(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、該絶縁板の前記スルーホールの内壁に被着されためっき導体から成るスルーホール導体と、前記スルーホール内を充填する孔埋め樹脂と、内周側面が前記スルーホール導体と密着するように前記スルーホールの周囲の前記絶縁板上下面にサブトラクティブ法により形成された銅箔から成るスルーホールランドと、前記孔埋め樹脂上および前記スルーホールランド上および前記絶縁板上に、前記孔埋め樹脂と前記スルーホールランドとを覆うようにセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る蓋めっきと、前記絶縁板の上下面にセミアディティブ法により直接形成されためっき導体から成る配線導体と、を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上下面に銅箔が被着された絶縁板に上下に貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの内壁にめっき導体から成るスルーホール導体を形成する工程と、前記スルーホール内を孔埋め樹脂で充填する工程と、前記絶縁板の上下面おける前記スルーホール周囲に、内周側面が前記スルーホール導体と密着する前記銅箔から成るスルーホールランドをサブトラクティブ法により形成する工程と、前記孔埋め樹脂上およびスルーホールランド上および前記絶縁板上に、前記孔埋め樹脂と前記スルーホールランドとを覆うめっき導体から成る蓋めっきをセミアディティブ法により形成するとともに、前記絶縁板の上下面にめっき導体から成る配線導体をセミアディティブ法により直接形成する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板として、ビルドアップ法により形成された配線基板が知られている。図５は、電子部品としての半導体素子を搭載するための従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。
【０００３】
この図５に示すように、従来の配線基板１００は、コア用の絶縁板１０１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁層１０２が積層されている。
【０００４】
コア用の絶縁板１０１の上面から下面にかけては複数のスルーホール１０３が形成されており、スルーホール１０３の内面には銅めっき層から成るスルーホール導体１０４が被着されている。また絶縁板１０１の上下面にはスルーホール導体１０４に接続された銅箔から成る第１導体層１０５が被着されている。さらに、スルーホール１０３の内部には埋め込み樹脂１０６が充填されており、この埋め込み樹脂１０６上および第１導体層１０５上に銅めっき層から成る第２導体層１０７が被着されている。そしてこれらのスルーホール導体１０４、第１導体層１０５および第２導体層１０７によりコア用の配線導体が形成されている。
【０００５】
また、ビルドアップ用の絶縁層１０２には、それぞれに複数のビアホール１０８が形成されており、各絶縁層１０２の表面およびビアホール１０８の内面には、銅めっき層から成るビルドアップ用の配線導体１０９が被着形成されている。そしてビルドアップ用の配線導体１０９はビアホール１０８を介してコア用の配線導体における第２導体層１０７上に接続している。さらに、このビルドアップ用の配線導体１０９のうち、配線基板１００の上面側における最外層の絶縁層１０２上に被着された一部は、電子部品Ｅの電極端子Ｔに導電バンプＢ１を介して電気的に接続される円形の電子部品接続パッド１１０を形成しており、これらの電子部品接続パッド１１０は格子状の並びに複数並んで形成されている。また、配線基板１００の下面側における最外層の絶縁層１０２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド１１１であり、この外部接続パッド１１１は格子状の並びに複数並んで形成されている。
【０００６】
さらに、最外層の絶縁層１０２およびその上の配線導体１０９上には、電子部品接続パッド１１０および外部接続パッド１１１を露出させるソルダーレジスト層１１２が被着されている。そして、電子部品接続パッド１１０の露出部に電子部品Ｅの電極端子Ｔが半田や金等から成る導電バンプＢ１を介して電気的に接続されるとともに外部接続パッド１１１の露出部に図示しない外部電気回路基板の配線導体が半田ボールＢ２を介して電気的に接続される。なお、ソルダーレジスト層１１２は、最外層の配線導体１０９を保護するとともに、電子部品接続パッド１１０や外部接続パッド１１１の露出部を画定する。
【０００７】
このような従来の配線基板１００の製造方法について図６〜図１１を基にして説明する。まず、図６（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂等の電気絶縁材料から成る絶縁板１０１用の樹脂基板１０１Ｐの上下面に第１導体層１０５用の銅箔１０５Ｐが積層されて成る両面銅張り板１２０を準備する。樹脂基板１０１Ｐの厚みは例えば５０〜８００μｍ程度であり、銅箔１０５Ｐの厚みは例えば２〜１８μｍ程度である。
【０００８】
次に、図６（ｂ）に示すように、両面銅張り板１２０の上面から下面にかけてスルーホール１０３をドリル加工やレーザ加工により形成し、スルーホール１０３を有するコア用の絶縁板１０１を得る。スルーホール１０３の直径は５０〜３００μｍ程度である。
【０００９】
次に、図６（ｃ）に示すように、スルーホール１０３の内壁および銅箔１０５Ｐの表面の全面にわたり、無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて成るスルーホール導体１０４となる銅めっき層１０４Ｐを形成する。銅めっき層１０４Ｐを構成する無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層の厚みは１０〜３０μｍ程度である。
【００１０】
次に、図６（ｄ）に示すように、銅めっき層１０４Ｐが被着されたスルーホール１０３内に孔埋め樹脂１０６を充填する。
【００１１】
次に、図６（ｅ）に示すように、孔埋め樹脂１０６の上下端および上下面の銅めっき層１０４Ｐを、絶縁板１０１の上下面に銅箔１０５Ｐの層が２〜１５μｍ程度の厚みで残存するように研磨して平坦化する。このとき、スルーホール１０３内には銅めっき層から成るスルーホール導体１０４が銅箔１０５Ｐと電気的に接続された状態で残る。
【００１２】
次に、図７（ｆ）に示すように、残存した銅箔１０５Ｐの層の表面およびスルーホール導体１０４の端面および孔埋め樹脂１０６の端面の全面にわたり無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて成る第２導体層１０７用の銅めっき層１０７Ｐを形成する。銅めっき層１０７Ｐを構成する無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層の厚みは１０〜３０μｍ程度である。
【００１３】
次に、図７（ｇ）に示すように、銅めっき層１０７Ｐにおけるスルーホール１０３上およびその周囲に対応する領域を被覆するランド形成用のマスクパターンを含む所定パターンのエッチングレジスト層１３１を銅めっき層１０７Ｐの表面に被着形成する。
【００１４】
次に、図７（ｈ）に示すように、エッチングレジスト層１３１から露出する銅めっき層１０７Ｐおよびその下の銅箔１０５Ｐの層をエッチング除去する。これによりエッチングレジスト層１３１に対応した形状の配線導体が形成される。
【００１５】
次に、図７（ｉ）に示すように、第２導体層１０７上からエッチングレジスト層１３１を剥離除去する。これにより、スルーホール導体１０４、第１導体層１０５および第２導体層１０７から成るコア用の配線導体が形成される。
【００１６】
次に、図８（ｊ）に示すように、コア用の配線導体が形成されたコア用の絶縁板１０１の上下面に絶縁層１０２用の樹脂層１０２Ｐを積層する。樹脂層１０２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する樹脂系電気絶縁材料であり、２０〜５０μｍ程度の厚みである。
【００１７】
次に、図８（ｋ）に示すように、樹脂層１０２Ｐにレーザ加工を施すことにより第２導体層１０７を底面とするビアホール１０８を穿孔して絶縁層１０２を形成する。
【００１８】
次に、図８（ｌ）に示すように、ビアホール１０８内および絶縁層１０２の表面に第２導体層１０７に接続するビルドアップ用の配線導体１０９を形成する。ビルドアップ用の配線導体１０９は無電解めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて成り、公知のセミアディティブ法を用いて形成する。
【００１９】
次に、図８（ｍ）に示すように、次層の絶縁層１０２および配線導体１０９を必要に応じて所定層数形成し、最後に図８（ｎ）に示すように、最表層の絶縁層１０２および配線導体１０９上にソルダーレジスト層１１２を被着形成して従来の配線基板１００が完成する。
【００２０】
ところで近時、電子部品Ｅは、その高集積化が急激に進み、これを搭載する配線基板にも高密度な微細配線が要求されるようになってきている。このような高密度な微細配線の要求に答えるために、電子部品Ｅが接続されるビルドアップ用の配線導体１０９のみならず、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を３０μｍ以下の微細なものにする要求が高まっている。
【００２１】
ところが、上述の従来の配線基板１００においては、コア用の配線導体における絶縁板１０１上のパターンは、絶縁板１０１上に積層された厚みが２〜１５μｍ程度の銅箔１０５Ｐ上に厚みが１０〜３０μｍ程度の銅めっき層１０７Ｐを被着させた後、その上に形成したエッチングレジスト層１３１から露出する銅箔１０５Ｐおよび銅めっき層１０７Ｐを所定のパターンにエッチング除去するサブトラクティブ法により形成されることから、エッチングの際に、銅箔１０５Ｐおよび銅めっき層１０７Ｐがその厚みに応じて横方向にも極めて大きくエッチングされるので、絶縁板１０１の上下面に例えば幅や隣接間隔が３０μｍ以下の微細な配線パターンを含むコア用の配線導体を形成することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】特開平１１−２７４７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本発明の課題は、半導体素子を搭載する配線基板において、ビルドアップ用の配線導体のみならず、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を例えば３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の配線基板は、上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、該絶縁板の前記スルーホールの内壁に被着されためっき導体から成るスルーホール導体と、前記スルーホール内を充填する孔埋め樹脂と、内周側面が前記スルーホール導体と密着するように前記スルーホールの周囲の前記絶縁板上下面にサブトラクティブ法により形成された銅箔から成るスルーホールランドと、前記孔埋め樹脂上および前記スルーホールランド上および前記絶縁板上に、前記孔埋め樹脂と前記スルーホールランドとを覆うようにセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る蓋めっきと、前記絶縁板の上下面にセミアディティブ法により直接形成されためっき導体から成る配線導体と、を具備することを特徴とするものである。
【００２５】
また本発明の配線基板の製造方法は、上下面に銅箔が被着された絶縁板に上下に貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの内壁にめっき導体から成るスルーホール導体を形成する工程と、前記スルーホール内を孔埋め樹脂で充填する工程と、前記絶縁板の上下面おける前記スルーホール周囲に、内周側面が前記スルーホール導体と密着する前記銅箔から成るスルーホールランドをサブトラクティブ法により形成する工程と、前記孔埋め樹脂上およびスルーホールランド上および前記絶縁板上に、前記孔埋め樹脂と前記スルーホールランドとを覆うめっき導体から成る蓋めっきをセミアディティブ法により形成するとともに、前記絶縁板の上下面にめっき導体から成る配線導体をセミアディティブ法により直接形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の配線基板およびその製造方法によれば、スルーホール導体に電気的に接続するスルーホールランドは、微細加工が困難なサブトラクティブ法により形成されるものの、蓋めっきおよび配線導体は、微細加工が容易なセミアディティブ法により形成されることから、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を例えば３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板およびその製造方法を提供することができる。また、スルーホールランドは、その内周側面がスルーホール導体に密着することから、両者間の接続信頼性の高い配線基板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の配線基板における実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３（ｆ）〜（ｊ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４（ｋ）〜（ｏ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図５】図５は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、図５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図７】図７（ｆ）〜（ｉ）は、図５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図８】図８（ｊ）〜（ｎ）は、図５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明における配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図であり、電子部品としてのエリアアレイ型の半導体素子をフリップチップ接続により搭載した場合を示している。
【００２９】
図１に示すように、本例の配線基板２０は、コア用の絶縁板１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁層２が積層されている。
【００３０】
コア用の絶縁板１は、厚みが５０〜８００μｍ程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。
【００３１】
コア用の絶縁板１の上面から下面にかけては直径が５０〜３００μｍの複数のスルーホール３が形成されており、スルーホール３の内面には銅めっき層から成るスルーホール導体４が被着されている。また絶縁板１の上下面にはスルーホール導体４に接続されたスルーホールランド５が被着されている。スルーホールランド５は、厚みが２〜１５μｍ程度の銅箔から成り、サブトラクティブ法により形成されている。スルーホールランド５の直径はスルーホール３の直径よりも７０〜１５０μｍ程度大きいものとなっている。なお、この場合、スルーホール導体４はスルーホールランド５の内周側面に密着しており、両者は極めて信頼性高く接続されている。さらに、スルーホール３の内部にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂６が充填されている。
【００３２】
スルーホールランド５および孔埋め樹脂６および絶縁板１の上には、スルーホールランド５および埋め込み樹脂６を覆う蓋めっき７と幅や間隔が３０μｍ以下の微細なパターンを有するコア用の配線導体８とがセミアディティブ法により形成されている。これらの蓋めっき７および配線導体８は、厚みが１０〜３０μｍ程度の銅めっき層から成り、セミアディティブ法により形成されているので、絶縁基板１の両面に幅や間隔が３０μｍ以下の微細なパターンを形成することができる。したがって本発明の配線基板によれば、コア用の配線導体における配線の幅や間隔を３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板を提供することができる。なお、スルーホールランド５を覆う蓋めっき７はスルーホールランド５周囲の絶縁板１上を覆う大きさとすることが好ましい。
【００３３】
ビルドアップ用の絶縁層２は、厚みが２０〜５０μｍ程度であり、それぞれに直径が３５〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されており、各絶縁層２の表面およびビアホール９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０が被着形成されている。そしてビルドアップ用の配線導体１０は、ビアホール９の一部を介して絶縁板１上の蓋めっき７や配線導体８に接続している。なお、ビルドアップ用の配線導体１０をコア用の配線導体８にビアホール９を介して接続する場合、ビアホール９の直下の絶縁板１上にスルーホールランド５と同じ銅箔から成るビアランド１１をサブトラクティブ法により形成しておき、その上をコア用の配線導体８で覆うようにすることが好ましい。
【００３４】
さらに、このビルドアップ用の配線導体１０のうち、配線基板２０の上面側における最外層の絶縁層２上に被着された一部は、電子部品Ｅの電極端子Ｔに導電バンプＢ１を介してフリップチップ接続により電気的に接続される円形の電子部品接続パッド１２を形成しており、これらの電子部品接続パッド１２は格子状の並びに複数並んで形成されている。そして、これらの電子部品接続パッド１２はその外周部がソルダーレジスト層１３により覆われているとともに上面の中央部がソルダーレジスト層１３から露出しており、電子部品接続パッド１２の露出部に電子部品Ｅの電極端子Ｔが半田や金等から成る導電バンプＢ１を介して電気的に接続される。
【００３５】
他方、配線基板２０の下面側における最外層の絶縁層２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド１４であり、この外部接続パッド１４は格子状の並びに複数並んで形成されている。この外部接続パッド１４はその外周部がソルダーレジスト層１３により覆われているとともに、その下面中央部がソルダーレジスト層１３から露出しており、外部接続パッド１４の露出部に、図示しない外部電気回路基板の配線導体が半田ボールＢ２を介して電気的に接続される。なお、ソルダーレジスト層１３は、最外層の配線導体１０を保護するとともに、電子部品接続パッド１２や外部接続パッド１４の露出部を画定する。
【００３６】
次に、上述した配線基板の一例を製造する製造方法について図２〜図６を基にして説明する。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂やガラス−ビスマレイミドトリアジン樹脂等の電気絶縁材料から成る絶縁板１用の樹脂基板１Ｐの上下面に銅箔５Ｐが積層されて成る両面銅張り板３０を準備する。樹脂基板１Ｐの厚みは例えば５０〜８００μｍ程度であり、銅箔５Ｐの厚みは例えば２〜１８μｍ程度である。また銅箔５Ｐにおける樹脂基板１Ｐと密着する面は、十点平均高さＲｚが０．１０〜７．０μｍの粗面となっている。このような両面銅張り板３０はプリント配線基板用途に一般的に販売されているものを用いればよい。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、両面銅張り板３０の上面から下面にかけてスルーホール３をドリル加工やレーザ加工により形成することにより上面に銅箔５Ｐが被着された絶縁板１を形成する。スルーホール３の直径は５０〜３００μｍ程度である。スルーホール３を形成した後、スルーホール３内壁を過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウム等を含む水溶液でデスミア処理することが好ましい。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、スルーホール３の内壁および上下の銅箔５Ｐの表面の全面にわたり、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るめっき導体４Ｐを公知の無電解銅めっき法および電解銅めっき法により被着させる。なお、めっき導体４Ｐを構成する無電解銅めっきの厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり電解銅めっきの厚みは１０〜３０μｍ程度である。
【００３９】
次に、図２（ｄ）に示すように、スルーホール３の内部に孔埋め樹脂６を充填する。孔埋め樹脂６は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の無機絶縁フィラーを分散させた樹脂系絶縁材料から成り、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物にシリカ等の無機絶縁フィラーを分散させて成る樹脂ペーストを絶縁板１の上下面からスクリーン印刷法により印刷し、それを熱硬化させることにより形成される。
【００４０】
次に、図２（ｅ）に示すように、絶縁板１の上下面に被着させためっき導体４Ｐとスルーホール３から上下に突出する孔埋め樹脂６を銅箔５Ｐが２〜１５μｍの厚みで絶縁板１の上下面に残存するように研磨して平坦化する。これによりスルーホール３内にスルーホール導体４および孔埋め樹脂６が形成される。
【００４１】
次に、図３（ｆ）に示すように、銅箔５Ｐおよび孔埋め樹脂６上にスルーホールランド５およびビアランド１１に対応したパターンのエッチングレジスト層３１を被着形成する。エッチングレジスト層３１は感光性樹脂から成るドライフィルムレジストを銅箔５Ｐおよび孔埋め樹脂６上に貼着するとともに上記所定のパターンに露光および現像することにより形成される。
【００４２】
次に、図３（ｇ）に示すように、エッチングレジスト層３１から露出する部位の銅箔５Ｐをエッチング除去する。銅箔５Ｐのエッチングには塩化第二銅や塩化第二鉄等を含有するエッチング液を用いればよい。このとき、スルーホールランド５およびビアランド１１に対応する部位に被着された銅箔５Ｐのみが残る。
【００４３】
次に、図３（ｈ）に示すように、エッチングレジスト３１を除去する。エッチングレジスト層３１の除去はアルカリ系のレジスト剥離液を用いて行えば良い。これにより、絶縁板１の上下面にスルーホールランド５とビアランド１１とがサブトラクティブ法により形成される。なお、この場合、スルーホール導体４はスルーホールランド５の内周側面に無電解めっき法および電解めっき法により良好に密着しており、両者は極めて信頼性高く接続される。
【００４４】
次に、露出する絶縁板１の上下面およびスルーホール導体４の端面およびスルーホールランド５の表面および孔埋め樹脂６の端面に図示しない無電解銅めっきを０．１〜１．０μｍ程度の厚みに被着させた後、図３（ｉ）に示すように、その無電解銅めっき上に蓋めっき７および配線導体８に対応する形状の開口パターンを有するめっきレジスト層３２を被着させる。このとき、蓋めっき７に対応する開口パターンの径をスルーホールランド５の径よりも、５０〜２００μｍ大きくしておくと、開口パターンの形成位置が１〜４９μｍ程度ずれたとしてもスルーホールランド５とめっきレジスト層３２との間に泡噛みが発生することなく、蓋めっき７を良好に形成することができる。したがって、めっきレジスト層３２の蓋めっき７に対応する開口パターンの径は、スルーホールランド５の径よりも、５０〜２００μｍ大きくしておくことが好ましい。
【００４５】
次に、図３（ｊ）に示すように、めっきレジスト層３２から露出する無電解銅めっき層上にそれぞれ蓋めっき７および配線導体８に対応したパターンの電解銅めっき７Ｐ，８Ｐを被着させる。電解銅めっき７Ｐ，８Ｐは、厚みが１０〜３０μｍ程度であり、公知の電解めっき液を用いることにより被着される。
【００４６】
次に、図４（ｋ）に示すように、めっきレジスト層３２を剥離除去した後、めっきレジスト層３２に下にあった無電解銅めっきをエッチング除去することによって、蓋めっき７および配線導体８を形成する。めっきレジスト層３２の剥離にはアルカリ系の剥離液を用いればよい。また無電解銅めっきのエッチングには過酸化水素および過硫酸ナトリウム等を含有する公知のエッチング液を用いればよい。
【００４７】
このような蓋めっき７および配線導体８の形成方法は、いわゆるセミアディティブ法と呼ばれる方法であり、蓋めっき７および配線導体８を形成する際にめっきレジスト層３２の下にあった無電解銅めっきの厚み分だけエッチングすればよいので蓋めっき７および配線導体８が横方向に大きくエッチングされることがない。したがって、コア用の絶縁板１の上下に配線の幅や間隔を３０μｍ以下とした微細なコア用の配線導体８を高密度で形成することができる。
【００４８】
次に、図４（ｌ）に示すように、絶縁板１の上下面に蓋めっき７および配線導体８を覆うようにして絶縁層２用の樹脂層２Ｐを積層する。樹脂層２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する樹脂系電気絶縁材料であり、２０〜５０μｍ程度の厚みである。このような樹脂層２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物およびシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する未硬化の樹脂シートを、絶縁板１の上下面に蓋めっき７および配線導体８を覆うようにして貼着するとともに熱硬化させることにより形成される。なお、樹脂層２Ｐはガラスクロスを含有していてもよい。
【００４９】
次に、図４（ｍ）に示すように、樹脂層２Ｐにレーザ加工を施すことにより蓋めっき７またはビアランド１１上の配線導体８を底面とするビアホール９を穿孔して絶縁層２を形成する。ビアホール９の直径は３５〜１００μｍ程度である。
【００５０】
次に、図４（ｎ）に示すように、ビアホール９内および絶縁層２の表面に蓋めっき７およびビアランド１１上の配線導体８に接続するビルドアップ用の配線導体１０を形成する。配線導体１０は、厚みが０．１〜１．０μｍ程度の無電解銅めっき層および厚みが１０〜２０μｍ程度の電解銅めっき層を順次被着させて成り、セミアディティブ法を用いて形成すればよい。
【００５１】
次に、図４（ｏ）に示すように、次層の絶縁層２および配線導体１０を必要に応じて所定層数形成し、更にその上にソルダーレジスト層１３を被着形成して本発明による配線基板２０が完成する。なお、ソルダーレジスト層１３は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する樹脂系電気絶縁材料であり、１０〜２５μｍ程度の厚みである。このようなソルダーレジスト層１３は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物およびシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する未硬化の感光性樹脂シートまたは樹脂ペーストを、最表層の絶縁層２および配線導体１０上に被着させるとともに所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。
【００５２】
かくして、本発明の配線基板の製造方法によれば、コア用の配線導体における配線の幅や間隔を３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板２０を提供することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１    コア用の絶縁板
２    ビルドアップ用の絶縁層
３    スルーホール
４    スルーホール導体
５    スルーホールランド
６    孔埋め樹脂
７    蓋めっき
８    配線導体
【図１】
0005565951.tif 000002
【図２】
0005565951.tif 000003
【図３】
0005565951.tif 000004
【図４】
0005565951.tif 000005
【図５】
0005565951.tif 000006
【図６】
0005565951.tif 000007
【図７】
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【図８】
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