(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）で示されるビスフェノール化合物のノボラック樹脂をベース樹脂とすることを特徴とするレジスト保護膜材料。
【化１】
0005516557.tif 000089
（式中、Ｒαは同一又は異種の水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、又は炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒβは単結合又は炭素数１〜４０の直鎖状、分岐状又は環状構造を有する２ｎ価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基を有していてもよく、脂肪族不飽和結合を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよく、炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよい。ｎは１〜４の整数を示す。Ｒγは単結合、又は直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。ｐ、ｑはそれぞれ１〜３の整数を示す。）
【請求項２】
前記保護膜材料が、アルカリ現像液に可溶であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト保護膜材料。
【請求項３】
更に、１−ブチルアルコール、２−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−１−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、２−エチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、４−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノールから選ばれるアルコール系溶媒と、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−ｎ−ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ペンチルエーテル、ジ−ｔｅｒｔ−アミルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテルから選ばれるエーテル系溶媒又はトルエン、キシレン、メジチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、アニソールから選ばれる芳香族系溶媒から選ばれる１種以上の溶媒とを混合した有機溶媒を含有する請求項１又は２に記載のレジスト保護膜材料。
【請求項４】
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
露光における波長が３〜１５ｎｍの範囲、又は露光に電子線を用いることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
露光後に行う現像工程において、アルカリ現像液によりフォトレジスト層の現像とレジスト保護膜材料の保護膜の剥離とを同時に行う請求項４乃至６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
下記一般式（２）で示されるカルボキシル基及び／又はフェノール基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ａ１、ａ２から選ばれる１つ以上の繰り返し単位と、下記一般式（３）で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位ｂ１、ｂ２から選ばれる１つ以上の繰り返し単位とを共重合した重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているフォトレジスト層上に該レジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法。
【化２】
0005516557.tif 000090
（一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Ｒ2、Ｒ4は酸不安定基を表す。Ｘ1は単結合、エステル基，ラクトン環，フェニレン基又はナフチレン基のいずれか１種又は２種以上を有する炭素数１〜１２の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Ｘ2は単結合、又はエステル基もしくはアミド基である。一般式（３）中、Ｒ5、Ｒ9は水素原子又はメチル基、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は同一又は異種の炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Ａ1は単結合、−Ａ0−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又は−Ａ0−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−であり、Ａ0は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよい。Ａ2は水素原子又はＣＦ3基である。Ｚ1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−Ｏ−Ｒ13−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ2−Ｒ13−である。Ｚ2は酸素原子又はＮＨ、Ｒ13は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。０≦ａ１≦０．９、０≦ａ２≦０．９、０＜ａ１＋ａ２≦０．９、０≦ｂ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．３、０＜ｂ１＋ｂ２≦０．３の範囲である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられるレジスト保護膜材料及びこれを使用したパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。微細化が急速に進歩した背景には、投影レンズの高ＮＡ化、レジスト材料の性能向上、短波長化が挙げられる。
【０００３】
ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）用レジスト材料は、一般的に０．３μｍプロセスに使われ始め、０．１３μｍルールの量産まで適用された。ＫｒＦからＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）への波長の短波長化は、デザインルールの微細化を０．１３μｍ以下にすることは可能であるが、従来用いられてきたノボラック樹脂やポリビニルフェノール系の樹脂が１９３ｎｍ付近に非常に強い吸収を持つため、レジスト用のベース樹脂として用いることができない。透明性と、必要なドライエッチング耐性の確保のため、アクリル系の樹脂やシクロオレフィン系の脂環族系の樹脂が検討され、ＡｒＦリソグラフィーを用いたデバイスの量産が行われた。
【０００４】
次の４５ｎｍノードデバイスには露光波長の短波長化が推し進められ、波長１５７ｎｍのＦ2リソグラフィーが候補に挙がった。しかしながら、投影レンズに高価なＣａＦ2単結晶を大量に用いることによるスキャナーのコストアップ、ソフトペリクルの耐久性が極めて低いためのハードペリクル導入に伴う光学系の変更、レジストのエッチング耐性低下等の種々の問題により、Ｆ2リソグラフィーの先送りと、ＡｒＦ液浸リソグラフィーの早期導入が提唱され、これを用いた４５ｎｍノードのデバイスが量産されている。３２ｎｍノードデバイスの量産には、サイドウォールスペーサー技術を用いたダブルパターニングが用いられているが、プロセスの複雑さと長さが問題になっている。
【０００５】
３２ｎｍ以降のデバイスでは、プロセスコストの高いダブルパターニングではなく、露光波長を１桁以上短波長化して解像性を向上させた波長１３．５ｎｍの真空紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィーの到来が期待されており、開発が進んでいる。
ＥＵＶリソグラフィーにおいては、レーザーのパワーが低いことと反射ミラーの光の減衰のための光量低下によって、ウエハー面に到達する光の強度が低い。低い光量でスループットを稼ぐため高感度レジスト材料の開発が急務である。しかしながら、レジスト材料の感度を上げると解像度とエッジラフネス（ＬＥＲ、ＬＷＲ）が劣化するという問題があり、感度とのトレードオフの関係が指摘されている。
【０００６】
ＥＵＶレジスト材料は感度が高いために、環境の影響を受け易いという問題がある。通常化学増幅型レジスト材料には空気中のアミンコンタミネーションの影響を受けにくくするためにアミンクエンチャーが添加されているが、ＡｒＦレジスト材料などに比べてＥＵＶレジスト材料のアミンクエンチャーの添加量は数分の一である。このため、ＥＵＶレジスト材料はレジスト表面からのアミンの影響を受けてＴ−ｔｏｐ形状になり易い。
環境の影響を遮断するためにはレジスト膜の上層に保護膜を形成することが有効である。アミンクエンチャーが添加されていなかった、ｔ−ＢＯＣで保護されたポリヒドロキシスチレンベースのＫｒＦエキシマレーザー用の初期型の化学増幅型レジスト材料には保護膜の適用が有効であった。ＡｒＦ液浸リソグラフィーの初期段階においても、水への酸発生剤の流出を防いでこれによるＴ−ｔｏｐ形状防止のために保護膜が適用された。
ここで、ＥＵＶリソグラフィープロセスにおいてもレジスト膜の上層に保護膜を形成することが提案されている（特許文献１：特開２００６−５８７３９号公報、特許文献２：特許第４７１６０４７号公報、特許文献３：特開２００８−６５３０４号公報、非特許文献１：Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ７９６９，  ｐ７９６９１６−１  （２０１１））。保護膜を形成することによって環境耐性を向上させることができ、レジスト膜からのアウトガスを低減させることができる。
【０００７】
ＤＰＰ、ＬＰＰのＥＵＶレーザーからは、パターンを形成する波長１３．５ｎｍの光以外に弱いながらも波長１４０〜３００ｎｍのブロードな光（アウトオブバンド：ＯＯＢ）が発振される。ブロード光は強度が弱いが、波長帯が幅広いためにエネルギー量としては無視できない。ＯＯＢをカットするためのＺｒフィルターがＥＵＶマイクロステッパーに装着されているが、光量が低下する。スループットを向上させるために光量低下が許されないＥＵＶスキャナーでは、フィルターが装着されない可能性がある。
ＯＯＢに感光せず、ＥＵＶに感光するレジスト開発が必要である。このようなレジストとして、スルホニウム塩のＰＡＧのカチオン構造が重要であり、特許文献４（特開２０１１−１３８１０７号公報）の段落［００５２］中にＯＯＢに対して感度が低く、ＥＵＶ光に高感度なバウンド型の酸発生剤の記載がある。非特許文献１では、ＯＯＢ光を遮断する保護膜をレジスト上層に設けることの優位性が示されている。
【０００８】
液浸リソグラフィー用の保護膜の場合、保護膜用の溶剤がレジスト膜表面を溶解させ、保護膜とレジスト膜とがミキシングを起こして現像後のレジストパターンが膜減りを起こすことが指摘されている（特許文献５：特許第４７７１０８３号公報）。特にアルコール系溶媒を用いた場合に膜減りが顕著である。膜減りを防止するためにエーテル系溶媒が効果的であることが示されている。エーテル系溶媒に溶解するポリマーとしては、特許文献４に記載されるようにヘキサフルオロアルコール（ＨＦＡ）含有のポリマーを挙げることができる。しかしながら、フッ素原子はＥＵＶの光に対して強い吸収があるために、ＨＦＡ含有ポリマーをレジスト上層保護膜として用いた場合、パターン後のレジスト感度が低下してしまう問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−５８７３９号公報
【特許文献２】特許第４７１６０４７号公報
【特許文献３】特開２００８−６５３０４号公報
【特許文献４】特開２０１１−１３８１０７号公報
【特許文献５】特許第４７７１０８３号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ７９６９，  ｐ７９６９１６−１  （２０１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させるだけでなくレジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジスト膜を高感度化させる効果も併せ持つレジスト保護膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を吸収し、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させるために、後述する保護膜を形成することが有効であることを知見した。この保護膜は、アルカリ現像液に可溶とすることができ、レジスト膜の現像と同時に剥離が可能であり、溶媒剥離型の保護膜に比べてプロセスがシンプルであるためにプロセスコストの上昇を最小限に抑えることが可能である。
【００１３】
なお、波長１３．５ｎｍにおいて、水素原子、炭素原子、珪素原子、硫黄原子の吸収が小さく、酸素原子、フッ素原子の吸収は大きいことが報告されている。前述の特許文献１に記載されているフッ素ポリマーは波長１３．５ｎｍに大きな吸収を持つ。レジスト保護膜に吸収があると、レジスト膜の感度が低感度化にシフトする。レーザーパワーが低いＥＵＶリソグラフィーにおいてレジスト膜の低感度化は問題である。よって、レジスト保護膜としては高透明である必要がある。また、前述のフッ素ポリマーはアルカリ現像液に溶解しないために現像前に別途レジスト保護膜専用の剥離カップが必要となり、プロセスが煩雑化する。レジスト膜の現像と同時に剥離可能な保護膜が望ましく、保護膜材料の設計としてアルカリ溶解性基を有する材料が必要となるが、後述する保護膜は、かかる要求に応えられるものである。
【００１４】
なお、アルカリ溶解性基としてはカルボキシル基、フェノール基、スルホ基、ヘキサフルオロアルコール基等が挙げられるが、透明性の観点ではヘキサフルオロアルコール基はフッ素原子が６個も存在しているための強い吸収があるため、これを保護膜のアルカリ溶解性基として用いることは好ましくない。
【００１５】
ポリヒドロキシスチレンベースのレジスト材料は、ＥＵＶ照射時の酸発生効率が高いことが報告されている。ＥＵＶ照射によってフェノール基から酸発生剤へのエネルギー移動による増感効果によって感度が向上する。このため、レジスト膜の感度を上げるためにポリヒドロキシスチレンベースのレジスト材料が検討されている。
【００１６】
ポリマー主鎖に酸発生剤（ＰＡＧ）を結合したレジストが提案されている。特に主鎖にスルホン酸が結合したスルホニウム塩、ヨードニウム塩の酸発生剤を用いると酸の拡散距離を短くすることによって酸拡散による像のボケを少なくすることができ、微細パターン形成に有利である（特許第４４２５７７６号公報）。ＰＡＧがバウンドされたレジスト膜の欠点は感度が低いことである。このため、フェノール基を有するヒドロキシスチレン等を共重合することによって感度向上を図っている。しかしながら、アルカリ溶解速度が向上するフェノール基を有するモノマーの共重合は、レジストパターンの膜減りを生じさせ、好ましいことではない。高感度で、現像後のパターンの膜減りが少ないレジスト保護膜材料の開発が望まれている。
【００１７】
従って、本発明は、下記のレジスト保護膜材料及びパターン形成方法を提供するものである。
〔１〕
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）で示されるビスフェノール化合物のノボラック樹脂をベース樹脂とすることを特徴とするレジスト保護膜材料。
【化１】
0005516557.tif 000002
（式中、Ｒαは同一又は異種の水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、又は炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒβは単結合又は炭素数１〜４０の直鎖状、分岐状又は環状構造を有する２ｎ価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基を有していてもよく、脂肪族不飽和結合を有していてもよく、硫黄などのヘテロ原子を有していてもよく、炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよい。ｎは１〜４の整数を示す。Ｒγは単結合、又は直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。ｐ、ｑはそれぞれ１〜３の整数を示す。）
〔２〕
前記保護膜材料が、アルカリ現像液に可溶であることを特徴とする〔１〕に記載のレジスト保護膜材料。
〔３〕
更に、１−ブチルアルコール、２−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−１−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、２−エチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、４−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノールから選ばれるアルコール系溶媒と、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−ｎ−ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ペンチルエーテル、ジ−ｔｅｒｔ−アミルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテルから選ばれるエーテル系溶媒又はトルエン、キシレン、メジチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、アニソールから選ばれる芳香族系溶媒から選ばれる１種以上の溶媒とを混合した有機溶媒を含有する〔１〕又は〔２〕に記載のレジスト保護膜材料。
〔４〕
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
〔５〕
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
〔６〕
露光における波長が３〜１５ｎｍの範囲、又は露光に電子線を用いることを特徴とする〔５〕に記載のパターン形成方法。
〔７〕
露光後に行う現像工程において、アルカリ現像液によりフォトレジスト層の現像とレジスト保護膜材料の保護膜の剥離とを同時に行う〔４〕〜〔６〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔８〕
下記一般式（２）で示されるカルボキシル基及び／又はフェノール基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ａ１、ａ２から選ばれる１つ以上の繰り返し単位と、下記一般式（３）で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位ｂ１、ｂ２から選ばれる１つ以上の繰り返し単位とを共重合した重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているフォトレジスト層上に該レジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法。
【化２】
0005516557.tif 000003
（一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Ｒ2、Ｒ4は酸不安定基を表す。Ｘ1は単結合、エステル基，ラクトン環，フェニレン基又はナフチレン基のいずれか１種又は２種以上を有する炭素数１〜１２の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Ｘ2は単結合、又はエステル基もしくはアミド基である。一般式（３）中、Ｒ5、Ｒ9は水素原子又はメチル基、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は同一又は異種の炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Ａ1は単結合、−Ａ0−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又は−Ａ0−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−であり、Ａ0は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよい。Ａ2は水素原子又はＣＦ3基である。Ｚ1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−Ｏ−Ｒ13−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ2−Ｒ13−である。Ｚ2は酸素原子又はＮＨ、Ｒ13は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。０≦ａ１≦０．９、０≦ａ２≦０．９、０＜ａ１＋ａ２≦０．９、０≦ｂ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．３、０＜ｂ１＋ｂ２≦０．３の範囲である。）
【発明の効果】
【００１８】
本発明のレジスト保護膜材料を適用することによって、大気中のアミンコンタミネーションによるレジストパターンの頭張りを防ぐことができ、レジスト膜への増感効果によってレジスト膜の感度を向上させることができる。保護膜材料に酸発生剤とアミンクエンチャーを添加することによって保護膜中の酸のコントラストを向上させ、レジストパターンのエッジラフネスを低減させ、レジストパターンの矩形性を向上させ、パターン間のブリッジを防ぐことができる。同時に真空中の露光におけるレジスト膜からのアウトガスの発生を抑えることもできる。本発明のレジスト保護膜材料は、アルカリ現像液に可溶とすることができるためにレジスト膜の現像と同時に剥離が可能である。更に、レジスト膜を溶解することが無く、ミキシング層を形成することも無いので、現像後のレジスト形状に変化を与えることがない。更には、ＥＵＶレーザーから発生する波長１４０〜３００ｎｍのアウトオブバンド（ＯＯＢ）の光を吸収し、これにレジスト膜が感光することを防ぐ効果も併せ持つ。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例１の膜厚２０ｎｍにおける透過率を示すグラフである。
【図２】比較例２の膜厚２０ｎｍにおける透過率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明のレジスト保護膜材料は、保護膜用ベース樹脂として、炭化水素から形成され、アルカリ可溶性のためのビスフェノール化合物のノボラック樹脂を用いるもので、下記一般式（１）に示すものである。
【化３】
0005516557.tif 000004
（式中、Ｒαは同一又は異種の水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、又は炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒβは単結合又は炭素数１〜４０の直鎖状、分岐状又は環状構造を有する２ｎ価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基を有していてもよく、脂肪族不飽和結合を有していてもよく、硫黄などのヘテロ原子を有していてもよく、炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよい。ｎは１〜４の整数を示す。Ｒγは単結合、又は直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。ｐ、ｑはそれぞれ１〜３の整数を示す。）
【００２１】
ノボラック樹脂はヒドロキシ基によってアルカリ現像液への溶解速度が向上し、炭素数４以上のアルコール系溶媒への溶解性が向上する。炭素数４以上のアルコール系溶媒はレジスト膜を溶解させづらい特徴がある。保護膜の組成物として、レジスト膜を溶解させない溶媒を用いることによって、保護膜とレジスト膜とのインターミキシングを防止することができる。エーテル系溶媒や芳香族系溶媒はレジスト膜を殆ど溶解させないために、インターミキシング防止の観点では保護膜材料として最も好ましく用いることができる。しかしながら、ポリヒドロキシスチレンやノボラック樹脂、カリックスレゾルシンなどは、エーテル系溶媒や芳香族系溶媒に殆ど溶解しない。これらは炭素数４以上のアルコール系溶媒には溶解するが、炭素数４以上のアルコール系溶媒だけを用いた保護膜を形成すると、現像後のレジストパターンが膜減りを起こす。
【００２２】
クレゾールノボラックと比較してビスフェノールノボラックはエーテル系溶媒や芳香族系溶媒への溶解性が高い。エーテル系溶媒や芳香族系溶媒を多く含有する溶媒にビスフェノールノボラック樹脂を溶解させた保護膜材料を用いることで、現像後のレジストパターンの膜減りを抑えることができる。
【００２３】
ここで、一般式（１）で示されるビスフェノール型ノボラック樹脂を得るためのビスフェノール化合物は、特許第４７１６０２７号公報に記載されており、具体的には下記に例示することができる。
【００２４】
【化４】
0005516557.tif 000005
【００２５】
【化５】
0005516557.tif 000006
【００２６】
【化６】
0005516557.tif 000007
【００２７】
【化７】
0005516557.tif 000008
【００２８】
【化８】
0005516557.tif 000009
【００２９】
【化９】
0005516557.tif 000010
【００３０】
【化１０】
0005516557.tif 000011
【００３１】
【化１１】
0005516557.tif 000012
【００３２】
【化１２】
0005516557.tif 000013
【００３３】
【化１３】
0005516557.tif 000014
【００３４】
【化１４】
0005516557.tif 000015
【００３５】
【化１５】
0005516557.tif 000016
【００３６】
【化１６】
0005516557.tif 000017
【００３７】
【化１７】
0005516557.tif 000018
【００３８】
ビスフェノール化合物をノボラック樹脂とする場合は、アルデヒド類の存在下縮合反応を行うのが一般的である。
ここで用いられるアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、ナフトールアルデヒド等を挙げることができる。これらのうち、特にホルムアルデヒドを好適に用いることができる。
【００３９】
これらのアルデヒド類は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
上記アルデヒド類の使用量は、ビスフェノール類１モルに対して０．２〜５モルが好ましく、より好ましくは０．５〜２モルである。
【００４０】
ビスフェノール類とアルデヒド類の縮合反応に触媒を用いることもできる。
具体的には、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、カンファースルホン酸、トシル酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸性触媒を挙げることができる。
これらの酸性触媒の使用量は、ビスフェノール類１モルに対して１×１０-5〜５×１０-1モルである。
【００４１】
なお、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、５−ビニルノルボルナ−２−エン、α−ピネン、β−ピネン、リモネンなどの非共役２重結合を有する化合物との共重合反応の場合は、必ずしもアルデヒド類は必要ない。
【００４２】
重縮合における反応溶媒として、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒を用いることができる。
これらの溶媒は、反応原料１００質量部に対して０〜２，０００質量部の範囲である。
反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができるが、通常１０〜２００℃の範囲である。
【００４３】
上記縮合反応方法としては、ビスフェノール類、アルデヒド類、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下フェノール類、アルデヒド類を滴下していく方法がある。
重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を１３０〜２３０℃にまで上昇させ、１〜５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去することができる。
【００４４】
上記一般式（１）で示されるビスフェノール基を有する化合物は単独で重合してもよいが、他のフェノール類を共重合してもよい。
共重合可能なフェノール類は、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、３，５−ジメチルフェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−フェニルフェノール、３−フェニルフェノール、４−フェニルフェノール、３，５−ジフェニルフェノール、２−ナフチルフェノール、３−ナフチルフェノール、４−ナフチルフェノール、４−トリチルフェノール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、カテコール、４−ｔ−ブチルカテコール、２−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、２−プロピルフェノール、３−プロピルフェノール、４−プロピルフェノール、２−イソプロピルフェノール、３−イソプロピルフェノール、４−イソプロピルフェノール、２−メトキシ−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、ピロガロール、チモール、イソチモール等を挙げることができる。
【００４５】
その他、共重合可能なモノマーを共重合させることができ、具体的には１−ナフトール、２−ナフトール、２−メチル−１−ナフトール、４−メトキシ−１−ナフトール、７−メトキシ−２−ナフトール及び１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン、３−ヒドロキシ−ナフタレン−２−カルボン酸メチル、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、ヒドロキシピレン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、５−ビニルノルボルナ−２−エン、α−ピネン、β−ピネン、リモネン、スルホベンゼン、スルホナフタレン、スルホアントラセン、スルホピレンなどが挙げられ、これらのものを加えた３元以上の共重合体であってもかまわない。
【００４６】
これによって得られたノボラック樹脂は、上記式（１）の繰り返し単位を１０〜１００モル％、特に３０〜１００モル％含有することが好ましく、また、上記共重合可能なフェノール類に基づく繰り返し単位の含有量は０〜９０モル％、特に０〜８０モル％、上記共重合可能なモノマーに基づく繰り返し単位の含有量は０〜９０モル％、特に０〜８０モル％とすることが好ましい。
【００４７】
ノボラック樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜３０，０００、特に２，０００〜２０，０００であることが好ましい。分子量分布は１．２〜７の範囲内が好ましく用いられるが、モノマー成分、オリゴマー成分又は分子量（Ｍｗ）１，０００以下の低分子量体をカットして分子量分布を狭くした方がレジスト膜とのミキシングを防止することができる。
【００４８】
保護膜用材料として用いられる溶媒としては特に限定されないが、レジスト膜を溶解させない溶媒である必要がある。レジスト膜を溶解させる溶媒としては、例えば、レジスト溶媒として用いられるシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート等のエステル類などが挙げられ、これらの溶媒を用いることはできない。
【００４９】
フォトレジスト膜を溶解させず、本発明で好ましく用いられる溶媒としては、炭素数４以上の高級アルコール、具体的には１−ブチルアルコール、２−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−１−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、２−エチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、４−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノールを挙げることができる。炭素数４以上の高級アルコールに加えて、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−ｎ−ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ペンチルエーテル、ジ−ｔｅｒｔ−アミルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メジチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、アニソール等の芳香族系溶媒を混ぜることによってレジスト膜とのミキシングを防止することができる。エーテル系や芳香族系の溶媒の比率は、全溶媒中の５０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。
なお、高級アルコールの量は５〜５０質量％、特に１０〜４０質量％であることが好ましい。
また、上記全溶媒の配合量は、上記ベース樹脂１００質量部に対し、２００〜２０，０００質量部、特に５００〜１０，０００質量部が好ましい。
【００５０】
本発明のパターン形成方法に用いられる保護膜材料には酸発生剤を含んでもよく、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（光酸発生剤）を含有してもよい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシイミド、オキシム−Ｏ−スルホネート型酸発生剤等がある。これらは単独であるいは２種以上混合して用いることができる。その配合量は、ベース樹脂１００質量部に対し、０．１〜２０質量部、特に０．５〜１０質量部であることが好ましい。
酸発生剤の具体例としては、特開２００８−１１１１０３号公報の段落［０１２２］〜［０１４２］に記載されている。
保護膜材料に酸発生剤を添加することによって現像後のレジストパターン間のブリッジ欠陥を低減させる効果がある。
【００５１】
本発明のパターン形成方法に用いられる保護膜材料にはアミンクエンチャーを含んでもよく、具体的には特開２００８−１１１１０３号公報の段落［０１４６］〜［０１６４］に記載されている。アミンクエンチャーを添加することによって現像後のレジストパターンの矩形性を向上させることができる。酸発生剤とアミンクエンチャーを併用することによってレジストパターンのＬＷＲを低減させることができる。その配合量は、ベース樹脂１００質量部に対し、０．０１〜１０質量部、特に０．０５〜５質量部であることが好ましい。
【００５２】
本発明のレジスト保護膜材料には特開２００８−１１１１０３号公報の段落［０１６５］〜［０１６６］記載の界面活性剤を添加することができる。
上記界面活性剤の配合量は、保護膜用ベース樹脂１００質量部に対して０．０００１〜１０質量部、特には０．００１〜５質量部が好適である。
【００５３】
本発明のパターン形成方法に用いるフォトレジスト材料としては化学増幅ポジ型レジスト材料が用いられ、一般式（２）で示されるカルボキシル基及び／又はフェノール基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ａ１、ａ２から選ばれる１つ以上の繰り返し単位と、一般式（３）で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位ｂ１、ｂ２から選ばれる１つ以上の繰り返し単位とを共重合した重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることが好ましい。このような酸発生剤をポリマー主鎖にバウンドしているポリマーをベースとしたレジスト材料は、現像後のパターンのエッジラフネス（ＬＷＲ）が小さいメリットがある。
【００５４】
【化１８】
0005516557.tif 000019
（一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Ｒ2、Ｒ4は酸不安定基を表す。Ｘ1は単結合、エステル基，ラクトン環，フェニレン基又はナフチレン基のいずれか１種又は２種以上を有する炭素数１〜１２の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Ｘ2は単結合、又はエステル基もしくはアミド基である。一般式（３）中、Ｒ5、Ｒ9は水素原子又はメチル基、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は同一又は異種の炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Ａ1は単結合、−Ａ0−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又は−Ａ0−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−であり、Ａ0は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよい。Ａ2は水素原子又はＣＦ3基である。Ｚ1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−Ｏ−Ｒ13−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ2−Ｒ13−である。Ｚ2は酸素原子又はＮＨ、Ｒ13は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。０≦ａ１≦０．９、０≦ａ２≦０．９、０＜ａ１＋ａ２≦０．９、０≦ｂ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．３、０＜ｂ１＋ｂ２≦０．３の範囲である。）
【００５５】
本発明に係るレジスト材料のベース樹脂となる高分子化合物に含まれる繰り返し単位のうち、上記一般式（２）中の繰り返し単位ａ１で表される酸不安定基を有する繰り返し単位は、カルボキシル基、特には（メタ）アクリレートの水酸基の水素原子を置換したものであり、これを得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。
【化１９】
0005516557.tif 000020
（式中、Ｒ1、Ｒ2は前述と同様である。）
【００５６】
上記一般式（２）中の繰り返し単位ａ２で表される酸不安定基を有する繰り返し単位は、フェノール性水酸基、好ましくはヒドロキシスチレン、ヒドロキシフェニル（メタ）アクリレートの水酸基の水素原子を置換したものであり、これを得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。
【化２０】
0005516557.tif 000021
（式中、Ｒ3、Ｒ4は前述と同様である。）
【００５７】
Ｒ2、Ｒ4で示される酸不安定基は種々選定されるが、同一でも異なっていてもよく、特に下記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で置換された基で示されるものが挙げられる。
【化２１】
0005516557.tif 000022
【００５８】
式（Ａ−１）において、Ｒ30は炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上記一般式（Ａ−３）で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニル基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチル−２−アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、３−オキソシクロヘキシル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル基、５−メチル−２−オキソオキソラン−５−イル基等が挙げられる。ａ１は０〜６の整数である。
【００５９】
式（Ａ−２）において、Ｒ31、Ｒ32は水素原子又は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等を例示できる。Ｒ33は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい１価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
【００６０】
【化２２】
0005516557.tif 000023
【００６１】
Ｒ31とＲ32、Ｒ31とＲ33、Ｒ32とＲ33とは結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するＲ31、Ｒ32、Ｒ33はそれぞれ炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示し、好ましくは環の炭素数は３〜１０、特に４〜１０である。
【００６２】
上記式（Ａ−１）の酸不安定基としては、具体的にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、１−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。
【００６３】
更に、下記式（Ａ−１）−１〜（Ａ−１）−１０で示される置換基を挙げることもできる。
【化２３】
0005516557.tif 000024
【００６４】
ここで、Ｒ37は互いに同一又は異種の炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基、Ｒ38は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。
また、Ｒ39は互いに同一又は異種の炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基である。
ａ１は上記の通りである。
【００６５】
上記式（Ａ−２）で示される酸不安定基のうち、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式（Ａ−２）−１〜（Ａ−２）−６９のものを例示することができる。
【化２４】
0005516557.tif 000025
【００６６】
【化２５】
0005516557.tif 000026
【００６７】
【化２６】
0005516557.tif 000027
【００６８】
【化２７】
0005516557.tif 000028
【００６９】
上記式（Ａ−２）で示される酸不安定基のうち、環状のものとしては、テトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基等が挙げられる。
【００７０】
また、下記一般式（Ａ−２ａ）あるいは（Ａ−２ｂ）で表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。
【化２８】
0005516557.tif 000029
【００７１】
式中、Ｒ40、Ｒ41は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、Ｒ40とＲ41は結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ40、Ｒ41は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ42は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、ｂ１、ｄ１は０又は１〜１０、好ましくは０又は１〜５の整数、ｃ１は１〜７の整数である。Ａは、（ｃ１＋１）価の炭素数１〜５０の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Ｂは−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−又は−ＮＨＣＯＮＨ−を示す。
【００７２】
この場合、好ましくは、Ａは２〜４価の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数６〜３０のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、ｃ１は好ましくは１〜３の整数である。
【００７３】
一般式（Ａ−２ａ）、（Ａ−２ｂ）で示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式（Ａ−２）−７０〜（Ａ−２）−７７のものが挙げられる。
【化２９】
0005516557.tif 000030
【００７４】
次に、式（Ａ−３）においてＲ34、Ｒ35、Ｒ36は、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基等の１価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、Ｒ34とＲ35、Ｒ34とＲ36、Ｒ35とＲ36とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に、炭素数３〜２０の脂環を形成してもよい。
【００７５】
式（Ａ−３）に示される三級アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリエチルカルビル基、１−エチルノルボニル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロペンチル基、２−（２−メチル）アダマンチル基、２−（２−エチル）アダマンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基等を挙げることができる。
【００７６】
また、三級アルキル基としては、下記に示す式（Ａ−３）−１〜（Ａ−３）−１８を具体的に挙げることもできる。
【化３０】
0005516557.tif 000031
【００７７】
式（Ａ−３）−１〜（Ａ−３）−１８中、Ｒ43は同一又は異種の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のフェニル基等のアリール基を示す。Ｒ44、Ｒ46は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ45は炭素数６〜２０のフェニル基等のアリール基を示す。
【００７８】
更に、下記式（Ａ−３）−１９、（Ａ−３）−２０に示すように、２価以上のアルキレン基、アリーレン基であるＲ47を含んで、ポリマーの分子内あるいは分子間が架橋されていてもよい。
【化３１】
0005516557.tif 000032
【００７９】
式（Ａ−３）−１９、（Ａ−３）−２０中、Ｒ43は前述と同様、Ｒ47は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。ｅ１は１〜３の整数である。
【００８０】
特に式（Ａ−３）の酸不安定基としては、繰り返し単位ａ１として下記式（Ａ−３）−２１に示されるエキソ体構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの繰り返し単位が好ましく挙げられる。
【化３２】
0005516557.tif 000033
（式中、Ｒ1、ａ１は前述の通り、Ｒc3は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を示す。Ｒc4〜Ｒc9及びＲc12、Ｒc13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基を示し、Ｒc10、Ｒc11は水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基を示す。Ｒc4とＲc5、Ｒc6とＲc8、Ｒc6とＲc9、Ｒc7とＲc9、Ｒc7とＲc13、Ｒc8とＲc12、Ｒc10とＲc11又はＲc11とＲc12は互いに環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与する基は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基を示す。またＲc4とＲc13、Ｒc10とＲc13又はＲc6とＲc8は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。）
【００８１】
ここで、一般式（Ａ−３）−２１に示すエキソ構造を有する繰り返し単位を得るためのエステル体のモノマーとしては特開２０００−３２７６３３号公報に示されている。具体的には下記に挙げることができるが、これらに限定されることはない。
【００８２】
【化３３】
0005516557.tif 000034
【００８３】
次に式（Ａ−３）に示される酸不安定基としては、繰り返し単位ａ１として下記式（Ａ−３）−２２に示されるフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有する（メタ）アクリル酸エステルの酸不安定基を挙げることができる。
【化３４】
0005516557.tif 000035
（式中、Ｒ1、ａ１は前述の通りである。Ｒc14、Ｒc15はそれぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を示す。又は、Ｒc14、Ｒc15は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｒc16はフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基から選ばれる２価の基を示す。Ｒc17は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を示す。）
【００８４】
フランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有する酸不安定基で置換された繰り返し単位を得るためのモノマーは下記に例示される。なお、Ａｃはアセチル基、Ｍｅはメチル基を示す。
【００８５】
【化３５】
0005516557.tif 000036
【００８６】
【化３６】
0005516557.tif 000037
【００８７】
繰り返し単位ａ１の酸不安定基Ｒ2としては、下記一般式（Ａ−３）−２３で示されるものであってもよい。
【化３７】
0005516557.tif 000038
（式中、Ｒ23-1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。ｍ２３は１〜４の整数である。）
【００８８】
式（Ａ−３）−２３で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位ａ１を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。
【化３８】
0005516557.tif 000039
【００８９】
繰り返し単位ａ１の酸不安定基Ｒ2は、下記一般式（Ａ−３）−２４で示される酸不安定基であってもよい。
【化３９】
0005516557.tif 000040
（式中、Ｒ24-1、Ｒ24-2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Ｒは水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、又は炭素数６〜１０のアリール基である。Ｒ24-3、Ｒ24-4、Ｒ24-5、Ｒ24-6は水素原子、あるいはＲ24-3とＲ24-4、Ｒ24-4とＲ24-5、Ｒ24-5とＲ24-6が結合してベンゼン環を形成してもよい。ｍ２４、ｎ２４は１〜４の整数である。）
【００９０】
式（Ａ−３）−２４で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位ａ１を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。
【化４０】
0005516557.tif 000041
【００９１】
【化４１】
0005516557.tif 000042
【００９２】
【化４２】
0005516557.tif 000043
【００９３】
繰り返し単位ａ１の酸不安定基Ｒ2は、下記一般式（Ａ−３）−２５で示される酸不安定基であってもよい。
【化４３】
0005516557.tif 000044
（式中、Ｒ25-1は同一又は異種で、水素原子、又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ｍ２５が２以上の場合、Ｒ25-1同士が結合して炭素数２〜８の非芳香環を形成してもよく、円は炭素ＣAとＣBとのエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基から選ばれる結合を表し、Ｒ25-2は炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Ｒは式（Ａ−３）−２４のＲと同様の意味を示す。円がエチレン基、プロピレン基のとき、Ｒ25-1が水素原子となることはない。ｍ２５、ｎ２５は１〜４の整数である。）
【００９４】
式（Ａ−３）−２５で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位ａ１を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。
【化４４】
0005516557.tif 000045
【００９５】
【化４５】
0005516557.tif 000046
【００９６】
【化４６】
0005516557.tif 000047
【００９７】
【化４７】
0005516557.tif 000048
【００９８】
【化４８】
0005516557.tif 000049
【００９９】
繰り返し単位ａ１の酸不安定基Ｒ2は、下記一般式（Ａ−３）−２６で示される酸不安定基であってもよい。
【化４９】
0005516557.tif 000050
（式中、Ｒ26-1、Ｒ26-2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Ｒは式（Ａ−３）−２４のＲと同様の意味を示す。ｍ２６、ｎ２６は１〜４の整数である。）
【０１００】
式（Ａ−３）−２６で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位ａ１を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。
【化５０】
0005516557.tif 000051
【０１０１】
【化５１】
0005516557.tif 000052
【０１０２】
繰り返し単位ａ１の酸不安定基Ｒ2は、下記一般式（Ａ−３）−２７で示される酸不安定基であってもよい。
【化５２】
0005516557.tif 000053
（式中、Ｒ27-1、Ｒ27-2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Ｒは式（Ａ−３）−２４のＲと同様の意味を示す。ｍ２７、ｎ２７は１〜４の整数である。Ｊはメチレン基、エチレン基、ビニレン基、又は−ＣＨ2−Ｓ−である。）
【０１０３】
式（Ａ−３）−２７で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位ａ１を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。
【化５３】
0005516557.tif 000054
【０１０４】
【化５４】
0005516557.tif 000055
【０１０５】
【化５５】
0005516557.tif 000056
【０１０６】
繰り返し単位ａ１の酸不安定基Ｒ2は、下記一般式（Ａ−３）−２８で示される酸不安定基であってもよい。
【化５６】
0005516557.tif 000057
（式中、Ｒ28-1、Ｒ28-2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Ｒは式（Ａ−３）−２４のＲと同様の意味を示す。ｍ２８、ｎ２８は１〜４の整数である。Ｋはカルボニル基、エーテル基、スルフィド基、−Ｓ（＝Ｏ）−、又は−Ｓ（＝Ｏ）2−である。）
【０１０７】
式（Ａ−３）−２８で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位ａ１を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。
【化５７】
0005516557.tif 000058
【０１０８】
【化５８】
0005516557.tif 000059
【０１０９】
【化５９】
0005516557.tif 000060
【０１１０】
【化６０】
0005516557.tif 000061
【０１１１】
【化６１】
0005516557.tif 000062
【０１１２】
上記一般式（３）中のスルホニウム塩を有する繰り返し単位ｂ１、ｂ２を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。
【化６２】
0005516557.tif 000063
【０１１３】
【化６３】
0005516557.tif 000064
【０１１４】
【化６４】
0005516557.tif 000065
【０１１５】
【化６５】
0005516557.tif 000066
【０１１６】
【化６６】
0005516557.tif 000067
【０１１７】
【化６７】
0005516557.tif 000068
【０１１８】
本発明のパターン形成方法に用いられるレジストのベース樹脂としては、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａ１、酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位ａ２、主鎖に結合したスルホン酸のスルホニウム塩の酸発生剤を有する繰り返し単位ｂ１、ｂ２とを共重合することを特徴とするが、更に、密着性基としてフェノール性水酸基を有する繰り返し単位ｃを共重合することができる。
【０１１９】
フェノール性水酸基を有する繰り返し単位ｃを得るためのモノマーは、具体的には下記に示すことができる。
【化６８】
0005516557.tif 000069
【０１２０】
【化６９】
0005516557.tif 000070
【０１２１】
更には他の密着性基として、フェノール性水酸基以外のヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｇ−（Ｇは硫黄原子又はＮＨである）から選ばれる密着性基を有する繰り返し単位ｄを共重合することができる。
【０１２２】
繰り返し単位ｄを得るためのモノマーとしては、具体的には下記に例示することができる。
【化７０】
0005516557.tif 000071
【０１２３】
【化７１】
0005516557.tif 000072
【０１２４】
【化７２】
0005516557.tif 000073
【０１２５】
【化７３】
0005516557.tif 000074
【０１２６】
【化７４】
0005516557.tif 000075
【０１２７】
【化７５】
0005516557.tif 000076
【０１２８】
【化７６】
0005516557.tif 000077
【０１２９】
【化７７】
0005516557.tif 000078
【０１３０】
【化７８】
0005516557.tif 000079
【０１３１】
ヒドロキシ基を有するモノマーの場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基などの酸によって脱保護し易いアセタール基で置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。
【０１３２】
更に、インデン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アセナフチレン、クロモン、クマリン、ノルボルナジエン及びこれらの誘導体ｅを共重合することもでき、具体的には下記に例示することができる。
【０１３３】
【化７９】
0005516557.tif 000080
【０１３４】
上記繰り返し単位以外に共重合できる繰り返し単位ｆとしては、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダンなどが挙げられる。
【０１３５】
本発明の保護膜形成材料に組み合わせるレジストポリマーに用いられるａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２、ｃ、ｄ、ｅ、ｆの共重合比率は、
０≦ａ１≦０．９、０≦ａ２≦０．９、０＜ａ１＋ａ２≦０．９、
０≦ｂ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．３、０＜ｂ１＋ｂ２≦０．３、
０≦ｃ＜１．０、０≦ｄ＜１．０、０≦ｅ＜１．０、０≦ｆ＜１．０、
０．７≦ａ１＋ａ２＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ≦１．０であり、
好ましくは
０≦ａ１≦０．８、０≦ａ２≦０．８、０．１≦ａ１＋ａ２≦０．８、
０≦ｂ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．３、０．０２≦ｂ１＋ｂ２≦０．３、
０≦ｃ≦０．８、０≦ｄ≦０．８、０≦ｅ≦０．５、０≦ｆ≦０．５、
０．８≦ａ１＋ａ２＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ≦１．０であり、
更に好ましくは
０≦ａ１≦０．７、０≦ａ２≦０．７、０．１≦ａ１＋ａ２≦０．７、
０≦ｂ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．３、０．０２≦ｂ１＋ｂ２≦０．２５、
０≦ｃ≦０．７、０≦ｄ≦０．７、０≦ｅ≦０．４、０≦ｆ≦０．４であり、
０．８５≦ａ１＋ａ２＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ≦１．０である。
また、ａ１＋ａ２＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１である。
【０１３６】
これら高分子化合物を合成するには、１つの方法としては、例えば繰り返し単位ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２、及び必要に応じｃ、ｄ、ｅ、ｆで示されるモノマーを、有機溶媒中、ラジカル重合開始剤を加え加熱重合を行い、共重合体の高分子化合物を得ることができる。
【０１３７】
重合時に使用する有機溶媒としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは５０〜８０℃に加熱して重合できる。反応時間としては２〜１００時間、好ましくは５〜２０時間である。
【０１３８】
ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンの代わりにアセトキシスチレン、アセトキシビニルナフタレンを用い、重合後上記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシポリビニルナフタレンにする方法もある。
【０１３９】
アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては−２０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃であり、反応時間としては０．２〜１００時間、好ましくは０．５〜２０時間である。
【０１４０】
レジスト材料に用いられる高分子化合物は、それぞれテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００〜５００，０００、好ましくは２，０００〜３０，０００であるのが望ましい。重量平均分子量が１，０００以上であれば、レジスト材料が耐熱性に優れるものとなり、５００，０００以下であれば、アルカリ溶解性が低下することもなく、パターン形成後に裾引き現象が生じることもない。
【０１４１】
更に、レジスト材料に用いられる高分子化合物においては、多成分共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりする。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は１．０〜２．０、特に１．０〜１．５と狭分散であることが好ましい。
【０１４２】
ここに示される高分子化合物は、特にポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適で、このような高分子化合物をベース樹脂とし、これに有機溶媒、酸発生剤、溶解阻止剤、塩基性化合物、界面活性剤等を目的に応じ適宜組み合わせて配合してポジ型レジスト材料を構成することによって、露光部では前記高分子化合物が触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料とすることができ、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、より優れたエッチング耐性を示し、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、特に超ＬＳＩ用レジスト材料として非常に有効なものとすることができる。特に、酸発生剤を含有させ、酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト材料とすると、より高感度のものとすることができると共に、諸特性が一層優れたものとなり極めて有用なものとなる。
【０１４３】
次に、本発明のレジスト保護膜材料を用いたパターン形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法は、少なくとも、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜の上に、前記本発明のレジスト保護膜材料を用いてレジスト保護膜を形成する工程と、露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含む。
【０１４４】
まず、基板上にフォトレジスト膜を形成する。
成膜方法としては、例えば、スピンコート法などが挙げられる。この時、フォトレジスト膜材料のスピンコーティングにおけるディスペンス量を削減するために、フォトレジスト溶媒あるいはフォトレジスト溶媒と混用する溶液で基板を塗らした状態でフォトレジスト膜材料をディスペンスしスピンコートするのが好ましい（例えば、特開平９−２４６１７３号公報参照）。これにより、フォトレジスト膜材料の溶液の基板への広がりが改善され、フォトレジスト膜材料のディスペンス量を削減できる。
レジスト膜の膜厚は１０〜５００ｎｍ、特に２０〜３００ｎｍとすることが好ましい。
【０１４５】
次に、フォトレジスト膜の上に、本発明のレジスト保護膜材料を用いてレジスト保護膜を形成する。
成膜方法としては、例えば、スピンコート法などが挙げられる。レジスト保護膜材料のスピンコートにおいても、前述のフォトレジスト膜と同様のプロセスが考えられ、レジスト保護膜材料の塗布前にフォトレジスト膜の表面を溶媒で塗らしてからレジスト保護膜材料を塗布してもよい。形成するレジスト保護膜の膜厚は２〜２００ｎｍ、特には５〜５０ｎｍとすることが好ましい。フォトレジスト膜の表面を溶媒で塗らすには回転塗布法、ベーパープライム法が挙げられるが、回転塗布法がより好ましく用いられる。この時用いる溶媒としては、前述のフォトレジスト膜を溶解させない高級アルコール、エーテル系、フッ素系溶媒の中から選択されるのがより好ましい。
【０１４６】
本発明のレジスト保護膜のアルカリ溶解速度は、３ｎｍ／ｓ以上の溶解速度であることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ／ｓ以上の溶解速度である。
【０１４７】
レジスト膜上に保護膜を形成した後に露光を行う。露光における波長は３〜１５ｎｍの範囲、又は露光に電子線を用いることができる。
露光時の環境としては、ＥＵＶ、ＥＢ共に真空中である。
露光後、必要に応じてベーク（ポストエクスポージャベーク；ＰＥＢ）を行い、現像を行う。
現像工程では、例えば、アルカリ現像液で３〜３００秒間現像を行う。アルカリ現像液としては２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が一般的に広く用いられている。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の代わりにテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いることもできる。
この場合、現像工程において、アルカリ現像液を用いて現像し、前記フォトレジスト膜にレジストパターンを形成すると同時に、フォトレジスト膜上のレジスト保護膜の剥離を行うのが好ましい。このようにすれば、従来装置に剥離装置を増設することなく、より簡便にレジスト保護膜の剥離を行うことができる。
【０１４８】
なお、上記工程に加え、エッチング工程、レジスト除去工程、洗浄工程等のその他の各種工程が行われてもよい。
【実施例】
【０１４９】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例等に制限されるものではない。また、下記例で、Ｍｗ、Ｍｎはそれぞれ溶媒としてテトラヒドロフランを用いたＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量及び数平均分子量である。
【０１５０】
［実施例、比較例］
保護膜用のビスフェノールノボラック樹脂としては、以下に示す材料を用いた。
【化８０】
0005516557.tif 000081
【０１５１】
【化８１】
0005516557.tif 000082
【０１５２】
【化８２】
0005516557.tif 000083
【０１５３】
下記に示す添加化合物及び溶媒を混合し、下記表１に示す組成のレジスト保護膜溶液ＴＣ−１〜１５、比較ＴＣ−１〜５を作製した。比較ＴＣ−５では、比較保護膜用ポリマー１が４−メチル−２−ペンタノールとジイソペンチルエーテルとの混用溶媒に溶解しなかった。
【０１５４】
【表１】
0005516557.tif 000084
【０１５５】
シリコン基板上にレジスト保護膜溶液ＴＣ−１〜１５、比較ＴＣ−１〜４をスピンコートし、１００℃で６０秒間ベークして、２０ｎｍ膜厚のレジスト保護膜（ＴＣ−１〜１５、比較ＴＣ−１〜４）を形成した。
次に、上記方法でレジスト保護膜を形成したシリコン基板を用いて、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で３０秒間現像し、現像後のレジスト保護膜の膜厚を測定した。その結果を表２に示す。現像後、レジスト保護膜は全て溶解していることが確認された。
【０１５６】
【表２】
0005516557.tif 000085
【０１５７】
シリコン基板上にレジスト保護膜溶液ＴＣ−１、比較ＴＣ−２をスピンコートし、１００℃で６０秒間ベークして、２０ｎｍ膜厚のレジスト保護膜（ＴＣ−１、比較ＴＣ−２）を形成し、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製分光エリプソメトリで膜のｎ、ｋ値を測定し、得られたｋ値から膜厚２０ｎｍにおける透過率を求めた。結果を図１（実施例１）、図２（比較例２）に示す。
【０１５８】
ＥＵＶ評価
通常のラジカル重合で得られた下記高分子化合物を用いて、下記表３に示される組成で溶解させた溶液を、０．２μｍサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料１，２を調製した。
得られたポジ型レジスト材料を直径８インチφのＳｉ基板上に、膜厚３５ｎｍで積層された信越化学工業（株）製の珪素含有ＳＯＧ膜ＳＨＢ−Ａ９４０上に塗布し、ホットプレート上で、１０５℃で６０秒間プリベークして５０ｎｍのレジスト膜を作製した。その上に保護膜溶液をスピンコートし、ホットプレート上で、１００℃で６０秒間プリベークして２０ｎｍ膜厚のレジスト保護膜を作製した。ＥＵＶマイクロステッパー（ＮＡ０．３、クアドルポール照明）で露光した。その後ＯＯＢ光の照射を仮定して、ＡｒＦエキシマレーザースキャナーで、ウエハー全面１ｍＪ／ｃｍ2で露光し、次いでＫｒＦエキシマレーザースキャナーでウエハー全面１ｍＪ／ｃｍ2で露光し、ホットプレート上で、９５℃で６０秒間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）を行い、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液で３０秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。比較例１０では、レジストの上に保護膜の作製を行わなかった。比較例１１では、レジストの上に保護膜の作製を行わず、更にはＯＯＢを仮定したＡｒＦとＫｒＦの露光も行わなかった。その結果を表４に示す。
【０１５９】
【化８３】
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【０１６０】
【表３】
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【０１６１】
【表４】
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【０１６２】
本発明の保護膜は、溶媒としてレジスト膜とのミキシングを防止できるエーテル系あるいは芳香族系の溶媒を多く含有しているためにレジスト膜へのダメージが少なく、レジスト膜と保護膜とのミキシングが少なく、従って現像後のレジストパターンが矩形である。ＥＵＶ光透明性が高く、レジストに対して増感作用のあるフェノール基を多く含有しているためにレジスト膜の感度を向上させる。更には、本発明の保護膜に用いられているヒドロキシスチレンとアセナフチレン共重合ポリマーは、波長１８０〜２５０ｎｍの幅広い吸収を持っているので、ＯＯＢの遮蔽効果が高い。比較例２，７に係るレジスト保護膜材料のポリマーは、アミルエーテルへの溶解性が高いものの、ＯＯＢの吸収が少ないためにＡｒＦとＫｒＦの露光によって感光が進行し、テーパー形状になってしまっただけでなく、ＥＵＶ光に吸収を有するフッ素原子を含有しているためにレジスト膜の感度が低下してしまった。保護膜を形成せずにＡｒＦとＫｒＦの露光を行った場合（比較例１０）はテーパー形状になってしまった。保護膜を形成せずにＡｒＦとＫｒＦの露光を行わない場合（比較例１１）はパターンは矩形であるが、実際のＥＵＶスキャナーでは、レーザーパワー不足によりＯＯＢをカットするフィルターが装着されない可能性が高く、ＡｒＦやＫｒＦによる疑似ＯＯＢ照射の実験は、ＥＵＶスキャナー露光を模擬したものである。
【図１】
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【図２】
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