(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成して前記ガラス基板を強化する化学強化工程と、遊星歯車機構を用いることにより、上下定盤を回転させて前記上下定盤に挟まれた前記ガラス基板表面に形成された前記圧縮応力層の一部を、砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する研磨工程とを有し、
前記上下定盤の前記ガラス基板と接触する面にはそれぞれ研磨パッドが貼付されており、
前記研磨工程は、前記上下定盤を所定の方向に回転させて前記ガラス基板表面に形成された前記圧縮応力層の一部を研磨する第１の研磨期間と、前記上下定盤を前記所定の方向と逆方向に回転させて前記ガラス基板表面に形成された前記圧縮応力層の一部を研磨する第２の研磨期間とを有しており、前記第１の研磨期間と前記第２の研磨期間とを設けることにより、前記ガラス基板の両表面に形成された前記圧縮応力層の取り代差を低減する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記砥粒として平均粒子径５ｎｍ〜８０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を使用することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨工程において、前記第１の研磨期間と前記第２の研磨期間の長さを同等とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩している。磁気記録媒体の一つであるＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等に用いられる磁気ディスクにおいては、急速な小型化、薄板化、及び記録密度の増加とアクセス速度の高速化が続けられている。ＨＤＤでは、円盤状の基板の上に磁性層を備えた磁気ディスクを高速回転し、この磁気ディスク上に磁気ヘッドを浮上飛行させながら記録と再生を行う。
【０００３】
アクセス速度の高速化に伴って磁気ディスクの回転速度も速くなるため、磁気ディスクには、より高い基板強度が求められる。また記録密度の増加に伴い、磁気ヘッドも薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移しており、磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量が８ｎｍ程度にまで狭くなってきている。このため磁気ディスク面上に凹凸形状があると、磁気ヘッドが衝突するクラッシュ障害や、空気の断熱圧縮または接触により加熱して読み出しエラーを生じるサーマルアスペリティ障害を生じる場合がある。このような磁気ヘッドに生じる障害を抑制するには、磁気ディスクの主表面を極めて平滑な面として仕上げておくことが重要となる。
【０００４】
そこで現在では、磁気ディスク用の基板として、従来のアルミニウム基板に代えて、ガラス基板が用いられるようになってきている。軟質材料である金属からなるアルミニウム基板に比べて、硬質材料であるガラスからなるガラス基板は、基板表面の平坦性、基板強度、および剛性に優れているためである。これらの磁気ディスクに用いられるガラス基板は、その主表面に研磨加工等を施すことにより製造されている。ガラス基板の研磨加工としては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置を用いて行う方法がある。遊星歯車機構においては、研磨パッド（研磨布）が貼付された上下定盤にガラス基板を挟み、砥粒（スラリー）を混濁させた研磨液を研磨パッドとガラス基板との間に供給すると共に、当該ガラス基板を上下定盤に対して相対的に移動することにより、ガラス基板の主表面が所定の平滑面に仕上げられる。
【０００５】
また、ガラス基板は、脆性材料であるという側面も有している。そこで、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程において、加熱した化学強化液にガラス基板を浸漬し、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナトリウムイオンを化学強化液中のナトリウムイオン、カリウムイオンにそれぞれイオン交換することにより、ガラス基板の表層に圧縮応力層を形成して強化することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１２１０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般的に、遊星歯車機構を用いた両面研磨装置では、１回の研磨工程において上下定盤を一度設定した所定の方向に回転させることによりガラス基板の主表面の研磨加工を行う。しかし、上下定盤の回転方向が一定であると研磨を行うにつれて、上下定盤に貼付された研磨パッドにくせ（ならい、わだち）が形成され、ガラス基板の平滑度が不均一となるおそれや研磨レートが低下するおそれがある。これは、研磨パッドに形成されたくせにより、砥粒が均一に供給されなくなるためである。また、研磨レートが低下した場合には研磨パッドの表面を削りだす作業（ドレス加工）を行う必要が生じる。これにより、研磨工程を一時停止しなければならず、磁気ディスク用ガラス基板の生産性が低下する問題がある。また、ドレス加工は研磨パッドを削りだす作業であるため、ドレス加工を行うにつれて研磨パッドの寿命は短くなる。
【０００８】
また、上述したようにガラス基板に圧縮応力層を形成する化学強化処理を行うことによりガラス基板を強化することができるが、化学強化処理においてガラス基板の主表面に異物が付着することや表面にコンタミが発生する場合がある。この問題を解決するための方法として、化学強化処理後にガラス基板の主表面を研磨し、圧縮応力層の一部を除去する方法がある。しかし、化学強化処理後にガラス基板の表面を研磨して除去する方法においては、化学強化処理による圧縮応力層を残すように研磨する必要があり、研磨の取り代量の正確な制御が要求される。また、ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成した後に行う最終研磨工程において、一方の主表面と他方の主表面に形成された圧縮応力層の取り代が異なるとガラス基板に反りが生じる場合がある。このため、化学強化処理後に行う研磨加工では、ガラス基板の両面の取り代が同等となるように研磨を行うことが要求される。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、遊星歯車機構を用いた研磨加工を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨パッドに起因する生産性の落ち込みを低減することを目的の一とする。又は、遊星歯車機構を用いた研磨加工を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板に対して化学強化処理を行った後に当該ガラス基板に対して研磨工程を行う場合であっても、ガラス基板に反りが生じることを抑制することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一態様は、ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成してガラス基板を強化する化学強化工程と、遊星歯車機構を用いることにより、上下定盤を回転させて上下定盤に挟まれたガラス基板表面に形成された圧縮応力層の一部を、砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する研磨工程とを有し、上下定盤のガラス基板と接触する面にはそれぞれ研磨パッドが貼付されており、研磨工程は、上下定盤を所定の方向に回転させてガラス基板表面に形成された圧縮応力層の一部を研磨する第１の研磨期間と、上下定盤を所定の方向と逆方向に回転させてガラス基板表面に形成された圧縮応力層の一部を研磨する第２の研磨期間とを有しており、第１の研磨期間と第２の研磨期間とを設けることにより、ガラス基板の両表面に形成された圧縮応力層の取り代差を低減する。
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一態様において、砥粒として平均粒子径５ｎｍ〜８０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を使用することが好ましい。
【００１２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一態様において、研磨工程において、第１の研磨期間と第２の研磨期間の長さを同等とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、上下定盤をそれぞれ所定の方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第１の研磨期間と、上下定盤をそれぞれ所定の方向と逆方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第２の研磨期間とを設けることにより、上下定盤に貼付された研磨パッドにくせが生じることを抑制し、研磨パッドに起因する生産性の落ち込みを低減することができる。また、従来に比べて研磨パッドの寿命を長く保つことができる。
【００１４】
また、本発明の一態様によれば、ガラス基板に化学強化処理を行った後に、研磨工程を行う場合であっても、上下定盤の回転方向に起因するガラス基板の両主表面に形成された圧縮応力層の取り代の差を低減し、ガラス基板に反りが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨する装置の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨する装置の一例を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨する工程におけるガラス基板に加える圧力について説明する図である。
【図４】本発明の実施例及び比較例に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨パッドの加工レートと処理バッチ数について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００１７】
一般的に、遊星歯車機構を有する両面研磨装置を用いた磁気ディスク用基板の研磨工程において、上下定盤に貼付された研磨パッドを用いて磁気ディスク用基板の主表面を研磨すると研磨工程の経過に伴い加工レート(単位時間当たりの加工量)が低下する。本発明者は、この原因を追及した結果、研磨工程の経過に伴い研磨レートが低下する理由が、上下定盤を一度設定した所定の方向に回転させ続けることにより、研磨パッドにくせ（ならい、わだち）が形成され、これにより研磨パッドと磁気ディスク用基板表面に供給される研磨液中の砥粒の分布が不均一となることに起因していることを見出した。
【００１８】
また、ガラス基板に化学強化処理を行った後に、ガラス基板の主表面に形成された圧縮応力層を形成する研磨工程（１バッチの研磨工程）において、上下定盤を一度設定した所定の方向に回転させ続けた場合には、ガラス基板の両主表面（一方の主表面と他方の主表面）に形成された圧縮応力層の取り代がそれぞれ異なってしまうことが判明した。
【００１９】
これらの問題を解決すべく研究を進めた結果、磁気ディスク用ガラス基板の１回（１バッチ）の研磨工程において、上下定盤をそれぞれ所定の方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第１の研磨期間と、上下定盤をそれぞれ所定の方向と逆方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第２の研磨期間とを設けることにより、ガラス基板に対する研磨レートの低下を抑制し、ガラス基板の両主表面の取り代差を低減することができるとの知見を得た。以下に、磁気ディスク用基板として、ガラス基板に研磨加工を行う方法について、図１、図２を参照して説明する。なお、図１は、研磨工程に適用する遊星歯車機構を利用した両面研磨装置の斜視図を示し、図２は上面図を示している。
【００２０】
図１、図２に示す両面研磨装置は、下側定盤１０１と当該下側定盤１０１と対向して設けられた上側定盤１０２（図２では図示なし）を有しており、下側定盤１０１と上側定盤１０２に挟まれるようにディスク状のガラス基板１０３が設けられている。また、下側定盤１０１と上側定盤１０２のガラス基板と接触する面に研磨パッドを貼付し、下側定盤１０１と上側定盤１０２をそれぞれ所定の方向（例えば、互いに反対方向）に回転させて、ガラス基板１０３を下側定盤１０１及び上側定盤１０２に対して相対的に移動させることにより、ガラス基板１０３の研磨加工を行うことができる。なお、下側定盤１０１と上側定盤１０２を互いに反対方向に回転させる場合には、相対的に下側定盤１０１と上側定盤１０２とが反対方向に回転していればよく、下側定盤１０１と上側定盤１０２の一方を回転させる構成としてもよい。
【００２１】
また、両面研磨装置には、下側定盤１０１と上側定盤１０２との間に太陽歯車１０４と内歯歯車１０５とが設けられ、ガラス基板１０３を保持するキャリア１０６がこれらの間に配置されると共に、キャリア１０６の外周には太陽歯車１０４と内歯歯車１０５とに噛合する歯車が形成されている。これにより、下側定盤１０１と上側定盤１０２の回転に伴って太陽歯車１０４及び内歯歯車１０５も回転して、キャリア１０６が自転及び公転する構成とすることができる。この両面研磨装置においては、キャリア１０６に保持されたガラス基板１０３と下側定盤１０１及び上側定盤１０２に貼付された研磨パッドとの間に微細な砥粒（スラリー）を含む研磨液を供給しながら下側定盤１０１と上側定盤１０２を回転させることにより、ガラス基板１０３の両面を同時に研磨することができる。
【００２２】
本実施の形態で示す研磨工程では、互いに所定の方向に回転する下側定盤１０１と上側定盤１０２を研磨の途中で逆方向に回転させる。つまり、研磨工程において、上下定盤をそれぞれ所定の方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第１の研磨期間と、上下定盤をそれぞれ所定の方向と逆方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第２の研磨期間とを設ける。例えば、研磨工程において、はじめに下側定盤１０１を右回り方向（上側定盤を左回り方向）に回転させて（図２（Ａ）参照）ガラス基板１０３を研磨した後、所定の期間経過後に、下側定盤１０１を左回り方向（上側定盤を右回り方向）に回転させて（図２（Ｂ）参照）ガラス基板１０３を研磨する構成とすることができる。なお、上下定盤の一方のみ回転させる場合には、回転させる側の定盤を逆回転させればよい。
【００２３】
また、本実施の形態においては、下側定盤１０１と上側定盤１０２を研磨の途中で逆回転させる際に、キャリア１０６の自転及び公転も逆回転させることが好ましい。
【００２４】
このように、研磨工程において、上下定盤をそれぞれ所定の方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第１の研磨期間と、上下定盤をそれぞれ所定の方向と逆方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第２の研磨期間とを設けることにより、上下定盤に貼付された研磨パッドにくせが生じることを抑制し、ガラス基板１０３の加工レートの低下を抑制することができる。また、上下定盤に貼付された研磨パッドにくせが生じることを抑制することにより、研磨パッドの寿命を延ばし、研磨パッド１枚当たりのドレス加工を行うまでに研磨できるガラス基板の枚数（バッチ処理数）を増加することができる。これにより、複数バッチに亘って研磨工程を行う場合であっても、ドレス加工を行う回数を減らすことができるため、研磨パッドに起因する生産性の落ち込みを低減すると共に、低コスト化を図ることができる。
【００２５】
また、研磨工程において、上記第１の研磨期間と第２の研磨期間を同等とすることが好ましい。例えば、１回の研磨を期間ｔだけ行う場合に、下側定盤１０１を一方の方向へｔ／２期間（上側定盤１０２を他方の方向へｔ／２期間）回転させた後、上下定盤を逆方向に回転させて、下側定盤１０１を他方の方向へｔ／２期間（上側定盤１０２を一方の方向へｔ／２期間）回転させる構成とすることができる。これにより、上下定盤に貼付された研磨パッドにくせが生じることを効果的に抑制し、上下定盤の回転方向に起因するガラス基板１０３の両主表面の取り代の差を効果的に低減することが可能となる。なお、第１の研磨期間と第２の研磨期間が同等とは、第１の研磨期間と第２の研磨期間の差が総研磨期間（ガラス基板を研磨するトータルの期間）の２５％以内の範囲をいう。より好ましくは１０％以内の範囲、更に好ましくは５％以内の範囲である。
【００２６】
また、上下定盤の回転方向を変化させる回数は１回に限られず、１回の研磨工程において、上下定盤の回転方向を複数回変化させてガラス基板を研磨する構成としてもよい。
【００２７】
また、研磨加工においては上下定盤でガラス基板１０３を挟んで当該ガラス基板１０３に圧力を加えた状態で行い、上下定盤を逆方向へ回転させる際に上下定盤の回転を一旦停止するが、この際、上下定盤によりガラス基板に加える圧力を０に戻すのではなく、ガラス基板に圧力を加えたまま逆方向への回転を行うことが好ましい（図３参照）。これにより、研磨工程のスループットを向上することができる。
【００２８】
以下に、磁気ディスク用ガラス基板及び当該磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクの製造工程について詳しく説明する。なお、各工程の順序は以下の記載に限定されず、適宜入れ替えることが可能である。
【００２９】
（１）素材加工工程
素材加工工程では、ガラス母材を切断してディスク状のガラス基板を形成する。ガラス母材は、板状のガラスの表面をラッピング（研削）加工して得られ、板状ガラスとしては、様々な板状のガラスを用いることができる。ガラスとしては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルミニウム−マグネシウム合金などを用いることができる。特に、主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を提供することができるという点では、アルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。板状ガラスは、これらのガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの方法うち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。
【００３０】
（２）第１研削（ラッピング）工程
第１ラッピング工程では、ディスク状のガラス基板の主表面をラッピング加工し、ガラス基板の形状を整える。第１のラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行うことができる。具体的には、ディスク状のガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。
【００３１】
（３）形状加工工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））
コアリング工程では、例えば、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ディスク状のガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とすることができる。チャンファリング工程においては、内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、ガラス基板に所定の面取り加工を施す。なお、コアリング工程及び／又はチャファリング工程を第１のラッピング工程の前に行ってもよい。
【００３２】
（４）第２ラッピング工程
第２ラッピング工程では、得られたガラス基板の両主表面について、第２ラッピング加工を行う。第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である形状加工工程においてガラス基板の主表面に形成された微細な凹凸形状を除去することができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることが可能となる。なお、第２ラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置を用いて上記第１ラッピング加工と同様に行うことができる。
【００３３】
（５）端面研磨工程
端面研磨工程では、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態になる。
【００３４】
（６）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施す。第１研磨工程は、前述のラッピング工程で両主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とする工程である。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の研磨を行う。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いることができる。また、第１研磨工程を終えたガラス基板は、中性洗剤、純水、ＩＰＡ等で洗浄することが好ましい。
【００３５】
なお、両面研磨装置としては、上下側定盤の主表面部に、一対の研磨パッド（例えば、硬質樹脂ポリッシャ）を貼付して使用することができる。この両面研磨装置においては、上下側定盤に貼付された研磨パッド間にガラス基板を設置し、上下側定盤の一方又は双方を移動させて、ガラス基板の両主表面を研磨することができる。また、上記図１、図２で示したように、ガラス基板に研磨加工を行っている途中で、上下定盤を逆方向に回転してガラス基板を研磨することが望ましい。これにより、上下定盤に貼付された研磨パッドにくせが生じることを抑制し、ガラス基板の加工レートの低下を抑制することができる。
【００３６】
（７）化学強化工程
化学強化工程においては、前述のラッピング工程及び第１研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施すことによりガラス基板の表面に圧縮応力層を形成する。化学強化に用いる化学強化液としては、例えば、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）の混合溶液などを用いることができる。化学強化においては、化学強化液を３００℃〜４００℃に加熱し、洗浄済みのガラス基板を２００℃〜３００℃に予熱し、化学強化溶液中に３時間〜４時間浸漬することによって行う。この浸漬の際には、ガラス基板の両表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。
【００３７】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。化学強化されたガラス基板は、硫酸で洗浄した後に、純水、ＩＰＡ等で洗浄する。
【００３８】
（８）主表面研磨工程（最終研磨工程）
最終研磨工程として、第２研磨工程を施す。第２研磨工程は、ガラス基板に形成された圧縮応力層に研磨加工を行い、当該ガラス基板の両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする工程である。第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の鏡面研磨を行う。
【００３９】
両面研磨装置としては、上下定盤の主表面部に、一対の研磨パッド（例えば、軟質発泡樹脂ポリッシャ）を貼付して使用することができる。この両面研磨装置においては、上下側定盤に貼付された研磨パッド間にガラス基板を設置し、上下定盤の一方又は双方を移動させて、ガラス基板の両主表面を研磨することができる。また、研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカなどを用いることが好ましい。
【００４０】
この最終研磨工程においては、上記図１、図２で示したように、ガラス基板に研磨加工を行っている途中で、上下定盤を逆方向に回転させてガラス基板に研磨を行う。つまり、研磨工程において、上下定盤をそれぞれ所定の方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第１の研磨期間と、上下定盤をそれぞれ所定の方向と逆方向に回転させてガラス基板の主表面を研磨する第２の研磨期間とを設ける。これにより、ガラス基板の両主表面に形成された圧縮応力層の取り代差を低減することが可能となり、化学強化処理後の研磨工程に起因してガラス基板に反りが生じることを抑制することができる。
【００４１】
（９）磁気ディスク製造工程（記録層等形成工程）
上述した工程を経て得られたガラス基板の一方の主表面に、例えば、付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層、及び潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録ディスクを製造することができる。付着層を構成する材料としては、Ｃｒ合金などを挙げることができる。軟磁性層を構成する材料としては、ＣｏＴａＺｒ基合金などを挙げることができる。非磁性下地層としては、グラニュラー非磁性層などを挙げることができる。垂直磁気記録層としては、グラニュラー磁性層などを挙げることができる。保護層を構成する材料としては、水素化カーボンなどを挙げることができる。潤滑層を構成する材料としては、フッ素樹脂などを挙げることができる。例えば、これらの記録層等は、より具体的には、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の上に、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、ＣｏＣｒＳｉＯ２の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２・ＴｉＯ２のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜し、さらに、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜することができる。
【００４２】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
【００４３】
（実施例）
（１）素材加工工程
溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有するガラスを使用した。
【００４４】
（２）第１研削（ラッピング）工程
次に、ディスク状のガラス基板の両主表面をラッピング加工した。このラッピング加工は、上記図１で示した遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、ガラス基板の両面に上下から定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得た。
【００４５】
（３）形状加工工程（コアリング、チャンファリング）
次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。
【００４６】
（４）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【００４７】
（５）端面研磨工程
次に、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。
【００４８】
（６）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４９】
この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００５０】
（７）化学強化工程
次に、前述の端面研磨工程及び第１種表面研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化処理（イオン交換処理）を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することにより行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。
【００５１】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約４０μｍであった。
【００５２】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【００５３】
（８）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、主表面研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、ガラス基板に形成された圧縮応力層に対して所定の膜厚だけ減じるように研磨加工を行い、当該ガラス基板の両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。本実施例では、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なコロイダルシリカ砥粒（平均粒子径５ｎｍ〜８０ｎｍ）を使用した。
【００５４】
また、本実施例では、ガラス基板に研磨加工を行っている途中で、上下定盤を逆方向に回転させてガラス基板に研磨を行った。具体的には、ガラス基板に対して３０分研磨を行ったうち、上下定盤をそれぞれ所定の方向に回転させて１５分ガラス基板を研磨した後、上下定盤を逆方向に回転させて１５分ガラス基板を研磨した。
【００５５】
（加工レート）
最終研磨工程において、上下定盤に貼付された研磨パッドを連続して用いて、複数バッチに亘って研磨工程を行ったところ、１回のドレス加工を行うまで（研磨パッドがドレス加工を必要とする研磨レートＲＤに低下するまで）、２０バッチに亘って研磨を行うことができた（図４（Ａ）参照）。
【００５６】
（取り代差）
最終研磨工程後に、ガラス基板の両主表面に形成された圧縮応力層の取り代差を測定したところ、一方の表面と他方の表面の取り代は共に２．０μｍであり、取り代差は見られなかった。
【００５７】
（比較例）
研磨工程において上下定盤を逆方向に回転させない以外は上記実施例と同様の条件で作製することにより得られたガラス基板について、最終研磨工程における加工レートと最終研磨工程後のガラス基板の両主表面の取り代差を測定した。その結果、１回のドレス加工を行うまで、１０バッチしか連続して研磨を行うことができず、１０バッチ毎にドレス加工を行う必要があった（図４（Ｂ）参照）。また、最終研磨工程後のガラス基板の両主表面に形成された圧縮応力層の取り代差を測定したところ、一方の表面の取り代が１．９μｍであり、他方の表面の取り代が２．２μｍであり、両主表面で０．３μｍの取り代差があった。
【００５８】
本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、磁気ディスク用基板として、ガラス基板を用いる例を示したが、それには限定されず、例えばアルミニウム−マグネシウム合金などで構成された金属板等でも良い。
【００５９】
なお、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順、検査方法などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１０１  下側定盤
１０２  上側定盤
１０３  ガラス基板
１０４  太陽歯車
１０５  内歯歯車
１０６  キャリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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