及び導電粒子を含む導電性接着剤（図６の６）を充填する工程と（図６（Ｂ））、前記導電性接着剤（図６の６）の表面に前記導電粒子（図４の１１）を露出させる工程と（図４（Ｂ））、前記導電性接着剤（図６の６）の表面に金属層（図６の７）を形成する工程と（図６（Ｃ））、を含む（形態３）。
さらに、以下の形態も可能である。
前記導電粒子を露出させる工程の後であって前記金属層を形成する工程の前に、前記応力緩和層上に、前記開口部と対応する位置にて前記金属層が露出するように開口された第３絶縁層を形成する工程を含むことが好ましい（形態３−１）。
前記金属層を形成する工程の後に、前記応力緩和層上に、前記開口部と対応する位置にて前記金属層が露出するように開口された第３絶縁層を形成する工程を含むことが好ましい（形態３−２）。
前記金属層上にはんだバンプを形成する工程を含むことが好ましい（形態３−３）。
本発明の実施形態に係る実装基板の製造方法では、電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、前記電子部品と、前記基板の製造方法によって製造された基板とを位置合わせして、前記基板上に前記電子部品を搭載する工程と、前記はんだバンプを溶融させて、前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程と、を含むことを特徴とする（形態４）。
さらに、以下の形態も可能である。
前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程では、前記電子部品側の温度よりも前記基板側の温度を低く保ちながら接合することが好ましい（形態４−１）。
前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程の後に、前記電子部品と前記基板の隙間に第２絶縁層を封入する工程を含むことが好ましい（形態４−２）。
請求項１２記載の基板の製造方法によって製造された基板上に絶縁樹脂を供給する工程と、
本発明の実施形態に係る実装基板の製造方法において、電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、前記電子部品と前記基板を位置合わせして、前記基板上に前記電子部品を搭載する工程と、前記はんだバンプを溶融させて、前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程と、を含むことを特徴とする（形態５）。
さらに、以下の形態も可能である。
前記基板の前記金属層と、前記電子部品の前記電極パッドとを接合する工程では、前記電子部品側の温度よりも前記基板側の温度を低く保ちながら接合し、その際、前記絶縁樹脂を硬化することが好ましい（形態５−１）。
【実施例１】
【００２３】
本発明の実施例１に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施例１に係る実装基板の構成を模式的に示した部分断面図である。図２は、本発明の実施例１に係る実装基板の変形例１の構成を模式的に示した部分断面図である。図３は、本発明の実施例１に係る実装基板の変形例２の構成を模式的に示した部分断面図である。図４は、本発明の実施例１に係る実装基板における導電性接着剤と金属層の状態を示した模式図であり、（Ａ）導電性接着剤の表面に導電粒子の表面に樹脂が被覆された状態、（Ｂ）導電性接着剤の表面に導電粒子が露出した状態、（Ｃ）導電性接着剤と金属層が密着した状態である。【００２４】
図１を参照すると、実装基板は、電子部品となる半導体素子１を基板２上に実装したものである。実装基板では、半導体素子１の電極パッド３と基板２の電極パッド４とがはんだバンプ５と導電性接着剤６を用いて電気的に接続されている。【００２５】
基板２の表面には、電極パッド４が形成されている。電極パッド４を含む基板２上には、第１絶縁層８が形成されている。第１絶縁層８上には、応力緩和層９が形成されている。応力緩和層９及び第１絶縁層８には、電極パッド４に通ずる開口部が形成されている。開口部には、導電粒子１１及び樹脂１２を含んだ導電性接着剤６が充填されている。導電性接着剤６の表面には、金属層７が形成されている。金属層７と半導体素子１の電極パッド３とは、はんだバンプ５にて接合されている。応力緩和層９は、第１絶縁層８と比較して弾性率が小さくなっている。【００２６】
半導体素子１は、ＣＳＰ、ＢＧＡ、ベアチップ等いずれの形態でもよく、特に限定されるものではない。電極パッド３の材質は、Ｃｕが一般的である。【００２７】
基板２は、特に制約はなく、ビルドアップ基板でもよいし、セラミック基板でもよい。【００２８】
電極パッド４の材質は、Ｃｕが一般的である。電極パッド４は、導電性接着剤６との密着強度を確保するために、電極パッド４の表面を数ミクロン程度、粗化しておくことが効果的である。【００２９】
はんだバンプ５には、例えば、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ｂｉ、及びこれら前記した材料に特定の添加元素をさらに加えた材料を用いることができる。はんだバンプ５の形成方法として、例えば、フラックスを含んだはんだペーストをメタルマスク等を使用してパッド上に印刷し、リフローしたのちにフラックス洗浄する方法でもよいし、パッド上に塗布したフラックスにハンダボールを転写して、リフローした後にフラックス洗浄を行なう方法でもよい。【００３０】
第１絶縁層８には、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等を用いることができる。第１絶縁層８の形成方法として、例えば、液状の第１絶縁層８をスクリーン印刷法等により基板２の表面に塗布し、加熱硬化によって形成することができる。第１絶縁層８の弾性率は、材質の種類によって差があるが、２〜４ＧＰａが一般的である。第１絶縁層８の厚さは、電極パッド４によって適正な厚さが決定され、電極パッド４の直径を８０〜１３０μｍとした場合、１５〜４０μｍ程度が望ましく、電極間ピッチが大きい場合は、ピッチに合わせて厚みを増した方がよい。【００３１】
応力緩和層９は、半導体素子１を基板２上に実装した際に、半導体素子１と基板２の熱膨張差に起因した応力を緩和する役割がある。応力緩和層９の形成範囲は、少なくとも半導体素子１が搭載される領域以上とすることが望ましい。応力緩和層９には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができ、第１絶縁層８との密着性がよく、さらに応力緩和効果を得るために２％以上の伸び率を有していることが望まれる。従って、密着性と伸び率を両立する目的で、応力緩和層９には、密着性のよいエポキシ樹脂にシリコーン粒子を配合したり、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂のハイブリッドタイプの樹脂を用いることもできる。また、応力緩和層９の熱膨張係数や弾性率を調整する目的で、応力緩和層９において、シリカ等の無機フィラーを充填することもできる。応力緩和層９は、厚い方が、応力緩和効果が大きいが、厚すぎると基板２の電極パッド４上の開口部が深くなり、導電性接着剤６の充填が困難になるため、開口部の開口径に合わせて適正な厚さとすることが望ましい。一例としては、開口部が開口径１００μｍの場合、応力緩和層９の厚さは４０〜６０μｍ程度が目安となり、使用する導電性接着剤６の充填性に合わせて、適正な厚さに調整することが望ましい。応力緩和層９の弾性率に関しては、第１絶縁層８よりも小さくする必要がある。その理由は、半導体素子１と基板２の熱膨張差に起因する応力がはんだバンプ５を介して導電性接着剤６にかかった場合、応力緩和層９の弾性率が第１絶縁層８の弾性率より低い場合は、図１に示す領域ａに応力が集中しやすくなり、導電性接着剤６と電極パッド４の界面にかかる応力を緩和することができ、導電性接着剤６の剥離を防止する効果があるからである。【００３２】
電極パッド４上の第１絶縁層８および応力緩和層９に形成された開口部は、レーザを利用して、電極パッド４上の応力緩和層９および第１絶縁層８を選択的に除去することで、容易に形成できる。開口部には、導電性接着剤６が充填されている。【００３３】
導電性接着剤６は、応力緩和層９と同様に、応力緩和効果を得るために２％以上の伸び率を有していることが望ましい。導電性接着剤６の材料構成は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、またはエポキシ樹脂とシリコーン樹脂のハイブリッド樹脂等の樹脂１２に導電粒子１１を含んだものを用いることができる（図４参照）。導電粒子１１には、金属粒子等、導電性を有する様々なものを用いることができるが、導電性に優れるＡｇが一般的であり、その他Ｃｕ等を用いることも可能である。導電粒子１１のサイズ（粒径）は、例えば、１μｍ前後とすることができる。導電粒子１１の形状は、球形やフレーク状とすることができるが、これに限定されない。導電粒子１１の含有量は、５０〜９０ｗｔ％が目安となるが、導電率や弾性率を考慮して決定することが望ましい。一例として、シリコーン系導電性接着剤は、導電粒子（金属フィラー）を８０〜８５ｗｔ％添加した場合でも、弾性率が０．１ＧＰａ以下の低弾性率を実現することができる。【００３４】
導電性接着剤６の開口部への充填方法は、例えば、開口部に合わせてパターン形成した印刷用マスク（図６（Ａ）の１４参照；メタルマスク）を使用し、印刷法により充填し、所定の温度で硬化させることで導電性接着剤６を形成することができる。この際、導電性接着剤６は、応力緩和層９の表面に対して極端に突出させる必要がないため、印刷用マスクの厚さは極力薄くすることが望ましい。印刷用マスクを薄くすることによって印刷性が良くなるだけでなく、応力緩和層９の表層より突出する導電性接着剤６の高さのバラツキを抑えることができ、生産性が向上する。なお、印刷用マスクについては、上記で示したメタルマスクを使用するほか、応力緩和層９のさらに上に、剥離可能な樹脂マスクを形成しておき、電極部の開口形成時に同時に加工して導電性接着剤６の硬化後に前記樹脂マスクを剥離することで、形成することも可能である。なお、樹脂マスクの剥離に関しては、金属層７を形成した後でもよい。【００３５】
導電性接着剤６の形状は、望ましくは、応力緩和層９表面上に形成された導電性接着剤６の端部が応力緩和層９の開口部と同じサイズでも大きく形成されていてもよい。同じサイズの場合は、導電性接着剤６の充填性を考慮して開口径を大きくする場合に適しており、この場合、開口径が大きくても、隣り合うはんだバンプ５との距離を保てるため、実装時にバンプ間のショートの問題が発生しにくい。導電性接着剤６の端部を応力緩和層９の開口より大きくした場合のメリットは、導電性接着剤６の一部が応力緩和層９の表面と密着しているため、導電性接着剤６の表面に金属層７を形成するメッキ工程において、メッキ液が導電性接着剤６と電極パッド４の接合界面に浸透しにくくなり、メッキ液の影響による導電性接着剤６と電極パッド４の接合界面における密着力低下や導通抵抗上昇等の悪影響の抑制に効果的であり、メッキ液の選定自由度が増す。さらには、導電性接着剤６の接着面積が増えることにより、導電性接着剤６の密着力を向上させることができる。どちらの構造を選定するかについては、対象となる半導体素子１の電極パッド３のピッチや使用する材料によって、それぞれ選定することが望ましい。また、前記それぞれの構造のメリットを両立できる構造の例として、図２に示す構造が挙げられる。本構造は、導電性接着剤６の端部を応力緩和層９の開口よりも大きく形成しておき、導電性接着剤６の表面に金属層７を形成した後、第３絶縁層１６を形成するとともに、第３絶縁層１６の開口径を調整することで、導電性接着剤６の接着面積を広げつつ、はんだバンプ５での接合時の濡れ広がりを制御し隣接バンプ間ショートを防止することが可能となる。なお、第３絶縁層１６を形成する工程は、金属層７形成後（図２に図示の場合）でも、第３絶縁層１６を形成した後に金属層７を形成でもよい。この場合、第３絶縁層１６の開口部のみに金属層７が形成される。接合部の強度を確保したい場合は、図２に図示する構造が適しており、生産性を考慮する場合は、第３絶縁層１６を形成した後に金属層７を形成するプロセスが適しており、対象となる半導体素子の仕様により、使い分けることが望ましい。【００３６】
金属層７については、導電性接着剤６の表面にＮｉ層、Ｎｉ層表面にＡｕ層が形成されている構造が望ましい。Ｎｉ層を形成する理由は、導電性接着剤６中に含まれているＡｇ等の導電粒子（図４の１１）がはんだバンプ５中に含まれているＳｎに取り込まれて消失し、導電性接着剤６中の金属粒子密度が低下することで、導通不良を引き起こす不具合を防止するバリア層としての役割がある。Ｎｉ層の厚さは、３μｍ程度が目安となる。Ａｕ層に関しては、半導体素子１と基板２を接続する際に、はんだバンプ５と金属層７の濡れ性を良好に保つための役割がある。Ａｕ層の厚さは、０．０２〜０．０５μｍ程度とすることができる。金属層７の形成方法として、例えば、無電解メッキにより形成することが可能である。この際に重要な点として、通常、導電性接着剤６を硬化したのみの状態では、図４（Ａ）に示すように、導電粒子１１の表面には、樹脂１２の薄膜が形成され、無電解メッキによる金属層の良好な形成自体が困難である。また、金属層が形成できたとしても、樹脂１２の薄膜の影響で良好な導通が得られない。そこで、図４（Ｂ）に示すように少なくとも樹脂最外層１３よりも突出した導電粒子１１の表面の樹脂１２を除去することで、導電粒子１１を露出させることが望ましく、この状態で無電解メッキ処理を行うことで、図４（Ｃ）に示すように導電粒子１１の表面と金属層７を直接密着させることが可能となり、強固で安定した金属層の形成及び良好な導通を得ることが可能となる。導電粒子１１を露出させる方法として、例えば、導電性接着剤６の表面に適正な条件のアルゴンや酸素によるプラズマ処理を施したり、酸やアルカリの薬液に適正な時間浸漬させる等が挙げられる。金属層７の表面は、はんだバンプ５で覆われており、はんだバンプ５が濡れ広がって強固に接続されている。これにより、半導体素子１と基板２の電極間は低応力かつ良好な電気的導通を得ることができる。【００３７】
なお、バンプピッチが微細である場合等は、バンプ接合部を保護する目的で、図３に示すように、接合部の周囲、つまり半導体素子１と基板２との隙間を第２絶縁層１０にて封止することが望ましい。この場合、応力緩和層９は第２絶縁層１０と比較して弾性率を小さくする。【００３８】
第２絶縁層１０には、例えば、アクリル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、フルオレン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シリコーン樹脂等、様々な材料を用いることができるが、特に限定されるものではなく、これらを１種あるいは２種以上組み合わせて用いることもできる。粘度、コスト、耐熱性、接着性等の面に優れるエポキシ樹脂が一般に用いられるが、２５℃程度の室温において液状である樹脂が望ましい。この場合、第２絶縁層１０の弾性率が応力緩和層９より高いことが望ましい。その理由は、第２絶縁層１０は、はんだバンプ５を保護する役割があるため、弾性率が高いほうが高弾性であるはんだバンプ５の保護性が良く、高信頼性を確保しやすいからである。本構造の場合、第２絶縁層１０の弾性率を高くした場合でも、応力緩和層９及び導電性接着剤６の低弾性効果により低応力実装構造を実現でき、第２絶縁層１０の高弾性化による接続信頼性向上と実装後の低応力構造の両立を実現できる。なお、第２絶縁層１０にはシリカ等の無機フィラーやアクリル、シリコーン等の有機フィラーを添加し、熱膨張係数や弾性率、熱時物性等を調整することができる。【００３９】
次に、本発明の実施例１に係る実装基板の製造方法について図面を用いて説明する。図５〜図７は、本発明の実施例１に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００４０】
まず、基板２を用意する（ステップＡ１；図５（Ａ）参照）。基板２は、既に電極パッド４が形成されたものでよく、電極パッド４の表面は、導電性接着剤（図１の６）の密着強度を向上する目的で、数ミクロン程度、粗化しておくことが望ましい。基板２の材質は特に制約は無く、ビルドアップ基板でもよいし、セラミック基板でもよい。【００４１】
次に、電極パッド４を含む基板２上に第１絶縁層８を形成する（ステップＡ２；図５（Ｂ）参照）。【００４２】
次に、第１絶縁層８上に応力緩和層９を形成する（ステップＡ３；図５（Ｃ）参照）。応力緩和層９の形成範囲は、第１絶縁層８上を全て覆う必要はないが、少なくとも半導体素子（図１の１）が搭載される領域以上とすることが望ましい。【００４３】
次に、電極パッド４上の第１絶縁層８及び応力緩和層９を所定の寸法にて選択的に除去し、電極パッド４に通ずる開口部を形成する（ステップＡ４；図５（Ｄ）参照）。第１絶縁層８及び応力緩和層９の除去方法は、基板のビア加工時にも広く利用されているレーザを用いた穴あけ加工法が適している。【００４４】
次に、応力緩和層９の開口部に合わせて設計された印刷用マスク１４を準備し、印刷用マスク１４を基板２と位置合わせする（ステップＡ５；図６（Ａ）参照）。印刷用マスク１４の一例として、基板２の開口に合わせて穴あけ加工されているメタルマスクが挙げられる。【００４５】
次に、印刷用マスク１４を基板２に位置合わせした状態で、未硬化（ペースト状）の導電性接着剤６を基板２の電極パッド４上の開口部に充填し、導電性接着剤６が硬化した後、印刷用マスク１４を除去する（ステップＡ６；図６（Ｂ）参照）。この時、導電性接着剤６の上端部を応力緩和層９の開口部より大きくしたい場合は、使用する印刷用マスク１４の開口径を応力緩和層９の開口径よりも大きく設計しておくことで、印刷後に形成された導電性接着剤６の上端部を応力緩和層９の開口径よりも大きくすることができる。この際に使用する印刷機は、一般的なものでも良いが、導電性接着剤６の充填時にボイド等の充填不良を未然に防ぐ目的で、真空中で印刷充填したり、導電性接着剤６ペースト充填時に加圧しながら印刷する方法等を用いることができる。また、導電性接着剤６を充填後、導電性接着剤６を硬化する前に真空脱泡する方法、あるいは加圧硬化する方法などにより、充填時に発生したボイドを低減することができる。導電性接着剤６は、使用する樹脂（図４の１２）に適した硬化条件に従い、導電性接着剤６の硬化を行う。硬化に際してはオーブンやホットプレート等を用いることができる。【００４６】
次に、導電性接着剤６の表面に金属層７を無電解メッキにより形成する（ステップＡ７；図６（Ｃ）参照）。なお、金属層７を形成する前に、導電性接着剤６の導電粒子１１の表面の樹脂１２を除去することで導電粒子１１を露出させ、導電性接着剤６の表面への無電解メッキ形成性を向上させることが望ましい（図４参照）。一例として、導電性接着剤６の表面にプラズマ処理を施したり、酸やアルカリの薬液に浸漬させることで、導電性接着剤６の表面の導電粒子１１を露出させることができる。このメッキの前処理条件は、使用する導電性接着剤６によって適正条件に差があるため、使用する導電性接着剤６に合わせた前処理条件の調整が必要となるが、メッキ形成性が確保できれば、前処理時間はなるべく短い方がよい。この後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキの順に金属層７を形成するが、通常の無電解メッキプロセスを使用することで、金属層７を形成することが可能である。【００４７】
次に、基板２の金属層７表面にはんだバンプ５ａを形成する（ステップＡ８；図６（Ｄ）参照）。なお、図６（Ｃ）に示した状態で、半導体素子（図７（Ａ）の１）側に形成したはんだバンプ（図７（Ａ）の５ｂ）と金属層７を接続することは可能であるが、実装後の半導体素子１と基板２の隙間をなるべく広く保ちたい場合は、基板２の金属層７表面にはんだバンプ５ａを形成することが効果的である。実装後の半導体素子１と基板２の隙間を保つ理由は、半導体素子１のはんだバンプ接合後のフラックス（図７（Ｂ）の１５）の洗浄工程、第２絶縁層（図７（Ｄ）の１０）の充填工程において、隙間が狭いとフラックス洗浄不良や第２絶縁層１０の充填時の不良を防ぐほか、はんだバンプの高さを保つことで、接合時の不良防止、さらには構造的に応力を低減するためである。はんだバンプ５ａの形成方法は、例えば、メタルマスク印刷法によりはんだペーストを金属層７上に選択的に印刷した後、リフローして、基板２側の金属層７にはんだを濡れ広げることではんだバンプ５ａを形成し、最後にはんだペーストに含まれているフラックスを洗浄することで、図６（Ｄ）に示した基板２が完成する。【００４８】
次に、予めはんだバンプ５ｂが形成された半導体素子１を準備し、はんだバンプ５ｂにフラックス１５を塗布する（ステップＡ９；図７（Ａ）参照）。はんだバンプ５ｂの形成方法として、例えば、メタルマスクを用いてはんだペーストを電極パッド３上に印刷し、リフロー後にフラックス洗浄する方法でも良いし、他の方法としてはスクリーンマスク等によってフラックス供給した半導体素子１の電極パッド３上に所定のサイズのはんだボールを転写した後、リフローし、フラックス洗浄する方法でもよい。フラックス１５の塗布方法として、スキージ等を用いて所定の厚さに形成したフラックス１５にはんだバンプ５ｂを転写する方法が一般的であるが、特にこの方法に限定されない。また、ここでは、半導体素子１のはんだバンプ５ｂにフラックス１５を塗布した例を示しているが、基板２側にフラックスを転写してもよい。【００４９】
次に、半導体素子１を基板２（ステップＡ１〜Ａ８で製造したもの）と位置合わせした後、半導体素子１を基板２上に搭載し、半導体素子１側のはんだバンプ５ｂまたは基板２側のはんだバンプ５ａの少なくとも一方を溶融させて半導体素子１の電極パッド３と基板２の電極パッド４とを電気的に接続する（ステップＡ１０；図７（Ｂ）参照）。ここで、はんだバンプ５をリフローする方法としては、リフロー炉等を用いた全体加熱でも可能であるが、半導体素子１側のみからの部分加熱により、基板２の温度がなるべく上がらないようにする方法が望ましい。その理由は、熱膨張係数の大きい基板２側の温度上昇を抑えることにより、実装時の熱応力を低減し、実装後の反りが小さく接続信頼性の高い実装品を得ることができるからである。具体的には、半導体素子１を基板２上に搭載する際に半導体素子実装用マウンタに備え付けられているパルスヒータを利用することで半導体素子１を加熱し、基板２を設置するマウンタステージは少なくとも半導体素子１側より低い温度設定にしておく方法が一例として挙げられる。なお、全体加熱、部分加熱にかかわらず、リフローは窒素のような不活性雰囲気で実施する方がはんだバンプの濡れ性がよい。【００５０】
次に、半導体素子１と基板２の隙間に残ったフラックスを洗浄する（ステップＡ１１；図７（Ｃ）参照）。フラックスの洗浄に関しては、一般的なはんだ接続後の洗浄に用いるフラックス洗浄液（例えば、パインアルファ  荒川化学工業株式会社製  など）を用いることができる。これにより、図１と同様な実装基板ができる。【００５１】
最後に、基板２をベーク等により、十分に乾燥させた後、毛細管現象を利用し第２絶縁層１０を半導体素子１と基板２の隙間に充填し、その後、第２絶縁層１０を硬化させる（ステップＡ１２；図７（Ｄ）参照）。このとき、使用する第２絶縁層１０の粘度特性や硬化特性に合わせて６０〜１００℃程度に加熱することで、ボイドの無いスムーズな充填を行うことができる。第２絶縁層１０を充填後、オーブン等を用いて第２絶縁層１０を硬化させることで、図３と同様な実装基板が完成する。【００５２】
実施例１によれば、電極の一部に低弾性な導電性接着剤６を使用しているため、はんだバンプ接合部の応力を緩和した信頼性の高い接続構造を実現できる。【００５３】
また、基板２の表層の構造として、第１絶縁層８と応力緩和層９の２層構造にするとともに第１絶縁層８よりも応力緩和層９の弾性率を低くしておくことで、導電性接着剤６に対しては第１絶縁層８と応力緩和層９の界面近傍付近に意図的に応力を発生させている。この効果により、基板２側の電極パッド４と導電性接着剤６の接着界面にかかる応力は小さくなるため、実装後の応力による導電性接着剤６と電極パッド４の界面における剥離を抑制し、高い接続信頼性を確保することが可能となる。【００５４】
また、応力緩和層９と導電性接着剤６の弾性率、伸びといった機械的特性を近い値に設定することで、導電性接着剤６を含めた応力緩和層９は、導電層、絶縁層を問わず一様で、局部的な応力集中が発生しないため、半導体素子１や基板２の寿命が延び、高信頼な接続を実現できる。【００５５】
また、はんだバンプ５を保護する目的で、半導体素子１と基板２の隙間に第２絶縁層１０を形成した場合において、はんだバンプ５の保護に効果的な高弾性な樹脂にて第２絶縁層１０を形成した場合でも、応力緩和層９の効果により実装後の反りを低減することができ、高信頼性で、かつ低応力な実装構造を実現できる。
【実施例２】
【００５６】
本発明の実施例２に係る実装基板の製造方法について図面を用いて説明する。図８は、本発明の実施例２に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００５７】
実施例２に係る実装基板の製造方法は、実施例１に係る実装基板の製造方法と大きく異なるところは、半導体素子１と基板２を準備した後、基板２側に第２絶縁層１０となる絶縁樹脂１０ａを供給するようにした点である。【００５８】
まず、実施例１のステップＡ１〜Ａ８と同様にして、電極パッド４、第１絶縁層８、応力緩和層９、導電性接着剤６、金属層７、及びはんだバンプ５ａが形成されている基板２と、電極パッド３上にはんだバンプ５ｂを形成した半導体素子１とを準備し、続いて基板２側に絶縁樹脂１０ａを供給する（ステップＢ１；図８（Ａ）参照）。【００５９】
ここで、絶縁樹脂１０ａは、酸化膜除去作用を有することが望ましい。その理由は、半導体素子１側のはんだバンプ５ｂと基板２側のはんだバンプ５ａの接合時において、それぞれのはんだバンプ５ａ、５ｂの表面の酸化膜を除去し、接合性を向上させることができるからである。絶縁樹脂１０ａに酸化膜除去作用を与えるには、（メタ）アクリル酸、マレイン酸などの不飽和酸、蓚酸、マロン酸などの有機二酸、クエン酸などの有機酸をはじめ、炭化水素の側鎖に、ハロゲン基、水酸基、ニトリル基、ベンジル基、カルボキシル基等を少なくとも１つ以上を添加することにより可能である。これらの添加剤を３〜１０ｗｔ％（重量％）加えてもよいし、他の方法としては、エポキシ樹脂の硬化剤と主剤の反応時に生成される前記物質を利用して、酸化膜除去を行なうことも可能である。エポキシ樹脂の主剤と硬化剤の混合比は、主剤６０〜９０ｗｔ％（重量％）に対して、硬化剤１０〜４０ｗｔ％（重量％）が望ましい。【００６０】
次に、半導体素子１と基板２を位置合わせした後、半導体素子１を基板２上に搭載し、その後、加熱を行ない、はんだバンプ５ａ、はんだバンプ５ｂのうち、少なくとも一方を溶融させ、半導体素子１の電極パッド３と基板２の電極パッド４とを電気的に接続する（ステップＢ２；図８（Ｂ）参照）。この時、ステップＡ１２（図７（Ｄ）参照）にて説明したプロセスと同様に、半導体素子１側のみからの部分加熱により、基板２の温度がなるべく上がらないようにする方法が望ましい。その理由は、前記した理由と同様である。【００６１】
最後に、絶縁樹脂１０ａを硬化して、第２絶縁層１０を形成する（ステップＢ３；図８（Ｂ）参照）。絶縁樹脂１０ａの硬化は、半導体素子１を搭載した際の加熱をはんだバンプ接合後も継続して実施し、絶縁樹脂１０ａの硬化を進めてもよいし、はんだバンプ接合後は、所定の温度に管理されたオーブン等に投入して、絶縁樹脂１０ａを硬化してもよい。以上により、図３と同様な実装基板が完成する。【００６２】
実施例２によれば、実施例１と同様な効果を奏する。【００６３】
以上、本発明の実施例を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、実施例では電子部品として半導体素子を用いた例で説明したが、電子部品としてはこれに限らずキャパシタ、インダクタなどの受動素子も含めた他の素子に対しても同様に適用することができる。また、電子部品側の電極パッド、及び基板側の電極パッドの形状は、ともに平面形状が略円形状に形成された例で説明したが、これらの例に限らずに楕円形状などの他の任意の形状を選ぶこともできる。
本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施例ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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