(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓レバーと、該可撓レバーに設けられた可動端子と、第１信号層と、該第１信号層の端部から成る第１固定端子と、第２信号層と、該第２信号層の端部から成る第２固定端子と、前記可撓レバーを所定方向に撓ませることによって前記可動端子を前記第１固定端子及び前記第２固定端子に接触させて前記第１信号層及び前記第２信号層を導通状態とするための駆動アクチュエータとを備えたＭＥＭＳスイッチであって、
前記第１固定端子及び前記第２固定端子は、該第１固定端子及び該第２固定端子とは別要素である変形ガイドにより前記可動端子に向けて押圧されることによって、各々の端縁が前記可動端子に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子から徐々に離れた形状に変形しており、前記導通状態において前記可動端子は前記第１固定端子の端縁及び前記第２固定端子の端縁に線接触するように構成されている、
ことを特徴とするＭＥＭＳスイッチ。
【請求項２】
前記第１固定端子を含む第１信号層と前記第２固定端子を含む第２信号層はスイッチユニットに設けられ、前記変形ガイドは前記スイッチユニットに結合されたカバーユニットに設けられている、
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項３】
前記スイッチユニットと前記カバーユニットは相互を結合するための接続パッドをそれぞれ有していて、該スイッチユニットの接続パッドと該カバーユニットの接続パッドは接合材を介して、或いは、直接に接合されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項４】
前記変形ガイドは第１固定端子押圧用の第１押圧面と第２固定端子押圧用の第２押圧面とを有している、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項５】
前記スイッチユニットと該スイッチユニットに結合されたカバーユニットとの間隔を制御するためのスペーサをさらに備えている、
ことを特徴とする請求項２または３に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項６】
前記第１固定端子及び前記第２固定端子の端縁それぞれには１個以上の凸部が一体形成されており、前記可動端子は前記導通状態において前記第１固定端子の凸部の端縁及び前記第２固定端子の凸部の端縁に線接触するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチ、特に、ダイレクトコンタクトタイプのＭＥＭＳスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）はＭＥＭＳスイッチの従来構造（特許文献１及び２を参照）を部分的に示すもので、図中の符号１は可撓レバーＦＬを構成するレバー主層、２はレバー主層１の上面を覆う絶縁層、３は絶縁層２の上面に形成された可動端子、４は第１信号層、４ａは第１信号層４の端部から成る第１固定端子、５は第２信号層、５ａは第２信号層５の端部から成る第２固定端子、ＧＡ１は第１固定端子４ａと第２固定端子５ａとの間のギャップ、ＣＬ１は第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａと可動端子３との間のクリアランスである。
【０００３】
このＭＥＭＳスイッチにおいて、非導通状態の第１信号層４及び第２信号層５を導通状態とするには、図１（Ｃ）に示したように、駆動アクチュエータ（図示省略）に電圧を印加し、これにより可撓レバーＦＬを上方に撓ませて可動端子３の上面を第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａの下面に面接触させる。一方、導通状態の第１信号層４及び第２信号層５を図１（Ｂ）に示した非導通状態に戻すには、駆動アクチュエータ（図示省略）への電圧印加を停止し、これにより可撓レバーＦＬを復元させて可動端子３の上面を第１信号層４及び第２信号層５の下面から離反させる。
【０００４】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示したＭＥＭＳスイッチは、可動端子３の上面を第１信号層４及び第２信号層５の下面に面接触させることによって第１信号層４及び第２信号層５を導通状態とするものであるため、ファンデルワールス力やメニスカス力等を原因として、導通状態において可動端子３が第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａに張り付く現象、所謂、スティクションを生じる恐れがある。スティクションを生じた場合には、駆動アクチュエータへの電圧印加を停止しても、可動端子３の上面と第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａの下面との面接触を解除すること、即ち、導通状態の第１信号層４及び第２信号層５を図１（Ｂ）に示した非導通状態に戻すことが難しくなる。
【０００５】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）はＭＥＭＳスイッチの他の従来構造（特許文献３を参照）を部分的に示すもので、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示したＭＥＭＳスイッチと異なるところは、
・第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａの下面それぞれに、複数の半球状突起４ａ１及  び５ａ１を、可動端子３の上面とクリアランスＣＬ１を介して向き合うように形成した  点
にある。
【０００６】
このＭＥＭＳスイッチにおいて、非導通状態の第１信号層４及び第２信号層５を導通状態とするには、図２（Ｃ）に示したように、駆動アクチュエータ（図示省略）に電圧を印加し、これにより可撓レバーＦＬを上方に撓ませて可動端子３の上面を第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａの複数の半球状突起４ａ１及び５ａ１の下端に多点接触させる。一方、導通状態の第１信号層４及び第２信号層５を図２（Ｂ）に示した非導通状態に戻すには、駆動アクチュエータ（図示省略）への電圧印加を停止し、これにより可撓レバーＦＬを復元させて可動端子３の上面を第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａの複数の半球状突起４ａ１及び５ａ１の下端から離反させる。
【０００７】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示したＭＥＭＳスイッチは、可動端子３の上面を第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａの複数の半球状突起４ａ１及び５ａ１の下端に多点接触させることによって第１信号層４及び第２信号層５を導通状態とするものであるため、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示したＭＥＭＳスイッチに比べて、導通状態における可動端子３と第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａとの接触面積を減少でき、該接触面積の減少によって前記スティクションの発生を抑制することが可能である。
【０００８】
ところで、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示したＭＥＭＳスイッチにおいて前記多点接触を実現するには、少なくとも、第１固定端子４ａ側の複数の半球状突起４ａ１の高さを同じにし、且つ、第２固定端子５ａ側の複数の半球状突起５ａ１の高さを同じにする必要がある。しかしながら、半球状突起４ａ１及び５ａ１の高さはμｍオーダーまたはｎｍオーダーであり、しかも、半球状突起４ａ１及び５ａ１は公知の薄膜形成手法を用いて形成されるものであることから、実際上は、第１固定端子４ａ側の複数の半球状突起４ａ１の高さにバラツキが生じること、並びに、第２固定端子５ａ側の複数の半球状突起５ａ１の高さにバラツキを生じることを回避することは難しい。
【０００９】
この高さのバラツキは前記多点接触の接触点数にバラツキを生じさせる要因となるため、結果として、導通状態における可動端子３と第１固定端子４ａ及び第２固定端子５ａとの接触域にバラツキが生じ、該接触域のバラツキによって伝送損失にバラツキが生じる恐れがある。即ち、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示したＭＥＭＳスイッチでは、前記スティクションの発生を抑制できるものの、接触域のバラツキに起因して導通状態において安定した信号伝送を行うことが難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−０５３０７７号公報
【特許文献２】特開２００９−２５２５９８号公報
【特許文献３】特開２００７−０１２５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するため、本発明は、可撓レバーと、該可撓レバーに設けられた可動端子と、第１信号層と、該第１信号層の端部から成る第１固定端子と、第２信号層と、該第２信号層の端部から成る第２固定端子と、前記可撓レバーを所定方向に撓ませることによって前記可動端子を前記第１固定端子及び前記第２固定端子に接触させて前記第１信号層及び前記第２信号層を導通状態とするための駆動アクチュエータとを備えたＭＥＭＳスイッチであって、前記第１固定端子及び前記第２固定端子は、該第１固定端子及び該第２固定端子とは別要素である変形ガイドにより前記可動端子に向けて押圧されることによって、各々の端縁が前記可動端子に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子から徐々に離れた形状に変形しており、前記導通状態において前記可動端子は前記第１固定端子の端縁及び前記第２固定端子の端縁に線接触するように構成されている、ことをその特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、第１固定端子及び第２固定端子が、これらとは別要素である変形ガイドにより可動端子に向けて押圧されることによって、各々の端縁が可動端子に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子から徐々に離れた形状に変形しているため、導通状態において可動端子を第１固定端子及び第２固定端子の端縁に所定の線状接触域をもってして確実に線接触させることができる。
【００１４】
即ち、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示した面接触タイプのＭＥＭＳスイッチと比べて、導通状態における可動端子と第１固定端子及び第２固定端子との接触面積を減少でき、該接触面積の減少によってスティクション（導通状態で可動端子が両固定端子に張り付く現象）の発生を確実に抑制することができる。また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示した多点接触タイプのＭＥＭＳスイッチと比べて、導通状態において可動端子と第１固定端子及び第２固定端子との接触域にバラツキを生じることを抑制でき、該バラツキ抑制によって伝送損失にバラツキが生じることを回避して、導通状態において安定した信号伝送を行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供することができる。
【００１６】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（Ａ）は、ＭＥＭＳスイッチの従来構造を部分的に示す上面図；図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＳ１線に沿う断面図；図１（Ｃ）は、第１信号層及び第２信号層が導通した状態を示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、ＭＥＭＳスイッチの他の従来構造を部分的に示す上面図；図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＳ２線に沿う断面図；図２（Ｃ）は、第１信号層及び第２信号層が導通した状態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）の上面図である。
【図４】図４は、図３のＳ１１線に沿う断面図である。
【図５】図５は、図４の要部拡大図である。
【図６】図６は、図３のＳ１２線に沿う断面図である。
【図７】図７は、図６の要部拡大図である。
【図８】図８は、図３のＳ１３線に沿う断面図である。
【図９】図９は、図３のＳ１４線に沿う断面図である。
【図１０】図１０は、図３のＳ１５線に沿う断面図である。
【図１１】図１１は、図３に示したスイッチユニットの組み立て前の上面図である。
【図１２】図１２は、図３に示したカバーユニットの組み立て前の下面図である。
【図１３】図１３は、図１１に示したスイッチユニットと図１２に示したカバーユニットを用いて、図３に示したＭＥＭＳスイッチを組み立てる手順を説明するためのスイッチユニット及びカバーユニットの断面図である。
【図１４】図１４は、図３に示したＭＥＭＳスイッチにおいて非導通状態の第１信号層及び第２信号層を導通状態とするときの動作を説明するための図５対応の断面図である。
【図１５】図１５は、第１信号層及び第２信号層が導通状態にあるときの可動端子に対する第１固定端子及び第２固定端子の接触域を説明するための可動端子の上面図である。
【図１６】図１６は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第２実施形態）を説明するための図５対応の断面図である。
【図１７】図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は、図１６に示したカバーユニットの変形例を説明するための図５対応の断面図である。
【図１８】図１８は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第３実施形態）を説明するための図５対応の断面図である。
【図１９】図１９は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第４実施形態）を説明するための図５対応の断面図である。
【図２０】図２０は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第５実施形態）を説明するための図５対応の断面図である。
【図２１】図２１は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第６実施形態）を説明するための図７対応の断面図である。
【図２２】図２２（Ａ）は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第７実施形態）を説明するための図１１対応の上面図；図２２（Ｂ）は、第１信号層及び第２信号層が導通状態にあるときの可動端子に対する第１固定端子及び第２固定端子の接触域を説明するための可動端子の上面図である。
【図２３】図２３（Ａ）は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第８実施形態）を説明するための図１１対応の上面図；図２３（Ｂ）は、第１信号層及び第２信号層が導通状態にあるときの可動端子に対する第１固定端子及び第２固定端子の接触域を説明するための可動端子の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図３〜図２３を適宜引用して種々の実施形態を説明するが、当該説明にあっては図３の上、下、左、右、手前、奥をそれぞれ前、後、左、右、上、下と称し、他の図のこれらに相当する向きも同様に称する。
【００１９】
［第１実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）を、図３〜図１５を引用して説明する。
【００２０】
<構造>
図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチは、図１１及び図１３に示したスイッチユニット１０Ａと、図１２及び図１３に示したカバーユニット１０Ｂと、を結合することによって組み立てられている。
【００２１】
図１１及び図１３に示した組み立て前のスイッチユニット１０Ａは、図３〜図１０からも分かるように、
・矩形状輪郭の第１ベース層１１
・第１ベース層１１の上面に形成された矩形状輪郭の第１絶縁層１２
・第１絶縁層１２の上面に形成された矩形状輪郭の第２ベース層１３
・第２ベース層１３の上面に形成された矩形状輪郭の第２絶縁層１４
・第２ベース層１３の一部及び第２絶縁層１４の一部から構成された左右方向の可撓レバ  ーＦＬ
・可撓レバーＦＬの変位部ＦＬｃ（図８を参照）の上面に形成された可動端子１５
・第２絶縁層１４の上面に前後対称に形成された第１信号層１６と第２信号層１７
・可撓レバーＦＬの２つの可撓部ＦＬｂ（図８を参照）の上面に形成された左右対称の２  つの圧電アクチュエータＰＡ（下側電極層１８、圧電体層１９及び上側電極層２０）
・各圧電アクチュエータＰＡに電圧を印加するための２対の第１制御端子２１及び第２制  御端子２２
・接合用の４つのパッドＰＤ（支持パッド２３及び接続パッド２４）
を備えている。
【００２２】
第１ベース層１１は単結晶ケイ素や単結晶炭化ケイ素等の半導体材料、或いは、石英ガラスやサファイヤ等の絶縁体材料から成り、該第１ベース層１１には、矩形状輪郭の貫通孔１１ａが形成されている。第１絶縁層１２は酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁体材料から成り、該第１絶縁層１２には、第１ベース層１１の貫通孔１１ａと連続する同一輪郭の貫通孔１２ａが形成されている。第２ベース層１３は単結晶ケイ素や単結晶炭化ケイ素等の半導体材料、或いは、酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁体材料から成り、該第２ベース層１３には、貫通孔１１ａ及び１２ａの上側において左右方向に延びる略直線状の２つの貫通孔１３ａが前後対称に形成されている。第２絶縁層１４は酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁体材料から成り、該第２絶縁層１４には、第２ベース層１３の貫通孔１３ａと連続する同一輪郭の２つの貫通孔１４ａが形成されている。この第２絶縁層１４は、第２ベース層１３が絶縁体材料から成る場合に限り省略することが可能である。
【００２３】
可撓レバーＦＬは、２つの貫通孔１３ａで挟まれる第１ベース層１３の一部と、２つの貫通孔１４ａで挟まれる第２絶縁層１４の一部とによって構成されている。換言すれば、第１ベース層１３及び第２絶縁層１４の前後方向略中央には、該第１ベース層１３の一部及び第２絶縁層１４の一部によって、左右方向に延び、且つ、両端を支持された略帯状の可撓レバーＦＬが形成されており、第１ベース層１３の一部はレバー主層１３ｂとして利用され、且つ、第２絶縁層１４の一部はレバー主層１３ｂの上面を覆う絶縁層１４ｂとして利用されている。
【００２４】
また、可撓レバーＦＬを構成するレバー主層１３ｂ及び絶縁層１４ｂには、前後方向に延びる直線状の２対の貫通孔１３ｃ及び１４ｃと、該２対の貫通孔１３ｃ及び１４ｃの間に存する狭幅部分（符号無し）とが左右対称に形成されている。この可撓レバーＦＬにおいて、貫通孔１３ｃ及び１４ｃと狭幅部分が形成された２つの領域はヒンジ部ＦＬａとして機能し、各ヒンジ部ＦＬａよりも左側の矩形領域と右側の矩形領域はそれぞれ可撓部ＦＬｂとして機能し、２つのヒンジ部ＦＬａで挟まれる中央の矩形領域は変位部ＦＬｃとして機能する。
【００２５】
可動端子１５は金や金−ニッケル合金や金−ルテニウム合金等の導電性材料から成り、可撓レバーＦＬの変位部ＦＬｃの上面（絶縁層１４ｂの上面）に該変位部ＦＬｃよりも小さな矩形状輪郭で形成されている。この可動端子１５は単層構造でも構わないが、絶縁層１４ｂの上面との密着性向上等のために、絶縁層１４ｂの上面に密着層（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層の上面に端子層を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００２６】
第１信号層１６及び第２信号層１７は金や銅等の導電性材料から成り、第２絶縁層１４の上面に固着した第１の部分（符号無し）と、該第１の部分の端縁から上向きに延びる第２の部分（符号無し）と、該第２の部分の端縁から可動端子１５の上面と略平行に延びる延びる第３の部分（符号無し）とを有している。第１信号層１６の端部に当たる第３の部分は第１固定端子１６ａに該当し、第２信号層１７の端部に当たる第３の部分は第２固定端子１７ａに該当する。第１信号層１６及び第２信号層１７は単層構造でも構わないが、絶縁層１４ｂの上面との密着性向上や信号層自体の厚さ確保等のために、図５に示したように、絶縁層１４ｂの上面に密着層１６-1及び１７-1（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層１６-1及び１７-1の上面に第１の信号層１６-2及び１７-2を形成しその上面に第２の信号層１６-3及び１７-3を形成した３層構造、或いは、同等の層構成を有する４層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００２７】
各圧電アクチュエータＰＡを構成する下側電極層１８は白金やルテニウムやタングステン等の導電性材料から成り、可撓レバーＦＬの各可撓部ＦＬｂの上面（絶縁層１４ｂの上面）から第２絶縁層１４の上面に及ぶようにして該可撓部ＦＬｂよりも左右寸法（長さ）が大きな矩形状輪郭で形成されている。各下側電極層１８は単層構想でも構わないが、絶縁層１４ｂの上面との密着性向上等のために、絶縁層１４ｂの上面に密着層（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層の上面に電極層を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。また、各下側電極層１８の端部には、第２制御端子２２を形成するための矩形状張出部分１８ａが第２絶縁層１４の上面に及ぶように設けられている。
【００２８】
各圧電アクチュエータＰＡを構成する圧電体層１９はチタン酸ジルコン酸鉛やニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムや窒化アルミニウム等の圧電体材料から成り、各下側電極層１８の上面に該下側電極層１８よりも小さな矩形状輪郭で形成されている。
【００２９】
各圧電アクチュエータＰＡを構成する上側電極層２０は白金やルテニウムや金や酸化ルテニウムや酸化イリジウム等の導電性材料から成り、各圧電体層１９の上面に該圧電体層１９よりも小さな矩形状輪郭で形成されている。各上側電極層２０は単層構造でも構わないが、圧電体層１９の上面との密着性向上等のために、圧電体層１９の上面に密着層（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層の上面に電極層を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００３０】
尚、図３〜図１０には各圧電アクチュエータＰＡとして３層構造のものを示したが、下側電極層１８と圧電体層１９との間と、圧電体層１９と上側電極層２０との間の、少なくとも一方に、酸化ランタンニッケルや酸化ルテニウムや酸化イリジウムや酸化ストロンチウム等の導電性材料を介在させた層構造を採用しても良い。
【００３１】
第１制御端子２１は金や銅等の導電性材料から成り、各上側電極層２０の端部上面に該上側電極層２０よりも小さな矩形状輪郭で形成されている。この第１制御端子２１は単層構造でも構わないが、上側電極層２０の上面との密着性向上等のために、上側電極層２０の上面に密着層（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層の上面に端子層を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００３２】
第２制御端子２２は金や銅等の導電性材料から成り、各下側電極層１８の張出部分１８ａの上面に該張出部分１８ａよりも小さな矩形状輪郭で形成されている。この第２制御端子２２は単層構造でも構わないが、張出部分１８ａの上面との密着性向上等のために、張出部分１８ａの上面に密着層（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層の上面に端子層を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００３３】
各パッドＰＤを構成する計４つの支持パッド２３は金や銅やニッケル等の金属材料から成り、第１信号層１６及び第２信号層１７の左右両側に当たる第２絶縁層１４の上面に、第１信号層１６及び第２信号層１７と同じ厚さで、且つ、矩形状輪郭または円形状輪郭で形成されている。各支持パッド２３は単層構造でも構わないが、絶縁層１４ｂの上面との密着性向上や支持パッド自体の厚さ確保等のために、図７に示したように、絶縁層１４ｂの上面に密着層２３-1（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層２３-1の上面に第１のパッド層２３-2を形成しその上面に第２のパッド層２３-3を形成した３層構造、或いは、同等の層構成を有する４層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００３４】
各パッドＰＤを構成する計４つの接続パッド２４は金や銅等の金属材料から成り、各支持パッド２３の上面に好ましくは該支持パッド２３よりも小さな輪郭で形成されている。各接続パッド２４は単層構造でも構わないが、図７に示したように、支持パッド２３の上面との密着性向上等のために、支持パッド２３の上面に密着層２４-1（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層２４-1の上面にバリア層２４-2（ニッケル層または窒化チタン層等）を形成しその上面にパッド層２４-3を形成した３層構造、或いは、同等の層構成を有する４層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００３５】
一方、図１２及び図１３に示した組み立て前のカバーユニット１０Ｂは、図３〜図１０からも分かるように、
・矩形状輪郭のカバー層２５
・カバー層２５の下面に一体形成された変形ガイド２５ａ
・接合用の４つの接続パッド２６
・各接続パッド２６に付設された接合材２７
を備えている。
【００３６】
カバー層２５は石英ガラスやソーダガラスやホウケイ酸ガラスやベンゾシクロブテンやポリイミドや液晶ポリマー等の絶縁体材料から成り、変形ガイド２５ａはカバー層２５の下面をフォトリソグラフィ法等によって加工することによって該カバー層２５の下面中央に一体形成されている。
【００３７】
尚、図３〜図１０には変形ガイド２５ａをカバー層２５の下面に該カバー層２５と同じ材料にて一体形成したものを示したが、変形ガイド２５ａをカバー層２５と別要素として該カバー層２５の下面に形成しても良い。例えば、（１）変形ガイド２５ａのみ（＝別要素）をカバー層２５の下面に形成したり、（２）変形ガイド２５ａとカバー層２５の一部（図５のカバー層２５内に記した２点鎖線よりも下側の層状部分）とを含む部分（＝別要素）をカバー層２５の下面に形成したりしても良い。この場合、別要素（変形ガイド２５ａのみ、或いは、変形ガイド２５ａとカバー層２５の一部とを含む部分）の材料は、カバー層２５の材料と同じでも良いし、カバー層２５の材料と異なっていても良い。
【００３８】
この変形ガイド２５ａは左側から見て６角形状を成していて、その下面側に、所定傾斜角度の傾斜面または所定形状の湾曲面から成る第１固定端子押圧用の第１押圧面２５ａ１と、該第１押圧面２５ａ１と同じ傾斜角度を持つ傾斜面または同じ湾曲形状を持つ湾曲面から成る第２固定端子押圧用の第２押圧面２５ａ２を前後対称に有している。第１押圧面２５ａ１は、後述する組み立て時にスイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ａを可動端子１５に向けて押圧して変形させる役目を果たし、第２押圧面２５ａ２は、後述する組み立て時に第２固定端子１７ａを可動端子１５に向けて押圧して変形させる役目を果たす。
【００３９】
各接続パッド２６は金や銅等の金属材料から成り、カバー層２５の下面に、スイッチユニット１０Ａの各接続パッド２４とそれぞれ向き合うように、且つ、各接続パッド２４と同じ輪郭で形成されている。各接続パッド２６は単層構造でも構わないが、図７に示したように、カバー層２５の下面との密着性向上等のために、カバー層２５の下面に密着層２６-1（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層２６-1の上面にバリア層２６-2（ニッケル層または窒化チタン層等）を形成しその上面にパッド層２６-3を形成した３層構造、或いは、同等の層構成を有する４層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００４０】
各接合材２７は錫−銀−銅合金や錫−パラジウム合金等のハンダ材、或いは、銀ロウや銅ロウ等のロウ材から成り、各接続パッド２６の下面に適当量付設されている。
【００４１】
前記スイッチユニット１０Ａと前記カバーユニット１０Ｂを用いて図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチを組み立てる際には、図１３に示したように、各接続パッド２４が上を向くようにスイッチユニット１０Ａを載置し、該各接続パッド２４に各接続パッド２６が向き合うようにカバーユニット１０Ｂを位置決めする。そして、スイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂとを相対的に接近させ、カバーユニット１０Ｂの各接続パッド２６の下面に付設されている接合材２７をスイッチユニット１０Ａの各接続パッド２４の上面に接触させる。そして、スイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂの間隔を維持しながら、接合材２７の少なくとも接合箇所を加熱溶融して各接続パッド２４と各接続パッド２６とを接合材２７を介して接合して、スイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂとを結合させる。
【００４２】
尚、接合材２７の少なくとも接合箇所を加熱溶融させる手段としてはリフロー炉等の熱付与手段が好ましく利用できるが、接合材２７の少なくとも接合箇所を加熱溶融させることなく前記同様の接合が可能な接合手法、例えば、拡散接合（熱圧着）を利用すれば、接合材２７の少なくとも接合箇所を加熱溶融させることなく前記同様の結合を行うことができる。
【００４３】
また、図３〜図１０には接合材２７をカバーユニット１０Ｂの各接続パッド２６側に予め付設したものを示したが、該接合材２７をスイッチユニット１０Ａの各接続パッド２４側に予め付設しておいても前記同様の結合が行える。さらに、接合材２７を各接続パッド２６または各接続パッド２４に予め付設しておかずに、結合直前に各接続パッド２６の下面または各接続パッド２４の上面に供給することも可能であるが、該接合材２７の上下寸法（厚さ）はμｍオーダーまたはｎｍオーダーであるため、各接続パッド２６または各接続パッド２４に予め付設しておいたほうが、結合後のスイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂの間隔精度を高めることができる。
【００４４】
この組み立てにより、図４及び図５に示したように、スイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ａの上面が、カバーユニット１０Ｂの変形ガイド２５ａの第１押圧面２５ａ１により可動端子１５に向けて押圧され、該押圧によって、第１固定端子１６ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状（傾斜形状または湾曲形状）に変形する。また、スイッチユニット１０Ａの第２固定端子１７ａの上面が、カバーユニット１０Ｂの変形ガイド２５ａの第２押圧面２５ａ２により可動端子１５に向けて押圧され、該押圧によって、第２固定端子１７ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状（傾斜形状または湾曲形状）に変形する。
【００４５】
先に述べたように、カバーユニット１０Ｂの変形ガイド２５ａの第１押圧面２５ａ１と第２押圧面２５ａ２の傾斜角度または湾曲形状は同じであるため、図４及び図５から分かるように、変形後の第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの傾斜角度θまたは湾曲度合いは略等しく、第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁はギャップＧＡ１１を介して互いが略平行に向き合い、且つ、第１両固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁はクリアランスＣＬ１１を介して固定端子１５の上面と略平行に向き合う。
【００４６】
因みに、カバーユニット１０Ｂの変形ガイド２５ａの第１押圧面２５ａ１と第２押圧面２５ａ２との間には両固定端子１６ａ及び１７ａの上面に接触しない平坦面（符号無し）が存在するため、変形後の第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの先端部分の上面は変形ガイド２５ａに接触していない。
【００４７】
<動作>
図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチにおいて、非導通状態の第１信号層１６及び第２信号層１７を導通状態とするには、各制御端子２１及び２２を可変直流電源（図示省略）に接続して、該可変直流電源から各圧電アクチュエータＰＡに所定の駆動電圧を印加し、これにより各圧電アクチュエータＰＡの圧電体層１９に圧電効果による縮みを生じさせて可撓レバーＦＬの各可撓部ＦＬｂの変位部ＦＬｃ側を上方に左右対称的に撓ませ、該変位部ＦＬｃ上の可動端子１５の上面を第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａに接触させる（図１４を参照）。
【００４８】
先に述べたように、第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａは各々の端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が可動端子１５から徐々に離れた形状となっているため、導通状態において可動端子１５の上面は第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁に所定の接触圧下で、且つ、所定の線状接触域ＣＲ１６ａ及びＣＲ１７ａをもってして線接触することになる（図１５を参照）。
【００４９】
可撓レバーＦＬの各可撓部ＦＬｂと変位部ＦＬｃとの間にはこれらよりも可撓性に富んだヒンジ部ＦＬａがそれぞれ存在し、変位部ＦＬｃは各ヒンジ部ＦＬａの可撓性を利用して多少の３次元変位が可能になっているため、第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁の高さ位置に多少のズレがある場合や、第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁が可動端子１５の上面に対して多少傾いている場合でも、該変位部ＦＬｃの３次元変位によって可動端子１５の上面を第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁に確実に線接触させることができる。
【００５０】
<効果>
（Ｅ１）図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチによれば、第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａが、これらとは別要素である変形ガイド２５ａにより可動端子１５に向けて押圧されることによって、各々の端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形しているため、導通状態において可動端子１５の上面を第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの端縁に所定の線状接触域ＣＲ１６ａ及びＣＲ１７ａをもってして確実に線接触させることができる。
【００５１】
即ち、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示した面接触タイプのＭＥＭＳスイッチと比べて、導通状態における可動端子１５と第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａとの接触面積を減少でき、該接触面積の減少によってスティクション（導通状態で可動端子１５が両固定端子１６ａ及び１７ａに張り付く現象）の発生を確実に抑制することができる。また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示した多点接触タイプのＭＥＭＳスイッチと比べて、導通状態において可動端子１５と第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａとの接触域にバラツキを生じることを抑制でき、該バラツキ抑制によって伝送損失にバラツキが生じることを回避して、導通状態において安定した信号伝送を行うことができる。
【００５２】
（Ｅ２）図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチによれば、第１固定端子１６ａを含む第１信号層１６と第２固定端子１７ａを含む第２信号層１７がスイッチユニット１０Ａに設けられ、変形ガイド２５ａがスイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂに設けられているので、スイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂとの結合によって、変形ガイド２５ａによる第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの変形を簡単に行うことができるし、変形ガイド２５ａによる第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの変形量の設定、即ち、クリアランスＣＬ１１の設定も容易に行うことができる。
【００５３】
（Ｅ３）図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチによれば、スイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂは相互を結合するための接続パッド２４及び２６をそれぞれ有していて、該スイッチユニット１０Ａの接続パッド２４と該カバーユニット１０Ｂの接続パッド２６は接合材２７を介して接合されているので、スイッチユニット１０Ａとカバーユニット１０Ｂとの結合を的確に行うことができると共に、変形後の第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの形状を良好に維持することができる。
【００５４】
（Ｅ４）図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチによれば、変形ガイド２５ａが第１固定端子押圧用の第１押圧面２５ａ１と第２固定端子押圧用の第２押圧面２５ｂ１とを有しているので、第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの変形を各々に対応した第１押圧面２５ａ１及び第２押圧面２５ｂ１によって確実に行うことができるし、第１押圧面２５ａ１及び第２押圧面２５ｂ１の傾斜角度や湾曲形状等に基づいて変形後の第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの形状を容易に制御することができる。
【００５５】
［第２実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第２実施形態）を、図１６を引用して説明する。
【００５６】
図１６に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・カバーユニット２５の下面に、スイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに  結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を制御するためのスペーサ２５ｂをさらに備  えている点
にある。他の構成は図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と同じであるためその説明を省略する。
【００５７】
図１６に示したスペーサ２５ｂは、カバー層２５の下面をフォトリソグラフィ法等によって加工することによって該カバー層２５の下面に一体形成されている。スペーサ２５ｂの数は４個であり、その内の２個のスペーサ２５ｂの下端が第１信号層１６の左右両側に当たる第２絶縁層１４の上面に接するように、且つ、他の２個のスペーサ２５ｂの下端が第２信号層１７の左右両側に当たる第２絶縁層１４の上面に接するようになっている。また、各スペーサ２５ｂの上下寸法（高さ）は全て同じであり、該上下寸法（高さ）によってスイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔が制御されている。
【００５８】
各スペーサ２５ｂの形成位置及び数は、ＭＥＭＳスイッチの動作に支障を生じず、且つ、スイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を制御できれば、任意に変更することができる。例えば、カバー層２５の下面に形成するスペーサ２５ｂの数を２個とし、その内の１個のスペーサ２５ｂの下端が第１信号層１６の左右両側の一方に当たる第２絶縁層１４の上面に接し、且つ、他の１個のスペーサ２５ｂの下端が第２信号層１７の左右両側の一方に当たる第２絶縁層１４の上面に接する形態を採用しても、スイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を制御することができる。また、図１７（Ａ）に示したように、カバー層２５の下面に形成されるスペーサ２５ｂ’の数を２個とし、その内の１個のスペーサ２５ｂ’の下端が第１信号層１６の第１の部分の上面に接し、且つ、他の１個のスペーサ２５ｂ’の下端が第２信号層１７の第１の部分の上面に接する形態を採用しても、スイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を制御することができる。さらに、カバー層２５の下面に４個または２個の前記スペーサ２５ｂと２個の前記スペーサ２５ｂ’を併せて形成した形態を採用しても、スイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を制御することができる。
【００５９】
尚、図１６には各スペーサ２５ｂをカバー層２５の下面に該カバー層２５と同じ材料にて一体形成したものを示したが、各スペーサ２５ｂをカバー層２５と別要素として該カバー層２５の下面に形成しても良い。例えば、（１）各スペーサ２５ｂのみ（＝別要素）をカバー層２５の下面に形成したり、（２）各スペーサ２５ｂとカバー層２５の一部２５’（図１７（Ｂ）のカバー層２５内に記した直線よりも下側の層状部分）と変形ガイド２５ａとを含む部分（＝別要素）をカバー層２５の下面に形成したり、（３）各スペーサ２５ｂとカバー層２５の一部２５’（図１７（Ｂ）のカバー層２５内に記した直線よりも下側の層状部分）とを含む部分（＝別要素、変形ガイド２５ａは含まない）をカバー層２５の下面に形成したりしても良い。この場合、別要素（各スペーサ２５ｂのみ、各スペーサ２５ｂとカバー層２５の一部２５’と変形ガイド２５ａとを含む部分、或いは、各スペーサ２５ｂとカバー層２５の一部２５’とを含む部分（変形ガイド２５ａは含まない））の材料は、カバー層２５の材料と同じでも良いし、カバー層２５の材料と異なっていても良い。
【００６０】
勿論、図１７（Ａ）に示した形態を採用する場合や、カバー層２５の下面に４個または２個の前記スペーサ２５ｂと２個の前記スペーサ２５ｂ’を併せて形成した形態を採用する場合でも、前記（１）〜（３）と同様の方法により各スペーサをカバー層２５と別要素として該カバー層２５の下面に形成しても良く、これらの場合も、別要素の材料は、カバー層２５の材料と同じでも良いし、カバー層２５の材料と異なっていても良い。
【００６１】
また、図１６には各スペーサ２５ｂをカバーユニット１０Ｂ側に設けたものを示したが、各スペーサ２５ｂをスイッチユニット１０Ａ側に設けても、スイッチユニット１０Ａと該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を前記同様に制御することができる。例えば、（１）結合状態で図１６と同じ形態になるように４個のスペーサ２５ｂをスイッチユニット１０Ａの第２絶縁層１４の上面に一体にまたは別要素として形成したり、（２）前記スペーサ２５ｂの数を２個として結合状態で図１６と類似の形態になるようにしたり、（３）結合状態で図１７（Ａ）と同じ形態になるように２個のスペーサ２５ｂ’をスイッチユニット１０Ａの第１信号層１６及び第２信号層１７の第１の部分の上面に別要素として形成したり、（４）４個または２個の前記スペーサ２５ｂと２個の前記スペーサ２５ｂ’を併せて形成したりしても良い。
【００６２】
図１６に示したＭＥＭＳスイッチによれば、前述の変形例を含め、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる他、
・各スペーサ（２５ｂと２５ｂ’の少なくとも一方）によってスイッチユニット１０Ａと  該スイッチユニット１０Ａに結合されたカバーユニット１０Ｂとの間隔を制御すること  ができるので、変形ガイド２５ａによる第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１７ａの  変形量の設定、即ち、クリアランスＣＬ１１の設定をより容易に行うことができる。
といった効果を得ることができる。
【００６３】
［第３実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第３実施形態）を、図１８を引用して説明する。
【００６４】
図１８に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・カバーユニット１０Ｂのカバー層２５の下面に、第１固定端子押圧用の第１変形ガイド  ２５ｃと、第２固定端子押圧用の第２変形ガイド２５ｄとを、個別に一体形成した点
にある。他の構成は図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と同じであるためその説明を省略する。
【００６５】
第１変形ガイド２５ｃ及び第２変形ガイド２５ｄは左側から見て台形状を成していて、第１変形ガイド２５ｃの下面には、所定傾斜角度の傾斜面または所定形状の湾曲面から成る第１固定端子押圧用の第１押圧面２５ｃ１が形成され、第２変形ガイド２５ｄの下面には、第１押圧面２５ｃ１と同じ傾斜角度を持つ傾斜面または同じ湾曲形状を持つ湾曲面から成る第２固定端子押圧用の第２押圧面２５ｄ１が形成されている。
【００６６】
図１８から分かるように、スイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ａは、その上面をカバーユニット１０Ｂの第１変形ガイド２５ｃの第１押圧面２５ｃ１により可動端子１５に向けて押圧されていて、該押圧によって、第１固定端子１６ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形している。また、スイッチユニット１０Ａの第２固定端子１７ａは、その上面をカバーユニット１０Ｂの第２変形ガイド２５ｄの第２押圧面２５ｄ１により可動端子１５に向けて押圧されていて、該押圧によって、第２固定端子１７ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形している。
【００６７】
尚、各変形ガイド２５ｃ及び２５ｄをカバー層２５と別要素として該カバー層２５の下面に形成しても良いことは、前記［第１実施形態］で説明した通りであるので、ここでの説明を省略する。
【００６８】
図１８に示したＭＥＭＳスイッチによれば、図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチと変形ガイドの形態を相違するものの、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
［第４実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第４実施形態）を、図１９を引用して説明する。
【００７０】
図１９に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・カバーユニット１０Ｂのカバー層２５の下面に、第１固定端子押圧用の第１変形ガイド  ２５ｅと、第２固定端子押圧用の第２変形ガイド２５ｅとを、個別に一体形成した点
にある。他の構成は図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と同じであるためその説明を省略する。
【００７１】
第１変形ガイド２５ｅ及び第２変形ガイド２５ｆは左側から見て三角形状を成していて、第１変形ガイド２５ｅの下面には、所定傾斜角度の傾斜面または所定形状の湾曲面から成る第１固定端子押圧用の第１押圧面２５ｅ１が形成され、第２変形ガイド２５ｆの下面には、第１押圧面２５ｅ１と同じ傾斜角度を持つ傾斜面または同じ湾曲形状を持つ湾曲面から成る第２固定端子押圧用の第２押圧面２５ｆ１が形成されている。
【００７２】
図１９から分かるように、スイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ａは、その上面角部をカバーユニット１０Ｂの第１変形ガイド２５ｅの第１押圧面２５ｅ１により可動端子１５に向けて押圧されていて、該押圧によって、第１固定端子１６ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形している。また、スイッチユニット１０Ａの第２固定端子１７ａは、その上面をカバーユニット１０Ｂの第２変形ガイド２５ｆの第２押圧面２５ｆ１により可動端子１５に向けて押圧されていて、該押圧によって、第２固定端子１７ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形している。
【００７３】
尚、各変形ガイド２５ｅ及び２５ｆをカバー層２５と別要素として該カバー層２５の下面に形成しても良いことは、前記［第１実施形態］で説明した通りであるので、ここでの説明を省略する。
【００７４】
図１９に示したＭＥＭＳスイッチによれば、図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチと変形ガイドの形態を相違するものの、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
［第５実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第５実施形態）を、図２０を引用して説明する。
【００７６】
図２０に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・カバーユニット１０Ｂのカバー層２５の下面に、第１固定端子押圧用の第１変形ガイド  ２５ｇと、第２固定端子押圧用の第２変形ガイド２５ｈとを、個別に一体形成した点
にある。他の構成は図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と同じであるためその説明を省略する。
【００７７】
第１変形ガイド２５ｇ及び第２変形ガイド２５ｈは円柱形状または角柱形状を成していて、第１変形ガイド２５ｇの下端は第１固定端子押圧用の押圧箇所となっており、第２変形ガイド２５ｈの下端は第２固定端子押圧用の押圧箇所となっている。
【００７８】
図２０から分かるように、スイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ａは、その上面をカバーユニット１０Ｂの第１変形ガイド２５ｇの下端により可動端子１５に向けて押圧されていて、該押圧によって、第１固定端子１６ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形している。また、スイッチユニット１０Ａの第２固定端子１７ａは、その上面をカバーユニット１０Ｂの第２変形ガイド２５ｈの下端により可動端子１５に向けて押圧されていて、該押圧によって、第２固定端子１７ａはその端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該可動端子１５から徐々に離れた形状に変形している。
【００７９】
尚、各変形ガイド２５ｇ及び２５ｈをカバー層２５と別要素として該カバー層２５の下面に形成しても良いことは、前記［第１実施形態］で説明した通りであるので、ここでの説明を省略する。
【００８０】
図２０に示したＭＥＭＳスイッチによれば、図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチと変形ガイドの形態を相違するものの、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる。
【００８１】
［第６実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第６実施形態）を、図２１を引用して説明する。
【００８２】
図２１に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・スイッチユニット１０Ａの各パッドＰＤが、支持パッド２３と、該支持パッド２３の上  面に形成された接続パッド２４’とから構成されている点
・カバーユニット１０Ｂの各接続パッド２６’に接合材２７が付設されていない点
・スイッチユニット１０Ａの各接続パッド２４’とカバーユニット１０Ｂの各接続パッド  ２６’が拡散接合（熱圧着）によって直接に接合されている点
にある。
【００８３】
スイッチユニット１０Ａ側の各接続パッド２４’は金や金−錫合金や錫−鉛合金やニッケル系合金等の拡散接合可能な金属材料から成り、各支持パッド２３の上面に好ましくは該支持パッド２３よりも小さな輪郭で形成されている。各接続パッド２４’は単層構造でも構わないが、図２１に示したように、支持パッド２３の上面との密着性向上等のために、支持パッド２３の上面に密着層２４-1’（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層２４-1’の上面にパッド層２４-2’を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００８４】
カバーユニット１０Ｂ側の各接続パッド２６’は金や金−錫合金や錫−鉛合金やニッケル系合金等の拡散接合可能な金属材料から成り、カバー層２５の下面に、スイッチユニット１０Ａの各接続パッド２４’とそれぞれ向き合うように、且つ、各接続パッド２４’と同じ輪郭で形成されている。各接続パッド２６’は単層構造でも構わないが、図２１に示したように、カバー層２５の下面との密着性向上等のために、カバー層２５の下面に密着層２６-1’（チタン層、窒化チタン層、チタン−タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層等）を形成してから該密着層２６-1’の上面にパッド層２６-2’を形成した２層構造、或いは、同等の層構成を有する３層以上の多層構造とすることが好ましい。
【００８５】
図２１に示したＭＥＭＳスイッチによれば、図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチと結合箇所の形態を相違するものの、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
［第７実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第７実施形態）を、図２２を引用して説明する。
【００８７】
図２２（Ａ）に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・スイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ｂの先端部分を先細りにして端縁の左右寸  法（幅）を可動端子１５の左右寸法（幅）よりも小さくし、且つ、第２固定端子１７ｂ  の先端部分を先細りにして端縁の左右寸法（幅）を可動端子１５の左右寸法（幅）より  も小さくした点
にある。他の構成は図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と同じであるためその説明を省略する。
【００８８】
第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁の左右寸法（幅）が可動端子１５の左右寸法（幅）よりも小さくなっているため、図２２（Ｂ）に示したように、導通状態における可動端子１５の上面と第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁との線接触は、図１５に示した線状接触域ＣＲ１６ａ及びＣＲ１７ａよりも左右寸法（幅）が小さな線状接触域ＣＲ１６ｂ及びＣＲ１７ｂをもってして行われる。
【００８９】
図２２（Ａ）に示したＭＥＭＳスイッチによれば、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる他、
・第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁の左右寸法（幅）を変えることによ  って、導通状態における可動端子１５の上面と第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１  ７ｂの端縁との線状接触域を任意に調整することができる。
といった効果を得ることができる。
【００９０】
［第８実施形態］
本発明に係るＭＥＭＳスイッチ（第８実施形態）を、図２３を引用して説明する。
【００９１】
図２３（Ａ）に示したＭＥＭＳスイッチが図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と異なるところは、
・スイッチユニット１０Ａの第１固定端子１６ｃの端縁に半円形状輪郭の２個の凸部１６  ｃ１を左右方向に間隔をおいて一体形成し、且つ、第２固定端子１７ｃの端縁に同一輪  郭の２個の凸部１７ｃ１を左右方向に間隔をおいて一体形成した点
にある。他の構成は図３〜図１０に示したＭＥＭＳスイッチ（第１実施形態）と同じであるためその説明を省略する。
【００９２】
第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁に半円形状輪郭の２個の凸部１６ｃ１及び１７ｃ１が形成されているため、図２３（Ｂ）に示したように、導通状態における可動端子１５の上面と第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁との線接触は、各凸部１６ｃ１及び１７ｃ１の円弧状の端縁を利用して行われる。即ち、図１５に示した線状接触域ＣＲ１６ａ及びＣＲ１７ａよりも左右寸法（幅）が小さく、且つ、円弧を成す線状接触域ＣＲ１６ｃ及びＣＲ１７ｃをもってして行われる。
【００９３】
尚、図２３（Ａ）には第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁それぞれに２個の凸部１６ｃ１及び１７ｃ１を形成したものを示したが、該凸部１６ｃ１及び１７ｃ１の数は１個または３個以上であっても良いし、第１固定端子１６ｂ側の凸部１６ｃ１の数と第２固定端子１７ｂ側の凸部１７ｃ１の数は異なっていても良い。また、各凸部１６ｃ１及び１７ｃ１の輪郭は矩形状や他の形状であっても良い。
【００９４】
図２３（Ａ）に示したＭＥＭＳスイッチによれば、前記［第１実施形態］で説明した効果（Ｅ１）〜（Ｅ４）と同様の効果を得ることができる他、
・各凸部１６ｃ１及び１７ｃ１の数や輪郭や大きさやを変えることによって、導通状態に  おける可動端子１５の上面と第１固定端子１６ｂ及び第２固定端子１７ｂの端縁との線  状接触域を任意に調整することができる。
といった効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００９５】
１０Ａ…スイッチユニット、１１…第１ベース層、１２…第１絶縁層、１３…第２ベース層、１４…第２絶縁層、ＦＬ…可撓レバー、１５…可動端子、１６…第１信号層、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…第１固定端子、１６ｃ１…凸部、１７…第２信号層、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…第２固定端子、１７ｃ１…凸部、ＰＡ…圧電アクチュエータ、２４，２４’…接続パッド、１０Ｂ…カバーユニット、２５…カバー層、２５ａ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ，２５ｇ，２５ｈ…変形ガイド、２５ａ１，２５ｃ１，２５ｅ１…第１押圧面、２５ａ２，２５ｄ１，２５ｆ１…第２押圧面、２５ｂ，２５ｂ’…スペーサ、２６，２６’…接続パッド、２７…接合材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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