(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、
前記基材の前記第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、
前記基材の前記第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、
を備え、
前記第一の粗膜化層と前記第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、
前記第一の粗膜化層の厚みは前記第二の粗膜化層の厚みより大きい、コンデンサ用電極箔。
【請求項２】
両面に誘電体層が形成された陽極箔と、
前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、
この固体電解質層上に配置された陰極層と、を備えたコンデンサ素子と、
前記陽極箔および前記陰極層をそれぞれ外部へ引き出す陽極端子および陰極端子と、
これらの陽極端子および陰極端子の一部を露出させるように前記コンデンサ素子を覆う外装体とを備え、
前記陽極箔は、
第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、
前記基材の前記第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、
前記基材の前記第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、
を備え、
前記第一の粗膜化層と前記第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、
前記第一の粗膜化層の厚みは前記第二の粗膜化層の厚みより大きく、
前記誘電体層は、前記第一の粗膜化層および第二の粗膜化層上に形成されている、コンデンサ。
【請求項３】
両面に誘電体層が形成された陽極箔と、陰極箔とを、セパレータを介して対向させ、巻回したコンデンサ素子と、
このコンデンサ素子に含浸させている陰極材料と、
前記コンデンサ素子を収容するケースと、
このケースを封止する封止部と、
前記陽極箔および陰極箔をそれぞれ前記ケースの外部へ引き出す陽極端子及び陰極端子とを備えたコンデンサであって、
前記陽極箔は、
第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、
前記基材の前記第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、
前記基材の前記第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、
を備え、
前記第一の粗膜化層と前記第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、
前記第一の粗膜化層の厚みは前記第二の粗膜化層の厚みより大きく、
前記誘電体層は、前記第一の粗膜化層および前記第二の粗膜化層上に形成されている、コンデンサ。
【請求項４】
両面に誘電体層が形成された陽極箔と、陰極箔とを、セパレータを介して対向させ、巻回したコンデンサ素子と、
このコンデンサ素子に含浸させている陰極材料と、
前記コンデンサ素子を収容するケースと、
このケースを封止する封止部と、
前記陽極箔および陰極箔をそれぞれ前記ケースの外部へ引き出す陽極端子及び陰極端子とを備えたコンデンサであって、
前記陰極箔は、
第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、
前記基材の前記第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、
前記基材の前記第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、
を備え、
前記第一の粗膜化層と前記第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、
前記第一の粗膜化層の厚みは前記第二の粗膜化層の厚みより大きい、コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ用電極箔及びコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は電解コンデンサの電極箔１を模式的に表した断面図である。
【０００３】
この電極箔１は、アルミニウム箔からなる基材２と、この基材２上に形成された粗膜化層３とを備えている。粗膜化層３は、アルミニウムからなる微粒子４が積み重なり、内部に多数の空孔を有する疎な構造である。そして粗膜化層３は、膜厚が２０〜４０μｍ程度の厚い膜である。このように粗膜化層３を疎で厚い膜とすることによって、電極箔１の表面積を増やし、大容量のコンデンサを実現することができる。
【０００４】
なお、この出願の発明に近似する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２５８３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような蒸着による粗膜化層３を基材２の両面に形成すれば、蒸着プロセスにおいて、粗膜化層３がダメージを受けることがある。
【０００７】
その理由は、一方の面に粗膜化層３を形成する工程で、他方の面に形成された粗膜化層３が輻射熱の影響を受けるからである。このように粗膜化層３が輻射熱を受けると、微粒子４どうしが結合して肥大化したり、空孔が潰れたりする等のダメージを生じ、結果として電極箔１の表面積が小さくなって静電容量が低下するのである。
【０００８】
そこで本発明は、ダメージの少ない電極箔を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そしてこの目的を達成するため本発明は、第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、基材の第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、基材の第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、を備え、第一の粗膜化層と第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、第一の粗膜化層の厚みは第二の粗膜化層の厚みより大きいものとした。
【発明の効果】
【００１０】
これにより本発明は、ダメージの少ない電極箔を実現できる。
【００１１】
その理由は、上記の構成により、第一の粗膜化層、第二の粗膜化層のいずれを先に形成しても、後で蒸着する方の粗膜化層が受ける輻射熱を抑制できるからである。
【００１２】
すなわち、先に厚い第一の粗膜化層を形成しておけば、薄い第二の粗膜化層のダメージを防ぐことができるとともに、薄い第二の粗膜化層を形成する工程は短いため、第一の粗膜化層のダメージを低減できる。あるいは先に薄い第二の粗膜化層を形成しておけば、厚い第一の粗膜化層のダメージを防ぐことができ、厚い第一の粗膜化層を形成する工程で第二の粗膜化層がダメージを受けても、第二の粗膜化層は薄いため、ダメージの総量としては低減できる。
【００１３】
以上より本発明は、ダメージの少ない電極箔を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１におけるコンデンサの斜視図
【図２】（ａ）本発明の実施例１におけるコンデンサ素子の平面図、（ｂ）同コンデンサ素子の断面図（図２（ａ）のＸ−Ｘ断面）
【図３】本発明の実施例１における電極箔の模式断面図
【図４】本発明の実施例１における電極箔の模式断面図
【図５】本発明の実施例１における電極箔の製造装置の構成を示した要部概念図
【図６】本発明の実施例１における電極箔のＳＥＭ写真
【図７】本発明の実施例１における電極箔のＳＥＭ写真
【図８】本発明の実施例１における別の例の電極箔の製造装置の構成を示した要部概念図
【図９】本発明の実施例２におけるコンデンサの一部切欠き斜視図
【図１０】従来の電極箔の模式断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施例１）
本実施例では、電極箔およびこの電極箔を用いたコンデンサについて説明する。
【００１６】
本実施例のコンデンサは、陰極材料として導電性高分子を用い、陽極と陰極とを積層させた積層型固体電解コンデンサである。またこのコンデンサは、耐電圧１００Ｖ未満の低圧用である。
【００１７】
図１は複数のコンデンサ素子５が積層されたコンデンサ６の斜視図である。図２（ａ）はコンデンサ素子５の平面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）に示すコンデンサ素子５のＸ−Ｘ断面図である。
【００１８】
図２（ｂ）に示すように、本実施例の陽極箔となる電極箔７は、アルミニウム箔からなる基材８と、この基材８の第一の面８Ａおよび第二の面８Ｂにそれぞれ設けられた第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０とを備えている。
【００１９】
またこれらの第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０上には、それぞれ第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２が形成されている。
【００２０】
そして第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２上には、それぞれ第一の固体電解質層１３および第二の固体電解質層１４が形成され、第一の固体電解質層１３および第二の固体電解質層１４上には、それぞれ第一の陰極層１５および第二の陰極層１６が設けられている。
【００２１】
第一の陰極層１５及び第二の陰極層１６は、それぞれカーボン層と、このカーボン層上に設けられた銀ペースト層で構成されている。
【００２２】
本実施例では、基材８および第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０は、アルミニウムで形成したが、チタンやその他弁作用金属、もしくはこれらの金属を主成分とした合金などで形成してもよい。
【００２３】
そして基材８上には電極箔７を陽極電極部１７と陰極形成部とに分離する絶縁性のレジスト部２２が設けられ、前述の第一の固体電解質層１３、第二の固体電解質層１４、第一の陰極層１５、第二の陰極層１６は、陰極形成部上に設けられ、第一の固体電解質層１３と第一の陰極層１５、第二の固体電解質層１４と第二の陰極層１６でそれぞれ陰極電極部１８を構成している。
【００２４】
すなわち本実施例では、電極箔７の長手方向（図２（ａ）の矢印Ｐ方向）の一方の端部側は陽極電極部１７であり、他方の端部側に陰極電極部１８が配置される。
【００２５】
また本実施例では、図１に示すように、陽極端子１９上に陽極電極部１７が配置されるように複数のコンデンサ素子５が積層され、これらの陽極電極部１７はレーザ溶接などの接合方法で接合されている。具体的には、溶接により陽極電極部１７の第一の誘電体層１１、第二の誘電体層１２の部分が破壊されて、電極箔７が陽極端子１９に接合されて電気的に接続されている。
【００２６】
さらに陰極電極部１８は、陰極端子２０の素子搭載部分に配置されている。複数のコンデンサ素子５の陰極電極部１８間は導電性接着剤で接合されて電気的に接続されている。
【００２７】
陽極端子１９は陽極電極部１７を外部へ引き出し、陰極端子２０は陰極電極部１８を外部へ引き出すものである。
【００２８】
また陽極端子１９および陰極端子２０のそれぞれの一部が外部に露出するように、絶縁性の樹脂材料からなる外装体２１で、複数のコンデンサ素子５を一体的に被覆している。
【００２９】
図３はコンデンサ素子５の電極箔７の要部を示す模式断面図である。
【００３０】
本実施例では、第一の粗膜化層９は、第二の粗膜化層１０よりも厚く形成している。第一の粗膜化層９と第二の粗膜化層１０は、蒸着により形成し、それぞれの厚みは２０μｍ以上８０μｍ以下とした。２０μｍ以上とすることにより、静電容量を大きくできる。また８０μｍ以下とすることにより、後述する蒸着プロセスで高精度に形成できる。さらに第一の粗膜化層９の厚みｔ1と第二の粗膜化層１０の厚みｔ2の差は、厚い第一の粗膜化層９の厚みの１０％以上設けることによって、より第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０のダメージを低減できる。
【００３１】
また第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０は、図４に示すように、アルミニウムからなる複数の微粒子２３が基材８上に不規則に積み重なり、複数に枝分かれしながら伸びていくツリー状の構造体であって、これらの内部には多数の空孔がある。これらの空孔は、外部と繋がっているため、第一、第二の粗膜化層９、１０の表面積は非常に大きくなり、電極箔７の大容量化に寄与する。なお、図４では図示していないが、図２（ｂ）の第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２は、複数の微粒子２３の結合部分を除き、これらの微粒子２３の外表面を覆うように形成されるものであり、例えば熱酸化によって形成される。
【００３２】
なお、本実施例では、微粒子２３はアルミニウムからなるが、チタンやその他の弁作用金属で構成してもよく、これらの金属の合金で形成してもよい。また微粒子２３間が電気的に導通していればよいので、微粒子２３の一部が酸化物や窒化物となっていてもよいものとする。
【００３３】
本実施例では、微粒子２３の平均粒子径は０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下とした。また空孔径の最頻値は、０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下とした。微粒子２３の平均粒子径は、水平断面を写したＳＥＭ写真から求めることができる。また空孔径は、水銀圧入法を用いて次式（数１）によって求めることができる。空孔径の最頻値は、（数１）によって求めた空孔径分布のピーク値である。
【００３４】
【数１】
0005423454.tif 000002
【００３５】
上記（数１）において、Ｐは加える圧力、Ｄは空孔径（直径）、γは水銀の表面張力（４８０  ｄｙｎｅ・ｃｍ-1）、θは水銀と細孔壁面の接触角である。また、電極箔７の空隙率は、その重量と蒸着材料（本実施例ではアルミニウム）の密度との換算によって求めることができ、本実施例では５０％〜８０％である。
【００３６】
以上のように本実施例では、蒸着による微粒子２３としては比較的大きな微粒子２３となるが、微粒子２３の表面積が大きくなる分、基材８と微粒子２３との密着性が高まる。また第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０の機械的強度が高まる。
【００３７】
なお、一般的に低圧用の電解コンデンサに用いられるような、交流エッチングで基材の表面を粗膜化した電極箔は、空孔径が０．１５μｍ程度である。したがって、本実施例では、電極箔７の空孔径の最頻値を０．１０μｍより大きく、０．２０μｍ以下とすることで、エッチングとほぼ同等の空孔径となる。さらに本実施例では、蒸着により微粒子２３を積層させていくため、エッチングと比べて空孔のアスペクト比を容易に大きくすることができ、大容量化を実現できる。またエッチングと異なり、蒸着法では大量の溶液を用いることが無い為、生産コストが少なくなるとともに、廃液の低減にも寄与する。
【００３８】
本実施例の電極箔７の製造方法を以下に説明する。
【００３９】
はじめに、厚み３０μｍ程度の弁作用金属箔の基材８を０．０１Ｐａ〜０．００１Ｐａの真空に保たれた蒸着槽（図示せず）内に配置する。次に、基材８の周辺に１体積部の酸素ガスよりなる活性ガスと４体積部〜６体積部のアルゴンガスよりなる不活性ガスを流入して、基材８の周辺での圧力を１０Ｐａ〜２０Ｐａに保ち、基材８の温度を２００℃〜３００℃の範囲に保つ。その状態で、蒸着槽内に蒸着源としてアルミニウム材を配設し、アルミニウムを基材８の上面および下面に真空蒸着させて、アルミニウムの微粒子２３よりなる第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０を形成する。
【００４０】
このように形成された第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０の空孔径の最頻値は０．１０μｍより大きく、０．２０μｍ以下であり、第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０により電極箔７の表面積が大きくなる。また、第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０を複数のツリー構造体とすることにより、より多くのポリマー液等の液体を含浸させることができる。
【００４１】
さらに、第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０の複数のツリー状の構造体では、個々の微粒子２３が互いに強固に結合しているので、微粒子２３間のネッキング部の破壊を抑制することができる。これにより、後述の第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２を形成する化成工程時にネッキング部が破壊されることがなくなり、電極箔７の機械的強度を大きくできるのみならず、完成品のコンデンサ６の容量低下を抑制することができる。
【００４２】
次にこの電極箔７を７０℃の７％アジピン酸アンモニウム水溶液に入れ、化成電圧５Ｖ、化成電流０．０５Ａ／ｃｍ2で保持時間２０分だけ保持して化成し、電極箔７の両面に第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２を形成した。
【００４３】
次に、第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２上にピロールモノマーを電解重合することにより第一、第二の固体電解質層１３、１４を形成し、その後、第一、第二の固体電解質層１３、１４にカーボンと銀ペーストを塗布することにより第一の陰極層１５および第二の陰極層１６を形成した。
【００４４】
図５は本実施例における電極箔７を製造するための製造装置の要部概念図である。
【００４５】
真空ポンプ（図示せず）に連結された真空槽（図示せず）内には、帯状の基材８を巻き回した巻き出しローラ２４と、巻き出しローラ２４から供給された基材８に第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０を蒸着により形成した後、この基材８を巻き取る巻き取りローラ２５とを有する。
【００４６】
すなわち基材８は巻き出しローラ２４から巻き取りローラ２５まで設けられた搬送経路（矢印Ｑ１、Ｑ２）を所定の速度で搬送される。
【００４７】
また反転部２６は、巻き出しローラ２４から巻き取りローラ２５までの搬送経路Ｑ１とＱ２との間に設けられ、基材８の第一の面８Ａと第二の面８Ｂを１８０度反転させる。
【００４８】
搬送経路Ｑ１、Ｑ２に沿って設けられた遮蔽板２７は基材８の下方に配設される。遮蔽板２７には開口部２８Ａ、２８Ｂが設けられている。開口部２８Ａは、反転部２６の上流、すなわち反転部２６と巻き出しローラ２４との間の搬送経路Ｑ１に位置している。開口部２８Ｂは、反転部２６の下流、すなわち反転部２６と巻き取りローラ２５との間の搬送経路Ｑ２に位置している。開口部２８Ａの下方には、アルミニウムを加熱して蒸発させるための複数の蒸着ボート２９が配設されている。開口部２８Ｂの下方には、アルミニウムを加熱して蒸発させるための少なくとも１つの蒸着ボート２９が配設されている。開口部２８Ａと蒸着ボート２９により一次蒸着部３０を構成し、開口部２８Ｂと蒸着ボート２９は二次蒸着部３１を構成している。
【００４９】
開口部２８Ａの面積は開口部２８Ｂの面積より大きい。一次蒸着部３０の複数の蒸着ボート２９の数は二次蒸着部３１の少なくとも１つの蒸着ボート２９より多い。
【００５０】
また仕切板３２は一次蒸着部３０の蒸着ボート２９を二次蒸着部３１の蒸着ボート２９から分離する。これにより、一次蒸着部３０での蒸着プロセスと二次蒸着部３１での蒸着プロセスとが互いに影響しあうことを抑制する。
【００５１】
本実施例によるコンデンサ用電極箔７の製造装置の動作を説明する。第一の面（図２（ｂ）の図番８Ａ）が下方すなわち開口部２８Ａと蒸着ボート２９に対向するように巻き出しローラ２４から基材８を供給する。一次蒸着部３０で基材８の第一の面８Ａ上にアルミニウムを蒸着して第一の粗膜化層９を形成する。その後、反転部２６は基材８を上下反転して、第二の面８Ｂが下方すなわち開口部２８Ｂと蒸着ボート２９に対向するように基材８を搬出する。その後、二次蒸着部３１で基材８の第二の面８Ｂ上にアルミニウムを蒸着して第二の粗膜化層１０を形成して電極箔７を作製する。その後、作製された電極箔７を巻き取りローラ２５で巻き取る。
【００５２】
ここで基材８の両面に粗膜化層を順次形成すると、先に形成した粗膜化層が、後で形成された粗膜化層を形成する際の輻射熱によってダメージを受け易い。これにより、先に形成された粗膜化層の微粒子２３の径が大きくなって、コンデンサ６の容量を低下させる場合がある。
【００５３】
図６と図７はそれぞれ２００℃と３００℃の輻射熱を受けた電極箔７の粗膜化層を示し、ＳＥＭで同じ拡大倍率で撮影した写真である。図６に示す粗膜化層と比較して図７に示す粗膜化層では微粒子２３の直径がより大きくなっている。３００℃の温度で加熱した電極箔７を備えたコンデンサ６の容量は、２００℃の温度で加熱した電極箔７を備えたコンデンサ６の容量の８０％であった。実際の輻射熱による温度は３００℃を超えるので、微粒子２３の径はさらに大きくなり、コンデンサ６の容量はさらに小さくなる。
【００５４】
これに対し本実施例では、一次蒸着部３０の遮蔽板２７の開口部２８Ａの面積が二次蒸着部３１の遮蔽板２７の開口部２８Ｂより大きく、かつ一次蒸着部３０の蒸着ボート２９の数が二次蒸着部３１の蒸着ボート２９の数より多い。したがって、一次蒸着部３０で形成された第一の粗膜化層９の厚み（図３の厚みｔ1）は、二次蒸着部３１で形成された第二の粗膜化層１０の厚みｔ2より大きくなる。
【００５５】
このように、本実施例による製造装置での製造方法では、厚みの大きい第一の粗膜化層９を先に形成し、その後、第一の粗膜化層９より厚みの小さい第二の粗膜化層１０を形成する。この場合も第二の粗膜化層１０を形成する際に、第一の粗膜化層９は二次蒸着部３１で輻射熱を受ける。しかし基材８が二次蒸着部３１を通過する時間は一次蒸着部３０を通過する時間より短いので、基材８が二次蒸着部３１で受ける輻射熱は一次蒸着部３０で受ける輻射熱より小さい。したがって、先に形成された厚い方の第一の粗膜化層９が、薄い方の第二の粗膜化層１０を形成する際に発生する輻射熱によるダメージを低減することができ、微粒子２３の直径の増大、あるいは空孔の破壊による容量の減少を低減することができる。したがって、第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０を安定して形成することができる。
【００５６】
なお、上述のように、輻射熱によるダメージを考慮すると、粗膜化層は基材８の片面のみに形成することが好ましい。しかし、量産性、設備上の課題、または化成液、重合液の含浸しやすさを考慮すると、片面における粗膜化層の厚みは、現状の技術では最大でも８０μｍ程度である。
【００５７】
したがって、２０μｍ以上の厚みの粗膜化層（第一、第二の粗膜化層９、１０）を基材８両面に形成し、第一の粗膜化層９の厚みｔ1および第二の粗膜化層１０の厚みｔ2の差を厚みｔ1の１０％以上とするとともに、第一の粗膜化層９の厚みｔ1が８０μｍを超えない範囲で可能な限り大きくすることが好ましい。
【００５８】
なお、上記製造装置では、先に第一の粗膜化層９を形成したが、先に第二の粗膜化層１０を形成してもよい。この場合は、例えば図８に示すように、二次蒸着部３１の遮蔽板２７の開口部２８Ｂは、一次蒸着部３０の遮蔽板２７の開口部２８Ａよりも大きくするとともに、二次蒸着部３１の蒸着ボート２９の数を一次蒸着部３０の蒸着ボート２９の数よりも多くすればよい。
【００５９】
このように、先に第二の粗膜化層１０を形成した場合も電極箔７のダメージを低減できる。すなわち、先に第二の粗膜化層１０を形成する場合、第二の粗膜化層１０を形成する段階では、第一の粗膜化層９を形成していないため、厚い第一の粗膜化層９が輻射熱を受けるのを防ぐことができる。そしてその後の第一の粗膜化層９を形成する段階では、第二の粗膜化層１０は輻射熱を受けるが、第二の粗膜化層１０はもともと薄い膜であるため、電極箔７全体のダメージとしては小さく抑えることができる。
【００６０】
以上より本実施例では、第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０の厚みを異ならせることによって、いずれを先に形成しても、電極箔７全体が受けるダメージを低減することができる。
【００６１】
なお、本実施例では、第一の粗膜化層９、第二の粗膜化層１０の微粒子２３の平均粒子径は空孔径とほぼ同等の０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下としたため、比較的大きな微粒子２３である。したがって、機械的強度が大きく、また表面積が大きいため、基材８との密着性にも優れるが、これ以上微粒子２３が大きくなったり、あるいは空孔径が小さくなったりすると、容量低下を招き、小型大容量のコンデンサ６を実現できなくなる。したがって、本実施例のように、蒸着プロセスにおいて、第一の粗膜化層９および第二の粗膜化層１０のダメージを低減できる構成は、電極箔７を安定して製造する上で非常に有用である。
【００６２】
なお、本実施例では、コンデンサ６として、電極箔７で構成される陽極電極部１７と陰極電極部１８とを積層させた積層型の固体電解コンデンサを例に挙げて説明したが、巻回型の固体電解コンデンサの電極箔７としても用いることができる。
【００６３】
この巻回型の固体電解コンデンサとは、両面に誘電体層が形成された陽極箔と、陰極箔とを、セパレータを介して対向させ、巻回したコンデンサ素子に、陰極材料を含浸させ、有底円筒形のケースに収容したものである。陽極箔および陰極箔の電極は、それぞれ陽極端子及び陰極端子でケースの外部へ引き出され、陽極端子、陰極端子を露出させた状態でケースは封止される。コンデンサ素子に含浸させる陰極材料としては、導電性高分子でもよく、その他有機半導体でもよい。
【００６４】
これらの陰極材料は、コンデンサ素子を巻回させた後、含浸させてもよく、巻回させる前段階で含浸させてもよい。
【００６５】
そしてこの陽極箔あるいは陰極箔、もしくは双方に、上述の電極箔７を用いることができる。電極箔７を陽極箔として用いる場合は、第一の粗膜化層９上及び第二の粗膜化層１０上にそれぞれ第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２を形成する。電極箔７を陰極箔として用いる場合は、第一の誘電体層１１および第二の誘電体層１２を薄く形成してもよく、形成しなくともよい。
【００６６】
（実施例２）
図９に示す本実施例のコンデンサ３３は、図３、図４に示す電極箔７を、陽極箔および陰極箔として用いた巻回型電解コンデンサである。このコンデンサ３３は、陰極材料として電解液を用いている。またこのコンデンサ３３は、耐電圧１００Ｖ以上の中・高圧用である。
【００６７】
このコンデンサ３３は、両面に誘電体層（図示せず）を備えた陽極箔３４と、陰極箔３５とを、セパレータ３６を介して対向させ、巻回させたコンデンサ素子３７と、このコンデンサ素子３７に含浸させている電解液と、コンデンサ素子３７を収容する有底円筒形のケース３８と、このケース３８を封止する封止部３９と、陽極箔３４および陰極箔３５を、ケース３８の外部へ引き出す陽極端子４０および陰極端子４１とを備えている。
【００６８】
そして陽極箔３４は、実施例１の電極箔７と同様に、第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、基材の第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、基材の前記第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、を備え、第一の粗膜化層と第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、第一の粗膜化層９の厚みは第二の粗膜化層１０の厚みより大きいものである。
【００６９】
そして誘電体層は、実施例１と同様に、第一の粗膜化層９上に形成された第一の誘電体層と、第二の粗膜化層上に形成された第二の誘電体層とを有している。
【００７０】
これにより本実施例では、第一の粗膜化層および第二の粗膜化層のいずれを先に形成しても、ダメージの少ない陽極箔３４を形成する事ができる。
【００７１】
なお、従来の中高圧用の電解コンデンサでは、電極箔の静電容量を大きくするため、基材の表面を粗膜化しているが、低圧用の電解コンデンサよりも高い耐電圧性が求められる為、厚い誘電体層を形成する必要がある。したがって、中高圧用の電解コンデンサでは、基材を直流エッチングして、表面に直径が１．０μｍ前後、深さ３０μｍ〜４０μｍ程度のトンネル状のピットを形成し、粗膜化していた。このような直流エッチングを用いると、アスペクト比を大きくすることは難しく、大容量化に限界があった。これに対し本実施例では、蒸着により微粒子２３を積層させればよいため、容易にアスペクト比を大きくすることができ、大容量化を実現できる。
【００７２】
また本実施例では、空孔径の最頻値を０．１０μｍより大きく、０．２０μｍ以下としたため、直流エッチングによって形成されたエッチング箔よりも表面積を拡大することができ、コンデンサ６の小型大容量化を実現できる。
【００７３】
また本実施例では、エッチングと異なり、大量の溶液が不要なため、生産コストおよび廃液を低減できる。
【００７４】
さらに本実施例では、陰極箔３５も、第一の面と、この第一の面と対向する第二の面とを有する弁作用金属箔からなる基材と、基材の第一の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第一の粗膜化層と、基材の前記第二の面に蒸着によって形成された弁作用金属よりなる第二の粗膜化層と、を備え、第一の粗膜化層と第二の粗膜化層の空孔径の最頻値が０．１０μｍより大きく０．２０μｍ以下であり、第一の粗膜化層の厚みは第二の粗膜化層の厚みより大きいものである。
【００７５】
これにより本実施例では、第一の粗膜化層、第二の粗膜化層のいずれを先に形成しても、陰極箔３５のダメージを低減できる。
【００７６】
なお、陰極箔３５の第一の粗膜化層上および第二の粗膜化層上には、誘電体層を形成しなくてもよいが、適宜形成してもよいものとする。
【００７７】
なお、本実施例では、陽極箔３４および陰極箔３５のいずれも、基材の両面に蒸着により微粒子を積層させた電極箔を用いたが、例えばいずれか一方はエッチングにより表面積を拡大した電極箔や、粗膜化されていないプレーン箔を用いてもよい。
【００７８】
また陰極箔３５と陽極箔３４の材料は、同じでもよく、異なるものを用いてもよい。
【００７９】
なお、本実施例では、陽極箔３４と陰極箔３５とをセパレータを介して巻回したが、巻き回さず、積層させた状態で用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明による電極箔は蒸着により安定して製造できる粗膜化層を有し、大容量のコンデンサに有用である。
【符号の説明】
【００８１】
５  コンデンサ素子
６  コンデンサ
７  電極箔
８  基材
８Ａ  第一の面
８Ｂ  第二の面
９  第一の粗膜化層
１０  第二の粗膜化層
１１  第一の誘電体層
１２  第二の誘電体層
１３  第一の固体電解質層
１４  第二の固体電解質層
１５  第一の陰極層
１６  第二の陰極層
１７  陽極電極部
１８  陰極電極部
１９  陽極端子
２０  陰極端子
２１  外装体
２２  レジスト部
２３  微粒子
２４  巻き出しローラ
２５  巻き取りローラ
２６  反転部
２７  遮蔽板
２８Ａ  開口部
２８Ｂ  開口部
２９  蒸着ボート
３０  一次蒸着部
３１  二次蒸着部
３２  仕切板
３３  コンデンサ
３４  陽極箔
３５  陰極箔
３６  セパレータ
３７  コンデンサ素子
３８  ケース
３９  封止部
４０  陽極端子
４１  陰極端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図６】
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【図７】
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