(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、
開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記マスクユニットと被成膜基板とを、上記蒸着マスクが被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量の調整を行い、位置合わせする位置合わせ工程と、
上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備え、
上記マスクユニットは、
上記蒸着マスクの上面または下面に当接する当接部材を支点として、上記蒸着マスクに斜め上方向または斜め下方向にテンションを加えるテンション機構をさらに備え、
上記位置合わせ工程では、上記蒸着マスクにテンションを加えた状態で保持することを特徴とする蒸着方法。
【請求項２】
被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、
開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記マスクユニットと被成膜基板とを、上記蒸着マスクが被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量の調整を行い、位置合わせする位置合わせ工程と、
上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備え、
上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構をさらに備え、
上記テンション機構は、蒸着マスクの各角部に設けられたクランプを備えており、上記クランプにそれぞれテンションを加えることで、上記蒸着マスクの各角部から上記蒸着マスクにテンションを加え、
上記位置合わせ工程では、上記蒸着マスクにテンションを加えた状態で保持することを特徴とする蒸着方法。
【請求項３】
上記被成膜基板には、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させるときに上記被成膜基板における蒸着領域よりも手前となる位置に、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが設けられており、
上記蒸着マスクには、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させるときに上記被成膜基板に設けられたアライメントマーカに最初に対向する端部に、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが設けられており、
上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させるときに、上記被成膜基板における蒸着領域よりも手前の位置で、上記蒸着マスクに設けられた位置合わせ用のアライメントマーカと、上記被成膜基板に設けられた位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクと被成膜基板とを位置合わせすることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着方法。
【請求項４】
上記蒸着マスクと被成膜基板とには、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが、上記相対移動する方向に平行にそれぞれ複数設けられており、
上記蒸着マスクに設けられた位置合わせ用のアライメントマーカと、上記被成膜基板に設けられた位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクと被成膜基板とを位置合わせすることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の蒸着方法。
【請求項５】
上記蒸着マスクと被成膜基板とには、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカがそれぞれ設けられており、
上記蒸着工程では、蒸着しながら、上記被成膜基板および蒸着マスクに隣接して配置され、上記蒸着マスクとの相対的な位置を固定したアライメント観測手段で、上記蒸着マスクと被成膜基板とに設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置を観測し、この観測結果に基づいて、上記蒸着マスクと被成膜基板とに設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置を調整することで、蒸着しながら、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整することを特徴とする請求項１または２の何れか１項に記載の蒸着方法。
【請求項６】
被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、
開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記マスクユニットと被成膜基板とを、上記蒸着マスクが被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量の調整を行い、位置合わせする位置合わせ工程と、
上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備え、
上記被成膜基板には、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが設けられており、
上記蒸着工程では、蒸着しながら、アライメント観測手段で、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を観測し、この観測結果に基づいて、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を調整することで、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整するとともに、
上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構をさらに備え、
上記位置合わせ工程では、上記蒸着マスクにテンションを加えた状態で保持することを特徴とする蒸着方法。
【請求項７】
上記アライメント観測手段は、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を、上記アライメントマーカおよび蒸着膜に非接触で光学的に観測することを特徴とする請求項６記載の蒸着方法。
【請求項８】
上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、紫外光を反射または吸収する材料を用いて、上記蒸着源から射出される蒸着粒子の蒸着領域内に設けられており、
上記蒸着粒子として、フォトルミネッセンス発光する材料の蒸着粒子を使用し、
上記蒸着工程では、上記蒸着粒子を、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカ上に蒸着させるとともに、
上記アライメント観測手段は、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜とに紫外光を照射することで、紫外光によってフォトルミネッセンス発光している蒸着膜と、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を観測することを特徴とする請求項７記載の蒸着方法。
【請求項９】
上記被成膜基板における上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが、該アライメントマーカ内に複数の開口部を有するアライメントマーカであり、
上記アライメント観測手段は、各開口部間の蛍光強度の比率から、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を観測することを特徴とする請求項８記載の蒸着方法。
【請求項１０】
上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、断続的に形成されていることを特徴とする請求項５〜９の何れか１項に記載の蒸着方法。
【請求項１１】
上記位置合わせ工程では、空隙センサを用いて蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定し、測定した空隙量に基づいて、少なくとも上記蒸着マスクを含むマスクユニットの一部もしくはマスクユニット全体、および、被成膜基板のうち少なくとも一方を、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を一定量に調整することを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の蒸着方法。
【請求項１２】
上記空隙量の調整が、少なくとも上記蒸着マスクを含むマスクユニットの一部もしくはマスクユニット全体、および、被成膜基板のうち少なくとも一方を、アクチュエータを用いて、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させることにより行われることを特徴とする請求項１１記載の蒸着方法。
【請求項１３】
上記マスクユニットを成膜チャンバ内に配置して上記蒸着を成膜チャンバ内で行うとともに、
上記蒸着マスクと、上記マスクユニットまたは上記成膜チャンバにおける上記蒸着マスクに対向する位置とに、絶対位置合わせ用のアライメントマーカがそれぞれ設けられており、
上記位置合わせ工程でそれぞれのアライメントマーカの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクを、予め決定された絶対位置に合わせることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の蒸着方法。
【請求項１４】
上記蒸着マスクには、上記絶対位置合わせ用のアライメントマーカが、上記相対移動する方向に平行にそれぞれ複数設けられており、
上記蒸着マスクに設けられた絶対位置合わせ用のアライメントマーカのうち少なくとも１つと、上記マスクユニットまたは上記成膜チャンバに設けられた絶対位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクを上記絶対位置に合わせることを特徴とする請求項１３記載の蒸着方法。
【請求項１５】
被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、
被成膜基板に対向配置され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、
上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備え、
上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構をさらに有し、
上記テンション機構は、上記蒸着マスクの上面または下面に当接する当接部材を支点として、上記蒸着マスクに斜め上方向または斜め下方向にテンションを加えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項１６】
被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、
被成膜基板に対向配置され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、
上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備え、
上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構をさらに有し、
上記テンション機構は、蒸着マスクの各角部に設けられたクランプを備えており、上記クランプにそれぞれテンションを加えることで、上記蒸着マスクの各角部から上記蒸着マスクにテンションを加えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項１７】
上記被成膜基板および蒸着マスクに隣接して配置され、上記蒸着マスクとの相対的な位置を固定したアライメント観測手段と、
上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整する調整手段とを備え、
上記調整手段は、上記テンション機構を含むことを特徴とする請求項１５または１６記載の蒸着装置。
【請求項１８】
上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定する空隙センサを少なくとも１つ備えていることを特徴とする請求項１５〜１７の何れか１項に記載の蒸着装置。
【請求項１９】
少なくとも上記蒸着マスクを含むマスクユニットの一部もしくはマスクユニット全体、および、被成膜基板のうち少なくとも一方を、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を調整するアクチュエータを備えていることを特徴とする請求項１５〜１８の何れか１項に記載の蒸着装置。
【請求項２０】
空隙センサによって測定された空隙量と、予め設定された蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量とのズレの量を算出する空隙ズレ量演算部と、
上記空隙ズレ量演算部で算出された空隙ズレ量から、上記ズレを解消するための補正値を導出する空隙ズレ補正量導出部と、
上記空隙ズレ補正量導出部で導出された空隙ズレ補正量に基づいて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙が一定になるように上記アクチュエータを、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させるアクチュエータ駆動制御部とを備えていることを特徴とする請求項１９記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着マスクを用いた蒸着方法および蒸着装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。【０００３】
そのような状況下、有機材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。【０００５】
有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。【０００６】
フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。【０００７】
このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎にパターン形成される（例えば特許文献１〜３参照）。【０００８】
発光層のパターン形成を行う方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。【０００９】
例えば、低分子型有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）では、従来、シャドウマスクを用いた蒸着法により、有機層の塗り分け形成を行っている。【００１０】
シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、基板の蒸着領域全体に蒸着できるサイズのシャドウマスク（密着型全面シャドウマスク）が使用される（例えば、特許文献４〜７参照）。一般的には、シャドウマスクとしては、基板と同等サイズのマスクが用いられる。【００１１】
図２２は、シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成を示す断面図である。【００１２】
シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、図２２に示すように、基板３０１と蒸着源３０２とを対向配置させ、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、シャドウマスク３０３に、蒸着領域の一部のパターンに対応した開口部３０４を設け、該開口部３０４を介して蒸着粒子を基板３０１に蒸着させることによりパターン形成を行う。【００１３】
基板３０１は、図示しない真空チャンバ内に配置され、基板３０１の下方には、蒸着源３０２が固定される。シャドウマスク３０３は、基板３０１に密着固定されるか、もしくは、真空チャンバの内壁に基板３０１および蒸着源３０２が固定された状態で、基板３０１に対して相対移動される（例えば、特許文献１、２、８、９参照）。【００１４】
例えば特許文献１には、ロードロック式の蒸着源を使用し、マスクと基板との位置合わせを行った後、第１の発光材料を基板の真下から真空蒸着して、マスクの開口部とほぼ同じ形状の第１発光部の配列を形成した後、マスクを移動して第２の発光材料を基板の真下から真空蒸着してマスクの開口部とほぼ同じ形状の第２発光部の配列を形成することが開示されている。【００１５】
特許文献２には、表示電極が設けられた基板上に、表示電極を囲むように基板上に突出する隔壁を設け、この隔壁の上面にマスクを載置して隔壁内の表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積させた後、１つの表示電極上から隣接する表示電極上にマスクの開口部が位置するようにマスクを移動させることにより、マスクの開口部とほぼ同じ形状の発光層を順次形成することが開示されている。【００１６】
また、特許文献８には、基板に近接してメタルマスクが設置され、それらを同時に搬送することによって、蒸着源によって蒸着を行うことが開示されている。【００１７】
また、シャドウマスクを用いた真空蒸着法は、発光層だけでなく、電極のパターン形成にも用いられている。【００１８】
例えば、特許文献９には、基板と同等サイズのマスクに、小径または細長いスリット孔を、マスクの移動方向に対し交差する方向に配列し、マスクを移動させながら電極材料を蒸着させることで電極パターンを形成することが開示されている。
【００１９】
このようにシャドウマスクを用いた真空蒸着法では、シャドウマスクは、撓みや歪みを抑制するために、張力をかけてマスクフレームに固定（例えば溶接）される。【００２０】
シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、このようなシャドウマスクを基板に密着させ、蒸着源から、シャドウマスクの開口部を通して基板の所望の位置に蒸着粒子を蒸着（付着）させることで、発光層あるいは電極のパターン形成が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２０００−１８８１７９号公報（公開日：２０００年７月４日）」（対応米国特許第６２９４８９２号、公告日：２００１年９月２５日）
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開平８−２２７２７６号公報（公開日：１９９６年９月３日）」（対応米国特許第５，７４２１，２９号、公告日：１９９８年４月２１日）
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開平９−１６７６８４号公報（公開日：１９９７年６月２４日）」（対応米国特許第５，６８８，５５１号、公告日：１９９７年１１月１８日）
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開２００３−６８４５３号公報（公開日：２００３年３月７日）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特開２００３−２７２８３９号公報（公開日：２００３年９月２６日）」
【特許文献６】日本国公開特許公報「特開２００３−３３２０５６号公報（公開日：２００３年１１月２１日）」
【特許文献７】日本国公開特許公報「特開平１０−４１０６９号公報（公開日：１９９８年２月１３日）」
【特許文献８】日本国公開特許公報「特開２００１−９３６６７号公報（公開日：２００１年４月６日）」
【特許文献９】日本国公開特許公報「特開平１０−１０２２３７号公報（公開日：１９９８年４月２１日）」
【特許文献１０】日本国公開特許公報「特開２００４−３４９１０１号公報（公開日：２００４年１２月９日）」
【特許文献１１】日本国公開特許公報「特開２００２−１７５８７８号公報（公開日：２００２年６月２１日）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
しかしながら、基板サイズが大きくなると、これに伴ってシャドウマスク３０３も大型化される。【００２３】
この結果、図２３に示すように、シャドウマスク３０３の自重撓みや延びにより、基板３０１とシャドウマスク３０３との間に隙間が生じる。この結果、位置精度の高いパターン形成を行うことができず、蒸着位置ズレや混色が発生し、高精細化が困難となる。【００２４】
また、基板サイズの大型化に伴い、シャドウマスク３０３およびこれを保持するマスクフレームが巨大化、超重量化する。この結果、このようなシャドウマスク３０３を取扱う装置が巨大化、複雑化し、装置の設計が困難になるだけでなく、製造工程あるいはマスク交換等の工程において、取り扱いの安全性の問題も発生する。【００２５】
このため、大型のシャドウマスクを利用した大型基板のパターン化は極めて困難である。【００２６】
有機ＥＬ表示装置の製造プロセスにおいて、現行量産プロセスである密着型全面シャドウマスクを用いた蒸着方法を適用できる基板サイズは１ｍ角程度であり、それ以上の基板サイズを有する大型基板への対応は困難である。したがって、大型基板に対応した有機層塗り分け技術は現在未だ確立されておらず、６０インチクラス以上の大型の有機ＥＬ表示装置は量産できていない。【００２７】
また、インクジェット法によるパターン形成でも、微細化に伴って隣のサブ画素への混色等が生じ、着液位置制御等、パターニング精度には限界がある。【００２８】
また、インクジェット法では一般的に、高分子からなる有機発光材料が使用される。しかしながら、高分子発光材料は、材料開発が難しい点があり、現状では、低分子発光材料に比べて発光特性、寿命が劣っているという問題点がある。【００２９】
さらに、インクジェット法を用いた場合、上層となる材料の溶媒に対して下地層が溶解しないように工夫しなければならない。このため、任意の下地層を用いることはできない。【００３０】
また大型基板へのパターン形成に対しては、吐出液滴数の増加や吐出範囲の拡大により、多くのタクトタイムが必要となる。さらには、インクジェット法においては、吐液の溶媒がどのように乾燥するかによって膜厚や膜の平坦性が大きく変わる。このため、表示装置に表示ムラが発生し易い。【００３１】
一方、レーザ光等の光源を用いたレーザ転写法では、光熱変換層および有機ドナー層が形成されたドナー基板と、第１電極およびサブ画素等が形成された被成膜基板とを使用し、ドナー基板の有機ドナー層と被成膜基板の電極等とを向かい合わせて配置する。ドナー基板の光熱変換層にレーザ光を照射することにより、光熱変換層に吸収された光エネルギーは熱に変換される。このとき、レーザ光を所望の領域で走査させることにより、所定領域の有機ドナー層が気化し、パターン化した有機層が被成膜基板上に形成される。このため、レーザ転写法では、第１電極上の所定領域のみに発光層を選択的に転写することができる。【００３２】
しかしながら、このようなレーザ転写法では、サブ画素のライン数だけレーザを走査する必要がある。このため、多くのタクトタイムが必要となる。【００３３】
また、レーザ転写法においては、レーザ光源の安定性、機械的な走査によるブレや焦点距離の変動等の原因によるビームプロファイルの不均一性の問題から、形成された膜の膜厚が不均一になり、これが、得られた表示装置の表示ムラに繋がる。このため、レーザ転写法は、基板の大型化並びに量産プロセスを図る上で問題点が多い。【００３４】
以上のように、上述した何れのパターン形成方法を用いても、大型基板、特に第８世代（概ね２，１６０ｍｍ×２，４６０ｍｍ）以上の基板に対して有機層のパターン形成を行うことは困難である。また、何れも量産化には課題がある。【００３５】
このように、これまで、大型の基板に有機層のパターン形成が可能な製造技術および製造装置は知られておらず、基板サイズの制約により、大型の有機ＥＬ表示装置を実現することはできなかった。【００３６】
また、一般的に、基板サイズが大きくなるほど１枚の基板から形成できるパネル数が多くなり、パネル１枚当たりの費用が安くなる。このため、大型の基板を用いれば用いるほど、有機ＥＬ表示装置を低コストにて作製することができる。しかしながら、従来は、上記したように基板サイズの制約から、低コストの有機ＥＬ表示装置を実現することはできなかった。【００３７】
なお、近年、被成膜基板よりも小型の蒸着マスクを使用し、蒸着マスクと蒸着源とを被成膜基板に対して相対移動させながら蒸着を行うことで、被成膜基板として大型の基板を使用し、該被成膜基板上に、大型の有機ＥＬ表示装置を実現する方法が提案されている（特許文献１０、１１参照）。【００３８】
図６２の（ａ）は、特許文献１０に記載の蒸着装置を模式的に示す平面図であり、図６２の（ｂ）は、図６２の（ａ）に示す蒸着装置の矢視断面図である。【００３９】
図６２の（ａ）・（ｂ）に示すように、特許文献１０に記載の蒸着装置３１０は、蒸着源３１１を内部に収容する蒸着源収容部３１２が、ボールネジ３１３に組み付けられており、ボールネジ３１３の軸周り回動に伴って、ボールネジ３１３の長軸方向に、リニアガイド３１４に沿って移動可能に設けられている構成を有している。【００４０】
蒸着源収容部３１２の上方にはマスク保持部３１５が設けられており、蒸着マスク３１６は、マスク保持部３１５に固定されている。【００４１】
被成膜基板３１７は、その蒸着面が蒸着源３１１に面するように、基板保持部３１８に保持されている。【００４２】
蒸着源３１１と蒸着マスク３１６とは、ボールネジ３１３の回動による蒸着源収容部３１２の移動に伴い、ボールネジ３１３の長軸方向に一体に移動することで、被成膜基板３１７に対して相対移動する。【００４３】
上記したように蒸着源３１１と蒸着マスク３１６とを被成膜基板３１７に対して相対移動させる際に被成膜基板３１７もしくは蒸着マスク３１６の損傷を避けるためには、被成膜基板３１７と蒸着マスク３１６とが接触しないように空隙を設ける必要がある。【００４４】
このとき、この空隙を一定に保持しなければ、得られる蒸着パターンにずれが生じ、高精細の蒸着パターンを被成膜基板３１７の蒸着領域全域に渡って形成することはできない。【００４５】
しかしながら、空隙量は、被成膜基板３１７の自重撓みや蒸着装置３１０そのものの精度要因等によっても変動するし、熱による部材（特に、被成膜基板３１７および蒸着マスク３１６）の膨張等の要因によっても変動する。【００４６】
しかしながら、図６２の（ａ）・（ｂ）に示すように、特許文献１０では、被成膜基板３１７は、移動方向始端側の端部と終端側の端部とが基板保持部３１８に保持されているにすぎず、被成膜基板３１７の自重撓みや熱膨張による空隙量の変動について何の考慮もなされていない。同様に、蒸着マスク３１６についても、図６２の（ａ）・（ｂ）に示すように、蒸着源収容部３１２におけるマスク保持部３１５上に配されているにすぎず、マスク保持部３１５によって、蒸着マスク３１６の下面周縁部が支持されているにすぎない。【００４７】
このように、特許文献１０では、空隙量を制御するための機構は何ら設けられていない。したがって、特許文献１０に記載の方法では、上記空隙を一定にすることができず、蒸着パターンのボケ（パターン幅の変動）や蒸着パターンの位置ズレが生じてしまう。このため、特許文献１０に記載の蒸着装置３１０では、例えば有機ＥＬ表示装置等の表示装置に必要とされる高精細の蒸着パターンを蒸着領域全域に渡って形成することはできない。【００４８】
また、特許文献１１では、被成膜基板よりも小さい蒸着マスクを使用し、被成膜基板における、蒸着マスクで覆われない領域を、蒸着マスクの端部を支持するマスク支持体で覆うことで、１枚の大型基板を複数の領域に分割して蒸着を行う。【００４９】
特許文献１１には、上記蒸着マスクとしてメタルマスクを用いる場合に、メタルマスクを固定部機構によりマスク支持体のマスク支持部に固定することが開示されており、このときに、メタルマスクをその周辺方向に引っ張って固定することが開示されている。また、蒸着マスクの厚みを増加させて強度を高めることで蒸着マスクの自重撓みを小さくすることが開示されている。【００５０】
しかしながら、蒸着マスクや被成膜基板の熱膨張に伴う空隙量の変動に対しては特段の対策は講じられていない。また、被成膜基板の保持に関する記載はなく、被成膜基板の自重撓みを小さくするために蒸着マスクのように被成膜基板の厚みを増加させることは現実的ではない。【００５１】
このように、特許文献１１も、被成膜基板や蒸着マスクの熱膨張あるいは被成膜基板の自重撓みによる、空隙量の変動について何ら考慮しておらず、上記空隙量を制御するための機構を備えていない。したがって、特許文献１０と同じく、特許文献１１も上記空隙を一定にすることができず、例えば有機ＥＬ表示装置等の表示装置に必要とされる高精細の蒸着パターンを蒸着領域全域に渡って形成することはできない。【００５２】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、大型の基板への高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着方法および蒸着装置、並びに、これを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００５３】
上記の課題を解決するために、本発明にかかる蒸着方法は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記マスクユニットと被成膜基板とを、上記蒸着マスクが被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量の調整を行い、位置合わせする位置合わせ工程と、上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備えていることを特徴としている。【００５４】
また、上記の課題を解決するために、本発明にかかる蒸着装置は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、被成膜基板に対向配置され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００５５】
上記の各構成によれば、従来とは異なり、蒸着マスクと被成膜基板とが固定されておらず、蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定しているため、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを用いて、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことができる。【００５６】
このため、蒸着マスクの大型化に伴う自重撓みや延びの問題が発生せず、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。【００５７】
また、上記の各構成によれば、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを使用することから、蒸着マスクの大型化に伴って蒸着マスクを保持するフレームが巨大化・超重量化することで生じる問題の発生も抑制、回避することができる。【００５８】
また、上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にしてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことで、幅および膜厚が均一な成膜パターン（蒸着膜）を形成することができる。【００５９】
しかも、上記マスクユニットと被成膜基板との間に空隙が設けられていることで、被成膜基板が蒸着マスクに接触せず、蒸着マスクにより被成膜基板が損傷されることがない。また、そのような損傷を防止するためのマスクスペーサを被成膜基板上に形成する必要もない。したがって、コストの削減を図ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１にかかる被成膜基板および蒸着マスクのアライメントマーカの形状の一例を示す図である。
【図６】ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。
【図８】図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。
【図１１】アライメント調整方法を示すフローチャートである。
【図１２】蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。
【図１３】蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。
【図１４】本発明の実施の形態２にかかる有機ＥＬ表示装置の変形例を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す有機ＥＬ表示装置の製造工程を、工程順に示すフローチャートである。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、赤色のサブ画素、緑色のサブ画素、青色のサブ画素での蒸着時におけるＴＦＴ基板とシャドウマスクとのアライメントを示す平面図であり、（ａ）は赤色のサブ画素での蒸着時、（ｂ）は緑色のサブ画素での蒸着時、（ｃ）は青色のサブ画素での蒸着時における平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態３にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。
【図１８】本発明の実施の形態３にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図１９】（ａ）は本発明の実施の形態４にかかる蒸着装置の真空チャンバ内における、蒸着時のマスクユニットと被成膜基板との位置関係を示す平面図であり、（ｂ）・（ｃ）は、それぞれ、基板走査方向の一例を矢印にて示す図である。
【図２０】本発明の実施の形態５にかかる蒸着装置の真空チャンバ内における、蒸着時のマスクユニットと被成膜基板との位置関係を示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態６にかかるマスクユニットにおけるシャドウマスクの開口部の長軸方向と基板走査方向との関係を示す平面図である。
【図２２】シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【図２３】従来の蒸着方法の課題を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態７にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態７にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態８にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。
【図２７】本発明の実施の形態８にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図２８】蒸着マスクの絶対位置合わせを説明する平面図である。
【図２９】本発明の実施の形態８にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図３０】図３に示す蒸着装置に絶対位置合わせ用のアライメントマーカを形成した場合における、真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態９にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態１０にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態１１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。
【図３４】本発明の実施の形態１１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態１１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図３６】被成膜基板と蒸着マスクとに位置ズレが生じたときの被成膜基板の蒸着パターンを示す平面図である。
【図３７】本発明の実施の形態１２にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図３８】図３７に示す蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。
【図３９】本発明の実施の形態１２で用いられる被成膜基板をその裏面側から見たときの、被成膜基板のアライメントパターンおよび蒸着パターンとアライメントセンサおよび膜厚センサとの位置関係を示す平面図である。
【図４０】図３７に示す蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図４１】図３７に示す蒸着装置の構成の一部を示す他のブロック図である。
【図４２】（ａ）は、図３９に示す被成膜基板のアライメントマーカ部の要部の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す被成膜基板のアライメントマーカ部における各アライメントマーカと蒸着マスクのアライメントマーカとレーザスポットとの位置関係を示す平面図である。
【図４３】図４２の（ｂ）に示す被成膜基板のアライメントマーカと蒸着マスクのアライメントマーカとの関係において得られたレーザ光の反射強度と被成膜基板の走査時間との関係を示すグラフである。
【図４４】被成膜基板の走査開始時からの、反射強度と被成膜基板の走査時間との関係を示すグラフである。
【図４５】被成膜基板における、断続周期が異なるアライメントマーカを示す平面図である。
【図４６】本発明の実施の形態１３にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図４７】（ａ）は、図３９に示す被成膜基板のアライメントマーカ部の要部の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すアライメントマーカ部における各アライメントマーカと蒸着マスクのアライメントマーカとの位置関係を示す平面図である。
【図４８】本発明の実施の形態１４にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図４９】図４８に示す蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図５０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１４において、被成膜基板に予め設けられたアライメントマーカと、被成膜基板に実際に蒸着された蒸着パターンとの関係からアライメントのズレ量を測定する方法について説明する平面図である。
【図５１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１５において、被成膜基板に予め設けられたアライメントマーカと、被成膜基板に実際に蒸着された蒸着膜の蒸着パターンとの関係からアライメントのズレ量を測定する方法について説明する平面図である。
【図５２】本発明の実施の形態１５にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図５３】（ａ）・（ｂ）は、被成膜基板と蒸着マスクとの間に空隙を設けた場合における、蒸着マスクの開口部と蒸着膜の蒸着幅および蒸着位置との関係を示す図である。
【図５４】本発明の実施の形態１６にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図５５】図５４に示す蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の一例を示す鳥瞰図である。
【図５６】図５４に示す蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図５７】本発明の実施の形態１６にかかる蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。
【図５８】本発明の実施の形態１６にかかる蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の他の例を示すフローチャートである。
【図５９】図５４に示す蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の他の一例を示す鳥瞰図である。
【図６０】本発明の実施の形態１７にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の一例を示す鳥瞰図である。
【図６１】本発明の実施の形態１７で用いられる被成膜基板における空隙センシング用の透過領域を示す平面図である。
【図６２】（ａ）は、特許文献１０に記載の蒸着装置を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す蒸着装置の矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６１】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００６２】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図１３に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００６３】
本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。
【００６４】
まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。
【００６５】
図６は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図８は、図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００６６】
図６に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図８参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
【００６７】
図６に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
【００６８】
上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
【００６９】
ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図７に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
【００７０】
有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
【００７１】
すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が画成されている。
【００７２】
画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。
【００７３】
各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。
【００７４】
これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂについては後述する。
【００７５】
これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
【００７６】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。
【００７７】
まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。
【００７８】
ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）および配線１４、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。
【００７９】
上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
【００８０】
層間膜１３は、各ＴＦＴ１２および配線１４を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
【００８１】
層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
【００８２】
また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
【００８３】
エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
【００８４】
エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１のパターン端部を被覆するように形成されている。
【００８５】
エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。
【００８６】
言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。
【００８７】
次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。
【００８８】
有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。
【００８９】
第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
【００９０】
第１電極２１と第２電極２６との間には、図８に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。
【００９１】
なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
【００９２】
正孔注入層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
【００９３】
なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
【００９４】
正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
【００９５】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
【００９６】
電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
【００９７】
電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００９８】
なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
【００９９】
第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【０１００】
なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
【０１０１】
上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。
【０１０２】
また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
【０１０３】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。
【０１０４】
図９は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【０１０５】
図９に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。
【０１０６】
以下に、図９に示すフローチャートに従って、図６および図８を参照して上記した各工程について説明する。
【０１０７】
但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
【０１０８】
また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。
【０１０９】
まず、図８に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。
【０１１０】
上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００〜５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００〜４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
【０１１１】
層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図８に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。
【０１１２】
上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。
【０１１３】
次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。
【０１１４】
次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。
【０１１５】
次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。
【０１１６】
なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料；金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料；を用いることができる。
【０１１７】
また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
【０１１８】
上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。
【０１１９】
次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。
【０１２０】
以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。
【０１２１】
次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
【０１２２】
次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。
【０１２３】
具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。
【０１２４】
ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。
【０１２５】
正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体；ポリシラン系化合物；ビニルカルバゾール系化合物；チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー；等が挙げられる。
【０１２６】
正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０１２７】
本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。
【０１２８】
次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。
【０１２９】
前記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。
【０１３０】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体；トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体；ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体；トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体；ジトルイルビニルビフェニル；等が挙げられる。
【０１３１】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０１３２】
本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。
【０１３３】
本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。
【０１３４】
次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。
【０１３５】
続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。
【０１３６】
電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体；ＬｉＦ（フッ化リチウム）；等が挙げられる。
【０１３７】
具体的には、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン、およびこれらの誘導体や金属錯体；ＬｉＦ；等が挙げられる。
【０１３８】
前記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１〜１００ｎｍであり、好ましくは１０〜１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０〜２００ｎｍである。
【０１３９】
本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。
【０１４０】
次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。
【０１４１】
第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍである。
【０１４２】
本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。
【０１４３】
次いで、図６に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。
【０１４４】
上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４〜１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
【０１４５】
なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。
【０１４６】
なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。
【０１４７】
また、上記第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。
【０１４８】
上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍである。
【０１４９】
上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。
【０１５０】
このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へホール（正孔）が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子は、エネルギーを失活する際に、光として出射される。
【０１５１】
上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。
【０１５２】
次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。
【０１５３】
図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板（被蒸着基板）とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側（つまり蒸着面とは反対側）から見た平面図である。なお、図示の便宜上、図１において、被成膜基板は二点鎖線にて示している。また、図２は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図（俯瞰図）である。図３は、本実施の形態にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図３は、図１に示すＢ−Ｂ線矢視断面から見たときの蒸着装置の断面に相当する。但し、図示の便宜上、蒸着マスク（シャドウマスク）の開口部や蒸着膜等の構成の一部を省略している。また、図４は、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【０１５４】
図３に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段、調整手段）、マスクユニット８０、イメージセンサ９０（第１のイメージセンサ、アライメント観測手段）、および制御回路１００（図４参照）を備えている。
【０１５５】
上記真空チャンバ６０内には、図３に示すように、基板移動機構７０およびマスクユニット８０が設けられている。
【０１５６】
なお、上記真空チャンバ６０には、蒸着時に該真空チャンバ６０内を真空状態に保つために、該真空チャンバ６０に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ６０内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。
【０１５７】
上記基板移動機構７０は、例えば、被成膜基板２００（例えばＴＦＴ基板１０）を保持する基板保持部材７１（基板保持手段）と、モータ７２（図４参照）とを備えている。
【０１５８】
上記基板移動機構７０は、基板保持部材７１により被成膜基板２００を保持するとともに、後述するモータ駆動制御部１０３（図４参照）によってモータ７２を駆動させることで、被成膜基板２００を保持して水平方向に移動させる。なお、上記基板移動機構７０は、ｘ軸方向およびｙ軸方向の何れにも移動可能に設けられていてもよく、何れか一方向に移動可能に設けられていてもよい。
【０１５９】
上記基板保持部材７１には、静電チャックが使用される。被成膜基板２００は、上記静電チャックにより、自重による撓みがない状態で、上記マスクユニット８０における後述するシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（空隙、垂直間距離）が一定に保持されている。
【０１６０】
上記被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１は、５０μｍ以上、１ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは２００μｍ程度である。
【０１６１】
上記隙間ｇ１が５０μｍ未満の場合、被成膜基板２００がシャドウマスク８１に接触するおそれが高くなる。
【０１６２】
一方、上記隙間ｇ１が１ｍｍを越えると、シャドウマスク８１の開口部８２を通過した蒸着粒子が広がって、形成される蒸着膜２１１のパターン幅が広くなり過ぎる。例えば上記蒸着膜２１１が、発光層２３Ｒである場合、上記隙間ｇ１が１ｍｍを越えると、隣接サブ画素であるサブ画素２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｇ・１５Ｂにも発光層２３Ｒの材料が蒸着されてしまうおそれがある。
【０１６３】
また、上記隙間ｇ１が２００μｍ程度であれば、被成膜基板２００がシャドウマスク８１に接触するおそれもなく、また、蒸着膜２１１のパターン幅の広がりも十分に小さくすることができる。
【０１６４】
また、マスクユニット８０は、図３に示すように、シャドウマスク８１（蒸着マスク、マスク）と、蒸着源８５と、マスク保持部材８７（保持手段、支持部材）と、マスクテンション機構８８（テンション機構、調整手段）と、シャッタ８９（図４参照）とを備えている。
【０１６５】
上記シャドウマスク８１としては、例えば金属製のマスクが用いられる。
【０１６６】
上記シャドウマスク８１は、被成膜基板２００の蒸着領域２１０よりも面積（サイズ）が小さく、その少なくとも１辺が、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の幅よりも短く形成されている。
【０１６７】
本実施の形態では、上記シャドウマスク８１として、以下の大きさを有する矩形状（帯状）のシャドウマスクを使用する。上記シャドウマスク８１は、図１に示すように、その長手方向（長軸方向）の長さである長辺８１ａの幅ｄ１が、蒸着領域２１０における、上記シャドウマスク８１の長辺８１ａに対向する辺（図１に示す例では蒸着領域２１０の長辺２１０ａ）の幅ｄ３よりも長くなるように形成されている。また、上記シャドウマスク８１は、その短手方向（短軸方向）の長さである短辺８１ｂの幅ｄ２が、蒸着領域２１０における、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂに対向する辺（図１に示す例では蒸着領域２１０の短辺２１０ｂ）の幅ｄ４よりも短くなるように形成されている。
【０１６８】
上記シャドウマスク８１には、図１および図２に示すように、例えば帯状（ストライプ状）の開口部８２（貫通口）が、一次元方向に複数配列して設けられている。上記開口部８２は、被成膜基板２００への蒸着膜２１１（図３参照）のパターン形成として、例えばＴＦＴ基板１０における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの同色列のサイズとピッチに合わせて形成されている。
【０１６９】
また、上記シャドウマスク８１には、図１に示すように、例えば、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部８３が設けられており、該アライメントマーカ部８３に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ（アライメント）を行うためのアライメントマーカ８４（図３参照）が設けられている。
【０１７０】
本実施の形態では、上記アライメントマーカ部８３は、図１に示すように、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂ（短軸）に沿って設けられている。
【０１７１】
また、上記したようにシャドウマスク８１として、その長辺８１ａの幅ｄ１が、蒸着領域２１０における対向する辺の幅ｄ３よりも長く、短辺８１ｂの幅ｄ２が、蒸着領域２１０における対向する辺の幅ｄ４よりも短いシャドウマスクを使用することで、その長手方向両側部（つまり、両短辺８１ｂ・８１ｂ）にアライメントマーカ部８３を形成することができる。したがって、アライメントを容易かつより精密に行うことができる。
【０１７２】
一方、被成膜基板２００には、図１に示すように、蒸着領域２１０の外側に、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うためのアライメントマーカ２２１（図３参照）が設けられている。
【０１７３】
本実施の形態では、上記アライメントマーカ部２２０は、図１に示すように、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の短辺２１０ｂ（短軸）に沿って設けられている。
【０１７４】
本実施の形態では、上記ストライプ状の開口部８２は、基板走査方向であるシャドウマスク８１の短辺方向に延設されているとともに、基板走査方向に直交するシャドウマスク８１の長辺方向に複数並んで設けられている。
【０１７５】
蒸着源８５は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器であり、図３に示すように、シャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ２（空隙）を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。
【０１７６】
なお、上記蒸着源８５は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有する容器であってもよい。
【０１７７】
上記蒸着源８５は、例えば、上方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。
【０１７８】
上記蒸着源８５は、図１および図２に示すように、シャドウマスク８１との対向面に、上記蒸着材料を蒸着粒子として射出（飛散）させる複数の射出口８６を有している。
【０１７９】
本実施の形態では、上記したように蒸着源８５が被成膜基板２００の下方に配されており、被成膜基板２００が、上記蒸着領域２１０が下方を向いている状態で基板保持部材７１により保持される。このため、本実施の形態では、蒸着源８５は、シャドウマスク８１の開口部８２を介して蒸着粒子を下方から上方に向かって被成膜基板２００に蒸着（アップデポジション、以下、「デポアップ」と記す）させる。
【０１８０】
上記射出口８６は、図１および図２に示すように、シャドウマスク８１の開口領域において開口するように、それぞれ、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して設けられている。本実施の形態では、上記射出口８６は、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して、シャドウマスク８１の開口部８２の並設方向に沿って一次元配列されている。
【０１８１】
このため、図１および図２に示すように、被成膜基板２００の裏面側から見たときに（つまり平面視で）、上記蒸着源８５におけるシャドウマスク８１との対向面（すなわち、射出口８６の形成面）は、例えば、矩形状（帯状）のシャドウマスク８１の形状に合わせて、矩形状（帯状）に形成されている。
【０１８２】
上記マスクユニット８０において、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されている。すなわち、上記シャドウマスク８１と上記蒸着源８５の射出口８６の形成面との間の隙間ｇ２（図３参照）は、常に一定に保たれているとともに、上記シャドウマスク８１の開口部８２の位置と上記蒸着源８５の射出口８６の位置とは、常に同じ位置関係を有している。
【０１８３】
なお、上記蒸着源８５の射出口８６は、上記マスクユニット８０を上記被成膜基板２００の裏面から見たときに（つまり、平面視で）、上記シャドウマスク８１の開口部８２の中央に位置するように配置されている。
【０１８４】
上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、図３に示すように、マスクテンション機構８８を介して上記シャドウマスク８１および蒸着源８５を保持・固定するマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）に備えられ、これにより一体化されることで、その相対的な位置が保持・固定されている。
【０１８５】
またシャドウマスク８１は、マスクテンション機構８８により、テンション（張力）が加えられ、自重によるたわみや延びが発生しないように適宜調整されている。
【０１８６】
上記したように、上記蒸着装置５０においては、被成膜基板２００が、基板保持部材７１（静電チャック）にて吸着板に吸着されることで自重による撓みが防止されており、マスクテンション機構８８によってシャドウマスク８１にテンションが加えられていることで、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とが平面上で重なる領域の全面に渡って、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との距離が一定に保持されている。
【０１８７】
また、シャッタ８９は、蒸着粒子のシャドウマスク８１への到達を制御するために、必要に応じて用いられる。シャッタ８９は、後述する蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４（図４参照）からの蒸着ＯＦＦ信号もしくは蒸着ＯＮ信号に基づいてシャッタ駆動制御部１０５（図４参照）によって閉鎖もしくは開放される。
【０１８８】
上記シャッタ８９は、例えば、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能（挿入可能）に設けられている。シャッタ８９は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に挿入されることでシャドウマスク８１の開口部８２を閉鎖する。このように、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間にシャッタ８９を適宜差し挟むことで、余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。
【０１８９】
なお、上記蒸着装置５０において、蒸着源８５から飛散した蒸着粒子はシャドウマスク８１内に飛散するように調整されており、シャドウマスク８１外に飛散する蒸着粒子は、防着板（遮蔽板）等で適宜除去される構成としてもよい。
【０１９０】
また、上記真空チャンバ６０の外側には、撮像手段（画像読取手段）として例えばＣＣＤを備えたイメージセンサ９０（図４参照）が設けられているとともに、制御手段として、上記イメージセンサ９０に接続された制御回路１００が設けられている。
【０１９１】
上記イメージセンサ９０は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うための位置検出手段として機能する。
【０１９２】
また、制御回路１００は、図４に示すように、画像検出部１０１、演算部１０２、モータ駆動制御部１０３、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４、およびシャッタ駆動制御部１０５を備えている。
【０１９３】
前記したように、被成膜基板２００には、図１に示すように、蒸着領域２１０の外側に、例えば基板走査方向に沿ってアライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、アライメントマーカ２２１が設けられている。
【０１９４】
画像検出部１０１は、イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１並びにシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行うとともに、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１における、蒸着領域２１０の始端を示す始端マーカ、および、蒸着領域２１０の終端を示す終端マーカから、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の始端および終端を検出する。
【０１９５】
なお、上記始端マーカと終端マーカとは、同じものであってもよい。この場合、基板走査方向にて、蒸着領域２１０の始端か終端かを判断する。
【０１９６】
また、上記演算部１０２は、画像検出部１０１で検出された画像より、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量（例えばシャドウマスク８１に対する被成膜基板２００の移動量）を決定する。例えば、上記演算部１０２は、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）を計算し、被成膜基板２００の基板位置の補正値を演算して決定する。つまり、上記補正値は、基板走査方向に対して垂直な方向および被成膜基板２００の回転方向に関して演算することで決定される。
【０１９７】
なお、ここで、被成膜基板の回転方向とは、被成膜基板２００の被成膜面の中心におけるｚ軸を回転軸とした、ｘｙ平面内での回転の方向を示す。
【０１９８】
上記補正値は、補正信号としてモータ駆動制御部１０３に出力され、モータ駆動制御部１０３は、上記演算部１０２からの補正信号に基づいて、基板保持部材７１に接続されたモータ７２を駆動することで、被成膜基板２００の基板位置を補正する。
【０１９９】
なお、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正については、アライメントマーカ８４・２２１の形状例と併せて後述する。
【０２００】
モータ駆動制御部１０３は、モータ７２を駆動することで、被成膜基板２００を、前記したように水平方向に移動させる。
【０２０１】
蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号を発生させ、画像検出部１０１で蒸着領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ（オン）信号を発生させる。
【０２０２】
シャッタ駆動制御部１０５は、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する一方、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する。
【０２０３】
次に、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正並びにアライメントマーカ８４・２２１の形状例について説明する。
【０２０４】
図５の（ａ）〜（ｄ）に、上記アライメントマーカ８４・２２１の形状の一例を示す。なお、図５の（ｂ）〜（ｄ）は、それぞれ、図示の都合上、並列して配置されたアライメントマーカ８４・２２１のうち２つだけを抜粋して示している。
【０２０５】
上記アライメントマーカ８４は、例えば、シャドウマスク８１のアライメントマーカ部８３に形成された開口部からなる。なお、上記開口部には、切欠部も含まれる。
【０２０６】
また、アライメントマーカ２２１の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、ＴＦＴ基板１０等で用いられる電極材料と同じ材料を使用することができる。したがって、上記アライメントマーカ２２１は、ＴＦＴ基板１０等の被成膜基板２００における、例えばゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等の電極形成工程において、これら電極と同じ材料により、これら電極と同時に形成することができる。
【０２０７】
演算部１０２は、画像検出部１０１で検出したアライメントマーカ８４・２２１の画像から、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｒおよびｙ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｑを測定（算出）することで、アライメントのズレ量を計算して基板位置の補正値を演算する。
【０２０８】
例えば、基板走査方向がｘ軸方向である場合、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが基板走査方向における上記端部間の距離であり、ｑが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離である。演算部１０２は、距離ｒと距離ｑとを、例えば被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両側で測定（算出）することで、基板走査時におけるアライメントのズレ量を計算する。
【０２０９】
なお、上記したようにシャドウマスク８１にアライメントマーカ８４が複数設けられていることで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とを、水平方向も含めて位置合わせすることができる。
【０２１０】
なお、上記したように被成膜基板２００を一つの座標軸方向（例えば、ｘ軸方向）のみに沿って移動させる場合、基板走査方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の大きさ（大小関係）は、特に限定されるものではない。
【０２１１】
図５の（ｄ）に示すように、基板走査方向が上記したように例えばｘ軸方向のみである場合、被成膜基板２００の端部以外の領域においては、距離ｒを測定する必要は必ずしもない。この場合、距離ｑを、例えば被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両側で測定することで、被成膜基板２００の位置ズレを検出することができ、この距離ｑの値に基づいて、被成膜基板２００の基板位置を補正することができる。
【０２１２】
このため、この場合、被成膜基板２００の端部以外の領域においては、図５の（ｄ）に示すように、図５の（ａ）に示すアライメントマーカ８４・２２１をｘ軸方向に複数に分断した形状のアライメントマーカ８４・２２１が設けられていても構わない。
【０２１３】
なお、本実施の形態では、後述するように、被成膜基板２００を走査しながらシャドウマスク８１と被成膜基板２００とのアライメントを行う場合を例に挙げて説明するが、これに限らず、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わないことも可能である。
【０２１４】
例えば、後述する実施の形態に示すように、被成膜基板２００を被成膜基板２００の蒸着領域２１０の一辺（例えば、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｙ軸方向）に沿って移動させた後、上記辺に直交する辺（例えば、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｘ軸方向）に沿って移動させることが考えられる。この場合、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離であり、ｑは、被成膜基板２００の移動方向（シフト方向）の上記端部間の距離を示す。
【０２１５】
この場合、演算部１０２は、四隅のアライメントマーカにおける、距離ｒと距離ｑとを測定することで、基板走査開始時におけるアライメントのズレ量と被成膜基板２００の移動（シフト）時のアライメントのズレ量とを計算する。
【０２１６】
なお、図５の（ａ）〜（ｄ）に示すように、アライメントマーカ８４・２２１の形状は、帯状であってもよく、正方形等の四角形状であってもよく、枠状、十字状等であってもよい。アライメントマーカ８４・２２１の形状は、特に限定されるものではない。
【０２１７】
また、上記したように、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わない場合、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の側面に沿ってアライメントマーカ２２１が配置されている必要はなく、被成膜基板２００の四隅等に配置されていればよい。
【０２１８】
アライメントマーカ８４・２２１を用いた、上記した基板位置補正は、被成膜基板２００が、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に進入する前に行われることがより望ましい。
【０２１９】
このため、被成膜基板２００のアライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）は、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に入る前の位置から設けられていることが好ましい。
【０２２０】
このため、アライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）は、図１に示すように、基板走査方向において蒸着すべき領域（つまり、蒸着領域２１０）の手前の位置から設けられていることが好ましく、往復蒸着する場合は、蒸着領域２１０の反対側の手前の位置から設けられていることが好ましい。すなわち、往復蒸着する場合は、図１に示すように、アライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）が、蒸着領域２１０の基板走査方向両端部よりもそれぞれ突出して設けられていることが好ましい。
【０２２１】
なお、上記蒸着領域２１０の確保のため、アライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）を、上記蒸着領域２１０よりも突出して設けることができない場合、シャドウマスク８１の開口部８２の走査方向の開口幅（長軸方向の幅ｄ５；図１参照）を短くする等、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を、シャドウマスク８１の開口部８２に対して相対的に外側に配置してもよい。すなわち、走査時に蒸着領域２１０に対してアライメントマーカ８４がシャドウマスク８１の開口部８２よりも手前に位置するように、シャドウマスク８１にアライメントマーカ８４を設けてもよい。これにより、シャドウマスク８１側でアライメント位置を調整することができ、被成膜基板２００が蒸着される前に、アライメントマーカ８４とアライメントマーカ２２１とのアライメントを行うことができる。
【０２２２】
また、図５の（ｂ）・（ｃ）に示すように、シャドウマスク８１の基板走査方向の幅（図１に示す例では幅ｄ２）よりも基板走査方向の幅が小さいアライメントマーカ８４をシャドウマスク８１に設ける場合、上記と同様の理由により、アライメントマーカ８４は、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部（つまり、基板走査方向の上流側端部）に設けられていることが好ましい。また、往復蒸着する場合は、基板走査方向両端部（つまり四隅）にアライメントマーカ８４が設けられていることが好ましい。
【０２２３】
次に、本実施の形態にかかる上記蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として用いて、有機ＥＬ層をパターン形成する方法について詳述する。
【０２２４】
なお、以下の説明では、前記したように、被成膜基板２００として、前記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）が終了した段階でのＴＦＴ基板１０を使用し、有機ＥＬ層のパターン形成として、発光層蒸着工程（Ｓ３）において発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合を例に挙げて説明する。
【０２２５】
なお、本実施の形態では、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２（すなわち、蒸着源８５の射出口８６形成面とシャドウマスク８１との間の距離）を１００ｍｍとし、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の距離を２００μｍとした。
【０２２６】
上記ＴＦＴ基板１０の基板サイズは、走査方向が３２０ｍｍ、走査方向に垂直な方向が４００ｍｍとし、蒸着領域（表示領域）の幅は、走査方向の幅（幅ｄ４）が２６０ｍｍ、走査方向に垂直な方向の幅（幅ｄ３）が３１０ｍｍとした。
【０２２７】
また、上記ＴＦＴ基板１０における各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの幅は、３６０μｍ（走査方向）×９０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。また、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチは４８０μｍ（走査方向）×１６０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。なお、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチ（画素開口部間ピッチ）は、隣り合うサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおけるそれぞれの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチを示しており、同色サブ画素間のピッチではない。
【０２２８】
また、シャドウマスク８１には、長辺８１ａ（長軸方向）の幅ｄ１（走査方向に垂直な方向の幅）が６００ｍｍ、短辺８１ｂ（短軸方向）の幅ｄ２（走査方向の幅）が２００ｍｍのシャドウマスクを用いた。また、シャドウマスク８１の開口部８２の開口幅は、１５０ｍｍ（長軸方向の幅ｄ５；図１参照）×１３０μｍ（短軸方向の幅ｄ６；図１参照）とし、隣り合う開口部８２・８２間の間隔ｄ８（図１参照）は３５０μｍとし、隣り合う開口部８２・８２の中心間のピッチｐ（図１参照）は４８０μｍとした。
【０２２９】
なお、本実施の形態において、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂの幅ｄ２（短辺長）としては、２００ｍｍ以上であることが好ましい。この理由は以下の通りである。
【０２３０】
つまり、蒸着レートは１０ｎｍ／ｓ以下が好ましく、１０ｎｍ／ｓを超えると、蒸着された膜（蒸着膜）の均一性が低下し、有機ＥＬ特性が低下する。
【０２３１】
また、蒸着膜の膜厚は一般に１００ｎｍ以下である。１００ｎｍ以上となると、必要な印加電圧が高くなり、結果として、製造された有機ＥＬ表示装置の消費電力が増加する。したがって、蒸着レートと蒸着膜の膜厚とから、必要な蒸着時間は１０秒と見積もられる。
【０２３２】
一方、処理能力（タクトタイム）の制限によって、例えば幅２ｍのガラス基板に対して蒸着を１５０秒で完了するためには、少なくとも、走査速度を１３．３ｍｍ／ｓ以上にする必要がある。処理時間１５０秒は、およそ一日当たり５７０枚を処理できるタクトタイムである。
【０２３３】
上記走査速度で、上記したように１０秒の蒸着時間を得るためには、シャドウマスク８１の開口部８２は、走査方向に少なくとも１３３ｍｍ以上、開口している必要がある。
【０２３４】
開口部８２の端からシャドウマスク８１の端までの距離（マージン幅ｄ７；図１参照）を３０ｍｍ程度が妥当と想定した場合、シャドウマスク８１の走査方向の幅は、１３３＋３０＋３０≒２００ｍｍが必要となる。
【０２３５】
したがって、シャドウマスク８１の短辺長（幅ｄ２）は、２００ｍｍ以上であることが好ましいと言える。但し、蒸着レートや蒸着膜の膜厚、タクトタイムの許容量が変化すればこの限りではない。
【０２３６】
また、本実施の形態において、上記ＴＦＴ基板１０の走査速度は３０ｍｍ／ｓとした。
【０２３７】
図１０は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を用いてＴＦＴ基板１０に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。
【０２３８】
以下に、上記蒸着装置５０を用いて図１０に示す発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを成膜する方法について、図１０に示すフローにしたがって具体的に説明する。
【０２３９】
まず、図３に示すように、マスク保持部材８７を用いて、マスクテンション機構８８を介して、シャドウマスク８１を真空チャンバ６０内の蒸着源８５上に設置（固定）し、自重による撓みや延びが発生しないように、マスクテンション機構８８にてテンションをかけて水平に保持する。このとき、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の距離を、マスク保持部材８７によって一定に保持すると同時に、基板走査方向とシャドウマスク８１に形成されたストライプ状の開口部８２の長軸方向とが一致するように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を用いて位置合わせすることでマスクユニット８０を組み立てる（マスクユニットの準備）。
【０２４０】
次に、上記真空チャンバ６０にＴＦＴ基板１０を投入し、該ＴＦＴ基板１０の同色サブ画素列の方向が基板走査方向に一致するように、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１を用いて、図１０に示すように粗アライメントを行う（Ｓ１１）。ＴＦＴ基板１０は、自重による撓みが発生しないように、基板保持部材７１により保持する。
【０２４１】
続いて、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との粗アライメントを行い（Ｓ１２）、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（基板−マスクギャップ）が一定になるようにギャップ調整してＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを対向配置させることにより、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせを行う（Ｓ１３）。本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１が、ＴＦＴ基板１０全体に渡って２００μｍとなるようにギャップ調整した。
【０２４２】
次に、上記ＴＦＴ基板１０を、３０ｍｍ／ｓにて走査しながら、該ＴＦＴ基板１０に、赤色の発光層２３Ｒの材料を蒸着させた。
【０２４３】
このとき、上記ＴＦＴ基板１０が、上記シャドウマスク８１上を通過するように基板走査を行った。また、シャドウマスク８１の開口部８２が、赤色のサブ画素２Ｒ列に一致するように上記アライメントマーカ８４・２２１を用いて、走査と同時に精密なアライメントを行った（Ｓ１４）。
【０２４４】
上記発光層２３Ｒは、その材料に、３−フェニル−４（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、ビス（２−(２’−ベンゾ[４，５−α]チエニル)ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（アセチルアセトネート）(ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）)（赤色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．５３ｎｍ／ｓとして、これら材料（赤色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。
【０２４５】
蒸着源８５から射出された上記赤色有機材料の蒸着粒子は、上記ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を通過するときに、シャドウマスク８１の開口部８２を通じて、シャドウマスク８１の開口部８２に対向する位置に蒸着される。本実施の形態においては、上記ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を完全に通過した後には、上記赤色有機材料が、膜厚２５ｎｍにて上記ＴＦＴ基板１０に蒸着された。
【０２４６】
ここで、上記Ｓ１４におけるアライメントの調整方法について、図１１を参照して以下に説明する。
【０２４７】
図１１は、アライメント調整方法を示すフローチャートである。アライメントの調整は、図１１に示すフローに従って行われる。
【０２４８】
まず、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置を、イメージセンサ９０にて取り込む（Ｓ２１）。
【０２４９】
次に、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、画像検出部１０１にて、上記ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ２２１の画像検出を行う（Ｓ２２）。
【０２５０】
その後、上記画像検出部１０１にて検出されたアライメントマーカ２２１・８４の画像から、演算部１０２にて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量を計算し、基板位置の補正値を演算して決定する（Ｓ２３）。
【０２５１】
次いで、モータ駆動制御部１０３が、上記補正値に基づいてモータ７２を駆動することで、基板位置を補正する（Ｓ２４）。
【０２５２】
次いで、補正後の基板位置を再びイメージセンサ９０で検出してＳ２１〜Ｓ２５の工程（ステップ）を繰り返す。
【０２５３】
このように、本実施の形態によれば、繰り返し基板位置をイメージセンサ９０で検出して基板位置を補正することで、基板走査しながら基板位置を補正することが可能であり、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを精密アライメントしながら成膜することができる。
【０２５４】
上記発光層２３Ｒの膜厚は、往復走査（つまり、ＴＦＴ基板１０の往復移動）並びに走査速度により調整することができる。本実施の形態では、図１０に示すように、Ｓ１４による走査後、ＴＦＴ基板１０の走査方向を反転させ、Ｓ１４と同様の方法にて、Ｓ１４における上記赤色有機材料の蒸着位置に、さらに上記赤色有機材料を蒸着させた（Ｓ１６）。これにより、膜厚５０ｎｍの発光層２３Ｒを形成した。
【０２５５】
なお、Ｓ１４〜Ｓ１６において、ＴＦＴ基板１０における非蒸着領域がシャドウマスク８１の開口部８２上に位置するとき（例えば、Ｓ１４に示すステップ終了後、Ｓ１６で走査方向が反転されるまでの間）は、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間にシャッタ８９を挿入し、非蒸着領域に蒸着粒子が付着するのを防いだ（Ｓ１５）。
【０２５６】
ここで、上記Ｓ１５における、シャッタ８９を用いた蒸着制御について、図１２および図１３を参照して以下に説明する。
【０２５７】
図１２は、蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。また、図１３は、蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。
【０２５８】
まず、蒸着ＯＦＦ時のフローについて説明する。
【０２５９】
図１２に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置は、図１１で説明したように、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれている（Ｓ３１）。
【０２６０】
図１１で説明したように、画像検出部１０１は、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ２２１の画像検出を行っている。画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、蒸着領域の終端を示す終端マーカを検出することで、図１２に示すように、蒸着領域２１０の終端を検出する（Ｓ３２）。
【０２６１】
上記したように画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＦＦ信号を発生させる（Ｓ３３）。
【０２６２】
シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する（Ｓ３４）。シャッタ８９が閉鎖されると、蒸着粒子がマスクに到達しなくなり、蒸着ＯＦＦとなる（Ｓ３５）。
【０２６３】
次に、蒸着ＯＮ時のフローについて説明する。
【０２６４】
図１３に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置が、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれていることは、前記した通りである（Ｓ４１）。
【０２６５】
画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、蒸着領域の始端を示す始端マーカを検出することで、蒸着領域２１０の始端を検出する（Ｓ４２）。
【０２６６】
画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＮ信号を発生させる（Ｓ４３）。
【０２６７】
シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する（Ｓ４４）。シャッタ８９が開放されると、蒸着粒子がマスクに到達するようになり、蒸着ＯＮとなる（Ｓ４５）。
【０２６８】
また、上記Ｓ１６における往復走査は、以下のようにして行われる。まず、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで精密アライメントを行いながら基板を走査し、画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、モータ駆動制御部１０３によってモータ７２を駆動してＴＦＴ基板１０を反転させる。この間、Ｓ３１〜Ｓ３５に示すステップにより蒸着ＯＦＦし、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップでＴＦＴ基板１０の位置補正を行い、Ｓ４１〜Ｓ４５に示すステップによって蒸着領域２１０の始端で蒸着ＯＮする。そして、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで再度、精密アライメントを行いながら基板を走査する。
【０２６９】
このようにして、Ｓ１６で示したように、所望の膜厚の発光層２３Ｒが形成される。
【０２７０】
本実施の形態では、Ｓ１６に示すステップ後、上記発光層２３Ｒが形成されたＴＦＴ基板１０を上記真空チャンバ６０から取り出し（Ｓ１７）、緑色の発光層２３Ｇ形成用のマスクユニット８０並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒの成膜処理と同様にして緑色の発光層２３Ｇを成膜した。
【０２７１】
また、このようにして発光層２３Ｇを形成した後、青色の発光層２３Ｂ形成用のマスクユニット８０並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒ・２３Ｇの成膜処理と同様にして青色の発光層２３Ｂを成膜した。
【０２７２】
すなわち、上記発光層２３Ｇ・２３Ｂの成膜処理では、これら発光層２３Ｇ・２３Ｂに相当する位置に開口部８２を有するシャドウマスク８１をそれぞれ準備した。そして、それぞれのシャドウマスク８１を、発光層２３Ｇ・２３Ｂ形成用の各真空チャンバ６０に設置し、それぞれのシャドウマスク８１の開口部８２が、各サブ画素２Ｇ・２Ｂ列に一致するようにアライメントを行いながら、ＴＦＴ基板１０を走査して蒸着を行った。
【０２７３】
上記発光層２３Ｇは、その材料に、（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（緑色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（緑色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。
【０２７４】
また、発光層２３Ｂは、その材料に、ＴＡＺ（ホスト材料）と、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニルイル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−Ｂｕ  ＰＢＤ）（青色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（青色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。
【０２７５】
なお、上記発光層２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は、それぞれ５０ｎｍとした。
【０２７６】
以上の工程によって、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にパターン形成されたＴＦＴ基板１０を得た。
【０２７７】
本実施の形態によれば、上記した蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として使用し、上記した蒸着方法を用いて有機ＥＬ表示装置１を製造することで、従来と比較して、より大型の有機ＥＬ表示装置１を実現することができる。
【０２７８】
従来のマスク蒸着法では、シャドウマスクと被成膜基板とをアライメントして貼り合わせたり、磁力によりシャドウマスクと被成膜基板とを密着させたりしてシャドウマスクと被成膜基板とを一体化した状態で蒸着を行っていた。また、シャドウマスクを被成膜基板に対して相対移動させる場合、蒸着源は真空チャンバに固定された状態で、シャドウマスクを被成膜基板に対して相対移動させていたことから、シャドウマスクは、被成膜基板とほぼ同じ大きさに形成されていた。
【０２７９】
このため、シャドウマスクの自重撓みや延びにより、被成膜基板とシャドウマスクとの間に隙間が生じ、蒸着位置ズレや混色が発生し、高精細化が困難となるという問題があった。
【０２８０】
また、従来、蒸着源は真空チャンバに固定されていたことから、小型のシャドウマスクを使用し、シャドウマスクを移動させながら、被成膜基板の一部の領域に対して順次蒸着を行う場合、シャドウマスクのない領域で被成膜基板に蒸着粒子が付着しないように、付着防止のための遮蔽板が必要であり、それをシャドウマスクに合わせて、順次移動させる必要がある。この場合、構造が複雑化する。
【０２８１】
また、可動の遮蔽板を用いず、シャドウマスクの移動に合わせて、移動した領域毎に対応する蒸着源をＯＮし、それ以外をＯＦＦに切り替える場合、均一な蒸発分布を有する高度に制御された基板サイズの面蒸着源が必要となるばかりでなく、ＯＦＦの蒸着源は未稼働になるため、処理効率の低い装置となる。
【０２８２】
これに対し、本実施の形態では、上記したように、シャドウマスク８１と蒸着源８５とを一体化（相対位置を固定化）し、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ１を設け、ＴＦＴ基板１０を、シャドウマスク８１上を通過させて走査することで、シャドウマスク８１の開口部８２を通過した蒸着粒子をＴＦＴ基板１０に蒸着させている。
【０２８３】
すなわち、本実施の形態によれば、上記マスクユニット８０を用いて、上記ＴＦＴ基板１０とマスクユニット８０との間に一定の隙間ｇ１を有した状態で、例えば、ＴＦＴ基板１０をマスクユニット８０に対して相対移動させる。これにより、上記蒸着源８５の射出口８６から射出させた蒸着粒子を、上記シャドウマスク８１の開口部８２を介して上記ＴＦＴ基板１０の蒸着面における蒸着領域２１０に順次蒸着させることで、ＴＦＴ基板１０の蒸着領域２１０に、所定のパターンを成膜している。
【０２８４】
本実施の形態によれば、上記したように、シャドウマスク８１とＴＦＴ基板１０とが固定されておらず、自由に相対移動させることができるとともに、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を固定しているため、上記したようにＴＦＴ基板の蒸着領域２１０よりも面積が小さいシャドウマスク８１を用いてＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着することができる。このため、従来のようにＴＦＴ基板１０と同等サイズの大型のシャドウマスクを用いる必要がない。
【０２８５】
このため、従来のマスク蒸着法で問題となっていた、シャドウマスクの大型化に伴う自重撓みや延び、原反長さの制限によるサイズ限界等の問題が発生せず、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。
【０２８６】
また、本実施の形態によれば、上記したように、ＴＦＴ基板１０よりも面積的に小さいシャドウマスク８１を使用していることから、シャドウマスクの大型化に伴ってシャドウマスクを保持するフレームが巨大化・超重量化し、それを取扱う装置も巨大化・複雑化し、製造工程における取り扱いの危険性が生じるといった問題が発生することを抑制することができる。したがって、装置の設計が容易になり（装置の縮小化）、またマスク交換等の安全性が向上する。
【０２８７】
また、本実施の形態によれば、上記したようにシャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を固定していることから、基板走査に際し、例えばＴＦＴ基板１０を移動させるだけでよく、従来のようにシャドウマスクを被成膜基板に密着させた状態で移動させたり、このようにシャドウマスクを密着させた被成膜基板に対して蒸着源を移動させたりする必要性がない。
【０２８８】
したがって、シャドウマスクと被成膜基板とがずれないように強固に固定しつつ、なおかつ両方を移動させるための複雑な機構や、均一な膜厚を得るために蒸着源の精密な蒸着量制御、移動制御を行う不要がない。
【０２８９】
また、本実施の形態によれば、蒸着源８５からシャドウマスク８１に向かってほぼ垂直に飛散（飛翔）した蒸着粒子は、シャドウマスク８１の開口部８２を通って、ほぼ垂直に飛翔してＴＦＴ基板１０に付着し、蒸着膜２１１となる。このとき、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との隙間ｇ１は、ＴＦＴ基板１０を走査している間も一定に保持されるため、幅および膜厚が均一な蒸着膜２１１を形成することができる。
【０２９０】
また、従来は、真空チャンバ内に基板と蒸着源とを固定していたため、蒸着源から飛散（飛翔）した蒸着粒子の飛翔分布が基板走査方向にあった場合、その分布がそのまま膜厚分布となり、画面の輝度不均一を生じるという問題があった。
【０２９１】
しかしながら、本実施の形態によれば、上記したようにＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着を行うので、基板走査方向に蒸着粒子の飛翔分布があっても、走査方向の分布は平均化される。このため、画面の輝度の不均一が発生しない。
【０２９２】
したがって、本実施の形態によれば、基板面内で均一にパターン形成された有機層を得ることができ、表示品位の高い有機ＥＬ表示装置１を実現することができる。
【０２９３】
しかも、上記したようにＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着を行うことで、材料利用効率を高くしたまま、均一性の高い蒸着膜２１１を上記ＴＦＴ基板１０に形成することができる。
【０２９４】
また、本実施の形態によれば、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間には隙間ｇ１が設けられていることで、ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１に接触せず、シャドウマスク８１によりＴＦＴ基板１０が損傷されることがない。また、シャドウマスク８１によりＴＦＴ基板１０上の有機ＥＬ素子２０が損傷することを防止するためのマスクスペーサをＴＦＴ基板１０上に形成する必要もない。したがって、マスクスペーサを形成することによる有機ＥＬ表示装置１のコストアップを抑制することができる。
【０２９５】
さらに、本実施の形態によれば、上記したようにシャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を固定しているため、蒸着粒子が余計な部分（非蒸着領域）に付着することを防止するための遮蔽板は必要ではなく、たとえ遮蔽板を用いるとしても、遮蔽板を固定しておくだけでよく、構造を簡素なものとすることができる。
【０２９６】
また、本実施の形態では、マスクサイズの蒸着源８５を使用しており、基板サイズの面蒸着源は不要であり、蒸発分布の均一性も、基板走査方向に対して垂直な方向のみで制御できていればよい。
【０２９７】
加えて、従来のように基板サイズの蒸着源をＯＮ／ＯＦＦで切り替える必要がないため、処理効率が高くなる。
【０２９８】
なお、本実施の形態では、上記マスクユニット８０が、真空チャンバ６０内に固定配置された構成としたが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０２９９】
上記蒸着装置５０は、上記基板移動機構７０に代えて、被成膜基板２００を固定する基板保持部材７１（例えば静電チャック）を備えるとともに、上記マスクユニット８０を、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して相対移動させるマスクユニット移動機構（マスクユニット移動手段、調整手段）を備えていてもよい。あるいは、基板移動機構７０およびマスクユニット移動機構の両方を備えていてもよい。
【０３００】
すなわち、上記被成膜基板２００およびマスクユニット８０は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよく、何れを移動させる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【０３０１】
また、これらマスクユニット移動機構、マスクテンション機構８８、基板移動機構７０は、上記被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置を調整する調整手段としても機能する。
【０３０２】
なお、上記基板移動機構７０およびマスクユニット移動機構としては、例えば、ローラ式の移動機構であってもよく、油圧式の移動機構であってもよい。
【０３０３】
上記したように被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合、上記マスクユニット８０は、例えばマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）ごと、シャドウマスク８１および蒸着源８５を被成膜基板２００に対して相対移動させる。これにより、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して上記マスクユニット８０を相対移動させることができる。
【０３０４】
このように、被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、同一のホルダ（保持部材、保持手段）にて保持されることで、一体化されていることが好ましい。
【０３０５】
但し、上記したようにマスクユニット８０に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されていれば、必ずしも一体化されている必要はない。
【０３０６】
例えば、上記マスクユニット８０は、蒸着源８５が真空チャンバ６０の内壁における例えば底壁に固定されるとともに、マスク保持部材８７が、上記真空チャンバ６０の内壁の何れかに固定されることで、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置が固定されていても構わない。
【０３０７】
また、上記マスク保持部材８７とマスクテンション機構８８とは一体的に設けられていてもよい。例えば、上記マスク保持部材８７は、被成膜基板２００にテンションを掛けて機械的に挟んで保持するローラ等の保持部材であってもよい。
【０３０８】
また、上記マスク保持部材８７は、スライダ機構を有し、マスクテンション機構８８でシャドウマスク８１を挟んだ状態でマスク保持部材８７をスライドすることで、シャドウマスク８１にテンションを掛けるものであってもよい。
【０３０９】
本実施の形態において、シャドウマスク８１にテンションを掛けるための上記マスクテンション機構８８は、従来のように被成膜基板２００に対する治具（マスクジグ、取付具）としてではなく、蒸着装置５０の一部（機構）として設けられている。
【０３１０】
本実施の形態によれば、上記したように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ１を設けることで被成膜基板２００とシャドウマスク８１とを密着させない蒸着方式を使用し、蒸着装置５０に上記マスクテンション機構８８を設けることで、シャドウマスク８１の撓み並びに熱膨張を改善することができる。また、蒸着時の状況（例えば、シャドウマスク８１の熱膨張や被成膜基板２００の出来上がり精度）に合わせて、シャドウマスク８１のアライメント精度を、テンションで調整することができる。
【０３１１】
例えば、下記（Ｉ）または（II）の場合等に、シャドウマスク８１にテンションを掛けることで、シャドウマスク８１のサイズを、被成膜基板２００（より具体的には、画素パターン等の基板パターン）に合わせてさらに広げることができる。
（Ｉ）シャドウマスク８１に形成されている開口部８２が、シャドウマスク８１の作製段階で所望のサイズよりも小さく形成されており、テンションを掛けることで初めて所望のサイズにすることができる場合（すなわち、撓みが無くなった上に、さらに過剰のテンションを加えることで正確な寸法を得るようなマスク設計となっている場合
（II）被成膜基板２００に形成されている画素パターンが被成膜基板２００の熱履歴により、僅かに伸長していた場合
このように、上記シャドウマスク８１のテンション調整を行うことで、シャドウマスク８１の自重撓みや熱による撓みの補正と同時に、基板パターンに合わせて、シャドウマスク８１を伸長する量（シャドウマスク８１の伸長率）の調整を併せて行うことができる。
【０３１２】
なお、テンションによりシャドウマスク８１に伸びが生じると、シャドウマスク８１に撓みが生じる。このため、上記マスクテンション機構８８は、最小張力（ＭＩＮ）が設定されていることが好ましい。
【０３１３】
例えば、シャドウマスク８１にテンションが掛かり過ぎていると判断された場合、テンションを緩める方向にマスクテンション機構８８が働く。しかしながら、テンションを緩めすぎると、シャドウマスク８１が撓み過ぎて被成膜基板２００と接触するおそれがある。このため、少なくとも被成膜基板２００とシャドウマスク８１とが接触しないように最小張力が設定されていることが好ましい。
【０３１４】
また、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置ズレという問題と、シャドウマスク８１に撓みが発生するという問題とを比較した場合、撓みの発生の方が、成膜された蒸着膜２１１に重大な欠陥を与えるおそれがある。そのため、撓みの防止が優先されるように、マスクテンション機構８８には、最小張力が設定されていることが好ましい。
【０３１５】
また、上記マスクテンション機構８８は、最大張力（ＭＡＸ）に関しても設定されていることが好ましい。例えば、シャドウマスク８１にテンションが足りないと判断された場合、テンションを強める方向にマスクテンション機構８８が働く。しかしながら、過大なテンションは、シャドウマスク８１の断裂や歪みを発生させるおそれがある。したがって、このような問題の発生を防止することができるように、上記マスクテンション機構８８には、最大張力が設定されていることが好ましい。
【０３１６】
なお、シャドウマスク８１にテンションが掛かり過ぎているか否か、あるいは、テンションが足りないか否かは、例えば、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４と被成膜基板２００のアライメントマーカ２２１との位置関係から判断することができる。
【０３１７】
また、シャドウマスク８１に、シャドウマスク８１を絶対位置に合わせるための絶対位置合わせ用のアライメントマーカ等の基準位置マーカを設け、この基準マーカと、装置側の基準位置との位置関係とによって判断することもできる。
【０３１８】
なお、テンションによりシャドウマスク８１に伸びが生じた場合でも、設計の許容マージンまでは使用が可能である。しかしながら、予め、温度による伸び等も考慮し、シャドウマスク８１は、設計による絶対寸法（設計値）よりも小さく作成しておくことが望ましい。
【０３１９】
このようにシャドウマスク８１を設計値よりも小さく作製して熱によるシャドウマスク８１の伸びを吸収し、シャドウマスク８１にテンションを加えて被成膜基板２００への蒸着前にアライメント調整（すなわち、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ）を行うことで、蒸着位置の微調整を行うことができるとともに、熱によるシャドウマスク８１の変形を制御することができる。
【０３２０】
なお、上記被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせは、シャドウマスク８１を、その原点位置（装置的に決まっている初期位置）に合わせ、このシャドウマスク８１を基準として、該シャドウマスク８１に被成膜基板２００を合わせ込む方法（マスク基準）にて行われてもよく、被成膜基板２００を基準として、被成膜基板２００にシャドウマスク８１を合わせ込む方法（基板基準）にて行われてもよい。
【０３２１】
また、本実施の形態では、上記シャドウマスク８１の開口部８２は、上記蒸着源８５における射出口８６の配置に合わせて、各射出口８６が、平面視で何れかの開口部８２内に位置するとともに、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応して設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではない。開口部８２と射出口８６とは、必ずしも対向配置されている必要はなく、また、必ずしも１対１に対応していなくてもよい。
【０３２２】
具体的には、開口部８２のピッチｐと射出口８６のピッチとは一致しなくてもよい。また、開口部８２の幅ｄ５あるいは幅ｄ６と射出口８６の開口幅（開口径）とは一致していなくてもよい。例えば、図１に示す例において、射出口８６の開口径は、開口部８２の幅ｄ６よりも大きくても小さくても構わない。また、一つの開口部８２に対して複数の射出口８６が設けられていてもよく、複数の開口部８２に対して一つの射出口８６が設けられていてもよい。また、複数の射出口８６のうち一部（少なくとも一つ）の射出口８６、あるいは、射出口８６の一部の領域が、非開口部（つまり、シャドウマスク８１における開口部８２以外の領域（例えば開口部８２・８２間の領域））に対向して設けられていても構わない。
【０３２３】
但し、シャドウマスク８１の非開口部に蒸着粒子が付着する量を低減し、材料利用効率をできるだけ向上する観点からは、各射出口８６の少なくとも一部（つまり、少なくとも一部の領域）が、一つまたは複数の開口部８２に重畳するように、各射出口８６が、それぞれ、開口部８２に対向して設けられていることが好ましい。さらには、各射出口８６が、平面視で何れかの開口部８２内に位置するように射出口８６と開口部８２とが対向して設けられていることがより好ましい。
【０３２４】
また、材料利用効率の向上の観点からは、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応していることが望ましい。
【０３２５】
また、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、一次元（すなわち、ライン状）に配列されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。シャドウマスク８１の開口部８２と蒸着源８５の射出口８６とは、それぞれ二次元（すなわち、面状）に配列されていても構わない。
【０３２６】
また、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、それぞれ複数設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。上記シャドウマスク８１は、開口部８２を少なくとも１つ備えていればよく、蒸着源８５は、射出口８６を少なくとも１つ備えていればよい。
【０３２７】
つまり、シャドウマスク８１並びに蒸着源８５は、開口部８２並びに射出口８６が、それぞれ１つだけ設けられている構成を有していてもよい。この場合でも、マスクユニット８０および被成膜基板２００のうち少なくとも一方を相対移動させて、蒸着粒子をシャドウマスク８１の開口部８２を介して被成膜基板２００の蒸着領域２１０に順次蒸着させることで、被成膜基板２００に所定のパターンの成膜を行うことができる。なお、開口部８２並びに射出口８６の数は、特に限定されるものではなく、被成膜基板２００の大きさ等に応じて適宜設定すればよい。
【０３２８】
また、本実施の形態では、シャドウマスク８１が、スリット状の開口部８２（具体的には、基板走査方向にストライプ状に延設された開口部８２）を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記開口部８２の形状は、所望の蒸着パターンが得られるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。
【０３２９】
例えば、上記開口部８２の形状は、スロット形状を有していてもよい。なお、この場合にも、上記開口部８２の延設方向は、上記被成膜基板２００がＴＦＴ基板１０等のアレイ基板である場合、ストライプ状に形成された同一色のサブ画素の列方向と一致していることが望ましい。
【０３３０】
また、本実施の形態では、基板移動機構７０が、基板保持部材７１として静電チャックを備えている場合を例に挙げて説明した。このように、被成膜基板２００が静電チャックにより保持されていることで、被成膜基板２００の自重による撓みの発生を効果的に防止することができる。
【０３３１】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、被成膜基板２００の大きさによっては、例えば、上記基板保持部材７１としては、基板にテンションを掛けて機械的に挟んで保持するローラ等の保持部材を用いても構わない。
【０３３２】
また、本実施の形態では、シャッタ８９として、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能なシャッタが設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、例えば、蒸着源８５として、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えが可能な蒸着源８５を使用し、被成膜基板２００における、蒸着不要な部分がシャドウマスク８１の開口領域（つまり、開口部８２に対向する領域）に位置する場合には、蒸着をＯＦＦし、蒸着粒子が飛翔しないようにしてもよい。
【０３３３】
例えば、シャッタ８９として、蒸着源８５の射出口８６を閉鎖することで蒸着粒子の射出（放出）を止めるシャッタ８９が、蒸着源８５に設けられている構成としてもよい。
【０３３４】
あるいは、上記射出口８６にシャッタ８９を設ける代わりに、蒸着ＯＮ信号あるいは蒸着ＯＦＦ信号に基づいて、蒸着源８５の電源をＯＮ／ＯＦＦすることで、蒸着粒子の発生そのものを停止させる構成としても構わない。
【０３３５】
何れにしても、本実施の形態によれば、上記したように基板面積（基板サイズ）よりも小さなシャドウマスク８１を使用するとともに、シャドウマスク８１と蒸着源８５とが一体化されていることから、従来のように複数の蒸着源（あるいは射出口）のうち一部の蒸着源（あるいは射出口）をＯＦＦ／ＯＦＦ制御する必要はなく、非蒸着領域では、蒸着源８５そのもの、つまり、全ての射出口８６をＯＮまたはＯＦＦすればよい。したがって、複雑な機構を必要とせず、簡単にＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。
【０３３６】
また、本実施の形態では、前記したように、ＴＦＴ基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１の製造方法を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。本発明は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１にも好適に適用することができる。
【０３３７】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０の支持基板としてガラス基板を用いる場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０３３８】
これらＴＦＴ基板１０並びに封止基板４０における各支持基板としては、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、ガラス基板以外に、例えば、プラスチック基板等の透明基板を用いることもできる。一方、上記有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合には、上記支持基板としては、上記したような透明基板以外に、例えば、セラミックス基板等の不透明な基板を用いることもできる。
【０３３９】
また、本実施の形態では、陽極（本実施の形態では、第１電極２１）が、マトリクス状に形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記陽極としては、有機ＥＬ層に正孔を供給する電極としての機能を有していれば、その形状、材質、並びに大きさは、特に限定されるものではなく、例えばストライプ状に形成されていても構わない。但し、有機ＥＬ素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方は透明であることが好ましい。一般的には、透明な陽極が用いられる。
【０３４０】
また、本実施の形態において、上記走査速度、蒸着速度、上記ＴＦＴ基板１０の往復走査回数は、上記した値に限定されるものではない。これらを調整することにより、所望のタクトタイムで所望の膜厚を得ることができる。
【０３４１】
また、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１や、上記蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２も、上記した値に限定されるものではない。
【０３４２】
ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１は、隙間を一定に保持し、両者が接触しない範囲で適宜調整すればよい。
【０３４３】
また、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２は、蒸着粒子の空間的な広がりの分布や蒸着源８５から放射される熱の影響を鑑みて適宜調整すればよい。
【０３４４】
また、本実施の形態では、演算部１０２が、画像検出部１０１で検出された画像より、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量を決定するに際し、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量から、被成膜基板２００の基板位置の補正値を演算して決定する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、記憶部（記憶手段）に予め記憶されたルックアップテーブルを用いてアライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量から、被成膜基板２００の基板位置の補正値を決定してもよい。
【０３４５】
すなわち、上記制御回路１００は、上記ルックアップテーブルが記憶されている記憶部と、上記ルックアップテーブルを用いて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量から、被成膜基板２００の基板位置の補正値を選択（決定）する選択部とを備えているものであってもよい。
【０３４６】
〔実施の形態２〕
本実施の形態について主に図１４〜図１６に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３４７】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０３４８】
図１４は、有機ＥＬ表示装置１の変形例を示す断面図である。
【０３４９】
本実施の形態では、図８に示す有機ＥＬ表示装置１に代えて、図１４に示す有機ＥＬ表示装置１を製造する方法について説明する。
【０３５０】
本実施の形態では、正孔輸送層の膜厚を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色毎、つまり、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に、変化させて最適化している。
【０３５１】
図１４に示す有機ＥＬ表示装置１は、図８に示す有機ＥＬ表示装置１における正孔注入層兼正孔輸送層２２に代えて、正孔注入層２７と、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂとを備えている。正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂは、それぞれ同一の材料からなり、その膜厚のみがそれぞれ異なっている。
【０３５２】
本実施の形態では、図１４に示すように、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける各開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ内には、正孔輸送層２８Ｒおよび発光層２３Ｒ、正孔輸送層２８Ｇおよび発光層２３Ｇ、正孔輸送層２８Ｂおよび発光層２３Ｂが、それぞれ、正孔注入層２７側からこの順に隣接して積層されている。
【０３５３】
本実施の形態では、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂに加え、上記正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂに対しても、塗り分け形成（パターン形成）を行う。
【０３５４】
図１５は、図１４に示す有機ＥＬ表示装置１の製造工程を、工程順に示すフローチャートである。また、図１６の（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、赤色のサブ画素２Ｒ、緑色のサブ画素２Ｇ、青色のサブ画素２Ｂでの蒸着時におけるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とのアライメントを示す平面図であり、図１６の（ａ）は赤色のサブ画素２Ｒでの蒸着時、図１６の（ｂ）は緑色のサブ画素２Ｇでの蒸着時、図１６の（ｃ）は青色のサブ画素２Ｂでの蒸着時における平面図を示す。
【０３５５】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図１５に示すように、正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）に代えて、正孔注入層蒸着工程（Ｓ５１）と、正孔輸送層蒸着工程（Ｓ５２）とを備えている。
【０３５６】
なお、Ｓ２以外のステップ（工程）については、前記実施の形態１に記載の各ステップと同じである。したがって、本実施の形態では、正孔注入層蒸着工程（Ｓ５１）および正孔輸送層蒸着工程（Ｓ５２）以外の各ステップについては、その説明を省略する。
【０３５７】
本実施の形態では、前記実施の形態１におけるＴＦＴ基板作製工程（Ｓ１）と同様にして作製されたＴＦＴ基板１０に対し、まず、前記実施の形態１と同様に、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
【０３５８】
その後、従来の蒸着装置を用いて、前記実施の形態１と同様にして、正孔注入層２７を、ＴＦＴ基板１０内の表示領域全面に対して蒸着する（Ｓ５１）。
【０３５９】
本実施の形態では、正孔注入層２７の材料として、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）−トリフェニルアミン）を使用し、その膜厚は３０ｎｍとした。
【０３６０】
次に、前記実施の形態１に記載した蒸着装置５０を用いて、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの塗り分け形成を行う（Ｓ５２）。
【０３６１】
図１６の（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１０には、アライメントマーカ２２１として、サブ画素２Ｒ用のアライメントマーカ２２１Ｒ、サブ画素２Ｇ用のアライメントマーカ２２１Ｇ、サブ画素２Ｂ用のアライメントマーカ２２１Ｂがそれぞれ設けられている。また、シャドウマスク８１には、アライメントマーカ８４として、サブ画素２Ｒ用のアライメントマーカ８４Ｒ、サブ画素２Ｇ用のアライメントマーカ８４Ｇ、サブ画素２Ｂ用のアライメントマーカ８４Ｂがそれぞれ設けられている。
【０３６２】
正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの蒸着時には、図１０においてＳ１１およびＳ１４で示す、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とのアライメントにおいて、まず、サブ画素２Ｒ用のアライメントマーカ８４Ｒ・２２１Ｒを用いてアライメントを行う。
【０３６３】
その後、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂとは材料が異なるだけで同様の蒸着方法を用いて、サブ画素２Ｒの正孔輸送層２８Ｒを形成する。
【０３６４】
次に、正孔輸送層２８Ｒが形成されたＴＦＴ基板１０を、基板走査方向と垂直の方向にずらし、サブ画素２Ｇ用のアライメントマーカ８４Ｇ・２２１Ｇを用いてアライメントを行い、正孔輸送層２８Ｒと同様にして、サブ画素２Ｇ用の正孔輸送層２８Ｇを形成する。
【０３６５】
その後、正孔輸送層２８Ｇが形成されたＴＦＴ基板１０を、基板走査方向と垂直の方向にずらし、サブ画素２Ｂ用のアライメントマーカ８４Ｂ・２２１Ｂを用いてアライメントを行い、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇと同様にして、サブ画素２Ｂ用の正孔輸送層２８Ｂを形成する。
【０３６６】
これら正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの各膜厚は、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０の走査速度や往復回数を変えることで、変えることができる。
【０３６７】
本実施の形態では、サブ画素２Ｒ、サブ画素２Ｂ、サブ画素２Ｇの順（つまり、正孔輸送層２８Ｒ、正孔輸送層２８Ｂ、正孔輸送層２８Ｇの順）に膜厚が厚くなるように各正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの膜厚が設定されている。
【０３６８】
本実施の形態では、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの材料としてα―ＮＰＤを使用し、それぞれの膜厚は、順に、５０ｎｍ、１５０ｎｍ、１００ｎｍとした。
【０３６９】
このように、本実施の形態によれば、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの膜厚を、各色（各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）で可変させることができるので、マイクロキャビティ効果を、各色で最適化することができる。
【０３７０】
なお、マイクロキャビティ効果とは、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに形成された光学的な共振構造により、第１電極２１と第２電極２６との間で発生した光が往復して共振し、その結果、発光スペクトルの先鋭化および色純度の向上が生じる現象である。
【０３７１】
最適なマイクロキャビティ効果が生じる光学的距離は各色の発光波長で異なるため、各色で光学的距離を調整する必要があり、その一つの方法として、上記したように、特定の有機層の膜厚を可変させる方法がある。
【０３７２】
なお、本実施の形態では、上記したように、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂの膜厚を、各色毎に変更したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂに限らず、正孔注入層２７、電子輸送層２４、電子注入層２５、あるいは、前記した図示しないキャリアブロッキング層等についても、本発明の方法により、各色毎に膜厚を変えて形成してもよい。
【０３７３】
また、本実施の形態によれば、上記したように、図１６の（ａ）〜（ｃ）に示すアライメント方法により正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂをサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に個別に形成することで、シャドウマスク８１をサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に入れ替える必要がなく、また、同一の真空チャンバ６０で正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂを形成することができる。
【０３７４】
しかも、ＴＦＴ基板１０の走査速度や往復回数で膜厚を制御できるため、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸発するレート（蒸着レート）を、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂ毎に変える必要がない。
【０３７５】
従来、蒸着レートを可変させるには、例えば蒸着源にルツボを用いる場合、温度により制御を行う必要があった。このため、温度の安定化に時間がかかったり、温度のふらつきに伴って蒸着レートにバラツキが生じたりし易いという問題点があった。
【０３７６】
しかしながら、本実施の形態によれば、上記したように、温度制御ではなく、走査速度や往復回数で膜厚を制御することができるため、そのような不具合は発生しない。
【０３７７】
なお、本実施の形態では、上記したように、ＴＦＴ基板１０に、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ用のアライメントマーカ２２１Ｒ・２２１Ｇ・２２１Ｂを設けるとともに、シャドウマスク８１に、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ用のアライメントマーカ８４Ｒ・８４Ｇ・８４Ｂを設ける場合を例に挙げて説明した。
【０３７８】
しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、上記アライメントマーカ２２１Ｒ・２２１Ｇ・２２１Ｂあるいはアライメントマーカ８４Ｒ・８４Ｇ・８４Ｂの何れかを、共通させてもよい。
【０３７９】
例えば、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４のパターンを一つだけとし、そのアライメントマーカ８４を、ＴＦＴ基板１０における各アライメントマーカ２２１Ｒ・２２１Ｇ・２２１Ｂに順次合わせて蒸着を行うことで、各正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂを個別に形成してもよい。また、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４としてアライメントマーカ８４Ｒ・８４Ｇ・８４Ｂをサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に形成し、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１をサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂで共通化して一つだけとすることもできる。
【０３８０】
なお、各色用の蒸着源８５およびシャドウマスク８１を基板走査方向に並列配置して、各色（各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）毎に正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂを形成する場合には、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０およびシャドウマスク８１に一つずつ設けられていればよく、これにより、インライン蒸着を行ってもよい。
【０３８１】
〔実施の形態３〕
本実施の形態について主に図１７および図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３８２】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１、２との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１、２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０３８３】
図１７は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の主要構成要素の鳥瞰図である。また、図１８は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０（図３参照）内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【０３８４】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、実施の形態１に示す蒸着装置５０と同様の構成要素を有している。なお、図１７および図１８では、一部の構成要素については、図示を省略している。
【０３８５】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、図１７および図１８に示すように、マスクユニット８０と被成膜基板２００を保持する基板保持部材７１との配置が、上下に反転している点で、実施の形態１にかかる蒸着装置５０と異なっている。
【０３８６】
本実施の形態において、基板保持部材７１は、例えばｘｙステージと称される、ｘ方向およびｙ方向に移動可能に設けられた基板ステージを備え、被成膜基板２００は、該基板ステージにより保持されている。なお、上記基板ステージは、静電チャック機能を有していてもよい。また、基板保持部材７１は、上記基板ステージに代えて、前記実施の形態１で説明したようにローラを備え、ローラによって被成膜基板２００を保持して移動させるものであってもよい。
【０３８７】
また、本実施の形態でも、マスクユニット８０は、例えば、真空チャンバ６０に固定され、シャドウマスク８１と蒸着源８５とを例えば載置することにより収容・固定する、ホルダ等の、図示しないマスク保持部材（マスク保持部材８７、図３参照）によって、シャドウマスク８１と蒸着源８５とが一体的に保持されている。なお、上記マスク保持部材は、真空チャンバ６０の天壁もしくは周壁に固定されていてもよく、底壁から延びる図示しない支軸（支柱）によって底壁に固定されていてもよい。
【０３８８】
また、マスクユニット８０を固定し、被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させる場合には、例えば、蒸着源８５は、真空チャンバ６０（図３参照）の天壁に直接固定されており、シャドウマスク８１が、図示しないマスク保持部材によって、上記真空チャンバ６０の内壁の何れかに固定されていてもよい。また、真空チャンバ６０の天壁に、蒸着源８５の射出口８６が設けられた天窓を設け、蒸着源８５の本体部分は、真空チャンバ６０の外側に配置（載置）してもよい。何れにしても、上記マスクユニット８０は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置が固定されてさえいればよい。
【０３８９】
本実施の形態では、図１７および図１８に示すように、蒸着源８５およびシャドウマスク８１が被成膜基板２００の上方に配されていることで、蒸着粒子は、蒸着源８５の射出口８６から、下方に向けて射出される。
【０３９０】
なお、蒸着源８５は、下方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。蒸着源８５から射出された蒸着粒子は、シャドウマスク８１の開口部８２を通って、その下を通過する被成膜基板２００の蒸着領域２１０（図１参照）に蒸着される。
【０３９１】
すなわち、前記実施の形態１に記載の蒸着方法では、デポアップにより蒸着を行っていたのに対し、本実施の形態では、上記したように蒸着源８５が被成膜基板２００の上方に配されており、上記したようにシャドウマスク８１の開口部８２を介して蒸着粒子を上方から下方に向かって被成膜基板２００に蒸着（ダウンデポジション、以下、「デポダウン」と記す）させている。
【０３９２】
実施の形態１では、被成膜基板２００の自重撓みを防止し、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との距離を一定に維持するために、基板保持部材７１として、静電チャックにより被成膜基板２００を吸着していた。しかしながら、本実施の形態では、上記したようにデポダウンにより蒸着を行うため、上記したように基板ステージあるいはローラにより、自重撓みが生じない程度に被成膜基板２００を保持していればよい。
【０３９３】
したがって、本実施の形態によれば、蒸着装置５０の構造を簡素なものとすることが可能であり、吸着不良により、大型の被成膜基板２００が落下する危険性がなく、蒸着装置５０の安定稼働並びに歩留りの向上が期待できる。
【０３９４】
〔実施の形態４〕
本実施の形態について主に図１９の（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３９５】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜３との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０３９６】
図１９の（ａ）は本実施の形態にかかる蒸着装置５０の真空チャンバ６０内における、蒸着時のマスクユニット８０と被成膜基板２００との位置関係を示す平面図であり、図１９の（ｂ）・（ｃ）は、それぞれ、基板走査方向の一例を矢印にて示す図である。なお、図１９の（ａ）では、一部の構成要素については、図示を省略している。
【０３９７】
本実施の形態は、図１９の（ａ）に示すように、マスクユニット８０におけるシャドウマスク８１の開口部８２の長軸方向に被成膜基板２００を走査する点で、実施の形態１とは異なっている。
【０３９８】
すなわち、本実施の形態では、図１０に示すＳ１２において、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を用いて、基板走査方向とシャドウマスク８１の開口部８２の長軸方向とが一致するようにアライメントが行われる。
【０３９９】
したがって、本実施の形態では、図１９の（ａ）に示すように、被成膜基板２００における蒸着領域２１０の外側に、基板走査方向に垂直な方向、つまり、蒸着領域２１０の長辺２１０ａに沿って、アライメントマーカ部２２０が設けられる。
【０４００】
また、本実施の形態でも、前記実施の形態１同様、開口部８２は、シャドウマスク８１の長軸方向である長辺８１ａに沿ってストライプ状に形成されている。
【０４０１】
このため、本実施の形態では、被成膜基板２００は、図１０に示すＳ１３において、被成膜基板２００の長軸方向とシャドウマスク８１の短軸方向とが一致するように、基板保持部材７１によって、前記実施の形態１とは９０°回転した状態で保持される。
【０４０２】
本実施の形態では、例えば図１９の（ａ）〜（ｃ）に示すように、被成膜基板２００を、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の一辺（短辺２１０ｂ）に沿ってシャドウマスク８１に対して相対移動させた後、上記辺に直交する辺（長辺２１０ａ）に沿って相対移動させる。
【０４０３】
本実施の形態では、図１０に示すＳ１３の後、蒸着工程として、上記被成膜基板２００の蒸着領域２１０の一辺に沿った相対移動と、該辺に直交する辺に沿った相対移動とが繰り返し行われる（ジグザグ移動、ジグザグ走査）。
【０４０４】
本実施の形態では、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わない。
【０４０５】
被成膜基板２００には、図１９の（ａ）に示すように、基板走査方向において、被成膜基板２００の蒸着領域２１０を挟んで、２つのアライメントマーカ部２２０が設けられている。
【０４０６】
そこで、以下、説明の便宜上、上記アライメントマーカ部２２０のうち、図１９の（ａ）に実線で示すように走査開始時に、基板走査方向において上流側（始端側）に位置するアライメントマーカ部２２０を、「第１のアライメントマーカ部２２０」と称し、他方のアライメントマーカ部２２０を、「第２のアライメントマーカ部２２０」と称する。
【０４０７】
本実施の形態において、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とは、まず、図１９に実線にて示すように、被成膜基板２００の蒸着領域２１０がシャドウマスク８１の開口部８２に重畳しないように、シャドウマスク８１の蒸着領域外においてアライメントされる。
【０４０８】
具体的には、まず、被成膜基板２００の第１のアライメントマーカ部２２０におけるアライメントマーカ２２１を始端マーカとして、該始端マーカと、上記第１のアライメントマーカ部２２０に対向する、シャドウマスク８１のアライメントマーカ部８３（以下、説明の便宜上、「第１のアライメントマーカ部８３」と称する）におけるアライメントマーカ８４とにより、アライメントが行われる。
【０４０９】
次いで、図１９の（ａ）に二点鎖線並びに矢印にて示すように、シャドウマスク８１の長軸方向（すなわち、被成膜基板２００の短軸方向）に沿って被成膜基板２００を走査する。
【０４１０】
これにより、シャドウマスク８１の開口部８２を介して、被成膜基板２００における蒸着領域２１０に、実施の形態例１とは９０°異なる方向に、前記したストライプ状の蒸着膜２１１を形成する。
【０４１１】
次いで、図１９の（ａ）の最下段に示すように、上記被成膜基板２００の蒸着領域２１０がシャドウマスク８１の開口部８２を完全に通過することで、被成膜基板２００が蒸着領域２１０外まで走査されると、上記第１のアライメントマーカ部２２０・８３とは反対側の第２のアライメントマーカ部２２０・８３における、前記したアライメントマーカ２２１・８４を用いて、再度アライメントを行う。
【０４１２】
このとき、上記第２のアライメントマーカ部２２０におけるアライメントマーカ２２１を終端マーカとして、上記第２のアライメントマーカ部２２０・８３におけるアライメントマーカ２２１・８４を用いて、図１９の（ａ）・（ｂ）に矢印並びに二点鎖線で示すように、被成膜基板２００を、シャドウマスク８１の短軸方向にずらす。そして、被成膜基板２００を、上記したようにシャドウマスク８１の短軸方向にずらしたときの上記第２のアライメントマーカ部２２０におけるアライメントマーカ２２１を始端マーカとして、上記第２のアライメントマーカ部２２０・８３におけるアライメントマーカ２２１・８４を用いてアライメントを行う。
【０４１３】
その後、図１９の（ａ）・（ｂ）に示すように、それまでとは反対方向（つまり、１回目の基板走査方向とは反対方向）に被成膜基板２００を走査することで、未蒸着領域に対して、さらに被成膜基板２００を走査する。
【０４１４】
なお、このとき、往復走査にて同一箇所に複数回蒸着を行う場合は、図１９の（ｃ）に矢印にて示すように、シャドウマスク８１の長軸方向に沿って、基板走査方向を反転させて、同一箇所への蒸着を繰り返す。そして、この往復走査によって、蒸着領域２１０の一部の領域に、所望の膜厚の蒸着膜２１１が形成されると（ｎ回目走査が完了）、上記したように、被成膜基板２００をシャドウマスク８１の短軸方向にずらし、未蒸着領域に対して、ｎ回目走査と同じようにしてｎ＋１回目の走査を行う。これを繰り返すことで、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の全面に、ストライプ状の蒸着膜２１１を形成することができる。
【０４１５】
これにより、被成膜基板２００における、基板走査方向に垂直な方向の蒸着領域２１０の幅（本実施の形態ではシャドウマスク８１の短辺８１ｂに対向する長辺２１０ａの幅ｄ４よりも、基板走査方向に垂直な方向の幅（短辺８１ｂの幅ｄ２）が短いシャドウマスク８１を用いて、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の全面に、所望の膜厚の蒸着膜２１１を形成することができる。
【０４１６】
したがって、本実施の形態によれば、シャドウマスク８１のさらなる小型化を図るとともに、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の各辺よりも全ての辺の幅が短いシャドウマスク８１を用いることも可能である。
【０４１７】
また、本実施の形態において、被成膜基板２００の停止は、基板走査方向を反転させる（切り替える）一瞬のみで、移動中も蒸着を行うため、タクトタイムが長くならない。
【０４１８】
〔実施の形態５〕
本実施の形態について主に図２０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４１９】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜４との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜４で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４２０】
図２０は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の真空チャンバ６０内における、蒸着時のマスクユニット８０と被成膜基板２００との位置関係を示す平面図である。なお、図２０では、一部の構成要素については、図示を省略している。
【０４２１】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、図２０に示すように、同一の真空チャンバ６０内に、複数のマスクユニット８０が設けられており、各マスクユニット８０における矩形（帯状）のシャドウマスク８１が、その短軸方向に複数並んで設けられている点で、前記実施の形態４における蒸着装置５０と異なっている。
【０４２２】
具体的には、上記真空チャンバ６０内には、マスクユニット８０として、発光層２３Ｒ形成用のマスクユニット（以下、「マスクユニット８０Ｒ」と記す）、発光層２３Ｇ形成用のマスクユニット（以下、「マスクユニット８０Ｇ」と記す）、発光層２３Ｂ形成用のマスクユニット（以下、「マスクユニット８０Ｂ」と記す）の３つのマスクユニットが設けられている。
【０４２３】
マスクユニット８０Ｒは、シャドウマスク８１および蒸着源８５として、発光層２３Ｒ形成用のシャドウマスク（以下、「シャドウマスク８１Ｒ」と記す）と、該シャドウマスク８１Ｒに対して相対的に位置が固定された蒸着源（以下、「蒸着源８５Ｒ」と記す）とを備えている。
【０４２４】
同様に、マスクユニット８０Ｇは、シャドウマスク８１および蒸着源８５として、発光層２３Ｇ形成用のシャドウマスク（以下、「シャドウマスク８１Ｇ」と記す）と、該シャドウマスク８１Ｇに対して相対的に位置が固定された蒸着源（以下、「蒸着源８５Ｇ」と記す）とを備えている。
【０４２５】
マスクユニット８０Ｂは、シャドウマスク８１および蒸着源８５として、発光層２３Ｂ形成用のシャドウマスク（以下、「シャドウマスク８１Ｂ」と記す）と、該シャドウマスク８１Ｂに対して相対的に位置が固定された蒸着源（以下、「蒸着源８５Ｂ」と記す）とを備えている。
【０４２６】
これらマスクユニット８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂにおける各シャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂは、それぞれ、互いの長辺８１ａ同士が近接するように並列して設けられている。
【０４２７】
本実施の形態でも、前記実施の形態４と同じく、Ｓ１２において、基板走査方向とシャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂにおけるそれぞれの開口部８２の長軸方向とが一致するようにアライメントが行われる。
【０４２８】
また、被成膜基板２００は、Ｓ１３において、被成膜基板２００の長軸方向とシャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂの短軸方向とが一致するように、前記実施の形態４同様、基板保持部材７１によって、前記実施の形態１とは９０°回転した状態で保持され、Ｓ１３の後、蒸着工程として、前記実施の形態４と同様のジグザグ移動によるジグザグ走査が行われる。
【０４２９】
図２０は、被成膜基板２００が、シャドウマスク８１Ｇ・８１Ｂに跨がっている状態を示している。
【０４３０】
本実施の形態によれば、各色の走査速度や往復回数を調整して一致させることで、図２０に示すように、被成膜基板２００が、複数のシャドウマスク８１に跨がりながら、複数の有機層（例えば発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのうち少なくとも２つ）を、同一の被成膜基板２００に、同時に蒸着させることができる。
【０４３１】
従来の蒸着装置並びに蒸着方法では、例えば各色の発光層を塗り分け形成する場合、発光層毎に真空チャンバを用意するか、同一の真空チャンバでシャドウマスクおよび蒸着源を切り替え（取り替え）、時系列的に別々に（非同時に）各発光層を形成するしかなかった。
【０４３２】
しかしながら、本実施の形態によれば、上記したように複数の有機層を同時に蒸着させることができることから、上記したように各色のシャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂを一つの真空チャンバ６０内に収容することで、一つの真空チャンバ６０だけで、全ての発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのパターンを形成することができる。
【０４３３】
さらに、上記したように複数の有機層を同時に蒸着することで、蒸着装置５０のタクトタイムを短くすることができる。
【０４３４】
〔実施の形態６〕
本実施の形態について主に図２１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４３５】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜５との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜５で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４３６】
図２１は、本実施の形態にかかるマスクユニット８０におけるシャドウマスク８１の開口部８２の長軸方向と基板走査方向との関係を示す平面図である。
【０４３７】
本実施の形態でも、被成膜基板２００は、前記実施の形態４と同じく、Ｓ１３において、被成膜基板２００の長軸方向とシャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂの短軸方向とが一致するように、基板保持部材７１によって、前記実施の形態１とは９０°回転した状態で保持される。
【０４３８】
但し、前記実施の形態４ではジグザグ走査したが、本実施の形態では、図２０に示すように、実施の形態１と同様に、シャドウマスク８１の短軸方向に沿って被成膜基板２００を走査する。
【０４３９】
このため、本実施の形態では、被成膜基板２００を連続的に移動させるのではなく、被成膜基板２００における蒸着領域２１０の一部の領域に、シャドウマスク８１の開口部８２と同じ形状の蒸着膜２１１を形成した後、開口部８２が未蒸着領域に位置するように、シャドウマスク８１の短軸方向に沿って、所定の幅、例えば開口部８２のピッチｐと開口部８２の個数とを掛けた分の幅だけ、被成膜基板２００を相対移動（シフト）させる。そして、この状態で、被成膜基板２００を保持して静止させて未蒸着領域に、シャドウマスク８１の開口部８２と同じ形状の蒸着膜２１１を形成する。なお、本実施の形態において、「静止」とは、シャドウマスク８１および被成膜基板２００の走査方向への相対移動を停止すること、つまり、走査を停止することを意味する。
【０４４０】
このため、本実施の形態では、上記蒸着源８５として、射出口８６が二次元的に配置された面蒸着源を使用する。本実施の形態では、蒸着源８５の射出口８６は、シャドウマスク８１の開口部８２の全面に配置される。
【０４４１】
つまり、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２全体において蒸着粒子を蒸着させることができるように、一つの開口部８２に対して複数の射出口８６が設けられているとともに、各射出口８６は、各開口部８２の長軸方向に沿って配列して設けられている。
【０４４２】
本実施の形態では、上記したように、蒸着→ずらして保持、静止→蒸着→少しずらして保持、静止→蒸着というように、静止状態、つまり、走査を停止した状態での蒸着（成膜）と、相対移動とを繰り返すことで、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の全面に、シャドウマスク８１の開口部８２と同じ形状の蒸着膜２１１を形成することができる。
【０４４３】
本実施の形態によれば、上記したように、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との相対移動による走査は断続的に行われる。
【０４４４】
但し、このようにシャドウマスク８１と被成膜基板２００との相対移動による走査を断続的に行う場合であっても、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との相対的な位置合わせ、つまり、アライメント調整および基板−マスクギャップの調整（ギャップコントロール）は、継続して行われることが好ましく、蒸着そのものをストップする必要はない。
【０４４５】
すなわち、本実施の形態では、シャドウマスク８１および被成膜基板２００の走査を停止させたときにも、アライメント調整および基板−マスクギャップの調整は継続して行われることが好ましい。
【０４４６】
このようにアライメントおよびギャップコントロールを継続して行い続けることで、例えばシャッタ８９を閉じる等して静止状態での成膜をストップして次の走査工程（例えば基板走査工程）に入ったとしても、次回静止時に、アライメントおよびギャップコントロールを改めて一からやり直す必要がなくなるので、タクトタイムを短くすることができる。
【０４４７】
〔実施の形態７〕
本実施の形態について主に図２４および図２５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４４８】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜６との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜６で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４４９】
図２４は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の被成膜基板２００とマスクユニット８０とを被成膜基板２００の裏面側から見た平面図である。また、図２５は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図２５は、図２４に示すＣ−Ｃ線矢視断面から見たときの蒸着装置５０の断面に相当する。但し、本実施の形態でも、図示の便宜上、シャドウマスク８１の開口部や蒸着膜等の構成の一部を省略している。
【０４５０】
本実施の形態では、主に、マスクユニット８０の構成について説明する。
【０４５１】
図２４および図２５に示すように、本実施の形態にかかるマスクユニット８０におけるマスクテンション機構８８は、シャドウマスク８１を、テンションを掛けた状態で装置（すなわち、蒸着装置５０）に固定（張着）するマスククランプ１３０（クランプ、クランプ手段）を備えている。上記マスククランプ１３０は、シャドウマスク８１の長手方向両端部（すなわち、短辺８１ｂ・８１ｂ）にそれぞれ設けられている。
【０４５２】
また、上記マスクユニット８０は、シャドウマスク８１を支持するマスク保持部材８７として、シャドウマスク８１との当接部にマスク支持部１４１・１４１（マスク支持棒、マスク保持台）を有するマスク固定台を備えている。すなわち、本実施の形態において、上記マスク支持部１４１・１４１は、シャドウマスク８１との当接部材として機能する。
【０４５３】
なお、本実施の形態でも、マスク保持部材８７は、真空チャンバ６０の天壁もしくは周壁に固定されていてもよく、底壁から延びる図示しない支軸（支柱）によって底壁に固定されていてもよい。したがって、上記マスク支持部１４１・１４１は、真空チャンバ６０の天壁もしくは周壁に固定されていてもよく、底壁から延びる図示しない支軸（支柱）によって底壁に固定されていてもよい。すなわち、上記マスク支持部１４１・１４１そのものが、シャドウマスク８１を支持する支持部材（マスク保持手段）であってもよい。
【０４５４】
また、上記マスク固定台（マスク保持部材８７）として、シャドウマスク８１および蒸着源８５を保持・固定するホルダを使用する場合、上記マスク支持部１４１・１４１は、蒸着源８５を保持・固定するホルダの一部であってもよい。すなわち、上記マスク支持部１４１・１４１は、蒸着源８５を保持・固定するホルダに取り付けられていてもよい。
【０４５５】
したがって、上記マスククランプ１３０・１３０は、シャドウマスク８１を、テンションを掛けた状態で、例えば真空チャンバ６０の内壁の何れかに固定するものであってもよく、ホルダ等のマスク保持部材８７に固定するものであってもよい。
【０４５６】
なお、上記マスククランプ１３０・１３０は、シャドウマスク８１を、テンションを掛けた状態で装置に固定することができさえすればよく、その材質並びに形状は特に限定されない。
【０４５７】
すなわち、上記マスククランプ１３０・１３０としては、テンションを掛けていない状態での、マスククランプ１３０・１３０が取り付けられたシャドウマスク８１の全長が、マスク支持部１４１・１４１上を経由して装置内部のシャドウマスク８１の固定部間を結ぶ直線距離（長さ）よりも短く、テンションをかけることで、装置内部のシャドウマスク８１の固定部間にシャドウマスク８１を張架することができるものであればよい。なお、ここで、「マスク支持部１４１・１４１上を経由して装置内部のシャドウマスク８１の固定部間」とは、蒸着装置５０におけるシャドウマスク８１の固定位置間」を示す。
【０４５８】
また、上記マスクテンション機構８８は、図２５に示すように、マスククランプ１３０・１３０によって、シャドウマスク８１に斜め方向にテンションを掛けるものであることが好ましい。
【０４５９】
上記マスク支持部１４１・１４１は、例えば、図２４および図２５中、シャドウマスク８１の下側（すなわち、シャドウマスク８１における、被成膜基板２００との対向面とは反対側）における、マスククランプ１３０・１３０と、蒸着領域である開口部形成領域（すなわち、開口部８２群）との間の領域（具体的には、シャドウマスク８１の長手方向両端部近傍）に設けられている。
【０４６０】
これにより、図２４および図２５に示す例では、上記マスククランプ１３０・１３０が、マスク支持部１４１・１４１を支点として、シャドウマスク８１に、斜め下方向にテンションを掛けている。
【０４６１】
すなわち、上記マスク支持部１４１・１４１は、上記シャドウマスク８１を載置することにより、上記シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行を保った状態でシャドウマスク８１を保持するとともに、上記シャドウマスク８１にテンションを掛ける際の支点として機能する。
【０４６２】
このように、本実施の形態によれば、上記したように、マスクテンション機構８８として、マスク支持部１４１・１４１を有するマスク固定台を設け、シャドウマスク８１に斜め下方向にテンションを付与することで、シャドウマスク８１のうねりを防止することができる。この結果、精度良く、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とをアライメントすることができる。また、蒸着領域２１０についてもシャドウマスク８１のうねりが軽減されることから、被成膜基板２００の蒸着ズレを改善することができる。
【０４６３】
このように、本実施の形態でも、前記実施の形態１同様、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うことで、被成膜基板２００における蒸着位置を調整することができる。
【０４６４】
また、本実施の形態でも、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせは、シャドウマスク８１を、蒸着装置５０の原点に合わせ、このシャドウマスク８１を基準として、該シャドウマスク８１に被成膜基板２００を合わせ込む方法（マスク基準）にて行われてもよく、被成膜基板２００を基準として、被成膜基板２００にシャドウマスク８１を合わせ込む方法（基板基準）にて行われてもよい。
【０４６５】
なお、本実施の形態では、上記したように、マスククランプ１３０によって、シャドウマスク８１の位置およびテンションを調整する。
【０４６６】
したがって、本実施の形態によれば、マスククランプ１３０をその原点位置（装置的に決まっている初期位置）に移動させることで、シャドウマスク８１自体をその原点位置に調整（配置）することができる。
【０４６７】
本実施の形態でも、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせは、アライメントマーカ８４・２２１を用いて、前記実施の形態１と同様にして行うことができ、蒸着膜２１１のパターン形成として、前記したように例えば発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ等の有機ＥＬ層のパターン形成を行う場合、これら有機ＥＬ層を、精度良く塗りわけ蒸着することができる。
【０４６８】
なお、本実施の形態でも、同一基板の基板走査は、１回〜複数回行い、目的の膜厚まで成膜を行うことが好ましい。
【０４６９】
また、本実施の形態においても、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正は、前記実施の形態１で説明したように、被成膜基板２００が、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に進入する前に行われることがより望ましい。
【０４７０】
このため、本実施の形態においても、アライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）は、図２４に示すように、基板走査方向において蒸着領域２１０の手前の位置から設けられていることが好ましく、往復蒸着する場合は、蒸着領域２１０の反対側の手前の位置から設けられていることが好ましい。
【０４７１】
また、上記蒸着領域２１０の確保のため、アライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）を、上記蒸着領域２１０よりも突出して設けることができない場合には、前記したように、シャドウマスク８１の開口部８２の走査方向の開口幅を短くする等、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を、シャドウマスク８１の開口部８２に対して相対的に外側に配置してもよい。言い換えれば、シャドウマスク８１側で、アライメントマーカを相対的に上記蒸着源８５による蒸着エリアの外側に配置させることで、前記したように、シャドウマスク８１側でアライメント位置の調整を行っても構わない。
【０４７２】
また、図５の（ｂ）・（ｃ）に示したように、シャドウマスク８１の基板走査方向の幅よりも基板走査方向の幅が小さいアライメントマーカ８４をシャドウマスク８１に設ける場合、上記と同様の理由により、アライメントマーカ８４は、図２４に示すように、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部（つまり、基板走査方向の上流側端部）に設けられていることが好ましい。また、往復蒸着する場合は、基板走査方向両端部（つまり四隅）にアライメントマーカ８４が設けられていることが好ましい。
【０４７３】
また、本実施の形態でも、シャドウマスク８１にテンションを掛けるためのマスクテンション機構８８は、上記したように、被成膜基板２００に対する治具（マスクジグ、取付具）としてではなく、蒸着装置５０の一部（機構）として設けられている。
【０４７４】
したがって、本実施の形態でも、上記したように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ１を設けることで被成膜基板２００とシャドウマスク８１とを密着させない蒸着方式を使用し、蒸着装置５０に上記マスクテンション機構８８を設けることで、シャドウマスク８１の撓み並びに熱膨張を改善することができる。また、蒸着時の状況（例えば、シャドウマスク８１の熱膨張や被成膜基板２００の出来上がり精度）に合わせて、シャドウマスク８１のアライメント精度を、テンションで調整することができる。
【０４７５】
なお、本実施の形態でも、上記マスクテンション機構８８は、シャドウマスク８１にテンションを加えることによるシャドウマスク８１の撓みを抑制するために、最小張力（ＭＩＮ）を設定できるようになっていることが望ましい。
【０４７６】
なお、本実施の形態では、上記したように、マスク保持部材８７（マスク固定台）が、シャドウマスク８１に当接する当接部材として、シャドウマスク８１の長手方向両端部近傍に設けられたマスク支持部１４１・１４１を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記マスク保持部材８７は、シャドウマスク８１の開口部８２を囲む枠状の当接部材を備えていてもよい。この場合にも、上記当接部材は、上記シャドウマスク８１を平行に保持することができるとともに、シャドウマスク８１にテンションを掛ける際の支点として用いられる。
【０４７７】
また、本実施の形態では、上記したように、上記マスククランプ１３０・１３０が、マスク支持部１４１・１４１を支点として、シャドウマスク８１に、斜め方向にテンションを掛けている例として、図２５および図２６に示すように斜め下方向にテンションを掛けている場合を例に挙げて説明した。
【０４７８】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、シャドウマスク８１に当接する当接部材（例えば、上記マスク支持部１４１・１４１）を、図２５および図２６中、上側、つまり、シャドウマスク８１における被成膜基板２００との対向面側に設け、斜め上方向にテンションを加えても構わない。
【０４７９】
上記したように、シャドウマスク８１にテンションを加えるに際し、それ自体は固定されていて動作しないマスク支持部１４１・１４１等、シャドウマスク８１の上面または下面に当接する当接部材を支点として、シャドウマスク８１に、斜め方向にテンションを加えることで、シャドウマスク８１に、容易にテンションを加えることができる。
【０４８０】
また、上記マスクユニット８０が、マスク支持部１４１・１４１等の当接部材を備え、上記マスクテンション機構８８が、上記マスク固定台等の支持部材における、マスク支持部１４１・１４１等の当接部材を支点に上記シャドウマスク８１に斜め方向からテンションを加える機構を有することで、マスク支持部１４１・１４１と被成膜基板２００との平行だしにより、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だしを行うことができる。なお、ここで、マスク支持部１４１・１４１等の当接部材とは、より具体的には、固定されていて動作しない、マスク支持部１４１・１４１を備えたマスク固定台等の支持部材を示す。このような平行だしは、前後左右に移動動作を行うマスクテンション機構８８自体の厳密な平行だしと比べて精度が高く、かつ、容易に行うことができる。
【０４８１】
すなわち、上記シャドウマスク８１に対し前後左右に移動するマスクテンション機構８８自体によって上記シャドウマスク８１と被成膜基板２００とを厳密に平行だしするよりも、上記当接部材と被成膜基板２００との平行だしによって上記シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だしを行う方が、精度が高く、しかも容易である。
【０４８２】
したがって、上記したようにシャドウマスク８１の上面または下面に当接する当接部材を支点として用いることで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だしを、容易かつ精度良く行うことができる。
【０４８３】
また、マスク支持部１４１・１４１等の当接部材（より具体的には、上記当接部材と被成膜基板２００との平行だし）が、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だしを支配していることから、シャドウマスク８１を交換する場合に、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だしを厳密に調整する必要はなくなる。このため、上記シャドウマスク８１の交換を容易に行うことができる。
【０４８４】
なお、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だしとは、シャドウマスク８１のマスク面と被成膜基板２００の基板面との平行だし（すなわち、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の隙間ｇ１の均一調整）を意味する。
【０４８５】
〔実施の形態８〕
本実施の形態について主に図２６〜図３０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４８６】
なお、本実施の形態では、前記実施の形態１〜７（特に、前記実施の形態１・７）との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜７で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４８７】
図２６は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の被成膜基板２００とマスクユニット８０とを被成膜基板２００の裏面側から見た平面図である。また、図２７は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図２７は、図２６に示すＤ−Ｄ線矢視断面から見たときの蒸着装置５０の断面に相当する。但し、本実施の形態でも、図示の便宜上、シャドウマスク８１の開口部や蒸着膜等の構成の一部を省略している。また、図２９は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の構成の一部を示すブロック図である。
【０４８８】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０におけるマスクユニット８０は、シャドウマスク８１を、絶対位置（アライメントの絶対位置）に合わせるために、絶対位置合わせ用のアライメントマーカとして、図２７に示すように、上記蒸着装置５０内に、シャドウマスク８１の絶対位置に対応する絶対位置合わせ基準マーカ１２０が設けられている。また、図２７および図２８に示すように、上記シャドウマスク８１に、絶対位置合わせマーカ１１０が設けられている。本実施の形態にかかる蒸着装置５０におけるマスクユニット８０は、これらの点で、前記実施の形態７にかかる蒸着装置５０におけるマスクユニット８０と異なっている。
【０４８９】
なお、上記絶対位置は、シャドウマスク８１と蒸着装置５０との相対的な位置あるいはシャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置に基づいて、シャドウマスク８１が被成膜基板２００の蒸着領域２１０からはみ出さないように、予め、設計段階において装置的に決定される。
【０４９０】
図２８は、シャドウマスク８１の絶対位置合わせを説明する平面図である。図２８は、図２７中、点線で囲んだ領域Ｒをシャドウマスク８１の上方から見たときの平面図である。
【０４９１】
図２８に示すように、領域Ｒには、絶対位置合わせマーカ１１０として、アライメントマーカ１１１・１１２と、絶対位置合わせ基準マーカ１２０を確認するための窓（窓部）となる開口部１１３とが設けられている。
【０４９２】
アライメントマーカ１１１・１１２は、例えば大小２つの開口部からなり、基板走査方向（シャドウマスク８１の短辺８１ｂ）に沿って、平行に設けられている。
【０４９３】
上記アライメントマーカ１１１・１１２のうち、何れか一方のアライメントマーカは、アライメント中心として用いられ、他方のアライメントマーカは、基板走査方向と、シャドウマスク８１の帯状の開口部８２の延設方向である、シャドウマスク８１の短辺８１ｂとが平行となるような方向（つまり、基板走査方向に平行な方向）の確認に用いられる。
【０４９４】
シャドウマスク８１の上記基板走査方向に平行な方向の確認は、以下のようにして、上記アライメントマーカ１１１・１１２を用いて行うことができる。
【０４９５】
具体的には、まず、アライメントマーカ１１１・１１２のそれぞれの中心座標を、撮像手段（画像読取手段）として例えばＣＣＤを備えたイメージセンサ１５０（第２のイメージセンサ、アライメント観測手段、図２９参照）で読み取り、その中心を通る平行線が基板走査方向と平行となるように、テンション制御部１６３（図２９参照）を用いて、シャドウマスク８１の位置を調整する。
【０４９６】
これにより、基板走査方向と、シャドウマスク８１における基板走査方向に平行にすべき辺（本実施の形態では、短辺８１ｂ・８１ｂ）、特に、該辺に沿って延設された開口部８２の辺（シャドウマスク８１における、基板走査方向に平行な方向の開口部８２の辺（開口端））とを平行にすることができる。
【０４９７】
なお、上記絶対位置合わせマーカ１１０（アライメントマーカ１１１・１１２）は、シャドウマスク８１の基板走査方向に平行な二辺（本実施の形態では、短辺８１ｂ・８１ｂ）のうち片側の辺にのみ設けられていてもよいが、両側の辺に設けられていることがより好ましい。シャドウマスク８１の両側に設けられた絶対位置合わせマーカ１１０を用いて基板走査方向と、シャドウマスク８１における基板走査方向に平行にすべき辺とを平行にすることで、シャドウマスク８１における基板走査方向に平行にすべき辺を、基板走査方向に正確に平行にすることができる。
【０４９８】
なお、本実施の形態では、上記絶対位置合わせマーカ１１０として上記したようにアライメントマーカを複数個利用してシャドウマスク８１の平行だし（θ調整）を行ったが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０４９９】
例えば、絶対位置合わせ基準マーカ１２０の回転中点（蒸着源８５の中点（中心座標））と、絶対位置合わせマーカ１１０のアライメント中心となるアライメントマーカの中点（中心座標）とが同一点（同一座標）になるように、絶対位置合わせマーカ１１０のアライメント中心となるアライメントマーカが厳密に調整されているような場合等には、絶対位置合わせマーカ１１０は必ずしも複数のアライメントマーカで構成されている必要はない。シャドウマスク８１の基板走査方向に平行な二辺（本実施の形態では、短辺８１ｂ・８１ｂ）におけるそれぞれの辺に、絶対位置合わせマーカ１１０としてアライメントマーカがそれぞれ一つずつ設けられている場合でも、シャドウマスク８１の平行調整は可能である。
【０５００】
また、シャドウマスク８１における、これらアライメントマーカ１１１・１１２の近傍には、絶対位置合わせ基準マーカ１２０をイメージセンサ１５０で読み取るために上記した開口部１１３が設けられており、該開口部１１３から絶対位置合わせ基準マーカ１２０を確認することができるようになっている。
【０５０１】
絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０との位置合わせは、上記したように、アライメントマーカ１１１・１１２のうち一方のアライメントマーカを用いて行われる。
【０５０２】
具体的には、予め、絶対位置合わせ基準マーカ１２０と、アライメントマーカ１１１・１１２のうちアライメント中心として用いる方のアライメントマーカとの相対的な位置を設定しておき、この設定した値になるように、シャドウマスク８１の位置を調整する。
【０５０３】
このとき、絶対位置合わせ基準マーカ１２０を見え易くするためには、シャドウマスク８１に、広く大きい開口が設けられていることが好ましい。
【０５０４】
しかしながら、広く大きい開口は、シャドウマスク８１にテンションを加えた際に、形状が歪む可能性がある。
【０５０５】
このため、このようなシャドウマスク８１を確認するための窓となる開口部１１３とは別に、歪みが発生し難い、開口部１１３よりも小さなアライメントマーカ１１１・１１２を設け、このアライメントマーカ１１１・１１２をアライメント中心並びに平行確認用のアライメントマーカとして用いてシャドウマスク８１を絶対位置に合わせることが好ましい。
【０５０６】
なお、上記開口部１１３は、単一の開口（穴）であってもよく、メッシュパターン開口であってもよい。上記したように窓となる開口部１１３を、単一の穴ではなく、絶対位置合わせ基準マーカ１２０が見える程度に開口された格子窓（メッシュパターン開口）とすることで、窓の歪みを抑制することができる。
【０５０７】
本実施の形態によれば、上記したように、シャドウマスク８１並びに蒸着装置５０内におけるシャドウマスク８１に対向する位置に、シャドウマスク８１を絶対位置に合わせるための基準となるマーカとして、絶対位置合わせマーカ１１０並びに絶対位置合わせ基準マーカ１２０を設ける。また、絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０との相対的な位置を合わせる。これにより、シャドウマスク８１を、装置内部の絶対位置に合わせることができる。これにより、蒸着源８５に対するシャドウマスク８１の相対的な位置を一定に保つことができる。
【０５０８】
例えば蒸着材料の利用効率を高めるためには、上記蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２は、できるだけ小さいことが望ましい。
【０５０９】
しかしながら、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の距離を近づけると、シャドウマスク８１の温度が上昇し、シャドウマスク８１に伸びが生じ、撓み（弛み）が生じてくる。
【０５１０】
このため、本実施の形態では、マスクテンション機構８８によって、シャドウマスク８１における基板走査方向に垂直な方向（すなわち、シャドウマスク８１の長手方向）の両側からシャドウマスク８１にテンションを掛け、絶対位置合わせ基準マーカ１２０を基準に、シャドウマスク８１が絶対寸法（設計の絶対値）になるように、被成膜基板２００への蒸着前にアライメント調整を行う。
【０５１１】
これにより、シャドウマスク８１を絶対位置に合わせることができ、蒸着源８５との相対的な位置を合わせることができる。
【０５１２】
また、本実施の形態では、図２８に示すように、アライメントマーカ１１１・１１２の形状を円形とし、開口部１１３（窓部）の形状を四角形としたが、これらアライメントマーカ１１１・１１２および開口部１１３の形状は、これに限定されるものではない。
【０５１３】
これらアライメントマーカ１１１・１１２および開口部１１３の形状は、アライメントおよび平行方向の計算が実施し易いものであればよく、四角形や三角形、その他の任意の形状を選択することができる。
【０５１４】
また、本実施の形態では、アライメントマーカ１１１とアライメントマーカ１１２とを、サイズの異なる開口部にて形成したが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０５１５】
但し、本実施の形態では、上記したように、アライメントマーカ１１１・１１２のうち何れか一方をアライメント中心として使用する。このため、アライメントマーカ１１１・１１２のうち何れのアライメントマーカがアライメント中心であり、何れのアライメントマーカが平行確認用のアライメントマーカであるのかを明確にし、イメージセンサ１５０で取り込まれた画像から画像検出を行うに際し、誤認識を防止するためには、アライメントマーカ１１１・１１２のサイズおよび形状のうち少なくとも一方が異なっていることが好ましい。
【０５１６】
なお、本実施の形態では、アライメントマーカ１１１・１１２のうち何れか一方のアライメントマーカを、アライメント中心として絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０とのアライメントに使用し、他方のアライメントマーカは平行確認用のアライメントマーカとして使用する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、両方のアライメントマーカを、絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０とのアライメントに使用してもよい。
【０５１７】
また、本実施の形態でも、シャドウマスク８１は、温度による伸び等も考慮し、設計による絶対寸法（設計値）よりも小さく作成しておくことが好ましく、上記アライメント調整において、シャドウマスク８１は、テンションを加えることで、想定した絶対寸法、もしくは、絶対寸法より少し短い寸法に調整されることが好ましい。
【０５１８】
また、マスクユニットの準備工程では、シャドウマスク８１の長手方向両側端の絶対位置合わせマーカ１１０を認識し、テンションを加えないか、あるいは、好適にはシャドウマスク８１のテンションが少ない状態で、シャドウマスク８１を蒸着装置５０に設置することで、シャドウマスク８１と蒸着源８５との位置合わせを行うことが好ましい。なお、絶対位置合わせマーカ１１０は、例えば真空チャンバ６０の外側に、上記したように、撮像手段（画像読取手段）として例えばＣＣＤを備えたイメージセンサ１５０を設けることで認識することができる。
【０５１９】
これにより、上記したように蒸着源８５と被成膜基板２００との距離を近づけて材料の利用効率を図る場合であっても、予めシャドウマスク８１を設計値よりも小さく作製して熱によるシャドウマスク８１の伸びを吸収し、絶対位置合わせ基準マーカ１２０を基準としてシャドウマスク８１が絶対位置（設計の絶対値）になるようにシャドウマスク８１にテンションを掛けることで、蒸着位置の微調整を行うことができる。また、同時に、熱によるシャドウマスク８１の変形を制御することができる。
【０５２０】
また、本実施の形態でも、シャドウマスク８１にテンションを加えることによるシャドウマスク８１の撓みを抑制するために、上記マスクテンション機構８８は、最小張力（ＭＩＮ）を設定できるようになっていることが望ましい。
【０５２１】
以上のように、本実施の形態でも、マスクテンション機構８８を、被成膜基板２００に対する治具ではなく蒸着装置５０自体に付与していることで、蒸着前にシャドウマスク８１の伸びの調整を行うことができる。これにより、蒸着直前に、シャドウマスク８１の自重撓みや熱によるシャドウマスク８１の撓みを軽減することができ、蒸着精度の向上を図ることができる。
【０５２２】
また、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、図２９に示すように、絶対位置合わせマーカ１１０並びに絶対位置合わせ基準マーカ１２０との位置合わせを行うための位置検出手段として、上記したイメージセンサ１５０を備えているとともに、制御回路１００が、前記実施の形態１に記載の構成に加えて、画像検出部１６１、演算部１６２、テンション制御部１６３を備えていることが好ましい。
【０５２３】
上記イメージセンサ１５０は、絶対位置合わせマーカ１１０並びに絶対位置合わせ基準マーカ１２０との位置合わせを行うための位置検出手段として機能する。
【０５２４】
また、画像検出部１６１は、イメージセンサ１５０で取り込まれた画像から、絶対位置合わせマーカ１１０並びに絶対位置合わせ基準マーカ１２０の画像検出を行う。
【０５２５】
また、演算部１６２は、画像検出部１６１で検出された画像より、絶対位置合わせ基準マーカ１２０に対する絶対位置合わせマーカ１１０の相対的な移動量（マスクテンション機構８８による張力）を決定する。例えば、上記演算部１６２は、例えば、上記演算部１０２は、絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）を計算することで、絶対位置合わせマーカ１１０の位置の補正値を演算して決定する。
【０５２６】
テンション制御部１６３は、絶対位置合わせ基準マーカ１２０に絶対位置合わせマーカ１１０が重畳するようにシャドウマスク８１に加えるテンションを調整する。
【０５２７】
すなわち、本実施の形態によれば、画像検出部１６１によって、イメージセンサ１５０で取り込まれた画像から絶対位置合わせマーカ１１０並びに絶対位置合わせ基準マーカ１２０の画像検出を行い、演算部１６２で、画像検出部１６１で検出された画像より、絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０とのズレ量を計算することで、絶対位置合わせマーカ１１０の位置の補正値を演算して決定する。
【０５２８】
上記補正値は、補正信号として上記テンション制御部１６３に出力され、テンション制御部１６３は、上記演算部１６２からの補正信号に基づいて、マスククランプ１３０・１３０を介してシャドウマスク８１に加える張力を調整して、絶対位置合わせ基準マーカ１２０に対して絶対位置合わせマーカ１１０を相対移動させることで、アライメント調整する。
【０５２９】
なお、本実施の形態でも、例えば前記実施の形態１〜７と同様に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との隙間ｇ１を一定に保持して、例えば、被成膜基板２００を一定の速度で走査して被成膜基板２００をシャドウマスク８１の開口部形成領域を通過させることにより、被成膜基板２００への蒸着を行う。また、アライメントマーカ８４・２２１を用いて、走査しながら被成膜基板２００とシャドウマスク８１とのアライメントを行うとともに、装置内の基準位置（絶対位置あるいは装置原点）との相対位置、さらには蒸着源８５との相対位置から、シャドウマスク８１のテンション調整を行い、シャドウマスク８１の自重撓みや熱による撓みの補正と同時に、シャドウマスク８１の伸長率の調整を併せて行う。
【０５３０】
また、本実施の形態によれば、上記したように絶対位置合わせマーカ１１０および絶対位置合わせ基準マーカ１２０を用いてシャドウマスク８１と装置内の基準位置とを合わせることで、例えば、上記蒸着装置５０がインライン化されており、基板移動機構７０として、基板搬送路を備えた搬送装置を備え、シャドウマスク８１および蒸着源８５が被成膜基板２００を跨いだとしても、蒸着分布を一定に保つことができる領域を狭く絞る（限定する）ことができる。
【０５３１】
つまり、本実施の形態によれば、上記したように絶対位置合わせマーカ１１０および絶対位置合わせ基準マーカ１２０を用いてシャドウマスク８１と絶対位置（装置内の基準位置）とを合わせることで、上記シャドウマスク８１を絶対位置に合わせることができる。このため、蒸着装置５０とシャドウマスク８１との相対位置あるいは蒸着源８５とシャドウマスク８１との相対位置を正確に固定することができる（但し、上記したようにアライメント作業による微小稼働領域は存在する）。
【０５３２】
しかしながら、上記したように絶対位置合わせ用のアライメントマーカを用いてシャドウマスク８１の絶対位置合わせを行わない場合、シャドウマスク８１を粗く位置決めをすることはできるものの、蒸着装置５０とシャドウマスク８１との相対位置あるいは蒸着源８５とシャドウマスク８１との相対位置を正確に固定することはできない。つまり、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）にシャドウマスク８１を正確に位置づけることができない。
【０５３３】
シャドウマスク８１は、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）内に配置する必要がある。このため、蒸着源８５の蒸着エリアとシャドウマスク８１の開口部８２との相対的な位置関係が正しく固定されていない場合、蒸着源８５の蒸着エリアに対するシャドウマスク８１の位置が多少ずれていたとしてもシャドウマスク８１が蒸着源８５の蒸着エリアからはみ出さないように、蒸着エリアを、かなり広い設計にしておく必要がある。
【０５３４】
しかしながら、蒸着源８５とシャドウマスク８１の相対位置（つまり、蒸着源８５の蒸着エリアに対するシャドウマスク８１の位置）が正確に決まっていれば、蒸着エリアを狭く絞ることが可能になる。したがって、本実施の形態によれば、シャドウマスク８１の位置が多少ずれても問題ないように予備的に蒸着エリアを広げておくような設計が不要となり、蒸着材料を効率良く被成膜基板２００に蒸着させることができる。したがって、材料の利用効率を向上させることができる。
【０５３５】
また、本実施の形態によれば、上記したように、上記シャドウマスク８１と上記マスクユニット８０または真空チャンバ６０における上記シャドウマスク８１に対向する位置とに、絶対位置合わせ用のアライメントマーカがそれぞれ設けられていること、さらに言えば、上記蒸着装置５０が、図２９に示す構成を有していることで、平行だしを行うことができる。すなわち、基板走査方向と、シャドウマスク８１における、基板走査方向に平行な方向の開口部８２の辺とを平行にすることができる。
【０５３６】
図２９に示す各構成要素は、上記絶対位置合わせ用のアライメントマーカを用いてシャドウマスク８１と基板走査方向との平行調整（言い換えれば、蒸着装置５０におけるシャドウマスク８１の平行調整）を行うためのアライメント機構として用いられる。
【０５３７】
このため、シャドウマスク８１に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合、被成膜基板２００の蒸着領域２１０が、シャドウマスク８１の開口部８２に到達する前に、被成膜基板２００のアライメントマーカ２２１と、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４とでアライメントを１回行えば、蒸着時の基板走査中に随時アライメントを行って被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置ズレを調整しなくても、目的とする領域（ストライプ領域）に、蒸着粒子を蒸着することができる。
【０５３８】
これにより、基板走査方向とシャドウマスク８１の開口部８２とのθズレに対する蒸着膜２１１のエッジボケを抑制することができ、蒸着膜２１１による所定のパターン（蒸着パターン）を、より正確に形成することができる。
【０５３９】
また、本実施の形態によれば、上記したように、上記シャドウマスク８１と上記マスクユニット８０または真空チャンバ６０における上記シャドウマスク８１に対向する位置とに、絶対位置合わせ用のアライメントマーカがそれぞれ設けられていることで、真空チャンバ６０内におけるシャドウマスク８１の絶対位置あるいは蒸着源８５に対するシャドウマスク８１の相対的な位置が決まっている。このため、蒸着のＯＮ／ＯＦＦ制御も、シャドウマスク８１に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合、被成膜基板２００のアライメントマーカ２２１を認識しなくても、上記絶対位置合わせ用のアライメントマーカに対する、被成膜基板２００の走査方向の距離（基板進行の絶対距離）で制御することが可能である。
【０５４０】
なお、本実施の形態では、上記したように、前記実施の形態７同様、マスクテンション機構８８が、マスククランプ１３０を備え、マスククランプ１３０を介してシャドウマスク８１にテンションが加えられる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０５４１】
図３０は、図３に示す蒸着装置５０に絶対位置合わせマーカ１１０および絶対位置合わせ基準マーカ１２０を形成した場合における、上記蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【０５４２】
上記蒸着装置５０には、図３０に示すように、シャドウマスク８１を絶対位置に合わせるために、上記マスク保持部材８７に、シャドウマスク８１の絶対位置に対応する絶対位置合わせ基準マーカ１２０が設けられているとともに、上記シャドウマスク８１に、絶対位置合わせマーカ１１０が設けられている。
【０５４３】
図３０に示すように、マスク保持部材８７に絶対位置合わせ基準マーカ１２０を設ける場合、マスク保持部材８７が前記したようにスライダ機構を有する場合には、絶対位置合わせ基準マーカ１２０は、スライダ機構による可動部１４２の可動域外、つまり、可動部１４２によって位置変動（スライド）されたり被覆されたりしない位置に設けられる。
【０５４４】
また、この場合、テンション制御部１６３は、演算部１６２からの補正信号に基づいて、上記スライダ機構を介してシャドウマスク８１に加える張力を調整し、可動部１４２をスライド移動させて、絶対位置合わせ基準マーカ１２０に対して絶対位置合わせマーカ１１０を相対移動させることで、アライメント調整する。
【０５４５】
また、図３０では、上記したように、シャドウマスク８１を絶対位置に合わせるための絶対位置合わせ基準マーカ１２０をマスク保持部材８７に設けた場合を例に挙げて説明した。しかしながら、位置合わせ基準となる装置側の絶対位置合わせ基準マーカ１２０は、アライメント調整時に、蒸着装置５０における、シャドウマスク８１と対向する位置であって、かつ、位置変動しない固定位置に設けられていればよい。同様に、図２７でも、位置合わせ基準となる装置側の絶対位置合わせ基準マーカ１２０は、アライメント調整時に、蒸着装置５０における、シャドウマスク８１と対向する位置であって、かつ、位置変動しない固定位置に設けられていればよい。
【０５４６】
したがって、上記絶対位置合わせ基準マーカ１２０は、例えば、真空チャンバ６０の底壁等の内壁、あるいは蒸着源８５等に設けられていてもよい。
【０５４７】
なお、マスク保持部材８７が前記したようにスライダ機構を有する場合、蒸着源８５も、スライダ機構による可動部の可動域外に設けられることは言うまでもない。
【０５４８】
また、図１および図３０では、蒸着源８５が、マスク保持部材８７上に載置されている場合を例に挙げて図示しているが、前記したように、蒸着源８５の配設位置（固定位置）は、これに限定されるものではなく、真空チャンバ６０自体等、蒸着装置５０における、上記マスク保持部材８７とは干渉しない位置に設けられていてもよい。
【０５４９】
また、勿論、上記マスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させる場合、マスク保持部材８７自体がｘ軸方向およびｙ軸方向に移動可能に設けられており、上記したように蒸着源８５とシャドウマスク８１との相対的な位置が固定された状態で、蒸着源８５を、シャドウマスク８１および上記マスク保持部材８７とともに可動させてもよい。
【０５５０】
また、本実施の形態では、可動部１４２が、例えばスライダに接続されていることで、可動部として機能する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、可動部１４２そのものが、例えば油圧ポンプ等により上下方向にスライド移動可能であり、可動部１４２を上下方向にスライド移動させることにより、シャドウマスク８１に加えるテンションを調整することができるようになっていてもよい。
【０５５１】
〔実施の形態９〕
本実施の形態について主に図３１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０５５２】
図３１は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態でも、図示の便宜上、シャドウマスク８１の開口部や蒸着膜等の構成の一部を省略している。また、図３１中、点線で囲んだ領域Ｒをシャドウマスク８１の上方から見たときの平面図は、図２８と同じである。
【０５５３】
なお、本実施の形態では、前記実施の形態７、８同様、シャドウマスク８１の固定（張着）にマスククランプ１３０・１３０を用いる場合を例に挙げて説明するものとし、主に、前記実施の形態７・８との相違点について説明する。
【０５５４】
前記実施の形態７・８では、シャドウマスク８１の長手方向両端部に設けられたマスククランプ１３０・１３０を介して、シャドウマスク８１の長手方向両側から、シャドウマスク８１にそれぞれテンションを加える場合について説明した。
【０５５５】
しかしながら、この場合、アライメントの状態によっては、シャドウマスク８１に捻り（捩じれ）が生じる可能性がある。そのような例としては、例えば、前記実施の形態７・８において、一方のマスククランプ１３０が図２５および図２８の図面手前側に動き、他方のマスククランプ１３０が図２５および図２８の図面奥側に動く場合が考えられる。
【０５５６】
勿論、アライメント時に平行ライン方向のアライメント（平面方向のアライメント）を確実に行えば上記のような問題は発生しない。しかしながら、アライメント位置を誤認識した場合等には、上記した問題が生じる可能性がある。
【０５５７】
そこで、本実施の形態では、一方のマスククランプ１３０をマスク保持部材８７に固定し、上記マスククランプ１３０に対向して設けられた他方のマスククランプ１３０を介して、シャドウマスク８１の長軸方向における一方の端部側のみ（つまり、一方向のみ）からシャドウマスク８１にテンションを加えることで、シャドウマスク８１のテンション調整を行う場合について説明する。
【０５５８】
図３１に示すように、本実施の形態にかかるマスクユニット８０は、マスク保持部材８７として、マスク支持部１４１（マスク支持棒、マスク保持台）と、マスク固定台１４４とを備えている。
【０５５９】
上記マスク固定台１４４には、スライド機構を備え、マスククランプ１３０に接続される接続部のうち一方が可動部１４２であり、長さ調整によるシャドウマスク８１のテンション調整を行うことが可能であり、マスククランプ１３０を前後左右並びにθ（回転）移動させることができる固定台が用いられる。
【０５６０】
なお、上記マスククランプ１３０の接続部である可動部１４２および固定部１４３のうち、可動部１４２は、例えばスライダに接続されていることで、可動部として機能する。
【０５６１】
図３１に示すように、本実施の形態にかかるシャドウマスク８１は、上記マスク固定台１４４の固定部１４３に一体的に固定（クランプ）されている一方で、上記可動部１４２に固定されたマスククランプ１３０を介してテンションが加えられることで、絶対位置合わせ並びに被成膜基板２００との相対位置合わせが行われる。
【０５６２】
このように、本実施の形態では、アライメント機構並びにテンション機構は、一方のマスククランプ１３０を介して主にマスク固定台１４４が担っており、上記したようにシャドウマスク８１は、他方のマスククランプ１３０を介して上記マスク固定台１４４にクランプされていることから、上記シャドウマスク８１には、一軸方向の張力しか生じない。このため、シャドウマスク８１自体が捩じれることはなく、安定した動作を行うことができる。
【０５６３】
なお、上記マスク支持部１４１は、前記実施の形態７・８同様、シャドウマスク８１を被成膜基板２００と平行に保持するとともに、シャドウマスク８１にテンションを掛けるための支点として機能する。上記マスク支持部１４１は、真空チャンバ６０の周壁等の内壁に固定されていてもよく、マスク固定台１４４における、スライド移動しない固定位置に固定されていてもよい。
【０５６４】
また、スライダ機構に接続されていないマスククランプ１３０側に設けられたマスク支持部１４１は、シャドウマスク８１にテンションを掛けるための支点として用いられないことから、シャドウマスク８１を水平に保持することができればよい。したがって、図３１に示すように、スライダ機構に接続されていないマスククランプ１３０側には、例えば、シャドウマスク８１の上下にマスク支持部１４１が設けられていてもよく、シャドウマスク８１を挟み込む形で保持するローラ部材が設けられていてもよい。
【０５６５】
また、本実施の形態では、上記したようにアライメント機構並びにテンション機構は一方のマスククランプ１３０を介して主にマスク固定台１４４が担っており、シャドウマスク８１は、他方のマスククランプ１３０を介して上記マスク固定台１４４にクランプされていることから、マスクテンション機構８８とマスク保持部材８７とは一体的に設けられており、マスク保持部材８７は、マスクテンション機構８８を兼ねている。
【０５６６】
なお、本実施の形態では、図３１に示したように、シャドウマスク８１に絶対位置合わせマーカ１１０を設けるとともに、蒸着装置５０内部に絶対位置合わせ基準マーカ１２０を設けることでシャドウマスク８１の絶対位置合わせを行う場合を例に挙げて説明した。
【０５６７】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記絶対位置合わせマーカ１１０および絶対位置合わせ基準マーカ１２０を用いた絶対位置アライメントは省いても構わない。つまり、前記したように、例えばマスククランプ１３０をその原点位置（装置的に決まっている初期位置）に移動させることで、シャドウマスク８１自体をその原点位置に調整（配置）しても構わない。
【０５６８】
これにより、絶対位置合わせマーカ１１０および絶対位置合わせ基準マーカ１２０を設ける場合と比較して、装置構成を単純化（簡素化）することができる。
【０５６９】
但し、前記したように、絶対位置合わせ用のアライメントマーカを用いてシャドウマスク８１の絶対位置合わせを行わない場合、シャドウマスク８１を粗く位置決めをすることはできるものの、蒸着装置５０とシャドウマスク８１との相対位置あるいは蒸着源８５とシャドウマスク８１との相対位置を正確に固定することはできない。このため、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）にシャドウマスク８１を正確に位置づけることができず、蒸着源８５の蒸着エリアに対するシャドウマスク８１の位置が多少ずれていたとしてもシャドウマスク８１が蒸着源８５の蒸着エリアからはみ出さないように、蒸着エリアを、かなり広い設計にしておく必要がある。
【０５７０】
したがって、本実施の形態でも、シャドウマスク８１に絶対位置合わせマーカ１１０を設けるとともに、マスクユニット８０（具体的には、マスクユニット８０を構成する、蒸着源８５あるいはマスク固定台１４４等）または真空チャンバ６０における、上記シャドウマスク８１に対向する位置に、絶対位置合わせ基準マーカ１２０が設けられていることが望ましい。
【０５７１】
また、図３１では、蒸着源８５が、マスク固定台１４４上に載置されている場合を例に挙げて図示しているが、本実施の形態でも、蒸着源８５の配設位置（固定位置）は、真空チャンバ６０自体等、蒸着装置５０における、上記マスク固定台１４４とは干渉しない位置に設けられていてもよい。
【０５７２】
また、上記マスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させる場合、マスク固定台１４４自体がｘ軸方向およびｙ軸方向に移動可能に設けられており、上記したように蒸着源８５とシャドウマスク８１との相対的な位置が固定された状態で、蒸着源８５を、シャドウマスク８１および上記マスク固定台１４４とともに可動させてもよい。
【０５７３】
〔実施の形態１０〕
本実施の形態について主に図３２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０５７４】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜８との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜８で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０５７５】
図３２は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態でも、図示の便宜上、シャドウマスク８１の開口部や蒸着膜等の構成の一部を省略している。また、図３２中、点線で囲んだ領域Ｒをシャドウマスク８１側（つまり、シャドウマスク８１の下方）から見たときの平面図は、図２８と同じである。
【０５７６】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、図３２に示すように、前記実施の形態３同様、マスクユニット８０と被成膜基板２００を保持する基板保持部材７１との配置が、上下に反転している点で、前記実施の形態８にかかる蒸着装置５０と異なっている。
【０５７７】
すなわち、前記実施の形態８ではデポアップにより蒸着を行っていたのに対し、本実施の形態では、デポダウンにより蒸着を行う。
【０５７８】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０では、基板保持部材７１は、例えばｘ方向およびｙ方向に移動可能に設けられた基板ステージを備え、被成膜基板２００は、該基板ステージにより保持されている。なお、上記基板ステージは、静電チャック機能を有していてもよい。また、基板保持部材７１は、上記基板ステージに代えて、前記実施の形態１で説明したようにローラを備え、ローラによって被成膜基板２００を保持して移動させるものであってもよい。
【０５７９】
本実施の形態では、蒸着源８５は、例えば、真空チャンバ６０に固定され、蒸着源８５を例えば載置することにより収容・固定する、ホルダ等の、図示しない保持部材（蒸着源保持部材）によって保持されている。なお、上記保持部材としては、例えば前記実施の形態３で用いられるホルダと同様のホルダを用いることができる。上記保持部材は、例えば、真空チャンバ６０の天壁もしくは周壁等に固定される。
【０５８０】
本実施の形態では、前記実施の形態８同様、マスクテンション機構８８にマスククランプ１３０・１３０を使用し、マスク支持部１４１・１４１（マスク支持棒、マスク保持台）を支点として、シャドウマスク８１に、斜め下方向にテンションを加える。
【０５８１】
このため、本実施の形態において、マスク支持部１４１・１４１は、真空チャンバ６０の周壁または底壁に固定されるか、あるいは、シャドウマスク８１を載置することができるように、Ｌ字形状あるいはＵ字形状（凹形状部）に形成されるとともに、上記蒸着源保持部材あるいは真空チャンバ６０の天壁に吊着される。また、絶対位置合わせ基準マーカ１２０は、例えば、真空チャンバ６０の底壁等の内壁、あるいは蒸着源８５等に形成される。
【０５８２】
なお、本実施の形態では、上記したように、シャドウマスク８１に、斜め下方向にテンションを加える場合について説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０５８３】
例えば、シャドウマスク８１に、例えば斜め上方向にテンションを加える場合には、例えば以下のようにしてもよい。すなわち、マスク支持部１４１・１４１を、シャドウマスク８１における蒸着源８５との対向面側に設ける。そして、上記シャドウマスク８１および蒸着源８５を、例えば載置することにより収容・固定する、ホルダ等の、図示しないマスク保持部材あるいは真空チャンバ６０の天壁等に吊着する。さらに、マスククランプ１３０・１３０を、上記マスク保持部材あるいは真空チャンバ６０の天壁あるいは周壁等の内壁に固定する。
【０５８４】
なお、この場合、絶対位置合わせ基準マーカ１２０は、上記マスク保持部材に設けられていてもよく、真空チャンバ６０の天壁あるいは蒸着源８５に設けられていてもよい。
【０５８５】
なお、上記したようにデポダウンを行う場合や、絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０との上下関係が逆転している場合でも、上記絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０との位置合わせの仕方は、前記実施の形態８に示す場合と同じである。よって、本実施の形態では、その説明を省略する。
【０５８６】
〔実施の形態１１〕
本実施の形態について主に図３３〜図３５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０５８７】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１０（特に前記実施の形態８）との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜１０で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０５８８】
図３３は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の被成膜基板２００とマスクユニット８０とを被成膜基板２００の裏面側から見た平面図である。また、図３４および図３５は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図３４は、図３３に示すＥ−Ｅ線矢視断面から見たときの蒸着装置５０の断面に相当し、図３５は、図３３に示すＦ−Ｆ線矢視断面から見たときの蒸着装置５０の断面に相当する。但し、本実施の形態でも、図示の便宜上、シャドウマスク８１の開口部や蒸着膜等の構成の一部を省略している。また、図３５中、点線で囲んだ領域Ｒをシャドウマスク８１の上方から見たときの平面図は、図２８と同じである。
【０５８９】
図３３に示すように、本実施の形態にかかるマスクユニット８０におけるマスクテンション機構８８は、シャドウマスク８１の各角部（四隅）にそれぞれマスククランプ１３０が設けられている点で、前記実施の形態８と異なっている。
【０５９０】
このため、本実施の形態では、図３５に示す絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０との位置合わせは、図３３に示す、シャドウマスク８１の各角部に設けられた４つのマスククランプ１３０をそれぞれ移動させることでテンションを調整しながら行う。
【０５９１】
なお、絶対位置合わせマーカ１１０の形状並びに絶対位置合わせマーカ１１０と絶対位置合わせ基準マーカ１２０との位置合わせは、前記実施の形態８において、図２９および図３０を参照して説明した通りである。したがって、本実施の形態では、その具体的な説明は省略する。
【０５９２】
これら４つのマスククランプ１３０は、それぞれが、図３３中、ｘ軸（±ｘ軸）方向およびｙ軸（±ｙ軸）方向に移動が可能であり、蒸着直前に、シャドウマスク８１の撓み（弛み）がなくなる程度にシャドウマスク８１にテンションを加えることで絶対位置合わせを行う。
【０５９３】
特に、前記したように上記蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の距離を近づけると、蒸着レートを目的の蒸着レートで安定させたときにシャドウマスク８１の温度も上昇し、シャドウマスク８１に撓みが生じてくる。
【０５９４】
したがって、予めシャドウマスク８１を設計値よりも小さく作製して熱によるシャドウマスク８１の伸びを吸収し、絶対位置合わせ基準マーカ１２０を基準としてシャドウマスク８１が絶対位置（設計の絶対値）になるようにシャドウマスク８１にテンションを掛けることで、蒸着位置の微調整を行うことができるとともに、熱によるシャドウマスク８１の変形を制御することができる。
【０５９５】
このとき、本実施の形態では、上記マスククランプ１３０が、シャドウマスク８１の各角部（四隅）に設けられており、各マスククランプ１３０が、それぞれｘ軸方向およびｙ軸方向に移動が可能であることで、シャドウマスク８１に、全方向（３６０度）にテンションを加えることができる。つまり、上記シャドウマスク８１に、あらゆる方向からテンションを加えることができる。したがって、本実施の形態によれば、前記実施の形態８と比べて、より細かな位置調整が可能であり、前記実施の形態８よりもアライメント精度を向上させることができる。したがって、蒸着精度をより一層向上させることができる。
【０５９６】
なお、被成膜基板２００は、自重による撓みが発生しないように、基板保持部材７１に例えば静電チャックを用いることで、静電チャックにより保持されていることが望ましい。
【０５９７】
また、本実施の形態でも、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせは、アライメントマーカ８４・２２１を用いて、前記実施の形態１と同様にして行うことができる。
【０５９８】
本実施の形態でも、上記アライメントマーカ８４は、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部（つまり、基板走査方向の上流側端部）に設けられていることが好ましく、往復蒸着する場合は、基板走査方向両端部（つまり四隅）にアライメントマーカ８４が設けられていることが好ましい。
【０５９９】
この場合、例えば、図３３に矢印で示す基板走査方向に蒸着を行うときには、図３３中、シャドウマスク８１のアライメントマーカ部８３に設けられた４つのアライメントマーカ８４のうち、左側の２つのアライメントマーカ８４を用いて被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせが行われる。そして、図３３に矢印で示す基板走査方向とは反対方向に蒸着を行うときには、図３３中、右側の２つのアライメントマーカ８４を用いて被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせが行われる。
【０６００】
また、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせは、以下のようにして行われる。すなわち、シャドウマスク８１のアライメントマーカ部８３に被成膜基板２００のアライメントマーカ部２２０が到達した時点で、被成膜基板２００の進行（走査）を一時的に停止させ、シャドウマスク８１および被成膜基板２００の位置、被成膜基板２００の平行度、シャドウマスク８１のサイズを考慮し、例えば、基板ステージ等の基板保持部材７１（基板移動機構７０）やマスククランプ１３０等を移動させる。なお、このとき、上述したようにシャドウマスク８１を予め小さく作製しておけば、マスクテンション機構８８が働いて撓みを抑えることができる。
【０６０１】
なお、本実施の形態においても、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正は、被成膜基板２００が、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に進入する前に行われる。このため、本実施の形態においても、アライメントマーカ２２１（アライメントマーカ部２２０）は、図３３に示すように、蒸着領域２１０の基板走査方向両端部よりもそれぞれ突出して設けられている。
【０６０２】
なお、本実施の形態でも、上記被成膜基板２００としては、例えば前記ＴＦＴ基板１０を使用することができる。このとき、蒸着膜２１１のパターン形成として、前記したように例えば発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ等の有機ＥＬ層のパターン形成を行う場合、これら有機ＥＬ層を、精度良く塗りわけ蒸着することができる。
【０６０３】
なお、このときの蒸着条件としては、例えば前記実施の形態１に記載の蒸着条件と同様に設定することができる。
【０６０４】
一例として、本実施の形態では、例えば、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２を１００ｍｍとし、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の距離を２００μｍとした。
【０６０５】
また、上記ＴＦＴ基板１０の基板サイズは、走査方向が３２０ｍｍ、走査方向に垂直な方向が４００ｍｍとし、蒸着領域（表示領域）の幅は、走査方向の幅（前記幅ｄ４）が２６０ｍｍ、走査方向に垂直な方向の幅（前記幅ｄ３）が３１０ｍｍとした。
【０６０６】
また、上記ＴＦＴ基板１０における各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの幅は、３６０μｍ（走査方向）×９０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。また、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチは４８０μｍ（走査方向）×１６０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。なお、本実施の形態でも、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチ（画素開口部間ピッチ）は、隣り合うサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおけるそれぞれの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチを示しており、同色サブ画素間のピッチではない。
【０６０７】
また、シャドウマスク８１には、長辺８１ａ（長軸方向）の幅ｄ１（走査方向に垂直な方向の幅）が７００ｍｍ、短辺８１ｂ（短軸方向）の幅ｄ２（走査方向の幅）が２００ｍｍのシャドウマスクを用いた。
【０６０８】
また、シャドウマスク８１の開口部８２は、シャドウマスク８１のテンション負荷による強度補強のために、スロット（スロットパターン）にて形成した。シャドウマスク８１の開口部８２は、熱膨張およびマスクテンションを考慮後のサイズ（絶対寸法、設計値）として、基板走査方向に４ｍｍ、基板走査方向と垂直方向に１３０μｍの開口部８２を１スロットパターンとし、基板走査方向のピッチを５ｍｍ、基板走査と垂直方向のピッチを４８０μｍとした。また、基板走査方向には、スロットを３０個形成した。また、各スロットのパターン長は１５０ｍｍとした。また、蒸着レートは２．０ｎｍ／ｓとした。
【０６０９】
〔実施の形態１２〕
本実施の形態について主に図３６〜図４５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０６１０】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１１との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜１１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０６１１】
前記実施の形態１〜１１では、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とをアライメントする方法として、イメージセンサ９０を用いた画像認識により、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とを蒸着開始前にアライメントする方法、あるいは、イメージセンサ９０を用いた連続した画像認識により、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とをリアルタイムにアライメントする方法を例に挙げて説明した。
【０６１２】
しかしながら、被成膜基板２００またはマスクユニット８０を走査（相対移動）する際に生じるメカニカルな精度は絶対ではない。
【０６１３】
したがって、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とを、アライメントマーカ８４・２２１により、蒸着開始前にアライメントしただけでは、このようなメカニカルな精度や、被成膜基板２００およびシャドウマスク８１のそれぞれの熱膨張、ＴＦＴ基板１０等の被成膜基板２００のパターンズレ等、様々な要因により、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置ズレが生じるおそれがある。また、走査しながら、真空チャンバ６０に取り付けられたＣＣＤ等の撮像素子（撮像手段）を用いて撮像した画像からアライメントマーカ８４・２２１を同時に画像認識する場合、認識精度が低くなる。特に、マスクユニット８０を被成膜基板２００に対して移動させる場合、複数の撮像素子を設けるか、もしくは、撮像素子をマスクユニット８０の走査（相対移動）に合わせて移動させる必要があり、この場合、認識精度の低下は否めない。
【０６１４】
図３６は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とに位置ズレが生じたときの被成膜基板２００の蒸着パターンを示す平面図である。
【０６１５】
図３６に示すように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置ズレは、被成膜基板２００に形成される蒸着パターンの位置ズレを引き起こす。
【０６１６】
そこで、本実施の形態では、被成膜基板２００の走査方向に沿って、被成膜基板２００における、上記マスクユニット８０および被成膜基板２００のうち少なくとも一方が相対移動する領域の端から端までの間に渡って設けられたアライメントパターンを、蒸着中に渡って、アライメントセンサ（アライメント観測手段）によりモニタ（認識）し続ける。これにより、被成膜基板２００およびマスクユニット８０のうち少なくとも一方を相対移動させて被成膜基板２００とシャドウマスク８１とのアライメントを動的に行いながら走査および蒸着を行う。
【０６１７】
本実施の形態では、このように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とのズレ量をリアルタイムに制御することで、被成膜基板２００のアライメントズレを回避する。
【０６１８】
図３７は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。図３８は、図３７に示す蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の主要構成要素の鳥瞰図である。図３９は、被成膜基板の裏面側から見たときの、本実施の形態で用いられる被成膜基板２００のアライメントパターンおよび蒸着パターンとアライメントセンサおよび膜厚センサとの位置関係を示す平面図である。なお、図３９は、成膜途中の状態を示している。また、図示の便宜上、図３９において、被成膜基板は二点鎖線にて示している。また、図４０および図４１は、図３７に示す蒸着装置５０の構成の一部を示すブロック図である。
【０６１９】
図３７に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、アライメントセンサ１７０（アライメント観測手段）、膜厚センサ１８０、および制御回路２３０を備えている。
【０６２０】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、図３７〜図３９に示すように、アライメント観測手段として、シャドウマスク８１との相対的な位置を固定したアライメントセンサ１７０が、真空チャンバ６０内に、シャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設けられている（つまり、隣り合うように設けられている）点で、前記実施の形態１〜１１とは異なっている。
【０６２１】
なお、上記アライメントセンサ１７０は、蒸着源８５と同じくシャドウマスク８１との相対的な位置が固定されていればよく、マスクユニット８０と一体化されていてもよく、マスクユニット８０とは独立して設けられていてもよい。
【０６２２】
すなわち、上記アライメントセンサ１７０は、真空チャンバ６０内にマスクユニット８０を固定し、被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させる場合、蒸着源８５と同様に、例えば真空チャンバ６０の内壁に直接固定されていてもよく、図示しないマスク保持部材８７（図１等参照）に保持されていてもよい。また、マスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させる場合、マスク保持部材８７（図１等参照）に保持されていてもよい。また、アライメントセンサ１７０を保持するとともに、マスクユニット８０に対する相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して相対移動（マスク保持部材８７を有するマスクユニット移動機構２４０（図４０参照）に追従）する、マスク保持部材８７とは別に設けられたアライメントセンサ移動機構に保持されていてもよい。
【０６２３】
但し、アライメントセンサ１７０が、マスクユニット８０とは独立して設けられている場合、アライメントセンサ１７０とシャドウマスク８１との相対的な位置を固定するためのアライメントが必要となる。
【０６２４】
このため、上記アライメントセンサ１７０は、マスクユニット８０に組み込まれている（一体化されている）ことが好ましい。言い換えれば、マスクユニット８０は、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されたアライメントセンサ１７０を備えていることが好ましい（但し、この場合にも、前記上記したようにアライメント作業による微小稼働領域は存在する）。
【０６２５】
上記アライメントセンサ１７０としては、被成膜基板２００に設けられたアライメントパターンを連続的に観測することができるものであれば、特に限定されるものではない。
【０６２６】
上記アライメントセンサ１７０としては、光学センサであってもよく、超音波センサ等、光学センサ以外のセンサであってもよい。
【０６２７】
また、上記光学センサとしては、例えば、ＣＣＤ等の撮像素子（撮像手段）を備えたイメージセンサであってもよく、レーザ光あるいは赤外光等の反射強度を検出するセンサであってもよく、アライメントマーカ２２１の散乱光の配光分布を検出するセンサであってもよい。
【０６２８】
アライメントセンサ１７０が、上記したようにレーザ光あるいは赤外光等の反射強度を検出するセンサである場合、その反射強度から、アライメントマーカ２２１の位置を把握することができる。また、アライメントセンサ１７０が、上記したようにアライメントマーカ２２１の散乱光の配光分布を検出するセンサである場合、アライメントマーカ２２１の散乱光の配光分布の変化から、アライメントマーカ２２１の位置を把握することができる。
【０６２９】
上記光学センサとしては、例えば、ポジションセンサ、ＬＥＤ型アライメントセンサ、２分割ディテクタ、４分割ディテクタ等のディテクタ等、光束の位置測定を行うことで検出対象物の位置を計測するセンサを用いることができる。
【０６３０】
これらセンサには、市販のセンサを用いることができる。特に、非分割型のポジションセンサは、高速で移動するスポットの位置を高精度で計測することができる。
【０６３１】
上記アライメントセンサ１７０によるアライメントマーカ２２１の検出には、例えばＬＳＡ（Laser Step Alignment）方式、ＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment）方式等、公知の各種方式を採用することができる。
【０６３２】
前記したように、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正は、被成膜基板２００が、蒸着源８５から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に進入する前に行われることがより望ましい。
【０６３３】
このため、本実施の形態でも、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４は、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部に設けられていることが好ましく、シャドウマスク８１における基板進入方向側の両端部に設けられていることがより好ましい。
【０６３４】
したがって、上記アライメントセンサ１７０は、アライメントマーカ８４に合わせて、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部に対向して設けられていることが好ましく、シャドウマスク８１における基板進入方向側の両端部に対向して設けられていることがより好ましい。
【０６３５】
また、例えば往復蒸着する場合は、前記したように、基板走査方向両端部（つまり四隅）にアライメントマーカ８４が設けられていることが好ましい。したがって、往復蒸着する場合は、図３７〜図３９に二点鎖線で示すように、アライメントセンサ１７０が、図３７〜図３９に矢印で示す基板走査方向とは反対方向に被成膜基板２００およびマスクユニット８０を相対移動（走査）する場合にシャドウマスク８１における基板進入方向側の端部に対向する位置にも設けられていることが好ましく、シャドウマスク８１における基板進入方向側の両端部に対向する位置にも設けられていることがより好ましい。
【０６３６】
また、アライメントマーカ８４をシャドウマスク８１の四隅に設ける場合のように、シャドウマスク８１に対し、アライメントマーカ８４を走査方向に複数設けるともに、アライメントマーカ８４に合わせてアライメントセンサ１７０を走査方向に複数設けることで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との回転方向のズレ（θズレ）を把握することができる。したがって、往復蒸着するか否かに拘らず、アライメントマーカ８４およびアライメントセンサ１７０は、走査方向（例えば基板走査方向）に沿って複数設けられていることが好ましい。
【０６３７】
本実施の形態では、上記したように、被成膜基板２００に設けられたアライメントパターンを、蒸着しながら連続的に観測する。このため、図３９に示すように、被成膜基板２００には、被成膜基板２００の走査方向における走査領域全域に渡って、複数のアライメントマーカ２２１からなるアライメントパターンが設けられている。また、上記したように、アライメントマーカ８４・２２１は、シャドウマスク８１における基板進入方向側の両端部に設けられていることがより好ましい。このため、上記アライメントパターン（アライメントマーカ部２２０）は、蒸着領域２１０を挟むように、上記蒸着領域２１０における基板走査方向に平行な短辺２１０ｂ・２１０ｂに沿って設けられていることが好ましい。
【０６３８】
本実施の形態によれば、上記したように被成膜基板２００の走査方向に渡って設けられたアライメントマーカ２２１（アライメントパターン）を、シャドウマスク８１のマスク開口部を通して、蒸着中に渡ってモニタ（認識）し続けることで、被成膜基板２００の走査量を正確に把握することができる。したがって、より正確な蒸着コントロールが可能となる。
【０６３９】
また、図３７〜図３９に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、被成膜基板２００に形成される蒸着膜２１１の膜厚を計測する膜厚センサ１８０を備えている。
【０６４０】
上記膜厚センサ１８０は、例えば、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１の膜厚を計測することで、被成膜基板２００に形成される蒸着膜２１１の膜厚を制御する。
【０６４１】
また、上記膜厚センサ１８０は、アライメントセンサ１７０同様、シャドウマスク８１および蒸着源８５との相対的な位置が固定されていることが好ましい。これにより、被成膜基板２００に蒸着膜２１１を成膜（蒸着）しながら、被成膜基板２００に形成される蒸着膜２１１の膜厚を連続的にリアルタイムに制御することができる。
【０６４２】
このため、膜厚センサ１８０は、例えば、シャドウマスク８１における、基板走査方向後方（基板走査方向下流側）に配置されている。膜厚センサ１８０は、例えば、シャドウマスク８１における、基板走査方向後方（基板走査方向下流側）であって、蒸着源８５の蒸着エリアにおける基板走査方向の中心部付近に、シャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して（つまり、隣り合うように）配置される。このとき、膜厚センサ１８０は、シャドウマスク８１および蒸着源８５にできるだけ近接して設けられていることが望ましい。これにより、膜厚センサ１８０は、シャドウマスク８１を通過した直後の被成膜基板２００の蒸着膜２１１を観測することができる。
【０６４３】
なお、被成膜基板２００における膜厚センサ１８０との対向部は、膜厚モニタ領域部として用いられる。
【０６４４】
上記膜厚センサ１８０としては、例えば市販の膜厚センサを用いることができ、任意の膜厚センサを使用することができる。上記膜厚センサ１８０としては、例えば、対象物となる蒸着膜２１１にレーザ光を照射してその反射光の反射強度・スペクトル等を検出して膜厚を算出する非接触の手法が好適に用いられる。但し、これに限定されるものではなく、紫外光やエックス線による蛍光を用いた手法や、渦電流式あるいは接触式の膜厚センサを用いてもよい。
【０６４５】
次に、上記蒸着装置５０におけるアライメント調整にかかる処理（アライメント制御）について、主に図４０を参照して以下に説明する。なお、以下の説明では、アライメントセンサ１７０として、レーザ光の反射強度を計測するセンサを用いた場合を例に挙げて説明するが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０６４６】
アライメントセンサ１７０は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うための位置検出手段として機能する。
【０６４７】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、図３７に示すように、制御回路として、図４０および図４１に示す構成を有する制御回路２３０を備えている。
【０６４８】
上記制御回路２３０は、アライメント制御部として、図４０に示すように、検出部２３１（差分検出部、演算部）、補正量算出部２３２（演算部）、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５、シャッタ駆動制御部２３６を備えている。
【０６４９】
なお、上記検出部２３１および補正量算出部２３２が、図４に示す演算部１０２に相当する。また、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５は、図４に示す蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４に相当する。
【０６５０】
上記検出部２３１は、アライメントセンサ１７０の検出信号から、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）と、被成膜基板２００の走査量とを検出（差分として検出）し、この検出結果を、補正量算出部２３２および蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５に送る。
【０６５１】
上記補正量算出部２３２は、上記検出部２３１から受け取った検出結果に基づいて、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量（例えばシャドウマスク８１に対する被成膜基板２００の移動量）を決定する。具体的には、上記補正量算出部２３２は、上記検出部２３１から受け取った検出結果に基づいて、アライメントの補正量（被成膜基板２００の基板位置の補正値）と、基板走査の補正量とを算出し、この算出結果を、補正信号として、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、および蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５に出力する。
【０６５２】
なお、本実施の形態でも、上記アライメントの補正量（被成膜基板２００の基板位置の補正値）は、基板走査方向に対して垂直な方向および被成膜基板２００の回転方向に関して演算することで決定される。
【０６５３】
マスク駆動制御部２３３およびマスクユニット移動機構２４０は、上記補正量算出部２３２からの補正信号に基づいて、被成膜基板２００およびマスクユニット８０の少なくとも一方を相対移動させて、被成膜基板２００およびマスクユニット８０を、適切な走査位置まで移動させる。
【０６５４】
具体的には、マスク駆動制御部２３３は、上記補正量算出部２３２からの補正信号に基づいて、例えば、マスクユニット８０に接続されたマスクユニット移動機構（マスクユニット移動手段）２４０におけるｘｙθ駆動モータ等のモータ２４１、および、マスクテンション機構８８の少なくとも一方を駆動する。
【０６５５】
これにより、マスクユニット移動機構２４０は、シャドウマスク８１が適正な蒸着位置となるように、マスクユニット８０を、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して相対移動させる。
【０６５６】
また、マスクテンション機構８８は、シャドウマスク８１が適正な蒸着位置となるように、シャドウマスク８１に加えるテンションを調整する。
【０６５７】
また、基板駆動制御部２３４は、上記補正量算出部２３２からの補正信号に基づいて、基板移動機構７０における、基板保持部材７１に接続されたｘｙθ駆動モータ等のモータ７２を駆動することで、被成膜基板２００の基板位置を補正する。
【０６５８】
このように、本実施の形態によれば、アライメントのズレ量および基板走査量からそれぞれの補正値を導出し、この補正値に基づいてシャドウマスク８１と被成膜基板２００とのアライメントを調整（制御）する。
【０６５９】
すなわち、本実施の形態において、これらマスクユニット移動機構２４０、マスクテンション機構８８、基板移動機構７０は、上記被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置を調整する調整手段としても機能する。
【０６６０】
また、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５は、検出部２３１で検出された基板走査量および補正量算出部２３２によって算出された基板走査の補正量から、蒸着源８５の蒸着エリアに対する被成膜基板２００の相対的な位置を算出し、蒸着膜２１１の成膜領域（蒸着領域）の始端で蒸着ＯＮ信号を発生させ、終端で蒸着ＯＦＦ信号を発生させる。
【０６６１】
シャッタ駆動制御部２３６は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を駆動するモータ２３７（シャッタ駆動モータ、モータ部）を駆動させてシャッタ８９を閉鎖し、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を駆動するモータ２３７（シャッタ駆動モータ、モータ部）を駆動させてシャッタ８９を開放する。
【０６６２】
次に、レーザ光の反射強度からアライメントのズレ量を求める方法について、図４２の（ａ）・（ｂ）を参照して以下に説明する。なお、図４２の（ａ）・（ｂ）は、被成膜基板２００をシャドウマスク８１に対して相対移動させる場合について示している。
【０６６３】
図４２の（ａ）は、図３９に示すアライメントマーカ部２２０の要部の概略構成を示す平面図である。また、図４２の（ｂ）は、図４２の（ａ）に示すアライメントマーカ部２２０のアライメントパターンを構成する各アライメントマーカ２２１とシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４とレーザスポットとの位置関係を示す平面図である。なお、図示の便宜上、図４２の（ｂ）において、シャドウマスク８１は、アライメントマーカ８４のみを図示し、シャドウマスク８１そのものについては、図示を省略する。
【０６６４】
上記アライメントマーカ２２１は、高反射の材料で形成されていることが好ましい。上記アライメントマーカ２２１の材料としては、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）等の金属材料が挙げられる。
【０６６５】
これらアライメントマーカ２２１は、予め被成膜基板２００に形成される。なお、上記アライメントマーカ２２１の材料としては、例えばＴＦＴ基板１０等で用いられる電極材料等の反射材料（高反射部材）と同じ材料を使用することができる。したがって、上記アライメントマーカ２２１は、ＴＦＴ基板１０等の被成膜基板２００における、例えばゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等の電極形成工程において、これら電極と同じ材料により、これら電極と同時に形成しておくことが望ましい。これにより、被成膜基板２００にアライメントマーカ２２１を設けることによる工程数の増大や別材料の導入等のコスト増加の問題を回避することができる。
【０６６６】
また、シャドウマスク８１は、低反射材料にて形成されているか、もしくは低反射加工されていることが好ましい。
【０６６７】
上記アライメントマーカ８４は、前記したように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ部８３に形成された開口部（マスク開口部）からなる。
【０６６８】
図４２の（ｂ）に示すように、シャドウマスク８１には、アライメントマーカ８４として、走査方向に沿って、例えば２つのアライメントマーカ８４（以下、それぞれのアライメントマーカ８４を、基板走査方向上流側から順に、「第１開口部８４ａ」、「第２開口部８４ｂ」と記す）が設けられている。上記第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂは、それぞれがアライメントマーカ２２１のパターン境界上に位置するように配置されている。
【０６６９】
また、第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂには、アライメントセンサ１７０におけるレーザ光照射部からレーザ光が照射されている。
【０６７０】
アライメントセンサ１７０は、レーザ光照射部から上記第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂにレーザ光を照射し、上記第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂに照射されたレーザ光によるレーザスポット１７１からの反射強度を測定し、この反射強度を、検出信号として制御回路２３０に送る。
【０６７１】
制御回路２３０は、このアライメントセンサ１７０で得られた反射強度に基づいて、レーザスポット１７１とアライメントマーカ２２１との位置ズレ、つまり、アライメントマーカ８４（第１開口部８４ａ、第２開口部８４ｂ）とレーザスポット１７１との位置ズレを判断する。
【０６７２】
制御回路２３０における検出部２３１は、反射強度ＩＲ１と反射強度ＩＲ２とから、アライメントマーカ２２１と各アライメントマーカ８４（第１開口部８４ａ、第２開口部８４ｂ）とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）と、被成膜基板２００の走査量とを検出する。なお、ここで反射強度ＩＲ１とは、基板走査方向上流側のアライメントマーカ８４である第１開口部８４ａにスポット照射されたレーザ光の反射強度を示す。また、反射強度ＩＲ２とは、基板走査方向下流側のアライメントマーカ８４である第２開口部８４ｂにスポット照射されたレーザ光の反射強度を示す。
【０６７３】
図４３は、図４２の（ｂ）に示すアライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４（第１開口部８４ａ、第２開口部８４ｂ）との関係において得られたレーザ光の反射強度と被成膜基板２００の走査時間との関係を示すグラフである。
【０６７４】
図４３に示すグラフにおいて、最初の第１期間Ｔ１では、反射強度ＩＲ１と反射強度ＩＲ２とが等しい状態であることを示している。つまり、この第１期間Ｔ１では、アライメントマーカ２２１と各アライメントマーカ８４（第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂ）とが正しい位置関係にあることを示している。例えば、図４２の（ｂ）に示す例では、アライメントマーカ２２１の境界部（アライメントマーカ２２１における基板走査方向に平行な一辺）が、等しく、第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂの中心部を通過していることを示し、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とが正しくアライメントされていることを示している。
【０６７５】
次の第２期間Ｔ２は、アライメントマーカ２２１が断続的に形成されていることで、第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂからアライメントマーカ２２１が観測できなくなるので、反射強度ＩＲ１・ＩＲ２が双方ともに減少することを示している。
【０６７６】
次の第３期間Ｔ３では、第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂからアライメントマーカ２２１が再び観測できるようになるので、反射強度ＩＲ１・ＩＲ２が上昇する。
【０６７７】
しかしながら、第３期間Ｔ３では、反射強度ＩＲ２の方が反射強度ＩＲ１よりも高い反射強度を示している。これは、第２開口部８４ｂから露出しているアライメントマーカ２２１の面積が、第１開口部８４ａから露出しているアライメントマーカ２２１の面積よりも大きく、第１開口部８４ａよりも第２開口部８４ｂにおいて、より多くの面積のアライメントマーカ２２１が観測されていることを示す。
【０６７８】
すなわち、第３期間Ｔ３は、第２開口部８４ｂ側にアライメントマーカ２２１が偏っており、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４（第１開口部８４ａ、第２開口部８４ｂ）とが正しくアライメントされていないことを示している。
【０６７９】
そこで、上記第３期間Ｔ３で、上記した反射強度の違いからアライメント調整を行うことで、次に第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂからアライメントマーカ２２１が再び観測できる第５期間Ｔ５では、第１期間Ｔ１と同様に、反射強度ＩＲ１と反射強度ＩＲ２とが等しい状態にする。
【０６８０】
第５期間Ｔ５は、第１期間Ｔ１同様、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４（第１開口部８４ａ、第２開口部８４ｂ）とが正しくアライメントされていることを示している。
【０６８１】
なお、第３期間Ｔ３と第５期間Ｔ５との間の第４期間Ｔ４、および、第５期間Ｔ５と第７期間Ｔ７との間の第６期間Ｔ６では、第２期間Ｔ２同様、第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂからアライメントマーカ２２１が遠ざかるので、２つの反射強度ＩＲ１・ＩＲ２は何れも小さくなる。
【０６８２】
第７期間Ｔ７では、第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂからアライメントマーカ２２１が再び観測できるようになるので、反射強度ＩＲ１・ＩＲ２が上昇する。
【０６８３】
しかしながら、第７期間Ｔ７では、反射強度ＩＲ１の方が反射強度ＩＲ２よりも高いので、第１開口部８４ａから露出しているアライメントマーカ２２１の面積が、第２開口部８４ｂから露出しているアライメントマーカ２２１の面積よりも大きく、第１開口部８４ａ側にアライメントマーカ２２１が偏っていることを示している。
【０６８４】
そこで、上記第７期間Ｔ７では、上記した反射強度の違いからアライメント調整を行うことで、次に第１開口部８４ａおよび第２開口部８４ｂからアライメントマーカ２２１が再び観測できる期間では、反射強度ＩＲ１と反射強度ＩＲ２とが等しい状態にする。
【０６８５】
以上のように、本実施の形態によれば、走査時間の経過に伴って変化する反射強度を測定することで、アライメントマーカ８３とアライメントマーカ２２１とのズレを、基板走査（基板搬送）を行いながらリアルタイムで検出することができる。
【０６８６】
また、上記したように、アライメントマーカ８４としてマスク開口部を基板走査方向に複数設けることで、それぞれのマスク開口部から得られる反射強度の違いから、アライメントマーカ２２１がマスク開口部のどちら側に偏っているかを把握することができる。
【０６８７】
したがって、上記したようにアライメントマーカ８４を走査方向に沿って複数設けることで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との回転方向のズレ（θズレ）を観測することもできる。
【０６８８】
このため、図３９に示すようにシャドウマスク８１の長辺８１ａの幅が、被成膜基板２００の蒸着領域２１０における、上記シャドウマスク８１の長辺８１ａに対向する辺（長辺２１０ａ）の幅よりも長いシャドウマスク８１を用いる場合に、被成膜基板２００における上記辺（長辺２１０ａ）に垂直な辺（短辺２１０ａ）に沿って走査を行う場合、たとえ、走査方向に平行な２つの辺（短辺２１０ａ・２１０ａ）のうち一方の辺にしかアライメントマーカ２２１が設けられていない場合であっても、上記したようにマスク開口部から得られる反射強度が等しくなるようにアライメント調整することで、θズレも含めて、アライメントズレを解消することができる。この結果、アライメントを正しく行うことができる。
【０６８９】
なお、図３９に示すように、被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両端側（つまり、基板走査方向に垂直な方向の両側）にアライメントマーカ８４・２２１が形成されている場合には、上記したようにアライメントマーカ８４が走査方向に沿って複数設けられているか否かに拘らず、被成膜基板２００の走査量だけでなく、アライメントのθズレも把握することができる。
【０６９０】
そこで、次に、上記したように被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両端側に設けられたアライメントマーカ８４・２２１からアライメントのθズレを把握する方法について以下に説明する。
【０６９１】
図４４は、被成膜基板２００の導入時（すなわち、基板走査開始時）からの、反射強度と被成膜基板２００の走査時間との関係を示すグラフである。
【０６９２】
図４４において、ＩＲおよびＩＬは、それぞれ、図３９に示すようにシャドウマスク８１における走査方向に垂直な方向に互いに対向して設けられた各アライメントマーカ８４・８４（マスク開口部）を介して計測した、被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両端側に互いに対向して設けられたアライメントマーカ２２１・２２１からの反射強度を示す。
【０６９３】
図４４に示すグラフでは、基板導入から所定時期までの初期期間Ｔ０において、先に、反射強度ＩＲによる信号が立ち上がっている。これは、反射強度ＩＲが得られた方のアライメントマーカ２２１が、反射強度ＩＬが得られた方のアライメントマーカ２２１よりも先に検出されたことを示し、反射強度ＩＲが得られた方のアライメントマーカ２２１が、反射強度ＩＬが得られた方のアライメントマーカ２２１よりも先行していることを示している。つまり、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とのアライメントとして、θズレ（回転ズレ）が生じていることを示している。
【０６９４】
そこで、上記初期期間Ｔ０において、例えば、前記したように基板駆動制御部２３４によって、基板保持部材７１に接続されたｘｙθ駆動モータ等のモータ７２を駆動して基板保持部材７１をθ方向に移動（回転）させて被成膜基板２００をθ方向に移動（回転）させることで、被成膜基板２００の位置を補正することができる。これにより、上記したθズレを解消することができる。
【０６９５】
なお、本実施の形態では、図４２の（ａ）・（ｂ）に示すようにアライメントマーカ２２１が断続的に形成されていることで、反射強度も、図４３に示したように断続的に変化する。
【０６９６】
したがって、この変化の周期をカウントすることにより、被成膜基板２００の走査量を正しく把握（モニタリング）することができる。
【０６９７】
これにより、シャッタ８９の開閉タイミング等をより精度良くコントロールすることができる。したがって、より高精度な蒸着を行うことができる。
【０６９８】
なお、図４２の（ａ）・（ｂ）では、アライメントマーカ２２１の断続周期（形成周期）を一定にしているが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。例えば、被成膜基板２００の位置によってアライメントマーカの２２１の断続幅を、図４５に示すように、ｄ１１からｄ１２に変更する等、アライメントマーカ２２１の断続周期（形成周期）を被成膜基板２００の位置によってあえて変えることで、被成膜基板２００の位置（走査量）を、より正確に把握することができる。
【０６９９】
また、上記したように被成膜基板２００の位置によってアライメントマーカ２２１の断続周期（形成周期）を変える代わりに、あるいは、これと併用して、被成膜基板２００の位置によってアライメントマーカ２２１の形状を変えることで、被成膜基板２００の位置（走査量）を、より正確に把握することができる。
【０７００】
次に、上記蒸着装置５０における膜厚調整にかかる処理（膜厚制御）について、主に図４１を参照して以下に説明する。なお、以下の説明では、膜厚センサ１８０として、対象物（蒸着膜２１１）からの反射強度を測定するセンサを用いた場合を例に挙げて説明するが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０７０１】
それぞれのセンサを用いたときの膜厚の検出方法そのものはセンサの種類によって異なるものの、膜厚調整にかかる処理そのものは基本的に同じである。また、膜厚の検出方法については、例えば市販のセンサを用いる場合、その仕様に従えばよく、ここではその詳細な説明は省略するが、異なるセンサを用いる場合であっても、十分に実施が可能である。
【０７０２】
なお、前記したアライメントセンサ１７０についても同様のことが言えることは言うまでもない。
【０７０３】
上記制御回路２３０は、膜厚制御部として、図４１に示すように、膜厚ズレ量算出部２５１（演算部）、補正量算出部２５２（演算部）、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、蒸着制御部２５３を備えている。
【０７０４】
上記膜厚ズレ量算出部２５１は、上記膜厚センサ１８０によって検出された反射強度から、予め設定した膜厚に対する反射強度との差分から膜厚のズレ量を算出し、その算出結果を、上記補正量算出部２５２に送る。
【０７０５】
補正量算出部２５２は、膜厚ズレ量算出部２５１から受け取った算出結果に基づいて、被成膜基板２００またはマスクユニット８０の走査スピードの補正量や蒸着回数の補正量、蒸着源８５の温度の補正量を算出し、この算出結果を、補正信号として、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、蒸着制御部２５３に送る。
【０７０６】
マスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させる場合、マスク駆動制御部２３３は、上記補正量算出部２５２からの補正信号に基づいて、例えば、マスクユニット８０に接続されたマスクユニット移動機構（マスクユニット移動手段）２４０におけるｘｙθ駆動モータ等のモータ２４１の回転数を補正（調整）することで、マスクユニット８０の走査スピードを補正（調整）する。あるいは、上記補正量算出部２５２からの補正信号に基づいて上記モータ２４１を駆動して蒸着回数を補正（調整）する。
【０７０７】
被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させる場合、基板駆動制御部２３４は、上記補正量算出部２５２からの補正信号に基づいて、例えば、基板移動機構７０における、基板保持部材７１に接続されたｘｙθ駆動モータ等のモータ７２の回転数を補正（調整）することで、被成膜基板２００の走査スピードを補正（調整）する。あるいは、上記補正量算出部２５２からの補正信号に基づいて上記モータ７２を駆動して蒸着回数を補正（調整）する。
【０７０８】
また、蒸着制御部２５３は、上記補正量算出部２５２からの補正信号に基づいて、例えば、蒸着源８５に設けられたヒータ２６０等の加熱手段を駆動することにより、蒸着源８５の温度を調整する。
【０７０９】
このように、本実施の形態によれば、例えば、被成膜基板２００に成膜された蒸着膜２１１における膜厚の実際のズレ量から、膜厚のズレに関係する補正値を導出し、この補正値に基づいて、被成膜基板２００に蒸着される蒸着膜２１１の膜厚を調整（制御）する。
【０７１０】
なお、図３７に示す例では、基板移動機構７０として、例えばフレーム状の基板保持部材７１を有するローラ式の移動機構を使用し、被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させる例を示している。
【０７１１】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、前記したように、油圧式の移動機構を用いて被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させてもよい。また、図１に示したように、被成膜基板２００におけるマスクユニット８０との対向面とは反対面側に、静電チャックを用いた基板保持部材７１を設け、静電チャックに被成膜基板２００を吸着させた状態で被成膜基板２００を移動させるものであってもよい。
【０７１２】
また、勿論、上記したようにマスク駆動制御部２３３を用いてマスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させる構成としてもよく、この場合、被成膜基板２００を固定し、マスクユニット８０のみを移動させてもよく、被成膜基板２００とマスクユニット８０とを両方ともに相対移動させてもよい。
【０７１３】
本実施の形態によれば、上記したように、蒸着・走査しながら、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とをリアルタイムにアライメントすることができるので、より高精度なアライメントを行うことができる。また、アライメントのために走査をストップする必要がないので、より高効率に蒸着膜２１１を成膜することができる。このため、最終製品を、より高効率に生産することができる。
【０７１４】
また、本実施の形態によれば、上記したように、被成膜基板２００に簡単なアライメントマーカ８４を設けるだけでよく、被成膜基板２００の利用効率に影響を与えない。
【０７１５】
また、本実施の形態によれば、パターン認識ではなく、レーザ光を用いてその反射強度をモニタリングすることから、複雑な演算装置は必要ではなく、また認識エラー等の発生も無いため、簡単な装置で、より精度の高い、安定したアライメントを行うことができる。
【０７１６】
本実施の形態のポイントは、上記したように、予め被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１（アライメントパターン）と、シャドウマスク８１に設けられたアライメントマーカ８４（アライメントパターン）との位置関係を連続的に測定してアライメントズレを評価し、これによりアライメント動作を連続して行う点にあり、この点を満足していれば、上記した例に限定されるものではない。
【０７１７】
なお、本実施の形態では、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量を決定するに際し、補正量算出部２３２が、検出部２３１から受け取った検出結果に基づいて、アライメントの補正量と、基板走査の補正量とを算出する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、記憶部（記憶手段）に予め記憶されたルックアップテーブルを用いてアライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量から、被成膜基板２００の基板位置の補正値を決定してもよい。
【０７１８】
すなわち、上記制御回路１００は、上記ルックアップテーブルが記憶されている記憶部と、上記ルックアップテーブを用いて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量から、被成膜基板２００の基板位置の補正値を選択（決定）する選択部とを備えているものであってもよい。
【０７１９】
また、本実施の形態では、上記したようにアライメントセンサ１７０として光学センサを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記したように、上記アライメントセンサ１７０としては、光学センサ以外のセンサであってもよい。
【０７２０】
また、本実施の形態では、膜厚センサ１８０が、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１の膜厚を計測することで、被成膜基板２００に形成される蒸着膜２１１の膜厚を制御する場合を例に挙げて説明した。
【０７２１】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、水晶振動子の共振周波数の変化から水晶振動子の膜厚検出面に付着した成膜材料の質量を算出し、予め記憶部に記憶された補正係数等を用いて水晶振動子表面の付着量を被成膜基板２００表面の膜厚に換算することで、設定された膜厚と比較するものであってもよい。
【０７２２】
また、蒸着膜２１１の膜厚は、蒸着源８５から放出された蒸着粒子が被成膜基板２００に蒸着されるときに、蒸着源８５から放出された蒸発流の密度分布を複数の水晶振動子を介して膜厚センサ１８０で検出し、密度分布の勾配に応じて、ｘｙｚθステージ等を用いてマスクユニット８０と被成膜基板２００との距離を調整することで制御してもよい。
【０７２３】
なお、前記実施の形態１で記載したように被成膜基板２００として例えばＴＦＴ基板１０を用いる場合等において、全面蒸着を行う層に対しては、上記したアライメント制御（マスクアライメント処理）は必要ではないが、そのような層に対しても、上記した膜厚のアクティブ制御を実施することが好ましい。
【０７２４】
〔実施の形態１３〕
本実施の形態について主に図４６および図４７の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０７２５】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１２（特に前記実施の形態１２）との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜１２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０７２６】
前記実施の形態１２では、主に、アライメントセンサ１７０として、レーザ光の反射強度を計測するセンサを用いた場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記アライメントセンサ１７０はこれに限定されるものではなく、前記したように、ＣＣＤ等の撮像素子を備えたイメージセンサであってもよい。
【０７２７】
すなわち、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、前記実施の形態１２と同じく、アライメントセンサ１７０（イメージセンサ）は、真空チャンバ６０内に、シャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設けられており（つまり、隣り合うように設けられており）、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されている点で、前記実施の形態１〜１２とは異なっている。
【０７２８】
図４６は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の構成の一部を示すブロック図である。
【０７２９】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、制御回路として、図４６および前記図４１に示す構成を有する制御回路２３０を備えている。なお、図４１に示す構成については、前記実施の形態１２と同じであることから、本実施の形態では、上記説明を省略する。
【０７３０】
上記制御回路２３０は、アライメント制御部として、図４６に示すように、画像検出部２７１、検出部２７２（差分検出部、演算部）、補正量算出部２３２（演算部）、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２７３、シャッタ駆動制御部２３６を備えている。
【０７３１】
なお、本実施の形態では、上記検出部２７２および補正量算出部２３２が、図４に示す演算部１０２に相当する。また、画像検出部２７１が、図４に示す画像検出部１０１に相当する。検出部２７２は、図４０に示す検出部２３１に相当する。蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２７３は、図４に示す蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４並びに図４０に示す蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５に相当する。
【０７３２】
なお、以下では、図４６に関し、上記画像検出部２７１、検出部２７２、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２７３についてのみ説明を行う。その他の構成については、前記実施の形態１２において、例えば検出部２３１を検出部２７２と読み替え、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５を蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２７３と読み替えるものとする。
【０７３３】
アライメントセンサ１７０としてイメージセンサを用いる場合、図４６に示すように、まず、画像検出部２７１にて、アライメントセンサ１７０（イメージセンサ）で取り込まれた画像から、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１並びにシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行う。また、この被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１における、蒸着領域２１０の始端を示す始端マーカ、および、蒸着領域２１０の終端を示す終端マーカから、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の始端および終端を検出する。
【０７３４】
検出部２７２は、画像検出部２７１で検出された画像を、アライメントセンサ１７０の検出信号として用いて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）と、被成膜基板２００の走査量とを検出（差分として検出）し、この検出結果を、補正量算出部２３２に送る。
【０７３５】
蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２７３は、画像検出部２７１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＦＦ信号を発生させ、画像検出部２７１で蒸着領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ信号を発生させる。
【０７３６】
次に、アライメントセンサ１７０として、上記したようにイメージセンサを用いた場合におけるアライメントのズレ量の求め方について説明する。
【０７３７】
図４７の（ａ）は、図３９に示すアライメントマーカ部２２０の要部の概略構成を示す平面図である。また、図４７の（ｂ）は、図４７の（ａ）に示すアライメントマーカ部２２０のアライメントパターンを構成する各アライメントマーカ２２１とシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４との位置関係を示す平面図である。なお、図示の便宜上、図４７の（ｂ）において、シャドウマスク８１は、アライメントマーカ８４のみを図示し、シャドウマスク８１そのものについては、図示を省略する。
【０７３８】
上記アライメントマーカ８４は、前記したように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ部８３に形成された開口部（マスク開口部）からなる。
【０７３９】
なお、本実施の形態でも、上記アライメントマーカ２２１としては、例えばＴＦＴ基板１０等で用いられる電極材料等の反射材料（高反射部材）と同じ材料を使用することができる。したがって、上記アライメントマーカ２２１は、ＴＦＴ基板１０等の被成膜基板２００における、例えばゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等の電極形成工程において、これら電極と同じ材料により、これら電極と同時に形成することができる。
【０７４０】
本実施の形態によれば、図４７の（ｂ）に示すように、上記アライメントマーカ２２１と、アライメントマーカ８４（マスク開口部）とを画像として取り込み、アライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離を測定することで、基板とマスクとのアライメントのズレ量を求める。
【０７４１】
なお、図４７の（ｂ）に示す例では、アライメントマーカ８４・２２１の端部間の距離ｑのみを図示している。しかしながら、前記実施の形態１において図５の（ａ）〜（ｄ）を用いて説明したように、演算部である検出部２３１は、画像検出部２７１で検出したアライメントマーカ８４・２２１の画像から、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｒおよびｙ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｑを測定（算出）することで、アライメントのズレ量を計算する。
【０７４２】
また、この場合にも、アライメントマーカ８４が走査方向に沿って複数設けられているか、被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両端側にアライメントマーカ８４・２２１が設けられていることで、被成膜基板２００の走査量だけでなく、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との回転方向のズレ（θズレ）を観測することもできる。
【０７４３】
また、本実施の形態でも、図４７の（ａ）・（ｂ）に示すようにアライメントマーカ２２１が断続的に形成されていることで、被成膜基板２００の走査量を正しく把握（モニタリング）することができ、シャッタ８９の開閉タイミング等をより精度良くコントロールすることができる。
【０７４４】
本実施の形態でも、上記したように、アライメント観測手段として、シャドウマスク８１との相対的な位置を固定したアライメントセンサ１７０をシャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設け、被成膜基板２００の走査方向に渡って設けられたアライメントマーカ２２１（アライメントパターン）を、シャドウマスク８１のマスク開口部を通して蒸着中に渡って上記アライメントセンサ１７０でモニタ（認識）し続けることで、蒸着・走査しながら、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とをリアルタイムにアライメントすることができる。したがって、より高精度なアライメントを行うことができる。
【０７４５】
また、アライメントのために走査をストップする必要がないので、より高効率に蒸着膜２１１を成膜することができる。このため、最終製品を、より高効率に生産することができる。
【０７４６】
〔実施の形態１４〕
本実施の形態について主に図４８〜図５０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０７４７】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１３（特に前記実施の形態１２）との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜１３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０７４８】
前記実施の形態１〜１３では、シャドウマスク８１を通して被成膜基板２００を観測する場合を例に挙げて説明した。すなわち、前記実施の形態１〜１３では、予め被成膜基板２００に設けられたアライメントパターン（例えばアライメントマーカ８４）と、シャドウマスク８１に設けられたアライメントパターン（例えばアライメントマーカ２２１）との位置ズレを測定することにより、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とのアライメントのズレ量から、蒸着膜２１１（蒸着パターン）の位置ズレを制御していた。
【０７４９】
しかしながら、本実施の形態では、予め被成膜基板２００に設けられたアライメントパターンと、実際に成膜された蒸着膜２１１（蒸着パターン）とのズレ量を測定することで、蒸着膜２１１（蒸着パターン）の位置ズレを直接観測して制御する。
【０７５０】
図４８は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。また、図４９は、図４８に示す蒸着装置５０の構成の一部を示すブロック図である。
【０７５１】
図４８に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、アライメントセンサ１９０（アライメント観測手段）、膜厚センサ１８０（図示せず、図３７〜図４０参照、膜厚観測手段）、および制御回路２８０を備えている。
【０７５２】
なお、本実施の形態にかかる蒸着装置５０でも、アライメント観測手段であるアライメントセンサ１９０は、真空チャンバ６０内に、シャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設けられており（つまり、隣り合うように設けられており）、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されている。
【０７５３】
本実施の形態にかかるアライメントセンサ１９０は、図４８に示すように、紫外光照射装置１９１（紫外光照射部）と、ディテクタ１９２（検出部）とを備えている。
【０７５４】
上記紫外光照射装置１９１と、ディテクタ１９２とは、図４８に示すように、被成膜基板２００を挟んで、互いに対向して設けられている。なお、紫外光照射装置１９１は、被成膜基板２００における蒸着面とは反対側に設けられている。
【０７５５】
また、本実施の形態にかかる蒸着装置５０では、アライメントセンサ１９０は、前記実施の形態１２・１３におけるアライメントセンサ１７０よりも、基板走査方向後方（基板走査方向下流側）に設置されている。これにより、本実施の形態では、前記実施の形態１２・１３のようにシャドウマスク８１を通して被成膜基板２００を観測するのではなく、シャドウマスク８１を通過した直後の被成膜基板２００を直接観測する。
【０７５６】
本実施の形態によれば、上記アライメントセンサ１９０が、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されていることで、蒸着・走査しながら、被成膜基板２００の走査方向に渡って設けられたアライメントパターンと、シャドウマスク８１を通過した被成膜基板２００の蒸着膜２１１とを観測することができるとともに、この観測結果に基づいて、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせを行うことができる。
【０７５７】
なお、上記アライメントセンサ１９０は、膜厚センサ１８０と同じく、シャドウマスク８１および蒸着源８５にできるだけ近接して設けられていることが望ましい。これにより、シャドウマスク８１を通過した直後の被成膜基板２００の蒸着膜２１１を観測することができる。
【０７５８】
次に、上記アライメントセンサ１９０を用いてアライメントのズレ量を求める方法について、図５０の（ａ）〜（ｃ）を参照して以下に説明する。
【０７５９】
図５０の（ａ）〜（ｃ）は、被成膜基板２００に予め設けられたアライメントマーカと、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着パターンとの関係からアライメントのズレ量を測定する方法について説明する平面図である。
【０７６０】
図５０の（ａ）は、被成膜基板２００に形成されたアライメントマーカの形状の一例を示している。また、図５０の（ｂ）は、アライメントズレがあるときの、図５０の（ａ）に示すアライメントマーカと被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着パターンとの位置関係を示している。図５０の（ｃ）は、アライメントズレが無いときの、図５０の（ａ）に示すアライメントマーカと被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着パターンとの位置関係を示している。
【０７６１】
図５０の（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施の形態では、被成膜基板２００における蒸着領域２１０内に、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせ用のアライメントマーカ２２２が設けられている。
【０７６２】
本実施の形態では、上記したように、被成膜基板２００上に実際に蒸着された蒸着膜２１１の蒸着パターンと、被成膜基板２００上に予め設けられた上記アライメントマーカ２２２との位置関係を、アライメントセンサ１９０により測定する。なお、上記蒸着パターンとしては、例えば、有機ＥＬ層等における有機層パターンが挙げられる。
【０７６３】
本実施の形態では、蒸着膜２１１によるフォトルミネッセンス発光とアライメントマーカ２２２とを観測することができれば、上記アライメントマーカ２２２の材料は特に限定されるものではない。本実施の形態では、蒸着膜２１１によるフォトルミネッセンス発光とアライメントマーカ２２２とをコントラスト良く観測することができることから、上記アライメントマーカ２２２は、紫外光を反射または吸収する材料で形成されていることが好ましく、紫外光を透過しない材料で形成されていることがより好ましい。
【０７６４】
このため、上記被成膜基板２００がＴＦＴ基板１０である場合、上記アライメントマーカ２２２としては、例えば、ＴＦＴ基板１０の作製時に用いられるＡｌ等の電極材料が使用される。
【０７６５】
上記アライメントマーカ２２２としては、例えばＴＦＴ基板１０等で用いられる電極材料と同じ材料を使用することができる。したがって、上記アライメントマーカ２２２は、ＴＦＴ基板１０等の被成膜基板２００における、例えばゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等の電極形成工程において、これら電極と同じ材料により、これら電極と同時に形成することができる。
【０７６６】
なお、被成膜基板２００として例えばＴＦＴ基板１０等の配線基板（電極基板、アレイ基板）を使用する場合、上記アライメントマーカ２２２は、配線を避けて形成されていてもよく、配線そのものをアライメントマーカ２２２として利用しても構わない。これにより、被成膜基板２００にアライメントマーカ２２２を設けることによる工程数の増大や別材料の導入等のコスト増加の問題を回避することができる。
【０７６７】
但し、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、例えば、被成膜基板２００における蒸着面とは反対側の面（基板裏面）に、紫外光を反射または吸収する材料、好適には、紫外光を透過しない材料により、アライメントマーカ２２２を別途設けても構わない。
【０７６８】
また、被成膜基板２００におけるアライメントマーカ２２２（アライメントパターン）の周辺領域は、紫外光が透過可能な材料にて形成される。なお、アライメントマーカ２２２が、紫外光を一部透過する（すなわち、完全には遮断しない）材料で形成されている場合、被成膜基板２００におけるアライメントマーカ２２２の周辺領域は、アライメントマーカ２２２よりも紫外光の透過率が高い材料にて形成されていることが好ましい。
【０７６９】
本実施の形態では、蒸着工程において、シャドウマスク８１を用いて、図５０の（ｃ）に示すように、蒸着膜２１１が、上記アライメントマーカ２２２に重畳するように蒸着膜２１１を形成する。なお、アライメントマーカ２２２は、被成膜基板２００における、蒸着膜２１１の蒸着パターンを形成する領域に予め形成されている。
【０７７０】
被成膜基板２００がシャドウマスク８１を通過直後（すなわち、蒸着後）、紫外光照射装置１９１によって、被成膜基板２００における蒸着面とは反対側の面（基板裏面）から紫外光が入射されると、有機層が蒸着された領域は、ＰＬ（フォトルミネッセンス）発光を行う。
【０７７１】
したがって、アライメントセンサ１９０における上記ディテクタ１９２では、図５０の（ｂ）・（ｃ）に示すように、非発光のアライメントマーカ２２１と、発光している蒸着膜２１１の蒸着パターンとが同時に観測される。
【０７７２】
そこで、このディテクタ１９２で観測された画像を画像認識し、アライメントのズレ量を導出することで、アライメントの制御を行うことができる。
【０７７３】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、制御回路として、図４９および前記図４１に示す構成を有する制御回路２８０を備えている。なお、図４１に示す構成については、前記実施の形態１２と同じであることから、本実施の形態でも、上記説明を省略する。
【０７７４】
上記制御回路２８０は、アライメント制御部として、図４９に示すように、画像検出部２８１、検出部２８２（差分検出部、演算部）、補正量算出部２３２（演算部）、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２８３、シャッタ駆動制御部２３６を備えている。
【０７７５】
なお、本実施の形態では、上記検出部２８２および補正量算出部２３２が、図４に示す演算部１０２に相当する。また、画像検出部２８１が、図４に示す画像検出部１０１に相当する。検出部２８２は、図４０に示す検出部２３１に相当する。蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２８３は、図４に示す蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４並びに図４０に示す蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５に相当する。
【０７７６】
なお、以下では、図４９に関し、上記画像検出部２８１、検出部２８２、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２８３についてのみ説明を行う。その他の構成については、前記実施の形態１２において、例えば検出部２３１を検出部２８２と読み替え、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５を蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２８３と読み替えるものとする。
【０７７７】
本実施の形態では、図４９に示すように、まず、画像検出部２８１にて、アライメントセンサ１９０におけるディテクタ１９２で取り込まれた画像から、非発光のアライメントマーカ２２２並びに発光している蒸着膜２１１の画像検出（画像認識）を行う。また、被成膜基板２００に設けられた、蒸着領域２１０の始端を示す始端マーカ、および、蒸着領域２１０の終端を示す終端マーカから、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の始端および終端を検出する。
【０７７８】
なお、アライメントセンサ１９０は、実際に蒸着された蒸着膜２１１の画像を検出することから、シャドウマスク８１よりも、基板走査方向の下流側に設けられる。したがって、始端マーカは、上記アライメントマーカ２２２とは別に、基板走査方向において、被成膜基板２００の蒸着領域２１０よりも手前の位置に設けられる。一方、終端マーカは、被成膜基板２００の蒸着領域２１０内であって、基板走査方向において、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の終端よりも手前の位置に設けられる。
【０７７９】
なお、蒸着領域２１０の終端については、検出部２８２で検出された基板走査量から把握してもよく、終端マーカは必ずしも必要ではない。
【０７８０】
検出部２８２は、画像検出部２８１で検出された、アライメントマーカ２２２および蒸着膜２１１の画像から、前記距離ｒ・ｑに相当する、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１との端部（外縁部）間の距離Ｒおよびｙ軸方向におけるアライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１との端部（外縁部）間の距離Ｑを算出する。
【０７８１】
検出部２８２は、この算出された距離Ｒおよび距離Ｑを、予め設定された値（つまり、図５０の（ｃ）に示す、アライメントズレが無いときの、対応する、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１との端部間の距離およびｙ軸方向におけるアライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１との端部間の距離）と比較する。これにより、アライメントマーカ２２２と実際に成膜された蒸着膜２１１とのズレ量と、被成膜基板２００の走査量とを検出する。
【０７８２】
なお、このときに、アライメントセンサ１９０を、走査方向に複数並べて設けるか、あるいは、走査方向に垂直な方向に複数並べて設けることで、各アライメントセンサ１９０で同時に複数領域のアライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１とを観測することで、被成膜基板２００の走査量だけでなく、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との回転方向のズレ（θズレ）を観測することもできる。
【０７８３】
検出部２８２は、このようにして検出した、アライメントマーカ２２２と実際に成膜された蒸着膜２１１とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）と、被成膜基板２００の走査量とを、補正量算出部２３２に送る。
【０７８４】
蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２８３は、画像検出部２８１で、蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＦＦ信号を発生させ、画像検出部２８１で蒸着領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ信号を発生させる。
【０７８５】
上記したように、本実施の形態によれば、アライメント観測手段として、シャドウマスク８１との相対的な位置を固定したアライメントセンサ１９０をシャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設け、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２２（アライメントパターン）と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１との位置関係を、蒸着中に渡って上記アライメントセンサ１９０でモニタ（認識）し続けることで、蒸着・走査しながら、アライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１とをリアルタイムにアライメントすることができる。また、アライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１とをリアルタイムにアライメントすることで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とをリアルタイムにアライメントすることができる。したがって、より高精度なアライメントを行うことができる。
【０７８６】
また、アライメントのために走査をストップする必要がないので、より高効率に蒸着膜２１１を成膜することができる。このため、最終製品を、より高効率に生産することができる。
【０７８７】
また、本実施の形態によれば、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とにそれぞれ設けられたアライメントマーカ８４・２２１を用いてアライメント動作を行うのではなく、上記したように、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１のズレを直接評価するので、より精度の高いアライメントが可能となる。
【０７８８】
なお、本実施の形態では、上記したように、アライメントセンサ１９０が、真空チャンバ６０内に、シャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設けられており（つまり、隣り合うように設けられており）、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されている場合を例に挙げて説明した。
【０７８９】
しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、アライメントセンサ１９０は、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されている必要は必ずしもない。
【０７９０】
前記したように、真空チャンバ６０に取り付けられたＣＣＤ等の撮像素子（撮像手段）を用いて撮像した画像からアライメントマーカ８４・２２１を同時に画像認識する場合、認識精度が低くなる。
【０７９１】
しかしながら、本実施の形態に示すように、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１のズレを直接評価する場合、被成膜基板２００上のアライメントマーカ２２２および蒸着膜２１１を観測することができればよく、シャドウマスク８１に設けられたアライメントマーカ８４と被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２２とを同時に観測する必要はない。このため、上記した認識精度の低下の問題は生じない。
【０７９２】
したがって、上記アライメント観測手段としては、シャドウマスク８１との相対的な位置が固定されている必要はなく、例えば、真空チャンバ６０に取り付けられたＣＣＤ等の撮像素子であってもよい。また、上記アライメント観測手段として、上記被成膜基板２００に対して相対的な位置が固定された複数のアライメント観測手段を用いてもよい。
【０７９３】
なお、本実施の形態によれば、上記アライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１との位置合わせを行うことで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせが行われる。したがって、上記アライメントマーカ２２２は、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせ用のアライメントマーカとしても機能する。
【０７９４】
本実施の形態でも、アライメント観測手段は、上記アライメントマーカ２２２と、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置は、前記実施の形態１〜１３と同様に、上記アライメントマーカ２２２および蒸着膜２１１に非接触で光学的に観測することが好ましい。
【０７９５】
上記アライメント観測手段、すなわち、上記被成膜基板２００に設けられた、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせ用のアライメントマーカ２２２と、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜２１１との位置関係を観測する手段としては、フォトルミネッセンス発光の観測、反射強度の観測、透過強度の観測、単純な画像認識等の光学的な観測を行うアライメント観測手段を用いることができる。
【０７９６】
本実施の形態のポイントは、上記したように、予め被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２２（アライメントパターン）と、実際に成膜された蒸着膜２１１の蒸着パターンとのズレを直接評価する点にあり、この点を満足していれば、上記した例に限定されるものではない。
【０７９７】
〔実施の形態１５〕
本実施の形態について主に図５１および図５２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０７９８】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１４（特に前記実施の形態１４）との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜１４で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０７９９】
本実施の形態では、図５１の（ａ）〜（ｃ）に示すように、被成膜基板２００における蒸着領域２１０内に、アライメントマーカ２２２として、内部（つまり、一つのアライメントマーカ２２２内）に四か所の開口部２２２ａを有する格子状（「田」の字状）のアライメントマーカ２２２を形成する。
【０８００】
図５１の  図５１の（ａ）は、被成膜基板２００に形成されたアライメントマーカ２２２の形状の一例を示している。また、図５１の（ｂ）は、アライメントズレがあるときの、図５１の（ａ）に示すアライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１の蒸着パターンとの位置関係を示している。図５１の（ｃ）は、アライメントズレが無いときの、図５１の（ａ）に示すアライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１の蒸着パターンとの位置関係を示している。
【０８０１】
本実施の形態では、蒸着工程において、シャドウマスク８１を用いて、図５１の（ｃ）に示すように、蒸着膜２１１の中心部が、上記アライメントマーカ２２２の中心部に位置（重畳）し、アライメントマーカ２２２に設けられた４つの開口部２２ａから蒸着膜２１１が均等に露出するように、蒸着膜２１１を形成する。なお、アライメントマーカ２２２は、被成膜基板２００における、蒸着膜２１１の蒸着パターンを形成する領域に予め形成されている。
【０８０２】
本実施の形態によれば、上記した形状のアライメントマーカ２２２を設けることで、画像認識を行わず、上記した４つの開口部２２２ａ間の蛍光強度の比率によって、アライメントのズレ量を導出することができる。
【０８０３】
なお、本実施の形態にかかる蒸着装置５０および蒸着方法は、上記したように、前記実施の形態１４で用いたアライメントマーカ２２２とは異なる形状のアライメントマーカ２２２を使用するとともに、ディテクタ１９２として、蛍光強度を検出するディテクタを使用し、これに伴い、制御系が一部異なる点を除けば、前記実施の形態１４と同じである。
【０８０４】
そこで、以下の説明では、前記実施の形態１４との相違点について説明する。
【０８０５】
本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、前記実施の形態１４に示す蒸着装置５０と同様に、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、アライメントセンサ１９０（アライメント観測手段）、膜厚センサ１８０（図示せず、図３７〜図４０参照）を備えているとともに、制御回路として、制御回路２８０に代えて、図５２および前記図４１に示す構成を有する制御回路２９０を備えている。なお、図４１に示す構成については、前記実施の形態１２と同じであることから、本実施の形態でも、上記説明を省略する。
【０８０６】
図５２は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の構成の一部を示すブロック図である。
【０８０７】
上記制御回路２９０は、アライメント制御部として、図５２に示すように、検出部２９１（差分検出部、演算部）、補正量算出部２３２（演算部）、マスク駆動制御部２３３、基板駆動制御部２３４、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２９２、シャッタ駆動制御部２３６を備えている。
【０８０８】
なお、本実施の形態では、上記検出部２９１および補正量算出部２３２が、図４に示す演算部１０２に相当する。また、検出部２９１が、図４０に示す検出部２３１に相当し、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２９２が、図４０に示す蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５に相当する。
【０８０９】
なお、以下では、図５２に関し、検出部２９１、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２９２についてのみ説明を行う。その他の構成については、前記実施の形態１２において、例えば検出部２３１を検出部２９１と読み替え、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２３５を蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２９２と読み替えるものとする。
【０８１０】
本実施の形態では、図５２に示すように、アライメントセンサ１９０におけるディテクタ１９２で検出された蛍光強度をアライメントセンサ１９０の検出信号として、検出部２９１で、アライメントマーカ２２２と実際に成膜された蒸着膜２１１とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）と、被成膜基板２００の走査量とを検出（差分として検出）する。そして、この検出結果を、補正量算出部２３２および蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２９２に送る。
【０８１１】
なお、本実施の形態でも、アライメントセンサ１９０を、走査方向に複数並べて設けるか、あるいは、走査方向に垂直な方向に複数並べて設けることで、各アライメントセンサ１９０で同時に複数領域のアライメントマーカ２２２と蒸着膜２１１とを観測することで、被成膜基板２００の走査量だけでなく、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との回転方向のズレ（θズレ）を観測することもできる。
【０８１２】
また、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部２９２は、検出部２９１で検出された基板走査量および補正量算出部２３２によって算出された基板走査の補正量から、蒸着源８５の蒸着エリアに対する被成膜基板２００の相対的な位置を算出し、蒸着膜２１１の成膜領域（蒸着領域）の始端で蒸着ＯＮ信号を発生させ、終端で蒸着ＯＦＦ信号を発生させる。
【０８１３】
なお、本実施の形態でもアライメントセンサ１９０は、実際に蒸着された蒸着膜２１１の画像を検出することから、シャドウマスク８１よりも、基板走査方向の下流側に設けられる。したがって、始端マーカは、上記アライメントマーカ２２２とは別に、基板走査方向において、被成膜基板２００の蒸着領域２１０よりも手前の位置に設けられる。一方、終端マーカは、被成膜基板２００の蒸着領域２１０内であって、基板走査方向において、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の終端よりも手前の位置に設けられる。
【０８１４】
なお、本実施の形態では、前記実施の形態１４同様、有機層のＰＬ発光を利用して蒸着膜２１１とアライメントマーカ２２２との位置検出を行う。したがって、本実施の形態では、上記したようにディテクタ１９２として、蛍光強度を検出するディテクタを使用して始端マーカおよび終端マーカを検出する場合、上記始端マーカとしては、蒸着領域２１０の外側に、ＰＬ発光する材料からなるマーカが形成されていることが好ましい。
【０８１５】
なお、終端マーカは、蒸着領域２１０内に形成されることから、アライメントマーカ２２２とは異なる形状あるいは図４５に示したように被成膜基板２００の位置によって断続周期（形成周期）を変更することで、終端マーカを認識が可能なように設けられていることが好ましい。
【０８１６】
なお、蒸着領域２１０の終端については、検出部２９１で検出された基板走査量から把握してもよく、終端マーカは必ずしも必要ではない。
【０８１７】
上記したように、本実施の形態によれば、アライメント観測手段として、シャドウマスク８１との相対的な位置を固定したアライメントセンサ１９０をシャドウマスク８１および蒸着源８５に隣接して設け、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２２（アライメントパターン）と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１との位置関係を、上記したように蛍光強度の比率からアライメントセンサ１９０でモニタ（認識）し続けることで、蒸着・走査しながら、アライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１とをリアルタイムにアライメントすることができる。また、アライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１とをリアルタイムにアライメントすることで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００とをリアルタイムにアライメントすることができる。したがって、より高精度なアライメントを行うことができる。
【０８１８】
また、アライメントのために走査をストップする必要がないので、より高効率に蒸着膜２１１を成膜することができる。このため、最終製品を、より高効率に生産することができる。
【０８１９】
また、本実施の形態によれば、上記したようにアライメントマーカ２２２のパターン形状を工夫することで、画像認識を行わずに、被成膜基板２００の走査量を正しく把握することができる。
【０８２０】
なお、本実施の形態では、アライメントマーカ２２２として、内部（つまり、一つのアライメントマーカ２２２内）に四か所の開口部２２２ａを有する格子状のアライメントマーカ２２２を使用したが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。前記実施の形態１２からも判るように、アライメントの対象物同士を重ね合わせたときに開口部が存在し、その開口部から露出する測定対象物の面積によってアライメントセンサによる測定値が変動する場合、この測定値によって、アライメントズレを評価することができる。したがって、上記開口部２２２ａは、複数設けられていればよく、４つに限定されるものではない。
【０８２１】
なお、実施の形態１４・１５では、上記したように、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２２と、被成膜基板２００に蒸着された蒸着膜２１１との位置関係をアライメントセンサ１９０でモニタ（認識）し続けることで、蒸着・走査しながら、アライメントマーカ２２２と被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１とをリアルタイムにアライメントする方法について説明した。
【０８２２】
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、シャドウマスク８１との相対的な位置がそれぞれ固定された複数のアライメントセンサを用いて、シャドウマスク８１に形成されたアライメントマーカ８４と、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１との相対的な位置を観測し、この観測結果から、シャドウマスク８１に形成されたアライメントマーカ８４と、被成膜基板２００に実際に蒸着された蒸着膜２１１との相対的な位置を調整することで、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせを行ってもよい。
【０８２３】
なお、同様に、シャドウマスク８１との相対的な位置がそれぞれ固定された複数のアライメントセンサを用いて、シャドウマスク８１に形成されたアライメントマーカ８４と、被成膜基板２００に形成されたアライメントマーカ２２１あるいはアライメントマーカ２２２との相対的な位置を観測することで、この観測結果に基づいて、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との位置合わせを行ってもよい。
【０８２４】
この場合、例えば、被成膜基板２００に形成されたアライメントマーカ２２１あるいはアライメントマーカ２２２を、上記シャドウマスク８１に開口部を形成し、該開口部を介して観測する必要はない。したがって、これらアライメントマーカ８４・２２１・２２２に、例えば任意の材料からなるアライメントマーカを形成することができる。
【０８２５】
また、蒸着源８５の蒸着エリア外にアライメントマーカ８４・２２１を設ける場合、被成膜基板２００側に、アライメントマーカ２２１として開口部を設け、この開口部を介してシャドウマスク８１に設けられた任意の材料あるいは開口部からなるアライメントマーカ８４を観測してもよい。
【０８２６】
〔実施の形態１６〕
本実施の形態について主に図５３の（ａ）・（ｂ）〜図５９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０８２７】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１５との相違点について説明するものとし、前記実施の形態１〜１５で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０８２８】
図５３の（ａ）・（ｂ）は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間に空隙を設けた場合における、シャドウマスク８１の開口部８２と蒸着膜２１１の蒸着幅および蒸着位置との関係を示す図である。
【０８２９】
上述した各実施の形態では、被成膜基板２００の蒸着領域２１０よりも小さな面積（サイズ）を有する矩形状（帯状）のシャドウマスク８１を用いて、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間に一定の空隙（隙間ｇ１、マスクギャップ）を設けた状態で、シャドウマスク８１および蒸着源８５と、被成膜基板２００とのうち少なくとも一方を走査して被成膜基板２００の蒸着領域全域に蒸着粒子を蒸着している。
【０８３０】
しかしながら、このように被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間に空隙を設けた場合、被成膜基板２００に実際に蒸着される蒸着膜２１１の蒸着幅（例えば画素パターンのパターン幅）および蒸着位置は、シャドウマスク８１の開口部８２の幅および位置とは必ずしも一致しない。
【０８３１】
例えば、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とが、図５３の（ａ）に示す位置関係を有しているとともに、蒸着粒子の飛来方向が図５３の（ａ）に矢印で示す方向であった場合、蒸着膜２１１の蒸着パターン（例えば蒸着膜２１１によって形成される画素パターン）は、シャドウマスク８１の開口部８２に対し、幅、位置ともに変化している。
【０８３２】
したがって、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量が、図５３の（ｂ）に示すように、二点鎖線で示す状態から実線で示す状態に変動した場合、蒸着膜２１１の蒸着パターンは、シャドウマスク８１の開口部８２に対し、幅、位置ともにさらに変動してしまう。
【０８３３】
このように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間に空隙が存在する場合、この空隙の空隙量が変動すると、得られる蒸着膜２１１の蒸着幅および蒸着位置の変動が生じてしまう。
【０８３４】
したがって、上記空隙量を一定にしなければ、蒸着パターンにずれが生じ、高精細の蒸着パターンを被成膜基板２００の蒸着領域全域に渡って形成することはできない。
【０８３５】
このため、前記した各実施の形態では、例えば図１０のＳ１３に示したように、粗アライメント後にＴＦＴ基板１０等の被成膜基板２００全体に渡って被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間（基板−マスクギャップ）が所望の一定値になるようにギャップ調整して被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行い、その後、この基板−マスクギャップを保持したまま例えば被成膜基板２００をシャドウマスク８１に対して相対移動させて、蒸着を行った。
【０８３６】
なお、基板−マスクギャップは、基板−マスクギャップを測定する等して基板−マスクギャップが所望の一定値になるようにマスク保持部材８７や基板保持部材７１等の高さを調整することで、ある程度の調整は可能である。
【０８３７】
しかしながら、現実的には、上記空隙量を制御する手段を設けなければ、被成膜基板の自重撓みや、蒸着装置そのものの精度要因、熱による部材の膨張等の要因により、空隙量は絶えず変動してしまう。
【０８３８】
特に、上述したように、被成膜基板として大型基板を用いる場合、被成膜基板の自重撓みや、被成膜基板あるいは蒸着マスクの熱膨張等により、上記空隙量が変動し易いという問題点がある。
【０８３９】
このため、前記した各実施の形態では、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置を調整する調整手段として、例えば、マスクユニット移動機構２４０、マスクテンション機構８８、基板移動機構７０、マスク支持部１４１等を使用して、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置関係を適切に維持した。
【０８４０】
一例として、例えば、基板−マスクギャップが所望の一定値になるようにギャップ調整するに際し、アライメントマーカ等を用いてシャドウマスク８１のテンション調整を行ったり、静電チャック等により、被成膜基板２００を自重による撓みがない状態で保持したり、マスク支持部１４１等の当接部材を用いてシャドウマスク８１と被成膜基板２００との平行だし（シャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の隙間ｇ１の均一調整）を行ったり、絶対位置合わせマーカ１１０等のアライメントマーカを複数個利用してシャドウマスク８１の平行だしを行った。
【０８４１】
また、蒸着中の基板−マスクギャップを一定に保つために、アライメントマーカ等を用いてシャドウマスク８１のテンション調整を行い、シャドウマスク８１の自重撓みや熱による撓みの補正を行ったり、静電チャック等により、被成膜基板２００を吸着させた状態で被成膜基板２００を移動させたり、特許文献１０のようにボールネジの回動ではなく、ローラ式あるいは油圧式の移動機構やｘｙステージ等、被成膜基板２００あるいはマスクユニット８０を保持して水平方向に移動させることができる移動機構を用いたり、被成膜基板２００の撓みが生じないようにデポダウンにより蒸着を行ったりした。
【０８４２】
本実施の形態では、上記したように空隙を伴った蒸着方法において、高精細な蒸着パターンを実現するために、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の空隙量や該空隙量の分布を正確に把握し、空隙の微小調整を行うことで、上記空隙量（すなわち、隙間ｇ１の大きさ）をより厳密に一定に制御する方法について説明する。
【０８４３】
図５４は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。図５５は、図５４に示す蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の主要構成要素の一例を示す鳥瞰図である。
【０８４４】
図５４に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、空隙センサ４０１、および制御回路４１０を備えている。
【０８４５】
また、本実施の形態にかかるマスクユニット８０は、図５４に示すように、シャドウマスク８１と、蒸着源８５と、シャッタ８９と、アクチュエータ４０２（空隙量制御機構、保持手段、支持部材）とを備えている。また、図示はしないが、本実施の形態でも、上記マスクユニット８０には、マスクテンション機構８８等のテンション機構が設けられていることが好ましい。
【０８４６】
上記基板移動機構７０、マスクユニット８０、空隙センサ４０１は、真空チャンバ６０内に設けられている。
【０８４７】
なお、本実施の形態では、図５４に示すように、基板移動機構７０として、図３７あるいは図４８等で示したように、例えばフレーム状の基板保持部材７１を有するローラ式の移動機構を使用し、被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させる例を示している。
【０８４８】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、前記したように、油圧式の移動機構を用いて被成膜基板２００をマスクユニット８０に対して相対移動させてもよい。また、図１に示したように、被成膜基板２００におけるマスクユニット８０との対向面とは反対面側に、静電チャックを用いた基板保持部材７１を設け、静電チャックに被成膜基板２００を吸着させた状態で被成膜基板２００を移動させるものであってもよい。
【０８４９】
また、勿論、前記したように例えばマスクユニット移動機構２４０やマスク駆動制御部２３３を用いてマスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させる構成としてもよく、この場合、被成膜基板２００を固定し、マスクユニット８０のみを移動させてもよく、被成膜基板２００とマスクユニット８０とを両方ともに相対移動させてもよい。
【０８５０】
本実施の形態では、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量をより厳密に一定に保ちながら走査を行うために、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置を調整する調整手段として、上記した空隙センサ４０１とアクチュエータ４０２とが設けられている。
【０８５１】
空隙センサ４０１は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を測定するためのセンサである。
【０８５２】
空隙センサ４０１は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を計測し、空隙量信号として制御回路４１０に送る。
【０８５３】
上記空隙センサ４０１としては、例えば、透明な被成膜基板２００、もしくは、被成膜基板２００における透明領域を通して（つまり、上記被成膜基板２００を透過して）、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を計測する（読み取る）、光学式の空隙センサを用いることができる。
【０８５４】
この場合、空隙センサ４０１、被成膜基板２００、およびシャドウマスク８１は、それぞれ、空隙量の計測時に、空隙センサ４０１が、被成膜基板２００の透明領域を通して、被成膜基板２００からシャドウマスク８１の非開口部までの空隙を測定し得る位置関係を有するように取り付けられる。
【０８５５】
本実施の形態では、図５４および図５５に示すように、空隙センサ４０１を、被成膜基板２００の上方（上面側）であってマスクユニット８０近傍における基板走査方向の上流側に配置している。
【０８５６】
図５５では、空隙センサ４０１を、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部（つまり、基板走査方向の上流側端部）であるシャドウマスク８１の長辺８１ａにおける両端部に２つ設けている。
【０８５７】
被成膜基板２００には、被成膜基板２００におけるアライメントマーカ部２２０（図示せず）およびシャドウマスク８１におけるアライメントマーカ部８３（図示せず）、もしくはこれらマーカ部２２０・８３を読み取るための光学的手段（図示せず）の影響によって、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量のセンシングが外乱を受けないように、被成膜基板２００におけるアライメントマーカ部２２０から離間して空隙センシング用の透明領域（センシング光透過領域）が設けられていることが好ましい。但し、状況によっては、必ずしも離間させなくてもよい。空隙センサ４０１は、上記空隙センシング用の透明領域に対向するように設けられる。
【０８５８】
また、アクチュエータ４０２は、制御信号をｚ軸方向（シャドウマスク８１と被成膜基板２００とを垂直に繋いだ軸方向）の動きに変換することで上記空隙量を制御するｚ軸駆動アクチュエータである。
【０８５９】
アクチュエータ４０２は、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の空隙量を制御する空隙量制御機構として機能する。
【０８６０】
アクチュエータ４０２および蒸着源８５は、真空チャンバ６０の内壁における例えば底壁に固定されていてもよいし、マスクユニット８０を被成膜基板２００に対して相対移動させるマスクユニット移動機構によって移動可能に設けられた、ホルダ等のマスク保持部材（アクチュエータ４０２とは別に設けられたマスク保持部材）に固定されていてもよい。
【０８６１】
以下、本実施の形態では、図５４および図５５に示すように、アクチュエータ４０２がシャドウマスク８１に直接、設置（固定）されている場合を例に挙げて説明するが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０８６２】
シャドウマスク８１と蒸着源８５とは相対的に位置が固定されているが、空隙量調整作業による微小稼働領域は存在する。本実施の形態では、図５４および図５５に示すようにシャドウマスク８１の下面に隣接してアクチュエータ４０２が設けられていることで、上記空隙量調整作業における微小調整が行われる。
【０８６３】
なお、空隙量調整作業における微小調整は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との基板走査方向における相対的な位置関係に影響を及ぼすものではなく、シャドウマスク８１と蒸着源８５との基板走査方向における相対的な位置は、本実施の形態でも固定されている。
【０８６４】
図５６は、図５４に示す蒸着装置５０の構成の一部を示すブロック図である。
【０８６５】
制御回路４１０は、図５６に示すように、空隙量制御部として、空隙ズレ量算出部４１１（空隙ズレ量検出部、演算部）、空隙ズレ補正量導出部４１２（空隙ズレ補正量算出部、演算部）、アクチュエータ駆動制御部４１３を備えている。
【０８６６】
前記したように、空隙センサ４０１によって計測された被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間（空隙）の量は、空隙量信号として制御回路へ送られる。
【０８６７】
空隙ズレ量算出部４１１は、空隙センサ４０１から送られた空隙量信号から、空隙センサ４０１によって計測された被成膜基板２００とシャドウマスク８１との隙間と、予め設定された被成膜基板２００とシャドウマスク８１との隙間ｇ１とのズレの量（空隙ズレ量）を算出する。
【０８６８】
空隙ズレ補正量導出部４１２は、空隙ズレ量算出部４１１によって算出された空隙ズレ量から、上記ズレを解消するための補正値（空隙補正値）を導出（算出）し、調整信号としてアクチュエータ駆動制御部４１３へ送る。
【０８６９】
アクチュエータ駆動制御部４１３は、上記調整信号（空隙補正値）に基づいてアクチュエータ４０２をｚ軸方向に移動させることにより、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との隙間（マスクギャップ）を一定に制御する。
【０８７０】
次に、上記蒸着装置５０を用いた成膜工程について、図５５、図５７および図１０を参照して以下に説明する。
【０８７１】
図５７は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を用いてＴＦＴ基板１０に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。
【０８７２】
まず、図５５に示すように、アクチュエータ４０２に固定されたシャドウマスク８１を、基板走査方向とシャドウマスク８１に形成されたストライプ状の開口部８２の長軸方向とが一致するように、真空チャンバ６０内の蒸着源８５上に設置することでマスクユニット８０を組み立てる（マスクユニットの準備）。
【０８７３】
次に、図５７に示すように、上記真空チャンバ６０にＴＦＴ基板１０を投入し、該ＴＦＴ基板１０の同色サブ画素列の方向が基板走査方向に一致するように、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１（図示せず）を用いて、粗アライメントを行う（Ｓ１１）。ＴＦＴ基板１０は、自重による撓みが発生しないように、基板保持部材７１により保持する。
【０８７４】
続いて、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との粗アライメントを行い（Ｓ１２）、その後、図１０のＳ１３に示すように、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（基板−マスクギャップ）が一定になるようにギャップ調整してＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを対向配置させることにより、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせを行う。
【０８７５】
本実施の形態では、上記Ｓ１３において、図５７のＳ６１に示すように、空隙センサ４０１を用いてＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の空隙量を測定し、前記したように、該空隙センサ４０１からの空隙量信号に基づいて制御回路４１０からしかるべき調整信号（空隙補正値）をアクチュエータ４０２へと送ることで、上記隙間ｇ１を一定に制御する（Ｓ６１）。
【０８７６】
次いで、上記アクチュエータ４０２の動作を停止させ、上記隙間ｇ１を機械的に一定に保ったまま、上記ＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着を行う（Ｓ６２）。
【０８７７】
なお、上記隙間ｇ１を機械的に一定に保ったまま、上記ＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着を行うに際しては、前記した各実施の形態と同様の方法を採用することができる。なお、このとき、熱によるシャドウマスク８１の膨張等の要因による空隙量の変動を防止するためには、マスクテンション機構８８等のテンション機構を用いてシャドウマスク８１のテンション調整を行い、シャドウマスク８１の自重撓みや熱による撓みの補正を行うことが望ましい。
【０８７８】
その後、所定のパターンが成膜されたＴＦＴ基板１０を、上記真空チャンバ６０から取り出す（Ｓ１７）。なお、Ｓ６２では、必要に応じて、図１０のＳ１４〜Ｓ１７と同様の処理（工程）が行われる。
【０８７９】
以上のように、本実施の形態によれば、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を空隙センサ４０１によって測定することで、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を正確に把握することができる。
【０８８０】
したがって、本実施の形態によれば、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（空隙量）を正確に制御することができ、所望の一定値に保つことができる。
【０８８１】
また、上記したように上記隙間ｇ１の調整、すなわち、上記空隙量の制御にアクチュエータ４０２を使用することで、微小調整を行うことが可能であり、上記空隙量を容易かつ正確に調整することができる。
【０８８２】
このようにアクチュエータ４０２を用いて微小調整を行うことで、空隙量のより厳密な制御が可能となる。また、このとき、上記したようにアクチュエータ４０２を複数設けることで、空隙量の分布に応じて、局所的な空隙量の制御が可能となる。
【０８８３】
したがって、本実施の形態によれば、シャドウマスク８１の開口部８２を通過して蒸着される画素パターン等の蒸着膜２１１（図示せず）の幅の増減、位置ずれ、形状変化を抑制することができ、高精細のパターンを、被成膜基板２００の全面に渡って精度良く形成することができる。
【０８８４】
なお、図５７では、上記したように、Ｓ６２で、隙間ｇ１を機械的に一定に保って蒸着を行う場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０８８５】
図５８は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を用いてＴＦＴ基板１０に所定のパターンを成膜する方法の他の例を示すフローチャートである。
【０８８６】
本例でも、まず、図５５に示すように、アクチュエータ４０２に固定されたシャドウマスク８１を、基板走査方向とシャドウマスク８１に形成されたストライプ状の開口部８２の長軸方向とが一致するように、真空チャンバ６０内の蒸着源８５上に設置することでマスクユニット８０を組み立てる（マスクユニットの準備）。
【０８８７】
次に、図５８に示すように、図５７のＳ１１〜Ｓ６１と同様の工程（ステップ）を行う。本例では、その後、被成膜基板２００を走査している最中に、空隙センサ４０１を用いてＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の空隙量を測定し、該空隙センサ４０１からの空隙量信号に基づいて制御回路４１０からしかるべき調整信号（空隙補正値）をアクチュエータ４０２へと送ることで、リアルタイムで上記空隙量の測定・制御（調整）を行う。これにより、Ｓ６３に示すように上記ＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着を行うに際し、Ｓ６４に示すようにリアルタイムで空隙量を補正し、上記隙間ｇ１を一定に保ちながら蒸着を行う。
【０８８８】
その後、所定のパターンが成膜されたＴＦＴ基板１０を、上記真空チャンバ６０から取り出す（Ｓ１７）。なお、本例でも、Ｓ６３では、必要に応じて、図１０のＳ１４〜Ｓ１７と同様の処理（工程）が行われる。
【０８８９】
上記したように、図５８に示す方法は、制御、機構ともに、図５７に示す方法よりも複雑ではあるが、マスクユニット８０および被成膜基板２００のうち少なくとも一方を相対移動して蒸着している間、基板走査方向にわたって、隙間ｇ１を、定められた一定値に確実に保持することができる。このため、より精度の高いパターニングを実現することができる。
【０８９０】
なお、本実施の形態では、図５５に示すように、空隙センサ４０１を、シャドウマスク８１における基板進入方向側の端部となる長辺８１ａにおける両端部に２つ設けた場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０８９１】
図５９は、図５４に示す蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の主要構成要素の他の一例を示す鳥瞰図である。
【０８９２】
図５９は、上記空隙センサ４０１を、上記長辺８１ａに沿って、３つ（基板進入方向側の長辺８１ａの両端部および中央）設けた場合について図示している。
【０８９３】
空隙センサ４０１は、１つのみあるいは図５５に示すように２つ設けられていても構わないが、空隙量の分布を把握するために、複数個設置されていることが好ましく、特に、基板走査方向（すなわち、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との相対移動方向）に垂直な方向に沿って、同一平面内に複数個並設されていることが好ましい。
【０８９４】
図５９に示すように空隙センサ４０１が、基板走査方向に垂直な方向に並んで３つ以上設けられていることで、空隙量の分布をより正確に把握することができる。
【０８９５】
なお、本実施の形態では、上述したように、空隙センサ４０１として、被成膜基板２００を透過して被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を読み取る光学式の空隙センサを使用した。
【０８９６】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記空隙センサ４０１として、静電容量式、渦電流方式等の、その他の方式を用いた空隙センサを用いても構わない。
【０８９７】
但し、静電容量式の空隙センサや渦電流方式の空隙センサは、基本的にはセンサそのものとある物体との間の空隙を測定するものであり、上記物体は導体である必要がある。このため、これら空隙センサの使用には制限が伴う。したがって、空隙センサ４０１としては、上記したように光学式の空隙センサを使用することが望ましい。
【０８９８】
また、本実施の形態では、アクチュエータ４０２がシャドウマスク８１に取り付けられている場合を例に挙げて説明した。
【０８９９】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、アクチュエータ４０２は、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の空隙量を制御することができればよい。
【０９００】
アクチュエータ４０２は、上記空隙量をコントロールするために、アクチュエータ４０２をｚ軸方向に動作させることで、シャドウマスク８１を直接ｚ軸方向に動作させるものであってもよく、蒸着源８５とシャドウマスク８１とを備えたマスクユニット８０全体をｚ軸方向に動作させるものであってもよく、少なくともシャドウマスク８１を含むユニットの一部（例えばマスクフレーム）をｚ軸方向に動作させるものであってもよい。
【０９０１】
例えば、シャドウマスク８１はマスクフレームに溶接されていてもよく、アクチュエータ４０２は、このマスクフレームを駆動してもよい。
【０９０２】
また、例えばシャドウマスク８１（またはシャドウマスク８１と一体的に設けられたマスクフレーム）をセットまたは交換するユニット等がある場合、アクチュエータ４０２は、このユニットを駆動してもよい。
【０９０３】
また、上記マスクユニット８０に、例えば、マスクテンション機構８８、あるいは、スライド機構を備えたマスク固定台１４４を有するマスク保持部材８７、マスククランプ１３０等のように、シャドウマスク８１にテンションをかけるための機構が設けられている場合、この機構全体をアクチュエータ４０２で駆動してもよい。
【０９０４】
また、アクチュエータ４０２は、シャドウマスク８１の下面ではなく上面に隣接して設けられていてもよい。
【０９０５】
例えば、デポダウンを行う場合、アクチュエータ４０２は、シャドウマスク８１の上面に隣接して設けられていてもよい。
【０９０６】
このように、アクチュエータ４０２は、シャドウマスク８１に直接固定されることでマスク保持部材８７として用いられてもよく、マスク保持部材８７とは別に設けられていてもよい。
【０９０７】
また、本実施の形態では、上記したようにアクチュエータ４０２が、シャドウマスク８１に取り付けられている場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０９０８】
例えば、別の方式として、シャドウマスク８１は固定されており、被成膜基板２００を駆動する機構内（例えば基板移動機構７０）に、アクチュエータ等のｚ軸方向の駆動機構を設けて、それによって、空隙量を制御しても構わない。
【０９０９】
すなわち、シャドウマスク８１ではなく、被成膜基板２００を動作させることでシャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の空隙量を制御してもよい。
【０９１０】
このように、アクチュエータは、（１）少なくともシャドウマスク８１を含むマスクユニット８０の一部、もしくは、マスクユニット８０全体、および、（２）被成膜基板２００、のうち少なくとも一方を動作させるものであればよく、例えば被成膜基板２００に隣接して設けられていても構わない。
【０９１１】
なお、上記アクチュエータは、（１）少なくともシャドウマスク８１を含むマスクユニット８０の一部、もしくは、マスクユニット８０全体、および、（２）被成膜基板２００、のうち少なくとも一方を動作させて上記空隙量を調整することができればよく、複数設けられていることが、被成膜基板２００の全面に渡って精度良く空隙量を制御することができることから好ましいが、例えばホルダ等のマスク保持部材８７の下面側にアクチュエータを設ける場合等、１つのみ設けられていても構わない。
【０９１２】
また、本実施の形態でも、シャドウマスク８１は、マスク準備工程あるいは蒸着工程において、自重あるいは熱による撓みや延びが発生しないように、マスクテンション機構８８にてテンションをかけて水平に保持されていることが望ましい。
【０９１３】
前記したように、マスクテンション機構８８、あるいは、スライド機構を備えたマスク固定台１４４を有するマスク保持部材８７等、シャドウマスク８１にテンションをかけるための機構が設けられている場合、この機構全体（例えばこの機構を含むユニットの一部または全体）をアクチュエータ４０２で駆動することで、前述した各実施の形態、例えば実施の形態１、７〜１２で説明した方法と同様にしてシャドウマスク８１にテンションをかけることができる。
【０９１４】
また、アクチュエータが被成膜基板２００に隣接して設けられている場合にも、前述した各実施の形態、例えば実施の形態１、７〜１２で説明した方法と同様にしてシャドウマスク８１にテンションをかけることができる。
【０９１５】
但し、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、前記したようにアクチュエータ４０２が上記したようにシャドウマスク８１に直接取り付けられている場合であっても、例えば、アクチュエータ４０２が、スライダ機構に接続される等して、図１におけるマスク保持部材８７あるいは図３１に示す可動部１４２のように面方向にスライド移動可能に設けられていることで、シャドウマスク８１にテンションをかけることができるとともに、隙間ｇ１を一定に制御することができる。
【０９１６】
なお、本実施の形態では、制御回路４１０における構成要素（各機能ブロック、制御部）として、上記したように空隙センサ４０１を用いて隙間ｇ１を一定に制御するための構成要素を抜粋して説明した。
【０９１７】
しかしながら、上記制御回路４１０が、上記した構成要素の他に、図４あるいは図２９に示す制御回路１００、図４０あるいは図４１に示す制御回路２３０、図４９に示す制御回路２８０、図５２に示す制御回路２９０における構成要素と同様の構成要素を備えていてもよいことは、言うまでもない。
【０９１８】
また、本実施の形態でも、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が一次元に配列されている場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６は、二次元に配列されていてもよく、一つのみ形成されていてもよいことも、言うまでもない。
【０９１９】
また、本実施の形態でも、シャッタ８９として、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能なシャッタが設けられているものとし、図５７に示すＳ６２あるいは図５８に示すＳ６３において、図１０のＳ１４〜Ｓ１７と同様の処理（工程）が行われるに際し、非蒸着領域（蒸着不要部）に蒸着粒子が付着するのを防ぐために、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間にシャッタ８９を挿入するものとするが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０９２０】
例えば、本実施の形態でも、前記したように、蒸着源８５として、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えが可能な蒸着源８５を使用し、被成膜基板２００における、蒸着不要な部分がシャドウマスク８１の開口領域（つまり、開口部８２に対向する領域）に位置する場合には、蒸着をＯＦＦし、蒸着粒子が飛翔しないようにしてもよい。
【０９２１】
〔実施の形態１７〕
本実施の形態について主に図６０および図６１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０９２２】
なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１〜１６との相違点（特に実施の形態１６との相違点）について説明するものとし、前記実施の形態１〜１６で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０９２３】
本実施の形態でも、実施の形態１６同様、空隙を伴った蒸着方法において、高精細な蒸着パターンを実現するために、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量（すなわち、隙間ｇ１の大きさ）をより厳密に一定に制御する方法について説明する。
【０９２４】
図６０は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ６０内の主要構成要素の一例を示す鳥瞰図である。また、図６１は、本実施の形態で用いられる被成膜基板における空隙センシング用の透明領域を示す平面図である。
【０９２５】
本実施の形態の全体的な概念は実施の形態１６と同じであり、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における構成要素そのものは、実施の形態１６にかかる蒸着装置５０における構成要素と同じである。
【０９２６】
すなわち、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、空隙センサ４０１およびアクチュエータ４０２の数および配置が異なるだけで、図５４に示す蒸着装置５０と同様の構成要素を備えている。
【０９２７】
前記実施の形態１６では、空隙センサ４０１を、被成膜基板２００の上方であって、マスクユニット８０近傍における基板走査方向の上流側端部の長辺８１ａに沿って、２つ（基板進入方向側の長辺８１ａの両端部）または３つ（基板進入方向側の長辺８１ａの両端部および中央）設けた場合を例に挙げて説明した。
【０９２８】
本実施の形態では、図６０に示すように、空隙センサ４０１を、被成膜基板２００の上方であってマスクユニット８０近傍における基板走査方向の上流側端部の長辺８１ａおよび下流側の長辺８１ａに沿って、それぞれ３つずつ配置している。すなわち、本実施の形態では、空隙センサ４０１は、シャドウマスク８１の各長辺８１ａの両端部および中央にそれぞれ設けられている。
【０９２９】
また、前記実施の形態１６では、図５５および図５９に示すように、アクチュエータ４０２を、蒸着源８５の長手方向両端部、つまり、シャドウマスク８１の短辺８１ｂの中心付近にそれぞれ１つずつ設けた場合を例に挙げて説明した。
【０９３０】
本実施の形態では、図６０に示すように、アクチュエータ４０２を、蒸着源８５の長手方向両端部に加え、蒸着源８５の長手方向中心付近における、基板走査方向の上流側と下流側とに、それぞれ一つずつ追加した。
【０９３１】
以下、本実施の形態では、図６０に示すように配置された空隙センサ４０１を用いて、被成膜基板２００を走査しながら空隙量をセンシングし、リアルタイムで空隙量を制御（調整）する場合を例に挙げて説明する。
【０９３２】
本実施の形態では、リアルタイムで空隙量を制御することから、図６１に示すように、被成膜基板２００における上記空隙センサ４０１との対向領域に、基板走査方向に沿って、空隙センシング用の透明領域２０１（センシング光透過領域）が延設されている。
【０９３３】
図６１に示す例では、空隙センサ４０１が、前記したようにシャドウマスク８１の各長辺８１ａの両端部および中央にそれぞれ設けられていることから、被成膜基板２００の短手方向中心付近および長手方向両端部に、基板走査方向に沿って空隙センシング用の透明領域２０１が延設されている。
【０９３４】
このため、本実施の形態では、被成膜基板２００における蒸着領域２１０として、被成膜基板２００の短手方向中心付近に基板走査方向に沿って設けられた空隙センシング用の透明領域２０１を挟むように、ＴＦＴ回路形成領域２０２ａ・２０２ｂがそれぞれ設けられている。
【０９３５】
なお、実施の形態１６で説明したように、空隙センシング用の透明領域２０１は、被成膜基板２００におけるアライメントマーカ部２２０（図示せず）およびシャドウマスク８１におけるアライメントマーカ部８３（図示せず）、もしくはこれらマーカ部２２０・８３を読み取るための光学的手段（図示せず）の影響によって、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量のセンシングが外乱を受けないように、被成膜基板２００におけるアライメントマーカ部２２０から離間して形成されることが好ましい。
【０９３６】
なお、図６１では、被成膜基板２００に、空隙センシング用の透明領域２０１が基板走査方向に渡って連続して設けられている場合について図示した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、空隙センシング用の透明領域２０１は、断続的に形成されていても構わない。
【０９３７】
これら空隙センサ４０１、空隙センシング用の透明領域２０１、シャドウマスク８１は、本実施の形態でも、それぞれ、空隙量の計測時に、空隙センサ４０１が、被成膜基板２００の透明領域２０１を通して、被成膜基板２００からシャドウマスク８１の非開口部までの空隙を測定し得る位置関係を有するように取り付けられる。
【０９３８】
本実施の形態によれば。上記したように、実施の形態１６よりも空隙センサ４０１の設置数を増やしているので、実施の形態１６と比較して、より多くの空隙量に関する情報を得ることができる。
【０９３９】
また、同様に、実施の形態１６よりもアクチュエータ４０２の数を増やしているので、実施の形態１６と比較してより多くの情報を元により精密な制御をすることができる。
【０９４０】
特に、本実施の形態では、基板走査方向の上流側と下流側とに、それぞれ空隙センサ４０１およびアクチュエータ４０２を設けているので、例えば、基板走査方向の上流側では空隙量が大きく、下流側では空隙量が小さいといったような場合においても、上流側のアクチュエータ４０２と下流側のアクチュエータ４０２とを独立して制御することにより、被成膜基板２００の全面に渡って精度良く空隙量を制御することができる。
【０９４１】
また、シャドウマスク８１の長手方向（すなわち基板走査方向と垂直な方向）にも複数の空隙センサ４０１およびアクチュエータ４０２を設けているので、例えば、シャドウマスク８１の長手方向における中心部は空隙量が大きく、端部は空隙量が小さいといったような場合においても、シャドウマスク８１の長手方向における中心部のアクチュエータ４０２と端部のアクチュエータ４０２とを独立して制御することにより、被成膜基板２００の全面に渡って精度良く空隙量を制御することができる。
【０９４２】
本実施の形態によれば、上記したように被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の空隙量を、リアルタイムにアライメントしながら、かつ被成膜基板２００の全面に渡ってより正確に制御することができ、所望の一定値に確実に保つことができる。
【０９４３】
したがって、シャドウマスク８１の開口部８２を通過して蒸着される画素パターン等の蒸着膜２１１（図示せず）の幅の増減、位置ずれ、形状変化を抑制することができ、高精細のパターンを、被成膜基板２００の全面に渡って精度良く形成することができる。
【０９４４】
なお、本実施の形態では、上記したように、空隙センサ４０１を、被成膜基板２００の上方であってマスクユニット８０近傍における基板走査方向の上流側端部の長辺８１ａおよび下流側の長辺８１ａに沿って、それぞれ３つずつ配置した場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
【０９４５】
例えば前記実施の形態１６に示すように、空隙センサ４０１を、被成膜基板２００の上方であってマスクユニット８０近傍における基板走査方向の上流側端部の長辺８１ａに沿って、３つ（基板進入方向側の長辺８１ａの両端部および中央）設けた場合にも、図６１に示すように、被成膜基板２００における上記空隙センサ４０１との対向領域に、基板走査方向に沿って、空隙センシング用の透明領域２０１を設けることで、リアルタイムで空隙量を制御することができることは言うまでもない。
【０９４６】
なお、上記した各実施の形態では、主に、被成膜基板２００をデポアップあるいはデポダウンする場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０９４７】
例えば、上記蒸着源８５は、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有しており、被成膜基板２００の蒸着面（被成膜面）側が蒸着源８５側を向いて垂直方向に立てられている状態で、シャドウマスク８１を介して蒸着粒子を横方向に被成膜基板２００に蒸着（サイドデポジション）させてもよい。
【０９４８】
また、上記した各実施の形態では、有機ＥＬ表示装置１がＴＦＴ基板１０を備え、該ＴＦＴ基板１０上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上記有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０に代えて、有機層を形成する基板にＴＦＴが形成されていないパッシブ型の基板であってもよく、被成膜基板２００として、上記パッシブ型の基板を用いてもよい。
【０９４９】
また、上記した各実施の形態では、上記したようにＴＦＴ基板１０上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機層に代えて、電極パターンを形成する場合にも好適に用いることができる。本発明にかかる蒸着装置５０並びに蒸着方法は、上記したように有機ＥＬ表示装置１の製造方法以外にも、パターン化された膜を蒸着により成膜する、あらゆる製造方法並びに製造装置に対して好適に適用することができる。
【０９５０】
本発明にかかる蒸着方法および蒸着装置は、以上のように、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを使用し、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量の調整を行い、上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にして上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行う。
【０９５１】
本発明によれば、上記したように蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定しているため、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを用いて、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことができる。
【０９５２】
このため、蒸着マスクの大型化に伴う自重撓みや延びの問題が発生せず、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。
【０９５３】
また、本発明によれば、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを使用することから、蒸着マスクの大型化に伴って蒸着マスクを保持するフレームが巨大化・超重量化することで生じる問題の発生も抑制、回避することができる。
【０９５４】
また、上記マスクユニットと被成膜基板との間の空隙を一定にしてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことで、幅および膜厚が均一な蒸着膜を形成することができる。
【０９５５】
しかも、上記マスクユニットと被成膜基板との間に空隙が設けられていることで、被成膜基板が蒸着マスクに接触せず、蒸着マスクにより被成膜基板が損傷されることがない。また、そのような損傷を防止するためのマスクスペーサを被成膜基板上に形成する必要もない。したがって、コストの削減を図ることもできる。
【０９５６】
上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構をさらに備え、上記位置合わせ工程では、上記蒸着マスクにテンションを加えた状態で保持することが好ましい。
【０９５７】
すなわち、本発明にかかる蒸着方法は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源と、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記蒸着マスクを、テンションを加えた状態で保持するとともに、上記マスクユニットと被成膜基板とを、上記蒸着マスクが被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように位置合わせする位置合わせ工程と、上記マスクユニットと被成膜基板との間に上記一定の空隙を有した状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて順次蒸着させる蒸着工程とを備えていることが好ましい。
【０９５８】
また、上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構をさらに有していることが好ましい。
【０９５９】
すなわち、本発明にかかる蒸着装置は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、被成膜基板に対向配置され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、上記マスクユニットと被成膜基板との間に一定の空隙を有した状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備えているとともに、上記マスクユニットは、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構を有していることが好ましい。
【０９６０】
上記の構成によれば、上記テンション機構によって上記蒸着マスクにテンションを加えることで、上記蒸着マスクの自重による撓みや熱膨張を改善することができる。また、蒸着時の状況（例えば、蒸着マスクの熱膨張や被成膜基板の出来上がり精度）に合わせて、蒸着マスクの位置合わせの精度を、テンションで調整することができる。
【０９６１】
なお、特許文献４には、コイルバネを用いて、金属マスクを引っ張った状態でベースプレートに保持させることでスリットを所定形状に維持可能な構成とし、このベースプレートに基板を取り付けることで、高精細な蒸着パターンを基板上に形成することが開示されている。
【０９６２】
しかしながら、上記特許文献４に記載の方法は、上記したようにベースプレートを用いて基板と金属マスクとを密着させて蒸着を行うものであり、真空蒸着装置で真空状態にする前にマスク調整を行う必要がある。このため、真空蒸着中の金属マスクの状態（温度、基板仕上がり等）のズレに対しては、補正することができない。
【０９６３】
また、上記特許文献４は、基板の蒸着領域全体に蒸着できるサイズの金属マスクを用いて基板の蒸着領域に蒸着を行うものであり、基板の蒸着領域が小さいことから、基板と比べて小型の金属マスクを使用しているが、基板が大型化した場合、金属マスク自体も大型化するとともに、大型のベースプレートが必要となる。このため、このような金属マスクおよび基板を取扱う装置が巨大化、複雑化し、装置の設計が困難になるだけでなく、製造工程あるいはマスク交換等の工程における取り扱いの安全性の問題は、依然として残る。
【０９６４】
しかしながら、本発明によれば、上記したように、そのような問題は生じない。
【０９６５】
また、特許文献１１には、蒸着マスクとしてメタルマスクを用いる場合に、メタルマスクを固定部機構によりマスク支持体のマスク支持部に固定することが開示されており、このときに、メタルマスクをその周辺方向に引っ張って固定することが開示されている。
【０９６６】
しかしながら、特許文献１１は、溝にメタルマスクの周辺を配置し、その上から固定具によってメタルマスクを固定するに際し、メタルマスクをその周辺方向に引っ張った状態で固定することを開示しているにすぎず、蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構そのものについての開示はなされていない。
【０９６７】
しかも、特許文献１１では、最終的にはメタルマスクを溝に固定具で固定することから、特許文献４同様、真空蒸着中の金属マスクの状態（温度、基板仕上がり等）のズレに対しては、補正することができない。
【０９６８】
これに対し、本発明によれば、上記したように蒸着装置そのものが、上記蒸着マスクにテンションを加えるテンション機構を有しており、上記テンション機構によって上記蒸着マスクの張りが制御される。
【０９６９】
このため、本発明によれば、上述したように、上記マスクユニットと被成膜基板との間に一定の空隙が保持されるように上記蒸着マスクの自重による撓みや熱膨張が抑制・改善されるのみならず、上記テンション機構によって、画素位置ズレ等を積極的に制御することができる。また、上記テンション機構は、上記マスクユニットに設けられていることから、リアルタイムアライメントの補助機構としても用いることができる。
【０９７０】
また、本発明は、上記マスクユニットを成膜チャンバ内に配置して上記蒸着を成膜チャンバ内で行うとともに、上記蒸着マスクと、上記マスクユニットまたは上記成膜チャンバにおける上記蒸着マスクに対向する位置とに、絶対位置合わせ用のアライメントマーカがそれぞれ設けられており、上記位置合わせ工程でそれぞれのアライメントマーカの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクを、予め決定された絶対位置に合わせることが好ましい。
【０９７１】
上記の構成によれば、上記蒸着マスクを絶対位置に合わせることができる。このため、上記蒸着源と蒸着マスクとの相対的な位置を正確に固定することができる。つまり、蒸着源から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に蒸着マスクを正確に位置づけることができる。
【０９７２】
したがって、上記の構成によれば、蒸着領域を狭く絞ることができるので、蒸着エリアに対する蒸着マスクの位置が多少ずれても問題ないように蒸着領域を広げておくような設計が不要となる。このため、材料の利用効率を向上させることができる。
【０９７３】
また、上記蒸着マスクには、上記絶対位置合わせ用のアライメントマーカが、上記相対移動する方向（相対移動方向）に平行にそれぞれ複数設けられており、上記蒸着マスクに設けられた絶対位置合わせ用のアライメントマーカのうち少なくとも１つと、上記マスクユニットまたは上記成膜チャンバに設けられた絶対位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクを上記絶対位置に合わせることが好ましい。
【０９７４】
上記の構成によれば、上記相対移動方向（すなわち、走査方向）と、上記蒸着マスクにおける、走査方向に平行な方向の開口部の辺（開口端）とを正確に平行にすることができる。
【０９７５】
また、上記被成膜基板には、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させるときに上記被成膜基板における蒸着領域よりも手前となる位置に、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが設けられており、上記蒸着マスクには、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させるときに上記被成膜基板に設けられたアライメントマーカに最初に対向する端部に、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが設けられており、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させるときに、上記被成膜基板における蒸着領域よりも手前の位置で、上記蒸着マスクに設けられた位置合わせ用のアライメントマーカと、上記被成膜基板に設けられた位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクと被成膜基板とを位置合わせすることが好ましい。
【０９７６】
上記の構成によれば、被成膜基板が、蒸着源から蒸着粒子が蒸着される領域（蒸着エリア）に進入する前に、確実に上記マスクユニットと被成膜基板との位置補正を行うことができる。
【０９７７】
また、上記蒸着マスクと被成膜基板とには、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが、上記相対移動する方向（相対移動方向）に平行にそれぞれ複数設けられており、上記蒸着マスクに設けられた位置合わせ用のアライメントマーカと、上記被成膜基板に設けられた位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を合わせることで、上記蒸着マスクと被成膜基板とを位置合わせすることが好ましい。
【０９７８】
上記の構成によれば、上記蒸着マスクと被成膜基板とを位置合わせするに際し、上記相対移動方向（すなわち、走査方向）と、上記蒸着マスクにおける、走査方向に平行な方向の開口部の辺（開口端）とを正確に平行にすることができる。
【０９７９】
また、上記蒸着マスクにテンションを加えるに際しては、上記蒸着マスクの上面または下面に当接する当接部材を支点として、上記蒸着マスクに、斜め上方向または斜め下方向にテンションを加えることが好ましい。
【０９８０】
上記の構成によれば、上記蒸着マスクを支持する支持部材（固定されていて動作しない）等、上記蒸着マスクの上面または下面に当接する当接部材を支点として、上記蒸着マスクに、斜め上方向または斜め下方向にテンションを加えることで、上記蒸着マスクに、容易にテンションを加えることができる。
【０９８１】
また、上記蒸着マスクの上面または下面に当接する当接部材を支点として用いることで、上記蒸着マスクと被成膜基板との平行だし（上記蒸着マスクのマスク面と被成膜基板の基板面との平行だし）を、容易かつ精度良く行うことができる。
【０９８２】
特に、上記蒸着マスクに対し前後左右に移動するテンション機構自体によって上記蒸着マスクと被成膜基板とを厳密に平行だしするよりも、上記当接部材と被成膜基板との平行だしによって上記蒸着マスクと被成膜基板との平行だしを行う方が、精度が高く、しかも容易である。
【０９８３】
また、上記当接部材と被成膜基板との平行だしが上記蒸着マスクと被成膜基板との平行だしを支配していることから、上記蒸着マスクを交換する場合に、上記蒸着マスクと被成膜基板との平行だしを厳密に調整する必要はなくなる。このため、上記蒸着マスクの交換を容易に行うことができる。
【０９８４】
また、上記蒸着マスクの一端は固定されており、上記テンション機構を用いて、上記蒸着マスクに対し、一方向からテンションを加えることが好ましい。
【０９８５】
上記の構成によれば、上記蒸着マスクには、一軸方向の張力しか生じない。このため、蒸着マスクが捩じれることがなく、安定した動作を行うことができる。
【０９８６】
また、上記テンション機構は、蒸着マスクの各角部に設けられたクランプを備えており、上記クランプにそれぞれテンションを加えることで、上記蒸着マスクの各角部から上記蒸着マスクにテンションを加えるものであってもよい。
【０９８７】
上記の構成によれば、あらゆる方向から上記蒸着マスクにテンションを加えることができるので、細かな位置調整が可能であり、位置合わせ精度を向上させることができる。したがって、蒸着精度をより一層向上させることができる。
【０９８８】
また、上記蒸着工程では、蒸着しながら、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整することが好ましい。
【０９８９】
すなわち、本発明にかかる蒸着方法は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記マスクユニットと被成膜基板とを、上記蒸着マスクが被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように位置合わせする位置合わせ工程と、上記マスクユニットと被成膜基板との間に上記一定の空隙を有した状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備え、上記蒸着工程では、蒸着しながら、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整することが好ましい。
【０９９０】
また、このために、上記蒸着装置は、上記被成膜基板および蒸着マスクに隣接して配置され、上記蒸着マスクとの相対的な位置を固定したアライメント観測手段と、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整する調整手段とをさらに備えていることが好ましい。
【０９９１】
すなわち、本発明にかかる蒸着装置は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、被成膜基板に対向配置され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、上記マスクユニットと被成膜基板との間に一定の空隙を有した状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段と、上記被成膜基板および蒸着マスクに隣接して配置され、上記蒸着マスクとの相対的な位置を固定したアライメント観測手段と、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整する調整手段とを備えていることが好ましい。
【０９９２】
被成膜基板またはマスクユニットを相対移動（走査）する際に生じるメカニカルな精度は絶対ではない。しかしながら、蒸着しながら、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整することで、蒸着中における被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置関係を適切に維持することができる。したがって、上記の各構成によれば、被成膜基板に大型の基板を用いたとしても、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。
【０９９３】
また、被成膜基板と上記蒸着マスクとの位置合わせのために走査をストップする必要がないので、より高効率に蒸着膜を成膜することができる。
【０９９４】
特に、上記したように、アライメント観測手段として、被成膜基板および蒸着マスクに隣接して配置され、上記蒸着マスクとの相対的な位置を固定したアライメント観測手段を用いて被成膜基板と蒸着マスクとの相対的な位置を観測することで、認識精度を向上させることができる。したがって、より高精度な位置合わせを行うことができる。
【０９９５】
また、上記アライメント観測手段を用いることで認識精度を向上させることができることから、上記蒸着マスクと被成膜基板とには、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカがそれぞれ設けられており、上記蒸着工程では、蒸着しながら、上記被成膜基板および蒸着マスクに隣接して配置され、上記蒸着マスクとの相対的な位置を固定したアライメント観測手段で、上記蒸着マスクと被成膜基板とに設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置を観測し、この観測結果に基づいて、上記蒸着マスクと被成膜基板とに設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置を調整することで、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整することが好ましい。
【０９９６】
これにより、より高精度な位置合わせを、リアルタイムに行うことができる。
【０９９７】
また、上記被成膜基板および蒸着マスクに設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、上記蒸着源から射出される蒸着粒子の蒸着領域外に設けられており、かつ、上記蒸着マスクに設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、アライメント用の開口部であり、上記蒸着工程では、上記アライメント観測手段で、上記蒸着マスクに設けられたアライメント用の開口部を通して、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置を観測することが好ましい。
【０９９８】
上記の構成によれば、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカを、上記アライメント観測手段を用いて、上記蒸着マスクに設けられたアライメント用の開口部を通して観測することで、より正確な位置合わせを行うことができる。したがって、より正確な蒸着コントロールが可能となる。
【０９９９】
また、上記アライメント観測手段は、上記蒸着マスクに設けられたアライメント用の開口部を通して、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカにスポット光を照射し、その反射強度から、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置を観測することが好ましい。
【１０００】
これにより、画像認識を行うことなく、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置をより正確に観測し検出することができる。また、これらの処理を、高精度でありながら、より高速で行うことができる。したがって、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を高速に相対移動させる場合に好適に使用することができる。
【１００１】
また、上記被成膜基板には、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカが設けられており、上記蒸着工程では、蒸着しながら、アライメント観測手段で、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を観測し、この観測結果に基づいて、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を調整することで、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの相対的な位置を調整することが好ましい。
【１００２】
上記の構成によれば、被成膜基板に実際に蒸着された蒸着膜のズレを評価することができるので、より精度の高い位置合わせを行うことができる。
【１００３】
また、上記アライメント観測手段は、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を、上記アライメントマーカおよび蒸着膜に非接触で光学的に観測することが好ましい。
【１００４】
上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との位置関係を観測する手段としては、フォトルミネッセンス発光の観測、反射強度の観測、透過強度の観測、単純な画像認識等の光学的な観測を行うアライメント観測手段を用いることができる。
【１００５】
また、上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、紫外光を反射または吸収する材料を用いて、上記蒸着源から射出される蒸着粒子の蒸着領域内に設けられており、上記蒸着粒子として、フォトルミネッセンス発光する材料の蒸着粒子を使用し、上記蒸着工程では、上記蒸着粒子を、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカ上に蒸着させるとともに、上記アライメント観測手段は、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜とに紫外光を照射することで、紫外光によってフォトルミネッセンス発光している蒸着膜と、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカとの相対的な位置を観測することが好ましい。
【１００６】
上記の構成によれば、被成膜基板に実際に蒸着された蒸着膜のズレを直接評価することができるので、より精度の高い位置合わせを行うことができる。
【１００７】
また、上記被成膜基板における上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカとして、該アライメントマーカ内に複数の開口部を有するアライメントマーカであり、上記アライメント観測手段は、各開口部間の蛍光強度の比率から、上記被成膜基板に設けられた、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカと、上記所定のパターンに成膜された蒸着膜との相対的な位置を観測することが好ましい。
【１００８】
上記の構成によれば、画像認識を行うことなく、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの相対的な位置をより正確に観測し検出することができる。また、これらの処理を、高精度でありながら、より高速で行うことができる。したがって、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を高速に相対移動させる場合に好適に使用することができる。
【１００９】
また、上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方が相対移動する方向に沿って、上記被成膜基板における、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方が相対移動する領域の端から端までの間に渡って設けられていることが好ましい。
【１０１０】
このようなアライメントマーカを、蒸着しながら観測し続けることで、上記蒸着マスクと被成膜基板とを高精度に位置合わせすることができるとともに、被成膜基板の走査量を正確に把握することができる。したがって、より正確な蒸着コントロールが可能となる。
【１０１１】
また、上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、断続的に形成されていることが好ましい。
【１０１２】
上記の構成によれば、アライメントマーカが断続的に形成されていることで、反射強度も断続的に変化する。
【１０１３】
したがって、この変化の周期をカウントすることにより、被成膜基板の走査量を被成膜基板の走査量を正確に把握することができる。したがって、より正確な蒸着コントロールが可能となる。
【１０１４】
また、上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカは、被成膜基板の位置によって、異なる断続周期で形成されていることが好ましい。
【１０１５】
このように、上記被成膜基板における、上記蒸着マスクと被成膜基板との位置合わせ用のアライメントマーカの断続周期を、被成膜基板の位置によってあえて変えることで、被成膜基板の位置（走査量）を、より正確に把握することができる。
【１０１６】
また、上記位置合わせ工程では、空隙センサを用いて蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定し、測定した空隙量に基づいて、少なくとも上記蒸着マスクを含むマスクユニットの一部もしくはマスクユニット全体、および、被成膜基板のうち少なくとも一方を、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を一定量に調整することが好ましい。
【１０１７】
また、このために、上記蒸着装置は、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定する空隙センサを少なくとも１つ備えていることが好ましい。
【１０１８】
蒸着マスクと蒸着源とは相対的に位置が固定されているが、空隙量調整作業による微小稼働領域は存在する。
【１０１９】
そして、上記したように蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を空隙センサによって測定することで、蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を正確に把握することができる。したがって、上記空隙量を正確に制御することができ、上記空隙量を所望の一定値に保つことができる。
【１０２０】
このため、上記蒸着マスクの開口部を通過して蒸着される蒸着膜の幅の増減、位置ずれ、形状変化を抑制することができ、高精細のパターンを、被成膜基板の全面に渡って精度良く形成することができる。
【１０２１】
また、上記蒸着装置が上記空隙センサを複数備えていることで、上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量の分布をより正確に把握することができるので、上記空隙量をより正確に制御することができる。
【１０２２】
また、上記蒸着工程では、空隙センサを用いて蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定し、測定した空隙量に基づいて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を一定量に調整しながら上記蒸着を行うことが好ましい。
【１０２３】
このように、蒸着を行いながらリアルタイムで上記空隙量を調整することで、上記空隙量を、定められた一定値に確実に保持することができる。したがって、より精度の高いパターニングを実現することができる。
【１０２４】
上記空隙センサとしては、上記被成膜基板を透過して上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定する光学式の空隙センサを用いることが好ましい。
【１０２５】
上記空隙センサとしては、静電容量式、渦電流方式等の、その他の方式を用いた空隙センサを用いることもできる。しかしながら、これらの空隙センサは、基本的にはセンサそのものとある物体との間の空隙を測定するものであり、上記物体は導体である必要がある。このため、これら空隙センサの使用には制限が伴う。
【１０２６】
したがって、上記空隙センサとしては、上記したように光学式の空隙センサを使用することが望ましい。上記空隙センサを用いることで、上記被成膜基板を透過して上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定することができる。
【１０２７】
また、上記空隙センサは、上記相対移動する方向に垂直な方向に並んで複数設けられており、上記被成膜基板には、上記空隙センサによって空隙量を測定するための透明領域が、上記相対移動する方向に延設されているとともに、上記相対移動する方向に垂直な方向に複数並んで設けられており、上記蒸着工程では、上記被成膜基板に設けられた、空隙量の測定のための透明領域にそれぞれ対向して設けられた空隙センサにより、上記被成膜基板を透過して上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を測定することが好ましい。
【１０２８】
上記したように空隙センサが複数設けられていることで、空隙量の分布を把握することができるので、上記空隙量を、より厳密に一定に制御することができる。
【１０２９】
また、上記空隙量の調整は、少なくとも上記蒸着マスクを含むマスクユニットの一部もしくはマスクユニット全体、および、被成膜基板のうち少なくとも一方を、アクチュエータを用いて、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させることにより行われることが好ましい。
【１０３０】
また、このために、上記蒸着装置は、少なくとも上記蒸着マスクを含むマスクユニットの一部もしくはマスクユニット全体、および、被成膜基板のうち少なくとも一方を、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量を調整するアクチュエータを備えていることが好ましい。
【１０３１】
さらに、上記蒸着装置は、空隙センサによって測定された空隙量と、予め設定された蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙量とのズレの量を算出する空隙ズレ量演算部と、上記空隙ズレ量演算部で算出された空隙ズレ量から、上記ズレを解消するための補正値を導出する空隙ズレ補正量導出部と、上記空隙ズレ補正量導出部で導出された空隙ズレ補正量に基づいて上記蒸着マスクと被成膜基板との間の空隙が一定になるように上記アクチュエータを、上記蒸着マスクと被成膜基板とを垂直に繋いだ軸方向に動作させるアクチュエータ駆動制御部とを備えていることが好ましい。
【１０３２】
上記したように上記空隙量の調整にアクチュエータを使用することで、空隙の微小調整を行うことが可能であり、上記空隙量を容易かつ正確に調整することができる。
【１０３３】
また、上記蒸着工程では、被成膜基板の蒸着領域においてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させることが好ましい。
【１０３４】
このようにマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら蒸着を行うことで、基板走査方向に蒸着粒子の飛翔分布があっても、走査方向の分布が平均化される。このため、基板面内で均一にパターン形成された蒸着膜を得ることができる。
【１０３５】
また、上記蒸着工程では、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を走査する工程と、上記走査を停止させて上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に蒸着させる工程とを繰り返すことで、上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させてもよい。
【１０３６】
上記蒸着マスクとしては、上記蒸着マスクの短軸方向の辺が、被成膜基板の蒸着領域における、上記蒸着マスクの短軸方向に対向する辺の幅よりも短く、上記蒸着マスクの長軸方向の辺が、被成膜基板の蒸着領域における、上記蒸着マスクの長軸方向の辺に対向する辺の幅よりも長い、矩形状の蒸着マスクを用いることが好ましい。
【１０３７】
上記の構成によれば、例えば、上記蒸着マスクの長手方向両側部にアライメントマーカ部を形成することができる。したがって、アライメントを容易かつより精密に行うことができる。
【１０３８】
また、上記蒸着工程では、マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を、往復移動させることが好ましい。
【１０３９】
従来、蒸着レートを可変させるには、例えば蒸着源にルツボを用いる場合、温度により制御を行う必要があった。このため、温度の安定化に時間がかかったり、温度のふらつきに伴って蒸着レートにバラツキが生じたりし易いという問題点があった。
【１０４０】
しかしながら、上記の構成によれば、温度制御ではなく、往復移動の回数で膜厚を制御することができるため、そのような不具合は発生しない。
【１０４１】
また、特に、前記したように被成膜基板の蒸着領域においてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる場合に、上記したような往復移動を行う場合、被成膜基板の停止は、基板走査方向を反転させる一瞬のみで、移動中も蒸着を行うため、タクトタイムが長くならない。
【１０４２】
また、上記蒸着工程では、被成膜基板の蒸着領域の一辺に沿った相対移動と、該辺に直交する辺に沿った相対移動とが繰り返し行われることが好ましい。
【１０４３】
上記の構成によれば、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを用いて、被成膜基板の蒸着領域全体に効率良く成膜パターン（蒸着膜）を形成することができる。
【１０４４】
特に、前記したように被成膜基板の蒸着領域においてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる場合に、上記したような相対移動を行う場合、被成膜基板の停止は、基板走査方向を切り替える一瞬のみで、移動中も蒸着を行うため、タクトタイムが長くならない。
【１０４５】
上記蒸着工程では、上記被成膜基板における上記蒸着粒子の蒸着が不要な領域では、上記蒸着源からの蒸着粒子の射出を停止させることが好ましい。
【１０４６】
このように上記被成膜基板における上記蒸着粒子の蒸着が不要な領域では、上記蒸着源からの蒸着粒子の射出を停止させることで、余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。
【１０４７】
また、本発明によれば、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを使用するとともに、蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定していることから、上記蒸着マスク並びに蒸着源に複数の開口部並びに射出口を設けた場合であっても、従来のように複数の蒸着源（あるいは射出口）のうち一部の蒸着源（あるいは射出口）をＯＦＦ／ＯＦＦ制御する必要はなく、非蒸着領域では、上記蒸着源からの蒸着粒子の射出（つまり、全ての射出口からの蒸着粒子の射出）を停止すればよい。したがって、複雑な機構を必要とせず、簡単にＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。
【１０４８】
また、上記蒸着方法において、上記マスクユニットとしては、上記射出口が、それぞれ、上記蒸着マスクの開口部に対向して設けられたマスクユニットを使用することが好ましい。
【１０４９】
上記の構成によれば、蒸着マスクの非開口部に蒸着粒子が付着する量を低減することができるので、材料利用効率を向上させることができる。
【１０５０】
上記位置合わせ工程では、上記マスクユニットが被成膜基板の上方に位置するように上記マスクユニットと被成膜基板とを位置合わせし、上記蒸着工程では、上記蒸着源から下方に向けて蒸着粒子を射出することにより、上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させることが好ましい。
【１０５１】
上記の方法では、被成膜基板が、マスクユニットの下方に配置されることになるため、基板ステージあるいはローラ等により、自重撓みが生じない程度に被成膜基板を保持しさえすればよい。このため、容易かつ安全に被成膜基板を蒸着マスクとの距離を一定に維持した状態で保持することができる。
【１０５２】
上記所定のパターンは、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層とすることができる。上記蒸着方法は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に好適に用いることができる。
【１０５３】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【１０５４】
本発明の蒸着装置並びに蒸着方法は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【１０５５】
１    有機ＥＬ表示装置
２    画素
２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ    サブ画素
１０    ＴＦＴ基板（被成膜基板）
２０    有機ＥＬ素子
２１    第１電極
２２    正孔注入層兼正孔輸送層（有機層）
２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ    発光層（有機層）
２４    電子輸送層（有機層）
２５    電子注入層（有機層）
２６    第２電極
２７    正孔注入層（有機層）
２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂ    正孔輸送層
５０    蒸着装置
６０    真空チャンバ（成膜チャンバ）
７０    基板移動機構（調整手段）
７１    基板保持部材
７２    モータ
８０    マスクユニット
８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂ    マスクユニット
８１    シャドウマスク
８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂ    シャドウマスク
８１ａ  長辺
８１ｂ  短辺
８２    開口部
８３    アライメントマーカ部
８４    アライメントマーカ
８４Ｒ・８４Ｇ・８４Ｂ    アライメントマーカ
８４ａ  第１開口部（アライメントマーカ）
８４ｂ  第２開口部（アライメントマーカ）
８５    蒸着源
８６    射出口
８７    マスク保持部材
８８    マスクテンション機構（テンション機構、調整手段）
８９    シャッタ
９０    イメージセンサ（アライメント観測手段）
１００    制御回路
１０１    画像検出部
１０２    演算部
１０３    モータ駆動制御部
１０４    蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
１０５    シャッタ駆動制御部
１１０    絶対位置合わせマーカ（絶対位置合わせ用のアライメントマーカ）
１１１    アライメントマーカ（絶対位置合わせ用のアライメントマーカ）
１１２    アライメントマーカ（絶対位置合わせ用のアライメントマーカ）
１１３    開口部
１２０    絶対位置合わせ基準マーカ（絶対位置合わせ用のアライメントマーカ）
１３０    マスククランプ
１４１    マスク支持部
１４２    可動部
１４３    固定部
１４４    マスク固定台
１５０    イメージセンサ
１６１    画像検出部
１６２    演算部
１６３    テンション制御部
１７０    アライメントセンサ（アライメント観測手段）
１７１    レーザスポット
１８０    膜厚センサ
１９０    アライメントセンサ（アライメント観測手段）
１９１    紫外光照射装置
１９２    ディテクタ
２００    被成膜基板
２０１    透明領域（空隙センシング用の透明領域）
２０２ａ・２０２ｂ  ＴＦＴ回路形成領域（蒸着領域）
２１０    蒸着領域
２１０ａ  長辺
２１０ｂ  短辺
２１１    蒸着膜
２２０    アライメントマーカ部
２２１    アライメントマーカ
２２１Ｒ・２２１Ｇ・２２１Ｂ    アライメントマーカ
２２２    アライメントマーカ
２２２ａ  開口部
２３０    制御回路
２３１    検出部
２３２    補正量算出部
２３３    マスク駆動制御部
２３４    基板駆動制御部
２３５    蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
２３６    シャッタ駆動制御部
２３７    モータ
２４０    マスクユニット移動機構（調整手段）
２４１    モータ
２５１    膜厚ズレ量算出部
２５２    補正量算出部
２５３    蒸着制御部
２６０    ヒータ
２７１    画像検出部
２７２    検出部
２７３    蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
２８０    制御回路
２８１    画像検出部
２８２    検出部
２８３    蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
２９０    制御回路
２９１    検出部
２９２    蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
４１０    制御回路
４１１    空隙ズレ量算出部
４１２    空隙ズレ補正量導出部
４１３    アクチュエータ駆動制御部
【図１】
0005502092.tif 000002
【図２】
0005502092.tif 000003
【図３】
0005502092.tif 000004
【図４】
0005502092.tif 000005
【図５】
0005502092.tif 000006
【図６】
0005502092.tif 000007
【図７】
0005502092.tif 000008
【図８】
0005502092.tif 000009
【図９】
0005502092.tif 000010
【図１０】
0005502092.tif 000011
【図１１】
0005502092.tif 000012
【図１２】
0005502092.tif 000013
【図１３】
0005502092.tif 000014
【図１４】
0005502092.tif 000015
【図１５】
0005502092.tif 000016
【図１６】
0005502092.tif 000017
【図１７】
0005502092.tif 000018
【図１８】
0005502092.tif 000019
【図１９】
0005502092.tif 000020
【図２０】
0005502092.tif 000021
【図２１】
0005502092.tif 000022
【図２２】
0005502092.tif 000023
【図２３】
0005502092.tif 000024
【図２４】
0005502092.tif 000025
【図２５】
0005502092.tif 000026
【図２６】
0005502092.tif 000027
【図２７】
0005502092.tif 000028
【図２８】
0005502092.tif 000029
【図２９】
0005502092.tif 000030
【図３０】
0005502092.tif 000031
【図３１】
0005502092.tif 000032
【図３２】
0005502092.tif 000033
【図３３】
0005502092.tif 000034
【図３４】
0005502092.tif 000035
【図３５】
0005502092.tif 000036
【図３６】
0005502092.tif 000037
【図３７】
0005502092.tif 000038
【図３８】
0005502092.tif 000039
【図３９】
0005502092.tif 000040
【図４０】
0005502092.tif 000041
【図４１】
0005502092.tif 000042
【図４２】
0005502092.tif 000043
【図４３】
0005502092.tif 000044
【図４４】
0005502092.tif 000045
【図４５】
0005502092.tif 000046
【図４６】
0005502092.tif 000047
【図４７】
0005502092.tif 000048
【図４８】
0005502092.tif 000049
【図４９】
0005502092.tif 000050
【図５０】
0005502092.tif 000051
【図５１】
0005502092.tif 000052
【図５２】
0005502092.tif 000053
【図５３】
0005502092.tif 000054
【図５４】
0005502092.tif 000055
【図５５】
0005502092.tif 000056
【図５６】
0005502092.tif 000057
【図５７】
0005502092.tif 000058
【図５８】
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【図５９】
0005502092.tif 000060
【図６０】
0005502092.tif 000061
【図６１】
0005502092.tif 000062
【図６２】
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