(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントの際に基板上でレジストを進入させたくない領域である最外周領域よりも内側のパターン形成領域に、前記レジストを滴下する滴下ステップと、
テンプレートのテンプレートパターンをインプリントショット毎に前記基板上のレジストに押し当てることにより、インプリントショット毎に前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させる押印ステップと、
前記最外周領域を含むインプリントショットに対してインプリントを行う場合、前記テンプレートパターンを前記レジストに押し当てる際に、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界を含む所定幅の光照射領域に、前記レジストを硬化させる光を照射して、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界近傍のレジストを硬化させる第１の硬化ステップと、
前記テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる光を前記テンプレート上に照射する第２の硬化ステップと、
を含み、
前記押印ステップは、
前記基板に設けられた第１のアライメントマークと、前記テンプレートに設けられた第２のアライメントマークと、の間の位置合わせ処理を行うことによって前記テンプレートを前記基板上の所定位置に位置合わせするアライメントステップを有し、
前記第１の硬化ステップは、前記位置合わせ処理の間、前記光照射領域に前記光を照射し、
前記レジストは、ＵＶ硬化樹脂であり、前記光はＵＶ光であることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
インプリントの際に基板上でレジストを進入させたくない領域である最外周領域よりも内側のパターン形成領域に、前記レジストを滴下する滴下ステップと、
テンプレートのテンプレートパターンをインプリントショット毎に前記基板上のレジストに押し当てることにより、インプリントショット毎に前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させる押印ステップと、
前記最外周領域を含むインプリントショットに対してインプリントを行う場合、前記テンプレートパターンを前記レジストに押し当てる際に、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界を含む所定幅の光照射領域に、前記レジストを硬化させる光を照射して、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界近傍のレジストを硬化させる第１の硬化ステップと、
前記テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる光を前記テンプレート上に照射する第２の硬化ステップと、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項３】
前記押印ステップは、
前記基板に設けられた第１のアライメントマークと、前記テンプレートに設けられた第２のアライメントマークと、の間の位置合わせ処理を行うことによって前記テンプレートを前記基板上の所定位置に位置合わせするアライメントステップを含み、
前記第１の硬化ステップは、前記位置合わせ処理の間、前記光照射領域に前記光を照射することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記押印ステップは、
前記基板に設けられた第１のアライメントマークと、前記テンプレートに設けられた第２のアライメントマークと、の間の位置合わせ処理を行うことによって前記テンプレートを前記基板上の所定位置に位置合わせするアライメントステップを含み、
前記第１の硬化ステップは、前記位置合わせ処理の後、前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させる間、前記光照射領域に前記光を照射することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記レジストは、ＵＶ硬化樹脂であり、前記光はＵＶ光であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載のインプリント方法。
【請求項６】
インプリントの際に基板上でレジストを進入させたくない領域である最外周領域よりも内側のパターン形成領域に、前記レジストを滴下する滴下部と、
テンプレートのテンプレートパターンをインプリントショット毎に前記基板上のレジストに押し当てることにより、インプリントショット毎に前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させる押印部と、
前記最外周領域を含むインプリントショットに対してインプリントを行う場合、前記テンプレートパターンを前記レジストに押し当てる際に、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界を含む所定幅の光照射領域に、前記レジストを硬化させる第１の光を照射して、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界近傍のレジストを硬化させる第１の硬化処理と、前記テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる第２の光を前記テンプレート上に照射して前記テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる第２の硬化処理と、を行う光照射部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項７】
前記光照射領域以外に照射される光を遮断するアパーチャをさらに備え、
前記光照射部は、
前記第１の硬化処理を行う際には、前記アパーチャを介して前記光照射領域に前記第１の光を照射し、
前記第２の硬化処理を行う際には、前記アパーチャを介することなく前記テンプレート上に前記第２の光を照射することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記光照射部は、
前記第１の硬化処理を行う際に、前記光照射領域に前記第１の光を照射する第１の光照射部と、
前記第２の硬化処理を行う際に、前記テンプレート上に前記第２の光を照射する第２の光照射部と、
を有することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント方法およびインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程において、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成と、量産性とを両立させる技術として、被転写基板（ウエハなど）に原版の型（テンプレートパターン）を転写する光ナノインプリント法が注目されている。光ナノインプリント法は、転写すべきパターンを形成したテンプレートを、ウエハ上に塗布されている光硬化性材料層（レジスト層）に押し付け、これに光照射を行なってレジスト層を硬化させることにより、レジスト層にパターンを転写する方法である。このような光ナノインプリント法は、半導体リソグラフィへの適用が期待されている。
【０００３】
光ナノインプリントの際、ウエハ外周部のショット（エッジショット）にインクジェット法で塗布されたレジストにテンプレートを押し付けると、表面張力によりレジストは拡がる。そして、ウエハの外周部に設けられているレジスト排除領域を超えてウエハの裏面側へレジストが拡がる。このため、ウエハの裏面が汚染される場合がある。また、レジスト排除領域上のテンプレート表面やテンプレートパターン部（凹部）にレジストが拡がる。このため、テンプレート側に付着して硬化したレジストがテンプレートから剥がれる場合がある。
【０００４】
このため、ウエハの裏面汚染やレジスト剥がれによって、歩留まりが低下するという問題があった。また、ウエハの裏面汚染やレジスト剥がれによって、半導体製造装置が汚染され、この結果、汚染除去が必要になるので稼動率が低下するという問題があった。このため、基板外周部の非所望領域にレジストが拡がることを防止しながらインプリントすることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−６８４１１号公報
【特許文献２】特開２０００−１９４１４２号公報
【特許文献３】特開２００５−２８６０６２号公報
【特許文献４】特開２０１０−４０８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、基板外周部の非所望領域にレジストが拡がることを防止しながらインプリントすることができるインプリント方法およびインプリント装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、インプリント方法が提供される。前記インプリント方法では、インプリントの際に基板上でレジストを進入させたくない領域である最外周領域よりも内側のパターン形成領域に、前記レジストを滴下する。そして、テンプレートのテンプレートパターンをインプリントショット毎に前記基板上のレジストに押し当てることにより、インプリントショット毎に前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させる。前記最外周領域を含むインプリントショットに対してインプリントを行う場合、前記テンプレートパターンを前記レジストに押し当てる際に、前記最外周領域と前記パターン形成領域との境界を含む所定幅の光照射領域に、前記レジストを硬化させる光を照射して、前記最外周領域内と前記パターン形成領域との境界近傍のレジストを硬化させる。そして、前記テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる光を前記テンプレート上に照射する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、エッジショットとレジスト排除領域を説明するための図である。
【図３】図３は、エッジショットにおけるレジスト滴下位置を説明するための図である。
【図４】図４は、実施形態に係るＵＶ光照射領域を示す図である。
【図５】図５は、アパーチャの移動を説明するための図である。
【図６】図６は、外周用ＵＶ光源の他の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（実施形態）
図１は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１０１は、光ナノインプリントリソグラフィなどのインプリントリソグラフィを行う装置であり、ウエハＷなどの被転写基板（被処理基板）に、テンプレート（原版）Ｔのテンプレートパターン（回路パターンなど）を転写する。
【００１１】
本実施形態のインプリント装置１０１は、ウエハＷの外周部のショット（エッジショット）にインプリントを行う際に、ウエハＷの外周部に設けられているレジスト排除領域（最外周領域）およびレジスト排除領域よりも少し内側の領域にＵＶ光を照射する。これにより、レジスト排除領域に進入してくるレジストをＵＶ光で硬化させ、レジスト排除領域にレジストが進入してこないようにする。
【００１２】
インプリント装置１０１は、制御装置１、原版ステージ２、基板チャック４、試料ステージ５、基準マーク６、アライメントセンサ７、液滴下装置８、ステージベース９、ＵＶ光源１０Ｘ、ステージ常盤１１、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラ１２、原版搬送アーム１３、外周用ＵＶ光源５２、アパーチャＡ、アパーチャ移動部５０Ａ、外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂを備えている。
【００１３】
ステージ常盤１１は、水平方向の主面を有しており、この主面の上を試料ステージ５が移動する。試料ステージ５は、ウエハＷを載置するとともに、載置したウエハＷと平行な平面内（水平面内）を移動する。試料ステージ５は、ウエハＷに転写材としてのレジスト３２を滴下する際にはウエハＷを液滴下装置８の下方側に移動させ、ウエハＷへの押印処理を行う際には、ウエハＷをテンプレートＴの下方側に移動させる。
【００１４】
テンプレートＴは、テンプレートパターンとして所望パターンの溝（凹凸）が形成されている。テンプレートＴは、ＵＶ硬化樹脂を硬化させる波長の光（ＵＶ光など）を通す素材を用いて作製されている。
【００１５】
また、試料ステージ５上には、基板チャック４が設けられている。基板チャック４は、ウエハＷを試料ステージ５上の所定位置に固定する。また、試料ステージ５上には、基準マーク６が設けられている。基準マーク６は、試料ステージ５の位置を検出するためのマークであり、ウエハＷを試料ステージ５上にロードする際に用いられる。
【００１６】
ステージベース９は、テンプレートＴなどを支持するとともに、テンプレートＴのテンプレートパターンをウエハＷ上のレジスト３２に押し当てる。ステージベース９は、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレートＴのレジスト３２への押し当て（押印）と、テンプレートＴのレジスト３２からの引き離し（離型）を行う。
【００１７】
ステージベース９の底面側（ウエハＷ側）には、原版ステージ２が設けられている。原版ステージ２は、テンプレートＴの裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）からテンプレートＴを真空吸着などによって所定位置に固定する。
【００１８】
また、ステージベース９上には、アライメントセンサ７が設けられている。アライメントセンサ７は、ウエハＷに設けられたアライメントマークの位置検出と、テンプレートＴに設けられたアライメントマークの位置検出を行うセンサである。ウエハＷ上のインプリントショットへテンプレートＴのアライメントを行う際には、テンプレートＴのアライメントマークと、ウエハＷのアライメントマークと、が重なるよう、ウエハＷを載置した試料ステージ５の位置が制御される。
【００１９】
液滴下装置８は、ウエハＷ上にレジスト３２を滴下する装置である。レジスト３２は、例えばＵＶ硬化樹脂である。液滴下装置８は、例えばインクジェット方式のレジスト滴下装置である。
【００２０】
ＵＶ光源１０Ｘは、ＵＶ光を照射する光源であり、ステージベース９の上方に設けられている。ＵＶ光源１０Ｘは、テンプレートパターンにレジスト３２を充填させた後、テンプレートＴがレジスト３２に押し当てられた状態で、テンプレートＴ上からインプリントショットの全面にＵＶ光を照射する。
【００２１】
外周用ＵＶ光源５２は、テンプレートＴ上（インプリントショット上）の所定領域にＵＶ光を照射する光源である。外周用ＵＶ光源５２は、エッジショットに設けられているレジスト排除領域上からＵＶ光を照射する。レジスト排除領域は、ウエハＷの最外周部分であり、レジスト３２を進入させたくない領域（非所望領域）である。
【００２２】
アパーチャＡは、レジスト排除領域およびレジスト排除領域よりも少し内側の領域（後述の硬化光照射領域３１）にＵＶ光が照射され、且つその他の領域にはＵＶ光が照射されないよう、硬化光照射領域３１に対応する所定領域のみ開口している。アパーチャＡは、例えば概略平板状をなしている。そして、ウエハＷの主面、テンプレートＴの主面、アパーチャＡの主面がそれぞれ平行となるよう、アパーチャＡは配置される。アパーチャＡは、エッジショットへのインプリントを行う際には、硬化光照射領域３１（レジスト排除領域近傍）上に移動させられる。外周用ＵＶ光源５２からのＵＶ光は、アパーチャＡを介して硬化光照射領域３１に照射される。
【００２３】
アパーチャ移動部５０Ａは、アパーチャＡを支持するとともに、アパーチャＡの主面と平行な平面内（水平面内）でアパーチャＡを移動させる。アパーチャ移動部５０Ａは、アパーチャＡを水平面内のＸ方向、水平面内のＹ方向に移動させる。またアパーチャ移動部５０Ａは、アパーチャＡを水平面内で回転させる。
【００２４】
アパーチャ移動部５０Ａは、ウエハＷのエッジショットにインプリントする際には、アパーチャＡをインプリントショット内に移動させる。そして、アパーチャ移動部５０Ａは、硬化光照射領域３１上がアパーチャＡの開口部となるようアパーチャＡを水平面内で回転させる。また、アパーチャ移動部５０Ａは、ウエハＷのエッジショット以外（中心部のショット）にインプリントする際には、アパーチャＡをインプリントショット外に移動させる。
【００２５】
外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂは、外周用ＵＶ光源５２を支持するとともに、アパーチャＡの主面と平行な平面内（水平面内）で外周用ＵＶ光源５２を移動させる。外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂは、外周用ＵＶ光源５２を水平面内のＸ方向、水平面内のＹ方向に移動させる。
【００２６】
外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂは、ウエハＷのエッジショットにインプリントする際には、外周用ＵＶ光源５２をアパーチャＡの開口部上に移動させて点灯させる。また、外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂは、ウエハＷのエッジショット以外（中心部のショット）にインプリントする際には、外周用ＵＶ光源５２をインプリントショット外に移動させるとともに、外周用ＵＶ光源５２を消灯する。
【００２７】
本実施形態では、エッジショットにインプリントする際に、硬化光照射領域３１に、ＵＶ硬化樹脂を硬化させる波長の光を外周用ＵＶ光源５２によって照射しておく。これにより、レジスト排除領域にレジスト３２が拡散してくる前に、外周用ＵＶ光源５２によってＵＶ光が照射される硬化光照射領域３１と、ＵＶ光が照射されない領域と、の境界近傍でレジスト３２を硬化させる。
【００２８】
ＣＣＤカメラ１２は、テンプレートＴのテンプレートパターンに充填中のレジスト３２を、略透明のテンプレートＴを介して撮像するカメラである。ＣＣＤカメラ１２は、ステージベース９の上方に設けられている。
【００２９】
原版搬送アーム１３は、インプリント装置１０１内でテンプレートＴを搬送するアームである。原版搬送アーム１３は、インプリント装置１０１の外部から搬入されてきたテンプレートＴを、原版ステージ２の位置に搬送する。
【００３０】
制御装置１は、原版ステージ２、基板チャック４、試料ステージ５、アライメントセンサ７、液滴下装置８、ステージベース９、ＵＶ光源１０Ｘ、ステージ常盤１１、ＣＣＤカメラ１２、原版搬送アーム１３、外周用ＵＶ光源５２、アパーチャＡ、アパーチャ移動部５０Ａ、外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂを制御する。
【００３１】
ウエハＷへのインプリントを行う際には、予めウエハＷ上にレジスト３２を滴下しておく。具体的には、ウエハＷ上に、インプリントショット（１ショット分）の有効領域（パターン形成領域）のみに光照射で固化する材料としてのレジスト３２を塗布する。
【００３２】
その後、ウエハＷがテンプレートＴの直下に移動させられる。そして、テンプレートパターンがウエハＷ上のレジスト３２に押し当てられる。これにより、テンプレートパターンへのレジスト３２の充填が開始される。
【００３３】
テンプレートパターンへのレジスト充填が完了すると、テンプレートＴの全面にＵＶ光が照射され、これにより、全てのレジスト３２が硬化する。その後、テンプレートＴは、レジスト３２から引き離される。これにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンがウエハＷ上にパターニングされる。
【００３４】
インプリント装置１０１は、例えばテンプレートパターンへのレジスト３２の充填中に外周用ＵＶ光源５２からのＵＶ光を硬化光照射領域３１に照射する。なお、インプリント装置１０１は、テンプレートＴのウエハＷへのアライメント中に外周用ＵＶ光源５２からのＵＶ光を硬化光照射領域３１に照射してもよい。
【００３５】
図２は、エッジショットとレジスト排除領域を説明するための図である。図２では、ウエハＷの上面図を示している。ウエハＷの最外周がライン２３であり、ライン２３よりも少し内側がライン２２である。そして、ライン２２よりも内側の領域（インプリントパターン形成領域）にインプリントパターンが形成される。また、ライン２２とライン２３とで挟まれた領域（ライン２２よりも外側の領域）が、レジスト排除領域２５となる。換言すると、ライン２２は、レジスト排除領域２５と、インプリントパターン形成領域と、の境界線である。
【００３６】
ウエハＷには、複数のインプリントショットが設定される。ライン２４よりも内側に示してある矩形領域が、それぞれインプリントショットである。インプリントショットのうち、一部でもレジスト排除領域２５と重なる領域を有しているインプリントショットがエッジショット２１である。換言すると、エッジショット２１は、そのショット領域内にレジスト排除領域２５の一部を含んでいる。
【００３７】
図３は、エッジショットにおけるレジスト滴下位置を説明するための図である。エッジショット２１は、レジスト排除領域２５の一部と重なっているので、ショット内の全領域にレジスト３２を塗布する必要はない。エッジショット２１において、レジスト３２の塗布が必要な領域は、レジスト排除領域２５よりも内側の領域（レジスト排除領域２５は含まず）である。したがって、エッジショット２１にインプリントを行う際には、レジスト排除領域２５（硬化光照射領域３１）よりも内側の領域にレジスト３２を滴下しておく。硬化光照射領域３１は、レジスト排除領域２５とインプリントパターン形成領域の境界（ライン２２）を含む任意の幅を有した領域である。
【００３８】
本実施形態では、エッジショット２１へのインプリントを行う際に、硬化光照射領域３１にＵＶ光を照射しておく。具体的には、テンプレートＴをレジスト３２に押し当てるのと同時またはその前に、硬化光照射領域３１にＵＶ光を照射する。そして、テンプレートパターンへのレジスト３２の充填が完了するまでの間、テンプレートＴをレジスト３２に接触させつつ、硬化光照射領域３１にＵＶ光を照射し続ける。
【００３９】
これにより、レジスト排除領域２５に重なるエッジショット２１にインプリントパターンを形成する際に、レジスト３２がレジスト排除領域２５に到達する直前でレジスト３２を固化させることができ、レジスト３２の拡がりを抑制できる。したがって、レジスト３２がレジスト排除領域２５内に進入することなく、エッジショット２１のウエハＷ中心側（パターン形成領域）にインプリントパターンを形成できる。その結果、１枚のウエハＷから取得できるデバイス数が増加し、デバイス生産性が飛躍的に向上する。
【００４０】
なお、硬化光照射領域３１と硬化光照射領域３１よりも内側の領域との境界（前述のライン２２近傍）でレジスト３２が硬化し、硬化光照射領域３１内にレジスト３２が進入してこなくなった場合には、レジスト３２の充填完了前にＵＶ光の照射を停止してもよい。
【００４１】
図４は、実施形態に係るＵＶ光照射領域を示す図である。図４に示すように、本実施形態では、テンプレートＴをレジスト３２に押し当てる際に、硬化光照射領域３１にＵＶ光４１を照射する。これにより、テンプレートパターンへのレジスト充填中などに、レジスト３２がレジスト排除領域２５内に移動しようとすると、このレジスト３２はＵＶ光４１によって硬化光照射領域３１の内周側領域（レジスト排除領域２５とレジスト３２の滴下位置との間）で硬化させられる。したがって、レジスト３２は、ＵＶ光４１の照射されている領域よりも外側には、はみ出さない。
【００４２】
ウエハＷ上の各エッジショット２１でインプリントを行う際には、各エッジショット２１に対して硬化光照射領域３１にＵＶ光４１が照射される。これにより、各エッジショット２１において、非所望領域へのレジスト３２の拡がりを防止することが可能となる。
【００４３】
テンプレートパターンへのレジスト充填が完了した後は、全てのインプリントショットにおいて、テンプレートＴ上からＵＶ光源１０ＸによるＵＶ光４１の照射が行われる。このとき、アパーチャ移動部５０Ａは、アパーチャＡをインプリントショット外に移動させるととともに、外周用ＵＶ光源移動部５０Ｂは、外周用ＵＶ光源５２をインプリントショット外に移動させておく。ＵＶ光源１０ＸによるＵＶ光４１の照射により、テンプレートパターンに充填されているレジスト３２が硬化する。この後、テンプレートＴをレジスト３２から引き離すことにより、レジスト３２にテンプレートパターンが転写される。
【００４４】
つぎに、アパーチャＡの移動処理について説明する。図５は、アパーチャの移動を説明するための図である。アパーチャＡは、外周用ＵＶ光源５２からのＵＶ光を遮光する遮光部ａ２と、ＵＶ光を通過させる開口部ａ１と、を有している。開口部ａ１は、例えば、レジスト排除領域２５の形状に応じた扇型形状をなしている。開口部ａ１の扇型が有する外径および内径は、それぞれウエハＷ（レジスト排除領域２５）の外径と平行である。換言すると、開口部ａ１は、硬化光照射領域３１と略同様の形状を有している。
【００４５】
インプリントを行なう際には、インプリントを行うインプリントショットがテンプレートＴの下方に移動してくる。インプリントショットがエッジショットである場合、アパーチャＡの主面と平行な平面内でアパーチャＡを移動させることにより、テンプレートＴの上方にアパーチャＡを移動させる。そして、アパーチャＡをアパーチャＡの主面と平行な平面内で回転させることにより、レジスト排除領域２５上にアパーチャＡの開口部ａ１を移動させる。換言すると、アパーチャＡを上面から見た場合に、レジスト排除領域２５と開口部ａ１とが略重なるよう。アパーチャＡを回転させる。さらに、外周用ＵＶ光源５２を開口部ａ１の上方に移動させる。
【００４６】
この後、外周用ＵＶ光源５２からのＵＶ光が開口部ａ１を介して硬化光照射領域３１に照射されるとともに、テンプレートパターンへのレジスト３２の充填が行われる。その後、外周用ＵＶ光源５２は消灯され、外周用ＵＶ光源５２とアパーチャＡは、テンプレートＴの外側に移動させられる。そして、テンプレートＴをレジスト３２に押し当てた状態で、ＵＶ光源１０ＸからのＵＶ光がテンプレートＴを介してレジスト３２に照射される。そして、レジスト３２が硬化した後、テンプレートＴはレジスト３２から引き離される。
【００４７】
ウエハＷでは、インプリントを行うインプリントショットがテンプレートＴの下方に移動する処理と、各インプリントショットでテンプレートパターンにレジスト３２を充填する処理と、ＵＶ光源１０ＸからのＵＶ光をレジスト３２に照射してレジスト３２を硬化させる処理と、テンプレートＴをレジスト３２から引き離す処理と、が繰り返される。そして、インプリントショットがエッジショットである場合には、外周用ＵＶ光源５２からのＵＶ光を、開口部ａ１を介して硬化光照射領域３１に照射しながら、レジスト３２の充填を行う。これにより、ウエハＷでは、全てのインプリントショットで、テンプレートパターンの転写が行われる。
【００４８】
このように、本実施形態では、エッジショットにインプリントを行う際には、硬化光照射領域３１にＵＶ光を照射しているので、レジスト排除領域２５、ウエハＷの裏面、レジスト排除領域２５上のテンプレートパターンなどにレジスト３２が進入しない。このため、レジスト排除領域２５、ウエハＷの裏面、テンプレートパターンの汚染を防止できる。したがって、歩留まりの低下を防止できる。また、半導体製造装置の汚染を防止できるので半導体製造装置の稼動率低下を防止できる。
【００４９】
硬化光照射領域３１へのＵＶ光の照射は、アパーチャＡを用いて行う場合に限らず、アパーチャＡを用いずに行ってもよい。この場合、硬化光照射領域３１を照射できる外周用ＵＶ光源をインプリント装置１０１内に設けておく。
【００５０】
図６は、外周用ＵＶ光源の他の構成例を示す図である。図６では、外周用ＵＶ光源５３の上面図を示している。外周用ＵＶ光源５３は、リング状のＵＶ光源であり、ウエハＷ上のリング状領域にＵＶ光を照射する。外周用ＵＶ光源５３は、レジスト排除領域２５と略同様の形状を有しており、レジスト排除領域２５とレジスト排除領域２５よりも少し内側の領域（ライン２２を含むリング状領域）にＵＶ光を照射できる構成となっている。
【００５１】
エッジショットにインプリントを行う際には、外周用ＵＶ光源５３を用いてウエハＷにＵＶ光を照射することにより、アパーチャＡを用いることなく、ライン２２を含むリング状領域にＵＶ光を照射することが可能となる。
【００５２】
エッジショットにインプリントを行う際に硬化光照射領域３１にＵＶ光を照射する処理は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。具体的には、ウエハＷに被加工膜を成膜した後、被加工膜上にレジスト３２を塗布する。そして、レジスト３２の塗布されたウエハＷに対し、ＵＶ光照射領域へＵＶ光を照射しながらインプリントを行なうことにより、その後、ウエハＷ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしてウエハＷの下層側をエッチングする。これにより、テンプレートパターンに対応する実パターンをウエハＷ上に形成する。半導体装置（半導体集積回路）を製造する際には、上述した成膜、インプリント、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００５３】
なお、レジスト３２はＵＶ硬化樹脂に限らず、ＵＶ光以外の波長によって硬化する樹脂であってもよい。この場合もレジスト３２を硬化させることができる波長の光がレジスト３２に照射される。
【００５４】
このように、実施形態によれば、インプリントの際にウエハＷの外周部である硬化光照射領域３１にＵＶ光を照射しておくので、レジスト３２がレジスト排除領域２５内に進入することを防止できる。したがって、ウエハＷ外周部の非所望領域にレジスト３２が拡がることを防止しながらインプリントすることが可能となる。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
８…液滴下装置、１０Ｘ…ＵＶ光源、２１…エッジショット、２２〜２４…ライン、２５…レジスト排除領域、３１…硬化光照射領域、３２…レジスト、４１…ＵＶ光、５０Ａ…アパーチャ移動部、５０Ｂ…外周用ＵＶ光源移動部、５２，５３…外周用ＵＶ光源、１０１…インプリント装置、Ａ…アパーチャ、ａ１…開口部、ａ２…遮光部、Ｔ…テンプレート、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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