(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極が設けられた制御回路部材と、
上記各電極にそれぞれ接続される接続電極とを備えた回路基板を有する画像表示装置において、
上記接続電極を、熱可塑性の絶縁樹脂膜上に熱硬化性の導電性ペーストを用いて形成し、上記接続電極および上記絶縁性樹脂膜を加熱しながら、上記制御回路部材の電極を、上記回路基板上の接続電極に圧接させ、上記接続電極を熱硬化させて、上記制御回路部材の電極と上記接続電極とを接合させたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１の画像表示装置において、
上記熱硬化性の導電性ペーストには、導電性材料として銀粒子が含有されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１または２の画像表示装置において、
上記絶縁性の熱可塑性樹脂の軟化温度が６０［℃］以上１００［℃］以下であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかの画像表示装置において、
上記制御回路部材実装前の絶縁性の熱可塑性樹脂の膜厚を、１０［μｍ］以下としたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかの画像表示装置において、
上記回路基板の上記制御回路部材が実装されている実装部の周囲にオーバーコート層が設けられていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項５の画像表示装置において、
上記オーバーコート層として、防湿絶縁材料を用いたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかの画像表示装置において、
上記回路基板として、フレキシブル性をもつ基板を用いたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかの画像表示装置において、
上記回路基板には、表示画素ごとに画素構成部材へ印加する駆動電圧を制御することにより各表示画素の表示状態が変化する表示部と表示画素ごとに画素構成部材へ印加する駆動電圧を制御するためのアクティブ素子を有するアクティブマトリクス回路が形成されており、
上記アクティブ素子は、そのアクティブ素子の動作状態を選択するための選択電圧が入力される状態選択端子と、駆動電圧が入力される駆動入力端子と、上記駆動入力端子に入力された駆動電圧を画素構成部材へ出力する駆動出力端子と、を備え
上記選択電圧を制御する選択電圧制御回路部材の電極と上記状態選択端子とを電気的に接続する状態選択端子接続電極、および／または、上記駆動電圧を制御する駆動電圧制御回路部材の電極と上記駆動入力端子とを電気的に接続する駆動入力端子接続電極を、上記熱硬化性の導電性ペーストを用いて形成し、
上記選択電圧制御回路部材の電極を、上記状態選択端子接続電極に圧接させるとともに、上記状態選択端子接続電極を加熱して上記状態選択端子接続電極を熱硬化させて、上記選択電圧制御回路部材の電極と上記状態選択端子接続電極とを接合させた、および／または、上記駆動電圧制御回路部材の電極を、上記駆動入力端子接続電極に圧接させるとともに、上記駆動入力端子接続電極を加熱して上記駆動入力端子接続電極を熱硬化させて、上記駆動電圧制御回路部材の電極と上記駆動入力端子接続電極とを接合させたことを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示画素の表示状態を制御するためのアクティブマトリクス回路を備えた、液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、電子ペーパー、フレキシブル表示装置、電子本、可搬型表示装置などの画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像表示装置たる液晶表示装置を構成する液晶パネルには、表示用信号を液晶パネル内の表示用配線に供給するためのドライバＩＣ（集積回路：Integrated Circuit）チップなどが実装されている。このドライバＩＣチップの中で、パッケージ化されていないものは、ベアチップと呼ばれ、広く用いられている。このベアチップを液晶パネルに実装する方法としては、ＣＯＧ（Chip On Glass）実装技術がよく知られている。
【０００３】
このＣＯＧ実装技術では、回路部材たるベアチップと、液晶パネルを構成する回路基板たるガラス基板上の配線とを異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に接続する接続方法が主流になっている。
【０００４】
以下に、上記ＡＣＦによるベアチップの接続方法について、図１１〜図１３を用いて説明する。図１１は、一般的なベアチップ１２０９を示す斜視図である。図１２は、接続前のベアチップ１２０９、ガラス基板１２２０及びＡＣＦ１２１４を示す断面図である。図１３は、接続後のベアチップ１２０９とガラス基板１２２０との実装構造を示す断面図である。
【０００５】
ベアチップ１２０９は、図１１に示すように、半導体素子であるベアチップ本体部１２１０と、そのベアチップ本体部１２１０から突出した電極である複数のバンプ電極１２１１とにより構成されている。図１２に示すように、ガラス基板１２２０の表面には、ベアチップ１２０９の各バンプ電極１２１１それぞれの位置に対応するように複数の接続電極１２０３が設けられている。ＡＣＦ１２１４は、非導電性の熱硬化性のエポキシ樹脂等がフィルム状に形成された接着層１２１３の中に、導電粒子１２１２が分散されたものである。
【０００６】
ガラス基板１２２０にベアチップ１２０９を実装する際には、まず、図１１に示すように、ガラス基板１２２０上の接続電極１２０３を覆うようにＡＣＦ１２１４を貼り付ける。次に、各接続電極１２０３とベアチップ１２０９の各バンプ電極１２１１とを位置合わせした後、不図示のツールでベアチップ１２０９を加熱及び加圧（圧着）する。このとき、図１３に示すように、ＡＦＣ１２１４内のバンプ電極１２１１と接続電極１２０３との間の導電性粒子１２１５が、バンプ電極１２１１と接続電極１２０３とによって潰れた状態で挟持され、その潰れた導電粒子１２１５を介してバンプ電極１２１１と接続電極１２０３とが電気的に接続される。また、このとき同時にＡＦＣ１２１４の接着層１２１３が加熱され、接着層１２１３の熱硬化によりベアチップ１２０９のバンプ電極１２１１が形成された面とガラス基板１２２０の接続電極１２０３が形成された面とが固定され、ガラス基板１２２０にベアチップ１２０９が実装される。
【０００７】
上記のようなＡＣＦ１２１４によるベアチップ１２０９の接続方法は、以下に例示する図１４及び図１５のような場合においても良好な電気的接続が実現できる。
図１４は、バンプ電極１２１１の高さにばらつきがあるベアチップ１２０９とガラス基板１２２０との実装構造を示す断面図である。図に表示されている８つあるバンプ電極１２１１のうち、図中右から３番目のバンプ電極１２１１ａ、及び図中左から２番目のバンプ電極１２１１ｂが、他の正常なバンプ電極１２１１よりも低く形成されている。この場合、図に示すように、低く形成されたバンプ電極１２１１ａ、１２１１ｂと各接続電極１２０３との間で挟持される導電粒子１２１５が、他の正常な高さに形成された各バンプ電極１２１１と各接続電極１２０３との間で挟持される導電粒子１２１５よりも潰れない。このように、バンプ電極１２１１の高さに応じて、導電性微粒子のつぶれ量が変化することにより、低く形成されたバンプ電極１２１１ａ、１２１１ｂと各接続電極１２０３との間でも良好な電気的接続を実現することができる。
【０００８】
図１５は、ベアチップ１２０９がガラス基板１２２０に対して傾いた状態で実装されたときにおけるベアチップ１２０９とガラス基板１２２０との実装構造を示す断面図である。ベアチップ１２０９を圧着する際に、ガラス基板１２２０に対するベアチップ１２０９の平衡度がばらついて、ベアチップ１２０９がガラス基板１２２０に対して傾いた状態で実装される場合がある。この場合、ベアチップ１２０９が、例えば、図１５に示すように右上がりに傾いてしまう。このとき、図１５に示すように、各バンプ電極１２１１と各接続電極１２０３との間で挟持される導電粒子１２１５が、図中右側になるに連れて潰れが少なくなる。これによって、傾いたベアチップ１２０９のバンプ電極１２１１とガラス基板１２２０の接続電極１２０３との間でも、導電性微粒子のつぶれ量が変化することにより、良好な電気的接続を実現することができる。
【０００９】
図１４、図１５に示したようにＡＣＦ１２１４によるベアチップ１２０９の接続方法では、接続電極１２０３の接続面（上面）とバンプ電極１２１１の接続面（下面）との間の距離に合わせて、ＡＣＦ１２１４内の導電粒子の潰れる量が変化する。これにより、接続電極１２０３の接続面（上面）とバンプ電極１２１１の接続面（下面）との間の距離にばらつきがあったとしても、バンプ電極１２１１と接続電極１２０３との間において良好な電気的接続を実現することができる。よって、図１４に示すように、各バンプ電極１２１１の高さにばらつきがあったり、図１５に示すようにベアチップ１２０９がガラス基板１２２０に対して傾いて実装されたりしても、バンプ電極１２１１と接続電極１２０３との間において良好な電気的接続を実現することができる。
【００１０】
近年の液晶表示装置の高精細化に伴って、液晶パネルにＣＯＧ実装されるベアチップ１２０９の各バンプ電極１２１１の中心間距離は、例えば４０［μｍ］程度と狭くなってきている。そのため、このバンプ電極１２１１間の距離が狭く形成されたベアチップ１２０９を、上記のようにＡＣＦ１２１４を介して液晶パネルに実装すると、ＡＣＦ１２１４内のあるバンプ電極１２１１と当接している導電性粒子が、隣のバンプ電極１２１１と当接している導電性粒子と接触して、隣接するバンプ電極１２１１の間で短絡が発生してしまう恐れがある。この隣接するバンプ電極１２１１の短絡を防止するために、微細化した特殊な導電粒子が分散されたＡＣＦ１２１４を用いることが考えられるが、ＡＣＦ自体がコストアップしてしまうという問題がある。
【００１１】
また、ガラス基板１２２０にかえて、フィルム状のプラスチックからなるフレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible printed circuits）を用いた表示装置が知られている。フィルム状のプラスチックからなるフレキシブル基板は、ガラス基板よりも熱に弱い。ＡＣＦ１２１４が良好な異方性導電を有するには、少なくとも１４０［℃］以上の温度で熱硬化させる必要がある。このため、フレキシブル基板を使用した場合、ＡＣＦ１２１４を熱硬化させる際に、フレキシブル基板が伸縮して接続電極１２０３のピッチが、バンプ電極１２１１のピッチに対してずれてしまう場合がある。また、実装後、フレキシブル基板が冷えると、実装時に熱膨張していたフレキシブル基板が縮小し、フレキシブル基板に実装したバンプ電極１２１１が、フレキシブル基板から剥がれてしまう場合もあった。このため、ＡＣＦ１２１４を用いて実装する場合は、耐熱性の高いフレキシブル基板を用いる必要がある。しかし、耐熱性の高いフレキシブル基板は、高価であるため、コストが高くなってしまうという問題がある。
【００１２】
そこで、ベアチップ１２０９の基板１２２０の実装を、図１６に示すように、導電性微粒子が含有されていない熱硬化性のエポキシ樹脂等の非導電性ペースト（ＮＣＰ：Non Conductive Paste）１２１６を用いて行うことも考えられる。しかし、図１７に示すように、バンプ電極の高さにばらつきがあった場合、低く形成されたバンプ電極１２１１ａ、１２１１ｂと各接続電極１２０３とが接触していない状態で、その周囲のＮＣＰ１２１６が硬化してしまう。その結果、低いバンプ電極１２１１ａ及び１２１１ｂと各接続電極１２０３との間に非導電性の層が存在してしまう。その結果、各バンプ電極１２１１の高さにばらつきがあった際に、良好な電気的接続を実現することができない。
【００１３】
特許文献１には、ベアチップのバンプ電極を、導電性を有する弾性体にし、非導電性ペースト（ＮＣＰ）でベアチップをガラス基板に接着させて実装させる液晶表示装置が記載されている。バンプ電極を、導電性を有する弾性体とすることで、接続電極の接続面とバンプ電極の接続面との間の距離にばらつきがあったとしても、バンプ電極の潰れ量が変化することにより、バンプ電極と接続電極との間において良好な電気的接続を実現することができる。また、ＡＣＦを用いずに、実装するので、フレキシブル基板が高温にさらされるのを抑制することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示装置においては、次のような問題がある。ベアチップの微小なパッド電極それぞれに導電性を有する弾性体からなるバンプ電極を取り付けるため、高度な電極形成技術が必要になり、製造コストが増してしまうという問題である。
【００１５】
本発明は以上の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、回路部材を低温で回路基板に実装でき、製造コストを抑え、かつ、接続電極とバンプ電極とが確実に接続される画像表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、複数の電極が設けられた制御回路部材と、上記各電極にそれぞれ接続される接続電極とを備えた回路基板を有する画像表示装置において、上記接続電極を、熱可塑性の絶縁樹脂膜上に熱硬化性の導電性ペーストを用いて形成し、上記接続電極および上記絶縁性樹脂膜を加熱しながら、上記制御回路部材の電極を、上記回路基板上の接続電極に圧接させ、上記接続電極を熱硬化させて、上記制御回路部材の電極と上記接続電極とを接合させたことを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の画像表示装置において、上記熱硬化性の導電性ペーストには、導電性材料として銀粒子が含有されていることを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、請求項１または２の画像表示装置において、上記絶縁性の熱可塑性樹脂の軟化温度が６０［℃］以上１００［℃］以下であることを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項１乃至３いずれかの画像表示装置において、上記制御回路部材実装前の絶縁性の熱可塑性樹脂の膜厚を、１０［μｍ］以下としたことを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、請求項１乃至４いずれかの画像表示装置において、上記回路基板の上記制御回路部材が実装されている実装部の周囲にオーバーコート層が設けられていることを特徴とするものである。
また、請求項６の発明は、請求項５の画像表示装置において、上記オーバーコート層として、防湿絶縁材料を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項７の発明は、請求項１乃至６いずれかの画像表示装置において、上記回路基板として、フレキシブル性をもつ基板を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項８の発明は、請求項１乃至７いずれかの画像表示装置において、上記回路基板には、表示画素ごとに画素構成部材へ印加する駆動電圧を制御することにより各表示画素の表示状態が変化する表示部と表示画素ごとに画素構成部材へ印加する駆動電圧を制御するためのアクティブ素子を有するアクティブマトリクス回路が形成されており、上記アクティブ素子は、そのアクティブ素子の動作状態を選択するための選択電圧が入力される状態選択端子と、駆動電圧が入力される駆動入力端子と、上記駆動入力端子に入力された駆動電圧を画素構成部材へ出力する駆動出力端子と、を備え、上記選択電圧を制御する選択電圧制御回路部材の電極と上記状態選択端子とを電気的に接続する状態選択端子接続電極、および／または、上記駆動電圧を制御する駆動電圧制御回路部材の電極と上記駆動入力端子とを電気的に接続する駆動入力端子接続電極を、上記熱硬化性の導電性ペーストを用いて形成し、上記選択電圧制御回路部材の電極を、上記状態選択端子接続電極に圧接させるとともに、上記状態選択端子接続電極を加熱して上記状態選択端子接続電極を熱硬化させて、上記選択電圧制御回路部材の電極と上記状態選択端子接続電極とを接合させた、および／または、上記駆動電圧制御回路部材の電極を、上記駆動入力端子接続電極に圧接させるとともに、上記駆動入力端子接続電極を加熱して上記駆動入力端子接続電極を熱硬化させて、上記駆動電圧制御回路部材の電極と上記駆動入力端子接続電極とを接合させたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、接続電極を熱硬化性の導電性ペーストで形成し、制御回路部材を回路基板に実装するとき、制御回路部材の電極を回路基板上の接続電極に圧接させることによって、ペースト状の接続電極が潰され、接続電極と制御回路部材の電極とが接続される。このように、接続電極が潰れて、制御回路部材の電極と接続されるので、接続電極の接続面と制御回路部材の電極の接続面との間の距離にばらつきがあったとしても、接続電極の潰れ量が変化することにより、制御回路部材の電極と接続電極との間において良好な電気的接続を実現することができる。そして、導電性ペーストに熱を付与することにより、導電性ペーストが硬化し、制御回路部材の電極と接続電極とが接着固定される。しかも、後述する実験で示すように、熱硬化性の導電性ペーストを用いることにより、ＡＣＦに比べて、低温で、電気的な接続と接着固定とを行うことができる。よって、回路基板として、耐熱性の低いフレキシブル基板を用いることが可能となる。
また、接続電極を導電性ペーストで形成するので、スクリーン印刷法などの方法を用いて、接続電極を形成することができる。よって、特許文献１に比べて、容易に電極を形成でき、製造コストを安価にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る電子ペーパーの表示部における表示を制御するためのアクティブマトリクス回路及びその駆動部を含む制御回路部の概略構成を示す説明図。
【図２】アクティブマトリクス回路の一部（１画素分）を拡大した模式図。
【図３】ＴＦＴと画素電極の断面構造を示す説明図。
【図４】フレキシブルディスプレイ部の一部を切断した断面を模式的に示した説明図。
【図５】（ａ）は、実施例１における接続前のＣＯＦ基板、プラスチック基板を示す断面図。（ｂ）は、実施例１における接続後のＣＯＦ基板、プラスチック基板を示す断面図
【図６】（ａ）は、ＣＯＦ基板の電極にばらつきがあるときにおける実施例１の接続前のＣＯＦ基板、プラスチック基板を示す拡大段面図。（ｂ）は、ＣＯＦ基板の電極にばらつきがあるときにおける実施例１の接続後のＣＯＦ基板、プラスチック基板を示す拡大段面図。
【図７】実施例２における絶縁樹脂膜形成後のプラスチック基板の第１実装部の周辺を示す上面図。
【図８】実施例２における接続電極形成後のプラスチック基板の第１実装部の周辺を示す上面図。
【図９】実施例２における接続後のＣＯＦ基板、プラスチック基板を示す断面図。
【図１０】ＣＯＦ基板の電極にばらつきがあるときにおける実施例２の接続後のＣＯＦ基板、プラスチック基板を示す拡大段面図。
【図１１】一般的なベアチップを示す斜視図。
【図１２】接続前のベアチップ、ガラス基板及びＡＣＦを示す断面図。
【図１３】接続後のベアチップとガラス基板との従来における実装構造を示す断面図。
【図１４】バンプ電極の高さにばらつきがあるベアチップとガラス基板との従来における実装構造を示す断面図。
【図１５】ベアチップがガラス基板に対して傾いた状態で実装されたときにおけるベアチップとガラス基板との従来の実装構造を示す断面図。
【図１６】従来のＮＣＰによる実装工程を示す断面図。
【図１７】バンプ電極の高さにばらつきがあるベアチップとガラス基板との従来のＮＣＰによる実装構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を、画像構成部材として電気泳動材（着色粒子）を用いた画像表示装置である電子ペーパーに適用した一実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る電子ペーパーの表示部を含むフレキシブルディスプレイ部１３００と、制御回路部１２００との概略構成を示す説明図である。
図中縦方向に延びる信号ラインが画素信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎであり、図中横方向に延びる信号ラインが選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍである。
【００２０】
フレキシブルディスプレイ部１３００は、表示画面を構成する複数の画素に対応させて複数の電気泳動材からなる画素構成部材がマトリックス状に配置され複数の画素構成部材それぞれに印加される駆動電圧によって各画素の表示状態が変化する表示部と、複数の画素ごとに画素構成部材へ印加する駆動電圧を制御するための複数のアクティブ素子が、各画素構成部材に対応するようにマトリックス状に配置されたアクティブマトリクス回路とを備えている。本実施形態のアクティブマトリクス回路は、アクティブ素子として、電界効果トランジスタである薄膜トランジスタ１００１が用いられている。図中の（ｍ，ｎ）座標に配置されたＴＦＴ１００１を例に挙げて説明すると、ＴＦＴ１００１のドレイン端子（駆動電圧出力端子）１００４には、画像構成部材の画素電極１００５が接続されている。また、ＴＦＴ１００１は、そのソース端子（画素信号入力端子）１００３に、対応する画素信号線ｎが接続されており、そのゲート端子（状態選択端子）１００２に、対応する選択線ｍが接続されている。本実施形態のＴＦＴ１００１は、有機半導体で構成されたｐチャネルのＴＦＴであるが、適切に電圧を設定し直すことで、ｎチャネルのＴＦＴであってもよい。
【００２１】
また、制御回路部１２００は、制御部としてのコントローラ３０９、記憶手段としてのメモリ３１０、選択信号供給部としての選択線ドライバ３１３、画素信号供給部としての画素信号線ドライバ３１１を有している。メモリ３１０には、表示部に表示する画像フレームの各表示画素の表示データが格納される。
【００２２】
図２は、アクティブマトリクス回路の一部（１画素分）を拡大した模式図である。
画像構成部材は、アースに接続されている透明電極１００６と、これに対向して配置される画素電極１００５と、両電極の間に配置された電気泳動材である着色粒子１０１４（図４参照）とを用いて構成されている。本例では、所定極性に帯電した着色粒子１０１４を移動させることで、表示面側の各表示画素の色や濃度（明るさ）などを調整して画像を表示する。また、画素電極１００５には、アクティブ素子としてのＴＦＴ１００１のドレイン端子１００４が接続されている。このＴＦＴ１００１は、そのソース端子１００３に信号線ｎが接続されており、そのゲート端子１００２に選択線ｍが接続されている。このようなアクティブマトリクス回路においては、表示画面の各画素の電極１００５，１００６間に発生させる電界の向きを画素信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎに印加する駆動電圧の正負により決定する。また、どの画素について駆動電圧の印加を可能とするかは、どの選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍにアクティブ状態選択電圧（以下「選択電圧」という。）又は非アクティブ状態選択電圧（以下「非選択電圧」という。）を印加するかによって制御する。すなわち、例えば（ｍ，ｎ）の画素において、選択線ｍに選択電圧を印加すると、その選択電圧がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加される駆動電圧が、ドレイン端子１００４に接続された画素電極１００５に印加される。一方、選択線ｍに非選択電圧を印加すると、その非選択電圧がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎから駆動電圧がＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加されても、ドレイン端子１００４に接続された画素電極１００５には駆動電圧が印加されない。
【００２３】
図３は、ＴＦＴ１００１と画素電極１００５の断面構造を示す説明図である。
ＴＦＴ１００１の構造は、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible printed circuits）（以下、プラスチック基板１２０１という）の上にゲート電極（ゲート端子）１００２と対向電極１０１０とが形成され、これらの電極１００２，１０１０の上に絶縁膜１０１２が形成されている。そして、この絶縁膜１０１２の上にソース電極（ソース端子）１００３及びドレイン電極（ドレイン端子）１００４を形成し、これらの電極１００３，１００４間に活性層１０１３が形成される。ソース電極１００３、ドレイン電極１００４及び活性層１０１３は、保護膜１０１５に覆われている。保護膜１０１５にはスルーホール電極１０１６が形成され、このスルーホール電極１０１６を通じてドレイン電極１００４と画素電極１００５との電気的な導通路が形成される。このようなＴＦＴ１００１のドレイン電極１００４と対向電極１０１０との間に補助静電容量（図中斜線部）１１０３が存在する。
【００２４】
上記プラスチック基板１２０１の材料の例としては、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＣ（ポリカーボネート），ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），ＰＩ（ポリイミド），などを用いることができるが、印刷積層するインクに対する耐溶解性や熱プロセスによる変形・変質等を考慮して選択する必要がある。
【００２５】
図４は、フレキシブルディスプレイ部１３００の一部を切断した断面を模式的に示した説明図である。なお、図中１３００ｂは、マトリクス回路である。
表示部１３００ａの表示面１３０１ａは透明基板１３０１の一方の面で構成され、その透明基板１３０１の他方の面上には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極１００６が形成されている。透明電極１００６と、これに対向して配置される画素電極１００５との間には、画素構成部材としての移動材である電気泳動材としての白と黒の２色の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂを内包した複数のカプセル１３０３が配置されている。なお、本実施形態においては、カプセル１３０３の寸法が表示画素よりも大きいものであるが、カプセル１３０３の寸法が表示画素と同じであったり小さいものであったりしてもよい。本実施形態では、互いに逆極性に帯電した各色の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂを電界の作用により移動させることで、表示面１３０１ａ側の各表示画素の色や濃度（明るさ）などを調整して、画像を表示する。なお、透明電極１００６は、各画素電極に対して共通の電極であり、アースに接続されている。
【００２６】
画素電極１００５と透明電極１００６との間に発生する電界の向きは、対応する画素信号線ｎに印加する駆動電圧の極性により決定する。また、どの画素電極１００５に対して駆動電圧の印加を可能とするかは、対応する選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに印加される選択電圧によって制御する。具体的に（ｍ，ｎ）の画素を例に挙げて説明する。選択線ｍに選択電圧を印加すると、その選択電圧がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になる。これにより、画素信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加される駆動電圧がドレイン端子１００４を通じて画素電極１００５に印加される。一方、選択線ｍに非選択電圧を印加すると、その非選択電圧がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になる。これにより、画素信号線ｎから駆動電圧がＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加されても、ドレイン端子１００４に接続された画素電極１００５には駆動電圧が印加されない。
【００２７】
カプセル１３０３内の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂは、外部電界が無い状態ではカプセル１３０３内で分散した状態となる。一方、駆動電圧の印加によって外部電界が発生した状態では、図４に示すように、カプセル１３０３内の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂは外部電界の向きに応じてカプセル１３０３内を移動する。これにより、カプセル１３０３内を表示面１３０１ａ側に移動した着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂの色に応じて各画素の色や濃度（明るさ）が決定し、表示面全体として白黒の画像が表示される。
【００２８】
次に、本実施形態における画像表示動作について説明する。
表示部１３００ａに新たな画像フレームを表示する場合、操作部３０８において表示切換開始信号が生成され、その表示切換開始信号がコントローラ３０９へ送信されることにより表示切換処理が開始する。コントローラ３０９は、まず、選択線ドライバ３１３へ命令信号３０Ｆを送信する。この命令信号３０Ｆを受信した選択線ドライバ３１３は、命令信号３０Ｆに従い、選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍを通じて各ＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に所定のタイミングで所定の制御電圧（選択電圧又は非選択電圧）を印加する。これにより、各ＴＦＴ１００１の動作状態が制御される。コントローラ３０９からの命令信号３０Ｆには、どの選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍ上のＴＦＴ１００１をＯＮ状態にするかの制御信号と、選択線ドライバ３１３から選択電圧を出力するタイミングを決定する制御信号とが含まれている。
【００２９】
また、コントローラ３０９は、メモリ３１０へアドレッシング信号３０Ｂを送信するとともに、画素信号線ドライバ３１１には命令信号３０Ｄを送信する。メモリ３１０へのアドレッシング信号３０Ｂにより、メモリ３１０内から表示対象である画像フレームの各表示画素の表示データが抽出される。この表示データは、各表示画素のＴＦＴ１００１で表示するパターンに対応したものである。抽出された表示データ３０Ｃは、メモリ３１０から画素信号線ドライバ３１１へ送信される。画素信号線ドライバ３１１は、この表示データ３０Ｃとコントローラ３０９からの命令信号３０Ｄとによって、各画素信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎを通じて各ＴＦＴ１００１のソース端子１００３に所定のタイミングで所定の駆動電圧を印加する。コントローラ３０９からの命令信号３０Ｄには、画素信号線ドライバ３１１から駆動電圧を出力するタイミングを決定する制御信号が含まれている。
【００３０】
各ＴＦＴ１００１では、ゲート端子１００２に選択電圧が印加されている期間（ＯＮ状態の期間）にソース端子１００３へ入力された駆動電圧がドレイン端子１００４を通じて画素電極１００５へ伝達される。これにより、その画素電極１００５が駆動電圧に応じてプラス電位又はマイナス電位になり、画素電極１００５と透明電極１００６との間に電位差が生じて電界が発生する。これにより、その画素電極１００５と透明電極１００６との間に位置する着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂのいずれか一方が透明電極１００６側に移動する。これにより、その表示画素の色が、透明電極１００６側に移動した着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂの色となる。このようにして、各表示画素の色を順次制御していき、すべての表示画素についての制御が終了した時点で、画像フレームの表示切り換えが完了する。
【００３１】
なお、各画素信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎに印加する駆動電圧の電圧レベルは、画素信号線用Ｄ／Ａコンバータ（以下「画素信号線用ＤＡＣ」という。）３１２によって設定される。また、各選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに印加する選択電圧の電圧レベルは、選択線用Ｄ／Ａコンバータ（以下「選択線用ＤＡＣ」という。）３１４によって設定される。画素信号線用ＤＡＣ３１２や選択線用ＤＡＣ３１４で設定する電圧レベルは、コントローラ３０９から送信される電圧レベル設定信号に応じて決定される。具体的には、コントローラ３０９からの電圧レベル設定信号を受信した画素信号線用ＤＡＣ３１２及び選択線用ＤＡＣ３１４は、受信した電圧レベル設定信号に応じた電圧レベルの電圧を、それぞれ、画素信号線ドライバ３１１及び選択線ドライバ３１３に送る。
【００３２】
次に、図１に示すフレキシブルディスプレイ部１３００と、制御回路部１２００との接続について説明する。本実施形態においては、フレキシブルディスプレイ部１３００の回路基板であるフィルム状のプラスチック基板上に、ベアチップが実装されたＣＯＦ（chip on film）またはＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板１２０２を実装させることにより、フレキシブルディスプレイ部１３００と、制御回路部１２００とが接続される。
以下に、実施例１、２を用いて、具体的に説明する。なお、以下の実施例１、２では、フレキシブルディスプレイ部１３００と、制御回路部１２００とを接続する基板として、ＣＯＦ基板を用いた例について説明するが、ＦＰＣ基板を用いて接続してもよい。
【実施例１】
【００３３】
ｎ＝１の座標に対応する各ＴＦＴ１００１のゲート電極１００２がそれぞれ選択線として、９５．２５［μｍ］ピッチで、プラスチック基板１２０１の第１実装部１２０１ａへ引き出されている（図１参照）。また、ｍ＝１の座標に対応する各ＴＦＴ１００１ソース電極１００３がそれぞれ信号線として、９５．２５［μｍ］ピッチで、第２実装部１２０１ｂへ引き出されている。プラスチック基板の第１実装部１２０１ａには、少なくとベアチップからなる選択線ドライバ３１３が実装された駆動電圧制御回路部材たるＣＯＦ（chip on film）基板１２０２が実装される。また、プラスチック基板の第２実装部１２０１ｂには、少なくともベアチップからなる画素信号線ドライバ３１１が実装された状態選択電圧制御回路部材たるＣＯＦ（chip on film）基板１２０２が実装される。
【００３４】
［接続電極形成工程］
各ゲート電極１００２の選択線として第１実装部１２０１ａへ引き出された部分上に熱硬化性の導電性ペーストからなる状態選択端子接続電極がスクリーン印刷法により形成される。同様に、ソース電極１００３の信号線として第２実装部１２０１ｂへ引き出された部分上に熱硬化性の導電性ペーストからなる駆動入力端子接続電極がスクリーン印刷法により形成される。なお、以下の説明においては、状態選択端子接続電極、駆動入力端子接続電極を特に区別しない場合は、接続電極という。
【００３５】
具体的には、まず、接続電極に対応する箇所にそれぞれ貫通孔が形成された印刷マスクたるスクリーン板をプラスチック基板１２０１に対して１．５〜２．５［ｍｍ］のクリアランスを開けて対向配置する。次に、アタック角（基板面とスキージとの為す角度で、スキージ走査方向側の角度）７０度、印刷速度３０〜１００［ｍｍ／ｓ］でゴム硬度７０のスキージを移動させて、各貫通孔に熱硬化性の導電性ペーストを刷り込む。すると、スクリーン板の各貫通孔から導電性ペーストがプラスチック基板上のソース電極１００３およびゲート電極上に付着し、接続電極１２０３（図５参照）が形成される。
【００３６】
上記導電性ペーストはＡｇ（銀）ペーストであり、Ａｇ（銀）粒子、アクリル樹脂、カルビトールアセタートなどからなり、粘度は２００〜３００［ｐａ・ｓ］（ブルックフィールドＨＢＴ  Ｎｏ．１４スピンドルを用い１０［ｒｐｍ］で測定）である。
【００３７】
［仮硬化工程］
次に、導電性ペーストからなる接続電極１２０３が形成されたプラスチック基板を強制対流式オーブンに入れて、熱硬化性の導電性ペーストからなる接続電極１２０３を完全に焼結させない程度に加熱し硬化させる。本来、熱硬化性の導電性ペーストからなる接続電極１２０３を２００［℃］３０分加熱して硬化させるところを、プラスチック基板１２０１の耐熱温度を考慮して１００［℃］、１２０分で熱硬化性の導電性ペーストからなる接続電極１２０３を硬化させた。
【００３８】
［接合工程］
図５に示すように、接続電極１２０３とＣＯＦ基板１２０２に形成された電極１２０４とをアライメントし、１９０［℃］に加熱されたヘッド（不図示）を１．５［ＭＰａ］の圧力で３０［ｓ］間加熱加圧する。このとき、３０［ｓ］後に接続電極１２０３およびＣＯＦ基板の電極１２０４にかかる温度は約１４０［℃］である。接続電極１２０３が１４０［℃］で加熱加圧されることで、完全に焼結されていなかった導電性ペーストの焼結が進み、各接続電極１２０３とＣＯＦ基板の各電極１２０４とが接続した状態で、ＣＯＦ基板１２０２が、プラスチック基板１２０１に接合される。
【００３９】
実施例１においては、接続電極１２０３を熱硬化性の導電性ペーストで形成しているので、ＣＯＦ基板１２０２をプラスチック基板１２０１に実装するとき、ＣＯＦ基板１２０２をプラスチック基板側に加圧することによって、ペースト状の各接続電極１２０３が潰れて、各接続電極１２０３とＣＯＦ基板の各電極１２０４とが接続される。そのため、図６（ａ）に示すように、ＣＯＦ基板の電極１２０４の高さにばらつきがあっても、図６（ｂ）に示すように、接続電極１２０３の潰れ量が変化することにより、ＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３との間において良好に電気的接続を行うことができる。接続電極１２０３にバラツキがある場合も同様に、接続電極１２０３の潰れ量が変化することにより、ＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３との間において良好に電気的接続を行うことができる。
【００４０】
また、実施例１においては、導電性ペーストで接続電極１２０３を形成するので、スクリーン印刷などの印刷プロセスで、プラスチック基板１２０１に接続電極１２０３を形成することができる。これにより、複数の接続電極１２０３を容易に作成することができ、製造コストを下げることができる。
【実施例２】
【００４１】
次に、実施例２について、説明する。
実施例２は、接続電極１２０３を、熱可塑性の絶縁樹脂膜上に形成したものである。
【００４２】
［絶縁樹脂膜形成工程］
図７は、絶縁樹脂膜形成後のプラスチック基板１２０１の第１実装部１２０１ａの周辺を示す上面図である。
図７に示すように、ゲート電極１００２の選択線として第１実装部１２０１ａ側へ引き出された部分上にスルーホール１２０５ａを設け、プラスチック基板１２０１上の第１実装部１２０１ａ周辺に熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を形成する。同様に、ソース電極１００３の信号線として第２実装部１２０１ｂ側へ引き出された部分上にスルーホールを設け、第２実装部１２０１ｂ周辺に熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を形成する。熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５は、スクリーン印刷法で形成することが好ましい。スクリーン印刷で熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を形成するには絶縁性ペーストを用いる必要がある。絶縁性ペーストは、樹脂バインダーと無機物フィラーの他に、有機溶剤を混練することで得られる。
【００４３】
熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に用いる有機溶剤としては、アルコール系、グリコールエーテル系、エステル系、芳香族系などから選択される溶剤が好適に用いられる。
また、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に用いる樹脂バインダーとしては、従来公知の熱可塑性樹脂を用いる。熱可塑性樹脂としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂（ポリビニルブチラール樹脂）、フェノールノボラック樹脂、エチルセルロース樹脂、メチルセルロース樹脂、などが挙げられる。
【００４４】
熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に用いる無機物フィラーの例としては、電子・電気材料、セラミックス材料、触媒などの分野で汎用性のある金属酸化物粒子、金属水酸化物粒子が挙げられる。金属酸化物粒子としては、一種類の金属の酸化物、水酸化物であっても複数の金属の複合酸化物であっても良く、具体的には二酸化珪素（シリカ）、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン、酸化亜鉛、ジルコニア、酸化スズ、酸化アンチモン、チタン酸バリウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウムなどを使用することができる。また、例えばゼオライトやメソポーラスシリカのように、構造中にマイクロ孔あるいはメソ孔を有する無機多孔質粒子であっても良い。
【００４５】
実施例２ではスクリーン印刷形成する絶縁性ペーストは、フェノール樹脂をエチレングリコール（東京応化：ＧＲ）へ４０重量％で溶解したビヒクルに対して、平均粒子径が０．３［μｍ］のシリカ微粒子（電気化学工業製：ＳＦＰ２０Ｍ）２０重量％と平均粒子径０．０４［μｍ］のシリカ超微粒子（電気化学工業製：ｕＦＰ３０）１０重量％を分散したものを用いた。このとき、７０重量％のビヒクルに対して、３０重量％のフィラーを分散した。この絶縁ペーストを用いて、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を形成すると、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の樹脂体積比率は６５体積％となる。
【００４６】
熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を形成する際に用いられるスクリーン板としては、平織り４００番のステンレスメッシュ上へ厚さ１５［μｍ］の感光性乳剤を形成し、このスクリーン板の乳剤開口部となるように露光して、パターニングしたものを用いた。このスクリーン板を基板から一定間隔となるように配置し、絶縁性ペーストを用いてスクリーン印刷を行ない、プラスチック基板１２０１上にペースト状の熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を形成した。印刷条件はクリアランス１．８［ｍｍ］、スキージ速度は３０［ｍｍ／ｓ］とした。また、スキージはウレタン製のゴムスキージを使用し、アタック角は７０度とした。印刷後のペースト状の熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を、対流式のオーブンを用いて１２０［℃］で１時間の熱処理を行ない、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５を得た。
【００４７】
［接続電極形成工程］
図８は、接続電極形成後のプラスチック基板１２０１の第１実装部１２０１ａの周辺を示す上面図である。図８に示すように、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５のスルーホールが形成された箇所から、第１実装部１２０１ａ側へ延設するように、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５上に接続電極１２０３が熱硬化性の導電性ペーストにより形成されている。熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の各スルーホール１２０５ａには、導電性ペーストが埋めこまれており、接続電極がスルーホール１２０５ａを介してゲート電極１００２に接続している。第２実装部周辺においても、図８と同様にして、接続電極１２０３が形成されており、スルーホールを介して接続電極がソース電極１００３と接続している。
【００４８】
接続電極１２０３を形成する熱硬化性の導電性ペーストは、実施例１と同様、Ａｇ（銀）粒子、アクリル樹脂、カルビトールアセタートなどからなり、粘度は２００〜３００［ｐａ・ｓ］（ブルックフィールドＨＢＴ Ｎｏ．１４スピンドルを用い１０［ｒｐｍ］で測定）のＡｇペーストを用いた。接続電極１２０３の形成は、実施例１同様、スクリーン印刷法を用いた。スクリーン板とプラスチック基板とのクリアランスを、１．５〜２．５［mm］とし、ゴム硬度７０のスキージを用い、アタック角７０度、印刷速度３０〜１００［ｍｍ／ｓ］でスクリーン印刷を実施した。
【００４９】
［仮硬化工程］
次に、実施例１同様、導電性ペーストからなる接続電極１２０３が形成されたプラスチック基板１２０１を強制対流式オーブンに入れて、熱硬化性の導電性ペーストからなる接続電極１２０３を完全に焼結させない程度に加熱し硬化させた。本来、熱硬化性の導電性ペーストからなる接続電極を２００［℃］３０分加熱して硬化させるところを、プラスチック基板１２０１の耐熱温度を考慮して１００［℃］、１２０分で熱硬化性の導電性ペーストからなる接続電極１２０３を硬化させた。
【００５０】
［接合工程］
熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５上に形成された接続電極１２０３とＣＯＦ基板１２０２に形成された電極１２０４とをアライメントし、１９０［℃］に加熱されたヘッド（不図示）を１．５［ＭＰａ］の圧力で３０［ｓ］間加熱加圧する。このとき、３０［ｓ］後に接続電極１２０３およびＣＯＦ基板の電極１２０４にかかる温度は約１４０［℃］である。不図示のヘッドで、ＣＯＦ基板１２０２をプラスチック基板１２０１側へ加圧していくと、接続電極１２０３が、ＣＯＦ基板の電極１２０４により、プラスチック基板側へ加圧される。すると、ＣＯＦ基板の電極１２０４が、接続電極に圧接した状態で、加熱されることで軟化した熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込まれる。このように接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込まれることにより押し出された熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５がＣＯＦ基板の電極１２０４間を埋めＣＯＦ基板とプラスチック基板との接続が強化される。また、接続電極１２０３が、ＣＯＦ基板の電極１２０４と当接した状態で、接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込まれるため、接続電極１２０３とＣＯＦ基板の電極１２０４間に絶縁樹脂が入り込むことを防ぐことができ、良好な電気的接続を得ることができる。
【００５１】
そして、接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込まれながら、約１４０［℃］で加熱されることによって、完全に焼結されていなかった導電性ペーストの焼結が進み、各接続電極１２０３とＣＯＦ基板の各電極１２０４とが接続した状態で、ＣＯＦ基板１２０２が、プラスチック基板１２０１に接合される（図９参照）。
【００５２】
また、この実施例２においては、ＣＯＦ基板の電極１２０４の高さにばらつきがあった場合、図１０に示すように、接続電極１２０３の熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５への埋まり量が変化することにより、ＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３との間において良好に電気的接続を行うことができる。また、この実施例２においては、ＣＯＦ基板の電極１２０４の高さにばらつきがあっても、全ての接続電極１２０３は、同様に扁平につぶれる。これにより、高さの低いＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３との接触面積が、通常の高さのＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３との接触面積と同等になる。よって、高さの低いＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３とを確実に接続することができる。
【００５３】
また、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の軟化温度は高すぎると実装時に熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５が軟化せず接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込まれなくなってしまうので、軟化温度は１００［℃］以下が好ましい。また、ディスプレイの使用中の熱により熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の軟化し実装したＣＯＦ基板１２０２がプラスチック基板１２０２からはがれてしまうことを防ぐために、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の軟化温度は６０［℃］以上が好ましい。
【００５４】
実施例１、２と同条件（１９０［℃］に加熱されたヘッド（不図示）を１．５［ＭＰａ］の圧力で３０［ｓ］間加熱加圧）でＡＣＦを使用してＣＯＦ基板１２０２をプラスチック基板１２０１に実装したところ、接続抵抗値は、十数［Ω］〜二十数［Ω］であった。一方、実施例１、２においては、接続抵抗は数Ωであり、より低抵抗での接続が可能であることが確認された。これは、ＡＣＦにおいては、プラスチック基板１２０１上の接続電極１２０３とＣＯＦ基板の電極１２０４とに挟持固定された導電性微粒子を介して、接続電極１２０３とＣＯＦ基板の電極１２０４とが電気的に接続される。これに対して、実施例１、２においては、プラスチック基板上の接続電極１２０３とＣＯＦ基板の電極１２０４とが直接接触することによって、電気的に接続される。このため、実施例１、２の方が、ＡＣＦを用いて実装するよりも低い抵抗で接続できたと考えられる。
【００５５】
以下に示す表１は、実施例２の構成において、接合工程における加圧加熱時間、接続電極１２０３およびＣＯＦ基板の電極１２０４の加熱加圧終了直後の温度を変化させて、接合工程を行ったときの結果である。評価は、数Ωの接続抵抗で接続できたもの○、接続抵抗１０Ω以上のものや接合できなかったものを×とした。
【表１】
0005495097.tif 000002
【００５６】
表1を見ると、加熱加圧終了直後の温度が１００［℃］で、加圧加熱時間が１０［Ｓ］でも実装が可能であることがわかる。一方、ＡＣＦを使用した場合は、上述したように、接続電極１２０３およびＣＯＦ基板の電極１２０４の加熱加圧終了直後の温度が１４０［℃］で、十数［Ω］〜二十数［Ω］であるので、接続電極１２０３およびＣＯＦ基板の電極１２０４の加熱加圧終了直後の温度が１４０［℃］以下での実装は接続抵抗が高くなり好ましくない。
一方、本発明の実装であれば、接続電極１２０３およびＣＯＦ基板の電極１２０４の加熱加圧終了直後の温度が１００［℃］でも数Ωの接続抵抗で接続が可能である。このため、フレキシブルディスプレイ部１３００の基板として、フィルム状のプラスチック基板（ＦＰＣ基板）であっても、接続電極１２０３のピッチが、ＣＯＦ基板の電極１２０４のピッチに対してずれてしまったり、プラスチック基板に実装したＣＯＦ基板の電極１２０４が、剥がれてしまったりするのを抑制することができる。
【００５７】
また、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の厚さが１４［μｍ］の熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５で実装を試したが、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５上の導電ペーストの接続電極１２０３を断線させてしまった。これは接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋めこまれることで押し出された熱可塑性の絶縁樹脂が、ＣＯＦ基板の電極１２０４間に収まらず、ＣＯＦ基板とプラスチック基板とが対向する部分（図７の点線の部分）から外に出てしまう。その結果、実装部の周囲が盛り上がってしまい、導電ペーストの接続電極１２０３を断線させてしまっていた。このため、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の膜厚はＣＯＦ基板の電極１２０４の厚みと接続電極１２０３の厚みよってできる空間の体積と、接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋めこまれることで押し出される熱可塑性の絶縁樹脂の体積で決まる。本実施例では、ＣＯＦ基板の電極１２０４の厚み９［μｍ］、接続電極１２０３の厚み４［μｍ］であるので、熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５の厚さは１０［μm］以下が好ましい。
【００５８】
また、ＣＯＦ基板１２０２を実装後、ＣＯＦ基板１２０２とプラスチック基板１２０１との接続部分の接続強度の強化および接続部分の防湿のために、第１実装部１２０１ａおよび第２実装部１２０１ｂの周囲にオーバーコート層を設けてもよい。具体的には、第１実装部１２０１ａおよび第２実装部１２０１ｂの周囲に防湿絶縁材料や、オーバーコート剤（サンワ化学：SUFC-06等）を塗布することによって、第１実装部１２０１ａおよび第２実装部１２０１ｂの周囲にオーバーコート層を形成する。
【００５９】
以下に示す表２は、防湿絶縁材料を塗布して、オーバーコート層を形成したもの、オーバーコート剤（サンワ化学：SUFC-06）を塗布してオーバーコート層を形成したもの、オーバーコート層を形成しなかったものの３つの基板を作成し、それぞれについてＣＯＦ基板１２０２を水平方向に引っ張る引っ張り試験を行った結果である。
【表２】
0005495097.tif 000003
【００６０】
表２に示すように、オーバーコート層を形成したものは、形成しなかったものに比べて、水平方向の引っ張りに対しての強度が高くなっていることがわかる。
【００６１】
また、電圧無印加で、６０［℃］／９０［％］の環境で１０００時間の環境試験を行った。その結果、オーバーコート層を形成したもの、形成しなかったもの、ＡＦＣを使用して実装したものいずれも接続抵抗、隣接間のリーク電流に対して大きな劣化は見られなかった。この結果、防湿絶縁材料や、オーバーコート剤（サンワ化学：SUFC-06）を用いてオーバーコート層を形成しても、オーバーコート層内の溶剤などが接続電極に悪い影響を与えないことが確認された。
【００６２】
また、上述では、ＣＯＦ基板やＦＰＣ基板とフィルム状のプラスチック基板１２０１との接続（実装）について、説明したが、フレキシブルディスプレイ部１３００のプラスチック基板１２０１へのベアチップの実装にも、本発明を適用することができる。
【００６３】
以上、本実施形態の画像表示装置は、複数の電極が設けられた制御回路部材たるＣＯＦ基板１２０２と、ＣＯＦ基板１２０２の各電極１２０４にそれぞれ接続される接続電極１２０３とを備えた回路基板たるプラスチック基板１２０１とを有している。そして、接続電極１２０３を、熱硬化性の導電性ペーストを用いて形成し、ＣＯＦ基板１２０２の電極１２０４を、接続電極１２０３に圧接させるとともに、接続電極１２０３を加熱して接続電極１２０３を熱硬化させて、ＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３とを接合する。ＣＯＦ基板１２０２をプラスチック基板１２０１に実装するとき、ＣＯＦ基板１２０２をプラスチック基板１２０１側に加圧することによって、ペースト状の接続電極１２０３が潰され、接続電極１２０３とＣＯＦ基板１２０２の電極１２０３とが接続される。このように、接続電極１２０３が潰れて、ＣＯＦ基板１２０２の電極１２０４と接続されるので、接続電極１２０３の接続面とＣＯＦ基板１２０２の電極１２０４の接続面との間の距離にばらつきがあったとしても、接続電極１２０３の潰れ量が変化することにより、ＣＯＦ基板１２０２の電極１２０４と接続電極１２０３との間において良好な電気的接続を実現することができる。そして、導電性ペーストに熱を付与することにより、導電性ペーストが硬化し、ＣＯＦ基板１２０２の電極１２０４と接続電極１２０３とが接着固定される。しかも、導電性ペーストを用いることにより、ＡＣＦを用いて実装するものに比べて、低温で、電気的な接続と接着固定とを行うことができる。また、接続電極１２０３を導電性ペーストで形成するので、スクリーン印刷法などの方法を用いて、接続電極１２０３を形成することができる。よって、特許文献１に比べて、容易に電極を形成でき、製造コストを安価にすることができる。
【００６４】
また、導電性ペーストに、熱硬化性材料を含有することにより、導電性ペーストを熱硬化性にすることができる。
【００６５】
また、導電性ペーストとして、銀ペーストを用いることにより、低温で、電気的な接続と接着固定とを行うことができる。
【００６６】
また、接続電極１２０３を熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５上に形成することにより、ＣＯＦ基板実装時に、接続電極１２０３がＣＯＦ基板の電極により加圧されると、熱で軟化した熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に接続電極１２０３が埋め込まれる。このように接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込まれることにより押し出された熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５がＣＯＦ基板の電極１２０４間を埋めＣＯＦ基板とプラスチック基板との接続が強化される。また、ＣＯＦ基板の電極１２０４の高さにばらつきがあっても、接続電極１２０３の熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５への埋まり量が変化することにより、ＣＯＦ基板の電極１２０４と接続電極１２０３との間において良好に電気的接続を行うことができる。また、高さの低いＣＯＦ基板の電極と接続電極との接触面積が、通常の高さのＣＯＦ基板の電極と接続電極との接触面積と同等になる。よって、高さの低いＣＯＦ基板の電極と接続電極とを確実に接続することができる。
【００６７】
また、絶縁性の熱可塑性樹脂の軟化温度が６０［℃］以上１００［℃］以下であることが好ましい。絶縁性の熱可塑性樹脂の軟化温度を１００［℃］以下にすることによって、実装時に熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５が良好に軟化し、接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋め込むことができる。絶縁性の熱可塑性樹脂の軟化温度が６０［℃］以上にすることによって、ディスプレイの使用中の熱により熱可塑性の絶縁樹脂が軟化するのを抑制し、実装したＣＯＦ基板１２０２がプラスチック基板１２０２からはがれてしまうことを抑制することができる。
【００６８】
また、ＣＯＦ基板１２０２実装前の絶縁性の熱可塑性樹脂の膜厚を、１０［μｍ］以下とすることにより、接続電極１２０３が熱可塑性の絶縁樹脂膜１２０５に埋めこまれることで押し出された熱可塑性の絶縁樹脂が、ＣＯＦ基板の電極１２０４間に収まらず、ＣＯＦ基板とプラスチック基板とが対向する部分から外に出てしまうのを抑制することができる。その結果、実装部の周囲が盛り上がるのを抑制することができ、接続電極１２０３の断線を抑制することができる。
【００６９】
プラスチック基板のＣＯＦ基板が実装されている実装部である第１実装部、第２実装部の周囲にオーバーコート層を設けることにより、ＣＯＦ基板のプラスチック基板に対する実装強度を増すことができる。
【００７０】
さらに、オーバーコート層として、防湿絶縁材料を用いることで、第１実装部、第２実装部が防湿され、ＣＯＦ基板の隣接する電極間や、隣接する接続電極間でリーク電流が発生するのを抑制することができる。
【００７１】
フレキシブルディスプレイ部の回路基板として、フレキシブル性をもつ基板を用いることで、ガラス基板を用いた場合に比べて軽量な画像表示装置を得ることができる。また、フレキシブル性を持つ画像表示装置を得ることができる。
【符号の説明】
【００７２】
３０９  コントローラ
３１０  メモリ
３１１  画素信号線ドライバ
３１３  選択線ドライバ
１００１  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１００２  ゲート端子（ゲート電極）
１００３  ソース端子（ソース電極）
１００４  ドレイン端子（ドレイン電極）
１００５  画素電極
１００６  透明電極
１０１０  対向電極
１０１２  絶縁膜
１０１３  活性層
１０１４Ｗ，１０１４Ｂ  着色粒子
１０１５  保護膜
１２００  制御回路部
１２０１  プラスチック基板
１２０１ａ  第１実装部
１２０１ｂ  第２実装部
１２０２  ＣＯＦ基板（ＦＣＰ基板）
１２０３  接続電極
１２０４  ＣＯＦ基板の電極
１２０５  熱可塑性の絶縁樹脂膜
１２０９  ベアチップ
１２１０  ベアチップ本体部
１２１１  バンプ電極
１２１２  導電粒子
１２１４  ＡＦＣ
１２２０  ガラス基板
１３００  フレキシブルディスプレイ部
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７３】
【特許文献１】特開２００６−２２７３２３号公報
【図１】
0005495097.tif 000004
【図２】
0005495097.tif 000005
【図３】
0005495097.tif 000006
【図４】
0005495097.tif 000007
【図５】
0005495097.tif 000008
【図６】
0005495097.tif 000009
【図７】
0005495097.tif 000010
【図８】
0005495097.tif 000011
【図９】
0005495097.tif 000012
【図１０】
0005495097.tif 000013
【図１１】
0005495097.tif 000014
【図１２】
0005495097.tif 000015
【図１３】
0005495097.tif 000016
【図１４】
0005495097.tif 000017
【図１５】
0005495097.tif 000018
【図１６】
0005495097.tif 000019
【図１７】
0005495097.tif 000020