(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板と、
（ｂ）互いに間隔を置いて配置されるアノード及びカソードと、
（ｃ）黄色を発する黄色ドーパントを含む発光層と、
（ｄ）それぞれの青色発光層が他方の青色発光層と異なる少なくとも１つの材料を有する第一青色発光層及び第二青色発光層と
を備え、
前記第一青色発光層が、前記黄色発光層と直接接しており、且つ前記第二青色発光層が、前記第一青色発光層の上方にあり、
前記第一青色発光層及び前記第二青色発光層が、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン及び４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）からなる群から選択されるホスト材料と、青色ドーパントとを含み、前記第一青色発光層中の前記青色ドーパントが、
【化１】
0005606921.tif 000034
からなり、前記第二青色発光層中の前記青色ドーパントが、
【化２】
0005606921.tif 000035
からなる有機白色発光デバイス。
【請求項２】
前記第一青色発光層及び第二青色発光層から発せられる青色光が、互いに異なる放射スペクトルを有する請求項１に記載の有機白色発光デバイス。
【請求項３】
前記第一青色発光層及び第二青色発光層から発せられる青色光が、互いに異なる放射スペクトルを有する請求項１に記載の有機白色発光デバイス。
【請求項４】
前記黄色発光層が、ホスト正孔輸送材料及び黄色ドーパントを含む請求項１に記載の有機白色発光デバイス。
【請求項５】
前記黄色発光層が、アントラセン誘導体ホスト材料を更に含む請求項４に記載の有機白色発光デバイス。
【請求項６】
（ａ）基板と、互いに間隔を置いて配置されるアノード及びカソードと、前記アノード及び前記カソードの間に配置された２つ以上の発光ユニットと、前記２つ以上の発光ユニットの間に配置された中間接続層とを備え、且つ
（ｂ）前記発光層の少なくとも１つが、
（ｉ）黄色を発する黄色ドーパントを含む発光層、及び
（ｉｉ）それぞれの青色発光層が他方の青色発光層と異なる少なくとも１つの材料を有する第一青色発光層及び第二青色発光層
を有し、
前記第一青色発光層が、前記黄色発光層と直接接しており、且つ前記第二青色発光層が、前記第一青色発光層の上方にあり、
前記第一青色発光層及び前記第二青色発光層が、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン及び４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）からなる群から選択されるホスト材料と、青色ドーパントとを含み、前記第一青色発光層中の前記青色ドーパントが、
【化３】
0005606921.tif 000036
からなり、前記第二青色発光層中の前記青色ドーパントが、
【化４】
0005606921.tif 000037
からなるタンデム型有機白色発光デバイス。
【請求項７】
前記第一青色発光層及び第二青色発光層から発せられる青色光が、互いに異なる放射スペクトルを有する請求項６に記載の有機白色発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの青色発光層を備えた白色又は広帯域光を発生するＯＬＥＤディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオードデバイスは、ＯＬＥＤとも称され、アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間に挟まれた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ユニットを一般に含む。有機ＥＬユニットは、少なくとも１つの正孔輸送層（ＨＬＴ）、発光層（ＬＥＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）を含む。ＯＬＥＤは、低駆動電圧、高輝度、広視野角、並びにフルカラーディスプレイ及び他の用途の可能性の観点から魅力的である。タン（Tang）らは、米国特許第４，７６９，２９２号及び同第４，８８５，２１１号において多層ＯＬＥＤを記載している。
【０００３】
ＯＬＥＤデバイスは、そのＯＬＥＤデバイスのＬＥＬの発光特性に応じて種々の色（例えば赤、緑、青、又は白）の光を発生させることができる。近年、半導体の光源、カラーディスプレイ、又はフルカラーディスプレイのような様々な用途に組み入れられるべき広帯域ＯＬＥＤに対する要求が増大している。広帯域の発光とは、光がフィルター又は色変化モジュールとともに使用されて少なくとも２つの異なる色を有する表示又はフルカラー表示を生成することができるように、ＯＬＥＤが可視スペクトル全体にわたる幅のある光を十分に発するということを意味する。特に、スペクトルの赤色領域、緑色領域及び青色領域の実質的な発光がある広帯域発光ＯＬＥＤ（又は広帯域ＯＬＥＤ）、すなわち、白色発光ＯＬＥＤ（白色ＯＬＥＤ）が必要とされている。カラーフィルターを白色ＯＬＥＤとともに使用することで、別個にパターン化された赤色エミッタ、緑色エミッタ及び青色エミッタを有するＯＬＥＤよりもより簡素化された製造プロセスが提供される。このことは、より高い処理能力、生産量の増大及びコスト削減につながり得る。白色ＯＬＥＤは、例えば、Kido et al., Applied Physics Letters, 64, 815 (1994)、J. Shiらの米国特許第５，６８３，８２３号、Satoらの特開平０７−１４２１６９号公報、Deshpande et al., Applied Physics Letters, 75, 888 (1999)及びTokito et al., Applied Physics Letters, 83, 2459 (2003)によって報告されている。
【０００４】
ＯＬＥＤからの広帯域発光を達成するために、２種類以上の分子が励起されなければならない。これは、各種類の分子が標準状態では比較的狭いスペクトルの光しか発しないためである。ホスト材料と１つ以上の発光ドーパントとを有する発光層は、ホスト材料からドーパントへのエネルギー移動が不完全である場合、可視スペクトルにおける広帯域発光につながるホスト及びドーパント両方からの発光を達成し得る。単一の発光層を有する白色ＯＬＥＤを達成するためには、発光ドーパントの濃度を慎重に制御しなければならない。このことは、製造の問題を引き起こす。２つ以上の発光層を有する白色ＯＬＥＤは、単一の発光層を有するデバイスよりも優れた色調及び優れた発光効率を有することができ、ドーパント濃度に対する変動許容量がより高くなる。２つの発光層を有する白色ＯＬＥＤが、単一の発光層を有するＯＬＥＤよりも典型的により安定であるということも分かっている。しかしながら、スペクトルの赤色領域、緑色領域及び青色領域において強い強度の発光を達成することは困難である。２つの発光層を有する白色ＯＬＥＤは、２つの強い発光ピークを典型的に有する。
【０００５】
タンデム型ＯＬＥＤ構造（積層型ＯＬＥＤ又はカスケード型ＯＬＥＤと呼ばれることがある）が、Jonesらの米国特許第６，３３７，４９２号、Tanakaらの米国特許第６，１０７，７３４号、Kidoらの特開２００３−０４５６７６号公報及び米国特許出願公開第２００３／０１８９４０１号、並びにLiaoらの米国特許第６，７１７，３５８号及び米国特許出願公開第２００３／０１７０４９１号により開示されている。このタンデム型ＯＬＥＤは、いくつかの別個のＯＬＥＤユニットを垂直に積層することによって製造され、単一の電源を用いてその積層体を駆動する。発光効率、寿命又はその両方が増大されるという利点がある。しかしながら、タンデム構造は、一緒に積層されるＯＬＥＤユニットの数に大体比例して駆動電圧を増大させる。
【０００６】
ＯＬＥＤデバイスにおいて、改善された安定性が更に必要とされている。本願と同一譲受人に譲渡された米国特許第６，６９２，８４６号、米国特許第６，９６７，０６２号及び米国特許第６，５６５，９９６号は全て、デバイスの寿命を改善するのに有効な手段を示す。これらの特許は、ＮＰＢのような正孔輸送ホスト、アントラセン共ホスト及び蛍光青色ドーパントを有する青色発光層を開示する。しかしながら、これらの文献は、経年変化による色ずれの問題に対処していない。
【０００７】
本願と同一譲受人に譲渡された米国特許第７，２５２，８９３号は、黄色発光層と、ＮＰＢ、アントラセン共ホスト及び蛍光青色ドーパントを含む青色発光層とを備えた白色ＯＬＥＤを開示する。しかしながら、この文献は、経年変化による色ずれの問題に対処していない。米国特許出願公開第２００７／００９０７５３、米国特許出願公開第２００７／０１３４５１５及び米国特許出願公開第２００７／０６３６３８も、黄色発光層と青色発光層とを備えた白色ＯＬＥＤを開示する。
【０００８】
米国特許第２，２５５，９３８号は、ＮＰＢ、アントラセン共ホスト及び蛍光青色ドーパントを含む２つの青色発光層を備えた青色ＯＬＥＤを開示する。しかしながら、この文献は、白色ＯＬＥＤにおける経年変化による色ずれの問題に対処していない。
【０００９】
これら発展にもかかわらず、白色ＯＬＥＤデバイスの経年変化による色安定性だけでなく効率及び輝度安定性を改善することが依然として必要とされている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、改善された経年変化による色安定性を有する白色ＯＬＥＤデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、
（ａ）基板と、
（ｂ）互いに間隔を置いて配置されるアノード及びカソードと、
（ｃ）黄色を発する黄色ドーパントを含む発光層と、
（ｄ）それぞれの青色発光層が他方の青色発光層と異なる少なくとも１つの材料を有する第一青色発光層及び第二青色発光層と
を備え、
前記第一青色発光層及び前記第二青色発光層が、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン及び４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）からなる群から選択されるホスト材料と、
【化１】
0005606921.tif 000002
からなる群から選択される青色ドーパントとを含む有機白色発光デバイスによって達成される。
【００１２】
本発明の一実施態様において、白色ＯＬＥＤデバイスは、アノードとカソードとの間に配置された２つ以上の発光ユニット及び２つ以上の発光ユニットの間に配置された中間接続層を備えたタンデム型ＯＬＥＤデバイスである。
【００１３】
本発明の利益は、広帯域用途に適したＯＬＥＤデバイスに改善された色安定性を提供することである。本発明の更なる利益は、優れた寿命、低い電力消費及び優れた色調整能によるこれらの改善を提供できることである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】１つの黄色発光層と１つの青色発光層とを備えた白色ＯＬＥＤデバイスの断面図である。
【図２】本発明による１つの黄色発光層と２つの青色発光層とを備えた白色ＯＬＥＤデバイスの断面図である。
【図３】中間接続層と一緒に結合された２つのエレクトロルミネッセンスユニットを備えた白色タンデムの断面図である。エレクトロルミネッセンスユニットのうちの１つは、本発明による１つの黄色発光層及び２つの青色発光層を有する。層厚のようなデバイス構成寸法はしばしばサブミクロン領域であるので、これらの図は、寸法の正確さよりも視覚化の容易さのために拡大されている。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
「ＯＬＥＤデバイス」という用語は、画素としての有機発光ダイオードを備えるディスプレイデバイスであると当該技術分野において認められている意味で用いられる。それは、単一の画素を有するデバイスを意味し得る。本明細書で用いられる「ＯＬＥＤデバイス」という用語は、異なる色の画素であり得る複数の画素を有するＯＬＥＤデバイスを意味する。カラーＯＬＥＤデバイスは、少なくとも１つの色の光を発する。「マルチカラー」という用語は、異なる領域で異なる色調の光を発することができるディスプレイパネルを記載するのに用いられる。特に、それは、異なる色の画像を表示することができるディスプレイパネルを記載するのに用いられる。これらの領域は、必ずしも隣接しているわけではない。「フルカラー」という用語は、可視スペクトルの赤色領域、緑色領域及び青色領域に発光することができ且つ色調の任意の組み合わせで画像を表示することができるマルチカラーディスプレイパネルを記載するのに用いられる。赤色、緑色及び青色は、適当な混ぜ合わせにより他の全ての色を生成できる三原色を構成する。「色調」という用語は、可視スペクトル範囲内の発光の強度分布を意味し、異なる色調は、視覚的に識別できる色を示す。「画素」という用語は、ディスプレイパネルのある領域であって、刺激する（stimulate）ことによって他の領域とは独立に光を出す領域を示すのに当該技術分野において認められている用法で用いられる。フルカラー系では、色の異なるいくつかの画素が一緒に用いられて広範囲の色を生成させると認識されており、観察者はかかる集合体を単一画素と称し得る。この議論の目的のために、かかる集合体は、いくつかの異なる色の画素と見なされるであろう。
【００１６】
本開示によれば、広帯域発光は、可視スペクトルの複数領域において有意な構成要素、例えば、青色及び緑色を有する光である。広帯域発光は、白色光を生成するために光がスペクトルの赤色領域、緑色領域及び青色領域に発せられた状態も含み得る。白色光は、使用者によって白色を有するものとして認識される光であるか、又はカラーフィルターとともに使用されて実用的なフルカラー表示を生成させるのに十分な発光スペクトルを有する光である。電力消費を低くするには、白色発光ＯＬＥＤの色度をＣＩＥ  Ｄ６５、すなわち、ＣＩＥｘ＝０．３１及びＣＩＥｙ＝０．３３に近づけることがしばしば有効である。これは、特に、赤色画素、緑色画素、青色画素及び白色画素を有するいわゆるＲＧＢＷディスプレイの場合である。約０．３１、０．３３へのＣＩＥｘ、ＣＩＥｙの調整は状況によっては理想的であるが、実際の調整は著しく変わり得るし、未だ非常に有益である。本明細書で用いられる「白色発光」という用語は、観察される前に白色光の一部がカラーフィルターによって除去され得ることがあるとしても、内部で白色光を生成するデバイスを意味する。
【００１７】
本発明において、白色光は、黄色発光層と２つの青色発光層との最小限の組み合わせにより発している。黄色発光層は、５５０ｎｍ以上の波長において、例えば約５６０ｎｍ〜５９０ｎｍである黄色領域に最も大きい発光ピークとともに可視スペクトルの黄色領域、橙色領域及び赤色領域に、単一又は多数のピークを有する光を生成する。黄色発光層は、青色発光を実質的に生成せず、これは４８０ｎｍより短い波長での発光強度が最大発光強度の１０％未満であり、且つ４９０ｎｍでの発光強度が５０％以下であることを意味する。黄色発光層は、約５９０ｎｍを超える波長において少量の発光を有するかもしれないが、約５６０ｎｍ〜５９０ｎｍの黄色にその一次発光を有する物質を指す黄色光生成化合物を含む。各青色発光層は、約５００ｎｍ未満の波長に単一又は多数のピークからの最大発光強度を有する光を生成する。各青色発光層は、緑色発光、黄色発光又は赤色発光を実質的に生成せず、これは５４０ｎｍを超える波長での発光強度が最大発光強度の２０％未満であり、且つ６００ｎｍでの発光強度が１０％以下であることを意味する。各青色発光層は、青色領域、すなわち、約４２０ｎｍ〜５００ｎｍ又はより典型的には４５０〜４９０ｎｍにその一次発光を有する物質を指す青色光生成化合物を含む。
【００１８】
２つの青色発光層は、一方と異なる少なくとも１つの材料を含まなければならない。望ましくは、２つの青色発光層は互いに直接接触しており且つ青色発光層の一方は黄色発光層と直接接触している。適切には、２つの青色発光層のそれぞれは、少なくとも１つの非発光ホストと少なくとも１つの青色発光化合物とを含む。２つの青色発光層は、異なる青色発光化合物とともに同じホスト又は共ホストを有することが好ましく、又は異なるホスト又は共ホストとともに同じ青色発光化合物を有することができる。２つの青色発光層のそれぞれにおいて２つの異なる青色発光化合物を用いることは、各層の青色発光が異なることになるので望ましい。このことは、デバイスの全体的な青色発光を拡大するとともに効率及び色を改善するのに役立つ。
【００１９】
青色層のための特に適切なホストは、アントラセン誘導体である。同じアントラセン誘導体を両方の青色層に用いてもよいし、又はそれらは異なっていてもよい。青色層のための特に適切な共ホストは、芳香族トリアリールアミンのような、正孔輸送性を有するものである。ホストと共ホストとの比は、５０：５０若しくはそれ以上であるべきであり、又は最も望ましくは９５：５〜７５：２５の範囲内である。特に有用な青色発光化合物は、ビス（アジニル）アゼンボロン錯体化合物及びジスチリルアレンを含むスチリルアレンである。青色発光層中の青色発光材料の好適な範囲は、０．５体積％〜１０体積％である。第一青色発光層又は第二青色発光層の特に望ましい１つの組み合わせは、アントラセンホスト及び青色発光体としてのビス（アジニル）アゼンボロン錯体化合物である。第一青色発光層又は第二青色発光層の特に望ましい別の組み合わせは、アントラセンホスト及び青色発光体としてのスチリルアミンである。本発明の望ましい一実施態様は、黄色発光層と直接接触し、アントラセンホスト、芳香族アミン共ホスト及び青色発光体としてのビス（アジニル）アゼンボロン錯体化合物を含む第一青色発光層と、第一青色発光層の上方に位置し、アントラセンホスト及び青色発光体としてのスチリルアミンを含む第二青色発光層とを有する。「上方に」は、第二青色発光層が、第一青色発光層の黄色発光層から反対の面上に位置するということを意味する。
【００２０】
図１は、白色発光ＯＬＥＤデバイス１００の画素の断面図を示す。ＯＬＥＤデバイス１００は、基板１１０と、アノード１２０及びカソード１４０である２つの間隔を置いて配置される電極と、ＨＩＬ１３０、ＨＴＬ１３２及びＥＴＬ１３８とともに電極間に配置される黄色発光層１３４及び青色発光層１３６と、アノード１２０及びカソード１４０に電圧を供給する電源１５０及び電気コネクタ１６０とを備える。発光層１３４及び１３６はそれぞれ異なる発光スペクトルを生成する。
【００２１】
図２は、本発明による白色ＯＬＥＤデバイス２００の断面図を示す。それはＯＬＥＤ１００に似ているが、第一青色発光層２３６とＥＴＬ２３８との間に配置される第二青色発光層２３７を備える。第二青色発光層２３７は、第一青色発光層２３６と異なる少なくとも１つの材料を含む。２３６中の青色光生成化合物は２３７中の青色発光化合物と異なることが好ましい。青色発光層２３６及び２３７が異なる発光スペクトルを有することも望ましい。なお、ＯＬＥＤデバイス２００は、電源２５０及び電気コネクタ２６０に加えてＨＩＬ２３０及びＨＴＬ２３２を備える。図２に示されるように、第一青色発光層２３６は黄色発光層２３４と直接接触しており且つ第二青色発光層２３７は第一青色発光層２３６と直接接触していることが望ましい。
【００２２】
図３は、本発明の一実施態様であるタンデム型ＯＬＥＤデバイス３００を示す。本実施態様では、第一発光ユニット２５、中間接続層５０及び第二発光ユニット７５がある。第一発光ユニット２５は、第一青色発光層３３６に直接接触している黄色発光層３３４を備え、第一青色発光層３３６は第二青色発光層３３７と直接接触している。第一発光ユニット２５は、ＨＩＬ３３０、ＨＴＬ３３２及びＥＴＬ３３８も備える。第二発光ユニット７５は、ＥＴＬ３６５も備える。ＯＬＥＤデバイス３００は、電源３９０及び電気コネクタ３８５とともに基板３１０、アノード３２０、カソード３７０も備える。中間接続層５０は、２つの層：ＨＩＬ３４０及びＨＴＬ３４５から構成される。中間接続層の別の形式が、本発明のタンデム型デバイスにおいて用いられてもよい。
【００２３】
本明細書に記載されるような発光層は、正孔−電子の再結合に応じて光を生成する。所望の有機発光材料は、蒸発、スパッタリング、化学気相蒸着、電気化学法、又はドナー材料からの放射線熱転写などの任意の適切な方法によって堆積され得る。有用な有機発光材料はよく知られている。米国特許第４，７６９，２９２号及び米国特許第５，９３５，７２１号に更に十分に記載されるように、ＯＬＥＤデバイスの発光層は、発光材料又は蛍光材料を含み、その領域における電子−正孔対の再結合の結果としてエレクトロルミネッセンスがそこで生成される。発光層は、単一の材料からなり得るが、通常はゲスト化合物又はドーパントがドープされたホスト材料（そこでは、発光がドーパントから主に生じる）を含む。ドーパントは、特定のスペクトルを有する色光を生成するように選択される。発光層中のホスト材料は、電子輸送材料、正孔輸送材料又は正孔−電子の再結合を支持する他の材料であり得る。ドーパントは、リン光を発する化合物以外の強い蛍光を発する染料から通常選択され、例えば国際公開第９８／５５５６１号、国際公開第００／１８８５１号、国際公開第００／５７６７６号及び国際公開第００／７０６５５号に記載されるような遷移金属錯体も有用である。ドーパントは、典型的には０．０１重量％〜１０重量％でホスト材料にコーティングされる。有用であることが知られているホスト及び発光分子としては、米国特許第４，７６８，２９２号、米国特許第５，１４１，６７１号、米国特許第５，１５０，００６号、米国特許第５，１５１，６２９号、米国特許第５，２９４，８７０号、米国特許第５，４０５，７０９号、米国特許第５，４８４，９２２号、米国特許第５，５９３，７８８号、米国特許第５，６４５，９４８号、米国特許第５，６８３，８２３号、米国特許第５，７５５，９９９号、米国特許第５，９２８，８０２号、米国特許第５，９３５，７２０号、米国特許第５，９３５，７２１号、及び米国特許第６，０２０，０７８号に開示されているものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２４】
８−ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の金属錯体（式Ａ）は、エレクトロルミネッセンスを支持することが可能な、有用な電子輸送ホスト材料の１種を構成し、５００ｎｍより長い波長、例えば、緑色、黄色、橙色、及び赤色の発光に特に好適である。
【００２５】
【化２】
0005606921.tif 000003
【００２６】
式中、Ｍは一価、二価又は三価の金属を表し、ｎは１〜３の整数であり、それぞれ存在するＺは、少なくとも２つの縮合芳香環を有する核（nucleus）を完成させる原子を独立して表す。
【００２７】
Ｚは、少なくとも２つの縮合芳香環（そのうち少なくとも１つはアゾール環又はアジン環である）を含有する複素環の核を完成させる。必要に応じて、追加の環（脂環及び芳香環の両方を含む）を、２つの所要の環と縮合させてもよい。機能が改善されることなく多量の分子が付加されることを回避するために、環原子の数は通常１８以下に維持される。
【００２８】
ベンザゾール誘導体は、エレクトロルミネッセンスを支持し得る有用なホスト材料の別の種類を構成し、４００ｎｍより長い波長の発光（例えば、青色、緑色、黄色、橙色又は赤色）に特に適している。有用なベンザゾールの一例は、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］である。
【００２９】
本発明の１つ以上の発光層中のホスト材料は、炭化水素置換基又は置換された炭化水素置換基を９位及び１０位に有するアントラセン誘導体を含み得る。例えば、９，１０−ジアリールアントラセン（式Ｂ）の特定の誘導体は、エレクトロルミネッセンスを支持し得る有用なホスト材料の群を構成することが知られており、４００ｎｍより長い波長の発光（例えば、青色、緑色、黄色、橙色又は赤色）に特に適している。
【００３０】
【化３】
0005606921.tif 000004
【００３１】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、各環における１つ以上の置換基を表し、各置換基は下記の群からそれぞれ選択される。
第１群：水素、又は１〜２４個の炭素原子を有するアルキル
第２群：５〜２０個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第３群：アントラセニル、ピレニル又はペリレニルの縮合芳香環を完成するのに必要な４〜２４個の炭素原子
第４群：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系の縮合芳香族複素環を完成するのに必要な５〜２４個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換ヘテロアリール
第５群：１〜２４個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第６群：フッ素、塩素、臭素又はシアノ
【００３２】
特に有用なのは、Ｒ１及びＲ２が付加（additional）芳香環を表す化合物である。発光層中のホストとして用いるのに有用なアントラセン材料の具体例は、以下が挙げられる。
【００３３】
【化４】
0005606921.tif 000005
【００３４】
【化５】
0005606921.tif 000006
【００３５】
発光層中のホスト又は共ホストとして有用な正孔輸送材料は、芳香族第３級アミンなどの化合物を含むことが公知であり、芳香族第３級アミンは、炭素原子のみに結合した少なくとも１つの３価窒素原子を含有し、その少なくとも１つは芳香環の一部である化合物であると理解される。１つの形態において、芳香族第３級アミンは、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン、又は高分子アリールアミン（polymeric arylamine）などのアリールアミンであり得る。典型的なモノマートリアリールアミン（monomeric triarylamine）は、米国特許第３，１８０，７３０号においてKlupfelらによって説明されている。１つ以上のビニル基で置換された、又は少なくとも１つの活性水素含有基を含む他の適切なトリアリールアミンは、米国特許第３，５６７，４５０号及び米国特許第３，６５８，５２０号においてBrantleyらによって開示されている。
【００３６】
より好ましい種類の芳香族第三級アミンは、米国特許第４，７２０，４３２号及び米国特許第５，０６１，５６９号に記載されるように、少なくとも２つの芳香族第三級アミン部分を含むものである。かかる化合物としては、構造式Ｃによって表されるものが挙げられる。
【００３７】
【化６】
0005606921.tif 000007
【００３８】
式中、Ｑ１及びＱ２は、独立して選択される芳香族第三級アミン部分であり、Ｇは炭素−炭素結合の連結基（例えばアリーレン基、シクロアルキレン基、又はアルキレン基）である。
【００３９】
一実施形態では、Ｑ１又はＱ２の少なくとも一方は、多環式縮合環構造（例えばナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である場合には、Ｑ１又はＱ２の少なくとも一方は、フェニレン部分、ビフェニレン部分、又はナフタレン部分であることが好都合である。
【００４０】
構造式Ｃを満たし、且つ２つのトリアリールアミン部分を含有する、有用な種類のトリアリールアミンは、構造式Ｄで表される。
【００４１】
【化７】
0005606921.tif 000008
【００４２】
式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素原子、アリール基、若しくはアルキル基を表すか、又はＲ１及びＲ２は共にシクロアルキル基を完成させる原子を表し、Ｒ３及びＲ４は、各々独立してアリール基を表すが、このアリール基は、構造式Ｅに示されるように、ジアリール置換アミノ基によって置換されている。
【００４３】
【化８】
0005606921.tif 000009
【００４４】
式中、Ｒ５及びＲ６は、独立して選択されるアリール基である。一実施形態では、Ｒ５又はＲ６の少なくとも一方は、多環式縮合環構造（例えばナフタレン）を含有する。
【００４５】
別の種類の芳香族第三級アミンは、テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、式Ｅに示されるもののような、アリーレン基を介して連結した２つのジアリールアミノ基を含む。有用なテトラアリールジアミンとしては、式Ｆで表されるようなものが挙げられる。
【００４６】
【化９】
0005606921.tif 000010
【００４７】
式中、各Ａｒｅは、独立して選択されるアリーレン基（例えばフェニレン部分又はアントラセン部分）であり、ｎは１〜４の整数であり、Ａｒ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して選択されるアリール基である。
【００４８】
典型的な実施形態では、Ａｒ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうち少なくとも１つは多環式縮合環構造（例えばナフタレン）である。
【００４９】
上記の構造式Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦの様々なアルキル部分、アルキレン部分、アリール部分、及びアリーレン部分は、各々置換されていてもよい。典型的な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、及びハロゲン（例えばフッ化物、塩化物、及び臭化物）が挙げられる。様々なアルキル部分及びアルキレン部分は、典型的には約１個〜６個の炭素原子を含有する。シクロアルキル部分は、３個〜約１０個の炭素原子を含有することができるが、典型的には５個、６個、又は７個の環炭素原子を含有する（例えばシクロペンチル環構造、シクロヘキシル環構造、及びシクロヘプチル環構造）。アリール部分及びアリーレン部分は、通常、フェニル部分及びフェニレン部分である。
【００５０】
上記したホスト材料に加えて、緑色発光層３６０は、以下の式によって表されるような２，６−ジアミノアントラセン発光ドーパントも含む。
【００５１】
【化１０】
0005606921.tif 000011
【００５２】
式中、ｄ１、ｄ３−ｄ５及びｄ７−ｄ８は同一でも異なっていてもよく、水素又は独立して選択された置換基をそれぞれ表し、各ｈは同一でも異なっていてもよく、独立して選択された１つ以上の置換基をそれぞれ表し、ただし、２つの置換基が結合して環基（ring group）を形成することができ、ａ−ｄ、ｉ及びｊは独立して０〜５である。かかるジアミノアントラセンは、本願と同一譲受人に譲渡されたKlubekらの米国特許出願第１１／６６８，５１５号によって記載されており、その内容は参照することによって本明細書に援用される。緑色発光層３６０中のホスト材料は、望ましくは上記したアントラセンホストである。
【００５３】
緑色発光層３６０は、安定剤として、少量の青色発光化合物を任意に含み得る。より高いエネルギーのドーパントである青色発光化合物の存在は、緑色発光ドーパントの効率を良好に維持しながら、２，６−ジアミノアントラセンドーパントの緑色発光に対してより高い輝度安定性を与える。青色発光化合物は、本発明の青色発光層について以下に記載されているものであり得る。
【００５４】
赤色発光層３５０中で用いられるような赤色発光化合物は、以下の構造Ｈ：
【００５５】
【化１１】
0005606921.tif 000012
【００５６】
（式中、Ｘ１〜Ｘ１６は、水素、又は１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、５〜２０個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール基、１つ以上の縮合芳香環又は環系（ring system）を完成させる、４〜２４個の炭素原子を含有する炭化水素基、又はハロゲンなどの置換基から独立して選択され、ただし、置換基は５６０ｎｍ〜６４０ｎｍの最大発光を与えるように選択される。）のジインデノペリレン化合物を含み得る。
【００５７】
この種の有用な赤色ドーパントの具体例は、Hatwarらの米国特許出願公開第２００５／０２４９９７２号に示されており、その内容は参照することによって本明細書に援用される。
【００５８】
本発明において有用な他の赤色ドーパントは、式Ｉ：
【００５９】
【化１２】
0005606921.tif 000013
【００６０】
（式中、Ｙ１〜Ｙ５は、水素（hydro）、アルキル、置換アルキル、アリール、又は置換アリールから独立して選択される１つ以上の基を表し；Ｙ１〜Ｙ５は、アクリル基を独立して含むか、又は一対で結合して(joined pairwise）１つ以上の縮合環を形成することができ；ただし、Ｙ３及びＹ５は一緒になって縮合環を形成しない。）によって表される染料のＤＣＭ類（DCM class）に属する。
【００６１】
赤色発光をもたらす有用で且つ使いやすい態様において、Ｙ１〜Ｙ５は、水素、アルキル及びアリールから独立して選択される。ＤＣＭ類の特に有用なドーパントの構造が米国特許出願公開第２００５／０１８１２３２号に示されており、その内容は参照することによって本明細書に援用される。
【００６２】
黄色発光層中に用いられるような黄色発光ドーパントは、以下の構造の化合物を含み得る。
【００６３】
【化１３】
0005606921.tif 000014
【００６４】
式中、Ａ１〜Ａ６及びＡ’１〜Ａ’６は、各環における１つ以上の置換基を表し、各置換基は、以下の群の１つから個別に選択される。
第１群：水素、又は１〜２４個の炭素原子を有するアルキル
第２群：５〜２０個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第３群：縮合芳香環又は環系を完成する、４〜２４個の炭素原子を含有する炭化水素
第４群：単結合を介して結合されるか、又は縮合芳香族複素環系を完成する、チアゾリル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系などの５〜２４個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換へテロアリール
第５群：１〜２４個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第６群：フルオロ、クロロ、ブロモ又はシアノ
【００６５】
この種の特に有用な黄色ドーパントの例は、Rickeらの米国特許第７，２５２，８９３号に示されている。
【００６６】
有用な黄色ドーパントの別の種類は、米国特許第６，８１８，３２７号に記載されており、且つ式Ｊ３に従うものである。
【００６７】
【化１４】
0005606921.tif 000015
【００６８】
式中、Ａ’’１〜Ａ’’６は、各環における１つ以上の置換基を表し、各置換基は、以下の群の１つから個別に選択される。
第１群：水素、又は１〜２４個の炭素原子を有するアルキル
第２群：５〜２０個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第３群：縮合芳香環又は環系を完成する、４〜２４個の炭素原子を含有する炭化水素
第４群：単結合を介して結合されるか、又は縮合芳香族複素環系を完成する、チアゾリル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系などの５〜２４個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換へテロアリール
第５群：１〜２４個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第６群：フルオロ、クロロ、ブロモ又はシアノ
特に有用な例は、Ａ’’１及びＡ’’３が水素であり且つＡ’’２及びＡ’’４が第５群から選択されるものである。
【００６９】
青色発光層に含まれているような青色発光化合物は、構造Ｋ：
【００７０】
【化１５】
0005606921.tif 000016
【００７１】
（式中、Ａ及びＡ’は、少なくとも１つの窒素を含有する６員芳香環系に相当する独立したアジン環系を表し；（Ｘａ）ｎ及び（Ｘｂ）ｍは、１つ以上の独立して選択された置換基を表し、且つアクリル置換基を含むか、又は結合してＡ又はＡ１と縮合した環を形成し；ｍ及びｎは独立して０〜４であり；Ｚａ及びＺｂは、独立して選択された置換基であり；１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’は、炭素又は窒素原子のいずれかとして独立的に選択され；ただし、Ｘａ、Ｘｂ、Ｚａ及びＺｂ、１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’は、青色発光を与えるように選択される。）のビス（アジニル）アゼンボロン錯体化合物を含み得る。
【００７２】
上記のRicksらは、上記種類のドーパントのいくつかの例を開示する。
【００７３】
別の種類の青色ドーパントは、ペリレン類である。ペリレン類の特に有用な青色ドーパントは、ペリレン及びテトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）を含む。
【００７４】
本発明において特に有用な別の種類の青色ドーパントとしては、米国特許第５，１２１，０２９号に記載された化合物を含む、ジスチリルベンゼン、スチリルビフェニル及びジスチリルビフェニルなどのスチリルアレンやジスチリルアレンの青色発光誘導体が挙げられる。青色発光を与えるこれらの誘導体の中でも、特に有用なのは、ジアリールアミノ基で置換されたものである。例としては、以下に示される一般構造Ｌ１のビス［２−［４−［Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ］フェニル］ビニル］−ベンゼン：
【００７５】
【化１６】
0005606921.tif 000017
【００７６】
以下に示される一般構造Ｌ２の［Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ］［２−［４−［Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ］フェニル］ビニル］ビフェニル：
【００７７】
【化１７】
0005606921.tif 000018
【００７８】
及び以下に示される一般構造Ｌ３のビス［２−［４−［Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ］フェニル］ビニル］ビフェニル：
【００７９】
【化１８】
0005606921.tif 000019
【００８０】
が挙げられる。式Ｌ１〜Ｌ３において、Ｘ１〜Ｘ４は同一でも異なっていてもよく、アルキル、アリール、縮合アリール、ハロ（halo）、又はシアノなどの１つ以上の置換基をそれぞれ表す。好ましい実施形態において、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ、１〜約１０個の炭素原子をそれぞれ含有するアルキル基である。Ricksら（上記で引用した）は、この種の特に好ましい青色ドーパントを開示する。
【００８１】
本発明で用いられ得る他のＯＬＥＤデバイス用の層は、従来技術に十分記載されており、ＯＬＥＤデバイス２００及び３００、並びに本明細書に記載されたその他のデバイスは、かかるデバイスに一般に用いられ得る層を備え得る。ＯＬＥＤデバイスは、基板、例えばＯＬＥＤ用基板２１０上に一般に形成される。その基板は、従来技術に十分記載されている。底面電極は、ＯＬＥＤ用基板２１０の上方に形成され、本発明の実施はこの構成に限定されないが、アノード２２０として通常構成される。ＥＬ発光がアノードを通して見られる場合、重要な発光のために、アノードは透明又は実質的に透明でなければならない。本発明で使用される一般的な透明アノード材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）及び酸化スズであるが、他の金属酸化物（アルミニウム又はインジウムドープ酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物が挙げられるが、これらに限定されない）が有効であり得る。これらの酸化物に加えて、窒化ガリウムなどの金属窒化物、セレン化亜鉛などの金属セレン化物、硫化亜鉛などの金属硫化物が、アノードとして使用され得る。ＥＬ発光がカソード電極を通してのみ見られる応用に関しては、アノードの透過特性は重要ではなく、それが透明、不透明又は反射性（reflective）であるかに関らず、任意の導電性材料が使用される。本発明のための導電性材料（conductor）の例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定されない。透過性又は他の場合の典型的なアノード材料は、４．０ｅＶ以上の大きな仕事関数を有する。所望のアノード材料は、蒸発、スパッタリング、化学気相蒸着、又は電気化学法などの任意の適切な方法によって堆積され得る。アノード材料は、公知のフォトリソグラフィープロセスを用いてパターン化され得る。
【００８２】
正孔注入層１３０又は正孔輸送層１３２は、アノードの上方に形成され且つ配置され得る。所望の正孔輸送材料は、蒸発、スパッタリング、化学気相蒸着、電気化学法、熱転写、又はドナー材料からのレーザー熱転写などの任意の適切な方法によって堆積され得る。正孔輸送層に有用な正孔輸送材料としては、発光ホストとして上記した正孔輸送化合物が挙げられる。
【００８３】
電子輸送層２３８は、オキシン自体のキレートを含む１種以上の金属キレート化オキシノイド（oxinoid）化合物（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリンとも称される）を含み得る。他の電子輸送材料としては、米国特許第４，３５６，４２９号に開示されているような様々なブタジエン誘導体、及び米国特許第４，５３９，５０７号に記載されるような様々な複素環光学的増白剤が挙げられる。ベンザゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、ピリジンチアジアゾール、トリアジン、フェナントロリン誘導体、及びいくつかのシロール誘導体も有用な電子輸送材料である。
【００８４】
カソード２４０として通常構成される上部電極は、電子輸送層の上方に形成される。デバイスがトップエミッション型である場合、電極は、透明であるか、又は殆ど透明でなければならない。かかる用途に関して、金属は、薄く（好ましくは２５ｎｍ未満）なければならないか、又は透明な導電性酸化物（例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物）若しくはこれらの物質の組み合わせを使用しなければならない。光学的に透明なカソードは、米国特許第５，７７６，６２３号により詳細に記載されている。蒸発、スパッタリング又は化学気相蒸着によってカソード材料を堆積させることができる。必要なら、多くの公知の方法（米国特許第５，２７６，３８０号及び欧州特許第０７３２８６８号に記載されているようなスルーマスク堆積（through-mask deposition）、一体化シャドーマスク（integral shadow masking）、レーザーアブレーション、及び選択化学気相蒸着が挙げられるが、これらに限定されない）を通じてパターニングが達成され得る。
【００８５】
本明細書に記載されるようなＯＬＥＤデバイスでは、電極のうちの１つが、可視光に対して必ずしも透過性ではない。別の電極は反射性であり得る。例えば、図３では、カソードは反射性であり得るものの、アノードは透過性である。かかる構造では、第二発光ユニット７５が、第一発光ユニット２５よりも反射性電極の近くに配置される。Borosonらの米国特許出願公開第２００７／０００１５８８号によって記載されるように、赤色〜緑色の発光ユニット（例えば、第二発光ユニット７５）を反射性電極から６０〜９０ｎｍの範囲内に配置し、且つ青色発光ユニット（例えば、第一発光ユニット２５）を反射性電極から１５０〜２００ｎｍの範囲内に配置することが特に有用であり得る。
【００８６】
ＯＬＥＤデバイス２００及び３００は、別の層を更に備え得る。例えば、米国特許第４，７２０，４３２号、米国特許第６，２０８，０７５号、欧州特許第０８９１１２１号及び欧州特許第１０２９９０９号に記載されるように、正孔注入層２３０又は３３０がアノードの上方に形成され得る。アルカリ若しくはアルカリ土類金属、ハロゲン化アルカリ塩又はアルカリ若しくはアルカリ土類金属がドープされた有機層のような電子輸送層もカソードと電子輸送層との間に存在し得る。
【００８７】
本発明を説明する黄色発光層及び青色発光層を備える白色ＯＬＥＤデバイスは、以下のように調製される。下記実験では、色ずれ／色あせの測定は、８０ｍＡ／ｃｍ２で初期輝度が５０％（Ｔ５０）まで減少した時点で行った。そのデバイスは、色あせの間、室温で保持された。ｕ’及びｖ’は、放出光のために考案されたＣＩＥ  １９７６色度系における色度座標である。ＣＩＥ  １９３１ｘ及びｙ座標のＣＩＥ  １９７６ｕ’及びｖ’座標への変換は、次の式：ｕ’＝４ｘ／（−２ｘ＋１２ｙ＋３）及びｖ’＝９ｙ／（−２ｘ＋１２ｙ＋３）に従う。ＣＩＥｘ差分は、ＣＩＥｘ（初期）−ＣＩＥｘ（経年劣化）である。ＣＩＥｙ差分は、ＣＩＥｙ（初期）−ＣＩＥｙ（経年劣化）である。ｕ’ｖ’差分は、（（ｕ’（初期）−ｕ’（経年劣化））＊＊２＋（ｖ’（初期）−ｖ’（経年劣化））＊＊２）の平方根である。
【実施例】
【００８８】
＜例１．１〜１．１０＞
１．  スパッタリングによりインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を清浄なガラス基板に堆積させ、６０ｎｍの厚さの透明電極を形成した。
２．  上記で調製した基板を、正孔輸送層（ＨＩＬ）としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン（ＣＨＡＴＰ）の１０ｎｍ層を真空蒸着することによって更に処理した。
【００８９】
【化１９】
0005606921.tif 000020
【００９０】
３．  上記で調製した基板を、正孔輸送層（ＨＴＬ）として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）の１３０ｎｍ層を真空蒸着することによって更に処理した。
４．  上記で調製した基板を、１％の橙黄色発光ドーパントであるジフェニルテトラ−ｔ−ブチルルブレン（ＰＴＢＲ）とともに４９．５％のＮＰＢ（ホストとして）及び共ホストとしての４９．５％の９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（Ｂ１１）を含む２０ｎｍの黄色発光層を真空蒸着することによって更に処理した。
【００９１】
【化２０】
0005606921.tif 000021
【００９２】
５．  上記で調製した基板を、９７％のＢ１１ホストと青色発光ドーパントとしての３％のＢＥＤ−１とを含む５０ｎｍの青色発光層（青  ＬＥＬ１）を真空蒸着することによって更に処理した。
【００９３】
【化２１】
0005606921.tif 000022
【００９４】
６．  ２％のＬｉ金属とともに４８％の４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソフェン又はＢｐｈｅｎとしても知られている）及び共ホストとしての４８％のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡＬＱ）を含む２０ｎｍの混合電子輸送層を真空蒸着した。
７．  基板上に１００ｎｍのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
【００９５】
上記の手順によってＥＬデバイスの堆積が完了した。次いで、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックスで密封包装した。
【００９６】
比較例１．２は、工程５の青  ＬＥＬ１が４０ｎｍの厚さであり且つ工程７のＥＴＬが３０ｎｍの厚さであること以外は例１．１と同様に調製した。
【００９７】
比較例１．３は、工程５の青  ＬＥＬ１が９２％のＢ１１ホストと７％のＮＰＢ共ホストと１％のＢＥＤ−２とからなること以外は例１．２と同様に調製した。
【００９８】
【化２２】
0005606921.tif 000023
【００９９】
本発明例１．４は、工程５の青  ＬＥＬ１が２０ｎｍの厚さであり且つ９２％のＢ１１ホストと７％のＮＰＢ共ホストと１％のＢＥＤ−２とからなる厚さ２０ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が青  ＬＥＬ１と工程６のＥＴＬとの間に堆積されること以外は例１．２と同様に調製した。
【０１００】
本発明例１．５は、工程３のＨＴＬが１４０ｎｍの厚さであること以外は例１．４と同様に調製した。
【０１０１】
本発明例１．６は、２０ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が８５％のＢ１１ホストと１４％のＮＰＢ共ホストと１％のＢＥＤ−２とからなること以外は例１．３と同様に調製した。
【０１０２】
本発明例１．７は、青  ＬＥＬ１が２０ｎｍに減少され且つ９７％のＢ１１ホストと３％のＢＥＤ−１とからなる厚さ２０ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が青  ＬＥＬ１と工程６のＥＴＬとの間に堆積されること以外は例１．３と同様に調製した。
【０１０３】
本発明例１．８は、工程３のＨＴＬが１４０ｎｍの厚さであること以外は例１．７と同様に調製した。
【０１０４】
本発明例１．９は、厚さ２０ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が９４％のＢ１１ホストと３％のＮＰＢ共ホストと３％のＢＥＤ−１とからなること以外は例１．７と同様に調製した。
【０１０５】
本発明例１．１０は、青  ＬＥＬ１が８５％のＢ１１と１４％のＮＰＢ共ホストと１％のＢＥＤ−２とからなること以外は例１．７と同様に調製した。
【０１０６】
比較例１．１１は、工程４の黄色発光層中の材料の濃度が３３％のＮＰＢ、６５％のＢ１１及び２％のＰＴＢＲであり、且つ２５％と７５％のＢ１１とからなる１０ｎｍの非発光バッファー層が工程４と工程５の青  ＬＥＬ１との間に挿入され、青  ＬＥＬ１の厚さは３０ｎｍに減少されること以外は例１．１と同様に調製した。
【０１０７】
このように形成されたデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ２の動作電流密度で発光効率、駆動電圧及び初期ＣＩＥｘ，ｙ値について試験した。その結果を表１に示す。経年変化後の色ずれを表２に報告する。
【０１０８】
【表１】
0005606921.tif 000024
【０１０９】
【表２】
0005606921.tif 000025
【０１１０】
表２において、青色層中にＢＥＤ−１を用いた例１．４〜１．６は、比較例１．２と直接比較して、経年変化による色ずれの改善をそれほど示さない。しかしながら、それらの例は、より低い電圧を示す。青色層中にＢＥＤ−２を用いた例１．７〜１．１０は、比較例１．３と直接比較して、経年変化による色ずれの改善を示す。全ての本発明例は、青色発光層と黄色発光層との間の比発光バッファー層を備えた比較例１．１１に比して改善された性能を示す。
【０１１１】
＜例２．１〜２．５＞
１．  スパッタリングによりインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を清浄なガラス基板に堆積させ、６０ｎｍの厚さの透明電極を形成した。
２．  上記で調製した基板を、正孔輸送層（ＨＩＬ）としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン（ＣＨＡＴＰ）の１０ｎｍ層を真空蒸着することによって更に処理した。
３．  上記で調製した基板を、正孔輸送層（ＨＴＬ）として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）の１３０ｎｍ層を真空蒸着することによって更に処理した。
４．  上記で調製した基板を、２％の橙黄色発光ドーパントであるジフェニルテトラ−ｔ−ブチルルブレン（ＰＴＢＲ）とともに３４％のＮＰＢ（ホストとして）及び共ホストとしての６４％の９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（Ｂ１１）を含む２０ｎｍの黄色発光層を真空蒸着することによって更に処理した。
５．  上記で調製した基板を、２５％のＮＰＢと７５％のＢ１１との１０ｎｍの非発光バッファー層を真空蒸着することによって更に処理した。
６．  上記で調製した基板を、９７％のＢ１１ホストと青色発光ドーパントとしての３％のＢＥＤ−１とを含む３０ｎｍの青色発光層（青  ＬＥＬ１）を真空蒸着することによって更に処理した。
７．  ２％のＬｉ金属とともに４８％の４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソフェン又はＢｐｈｅｎとしても知られている）及び共ホストとしての４８％のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡＬＱ）を含む４０ｎｍの混合電子輸送層を真空蒸着した。
８．  基板上に１００ｎｍのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
【０１１２】
上記の手順によってＥＬデバイスの堆積が完了した。次いで、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックスで密封包装した。
【０１１３】
本発明例２．２は、工程５のバッファー層が存在せず、工程６の青  ＬＥＬ１が１５ｎｍの厚さであり且つ８８％のＢ１１と７％のＮＰＢと５％のＢＥＤ−１とからなり、且つ９９％のＢ１１ホストと１％のＢＥＤ−２とからなる厚さ１５ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が青  ＬＥＬ１と工程７のＥＴＬとの間に堆積されること以外は例２．１と同様に調製した。
【０１１４】
本発明例２．３は、青  ＬＥＬ１が８５％のＢ１１と１０％のＮＰＢと５％のＢＥＤ−１とからなること以外は例２．２と同様に調製した。
【０１１５】
本発明例２．４は、青  ＬＥＬ２が９７％のＢ１１ホストと３％のＢＥＤ−１と１％のＢＥＤ−２とからなること以外は例２．３と同様に調製した。
【０１１６】
本発明例２．５は、青  ＬＥＬ１が２０ｎｍに増大され且つ青  ＬＥＬ２が２０ｎｍに増大されること以外は例２．３と同様に調製した。
【０１１７】
このように形成されたデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ２の動作電流密度で発光効率、駆動電圧及び初期ＣＩＥｘ，ｙ値について試験した。その結果を表３に示す。経年変化後の色ずれを表４に報告する。
【０１１８】
【表３】
0005606921.tif 000026
【０１１９】
【表４】
0005606921.tif 000027
【０１２０】
これらの結果は、１つだけの青色層を備える比較例に比して、２つの青色層を備える本発明のデバイスにおいて経年変化後の色ずれが顕著に改善されることを示す。
【０１２１】
＜例３．１〜３．３＞
デバイス２．１について記載された工程１〜７を繰り返し、次いで下記層を挿入することによりタンデム型ＯＬＥＤデバイスを調製した。
８．  ＣＨＡＴＰの１０ｎｍ層を、中間接続層の一部としての第二ＨＩＬとして真空蒸着させた。
９．  ＮＰＢの５ｎｍ層を、中間接続層の一部としての第二ＨＴＬとして真空蒸着させた。
１０．  ７４．７５％のＮＰＢと２４．７５％のＮＰＢと０．５％のＲＤ−１（下記構造）との１６ｎｍの赤色発光層を真空蒸着させた。
【０１２２】
【化２３】
0005606921.tif 000028
【０１２３】
１１．  上記で調製した基板を、２４％のＮＰＢと７４％のＢ１１と２％のＰＴＢＲとを含む４ｎｍの黄色発光層を真空蒸着することによって更に処理した。
１２．  次に、ホストとしての９４％のＢ１０と５％のＧＥＤ−１緑色ドーパントと１％のＢＥＤ−２とを含む４０ｎｍの緑色発光層を真空蒸着させた。
【０１２４】
【化２４】
0005606921.tif 000029
【０１２５】
１３．  ４８％のＢｐｈｅｎと４８％のＡＬＱと２％のＬｉ金属とを含む４０ｎｍの混合電子輸送層を真空蒸着した。
１４．  基板上に１００ｎｍのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
【０１２６】
上記の手順によって比較ＥＬデバイス３．１の堆積が完了した。次いで、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックスで密封包装した。
【０１２７】
比較例３．２は、工程３のＨＴＬ層が１４０ｎｍの厚さであり、工程４の黄色発光層が１％のＰＴＢＲとともに４９％のＮＰＢ及び４９％のＢ１１であり、工程５のバッファー層が省略され、且つ工程６の青色発光層（青  ＬＥＬ１）が９５％のＢ１１及び青色発光ドーパントとしての５％のＢＥＤ−１であること以外は例３．１と同様に調製した。
【０１２８】
本発明例３．３は、８９％のＢ１１と１０％のＮＰＢと１％のＢＥＤ−２との２０ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が、工程４の黄色発光層と、９７％のＢ１１ホスト及び３％のＢＥＤ−１であり且つ１０ｎｍの厚さに調製された工程６の第一青色発光層（青  ＬＥＬ１）との間に挿入されていること以外は例３．２と同様に調製した。
【０１２９】
このように形成されたデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ２の動作電流密度で発光効率、駆動電圧及び初期ＣＩＥｘ，ｙ値について試験した。その結果を表５に示す。経年変化後の色ずれを表６に報告する。
【０１３０】
【表５】
0005606921.tif 000030
【０１３１】
【表６】
0005606921.tif 000031
【０１３２】
これらの結果は、１つだけの青色層を備える比較例に比して、２つの青色層を備える本発明のデバイスにおいて経年変化後の色ずれが顕著に改善されることを示す。
【０１３３】
＜例４．１〜４．３＞
比較のタンデム型ＯＬＥＤデバイス４．１は、工程６の青  ＬＥＬ１中のＢＥＤ−１の濃度が５％であり且つＢ１１が９５％であること以外は例３．１と同様に調製した。
【０１３４】
本発明のＯＬＥＤデバイス４．２は、工程５のバッファー層が省略され、工程６の青色  ＬＥＬ１が８５％のＢ１１、１０％のＮＰＢ及び５％のＢＥＤ−１であり且つその厚さが２０ｎｍに調整され、且つ９９％のＢ１１と１％のＢＥＤ−２との２０ｎｍの第二青色発光層（青  ＬＥＬ２）が工程６の青  ＬＥＬ１と工程７のＥＴＬとの間に挿入されていること以外は例４．１と同様に調製した。
【０１３５】
本発明のＯＬＥＤデバイス４．３は、青色  ＬＥＬ１及び青色  ＬＥＬ２の両方を厚さ１５ｎｍに調整したこと以外は例４．２と同様に調製した。
【０１３６】
このように形成されたデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ２の動作電流密度で発光効率、駆動電圧及び初期ＣＩＥｘ，ｙ値について試験した。その結果を表７に示す。経年変化後の色ずれを表８に報告する。
【０１３７】
【表７】
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【０１３８】
【表８】
0005606921.tif 000033
【０１３９】
これらの結果は、１つだけの青色層を備える比較例に比して、２つの青色層を備える本発明のデバイスにおいて経年変化後の色ずれが顕著に改善されることを示す。
【０１４０】
部品表
２５  第一エレクトロルミンエセンスユニット（ＥＬＵ）
５０  中間接続層
７５  第二エレクトロルミンエセンスユニット（ＥＬＵ）
１００  ＯＬＥＤデバイス
１１０  基板
１２０  アノード
１３０  正孔注入層（ＨＩＬ）
１３２  正孔輸送層（ＨＴＬ）
１３４  黄色発光層（Ｙ  ＬＥＬ）
１３６  青色発光層（Ｂ  ＬＥＬ１）
１３８  電子輸送層（ＥＴＬ）
１４０  カソード
１５０  電源
１６０  電気コネクタ
２００  ＯＬＥＤデバイス
２１０  基板
２２０  アノード
２３０  正孔注入層（ＨＩＬ）
２３２  正孔輸送層（ＨＴＬ）
２３４  黄色発光層（Ｙ  ＬＥＬ）
２３６  第一青色発光層（Ｂ  ＬＥＬ１）
２３７  第二青色発光層（Ｂ  ＬＥＬ２）
２３８  電子輸送層（ＥＴＬ）
２４０  カソード
２５０  電源
２６０  電気コネクタ
３００  タンデムＯＰＥＤデバイス
３１０  基板
３２０  アノード
３３０  第一ＥＬＵの正孔注入層（ＨＩＬ）
３３２  第一ＥＬＵの正孔輸送層（ＨＴＬ）
３３４  第一ＥＬＵの黄色発光層（Ｙ  ＬＥＬ）
３３６  第一ＥＬＵの第一青色発光層（Ｂ  ＬＥＬ１）
３３７  第一ＥＬＵの第二青色発光層（Ｂ  ＬＥＬ２）
３３８  第一ＥＬＵの電子輸送層（ＥＴＬ）
３４０  接続層ＨＩＬ
３４５  接続層ＨＴＬ
３５０  第二ＥＬの赤色発光層
３５５  第二ＥＬの黄色発光層
３６０  第二ＥＬの緑色発光層
３６５  第二ＥＬのＥＴＬ
３７０  カソード
３８５  電気コネクタ
３９０  電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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