(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザを用いて被処理体上の被処理部を加熱処理する被処理体加熱処理方法であって、
前記被処理部に第１の波長のレーザを照射し、前記レーザの反射光に基づいて前記被処理部の反射率を測定するとともに、前記被処理部の温度を目標温度に加熱する工程と、
前記反射率の測定の結果、前記反射率が高く、前記目標温度に達しないと判断した場合、前記レーザの波長を前記第１の波長よりも大きい第２の波長に切り替えて、前記被処理部にレーザを照射し、前記被処理部の温度を目標温度に加熱する工程と、
を具備することを特徴とする被処理体加熱処理方法。
【請求項２】
前記レーザの第１の波長が８０８ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の被処理体加熱処理方法。
【請求項３】
前記レーザの第２の波長が９８０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の被処理体加熱処理方法。
【請求項４】
前記レーザの第２の波長の出力を、前記レーザの第１の波長の出力より高くすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の被処理体加熱処理方法。
【請求項５】
前記被処理部は前記被処理体の裏面であり、
前記被処理体の裏面を加熱することによって、前記被処理体の裏面に付着した付着物を除去することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の被処理体加熱処理方法。
【請求項６】
レーザを用いて被処理体上の被処理部を加熱処理する被処理体加熱処理装置であって、
前記被処理部にレーザを照射し、前記被処理部の温度を目標温度に加熱する加熱部と、
前記レーザが照射された前記被処理部からの前記レーザの反射光に基づいて、前記被処理部の反射率を測定する測定部と、
前記反射率の測定の結果に基づき、前記レーザの波長、又は前記レーザの出力、又は前記レーザの波長及び前記レーザの出力の双方を、前記被処理部の温度が前記目標温度に接近するように制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記被処理部に第１の波長のレーザを照射し、前記測定部に、前記レーザの反射光に基づいて前記被処理部の反射率を測定させるとともに、前記被処理部の温度を目標温度に加熱し、
前記反射率の測定の結果、前記反射率が高く、前記目標温度に達しないと判断した場合、前記レーザの波長を前記第１の波長よりも大きい第２の波長に切り替えて、前記被処理部にレーザを照射し、前記被処理部の温度を目標温度に加熱するように前記加熱部を制御することを特徴とする被処理体加熱処理装置。
【請求項７】
前記レーザの第１の波長が８０８ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の被処理体加熱処理装置。
【請求項８】
前記レーザの第２の波長が９８０ｎｍであることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の被処理体加熱処理装置。
【請求項９】
前記レーザの第２の波長の出力を、前記レーザの第１の波長の出力より高くすることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の被処理体加熱処理装置。
【請求項１０】
前記被処理部は前記被処理体の裏面であり、
前記被処理体の裏面を加熱することによって、前記被処理体の裏面に付着した付着物を除去することを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の被処理体加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は被処理体加熱処理方法及び被処理体加熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造においては、半導体ウエハ等の被処理体に対して、加熱処理が行われる。このような加熱処理においては、加熱装置による加熱が一般的であったが、近時、レーザによる加熱処理も用いられるようになってきている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１８７８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、レーザの反射率及び吸収率は、被処理体の被処理部の膜種により異なる。このため、レーザを用いて被処理部を加熱処理する際には、膜種ごとにレシピをチューニングする必要がある。
【０００５】
この発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、被処理部の膜種が異なっていても、膜種ごとにレシピを自動的にチューニングできる被処理体加熱処理方法及び被処理体加熱処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、この発明の第１の態様に係る被処理体加熱処理方法は、レーザを用いて被処理体上の被処理部を加熱処理する被処理体加熱処理方法であって、前記被処理部に第１の波長のレーザを照射し、前記レーザの反射光に基づいて前記被処理部の反射率を測定するとともに、前記被処理部の温度を目標温度に加熱する工程と、前記反射率の測定の結果、前記反射率が高く、前記目標温度に達しないと判断した場合、前記レーザの波長を前記第１の波長よりも大きい第２の波長に切り替えて、前記被処理部にレーザを照射し、前記被処理部の温度を目標温度に加熱する工程と、を具備する。
【０００７】
この発明の第２の態様に係る被処理体加熱処理装置は、レーザを用いて被処理体上の被処理部を加熱処理する被処理体加熱処理装置であって、前記被処理部にレーザを照射し、前記被処理部の温度を目標温度に加熱する加熱部と、前記レーザが照射された前記被処理部からの前記レーザの反射光に基づいて、前記被処理部の反射率を測定する測定部と、前記反射率の測定の結果に基づき、前記レーザの波長、又は前記レーザの出力、又は前記レーザの波長及び前記レーザの出力の双方を、前記被処理部の温度が前記目標温度に接近するように制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、前記被処理部に第１の波長のレーザを照射し、前記測定部に、前記レーザの反射光に基づいて前記被処理部の反射率を測定させるとともに、前記被処理部の温度を目標温度に加熱し、前記反射率の測定の結果、前記反射率が高く、前記目標温度に達しないと判断した場合、前記レーザの波長を前記第１の波長よりも大きい第２の波長に切り替えて、前記被処理部にレーザを照射し、前記被処理部の温度を目標温度に加熱するように前記加熱部を制御する。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、被処理部の膜種が異なっていても、膜種ごとにレシピを自動的にチューニングできる被処理体加熱処理方法及び被処理体加熱処理装置を提供できる。
【０００９】
また、これを応用することにより、処理中に変化する膜種、例えば、多層構造の膜にも対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の一実施形態に係る被処理体加熱処理方法を適用することが可能な被処理体加熱処理装置の一例を示す断面図
【図２】この発明の一実施形態に係る被処理体加熱処理方法を実行する被処理体加熱処理装置の一構成例を示すブロック図
【図３】レーザの波長と反射率との関係を示す図
【図４】波長変更後及び出力変更後の被処理部の温度の変化を示す図
【図５】代表的なレーザ制御例を示す図
【図６】被処理体加熱処理装置の変形例を示すブロック図
【図７】レーザ装置の変形例を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１２】
図１は、この発明の一実施形態に係る被処理体加熱処理方法を適用することが可能な被処理体加熱処理装置の一例を示す断面図である。図１に示す被処理体加熱処理装置は、被処理体加熱処理の一例として、被処理体の裏面に付着した付着物を除去する付着物除去装置を示す。
【００１３】
図１に示すように、付着物除去装置１は、被処理体を収容する容器であるチャンバ１１を備えている。被処理体の一例は、半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗである。ウエハＷには、ウエハＷに半導体装置を形成するために、成膜処理、レジスト塗布処理、エッチング処理などが施されている。これらの処理により、ウエハＷの裏面周縁には、付着物２が付着している。
【００１４】
チャンバ１１の内部には、ウエハＷを回転可能、かつ、水平に保持するスピンチャック１２が設けられている。スピンチャック１２は、ウエハＷを、そのウエハ保持面に、例えば、真空吸着により保持する。ウエハ保持面の裏面側には回転軸１３が接続されている。回転軸１３は、例えば、チャンバ１１の下方に設けられた回転機構１４に接続されている。回転機構１４は、例えば、回転モータを含んで構成されており、回転モータが回転軸１３を回転させることで、保持面に吸着保持されたウエハＷが回転される。
【００１５】
チャンバ１１の上部には大気を吸引し、大気をチャンバ１１の内部に取り入れるファン１５と、ファン１５により吸引された大気からパーティクルを除去するフィルタ１６とが設けられている。
【００１６】
チャンバ１１の底部には排気口１７が設けられている。ファン１５によりフィルタ１６を介してチャンバ１１内に取り込まれた大気は、排気口１７から排気される。これにより、チャンバ１１の内部には、清浄空気のダウンフローが形成される。排気口１７は排気機構１８に接続されている。
【００１７】
チャンバ１１の側壁には、ウエハＷをチャンバ１１の内部に出し入れするためのウエハ搬入出口１９が設けられている。ウエハ搬入出口１９は、ゲートバルブ２０により開閉可能となっている。
【００１８】
さらに、チャンバ１１の内部には、付着物除去部２０が設けられている。本例の付着物除去部２０は、ウエハＷの周縁部に対応する位置に設けられており、処理ガス供給装置２１、吸引装置２２、及び加熱装置２３を含んでいる。これらの処理ガス供給装置２１、吸引装置２２、及び加熱装置２３は、ウエハＷの周縁部が通過するように設けられた切り欠き部２５を有する本体２４に取り付けられている。
【００１９】
処理ガス供給装置２１は、処理ガスを付着物２に吐出する処理ガス吐出ノズル２１１を備えている。処理ガス吐出ノズル２１１は、処理ガス供給機構２１２に接続されている。処理ガス供給機構２１２は、処理ガスを処理ガス吐出ノズル２１１に供給する。処理ガスの種類は付着物の種類に応じて変更される。例えば、付着物がシリコンを含むポリマーであった場合には、処理ガスとしてはオゾンガスが好適に用いられる。
【００２０】
吸引装置２２は、処理ガスを排気する排気流路を構成する排気配管２２１を備えている。排気配管２２１は、排気機構１８に接続される。
【００２１】
加熱装置２３は、ウエハＷの径方向に移動可能、かつ、照射角度の調節が可能に構成されたレーザ装置２３１を備えている。レーザ装置２３１から、付着物２にレーザを照射し、付着物２を加熱する。加熱された付着物２は、例えば、昇華されてウエハＷの裏面から離脱し、処理ガスととともに排気配管２２１に吸引される。この際、ウエハＷは回転されており、ウエハＷの裏面の周縁全体から付着物２が除去される。これとともに、レーザ装置２３１をウエハＷの径方向に移動させ、かつ、照射角度を調節することで、ウエハＷの裏面の付着物２を、効率よく、かつ、確実に除去することが可能となっている。
【００２２】
制御部２６は、付着物除去装置１を制御する。制御部２６は、プロセスコントローラ２６１、ユーザーインターフェース２６２、及び記憶部２６３を含んで構成される。ユーザーインターフェース２６２は、工程管理者が、付着物除去装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボード、付着物除去装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。記憶部２６３には、付着物除去装置１による処理を、プロセスコントローラ２６１の制御にて実現するための制御プログラムや駆動条件データ等が記録されたレシピが格納される。レシピは、必要に応じてユーザーインターフェース２６２からの指示により記憶部２６３から呼び出され、プロセスコントローラ２６１に実行させることで付着物除去装置１が制御される。レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
【００２３】
付着物除去部２０に含まれた加熱装置２３は、レーザを用いて被処理体上の被処理部を加熱処理する被処理体加熱処理装置を用いて構成される。この被処理体加熱処理装置は、一実施形態に係る被処理体加熱処理方法を実行する。このような被処理体加熱処理装置の一構成例を図２Ａに示す。
【００２４】
図２Ａに示すように、被処理体加熱処理装置１００は、加熱部であるレーザ装置２３１と、測定部である測定装置１０２と、制御部であるレーザ制御部１０３とを含む。レーザ装置２３１は、被処理体の被処理部１０４に、レーザを照射し、被処理部１０４の温度を目標温度に向けて加熱する。測定装置１０２は、レーザが照射された被処理部１０４の温度を測定する。レーザ制御部１０３は、測定装置１０２からの測定結果に基づき、レーザの波長、又はレーザの出力、又はレーザの波長及びレーザの出力の双方を、被処理部１０４の温度が目標温度に接近するように制御する。
【００２５】
本例のレーザ装置２３１は、例えば、単一波長のレーザを出力するレーザ源２３２と、レーザ源２３２から出力されたレーザの波長を変換する波長変換部２３３と、波長変換部２３３を通して出力されたレーザ光を集光する集光レンズ２３４とを含む。
【００２６】
本例の測定装置１０２は、被処理部１０４の温度を測定する。このため、測定装置１０２は、例えば、非接触で被処理部１０４の温度を測定できる非接触型温度計１０５を含む。非接触型温度計の例としては、放射温度計や、測定された温度を温度分布として表すことができるサーモグラフィなどを挙げることができる。
【００２７】
なお、非接触型温度計１０５として、放射温度計１０５ａを用いる場合には、図２Ｂに示すように、レーザの照射位置の温度をピンポイントで測定できるよう調整することが好ましい。
【００２８】
本例のレーザ制御部１０３は、測定装置１０２からの測定結果を受け、レーザ源２３２に対してレーザの出力を上げ下げするレーザ出力制御信号Ｓ１と、波長変換部２３３に対してレーザの波長を変更するレーザ波長制御信号Ｓ２とを出力する。
【００２９】
被処理部１０４の温度は、レーザの波長によって変化する。温度の変化は、被処理部１０４の膜種に応じて異なる。図３に、レーザの波長と反射率との関係を示す。図３には、膜種が、シリコン（Ｓｉ）の場合と、シリコン窒化物（ＳｉＮ）の場合との例が示されている。
【００３０】
図３に示すように、膜種がシリコンの場合、波長が約５００ｎｍから約１０００ｎｍ付近にかけて反射率が約４０％から約３５％程度に低下し、波長が約１０００ｎｍを超えてから約１２００ｎｍ付近まで反射率が約４５％程度に上昇し、波長が約１２００ｎｍを超えると、反射率が約４５％程度で安定する傾向を示す。
【００３１】
対して、膜種がシリコン窒化物の場合、波長が約５００ｎｍから約８００ｎｍ付近にかけて反射率が約２５％から約５％以下に低下し、波長が約８００ｎｍを超えてから約１２００ｎｍ付近まで反射率が約３０％程度に上昇し、波長が約１２５０ｎｍを超えると、反射率が約３０％程度で安定する傾向を示す。
【００３２】
反射率が低いと、被処理部１０４がレーザを良く吸収するので、被処理部１０４の温度が上がりやすい。反対に反射率が高いと、被処理部１０４はレーザを反射してしまうので、被処理部１０４の温度が上がりにくくなる。なお、被処理部１０４は、図１に示すウエハＷの場合には、付着物２が付着している部分に相当する。
【００３３】
例えば、波長が８０８ｎｍのレーザを利用した場合、膜種がシリコン窒化物であった場合には、反射率が約５％以下であるのでレーザを良く吸収する。このため、温度が上がりやすい。対して、膜種がシリコンであった場合には、反射率が約３７〜３８％もあるために、シリコン窒化物に比較して温度が上がりにくい。
【００３４】
ここで、波長を９８０ｎｍに変更すると、膜種がシリコンであった場合には、反射率が約３７〜３８％から約３５％程度に低下する。このため、波長が８０８ｎｍの場合に比較して、温度が上がりやすくなる。ただし、膜種がシリコン窒化物であった場合には、反射率が約５％以下から約１０％に上昇してしまうので、波長が８０８ｎｍの場合に比較して、温度が上がりにくくなってしまう。これを図４に示す。図４には、波長変更後の被処理部１０４の温度例が示されている。
【００３５】
図４に示すように、被処理部１０４の膜種がシリコン窒化物（ＳｉＮ）の場合には、波長として８０８ｎｍを選択すると、被処理部１０４を高い温度に加熱することができる。また、膜種がシリコン（Ｓｉ）の場合には、波長として９８０ｎｍを選択すると、被処理部１０４を高い温度に加熱することができる。
【００３６】
また、被処理部１０４の温度は、レーザの波長を変更するだけでなく、レーザの出力を変更することでも、上がりやすくすることができる。これを上記図４に示す。
【００３７】
図４に示すように、出力を上げると、被処理部１０４の膜種がシリコン窒化物（ＳｉＮ）、及びシリコン（Ｓｉ）の双方の場合において、被処理部１０４の温度を高い温度に加熱することができる。
【００３８】
このように、一実施形態に係る被処理体加熱処理方法によれば、被処理部１０４にレーザを照射し、被処理部１０４の温度を目標温度に向けて加熱し、レーザが照射された被処理部１０４の温度を測定し、この測定結果に基づき、レーザの波長、又はレーザの出力、又はレーザの波長及びレーザの出力の双方を、被処理部１０４の温度が目標温度に接近するように制御する。
【００３９】
このような構成を有することにより、単一波長のレーザを用いて被処理部１０４を加熱処理する場合に比較して、被処理部１０４を、より高い温度に加熱することができる。このため、加熱処理に要する時間を短縮できる、という利点を得ることができる。例えば、上述した加熱処理として付着物を除去する場合には、付着物の除去に要する時間を短縮できる、という利点を得ることができる。また、被処理部１０４である付着物が付着している部分を、より高い温度に加熱することができるので、付着物の除去効果の向上も併せて実現することができる。
【００４０】
また、被処理部１０４に、シリコン窒化物（ＳｉＮ）とシリコン（Ｓｉ）とが混在する場合には、レーザの波長を変更することで、シリコン窒化物（ＳｉＮ）とシリコン（Ｓｉ）との間の温度差を低減でき、処理温度に上限があるような場合には、上限温度以下でシリコン窒化物（ＳｉＮ）とシリコン（Ｓｉ）とを、より高い処理温度にすることが可能である。
【００４１】
しかも、一実施形態に係る被処理体加熱処理方法は、波長の変更を一つのレーザ装置２３１で行うので、膜種ごとにレーザ装置を変更したりするなどの必要もない。その上、レーザ波長は、被処理部１０４の温度を測定しながら変更するので、プロセスコントローラ２６１が実行するレシピを、膜種ごとに自動的にチューニングすることができる。
【００４２】
したがって、一実施形態によれば、被処理部の膜種が異なっていても、膜種ごとに自動的にレシピをチューニングできる被処理体加熱処理方法及び被処理体加熱処理装置を得ることができる。
【００４３】
さらに、一実施形態に係る被処理体加熱処理方法は、被処理部１０４の温度を測定しながら、レーザ波長、又はレーザ出力、又はレーザ波長及びレーザ出力の双方を制御するので、被処理部１０４の膜種が未知であった、としても適用できる、という利点がある。
【００４４】
被処理部１０４の膜種が未知であったとしても、一実施形態に係る被処理体加熱処理方法は、以下のような制御を行うことで、被処理部１０４を、高い温度、即ち、目標温度に加熱することができる。
【００４５】
図５は、レーザ制御例を示す図である。
【００４６】
図５には、代表的な４つのレーザ制御例が示されている。
【００４７】
（第１例）
第１例は、波長が９００ｎｍのレーザを被処理部１０４に照射したときに、被処理部１０４の温度が目標温度よりも低かった場合である。
【００４８】
この場合に、レーザの波長を９００ｎｍから９８０ｎｍに変更する。波長を９８０ｎｍに変更したところ、被処理部１０４の温度が目標温度に達した、又はより接近したので、以後の処理は波長９８０ｎｍで行う。
【００４９】
（第２例）
第２例もまた、波長が９００ｎｍのレーザを被処理部１０４に照射したときに、被処理部１０４の温度が目標温度よりも低かった場合である。
【００５０】
この場合に、レーザの波長を９００ｎｍから９８０ｎｍに変更する。波長を９８０ｎｍに変更したところ、被処理部１０４の温度がさらに低下した。この場合には、レーザの波長の変更を再度行う。本第２例では、波長を９８０ｎｍから８０８ｎｍに再度変更した。波長を８０８ｎｍに変更したところ、被処理部１０４の温度が目標温度に達した、又はより接近したので、以後の処理は波長８０８ｎｍで行う。
【００５１】
（第３例）
第３例もまた、波長が９００ｎｍのレーザを被処理部１０４に照射したときに、被処理部１０４の温度が目標温度よりも低かった場合である。
【００５２】
この場合に、レーザの出力を変更する。具体的には、レーザ出力を上昇させる。レーザ出力を上昇させたところ、被処理部１０４の温度が目標温度に達した、又はより接近したので、以後の処理は、変更後のレーザ出力で行う。
【００５３】
（第４例）
第４例もまた、波長が９００ｎｍのレーザを被処理部１０４に照射したときに、被処理部１０４の温度が目標温度よりも低かった場合である。
【００５４】
この場合に、レーザの波長を９００ｎｍから９８０ｎｍに変更する。波長を９８０ｎｍに変更したところ、被処理部１０４の温度が上昇したが、まだ、目標温度から離れている状態であった。この場合には、さらに、レーザの出力を変更する。具体的には、レーザ出力を上昇させる。レーザ出力を上昇させたところ、被処理部１０４の温度が目標温度に達した、又はより接近したので、以後の処理は、波長９８０ｎｍ、かつ、変更後のレーザ出力で行う。
【００５５】
このように、一実施形態によれば、被処理部１０４の温度を測定しながら、レーザ波長、又はレーザ出力、又はレーザ波長及びレーザ出力の双方を制御するので、被処理部１０４の膜種が未知であった、としても、被処理部１０４の温度を、目標温度に、より接近させることが可能である。
【００５６】
また、上記一実施形態では、測定装置１０２が、被処理部１０４の温度を測定するようにした。これは、図６に示すように、測定装置１０２が、被処理部１０４からのレーザの反射光を測定するように変更されても良い。反射光を測定すると、被処理部１０４の反射率が分かる。反射率は、被処理部１０４の温度と相関関係がある。このため、被処理部１０４の温度の測定に代えて、被処理部１０４の反射率の測定に置換することが可能である。この場合には、測定装置１０２に、非接触型温度計１０５の代わりに、反射率測定計１０６を設ける。反射率測定計１０６は、被処理部１０４からの反射率を測定する。反射率測定計１０６の例としては、フォトダイオード等の受光素子を挙げることができる。反射率を測定するようにしても、レーザ制御部１０３は、測定装置１０２からの測定結果を受け、レーザ源２３２に対してレーザの出力を上げ下げするレーザ出力制御信号Ｓ１と、波長変換部２３３に対してレーザの波長を変更するレーザ波長制御信号Ｓ２とを出力する。これにより、図４及び図５を参照して説明したようなレーザ制御が可能となる。
【００５７】
また、上記一実施形態では、レーザ装置２３１は、例えば、単一波長のレーザを出力するレーザ源２３２を備えていた。これは、図７に示すように、波長を変えることが可能な波長可変レーザ源２３５に置換することも可能である。波長可変レーザ源２３５を用いた場合には、レーザの波長を変換する波長変換部２３３を省略することが可能となり、レーザ装置２３１の構成を、単一波長のレーザ源２３２を用いる場合に比較して、簡略化することができる。これにより、例えば、レーザ装置２３１の大きさを、より小さくすることができる、という利点を得ることができる。波長可変レーザ源２３５としては、複数の波長を段階的に出力するもの、及びある範囲で波長を連続的に変化させて出力するもの、のどちらが使われても良い。波長可変レーザ源２３５の例としては、チタンサファイヤレーザを挙げることができる。波長可変レーザ源２３５を用いた場合においても、レーザ制御部１０３は、測定装置１０２からの測定結果に基づき、レーザの波長、又はレーザの出力、又はレーザの波長及びレーザの出力の双方を、被処理部１０４の温度が目標温度に接近するように制御する。
【００５８】
以上、この発明を一実施形態にしたがって説明したが、この発明は、上記一実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、本発明をウエハＷの裏面に付着した付着物除去装置に適用した場合について示したが、ウエハＷ上に堆積された膜のエッチング処理や、膜質の改質処理等にも適用することができる。
【００５９】
また、被処理体としてウエハＷを例示したが、被処理体もウエハＷに限らず、フラットパネルディスプレイや太陽電池パネルの製造に利用されるガラス基板にも適用することができる。  
その他、この発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１００…被処理体加熱処理装置、２３１…レーザ装置、１０２…測定装置、１０３…レーザ制御部、１０４…被処理部、２３２…レーザ源（単一波長）、２３３…波長変換部、２３４…集光レンズ、２３５…レーザ源（波長可変）、１０５…非接触型温度計、１０６…反射率測定計。
【図１】
0005606024.tif 000002
【図２】
0005606024.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005606024.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005606024.tif 000007
【図７】
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