(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に反射層が形成され、内部に温度調節媒体のための少なくとも１つの流路が形成されたミラー基板と、
前記ミラー基板を複数の位置においてそれぞれ支持する複数の支持部と、
前記少なくとも１つの流路に接続された少なくとも１つの供給配管及び少なくとも１つの排出配管と、
を具備し、
前記ミラー基板が前記複数の支持部の内の１つによって支持される位置と、前記流路に対する前記供給配管及び前記排出配管の接続位置との間の距離は、前記ミラー基板における最も厚い部分の厚さより小さい、ミラー装置。
【請求項２】
前記供給配管及び前記排出配管のそれぞれが、１つの支持部に対して固定されている、請求項１記載のミラー装置。
【請求項３】
１つの支持部に対して、前記供給配管と前記排出配管との両方が固定されている、請求項１又は２記載のミラー装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの流路内に温度調節媒体を供給する複数の供給配管と、前記少なくとも１つの流路内の温度調節媒体を排出する複数の排出配管と、を具備し、
前記複数の支持部の各々に対して、前記供給配管のそれぞれ１つと前記排出配管のそれぞれ１つとの両方が固定されている、請求項１又は２記載のミラー装置。
【請求項５】
前記供給配管及び前記排出配管が、１つの支持部の内部に形成されている、請求項１乃至４の何れか一項記載のミラー装置。
【請求項６】
前記供給配管及び前記排出配管が、１つの支持部の外側に沿って形成されている、請求項１乃至４の何れか一項記載のミラー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光源装置などの光源装置において光を集光するために用いられるミラー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、６０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、更には３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ生成プラズマ）光源（以下において、「ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置」ともいう）と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（discharge produced plasma）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（synchrotron radiation）光源との３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、光源の周囲に電極等の構造物がなく、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので、２π〜４πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
【０００４】
ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置においては、次のような原理でＥＵＶ光が生成される。即ち、ノズルを用いて真空チャンバ内にターゲット物質を供給し、このターゲット物質に対してレーザビームを照射することにより、ターゲット物質を励起してプラズマ化させる。そのようにして生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、その内の所望の波長成分（例えば、１３．５ｎｍの波長を有する成分）を選択的に反射する集光ミラー（コレクタミラー）を用いることによりＥＵＶ光を反射集光し、露光装置の縮小投影反射光学系に出力する。例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を集光する集光ミラーとしては、反射面にモリブデン（Ｍｏ）及びシリコン（Ｓｉ）の膜が交互に積層されたミラーが用いられる。
【０００５】
チャンバ内においてターゲット物質のプラズマから放射される様々な波長成分の内、ＥＵＶ光以外の波長成分の一部は、集光ミラーにおいて反射されることなく吸収される。従って、集光ミラーは、ＥＵＶ光以外の波長成分のエネルギーを吸収することにより、高温になる。集光ミラーは、高温になると熱膨張によって変形し、集光性能が低下してしまう。そこで、集光ミラーの熱膨張を抑制するため、集光ミラーを冷却することが提案されている。
【０００６】
関連する技術として、特許文献１には、ミラー基板の裏面の近傍に、輻射板及び液冷ジャケット等を含む冷却機構を配置したＥＵＶ露光装置が開示されている。この特許文献１においては、ミラー基板と冷却機構との間に若干の隙間をあけることにより、冷却機構からミラー基板に力が加わらないようにされている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１のＥＵＶ露光装置においては、ミラー基板と冷却機構との間に隙間をあけているので、ミラー基板から冷却機構に対して熱を伝達する効率が低い。一方、冷却機構を含む温度調節機構をミラー基板に直接接続すると、温度調節による配管の伸縮や、温度調節媒体の圧力等により温度調節機構からミラー基板に力が加わる場合がある。この場合、ミラーが歪み、ミラーによる集光像が歪んだり、集光位置が変動したりして集光性能が低下してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−５５５５３号公報（段落００２７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、光源装置において光を集光するために用いられるミラー装置において、温度調節機構からミラー基板に力が加わっても、ミラーの歪みを発生しにくくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係るミラー装置は、一方の面に反射層が形成され、内部に温度調節媒体のための少なくとも１つの流路が形成されたミラー基板と、ミラー基板を複数の位置においてそれぞれ支持する複数の支持部と、少なくとも１つの流路に接続された少なくとも１つの供給配管及び少なくとも１つの排出配管と、を具備し、ミラー基板が複数の支持部の内の１つによって支持される位置と、流路に対する供給配管及び排出配管の接続位置との間の距離は、ミラー基板における最も厚い部分の厚さより小さい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の１つの観点によれば、ミラー基板が複数の支持部の内の１つによって支持される位置と、流路に対する供給配管及び排出配管の接続位置との間の距離は、ミラー基板における最も厚い部分の厚さより小さいので、温度調節機構の配管からミラー基板に力が加わっても、ミラーの歪みを発生しにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係るミラー装置を備えた極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】図２（Ａ）は、第１実施形態に係るミラー装置に用いられる位置決め機構の一例を示す概念図であり、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）は当該位置決め機構に用いられるピエゾアクチュエータの一例を示す概念図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第１の実施例を示す正面図であり、図３（Ｂ）はその断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第２の実施例を示す正面図であり、図４（Ｂ）はその断面図である。
【図５】第１実施形態に係るミラー装置に関する第３の実施例を示す断面図である。
【図６】第１実施形態に係るミラー装置に関する第４の実施例を示す断面図である。
【図７】第１実施形態に係るミラー装置に関する第５の実施例を示す断面図である。
【図８】第１実施形態に係るミラー装置に関する第６の実施例を示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るミラー装置を備えた極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るミラー装置を備えた極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成を示す側面図である。このＥＵＶ光源装置は、レーザビームをターゲット物質に照射して励起させることによりＥＵＶ光を生成するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）方式を採用している。図１に示すように、このＥＵＶ光源装置は、チャンバ１と、ターゲット供給部２と、ドライバレーザ３と、ＥＵＶ集光ミラー５と、電磁石６ａ及び６ｂと、ポンプ７と、熱交換部８と、位置決め機構９とを有している。
【００１４】
チャンバ１は、ＥＵＶ光の生成が行われる真空チャンバであり、チャンバ壁１ａによって構成される。チャンバ壁１ａには、露光機接続ポート１１と、窓１２とが設けられている。露光機接続ポート１１は、チャンバ１内で発生したＥＵＶ光を外部の露光機（縮小投影反射光学系）に出力する。窓１２は、ドライバレーザ３によって生成されたレーザ光をチャンバ１内に通過させる。
【００１５】
ターゲット供給部２は、ＥＵＶ光を発生するために用いられるスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）等のターゲット物質を、ターゲットノズル１３を介してチャンバ１内に供給する装置である。チャンバ１内において、ターゲット物質は、ターゲットノズル１３からドロップレットＤＬとして噴射される。チャンバ１内に供給された複数のドロップレットＤＬの内で、レーザ光が照射されずに不要となったものは、ターゲット回収筒１４によって回収される。
【００１６】
ドライバレーザ３は、ターゲット物質を励起させるために用いられる駆動用のレーザ光を生成する発振増幅型レーザ装置（master oscillator power amplifier type laser apparatus）である。ドライバレーザ３によって生成されるレーザ光は、高い繰り返し周波数（例えば、パルス幅が数ｎ秒〜数十ｎ秒程度、周波数が１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度）を有するパルスレーザ光である。ドライバレーザ３としては、例えば、ＣＯ２レーザが用いられる。
【００１７】
ドライバレーザ３によって生成されるレーザ光は、レーザ集光ミラー１５と、上述の窓１２とを介して、チャンバ１内のドロップレットＤＬ上に焦点を形成するように集光される。
レーザ光がドロップレットＤＬに照射されると、レーザ光のエネルギーによって、ドロップレットＤＬの一部又は全部がプラズマ化し、そこからＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。
【００１８】
ＥＵＶ集光ミラー５は、プラズマから放射される様々な波長成分の内から、所定の波長成分（例えば、１３．５ｎｍ付近の波長を有するＥＵＶ光）を集光するために用いられるミラー装置である。ＥＵＶ集光ミラー５は、ミラー基板５ａと、複数の支持部５ｂと、少なくとも１つの供給配管５ｃと、少なくとも１つの排出配管５ｄと、フレキシブル管５ｇとを含んでいる。
【００１９】
ミラー基板５ａは、回転楕円体の凹面状の反射面を有し、この反射面には、例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を選択的に反射するモリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓｉ）多層膜を含む反射層５ｅが形成されている。このミラー基板５ａは、回転楕円体の第１の焦点位置がプラズマ生成点（plasma generation site）ＰＳとなるように配置されており、ＥＵＶ光は、回転楕円体の第２の焦点位置、即ち、中間集光点（intermediate focusing point）ＩＦに集光され、外部の露光機に出力される。
ミラー基板５ａ内には、温度調節媒体である水、アルコール類、オイル等の流体のための少なくとも１つの流路５ｆが形成されている。
【００２０】
複数の支持部５ｂは、ミラー基板５ａの別々の位置にそれぞれ固定されることにより、ミラー基板５ａを複数の位置においてそれぞれ支持している。複数の支持部５ｂは、位置決め機構９側の部分が一体的に形成されているものでも良い。複数の支持部５ｂに対応して、複数の穴がチャンバ壁１ａに形成されており、１つの支持部５ｂが１つの穴をそれぞれ貫通している。このチャンバ壁１ａに形成された各々の穴の周囲を取り囲むように、フレキシブル管５ｇの一端がチャンバ壁１ａに密着し固定されている。フレキシブル管５ｇの他端は、支持部５ｂの端部に密着し固定されている。このフレキシブル管５ｇにより、チャンバ１内の真空状態が保持されている。
【００２１】
供給配管５ｃは、ポンプ７とミラー基板内の流路５ｆとを接続する配管であり、ポンプ７から供給された温度調節媒体を少なくとも１つの流路５ｆ内に供給する。排出配管５ｄは、ミラー基板内の流路５ｆと熱交換部８とを接続する配管であり、少なくとも１つの流路５ｆ内の温度調節媒体を熱交換部８に排出する。供給配管５ｃ及び排出配管５ｄは、ミラー基板５ａが複数の支持部５ｂによって支持される複数の位置の内の少なくとも１つの位置の近傍において、ミラー基板内の少なくとも１つの流路５ｆに接続されている。
１本の供給配管５ｃと、１本の排出配管５ｄとで、温度調節媒体が出入りする１組の配管が構成される。そして、１つの支持部５ｂに沿って、１組の配管がそれぞれ配置されている。
【００２２】
ポンプ７は、温度調節媒体に吐出圧を付与して供給配管５ｃに供給し、ミラー基板５ａ内の流路５ｆから排出される温度調節媒体を、排出配管５ｄ及び熱交換部８を介して受け入れることにより、温度調節媒体を循環させる。
【００２３】
位置決め機構９は、ＥＵＶ光源装置の筐体に固定される固定部９ａと、ＥＵＶ集光ミラー５の支持部５ｂを支持するステージ９ｂと、固定部９ａに対するステージ９ｂの相対位置を決定するステージ駆動部９ｃとを含んでいる。位置決め機構９は、ステージ駆動部９ｃによってステージ９ｂを位置決めすることにより、ＥＵＶ集光ミラー５を所望の位置に位置決めすることができる。位置決め機構９としては、例えば、３次元直交座標系の各軸に沿った移動と、それぞれの軸周りの回転が可能な６軸ステージユニットを用いる。ステージ駆動部９ｃとしては、電磁石６ａ及び６ｂによる磁場の影響を避けるため、圧電体素子などの非磁性素子を用いた駆動機構を用いるのが望ましい。
【００２４】
図２（Ａ）は、第１実施形態に係るミラー装置に用いられる位置決め機構の一例を示す概念図であり、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）は当該位置決め機構に用いられるピエゾアクチュエータの一例を示す概念図である。
【００２５】
図２（Ａ）に示す位置決め機構９は、固定部９ａ上の６箇所の点と、ステージ９ｂ上の６箇所の点とを、伸縮駆動する６本のステージ駆動部９ｃによって結合した６軸ステージユニットである。各々のステージ駆動部９ｃの伸縮を制御することにより、ステージ９ｂが位置決めされる。図２（Ａ）に示す位置決め機構９を、スチュワートプラットフォーム（Stewart Platform）という。スチュワートプラットフォームは、力が大きく、構造が簡単で、剛性が高く、高速、高精度であるという特徴を有している。
【００２６】
図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示すピエゾアクチュエータは、対向して配置されたステータ部９０ａ、９０ｂと、ステータ部９０ａ、９０ｂの間に配置されたスライダ部９８とを含んでおり、図２（Ａ）のステージ駆動部９ｃを構成している。ステータ部９０ａ、９０ｂは、それぞれ、ハウジング９１内のベースプレート９２に順次積層された電極層９４、圧電体下層部９５、圧電体上層部９６及び電極層９７を含む複数の圧電体素子９３ａ、９３ｂを含んでいる。圧電体下層部９５は、電界に対して同方向に伸縮するｄ３３モードで動作するように分極処理されており、圧電体上層部９６は、電界に対して垂直なせん断歪みを生じるｄ１５モードで動作するように分極処理されている。なお、圧電体素子９３ａ、９３ｂがスライダ部９８を両面から押圧するように、ベースプレート９２には予め力Ｆが付与されている。ここでは、ステータ部９０ａ、９０ｂの各々に２つの圧電体素子９３ａ、９３ｂが含まれる場合について説明したが、圧電体素子は３つ以上でも良い。
【００２７】
ここで、圧電体素子９３ａと圧電体素子９３ｂとに対して、互いに異なる極性の電圧が印加されると、一方の圧電体素子９３ａにおいては圧電体下層部９５が伸長し、他方の圧電体素子９３ｂにおいては圧電体下層部９５が収縮する。それとともに、これらの圧電体素子９３ａ、９３ｂの圧電体上層部９６は、互いに異なる方向にせん断歪みを生じる（図２（Ｃ）参照）。
【００２８】
隣接する圧電体素子９３ａ、９３ｂに対して、一定角度ずつ位相のずれた交流電圧が印加されると、隣接する圧電体素子９３ａ、９３ｂが、位相の異なる伸縮及びせん断歪みの動作を繰り返す。これにより、圧電体素子９３ａ、９３ｂは、圧電体下層部９５が伸長するときの圧電体上層部９６のせん断歪みによって、スライダ部９８を一定方向に移動させる。
【００２９】
図１を再び参照すると、電磁石６ａ及び６ｂは、コイル巻き線やコイル巻き線の温度調節機構等を含んでいる。電磁石６ａ及び６ｂには、コントローラ１８によって制御される電源装置１７が接続されている。電源装置１７から電磁石６ａ及び６ｂに供給される電流をコントローラ１８が調節することにより、所定の方向の磁場Ｂがチャンバ１内に形成される。電磁石６ａ及び６ｂとしては、例えば超伝導磁石が用いられる。
【００３０】
本実施形態においては、少なくとも１つの供給配管５ｃ及び少なくとも１つの排出配管５ｄが、ミラー基板５ａが複数の支持部５ｂによって支持される複数の位置の内の少なくとも１つの位置の近傍において、ミラー基板内の少なくとも１つの流路５ｆに接続されている。従って、これらの配管からミラー基板５ａに力が加わっても、ミラー基板５ａの歪みが発生しにくくなっている。
【００３１】
また、本実施形態においては、供給配管５ｃが支持部５ｂに沿って配置されている。また、排出配管５ｄも支持部５ｂに沿って配置されている。従って、支持部５ｂが貫通するための穴がチャンバ壁１ａに形成される場合に、供給配管５ｃ又は排出配管５ｄのための穴がチャンバ壁１ａに別途形成される必要はない。すなわち、支持部５ｂと供給配管５ｃ又は排出配管５ｄとが、チャンバ壁１ａの穴を共用することができる。
【００３２】
また、供給配管５ｃには温度の低い温度調節媒体が流れ、排出配管５ｄには温度の高い温度調節媒体が流れる。本実施形態においては、１つの支持部５ｂに対して、１本の供給配管５ｃと１本の排出配管５ｄとの両方が固定されている。このため、たとえば、排出配管５ｄの熱エネルギーによる支持部５ｂの温度上昇が、供給配管５ｃによる熱エネルギーの吸収によって抑制される。従って、支持部５ｂの熱膨張が抑制され、ＥＵＶ集光ミラー５の変位による焦点位置の変化が抑制される。
【００３３】
さらに、本実施形態においては、複数の支持部５ｂの各々に対して、１本の供給配管５ｃと１本の排出配管５ｄとの両方が固定されている。従って、支持部５ｂの温度変化が生じる場合でも、異なる支持部５ｂ間で同様の温度変化が生じる。従って、支持部５ｂが熱膨張する場合でも、異なる支持部５ｂ間で同様の熱膨張が生じるので、ＥＵＶ集光ミラー５の変位によってＥＵＶ光の光軸が傾くことが抑制される。
【００３４】
次に、第１実施形態について、詳細な実施例を説明する。
図３（Ａ）は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第１の実施例を示す正面図であり、図３（Ｂ）はその断面図である。
【００３５】
図３（Ａ）に示すように、ＥＵＶ集光ミラー５には３つの支持部５ｂが設けられており、これらの支持部５ｂは、ミラー基板５ａをミラー基板５ａの側面における３点で位置決めする。ミラー基板５ａ内の流路５ｆは、ミラー基板５ａを均等に温度調節するように、ミラー基板５ａの全体にわたって形成されている。流路５ｆは、ミラー基板５ａに３つ形成されている。
【００３６】
図３（Ｂ）に示すように、第１の実施例においては、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄが、ＥＵＶ集光ミラー５の支持部５ｂに対して固定されている。そして、１つの供給配管５ｃ及び１つの排出配管５ｄは、１つの支持部５ｂの内部を通り、ミラー基板５ａが支持部５ｂによって支持された位置と同一の位置において１つの流路５ｆに接続されている。他の点については図１を参照しながら説明した通りである。
【００３７】
第１の実施例においては、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄのそれぞれが、１つの支持部５ｂに対して固定されている。従って、供給配管５ｃ又は排出配管５ｄに力が加わっても、その力を支持部５ｂが受けることができるので、ミラー基板５ａの歪みが発生しにくくなっている。また、位置決め機構９（図１参照）によってミラー基板５ａの位置決めをする場合に、供給配管５ｃ又は排出配管５ｄによってミラー基板５ａの動きが規制されることなく、安定した位置決めが可能である。
【００３８】
図４（Ａ）は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第２の実施例を示す正面図であり、図４（Ｂ）はその断面図である。
図４（Ａ）においては、ミラー基板５ａの中央に、ドライバレーザ３（図１参照）からのレーザ光を導入するための穴５ｎが形成された例が示されている。また、図４（Ｂ）に示すように、第２の実施例は、１つの供給配管５ｃ及び１つの排出配管５ｄが、１つの支持部５ｂの外側に沿って配置されている点で、図３に示す第１の実施例と異なる。他の点については第１の実施例と同様である。
【００３９】
図５は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第３の実施例を示す断面図である。
図５に示す第３の実施例は、フレキシブル管５ｇをチャンバ壁１ａと支持部５ｂとに密着させて固定する他に、フレキシブル管５ｍの一端を筒状の支持部５ｂに、他端をミラー基板５ａの裏面（反射層５ｅと反対側の面）に密着させて固定することによって、チャンバ１内の真空状態を保持する点で、図３（Ｂ）に示す第１の実施例と異なる。
【００４０】
また、第３の実施例は、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄが筒状の支持部５ｂ内を貫通しており、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄが支持部５ｂに固定されていない点で、第１の実施例と異なる。
また、第３の実施例は、ミラー基板５ａが支持部５ｂによって支持される位置（ミラー基板５ａの側面）と、ミラー基板内の流路５ｆに対する供給配管５ｃ及び排出配管５ｄの接続位置（ミラー基板５ａの裏面）とが、近傍であるが別の位置である点で、第１の実施例と異なる。
他の点については第１の実施例と同様である。
【００４１】
ここで、ミラー基板５ａが複数の支持部５ｂの内の１つによって支持される位置と、ミラー基板内の流路５ｆに対する供給配管５ｃ及び排出配管５ｄの接続位置との間の距離（Ａ）は、ミラー基板５ａにおける最も厚い部分の厚さ（Ｂ）より小さいことが望ましい。これにより、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄからミラー基板５ａに力が加わっても、ミラー基板５ａの歪みを発生しにくくすることができる。ミラー基板５ａの厚さを大きくした場合には、ミラー基板の剛性が高くなり、変形しにくくなるので、距離（Ａ）を大きくとることができる。
【００４２】
図６は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第４の実施例を示す断面図である。
図６に示す第４の実施例は、支持部５ｂがミラー基板５ａの裏面（反射層５ｅと反対側の面）を支持している点で、図３（Ｂ）に示す第１の実施例と異なる。また、第４の実施例は、ミラー基板５ａがミラー基板５ａの裏面において支持部５ｂに支持され、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄがミラー基板５ａの裏面において流路５ｆに接続されている点で、第１の実施例と異なる。他の点については第１の実施例と同様である。
【００４３】
図７は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第５の実施例を示す断面図である。
図７に示す第５の実施例は、支持部５ｂの内のステージ９ｂ側の部分が、空洞部を有する円筒状に形成されており、支持部５ｂの内のミラー基板５ａ側の部分に固定された供給配管５ｃ及び排出配管５ｄは、上述の空洞部においてはフレキシブルホース５ｈによって形成されている点で、図６に示す第４の実施例と異なる。他の点については第４の実施例と同様である。
【００４４】
第５の実施例においては、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄの内の支持部５ｂに固定されていない部分がフレキシブルホース５ｈによって形成されているので、ポンプ７（図１参照）等の振動が支持部５ｂを介してミラー基板５ａに伝わることが抑制される。フレキシブルホース５ｈ内の流体圧によってフレキシブルホース５ｈ自体が変形して動くことも考えられるが、供給配管５ｃ及び排出配管５ｄが支持部５ｂに固定されているため、ミラー基板５ａに歪みが生じることは抑制される。
【００４５】
図８は、第１実施形態に係るミラー装置に関する第６の実施例を示す断面図である。
図８に示す第６の実施例は、排出配管５ｄが供給配管５ｃの周りを取り囲むように形成されている点で、図６に示す第４の実施例と異なる。例えば、支持部５ｂは、大径筒状部５ｊと小径筒状部５ｋとを含んでおり、大径筒状部５ｊ内に小径筒状部５ｋが配置されている。小径筒状部５ｋより内側の空間が供給配管５ｃの流路となっており、大径筒状部５ｊより内側であって小径筒状部５ｋより外側の空間が排出配管５ｄの流路となっている。他の点については第４の実施例と同様である。
【００４６】
第６の実施例においては、支持部５ｂの内部に、排出配管５ｄが供給配管５ｃの周りを取り囲むように形成されているので、支持部５ｂの内部における温度分布が支持部５ｂの中心軸について回転対称となる。従って、支持部５ｂの内部に温度差が生じても支持部５ｂが曲がることが抑制されるので、ＥＵＶ集光ミラー５の変位による焦点位置の変化が抑制される。
【００４７】
次に、第２実施形態について説明する。
図９は、本発明の第２実施形態に係るミラー装置を備えた極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成を示す側面図である。図９においては、第２実施形態に係るミラー装置として、ＥＵＶ集光ミラー５とレーザ集光ミラー１５とが図示されている。
【００４８】
図９においては、位置決め機構９の全体がチャンバ１内に収容されている点で、図１に示す位置決め機構９と異なる。従って、図１に示す第１実施形態においては複数の支持部５ｂに対応する複数の穴がチャンバ壁１ａに形成され、各々の穴がフレキシブル管５ｇによって塞がれていたが、図９においては、そのような穴やフレキシブル管は不要である。
また、図９においては、第２実施形態に係るミラー装置の１つであるレーザ集光ミラー１５が、温度調節媒体のための少なくとも１つの流路１５ｆが形成されたミラー基板１５ａと、位置決め機構１９に支持された支持部１５ｂと、少なくとも１つの流路１５ｆに接続された少なくとも１つの供給配管１５ｃ及び少なくとも１つの排出配管１５ｄとを含んでいる点で、第１実施形態と異なる。他の点については第１実施形態と同様である。
【００４９】
ミラー基板１５ａには、放物面状の反射面を有する反射層１５ｅが形成されている。反射層１５ｅは、ドライバレーザ３からの平行光を、チャンバ１内のドロップレットＤＬ上に集光する。
複数の支持部１５ｂは、それぞれ、ミラー基板１５ａの別々の位置（ここでは３箇所）にそれぞれ固定されることにより、ミラー基板１５ａを複数の位置においてそれぞれ支持している。
【００５０】
供給配管１５ｃは、ポンプ７とミラー基板１５ａ内の流路１５ｆとを接続する配管であり、排出配管１５ｄは、ミラー基板１５ａ内の流路１５ｆと熱交換部８とを接続する配管である。供給配管１５ｃ及び排出配管１５ｄは、ミラー基板１５ａが複数の支持部１５ｂによって支持される複数の位置の内の少なくとも１つの位置の近傍において、ミラー基板内の流路１５ｆに接続されている。１本の供給配管１５ｃと、１本の排出配管１５ｄとで、温度調節媒体が出入りする１組の配管が構成される。１つの支持部１５ｂに沿って、１組の配管がそれぞれ配置されている。
【００５１】
支持部１５ｂ、供給配管１５ｃ及び排出配管１５ｄは、ドライバレーザ３から供給されるレーザ光の光路壁３ａを貫通している。レーザ光の光路内に不活性ガスなどをパージする場合には、レーザ光の光路壁３ａを貫通する穴を、第１実施形態におけるフレキシブル管５ｇ（図１参照）と同様のフレキシブル管などによって塞ぐことが望ましい。
【００５２】
位置決め機構１９は、ＥＵＶ光源装置の筐体に固定される固定部１９ａと、レーザ集光ミラー１５の支持部１５ｂを支持するステージ１９ｂと、固定部１９ａに対するステージ１９ｂの相対位置を決定するステージ駆動部１９ｃとを含んでいる。位置決め機構１９は、ステージ駆動部１９ｃによってステージ１９ｂを位置決めすることにより、レーザ集光ミラー１５を所望の位置に位置決めすることができる。位置決め機構１９としては、例えば、ステージ１９ｂの１点を固定部１９ａに支持し、他の２点を固定部１９ａに対して移動させる２軸傾斜ステージユニットを用いる。ステージ駆動部１９ｃとしては、電磁石６ａ及び６ｂによる磁場の影響を避けるため、圧電体素子などの非磁性素子を用いた駆動機構を用いるのが望ましい。
第２実施形態においては、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を、ＥＵＶ集光ミラー５及びレーザ集光ミラー１５に関してそれぞれ得ることができる。
なお、第１実施形態および第２実施形態においては、ミラー基板が複数の支持部によって支持される複数の位置の内の１つの位置の近傍において、１つの供給配管と１つの排出配管とが接続される形態を示したが、この実施形態に限定されることなく、上記１つの位置の近傍において２以上の供給配管と２以上の排出配管とが接続される場合であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１…チャンバ、１ａ…チャンバ壁、２…ターゲット供給部、３…ドライバレーザ、３ａ…レーザ光の光路壁、５…ＥＵＶ集光ミラー、５ａ…ミラー基板、５ｂ…支持部、５ｃ…供給配管、５ｄ…排出配管、５ｅ…反射層、５ｆ…流路、５ｇ…フレキシブル管、５ｈ…フレキシブルホース、５ｊ…大径筒状部、５ｋ…小径筒状部、５ｍ…フレキシブル管、５ｎ…レーザ光導入用の穴、６ａ、６ｂ…電磁石、７…ポンプ、８…熱交換部、９…位置決め機構、９ａ…固定部、９ｂ…ステージ、９ｃ…ステージ駆動部、１１…露光機接続ポート、１２…窓、１３…ターゲットノズル、１４…ターゲット回収筒、１５…レーザ集光ミラー、１５ａ…ミラー基板、１５ｂ…支持部、１５ｃ…供給配管、１５ｄ…排出配管、１５ｅ…反射層、１５ｆ…流路、１７…電源装置、１８…コントローラ、１９…位置決め機構、１９ａ…固定部、１９ｂ…ステージ、１９ｃ…ステージ駆動部、９０ａ、９０ｂ…ステータ部、９１…ハウジング、９２…ベースプレート、９３ａ、９３ｂ…圧電体素子、９４…電極層、９５…圧電体下層部、９６…圧電体上層部、９７…電極層、９８…スライダ部、Ｂ…磁場、ＤＬ…ドロップレット、Ｆ…力、ＰＳ…プラズマ生成点、ＩＦ…中間集光点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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