(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）に示される化合物。
【化１】
0005500580.tif 000036
一般式（１）中のＹ１は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１からＡｒ６は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。また、Ｙ１上の置換基、Ａｒ１からＡｒ６上の置換基、およびＲ１からＲ８は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、電荷注入・輸送基、または架橋性置換基から選ばれることを特徴とする。また、Ｒ１からＲ８の置換基は隣接する置換基同士が連結し環を形成しても良い。Ｅ１およびＥ２は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｌ、ｍは成分比を表し、ｌは１モル％〜１００モル％である。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【請求項２】
下記一般式（２）に示される化合物。
【化２】
0005500580.tif 000037
一般式（２）中のＹ２は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ７からＡｒ１０は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、炭素数２〜３０の芳香族環式基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。また、Ｙ２上の置換基、Ａｒ７からＡｒ１０上の置換基、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ｅ３およびＥ４は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｌ、ｍは成分比を表し、ｌは１モル％〜１００モル％である。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【請求項３】
下記一般式（３）で示される化合物。
【化３】
0005500580.tif 000038
一般式（３）中のＹ３は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。また、Ｙ３上の置換基、Ａｒ１１およびＡｒ１２上の置換基、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ｅ５およびＥ６は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｌ、ｍは成分比を表し、ｌは１モル％〜１００モル％である。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【請求項４】
下記一般式（４）で示される化合物。
【化４】
0005500580.tif 000039
一般式（４）中のＡｒ１３〜Ａｒ１６は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１３〜Ａｒ１６上の置換基、Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。Ｅ７およびＥ８は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【請求項５】
下記一般式（５）で示される化合物。
【化５】
0005500580.tif 000040
一般式（５）中のＡｒ１７およびＡｒ１８は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１７およびＡｒ１８上の置換基、Ｒ１６〜Ｒ１８は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。Ｅ９およびＥ１０は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【請求項６】
請求項１記載の架橋性置換基が、触媒の有る無しに関係なく、光あるいは熱によりクロスリンクが可能な置換基であり、ビニル基、トリフルオロビニル基、アクリル基、メタクリル基、オキセタン基、あるいはエポキシ基などを有する、置換されていても良いアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換されていても良い芳香族環式基であることを特徴とする一般式（１）の化合物。
【請求項７】
請求項１〜５記載の電荷注入・輸送基が、電子供与基で置換された芳香族環式基、置換基を有していても良いアリールアミン、または置換基を有していても良いカルバゾール誘導体であることを特徴とする一般式（１）〜（５）の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７記載のいずれか１項の化合物を含有することを特徴とする組成物。
【請求項９】
一対の電極間に複数の有機層を形成してなる有機電界発光素子において、前記有機層の少なくとも１層が請求項１〜７記載のいずれか１項の化合物または請求項８記載の組成物を含んでなる有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子を用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンス（電界発光）を「ＥＬ」と記す）素子に用いられる化合物に関し、さらに詳しくは、耐熱性、電荷注入・輸送能に優れ、塗布型で積層製膜に対応することができる有機ＥＬ素子に用いられる化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、自発光型で視野角依存性がなく、面発光、薄型化が可能であり、さらに、固体素子であるため耐衝撃性に優れることから、テレビや携帯電話などのディスプレイに代表される表示装置や、面発光の照明などへの応用が検討されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構成は、陽極／発光層／陰極を基本構成とし、陽極から正孔が、陰極から電子が注入され、発光層で正孔と電子が再結合することにより発光する。有機ＥＬ素子の発光効率は、電子と正孔の注入・輸送比率および再結合効率などによって決まるため、有機ＥＬ素子の構成としては、陽極と発光層の間に正孔注入・輸送層を、陰極と発光層の間に電子注入・輸送層を適宜設けたもの、例えば、陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極などが知られている。
【０００４】
有機ＥＬ素子に用いられる材料は、低分子系と高分子系に大きく分けられ、これらの材料系にはそれぞれ一長一短がある。
低分子系材料は、カラム精製、再結晶精製、および昇華精製などの方法により材料の純度を高めることができ、有機ＥＬ素子の不純物による影響を最小限に抑えることができる。また、一般に低分子系の材料は、真空蒸着法による製膜が可能であるため、有機ＥＬ素子を前述したような積層構造にすることができる。このことから、材料の特性を引き出し、有機ＥＬ素子の特性を高めることが比較的容易に行える。しかし、真空蒸着法は、材料の利用効率が極端に低く、また、シャドーマスクのたわみの問題から、大型基板への蒸着が難しいという大きな問題点がある。つまり、大型の有機ＥＬ基盤を用いた表示装置の作製が非常に困難となる。また、製造コストが高いという問題点がある。
【０００５】
一方、高分子系材料は、有機溶剤に溶かし込んだその溶液を、塗布することにより均一な膜を形成することが可能であり、これを利用して、インクジェット法や印刷法に代表される塗布法を用いることができる。そのため、材料の利用効率を１００％近くまで高めることができ、さらに小型基盤から、大型基板まで、さまざまな形状の基盤に容易に対応できるため、素子の製造コストを大幅に削減することができる。しかし、一般的に塗布法は前述したような積層型の素子には適さず、素子の高性能化が容易ではないという問題点もある。塗布法が積層型に適さない理由としては、層を重ねる際に、先に形成してあった膜を溶かしてしまうことが挙げられる。
このように、低分子系材料を用いた素子は、性能は良いが製造コストが高い、また、高分子系材料を用いた素子は、製造コストは安いが性能が良くないという、それぞれ一長一短がある。
【０００６】
低分子系材料と高分子系材料のそれぞれの問題点を解決することを目的に、オリゴマー系材料が検討されている。オリゴマー系材料は、どちらかと言えば低分子系に分類されるが、モノマー体を任意の数だけ連結させることにより、高分子のように分子量分布がなく、カラム精製などの精製法を用いることで純度を高めることができ、さらに塗布製膜が可能となる材料である。ただし、オリゴマー系材料は、合成法が複雑化し、材料コストが高くなる問題点がある。また、オリゴマー系材料を用いる場合、高分子系材料と同じように、積層製膜に対する問題点も解決しなければならない。
【０００７】
有機ＥＬ素子の各層に用いられる材料には、耐熱性の高さと、電荷輸送性能の高さなどの性能が求められる。耐熱性の高さはすべての層に共通して求められ、ガラス転移温度Ｔｇが高いほど良いが、一般的には１００℃以上の値が求められる。電荷輸送性能については、各層によって求められる性能が違う。正孔注入・輸送層は、正孔注入・輸送能が高く、電子を通しにくい材料が望まれ、電子注入・輸送層は、逆に、電子注入・輸送能が高く、正孔を通しにくい材料が望まれる。また、発光層は、正孔と電子が再結合する場所であるため、正孔および電子が注入・輸送されやすく、さらに発光効率が高い材料が望まれる。
【０００８】
有機ＥＬ素子の発光効率は、次の式（ｉ）で示される。
Φｅｘｔ＝ａ×Φｒｅｃ×Φｓｐｉｎ×Φｅｍ  ・・・  （ｉ）
式（ｉ）において、Φｅｘｔは有機ＥＬ素子の発光効率（外部量子効率）、ａは外部取り出し効率、Φｒｅｃは注入された正孔と電子が再結合する確率、Φｓｐｉｎは一重項および三重項の生成確率、Φｅｍは発光材料の発光効率を示す。
このうちａ（外部取り出し効率）は、発光材料から発生する光を、どれだけ外部に取り出せるかを示す値で、一般に材料の膜や、ガラス基板などの透明基盤による光の屈折により、数十％といわれている。
Φｓｐｉｎは、一重項および三重項の生成確率であるから、蛍光材料の場合は最大で２５％、燐光材料の場合は最大で７５％となる。Φｅｍは、励起状態から熱失活することなく、どれだけ光に変換されたかという、発光効率を示す。つまり、ΦｓｐｉｎおよびΦｅｍは発光材料の能力を表す値である。
一方、Φｒｅｃは、注入された正孔と電子が再結合する確率を示す値であるから、発光材料の能力が優れていても、再結合効率が悪ければ、発光効率も悪くなってしまう。
【０００９】
再結合効率を高めるためには、発光層が正孔と電子の両電荷を流す必要があり、さらに、有機ＥＬ素子全体として、正孔と電子の輸送バランスを調整し、発光層内で両電荷が効率良く再結合する必要がある。電荷輸送バランスを調整するには、正孔注入・輸送層の正孔移動度や、電子注入・輸送層の電子移動度、層界面での電荷注入障壁、またそれぞれの膜の厚さなど、多くのファクターを考慮した上でバランスを調整する必要がある。
しかし、材料自身がもつ正孔と電子の輸送性は、大抵の場合同一ではなく、また層界面では、ほぼ確実に電荷注入障壁が生じるため、発光層内で正孔と電子がバランスよく再結合することは容易ではない。電荷注入・輸送バランスが悪い場合としては、正孔または電子のどちらかが少ない場合、あるいはどちらかが極端に多く、再結合せずに通り抜けてしまう場合などが考えられるが、電荷が対極へ流れ出てしまう場合には、電荷をブロックする層を設けて、電荷を発光層内に閉じ込め、再結合効率を高める方法もある。
【００１０】
有機ＥＬ素子の再結合効率を高めるために用いられる正孔注入（輸送）・電子阻止材料に求められる特性は、正孔輸送性が高く、電子輸送性が低いことに加え、バンドギャップやイオン化ポテンシャル、電子親和力の値が適切な値を有することが重要である。イオン化ポテンシャルは、陽極の仕事関数と発光材料のイオン化ポテンシャルとの間の値となることが望ましく、これにより発光層への正孔注入障壁を小さくできる。電子親和力は、発光材料の電子親和力よりも大きくなることが望ましく、これにより電子ブロック効果を得ることができる。
【００１１】
有機ＥＬ素子の再結合効率を高めるために用いられる電子注入（輸送）・正孔阻止材料に求められる特性は、電子輸送性が高く、正孔輸送性が低いことに加え、バンドギャップやイオン化ポテンシャル、電子親和力が適切な値を有することが重要である。電子親和力は、陰極の仕事関数と発光材料の電子親和力の間の値となることが望ましく、これにより発光層への電子注入障壁を小さくできる。イオン化ポテンシャルは、発光材料のイオン化ポテンシャルよりも小さくなることが望ましく、これにより正孔ブロック効果を得ることができる。
【００１２】
素子全体として電子輸送性が高い場合は、陽極側に正孔注入（輸送）・電子阻止層を設けるのが良い。正孔が発光層に注入されるのを促すとともに、発光層から流出してしまう電子をブロックすることで、発光層内での正孔と電子の再結合を促進する効果が得られるからである。
【００１３】
正孔注入（輸送）・電子阻止材料を用いて有機ＥＬ素子の効率を上げるためには、前述したように正孔注入（輸送）・電子阻止材料のイオン化ポテンシャルと電子親和力が適切な値を有することが必要である。一般に陽極として用いられる材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であり、仕事関数は４．８〜５．０ｅＶである。また、例えば、現在開発途上である青色有機ＥＬ素子に関して言えば、青色発光材料のイオン化ポテンシャルは材料によって違うが、一般に用いられるものの多くは−５．６〜−６．０ｅＶ付近にある。このように、ＩＴＯ電極と発光材料のエネルギー障壁は非常に大きいため、このエネルギー障壁を緩和するために正孔注入（輸送）材料が用いられる。また、電子阻止効果も同時に得るためには、材料のバンドギャップは広いほうが良く、電子親和力の値が大きいほど良い。
【００１４】
前述したように正孔注入・輸送材料のイオン化ポテンシャルの値は、陽極（ＩＴＯ）の仕事関数と発光材料のイオン化ポテンシャルの値の間となることが求められる。具体的にはイオン化ポテンシャルの値が−５．２〜−５．４ｅＶの範囲にあることが好ましい。イオン化ポテンシャルの値は正孔注入・輸送材料においては非常に重要な値であり、この値は大きすぎても小さすぎても有用な効果は得られない。この値が、大きすぎたり、小さすぎたりする場合は、正孔注入の効果が得られないばかりか、正孔の注入をブロックしてしまうことになるため、イオン化ポテンシャルには適切な値が求められている。
【００１５】
塗布型の正孔注入材料として一般に広く用いられている材料には、（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは電荷輸送性に優れ、イオン化ポテンシャルが−５．２ｅＶ付近にあり、さらに製膜後に処理することで、有機溶剤に対し不溶となるため、塗布型の正孔注入材料としての要求性能を幅広くカバーしているといえる。
しかし、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳはバンドギャップが狭く（例えば、非特許文献１、非特許文献２参照）、発光層から流出する電子をブロックする効果はほとんどない。また、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは製膜の際に水を使用しており、水は少なからず有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼす。さらに、酸や硫黄の拡散など、多くの問題が指摘されており、代替材料が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００４−２２８００２号公報
【非特許文献】
【００１７】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００８，２０，４１３．
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９，７５，１６７９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、有機ＥＬ素子の電界発光の効率を向上するために好適に用いられ、正孔輸送性を有し、イオン化ポテンシャルが適切な値を有する、正孔注入（輸送）・電子阻止材料である化合物、および化合物を含有する組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明の化合物を含む有機層を備える電力効率に優れた有機ＥＬ素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記した目的を達成するため、研究を重ねた結果、本発明者らは以下に示す化合物が、適切なイオン化ポテンシャルを有し、正孔注入・輸送能に優れ、安定性が高く、さらに塗布型の積層製膜に対応することを見出した。また、本発明者らは、これらの化合物を有機ＥＬ素子に用いることで、電界発光の効率の向上が可能であることを見出した。
より具体的には、本発明者らは、正孔輸送性のポリカルバゾール骨格に、電子供与性の窒素が置換したベンゼン環を導入し、さらに、窒素が置換したベンゼン環のユニットを分子内に適切に配置することで、ポリマー主鎖と側鎖との相乗効果が得られ、適切なイオン化ポテンシャルと、電子ブロック効果の得られる化合物を実現できることを見出した。
【００２０】
すなわち、本発明は、以下の発明に関わるものである。
【００２１】
下記一般式（１）に示される化合物である。
【００２２】
【化１】
0005500580.tif 000002
【００２３】
一般式（１）中のＹ１は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１からＡｒ６は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。また、Ｙ１上の置換基、Ａｒ１からＡｒ６上の置換基、およびＲ１からＲ８は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、電荷注入・輸送基、または架橋性置換基から選ばれることを特徴とする。また、Ｒ１からＲ８の置換基は隣接する置換基同士が連結し環を形成しても良い。Ｅ１およびＥ２は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｌ、ｍは成分比を表し、ｌは１モル％〜１００モル％である。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【００２４】
下記一般式（２）に示される化合物である。
【００２５】
【化２】
0005500580.tif 000003
【００２６】
一般式（２）中のＹ２は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ７からＡｒ１０は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、炭素数２〜３０の芳香族環式基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。また、Ｙ２上の置換基、Ａｒ７からＡｒ１０上の置換基、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ｅ３およびＥ４は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｌ、ｍは成分比を表し、ｌは１モル％〜１００モル％である。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【００２７】
下記一般式（３）で示される化合物である。
【００２８】
【化３】
0005500580.tif 000004
【００２９】
一般式（３）中のＹ３は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。また、Ｙ３上の置換基、Ａｒ１１およびＡｒ１２上の置換基、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ｅ５およびＥ６は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｌ、ｍは成分比を表し、ｌは１モル％〜１００モル％である。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【００３０】
下記一般式（４）で示される化合物である。
【００３１】
【化４】
0005500580.tif 000005
【００３２】
一般式（４）中のＡｒ１３〜Ａｒ１６は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１３〜Ａｒ１６上の置換基、Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。Ｅ７およびＥ８は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【００３３】
下記一般式（５）で示される化合物である。
【００３４】
【化５】
0005500580.tif 000006
【００３５】
一般式（５）中のＡｒ１７およびＡｒ１８は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示し、Ａｒ１７およびＡｒ１８上の置換基、Ｒ１６〜Ｒ１８は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。Ｅ９およびＥ１０は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。ｎは１０〜１０００の整数であり、重合度を示す。
【００３６】
一般式（１）に記載の架橋性置換基は、触媒の有る無しに関係なく、光あるいは熱によりクロスリンクが可能な置換基であり、ビニル基、トリフルオロビニル基、アクリル基、メタクリル基、オキセタン基、あるいはエポキシ基を有する、置換されていても良いアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換されていても良い芳香族環式基である化合物とすることができる。
【００３７】
一般式（１）〜（５）に記載の電荷注入・輸送性基は、電子供与性基で置換された芳香族環式基、置換基を有していても良いアリールアミン、または置換基を有していても良いカルバゾール誘導体であることを特徴とする化合物とすることができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、有機ＥＬ素子の材料として用いた場合に、耐熱性、正孔注入・輸送性に優れ、さらに塗布型の積層製膜に対応できる高分子材料である化合物を提供することができる。また、本発明の化合物は、正孔注入・輸送性に優れるだけでなく、電子を流さない性質を有するため、本発明の化合物および本発明の化合物を含有する組成物を有機ＥＬ素子に用いることで、正孔と電子の再結合を促し、有機ＥＬ素子の電界発光の効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
「化合物」
まず、本発明の化合物について、詳細に説明する。
本発明の上記一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｙ１〜Ｙ３上の置換基、Ａｒ１〜Ａｒ１８上の置換基、Ｒ１〜Ｒ１８は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、電荷注入・輸送基から選ばれる。
【００４１】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルキル基のアルキル基としては、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、または環状のいずれでも良く、直鎖または分岐状のアルキル基としては炭素数１〜１５のものが好ましく、炭素数１〜１０のものがより好ましい。環状のアルキル基としては炭素数３〜１０が好ましい。
【００４２】
炭素数１〜２０の直鎖、分岐、または環状の代表的なアルキル基としては、具体的に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ノナデシル、ｎ−エイコシル、ｎ−ヘネイコシル、ｎ−ドコシル、ｎ−トリコシル、ｎ−テトラコシル、１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−エチルプロピル、１−ｎ−プロピルプロピル、１−メチルブチル、１−エチルブチル、１−プロピルブチル、１−ｎ−ブチルブチル、１−メチルペンチル、１−エチルペンチル、１−ｎ−プロピルペンチル、１−ｎ−ペンチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−エチルヘキシル、１−ｎ−プロピルヘキシル、１−ｎ−ブチルヘキシル、１−ｎ−ペンチルヘキシル、１−ｎ−ヘキシルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−エチルヘプチル、１−ｎ−プロピルヘプチル、１−ｎ−ブチルヘプチル、１−ｎ−ペンチルヘプチル、１−ｎ−ヘプチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルオクチル、１−ｎ−プロピルオクチル、１−ｎ−ブチルオクチル、１−ｎ−ペンチルオクチル、１−ｎ−ヘキシルオクチル、１−ｎ−ヘプチルオクチル、１−ｎ−オクチルオクチル、１−メチルノニル、１−エチルノニル、１−ｎ−プロピルノニル、１−ｎ−ブチルノニル、１−ｎ−ペンチルノニル、１−ｎ−ヘキシルノニル、１−ｎ−ヘプチルノニル、１−ｎ−オクチルノニル、１−ｎ−ノニルノニル、１−メチルデシル、ｉｓｏ−プロピル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、２−エチルブチル、２−ｎ−プロピルペンチル、２−メチルヘキシル、２−エチルヘキシル、２−ｎ−プロピルヘキシル、２−ｎ−ブチルヘキシル、２−メチルヘプチル、２−エチルヘプチル、２−ｎ−プロピルヘプチル、２−ｎ−ブチルヘプチル、２−ｎ−ペンチルヘプチル、２−メチルオクチル、２−エチルオクチル、２−ｎ−プロピルオクチル、２−ｎ−ブチルオクチル、２−ｎ−ペンチルオクチル、２−ｎ−ヘキシルオクチル、２−メチルノニル、２−エチルノニル、２−ｎ−プロピルノニル、２−ｎ−ブチルノニル、２−ｎ−ペンチルノニル、２−ｎ−ヘキシルノニル、２−ｎ−ヘプチルノニル、２−メチルデシル、２，３−ジメチルブチル、２，３，３−トリメチルブチル、３−メチルブチル、３−メチルペンチル、３―エチルペンチル、４−メチルペンチル、４−エチルヘキシル、２，３−ジメチルペンチル、２，４−ジメチルペンチル、２，４，４−トリメチルペンチル、２，３，３，４−テトラメチルペンチル、３−メチルヘキシル、２，５−ジメチルヘキシル、３−エチルヘキシル、３，５，５−トリメチルヘキシル、４−メチルヘキシル、６−メチルヘプチル、３，７−ジメチルオクチル、６−メチルオクチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロヘキシル、アダマンチル等が挙げられ、このうち、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、アダマンチル等が好ましく、特にメチルが好ましい。ただし、ここに挙げたものは代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００４３】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有しても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基のアルコキシ基としては、炭素数１〜２０の直鎖状、または分岐状のいずれでも良く、直鎖または分岐のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられ、このうちメトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基等が好ましく、特にメトキシ基あるいは２−エチルヘキシルオキシ基が好ましい。
【００４４】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有しても良い炭素数２〜２０のアルケニル基のアルケニル基としては、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状、または環状のいずれでも良く、直鎖または分岐状のアルケニル基としては炭素数１〜１５のものが好ましく、炭素数１〜５のものがより好ましい。炭素数１〜２０の直鎖、分岐、または環状の代表的なアルケニル基としては、前述のアルキル基に対し、いずれか一部分以上の不飽和結合を有するものをいう。このうち、ビニル、１−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、ブタジエニル、シクロヘキセニルが好ましく、特に１−ペンテニルが好ましい。ただし、ここに挙げたものは代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００４５】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基としては、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、炭素数２〜３０の芳香族複素環基が挙げられる。
ここで、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、６π電子系、１０π電子系、１２π電子系、１４π電子系の芳香族炭化水素環基が挙げられ、具体的には、フェニル、ビフェニル、ナフチル、テルフェニル、アンスリル、アズレニル、フルオレニル、ピレニル、フェナンスリル、ナフスリル等が挙げられ、このうち特にフェニル、ナフチルが好ましい。
【００４６】
また、炭素数２〜３０の芳香族複素環基としては、６π電子系、１０π電子系、１２π電子系、１４π電子系の芳香族複素環基が挙げられ、具体的には、チエニル、フリル、ピロリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキゾリル、ピリジル、ピリダジル、オキサジアゾリル、イミダゾリル、トリアジル、チアジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンゾセレナジアゾリル、チエノ[２，３−ｂ]チエニル、チエノ[３，２−ｂ]チエニル、チエノ[３，４−ｂ]チエニル、９−オキソフルオレニル、カルバゾリル、シラフルオレニル、セレノフルオレニル、キサンテニル、フェナントロリル、フェナジリル、フェニキサジリル等が挙げられ、このうち、チエニル、オキサジアゾリル、トリアゾリル等が好ましい。
【００４７】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示されるハロゲン原子としては、ヨウ素、臭素、塩素、フッ素原子が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
【００４８】
一般式（１）〜（５）に示される化合物においてＲ１〜Ｒ１８で示される置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルキル基に置換される置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。これらの置換基は、当該アルキル基に対し、一部あるいはすべてが置換されていても良く、例えばメチル基にフッ素原子がすべて置換したトリフルオロメチル基が挙げられる。ただし、ここに挙げたものは、代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００４９】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有していても良い炭素数１〜２０のアルコキシ基に置換される置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。これらの置換基は、当該アルコキシ基に対し、一部あるいはすべてが置換されていても良い。ただし、ここに挙げたものは、代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００５０】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有していても良い炭素数２〜２０のアルケニル基に置換される置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。これらの置換基は、当該アルケニル基に対し、二重結合以外の一部あるいはすべてが置換されていても良い。ただし、ビニル基など置換位置が二重結合以外にないものはこれに含まれない。また、ここに挙げたものは、代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００５１】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基に置換される置換基としては、当該芳香族炭化水素環基の一部、あるいは置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されたものであり、アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、アルケニル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００５２】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８で示される電荷注入・輸送基とは、ポリマー主鎖への電荷注入・輸送を促進する、あるいは、ポリマー分子間での電荷注入・輸送を促進するための官能基であり、正孔注入・輸送基と電子注入・輸送基が包含される。
【００５３】
正孔注入・輸送基としては、例えば電子供与基が置換した芳香族環、アリールアミン、カルバゾール類等を含有する官能基が挙げられる。
ここで、芳香族環としては、例えばベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、アズレン、フルオレン、チオフェン、フラン、ピロール、ピラゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チエノ[２，３−ｂ]チオフェン、チエノ[３，２−ｂ]チオフェン、チエノ[３，４−ｂ]チオフェン、９−オキソフルオレン、カルバゾール、シラフルオレン、セレノフルオレン等が挙げられ、これに置換する電子供与基としては、アルキル基（例えば、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｉｓｏ−プロピル、ｔ−ブチル、２−エチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル、２−エチルデシル等）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（例えば、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ、ｎ−ドデシルオキシ、２−エチルペンチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、２−エチルヘプチルオキシ、２−エチルオクチルオキシ、２−エチルノニルオキシ、２−エチルデシルオキシ等）、アミノ基等が挙げられる。
【００５４】
また、アリールアミンとしては、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ナフチル）ベンジジン、４，４’，４’’−トリス[３−メチルフェニル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス[１−ナフチル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス[２−ナフチル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス[ビフェニル−４−イル−（３−メチルフェニル）アミノ]トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス[９，９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、１，３，５−トリス[Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ]ベンゼン、１，３，５−トリス｛４−メチルフェニル（フェニル）アミノ]フェニル｝ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（９，９−ジメチル−２−フルオレニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン等が挙げられ、カルバゾール類としては、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−３−メチルビフェニル、４，４’，Ｎ，Ｎ’−ジフェニルカルバゾール、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン等が挙げられる。
【００５５】
正孔注入・輸送基としては、好適には、アルコキシフェニル、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ナフチル）ベンジジン、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−２−メチルビフェニル、４，４’，Ｎ，Ｎ’−ジフェニルカルバゾール等の主要骨格を有する基が挙げられる。
【００５６】
電子注入・輸送基としては、電子吸引基が置換した芳香族環や、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を核内にもつ複素環を含有する官能基が挙げられる。
ここで、芳香族環としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、テルフェニル、アントラセン、アズレン、フルオレン、ピレン、フェナントレン、ナフタセン等が挙げられ、これに置換する電子吸引基としては、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アルデヒド基、エステル基（例えばメチルエステル、エチルエステル、ｉｓｏ−プロピルエステル、ｎ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、フェニルエステル等）、カルボキシル基等が挙げられる。
【００５７】
複素環としては、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、チアゾール、イソチアゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピリダジン、オキサジアゾール、イミダゾール、トリアジン、トリアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾセレナジアゾール、チエノ[２，３−ｂ]チオフェン、チエノ[３，２−ｂ]チオフェン、チエノ[３，４−ｂ]チオフェン、９−オキソフルオレン、カルバゾール、シラフルオレン、セレノフルオレン、キサンテン、フェナントレン、フェナジン、フェノキサジン等が挙げられ、このうち、ピリミジン、オキサジアゾール、トリアゾール、トリアジン、イミダゾール等が挙げられる。
【００５８】
電子注入・輸送基としては、好適には、フルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、パーフルオロベンゼン、ナフタレン、フルオロナフタレン、フルオロピリジン、パーフルオロピリジン、フェニルナフタレン、フェニルピリミジン、１−フェニル−２−フェニル−ビフェニル−２，３，４−トリアゾール、１−ナフチル−２−フェニル−フェニル−２，３，４−トリアゾール、２−フェニル−５−ビフェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−（ビスフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（ナフチル）−５−（フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、９−フェニル−アントラセン、２，４，６−トリフェニル−１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−ベンゾイミダゾリル）ベンゼン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン等の主要骨格を有する基が挙げられる。
【００５９】
また、当該電荷注入・輸送基は、その一部または置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されても良く、アルキル基としては、Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としてはＲ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、また、アルケニル基としては、Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００６０】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１８が水素以外の置換基を有する場合、主鎖部位が適度にねじれるため、分子同士の相互作用が適度に弱まり、有機溶媒に対する溶解性を向上させることができる。また同時に安定性の向上や、カルバゾール主鎖の電気的な特性を任意に変化させることも可能となる。従って、Ｒ１〜Ｒ１８は、（１）〜（５）の化合物内のいずれか一つ、あるいは二つが水素以外の置換基であることが好ましく、当該水素原子以外の置換基としては、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数２〜８のアルケニル基であるのが好ましく、薄膜状態での安定性を特異的に強めることができる点で、特にメチル基、あるいは薄膜状態を固定化し、安定性を高めることができる点において、１−ペンテニル基であるのが好ましい。
【００６１】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１８は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１８で示される炭素数２〜３０の芳香族環式基としては炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、炭素数２〜３０の芳香族複素環基が挙げられる。
【００６２】
ここで、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、６π電子系、１０π電子系、１２π電子系、１４π電子系の芳香族炭化水素環基が挙げられ、具体的には、フェニル、ビフェニル、ナフチル、テルフェニル、アンスリル、アズレニル、フルオレニル、ピレニル、フェナンスリル、ナフスリル等が挙げられ、このうち特にフェニル、ナフチルが好ましい。
【００６３】
また、炭素数２〜３０の芳香族複素環基としては、６π電子系、１０π電子系、１２π電子系、１４π電子系の芳香族複素環基が挙げられ、具体的には、チエニル、フリル、ピロリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキゾリル、ピリジル、ピリダジル、オキサジアゾリル、イミダゾリル、トリアジル、チアジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンゾセレナジアゾリル、チエノ[２，３−ｂ]チエニル、チエノ[３，２−ｂ]チエニル、チエノ[３，４−ｂ]チエニル、９−オキソフルオレニル、カルバゾリル、シラフルオレニル、セレノフルオレニル、キサンテニル、フェナントロリル、フェナジリル、フェニキサジリル等が挙げられ、このうち、チエニル、オキサジアゾリル、トリアゾリル等が好ましい。
【００６４】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１８で示される置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基としては、炭素数６〜３０の置換基を有しても良い芳香族炭化水素環基、炭素数２〜３０の置換基を有しても良い芳香族複素環基が挙げられる。
炭素数６〜３０の置換基を有しても良い芳香族炭化水素環基の芳香族炭化水素環としては、一般式（１）〜（５）中の前記Ａｒ１〜Ａｒ１８で示される炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同様のものが挙げられる。
【００６５】
当該芳香族炭化水素環基の一部、あるいは置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されたものであり、アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、また、アルケニル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００６６】
炭素数２〜３０の置換基を有しても良い芳香族複素環基の芳香族複素環基としては、一般式（１）〜（５）中の前記Ａｒ１〜Ａｒ１８で示される炭素数２〜３０の芳香族複素環基と同様のものが挙げられる。
【００６７】
当該芳香族複素環基の一部、あるいは置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されたものであり、アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、また、アルケニル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００６８】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１８で示される電荷注入・輸送基とは、ポリマー主鎖への電荷注入・輸送を促進する、あるいは、ポリマー分子間での電荷注入・輸送を促進するための官能基であり、正孔注入・輸送基と電子注入・輸送基が包含される。
【００６９】
この電荷注入・輸送基としては一般式（１）〜（５）に示される化合物の、Ｒ１〜Ｒ１８で示される電荷注入・輸送基と同様のものが挙げられる。
また、当該電荷注入・輸送基は、その一部または置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されても良く、アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、また、アルケニル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００７０】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１８は炭素数２〜３０の芳香族環式基が好ましく、このうち、フェニル基、ナフチル基、あるいはフェニル基とナフチル基が分子内に同時に存在することがより好ましい。
【００７１】
一般式（１）〜（３）に示される化合物において、Ｙ１〜Ｙ３は置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基、または２価の電荷注入・輸送基を示す。
一般式（１）〜（３）に示される化合物において、Ｙ１〜Ｙ３で示される置換基を有していても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族環式基としては、置換基を有しても良い２価の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、置換基を有しても良い２価の炭素数２〜３０の芳香族複素環基が挙げられる。
【００７２】
ここで、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、例えば、一般式（６）〜（１９）に示すものが挙げられる。
【００７３】
【化６】
0005500580.tif 000007
【００７４】
一般式（６）〜（１９）に示す２価の芳香族炭化水素環基において、結合部位はこの組み合わせに限られない。また、ここに示したものは、代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００７５】
炭素数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、一般式（２０）〜（５１）に示すものが挙げられる。
【００７６】
【化７】
0005500580.tif 000008
【００７７】
一般式（２０）〜（５１）に示す２価の芳香族複素環基において、結合部位はこの組み合わせに限られない。また、ここに示したものは、代表的なものであり、これに限定されるものではない。
【００７８】
一般式（１）から（３）に示される化合物において、Ｙ１〜Ｙ３で示される置換基を有していても良い芳香族環式基としては、カルバゾール誘導体が好ましく、例えば、一般式（５２）に示すものが挙げられる。
【００７９】
【化８】
0005500580.tif 000009
【００８０】
一般式（５２）に示される化合物において、Ｒ１９およびＲ２０で示される置換基は、同一でも、異なっていても良く、一般式（１）〜（５）中の前記Ｒ１〜Ｒ１８と同様の置換基が挙げられる。
【００８１】
一般式（５２）に示される化合物において、Ａｒ１９で示される置換基は、一般式（１）〜（５）中の前記Ａｒ１〜Ａｒ１８と同様の置換基が挙げられる。
【００８２】
一般式（１）から（３）に示される化合物において、Ｙ１〜Ｙ３で示される２価の電荷注入・輸送基とは、ポリマー主鎖の電荷注入・輸送を促進する、あるいは、ポリマー分子間での電荷注入・輸送を促進するための官能基であり、正孔注入・輸送基と電子注入・輸送基が包含される。
【００８３】
この電荷注入・輸送基としては一般式（１）〜（５）に示される化合物の、Ｒ１〜Ｒ１８で示される電荷注入・輸送基と同様のものである。当該電荷注入・輸送基は２価であり、ポリマーの主鎖を構成する成分である。
【００８４】
一般式（１）から（３）で示される化合物におけるＹ１〜Ｙ３としては、主鎖のエネルギーレベルを均一にするために、カルバゾール誘導体が好ましく、電荷注入・輸送基として使用する目的から、カルバゾール誘導体の置換基Ａｒ１９には電荷注入・輸送基が導入されていることが好ましい。電荷注入基としては、４−（４’，４’’−ビスジフェニルアミノ）トリフェニルアミンまたは、４−（４‘，４’‘−ビス（ナフチルフェニルアミノ））トリフェニルアミンが好ましい。また、カルバゾール誘導体のＲ１９およびＲ２０は、薄膜状態での安定性を特異的に強めることができる点で、特にメチル基、あるいは薄膜状態を固定化し、安定性を高めることができる点において、１−ペンテニル基であるのが好ましい。
【００８５】
一般式（１）〜（５）で示される化合物におけるＥ１〜Ｅ１０は、同一でも異なっていても良く、水素、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基、または電荷注入・輸送基を示す。
一般式（１）〜（５）で示される化合物におけるＥ１〜Ｅ１０で示される置換基を有しても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基としては、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、および炭素数２〜３０の芳香族複素環基が挙げられ、具体的には、一般式（１）〜（５）中の前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜３０の芳香族環式基と同様のものである。
【００８６】
一般式（１）〜（５）で示される化合物におけるＥ１〜Ｅ１０で示される置換基を有していても良い炭素数２〜３０の芳香族環式基に置換する置換基としては、当該芳香族炭化水素環基の一部、あるいは置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されたものであり、アルキル基としては、一般式（１）〜（５）中の前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、また、炭素数２〜２０アルケニル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００８７】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｅ１〜Ｅ１０で示される電荷注入・輸送基とは、ポリマー主鎖への電荷注入・輸送を促進する、あるいは、ポリマー分子間での電荷注入・輸送を促進するための官能基であり、正孔注入・輸送基と電子注入・輸送基が包含される。
この電荷注入・輸送基としては一般式（１）〜（５）中の前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される電荷注入・輸送基と同様のものが挙げられる。
【００８８】
また、当該電荷注入・輸送基は、その一部または置換し得るすべてがアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基で置換されても良く、アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルキル基と同様のものが挙げられ、アルコキシ基としては、前記Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数１〜２０のアルコキシ基と同様のものが挙げられ、また、アルケニル基としては、Ｒ１〜Ｒ１８で示される炭素数２〜２０のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
【００８９】
一般式（１）〜（５）に示される化合物において、Ｅ１〜Ｅ１０は、主にポリマー化反応を停止する目的と、ポリマーの安定性および、電気的性能を高める目的で導入する。選ばれる置換基は、炭素数２〜３０の芳香族環式基、あるいは電荷注入・輸送基が好ましく、ポリマーの安定性をより高めるためには芳香族環式基のうち、フェニル基が好ましい。また、ポリマーの電気的性能を高めるためには電荷注入・輸送基を選択するのが好ましく、特にトリフェニルアミンが好ましい。
【００９０】
一般式（１）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ８の置換基は隣接する置換基同士が連結し環を形成しても良い。
また、一般式（１）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ８で示される架橋性置換基は、触媒の有る無しに関係なく、光あるいは熱によりクロスリンクが可能な重合性官能基（重合基）をもった置換基であり、ビニル基、トリフルオロビニル基、アクリル基、メタクリル基、オキセタン基、あるいはエポキシ基などを有する、置換されていても良いアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換されていても良い芳香族環式基であることが好ましい。置換されていても良い芳香族環式基としては、置換されていてもよい芳香族炭化水素環基、または置換されていてもよい芳香族複素環基が挙げられる。具体的には、一般式（１）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ８で示される架橋性置換基としては、例えば、一般式（５３）〜（５８）に示すものが挙げられる。
【００９１】
【化９】
0005500580.tif 000010
【００９２】
一般式（５３）〜（５８）中、ＸおよびＺはおのおの独立に単結合、酸素、窒素、硫黄、あるいは置換されても良い芳香族炭化水素基、置換されても良い芳香族複素環基を示し、ｆは０〜１０を示す。
また、一般式（１）に示される化合物において、Ｒ１〜Ｒ８で示される架橋性置換基としては、一般式（５９）で表される重合性官能基をもった置換基が挙げられる。
【００９３】
【化１０】
0005500580.tif 000011
【００９４】
一般式（５９）において、Ｚは単結合、酸素原子を示し、ｆは０〜１０を示す。具体的には、例えば、一般式（６０）〜（６６）に示すものが挙げられる。
【００９５】
【化１１】
0005500580.tif 000012
【００９６】
一般式（１）〜（５）に示される化合物は、ポリマーであり、ゲル浸透クロマトグラフィー（以下ＧＰＣという）により測定した分子量は、溶解性、製膜性、安定性の観点から、１，０００，０００〜１０，０００程度が好ましく、８００，０００〜１００，０００程度がより好ましい。一般式（１）〜（５）に記載のｎは、ＧＰＣにより測定した分子量をモノマーの分子量で割ったもので表わされるため、モノマーの分子量によっても異なるが、１０〜１０００の整数であり、前記分子量に相当する重合度を示す。
【００９７】
一般式（１）から（３）の化合物は、ランダム共重合体であり、一般式（１）から（３）に記載されたｌとｍはポリマーを形成する成分比を表している。この成分比に関しては特に制限はなく、ｌは１〜１００モル％の範囲とすることができ、ｌが１００％のときはホモポリマーであることを意味する。最良の形態で選ばれる化合物に関してはｌを３０〜７０モル％含有するのが好ましい。
【００９８】
本発明における（１）〜（５）の化合物を供給するための中間体である、カルバゾール誘導体の合成における反応式の一例を一般式（６７）に示す。
【００９９】
【化１２】
0005500580.tif 000013
【０１００】
一般式（６７）に示すように、鈴木−宮浦カップリング反応により、４−クロロフェニルボロン酸と１−ブロモ−４クロロ−２−ニトロベンゼンを反応させ、１−クロロ−４−（４’−クロロフェニル）−３−ニトロベンゼンを合成した後、亜リン酸トリエチルを用いた還元的閉環反応を行うことにより２，７−ジクロロカルバゾールが合成できる。その後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）により２，７−ジクロロカルバゾールの３，６位をブロモ化し、さらにグリニャール反応により２，７−ジクロロ−３，６−ジアルキルカルバゾールが合成できる。この際、グリニャール試薬あるいはボロン酸、ボロン酸エステルとして目的の化合物を用いれば、種々のアルキル基、芳香族環式基等をカルバゾールの３，６位に導入することができる。この２，７−ジクロロ−３，６−ジアルキルカルバゾールを用いてＮ位に任意の化合物を導入することにより、目的とする化合物を得ることができる。例えば、２，７−ジクロロ−３，６−ジアルキルカルバゾールと４−ブロモトリフェニルアミンを用いて、Ｎ−アリール化反応を行えば、２，７−ジクロロ−３，６−ジアルキル−Ｎ−（４−トリフェニルアミン）カルバゾールが得られる。この中間体あるいは２，７−ジクロロ−３，６−ジアルキルカルバゾールを用いて、任意のモノマー体へ誘導化できる。
【０１０１】
「組成物」
本発明の組成物は、本発明の化合物を含有するものである。本発明の組成物は、本発明の化合物の他に、例えば、塩化鉄、塩化アルミニウム、塩化アンチモンなどのルイス酸、２，６−ナフトキノン、ジフェノキノンなどのキノン誘導体、ＴＣＮＱ（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＴＮＡＰ（１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−６−キノジメタン）、Ｆ４ＴＣＮＱ（２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン）などのテトラシアノキノジメタン誘導体、フッ化ホウ素、トリフェニルボラン、フラーレン誘導体、あるいは酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウムなどの金属酸化物などから選択される電子受容性ドーパントなどを含むものとすることができる。ただし、これに限定されるものではない。また、本発明の組成物は、本発明の化合物の他に前記などの化合物を２種類以上含むものであってもよい。
【０１０２】
「有機ＥＬ素子」  
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を説明するための断面模式図である。図１に示す有機ＥＬ素子は、基板７上に、陽極６と、正孔注入層５と、正孔輸送層４と、発光層３と、電子注入・輸送層２と、陰極１とが、この順で設けられたものであり、図１に示すように、陽極６と陰極１とからなる一対の電極間に、正孔注入層５と正孔輸送層４と発光層３と電子注入・輸送層２とからなる複数の有機層が形成されてなるものである。
【０１０３】
基板７としては、例えば、ガラス基板などの透光性基板が用いられ、陽極６としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの光透過導電膜が用いられ、陰極１としては、例えば、アルミニウムなどの金属膜が用いられている。
【０１０４】
正孔注入層５としては、本発明の（１）〜（５）のいずれかの化合物が用いられている。正孔注入層５は、例えば、塗布法を用いて形成することができる。
【０１０５】
また、正孔輸送層４としては、例えば、ジフェニルナフチルジアミン（α−ＮＰＤ）層を用いることができる。
電子注入・輸送層２は、外部電源から負電極を介して発光層３に注入される電子の輸送を効率よく行うために設けられている。電子注入・輸送層としては、例えば、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）やＣｓＦからなる層を用いることができる。
発光層３としては、例えば、良好な青色発光が得られるＢＤＡＶＢｉを、アダマンタンアントラセン（Ａｄ−Ａｎｔ）ホスト中に３ｗｔ％ドープしたものや、ポリ−９，９−ジオクチルフルオレンなどを用いることができる。
【０１０６】
図１に示す有機ＥＬ素子は、陽極６を正側、陰極１を負側にして電圧を印加して電流を流すことにより、発光層３が発光し、陽極６および基板７を透過して外部に光が出射されるものとされている。
図１に示す有機ＥＬ素子は、正孔注入層５が本発明の（１）〜（５）のいずれかの化合物を含むものであるので、優れた正孔注入能が得られ、電力効率に優れたものとなる。
【０１０７】
なお、本実施形態の有機ＥＬ素子においては、基板側から光を出力する構造を例に挙げて説明したが、電極の構成を逆にして基板と反対側の電極を光透過導電膜からなるものとし、基板と反対側から光を出力するものとしてもよい。
また、本実施形態の有機ＥＬ素子においては、正孔注入層５を、本発明の化合物からなるものとした場合を例に挙げて説明したが、本発明の有機ＥＬ素子は、有機層の少なくとも１層が本発明の化合物を含んでいればよく、図１に示す例に限定されるものではない。例えば、正孔注入層だけでなく、正孔輸送層も本発明の化合物からなるものとしてもよいし、正孔輸送層のみ本発明の化合物からなるものとしてもよい。また、本実施形態においては、正孔注入層５を、本発明の化合物からなるものとしたが、本発明の化合物以外のものを含む本発明の組成物からなるものとしてもよい。
【０１０８】
また、本発明の化合物からなる有機層の少なくとも１層以外の各部材については、一般に用いられている材料を用いることができ、特に限定されない。
具体的には、例えば、正孔輸送層のみ本発明の化合物からなるものとした場合、正孔注入層として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを用いることできる。
【０１０９】
以下に、本発明の実施例と物質特性を示す。
【実施例】
【０１１０】
製造例１：
【０１１１】
【化１３】
0005500580.tif 000014
【０１１２】
四つ口フラスコに１５．２３ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−トリフェニルアミンカルバゾールを入れ、容器をアルゴン置換した後、トルエン３００ｍＬを加え、溶解させた。０℃に冷却し、そこに１０．６８ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）のＮＢＳを１００ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦ）に溶かした溶液を滴下し、すべて滴下し終わってから、温度を室温まで昇温させ、１８時間攪拌した。水を加え、沈殿を析出させ、吸引濾過で沈殿物を濾取した。沈殿物を熱湯で洗浄し、メタノールで洗浄して、１７．７８ｇ（２６．７３ｍｍｏｌ）の一般式（６８）に示す目的物を得た（収率８９．０９％）。
【０１１３】
一般式（６８）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：７．８５（ｓ，２Ｈ），７．４２（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，４Ｈ），７．３５（ｓ，２Ｈ），７．３１（ｄ，Ｊ＝８．６８Ｈｚ，２Ｈ），７．２２（ｔ，Ｊ＝８．４８Ｈｚ，２Ｈ），７．０５（ｄ，Ｊ＝８．７２Ｈｚ，４Ｈ），２，５１（ｓ，６Ｈ）．１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＣ（ｐｐｍ）：１４６．２３（２Ｃ），１４０．２７（１Ｃ），１３２．６６（６Ｃ），１３２．３６（２Ｃ），１２７．６０（３Ｃ），１２６．０９（６Ｃ），１２４．５０（２Ｃ），１２１．５２（４Ｃ），１１６．２３（２Ｃ），１１０．１４（２Ｃ），２０．２７（２Ｃ）
【０１１４】
製造例２：
【０１１５】
【化１４】
0005500580.tif 000015
【０１１６】
シュレンクに５．８３６ｇ（８．７７ｍｍｏｌ）の製造例１で得た一般式（６８）に示す化合物と３．３７６ｇ（１８．４２ｍｍｏｌ）の３−メチルジフェニルアミンおよび、０．１９７ｇ（０．８７７ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウムを入れ、容器をアルゴン置換した後、２００ｍＬのトルエンを、攪拌し溶解させた。そこに、温めて液体状態とした０．３３５ｇ（１．７７５ｍｍｏｌ）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを滴下し、さらに２．１６６ｇ（１９．３０ｍｍｏｌ）のｔｅｔｒ−ブトキシカリウムを加えた後、加熱し、アルゴン気流中で２４時間還流した。冷却した後、水を加え、トルエンで抽出した。トルエン溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過により硫酸ナトリウムを取り除き、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝３／１）により精製し、６．２１９ｇ（７．１４９ｍｍｏｌ）の一般式（６９）に示す目的物を得た（収率８１．４８％）。
【０１１７】
一般式（６９）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：７．８７（ｓ，２Ｈ），７．３６−７．０５（ｍ，３２Ｈ），２．５３（ｓ，６Ｈ），２．２６（ｓ，６Ｈ）
【０１１８】
製造例３：
【０１１９】
【化１５】
0005500580.tif 000016
【０１２０】
四つ口フラスコに２５．４０ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）のｐ−ジブロモベンゼンと３５．５３ｇ（２１０．０ｍｍｏｌ）のジフェニルアミン、および２．２４５ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウムを入れ、容器をアルゴン置換した後、４００ｍＬのトルエンを加え、攪拌し溶解させた。そこに、温めて液体状態とした４．０４６ｇ（２０．００ｍｍｏｌ）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを滴下し、さらに２４．６９ｇ（２２０ｍｍｏｌ）のｔｅｔｒ−ブトキシカリウムを加えた後、加熱し、アルゴン気流中で２４時間還流した。冷却した後、水を加え、反応を停止させた。反応溶液をナスフラスコに移し、エバポレーターにより濃縮し、トルエンを除去した。エバポレーターでの濃縮により、トルエンが先に除去され、水層が後に残ったため、水層を分液ロートに移し、水層だけを捨てた。残った沈殿物にメタノールを加え、懸濁洗浄した後、吸引濾過を行い、固体を濾取した。この個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１）により精製し、３９．７４ｇ（９６．３５ｍｍｏｌ）の一般式（７０）に示す目的物を得た（収率９６．３５％）。
【０１２１】
製造例４：
【０１２２】
【化１６】
0005500580.tif 000017
【０１２３】
シュレンクに９．７０８ｇ（２３．５３ｍｍｏｌ）の製造例３で得た一般式（７０）に示す化合物を入れ、容器をアルゴン置換した後、３００ｍＬのＮ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を入れ、溶解させた。０℃まで冷却した後、４．１８８ｇ（２３．５３ｍｍｏｌ）のＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）を１００ｍＬのＮＭＰに溶かした溶液を少しずつ滴下し、すべて滴下し終わった後に室温まで昇温させて、２４時間攪拌した。反応溶液に水を１０００ｍＬ加え、白色の沈殿を析出させ、この懸濁溶液をろ過した。得られた固体をジクロロメタンに溶解させ、水を加えて分液操作を行った。ジクロロメタン層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過して乾燥剤を除き、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１）により精製し、６．８２７ｇ（１３．８９ｍｍｏｌ）の一般式（７１）に示す目的物を得た（収率５９．０４％）。
【０１２４】
製造例５：
【０１２５】
【化１７】
0005500580.tif 000018
【０１２６】
シュレンクに０．５２８３ｇ（２．０ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロ−３，６−ジメチルカルバゾール、０．９８２８ｇ（２．０ｍｍｏｌ）の製造例４で得た一般式（７１）に示す化合物、触媒量のヨウ化銅、および１．２７４ｇ（６．０ｍｍｏｌ）のリン酸カリウムを入れ、容器をアルゴン置換した後、４０ｍＬの１，４−ジオキサンを加え、攪拌した。そこに０．２２８ｇ（０．２ｍｍｏｌ）のｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（以下、ＣＨＤＡ）を加え、加熱し、４８時間還流した。冷却後、水を加え、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。水とエーテルを加え、分液ロートに移し、エーテル抽出を行った。エーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過して乾燥剤を除去し、濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１）により精製し、１．０９９ｇ（１．６２９ｍｍｏｌ）の一般式（７２）に示す目的物を得た（収率８１．４３％）。
【０１２７】
一般式（７２）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：７．８７（ｓ，２Ｈ），７．４４−６．９４（ｍ，２５Ｈ），２．５２（ｓ，６Ｈ）．１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＣ（ｐｐｍ）：１４０．５３（４Ｃ），１３２．３１（４Ｃ），１２９．４６（２Ｃ），１２９．２３（２Ｃ），１２９．１４（２Ｃ），１２７．３７（６Ｃ），１２６．５８（４Ｃ），１２５．１７（２Ｃ），１２１．５１（８Ｃ），１１０．２６（６Ｃ），２０．２８（２Ｃ）
【０１２８】
製造例６：
【０１２９】
【化１８】
0005500580.tif 000019
【０１３０】
シュレンクに１．７４０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）の製造例２で得た一般式（６９）に示す化合物を入れ、容器をアルゴン置換した後、トルエン２００ｍＬを加え、溶解させた。０℃に冷却し、そこに１．４２４ｇ（８．００ｍｍｏｌ）のＮＢＳを１０ｍＬのＤＭＦに溶かした溶液を滴下し、すべて滴下し終わってから、温度を室温まで昇温させ、２４時間攪拌した。反応溶液を濃縮し、沈殿物を吸引濾過により、濾取し、沈殿物をエーテル洗浄した後、沈殿物を回収した。水を加え、沈殿を析出させ、吸引濾過で沈殿物を濾取した。沈殿物を熱湯で洗浄し、メタノールで洗浄して、２．１０５ｇ（１．７７６ｍｍｏｌ）の一般式（７３）に示す目的物を得た（収率８８．７９％）。
【０１３１】
製造例７：
【０１３２】
【化１９】
0005500580.tif 000020
【０１３３】
シュレンクに０．４８６２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）のマグネシウムを入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、少量のヨウ素を加えた。２０分ほど攪拌した後、２．９８１ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）の５−ブロモ−１−ペンテンを２０ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦ）に溶かした溶液を、還流が止まらない程度に少しずつ滴下し、すべて加え終わった後、さらに５時間還流し、グリニャール試薬を調整した。別のシュレンクに１．７７８ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）の製造例６で得た一般式（７３）に示す化合物を入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、４５ｍＬのＴＨＦを加え、溶解させた。さらにＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）を触媒量加え、−１０℃まで冷却し、そこに先に調整したグリニャール試薬を少しずつ滴下した。すべて加え終わった後、８０℃まで加熱し、７２時間還流した。冷却した後、水を加え、エバポレーターによりＴＨＦを除去した後、エーテルで抽出した。エーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過して乾燥剤を除去した後、エバポレーターにより濃縮した。ＭＳ（質量分析）スペクトルにより一般式（７４）に示す目的物を確認した。
【０１３４】
製造例８：
【０１３５】
【化２０】
0005500580.tif 000021
【０１３６】
シュレンクに２．６１０ｇ（３．００ｍｍｏｌ）の製造例２で得た一般式（６９）に示す化合物を入れ、容器をアルゴン置換した後、トルエン２００ｍＬを加え、溶解させた。０℃に冷却し、そこに１．０６８ｇ（６．００ｍｍｏｌ）のＮＢＳを１８ｍＬのＤＭＦに溶かした溶液を滴下し、すべて滴下し終わってから、温度を室温まで昇温させ、２４時間攪拌した。反応溶液を濃縮し、沈殿物を吸引濾過により、濾取し、沈殿物をエーテル洗浄した後、沈殿物を回収した。水を加え、沈殿を析出させ、吸引濾過で沈殿物を濾取した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝３／１）により精製し、一般式（７５）に示す目的物を得た。
【０１３７】
製造例９：
【０１３８】
【化２１】
0005500580.tif 000022
【０１３９】
シュレンクに１．４８５ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）のマグネシウムを入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、少量のヨウ素を加えた。２０分ほど攪拌した後、８．９４１ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）の５−ブロモ−１−ペンテンを６０ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦ）に溶かした溶液を、還流が止まらない程度に少しずつ滴下し、すべて加え終わった後、さらに５時間還流し、グリニャール試薬を調整した。別のシュレンクに１．０２８ｇ（１．００ｍｍｏｌ）の製造例８で得た一般式（７５）に示す化合物を入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、５０ｍＬのＴＨＦを加え、溶解させた。さらにＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）を触媒量加え、−１０℃まで冷却し、そこに先に調整した５．０ｍＬのグリニャール試薬を少しずつ滴下した。すべて加え終わった後、８０℃まで加熱し、７２時間還流した。冷却した後、水を加え、エバポレーターによりＴＨＦを除去した後、エーテルで抽出した。エーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過して乾燥剤を除去した後、エバポレーターにより濃縮した。ＭＳスペクトルにより一般式（７６）に示す目的物を確認した。
【０１４０】
製造例１０：
【０１４１】
【化２２】
0005500580.tif 000023
【０１４２】
シュレンクに０．７１０５ｇ（１．０５ｍｍｏｌ）の製造例５で得た一般式（７２）に示す化合物を入れ、容器をアルゴン置換した後、トルエン４０ｍＬを加え、溶解させた。０℃に冷却し、そこに０．５７２ｇ（３．２１ｍｍｏｌ）のＮＢＳを２０ｍＬのＤＭＦに溶かした溶液を滴下し、すべて滴下し終わってから、温度を室温まで昇温させ、２４時間攪拌した。水を加え、トルエンをエバポレーターで留去した後、ジクロロメタンを用いて抽出した。ジクロロメタン溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させ、乾燥剤を濾過して取り除いた後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１）により精製し一般式（７７）に示す目的物を得た。
【０１４３】
製造例１１：
【０１４４】
【化２３】
0005500580.tif 000024
【０１４５】
シュレンクに１．２１６ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）のマグネシウムを入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、少量のヨウ素を加えた。２０分攪拌した後、７．４５２ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）の５−ブロモ−１−ペンテンを５０ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦ）に溶かした溶液を、還流が止まらない程度に少しずつ滴下し、すべて加え終わった後、さらに５時間還流し、グリニャール試薬を調整した。別のシュレンクに０．６８３５ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）の製造例１０で得た一般式（７７）に示す化合物を入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、５ｍＬのＴＨＦを加え、溶解させた。さらにＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）を触媒量加え、−１０℃まで冷却し、そこに先に調整した１１．２５ｍＬのグリニャール試薬を少しずつ滴下した。すべて加え終わった後、８０℃まで加熱し、７２時間還流した。冷却した後、水を加え、エバポレーターによりＴＨＦを除去した後、エーテルで抽出した。エーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過して乾燥剤を除去した後、エバポレーターにより濃縮した。ＭＳスペクトルにより一般式（７８）に示す目的物を確認した。
【０１４６】
製造例１２：
【０１４７】
【化２４】
0005500580.tif 000025
【０１４８】
シュレンクに２．６６１ｇ（４．００ｍｍｏｌ）の製造例１で得た一般式（６８）に示す化合物と１．８４２ｇ（８．４０ｍｍｏｌ）のＮ−フェニル−１−ナフチルアミンおよび、０．０９０ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウムを入れ、容器をアルゴン置換した後、１００ｍＬのトルエンを、攪拌し溶解させた。そこに、温めて液体状態とした０．１６２ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを滴下し、さらに０．９８７ｇ（８．８０ｍｍｏｌ）のｔｅｔｒ−ブトキシカリウムを加えた後、加熱し、アルゴン気流中で２４時間還流した。冷却した後、水を加え、エーテルで抽出した。エーテル溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過により硫酸ナトリウムを取り除き、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝３／１）により精製し、２．１５７ｇ（２．２９０ｍｍｏｌ）の一般式（７９）に示す目的物を得た（収率５７．２５％）。
【０１４９】
一般式（７９）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：７．９８（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，２Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝９．１６，２Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．４４（ｔ，Ｊ＝７．３２，４Ｈ），７．３７−７．１２（ｍ，２８Ｈ），７．００（ｂｒｓ，２Ｈ），２．５０（ｓ，６Ｈ)
【０１５０】
製造例１３：
【０１５１】
【化２５】
0005500580.tif 000026
【０１５２】
シュレンクに２．６６１ｇ（４．００ｍｍｏｌ）の製造例１で得た一般式（６８）に示す化合物と１．８４２ｇ（８．４０ｍｍｏｌ）のＮ−フェニル−１−ナフチルアミンおよび、０．０９０ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウムを入れ、容器をアルゴン置換した後、１００ｍＬのトルエンを、攪拌し溶解させた。そこに、温めて液体状態とした０．１６２ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを滴下し、さらに０．９８７ｇ（８．８０ｍｍｏｌ）のｔｅｔｒ−ブトキシカリウムを加えた後、加熱し、アルゴン気流中で２４時間還流した。冷却した後、水を加え、エーテルで抽出した。エーテル溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過により硫酸ナトリウムを取り除き、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝３／１）により精製し、２．０５７３ｇ（２．１８４ｍｍｏｌ）の一般式（８０）に示す目的物を得た（収率５４．６０％）。
【０１５３】
一般式（８０）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：７．８６（ｓ，２Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝８．２４，２Ｈ），７．５９（ｓ，２Ｈ），７．４０−７．１０（ｍ，３２Ｈ），２．５２（ｓ，６Ｈ）
【０１５４】
製造例１４：
【０１５５】
【化２６】
0005500580.tif 000027
【０１５６】
シュレンクに５．１１９ｇ（２１０．６ｍｍｏｌ）のマグネシウムを入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、少量のヨウ素を加えた。２０分攪拌した後、３１．３９ｇ（２１０．６ｍｍｏｌ）の５−ブロモ−１−ペンテンを２１０ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦ）に溶かした溶液を、還流が止まらない程度に少しずつ滴下し、すべて加え終わった後、さらに５時間還流し、グリニャール試薬を調整した。別のシュレンクに４６．７０ｇ（７０．２０ｍｍｏｌ）の製造例１で得た一般式（６８）に示す化合物を入れ、容器を十分に乾燥させた後、アルゴン置換をし、３５０ｍＬのＴＨＦを加え、溶解させた。さらにＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）を触媒量加え、−１０℃まで冷却し、そこに先に調整した２１０ｍＬのグリニャール試薬を少しずつ滴下した。すべて加え終わった後、８０℃まで加熱し、７２時間還流した。冷却した後、水を加え、エバポレーターによりＴＨＦを除去した後、エーテルで抽出した。エーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過して乾燥剤を除去した後、エバポレーターにより濃縮した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝４／１）により精製し、３８．１０ｇ（５９．１９ｍｍｏｌ）の一般式（８１）に示す目的物を得た（収率８４．３２％）。
【０１５７】
一般式（８１）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：７．８３（ｓ，２Ｈ），７．３５（ｓ，２Ｈ），７．２２−７．２１（ｍ，１２Ｈ），５．９０−５．７９（ｍ，２Ｈ），５．０１（ｄｄ，Ｊ＝２３Ｈｚ，Ｊ＝１２Ｈｚ，４Ｈ），２．６０（ｔ，Ｊ＝７．５６Ｈｚ，４Ｈ），２．５０（ｓ，６Ｈ），２．１２（ｑ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ，４Ｈ），１．７３（ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．４５，４Ｈ）．１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＣ（ｐｐｍ）：１４７．８５（１Ｃ），１４５．０６（２Ｃ），１４０．５３（２Ｃ），１３８．５６（２Ｃ），１３７．８６（２Ｃ），１３２．２５（２Ｃ），１２９．４４（６Ｃ），１２７．２５（４Ｃ），１２５．１０（４Ｃ），１２２．５５（２Ｃ），１２１．３８（３Ｃ），１１４．７２（２Ｃ），１１０．２３（２Ｃ），３４．７２（２Ｃ），３３．３２（２Ｃ），３０．５７（２Ｃ），２０．２５（２Ｃ）
【０１５８】
製造例１５：
【０１５９】
【化２７】
0005500580.tif 000028
【０１６０】
アルゴン置換したシュレンクに８．２５２ｇ（３０．００ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、４．６８６ｇ（３０．００ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、２５ｍＬのＤＭＦを加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに、８．０４６ｇ（１２．５０ｍｍｏｌ）の製造例１４で得た一般式（８１）に示す化合物を、６２．５ｍＬのＴＨＦで溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で７２時間攪拌した。反応液をメタノール２０００ｍＬ、濃塩酸５０ｍＬの混合溶媒に滴下し、４時間攪拌した。沈殿物を濾取して減圧乾燥を４時間行った。その後２０ｍＬのＴＨＦに溶解させ、メタノール２０００ｍＬ中に滴下し、再沈澱を行った。沈殿物を濾取し、真空中で十分に乾燥させた後、６００ｍＬのトルエンに溶かし、５００ｍＬの２Ｍ−塩酸を加え、強く攪拌した。１時間ほど攪拌した後、静置し、２層に分離させ、塩酸の層を取り除いた。トルエン溶液に５００ｍＬの超純水を加え、攪拌した後、水層を取り除いた。この水洗操作を３回繰り返した。続いてトルエン溶液に１００ｍＬのアンモニア水を加え、強く攪拌し、整地した後、アンモニア層を取り除いた。アンモニア処理を３回繰り返した。トルエン溶液に５００ｍＬの超純水を加え、攪拌した後、水層を取り除いた。水層が中性になるまでこの操作を繰り返した。トルエン溶液を５μｍ、１μｍ、０．２２μｍのフィルターでそれぞれ濾過し、濾液を濃縮し、トルエンを除去した後、５０ｍＬのＴＨＦに溶かし、２０００ｍＬのメタノール中に再沈澱を行った。その後、濾取し、真空中で乾燥させ、４．４４９ｇの一般式（８２）に示すポリマーを得た（回収率５５．３０％）。
【０１６１】
一般式（８２）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：８．０５（ｓ，２Ｈ），７．３５−６．９２（ｍ，１４Ｈ），５．８７−５．７３（ｍ，２Ｈ），５．０５−４．９２（ｍ，４Ｈ），２．５４（ｂｒｓ，６Ｈ），２．３５−２．２２（ｍ，４Ｈ），２．０９−２．０５（ｍ，４Ｈ），１．６７（ｓ，４Ｈ）
【０１６２】
実施例１：
【０１６３】
【化２８】
0005500580.tif 000029
【０１６４】
アルゴン置換したシュレンクに１．３２０ｇ（４．８０ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、０．７５０ｇ（４．８０ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、２ｍＬのＤＭＦを加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに、１．７４０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）の製造例２で得た一般式（６９）に示す化合物を、１２ｍＬのＴＨＦで溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で７２時間攪拌した。反応液をメタノール１０００ｍＬ、濃塩酸２０ｍＬの混合溶媒に滴下し、４時間攪拌した。沈殿物を濾取して減圧乾燥を４時間行った。その後２０ｍＬのＴＨＦに溶解させ、アンモニア／水／メタノール（５０ｍＬ／２５０ｍＬ／５００ｍＬ）に再沈澱させ、１６時間攪拌した後、濾取した。得られた固体を減圧乾燥し、１．４６０ｇの一般式（８３）に示すポリマーを得た。
【０１６５】
一般式（８３）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：８．０１（ｓ，２Ｈ），７．２６−６．９２（ｍ，３２Ｈ），２．３５−２．１６（ｍ，１２Ｈ）
【０１６６】
さらに、ここで得られた一般式（８３）に示すポリマーの分子量を移動相にＴＨＦを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した結果、標準ポリスチレン換算値で、重量平均分子量（Ｍｗ）６８，６７７、数平均分子量（Ｍｎ）３２，１９５、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）２．１３であった。
【０１６７】
実施例２：
【０１６８】
【化２９】
0005500580.tif 000030
【０１６９】
アルゴン置換したシュレンクに０．２６４１ｇ（０．９６０ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、０．１４９９ｇ（０．９６０ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、２ｍＬのＤＭＦを加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに、０．２６９９ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）の製造例３で得た一般式（７０）に示す化合物を、７ｍＬのＴＨＦで溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で７２時間攪拌した。反応液をメタノール５００ｍＬ、濃塩酸２０ｍＬの混合溶媒に滴下し、４時間攪拌した。沈殿物を濾取して減圧乾燥を４時間行った。その後２０ｍＬのＴＨＦに溶解させ、アンモニア／水／メタノール（５０ｍＬ／２５０ｍＬ／５００ｍＬ）に再沈澱させ、１６時間攪拌した後、濾取した。得られた固体を減圧乾燥し、０．１９５０ｇの一般式（８４）に示すポリマーを得た。
【０１７０】
一般式（８４）に示す化合物を核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により解析した。その結果（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）を以下に示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δＨ（ｐｐｍ）：８．０２（ｓ，２Ｈ），７．５１−６．９８（ｍ，２５Ｈ），２．２１（ｓ，６Ｈ）．
【０１７１】
さらに、ここで得られた一般式（８４）に示すポリマーの分子量を移動相にＴＨＦを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した結果、標準ポリスチレン換算値で、重量平均分子量（Ｍｗ）４５，０００、数平均分子量（Ｍｎ）１７，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）２．６５であった。
【０１７２】
実施例３：
【０１７３】
【化３０】
0005500580.tif 000031
【０１７４】
アルゴン置換したシュレンクに２．６４１ｇ（９．６０ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、１．４９９ｇ（９．６０ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、４ｍＬのＤＭＦを加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに、１．７４０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）の製造例２で得た一般式（６９）に示す化合物と、０．９５８８ｇ（２．００ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロカルバゾール−Ｎ−トリフェニルアミンを、２４ｍＬのＴＨＦで溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で２４時間攪拌した。その後、０．２２５１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）のモノクロロベンゼンを加え、さらに２４時間攪拌した。反応液をメタノール５００ｍＬ、濃塩酸２０ｍＬの混合溶媒に滴下し、４時間攪拌した。沈殿物を濾取して減圧乾燥を４時間行った。その後２０ｍＬのＴＨＦに溶解させ、アンモニア／水／メタノール（５０ｍＬ／２５０ｍＬ／５００ｍＬ）に再沈澱させ、１６時間攪拌した後、濾取した。得られた固体を減圧乾燥し、１．７９５ｇの一般式（８５）に示すポリマーを得た。
【０１７５】
さらに、ここで得られた一般式（８５）に示すポリマーの分子量を移動相にＴＨＦを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した結果、標準ポリスチレン換算値で、重量平均分子量（Ｍｗ）２８７，０００、数平均分子量（Ｍｎ）１５３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．８７であった。
【０１７６】
実施例４：
【０１７７】
【化３１】
0005500580.tif 000032
【０１７８】
アルゴン置換したシュレンクに０．２６４１ｇ（０．９６０ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、０．１４９９ｇ（０．９６０ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、２ｍＬのＤＭＦを加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに、０．４５７０ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）の製造例７で得た一般式（７４）に示す化合物を、７ｍＬのＴＨＦで溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で７２時間攪拌した。反応液をメタノール５００ｍＬ、濃塩酸２０ｍＬの混合溶媒に滴下し、４時間攪拌した。沈殿物を濾取して減圧乾燥を４時間行った。その後２０ｍＬのＴＨＦに溶解させ、アンモニア／水／メタノール（５０ｍＬ／２５０ｍＬ／５００ｍＬ）に再沈澱させ、１６時間攪拌した後、濾取した。得られた固体を減圧乾燥し、０．２７４２ｇの一般式（８６）に示すポリマーを得た。
【０１７９】
さらに、ここで得られた一般式（８６）に示すポリマーの分子量を移動相にＴＨＦを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した結果、標準ポリスチレン換算値で、重量平均分子量（Ｍｗ）５６，０００、数平均分子量（Ｍｎ）２２，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）２．５５であった。
【０１８０】
実施例１および２、製造例１５で製造された化合物の特性を下記表１に示す。
なお、イオン化ポテンシャルは光電分光法を用いて測定した。バンドギャップは膜状態のＵＶスペクトルの吸収端から算出した。電子親和力はイオン化ポテンシャルとバンドギャップの差から算出した。電極の仕事関数との差は、ＩＴＯ電極の仕事関数を５．０ｅＶとしたときの値と、実施例１および２、製造例１５で製造された化合物のイオン化ポテンシャルとの差から求めた。
【０１８１】
【表１】
0005500580.tif 000033
【０１８２】
表１に示すように、製造例１５のような化合物の構造では、電極の仕事関数との差は約０．７ｅＶであり、大きな差が生じる（０．１ｅＶの差でも非常に大きい）。イオン化ポテンシャルと電極の仕事関数との差が小さいほど正孔は注入されやすくなるが、実施例１および２の化合物のような電子供与性の基を増やした、電子リッチ構造にすることで、電極の仕事関数との差が０．１〜０．２ｅＶ以内となった。
【０１８３】
実施例５：本発明の化合物を用いて図１に示す有機ＥＬ素子を作成し、特性を評価した。
実施例５の有機ＥＬ素子の構成は、基板７側から順に、「陽極６」ＩＴＯ／「正孔注入層５」実施例１の一般式（８３）に示すポリマー／「正孔輸送層４」α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／「発光層３」ＡｄＡｎｔ：ＢＤＡＶＢｉ３ｗｔ％（３０ｎｍ）／「電子注入・輸送層２」Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／「陰極１」Ａｌ（１００ｎｍ）である。なお、正孔注入層５は塗布法の一つであるスピンコート法で製膜し、正孔輸送層４、発光層３、電子注入・輸送層２および陰極１は真空蒸着法で製膜した。
【０１８４】
比較例１：正孔注入層を設けないこと以外は実施例５と同様の有機ＥＬ素子を作成し、特性を評価した。
比較例１の有機ＥＬ素子の構成は、基板側から順に、「陽極」ＩＴＯ／「正孔輸送層」ジフェニルナフチルジアミン（α−ＮＰＤ）（４０ｎｍ）／「発光層」ＡｄＡｎｔ：ＢＤＡＶＢｉ３ｗｔ％（ＢＤＡＶＢｉを、アダマンタンアントラセン（Ａｄ−Ａｎｔ）ホスト中に３ｗｔ％ドープしたもの）（３０ｎｍ）／「電子注入・輸送層」アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）（４０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／「陰極」Ａｌ（１００ｎｍ））である。正孔輸送層、発光層、電子注入・輸送層および陰極はすべて真空蒸着法で製膜した。
【０１８５】
比較例２：正孔注入層の材料を従来の材料にしたこと以外は実施例５と同様の有機ＥＬ素子を作成し、特性を評価した。
比較例２の有機ＥＬ素子の構成は、基板側から順に、「陽極」ＩＴＯ／「正孔注入層」ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／「正孔輸送層」α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／「発光層」ＡｄＡｎｔ：ＢＤＡＶＢｉ３ｗｔ％（３０ｎｍ）／「電子注入・輸送層」Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／「陰極」Ａｌ（１００ｎｍ））である。なお、正孔注入層は塗布法の一つであるスピンコート法で製膜し、正孔輸送層、発光層、電子注入・輸送層および陰極は真空蒸着法で製膜した。
【０１８６】
実施例５、比較例１および比較例２の有機ＥＬ素子は、陽極を正側、陰極を負側にして電圧を印加して電流を流すことにより、発光層が発光し、陽極および基板を透過して外部に光が出射された。得られた発光の色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２０）であった。
比較例１、比較例２および実施例５の有機ＥＬ素子について、１００ｃｄ／ｍ２時の特性評価の結果を下記表２に示した。
【０１８７】
【表２】
0005500580.tif 000034
【０１８８】
表２に示すように、比較例１で示した電界発光素子は正孔注入層を設けていないため、ＩＴＯと正孔輸送層との間のバンドギャップが広く、正孔の注入が不十分となった。その結果が電力効率にあらわれている。つまり、電力に対する十分な発光が得られていないといえる。
比較例２で使用したＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、一般に広く用いられる正孔注入材料である（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２）。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは比較的良い初期特性を示すが、酸が遊離するため、電荷発光素子の寿命特性に問題があることが指摘されており、代替が望まれる材料である。電力効率や外部量子効率は、正孔注入層を設けない比較例１と比べると、効率は大幅に改善されており、正孔注入層を導入することによる効果が得られているといえる。
【０１８９】
実施例５には実施例１で製造した本発明の化合物を正孔注入材料として正孔注入層に用いた。その結果、正孔注入層を設けない比較例１と比べると２倍以上の電力効率が得られ、外部量子効率も２倍程度の改善が見られた。また、一般に広く用いられ、優れた正孔注入材料として知られるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを正孔注入層に用いた比較例２の素子と比べても、電力効率および外部量子効率において明らかな改善が確認された。
【０１９０】
実施例６：実施例４で製造された一般式（８６）に示すポリマーを用いて積層膜の検証を行った。
一般式（８６）に示すポリマーをキシレンに溶解して調整した塗布溶液をガラス基板上にスピンコート法で成膜し、２０分間の減圧乾燥の後、膜厚２０ｎｍのポリマー薄膜を得た。その後、紫外線ランプ（波長３６５ｎｍ、照度１５ｍＷ／ｃｍ２）により９０分間紫外線照射することで、ポリマー薄膜を硬化させた。次いで、ポリマー塗布溶液の一般的な溶剤であるトルエンをポリマー薄膜状に滴下し、リンスを行った。リンス後のポリマー薄膜の膜厚を測定した結果、２０ｎｍであった。
この結果より、一般式（８６）に示すポリマーは、塗布法により製膜して光硬化させることで、溶剤に対して難溶性の薄膜となることが確認でき、さらにこの薄膜上に塗布法による積層製膜が可能であることが示された。
【０１９１】
実施例７：本発明の化合物を用いて図１に示す有機ＥＬ素子を作製し、特性を評価した。
実施例７の有機ＥＬ素子の構成は、基板７側から順に、「陽極６」ＩＴＯ／「正孔注入層５」ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（８０ｎｍ）／「正孔輸送層４」実施例４の一般式（８６）に示すポリマー／「発光層３」ポリ−９，９−ジオクチルフルオレン（６５ｎｍ）／「電子注入・輸送層２」ＣｓＦ（２ｎｍ）／「陰極１」Ａｌ（１００ｎｍ）である。なお、正孔注入層５、正孔輸送層４、発光層３は塗布法の一つであるスピンコート法で製膜し、電子注入・輸送層２および陰極１は真空蒸着法で製膜した。
【０１９２】
詳しくは、ＩＴＯ電極がパターニングされたガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの水溶液をスピンコート法で成膜し、２００℃、１０分の加熱処理を行うことにより正孔注入層を形成した。その後、実施例４のポリマーのキシレン溶液をスピンコート法で成膜し、２０分間減圧乾燥させた後、紫外線ランプ（波長３６５ｎｍ、照度１５ｍＷ／ｃｍ２）により９０秒間紫外線を照射することで硬化させて、正孔輸送層を形成した。さらに、正孔輸送層上に、ポリオクチルフルオレンのトルエン溶液をスピンコート法で製膜し、６０分間減圧乾燥させることにより発光層を形成した。その後、真空蒸着法で電子注入・輸送層であるＣｓＦおよび陰極であるＡｌを製膜した。
【０１９３】
比較例３：正孔輸送層を設けないこと以外は実施例７と同様の有機ＥＬ素子を作製し、特性を評価した。
比較例３の有機ＥＬ素子の構成は、基盤側から順に、「陽極」ＩＴＯ／「正孔輸送層」ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（８０ｎｍ）／「発光層」ポリ−９，９−ジオクチルフルオレン（６５ｎｍ）／「電子注入・輸送層」ＣｓＦ（２ｎｍ）／「陰極」Ａｌ（１００ｎｍ）である。なお、正孔注入層、正孔輸送層、発光層は塗布法の一つであるスピンコート法で製膜し、電子注入・輸送層および陰極は真空蒸着法で製膜した。
【０１９４】
比較例３および実施例７の有機ＥＬ素子の特性評価の結果を下記表３に示した。
【０１９５】
【表３】
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【０１９６】
表３に示すように、実施例７は本発明の化合物からなる正孔輸送層を備えているので、正孔輸送層を備えていない比較例３と比較して、最大電流効率および最大輝度が大きく、良好であった。
【符号の説明】
【０１９７】
１：陰極、２：電子注入・輸送層、３：発光層、４：正孔輸送層、５：正孔注入層、６：陽極、７：基板。
【図１】
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