(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、陰極、自己組織化単分子膜層、発光材料を含む有機化合物層、陽極がこの順番に存在し、さらに陰極と自己組織化単分子膜層の間には他の層が存在しない構造を有することを特徴とする有機薄膜電界発光素子であって、
該自己組織化単分子膜層は、下記一般式（１）で表される化合物を用いて形成される、有機薄膜電界発光素子。
Ｒｎ−Ｓｉ−Ａ４−ｎ  ・・・（１）
上記において、ｎは１〜３であらわされる正の整数であり、Ａは、水酸基、ハロゲン、又はアルコキシ基であり、複数ある場合には互いに異なってもよく、Ｒはオニウム塩基を有する炭素数１以上１８以下の原子団である有機置換基であり、複数ある場合には互いに異なってもよい。
【請求項２】
前記陰極に最も近い発光材料を含む有機化合物層と自己組織化単分子膜層の間には他の層が存在しない構造を有すること特徴とする請求項１に記載の有機薄膜電界発光素子。
【請求項３】
前記陰極の仕事関数が４．０ｅＶより大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の有機薄膜電界発光素子。
【請求項４】
前記陽極と発光材料を含む有機化合物層の間に少なくとも１層の金属酸化物層を含むことを特徴とする請求項１から３に記載の有機薄膜電界発光素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の有機薄膜電界発光素子に具備される自己組織化単分子膜の平均厚さが０．１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機薄膜電界発光素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の有機薄膜電界発光素子を備えることを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自己組織化単分子膜を有する有機薄膜電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
少なくとも一層の発光性有機化合物層（有機エレクトロルミネッセンス層）が、陰極と陽極とに挟まれた構造の有機薄膜電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」と称する。）は、無機ＥＬ素子に比べて印加電圧を大幅に低下させることができ、多彩な発光色の素子が作製可能である（例えば、非特許文献１〜３、特許文献１〜３参照）。
【０００３】
現在、より高性能な有機ＥＬ素子を得るため、材料の開発・改良をはじめ、様々なデバイス構造が提案されており、活発な研究が行われている。
【０００４】
この有機ＥＬ素子については既に様々な発光色の素子、また高輝度、高効率の素子が開発されており、表示装置の画素としての利用や光源としての利用など多種多様な用途が検討されているが、実用化されているものは数少ない。低コストでの素子作製が困難であることが、その理由としてあげられる。課題である低コスト化の最有力技術として検討されているのが高分子有機ＥＬ素子である。これは、高分子有機ＥＬ素子は常圧かつ常温に近い比較的温和な条件で素子上に高分子発光材料を塗布することで発光性有機化合物層を作製でき、高温や高真空などの特殊環境下での発光性有機化合物層の作製が必要である低分子有機ＥＬ素子に比べて、当該有機化合物層の製膜が容易となるためである。しかしながら、高分子有機ＥＬ素子においても、高輝度の素子の作製には、陰極の電極と有機化合物層の間にフッ化リチウムや酸化リチウム等の層を高温や高真空などの特殊環境下で製膜する必要がある（例えば、非特許文献４参照）など、素子作製の低コスト化には未だ課題があった。
一方で、低コスト化の新たな手法として有機−無機ハイブリッドＬＥＤ（以下、「ＨＯＩＬＥＤ」と称する。）の開発（例えば、非特許文献５、特許文献４参照）も進められている。大気安定な金属を用いることのできるＨＯＩＬＥＤは、本質的に封止を必要とせず、素子を封止する必要があったこれまでの有機ＥＬ素子とくらべて大幅なコスト低減を図ることができる。しかしながら、このＨＯＩＬＥＤの場合であっても、現在の素子の作製方法においては高温や高真空などの特殊環境下での金属酸化物層の製膜が繰り返し必要となり、コスト面での最適化が達成されているとは言い難い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３７７号公報
【特許文献３】特開平１１−４０３５８号公報
【特許文献４】特開２００７−５３２８６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．  ５１（１２），９１３，１９８７
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．  ７１（１），３４，１９９７
【非特許文献３】Ｎａｔｕｒｅ  ３５７，４７７，１９９２
【非特許文献４】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．  ７０（２），１５２，１９９７
【非特許文献５】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．  ８９，１８３５１０，２００６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板と発光性有機化合物層の間に陰極が存在するような通常とは逆の構造を有する有機ＥＬ素子の作製において、高温や高真空といった特殊な環境下での製膜工程を減らすことにより、低コストで有機薄膜電界発光素子、及びこの発光素子を備えた照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、本発明の到達したものであって、下記の本発明により達成される。
【０００９】
すなわち本発明は、
（１）基板、陰極、自己組織化単分子膜層、発光材料を含む有機化合物層、陽極がこの順番に存在し、さらに陰極と自己組織化単分子膜層の間には他の層が存在しない構造を有することを特徴とする有機薄膜電界発光素子である。
【００１０】
これにより、優れた発光輝度を発現できる低分子および高分子材料を有する有機薄膜電界発光素子が得られる。
【００１１】
好適には、
（２）前記構造に加えて前記陰極に最も近い発光材料を含む有機化合物層と自己組織化単分子膜層の間には他の層が存在しない構造を有する有機薄膜電界発光素子である。
【００１２】
これにより、陰極側から電子が効率的に発光材料を含む有機化合物層に注入されることで、陽極側から注入された正孔とエキシトンを良好に形成可能となり、発光輝度が向上する。
【００１３】
より好適には、
（３）前記陰極の仕事関数が４．０ｅＶより大きいことを特徴とする有機薄膜電界発光素子である。
【００１４】
これにより、大気安定性の高い本質的には封止を必要としない有機薄膜電界発光素子が得られる。
【００１５】
より一層好適には、
（４）前記陽極と有機化合物層の間に金属酸化物層を含む有機薄膜電界発光素子である。
【００１６】
これにより、陽極側から有機化合物層への正孔の注入効率が向上し、陰極上に存在する自己組織化単分子膜の効果を充分に発揮することが出来る。なお、電極が金属酸化物である場合には、電極とは異なる組成の金属酸化物層を導入することとなる。
【００１７】
さらにより一層好適には、
（５）有機薄膜電界発光素子に具備される自己組織化単分子膜の前駆体が、下記一般式（１）で表される化合物より得られることを特徴とする有機薄膜電界発光素子である。
【００１８】
Ｒｎ−Ｓｉ−Ａ４−ｎ  ・・・（１）
【００１９】
上記において、ｎは１〜３であらわされる正の整数である。Ａは、水酸基、ハロゲン、又はアルコキシ基であり、複数ある場合には互いに異なってもよい。また、Ｒは有機置換基であり、複数ある場合には互いに異なってもよい。
【００２０】
このような前駆体を用いて陰極上で自己組織化単分子膜を形成すると、自己組織化単分子膜層が陰極と強く相互作用でき、より安定性の高い有機薄膜電界発光素子を得ることができる。
【００２１】
また、さらにより一層好適には、
（６）前記自己組織化単分子膜の前駆体を用いて作成した自己組織化単分子膜の平均厚さが０．１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを特徴とする有機薄膜電界発光素子である。
【００２２】
これにより、陰極側からの電子注入が効率よく行え、有機薄膜電界発光素子の輝度が更に向上することとなる。
【００２３】
また、
（７）上記有機薄膜電界発光素子を備える照明装置である。
【００２４】
これにより、低コストで優れた発光輝度を発現できる照明装置が得られる。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明によれば、基板と有機化合物層の間に陰極が存在するような通常とは逆の構造を有する有機ＥＬ素子を、安価に作製することができ、そしてそれを具備する照明装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明における基板と有機化合物層の間に陰極が存在するような通常とは逆構造を有する有機ＥＬ素子の縦断面を模式的に示す図である。
【図２】実施例１〜３および比較例１で製造された発光素子に対して、初期の輝度の評価を行った結果を示すグラフである。
【図３】実施例４〜６および比較例１で製造された発光素子に対して、初期の輝度の評価を行った結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の有機薄膜電界発光素子、照明装置を図面に基づき好適な実施形態について説明する。なお、本発明はこれらの構造に限られるものではない。
（実施の形態１）
図１は、基板と有機化合物層の間に陰極が存在するような通常とは逆の構造を有する有機ＥＬ素子の縦断面を模式的に示す図である。
【００２８】
図１に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、陰極（一方の電極）３と、陽極（他方の電極）５と、陰極３と陽極５との間（一対の電極間）に、有機化合物層４が介挿され、さらに、有機化合物層４と陽極５との間に正孔注入性層７が、有機化合物層４と陰極３との間に自己組織化単分子膜層６がそれぞれ設けられてなるものである。そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられている。この発光素子はこれで完成する。なお、本素子が当初の目的を発揮することを妨げない限り、ここに記載以外の構造を要していても良く、たとえば本素子を酸素や水への暴露を防ぐためや電極の保護のために、膜などで封止をしても何ら支障はない。
【００２９】
基板２は、発光素子１の支持体となるものであり、さらにここでは導電性を有する陰極が直接作製される支持体でもある。本実施形態の発光素子１は、光の取り出し方向を制限されるものではなく、基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）の場合と、基板２とは反対側の陽極５から光を取り出す構成（トップエミッション型）の場合と、その両方から光を取り出す構成（透明型）の３つが考えられる。トップエミッション型の場合、基板２および陰極３は透明な物質でも不透明な物質でも当初の目的を妨げない限り自由に選択できるが、ボトムエミッション型や透明型の場合、基板２および陰極３は、双方とも実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）である必要がある。
【００３０】
実質的に透明であるような基板２の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３１】
トップエミッション型の場合に使用可能な不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、アルミ箔のようなフレキシブルな金属膜表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
なお、基板そのものを電極として使用しても良い。その場合には、金属板などの導電性基板そのものが陰極となる。
【００３２】
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００３３】
本構造における陰極３は、導電性に優れていること、そしてボトムエミッション型および透明型の場合、照明装置として使用する際に必要な光の波長領域において透過性に優れていることである。さらに、本構造における陰極３は、大気下で安定であるような仕事関数の大きな材料であることが好ましい。とくに、仕事関数が４ｅＶ以上であると、大気下での安定性を獲得することができる。これらは陽極５においても同様で、仕事関数が大きく、導電性に優れ、トップエミッション型および透明型の場合、照明装置として使用する際に必要な光の波長領域において透過性に優れている材料を用いることが望ましい。なお、仕事関数は紫外線光電子分光分析（ＵＰＳ）等の既存公知の方法にて測定できる。
【００３４】
陰極３および陽極５の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素酸化錫）、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属類やこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
このような陰極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。また、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等の不透過な材料を用いる場合でも、例えば平均厚さを１０〜３０ｎｍ程度にすることで、ボトムエミッション型および透明型の陰極として使用することもできる。
【００３６】
一方、陽極５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。また、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等の不透過な材料を用いる場合でも、例えば平均厚さを１０〜３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型および透明型の陽極として使用することもできる。
【００３７】
有機化合物層４は、発光を担う層であり、少なくとも発光材料を含む層である。発光材料として、低分子の発光材料や高分子の発光材料が挙げられる。これら発光材料は、単独で用いても、複数種類を混合しても、さらには発光しない材料など他の物質と混合して用いてもかまわない。とくに、照明など多様な発光色が求められるような用途で使用する場合には、異なる発光スペクトルを有する他の発光材料と混合したり、２種類以上のモノマーを混合してポリマーを作成したりすることが好ましい。また、有機化合物層４は単層であっても、複数層であってもよい。
【００３８】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリ（ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物、さらには特願２０１０−２８２７３号に記載のホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。
【００３９】
一方、低分子の発光材料としては、例えば、２，２’−ビピリジン−４，４’−ジカルボン酸を持つ、３配位のイリジウム錯体、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）  アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、８−ヒドロキシキノリン  亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン  プラチナム（II）のような各種金属錯体、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、さらには特開２００９−１５５３２５号および特願２０１０−２８２７３号に記載のホウ素化合物材料等が挙げられる。
【００４０】
有機化合物層４に、発光材料以外に材料を混合する場合には、正孔輸送性有機材料を用いることが好ましい。正孔注入／輸送層として用いられる正孔輸送性有機材料は、有機化合物層内での正孔の輸送を促進させるものである。この正孔輸送性有機材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
【００４１】
ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。
【００４２】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００４３】
一方、ｐ型の低分子材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられる���
【００４４】
このような有機化合物層４の平均厚さは、特に限定されないが、１層あたり１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、４０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。また、有機化合物層４が多層であるような場合には、全体のその平均厚さは、２０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４０〜１５０ｎｍであるのがより好ましい。
【００４５】
有機化合物層４は、正孔注入性層７から注入された正孔を輸送するとともに、自己組織化単分子膜層６から電子を受け取る。そして正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。有機化合物層４の構成材料としては、高分子の発光材料が主成分であるもの又はｐ型の高分子材料と低分子発光材料を混合したものが主成分であるものであることが好ましい。液相プロセスにより成膜が可能な高分子材料は、自己組織化単分子膜層６とより多くの接触面を作りうる。これにより、より発光効率の優れたものとすることができる。特に、有機化合物層４の構成材料としては、ポリフルオレンまたその誘導体を主成分とする高分子、もしくは特開２００９−１５５３２５号記載のホウ素化合物をユニットとする高分子、さらには特願２０１０−２８２７３号記載の高分子を主成分とする発光材料が好ましい。これにより、前記効果をより向上させることができる。
【００４６】
自己組織化単分子膜層６は陰極３より電子を注入し有機化合物層４へと輸送する。
【００４７】
自己組織化単分子膜層は、自己組織化単分子膜を形成する前駆体を陰極上に製膜させ、陰極表面と相互作用を起こさせることで作製する。自己組織化単分子膜を形成する前駆体は、陰極と物理的及び／又は化学的に相互作用することが必要となる。さらにボトムエミッション型や透明型の有機ＥＬ素子の場合、使用する光の波長領域において大きな吸収を持たないといった特徴を有する必要がある。また、前記前駆体を用いて形成された自己組織化単分子膜が、陽極側から有機化合物層に注入された正孔が陰極側に流出するのを防ぐ能力が高いものがよい。より好ましくは、前記特徴に加え、耐酸化性、耐還元性、大気安定性を有することである。
【００４８】
自己組織化単分子膜の前駆体としては、陰極表面と相互作用する官能基を有するものであればどのようなものでもよい。この官能基としては、例えばチオール基、カルボン酸基、シラノール基、ハロシリル基、アルコキシシリル基、アミノ基、水酸基、ホスホン酸基、ピリジル基、スルホ基等が挙げられる。中でも、シラノール基、ハロシリル基、アルコキシシリル基、カルボン酸基、ホスホン酸基、スルホ基が好ましい。より好ましくは、シラノール基、ハロシリル基、アルコキシシリル基等のケイ素を有する基を持つものである。これら３つの基の具体的な構造を下記一般式（１）に示す。
【００４９】
Ｒｎ−Ｓｉ−Ａ４−ｎ  ・・・（１）
【００５０】
上記において、Ａはシラノール基の場合は水酸基であり、ハロシリル基の場合はフッ素、塩素、臭素等のハロゲンであり、アルコキシシリル基の場合はメトキシ基やエトキシ基等のアルコキシ基である。また、ｎは１〜３であらわされる正の整数である。また、Ｒは、有機置換基である。
【００５１】
上記Ｒとして具体的には、炭素数１以上１８以下の直鎖飽和アルキル基、分岐飽和アルキル基、脂環式飽和アルキル基、芳香族基含有基、直鎖不飽和アルキル基、分岐不飽和アルキル基若しくは脂環式不飽和アルキル基、又は、炭素数１以上１８以下のエステル基、ニトリル基、カルボン酸基、エーテル基、水酸基、チオール基、ハロゲン基、イソシアノ基、シアナート基、イソシアナート基、チオシアナート基、イソチオシアナート基、スルフィド基、ジスルフィド基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、ニトロソ基、スルホ基、カルボニル基（例えば、ケトンやアルデヒド）、アミノ基、アミンオキシド基、ニトロン基、アミド基、アジド基、アセタール基、アゾ基、アゾキシ基、アジン基、イミノ基、イミド基、エナミン基、エナミド基、オルトエステル基、ジアゾ基、ジアゾニウム基、ケタール基、オニウム塩基、複素環式化合物、ヘテロ元素含有基（Ｐ、Ｓ、Ｓｉ、Ｂ等）等を有する原子団が好ましい。より好ましくは、炭素数１以上１２以下の直鎖飽和アルキル基、分岐飽和アルキル基、脂環式飽和アルキル基、芳香族基含有基、直鎖不飽和アルキル基、分岐不飽和アルキル基若しくは脂環式不飽和アルキル基、又は、炭素数１以上１２以下のハロゲン基、エステル基、ニトリル基、カルボン酸基、エーテル基、水酸基、チオール基、スルホ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、オニウム塩基若しくは複素環式化合物を有する原子団を表す。更に好ましくは、炭素数１以上８以下の直鎖飽和アルキル基、分岐飽和アルキル基、脂環式飽和アルキル基、芳香族基含有基、又は、炭素数１以上８以下のハロゲン基、ニトリル基、カルボン酸基、チオール基、スルホ基、カルボニル基、アミノ基、オニウム塩基若しくは複素環式化合物を有する原子団を表す。特に好ましくは、炭素数１以上８以下のアミノ基、オニウム塩基を有する原子団である。なお、ここで言うオニウム塩とは、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩等の化学結合に関与しない電子対を有する化合物が、当該電子対によって、他の陽イオン形の化合物と配位結合して生ずる化合物をさす。オニウム塩の対アニオンは、フッ化物イオン、塩化物イオン、硝酸イオンなどの１価イオンでもよく、硫化物イオン、硫酸イオンなどの２価イオンでもよく、リン酸イオンなどの３価イオンでもよく、ケイタングステン酸イオン等の更に多価のイオンでもよい。
【００５２】
製膜の方法として、スピンコート法、浸漬法、超音波法、気相法などを選ぶことができる。これらは、作製する自己組織化単分子膜の前駆体によって、単分子層が形成できる最適な手法を選ぶ。前駆体をこのような手法により製膜することで、自己組織化単分子膜を作製することができる。
【００５３】
以上のような手法で製膜された自己組織化単分子膜の平均厚さは、０．１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることが好ましい。平均厚さが０．１ｎｍ未満であると、陽極から注入された正孔が自己組織化単分子膜層６を通過し陰極３に到達してしまい、発光効率が低下してしまう可能性がある。また、平均厚さが３ｎｍより大きいと、陰極側からの電子注入効率が低下し、充分な発光輝度を得られない可能性がある。より好ましくは、自己組織化単分子膜の平均厚さは、０．２ｎｍ以上２ｎｍ以下であることである。なお平均厚さは、エリプソメーター、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ）等既存公知の分析方法にて測定することができる。
【００５４】
正孔注入性層７は陽極５より正孔を注入し有機化合物層４へと輸送する。本発明において、正孔注入性層７は必須ではないが、有機化合物層４への陽極５からの正孔の注入効率を向上させるため、素子に具備されていることが好ましい。
【００５５】
このような正孔注入性層７を構成する物質としては、ｐ型の高分子材料やＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の有機高分子化合物、ｐ型の低分子材料等の有機低分子化合物、無機塩、金属酸化物、金属硫化物などが挙げられる。中でも、金属酸化物が好ましい。金属酸化物の中でも仕事関数が大きな化合物がより好ましく、特に限定されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
これらの中でも、特に、酸化バナジウムもしくは酸化モリブテンを主成分とするものが好適である。酸化バナジウムもしくは酸化モリブテンを主材料として構成することにより、正孔注入性層７を前述した能力に特に優れたものとすることができる。
【００５７】
また、特に酸化バナジウムもしくは酸化モリブテンは、それ自体の正孔輸送性が高いため、陽極５から有機化合物層４への正孔の注入効率が低下するのを好適に防止することもできるという利点がある。
【００５８】
この正孔注入性層７の成膜方法については、特に制限されるものではなく、高分子化合物を用いる場合には、溶媒に溶解させた高分子材料を、適切な塗布方法によって製膜させることが出来る。また、低分子化合物、無機塩、金属酸化物、金属硫化物などは、気相成膜法であるプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法、そして液相成膜法である電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、スプレイ熱分解法、微粒子分散液を用いたドクターブレイド法、スピンコート法、インクジェット法、スクリーンプリンティング法などの印刷技術を用いることができる。
【００５９】
このような正孔注入性層７の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００６０】
これらが基板側に陰極を有するような有機ＥＬ素子の好適な構造である。
【００６１】
また、本有機ＥＬ素子を封止する場合、封止構造の構成材料としては、一般的に用いられる封止材料を用いることができる。例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。
【００６２】
このような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００６３】
以下では、有機化合物層４を、高分子材料を主材料として構成する場合を代表に説明する。
【００６４】
［１］  まず、基板２を用意し、この基板２上に陰極３を形成する。
【００６５】
陰極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法のような気相成膜法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法のような液相成膜法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。ＦＴＯはスパッタ法が難しく、ＣＶＤ法やスプレイ熱分解法が用いられる。
【００６６】
［２］  次に、陰極３上を洗浄の後、自己組織化単分子膜層６を形成させる。
【００６７】
洗浄方法は、中性洗剤を用いた水系溶剤、酸やアルカリや酸化物などを単独又は混合する洗浄、イソプロパノールなどのアルコール系溶剤、アセトンなどの有機系溶剤による洗浄、加熱、さらにはＵＶオゾンを用いた洗浄などが、単独もしくは複数用いることができる。中でも自己組織化単分子膜形成を良好に行うためにＵＶオゾン洗浄が好適に用いられる。自己組織化単分子膜層６は、例えば、前述のように、自己組織化単分子膜の前駆体をスピンコート法、浸漬法、超音波法、気相法等を用いて形成させることができる。スピンコート法、浸漬法、超音波法は、まず自己組織化単分子膜層の前駆体を有機溶剤で希釈する。スピンコート法の場合は、該溶液を基板上にスピンコートして自己組織化単分子膜を作製する。浸漬法は、該溶液中に基板を浸漬して作製する。超音波法は、該溶液中に基板を浸漬し、更に超音波洗浄器中で超音波をかけながら作製する。これらの方法で製膜後、前記有機溶剤でリンスし、さらに前記有機溶剤で超音波洗浄を行う。自己組織化単分子膜を基板上により確実に固定化させるために、６０℃〜１８０℃の加熱をしてもよい。また、気相法は、陰極３を洗浄した基板と、自己組織化単分子膜の前駆体を密閉した容器に入れ、自己組織化単分子膜の前駆体の蒸気圧を利用して製膜する手法である。なお、前駆体の蒸気圧が低い場合には、製膜時に熱をかけてもよい。密閉用期中で一定時間維持させることにより製膜した基板を、有機溶剤でリンスし、さらに前記有機溶剤で超音波洗浄を行う。この場合でも、基板上により確実に固定化させるために、６０℃〜１８０℃の加熱をしてもよい。
【００６８】
［４］  次に、自己組織化単分子膜層６の上面に、有機化合物層４として発光性の高分子材料を形成する。もちろん、この中に正孔輸送性材料を混ぜてもよく、先に発光性高分子材料を形成しておき、その上に正孔輸送材料を積層してもよい。ここでは単層成膜の例を示す。有機化合物層４を積層するような場合には、ここで用いた手法を繰り返すことによって実現できる。
【００６９】
まず、有機化合物層４を構成する高分子材料を溶媒（液状媒体）に溶解して液状材料を調製する。
【００７０】
溶媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン
（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロ
メタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００７１】
これらの中でも、溶媒としては、非極性溶媒が好適であり、例えば、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
【００７２】
次に、この液状材料を自己組織化単分子膜層６上に供給して、液状被膜を形成する。
【００７３】
この液状材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、液状被膜を比較的容易に形成することができる。
【００７４】
次に、液状被膜中から溶媒を除去する。
【００７５】
［５］  次に、有機化合物層４の上に、正孔注入性層７を形成する。
【００７６】
正孔注入性層７は、高分子化合物、低分子化合物、無機塩、金属酸化物、金属硫化物などを用いることが出来るが、それぞれに適した製膜方法を用いて形成することが出来る。例えば、高分子化合物であれば前述の有機化合物層４を作製した方法と同様の方法にて形成することができる。また、低分子化合物、無機塩、金属酸化物、金属硫化物などについては、前述のような気相成膜法や液相成膜法等を用いて形成することができる。
【００７７】
これらの中でも、正孔注入性層７は、気相成膜法を用いて形成するのがより好ましい。気相成膜法によれば、有機化合物層４の表面を壊すことなく清浄に正孔注入性層７を製膜することができ、かつ陽極５との接触も良好になる。その結果、前述したような効果がより顕著なものとなる。
【００７８】
［６］  次に、最終工程として正孔注入性層７上に陽極５を形成する。
【００７９】
陽極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００８０】
これで、本構造は完成だが、もし行うのであれば、この後封止工程を行えばよい。
【００８１】
以上のような工程を経て、本発明の発光素子１が製造される。
【００８２】
このような発光素子１は、例えば光源等として使用することができる。
【実施例】
【００８３】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
【００８４】
１．発光素子の製造
（実施例１）
高分子材料を有機層に持つ実施形態１の薄膜電界発光素子の作製方法を具体的に示す。
［１］市販されている平均厚さ０．７ｍｍのＩＴＯ付き透明ガラス基板を用意した。
［２］この基板をイソプロパノール、アセトンで洗浄後、ＵＶオゾン洗浄を２０分行った。
［３］自己組織化単分子膜の前駆体である３−アミノプロピルトリメトキシシランをエタノールで１％に希釈した溶液中に、［１］で洗浄したＩＴＯ付き基板を入れ、１０分間超音波をかけながら製膜した。直後に、エタノールによりリンスを行い、さらに１０分間エタノールによる超音波洗浄を行った。リンス後、ホットプレートにより９０℃１０分で固定化を行った。ＸＲＲにて平均膜厚を測定したところ、１．４ｎｍであった。
［４］ＡＤＳ社製ポリフルオレン誘導体ＡＤＳ１３３ＹＥを１％でキシレンに溶解させ、上記ＩＴＯ上に、スピンコート法（１０００ｒｐｍ）により塗布した後、乾燥させた。なお、液状材料の乾燥条件は、大気下、室温とした。これで有機化合物層が完成する。
［５］ここからの正孔注入性金属酸化物層の作製と陽極の作製工程は、真空蒸着器内で行った。ここで、有機化合物層の上に酸化モリブテン（ＭｏＯ３）層（正孔注入性金属酸化物層）を平均厚さ１０ｎｍで蒸着した。
［６］［５］の連続工程で、平均厚さ３０ｎｍで金（Ａｕ）（陽極）を蒸着した。
【００８５】
（実施例２）
実施例１の自己組織化単分子膜の前駆体を、３−クロロプロピルトリメトキシシランを使用したほかは、実施例１と同様に素子を作製した。自己組織化膜の平均膜厚は、１．３ｎｍであった。
【００８６】
（実施例３）
実施例１の自己組織化単分子膜の前駆体を、３−トリメトキシシリルプロピルＮ，Ｎ，Ｎ-トリメチルアンモニウムクロライドを使用したほかは、実施例１と同様に素子を作製した。自己組織化膜の平均膜厚は、１．５ｎｍであった。
【００８７】
（実施例４）
実施例３の自己組織化単分子膜を固定化させた後、０．５ｍｍｏｌ／Ｌでリンモリブデン酸（Ｈ３ＰＭｏ１２Ｏ４０）を溶解させたｐＨ２の塩酸中に入れ、１０分間超音波をかけながら自己組織化単分子膜の塩化物イオンをリンモリブデン酸イオンに交換した。直後に、純水によりリンスを行い、さらに１０分間純水による超音波洗浄を行った。リンス後、ホットプレートにより９０℃１０分で基板を乾燥させた。その後、実施例１の［４］以降の工程を行った。自己組織化膜の平均膜厚は、１．７ｎｍであった。
【００８８】
（実施例５）
実施例４のリンモリブデン酸の代わりに、リンタングステン酸（Ｈ３ＰＷ１２Ｏ４０）を使用したほかは、実施例４と同様に素子を作製した。自己組織化膜の平均膜厚は、１．７ｎｍであった。
【００８９】
（実施例６）
実施例４のリンモリブデン酸の代わりに、ケイタングステン酸（Ｈ４ＳｉＷ１２Ｏ４０）を使用したほかは、実施例４と同様に素子を作製した。自己組織化膜の平均膜厚は、１．７ｎｍであった。
【００９０】
（比較例１）
実施例１での[２]の工程で、自己組織化単分子材料を溶解させていないエタノールを使用したほかは、実施例１と同様に作製した。
【００９１】
２．評価
各実施例および比較例で製造した発光素子について、それぞれ、初期の輝度の評価を行った。
【００９２】
輝度測定は、直流電源により、０Ｖから６Ｖに電圧を印加し、輝度計により測定することで行った。
【００９３】
結果を、それぞれ、図２、図３に示す。
【００９４】
図２および図３から明らかなように、各実施例の発光素子の初期特性はいずれも、比較例の発光素子に比べて発光開始電圧が低く、しかも数桁以上高い輝度であることがわかる。このことは、自己組織化単分子膜層が陰極上に存在することにより、陰極側からも良好に電荷注入が行われることで、正孔と電子の双方が発光層に良好に注入され、エキシトンが発光層内で形成されていることを示している。一方で、自己組織化単分子膜層が存在しない場合には、正孔または電子のどちらかが発光層内に注入されずに、発光層内でエキシトンが形成されていないことが示唆される。本実施例で作製された素子の陽極側の構造は、正孔が電子よりも多量に発光層内に注入される正孔駆動型の素子であることが知られており、自己組織化単分子膜層は、正孔が陰極側に流出するのを防いでいると考えられる。
以上の事実を踏まえ、本デバイスの駆動メカニズムは、陽極側から注入された正孔が、正孔の流出を防ぐ働きを有する自己組織化単分子層の働きによって自己組織化単分子膜層／有機化合物層界面に蓄積される。蓄積された正孔が、有機化合物層のＨＯＭＯ準位を低エネルギー側に曲げることにより、陰極側からの電子注入が促進され発光すると考えられる。興味深いことに、本有機ＥＬ素子に使用される自己組織化単分子膜層は、この正孔が陰極側に流出するのを防ぐと同時に、界面に正孔を蓄積させることによって生じた有機化合物層の準位の変化を利用して電子を発光層に注入するという役目も果たしている。特に、自己組織化単分子膜にアミノ基やオニウム塩がある場合には、その分子の極性からＨＯＭＯ準位を低エネルギー側により強く曲げることが出来るため、更に効率よく電子注入が行われる。中でもオニウム塩の場合には、更に効率よく電子注入される。これは、オニウム塩の対アニオンが素子に電荷をかけることで陽極側に移動し、陽極側からの正孔注入の効率化にも効果を発揮していると考えられる。
以上のようなメカニズムにより本有機ＥＬ素子は発光していると考えられるため、本技術は正孔注入効率が高い素子で更にこの効果を発揮することが出来ると予想される。すなわち正孔駆動型の素子であればさらに本技術が効果的に発揮される。このような構造は、本技術の好ましい形態のひとつである。
【符号の説明】
【００９５】
１：有機ＥＬ素子
２：基板
３：陰極
４：有機化合物層
５：陽極
６：自己組織化単分子層
７：正孔注入性層
【図１】
0005606227.tif 000002
【図２】
0005606227.tif 000003
【図３】
0005606227.tif 000004