(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（１１）および裏面（１２）を有する半導体ウェハ（１０）の表面（１１）に凹凸パターン（１３）が形成されたものを用意する工程と、
粘着層（２１）と加熱後に冷却されると収縮するテープ基材（２２）とを備えた保護テープ（２０）を用意し、前記粘着層（２１）で前記凹凸パターン（１３）を覆うように前記保護テープ（２０）を前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）に貼り付ける貼り付け工程と、
前記貼り付け工程の後、前記半導体ウェハ（１０）の裏面（１２）を研削するバックグラインド工程と、を含んだ半導体装置の製造方法であって、
前記バックグラインド工程の後、前記半導体ウェハ（１０）に前記保護テープ（２０）を貼り付けた状態で前記半導体ウェハ（１０）に加熱処理を施す加熱処理工程と、
溝（３１）が設けられたステージ（３０）を用意し、前記テープ基材（２２）が前記ステージ（３０）上に位置するように前記加熱処理工程後の前記半導体ウェハ（１０）を前記ステージ（３０）に載せ、前記テープ基材（２２）のうち前記溝（３１）に対応する部分を変形させて前記溝（３１）に入り込ませることで前記テープ基材（２２）に凸部（２３）を形成すると共に、前記半導体ウェハ（１０）を冷却する冷却工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハ（１０）を用意する工程では、前記半導体ウェハ（１０）として、前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）の結晶面方位に応じて前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）が凹状となるように前記半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするものを用意し、
前記冷却工程では、前記ステージ（３０）として、前記半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿うように前記溝（３１）が設けられたものを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェハ（１０）を用意する工程では、前記半導体ウェハ（１０）として、前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）のデバイスパターンに応じて前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）が凹状となるように前記半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするものを用意し、
前記冷却工程では、前記ステージ（３０）として、前記半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿うように前記溝（３１）が設けられたものを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記冷却工程では、前記ステージ（３０）として前記保護テープ（２０）を吸着するものを用い、前記ステージ（３０）で前記テープ基材（２２）を吸着することにより、前記テープ基材（２２）に前記凸部（２３）を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記冷却工程では、前記半導体ウェハ（１０）の裏面（１２）を前記ステージ（３０）側に押さえ付けることにより、前記テープ基材（２２）に前記凸部（２３）を形成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記貼り付け工程では、前記保護テープ（２０）として、前記テープ基材（２２）に切り込み（２４）が設けられているものを用いることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記切り込み（２４）は、前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）の結晶面方位に応じて前記半導体ウェハ（１０）の表面（１１）が凹状となるように前記半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハのバックグラインド工程の後に加熱処理工程を行う半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハの表面に表面保護テープを貼り付けて半導体ウェハの裏面を研削加工する方法が、例えば特許文献１で提案されている。
【０００３】
具体的に、特許文献１では、バックグラインドによる研削加工前に半導体ウェハの凹凸を有する表面に、基材層と粘着剤層を備えた表面保護テープを貼り、加熱することにより基材層と粘着剤層を軟化させてデバイス表面の凹凸を緩和し、基材層の表面を平坦にする方法が提案されている。この方法により、バックグラインド工程後の半導体ウェハの反りを低減させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３１７５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体ウェハの裏面を研削したバックグラインド工程後の後続工程で例えば７０℃以上の加熱処理を施すと表面保護テープの冷却時に当該テープが収縮し、半導体ウェハを引っ張る力が働く。この結果、半導体ウェハの反りが大きくなり、半導体製造装置での搬送が困難になったり、半導体ウェハが割れる原因となる。
【０００６】
これを回避するため、バックグラインド工程前に表面保護テープではなく、使用するデバイスウェハと同じ直径のガラス板やシリコンウェハ等のサポート基板にデバイスウェハを耐熱性のある接着剤で半導体ウェハに貼り付けるという方法がある。しかし、この方法ではサポート基板への貼り付け装置やサポート基板を準備する等、表面保護テープを使用する方法に比べて高コストとなる。
【０００７】
本発明は上記点に鑑み、半導体ウェハのバックグラインド工程後の後続工程で加熱処理を行っても、半導体ウェハの反りを増大させずに半導体ウェハの反りを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表面（１１）および裏面（１２）を有する半導体ウェハ（１０）の表面（１１）に凹凸パターン（１３）が形成されたものを用意する工程と、粘着層（２１）と加熱後に冷却されると収縮するテープ基材（２２）とを備えた保護テープ（２０）を用意し、粘着層（２１）で凹凸パターン（１３）を覆うように保護テープ（２０）を半導体ウェハ（１０）の表面（１１）に貼り付ける貼り付け工程と、貼り付け工程の後、半導体ウェハ（１０）の裏面（１２）を研削するバックグラインド工程と、を含んだ半導体装置の製造方法であって、以下のことを特徴としている。
【０００９】
すなわち、バックグラインド工程の後、半導体ウェハ（１０）に保護テープ（２０）を貼り付けた状態で半導体ウェハ（１０）に加熱処理を施す加熱処理工程と、溝（３１）が設けられたステージ（３０）を用意し、テープ基材（２２）がステージ（３０）上に位置するように加熱処理工程後の半導体ウェハ（１０）をステージ（３０）に載せ、テープ基材（２２）のうち溝（３１）に対応する部分を変形させて溝（３１）に入り込ませることでテープ基材（２２）に凸部（２３）を形成すると共に、半導体ウェハ（１０）を冷却する冷却工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１０】
これによると、半導体ウェハ（１０）つまり保護テープ（２０）の冷却後に保護テープ（２０）が収縮するが、テープ基材（２２）に形成された凸部（２３）が元の平面に戻ろうとして半導体ウェハ（１０）の表面（１１）の面方向に広がるので、当該凸部（２３）の広がりが保護テープ（２０）の収縮を吸収することができる。したがって、保護テープ（２０）の収縮による半導体ウェハ（１０）の反りを増大させずに半導体ウェハ（１０）の反りを低減することができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明では、半導体ウェハ（１０）を用意する工程では、半導体ウェハ（１０）として、半導体ウェハ（１０）の表面（１１）の結晶面方位に応じて半導体ウェハ（１０）の表面（１１）が凹状となるように半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするものを用意する。
【００１２】
そして、冷却工程では、ステージ（３０）として、半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿うように溝（３１）が設けられたものを用いることを特徴とする。
【００１３】
これによると、半導体ウェハ（１０）の一方向に平行に保護テープ（２０）に凸部（２３）が形成される。このため、凸部（２３）が元に戻ろうとする広がりにより、結晶面方位に応じて反りやすい半導体ウェハ（１０）の反りを効果的に緩和することができる。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、半導体ウェハ（１０）を用意する工程では、半導体ウェハ（１０）として、半導体ウェハ（１０）の表面（１１）のデバイスパターンに応じて半導体ウェハ（１０）の表面（１１）が凹状となるように半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするものを用意する。
【００１５】
そして、冷却工程は請求項２に記載の発明と同様に行うことにより、表面デバイスのパターンに応じて反りが生じやすい半導体ウェハの反りを効果的に緩和することができる。
【００１６】
保護テープ（２０）に凸部（２３）を形成する方法としては、請求項４に記載の発明のように、ステージ（３０）として保護テープ（２０）を吸着するものを用い、ステージ（３０）でテープ基材（２２）を吸着することにより、テープ基材（２２）に凸部（２３）を形成することができる。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明のように、半導体ウェハ（１０）の裏面（１２）をステージ（３０）側に押さえ付けることにより、テープ基材（２２）に凸部（２３）を形成することもできる。
【００１８】
特に、テープ基材（２２）を吸着しつつ、半導体ウェハ（１０）をステージ（３０）に押さえ付けることで、テープ基材（２２）をより変形させやすくすることができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明では、貼り付け工程では、保護テープ（２０）として、テープ基材（２２）に切り込み（２４）が設けられているものを用いることを特徴とする。
【００２０】
これにより、テープ基材（２２）の収縮が連続的ではなくなるので、テープ基材（２２）において収縮する部分が分散される。したがって、テープ基材（２２）の収縮による半導体ウェハ（１０）の反りを低減することができる。
【００２１】
請求項７に記載の発明では、切り込み（２４）は、半導体ウェハ（１０）の表面（１１）の結晶面方位または表面デバイスパターンに応じて半導体ウェハ（１０）の表面（１１）が凹状となるように半導体ウェハ（１０）がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿って設けられていることを特徴とする。
【００２２】
これによると、半導体ウェハ（１０）の一方向に平行に切り込み（２４）が形成されているので、結晶面方位に応じて反りやすい半導体ウェハ（１０）の反りを低減することができる。
【００２３】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示した図である。
【図２】溝付きステージの斜視図である。
【図３】（ａ）はテープ基材の凸部による半導体ウェハの反り抑制の模式図であり、（ｂ）はテープ基材に凸部が形成されない場合の半導体ウェハの反りの模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態において、結晶面方位または表面デバイスパターンに応じて反りが生じた半導体ウェハとステージの斜視図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る冷却工程を示した断面図である。
【図６】（ａ）はテープ基材の平面図であり、（ｂ）は半導体ウェハに保護テープを貼り付ける前の断面図である。
【図７】他の実施形態おいて、ステージの溝、またはテープ基材の切り込みの一例を示した図である。
【図８】他の実施形態おいて、ステージの溝、テープ基材の切り込みの一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２６】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示した図である。以下、図１の製造工程に従って半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態では、半導体装置として例えばＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ダイオード等の半導体デバイスを形成する。
【００２７】
まず、表面１１および裏面１２を有する半導体ウェハ１０を用意する。半導体ウェハ１０として、例えばシリコンウェハを用いる。そして、この半導体ウェハ１０に表面１１側に半導体デバイスを形成する。また、半導体ウェハ１０の表面１１に層間絶縁膜等を形成することで、半導体ウェハ１０の表面１１には凹凸パターン１３が形成されている。
【００２８】
次に、図１（ａ）に示す工程では、このような半導体ウェハ１０の裏面１２側を研削して薄ウェハ化するバックグラインド工程を行う。このため、半導体ウェハ１０の表面１１側を保護する保護テープ２０を半導体ウェハ１０の表面１１に貼り付ける貼り付け工程を行う。
【００２９】
保護テープ２０はバックグラインド用のテープであり、図１（ａ）に示すように粘着層２１とテープ基材２２とを備えて構成されている。粘着層２１は所定温度に加熱されることにより軟化する層であり、例えば５０〜６０℃で加熱されると軟化する、すなわち流動性を持つようになる。また、テープ基材２２は例えば樹脂で形成された母体である。テープ基材２２に用いられる樹脂は一般的に加熱された状態から冷やされると収縮するため、テープ基材２２も加熱された状態から冷やされると収縮する。
【００３０】
そして、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ１０の表面１１側に粘着層２１で凹凸パターン１３を覆うように保護テープ２０を貼り付け、半導体ウェハ１０の裏面１２を研削することで半導体ウェハ１０を薄ウェハ化する。なお、保護テープ２０のテープ基材２２の表面は凹凸パターン１３の形状を承継して凹凸状になる。
【００３１】
保護テープ２０については、半導体ウェハ１０の反りを低減するため、および半導体ウェハ１０の割れ・欠けを抑制するためのサポート材としてこの後の工程にも用いる。すなわち、半導体ウェハ１０に保護テープ２０を貼り付けた状態で半導体ウェハ１０に例えば７０〜１５０℃程度の加熱処理を施す加熱処理工程を行う。加熱処理とは、例えば半導体ウェハ１０の裏面１２にイオン注入を行うことや、裏面１２に電極を形成すること等の処理である。
【００３２】
続いて、図１（ｂ）に示す工程では、半導体ウェハ１０を冷却する冷却工程を行う。このため、溝３１が設けられたステージ３０を用意する。図２は、本実施形態に係るステージ３０の斜視図である。図２に示すように、ステージ３０は円板状になっており、ステージ表面３２に溝３１を備えた金属ステージである。ステージ３０には、円形のステージ表面３２の中心を通る２本の直線状の溝３１と円形のステージ表面３２の中心を中心とした複数の同心円状の溝３１とが設けられている。
【００３３】
また、ステージ３０はステージ表面３２に搭載された物体を真空吸着することができる吸着機構が備えられている。このため、溝３１の底部には図示しない複数の吸着孔が等間隔に設けられている。この吸着孔は、図示しない真空ポンプと連通しており、吸着孔から空気を吸引することで、ステージ３０上の半導体ウェハ１０（保護テープ２０）が、ステージ表面３２に吸着するようになっている。
【００３４】
したがって、加熱処理工程後の半導体ウェハ１０を、テープ基材２２がステージ表面３２に接触するようにステージ３０に載せ、ステージ３０でテープ基材２２を真空吸着する。これにより、テープ基材２２のうちの溝３１に対応する部分が溝３１に吸い込まれて変形する。このように、テープ基材２２のうちの溝３１に対応する部分を真空吸着で変形させて溝３１に入り込ませると、テープ基材２２にステージ３０の溝３１と同じ位置が突出した凸部２３を形成することができる。この凸部２３はテープ基材２２に強制的に形成されたテープ基材２２の皺であり、テープ基材２２のうちの溝３１付近の部分が溝３１に集められた部分である。
【００３５】
テープ基材２２に凸部２３が形成されると、粘着層２１も凸部２３に対応して変形する。上述のように、粘着層２１は加熱されると軟化するので、テープ基材２２の変形に合わせて粘着層２１を変形させることができる。
【００３６】
このような凸部２３の高さはステージ３０の溝３１の深さによって決まる。具体的に、ステージ３０の溝３１の深さは０．２〜２ｍｍ程度が最も望ましい。溝３１が深ければ半導体ウェハ１０の反りの矯正効果は大きいものの、テープ基材２２（搬送時アーム等への接触面）に凸部２３が残り、これがウェハ搬送や後続工程の処理ステージ上で半導体ウェハ１０が密着しない等のトラブルに繋がる。一方で溝３１が浅ければ半導体ウェハ１０の反りの矯正効果が小さくなる。後続工程への影響がない範囲で深い溝３１にすることが有効である。
【００３７】
そして、上記のようにテープ基材２２をステージ３０で吸引して凸部２３を形成しつつ、半導体ウェハ１０を冷却する。上述のようにステージ３０は金属製であるので、半導体ウェハ１０の熱がステージ３０に放出されて半導体ウェハ１０が常温になるまで自然冷却される。なお、冷却の方法は自然冷却に限らず、他の方法でも良い。
【００３８】
この後、図１（ｃ）に示す工程では、常温に冷却された半導体ウェハ１０をステージ３０から取り外す。そして、半導体ウェハ１０の搬送やダイシングカット等の工程を行うことで半導体ウェハ１０をチップ状に分割する。以上が、本実施形態に係る半導体装置の製造の流れである。
【００３９】
次に、図１（ｃ）の工程において、半導体ウェハ１０をステージ３０から取り外したときの半導体ウェハ１０の反り抑制について、図３を参照して説明する。図３（ａ）はテープ基材２２の凸部２３による半導体ウェハ１０の反り抑制の模式図であり、図３（ｂ）はテープ基材２２に凸部２３が形成されない場合の半導体ウェハ１０の反りの模式図である。なお、図３では半導体ウェハ１０の表面１１側の凹凸パターン１３を省略している。
【００４０】
図３（ｂ）に示すように、テープ基材２２に凸部２３が形成されない状態でテープ基材２２が冷えるとテープ基材２２が収縮する。これにより、保護テープ２０に貼り付けられた半導体ウェハ１０がテープ基材２２の収縮に引っ張られ、半導体ウェハ１０の表面１１が凹状の下反りになる。
【００４１】
しかしながら、本実施形態では、図３（ａ）に示すように、半導体ウェハ１０を冷却する前にテープ基材２２の一部を溝３１内に集めて凸部２３を形成している。これにより、半導体ウェハ１０の冷却に伴ってテープ基材２２が収縮する際に、テープ基材２２の収縮に対してテープ基材２２の凸部２３が元の平面に戻ろうとして半導体ウェハ１０の表面１１の面方向に広がる。このように、テープ基材２２の凸部２３の広がりがテープ基材２２の収縮を吸収するので、半導体ウェハ１０に反りは増大せずに半導体ウェハ１０の反りは低減する。
【００４２】
凸部２３が元に戻ろうと広がるため、図３（ａ）に示すように凸部２３の高さは冷却前よりも低くなる。なお、凸部２３は完全に消滅せずにテープ基材２２に残るが、上述のように溝３１の深さを規定することでテープ基材２２に残された凸部２３が後の工程で影響を及ぼすことはない。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、バックグラインド工程の後に加熱処理工程を行い、半導体ウェハ１０を冷却したとしても、保護テープ２０のテープ基材２２に当該テープ基材２２の一部を集めた凸部２３を形成することが特徴となっている。これにより、半導体ウェハ１０の冷却時におけるテープ基材２２の収縮がテープ基材２２の凸部２３の広がりによって吸収されるので、半導体ウェハ１０の反りを抑制することができる。したがって、保護テープ２０の収縮による半導体ウェハ１０の反りを増大させずに半導体ウェハ１０の反りを低減することができる。
【００４４】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、半導体ウェハ１０として、半導体ウェハ１０の表面１１の結晶面方位に応じて半導体ウェハ１０の表面１１が凹状となるように半導体ウェハ１０がＵ字状に下反りするものを用いる。
【００４５】
例えば、半導体ウェハ１０として８インチのシリコンウェハを用いる場合、表面パターンにもよるが、ウェハ厚さが１５０μｍ程度より薄くなると反りが顕著になる。また、反りが発生する際には結晶方向により、決まった方向で反りが発生しやすい。
【００４６】
具体的には、シリコンウェハは（１１１）面が劈開面であり、面方位（１００）のシリコンウェハでは表面に直交する２つの劈開面に沿った方向で反りが発生する。また、反り方向は表面パターンにも影響される。これらシリコンウェハの反り方向に沿うように、予めステージ３０の溝３１を形成することにより、上記の効果が大きくなる。
【００４７】
したがって、本実施形態では、ステージ３０として、結晶面方位に応じて反りが発生しやすい半導体ウェハ１０の反りに対して溝３１が設けられたものを用いる。
【００４８】
図４は、結晶面方位に応じて反りが生じた半導体ウェハ１０とステージ３０の斜視図である。この図に示すように、ステージ３０には、半導体ウェハ１０がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿って溝３１がストライプ状に設けられている。なお、図４では保護テープ２０を省略している。
【００４９】
これにより、半導体ウェハ１０の一方向に平行にテープ基材２２に凸部２３が複数形成される。このため、結晶面方位に応じて反りやすい半導体ウェハ１０の反りを無くすようにテープ基材２２の凸部２３が元に戻ろうと広がるので、半導体ウェハ１０の反りを効果的に緩和することができる。
【００５０】
上記では半導体ウェハ１０の結晶面方位に従った反りについて説明したが、半導体ウェハ１０の表面デバイスパターンによっては、半導体ウェハ１０の面方位以上に反り方向に影響を与える場合がある。特に、半導体ウェハ１０の表面１１に平行な一方向に沿って複数のトレンチが形成されたトレンチ溝パターン等の表面デバイスパターンで半導体ウェハ１０の反りの影響が顕著となる。このような場合についても上記の面方位によるＵ字状の下反りと同様に、ステージ溝３１を形成することにより、効果的に反りを緩和することができる。
【００５１】
以上のように、半導体ウェハ１０が反りやすい方向に応じて溝３１が設けられたステージ３０を用いることができる。
【００５２】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。上記各実施形態では、テープ基材２２をステージ３０に真空吸着することでテープ基材２２の一部を変形させて凸部２３を形成していたが、本実施形態では、さらに半導体ウェハ１０をステージ３０側に押さえ付けることが特徴となっている。
【００５３】
図５は、本実施形態に係る冷却工程を示した断面図である。この図に示すように、リング状の押さえ部材４０を薄ウェハ化された半導体ウェハ１０の裏面１２の外縁部に接触させ、押さえ部材４０で半導体ウェハ１０の裏面１２をステージ３０側に押さえ付ける。これにより、テープ基材２２に凸部２３を形成することができる。本実施形態では、真空吸着と押さえ付けの両方を行っているので、テープ基材２２を変形させやすくすることができる。
【００５４】
そして、押さえ部材４０がリング状になっているのは、半導体ウェハ１０の裏面１２に形成された半導体デバイスに傷を付けないためである。したがって、半導体ウェハ１０の裏面１２に傷が付いても構わない場合には板状の押さえ部材４０で押し付けても良い。
【００５５】
なお、本実施形態では、テープ基材２２を真空吸着しつつ、半導体ウェハ１０を押さえ部材４０で押し付けていたが、真空吸着を行わずに押さえ部材４０による押し付けだけでテープ基材２２に凸部２３を形成しても良い。
【００５６】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、保護テープ２０として、テープ基材２２に予め切り込みが設けられたものを用いることが特徴となっている。
【００５７】
図６（ａ）はテープ基材２２の平面図であり、図６（ｂ）は半導体ウェハ１０に保護テープ２０を貼り付ける前の断面図である。図６（ｂ）に示すように、テープ基材２２には、当該テープ基材２２が完全に分断されない程度の深さの切り込み２４が設けられている。なお、図６（ｂ）では半導体ウェハ１０の表面１１側の凹凸パターン１３を省略している。
【００５８】
この切り込み２４により、テープ基材２２の収縮が連続的ではなく断続的になる。このため、テープ基材２２において収縮する部分が分散され、テープ基材２２の収縮による張力を抑えることができる。
【００５９】
そして、図６（ａ）に示すように、切り込み２４は第２実施形態と同様に半導体ウェハ１０の表面１１の結晶面方位に応じて半導体ウェハ１０の表面１１が凹状となるように半導体ウェハ１０がＵ字状に下反りするときのＵ字の底部が延びる一方向に沿ってストライプ状にテープ基材２２に設けられていることが好ましい。これにより、結晶面方位に応じて反りやすい半導体ウェハ１０の反りを低減することができる。
【００６０】
以上のように、テープ基材２２に切り込み２４が設けられたものを用いることで、テープ基材２２の収縮による半導体ウェハ１０の反りを低減することができる。
【００６１】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示されたステージ３０の溝３１やテープ基材２２の切り込み２４のレイアウトは一例であり、上記で示したレイアウトに限定されることなく、他のレイアウトとすることもできる。
【００６２】
例えば、図７に示すように、円形の溝３１がステージ３０に複数設けられていても良い。なお、溝３１は、例えば図２に示すステージ３０の溝３１に沿って設けられていることが好ましい。なお、図７のように、円形の切り込み２４がテープ基材２２に設けられていても良い。
【００６３】
そして、図８（ａ）に示すように、テープ基材２２に格子状に切り込み２４が設けられていても良い。また、図８（ｂ）に示すように、テープ基材２２に同心円状に切り込み２４が設けられていても良い。切り込み２４が同心円状の場合、テープ基材２２の堆積が小さくなる方向に対して有効である。なお、図８のように、格子状や同心円状の溝３１がステージ３０に設けられていても良い。
【００６４】
さらに、上述のように、結晶面方位に応じて反りやすい半導体ウェハ１０の反りを凸部２３の広がりによって効果的に低減するため、ステージ３０のうち半導体ウェハ１０の反りが最も大きい部分が搭載される場所の溝３１を密に設けても良い。これにより、半導体ウェハ１０の反りが最も大きい部分のテープ基材２２に多くの凸部２３を設けることができ、半導体ウェハ１０の反り抑制の効果を高めることができる。
【００６５】
また、上記各実施形態では、保護テープ２０は粘着層２１とテープ基材２２との２層で構成されたものであるが、これは保護テープ２０の一例であり、他の構成でも良い。例えば、粘着層２１とテープ基材２２とで中間層を挟んだ３層構造でも良い。この場合、中間層に所定温度で軟化するという流動性を持たせれば、テープ基材２２の変形に合わせて中間層を変形させることができる。なお、中間層を備えた３層構造の場合、粘着層２１および中間層による層が特許請求の範囲の「粘着層」に相当する。
【符号の説明】
【００６６】
１０  半導体ウェハ
１１  半導体ウェハの表面
１２  半導体ウェハの裏面
１３  凹凸パターン
２０  保護テープ
２１  粘着層
２２  テープ基材
２３  凸部
２４  切り込み
３０  ステージ
３１  溝
【図１】
0005447296.tif 000002
【図２】
0005447296.tif 000003
【図３】
0005447296.tif 000004
【図４】
0005447296.tif 000005
【図５】
0005447296.tif 000006
【図６】
0005447296.tif 000007
【図７】
0005447296.tif 000008
【図８】
0005447296.tif 000009