(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線移動する検出対象のストローク量を検出するストローク量検出装置であって、
ストローク方向に互いに対向して配置され、対向する磁極同士が同じ極性の磁極となるように着磁され、前記検出対象の直線移動に伴って移動する第１磁界発生手段および第２磁界発生手段と、
ストローク方向に略直交する感磁面が設けられ、ストローク方向に沿って前記第１磁界発生手段と前記第２磁界発生手段とを通る仮想軸線上、または、当該仮想軸線に平行な仮想直線上を前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段に対して相対移動し、磁界の変化を検出する磁気検出手段と、
前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段の対向する磁極と反対側の磁極同士を連結する第１磁束伝達手段と、を備え、
前記第１磁束伝達手段は、ストローク方向の中間部に、前記仮想軸線側に突出する第１凸部を有することを特徴とするストローク量検出装置。
【請求項２】
前記仮想軸線に対して前記第１磁束伝達手段の中間部と反対側に第２磁束伝達手段をさらに備え、
前記第２磁束伝達手段は、前記第１磁束伝達手段の中間部の前記仮想軸線と直交する方向の一端に接続することを特徴とする請求項１に記載のストローク量検出装置。
【請求項３】
前記仮想軸線に対して前記第１磁束伝達手段と反対側に第２磁束伝達手段をさらに備え、
前記第２磁束伝達手段は、前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段の対向する磁極と反対側の磁極同士を連結することを特徴とする請求項１に記載のストローク量検出装置。
【請求項４】
前記第２磁束伝達手段は、ストローク方向の中間部に、前記仮想軸線側に突出する第２凸部を有することを特徴とする請求項３に記載のストローク量検出装置。
【請求項５】
前記第１磁束伝達手段と前記第２磁束伝達手段とは、前記仮想軸線に対して対称配置されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項６】
前記第１磁束伝達手段と前記第２磁束伝達手段は、前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段から等距離の基準平面に対して対称形状であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項７】
前記第１磁界発生手段と前記第２磁界発生手段とは磁気的特性が同一であり、前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段から等距離の基準平面に対して対称配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項８】
前記第１磁界発生手段と前記第２磁界発生手段とは異なる大きさを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項９】
前記磁気検出手段は、前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段に対し、前記仮想軸線上を相対移動することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【請求項１０】
前記磁気検出手段は、前記第１磁界発生手段および前記第２磁界発生手段に対し、前記仮想軸線に平行し、かつ前記仮想軸線と異なる仮想直線上を相対移動することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出対象の相対ストローク量を検出するストローク量検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁界発生手段としての磁石、及び、検出対象の直線移動に伴って磁石に対して相対移動して磁界の変化を検出する磁気検出素子を備え、磁気検出素子の出力信号に基づき検出対象の相対ストローク量を検出するストローク量検出装置が知られている。例えば、特許文献１に記載のストローク量検出装置では、磁気検出素子を挟んだ磁石が四つ配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−４５９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のストローク量検出装置では、四つの磁石が配置されることで、磁気回路の体格が大きくなるとともにコストが高くなる。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、磁石の個数を減らすとともに、磁気回路を小型にできるストローク量検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の請求項１に記載のストローク量検出装置は、直線移動する検出対象の相対ストローク量を検出するものであり、第１磁界発生手段、第２磁界発生手段、および、磁気検出手段を備える。第１磁界発生手段および第２磁界発生手段は、ストローク方向に互いに対向して配置され、対向する磁極同士が同じ極性の磁極となるように着磁され、検出対象の直線移動に伴って移動する。磁気検出手段は、ストローク方向に略直交する感磁面が設けられ、ストローク方向に沿って第１磁界発生手段と第２磁界発生手段とを通る仮想軸線上、または、当該仮想軸線に平行な仮想直線上を第１磁界発生手段および第２磁界発生手段に対して相対移動し、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段の移動による磁界の変化を検出する。
【０００６】
第１磁界発生手段と第２磁界発生手段とはストローク方向に対向する磁極同士が同じ極性の磁極となるように着磁されている。このため、第１磁界発生手段と第２磁界発生手段との間で磁束の反発が生じ、第１磁界発生手段と第２磁界発生手段との間において、磁束ベクトルがストローク方向に沿って変化する。よって、第１磁界発生手段と第２磁界発生手段との間に設けられている磁気検出手段により、磁束ベクトルの変化に基づいた相対ストローク量を検出することができる。ここで、ストローク量検出装置は従来技術に対し磁界発生手段を２つしか必要とせず、磁気回路を小型にできる。また、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段は、ストローク方向に互いに対向して配置されているため、第１磁界発生手段と第２磁界発生手段との間の距離を調節することで、相対ストローク量の検出範囲を調整することができる。
【０００７】
また、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段の対向する磁極と反対側の磁極同士を連結する第１磁束伝達手段をさらに備える。
これにより、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段の磁束の漏れを抑制することができ、磁気回路のパーミアンスを向上させることができる。よって、磁気検出素子が検出する磁束密度を増大させ、ＳＮ比を向上させることができる。また、シールド効果により、第１磁束伝達手段に対して第１磁界発生手段および第２磁界発生手段の反対側の磁界や磁性体の近接による外乱磁界に対するロバスト性を高めることができる。
【０００８】
また、第１磁束伝達手段は、ストローク方向の中間部に、仮想軸線側に突出する第１凸部を有する。
これにより、第１磁束伝達手段の中間部の空隙が狭くなり、磁束密度を高めることができる。このため、第１磁束伝達手段の中間部の仮想軸線側を通る磁気検出素子の感度を高めることができる。よって、磁気検出素子により検出される検出磁束密度の直線性を高めることができる。
【０００９】
請求項２に係る発明によると、仮想軸線に対して第１磁束伝達手段の中間部と反対側に第２磁束伝達手段をさらに備える。ここで、第２磁束伝達手段は、第１磁束伝達手段の中間部の仮想軸線と直交する方向の一端に接続する。
これにより、請求項１に記載のストローク量検出装置に比べさらに空隙が狭くなり、第１磁束伝達手段の中間部の仮想軸線側の磁束密度をより高めることができ、第１磁束伝達手段の中間部の仮想軸線側を通る磁気検出素子の感度をより高めることができる。よって、磁気検出素子により検出される検出磁束密度の直線性をより高めることができる。
【００１０】
請求項３に係る発明によると、仮想軸線に対して第１磁束伝達手段と反対側に第２磁束伝達手段をさらに備える。ここで、第２磁束伝達手段は、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段の対向する磁極と反対側の磁極同士を連結する。
このように、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段は、第１磁束伝達手段および第２磁束伝達手段により囲まれ、請求項１、２に記載のストローク量検出装置に比べ、外乱磁界に対するロバスト性をより高めることができる。
【００１１】
請求項４に係る発明によると、第２磁束伝達手段は、ストローク方向の中間部に、仮想軸線側に突出する第２凸部を有する。
これにより、第２磁束伝達手段の中間部の仮想軸線側の磁束密度を高めることができる。このため、第２磁束伝達手段の中間部の仮想軸線側を通る磁気検出素子の感度を高めることができる。よって、請求項１に記載のストローク量検出装置に比べ、磁気検出素子により検出される検出磁束密度の直線性をより高めることができる。
【００１２】
請求項５に係る発明によると、第１磁束伝達手段と第２磁束伝達手段とは、仮想軸線に対して対称配置されている。
これにより、第１磁束伝達手段および第２磁束伝達手段の配置のバランス性を高めることができる。
【００１３】
請求項６に係る発明によると、第１磁束伝達手段と第２磁束伝達手段は、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段から等距離の基準平面に対して対称形状である。
これにより、第１磁束伝達手段および第２磁束伝達手段の配置のバランス性をより高めることができる。
【００１４】
請求項７に係る発明によると、第１磁界発生手段と第２磁界発生手段とは磁気的特性が同一であり、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段から等距離の基準平面に対して対称配置されている。
これにより、相対ストローク量が０である位置を磁束密度が０である位置に設定することができる。磁束密度が０である位置の磁界は温度の変化による影響を受けにくいため、磁気検出手段の相対ストローク量の０点での検出精度を高めることができる。
【００１５】
請求項８に係る発明によると、第１磁界発生手段と第２磁界発生手段とは異なる大きさを有する。
これにより、相対ストローク量が０である位置を磁束密度が０である位置以外の位置に設定することができる。このため、相対ストローク量が０である位置よりも、相対ストローク量が０である位置の右側または左側での検出精度を特に向上させることができる。
【００１６】
請求項９に係る発明によると、磁気検出手段は、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段に対し、仮想軸線上を相対移動する。
これにより、磁気検出素子の検出精度を高めることができる。
【００１７】
請求項１０に係る発明によると、磁気検出手段は、第１磁界発生手段および第２磁界発生手段に対し、仮想軸線に平行し、かつ仮想軸線と異なる仮想直線上を相対移動する。
これにより、第１磁界発生手段、第２磁界発生手段、および磁気検出素子の異なる取り付けバリエーションに対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（Ａ）本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図（Ｂ）本発明の第１実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図２】本発明の第１実施形態によるストローク量検出装置が適用されるシステムの全体構成を示すブロック図。
【図３】（Ａ）本発明の第２実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第２実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図４】（Ａ）本発明の第３実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第３実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図５】本発明の第４実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図６】（Ａ）本発明の第５実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第５実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図７】図６（Ａ）のＶＩＩ方向視側面図。
【図８】（Ａ）本発明の第６実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第６実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図９】（Ａ）本発明の第７実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第７実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図１０】（Ａ）本発明の第８実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第８実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図１１】本発明の第９実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１２】本発明の第１０実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１３】本発明の第１１実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図。
【図１４】（Ａ）本発明の第１２実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第１２実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図１５】（Ａ）本発明の第１２実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第１２実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図１６】（Ａ）本発明の第１３実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第１３実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【図１７】（Ａ）本発明の第１３実施形態によるストローク量検出装置を示す模式図、（Ｂ）本発明の第１３実施形態によるホール素子の検出磁束密度の特性図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態によるストローク量検出装置を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
本発明のストローク量検出装置は、例えば、自動車のトランスミッション、アクセル、ブレーキ等のストローク部に適用されて検出対象の相対ストローク量を検出する装置である。
【００２０】
図２に示すように、ストローク量検出装置１は、第１磁界発生手段としての第１磁石２１、第２磁界発生手段としての第２磁石２２、および、磁気検出手段としてのホール素子５１を備えている。第１磁石２１および第２磁石２２は、リニアアクチュエータ６０のストローク部６１の直線移動に伴ってホール素子５１に対して相対移動し、相対ストローク量を検出する。検出された相対ストローク量は、ＥＣＵ（エンジン制御ユニット）１００に出力される。ＥＣＵ１００は、ストローク量検出装置１から出力された相対ストローク量に基づいて、リニアアクチュエータ６０をフィードバック制御する。
【００２１】
ストローク量検出装置１の構成を図１（Ａ）および図２に基づいて説明する。
ストローク量検出装置１は、図１（Ａ）に示すように、第１磁石２１、第２磁石２２、および、ホール素子５１を備えている。第１磁石２１および第２磁石２２は、形状および磁気的特性が同一であり、略直方体に形成されている。図２に示すように、第１磁石２１と第２磁石２２とは、直線移動するストローク部６１に設けられ、ストローク部６１とともに移動する。本実施形態では、第１磁石２１と第２磁石２２とは、ストローク部６１の移動方向に沿って、Ｎ極同士が対向するよう設けられている。以下、ストローク部６１の移動方向を「Ｘ方向」といい、Ｘ方向と直交する方向を「Ｙ方向」という。また、第１磁石２１のＹ方向の中点と第２磁石２２のＹ方向の中点とを結ぶ線を「横軸線Ｘ」とし、Ｙ方向に沿って第１磁石２１と第２磁石２２との中点Ｏを通る線を「縦軸線Ｙ」とする。なお、本実施形態では、ストローク部６１の移動範囲をＬとする。ここで、横軸線Ｘは、特許請求の範囲における「仮想軸線」に対応する。
【００２２】
ホール素子５１は、第１磁石２１と第２磁石２２との間の横軸線Ｘ上に固定され、感磁面５１１がＸ方向と直交となるよう設けられている。ホール素子５１は、ホールＩＣチップ５０に搭載されている。
【００２３】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図１（Ｂ）に示すように変化する。以下、第１磁石２１側を「左側」といい、第２磁石２２側を「右側」という。
【００２４】
本実施形態では、ホール素子５１の位置が中点Ｏと一致する場合、検出された相対ストローク量を０とする。第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対し左側に移動したときの相対ストローク量を正の値で表し、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対し右側に移動したときの相対ストローク量を負の値で表す。
【００２５】
また、ホール素子５１が検出する磁束ベクトルの向きとしてＸ方向左側から右側への向きを負とし、右から左への向きを正とする。そのため、本実施形態ではホール素子５１の右側で検出された磁束密度は正の値となり、左側で検出された磁束密度は負の値となる。ここで、ストローク部６１の移動範囲Ｌ内において、ホール素子５１により検出される最大磁束密度を＋Ｂとすると、ホール素子５１により検出される最小磁束密度は−Ｂである（図１（Ｂ）参照）。
【００２６】
以下、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態では、第１磁石２１および第２磁石２２はＮ極同士が対向するようストローク方向に沿って配置されている。このため、第１磁石２１と第２磁石２２との間の磁束ベクトルはストローク方向に沿って変化する。よって、第１磁石２１と第２磁石２２との間に設けられているホール素子５１により磁束ベクトルの変化を検出することができる。ここで、本実施形態のストローク量検出装置１は磁気発生手段として第１磁石２１及び第２磁石２２の２つしか必要としないため、磁気回路を小型にできる。また、第１磁石２１および第２磁石２２は、ストローク方向に互いに対向して配置されている。このため、第１磁石２１と第２磁石２２との間の距離を調整することで、相対ストローク量の検出範囲を調整することができる。
【００２７】
本実施形態では、第１磁石２１と第２磁石２２とは、横軸線Ｘに直交し、かつ縦軸線Ｙを含む基準平面に対して対称配置されている。これにより、ホール素子５１の相対ストローク量が０である点に検出精度の高い磁束密度が０である位置を設定することができる。
【００２８】
本実施形態では、第１磁石２１および第２磁石２２は直方体の単純形状であるため、加工および組立工程でのばらつきを抑制することができる。また、単純形状であるため製造コストを低減することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態のストローク量検出装置を図３（Ａ）に示す。なお、第１実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図３（Ａ）に示すように、本実施形態のストローク量検出装置２は、第１磁石２１、第２磁石２２、ホール素子５１、及び、第１磁束伝達手段としての第１ヨーク３２を備えている。
【００３０】
第１ヨーク３２は、鋼材等の磁性材料で形成され、第１壁３２１、第２壁３２２、及び、第１壁３２１と第２壁３２２とを連結する第３壁３２３からなる断面がコ字形の枠状である。第１壁３２１の第３壁３２３とは反対側の端部は、第１磁石２１のＳ極に接続されている。また、第２壁３２２の第３壁３２３とは反対側の端部は、第２磁石２２のＳ極に接続されている。図３（Ａ）に示すように、第１ヨーク３２は軸線Ｙに対して対称となるよう形成されている。
【００３１】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図３（Ｂ）に示すように変化する。
【００３２】
本実施形態では、第１ヨーク３２を用いることによって磁気回路のパーミアンスが増大する。このため、第１磁石２１および第２磁石２２の減磁を抑制できるとともに、ホール素子５１が検出する磁束密度を増大させ、ＳＮ比を向上させることができる。
また、シールド効果により、第１ヨーク３２に対して第１磁石２１および第２磁石２２の反対側の磁界や磁性体の近接による外乱に強くなる。よって、磁束ベクトルがより均一化し、ロバスト性に一層強くなる。
【００３３】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態のストローク量検出装置を図４（Ａ）に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図４（Ａ）に示すように、本実施形態のストローク量検出装置３は、第３壁３２３にＶ字形の第１凸部３２４が形成されている。第１凸部３２４は、第３壁３２３の中間部に形成され、Ｙ方向の横軸線Ｘ側に突出して形成されている。
【００３４】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図４（Ｂ）に示すように変化する。第２実施形態のストローク量検出装置２により検出された磁束密度の変化を破線Ｇ２で表し、本実施形態のストローク量検出装置３により検出された磁束密度の変化を実線Ｇ３で表す。
【００３５】
本実施形態では、第３壁３２３の中間部に第１凸部３２４が形成されている。これにより、第３壁３２３の中間部の横軸線Ｘ側の空隙が狭くなり、磁束密度を高めることができる。このため、第３壁３２３の中間部の横軸線Ｘ側を通り過ぎるホール素子５１の感度を高めることができる。よって、ストローク０付近の勾配を増加することで、ホール素子５１の検出磁束密度の直線性を高めることができる（図４（Ｂ）参照）。
【００３６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態のストローク量検出装置を図５に示す。なお、第３実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図５に示すように、本実施形態のストローク量検出装置４は、第３壁３２３に弧形の第１凸部３２５が形成されている。第１凸部３２５は、Ｙ方向の横軸線Ｘ側に突出して形成されている。これにより、第４実施形態は、第３実施形態と同様の効果を奏する。
【００３７】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態のストローク量検出装置を図６（Ａ）に示す。なお、第３実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図６（Ａ）に示すように、本実施形態のストローク量検出装置５は、横軸線Ｘに対して第１凸部３２４と反対側に第２ヨーク３５が設けられている。第２ヨーク３５は、図７に示すように、側面視略Ｌ字形に形成され、磁束伝達壁３５１と連結壁３５２とを有する。磁束伝達壁３５１は、第１ヨーク３２よりも横軸線Ｘに近い位置に設けられている。また、連結壁３５２は、磁束伝達壁３５１と、第１凸部３２４の横軸線Ｘおよび縦軸線Ｙと直交する方向の一端とを連結する。ここで、第２ヨーク３５は、特許請求の範囲における「第２磁束伝達手段」に対応する。
【００３８】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図６（Ｂ）に示すように変化する。第３実施形態のストローク量検出装置３により検出された磁束密度の変化を破線Ｇ３で表し、本実施形態のストローク量検出装置５により検出された磁束密度の変化を実線Ｇ５で表す。
【００３９】
本実施形態では、横軸線Ｘに対して第１凸部３２４と反対側に第２ヨーク３５が設けられている。これにより、第３実施形態に記載のストローク量検出装置３、および、第４実施形態に記載のストローク量検出装置４に比べ、横軸線Ｘ上でストローク量の０点付近の空隙が狭くなり、磁束密度をより高めることができる。よって、第３実施形態のストローク量検出装置３に比べ、ストローク０付近の勾配をより増加することで、ホール素子５１の検出磁束密度の直線性をより高めることができる（図６（Ｂ）参照）。
【００４０】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態のストローク量検出装置を図８（Ａ）に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図８（Ａ）に示すように、本実施形態のストローク量検出装置６は、横軸線Ｘに対して第１ヨーク３２と反対側に第２ヨーク３６が設けられている。第２ヨーク３６は、鋼材等の磁性材料で形成され、第４壁３６４、第５壁３６５、及び、第４壁３６４と第５壁３６５とを連結する第６壁３６６からなる断面がコ字形の枠状である。ここで、第２ヨーク３６は、特許請求の範囲における「第２磁束伝達手段」に対応する。
【００４１】
第４壁３６４の第６壁３６６とは反対側の端部は、第１磁石２１のＳ極に接続されている。また、第５壁３６５の第６壁３６６とは反対側の端部は、第２磁石２２のＳ極に接続されている。図８（Ａ）に示すように、本実施形態では、第１ヨーク３２と第２ヨーク３６とは横軸線Ｘに対して対称となるよう設けられている。また、第１ヨーク３２および第２ヨーク３６は、第１磁石２１および第２磁石２２を囲むよう形成されている。
【００４２】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図８（Ｂ）に示すように変化する。
本実施形態では、第１磁石２１および第２磁石２２は、第１ヨーク３２および第２ヨーク３６により囲まれている。これにより、横軸線Ｘ方向および縦軸線Y方向に対してシールド効果が高まり、第１ヨーク３２および第２ヨーク３６の外側の磁界や磁性体の近接による外乱に強くなる。よって、第２実施形態〜第５実施形態のストローク量検出装置に比べ、磁束ベクトルがより均一化し、ロバスト性に一層強くなる。
【００４３】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態のストローク量検出装置を図９（Ａ）に示す。なお、第６実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図９（Ａ）に示すように、本実施形態のストローク量検出装置７は、第３壁３２３に弧形の第１凸部３２５が形成されている。第１凸部３２５は、横軸線Ｘ側に突出して形成されている。
【００４４】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図９（Ｂ）に示すように変化する。第６実施形態のストローク量検出装置６により検出された磁束密度の変化を破線Ｇ６で表し、本実施形態のストローク量検出装置７により検出された磁束密度の変化を実線Ｇ７で表す。
本実施形態では、第６実施形態のストローク量検出装置６に比べ、ホール素子５１の検出磁束密度の直線性をより高めることができる。
【００４５】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態のストローク量検出装置を図１０（Ａ）に示す。なお、第７実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
図１０（Ａ）に示すように、本実施形態のストローク量検出装置８は、第６壁３６６に弧形の第２凸部３６７が形成されている。第２凸部３６７は、横軸線Ｘ側に突出して形成されている。図１０（Ａ）に示すように、第１凸部３２５と第２凸部３６７とは、横軸線Ｘに対して対称となるよう形成されている。
【００４６】
ストローク部６１の直線移動に伴って、が第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図１０（Ｂ）に示すように変化する。第６実施形態のストローク量検出装置６により検出された磁束密度の変化を破線Ｇ６で表し、本実施形態のストローク量検出装置８により検出された磁束密度の変化を実線Ｇ８で表す。
本実施形態では、第７実施形態に記載のストローク量検出装置７に比べ、ホール素子５１の検出磁束密度の直線性をより高めることができる。
【００４７】
（第９実施形態）
本発明の第９実施形態のストローク量検出装置を図１１に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態のストローク量検出装置９では、ホールＩＣチップ５０は、横軸線Ｘと第１ヨーク３２の第３壁３２３との間に固定されている。これにより、ホール素子５１は、第１磁石２１および第２磁石２２に対し、横軸線Ｘと第３壁３２３との間の横軸線Ｘと平行な仮想直線Ｘ１上で相対移動する。
【００４８】
（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態のストローク量検出装置を図１２に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態のストローク量検出装置１０では、ホールＩＣチップ５０は、横軸線Ｘに対し第１ヨーク３２の第３壁３２３の反対側に固定されている。これにより、ホール素子５１は、横軸線Ｘに対し第１ヨーク３２の第３壁３２３の反対側の仮想直線Ｘ２上で、第１磁石２１および第２磁石２２に対して相対移動する。
第９実施形態および第１０実施形態では、ホール素子５１は、横軸線Ｘ上に固定されていない。このため、第１磁石２１、第２磁石２２、および、ホール素子５１の異なる取り付けバリエーションに対応することができる。
【００４９】
（第１１実施形態）
本発明の第１１実施形態のストローク量検出装置を図１３に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態のストローク量検出装置１１では、第１壁３２１に第１突出部３２６が形成され、第２壁３２２に第２突出部３２７が形成されている。第１突出部３２６は、第１磁石２１よりも、第１壁３２１に対し第３壁３２３の反対側に突出して形成される。第２突出部３２７は、第２磁石２２よりも、第２壁３２２に対し第３壁３２３の反対側に突出して形成される。
【００５０】
本実施形態では、第１突出部３２６および第２突出部３２７が形成されている。これにより、第１突出部３２６および第２突出部３２７を通じて第１磁石２１および第２磁石２２に入り込む磁束量が増加する。このため、第１磁石２１および第２磁石２２内の最低磁束密度の値が上昇し、磁気回路のパーミアンスが向上する。よって、第２実施形態〜第５実施形態のストローク量検出装置に比べ、ホール素子５１が検出する磁束密度をより増大させ、ＳＮ比をより向上させることができる。
【００５１】
（第１２実施形態）
本発明の第１２実施形態のストローク量検出装置を図１４および図１５に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態のストローク量検出装置１２では、ホール素子５１は、図１４（Ａ）に示すように、静止状態における第１磁石２１と第２磁石２２との間において、点Ｏ１に固定され、感磁面５１１がＸ方向と直交となるよう設けられている。点Ｏ１は、横軸線Ｘ上の中点Ｏの左側に位置し、中点ＯとΔＬ離れている。すなわち、第１磁石２１と第２磁石２２とは、横軸線Ｘに直交し、かつ縦軸線Ｙを含む基準平面に対して非対称配置されている。
【００５２】
ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図１４（Ｂ）に示すように変化する。ここで、ホール素子５１の位置が点Ｏ１と一致する場合、相対ストローク量を０とする。
【００５３】
本実施形態の変形例を図１５に示す。本実施形態の変形例では、ホール素子５１は、図１５（Ａ）に示すように、第１磁石２１と第２磁石２２との間の横軸線Ｘ上に固定され、感磁面５１１がＸ方向と直交となるよう設けられている。点Ｏ２は、横軸線Ｘ上の中点Ｏの右側に位置し、中点ＯとΔＬ離れている。
【００５４】
本実施形態の変形例では、ストローク部６１の直線移動に伴って、ホール素子５１が第１磁石２１および第２磁石２２に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図１５（Ｂ）に示すように変化する。ここで、ホール素子５１の位置が点Ｏ２と一致する場合、相対ストローク量を０とする。
【００５５】
本実施形態では、第１磁石２１と第２磁石２２とは、縦軸線Ｙに対し非対称となるよう配置されている。このため、相対ストローク量が０となる位置以外に検出精度の高い磁束密度が０である位置を設定することができる。
【００５６】
（第１３実施形態）
本発明の第１３実施形態のストローク量検出装置を図１６および図１７に示す。なお、第２実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態のストローク量検出装置１３では、図１６（Ａ）に示すように、第１磁石２１は第２磁石２２より大きく形成されている。ストローク部６１の直線移動に伴って、ホール素子５１が第１磁石２１および第２磁石２２に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図１６（Ｂ）に示すように変化する。
【００５７】
本実施形態の変形例を図１７に示す。本実施形態の変形例では、図１７（Ａ）に示すように、第２磁石２２は第１磁石２１より大きく形成されている。ストローク部６１の直線移動に伴って、第１磁石２１および第２磁石２２がホール素子５１に対して相対移動すると、感磁面５１１が検出する磁束密度は、図１７（Ｂ）に示すように変化する。
【００５８】
本実施形態では、第１磁石２１と第２磁石２２との大きさが違うため、磁束密度が０となる位置が中点Ｏと異なる。これにより、相対ストローク量が０となる位置以外に検出精度の高い磁束密度が０である位置を設定することができる。
【００５９】
（他の実施形態）
上記実施形態では、ホール素子が固定され、第１磁石および第２磁石はストローク部とともに移動する。これに対し、他の実施形態では、第１磁石および第２磁石が固定され、ホール素子がストローク部とともに移動する構成としても良い。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１〜１３・・・ストローク量検出装置
３      ・・・リニアアクチュエータ（検出対象）
２１    ・・・第１磁石（第１磁界発生手段）
２２    ・・・第２磁石（第２磁界発生手段）
３２    ・・・第１ヨーク（第１磁束伝達手段）
３５    ・・・第２ヨーク（第２磁束伝達手段）
３６    ・・・第２ヨーク（第２磁束伝達手段）
５１    ・・・ホール素子（磁気検出手段）
３２４  ・・・第１凸部
３２５  ・・・第１凸部
３６７  ・・・第２凸部
Ｘ      ・・・横軸線（仮想軸線）
Ｙ      ・・・縦軸線
Ｘ１    ・・・仮想直線
Ｘ２    ・・・仮想直線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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