(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造において、広面積半導体装置をテストするための電気的および／または光電気的な特性方法であって、前記方法は、
第１の電極（１）を提供し、半導体装置（３０）の導電層（３２）のコンタクトエリア（３６）を備えた電気コンタクトに前記第１の電極を配置する工程と、
電解質溶液（４）および少なくとも第２の電極（２）を保持するコンテナ（６）を具備し、前記電解質溶液（４）へ前記第２の電極（２）を浸す可動電極アセンブリ（５）を提供する工程と、
前記電解質溶液（４）が前記第２の電極（２）を前記半導体装置の上面（３５）を備えた電気コンタクトに配置するように、前記可動電極アセンブリ（５）の位置を決める工程と、
電気計測を行う間に前記半導体装置（１）の上面（３５）に関して前記可動電極アセンブリ（５）を走査する工程と、
を具備する方法。
【請求項２】
光導波管（７）を提供し、前記電解質溶液（４）に前記光導波管（７）を浸し、前記半導体装置の前記上面の近辺に前記光導波管（７）を配置する工程をさらに具備する、請求項１の方法。
【請求項３】
前記光導波管（７）にパルスイルミネーションを供給する工程をさらに具備する、請求項２の方法。
【請求項４】
第３の電極（３）を提供し、前記半導体装置の前記上面を備えた電気コンタクトに前記第３の電極（３）を配置するための前記電解質溶液（４）へ前記第３の電極（３）を浸すことをさらに具備する、前の請求項のうちのいずれかの方法。
【請求項５】
前記電気計測は、光電子の測定を具備する、請求項２乃至４のうちのいずれか１つの方法。
【請求項６】
前記電解質溶液は、ユーロピウムの溶液である、前の請求項のうちのいずれかの方法。
【請求項７】
前記半導体装置の前記表面に関して前記可動電極アセンブリ（５）を走査する工程は、前記可動電極アセンブリ（５）を移動させることを具備する、前の請求項のうちのいずれかの方法。
【請求項８】
前記半導体装置の前記表面に関して前記可動電極アセンブリ（５）を走査する工程は、前記可動電極アセンブリ（５）と共に前記第１の電極（１）を移動することを具備する、請求項７の方法。
【請求項９】
製造において、半導体装置の電気的および／または光電気的な特性のための装置であって、
半導体装置の導電層のコンタクトエリアを備えた電気コンタクトに配置するのに適した第１の電極（１）と、
電解質溶液（４）および少なくとも第２の電極（２）を保持するコンテナ（６）を具備する可動電極アセンブリ（５）と、前記第２の電極（２）は、前記半導体装置の前記上面を備えた電気コンタクトに前記第２の電極（２）を配置するための前記電解質溶液（４）へ浸される、
電気計測を行う間に前記半導体装置の前記表面を横切って前記可動電極アセンブリ（５）を移動させるのに適した走査手段（６９、６９’）と、
を具備する装置。
【請求項１０】
前記可動電極アセンブリ（５）は、発光源に光学的に接続可能な光導波管（７）をさらに具備する、請求項９の装置。
【請求項１１】
前記可動電極アセンブリ（５）は、第３の電極（３）をさらに具備し、
前記第３の電極（３）は、前記半導体装置の前記上面を備えた電気コンタクトに前記第３の電極（３）を配置するための前記電解質溶液（４）へ浸される、請求項９または１０のうちのいずれか１つの方法。
【請求項１２】
前記光導波管（７）は、発光源からパルスイルミネーションを受け取る、請求項１０乃至１１のうちのいずれか１つの装置。
【請求項１３】
前記電解質溶液（４）は、ユーロピウムの溶液である、請求項９乃至１２のうちのいずれかの装置。
【請求項１４】
前記第１の電極（１）は、前記半導体装置の前記上面を走査する間に、前記可動電極アセンブリ（５）と一緒に移動するのに適する、請求項９乃至１３のうちのいずれかの装置。
【請求項１５】
前記第１の電極は、機械的なスクライブまたはスクライブに続く個別の電極のうちの１つである、請求項９乃至１４のうちのいずれかの装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広面積半導体装置の電気的および光電気的な特性のための方法およびデバイスに関する。特に、それは、工業生産ラインにおけるそのような半導体装置の特性に関係がある。
【発明の背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池製造業者は、多くのスタック薄層から成る高価な製品を作成する。図１は、薄膜Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）（Ｓ、Ｓｅ）２（下記のＣＩＧＳと呼ばれた）太陽電池１の構造の断面図の形で、太陽電池の例を示す。構造の個々の層は、ガラス基板１１上に順に堆積される。モリブデン導電層１２は、構造のバックサイドに電気コンタクトを提供する。モリブデンの上には、光吸収ｐ型半導体層１３がある。それは、ＣＩＧＳから選ばれてもよい。この上に、ＣｄＳから選ばれてもよい半導体バッファ層１４があり、この上に、無意図的に（un-intentionally）ドープされたＺｎＯ層１５および意図的に（intentionally）ドープされた酸化亜鉛層１６を具備する透明窓層１５および１６がある。
【０００３】
すべての層は、重要である。また、堆積条件の正確な制御は、効率的な太陽デバイスを作るために、層から必要な特性を得るために必要である。１つの問題は、広面積に対する所望の制御を実現することである。それは、典型的には、太陽電池アプリケーションのために約１平方メータ以上かもしれない。
【０００４】
製造業者は、スタックの残りの完成に向かう前に、つまり太陽電池デバイスの最終加工前に、半導体層が正確に堆積されたことを確認したい。彼らは、すべてのエリア一帯に、堆積された半導体の光電気特性が適切かどうか判断することができた場合、彼らは、生産を増加させ、それらの製造プロセスにおける無駄を縮小するかもしれない。大規模製造における典型的な問題は、不均一な堆積および／またはアニール中の不均一な熱処理である。 
典型的な太陽電池生産プロセスは、図２ａから２ｆに示される。第１のステップ（ａ）では、バック電極として機能するモリブデン導電層２２は、ガラス基板２１上に堆積される（図２ａ）。次のステップ（ｂ）では、Ｐ１スクライブは、定義されたエリアのＭｏ層２２を除去する（図２ｂ）。第３のステップ（ｃ）では、光吸収Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）（Ｓ、Ｓｅ）２ｐ型半導体層２３が堆積される（図２ｃ）。その後、ステップ（ｄ）では、図２ｄに示されるように、硫化カドミウム層２４のようなバッファ層が堆積される。続いて、ステップ（ｅ）では、無意図的にドープされた酸化亜鉛を含む透明窓層２５が、ＣｄＳバッファ層２４の上に堆積される（図２ｅ）。最後に、ステップ（ｆ）では、Ｐ２スクライブは、定義されたエリア２６のＭｏ導電層２２が露出されるまで、堆積された層２３〜２５をすべて除去する（図２ｆ）。図２に示されないが、最後に、意図的にドープされた酸化亜鉛層は、２個の個々の電池を接続するスタックに追加されてもよい。
【０００５】
半導体層が太陽電池デバイスで正確に機能するかどうかを知るために、現在、製造業者は、材料が特定の性能特性に関連することができる特定の特性を持っていることを確認するように間接的な測定を使用する。吸収層半導体材料品質の２つの間接測定が知られている：ラマン分光法およびライフタイム光ルミネッセンス。Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）（Ｓ、Ｓｅ）２の特有のラマンレスポンスピークの幅が、デバイスが生成することができる最終最大電圧と関連することが分かる。さらに、レーザを備えた励起の後の吸収層のルミネセンスのライフタイムは、最終デバイス性能に関連する。さらに、吸収層の導電率は、吸収層に機械的にプレスし、その導電率を測定することにより、測定されるかもしれない。
【０００６】
今現在、デバイスがどれだけの電流を生成するか、デバイスが太陽スペクトルのどの部分を吸収するか（デバイスのバンドギャップ）、完成した電池がどの電圧を持つかについて、決めるための直接のインラインの方法はない。現在、これらの特性を決定するために、半導体層は、フロントおよびバックサイドの両方で物理的に電気的にコンタクトしなければならない。ｐ型半導体バックサイドは、バックでコンタクトを提供する、導体基板または導電層の上に通常置かれる。しかしながら、半導体フロントサイドは、試験を考慮してコンタクトしなければならない。
【０００７】
半導体フロントサイドとコンタクトする１つの方法は、電気的に伝導する溶液を使用することである。それ自体は、白金のような外部電極によってコンタクトされることができる。溶液は、半導体を調べるために調査光が通過することができる透明な電気コンタクトを提供する。この一般的な技術は「光電気化学」として知られており、文献（Dale P J et al., 2007 ECS transactions 6; and Duffy N W et al., 2002 J. Electroanal. Chem. 532 207-14）で多少知られている。半導体が電気的にコンタクトされれば、光はその上へ光らせることができる。また、層の光電気的性質を、確立することができる。重要な利点は、この溶液が、例えば、それを単に洗浄することによって、除去するのが非常に簡単なフロントサイドコンタクトを提供し、または、コンタクト溶液が正確に選ばれる場合は、電池を作るプロセスの一部を形成することができたということである。
【０００８】
しかしながら、工業生産プロセスの中で実際に使用されるように、上述された光電気化学的な技術は、平方メータのような広面積ではなく、実験室スケール（例えば、１×１ｃｍ２）に制限されている。
【解決される技術的問題】
【０００９】
本発明は、従来技術から知られた特性方法および装置の損失を克服するまたは少なくとも緩和することを目的とする。本発明は、さらに、広面積半導体装置の製造の間に使用することができる電気的および／または光電気的な特性方法を提供することを目的とする。
【発明の概要】
【００１０】
第１の態様によれば、本発明は、製造において、広面積半導体装置をテストするための電気的および／または光電気的な特性方法を提案する。その方法は、
第１の電極を提供し、半導体装置の導電層のコンタクトエリアを備えた電気コンタクトにそれを配置する工程と、
電解質溶液および少なくとも第２の電極を保持するコンテナを具備し、電解質溶液へ第２の電極を浸す可動電極アセンブリを提供する工程と、
電解質溶液が第２の電極を半導体装置の上面を備えた電気コンタクトに配置するように、電極アセンブリの位置を決める工程と、
電気計測を行う間に、半導体装置の上面に関して可動電極アセンブリを走査する工程と、を具備する。
【００１１】
方法は、光導波管を提供し、電解質溶液に導波管を浸し、半導体装置の上面の近辺にそれを配置する工程をさらに具備してもよい。
【００１２】
方法は、導波管にパルスイルミネーションを供給する工程をさらに具備してもよい。
【００１３】
方法は、第３の電極を提供し、半導体装置の上面を備えた電気コンタクトにそれを配置するための電解質溶液へ第３の電極を浸すことをさらに具備してもよい。
【００１４】
電気計測は、光電子の測定を具備してもよい。
【００１５】
電解質溶液は、ユーロピウムの溶液であってもよい。
【００１６】
半導体装置の表面に関して可動電極アセンブリを走査する工程は、可動電極アセンブリを移動させることを具備してもよい。
【００１７】
半導体装置の表面に関して可動電極アセンブリを走査する工程は、電極アセンブリと共に第１の電極を移動することを具備してもよい。
【００１８】
本発明の第２の態様によれば、製造において、半導体装置の電気的および／または光電気的な特性のための装置は、
半導体装置の導電層のコンタクトエリアを備えた電気コンタクトに配置するのに適した第１の電極と、
電解質溶液および少なくとも第２の電極を保持するコンテナを具備する可動電極アセンブリと、第２の電極は、半導体装置の上面を備えた電気コンタクトに第２の電極を配置するための電解質溶液へ浸される、
電気計測を行う間に、半導体装置の表面を横切って可動電極アセンブリを移動させるのに適した走査手段と、を具備する。
【００１９】
可動電極アセンブリは、発光源に光学的に接続可能な光導波管をさらに具備してもよい。
【００２０】
可動電極アセンブリは、第３の電極をさらに具備してもよく、第３の電極は、半導体装置の上面を備えた電気コンタクトにそれを配置するための電解質溶液へ浸される。
【００２１】
導波管は、発光源からパルスイルミネーションを受け取ってもよい。
【００２２】
電解質溶液は、ユーロピウムの溶液であってもよい。
【００２３】
第１の電極は、半導体装置の上面を走査する間に、電極アセンブリと一緒に移動するのに適してもよい。
【００２４】
第１の電極は、機械的なスクライブまたはスクライブに続く個別の電極のうちの１つであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、薄膜Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）（Ｓ、Ｓｅ）２太陽電池構造の概要の断面図を示す。
【図２】図２は、典型的なＣｕ（Ｉｎ、Ｇａ）（Ｓ、Ｓｅ）２生産プロセスを示す。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、電極アセンブリの有利な実施形態を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、電極アセンブリの有利な実施形態を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、電極アセンブリの有利な実施形態を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、第１の電極の有利な実施形態を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、第１の電極の有利な実施形態を示す。
【図５Ｃ】図５Ｃは、第１の電極の有利な実施形態を示す。
【図５Ｄ】図５Ｄは、第１の電極の有利な実施形態を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、半導体装置の表面に関する電極アセンブリを移動させるための手段の有利な実施形態を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、半導体装置の表面に関する電極アセンブリを移動させるための手段の有利な実施形態を示す。
【図７】図７は、生産ラインにおける半導体装置の光電気的な特性のための好ましい完成したセットアップを示す。
【発明の詳細な説明】
【００２６】
本発明は、生産プロセス中に電気的および／または光電気的な特性用モジュールとして知られている広面積太陽電池を特徴づけるために光電気化学を利用することを提案する。
【００２７】
図３は、本発明に従って、モジュールがどのように中間の生産プロセスをテストできるかについて概略的に示す。第１の導電層３２へのバックコンタクトは、コンタクトエリアまたはコンタクト窓３６を通って第１の電極１よって作られる。ここで、導電層は、直接アクセス可能である。コンタクト窓３６は、第１の電極１として機械的なスクライブ自体を利用することにより、または、それに続く専用の電極１を使用することにより、モリブデンＰ２スクライブパスが有利である。電解質溶液４は、第２の電極２を含むチューブまたはコンテナ６内に保持される。電解質溶液４が、半導体装置３０の上面３５と第２の電極２の間に電気コンタクトを提供するように、チューブ６は、半導体装置の表面の上に置かれる。その後、上部電極アセンブリ５は、その電気性能を特徴づけるために、その上面３５と平行な平面で、半完成したモジュール３０の表面３５を横切って走査することができる。
【００２８】
本発明は、生産における半導体装置をテストするための電気的および／または光電気的な特性方法を提案する。半導体装置は、導電層３２を具備する。この導電層は、Ｍｏのような第１の金属コンタクト層または導体基板でもよい。半導体装置は、導電層に置かれた少なくとも１つの半導体層３５をさらに具備する。半導体装置の導電層３２が電気的にコンタクトできるように、少なくとも１つの第１のコンタクトエリアまたはコンタクト窓３６’が提供される。発明がいくつかの層を具備する半導体装置と同様に適用可能であることはもちろん理解される。
【００２９】
図３および図４Ａに示される電極アセンブリ５は、広面積の走査を提供する間、電圧電流特性が測定されることを可能にする。
【００３０】
光電気計測を実行することが可能な、より有利な電極アセンブリ５’は、図４Ｂに示される。光導波管７は、第２の電極２に加えて、その近位端（proximal end）が発光源８につなぐことができるように提供される。導波管７の遠位端（distal end）は、電解質溶液を含み、半導体層４５の上面上を照らす光を可能にするチューブ６に低く位置する。発光源８は、連続的な光を提供してもよいが、半導体装置の光電気的な特性を行う場合に、パルス発光源を使用することが通常好まれる。発光源８が、例えばチョッパー７４を使用してパルスイルミネーションを提供する場合、光電子の測定を行うことができる。そのような測定は、暗電流、波長の機能としての光誘導電流、および／または光の強さを具備することができるが、限定されない。
【００３１】
図４Ｃは、電極アセンブリ５”の好ましい実施形態を例証する。ここで、第３の電極３は、第２の電極２および光導波管７に加えてチューブ６内に配置される。チューブ６に含まれていた電解質溶液４は、さらに、電極３と半導体層４５の上面との間の電気コンタクトを確立する。第３の電極３は、半導体装置の表面で電位に影響を及ぼすために有利に使用されてもよい。
【００３２】
適切な電解質４を確認することは、例えば、その酸化還元電位によって有利である。ＣＩＧＳ、ＣｄＳおよびｉ−ＺｎＯ表面については、好ましい電解質溶液は、ユーロピウムの溶液である。半導体表面から容易に除去可能である電解質は、さらに有利である。
【００３３】
適用可能な場合、電解質４は、次の半導体層の中で使用されるものと同様に、好ましくはイオンを含むことができた。
【００３４】
本発明は、導電層５２の第１のコンタクトエリア５６を備えた電気コンタクトに第１の電極１が位置されることを予測する。図５Ａから５Ｄは、電気コンタクトがどのように確立されるかの例を示す。
【００３５】
図５Ａでは、導電層５２は、非導体基板５１の上に置かれる。コンタクト窓５６は、導電層５２の上に置かれた少なくとも１つの半導体層５５に提供される。第１の電極１は、コンタクト窓５６の境界内の導電層５２への電気コンタクトを確立する。
【００３６】
図５Ｂは、非導体基板５１’の非常に同様の半導体を示す。導電層５２’、少なくとも１つの半導体層５５’は、図５Ａを参照して記述する。しかしながら、コンタクトエリア５６’は、引き伸ばされ、第１の電極が導電層５２’の露出された部分に沿って移動することを可能にする。
【００３７】
導電基板５２”は、図５Ｃに示される。その上には、少なくとも１つの半導体層５５”が配置されている。コンタクトエリア５６”は、導電層５２”の上面を露出する。それは、第１の電極１”によってコンタクトされる。
【００３８】
さらなる実施形態は、図５Ｄに示される。ここで、非導体基板５１’’’は、コンタクトエリア５６’’’でその上面が露出される導電層５２’’’を置く。少なくとも１つの半導体層５５’’’は、導電層５２’’’の上に置かれる。機械的なスクライブ９、機械的に連結されて続く第１の電極１は、細長いコンタクトエリア５６の導電層５２の露出された面に沿って移動する。
【００３９】
図６Ａの実施形態に示されるように、半導体装置の表面に関する可動電極アセンブリを走査するステップは、例えば、適切に抑制されたＸ−Ｙテーブル６９によって、可動電極アセンブリを移動させることを具備してもよい。その後、電極アセンブリが、その上層６５を横切って移動する間、半導体装置は適所に保持される。電極アセンブリ５が移動可能な場合、移動を考慮に入れて、柔軟な形式で、その電気的および光学接続を提供する必要がある。
【００４０】
さらなる実施形態は、図６Ｂに例証されるように、例えば、適切に抑制されたＸ−Ｙテーブル６９’によって、半導体装置を移動させるために提供する。これは、電極アセンブリ５に関して半導体装置の相対移動に帰着する。
【００４１】
図６Ａおよび６Ｂに示される実施形態では、直線変位デバイス（linear displacement device）は、十分かもしれない。しかし、Ｘ−Ｙテーブルまたは少なくとも二次元における移動を許可する他のデバイスは、半導体装置を横切って電極アセンブリ５を走査するための必要な移動を達成するための好ましい手段である。
【００４２】
図７は、工業生産プロセスにおける図２に関して議論された、広面積半導体装置２０の光電気的な特性のための好ましい完成セットアップを示す。第１の電極１は、第１の導電層２２の上に提供されるコンタクト窓２６への安定した電気コンタクトを確立するために使用される。半導体層２２へのコンタクトは、例えば、モリブデンＰ２スクライブパスを通って、第１の電極１として機械的なスクライブ自体を利用することにより、または、それに続く専用の電極１の提供により、作られる。
【００４３】
半導体装置２０は、光吸収層２３およびバッファ層２４をさらに具備する。透明窓層２５は、半導体装置２０の上に置かれる。
【００４４】
電解質溶液４は、光導波管と第２および第３の電極２および３をさらに含んでいるチューブ内に保持される。ＣＩＧＳシステムについては、電極は、ユーロピウムから選ばれる。電極アセンブリ５は、そのパフォーマンスを特徴づけるために、半完成したモジュール２０の表面を横切って走査することができる。走査移動は、電極アセンブリ５と上面の間のコンタクトを維持し、半導体装置の上面と平行な平面である。
【００４５】
この実施形態は、測定をコントロールするためのロックイン増幅器７１、ポテンシオスタット７２およびコンピュータ７３をさらに具備する。発光源８によって放射された光は、チョッパー７４を通る。それは、順に、増幅器７１のロックにリンクされる。その後、パルス光は、導光路７を通り抜けて、半導体装置の上部上を照らす。Ｘ−Ｙテーブル６９は、半導体装置２０に関する電極アセンブリ５を動かすために使用される。図７に示される実施形態では、半導体装置２０がＸ−Ｙテーブル６９によって移動されている間、電極アセンブリ５は静止位置を維持する。
【００４６】
他の実施形態では、半導体装置は、移動されることができたが、電極アセンブリは、固定位置のままだろう。
【利点】
【００４７】
本発明による広面積半導体装置の電気的および／または光電気的な特性は、従来の間接的な方法によって以前は得ることができなかった情報を得ることを容易にすることができる。
【００４８】
１．波長の機能としての量子効率データは以下を可能にする。
【００４９】
ａ．デバイス短絡電流の計算
ｂ．吸収層バンドギャップの計算
ｃ．電気的なキャリヤ寿命の推定
ｄ．ＣｄＳ層が測定される場合のＣｄＳ厚さの推定
２．電池電圧を示す接合を横切って生成した電圧の測定を達成することができる。
【００５０】
３．暗電流の大きさがピンホール／導体サブフェーズを示す。
【００５１】
この情報のすべては、材料が完全なデバイスへ完成するのに適しているかを判断する製造業者に有用であろう、そして、モジュール上の位置の機能として作ることができる。本発明による電気的な特性は、それらのプロセスで問題を有する製造業者のために早期の警告として使用されてもよい。この種の特性は、デバイスに基づいたＣｄＴｅ、ＣｕＩｎＳ２を含む薄膜無機太陽電池のすべてのタイプに適している。
【００５２】
本発明は、電気的および／または光電気的計測が行なわれることを可能にする。また、特性、半導体生産ラインで使用されるのに適している。
【００５３】
スクライブが使用されれば、スクライブとともに第１の電極１を移動させることは有利かもしれない。スクライブが機械的で、導電材である場合、第１の電極１として機械的なスクライブを使用することができるかもしれない。
【００５４】
電気計測を行う間、第１の電極１が電極アセンブリ５と一緒に移動される場合、さらなる利点が生じる。
【００５５】
発明は、ＣＩＧＳ太陽電池モジュールに基づいて記述されているが、発明がこれらの詳細に制限されていないことは認識されるだろう。その発明は、他の太陽電池および／または他の物質のシステムに同様によく適用されてもよい。同様に、他の電気的な特性方法は使用されてもよい。
【００５６】
恐らく、当業者は他の多くの有効な代案を思い付くだろう。発明は、記述された実施形態に制限されず、ここに添付された請求項の精神および範囲内に位置する当業者に明白な変更を包含することが理解されるだろう。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］  製造において、広面積半導体装置をテストするための電気的および／または光電気的な特性方法であって、前記方法は、
第１の電極（１）を提供し、半導体装置（３０）の導電層（３２）のコンタクトエリア（３６）を備えた電気コンタクトに前記第１の電極を配置する工程と、
電解質溶液（４）および少なくとも第２の電極（２）を保持するコンテナ（６）を具備し、前記電解質溶液（４）へ前記第２の電極（２）を浸す可動電極アセンブリ（５）を提供する工程と、
前記電解質溶液（４）が前記第２の電極（２）を前記半導体装置の上面（３５）を備えた電気コンタクトに配置するように、前記電極アセンブリ（５）の位置を決める工程と、
電気計測を行う間に前記半導体装置（１）の上面（３５）に関して前記可動電極アセンブリ（５）を走査する工程と、
を具備する方法。
［２］  光導波管（７）を提供し、前記電解質溶液（４）に前記導波管（７）を浸し、前記半導体装置の前記上面の近辺にそれを配置する工程をさらに具備する、前記［１］の方法。
［３］  前記導波管（７）にパルスイルミネーションを供給する工程をさらに具備する、前記［２］の方法。
［４］  第３の電極（３）を提供し、前記半導体装置の前記上面を備えた電気コンタクトにそれを配置するための前記電解質溶液（４）へ前記第３の電極（３）を浸すことをさらに具備する、前記［１］〜［３］のうちのいずれかの方法。
［５］  前記電気計測は、光電子の測定を具備する、前記［２］〜［４］のうちのいずれか１つの方法。
［６］  前記電解質溶液は、ユーロピウムの溶液である、前記［１］〜［５］のうちのいずれかの方法。
［７］  前記半導体装置の前記表面に関して前記可動電極アセンブリ（５）を走査する工程は、前記可動電極アセンブリ（５）を移動させることを具備する、前記［１］〜［６］のうちのいずれかの方法。
［８］  前記半導体装置の前記表面に関して前記可動電極アセンブリ（５）を走査する工程は、前記電極アセンブリ（５）と共に前記第１の電極（１）を移動することを具備する、前記［７］の方法。
［９］  製造において、半導体装置の電気的および／または光電気的な特性のための装置であって、
半導体装置の導電層のコンタクトエリアを備えた電気コンタクトに配置するのに適した第１の電極（１）と、
電解質溶液（４）および少なくとも第２の電極（２）を保持するコンテナ（６）を具備する可動電極アセンブリ（５）と、前記第２の電極（２）は、前記半導体装置の前記上面を備えた電気コンタクトに前記第２の電極（２）を配置するための前記電解質溶液（４）へ浸される、
電気計測を行う間に前記半導体装置の前記表面を横切って前記可動電極アセンブリ（５）を移動させるのに適した走査手段（６９、６９’）と、
を具備する装置。
［１０］  前記可動電極アセンブリ（５）は、発光源に光学的に接続可能な光導波管（７）をさらに具備する、前記［９］の装置。
［１１］  前記可動電極アセンブリ（５）は、第３の電極（３）をさらに具備し、
前記第３の電極（３）は、前記半導体装置の前記上面を備えた電気コンタクトにそれを配置するための前記電解質溶液（４）へ浸される、前記［９］または［１０］のうちのいずれか１つの方法。
［１２］  前記導波管（７）は、発光源からパルスイルミネーションを受け取る、前記［１０］〜［１１］のうちのいずれか１つの装置。
［１３］  前記電解質溶液（４）は、ユーロピウムの溶液である、前記［９］〜［１２］のうちのいずれかの装置。
［１４］  前記第１の電極（１）は、前記半導体装置の前記上面を走査する間に、前記電極アセンブリ（５）と一緒に移動するのに適する、前記［９］〜［１３］のうちのいずれかの装置。
［１５］  前記第１の電極は、機械的なスクライブまたはスクライブに続く個別の電極のうちの１つである、前記［９］〜［１４］のうちのいずれかの装置。
【図１】
0005579829.tif 000002
【図２】
0005579829.tif 000003
【図３】
0005579829.tif 000004
【図４Ａ】
0005579829.tif 000005
【図４Ｂ】
0005579829.tif 000006
【図４Ｃ】
0005579829.tif 000007
【図５Ａ】
0005579829.tif 000008
【図５Ｂ】
0005579829.tif 000009
【図５Ｃ】
0005579829.tif 000010
【図５Ｄ】
0005579829.tif 000011
【図６Ａ】
0005579829.tif 000012
【図６Ｂ】
0005579829.tif 000013
【図７】
0005579829.tif 000014