(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を０．１〜３．０ｗｔ％またはＧａ2Ｏ3を０．５〜６．０ｗｔ％添加してなり、マグネトロンスパッタに用いられるＡＺＯ系またはＧＺＯ系の酸化物ターゲットであって、
表面が、表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域と、スパッタされない非エロージョン領域とに設定され、
この非エロージョン領域が、前記エロージョン領域から離間するとともにその表面粗さがＲａ３．０μｍ〜６．０μｍである第１非エロージョン領域と、この第１非エロージョン領域と前記エロージョン領域との間の領域であってその表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であり、前記エロージョン領域の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域とに設定されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記第１非エロージョン領域が、前記スパッタリングターゲットの端縁部から離間するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の記録層等の製造に用いられるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の記録層等を製造するためのスパッタリング法として、近年、ターゲットに磁界を印加するマグネトロンスパッタリング法が主流となってきている。マグネトロンスパッタリング法は、ターゲットの裏側に磁石を配置した状態で電圧を印加し、ターゲットの表面に漏洩する磁束領域にプラズマを収束させることにより、集中的にスパッタして高速での成膜を可能にする方法である（特許文献１参照）。
【０００３】
マグネトロンスパッタリング装置におけるスパッタ条件は、装置の大型化および高性能化に伴って厳しくなっている。このため、短時間の操業でも粗大なパーティクルが多数発生するようになり、パーティクルによるターゲットの短寿命化が問題となっている。
【０００４】
これに対して、ターゲットのスパッタ面の非エロージョン領域（スパッタされない部分）に堆積したスパッタ生成物が剥離してパーティクルとなることを防ぐために、エロージョン領域（スパッタされる部分）に比較して非エロージョン領域の表面粗さを大きくすることによりスパッタ生成物を非エロージョン領域に密着させて剥がれないようにすることが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−６０８６７号公報
【特許文献２】特開平６−３０６５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ターゲットのスパッタ面においては、エロージョン領域が環状に形成され、その周囲を非エロージョン領域が囲む構成となる。このため、非エロージョン領域を粗面化してスパッタ生成物を密着させたとしても、エロージョン領域近傍においては、非エロージョン領域に付着したスパッタ生成物が再スパッタされてパーティクルが発生し、スパッタ膜を汚染する原因となるおそれがある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、マグネトロンスパッタリング装置において、スパッタリングターゲットのパーティクルの発生を抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を０．１〜３．０ｗｔ％またはＧａ2Ｏ3を０．５〜６．０ｗｔ％添加してなり、マグネトロンスパッタに用いられるＡＺＯ系またはＧＺＯ系の酸化物ターゲットであって、表面（スパッタ面）が、表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域と、スパッタされない非エロージョン領域とに設定され、この非エロージョン領域が、前記エロージョン領域から離間するとともにその表面粗さがＲａ３．０μｍ〜６．０μｍである第１非エロージョン領域と、この第１非エロージョン領域と前記エロージョン領域との間の領域であってその表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であり、前記エロージョン領域の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域とに設定されている。
【０００９】
このスパッタリングターゲットによれば、第１非エロージョン領域を粗面化しているので、この第１非エロージョン領域に付着したスパッタ生成物は強固に固着され、その剥離を防止でき、スパッタ生成物によるパーティクルの発生を効果的に抑制できる。
【００１０】
この場合、第１非エロージョン領域の表面粗さは、スパッタリングターゲットとスパッタ生成物との十分な密着性を確保するために下限をＲａ３．０μｍと設定され、異常放電を発生させないために上限をＲａ６．０μｍと設定される。
【００１１】
また、この第１非エロージョン領域とエロージョン領域との間の第２非エロージョン領域を平滑面に設定しているので、この第２非エロージョン領域にスパッタ生成物が付着しても厚くなりにくいとともに、５〜１５ｍｍと狭い領域に設定されていることにより、付着したスパッタ生成物が剥離しにくい。すなわち、この第２非エロージョン領域の幅を５ｍｍ以上が設定されるのは、付着したスパッタ生成物がエロージョン空間の影響を受け再スパッタされるのを防ぐためである。また、この幅が１５ｍｍ以下と設定されるのは、第２非エロージョン領域に付着するスパッタ生成物が過剰に大きくなって剥離するのを防止するためである。
【００１２】
このスパッタリングターゲットにおいて、前記第１非エロージョン領域が、前記スパッタリングターゲットの端縁部から離間するように設けられていることが好ましい。この場合、スパッタリングターゲットの端縁部の表面粗さが小さいので、ここにおけるクラック、欠けの発生や異常放電を抑制できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、マグネトロンスパッタリングにおいて、スパッタ生成物によるパーティクルの発生を抑え、高品質の成膜が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のスパッタリングターゲットの表面（スパッタ面）を示す図である。
【図２】本発明に係るスパッタリングターゲットを備えるマグネトロンスパッタリング装置を示す側面図である。
【図３】図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るスパッタリングターゲットの実施形態について説明する。このスパッタリングターゲット１０は、ＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を０．１〜３．０ｗｔ％またはＧａ2Ｏ3を０．５〜６．０ｗｔ％添加してなり、マグネトロンスパッタに用いられるＡＺＯ系の酸化物ターゲットであって、図１に示すように、表面１０ａがスパッタ面であり、中央に矩形孔１０ｂが形成された矩形板状材である。
【００１６】
ここで、スパッタリングターゲット１０を用いるマグネトロンスパッタリング装置１００について説明する。図２に示すように、マグネトロンスパッタリング装置１００は、真空チャンバ１０１内に、真空チャンバ１０１の下部で処理基板１０２を載置状態に保持するステージ１０３と、真空チャンバ１０１の上部でスパッタリングターゲット１０を保持するターゲットホルダ１０４とを備えている。
【００１７】
処理基板１０２とスパッタリングターゲット１０とは、間隔をおいて各表面が上下に対向している。ターゲットホルダ１０４の内部には、スパッタリングターゲット１０の背面に配置されるマグネット１０５が備えられている。
【００１８】
ターゲットホルダ１０４は、真空チャンバ１０１の壁に絶縁状態で取り付けられ、スパッタリングターゲット１０に電圧を印加するための外部電源１０６に接続されている。真空チャンバ１０１には、Ａｒガス等の不活性ガスを導入するためのガス導入口１０１ａと、排気および真空引きのためのガス排出口１０１ｂとが設けられている。
【００１９】
このマグネトロンスパッタリング装置１００では、真空チャンバ１０１内を真空状態にしておき、外部電源１０６からスパッタリングターゲット１０と処理基板１０２との間に電圧を印加して、真空チャンバ１０１内に不活性ガスを導入すると、スパッタリングターゲット１０背部のマグネット１０５からの磁界が二点鎖線で図示するようにスパッタリングターゲット１０の表面１０ａ側に漏洩する。
【００２０】
これにより、破線で図示するように放電プラズマがスパッタリングターゲット１０の表面１０ａに高密度に収束する。不活性ガスのイオンがこのプラズマ中で加速されてスパッタリングターゲット１０に入射すると、スパッタリングターゲット１０の表面１０ａからスパッタ原子がたたき出されて処理基板１０２に到達し、処理基板１０２の表面に薄膜が形成される。
【００２１】
このマグネトロンスパッタリング装置１００に用いられるスパッタリングターゲット１０の表面１０ａは、図１に示すように、表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域２０と、スパッタされない非エロージョン領域２１とに設定されている。図１のＡ−Ａ線に沿うスパッタリングターゲット１０の断面を図３に示す。
【００２２】
非エロージョン領域２１は、エロージョン領域２０から離間するとともにその表面粗さがＲａ３．０μｍ〜６．０μｍである第１非エロージョン領域（粗面領域）２１ａと、この第１非エロージョン領域２１ａとエロージョン領域２０との間の領域であってその表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であり、エロージョン領域２０の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域（平滑面領域）２１ｂとに設定されている。
【００２３】
第１非エロージョン領域（粗面領域）２１ａは、スパッタリングターゲット１０の端縁部１０ｃからたとえば１〜２ｍｍ離間するように設けられている。換言すると、端縁部１０ｃから１〜２ｍｍの幅で、表面粗さがＲａ０．１μｍ〜１．０μｍであってスパッタされない平滑端縁領域２１ｃが設けられている。なお、ここでいう端縁部１０ｃとは、図１に示すように、スパッタリングターゲット１０の外周縁部、および矩形孔１０ｂの周縁部である。
【００２４】
このスパッタリングターゲット１０の表面１０ａは、たとえば、以下のような処理により、各部分が上述した所望の表面粗さに加工される。すなわち、まず、Ｒａ１．０μｍ以下となるように表面１０ａの全面を研磨する。これにより、エロージョン領域２０と非エロージョン領域２１のうちの平滑面領域２１ｂおよび平滑端縁領域２１ｃとを所望の表面粗さとしておく。
【００２５】
次いで、これらエロージョン領域２０、平滑面領域２１ｂおよび平滑端縁領域２１ｃをマスクし、Ｒａ３．０μｍ〜６．０μｍとなるようにブラスト加工を施し、粗面領域２１ａを所望の表面粗さに粗面化する。このとき、欠けが生じやすい端縁部１０ｃから幅１〜２ｍｍの領域（すなわち平滑端縁領域２１ｃ）にはブラスト加工を施さないので、スパッタリングターゲット１０の欠けによる異常放電を防止できる。
【００２６】
なお、スパッタリングターゲット１０の表面１０ａ全面を平面研削により加工した場合、加工キズに方向性があることから柱状晶が形成されやすく、この結晶方向に沿って付着したスパッタ生成物が剥がれやすくなるおそれがある。しかしながら、ブラスト加工によって表面形状がランダムになることにより、スパッタ生成物の剥がれが防止される。
【００２７】
このスパッタリングターゲット１０をマグネトロンスパッタリング装置１００に用いてスパッタした場合、スパッタリングターゲット１０のエロージョン領域２０がスパッタされるとともに、スパッタによりスパッタ生成物が生じてスパッタリングターゲット１０の表面１０ａ等に付着する。なお、スパッタ生成物には、スパッタリングターゲット１０から発生したパーティクル、処理基板１０２に到達せず成膜しなかった成分等が含まれる。
【００２８】
粗面領域２１ａにはスパッタ生成物が厚く付着しやすいが、粗面に対する付着力が強固であることから、ここから剥離して処理基板１０２を汚染するおそれは小さい。また、エロージョン領域２０を囲んで隣接する幅５〜１５ｍｍの平滑面領域２１ｂおよび幅１〜２ｍｍの平滑端縁領域２１ｃに対しては、スパッタ生成物は付着しても平滑面であるので厚くなりにくく、また領域が狭いので剥離しにくい。付着したスパッタ生成物の厚さが比較的小さく０．１ｍｍ程度であるから、ここに付着したスパッタ生成物がエロージョン領域２０のスパッタを妨げたり、再スパッタされてパーティクルを生じたりすることもほとんどない。
【００２９】
以上説明したように、本発明に係るスパッタリングターゲット１０によれば、スパッタリングにより付着するスパッタ生成物を脱落させにくく、付着したスパッタ生成物の再スパッタも生じにくいので、成膜性能を低下させることなく長時間にわたるマグネトロンスパッタリングによる成膜が可能となる。
なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００３０】
（実施例および比較例）
ここで、本発明に係るスパッタリングターゲットの実施例および比較例について説明する。
【００３１】
（ＡＺＯ系スパッタリングターゲット）
まず、ＡＺＯ系のスパッタリングターゲットにおける実施例Ａ１〜Ａ４および比較例Ａ１〜Ａ６について、エロージョン領域、第１非エロージョン領域、および第２非エロージョン領域の各表面粗さと、第２非エロージョン領域の幅と、第１非エロージョン領域からスパッタリングターゲットの端縁部までの距離とを、表１に示すようにそれぞれ異ならせた。
【００３２】
まず、ＡＺＯ系の実施例Ａ１〜Ａ４および比較例Ａ１〜Ａ６におけるスパッタリングターゲットは、以下のように作製した。すなわち、原料粉末としていずれも平均粒径０．５μｍおよび純度９９．９％以上を有する市販のＺｎＯ粉末、Ａｌ2Ｏ3粉末を用意した。これら原料粉末をＺｎＯが９８．０質量％、Ａｌ2Ｏ3が２．０質量％の割合になるように配合し、得られた配合粉末を純粋とともにボールミルにて湿式混合し、混合粉末を得た。
【００３３】
得られた混合粉末を乾燥した後、ゴム型に充填し、２Ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力をかけて冷間静水圧プレスすることにより成形体を作製し、この成形体を直径１８０ｍｍ、厚さ２０ｍｍの寸法を有する円板状成形体に加工し、円板状成形体を得た。得られた円板状成形体を大気中１４００℃で加熱し、理論密度比９５％以上の焼結体を作製した。さらに、得られた焼結体を研削して、直径１２５ｍｍ、厚さ１０ｍｍの寸法を有するＡＺＯ系のスパッタリングターゲットを作製した。ターゲットの組成は、ＩＣＰ分析でＡｌ2Ｏ3が２．０質量％、ＺｎＯが９８．０質量％である。
【００３４】
各実施例および比較例におけるスパッタリングターゲットの表面粗さの調整方法は、たとえば以下の通りである。すなわち、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を主成分とする研削剤（粗さはＪＩＳ規定で＃４６）をブラスト粒として、ブラストの噴射圧０．３±０．０５ＭＰａ、ブラスト時間３０〜９０秒で、ブラスト加工を行う。噴射圧およびブラスト時間は、使用するブラスト装置によって変動する。
【００３５】
スパッタリングターゲットのブラスト加工しない部分には、塩化ビニル板で作成されたマスクを固定する。マスキングは、粘着テープ、金属マスク、その他によっても可能である。ブラストによって、研削剤のパーティクルがターゲットに付着することがあるが、超音波洗浄によりこれを除去する。
【００３６】
【表１】
0005540948.tif 000002
【００３７】
そして、これら実施例Ａ１〜Ａ４および比較例Ａ１〜Ａ６の各スパッタリングターゲットを、ＤＣスパッタ装置よるスパッタ時間１時間電力密度１０Ｗｈ／ｃｍ2、スパッタ時間１時間、積算電力量１０ＷＨｒ／ｃｍ2のスパッタリングに用いる評価試験を行った。各スパッタリングターゲットは、ボンディング後に、予めＸ線での透過像でボンディング欠陥、クラック、ヒビのないことを確認しておく。スパッタリング時の異常放電の発生回数、ターゲットのクラックの発生の有無、スパッタリングによって付着した膜の剥離の有無を表２に示す。
【００３８】
【表２】
0005540948.tif 000003
【００３９】
なお、クラックの発生の有無の確認は、ターゲットを超音波洗浄後に目視で行った。また、異常放電の回数は、上記スパッタ中の積算アーキング回数をカウントした。
【００４０】
実施例Ａ１〜Ａ３のスパッタリングターゲットは、異常放電、クラック、付着膜の剥離がいずれもなく、成膜性能を低下させることなく長時間にわたるマグネトロンスパッタリングによる成膜が可能であることが確認できた。
【００４１】
実施例Ａ４は、第１非エロージョン領域がスパッタリングターゲットの端縁部から離間せずに設けられている。すなわち、スパッタリングターゲットの端縁部の表面粗さが大きい。外観からクラックは見られなかったが、端縁部まで表面粗さが大きい影響で、２回の異常放電が生じた。
【００４２】
第２非エロージョン領域の幅が小さすぎる比較例Ａ１のスパッタリングターゲットは、スパッタリングの際に処理時間が経過すると異常放電が６回発生した。また、再スパッタが生じたため、パーティクルが発生し、スパッタ膜を汚染する原因となるおそれがある。
【００４３】
一方、第２非エロージョン領域の幅が大きすぎる比較例Ａ２のスパッタリングターゲットは、第２非エロージョン領域に付着した膜が剥離したため、この剥離物がパーティクルとなって処理基板を汚染するおそれがある。
【００４４】
エロージョン領域の表面粗さおよび第２非エロージョン領域の表面粗さが大きすぎる比較例Ａ３のスパッタリングターゲットは、第２非エロージョン領域において異常放電が５３回発生した。
【００４５】
第１非エロージョン領域の表面粗さが小さすぎる比較例Ａ４のスパッタリングターゲットは、第１非エロージョン領域に付着した膜がスパッタリングによって剥離したため、この剥離物がパーティクルとなって処理基板を汚染するおそれがある。
【００４６】
第１非エロージョン領域の表面粗さが大きすぎる比較例Ａ５のスパッタリングターゲットは、異常放電が１２回発生した。また、ターゲット表面に崩れが発生した。
【００４７】
エロージョン領域の表面粗さが大きすぎる比較例Ａ６のスパッタリングターゲットは、エロージョン領域において異常放電が８４回発生した。
【００４８】
以上のように、本発明に係る実施例のＡＺＯ系のスパッタリングターゲットによれば、異常放電、クラック、付着膜の剥離がほとんどなく、成膜性能を低下させることなく長時間にわたるマグネトロンスパッタリングによる成膜が可能であることが確認できた。
【００４９】
（ＧＺＯ系スパッタリングターゲット）
次に、ＧＺＯ系のスパッタリングターゲットにおける実施例Ｂ１〜Ｂ４および比較例Ｂ１〜Ｂ６について、エロージョン領域、第１非エロージョン領域、および第２非エロージョン領域の各表面粗さと、第２非エロージョン領域の幅と、第１非エロージョン領域からスパッタリングターゲットの端縁部までの距離とを、表３に示すようにそれぞれ異ならせた。
【００５０】
ＧＺＯ系の実施例Ｂ１〜Ｂ４および比較例Ｂ１〜Ｂ６におけるスパッタリングターゲットは、以下のように作製した。すなわち、原料粉末としていずれも平均粒径０．５μｍおよび純度９９．９％以上を有する市販のＺｎＯ粉末、Ｇａ2Ｏ3粉末を用意した。これら原料粉末をＺｎＯが９９．５質量％、Ｇａ2Ｏ3が０．５質量％の割合になるように配合し、得られた配合粉末を純粋とともにボールミルにて湿式混合し、混合粉末を得た。
【００５１】
得られた混合粉末を乾燥した後、ゴム型に充填し、２Ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力をかけて冷間静水圧プレスすることにより成形体を作製し、この成形体を直径１８０ｍｍ、厚さ２０ｍｍの寸法を有する円板状成形体に加工し、円板状成形体を得た。得られた円板状成形体を大気中１４００℃で加熱し、理論密度比９５％以上の焼結体を作製した。さらに、得られた焼結体を研削して、直径１２５ｍｍ、厚さ１０ｍｍの寸法を有するＧＺＯ系のスパッタリングターゲットを作製した。ターゲットの組成は、ＩＣＰ分析でＧａ2Ｏ3が０．５質量％、ＺｎＯが９９．５質量％である。
【００５２】
各実施例および比較例におけるスパッタリングターゲットの表面粗さの調整方法は、たとえば以下の通りである。すなわち、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を主成分とする研削剤（粗さはＪＩＳ規定で＃４６）をブラスト粒として、ブラストの噴射圧０．３±０．０５ＭＰａ、ブラスト時間３０〜９０秒で、ブラスト加工を行う。噴射圧およびブラスト時間は、使用するブラスト装置によって変動する。
【００５３】
スパッタリングターゲットのブラスト加工しない部分には、塩化ビニル板で作成されたマスクを固定する。マスキングは、粘着テープ、金属マスク、その他によっても可能である。ブラストによって、研削剤のパーティクルがターゲットに付着することがあるが、超音波洗浄によりこれを除去する。
【００５４】
【表３】
0005540948.tif 000004
【００５５】
そして、これら実施例Ｂ１〜Ｂ４および比較例Ｂ１〜Ｂ６の各スパッタリングターゲットを、ＤＣスパッタ装置による電力密度１０Ｗｈ／ｃｍ2、スパッタ時間１時間、積算電力量１０ＷＨｒ／ｃｍ2のスパッタリングに用いる評価試験を行った。各スパッタリングターゲットは、ボンディング後に、予めＸ線での透過像でボンディング欠陥、クラック、ヒビのないことを確認しておく。スパッタリング時の異常放電の発生回数、ターゲットのクラックの発生の有無、スパッタリングによって付着した膜の剥離の有無を表４に示す。
【００５６】
【表４】
0005540948.tif 000005
【００５７】
なお、クラックの発生の有無の確認は、ターゲットを超音波洗浄後に目視で行った。また、異常放電の回数は、上記スパッタ中の積算アーキング回数をカウントした。
【００５８】
実施例Ｂ１〜Ｂ３のスパッタリングターゲットは、異常放電、クラック、付着膜の剥離がいずれもなく、成膜性能を低下させることなく長時間にわたるマグネトロンスパッタリングによる成膜が可能であることが確認できた。
【００５９】
実施例Ｂ４は、第１非エロージョン領域がスパッタリングターゲットの端縁部から離間せずに設けられている。すなわち、スパッタリングターゲットの端縁部の表面粗さが大きい。外観からクラックは見られなかったが、端縁部まで表面粗さが大きい影響で、２回の異常放電が生じた。
【００６０】
第２非エロージョン領域の幅が小さすぎる比較例Ｂ１のスパッタリングターゲットは、スパッタリングの際に処理時間が経過すると異常放電が３回発生した。また、再スパッタが生じたため、パーティクルが発生し、スパッタ膜を汚染する原因となるおそれがある。
【００６１】
第２非エロージョン領域の幅が大きすぎる比較例Ｂ２のスパッタリングターゲットは、第２非エロージョン領域に付着した膜が剥離したため、この剥離物がパーティクルとなって処理基板を汚染するおそれがある。
【００６２】
エロージョン領域の表面粗さおよび非エロージョン領域の表面粗さが大きすぎる比較例Ｂ３のスパッタリングターゲットは、第２非エロージョン領域において異常放電が５７回発生した。
【００６３】
第１非エロージョン領域の表面粗さが小さすぎる比較例Ｂ４のスパッタリングターゲットは、第１非エロージョン領域に付着した膜がスパッタリングによって剥離したため、この剥離物がパーティクルとなって処理基板を汚染するおそれがある。
【００６４】
第１非エロージョン領域の表面粗さが大きすぎる比較例Ｂ５のスパッタリングターゲットは、異常放電が２１回発生した。また、ターゲット表面に崩れが発生した。
【００６５】
エロージョン領域の表面粗さが大きすぎる比較例Ｂ６のスパッタリングターゲットは、エロージョン領域において異常放電が９８回発生した。
【００６６】
以上のように、本発明に係る実施例のＧＺＯ系のスパッタリングターゲットによれば、異常放電、クラック、付着膜の剥離がほとんどなく、成膜性能を低下させることなく長時間にわたるマグネトロンスパッタリングによる成膜が可能であることが確認できた。
【符号の説明】
【００６７】
１０  スパッタリングターゲット
１０ａ  表面
１０ｂ  矩形孔
１０ｃ  端縁部
２０  エロージョン領域
２１  非エロージョン領域
２１ａ  第１非エロージョン領域（粗面領域）
２１ｂ  第２非エロージョン領域（平滑面領域）
２１ｃ  平滑端縁領域
１００  マグネトロンスパッタリング装置
１０１  真空チャンバ
１０１ａ  ガス導入口
１０１ｂ  ガス排出口
１０２  処理基板
１０３  ステージ
１０４  ターゲットホルダ
１０５  マグネット
１０６  外部電源
【図１】
0005540948.tif 000006
【図２】
0005540948.tif 000007
【図３】
0005540948.tif 000008