(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変インピーダンス回路のインピーダンスを制御するインピーダンス調整回路において、
前記可変インピーダンス回路の複製を備え、基準電流に応答して前記可変インピーダンス回路の複製で発生する電圧に基づいて、前記可変インピーダンス回路に対するインピーダンス制御信号を発生させる較正回路を備え、
前記較正回路は、前記較正回路と連結される基準抵抗に基づいて前記基準電流を発生させ、
前記可変インピーダンス回路は、外部ソース及び／または負荷に連結された単一のノードと連結されるプルアップ回路及び／またはプルダウン回路で構成され、
前記可変インピーダンス回路の前記複製は、前記プルダウン回路の複製及び前記プルアップ回路の複製を備え、
前記較正回路は、前記プルダウン回路の前記複製内の前記基準電流を発生させ、前記プルダウン回路の前記複製内の前記基準電流に応答して前記プルダウン回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ２）に基づいて、前記プルダウン回路及び前記プルダウン回路の前記複製に第１インピーダンス制御信号を印加し、
前記較正回路は、前記プルアップ回路の前記複製内の前記基準電流を発生させ、前記プルアップ回路の前記複製内の前記基準電流に応答して前記プルアップ回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ３）に基づいて、前記プルアップ回路及び前記プルアップ回路の前記複製に第２インピーダンス制御信号を印加し、
前記プルダウン回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ２）がロジックロー基準電圧（ＶＯＬ）と等しくなるように第１インピーダンス制御信号（ＦＩＳ１）を発生し、前記プルアップ回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ３）がロジックハイ基準電圧（ＶＯＨ）と等しくなるように第２インピーダンス制御信号（ＦＩＳ２）を発生する
ことを特徴とするインピーダンス調整回路。
【請求項２】
前記較正回路は、
前記可変インピーダンス回路の前記複製内の電流と前記基準抵抗内の電流とをマッチングさせる
ことを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項３】
前記可変インピーダンス回路は、
集積回路装置の外部信号ノードに連結されるプルアップ回路及び／またはプルダウン回路で構成される
ことを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項４】
前記プルアップ回路及び前記プルダウン回路は、
出力ドライバ及び／またはオンダイのターミネーター中に備えられる
ことを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項５】
前記較正回路は、
前記基準抵抗内の電流と前記プルダウン回路の前記複製内の電流とをマッチングさせる第１電流ミラーと、
前記プルダウン回路の前記複製の電圧（Ｖ２）と前記ロジックロー基準電圧（ＶＯＬ）とを等しくするために、前記プルダウン回路の前記複製の電圧に応答して前記第１インピーダンス制御信号を発生させる第１インピーダンス制御信号発生部と、
前記基準抵抗内の電流と前記プルアップ回路の複製内の電流とをマッチングさせる第２電流ミラーと、
前記プルアップ回路の前記複製の電圧（Ｖ３）と前記ロジックハイ基準電圧（ＶＯＨ）とを等しくするために、前記プルアップ回路の前記複製の電圧に応答して前記第２インピーダンス制御信号を発生させる第２インピーダンス制御信号発生部とを備える
ことを特徴とする請求項４に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項６】
前記第１インピーダンス制御信号発生部は、
前記プルダウン回路の前記複製の電圧と前記ロジックロー基準電圧（ＶＯＬ）とを比較して第１比較信号を発生させる第１比較部と、
前記第１比較信号に応答して第１インピーダンス制御信号を増減させる第１レジスタとを備え、
前記第２インピーダンス制御信号発生部は、
前記プルアップ回路の前記複製の電圧と前記ロジックハイ基準電圧（ＶＯＨ）とを比較して第２比較信号を発生させる第２比較部と、
前記第２比較信号に応答して第２インピーダンス制御信号を増減させる第２レジスタとを備える
ことを特徴とする請求項５に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項７】
前記可変インピーダンス回路及び前記可変インピーダンス回路の前記複製それぞれは、
前記インピーダンス制御信号に応答して選択的に並列に連結される複数の抵抗を備える
ことを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項８】
前記較正回路は、
集積回路の外部ターミナルに前記基準抵抗を連結させるために前記集積回路内に備えられる
ことを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス調整回路。
【請求項９】
可変インピーダンス回路は、集積回路の外部信号ノードに連結されるプルダウン回路及び／またはプルアップ回路を備え、
前記可変インピーダンス回路と結合される請求項１に記載のインピーダンス調整回路を備える
ことを特徴とする集積回路。
【請求項１０】
可変インピーダンス回路のインピーダンスを制御する方法において、
基準電流に応答して前記可変インピーダンス回路の複製で電圧を発生させるステップと、
前記可変インピーダンス回路の前記複製の電圧に基づいて、前記可変インピーダンス回路に対するインピーダンス制御信号を発生させるステップとを備え、
前記可変インピーダンス回路は、外部ソース及び／または負荷に連結された単一ノードと連結されるプルアップ回路及び／またはプルダウン回路で構成され、
前記可変インピーダンス回路の前記複製は、前記プルダウン回路の複製と前記プルアップ回路の複製とを備え、
前記方法は、
前記プルダウン回路の前記複製内の前記基準電流を発生させるステップと、
前記プルダウン回路の前記複製内の前記基準電流に応答して前記プルダウン回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ２）に基づいて、前記プルダウン回路及び前記プルダウン回路の前記複製に第１インピーダンス制御信号を印加するステップと、
前記プルアップ回路の前記複製内の前記基準電流を発生させるステップと、
前記プルアップ回路の前記複製内の前記基準電流に応答して前記プルアップ回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ３）に基づいて、前記プルアップ回路及び前記プルアップ回路の前記複製に第２インピーダンス制御信号を印加するステップとを備え、
前記プルダウン回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ２）がロジックロー基準電圧（ＶＯＬ）と等しくなるように第１インピーダンス制御信号（ＦＩＳ１）を発生し、前記プルアップ回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ３）がロジックハイ基準電圧（ＶＯＨ）と等しくなるように第２インピーダンス制御信号（ＦＩＳ２）を発生する
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記方法は、
基準抵抗に基づいて前記基準電流を発生させるステップをさらに備える
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基準電流に応答して前記可変インピーダンス回路の複製で電圧を発生させるステップは、
前記可変インピーダンス回路の前記複製内の電流と前記基準抵抗内の電流とをマッチングさせて、前記可変インピーダンス回路の複製で電圧を発生させる
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記プルアップ回路及び前記プルダウン回路は、
出力ドライバ及び／またはオンダイターミネーター中に備えられる
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
基準抵抗内の基準電流と前記プルダウン回路の前記複製内の電流とをマッチングさせるステップと、
前記プルダウン回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ２）とロジックロー基準電圧（ＶＯＬ）とを等しくするために、前記プルダウン回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ２）に応答して前記第１インピーダンス制御信号（ＦＩＳ１）を発生させるステップと、
前記基準抵抗内の前記基準電流と前記プルアップ回路の複製内の電流とをマッチングさせるステップと、
前記プルアップ回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ３）とロジックハイ基準電圧（ＶＯＨ）とを等しくするために、前記プルアップ回路の前記複製で発生した電圧（Ｖ３）に応答して前記第２インピーダンス制御信号（ＦＩＳ２）を発生させるステップとを備える
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の出力ドライバに係り、特に、出力ドライバのインピーダンスを調整する回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体装置の受信端または送信端には、伝送チャンネルの特性インピーダンスと同じ抵抗値を持つターミネーション抵抗が連結される。ターミネーション抵抗は、受信端または送信端のインピーダンスと伝送チャンネルの特性インピーダンスとをマッチングさせて、伝送チャンネルを通じて伝送される信号の反射を抑制する。従来のターミネーション抵抗は半導体チップの外部に設置されたが、最近にはターミネーション抵抗が半導体チップの内部に設置される形態のオンダイのターミネ-ター（Ｏｎ−Ｄｉｅ Ｔｅｒｍｉｎａｔｏｒｓ：ＯＤＴ）装置が主に使われている。前記ＯＤＴ装置は、オン／オフ動作により前記ＯＤＴに流れる電流を制御するスイッチング回路を備えるために、チップ外部に設置されたターミネーション抵抗に比べて消耗電力がより小さい。しかし、前記ＯＤＴ装置は、ＰＶＴ（ｐｒｏｃｅｓｓ、ｖｏｌｔａｇｅ、ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）変化によってその抵抗値が変わるために、使用前に前記ＯＤＴ装置の抵抗値を較正する過程が必要である。それと関連した従来の技術として、インピーダンスマッチング回路が特許文献１に記載されている。
【０００３】
図１は、チャンネルを通じてチップセットに連結された従来の半導体装置１０を示す図面である。前記半導体装置１０は、チャンネル２０を通じてチップセット３０と通信する。図１で、Ｚ０は、前記チャンネル２０の特性インピーダンスを表し、ＣＰは、前記チャンネル２０上に存在する寄生キャパシタンスを表す。前記半導体装置１０は、出力ドライバ１１、入力レシーバ１２、及び内部回路１３を備える。前記出力ドライバ１１は、ＰＭＯＳトランジスタＰ及び抵抗Ｒ１で構成されるプルアップ回路１４と、ＮＭＯＳトランジスタＮ及び抵抗Ｒ２で構成されるプルダウン回路１５とを備える。前記出力ドライバ１１は、データ信号を出力する動作以外にＯＤＴとしてさらに動作する。ここで、前記出力ドライバ１１による出力ノードＤでのインピーダンスは、前記特性インピーダンスＺ０とほぼ等しくされねばならない。
【０００４】
前記出力ドライバ１１がドライバとして動作するとき、内部データ信号ＤＯＵＴにより前記ＰＭＯＳトランジスタＰと前記ＮＭＯＳトランジスタＮのうち一つがターンオンされる。このとき、前記出力ノードＤでのインピーダンスは、前記プルアップ回路１４または前記プルダウン回路１５のインピーダンスにより決定される。したがって、前記プルアップ回路１４または前記プルダウン回路１５のインピーダンスが前記特性インピーダンスＺ０とマッチングされねばならない。また、前記出力ドライバ１１がＯＤＴとして動作するとき、前記ＰＭＯＳトランジスタＰと前記ＮＭＯＳトランジスタＮとがいずれもターンオンされる。このとき、前記出力ノードＤでのインピーダンスは、前記プルアップ回路１４と前記プルダウン回路１５とのインピーダンスの並列和により決定される。したがって、前記プルアップ回路１４及び前記プルダウン回路１５の並列和インピーダンスが前記特性インピーダンスＺ０とマッチングされねばならない。前記出力ドライバ１１のインピーダンスを較正する従来の方法は、基準電圧としてＶＤＤ／２を使用する。すなわち、前記ＰＭＯＳトランジスタＰと前記ＮＭＯＳトランジスタＮのうち一つがターンオンされるとき、前記出力ノードＤで発生する電圧ＶｏｕｔがＶＤＤ／２になるように前記プルアップ回路１４及び前記プルダウン回路１５のインピーダンスが較正される。しかし、ＶＤＤ／２は、前記出力ドライバ１１が実際に動作するとき、前記出力ノードＤで発生する電圧Ｖｏｕｔと関係ない電圧レベルである。
【０００５】
前記内部データ信号ＤＯＵＴがロジックハイ状態であるとき、前記ＰＭＯＳトランジスタＰがターンオフされ、前記ＮＭＯＳトランジスタＮはターンオンされる。このとき、前記出力ドライバ１１の出力ノードＤ１（図２）で発生する電圧Ｖｏｕｔ１は、下の数式で計算できる。
【数１】
0005572277.tif 000002
前記式（１）により、前記内部データ信号ＤＯＵＴがロジックハイ状態であるとき、前記電圧Ｖｏｕｔ１は０．３Ｖと計算される。
【０００６】
また、前記内部データ信号ＤＯＵＴがロジックロー状態であるとき、前記ＰＭＯＳトランジスタＰがターンオンされ、前記ＮＭＯＳトランジスタＮはターンオフされる。このとき、前記出力ノードＤ１で発生する電圧Ｖｏｕｔ１は下の数式で計算できる。
【数２】
0005572277.tif 000003
前記式（２）により、前記内部データ信号ＤＯＵＴがロジックロー状態であるとき、前記電圧Ｖｏｕｔ１は１．２Ｖと計算される。
【０００７】
前述したように、前記出力ドライバ１１が実際に動作するとき、前記出力ノードＤ１で発生する電圧Ｖｏｕｔ１は０．３Ｖまたは１．２Ｖであり、０．７５Ｖ（すなわち、ＶＤＤ／２）とは関係がないということが分かる。したがって、ＶＤＤ／２を基準電圧として使用して較正された出力ドライバは、実際に動作するときにその動作特性が低下する。
【０００８】
図３Ａは、従来の方法で較正された出力ドライバの動作特性を示すグラフである。図３Ａで、Ａ１−Ａ３は、従来の方法でインピーダンスが較正された出力ドライバのプルダウン回路の動作特性を表し、Ｂ１−Ｂ３は、従来の方法でインピーダンスが較正された出力ドライバのプルアップ回路の動作特性を表す。また、Ａ１及びＢ１は、動作条件の最も良い出力ドライバの動作特性であり、Ａ３及びＢ３は、動作条件が最も悪い出力ドライバの動作特性である。Ａ２及びＢ２は、中間の動作条件を持つ出力ドライバの動作特性である。前記出力ドライバは従来の方法、すなわち、ＶＤＤ／２の基準電圧を使用して較正されたため、Ａ１−Ａ３がＶＤＤ／２（０．７５Ｖ）で一致し、Ｂ１−Ｂ３もＶＤＤ／２（０．７５Ｖ）で一致すると見られる。
【０００９】
図３Ｂは、従来の方法で較正された出力ドライバのシミュレーション結果を示す図面である。図３Ｂは、前記出力ドライバの出力電圧がＶＤＤ／２（０．７５Ｖ）であるとき、図３Ａに図示されたＡ１−Ａ３の動作特性をそれぞれ持つプルダウン回路のインピーダンスが４０Ωにそれぞれ調整された場合、チャンネル２０に存在する寄生キャパシタンスＣＰの値による伝送信号のスキュー及びアパーチャを示す。ここで、説明の便宜上Ａ１−Ａ３の動作特性をそれぞれ持つプルダウン回路をそれぞれＡ１−Ａ３と称する。一方、前記出力ドライバの出力電圧が０．３Ｖであるとき、前記プルダウン回路Ａ１−Ａ３のインピーダンスはそれぞれ３８Ω、３６Ω、３２Ωである。図３Ｂに示すように、前記寄生キャパシタンスＣＰが増加するにつれて、前記プルダウン回路Ａ１−Ａ３のスキューが大きくなり、アパーチャは小さくなる。ここで、前記プルダウン回路Ａ１−Ａ３間のスキューの変化量及びアパーチャの変化量をそれぞれ説明すれば、次の通りである。まず、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるとき、前記プルダウン回路Ａ１−Ａ３のスキューの変化量は、それぞれ１ｐｓ、３ｐｓ、２ｐｓ、１ｐｓであって、４ｐｓより小さなことが分かる。また、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるとき、前記プルダウン回路Ａ１−Ａ３のアパーチャの変化量は、それぞれ９ｍＶ、１３ｍＶ、１４ｍＶ、１２ｍＶであって、１５ｍＶより小さなことが分かる。ここで、最も望ましい出力ドライバのインピーダンス較正方法は、出力ドライバの動作条件に関係なく出力ドライバのスキュー及びアパーチャの変化量を減少させることである。
【００１０】
前述したように、従来の較正方法は出力ドライバが実際に動作するときの出力電圧と関係のないＶＤＤ／２を使用するので、伝送信号のスキュー及びアパーチャの変化量を増加させ、出力ドライバの動作性能を低下させるという問題点がある。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６，６９０，２１１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明が解決しようとする技術的課題は、伝送信号のスキューが減少するように出力ドライバのインピーダンスを較正するインピーダンス調整回路を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、伝送信号のスキューが減少するように出力ドライバのインピーダンスを調節するインピーダンス調整回路を備える集積回路を提供するところにある。
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、伝送信号のスキューを減少させる出力ドライバのインピーダンス調節方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記技術的課題を達成するための本発明によるインピーダンス調整回路は、較正回路、第１レジスタ、及び第２レジスタを備えることを特徴とする。較正回路は、較正端子に連結された外部抵抗に内部電圧を供給して基準電流を生成し、基準電流、第１及び第２基準電圧、及び第１及び第２インピーダンス制御信号に応答して第１及び第２較正信号を出力する。第１レジスタは、第１較正信号に応答して第１インピーダンス制御信号のビット値を増減させる。第２レジスタは、第２較正信号に応答して第２インピーダンス制御信号のビット値を増減させる。
【００１４】
前記他の技術的課題を達成するための本発明による集積回路は、第１インピーダンス較正回路、第２インピーダンス較正回路、及び選択制御回路を備えるインピーダンス調整回路を備えることを特徴とする。第１インピーダンス較正回路は、ドライバ較正回路、第１レジスタ、及び第２レジスタを備える。ドライバ較正回路は、第１較正端子に連結された第１外部抵抗に内部電圧を供給して第１基準電流を生成し、第１基準電流、第１及び第２基準電圧、及び第１及び第２インピーダンス制御信号に応答して第１及び第２較正信号を出力する。第１レジスタは、第１較正信号に応答して第１インピーダンス制御信号のビット値を増減させる。第２レジスタは、第２較正信号に応答して第２インピーダンス制御信号のビット値を増減させる。選択的に、第１インピーダンス較正回路は第１レジスタ及び第１インバータを備えられる。第１レジスタは外部の制御装置から伝送チャンネルを通じて受信される第１インピーダンス制御信号を保存し、保存された第１インピーダンス制御信号を出力する。第１インバータは第１インピーダンス制御信号を反転させ、その反転された信号を第２インピーダンス制御信号として出力する。
【００１５】
第２インピーダンス較正回路は、ＯＤＴ較正回路、第３レジスタ、及び第４レジスタを備える。ＯＤＴ較正回路は、第２較正端子に連結された第２外部抵抗に内部電圧を供給して第２基準電流を生成し、第２基準電流、第３及び第４基準電圧、及び第３及び第４インピーダンス制御信号に応答して第３及び第４較正信号を出力する。第３レジスタは、第３較正信号に応答して第３インピーダンス制御信号のビット値を増減させる。第４レジスタは、第４較正信号に応答して第４インピーダンス制御信号のビット値を増減させる。選択的に、第２インピーダンス較正回路は、第２レジスタ及び第２インバータを備えられる。第２レジスタは、制御装置から伝送チャンネルを通じて受信される第３インピーダンス制御信号を保存し、保存された第３インピーダンス制御信号を出力する。第２インバータは、第３インピーダンス制御信号を反転させ、その反転された信号を第４インピーダンス制御信号として出力する。選択制御回路は、選択制御信号、第１及び第２制御ロジック信号、及び第１ないし第４インピーダンス制御信号に応答して第１及び第２選択信号を出力する。望ましくは、第１選択信号により出力ドライバのプルアップ回路のインピーダンスが決定され、第２選択信号により出力ドライバのプルダウン回路のインピーダンスが決定される。
【００１６】
前記さらに他の技術的課題を達成するための本発明による出力ドライバのインピーダンス調節方法は、前記出力ドライバがドライバとして動作するとき、第１較正端子に連結された第１外部抵抗に内部電圧を供給して第１基準電流を生成するステップと、前記第１基準電流と第１及び第２基準電圧とに基づいて第１インピーダンス較正動作を行い、第１選択信号を発生させて前記出力ドライバのインピーダンスを第１設定値に調節するステップと、前記出力ドライバがＯＤＴとして動作するとき、第２較正端子に連結された第２外部抵抗に前記内部電圧を供給して第２基準電流を生成するステップと、前記第２基準電流と第３及び第４基準電圧とに基づいて第２インピーダンス較正動作を行い、第２選択信号を発生させて前記出力ドライバのインピーダンスを第２設定値に調節するステップとを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によるインピーダンス較正回路とそれを備える集積回路及びそれを利用した出力ドライバのインピーダンス調節方法は、出力ドライバにより伝送される信号のスキューを減少させて、信号を安定的に伝送することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び図面に記載された内容を参照せねばならない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【００１９】
図４は、本発明の一実施形態によるインピーダンス較正回路１００のブロック図である。図４を参考すれば、前記インピーダンス較正回路１００は、較正回路１０１、第１レジスタ１０２、及び第２レジスタ１０３を備える。前記較正回路１０１は、第１較正回路１１０及び第２較正回路１２０を備える。前記第１較正回路１１０は、第１電流源１１２、第１比較器１１３、第２電流源１１４、プルダウン回路１１５、第２比較器１１６、第１スイッチング回路１１７、及び第２スイッチング回路１１８を備える。
【００２０】
前記第１電流源１１２は、較正端子１１１に連結された外部抵抗Ｒｚに基準電流Ｉｒを供給し、比較信号ＣＯＭに応答して前記基準電流Ｉｒを増減させる。前記第１比較器１１３は、前記較正端子１１１で発生する第１出力電圧Ｖ１と基準電圧ＶＯＬまたはＶＯＨとを比較し、その比較結果によって前記比較信号ＣＯＭを出力する。ここで、前記基準電圧ＶＯＬは、ＯＤＴ兼用出力ドライバ（図示せず）が実際に動作するときに前記ＯＤＴ兼用出力ドライバから出力される信号の最小電圧レベルである。また、前記基準電圧ＶＯＨは、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ（図示せず）が実際に動作するときに前記ＯＤＴ兼用出力ドライバから出力される信号の最大電圧レベルである。前記第１出力電圧Ｖ１が前記基準電圧ＶＯＬまたはＶＯＨより大きいとき、前記第１比較器１１３は、前記比較信号ＣＯＭをロジックハイに出力する。
【００２１】
前記第２電流源１１４は前記第１電流源１１２と電流ミラーを形成して、第１ミラー電流Ｉｍ１を発生させ、前記比較信号ＣＯＭに応答して第１ミラー電流Ｉｍ１を増減させる。前記プルダウン回路１１５は、第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１によりそのインピーダンス値が決定される。したがって、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値が変更されるとき、前記プルダウン回路１１５のインピーダンス値も変更される。前記プルダウン回路１１５は、前記第１ミラー電流Ｉｍ１をグラウンドに流して第１制御ノードＣＮ１に第２出力電圧Ｖ２を発生させる。前記プルダウン回路１１５は、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路と実質的に同一に構成される。
【００２２】
前記第２比較器１１６は、前記第２出力電圧Ｖ２と前記基準電圧ＶＯＬまたはＶＯＨとを比較し、その比較結果によって第１較正信号ＦＣＳ１を出力する。さらに詳細には、前記第２出力電圧Ｖ２が前記基準電圧ＶＯＬまたはＶＯＨよりさらに大きいとき、前記第２比較器１１６が前記第１較正信号ＦＣＳ１をロジックハイに出力する。ここで、前記第１及び第２比較器１１３、１１６には同じ基準電圧が入力される。
【００２３】
前記第１レジスタ１０２は、較正制御信号ＣＡＬに応答してイネーブルまたはディセーブルされる。前記第１レジスタ１０２は、前記第１較正信号ＦＣＳ１に応答して保存された前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値を増減させる。これをさらに詳細に説明すれば、初期状態で前記第１レジスタ１０２には前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１の初期値が保存された状態である。前記第１較正信号ＦＣＳ１がロジックハイ状態であるとき、前記第１レジスタ１０２は、クロック信号ＣＬＫに応答して前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値を１ビットずつ増加させる。また、前記第１較正信号ＦＣＳ１がロジックロー状態であるとき、前記第１レジスタ１０２は、クロック信号ＣＬＫに応答して前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値を１ビットずつ減少させる。
【００２４】
前記第１スイッチング回路１１７は、前記第１電流源１１２と内部電圧ＶＤＤとの間に連結され、前記較正制御信号ＣＡＬに応答してターンオンまたはターンオフされる。前記第２スイッチング回路１１８は、前記第２電流源１１４と前記内部電圧ＶＤＤとの間に連結され、前記較正制御信号ＣＡＬに応答してターンオンまたはターンオフされる。
【００２５】
前記第２較正回路１２０は、第３電流源１２１、プルアップ回路１２２、電流ミラー回路１２３、第３比較器１２４、及び第３スイッチング回路１２５を備える。前記第３電流源１２１は前記第１電流源１１２と電流ミラーを形成して第２ミラー電流Ｉｍ２を発生させ、前記比較信号ＣＯＭに応答して前記第２ミラー電流Ｉｍ２を増減させる。前記プルアップ回路１２２は、第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２によりそのインピーダンス値が決定される。したがって、前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値が変更されるとき、前記プルアップ回路１２２のインピーダンス値も変更される。前記プルアップ回路１２２は、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルアップ回路と実質的に同一に構成され、第２制御ノードＣＮ２に連結される。前記電流ミラー回路１２３は、前記第３電流源１２１に連結されるゲートを持つＮＭＯＳトランジスタＮＭ１、ＮＭ２を備える。前記ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のドレインは前記第３電流源１２１に連結され、ソースはグラウンドに連結される。前記ＮＭＯＳトランジスタＮＭ２のドレインは前記第２制御ノードＣＮ２に連結され、ソースは前記グラウンドに連結される。前記電流ミラー回路１２３は、前記第２ミラー電流Ｉｍ２に応答して第３ミラー電流Ｉｍ３を発生させ、第２制御ノードＣＮ２に第３出力電圧Ｖ３を発生させる。前記第２ミラー電流Ｉｍ２は、前記第３電流源１２１から前記ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１を通じて前記グラウンドに流れ、前記第３ミラー電流Ｉｍ３は、前記プルアップ回路１２２から前記ＮＭＯＳトランジスタＮＭ２を通じて前記グラウンドに流れる。前記第３比較器１２４は、前記第３出力電圧Ｖ３と前記基準電圧ＶＯＨまたはＶＯＬとを比較し、その比較結果によって第２較正信号ＦＣＳ２を出力する。それをさらに詳細に説明すれば、前記第３出力電圧Ｖ３が前記基準電圧ＶＯＨまたはＶＯＬより大きいとき、前記第３比較器１２４が前記第２較正信号ＦＣＳ２をロジックハイに出力する。ここで、前記第３比較器１２４に入力される基準電圧は、前記第１及び第２比較器１１３、１１６に入力される基準電圧と異なる。例えば、前記第１及び第２比較器１１３、１１６に前記基準電圧ＶＯＬが入力されるとき、前記第３比較器１２４には前記基準電圧ＶＯＨが入力される。また、前記第１及び第２比較器１１３、１１６に前記基準電圧ＶＯＨが入力されるとき、前記第３比較器１２４には前記基準電圧ＶＯＬが入力される。
【００２６】
前記第２レジスタ１０３は、前記較正制御信号ＣＡＬに応答してイネーブルまたはディセーブルされる。前記第２レジスタ１０３は、前記第２較正信号ＦＣＳ２に応答して保存された前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値を増減させる。それをさらに詳細に説明すれば、初期状態で前記第２レジスタ１０３には前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２の初期値が保存された状態である。前記第２較正信号ＦＣＳ２がロジックハイ状態であるとき、前記第２レジスタ１０３は、前記クロック信号ＣＬＫに応答して前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値を１ビットずつ増加させる。また、前記第２較正信号ＦＣＳ２がロジックロー状態であるとき、前記第２レジスタ１０３は、前記クロック信号ＣＬＫに応答して前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値を１ビットずつ減少させる。前記第３スイッチング回路１２５は、前記第３電流源１２１と前記内部電圧ＶＤＤとの間に連結され、前記較正制御信号ＣＡＬに応答してターンオンまたはターンオフされる。
【００２７】
次いで、ＯＤＴ兼用出力ドライバがドライバとして動作するとき、前記インピーダンス較正回路１００が前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正する動作を説明する。ドライバとして動作するＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正するとき、前記第１及び第２比較器１１３、１１６には前記基準電圧ＶＯＬが入力され、前記第３比較器１２４には前記基準電圧ＶＯＨが入力される。また、較正端子１１１には外部抵抗Ｒｚが連結される。このとき、前記外部抵抗Ｒｚの抵抗値は、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路の較正されるべきインピーダンス値と同一に設定される。例えば、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路のインピーダンスが４０Ωに較正されねばならない場合、４０Ωの前記外部抵抗Ｒｚが前記較正端子１１１に連結される。前記較正制御信号ＣＡＬがイネーブルされれば、前記第１ないし第３スイッチング回路１１７、１１８、１２５がターンオンされ、前記第１及び第２レジスタ１０２、１０３がイネーブルされる。前記外部抵抗Ｒｚには、前記第１電流源１１２を通じて前記内部電圧ＶＤＤが供給され、前記較正端子１１１で第１出力電圧Ｖ１が発生する。前記第１出力電圧Ｖ１のレベルは、前記第１電流源１１２により発生する基準電流Ｉｒ及び前記外部抵抗Ｒｚにより決定される。
【００２８】
前記第１比較器１１３は、前記第１出力電圧Ｖ１と前記基準電圧ＶＯＬとを比較し、前記比較信号ＣＯＭを出力する。前記第１電流源１１２は、前記比較信号ＣＯＭに応答して前記基準電流Ｉｒを増減させる。その結果、前記基準電流Ｉｒに比例して前記第１出力電圧Ｖ１が増減する。結局、前記第１出力電圧Ｖ１が前記基準電圧ＶＯＬと同一になるように前記基準電流Ｉｒの量が調節される。このとき、前記第２電流源１１４は、前記比較信号ＣＯＭに応答して前記基準電流Ｉｒと同じ第１ミラー電流Ｉｍ１を発生させる。また、前記第３電流源１２１も前記比較信号ＣＯＭに応答して前記基準電流Ｉｒと同じ第２ミラー電流Ｉｍ２を発生させる。一方、第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１の初期値により前記プルダウン回路１１５が所定のインピーダンス値を持つように調節される。前記プルダウン回路１１５は前記第１ミラー電流Ｉｍ１をグラウンドに流し、第１制御ノードＣＮ１に第２出力電圧Ｖ２を発生させる。第２出力電圧Ｖ２のレベルは、前記第１ミラー電流Ｉｍ１及び前記プルダウン回路１１５のインピーダンスにより決定される。ここで、前記基準電流Ｉｒが所定値に維持されることによって前記第１ミラー電流Ｉｍ１も前記所定値に維持されるので、前記プルダウン回路１１５のインピーダンスが変更されるとき、前記第２出力電圧Ｖ２のレベルも変更される。
【００２９】
前記第２比較器１１６は、前記第２出力電圧Ｖ２と前記基準電圧ＶＯＬとを比較し、その比較結果によって第１較正信号ＦＣＳ１をロジックハイまたはロジックローに出力する。前記第１レジスタ１０２は、前記第１較正信号ＦＣＳ１がロジックハイであるときに前記クロック信号ＣＬＫに応答して、第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値を増加させる。また、前記第１レジスタ１０２は、前記第１較正信号ＦＣＳ１がロジックローであるときに前記クロック信号ＣＬＫに応答して、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値を減少させる。前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値が増加するとき、前記プルダウン回路１１５のインピーダンスが減少し、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値が減少するとき、前記プルダウン回路１１５のインピーダンスが増加する。前記第１レジスタ１０２は、前記第２出力電圧Ｖ２が前記基準電圧ＶＯＬが同一になるように、前記プルダウン回路１１５のインピーダンスを調節する前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット値をそのまま維持する。その結果、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１に応答して、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路のインピーダンスが較正された前記プルダウン回路１１５のインピーダンスと同一に調節される。
【００３０】
前記電流ミラー回路１２３は前記第２ミラー電流Ｉｍ２と同じ第３ミラー電流Ｉｍ３を発生させ、前記第２制御ノードＣＮ２に第３出力電圧Ｖ３を発生させる。前記第３出力電圧Ｖ３は、“内部電圧ＶＤＤ−前記プルアップ回路１２２による分配電圧”と同一である。また、前記プルアップ回路１２２の分配電圧は、前記第３ミラー電流Ｉｍ３と前記プルアップ回路１２２とのインピーダンスにより決定される。ここで、前記第２ミラー電流Ｉｍ２が前記所定値に維持されることによって、前記第３ミラー電流Ｉｍ３も前記所定値に維持されるので、前記プルアップ回路１２２のインピーダンスが変更されるときに前記第３出力電圧Ｖ３のレベルも変更される。
【００３１】
前記第３比較器１２４は、前記第３出力電圧Ｖ３と前記基準電圧ＶＯＨとを比較し、その比較結果によって第２較正信号ＦＣＳ２をロジックハイまたはロジックローに出力する。前記第２レジスタ１０３は、前記第２較正信号ＦＣＳ２がロジックハイであるとき、前記クロック信号ＣＬＫに応答して第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値を増加させる。また、前記第２レジスタ１０３は、前記第２較正信号ＦＣＳ２がロジックローであるとき、前記クロック信号ＣＬＫに応答して前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値を減少させる。前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値が増加するときに前記プルアップ回路１２２のインピーダンスが増加し、前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値が減少するときに前記プルアップ回路１２２のインピーダンスが減少する。前記第２レジスタ１０３は、前記第３出力電圧Ｖ３が前記基準電圧ＶＯＨと同一になるように前記プルアップ回路１２２のインピーダンスを調節する前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット値をそのまま維持する。その結果、前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２に応答して、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルアップ回路のインピーダンスが、較正された前記プルアップ回路１２２のインピーダンスと同一に調節される。
【００３２】
次いで、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバがＯＤＴとして動作するとき、前記インピーダンス較正回路１００が前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正する動作は、前述したものといくつかの差異点を除いては実質的に同一であるので、説明の重複を回避するためにその具体的な説明は省略する。ＯＤＴとして動作するＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正するとき、前記第１及び第２比較器１１３、１１６には前記基準電圧ＶＯＨが入力され、前記第３比較器１２４には前記基準電圧ＶＯＬが入力される。また、較正端子１１１に連結される外部抵抗Ｒｚの抵抗値は、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路の較正されるべきインピーダンス値と同一に設定される。例えば、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路のインピーダンスが１２０Ωに較正されねばならない場合、１２０Ωの前記外部抵抗Ｒｚが前記較正端子１１１に連結される。ここで、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバがＯＤＴとして動作するときとドライバとして動作するとき、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路の較正されるべきインピーダンス値が相異なるので、前記外部抵抗Ｒｚの抵抗値も変更されねばならない。
【００３３】
図５は、図４に図示されたプルダウン回路１１５の詳細な回路図である。前記プルダウン回路１１５は、ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路と実質的に同一に構成される。図５を参考すれば、前記プルダウン回路１１５は、第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３を備える。前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルダウン回路に備えられるサブダウン回路の数が変更されるとき、前記プルダウン回路１１５に備えられるサブダウン回路の数も変更されうる。前記第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３は、それぞれ複数のＮＭＯＳトランジスタＮ１〜ＮＫ及び複数の抵抗ＲＤ１〜ＲＤＫをそれぞれ含む。前記ＮＭＯＳトランジスタＮ１〜ＮＫは、第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビットＤＢ１〜ＤＢＫに応答してそれぞれターンオンまたはターンオフされる。前記第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３それぞれに含まれるＮＭＯＳトランジスタの数及び抵抗の数は、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビット数と同一である。例えば、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１が５ビット（ＤＢ１〜ＤＢ５）であるとき、前記第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３は、それぞれＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ５及び抵抗ＲＤ１〜ＲＤ５を含む。このとき、前記抵抗ＲＤ１〜ＲＤ５の抵抗値は下の数式のように設定できる。
【数３】
0005572277.tif 000004
【００３４】
例えば、ドライバとして動作するＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正するとき、初期状態で前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビットＤＢ１〜ＤＢ５が“００１００”であるとき、前記第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３それぞれの前記ＮＭＯＳトランジスタＮ３のみターンオンされ、前記ＮＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２、Ｎ４、Ｎ５はいずれもターンオフされる。その結果、前記第２制御ノードＣＮ２で発生する第２出力電圧Ｖ２は、３個の前記抵抗ＲＤ３により決定される。また、前記ビットＤＢ１〜ＤＢ５の値が“００１０１”に増加するとき、前記第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３それぞれの前記ＮＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ５のみターンオンされ、前記ＮＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２、Ｎ４はいずれもターンオフされる。その結果、前記第２出力電圧Ｖ２は、前記抵抗ＲＤ３より小さな抵抗値、すなわち、前記抵抗ＲＤ３、ＲＤ５の並列和インピーダンスにより決定されるので、減少する。また、前記ビットＤＢ１〜ＤＢ５の値が“０００１１”に減少するとき、前記第１ないし第３サブダウン回路ＰＤ１〜ＰＤ３それぞれの前記ＮＭＯＳトランジスタＮ４、Ｎ５のみターンオンされ、前記ＮＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２、Ｎ３はいずれもターンオフされる。その結果、前記第２出力電圧Ｖ２は、前記抵抗ＲＤ３より大きい抵抗値、すなわち、前記抵抗ＲＲＤＫ４、ＲＤ５の並列和インピーダンスにより決定されるので、増加する。一方、ＯＤＴとして動作するＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正するとき、スイッチング回路（図示せず）をターンオフさせて前記第２及び第３サブダウン回路ＰＤ２、ＰＤ３に入力される前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビットＤＢ１〜ＤＢ５を遮断し、前記第１サブダウン回路ＰＤ１にのみ前記ビットＤＢ１〜ＤＢ５が入力されるように制御できる。
【００３５】
図６は、図４に図示されたプルアップ回路１２２の詳細な回路図である。前記プルアップ回路１２２は、ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルアップ回路と実質的に同一に構成される。図６を参考すれば、前記プルアップ回路１２２は、第１ないし第３サブアップ回路ＰＵ１〜ＰＵ３を備える。前記ＯＤＴ兼用出力ドライバのプルアップ回路に備えられるサブアップ回路の数が変更されるとき、前記プルアップ回路１２２に備えられるサブアップ回路の数も変更されうる。前記第１ないし第３サブアップ回路ＰＵ１〜ＰＵ３は、それぞれ複数のＰＭＯＳトランジスタＰ１〜ＰＫ及び複数の抵抗ＲＵ１〜ＲＵＫをそれぞれ含む。前記ＰＭＯＳトランジスタＰ１〜ＰＫは、第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビットＵＢ１〜ＵＢＫに応答してそれぞれターンオンまたはターンオフされる。前記第１ないし第３サブアップ回路ＰＵ１〜ＰＵ３それぞれに含まれるＰＭＯＳトランジスタの数及び抵抗の数は、前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビット数と同一である。例えば、前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２が５ビットＵＢ１〜ＵＢ５であるとき、前記第１ないし第３サブアップ回路ＰＵ１〜ＰＵ３は、それぞれＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ５及び抵抗ＲＵ１〜ＲＵ５を含む。このとき、前記抵抗ＲＵ１〜ＲＵ５の抵抗値は下の数式のように設定できる。
【数４】
0005572277.tif 000005
【００３６】
例えば、ドライバとして動作するＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正するとき、初期状態で前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビットＵＢ１〜ＵＢ５が“１１０１１”であるとき、前記第１ないし第３サブアップ回路ＵＤ１〜ＵＤ３それぞれの前記ＰＭＯＳトランジスタＰ３のみターンオンされ、前記ＰＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２、Ｐ４、Ｐ５はいずれもターンオフされる。その結果、内部電圧ＶＤＤと前記第２制御ノードＣＮ２との間のインピーダンスは３個の前記抵抗ＲＵ３により決定される。また、前記ビットＵＢ１〜ＵＢ５の値が“１１１００”に増加するとき、前記第１ないし第３サブアップ回路ＵＤ１〜ＵＤ３それぞれの前記ＰＭＯＳトランジスタＰ４、Ｐ５のみターンオンされ、前記ＰＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２、Ｐ３はいずれもターンオフされる。その結果、前記内部電圧ＶＤＤと前記第２制御ノードＣＮ２との間のインピーダンスは、前記抵抗ＲＵ３より大きい抵抗値、すなわち、前記抵抗ＲＵ４、ＲＵ５の並列和インピーダンスにより決定されるので、増加する。また、前記ビットＵＢ１〜ＵＢ５の値が“１１０１０”に減少するとき、前記第１ないし第３サブアップ回路ＵＤ１〜ＵＤ３それぞれの前記ＰＭＯＳトランジスタＰ３、Ｐ５のみターンオンされ、前記ＰＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２、Ｐ４はいずれもターンオフされる。その結果、前記内部電圧ＶＤＤと前記第２制御ノードＣＮ２との間のインピーダンスは、前記抵抗ＲＵ３より小さな抵抗値、すなわち、前記抵抗ＲＤ３、ＲＤ５の並列和インピーダンスにより決定されるので、減少する。一方、ＯＤＴとして動作するＯＤＴ兼用出力ドライバのインピーダンスを較正するとき、スイッチング回路（図示せず）をターンオフさせて前記第２及び第３サブアップ回路ＰＵ２、ＰＵ３に入力される前記第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビットＵＢ１〜ＵＢ５を遮断し、前記第１サブアップ回路ＰＵ１にのみ前記ビットＵＢ１〜ＵＢ５が入力されるように制御できる。
【００３７】
図７は、本発明の他の実施形態によるインピーダンス較正回路２００のブロック図である。図７を参考すれば、前記インピーダンス較正回路２００は、較正回路２０１、第１レジスタ２０２、及び第２レジスタ２０３を備える。前記インピーダンス較正回路２００の構成及び具体的な動作は、第１ないし第３電流源２１２、２１４、２２１と前記第１ないし第３スイッチング回路２１７、２１８、２２５とがそれぞれＰＭＯＳトランジスタで具現されたことを除いては、図４に図示されたインピーダンス較正回路１００と同一である。したがって、インピーダンス較正回路２００の詳細な説明は省略する。
【００３８】
図８は、本発明によるインピーダンス調整回路４００を備える半導体装置３００を示す図面である。前記半導体装置３００は、ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０、入力レシーバ３２０、内部回路３３０及びインピーダンス調整回路４００を備える。前記インピーダンス調整回路４００は、第１較正制御信号ＣＡＬ１または第２較正制御信号ＣＡＬ２に応答してインピーダンス較正動作を行い、第１選択信号ＵＦ１〜ＵＦＫ、ＵＳ１〜ＵＳＫ、ＵＴ１〜ＵＴＫと第２選択信号ＤＦ１〜ＤＦＫ、ＤＳ１〜ＤＳＫ、ＤＴ１〜ＤＴＫとを出力する。前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０は、第１ないし第３プルアップ回路３１１〜３１３と第１ないし第３プルダウン回路３１４〜３１６とを備える。前記第１ないし第３プルアップ回路３１１〜３１３は、出力ノードＮｏｕｔに並列に連結され、前記第１ないし第３プルダウン回路３１４〜３１６も前記出力ノードＮｏｕｔに並列に連結される。前記第１ないし第３プルアップ回路３１１〜３１３それぞれは、ＰＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫ及び抵抗ＲＰ１〜ＲＰＫを含み、前記第１ないし第３プルダウン回路３１４〜３１６それぞれは、ＮＭＯＳトランジスタＮＳ１〜ＮＳＫ及び抵抗ＲＮ１〜ＲＮＫを含む。
【００３９】
前記第１プルアップ回路３１１のＰＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫは、前記第１選択信号ＵＦ１〜ＵＦＫに応答してターンオンまたはターンオフされ、前記第２プルアップ回路３１２のＰＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫは、前記第１選択信号ＵＳ１〜ＵＳＫに応答してターンオンまたはターンオフされ、前記第３プルアップ回路３１３のＰＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫは、前記第１選択信号ＵＴ１〜ＵＴＫに応答してターンオンまたはターンオフされる。また、前記第１ないし第３プルアップ回路３１１〜３１３それぞれの前記抵抗ＲＰ１〜ＲＰＫは、下の数式で表現される。
【数５】
0005572277.tif 000006
【００４０】
前記第１プルダウン回路３１４のＮＭＯＳトランジスタＮＳ１〜ＮＳＫは、前記第２選択信号ＤＦ１〜ＤＦＫに応答してターンオンまたはターンオフされ、前記第２プルダウン回路３１５のＮＭＯＳトランジスタＮＳ１〜ＮＳＫは、前記第２選択信号ＤＳ１〜ＤＳＫに応答してターンオンまたはターンオフされ、前記第３プルダウン回路３１６のＮＭＯＳトランジスタＮＳ１〜ＮＳＫは、前記第２選択信号ＤＴ１〜ＤＴＫに応答してターンオンまたはターンオフされる。また、前記第１ないし第３プルダウン回路３１４〜３１６それぞれの前記抵抗ＲＮ１〜ＲＮＫは、下の数式で表現される。
【数６】
0005572277.tif 000007
【００４１】
図９は、本発明の一実施形態によるインピーダンス調節回路４０１のブロック図である。図９を参考すれば、前記インピーダンス調節回路４０１は、第１インピーダンス較正回路４１０、第２インピーダンス較正回路４２０、及び選択制御回路４３０を備える。前記第１インピーダンス較正回路４１０は、ドライバ較正回路４１１、第１レジスタ４１２、及び第２レジスタ４１３を備える。前記ドライバ較正回路４１１、前記第１レジスタ４１２、及び前記第２レジスタ４１３は、第１較正制御信号ＣＡＬ１に応答してイネーブルまたはディセーブルされる。前記ドライバ較正回路４１１、前記第１レジスタ４１２、及び前記第２レジスタ４１３の構成及び具体的な動作は、図４に図示された較正回路１０１、第１レジスタ１０２、及び第２レジスタ１０３とそれぞれ同一である。前記ドライバ較正回路４１１は、イネーブルされるときに基準電圧ＶＯＬ、ＶＯＨに基づいて較正動作を行い、第１及び第２較正信号ＦＣＳ１、ＦＣＳ２を出力する。ここで、前記基準電圧ＶＯＬは、ＯＤＴ兼用出力ドライバ（図８の３１０参照）がドライバとして実際に動作するときに出力ノードＮｏｕｔに発生する電圧ＶＯの最小値である。また、前記基準電圧ＶＯＨは、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０が実際に動作するときに前記出力ノードＮｏｕｔに発生する電圧ＶＯの最大値である。前記第１レジスタ４１２は、前記第１較正信号ＦＣＳ１に応答して第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１を出力し、前記第２レジスタ４１３は、前記第２較正信号ＦＣＳ２に応答して第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２を出力する。
【００４２】
前記第２インピーダンス較正回路４２０は、ＯＤＴ較正回路４２１、第３レジスタ４２２、及び第４レジスタ４２３を備える。前記ＯＤＴ較正回路４２１、前記第３レジスタ４２２、及び前記第４レジスタ４２３は、第２較正制御信号ＣＡＬ２に応答してイネーブルまたはディセーブルされる。前記ＯＤＴ較正回路４２１、前記第３レジスタ４２２、及び前記第４レジスタ４２３の構成及び具体的な動作は、図４に図示された較正回路１０１、第１レジスタ１０２、及び第２レジスタ１０３とそれぞれ同一である。前記ＯＤＴ較正回路４２１は、イネーブルされるときに基準電圧ＶＯＬ、ＶＯＨに基づいて較正動作を行い、第３及び第４較正信号ＦＣＳ３、ＦＣＳ４を出力する。前記第３レジスタ４２２は、前記第３較正信号ＦＣＳ３に応答して第３インピーダンス制御信号ＦＩＳ３を出力し、前記第４レジスタ４２３は、前記第４較正信号ＦＣＳ４に応答して第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ４を出力する。
【００４３】
前記選択制御回路４３０は、前記第１ないし第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ１〜ＦＩＳ４、選択制御信号ＯＤＴＳ、第１及び第２制御ロジック信号ＣＬＧ１、ＣＬＧ２、及び内部データ信号ＲＤＡＴに応答して、第１選択信号ＵＦ１〜ＵＦＫ、ＵＳ１〜ＵＳＫ、ＵＴ１〜ＵＴＫ及び第２選択信号ＤＦ１〜ＤＦＫ、ＤＳ１〜ＤＳＫ、ＤＴ１〜ＤＴＫを出力する。
【００４４】
図１０は、図９に図示された選択制御回路４３０の詳細なブロック図である。図１０を参考すれば、前記選択制御回路４３０は、第１ロジック回路４３１、第２ロジック回路４３２、及び第３ロジック回路４３３を備える。前記第１ロジック回路４３１は、マルチプレクサ４４１、４４２、ＮＯＲゲート４４３、ＮＡＮＤゲート４４４、及びインバータ４４５、４４６を備える。前記マルチプレクサ４４１は、選択制御信号ＯＤＴＳに応答して第１制御ロジック信号ＣＬＧ１と第２制御ロジック信号ＣＬＧ２のうち一つを出力する。さらに詳細には、前記マルチプレクサ４４１は、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされるときに前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１を出力し、前記選択制御信号ＯＤＴＳがディセーブルされるときに前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２を出力する。望ましくは、前記第１ロジック制御信号ＣＬＧ１はロジックハイ状態であり、前記第２ロジック制御信号ＣＬＧ２はロジックロー状態である。また、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がＯＤＴとして動作せねばならないとき、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされる。
【００４５】
前記マルチプレクサ４４２は、前記選択制御信号ＯＤＴＳに応答して前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１と前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２のうち一つを出力する。さらに詳細には、前記マルチプレクサ４４２は、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされるときに前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２を出力し、前記選択制御信号ＯＤＴＳがディセーブルされるときに前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１を出力する。
【００４６】
前記ＮＯＲゲート４４３は、前記マルチプレクサ４４１の出力信号と、内部データ信号ＲＤＡＴまたは前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２に応答してロジック信号Ｇ１を出力する。ここで、ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０が実質的に動作しないハイインピーダンス状態であるとき及び、ＯＤＴとして動作するときに前記ＮＯＲゲート４４３に、前記内部データ信号ＲＤＡＴの代わりに前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２が入力される。また、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がドライバとして動作するとき、前記ＮＯＲゲート４４３に前記内部データ信号ＲＤＡＴが入力される。結果的にＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がＯＤＴとして動作するとき、前記ＮＯＲゲート４４３は、前記ロジック信号Ｇ１をロジックロー状態に維持する。前記インバータ４４５は、前記ロジック信号Ｇ１を反転させ、その反転された信号を第１制御信号Ｌ１として出力する。
【００４７】
前記ＮＡＮＤゲート４４４は、前記マルチプレクサ４４２の出力信号と、前記内部データ信号ＲＤＡＴまたは前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１に応答してロジック信号Ｇ２を出力する。ここで、ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０が実質的に動作しないハイインピーダンス状態であるとき及び、ＯＤＴとして動作するときに前記ＮＡＮＤゲート４４４に前記内部データ信号ＲＤＡＴの代わりに前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１が入力される。また、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がドライバとして動作するとき、前記ＮＡＮＤゲート４４４に前記内部データ信号ＲＤＡＴが入力される。結果的にＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がＯＤＴとして動作するとき、前記ＮＡＮＤゲート４４４は前記ロジック信号Ｇ２をロジックハイ状態に維持する。前記インバータ４４６は前記ロジック信号Ｇ２を反転させ、その反転された信号を第２制御信号Ｌ２として出力する。
【００４８】
前記第２ロジック回路４３２は、第１及び第２選択回路４５１、４５２と第１ないし第３出力回路４５３、４５４、４５５とを備える。前記第１及び第２選択回路４５１、４５２はそれぞれマルチプレクサＭ１〜ＭＫを備える。前記第１選択回路４５１のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは、それぞれ前記選択制御信号ＯＤＴＳに応答して第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビットＦＤＲＢ１〜ＦＤＲＢＫと前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２のうち一つを選択して出力する。さらに詳細には、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされるとき、前記第１選択回路４５１のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは前記第２制御ロジック信号ＣＬＧ２を選択して出力する。前記第２選択回路４５２のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは、それぞれ前記選択制御信号ＯＤＴＳに応答して、第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２のビットＦＤＲＢ１〜ＦＤＲＢＫと前記第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ４のビットＦＯＤＢ１〜ＦＯＤＢＫのうち一つを選択して出力する。さらに詳細には、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされるとき、前記第２選択回路４５２のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは前記第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ４のビットＦＯＤＢ１〜ＦＯＤＢＫを選択して出力する。
【００４９】
前記第１ないし第３出力回路４５３、４５４、４５５は、それぞれＮＡＮＤゲートＮＡ１〜ＮＡＫを備える。前記第１出力回路４５３のＮＡＮＤゲートＮＡ１〜ＮＡＫは、前記第１選択回路４５１の出力信号及び前記第１制御信号Ｌ１に応答して第１選択信号ＵＴ１〜ＵＴＫをそれぞれ出力する。前記第２出力回路４５４のＮＡＮＤゲートＮＡ１〜ＮＡＫは、前記第１選択回路４５１の出力信号及び前記第１制御信号Ｌ１に応答して第１選択信号ＵＳ１〜ＵＳＫをそれぞれ出力する。前記第３出力回路４５５のＮＡＮＤゲートＮＡ１〜ＮＡＫは、前記第２選択回路４５２の出力信号及び前記第１制御信号Ｌ１に応答して第１選択信号ＵＦ１〜ＵＦＫを出力する。
【００５０】
結局、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がＯＤＴとして動作するとき、前記第１出力回路４５３が前記第１選択信号ＵＴ１〜ＵＴＫをロジックハイ状態に維持し、前記第２出力回路４５４も前記第１選択信号ＵＳ１〜ＵＳＫをロジックハイ状態に維持する。また、前記第３出力回路４５５は、前記第２選択回路４５２の出力信号及び前記第１制御信号Ｌ１によって、第１選択信号ＵＦ１〜ＵＦＫのうち一部をロジックローに、残りをロジックハイに出力する。したがって、ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０の第２及び第３プルアップ回路３１２、３１３のＰＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫがいずれもターンオフされ、第１プルアップ回路３１１のＰＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫのうち一部がターンオンされる。
【００５１】
前記第３ロジック回路４３３は、第１及び第２選択回路４６１、４６２と第１ないし第３出力回路４６３、４６４、４６５とを備える。前記第１及び第２選択回路４６１、４６２は、それぞれマルチプレクサＭ１〜ＭＫを備える。前記第１選択回路４６１のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは、それぞれ前記選択制御信号ＯＤＴＳに応答して、第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビットＳＤＲＢ１〜ＳＤＲＢＫと前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１のうち一つを選択して出力する。さらに詳細には、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされるとき、前記第１選択回路４６１のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは前記第１制御ロジック信号ＣＬＧ１を選択して出力する。前記第２選択回路４６２のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは、それぞれ前記選択制御信号ＯＤＴＳに応答して、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１のビットＳＤＲＢ１〜ＳＤＲＢＫと第３インピーダンス制御信号ＦＩＳ３のビットＳＯＤＢ１〜ＳＯＤＢＫのうち一つを選択して出力する。さらに詳細には、前記選択制御信号ＯＤＴＳがイネーブルされるとき、前記第２選択回路４６２のマルチプレクサＭ１〜ＭＫは前記第３インピーダンス制御信号ＦＩＳ３のビットＳＯＤＢ１〜ＳＯＤＢＫを選択して出力する。
【００５２】
前記第１ないし第３出力回路４６３、４６４、４６５は、それぞれＮＯＲゲートＮＲ１〜ＮＲＫを備える。前記第１出力回路４６３のＮＯＲゲートＮＲ１〜ＮＲＫは、前記第１選択回路４６１の出力信号及び前記第２制御信号Ｌ２に応答して、第２選択信号ＤＴ１〜ＤＴＫをそれぞれ出力する。前記第２出力回路４６のＮＯＲゲートＮＲ１〜ＮＲＫは、前記第１選択回路４６１の出力信号及び前記第２制御信号Ｌ２に応答して第２選択信号ＤＳ１〜ＤＳＫをそれぞれ出力する。前記第３出力回路４６５のＮＯＲゲートＮＲ１〜ＮＲＫは、前記第２選択回路４６２の出力信号及び前記第２制御信号Ｌ２に応答して第２選択信号ＤＦ１〜ＤＦＫを出力する。
【００５３】
結局、前記ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０がＯＤＴとして動作するとき、前記第１出力回路４６３が前記第２選択信号ＤＴ１〜ＤＴＫをロジックロー状態に維持し、前記第２出力回路４６４も前記第２選択信号ＤＳ１〜ＤＳＫをロジックロー状態に維持する。また、前記第３出力回路４６５は、前記第２選択回路４６２の出力信号及び前記第２制御信号Ｌ２によって、第２選択信号ＤＦ１〜ＤＦＫのうち一部をロジックハイで、残りをロジックローで出力する。したがって、ＯＤＴ兼用出力ドライバ３１０の第２及び第３プルダウン回路３１５、３１６のＮＭＯＳトランジスタＮＳ１〜ＮＳＫがいずれもターンオフされ、第１プルダウン回路３１４のＮＭＯＳトランジスタＰＳ１〜ＰＳＫのうち一部がターンオンされる。
【００５４】
図１１は、本発明の他の実施形態によるインピーダンス調節回路４０２のブロック図である。前記インピーダンス調節回路４０２は、第１インピーダンス較正回路５１０、第２インピーダンス較正回路５２０、及び選択制御回路５３０を備える。前記第１インピーダンス較正回路５１０は、第１レジスタ５１１及びインバータ５１２を備える。前記第１レジスタ５１１は、チャンネルを通じて外部の制御装置から受信される第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１を保存し、その保存された前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１を出力する。前記インバータ５１２は、前記第１インピーダンス制御信号ＦＩＳ１を反転させ、その反転された信号を第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ２として出力する。ここで、前記第１及び第インピーダンス制御信号ＦＩＳ１、ＦＩＳ２は、図９の第１インピーダンス較正回路４１０の較正動作により発生した第１及び第２インピーダンス制御信号ＦＩＳ１、ＦＩＳ２と同じビット値を持つ。前記第２インピーダンス較正回路５２０は、第２レジスタ５２１及びインバータ５２２を備える。前記第２レジスタ５２１は、前記チャンネルを通じて前記外部の制御装置から受信される第３インピーダンス制御信号ＦＩＳ３を保存し、その保存された前記第３インピーダンス制御信号ＦＩＳ３を出力する。前記インバータ５２２は、前記第３インピーダンス制御信号ＦＩＳ３を反転させ、その反転された信号を第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ４として出力する。ここで、前記第３及び第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ３、ＦＩＳ４は、図９の第２インピーダンス較正回路４２０の較正動作により発生した第３及び第４インピーダンス制御信号ＦＩＳ３、ＦＩＳ４と同じビット値を持つ。前記選択制御回路５３０の構成及び具体的な動作は図９及び図１０に図示された前記選択制御回路４３０と実質的に同一であるので、それについての詳細な説明は省略する。
【００５５】
前述したように、本発明によるインピーダンス較正回路は、基準電圧としてＯＤＴ兼用出力ドライバの実際動作時の出力電圧を使用するので、伝送信号のスキューが減少しうる。
【００５６】
図１２は、本発明による較正方法で較正された出力ドライバの動作特性を示すグラフである。図１２で、Ｅ１−Ｅ３は、本発明による方法でインピーダンスが較正された出力ドライバのプルダウン回路の動作特性を示し、Ｆ１−Ｆ３は、プルアップ回路の動作特性を示す。また、Ｅ１及びＦ１は、動作条件が最も良い出力ドライバの動作特性であり、Ｅ３及びＦ３は、動作条件が最も悪い出力ドライバの動作特性である。Ｅ２及びＦ２は、中間の動作条件を持つ出力ドライバの動作特性である。前記出力ドライバは、本発明による方法、すなわち、ＶＯＬ（またはＶＯＨ）の基準電圧を使用して較正されたため、Ｅ１−Ｅ３がＶＯＬ（例えば、０．３Ｖ）で一致し、Ｆ１−Ｆ３もＶＯＬで一致すると見られる。
【００５７】
図１３は、本発明による較正方法で較正された出力ドライバがドライバとして動作するときのシミュレーション結果を示す図面である。図１３は、出力ドライバの出力電圧がＶＯＬ（例えば、０．３Ｖ）であるとき、図１２に図示されたＥ１−Ｅ３の動作特性をそれぞれ持つプルダウン回路のインピーダンスが４０Ωにそれぞれ較正された場合、チャンネルに存在する寄生キャパシタンスＣＰの値による伝送信号のスキュー及びアパーチャを示す。次いで、説明の便宜上Ｅ１−Ｅ３の動作特性をそれぞれ持つプルダウン回路をそれぞれＥ１−Ｅ３と称する。一方、前記出力ドライバの出力電圧が０．７５Ｖであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のインピーダンスはそれぞれ４２Ω、４４Ω、４８Ωである。図１３に示すように、前記寄生キャパシタンスＣＰが増加するにつれて、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のスキューは大きくなり、アパーチャは小さくなる。ここで、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３間のスキューの変化量及びアパーチャの変化量をそれぞれ説明すれば、次の通りである。まず、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるときに、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のスキューの変化量はそれぞれ１ｐｓ、０ｐｓ、１ｐｓ、１ｐｓであり、２ｐｓより小さなことが分かる。また、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐｓ、２．５ｐｓ、３．０ｐｓ、３．５ｐｓであるときに、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のアパーチャの変化量はそれぞれ０ｍＶ、１ｍＶ、２ｍＶ、３ｍＶであり、４ｍＶより小さなことが分かる。したがって、本発明による較正方法は、図３Ｂと比較するとき、出力ドライバの動作条件と関係なく出力ドライバのスキュー及びアパーチャの変化量を顕著に減少させることができる。このシミュレーション結果は、クロストークによる影響を排除した状態で得られたものであるので、出力ドライバが実際に動作する場合に本発明による効果はさらに増大する。
【００５８】
図１４は、本発明による較正方法で較正された出力ドライバがＯＤＴとして動作するときのシミュレーション結果を示す図面である。図１４は、出力ドライバの出力電圧がＶＯＨ（例えば、１．２Ｖ）であるとき、図１２に図示されたＥ１−Ｅ３の動作特性をそれぞれ持つプルダウン回路のインピーダンスが１２０Ωにそれぞれ較正された場合、チャンネルに存在する寄生キャパシタンスＣＰの値による伝送信号のスキュー及びアパーチャを示す。一方、前記出力ドライバの出力電圧が０．３Ｖであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のインピーダンスはそれぞれ７２Ω、１０８Ω、１１４Ωである。図１４で、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３間のスキューの変化量及びアパーチャの変化量をそれぞれ説明すれば、次の通りである。まず、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のスキューの変化量はそれぞれ２ｐｓ、２ｐｓ、１ｐｓ、２ｐｓであり、３ｐｓより小さなことが分かる。また、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のアパーチャの変化量はそれぞれ１８ｍＶ、２０ｍＶ、１９ｍＶ、１８ｍＶであり、２１ｍＶより小さなことが分かる。ここで、本発明による較正方法による効果は、図１４のシミュレーション結果を図１５のシミュレーション結果と比較するときにさらに確実になる。
【００５９】
図１５は、図１４のシミュレーション結果と比較される出力ドライバがＯＤＴとして動作するときのシミュレーション結果を示す図面である。図１５は、出力ドライバの出力電圧がＶＯＬ（例えば、０．３Ｖ）であるとき、図１２に図示されたＥ１−Ｅ３の動作特性をそれぞれ持つプルダウン回路のインピーダンスが１２０Ωにそれぞれ較正された場合、チャンネルに存在する寄生キャパシタンスＣＰの値による伝送信号のスキュー及びアパーチャを示す。一方、前記出力ドライバの出力電圧が０．７５Ｖであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のインピーダンスはそれぞれ１２６Ω、１５６Ω、１６８Ωである。図１５で、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３間のスキューの変化量及びアパーチャの変化量をそれぞれ説明すれば、次の通りである。まず、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のスキューの変化量はそれぞれ９ｐｓ、５ｐｓ、５ｐｓ、１３ｐｓであり、１４ｐｓより小さなことが分かる。また、前記寄生キャパシタンスＣＰが２．０ｐＦ、２．５ｐＦ、３．０ｐＦ、３．５ｐＦであるとき、前記プルダウン回路Ｅ１−Ｅ３のアパーチャの変化量はそれぞれ２０ｍＶ、２８ｍＶ、２３ｍＶ、１６ｍＶであり、２９ｍＶより小さなことがわかる。
【００６０】
図１４及び図１５のシミュレーション結果を比較するとき、図１４に図示されたシミュレーション結果のスキュー及びアパーチャの変化量が、図１５に図示されたシミュレーション結果のスキュー及びアパーチャの変化量より顕著に減少することが分かる。したがって、出力ドライバがＯＤＴとして動作するとき、前記出力ドライバのプルダウン回路のインピーダンスの較正において、基準電圧としてＶＯＬよりＶＯＨを使用することがさらに望ましい。
【００６１】
本発明は、図面に図示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、半導体装置の出力ドライバ、特に、出力ドライバのインピーダンスを較正する回路の関連技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】チャンネルを通じてチップセットに連結された従来の半導体装置を示す図である。
【図２】図１に図示された出力ドライバの動作を説明するための図である。
【図３Ａ】従来の方法で較正された出力ドライバの動作特性を示すグラフである。
【図３Ｂ】従来の方法で較正された出力ドライバのシミュレーション結果を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態によるインピーダンス較正回路のブロック図である。
【図５】図４に図示されたプルダウン回路の詳細な回路図である。
【図６】図４に図示されたプルアップ回路の詳細な回路図である。
【図７】本発明の他の実施形態によるインピーダンス較正回路のブロック図である。
【図８】本発明によるインピーダンス調節回路を備える半導体装置を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態によるインピーダンス調節回路のブロック図である。
【図１０】図９に図示された選択制御回路の詳細なブロック図である。
【図１１】本発明の他の実施形態によるインピーダンス調節回路のブロック図である。
【図１２】本発明による較正方法で較正された出力ドライバの動作特性を示すグラフである。
【図１３】本発明による較正方法で較正された出力ドライバがドライバとして動作するときのシミュレーション結果を示す図である。
【図１４】本発明による較正方法で較正された出力ドライバがＯＤＴとして動作するときのシミュレーション結果を示す図である。
【図１５】図１４のシミュレーション結果と比較される出力ドライバがＯＤＴとして動作するときのシミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００…インピーダンス較正回路
１０１…較正回路
１０２…第１レジスタ
１０３…第２レジスタ
１１０…第１較正回路
１１１…較正端子
１１２…第１電流源
１１３…第１比較器
１１４…第２電流源
１１５…プルダウン回路
１１６…第２比較器
１１７…第１スイッチング回路
１１８…第２スイッチング回路
１２０…第２較正回路
１２１…第３電流源
１２２…プルアップ回路
１２３…電流ミラー回路
１２４…第３比較器
１２５…第３スイッチング回路
【図１】
0005572277.tif 000008
【図２】
0005572277.tif 000009
【図３Ａ】
0005572277.tif 000010
【図３Ｂ】
0005572277.tif 000011
【図４】
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【図５】
0005572277.tif 000013
【図６】
0005572277.tif 000014
【図７】
0005572277.tif 000015
【図８】
0005572277.tif 000016
【図９】
0005572277.tif 000017
【図１０】
0005572277.tif 000018
【図１１】
0005572277.tif 000019
【図１２】
0005572277.tif 000020
【図１３】
0005572277.tif 000021
【図１４】
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【図１５】
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