(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に間隙を隔てて形成され、互いに電気的に隔離された複数の第１導電層と、
前記第１導電層上および前記基板の前記間隙を設けた部分の上に形成され、互いに隔離された複数の領域からなる第２導電層と、
発光層を含み且つ少なくとも前記第１導電層上に形成された前記第２導電層の複数の前記領域の上に積層された有機化合物層と、
少なくとも前記有機化合層上に形成された第３導電層と、を含み、
前記第１導電層と前記第３導電層が平面視上重なる発光領域の当該第１導電層の各々の上に、前記第２導電層の少なくとも２個の前記領域が形成され、
前記第２導電層の前記領域の其々は、前記第１導電層のいずれか１個のみと接触するか、または、いずれの当該第１導電層からも電気的に隔離される
ことを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
前記第２導電層の複数の前記領域は、同一または異なる形状の当該領域、もしくは、同一または異なる面積の当該領域が規則的に配列したものであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記第２導電層の前記領域は、前記第１導電層を隔てる前記間隙に対応する部分において、当該間隙の最小幅より小さい幅を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記第２導電層の前記領域は、当該領域の最大幅が、前記第１導電層を電気的に隔離する前記間隙の最小幅よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記第２導電層は、同一形状の複数の前記領域が当該第２導電層の面内において規則的に配列したものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記第２導電層の前記領域は、前記第１導電層と前記第３導電層とが平面視で重なる部分に対応する当該第１導電層のそれぞれの上において、少なくとも１０個形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記第１導電層の少なくとも１つが陽極であり、当該陽極上の前記第２導電層が正孔注入層であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記第１導電層の少なくとも１つが前記第３導電層と接し、または、当該第１導電層上の前記第２導電層が当該第３導電層と接することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記第１導電層と前記第２導電層の間の少なくとも一部に、複数の貫通部を設けた誘電体層が形成され、当該誘電体層の当該貫通部内で当該第２導電層が当該第１導電層と接していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記誘電体層の前記貫通部が、前記第１導電層の任意の面内において、最大幅が１０μｍ以下の円形形状または多角形形状を有することを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記誘電体層の前記貫通部が、前記第１導電層の任意の面内において、１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個形成されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
有機発光素子の製造方法であって、
基板上に、間隙を隔てて互いに電気的に隔離された複数の第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上および前記基板の前記間隙に対応する部分に形成され、且つ当該第１導電層とは異なる非パターン化導電層を形成する工程と、
前記非パターン化導電層をパターニングし、前記第１導電層上および前記基板の前記間隙を設けた部分の上に、互いに隔離された複数の領域からなる第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の少なくとも１つの上方に前記第２導電層に接し且つ発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層上に第３導電層を形成する工程と、を含み、
前記第２導電層は、前記第１導電層と前記第３導電層が平面視上重なる発光領域の当該第１導電層の各々の上に少なくとも２個の前記領域が形成され、且つ、各々の当該領域は、当該第１導電層のいずれか１個のみと接触するか、または、いずれの当該第１導電層から電気的に隔離される
ことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項１３】
有機発光素子を製造する方法であって、
基板上に、間隙を隔てて互いに電気的に隔離された複数の第１導電層を形成する工程と、
複数の前記第１導電層上および前記基板の前記間隙に対応する部分に形成され且つ互いに隔離された複数の領域からなるパターニングされた第２導電層を形成する工程と、
複数の前記第１導電層の少なくとも１つの上方に、前記第２導電層に接して、発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層上に第３導電層を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２導電層は、前記第１導電層の各々の上に少なくとも２個の前記領域が形成され、且つ、各々の当該領域は、当該第１導電層のいずれか１個のみと接触するか、または、いずれの当該第１導電層から電気的に隔離されることを特徴とする請求項１３に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記基板上に、複数の前記第１導電層、前記第２導電層、前記有機化合物層および前記第３導電層を含む有機発光素子と、当該有機発光素子に電圧を印加するための端子を有する発光装置を少なくとも２つ形成し、当該第３導電層を形成した後、当該基板を当該発光装置毎に切断する工程を含むことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２導電層を、前記基板の互いに隣接する前記発光装置の間の部分に形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置や照明装置に用いられる有機発光素子および有機発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光素子は、自発光や低消費電力といった優れた特徴を持つことからドットマトリクスディスプレイや照明装置等への応用が期待されている。有機発光素子は一般的に、発光材料を含む有機化合物を薄膜状に形成した発光層を陽極と陰極とで挟んだ構造をしており、これらの電極間に電圧を印加して発光層内で正孔と電子を再結合させることによって発光材料を励起し、発光させる。【０００３】
この有機発光素子を用いたドットマトリクスディスプレイや照明装置においては、透明な基板上に、電極や配線、電極端子等、導電性材料からなる導電パターンが形成され、この導電パターン上に発光層や対向電極が積層されている。例えば、特許文献１や特許文献２には、ガラス基板上に形成された酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる複数のストライプ状の陽極に発光層と陰極を積層したディスプレイが開示されている。【０００４】
ここで陽極と発光層の間に導電性高分子等の導電性材料からなる導電層を形成することで、有機発光素子の発光効率や信頼性を向上させる技術が知られている。導電性高分子の電気伝導性は高いため、導電層を陽極上と陽極間上の全面に形成すると、陽極間上の発光層も発光して画像が不鮮明となる滲みが起こったり、陽極間や配線間が導通して意図しない画素が発光するクロストークが起こったり、あるいは陽極と陰極端子がショートして全く発光しないといった問題がある。【０００５】
この問題に対して、特許文献１には、陽極間の隔壁上に形成された、導電層である正孔輸送層を、剥離やレーザアブレーション等の方法によって除去することで、画素間のリーク電流を抑制し、クロストークの発生を防止することが開示されている。また、特許文献２には、フォトレジストパターンを用いて、陽極間に形成された導電性高分子からなる導電層に対して選択的に電気伝導度を低下させる処理を行うことで、隣り合う陽極同士の電気的な接続を回避し、クロストークを抑制することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２４３５５９号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、例えば、高精細ディスプレイにおいては陽極同士の間隔が狭いため、陽極間の導電層を高い位置精度で選択的に除去することや、改質処理することは困難である。このため、クロストークや滲みの問題のないディスプレイを製造することは容易ではない。
また、陽極や配線のパターンが異なる複数の基板上の導電層を処理する場合には、各パターンに対応したフォトマスクがそれぞれ必要となる等、製造工程が煩雑になる問題がある。特に一つの基板上に複数のディスプレイや照明のユニットを形成した後、その基板をユニット毎に切断する工程を含む製造方法においては大きな問題である。
本発明の目的は、陽極同士の間隔が狭い場合であっても、クロストークや滲みの問題が生じない有機発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記の課題を解決するため鋭意検討した結果、陽極上と陽極間を含む全面に、複数の領域に隔離された導電層を形成することにより、有機発光素子の性能を損なうことなくクロストークや滲み、ショートのないディスプレイや照明装置等を容易に製造できることを見出し、本発明を完成した。【０００９】
本発明によれば、基板と、前記基板上に間隙を隔てて形成され、互いに電気的に隔離された複数の第１導電層と、前記第１導電層上および前記基板の前記間隙を設けた部分の上に形成され、互いに隔離された複数の領域からなる第２導電層と、発光層を含み且つ少なくとも前記第１導電層上に形成された前記第２導電層の複数の前記領域の上に積層された有機化合物層と、少なくとも前記有機化合層上に形成された第３導電層と、を含み、前記第１導電層と前記第３導電層が平面視上重なる発光領域の当該第１導電層の各々の上に、前記第２導電層の少なくとも２個の前記領域が形成され、前記第２導電層の前記領域の其々は、前記第１導電層のいずれか１個のみと接触するか、または、いずれの当該第１導電層からも電気的に隔離されることを特徴とする有機発光素子が提供される。
ここで、前記第２導電層の複数の前記領域は、同一または異なる形状の当該領域、もしくは、同一または異なる面積の当該領域が規則的に配列したものであることが好ましい。
前記第２導電層の前記領域は、前記第１導電層を隔てる前記間隙に対応する部分において、当該間隙の最小幅より小さい幅を有することが好ましい。
前記第２導電層の前記領域は、当該領域の最大幅が、前記第１導電層を電気的に隔離する前記間隙の最小幅よりも小さいことが好ましい。
前記第２導電層は、同一形状の複数の前記領域が当該第２導電層の面内において規則的に配列したものであることが好ましい。
前記第２導電層の前記領域は、前記第１導電層と前記第３導電層とが平面視で重なる部分に対応する当該第１導電層のそれぞれの上において、少なくとも１０個形成されていることが好ましい。
前記第１導電層の少なくとも１つが陽極であり、当該陽極上の前記第２導電層が正孔注入層であることが好ましい。
前記第１導電層の少なくとも１つが前記第３導電層と接し、または、当該第１導電層上の前記第２導電層が当該第３導電層と接することが好ましい。
前記第１導電層と前記第２導電層の間の少なくとも一部に、複数の貫通部を設けた誘電体層が形成され、当該誘電体層の当該貫通部内で当該第２導電層が当該第１導電層と接していることが好ましい。
前記誘電体層の前記貫通部が、前記第１導電層の任意の面内において、最大幅が１０μｍ以下の円形形状または多角形形状を有することが好ましい。
前記誘電体層の前記貫通部が、前記第１導電層の任意の面内において、１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個形成されていることが好ましい。【００１０】
また、本発明によれば、有機発光素子の製造方法であって、基板上に、間隙を隔てて互いに電気的に隔離された複数の第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層上および前記基板の前記間隙に対応する部分に形成され、且つ当該第１導電層とは異なる非パターン化導電層を形成する工程と、前記非パターン化導電層をパターニングし、前記第１導電層上および前記基板の前記間隙を設けた部分の上に、互いに隔離された複数の領域からなる第２導電層を形成する工程と、前記第１導電層の少なくとも１つの上方に前記第２導電層に接し且つ発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に第３導電層を形成する工程と、を含み、前記第２導電層は、前記第１導電層と前記第３導電層が平面視上重なる発光領域の当該第１導電層の各々の上に少なくとも２個の前記領域が形成され、且つ、各々の当該領域は、当該第１導電層のいずれか１個のみと接触するか、または、いずれの当該第１導電層から電気的に隔離されることを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。【００１１】
さらに、本発明によれば、有機発光素子を製造する方法であって、基板上に、間隙を隔てて互いに電気的に隔離された複数の第１導電層を形成する工程と、複数の前記第１導電層上および前記基板の前記間隙に対応する部分に形成され且つ互いに隔離された複数の領域からなるパターニングされた第２導電層を形成する工程と、複数の前記第１導電層の少なくとも１つの上方に、前記第２導電層に接して、発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に第３導電層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される
ここで、前記第２導電層は、前記第１導電層の各々の上に少なくとも２個の前記領域が形成され、且つ、各々の当該領域は、当該第１導電層のいずれか１個のみと接触するか、または、いずれの当該第１導電層から電気的に隔離されることが好ましい。
前記基板上に、複数の前記第１導電層、前記第２導電層、前記有機化合物層および前記第３導電層を含む有機発光素子と、当該有機発光素子に電圧を印加するための端子を有する発光装置を少なくとも２つ形成し、当該第３導電層を形成した後、当該基板を当該発光装置毎に切断する工程を含むことが好ましい。
前記第２導電層を、前記基板の互いに隣接する前記発光装置の間の部分に形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、高精細ディスプレイのように、陽極同士の間隔が狭い場合であっても、高精度な位置制御を行うことなく、陽極間の絶縁を確保できる導電層を形成し、クロストークや滲みの問題のない有機発光素子を提供できる。
また、陽極や配線のパターンが異なる複数の基板についても、フォトマスクや製造工程を変更することなく導電層を形成することができる。
さらに、大面積の基板上にクロストークや滲みの問題のない導電層を容易に形成できるため、１つの基板上に複数のディスプレイユニットや照明ユニットを形成した後にユニット毎に切断して製造することも容易となり、生産性を大きく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態が適用される有機発光素子の一例を示す概略図である。
【図２】第２導電層を形成する互いに隔離された複数の領域の形状の一例を説明する図である。
【図３】第１の間隙と第２導電層の複数の領域の大きさの関係を説明する図である。
【図４】第２の実施形態が適用される有機発光素子の一例を示す概略図である。
【図５】第３の実施形態が適用される有機発光素子の一例を示す概略図である。
【図６】有機発光素子の製造方法の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するための一例であり、実際の大きさを表すものではない。
【００１５】
＜有機発光素子＞
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態が適用される有機発光素子１０の一例を示す概略図である。図１（ａ）は、平面概略図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面の概略図である。
以下、図１（ａ）及び図１（ｂ）に基づいて有機発光素子１０を説明する。
【００１６】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、有機発光素子１０は、平板状の基板１１０と、基板１１０上に間隙を隔てて互いに電気的に隔離されるように形成された複数の第１導電層１２０と、第１導電層１２０上および基板１１０の第１導電層１２０を隔てる間隙に対応する部分の上に互いに隔離されるように形成された複数の領域１３２からなる第２導電層１３０と、発光層１４１を含み且つ少なくとも１つの第１導電層１２０の上方に積層して形成された有機化合物層１４０と、少なくとも有機化合物層１４０の表面を覆うように形成された第３導電層１５０と、を有している。
ここでは、複数の第１導電層１２０を電気的に隔離するため間隙を第１の間隙１２１と表示している。また、第２導電層１３０の複数の領域１３２は、第２の間隙１３１によって互いに隔離されている。尚、本実施の形態では、第２の間隙１３１は、第１の間隙１２１より狭い幅を有することが好ましい。
【００１７】
第１導電層１２０は、基板１１０上に第１の間隙１２１を設けて略平行に配置された長方形状の複数の陽極部１２２と、陽極部１２２の長手方向の長さと比較して短い長さを有し、陽極部１２２と略平行に且つ基板１１０の端部に配置された陰極端子部１２３を有している。ここで第１導電層１２０の複数の陽極部１２２及び陰極端子部１２３は、互いに電気的に絶縁されている。また図１（ａ）に示すように、第１導電層１２０の各陽極部１２２の一端は、基板１１０の端部まで形成されており、この端に形成された部分が陽極端子部１２４となる。
【００１８】
第２導電層１３０の複数の領域１３２は、第１導電層１２０の陽極部１２２と比較して短手方向の幅が狭い長方形状を有し、第１の間隙１２１より狭い幅を有する第２の間隙１３１を設けて、陽極部１２２と略平行に配置されている。本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように、少なくとも２個の領域１３２が１個の陽極部１２２（＝第１導電層１２０）上に形成される。
尚、複数の領域１３２の各々は、その全てが第１導電層１２０上に形成されていても良く、また、一個の領域１３２の一部が第１の間隙１２１上に延びて形成されていても良い。さらにこの他、複数の領域１３２は、基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分の上にのみ形成されていても良い。
【００１９】
このように第２導電層１３０の各領域１３２を形成することにより、第２導電層１３０の各領域１３２のうち、第１導電層１２０と接している領域１３２だけが、その第１導電層１２０に電圧を印加した場合にのみ通電することができる。
また、第１導電層１２０の１つの陽極部１２２または陰極端子部１２３に電圧を印加しても、第２導電層１３０が複数の領域１３２に隔離され、且つ、複数の領域１３２のそれぞれが陽極部１２２間または陽極部１２２−陰極端子部１２３間に跨っていないため、第２導電層１３０を経由して隣接する陽極部１２２または陰極端子部１２３に電圧が印加されることはない。
尚、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、第２導電層１３０が陰極端子部１２３や陽極端子部１２４上および第１の間隙１２１上に形成されているが、これらは必須ではなく、第２導電層１３０は少なくとも陽極部１２２上に形成されていれば良い。
【００２０】
有機化合物層１４０は、第１導電層１２０の複数の陽極部１２２、基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分、第２導電層１３０の複数の領域１３２及び第２の間隙１３１に対応する部分を覆うように積層して形成されている。本実施の形態では、有機化合物層１４０の平面形状は、長方形状を有する陽極部１２２の長手方向と略平行な一辺を有する矩形状に形成され、複数の陽極部１２２及び複数の領域１３２を横断的に覆うように形成されている。
図１（ａ）及び図１（ｂ）において、第１導電層１２０と第２導電層１３０と第３導電層１５０の３層が平面視上重なる部分が発光領域である。発光色の塗り分けや駆動を制御する等の目的に応じ、各発光領域は、異なる材料で分割形成されてもよい。また有機化合物層１４０は、少なくとも発光領域に形成されていれば良い。
【００２１】
第３導電層１５０は、陰極部１５１として有機化合物層１４０の表面上に形成される。図１（ａ）に示すように、陰極部１５１は長方形状を有し、その長手方向が、第１導電層１２０の複数の陽極部１２２と第２導電層１３０の複数の領域１３２と略直交するように配置されている。さらに、本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように、第３導電層１５０は、第１導電層１２０の陰極端子部１２３において、直接または第２導電層１３０の領域１３２を介し第１導電層１２０と接している。
以下、有機発光素子１０の各構成要素について説明する。
【００２２】
（基板１１０）
基板１１０は、陽極部１２２及び陰極端子部１２３を有する第１導電層１２０、第２導電層１３０、有機化合物層１４０及び第３導電層１５０を形成するための支持体となる。基板１１０には、有機発光素子１０に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。
基板１１０の材料としては、有機発光素子１０の基板１１０側から光を取り出す場合、可視光に対して光透過性であることが必要である。具体的には、サファイアガラス、ソーダガラス、石英ガラス等のガラス類；アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂、シリコン樹脂等の透明樹脂；窒化アルミ等の金属窒化物；アルミナ等の透明金属酸化物等が挙げられる。
【００２３】
尚、基板１１０として、上記の透明樹脂からなる樹脂フィルム等を使用する場合、水、酸素等のガスに対するガス透過性が低いことが好ましい。ガス透過性が高い樹脂フィルム等を使用する場合、光の透過性を損なわない範囲でガスの透過を抑制するバリア性薄膜を積層しても良い。
【００２４】
有機発光素子１０の基板１１０側から光を取り出す必要がない場合、基板１１０の材料としては、可視光に対して光透過性材料に限定されず不透明材料も使用できる。具体的には、上記材料に加えて、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）の単体またはこれらの合金；ステンレス；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物；ｎ−Ｓｉ等の半導体等からなる材料が挙げられる。
基板１１０が金属の場合、基板１１０と第１導電層１２０及び第２導電層１３０が絶縁されていることが好ましい。基板１１０の厚さは、要求される機械的強度に応じ適宜選択される。本実施の形態では、好ましくは、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍ、より好ましくは０．１ｍｍ〜２ｍｍである。
【００２５】
（第１導電層１２０）
第１導電層１２０の陽極部１２２と陰極端子部１２３とは、基板１１０上に共に同じ材料を用いて真空蒸着またはスパッタリング法により成膜される。尚、成膜時にパターニングを行うことにより、複数の第１導電層１２０を形成しても良く、また、エッチング等により第１の間隙１２１を隔て電気的に互いに隔離された複数の第１導電層１２０として形成することもできる。
陽極部１２２間及び陽極部１２２と陰極端子部１２３間の第１の間隙１２１の幅は特に限定されないが、本実施の形態では、１μｍ〜５ｍｍであり、好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。尚、ディスプレイ等の表示装置の場合、陽極部１２２の短手方向の幅は、本実施の形態では、１μｍ〜１０００μｍであり、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは５０μｍ〜３００μｍである。
【００２６】
陰極端子部１２３は、第３導電層１５０である陰極部１５１と第２導電層１３０を介し、または陰極部１５１と直接接することによって、陰極端子部１２３に電圧を印加したとき陰極部１５１に電圧を印加することができる陰極取り出し電極の端子として形成されている。
【００２７】
一方、本実施の形態では、陽極部１２２は、基板１１０の端部で陽極取り出し電極の端子として形成されている陽極端子部１２４に繋がっている。これらの陰極取り出し電極の端子と陽極取り出し電極の端子を通じ、陽極部１２２と陰極部１５１との間で電圧を印加し、陽極部１２２より有機化合物層１４０に正孔を注入する。陰極端子部１２３と陽極部１２２に使用される材料としては、電気伝導性を有し、−５℃〜８０℃の温度範囲で面抵抗が１０００Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ以下であることがさらに好ましい。具体的には陽極部１２２として仕事関数が大きいものであり、仕事関数は、４．５ｅＶ以上であることが好ましい。
【００２８】
このような条件を満たす材料として、金属酸化物、金属、合金が使用できる。ここで、金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。また金属としては、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等が挙げられる。そしてステンレス等の合金も使用できる。
第１導電層１２０の膜厚は２ｎｍ〜２μｍ、好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍ、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。膜厚が過度に薄いと面抵抗が高くなる傾向があり、膜厚が過度に厚いと光透過率が低くなる傾向がある。尚、仕事関数は、例えば、紫外線光電子分光分析法により測定することができる。
【００２９】
基板１１０や第１導電層１２０の表面処理を行うことで、オーバーコートされる層の性能（例えば、陽極部１２２との密着性、表面平滑性、正孔注入障壁等）を改善することができる。表面処理を行うには、高周波プラズマ処理を始めとして、スパッタリング処理、コロナ処理、ＵＶ（紫外線）オゾン照射処理、紫外線照射処理、または酸素プラズマ処理等が挙げられる。
【００３０】
（第２導電層１３０）
本実施の形態では、第２導電層１３０は、電荷注入層としての性質を有する。ここで、電荷注入層とは電極部から電荷を注入する機能を持った層であり、基板１１０上の第１導電層１２０が陽極である場合は正孔注入層となり、陰極である場合は電子注入層となる。本実施の形態では、第１導電層１２０が陽極部１２２を有し、第２導電層１３０は正孔注入層として形成されている。
【００３１】
正孔注入層としての第２導電層１３０は、公知の正孔注入材料を使用して形成される。具体的には、例えば、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン等の導電性高分子；アリールアミン、フタロシアニン等の有機化合物；酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化チタン等の酸化物が挙げられる。これらの材料は、キャリアをドーピングし自由に動けるキャリアを注入することにより、導電性を向上させることができる。
正孔注入材料は、１種単独または２種以上を混合して用いてもよい。さらに、異なる正孔注入材料を積層して使用してもよい。ドーパントを使用した例として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００３２】
導電性の高い導電層を形成することで、有機発光素子の発光効率や信頼性が向上することが知られており、第２導電層１３０は、導電性が高いほど好ましい。一般的にシート抵抗が低いものは導電性が高い傾向にあるため、第２導電層１３０のシート抵抗は３ＧΩ／ｓｑ以下であることが好ましく、１ＧΩ／ｓｑ以下であることがさらに好ましい。
第２導電層１３０のシート抵抗が過度に大きいと、電荷注入性能が低下し、駆動電圧の上昇により発光効率の低下や輝度の低下が生じる傾向がある。
【００３３】
第２導電層１３０の厚さは、正孔注入層としての導電性等に依存し、特に限定されないが、本実施の形態では、好ましくは０．５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１ｎｍ〜５００ｎｍ、特に好ましくは２ｎｍ〜３００ｎｍである。第２導電層１３０の厚さが過度に薄いいとシート抵抗が増大し、過度に厚いと有機発光素子１０の全体の厚さが厚くなるため好ましくない。
尚、第２導電層１３０が光取出し方向にある場合、光透過性の材料や膜厚を選択することが好ましい。また、第２導電層１３０の材料は、全面同じ材料でも良いし、異なっていても構わない。
【００３４】
第２導電層１３０の複数の領域１３２は、少なくとも発光面となる第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上に形成されていれば良く、基板１１０の全面に拡張されて形成されていても良い。さらに、例えば、陰極端子部１２３を除く基板１１０上全面に形成されていても良い。また、陽極端子部１２４上および陰極端子部１２３上には、第２導電層１３０が形成されていても、形成されていなくても良い。また、第２導電層１３０の複数の領域１３２は、その一つの領域１３２が第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上と基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分の上との両方に形成されていても良いし、基板１１０上だけ、あるいは第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上だけに形成されていても良い。
【００３５】
本実施の形態では、第２導電層１３０は、少なくとも２個の領域１３２が１個の第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上に形成されている。さらに、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）と第３導電層１５０（＝陰極部１５１）とが平面視で重なる部分に対応する第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上において、できるだけ多くの領域１３２が形成されることが好ましく、例えば、少なくとも１０個形成されていることが好ましい。
第２導電層１３０の１つの領域１３２が、第１導電層１２０と隣接する第１の間隙１２１を設けた部分とに跨って形成された場合、通電されると第２導電層１３０が形成された部分全体が発光領域となる。第１の間隙１２１を設けた部分に形成された第２導電層１３０の領域１３２は発光面積として設計していない部分であるので、この領域１３２は小さいことが好ましい。従って、第２導電層１３０を多くの領域１３２で形成すると、１つ１つの領域１３２の面積が小さくなるため、第２導電層１３０の１つの領域１３２が第１導電層１２０と隣接する第１の間隙１２１を設けた部分とに跨って形成されても、大きな滲みが生じなくなる。
【００３６】
図２は、第２導電層１３０を形成する互いに隔離された複数の領域１３２の形状の一例を説明する図である。
図２（ａ）では、第２導電層１３０が同じ大きさの正三角形の形状を有する領域１３２により形成される。図２（ｂ）では、第２導電層１３０は、同じ大きさの四辺形の形状を有する領域１３２により形成される。図２（ｃ）では、第２導電層１３０は、同じ大きさの正六角形の形状を有する領域１３２により形成される。図２（ｄ）では、第２導電層１３０は、同じ大きさの長方形の形状を有する領域１３２により形成される。図２（ｅ）では、第２導電層１３０は、同じ大きさの円の形状を有する領域１３２により形成される。図２（ｆ）では、第２導電層１３０は、大きさが異なる２種類の円の形状を有する領域１３２により形成される。
【００３７】
本実施の形態において、第２導電層１３０の一つの領域１３２の形状は、例えば、多角形、凹多角形、円、楕円、角が丸められた形状等の種々の形状を採用することができる。また、第２導電層１３０は、全て同じ形状の複数の領域１３２を用いて形成してもよく、異なる形状の複数の領域１３２を組み合わせて形成してもよい。さらに、複数の領域１３２を周期的に配列してもよく、非周期的に配列してもよい。また、同じ大きさの複数の領域１３２を用いて形成してもよく、異なる大きさの複数の領域１３２を組み合わせて形成してもよい。
【００３８】
第１導電層１２０上に形成される第２導電層１３０は、第１導電層１２０上における第２導電層１３０の各領域１３２の総面積が大きいこと、すなわち第１導電層１２０上における第２の間隙１３１（図１参照）を設けた部分の総面積が小さいことが好ましい。
そのため、第１導電層１２０上に形成された第２導電層１３０の領域１３２と、基板１１０上の第１の間隙１２１を設けた部分に形成された第２導電層１３０の領域１３２や、隣接する他の第１導電層１２０上に形成された別の第２導電層１３０の領域１３２が絶縁されていれば、第１導電層１２０上における第２導電層１３０の各領域１３２の総面積が大きくなるように、複数の領域１３２を組み合わせることが好ましい。
上記の第２導電層１３０の各領域１３２の絶縁については、第２導電層１３０の領域１３２間は完全に隔離されていても良い。また、領域１３２間の一部が繋がって形成されていても、その部分の幅を狭く、或いは厚さを薄くすることにより、絶縁状態とほぼ同等の状態とすることができる。
【００３９】
図２に示すように、第２導電層１３０は、第２の間隙１３１により、互いに隔離された複数の領域１３２が形成されている。第２の間隙１３１の幅は特に限定されないが、本実施の形態では、１０ｎｍ〜２００μｍであり、好ましくは１００ｎｍ〜１００μｍである。尚、各領域１３２の面積は特に限定されないが、第１導電層１２０の面積より小さいことが好ましい。
【００４０】
本実施の形態において、第２導電層１３０の互いに隔離されて形成された複数の領域１３２が、発光領域が面発光するように見えるためには、領域１３２同士の間隔である第２の間隙１３１が狭いほど好ましい。一方、第１導電層１２０間の絶縁性を維持するためには第２の間隙１３１を広くとることが好ましい。
【００４１】
さらに、第２導電層１３０の領域１３２は、第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１より小さいことが好ましい。発光領域の外縁部に生じる滲みやクロストーク、短絡を少なくするためには、領域１３２の面積を小さくすることが好ましい。一方、パターニングを安価な製法で容易に行うためには、領域１３２の面積を大きくすることが好ましい。
第２導電層１３０の１個の領域１３２の面積は特に限定されない。本実施の形態では、平面視上、第１導電層１２０の陽極部１２２上に第２導電層１３０の複数の領域１３２が占める割合は、５０％〜９９％であり、好ましくは６０％〜９５％である。複数の領域１３２が第１導電層１２０の陽極部１２２上に占める割合が過度に小さいと、発光面積が設計値より小さくなり輝度が低下する傾向がある。一方、複数の領域１３２が第１導電層１２０上に占める割合が過度に大きいと、第２の間隙１３１の幅が狭くなり、製造上の困難性や、複数の領域１３２間が電気的に接続しやすくなる等の傾向がある。
【００４２】
第２導電層１３０の複数の各領域１３２は、第１の間隙１２１を隔てて配置された２つの第１導電層１２０に跨らないように形成される。複数の領域１３２の各々の大きさは特に限定されない。本実施の形態では、各領域１３２は、第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１に対応する部分において、第１の間隙１２１の最小幅より小さい幅を有することが好ましい。すなわち、１つの領域１３２の少なくとも一部が、第１導電層１２０間を隔てる第１の間隙１２１に対応する部分に形成される場合、第１の間隙１２１が最小となる方向における領域１３２の幅が、第１の間隙１２１の最小幅より小さいことが望ましい。
【００４３】
図３は、第１の間隙１２１と第２導電層１３０の複数の領域１３２の大きさの関係を説明する図である。ここで、図３（ａ）〜図３（ｄ）では、第１の間隙１２１が最小となる方向における領域１３２の幅Ｂと領域１３２の最大幅Ｃを示している。すなわち、最大幅Ｃとは、領域１３２に接してこれを挟む平行な２直線間長さの最大値である。
【００４４】
図３（ａ）は、第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１の長さが一定ではない場合を説明する図である。本実施の形態では、第１の間隙１２１の長さが最小値（最小幅Ａ）となる方向において、領域１３２の幅Ｂが第１の間隙１２１の最小幅Ａより小さくなるように形成されている。
【００４５】
図３（ｂ）〜図３（ｄ）は、第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１の長さが一定である場合を説明する図である。この場合、第１の間隙１２１の長さは最小幅Ａと同じである。図３（ｂ）は、第１の間隙１２１の最小幅Ａと比較して、第１の間隙１２１が最小となる方向における第２導電層１３０の領域１３２の幅Ｂが短く、最大幅Ｃが長いものである。図３（ｃ）は、第２導電層１３０の領域１３２の幅Ｂ（第１の間隙１２１が最小となる方向）と最大幅Ｃのいずれもが第１の間隙１２１の最小幅Ａより短いものである。図３（ｄ）は、図３（ｂ）の第２導電層１３０の領域１３２と図３（ｃ）の第２導電層１３０の領域１３２とが混在しているものである。
【００４６】
図３（ａ）〜図３（ｄ）に示すように、第２導電層１３０の領域１３２の幅は特に限定されないが、それぞれの領域１３２は、第１の間隙１２１の最小幅Ａと同じ方向において、最小幅Ａと比べて小さい幅（領域１３２の幅Ｂ）を有することが好ましい。
それぞれの領域１３２が第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１より小さい幅（領域１３２の幅Ｂ）を有することにより、１個の領域１３２を、基板１１０上の第１の間隙１２１に対応する部分のみに形成するか、または、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）のいずれか１個のみと接触するように形成することができる。このとき、領域１３２は、複数の第１導電層１２０（＝陽極部１２２）間に跨るもの、または、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）と陰極端子部１２３の間に跨るものは、いずれも形成されない。
【００４７】
これにより、例えば、ある一つの第１導電層（＝陽極部１２２）に電圧を印加した場合、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上に形成された第２導電層の複数の領域１３２（一部しか第１導電層上に形成されていないものも含む）のみに電圧が印加される。一方、それ以外の第２導電層の領域１３２には電圧が印加されない。
このため、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）と第２導電層１３０の複数の領域１３２が基板１１０の全域に形成されていても、短絡、クロストークは生じない。また、電圧が印加される第２導電層１３０の複数の領域１３２が、第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１の部分にはみ出す長さは、複数の領域１３２の最大幅Ｃ未満である。従って、第２導電層１３０の複数の領域１３２のサイズを小さくすることにより滲みを小さくすることができる。
【００４８】
さらに、本実施の形態では、第２導電層１３０の各領域１３２の最大幅Ｃが複数の第１導電層１２０（＝陽極部１２２）を隔てる第１の間隙１２１より小さいことが好ましい。
第２導電層１３０の各領域１３２の最大幅Ｃが第１導電層１２０（＝陽極部１２２）の第１の間隙１２１より小さいと、領域１３２が基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分の上に形成される場合、その領域１３２は、たとえその形状が回転方向にずれて形成されたとしても、隣合う第１導電層１２０（＝陽極部１２２）の両方に跨ることはない。このように、第２導電層１３０の複数の領域１３２を形成する場合、基板１１０を設置する角度や方向を予め設定することなく互いに隔離された複数の領域からなる第２導電層１３０を形成することができる。
【００４９】
（有機化合物層１４０）
有機化合物層１４０は、発光層１４１を１層有する単層構造、または２層以上の複数の積層構造からなっていても良い。具体的には、発光層１４１を、第１導電層１２０あるいは第２導電層１３０と第３導電層１５０の間に形成する。さらに、有機化合物層１４０は、発光層１４１のほか電荷移動層、電荷ブロッキング層から選ばれる１つあるいは２つ以上が存在する層と積層されていても良い。さらに発光層１４１と第３導電層１５０の間、および、発光層１４１と第１導電層１２０あるいは第２導電層１３０の間には電荷注入層を含んでいても良い。
【００５０】
発光層１４１は、第１導電層１２０と第３導電層１５０に電圧を印加し、電流を供給することで光を発する発光材料を含む層であり、この発光層１４１において、陽極部１２２から注入された正孔と陰極部１５１から注入された電子とが再結合し、発光が生じる。
有機化合物層１４０の厚さは特に限定されないが、例えば０．００５μｍ〜１μｍが好ましく、さらに０．０１μｍ〜０．５μｍが好ましく、０．０３μｍ〜０．２μｍがより好ましい。
【００５１】
発光層１４１を構成する発光材料としては、発光性有機材料および発光性無機材料のいずれも用いることができる。また、発光性有機材料の場合、発光性低分子化合物及び発光性高分子化合物のいずれも使用することができる。発光性有機材料としては、リン光性有機化合物および金属錯体が好ましい。金属錯体の中にはリン光性を示すものもあり、このような金属錯体も好ましく用いられる。
【００５２】
本実施の形態では、発光性有機材料の金属錯体として、特に、シクロメタル化錯体を用いることが発光効率向上の観点から非常に望ましい。シクロメタル化錯体としては、例えば、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等の配位子を有するイリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）および白金（Ｐｔ）等の錯体が挙げられる。これらの中でも、イリジウム（Ｉｒ）錯体が特に好ましい。
シクロメタル化錯体は、シクロメタル化錯体を形成するのに必要な配位子以外に、他の配位子を有していてもよい。尚、シクロメタル化錯体には、三重項励起子から発光する化合物も含まれ、発光効率向上の観点から好ましい。
【００５３】
また、発光性高分子化合物としては、例えば、２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン共重合体（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリ−ｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体；ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等のπ共役系の高分子化合物；低分子色素とテトラフェニルジアミンやトリフェニルアミンを主鎖や側鎖に導入したポリマー等が挙げられる。また、発光性高分子化合物と発光性低分子化合物とを併用することもできる。
発光層１４１は発光材料とともにホスト材料を含み、ホスト材料中に発光材料が分散されていることもある。このようなホスト材料は電荷輸送性を有していることが好ましく、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物であることが好ましい。
【００５４】
上記有機化合物層１４０は、電極（陽極部１２２）から正孔を受け取り、発光層１４１へ輸送するための正孔輸送層を含んでいてもよい。このような正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、公知の材料を使用することができ、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）；α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）；ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）等の低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；上記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物等が挙げられる。上記正孔輸送材料は、１種単独でも、２種以上を混合して用いてもよく、異なる正孔輸送材料を積層して用いてもよい。正孔輸送層の厚さは、正孔輸送層の導電性等に依存し、特限定されないが、本実施の形態では、好ましくは１ｎｍ〜５μｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、特に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが望ましい。
正孔輸送層の導電性が高い場合、上記第２導電層１３０のように、複数の領域１３２にパターニングすることが望ましい。
【００５５】
さらに、上記有機化合物層１４０は、陰極部１５１から電子を受け取り、発光層１４１へ輸送するための電子輸送層を含んでいてもよい。このような電子輸送層に用いることができる材料としては、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられる。
【００５６】
具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等が挙げられる。
【００５７】
また、上記電子輸送層と発光層１４１の間に、正孔が発光層１４１を通過することを抑制し、発光層１４１内で正孔と電子とを効率よく再結合させる目的で、正孔ブロック層が設けられていてもよい。上記正孔ブロック層を形成するために、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の公知の材料が用いられる。
【００５８】
（第３導電層１５０）
第３導電層１５０の陰極部１５１に使用される材料としては、電気伝導性を有するものであれば特に限定されない。本実施の形態では、有機発光素子１０の陰極部１５１側から光を取り出す場合（陰極部１５１側の面が光を取出す面、すなわち、発光面となる場合）は、発光する光に対して透明な材料を用いることが好ましい。一方、有機発光素子１０の陰極部１５１側から光を取り出す必要のない場合、発光する光に対して光透過性な材料に限定されず不透明材料も使用することができる。第３導電層１５０を陰極部１５１として用いる場合、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが好ましい。具体的には、Ａｌ；ＭｇＡｇ合金；ＡｌＬｉ等のＡｌとアルカリ金属の合金；ＡｌＣａ等のＡｌとアルカリ土類金属の合金等の材料を例示することができる。
陰極部１５１の厚さは０．０１μｍ〜１μｍが好ましく、０．０５μｍ〜０．５μｍがより好ましい。
【００５９】
また、陰極部１５１に隣接して電子注入層を設け、陰極部１５１から電子輸送層への電子の注入障壁を下げ、電子の注入効率を上げることもできる。電子注入層は、陰極部１５１より仕事関数の低いことが必要であり、金属材料が好適に用いられる。例えば、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）、希土類金属（Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ）、あるいはこれら金属のフッ化物、塩化物、酸化物から選ばれる単体あるいは２つ以上の混合物を使用することができる。電子注入層の厚さは０．１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、０．３ｎｍ〜２０ｎｍがより好ましく、０．５ｎｍ〜１０ｎｍがより一層好ましい。
【００６０】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態が適用される有機発光素子２０の一例を示す概略図である。第１の実施形態と共通する構成については同じ符号を用い、詳細な説明を省略する。図４（ａ）は、第１導電層１２０の１個の陽極部１２２上に第２導電層１３０の複数の領域１３２が形成された例の平面概略図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ断面の概略図である。
以下、図４（ａ）及び図４（ｂ）に基づいて有機発光素子２０を説明する。
【００６１】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、有機発光素子２０は、基板１１０と、基板１１０上に互いに電気的に隔離する第１の間隙１２１を設けて形成された陽極部１２２と陰極端子部１２３を有する第１導電層１２０と、陽極部１２２上に複数の貫通部１６１を設けて形成された誘電体層１６０と、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上と基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分および誘電体層１６０上に形成され、第１の間隙１２１より狭い幅を有する第２の間隙１３１を設けて互いに電気的に隔離された複数の領域１３２からなる第２導電層１３０と、発光層１４１を含み且つ少なくとも１つの第１導電層１２０の上方に積層して形成された有機化合物層１４０と、少なくとも有機化合物層１４０上に形成された第３導電層１５０と、が順に形成されている。
尚、図４（ａ）に示すように、第１導電層１２０の陽極部１２２の一端は、基板１１０の端部まで形成されており、この端に形成された部分が陽極端子部１２４となる。
【００６２】
本実施の形態では、有機発光素子２０の陰極端子部１２３では、第３導電層１５０（＝陰極部１５１）が第２導電層１３０を介し、または直接、第１導電層１２０（＝陰極端子部１２３）と接している。また、第２導電層１３０は、誘電体層１６０の貫通部１６１内に露出する陽極部１２２の表面と接することにより、導通がとれる。このため、発光領域を輝度ムラなく全域を均一発光させるために、発光領域の陽極部１２２上に形成された第２導電層１３０の複数の領域１３２は、各々少なくとも１つの貫通部１６１を通じて第１導電層１２０（＝陽極部１２２）と接していることが好ましい。
【００６３】
尚、本実施の形態では、誘電体層１６０を貫通する貫通部１６１は誘電体層１６０下の第１導電層１２０（＝陽極部１２２）の穿孔部（図示せず）または貫通部１６１と連結した貫通孔を有していてもよい。さらに第１導電層１２０を貫通した貫通部１６１、基板１１０を穿孔した穿孔部と連結した貫通孔を有していてもよい。ここで、穿孔部とは、該当する層に凹部を形成し、該当する層の厚みより凹部の深さが小さい孔のことを言う。この場合、第２導電層１３０は、貫通部１６１や貫通孔を通じて第１導電層１２０（＝陽極部１２２）と接することとなる。
【００６４】
（貫通部１６１と第２導電層１３０の位置関係）
本実施の形態では、第２導電層１３０は少なくとも貫通部１６１内で陽極部１２２に接しており、電圧を印加された陽極部１２２に接している第２導電層１３０に通電することができる。このとき、貫通部１６１は第２導電層１３０の領域１３２内に完全に包含されていても、包含されていなくてもよい。
一つの第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上に誘電体層１６０の貫通部１６１が複数ある場合、第２導電層１３０の一つの領域１３２が、これら複数の貫通部１６１と接していても良い。
【００６５】
有機発光素子２０は、第１導電層１２０（＝陽極部１２２）と第３導電層１５０（＝陰極）に電圧を印加することで、その間にある発光層１４１を発光させる。図４に示す構造の場合、第２導電層１３０の導電性が高くなると、第２導電層１３０が電極として機能するようになる。その結果、電圧を印加した第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上に形成された第２導電層１３０の領域１３２と第３導電層１５０（＝陰極）の間の発光層１４１が発光する場合がある。
【００６６】
尚、本実施の形態の有機発光素子２０のような構造では、第２導電層１３０は正孔注入層であってもよく、第２陽極であってもよい。そのため、前述したように正孔注入層として用いられる材料の他、前述した電極として用いられる材料、ニッケルのような金属、金属カーバイド等を用いることができる。
【００６７】
第１導電層１２０（＝陽極部１２２）上に形成された誘電体層１６０の貫通部１６１の平面形状や断面形状は、任意の形状にすることができる。例えば、円形形状や多角形形状をしていても良い。また、貫通部１６１の最大幅は１０μｍ以下が好ましい。ここで貫通部１６１の最大幅とは、誘電体層１６０の貫通部１６１の第１導電層１２０との界面における平面形状についてこれを包含する最小円の直径を言う。
本実施の形態では、この貫通部１６１は、誘電体層１６０形成部の１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個形成されていることが好ましい。貫通部１６１の個数が過度に少ないと、第１導電層１２０と第２導電層１３０が貫通部１６１内のみで接しているため、第１導電層１２０と第２導電層１３０の接触抵抗が増大する傾向がある。また、貫通部１６１の個数が過度に多いと、貫通部１６１の間隔が狭くなりすぎるため、貫通部１６１同士の重なりや、貫通部１６１の製造が難しくなる傾向がある。
【００６８】
誘電体層１６０は、第１導電層１２０の陽極部１２２と第３導電層１５０（陰極部１５１層）の間に設けられ、陽極部１２２と陰極部１５１とを所定の間隔にて分離し絶縁するためのものである。
このため、誘電体層１６０は高抵抗率材料であることが必要であり、電気抵抗率としては１０８Ωｃｍ以上、好ましくは１０１２Ωｃｍ以上有することが要求される。具体的な材料としては、例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化ケイ素（二酸化ケイ素）、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられる。さらに、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物も使用可能である。
【００６９】
誘電体層１６０の厚さは、有機発光素子２０の全体の厚さを抑制するために１μｍを越えないことが好ましい。また、陽極部１２２と陰極部１５１との間隔が狭い方が、発光のために必要な電圧が低くて済むので、この観点からも誘電体層１６０は薄い方がより好ましい。但し、誘電体層１６０が過度に薄いと有機発光素子２０を駆動するための電圧に対し、絶縁耐力が不十分となるおそれがある。これを満たす誘電体層１６０の厚さとしては、好ましくは、１０ｎｍ〜５００ｎｍ、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍで作製するのがよい。
【００７０】
（第３の実施の形態）
図５は、本発明の第３の実施形態が適用される有機発光素子３０の一例を示す概略図である。第１の実施形態と共通する構成については同じ符号を用い、詳細な説明を省略する。図５に示す有機発光素子３０は、基板（図示せず）上に第１の間隙１２１を設けて互いに電気的に隔離するように形成された複数の第１導電層１２０と、第１導電層１２０上および第１の間隙１２１に対応する部分の上に、互いに隔離されるように形成された複数の領域１３２，１３３からなる第２導電層１３０と、を設けている。尚、第１導電層１２０は有機発光素子３０の陽極部１２２を構成している。
【００７１】
図５に示すように、第２導電層１３０は、第１導電層１２０の周縁部に形成された領域１３２と、第１導電層１２０の中央部に形成された領域１３３とを有している。ここで、第１導電層１２０周縁部とは、第１導電層１２０の縁の部分であって、第１導電層１２０の外周から内側へ入る距離（長さ）が第１の間隙１２１の距離（長さ）以下である全ての部分をいう。
【００７２】
本実施の形態では、第１導電層１２０の周縁部に形成された領域１３２の幅は、第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１より小さくなるように形成されている。また、第１導電層１２０の中央部に形成された領域１３３の幅は、第１の間隙１２１より大きくなるように形成されている。
このように、第１導電層１２０の周辺部及び第１の間隙１２１に対応する部分において、第２導電層１３０の複数の領域１３２の幅が第１の間隙１２１の幅より小さく形成されることにより、第２導電層１３０（領域１３２及び領域１３３）を形成する際に、高精度な位置制御の必要性がなくなる。さらに、第２導電層１３０の一つの領域１３２が、複数の第１導電層１２０の陽極部１２２間や陽極部１２２と陰極端子部１２３間に跨ることがなくなる。このため、短絡やクロストークを防止することができる。
【００７３】
＜有機発光素子の製造方法＞
図６は、本発明の実施形態が適用される有機発光素子の製造方法の一例を示す概略図である。ここでは、図１において説明した有機発光素子１０の場合を例に挙げて説明する。尚、第１の実施形態と共通する構成については同じ符号を用い、詳細な説明を省略する。
本実施の形態では、有機発光素子１０は、基板１１０上に、第１の間隙１２１を隔てて互いに電気的に隔離された複数の第１導電層１２０を形成する工程（第１導電層形成工程）と、第１導電層１２０上および基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分を覆い、且つ第１導電層１２０とは異なる非パターン化導電層を形成し、非パターン化導電層をパターニングし、互いに隔離された複数の領域１３２からなる第２導電層１３０を形成する工程（第２導電層形成工程）と、複数の第１導電層１２０の少なくとも１つの上方に、第２導電層１３０に接して、発光層１４１を含む有機化合物層１４０を形成する工程（有機化合物層形成工程）と、有機化合物層１４０上に第３導電層１５０を形成する工程（第３導電層形成工程）と、を経て製造される。
【００７４】
また、他の実施形態として、有機発光素子１０は、基板１１０上に、第１の間隙１２１を隔てて互いに電気的に隔離された複数の第１導電層１２０を形成する工程（第１導電層形成工程）と、第１導電層１２０上および基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分を覆い、且つ第１導電層１２０とは異なるパターン化導電層を形成し、互いに隔離された複数の領域１３２からなる第２導電層１３０を形成する工程（第２導電層形成工程）と、複数の第１導電層１２０の少なくとも１つの上方に、第２導電層１３０に接して、発光層１４１を含む有機化合物層１４０を形成する工程（有機化合物層形成工程）と、有機化合物層１４０上に第３導電層１５０を形成する工程（第３導電層形成工程）と、を経て製造される。
以下、各工程について説明する。
【００７５】
（第１導電層形成工程）
先ず、図６（ａ）に示すように、基板１１０上に、第１導電層１２０である陽極部１２２及び陰極端子部１２３を形成する。第１導電層１２０を基板１１０上に形成するには、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて第１導電層を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより第１導電層１２０を形成することもできる。この場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法等の方法を用いて成膜した後、加熱処理して形成することも可能である。
【００７６】
（第２導電層形成工程）
次に、図６（ｂ）に示すように、第２導電層１３０を第１導電層１２０上及び基板１１０の第１導電層１２０を隔てる第１の間隙１２１に対応する部分に形成する。第２導電層１３０の成膜法は特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。例えば、有機化合物を用いる成膜の場合、抵抗加熱蒸着法または塗布法が好ましい。高分子有機化合物を含む層の成膜には、特に塗布法が好ましく用いられる。塗布法としては、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法等が挙げられる。酸化物、金属を用いる成膜の場合、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられ、特に真空蒸着またはスパッタリング法が好ましく用いられる。
【００７７】
第２導電層１３０を複数の領域１３２にパターニングする方法は特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。例えば、上記の方法で第１導電層１２０上および基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分の全面を覆うように、公知の正孔注入材料を用いて非パターン化導電層を形成した後にパターニングする方法と、同様に正孔注入材料を用いて成膜を行う際にパターニングする方法が挙げられる。
【００７８】
非パターン化導電層を形成した後にパターニングする方法の場合、具体的には、例えば、非パターン化導電層の形成に使用した溶媒による除去、粘着剤による除去、レーザアブレーション、エッチング等によりパターニングを行うことができる。
また、成膜時にパターニングする場合、具体的には、例えば、第２導電層１３０を複数の領域１３２に区画するため、あらかじめ複数の領域１３２を隔離する第２の間隙１３１に対応する部分に保護膜を形成し、第２導電層１３０形成後、保護膜を除去する方法；真空蒸着またはスパッタリング法においてマスクを使用する方法等が挙げられる。また塗布法では、インクジェットや印刷法を用いることもできる。複数の領域１３２にパターニングすることを容易にするため、特に塗布法では基板１１０や第１導電層１２０上を表面処理しても良い。
【００７９】
複数の陽極部１２２を有する第１導電層１２０の間を絶縁するために、隣接する第１導電層１２０の間に誘電体層を形成しても良い。例えば、誘電体層は複数のストライプ状の第１導電層１２０の間に形成されていても良い。この場合、第２導電層１３０は、第１導電層１２０、基板１１０および前述した誘電体層上に、複数の領域１３２がパターニングされて形成される。この第２導電層１３０の複数の領域１３２は、その一つの領域１３２が第１導電層１２０上と基板１１０上および誘電体層上から選択される２つ以上の場所に形成されていても良く、基板１１０上だけ、第１導電層１２０上だけ、或いは誘電体層上だけに形成されていても良い。第２導電層１３０の複数の領域１３２のそれぞれは、第１導電層１２０を互いに電気的に隔離する第１の間隙１２１よりも狭い第２の間隙１３１を隔てて形成されるため、一つの第１導電層１２０に通電した場合、隣接する他の第１導電層１２０には電圧は印加されず、クロストークが生じない。
【００８０】
（有機化合物層形成工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、第１導電層１２０の少なくとも１つの上方に、第２導電層１３０に接し且つ発光層１４１を含む有機化合物層１４０を形成する。有機化合物層１４０を形成する場合も、前述した第２導電層形成工程等で挙げられた手法と同様の手法を使用することができる。本実施の形態では、有機化合物層１４０に含まれる各層の成膜には、抵抗加熱蒸着法または塗布法がより好ましく、ポリマー有機化合物を含む層の成膜を行うには、特に塗布法が好ましい。塗布法により成膜を行う場合は、成膜を行いたい層を構成する材料を、有機溶媒や水等の所定の溶媒に溶解または分散させた塗布溶液の塗布を行う。塗布を行う際にはスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング法、インクジェット法、スリットコーティング法、ディスペンサー法、印刷等の種々の方法を使用することができる。塗布を行った後は、加熱あるいは真空引きを行って塗布溶液を乾燥させることで所望の層が形成される。
【００８１】
（第３導電層形成工程）
さらに、図６（ｄ）に示すように、有機化合物層１４０上に陰極部１５１としての第３導電層１５０を形成する。第３導電層を形成する方法としては、上述した第１導電層１２０の形成と同様な方法が用いられる。
【００８２】
本実施の形態では、これら一連の工程後、有機発光素子１０を長期安定的に用い、外部から保護するための保護層や保護カバー（図示せず）を装着することが好ましい。保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素、酸化ケイ素等のシリコン化合物等を用いることができる。そして、これらの積層体も用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属等を用いることができる。この保護カバーは、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で基板１１０と貼り合わせて密閉する方法を採ることが好ましい。またこの際に、スペーサを用いることで所定の空間を維持することができ、有機発光素子１０が傷つくのを防止できるため好ましい。そして、この空間に窒素、アルゴン、ヘリウムのような不活性なガスを封入すれば、上側の陰極部１５１の酸化を防止しやすくなる。特にヘリウムを用いた場合、熱伝導が高いため、電圧印加時に有機発光素子１０より発生する熱を効果的に保護カバーに伝えることができるため、好ましい。さらに、酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより、上述した一連の製造工程で吸着した水分が有機発光素子１０にダメージを与えるのを抑制しやすくなる。
【００８３】
（製造方法の他の実施形態）
有機発光素子の製造において、多面取りで生産する方法が一般的に用いられる。この方法は、一枚の大型基板上に複数の発光素子を作製した後に、基板を切断して個々の有機発光素子を得る方法である。
これは、上述した有機発光素子１０の製造方法と同様にして、同一の基板１１０上に発光素子を構成する第１導電層１２０、第２の間隙１３１で分割された複数の領域１３２の第２導電層１３０、有機化合物層１４０および第３導電層１５０を含む発光装置を２つ以上配置して形成する。
次に、第３導電層１５０を形成した後に、基板１１０を発光装置毎に切断する。切断する方法としては、特に限定されず一般的な方法が挙げられる。例えば、ダイサーやカッター等を用い、切断する対象に直接刃を入れて切断する方法；スクライバーを用い、切断する対象の表面に切り込みを入れた後に切り込み部に押圧を加えて分割する方法またはレーザにより切断する方法等が挙げられる。また、切断方法としては、切断する材料がガラスの場合は、ダイアモンドカッターやレーザを用いる方法；プラスチックの場合は、切り刃や抜き刃を用いる方法等を種々選択することが好ましい。
このとき、有機発光素子１０の製造工程において説明したように、有機発光素子を形成後、発光装置毎に切断する前に、保護層あるいは保護カバーを装着して密封しておくことが好ましい。
【００８４】
本実施の形態では、第２導電層１３０を第２の間隙１３１によって複数の領域１３２に分割しているため、各々の有機発光素子において短絡やクロストーク、滲みの発生を防止することができる。
また、基板１１０全域に第２導電層１３０を形成していても、第２の間隙１３１により複数の領域１３２を形成することにより、第２導電層１３０が陽極部１２２や陽極端子部１２４及び陰極端子部１２３上に形成されていても、端子間は絶縁されているため、短絡やクロストークが起こることはない。
従って、大面積の基板１１０上にクロストークや滲みの問題のない第２導電層１３０を容易に形成でき、１つの基板１１０上に複数のディスプレイユニットや照明ユニットを形成した後にユニット毎に切断して製造することも容易であるため、生産性を大きく向上させることができる。
【実施例】
【００８５】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。【００８６】
［発光材料溶液の調製］
（燐光発光性高分子化合物の合成）
国際公開第２０１０／０１６５１２号（ＷＯ２０１０／０１６５１２Ａ１）の段落［００７７］に記載された方法に従い、燐光発光性高分子化合物（Ａ）を合成した。
すなわち、下記の式Ｅ−２で表される化合物（重合性置換基を有するイリジウム錯体）、式Ｅ−５４で表される化合物（正孔輸送性化合物）、および式Ｅ−６６で表される化合物（電子輸送性化合物）をＥ−２：Ｅ−５４：Ｅ−６６＝１：４：５（質量比）の割合で脱水トルエンに溶解し、さらに、重合開始剤として、Ｖ−６０１（和光純薬工業株式会社製）を溶解させた。【００８７】
【化１】
0005435522.tif 000002
【００８８】
次に、上記トルエン溶液を凍結脱気操作により処理し、その後に真空密閉し、７０℃で１００時間撹拌して重合反応を行なった。反応後、反応液をアセトン中に滴下して沈殿を生じさせ、さらに、この脱水トルエン−アセトンでの再沈殿精製を３回繰り返して下記に示す燐光発光性高分子化合物（Ａ）を精製した。得られた燐光発光性高分子化合物（Ａ）は、重量平均分子量５２，０００であり、各繰り返し単位のモル比はｋ：ｍ：ｎ＝６：４２：５２である。【００８９】
【化２】
0005435522.tif 000003
【００９０】
次に、得られた燐光発光性高分子化合物（Ａ）３重量部をトルエン９７重量部に溶解し、発光材料溶液（以下、「溶液Ａ」ともいう。）を調製した。【００９１】
［有機発光素子の作製］
（実施例１）
以下の操作により、図１に示す有機発光素子１０を作製した。
先ず、基板１１０として石英ガラスからなるガラス基板（２５ｍｍ角、厚さ１ｍｍ）を用いた。このガラス基板上に、スパッタ装置（キヤノンアネルバ株式会社製Ｅ−４０１ｓ）を使用して、第１導電層１２０として厚さ１５０ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の薄膜（ＩＴＯ膜）を形成した。ガラス基板上に成膜したＩＴＯ膜の上にレジストＯＦＰＲ８００およびＰＭＥＲ６０３０を塗布し、パターニングしてレジスト膜を形成した。
レジストは塗布後、所定の時間プリベークを行い、それぞれのレジストに適用可能な範囲で露光、現像時間でレジスト膜のパターニングを行った。このレジスト膜のパターニング後、所定時間のポストベイクを行い、次いでエッチングを行った。エッチング液は塩酸：塩化第二鉄：Ｈ２Ｏ（１：１．２：１）の５０℃の溶液を用いた。Ｈ２Ｏで希釈することによりエッチング時間の安定化を図ることができる。エッチング時間はテーパ面が最も平坦に綺麗になるように、またＩＴＯ膜がなくなり、基板１１０が露出するまでのジャストエッチング時間に３０ｓｅｃを加えた。
この結果、基板１１０上に第１導電層１２０がパターニングされ、３個の幅１００μｍのストライプ状の陽極部１２２及び３個の陰極端子部１２３を形成することができた。このとき、第１導電層１２０を互いに隔離する第１の間隙１２１の間隔は、いずれの陽極部１２２間及び陽極部１２２と陰極端子部１２３間ともに１２０μｍである。【００９２】
次に、上記基板１１０及び第１導電層１２０上に、スピンコート法（回転数：３０００ｒｐｍ）により、ポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸塩（ＰＳＳ）との混合物（質量比でＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６）の水懸濁液（含有量１．５質量％）を塗布し、窒素雰囲気下、１４０℃で１時間乾燥し、第２導電層１３０を形成した。【００９３】
続いて、第２導電層１３０が第１の間隙１２１の間隔（１２０μｍ）より小さい、幅４５μｍ、長さ８０μｍの長方形の領域が１０μｍ間隔で形成されるように、第２導電層１３０のみをＮｄ：ＹＡＧレーザを用いてアブレーションすることで第２導電層１３０の第２の間隙（幅１０μｍ）１３１を図のように規則的に形成した。【００９４】
尚、第２導電層１３０の第２の間隙１３１を形成する他の方法としては、例えば、水と１−プロパノールの２：１混合溶媒を含ませた発砲ウレタンで第２の間隙１３１を形成する部分をワイピングする方法が挙げられる。また、第２導電層１３０を、インクジェットを用いて塗布する場合、塗布時に上記の複数の領域１３２を形成することができるが、塗布前に陽極部１２２の表面に撥水処理を行い、塗布液が拡がらないようにすることが好ましい。【００９５】
次に、上記の第１導電層１２０及び第２導電層１３０上に、高分子化合物（Ａ）のキシレン溶液（溶液Ａ）をスピンコート法（回転数：３０００ｒｐｍ）により塗布し、その後、窒素雰囲気下、２１０℃で１時間乾燥し、発光層１４１を有する有機化合物層１４０を形成した。
続いて、上記の有機化合物層１４０上に、陰極バッファ層としてフッ化ナトリウム（４ｎｍ）を成膜し、さらに第３導電層１５０（＝陰極部１５１）としてアルミニウム（１３０ｎｍ）を順に蒸着法により成膜し、有機発光素子１０を作製した。【００９６】
（実施例２）
以下の操作により、図４に示す有機発光素子２０を作製した。ここでは、基板１１０として、サイズ３００ｍｍ角、厚さ１ｍｍのガラス基板を用い、第１導電層１２０の陽極部１２２及び陰極端子部１２３を各々一つ形成し、酸化モリブデンを用いて第２導電層１３０を成膜し、さらに誘電体層１６０を形成したこと以外は、実施例１と同様の操作を行って有機発光素子２０を作製した。
実施例１と同様にして、基板１１０上に第１導電層１２０を形成した後、レジストをパターニングし、エッチングにより陽極部１２２と陰極端子部１２３の間の第１の間隙１２１を３ｍｍになるように形成した。その後、スパッタ装置（キヤノンアネルバ株式会社製Ｅ−４０１ｓ）を用いて、誘電体層１６０として厚さ１００ｎｍの二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層の薄膜を成膜した。【００９７】
次に、誘電体層１６０上に、スピンコート法によりフォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ＡＺ１５００）を厚さ約１μｍで成膜した。続いて、フォトレジスト層を、石英（板厚３ｍｍ）を基材とし、円を正方格子状に配置したパターンに対応するマスクＡを作製し、ステッパー露光装置（株式会社ニコン製、型式ＮＳＲ−１５０５ｉ６）を用いて、１／５縮小率で露光を行った。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａ−ｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：（ＣＨ３）４ＮＯＨ）（ＴＭＡＨ））１．２％液により現像し、フォトレジスト層をパターニングした。【００９８】
次に、反応性イオンエッチング装置（サムコ株式会社製ＲＩＥ−２００ｉＰ）を用いてドライエッチングすることで二酸化ケイ素層のパターニングを行った。ここでエッチング条件としては、反応ガスとしてトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）を使用し、圧力０．３Ｐａ、出力Ｂｉａｓ／ＩＣＰ＝６０／１００（Ｗ）で、１０分間反応させた。【００９９】
そして、レジスト除去液によりレジスト残渣を除去し、次に、純水を吹きかけることにより洗浄を行ない、スピン乾燥装置を用いて乾燥させた。その結果、直径２μｍの貫通部１６１を、正方格子配列、間隔２μｍ、密度６×１０４個／ｍｍ２で形成した。【０１００】
次に、貫通部１６１を形成した誘電体層１６０上に、第２導電層１３０として真空蒸着法により厚さ７０ｎｍの酸化モリブデンの薄膜を成膜した。続いて、スピンコート法によりフォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ＡＺ１５００）を厚さ約１μｍで成膜した。次いで、石英（板厚３ｍｍ）を基材とし、線幅０．５ｍｍ、ピッチ１ｃｍで並んだ直線パターンのマスクＢを用い、ステッパー露光装置（株式会社ニコン製、型式ＮＳＲ−１５０５ｉ６）により１／５縮小率でフォトレジスト層の紫外線露光を行った。さらに、マスクＢを９０度回転させ、同様の条件でフォトレジスト層の紫外線露光を行った。次に、ＴＭＡＨ１．２％液によりフォトレジスト層を現像し、フォトレジスト層を正方形の形状にパターニングした。この後に、１３０℃で１０分間加熱した（ポストベイク処理）。【０１０１】
続いて、反応性イオンエッチング装置（サムコ株式会社製ＲＩＥ−２００ｉＰ）を用いて、反応ガスとしてアルゴンを使用し、ドライエッチング処理を行った。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去することによって、ＸＹ軸方向共に２ｍｍピッチで区画された複数の領域１３２を第２の間隙１３１が０．１ｍｍになるように形成された第２導電層１３０としての酸化モリブデン層を得た。
次に、実施例１と同様に、第１導電層１２０、誘電体層１６０及び第２導電層１３０上に、高分子化合物（Ａ）のキシレン溶液をスピンコート法（回転数：３０００ｒｐｍ）により塗布し、窒素雰囲気下、２１０℃で１時間乾燥し、発光層１４１を有する有機化合物層１４０を形成した。
続いて、上記の有機化合物層１４０上に、陰極バッファ層としてフッ化ナトリウム（４ｎｍ）を成膜し、さらに第３導電層１５０（＝陰極部１５１）としてアルミニウム（１３０ｎｍ）を順に蒸着法により成膜し、有機発光素子２０を作製した。【０１０２】
（比較例１）
実施例１で説明した有機発光素子１０の作製において、基板１１０及び第１導電層１２０上に、第２導電層１３０の形成に使用したポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸塩（ＰＳＳ）との混合物（質量比でＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６）の水懸濁液（含有量１．５質量％）をスピンコート法（回転数：３０００ｒｐｍ）により塗布し、窒素雰囲気下、１４０℃で１時間乾燥し、（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）からなる導電層を形成した。次いで、この第２導電層１３０のみをＮｄ：ＹＡＧレーザを用いてアブレーションした。具体的には、第１電極が幅１００μｍ、ピッチ２２０μｍで形成されているため、第１電極の輪郭線から外側に２０μｍ離れたところを線幅１０μｍでアブレーションした。その後、実施例１と同様に有機化合物層１４０、陰極バッファ層および陰極部１５１を順に成膜し、陰極端子部１２３と陽極部１２２のみを絶縁した構造の有機発光素子を作製した。【０１０３】
（比較例２）
実施例２で説明した有機発光素子２０の作製において、基板１１０、第１導電層１２０及び誘電体層１６０上に、第２導電層１３０の形成に使用した真空蒸着法により厚さ７０ｎｍの酸化モリブデンの薄膜を成膜し、導電層としての酸化モリブデン層を形成した。酸化モリブデン層を形成する際、第１導電層１２０の陽極部１２２の形状に合わせたマスクを用いて陽極部１２２上のみに酸化モリブデン層を形成した。次いで、有機化合物層１４０、陰極バッファ層および陰極部１５１を順に成膜し、陰極端子部１２３と陽極部１２２のみを絶縁した構造の有機発光素子を作製した。【０１０４】
（発光特性の評価）
（１）欠陥数
実施例１、実施例２、比較例１および比較例２において、それぞれ評価用の有機発光素子を１００個ずつ作製し、そのうち、１）短絡の発生、２）設計値と異なる発光面積、が観察された有機発光素子の個数を数えた（単位：個）。
ここで、設計値と異なる発光面積とは、（実測された発光面積／発光面積の設計値）が±５％以上の有機発光素子の個数をいう。個数が少ないほど、クロストークまたは滲みの問題が生じない有機発光素子が得られている。結果を表１に示す。【０１０５】
【表１】
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【０１０６】
表１に示す結果から、基板１１０上の第１の間隙１２１により互いに電気的に隔離された複数の陽極部１２２と、陽極部１２２上および基板１１０の第１の間隙１２１に対応する部分の上に形成され、第２の間隙１３１で互いに隔離して形成された複数の領域１３２を有する有機発光素子１０，２０（実施例１，２）の場合、１）短絡の発生及び２）設計値と異なる発光面積が観察された有機発光素子の個数（欠陥数）が、第２導電層１３０を互いに隔離された複数の領域を形成しない場合（比較例１，２）と比較して大幅に低減することが分かる。
比較例１では、第１導電層１２０の周囲を一定距離２０μｍでアブレーションすることが難しく、短絡の発生や発光面積が小さい素子や大きい素子が発生した。また比較例２ではマスクの位置がずれて発光面積が小さい素子や大きい素子が発生した。これらと比べ、実施例１や２では殆どこれらの欠陥のない素子を得ることができた。
【符号の説明】
【０１０７】
１０，２０…有機発光素子、１１０…基板、１２０…第１導電層、１２１…第１の間隙、１２２…陽極部、１２３…陰極端子部、１２４…陽極端子部、１３０…第２導電層、１３１…第２の間隙、１３２，１３３…領域、１４０…有機化合物層、１４１…発光層、１５０…第３導電層、１５１…陰極部、１６０…誘電体層、１６１…貫通部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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