(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク用ガラス基板の内周端面研磨および／または外周端面研磨を行う際に、
磁気ディスク用ガラス基板の中央開口部に挿入して、磁気ディスク用ガラス基板の位置決めに用いる支持軸であって、
前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さＲａが０．９μｍ以下であり、
前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、前記支持軸の長さ方向に対して垂直な面で切断した場合の断面の真円度が１０μｍ以下であることを特徴とする支持軸。
【請求項２】
前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分が、硬質クロムまたはダイヤモンドライクカーボンによりコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載の支持軸。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の支持軸を用いて、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面および／または外周端面を研磨する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法により、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面および／または外周端面を研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持軸、磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法、および、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク記録装置等に使用されるドーナツ形状の磁気ディスク用基板として、近年、高密度記録化の要求から、平坦性や平滑性に優れるガラス基板が主に用いられている。【０００３】
磁気ディスク用ガラス基板（以下「ガラス基板」とも記載する）は、汚染物質の付着やＨＤＤ装置のスピンドル軸の擦接による磨耗やそれによるガラスや金属微粉の発生を抑制するため、その製造工程においてガラス基板の内外周端面をブラシ等で研磨加工することが一般的である。【０００４】
内周端面を研磨する際には、例えば、特許文献１に記載されているように、まず、ガラス基板の中央開口部（ガラス基板の中央部に設けられた開口部）を、支持軸に挿入することにより位置合わせをしながらガラス基板積層体を形成する。次いで、ガラス基板積層体をワークホルダに設置し、支持軸を抜き取り、ガラス基板積層体の中央孔に研磨ブラシを挿入して内周端面を研磨する方法が用いられている。【０００５】
また、外周端面を研磨する際には、磁気ディスク用ガラス基板の中央開口部に支持軸を挿入することにより、ガラス基板の位置合わせをし、さらに、ガラス基板積層体の内周部を支持軸で支持しつつ、外周端面部を研磨ブラシと接触させて外周端面研磨する方法が用いられている。【０００６】
しかしながら、これらの端面研磨工程においては、ガラス基板の位置合わせ、内周端面の支持を行う支持軸がガラス基板の内周端面を傷つけ、その強度を減じたり、逆にガラス基板が支持軸を傷つけたりして使用不可能にする、等の問題があった。【０００７】
係る問題に対応するため、例えば特許文献２には、支持軸を用いないガラス基板積層体用ワークホルダが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国特開２０１１−２３０２７６号公報
【特許文献２】日本国特開２０１２−００３８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、磁気ディスクの記録密度の高密度化に伴い、磁気記録用磁性層の成膜中、成膜前、または成膜後にガラス基板（または磁気ディスク）を３００〜４００℃に加熱する処理を行い記録再生特性を向上させる方法が用いられることがある。【００１０】
さらに、磁気ディスクの記録密度が極度の高密度化のため、熱揺らぎにより磁化が消失する問題が指摘されているが、この問題を克服するため、非常に高い抗磁力（保磁力）の磁性材料を用いた熱アシスト磁気記録等の新技術が提唱されている。この技術では、磁性膜としてＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金などを、基板温度を４００℃〜７００℃付近に加熱した状態で成膜する。【００１１】
上記の様に、磁気ディスクの記録密度を高密度化するためガラス基板を高温に加熱する必要がある場合、高耐熱性のガラス基板などが使用されているが、ガラス基板に対して急冷および／または急加熱を行う場合があり、従来よりもガラス基板にかかる熱衝撃は非常に大きくなってくる。ガラス基板の内周端面、または、その近傍にキズ等の欠陥があると、この熱衝撃により欠陥が拡大し、ガラス基板または磁気ディスク全体の機械特性が低下する、更にはガラス基板または磁気ディスク全体の破壊に至る可能性があり問題である。【００１２】
このように、磁気ディスクの記録密度の高密度化に伴い、従来よりもガラス基板にかかる熱衝撃は非常に大きくなっており、この熱衝撃により欠陥が拡大するため、従来では問題とされていなかった微小なキズ等の欠陥が内周端面、または、その近傍にあることが問題となってきている。【００１３】
ガラス基板の内周端面に微小なキズ等の欠陥が発生する原因の１つとして、ガラス基板の中央開口部に支持軸を挿入するとき、ガラス基板積層体から支持軸を抜き取るときに、支持軸がガラス基板の内周端面に与える衝撃がある。【００１４】
特許文献２には、ガラス基板の内周端面に衝撃を与えてしまう支持軸を用いないガラス基板積層体用ワークホルダが提案されているが、この方法では精度よくガラス基板の位置を合わせることが難しく、ガラス基板の加工精度（真円度、同芯度）を充分に満たすことができないおそれがあった。【００１５】
そこで、本発明は、高記録密度の磁気ディスクを製造する工程で大きな熱衝撃がガラス基板（または磁気ディスク）にかかる場合、ガラス基板または磁気ディスク全体の機械特性が低下してしまう問題に鑑み、ガラス基板の内周端面研磨および／または外周端面研磨を行う際に、ガラス基板の中央開口部に挿入して、ガラス基板の位置合せに用いる支持軸であって、ガラス基板の内周端面に与える衝撃が小さく、内周端面への微小なキズ発生を大幅に低減できる支持軸を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面研磨および／または外周端面研磨を行う際に、磁気ディスク用ガラス基板の中央開口部に挿入して、磁気ディスク用ガラス基板の位置決めに用いる支持軸であって、前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さＲａが０．９μｍ以下であり、前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、前記支持軸の長さ方向に対して垂直な面で切断した場合の断面の真円度が１０μｍ以下であることを特徴とする支持軸を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の支持軸によれば、ガラス基板の内周端面研磨および／または外周端面研磨を行う際、支持軸に対して磁気ディスク用ガラス基板（積層体）の着脱等を行っても、ガラス基板の内周端面への微小なキズ等の欠陥の発生を従来よりも大幅に低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、磁気ディスク用ガラス基板の説明図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る支持軸の説明図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る支持軸に磁気ディスク用ガラス基板積層体を支持した構成の概略説明図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態に係る支持軸を用いて磁気ディスク用ガラス基板積層体の外周端面を研磨する方法の説明図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスク用ガラス基板積層体の内周端面を研磨する際に用いるワークホルダの構成例の説明図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスク用ガラス基板積層体の内周端面を研磨するためのワークホルダに磁気ディスク用ガラス基板積層体を設置した構成の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００２０】
［第１の実施形態］
本実施の形態では、本発明の支持軸について説明を行う。
【００２１】
本発明の支持軸は、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面研磨および／または外周端面研磨を行う際に、磁気ディスク用ガラス基板の中央開口部に挿入して、磁気ディスク用ガラス基板の位置合せに用いる支持軸であって、前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが０．９μｍ以下であり、前記支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、前記支持軸の長さ方向に対して垂直な面で切断した場合の断面の真円度が１０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２２】
まず、磁気ディスク用ガラス基板の構成を説明する。図１にガラス基板の斜視断面図の例を示す。図１において、ガラス基板１は、主平面２の中心に中央開口部（以下、「内周」とも記載する）３を有するドーナツ形状を有している。
【００２３】
ガラス基板１の外周側の側面は外周端面４であり、中央開口部３の側面は内周端面７である。
【００２４】
外周端面４は、主平面２に対して９０度の角度を有する外周側面部５と、外周側面部５の上下に設けられ、主平面２と外周側面部５とに接する外周面取り部６とを含む。
【００２５】
内周端面７は、主平面２に対して９０度の角度を有する内周側面部８と、内周側面部８の上下に設けられ、主平面２と内周側面部８とに接する内周面取り部９とを含む。
【００２６】
次に、本発明の支持軸の概要について図２、図３を用いて説明する。
【００２７】
支持軸の形状については、支持するガラス基板積層体のサイズや、内周端面研磨、外周端面研磨用の装置の仕様等に応じて規定すれば良く限定されるものではないが、例えば、図２（Ａ）及び２（Ｂ）に示すような形状のものを用いることができる。
【００２８】
図２（Ａ）及び２（Ｂ）は、本発明の支持軸２０の側面図を示している。
【００２９】
支持軸２０は、内周支持部（軸部）２１と、固定部２２とを備えている。
【００３０】
内周支持部２１は、ガラス基板（積層体）の位置合せを行う際、ガラス基板の中央開口部に挿入し、ガラス基板の内周端面を支持する部分で、複数のガラス基板を内周支持部２１に装着することにより、ガラス基板の位置を合せ、ガラス基板の内周端面を支持し、ガラス基板積層体を形成することができる。
【００３１】
内周支持部２１は上記のようにガラス基板（積層体）の内周端面を支持し、位置合せを行うことから、ガラス基板の内周端面を支持する部分がガラス基板の中央開口部にあった形状すなわち円柱形状を有していることが好ましい。そして、ガラス基板の位置を精度良く合せるため、内周支持部２１のうち、ガラス基板（積層体）の内周端面を支持（保持）する部分は、ガラス基板の中央開口部との間隔が小さくなるように構成されていることが好ましい。すなわち両者のサイズが略同一であることが好ましい。
【００３２】
固定部２２は、内周支持部２１に挿入されたガラス基板、ガラス基板積層体の下面側を支持する部材である。このため、内周支持部２１と固定部２２の上面２３が形成する角度は直角になることが好ましい。また、その形状としては、特に限定されるものではなく、ガラス基板の下面側を支持できるように構成されていれば良い。具体的には、例えば円柱形状とし、その直径が支持するガラス基板の外周径と同じかそれよりも小さく、ガラス基板の中央開口部（内周）の直径よりも大きくなるように構成する場合が挙げられる。形状としては、それ以外にも立方体形状や、直方体形状、多角柱形状などが挙げられる。
【００３３】
図２（Ａ）では、固定部２２は内周支持部２１に固定されているが、図２（Ｂ）に示すように、例えば両者をねじ２４により固定し、内周支持部２１と固定部２２とを分離可能に構成することもできる。なお、図中では内周支持部２１側がめねじ、固定部２２側をおねじとしているが逆であっても良い。
【００３４】
また、図２（Ａ）では、固定部２２は、支持軸２０の長さ方向（図中上下方向）途中に設けられているが、図２（Ｂ）のように支持軸２０の端部に設ける構成とすることもできる。
【００３５】
さらに、支持軸２０には、上記部材に加えて、その一方又は両方の端部２５に、後述するように外周端面研磨装置に取り付ける際に用いる部材や、内周支持部２１に支持されたガラス基板積層体を固定部２２と上下方向から固定するための固定部材（クランプボルト等）を取り付けるための機構を設けることもできる。具体的には例えば図２（Ｂ）に示すようにねじ２６等を設けておくこともできる。なお、図２（Ｂ）では支持軸２０に設けたねじ２６はめねじとして記載しているが、おねじとすることもできる。
【００３６】
そして、本発明の支持軸２０については、支持軸のガラス基板の内周端面と接触する部分の表面の表面粗さＲａが０．９μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００３７】
ここで、支持軸２０でガラス基板（積層体）を支持した構成例を、図３を用いて説明する。
【００３８】
図３においては、支持軸２０に複数枚のガラス基板を装着し、形成したガラス基板積層体３１を支持軸２０で支持している状態の側面図を示している。
【００３９】
ガラス基板積層体３１を構成する各ガラス基板の間には、ガラス基板の主平面にキズが発生することを防ぐため、樹脂シート等からなる図示しないスペーサを配置することができる。また、図３に示すように、ガラス基板積層体３１の上下部には例えば樹脂シート等のダミープレート３２、３３（ワッシャー、座金と呼ぶことがある）を挿入することができる。係る部材を配置することにより、例えば、ガラス基板積層体３１と固定部２２が接触してガラス基板の主平面にキズが発生することを防止することができる。そして、図３に示すようにガラス基板積層体３１はその下面側を固定部２２によって支持され、内周端面を内周支持部２１によって支持されている。
【００４０】
ここで、上述した、支持軸２０のガラス基板の内周端面と接触する部分とは、支持軸２０にガラス基板を装着、または、支持軸２０からガラス基板を取り外す際にガラス基板の内周端面が支持軸２０と接触する部分のことを意味しており、図３において３４で示す範囲の支持軸（内周支持部２１）の側面部分のことを意味している。
【００４１】
例えば図３に示すように支持軸（内周支持部２１）の先端部３５が絞ってある(他の部分より細くなっている)場合には、係る範囲については表面粗さＲａを上記範囲としなくても良い。また、図３に示すように固定部２２の上部にダミープレート３２を配置する場合については、ダミープレート３２と接触する図３中３６で表わされる部分についても表面粗さＲａを上記範囲としなくてもよい。ただし、先端部３５についてもガラス基板を着脱する際接触する可能性があり、また、ダミープレート３２の厚さも用途によって変化する可能性もあることから、図３中３５、３６で表わされる部分についても表面粗さを０．９μｍ以下とすることが好ましい。すなわち、内周支持部２１の側面部分の表面粗さが０．９μｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
また、ここで説明した支持軸２０のガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さＲａとしては、０．８μｍ以下であることがより好ましく、０．６μｍ以下であることがさらに好ましく、０．４μｍ以下であることが特に好ましい。なお、これらの場合も、図３中３５、３６で表わされる部分についても、上記と同じ理由から同様の表面粗さＲａを有することが好ましい。
【００４３】
本発明の発明者らが、上記従来技術で説明した、高記録密度の磁気ディスクを製造する工程で、高温成膜工程等を経て従来より大きな熱衝撃が加えられることにより、ガラス基板に大きなクラックが生じたり、ガラス基板が破損したりする原因について検討したところ、ガラス基板の内周からクラックが伸展している、ガラス基板の破壊の起点がガラス基板の内周端面の近傍にあることを発見した。そして、さらに検討を進めたところ、その原因が内周端面研磨工程および／または外周端面研磨工程で用いられる支持軸２０の表面状態、特に表面粗さＲａにあることを見出した。
【００４４】
そこで上記知見に基づき、支持軸２０のガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さＲａが上記範囲を充足することによって、ガラス基板の内周端面部の微小なキズ等の欠陥を大幅に低減することが可能となることを見出したものである。そして、該支持軸２０を用いて端面研磨等の加工を行ったガラス基板に熱衝撃を加えた場合でも、ガラス基板の内周端面部の微小なキズ等の欠陥が拡大してガラス基板にクラックが生じたり、ガラス基板が破壊されたりする現象の発生を抑制することが可能になる。
【００４５】
表面粗さＲａを上記範囲とする方法としては特に限定されるものではないが、支持軸２０のうち該当する部分について形状加工した後、研削加工を行ったり、研磨工程を行ったりする際に目の細かい砥石、砥粒を用いて行うことにより達成できる。
【００４６】
なお、支持軸のガラス基板の内周端面と接触する部分以外については表面粗さＲａの値は限定されるものではなく、任意の表面粗さＲａとすることができる。
【００４７】
さらに、本発明の支持軸は、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、支持軸の長さ方向に対して垂直な面で切断した場合の断面の真円度が１０μｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
ここで、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、支持軸の長さ方向に対して垂直な面で切断した場合の断面とは、例えば、図２の支持軸２０（内周支持部２１）においてＡ−Ａ´線で切断した場合の断面を意味している。
【００４９】
また、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分とは、表面粗さＲａについて説明した場合と同様の部分を意味しており、図３において３４で示す範囲の支持軸（内周支持部２１）の部分のことを意味している。また、図３において、３５、３６で示される部分を含む部分、すなわち、内周支持部２１全体について係る規定を充足することがより好ましい。
【００５０】
上記真円度としては、５μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以下であることがさらに好ましく、３μｍ以下であることが特に好ましい。
【００５１】
これは、真円度が上記範囲を満たすことによって、支持軸にガラス基板を装着する際や、支持軸からガラス基板を取り外す際にガラス基板の内周端面が支持軸に引っ掛かる等による衝撃がガラス基板の内周端面に微小キズなどの欠陥を発生させることをさらに抑制できるためである。さらには、該支持軸を用いて加工したガラス基板に熱衝撃を加えた場合でも、ガラス基板の内周端面の微小キズなどの欠陥が拡大することなどによって発生するクラック、ガラス基板が破壊される現象を抑制できるためである。
【００５２】
支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、支持軸の長さ方向に対して垂直な面で切断した場合の断面の真円度を上記範囲とする方法については特に限定されるものではないが、例えば支持軸を形成する際の加工精度を高めることによって、係る範囲とすることが可能である。
【００５３】
また、本発明の支持軸は、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分（の表面）が、硬質クロム又はダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとも記載する）によりコーティングされていることが好ましい。
【００５４】
支持軸２０にガラス基板を装着又は取り出す際、支持軸２０の表面にガラス基板が接触しキズを生じる場合があるが、支持軸２０の表面にキズが生じると、ガラス基板を装着した場合に位置合せの精度が低下したり、ガラス基板の内周端面にキズを与えたりする場合がある。このため、上記のように支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面に、硬質クロム又はＤＬＣによりコーティングすることにより、支持軸表面にキズが発生することを防止することができ、さらにはガラス基板の内周端面へのキズの発生を抑制することができる。
【００５５】
なお、硬質クロムとは、ビッカーズ硬度が８００以上である金属クロムを主成分として含有する金属である。硬質クロムは、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分（の表面）に、電気メッキ法によってコーティングされる（硬質クロムメッキ膜）。硬質クロムの硬度としては、ビッカーズ硬度が１０００以上であることがより好ましく、１２００以上であることが更に好ましい。
【００５６】
ここで、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分とは、表面粗さＲａについて説明した場合と同様の部分を意味しており、図３において３４で示す範囲の支持軸（内周支持部２１）の側面部分のことを意味している。また、図３において、３５、３６で示される部分を含む側面部分、すなわち、内周支持部２１の側面全体についても上記のように硬質クロムまたはＤＬＣによりコーティングされていることがより好ましい。
【００５７】
そして、硬質クロムまたはＤＬＣにより支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面をコーティングする場合、コーティングした後の支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さＲａが上記した所定の要件を満たすこととなる。また、真円度に関しても、硬質クロムまたはＤＬＣによりコーティングした後で、上記した要件を満たしていることが好ましい。
【００５８】
硬質クロムで支持軸２０の表面をコーティングする方法としては、電気めっき法等により硬質クロムで支持軸２０の所定の場所をコーティングした後、必要に応じて研削、研磨加工を行う方法が挙げられる。また、研削、研磨加工を行う際に加工精度を調整することにより所定のコーティング層の厚さ、表面粗さＲａとすることができる。真円度に関しても同様に研削、研磨加工を行う際の加工精度を調整することにより達成することができる。
【００５９】
なお、基材となる支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面粗さＲａ、場合によってはさらには真円度についても本願発明の規定を満たすものを用いることにより、コーティングした後に行う研削、研磨加工が容易になるため好ましい。
【００６０】
また、ＤＬＣにより支持軸２０の表面をコーティングする方法としては例えばプラズマＣＶＤ法により行うことができる。プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣをコーティングする場合、ＤＬＣ膜が支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分の表面に均一に成膜することができるため、基材であるコーティング前の支持軸の表面状態を反映することとなる。このため、基材である支持軸の所定の場所の表面粗さＲａ、場合によってはさらに真円度について上記を満たすものを用意し、これにＤＬＣコーティングを行うことにより目的の表面粗さＲａ、さらには真円度を有する支持軸を得ることができる。
【００６１】
硬質クロムまたはＤＬＣコーティングを行う際、その膜厚としては特に限定されるものではなく、要求される強度や、寸法に応じて選択することができる。
【００６２】
例えば、硬質クロムでコーティングする場合には、その膜厚が２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましい。係る範囲の膜厚を有することによって、十分な強度および耐食性を有することができるためである。なお、硬質クロムでコーティングする際には、予め上記膜厚の１．２から２倍程度の膜を電気めっきにより成膜し、これを研磨、研削することによって上記範囲とすることが表面粗さＲａの調整等の加工精度を高める上で好ましい。
【００６３】
また、ＤＬＣでコーティングする際には、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚とすることが好ましく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下とすることがより好ましい。上記範囲の膜厚とすることにより十分な強度を得ることができる。また、製造工程上も係る膜厚であれば効率よく成膜を行うことができるため、上記範囲を選択することが好ましい。
【００６４】
なお、従来、アルミナ、酸化クロム等のセラミックスにより支持軸表面をコーティングする方法が提案されてきたが、セラミックスによりコーティングを行う場合、加工精度が十分ではなく、本願発明の目的とする表面粗さＲａ、さらに場合によっては真円度が得られにくいため好ましくない。これは、支持軸表面にセラミックスをコーティングする場合、溶射によりセラミックス層を形成し、その後研磨加工を行う場合があるが、形成できる膜厚が５μｍ程度と薄いため、表面粗さＲａ等を目的の範囲に研磨加工することが困難なためである。また、溶射によりセラミックス層を形成するため、研磨加工を行わない場合には目的とする表面粗さＲａの表面、さらには真円度を得ることができない。
［第２の実施形態］
本実施形態では、第１の実施形態で説明した支持軸を用いて、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面および／または外周端面を研磨する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法について説明する。
【００６５】
まず、ガラス基板の外周端面を研磨する方法について説明する。
【００６６】
ガラス基板積層体の外周端面研磨を行う際には、支持軸の両端部、例えば図２（Ａ）及び２（Ｂ）中、２５で表わされる部分に、外周端面研磨装置に取り付けるための部材、具体的には、例えばクランプボルト４７、４８を取り付け、これを外周端面研磨装置に取り付けることによって実施することができる。その具体的な構成例について図４を用いて説明する。
【００６７】
図４中、支持軸２０の内周支持部２１は、その両端に樹脂等でできたダミープレート４１〜４４を配置したガラス基板積層体３１の中央開口部に挿通されており、ガラス基板積層体３１の内周端面を支持している。
【００６８】
なお、ガラス基板積層体３１はガラス基板のみを積層したものとすることもできるが、ガラス基板の主平面にキズがつかないように、また、割れ等が発生しないようにガラス基板間に樹脂シート等のスペーサを設けて積層することが好ましい。スペーサの形状としては特に限定されるものではなく、研磨の邪魔にならない形状であれば足りるが、例えばガラス基板と同じ円盤形状とすることができる。また、ガラス基板の外周端面を研磨する際には、スペーサの外径はガラス基板の外径よりも小さいことが好ましい。これは、外周端面研磨を行う際はガラス基板積層体の外周端面に研磨ブラシを当てて研磨を行うことになるが、スペーサがガラス基板の外径と同じまたはそれよりも大きいと研磨ブラシがガラス基板に当たりにくくなるためである。
【００６９】
また、ガラス基板積層体３１はその下端部を、ダミープレート４３を介して固定部２２、さらに、ダミープレート４４、４５を介してクランプボルト４７によって支持され、他方の上端部側に設置したクランプボルト４８との間で、上下方向から締め付けて固定している。
【００７０】
このため、外周端面研磨工程の間もガラス基板積層体の位置が変位することなく正確に保持することが可能であり、加工精度を高めることが可能になる。
【００７１】
ここで、クランプボルト４７、４８については、ガラス基板積層体３１を上下方向から垂直に保持可能であり、外周端面研磨治具に設置できるように構成されていれば特に限定されるものではない。
【００７２】
例えば、図４に示すように、クランプボルト４８はボルト部４８ａ、ボルト部４８ａとは接合されていない座金部４８ｂからなるように構成しても良い。係る構成とすることによって、クランプボルト４８を支持軸に取り付ける際、回転がガラス基板積層体３１やダミープレート４１、４２に伝わらないため好ましい。また、座金部４８ｂについては、ダミープレート４１と接する面がボルト部４８ａと接触する面の面積よりも広い形状を有することが好ましい。係る形状を有することによって、ガラス基板積層体に加わる圧力を分散し、ガラス基板積層体を広い範囲で支持することができる。
【００７３】
これらのことは他端部に設けるクランプボルト４７についても同様のことがいえる。
【００７４】
なお、図４中ではクランプボルト４７、４８の構造が分かるように（支持軸を透過させて）クランプボルトのねじ部を示しているがクランプボルトと支持軸は同軸上に配置されているものである。
【００７５】
以上のような構成とした支持軸を、外周端面研磨装置に設置、固定し、ガラス基板積層体３１の外周部に研磨ブラシ又は研磨パッドをあてて砥粒を含有する研磨液を供給しながら外周端面の研磨を行うことができる。
【００７６】
なお、ここでは、支持軸の両端に設置する部材をクランプボルトとしたが、外周端面研磨装置に固定できるものであれば限定されずに用いることができる。
【００７７】
次に内周端面を研磨する方法について説明する。
【００７８】
内周端面研磨を行う際には、本発明の支持軸２０に加えて、ガラス基板積層体の内周端面研磨を行う際に、ガラス基板積層体を内部に固定することが可能なワークホルダを用いて行うことが好ましい。
【００７９】
ワークホルダは、ガラス基板積層体を内部に固定した後、支持軸のみを抜き取ることが可能な治具であれば、その形状、構成は限定されることなく使用することができる。
【００８０】
例えば、ワークホルダとしては、ガラス基板積層体が積層、固定された支持軸を、ガラス基板積層体を解体することなく挿入可能な開口部、ガラス基板積層体を固定する固定部材、支持軸を取出し可能な支持軸取出し口を有する治具が挙げられる。
【００８１】
ワークホルダの具体的な構成例については、図５、図６を用いて説明するが、係る構成に限定されるものではない。ここで、図５はワークホルダの斜視図であり、図６はガラス基板積層体の位置合せを行い、支持した支持軸をワークホルダ内部に設置した際の断面図を示している。
【００８２】
図５に示すようにワークホルダ５０は上面に開口部を有するホルダ本体５１と、その上側保持部５２、位置決め部５３とを有することが好ましい。
【００８３】
ホルダ本体５１は、下枠部５４、側枠部５５、上枠部５６から構成されている。
【００８４】
下枠部５４は、ガラス基板積層体を垂直に支持することが可能であり、支持軸２０をその底面から抜き出せるように構成されている。例えば、図６に示すように、支持軸２０の固定部２２を固定し、また、抜き取ることが可能な貫通孔が設けられている。また、下枠部の上面のガラス基板積層体の下端部と接触、支持する部分について、図６中ではダミープレート４３を配置しているが、下枠部に固定した、緩衝部材等からなるガラス基板積層体下端部支持部を設けることもできる。そして、下枠部については、研磨時に研磨装置と固定するための機構、部材を設けることができる。例えば、研磨装置と接続するためのベースプレートを設置するためのボルト穴や、嵌合部等を設けることもできる。
【００８５】
側枠部５５は下枠部５４と上枠部５６との間を結合し、ガラス基板積層体の最外周面を覆うように円筒形状を有している。そして、内部にガラス基板積層体を収納する収納室を有している。また、側枠部５５は収納室に収納されたガラス基板積層体を外側から目視することが可能なように、開口部５７を設けることが好ましい。この開口部５７は研磨工程時に使用される研磨液を排出するための排出孔として機能すると共に、装置の軽量化にも寄与する。
【００８６】
上枠部５６はリング状部材からなり、下面に側枠部５５の環状の上端部を固定できるように構成されている。また、内周にガラス基板の外径よりも大径な円形開口が形成されており、ガラス基板積層体を挿入または取り出しできるように構成されている。
【００８７】
そして、下枠部５４、側枠部５５、上枠部５６は固定され、ホルダ本体５１に組み立てられている。これらの部材の固定手段については限定されるものではなく、ねじ等によって固定することもできるが、ねじの緩み等による加工精度の低下を防止するために、溶接により固定されていることが好ましい。
【００８８】
上側保持部５２は、ホルダ本体５１の上面部に取り付けられており、内部に配置されたガラス基板積層体を下枠部５４との間で挟み込むことによって、固定、保持するものである。上側保持部５２はその中心に中央孔５８が軸方向に貫通しており、支持軸をワークホルダに設置した状態で、上側保持部５２を設置できるように構成されている。また、上側保持部５２はホルダ本体の下枠部との間でガラス基板積層体を挟むことにより固定するものであり、固定する際にガラス基板に傷が入らないよう、図６に示すようにガラス基板積層体３１との間にダミープレート４２等の各種緩衝部材を設けることが好ましい。
【００８９】
上側保持部５２をホルダ本体５１に固定する手段については特に限定されるものではなく、適切な位置に精度よく固定できる手段であればあらゆる方法が採用できる。例えば、図５に示すように、上側保持部５２に複数のボルト穴５９を設けておき、ボルト６０により上面側からホルダ本体に固定することもできる。また、上側保持部とホルダ本体の対応する箇所にねじを切っておき、上側保持部をホルダ本体にねじ込むことによって固定することもできる。
【００９０】
さらに、支持軸２０の位置を正確に規定するため、位置決め部５３を用いることが好ましい。位置決め部５３は例えば、支持軸の上端に挿通される軸孔６１を有する円筒形状の軸受け部６２と、軸受け部６２より半径方向に突出する一対の腕部６３と、各腕部を貫通する位置決めピン６４とを有している。そして、位置決め部の軸孔６１に支持軸２０を挿通し、位置決めピン６４を上側保持部５２、ホルダ本体に設けたピン挿入孔６５、６６に挿入させることによって、支持軸の位置を正確に規定することが可能になる。係る部材を用いることによって、支持軸を内周端面研磨治具に固定する際、その位置決めを正確に行うことが可能になり、加工精度を向上させることが可能になる。
【００９１】
また、ガラス基板積層体３１については、外周端面研磨についてでも説明したが、ガラス基板のみを積層したものとすることもできるが、ガラス基板とスペーサとが交互に積層されているものが好ましい。なお、スペーサの形状についても同様に特に限定されるものではなく、研磨の邪魔にならない形状であれば足りるが、例えばガラス基板と同じ円盤形状とすることができる。また、内周端面研磨を行う際には、少なくともガラス基板の中央開口部の直径よりもスペーサの中央開口部の直径が大きいことが好ましい。
【００９２】
以上のような構成を有するワークホルダ５０に、前記支持軸の内周支持部２１に積層されたガラス基板積層体３１を設置し、ガラス基板積層体積層体を内周端面研磨治具の内部に固定する。その後、ワークホルダの下面から前記支持軸２０を抜き取り内周端面の研磨に供することができる。
【００９３】
内周端面の研磨方法としては、ガラス基板積層体の中央開口部に上方から研磨ブラシを挿入し、ガラス基板積層体の内周端面に研磨液を供給しながらガラス基板積層体と研磨ブラシを回転させながら軸方向に往復動させてガラス基板積層体３１の内周端面研磨を行う。
【００９４】
以上のような工程によって、内周端面の研磨を行うことができる。
【００９５】
以上、本発明の支持軸を用いて、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面、外周端面を研磨する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法について説明してきたが、外周端面研磨、内周端面研磨のいずれか一方のみを行うこともできるし、両研磨工程を行うこともできる。
【００９６】
本実施形態で説明した内周端面および／または外周端面を研磨する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法によれば、ガラス基板（積層体）を支持軸に装着、取り外す際に、引っ掛かり等によるガラス基板の内周端面の微小なキズ発生を大幅に削減することが可能になる。そして、本実施形態で端面研磨を行ったガラス基板に熱衝撃を加えた場合に、微小なキズが拡大することによるクラックの発生やガラス基板の破壊を抑制することができる。
［第３の実施形態］
本実施の形態では、第２の実施形態で説明した磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨方法により、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面および／または外周端面を研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。
【００９７】
磁気ディスク用ガラス基板は以下の工程１〜４を含む製造方法により、製造できる。
（工程１）ガラス素基板から、中央部に中央開口部（円孔）を有する円盤形状のガラス基板に加工した後、内周端面と外周端面を面取り加工する形状付与工程。
（工程２）ガラス基板の端面（内周端面及び外周端面）を研磨する端面研磨工程。
（工程３）前記ガラス基板の主平面を研磨する主平面研磨工程。
（工程４）前記ガラス基板を精密洗浄して乾燥する洗浄工程。
【００９８】
そして、上記各工程を含む製造方法により得られた磁気ディスク用ガラス基板はその上に磁性層などの薄膜を形成する工程をさらに行うことによって、磁気ディスク（磁気記録媒体）とすることができる。
【００９９】
ここで、（工程１）の形状付与工程は、フロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法またはリドロー法で成形されたガラス素基板を、中央部に中央開口部（円孔）を有する円盤形状のガラス基板に加工するものである。なお、用いるガラス素基板は、アモルファスガラスでもよく、結晶化ガラスでもよく、ガラス基板の表層に強化層を有する強化ガラスでもよい。
【０１００】
そして、（工程２）の端面研磨工程は、ガラス基板の端面（側面部と面取り部）を端面研磨するものであり、内周端面および／または外周端面を研磨する際に、第２の実施形態で説明した端面研磨方法を用いるものである。
【０１０１】
内周端面、外周端面のいずれかを研磨する際に第２の実施形態で説明した端面研磨方法を用いるものでもよいが、内周端面、外周端面共に第２の実施形態で説明した端面研磨方法を採用することがより好ましい。
【０１０２】
（工程３）の主平面研磨工程については、両面研磨装置を用い、ガラス基板の主平面に研磨液を供給しながらガラス基板の上下主平面を同時に研磨するものである。研磨工程は、１次研磨のみでもよく、１次研磨と２次研磨を行うものでもよく、２次研磨の後に３次研磨を行うものでもよい。
【０１０３】
上記（工程３）の主平面研磨工程の前において、主平面のラップ（例えば、遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップなど）を実施してもよい。また、各工程間にガラス基板の洗浄（工程間洗浄）やガラス基板表面のエッチング（工程間エッチング）を実施してもよい。なお、主平面のラップとは広義の主平面の研磨である。
【０１０４】
さらに、磁気ディスク用ガラス基板に高い機械的強度が求められる場合、ガラス基板の表層に強化層を形成する強化工程（例えば、化学強化工程）を研磨工程前、または研磨工程後、あるいは研磨工程間で実施してもよい。
【０１０５】
本実施形態で説明した磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、端面研磨工程においてガラス基板（積層体）を支持軸に装着、取り外す際に、引っ掛かり等によるガラス基板の内周端面の微小なキズ発生を大幅に削減することが可能になる。また、係る製造方法により得られたガラス基板に熱衝撃を加えた場合でもクラックの発生やガラス基板の破壊を抑制することができる。
【実施例】
【０１０６】
以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（１）評価方法
まず、以下の実験例における、支持軸の評価方法、及び、該支持軸を用いて製造したガラス基板の評価方法について説明する。
（表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａ）
表面粗さはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準ずる方法により測定を行った。【０１０７】
測定はレーザー顕微鏡（キーエンス株式会社製  型番：ＶＫ−９７１０、ＶＫ−９７００）を用いて行った。【０１０８】
具体的な測定条件としては、測定波長を４０８ｎｍ、対物レンズとして２０倍のものを用いて行い、カットオフλｓ（短波長カットオフ）を２．５μｍ、カットオフλｃ（長波長カットオフ）を８０μｍとして行った。
（真円度）
支持軸の内周支持部（断面）の真円度測定は、内周支持部のうち長さ方向で見て上部、中央部、下部の３か所について測定を行った。【０１０９】
各箇所での測定の際には直径を０度―１８０度、４５度−２２５度、９０度−２７０度、１３５度―３１５度の４点にて、すなわち測定箇所を４５度ずつ変化させた４点にて、マイクロメーターで測定し、各箇所の最大値と最小値の差を、その箇所の真円度とした。【０１１０】
そして、上記内周支持部について上部、中央部、下部の３か所の真円度のうち最も大きい値を、そのシャフトの真円度と定義した。
（曲げ強度）
ドーナツ状のガラス基板の外周を円環状の枠に自由支持し、ガラス基板の中央開口部の内周部分に負荷荷重用のクロスヘッドを、クロスヘッド・スピード１０ｍｍ／分で押し込み、上記ガラス基板の破壊時の荷重値を測定し、この値から曲げ強度を求めた。なお、測定には島津製作所製強度試験機オートグラフおよびロードセルを使用した。また、曲げ強度は各実験例について２０枚のガラス基板を測定し、その結果の平均値で表した。
（ガラス基板の内周端面部の外観検査方法）
端面研磨後のガラス基板について５０００ルクスの照度下にて、目視検査し、内周側面部、面取り部、側面部と面取り部の稜部のキズ、欠け、ヒビを検査した。この方法により５μｍより大きいキズ、欠け、ヒビがあるガラス基板を不合格とし、サンプルのガラス基板（１つの実験例について１０００枚）中の不合格品発生率を算出した。
（ガラス基板の製造工程終了後の支持軸表面の外観検査）
以下に示す磁気ディスク用ガラス基板の製造工程終了後の支持軸表面の外観検査を行った。手順としては、５０００ルクスの照度下で、目視にて、外周端面研磨用内周支持棒の表面のキズを検査した。この方法により支持軸表面についた５μｍより大きいキズの数をカウントした。
（２）支持軸の製造条件
後述する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において用いた支持軸について説明する。【０１１１】
例１〜例１５いずれの支持軸についても、図２（Ａ）に示した形状を有しており、いずれも同じサイズのもの（表面にコーティングしたものについては、コーティング後のサイズを意味している）を使用した。内周支持部には１００枚の磁気ディスク用ガラス基板を支持できる。【０１１２】
以下に示す支持軸のうち、例１〜９が実施例であり、例１０〜１５が比較例となる。内周支持部の表面粗さＲａ、真円度については表１にも示した。
（例１）
例１の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部（図３において３４、３５、３６で表わされる部分の側面、以下同様）の表面粗さＲａが約０．９μｍ、真円度が１０μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した後、さらにバフ研磨を、表面粗さＲａが０．４μｍ以下になるまで行った。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは０．３８μｍ、真円度は９μｍであった。
（例２）
例２の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約０．９μｍ、真円度が５μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した後、さらにバフ研磨を、表面粗さＲａが０．４μｍ以下になるまで行った。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは０．３７μｍ、真円度は５μｍであった。
（例３）
例３の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが０．９μｍ以下、真円度が１０μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは０．８８μｍ、真円度は１０μｍであった。
（例４）
例４の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが０．９μｍ以下、真円度が５μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは０．８２μｍ、真円度は４μｍであった。
（例５）
例５の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、その表面にはＤＬＣコーティングを施した。
【０１１３】
まず、内周支持部を、切削加工で表面粗さＲａが約０．９μｍ、真円度が１０μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した後、さらにバフ研磨を、表面粗さＲａが０．４μｍ以下になるまで行った。得られた支持軸の表面粗さＲａは０．３８μｍ、真円度は９μｍであった。【０１１４】
次いで、アセチレンガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、上記内周支持部について膜厚０．５μｍのＤＬＣからなる表面コーティング層を形成した。【０１１５】
得られた支持軸の内周支持部について表面粗さＲａ、真円度を測定したところ、表面粗さＲａは、０．３８μｍ、真円度は９μｍであった。
（例６）
例６の支持軸は、内周支持部の切削条件（回転数、切り込速度、送り速度）を真円度５μｍ以下になるよう、また内周支持部表面に形成するＤＬＣ膜の膜厚を１．０μｍとした以外は例５と同様にして形成した。【０１１６】
得られた支持軸の内周支持部について表面粗さＲａ、真円度を測定したところ、表面粗さＲａは、０．３７μｍ、真円度は５μｍであった。
（例７）
例７の支持軸は、内周支持部の切削条件（回転数、切り込速度、送り速度）を真円度３μｍ以下になるよう、また内周支持部表面に形成するＤＬＣ膜の膜厚を２．０μｍとした以外は例５と同様にして形成した。【０１１７】
得られた支持軸の内周支持部について表面粗さＲａ、真円度を測定したところ、表面粗さＲａは、０．３８μｍ、真円度は３μｍであった。
（例８）
例８の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、その表面には硬質クロムコーティング（メッキ）を施した。【０１１８】
まず、内周支持部を切削加工で、表面粗さＲａが約１．６μｍ、真円度が約１０μｍになるよう、回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。【０１１９】
その後、ＧＣ−８０Ｈの砥石で荒研削加工し、内周支持部の表面粗さＲaをおよそ３．２μｍとした。次いで、電気メッキ法により、内周支持部表面に１００μｍの膜厚の硬質クロムメッキを施した。【０１２０】
そして、仕上げ用砥石（ＣＸ−８０Ｉ）を用いて、表面粗さＲａが０．８μｍ以下、真円度が１０μｍ以下になるよう、硬質クロムメッキ膜の膜厚が５０μｍになるまで研削加工を行い、次いでバフ研磨を１μｍ程度行った。このとき、支持軸の内周支持部について表面粗さＲａ、真円度を測定したところ、Ｒａは０．３９μｍ、真円度は９μｍであった。
（例９）
例９の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、その表面には硬質クロムコーティング（メッキ）を施した。【０１２１】
まず、内周支持部を実施例８と同様に切削加工し、表面粗さＲａが１．６μｍ、真円度が約４μｍになるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。その後、ＧＣ−８０Ｈの砥石で荒研削加工し、内周支持部の表面粗さＲａをおよそ３．２μｍとした。【０１２２】
次いで、電気メッキ法により、内周支持部表面に１００μｍの膜厚の硬質クロムメッキを施した。【０１２３】
そして、仕上げ用砥石（ＣＸ−８０Ｉ）を用いて、表面粗さＲａが０．８μｍ以下、真円度が５μｍ以下になるよう、硬質クロムメッキ膜の膜厚が５０μｍになるまで、研削加工を行い、次いでバフ研磨を１μｍ程度行った。このとき、支持軸の内周支持部について表面粗さＲａ、真円度を測定したところ、Ｒａは０．３７μｍ、真円度は４μｍであった。
（例１０）
例１０の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約０．９μｍ、真円度が約２０μｍになるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した後、さらにバフ研磨を行った。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは０．３９μｍ、真円度は１５μｍであった。
（例１１）
例１１の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約０．９μｍ、真円度が約２０μｍになるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは０．８７μｍ、真円度は１７μｍであった。
（例１２）
例１２の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約１．２μｍ、真円度が１０μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは１．２μｍ、真円度は１０μｍであった。
（例１３）
例１３の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、その表面にはセラミック（酸化クロム）コーティングを施した。【０１２４】
まず、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約０．８μｍ、真円度が１０μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。【０１２５】
次いで、溶射法により、上記内周支持部について膜厚約２５０μｍになるようにセラミック（酸化クロム）からなる表面コーティング層を形成した。その後、内周支持部の表面研磨を行ったが、例８、９と同様の仕上げ用砥石でセラミック層の膜厚を約５０μｍ研削し、更に約１μｍバフ研磨した段階で、表面粗さＲａは１．０μｍ、真円度は１５μｍまでしか加工することができなかった。
(例１４)
例１４の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約３．２μｍ、真円度が１０μｍ以下になるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは３．１μｍ、真円度は１０μｍであった。
(例１５)
例１５の支持軸はステンレス（ＳＵＳ３０４）によりできており、切削加工で、内周支持部の表面粗さＲａが約３．２μｍ、真円度が約１５μｍになるよう回転数、切り込速度、送り速度を調節して加工した。得られた支持軸の内周支持部の表面粗さＲａは３．１μｍ、真円度は１４μｍであった。
（３）実験手順
以下、具体的な実験手順について説明する。【０１２６】
以下の手順により磁気ディスク用ガラス基板の製造を行い、以下に示す工程中又は工程終了後に支持軸または磁気ディスク用ガラス基板について評価を行った。
（形状付与）
外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍの磁気ディスク用ガラス基板用に、フロート法で成形されたＳｉＯ２を主成分とするガラス基板をドーナツ状円形ガラス基板（中央部に円孔（開口部）を有する円盤形状のガラス基板）に加工した。
（面取り加工）
形状付与工程で得られたドーナツ状円形ガラス基板の内周側面と外周側面について面取り加工を行った。面取り加工の加工条件としては、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°の磁気ディスク用ガラス基板が得られるように内周側面、外周側面について行った。
（１次研削および研削後洗浄）
面取り加工後のガラス基板について１次研削、研削後洗浄を行った。【０１２７】
１次研削は研磨具として鋳鉄定盤とアルミナ砥粒を含有する研削液用いて、両面研削装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ−１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により上下主平面について行った。また、その後、砥粒を洗浄除去した。
（外周端面研磨）
１次研削および研削後洗浄を行ったガラス基板について外周端面研磨を行った。【０１２８】
上記した例１〜例１５の各支持軸を用いてガラス基板の内周を保持、位置合せを行うことにより複数のガラス基板を積層し、研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて、外周側面と外周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように外周端面を研磨加工した。【０１２９】
外周端面研磨は、１バッチあたり１００枚のガラス基板を研磨加工した。すなわち、１つの支持軸に１００枚のガラス基板をセットして外周端面研磨を行い、同じ支持軸を用いて１０バッチの外周端面研磨を行った。このため、例１〜例１５に示した各支持軸それぞれについて１０００枚ずつガラス基板を研磨加工した。【０１３０】
なお、以降の記載において、例えば「実験例１の１０バッチ目のガラス基板」と記載した場合には、本工程において、例１の支持軸を用いて研磨を行った１０バッチ目のガラス基板を意味する。
（洗浄）
外周端面研磨後のガラス基板について砥粒を洗浄除去した。
（内周端面研磨）
洗浄後のガラス基板について内周端面研磨を行った。【０１３１】
ガラス基板の内周側面と、内周面取り部について研磨ブラシと、酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、内周側面と内周側面取部のキズを除去し、鏡面となるように研磨加工した。【０１３２】
この際には、例１〜例１５に示した各支持軸を用いてガラス基板積層体としたものを第２の実施形態で説明したワークホルダにセットして研磨を行った。なお、ワークホルダにセットする際用いた支持軸は、それぞれ外周端面研磨の際用いたものと同じ支持軸を使用している。すなわち、例えば実験例１のガラス基板については例１の支持軸を用いてワークホルダにセットしている。【０１３３】
この場合も１バッチあたり１００枚のガラス基板をワークホルダにセットしてガラス基板を研磨加工し、例１〜例１５に示した各支持軸について１０バッチ、例１〜例１５それぞれについて合計１０００枚ずつガラス基板を研磨加工した。
（２次研削）
内周端面研磨後のガラス基板について２次研削を行った。【０１３４】
２次研削は、研磨具として固定砥粒工具（平均粒径４μｍのダイヤモンド粒子を含有）と界面活性剤を含有する研削液を用いて、両面研削装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ−１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により上下主平面を研削した。
（洗浄）
研削後のガラス基板について研削屑等を洗浄除去した。
（ガラス基板の内周端面部の外観検査）
評価方法で説明した上記ガラス基板の内周端面部の外観検査方法により、洗浄後のガラス基板の内周側面部、面取り部、側面部と面取り部の稜部のキズ、欠け、ヒビを検査した。５μｍより大きいキズ、欠け、ヒビがあるガラス基板を不合格とした。例１〜例１５の各支持軸を用いてそれぞれ１０００枚のガラス基板について研磨を行っており、これら全てのガラス基板について検査を行いその不合格品の発生率を算出した。結果を表１に「内周端面部の外観検査  不合格品発生率」として示す。【０１３５】
検査後のガラス基板についてさらに以下の手順により研磨処理を行った。
(１次研磨)
上記検査後のガラス基板について、１次研磨を行った。【０１３６】
１次研磨は研磨具として硬質ウレタン製の研磨パッドと酸化セリウム砥粒を含有する研磨液（平均粒子直径、以下、平均粒径と略す、約１．３μｍの酸化セリウムを主成分した研磨液組成物）を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）によりガラス基板の上下主平面を１次研磨した。【０１３７】
研磨時間は総研磨量が上下主平面の厚さ方向で計３０μｍとなるように設定して行った。
(研磨後洗浄)
１次研磨後のガラス基板について、砥粒の酸化セリウムを洗浄除去した。
（２次研磨）
１次研磨後の洗浄を終えたガラス基板について２次研磨を行った。【０１３８】
２次研磨は研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、１次研磨の際の酸化セリウム砥粒よりも平均粒径が小さい酸化セリウム砥粒を含有する研磨液（平均粒径約０．５μｍの酸化セリウムを主成分とする研磨液組成物）を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により上下主平面を２次研磨した。【０１３９】
なお、２次研磨の研磨条件としては、研磨時間を研磨量が上下主平面の厚さ方向で計６μｍとなるように設定して、行った。
（研磨後洗浄）
２次研磨後のガラス基板について、砥粒の酸化セリウムを洗浄除去した。
（３次研磨）
２次研磨終了後、さらに、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドとコロイダルシリカを含有する研磨液（一次粒子の平均粒径が２０〜３０ｎｍのコロイダルシリカを主成分とする研磨液組成物）を用いて、上記１次、２次研磨と同型式の両面研磨装置により上下主平面を３次研磨した。【０１４０】
３次研磨の研磨条件としては、研磨時間を総研磨量が上下主平面の厚さ方向での総研磨量が１μｍとなるように研磨時間を設定して実施した。
（研磨後洗浄、最終洗浄）
３次研磨を行ったガラス基板は、アルカリ性洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥した。【０１４１】
最終洗浄まで終えたガラス基板について以下の試験を行った。
（曲げ強度試験）
最終洗浄まで終えた後の、実験例１〜実験例１５の１０バッチ目のガラス基板について、それぞれ２０枚を、評価方法で説明した曲げ強度試験により、平均曲げ強度を測定した。結果を表１に「曲げ強度」として示す。【０１４２】
なお、例えば実験例１の１０バッチ目のガラス基板とは、上記のように外周端面研磨工程において、例１の支持軸を用いて外周端面研磨を行った１０バッチ目のガラス基板のことを意味している。
（熱衝撃を加えた後の磁気ディスク用ガラス基板の曲げ強度試験）
最終洗浄まで終えた後の、実験例１〜実験例１５の１０バッチ目のガラス基板について、それぞれ２０枚に熱衝撃を加えた後、上記曲げ強度試験と同じ方法により曲げ強度試験を行い、平均曲げ強度を測定した。【０１４３】
熱衝撃の処理は、磁性膜の高温製膜条件を想定し、次のように実施した。ガラス基板を２５℃の室内から７００℃に加熱した電気炉に投入し３０分間保持した。その後、室温中に取り出し、風冷し５分間で室温まで冷却した。ガラス基板を冷却した後、曲げ強度試験に供した。結果を表１に「熱衝撃後  曲げ強度」として示す。
（ガラス基板の製造工程終了後の支持軸表面の外観検査）
ガラス基板の製造工程で使用した支持軸の表面のキズの発生状況について外観検査を行った。すなわち例１〜例１５の支持軸それぞれについて、１０バッチの（端面）研磨工程を行った後の状態を意味している。【０１４４】
検査の方法としては評価方法において既に説明したとおりであり、５０００ルクスの照度下で支持軸表面のキズを検査し、５μｍよりも大きいキズについてカウントした。結果を表１に「支持軸表面の傷の数」として示す。【０１４５】
【表１】
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この結果によると、本発明の規定を満たす例１〜９は、比較例である例１０〜１５と比較すると、端面研磨後のガラス基板の内周端面部の外観検査不合格品発生率が非常に低くなっていることが分かる。また、磁気ディスク用ガラス基板の曲げ強度、熱衝撃を加えた後の磁気ディスク用ガラス基板の曲げ強度においても、例１〜例９については曲げ強度が高くなっており、同様の傾向がみられる。
【０１４６】
また、（条件をそろえるため）表面コーティングを行っていない試料である例１〜４、１０、１１の中で、支持軸の内周支持部表面粗さＲａ同程度の例１、２、１０について、また、例３、４、１１についてそれぞれ比較した。【０１４７】
この場合、例１、２、１０を比較した場合、特に真円度が小さい例１、２において、端面研磨後のガラス基板の内周端面部の外観検査不合格品発生率が、例１０よりも半分程度にまでさらに低くなっていることが分かる。また、磁気ディスク用ガラス基板の曲げ強度、熱衝撃を加えた後の磁気ディスク用ガラス基板の曲げ強度についても、例１、２の支持軸を用いて作製した磁気ディスク用ガラス基板の方が高くなっていることが確認できた。さらに、支持軸表面の傷の数についても例１、２の方がより少なくなっていることが確認できた。【０１４８】
このことは例３、４、１１について比較した場合も同様の傾向を有することが確認できた。以上の結果から、支持軸の磁気ディスク用ガラス基板の内周端面と接触する部分について、真円度についても所定の条件を充足している方がより高い効果が得られることが分かる。【０１４９】
さらに支持軸の内周支持部に表面コーティングを行っている例５〜例９については、表面コーティングを行っていない比較例の例１２、例１４、例１５と比較して、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程終了後の支持軸表面の５μｍ以上の傷の数が大幅に低減できていることが確認できた。特にＤＬＣ膜を付している例５〜例７については、傷の数が０となっており、その高い効果を確認することができた。また、端面研磨後のガラス基板の内周端面部の外観検査不合格品発生率についても、特に低下していることが分かる。【０１５０】
本出願は、２０１２年３月３０日出願の日本特許出願２０１２−０８２７９４に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【０１５１】
１  磁気ディスク用ガラス基板
３  中央開口部
２０  支持軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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