(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの支持体（４００）上に移動される少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）を備える部品であって、
前記少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が、前記チップの層（１０４、２０４、３０８）の少なくとも一部分（１０８、２０８）に対応する前記チップの少なくとも１つの接続位置（１０２、２０２、３０２）において、少なくとも１つのボール（２１６、３１６）を介して、前記支持体の層（４０４）の少なくとも一部分に対応する前記支持体の少なくとも１つの接続位置（４０２）に接続され、
少なくとも１つの非金属材料から形成された前記チップの前記層の少なくとも１つの領域（１０９、２０９、３０９）が、前記チップの前記層の前記部分（１０８、２０８）を前記チップのこの層の残りの部分に接続するように、前記チップが、前記チップの前記接続位置（１０２、２０２、３０２）の下部において前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）に接して配置される犠牲層（２０３、３０６）に埋め込まれて形成された少なくとも１つの空洞（１１０、２１０、３１０）と、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）に形成され、前記空洞（１１０、２１０、３１０）と連通し、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の前記部分（１０８、２０８）を部分的に取り囲む、少なくとも１つの溝（１１４、２１４、３１４）と、によって形成される、前記チップの前記接続位置（１０２、２０２、３０２）を前記チップから機械的に分離する手段を備え、
前記溝（１１４、２１４、３１４）が、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）の周縁部に配置され、前記空洞（１１０、２１０、３１０）を前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の１つの面（１０６、２０６）と連通させており、
前記犠牲層（２０３、３０６）が、ＳＯＩ基板の誘電体層または金属層に対応していることを特徴とする部品。
【請求項２】
少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が移動される少なくとも１つの支持体（４００）を備える部品であって、
前記少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が、前記チップの層（１０４、２０４、３０８）の少なくとも一部分（１０８、２０８）に対応する前記チップの少なくとも１つの接続位置（１０２、２０２、３０２）において、少なくとも１つのボール（２１６、３１６）を介して、前記支持体の層（４０４）の少なくとも一部分に対応する前記支持体の少なくとも１つの接続位置（４０２）に接続され、
少なくとも１つの非金属材料から形成された前記支持体の前記層（４０４）の少なくとも１つの領域が、前記支持体の前記層（４０４）の前記部分を前記支持体のこの層の残りの部分に接続するように、前記支持体が、前記支持体の前記接続位置（４０２）の下部において前記支持体の前記層（４０４）に接して配置される犠牲層に埋め込まれて形成された少なくとも１つの空洞と、前記支持体の前記層（４０４）に形成され、前記空洞と連通し、前記支持体の前記層（４０４）の前記部分を部分的に取り囲む、少なくとも１つの溝と、によって形成される、前記支持体の前記接続位置（４０２）を前記支持体から機械的に分離する手段を備え、
前記溝が、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）の周縁部に配置され、前記空洞を前記支持体の前記層（４０４）の１つの面と連通させており、
前記犠牲層が、ＳＯＩ基板の誘電体層または金属層に対応していることを特徴とする部品。
【請求項３】
少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）及び少なくとも１つの支持体（４００）を備える部品であって、
前記チップが、前記支持体上に移動され、前記チップの層（１０４、２０４、３０８）の少なくとも一部分（１０８、２０８）に対応する前記チップの少なくとも１つの接続位置（１０２、２０２、３０２）において、少なくとも１つのボール（２１６、３１６）を介して、前記支持体の層（４０４）の少なくとも一部分に対応する前記支持体の少なくとも１つの接続位置（４０２）に接続され、
少なくとも１つの非金属材料から形成された前記チップの前記層の少なくとも１つの領域（１０９、２０９、３０９）が、前記チップの前記層の前記部分（１０８、２０８）を前記チップのこの層の残りの部分に接続するように、前記チップが、前記チップの前記接続位置（１０２、２０２、３０２）を前記チップから機械的に分離する手段を備え、前記チップの前記接続位置（１０２、２０２、３０２）を前記チップから機械的に分離する手段が、前記チップの前記接続位置（１０２、２０２、３０２）の下部において前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）に接して配置される犠牲層（２０３、３０６）に埋め込まれて形成された少なくとも１つの空洞（１１０、２１０、３１０）と、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）に形成され、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞（１１０、２１０、３１０）と連通し、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の前記部分（１０８、２０８）を部分的に取り囲む、少なくとも１つの溝（１１４、２１４、３１４）と、によって形成され、
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝（１１４、２１４、３１４）が、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）の周縁部に配置され、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞（１１０、２１０、３１０）を前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の１つの面（１０６、２０６）と連通させており、
前記チップの前記層に接して配置される前記犠牲層（２０３、３０６）が、前記チップのＳＯＩ基板の誘電体層または前記チップの金属層に対応しており、
少なくとも１つの非金属材料から形成された前記支持体の前記層（４０４）の少なくとも１つの領域が、前記支持体の前記層（４０４）の前記部分を前記支持体のこの層の残りの部分に接続するように、前記支持体が、前記支持体の前記接続位置（４０２）を前記支持体から機械的に分離する手段を備え、前記支持体の前記接続位置（４０２）を前記支持体から機械的に分離する手段が、前記支持体の前記接続位置（４０２）の下部において前記支持体の前記層（４０４）に接して配置される犠牲層に埋め込まれて形成された少なくとも１つの空洞と、前記支持体の前記層（４０４）に形成され、前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞と連通し、前記支持体の前記層（４０４）の前記部分を部分的に取り囲む、少なくとも１つの溝と、によって形成され、
前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝が、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）の周縁部に配置され、前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞を前記支持体の前記層（４０４）の１つの面と連通させており、
前記支持体の前記層に接して配置される前記犠牲層が、前記支持体のＳＯＩ基板の誘電体層または前記支持体の金属層に対応していることを特徴とする部品。
【請求項４】
前記チップ（１００、２００、３００）の前記層（１０４、２０４、３０８）の前記部分（１０８、２０８）または前記支持体（４００）の前記層（４０４）の前記部分が、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の主面に平行な面において、または前記支持体（４００）の前記層（４０４）の主面に平行な面において略多角形またはディスクの形状であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の部品。
【請求項５】
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝（１１４、２１４、３１４）または前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝が、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の主面に平行な面において、または前記支持体（４００）の前記層（４０４）の主面に平行な面において、長方形パターン及び円弧パターンから選択される形状を有することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の部品。
【請求項６】
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段または前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段が、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）または前記支持体の前記層（４０４）中に形成され、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞（１１０、２１０、３１０）を前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の面（１０６、２０６）と連通させる、または前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞を前記支持体の前記層（４０４）の面と連通させる、少なくとも４つの溝（１１４、２１４、３１４）を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の部品。
【請求項７】
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝または前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝が少なくとも１つのくし状パターンを備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の部品。
【請求項８】
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段または前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段がさらに、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝（１１４、２１４、３１４）若しくは前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝の少なくとも一部に配置された、または前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞（１１０、２１０、３１０）若しくは前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞の少なくとも一部に配置された、少なくとも１つの可塑性材料、少なくとも１つの粘性材料、又は少なくとも１つの可塑性材料及び粘性材料を備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の部品。
【請求項９】
前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）または前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）が、前記チップの前記層（１０４、２０４、３０８）の前記部分（１０８、２０８、３０２）上、または前記支持体の前記層（４０４）の前記部分上に配置された少なくとも１つの導電材料部分（１１２、２１２、３１２）を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１０】
前記導電材料部分（１１２、２１２、３１２）が、前記部品の少なくとも２つの素子の間に電気的接点を形成することを特徴とする請求項９に記載の部品。
【請求項１１】
前記チップ（１００、２００、３００）または前記支持体（４００）上に形成され、前記導電材料部分（１１２、２１２、３１２）に電気的に接続された少なくとも１つの金属トラックをさらに備えることを特徴とする請求項９または１０に記載の部品。
【請求項１２】
前記導電材料部分（１１２、２１２、３１２）が、前記チップ（１００、２００、３００）と前記支持体（４００）との間に少なくとも一部分の電気的接点を形成することを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１３】
前記チップ（１００、２００、３００）が、ＭＯＳ型デバイスまたはＭＥＭＳ（３０１）またはＮＥＭＳまたはＭＯＥＭＳに対応する少なくとも１つのデバイスを備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１４】
前記チップ（１００、２００、３００）が、前記ボール（２１６、３１６）を介して前記支持体（４００）と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１５】
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段または前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段が、前記チップ（１００、２００、３００）と前記支持体（４００）との間で機械的フィルタを行うことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１６】
前記チップ（１００、２００、３００）が、前記支持体（４００）が製造される材料の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有するような材料から製造されていることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１７】
前記チップ（１００、２００、３００）または前記支持体（４００）または前記チップ（１００、２００、３００）及び前記支持体（４００）の両方を埋め込む材料をさらに備えることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１８】
前記領域（１０９、２０９、３０９）の前記非金属材料が、シリコン、酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１９】
前記チップの前記層の前記領域（１０９、２０９、３０９）の前記非金属材料または前記支持体の前記層の前記領域の前記非金属材料が、約１ｏｈｍ・ｃｍ未満の抵抗率を有するドープシリコンを含むことを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に記載の部品。
【請求項２０】
少なくとも１つ支持体（４００）上に移動される少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）を備え、前記少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が、前記チップ（１００、２００、３００）の少なくとも１つの接続位置（１０２、２０２、３０２）において、少なくとも１つのボール（２１６、３１６）を介して、前記支持体（４００）の少なくとも１つの接続位置（４０２）に接続される電子部品の製造方法であって、
‐前記チップの少なくとも１つの第１層（１０４、２０４、３０８）中に、前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）と接し、前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の一部分（１０８、２０８）を部分的に取り囲むように配置される犠牲層（２０３、３０６）の少なくとも一部に連通する少なくとも１つの溝（１１４、２１４、３１４）を形成する段階であって、前記チップの前記第１層の少なくとも１つの領域（１０９、２０９、３０９）が、前記チップの前記第１層の前記部分（１０８、２０８）を前記チップのこの第１層の残りの部分に接続するような段階と、
‐少なくとも１つの埋め込まれた空洞（１１０、２１０、３１０）を形成し、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）に対応する前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の少なくとも前記部分（１０８、２０８）の下に配置される前記犠牲層（２０３、３０６）の一部を除去する段階と、を少なくとも含み、
前記チップの前記溝（１１４、２１４、３１４）、前記空洞（１１０、２１０、３１０）及び前記第１層の前記領域（１０９、２０９、３０９）が、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）を前記チップ（１００、２００、３００）から機械的に分離する手段を形成し、前記チップの前記第１層の前記領域（１０９、２０９、３０９）が少なくとも１つの非金属材料からなり、
前記溝（１１４、２１４、３１４）が、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）の周縁部に配置され、前記空洞（１１０、２１０、３１０）を前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の１つの面（１０６、２０６）と連通させており、
前記犠牲層（２０３、３０６）が、ＳＯＩ基板の誘電体層または金属層に対応していることを特徴とする方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が移動される少なくとも１つ支持体（４００）を備え、前記少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が、前記チップ（１００、２００、３００）の少なくとも１つの接続位置（１０２、２０２、３０２）において、少なくとも１つのボール（２１６、３１６）を介して、前記支持体（４００）の少なくとも１つの接続位置（４０２）に接続される電子部品の製造方法であって、
‐前記支持体の少なくとも１つの第１層（４０４）中に、前記支持体の前記第１層（４０４）と接し、前記支持体の前記第１層（４０４）の一部分を部分的に取り囲むように配置される犠牲層の少なくとも一部に連通する少なくとも１つの溝を形成する段階であって、前記支持体の前記第１層の少なくとも１つの領域が、前記支持体の前記第１層の前記部分を前記支持体のこの第１層の残りの部分に接続するような段階と、
‐少なくとも１つの埋め込まれた空洞を形成し、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）に対応する前記支持体の前記第１層（４０４）の少なくとも前記部分の下に配置される前記犠牲層の一部を除去する段階と、を少なくとも含み、
前記溝、前記空洞及び前記支持体の前記第１層の前記領域が、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）を前記支持体（４００）から機械的に分離する手段を形成し、前記支持体の前記第１層の前記領域が少なくとも１つの非金属材料からなり、
前記溝が、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）の周縁部に配置され、前記空洞を前記支持体の前記第１層（４０４）の１つの面（１０６、２０６）に連通させており、
前記犠牲層が、ＳＯＩ基板の誘電体層または金属層に対応していることを特徴とする方法。
【請求項２２】
少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）及び少なくとも１つ支持体（４００）を備え、前記少なくとも１つのチップ（１００、２００、３００）が、前記支持体上に移動され、前記チップ（１００、２００、３００）の少なくとも１つの接続位置（１０２、２０２、３０２）において、少なくとも１つのボール（２１６、３１６）を介して、前記支持体（４００）の少なくとも１つの接続位置（４０２）に接続される電子部品の製造方法であって、
‐前記チップの少なくとも１つの第１層（１０４、２０４、３０８）中に、前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）と接し、前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の一部分（１０８、２０８）を部分的に取り囲むように配置される犠牲層（２０３、３０６）の少なくとも一部に連通する少なくとも１つの溝（１１４、２１４、３１４）を形成する段階であって、前記チップの前記第１層の少なくとも１つの領域（１０９、２０９、３０９）が、前記チップの前記第１層の前記部分（１０８、２０８）を前記チップのこの第１層の残りの部分に接続するような段階と、
‐少なくとも１つの埋め込まれた空洞（１１０、２１０、３１０）を形成し、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）に対応する前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の少なくとも前記部分（１０８、２０８）の下に配置され、前記チップの前記第１層に接して配置される前記犠牲層（２０３、３０６）の一部を除去する段階と、を少なくとも含み、
前記チップの前記第１層に形成される前記チップの前記溝（１１４、２１４、３１４）、前記チップの前記第１層に接して配置される前記犠牲層に形成される前記空洞（１１０、２１０、３１０）、及び前記チップの前記第１層の前記領域（１０９、２０９、３０９）が、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）を前記チップ（１００、２００、３００）から機械的に分離する手段を形成し、前記チップの前記第１層の前記領域（１０９、２０９、３０９）が少なくとも１つの非金属材料からなり、
前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝（１１４、２１４、３１４）が、前記チップ（１００、２００、３００）の前記接続位置（１０２、２０２、３０２）の周縁部に配置され、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞（１１０、２１０、３１０）を前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の１つの面（１０６、２０６）に連通させており、
前記チップの前記第１層に接して配置される前記犠牲層（２０３、３０６）が、前記チップのＳＯＩ基板の誘電体層または前記チップの金属層に対応しており、
前記方法がまた、
‐前記支持体の少なくとも１つの第１層（４０４）中に、前記支持体の前記第１層（４０４）と接し、前記支持体の前記第１層（４０４）の一部分を部分的に取り囲むように配置される犠牲層の少なくとも一部に連通する少なくとも１つの溝を形成する段階であって、前記支持体の前記第１層の少なくとも１つの領域が、前記支持体の前記第１層の前記部分を前記支持体のこの第１層の残りの部分に接続するような段階と、
‐少なくとも１つの埋め込まれた空洞を形成し、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）に対応する前記支持体の前記第１層（４０４）の少なくとも前記部分の下に配置され、前記支持体の前記第１層に接して配置される前記犠牲層の一部を除去する段階と、を少なくとも含み、
前記支持体の前記第１層に形成される前記溝、前記支持体の前記第１層に接して配置される前記犠牲層に形成される前記空洞、及び前記支持体の前記第１層の前記領域が、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）を前記支持体（４００）から機械的に分離する手段を形成し、前記支持体（４００）の前記第１層（４０４）の前記領域が少なくとも１つの非金属材料からなり、
前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝が、前記支持体（４００）の前記接続位置（４０２）の周縁部に配置され、前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞を前記支持体の前記第１層（４０４）の１つの面に連通させており、
前記支持体の前記第１層に接して配置される前記犠牲層が、前記支持体のＳＯＩ基板の誘電体層または前記支持体の金属層に対応していることを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記チップの前記第１層（１０４、２０４、３０８）の前記部分（１０８、２０８、３０２）上、または前記支持体の前記第１層（４０４）の前記部分上に配置される導電材料部分（１１２、２１２、３１２）を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０から２２の何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記チップの前記第１層に接して配置される前記犠牲層（２０３）の前記部分を除去する段階と前記支持体（４００）上に前記チップ（１００、２００、３００）を移動する段階との間、または、前記支持体の前記第１層に接して配置される前記犠牲層の前記部分を除去する段階と前記支持体（４００）上に前記チップ（１００、２００、３００）を移動する段階との間に、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞（１１０、２１０、３１０）若しくは前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記空洞、又は、前記チップの前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝（１１４、２１４、３１４）若しくは前記支持体の前記接続位置の前記機械的に分離する手段の前記溝を、可塑性材料、粘性材料、または可塑性材料及び粘性材料で充填する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０から２３の何れか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記支持体（４００）上に前記チップ（１００、２００、３００）を移動する段階の後に、前記電子部品上に被覆樹脂を堆積する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０から２４のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、「フリップチップ」、つまり、電子プリント配線板などの支持体上に接続ボールまたはマイクロボールによって接続または結合されるチップまたはダイを備えた電子部品の領域に関する。
【０００２】
本願の記載において、チップとは、電気的接続を使用する任意の電子的素子、例えばＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）、ＮＥＭＳ（ＮａｎｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）、ＭＯＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＯｐｔｉｃａｌＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）、撮像装置またはＭＯＳ回路を意味すると考える。
【背景技術】
【０００３】
フリップチップボールまたはマイクロボール移動（transfer）技術は、チップ及び／または支持体の前面上、例えばこの面の周囲に位置する複数のボールを介したチップの支持体上への転写から構成される。これらのボールは、金及びスズの合金などの可溶性または可融性材料からなる。
【０００４】
チップを支持体上に移動するために、形成される材料の融点以上の温度にボールを加熱する。次に、チップを支持体上部に移動し、可溶性材料が冷却されるとボールによってチップと支持体との間に堅固な接続が形成される。
【０００５】
支持体材料、例えばプラスチック材料、樹脂またはＰＣＢ（ポリクロロビフェニル）などの熱膨張係数が、チップ材料（例えばシリコン、ガラスなど）の熱膨張係数と同一でなく、特にチップが大きいかまたはボールが非常に小さい場合、これらの融解材料が冷却される間に、ボール及び／またはチップ内部に機械的応力が発生する。特に、これらの機械的応力は、ボールとチップとの間及び／またはボールと支持体との間の連結において剥離を引き起こし、その結果チップと支持体との間に形成される接続の弱化を引き起こし得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の１つの目的は、少なくとも１つのチップ及び／または支持体を備えた電子部品、並びに機械的応力、及び特にチップの支持体上への移動の間に接続ボールで生じる剥離問題を引き起こし得る応力を低減させるような電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、少なくとも１つのチップ及び／または１つの支持体を備える部品、例えば電気部品であって、チップは、支持体上に移動されて、チップの層の少なくとも１部分によって形成されたチップの少なくとも１つの接続位置で、少なくとも１つのボールを介して、支持体の層の少なくとも１部分によって形成された支持体の少なくとも１つの接続位置へと接続されるように構成され、チップ及び／または支持体は、チップ及び／または支持体の接続位置の下部において、チップ及び／または支持体の層中に、例えば埋め込まれて形成された少なくとも１つの空洞と、前記空洞と連通してチップ及び／または支持体の層中に形成された少なくとも１つの溝と、によって形成された、チップ及び／または支持体からチップ及び／または支持体接続位置を機械的に分離する手段を備える部品について開示する。前記溝は、前記層の少なくとも１領域が少なくとも１つの非金属材料からなり、層の前記部分とこの層の残りの部分とを接続するように、層の前記部分を部分的に取り囲むことができる。その結果、前記領域は、機械的分離手段の一部を形成する。
【０００８】
従って、１つまたは複数の接続位置または接触バンプ、言い換えると、チップ及び／または支持体の接続ボールを受ける位置において機械的分離がなされる。この機械的分離は、接続位置における１つまたは複数の溝及び空洞によって形成される機械的分離手段のために、特に接続ボールの可溶性材料の冷却の間に現れる機械的応力の全てまたは一部を「吸収」または相殺し、特に、ボールと支持体との間及び／またはボールとチップとの間の界面での剥離のリスクを低減する。その結果、チップ及び／または支持体の１つまたは複数の接続位置において、接続ボールをこの層の残りの部分に保持する層の部分を接続する柔軟性領域が形成される。これらの柔軟性領域は、「梁ばね」と称される機械的応力吸収領域を形成する。
【０００９】
この機械的分離は、接続ボールを保持するチップ及び／または支持体の全ての接続位置またはこれらの位置のいくつかのみにおいて達成され得る。特に、機械的分離は、主要位置、言い換えると、チップと支持体とを組立てる間の機械的応力の影響を受け得る位置、例えばチップの外縁部に近接したチップの周辺部の位置に施され得る。
【００１０】
本発明は特に、側面の寸法が例えば約５ｍｍより大きく、且つ／または例えば約１００μｍ未満の小型の接続ボールを使用するチップに適用することができる。
【００１１】
この機械的分離はさらに、電気部品からの振動を機械的にフィルタする手段を提供する。支持体とチップとの間の接続強度は、接続位置に形成される溝及び分離空洞の数、形状及び寸法を変化させることによって調整することができ、その結果、部品の通過帯域を調節することができる。例えば、部品の共振周波数が正確な周波数範囲内で測定されなければならない場合、機械的分離によって、部品が発生するこの範囲外の周波数はフィルタされる。
【００１２】
溝は、チップ接続位置及び／または支持体接続位置の周縁部に配置され得る。
【００１３】
溝によって、空洞はチップ及び／または支持体の層の１つの面と連通されるようになり得る。
【００１４】
チップ層の部分及び／または支持体層の部分は、略多角形、例えば長方形の形状を有してよく、またはチップ層及び／または支持体層の主面に平行な面においてディスクの形状を有してもよい。
【００１５】
溝は、チップ層及び／または支持体層の主面に平行な面において、例えば長方形パターンと、円弧パターンとから選択される形状を有してよい。
【００１６】
機械的分離手段は、例えば、チップ層及び／または支持体層中に形成され、空洞をチップ層及び／または支持体層の面と連通させる少なくとも４つの溝を備えてよい。
【００１７】
溝は、少なくとも１つのくし状パターンを有してよい。その結果、分離手段は粘性減衰くし状パターンを含み、言い換えると、部品が共鳴しないような粘性を有する流体、例えばオイルなどで、少なくとも１つの減衰くし形を形成する１つまたは複数の溝を含む。
【００１８】
溝は、チップ層及び／または支持体層の主面に平行な面において、一端で互いに接続された１つまたは２つの円弧から形成されるパターンを有してよい。
【００１９】
一般的に、使用される溝の形状、寸法及び数は、想定される用途及び特に、チップを支持体上に移動する間にチップ及び／または支持体接続位置の各々に加えられる応力の方向に依存する。従って、これらの応力の全てまたは一部を相殺することができる溝は、接続位置の各々に加えられる応力の力及び方向に応じて、接続位置の各々に１つまたは複数の好ましい方向、可能であれば特定のパターンに沿って形成され得る。
【００２０】
本発明によると、機械的分離手段はさらに、空洞及び／または溝の全てまたは一部に配置される少なくとも１つの可塑性及び／または粘性材料を含んでよい。この可塑性及び／または粘性材料は、複数の機能を果たすことができる。特に、接続ボールの可溶性材料のろう付けの間に、空洞及び／または溝の内部を保護することができる。また、ある周波数範囲、特に例えば寄生振動に起因する高周波数を吸収することによって機械的周波数フィルタを可能にすることができる。いかなる場合においても、この可塑性及び／または粘性材料は、空洞及び溝による機械的分離機能を排除しない。例えば、可塑性材料は樹脂であってよく、粘性材料はオイルであってよい。この可塑性及び／または粘性材料は、本発明による機械的分離手段の一部を形成し得る。可塑性及び／または粘性材料とは、特に接続位置の機械的分離を妨げないような変形が可能な材料を意味する。
【００２１】
チップの接続位置及び／または支持体の接続位置は、例えば前記層の面の側上に、直接または適当な界面材料を介して、チップ及び／または支持体層の一部分に配置された導電材料、例えば金属ベース材料の少なくとも１部分を含み得る。
【００２２】
導電材料の一部は、部品の少なくとも２つの素子の間に電気的接点を形成し得る。これらの素子は、例えばトランジスタまたはその他任意の能動または受動部品などのマイクロエレクトロニクスデバイス、及び／またはＭＥＭＳ、及び／またはＮＥＭＳ、及び／またはＭＯＥＭＳであってよい。
【００２３】
部品は、チップ及び／または支持体上に形成され、導電材料の一部と電気的に接続される少なくとも１つの金属トラックをさらに備え得る。
【００２４】
導電材料の一部は、チップと支持体との間に電気的接点の少なくとも一部を形成し得る。
【００２５】
チップは、例えばチップ層中に形成された少なくとも１つのＭＯＳ型デバイス及び／または少なくとも１つのＭＥＭＳ及び／または少なくとも１つのＮＥＭＳ及び／または少なくとも１つのＭＯＥＭＳを備え得る。
【００２６】
チップは、ボールを介して支持体へと電気的に接続され得る。
【００２７】
本発明によると、機械的分離手段は、チップと支持体との間で機械的フィルタを実施することができる。
【００２８】
チップは、支持体が製造される材料の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有するような材料から形成され得る。
【００２９】
電子デバイスはさらに、部品、言い換えるとチップ及び／または支持体を埋め込む材料、例えばポリマーまたは樹脂を備え得る。この材料は、機械的分離手段による機械的分離機能を排除することなく部品を保護する。埋め込み材料は、溝及び／または空洞に配置され得る可塑性及び／または粘性材料と類似していてもしていなくてもよい。
【００３０】
「梁ばね」領域または層の前記領域の非金属材料は、シリコン及び／または酸化シリコン及び／または窒化シリコンを含み得る。
【００３１】
前記「梁ばね」領域の非金属材料はまた、約１ｏｈｍ・ｃｍ未満の抵抗率を有するドープシリコンを含み得る。
【００３２】
本発明はさらに、チップが支持体上に移動され、チップの少なくとも１つの接続位置において、少なくとも１つのボールを介して、支持体の少なくとも１つの接続位置へと接続されるように構成された少なくとも１つのチップ及び／または１つの支持体を備える電子部品の製造方法であって、
‐少なくとも１つの第１層中に、第１層と接触して配置される犠牲層の少なくとも一部と連通する少なくとも１つの溝を形成する段階と、
‐犠牲層の一部を除去して、チップ接続位置及び／または支持体接続位置に対応する第１層の少なくとも一部分の下部に位置する少なくとも１つの空洞を形成する段階と、を含み、
溝及び空洞が、チップ及び／または支持体からチップ接続位置及び／または支持体接続位置を機械的に分離する手段を形成する方法に関する。
【００３３】
本発明はさらに、チップが支持体上に移動され、チップの少なくとも１つの接続位置において、少なくとも１つのボールを介して、支持体の少なくとも１つの接続位置へと接続されるように構成された少なくとも１つのチップ及び／または１つの支持体を備える部品の製造方法であって、
‐少なくとも１つの第１層中に、第１層と接触して、前記層の少なくとも１領域が層の前記部分をこの層の残りの部分へと接続するように第１層の一部を部分的に取り囲んで配置される犠牲層の少なくとも一部と連通する少なくとも１つの溝を形成する段階と、
‐犠牲層の一部を除去して、チップ接続位置及び／または支持体接続位置に対応する第１層の少なくとも一部分の下部に位置する少なくとも１つの埋め込まれた空洞を形成する段階と、を少なくとも含み、
溝、空洞及び層の前記領域が、チップ及び／または支持体からチップ接続位置及び／または支持体接続位置を機械的に分離する手段を形成し、層の前記領域が少なくとも１つの非金属材料からなる方法に関する。
【００３４】
本方法はまた、第１層の一部上、例えば溝を介して空洞と連通する第１層の面の側上に導電材料の一部を形成する段階を含み得る。
【００３５】
本方法はまた、犠牲層の一部を除去する段階とチップを支持体上へと移動する段階との間に、可塑性及び／または粘性材料で空洞及び／または溝を充填する段階を含み得る。
【００３６】
本方法はまた、チップを支持体上へと移動する段階の後に、電子部品上に被覆樹脂を堆積する段階を含み得る。
【００３７】
本発明はまた、少なくとも１つの支持体と、支持体に連結された上述のようなチップとの間の機械的フィルタ方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
本発明は、添付の図面を参照して、単にガイダンスの目的で与えられた限定的でない発明の実施形態の説明を読むことでより深く理解されるであろう。
【図１】本発明の第１実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの平面図を示す。
【図２】チップの機械的に分離された接続位置の第１実施例の縦断面図を示す。
【図３Ａ】チップの機械的に分離された接続位置の第１実施例の平面図を示す。
【図３Ｂ】チップの機械的に分離された接続位置の第１実施例の変形の平面図を示す。
【図４Ａ】チップの機械的に分離された接続位置の第２実施例の平面図を示す。
【図４Ｂ】チップの機械的に分離された接続位置の第２実施例の変形の平面図を示す。
【図５】本発明の第２実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの製造方法の段階を示す。
【図６】本発明の第２実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの製造方法の段階を示す。
【図７】本発明の第２実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの製造方法の段階を示す。
【図８】本発明の第３実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの縦断面図を示す。
【図９Ａ】本発明の第３実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの縦断面図を示す。
【図９Ｂ】本発明の第３実施形態による機械的に分離された接続位置を有するチップの水平断面図を示す。
【００３９】
１つの図面と別の図面とを容易に比較できるように、以下で説明する異なる図面の同一、類似または同等の部分には同一の参照符号を付す。
【００４０】
図面を読みやすくするために、図面中の異なる部分は、必ずしも同一スケールであるとは限らない。
【００４１】
当然ながら、別の実現性（変形及び実施形態）は、互いに矛盾するものではなく、同時に実現することが可能である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
まず、図１を参照すると、第１実施形態による複数の接続位置１０２を有するチップ１００の実施例が示されている。図２及び３Ａはそれぞれ、接続位置１０２の１つの第１実施例の縦断面図及び平面図を示す。
【００４３】
チップ１００は、シリコンなど例えば少なくとも１つの半導体からなる層１０４を備える。特に、この層１０４はチップ１００の活性層であり得る。図示されていない１つまたは複数のＭＯＳデバイスまたはＭＥＭＳなどのマイクロエレクトロニクスデバイスがこの活性層１０４上に形成され得る。この場合、接続位置１０２は、活性層１０４の面１０６上に形成される。図１に示すチップ１００の実施例では、接続位置１０２は、活性層１０４の周囲、言い換えると、層１０４の外側縁部に隣接して、２つの同心長方形を形成するパターンに形成されている。
【００４４】
接続位置１０２の各々は、活性層１０４の一部分１０８によって形成される。この場合、層１０２中に埋め込まれている空洞１１０は、活性層１０４の部分１０８の各々の下部に形成される。部分１０８の各々は、活性層１０４の主面である（ｘ、ｙ）平面に平行な面内において、空洞１１０におけるパターンによって活性層１０４の残りの領域から境界が定められ得る。図２及び３の実施例における空洞１１０は、長方形の形状である。
【００４５】
接続位置１０２の各々はさらに、例えば金などの金属であり、接続ボールを保持する導電材料の部分１１２を含む。接続位置１０２の各々はさらに、ここで説明する図面には図示されていないバンプ下地金属化（ＵＭＢ）層を部分１１２上に備え得る。図２及び３Ａの実施例では、導電部１１２は空洞１１０の中心上に配置されている。最終的に、部分１０８に溝１１４（この場合、４つの長方形の溝がある）が形成されることで、空洞１１０が活性層１０４の外面１０６と連通できるようになる。図２及び３Ａを参照して説明される位置の例１０２では、溝１１４は部分１０８の周囲に形成され、その結果この部分１０８を取り囲み、対で平行である。溝１１４の各々は、（ｘ，ｙ）平面に平行な面において長方形を形成し、長方形の長辺は、（ｘ，ｙ）平面に平行な面において空洞１１０によって形成された長方形の一辺と平行である。従ってこの場合、空洞１１０及び溝１１４は、チップ１００から接続位置１０２を機械的に分離する手段を形成する。
【００４６】
図３Ａは、部分的にのみ部分１０８を取り囲む溝１１４を示す。それぞれが２つの溝１１４の間に位置する梁ばね領域と称される領域１０９は、部分１０８を層１０４の残りの部分と接続する。その結果、部分１０８と活性層１０４の残りの部分との間の機械的分離に起因して、梁ばね領域１０９は、部分１０８に生じ得る応力を機械的に吸収することが可能となる。
【００４７】
これらの梁ばね領域１０９が、その主材料（言い換えると層１０４の大部分を形成する）が、損傷することなく高い機械的応力を吸収することができる材料であり得る活性層１０４中に形成されるように、チップ１００を形成することもできる。梁ばね領域１０９のサイズ（言い換えると、１領域１０９を境界する２つの溝１１４の間の距離及び部分１０８の厚さ）は、（ｘ，ｙ）平面内及びｚ軸に沿って高い機械的柔軟性を与えるように決定することができる。言い換えると、損傷することなく例えば数十マイクロメートル、一例として５０から９０μｍ変形することができる。このような非金属材料は、シリコン、例えば単結晶シリコン、酸化シリコン、または窒化シリコン、さらにはドープシリコンであってよい。
【００４８】
図３Ｂは、第１実施例の接続位置１０２の変形を示す。図３Ａとは異なり、部分１０８の周囲には１つの溝１１４が形成されている。従って、図３Ａとは異なり、図３Ｂに示すｙベクトル方向に沿って応力を吸収することができる単一の領域１０９で、部分１０８は層１０４の残りの部分と接続している。
【００４９】
図４Ａは、第２実施例によるチップ１００から機械的に分離された接続部分１０２の平面図を示す。図２、３Ａ及び３Ｂの第１実施例とは異なり、この第２実施例は、円筒形の空洞１１０を有する。活性層１０４の部分１０８もまた円筒形である。この第２実施例の接続位置１０２では、部分１０８中に４つの溝１１４が形成され、空洞１１０を活性層１０４の面１０６と連通させている。図２及び３における第１実施例とは異なり、この場合は溝１１４の各々が（ｘ，ｙ）平面内に平行四辺形を介した一端で互いに接続する２つの円弧から形成されるパターンを形成する。これら２つの円弧は、この実施例の中心が空洞１１０の中心と一致する明確な直径を有する２つの円上に配置される。梁ばね領域１０９、言い換えると機械的応力吸収領域は、２つの隣接する溝１１４における２つの円弧の間に位置する。図４Ａにおける実施例には示されていない導電材料の部分もまた、活性層１０４の部分１０８上に配置され得る。
【００５０】
図４Ｂは、図４Ａを参照して上記で説明した第２実施例の接続位置１０２の変形の部分的平面図を示す。この変形では、溝１１４の各々は、（ｘ，ｙ）平面内に、少なくとも１つの相互に嵌合したくし状部、例えば図４Ｂに示される２つの相互に嵌合したくし状部１１５を介した一端で互いに接続する２つの円弧によって形成されるパターンを形成する。
【００５１】
一般的に、活性層中に形成される溝の数、これらの溝の形状、及び溝によって形成される一般的パターンは、上述の実施例とは異なってもよい。さらに、層１０４中に形成される複数の空洞によって、結合位置の機械的分離を部分的に形成することも可能である。
【００５２】
チップ１００を支持体上、例えばプリント配線板（ＰＣＢ）に結合する間に、接続ボールは、堆積及び再溶融によって接続位置１０２、特に導電部１１２上に堆積または形成される。これらの接続ボールは、金及びスズの合金、またはスズ及び鉛の合金、またはインジウム及びスズの合金などの可溶性材料から形成される。これらは、可溶性材料の融点以上の温度まで加熱され、冷却されると可溶性材料は再度固化するため、ボールは導電部１１２にろう付けされる。チップ１００を、接続ボールを介してプリント配線板に接触させ、チップ１００とプリント配線板との間でボールをろう付けすることによって、チップ１００をプリント配線板に接続することができる。まずボールをプリント配線板上に配置して、次に接続ボールをろう付けすることによってチップ１００をプリント配線板に接続することもできる。チップを支持体上に接続する前に、接続ボールをチップと支持体との両方に分散することも可能である。
【００５３】
空洞１１０、溝１１４及び梁ばね領域１０９は、接続位置１０２の各々で機械的分離を提供する。プリント配線板材料またはより一般的にフリップチップによってチップ１００がその上に接続され得る支持体材料の熱膨張係数が、層１０４の熱膨張係数とは異なる場合（例えば、シリコンの熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、プリント配線板の樹脂の熱膨張係数が１９ｐｐｍ／℃）、接続ボールに加わる機械的応力は、この機械的分離に起因して放散され、特に、金属の冷却の間の接続ボールの剥離のリスクが排除される。
【００５４】
図１を参照して説明した実施形態において、全ての接続位置１０２は、図２、３Ａ及び３Ｂまたは図４Ａもしくは４Ｂを参照して説明した実施例によって形成される。言い換えると、それらの各々は、１つまたは複数の空洞、１つまたは複数の溝、及び接続位置を形成する部分を活性層の残りの部分へと接続する梁ばね領域を含み、機械的分離手段を形成する。しかしながら、接続位置１０２の一部のみがこれらの機械的分離要素を含み、その他の接続位置１０２が接続位置を形成する活性層の部分の下部に形成される溝または空洞を含まないことも可能である。例えば、これらの機械的分離要素は、「主要」接続位置に限定され得る。例えば、図１に示す実施例において、機械的分離素子は、層１０４の外縁部に隣接した長方形を形成する接続位置に限定され得る。
【００５５】
さらに、上述の実施例では、チップ接続位置のみが機械的に分離される。１変形では、あらゆる支持体接続位置、または接続ボールを保持するこれらの接続位置のうちのいくつかを支持体から機械的に分離することができる。この支持体接続位置の機械的分離は、上述の実施例（支持体中に１つまたは複数の空洞及び溝が形成されている）と同様の方法で形成される。その結果、接続位置は、支持体及び／またはチップで機械的に分離され得る。
【００５６】
導電部１１２はさらに、例えば、チップ１００とチップ１００が接続ボールを介して接続される支持体との間、及び／または導電部１１２に接続され、チップ１００上及び／または支持体上に形成された金属トラックを介して異なる素子のチップ１００及び／または支持体の間で電気信号の循環を可能にする電気的接触バンプを形成し得る。特に、これらのトラックは、例えばマイクロエレクトロニクスデバイス及び／又はＭＥＭＳなど、異なる素子のチップ１００を互いに接続することができる。金属相互接続トラックは、チップ１００を含まない支持体の側上に形成されることもでき、且つ／またはチップ１００の層１０４または支持体中に組み込まれることもできる。
【００５７】
それらの機械的分離機能だけでなく、溝１１４、活性層１０４中に形成された空洞１１０、及び梁ばね領域１０９もまた機械的フィルタとして機能することができる。例えば、一定の周波数範囲内のチップまたはチップ上に形成される部品、例えばＭＥＭＳの共振周波数を測定する必要がある場合、このフィルタは有用である。この場合、チップと溝及び空洞の構造を使用してチップが移動される支持体との間の接続の剛性を調整することによって、且つ溝及び空洞中にプラスチック及び／または粘性材料を導入することで減衰（ｄａｍｐｉｎｇ）機能を追加することによって、測定が行われる周波数範囲を超える周波数をフィルタすることが可能となり、例えばチップ１００における寄生共振現象を防ぐことができる。溝中に配置する例えばオイル等の材料の可塑性または粘性を変化させることによって、粘性減衰が生成され得る。溝が充填されて空洞は充填されない場合、所定の材料、例えば樹脂が使用され、溝の幅は変化する。溝及び空洞の両方が充填される場合、好ましくは流体、例えばオイルが使用される。
【００５８】
チップ１００をプリント配線板上に移動する段階の後、移動されたチップ１００及び支持体によって形成されるアセンブリを埋め込む樹脂を堆積することができる。特に、この樹脂は、接続位置１０２に形成された溝及び／または空洞を充填することができる。この場合、樹脂は、チップ及び／または支持体に加えられる振動吸収体として作用できるように選択される。この材料は、被覆用樹脂であってよい。流体が溝または空洞中に配置される場合、チップ及び支持体のアセンブリは、好ましくは流体をその位置に保持するように被覆される。
【００５９】
ここで、機械的に分離された接続位置を有するチップ２００の製造方法の第２実施形態の段階を示す図５から７を参照する。
【００６０】
この実施形態では、例えば、酸化シリコン及び金属をベースにその上に金属相互接続層２０４が形成されるシリコン基板２０１から開始されるＣＭＯＳ技術を使用してチップ２００を製造する。図示されていないＣＭＯＳデバイス、及び金属相互接続層は、標準ＣＭＯＳ方法によって製造される。図５は特に、下部金属層２０３の一部と及び上部金属層２１２の一部を示す。例えば窒化シリコンをベースにした保護層２０５を層２０４の表面２０６及び層２０４の表面２０６上に位置する上部金属層２１２上に堆積することができる。この保護層２０５は、金属２１２中に開口部を備え得る。さらに追加のＵＢＭ層を保護層２０５及び／または金属層２１２上に堆積することもできる。
【００６１】
図６及び７に示すように、チップ２００の接続位置２０２は、層２０４の表面２０６上に形成される。上述のチップ１００のように、接続位置２０２は好ましくは層２０４の周囲、言い換えると層２０４の外縁部に隣接して形成される。
【００６２】
これは、例えば活性層２０４及び保護層２０５における上述の溝１１４の形状に類似した形状を有する溝２１４のリソグラフィ及びエッチングによって行われる。これらの溝２１４は、この場合犠牲層として使用される下部金属層２０３の隔離パターンへのアクセスを提供する。その後下部金属層２０３の一部がエッチングされ、層２０４の部分２０８の下部に空洞２１０を形成する。部分２０８を層２０４の残りの部分と接続する領域２０９が層２０４及び２０５中に得られ、前述の領域１０９と類似した梁ばね領域を形成する。この犠牲エッチングは、例えばＨＣｌ（塩化水素）型エッチングなどの湿式エッチングによって実施することができる。上述のチップ１００のように、空洞２１０は、（ｘ，ｙ）平面に平行な面において活性層２０４及び保護層２０５の残りの部分に対して接続位置を形成する部分２０８を境界する。１変形では、領域２０９は層２０４中にのみ形成され得る。この場合、領域２０９の位置で、例えばエッチングによって事前に保護層２０５に開口部を形成する。
【００６３】
次に、チップ１００に関して説明したものと同様の方法で、例えばプリント配線板上へとチップ２００を移動することができる。その後、空洞２１０及び溝２１４は、接続位置２０２内に機械的分離を形成する。
【００６４】
上述のチップ１００のように、導電部２１２は、接続位置とチップ２００の残りの部分との間に電気信号を伝達する電気的接触ラインを形成することができる。好ましくは、これらの電気的接触ラインは、保護層２０５によって被覆される。また、可塑性及び／または粘性材料で少なくとも部分的に溝及び空洞を充填することによって、及び／またはチップ２００全体を埋め込む樹脂を堆積することによって、チップ２００の接続位置に形成された溝、空洞及び梁ばね領域を通じて機械的フィルタ機能を実施することも可能である。空洞または溝中に材料または流体が堆積されない場合も、このフィルタ機能が作用し、溝及び空洞中に存在する空気がチップ及び／または支持体に加えられる振動を減衰させる。
【００６５】
支持体上に機械的分離がなされる場合、チップ中に事前に形成される機械的分離空洞の製造と同様の方法で支持体は複数の層から形成されることができ、例えば下部金属系層が空洞を形成するための犠牲層として使用される。
【００６６】
図８、９Ａ及び９Ｂは、第３実施形態の機械的に分離された接続位置３０２を備えたチップ３００の別の実施例を示す。
【００６７】
特に、このチップ３００は、例えばシリコンベースの層３０４と、例えば酸化シリコンベースの誘電体層３０６と、活性シリコンベース層３０８とから形成されたＳＯＩ基板上に製造されたＭＥＭＳ３０１を備える。このＭＥＭＳ３０１は、例えば、加速度計、回転計または圧力センサであり得る。活性層３０８中のシリコンは、ＭＥＭＳ３０１と接続位置３０２との間で電気信号を伝達するために十分な導電性を有し得る。このため、数ｏｈｍ・ｃｍ未満（例えば９ｏｈｍ・ｃｍまたは５ｏｈｍ・ｃｍ未満）の抵抗率を得るために、このシリコンはホウ素またはリンでドープされ得る。ドープレベルは、シリコン結晶構造の優れた機械的品質を維持するために材料変性限界未満、例えば約１ミリｏｈｍ・ｃｍから９００ミリｏｈｍ・ｃｍの間の抵抗率を維持しつつ、可能な限り大きくなるように選択され得る。ＭＥＭＳの種類に応じて電気的及び／または機械的分離を提供する分離溝３２０は、部分的にＭＥＭＳ３０１を活性層３０８の残りの部分から分離する。図９Ｂは、このチップ３００の誘電体層３０６の面における水平断面図を示す。活性層３０８は例えば約１μｍから１ｍｍの間の厚さであってよい。
【００６８】
機械的分離溝３１４は、例えば上述の溝１１４及び２１４と類似のものであり、ＭＥＭＳ３０１中に形成される。ＭＥＭＳ３０１の下部に形成された空洞３１０もまた、接続位置３０２において機械的分離空洞を形成する。領域１０９及び２０９と対応する梁ばね領域を形成する機械的分離領域３０９は、接続位置３０２の機械的分離に貢献する。溝３１４がＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎｉｃ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって形成され得ると有利である。
【００６９】
導電材料３１２の一部は、ＭＥＭＳ３０１上に形成され、シリコン接点の連続性を提供し、第１接続ボール３１６を保持するように構成される。従って、この場合、ＭＥＭＳ３０１の一部分によって機械的分離位置が形成される。図９Ａに示すように、チップ３００は、事前にチップ３００及び／または支持体４００上に作製された接続ボール３１６を介して、層４０４から形成された支持体４００と接続される。図９Ａに示す実施例では、チップ３００中に形成された接続位置３０２とは異なり、接続ボール３１６を保持する接続位置４０２は機械的に分離されていない。しかし、１変形実施形態では、例えば上述のチップにおける溝及び空洞の製造と類似した方法で、支持体４００の層４０４中に形成された少なくとも１つの溝及び少なくとも１つの空洞によってこれらの接続位置４０２を機械的に分離することもできる。活性層３０８と支持体４００とを接続する第２ボール３１６が図９Ａに示されている。この第３実施形態では、機械的に分離されていないＭＥＭＳ３０１上に作製された接続位置３０３がある。一般的に、接続位置は、層の“受動的”部分、言い換えると、例えばＭＥＭＳ３０１などいかなる活性デバイスも備えていない部分上及び／または活性部分上に作製され得る。
【００７０】
プリント配線板４００上のチップ３００のアセンブリは、チップ１００に関して説明したものと類似のものであってよい。空洞３１０及び溝３１４は、図８、９Ａ及び９Ｂに示すチップ３００の接続位置３０２内に機械的分離を形成する。
【００７１】
上述のチップ１００及び２００の場合のように、導電部３１２は、機械的接続機能に加えてさらに電気信号を伝達する接触バンプを形成する。溝３１４及び空洞３１０を、接続位置３０２に加えられる応力に減衰機能を果たす材料または流体で充填することも可能である。樹脂が、チップ３００及び支持体４００によって形成される部品全体を埋め込むことも可能である。特に、チップを真空下の雰囲気に配置しなければならない場合、密閉されたカバー、例えばアノードシールを備えたパイレックス（登録商標）カバーによってチップ３００を保護することも可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１００、２００、３００  チップ
４００  支持体
１０２、２０２、３０２、４０２  接続位置
１０４、２０４、３０８、４０４  層
１１０、２１０、３１０  空洞
１１２、２１２、３１２  導電材料部分
１１４、２１４、３１４  溝
２１６、３１６  ボール
２０３  犠牲層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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