(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、前記誘電体層を介して対向するように配置された対向電極とを有し、該対向電極及び該対向電極間の前記誘電体層によりコンデンサが形成された誘電体基板と、
前記誘電体基板が実装された実装基板と、
を備え、
前記誘電体基板には第１のボンディングワイヤーによりインダクタが形成され、該インダクタと前記コンデンサとにより共振器が構成され、
前記誘電体基板と前記実装基板とは、第２のボンディングワイヤーにより接続され、
前記第１のボンディングワイヤーを含む第１の仮想面と前記第２のボンディングワイヤーを含む第２の仮想面とが、実質的に直角をなし、
前記第１のボンディングワイヤーは、前記コンデンサを形成する前記対向電極及び前記誘電体層が重なり合う方向から見たときに、前記コンデンサに重なるように配置されていることを特徴とする、ＬＣフィルタ。
【請求項２】
前記第１のボンディングワイヤーを樹脂で覆うことを特徴とする、請求項１に記載のＬＣフィルタ。
【請求項３】
隣り合う前記第１のボンディングワイヤーは、互いに形状が異なることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＬＣフィルタ。
【請求項４】
隣り合う前記第１のボンディングワイヤーは、
同じ側の一端同士の間隔が、他方側の他端同士の間隔よりも大きく、かつ、
前記一端側が相対的に高く、前記他端側が相対的に低いことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載のＬＣフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣフィルタに関し、詳しくは、コンデンサとインダクタとにより構成された共振器を含むＬＣフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話等の高周波向けの小型ＬＣフィルタとして、絶縁層又は誘電体層が積層されたチップ本体に、コンデンサとインダクタとにより構成された共振器を含むＬＣフィルタが提供されている。このようなＬＣフィルタにおいて、インダクタを形成する方法として、（１）絶縁層又は誘電体層に沿って面方向に延在するインダクタを形成する方法と、（ｂ）絶縁層又は誘電体層を貫通するインダクタを形成する方法とが知られている。
【０００３】
例えば、図１０は、前者の方法でインダクタが形成されるＬＣフィルタ（バンドパスフィルタ）１２０の分解斜視図である。図１０に示すように、ＬＣフィルタ１２０は、第１、第２及び第３の共振器を有する。これらの共振器は、絶縁層１２２に沿って面方向に形成された３つの導電体のインダクタパターン１２４ａ〜１２４ｃにより形成される３つのインダクタと、３つの対向電極（コンデンサ電極）１４０ａ〜１４０ｃ、誘電体層１４２及び３つの対向電極（アース電極）１４４ａ〜１４４ｃにより形成される３つのコンデンサとを有する。第１の共振器のアース側は、第１のスプリアス改善用インダクタとなる第１のスプリアス改善用電極１２６ａを介して接地される。第３の共振器のアース側は、第２のスプリアス改善用インダクタとなる第２のスプリアス改善用電極１２６ｂを介して接地される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図１１は、後者の方法によりインダクタが形成されるＬＣフィルタ（積層ＬＣフィルタ）２２１の分解斜視図である。図１１に示すように、ＬＣフィルタ２２１は、積層される絶縁層２２２〜２２８のうち内部の絶縁層２２３〜２２６に貫通孔が形成され、これらの貫通孔にはインダクタ用ビアホール導体２３０ａ〜２３０ｄ，２３１ａ〜２３１ｄが形成されている。インダクタ用ビアホール導体２３０ａ〜２３０ｄ，２３１ａ〜２３１ｄは、絶縁層２２２〜２２８の積み重ね方向に連接して、柱状のインダクタＬ２０１，Ｌ２０２を構成する。インダクタＬ２０１，Ｌ２０２のそれぞれの一端（ビアホール２３０ａ，２３１ａ）はそれぞれ、内部グランドパターン２３６，２３７を介してグランド外部電極Ｇ１，Ｇ２（図示せず）に個別に電気的に接続されるとともに、グランド外部電極Ｇ１，Ｇ２（図示せず）間を電気的に接続するブリッジパターン２３５が、インダクタＬ１，Ｌ２の近傍に配設されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１９９００６号公報
【特許文献２】特開２００２−１６４７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、いずれの方法も、ＬＣフィルタを小型化すると、所望の特性を得ることが困難になる。
【０００７】
すなわち、絶縁層又は誘電体層に沿って面方向に延在するインダクタを形成する方法では、ＬＣフィルタの小型化に伴い、インダクタを形成するインダクタパターンの物理的な長さが短くなると、同じインダクタンス値を得るには、インダクタパターンの幅を細くする必要がある。しかし、インダクタパターンを細くすると、共振のＱ値が悪くなる。
【０００８】
また、インダクタの断面形状は、高周波電流が流れたときに電磁界の集中が生じないように、円形形状が電流の流れる方向に連続するのが理想である。しかし、インダクタパターンを印刷で形成すると、インダクタパターンの断面形状が矩形になってしまう。
【０００９】
一方、絶縁層又は誘電体層を貫通するインダクタを形成する方法では、絶縁層又は誘電体層の厚み方向のビアホール導体の長さがインダクタの長さを決定する。そのため、ＬＣフィルタを低背化すると、インダクタの絶対的な長さが不足する。複数のビアホール導体を、面内接続導体を介して直列に接続すればインダクタの長さを確保できるが、その場合、インダクタを直角に折り曲げることになり信号損失が大きくなる。
【００１０】
また、インダクタを形成するビアホール導体の断面形状は絶縁層又は誘電体層においては理想的な円形にすることができても、絶縁層又は誘電体層を積み重ねるときに積みずれにより、ビアホール導体の接続面に段差が生じると、インダクタの断面形状はその段差部分では理想的な円形にならないため、高周波電流が流れたときに電磁界の集中が生じ、信号損失の原因となる。
【００１１】
本発明は、かかる実情に鑑み、小型化しても所望の特性を容易に得ることができるＬＣフィルタを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成したＬＣフィルタを提供する。
【００１３】
ＬＣフィルタは、（ａ）誘電体層と、前記誘電体層を介して対向するように配置された対向電極とを有し、該対向電極及び該対向電極間の前記誘電体層によりコンデンサが形成された誘電体基板と、（ｂ）前記誘電体基板が実装された実装基板とを備える。前記誘電体基板には第１のボンディングワイヤーによりインダクタが形成され、該インダクタと前記コンデンサとにより共振器が構成される。前記誘電体基板と前記実装基板とは、第２のボンディングワイヤーにより接続される。前記第１のボンディングワイヤーを含む第１の仮想面と前記第２のボンディングワイヤーを含む第２の仮想面とが、実質的に直角をなす。
【００１４】
上記構成において、インダクタ用の第１のボンディングワイヤーの長さや断面径を変えることにより、インダクタの特性が変わる。第１のボンディングワイヤーは、断面形状が円形であり、かつ電流が流れる方向に一定の円形形状が連続するため、高周波電流が流れたときに信号損失が小さい。そのため、所望の特性のインダクタを容易に形成することができる。
【００１５】
上記構成によれば、インダクタ用の第１のボンディングワイヤーと、接続用の第２のボンディングワイヤーとが略９０°の角度をなしているため、インダクタ用の第１のボンディングワイヤーと接続用の第２のボンディングワイヤーとの電磁結合が抑えられる。そのため、所望の特性を有するＬＣフィルタを得ることが容易である。
【００１６】
さらに、前記第１のボンディングワイヤーは、前記コンデンサを形成する前記対向電極及び前記誘電体層が重なり合う方向から見たときに、前記コンデンサに重なるように配置されている。
【００１７】
この場合、コンデンサの対向電極及び誘電体層の積層方向から見たときに、インダクタ用のボンディングワイヤーをコンデンサとが重なるように配置することで、インダクタ用のボンディングワイヤーをコンデンサとが重ならないように配置する場合よりも、誘電体基板を小さくすることができるので、ＬＣフィルタの小型化が可能になる。
【００１８】
好ましくは、前記第１のボンディングワイヤーを樹脂で覆う。
【００１９】
この場合、共振器のインダクタを形成する第１のボンディングワイヤーを固定し、ＬＣフィルタの特性や品質を安定させることができる。
【００２０】
好ましくは、隣り合う前記第１のボンディングワイヤーは、互いに形状が異なる。
【００２１】
この場合、隣り合う第１のボンディングワイヤー間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第１のボンディングワイヤーの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。
【００２２】
好ましくは、隣り合う前記第１のボンディングワイヤーは、（ａ）同じ側の一端同士の間隔が、他方側の他端同士の間隔よりも大きく、かつ、（ｂ）前記一端側が相対的に高く、前記他端側が相対的に低い。
【００２３】
隣り合う第１のボンディングワイヤーにおいて、互いに平行な部分の距離が近いほど、また、互いに平行な部分が長いほど、磁気結合が強くなる。隣り合う第１のボンディングワイヤーにおいて、相対的に高い一端側同士の間隔を、相対的に低い他端側の間隔より大きくすると、相対的に高い一端側同士の間隔を相対的に低い他端側の間隔より小さくする場合よりも、磁気結合が弱くなる。第１のボンディングワイヤー間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第１のボンディングワイヤーの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のＬＣフィルタは、小型化しても所望の特性を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ＬＣフィルタの斜視図である。（実施例１）
【図２】誘電体基板の（ａ）平面図、（ｂ）側面図である。（実施例１）
【図３】ＬＣフィルタの等価回路図である。（実施例１）
【図４】誘電体基板の平面である。（実施例２）
【図５】誘電体基板の斜視図である。（実施例２）
【図６】誘電体基板の透視図である。（実施例３）
【図７】誘電体基板の（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。（実施例４）
【図８】誘電体基板の（ａ）平面図、（ｂ）側面図である。（実施例５）
【図９】誘電体基板の（ａ）平面図、（ｂ）側面図である。（実施例６）
【図１０】ＬＣフィルタの分解斜視図である。（従来例１）
【図１１】ＬＣフィルタの分解斜視図である。（従来例２）
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図９を参照しながら説明する。
【００２７】
＜実施例１＞  実施例１のＬＣフィルタ１０について、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は、ＬＣフィルタ１０の斜視図である。図１に示すように、ＬＣフィルタ１０は、実装基板１２に、誘電体基板２０が実装されている。実装基板１２の基板本体１３や、誘電体基板２０の基板本体２２は、アルミナやセラミックなど、ワイヤーボンディングできるものであればよく、ＧａＳなどの基板を用いることもできる。
【００２９】
図２（ａ）は、誘電体基板２０の平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の線Ａ−Ａに沿って見た側面図である。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、誘電体基板２０は、基板本体２２の一方主面である上面２２ｓに、電極パターン２３とパッド電極２５とが形成されている。電極パターン２３は、コンデンサを形成する対向電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃと、接続電極２４ａ，２４ｂとを含む。基板本体２２の他方主面である下面２２ｔには、裏面電極（図示せず）が形成されている。
【００３０】
基板本体２２は、１又は２以上の誘電体層を含む。誘電体層は、基板本体２２の下面２２ｔ又は内部に形成された第１の対向電極（図示せず）と、基板本体２２の上面２２ｓ又は内部に形成された第２の対向電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃとの間に配置され、第１及び第２の対向電極と第１及び第２の対向電極の間の誘電体層とにより、コンデンサが形成される。
【００３１】
基板本体２２には、誘電体層を貫通するビアホール導体（図示せず）が形成されており、電極パターン２３やパッド電極、コンデンサの対向電極、裏面電極と接続されている。基板本体２２は、複数の絶縁層又は誘電体層が積層された基板本体にコンデンサとインダクタとが形成された従来例のＬＣフィルタと同様の方法で製造することができる。
【００３２】
基板本体２２の上面２２ｓに形成された電極パターン２３とパッド電極２５とは、第１のボンディングワイヤー２６により接続され、第１のボンディングワイヤー２６により、インダクタが形成される。第１のボンディングワイヤー２６には、ＩＣチップ等の接続（ワイヤーボンディング）に用いるボンディングワイヤーを用いる。
【００３３】
ボンディングワイヤーは、一般には、寄生インダクタンスの原因となり悪影響を与えることから、インダクタンス値を低く抑える取組みや、インダクタンス値を考慮した設計などが行われている。これに対し、本発明のＬＣフィルタでは、ボンディングワイヤーがインダクタを形成することを積極的に利用し、共振回路のインダクタとして用いている。
【００３４】
ボンディングワイヤーは、どの位置でも断面形状が一定の円形であり、円弧状に滑らかに曲がるため、高周波電流が流れたときに電磁界の集中箇所がほとんどない。そのため、インダクタの断面形状が矩形であったり、インダクタに段差が形成され、断面形状が電流の流れる方向に一定でなかったりする場合よりも、Ｑ値が高いＬＣフィルタを作ることができることができる。例えば、ＬＣフィルタ１０の試作品（２．４ＧＨｚ用）では、インダクタを絶縁層に沿って面方向に延在するように印刷で形成する場合よりも、信号損失が約１ｄＢ良くなった。
【００３５】
図３は、ＬＣフィルタ１０の等価回路図である。誘電体基板２０の基板本体２２に形成されたコンデンサＣ１〜Ｃ３と、第１のボンディングワイヤー２６により形成されたインダクタＬ１〜Ｌ３と、隣り合う第１のボンディングワイヤー２６間の容量結合Ｃ４，Ｃ５とにより、ＬＣ共振回路が構成される。
【００３６】
第１のボンディングワイヤー２６の長さでインダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値が変わり、共振周波数が変わる。隣り合う第１のボンディングワイヤー２６の距離により、容量結合Ｃ４，Ｃ５の大きさが変わる。そのため、共通の基板本体２２に対して第１のボンディングワイヤー２６の長さや接続位置、径等を変えるだけで、異なるフィルタ特性を実現できる。
【００３７】
第１のボンディングワイヤー２６の径や高さ、形状、配置間隔などを変えることにより、複数のフィルタ特性が実現できるので、基板本体２２を共用化して、コストを低減できる。フィルタ特性ごとに金型やプリント用パターンなどを用意する必要がないため、個別の仕様に対応することが容易である。誘電体基板２０のコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量特性の製造ばらつきに対して、第２のボンディングワイヤー２６の長さ、形状、径などを変更することによって、調整が可能である。
【００３８】
図１に示すように、誘電体基板２０は、実装基板１２の基板本体１３の一方主面である上面１３ｓに載置される。誘電体基板２０と実装基板１２とは、第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂにより接続される。すなわち、誘電体基板２０の基板本体２２の上面２２ｓに形成されたパッド電極２４ａ，２４ｂと、実装基板１２の基板本体１３の上面１３ｓに形成された端子電極１４ａ，１４ｂとが、第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂにより接続される。また、誘電体基板２０の基板本体２２の下面２２ｔに形成された裏面電極（図示せず）と、実装基板１２の基板本体１３の上面１３ｓに形成された端子電極（図示せず）とが接続される。第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂには、ＩＣチップ等の接続（ワイヤーボンディング）に用いるボンディングワイヤーを用いる。
【００３９】
インダクタ用の第１のボンディングワイヤー２６と、接続用の第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂとは略９０°の角度をなしている。すなわち、第１のボンディングワイヤー２６を含む第１の仮想面２６ｋと、第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂを含む第２の仮想面１６ｋとは、実質的に直角をなしている。なお、第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂが同一の第２の仮想面１６ｋに含まれている場合を例示しているが、第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂが、それぞれ別々の第２の仮想面に含まれていても構わない。第１の仮想面２６ｋは、ボンディングワイヤー２６の両端の２点２６ｕ，２６ｖと、中間部分の１点２６ｗとにより決定できる。また、第２の仮想面１６ｋは、ボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂの両端の２点１６ｐ，１６ｑ；１６ｕ，１６ｖと、中間部分の１点１６ｒ，１６ｗとにより決定できる。第１の仮想面２６ｋと第２の仮想面１６ｋとがなす角度は、少なくとも、６０°〜１２０°であり、好ましくは、８０°〜１００°であり、より好ましくは、８５°〜９５°である。
【００４０】
インダクタ用の第１のボンディングワイヤー２６と、接続用の第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂとが略９０°の角度をなしているため、インダクタ用の第１のボンディングワイヤー２６と接続用の第２のボンディングワイヤー１６ａ，１６ｂとの電磁結合が抑えられるので、所望の特性を有するＬＣフィルタ１０を得ることが容易である。
【００４１】
＜実施例２＞  実施例２のＬＣフィルタについて、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００４２】
実施例２は、実施例１と略同様の構成である。以下では、実施例１との相違点を中心に説明し、実施例１と同じ構成部分には同じ符号を用いる。
【００４３】
実施例２のＬＣフィルタは、実施例１のＬＣフィルタ１０と同様に、実装基板に誘電体基板が実装されているが、誘電体基板２０ａの構成が実施例１とは異なる。
【００４４】
図４は、実施例２のＬＣフィルタの誘電体基板２０ａの平面である。図５は、実施例２のＬＣフィルタの誘電体基板２０ａの斜視図である。
【００４５】
図４及び図５に示すように、実施例２のＬＣフィルタの誘電体基板２０ａは、実施例１と同様に、基板本体２２の上面２２ｓに電極パターン２３とパッド電極２５とが形成され、電極パターン２３とパッド電極２５とは、第１のボンディングワイヤー２６で接続されている。
【００４６】
実施例１と異なり、電極パターン２３は１８０°回転した位置に配置されており、第１のボンディングワイヤー２６の下に、コンデンサが配置されている。すなわち、図４に示すように、コンデンサの対向電極と誘電体層とが重なり合う方向（基板本体２２の上面２２ｓの法線方向）から見ると、第１のボンディングワイヤー２６は、電極パターン２３に含まれる対向電極２３ａ〜２３ｃ（すなわち、コンデンサ）に重なるように配置されている。
【００４７】
このように第１のボンディングワイヤー２６により形成されるインダクタの下にコンデンサを配置すると、実施例１のように第１のボンディングワイヤー２６により形成されるインダクタとコンデンサとが重ならないように配置する場合と比べると、誘電体基板２０ａを小さくすることができるので、ＬＣフィルタの小型化が可能になる。
【００４８】
＜実施例３＞  実施例３のＬＣフィルタについて、図６を参照しながら説明する。実施例３は、誘電体基板２０ｂの構成が実施例１と異なる。
【００４９】
図６の透視図に示すように、誘電体基板２０ｂは、基板本体２２の上面２２ｓに樹脂２９が配置され、第１のボンディングワイヤー２６は樹脂２９によって覆われている。
【００５０】
基板本体の下面２２ｔには、平面電極パッドが格子状に配置されたＬＧＡ（Land grid array）端子２８が形成されている。基板本体２２の上面２２ｓの電極パターン２３及びパッド電極２５と、基板本体２２の下面２２ｔのＬＧＡ端子２８とは、基板本体２２の誘電体層を貫通するビアホール導体２７で接続されている。
【００５１】
共振器のインダクタを形成する第１のボンディングワイヤー２６は、樹脂２９によって固定され、外部環境から保護されるので、ＬＣフィルタの特性や品質を安定させることができる。
【００５２】
誘電体基板２０ｂを実装基板に実装したとき、誘電体基板２０ｂと実装基板とがＬＧＡ端子２８を介して接続されるようにすると、誘電体基板２０ｂと実装基板とを接続する第２のボンディングワイヤーをなくすことができる。
【００５３】
なお、図示していないが、実装基板上に樹脂を配置してもよい。例えば、誘電体基板を実装基板に実装した後に、実装基板の基板本体の上面に樹脂を配置し、この樹脂で、誘電体基板の第１のボンディングワイヤーと、誘電体基板と実装基板とを接続する第２のボンディングワイヤーとを覆うように構成してもよい。
【００５４】
＜実施例４＞  実施例４のＬＣフィルタについて、図７を参照しながら説明する。実施例４は、誘電体基板２０ｃの構成が実施例１と異なる。
【００５５】
図７（ａ）は、誘電体基板２０ｃの斜視図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿って見た側面図である。
【００５６】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、誘電体基板２０ｃの基板本体２２の上面２２ｓに形成された電極パターン２３とパッド電極２５ａ〜２５ｃとを接続する第１のボンディングワイヤー２６ａ〜２６ｃは、隣り合うもの同士の形状が互いに異なっている。
【００５７】
すなわち、第１のボンディングワイヤー２６ａは、一端側（電極パターン２３側の半分）が相対的に高く、他端側（パッド電極２５ａ側の半分）は相対的に低い。第１のボンディングワイヤー２６ａに隣接する第２のボンディングワイヤー２６ｂは、一端側（電極パターン２３側の半分）が相対的に低く、他端側（パッド電極２５ｂ側の半分）は相対的に高い。第２のボンディングワイヤー２６ｂに隣接する第３のボンディングワイヤー２６ｃは、一端側（電極パターン２３側の半分）が相対的に高く、他端側（パッド電極２５ｃ側の半分）は相対的に低い。
【００５８】
例えばウェッジボンダーを用いてワイヤーボンディングすると、最初に固定する一端側のワイヤーは相対的に高くなり、後から固定する他端側は相対的に低くなるので、図７（ａ）に示すように、隣り合う第１のボンディングワイヤー２６ａ〜２６ｃにおいて、高低が交互に入れ替わるようにすることができる。
【００５９】
ボンディングワイヤーは細い金属線を用いるため、位置精度は十分であっても、傾くことがある。また、実施例３のように樹脂に埋め込む際に、変形してしまうことがある。ボンディングワイヤーの形状が変わると、隣り合うボンディングワイヤー間の磁気結合係数が変わり、フィルタとしての特性が変わってしまうため、ボンディングワイヤー間の磁気結合は、小さくなるようにするとよい。
【００６０】
隣り合う第１のボンディングワイヤー２６ａ〜２６ｃの形状が互いに異なるようにすると、隣り合う第１のボンディングワイヤー２６ａと２６ｂ間、２６ｂと２６ｃ間の磁気結合を小さくすることができ、第１のボンディングワイヤー２６ａ〜２６ｃの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。
【００６１】
＜実施例５＞  実施例５のＬＣフィルタについて、図８を参照しながら説明する。実施例５は、誘電体基板２０ｄの構成が実施例１と異なる。
【００６２】
図８（ａ）は、実施例５の誘電体基板２０ｄの平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿って見た側面図である。
【００６３】
図８（ａ）に示すように、実施例５の誘電体基板２０ｄは、基板本体２２の上面２２ｓには、電極パターン２３と、３つのパッド電極２５ｐ〜２５ｒとが形成され、電極パターン２３とパッド電極２５ｐ〜２５ｒとは、それぞれ、第１のボンディングワイヤー２６ｐ〜２６ｒで接続されている。パッド電極２５ｐ〜２５ｒの間隔は、実施例１よりも大きくされている。そのため、図８（ａ）に示すように、第１のボンディングワイヤー２６ｐ〜２６ｒは、パッド電極２５ｐ〜２５ｒに接続される同じ側の一端同士の間隔が、電極パターン２３に接続される他方側の他端同士の間隔よりも大きい。
【００６４】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１のボンディングワイヤー２６ｐ〜２６ｒは、パッド電極２５ａ〜２５ｃに接続される一端側が相対的に高く、電極パターン２３に接続される他端側が相対的に低い。例えばウェッジボンダーを用いてワイヤーボンディングを行うと、最初に固定する一端側（パッド電極２５ａ〜２５ｃ）が相対的に高くなり、他端側（電極パターン２３側）が相対的に低くなるようにできる。
【００６５】
一端側と他端側とで高さが異なる第１のボンディングワイヤーを高低の向きを揃えて隣り合わせに配置した場合、隣接する第１のボンディングワイヤー間では、相対的に高い一端側の方が、相対的に低い他端側よりも磁気結合が強くなる。また、隣接する第１のボンディングワイヤーの中間部分については、互いに傾きを持つと、互いに平行であるときよりも磁気結合を弱めることができる。
【００６６】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、隣り合う第１のボンディングワイヤー２６ａと２６ｂ、２６ｂと２６ｃは、一端側（パッド電極２５ａ〜２５ｃ側の半分）が他端側（電極パターン２３側の半分）より高く、高い一端側が相対的に離れ、低い他端側が相対的に近づいている。そして、隣り合う第１のボンディングワイヤー２６ａと２６ｂ、２６ｂと２６ｃの中間部分同士は、図８（ａ）に示すように、互いに平行ではなく、傾きを持っている。そのため、第１のボンディングワイヤー２６ａ〜２６ｃ間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第１のボンディングワイヤー２６ａ〜２６ｃの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。
【００６７】
隣接する第１のボンディングワイヤー２６ｐ〜２６ｒにおいて、パッド電極２５ｐ〜２５ｒに接続される一端間の間隔よりも、電極パターン２３に接続される他端間の間隔の方が小さい場合、コンデンサを形成する電極パターン２３側のエリアを広くとることができる。
【００６８】
＜実施例６＞  実施例６のＬＣフィルタについて、図９を参照しながら説明する。実施例６は、誘電体基板２０ｅの構成が実施例１と異なる。
【００６９】
図９（ａ）は、誘電体基板２０ｅの平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿って見た側面図である。
【００７０】
図９（ａ）に示すように、誘電体基板２０ｅは、基板本体２２の上面２２ｓに、電極パターン２３と、一つのパッド電極２５ｘとが形成され、電極パターン２３とパッド電極２５ｘとは、第１のボンディングワイヤー２６ｘ〜２６ｚにより接続されている。
【００７１】
図９（ａ）に示すように、第１のボンディングワイヤー２６ｘ〜２６ｚは、電極パターン２３に接続される同じ側の一端同士の間隔が、パッド電極２５ｘに接続される他方側の他端同士の間隔よりも大きい。
【００７２】
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１のボンディングワイヤー２６ｘ〜２６ｚは、電極パターン２３に接続される一端側が相対的に高く、パッド電極２５ｘに接続される他端側が相対的に低い。
【００７３】
隣り合う第１のボンディングワイヤー２６ｘと２６ｙ、２６ｙと２６ｚは、一端側（電極パターン２３側の半分）が他端側（パッド電極２５ｘ側の半分）より高く、高い一端側が相対的に離れ、低い他端側が相対的に近づいている。これにより、第１のボンディングワイヤー２５ｘ〜２５ｚ間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第１のボンディングワイヤー２５ｘ〜２５ｚの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。
【００７４】
第１のボンディングワイヤー２５ｘ〜２５ｚが共通のパッド電極２５ｘに接続されている場合、第１のボンディングワイヤー２５ｘ〜２５ｚにより形成するインダクタの一端が共通ＧＮＤに接続されるので、高周波特性が良くなる。
【００７５】
＜まとめ＞  以上に説明したように、共振回路のインダクタを第１のボンディングワイヤーを用いて形成し、誘電体基板と実装基板とを接続する第２のボンディングワイヤーと、インダクタ用の第１のボンディングワイヤーとが略９０°の角度をなすように構成することにより、小型化しても、設計通りの所望の特性を有するＬＣフィルタを容易に得ることができる。
【００７６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１０  ＬＣフィルタ
１２  実装基板
１３  基板本体
１４ａ，１４ｂ  端子電極
１６ａ，１６ｂ  第２のボンディングワイヤー
１６ｋ  第２の仮想面
２０，２０ａ〜２０ｅ  誘電体基板
２２  基板本体
２３ｘ  電極パターン
２３ａ〜２３ｃ  対向電極
２４ａ，２４ｂ    接続電極
２５，２５ａ〜２５ｂ，２５ｐ〜２５ｒ，２５ｘ〜２５ｚ  パッド電極
２６，２６ａ〜２６ｃ，２６ｐ〜２６ｒ，２６ｘ〜２６ｚ  第１のボンディングワイヤー
２６ｋ  第１の仮想面
２７  ビアホール導体
２８  ＬＧＡ端子
２９  樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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