(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
第１の環状フレームの開口部中央に該ウエーハを位置付け、延性を有する粘着テープを該第１環状フレームの開口部を塞ぐように該第１環状フレーム及び該ウエーハに貼着する粘着テープ貼着工程と、
該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成工程と、
該第１環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と、該第１環状フレームを保持する保持手段とを備えた拡張装置に、該第１環状フレームに支持されるとともに該改質層形成工程を経た該ウエーハを載置する拡張準備工程と、
該円筒状部材と該保持手段とを該粘着テープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張し、該ウエーハを該改質層が形成された該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、隣接するチップ間に間隙を形成する粘着テープ拡張工程と、
延性の低い基材と粘着層からなる環状テープの開口が、該第１環状フレームと同一サイズの第２環状フレームの開口中央に位置づけられて該環状テープが該第２環状フレームに貼着されており、該環状テープの開口は該粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハの外径より大きく該第２環状フレームの開口より小さい張替用環状フレームユニットを準備する張替用環状フレームユニット準備工程と、
該張替用環状フレームユニットの該環状テープの開口内側に該テープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハを位置付け、該環状テープの粘着面側と該ウエーハの周囲に位置する該円筒状部材上の該粘着テープの粘着面側を貼り合わせるテープ貼り合わせ工程と、
該テープ貼り合わせ工程で形成された該環状テープと該粘着テープが貼り合わされた範囲より外周側で、該第１環状フレームの開口縁より内側の該環状テープと接着していない部分の該粘着テープを環状に切断する粘着テープ切断工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
表面に複数のデバイスが格子状の分割予定ラインによって区画されて形成され、且つ該分割予定ラインに沿って各チップに分割されるとともに、第１環状フレームの開口中央付近に延性を有する粘着テープによって固定されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
該第１環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と、該第１環状フレームを保持する保持手段とを備えた拡張装置に該第１環状フレームに支持された該ウエーハを載置する拡張準備工程と、
該円筒状部材と該保持手段とを該粘着テープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張し、隣接するチップ間に間隙を形成する粘着テープ拡張工程と、
延性の低い基材と粘着層からなる環状テープの開口が、該第１環状フレームと同一サイズの第２環状フレームの開口中央に位置づけられて該環状テープが該第２環状フレームに貼着されており、該環状テープの開口は該粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハの外径より大きく該第２環状フレームの開口より小さい張替用環状フレームユニットを準備する張替用環状フレームユニット準備工程と、
該張替用環状フレームユニットの該環状テープの開口内側に該テープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハを位置付け、該環状テープの粘着面側と該ウエーハの周囲に位置する該円筒状部材上の該粘着テープの粘着面側を貼り合わせるテープ貼り合わせ工程と、
該テープ貼り合わせ工程で形成された該環状テープと該粘着テープが貼り合わされた範囲より外周側で、該第１環状フレームの開口縁より内側の該環状テープと接着していない部分の該粘着テープを環状に切断する粘着テープ切断工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項３】
前記粘着テープ拡張工程は、隣接するチップ間の間隙を観察し、所定の間隙になるまで拡張を続けることを特徴とする請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを、分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
【０００３】
また、ウエーハ状のサファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも、分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは電気機器に広く利用されている。
【０００４】
ウエーハの切削加工には従来ダイシングソーと呼ばれる切削装置が使用されてきたが、サファイア基板等の硬質材料の切削はダイシングソーでは困難であるため、近年になりレーザ加工装置によるレーザ加工により各デバイスに分割する技術が注目されている。
【０００５】
このレーザ加工装置を使用したレーザ加工方法の一つに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを使用してウエーハの内部に脆弱な層（改質層）を形成し、強度が低下した改質層に沿って拡張装置等でウエーハに外力を付与することにより、ウエーハを各チップへ分割する技術が例えば、特許第３４０８８０５号公報に開示されている。このレーザ加工方法では、ダイシングソーの加工では必ず発生する切削屑の発生がなく、切り代もほとんどないため分割予定ラインの縮小化に対応可能である。
【０００６】
ダイシングソーやレーザ加工装置によって個々のデバイスに分割されたウエーハは、環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着された状態で加工され、次工程に搬送される。
【０００７】
然るに、個々のチップに分割されたウエーハ、特にレーザ加工によって個々のチップに分割されたウエーハは、隣接するチップ間の間隔が狭いため、粘着テープの表面に貼着された状態で次工程に搬送する際、隣接するチップ同士が擦れてチップが損傷するという問題がある。
【０００８】
そこで、テープエキスパンダというテープを半径方向に拡張する拡張装置を用い、チップ間隔を広げるという手法がとられている。特に、チップサイズが小さい場合には、分割予定ラインの数が多くなるため、全ての分割予定ラインをある程度拡張するため拡張する量は大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００７−２７５６２号公報
【特許文献３】特開２００８−１４０８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、エキスパンダで拡張された粘着テープ、特にウエーハの外周部分及び外周部分より外側の粘着テープは引き延ばされるため、テンションを解除して元の状態に戻すと大きな弛みが発生し、拡張前の環状フレームにテンションをもって固定されていた状態とは異なって、ウエーハの環状フレームへの固定状態が不安定となり、ウエーハを搬送する際にチップ同士が擦れあって損傷を引き起こすという問題がある。また、粘着テープが弛んで垂れ下がった状態では、粘着テープを介して環状フレームで支持されたウエーハをカセットに収容することができないという問題がある。
【００１１】
これらの問題を解決するために、特許文献２では粘着テープとして加熱収縮性テープを使用し、テープ拡張工程で拡張されたテープを加熱することにより収縮させ、粘着テープの弛みを除去する方法が提案されている。しかしこの方法では、使用できる粘着テープが拡張性と熱による収縮性の両方に併せ持つテープに限定されるため、高価になるという問題がある。
また、特許文献３では、ウエーハに対して大きめな環状フレームを使用して（例えば、φ８インチのウエーハにφ１２インチ用の環状フレームを使用）エキスパンド後、拡張された粘着テープ部分に一回り小さな環状フレームを載置し、フレームをインチダウンして貼りかえるといった方法によって、エキスパンド後の粘着テープの弛み部分を除いて小径の環状フレームでエキスパンド後のウエーハを支持する方法を開示している。
【００１２】
しかしこの方法では、大径フレーム及び小径フレームといった２種類の環状フレームが必要となるため工程が複雑となるのに加えて、ウエーハに対して大き目の環状フレームを使用するため粘着テープが無駄になるという問題がある。
【００１３】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、特別な粘着テープを使用することなくウエーハをチップに分割後のチップ同士が擦れることなく、容易に次工程へ搬送可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１記載の発明によると、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、第１の環状フレームの開口部中央に該ウエーハを位置付け、延性を有する粘着テープを該第１環状フレームの開口部を塞ぐように該第１環状フレーム及び該ウエーハに貼着する粘着テープ貼着工程と、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成工程と、該第１環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と、該第１環状フレームを保持する保持手段とを備えた拡張装置に、該第１環状フレームに支持されるとともに該改質層形成工程を経た該ウエーハを載置する拡張準備工程と、該円筒状部材と該保持手段とを該粘着テープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張し、該ウエーハを該改質層が形成された該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、隣接するチップ間に間隙を形成する粘着テープ拡張工程と、延性の低い基材と粘着層からなる環状テープの開口が、該第１環状フレームと同一サイズの第２環状フレームの開口中央に位置づけられて該環状テープが該第２環状フレームに貼着されており、該環状テープの開口は該粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハの外径より大きく該第２環状フレームの開口より小さい張替用環状フレームユニットを準備する張替用環状フレームユニット準備工程と、該張替用環状フレームユニットの該環状テープの開口内側に該テープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハを位置付け、該環状テープの粘着面側と該ウエーハの周囲に位置する該円筒状部材上の該粘着テープの粘着面側を貼り合わせるテープ貼り合わせ工程と、該テープ貼り合わせ工程で形成された該環状テープと該粘着テープが貼り合わされた範囲より外周側で、該第１環状フレームの開口縁より内側の該環状テープと接着していない部分の該粘着テープを環状に切断する粘着テープ切断工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１５】
請求項２記載の発明によると、表面に複数のデバイスが格子状の分割予定ラインによって区画されて形成され、且つ該分割予定ラインに沿って各チップに分割されるとともに、第１環状フレームの開口中央付近に延性を有する粘着テープによって固定されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、該第１環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と、該第１環状フレームを保持する保持手段とを備えた拡張装置に該第１環状フレームに支持された該ウエーハを載置する拡張準備工程と、該円筒状部材と該保持手段とを該粘着テープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張し、隣接するチップ間に間隙を形成する粘着テープ拡張工程と、延性の低い基材と粘着層からなる環状テープの開口が、該第１環状フレームと同一サイズの第２環状フレームの開口中央に位置づけられて該環状テープが該第２環状フレームに貼着されており、該環状テープの開口は該粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハの外径より大きく該第２環状フレームの開口より小さい張替用環状フレームユニットを準備する張替用環状フレームユニット準備工程と、該張替用環状フレームユニットの該環状テープの開口内側に該テープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハを位置付け、該環状テープの粘着面側と該ウエーハの周囲に位置する該円筒状部材上の該粘着テープの粘着面側を貼り合わせるテープ貼り合わせ工程と、該テープ貼り合わせ工程で形成された該環状テープと該粘着テープが貼り合わされた範囲より外周側で、該第１環状フレームの開口縁より内側の該環状テープと接着していない部分の該粘着テープを環状に切断する粘着テープ切断工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１６】
好ましくは、粘着テープ拡張工程は、隣接するチップ間の間隙を観察し、所定の間隙になるまで粘着テープの拡張を続行する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のウエーハの加工方法によれば、粘着テープ拡張工程後のチップ間隔を維持した状態で粘着テープを張替え用環状フレームユニットに固定するため、次工程への搬送等でチップ同士が擦れて損傷するという問題を解消できる。
【００１８】
特許文献２に開示された方法では、使用できる粘着テープが拡張性と熱による収縮性の両方を備えた粘着テープに限定されていたが、本発明では拡張性のみが限定要因となるため、幅広い粘着テープの設定が可能となり、且つエキスパンダに加熱手段を備える必要もないので装置が簡単となる。
【００１９】
また、特許文献３開示のテープ拡張装置によると、大小２種類の環状フレームを使用しているが、本発明によれば貼りかえる第２の環状フレームを第１の環状フレームと同じサイズのものを使用できるため、分割加工時に使用する粘着テープの無駄を省くことができ、環状フレームを複数種類使うための工程の煩雑化も防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】粘着テープを介して環状フレームに支持された状態の半導体ウエーハの斜視図である。
【図３】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】改質層形成工程の斜視図である。
【図５】改質層形成工程の断面図である。
【図６】図６（Ａ）はレーザ加工溝形成工程の説明図、図６（Ｂ）はレーザ加工溝を示す半導体ウエーハの断面図である。
【図７】切削装置による切削工程を示す斜視図である。
【図８】粘着テープ拡張工程を示す断面図である。
【図９】間隙観察工程を示す断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は張替え用環状フレームユニットの平面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の１０Ｂ−１０Ｂ線断面図である。
【図１１】テープ貼り合わせ工程を示す断面図である。
【図１２】粘着テープ切断工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウエーハＷの表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハＷの表面においては、第１分割予定ライン（ストリート）Ｓ１と第２分割予定ラインＳ２が直交して形成されており、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２によって区画された複数の領域にそれぞれＬＳＩ等のデバイスＤが形成されている。
【００２２】
切削装置又はレーザ加工装置による加工に先立って、ウエーハＷの裏面は研削装置によって所定の厚みに研削加工される。更にウエーハＷのハンドリングを容易にするために、図２に示すようにウエーハＷの裏面が延性を有する粘着テープＴに貼着され、粘着テープＴの外周部は環状フレームＦに貼着される。これにより、ウエーハＷは粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となる。
【００２３】
図３を参照すると、レーザ加工装置１０のレーザビーム照射ユニット１４のブロック図が示されている。レーザビーム照射ユニット１４は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器１８と、繰り返し周波数設定手段２０と、パルス幅調整手段２２と、パワー調整手段２４を含んでいる。
【００２４】
レーザビーム照射ユニット１４のパワー調整手段２４により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、集光器１６のミラー２６で反射され、更に集光用対物レンズ２８によって集光されてチャックテーブル１２に吸引保持されている半導体ウエーハＷに照射される。
【００２５】
図４を参照すると、改質層形成工程の斜視図が示されており、図５は改質層形成工程の断面図である。図４に示すように、粘着テープＴを介して環状フレームＦで支持されたウエーハＷをレーザ加工装置のチャックテーブル１２で吸引保持する。
【００２６】
そして、図４及び図５に示すように、ウエーハＷに対して透過性を有する波長のパルスレーザビーム１７の集光点をウエーハＷの内部に合わせてパルスレーザビーム１７を照射しつつ、チャックテーブル１２を図４で矢印Ｘ１方向に所定の加工送り速度で移動することにより、ウエーハＷの内部に改質層３０が形成される。
【００２７】
この改質層３０は溶融再硬化層として形成され、脆弱な層である。図５に示すように、ウエーハＷの内部に改質層３０を複数層（図５では３層）形成するのが好ましい。
【００２８】
この改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００２９】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長                    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：１Ｗ
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００３０】
レーザ加工装置１０で改質層形成工程を実施するのにかえて、図６（Ｂ）に示すように、ウエーハＷに分割予定ラインＳ１に沿ったレーザ加工溝３２を形成するようにしてもよい。
【００３１】
即ち、半導体ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビーム１７Ａを集光器１６で集光して半導体ウエーハＷの表面に照射しつつ、チャックテーブル１２を図６（Ａ）において一端から矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。
【００３２】
そして、分割予定ラインＳ１の他端が集光器１６の照射位置に達したら、パルスレーザビームの照射を停止するとともにチャックテーブル１２の移動を停止する。その結果、半導体ウエーハＷには、図６（Ｂ）に示すように分割予定ラインＳ１に沿ってレーザ加工溝３２が形成される。尚、レーザ加工溝３２の形成時に、レーザビーム１７Ａで半導体ウエーハＷをフルカットするようにしてウエーハＷを個々のチップ（デバイス）Ｄに分割するようにしてもよい。
【００３３】
このレーザ加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００３４】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＬＶＯ４パルスレーザ
波長                    ：３５５ｎｍ（ＬＶＯ４レーザの第３高調波）
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
平均出力                ：３Ｗ
集光スポット径          ：φ５μｍ
加工送り速度            ：２００ｍｍ／秒
【００３５】
上述したレーザ加工装置による加工にかえて、本発明の加工方法ではその前段階として切削装置により半導体ウエーハＷを個々のチップ（デバイス）Ｄに分割するようにしてもよい。
【００３６】
図７を参照すると、切削装置３４の切削ユニット３６のスピンドルハウジング３８中には、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル４０が回転可能に収容されており、スピンドル４０の先端には切削ブレード４２が装着されている。
【００３７】
図示しないチャックテーブルに吸引保持されたウエーハＷをＸ軸方向に移動させるとともに、切削ブレード４２を高速回転させながら切削ユニット３６を下降させると、位置合わせされた分割予定ラインＳ１が切削される。
【００３８】
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削ブレード４２をＹ軸方向にインデックス送りしながらダイシングを行うことにより、同方向の分割予定ラインＳ１が全て切削される。
【００３９】
更に、チャックテーブルを９０度回転させてから、上記と同様のダイシングを行うと、分割予定ラインＳ２も全て切削され、半導体ウエーハＷは個々のチップ（デバイス）Ｄに分割される。
【００４０】
図８を参照すると、粘着テープ拡張工程の断面図が示されている。この粘着テープ拡張工程を実施する前に、環状フレームＦの内径より小さくウエーハＷの外径より大きい外径を有する円筒状部材４８と、環状フレームＦを保持するクランプ等の保持手段４６を備えた拡張装置４４に、粘着テープＴを介して環状フレームＦで支持されたウエーハＷを載置する拡張準備工程を実施する。
【００４１】
粘着テープＴに貼着されたウエーハＷは、図５に示す改質層３０が形成されたウエーハＷ、図６（Ｂ）に示すレーザ加工溝３２の形成されたウエーハＷ、又は図７に示す切削装置により個々のチップに分割されたウエーハＷの何れでもよい。
【００４２】
粘着テープ拡張工程では、環状フレームＦを保持手段４６で保持しながら、円筒状部材４８を矢印Ａで示すように上方に突き上げる。これにより、粘着テープＴは矢印Ｂで示すように半径方向に拡張され、ウエーハＷを改質層３０が形成された分割予定ラインに沿って個々のチップＤに分割するとともに、隣接するチップ間に間隙５０が形成される。
【００４３】
円筒状部材４８を上方に突き上げる代わりに、円筒状部材４８を固定して保持手段４６を下方に引き落とすようにして粘着テープＴを拡張するようにしてもよい。即ち、この粘着テープ拡張工程では、円筒状部材４８と保持手段４６とを粘着テープＴに直交する方向に相対移動させてウエーハＷが貼付された粘着テープＴを拡張する。
【００４４】
粘着テープＴに貼付されるウエーハＷは、図６（Ｂ）に示すようにレーザ加工溝３２の形成されたウエーハＷ、又は図７に示すように切削装置３４により個々のチップに分割されたウエーハＷでもよい。既に個々のチップＤに分割されたウエーハＷでは、この粘着テープ拡張工程では隣接するチップ間の間隙が拡大される。
【００４５】
図９に示すように、レンズ５４を有する撮像装置５２でウエーハＷの間隙５０を観察し、この間隙５０が所定の間隙になるまで円筒状部材４８の突き上げを続行して、粘着テープＴを所望量拡張するのが好ましい。これにより、チップＤのピックアップ工程、又は搬送工程等で隣接するチップ同士が擦れあうことを確実に防止できる。
【００４６】
図１０（Ａ）を参照すると、本発明の加工方法で使用する張替用環状フレームユニット５５の平面図が示されている。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の１０Ｂ−１０Ｂ線断面図である。
【００４７】
５６は環状フレームＦと概略同一直径の環状フレームであり、この環状フレーム５６の開口中央部分に位置づけられて開口６０を有する環状テープ５８が環状フレーム５６に貼着されて、張替用環状フレームユニット５５が形成される。環状テープ５８は、延性の低い例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等からなる基材と粘着層から構成される。
【００４８】
環状テープ５８の開口６０は粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙５０が形成された状態のウエーハＷの外径より大きい直径を有している。このように構成された張替用環状フレームユニット５５を準備したならば、図１１に示すテープ貼り合わせ工程を実施する。
【００４９】
このテープ貼り合わせ工程では、張替用環状フレームユニット５５の環状テープ５８の開口６０の内側にテープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙５０が形成された状態のウエーハＷを位置付け、符号６２で示すように環状テープ５８の粘着面側とウエーハＷの周囲に位置する円筒状部材４８上の粘着テープＴの粘着面側を貼り合わせる。
【００５０】
この貼り合わせ工程を実施したならば、図１２に示すように環状テープ５８と粘着テープＴが貼り合わされた範囲より外周側で、環状フレームＦの開口縁より内側の環状テープ５８と接着していない部分の粘着テープＴをカッター等の切断手段６４で環状に切断する。
【００５１】
これにより、隣接するチップ間に所定の間隙５０の形成されたウエーハＷは、延性の低い環状テープ５８を介して環状フレーム５６で支持されるため、円筒状部材４８を元の位置に戻して粘着テープＴのテンションを解除しても、隣接するチップ間の所望の間隙５０が維持される。切断手段６４で切り取った後の粘着テープＴで垂れ下がる部分は、押圧手段等で環状テープ５８に押し付けて環状テープ５８に貼着するのが好ましい。
【００５２】
尚、切断手段６４で切断された外周側の粘着テープ６５は円筒状部材４８を元の位置に戻して粘着テープＴのテンションを解除すると、大きな弛みが発生するが、ウエーハＷの支持は張替用環状フレームユニット５５に切り替わっているため、この弛みが搬送等において問題となることはない。
【００５３】
本発明のウエーハの加工方法は、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）を使用した加工にも同様に適用可能である。即ち、本発明の加工方法によれば、ウエーハＷと粘着テープＴとの間にＤＡＦが介在されている場合は、チップ間隔を本発明の方法で保つことができるため、分割されたＤＡＦ同士が再度くっつきあうのを防止することができる。
【符号の説明】
【００５４】
Ｗ    半導体ウエーハ
Ｄ    チップ（デバイス）
Ｔ    粘着テープ
Ｆ    環状フレーム
１２    チャックテーブル
１４    レーザビーム照射ユニット
１６    集光器
３０    改質層
３６    レーザ加工溝
４２    切削ブレード
４４    拡張装置
４６    保持手段
４８    円筒状部材
５０    間隙
５２    撮像装置
５５    張替用環状フレームユニット
５６    環状フレーム
５８    環状テープ
６０    開口
６４    切断手段
【図１】
0005495695.tif 000002
【図２】
0005495695.tif 000003
【図３】
0005495695.tif 000004
【図４】
0005495695.tif 000005
【図５】
0005495695.tif 000006
【図６】
0005495695.tif 000007
【図７】
0005495695.tif 000008
【図８】
0005495695.tif 000009
【図９】
0005495695.tif 000010
【図１０】
0005495695.tif 000011
【図１１】
0005495695.tif 000012
【図１２】
0005495695.tif 000013