(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティが形成された第１の基板と、前記第１の基板における前記キャビティが形成された面側に接合され、前記キャビティに対応する位置に可動部を画定するスリットが形成された第２の基板と、を備え、前記第２の基板における前記第１の基板に対向する表面には前記可動部に対応する位置に熱酸化膜が形成された、基板を準備する工程と、
前記可動部における前記熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層および前記第２の基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記第２の電極層を形成した後に、前記犠牲層および前記熱酸化膜を除去する工程と、
を有するＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲層を形成した後に、前記犠牲層の膜厚を薄くする、
請求項１記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記酸化膜層の形状は、前記可動部の形状に対応している、
請求項１または２記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜層の形状は、前記第１の電極層の形状に対応している、
請求項１または２記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法および基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、マイクロマシニング技術（「ＭＥＭＳ技術」ということがある。ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）により形成される微小構造を有するデバイス（ＭＥＭＳデバイス）が、様々な分野で応用されている。
【０００３】
ＭＥＭＳデバイスには、高周波回路用のＭＥＭＳスイッチ、ＭＥＭＳキャパシタ、ＭＥＭＳセンサなどがある。例えばＭＥＭＳスイッチは、従来からある半導体スイッチと比べて損失が低く絶縁性が高いこと、また歪み特性がよいことなどが特長である。
【０００４】
従来において、基板に可動部を形成し、可動部に設けられた接点が基板に対して固定的に設けられたコンタクト電極に接触するように構成されたＭＥＭＳスイッチが提案されている（特許文献１）。
【０００５】
ＭＥＭＳデバイスにおいて、その可動部は、例えば、通常のＳＯＩウエハを用いてその活性層（デバイス層）のみをＤ−ＲＩＥ加工して作製される。また、Ｐｏｌｙ−ＳｉまたはＰｏｌｙ−ＳｉＧｅなどをウエハ上にデバイス層として積層させ、エッチング加工や犠牲層の除去によって可動部を作製することもある。また、台座ウエハに接合し、Ｄ−ＲＩＥ加工により可動部を作製するものもある。これらのうち、犠牲層を除去することによって犠牲層の下層および上層に積層させた構造体を可動状態とするプロセスは一般に表面ＭＥＭＳと称されている。
【０００６】
さて、図１３はＭＥＭＳスイッチ８０ｊの例を示す平面図、図１４は図１３のＭＥＭＳスイッチ８０ｊのＪ−Ｊ線断面矢視図である。
【０００７】
図１３および図１４において、ＭＥＭＳスイッチ８０ｊは、基板８１、基板８１上に形成された下部コンタクト電極８２、上部コンタクト電極８３、下部駆動電極８４、および上部駆動電極８５などからなる。下部コンタクト電極８２および下部駆動電極８４は、カンチレバーを構成する可動部ＫＢｊに一体に設けられる。
【０００８】
基板８１としてＳＯＩ基板が用いられる。可動部ＫＢｊは、ＳＯＩ基板の活性層がスリットＳＬにより切り離されて形成される。活性層の上に、下部コンタクト電極８２および下部駆動電極８４が、メッキによって形成される。
【０００９】
上部駆動電極８５と下部駆動電極８４との間に駆動電圧を印加することにより、それらの間に静電引力が発生し、下部駆動電極８４が上部駆動電極８５に吸引されて移動する。これにより、下部駆動電極８４と一体となった可動部ＫＢｊおよび下部コンタクト電極８２が移動し、下部コンタクト電極８２が上部コンタクト電極８３に当接して接点が閉じる。駆動電圧を０にすると、可動部ＫＢｊの弾性によって接点が離れた状態に戻る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−２９３９１８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上に述べたＭＥＭＳスイッチ８０ｊでは、可動部ＫＢｊの下面は空洞となっており、可動部ＫＢｊの一端側のみが基板８１と繋がって支持された構造である。可動部ＫＢｊは、その支持された部分を支点として上下に撓むことができる。
【００１２】
ＭＥＭＳスイッチ８０ｊの製造工程において、可動部ＫＢｊの上面に母材よりも熱膨張率の大きい電極が積層されると、室温にまで冷えたときに応力が発生して可動部ＫＢｊに上側への反りが発生する。さらに、その上にＳｉＯ2 などの犠牲層を積層すると、積層した犠牲層によって応力が発生し、可動部ＫＢｊに下側への反りが発生する。電極による可動部ＫＢｊの反りは例えば０．３μｍ程度と少ないが、犠牲層による可動部ＫＢｊの下側への反りは例えば１μｍ程度になることがあり、影響が大きい。
【００１３】
つまり、ＭＥＭＳスイッチ８０ｊの製造工程において、上部コンタクト電極８３の接点を形成するために犠牲層のハーフエッチングを行うが、可動部ＫＢｊが大きく反っているとそのときのエッチング深さの調整または制御が精度よく行えない。そのため、犠牲層を除去した後の上部コンタクト電極８３の接点と下部コンタクト電極８２との間の電極間ギャップの精度が悪くなり、所望のスイッチ特性が得られない可能性がある。
【００１４】
また，可動部ＫＢｊの下側への大きな反りが発生すると、スリットＳＬの上面部分を犠牲層によって隙間なく埋め込むことができない場合がある。その場合に、後工程においてスリットＳＬの隙間にレジストやポリマーなどが浸入し、洗浄による除去が困難となって歩留まり低下の要因となることがある。
【００１５】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
ここに述べる実施形態による製造方法は、キャビティが形成された第１の基板と、前記第１の基板における前記キャビティが形成された面側に接合され、前記キャビティに対応する位置に可動部を画定するスリットが形成された第２の基板と、を備え、前記第２の基板における前記第１の基板に対向する表面には前記可動部に対応する位置に熱酸化膜が形成された、基板を準備する工程と、前記可動部における前記熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層および前記第２の基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層を形成した後に、前記犠牲層および前記熱酸化膜を除去する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態のＭＥＭＳスイッチの平面図である。
【図２】図１のＭＥＭＳスイッチの断面図である。
【図３】本実施形態のＭＥＭＳスイッチの製造工程を示す図である。
【図４】本実施形態のＭＥＭＳスイッチの製造工程を示す図である。
【図５】ＳＯＩ基板の製造工程を示す図である。
【図６】ＳＯＩ基板の製造工程を示す図である。
【図７】ＳＯＩ基板の製造工程を示す図である。
【図８】ＳＯＩ基板の製造工程を示す図である。
【図９】ＳＯＩ基板の製造工程を示す図である。
【図１０】ＳＯＩ基板の製造工程を示す図である。
【図１１】ＭＥＭＳスイッチの製造工程の比較例を示す図である。
【図１２】ＭＥＭＳスイッチの製造方法の概略の手順を示すフローチャートである。
【図１３】ＭＥＭＳスイッチの例を示す平面図である。
【図１４】図１３のＭＥＭＳスイッチのＪ−Ｊ線断面矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
〔ＭＥＭＳスイッチ〕
本実施形態では、ＭＥＭＳデバイスとして、ＭＥＭＳスイッチ１を例にあげて説明する。なお、ＭＥＭＳスイッチとして、以下に説明する例以外に種々の構造を採用することができ、また、後で述べる製造方法は、ＭＥＭＳスイッチ以外にＭＥＭＳキャパシタなど他の種々のＭＥＭＳデバイスに適用することが可能である。
【００２０】
図１には、一実施形態のＭＥＭＳスイッチ１の平面図が示されている。図２（Ａ）には、図１のＡ−Ａ線断面矢視図が示されている。図２（Ｂ）には、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１を階段状に断面し、かつ一部を回転断面したものが示されている。つまり、図２（Ｂ）において、図１のＸ−Ｘ線よりも左方についてはＡ−Ａ線断面矢視、Ｘ−Ｘ線よりも右方についてはＣ−Ｃ線断面矢視、その中間のＡ−Ａ線とＣ−Ｃ線との間についてはＸ−Ｘ線断面矢視を、それぞれ示す。ただし、Ｘ−Ｘ線断面矢視の部分については一部を省略してある。後の図３、図４、図１１においても、図２（Ｂ）と同様な方法で断面した図が示されている。
【００２１】
図１および図２において、ＭＥＭＳスイッチ１は、ＳＯＩ基板１１、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、固定駆動電極１５、壁部１７、および支持部１８などからなる。
【００２２】
ＳＯＩ基板１１は、支持基板（ハンドル層）１１ａ、ＢＯＸ層（中間酸化膜層）１１ｂ、および活性層（デバイス層）１１ｃからなる３層のＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板である。支持基板１１ａは、シリコンからなり、厚さは５００μｍ程度である。ＢＯＸ層１１ｂは、ＳｉＯ2 からなる絶縁層であり、厚さは４μｍ程度である。活性層１１ｃは、シリコン薄膜であり、厚さは１５μｍ程度である。
【００２３】
活性層１１ｃには、正面視（平面視）で略コ字形のスリット１６が設けられ、これによって可動部ＫＢが形成される。つまり、スリット１６によって可動部ＫＢが画定される。支持基板１１ａには、可動部ＫＢを含む領域に対応したキャビティ（空間）２１が設けられている。
【００２４】
つまり、キャビティ２１は、支持基板１１ａにおいて活性層１１ｃの内側（図の下側）の表面に達するように設けられる。なお、ＭＥＭＳスイッチ１Ｆの製造過程において、キャビティ２１内における活性層１１ｃの表面に、パターニングされた酸化膜層が形成されるが、酸化膜層はその後に除去される。
【００２５】
また、キャビティ２１内における活性層１１ｃ以外の表面（周面）に、ＢＯＸ層１１ｂと同様の層がそれと連続して形成されることもある。ＭＥＭＳスイッチ１の製造工程については後で詳しく説明する。
【００２６】
可動部ＫＢは、スリット１６が設けられていない部分を支点とするカンチレバーを構成し、支点付近を中心として撓み、支点とは反対側の端縁部が図２における上下方向に移動することが可能である。可動部ＫＢの表面に密着して、後述する電極部１２ａおよび電極部１４ａが形成される。
【００２７】
可動コンタクト電極１２は、可動部ＫＢに密着して形成された細長くて薄い電極部１２ａ、および電極部１２ａの一端部の上に形成されたアンカー部１２ｂからなる。
【００２８】
固定コンタクト電極１３は、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１３ａ、および、電極基部１３ａに連続し、電極部１２ａの上方において対向するように設けられた固定コンタクト部１３ｂからなる。固定コンタクト部１３ｂには、接点部ＳＴが設けられている。
【００２９】
電極部１２ａと固定コンタクト部１３ｂの接点部ＳＴとの間で開閉可能な接点が形成されており、可動部ＫＢが上方へ撓んで電極部１２ａが固定コンタクト部１３ｂに当接することによって接点が閉じる。可動コンタクト電極１２と固定コンタクト電極１３とによって信号ラインＳＬが形成されており、接点が閉じたときには、この信号ラインＳＬを高周波信号が通過する。
【００３０】
可動駆動電極１４は、可動部ＫＢに密着して形成された細長い部分とその先端部に連続して形成された矩形の部分とからなる電極部１４ａ、および電極部１４ａの一端部の上に形成されたアンカー部１４ｂからなる。
【００３１】
固定駆動電極１５は、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１５ａ，１５ｃ、および、電極基部１５ａ，１５ｃに支持されて可動部ＫＢの上方を跨ぐようにブリッジを形成する電極対向部１５ｂからなる。電極対向部１５ｂは、電極部１４ａの矩形の部分に対し、その上方において対向する。
【００３２】
壁部１７は、ＳＯＩ基板１１上において、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５などを囲むように、矩形枠状に設けられる。壁部１７の高さは、他の電極などと同じか、またはそれらよりも高い。
【００３３】
なお、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、固定駆動電極１５、および壁部１７の材料として、金属材料、例えば金が用いられる。
【００３４】
また、可動コンタクト電極１２、固定コンタクト電極１３、可動駆動電極１４、および固定駆動電極１５などの機能部分ＫＮを含む空間、つまり壁部１７で囲まれた空間を、外部から封止するために、壁部１７の上に膜部材２０を貼り付けることもある。
〔ＭＥＭＳスイッチの製造方法〕
次に、ＭＥＭＳスイッチ１の製造方法について説明する。
【００３５】
図３（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１１を準備する。ＳＯＩ基板１１は、上に述べたように、支持基板１１ａ、ＢＯＸ層１１ｂ、および活性層１１ｃを有する。本実施形態で用いられるＳＯＩ基板１１は、さらに、支持基板１１ａにキャビティ２１が設けられ、キャビティ２１内の活性層１１ｃ側の面に酸化膜層２２が形成されている。
【００３６】
キャビティ２１および酸化膜層２２は、ＳＯＩ基板１１の作製の過程において形成される。キャビティ２１は、その平面視において、ＭＥＭＳスイッチ１の可動部ＫＢに対応した領域およびスリット１６に対応した領域を含む形状である〔図６（Ａ）参照〕。キャビティ２１の深さは、例えば数μｍ〜数十μｍ程度である。
【００３７】
また、酸化膜層２２は、その平面視において、ＭＥＭＳスイッチ１の可動部ＫＢと同じ形状である〔図５（Ｂ）参照〕。または、酸化膜層２２の平面視の形状を、可動部ＫＢの上面側に形成される下部電極層と同じ形状、つまり電極部１２ａの形状および電極部１４ａの形状を合わせた形状としてもよい〔図７参照〕。また、酸化膜層２２の平面視の形状を、それらと同じ形状ではなく、それらに対応した形状としてもよい。酸化膜層２２は、例えばＳｉＯ2 などからなる熱酸化膜であり、厚さは０．１μｍ〜数μｍ程度、例えば０．１μｍ〜２μｍ程度である。
【００３８】
なお、支持基板１１ａの外周面下部には、位置決めのための凹部１１ｄが設けられている。
【００３９】
次に、ＳＯＩ基板１１に対し、その活性層１１ｃの表面に、金属材料を用いてスパッタ成膜などを行い、下部電極層となる金属層を形成する。そして、図３（Ｂ）に示すように、形成した金属層に対し、ＲＩＥなどによってパターニングを行い、電極部１２ａおよび電極部１４ａなどを形成する。
【００４０】
さらに、活性層１１ｃに対し、フォトリソグラフィーおよびＤ−ＲＩＥなどにより、可動部ＫＢのカンチレバーのパターンに沿ってスリット１６を形成する。スリット１６の幅は、例えば１μｍ〜２μｍ程度である。
【００４１】
スリット１６を形成すると、スリット１６はキャビティ２１と繋がり、これによりカンチレバーである可動部ＫＢが形成される。また、キャビティ２１は、可動部ＫＢが動作して変形するのに十分な空間ＫＫを形成する。
【００４２】
可動部ＫＢに電極部１２ａおよび電極部１４ａなどが形成されると、それらの金属材料と活性層１１ｃの材料との熱膨張率の差、および工程における温度変化によって、僅かではあるが可動部ＫＢに上側への反りが発生する。つまり、工程時の温度が常温にまで冷めると、熱膨張率の大きい金属材料の引っ張り応力の方が活性層１１ｃよりも大きくなり、電極部１２ａの側つまり図の上側へ反るような応力が生じる。
【００４３】
また、酸化膜層２２の材料は活性層１１ｃの材料よりも熱膨張率が大きいので、酸化膜層２２の存在は、可動部ＫＢの上側への反りが大きくなる方向に働く。しかし、これらの反りについては、プロセスを管理することによって反りの大きさを把握することができるので、後の工程においては必要に応じてその反りを補正するための制御を行うことが可能である。
【００４４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、活性層１１ｃおよび電極部１２ａ，１４ａなどの上に、ＳｉＯ2 などを用いて犠牲層３１を積層して形成する。犠牲層３１の形成の際の温度は例えば１５０°Ｃ程度とする。犠牲層３１の厚さは数μｍ〜十数μｍ程度、例えば５μｍ程度とする。
【００４５】
犠牲層３１を形成することにより、熱膨張率の差および温度変化によって、可動部ＫＢに下側へ反ろうとする応力が発生する。しかし、このとき、可動部ＫＢの下側の面に酸化膜層２２が形成されているため、犠牲層３１による下側へ反ろうとする応力は、酸化膜層２２による上側へ反ろうとする応力によって低減され、または打ち消される。
【００４６】
つまり、酸化膜層２２によって生じる応力と電極部１２ａ，１４ａなどによって生じる応力とを合わせた応力が、可動部ＫＢを上面側へ反らせるように作用する応力である。犠牲層３１によって生じる応力が、可動部ＫＢを下面側へ反らせるように作用する応力である。可動部ＫＢを下面側へ反らせる応力が、上面側へ反らせる応力によって低減され、または打ち消される。つまり、これらの応力がバランスして可動部ＫＢの水平状態がほぼ保たれるようにする。これにより、犠牲層３１の形成による可動部ＫＢの反りはなくなるか、または低減される。
【００４７】
酸化膜層２２の存在は、犠牲層３１の形成による可動部ＫＢの反りの低減に大きく寄与する。つまり、犠牲層３１の形成による可動部ＫＢの反りが低減しまたは打ち消されるように、酸化膜層２２を予め選択的に形成しておくのである。
【００４８】
犠牲層３１の形成による可動部ＫＢの反りが低減されるので、スリット１６の上面部分においても犠牲層３１が断絶することなく連続して形成される。そのため、従来のようにスリット１６内にレジストやポリマーなどが浸入するといったことが生じない。なお、このとき犠牲層３１はキャビティ２１内には入らない。
【００４９】
次に、図４（Ａ）に示すように、犠牲層３１に対し、ハーフエッチングを必要回数行ってパターニングを行い、犠牲層３１の膜厚を選択的に薄くする。犠牲層３１のハーフエッチングの深さを制御することにより、後で形成される電極部１２ａと固定コンタクト部１３ｂの接点部ＳＴとの電極間ギャップＧＰ２の大きさを調整する。
【００５０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、電極部１２ａ，１４ａおよび犠牲層３１などの上に、必要に応じてシード層を形成し、金属材料を用いてメッキなどを行う。これにより、固定コンタクト部１３ｂおよび電極対向部１５ｂなどの上部電極層、アンカー部１４ｂ、壁部１７、または支持部１８などの構造体となる金属層を形成する。
【００５１】
そして、図４（Ｃ）に示すように、犠牲層３１および酸化膜層２２を、ＨＦ（フッ酸）蒸気などを用いたエッチングによって除去する。これによって、ＭＥＭＳスイッチ１の機能部分ＫＮが完成し、ＭＥＭＳスイッチ１として動作可能である。
【００５２】
必要に応じて壁部１７の上に膜部材２０を貼り付ける。また、ＳＯＩ基板１１が円盤状のウエハである場合に、ＳＯＩ基板１１上に形成された多数のＭＥＭＳスイッチ１を、壁部１７に沿ってダイシングを行い、個々のＭＥＭＳスイッチ１に切り出す。
【００５３】
このように、支持基板１１ａにキャビティ２１が設けられ、キャビティ２１内の活性層１１ｃ側の面に酸化膜層２２が形成されたＳＯＩ基板１１を用いることによって、犠牲層３１を形成したときの可動部ＫＢの反りをできるだけ少なくすることができる。
【００５４】
また、犠牲層３１を形成したときの可動部ＫＢの反りが少ないので、犠牲層３１へのハーフエッチングが精度よく行え、電極部１２ａと固定コンタクト部１３ｂの接点部ＳＴとの電極間ギャップＧＰ２などの大きさを高精度に調整することができる。
【００５５】
因みに、キャビティ２１ｊの内周面に酸化膜層２２が設けられていない場合には、例えば図１１（Ａ）に示すように、犠牲層３１を形成したときの可動部ＫＢｊの下面側への反りが大きくなる。例えば、可動部ＫＢｊが活性層１１ｃの表面より１μｍ程度も沈み込むこともある。そのため、スリット１６の上面部分において犠牲層３１が陥没して断絶し、ここにレジストやポリマーなどが浸入することがある。また、スリット１６の付近の犠牲層３１の厚さに乱れが生じることがある。
【００５６】
また、例えば図１１（Ｂ）に示すように、犠牲層３１をハーフエッチングしたときの固定コンタクト部１３ｂの接点部ＳＴｊのための穴ＳＴＡの深さを精度よく制御できない。そのため、例えば図１１（Ｃ）に示すように、メッキにより金属層を形成したときに、接点部ＳＴｊと電極部１２ｊとの電極間ギャップＧＰの精度が低下する。
【００５７】
また、例えば図１１（Ｄ）に示すように、犠牲層３１をリリースした後に、下面側に反っていた反動で可動部ＫＢｊが上面側に反ってしまった場合には、これによって電極部１２ｊが接点部ＳＴｊに常時接触した状態となってしまう可能性があり、その場合には不良品となって歩留りが低下する。
〔ＳＯＩ基板の製造方法〕
次に、ＳＯＩ基板１１の製造方法について、図５〜図１０を参照して説明する。
【００５８】
まず、ＳＯＩ基板１１を製造するための部品である上部基板ＢＫ１および下部基板ＢＫ２について説明する。
【００５９】
図５には、ＳＯＩ基板１１の作製に用いる上部基板ＢＫ１が示されている。図５（Ａ）は側面断面図、図５（Ｂ）は底面図である。また、図６には、ＳＯＩ基板１１の作製に用いる下部基板ＢＫ２が示されている。図５（Ａ）は側面断面図、図５（Ｂ）は底面図である。また、図６（Ａ）は平面図、図６（Ｂ）（Ｃ）は断面図である。
【００６０】
図５において、上部基板ＢＫ１は、シリコン板４１の下面に熱酸化膜４２が形成されたものである。シリコン板４１は、後で研磨することによって活性層１１ｃとなる部分であり、熱酸化膜４２は後でＢＯＸ層１１ｂとなる部分である。
【００６１】
図５（Ｂ）に示すように、熱酸化膜４２において、後で可動部ＫＢとなる部分は、可動部ＫＢと同じ形状にパターニングされ、ここに酸化膜層２２が形成されている。
【００６２】
図６において、下部基板ＢＫ２は、シリコン板４３の上面に、Ｄ−ＲＩＥまたはウエットエッチングなどによりキャビティ２１が形成されたものである。キャビティ２１の平面形状は、可動部ＫＢとなる部分を含む領域に対応した形状である。シリコン板４３は、後で支持基板１１ａとなる部分である。
【００６３】
また、図６（Ｃ）には変形例の下部基板ＢＫ２Ｂが示されている。図６（Ｃ）に示す下部基板ＢＫ２Ｂのように、シリコン板４３の上面および下面に、ＳｉＯ2 などの酸化膜層２３，２４を全面に形成しておいてもよい。酸化膜層２３，２４によって、キャビティ２１Ｂの壁面をも含み、シリコン板４３の上面および下面の全面が絶縁層で覆われることとなる。
【００６４】
ＳＯＩ基板１１の製造工程において、上部基板ＢＫ１と下部基板ＢＫ２とを、酸化膜層２２の表面がシリコン板４３のキャビティ２１が設けられた側の面と一致するように接合する。
【００６５】
また、図７に示すように、上部基板ＢＫ１における酸化膜層２２の形状を、可動部ＫＢの上面側に形成される電極部１２ａ，１４ａと同じ形状に形成してもよい。
【００６６】
すなわち、図７（Ｂ）は可動部ＫＢに形成される電極部１２ａ，１４ａの形状を平面視で示し、図７（Ａ）は上部基板ＢＫ１Ｂの熱酸化膜４２に形成される酸化膜層２２Ｂのパターニングを底面視で示す。これらの図において、電極部１２ａ，１４ａの形状と酸化膜層２２Ｂの形成とは鏡像の関係となっている。
【００６７】
次に、ＳＯＩ基板１１の製造工程を説明する。
【００６８】
図８（Ａ）に示すように、下部基板ＢＫ２となるシリコン板４３の一方の面に、キャビティ２１を形成し、位置決めのための凹部（アライメントマーカ）４３ｄを形成する。図８（Ｂ）に示すように、シリコン板４３の他方の面にも凹部４３ｄを形成し、下部基板ＢＫ２とする。
【００６９】
図８（Ｃ）に示すように、必要に応じて、シリコン板４３の両面の全体に酸化膜層２３，２４を形成し、下部基板ＢＫ２Ｂとする。
【００７０】
図９（Ａ）に示すように、図８（Ｂ）に示す下部基板ＢＫ２の上面に、図５に示す上部基板ＢＫ１または図７に示す上部基板ＢＫ１Ｂを接合する。この接合に際し、例えば、接合面に親水性処理を行い、面を合わせた後、１０００度Ｃ程度の高温によるアニール処理を行う。
【００７１】
次に、図９（Ｂ）に示すように、シリコン板４１の表面を研磨し、活性層１１ｃとしての所定の厚さになるまで削る。
【００７２】
これによって、熱酸化膜４２はＢＯＸ層１１ｂとなり、シリコン板４３は支持基板１１ａとなる。キャビティ２１は、支持基板１１ａにおいて活性層１１ｃの内側の表面にまで達しており、そこにはパターニングされた酸化膜層２２が形成されている。
【００７３】
また、図１０（Ａ）に示すように、図８（Ｃ）に示す下部基板ＢＫ２Ｂの上面に、図５に示す上部基板ＢＫ１または図７に示す上部基板ＢＫ１Ｂを接合する。次に、図１０（Ｂ）に示すように、シリコン板４１の表面を研磨し、活性層１１ｃとしての所定の厚さになるまで削る。
【００７４】
これによって、熱酸化膜４２および酸化膜層２３はＢＯＸ層１１ｂとなり、シリコン板４３は支持基板１１ａとなる。キャビティ２１は、支持基板１１ａにおいて活性層１１ｃの内側の表面にまで達しており、そこにはパターニングされた酸化膜層２２が形成されている。キャビティ２１の内周面の他の部分には酸化膜層２３が形成されている。
【００７５】
上に述べたように、キャビティ２１を有する下部基板ＢＫ２とパターニングされた酸化膜層２２を持つ上部基板ＢＫ１とを接合してＳＯＩ基板１１を作製する。このときに、後で犠牲層３１を形成したときと同質で同等の応力が生じてバランスできるような酸化膜層２２を成膜し、パターニングしておく。これによって、可動部ＫＢを形成した後の反りを低減させることができる。
【００７６】
したがって、ＭＥＭＳスイッチ１の製造工程において、可動部ＫＢの反りまたは陥没が抑えられ、犠牲層３１のハーフエッチングによる電極の形成における寸法制御を正確に行うことができる。これにより、所望の駆動特性をもつＭＥＭＳスイッチ１を歩留りよく製作することができる。
【００７７】
また、キャビティ２１を有するＳＯＩ基板１１のウエハを用いたプロセスが可能であるので、ウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package:  ＷＬＰ）構造とし易く、低背化で実装可能な構造とすることが容易である。つまり、ＳＯＩ基板１１上に形成された多数のＭＥＭＳスイッチ１の全面に１枚の膜部材２０を貼り付け、その後にダイシングすることで、低背化された個々のＭＥＭＳスイッチ１を大量に容易に製造することができる。
【００７８】
ここで、ＳＯＩ基板１１を用いたＭＥＭＳスイッチ１の製造方法について、その概略の手順をフローチャートを参照して説明する。
【００７９】
図１２において、ＳＯＩ基板１１を準備する。ＳＯＩ基板１１には、支持基板１１ａにキャビティ２１が設けられ、キャビティ２１内の活性層１１ｃの表面に酸化膜層２２が形成されている（＃１１）。スリット１６を設けて可動部ＫＢを形成する（＃１２）。
【００８０】
可動部ＫＢの上に、電極部１２ａ，１４ａのような下部電極を形成する（＃１３）。それらの上に犠牲層３１を形成する（＃１４）。犠牲層３１に対しハーフエッチングを行い、パターニングする（＃１５）。犠牲層３１の上に、固定コンタクト部１３ｂのような上部電極を形成する（＃１６）。犠牲層３１および酸化膜層２２を除去する（＃１７）。
【００８１】
上に述べた実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ１の製造に際し、支持基板１１ａにキャビティ２１が設けられ活性層１１ｃの内側の表面に酸化膜層２２がパターニング形成されたＳＯＩ基板１１を用いた。しかし、このようなＳＯＩ基板１１を用いることなく、これとは異なるＳＯＩ基板を用いてＭＥＭＳスイッチ１を製造することも可能である。
【００８２】
例えば、支持基板１１ａ、ＢＯＸ層１１ｂ、および活性層１１ｃからなってキャビティ２１が形成されていないＳＯＩ基板を用いることが可能である。この場合には、活性層１１ｃ上にデバイス構造を作成した後、活性層１１ｃの裏面側よりキャビティを作製すればよい。
【００８３】
上に述べた実施形態においては、活性層側のプロセス中に可動部がＢＯＸ層と固定状態であるため、犠牲層３１を形成したときの可動部ＫＢの反りが生じない。そのため、電極部１２ａと固定コンタクト部１３ｂの接点部ＳＴとの電極間ギャップＧＰ２を高精度に寸法制御することができる。このような電極間ギャップＧＰ２は、接点部ＳＴとの距離ではなく、また互いに接触する電極同士の距離ではなく、２つの接触しない電極同士の距離であってもよい。つまり、互いに接触しない電極同士の電極間ギャップについても高精度に寸法制御することができる。
【００８４】
上に述べた実施形態において、その他、ＳＯＩ基板１１、電極部１２ａ，１４ａ、固定コンタクト部１３ｂ、接点部ＳＴ、スリット１６、キャビティ２１、酸化膜層２２、犠牲層３１、可動部ＫＢ、およびＭＥＭＳスイッチ１の各部または全体の構成、構造、形状、材料、個数、配置、温度、製造方法などは、本発明の主旨に沿って適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１  ＭＥＭＳスイッチ（ＭＥＭＳデバイス）
１１  ＳＯＩ基板（基板）
１１ａ  支持基板（第１の基板）
１１ｂ  ＢＯＸ層（絶縁層）
１１ｃ  活性層（第２の基板）
１２ａ，１４ａ  電極部（第１の電極層）
１３ｂ  固定コンタクト部（第２の電極層）
１６  スリット
２１  キャビティ
２２  酸化膜層（熱酸化膜）
３１  犠牲層
ＳＴ  接点部（第２の電極層）
ＫＢ  可動部
ＧＰ２  電極間ギャップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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