(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取面に光を照射する発光手段と、
前記発光手段を制御する光源制御手段と、
前記読取面からの光を光電変換するラインセンサと、
を備え、
前記ラインセンサは、
主走査方向にライン状に配列され、副走査方向に色成分別に並列に配置された光電変換素子列と、
前記各光電変換素子列に並行に配置され各画素の光電変換素子とゲート接続されたシフトゲートと、
前記各光電変換素子列に発生した電荷を出力部に転送するための副走査方向の副走査方向転送路及び主走査方向の主走査方向転送路と、
で構成され、
前記副走査方向転送路は、
前記各光電変換素子列に発生した電荷をゲート接続されたシフトゲートに転送し、次いでこのシフトゲートから隣接する光電素子列に電荷転送するように構成され、
前記光源制御手段は、
前記光電素子列の電荷を前記シフトゲートに転送する際には、前記発光手段を点灯し、シフトゲートから隣接する光電変換素子列に電荷転送する際には、前記発光手段を消灯又は遮光することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記光源制御手段は、
前記シフトゲートから隣接する光電変換素子列に電荷転送する際に、前記発光手段と前記画像読取面との間に配置されたシャッタで光を遮光することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記光電変換素子列は色成分毎に３列に構成され、
前記光源制御手段は、
前記３列のうち２列の光電変換素子列にチャージされた電荷を前記副走査方向転送路から前記出力転送路に転送する際に、
前記発光手段から前記画像読取面に照射する光を点灯状態、次いで消灯又は遮光することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スキャナ装置、複写機、ファクシミリ等に使用される原稿を読取る画像読取装置に係わり、光電変換センサで画像読取する際の光源機構の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種の画像読取装置は、プラテンなどの画像読取面に光源から光を照射し、原稿からの反射光又は透過光を光電変換センサに導いて電気的に読み取っている。そして光電変換センサとしてはエリアセンサで画像を面順次で読取る機構と、ラインセンサで画像を線順次で読取る機構が知られている。本発明はＣＣＤラインセンサで画像を線順次で読取る方式に関する。
【０００３】
従来、ＣＣＤラインセンサは、ホトダイオードの光電変換素子（画素）をライン状に配列し、この画素に蓄積した電荷をＣＣＤレジスタで外部に転送している。そしてカラーセンサ構造では、色成分毎に副走査方向に光電変換素子列を例えばＲ列Ｇ列Ｂ列の順に配列し、この素子列に主走査方向に電荷を転送する水平シフトレジスタ（出力転送路）と、この出力転送路に電荷を移送する垂直シフトレジスタ（副走査方向転送路）を結線している。
【０００４】
この場合、最も単純な構造は、Ｒ素子列に隣設してＲシフトレジスタ、次いでＧ素子列、Ｇシフトレジスタの順に配列する方法が考えられる。ところがＲＧＢの順に素子列とシフトレジスタを配列すると最も離れたＲ列とＢ列の光電変換素子列では読取ラインが位置ずれする。これは画像ブレや色ずれとして出力され読取り精度に影響を及ぼす。
【０００５】
そこで例えばＲＧＢの順に素子列を配列し、Ｒ列の隣にＲシフトレジスタとＧＢ列の外側に位置するＢ列の隣にＧシフトレジスタとＢシフトレジスタを配列し各画素とシフトレジスタをシフトゲートで接続することが知られている。この場合にはＧ列Ｂ列の電荷を水平シフトレジスタに移送する副走査方向転送路が素子列を横切るように配列される。
【０００６】
一方、画像の読取面は、フラットベットプラテン或いはスリット露光プラテンで構成され、前者は載置した原稿シートを読取り、後者は所定速度で移動する走行原稿を読み取る。そしてこのプラテンに光源ランプから線状光を照射し、原稿面からの反射光若しくは透過光をＣＣＤラインセンサに集光するように構成されている。
【０００７】
上記光源ランプとしては、蛍光灯（冷陰極管）、キセノンランプなどが知られ、最近ではＬＥＤ（Light Emitting Diode）が使用されている。このＬＥＤは、線状に発光素子を配列したアレイ構造と点状のＬＥＤ発光素子の光を棒状導光体で線状光に変換して照射する構造が知られている。
【０００８】
そこで従来は、画像読取中は連続して光源から光を読取面に照射し、ラインセンサで電荷の蓄積と外部転送を繰り返している。そしてこの電荷の蓄積と転送サイクルは読取りクロックで制御している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のようにＣＣＤラインセンサで画像読取する際に、光源ランプから光を連続して照射する従来の読取り構造では、ＣＣＤラインセンサの構造によって次の不具合が生ずる。前述したように副走査方向に色成分毎の複数の光電変換素子列を配列し、各画素に蓄積された電荷を副走査方向転送路から出力転送路で外部に出力する際に、副走査方向転送路が光電変換素子列を横切る（クロス配列）構造では色ずれが問題となる。
【００１０】
つまり副走査方向転送路で例えばＧ素子列の電荷を出力転送路に移送するとき、Ｂ素子列を通過する際にＢ光電変換部分に光が照射していると、通過中のＧ素子列の電荷にＢ成分の電荷が重畳される。このためＧ素子列の電荷の転送中に別の色成分のＢ素子列の電荷が混入すると正確な色成分の出力を得ることが出来ない。従来はこのような混色の問題はカラーセンサの構造上やむを得ないこととしている。
【００１１】
一方、このような色成分の混色を避けるために、例えばＧ素子列の隣にＧ色転送路を、次いでＢ素子列の隣にＧ色転送路を配置しているが、この場合にはＲＧＢの各読取りラインの間隔が広くなるため、画像の読取位置が位置ずれすることとなり、色ずれの原因となる。
【００１２】
そこで本発明者は、副走査方向に複数の光電変換素子列を配列したラインセンサ構造において、ホトダイオードに蓄積した電荷を外部転送出力する際には光源を消灯若しくはシャッタなどで遮光するとの着想に至った。これによって読取り素子列の電荷転送時に異なる色成分のホトダイオードから電荷が混入する上述の問題を解消することが可能となる。
【００１３】
本発明は色成分の異なる複数の光電変換素子列を副走査方向に配列したラインセンサで画像読取する際に、色成分毎の読取精度の向上をその課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を達成するため本発明は、画像読取面からの読取り光を光電変換するＣＣＤラインセンサを色成分毎に配列された複数の光電変換素子列と、その蓄積電荷を副走査方向の副走査方向転送路から出力転送路に転送するように構成し、画像読取面にライン光を照射する発光手段を光源制御手段で制御する。この場合に、少なくとも１列の電荷を副走査方向転送路から出力転送路に転送する際に、発光手段から画像読取面に照射する光を消灯又は遮光するように光源制御手段を構成することを特徴としている。
【００１５】
更にその構成を詳述するに、画像読取面（２）にライン光を照射する発光手段（９）と、発光手段を制御する光源制御手段と、原稿画像からの反射光又は透過光を集光する撮像光学手段（７）と、撮像光学手段からの光を光電変換するＣＣＤラインセンサ（８）とを備える。そしてこのセンサは、色成分毎に副走査方向に並列に配列された複数の光電変換素子列（Ｒｈ,Ｇｈ，Ｂｈ）と、この光電変換素子列の電荷を副走査方向に転送する副走査方向転送路と、副走査方向転送路からの電荷を出力する出力転送路（Ｒｓ，Ｇｓ，Ｂｓ）とを有するＣＣＤライセンサで構成する。
【００１６】
そこで光源制御手段は、複数の光電変換素子列の少なくとも１列の電荷を副走査方向転送路から出力転送路に転送する際に、発光手段から画像読取面に照射する光を消灯又は遮光するように構成する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、画像読取面にライン光を照射する光源制御手段を、光電変換素子列の少なくとも１列の電荷を副走査方向転送路から出力転送路に転送する際に、発光手段から画像読取面に照射する光を消灯又は遮光するようにしたものであるから以下の効果を奏する。
【００１８】
色成分毎に副走査方向に複数配列した光電変換素子列に蓄積した電荷を出力転送路に転送する際に発光手段は消灯又は遮光されているから、この電荷転送中に他の色成分の電荷が混入する恐れがない。従って例えばＲＧＢ色成分毎に画像読取する場合に、読取色と異なる色成分の光電変換素子列（ホトダイオード列）に電荷が蓄積され出力転送路に混入する混色を低減することが可能である。
【００１９】
更に、発光手段としてＬＥＤ発光素子を用いることによって、光電変換素子列の転送クロックに応じて応答性良く発光消灯を制御することが可能である。また発光手段として例えば冷陰極管などを使用する場合には、光源と読取面との間に開閉シャッタを配置することによって転送タイミングに応じた光量調整が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係わる画像読取装置の全体構成の説明図。
【図２】図１の装置における原稿画像を読取る読取キャリッジの構成を示す説明図。
【図３】図１の装置におけるＣＣＤラインセンサの構造を示し、（ａ）は概念構成の説明図、（ｂ）は画像読取光学系の概念説明図、（ｃ）は光源とＣＣＤの電荷転送の関係の説明図。
【図４】図１の装置の制御構成の説明図。
【図５】図４の制御構成におけるラインセンサの電荷転送の制御を示し、（ａ）はタイミングチャート、（ｂ）（ｃ）は電荷転送の概念説明図である。
【図６】図５に示す電荷転送の説明図である。
【図７】図１の装置における光源の詳細構造の説明図であり、（ａ）は光源ユニットの構造説明図、（ｂ）はその発光体の構成説明図、（ｃ）は（ｂ）と異なる発光制御方法の説明図。
【図８】読取キャリッジの斜視説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１に本発明に係わる画像読取装置Ａを示す。図示の装置は装置ハウジング１内に画像読取ユニット（読取キャリッジ）６が内蔵され、この読取ユニット６にＣＣＤラインセンサ８と光源手段９が組み込まれている。本発明は、ＣＣＤライセンサ８で読取面（プラテン）２上の原稿画像を読取る際の光源制御に係わる。そこで以下「ＣＣＤライセンサの構造」「発光手段の構成」「発光制御手段の構成」「画像読取装置」の順に説明する。
【００２２】
［ＣＣＤラインセンサの構造］
図３（ａ）に本発明に係わるＣＣＤラインセンサのモデル図を示す。
主走査方向（図示Ｘ方向）にライン状に光電変換素子群（ホトダイオード；以下単に「素子列」という）を配列する。この素子列は色成分毎に副走査方向（図示Ｙ方向）に並列に複数列配置される。例えば図示のＲ素子列Ｒｈは赤色感光素子列、Ｇ素子列Ｇｈは緑色感光素子列、Ｂ素子列Ｂｈは青色感光素子列であり、副走査方向に間隔を隔てて配置されている。このＲＧＢの配列順序は種々の組み合わせが可能であるが、配列順序がＲ列Ｇ列Ｂ列の順序の場合について説明する。
【００２３】
上記Ｒ素子列ＲｈにはＲシフトゲートＲｇが、Ｇ素子列ＧｈにはＧシフトゲートＧｇが、Ｂ素子列ＢｈにはＢシフトゲートＢｇがそれそれぞれ並行してライン状に配列され、各画素の光電変換素子とゲート接続されている。またＲ素子列ＲｈにはＲシフトレジスタ（Ｒ出力転送路）Ｒｓが主走査方向に並設されＲシフトゲートＲｇを介して接続されている。同様にＧ素子列ＧｈにはＧシフトレジスタ（Ｇ出力転送路）Ｇｓが、Ｂ素子列ＢｈにはＢシフトレジスタ（Ｂ出力転送路）Ｂｓが並設されている。
【００２４】
そしてＧシフトレジスタ（Ｇ出力転送路）ＧｓとＢシフトレジスタ（Ｂ出力転送路）Ｂｓとは、Ｇ素子列Ｇｈ、ＧシフトゲートＧｇ及びＢ素子列Ｂｈ、ＢシフトゲートＢｇの外側（図３（ａ）上方）に副走査方向に並列に配列されている。これは図３（ｂ）に示すように原稿画像の読取位置、赤Ｒｐ、緑Ｇｐ、青Ｂｐが位置ずれする。この読取位置のずれ量を少なくするためにＲＧＢ各素子列の間隔Ｌｎを小さくして素子列の配列を高密にする必要がある。このためＧシフトレジスタ（Ｇ出力転送路）ＧｓとＢシフトレジスタ（Ｂ出力転送路）ＢｓをＧＢ素子列の外側（図３（ａ）上方）に配置している。
【００２５】
このような図３（ａ）の素子列配置によってＧ素子列Ｇｈの電荷をＧ出力転送路Ｇｓに移送するためにはＢ素子列Ｂｈを転送路として使用し移送することとなる。このとき、Ｂｈを通過する際にＢｈに光が照射していると、通過中のＧ素子列の電荷にＢ成分の電荷が重畳され、Ｇ出力転送路Ｇｓに送られる。
【００２６】
そこで本発明は、後述する原稿画像に光を照射する光源手段９をＧ素子列Ｇｈの電荷をＧ出力転送路Ｇｓに転送する間にＢｈを通過する際には、「消灯又は遮光する」ことを特徴とする。図３（ｃ）に示すように異なる素子列から電荷が混入する恐れのないＲ素子列ＲｈとＢ素子列Ｂｈの電荷転送（Ｒtr、Ｂtr）時には光源はＯＮ状態にするが、Ｇ素子列Ｇｈの電荷転送（Ｇtr）時には光源をＯＦＦ状態に制御する。これによってＧ素子列Ｇｈの電荷転送に例えばＢ素子列の電荷が混入することがない。
【００２７】
図４はＣＣＤラインセンサ８を制御する制御構成の説明図であり、ＣＣＤラインセンサ８は出力処理部２３に電気的に接続されている。この出力処理部２３は、例えばセンサからの出力値を増幅器で増幅し、Ａ／Ｄ変換器でデジタル信号に変換する。そしてこのデジタル化された出力値は画像処理部２５のラインメモリ２４に転送される。この画像処理部２５でデジタル信号に変換された出力値（画像データ）をシェーディング補正、色補正処理など補正処理する。そして補正処理された出力値は転送メモリ（不図示）に記憶され、外部装置からの転送要求コマンドに従って外部装置Ｃに転送される。
【００２８】
上記ＣＣＤラインセンサ８にはドライバ回路２１が接続され、この回路はタイミングジェネレータ２１で構成されている。このタイミングジェネレータ２１は内部に動作設定用のレジスタが設けられ、レジスタ値の変更により、出力する信号タイミングを調整可能に構成されている。
【００２９】
そして制御ＣＰＵ２０は、タイミングジェネレータ２１にレジスタ値を指定することによってＣＣＤの駆動信号を制御する。これと共に制御ＣＰＵ２０は光源９の電源供給回路２２を制御して光源ランプをＯＮ・ＯＦＦ制御する。図示の光源９はＬＥＤ発光体で構成され、その駆動電源はパルス制御され、制御ＣＰＵ２０は電源供給回路２２に設けられているパルス発生器をＰＷＭ制御することによって点灯時間を制御可能に構成されている。
【００３０】
更に上記制御ＣＰＵ２０は、後述する「画像読取動作」を実行させる。この画像読取動作は後述する読取キャリッジ６をプラテン上の原稿画像に沿って所定速度で副走査方向に移動し、線順次で画像読取する。このため制御ＣＰＵ２０は、光源９の制御と同時にＣＣＤラインセンサ８を搭載した読取キャリッジ６の移動モータ（不図示）を制御する。
【００３１】
次に上記制御ＣＰＵ２０によるＣＣＤラインセンサ８の出力制御について説明する。図５はタイミングジェネレータ２１からＣＣＤラインセンサ８に送るシフト信号Sｆと電源供給回路２２のＯＮ・ＯＦＦ信号（点灯信号）Ｓｔのタイミングチャートであり、このシフト信号SｆとＯＮ・ＯＦＦ信号Ｓｔはいずれも制御ＣＰＵ２０によって制御される。図６は、このタイミングチャートを説明するためのテーブルである。なお説明の都合上、前述したＧ素子列ＧｈとＢ素子列Ｂｈの転送タイミングについてのみ説明する。
【００３２】
図６のテーブル中の「〔1〕〔2〕〔3〕・・・」はシフト信号を表し、各信号タイミングで電荷が移動する。「Ｇｎ−１」は、原稿画像のnライン目の読取り開始までに蓄積されたＧ素子列Ｇｈの電荷を表す。「Ｇ〔1〕」はシフト信号〔1〕中に蓄積された電荷である。「Ｂｎ−１」はnライン目の読取り開始までに蓄積されたＢ素子列Ｂｈの電荷を、「Ｂ〔1〕」はシフト信号〔1〕中に蓄積された電荷を表す。
【００３３】
そこでＧ素子列ＧｈとＢ素子列Ｂｈの電荷の移送径路は、Ｇ素子列Ｇｈの場合は、「Ｇ感光部Ｇｈ」→「ＧシフトゲートＧｇ」→「Ｂ感光部Ｂｈ」→「ＢシフトゲートＢｇ」→「Ｇ転送路（シフトレジスタ）Ｇｓ」であり、Ｂ素子列Ｂｈの場合は、「Ｂ感光部Ｂｈ」→「ＢシフトゲートＢｇ」→「Ｇ転送路（シフトレジスタ）Ｇｓ」→「Ｂ転送路（シフトレジスタ）Ｂｓ」となる。
【００３４】
そこで光源制御を行った場合の電荷の移動について、Ｇ素子列Ｇｈについて説明する。図６に示すように、初期状態では、電荷Ｇｎ−1が感光部（Ｇ素子列Ｇｈ）に蓄積されている。このとき光源は点灯状態である。そこでシフト信号〔1〕が開始され、トランスファゲートが開く。蓄積されていたＧｎ−１は隣接するＧシフトゲートＧｇへ移動する。このシフト信号〔1〕の間は電荷移動中であっても感光が行われるため、新たにＧ〔1〕が蓄積される。蓄積されたＧ〔1〕はゲートが開いているので隣（ＧシフトゲートＧｇ）へ移動する。シフト信号〔1〕が終了すると、ＧシフトゲートＧｇにはＧｎ−１とＧ〔1〕が移動した状態となる。この状態を図５（ｂ）に模式図として示す。
【００３５】
次にシフト信号〔2〕が開始されると、ＧシフトゲートＧｇに転送された［Ｇｎ−１＋Ｇ〔1〕］の電荷は、これと隣接するＢ素子列Ｂｈ（感光部）へ移動する。このとき光源９を消灯し、Ｇ素子列、Ｂ素子列共に感光部に電荷は蓄積されない。この状態を図５（ｃ）に模式図として示す。
【００３６】
次にシフト信号〔3〕が開始されるとＢシフトゲートＢｇに転送された［Ｇｎ−１+Ｇ〔1〕］の電荷はこれと隣接するＧシフトゲートＧｇへ移動する。光源９を消灯状態に維持され、Ｇ素子列、Ｂ素子列の感光部（Ｇｈ，Ｂｈ）には電荷は蓄積されない。そしてシフト信号〔4〕が開始されると、ＧシフトゲートＧｇに送られた［Ｇｎ−１+Ｇ〔1〕］の電荷はＧ転送路Ｇｓへ移動する。
【００３７】
そこで光源９を点灯し、Ｇ素子列Ｇｈ、Ｂ素子列Ｂｈの感光部を感光する。このときＧ素子列Ｇｈの感光部ではＧ〔4〕が蓄積される。次にシフト信号〔5〕が開始されると、Ｇ転送路Ｇｓに送られた［Ｇｎ−１+Ｇ〔1〕］の電荷は、この転送路内を移動する。このとき光源は点灯状態であるため、Ｇ素子列Ｇｈ、Ｂ素子列Ｂｈの感光部で感光が行われ、Ｇ素子列Ｇｈの感光部にはＧ〔5〕が蓄積される。
【００３８】
そこでＧ素子列Ｇｈに蓄積されている電荷［Ｇ〔4〕＋Ｇ〔5〕］はそのままＧ素子列Ｇｈの感光部にとどまり、次のライン（ｎ+１ライン）での初期蓄積電荷となる。この電荷［Ｇ〔4〕＋Ｇ〔5〕］を図６表中にＧｎとして表す。
【００３９】
［画像読取装置］
次に上述したＣＣＤラインセンサ８で画像読取する場合の画像読取装置Ａについて説明する。図１にその全体構成を示す。画像読取装置Ａは、図示しないコンピュータなどの画像ハンドリング装置に接続され、原稿画像を読取ってそのデータを転送するシステム端末、或いはプリンタなどの画像形成装置に接続され原稿画像を読取ってそのデータをプリント出力する。
【００４０】
図示の画像読取装置Ａは、ケーシング１にプラテン２が設けられ、このプラテン２に沿って往復動自在に読取キャリッジ６が内蔵されている。この読取キャリッジ６にはプラテン上の原稿画像に読取光を照射する光源９と、原稿画像からの反射光を光電変換するＣＣＤラインセンサ８と、このセンサに反射光を案内する反射ミラー１０と結像レンズ７が内蔵されている。
【００４１】
この他、読取キャリッジ６には光源９と反射ミラー１０を搭載し、結像レンズ７とＣＣＤラインセンサ８は例えばケーシング１の底部に配置したシャーシに配置しても良い、また、図示する光学キャリッジ６は縮小光学系の読取機構を一例として示しているが、等倍光学系の読取機構（密着型）であっても良い。
【００４２】
図１の装置は、フラットベット式のプラテン２とは別にスリット露光式のプラテン３が設けられ、フラットベット式プラテン２は原稿シートを静止した状態で載置セットし、スリット露光式プラテン３は原稿シートを所定速度で走行させるようにセットする。本発明におけるプラテンは、フラットベット式でもスリット露光式プラテンでもいずれの構成でも、或いは図示のように両プラテンを備えても良い。そして上記スリット露光式プラテン３の上方にはフィーダ装置Ｂが配置され、原稿シートを読取部に給送する。
【００４３】
上記読取キャリッジ６（以下「キャリッジ」という）には、図２に示すように光源９が搭載されている。この光源９はフラットベット式プラテン２の読取部Ｒに角度θ１で斜め方向から光を照射する。そして原稿画像の反射光は第１ミラー１０ａ、第２ミラー１０ｂ、第３ミラー１０ｃ、第４ミラー１０ｄ、第２ミラー１０ｅを経て結像レンズ７に案内され、このレンズからＣＣＤラインセンサ８に結像するように光路形成されている。
【００４４】
［光源ユニット］
上記光源９について説明する。図７、図８に従って説明する。前述したキャリッジ６には図８に示すように光源収容部（導光体支持枠）１３が設けられている。
【００４５】
上記光源収容部１３には、光源９が収納され、光源９は導光体３０と発光体４０で構成されている。導光体３０は、図７に示すように読取面Ｒの読取幅（読取りライン幅）Ｗに応じた長さの棒状透光部材で構成されている。この導光体３０は例えば透明アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの透光性に富んだ材料で形成され、その断面形状は矩形状、或いは図示のように断面扇形状に構成され、左右端面３１Ｌ、３１Ｒには発光体４０が配置される。そしてこの導光体３０には光散乱面３２と光出射面３３が互いに対向するように配置されている。
【００４６】
このように光散乱面３２と光出射面３３は距離Ｌｄを隔てて略平行に読取りライン幅Ｗの長さで対向配置されている。光散乱面３２は塗装加工、エッチング加工、モールド成形加工などで凹凸面に形成され導入された光を乱反射するように表面加工されている。また光出射面３３は透光性に富んだレンズ表面のように表面仕上げされている。
【００４７】
従って導光体３０内に導入された光は光散乱面３２で所定方向に拡散され、光出射面３３に導入された光は所定の臨界角度以上のときには内部に反射し、臨界角度以下のときには外部に出射される。図７（ａ）に矢印ｈａで示す光は導光体３０内で反射し読取りライン幅Ｗ方向に分散し、矢印ｈｂで示す光は光出射面３３から読取面Ｒに出射することとなる。尚図示しないが後述する発光体４０からは球方向（３６０度方向；図示のものは６０度広角方向）に光が入射され、光散乱面３２と光出射面３３に照射される。
【００４８】
そこで発光体４０について説明すると、発光体４０は導光体３０の少なくとも一端面に配置される。図７（ａ）には左端面３１Ｌと右端面３１Ｒに配置する場合を示し、この左右端面の光源は左右シンメトリーとなるように構成する。この他図示しないが発光体４０を左右端面の一方に配置し、他方には反射部材（鏡面部材）を配置する。このときの反射部材は仮想光源が発光体４０と対称となるように構成する。
【００４９】
そして発光体４０はＬＥＤ発光素子４１、４２で構成され、電源供給回路２２に接続されている。この電源供給回路２２には図示しないがパルス発生器が備えられパルス電流をＬＥＤ発光素子４１、４２に供給する。このパルス電流は制御ＣＰＵ２０でＯＮ・ＯＦＦ制御される。従って制御ＣＰＵ２０は発光体４０を点滅制御することによってＣＣＤラインセンサ８に投射する光（原稿画像からの反射光）をＯＮ・ＯＦＦ制御する。これと共に制御ＣＰＵ２０はラインセンサ８に蓄積された電荷の出力タイミングを制御する。
【００５０】
このようにＣＣＤラインセンサ８に投射する光をＯＮ・ＯＦＦする場合に、発光体４０を点滅する方法（図７（ａ）参照）と、発光体４０からＣＣＤラインセンサ８に至る光路中に光を遮断するシャッタ手段を配置しても良い。図７（ｃ）は上述と同様の発光体４０に、液晶シャッタ４５を配置する場合を示す。この液晶シャッタ４５は図示しないが制御ＣＰＵ２０によって開閉制御可能に構成されている。
【符号の説明】
【００５１】
Ａ          画像読取装置
１          装置ハウジング
２          読取面（プラテン）
６          画像読取ユニット（読取キャリッジ）
７          結像レンズ
８          ＣＣＤラインセンサ
９          光源（ＬＥＤ発光体）
２０        制御ＣＰＵ
２１        ドライバ回路（タイミングジェネレータ）
２２        電源供給回路
２３        出力処理部
２４        ラインメモリ
２５        画像処理部
３０        導光体
４０        発光体
４１        ＬＥＤ発光素子
４２        ＬＥＤ発光素子
４５        シャッタ手段
Ｒｈ        Ｒ素子列（赤色感光素子列）
Ｇｈ        Ｇ素子列（緑色感光素子列）
Ｂｈ        Ｂ素子列（青色感光素子列）
Ｒｇ        Ｒシフトゲート
Ｇｇ        Ｇシフトゲート
Ｂｇ        Ｂシフトゲート
Ｒｓ        Ｒシフトレジスタ（Ｒ出力転送路）
Ｇｓ        Ｇシフトレジスタ（Ｇ出力転送路）
Ｂｓ        Ｂシフトレジスタ（Ｂ出力転送路）
Ｒｔｒ      電荷転送（赤）
Ｂｔｒ      電荷転送（青）
Ｇｔｒ      電荷転送（緑）
Ｓｆ        シフト信号
Ｓｔ        点灯信号
Ｇｎ        電荷
【図１】
0005626722.tif 000002
【図２】
0005626722.tif 000003
【図３】
0005626722.tif 000004
【図４】
0005626722.tif 000005
【図５】
0005626722.tif 000006
【図６】
0005626722.tif 000007
【図７】
0005626722.tif 000008
【図８】
0005626722.tif 000009