(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも１層が下記一般式（１）で表される化合物、または、一般式（２）で表される化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
0005423363.tif 000031
（式中、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、置換基を有しても良い窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｅ２ｃ、Ｅ２ｄ、Ｅ２ｋ、及びＥ２ｏは各々独立に炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｅ２ｌ〜Ｅ２ｎは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｘ１１−Ｌ１１−Ｘ１２は二座の配位子を表し、Ｘ１１、Ｘ１２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または、酸素原子を表す。Ｌ１１はＸ１１、Ｘ１２と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。Ｒ１１、Ｒ１２は各々独立に水素原子、または、置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ２１は置換基を表す。Ｒ２２は酸素原子、または、置換基を表す。Ｒ２１とＲ２２は互いに結合して環を形成してもよい。ｍ１１は１、２、または、３の整数を表す。ｍ２１は０、１、または、２の整数を表す。Ｙ１はカウンターアニオンを表し、ｎ１は錯体分子全体の電荷を中和するように２、または、３の整数を表す。Ｍ１とＸ１１、または、Ｍ１とＸ１２の間の結合は共有結合、または、配位結合である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。）
【請求項２】
陽極と陰極の間に、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも１層が下記一般式（３）で表される化合物、または、一般式（４）で表される化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
0005423363.tif 000032
（式中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｂは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、置換基を有しても良い窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｅ１ｃ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ、Ｅ１ｊ、Ｅ１ｋ、及びＥ１ｏは各々独立に炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｉ及びＥ１ｌ〜Ｅ１ｎは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏとＭに配位する二つの窒素原子で構成される骨格は合計で１８π電子を有する。Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は二座の配位子を表し、Ｘ１、Ｘ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または、酸素原子を表す。Ｌ１はＸ１、Ｘ２と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２、または、３の整数を表す。ｍ２は０、１、または、２の整数を表す。Ｙはカウンターアニオンを表し、ｎは錯体分子全体の電荷を中和するように２、または、３の整数を表す。ＭとＸ１、または、ＭとＸ２の間の結合は共有結合、または、配位結合である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。）
【請求項３】
前記一般式（３）で表される化合物が、下記一般式（５）で表される化合物、または、前記一般式（４）で表される化合物が、下記一般式（６）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３】
0005423363.tif 000033
（式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｏと同義である。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏとＭに配位する二つの窒素原子で構成される骨格は合計で１８π電子を有する。Ｌ１は２つの窒素原子と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＹ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。）
【請求項４】
前記一般式（５）で表される化合物が、下記一般式（７）で表される化合物、または、前記一般式（６）で表される化合物が、下記一般式（８）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化４】
0005423363.tif 000034
（式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｊは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｊと同義である。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。Ｌ１、Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（５）又は一般式（６）におけるＬ１、Ｙ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。）
【請求項５】
前記一般式（７）で表される化合物が、下記一般式（９）で表される化合物であるか、前記一般式（８）で表される化合物が、下記一般式（１０）で表される化合物、または、一般式（１１）で表される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
0005423363.tif 000035
（式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｇは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｇと同義である。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、は、それぞれ前記一般式（７）におけるＲ５１、Ｒ５２、Ｒ５３と同義であり、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３はそれぞれ前記一般式（８）におけるＲ６１、Ｒ６２、及びＲ６３と同義である。Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ６４及びＲ６５は各々独立に水素原子、または置換基を表す。Ｌ１、Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（５）又は一般式（６）におけるＬ１、Ｙ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。）
【請求項６】
前記ｍ１１が３、ｍ１２が０であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記Ｍ１がイリジウムであることを特徴とする請求項１又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記ｍ１が３、ｍ２が０であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記Ｍがイリジウムであることを特徴とする請求項２〜５、８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記一般式（１）〜（１１）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種が発光層に含有されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記一般式（１）〜（１１）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含有した層が湿式法（ウェットプロセス）により成膜、形成される工程を経て製造されたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
白色に発光することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤという）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。
【０００３】
無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
【０００４】
一方、有機ＥＬ素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００５】
しかしながら、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子においては、更に低消費電力で効率よく短波波長でも高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【０００６】
波長の短波化に関してはこれまでフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている。
【０００７】
しかしながら、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。
【０００８】
配位子としてフェニルピラゾールを有する金属錯体は発光波長が短波な発光材料であることが開示されている（例えば、特許文献１、２参照）。さらに、フェニルピラゾールの５員環に６員環が縮合した部分構造を有する配位子から形成される金属錯体が開示されている（例えば、特許文献３、４参照。）。フェナンスリジン骨格を有する金属錯体についての開示がある（例えば、特許文献５、６参照）。
【０００９】
このように多くの発光材料がイリジウム錯体、白金錯体を中心に合成検討がなされているが、高発光効率、低駆動電圧であり、耐熱性、生保存性に優れ、なおかつ、長寿命である有機ＥＬ素子を提供するという観点からは、いまだに不十分であり、更なる解決方法が模索されている。
【００１０】
一方で、大面積化、低コスト化、高生産性に対する要求から、湿式法（ウエットプロセス等ともいう）に対する期待が大きく、真空プロセスでの成膜に比べて低温で成膜可能であるため、下層の有機層のダメージを低減でき、発光効率や素子寿命の改善の面からも大きな期待が寄せられている（例えば、特許文献７，８）。これらの文献の中では、イオン性の金属錯体を使用したウエット成膜が実現さている。しかしながら、青色リン光発光を利用する有機ＥＬ素子において、ウエット成膜を実現するためには、実用上の観点から、現在知られている発光材料では、溶剤に対する溶解性、溶液安定性、駆動電圧、素子寿命等の点で、まだ不十分であり、更なる改良技術が不可欠であることが判ってきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第２００４／０８５４５０号パンフレット
【特許文献２】特開２００５−５３９１２号公報
【特許文献３】特開２００６−２８１０１号公報
【特許文献４】米国特許第７１４７９３７号明細書
【特許文献５】米国特許公開第２００７／０１９０３５９号明細書
【特許文献６】国際公開第２００７／０９５１１８号パンフレット
【特許文献７】特開２００２−３０２６７１号公報
【特許文献８】国際公開第２００７／００６３８０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長く、溶液安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することである。
【００１３】
特に、青色〜青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長く、溶液安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
【００１５】
１．陽極と陰極の間に、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも１層が下記一般式（１）で表される化合物、または、一般式（２）で表される化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１６】
【化１】
0005423363.tif 000002
【００１７】
（式中、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、置換基を有しても良い窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｅ２ｃ、Ｅ２ｄ、Ｅ２ｋ、及びＥ２ｏは各々独立に炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｅ２ｌ〜Ｅ２ｎは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｘ１１−Ｌ１１−Ｘ１２は二座の配位子を表し、Ｘ１１、Ｘ１２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または、酸素原子を表す。Ｌ１１はＸ１１、Ｘ１２と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。Ｒ１１、Ｒ１２は各々独立に水素原子、または、置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ２１は置換基を表す。Ｒ２２は酸素原子、または、置換基を表す。Ｒ２１とＲ２２は互いに結合して環を形成してもよい。ｍ１１は１、２、または、３の整数を表す。ｍ２１は０、１、または、２の整数を表す。Ｙ１はカウンターアニオンを表し、ｎ１は錯体分子全体の電荷を中和するように２、または、３の整数を表す。Ｍ１とＸ１１、または、Ｍ１とＸ１２の間の結合は共有結合、または、配位結合である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。）
２．陽極と陰極の間に、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも１層が下記一般式（３）で表される化合物、または、一般式（４）で表される化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１８】
【化２】
0005423363.tif 000003
【００１９】
（式中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｂは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、置換基を有しても良い窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｅ１ｃ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ、Ｅ１ｊ、Ｅ１ｋ、及びＥ１ｏは各々独立に炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｉ及びＥ１ｌ〜Ｅ１ｎは各々独立に置換基を有しても良い炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏとＭに配位する二つの窒素原子で構成される骨格は合計で１８π電子を有する。Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は二座の配位子を表し、Ｘ１、Ｘ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または、酸素原子を表す。Ｌ１はＸ１、Ｘ２と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２、または、３の整数を表す。ｍ２は０、１、または、２の整数を表す。Ｙはカウンターアニオンを表し、ｎは錯体分子全体の電荷を中和するように２、または、３の整数を表す。ＭとＸ１、または、ＭとＸ２の間の結合は共有結合、または、配位結合である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。）
３．前記一般式（３）で表される化合物が、下記一般式（５）で表される化合物、または、前記一般式（４）で表される化合物が、下記一般式（６）で表される化合物であることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２０】
【化３】
0005423363.tif 000004
【００２１】
（式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｏと同義である。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏとＭに配位する二つの窒素原子で構成される骨格は合計で１８π電子を有する。Ｌ１は２つの窒素原子と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＹ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。）
４．前記一般式（５）で表される化合物が、下記一般式（７）で表される化合物、または、前記一般式（６）で表される化合物が、下記一般式（８）で表される化合物であることを特徴とする前記３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２２】
【化４】
0005423363.tif 000005
【００２３】
（式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｊは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｊと同義である。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。Ｌ１、Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（５）又は一般式（６）におけるＬ１、Ｙ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。）
５．前記一般式（７）で表される化合物が、下記一般式（９）で表される化合物であるか、前記一般式（８）で表される化合物が、下記一般式（１０）で表される化合物、または、一般式（１１）で表される化合物であることを特徴とする前記４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２４】
【化５】
0005423363.tif 000006
【００２５】
（式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｇは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｇと同義である。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、は、それぞれ前記一般式（７）におけるＲ５１、Ｒ５２、Ｒ５３と同義であり、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３はそれぞれ前記一般式（８）におけるＲ６１、Ｒ６２、及びＲ６３と同義である。Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ６４及びＲ６５は各々独立に水素原子、または置換基を表す。Ｌ１、Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（５）又は一般式（６）におけるＬ１、Ｙ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。）
６．前記ｍ１１が３、ｍ１２が０であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２６】
７．前記Ｍ１がイリジウムであることを特徴とする前記１又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２７】
８．前記ｍ１が３、ｍ２が０であることを特徴とする前記２〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２８】
９．前記Ｍがイリジウムであることを特徴とする前記２〜５、８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２９】
１０．前記一般式（１）〜（１１）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種が発光層に含有されることを特徴とする前記１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００３０】
１１．前記一般式（１）〜（１１）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含有した層が湿式法（ウェットプロセス）により成膜、形成される工程を経て製造されたことを特徴とする前記１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００３１】
１２．白色に発光することを特徴とする前記１〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００３２】
１３．前記１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
【００３３】
１４．前記１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００３４】
本発明により、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長く、溶液安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該素子を用いた照明装置、表示装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。
【図２】表示部の模式図である。
【図３】照明装置の概略図である。
【図４】照明装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記１〜１２のいずれか１項に規定される構成により、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。
【００３７】
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
【００３８】
本発明者等は、有機ＥＬ素子の発光層に用いる有機ＥＬ素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる金属錯体化合物について種々検討した。
【００３９】
イオン性の金属錯体は、りん光性の発光材料としてウェットプロセスの有機ＥＬに応用できるという利点があり、種々のイオン性の金属錯体が用いられてきている。しかしながら、本発明者らが検討したところ、その分子構造を、発光波長が緑から赤よりも短波な領域に制御すると、有機ＥＬ素子の安定性が著しく低下し、駆動電圧も高くなる傾向にあることが分かった。
【００４０】
一方、本発明者らは、金属錯体の基本骨格に置換基を導入することで、波長のコントロールや寿命の改善を図るという、従来公知のアプローチではなく、縮合環のπ共役面を広げることが化合物の安定性を上げるという着目点の下に種々の錯体を検討してきた。その結果、幾つかの縮合環構造（例えば、イミダゾフェナンスリジンやピラゾロフェナンスリジン等）で寿命の改善傾向が見出されており、発光波長の短波化と、それを用いた長寿命の有機ＥＬ素子の開発に成功していた。しかしながら、これらの金属錯体のウェットプロセスへの展開は溶解性の低下により十分ではなかった。そこで、ウェットプロセスへの応用にあたり、イミダゾフェナンスリジンやピラゾロフェナンスリジン等の縮環構造から、本発明のように金属に配位結合する二つの箇所（例えば、二つの窒素原子）を有する配位子を分子設計し、種々のイオン性金属錯体を合成した。このような配位子を有するイオン性金属錯体は、イミダゾフェナンスリジンやピラゾロフェナンスリジン等を配位子とするオルトメタル錯体に比べて溶解性の改良がみられ、ウェットプロセスに適した材料を提供することが可能となった。さらに、従来のイオン性の金属錯体に比べて、高温時も含めた金属錯体の安定性も向上することが分かった。
【００４１】
（元素周期表の８〜１０族の遷移金属元素）
本発明に係る、一般式（１）から（１１）のいずれかで表される構造を含む化合物（遷移金属錯体、金属錯体、金属錯体化合物ともいう）の形成に用いられる金属としては、元素周期表の８〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましい遷移金属元素として挙げられる。
【００４２】
（本発明に係る遷移金属錯体の含有層）
本発明に係る一般式（１）から（１１）のいずれかで表される遷移金属錯体化合物の含有層としては、電荷を輸送する層（電荷輸送層）であれば特に制限はないが、正孔輸送層または発光層、発光層または電子阻止層が好ましく、より好ましくは発光層または電子阻止層であり、特に好ましくは発光層である。
【００４３】
また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機ＥＬ素子の外部取り出し量子効率の効率アップ（高輝度化）や発光寿命の長寿命化を達成することができる。尚、本発明の有機ＥＬ素子の構成層については、後に詳細に説明する。
【００４４】
まず、本発明に係る一般式（１）〜（１１）のいずれかで表される構造について説明する。
【００４５】
《一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造》
本発明に係る一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造について説明する。
【００４６】
一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造において、Ｅ２ａ〜Ｅ２ｄと窒素原子により形成される環は、５員の芳香族複素環を表し、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
【００４７】
上記の中でも、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環が好ましく、特に好ましいのは、ピラゾール環、イミダゾール環である。
【００４８】
一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造において、Ｅ２ｋ〜Ｅ２ｏと窒素原子により形成される環は、６員の芳香族複素環を表す。
【００４９】
Ｅ２ｋ〜Ｅ２ｏにより形成される６員の芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。更に、後述する一般式（７）〜（８）で表される一般式のＲ５１からＲ５３、及びＲ６１からＲ６３で表される置換基を有していても良い。
【００５０】
一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造において、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２が置換基を表す場合、その具体例は、後述する一般式（７）〜（８）で表される一般式のＲ５１からＲ５３、及びＲ６１からＲ６３で表される置換基を挙げることができる。
【００５１】
一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造において、Ｘ１１−Ｌ１１−Ｘ１２表される２座の配位子の具体例としては、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。
【００５２】
ｍ１１は１、２または３の整数を表し、ｍ１２は０、１または２の整数を表すが、ｍ１１＋ｍ１２は２または３である。中でも、ｍ１２は０である場合が好ましい。
【００５３】
Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表すが、好ましくは、イリジウム、または、白金である。
【００５４】
Ｙ１はカウンターアニオンを表し、ｎ１は２、または、３の整数を表す。カウンターアニオンとして、具体的には、ハロゲンイオン（塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン）、パークロレートイオン、ＰＦ６−、ボレートイオン（テトラフェニルボレートイオン、ＢＦ４−等）、スルホン酸イオン（ポリスチレンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、カルボン酸イオン、ＣＮ−等が挙げられる。
【００５５】
一般式（１）又は（２）のいずれかで表される化合物（イオン性遷移金属錯体）を含有する有機化合物層は、一般式（１）又は（２）のいずれかで表される化合物のみからなる層であってもよく、該化合物をポリエチレンオキサイド、ポリエチレンスルホン酸、ポリカーボネート、ポリエステル等のポリマーバインダーに分散した層であってもよい。この層は複数種のイオン性遷移金属錯体を含有してもよく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び／又は電子注入層として機能してよい。
【００５６】
《一般式（３）又は（４）のいずれかで表される構造》
本発明に係る一般式（３）又は（４）のいずれかで表される構造について説明する。
【００５７】
一般式（１）又は（２）のいずれかで表される構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｄと窒素原子により形成される環は、５員の芳香族複素環を表し、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
【００５８】
上記の中でも、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環が好ましく、特に好ましいのは、ピラゾール環、イミダゾール環である。
【００５９】
一般式（３）又は（４）のいずれかで表される構造において、Ｅ１ｋ〜Ｅ１ｏと窒素原子により形成される環は、６員の芳香族複素環を表す。
【００６０】
Ｅ１ｋ〜Ｅ１ｏにより形成される６員の芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。更に、後述する一般式（７）〜（８）で表される一般式のＲ５１からＲ５３、及びＲ６１からＲ６３で表される置換基を有していても良い。
【００６１】
一般式（３）又は（４）のいずれかで表される構造において、Ｅ１ｅ〜Ｅ１ｊにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環を表す。
【００６２】
Ｅ１ｅ〜Ｅ１ｊにより形成される６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環が挙げられる。更に、後述する置換基を有していても良い。
【００６３】
Ｅ１ｅ〜Ｅ１ｊにより形成される５員または６員の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。尚、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏとＭに配位する二つの窒素原子で構成される骨格は合計で１８π電子を有する。
【００６４】
ｍ１は１、２または３の整数を表し、ｍ２は０、１または２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２または３である。中でも、ｍ２は０である場合が好ましい。
【００６５】
Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表すが、好ましくは、イリジウム、または、白金である。
【００６６】
Ｙはカウンターアニオンを表し、ｎは２、または、３の整数を表す。カウンターアニオンとして、具体的には、ハロゲンイオン（塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン）、パークロレートイオン、ＰＦ６−、ボレートイオン（テトラフェニルボレートイオン、ＢＦ４−等）、スルホン酸イオン（ポリスチレンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、カルボン酸イオン、ＣＮ−等が挙げられる。
【００６７】
一般式（３）又は（４）のいずれかで表される化合物（イオン性遷移金属錯体）を含有する有機化合物層は、一般式（３）又は（４）のいずれかで表される化合物のみからなる層であってもよく、該化合物をポリエチレンオキサイド、ポリエチレンスルホン酸、ポリカーボネート、ポリエステル等のポリマーバインダーに分散した層であってもよい。この層は複数種のイオン性遷移金属錯体を含有してもよく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び／又は電子注入層として機能してよい。
【００６８】
《一般式（５）又は（６）のいずれかで表される構造》
本発明に係る一般式（５）又は（６）のいずれかで表される構造について説明する。
【００６９】
一般式（５）又は（６）のいずれかで表される構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏは、それぞれ前記一般式（３）又は（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｏと同義である。Ｌ１は２つの窒素原子と共に二座の配位子を形成する原子群を表す。Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（３）又は（４）におけるＹ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。尚、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｏとＭに配位する二つの窒素原子で構成される骨格は合計で１８π電子を有する。
【００７０】
本発明においては、一般式（５）又は（６）のいずれかで表される構造の中でも、一般式（５）で表される構造が好ましい。
【００７１】
本発明においては、前記一般式（３）又は（４）のいずれかで表される構造の中でも、上記一般式（５）又は（６）のいずれかで表される構造が好ましい。
【００７２】
《一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造》
本発明に係る一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造について説明する。
【００７３】
一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｊは、それぞれ前記一般式（３）又は一般式（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｊと同義である。Ｌ１、Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（５）又は一般式（６）におけるＬ１、Ｙ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す。
【００７４】
一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３で各々表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。
【００７５】
これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよく、また、複数の置換基が存在する場合、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、お互いに連結して環を形成しても良い。
【００７６】
中でも置換基としては、アルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が好ましい。
【００７７】
本発明においては、前記一般式（５）又は（６）のいずれかで表される構造の中でも、上記一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造が好ましい。
【００７８】
《一般式（９）〜（１１）のいずれかで表される構造》
本発明に係る一般式（９）〜（１１）のいずれかで表される構造について説明する。
【００７９】
一般式（９）〜（１１）のいずれかで表される構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｇは、それぞれ前記一般式（３）又は（４）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｇと同義である。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３は、それぞれ前記一般式（７）におけるＲ５１、Ｒ５２、Ｒ５３と同義であり、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３はそれぞれ前記一般式（８）におけるＲ６１、Ｒ６２、及びＲ６３と同義である。Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ６４及びＲ６５は各々独立に水素原子、または置換基を表す。Ｌ１、Ｙ及びＭは、それぞれ前記一般式（５）又は一般式（６）におけるＬ１、Ｙ及びＭと同義である。ｍ１、ｍ２及びｎは、それぞれ前記一般式（３）又は（４）におけるｍ１、ｍ２及びｎと同じ整数を表す一般式（９）〜（１１）のいずれかで表される構造において、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ６４及びＲ６５で表される置換基は、上述した、Ｒ５１からＲ５３、及びＲ６１からＲ６３で述べた置換基を挙げることができる。
【００８０】
本発明においては、上記一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造の中でも、上記一般式（９）〜（１１）のいずれかで表される構造が好ましく、上記一般式（９）で表される構造が最も好ましい。
【００８１】
本発明の上記一般式（１）〜（１１）においては、Ｅ１ａからＥ１ｄのうち二つが窒素原子であり、かつ、二つが置基を有しても良い炭素原子であることが好ましい。好まし態様の一つは、Ｅ１ａ及びＥ１ｃが窒素原子であり、かつ、Ｅ１ｂ及びＥ１ｄは二つが置換基を有しても良い炭素原子である。好まし態様の一つは、Ｅ１ａ及びＥ１ｄが窒素原子であり、かつ、Ｅ１ｂ及びＥ１ｃは二つが置換基を有しても良い炭素原子である。
【００８２】
好まし態様の一つは、Ｅ１ｂ及びＥ１ｄが窒素原子であり、かつ、Ｅ１ａ及びＥ１ｃは二つが置換基を有しても良い炭素原子である。好まし態様の一つは、Ｅ１ｃ及びＥ１ｄが窒素原子であり、かつ、Ｅ１ａ及びＥ１ｂは二つが置換基を有しても良い炭素原子である。最も好ましくは、Ｅ１ａ及びＥ１ｂが窒素原子であり、かつ、Ｅ１ｃ及びＥ１ｄは二つが置換基を有しても良い炭素原子、または、Ｅ１ｂ及びＥ１ｃが窒素原子であり、かつ、Ｅ１ａ及びＥ１ｄは二つが置換基を有しても良い炭素原子である。
【００８３】
本発明の上記一般式（１）〜（１１）においては、前記一般式（７）、または、一般式（８）において、Ｅ１ａからＥ１ｄのうち１つが置換基を有しても良い窒素原子であることがより好ましい。
【００８４】
好まし態様の一つは、Ｅ１ａが置換基を有しても良い窒素原子であり、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、Ｅ１ｄが置換基を有しても良い炭素原子である。好まし態様の一つは、Ｅ１ｂが置換基を有しても良い窒素原子であり、Ｅ１ａ、Ｅ１ｃ、Ｅ１ｄが置換基を有しても良い炭素原子である。好まし態様の一つは、Ｅ１ｄが置換基を有しても良い窒素原子であり、Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃが置換基を有しても良い炭素原子である。最も好ましくは、Ｅ１ｃが置換基を有しても良い窒素原子であり、Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｄが置換基を有しても良い炭素原子である。
【００８５】
本発明の上記一般式（１）〜（１１）において、Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｉが置換基を有しても良い炭素原子、または、置換基を有しても良い窒素原子を表す場合、その置換基としては、一般式（７）又は（８）のいずれかで表される構造において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ６１、Ｒ６２、及びＲ６３で各々表される置換基と同義である。置換基として好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が挙げられる。
【００８６】
以下、本発明に係る前記一般式（１）〜（１１）のいずれかで表される本発明の化合物（金属錯体、金属錯体化合物ともいう）、の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。ここでの具体例では、カウンターアニオンを示していないため、錯体分子全体の電荷は正になっている。下記各化合物には、前記Ｙの説明で具体的例を挙げたカウンターアニオンを錯体分子全体の電荷が中和するように適宜使用することができる。
【００８７】
【化６】
0005423363.tif 000007
【００８８】
【化７】
0005423363.tif 000008
【００８９】
【化８】
0005423363.tif 000009
【００９０】
【化９】
0005423363.tif 000010
【００９１】
【化１０】
0005423363.tif 000011
【００９２】
【化１１】
0005423363.tif 000012
【００９３】
【化１２】
0005423363.tif 000013
【００９４】
【化１３】
0005423363.tif 000014
【００９５】
【化１４】
0005423363.tif 000015
【００９６】
【化１５】
0005423363.tif 000016
【００９７】
【化１６】
0005423363.tif 000017
【００９８】
本発明の化合物のようなイオン性の金属錯体の例はＰｕｒｅ  Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．，５２，２７１７，（１９８０）．等に記載されており、種々の公知の手法で合成することができる。例えば、配位子（化合物Ａなど）、またはその解離体と遷移金属化合物（例えばＫ３ＩｒＣｌ６、イリジウムトリスアセチルアセトナト錯体）を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【００９９】
以下に、本発明の化合物（１）の合成例を示す。
【０１００】
化合物（１）の合成
Ｋ３ＩｒＣｌ６０．５ｇと化合物Ｚ０．７５ｇを２−メトキシエタノール２０ｍｌ、水５ｍｌの混合溶媒中で８時間加熱し、析出した結晶を濾別することにより、本発明の化合物（１）０．３ｇを得た。
【０１０１】
【化１７】
0005423363.tif 000018
【０１０２】
《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１０３】
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
本発明の有機ＥＬ素子においては、青色発光層の発光極大波長は４３０ｎｍ〜４８０ｎｍにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、赤色発光層は発光極大波長が６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも３層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
【０１０４】
本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
【０１０５】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【０１０６】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である。
【０１０７】
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。
【０１０８】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント（リン光ドーパント（リン光発光性ドーパントともいう）や蛍光ドーパント等）の少なくとも１種類とを含有することが好ましい。
【０１０９】
（ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
【０１１０】
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
【０１１１】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０１１２】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【０１１３】
以下に、本発明に好ましく用いられるホスト化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１１４】
【化１８】
0005423363.tif 000019
【０１１５】
【化１９】
0005423363.tif 000020
【０１１６】
【化２０】
0005423363.tif 000021
【０１１７】
【化２１】
0005423363.tif 000022
【０１１８】
【化２２】
0005423363.tif 000023
【０１１９】
併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【０１２０】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
【０１２１】
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
【０１２２】
（発光ドーパント）
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
【０１２３】
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
【０１２４】
（リン光ドーパント）
リン光ドーパントについて説明する。
【０１２５】
本発明に係るリン光ドーパント、本発明に併用してもよいはリン光ドーパント、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１２６】
本発明に係るリン光ドーパントとして用いられる化合物としては、上記の本発明に係る一般式（１）〜（９）のいずれかで表される構造のいずれかで表される構造を含む遷移金属錯体化合物が好ましい。
【０１２７】
また、以下に示すような従来公知の発光ドーパントを併用してもよい。
【０１２８】
【化２３】
0005423363.tif 000024
【０１２９】
【化２４】
0005423363.tif 000025
【０１３０】
【化２５】
0005423363.tif 000026
【０１３１】
（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
本発明では、以下に示すような従来公知の蛍光ドーパントを併用してもよい。蛍光ドーパント（蛍光性化合物）としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０１３２】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
【０１３３】
《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【０１３４】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【０１３５】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【０１３６】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１３７】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０１３８】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０１３９】
また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
【０１４０】
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０１４１】
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示す）を含有することが好ましい。
【０１４２】
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
【０１４３】
イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
【０１４４】
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｄ．０２，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ  ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ  ＰＡ，２００４．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
【０１４５】
（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ  ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
【０１４６】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０１４７】
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０１４８】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１４９】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１５０】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１５１】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１５２】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１５３】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
【０１５４】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１５５】
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１５６】
本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０１５７】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１５８】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
【０１５９】
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１６０】
また８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０１６１】
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１６２】
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１６３】
また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１６４】
本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０１６５】
《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
【０１６６】
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【０１６７】
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１６８】
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０１６９】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１７０】
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０１７１】
《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１７２】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【０１７３】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１７４】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【０１７５】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１７６】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【０１７７】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。
【０１７８】
ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１７９】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１８０】
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
【０１８１】
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
【０１８２】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
【０１８３】
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
【０１８４】
更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０１８５】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１８６】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０１８７】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
【０１８８】
封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１８９】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０１９０】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０１９１】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０１９２】
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０１９３】
《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１９４】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１９５】
本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
【０１９６】
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
【０１９７】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
【０１９８】
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。
【０１９９】
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
【０２００】
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
【０２０１】
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
【０２０２】
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０２０３】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
【０２０４】
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。
【０２０５】
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０２０６】
《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
【０２０７】
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０２０８】
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
【０２０９】
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
【０２１０】
《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法を説明する。
【０２１１】
まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。
【０２１２】
次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜を形成させる。
【０２１３】
これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。
【０２１４】
本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【０２１５】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
【０２１６】
また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０２１７】
《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０２１８】
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
【０２１９】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
【０２２０】
また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。
【実施例】
【０２２１】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。
【０２２２】
【化２６】
0005423363.tif 000027
【０２２３】
【化２７】
0005423363.tif 000028
【０２２４】
【化２８】
0005423363.tif 000029
【０２２５】
実施例１
《有機ＥＬ素子１−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【０２２６】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
【０２２７】
この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの化合物Ａを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し第２正孔輸送層とした。
【０２２８】
次に、Ｈ−１（６０ｍｇ）、比較１（３．０ｍｇ）をアセトニトリル６ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法で製膜し、発光層を設けた。
【０２２９】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＢＡｌｑを２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＢＡｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で発光層上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。
【０２３０】
尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
【０２３１】
引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機ＥＬ素子を作製した。
【０２３２】
《有機ＥＬ素子１−２〜１−４０の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のドーパント化合物とホスト化合物の組み合わせを表１に記載の組み合わせに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−４０を作製した。
【０２３３】
《有機ＥＬ素子の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−４０を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３、図４に示すような照明装置を形成して評価した。
【０２３４】
図３は照明装置の概略図を示し、有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った）。
【０２３５】
図４は照明装置の断面図を示し、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
【０２３６】
（外部取り出し量子効率）
有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。
【０２３７】
ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。
【０２３８】
（半減寿命）
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
【０２３９】
各有機ＥＬ素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２（５００ｃｄ／ｍ２）になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。
【０２４０】
尚、半減寿命は比較の有機ＥＬ素子１−１を１００としたときの相対値で表示した。
【０２４１】
（駆動電圧）
駆動電圧とは、２．５ｍＡ／ｃｍ２で駆動した時の電圧で、比較の有機ＥＬ素子１−１の駆動電圧（Ｖ）からの差を求めた。
【０２４２】
駆動電圧（Ｖ）＝有機ＥＬ素子１−１の駆動電圧（Ｖ）−本発明の有機ＥＬ素子の駆動電圧（Ｖ）
（発光層の塗布溶液の停滞安定性（溶液安定性））
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層の形成に用いた塗布溶液（Ｈ−１（６０ｍｇ）と比較１（３．０ｍｇ）の混合物をブタノール１２ｍｌに溶解した溶液）を室温にて１時間放置した後、析出の有無を確認した。
○：目視で析出なし
△：目視で析出かすかにある
×：目視で明らかに析出あり
【０２４３】
【表１】
0005423363.tif 000030
【０２４４】
表１から、比較の素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、駆動電圧も低いことが明らかである。また、発光層の塗布溶液の停滞安定性も改善されることが分かった。
【０２４５】
実施例２
《フルカラー表示装置の作製》
（青色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−８を青色発光素子として用いた。
【０２４６】
（緑色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、比較１をＩｒ−１に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として用いた。
【０２４７】
（赤色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、比較１をＩｒ−９に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。
【０２４８】
上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。
【０２４９】
即ち、同一基板上に複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。
【０２５０】
前記複数画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されるとデータ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
【０２５１】
このフルカラー表示装置は駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。
【０２５２】
実施例３
《白色発光素子及び白色照明装置の作製−２》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【０２５３】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
【０２５４】
この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの化合物Ａを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し第２正孔輸送層とした。
【０２５５】
次に、化合物Ｂ（６０ｍｇ）、Ｉｒ−１４（３．０ｍｇ）、本発明の化合物５５（３．０ｍｇ）をアセトニトリル６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中１５０℃で１時間加熱を行い、発光層とした。
【０２５６】
更に、化合物Ｃ（２０ｍｇ）をブタノール６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中８０℃で１時間加熱を行い、正孔阻止層とした。
【０２５７】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ３を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｌｑ３の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。
【０２５８】
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
【０２５９】
引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機ＥＬ素子を作製した。
【０２６０】
この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。
【符号の説明】
【０２６１】
１  ディスプレイ
３  画素
５  走査線
６  データ線
Ａ  表示部
Ｂ  制御部
１０１  有機ＥＬ素子
１０７  透明電極付きガラス基板
１０６  有機ＥＬ層
１０５  陰極
１０２  ガラスカバー
１０８  窒素ガス
【図１】
0005423363.tif 000036
【図２】
0005423363.tif 000037
【図３】
0005423363.tif 000038
【図４】
0005423363.tif 000039