(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光増幅器の駆動電流レベルを規定するための駆動信号を生成する駆動信号生成部と、
一方の入力に前記駆動信号が接続され、他方の入力に半導体光増幅器へ入力される駆動電流レベルを示す信号が接続され、その差に応じた出力をなすフィードバック部と、
互いに極性の異なる相補型の2つのトランジスタを含み、前記フィードバック部の出力に応じて、前記半導体光増幅器への駆動電流を生成するプッシュプル部と、
前記駆動信号に重畳されるディザー信号を生成するディザー制御回路と、
オフセット制御部と、
前記オフセット制御部により制御され、前記半導体光増幅器への駆動電流をオフセットさせるオフセット部と、を備えることを特徴とする半導体光増幅器の駆動装置。
【請求項２】
前記半導体光増幅器に入力される駆動電流を検出する電流モニタ部を備え、
前記オフセット制御部は、前記電流モニタ部の検出結果に応じて、前記オフセット部によるオフセット付加を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体光増幅器の駆動装置。
【請求項３】
前記オフセット制御部は、前記電流モニタ部が検出した電流値の絶対値が所定値以下の場合に、前記オフセット部によるオフセット付加を実施することを特徴とする請求項２記載の半導体光増幅器の駆動装置。
【請求項４】
前記オフセット部は、前記オフセット制御部によるオフセット付加制御に対して、所定の時定数を有することを特徴とする請求項１記載の半導体光増幅器の駆動装置。
【請求項５】
前記ディザー制御回路は、入力されるディザー信号の帯域内において高帯域側に相対的に高い透過強度を有するハイパスフィルタを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体光増幅器の駆動装置。
【請求項６】
前記オフセット制御部は、前記オフセット付加制御を実施した後は、オフセット付加制御を実施するにあたって判定した条件を満たさない状態に推移した後も、オフセット解除を規定する他の条件が成立するまでの間は、前記オフセット付加制御を継続することを特徴とする請求項１記載の半導体光増幅器の駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光増幅器の駆動装置に関し、特に光出力にディザー信号を重畳するための技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバ通信システムの高速大容量化の発展の中で、１本の光ファイバーケーブルの中に同時に波長の異なる複数の信号を送信する波長分割多重通信（ＷＤＭ:Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）と呼ばれる方法が実用化されている。また、光出力に、その主信号に影響を与えない程度の低周波かつ小さな振幅変調（ＡＭ変調）を行い、その低周波成分に監視信号などの副信号（ディザー信号）を乗せる方法が考えられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような副信号を乗せる方法としては、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）の駆動電源にディザー信号を加えることで、光出力にＡＭ変調を重畳する方法が考えられる。
【０００４】
ＳＯＡは、注入電流を順方向とすることで光の増幅が得られ、逆方向とすることで光を減衰させることができる。本来、ＳＯＡはレーザの光出力を増減させる機能を担うことから、ＳＯＡの駆動にはプッシュプル回路が用いられることが多い。
【０００５】
しかし、プッシュプル回路の特性上、ＳＯＡの駆動電源レベルが、丁度、増幅と吸収との中間付近に位置する場合、すなわち、プッシュプル回路がゼロに近い出力をなすよう制御された場合、ディザー信号の歪が大きくなるという問題がある。すなわち、プッシュプル回路の出力がゼロ付近に制御された場合、ディザー信号が重畳されると、プッシュプル回路がプッシュ動作とプル動作との間で変調動作を行うことになり、その切り替わりにおいて、ディザー信号の歪が大きくなってしまうという課題があった。
【０００６】
本発明は、この課題を解決し、ディザー信号の歪を抑制することのできる半導体光増幅器の駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体光増幅器の駆動装置は、半導体光増幅器の駆動電流レベルを規定するための駆動信号を生成する駆動信号生成部と、一方の入力に駆動信号が接続され他方の入力に半導体光増幅器へ入力される駆動電流レベルを示す信号が接続されその差に応じた出力をなすフィードバック部と、互いに極性の異なる相補型の2つのトランジスタを含みフィードバック部の出力に応じて半導体光増幅器への駆動電流を生成するプッシュプル部と、駆動信号に重畳されるディザー信号を生成するディザー制御回路と、オフセット制御部と、オフセット制御部により制御され半導体光増幅器への駆動電流をオフセットさせるオフセット部と、を備えることを特徴とするものである。本発明に係る半導体光増幅器の駆動装置によれば、プッシュプル部にディザー信号を入力する際にプッシュプル部から出力される波形の歪みを抑制することができる。
【０００８】
半導体光増幅器に入力される駆動電流を検出する電流モニタ部を備え、オフセット制御部は、電流モニタ部の検出結果に応じて、オフセット部によるオフセット付加を制御してもよい。オフセット制御部は、電流モニタ部が検出した電流値の絶対値が所定値以下の場合に、オフセット部によるオフセット付加を実施することが好ましい。
【０００９】
オフセット部は、オフセット制御部によるオフセット付加制御に対して、所定の時定数を有していることが好ましい。ディザー制御回路は、入力されるディザー信号の帯域内において高帯域側に相対的に高い透過強度を有するハイパスフィルタを備えていることが好ましい。オフセット制御部は、オフセット付加制御を実施した後は、オフセット付加制御を実施するにあたって判定した条件を満たさない状態に推移した後も、オフセット解除を規定する他の条件が成立するまでの間は、オフセット付加制御を継続することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る半導体光増幅器の駆動装置によれば、プッシュプル回路にディザー信号を入力する際の波形の歪みを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体光増幅器駆動装置の全体構成を示す回路図である。
【図２】ＮＰＮトランジスタおよびＰＮＰトランジスタの特性について説明するための図である。
【図３】ディザー制御回路からディザー信号が出力された場合における、電圧ＶｂａｓｅとＶＳＯＡとの関係を示す図である。
【図４】ディザー信号の周波数が高くなった場合における、電圧ＶｂａｓｅとＶＳＯＡとの関係を示す図である。
【図５】駆動電流ＩＳＯＡへのオフセット付加について説明するための図である。
【図６】駆動電流ＩＳＯＡにオフセットを付加する場合に実行されるフローチャートの一例を示す図である。
【図７】ハイパスフィルタの作用について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体光増幅器駆動装置１００の全体構成を示す回路図である。図１に示すように、半導体光増幅器駆動装置１００は、コントローラ１０、ディザー制御回路２０、ＳＯＡ制御回路３０、オフセット部４０、駆動電流モニタ部５０、およびＰＤモニタ６０を含む。なお、図１においては、半導体光増幅器１を含む半導体レーザ２も描かれている。
【００１４】
コントローラ１０は、ＡＰＣ実行部１１、ディザー振幅制御部１２、およびオフセット制御部１３を含む。ＡＰＣ実行部１１、ディザー振幅制御部１２およびオフセット制御部１３は、例えばコントローラ１０が所定のプログラムを実行することによって実現される。また、ソフトウェアを使用せず、制御回路によりＡＰＣ実行部１１、ディザー振幅制御部１２およびオフセット制御部１３を実現することもできる。
【００１５】
ＡＰＣ実行部１１は、ＰＤモニタ６０の検出結果に応じて、半導体レーザ２の出力光強度が目標値になるように、ＳＯＡ制御回路３０を制御する。ディザー振幅制御部１２は、ディザー制御回路２０を制御することによって、半導体光増幅器１へ入力するディザーの振幅の幅とディザー入力のオンオフとを制御する。オフセット制御部１３は、オフセット部４０を制御することによって、半導体光増幅器１の駆動電流に対するオフセット付加のオンオフを制御する。
【００１６】
ディザー制御回路２０は、ハイパスフィルタ２１および増幅器２２を含む。ハイパスフィルタ２１は、低周波成分の透過を抑制する。増幅器２２は、ハイパスフィルタ２１を通過したディザー信号を所定の利得で増幅し、キャパシタ７１を介してＳＯＡ制御回路３０に入力する。増幅器２２は、コントローラ１０からの電気信号に応じてディザー信号の振幅の幅を調節し、半導体光増幅器１へのディザー入力のオンオフを切り替える。
【００１７】
ＳＯＡ制御回路３０は、Ｄ／Ａ（デジタル／アナログ）コンバータ３１、オペアンプ３２、およびプッシュプル回路３３を含む。Ｄ／Ａコンバータ３１は、ＡＰＣ実行部１１から入力されるデジタル信号をアナログ信号に変換し、抵抗７２ａ，７２ｂで抵抗分割されたオペアンプ３２の正の端子に入力する。Ｄ／Ａコンバータ３１からオペアンプ３２に入力される電圧が、半導体光増幅器１の設定電圧Ｖである。したがって、Ｄ／Ａコンバータ３１は、半導体光増幅器１の駆動信号を生成する駆動信号生成部として機能する。オペアンプ３２の負の端子には、電源電圧Ｖ１、抵抗７３ａ、抵抗７３ｂによる差分値となったＶＳＯＡが入力される。オペアンプ３２は、入力された値をもとに設定電圧Ｖを所定の電圧値に調節し、プッシュプル回路３３に入力する。
【００１８】
プッシュプル回路３３は、互いに極性の異なる相補型の２つのトランジスタを含む。本実施形態においては、プッシュプル回路３３は、プッシュ側のＮＰＮトランジスタ３３１とプル側のＰＮＰトランジスタ３３２とが対向するように配置された構造を有する。具体的には、ＮＰＮトランジスタ３３１のエミッタ端子とＰＮＰトランジスタ３３２のエミッタ端子とが接続されている。ＮＰＮトランジスタ３３１のコレクタ端子には、プラスの直流電源ＶＬＤが接続されており、ＰＮＰトランジスタ３３２のコレクタ端子には、マイナスの直流電源ＶＥＥが接続されている。オペアンプ３２の出力信号は、抵抗７４ａ，７４ｂを介してＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２のベース端子に入力される。プッシュプル回路３３は、半導体光増幅器１に半導体レーザ２の出力光を増幅させる場合にはＮＰＮトランジスタ３３１が半導体光増幅器１の出力駆動を行い、半導体光増幅器１に半導体レーザ２の出力光を吸収させる場合にはＰＮＰトランジスタ３３２が半導体光増幅器１の出力駆動を行うように、設定されている。コンデンサ７５は、ＳＯＡ制御回路３０の安定性を高める。
【００１９】
オフセット部４０は、トランジスタ４１、抵抗４２、およびコンデンサ４３を含む。トランジスタ４１のエミッタ端子には、抵抗４２を介して直流電源ＶＬＤが接続されている。この直流電源ＶＬＤは、コンデンサ４３を介してトランジスタ４１のベース端子にも接続されている。オフセット制御部１３からトランジスタ４１のベース端子に電気信号が入力されることによって、ベース端子の電圧が高い状態から低い状態となり、半導体光増幅器１の駆動電流へのオフセット付加がオンされる。
【００２０】
駆動電流モニタ部５０は、抵抗５１、差動アンプ５２、およびアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器５３を含む。抵抗５１は、プッシュプル回路３３と半導体光増幅器１との間に挿入されている。差動アンプ５２は、抵抗７６と抵抗７７との比を使い、抵抗５１の両端電圧を等倍した電圧のアナログ信号を生成する。Ａ／Ｄ変換器５３は、差動アンプ５２から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換してコントローラ１０に入力する。それにより、コントローラ１０は、Ａ／Ｄ変換器５３から入力されるデジタル信号に基づいて、抵抗５１での電位差を取得し、半導体光増幅器１に入力される駆動電流ＩＳＯＡを取得することができる。
【００２１】
ＰＤモニタ６０は、フォトダイオード６１およびアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器６２を含む。フォトダイオード６１は、半導体レーザ２の出力光を受光することによって、半導体レーザ２の出力光強度に比例したアナログ電流を出力する。この電流を抵抗７８で電圧に変換してＡ／Ｄ変換器６２に入力する。Ａ／Ｄ変換器６２は、入力された値をデジタル信号に変換し、ＡＰＣ実行部１１に入力する。
【００２２】
本実施例の半導体光増幅器１および半導体レーザ２は、一体的に形成されている。具体的には、半導体光増幅器１および半導体レーザ２は、半導体レーザ２の光導波路と半導体光増幅器１の光導波路とが互いに光結合している。なお、半導体光増幅器１と半導体レーザ２とは、互いに独立していてもよい。半導体光増幅器１は、ＳＯＡ制御回路３０からプラスの電圧が印加されることによって半導体レーザ２の出力光を増幅し、ＳＯＡ制御回路３０からマイナスの電圧が印加されることによって半導体レーザ２の出力光を吸収する。言い換えれば、ＳＯＡ制御回路３０は、半導体光増幅器１に光増幅させる場合には半導体光増幅器１に対して電流を出力し、半導体光増幅器１に光吸収させる場合には半導体光増幅器１から電流を吸収する。
【００２３】
続いて、プッシュプル回路３３におけるＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の特性について説明する。図２（ａ）は、ＳＯＡ制御回路３０の一部を抜き出したものである。図２（ａ）に示すように、電圧Ｖｂａｓｅは、ＳＯＡ制御回路３０のプッシュプル回路３３のトランジスタのベース駆動電圧である。電圧ＶＳＯＡは、駆動電流モニタ部５０の抵抗５１の下流側の電圧値である。したがって、この電圧ＶＳＯＡは、半導体光増幅器１に印加される駆動電圧に等しい。図２（ｂ）は、設定電圧Ｖと電圧Ｖｂａｓｅおよび電圧ＶＳＯＡとの関係を示す図である。図２（ｂ）において、横軸は上記の設定電圧Ｖを示し、縦軸はプッシュプル回路３３のトランジスタのベース駆動電圧Ｖｂａｓｅおよび駆動電圧ＶＳＯＡを示す。
【００２４】
ＳＯＡ制御回路３０は、入力される設定電圧Ｖに応じて駆動電圧ＶＳＯＡを目的の電圧値に制御する。そのために、ＳＯＡ制御回路３０は、ＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２のベース電圧を制御することによって、駆動電圧ＶＳＯＡを制御する。ただし、ＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の動作が切り替わる電圧付近では、プッシュプル回路３３の出力電圧が大きく変動する。具体的には、上記切り替わり電圧を下回る電圧ではＶｂａｓｅに対してＶＳＯＡが高く、上記切り替わり電圧を上回る電圧ではＶｂａｓｅに対してＶＳＯＡが低くなる。したがって、ＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２のベース電圧は、ＮＰＮトランジスタ３３１とＰＮＰトランジスタ３３２との切り替わり付近で大きく変動させる必要がある。一例として、図２（ｂ）の例では、ＳＯＡ制御回路３０の電流出力時にはＶｂａｓｅ≧ＶＳＯＡ＋０．６Ｖ、電流吸収時にはＶｂａｓｅ≦ＶＳＯＡ−０．６Ｖとする必要がある。
【００２５】
半導体レーザ２の出力光をＡＭ変調するためには、目標振幅を有するディザー信号を駆動電圧ＶＳＯＡに重畳する必要がある。ただし、ＳＯＡ制御回路３０において変調に寄与するのは設定電圧Ｖであることから、設定電圧Ｖに重畳されたディザー信号の波形がくずれることなく駆動電圧ＶＳＯＡに伝わる必要がある。
【００２６】
図３（ａ）は、駆動電圧ＶＳＯＡをＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の切り替わり電圧を上回る１．７Ｖとし、ディザー制御回路２０からディザー信号が出力された場合における、電圧ＶｂａｓｅとＶＳＯＡとの関係を示す。
【００２７】
図３（ａ）に示すように駆動電圧ＶＳＯＡをＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の切り替わり電圧を上回る電圧とすれば、図２（ｂ）の線形特性を利用できることから、ＶＳＯＡに重畳されるディザー信号の再現性は高い。そのため、図３（ｂ）に示すように、ディザー信号の周波数が高くなってもその再現性は高く維持される。
【００２８】
これに対して、駆動電圧ＶＳＯＡをＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の切り替わり付近の１．０Ｖとした場合、図２（ｂ）の非線形領域で、ディザー信号による振幅を実施させることになる。したがって、ＶＳＯＡに重畳されるディザー信号は歪むことになる。
【００２９】
なお、図４（ａ）に示すように、電圧Ｖｂａｓｅの振幅を大きくすることにより、図２（ｂ）の非線形領域での駆動においても、ディザー信号の再現性を保つことが考えられる。しかし、図４（ｂ）に示すように、ディザー信号の周波数が高くなると、ＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の信号の変調駆動が間に合わなくなり、結果的に駆動電圧ＶＳＯＡの波形が崩れてしまう。
【００３０】
そこで、本実施形態においては、オフセット部４０により、半導体光増幅器１への駆動電流ＩＳＯＡに所定の正電流をオフセットとして付加する。このようにオフセット電流が付加されると、ＶＳＯＡの電圧値が一時的に上昇して、オペアンプ３２に入力される。オペアンプ３２は、この値とＤ／Ａコンバータ３１の出力との差を解消するよう、プッシュプル回路３３の制御入力(Ｖｂａｓｅ)の値を変更する。本実施形態では、正電流がオフセットとして付加されているため、オペアンプ３２の出力は、プッシュプル回路３３の出力を減少するように変化する。このようにオフセットが付加されると、ＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の切り替わり電圧付近で駆動電流ＩＳＯＡを駆動している状態から、ＰＮＰトランジスタ３３２のみが動作する状態で深く駆動されることになる。
【００３１】
このことは、図５（ａ）に示すように、オフセットの付加により、設定電圧（Ｄ／Ａコンバータ３１の出力）に対するＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の切り替わりが、点線で示すように、プラス側にシフトしたことを示す。
【００３２】
オフセットの付加により、線形領域でのディザー駆動が可能になることから、ＩＳＯＡに重畳されるディザー信号の再現性が向上する。このことは、プッシュプル回路３３の非線形領域でディザー駆動するために、オペアンプ３２の出力振幅を拡大する必要をなくし、また、図５（ｂ）に示すように、高いディザー周波数であっても、プッシュプル回路３３の出力駆動を十分追随させる効果につながる。
【００３３】
なお、駆動電流ＩＳＯＡへのオフセットについては、正電流のほか、負電流を付加してもよい。この場合は、設定電圧（Ｄ／Ａコンバータ３１の出力）に対するＮＰＮトランジスタ３３１およびＰＮＰトランジスタ３３２の切り替わりが、マイナス側にシフトする。この場合においても、プッシュプル回路３３の線形領域が利用できることから、ディザー信号の歪を抑制することができる。
【００３４】
なお、オフセット部４０からオフセット電流が駆動電流ＩＳＯＡに短時間で付加されば、駆動電圧ＶＳＯＡが急激に上昇することになる。しかしながら、抵抗４２およびコンデンサ３によってオフセット付加に所定の時定数が設定される。それにより、オフセット電流の急激な付加が抑制されることから、駆動電圧ＶＳＯＡの急激な上昇が抑制される。
【００３５】
続いて、駆動電流ＩＳＯＡのオフセット制御の詳細について説明する。図６は、駆動電流ＩＳＯＡにオフセットを付加する場合に実行されるフローチャートの一例を示す図である。図６に示すように、まず、半導体レーザ２から目標波長の光出力が開始されると、ＡＰＣ実行部１１は、ＰＤモニタ６０の検出結果に応じて、半導体レーザ２の出力光強度が目標値になるようにＳＯＡ制御回路３０を制御する（ステップＳ１）。
【００３６】
次に、コントローラ１０は、駆動電流モニタ部５０の検出値を取得し、駆動電流ＩＳＯＡを取得する（ステップＳ２）。次いで、コントローラ１０は、駆動電流ＩＳＯＡが０±αｍＡの範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ３）。なお、ステップＳ３における「α」は、例えば出荷試験時にオフセット制御部１３に設定され、０．５ｍＡ程度に設定することができる。ステップＳ３において駆動電流ＩＳＯＡが０±αｍＡの範囲内にあると判定された場合、オフセット制御部１３は、半導体光増幅器１の駆動電流ＩＳＯＡに対するオフセットが開始されるように、オフセット部４０を制御する（ステップＳ４）。
【００３７】
続いて、ディザー振幅制御部１２は、ディザー制御回路２０を制御することによって、半導体光増幅器１へのディザー入力を開始する（ステップＳ５）。ステップＳ３において駆動電流ＩＳＯＡが０±αｍＡの範囲内にあると判定されなかった場合はステップＳ５が実行され、ディザー入力が開始される。なお、ステップＳ４によるオフセットの付加制御よりも前に、ステップＳ５によるディザー信号の入力を行うと、オフセットを付加した後も暫くの間、駆動電流ＩＳＯＡに重畳されるディザー信号は歪んだままとなる。早期にオフセット付加による効果を得るためには、前述したように、オフセット付加制御の後にディザー信号の入力を行うことが好適である。
【００３８】
図６のフローチャートによれば、ＮＰＮトランジスタ３３１とＰＮＰトランジスタ３３２との動作切り替わり付近において駆動する場合、駆動電流ＩＳＯＡにオフセットが付加され片方のトランジスタのみが動作する状態にシフトされた状態でディザー信号が入力される。それにより、駆動電圧ＶＳＯＡにおけるディザー信号の波形の崩れが抑制される。
【００３９】
なお、オフセットを付加した場合において半導体レーザ２の光出力が安定した場合には、オフセットの設定をむやみに変更しないことが好ましい。半導体光増幅器１の特性は、急激には変化しないからである。例えば、目標の光出力が変更され設定電圧Ｖが変更された場合、半導体レーザ２のチャネルが変更された場合等の条件が成立する場合においてのみ、図６のフローチャートが再度実行されてもよい。
【００４０】
次に、ハイパスフィルタ２１の作用について説明する。ディザー信号の周波数が高くなると、オペアンプ３２の動作が間に合わなくなり、ＳＯＡ制御回路３０の周波数特性が高帯域側において劣化する場合がある。図７（ａ）は、ＳＯＡ制御回路３０の周波数特性を示す図である。図７（ａ）において、横軸はディザー信号の周波数を示し、縦軸はＳＯＡ制御回路３０の伝達特性を示す。図７（ａ）に示すように、ディザー信号の周波数が１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度までは変調振幅に劣化が見られないが、ディザー信号の周波数が１００ｋＨｚを超えると変調振幅が劣化している。例えば、ディザー信号の周波数が１ＭＨｚの場合には、変調振幅が約−８ｄＢ小さくなっている。そこで、ディザー制御回路２０にハイパスフィルタ２１を設けることによって、低周波側の変調振幅と高周波側の変調振幅との差を抑制することができる。
【００４１】
図７（ｂ）は、ハイパスフィルタ２１の周波数特性を示す。図７（ｃ）は、ＳＯＡ制御回路３０の周波数特性にハイパスフィルタ２１の周波数特性を重ね合わせたものである。図７（ｂ）において、横軸はディザー信号の周波数を示し、縦軸はハイパスフィルタ２１の伝達特性を示す。図７（ｃ）において、横軸はディザー信号の周波数を示し、縦軸はＳＯＡ制御回路３０およびハイパスフィルタ２１を通過した場合の伝達特性を示す。
【００４２】
図７（ｂ）に示すように、ハイパスフィルタ２１は、ディザー信号の周波数帯域の高帯域側において高い透過強度を有する。この場合、図７（ｃ）に示すように、ＳＯＡ制御回路３０およびハイパスフィルタ２１の合成された周波数特性は、周波数にかかわらず略一定になる。このように、ハイパスフィルタ２１を設けることによって、高帯域におけるディザー信号の振幅劣化を抑制することができる。
【００４３】
なお、上記実施形態においては、オフセットを付加するか否かを駆動電流ＩＳＯＡに応じて判定しているが、それに限られない。例えば、半導体レーザ２から出力される光強度が所定値より小さい場合にオフセットを付加すると判定してもよい。ただし、半導体レーザ２から出力される光強度は駆動電流ＩＳＯＡに比例するとは限らないため、上記実施形態のように駆動電流ＩＳＯＡを直接的に検出することが好ましい。
【００４４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１  半導体光増幅器
２  半導体レーザ
１０  コントローラ
１１  ＡＰＣ実行部
１２  ディザー振幅制御部
１３  オフセット制御部
２０  ディザー制御回路
２１  ハイパスフィルタ
３０  ＳＯＡ制御回路
３１  Ｄ／Ａコンバータ
３２  オペアンプ
３３  プッシュプル回路
４０  オフセット部
５０  駆動電流モニタ部
５１  抵抗
６０  ＰＤモニタ
６１  フォトダイオード
１００  半導体光増幅器駆動装置
【図１】
0005423338.tif 000002
【図２】
0005423338.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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