(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力電極を有する無線ＩＣ素子と、
前記入出力電極と容量値Ｃ１で容量結合する中間電極を有する第１基材と、
前記中間電極と容量値Ｃ２で容量結合する放射電極を有する第２基材と、
を備え、
前記無線ＩＣ素子は無線ＩＣチップと給電回路基板とからなり、前記入出力電極は前記給電回路基板の表面又は内部に設けられており、
前記入出力電極と前記中間電極との間に形成される容量と前記中間電極と前記放射電極との間に形成される容量とは直列に接続され、かつ、容量値Ｃ１＜容量値Ｃ２であること、
を特徴とする無線ＩＣデバイス。
【請求項２】
前記無線ＩＣ素子は、前記入出力電極と前記中間電極とが対向するように、絶縁性接着層を介して前記第１基材に貼着されていること、を特徴とする請求項１に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項３】
前記第１基材は、前記中間電極と前記放射電極とが対向するように、絶縁性接着層を介して前記第２基材に貼着されていること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項４】
前記第１基材は前記第２基材に搭載され、第１基材と第２基材とで前記無線ＩＣ素子を挟み込んでいること、を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項５】
前記無線ＩＣ素子は絶縁性接着層を介して前記第２基材に接していることを特徴とする請求項４に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項６】
前記第２基材のサイズは前記第１基材のサイズに比べて大きいことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項７】
前記第１基材及び前記中間電極は可撓性を有することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項８】
入出力電極を有する無線ＩＣ素子を中間電極を有する第１基材に搭載し、前記入出力電極と前記中間電極とを容量値Ｃ１で容量結合させる工程と、
前記無線ＩＣ素子を搭載した第１基材を放射電極を有する第２基材に搭載し、前記中間電極と前記放射電極とを容量値Ｃ２で容量結合させる工程と、
を備え、
前記無線ＩＣ素子は無線ＩＣチップと給電回路基板とからなり、前記入出力電極は前記給電回路基板の表面又は内部に設けられており、
前記入出力電極と前記中間電極との間に形成される容量と前記中間電極と前記放射電極との間に形成される容量とは直列に接続され、かつ、容量値Ｃ１＜容量値Ｃ２であること、
を特徴とする無線ＩＣデバイスの製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線ＩＣデバイス及びその製造方法、特に、ＲＦＩＤ(Radio Frequency Identification)システムに用いられる無線ＩＣデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、物品の管理システムとして、誘導電磁界を発生するリーダライタと物品に付された所定の情報を記憶したＩＣタグ（以下、無線ＩＣデバイスと称する）とを非接触方式で通信し、情報を伝達するＲＦＩＤシステムが開発されている。ＲＦＩＤシステムに使用される無線ＩＣデバイスとしては、例えば、特許文献１に記載のものが知られている。【０００３】
文献１に記載（例えば、その図５に記載）の無線ＩＣデバイスでは、フレキシブルなシート上に形成された給電回路に無線ＩＣチップを搭載し、一方、いま一つのフレキシブルなシートに放射板を配置し、前記二つのシートを接着することで、給電回路と放射板とを容量結合させている。【０００４】
しかしながら、この無線ＩＣデバイスにおいては、シートの貼着に厳しい高精度が要求され、精度が悪いと無線ＩＣチップと放射板との結合容量値がばらついてインピーダンスが設定値からずれる。これにて、放射板による信号の放射／受信が不安定になり、信号の伝送効率が低下するという問題点を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１６０８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、無線ＩＣ素子と放射電極との結合容量値のばらつきを防止でき、信号の伝送効率の良好な無線ＩＣデバイス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明の第１の形態である無線ＩＣデバイスは、
入出力電極を有する無線ＩＣ素子と、
前記入出力電極と容量値Ｃ１で容量結合する中間電極を有する第１基材と、
前記中間電極と容量値Ｃ２で容量結合する放射電極を有する第２基材と、
を備え、
前記無線ＩＣ素子は無線ＩＣチップと給電回路基板とからなり、前記入出力電極は前記給電回路基板の表面又は内部に設けられており、
前記入出力電極と前記中間電極との間に形成される容量と前記中間電極と前記放射電極との間に形成される容量とは直列に接続され、かつ、容量値Ｃ１＜容量値Ｃ２であること、
を特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の形態である無線ＩＣデバイスの製造方法は、
入出力電極を有する無線ＩＣ素子を中間電極を有する第１基材に搭載し、前記入出力電極と前記中間電極とを容量値Ｃ１で容量結合させる工程と、
前記無線ＩＣ素子を搭載した第１基材を放射電極を有する第２基材に搭載し、前記中間電極と前記放射電極とを容量値Ｃ２で容量結合させる工程と、
を備え、
前記無線ＩＣ素子は無線ＩＣチップと給電回路基板とからなり、前記入出力電極は前記給電回路基板の表面又は内部に設けられており、
前記入出力電極と前記中間電極との間に形成される容量と前記中間電極と前記放射電極との間に形成される容量とは直列に接続され、かつ、容量値Ｃ１＜容量値Ｃ２であること、
を特徴とする。
【０００９】
前記無線ＩＣデバイスにおいて、無線ＩＣ素子と放射電極とは直列に接続された容量値Ｃ１，Ｃ２の容量で結合されており、即ち、無線信号の伝達経路上にＣ１，Ｃ２が直列に挿入されており、ここで、Ｃ１，Ｃ２はＣ１＜Ｃ２である。この場合、無線ＩＣ素子と放射電極との間のトータルの容量値Ｃは小さい方の容量値Ｃ１に支配される。容量値Ｃ１は無線ＩＣ素子の入出力電極と第１基材に設けた中間電極との間に形成される。この製造工程は従来からあるＩＣの実装装置を用いて無線ＩＣ素子を第１基材上に高精度に搭載することができ、容量値Ｃ１のばらつきはほとんど発生しない。一方、容量値Ｃ２は中間電極と放射電極との間に形成される。第２基材に第１基材を搭載する工程において位置精度が悪くて容量値Ｃ２にばらつきが発生しても、この容量値Ｃ２は無線ＩＣ素子と放射電極間の容量値Ｃにそれほど影響しない。それゆえ、無線ＩＣ素子と放射電極との間の容量値Ｃにばらつきが発生することが抑制され、信号の伝送効率が低下することはない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、無線ＩＣ素子と放射電極との結合容量値のばらつきを防止でき、放射電極による信号の放射／受信が安定化し、信号の伝送効率が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施例である無線ＩＣデバイスを示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は等価回路図である。
【図２】第１実施例である無線ＩＣデバイスの製造工程を示す説明図である。
【図３】第１実施例である無線ＩＣデバイスの製造工程（図２の続き）を示す説明図である。
【図４】第１実施例である無線ＩＣデバイスを構成する基本モジュールを示す断面図である。
【図５】（Ａ）は基本モジュールの変形例１を示す断面図、（Ｂ）は同じく変形例２を示す断面図である。
【図６】製造工程の変形例を示す説明図である。
【図７】第２実施例である無線ＩＣデバイスを示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は等価回路図、（Ｃ）は無線ＩＣ素子の断面図である。
【図８】第３実施例である無線ＩＣデバイスを示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は等価回路図である。
【図９】第４実施例である無線ＩＣデバイスを示す断面図である。
【図１０】第５実施例である無線ＩＣデバイスを示す断面図である。
【図１１】第６実施例である無線ＩＣデバイスを示す断面図である。
【図１２】第７実施例である無線ＩＣデバイスを示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は製造工程を示す説明図である。
【図１３】第８実施例である無線ＩＣデバイスの製造工程を示す説明図である。
【図１４】第８実施例である無線ＩＣデバイスの製造工程（図１３の続き）を示す説明図である。
【図１５】第９実施例である無線ＩＣデバイスの製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る無線ＩＣデバイス及びその製造方法の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施例において共通する部品、部分は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
（第１実施例、図１〜図５参照）
第１実施例である無線ＩＣデバイスは、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、給電回路基板４に無線ＩＣチップ５（図４参照）を搭載して樹脂層３で該無線ＩＣチップ５を封止した無線ＩＣ素子１と、中間電極１２ａ，１２ｂを有する第１基材１１と、放射電極１５ａ，１５ｂを有する第２基材１６とで構成されている。
【００１４】
図４に示すように、無線ＩＣチップ５は給電回路基板４に内蔵されている給電回路（図示せず）とはんだバンプ７にて接続されており、給電回路基板４の表面には入出力電極２ａ，２ｂが設けられている。この無線ＩＣ素子１は、入出力電極２ａ，２ｂが中間電極１２ａ，１２ｂと対向するように、第１基材１１に絶縁性接着層１３を介して貼着されている。入出力電極２ａ，２ｂと中間電極１２ａ，１２ｂとは容量値Ｃ１ａ，Ｃ１ｂで容量結合する。このように、無線ＩＣ素子１と第１基材１１とが一体化されたものを、基本モジュール８と称する。
【００１５】
前記第１基材１１は、中間電極１２ａ，１２ｂが放射電極１５ａ，１５ｂに対向するように、絶縁性接着層１４を介して第２基材１６に貼着されている。中間電極１２ａ，１２ｂと放射電極１５ａ，１５ｂとは容量値Ｃ２ａ，Ｃ２ｂで容量結合する。
【００１６】
前記第１及び第２基材１１，１６は、ＰＥＴフィルム、紙などの絶縁材（誘電体）が用いられる。各種電極にはＡｕ，Ａｇなどの金属蒸着膜、塗布膜、あるいは、アルミ箔などの金属薄膜が用いられる。接着層１３，１４としてはエポキシ樹脂などが用いられる。また、無線ＩＣチップ５は、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路を含み、必要な情報がメモリされている周知のものであり、所定の高周波信号を送受信できる。
【００１７】
以上の構成からなる無線ＩＣデバイスは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯やＨＦ周波数帯）を放射電極１５ａ，１５ｂで受信し、放射電極１５ａ，１５ｂと容量的に結合している給電回路（給電回路基板４に内蔵されている、図示せず）を共振させてエネルギーを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路にて所定の周波数に整合させた後、前記容量結合を介して放射電極１５ａ，１５ｂに送信信号を伝え、放射電極１５ａ，１５ｂからリーダライタに送信する。
【００１８】
ところで、第１実施例である無線ＩＣデバイスの等価回路は図１（Ｃ）に示すとおりであり、無線ＩＣ素子１と放射電極１５ａ，１５ｂとは直列に接続された容量値Ｃ１ａ，Ｃ２ａ及び容量値Ｃ１ｂ，Ｃ２ｂの容量で結合されている。ここで、容量値はＣ１ａ，Ｃ１ｂ＜Ｃ２ａ，Ｃ２ｂに設定され、例えば、容量値Ｃ１ａ，Ｃ１ｂの合成容量は２ｐＦ、容量値Ｃ２ａ，Ｃ２ｂの合成容量は２０ｐＦである。
【００１９】
この場合、無線ＩＣチップ５と放射電極１５ａ，１５ｂとの間の容量値Ｃは非常に小さい容量値Ｃ１ａ，Ｃ１ｂに支配される。Ｃ１ａ，Ｃ１ｂをＣ１とおき、Ｃ２ａ、Ｃ２ｂをＣ２とおくと、
Ｃ＝Ｃ１×Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）
＝Ｃ１／｛（Ｃ１／Ｃ２）＋１｝
であり、容量値Ｃ１が容量値Ｃ２に比べて非常に小さい値である場合（Ｃ２≫Ｃ１）、（Ｃ１／Ｃ２）の値は０に近くなるので、結局、容量値Ｃは容量値Ｃ１に支配されるのである。容量値Ｃ２を大きくすることは、中間電極１２ａ，１２ｂと放射電極１５ａ，１５ｂが重なる面積を大きく設定することにより容易に達成される。容量値Ｃ１ａ，Ｃ１ｂは無線ＩＣ素子１の入出力電極２ａ，２ｂと第１基材１１に設けた中間電極１２ａ，１２ｂとの間に形成される。第１基材１１に無線ＩＣ素子１を搭載する工程は、従来からあるＩＣの実装装置を用いて高精度に行うことができ、容量値Ｃ１（Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ）のばらつきはほとんど発生しない。一方、容量値Ｃ２ａ，Ｃ２ｂは中間電極１２ａ，１２ｂと放射電極１５ａ，１５ｂとの間に形成される。第２基材１６に第１基材１１を搭載する工程において位置精度が悪くて容量値Ｃ２（Ｃ２ａ，Ｃ２ｂ）にばらつきが発生しても、この容量値Ｃ２（Ｃ２ａ，Ｃ２ｂ）は無線ＩＣ素子１と放射電極１５ａ，１５ｂ間の容量値Ｃにそれほど影響しない。それゆえ、無線ＩＣ素子１と放射電極１５ａ，１５ｂとの間の容量値Ｃにばらつきが発生することが抑制され、インピーダンスの不整合による信号の伝送効率の低下を抑制できる。なお、Ｃ２はＣ１の５〜１０倍であることが望ましい。
【００２０】
また、本第１実施例において、第２基材１６のサイズは第１基材１１のサイズに比べて大きい。第１基材１１は微小サイズの無線ＩＣチップ５を含んで小サイズに構成されている。第２基材１６を大きなサイズとすることにより、小サイズの第１基材１１を第２基材１６に容易に貼着することができる。また、無線ＩＣ素子１を大サイズの第２基材１６に搭載する場合に比べて、高精度に搭載できる。
【００２１】
また、第１基材１１及び中間電極１２ａ，１２ｂは可撓性を有している。これにて、基本モジュール８の取扱いが容易になり、第１基材１１を第２基材１６に容易に貼り付けることができる。さらに、第２基材１６及び放射電極１５ａ，１５ｂも可撓性を有することが好ましい。無線ＩＣデバイス自体を物品の様々な形状の表面に貼着することができるからである。
【００２２】
次に、前記無線ＩＣデバイスの製造方法について図２及び図３を参照して説明する。まず、母材としての第１基材１１上に中間電極１２ａ，１２ｂをインクジェット法、スクリーン印刷法などにより形成する（図２（Ａ）参照）。次に、第１基材１１上に中間電極１２ａ，１２ｂを覆うように絶縁性接着層１３としての両面テープを貼着する（図２（Ｂ）参照）。次に、絶縁性接着層１３上の所定箇所に無線ＩＣ素子１を貼着する（図２（Ｃ）参照）。このとき、入出力電極２ａ，２ｂが中間電極１２ａ，１２ｂと所定位置で対向するように無線ＩＣ素子１が精度よく貼着される。
【００２３】
次に、第１基材１１上に無線ＩＣ素子１を覆うように絶縁性接着層１４としての両面テープを貼着し、基本モジュール８の集合体とする（図２（Ｄ）参照）。次に、図３（Ａ）に示すように、基本モジュール８を１単位ごとにカットし、基材フィルム１８上に接着層１９を介して貼着する（図３（Ｂ）参照）。次に、基材フィルム１８を表裏逆転させ、基本モジュール８を一つずつ基材フィルム１８から剥離しつつ、基本モジュール８を放射電極１５ａ，１５ｂが形成されている第２基材１６上に絶縁性接着層１４を介して貼着する（図３（Ｃ）参照）。このとき、中間電極１２ａ，１２ｂが放射電極１５ａ，１５ｂと所定位置で対向するように基本モジュール８が貼着されるが、その貼着位置精度はそれほどの厳密性が要求されないことは前述のとおりである。
【００２４】
（基本モジュール８の変形例、図５参照）
前記基本モジュール８は種々の形態を採用することができる。その変形例１を図５（Ａ）に示す。この基本モジュール８は、入出力電極２ａ，２ｂを給電回路基板４に内蔵したものであり、他の構成は図４に示した基本モジュール８と同様である。基本モジュール８にあっては、入出力電極２ａ，２ｂは中間電極１２ａ，１２ｂと絶縁性接着層１３及び給電回路基板４の誘電体層を介して容量結合する。
【００２５】
変形例２としての基本モジュール８は、図５（Ｂ）に示すように、給電回路基板を省略したもので、無線ＩＣチップ５の裏面に入出力電極２ａ，２ｂが設けられ、該入出力電極２ａ，２ｂが絶縁性接着層１３を介して中間電極１２ａ，１２ｂと対向し、容量結合している。
【００２６】
（製造工程の変形例、図６参照）
図２及び図３に示した製造方法は種々に変更することができる。その変形例を図６に示す。ここでは、図２（Ｄ）での工程の後で、絶縁性接着層１４の表面にカバーシート２０を貼着する（図６（Ａ）参照）。その後、カバーシート２０を剥して基本モジュール８を第２基材１６に貼着する（図６（Ｂ）参照）。なお、図６（Ｂ）に示した工程は、図３（Ｃ）の工程に相当する。このように、製造工程の途中でカバーシート２０を貼着しておくことにより、絶縁性接着層１４の表面にゴミなどが付着することを防止できる。なお、カバーシート２０の材質は任意である。
【００２７】
（第２実施例、図７参照）
第２実施例である無線ＩＣデバイスは、図７（Ｃ）に示すように、給電回路基板４の表面に一つの入出力電極２２を設けたもので、該入出力電極２２は１枚の中間電極２１に対向して容量結合している。他の構成は前記第１実施例と同様である。本第２実施例の等価回路は図７（Ｂ）に示すとおりであり、入出力電極２２と中間電極２１とは容量値Ｃ１で容量結合しており、この容量値Ｃ１は例えば４ｐＦであり、中間電極２１と放射電極１５ａ，１５ｂとの間の容量値Ｃ２ａ，Ｃ２ｂの合成容量は例えば２０ｐＦである。
【００２８】
なお、本第２実施例において、絶縁性接着層１４は省略されており、無線ＩＣ素子１は第２基材１６と接触している。
【００２９】
（第３実施例、図８参照）
第３実施例である無線ＩＣデバイスは、図８（Ａ）に示すように、第２基材１６上に一つの放射電極３０を設けたものである。また、一つの入出力電極２２が一つの中間電極２１と容量結合している点は前記第２実施例と同様である。本第３実施例の等価回路は図８（Ｂ）に示すとおりであり、入出力電極２２と中間電極２１とは容量値Ｃ１で容量結合しており、中間電極２１と放射電極３０とは容量値Ｃ２で結合している。容量値Ｃ１は例えば３ｐＦであり、容量値Ｃ２は例えば２０ｐＦである。
【００３０】
なお、本第３実施例において、放射電極３０は広い面積であってもよく（ＵＨＦ周波数帯域用）、あるいは、ループ形状であってもよい（ＨＦ周波数帯域用）。
【００３１】
（第４実施例、図９参照）
第４実施例である無線ＩＣデバイスは、図９に示すように、無線ＩＣ素子１を第１基材１１に搭載して絶縁性接着層４１（例えば、エポキシ樹脂）で被覆し、該接着層４１に中間電極２１を貼着し、基本モジュール８とする。そして、この基本モジュール８を放射電極３０を有する第２基材１６に絶縁性接着層４２（例えば、エポキシ樹脂）を介して貼着し、無線ＩＣデバイスとする。本第４実施例における等価回路は図８（Ｂ）と同じである。
【００３２】
（第５実施例、図１０参照）
第５実施例である無線ＩＣデバイスは、図１０に示すように、柔らかい絶縁性接着層４３（例えば、Ｂステージ状のエポキシ樹脂層）に無線ＩＣ素子１を埋め込み、該接着層４３に中間電極２１を貼着し、基本モジュール８とする。そして、この基本モジュール８を放射電極３０を有する第２基材１６に絶縁性接着層４２を介して貼着し、無線ＩＣデバイスとする。本第５実施例における等価回路は図８（Ｂ）と同じである。なお、本第５実施例において、絶縁性接着層４３が第１基材として機能している。
【００３３】
（第６実施例、図１１参照）
第６実施例である無線ＩＣデバイスは、図１１に示すように、柔らかい絶縁性接着層４３に無線ＩＣ素子１を埋め込み、該接着層４３を第１基材１１上に形成した中間電極２１に貼着し、基本モジュール８とする。そして、この基本モジュール８を放射電極３０を有する第２基材１６に絶縁性接着層４２を介して貼着し、無線ＩＣデバイスとする。本第６実施例における等価回路は図８（Ｂ）と同じである。
【００３４】
（第７実施例、図１２参照）
第７実施例である無線ＩＣデバイスは、図１２（Ａ）に示すように、基本的には前記第１実施例と同様の構成を有し、絶縁性接着層１４を省略したものである。従って、製造工程としては、図２（Ｃ）の工程の後、直ちに、基本モジュール８を１単位にカットし、該基本モジュール８を放射電極１５ａ，１５ｂを有する第２基材１６上に貼着する（図１２（Ｂ）参照）。
【００３５】
（第８実施例、図１３及び図１４参照）
第８実施例である無線ＩＣデバイスをその製造工程に従って説明する。まず、複数の無線ＩＣ素子１を第１基材１１に所定の間隔で搭載し（図１３（Ａ）参照）、絶縁性接着層４１で被覆する（図１３（Ｂ）参照）。次に、絶縁性接着層４１上に中間電極１２ａ，１２ｂを配置する（図１３（Ｃ）参照）。ここで、中間電極１２ａ，１２ｂは接着層４１の全面に電極膜を形成した後、所定の形状にパターニングしてもよい。次に、絶縁性接着層４１上に中間電極１２ａ，１２ｂを被覆するように絶縁性接着層４２を設ける（図１３（Ｄ）参照）。次に、基本モジュール８を１単位ごとにカットし、基材フィルム１８上に接着層１９を介して貼着する（図１４（Ａ）参照）。次に、基材フィルム１８を表裏逆転させ、基本モジュール８を一つずつ基材フィルム１８から剥離しつつ、基本モジュール８を放射電極１５ａ，１５ｂが形成されている第２基材１６上に貼着する（図１４（Ｂ）参照）。
【００３６】
本第８実施例における等価回路は図１（Ｃ）と同じであり、第８実施例の作用効果も第１実施例と同じである。
【００３７】
（第９実施例、図１５参照）
第９実施例である無線ＩＣデバイスをその製造工程に従って説明する。まず、複数の無線ＩＣ素子１を柔らかい絶縁性接着層４３に所定の間隔で埋め込み（図１５（Ａ），（Ｂ）参照）、該接着層４３に中間電極１２ａ，１２ｂを配置する（図１５（Ｃ）参照）。次に、絶縁性樹脂層４３に中間電極１２ａ，１２ｂを被覆するように絶縁性樹脂層４２を設ける（図１５（Ｄ）参照）。次に、基本モジュール８を１単位ごとにカットし、基本モジュール８を放射電極１５ａ，１５ｂが形成されている第２基材１６上に貼着する（図１５（Ｅ）参照）。
【００３８】
本第９実施例における等価回路は図１（Ｃ）と同じであり、第９実施例の作用効果も第１実施例と同じである。
【００３９】
（他の実施例）
なお、本発明に係る無線ＩＣデバイス及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上のように、本発明は、無線ＩＣデバイス及びその製造方法に有用であり、特に、無線ＩＣ素子と放射電極との結合容量のばらつきを防止でき、信号の伝送効率が良好である点で優れている。
【符号の説明】
【００４１】
２ａ，２ｂ，２２…入出力電極
４…給電回路基板
５…無線ＩＣチップ
８…基本モジュール
１１…第１基材
１２ａ，１２ｂ，２１…中間電極
１３，１４，４１，４２，４３…絶縁性樹脂層
１５ａ，１５ｂ，３０…放射電極
１６…第２基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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