(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板上に搭載された第１の中継基板と、前記第１の中継基板上に着脱可能な状態で搭載された第２の中継基板と、前記第１の中継基板に固定された枠部と、を有し、
前記枠部は、前記第１及び前記第２の中継基板を位置決め保持するとともに、パッドを備えた被接続物を、前記パッドが前記第２の中継基板と対向するように、前記第２の中継基板上に着脱可能な状態で位置決め保持可能に構成され、
前記枠部は、前記第１の中継基板と前記第２の中継基板との間隔、及び前記第２の中継基板と前記被接続物との間隔が所定値以下とならないように、前記第１の中継基板、前記第２の中継基板、及び前記被接続物を位置決め保持し、
前記第１の中継基板は、前記実装基板との対向面と反対側の面に形成された第１の導体層と、前記実装基板との対向面に形成され前記実装基板のパッドと電気的に接続された第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する配線とを備え、
前記第２の中継基板は、前記実装基板との対向面と反対側の面に形成された第３の導体層と、前記実装基板との対向面に形成された第４の導体層と、前記第３の導体層と前記第４の導体層とを電気的に接続する配線と、前記第３及び前記第４の導体層上に設けられた、ばね性を有する第１及び第２の接続端子と、を備え、
前記枠部が前記被接続物を前記第２の中継基板上に搭載した状態で、前記被接続物が前記実装基板側に押圧されると、前記第２の中継基板が前記被接続物の押圧と同時に前記実装基板側に移動し、
前記第２の中継基板の前記第１の接続端子が、前記被接続物の前記パッドと接触し、
前記第２の中継基板の前記第２の接続端子が、前記第１の中継基板の前記第１の導体層と接触し、
前記被接続物と前記実装基板とが電気的に接続されるソケット。
【請求項２】
前記被接続物は、格子状に配列された多数のパッドを有し、
前記第２の接続端子は、前記多数のパッドに対応して配列されている請求項１記載のソケット。
【請求項３】
前記枠部は、内側面に複数の突起部を有し、
前記第２の中継基板は、外縁部に複数の切り欠き部を有し、
前記第２の中継基板は、前記複数の切り欠き部が、前記複数の突起部と嵌合して位置決めされている請求項１又は２記載のソケット。
【請求項４】
前記第１の導電層上に貴金属層が積層形成されており、
前記枠部が前記被接続物を前記第２の中継基板上に搭載した状態で、前記被接続物が前記実装基板側に押圧されると、
前記第２の中継基板の前記第１の接続端子が、前記被接続物の前記パッドと接触し、
前記第２の中継基板の前記第２の接続端子が、前記第１の中継基板の前記貴金属層と接触し、
前記被接続物と前記実装基板とが電気的に接続される請求項１乃至３の何れか一項記載のソケット。
【請求項５】
実装基板上に搭載された第１の中継基板と、前記第１の中継基板に固定された枠部と、を有し、
前記枠部は、前記第１の中継基板を位置決め保持するとともに、パッド上にばね性を有する第１の接続端子を備えた被接続物を、前記第１の接続端子が前記第１の中継基板と対向するように、前記第１の中継基板上に着脱可能な状態で位置決め保持可能に構成され、
前記枠部は、内側面に複数の突起部を有し、前記第１の中継基板と前記被接続物との間隔が所定値以下とならないように、前記第１の中継基板及び前記被接続物を位置決め保持し、
前記第１の中継基板は、前記実装基板との対向面と反対側の面に形成された第１の導体層と、前記実装基板との対向面に形成され前記実装基板のパッドと電気的に接続された第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する配線とを備え、
前記枠部が前記被接続物を前記第１の中継基板上に搭載した状態で、前記被接続物が前記実装基板側に押圧されると、
前記被接続物の前記第１の接続端子が、前記第１の中継基板の前記第１の導体層と接触し、
前記被接続物と前記実装基板とが電気的に接続されるソケット。
【請求項６】
前記第１の導電層上に貴金属層が積層形成されており、
前記枠部が前記被接続物を前記第１の中継基板上に搭載した状態で、前記被接続物が前記実装基板側に押圧されると、
前記被接続物の前記第１の接続端子が、前記第１の中継基板の前記貴金属層と接触し、
前記被接続物と前記実装基板とが電気的に接続される請求項５記載のソケット。
【請求項７】
前記第１及び前記第２の接続端子の少なくとも一方は、一方の端部と前記一方の端部と対向配置された他方の端部とを有し、前記一方の端部と前記他方の端部との間に湾曲した形状の部分を含む請求項１乃至４の何れか一項記載のソケット。
【請求項８】
前記第１の接続端子は、一方の端部と前記一方の端部と対向配置された他方の端部とを有し、前記一方の端部と前記他方の端部との間に湾曲した形状の部分を含む請求項５又は６記載のソケット。
【請求項９】
前記被接続物は、格子状に配列された多数のパッドを有し、
前記第１の接続端子は、前記多数のパッドに対応して配列されている請求項１乃至８の何れか一項記載のソケット。
【請求項１０】
前記第１の接続端子は、格子状に配列された前記多数のパッドに対して、平面視で傾斜するように配置されている請求項９記載のソケット。
【請求項１１】
前記実装基板と前記第１の中継基板とは、熱膨張係数が等しい材料を主成分とする請求項１乃至１０の何れか一項記載のソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットが知られている。図１は、従来のソケットを例示する断面図である。図１を参照するに、従来のソケット２００は、樹脂を成形したハウジング２０１と、ばね性を有する導電性の接続端子２０２とを有する。
【０００３】
ハウジング２０１には、複数の貫通孔２０１ｘが所定のピッチで配設されている。接続端子２０２は、一体的に構成された接続部２１５及び２１６とばね部２１７とを有し、ハウジング２０１の貫通孔２０１ｘに固定されている。接続部２１５はハウジング２０１の上面から突出しており、接続部２１６はハウジング２０１の下面から露出している。
【０００４】
接続部２１６は、はんだボール２０８を介して、マザーボード等の実装基板２０９と電気的に接続されている。パッド２０６を有する被接続物２０５（例えば、配線基板や半導体パッケージ等）がハウジング２０１の方向に押圧されると、接続部２１５はパッド２０６と接触する。これにより、接続端子２０２と被接続物２０５とは電気的に接続される。すなわち、被接続物２０５は、接続端子２０２を介してマザーボード等の実装基板２０９と電気的に接続される（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７２６４４８６号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０１５５１９６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ハウジング２０１は樹脂を成形して作製するとき加熱され、反りが生じる場合がある。又、接続端子２０２とマザーボード等の実装基板２０９とを、はんだボール２０８を介して接続する際に、例えば２３０℃程度に加熱して、はんだボール２０８を溶融させる。この時、樹脂を成形したハウジング２０１も同程度の温度となるため、ハウジング２０１に反りが発生する場合がある。
【０００７】
このようなハウジング２０１の反りは、ソケット２００において、隣接する接続端子２０２（隣接する貫通孔２０１ｘ）が狭ピッチ化されたり、ハウジング２０１が薄型化されたりすると、より大きくなる。ハウジング２０１の反りは、接続端子２０２とマザーボード等の実装基板２０９との接続信頼性を低下させる一因となっていた。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、反りの発生を抑制し、接続端子と実装基板等との接続信頼性を向上可能なソケットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本ソケットの一形態は、実装基板上に搭載された第１の中継基板と、前記第１の中継基板上に着脱可能な状態で搭載された第２の中継基板と、前記第１の中継基板に固定された枠部と、を有し、前記枠部は、前記第１及び前記第２の中継基板を位置決め保持するとともに、パッドを備えた被接続物を、前記パッドが前記第２の中継基板と対向するように、前記第２の中継基板上に着脱可能な状態で位置決め保持可能に構成され、前記枠部は、前記第１の中継基板と前記第２の中継基板との間隔、及び前記第２の中継基板と前記被接続物との間隔が所定値以下とならないように、前記第１の中継基板、前記第２の中継基板、及び前記被接続物を位置決め保持し、前記第１の中継基板は、前記実装基板との対向面と反対側の面に形成された第１の導体層と、前記実装基板との対向面に形成され前記実装基板のパッドと電気的に接続された第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する配線とを備え、前記第２の中継基板は、前記実装基板との対向面と反対側の面に形成された第３の導体層と、前記実装基板との対向面に形成された第４の導体層と、前記第３の導体層と前記第４の導体層とを電気的に接続する配線と、前記第３及び前記第４の導体層上に設けられた、ばね性を有する第１及び第２の接続端子と、を備え、前記枠部が前記被接続物を前記第２の中継基板上に搭載した状態で、前記被接続物が前記実装基板側に押圧されると、前記第２の中継基板が前記被接続物の押圧と同時に前記実装基板側に移動し、前記第２の中継基板の前記第１の接続端子が、前記被接続物の前記パッドと接触し、前記第２の中継基板の前記第２の接続端子が、前記第１の中継基板の前記第１の導体層と接触し、前記被接続物と前記実装基板とが電気的に接続されることを要件とする。
【００１０】
本ソケットの他の形態は、実装基板上に搭載された第１の中継基板と、前記第１の中継基板に固定された枠部と、を有し、前記枠部は、前記第１の中継基板を位置決め保持するとともに、パッド上にばね性を有する第１の接続端子を備えた被接続物を、前記第１の接続端子が前記第１の中継基板と対向するように、前記第１の中継基板上に着脱可能な状態で位置決め保持可能に構成され、前記枠部は、内側面に複数の突起部を備え、前記第１の中継基板と前記被接続物との間隔が所定値以下とならないように、前記第１の中継基板及び前記被接続物を位置決め保持し、前記第１の中継基板は、前記実装基板との対向面と反対側の面に形成された第１の導体層と、前記実装基板との対向面に形成され前記実装基板のパッドと電気的に接続された第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する配線とを備え、前記枠部が前記被接続物を前記第１の中継基板上に搭載した状態で、前記被接続物が前記実装基板側に押圧されると、前記被接続物の前記第１の接続端子が、前記第１の中継基板の前記第１の導体層と接触し、前記被接続物と前記実装基板とが電気的に接続されることを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の技術によれば、反りの発生を抑制し、接続端子と実装基板等との接続信頼性を向上可能なソケットを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来のソケットを例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。
【図３】図２の一部を拡大して例示する断面図である。
【図４Ａ】第１の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する平面図である。
【図４Ｂ】第１の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する底面図である。
【図４Ｃ】第１の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する斜視図である。
【図５】第１の実施の形態に係る接続端子を例示す断面図である。
【図６】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その１）である。
【図７】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その２）である。
【図８】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その３）である。
【図９】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その４）である。
【図１０】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その５）である。
【図１１】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その６）である。
【図１２Ａ】第２の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する平面図である。
【図１２Ｂ】第２の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する底面図である。
【図１２Ｃ】第２の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する斜視図である。
【図１３】第１の実施の形態の変形例１に係る第２の中継基板を例示する平面図である。
【図１４】第２の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。
【図１５】図１４の一部を拡大して例示する断面図である。
【図１６】第２の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その１）である。
【図１７】第２の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その２）である。
【図１８】第２の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１４】
なお、以下の各実施の形態及びその変形例では、一例として、半導体パッケージ、第１の中継基板、及び第２の中継基板の平面形状が矩形状である場合を示すが、半導体パッケージ、第１の中継基板、及び第２の中継基板の平面形状は矩形状には限定されず、任意の形状として構わない。
【００１５】
〈第１の実施の形態〉
図２は、第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。図３は、図２の一部を拡大して例示する断面図である。図２及び図３を参照するに、ソケット１０は、枠部２０と、第１の中継基板３０と、第２の中継基板４０とを有する。１００は被接続物である半導体パッケージを、１１０はマザーボード等の実装基板を、１３０は蓋部を示している。半導体パッケージ１００は、ソケット１０を介して、実装基板１１０と電気的に接続されている。なお、本実施の形態では、被接続物として半導体パッケージ１００を例示して説明するが、被接続物は半導体チップを有さない配線基板等であっても構わない。
【００１６】
以下、図２及び図３、並びに図４Ａ〜図４Ｃを参照しながら、ソケット１０、半導体パッケージ１００、及び実装基板１１０について詳説する。
【００１７】
図４Ａ〜図４Ｃは、第１の実施の形態に係るソケットの枠部を例示する図である。図４Ａが平面図、図４Ｂが底面図、図４Ｃが斜視図である。図４Ａ〜図４Ｃを参照するに、枠部２０は、中央に開口部２０ｘを有する額縁状の部材に第１の位置決め保持部２１と、第２の位置決め保持部２２と、第３の位置決め保持部２３とを設けたものであり、樹脂や金属等から構成されている。枠部２０は、第１の中継基板３０、第２の中継基板４０、及び半導体パッケージ１００の位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部２０は、第１の中継基板３０と第２の中継基板４０との間隔、及び第２の中継基板４０と半導体パッケージ１００との間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。
【００１８】
第１の位置決め保持部２１は、枠部２０の上面２０Ａよりも内側の、上面２０Ａよりも一段下がった位置に額縁状に設けられた面である。第１の位置決め保持部２１は、半導体パッケージ１００を構成する基板１０１の下面の外縁部と接している。内側面２０Ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ１００の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面２０Ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ１００の着脱を可能とするため、基板１０１の外形形状よりも若干大きくされている。内側面２０Ｂと基板１０１の側面とは、接していても構わないし、第２の中継基板４０と半導体パッケージ１００との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。
【００１９】
第２の位置決め保持部２２は、第１の位置決め保持部２１よりも内側の、第１の位置決め保持部２１よりも更に一段下がった位置に額縁状に設けられた面である。第２の位置決め保持部２２は、第２の中継基板４０の下面の外縁部と接している。内側面２０Ｃの形成する開口部の形状は、第２の中継基板４０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面２０Ｃの形成する開口部の形状は、第２の中継基板４０の着脱を可能とするため、第２の中継基板４０の外形形状よりも若干大きくされている。内側面２０Ｃと第２の中継基板４０の側面とは、接していても構わないし、第２の中継基板４０と半導体パッケージ１００との間、及び第２の中継基板４０と第１の中継基板３０との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。
【００２０】
第３の位置決め保持部２３は、枠部２０の下面２０Ｄの外縁部に複数個設けられた、下面２０Ｄから突起する突起部である。複数の第３の位置決め保持部２３には、第１の中継基板３０が圧入され、下面２０Ｄ及び複数の第３の位置決め保持部２３の内側面２３Ａは、それぞれ第１の中継基板３０の上面の外縁部及び側面と接している。内側面２３Ａの形成する開口部の形状は、第１の中継基板３０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面２３Ａの形成する開口部の形状は、第１の中継基板３０の圧入を可能とするため、第１の中継基板３０の外形形状と略同一とされている。下面２０Ｄから各第３の位置決め保持部２３の底面２３Ｂまでのそれぞれの高さは、実装基板１１０の上面から第１の中継基板３０の上面までの高さと略同一であり、各第３の位置決め保持部２３の底面２３Ｂは実装基板１１０と接している。
【００２１】
なお、枠部２０は実装基板１１０には固定されていないが、第１の中継基板３０が、はんだ１２０により実装基板１１０に固定されているため、第１の中継基板３０が圧入されている枠部２０も、間接的に実装基板１１０に固定されていることになる。
【００２２】
実装基板１１０（マザーボード等）は、基板本体１１１と、導体層１１２とを有する。導体層１１２は、基板本体１１１の一方の面に形成されている。基板本体１１１は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁樹脂を含浸したもの等である。導体層１１２の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。なお、本実施の形態では、導体層１１２の表面には、接続信頼性を向上するための金（Ａｕ）めっき等は施されていない。
【００２３】
ソケット１０を構成する第１の中継基板３０は、基板本体３１と、導体層３２及び３３と、ビア配線３４と、貴金属層３５とを有する。基板本体３１の一方の面には導体層３２及び貴金属層３５が設けられ、他方の面には導体層３３が設けられている。導体層３２と導体層３３とは、基板本体３１の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔内に設けられたビア配線３４を介して電気的に接続されている。なお、ビア配線３４は、貫通孔を充填しても構わない。
【００２４】
基板本体３１は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁樹脂を含浸したもの等である。基板本体３１の厚さは、例えば、１００〜２００μｍ程度とすることができる。導体層３２及び３３並びにビア配線３４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。導体層３２及び３３の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。導体層３２及び３３は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。  貴金属層３５は、導体層３２の上面に積層形成されている。貴金属層３５としては、例えば、金（Ａｕ）層やパラジウム（Ｐｄ）層等の貴金属を含む層を用いることができる。貴金属層３５は、例えば、無電解めっき法等により形成できる。なお、金（Ａｕ）層の下層として、ニッケル（Ｎｉ）層やＮｉ／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）等を形成しても構わない。
【００２５】
貴金属層３５は、後述する接続端子４７との接続信頼性を向上するために設けられている。貴金属層３５は、ばね性を有する接続端子４７からの圧力に耐えるため、通常の金めっき層等に比べて大幅に厚く形成されている。はんだボール等との接続信頼性を向上するために通常設けられる金めっき層等の厚さは、０．０５μｍ以下程度である。これに対して、貴金属層３５の厚さは、例えば、０．４μｍ程度であり、通常設けられる金めっき層等の８倍以上の厚さとされている。
【００２６】
第１の中継基板３０の導体層３３と実装基板１１０の導体層１１２とは、はんだ１２０を介して電気的に接続されている。はんだ１２０の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、はんだ１２０の代わりに、例えば、導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等を用いても構わない。
【００２７】
ソケット１０を構成する第２の中継基板４０は、基板本体４１と、導体層４２及び４３と、ビア配線４４と、はんだ４５及び４６と、ばね性を有する接続端子４７及び４８とを有する。基板本体４１の一方の面には導体層４２が設けられ、他方の面には導体層４３が設けられている。導体層４２と導体層４３とは、基板本体４１の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔内に設けられたビア配線４４を介して電気的に接続されている。なお、ビア配線４４は、貫通孔を充填しても構わない。導体層４２上には、はんだ４５を介して、接続端子４８が固定されている。同様に、導体層４３上には、はんだ４６を介して、接続端子４７が固定されている。
【００２８】
基板本体４１は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁樹脂を含浸したもの等である。基板本体４１の厚さは、例えば、１００〜２００μｍ程度とすることができる。導体層４２及び４３並びにビア配線４４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。導体層４２及び４３の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。導体層４２及び４３は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。  はんだ４５及び４６の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、はんだ４５及び４６の代わりに、例えば、導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等を用いても構わない。
【００２９】
接続端子４７及び４８は、ばね性を有する接続端子である。接続端子４７及び４８は、導電性を有する端子であり、例えばリン青銅やベリリウム銅等のＣｕ系合金等から構成されている。接続端子４７及び４８の一端は、はんだ４６及び４５を介して、それぞれ導体層４３及び４２に固定され、導体層４３及び４２と電気的に接続されている。なお、導体層４２及び４３上に、はんだ４５及び４６との接続信頼性を向上するために金めっき層等を設けても構わないが、ばね性を有する接続端子からの圧力に耐える必要がない部分であるから、その厚さは０．０５μｍ以下程度として構わない。
【００３０】
接続端子４７の他端は、第１の中継基板３０の貴金属層３５に着脱可能な状態で接触し、貴金属層３５と電気的に接続されている。接続端子４８の他端は、後述する半導体パッケージ１００の貴金属層１０５に着脱可能な状態で接触し、貴金属層１０５と電気的に接続されている。つまり、枠部２０は、接続端子４７の他端が第１の中継基板３０の貴金属層３５に対応する位置に、接続端子４８の他端が後述する半導体パッケージ１００の貴金属層１０５に対応する位置にくるように、第１の中継基板３０、第２の中継基板４０、及び半導体パッケージ１００の位置決め及び保持をしている。なお、接続端子４７及び４８は、便宜上別符号を付しているが、同一部品を用いて構わない。接続端子４７及び４８の詳細な構造については、後述する。
【００３１】
被接続物である半導体パッケージ１００は、基板１０１と、半導体チップ１０２と、放熱板１０３と、導体層１０４と、貴金属層１０５とを有する。基板１０１は、例えば絶縁樹脂を含む基板本体に絶縁層、配線パターン、ビア配線等（図示せず）が形成されたものである。基板１０１の一方の面にはシリコン等を含む半導体チップ１０２が実装され、他方の面には導体層１０４が形成されている。導体層１０４の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。導体層１０４の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度である。半導体チップ１０２上には、例えば銅（Ｃｕ）等からなる放熱板１０３が配置されている。なお、半導体チップ１０２の発熱量が小さい場合には、放熱板１０３は不要である。
【００３２】
貴金属層１０５は、導体層１０４の上面に積層形成されている。貴金属層１０５の材料や厚さ、形成する目的は貴金属層３５と同様であるため、その説明は省略する。なお、導体層１０４及び貴金属層１０５は、基板１０１の他方の面に、例えば格子状に配置されたパッドである。すなわち、半導体パッケージ１００は所謂ＬＧＡ（Land  grid  array）であり、ソケット１０は所謂ＬＧＡ用のソケットである。
【００３３】
半導体パッケージ１００上には、蓋部１３０が配置されている。蓋部１３０は、例えば金属で構成される略矩形状や略額縁状の部材であり、例えば枠部２０の上面２０Ａの一端側に回動可能に取り付けられており、他端側にロック機構を有する。図２に示すように、蓋部１３０の外縁部を枠部２０の上面２０Ａと接するように固定する（ロックする）ことにより、接続端子４７及び４８は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ１００は第２の中継基板４０を介して第１の中継基板３０と確実に電気的に接続される。すなわち、被接続物である半導体パッケージ１００は、ソケット１０を介して、実装基板１１０と電気的に接続される。但し、蓋部１３０のロックを解除することにより、半導体パッケージ１００及び第２の中継基板４０は、着脱可能である。
【００３４】
なお、蓋部１３０は、枠部２０とは別体でも構わない。この場合には、例えば、半導体パッケージ１００を蓋部１３０により上側から押圧した状態で、蓋部１３０が枠部２０に固定可能な構造であれば良い。
【００３５】
ソケット１０は、第２の中継基板４０の基板本体４１の両側に、ばね性を有する接続端子４７及び４８を設け、反りの原因となるハウジングが存在しない構造としているため、反りの発生し難いソケットを実現できる。反りの発生を抑制することにより、半導体パッケージ１００と実装基板１１０との接続信頼性を向上可能となる。又、第２の中継基板４０は、隣接する第１の中継基板３０及び半導体パッケージ１００と、はんだ等により固定されていなく着脱可能である。そのため、接続端子４７や４８が破損したような場合であっても、容易に第２の中継基板４０を良品と交換できる。
【００３６】
又、第１の中継基板３０を設けず、ばね性を有する接続端子４７を、マザーボード等の実装基板１１０の、表面に貴金属層が設けられていない導体層１１２と直接接触させると、十分な接続信頼性を得ることができない。しかし、本実施の形態では、マザーボード等の実装基板１１０上に第１の中継基板３０をはんだ１２０で接続しており、ばね性を有する接続端子４７は第１の中継基板３０の貴金属層３５と接するため、高い接続信頼性が得られる。
【００３７】
ここで、図５を参照しながら、接続端子４８（４７）の詳細な構造について説明する。なお、接続端子４７は、便宜上別符号を付しているが、接続端子４８と同一部品であるため、その説明を省略する。
【００３８】
接続端子４８は、ばね性を有する接続端子であり、第１の接続部５１と、第２の接続部５２と、ばね部５３と、第１の支持部５４と、第２の支持部５５とを有する。第１の接続部５１は、板状とされている。第１の接続部５１の厚さは、例えば、０．０８ｍｍとすることができる。
【００３９】
第２の接続部５２は、第１の接続部５１の上方に、第１の接続部５１と対向するように配置されている。第２の接続部５２は、ばね部５３、第１の支持部５４、及び第２の支持部５５を介して、第１の接続部５１と電気的に接続されている。第２の接続部５２は、接触部５８と、突出部５９とを有する。
【００４０】
接触部５８は、例えば半導体パッケージ１００の貴金属層１０５と接触する部分である。接触部５８は、接続端子４８が押圧された際、主に半導体パッケージ１００の厚さ方向（図２のＺ方向）に移動する。接触部５８は、ラウンド形状とされている。このように、接触部５８をラウンド形状とすることにより、接触部５８が押圧され貴金属層１０５等と接触する際、接触部５８により貴金属層１０５等が破損することを防止できる。
【００４１】
又、接触部５８は、例えば半導体パッケージ１００が第２の接続部５２を押圧した際、ばね部５３の変形により、第２の接続部５２が第１の接続部５１に近づく方向（図２のＺ方向）に移動した状態で、貴金属層１０５等と接触する。これにより、貴金属層１０５等と第２の接続部５２とが接触した際、第２の接続部５２が、貴金属層１０５等が形成された面と平行な方向に大きく移動することがなくなるため、貴金属層１０５等を狭ピッチに配置できる。
【００４２】
突出部５９は、一方の端部が第２の支持部５５と一体的に構成されており、他方の端部が接触部５８と一体的に構成されている。突出部５９は、第２の支持部５５から貴金属層１０５等に向かう方向（第１の接続部５１から離間する方向）に突出している。
【００４３】
このように、接触部５８と第２の支持部５５との間に、接触部５８及び第２の支持部５５と一体的に構成され、第２の支持部５５から貴金属層１０５等に向かう方向（第１の接続部５１から離間する方向）に突出する突出部５９を設けることで、半導体パッケージ１００等が接触部５８を押圧した際のばね部５３の変形による、貴金属層１０５等と第２の支持部５５との接触を防止することが可能となるため、接続端子４８及び貴金属層１０５等の破損を防止できる。
【００４４】
貴金属層１０５等と第２の接続部５２とが接触していない状態における第２の接続部５２の突出量Ａ（第２の支持部５５と突出部５９との接続部分を基準としたときの突出量）は、例えば、０．３ｍｍとすることができる。又、第２の接続部５２の厚さは、例えば、０．０８ｍｍとすることができる。
【００４５】
ばね部５３は、第１の支持部５４と第２の支持部５５との間に配置されており、第１の支持部５４及び第２の支持部５５と一体的に構成されている。ばね部５３は、湾曲した形状（例えば、Ｃ字型）とされており、ばね性を有する。
【００４６】
ばね部５３は、半導体パッケージ１００等により第２の接続部５２が押圧された際、第２の接続部５２を貴金属層１０５等に向かう方向に反発させることで、第２の接続部５２と貴金属層１０５等とを固定することなく、第２の接続部５２と貴金属層１０５等とを接触させるためのものである。ばね部５３の幅及び厚さは、例えば、第２の接続部５２の幅及び厚さと同じにできる。なお、本実施の形態の接続端子４８では、実際には、第２の接続部５２、ばね部５３、第１の支持部５４、及び第２の支持部５５が一体的にばねとして機能する。第２の接続部５２、ばね部５３、第１の支持部５４、及び第２の支持部５５に対応する部分の接続端子４８のばね定数は、例えば、０．６〜０．８Ｎ／ｍｍとすることができる。
【００４７】
第１の支持部５４は、ばね部５３と第１の接続部５１との間に配置されている。第１の支持部５４の一方の端部は、ばね部５３の一方の端部と一体的に構成されており、第１の支持部５４の他方の端部は、第１の接続部５１と一体的に構成されている。第１の支持部５４は、板状とされている。
【００４８】
第１の支持部５４は、第２の中継基板４０等と対向する側の第１の接続部５１の面５１Ａを含む平面Ｂと、第２の中継基板４０等と対向する側の第１の支持部５４の面５４Ａとが成す角度θ１が鋭角となるように構成されている。角度θ１は、例えば、５〜１５度とすることができる。
【００４９】
このように、角度θ１を鋭角にすることで、半導体パッケージ１００等が接触部５８を押圧した際のばね部５３の変形による第２の中継基板４０等と第１の支持部５４との接触を防止することが可能となるため、接続端子４８及び第２の中継基板４０等の破損を防止できる。第１の支持部５４の幅及び厚さは、例えば、第２の接続部５２の幅及び厚さと同じにできる。
【００５０】
第２の支持部５５は、ばね部５３と第２の接続部５２との間に配置されている。第２の支持部５５の一方の端部は、ばね部５３の一方の端部と一体的に構成されており、第２の支持部５５の他方の端部は、第２の接続部５２の突出部５９と一体的に構成されている。第２の支持部５５は、板状とされている。第２の支持部５５の幅及び厚さは、例えば、第２の接続部５２の幅及び厚さと同じにすることができる。
【００５１】
接続端子４８は、例えば、図示していない金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を打ち抜き加工した後、打ち抜かれた金属板の表面全体にＮｉめっき膜（例えば、厚さ１〜３μｍ）を形成し、次いで、第１の接続部５１及び接触部５８に対応する部分に形成されたＮｉめっき膜に、Ａｕめっき膜（例えば、厚さ０．３〜０．５μｍ）を形成（Ａｕめっき膜を部分的に形成）し、その後、Ｎｉめっき膜及びＡｕめっき膜が形成され、打ち抜かれた金属板を曲げ加工することで製造できる。上記金属板の材料となるＣｕ系合金としては、例えば、リン青銅やベリリウム銅等を用いることができる。
【００５２】
なお、上記接続端子本体（図示せず）は、図示していない金属板（例えば、Ｃｕ系合金）をエッチング加工した後、エッチング加工された金属板を曲げ加工することで形成してもよい。図５に示す状態（接続端子４８の第２の接続部５２が押圧されていない状態）における接続端子４８の高さＨは、例えば、１．５ｍｍとすることができる。
【００５３】
次に、図６〜図１１を参照しながら、ソケット１０を用いた半導体パッケージ１００と実装基板１１０との接続方法について説明する。
【００５４】
始めに、図６に示すように、実装基板１１０及び第１の中継基板３０を準備する。そして、実装基板１１０と第１の中継基板３０とを、はんだ１２０を介して電気的に接続する。具体的には、実装基板１１０の導体層１１２と第１の中継基板３０の導体層３３に、それぞれはんだペーストを塗布し、導体層１１２と導体層３３とを対向させて、それぞれに塗布されたはんだペースト同士を接触させる。そして、例えば２３０℃に加熱してはんだペーストを溶融し、はんだ１２０を形成する。
【００５５】
次いで、図７に示すように、枠部２０を準備する。そして、枠部２０を第１の中継基板３０を囲むように実装基板１１０側に押しこみ、枠部２０の複数の第３の位置決め保持部２３を、第１の中継基板３０に圧入する。これにより、枠部２０の下面２０Ｄ及び複数の第３の位置決め保持部２３の内側面２３Ａは、それぞれ第１の中継基板３０の上面の外縁部及び側面と接して固定される。この際、各第３の位置決め保持部２３の底面２３Ｂが実装基板１１０の上面と接するため、第３の位置決め保持部２３がストッパーとして機能し、枠部２０を実装基板１１０側に押しこみ過ぎて、はんだ１２０等にダメージを与えることを防止できる。なお、枠部２０は、例えば、樹脂を用いた周知のトランスファーモールド法や、金属を用いたプレス加工や切削加工等により作製できる。
【００５６】
なお、図６と図７とは、順番が反対になっても構わない。すなわち、枠部２０の複数の第３の位置決め保持部２３を第１の中継基板３０に圧入し、その後、第１の中継基板３０を枠部２０とともにリフロー等し、はんだ１２０を介して実装基板１１０と電気的に接続しても構わない。
【００５７】
次いで、図８（断面図）及び図９（平面図）に示すように、第２の中継基板４０を準備する。そして、蓋部１３０を回動させて、第２の中継基板４０を配置可能な状態とし、第２の中継基板４０を第２の中継基板４０の下面の外縁部が第２の位置決め保持部２２と対向し、第２の中継基板４０の側面が内側面２０Ｃに支持されるように配置する。但し、この時点では、接続端子４７及び４８は押圧されていないため、第２の中継基板４０の下面の外縁部は第２の位置決め保持部２２と接していない。第１の中継基板３０と第２の中継基板４０とは、枠部２０により位置合わせされ、各接続端子４７の第２の接続部５２は第１の中継基板３０の各貴金属層３５と接する。
【００５８】
本実施の形態では、第２の中継基板４０において、複数の接続端子４７及び４８は、接続端子４７及び４８の配列方向Ｃに対して所定の角度θ２をなすように配列されている（図９参照）。言い換えれば、複数の接続端子４７及び４８は、接続端子４７及び４８の配設方向Ｃに対して傾斜するように配置されている。所定の角度θ２は、例えば、２５〜３５度とすることができる。なお、第１の接続部５１の幅Ｗ１及びＷ２は、例えば、０．４ｍｍとすることができる。又、第２の接続部５２の幅Ｗ３は、例えば、０．２ｍｍとすることができる。
【００５９】
このように、接続端子４７及び４８の配設方向Ｃに対して傾斜するように、複数の接続端子４７及び４８を配列させることにより、配設方向Ｃに対して平行となるように複数の接続端子４７及び４８を配列した場合と比較して、単位面積当たりに多くの接続端子４７及び４８を配置することが可能となる。これにより、接続端子４７及び４８と接触する貴金属層３５及び１０５を狭ピッチに配置できる。但し、複数の接続端子４７及び４８の配列は図９には限定されず、例えば配設方向Ｃに対して平行となるように配列しても構わない。
【００６０】
なお、第２の中継基板４０は、以下のようにして作製できる。すなわち、周知の方法で、導体層４２及び４３とビア配線４４とを有する基板本体４１を作製する。そして、導体層４２及び４３に、それぞれはんだペーストを塗布する。導体層４２及び４３と接続端子４８及び４７を治具により位置決めし、接続端子４８及び４７の一端を、それぞれ導体層４２及び４３に塗布されたはんだペーストと接触させる。そして、例えば２３０℃に加熱してはんだペーストを溶融し、はんだ４５及び４６を形成する。
【００６１】
次いで、図１０に示すように、半導体パッケージ１００を準備する。そして、半導体パッケージ１００を構成する基板１０１の下面の外縁部が第１の位置決め保持部２１と対向し、基板１０１の側面が内側面２０Ｂに支持されるように配置する。但し、この時点では、接続端子４７及び４８は押圧されていないため、基板１０１の下面の外縁部は第１の位置決め保持部２１と接していない。半導体パッケージ１００と第２の中継基板４０とは、枠部２０により位置合わせされ、各接続端子４８の第２の接続部５２は半導体パッケージ１００の各貴金属層１０５と接する。
【００６２】
次いで、図１１に示すように、蓋部１３０を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ１００を実装基板１１０側に押し込み、蓋部１３０の外縁部が枠部２０の上面２０Ａと接するように固定（ロック）する。これにより、接続端子４７及び４８は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ１００は第２の中継基板４０を介して第１の中継基板３０と確実に電気的に接続される（図２参照）。すなわち、半導体パッケージ１００は、ソケット１０を介して、実装基板１１０と電気的に接続される。
【００６３】
なお、半導体パッケージ１００は、第１の位置決め保持部２１により保持されるため、第１の位置決め保持部２１よりも実装基板１１０側に押し込まれることはない。このように、第１の位置決め保持部２１は、半導体パッケージ１００が必要以上に押し込まれ、接続端子４８が必要以上に変形して破損することを防止するストッパーとしても機能している。又、第２の中継基板４０は、第２の位置決め保持部２２により保持されるため、第２の位置決め保持部２２よりも実装基板１１０側に押し込まれることはない。このように、第２の位置決め保持部２２は、第２の中継基板４０が必要以上に押し込まれ、接続端子４７が必要以上に変形して破損することを防止するストッパーとしても機能している。
【００６４】
このように、第１の実施の形態によれば、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するための、枠部と第１の中継基板と第２の中継基板とを有するソケットにおいて、マザーボード等の実装基板上に第１の中継基板を接続しており、ばね性を有する接続端子は第１の中継基板の貴金属層と接するため、高い接続信頼性が得られる（第１の中継基板を設けず、ばね性を有する接続端子を、マザーボード等の実装基板の、表面に貴金属層が設けられていない導体層（パッド）と直接接触させると、十分な接続信頼性を得ることができない）。
【００６５】
又、第２の中継基板の基板本体の両側に、ばね性を有する接続端子を設け、反りの原因となるハウジングが存在しない構造としているため、反りの発生し難いソケットを実現できる。反りの発生を抑制することにより、半導体パッケージと実装基板との接続信頼性を向上可能となる。
【００６６】
又、第２の中継基板は、隣接する第１の中継基板及び半導体パッケージと、はんだ等により固定されていなく着脱可能であるため、接続端子が破損したような場合であっても、容易に第２の中継基板を良品と交換できる。
【００６７】
又、第１の中継基板をマザーボード等の実装基板の材料と同一の材料で作製することにより、両基板は同様の熱膨張係数を有するため、マザーボード等の実装基板が反っても第１の中継基板も同じ方向に反り、第１の中継基板とマザーボード等の実装基板との接続信頼性を向上できる。
【００６８】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、枠部２０に代えて枠部６０を用いる例を示す。なお、断面図としては、図２及び図３と同様である。以下、第１の実施の形態と同様の部分についての説明は省略し、枠部６０を中心に説明する。
【００６９】
図１２Ａ〜図１２Ｃは、第１の実施の形態の変形例１に係るソケットの枠部を例示する図である。図１２Ａが平面図、図１２Ｂが底面図、図１２Ｃが斜視図である。図１２Ａ〜図１２Ｃを参照するに、枠部６０は、第１の位置決め保持部２１に代えて第１の位置決め保持部６１が設けられている点を除いて、枠部２０と同様の構成である。
【００７０】
第１の実施の形態では、第１の位置決め保持部２１は、枠部２０の上面２０Ａよりも内側の、上面２０Ａよりも一段下がった位置に額縁状に設けられた面であった。一方、第１の実施の形態の変形例１では、第１の位置決め保持部６１は、枠部６０の上面２０Ａよりも内側の、上面２０Ａよりも一段下がった位置に部分的に設けられた面である。
【００７１】
第１の位置決め保持部６１は、半導体パッケージ１００を構成する基板１０１の下面の外縁部と接している。内側面２０Ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ１００の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面２０Ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ１００の着脱を可能とするため、基板１０１の外形形状よりも若干大きくされている。内側面２０Ｂと基板１０１の側面とは、接していても構わないし、第２の中継基板４０と半導体パッケージ１００との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。
【００７２】
なお、第２の中継基板４０の外形形状は第１の実施の形態と同様でも良いし、図１３に示すように、外縁部に第１の位置決め保持部６１に対応する形状の切り欠き部６１ｘを設けた第２の中継基板４０Ａを用いてもよい。第２の中継基板４０Ａのような形状とすることにより、第２の中継基板４０よりも最大外形を大きくできるため、より外縁部に近い部分に接続端子４８を配置することが可能となる。これにより、半導体パッケージ１００の導体層１０４及び貴金属層１０５が、より外縁部に近い部分に配置されている場合にも対応可能となる。
【００７３】
このように、第１の実施の形態の変形例１によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、パッド（導体層１０４及び貴金属層１０５）が、より外縁部に近い部分に配置された半導体パッケージとも好適に接続できる。
【００７４】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第２の中継基板４０を用いないソケット１０Ｂを例示する。
【００７５】
図１４は、第２の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。図１５は、図１４の一部を拡大して例示する断面図である。図１４及び図１５を参照するに、ソケット１０Ｂは、枠部７０と、第１の中継基板３０とを有する。半導体パッケージ１００は、ソケット１０Ｂを介して、実装基板１１０と電気的に接続されている。
【００７６】
枠部７０は、中央に開口部を有する額縁状の部材に第１の位置決め保持部７１と第２の位置決め保持部７３とを設けたものであり、樹脂や金属等から構成されている。枠部７０は、第１の中継基板３０及び半導体パッケージ１００の位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部７０は、第１の中継基板３０と半導体パッケージ１００との間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。枠部７０は枠部２０のように第２の中継基板４０を保持する必要がないため、枠部７０には枠部２０の第２の位置決め保持部２２に対応する部分は存在しない。
【００７７】
第１の位置決め保持部７１は、枠部７０の上面７０Ａよりも内側の、上面７０Ａよりも一段下がった位置に額縁状に設けられた面である。第１の位置決め保持部７１は、半導体パッケージ１００を構成する基板１０１の下面の外縁部と接している。内側面７０Ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ１００の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面７０Ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ１００の着脱を可能とするため、基板１０１の外形形状よりも若干大きくされている。内側面７０Ｂと基板１０１の側面とは、接していても構わないし、第１の中継基板３０と半導体パッケージ１００との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。
【００７８】
第２の位置決め保持部７３は、枠部７０の下面７０Ｄの外縁部に複数個設けられた、下面７０Ｄから突起する突起部である。複数の第２の位置決め保持部７３には、第１の中継基板３０が圧入され、下面７０Ｄ及び複数の第２の位置決め保持部７３の内側面７３Ａは、それぞれ第１の中継基板３０の上面の外縁部及び側面と接している。内側面７３Ａの形成する開口部の形状は、第１の中継基板３０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面７３Ａの形成する開口部の形状は、第１の中継基板３０の圧入を可能とするため、第１の中継基板３０の外形形状と略同一とされている。下面７０Ｄから各第２の位置決め保持部７３の底面７３Ｂまでのそれぞれの高さは、実装基板１１０の上面から第１の中継基板３０の上面までの高さと略同一であり、各第２の位置決め保持部７３の底面７３Ｂは実装基板１１０と接している。
【００７９】
半導体パッケージ１００の貴金属層１０５上には、はんだ４６を介して、接続端子４７が固定されている。複数の接続端子４７は、例えば図９と同様に、接続端子４７の配設方向に対して傾斜するように配置できる。なお、本実施の形態では、貴金属層１０５と接続端子４７とは、はんだ４６で接続される。そのため、貴金属層１０５の厚さは、はんだ４６との接続信頼性を向上するために十分な０．０５μｍ以下程度として構わない。つまり、ばね性を有する接続端子４７からの圧力に耐える必要はないため、貴金属層１０５の厚さを０．４μｍ程度と厚くしなくても構わない。又、貴金属層１０５を設けなくても構わない。
【００８０】
半導体パッケージ１００上には、蓋部１３０が配置されている。蓋部１３０は、例えば金属で構成される略矩形状や略額縁状の部材であり、例えば枠部７０の上面７０Ａの一端側に回動可能に取り付けられており、他端側にロック機構を有する。図１４に示すように、蓋部１３０の外縁部を枠部７０の上面７０Ａと接するように固定する（ロックする）ことにより、接続端子４７は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ１００は第１の中継基板３０と確実に電気的に接続される。すなわち、被接続物である半導体パッケージ１００は、ソケット１０Ｂを介して、実装基板１１０と電気的に接続される。但し、蓋部１３０のロックを解除することにより、半導体パッケージ１００は、着脱可能である。
【００８１】
なお、蓋部１３０は、枠部７０とは別体でも構わない。この場合には、例えば、半導体パッケージ１００を蓋部１３０により上側から押圧した状態で、蓋部１３０が枠部７０に固定可能な構造であれば良い。
【００８２】
次に、図１６〜図１８を参照しながら、ソケット１０Ｂを用いた半導体パッケージ１００と実装基板１１０との接続方法について説明する。
【００８３】
始めに、第１の実施の形態の図６と同様に、実装基板１１０及び第１の中継基板３０を準備する。そして、実装基板１１０と第１の中継基板３０とを、はんだ１２０を介して電気的に接続する。
【００８４】
次いで、図１６に示すように、枠部７０を準備する。そして、枠部７０を第１の中継基板３０を囲むように実装基板１１０側に押しこみ、枠部７０の複数の第２の位置決め保持部７３を、第１の中継基板３０に圧入する。これにより、枠部７０の下面７０Ｄ及び複数の第２の位置決め保持部７３の内側面７３Ａは、それぞれ第１の中継基板３０の上面の外縁部及び側面と接して固定される。この際、各第２の位置決め保持部７３の底面７３Ｂが実装基板１１０の上面と接するため、第２の位置決め保持部７３がストッパーとして機能し、枠部７０を実装基板１１０側に押しこみ過ぎて、はんだ１２０等にダメージを与えることを防止できる。なお、枠部７０は、例えば、樹脂を用いた周知のトランスファーモールド法や、金属を用いたプレス加工や切削加工等により作製できる。なお、第１の実施の形態と同様に、図６と図１６とは、順番が反対になっても構わない。
【００８５】
次いで、図１７に示すように、貴金属層１０５上に、はんだ４６を介して接続端子４７が固定された半導体パッケージ１００を準備する。そして、蓋部１３０を回動させて、半導体パッケージ１００を配置可能な状態とし、半導体パッケージ１００を構成する基板１０１の下面の外縁部が第１の位置決め保持部７１と対向し、基板１０１の側面が内側面７０Ｂに支持されるように配置する。但し、この時点では、接続端子４７は押圧されていないため、基板１０１の下面の外縁部は第１の位置決め保持部７１と接していない。半導体パッケージ１００と第１の中継基板３０とは、枠部７０により位置合わせされ、各接続端子４７の第２の接続部５２は第１の中継基板３０の各貴金属層３５と接する。
【００８６】
次いで、図１８に示すように、蓋部１３０を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ１００を実装基板１１０側に押し込み、蓋部１３０の外縁部が枠部７０の上面７０Ａと接するように固定（ロック）する。これにより、接続端子４７は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ１００は第１の中継基板３０と確実に電気的に接続される（図１４参照）。すなわち、半導体パッケージ１００は、ソケット１０Ｂを介して、実装基板１１０と電気的に接続される。
【００８７】
なお、半導体パッケージ１００は、第１の位置決め保持部７１により保持されるため、第１の位置決め保持部７１よりも実装基板１１０側に押し込まれることはない。このように、第１の位置決め保持部７１は、半導体パッケージ１００が必要以上に押し込まれ、接続端子４７が必要以上に変形して破損することを防止するストッパーとしても機能している。
【００８８】
このように、第２の実施の形態によれば、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するための、枠部と第１の中継基板とを有するソケットにおいて、マザーボード等の実装基板上に第１の中継基板を接続しており、ばね性を有する接続端子は第１の中継基板の貴金属層と接するため、高い接続信頼性が得られる（第１の中継基板を設けず、ばね性を有する接続端子を、マザーボード等の実装基板の、表面に貴金属層が設けられていない導体層（パッド）と直接接触させると、十分な接続信頼性を得ることができない）。
【００８９】
又、半導体パッケージの第１の中継基板と接続される側に、ばね性を有する接続端子を設け、反りの原因となるハウジングが存在しない構造としているため、反りの発生し難いソケットを実現できる。反りの発生を抑制することにより、半導体パッケージと実装基板との接続信頼性を向上可能となる。
【００９０】
又、第１の中継基板をマザーボード等の実装基板の材料と同一の材料で作製することにより、両基板は同様の熱膨張係数を有するため、マザーボード等の実装基板が反っても第１の中継基板も同じ方向に反り、第１の中継基板とマザーボード等の実装基板との接続信頼性を向上できる。
【００９１】
又、第１の実施の形態やその変形例１とは異なり、第２の中継基板を用いていないため、ソケットを薄型化できる。
【００９２】
但し、接続端子が破損したような場合に新品と交換し易い点においては、第２の実施の形態よりも、第１の実施の形態やその変形例１の方が好適である。
【００９３】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００９４】
例えば、各実施の形態及びその変形例において、本発明に係るソケットをマザーボード等の実装基板に適用する例を示した。しかしながら、本発明に係るソケットは半導体パッケージテスト用基板等にも適用可能である。例えば、半導体パッケージテスト用基板に本発明に係るソケットを適用すれば、半導体パッケージの電気特性等のテストを繰り返し実施することが可能となる。
【符号の説明】
【００９５】
１０、１０Ｂ  ソケット
２０、６０、７０  枠部
２０Ａ、７０Ａ  上面
２０Ｂ、２０Ｃ、２３Ａ、７０Ｂ、７３Ａ  内側面
２０Ｄ、７０Ｄ  下面
２０ｘ  開口部
２１、６１、７１  第１の位置決め保持部
２２、７３  第２の位置決め保持部
２３  第３の位置決め保持部
２３Ｂ、７３Ｂ  底面
３０  第１の中継基板
３１、４１、１１１  基板本体
３２、３３、４２、４３、１０４、１１２  導体層
３４、４４  ビア配線
３５、１０５  貴金属層
４０  第２の中継基板
４５、４６、１２０  はんだ
４７、４８  接続端子
５１  第１の接続部
５１Ａ  面
５２  第２の接続部
５３  ばね部
５４  第１の支持部
５５  第２の支持部
５８  接触部
５９  突出部
６１ｘ  切り欠き部
１００  半導体パッケージ
１０１  基板
１１０  マザーボード等の実装基板
１３０  蓋部
Ａ  突出量
Ｂ  平面
Ｃ  配列方向
Ｈ  高さ
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３  幅
θ１、θ２  角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図９】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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