(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞培養支持体である基材の表面に存在していた、３７℃よりも低い下限臨界溶解温度を示す温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法であって、前記温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を、前記水系洗浄液を収容した液槽中において、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高めることにより水系洗浄液中の温度応答性高分子を固形分として析出させる析出工程と、前記析出工程で析出した温度応答性高分子を、水系洗浄液から、ろ過、沈殿物の回収、及び遠沈管と遠心分離器との組み合わせの使用から選択される手段により分離する分離工程とを含み、前記温度応答性高分子化合物が、下限臨界溶解温度未満の温度で親水性を示し、下限臨界溶解温度以上の温度で疎水性を示し、且つ、前記温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を前記下限臨界溶解温度以上であって前記下限臨界溶解温度より２０℃高い温度以下に高めたときに固形分として析出する温度応答性高分子化合物である、前記方法。
【請求項２】
細胞培養支持体である基材の表面に固定化された３７℃よりも低い下限臨界溶解温度を示す温度応答性高分子化合物と遊離の前記温度応答性高分子化合物とが表面に存在する細胞培養支持体である前記基材の洗浄方法であって、前記基材の表面を、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液により洗浄して、前記固定化された温度応答性高分子は基材の表面に固定化したまま、前記遊離の温度応答性高分子化合物を基材の表面から除去し、除去された前記遊離の温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液を得る洗浄工程と、洗浄後の前記水系洗浄液の温度を、前記水系洗浄液を収容した液槽中において、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高めることにより水系洗浄液中の温度応答性高分子を固形分として析出させる析出工程と、前記析出工程で析出した温度応答性高分子を、水系洗浄液から、ろ過、沈殿物の回収、及び遠沈管と遠心分離器との組み合わせの使用から選択される手段により分離する分離工程とを含み、前記温度応答性高分子化合物が、下限臨界溶解温度未満の温度で親水性を示し、下限臨界溶解温度以上の温度で疎水性を示し、且つ、前記温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を前記下限臨界溶解温度以上であって前記下限臨界溶解温度より２０℃高い温度以下に高めたときに固形分として析出する温度応答性高分子化合物である、前記方法。
【請求項３】
分離工程後の水系洗浄液の温度を下限臨界溶解温度未満に低下させた後、洗浄工程において再利用する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
細胞培養支持体である基材の表面に固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する細胞培養支持体である前記基材が、基材表面に、温度応答性高分子化合物の前駆物質であるモノマーを存在せしめ、基材表面上において重合反応と基材表面への結合反応とを進行させることにより形成されたものである請求項２又は３記載の方法。
【請求項５】
細胞培養支持体である基材の表面に固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する細胞培養支持体である前記基材が、基材表面に、温度応答性高分子化合物の前駆物質であるモノマー及びプレポリマーを存在せしめ、基材表面上において重合反応と基材表面への結合反応とを進行させることにより形成されたものである請求項２又は３記載の方法。
【請求項６】
細胞培養支持体である基材の表面に存在していた、３７℃よりも低い下限臨界溶解温度を示す温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理装置であって、前記水系洗浄液を収容する液槽と、前記液槽に収容された水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高める加温手段と、前記加温により形成される温度応答性高分子の固形分である析出物を、水系洗浄液から、ろ過、沈殿物の回収、及び遠沈管と遠心分離器との組み合わせの使用から選択される手段により分離する分離手段とを備え、前記温度応答性高分子化合物が、下限臨界溶解温度未満の温度で親水性を示し、下限臨界溶解温度以上の温度で疎水性を示し、且つ、前記温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を前記下限臨界溶解温度以上であって前記下限臨界溶解温度より２０℃高い温度以下に高めたときに固形分として析出する温度応答性高分子化合物である、前記装置。
【請求項７】
細胞培養支持体である基材の表面に固定化された３７℃よりも低い下限臨界溶解温度を示す温度応答性高分子化合物と遊離の前記温度応答性高分子化合物とが表面に存在する細胞培養支持体である前記基材を洗浄するための洗浄装置であって、前記基材の表面を、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液により洗浄して、前記固定化された温度応答性高分子は基材の表面に固定化したまま、前記遊離の温度応答性高分子化合物を基材表面から除去する洗浄手段と、前記洗浄により発生する、除去された前記遊離の温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液を収容する液槽と、前記液槽に収容された水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高める加温手段と、前記加温により形成される温度応答性高分子の固形分である析出物を、水系洗浄液から、ろ過、沈殿物の回収、及び遠沈管と遠心分離器との組み合わせの使用から選択される手段により分離する分離手段とを備え、前記温度応答性高分子化合物が、下限臨界溶解温度未満の温度で親水性を示し、下限臨界溶解温度以上の温度で疎水性を示し、且つ、前記温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を前記下限臨界溶解温度以上であって前記下限臨界溶解温度より２０℃高い温度以下に高めたときに固形分として析出する温度応答性高分子化合物である、前記装置。
【請求項８】
前記分離後の水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満に低下させる冷却手段と、前記冷却後の水系洗浄液を前記洗浄手段に供給する供給手段とを更に備える請求項７記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法及び装置、並びに、固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
細胞シートとは、細胞間結合で細胞同士が少なくとも単層で連結されたシート状の細胞集合体である。細胞シートは再生医療などで用いられる。細胞シートはシャーレなどの支持体上で細胞培養を行うことにより得られるが、支持体上で形成された細胞シートは接着分子などを介して支持体表面と強固に結合しているため、細胞−細胞間の結合を壊さずに培養支持体から細胞シートを迅速に剥離することは容易ではない。
【０００３】
そこで、細胞培養支持体から細胞シートを効率的に剥離する方法として、温度応答性高分子化合物を細胞接着面に固定化した細胞培養支持体を用いる方法が提案されている（特許文献１及び２）。温度応答性高分子化合物は、水系溶液中において下限臨界溶解温度未満の温度で親水性を示し、下限臨界溶解温度以上の温度で疎水性を示すことから、温度応答性高分子化合物が固定化された細胞培養支持体表面は下限臨界溶解温度以上の温度条件では細胞シートの形成に好適な環境であり、下限臨界溶解温度未満の温度では形成された細胞シートの剥離に好適な環境となる。
【０００４】
【特許文献１】特公平６−１０４０６１号公報
【特許文献２】特開２００５−２７５３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
細胞培養支持体表面への温度応答性高分子化合物の固定化は、例えば、温度応答性高分子化合物の前駆物質であるモノマーを重合開始剤等の必要な試薬と共に細胞培養支持体の基材表面に存在させた状態で電子線照射（ＥＢ）等を施すことにより、モノマー同士の重合反応と、重合物の基材表面への結合反応とを進行させることにより行うことができる。この手順により温度応答性高分子化合物を細胞培養支持体の基材表面に固定化すると、基材表面には基材表面と固定化していない遊離の温度応答性高分子化合物も多量に存在することとなる。そこで基材表面を水系洗浄液により洗浄し、遊離の温度応答性高分子化合物を除去することが行われている。
【０００６】
こうして発生する洗浄液はＢＯＤ（生物化学的酸素要求量）が高いことから、直接環境廃棄することは好ましくない。また、洗浄後の水が再利用できれば水の消費量を抑制することができる。
【０００７】
そこで本発明は、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液から温度応答性高分子化合物を除去するとともに、除去後の洗浄液を再利用するために有効な手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は以下の発明を包含する。
（１）温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法であって、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高めることにより水系洗浄液中の温度応答性高分子を析出させる析出工程と、前記析出工程で析出した温度応答性高分子を水系洗浄液から分離する分離工程とを含む前記方法。
【０００９】
（２）固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法であって、前記基材の表面を、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液により洗浄して遊離の温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液を得る洗浄工程と、洗浄後の前記水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高めることにより水系洗浄液中の温度応答性高分子を析出させる析出工程と、前記析出工程で析出した温度応答性高分子を水系洗浄液から分離する分離工程とを含む前記方法。
【００１０】
（３）分離工程後の水系洗浄液の温度を下限臨界溶解温度未満に低下させた後、洗浄工程において再利用する、（２）記載の方法。
（４）固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材が、基材表面に、温度応答性高分子化合物の前駆物質であるモノマーを存在せしめ、基材表面上において重合反応と基材表面への結合反応とを進行させることにより形成されたものである（２）又は（３）記載の方法。
【００１１】
（５）固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材が、基材表面に、温度応答性高分子化合物の前駆物質であるモノマー及びプレポリマーを存在せしめ、基材表面上において重合反応と基材表面への結合反応とを進行させることにより形成されたものである（２）又は（３）記載の方法。
（６）前記基材が細胞培養支持体である（２）〜（５）のいずれかに記載の方法。
【００１２】
（７）温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理装置であって、前記水系洗浄液を収容する液槽と、前記液槽に収容された水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高める加温手段と、前記加温により形成される温度応答性高分子の析出物を水系洗浄液から分離する分離手段とを備える前記装置。
【００１３】
（８）固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材を洗浄するための洗浄装置であって、前記基材の表面を、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液により洗浄して遊離の温度応答性高分子化合物を基材表面から除去する洗浄手段と、前記洗浄により発生する温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液を収容する液槽と、前記液槽に収容された水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高める加温手段と、前記加温により形成される温度応答性高分子の析出物を水系洗浄液から分離する分離手段とを備える前記装置。
【００１４】
（９）前記分離後の水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満に低下させる冷却手段と、前記冷却後の水系洗浄液を前記洗浄手段に供給する供給手段とを更に備える（８）記載の装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、温度応答性高分子化合物が表面に固定化された基材を製造する際に発生する洗浄排水のＢＯＤを低くすることができる。また、本発明により温度応答性高分子化合物が除去された洗浄液は、温度応答性高分子化合物を洗浄除去する目的で再利用することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（温度応答性高分子化合物及び基材）
本発明に用いられる温度応答性高分子化合物は水中において温度条件に応じて疎水性状態と親水性状態とが可逆的に変化する高分子化合物を指す。本発明に用いられる温度応答性高分子化合物は、所定の温度以上では疎水性となって水に不溶であり、所定の温度未満であれば親水性となって水に可溶となる高分子化合物である。当該所定の温度を「下限臨界溶解温度」と称する。温度応答性高分子化合物の挙動を図１に模式的に示す。
【００１７】
本発明に好適に使用できる温度応答性高分子化合物としては、下限臨界溶解温度が細胞培養温度（通常は３７℃程度）よりも低く、細胞培養温度条件において疎水性のものが好ましい。好適な温度応答性高分子化合物としては、例えば特許文献１に記載の高分子化合物が挙げられ、具体的には、例えばポリ−Ｎ−イソ,プロピルアクリルアミド(下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）＝３２℃)、ポリ−Ｎ−ｎ−プロピルアクリルアミド(ＬＣＳＴ＝２１℃)、ポリ−Ｎ−ｎ−プロピルメタクリルアミド(ＬＣＳＴ＝３２℃)、ポリ−Ｎ−エトキシエチルアクリルアミド(ＬＣＳＴ＝約３５℃)、ポリ−Ｎ−テトラヒドロフルフリルアクリルアミド(ＬＣＳＴ＝約２８℃)、ポリ−Ｎ−テトラヒドロフルフリルメタクリルアミド（ＬＣＳＴ＝約３５℃）、及びポリ−Ｎ,Ｎ−ジエチルアクリルアミド(ＬＣＳＴ＝３２℃)等が挙げられる。その他のポリマーとしては、例えばポリ−Ｎ−エチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロプロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−アクリロイルピロリジン、ポリ−Ｎ−アクリロイルピペリジン、ポリメチルビニルエーテル、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等のアルキル置換セルロース誘導体や、ポリポリプロピレンオキサイドとポリエチレンオキサイドとのブロック共重合体等に代表されるポリアルキレンオキサイドブロック共重合体や、ポリアルキレンオキサイドブロック共重合体が挙げられる。これらのポリマーは、例えばモノマーの単独重合体がＬＣＳＴ＝０〜８０℃を有するようなモノマーの単独重合若しくは共重合により調製される。モノマーとしては例えば、(メタ)アクリルアミド化合物、Ｎ−(若しくはＮ,Ｎ−ジ)アルキル置換(メタ)アクリルアミド誘導体、環状基を有する(メタ)アクリルアミド誘導体、及びビニルエーテル誘導体等が挙げられ、これらの１種以上を使用してよい。また、増殖細胞の種類によってＬＣＳＴを調節する必要がある場合や、被覆物質と細胞培養支持体との相互作用を高める必要が生じた場合や、細胞支持体の親水・疎水性のバランスを調整する必要がある場合などには、上記以外の他のモノマー類を更に加えて共重合してよい。更に本発明に使用する上記ポリマーとその他のポリマーとのグラフトまたはブロック共重合体、あるいは上記ポリマーと他のポリマーとの混合物を用いてもよい。また、ポリマー本来の性質が損なわれない範囲で架橋することも可能である。
【００１８】
本発明において「基材」とは、その表面に上述の温度応答性高分子化合物を化学的又は物理的に固定化できるものである限り特に限定されないが、具体的にはポリスチレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ウレタンアクリレート、ナイロン等からなる基材が挙げられる。基材は典型的には細胞培養支持体である。細胞培養支持体の形状としては、シート形状やシャーレ形状が挙げられる。シャーレ形状の細胞培養支持体は、少なくともその底部として、シャーレ内に面した表面に温度応答性高分子化合物が固定化された基材を含む。
【００１９】
本発明は、固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法、或いは当該洗浄により排水として生じる水系洗浄液の処理方法に関する。ここでいう「固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材」は、典型的には、基材表面に、温度応答性高分子化合物の前駆物質であるモノマーを存在せしめ、或いはモノマーとある程度重合が進んだプレポリマーとを存在せしめ、基材表面上において重合反応と基材表面への結合反応とを進行させることにより形成される。基材表面上において重合反応と基材表面への結合反応とを進行させる方法としては、電子線照射(ＥＢ)、γ線照射、紫外線照射、プラズマ処理、コロナ処理等の各種処理、好ましくは電子線照射処理により、重合反応と、生成された重合化合物と基材構成材料との間の共有結合形成反応とを進行させる方法が挙げられる。この場合、必要に応じて重合開始剤等を共存させることができる。こうして処理された基材表面には固定化された温度応答性高分子化合物と、固定化されなかった遊離の温度応答性高分子化合物とが存在することとなる。
【００２０】
（水系洗浄液）
本発明において「水系洗浄液」とは典型的には水であるが、それには限られず、各種水溶性塩や、親水性有機溶媒（例えばアルコール類）が溶解された水溶液であってもよい。
【００２１】
（温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法及び装置）
本発明は、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法であって、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高めることにより水系洗浄液中の温度応答性高分子を析出させる析出工程と、前記析出工程で析出した温度応答性高分子を水系洗浄液から分離する分離工程とを含む前記方法に関する。本発明はまた当該方法を実施するための装置に関する。処理の対象となる「温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液」は、典型的には、固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材を、当該温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液により洗浄する際の排出液として発生する。以下、本発明の一実施形態について図２に基づいて説明する。
【００２２】
温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液は液槽２１に収容される。液槽２１には加熱装置（加熱手段）２２が備えられており、ヒーター（加温手段）２２により液槽２１中の水系洗浄液の温度が、温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高められる。加熱を効率的に行うためには、液槽２１中には処理すべき水系洗浄液を攪拌するための攪拌手段（典型的にはマグネチックスターラー、攪拌翼等）が更に設けられていてもよい。液槽２１中での加温により水系洗浄液中の温度応答性高分子化合物は固形分として析出する。析出工程において、水系洗浄液の温度は、温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度がＴ℃である場合、Ｔ＋０〜２０℃まで高められることが好ましい。加温により生じた析出物を含む水系洗浄液をろ過器（分離手段）２３に移してろ過を行い、温度応答性高分子化合物が除去された洗浄水をろ液として回収し、温度応答性高分子を残留固形分として回収する。分離手段としてはろ過器には限定されず、析出した温度応答性高分子を沈殿物として回収し、温度応答性高分子化合物が除去された洗浄水を上清として回収する沈殿分離槽を用いることができる。また、分離手段として遠沈管と遠心分離器との組み合わせを使用することもできる。分離手段は、分離操作のあいだ分離対象物の温度を下限臨界溶解温度以上に保持できるものであることが好ましい。
【００２３】
また、加温手段を備える液槽と分離手段とは一体化することも容易である。例えば、加温手段を備える沈殿分離槽に直接、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液を投入し、当該沈殿分離槽中で温度応答性高分子化合物を沈殿として析出させ、析出した温度応答性高分子化合物を沈殿物として回収し、温度応答性高分子化合物が除去された洗浄水を上清として回収する実施形態では、沈殿分離槽は液槽と分離手段とが一体化されたものとみなすことができる。
【００２４】
（固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法及び装置）
本発明はまた、固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法であって、前記基材の表面を、前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液により洗浄して遊離の温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液を得る洗浄工程と、洗浄後の前記水系洗浄液の温度を前記温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度以上に高めることにより水系洗浄液中の温度応答性高分子を析出させる析出工程と、前記析出工程で析出した温度応答性高分子を水系洗浄液から分離する分離工程とを含む前記方法に関する。本発明はまた当該方法を実施するための装置に関する。以下、本発明の一実施形態について図３に基づいて説明する。図３中、図２と同じ符号が付記されている構成要素の名称及び機能は図２に関して説明した構成要素と同じである。
【００２５】
下限臨界溶解温度未満の温度の水系洗浄液を、洗浄水噴射装置（洗浄手段）３１を用いて固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する細胞培養支持体（基材）３２に噴射する。ただし、洗浄方法は図３に示すような洗浄水の噴射には限定されない。たとえば、洗浄水を蓄えた液槽を用意し、当該液槽に洗浄対象の基材を浸して洗浄を行うこともできる。洗浄に使用される水系洗浄液の温度は、温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度がＴ℃である場合、Ｔ−１〜３２℃であることが好ましい。図３において洗浄対象の基材はシャーレ形状の細胞培養支持体３２であるが、これには限定されない。図３ではシャーレ形状の細胞培養支持体３２が複数個同時に洗浄されるように描写されているが、これには限定されず、一つずつ洗浄することも可能である。洗浄により発生する排出液は基材表面に由来する温度応答性高分子化合物を含む。排出液は捕集器３３により捕集され、液槽２１に収容される。液槽２１に収容された排出液の処理の手順は前記「温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法及び装置」の章で説明した通りである。最終的には温度応答性高分子化合物が除去された水系洗浄液と、温度応答性高分子化合物とが分離される。
【００２６】
上記手順により温度応答性高分子化合物が除去された水系洗浄液は、洗浄工程において再利用することも可能である。図４には再利用する場合の典型的な装置の構成を図示する。図４中、図２又は図３と同じ符号が付記されている構成要素の名称及び機能は図２又は図３に関して説明した構成要素と同じである。温度応答性高分子化合物が除去された水系洗浄液は冷却器（冷却手段）４１により洗浄対象の基材上に存在する遊離の温度応答性高分子化合物の下限臨界溶解温度未満の温度、好ましくは下限臨界溶解温度がＴ℃である場合Ｔ−１〜３２℃、まで冷却される。冷却された洗浄液はポンプ（供給手段）４２により洗浄水噴射装置（洗浄手段）３１に供給され、洗浄工程において再利用される。
【実施例】
【００２７】
図３に示すような基板洗浄システムを構築し以下の試験を行った。
洗浄水として水温２５℃の水を使用した。
【００２８】
洗浄対象の基板は次の手順で作成した。Ｎ−イソプロピルアクリルアミド（４０重量％）、ポリイソプロピルアクリルアミド（２重量％）のイソプロピルアルコール溶液をワイヤーバー＃４にて約５ｇ／ｍ２ の塗工厚になるように１３０μｍポリスチレンシート（１ｍ２）に塗工し、ドライヤーにて６０℃、１分間乾燥させた。次に塗工面に電子線を２回に分けて照射した。照射量を初回５Ｍｒａｄ、２回目２５Ｍｒａｄとした。電子線照射後、５℃の水に１２時間浸漬した。
【００２９】
上記手順で作成された基板に水温２５℃の水を噴射して洗浄し、排水を１０００ｍｌ回収した。
【００３０】
回収した排水の温度を、前記高分子の下限臨界溶解温度（３２℃）より高い４５℃に高めたところ温度応答性高分子が固形分として析出し沈殿した。
【００３１】
沈殿後排水を吸引ろ過する（ろ紙Ｎｏ．３  １５０ｍｍ）ことにより、沈殿した温度応答性高分子を分離した。
【００３２】
ろ過前の排水の水分蒸発後の固形分重量を測定することにより、排水中の温度応答性高分子化合物の量を定量した。また同様の手順により、ろ過後のろ液中の温度応答性高分子の量を定量した。こうして定量されたろ過前後の洗浄液中の温度応答性高分子の量を比較することにより除去量（減少率）を評価した。
【００３３】
比較例として、洗浄排水を４５℃に加温しない以外は上記実験（実施例）と同様の操作を行い、温度応答性高分子化合物の除去量を評価した。
【００３４】
結果を表１に示す。洗浄後の排水を冷却することで排水中の温度応答性高分子化合物を除去できることが明らかとなった。
【００３５】
【表１】
0005512914.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】下限臨界溶解温度を有する温度応答性高分子化合物の、当該温度未満或いは以上の温度条件下での挙動を模式的に示す図である。
【図２】本発明に係る、温度応答性高分子化合物を含む水系洗浄液の処理方法を行うための装置の構成を示す図である。
【図３】本発明に係る、固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法を行うための装置の構成を示す図である。
【図４】本発明に係る、固定化された温度応答性高分子化合物と遊離の温度応答性高分子化合物とが表面に存在する基材の洗浄方法であって、洗浄水を再利用する方法を行うための装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
２１：液槽、２２：ヒーター、２３：ろ過器、３１：洗浄水噴射装置、３２：細胞培養支持体、３３：捕集器、４１：冷却器、４２：ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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