(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体を備え、前記基板本体の面方向に沿って延びかつめっき層からなる内層配線パターンが、隣接する樹脂絶縁層間に挟まれるようにして配置された多層配線基板において、
前記内層配線パターンは、上面及び底面を有するとともに、前記上面側にて接する樹脂絶縁層及び前記底面側にて接する樹脂絶縁層の両方に対して埋まっており、
前記底面側にて接する樹脂絶縁層には、複数の窪みが形成されるとともに、底面側導体部分として前記底面に設けられた複数の突起が前記複数の窪みに埋まっている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記内層配線パターンにおいて、前記上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと、前記底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比が、１：９〜８：２の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記内層配線パターンにおいて、前記上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の最大幅と、前記底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の最大幅との比が、１：１〜９：１の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記内層配線パターンをその延設方向に対して垂直に切断したときの断面において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分のテーパー率が、８０％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記内層配線パターンは、最大幅が２０μｍ以下の微細パターンであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記窪みの深さは、前記底面側にて接する樹脂絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記窪みの内面は、粗化面であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に係り、特にはめっき層からなる微細な内層配線パターンを隣接する樹脂絶縁層間に配置した構造の多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されており、このような高密度実装化を達成するにあたり、ＩＣチップを搭載するための配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部などを設けたコア基板の片面または両面に、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層形成したビルドアップ層を備える多層配線基板（いわゆるビルドアップ多層配線基板）がよく知られている。
【０００３】
従来、このような微細な内層配線パターンの形成は、主としてセミアディティブ法により行われている。即ち、セミアディティブ法では、樹脂絶縁層に対するビア穴形成、樹脂絶縁層表面の全体に対する無電解銅めっき、めっきレジストの形成、電解銅めっき、不要なめっきレジスト及び無電解銅めっき層の除去を順次行うというプロセスを採用している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１８８４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記従来技術の多層配線基板によると、不要となっためっきレジストを除去した時点では、銅めっきからなる内層配線パターンは、粗化された樹脂絶縁層のアンカー効果をもって樹脂絶縁層上に密着している。しかしながら、当該内層配線パターンは、その下面側に接する樹脂絶縁層の上にいわば乗っているにすぎない。
【０００６】
しかも、近年ではビルドアップ層における内層配線パターンの細線化の要請が高まり、具体的には内層配線パターンのライン幅を２０μｍ以下（望ましくは１０μｍ以下）にすることが求められている。この場合、内層配線パターンの幅方向寸法に対する高さ方向寸法の比率が増大し、下側に位置する樹脂絶縁層との接触面積が減少する結果、内層配線パターンが構造的に不安定になる。よって、内層配線パターンとその下面側に接する樹脂絶縁層との密着状態を維持できなくなり、微細な内層配線パターンが横倒れしたり剥がれてしまうことがあった。そして、このことが多層配線基板の信頼性や歩留まりを悪化させる原因となっていた。
【０００７】
また、上記従来技術の多層配線基板の場合、内層配線パターンの凹凸が樹脂絶縁層に波及し、そのまま樹脂絶縁層表面に凹凸を発生させてしまう。ここで、凹凸の発生を避けるために銅めっきを薄くすると、ビア穴を導体で十分に満たすことができなくなる。ゆえに、通常はビア導体の形成を優先しためっき厚さに設定して銅めっきを行っている。このため、銅めっきの際に同時に形成される内層配線パターンの厚さが厚くなってしまい、配線基板最表層の凹凸が大きくなり、樹脂絶縁層の厚さばらつきが拡大するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、微細な内層配線パターンであっても横倒れや剥がれが起こりにくく、樹脂絶縁層との間に十分な密着性が付与されている多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体を備え、前記基板本体の面方向に沿って延びかつめっき層からなる内層配線パターンが、隣接する樹脂絶縁層間に挟まれるようにして配置された多層配線基板において、前記内層配線パターンは、上面及び底面を有するとともに、前記上面側にて接する樹脂絶縁層及び前記底面側にて接する樹脂絶縁層の両方に対して埋まっており、前記底面側にて接する樹脂絶縁層には、複数の窪みが形成されるとともに、底面側導体部分として前記底面に設けられた複数の突起が前記複数の窪みに埋まっていることを特徴とする多層配線基板がある。
【００１０】
従って、上記手段に係る発明によると、隣接する樹脂絶縁層間に挟まれるようにして配置された内層配線パターンが、上面側にて接する樹脂絶縁層のみならず、底面側にて接する樹脂絶縁層に対しても埋まっている。そのため、内層配線パターンとその上面側に接する樹脂絶縁層との密着状態が維持されるばかりでなく、その下面側に接する樹脂絶縁層との密着状態も維持される。よって、微細な内層配線パターンであっても横倒れや剥がれが起こりにくく、樹脂絶縁層との間に十分な密着性を付与することができる。
【００１１】
多層配線基板を構成する複数の樹脂絶縁層は、例えば熱硬化性を有する樹脂などを用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるＢＰ（ビスフェノール）型、ＰＮ（フェノールノボラック）型、ＣＮ（クレゾールノボラック）型のものを用いることがよい。特には、ＢＰ（ビスフェノール）型を主体とするものがよく、ＢＰＡ（ビスフェノールＡ）型やＢＰＦ（ビスフェノールＦ）型が最もよい。なお、多層配線基板を構成する複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を有する樹脂などを用いて形成されてもよく、必要に応じて無機フィラーや有機フィラーを含んでいてもよい。
【００１２】
隣接する複数の樹脂絶縁層間には、内層配線パターンが挟まれるようにして配置される。この場合、内層配線パターンの上面側にて接する樹脂絶縁層及び底面側にて接する樹脂絶縁層は、同種の樹脂を用いて形成されたものであってもよく、あるいは異種の樹脂を用いて形成されたものであってもよい。また、内層配線パターンは最大幅が２０μｍ以下の微細パターンであることがよい。
【００１３】
内層配線パターンは、めっき層からなり、基板本体の面方向に沿って延びている。めっき層としては特に限定されないが、銅めっき層、ニッケルめっき層、金めっき層、銀めっき層、アルミニウムめっき層、スズめっき層、コバルトめっき層、チタンめっき層などを採用することができる。導電性、コスト性、加工性などを勘案すると、内層配線パターンは銅めっき層からなることが好ましく、特に無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成してなる構造であることがより好ましい。
また、内層配線パターンが銅めっき層からなる場合、内層配線パターンにおいて上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の表面には、銅とは異なる１種以上の金属層が形成されていてもよい。このような金属層として、樹脂絶縁層への拡散速度が銅よりも遅い金属からなる層（例えばスズ層など）が形成されていることが好ましい。このような金属層があると、樹脂絶縁層への銅の拡散を抑制できるため、内層配線パターン同士が異層間でショートすることを防止することができる。なお、スズ層などの金属層は、上面側導体部分の表面の一部（例えば上面）に形成されていてもよいが、表面の全体（即ち上面及び側面）に形成されていることが、より好ましい。
上面側導体部分の表面にスズ層を形成した場合、スズ層の表面にはシランカップリング処理が施されていることが好ましい。この処理が施されたスズ層上に樹脂絶縁層を形成すると、シランカップリング剤の成分と樹脂絶縁層の成分とが化学的に結合する。つまり、無機材料からなるスズ層と、有機材料からなる樹脂絶縁層との間では、通常強固な結合が得にくいが、この処理によれば比較的強固な結合を得ることができる。この結果、樹脂絶縁層と内層配線パターンとの密着性が向上し、剥がれの発生を効果的に防止することができる。ここで、シランカップリング剤は、有機物とケイ素とから構成される化合物であり、分子中に２種以上の異なった反応基を有したものである。シランカップリング剤としては、ビニル系、エポキシ系、アミノ系などがあり、樹脂絶縁層の種類や性質に応じて適宜選択することができる。
樹脂絶縁層との密着を図るための処理としては、シランカップリング処理のほかに、例えば表面粗化処理が知られている。しかし、この処理を施すとパターン表面の凹凸が大きくなり、電気特性の低下につながる可能性がある。その点、シランカップリング処理によれば、パターン表面の凹凸が大きくならないので、電気抵抗値がばらつきにくくなる。よって、電気特性の向上を達成しやすくなるという利点がある。
【００１４】
内層配線パターンにおいて、上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比は限定されないが、例えば１：９〜８：２の範囲内に設定される。高さの比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその上下両側の樹脂絶縁層に対する密着状態を確実に維持することができる。なお、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さは、具体的には５μｍ以上であることがよい。
【００１５】
内層配線パターンにおいて、上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の最大幅と、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の最大幅との比は限定されないが、例えば１：１〜９：１の範囲内に設定される。最大幅の比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を確実に維持することができる。
【００１６】
内層配線パターンをその延設方向に対して垂直に切断したときの断面において、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分のテーパー率は限定されないが、例えば８０％以上に設定される。テーパー率とは、底面側導体部分の切断面が逆台形状である場合において、「一対の平行な辺のうち短いもの／一対の平行な辺のうち長いもの×１００（％）」の値であると定義する。この値が８０％未満であると、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を十分に維持することが困難になる場合がある。
【００１７】
底面側にて接する樹脂絶縁層には、内層配線パターンの延設方向に沿って延びる溝が形成されるとともに、底面側導体部分として底面に設けられた突条が溝に埋まっていることがよい。この構成によると、溝に突条が埋まった状態となるため、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を確実に維持することができ、内層配線パターンの横倒れ、剥がれを回避することができる。しかも、このような溝及び突条を内層配線パターンの延設方向に沿って形成した場合、内層配線パターンをその延設方向に直交する方向に等断面形状にすることが可能なため、電気抵抗値を一定にすることができる。
【００１８】
上記手段に係る発明の場合、底面側にて接する樹脂絶縁層には、複数の窪みが形成されるとともに、底面側導体部分として底面に設けられた複数の突起が複数の窪みに埋まっている。この構成によると、複数の窪みに複数の突起が埋まった状態となるため、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を確実に維持することができ、内層配線パターンの横倒れ、剥がれを回避することができる。
【００１９】
溝または窪みの深さ（即ち突条または突起に代表される底面側導体部分の高さ）は、底面側にて接する樹脂絶縁層の厚さよりも小さく設定されることがよい。その理由は、当該深さが底面側にて接する樹脂絶縁層の厚さ以上であると、突条または突起が下層の導体層と接してしまうため、絶縁を保つためには下層の導体層を避けてこれらを配置する必要があり、配線自由度が小さくなるからである。なお、下層導体層との導通はビア導体により達成すればよいからである。さらに、狭くて深い箇所にめっきを施そうとしても、めっき層の形成が困難になる場合があるからである。底面側にて接する樹脂絶縁層にビア導体が存在している場合、溝または窪みの深さは、そのビア導体の深さよりも小さく設定されることがよい。
【００２０】
内層配線パターンが形成される樹脂絶縁層の表面は、平滑面であるよりもむしろ粗化面であることが好ましい。また、溝または窪みの内面についても同様に粗化面であることが好ましい。これらの面が粗化面であると、粗化面に存在する微細な凹凸により好適なアンカー効果がもたらされるため、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態をより確実に維持することができる。なお、粗化面の表面粗さＲａは例えば１μｍ以上、好ましくは１μｍ以上３μｍ以下であり、溝または窪みの深さはこのＲａ値よりも大きく設定されることがよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明を具体化した実施形態のビルドアップ多層配線基板を示す概略断面図。
【図２】同じく多層配線基板における内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図３】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための概略断面図。
【図４】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図５】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図６】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図７】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図８】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図９】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略平面図。
【図１０】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１１】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１２】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１３】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大平面図。
【図１４】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大平面図。
【図１５】別の実施形態の多層配線基板における内層配線パターンの形成手順を説明するための要部概略断面図。
【図１６】別の実施形態の多層配線基板における内層配線パターンの形成手順を説明するための要部概略断面図。
【図１７】別の実施形態の多層配線基板における内層配線パターンの形成手順を説明するための要部概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板Ｋ１を図１〜図１０に基づき詳細に説明する。
【００２３】
図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板Ｋ１は、表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を有する、いわゆるビルドアップ多層配線基板である。この多層配線基板Ｋ１は、基板主面３２ａ及び基板裏面３３ａを有する基板本体２０を備えている。基板本体２０の一部をなすコア基板１は、表面２及び裏面３を有する平板状を呈している。コア基板１の表面２側には樹脂絶縁層１２が形成され、裏面３側には樹脂絶縁層１３が形成されている。
【００２４】
コア基板１の表面２側に配置されたビルドアップ層ＢＵ１は、樹脂絶縁層１６，３０と、導体層（内層配線パターン１０，２８，外層配線パターン３４）とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１２にはビアホール形成用孔１２ａが形成され、その内部には内層配線パターン１０とコア基板側導体層４とを導通させるフィルドビア導体１４が形成されている。樹脂絶縁層１６にはビアホール形成用孔１８が形成され、その内部には内層配線パターン１０，２８間を導通させるフィルドビア導体２６が形成されている。
【００２５】
コア基板１の裏面３側に配置されたビルドアップ層ＢＵ２は、樹脂絶縁層１７，３１と、導体層（内層配線パターン１１，２９，外層配線パターン３５）とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１３にはビアホール形成用孔１３ａが形成され、その内部には内層配線パターン１１とコア基板側導体層５とを導通させるフィルドビア導体１５が形成されている。樹脂絶縁層１７にはビアホール形成用孔１９が形成され、その内部には内層配線パターン１１，２９間を導通させるフィルドビア導体２７が形成されている。
【００２６】
ソルダーレジスト３２は、樹脂絶縁層３０上に形成された外層導体パターン３４を全体的に被覆している。ソルダーレジスト３２は、所定箇所に開口部３６を有しており、これらの開口部３６は外層導体パターン３４における所定部位（即ち第１主面側ランド３４ａ）を第１主面３２ａ側に露呈させている。ソルダーレジスト３３は、樹脂絶縁層３１上に形成された外層導体パターン３５を全体的に被覆している。ソルダーレジスト３３は、所定箇所に開口部３７を有しており、これらの開口部３７は外層導体パターン３５における所定部位（即ち第２主面側ランド３５ａ）を第２主面３３ａ側に露呈させている。
【００２７】
また、第１主面側ランド３４ａの上には、第１主面３２ａよりも高く突出するはんだバンプ３８が形成されている。そして、これらのはんだバンプ３８上には、はんだを介して図示しないＩＣチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第２主面側ランド３５は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。
【００２８】
図１に示されるように、この配線基板Ｋ１の内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６の内壁面に円筒状のスルーホール導体７を析出させるとともに、そのスルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体７によって、コア基板１の表面２側のビルドアップ層ＢＵ１における導体部分と、コア基板１の裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２における導体部分との間の導通が図られている。
【００２９】
図１，図２に示されるように、本実施形態の配線基板Ｋ１における内層配線パターン２８，２９は、基板本体２０の面方向に沿って延びており、無電解銅めっき層４１上に電解銅めっき層４２を積層した層構造を有している。内層配線パターン２８，２９は、特にライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細な内層配線パターンとなっている。そして、表面２側のビルドアップ層ＢＵ１において樹脂絶縁層１６上には、樹脂絶縁層３０が内層配線パターン層２８を覆うようにして積層配置されている。裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２において樹脂絶縁層１７上には、樹脂絶縁層３１が配線パターン層２９を覆うようにして積層配置されている。
【００３０】
表面２側のビルドアップ層ＢＵ１において内層配線パターン２８は、隣接する２つの樹脂絶縁層１６，３０間に挟まれるようにして配置されている。樹脂絶縁層３０は内層配線パターン２８の上面４３側にて接しており、樹脂絶縁層１６は内層配線パターン２８の底面４４側にて接している。裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２において内層配線パターン２９は、隣接する２つの樹脂絶縁層１７，３１間に挟まれるようにして配置されている。樹脂絶縁層３１は内層配線パターン２９の上面４３側にて接しており、樹脂絶縁層１７は内層配線パターン２９の底面４４側にて接している。
【００３１】
内層配線パターン２８の底面４４の中央部には、底面側導体部分としての突条４６が内層配線パターン２８の延設方向に沿って等幅で延びるように形成されている（図２、図９参照）。同様に、内層配線パターン２９の底面４４の中央部には、底面側導体部分としての突条４６が内層配線パターン２９の延設方向に沿って等幅で延びるように形成されている。底面４４側にて接する樹脂絶縁層１６，１７には、内層配線パターン２８，２９の延設方向に沿って延びる溝５１が形成され、突条４６がその溝５１を埋めている。つまり、内層配線パターン２８は樹脂絶縁層１６，３０の両方に対して埋まっており、内層配線パターン２９は樹脂絶縁層１７，３１の両方に対して埋まっている。
【００３２】
図２に示されるように、内層配線パターン２８，２９において、上面４３側にて接する樹脂絶縁層３０，３１に埋まっている上面側導体部分４２の高さを「ｈ１１」とし、底面４４側にて接する樹脂絶縁層１６，１７に埋まっている底面側導体部分（突条４６）の高さを「ｈ１２」とする。本実施形態では、高さｈ１１が約１５μｍであり、高さｈ１２が約５μｍとなっている。ゆえに、両者の高さの比（ｈ１１：ｈ１２）が１５：５であって、その好適範囲内（１：９〜８：２）となるように設定されている。なお、本実施形態の場合、底面４４側にて接する樹脂絶縁層１６，１７の厚さＴ１が約３０μｍであるため、突条４６の高さｈ１２（換言すると溝５１の深さ）はそれよりも小さくなっている。ゆえに、突条４６は樹脂絶縁層１６，１７を貫通しておらず、その下層に位置する内層配線パターン１０にも接しない状態となっている。
【００３３】
また、本実施形態の内層配線パターン２８，２９では、上面側導体部分４５の最大幅Ｗ１が約１５μｍ、底面側導体部分（突条４６）の最大幅Ｗ２が約１０μｍとなっている。ゆえに、両者の最大幅の比（Ｗ１：Ｗ２）が１５：１０であって、その好適範囲内（１：１〜９：１）となっている。さらに、内層配線パターン２８，２９をその延設方向に対して垂直に切断したときの断面において、底面側導体部分（突条４６）のテーパー率が約８５％となっている。
【００３４】
次に、本実施形態の配線基板Ｋ１の製造方法を図３〜図１０に基づいて説明する。
【００３５】
まず、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂を主体とするコア基板１を用意する。コア基板１の表面２及び裏面３には銅箔があらかじめ貼着されている。このようなコア基板１の銅箔を従来公知の手法（ここではサブトラクティブ法）でパターニングし、表面２上及び裏面３上にコア基板側導体層４，５を形成する。次に、コア基板１における表面２上及び裏面３上に樹脂絶縁層１２，１３を形成し、さらにビアホール形成用孔１２ａ，１３ａを形成する。ここで、樹脂絶縁層１２，１３は、熱硬化性を有するビルドアップ層形成用樹脂材料（いわゆるビルドアップ材）を用いて形成される。本実施形態で使用するのに好適なビルドアップ材としては、例えばエポキシ樹脂中に無機フィラーを分散させてなる絶縁性フィルム等が挙げられる。次に、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６を形成した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施し、スルーホール導体７及びフィルドビア導体１４，１５を形成する。次に、スルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９のペーストで穴埋めした後、電解銅めっきを行って銅めっき膜上にさらに銅めっき膜を形成する。このとき、同時に充填樹脂９の両端面を蓋めっき１０ａ，１１ａで覆うようにする。続いて、これら２層の銅めっき膜を従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図３に示すような内層配線パターン１０，１１をそれぞれ形成する。これら内層配線パターン１０，１１はビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２における１層目の導体層となる。
【００３６】
次に、図４に示されるように、コア基板１側の樹脂絶縁層１２及び１層目の内層配線パターン１０の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、１層目の樹脂絶縁層１６を形成する。同じく、コア基板１側の樹脂絶縁層１３及び１層目の内層配線パターン１１の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、１層目の樹脂絶縁層１７を形成する。
【００３７】
次に、樹脂絶縁層１６，１７の表面における所定の位置にレーザを照射することにより、ビアホール形成用孔１８，１９を形成するとともに、内層配線パターン２８，２９の形成予定箇所に溝５１を形成する（図５参照）。この場合、ビアホール形成用孔１８，１９と溝５１とで加工深さを異ならせる必要があることから、例えばレーザの出力、ショット数、照射時間などを変更して照射を行うようにする。
【００３８】
次に、デスミア処理を行って、ビアホール形成用孔１８，１９の内壁面及び溝５１の内壁面のスミアを除去するとともに、これら内壁面を含む樹脂絶縁層１６，１７の表面全体を粗面化（表面粗さＲａを２μｍ程度に）する。そして、めっき触媒をあらかじめ塗布した後、無電解銅めっきを施すことより、厚さ約０．５μｍの無電解銅めっき層４１を全面に形成する（図６参照）。
【００３９】
次に、無電解銅めっき層４１の表面全体に、厚さ約２５μｍの感光性及び絶縁性のドライフィルム材を貼着し、露光及び現像を行って、所定位置に開口部４９ａを有するめっきレジスト４９を形成する（図７参照）。開口部４９ａは、ビアホール形成用孔１８，１９及び溝５１を露出させる位置に形成される。
【００４０】
次に、開口部４９ａにて露出する無電解銅めっき層４１に対し、従来公知の手法により電解銅めっきを行って電解銅めっき層４２を１５μｍ〜２０μｍ程度析出させる。続いて、専用の剥離液を用いてめっきレジスト４９を剥離し、さらに無電解銅めっき層４１の露出箇所を所定のエッチング液でエッチングすることにより、フィルドビア導体２６，２７及び内層配線パターン２８，２９をそれぞれ形成する（図８、図９参照）。この後、１層目の樹脂絶縁層１６及び２層目の内層配線パターン２８の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層３０を形成する（図１０参照）。同じく、１層目の樹脂絶縁層１７及び２層目の内層配線パターン２９の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層３１を形成する。その結果、内層配線パターン２８が、隣接する２つの樹脂絶縁層１６，３０間に挟まれるようにして配置されるとともに、２つの樹脂絶縁層１６，３０の両方に埋められた状態となる。また、内層配線パターン２９が、隣接する２つの樹脂絶縁層１７，３１間に挟まれるようにして配置されるとともに、２つの樹脂絶縁層１７，３１の両方に埋められた状態となる。
【００４１】
そして、セミアディティブ法により外層配線パターン３４，３５の形成を行った後、２層目の樹脂絶縁層３０，３１上に厚さ２５μｍのソルダーレジスト３２，３３をそれぞれ設ける。さらに、開口部３６を介して露呈する第１主面側ランド３４ａ上にニッケル−金めっきを施したうえではんだバンプ３８を形成し、開口部３７を介して露呈する第２主面側ランド３５ａにニッケル−金めっきを施す。以上の結果、図１に示したような表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を備える多層配線基板Ｋ１が完成する。
【００４２】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９が、上面４３側にて接する樹脂絶縁層３０，３１のみならず、底面４４側にて接する樹脂絶縁層１６，１７に対しても埋まっている。そのため、内層配線パターン２８，２９とその上面４３側に接する樹脂絶縁層３０，３１との密着状態が維持されるばかりでなく、その下面４４側に接する樹脂絶縁層１６，１７との密着状態も維持される。よって、微細な内層配線パターン２８，２９であっても横倒れや剥がれが起こりにくく、樹脂絶縁層１６，１７との間に十分な密着性を付与することができる。従って、信頼性が高くかつ歩留まりに優れた多層配線基板Ｋ１を提供することができる。
【００４３】
（２）また、本実施形態の多層配線基板Ｋ１の場合、内層配線パターン２８，２９の一部が下面４４側に接する樹脂絶縁層１６，１７側に埋まることになった結果、上面４３側に接する樹脂絶縁層３０，３１の表面に凹凸が発生しにくくなる。よって、樹脂絶縁層３０，３１の厚さばらつきを低減することができるという利点がある。従って、ＩＣチップ搭載面の平坦性を向上させることができる。
【００４４】
（３）下層の絶縁層に溝（トレンチ）を形成しそこを銅めっきで埋めて配線パターンを形成する手法としては、いわゆるトレンチフィリング法が従来知られている（例えば特開平１１−８７２７６号を参照）。ところが、この手法は、溝内の銅めっきを残しつつ絶縁層から突出した銅めっきを全部除去する加工を行う必要があるため工程上困難であり、加工精度が低いと配線切れや短絡が発生するという課題がある。その点、本実施形態の多層配線基板Ｋ１の製造方法によれば、特にそのような全部除去工程を要しないため、配線切れや短絡のリスクもなく、多層配線基板Ｋ１を比較的簡単にかつ高歩留まりで製造することができる。
【００４５】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００４６】
・上記実施形態では、本発明をコア基板１を有する多層配線基板に具体化したが、いわゆるコア基板を有しない多層配線基板に具体化することもできる。
【００４７】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９が、最大幅２０μｍ以下の微細パターンである場合について突条４６を設け、溝５１を埋めるようにしたが、最大幅が２０μｍ超である場合についても同様の構成を採用してもよい。
【００４８】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９における高さがｈ１１＞ｈ１２となっているものを例示したが、例えば図１１に示す別の実施形態の内層配線パターン２８Ａのように高さがｈ１１＜ｈ１２となっていてもよい。ただし、この場合にあっても高さの比（ｈ１１：ｈ１２）は１：９〜８：２という好適範囲内に設定されることがよい。
【００４９】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９の底面４４の中央部に１本の突条４６を設けた例を示したが、例えば図１２に示す別の実施形態の内層配線パターン２８Ｂのように底面４４の両側部に２本の突条４６を設けるようにしてもよい。
【００５０】
・上記実施形態では、等幅の突条４６を設けた内層配線パターン２８，２９を例示したが、例えば図１３に示す別の実施形態の内層配線パターン２８Ｃのように、他の内層配線パターンよりも幅が狭くなっている幅狭部４６ｃを有する突条４６を設けるようにしてもよい。図１３のものでは、内層配線パターン２８Ｃの屈曲部に対応して幅狭部４６ｃを配置している。直線部に比べて屈曲部は内層配線パターン２８Ｃの幅が広くなるので、そこだけ断面積が増大するが、幅狭部４６ｃを配置することで断面積の増大分を相殺することができる。よって、内層配線パターン２８Ｃの電気抵抗値を一定にすることができる。なお、屈曲部に対応して幅狭部４６ｃを設ける代わりに、他の部分よりも突条４６の高さを低くすることで、電気抵抗値の一定化を図ってもよい。
【００５１】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９に突条４６を設け、その突条４６で溝５１を埋めるようにした例を示したが、例えば図１４に示す別の実施形態の内層配線パターン２８Ｄのように複数の突起５４を設け、それら突起５４で複数の窪み５３をそれぞれ埋めるようにしてもよい。
【００５２】
・上記実施形態では、隣接する２つの同種の樹脂絶縁層１６，３０間に、突条４６を有する内層配線パターン２８を配置した例を示したが、例えば隣接する２つの異種の樹脂絶縁層間に同様の構造を有する内層配線パターンを配置してもよい。
【００５３】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９は、無電解銅めっき層４１上に電解銅めっき層４２を積層した層構造を有するものであった。これに代えて、例えば、図１５〜図１７に示す別の実施形態のような層構造を採用してもよい。図１７に示される内層配線パターン２８Ｅは、無電解銅めっき層４１及び電解銅めっき層４２に加え、さらにスズ層としてのスズめっき層６１とシランカップリング処理層６２とを備えている。スズめっき層６１は、電解銅めっき層４２において樹脂絶縁層１６から露出している部分の全体（即ち上面側導体部分４５の表面全体）を覆うように形成されている。シランカップリング処理層６２は、そのようなスズめっき層６１を全体的に覆うように形成されている。なお、フィルドビア導体２６Ｅについても、同様の層構造を有するものとなっている。
ここで、内層配線パターン２８Ｅの形成手順を説明する。まず、上記実施形態の手順に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行った後、無電解銅めっき層４１のエッチングを行い、図８に示す状態のものを作製する。次に、従来公知のスズめっき浴を用いて電解スズめっきを行い、内層配線パターン２８Ｅ及びフィルドビア導体２６Ｅの表面全体にスズめっき層６１を形成する（図１５参照）。この場合、スズめっき層６１の厚さは限定されないが、例えば０．１μｍ〜５μｍ程度としてもよい。また、この段階でスズめっき層６１を平滑化するための熱処理を必要に応じて行ってもよく、スズめっき層６１が所定の厚み以上に形成された場合には、硝酸洗浄などにより余剰部分を除去してもよい。続いて、従来公知のシランカップリング剤（例えば信越化学株式会社製のもの）を塗布処理し、スズめっき層６１の表面全体にシランカップリング処理層６２を形成する（図１６参照）。この後、１層目の樹脂絶縁層１６及び２層目の内層配線パターン２８Ｅの上に絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層３０を形成する（図１７参照）。
この構成によると、スズめっき層６１の存在によって樹脂絶縁層３０への銅の拡散を抑制することができる。そのため、内層配線パターン２８Ｅ同士、あるいは内層配線パターン２８Ｅと他の導体とが異層間でショートすることを防止することができる。さらに、スズめっき層６１上にはシランカップリング処理層６２が形成されていることから、樹脂絶縁層３０と内層配線パターン２８Ｅとの密着性を向上させることができる。ゆえに、剥がれの発生を効果的に防止することができる。
なお、図１７のものでは、スズ層としてスズめっき層６１を無電解めっきにより形成する手法を採用したが、無電解めっき以外の手法で形成されたスズ層（例えば電解スズめっき層やスズスパッタ層など）を採用することもできる。
【００５４】
次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）手段１において、前記複数の樹脂絶縁層は、熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなることを特徴とする多層配線基板。
（２）手段１において、前記多層配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板であることを特徴とする多層配線基板。
（３）手段１、思想１，２のいずれか１項において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層にはビアホール形成用孔が形成され、そのビアホール形成用孔内にはフィルドビア導体が形成され、前記底面側導体部分の高さが、前記ビアホール形成用孔の深さよりも小さくなるように設定されていることを特徴とする多層配線基板。
（４）手段１、思想１乃至３のいずれか１項において、前記多層配線基板はコア基板を有することを特徴とする多層配線基板。
（５）手段１、思想１乃至３のいずれか１項において、前記多層配線基板はコア基板を有しないことを特徴とする多層配線基板。
【符号の説明】
【００５５】
１６，１７…（底面側にて接する）樹脂絶縁層
２０…基板本体
２８，２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄ，２８Ｅ，２９…内層配線パターン
３０，３１…（上面側にて接する）樹脂絶縁層
３２ａ…基板主面
３３ａ…基板裏面
４１…めっき層としての無電解銅めっき層
４２…めっき層としての電解銅めっき層
４３…上面
４４…底面
４５…上面側導体部分
４６…底面側導体部分としての突条
５４…底面側導体部分としての突起
５１…溝
５３…窪み
６１…スズ層としてのスズめっき層
６２…シランカップリング処理層
Ｔ１…（底面側にて接する樹脂絶縁層の）厚さ
ｈ１１…（上面側導体部分の）高さ
ｈ１２…（底面側導体部分の）高さ
Ｋ１…多層配線基板
Ｗ１…（上面側導体部分の）最大幅
Ｗ２…（底面側導体部分の）最大幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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