(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を真空状態に収納する真空チャンバと、
前記基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給部と、
前記基板に電子線を照射する電子線源と、
前記電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出する熱検出器と、
前記二次電子検出器の検出信号および前記熱検出器の検出信号に基づいてＴＦＴ基板の欠陥を検出する欠陥検出部とを備え、
前記欠陥検出部は、
前記二次電子の検出器の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出部と、
前記熱検出器の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部とを備え、
前記ＴＦＴアレイ欠陥検出部は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、
前記ショート欠陥検出部は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行うことを特徴とする、ＴＦＴ基板検査装置。
【請求項２】
前記駆動信号供給部は、
前記選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、
非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ基板検査装置。
【請求項３】
前記駆動信号供給部は、
前記ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、当該ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴ基板検査装置。
【請求項４】
前記ショート欠陥検出部は、
前記駆動信号の供給中断後の熱検出器の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴ基板検査装置。
【請求項５】
前記駆動信号供給部は、
前記ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、当該ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、
所定時間経過後に前記ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開し、
前記駆動信号の供給再会後の熱検出器の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴ基板検査装置。
【請求項６】
ＴＦＴアレイの欠陥を検査するＴＦＴ基板の検査方法であって、
真空チャンバ内に収納した基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給工程と、
前記基板に電子線を照射し、前記電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出し、前記二次電子の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出工程と、
前記駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出し、前記放熱の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出工程とを備え、
前記ＴＦＴアレイ欠陥検出工程は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、
前記ショート欠陥検出工程は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行うことを特徴とする、ＴＦＴ基板検査方法。
【請求項７】
前記駆動信号供給工程は、
前記選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、
非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加することを特徴とする、請求項６に記載のＴＦＴ基板検査方法。
【請求項８】
前記駆動信号供給工程は、
前記ショート欠陥検出工程中に、当該ショート欠陥検出工程で検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断することを特徴とする、請求項６又は７に記載のＴＦＴ基板検査方法。
【請求項９】
前記ショート欠陥検出工程は、
前記駆動信号の供給中断後の放熱の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ基板検査方法。
【請求項１０】
前記駆動信号供給工程は、
前記ショート欠陥検出工程中に、当該ショート欠陥検出工程が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、
所定時間経過後に前記ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開し、
前記駆動信号の供給再会後の放熱の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶基板等のＴＦＴパネルの製造工程におけるＴＦＴ基板検査に用いられるＴＦＴ基板検査装置に関する。特に、ショート（短絡）欠陥検査に好適なＴＦＴ基板検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶基板や有機ＥＬ基板等のＴＦＴアレイが形成された半導体基板の製造過程では、製造過程中にＴＦＴアレイ検査工程を含み、このＴＦＴアレイ検査工程において、ＴＦＴアレイの欠陥検査が行われている。【０００３】
ＴＦＴアレイは、例えば液晶表示装置のピクセル（画素電極）を選択するスイッチング素子として用いられる。ＴＦＴアレイを備える基板は、例えば、走査線として機能する複数本のゲートラインが平行に配設されると共に、信号線として記載する複数本のソースラインがゲートラインに直交して配設され、両ラインが交差する部分の近傍にＴＦＴ（Thin film transistor）が配設され、このＴＦＴを介してピクセル（画素電極）に駆動信号が供給される。【０００４】
液晶表示装置は、上記したＴＦＴアレイが設けられた基板と対向基板との間に液晶層を挟むことで構成され、対向基板が備える対向電極とピクセル（画素電極）との間に画素容量が形成される。ピクセル（画素電極）には、上記の画素容量以外に付加容量（Ｃｓ）が接続される。この付加容量（Ｃｓ）の一方はピクセル（画素電極）に接続され、他方は共通ラインあるいはゲートラインに接続される。共通ラインに接続される構成のＴＦＴアレイはCs on Com型ＴＦＴアレイと呼ばれ、ゲートラインに接続される構成のＴＦＴアレイはCs on Gate型ＴＦＴアレイと呼ばれる。【０００５】
このＴＦＴアレイにおいて、走査線（ゲートライン）や信号線（ソースライン）の断線、走査線（ゲートライン）と信号線（ソースライン）の短絡、画素を駆動するＴＦＴの特性不良による画素欠陥等の欠陥検査は、例えば、対向電極を接地し、ゲートラインの全部あるいは一部に、例えば、−１５Ｖ〜＋１５Ｖの直流電圧を所定間隔で印加し、ソースラインの全部あるいは一部に検査用の駆動信号を印加することによって行っている。（例えば、特許文献１の従来技術、特許文献２。）【０００６】
ＴＦＴ基板検査装置は、ＴＦＴアレイに検査用の駆動信号を入力し、そのときの電圧状態を検出することで欠陥検出を行うことができる。【０００７】
電子線を用いたＴＦＴ基板検査装置では、ピクセル（画素電極）に対して電子線を照射し、この電子線照射によって放出される二次電子を検出し、この二次電子の強度変化によって、画素単位での欠陥有無を判別する。ここで、得られる二次電子強度の信号は、フォトマルチプライヤなどでアナログ信号に変換し、座標変換によって得られてデータを画素単位に割付け、画像処理によって欠陥を抽出し、得られた欠陥データに基づいて欠陥検査を行う。この検査に用いる検査信号は、基板を単位として１種類の検査信号パターンが設定されている。【０００８】
ＴＦＴアレイには、その製造プロセス中に様々な欠陥が発生する可能性がある。欠陥の種類としては、例えば、ピクセルとソースラインとの間の短絡欠陥（Ｓ−Ｄshort）、ピクセルとゲートライン間の短絡欠陥（Ｇ−Ｄshort）、ピクセルと共通ライン（Ｃｓライン）との間の短絡欠陥（Ｄ−Ｃｓ short）、ソースラインとゲートラインとの間のライン欠陥、ソースライン−共通ライン（Ｃｓライン）間の短絡欠陥、ゲートライン−共通ライン（Ｃｓライン）間の短絡欠陥等がある。【０００９】
これら欠陥の内、ソースライン−共通ライン（Ｃｓライン）間、ゲートライン−共通ライン（Ｃｓライン）間、およびソースラインとゲートラインとの間の欠陥はライン欠陥であり、Ｓ−ＤshortやＧ−ＤshortやＤ−Ｃｓ shortは点欠陥として知られている。【００１０】
通常、基板に対して設定された１種類の検査信号パターンを用いて各パネルを駆動することによって、ライン欠陥を検出が可能となる。【００１１】
図１２は、ライン欠陥および点欠陥を説明するための図である。図１２は、共通ライン（Ｃｓライン）を備える構成例を示している。パネルには、格子状に配置されたソースライン３１とゲートライン３２の交差位置の近傍にＴＦＴ３５が設けられ、ＴＦＴ３５のドレインには画素電極３４が接続される。画素電極３４はＣｓライン３３に容量接続されている。【００１２】
図１２（ａ）は、ライン欠陥の例を示している。ソースライン３１とＣｓライン（共通ライン）３３の間や、ゲートライン３２とＣｓライン（共通ライン）３３の間は、ショート欠陥（短絡欠陥）が発生する可能性があり、ライン欠陥として現れる。【００１３】
図１２（ｂ）は、点欠陥の例を示している。ピクセルとソースラインとの間は短絡欠陥（Ｓ−Ｄshort）が発生する可能性があり、ピクセルとゲートライン間の短絡欠陥（Ｇ−Ｄshort）が発生する可能性があり、また、ピクセルとＣｓライン（共通ライン）間の短絡欠陥（Ｄ−Ｃｓ short）が発生する可能性がある。これらの欠陥は点欠陥として現れる。【００１４】
従来、このソースライン−共通ライン（Ｃｓライン）間やゲートライン−共通ライン（Ｃｓライン）間のショート欠陥（短絡欠陥）は、電子線による走査を実行する前に、各ライン間の抵抗値を測定し、この抵抗値に基づいて各ライン間のショート（短絡）の有無やどのラインがショート（短絡）しているかの判定を行っている。【００１５】
従来のショート欠陥検出では、基板にプローバをセットし、このプローバの接点の電気的な導通状態からショート（短絡）をチェックしている。【００１６】
このショートチェックは、パッド間の抵抗値が小抵抗であるか、あるいは大抵抗であるか、もしくは絶縁とみなせるかによって行う。パッド間の抵抗値が小抵抗である場合は、各パッドが接続されるライン間がショート（短絡）している大ショートである可能性を表し、パッド間の抵抗値が所定の抵抗範囲である場合は、各パッドが接続されるライン間にショート欠陥（短絡欠陥）が存在する可能性を表している。【００１７】
ショート欠陥を判定した場合には、さらに、パネルに検査信号パターンを印加してシグナルスキャンを行い、シグナルスキャンで得られた電圧イメージから、画像処理によってライン欠陥を抽出し、ショートチェックの結果とリンクさせて、欠陥の種類と位置に係わる欠陥情報を出力している（特許文献３）。【００１８】
上記したシグナルスキャンにより欠陥検査では、欠陥の有無を検出することができるが、欠陥の種類によっては、ライン欠陥の欠陥位置を求めることは困難な場合がある。例えばゲートライン−Ｃｓライン間が短絡している場合には、ショートチェックによって、どのパネルのゲートライン−Ｃｓライン間が短絡しているかを判定することができ、また、シグナルイメージによって欠陥が発生しているラインを検出することは可能である。ゲートライン−Ｃｓライン間でのショート欠陥について、発生範囲までの判別は可能である【００１９】
しかしながら、ゲートラインとＣｓラインは並行して配設されているため、シグナルイメージ上において、短絡している位置を求めることは極めて困難であり、通常は欠陥ラインとして判別できるにとどまっている。【００２０】
図１３は、ライン欠陥を説明するための図であり、図１４は、ライン欠陥によるシグナルイメージを示す図である。図１３（ａ）はソースラインとＣｓライン（共通ライン）との間が短絡した場合を示している。この場合には、図１４（ａ）に示すように、欠陥点５０が１カ所の場合であっても、ソースラインに沿って配列される画素が駆動するため、シグナルイメージ上ではライン５１として表示され、ソースラインのライン欠陥として判定される。【００２１】
また、図１３（ｂ）はゲートラインとＣｓライン（共通ライン）との間が短絡した場合を示している。この場合には、図１４（ｂ）に示すように、欠陥点５０ｂが１カ所の場合であっても、ゲートラインに沿って配列される画素が駆動するため、シグナルイメージ上ではライン５２として表示され、ゲートラインのライン欠陥として判定される。【００２２】
また、フラットディスプレイのプレート構造に所定電圧を印加し、陰極の赤外線熱地図から欠陥領域を求めることによって電気短絡欠陥を検出する方法およびシステムが提案されている。第１の赤外線アレイによって、陰極の電気短絡欠陥を含む領域と周辺領域との間の放射輝度の差を検出して欠陥領域を決定し、第１の赤外線アレイによって赤外線熱地図を形成し、欠陥点を検出している（特許文献４）。【００２３】
また、特許文献５には、欠陥検出および解析用赤外線サーモグラフィにおいて、テストベクタによってテスト対象デバイスの各部を加熱して赤外線装置によってサームグラフ画像を取得し欠陥位置を特定する点が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２４】
【特許文献１】特開平５−３０７１９２号公報
【特許文献２】特開２００８−０５８７６７号公報
【特許文献３】特開２００７−２７１５８５号公報
【特許文献４】特表２００５-５０３５３２号公報
【特許文献５】特表２００６-５０５７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
上記したように、電子線照射による欠陥検出では、ラインを単位とするライン欠陥として欠陥検出を行うことができるが、欠陥ポイントの座標を特定して、どの画素が欠陥であるかを識別することは困難であるという問題がある。【００２６】
欠陥ポイントの座標を特定するには、上記した通常の検査信号パターンに代えて、欠陥ポイントを検出する専用の検査信号パターンを用いて、基板上に形成されたパネルを再度駆動する必要がある。【００２７】
したがって、従来のＴＦＴ基板装置による欠陥検査では、欠陥の種類によって、欠陥位置を特定することが困難であるため、欠陥位置を特定するには、通常の欠陥検査で用いる検査信号パターンとは別に、欠陥に応じた特殊な検査信号パターンが必要となり、その分、検査のタスクが増加するという問題がある。【００２８】
また、一つの基板上に複数種のパネルが形成されている場合には、各パネル種に対応した検査信号パターンを用いて基板上に全パネルを駆動して欠陥検査を行う操作を、パネルの種類数分だけ繰り返さなければ成らず、検査のタスクが増加するという問題もある。【００２９】
一方、熱検出による欠陥検出によれば、電子線照射による欠陥検出では検出が難しいショート欠陥を検出することができる。【００３０】
しかしながら、各種の欠陥検出とショート欠陥とを一つの欠陥検出工程で行う場合には、電子線照射による欠陥検出の工程と、熱検出による欠陥検出の工程とを一つの処理工程で行うことができず、各欠陥検出工程を時系列に並べて行う必要がある。【００３１】
そのため、複数のパネルが搭載された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う場合には、基板全体の検出時間は、少なくとも各欠陥検出の検出時間を加算した時間が必要となり、欠陥検出時間が長時間化するという問題がある。このように欠陥検出時間が長くなると、ＴＦＴ基板の製造工程に要する時間も長くなることにもなる。【００３２】
そこで、本発明は上記課題を解決して、複数のパネルが形成された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う際において、基板全体の欠陥検出時間を短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明は、ＴＦＴ基板検査において、電子線照射による欠陥検出と、熱検出によるショート欠陥検出とを行うに際して、基板上の複数の全パネルを駆動して全パネルの放熱を検出してショート欠陥を検出するとともに、全パネルから順次選択したパネルに対して電子線を照射して二次電子を検出して欠陥検出を行うことによって、基板全体の欠陥検出時間を短縮する。【００３４】
本発明はＴＦＴ基板検査装置の態様とＴＦＴ基板の検査方法の態様とすることができる。【００３５】
本発明のＴＦＴ基板検査装置は、基板を真空状態に収納する真空チャンバと、基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給部と、基板に電子線を照射する電子線源と、電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出器と、駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出する熱検出器と、二次電子検出器の検出信号および前記熱検出器の検出信号に基づいてＴＦＴ基板の欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。【００３６】
欠陥検出部は、二次電子の検出器の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出部と、熱検出器の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部とを備える。【００３７】
ＴＦＴアレイ欠陥検出部は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行う。ショート欠陥検出部は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行う。【００３８】
ＴＦＴアレイ欠陥検出は、走査画像の信号強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することによって行うことができる。この閾値は、ＴＦＴアレイに欠陥があるときに得られる走査画像の信号強度に基づいて定めることができる。【００３９】
また、ショート欠陥検出は、熱分布画像の信号強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することによって行うことができる。この閾値は、ショート欠陥があるときに得られる熱分布画像の信号強度に基づいて定めることができる。【００４０】
ＴＦＴアレイ欠陥検出は複数のパネルについて順次行うことにより、全パネルをＴＦＴアレイ欠陥検出するに要する検出時間は、ほぼ各パネルの検出時間を加算したものとなる。一方、ショート欠陥検出は全パネルについて同時に行うことにより、各パネルのショート欠陥検出に要する検出時間は同一とすることができる。【００４１】
また、ＴＦＴアレイ欠陥検出の電子線走査による二次電子検出と、ショート欠陥検出の熱検出とは、互いに干渉することなく独立して行うことができるため、ＴＦＴアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出のそれぞれに要する時間は、検出精度に応じて任意に定めることができる。【００４２】
ショート欠陥検出に要する検出時間は、ＴＦＴアレイ欠陥検出に要する検出時間よりも長く設定することができるため、全パネルのＴＦＴアレイ欠陥検出に要する検出時間に合わせて定めることができ、ショート欠陥検出は、ＴＦＴアレイ欠陥検出を行う全期間にわたって行うことができる。【００４３】
したがって、本発明によれば、ＴＦＴアレイ欠陥検出とショート欠陥検出とを同時に行うことによって、ＴＦＴアレイ欠陥検出とショート欠陥検出とを順次行う場合よりも欠陥検出に要する時間を短縮することができる。【００４４】
また、本発明のショート欠陥検出の検出時間を、少なくとも全パネルのＴＦＴアレイ欠陥検出に要する検出時間とすることができるため、ショート欠陥部分の発熱量が小さく温度上昇が小さい場合であっても、検出時間を長くすることによって検出精度を高めることができる。【００４５】
本発明の駆動信号供給部は、選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加する。欠陥検出を行うための所定パターンは、検出する欠陥種に応じて設定することができる。【００４６】
基板上の全パネルにおいて、欠陥検出を行うパネルを選択し、このパネルに対して欠陥検出用の所定パターンの駆動信号を印加し、他の欠陥検出を行わないパネルに対してショート欠陥検出用の所定パターンの駆動信号を印加する。【００４７】
このとき、欠陥検出を行うパネルには欠陥検出用の駆動信号が供給されるため、パネルの全アレイについてショート欠陥検出は行われないものの、駆動信号が供給されたアレイについてはショート欠陥検出を行うことができる。【００４８】
また、選択されたパネルについては、アレイ欠陥検出の検出時間はショート欠陥検出の検出時間よりも短時間であるため、駆動信号が供給されたアレイ部分にショート欠陥がある場合であっても、アレイ欠陥検出時に加熱されないことにより影響は無視できる程度とすることができる。【００４９】
また、本発明の駆動信号供給部は、ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断する。【００５０】
特定のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断することによって、その箇所に対する電圧の印加を中断する。この箇所にショート欠陥がある場合には、発熱作用が停止するため、温度が低下する。これによって、基板上に設けられたアレイやラインの加熱による損傷を防ぐことができる。【００５１】
また、本発明のショート欠陥検出部は、駆動信号の供給中断後の熱検出器の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。ショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断するとその箇所の発熱が停止する。発熱で温度が上昇していた箇所は、発熱が停止した後、放熱によって温度が低下する。この温度変化を熱検出器の検出信号に基づいて検出する。温度低下が検出された場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置であったことを確認することができる。一方、温度低下が検出されない場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置でなかったことが分かる。【００５２】
また、本発明の駆動信号供給部は、ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、所定時間経過後にＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開する。駆動信号の供給再会後の熱検出器の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。【００５３】
ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給中断することによって欠陥箇所の加熱を停止し、放熱によって温度が低下した後、駆動信号の供給を再開する。このときの温度変化を熱検出器の検出信号に基づいて検出する。温度低下した後、温度の再上昇が検出された場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置であったことを確認することができる。一方、温度の再上昇が検出されないた場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置でなかったことが分かる。【００５４】
また、本発明のＴＦＴ基板検査方法は、ＴＦＴ基板の欠陥を検査するＴＦＴ基板の検査方法であって、真空チャンバ内に収納した基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給工程と、基板に電子線を照射し、前記電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出し、前記二次電子の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出工程と、駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出し、前記放熱の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出工程とを備える。
【００５５】
ＴＦＴアレイ欠陥検出工程は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、ショート欠陥検出工程は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行う。【００５６】
本発明の駆動信号供給工程は、選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加する。【００５７】
本発明の駆動信号供給工程は、ショート欠陥検出工程中に、そのショート欠陥検出工程で検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断する。これによって、発熱による基板の損傷を防ぐことができる。【００５８】
本発明のショート欠陥検出工程は、駆動信号の供給中断後の放熱の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。【００５９】
また、本発明の駆動信号供給工程は、ショート欠陥検出工程中に、そのショート欠陥検出工程が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、所定時間経過後に前記ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開し、駆動信号の供給再会後の放熱の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。【００６０】
本発明のＴＦＴ基板検査方法によれば、検出したショート欠陥の検出位置が正しいか否かを確認することができる。
【発明の効果】
【００６１】
本発明によれば、複数のパネルが形成された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う際において、基板全体の欠陥検出時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の基板検査装置の概略図である。
【図２】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのパネル動作図である。
【図５】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第１の形態を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第１の形態を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態を説明するためのフローチャートである。
【図９】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第３の形態を説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第３の形態を説明するためのタイミングチャートである。
【図１２】ライン欠陥および点欠陥を説明するための図である。
【図１３】ライン欠陥を説明するための図である。
【図１４】ライン欠陥によるシグナルイメージを示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１ 基板検査装置
２ 欠陥検出部
２ａ 画像処理部
２ｂ アレイ欠陥検出部
２ｃ ショート欠陥検出部
２ｄ 欠陥位置校正部
２ｅ 欠陥データ格納部
３ 主制御部
４ 駆動信号供給部
５ 走査制御部
６ 電子線源
７ 二次電子検出部
８ 二次電子フレーム画像取り込み部
９ 熱検出部
１０ 熱フレーム画像取り込み部
１１ ステージ
２０ 基板
２１ ソースバー
２２ ゲートバー
２３ 共通バー
３１ ソースライン
３２ ゲートライン
３３ 共通ライン
３４ 画素電極
４０ 画素
５１ ライン
５２ ライン
【発明を実施するための形態】
【００６４】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明のＴＦＴ基板検査装置の概略図である。
【００６５】
ＴＦＴ基板検査装置１は、真空チャンバ（図示していない）内に設けられたステージ１１に載置されたＴＦＴ基板２０のアレイ欠陥およびショート欠陥を検出する。
【００６６】
アレイ欠陥を検出する構成として、ＴＦＴ基板２０上に電子線を照射する電子線源６、ＴＦＴ基板２０をｘ，ｙ方向に移動させるステージ１１、電子線源６およびステージ１１を制御して電子線をＴＦＴ基板２０上で走査させる走査制御部５、ＴＦＴ基板２０から放出される二次電子を検出する二次電子検出部７、二次電子検出部７で検出した二次電子の検出信号から二次電子フレーム画像を形成する二次電子フレーム画像取り込み部８、二次電子フレーム画像を画像処理して、座標位置とその位置の信号強度を求める画像処理部２ａ、求めた信号強度に基づいてアレイ欠陥を検出するアレイ欠陥検出部２ｂを備える。
【００６７】
ショート欠陥を検出する構成として、ＴＦＴ基板２０からの放熱を検出する熱検出部９、熱検出部９で検出した熱分布の検出信号から熱フレーム画像を形成する熱フレーム画像取り込み部１０、熱画像を画像処理して、座標位置とその位置の信号強度を求める画像処理部２ａ、求めた信号強度に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部２ｃを備える。熱検出部は、例えば、赤外線センサーやサーモグラフィを用いることができる。赤外線センサーとして、例えば、InSb検出器を用いたＩＲ焦点面アレイ熱撮像カメラが知られている（特許文献５）。
【００６８】
欠陥検出部２は、前記した画像処理部２ａ、アレイ欠陥検出部２ｂ、およびショート欠陥検出部２ｃの他に、欠陥位置校正部２ｄ、欠陥データ格納部２ｅを備える。欠陥位置校正部２ｄは、アレイ欠陥検出部２ｂで検出したアレイ欠陥の座標位置と、ショート欠陥検出部２ｃで検出したショート欠陥の座標位置に基づいて、同一点のショート欠陥の座標位置を校正する。
【００６９】
欠陥検出部２、駆動信号供給部４，走査制御部５等の各部は、主制御部３によって制御される。主制御部３および走査制御部５は、ＣＰＵおよびこのＣＰＵを駆動して所定の動作を実行させるためプログラムをＲＯＭ等の記憶手段（図示していない）を備えている。
【００７０】
図１中に示すＴＦＴ基板２０の構成は一例を示している。図示する構成では、ＴＦＴ基板２０上に複数のパネルが設けられ、各パネルには複数の画素４０が配置されてアレイが構成されている。
【００７１】
各画素４０には、ソースライン３１、ゲートライン３２、および共通ライン３３が配されている。複数のソースライン３１はソースバー２１に接続され、駆動信号供給部４から供給されるソース信号が印加される。複数のゲートライン３２はゲートバー２２に接続され、駆動信号供給部４から供給されるゲート信号が印加される。また、複数の共通ライン３３は共通バー２３に接続され、駆動信号供給部４から供給される共通信号が印加される。
【００７２】
駆動信号供給部４３、ＴＦＴ基板２０上に形成されるＴＦＴアレイを駆動する駆動信号の信号パターンを生成し供給する。駆動信号供給部４は、複数種の駆動パターンを生成することができる。例えば、ＴＦＴアレイの点欠陥を検出する信号パターンとして、全ピクセルに同一の電圧を供給する信号パターンを生成する。また、ＴＦＴアレイの欠陥種を判別するために、ピクセル単位の周期性を有する電圧を供給する信号パターンを生成する。
【００７３】
画像処理部２ａは、フレーム画像を信号処理してイメージ化し走査画像を形成する。アレイ欠陥検出部２ｂは、画像処理部２ａで取得したピクセルの電位状態に基づいて正常状態における電位状態と比較し、正常状態の電位と異なる電位状態にあるピクセルについては、そのピクセルに接続されるＴＦＴアレイに欠陥があるものとして検出する。また、検出した欠陥ピクセルについて、その欠陥ピクセルの欠陥種を判別する。
【００７４】
欠陥種判別は、欠陥ピクセルの欠陥種を判別する少なくとも２つの判定閾値、および、この複数の判定閾値で設定される複数の強度範囲に対応付けて欠陥ピクセルの欠陥種のデータを記憶している。駆動パターンの印加で得られる走査画像の信号強度をこの判定閾値と比較し、比較結果に基づいて複数の強度範囲に仕分けし、欠陥ピクセルの欠陥種を判定する。
【００７５】
また、点欠陥検出で検出した欠陥ピクセルの位置、欠陥種判別で検出したピクセルの幾何的配置、および基板上に形成されるピクセルの設計上の位置等に基づいて欠陥ピクセルの位置を特定する。
【００７６】
ショート欠陥検出部２ｃは、画像処理部２ａで取得した熱分布を表す信号強度と正常状態にある熱分布の信号強度と比較し、正常状態の信号強度と異なる信号強度にある部位については、その部位にショート欠陥があるものとして検出する。また、検出したショート欠陥の位置、および基板上に形成されるピクセルやラインの設計上の位置等に基づいてショート欠陥の位置を特定する
【００７７】
走査制御部５は、ＴＦＴ基板２０上のＴＦＴアレイの検査位置を走査するために、ステージ１１や電子線源６を制御する。ステージ１１は、載置するＴＦＴ基板２０をＸＹ方向に移動し、また、電子線源６はＴＦＴ基板２０に照射する電子線をＸＹ方向に振ることで、電子線の照射位置を走査する。
【００７８】
なお、上記したＴＦＴアレイ検査装置の構成は一例であり、この構成に限られるものではない。
【００７９】
[ＴＦＴ基板検査装置の欠陥検出動作]
以下、図２〜図４を用いて、本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作について説明する。図２，３，４は、ＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのフローチャート、タイミングチャート、およびパネル動作図である。
【００８０】
なお、ここでは、ＴＦＴ基板上に９枚のパネル（パネルＡ〜パネルＩ）が設けられた例を用いて説明するが、ＴＦＴ基板上に設けるパネルの枚数、各パネルのサイズ、および配置位置は任意に設定することができる。
【００８１】
ＴＦＴ基板上の配置されたパネルに電子線を照射して走査することによってアレイ欠陥検出を行う。ここでは、ＴＦＴ基板上に設けられた複数のパネルの内から一枚のパネルを選択し、選択したパネルに電子線を照射して走査し二次電子を検出することによってアレイ欠陥検出を行い、全パネルについて放熱を検出することによってショート欠陥検出を行う。
【００８２】
図３のタイミングチャートはＴＦＴ基板上に配置されたパネルＡ〜パネルＩの各パネルについて、アレイ欠陥検出を行うタイミングとショート欠陥検出を行うタイミングを示している。
【００８３】
図３（ａ）〜図３（ｉ）は、パネルＡ〜パネルＩにおけるアレイ欠陥検出とショート欠陥検出の各タイミングを示している。ここでは、パネルＡから順にアレイ欠陥検出を行う例を示している。パネルＡは全パネルの内で第１番目にアレイ欠陥検出を行い（図３（ａ））、パネルＢは、パネルＡのアレイ欠陥検出が終了した後、第２番目にアレイ欠陥検出を行い（図３（ｂ））、同様に、パネルＣ〜パネルＩについて順にアレイ欠陥検出を行う。この間、全パネルについてショート欠陥検出を行う。
【００８４】
本発明によれば、アレイ欠陥検出を順に行っている間に、全パネルについてショート欠陥検出を行うことによって、欠陥検出に要する時間を短縮することができる。
【００８５】
図４（ａ）は、ＴＦＴ基板上に配置されたパネルＡ〜パネルＩを示している。アレイ欠陥検出は各パネルを単位として行い、一方、ショート欠陥検出は全パネルについてアレイ欠陥と同時に行う。
【００８６】
図４（ｂ）において、パネルＡについてアレイ欠陥検出を行い、パネルＡ〜パネルＩの全パネルについてショート欠陥検出を行う。図４（ｃ）において、パネルＢについてアレイ欠陥検出を行い、パネルＡ〜パネルＩの全パネルについてショート欠陥検出を行う。同様に、図４（ｄ）において、パネルＩについてアレイ欠陥検出を行い、パネルＡ〜パネルＩの全パネルについてショート欠陥検出を行う。
【００８７】
図２のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルに駆動信号を印加してアレイを駆動する。これによってショート欠陥検出の準備が開始し、ショート欠陥部分は短絡電流によって発熱が始まる(S1)。
【００８８】
アレイ欠陥検出を行うために、電子線を走査するパネルを選択する（S2）。選択したパネルについてアレイ欠陥検出を行い（S3〜S7）、選択パネルおよび非選択パネルについてショート欠陥検出を行う。なお、ショート欠陥検出において、非選択パネルにはショート欠陥を検出するための駆動信号が印加され、選択パネルにはアレイ欠陥を検出するための駆動信号が供給される。選択パネルには、ショート欠陥を検出するための駆動信号ではなく、アレイ欠陥を検出するための駆動信号が印加されるため、信号パターンによってはショート欠陥の欠陥部分に駆動信号が印加されない場合がある。
【００８９】
しかしながら、次のパネルを選択したときには前回選択されたパネルにはショート欠陥検出用の駆動信号が供給されることになり、また、アレイ欠陥検出用の駆動信号を印加する期間は、全パネルについてアレイ欠陥検出を行う全期間と比較すると短期間であり、ショート欠陥検出用の信号が印加されないことによる影響は無視することができる程度に小さいとすることができる(S8)。
【００９０】
選択パネルについて、その選択したパネルが発熱を検出しているパネルであるかを判定する（S3）。選択パネルが発熱検出中のパネルである場合には、発熱を測定するためのショート欠陥検出用の駆動信号の印加を中断し、S5でパネルが既選択であるか否かを判定する。また、選択パネルが発熱検出中のパネルでない場合には、そのままS5でパネルが既選択であるか否かを判定する。
【００９１】
選択したパネルが既選択でない場合には（S5）、電子線走査によるアレイ欠陥検出処理を行う(S6)。選択したパネルが既選択済みである場合には（S5）、アレイ欠陥検出処理をスキップする。S3〜S6の工程を全パネルについて行って、ＴＦＴ基板上の全パネルについてアレイ欠陥検出を行う（S7）。
【００９２】
アレイ欠陥検出で検出した欠陥点の中には、駆動信号パターンによってショート欠陥による欠陥点が含まれる場合がある。そこで、アレイ欠陥検出で検出されたショート欠陥の座標位置と、S8のショート欠陥検出処理で検出されたショート欠陥の座標位置とを照合し(S9)、同一のショート欠陥について座標位置が一致ない場合には、座標位置を校正する。ショート欠陥の座標位置の校正は、ＴＦＴ基板上のアレイやラインの配置位置情報、アレイ欠陥検出やショート欠陥検出で得られたイメージ画像等に基づいて行うことができる(S10)。検出したショート欠陥点の座標位置を、欠陥データ格納部２ｅ等に記憶する（S11）。
【００９３】
[アレイ欠陥検出動作] 
次に、アレイ欠陥検出の動作について、図５のフローチャートを用いて説明する。図５は本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出動作を説明するためのフローチャートである。このアレイ欠陥検出動作の処理は、図２中のS6の工程に相当するものである。
【００９４】
電子線を照射するパネルを選択し(S101)、選択したパネルにアレイ欠陥検出用の駆動信号を印加する(S102)。選択したパネル上に電子線を照射しながら走査し、ＴＦＴ基板から放出される二次電子を二次電子検出器で検出する(S103)。検出した二次電子の検出信号からアレイ欠陥に係る画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S104)。
【００９５】
欠陥画像データを用いてアレイ欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S105)。S105の工程で検出したアレイ欠陥点の座標位置を求める（S106）。
【００９６】
S101〜S106の工程を全パネルについて行って、ＴＦＴ基板の全パネルについてアレイ欠陥を検出する（S107）。
【００９７】
[ショート欠陥検出動作] 
次に、本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出動作について、図６〜図１１について説明する。以下、ショート欠陥検出動作について第１の形態〜第３の形態について説明する。第２，３の形態は、検出したショート欠陥の正否を評価する形態である。
【００９８】
[ショート欠陥検出動作の第１の形態]
図６，７を用いて本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第１の形態について説明する。
【００９９】
図６のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルにショート欠陥検出用の駆動信号を印加する。この駆動信号の印加によって、ライン間にショート欠陥がある場合にはその欠陥点に電流が流れ、電気抵抗によって発熱が生じる。発熱量は欠陥点のショート状態に依存する。ショート欠陥が小さい場合には、高抵抗であるため発熱量は少ない。ショート欠陥が大きい場合には、低抵抗であるため発熱量は多くなる。
【０１００】
発熱量が小さい場合には、温度の上昇速度が小さいため、所定の温度に達するまでに要する時間は長くなる。一方、発熱量が大きい場合には、温度の上昇速度が大きいため、所定の温度に達するまでに要する時間は短くなる(S201)。
【０１０１】
ＴＦＴ基板に駆動信号を印加してからショート欠陥を検出するまでの時間をあらかじめ定めておき、この設定時間が経過するまで駆動信号の印加を続ける(S202)。設定時間が経過した後、ＴＦＴ基板上の全パネルの発熱を熱検出器で測定する(S203)。熱検出器で測定した検出信号からショート欠陥の画像データを所得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S204)。
【０１０２】
画像データを用いてショート欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S205)。S205の工程で検出したショート欠陥点の座標位置を求める（S206）。
【０１０３】
図７（ａ）はショート欠陥が無い正常状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図７（ｂ），（ｃ）はショート欠陥がある状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図７（ｄ）は測定タイミングを示している。
【０１０４】
ショート欠陥が無い正常状態では、短絡電流による発熱が無いためほぼ一定温度を維持する（図７（ａ））。
【０１０５】
これに対して、ショート欠陥がある状態では、短絡電流によって発熱が発生し、温度が時間と共に上昇する。図７（ｂ）は、小さなショート欠陥の場合を示している。この場合には、短絡電流が小さいため、温度の上昇速度は小さい。一方、図７（ｃ）は、大きなショート欠陥の場合を示している。この場合には、短絡電流が大きいため、温度の上昇速度は大きくなる。
【０１０６】
ショート欠陥の判定は、図７（ｄ）の測定タイミングの時点において、検出信号の信号強度と閾値と比較することで行うことができる。
【０１０７】
[ショート欠陥検出動作の第２の形態]
図８，９を用いて本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態について説明する。
【０１０８】
第２の形態は、ショート欠陥による温度上昇が所定温度に達したときに、駆動信号の印加を中断することによって、ショート欠陥点の温度上昇を停止させて、その箇所の熱による損傷を防ぐ形態であり、さらに、ショート欠陥検出の検出点が正しく検出されたか否かを評価することもできる。
【０１０９】
図８のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルにショート欠陥検出用の駆動信号を印加する（S301）。以下、測定タイミングで熱検出器によって発熱を測定する（S302,S303）。熱検出器の検出信号からショート欠陥画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S304)。
【０１１０】
前記したS205、S206と同様に、画像データを用いてショート欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S307)。S307の工程で検出したショート欠陥点の座標位置を求めて記録する（S308）。
【０１１１】
次に、検出したショート欠陥点への駆動信号の印加を停止する。ショート欠陥点への駆動信号の印加を停止することによって、ショート欠陥点の温度上昇を停止させ、ショート欠陥点付近が熱によって損傷することを防ぐ(S309)。
【０１１２】
S305〜S306は、駆動信号の印加を停止した位置が、ショート欠陥点であるか否かを評価する工程である。駆動信号の印加を停止すると、その停止位置がショート欠陥点である場合には、ショート欠陥点での発熱が無くなり、放熱によって温度が低下する。この温度変化を検出することによって、検出した点がショート欠陥点であるか否かを確認することができる。正しいショート欠陥点である場合には温度低下が検出され、検出した点が誤りである場合には温度低下は検出されず、発熱が検出される。
【０１１３】
S305において、駆動信号の印加を停止した位置の検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較し、検出信号の強度が閾値よりも小さく、温度低下が確認された場合には、正しいショート欠陥点であることが確認される。一方、検出信号の強度が閾値よりも大きく、温度低下が確認されない場合には、検出した点はショート欠陥点でないことが確認される。検出した点がショート欠陥点でない場合には、その点への駆動信号の印加を再開し、次の測定タイミングでショート欠陥検出を繰り返す(S306,S310)。
【０１１４】
図８（ａ）はショート欠陥が無い正常状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図８（ｂ）はショート欠陥がある状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図８（ｃ）は測定タイミングを示している。図８（ａ），（ｂ）において、黒点は図８（ｃ）の測定タイミングで測定される検出点を示している。
【０１１５】
ショート欠陥が無い正常状態では、短絡電流による発熱が無いためほぼ一定温度を維持する（図８（ａ））。
【０１１６】
これに対して、ショート欠陥がある状態では、短絡電流によって発熱が発生し、温度が時間と共に上昇する。図８（ｂ）において、ショート欠陥の短絡電流によって発熱し、温度が上昇する。ここで、ショート欠陥を検出する閾値として、あらかじめ検出信号の強度を定めており、検出信号の信号強度と閾値とを比較する。検出信号の信号強度が閾値を越えた時点で、そのショート欠陥の位置に対応する駆動信号の印加を停止する。
【０１１７】
[ショート欠陥検出動作の第３の形態]
図１０，１１を用いて本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態について説明する。
【０１１８】
第３の形態は、ショート欠陥による温度上昇が所定温度に達したときに、駆動信号の印加を中断した後、再度駆動信号を印加することによって、ショート欠陥検出が正しく行われたか否かを評価する形態である。
図１０のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルにショート欠陥検出用の駆動信号を印加する（S401）。以下、測定タイミングで熱検出器によって発熱を測定する（S402,403）。熱検出器の検出信号からショート欠陥画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S404)。
【０１１９】
前記したS307、S308と同様に、画像データを用いてショート欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S4052)。S405の工程で検出したショート欠陥点の座標位置を求めて記録する（S406）。
【０１２０】
次に、検出したショート欠陥点への駆動信号の印加を停止する。ショート欠陥点への駆動信号の印加を停止することによって、ショート欠陥点の温度上昇を停止させ、ショート欠陥点付近が熱によって損傷することを防ぐことができる(S407)。
【０１２１】
測定タイミングにおいて（S408）、S407で印加を停止した欠陥点に駆動信号を再印加し、欠陥点に発熱させる（S409）。所定時間が経過して、発熱によって温度が上昇した後(S410)、熱検出器によって発熱を測定する（S411）。熱検出器の検出信号からショート欠陥画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S412)。
【０１２２】
欠陥点の検出信号の強度をあらかじめ決めておいた閾値と比較する(S413)。検出信号の強度が閾値よりも大きい場合には、検出位置が正しいショート欠陥検出位置であると評価することができ、一方、検出信号の強度が閾値よりも小さい場合には、検出した位置は誤ったショート欠陥検出位置であると評価し（S413）、検出してショート欠陥位置の座標位置を記録から削除する(S414)。上記S402〜S414の工程をショート欠陥検出の設定時間が経過するまで繰り返す（S415）。
【０１２３】
図１１（ａ）はショート欠陥がある状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図１１（ｂ）は測定タイミングを示している。図１１（ａ）において、黒点は図１１（ｂ）の測定タイミングで測定される検出点を示している。
【０１２４】
ショート欠陥による短絡電流が流れ、ショート欠陥点に発熱すると、温度が時間と共に上昇する。図８（ｂ）において、ショート欠陥の短絡電流によって発熱し、温度が上昇する。ここで、ショート欠陥を検出する閾値として、あらかじめ検出信号の強度を定めており、検出信号の信号強度と閾値とを比較する。検出信号の信号強度が閾値を越えた時点で、そのショート欠陥の位置に対応する駆動信号の印加を停止する。
【０１２５】
本発明の態様によれば、検出したショート欠陥点への駆動信号の停止、再印加を行うことによって、正しくショート欠陥を検出したか否かを確認することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明は、液晶製造装置におけるＴＦＴアレイ検査工程の他、有機ＥＬや種々の半導体基板が備えるＴＦＴアレイの欠陥検査に適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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