(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって：
ａ．  第一有機シリコン化合物と、第一酸化ガスと、少なくとも一つの環状基を有する一つ以上の炭化水素化合物とを含む第一ガス混合物を、チャンバ内へ供給するステップと；
ｂ．  ＲＦ電力の存在下に該基板上に第一低誘電率膜を堆積させるステップと；
ｃ．  該第一低誘電率膜が堆積された後に該ＲＦ電力を止めるステップと；
ｄ．  該第一低誘電率膜を硬化するステップと；
ｅ．  第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスを含む第二ガス混合物を、該チャンバ内へ供給するステップと；
ｆ．  ＲＦ電力の存在下に該第一低誘電率膜上に該第二低誘電率膜を堆積させるステップと；
ｇ．  該第二低誘電率膜が堆積された後に該ＲＦ電力を止めるステップと；
ｈ． ステップｇの後に、該第二酸化ガスの該チャンバ内への流量を増加させるステップと；
ｉ．  第二有機シリコン化合物の該チャンバ内への流量を減少させるステップと；
ｊ． 最後に、該第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させるステップと；
を含む方法。
【請求項２】
該酸化物を多く含むキャップと該第二低誘電率膜を平坦化するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第一有機シリコン化合物が、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７,９-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジエトキシメチルシラン、ジメチル,ジメトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、トリメチルシラン、これらの誘導体、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該第一有機シリコン化合物が、ジエトキシメチルシランである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該第二有機シリコン化合物が、オクタメチルシクロテトラシロキサン又はトリメチルシランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該一つ以上の炭化水素化合物が、炭素原子５個又は６個の少なくとも一つの環を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該一つ以上の炭化水素化合物が、アルファ-テルピネン、ビニルシクロヘキサン、ノルボルナジエン、フェニルアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該第二有機シリコン化合物が、オクタメチルシクロテトラシロキサンであり、該一つ以上の炭化水素化合物がアルファ-テルピネン又はノルボルナジエンである、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
該第一酸化ガス及び第二酸化ガスが、酸素、オゾン、二酸化炭素、一酸化炭素、水、亜酸化窒素、及び２,３-ブタンジオンからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該第二酸化ガスが、酸素を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該第一低誘電率膜の誘電率が、約２.５以下であり、該第二低誘電率膜の誘電率が、約２.５〜約３.５の範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
該第一低誘電率膜を硬化するステップは、熱アニールプロセス、プラズマ増強形アニールプロセス、電子ビームプロセス、紫外線硬化プロセスからなる群より選ばれるプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
該酸化物を多く含むキャップと該第二低誘電率膜を硬化するステップは、熱アニールプロセス、プラズマ増強形アニールプロセス、電子ビームプロセス、紫外線硬化プロセスからなる群より選ばれるプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、集積回路の製造に関する。より詳細には、実施形態は、基板上に誘電体層を堆積させる方法及び誘電体層を含む構造に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]半導体デバイスの幾何学的形状は、数十年前に始めてこのようなデバイスが紹介されてから、劇的にサイズが減少してきた。それ以来、集積回路は、たいてい、２年間で半分のサイズになるという規則（しばしばムーアの法則と呼ばれる）が続き、これはチップ上に適合するデバイスの数が２年毎に２倍になることを意味する。今日の製造プラントは、通常０.１３μｍ、０.１μｍもの特徴部サイズをもつデバイスを生産しており、将来の工場はすぐに更に小さな形状を持つデバイスを生産するであろう。
【０００３】
[0003]集積回路上のデバイスのサイズを更に縮小するために、抵抗率が低い導電材料を用いるとともに低誘電率の絶縁体を用いて隣接の金属線間の容量結合を減少させることが必要になってきた。このような一つの低ｋ材料は、ドープされていないシリコンガラス（ＵＳＧ）又フッ素ドープされたシリコンガラス（ＦＳＧ）のようなスピンオンガラスであり、これらは半導体製造プロセスにおいてギャップ充填層として堆積させることができる。しかしながら、デバイス形状の縮小を続けることにより、更に低ｋ値を持つ膜の需要が生じてきた。
【０００４】
[0004]最近の低誘電率の開発は、堆積された膜の中にシリコン原子と、炭素原子と、酸素原子とを組み込むことに集中してきた。この領域における一つの課題は、低ｋ値を有するが望ましい熱特性と機械特性を示すＳｉ、Ｃ、Ｏ含有膜を開発することであった。ほとんどの場合、誘電率が２.５より低いＳｉ、Ｃ、Ｏ網目構造からできた膜は、機械的強度が低く、エッチング化学、その後プラズマにさらすことによって損傷することがあり得るので、集積回路の故障の原因となる。
【０００５】
[0005]それ故、集積回路上のデバイスの速度や性能を改善するだけでなく、集積回路の耐久性や機械的完全性も改善された低誘電率材料を製造する方法が求められている。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]本発明の実施形態は、一般的には、低誘電率膜を堆積させる方法を提供する。一実施形態において、基板表面を処理する方法であって、第一有機シリコン化合物と、第一酸化ガスと、一つ以上の炭化水素化合物とを有する第一ガス混合物を基板表面上に第一低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内へ分配することによる、上記方法を提供する。次に、第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスを有する第二ガス混合物を、第一低誘電率膜上に第二低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内へ分配する。第二酸化ガスのチャンバへの流量を増加させ、第二有機シリコン化合物のチャンバへの流量を減少させて、第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させる。
【０００７】
[0007]実施形態において、更に、基板表面を処理する方法は、第一有機シリコン化合物と、酸化ガスと、少なくとも一つの環状基を有する一つ以上の炭化水素化合物とを含むガス混合物をチャンバ内へ分配するステップと、ＲＦ電力の存在下に基板表面上に第一低誘電率膜を堆積させるステップとを含む。第一低誘電率膜が堆積された後にＲＦ電力を止め、第一低誘電率膜を硬化する。第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスを有するガス混合物をチャンバ内へ分配して、ＲＦ電力の存在下に第一低誘電率膜上に第二低誘電率膜を堆積させる。第二低誘電率膜が堆積された後にＲＦ電力を止める。第二酸化ガスのチャンバ内への流量を増加させ、第二有機シリコン化合物のチャンバ内への流量を減少させて、第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させる。
【０００８】
[0008]実施形態において、更に、誘電率が約２.５以下の誘電率膜に二層状キャップをかぶせることにより強度が改善された低誘電率膜が得られる。二層状キャップは、誘電率が約２.５〜約３.５の範囲にある第二低誘電率膜と酸化物を多く含むキャップを持つ。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]本発明の上記特徴が詳細に理解され得るように、上で簡単にまとめた、本発明のより具体的な説明を実施形態によって参照することができ、その一部が添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態だけが示されているので、本発明の範囲を制限するものとみなされるべきではなく、他の等しく有効な実施形態を許容することができる。
【図１】図１は、本発明の実施形態による二層キャップをかぶせた低誘電率膜を形成する方法を示すプロセス流れ図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施形態に従って形成された二層キャップと低誘電率膜を含む構造の断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施形態に従って形成された研磨されたキャップと低誘電率膜を含む構造の断面図である。
【詳細な説明】
【００１０】
[0013]図１は、本発明の実施形態による低誘電体膜と酸化物を多く含むキャップの二層がかぶせられた低誘電率膜を持つ構造を形成する方法を示すプロセス流れ図である。ステップ１０１において、第一有機シリコン化合物と、少なくとも一つの環状基を有する一つ以上の炭化水素化合物と、酸化ガスとが、チャンバ内へ流される。ステップ１０３において、ＲＦ電力の存在下に有機シリコン化合物と一つ以上の炭化水素化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に少なくとも一つの環状基を含む膜が堆積される。ステップ１０５において、チャンバ内のＲＦ電力を止める。ステップ１０７において、少なくとも一つの環状基を含む膜を硬化して、少なくとも一つの環状基を除去するとともに第一低誘電率膜を得る。第一低誘電率膜の低誘電率は、約２.５以下であるのがよい。
【００１１】
[0014]ステップ１０９において、第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスとがチャンバ内へ流される。ステップ１１１において、低周波ＲＦ電力（ＬＦＲＦ）を含むＲＦ電力の存在下に第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスを含む混合物から第一低誘電率膜上にシリコンと、炭素と、酸素とを含む第二低誘電率膜が堆積される。ＲＦ電力は、また、高周波ＲＦ電力を含んでもよい。選択的なステップ１１３において、チャンバ内の低周波ＲＦ電力と高周波ＲＦ電力を止めてもよい。
【００１２】
[0015]ステップ１１５において、第二酸化ガスのチャンバへの流量を増加させる。ステップ１１７において、第二有機シリコン化合物のチャンバへの流量を減少させる。ステップ１１９において、酸化物を多く含むキャップは、第二低誘電率膜上に堆積される。酸化物を多く含むキャップは、第二低誘電率膜を堆積させるために用いられる高周波ＲＦ電力と低周波ＲＦ電力の存在下に堆積されてもよい。図１にまとめた本発明の実施形態を以下でより詳細に記載する。
【００１３】
[0016]図２Ａは、本発明の実施形態によって形成された層を含む構造を示す概略断面図である。構造２００は、本発明の実施形態による基板２０２上に堆積される第一低誘電率膜２０４を含む。基板２０２は、導電層、半導電層、又は絶縁層である。第一低誘電率膜２０４は、約１００ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは約３００ｎｍ〜約７００ｎｍの厚さまで堆積させることができる。第一低誘電率膜２０４の誘電率は、約２.５以下、好ましくは約２.２以下であるのがよい。二層キャッピング膜２０５は、第一低誘電率膜２０４上に堆積される。二層キャッピング膜２０５は、第一低誘電率膜上に堆積された第二低誘電率膜２０６と第二低誘電率膜２０６上に堆積された酸化物を多く含むキャップ２０８からなってもよい。第二低誘電率膜２０６は、約５０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは約１００ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さまで堆積されてもよい。第二低誘電率膜２０６の誘電率は、約２.５〜約３.５であってもよい。一実施形態において、第二低誘電率膜の誘電率は、約３であってもよい。酸化物を多く含むキャップ２０８は、第二低誘電率膜２０６と酸化物を多く含むキャップ２０８が隣接するように、即ち、第二低誘電率膜２０６と酸化物を多く含むキャップ２０８が互いに接触するように、第二低誘電率膜２０６上に堆積されていてもよい。酸化物を多く含むキャップ２０８は、約５０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは約１００ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さまで堆積されてもよい。図２Ｂにおいて、酸化物を多く含むキャップ２０８と第二低誘電率膜２０６は平坦化され、酸化物を多く含むキャップが除去され、第二低誘電率膜２０６厚さが減少されている。
【００１４】
[0017]本明細書に用いられる用語“有機シリコン化合物”は、有機基に炭素原子を含有する化合物を意味するものであり、環状又は線状であり得る。有機基には、アルキル基、アルケニル基、シクロヘキセニル基、及びアリール基（他のもの）が、これらの官能性誘導体に加えて含まれるのがよい。好ましくは、有機シリコン化合物には、シリコン原子に結合した一つ以上の炭素原子が含まれ、それによって炭素原子は適切な処理条件で酸化によって容易に除去されない。有機シリコン化合物には、好ましくは一つ以上の酸素原子が含まれてもよい。
【００１５】
[0018]適切な環状有機シリコン化合物には、三つ以上のシリコン原子を有する環構造が含まれ、必要により一つ以上の酸素原子を有してもよい。市販の環状有機シリコン化合物には、一つ又は二つのアルキル基がシリコン原子に結合されたシリコン原子と酸素原子が交互の環が含まれている。幾つかの例示的環状有機シリコン化合物としては、以下のものが挙げられる：
１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン  -(-ＳｉＨ２ＣＨ２-)３-(環状)
１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）  -(-ＳｉＨＣＨ３-Ｏ-)４-(環状）
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）  -(-Ｓｉ(ＣＨ３)２-Ｏ-)４-(環状)
１,３,５,７,９-ペンタメチルシクロペンタシロキサン  -(-ＳｉＨＣＨ３-Ｏ-)５-(環状)
１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン  -(-ＳｉＨ２-ＣＨ２-ＳｉＨ２-Ｏ-)２-(環状)
ヘキサメチルシクロトリシロキサン  -(-Ｓｉ(ＣＨ３)２-Ｏ-)３-(環状)
[0019]適切な線状有機シリコン化合物は、一つ以上のシリコン原子と一つ以上の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖構造を持つ脂肪族有機シリコン化合物を含む。有機シリコン化合物は、更に、一つ以上の酸素原子を含んでもよい。幾つかの例示的直鎖有機シリコン化合物としては以下のものが挙げられる：
メチルシラン  ＣＨ３-ＳｉＨ３
ジメチルシラン  (ＣＨ３)２-ＳｉＨ２
トリメチルシラン（ＴＭＳ）  (ＣＨ３)３-ＳｉＨ
エチルシラン  ＣＨ３-ＣＨ２-ＳｉＨ３
ジシラノメタン  ＳｉＨ３-ＣＨ２-ＳｉＨ３
ビス(メチルシラノ)メタン  ＣＨ３-ＳｉＨ２-ＣＨ２-ＳｉＨ２-ＣＨ３
１,２,-ジシラノエタン  ＳｉＨ３-ＣＨ２-ＣＨ２-ＳｉＨ３
１,２,-ビス(メチルシラノ)エタン  ＣＨ３-ＳｉＨ２-ＣＨ２-ＣＨ２-ＳｉＨ２-ＣＨ３
２,２-ジシラノプロパン  ＳｉＨ３-Ｃ(ＣＨ３)２-ＳｉＨ３
ジエトキシメチルシラン(ＤＥＭＳ)  ＣＨ３-ＳｉＨ-(Ｏ-ＣＨ２-ＣＨ３)２
１,３-ジメチルジシロキサン  ＣＨ３-ＳｉＨ２-Ｏ-ＳｉＨ２-ＣＨ３
１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン  (ＣＨ３)２-ＳｉＨ-Ｏ-ＳｉＨ-(ＣＨ３)２
ヘキサメチルジシロキサン(ＨＭＤＳ)  (ＣＨ３)３-Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ-(ＣＨ３)３
１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン  (ＳｉＨ３-ＣＨ２-ＳｉＨ２-)２-Ｏ
ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン  (ＣＨ３-ＳｉＨ２-Ｏ-ＳｉＨ２-)２-ＣＨ２
２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン  (ＣＨ３-ＳｉＨ２-Ｏ-ＳｉＨ２-)２-Ｃ(ＣＨ３)２
ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ）  (ＣＨ３Ｏ)３-Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ-(ＯＣＨ３)３
ジメチルジメトキシシラン(ＤＭＤＭＯＳ)  (ＣＨ３Ｏ)２-Ｓｉ-(ＣＨ３)２
ジメトキシメチルビニルシラン(ＤＭＭＶＳ)  (ＣＨ３Ｏ)２-Ｓｉ-(ＣＨ３)-ＣＨ２＝ＣＨ３
[0020]本明細書に用いられる用語“環状基”は、環構造を意味するものである。環構造は、わずか三つの原子を含んでもよい。これらの原子には、例えば、炭素、シリコン、窒素、酸素、フッ素、又はこれらの組み合わせが含まれてもよい。環状基には、一つ以上の単結合、二重結合、三重結合、又はこれらいかなる組み合わせが含まれてもよい。例えば、環状基には、一つ以上の芳香族、アリール、フェニル、シクロヘキサン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、又はこれらの組み合わせが含まれてもよい。環状基は、二環式又は三環式であってもよい。更に、環状基は、好ましくは、直鎖又は分枝鎖官能基に結合している。直鎖又は分枝鎖官能基は、好ましくは、アルキル基又はビニルアルキル基を含んでもよく、１〜１２個の炭素原子を有する。直鎖又は分枝鎖官能基には、ケトン、エーテル、エステルのような酸素原子を含んでもよい。少なくとも一つの環状基を有する幾つかの例示的化合物としては、アルファ-テルピネン（ＡＴＰ）、ノルボルナジエン、ビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）、及びフェニルアセテートが挙げられる。
【００１６】
[0021]適切な酸化ガスとしては、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、水（Ｈ２Ｏ）、２,３-ブタンジオン又はこれらの組み合わせが挙げられる。オゾンを酸化ガスとして用いる場合、オゾン発生器は、原料ガス中６％〜２０％、典型的には約１５％質量の酸素をオゾンに変換し、残りは典型的には酸素である。しかしながら、オゾン濃度は、所望されるオゾンの量や用いられるオゾン発生器の種類に基づいて増加或いは減少させることができる。酸素又は酸素含有化合物の解離は、堆積チャンバに入る前にマイクロ波チャンバ内で行われ、シリコン含有化合物の過度の解離を抑えることができる。好ましくは、高周波数（ＲＦ）電力を反応域に印加して、解離を増加させることができる。
【００１７】
[0022]有機シリコン化合物と酸化ガスに加えて一つ以上のキャリヤガスをチャンバ内へ導入してもよい。用いることができるキャリヤガスとしては、不活性ガス、例えば、アルゴン、ヘリウム、又はこれらの組み合わせが挙げられる。
【００１８】
[0023]図３は、本発明の実施形態によって層を堆積させるための化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ３００の断面概略図である。このようなチャンバの一例は、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できるＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）システムのデュアルチャンバ又はツインチャンバである。ツインチャンバは、各領域に流れる流量が全体のチャンバへの流量のほぼ1／２であるように二つの分離した処理領域（二つの基板を処理するための領域、一つの処理領域に対して一つの基板）を持つ。以下の例に記載され明細書全体に記載される流量は、３００ｍｍの基板に対する流量である。二つの分離した処理領域を持つチャンバは、更に、米国特許第５,８５５,６８１号にも記載され、この開示内容は本明細書に援用されている。用いることができるチャンバの他の例は、ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）システムのＤｘＺ（登録商標）チャンバであり、いずれもＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できる。
【００１９】
[0024]ＣＶＤチャンバ３００は、別々の処理領域３１８、３２０を画成するチャンバ本体３０２を持つ。各処理領域３１８、３２０は、ＣＶＤチャンバ３００内に基板（図示せず）を支持するためのペデスタル３２８を持つ。各ペデスタル３２８には、典型的には、加熱素子（図示せず）が含まれる。好ましくは、各ペデスタル３２８は、駆動システム３０３に接続されるチャンバ本体の下部を通って伸びるステムによって処理領域３１８、３２０の一つに可動的に配置される。
【００２０】
[0025]処理領域３１８、３２０のそれぞれには、また、好ましくは、処理領域３１８、３２０へガスを分配するチャンバリッド３０４を通って配置されるガス分配アセンブリ３０８が含まれる。各処理領域のガス分配アセンブリには、通常、シャワーヘッドアセンブリとしても知られるガスフローコントローラ３１９からガス分配マニホールド３４２へガスを分配するためのガス注入通路３４０が含まれる。ガスフローコントローラ３１９は、典型的には、異なるプロセスガスの流量をチャンバへ制御し調節するために用いられる。他の流量制御要素には、液体の前駆物質が用いられる場合には液体の流れ噴射バルブや液体のフローコントローラ（図示せず）が含まれてもよい。ガス分配マニホールド３４２は、環状ベースプレート３４８と、フェースプレート３４６と、ベースプレート３４８とフェースプレート３４６の間のブロッカープレート３４４とを備える。ガス分配マニホールド３４２には、ガス状混合物が処理中に噴射される複数のノズル（図示せず）が含まれる。ＲＦ（高周波数）電源３２５は、ガス分配マニホールド３４２にバイアス電位を供給して、シャワーヘッドアセンブリとペデスタル３２８の間にプラズマの生成を促進させる。プラズマ増強型化学気相堆積プロセス中、ペデスタル３２８は、チャンバ本体内でＲＦバイアスを生成するための陰極として使用することができる。陰極は電極電源に電気的に結合されて、ＣＶＤチャンバ３００内に容量性電場を発生させる。典型的には、ＲＦ電圧を陰極に印加し、チャンバ本体３０２は電気的に接地される。ペデスタル３２８に印加される電力は、基板の上面上に負電圧の形で基板バイアスを生じる。この負電圧を用いて、ＣＶＤチャンバ３００内で形成されたプラズマから基板の上面にイオンが引き付けられる。
【００２１】
[0026]処理中、プロセスガスは基板表面全体に放射状に一様に分配される。電力源の電極として作用する、ＲＦ電源３２５からガス分配マニホールド３４２にＲＦエネルギーを加えることによって、一つ以上のプロセスガス又はガス混合物からプラズマが形成される。膜の堆積は、基板がプラズマにさらされ、反応性ガスがその中に供給されたときに行われる。チャンバ壁３１２は、典型的には、接地される。ＲＦ電源３２５は、単一又は混合周波数のＲＦ信号をガス分配マニホールド３４２に供給して、処理領域３１８、３２０へ導入されるいかなるガスの分解も促進させることができる。
【００２２】
[0027]システムコントローラ３３４は、各種の要素、例えば、ＲＦ電源３２５、駆動システム３０３、リフト機構３０５、ガスフローコントローラ３１９、他の関連したチャンバ及び／又は処理機能の機能を制御する。システムコントローラ３３４は、好ましい実施形態においてはハードディスクドライブであるメモリ３３８に保存されるシステム制御ソフトを実行し、アナログとデジタルの入力／出力ボード、インタフェースボード、ステッパモータコントローラボードが含まれ得る。通常は、光センサ及び／又は磁気センサを用いて、可動メカアセンブリの位置を移動させ決定する。
【００２３】
[0028]上記のＣＶＤシステムの説明は、主に説明のためであり、本発明の実施形態を実施するために他のプラズマ処理チャンバを使うこともできる。
【００２４】
[0029]３００ｍｍ基板上に堆積中、制御されたプラズマは、典型的には、図３に示されるＲＦ電源３２５を用いてＲＦエネルギーがシャワーヘッドに印加された基板に隣接したチャンバ内に形成される。代わりに、ＲＦ電力は基板支持体に供給することもできる。プラズマは、高周波ＲＦ（ＨＦＲＦ）電力、また、低周波ＲＦ（ＬＦＲＦ）電力（例えば、二重周波ＲＦ）、コンスタントＲＦ、パルスＲＦ、又は他の知られている又はいままでに発見されているプラズマ形成技術を用いて生成させてもよい。ＲＦ電源３２５は、約５ＭＨｚ〜約３００ＭＨｚの単周波ＲＦを供給することができる。更に、ＲＦ電源３２５は、約３００Ｈｚ〜１,０００ｋＨｚの単周波ＬＦＲＦを供給し、混合周波数を供給して、プロセスチャンバに導入されるプロセスガスの反応性化学種の分解を促進させることができる。ＲＦ電力を循環或いはパルスさせて、基板の加熱を低下させるとともに堆積された層における多孔性をより促進させることができる。適切なＲＦ電力は、約１０Ｗ〜約５,０００Ｗの範囲の電力、好ましくは約２００Ｗ〜約１,０００Ｗの範囲の電力であるのがよい。適切なＬＦＲＦ電力は、約０Ｗ〜約５,０００Ｗの範囲の電力、好ましくは約０Ｗ〜約２００Ｗの範囲の電力であるのがよい。
【００２５】
[0030]堆積中、基板は、約-２０℃〜約５００℃の温度、好ましくは約１００℃〜約４５０℃の温度に維持される。基板とマニホールドの空間は、約２００ミル〜約１２００ミルであってもよい。堆積圧は、典型的には、約１トール〜約２０トール、好ましくは約４トール〜約１０トールである。堆積速度は、典型的には、約２,０００オングストローム／分〜約２０,０００オングストローム／分である。
【００２６】
[0031]図２Ａ及び図２Ｂに示される基板２０２上に第一低誘電率膜２０４を堆積させる方法は、Ｚｈｅｎｇらに発行された“Ｍｅｔｈｏｄｆｏｒ ｆｏｒｍｉｎｇｕｌｔｒａ ｌｏｗｋ ｆｉｌｍｓｕｓｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ”と題する共同譲渡された米国特許第７,０６０,３３０号に記載され、この開示内容は本明細書に援用されている。
【００２７】
[0032]ステップ１０１に戻ると、第一有機シリコン化合物は、約５０ｍｇ／分〜約５,０００ｍｇ／分の範囲、好ましくは約３００ｍｇ／分〜約３,０００ｍｇ／分の範囲の流量でチャンバへ導入されてもよい。一つ以上の炭化水素は、約１０ｍｇ／分〜約５,０００ｍｇ／分の範囲、好ましくは約１,０００ｍｇ／分〜約４,０００ｍｇ／分の範囲の流量でチャンバへ導入されてもよい。酸化ガス流は、約１,０００ｓｃｃｍ〜約２,０００ｓｃｃｍの範囲で添加されてもよい。
【００２８】
[0033]一実施形態において、第一有機シリコン化合物は、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）を約６００ｍｇ／分〜約８００ｍｇ／分の範囲の流量で含んでもよく、一つ以上の炭化水素は、アルファ-テルピネン（ＡＴＰ）を約３,０００ｍｇ／分〜約４５,０００ｍｇ／分の範囲の流量で含んでもよく、酸化ガスは、約１,０００ｓｃｃｍ〜約２,０００ｓｃｃｍの範囲の流量で二酸化炭素を含んでもよい。
【００２９】
[0034]他の実施形態において、第一有機シリコン化合物は、ＤＥＭＳを約６００ｍｇ／分〜約８００ｍｇ／分の範囲で、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を約２００ｍｇ／分の流量で含んでもよい。
【００３０】
[0035]他の実施形態において、第一有機シリコン化合物は、ＤＥＭＳを約６００ｍｇ／分〜約８００ｍｇ／分の範囲の流量で、トリメチルシラン（ＴＭＳ）を約５００ｍｇ／分〜約１,０００ｍｇ／分の範囲の流量で含んでもよい。
【００３１】
[0036]他の実施形態において、第一有機シリコン化合物は、ＤＥＭＳを約６００ｍｇ／分〜約８００ｍｇ／分の範囲の流量で、ＯＭＣＴＳを約２００ｍｇ／分の流量で、ＴＭＳを約５００ｍｇ／分〜約１,０００ｍｇ／分の範囲の流量で含んでもよい。
【００３２】
[0037]他の実施形態において、二酸化炭素に加えて、第一酸化ガスは、約１００ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍの範囲の流量で流される酸素を含んでもよい。
【００３３】
[0038]ステップ１０７に戻ると、ステップ１０３の堆積された膜を硬化するステップは、幾つかの方法、例えば、熱又はプラズマ増強型アニールプロセス、電子ビームプロセス、又は紫外線硬化プロセスで行われてもよい。一実施形態において、膜は、約２００℃〜約４００℃の温度で約２秒〜約1時間、好ましくは約３０分間アニールされる。ヘリウム、水素、窒素、又はこれらの混合物のような非反応性ガスは、約１００〜約１０,０００ｓｃｃｍの流量で導入される。チャンバ圧は、約２トール〜約１０トールに維持される。アニール中のＲＦ電力は、約１３.５６ＭＨｚの周波数において約２００Ｗ〜約１,０００Ｗであり、好ましい基板間隔は、約３００ミル〜約８００ミルである。膜を堆積した後に約２００℃〜約４００℃の基板温度での膜をアニールすると、膜中の有機基の少なくとも一部が揮発し、膜の中にボイドを形成する。揮発されてもよい有機基は、本明細書に記載されるガス混合物の有機物成分、例えば、一つの環と環内に一つ又は二つの炭素-炭素二重結合を含む一つ以上の酸素を含まない炭化水素化合物の環に由来する。
【００３４】
[0039]他の実施形態において、膜は電子ビーム処理で後処理される。ｅ-ビーム処理は，典型的には、約１〜約２０キロ電子ボルト（ｋｅＶ）において、約５０〜約２,０００マイクロクーロン／平方センチメートル（μｃ／ｃｍ２）の線量を持つ。ｅ-ビーム処理は、典型的には、ほぼ室温〜約４５０℃の温度で約１分〜約１５分間、例えば、約２分間作動させる。好ましくは、ｅ-ビーム処理は、約４００℃で約２分間行われる。一態様において、ｅ-ビーム処理の条件は、４００℃において、４.５ｋＶ、１.５ｍＡ、１５０μｃ／ｃｍ２が含まれる。いかなるｅ-ビームデバイスが用いられてもよいが、例示的な一デバイスは、ＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できるＥＢＫチャンバである。
【００３５】
[0040]ｅ-ビーム硬化プロセスは、堆積された膜の網目構造の機械的強度を改善し、更にｋ値を下げる。励起されたｅ-ビームは、堆積された膜の分子網目構造における化学結合を変化させ、分子群の少なくとも一部、例えば、一つの環と環内に一つ又は二つの炭素-炭素二重結合を含む一つ以上の酸素を含まない炭化水素化合物の環からの有機成分を膜から除去する。分子群の除去は、膜内にボイド又は細孔を形成し、ｋ値を下げる。ｅ-ビーム処理もまた、ＦＴＩＲ分光法から推測されるように、Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ又はＳｉ-Ｃ-Ｓｉ鎖を架橋結合することによって膜の網目構造を強化する。
【００３６】
[0041]他の実施形態において、膜は紫外線硬化プロセスによって硬化される。紫外線硬化プロセスによって硬化された低誘電率膜は、バリヤ層の特性の改善を示し、レジストの毒性の減少や最低を示した。紫外線硬化プロセスは、同じ処理チャンバ又はシステム、例えば、一つのチャンバから他のチャンバへ真空を破壊せず移されたシステム内のその場で行うことができる。
【００３７】
[0042]基板は、堆積チャンバを含んでもよいチャンバへ導入され、低誘電率膜は、約０.０１ミリワット／ｃｍ２〜約１ワット／ｃｍ２、例えば、約０.１ミリワット／ｃｍ２〜約１０ミリワット／ｃｍ２の紫外線にさらされる。紫外線は、紫外線波長の範囲を含み、同時に一つ以上の波長を含んでもよい。適切な紫外線波長には、約１ｎｍ〜約４００ｎｍが含まれ、更に、約６００又は７８０ｎｍまでの可視光が含まれてもよい。約１ｎｍ〜約４００ｎｍの紫外線波長は、約１１.４８（ｅＶ）〜約３.５（ｅＶ）の光子エネルギー（電子ボルト）を供給することができる。好ましい紫外線波長は、約１００ｎｍ〜約３５０ｎｍを含む。
【００３８】
[0043]更に、紫外線は、多波長、調節可能な波長放射や調節可能な電力放射、又は所望される複数の波長間の調節で適用されてもよく、一つのＵＶランプから放射されてもよく又は紫外線ランプのアレイから適用されてもよい。適切なＵＶランプの例としては、約１７２ｎｍの波長で紫外線を放射するＸｅ充填ＺｅｒｉｄｅｘＴＭＵＶランプ又はＵｓｈｉｏＥｘｃｉｍｅｒ ＵＶランプ、又は波動で紫外線を放射するＨｇＡｒｃ Ｌａｍｐを含む。堆積された炭化シリコン層は、約１０秒〜約６００秒間紫外線にさらされる。
【００３９】
[0044]処理中、処理チャンバの温度は、約０℃〜約４５０℃の、例えば、約２０℃〜約４００℃（摂氏温度）、例えば、約２５℃に、チャンバ圧、例えば、１ミリトール未満からほぼ大気圧、即ち、７６０トールまで、例えば、約１００トールに維持されてもよい。紫外線源は、基板表面から約１００ミル〜約６００ミルであってもよい。必要により、処理ガスは、紫外線効果プロセス中に導入されてもよい。適切な処理ガスとしては、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化炭素、二酸化炭素、炭化水素ガス、フッ化炭素ガス、及びフッ素化炭化水素ガス、又はこれらの組み合わせが挙げられる。炭化水素化合物は、式ＣＸＨＹ、ＣＸＦＹ、ＣＸＦＹＨＺ、又はこれらの組み合わせを有してもよく、ここで、xは１〜６の整数であり、ｙは４〜１４の整数であり、ｚは１〜３の整数である。
【００４０】
[0045]図２Ａに示される第二低誘電率膜２０６と酸化物を多く含むキャップ２０８を堆積させる方法は、２００５年６月３日出願の共同譲渡された米国特許出願第１１／１４５,４３２号に記載され、この開示内容は本明細書に援用されている。
【００４１】
[0046]ステップ１０９に戻ると、第二有機シリコン化合物は、約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍ、例えば、１０２ｓｃｃｍの流量でチャンバに導入され、第二低誘電率膜の堆積中はその流量で維持される。第二酸化ガスは、約５０ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量でチャンバに導入され、低誘電率膜の堆積（ステップ１１１）中はその流量で維持される。必要により、キャリヤガスは、ステップ１０９とステップ１１１中は約５００ｓｃｃｍ〜約５０００ｓｃｃｍの流量でチャンバ内に流される。
【００４２】
[0047]一実施形態において、第二有機シリコン化合物は、ＯＭＣＴＳであってもよく、第二酸化ガスは、酸素であってもよく、キャリヤガスは、ヘリウムでもよい。
【００４３】
[0048]第二低誘電率膜は、低周波ＲＦ電力（ＬＦＲＦ）を含むＲＦ電力の存在下に堆積されてもよい。ＲＦ電力は、チャンバ内のガス分配マニホールド又はシャワーヘッドに印加されてもよく、ここで、シャワーヘッドは、電力源の電極として作用する。代わりに又は更に、ＲＦ電力はチャンバ内の基板支持体に供給することができ、基板支持体は陰極として使用する。チャンバへのＲＦ電力を循環するか又はパルスして、基板の加熱を下げるとともに堆積された層内により大きい孔を促進させてもよい。低周波ＲＦ（ＬＦＲＦ）電力は、約２００ｋＨｚ〜約２ＭＨｚの周波数を持ち、３００ｍｍ基板に対して約５０Ｗ〜約１０００Ｗの電力レベルを持ってもよい。ＲＦ電力は、また、約５００ｋＨｚ〜約１３.５６ＭＨｚの周波数を持つ高周波ＲＦ電力を含んでもよい。高周波ＲＦ電力の電力レベルは３００ｍｍ基板に対して約５０Ｗ〜約３０００Ｗであってもよい。
【００４４】
[0049]第二低誘電率膜が堆積された後、チャンバ内のＲＦ電力は、選択的ステップ１１３に示されるように、必要により止めてもよい。代わりに、低誘電率膜の堆積後にプラズマ状態がチャンバ内に維持されるように、ＲＦ電力がチャンバ内に維持されてもよい。
【００４５】
[0050]第二低誘電率膜が堆積された後、第二酸化ガスのチャンバへの流量を増加させ、第二有機シリコン化合物のチャンバへの流量は減少させる。低周波ＲＦ電力の終了、第二酸化ガスの流量増加、第二有機シリコン化合物の流量減少は連続ステップ１１３、１１５、１１７として示され、好ましくは、低周波ＲＦ電力の終了、第二酸化ガスの流量増加、第二有機シリコン化合物の流量減少は、好ましくは、同時に又はほとんど同時に行われる。しかしながら、ステップ１１３、１１５、１１７の別の順序が用いられてもよい。
【００４６】
[0051]第二酸化ガスの流量は、低誘電率膜の堆積中の約５０ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量から約４００ｓｃｃｍ〜約５,０００ｓｃｃｍの流量に増加させてもよい。第二有機シリコン化合物の流量は、第二低誘電率膜の堆積中の約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの流量から約５ｓｃｃｍ〜約１００ｓｃｃｍの流量に減少させてもよい。
【００４７】
[0052]一実施形態において、第二酸化ガス流量と第二有機シリコン化合物流量は、変更され、第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスの流量比が、第二低誘電率膜の堆積中の約１：１〜約３：１から酸化物を多く含むキャップが第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスの流量比約１：７５〜約１：１０で堆積されるような約１：７５〜約１：１０に変更される。
【００４８】
[0053]キャリヤガスの流量は、第二低誘電率膜の堆積中の約５００ｓｃｃｍ〜約５０００ｓｃｃｍから第二低誘電率膜の堆積後の約１０００ｓｃｃｍ〜約１００００ｓｃｃｍに増加されてもよい。
【００４９】
[0054]第二酸化ガス、第二有機シリコン化合物、必要によりキャリヤガスの流量が変更された後、第二酸化ガス、第二シリコン有機化合物、必要によりキャリヤガスの流量は、ステップ１１１に示されるように第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させるのに充分な時間維持される。時間は、約２秒〜約２００秒間であってもよい。酸化物を多く含むキャップの厚さは、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍであってもよい。好ましくは、酸化物を多く含むキャップの堆積中の基板温度、チャンバ圧、基板とマニホールドの間隔、高周波ＲＦ電力は、第二低誘電率膜の堆積中に用いられるレベルで維持される。
【００５０】
[0055]本明細書に記載される本発明の実施形態は、二層状キャップがその上に堆積された第一低誘電率膜を堆積させる方法を提供する。二層状キャップは、その上に酸化物を多く含むキャップを持った第二低誘電率膜を有する。第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスを含む混合物から第二低誘電率膜を堆積させ、次に、酸化ガスの流れを増加させ且つ第二有機シリコン化合物の流れを減少させることによって、炭素含量が第二低誘電率膜より少ない酸化物を多く含むキャップが得られる。二層状キャップは、その後の処理ステップ、例えば、化学機械的研磨（ＣＭＰ）中に下に横たわる低誘電率膜の保護層又は犠牲層として機能することができる。ＣＭＰプロセスは、二層の酸化物層を除去し、第二低誘電率層を部分的に除去し、下の第一低誘電率膜を損傷させずに平坦化し、得られた二つの低誘電率層の誘電値は、残りのキャッピング膜が低誘電率膜であることから、キャッピング層として単一の酸化物層を用いた場合とは反対にほとんど増加しないことになる。二層キャップは、また、レジストの毒性を除去し、アッシュ保護層として働き、アッシュプロセス中の第一低誘電率膜に対する損傷を防止する。化学機械的研磨は、従来のＣＭＰ技術を用いて行うことができる。
【００５１】
[0056]上記は、本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明の他の多くの実施形態が構成されてもよく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
【符号の説明】
【００５２】
２００…構造、２０２…基板、２０４…第一低誘電率膜、２０５…二層キャッピング膜、２０６…第二低誘電率膜、２０８…酸化物を多く含むキャップ、３００…ＣＶＤチャンバ、３０２…チャンバ本体、３０３…駆動システム、３０８…ガス分配アセンブリ、３１２…チャンバ壁、３１８…処理領域、３１９…ガスフローコントローラ、３２０…処理領域、３２５…ＲＦ電源、３２６…ステム、３２８…ペデスタル、３３４…システムコントローラ、３３８…メモリ、３４０…ガス注入通路、３４２…ガス分配マニホールド、３４４…ブロッカープレート、３４６…フェースプレート、３４８…環状ベースプレート。
【図１】
0005544167.tif 000002
【図２Ａ】
0005544167.tif 000003
【図２Ｂ】
0005544167.tif 000004
【図３】
0005544167.tif 000005