(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハとシリコンからなるモニタウェハを同時にエッチング液に浸漬し、前記シリコンウェハの溝を形成する第１の箇所と前記モニタウェハの溝を形成する第２の箇所をエッチングし、第２の箇所を貫通させる工程と、
前記第２の箇所の貫通時間からエッチングレートを算出する工程と、
該エッチングレートを用いて前記シリコンウェハの前記第１の箇所の深さを所定の深さにするための追加エッチング時間を算出する工程と、
該追加エッチング時間で前記シリコンウェハの前記第１の箇所をエッチングし該第１の箇所を所定の深さにする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記モニタウェハの厚みが前記シリコンウェハの厚みと同じであり、前記モニタウェハがその両面からエッチングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記モニタウェハの厚みが前記シリコンウェハの半分で、該モニタウェハがその片面からエッチングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記モニタウェハの代わりにモニタチップを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記モニタウェハを廃止し前記シリコンウェハのチップ活用領域以外の箇所に前記モニタウェハと同様の働きをするモニタ部を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
シリコンウェハおよびシリコンからなるモニタウェハをエッチングするエッチング液を入れるエッチング処理槽と、前記シリコンウェハおよび前記モニタウェハを支持し上下移動させる支持・可動部と、前記モニタウェハの両面に配置されたファイバーからなるレーザー光の投光部と受光部を有する溝貫通検出部と、前記レーザー光を出射・受光する送受光部と、前記溝貫通検出部の信号を受け前記モニタウェハの溝が貫通する時間を計測するモニタ貫通時間モニタリング部と、前記モニタ貫通時間モニタリング部からの信号を受けモニタウェハの貫通時間からエッチングレートを算出するエッチングレート算出部と、該エッチングレート算出部からの信号を受けて追加エッチング時間を算出するエッチング時間カウント部と、該エッチング時間カウント部からの信号を受けて前記支持・可動部を動作させる機能と一連の動作開始信号を前記支持・可動部へ伝達する機能および前記送受光部へ動作開始信号と動作終了信号を伝達する機能とを有する制御部と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、溝（トレンチ）を有する半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力センサなどの凹状の溝を有する半導体装置や逆阻止ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の端部の分離領域の一部を溝を用いて形成する半導体装置においては、この溝を湿式異方性エッチングを用いてシリコンウェハに形成する場合がある。
【０００３】
図８は、アルカリ溶液によるシリコンの湿式異方性エッチングの模式図である。シリコンの湿式異方性エッチング溶液には、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やヒドラジン、エチレンジアミン、アンモニアなどの水溶液が用いられる。これらアルカリ溶液を用いた場合、異方性（シリコンのエッチングレートの面方位依存性）を示す。
【０００４】
具体的には、ＫＯＨ溶液を用いた場合のエッチングレートは（１１１）：（１１０）：（１００）〜１：６００：４００であり、（１１１）面に等価な結晶面｛１１１｝で、エッチングが事実上、ストップする。
【０００５】
そのため、（１００）ウエハ上に予め｛１１０｝方位に沿って、エッチングマスクを形成してエッチングを行えば、Ｖ字溝やピラミッド型のピット、ピラミッド型の空洞構造を形成することができることが知られている。また、エッチングされる開口部（エッチング開口部）の大きさでエッチング深さが決まってくる。
【０００６】
このアルカリ溶液によるシリコンの溶解反応（中間反応は省略）は、Ｓｉ＋２ＯＨ−＋２Ｈ２Ｏ→Ｓｉ（ＯＨ）２（Ｏ−）２＋２Ｈ２↑と表される。この反応式から分かる様に、Ｓｉエッチング量（エッチング深さ）と水素ガス（気泡）の発生量は比例関係にあることがわかる。
【０００７】
（１００）ウエハ上に［１１０］方位とそれと等価な＜１１０＞方向に沿ってエッチング開口部を形成する。このエッチング開口部の幅を、シリコンウエハの厚さに√２を乗じたものより大きくしてエッチングした場合、シリコンウエハを貫通する台形型トレンチもしくはＶ字溝を形成することができる。
【０００８】
この場合、エッチングレートはその水溶液の濃度や、液の温度、添加剤の種類、添加剤の添加量などにより決定されることになる。このエッチングレートを基にして所望のエッチング深さとなるエッチング時間を設定し、タイムエッチングとして処理する方法がある。
【０００９】
図９は、シリコンウェハにモニタ溝を形成して、このモニタ溝が貫通することでエッチングの終点を検出する方法を示す図である。これは特許文献１に開示されている。
シリコンウェハ６５の両面からアルカリ溶液で異方性エッチングを行う。エッチングされた一方の面（裏面）に圧力センサのダイヤフラムを形成するための溝６６を形成する。また、他方の面（表面）にこの溝６６の深さを検知するためのモニタ溝６７を３種類（６７ａ，６７ｂ，６７ｃ）形成する。モニタ溝６７ａ，６７，，６７ｃの開口幅６８ａ，６８ｂ，６８ｃをこの順に広くする。図９に示すように、開口部が広いほどエッチングの深さは深くなり、モニタ溝６７ａ，６７ｂ，６７ｃの順にエッチング深さは深くなる。モニタ溝６７ｃが裏面から形成された溝６６と繋がり貫通するようにする。また、モニタ溝６７ａを溝６６とは繋がらないところでエッチング作業を停止する。モニタ溝６７ｂは監視用の溝である。このようにすることで、溝６６の底部の残膜の厚みＴ（ダイヤフラムとなる領域）のばらつきを溝６６の残膜の厚さＴとモニタ溝６７ｃの深さＴ１の差（Ｔ−Ｔ１）以下にすることができる。
【００１０】
また、図１０は、モニタチップが貫通することでエッチングの終点を検知する方法を示した図である。これは特許文献２に開示されている方法である。エッチング終了時点を検知するモニタチップ８０を用意する。このモニタチップ８０の厚さＬ１はシリコンウェハ７１に形成される溝７２の深さｄと同じにする。シリコンウェハ７１とモニタチップ８０を同時にエッチングする。モニタチップ８０の凹状の溝８２が貫通した時点にエッチング作業を終了することで、シリコンウェハ７１に所望の深さの溝７２を形成する。尚、図中の７３と８１は溝７２，８２を形成するためのマスク材である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開昭６４−６７９７６号公報（第１Ｅ図）
【特許文献２】特開平３−６８２４号公報（第１図（ｂ））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、図８に示すようなアルカリ溶液による異方性エッチングにおいては、昇温した状態でのエッチングのために、水分の蒸発による水溶液の濃度の変化、添加剤の消費など、エッチングレートは常に一定ではなく変化する。そのため、事前に取得したエッチングレートのデータを基にしたタイムエッチングした場合は溝の深さにばらつきが生じ高精度の溝を形成することができない。
【００１３】
また、図９（特許文献１）に示す方法では、モニタ溝６７ａの深さＴ１と溝６６の残膜の厚さＴの差分（Ｔ−Ｔ１）を小さくするとエッチング終点の判断が困難になる。それを避けるためには、差分を大きくするとシリコンウェハ６５に形成される溝６６の深さに大きなばらつきが生じる。
【００１４】
また、図１０（特許文献２）には、シリコンウェハ７１とエッチング終了検知用チップ８０を同時にエッチングし、エッチング終了検知用チップ８０の凹状の溝８２が貫通さたとき、エッチング作業を停止する方法が示されている。この方法では、貫通した時点を判断してその後エッチング作業を停止するために、貫通時点とエッチング作業停止時点の間にタイムラグが生じ易くなる。そのため、シリコンウェハ７１に形成される溝７２はオーバーエッチングになり易い。
【００１５】
さらに、特許文献１および特許文献２では、モニタの貫通時点でエッチング作業を停止してシリコンウェハに所望の深さの溝を形成することは記載されている。しかし、本発明のように、モニタの貫通時間からエッチングレートを算出し、このエッチングレートから追加のエッチング時間を算出する。この追加のエッチングを行うことで、溝の深さを高精度に制御する方法については記載されていない。
【００１６】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、シリコンウェハに形成する溝の深さを高精度に制御できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、シリコンウェハとシリコンからなるモニタウェハを同時にエッチング液に浸漬し、前記シリコンウェハの溝を形成する第１の箇所と前記モニタウェハの溝を形成する第２の箇所をエッチングし、第２の箇所を貫通させる工程と、前記第２の箇所の貫通時間からエッチングレートを算出する工程と、該エッチングレートを用いて前記シリコンウェハの前記第１の箇所の深さを所定の深さにするための追加エッチング時間を算出する工程と、該追加エッチング時間で前記シリコンウェハの前記第１の箇所をエッチングし該第１の箇所を所定の深さにする工程と、
を含む半導体装置の製造方法とする。
【００１８】
また、特許請求の範囲の請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記モニタウェハの厚みが前記シリコンウェハの厚みと同じであり、前記モニタウェハがその両面からエッチングされるよい。
【００１９】
また、特許請求の範囲の請求項３記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記モニタウェハの厚みが前記シリコンウェハの半分で、該モニタウェハがその片面からエッチングされるとよい。
【００２０】
また、特許請求の範囲の請求項４に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記モニタウェハの代わりにモニタチップを用いてもよい。
また、特許請求の範囲の請求項５に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記モニタウェハを廃止し前記シリコンウェハのチップ活用領域以外の箇所に前記モニタウェハと同様の働きをするモニタ部を設けてもよい。
【００２１】
また、特許請求の範囲の請求項６に記載の発明によれば、シリコンウェハおよびシリコンからなるモニタウェハをエッチングするエッチング液を入れるエッチング処理槽と、前記シリコンウェハおよび前記モニタウェハを支持し上下移動させる支持・可動部と、前記モニタウェハの両面に配置されたファイバーからなるレーザー光の投光部と受光部を有する溝貫通検出部と、前記レーザー光を出射・受光する送受光部と、前記溝貫通検出部の信号を受け前記モニタウェハの溝が貫通する時間を計測するモニタ貫通時間モニタリング部と、前記モニタ貫通時間モニタリング部からの信号を受けモニタウェハの貫通時間からエッチングレートを算出するエッチングレート算出部と、該エッチングレート算出部からの信号を受けて追加エッチング時間を算出するエッチング時間カウント部と、該エッチング時間カウント部からの信号を受けて前記支持・可動部を動作させる機能と一連の動作開始信号を前記支持・可動部へ伝達する機能および前記送受光部へ動作開始信号と動作終了信号を伝達する機能とを有する制御部と、を具備する半導体装置の製造装置とする。
［作用］
シリコンウェハに溝が形成される時間より短い時間で貫通するモニタウェハを準備する。続いて、溝を形成するシリコンウェハと同時にモニタウェハをアルカリ溶液でエッチングする。このモニタウェハの貫通時間とエッチング前の厚みからエッチングレートを求め、それを用いて追加エッチングする。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、シリコンウェハに形成する溝の深さをモニタウェハの貫通時間と追加エッチング時間により制御する。まず、所望の深さの溝をシリコンウェハに形成する時間より短い時間で貫通するモニタウェハを準備し、このモニタウェハをシリコンウェハと同時にエッチングする。続いて、モニタウェハが貫通する時間（貫通時間）からエッチングレートを算出する。続いて、このエッチングレートから追加のエッチング時間を割り出す。さらに、この追加のエッチング時間でシリコンウェハをエッチングすることで、実験によるエッチングレートに関する事前データに頼ることなく、リアルエッチングでシリコンウェハに所望の深さの溝を正確に形成することができる。
【００２３】
また、このエッチングはアルカリ液による異方性エッチングのため、シリコンウェハはバッチ処理（多数枚一括処理）することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明の第１実施例の半導体装置の製造方法であり、（ａ）〜（ｃ）は工程順に示した要部工程断面図である。
【図２】モニタウェハの両面には開口部を有するマスキング材が被覆した要部断面図である。
【図３】シリコンウェハとモニタウェハに溝が形成される様子を示す図である。
【図４】この発明の第２実施例の半導体装置の要部工程断面図である。
【図５】シリコンウェハとモニタウェハに溝が形成される様子を示す図である。
【図６】この発明の第３実施例の半導体装置の製造装置の要部構成図である。
【図７】この発明の第３実施例の半導体装置の製造装置のブロック図である。
【図８】アルカリ溶液によるシリコンの湿式異方性エッチングの模式図である。
【図９】シリコンウェハにモニタ溝を形成して、このモニタ溝が貫通することでエッチングの終点を検出する従来の方法を示す図である。
【図１０】モニタチップが貫通することでエッチングの終点を検知する従来の方法を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
つぎに、実施の形態について以下の実施例で具体的に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の製造方法であり、同図（ａ）〜同図（ｃ）は工程順に示した要部工程断面図である。これはモニタウェハ２２の溝（第２の箇所２４）が両面から形成され貫通した場合の例である。このモニタウェハ２２はシリコンチップ（シリコン片）であっても構わない。
【００２７】
まず、図１（ａ）において、エッチング処理槽１に溝貫通検出部３と図示しないカセットに収容された複数のシリコンウェハ２１およびモニタウェハ２２を一緒に支持・可動部２により移動させ、エッチング液１１に浸漬させる。エッチング処理槽１にはアルカリ溶液が入っている。またモニタウェハ２２は溝貫通検出部３の投光端部と受光端部で挟まれている。
【００２８】
また、前記のエッチング処理槽１はポリテトラフルオロエチレンやポリプロピレンなどの耐アルカリ性のエッチング槽である。また、前記の溝貫通検出部３はレーザー光を投光するファイバー９ａの投光端部と受光するファイバー９ｂの受光端部であり、モニタウェハ２２を両面から挟むように配置される。さらに、支持・可動部２はウェハ２１，２２を支持し上下に可動する機能がある。この実施例では溝貫通検出部３も同時に上下させている。
【００２９】
つぎに、図１（ｂ）において、前記シリコンウェハ２１の第１の箇所２３と前記モニタウェハ２２の第２の箇所２４をエッチングする。この第１の箇所２３と第２の箇所２４は溝を形成する箇所である。続いて、制御部８からの指令で送受光部４が動作し、送受光部４から投光側のファイバー９ａにレーザー光が入射される。入射したレーザー光はファイバー９ａを通って溝貫通検出部３へ送られ、溝貫通検出部３の投光端部からモニタウェハ２２の第２の箇所２４（溝部）へ投光される。投光されたレーザー光はモニタウェハ２２の第２の箇所２４を透過し受光側のファイバー９ｂを通って送受光部４へ送られ、光信号から電気信号に変換されて出力信号として送受光部４に入力される。この送受光部４からの出力信号がモニタ貫通時間モニタリング部５へ入力される。
【００３０】
また、前記のモニタウェハ２２は両面エッチングにより第２の箇所２４が貫通する。この貫通の有無は出力信号強度（受光したレーザー光の強度）が１００％となったか否かで判断される。この貫通に要した時間（貫通時間）をモニタ貫通時間モニタリング部５で計測する。計測された貫通時間とモニタウェハ２２のエッチング前の半分の厚み（両面からエッチングしているため半分となる）からエッチングレート算出部６でエッチングレートを算出する。続いて、前記のエッチングレート算出部６で算出したエッチングレートを用いて前記シリコンウェハ２１の前記第１の箇所２３の溝の深さを所定の深さにするための追加エッチング時間をエッチング時間カウント部７で算出する。この追加エッチング時間で前記シリコンウェハ２１の前記第１の箇所２３をエッチングし所定の深さにする。
【００３１】
つぎに、図１（ｃ）において、追加エッチング時間が終了した時点で制御部８からの信号で支持・可動部２を動作させる。この動作でシリコンウェハ２１とモニタウェハ２２および溝貫通検出部３をエッチング液１１から引き上げてエッチングは終了する。このとき、エッチング液１１からシリコンウェハ２１の引き上げが完全に完了するまでの時間を含めて追加エッチング時間を算出することで、第１の箇所２３がオーバーエッチングされるのを防止できる。尚、図１において、符号１０はエッチング時間制御部である。
【００３２】
図２は、モニタウェハの両面には開口部を有するマスキング材が被覆した要部断面図である。
ここで用いたモニタウェハ２２の厚みはシリコンウェハ２１の厚みと同じである。また、モニタウェハ２２はマスキング材２５（絶縁膜）で両面が被覆され、エッチングは両面から行われる。マスキング材２５は第２の箇所２４で窓開けされている。また、マスキング材２５の材質としては、所望のエッチング深さを得るために必要なエッチング時間に対して耐性があればよく、レジスト、シリコーン、ポリイミド、エポキシなどの有機膜や酸化膜や窒化膜または金属膜などである。
【００３３】
図３は、シリコンウェハとモニタウェハに溝が形成される様子を示す図である。
左側の図はモニタウェハ２２の図、中央はエッチング時間と出力信号強度の関係を示す図、右側はシリコンウェハ２１の図である。同図（ａ）から同図（ｄ）に向ってエッチングが進行する様子を示している。同図（ａ）でエッチングが開始され、同図（ｂ）でエッチングが進行し、同図（ｃ）でエッチングでモニタウェハが貫通し、同図（ｄ）で追加エッチングにより所望の深さの溝がシリコンウェハ２１に形成される。
【００３４】
図３（ｃ）に示すように、エッチングが進むにつれて出力信号強度が高くなり、モニタウェハ２２が貫通した時点で出力信号強度が１００％になる。この出力信号強度が１００％となった時点がシリコンウェハ２１のエッチングされた箇所（第１の箇所２３）が貫通したことを示す。
【００３５】
尚、シリコンウェハ２１に溝を形成する第１の箇所２３が無拡散領域である場合には、エッチングレートを同じにするためにモニタウェハ２２として無拡散ウェハを用いるとよい。
【００３６】
前記したように、エッチングはアルカリ溶液で行われるので、溝側壁のエッチング面の結晶性は良好である。また、湿式エッチングであるため多数のシリコンウェハをカセットに収容して同時にエッチング処理（バッチ処理）することができる。
【００３７】
また、モニタウェハ２２が貫通するエッチング深さをシリコンウェハ２１に形成される溝の深さに近づけることで貫通時間を長くすることができる。貫通時間が長くなることでエッチングレートの算出精度を高めることができる。その結果、正確な深さでシリコンウェハ２１の溝を形成することができる。
【００３８】
また、ここではモニタウェハ２２を用いる方法を説明した。しかし、モニタウェハを廃止して、シリコンウェハ２１で不要となる箇所にモニタウェハ２２と同じ働きをするモニタ部分を形成してもよい。不要となる箇所とは、例えば、スクライブライン領域やウェハの正規のチップが形成されない外周部の領域などである。
【実施例２】
【００３９】
図４は、この発明の第２実施例の半導体装置の要部工程断面図である。実施例１と異なるのは、モニタウェハ３０の厚さがシリコンウェハ２１の厚さの半分で、さらにモニタウェハ３０を片面からエッチングして溝を貫通させる点である。
【００４０】
シリコンウェハ２１の半分の厚さのモニタウェハ３０を作成する方法について説明する。ここでは、一例として一般的なバックラップ装置を用いて行った。
バックラップを用いる方式では、研磨を行う面の反対の面に保護テープを貼り付け、その後、ウェハ厚がシリコンウェハ２１の厚さの半分の厚さになるようにバックラップ装置にて研磨面を研磨する。
【００４１】
研磨後に、研磨面、非研磨面のどちら側でもいいので、フォトエッチング技術を用いて貫通する第２の箇所２４のみ選択的にエッチングが行われるように開口部を有するマスキング材２５でモニタウェハ３０を被覆する。使用するマスキング材２５の材質は、実施例１に記載したものと同じである。
【００４２】
図５は、シリコンウェハとモニタウェハに溝が形成される様子を示す図である。
図５において、左側はモニタウェハ３０の図、中央はエッチング時間と出力信号強度の関係を示す図、右側はシリコンウェハ２１の図である。同図（ａ）から同図（ｄ）に向ってエッチングが進行する様子を示している。同図（ａ）でエッチングが開始され、同図（ｂ）でエッチングが進行し、同図（ｃ）でエッチングでモニタウェハ３０が貫通し、同図（ｄ）で追加エッチングにより所望の深さの溝がシリコンウェハ２１に形成される。
【実施例３】
【００４３】
図６および図７は、この発明の第３実施例の半導体装置の製造装置の要部構成図とブロック図である。
この製造装置１００は、エッチング液を入れるエッチング処理槽１と、シリコンウェハ２１、モニタウェハ２２、溝貫通検出部３を支持し上下させる支持・可動部２と、モニタウェハ２２を挟むように配置される溝貫通検出部３とからなる。溝貫通検出部３は、投光側のファイバー９ａへレーザー光を出射し、受光側のファイバー９ｂからレーザー光を受光する。
【００４４】
また、溝貫通検出部３の投光側のファイバー９ａおよび受光側のファイバー９ｂへレーザー光を出射・受光する送受光部４からなる。
また、送受光部４からの信号を受けモニタウェハ２２の第２の箇所２４で貫通する時間を計測するモニタ貫通時間モニタリング部５からなる。
【００４５】
また、このモニタ貫通時間モニタリング部５からの信号を受けモニタウェハ２２のエッチング前の厚さ（または半分の厚さ）と第２の箇所２４の貫通時間からエッチングレートを算出するエッチングレート算出部６からなる。尚、送受光部４は例えばレーザーダイオードと受光ダイオードで構成される。しかし、レーザーダイオードは発光ダイオード（ＬＥＤ）や可視光ダイオードとしてもよい。
【００４６】
また、このエッチングレート算出部６からの信号を受けて追加エッチング時間を算出するエッチング時間カウント部７と、このエッチング時間カウント部７からの信号を支持・可動部２へ送信する制御部８とからなる。
【００４７】
エッチング時間制御部１０は送受光部４、モニタ貫通時間モニタリング部５、エッチングレート算出部６、エッチング時間カウント部７および制御部８で構成される。
制御部８は、支持・可動部２の上下可動を指示し送受光部４からのレーザー光の出射を指示する。
【００４８】
図６では溝貫通検出部３はウェハ２１，２２と同時に上下可動するが、エッチング処理槽１に固定してウェハ２１，２２のみ上下可動させる場合もある。
図６の溝貫通検出部３はファイバー９ａ，９ｂの投光端部と受光端部で構成されるが、投光側のファイバー９ａの投光端部の位置に発光素子、受光側のファイバー９ｂの受光端部に受光素子を配置して送受光部４を兼ねても構わない。
【００４９】
尚、図７において、○内の番号はこの製造装置１００が動作するときの信号や動作の順番を示している。
【符号の説明】
【００５０】
１    エッチング処理槽
２    支持・可動部
３    溝貫通検出部
４    送受光部
５    モニタ貫通時間モニタリング部
６    エッチングレート算出部
７    エッチング時間カウント部
８    制御部
９ａ  投光側のファイバー
９ｂ  受光側のファイバー
１０    エッチング時間制御部
１１    エッチング液
２１    シリコンウェハ
２２，３０  モニタウェハ
２３    第１の箇所
２４    第２の箇所
２５    マスキング材
１００    製造装置
【図１】
0005544997.tif 000002
【図２】
0005544997.tif 000003
【図３】
0005544997.tif 000004
【図４】
0005544997.tif 000005
【図５】
0005544997.tif 000006
【図６】
0005544997.tif 000007
【図７】
0005544997.tif 000008
【図８】
0005544997.tif 000009
【図９】
0005544997.tif 000010
【図１０】
0005544997.tif 000011