(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板である絶縁性基板の一方の面に薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を準備する基板準備工程と、
保護部材用支持体上に導電性粒子を含む粘着層を有する保護部材を、前記薄膜トランジスタ基板に、前記粘着層と前記一方の面とが接するようにして貼付する保護部材貼付工程と、
前記保護部材貼付工程後の薄膜トランジスタ基板の他方の面を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程後の薄膜トランジスタ基板から前記保護部材を剥離除去する保護部材除去工程と、
前記研磨工程後であって前記保護部材除去工程前に、前記薄膜トランジスタ基板の研磨された側の面に、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリイミドフィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレン（ＰＥ）フィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、又は厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムである支持部材を貼付する支持部材貼付工程と、
前記保護部材除去工程後の薄膜トランジスタ基板の保護部材が剥離除去された側の面にシンチレータ層を設けるシンチレータ層形成工程と、
を有し、
前記薄膜トランジスタ基板の前記他方の面の側から放射線を入射して放射線画像を検出する放射線画像検出器を製造する放射線画像検出器の製造方法。
【請求項２】
前記導電性粒子が、カーボン粒子である請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【請求項３】
前記導電性粒子の数平均粒子径が、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である請求項１又は請求項２に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【請求項４】
前記粘着層中における前記導電性粒子の含有量が、０．１質量％以上４０質量％以下である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【請求項５】
前記粘着層が、更に、熱膨張性粒子を含有する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【請求項６】
前記シンチレータ層が、ＣｓＩを含有する結晶又はＧｄ２Ｏ２Ｓ及びＴｂを含有する結晶を含んで構成される請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【請求項７】
前記支持部材貼付工程は、前記薄膜トランジスタ基板の研磨された側の面に、接着剤を介して前記支持部材を貼付し、
前記シンチレータ層形成工程は、前記保護部材除去工程後の薄膜トランジスタ基板の保護部材が剥離除去された側の面に、接着剤を介してシンチレータ層を設ける請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【請求項８】
前記支持部材貼付工程における前記接着剤及び前記シンチレータ層形成工程における前記接着剤が、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤である請求項７に記載の放射線画像検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、放射線を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線画像検出器が実用化されている。この放射線画像検出器は、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。
【０００３】
放射線画像検出器としては種々のタイプのものが提案されており、例えば、光電変換層及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えた薄膜トランジスタ基板上（詳しくは該ＴＦＴが設けられた面上）に、例えばＣｓＩ：ＴｌやＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等から構成されるシンチレータ層を設けて構成された放射線画像検出器が知られている。
この放射線画像検出器では、入射された放射線が一旦シンチレータ層で光に変換され、生じた光が光電変換層にて電荷に変換され、生じた電荷が薄膜トランジスタを介して読み出されることにより放射線画像が得られる（間接変換方式）。
【０００４】
近年、放射線画像検出器の軽量化、薄型化、画質向上等の観点より、放射線画像検出器の薄膜トランジスタ基板の基板厚を薄くすることが検討されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
また、基板の研磨に関連する技術としては、前記半導体ウエハの表面を、熱剥離温度が両面で異なる熱剥離性両面接着シート又は熱剥離性両面接着テープを介して支持体に貼り合わせ、該支持体を保持した状態で前記半導体ウエハの裏面を研削した後、該薄型化された半導体ウエハを前記支持体から加熱により剥離する半導体ウエハの薄型化方法も知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３０６７７号公報
【特許文献２】特許４１３８４５８号公報
【特許文献３】特許３７６８０６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、薄膜トランジスタ基板上にシンチレータ層を設けて放射線画像検出器を構成した後で該薄膜トランジスタ基板を研磨するため、研磨に用いる水や研磨剤等によりシンチレータの発光特性が劣化する場合がある。また、シンチレータ層の膜厚ムラに起因し、研磨後の基板厚にムラが生じる場合がある。
また、特許文献２には、基板厚を薄くするための手段については一切記載がない。
また、特許文献３に記載の技術では、熱剥離性両面接着シート等を基板から剥離する際に、基板に剥離帯電が生じる場合がある。このため、特許文献３に記載の技術を、放射線画像検出器の研磨方法に適用した場合、剥離帯電により薄膜トランジスタが劣化する場合がある。
【０００７】
本発明は上記に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、保護部材を剥離除去する際の剥離帯電に起因する薄膜トランジスタの劣化を抑制でき、シンチレータの発光特性の劣化を抑制でき、研磨後の基板厚のムラを抑制できる放射線画像検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、ガラス基板である絶縁性基板の一方の面に薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を準備する基板準備工程と、保護部材用支持体上に導電性粒子を含む粘着層を有する保護部材を、前記薄膜トランジスタ基板に、前記粘着層と前記一方の面とが接するようにして貼付する保護部材貼付工程と、前記保護部材貼付工程後の薄膜トランジスタ基板の他方の面を研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の薄膜トランジスタ基板から前記保護部材を剥離除去する保護部材除去工程と、前記研磨工程後であって前記保護部材除去工程前に、前記薄膜トランジスタ基板の研磨された側の面に、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリイミドフィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレン（ＰＥ）フィルム、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、又は厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムである支持部材を貼付する支持部材貼付工程と、前記保護部材除去工程後の薄膜トランジスタ基板の保護部材が剥離除去された側の面にシンチレータ層を設けるシンチレータ層形成工程と、を有し、前記薄膜トランジスタ基板の前記他方の面の側から放射線を入射して放射線画像を検出する放射線画像検出器を製造する放射線画像検出器の製造方法である。
【０００９】
請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法では、薄膜トランジスタ基板の研磨は、シンチレータ層を設けた後ではなく、シンチレータ層を設ける前に行う。このため、研磨後の基板において、シンチレータ層の膜厚ムラに起因する基板厚ムラを生じることがないので、研磨後の基板厚ムラが抑制される。更に、研磨に用いる水や研磨剤により、シンチレータ層の発光特性が劣化する現象が抑制される。
【００１０】
薄膜トランジスタ基板の研磨をシンチレータ層を設ける前に行うためには、薄膜トランジスタに研磨キズが付くことを防止するために、研磨前に予め薄膜トランジスタ上に保護部材を設けておく必要がある。この保護部材は研磨後に剥離除去する。ところが、保護部材の剥離除去の際、剥離帯電により薄膜トランジスタが劣化する場合がある。
この点に関し、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法では、薄膜トランジスタ基板と保護部材用支持体との間に導電性粒子を含む粘着層が介在しているため、保護部材の剥離除去の際、剥離帯電が抑制される。このため、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法によれば、剥離帯電に起因する薄膜トランジスタの劣化が抑制される。
【００１１】
また、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、請求項２に記載の製造方法のように、前記導電性粒子がカーボン粒子であることが好ましい。
【００１２】
また、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、請求項３に記載の製造方法のように、前記導電性粒子の数平均粒子径が、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
これにより、剥離帯電がより抑制される。
【００１３】
また、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、請求項４に記載の製造方法のように、前記粘着層中における前記導電性粒子の含有量が、０．１質量％以上４０質量％以下であることが好ましい。
これにより、剥離帯電がより抑制される。
【００１４】
また、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、請求項５に記載の製造方法のように、前記粘着層が、更に、熱膨張性粒子を含有してもよい。
これにより、加熱により粘着剤の接着力を低減でき、保護部材を剥離するために要する力を低減できるので、基板割れを抑制しつつ基板厚をより薄くすることができる。
【００１５】
また、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、前記研磨工程後であって前記保護部材除去工程前に、前記薄膜トランジスタ基板の研磨された側の面に支持部材を貼付する支持部材貼付工程を有する。
これにより、保護部材を剥離する際の基板の強度を維持することができるので、基板割れを抑制しつつ基板厚をより薄くすることができる。
【００１６】
また、請求項１に記載の放射線画像検出器の製造方法は、請求項６に記載の製造方法のように、前記シンチレータ層が、ＣｓＩを含有する結晶又はＧｄ２Ｏ２Ｓ及びＴｂを含有する結晶を含んで構成されていてもよい。
これにより、放射線から光への変換効率をより向上させることができ、より画像のＳ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を向上させることができる。
【００１７】
参考の放射線画像検出器は、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出器の製造方法によって製造された放射線画像検出器であって、前記薄膜トランジスタ基板の前記他方の面の側から放射線を入射して放射線画像を検出する放射線画像検出器である。
【００１８】
参考の放射線画像検出器は、保護部材を剥離除去する際の剥離帯電に起因する薄膜トランジスタの劣化を抑制でき、シンチレータの発光特性の劣化を抑制でき、研磨後の基板厚のムラを抑制できる本発明の請求項１に記載の製造方法によって製造されるため、薄膜トランジスタ若しくはシンチレータの劣化又は基板厚のムラに起因する、画像ムラや画像鮮鋭度低下が抑制される。
【００１９】
また、参考の放射線画像検出器は、前記他方の面（薄膜トランジスタが設けられていない面；以下「裏面」ともいう）の側から放射線を入射するため、基板の薄膜トランジスタが設けられた面（以下「おもて面」ともいう）側から放射線を入射する場合と比較して、薄膜トランジスタに対するシンチレータ層の発光位置が近いので、放射線画像の鮮鋭度が高く（即ち、放射線画像の分解能が高く）、感度が高い。
【００２０】
更に、参考の放射線画像検出器は、研磨後の基板厚のムラを抑制できる本発明の請求項１に記載の製造方法によって製造されるため、光検出感度のムラや放射線画像の鮮鋭度のムラが抑制される。
【００２１】
参考の保護部材は、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出器の製造方法に用いられる保護部材であって、保護部材用支持体上に導電性粒子を含む粘着層を有して構成された保護部材である。
これにより、保護部材を剥離除去する際の剥離帯電に起因する薄膜トランジスタの劣化を抑制でき、シンチレータの発光特性の劣化を抑制でき、研磨後の基板厚のムラを抑制できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、保護部材を剥離する際の剥離帯電による薄膜トランジスタの劣化を抑制でき、シンチレータの発光特性の劣化を抑制でき、研磨後の基板厚のムラを抑制できる放射線画像検出器の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の放射線画像検出器の一例の構成を模式的に示す概略断面図である。
【図２】本発明の放射線画像検出器の一例の構成を模式的に示す概略平面図である。
【図３】本発明の放射線画像検出器の製造方法の第１の実施形態を示す概略工程図である。
【図４】本発明の放射線画像検出器の製造方法の第２の実施形態を示す概略工程図である。
【図５】本発明における保護部材の一例を示す概略断面図である。
【図６】本発明における保護部材の別の一例を示す概略断面図である。
【図７】本発明における保護部材の別の一例を示す概略断面図である。
【図８】本発明における保護部材の別の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の放射線画像検出器の製造方法は、絶縁性基板の一方の面（以下、「おもて面」ともいう）に薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を準備する基板準備工程と、保護部材用支持体上に導電性粒子を含む粘着層を有する保護部材を、前記薄膜トランジスタ基板に、前記粘着層と前記おもて面（薄膜トランジスタが設けられた面）とが接するようにして貼付する保護部材貼付工程と、前記保護部材貼付工程後の薄膜トランジスタ基板の他方の面（薄膜トランジスタが設けられていない面；以下「裏面」ともいう）を研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の薄膜トランジスタ基板から前記保護部材を剥離除去する保護部材除去工程と、前記保護部材除去工程後の薄膜トランジスタ基板の保護部材が剥離除去された側の面にシンチレータ層を設けるシンチレータ層形成工程と、を有して構成される。
また、本発明の放射線画像検出器は、本発明の放射線画像検出器の製造方法によって製造される放射線画像検出器であって、基板の裏面側から放射線を入射して放射線画像を検出するものである。
本発明の保護部材は、本発明の放射線画像検出器の製造方法に用いられる保護部材であって、保護部材用支持体上に導電性粒子を含む粘着層を有して構成される。
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、実質的に同一の機能・作用を有する部材には、全図面を通して同じ符号を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
【００２６】
≪放射線画像検出器≫
まず、本発明の放射線画像検出器の製造方法によって製造される放射線画像検出器の一例を説明する。
図１は、放射線画像検出器の一例の構成を模式的に示す概略断面図である。
図２は、放射線画像検出器の一例の構成を模式的に示す概略平面図である。
【００２７】
図１に示すように、本一例に係る放射線画像検出器１０は、ＴＦＴ基板１６（薄膜トランジスタ基板）と、入射される放射線を光に変換する放射線変換層としてのシンチレータ層１８と、を有して構成されている。
ＴＦＴ基板１６は、絶縁性基板１２に、薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）からなるスイッチ素子２８と、スイッチ素子２８と電気的に接続された光電変換層２６と、スイッチ素子２８及び光電変換層２６を覆うようにして設けられた平坦化層２３と、から構成されている。
また、シンチレータ層１８はシンチレータ層用支持体１１表面に設けられた層であり、シンチレータ層用支持体１１に接する面の反対側の面で、接着層２５を介してＴＦＴ基板１６と接着されている。
【００２８】
シンチレータ層１８の材料としては特に限定はなく、例えば、ＣｓＩを含有する結晶、ＮａＩを含有する結晶、又はＧｄ２Ｏ２Ｓ及びＴｂを含有する結晶を用いることができる。
具体的には、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム賦活ヨウ化セシウム）、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム賦活ヨウ化セシウム）、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）、ＮａＩ：Ｔｌ（タリウム賦活ヨウ化ナトリウム）からなる結晶を用いることができる。
これらのうち、放射線から光への変換効率の観点より、ＣｓＩを含有する結晶（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、等）、又はＧｄ２Ｏ２Ｓ及びＴｂを含有する結晶（ＧＯＳ）が好ましい。
なお、これらのなかでも、発光スペクトルがａ−Ｓｉフォトダイオードの分光感度の極大値（５５０ｎｍ付近）と適合する点や湿度による経時的な劣化をより抑制できる点で、ＣｓＩ及びＴｌを含有する結晶（ＣｓＩ：Ｔｌ）又はＧｄ２Ｏ２Ｓ及びＴｂを含有する結晶（ＧＯＳ）が好ましい。
また、ＣｓＩ及びＴｌを含む結晶を用いた場合には、画像鮮鋭度（ＭＴＦ）低下抑制の効果がより効果的に奏される。
【００２９】
シンチレータ層１８の結晶（特に、ＣｓＩを含む結晶）の形態には特に限定はないが、画像鮮鋭度の観点からは柱状結晶を含むことが好ましい。
また、ＴＦＴ基板の裏面側から放射線を照射する場合のシンチレータ層１８の好ましい形態としては、ＴＦＴ基板１６に近い側が柱状結晶であり、ＴＦＴ基板１６から離れた側が非柱状結晶である形態が挙げられる。
このような形態においては、柱状結晶領域においては、効率よい発光が得られる柱状結晶がＴＦＴ基板１６近傍に存在するとともに、柱状結晶の間隙が光のガイドとなって光拡散を抑制することで画像のボケが抑制され、画像鮮鋭度が向上する。さらに、深部まで到達した光も、非柱状結晶からなる領域において反射され、発光の検出効率が向上する。
なお、本実施形態の放射線画像検出器及びその製造方法によれば、シンチレータ層１８が柱状結晶を含む形態である場合において、研磨液により柱状結晶が潮解する現象を防止できるという効果が得られる。
【００３０】
前記シンチレータ層用支持体１１としては、カーボン板、ＣＦＲＰ（ｃａｒｂｏｎ  ｆｉｂｅｒ  ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  ｐｌａｓｔｉｃ）、ガラス板、石英基板、サファイア基板、鉄、スズ、クロム、アルミニウムなどから選択される金属シートなどから適宜選ぶことができ、表面にシンチレータ層１８を構成する結晶領域を形成させうる限りにおいて特にこれらに限定されない。
【００３１】
絶縁性基板１２としては、例えば、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板１２は、これらの材料に限られるものではない。
【００３２】
放射線画像検出器１０において、シンチレータ層１８と絶縁性基板１２との間には、光電変換層２６が配置されている。該光電変換層２６は、スイッチ素子２８と電気的に接続されている。
放射線画像検出器１０では、シンチレータ層１８によって変換された光が光電変換層２６で電荷に変換され、生じた電荷がスイッチ素子２８によって読み出される。
光電変換層２６は、シンチレータ層１８によって変換された光が入射されることにより電荷を生成する光導電層２０と、光導電層２０に対しシンチレータ層１８側に配置され光導電層２０にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極２２と、光導電層２０に対し絶縁性基板１２側に配置され光導電層２０で生成された電荷を収集するための電荷収集電極２４との積層体として構成されている。
【００３３】
電荷収集電極２４は、ＴＦＴ基板１６に２次元状に配置されており、それに対応して、スイッチ素子２８が、図２に示すように、絶縁性基板１２に２次元状に配置されている。
【００３４】
また、ＴＦＴ基板１６には、一定方向（行方向）に延設され各スイッチ素子２８をオンオフさせるための複数本のゲート線３０と、ゲート線３０と直交する方向（列方向）に延設されオン状態のスイッチ素子２８を介して電荷を読み出すための複数本の信号線（データ線）３２が設けられている。
【００３５】
また、ＴＦＴ基板１６において、スイッチ素子２８及び光電変換層２６の上側（絶縁性基板１２からみてスイッチ素子２８及び光電変換層２６よりも遠い側）には、スイッチ素子２８及び光電変換層２６を覆うようにして、ＴＦＴ基板１６の表面を平坦化するための平坦化層２３が設けられている。
また、シンチレータ層１８と平坦化層２３との間には、シンチレータ層１８をＴＦＴ基板１６に接着するための接着層２５が形成されている。
但し、放射線画像検出器１０において平坦化層２３や接着層２５は必須ではなく、少なくとも一方が省略されていてもよい。
【００３６】
ＴＦＴ基板１６は、平面視において外縁に４辺を有する四辺形状をしている。具体的には、矩形状に形成されている。
また、図２に示すように、ＴＦＴ基板１６は支持体４０上に配置されている。ここでは、スイッチ素子２８形成面側が支持体４０から離れた側となり、スイッチ素子２８非形成面側が支持体４０に近い側となる配置となっている（但し、図１中では、支持体４０は省略されている）。
【００３７】
平面視におけるＴＦＴ基板１６の周端部には、１辺において、個々のゲート線３０及び個々の信号線３２が接続された接続端子３８が配置されている。この接続端子３８は、図２に示すように、接続回路を介して回路基板に接続される。この回路基板は、外部回路としてのゲート線ドライバ（図示せず）及び、外部回路としての信号処理部（図示せず）を備えている。
【００３８】
各スイッチ素子２８は、ゲート線ドライバからゲート線３０を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされたスイッチ素子２８によって読み出された電荷は、電荷信号として信号線３２を伝送されて信号処理部に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。
【００３９】
なお、上記の構成では、ゲート線３０と信号線３２とが直交して延設されていたが、ゲート線３０及び信号線３２が平行に延設され、ＴＦＴ基板１６の周端部の１辺に配置された接続端子にゲート線３０及び信号線３２が接続される構成であってもよい。
上記の放射線画像検出器１０は、放射線を一旦、光に変換し、その光を電荷に変換して放射線検出を行う間接変換方式である。
【００４０】
次に、放射線画像検出器１０において、シンチレータ層１８への放射線の入射方向について説明する。
放射線画像検出器１０における放射線の入射方向は、図１中の矢印で示すように、ＴＦＴ基板１６側（詳しくは絶縁性基板１２側）から該ＴＦＴ基板１６を透過させてシンチレータ層１８に入射する方向（以下、「裏面側から入射された場合」ともいう）であってもよいし、その逆の方向（即ちシンチレータ層１８側から入射する方向；以下、「おもて面側から入射された場合」ともいう）であってもよい。
【００４１】
裏側から放射線が照射された場合は、おもて面側から放射線が照射された場合と比較して、光導電層２０に対するシンチレータ層１８の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能（即ち、鮮鋭度）および感度が高い。
しかしながら、一般的には、裏側から放射線が照射される方式の放射線画像検出器は、ＴＦＴ基板１６を透過させる必要があるため、ＴＦＴ基板の基板厚にムラがあった場合、シンチレータに到達する放射線の量にムラが生じ、感度や鮮鋭度にもムラが生じやすい。
この点、本実施形態の放射線画像検出器は、本実施形態の放射線画像検出器の製造方法によって得られたものであり、裏面の研磨により絶縁性基板１２の基板厚が薄くなっており、しかも研磨後の基板厚のムラが抑制されている。
以上により、本実施形態の放射線画像検出器が、裏側から放射線が照射される方式の放射線画像検出器である場合には、感度のムラや鮮鋭度のムラが特に効果的に抑制される。
【００４２】
以上で説明した放射線画像検出器は、放射線画像を高感度、高精細に検出しうるため、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求される、マンモグラフィなどの医療診断用のＸ線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。例えば、工業用のＸ線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線（α線、β線、γ線）の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。
【００４３】
≪放射線画像検出器の製造方法≫
次に、本発明の放射線画像検出器の製造方法の実施形態について説明する。
図３（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の放射線画像検出器の製造方法の第１の実施形態を示す概略工程図である。
図４（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の放射線画像検出器の製造方法の第２の実施形態を示す概略工程図である。
図５〜図８は、本発明の保護部材の各実施形態である。
【００４４】
以下、本実施形態の放射線画像検出器の製造方法の各工程について説明する。
＜基板準備工程＞
基板準備工程は、おもて面Ｐにスイッチ素子及び光電変換層（不図示）が設けられたＴＦＴ基板１６Ａを準備する工程である（図３（Ａ））。
ここで、ＴＦＴ基板１６Ａの詳細は、図１及び図２で説明したＴＦＴ基板１６と同様である。
ＴＦＴ基板１６Ａとしては、予め準備されたものを用いてもよいし、放射線画像検出器の作製毎に、絶縁性基板上にスイッチ素子及び光電変換層を形成することにより作製されたものを用いてもよい。
ここでの基板厚（研磨する前の基板厚）は特に限定は無いが、基板割れ抑制及び研磨効率の観点からは、０．３ｍｍ〜３．０ｍｍが好ましく、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍがより好ましい。
【００４５】
＜保護部材貼付工程＞
保護部材貼付工程は、ＴＦＴ基板１６Ａのおもて面Ｐに、保護部材１００を貼付する工程である（図３（Ｂ））。
図５は、図３（Ｂ）中の保護部材１００を拡大して表した概略断面図である。
但し、本実施形態では図３（Ｂ）中の保護部材１００に代えて、後述する保護部材２００、保護部材３００、又は保護部材４００を用いてもよい（図６〜図８）。
図５に示すように、保護部材１００は、保護部材用支持体（例えば、樹脂フィルム）１１０上に導電性粒子１０２を含む粘着層１２０を設けた構成となっている。
保護部材貼付工程では、粘着層１２０とＴＦＴ基板１６Ａのおもて面Ｐが接するようにしてＴＦＴ基板１６Ａのおもて面Ｐに、保護部材１００を貼付する。
保護部材１００を貼付する方法としては、例えば、ロール型や真空型などのラミネータを用いて貼付する方法等が挙げられる。
【００４６】
（保護部材）
次に、本実施形態における保護部材について、図５〜図８を参照して更に詳細に説明する。
以下、図５の保護部材１００を中心に説明し、図６〜８の保護部材２００、保護部材３００、又は保護部材４００について、図５の保護部材１００と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【００４７】
保護部材１００における保護部材用支持体１１０としては、例えば樹脂フィルムを用いることができる。
前記樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
また、保護部材１００における保護部材用支持体１１０（例えば、樹脂フィルム）の厚みとしては、２５μｍ以上１０００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以上５００μｍ以下がより好ましい。
前記厚みが２５μｍ以上であれば、ＴＦＴ基板裏面の研磨後において、保護部材とＴＦＴ基板との積層体のハンドリングがより容易となる。
前記厚みが１０００μｍ以下であれば、保護部材とＴＦＴ基板との積層体の変形をより効果的に抑制でき、研磨後にＴＦＴ基板厚にムラが生じたりする現象や、研磨工程でＴＦＴ基板が破損する現象などをより効果的に抑制できる。
【００４８】
また、粘着層１２０の母材（マトリクス）としては、例えば、従来公知の粘着剤を用いることができ、例えば、感圧接着剤、ＵＶ硬化性の感圧粘着剤、熱硬化性の接着剤の粘着物質を使用することができる。
感圧接着剤として、例えば、天然ゴムやポリイソブチレンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴム、再生ゴム、ブチルゴム、ポリイソブチレンゴム、ＮＢＲなどのゴム系ポリマーをベースポリマーに用いたゴム系感圧接着剤；シリコーン系感圧接着剤；アクリル酸やメタクリル酸のアルキルエステルを成分とするアクリル系重合体をベースポリマーに用いたアクリル系感圧接着剤等が例示される。母材は１種、又は２種以上の成分で構成してもよい。
【００４９】
前記粘着層１２０は導電性粒子１０２を含む。
導電性粒子１０２は、図５又は７に示す粘着層１２０又は３２０の形態のように、粘着層内部に存在していてもよいし、図６又は８に示す粘着層２２０又は４２０の形態のように、粘着層表面に存在していてもよい。また、導電性粒子は粘着層の内部及び表面の両方に存在していてもよい。
【００５０】
図５及び７に示すように導電性粒子１０２が粘着層内部に存在している形態において、前記粘着層中における前記導電性粒子１０２の含有量は特に限定はないが、０．１質量％以上４０質量％以下が好ましく、５質量％以上３０質量％以下がより好ましい。ここで、含有量は粘着層の全固形分中における含有量を指す。
前記含有量が０．１質量％以上であれば、より高い導電性を粘着剤に付与することができ、保護部材をＴＦＴ基板から剥離する際の剥離帯電をより効果的に抑制できる。
前記含有量が４０質量％以下であれば、粘着剤の粘着力の低下をより抑制でき、研磨中における保護部材の剥離をより効果的に抑制できる。
【００５１】
また、図６及び８に示すように導電性粒子１０２が粘着層表面に存在している形態において、粘着層表面における導電性粒子１０２の密度としては、１０個／ｍｍ２以上１０００個／ｍｍ２以下が好ましく、１００個／ｍｍ２以上７００個／ｍｍ２以下がより好ましい。
前記密度が１０個／ｍｍ２以上であれば、より高い導電性を粘着剤に付与することができ、保護部材をＴＦＴ基板から剥離する際の剥離帯電をより効果的に抑制できる。
前記含有量が１０００個／ｍｍ２以下であれば、粘着剤の粘着力の低下をより抑制でき、研磨中における保護部材の剥離をより効果的に抑制できる。
【００５２】
また、前記導電性粒子１０２の形状には特に限定はないが、基板表面に形成された半導体素子間に生じる凹凸をレベリングする点や、導電性粒子により半導体素子に傷をつけない観点からは略球形が好ましい。
また、前記導電性粒子１０２の数平均粒子径は、０．０１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。
前記数平均粒子径が０．０１μｍ以上であれば、粘着層内での粒子の凝集をより抑制でき、より高い導電性を得ることができる。
前記数平均粒子径が５０μｍ以下であれば、粒子の角が粘着層の表面に現れる現象をより抑制でき、半導体素子の傷をより抑制でき、半導体素子間の凹凸をよりレベリングし易くすることができる。また、数平均粒子径が小さいほど基板厚ムラをより低減させることができる。
【００５３】
導電性粒子１０２として、具体的には、カーボン粒子、金属粒子（銅粒子等の金属粒子に加え、金属酸化物等の金属化合物粒子を含む）、導電性を有する有機化合物が挙げられる。
中でも、コストや粘着層に含有させるプロセスの容易性の観点より、カーボン粒子が好ましい。
【００５４】
また、本実施形態において粘着層は、図７又は８に示す粘着層３２０又は４２０のように、熱膨張性粒子１０６を含んでいてもよい。
熱膨張性粒子１０６としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの、加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた粒子（例えば、マイクロカプセル型粒子）であればよい。前記殻は、通常、熱可塑性物質、熱溶融性物質、熱膨張により破裂する物質などで形成される。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性粒子は慣用の方法、例えば、コアセルベーション法、界面重合法などにより製造できる。熱膨張性粒子として、例えば、マツモトマイクロスフェア［商品名、松本油脂製薬（株）製］などの市販品を利用することもできる。
【００５５】
熱膨張性粒子１０６の平均粒径は、分散性や薄層形成性などの点から、一般に１〜８０μｍ程度、好ましくは３〜５０μｍ程度である。また、熱膨張性粒子としては、加熱処理により粘着剤を含む粘着層の粘着力を効率よく低下させるため、体積膨張率が５倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しない適度な強度を有するものが好ましい。
なお、低い膨張率で破裂する熱膨張性粒子を用いた場合や、マイクロカプセル化されていない熱膨張剤を用いた場合には、例えば、粘着層と支持体との粘着面積が十分には低減されず、良好な剥離性が得られにくい傾向がある。
【００５６】
熱膨張性粒子の使用量は、その種類によっても異なるが、粘着層を構成する母材１００質量部に対して、例えば１０〜２００質量部、好ましくは２０〜１２５質量部程度である。
１０質量部以上であれば、加熱処理後の粘着力をより低下させることができ、また、２００質量部以下であれば、粘着層内における熱膨張性粒子の凝集破壊や、保護部材用支持体と粘着層との界面破壊をより効果的に抑制できる。
【００５７】
本発明における粘着層には、母材（粘着剤）、導電性粒子、及び必要に応じて用いられる熱膨張性粒子の他に、架橋剤（例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂など）、可塑剤、充填剤、老化防止剤、界面活性剤等の適宜な添加剤を配合してもよい。
【００５８】
本発明における粘着層の層厚には特に限定はないが、本発明の効果をより効果的に奏する観点から、１μｍ〜３０μｍが好ましく、２μｍ〜２０μｍがより好ましい。
【００５９】
粘着層の形成には、例えば、母材、導電性粒子、及び必要に応じて、熱膨張性粒子、添加剤、溶媒等を含むコーティング液を保護部材用支持体１１０上に直接塗布して剥離ライナーを介して圧着する方法、適当な剥離ライナー（剥離紙など）上に前記コーティング液を塗布して熱膨張性粘着層を形成し、これを保護部材用支持体１１０上に圧着転写（移着）する方法など適宜な方法にて行うことができる。
【００６０】
その他、保護部材としては、例えば特開２００３−２９２９１６号公報等に記載の熱剥離性粘着シートの構成に、導電性粒子を添加した構成を適用することができる。
また、保護部材としては、日東電工（株）製「リバアルファ」などの市販品中の粘着層表面に導電性粒子を散布したものを用いてもよい。
【００６１】
＜研磨工程＞
研磨工程では、前記保護部材貼付工程後のＴＦＴ基板１６Ａの裏面（ＴＦＴが設けられていない面）を、例えば研磨パッド９０により研磨する（図３（Ｃ））。
なお、図３（Ｃ）では、研磨工程中のＴＦＴ基板を符号「１６Ｂ」で表しており、図３（Ｄ）及び（Ｅ）では、研磨工程完了後のＴＦＴ基板を符号「１６」で表している。
【００６２】
研磨は、例えば公知の化学的機械的研磨法（ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法）により行うことができる。
具体的には、例えば、研磨パッド９０表面を研磨液で浸して、研磨パッド９０と、ＴＦＴ基板１６Ｂの裏面と、を所定の圧力（研磨圧力）を加えて押し付け、研磨パッド９０及びＴＦＴ基板１６Ｂの少なくとも一方を回転させ、発生する機械的摩擦によりＴＦＴ基板１６Ｂの裏面を研磨する。
ＣＭＰに用いる研磨溶液は、例えば、砥粒（例えば、ＣｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２）と酸化剤（例えば過酸化水素、過硫酸）とを含む組成からなる。このような研磨溶液を用いた研磨では、酸化剤によって金属表面が酸化され、その酸化皮膜が砥粒で除去される。
研磨後のＴＦＴ基板１６の厚みは、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍが好ましく、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍがより好ましい。
【００６３】
＜保護部材除去工程＞
保護部材除去工程は、研磨されたＴＦＴ基板１６から前記保護部材１００を剥離除去する工程である（図３（Ｄ））。
一般的には、保護部材を剥離除去する際には、基板に剥離帯電が生じ、該剥離帯電により基板上のＴＦＴがダメージを受ける場合がある。
これに対し本発明では、粘着層に導電性粒子が含まれているため、このような剥離帯電が抑制され、該剥離帯電に起因するＴＦＴのダメージが抑制される。
剥離除去の方法としては、例えば、専用の装置を用いて一定の速度で剥離する方法などが挙げられる。
【００６４】
＜シンチレータ層形成工程＞
シンチレータ層形成工程は、ＴＦＴ基板１６の保護部材１００が除去された面（おもて面Ｐ）にシンチレータ層１８を形成する工程である（図３（Ｅ））。
【００６５】
シンチレータ層の形成は、例えば、図３（Ｅ）に示すように、図示しない支持体上にシンチレータ層１８が設けられた構成のシンチレータ層１８付き支持体とＴＦＴ基板１６とを、シンチレータ層１８とおもて面Ｐとが対向する向きに貼り合わせることにより、ＴＦＴ基板１６のおもて面Ｐ上にシンチレータ層１８を形成する。
このとき、シンチレータ層１８付き支持体としては、例えば、シンチレータ層用支持体上に気相堆積法によりシンチレータ層１８を形成して得られたものを用いる。
【００６６】
シンチレータ層１８付き支持体とＴＦＴ基板１６との重ね合わせ方法には特に制限はなく、シンチレータ層１８と薄膜トランジスタとが光学的に結合されればよい。両者を重ね合わせる方法としては、両者を対向させて直接密着させる方法と、樹脂層（接着層や平坦化層等）を介して密着させる方法のいずれをとってもよい。
【００６７】
シンチレータ層１８付き支持体とＴＦＴ基板１６とを密着させる方法は、必ずしも両者の表面が完全に密着する必要はなく、シンチレータ層１８表面に結晶による凹凸が存在する場合や、ＴＦＴ基板１６にＴＦＴや光電変換層等による凹凸が存在する場合には、両者が光学的に結合していればよい。即ち、シンチレータ層１８において放射線が変換された光がＴＦＴ基板１６に入射するようになっていればよい。
【００６８】
また、シンチレータ層１８とＴＦＴ基板１６との間には樹脂層を介在させてもよい。
両者の間に介在させることがある前記樹脂層としては、シンチレータ層１８の表面を平滑にする平坦化層、両者を密着固定化する接着層、透明な液体またはゲルからなるマッチングオイル層などが挙げられる。
これら樹脂層を構成する樹脂は、シンチレータ層１８から発生するシンチレーション光を減衰させることなくＴＦＴ基板１６に到達させうるものであれば特に制限はない。
平坦化層を形成する樹脂としては、ポリイミドやパリレン等を使用することができ、製膜性が良好なポリイミドが好ましい。
接着層を形成する接着剤としてはシンチレータ層１８から発生するシンチレーション光に対して光学的に透明であれば限定されるものではなく、例えば、熱可塑性樹脂、ＵＶ硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、低粘度エポキシ樹脂、両面接着シート、などが挙げられる。
これらのうち、画像の鮮鋭度を低下させないという観点からは、ＴＦＴ基板１６の画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成しうるという点で、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。
【００６９】
なお、シンチレータ層１８は上記の形態（シンチレータ層付き支持体とＴＦＴ基板とを貼り合わせる形態）に限られず、ＴＦＴ基板１６上に気相堆積法により直接形成されていてもよい。この場合には、シンチレータ層用支持体を用いる必要はない。
【００７０】
以上により、本実施形態に係る放射線画像検出器が製造される。
以上で説明した第１の実施形態に係る放射線画像検出器の製造方法は、必要に応じ、その他の工程を有していてもよい。
例えば、前記シンチレータ層１８形成工程後のＴＦＴ基板１６（図３（Ｅ））に、回路基板（例えば駆動ＩＣ基板）等を実装する実装工程を有していてもよい。
また、洗浄工程（有機アルカリ洗浄や純水洗浄を施す工程）等、ＴＦＴ製造技術の分野において公知の工程を適宜設けてもよい。
【００７１】
また、図４（Ｄ）に示すように、前記研磨工程後であって前記保護部材除去工程前に、更に、前記基板の研磨された側の面に支持部材１３０を貼付する支持部材貼付工程を有していてもよい。
図４（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の放射線画像検出器の製造方法の第２の実施形態を示す概略工程図である。
図４（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、基板準備工程、保護部材貼付工程、及び研磨工程を示す図である。これらの工程は、前記第１の実施形態における各工程と同様であるため、説明を省略する。
【００７２】
第２の実施形態における支持部材貼付工程は、図４（Ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板１６の研磨された側の面（裏面）に、支持部材１３０を貼付する。
この形態によれば、研磨により薄くなったＴＦＴ基板１６を補強することができるので、その後の保護部材除去工程（図４（Ｅ））における基板の損傷（基板ワレ等）をより効果的に抑制できる、従って、この形態によれば、研磨により基板厚をより薄くできる。
【００７３】
支持部材１３０としては、例えば、厚さ０．０５ｍｍ〜１ｍｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、等を用いることができる。
また、支持部材１３０は、例えば、シンチレータ層形成工程で説明した接着剤を介して前記裏面に貼付することができる。
【００７４】
図４（Ｅ）及び（Ｆ）は、保護部材除去工程及びシンチレータ層形成工程である。これらの工程は、ＴＦＴ基板１６の裏面に支持部材１３０が設けられていること以外は前記第１の実施形態における各工程と同様であるため、説明を省略する。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら具体例に制限されるものではない。下記実施例において、「部」は「質量部」を表す。
【００７６】
〔実施例１〕
≪放射線画像検出器の作製≫
放射線画像検出器の製造方法の第１の実施形態（図３（Ａ）〜（Ｅ））により、放射線画像検出器を作製した。
＜基板準備工程（図３（Ａ））＞
上記第１の実施形態におけるＴＦＴ基板１６Ａを準備した（図３（Ａ））。
ＴＦＴ基板１６Ａは、絶縁性基板１２としての無アルカリガラス基板（０．７ｍｍ厚）上に、スイッチ素子（ＴＦＴ）２８及び光電変換層２６が設けた構成となっている。
【００７７】
＜保護部材貼付工程（図３（Ｂ））＞
次に、図５に示すような保護部材１００を準備した。
具体的には、保護部材用支持体１１０としてのＰＥＴフィルム（厚さ２５０μｍ）上に、下記処方の粘着層形成用塗布液（全固形分中におけるカーボン粒子の含有量は１０質量％）を塗布し、乾燥させて粘着層１２０（層厚１０μｍ）を形成し、保護部材１００を得た。
【００７８】
−粘着層形成用塗布液の処方−
・カーボン粒子（三菱化学社製＃３０５０Ｂ、数平均粒径０．０５μｍ）
…  １０部
・粘着樹脂（アクリル酸エチル７０部、アクリル酸ブチル３０部、及びアクリル酸２−ヒドロキシエチル１部の共重合体からなる重量平均分子量約７０万のベースポリマー）
…  ９０部
・有機溶媒（トルエン）                                          …  ５００部
【００７９】
次に、ＴＦＴ基板１６Ａに対し保護部材１００を、保護部材１００の粘着層１２０とＴＦＴ基板１６Ａのおもて面Ｐとが接する向きで、ラミネータを用いて下記ラミネート条件にて貼付した。
−ラミネート条件−
フジプラ製ラミネータ「ＬＰＶ６５０７」を使用し、圧力０．１ＭＰａで１ｍ／ｍｉｎでラミネートした。
【００８０】
＜研磨工程（図３（Ｃ））＞
次に、ＴＦＴ基板１６Ａの裏面を、下記研磨条件にて研磨した。
研磨は、面内１０ポイント平均の基板厚が０．２ｍｍとなるまで行った。
−研磨条件−
・研磨装置  …  新興製作所製ＳＧＲ−７００ＳＰ
・研磨パッド  …  株式会社ＦＩＬＷＥＬ製不織布タイプ
・研磨条件  …  ０．２５μｍ／ｈの研磨速度となるように調整
・研磨液  …  酸化セリウムスラリー
【００８１】
＜保護部材除去工程（図３（Ｄ））＞
次に、研磨後のＴＦＴ基板１６から前記保護部材１００を剥離除去した。
【００８２】
＜シンチレータ層形成工程（図３（Ｅ））＞
（シンチレータ層付き基板の作製）
シンチレータ層用支持体（例えば、図１中のシンチレータ層用支持体１１）としての液晶用無アルカリガラス基板（０．７ｍｍ厚）に、以下のようにして気相堆積法によりＣｓＩ：Ｔｌ結晶からなるシンチレータ層１８を形成し、シンチレータ層付き基板を得た。
【００８３】
具体的には、シンチレータ層用支持体に、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶層との密着性向上を目的としてＡｒプラズマで表面処理した。その後、表面処理した支持体をシンチレータ成膜用の真空チャンバーにセットした。真空チャンバーは原料のＣｓＩ、ＴｌＩをそれぞれ独立に加熱するための複数のるつぼを備えている。チャンバーを排気した後、Ａｒを一定量流入することで装置真空度を０．７５Ｐａに設定した。原料るつぼを加熱して原料の融液状態が安定した時点で、支持体を真空装置の装置機構により同心円状に回転させ、シャッターを開き、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶の非柱状結晶領域の蒸着を開始した。
【００８４】
この条件で製膜を行い、非柱状結晶領域の膜厚が５μｍとなった時点で真空度を１Ｐａに上げ、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶の柱状結晶領域の蒸着を開始した。なお、真空度を変更する際には原料の融液状態が変化するため、一度シャッターを閉じ、融液状態が安定したのを確認してから再度シャッターを開き、蒸着を再開した。柱状結晶領域の膜厚が５００μｍとなった時点で原料るつぼの加熱を止め、真空装置に吸気した。
以上により、シンチレータ層用支持体上に、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶からなるシンチレータ層１８を形成し、シンチレータ層付き基板とした。
シンチレータ層１８を構成するＣｓＩ：Ｔｌ結晶は、シンチレータ層用支持体に近い側が非柱状結晶領域となっており、シンチレータ層用支持体から離れた側が柱状結晶領域となっている。
【００８５】
（ＴＦＴ基板上へのシンチレータ層の形成）
次に、ＴＦＴ基板１６のおもて面Ｐにスピンコーターで、溶媒で希釈した低粘度エポキシ樹脂接着剤（ハンツマン社製アラルダイト２０２０）を溶媒揮発後の厚さが１５μｍとなるように塗布して接着層（図１中の接着層２５）を形成した。
次に、ＴＦＴ基板１６に形成された接着層２５と、シンチレータ層付き基板のシンチレータ層１８の柱状結晶領域側と、を対向させたのち加熱することで、ＴＦＴ基板１６と、シンチレータ層付き基板のシンチレータ層１８と、を接着層２５を介して貼り合わせた。
以上により、ＴＦＴ基板１６上にシンチレータ層１８を形成し、放射線画像検出器（図１中の放射線画像検出器１０）とした。
【００８６】
その後、放射線画像検出器のＴＦＴ基板１６の端子部にＴＦＴ駆動用の回路基板と、電荷読み取り用の集積回路ＩＣと、を異方性導電膜により貼り付け、更に、前記ＴＦＴ駆動用の回路基板及び前記電荷読み取り用の集積回路ＩＣを、駆動制御とＡＤ変換を行うための回路基板に接続した。
以上のようにして、放射線画像検出器に、駆動制御とＡＤ変換を行うための回路基板を実装した。
上記実装後の放射線画像検出器を用いた放射線画像の読み取りは、ＴＦＴ基板１６の裏面側から放射線が入射するように配置し、実装後の放射線画像検出器とケーブルで接続した操作用のＰＣを制御することにより実施した。
【００８７】
≪測定及び評価≫
放射線画像検出器の製造工程中、及び製造された放射線画像検出器を用い、以下の測定及び評価を行った。評価結果を下記表１に示す。
【００８８】
＜剥離帯電＞
保護部材除去工程（図３（Ｄ））において、剥離帯電（帯電量）と半導体素子（ＴＦＴ素子）の破壊とを評価した。
具体的には、住友スリーエム製静電気テスターを使用して、保護部材を１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で除去した際のＴＦＴ基板上の帯電量を測定した。更に、半導体素子の静電破壊を光学顕微鏡にて観察した。
（評価基準）
Ａ  …  半導体素子の静電破壊は見られず、帯電量が１００Ｖ未満であり、剥離帯電が極めて低減されていた。
Ｂ  …  半導体素子の静電破壊は見られず、帯電量が１００Ｖ以上５００Ｖ未満であり、剥離帯電が実用上の許容範囲内であった。
Ｃ  …  半導体素子の静電破壊が発生しており、帯電量が５００Ｖ以上であり、剥離帯電が実用上の許容範囲を超えていた。
【００８９】
＜シンチレータ層の発光特性＞
製造された放射線画像検出器を用い、シンチレータ層の発光特性の評価を行った。
具体的には、管電圧１２０ｋＶでＸ線を照射した際の感度を評価し、下記評価基準に従ってシンチレータ層の発光特性を評価した。
（評価基準）
Ａ  …  研磨前に対して感度低下は見られず、シンチレータ層の発光特性が優れていた。
Ｂ  …  研磨前に対して感度低下は１０％未満であり、シンチレータ層の発光特性が実用上の許容範囲内であった。
Ｃ  …  研磨前に対して感度低下が１０％以上であり、シンチレータ層の発光特性が実用上の許容範囲を超えていた。
【００９０】
＜基板厚ムラ＞
研磨工程（図３（Ｃ））後であって保護部材除去工程（図３（Ｄ））前において、基板厚ムラの評価を行った。
具体的には、マイクロメーターを用いて面内１００点の基板厚を測定し、基板厚の最大値、最小値、及び平均値を用いて下記式に従って基板厚均一性（％）を算出し、下記評価基準に従って基板厚ムラを評価した。
基板厚均一性（％）  ＝  （（最大値−最小値）／（平均値×２））×１００
【００９１】
（評価基準）
Ａ  …  基板厚均一性は面内で±５％未満であり、基板厚ムラが極めて低減されていた。
Ｂ  …  基板厚均一性は面内で±５％以上±１０％未満であり、基板厚ムラが実用上の許容範囲内であった。
Ｃ  …  基板厚均一性は面内で±１０％以上であり、基板厚ムラが実用上の許容範囲を超えていた。
【００９２】
＜画像ムラ＞
上記実装後の放射線画像検出器に対し、ＴＦＴ基板１６の裏面側からＸ線（放射線）を入射させてＸ線画像を得た。
得られたＸ線画像をＸ線用フイルム（富士フイルム株式会社製ＤＩ−ＨＬ）に、富士フイルム株式会社製ＤＲＹ  ＰＩＸ７０００を用いて出力し、出力されたＸ線画像について、下記評価基準に従って画像ムラを評価した。
尚、ここでは、剥離帯電、発光特性低下、ＴＦＴのキズ、及び基板厚のムラの少なくとも１つの要因によって生じる画像ムラを評価した。
（評価基準）
Ａ  …  視認される画像ムラはなく、画像ムラが極めて低減されていた。
Ｂ  …  わずかに視認される画像ムラはあるものの実用上の許容範囲内であった。
Ｃ  …  明らかな画像ムラが視認され、画像ムラが実用上の許容範囲を超えていた。
【００９３】
＜画像鮮鋭度（ＭＴＦ：Modulation Transfer Function）＞
ＩＥＣ規格に準拠し、Ｗ（タングステン）製のＭＴＦエッジを撮影して得られたエッジ像を演算することでＭＴＦ曲線を得た。結果は２ｃｙｃｌｅ／ｍｍの値で比較し、実施例１の値を１００とした時の相対値により、下記評価基準に従って評価した。
（評価基準）
Ａ  …  上記相対値が９５以上であり、画像鮮鋭度に優れていた。
Ｂ  …  上記相対値が９０以上９５未満であり、画像鮮鋭度が実用上の許容範囲内であった。
Ｃ  …  上記相対値が９０未満であり、画像鮮鋭度が実用上の許容範囲を超えていた。
【００９４】
〔実施例２、４〜７〕
実施例１において、粘着層用塗布液の全固形分中におけるカーボン粒子の含有量を下記表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【００９５】
〔実施例３〕
実施例１において、保護部材を、以下のようにして作製された実施例３用の保護部材に変更し、かつ、保護部材除去工程の処理を、ＴＦＴ基板に対し９５℃で５分間の加熱処理を施した後、保護部材を剥離除去することにより行ったこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
−実施例３用の保護部材の作製−
日東電工（株）製リバアルファＮｏ．３１９６の粘着層表面に、実施例１で用いたカーボン粒子を表１に示す密度で散布し、実施例３用の保護部材を得た。
なお、この粘着層には、熱膨張性粒子（数平均粒径１５μｍのマイクロスフィアＦ−３０１Ｄ（松本油脂社製））が２０質量％含有されている。
【００９６】
〔実施例８〕
実施例１において、粘着層用塗布液中のカーボン粒子の種類を、三菱化学社製＃３０５０Ｂ（数平均粒径０．０５μｍ）から三菱化学社製＃３２３０Ｂ（数平均粒径０．０２μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【００９７】
〔実施例９〕
実施例１において、粘着層用塗布液中のカーボン粒子を、銅粒子（Aldrich社製  銅粉末０．１μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【００９８】
〔実施例１０〕
実施例１において、粘着層用塗布液中のカーボン粒子を、銅粒子（Aldrich社製  銅粉末３μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【００９９】
〔実施例１１〕
実施例１において、粘着層用塗布液中のカーボン粒子を、銅粒子（SCM Metal Products, Inc製Ｄ５０  １１μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【０１００】
〔実施例１２〕
実施例１において、粘着層用塗布液中のカーボン粒子を、銅粒子（SCM Metal Products, Inc製Ｄ５０  ３２μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【０１０１】
〔実施例１３〕
実施例１において、シンチレータ層としてのＣｓＩ：Ｔｌ結晶を、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ結晶（ＧＯＳ結晶）に変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
具体的には、以下のようにして作製された蛍光体シートを、実施例１と同様の方法によりＴＦＴ基板に貼り合わせて放射線画像検出器を作製した。
【０１０２】
−蛍光体シートの作製−
ポリビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂脂および可塑剤の混合物２０重量％を、トルエン、２-ブタノールおよびキシレンの混合溶剤８０重量％に溶解し、十分に攪拌して結合剤を作製した。
そして、この結合剤と平均粒子径５μｍのＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体とを１５：８５の重量％比で混合し、ボールミルで分散処理して蛍光体塗布液を調製した。
そして、この蛍光体塗布液をドクターブレードを用いて、シリコーン系離型剤が塗布されたポリエチレンテレフタレートシート（仮支持体、厚み：１９０μｍ）の表面に、３００ｍｍの巾で塗布し乾燥した後、仮支持体から剥離して、蛍光体シート（厚み：２００μｍ）を得た。
【０１０３】
〔比較例１〕
実施例１において、保護部材を用いず、かつ、シンチレータ層との貼り合わせ前にＴＦＴ基板裏面の研磨を行ったこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【０１０４】
〔比較例２〕
実施例１において、ＴＦＴ基板裏面の研磨を、シンチレータ層との貼り合わせ後に行うように工程順を変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【０１０５】
〔比較例３〕
実施例１３において、ＴＦＴ基板裏面の研磨を、シンチレータ層との貼り合わせ後に行うように工程順を変更したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【０１０６】
〔比較例４〕
実施例１において、粘着層用塗布液中にカーボン粒子を含有させなかったこと以外は実施例１と同様にして放射線画像検出器を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
評価結果を下記表１に示す。
【０１０７】
【表１】
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【０１０８】
表１に示すように、ＴＦＴ基板の研磨をシンチレータ貼付前に行い、ＴＦＴ基板の研磨時に保護部材を貼付し、保護部材中の粘着層に導電性粒子を含有させた実施例１〜１３では、剥離帯電、発光特性低下、及び基板厚のムラが抑制されていた。また、実施例１〜１３では、剥離帯電、発光特性低下、ＴＦＴのキズ、又は基板厚のムラに起因する画像ムラが抑制されており、ＭＴＦの低下も抑制されていた。
実施例１〜１３における保護部材の粘着力（単位：Ｎ／２５ｍｍ）を、９０°剥離試験器を用いて測定したところ、それぞれ、２．２（実施例１）、２．４（実施例２）、測定下限（０．１）以下（実施例３）、１．２（実施例４）、２．６（実施例５）、３．０（実施例６）、３．２（実施例７）、２．２（実施例８）、２．１（実施例９）、１．８（実施例１０）、１．５（実施例１１）、１．０（実施例１２）、３．０（実施例１３）であり、熱膨張性粒子を含む実施例３では、特に粘着力が小さかった。
【０１０９】
また、実施例１〜１３においては、研磨工程後であって保護部材除去工程前に、更に、薄膜トランジスタ基板の研磨された側の面にポリエチレンテレフタレート等の支持部材を貼付してもよく、保護部材を剥離する際の基板の強度をより高く維持することができ、基板割れを抑制しつつ基板厚をより薄くすることができる。
【０１１０】
一方、ＴＦＴ基板の研磨時に保護部材を貼付しなかった比較例１では、研磨によりＴＦＴのキズが発生し、ＴＦＴのキズに起因する画像ムラが発生した。
また、ＴＦＴ基板の研磨をシンチレータとの貼り合わせ後に行った比較例２及び３では、シンチレータの発光特性の低下や、基板厚のムラが確認され、これらに起因する画像ムラが確認された。また、画像鮮鋭度（ＭＴＦ）の低下も確認され、特に、シンチレータとしてＣｓＩ：Ｔｌを用いた比較例２において画像鮮鋭度（ＭＴＦ）の低下が顕著であった。比較例２において画像鮮鋭度（ＭＴＦ）の低下が顕著であったことの原因は、研磨液によりＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶が潮解したためと推測される。
また、保護部材中の粘着層に導電性粒子を含有させなかった比較例４では、ＴＦＴ基板に剥離帯電が生じ、剥離帯電（ＴＦＴのダメージ）に起因すると思われる画像ムラが発生した。
【符号の説明】
【０１１１】
１０  放射線画像検出器
１２  絶縁性基板
１６、１６Ａ、１６Ｂ  ＴＦＴ基板
１８  シンチレータ層
２０  光導電層
２２  バイアス電極
２３  平坦化層
２４  電荷収集電極
２５  接着層
２６  光電変換層
２８  スイッチ素子
９０  研磨パッド
１００、２００、３００、４００  保護部材
１０２  導電性粒子
１０６  熱膨張性粒子
１１０  保護部材用支持体
１２０、２２０、３２０、４２０  粘着層
１３０  支持部材
Ｐ  おもて面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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