(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕよりなる金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物の除去方法であって、
前記金属付着物は前記被処理基板の処理の際に前記処理容器の内壁もしくは保持台に付着したＣｕよりなる金属付着物であり、
前記除去方法は、酸化性ガスにより前記金属付着物をＣｕ酸化物に酸化させる工程と、さらに前記Ｃｕ酸化物を昇華させる工程とを含み、
前記Ｃｕ酸化物を昇華させる工程は、前記処理容器の内壁面もしくは保持台の温度と前記処理空間の圧力とを制御することにより実行され、
前記処理容器の内部の温度は、前記金属付着物の蒸気圧が、前記処理空間の圧力よりも高くなるように選ばれ、
前記被処理基板の処理は、前記処理容器の内壁面もしくは保持台の温度を少なくとも４００℃以上、かつ前記処理空間の圧力を１×１０-6Ｐａ以下に設定して実行されることを特徴とする金属付着物の除去方法。
【請求項２】
前記酸化性ガスは、Ｏ2，Ｏ3，Ｎ2Ｏ，ＣＯ2よりなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の金属付着物の除去方法。
【請求項３】
Ｃｕよりなる金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器と、
前記被処理基板を保持する保持台と、
前記処理空間への有機化合物を含む処理ガスの供給を制御する処理ガス制御手段と、
前記処理空間への酸化性ガスの供給を制御する酸化性ガス制御手段と、
前記処理容器内の圧力を制御する圧力制御手段と、
Ｃｕよりなる金属付着物が付着した処理容器の内壁面と保持台の少なくともいずれかの温度を制御する温度制御手段と、を有する基板処理装置であって、
前記基板処理装置は、前記被処理基板が前記処理容器内に収容されていない状態で、前記処理ガスの前記処理容器の内への供給を停止するように前記処理ガス制御手段を制御し、さらに前記酸化性ガス制御手段を制御することにより前記被処理基板の処理の際に前記処理容器の内壁面あるいは保持台に付着した金属付着物をＣｕ酸化物に酸化させ、さらに前記圧力制御手段と前記温度制御手段とを介して前記処理容器の内壁面もしくは前記保持台の温度と前記処理空間の圧力とを制御することにより前記Ｃｕ酸化物を昇華させ、前記金属付着物を除去するものであり、
前記金属付着物を除去するプロセスの際、前記処理容器の内壁面もしくは前記保持台の温度は、前記金属付着物の蒸気圧が、前記処理空間の圧力よりも高くなるように選ばれ、
前記金属付着物を除去するプロセスの際、前記処理容器の内壁面もしくは前記保持台の温度は少なくとも４００℃以上、かつ前記処理空間の圧力を１×１０-6Ｐａ以下に設定されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記酸化性ガスは、Ｏ2，Ｏ3，Ｎ2Ｏ，ＣＯ2よりなる群より選択されることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
Ｃｕよりなる金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器と、
前記被処理基板を保持する保持台と、
前記処理空間への有機化合物を含む処理ガスの供給を制御する処理ガス制御手段と、
前記処理空間への酸化性ガスの供給を制御する酸化性ガス制御手段と、
前記処理容器内の圧力を制御する圧力制御手段と、
金属が付着した処理容器の内壁面と保持台の少なくともいずれかの温度を制御する温度制御手段と、を有する基板処理装置に、コンピュータにより金属付着物の除去方法を動作させるプログラムを記録した記録媒体であって、
前記金属付着物は前記被処理基板の処理の際に前記処理容器の内壁もしくは保持台に付着したＣｕよりなる金属付着物であり、
前記金属付着物の処理方法は、前記酸化性ガスにより前記金属付着物をＣｕ酸化物に酸化させる工程と、さらに前記Ｃｕ酸化物を昇華させる工程とを含み、
前記Ｃｕ酸化物を昇華させる工程は、前記処理容器の内壁面もしくは保持台の温度と前記処理空間の圧力とを制御することにより実行され、
前記金属付着物を除去する際、前記処理容器の内壁面もしくは前記保持台の温度は、前記金属付着物の蒸気圧が、前記処理空間の圧力よりも高くなるように選ばれ、
前記金属付着物を除去するプロセスの際、前記処理容器の内壁面もしくは前記保持台の温度は少なくとも４００℃以上、かつ前記処理空間の圧力を１×１０-6Ｐａ以下に設定されることを特徴とする記録媒体。
【請求項６】
前記酸化性ガスは、Ｏ2，Ｏ3，Ｎ2Ｏ，ＣＯ2よりなる群より選択されることを特徴とする請求項５記載の記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機化合物により基板処理を行う基板処理方法、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物により基板処理を行う基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高性能化に伴い、半導体装置の配線材料として抵抗値の小さいＣｕを用いることが広く普及してきている。しかし、Ｃｕは酸化されやすい性質を有しているため、例えばダマシン法によってＣｕの多層配線構造を形成する工程において、層間絶縁膜から露出したＣｕ配線が酸化してしまう場合がある。このため、酸化されたＣｕを還元により除去するため、ＮＨ３やＨ２などの還元性を有するガスが用いられる場合があった。
【０００３】
しかし、ＮＨ３やＨ２を用いた場合には、Ｃｕの還元処理の処理温度を高くする必要があったため、Ｃｕ配線の周囲に形成されている、いわゆるＬｏｗ−ｋ材料よりなる層間絶縁膜にダメージが生じる懸念があった。そのため、例えば蟻酸や酢酸などのカルボン酸を気化して処理ガスとして用いることで，Ｃｕの還元を２００℃程度の低温で行うことが提案されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３３７３４９９号公報
【特許文献２】特開２００６−２１６６７３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】David  R.  Lide  (ed)  CRC  Handbook  of  Chemistry  and  Physics,  84th  Edition
【非特許文献２】E.  Mack  et  al.,  J.  Am.  Chem.  Soc.,  617,  (1923)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、蟻酸や酢酸などの有機化合物による還元処理では、Ｃｕの一部は金属有機化合物錯体として昇華することでエッチングされる場合があった。更に昇華した金属有機化合物は、被処理基板を処理する処理空間で熱分解し、処理空間を画成する処理容器の内壁面や被処理基板を保持する保持台などの処理容器内部にＣｕが付着する場合があった。
【０００７】
また、付着したＣｕは、再び蟻酸や酢酸などによりエッチングされて被処理基板に再付着してしまう懸念があった。このように、Ｃｕが被処理基板に再付着すると、製造される半導体装置の特性が劣化してしまう懸念があった。
【０００８】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体を提供することを統括的課題としている。
【０００９】
本発明の具体的な課題は、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法と、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御することを特徴とする金属付着物の除去方法により、解決する。
【００１１】
当該金属付着物の除去方法によれば、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能になる。
【００１２】
本発明の第２の観点では、上記の課題を、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器と、前記被処理基板を保持する保持台と、前記処理空間への有機化合物を含む処理ガスの供給を制御するガス制御手段と、前記処理容器内の圧力を制御する圧力制御手段と、金属が付着した処理容器内壁面と保持台の少なくともいずれかの温度を制御する温度制御手段と、を有する基板処理装置であって、前記被処理基板が前記処理容器内に収容されていない状態で、前記処理ガスが前記処理容器内への供給を停止するように前記ガス制御手段が制御され、かつ前記圧力制御手段と前記温度制御手段とが、前記処理容器内壁面もしくは前記保持台に付着した金属付着物を昇華させるように制御されることを特徴とする基板処理装置により、解決する。
【００１３】
当該基板処理装置によれば、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる。
【００１４】
本発明の第３の観点では、上記の課題を、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器と、前記被処理基板を保持する保持台と、前記処理空間への有機化合物を含む処理ガスの供給を制御するガス制御手段と、前記処理容器内の圧力を制御する圧力制御手段と、金属が付着した処理容器内壁面と保持台の少なくともいずれかの温度を制御する温度制御手段と、を有する基板処理装置に、コンピュータにより金属付着物の除去方法を動作させるプログラムを記録した記録媒体であって、前記金属付着物の除去方法は、金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内壁面もしくは前記保持台の温度と、前記処理容器の圧力とを、制御することを特徴とする記録媒体により、解決する。
【００１５】
当該記録媒体によれば、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法と、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１による基板処理方法を示すフローチャートである。
【図２】図１の基板処理に用いる基板処理装置の一実施例を示すである。
【図３】図１の基板処理に用いる基板処理装置の他の実施例を示す図である。
【図４】図１の基板処理に用いる基板処理装置の他の実施例を示す図である。
【図５】固体ＣｕとＣｕＯの蒸気圧を比較する図である。
【図６】ＣｕＯの平衡酸素濃度を示す図である。
【図７】図１の基板処理に用いる基板処理装置の他の実施例を示す図である。
【図８】図１の基板処理に用いる基板処理装置の他の実施例を示す図である。
【図９】図１の基板処理に用いる基板処理システムの全体構成を示す図である。
【図１０】被処理基板からの脱離ガスを調べた結果を示す図である。
【図１１】金属層上に形成された酸化銅厚さと、処理によって揮発するＣｕ検出量を調べた結果を示す図である。
【図１２】除去された膜の膜厚を調べた結果を示す図である。
【図１３】基板処理装置の変形例を示す図である。
【図１４】基板処理装置のさらなる変形例を示す図である。
【図１５Ａ】実施例３による半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図１５Ｂ】実施例３による半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図１５Ｃ】実施例３による半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図１５Ｄ】実施例３による半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図１５Ｅ】実施例３による半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明の実施の形態に関して説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の実施例１による基板処理方法を示すフローチャートである。
【００２０】
図１を参照するに、まず、ステップ１（図中Ｓ１と表記、以下同じ）において、表面が酸化されて金属酸化膜が形成された金属層（例えば金属配線など）を有する被処理基板を、処理容器内の所定の処理空間に配置し、被処理基板が第１の温度となるように制御（設定）する。ここで、処理容器内（処理空間）に、蟻酸等の有機化合物ガスを導入し、被処理基板上の金属層表面に有機化合物を吸着させて金属錯体（金属有機化合物錯体）を形成する。
【００２１】
上記のステップ１では、形成される金属有機化合物錯体の昇華を抑制するために、被処理基板の温度を低温にすることが好ましい。例えば、上記の第１の温度は、金属有機化合物錯体の蒸気圧が処理空間の圧力よりも低くなる温度とされることが好ましい。
【００２２】
例えば、処理ガスとして蟻酸の蒸気を用いる場合、上記の第１の温度は、室温もしくは室温以下程度とされることが好ましい。このように、ステップ１における第１の温度を制御することで金属有機化合物錯体の昇華が抑制され、処理容器内部への金属の付着が抑制される。ステップ１の処理を所定の時間行った後、ステップ２に移行（被処理基板の温度が上昇）する前に、処理ガスの処理空間への供給を停止する。
【００２３】
次に、ステップ２において、処理ガスの処理空間への供給が停止した状態で、金属有機化合物錯体が金属層表面に形成された被処理基板を、不活性ガス雰囲気もしくは減圧雰囲気で加熱して、ステップ１の第１の温度よりも高い第２の温度とする。ここで、金属層上の金属有機化合物錯体を昇華させて除去する。上記のステップ１、ステップ２を経て、金属層に形成されていた金属酸化膜を除去することができる。
【００２４】
上記のステップ２においては、処理ガス（蟻酸蒸気などの有機化合物ガス）が処理空間に供給されていないため、仮に昇華した金属有機化合物錯体の一部が分解して処理容器内部に付着した場合であっても、付着した金属のエッチングが抑制される。この結果、エッチングされた金属の被処理基板への再付着が抑制されることになる。尚、処理容器内部に付着した金属に関しては、金属が付着した処理容器内部の温度を高くし、処理空間の圧力を低くすることで除去することも可能である。金属付着物の除去を行う場合には、例えば、処理容器内部の温度における金属付着物の蒸気圧が、処理空間の圧力よりも高くなるようにすることが好ましい。一般的には、金属付着物の蒸気圧は低いため、処理空間の圧力はできるだけ低くすることが好ましい。
【００２５】
また、加熱された被処理基板が高温（例えば１００℃以上）のまま、大気雰囲気に暴露されると、大気中の酸素により金属が再度酸化されてしまう懸念があるため、必要に応じてステップ３を設けて被処理基板の冷却を行うようにしてもよい。
【００２６】
上記の基板処理方法では、金属層の表面で金属有機化合物錯体を形成するステップ１と、形成された金属有機化合物錯体を昇華させるステップ２とを、実質的に分離していることが特徴である。すなわち、処理ガスが供給されるステップ１では被処理基板を低温（第１の温度）とし、形成される金属有機化合物錯体の昇華を抑制する一方で、処理ガスの供給が停止されるステップ２では被処理基板の温度を高温（第２の温度）とし、新たな金属のエッチングが生じることを抑制しながら形成された金属有機化合物錯体を積極的に昇華させている。
【００２７】
このため、本実施例による基板処理方法では、被処理基板（被処理基板に形成されるデバイス、配線、絶縁層など）が、有機化合物ガスによりエッチングされた金属の再付着により汚染されることが抑制され、清浄な基板処理を行うことが可能となっている。例えば、上記の基板処理方法を用いて、Ｃｕ配線に形成されるＣｕの酸化膜を除去し、Ｃｕの多層配線構造を有する半導体装置を製造することができる（具体例は実施例４図１１Ａ以下で後述）。
【００２８】
また、除去する金属酸化膜が厚い場合は、上記のステップ１乃至ステップ３（またはステップ１乃至ステップ２）の処理を繰り返し行うことで、効率的に金属酸化膜を除去することが可能となる。
【００２９】
また、従来の基板処理方法であっても、被処理基板が処理容器に収容されていない状態で、前述した金属付着物の除去方法（金属が付着した処理容器内部の温度を高くし、処理空間の圧力を低くする方法、例えば、処理容器内部の温度における金属付着物の蒸気圧が、処理空間の圧力よりも高くなるようにする方法）を適用することで、処理容器内部の金属付着物を除去すれば、金属の被処理基板への再付着を抑制することも可能である。
【００３０】
また、上記のステップ１乃至ステップ２、もしくはステップ１乃至ステップ３の処理においては、被処理基板が所定の減圧雰囲気または不活性雰囲気に保持されるようにして、連続的に速やかに処理が行われるようにされることが好ましい。
【００３１】
このため、上記の基板処理方法を、複数の処理容器（処理空間）を有するいわゆるクラスター型（マルチチャンバー型）の基板処理装置を用いて行うようにしてもよい。クラスター型の基板処理装置は、減圧状態または不活性ガスで内部が置換された搬送室に、複数の処理容器が接続されてなる構造を有している。この場合、ステップ１乃至ステップ２、もしくはステップ１乃至ステップ３に係る処理は、それぞれ別個の処理容器（処理空間）で行われることになる。例えば、ステップ１は、第１の処理容器（処理空間）にて実施され、その後、ステップ２、ステップ３は、それぞれ、第２の処理容器（処理空間）、第３の処理容器（処理空間）に順次搬送されて実施されることになる。
【００３２】
このように、上記の基板処理方法がクラスター型の基板処理装置で実施されることで、被処理基板が酸素に曝されることによる金属層の酸化や、あるいは、汚染物質の被処理基板への付着などが抑制され、清浄に基板処理を行うことが可能となる。また、処理ガスが供給される、金属有機化合物錯体が形成される第１の処理容器（処理空間）と、処理ガスが供給されない、金属化合物錯体が昇華される第２の処理容器が分離されているため、金属の再付着をより効果的に抑制することが可能となる。
【００３３】
また、上記の基板処理方法において、ステップ１乃至ステップ２、もしくはステップ１乃至ステップ３に係る処理を同じ処理容器（処理空間）で行うようにしてもよい。この場合、基板処理装置の構造が単純となり、基板処理（半導体製造）に係るコストを低減することが可能となる。また、上記のステップ１乃至ステップ２、もしくはステップ１乃至ステップ３に係る処理を同じ処理容器で行った場合においても、従来の基板処理方法（金属有機化合物錯体の形成と昇華を平行して進行させる方法）に比べて、金属の再付着が抑制された清浄な処理となる。
【００３４】
次に、上記の基板処理方法を実施する基板処理装置の具体的な構成例について、クラスター型の基板処理装置を例にとり、説明する。
【００３５】
図２は、図１に示した基板処理方法を実施するクラスター型の基板処理装置の一部を示した図であり、具値的には図１のステップ１を実施する第１の処理部１００を模式的に示す図である。
【００３６】
図２を参照するに、第１の処理部１００は、内部に第１の処理空間１０１Ａが画成される処理容器１０１を有しており、処理空間１０１Ａには，被処理基板Ｗを保持する保持台１０２が設置されている。
【００３７】
上記の保持台１０２の表面には、被処理基板Ｗを静電吸着するための静電吸着構造体１０２Ａが設置されている。静電吸着構造体１０２Ａは、たとえば、セラミック材料などの誘電体層内に、電圧が印加される電極１０２ａが埋設されて構成され、当該電極に電圧が印加されることで被処理基板Ｗを静電吸着することが可能に構成されている。
【００３８】
また、保持台１０２の内部には、例えばフロロカーボン系の流体などよりなる冷却媒体を流通させる流路よりなる冷却手段１０２Ｂが設けられている。上記の構造において、当該冷却媒体（図中冷媒と表記）による熱交換によって保持台１０２、静電吸着構造体１０２Ａの温度制御が行われ、保持される被処理基板Ｗが所望の温度に制御（冷却）される。
【００３９】
例えば、上記の冷却手段（流路）１０２Ｂには、冷凍機を内蔵した公知の循環装置（図示せず）が接続され、循環される冷却媒体の温度または流量を制御することで被処理基板Ｗの温度制御が可能に構成される。上記の循環装置は、例えばチラーと呼ばれる場合がある。
【００４０】
また、第１の処理空間１０１Ａは、処理容器１０１に接続された排気ライン１０４から真空排気され、減圧状態に保持される。排気ライン１０４は、圧力調整バルブ１０５を介して排気ポンプに接続され、第１の処理空間１０１Ａを所望の圧力の減圧状態とすることが可能になっている。また、上記の排気ポンプの後段に、排出された有機化合物を回収するための容器を備えて、有機化合物を回収してリサイクル可能なように構成してもよい。
【００４１】
また、第１の処理空間１０１Ａの、保持台１０２に対向する側には、処理ガス供給路１０６から供給される処理ガスを第１の処理空間１０１Ａに拡散させるためのシャワーヘッド１０３が設けられており、処理ガスを被処理基板Ｗ上に良好な均一性で拡散させる構造になっている。
【００４２】
また、上記のシャワーヘッド１０３に処理ガスを供給する処理ガス供給路１０６には、液体または固体の原料１１０を内部に保持する原料容器１０９が接続されている。また、処理ガス供給路１０６には、バルブ１０７と、処理ガスの流量を制御する流量制御手段（たとえばＭＦＣと呼ばれる質量流量コントローラ）１０８とが設置され、処理ガスの供給の開始、停止と、供給される処理ガスの流量の制御が可能な構造になっている。
【００４３】
例えば、原料１１０は蟻酸などの有機化合物よりなり、原料容器１０９内で気化または昇華される構造になっている。例えば、蟻酸を例にとると、蟻酸は常温で液体であって、常温でも所定量が気化される。また、原料容器１０９を加熱して気化を安定させるようにしてもよい。
【００４４】
また、上記の原料容器１０９、処理ガス供給路１０６、バルブ１０７、および流量制御手段１０８などは、保持台１０２に供給される冷媒と同じ冷媒を用いて冷却されるように構成してもよい。
【００４５】
上記の処理ガス供給路１０６から供給される処理ガスは、シャワーヘッド１０３に形成された複数のガス穴より、第１の処理空間１０１Ａに供給される。第１の処理空間１０１Ａに供給された処理ガスは、所定の温度（第１の温度）に制御（冷却）された被処理基板Ｗに到達し、被処理基板Ｗに形成された金属層（例えばＣｕ配線など）の表面に吸着して、金属有機物錯体が形成される。また、制御される第１の温度が室温程度の場合には、実質的に積極的な制御を行う必要はなく、冷却媒体による冷却などの積極的な温度制御は不要となる。
【００４６】
また、被処理基板Ｗの温度は、静電吸着構造体１０２Ａの吸着力の制御によっても変更することが可能である。例えば、電極１０２ａに印加される電圧を大きくして被処理基板Ｗの吸着力（吸着面積）を大きくすることで冷却効率を良好とし、被処理基板の温度を低くすることが可能となる。
【００４７】
また、上記のステップ１の処理において、処理ガスに、他のガスを加えることで、被処理基板に対しての処理性能を向上させることも可能である。例えば酸化性を有するガスとして、Ｏ２やＮ２Ｏを添加しても良いし、還元性を有する他のガスとして、例えばＨ２やＮＨ３を添加しても良い。
【００４８】
また、上記の第１の処理部１００のステップ１に係る処理は、制御手段２０１を介して、コンピュータ２０２によって動作される構造になっている。また、コンピュータ２０２は、記録媒体２０２Ｂに記憶されたプログラムに基づき、上記に説明した処理を動作させる。なお、制御手段２０１やコンピュータ２０２にかかる配線は図示を省略している。
【００４９】
上記の制御手段２０１は、温度制御手段２０１Ａと、ガス制御手段２０１Ｂ、および圧力制御手段２０１Ｃを有している。温度制御手段２０１Ａは、冷却手段（流路）１０２Ｂを流れる冷却媒体の流量、温度を制御することで、被処理基板Ｗの温度を制御する。また、温度制御手段２０１Ａは、電極１０２ａに印加される電圧の制御（吸着力の制御）によっても被処理基板Ｗの温度を制御する。
【００５０】
ガス制御手段２０１Ｂは、バルブ１０７、流量調整手段１０８の制御を行い、処理ガスの供給の開始、処理ガスの供給の停止、および供給される処理ガスの流量を制御する。圧力制御手段２０１Ｃは、圧力調整バルブ１０５の開度を制御し、第１の処理空間１０１Ａの圧力を制御する。
【００５１】
また、上記の制御手段２０１を制御するコンピュータは、ＣＰＵ２０２Ａ、記録媒体２０２Ｂ、入力手段２０２Ｃ、メモリ２０２Ｄ、通信手段２０２Ｅ、および表示手段２０２Ｆを有している。例えば、基板処理に係る基板処理方法（ステップ１）のプログラムは、記録媒体２０２Ｂに記録されており、基板処理は当該プログラムに基づき、行われる。また、当該プログラムを通信手段２０２Ｅから入力したり、または入力手段２０２Ｃから入力してもよい。
【００５２】
上記のステップ１の処理においては、被処理基板Ｗが低温（第１の温度）とされて処理ガスが供給されるため、被処理基板の金属層に形成された金属有機化合物錯体の昇華が抑制されていることが特徴である。このため、金属有機化合物錯体の昇華によって処理容器１０１の内壁面への金属の付着が抑制されている。
【００５３】
また、上記の第１の温度は、形成される金属有機化合物錯体の蒸気圧が第１の処理空間１０１Ａの圧力よりも低くなるような温度とされることが好ましく、より効果的に金属有機化合物錯体の昇華を抑制することが可能となる。
【００５４】
上記のステップ１の処理では、蟻酸に限定されず、同様の化学反応性を有する他の有機化合物を用いてもよい。
【００５５】
上記の処理ガスとして用いることが可能な有機化合物の例として、カルボン酸、無水カルボン酸、エステル、アルコール、アルデヒド、ケトン等を挙げることができる。
【００５６】
カルボン酸は、少なくとも一つのカルボキシル基を含む物質であり、具体的には
一般式  Ｒ１−ＣＯＯＨ
（Ｒ１は水素原子もしくは炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができる化合物、あるいはポリカルボン酸が挙げられる。上記の具体的な炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などをあげることができる。具体的なハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素をあげることができる。
【００５７】
上記のカルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−エチルへキサン酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、マロン酸、クエン酸などがある。
【００５８】
一般的な無水カルボン酸は、
一般式  Ｒ２−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−Ｒ３
（Ｒ２、Ｒ３は、水素原子もしくは炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができる。Ｒ２とＲ３に関する性質は前記カルボン酸のＲ１と同様に挙げることができる。
【００５９】
上記の無水カルボン酸としては、無水酢酸、無水蟻酸、無水プロピオン酸、無水酢酸蟻酸、無水酪酸、および無水吉草酸などがある。
【００６０】
一般的なエステルは、
一般式  Ｒ４−ＣＯＯ−Ｒ５
（Ｒ４は、水素原子もしくは炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基、Ｒ５は炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができる。Ｒ４に関する性質は前記カルボン酸のＲ１と同様に挙げることができる。Ｒ５に関する性質は前記カルボン酸のＲ１と同様（但し水素原子を除く）に挙げることができる。
【００６１】
上記のエステルとしては、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸ベンジル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸ヘキシル、酢酸オクチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、酢酸アリル、酢酸プロペニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ベンジル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ペンチル、酪酸ブチル、吉草酸メチル、および吉草酸エチルなどがある。
【００６２】
アルコールは、少なくとも一つのアルコール基を含む物質であり、具体的には
一般式  Ｒ６−ＯＨ
（Ｒ６は炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができる化合物、あるいはジオールおよびトリオールのようなポリヒドロキシアルコール等が挙げられる。Ｒ６に関する性質は前記カルボン酸のＲ１と同様（但し水素原子を除く）に挙げることができる。
【００６３】
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ブタノール、２−メチルプロパノール、２−メチルブタノール、２−プロパノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、ベンジルアルコール、ｏ−、ｐ−、およびｍ−クレゾール、レゾルシノール、２、２、２−トリフルオロエタノール、エチレングリコール、グリセロールなどがある。
【００６４】
アルデヒドは、少なくとも一つのアルデヒド基を含む物質であり、具体的には
一般式  Ｒ７−ＣＨＯ
（Ｒ７は炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができる化合物、あるいはアルカンジオール化合物等が挙げられる。Ｒ７に関する性質は前記カルボン酸のＲ１と同様に挙げることができる。
【００６５】
上記アルデヒドとしては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、グリオキサルなどがある。
【００６６】
一般的なケトンは、
一般式  Ｒ８−ＣＯ−Ｒ９
（Ｒ８、Ｒ９は炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができる。また、ケトンの一種として、
一般式  Ｒ１０−ＣＯ−Ｒ１１−ＣＯ−Ｒ１２
（Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２は炭化水素基もしくは炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基）と表記することができるジケトンがある。
【００６７】
上記ケトン、ジケトンとしては、アセトン、ジメチルケトン、ジエチルケトン、１、１、１、５、５、５‐ヘキサフルオロアセチルアセトンなどがある。
【００６８】
次に、上記の第１の処理部１００によるステップ１の処理に続いて、ステップ２の処理を実施する第２の処理部について説明する。
【００６９】
図３は、図１に示した第１の処理部１００と同様に、クラスター型の基板処理装置の一部を構成する第２の処理部１００Ａ示した図である。第２の処理部１００Ａでは、図１のステップ２が実施される。
【００７０】
図３を参照するに、第２の処理部１００Ａは、内部に第２の処理空間１１１Ａが画成される処理容器１１１を有しており、処理空間１１１Ａには，被処理基板Ｗを保持する保持台１１２が設置されている。
【００７１】
上記の保持台１１２には、例えばヒータよりなる加熱手段１１２Ａが埋設されている。保持台１１２に保持された被処理基板Ｗは、加熱手段１１２Ａにより加熱されてステップ１の第１の温度よりも高い第２の温度とされることが可能となるように構成されている。
【００７２】
また、第２の処理空間１１１Ａは、処理容器１１１に接続された排気ライン１１４から真空排気され、減圧状態に保持される。排気ライン１１４は、圧力調整バルブ１１５を介して排気ポンプに接続され、第２の処理空間１１１Ａを所望の圧力の減圧状態とすることが可能になっている。
【００７３】
また、第２の処理空間１１１Ａの、保持台１１２に対向する側には、ガス供給路１１６から供給される不活性ガスを第２の処理空間１１１Ａに拡散させるためのシャワーヘッド１１３が設けられている。
【００７４】
また、上記のシャワーヘッド１１３に不活性ガスを供給するガス供給路１１６には、例えば、ＡｒやＮ２、またはＨｅなどの不活性ガスを内部に保持するガス容器１１９が接続されている。また、上記の不活性ガスとしては、ＡｒやＨｅ以外の希ガス（例えばＮｅ，Ｋｒ，Ｘｅなど）を用いることも可能である。また、ガス供給路１１６には、バルブ１１７と、不活性ガスの流量を制御する流量制御手段（ＭＦＣ）１１８とが設置され、不活性ガスの供給の開始、停止と、供給される不活性ガスの流量の制御が可能な構造になっている。
【００７５】
上記の第２の処理部１００Ａによるステップ２の処理は、下記のようにして行われる。まず、第１の処理部１００によるステップ１の処理の後、被処理基板Ｗは第２の処理部１００Ａの処理容器１１１内に搬送され、保持台１１２上に載置される。
【００７６】
ここで、加熱手段１１２Ａによって被処理基板Ｗが加熱され、被処理基板Ｗの温度が、ステップ１の第１の温度よりも高い第２の温度に制御される。このため、被処理基板Ｗの金属層（金属配線）に形成された金属有機化合物錯体が昇華され、排気ライン１１４から排気される。また、上記の被処理基板Ｗの加熱（金属有機化合物錯体の昇華）にあたって、第２の処理空間１１１Ａ内は所定の減圧状態（真空状態）とされるが、先に説明したガス供給路１１６からシャワーヘッド１１３を介して不活性ガスを供給するようにしてもよい。
【００７７】
上記の第１の処理部１００によるステップ１の処理と、第２の処理部１００Ａによるステップ２の処理により、被処理基板の金属層（例えばＣｕ配線）に形成された金属酸化膜（例えば銅酸化膜）を除去することができる。
【００７８】
また、上記の第２の処理部１００Ａは、図２で先に説明した制御手段２０１とコンピュータ２０２を、第１の処理部１００と共有する構造になっている。なお、第１の処理部１００と第２の処理部１００Ａとで、制御手段とコンピュータをそれぞれ別途有するように基板処理装置を構成してもよい。
【００７９】
温度制御手段２０１Ａは、加熱手段１１２Ａを制御することにより、処理基板Ｗの温度を制御する。また、ガス制御手段２０１Ｂは、バルブ１１７、流量調整手段１１８の制御を行い、不活性ガスの供給の開始、処理ガスの供給の停止、および供給される不活性ガスの流量を制御する。圧力制御手段２０１Ｃは、圧力調整バルブ１１５の開度を制御し、第２の処理空間１１１Ａの圧力を制御する。
【００８０】
また、上記の制御手段２０１を制御するコンピュータ２０２は、記録媒体２０２Ｂに記録されたプログラムに基づき、基板処理に係る基板処理方法（ステップ２）を第２の処理部１００Ａに実行させる。
【００８１】
上記のステップ２の処理においては、処理ガスの供給が行われない第２の処理空間１１１Ａにおいて被処理基板Ｗが高温（第２の温度）とされて金属有機化合物錯体が昇華されることが特徴である。このため、例えば処理容器１１１の内壁面や保持台１１２に金属が付着した場合であっても当該金属が処理ガスのエッチングにより被処理基板に再付着する影響が抑制される。
【００８２】
また、さらに基板処理が行われる処理容器（保持台）のチャンバークリーニングを行えば、処理容器内の清浄度が維持され、基板処理の履歴に依らず、安定した基板処理をすることが可能となる。この時の処理温度は、処理容器１１１の内壁面または保持台１１２に付着した金属錯体を昇華させるように、処理容器１１１の内壁面または保持台１１２の温度を、基板処理の第２の温度より高く（例えば４００℃以上）することが望ましい。
【００８３】
なお、処理容器１１１の内壁面や保持台１１２などの処理容器１１１の内部に付着した金属を除去したい場合、例えば次のようにすればよい。
【００８４】
被処理基板Ｗが処理容器１１１内に収容されていない状態にし、更に処理容器１１１内への処理ガスの供給を停止する。次に、処理容器内部に付着した金属付着物を昇華させるように、金属が付着した処理容器１１１の内部（処理容器１１１の内壁面や保持第１１２）を、被処理基板の処理を行う温度よりも高温に加熱し、更に処理空間１１１Ａ内の圧力を低圧（例えば１×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ以下、更に好ましくは１×１０−７Ｐａ以下）となるように制御することで、金属付着物を除去する。
【００８５】
処理空間１１１Ａ内の圧力をこのような低い圧力に制御するためには、例えば、ターボ分子ポンプとクライオポンプとドライポンプなどを組みあせて使用することが好ましい。また、金属が付着した処理容器１１１の内部を加熱する温度は、金属付着物の蒸気圧が処理空間１１１Ａの圧力よりも高くなる温度であることが望ましく、より効果的に金属付着物の除去を行うことが可能となる。
【００８６】
なお、保持台１１２の上面に付着する金属の量が多く、この金属付着物を除去したい場合には、次のようにすることもできる。保持台１１２の上面に保持台を覆うように薄板状のサセプタを設置し、サセプタの上に被処理基板を保持するようにして、基板処理を行う。このようにすれば、金属は保持台１１２の上面に対しては付着せず、サセプタの上面に付着する。次に、薄板状のサセプタを搬送装置により、処理容器１１１から搬出し、処理容器１１１とは別の容器内にサセプタを搬入し、この別の容器内にてサセプタに付着した金属付着物を昇華させるようにしてもよい。
【００８７】
したがって、被処理基板に形成される配線、層間絶縁膜などが金属の再付着により汚染される影響が抑制され、清浄な基板処理を行うことが可能となる。このため、例えば、有機化合物ガスを用いた、Ｃｕ配線の酸化膜の除去を、Ｃｕの再付着による汚染の影響を抑制して清浄に行い、Ｃｕ配線を有する半導体装置を製造することが可能となる。
【００８８】
また、被処理基板Ｗを加熱する加熱手段としては、例えばヒータを用いる場合を例にとって説明したが、加熱手段はこれに限定されるものではない。例えば、上記の加熱手段としては、第１の処理部１００の場合と同様にして、保持台１１２に流路を形成し、該流路に所定の熱交換のための流体を循環させる方法をとってもよい。
【００８９】
また、被処理基板の加熱手段としては、図４に示すように紫外線ランプを用いた方法をとってもよい。
【００９０】
図４は、図３に示した第２の処理部１００Ａの変形例の第２の処理部１００Ｂを示す図である。ただし、図３で先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００９１】
本図の場合、処理容器１１１の、保持台１１２に対向する位置に、被処理基板Ｗを加熱する紫外線ランプよりなる加熱手段１２０が設置されている。本図に示す第２の処理部１００Ｂでステップ２の処理を行う場合、加熱手段１２０により被処理基板Ｗに紫外線を照射することで被処理基板を加熱する。
【００９２】
このように紫外線照射により被処理基板の加熱を行う場合、被処理基板を第２の温度とするまでの昇温時間が短くなり、基板処理の効率が良好となる効果を奏する。また、保持台を介した加熱と比較した場合、処理終了後（紫外線照射の停止後）の被処理基板の降温速度が速い特徴がある。このため、特にステップ１とステップ２の処理を繰り返すなど、昇温と降温を繰り返す場合には、紫外線照による被処理基板の加熱は処理効率が良好となる。
【００９３】
ところで、固体ＣｕとＣｕＯの蒸気圧は、非特許文献１及び非特許文献２に記載されており、両者の蒸気圧を比較した結果を図５に示す。
【００９４】
図５を参照するに、酸化銅の蒸気圧は金属銅の蒸気圧よりも高いことが分かる。一方、特許文献２によれば、ＣｕＯの平衡酸素濃度は、図６のように記載されており、温度と酸素分圧が、平衡酸素濃度曲線Ｂｏ−ｒより下の還元領域Ｒｒに設定されると、ＣｕＯが還元されることが記載されている。
【００９５】
従って、処理容器１１１の内壁面や保持台１１２に付着した金属がＣｕである場合、金属Ｃｕを酸化させてから、高真空雰囲気（但し図６の平衡酸素濃度曲線より高い酸素分圧雰囲気）で処理容器１１１の内壁面や保持台１１２を加熱することで、銅を効率的に除去することができる。
【００９６】
例えばＯ2，Ｏ3，N2Ｏ，ＣＯ2等の酸素を含む酸化性ガスを処理容器内に供給し、銅が付着した箇所を少なくとも１００℃以上に加熱することで、処理容器や保持台に付着した銅を酸化させることができる。
【００９７】
また、Ｃｕ以外の金属に関しても、金属酸化物の蒸気圧が金属の蒸気圧よりも高い場合に、Ｃｕの場合と同様、金属を酸化させてから、高真空雰囲気で処理容器１１１の内壁面や保持台１１２を加熱することで、金属を効率的に除去することができる。
【００９８】
処理容器の内壁面や保持台に付着した金属を酸化させるための酸化性ガスとしてＯ2を使用する場合の装置構成例１００Ｂ１を図７に示す。
【００９９】
図７を参照するに、前記装置構成１００Ｂ１は、前記図４の装置１００Ｂと同様な、処理容器１１９，ガス供給路１１６，流量調整手段１１８およびバルブ１１７を含む構成を有しているが、さらに酸素ガス源１１９Ａ，酸素供給路１１６Ａ，流量調整手段１１８Ａおよびバルブ１１７Ａを含む酸素供給手段を有しており、前記処理容器１１１に酸素ガスを供給することにより、前記処理容器や保持台に付着したＣｕなどの金属を酸化させることが可能である。
【０１００】
次に、上記の第２の処理部１００Ａまたは１００Ｂによるステップ２の処理に続いて、ステップ３の処理を実施する第３の処理部について説明する。
【０１０１】
図８は、クラスター型の基板処理装置の一部を構成する第３の処理部１００Ｃを示した図である。第３の処理部１００Ｃでは、図１のステップ３が実施される。
【０１０２】
図８を参照するに、第３の処理部１００Ｃの基本的な構造は、図３に示した第２の処理部１００Ａと同一である。本図に示す、処理容器１２１、第３の処理空間１２１Ａ、保持台１２２、シャワーヘッド１２３、排気ライン１２４、圧力調整バルブ１２５、ガス供給ライン１２６、バルブ１２７、流量調整手段１２８、およびガス容器１２９は、図３の第２の処理部１００Ａの、処理容器１１１、第２の処理空間１１１Ａ、保持台１１２、シャワーヘッド１１３、排気ライン１１４、圧力調整バルブ１１５、ガス供給ライン１１６、バルブ１１７、流量調整手段１１８、およびガス容器１１９にそれぞれ相当し、同様の構造、機能を有している。
【０１０３】
また、上記の第３の処理部１００Ｃは、先に説明した制御手段２０１とコンピュータ２０２を、第１の処理部１００、第２の処理部１００Ａ（または１００Ｂ）と共有する構造になっている。なお、第１の処理部１００、第２の処理部１００Ａ、および第３の処理部１００Ｃが、制御手段とコンピュータをそれぞれ別途有するように基板処理装置を構成してもよい。
【０１０４】
上記の制御手段２０１とコンピュータ２０２は、第２の処理部１００Ａの場合と同様に第３の処理部１００Ｃを制御し、動作させる。
【０１０５】
上記の第３の処理部１００Ｃによるステップ３の処理は、下記のようにして行われる。まず、第２の処理部１００Ａまたは１００Ｂによるステップ２の処理の後、被処理基板Ｗは第３の処理部１００Ｃの処理容器１２１内に搬送され、保持台１２２上に載置される。
【０１０６】
ここで、ガス供給路１２６からシャワーヘッド１２３を介して第３の処理空間に不活性ガスが供給される。供給された不活性ガスは、被処理基板Ｗに到達し、ステップ２で加熱された被処理基板Ｗを冷却する。
【０１０７】
また、上記の第３の処理部１００Ｃでは、冷却方法として不活性ガスを供給する場合を例にとって説明したが、冷却方法はこれに限定されるものではない。例えば、第１の処理部１００の場合と同様にして、保持台１２２に冷却手段（流路）を設けて冷却媒体を循環させる方法をとってもよい。また、この場合に保持台１２２に静電吸着構造体を設け、被処理基板の吸着力により冷却量を制御する方法を併用するようにしてもよい。
【０１０８】
また、ステップ２が終了した後の被処理基板の冷却は、第２の処理部１００Ａまたは１００Ｂで行うようにしてもよい。または、ステップ１とステップ２の処理を繰り返し行う場合には、被処理基板の冷却を第１の処理部１００で行うようにしてもよい。上記の場合、第３の処理部１００Ｃ（ステップ３）は、省略することができる。一方で、第３の処理部１００Ｃ（ステップ３）を設けた場合には、被処理基板の降温速度が速く、被処理基板の処理効率が良好となる効果を奏する。
【０１０９】
次に、上記の第１の処理部１００、第２の処理部１００Ａ、および第３の処理部１００Ｃを有するクラスター型の基板処理装置の全体の構成の一例について説明する。
【０１１０】
図９は、先に説明した第１の処理部１００、第２の処理部１００Ａ、および第３の処理部１００Ｃを有するクラスター型の基板処理装置３００の構成を模式的に示す平面図である。
【０１１１】
図９を参照するに、本図に示す基板処理装置３００の概略は、内部が所定の減圧状態または不活性ガス雰囲気とされる搬送室３０１に、第１の処理部１００（処理容器１０１）、第２の処理部１００Ａ（処理容器１１１）、第３の処理部１００Ｃ（処理容器１２１）、および第４の処理部１００Ｄ（後述）が接続されてなる構造を有している。
【０１１２】
搬送室３０１は、平面視した場合に六角形状を有し、六角形の複数の辺に相当する面に、第１の処理部１００、第２の処理部１００Ａ、第３の処理部１００Ｃ、および第４の処理部１００Ｄがそれぞれ接続されている。また、搬送室３０１の内部には、回転・伸縮可能に構成された搬送アーム３０２が設置されており、搬送アーム３０２によって被処理基板Ｗが複数の処理容器の間を搬送されるように構成されている。
【０１１３】
さらに、搬送室３０１の２つの辺にはそれぞれロードロック室３０３、３０４が接続されている。上記のロードロック室３０３、３０４の、搬送室３０１と接続された側の反対側には、被処理基板搬入出室３０５が接続されている。さらに、被処理基板搬入出室３０５には、被処理基板Ｗを収容可能なキャリアＣを取り付けるポート３０７、３０８、３０９が設けられている。また、被処理基板搬入出室３０５の側面にはアライメント室３１０が設けられており、被処理基板Ｗのアライメントが行われる。
【０１１４】
また、被処理基板搬入出室３０５内には、キャリアＣに対する被処理基板Ｗの搬入出、およびロードロック室３０３、３０４に対する被処理基板Ｗの搬入出を行う搬送アーム３０６が設置されている。上記の搬送アーム３０６は、多関節アーム構造を有しており、被処理基板Ｗを載せてその搬送を行う構造になっている。
【０１１５】
上記の第１の処理部１００、第２の処理部１００Ａ、第２の処理部１００Ｃ、およびロードロック室３０３、３０４は、搬送室３０１の各辺にゲートバルブＧを介して接続されている。上記の処理部またはロードロック室は、ゲートバルブＧを開放することにより搬送室３０１と連通され、ゲートバルブＧを閉じることにより搬送室３０１から遮断される。また、同様のゲートバルブＧは、ロードロック室３０３、３０４と、被処理基板搬入出室３０５が接続される部分にも設けられている。
【０１１６】
また、上記の被処理基板Ｗの搬送に係る動作は、制御部３１１によって制御される構造になっている。制御部３１１は、図２乃至図８で先に説明したコンピュータ２０２に接続されている（接続配線は図示を省略）。基板処理装置３００の基板処理（被処理基板Ｗの搬送）に係る動作は、コンピュータ２０２の記録媒体２０２Ｂに記憶されたプログラムによって実行される。
【０１１７】
上記の基板処理装置３００による基板処理は、以下のようにして行われる。まず、搬送アーム３０６により、キャリアＣから表面に銅酸化膜が形成されたＣｕ配線が形成された被処理基板Ｗが取り出されて、ロードロック室３０３に搬入される。次に、搬送アーム３０２により、被処理基板Ｗがロードロック室３０３から、搬送室３０１を介して第１の処理部１００（第１の処理空間１０１Ａ）に搬送される。第１の処理部１００では、先に説明したステップ１に係る処理が行われ、Ｃｕ配線に処理ガス（蟻酸など）が吸着され、Ｃｕ配線の表面に金属有機物錯体が形成される。
【０１１８】
次に、搬送アーム３０２により、被処理基板Ｗが第１の処理部１００から第２の処理部１００Ａ（第２の処理空間１１１Ａ）に搬送される。第２の処理部１００Ａでは、先に説明したステップ２に係る処理が行われ、Ｃｕ配線表面の金属有機物錯体が昇華される。
【０１１９】
次に、搬送アーム３０２により、被処理基板Ｗが第２の処理部１００Ａから第３の処理部１００Ｃ（第３の処理空間１２１Ａ）に搬送される。第３の処理部１００Ａでは、先に説明したステップ３に係る処理が行われ、被処理基板Ｗが冷却される。
【０１２０】
上記のステップ１乃至ステップ３の処理が施された被処理基板Ｗは、搬送アーム３０２によりロードロック室３０４に搬送され、さらに搬送アーム３０６によってロードロック室３０４から所定のキャリアＣに搬送される。このような一連の処理を、キャリアＣに収容されている枚数の被処理基板Ｗに対して連続的に行うことで、複数の被処理基板を連続的に処理することが可能となる。
【０１２１】
上記の基板処理装置３００によれば、被処理基板Ｗが酸素に曝されることによるＣｕ配線の酸化や、あるいは、汚染物質の被処理基板Ｗへの付着などが抑制され、清浄に基板処理を行うことが可能となる。また、処理ガスが供給される、金属有機化合物錯体が形成される第１の処理空間１０１Ａと、処理ガスが供給されない、金属化合物錯体が昇華される第２の処理空間１１１Ａが分離されているため、金属の再付着をより効果的に抑制することが可能となる。
【０１２２】
また、上記の基板処理装置において、ステップ１乃至ステップ２、もしくはステップ１乃至ステップ３に係る処理を同じ処理容器（処理空間）で行うように基板処理装置を構成してもよい。この場合、基板処理装置の構造が単純となり、基板処理（半導体製造）に係るコストを低減することが可能となる。この場合、１つの処理部（処理容器）に、冷却手段、加熱手段などの構造を有する温度制御手段を設け、処理ガスと不活性ガスの双方が供給されるように構成すればよい。
【０１２３】
また、上記のステップ１乃至ステップ２、もしくはステップ１乃至ステップ３に係る処理を同じ処理容器で行った場合においても、従来の基板処理方法（金属有機化合物錯体の形成と昇華を平行して進行させる方法）に比べて、金属の再付着が抑制された清浄な処理となる。
【０１２４】
また、上記の基板処理装置３００において、被処理基板Ｗを、第１の処理部１００と第２の処理部１００Ａに交互に繰り返し搬送し、ステップ１とステップ２の処理が繰り返されるようにしてもよい。この場合、金属層上の酸化膜を効率的に除去することが可能となる。また、上記の場合に必要に応じて被処理基板Ｗが第３の処理部１００Ｃに搬送される（ステップ３の処理を入れる）ようにしてもよい。
【０１２５】
また、第２の処理部１００Ａでの処理（ステップ２の処理）、または第３の処理部１００Ｃでの処理（ステップ３の処理）の後、被処理基板Ｗを第４の処理部１００Ｄに搬送し、さらに基板処理を行うようにしてもよい。例えば、第４の処理部１００Ｄにおいて、Ｃｕの拡散防止膜の成膜を行うように基板処理装置を構成してもよい。
【０１２６】
また、搬送室３０１の形状は六角形に限定されず、さらに多くの処理部（処理室）が接続可能なように構成してもよい。例えば、搬送室に、金属膜または絶縁膜（層間絶縁膜）の成膜を行う処理部（処理容器）を接続し、Ｃｕの拡散防止膜に続いて金属膜または層間絶縁膜の成膜が実施されるように基板処理装置を構成してもよい。
【実施例２】
【０１２７】
次に、上記に説明した基板処理方法を用いて基板処理を行ってＣｕの酸化膜を除去し、酸化膜の除去に係る分析を行った結果について説明する。最初にＣｕの酸化膜の除去を行った具体的な例について説明する。
【０１２８】
まず、表面が酸化されたＣｕを有する被処理基板に、気化した蟻酸（処理ガス）を供給した。Ｃｕの表面には蟻酸が吸着され、金属錯体（金属有機化合物錯体）が形成される。上記の蟻酸の吸着は、上記の被処理基板の脱ガスの分析により確認されている。この場合、被処理基板が保持される処理空間の圧力は０．４乃至０．７ｋＰａとし、被処理基板の温度は室温程度とした（ステップ１）。
【０１２９】
次に、被処理基板を、圧力が１×１０―５Ｐａ以下の減圧雰囲気となる処理空間で加熱し、金属有機化合物錯体を含む反応生成物を昇華させた（ステップ２）。ここで、質量分析器によって当該処理空間のガス（昇華）を分析した結果を図１０に示す。
【０１３０】
図１０は、上記のガス分析の結果を示す図であり、横軸に加熱時間、縦軸に検出強度（任意単位）をとり、Ｃｕ（質量６３）の検出結果について示したものである。
【０１３１】
図１０を参照するに、Ｃｕは、加熱開始後７分と約２０分で検出されていることがわかる。加熱開始後７分の被処理基板の温度は１５０℃程度であり、加熱開始後約２０分の被処理基板の温度は少なくとも４００℃より高い温度であった。尚、蟻酸（処理ガス）の供給を行わなかったＣｕを有する被処理基板を同様に加熱しても、約７分ではＣｕは検出されなかったが、約２０分ではＣｕは検出された。従って、加熱開始後約７分（約１５０℃）で検出されたＣｕは、上記の昇華した金属錯体に由来すると言える。即ち、上記の金属錯体を昇華させるためには、１５０℃以上の温度に被処理基板を加熱すればよいことが確認された。
【０１３２】
金属錯体の蒸気圧は約１５０℃では少なくとも１×１０−５Ｐａ以上であると言える。また、上記金属錯体ではない金属（Ｃｕ）を昇華するためには、少なくとも４００℃より高い温度に加熱する必要があることが確認された。金属錯体ではない金属（Ｃｕ）の蒸気圧は、少なくとも４００℃以上の高い温度にしないと、１×１０−５Ｐａ以上にはならない。また、被処理基板の昇温速度は上記の場合に限定されず、さらに高速になるようにしてもよい。
【０１３３】
次に、上記の銅酸化膜が除去される厚さの測定結果について説明する。図１１は、光学測定（エリプソメトリ法、波長６３３ｎｍ）によって測定された位相差ｄΔ（横軸）を元に処理前の銅酸化膜の厚さと、Ｃｕの検出量を元に除去された銅酸化膜の量に相当する値（縦軸）の関係を示したものである。エリプソメトリ法による測定では、銅酸化膜の膜厚は位相差ｄΔの変化として大きく現れるため、横軸は処理前の銅酸化膜の厚さに対応している。
【０１３４】
図１１を参照するに、形成される銅酸化膜の厚さに対応して除去される銅酸化膜（Ｃｕ換算）が増大しており、上記の基板処理によって銅酸化膜が除去されていることが確認された。例えば、Ｃｕに形成される自然酸化膜は、上記の位相差ｄΔに換算すると１０度程度で検出され４ｎｍ程度であるので、上記の基板処理方法により、容易に除去することができる。
【０１３５】
また、除去される銅酸化膜の量は、形成されている銅酸化膜の厚さの増大に対して収束する傾向にあるので、除去する銅酸化膜の厚さが厚い場合には、ステップ１〜ステップ２（ステップ３）の処理を繰り返すと、効果的に銅酸化膜を除去することが可能となる。
【０１３６】
また、図１２はステップ１の処理時間（Ｃｕの処理ガスへの暴露時間）を横軸にとり、縦軸に、除去された銅酸化膜の厚さ（Ｃｕ膜の膜厚に換算）を示したものである。
【０１３７】
図１２を参照するに、銅酸化膜除去量（Ｃｕ換算）は、ステップ１の処理時間（暴露時間）に対応して大きくなる傾向にある。また、処理効率を上げるためには、被処理基板の冷却温度（ステップ１での第１の温度）を低くすることで処理ガスの吸着量を増大させ、暴露時間を長くした場合と同様に、除去可能な銅酸化膜の膜厚を厚くすることができると考えられる。
【実施例３】
【０１３８】
次に、従来の基板処理方法（金属有機化合物錯体の形成と昇華を平行して進行させる方法）を実行可能な処理部（基板処理装置）であって、さらに処理容器内部に付着した金属付着物を除去することが可能となるように構成された処理部１００Ｄの例について、図１３に基づき、説明する。上記の処理室１００Ｄは、先に説明した処理室１００、１００Ａ〜１００Ｃと同様に、クラスター型の基板処理装置の一部として機能するものであり、例えば搬送室３０１に接続して用いられる。
【０１３９】
図１３を参照するに、処理部１００Ｄは、内部に処理空間１３１Ａが画成される処理容器１３１を有しており、処理空間１３１Ａには，被処理基板Ｗを保持する保持台１３２が設置されている。
【０１４０】
上記の保持台１３２には、例えばヒータよりなる加熱手段１３２Ａが埋設されている。保持台１３２に保持された被処理基板Ｗは、加熱手段１３２Ａにより保持台１３２と共に加熱することが可能となるように構成されている。また、処理容器１３１には、例えばヒータよりなる加熱手段１４０が設置され、処理容器１３１の内壁面（金属が付着する部分）を加熱することが可能になっている。
【０１４１】
また、処理空間１３１Ａは、処理容器１３１に接続された排気ライン１３４から真空排気され、減圧状態に保持される。排気ライン１３４は、圧力調整バルブ１３５を介して排気ポンプに接続され、処理空間１３１Ａを所望の圧力の減圧状態とすることが可能になっている。また、上記の排気ポンプの後段に、排出された有機化合物を回収するための容器を備えて、有機化合物を回収してリサイクル可能なように構成してもよい。
【０１４２】
また、処理空間１３１Ａの、保持台１３２に対向する側には、処理ガス供給路１３６から供給される処理ガスを処理空間１３１Ａに拡散させるためのシャワーヘッド１３３が設けられており、処理ガスを被処理基板Ｗ上に良好な均一性で拡散させる構造になっている。
【０１４３】
また、上記のシャワーヘッド１３３に処理ガスを供給する処理ガス供給路１３６には、液体または固体の原料１３０を内部に保持する原料容器１３９が接続されている。また、処理ガス供給路１３６には、バルブ１３７と、処理ガスの流量を制御する流量制御手段（たとえばＭＦＣと呼ばれる質量流量コントローラ）１３８とが設置され、処理ガスの供給の開始、停止と、供給される処理ガスの流量の制御が可能な構造になっている。
【０１４４】
例えば、原料１３０は蟻酸などの有機化合物よりなり、原料容器１３９内で気化または昇華される構造になっている。例えば、蟻酸を例にとると、蟻酸は常温で液体であって、常温でも所定量が気化される。また、原料容器１３９を加熱して気化を安定させるようにしてもよい。
【０１４５】
また、上記の原料容器１３９、処理ガス供給路１３６、バルブ１３７、および流量制御手段１３８などは、例えばフロロカーボン系の流体などよりなる冷却媒体を用いて冷却されるようにしてもよい。
【０１４６】
上記の処理ガス供給路１３６から供給される処理ガスは、シャワーヘッド１３３に形成された複数のガス穴より、処理空間１３１Ａに供給される。処理空間１３１Ａに供給された処理ガスは、所定の温度（例えば１００℃〜４００℃、好ましくは１５０℃〜２５０℃）に制御（加熱）された被処理基板Ｗに到達し、被処理基板Ｗに形成された金属層（例えばＣｕ配線など）の表面に吸着して、金属有機化合物錯体が形成され、形成された金属有機化合物錯体は直ちに昇華除去される。この有機金属化合物錯体の形成と昇華除去に関しては、処理ガスが供給され、かつ金属層の表面に残存している限り、繰り返し行われる。すなわち、金属有機化合物錯体の形成と昇華は平行して進行する。
【０１４７】
また、処理ガスに、有機化合物以外の他のガスを加えることで、被処理基板に対しての処理性能を向上させることも可能である。例えば酸化性を有するガスとして、Ｏ２やＮ２Ｏを添加しても良いし、還元性を有する他のガスとして、例えばＨ２やＮＨ３を添加しても良い。
【０１４８】
上記の処理においては、昇華した金属有機化合物錯体は熱的に不安定であるため、処理空間１３１Ａ内で分解しやすく、処理容器１３１の内部、特に処理容器１０３の内壁面もしくは保持台１３２へ金属が付着する場合がある。更に、付着した金属は処理ガスによって再び昇華され、被処理基板Ｗに再付着する場合がある。
【０１４９】
次に、処理容器１３１の内部に付着した金属付着物を除去する方法の例について説明する。まず、被処理基板Ｗが処理容器１３１内に収容されていない状態にし、更に処理容器１３１内への処理ガスの供給を停止する。
【０１５０】
次に、処理容器１３１内部に付着した金属付着物を昇華させるように処理容器１３１内部（例えば処理容器１３１の内壁面もしくは保持台１３２）を、被処理基板の処理を行う温度よりも高温に加熱し、更に処理空間１３１Ａ内の圧力を低圧（例えば１×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ以下、さらに好ましくは１×１０−７Ｐａ以下）となるように制御することで金属付着物を除去する。処理空間１３１Ａをこのような低い圧力に制御するためには、処理空間１３１Ａを排気するための排気手段として、例えば、ターボ分子ポンプとクライオポンプとドライポンプなどを組みあせて使用することが好ましい。
【０１５１】
また、金属が付着した処理容器１３１内部を加熱する温度は、金属付着物の蒸気圧が処理空間１３１Ａ内の圧力よりも高くなる温度とされることが望ましく、より効果的に金属付着物の除去を行うことが可能となる。
【０１５２】
また、上記の処理部１００Ｄに係る処理は、制御手段２３１を介して、コンピュータ２３２によって動作される構造になっている。また、コンピュータ２３２は、記録媒体２３２Ｂに記憶されたプログラムに基づき、上記に説明した処理を動作させる。なお、制御手段２３１やコンピュータ２３２にかかる配線は図示を省略している。
【０１５３】
上記の制御手段２３１は、温度制御手段２３１Ａと、ガス制御手段２３１Ｂ、および圧力制御手段２３１Ｃを有している。温度制御手段２３１Ａは、加熱手段１３２Ａおよび１４０を制御することで、被処理基板Ｗおよび処理容器１３１の内部（処理容器１３１の内壁面、保持台１３２）の温度を制御する。
【０１５４】
ガス制御手段２３１Ｂは、バルブ１３７、流量調整手段１３８の制御を行い、処理ガスの供給の開始、処理ガスの供給の停止、および供給される処理ガスの流量を制御する。圧力制御手段２３１Ｃは、圧力調整バルブ１３５の開度を制御し、処理空間１３１Ａの圧力を制御する。
【０１５５】
また、上記の制御手段２３１を制御するコンピュータ２３２は、ＣＰＵ２３２Ａ、記録媒体２３２Ｂ、入力手段２３２Ｃ、メモリ２３２Ｄ、通信手段２３２Ｅ、および表示手段２３２Ｆを有している。例えば、基板処理に係る基板処理方法および金属付着物除去方法のプログラムは、記録媒体２３２Ｂに記録されており、基板処理は当該プログラムに基づき、行われる。また、当該プログラムを通信手段２３２Ｅから入力したり、または入力手段２３２Ｃから入力してもよい。
【０１５６】
なお、上記の基板処理で使用する処理ガスは蟻酸に限定されず、同様の化学反応を有する他の有機化合物を用いてもよい。具体例としては、実施例１のステップ１の処理ガスとして用いることが可能な有機化合物の例として記載した物質と同じ物質をあげることができる。
【０１５７】
なお、保持台１３２の上面に付着する金属の量が多く、この金属付着物を除去したい場合には、次のようにすることもできる。保持台１３２の上面に保持台を覆うように薄板状のサセプタを設置し、サセプタの上に被処理基板を保持するようにして、基板処理を行う。このようにすれば、金属は保持台１３２の上面に対しては付着せず、サセプタの上面に付着する。次に、薄板状のサセプタを搬送装置により、処理容器１３１から搬出し、処理容器１３１とは別の容器内にサセプタを搬入し、この別の容器内にてサセプタに付着した金属付着物を昇華させるようにしてもよい。
【０１５８】
また、実施例１の場合と同様に、処理容器１３１の内壁面や保持台１３２に付着した金属がＣｕである場合、金属Ｃｕを酸化させてから、高真空雰囲気（但し図６の平衡酸素濃度曲線より高い酸素分圧雰囲気）で処理容器１３１の内壁面や保持台１３２を加熱することで、銅を効率的に除去することができる。
【０１５９】
Ｏ2，Ｏ3，N2Ｏ，ＣＯ2等の酸素を含む酸化性ガスを処理容器内に供給し、銅が付着した箇所を少なくとも１００℃以上に加熱することで、処理容器や保持台に付着した銅を酸化させることができる。
【０１６０】
また、Ｃｕ以外の金属に関しても、金属酸化物の蒸気圧が金属の蒸気圧よりも高い場合に、Ｃｕの場合と同様、金属を酸化させてから、高真空雰囲気で処理容器１３１の内壁面や保持台１３２を加熱することで、金属を効率的に除去することができる。
【０１６１】
処理容器の内壁面や保持台に付着した金属を酸化させるための酸化性ガスとしてＯ2を使用する場合の装置構成例１００Ｄ１を図１４に示す。
【０１６２】
図１４を参照するに、前記装置構成例１００Ｄ１は、先に図１３で説明した装置構成例１００Ｄと同様な構成を有しているが、さらに酸素ガス源１３９Ａ，酸素供給路１３６Ａ，流量調整手段１３８Ａおよびバルブ１３７Ａを含む酸素供給手段を有しており、前記処理容器１３１に酸素ガスを供給することにより、前記処理容器や保持台に付着したＣｕなどの金属を酸化させることが可能である。
【実施例４】
【０１６３】
次に、上記の基板処理装置（基板処理方法）を用いた、半導体装置の製造方法の一例について、図１５Ａ〜図１５Ｅに基づき、手順を追って説明する。
【０１６４】
まず、図１５Ａには、半導体装置を製造する工程の一例を示している。
【０１６５】
図１５Ａを参照するに、本図に示す工程における半導体装置では、シリコンからなる半導体基板（被処理基板Ｗに相当）上に形成されたＭＯＳトランジスタなどの素子（図示せず）を覆うように絶縁膜４０１（例えばシリコン酸化膜）が形成されている。当該素子に電気的に接続されている、例えばＷ（タングステン）からなる配線層（図示せず）と、これに接続された、例えばＣｕからなる配線層４０２が形成されている。
【０１６６】
また、絶縁層４０１上には、配線層４０２を覆うように、第１の絶縁層（層間絶縁膜）４０３が形成されている。第１の絶縁層４０３には、溝部４０４ａおよびホール部４０４ｂが形成されている。溝部４０４ａおよびホール部４０４ｂには、Ｃｕにより形成された、トレンチ配線とビア配線からなる配線部４０４が形成され、これが前述の配線層４０２と電気的に接続された構成となっている。
【０１６７】
また、第１の絶縁層４０３と配線部４０４の間にはＣｕ拡散防止膜４０４ｃが形成されている。Ｃｕ拡散防止膜４０４ｃは、配線部４０４から第１の絶縁層４０３へＣｕが拡散するのを防止する機能を有する。さらに、配線部４０４および第１の絶縁層４０３の上を覆うように絶縁層（Ｃｕ拡散防止層）４０５及び第２の絶縁層（層間絶縁膜）４０６が形成されている。
【０１６８】
以下では、第２の絶縁層４０６に、先に説明した基板処理方法を適用して、Ｃｕの配線を形成して半導体装置を製造する方法を説明する。なお、配線部４０４に関しても、以下に説明する方法と同様の方法で形成することが可能である。
【０１６９】
図１５Ｂに示す工程では、第２の絶縁層４０６に、溝部４０７ａおよびホール部４０７ｂを、例えばドライエッチング法などによって形成する。この場合、ホール部４０７ｂは絶縁層４０５も貫通するように形成する。ここで、前記第２の絶縁層４０６に形成された開口部より、Ｃｕよりなる配線部４０４の一部が露出することになる。露出した配線部４０４の表層は酸化されやすいため、酸化膜（図示せず）が形成される。
【０１７０】
次に、図１５Ｃに示す工程において、先に説明した基板処理装置（基板処理方法）を用いて、露出したＣｕ配線４０４の酸化膜の除去（還元処理）を行う。
【０１７１】
この場合、まず、被処理基板Ｗを第１の温度（例えば室温程度）に制御し、被処理基板Ｗ上に、処理ガス（例えば気化された蟻酸）を供給し、金属錯体を形成する（ステップ１）。
【０１７２】
次に、処理ガスの供給を停止した後、被処理基板を加熱して第２の温度とし、形成された金属錯体を昇華させる（ステップ２）。このようにして、Ｃｕの酸化膜の除去を行うことができる。
【０１７３】
次に、図１５Ｄに示す工程において、溝部４０７ａおよびホール部４０７ｂの内壁面を含む第２の絶縁層４０６上、および配線部４０４の露出面に、Ｃｕ拡散防止膜４０７ｃの成膜を行う。Ｃｕ拡散防止膜４０７ｃは、例えば高融点金属膜やこれらの窒化膜、または高融点金属膜と窒化膜の積層膜からなる。例えばＣｕ拡散防止膜４０７ｃは、Ｔａ／ＴａＮ膜、ＷＮ膜、またはＴｉＮ膜などからなり、スパッタ法やＣＶＤ法などの方法により、形成することが可能である。また、このようなＣｕ拡散防止膜４０７ｃは、いわゆるＡＬＤ法によって形成することも可能である。
【０１７４】
次に図１５Ｅに示す工程において、前記溝部４０７ａおよび前記ホール部４０７ｂを含む、Ｃｕ拡散防止膜４０７ｃの上に、Ｃｕよりなる配線部４０７を形成する。この場合、例えばスパッタ法やＣＶＤ法でＣｕよりなるシード層を形成した後、Ｃｕの電界メッキにより、配線部４０７を形成することができる。また、ＣＶＤ法やＡＬＤ法により、配線部４０７を形成してもよい。配線部４０７を形成後、化学機械研磨（ＣＭＰ）法により、基板表面を平坦化する。
【０１７５】
また、本工程の後に、さらに前記第２の絶縁層４０６の上部に第２＋ｎ（ｎは自然数）の絶縁層を形成し、それぞれの絶縁層に上記の方法によりＣｕよりなる配線部を形成し、多層配線構造を有する半導体装置を形成することが可能である。
【０１７６】
また、本実施例では、デュアルダマシン法を用いて、Ｃｕの多層配線構造を形成する場合を例にとって説明したが、シングルダマシン法を用いてＣｕの多層配線構造を形成する場合にも上記の方法を適用できることは明らかである。
【０１７７】
また、本実施例では、絶縁層に形成される金属配線（金属層）として、おもにＣｕ配線を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、Ｃｕのほかに、Ａｇ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａなどの金属配線（金属層）に対しても本発明を適用することが可能である。
【０１７８】
このように、本実施例による半導体装置の製造方法では、金属配線に形成される酸化膜の除去を、安定に行うことが可能である。
【０１７９】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【０１８０】
例えば、上記の実施例では、絶縁層に対してエッチングを行って形成された開口部に露出した下層配線のＣｕの表面酸化膜を除去する工程に対して、本発明の基板処理方法を適用しているが、他の工程でＣｕの表面酸化膜を除去する場合に本発明を適用しても良い。例えば、シード層あるいは配線層を形成した後、もしくはＣＭＰを行った後に対して本発明を適用しても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１８１】
本発明によれば、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供することが可能となる。
【０１８２】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１８３】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ  処理部
１０１，１１１，１２１，１３１  処理容器
１０１Ａ，１１１Ａ，１２１Ａ，１３１Ａ  処理空間
１０２，１１２，１２２，１３２  保持台
１０２Ａ  静電吸着構造体
１０２ａ  電極
１０２Ｂ  冷却手段
１０３，１１３，１２３，１３３  シャワーヘッド
１０４，１１４，１２４，１３４  排気ライン
１０５，１１５，１２５，１３５  圧力調整バルブ
１０６，１１６，１２６，１３６  ガス供給路
１０７，１１７，１１７Ａ，１２７，１３７，１３７Ａ  バルブ
１０８，１１８，１１８Ａ，１２８，１３８，１３８Ａ  流量調整手段
１０９，１１９，１２９，１３９  容器
１１２Ａ，１２０，１３２Ａ，１４０  加熱手段
１１６Ａ，１３９Ａ  酸素供給路
１１９Ａ，１３９Ａ  酸素源
２０１，２０１Ａ，２０１Ｂ，２０１Ｃ、２３１，２３１Ａ，２３２Ｂ，２３２Ｃ  制御手段
２０２，２３２  コンピュータ
２０２Ａ，２３２Ａ  ＣＰＵ
２０２Ｂ，２３２Ｂ  記録媒体
２０２Ｃ，２３２Ｃ  入力手段
２０２Ｄ，２３２Ｄ  メモリ
２０２Ｅ，２３２Ｅ  通信手段
２０２Ｆ，２３２Ｆ  表示手段
３００  基板処理装置
３０１  搬送室
３０２，３０６  搬送アーム
３０３，３０４  ロードロック室
３０５  被処理基板搬入出室
３０７，３０８，３０９  ポート
３１０  アライメント室
３１１  制御部
【図１】
0005481547.tif 000002
【図２】
0005481547.tif 000003
【図３】
0005481547.tif 000004
【図４】
0005481547.tif 000005
【図５】
0005481547.tif 000006
【図６】
0005481547.tif 000007
【図７】
0005481547.tif 000008
【図８】
0005481547.tif 000009
【図９】
0005481547.tif 000010
【図１０】
0005481547.tif 000011
【図１１】
0005481547.tif 000012
【図１２】
0005481547.tif 000013
【図１３】
0005481547.tif 000014
【図１４】
0005481547.tif 000015
【図１５Ａ】
0005481547.tif 000016
【図１５Ｂ】
0005481547.tif 000017
【図１５Ｃ】
0005481547.tif 000018
【図１５Ｄ】
0005481547.tif 000019
【図１５Ｅ】
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