(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板と、対向基板との間に、電気光学材料を配して構成される画像を表示する表示装置において、
前記対向基板上に対向電極が形成され、
前記薄膜半導体基板上に、前記電気光学材料に電気信号を与えるための複数の画素電極が並ぶ画素領域部と、前記画素領域部の周辺に導電膜部と、が形成され、
前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間の前記画素領域部の周囲の少なくとも一部に異方性導電体が配され、
前記導電膜部と前記対向電極とが前記異方性導電体を介して電気的接続され、
接触体の接触に伴う静電容量変化に基づき接触位置を検出する機能を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記異方性導電体は、前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間に介在され、前記電気光学材料を封止するシール剤であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板と、対向基板との間に、電気光学材料を配して構成される画像を表示する表示装置において、
前記対向基板上に対向電極が形成され、
前記薄膜半導体基板上に、前記電気光学材料に電気信号を与えるための複数の画素電極が並ぶ画素領域部と、前記画素領域部の周辺に導電膜部と、が形成され、
前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間の前記画素領域部の周囲の少なくとも一部に導電体が配され、
前記導電体は、複数に分割して形成され、
前記導電膜部と前記対向電極とが前記導電体を介して電気的接続され、
接触体の接触に伴う静電容量変化に基づき接触位置を検出する機能を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の表示装置において、
前記導電膜部は、前記薄膜半導体基板上の複数の導電層が積層されて構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置において、
画像を表示する表示駆動期間と接触位置を検出する位置検出期間とに区分されて駆動されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の表示装置において、
前記位置検出期間中に、前記導電膜部が電圧源によってバイアスされるように、切替制御する切替制御手段を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の表示装置において、
前記電圧源は、ＣＯＭ、ＧＮＤ、交流電圧源のいずれかを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項６又は７記載の表示装置において、
前記電圧源に流れる電流を検出する検出回路を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一つに記載の表示装置において、
前記接触位置を検出する検出期間中に、前記薄膜半導体基板の表示領域内の第１の回路部を、前記表示領域外の第２の回路部に対して電気的にハイインピーダンスとし、前記第１の回路部と前記第２の回路部とを非導通とするインピーダンス制御手段をさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の表示装置において、
前記インピーダンス制御手段は、
前記第１の回路部と前記第２の回路部とを接続する配線部に形成されるハイインピーダンススイッチ部と、
前記ハイインピーダンススイッチ部をオンオフ制御するハイインピーダンス制御回路と、
を含むものであることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を封止手段により形成して画像の表示を行う表示装置において、
対向電極を形成し、接触体による接触点で流れる電流値を複数箇所で計測し、接触位置を検出する第２の基板と、
前記対向電極に対向し、導電膜部及び前記表示素子の制御部並びに配線を形成した第１の基板と、
前記導電膜部と前記対向電極とを電気的に接続する異方性導電体と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のうちいずれか一項に記載の表示装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板、対向基板の基板間に電気光学材料を配して構成される画像表示を行う表示装置用製造方法であって、
前記薄膜半導体基板上に、導電膜部を形成すると同時に、前記電気光学材料に電気信号を与える複数の画素電極が並ぶ画素領域部を形成する第１の工程と、
前記対向基板に、対向電極を形成する第２の工程と、
前記薄膜半導体基板、前記対向基板の基板間の画素領域部の周囲の少なくとも一部に異方性導電体を配する第３の工程と、を含むことを特徴とする表示装置用製造方法。
【請求項１４】
前記第１の工程は、フォトリソグラフィ工程又はエッチング工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置用製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、液晶表示装置、電子機器、及び表示装置用製造方法に関し、より詳細には、指やペンのタッチ位置を検出することが可能なタッチセンサを備えた表示装置などに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチセンサは、指やペンなどのタッチ位置を検出する装置であり、通常、液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）等の表示装置と組み合わせて用いられる。
表示装置の画面上のボタンなど所定の位置を指やペン等の接触体でタッチすると発生するタッチセンサの出力信号を計算機に入力し、計算機によって機器を制御したり、表示装置の表示内容を制御したりすることにより、マンマシン・インターフェイスとして計算機のキーボード、マウス等とともに、利用されている。タッチパネルは現在、携帯情報端末、券売機、現金自動預け払い機（ＡＴＭ）、カーナビゲーション、コピー機などにおいて実用化されている。
【０００３】
タッチセンサの方式として、アナログ容量結合方式、抵抗膜方式、赤外線方式、超音波方式、電磁誘導方式が知られている。このうちアナログ容量結合方式は、更に、Ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型とＳｕｒｆａｃｅ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型とに分類される。
Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型のタッチセンサは、透明基板とその上に形成された、均一な透明導電膜とその上に形成された薄い絶縁膜とで構成される。
【０００４】
駆動する際は、この透明導電膜の４隅から交流電圧を印加する。指でタッチセンサを触れると、タッチ面表面と指とによって形成される容量によって、指に微小電流が流れる。この電流はそれぞれの隅からタッチした点へ流れる。
コントローラがそれぞれの電流の比を求め、タッチ位置の座標を計算する。Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型のタッチセンサに関する技術については、特許文献１に基本装置が開示されている。
【０００５】
但し、透明導電膜に四隅から交流電圧を印加しただけでは、透明導電膜上に分布している電界曲線が湾曲し、不均一であり、指やペンなどのタッチ位置を正確に検出できないという課題がある。この課題を解決する技術が特許文献１、２に開示されている。
【０００６】
上記文献では、透明導電膜の外周部に設けられたリニアライゼイションパターンについて記載されており、外周部の各辺にあるリニアライゼイションパターンから、対向する辺に向けて電界が延び、その電界強度が外周部の各辺に対して垂直な方向に一定となる。すなわち、透明導電膜上の電位分布について、外周部の各辺に対して平行な等電位線が形成され、その等電位線の間隔が均一となる。このために、透明導電膜上の電位分布と対応する指の接触位置との関係を簡素化できる。
【０００７】
特許文献１では、シルクスクリーニング印刷により抵抗性表面（以下、通電インピーダンス表面という）に導電性セグメントを重畳する構成が開示されている（特許文献１の第５頁左下欄第７行目〜第１２行目、及び特許文献１の第５図）。
さらに、導電性セグメントを幾何学形状に配置し、セグメント間の抵抗網を表す同時線型方程式の系を反復修正することによって最適な幾何学形状とする例が開示されている（特許文献１の第５頁左下欄第１３行目〜第１８行目、及び特許文献１の第６図）。
これにより、通電インピーダンス表面では、平面上のあらゆる点において電流密度の大きさ及び方向が同じであるため、発生する電界が線型の抵抗性表面となる。
【０００８】
また、特許文献２では、電界曲線を均一にするリニアライゼイションパターンが、対向基板側の位置検出導電膜のへりに沿って設けられている例が開示されている（特許文献２の段落番号００１７、特許文献２の図５）。さらに、特許文献２では、対向基板上に位置検出導電膜の層を形成し、その位置検出導電膜の層上にさらにリニアライゼイションパターンの層を形成している（特許文献２の図７）。
【０００９】
また一方、アナログ容量結合方式の最新技術動向が非特許文献１に開示されている。関連技術のアナログ容量結合方式のタッチセンサでは、透明基板に形成されたＳｕｒｆａｃｅ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型のタッチセンサと、表示装置とを重ね合わせて使用していた。
【００１０】
しかしながら、このような構成では、表示面上にさらにタッチセンサが存在することにより、装置自体の厚みが増す、コストがかかる、表示品位が損なわれるといった課題があった。そこで、これら課題を解決する技術が特許文献３、４に開示されている。
【００１１】
特許文献３では、液晶に電圧を印加する対向電極面の四隅に電流検出器を取り付け、四隅に流れる電流に基づきタッチ部の位置座標を計算する装置が開示されている。
【００１２】
特許文献４では、透明導電膜に対して表示用の電圧または電流を供給する液晶表示回路と、透明導電膜の複数の箇所から流れる電流を検出する位置検出回路と、これら回路のいずれか一方を対向電極と電気的に導通させるスイッチング回路と、を備えた装置が開示されている。
【００１３】
さらに、特許文献４では、対向電極を位置検出用導電膜（透明導電膜）として機能させ（特許文献４の００３０）、位置検出用導電膜の４隅に電圧印加される位置検出用の電極を形成する例、さらに、対向電極の周辺に亘って位置検出用の複数の電極を形成する例が開示されている。
【００１４】
特許文献３、４によると、共通電極、あるいは透明導電膜が、Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型のタッチセンサの透明導電膜の役割を果たすとされ、Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ型のタッチセンサを表示装置に別途付加する必要がないため、装置自体の厚みが増す、コストがかかる、表示品位が損なわれるといった課題が解決されるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特公昭５６−５００２３０号公報
【特許文献２】特許第３１２１５９２号公報
【特許文献３】特開２００３−９９１９２号公報
【特許文献４】特開２００３−６６４１７号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】三谷雄二監修、「タッチパネルの技術と開発」、シーエムシー出版、２００４年１２月１日、ｐ．５４−６４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、前述の特許文献３、４で開示された表示装置においては、次のような課題がある。
【００１８】
すなわち、特許文献３、４には、装置自体の厚みが増す、コストがかかるといった課題を解決するために、位置検出用の透明導電膜として対向電極を利用するとされているが、対向電極上へのリニアライゼイションパターンの形成方法ついて何ら記載が無い。
このため、特許文献３、４で開示された表示装置は、軽量、小型、薄型化に適すると共に、指やペンなどのタッチ位置を正確に検出するといった課題を同時に解決するものではない。
【００１９】
一方で、リニアライゼイションパターンの関連技術の形成方法は、特許文献２などに記載があるように、導電性ペーストのスクリーン印刷などであるが、そのためにはリニアライゼイションパターンを形成するための工程を付加することを必要とし、スクリーン印刷などの特別な製造装置を必要としていた。
【００２０】
さらに、リニアライゼイションパターンの導電性ペーストは、一般的に銀などの貴金属の微粉末からなるので、これらの高価な材料を必要としていた。
【００２１】
これらの結果、対向電極上にリニアライゼイションパターンを形成するために、特許文献３、４の技術と特許文献２の技術とを単に組み合わせただけでは、表示装置の製造コストを増大させるという課題があった。
【００２２】
本発明は、上記した技術の課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、タッチ位置を正確に検出可能としながらも、小型、薄型で、かつ低コストで構成可能な表示装置などを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するため、本発明の第一の表示装置は、薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板と、対向基板との間に、電気光学材料を配して構成される画像を表示する表示装置において、前記対向基板上に対向電極が形成され、前記薄膜半導体基板上に、前記電気光学材料に電気信号を与えるための複数の画素電極が並ぶ画素領域部と、前記画素領域部の周辺に導電膜部と、が形成され、前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間の前記画素領域部の周囲の少なくとも一部に異方性導電体が配され、前記導電膜部と前記対向電極とが前記異方性導電体を介して電気的接続され、接触体の接触に伴う静電容量変化に基づき接触位置を検出する機能を備えることを特徴としている。
【００２４】
本発明の第二の表示装置は、薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板と、対向基板との間に、電気光学材料を配して構成される画像を表示する表示装置において、前記対向基板上に対向電極が形成され、前記薄膜半導体基板上に、前記電気光学材料に電気信号を与えるための複数の画素電極が並ぶ画素領域部と、前記画素領域部の周辺に導電膜部と、が形成され、前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間の前記画素領域部の周囲の少なくとも一部に導電体が配され、前記導電体は、複数に分割して形成され、前記導電膜部と前記対向電極とが前記導電体を介して電気的接続され、接触体の接触に伴う静電容量変化に基づき接触位置を検出する機能を備えることを特徴としている。
【００２５】
本発明の表示装置用製造方法は、薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板、対向基板の基板間に電気光学材料を配して構成される画像表示を行う表示装置用製造方法であって、前記薄膜半導体基板上に、導電膜部を形成すると同時に、前記電気光学材料に電気信号を与える複数の画素電極が並ぶ画素領域部を形成する第１の工程と、前記対向基板に、対向電極を形成する第２の工程と、前記薄膜半導体基板、前記対向基板の基板間の画素領域部の周囲の少なくとも一部に異方性導電体を配する第３の工程と、を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、薄膜半導体基板側に導電膜部を形成することで、対向基板に導電膜部の形成が不要となり、特別な製造装置・資源を必要としないので、表示装置の製造コストの低減を図りながらも、接触体による接触位置を正確に検出可能で、導電膜部の占有面積が小さくなり、軽量化、小型化、薄型化に適するという、他の関連技術にない優れた表示装置などを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図３】図２に示すＩ−Ｉ´部分の部分断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る透明導電膜の外周四辺に均一な電圧を供給できるリニアライゼイションパターン部の一例を示す平面模式図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成の一例を模式的に示した断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の主な電極の電圧の様子の一例を模式的に示したタイミングチャートである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図９】図８に示すＩＩ−ＩＩ´部分の部分断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図１１】図１０に示すＩＩＩ−ＩＩＩ´部分の部分断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図１３】図１２に示す表示装置における対向電極の電位分布を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図１５】図１４に示す表示装置における電極の電圧の一例を示すタイミングチャートである。
【図１６】本発明の第７の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体との関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【図１７】図１６に示すＩＶ−ＩＶ´部分の部分断面図である。
【図１８】関連技術のリニアライゼイションパターン部が設けられたタッチパネルの一例を示す平面模式図である。
【図１９】図１８に示すＶ−Ｖ´部分の部分断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の好適な実施の形態の一例について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２９】
〔第１の実施の形態〕
（表示装置の全体構成）
先ず、本実施の形態の表示装置の具体的構成について、全体構成から説明し、続いて各部の詳細構成について説明することとする。図１は、本発明における第１実施の形態のタッチセンサ一体型の表示装置を模式的に示した全体の概略構成の一例を示す斜視図である。
【００３０】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置１は、液晶表示装置（ＬＣＤ）であり、表示面上に於いて指やペンのタッチの有無やその位置座標を検出することが可能なタッチセンサを備えたものである。
表示装置１は、液晶表示装置の他、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）有機ＥＬ表示装置等の表示装置とすることもできる。
表示装置１は、表示装置基板１０と、対向基板１９と、偏光板（図示せず）と、を含んで構成される。
【００３１】
表示装置基板１０は、表示領域にて表示素子の一例である液晶２に電気信号を与えるための電極（図１では信号線（信号電極）４、走査線（走査電極）６、蓄積容量線（蓄積容量電極）８に相当）が形成された基板である。表示装置基板１０の対向基板１９側に相対する面には、表示領域に画素マトリクス部が形成されている。画素マトリクス部は、複数の信号線（図１では符号４）と、信号線と交差する複数の走査線（図１では符号６）と、走査線間に配された蓄積容量線（図１では符号８）と、夫々の交差部に対応して配置された画素回路とで構成される。
【００３２】
画素回路は、画素スイッチＴＦＴと、蓄積容量と、画素電極とを有する。画素スイッチＴＦＴ（スイッチング素子）では、ゲート電極にＴＦＴのオンオフを制御するための走査線６が接続されており、ドレイン電極及びソース電極の一方に画素電極に信号を供給するための信号線４が接続されており、ドレイン電極及びソース電極の他方に蓄積容量及び画素電極が接続されている。蓄積容量は、対応する蓄積容量線８と接続されている。
【００３３】
ここで、図１では概略的に走査線６、及び信号線４が２本の例を示しているが、画素回路は任意に設計すればよい。
【００３４】
表示装置基板１０における表示領域の外周部には、画素マトリクス部を駆動するための走査線駆動回路１４、信号線駆動回路１５、及び蓄積容量線駆動回路（図示せず）が配設されている。走査線駆動回路１４は、走査線６を駆動するための回路である。
【００３５】
信号線駆動回路１５は、信号線４を駆動するための回路である。蓄積容量線駆動回路は、蓄積容量線８に電圧信号を与えるための回路であり、ＣＯＭ端子に接続されている。
ここで、これらの画素回路、走査線駆動回路１４、信号線駆動回路１５、及び蓄積容量線駆動回路などにより「表示素子の制御部」を構成することができる。また、信号線４、走査線６、蓄積容量線８などを単に「配線」（駆動用配線）と呼ぶこともできる。さらに、この駆動用配線と後述のタッチ位置検出用配線とを合わせて「配線」ということもできるし、いずれか一方を「配線」ということもできる。
【００３６】
表示装置基板１０の表示領域の外周部のさらに周辺領域には、リニアライゼイションパターン部３０が設けられる。
ここで、リニアライゼイションパターン部の符号について定義する。図１中では、黒く塗りつぶされたパターン全てを総称してリニアライゼイションパターン部３０とする。これらの中で、四隅近傍（隅部）に設けられ、配線部を構成する配線３２（タッチ位置検出用配線）と接続している４つのリニアライゼイションパターン部を３０ａ（第１のパターン部）とし、それ以外となる外周四辺（辺部）上に設けられたリニアライゼイションパターン部を３０ｂ（第２のパターン部）とする。
また、図２では、リニアライゼイションパターン部３０ｂ（第２のパターン部）は、さらに、外周側の長い外周側パターン３０ｂ−１と、内周側の短い内周側パターン３０ｂ−２とを含む。
さらに、リニアライゼイションパターン部３０ａ（第１のパターン部）は、少なくとも２以上の隅部に形成されればよく、四隅に制限されないものである。
【００３７】
表示装置基板１０の四隅近傍に設けられたリニアライゼイションパターン部３０ａの夫々は、これらに接続されている配線３２を介して、ＦＰＣ３８（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の圧着端子（図示せず）に接続されている。
ＦＰＣの圧着端子は、ＦＰＣ３８を介して表示装置基板１０の外部基板２０（制御回路などを搭載可能な制御回路基板）と接続され、外部基板２０の単極双投型のスイッチ２１と電気的に接続されている。
【００３８】
スイッチ２１は、一方の接点に電流検出回路１３を介して交流電圧源２２が電気的に接続されており、他方の接点にＣＯＭ端子を介して蓄積容量線駆動回路と電気的に接続されている（図示せず）。
【００３９】
電流検出回路１３は、位置検出期間中に、透明導電膜１２に流れる電流を検出する。電流検出回路１３で検出された電流に係る信号は、図示されていない位置検出回路に向けて出力される。位置検出回路では、電流検出回路１３の出力信号に基づいてガラス基板２３上での指（接触体）２４との接点位置を検出する。
【００４０】
交流電圧源２２は、対応する電流検出回路１３、リニアラゼイションパターン部３０ａを介して透明導電膜１２に交流電圧を供給する。
【００４１】
図２は、本発明の第１の実施の形態に係るリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係を示した平面模式図を示す。図３は、図２のＩ−Ｉ’線の部分断面図を示す。ここで、全ての図において、平面模式図は、対向基板（表示装置の正面）側から見た図とする。
【００４２】
但し、図２の平面模式図は、対向基板を含まない。また、図３の部分断面図は、対向基板を含むものとする。また、図２以降の図において、リニアライゼイションパターン部３０と表示装置の関係、及び本発明の実施の形態の特徴に注目して説明するために、リニアライゼイションパターン部３０以外の構成については、特に示さない限り適宜省略する。
【００４３】
図２の平面模式図、及び図３の部分断面図を参照すると、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２の間には導電部材の一例である異方性導電体３４が形成されている。この異方性導電体３４は、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と（通電インピーダンス面を構成する）透明導電膜１２とを電気的に接続している。異方性導電体３４のパターンは、表示装置基板１０の外周領域に設けたリニアライゼイションパターン部３０の全てを覆うように枠形状としている。
【００４４】
ここで、異方性導電体３４には、絶縁性の接着剤中にニッケルなどの金属で出来た粒子やプラスチックにニッケルや金などの金属をコーティングした微粒子が分散されている。この異方性導電体３４を二つの基板の電極間に挟んで加熱・加圧し、異方性導電体３４の金属粒子がそれぞれの電極間を電気的に接続する。これにより、上下の電極間の導通をとり、隣り合う電極間を絶縁し、上下の接着を同時に行うことができる。
【００４５】
また、リニアライゼイションパターン部３０は、図５と共に後述するが、画素電極５と同一の層によって形成されている。画素電極５は、図５に示すように、例えばＡＬ（アルミニウム）４２とこのＡＬ（アルミニウム）４２上に積層されたＩＴＯ＜Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ＞（透明導電膜）４０とからなる「ＩＴＯ４０／ＡＬ４２」積層を構成する。
同様に、リニアライゼイションパターン部３０は、図３に示すように、例えばＡＬ（アルミニウム）４２とこのＡＬ（アルミニウム）４２上に積層されたＩＴＯ（透明導電膜）４０とからなる「ＩＴＯ４０／ＡＬ４２」積層を構成する。
【００４６】
ここで、リニアライゼイションパターン部３０による透明導電膜の部分的な抵抗低減の作用について説明する。
一般的に、インピーダンス面を構成する透明導電膜の抵抗に比べて、リニアライゼイションパターン部３０がある領域の抵抗は低い（図３に示す低抵抗部）。
これは、リニアライゼイションパターン部領域の抵抗は、透明導電膜の抵抗とリニアライゼイションパターン部の抵抗を並列した合成抵抗と見なせるので、リニアライゼイションパターン部の抵抗の大小によらず、透明導電膜の抵抗より低くなるということである。
【００４７】
一方、対向基板１９は、対向基板１９のガラス基板２３と、その液晶側の面に形成されたカラーフィルタ（図示せず）と、さらにカラーフィルタの液晶２側の面に形成された透明導電膜１２とを有する。透明導電膜１２は、ＩＴＯ＜Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ＞で形成された対向電極であって、これは通電インピーダンス面を構成する。
【００４８】
また、ガラス基板２３の表示装置基板１０側の反対側の面には、偏光板（図示せず）が配置される。液晶２は、表示装置基板１０と対向基板１９の間に配された電気光学的応答をする表示素子の一例である。ここで、液晶２を封止手段例えばシールの一例であるシール剤３６により封止している。
【００４９】
リニアライゼイションパターン部３０（３０ａ、３０ｂ）は、インピーダンス面上の電界曲線の分布を均一にする。リニアライゼイションパターン部３０は、種々のものが考案されており、図２などはその一例である。理想的なリニアライゼイションが実現できた場合の電界曲線の分布では、直線的な等電位線が均等な間隔で分布できる。
【００５０】
ここで、図２に示す第１の実施の形態の構造と、特許文献２などに記載されている関連技術のリニアライゼイションパターン部が設けられたタッチパネルの構造とを比較する。
図１８は、関連技術のリニアライゼイションパターン部が設けられたタッチセンサを有するタッチパネルの平面模式図を示す。図１９は、図１８のＶ−Ｖ´線の部分断面図を示す。
図１８を参照すると、対向基板である石英基板８０が、透明導電膜８１によって覆われている。透明導電膜８１上の外周部には、銀ペーストなどから成るリニアライゼイションパターン部８２が形成されている。
【００５１】
一方、図２の第１の実施の形態においては、表示装置基板形成工程の中で新たな工程を付加することなく、表示装置基板１０上にリニアライゼイションパターン部３０が形成されている。このリニアライゼイションパターン部３０により、その役割を果たすので、透明導電膜１２上にリニアライゼイションパターン部（図１８の符号８２）を形成する必要がない。
【００５２】
このため、対向基板側にリニアライゼイションパターン部を形成することなく、対向基板側の通電インピーダンス面に、リニアライゼイションパターン部としての機能を反映させることができる。
また、リニアライゼイションパターン部の形状に対応させて、インピーダンス面の部分的な領域の抵抗を低減せしめることができる。あたかも、表示装置基板に形成されたリニアライゼイションパターン部が通電インピーダンス面に投影されたかのようなイメージで捉えられる。
さらに、対向基板側のリニアライゼイションパターン部を形成するための専用の領域が不要となる。
【００５３】
ここで、図２では、リニアライゼイションパターン部３０を簡略化した一例を示した。これに対し、図４に示す表示装置１００のリニアライゼイションパターン部３０ａ、３０ｂでは、図２に示すパターンより複雑だが、透明導電膜１２の外周四辺により均一な電圧を供給できる。
【００５４】
具体的には、図４のリニアライゼイションパターン部３０ｂ（第２のパターン部）は、さらに、内周側の短い第１内周側パターン３０ｂ−４と、第１内周側パターン３０ｂ−４より長い第２内周側パターン３０ｂ−３と、第２内周側パターン３０ｂ−３より長い第３内周側パターン３０ｂ−２と、内周側から外周側へ向けて各パターンの一端側に沿って延在形成される特定の幾何形状を有する幾何形状パターン３０ｂ−１とを含む。リニアライゼイションパターン部３０ａ（第１のパターン部）は、中央部に向かって長く延在形成される。
【００５５】
以下の動作説明では、図４以外のリニアライゼイションパターン部３０のパターンは、図２のように簡略した例を用いて説明する。
【００５６】
（動作について）
次に、第１の実施の形態に係る表示装置の動作について図１および図６を用いて説明する。図６は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の主な電極の電圧の様子を模式的に示したタイミングチャートである。
ここで、図６中、Ｖｃは、透明導電膜（図１の符号１２）の電圧、Ｖｇは、走査線（図１の符号６）の電圧、ＳＷは、スイッチ（図１の符号２１）の状態を決める制御信号の電圧を示す。また、図６では、Ｖｇを概略的に走査線２本の例としたが、任意に設計すればよい。
【００５７】
表示装置は、その駆動に関し、表示駆動期間と位置検出期間の２つの期間を有する。これら２つの期間は時間的に分割されている。表示駆動期間は、画素表示のために電圧を書き込むための期間である。位置検出期間は、指やペンの位置或いは指し示す動作の有無を検出するために、電流検出回路（図１の符号１３）が電流を検出する期間である。
【００５８】
位置検出期間は、垂直ブランキング期間を利用する。垂直ブランキング期間とは、走査線（図１の符号６）の走査が行われていない期間をいう。（ここで、図１を参照して説明をする。）また、表示駆動期間において、スイッチ２１が配線３２とＣＯＭ配線とを接続しているが、位置検出期間において、スイッチ２１は電流検出回路１３を含む交流電圧源２２側に対して導通状態とされる。この状態は、図６のＳＷ信号をＢ、すなわちハイレベルとすることによって実現される。
【００５９】
このようなスイッチの状態、すなわち図１に示されているスイッチ２１の状態において、配線３２を介して交流電圧源２２により生成される同相・同電位の交流電圧をリニアライゼイションパターン部３０ａに印加する。ここで、リニアライゼイションパターン部３０は、異方性導電体３４を介して、透明導電膜１２と電気的に接続されている。
【００６０】
リニアライゼイションパターン部３０ａによって、電気的に接続した透明導電膜１２の四隅近傍の領域に交流電圧源２２の交流電圧が印加される。ここで、透明導電膜１２の電圧は、図６の位置検出期間中のＶｃで示される。
【００６１】
このように、透明導電膜１２の四隅近傍から交流電圧が均一に供給されるが、接触体の一例である指２４でＬＣＤの表面をタッチすると、指２４とタッチ部に対応する透明導電膜１２の間に容量２５が形成される。このとき、指２４を介して人間の電位が接地されているので、指２４と交流電源２２との間に電位差が生じ、容量２５を介してタッチ部から四隅近傍まで透明導電膜１２を伝って、電流が流れる。
【００６２】
一方、リニアライゼイションパターン部３０ｂの夫々は、表示装置基板１０上において孤立しているが、異方性導電体３４と接触しており、異方性導電体３４を介して透明導電膜１２と電気的に接続している。
【００６３】
リニアライゼイションパターン部３０ｂは、対応する透明導電膜１２の領域部分の抵抗を低減している。従って、指２４でＬＣＤの表面をタッチしたときの容量結合で、タッチ部に対応する透明導電膜１２の領域の電位が下がっても、透明導電膜１２の外周領域を同電位に保つことができる。
【００６４】
ここで、透明導電膜１２の四隅近傍の交流電圧源２２に対して、外周領域において電圧降下が生じるが、透明導電膜１２の四隅近傍から外周領域の任意の点までの抵抗をリニアライゼイションパターン部３０ｂなどで調整することにより、外周領域の任意の点で電圧降下を揃えている。
【００６５】
四隅近傍の領域から隣接する辺の任意の点までの抵抗の調節は、リニアライゼイションパターン部３０ｂが設けられた低抵抗領域とリニアライゼイションパターン部３０ｂが設けられていない高抵抗領域を組み合わせることにより行われている。
【００６６】
このとき、４つの電流検出回路１３によって検出される電流Ｉａ〜Ｉｄに対応した信号を演算することにより、指２４のタッチ有無、及びその位置座標（ｘ、ｙ）が検出される。
【００６７】
演算の一例は、以下に示す数式１、数式２のようになる。
ｘ＝（Ｉｃ＋Ｉｄ）／（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）ｋ１＋ｋ２ ・・・・（数１）
ｙ＝（Ｉｂ＋Ｉｃ）／（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）ｋ１＋ｋ２   ・・・（数２）
【００６８】
ここで、ｘは、タッチ位置のＸ座標である。ｙは、タッチ位置のＹ座標である。ｋ１およびｋ２は、定数である。また、ＩａからＩｄは、４つの電流検出回路１３で検出される電流である。
【００６９】
上述の通り、位置検出期間において透明導電膜１２は、静電容量式タッチセンサの透明導電膜の役割を果たす。
【００７０】
（製造方法について）
次に、上述のような構成を有する表示装置の製造方法（表示装置用製造方法）としての各種の処理手順について、図５を参照しつつ説明する。図５は、本発明の第１の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するために、表示装置の一例を模式的に示した断面図である。ここで、図５では、ブラックマトリックス５８、オーバーコート層５４を記載したが、図５以外の図ではこれらの層を省略した。
【００７１】
本実施の形態に係る表示装置用製造方法は、通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第２の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能なものを対象とするものである。
【００７２】
この表示装置用製造方法は、基本的構成として、前記第１の基板に、前記通電インピーダンス面の電界を線型化可能とし、かつ、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部を形成する第１の工程と、前記第２の基板に、前記通電インピーダンス面として機能する対向電極を形成する第２の工程と、前記リニアライゼイションパターン部と前記対向電極との間に導電部材を形成する第３の工程と、を含むことができる。
ここで、通電インピーダンス面は、透明導電膜に四隅近傍から電圧を印加すると透明導電膜上に電界曲線分布（電位分布）が形成される面であり、接触体のタッチ時に電流が流れる面である。
さらに、電界の線型化とは、透明導電膜上の電位分布について、外周部の各辺に対して平行な等電位線を形成し、その等電位線の間隔が均一となるようにすること（電界の線型性、直交性を維持）をいう。
このため、リニアライゼイションパターン部によって、通電インピーダンス面の電界の線形化が可能となる。
【００７３】
また、前記第１の工程は、前記第１の基板に画素電極を形成する工程、または、前記第１の基板に配線を形成する工程と同時に行うことができる。
【００７４】
さらに、前記第１の工程は、導電膜を成膜し、ＰＲを行い、エッチングする一連の工程を含むことができる。
【００７５】
より具体的に、表示装置基板１０（第１の基板）の製造方法（第１の工程）について、低温ポリシリコンＴＦＴを例にとって説明する。すなわち、表示装置基板１０（第１の基板）は、ＴＦＴ基板を構成することができる。
ここで、ＴＦＴの基本構造としては、ゲート電極がチャネルのポリシリコンより上にあるコプラナー型とし、導電型としては、チャネル電流のキャリアとして電子を用いるｎチャネル型とした。
【００７６】
図５を参照すると、表示装置基板１０のガラス２３（透明基板）がシリコン酸化膜４６ａで覆われており、その上にポリシリコン膜４８が島状に形成される。
ここで、ドレイン領域４９ａ及びソース領域４９ｂとすべきポリシリコン膜の領域にリンなどのＶ族元素がドープされる。
また、チャネルの領域とソース・ドレインの領域との間に、ソース・ドレイン領域よりも少ない量のリンを注入したＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）を設けても良い（図示せず）。
なお、ＬＤＤの構造のＴＦＴは、チャネルとドレインの境界に低濃度不純物領域を設け、チャネルからドレインにかけて不純物濃度の勾配を緩やかにすることで、ドレインの境界部での電界集中を緩和することができ、リーク電流抑制効果がある。
【００７７】
島状のポリシリコン膜４８は、シリコン酸化膜４６ｂで覆われ、その上にゲート電極５２が形成される。ここで、ポリシリコン膜４８とゲート電極５２に挟まれた領域のシリコン酸化膜４６ｂは、ゲート絶縁膜となる。
また、このシリコン酸化膜４６ｂにより蓄積容量を形成してもよい（図示せず）。ゲート電極５２上は、シリコン酸化膜４６ｃで覆われ、シリコン酸化膜４６ｃにコンタクトホールを形成することにより、ゲート電極５２、ドレイン領域４９ａ及びソース領域４９ｂが開口される。
【００７８】
シリコン酸化膜４６ｃ上に、ＡＬ（アルミニウム）４２をスパッタし、信号線（電極）、画素電極５、リニアライゼイションパターン部３０とすべき領域にレジストマスク（図示せず）を残した後、ＡＬ（アルミニウム）４２をドライエッチングし、パターニングする。
【００７９】
ＡＬ（アルミニウム）４２上に層間絶縁膜４１を形成するが、この層間絶縁膜４１は、窒化シリコン膜、アクリル膜の積層より成る。層間絶縁膜４１にコンタクトホールを形成することで、信号線（電極）、画素電極５、リニアライゼイションパターン部３０領域が開口される。最後に、ＩＴＯ（透明導電膜）４０をスパッタした後、ソース電極を構成するＩＴＯ（透明導電膜）４０と、リニアライゼイションパターン部３０を構成するＩＴＯ（透明導電膜）４０の領域を残すように、ＩＴＯ（透明導電膜）４０をエッチングして、表示装置基板を完成させる。ここで、リニアライゼイションパターン部３０は「ＩＴＯ４０／ＡＬ４２」の積層から成る。
【００８０】
このように、前記リニアライゼイションパターン部３０（３０ａ、３０ｂ）は、第１の基板（表示装置基板）上の画素又は周辺回路を構成する単層又は複数層の導電膜と同層の導電膜にて形成されるものである
【００８１】
以上ｎチャネル型の場合について説明した。ｐチャネル型の場合は、ｎチャネルの場合のｐとｎを入れ替えればよい。また、ｎチャネル型とｐチャネル型の両方を用いてもよい。
【００８２】
走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５は、ｎ型ＴＦＴおよびｐ型ＴＦＴを用いて構成することができる。
【００８３】
また、第１の実施の形態では、表示装置基板１０を低温ポリシリコンＴＦＴプロセスで作成したが、アモルファスシリコンＴＦＴプロセスで作成してもよい。
更には、それ以外のＴＦＴプロセス、例えば、マイクロクリスタルシリコンＴＦＴプロセスや、酸化物ＴＦＴプロセス、有機ＴＦＴプロセス、支持基板上にシリコン薄膜を転写した後にＴＦＴを形成するプロセス等で形成してもよい。
【００８４】
また、ポリシリコンＴＦＴプロセス、アモルファスシリコンＴＦＴプロセス、バルクシリコンプロセス、ＳＯＩプロセス等を用いて回路を形成した後、これを他の基板に転写して表示装置基板１０を形成してもよい。
【００８５】
次に、対向基板１９を構成するための方法（第２の工程）について説明する。
対向基板１９のガラス２３（透明基板）上に画素部として、カラーフィルタがマトリクス状に設けられる（図示せず）。画素部では、配線とその間隙、ブラックマトリクス５８などのために、有効な開口部が限られている。カラーフィルタ及びブラックマトリックス５８は、アクリルなどから成るオーバーコート層５４で覆われており、オーバーコート層５４上には透明導電膜１２が形成される。さらに、透明導電膜１２の上にポリイミドなどから成る配向膜が印刷される（図示せず）。
【００８６】
次に、第３の工程を説明する。この工程では、前述の表示装置基板１０と対向基板１９とを重ね合わせてＴＦＴ−ＬＣＤパネルを形成する。また、表示装置基板１０と対向基板１９の間においては、図５の右側の画素ＴＦＴ側では液晶２が充填される。
一方、図５の左側のリニアライゼイションパターン部３０側においては、異方性導電体３４が表示装置基板１０のＩＴＯ（透明導電膜）４０と対向基板上の透明導電膜１２との間で接触している。
【００８７】
以上、背面からの面状のバックライト光をＬＣＤで変調し画像を表示する透過型のＬＣＤを例にとって説明したが、上述の表示装置基板１０上に反射板となる金属電極を形成し、周囲光を表示に利用する反射型ＬＣＤとしてもよい。また、反射板に網点状に微細な穴を開け、透過・反射兼用とした半透過型ＬＣＤとしてもよい。
【００８８】
第１の実施の形態では、ガラス基板２３、表示装置基板１０の基材をガラスとしているが、可撓性材料を用いてもよい。この場合、対向基板１９には位置検出用の透明導電膜１２が一体形成されるため、曲げに対して機械的歪が生じにくく、かつその位置検出性能は曲げによって劣化しない。
【００８９】
（効果について）
以上のように本第１の実施の形態によれば、軽量、小型、薄型化に適すると共に、指のタッチ位置を正確に検出できるタッチセンサ一体型の表示装置で提供できる。
【００９０】
また、本第１の実施の形態によれば、対向基板１９にリニアライゼイションパターン部３０を形成するための工程、及び特別の製造装置・資源を必要としない。これらの結果、表示装置の製造コストを下げることが出来る。
すなわち、表示装置基板に電極または配線を形成する何れかの工程と同時に、リニアライゼイションパターン部３０を形成すれば、新たな工程を追加する必要が無い。さらに、表示装置基板に、電極または配線とリニアライゼイションパターン部を形成する工程が、導電膜の成膜と、ＰＲ（Ｐｈｏｔｏ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）と、エッチングの一連の工程（以下、ＰＲ工程と略す）から構成すれば、表示画素等の形成と同一工程で形成できるため、別にリニアライゼイションパターン部を形成するために工程を変更する必要が無く、フォトマスク等のレイアウトにリニアライゼイションパターン部を追加するだけでよい。  
【００９１】
さらに、本第１の実施の形態によれば、スクリーン印刷などの方法と比べて、ＰＲ工程の方がパターンを高精細にできる。すなわち、表示装置基板にＰＲ工程によりリニアライゼイションパターン部を形成することで、リニアライゼイションパターン部を高精細にできる。この結果、より細い線の採用も容易になるため、指やペンなどのタッチ位置の検出精度が向上すると共に、リニアライゼイションパターン部３０の占有面積を小さくし、ＬＣＤを狭額縁化できる。
【００９２】
さらにまた、第１の実施の形態によれば、リニアライゼイションパターン部３０に、シート抵抗の低い材料を用いることによって、リニアライゼイションパターン部３０の抵抗をより低くすることが出来る。特にＡＬ（アルミニウム）もしくはＡＬ（アルミニウム）の合金が好ましい。
【００９３】
また、リニアライゼイションパターン部３０が、画素電極５の層と同一の層で構成されることにより、リニアライゼイションパターン部３０と異方性導電体３４の接触抵抗を低減出来る。これは、異方性導電体３４と画素電極５の信号線（電極）４と同一の層の間で、ＩＴＯ（透明導電膜）４０が接触しており、ＩＴＯ（透明導電膜）４０は、信号線（電極）４の材料と異方性導電体３４との両方に相性が良く抵抗が少ないためである。
【００９４】
実際に、リニアライゼイションパターン部３０を画素電極５の層と同一の層で構成し、リニアライゼイションパターン部３０を形成するＩＴＯ（透明導電膜）４０のパターンの夫々の面積を１ｍｍ２として設計したところ、異方性導電体３４を介したＩＴＯ（透明導電膜）４０と透明導電膜１２間の抵抗は１Ωと僅かであった。
【００９５】
以上説明した通り、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と異方性導電体３４との接触抵抗が低くなるため、透明導電膜１２の特定の領域の抵抗を大幅に低減できるという効果がある。
【００９６】
さらに、表示装置基板上のリニアライゼイションパターン部と導電インピーダンス面が異方性導電体を介して電気的に接続されることによって、リニアライゼイションパターン部の形状に対応させて、対向する導電インピーダンス面の部分的な領域の抵抗を低減せしめることができ、あたかも、表示装置基板に形成されたリニアライゼイションパターン部がインピーダンス面に投影されたかのようなイメージで捉えられる。
【００９７】
ここで、本実施の形態の構成要件と本発明の構成との対応関係を述べると、本発明の表示装置は、通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子（例えば図１に示す符号２など）を形成して表示を行うとともに、前記第２の基板（例えば図１に示す符号１９など）側に形成した通電インピーダンス面に流れる電流値を複数箇所で検出し、接触体による接触位置を検出可能なものである。この表示装置は、前記第１の基板（例えば図１に示す符号１０など）側に形成したリニアライゼイションパターン部（例えば図１に示す符号３０ａ、３０ｂからなる構成など）と、前記リニアライゼイションパターン部と前記通電インピーダンス面とを電気的に接続する導電部材（例えば図１に示す符号３４など）とを含むものである。
また、表示装置は、第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を封止手段により形成して画像の表示を行うことができる。第２の基板は、通電インピーダンス面を形成し、接触体による接触点で流れる電流値を複数箇所で計測し、接触位置を検出することができる。第１の基板は、前記通電インピーダンス面に対向し、リニアライゼイションパターン部及び前記表示素子の制御部並びに配線を形成することができる。
【００９８】
［第２の実施の形態］
次に、本発明にかかる第２の実施の形態について、図７に基づいて説明する。以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図７は、本発明の第２の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【００９９】
上述の第１の実施の形態では、異方性導電体とシ―ル剤とを別体にて構成としたが、本実施の形態では、異方性導電体がシ―ル剤としての機能を兼用する構成としている。すなわち、導電部材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在され、前記表示素子を封止するシール剤である場合を示す。
【０１００】
具体的には、本実施の形態の表示装置２００は、図７に示すように、第１の実施の形態（図２）と同様に、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２とを異方性導電体３４により電気的に接続しているが、図２との違いは、同一の異方性導電体３４のパターンにより、表示装置基板１０と対向基板１９を接着し、電気的接続をとると同時に液晶材料２を封止する。
【０１０１】
ここで、異方性導電体３４として、導電粒子を混入させたシール剤を用いるのが好ましく、シール剤としてはエポキシ樹脂、導電粒子としては金ボールなどが用いられる。また、シールによる基板重ね方法として、スクリーン印刷方式、ディスペンサ方式などにより、どちらかの基板のシール部分にシール剤を塗布しておき、基板を重ねあわせた時にこれらを接着する。その後、焼成し、シール剤を熱硬化させる。
【０１０２】
リニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２とを電気的に接続すると同時に、液晶２を封止する異方性導電体３４の作用を説明する。
【０１０３】
第１の実施の形態（図２）は、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２とを電気的に接続する異方性導電体３４と、液晶２を封止するシール剤３６を別々のパターンとして設けているが、異方性導電体３４のパターン、シール剤３６が占有する面積が大きくなり、この結果、ＬＣＤの額縁領域が広くなるという新たな課題がある。
一方、図７においては、シール剤としての機能を有する異方性導電体３４のパターンにより、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜（図示せず）とを電気接続すると共に、液晶２を封止することで、シール剤３６のパターン（図２の符号３６）を省略できるので、シール剤３６の分の占有面積が減る。この結果、ＬＣＤを狭額縁化できるという効果がある。
【０１０４】
その他の構成およびその他のステップ（工程）ないしは機能並びにその作用効果については、前述した実施の形態の場合と同一となっている。また、上記の説明において、上述した各ステップ（工程）にて製造する製造方法に用いる製造装置における処理内容及び各部（回路）の構成要素並びにそれらによる各機能をプログラム化し、コンピュータに実行させてもよい。
【０１０５】
［第３の実施の形態］
次に、本発明にかかる第３の実施の形態について、図８及び図９に基づいて説明する。以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図８は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。図９は、図８のＩＩ−ＩＩ´線の部分断面図である。
【０１０６】
本実施の形態では、導電部材の一例である導電体のレイアウトパターンを、リニアラゼイションパターンのレイアウトパターンに対応する構成としている。すなわち、導電部材は、複数に分割して形成された導電部材パターンを有し、前記導電部材パターンは、前記リニアライゼイションパターン部と同一のレイアウトパターンである場合を示す。
【０１０７】
具体的には、本実施の形態の表示装置３００は、図８に示すように、第１の実施の形態（図２）と異なり、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２とを電気的に接続している導電体４７のパターンのレイアウトが、リニアラゼイションパターン３０の形状のレイアウトに対応した構成となっている。ここで、導電体４７は、電気的に等方性であっても、異方性であってもよい。
【０１０８】
より詳細には、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０に対して、導電体４７のパターン（導電体パターン）を同一のレイアウトにするため、導電体４７のパターンは、複数に分割された導電体４７の集合からなり、隣り合う導電体４７が互いに電気的に接続されていない。このとき、液晶２は、シール剤３６により封止される。
【０１０９】
また、導電体４７のパターンは、リニアライゼイションパターン部３０と同一のレイアウトとなっているため、図８に示す平面模式図では、符号３０（３０ａ、３０ｂ）と符号４７とが重なっており、図９に示す部分断面図では、符号３０（３０ａ、３０ｂ）と符号４７とが積層される構造となる。
【０１１０】
ここで、導電体４７は、例えばポスト（柱状）スペーサなどにより形成することが好ましい。一般的にスペーサは、均一粒径の球体、あるいは均一直径の円柱体であり、表示部では対向基板１９のブラックマトリックス上で、表示装置基板１０と対向基板１９の間の厚み（セルギャップ）を維持する役割を果たしている。
【０１１１】
ポストスペーサは、一般的に、ガラスあるいはプラスチックを材料とする絶縁体であるが、ここでは導電材料を用いることで、表示装置基板１０と対向基板１９との導通をとっている。
【０１１２】
次に、このようなリニアラゼイションパターン３０の形状に対応させた導電体４７のパターンによる作用について説明する。
【０１１３】
表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２とを導電体４７により、電気的に接続することが出来るが、透明導電膜１２の抵抗が低減される領域が、導電体４７のパターンに依存する。
【０１１４】
このため、導電体４７のパターンを第１の実施の形態（図２）のように、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０の全てを覆った単一のパターンで形成すると、導電体４７が電気的に等方性である場合、膜面に水平な面にも電気的に接続され、透明導電膜１２の抵抗が低減される領域が、図２の符号３４のパターン通りになってしまう。
【０１１５】
そこで、導電体４７のパターンをリニアラゼイションパターン３０の形状に対応させることにより、隣り合う導電体４７が互いに電気的に接続されることがない。このとき、導電体４７が電気的に異方性である必要がなく、等方性であってもよい。
【０１１６】
以上のように本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、電気的に等方性である導電体４７を用いても、透明導電膜１２の所望の領域において、抵抗を低減できるという効果がある。導電体が電気的に異方性である必要がないので、導電体材料の選択の範囲が広がり、安価な材料を選択することが出来る。
【０１１７】
また、導電体４７をポストスペーサに使用することにより、表示装置基板１０と対向基板１９のギャップを基板面内で均一に保つことを目的としてポストを形成する工程と、同一の工程により形成できる。この結果、新たな工程を追加する必要が無く、表示装置の製造コストを低減することができる。
【０１１８】
その他の構成およびその他のステップ（工程）ないしは機能並びにその作用効果については、前述した実施の形態の場合と同一となっている。また、上記の説明において、上述した各ステップ（工程）にて製造する製造方法に用いる製造装置における処理内容及び各部（回路）の構成要素並びにそれらによる各機能をプログラム化し、コンピュータに実行させてもよい。
【０１１９】
［第４の実施の形態］
次に、本発明にかかる第４の実施の形態について、図１０及び図１１に基づいて説明する。以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図１０は、本発明の第４の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。図１１は、図１０に示すＩＩＩ−ＩＩＩ´線の部分断面図である。
【０１２０】
本実施の形態では、表示装置基板の四隅近傍に孤立して設けられたリニアライゼイションパターン部を長く形成する構成としている。すなわち、前記リニアライゼイションパターン部は、前記第１の基板の隅部に形成され、位置検出用の電圧が供給される配線部に接続される第１のパターン部（３０ａ）と、前記第１の基板の辺部に形成され、前記配線部と非接続の第２のパターン部（３０ｂ）と、を含み、前記第１のパターン部は、前記隅部から前記辺部側に向けて延在形成されるものである場合を示す。
【０１２１】
具体的には、本実施の形態の表示装置４００は、図１０に示すように、第２の実施の形態（図７）と同様に、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜１２を異方性導電体３４により電気的に接続し、同一の異方性導電体パターン３４により液晶２を封止しているが、リニアライゼイションパターン部３０のレイアウトが第２の実施の形態（図７）と異なる。
【０１２２】
より詳細には、表示装置基板１０の四隅近傍に孤立して設けられたリニアライゼイションパターン部３０ａが、隣接する夫々の辺の中央に向かって延在形成される。すなわち、リニアライゼイションパターン部３０ａ（第１のパターン部）は、前記隅部から前記辺部側に向けて延在形成し、前記延在する範囲は隅部から辺中央付近までとしている。
【０１２３】
ここで、リニアライゼイションパターン部３０ａには、配線３２が接続されている。この配線３２には、交流電圧源２２に接続されている（図示せず）。
【０１２４】
また、図１０に示すように、表示装置基板１０上の外周領域の四辺上に、表示装置基板１０上で複数に分割されたリニアライゼイションパターン部を設ける代わりに、絶縁層４１でＡｌ（アルミニウム）電極４２と絶縁されたダミーパターン３９を設けてもよい。
【０１２５】
ここで、リニアライゼイションパターン部３０は異方性導電体３４と接触しており、異方性導電体３４を介して透明導電膜１２と電気的に接続しているが、ダミーパターン３９は絶縁層４１によって覆われており、異方性導電体３４と接触しておらず、透明導電膜１２と電気的に接続していない。
【０１２６】
ダミーパターン３９は、リニアライゼイションパターン部３０と同じ層を用いるのが好ましい。
図１０に示すように、表示装置基板１０の四隅近傍から隣接する辺の中央に向けてリニアライゼイションパターン部３０ａが伸びており、辺の中央近傍ではリニアライゼイションパターン部３０ａが存在しない領域ができる。
【０１２７】
このため、リニアライゼイションパターン部３０ａがある領域と比べて、リニアライゼイションパターン部３０ａが無い領域では、リニアライゼイションパターン部３０ａの厚みによって表示装置基板１０に凹部が生じ、表示装置基板１０と対向基板１９とのギャップが局所的に大きくなってしまう不具合がある。
【０１２８】
そこで、リニアライゼイションパターン部３０ａが存在しない領域にダミーパターン３９を設けることによって、ＬＣＤのギャップの均一性を向上できるという効果がある。
【０１２９】
具体的には、画素電極（図５では符号５）などが用いられる。図１１に示すように、ダミーパターン３９は、ＡＬ（アルミニウム）４２、絶縁層４１（層間絶縁膜）、ＩＴＯ（透明導電膜）４０の層からなる。すなわち、第２のパターン部の一例であるダミーパターン３９は、表示装置基板１０上に形成する画素又は周辺回路を構成する複数層の導電膜と、前記複数の導電膜間に層間絶縁膜とを有することができる。ダミーパターン３９を覆う絶縁層４１には、窒化シリコン、アクリル等が用いられる。また、ダミーパターン３９に対応する領域には絶縁層４１にコンタクトホールを形成しない。
また、前記第２のパターン部は、省略可能となっている。
【０１３０】
次に、上述のように、表示装置基板１０の四隅近傍に設けられ、隣接する辺の中央に向かって伸びるリニアライゼイションパターン部３０ａの動作を説明する。
【０１３１】
指やペンのタッチ位置を検出する位置検出期間中、透明導電膜１２に流れる電流は、異方性導電体パターン３４と、リニアライゼイションパターン部３０ａを介して、外部基板（図１では符号２０）上の電流検出回路（図１では符号１３）でこれらの電流を検出する。
【０１３２】
一方、表示駆動期間中は、リニアライゼイションパターン部３０ａに共通電圧を印加し、異方性導電体３４を介して、透明導電膜１２を共通電位に保持する。そして、液晶２に表示装置基板１０側から信号線（電極）（図１では符号４）の電圧を印加し、対向基板１９側から共通電圧を印加することにより、液晶２の光の透過率を変化させる。
【０１３３】
リニアライゼイションパターン部３０ａを隣接する夫々の辺の中央に向かって伸ばすことによって、透明導電膜１２の外周四辺上の抵抗を低くする効果がある。
抵抗が低くなる領域は、リニアライゼイションパターン部３０ａを四隅近傍から隣接する辺の中央に向けて伸ばした範囲による。辺の中央付近まで伸ばしてもよく他のリニアライゼイションパターン部３０ａと接触しない範囲まで伸ばすことができる。
【０１３４】
以上のように本実施の形態によれば、前記実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、表示装置基板１０の外周四辺上に複数に分割したリニアライゼイションパターン部３０ｂを設けることと同様の効果がある。
【０１３５】
また、リニアライゼイションパターン部（図７では符号３０ｂ）は外周四辺上で２重になっているが、第４の実施の形態の構造（図１０）では、リニアライゼイションパターン部３０ａは１重でよく占有面積が小さくなる。
この結果、ＬＣＤを狭額縁化できるという効果がある。
【０１３６】
その他の構成およびその他のステップ（工程）ないしは機能並びにその作用効果については、前述した実施の形態の場合と同一となっている。また、上記の説明において、上述した各ステップ（工程）にて製造する製造方法に用いる製造装置における処理内容及び各部（回路）の構成要素並びにそれらによる各機能をプログラム化し、コンピュータに実行させてもよい。
【０１３７】
［第５の実施の形態］
次に、本発明にかかる第５の実施の形態について、図１２及び図１３に基づいて説明する。以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図１２は、本発明の第５の実施の形態に係る表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。図１３は、透明導電膜の電位分布を示す斜視図である。
【０１３８】
本実施の形態では、タッチ位置の検出期間を、位置ｘ(方向)と位置ｙ（方向）とで分ける構成としている。
【０１３９】
具体的には、本実施の形態の表示装置５００は、図１２に示すように、前記第４の実施の形態（図１０）と同様に、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜（対向電極）とを異方性導電体３４により電気的に接続しているが、前記第４の実施の形態と異なり、指のタッチ位置２６の検出期間中に、位置ｘ（方向）と位置ｙ（方向）とで、検出する期間を分ける制御を行う。
ここで、図１２に示す回路部分では、指のｘ方向の位置検出期間中のスイッチング状況を示している。
【０１４０】
より詳細には、表示装置５００は、指のタッチ位置２６の検出期間中に、表示装置基板１０の四隅近傍にあるリニアライゼイションパターン部３０ａと電流検出回路１３とを電流検出方向切替スイッチ５２１により接続する。
【０１４１】
この際、表示装置５００は、位置ｘ（第１の方向であるｘ方向）を検出する期間中では、リニアライゼイションパターン部３０a（左下＜第１の電極部＞、左上＜第２の電極部＞）を電流検出回路１３ａ（第１の電流検出回路）に接続し、リニアライゼイションパターン部３０ａ（右上＜第４の電極部＞、右下＜第３の電極部＞）を電流検出回路１３ｂ（第２の電流検出回路）に接続する。
【０１４２】
一方、表示装置５００は、位置ｙ（第２の方向であるｙ方向）を検出する期間中では、リニアライゼイションパターン部３０ａ（左下、右下）を電流検出回路１３ａに接続し、リニアライゼイションパターン部３０ａ（左上、右上）を電流検出回路１３ｂに接続することを特徴とする。
【０１４３】
このときの接続の切り替えは電流検出方向切替スイッチ５２１を電流検出スイッチング制御回路（不図示）により制御することにより行う。この場合、電流検出方向切替スイッチ５２１、電流検出スイッチング制御回路（不図示）、電流検出回路１３ａ（第１の電流検出回路）、電流検出回路１３ｂ（第２の電流検出回路）により「検出期間切替制御手段」を構成することができる。
この「検出期間切替制御手段」は、前記接触位置を検出する検出期間を、前記通電インピーダンス面の第１の方向の位置検出を行う第１の位置検出期間と、前記第１の方向と交差する第２の方向の位置検出を行う第２の位置検出期間とで区分して切替制御を行うことができる。
【０１４４】
また、図１２は、第４の実施の形態のように、表示装置基板１０の外周四辺上において、四隅近傍から隣接する夫々の辺の中央に向けて伸びるリニアライゼイションパターン部３０ａの場合を示しているが、第１の実施の形態のように、表示装置基板１０の外周四辺上に、複数に分割されたリニアライゼイションパターン部３０ｂを設けてもよい。
【０１４５】
また、図１２は、表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３０と透明導電膜（対向電極）とを電気的に接続すると同時に、液晶２を封止する異方性導電体パターン３４の場合を示しているが、役割ごとに別々に異方性導電体パターン３４を形成してもよい。
【０１４６】
次に、指でタッチしたｘ方向の位置ｘを検出する場合を例にとって、本第５の実施の形態（図１２）の作用を説明する。
【０１４７】
指でＬＣＤの表面をタッチすると、タッチ部２６に対応する透明導電膜（対向電極）の電位が下がるが、表示装置基板１０の四隅近傍にあるリニアライゼイションパターン部３０（左下、左上）を同一の電流検出回路１３ａに接続することによって、リニアライゼイションパターン部３０ａ（左下、左上）を結ぶ辺の電位を均一に保つ作用がある。
【０１４８】
同様に、リニアライゼイションパターン部３０ａ（右上、右下）を結ぶ辺の電位を均一に保つことができる。この結果、ｘ方向にはタッチ位置２６に対応する透明導電膜（対向電極）の領域を極小とする電位の勾配が生じるが、ｙ方向については電位が均一になり、ｙ方向に平行な等電位線を形成できる。
【０１４９】
以上のように本実施の形態によれば、前記実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、電位分布が一次元的になり、位置ｘを検出する期間において、位置ｙに関する情報を除去でき、位置ｘに関する検出精度が向上するという効果がある。
また、指でタッチした位置ｙを検出する場合も、同様に考えられる。
【０１５０】
さらに、前記第１の実施の形態（図１）で４つ必要だった電流検出回路１３を２つに減らすことができるので、２つに減らした場合の図１２において、電流検出回路１３の製造コストを半減できるという効果がある。
【０１５１】
さらに、上述した第５の実施形態の表示装置は、以下のように構成することもできる。すなわち、前記リニアライゼイションパターン部の第１のパターン部（３０ａ）は、前記第１の基板の４つの隅部に配置された第１〜第４の各電極部（左下、左上、右下、右上）を含む。この場合、前記検出期間切替制御手段は、前記第１の位置検出期間に、前記第１の方向の一端部側の前記第２の方向での電位を均一化して前記第１、第２の各電極部での電流を検出するとともに、前記第２の位置検出期間に、前記第２の方向の一端部側の前記第１の方向での電位を均一化して前記第１、第３の各電極部での電流を検出する第１の電流検出回路（１３ａ）と、前記第１の位置検出期間に、前記第１の方向の他端部側の前記第２の方向での電位を均一化して前記第３、第４の各電極部での電流を検出するとともに、前記第１の位置検出期間に、前記第２の方向の他端部側の前記第１の方向での電位を均一化して前記第２、第４の各電極部での電流を検出する第２の電流検出回路（１３ｂ）と、前記第１〜第４の各電極部と、前記第１、第２の各電流検出回路との接続関係をスイッチング制御する電流検出スイッチング制御回路（不図示）を含むことができる。
【０１５２】
その他の構成およびその他のステップ（工程）ないしは機能並びにその作用効果については、前述した実施の形態の場合と同一となっている。また、上記の説明において、上述した各ステップ（工程）にて製造する製造方法に用いる製造装置における処理内容及び各部（回路）の構成要素並びにそれらによる各機能をプログラム化し、コンピュータに実行させてもよい。
【０１５３】
［第６の実施の形態］
次に、本発明にかかる第６の実施の形態について、図１４に基づいて説明する。以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図１４は、本発明の第６の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。
【０１５４】
本実施の形態では、表示領域外部から表示領域内部へ電気信号を伝えるための配線上にスイッチ素子を設けた構成としている。
【０１５５】
具体的には、本実施の形態の表示装置６００は、図１４に示すように、前記第５の実施の形態（図１２）と異なり、表示領域外部の第２の回路部から表示領域内部の第１の回路部へ電気信号を伝えるための配線部上にハイインピーダンススイッチ部１６（第１のハイインピーダンススイッチ）、ハイインピーダンススイッチ部１７（第２のハイインピーダンススイッチ）、ハイインピーダンススイッチ部１８（第３のハイインピーダンススイッチ）を設けている。
【０１５６】
ここで、表示領域外部の第２の回路部は、表示領域内部の第１の回路部と同一基板上に形成されていても、外部基板上にあってもよい。
表示領域外部の第２の回路部が表示領域内部の第１の回路部と同一基板上に設けられる場合、表示領域外部と外部基板とを結ぶ配線部上にハイインピーダンススイッチ部１６、１７、１８を設けられることが好ましい。
具体的には、ハイインピーダンススイッチ部１６、１７、１８が設けられる配線部は、信号線４、走査線６、容量線８、電源線（図示せず）の少なくとも１つであることが好ましい。
【０１５７】
また、ハイインピーダンススイッチ部を制御するハイインピーダンススイッチング制御回路を備え、該ハイインピーダンススイッチング制御回路は、電流検出回路１３が電流を検出する期間に、表示領域外部から表示領域内部へ電気信号を伝えるための電極の少なくとも１つをハイインピーダンスに制御することが好ましい。
【０１５８】
ここで、ハイインピーダンススイッチ部１６、１７、１８とハイインピーダンススイッチング制御回路とにより、「インピーダンス制御手段」を構成することができる。この「インピーダンス制御手段」は、表示装置基板上に形成されてもよいし、別体の制御回路基板に形成されてもよい。
【０１５９】
この「インピーダンス制御手段」は、接触位置を検出する検出期間中に、第１の基板の表示領域内の第１の回路部を、前記表示領域外の第２の回路部に対して電気的にハイインピーダンスとすることができる。さらに、「インピーダンス制御手段」は、前記第１の回路部と前記第２の回路部とを非導通とするができる。また、この「インピーダンス制御手段」は、前記第１の回路と前記第２の回路とを接続する配線部に形成されるハイインピーダンススイッチ部と、前記ハイインピーダンススイッチ部をオンオフ制御するハイインピーダンス制御回路と、を含むことができる。
【０１６０】
次に、ハイインピーダンススイッチ部の動作について説明する。
表示領域の外周部には、画素マトリクス部内の回路と、表示領域の外周部の回路とを電気的にハイインピーダンスとすることを可能にするために、走査線６の信号パスにはそれぞれハイインピーダンススイッチ部１６が設けられており、信号線４の信号パスにはそれぞれハイインピーダンススイッチ部１７が設けられており、蓄積容量線８の信号パスにはそれぞれハイインピーダンススイッチ部１８が設けられている。
【０１６１】
ハイインピーダンススイッチ部１６、１７、１８は、図示されていないハイインピーダンススイッチング制御回路によってスイッチング制御される。これにより、表示領域の外部から内部へ電気信号を伝えるための走査線６や信号線４をハイインピーダンスにすることが可能となる。
【０１６２】
位置検出期間は、垂直ブランキング期間を利用するが、位置検出期間において、ハイインピーダンススイッチ部１６、ハイインピーダンススイッチ部１７、ハイインピーダンススイッチ部１８は、図１４のように全てオフ状態とされ、信号線４、走査線６、蓄積容量線８は表示領域の外部の配線（走査線駆動回路１４、信号線駆動回路１５、及びＣＯＭ端子に接続されている配線）に対してハイインピーダンスとされる。
【０１６３】
また、位置検出期間において、電流方向検出用スイッチ５２１は、電流検出回路１３を含む交流電圧源２２側に対して導通状態とされる。図１４に示すスイッチの状態において、交流電圧源２２により生成される同相の交流電圧を表示装置基板１０の四隅近傍にあるリニアライゼイションパターン部３０ａに印加する。
【０１６４】
表示装置基板１０上の四隅近傍にあるリニアライゼイションパターン部３０ａは透明導電膜と異方性導電体３４により電気的に接続しているので、透明導電膜の四隅近傍に交流電圧が印加される。
【０１６５】
また、図１４は、表示装置基板１０の外周四辺上において、四隅近傍から隣接する夫々の辺の中央に向けて伸びるリニアライゼイションパターン部３０ａの場合を示しているが、表示装置基板１０の外周四辺上に、複数に分割されたリニアライゼイション３０ｂを設けてもよい。
【０１６６】
図１５に、本発明の第６の実施の形態に係る表示装置の電極の電圧を示すタイミングチャートを示す。透明導電膜の電圧は、図１５のＶｃで示した。
図１５の電圧のタイミングチャートを参照すると、各走査線６は、ハイインピーダンスであり、かつ、透明導電膜と容量結合しているため、透明導電膜の電圧振幅と同振幅で走査線６の電圧Ｖｇが変動する。
【０１６７】
以上のように本第６の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、位置検出期間において、画素マトリクス内部の回路が外部の回路に対してハイインピーダンスとされるため、透明導電膜に交流電圧を印加する際に、透明導電膜１２から見た寄生容量が極めて小さくなる。具体的には、関連技術は寄生容量が例えば１５ｎＦであるのに対して、本第６の実施の形態を用いると、寄生容量が例えば１００ｐＦまで小さくなる。
この結果、電流検出回路１３から出力される信号のＳ／Ｎ比が、関連技術では例えば４×１０−４であるのに対して、本第６の実施の形態を用いると、例えば６×１０−２と１５０倍になる。
【０１６８】
また、トランジスタのゲート電圧、及びソース電圧が共に透明導電膜の電圧振幅と同振幅で電圧が変化するために、ゲート電圧とソース電圧の相対的な差は一定となり、トランジスタのＶｇｓは変動しない。この結果、位置検出期間の駆動による画質劣化への影響を最小限にするといった格別な効果が得られる。
【０１６９】
ここで、表示領域１１の内部と外部とを電気的にハイインピーダンスとするハイインピーダンススイッチ部１６、１７、１８としてｎ型ＴＦＴを用いているが、このハイインピーダンススイッチ部はｐ型のＴＦＴでもよいし、ｎ型とｐ型とを組み合わせたトランスファーゲートでもよい。
【０１７０】
その他の構成およびその他のステップ（工程）ないしは機能並びにその作用効果については、前述した実施の形態の場合と同一となっている。また、上記の説明において、上述した各ステップ（工程）にて製造する製造方法に用いる製造装置における処理内容及び各部（回路）の構成要素並びにそれらによる各機能をプログラム化し、コンピュータに実行させてもよい。
【０１７１】
［第７の実施の形態］
次に、本発明にかかる第７の実施の形態について、図１６及び図１７に基づいて説明する。以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図１６は、本発明の第７の実施の形態による表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示した平面模式図である。図１７は、図１６に示すＩＶ−ＩＶ´線の部分断面図である。
【０１７２】
上述の第１の実施の形態では、液晶表示装置による構成例を示したが、本実施の形態では、マイクロカプセル型電気泳動素子を利用した電気泳動型表示装置による構成例を示している。
【０１７３】
具体的には、本実施の形態の表示装置７００は、図１６及び図１７に示すように、マイクロカプセル型電気泳動素子を利用した電気泳動型表示装置（以下、ＥＰＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ）であり、モノクロＥＰＤアクティブマトリクスディスプレイである。表示装置７００は、対向基板１９と、ＥＰＤフィルム１０２と、表示装置基板１０とを有する。
【０１７４】
対向基板１９は、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の透明なプラスティック基板２３の内面側に、透明導電膜からなる対向電極１２が形成されている。なお、対向基板１９は、プラスティック基板２３の代わりにガラス基板を用いたものでもよい。
【０１７５】
図１７に示すように、ＥＰＤフィルム１０２は、フィルム状の電気泳動表示装置であり、マイクロカプセル１１３と、バインダとからなる。マイクロカプセル１１３は、ＥＰＤフィルム１０２の内部に敷きつめられており、約４０μｍの大きさである。マイクロカプセル１１３の内部には、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等からなる溶媒１１５が封入されているとともに、溶媒１１５中にそれぞれナノレベルの大きさの、酸化チタン系の白色顔料である白粒子１１６と、カーボン系の黒色顔料である黒粒子１１７とが分散されて浮遊している。白粒子１１６はマイナス（−）の帯電極性を有し、黒粒子１１７はプラス（＋）の帯電極性を有している。バインダは、マイクロカプセル１１３間に結合のために充填されたポリマーからなる。
【０１７６】
表示装置基板１０は、ガラス基板２３上にＴＦＴが形成された構成となっている。ＴＦＴは、ゲートＧがソースＳ及びドレインＤよりもガラス基板２３側に配された逆スタガ型となっている。
【０１７７】
ＴＦＴは、ガラス基板２３上にゲートＧが形成され、ゲートＧ上にゲート絶縁膜となる絶縁膜７２が形成され、絶縁膜７２上にチャネル材料７３が形成され、チャネル材料７３の両外側にソースＳ、ドレインＤが形成され、チャネル材料７３、ソースＳ、及びドレインＤを含む絶縁膜７２上に絶縁膜７４が形成され、絶縁膜７４上に画素電極５が形成され、画素電極５がソースＳとビア接続されている。
【０１７８】
図１６においては、各ＴＦＴのゲートＧが対応する走査線（図示せず）と電気的に接続されており、各ＴＦＴのドレインＤが対応する信号線（図示せず）と電気的に接続されている。
【０１７９】
ゲートＧに電圧が印加されることで、ドレインＤに印加された＋電圧がチャネル材料７３とソースＳを通じて対応する画素電極５に供給される。画素電極５に＋電圧が供給された場合、対応するマイクロカプセル１１３中の白粒子１１６が画素電極５側に引き寄せられるとともに、対向電極１２に相対的にマイクロカプセル１１３中の黒粒子１１７が引き寄せられる。
【０１８０】
一方、画素電極５に−電圧が供給された場合、対応するマイクロカプセル１１３中の黒粒子１１７が画素電極５側に引き寄せられるとともに、対向電極１２に相対的にマイクロカプセル１１３中の白粒子１１６が引き寄せられる。このように、図１６に示す表示装置では、画素電極５に＋電圧を与えるか、−電圧を与えるかによって、対向電極１２側に白黒の画像表示を行うことができる。
【０１８１】
第７の実施の形態においても、表示装置基板１０に形成されたリニアライゼイションパターン部３０は異方性導電体３４によって覆われており、異方性導電体３４は透明導電膜１２とも接触している。表示装置基板１０上のリニアライゼイションパターン部３４と透明導電膜１２とを異方性導電体３４により電気的に接続することにより、表示装置基板１０と透明導電膜１２との導通、及び透明導電膜１２の特定の領域の抵抗を低減している。
【０１８２】
また、図１６では、表示装置基板１０の外周四辺上において、四隅近傍から隣接する夫々の辺の中央に向けて伸びるリニアライゼイションパターン部３０ａの場合を示しているが、表示装置基板１０の外周四辺上に、複数に分割されたリニアライゼイション３０ｂを設けてもよい。
【０１８３】
また、表示装置基板１０の電極には単極双投スイッチが接続され、スイッチの一方の接点には電流検出回路と交流電圧源が直列に接続され、他方の接点には対向電極駆動回路が接続されるＣＯＭ端子が接続されている（図示せず）。
【０１８４】
ここで、第７の実施の形態においても、第６の実施の形態（図１４）と同様に、信号線を駆動するための信号線駆動回路、および走査線を駆動するための走査線駆動回路が、表示領域外部に備えられており、走査線と走査線駆動回路の信号パス上、および信号線と信号線駆動回路の信号パス上には、スイッチが設けられており、表示領域の外部から内部へ電気信号を伝えるためのこれら配線がハイインピーダンスとなるように構成されてもよい。
【０１８５】
また、第７の実施の形態に係る表示装置も、第１の実施の形態と同様、その駆動に関し、画素に表示のための電圧を書き込むための表示駆動期間と、指の位置座標或いは指し示す動作の有無を検出するために、電流検出回路が電流を検出する位置検出期間との２つの期間を有する。これら２つの期間は時間的に分割されている。
【０１８６】
以上のように本第７の実施の形態によれば、前記実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、ＥＰＤは表示のための電圧を書き込んだ後、その表示を長時間保持する特性を有するので、ＬＣＤの場合と比較して位置検出期間の割合を多く割くことが可能となる。
【０１８７】
また、表示装置基板１０を薄くする、あるいは、画素回路を可撓性基板に転写することで、可撓性を有し、かつ、タッチセンサ機能を有する表示装置を実現することができる。
【０１８８】
その他の構成およびその他のステップ（工程）ないしは機能並びにその作用効果については、前述した実施の形態の場合と同一となっている。
【０１８９】
[その他の各種変形例]
また、本発明にかかる装置及び方法は、そのいくつかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく本発明の本文に記述した実施の形態に対して種々の変形が可能である。
【０１９０】
例えば、上述の各実施の形態では、液晶表示装置および電気泳動型表示装置について説明したが、他の方式、例えば、帯電粒子、エレクトロクロミック材料、エレクトロルミネセンス材料（ＥＬ材料）、ガス、半導体、蛍光体を利用した表示装置に適用できることは無論である。
【０１９１】
また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。すなわち、上記実施の形態では、リニアライゼイションパターン部のうち、ダミーパターンが６×４個の場合を示したが、本発明は、これらの個数を制限するものではない。
【０１９２】
さらに、リニアライゼイションパターン部は、図示された幾何学形状に制限されるものではない。例えば、より複雑かつ精緻な形状として、検出精度の向上を図ることも可能である。
【０１９３】
ここで、上述した各実施形態に係る表示装置は、各種の電子機器の表示部として用いることができる。電子機器の例としては、放送受信装置などのテレビ、コンピュータなどの各種情報処理装置や、各種機器のリモコン、各種情報通信機能を搭載した家電機器、ゲーム機器、携帯音楽プレーヤ、各種記録装置、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ＰＯＳ端末、各種モバイル端末、ＰＤＡ、携帯電話機、ウエアラブル情報端末、ＰＮＤ、ＰＭＰなどのポータブル機器、パチンコなどの遊戯機などに搭載されるディスプレイ装置、など各種の電気製品を含んでよい。
【０１９４】
また、表示装置を構成する前記第１の基板として用いられる表示装置基板を、本発明の対象とすることもできる。
この場合、本発明の表示装置基板は、通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第２の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置を構成する前記第１の基板として用いることができる。
【０１９５】
この表示装置基板は、複数の画素がマトリクス状に形成された画素マトリクス部と、前記画素マトリクス部の周辺領域に形成され、前記通電インピーダンス面の電界を線型化可能とし、かつ、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部と、を含むことができる。
【０１９６】
さらに、表示装置を構成する外部基板などの制御回路を、本発明の対象とすることもできる。
この場合、本発明の表示装置の制御回路は、通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行う表示装置と電気的に接続され、前記第２の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出する制御を行うことができる。
【０１９７】
この表示装置の制御回路は、前記通電インピーダンス面の複数箇所にて流れる電流を検出する検出手段（電流検出回路など）と、前記接触位置を検出する検出期間を、前記通電インピーダンス面の第１の方向の位置検出を行う第１の位置検出期間と、前記第１の方向と交差する第２の方向の位置検出を行う第２の位置検出期間とで区分して切替制御を行う検出期間切替制御手段と、を含むことができる。
【０１９８】
また、この表示装置の制御回路は、前記接触位置を検出する検出期間中に、前記第１の基板の表示領域内の第１の回路を、前記表示領域外の第２の回路に対して電気的にハイインピーダンスとするインピーダンス制御手段をさらに有することができる。
【０１９９】
さらに、表示装置を構成する表示装置基板の製造方法（表示装置基板用製造方法）を、本発明の対象とすることもできる。
この場合、本発明の表示装置基板用製造方法は、通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第２の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置を構成する前記第１の基板として用いられる表示装置基板の製造を行うことができる。
【０２００】
この表示装置基板用製造方法は、前記第１の基板に、前記通電インピーダンス面の電界を線型化可能とし、かつ、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部を形成する第１の工程を有することができる。
この第１の工程は、前記第１の基板に画素電極を形成する工程、または、前記第１の基板に配線を形成する工程と同時に行うことができる。
【０２０１】
また、図に示すブロックにおける一部の各ブロックや図示しない制御回路（スイッチを制御する回路、ハイインピーダンススイッチング制御回路、電流検出スイッチング制御回路など）、さらには位置算出用の位置算出部を構成する回路などは、コンピュータが適宜なメモリに格納された各種プログラムを実行することにより、該プログラムにより機能化された状態を示すソフトウエアモジュール構成であってもよい。
すなわち、物理的構成は例えば一又は複数のＣＰＵ（或いは一又は複数のＣＰＵと一又は複数のメモリ）等からなるコントローラではあるが、各部（回路・手段）によるソフトウエア構成は、プログラムの制御によってＣＰＵが発揮する複数の機能を、それぞれ複数の部（手段）による構成要素として表現したものと考えることもできる。
ＣＰＵがプログラムによって実行されている動的状態（プログラムを構成する各手順を実行している状態）を機能表現した場合、ＣＰＵ内に各部（手段）が構成されることになる。
プログラムが実行されていない静的状態にあっては、各手段の構成を実現するプログラム全体（或いは各手段の構成に含まれるプログラム各部）は、メモリなどの記憶領域に記憶されている。
【０２０２】
以上に示した各部（回路、手段）の説明は、プログラムにより機能化されたコンピュータをプログラムの機能と共に説明したものと解釈することも出来るし、また、固有のハードウエアにより恒久的に機能化された複数の電子回路ブロックからなる装置を説明したものとも解釈することが出来ることは、当然である。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現でき、いずれかに限定されるものではない。
【０２０３】
また、発明の範囲は、図示例に限定されないものとする。
さらに、上記各実施の形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。つまり、上述の各実施の形態同士、あるいはそれらのいずれかと各変形例のいずれかとの組み合わせによる例をも含む。この場合において、本実施形態において特に記載しなくとも、各実施の形態及びそれらの変形例に開示した各構成から自明な作用効果については、当然のことながら実施の形態の作用効果として含めることができる。逆に、本実施の形態に記載されたすべての作用効果を奏することのできる構成が、本発明の本質的特徴部分の必須構成要件であるとは限らない。また、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除された構成による実施の形態並びにその構成に基づく技術的範囲も発明になりうる。
【０２０４】
そして、各実施の形態及びそれらの変形例を含むこれまでの記述は、本発明の理解を容易にするために、本発明の多様な実施の形態のうちの一例の開示、すなわち、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、例証するものであり、制限するものではなく、適宜変形及び／又は変更が可能である。本発明は、その技術思想、またはその主要な特徴に基づいて、様々な形で実施することができ、各実施の形態及びその変形例によって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。
従って、上記に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物を含む趣旨である。
【０２０５】
［付記１］第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を封止手段により形成して画像の表示を行う表示装置において、
通電インピーダンス面を形成し、接触体による接触点で流れる電流値を複数箇所で計測し、接触位置を検出する第２の基板と、
前記通電インピーダンス面に対向し、リニアライゼイションパターン部及び前記表示素子の制御部並びに配線を形成した第１の基板と、
前記リニアライゼイションパターン部と前記通電インピーダンス面とを電気的に接続する導電部材と、
を含むことを特徴とする表示装置。
［付記２］付記１に記載の表示装置において、
前記導電部材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在され、前記表示素子を封止するシール剤であることを特徴とする表示装置。
［付記３］付記１に記載の表示装置において、
前記導電部材は、複数に分割して形成されたものであることを特徴とする表示装置。
［付記４］付記１に記載の表示装置において、
前記導電部材は、異方性導電体であることを特徴とする表示装置。
［付記５］付記１に記載の表示装置において、
前記リニアライゼイションパターン部は、前記第１の基板上に形成する画素又は周辺回路を構成する単層もしくは複数層の導電膜と同層の導電膜にて形成されるものであることを特徴とする表示装置。
［付記６］付記１に記載の表示装置において、
前記リニアライゼイションパターン部は、
前記第１の基板の少なくとも２以上の隅部に形成され、位置検出用の電圧が供給される配線部に接続される第１のパターン部と、
前記第１の基板の辺部に形成され、前記配線部と非接続の第２のパターン部と、
を含むものであることを特徴とする表示装置。
［付記７］付記６に記載の表示装置において、
前記第１のパターン部は、
前記隅部から前記辺部側に向けて延在形成し、前記延在する範囲は隅部から辺中央付近までとし、前記第２のパターン部は、省略可能であることを特徴とする表示装置。
［付記８］付記６に記載の表示装置において、
前記第２のパターン部は、前記第１の基板上に形成する画素又は周辺回路を構成する複数層の導電膜と、前記複数の導電膜間に層間絶縁膜と、有し、
前記層間絶縁膜にはコンタクトホールを形成しないことを特徴とする表示装置。
［付記９］付記１に記載の表示装置において、
前記接触位置を検出する検出期間を、前記通電インピーダンス面の第１の方向の位置検出を行う第１の位置検出期間と、前記第１の方向と交差する第２の方向の位置検出を行う第２の位置検出期間とに区分し、各々の方向の位置検出時に応じて切替制御を行う検出期間切替制御手段を有することを特徴とする表示装置。
［付記１０］付記１に記載の表示装置において、
前記接触位置を検出する検出期間中に、前記第１の基板の表示領域内の第１の回路部を、前記表示領域外の第２の回路部に対して電気的にハイインピーダンスとし、前記第１の回路部と前記第２の回路部とを非導通とするインピーダンス制御手段をさらに有することを特徴とする表示装置。
［付記１１］付記１０に記載の表示装置において、
前記インピーダンス制御手段は、
前記第１の回路部と前記第２の回路部とを接続する配線部に形成されるハイインピーダンススイッチ部と、
前記ハイインピーダンススイッチ部をオンオフ制御するハイインピーダンス制御回路と、
を含むものであることを特徴とする表示装置。
［付記１２］付記１乃至付記１１のうちいずれか一項に記載の表示装置を備えた液晶表示装置であって、
前記表示素子が液晶であり、前記第１の基板は、ＴＦＴ基板であり、前記第２の基板は、対向基板であることを特徴とする液晶表示装置。
［付記１３］付記１乃至付記１１のうちいずれか一項に記載の表示装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
［付記１４］通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第２の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置用製造方法であって、
前記第１の基板に、前記通電インピーダンス面の電界を線型化可能とし、かつ、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部を形成する工程と、前記第１の基板に画素電極を形成する工程、又は、前記第１の基板に配線を形成する工程と、を同時に行う第１の工程と、
前記第２の基板に、前記通電インピーダンス面として機能する対向電極を形成する第２の工程と、
前記リニアライゼイションパターン部と前記対向電極との間に導電部材を形成する第３の工程と、
を含むことを特徴とする表示装置用製造方法。
［付記１５］通電可能な第１、第２の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第２の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置を構成する前記第１の基板として用いられる表示装置基板用製造方法であって、
前記第１の基板に、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部を形成する第１の工程を有し、
前記第１の工程は、
前記第１の基板に画素電極を形成する工程、または、前記第１の基板に配線を形成する工程と同時に行うことを特徴とする表示装置基板用製造方法。
【産業上の利用可能性】
【０２０６】
本発明は、表示装置全般に適用可能であり、より詳細には、利用例として、ゲーム機、携帯情報端末、券売機、現金自動預け払い機（ＡＴＭ）、カーナビゲーション、飛行機やバスの客席に取り付けるテレビ・ゲーム機、ファクトリー・オートメーション（ＦＡ）機器、プリンタ、ファクシミリに使用される表示装置といった用途に適用できる。
【符号の説明】
【０２０７】
１、１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００  表示装置
２  液晶（表示素子）
４  信号線（電極）
５  画素電極
６  走査線（電極）
８  蓄積容量線（電極）
１０  表示装置基板（第１の基板）
１２  透明導電膜（対向電極）
１３  電流検出回路
１４  走査線駆動回路
１５  信号線駆動回路
１６、１７、１８  ハイインピーダンススイッチ部
１９  対向基板（第２の基板）
２０  外部基板
２１  スイッチ
２２  交流電圧源
２３  ガラス基板（プラスティック基板）
２４  指
２５  容量
２９  電極
３０  リニアライゼイションパターン部
３０ａ  リニアライゼイションパターン部（基板四隅近傍：第１のパターン部）
３０ｂ  リニアライゼイションパターン部（基板外周四辺上：第２のパターン部）
３２  配線（配線部）
３４  異方性導電体（導電部材）
３６  シール剤
３８  ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ：
フレキシブルプリント基板）
３９  ダミーパターン
４０  ＩＴＯ（透明導電膜）＜画素電極及びリニアライゼイションパターン部＞
４１  絶縁膜（パッシベーション膜、及び平坦化膜）
４２  ＡＬ（アルミニウム）〔ソース及びドレイン電極材料〕
４６、４６ａ、４６ｂ、４６ｃ  シリコン酸化膜
４７  導電体
４８  活性層シリコン
４９、４９ａ、４９ｂ  高濃度のドーパントを含んだシリコン
５４  オーバーコート層
５８  ブラックマトリックス
７２、７４  絶縁膜
７３  チャネル材料
８０  石英基板
８１  透明導電膜
８２  銀ペースト（リニアライゼイションパターン部）
１０２  ＥＰＤフィルム
１１３  マイクロカプセル
１１５  溶媒
１１６  白粒子
１１７  黒粒子
５２１  電流検出方向切替スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
0005540440.tif 000016
【図１６】
0005540440.tif 000017
【図１７】
0005540440.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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