(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料であって、下記式（１）で表される化合物からなることを特徴とする、有機電界発光素子材料。
【化１】
0005444802.tif 000045
（式（１）中、Ａｒ１は置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表す。環Ａは置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表し、環Ａへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にＡｒ１が結合する。Ｌ１は置換基を有していてもよいフェニレン基である。Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。）
【請求項２】
上記式（１）が下記式（２）で表されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子材料。
【化２】
0005444802.tif 000046
（式（２）中、Ａｒ１およびＬ１は上記式（１）におけると同義である。Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１が結合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。）
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機電界発光素子材料および溶媒を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項４】
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、請求項３に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項５】
該有機層として、正孔輸送層および発光層を有し、該正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが−５．１〜−６．５ｅＶであり、該発光層が該有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする、請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項４または５に記載の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】
請求項４または５に記載の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬ照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子材料および有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを設けて形成され、各層に適した材料が開発されつつある。また、有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。
しかしながら、青色有機電界発光素子については、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものが実現されておらず、フルカラーディスプレイ用途への適用には制約があるという課題があった。
【０００３】
有機電界発光素子の各構成層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法がある。このうち、真空蒸着法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
【０００４】
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の有機層を形成するためには、有機層を形成する材料が溶媒に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子の構成層として要求される高い性能を有することが望まれる。しかし、従来開発されている湿式成膜法用材料であっても、このような湿式成膜法に要求される条件を満たさないものが多かった。
【０００５】
例えば、特許文献１では、下記式で示される材料を用いて、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
【０００６】
【化１】
0005444802.tif 000002
【０００７】
また、特許文献２には、下記式で示される材料を用い、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
【０００８】
【化２】
0005444802.tif 000003
【０００９】
しかしながら、これらの材料は、溶媒に対する溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない上に、素子に用いても駆動電圧が高かったり、十分な寿命が得られないなどの問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開２００６／０７０７１２号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−２２４７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、種々の溶媒に可溶であり、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成して、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を作製し得る有機電界発光素子材料および有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らが鋭意検討した結果、下記式（１）で表される化合物を用いることにより、上記課題が解決できることが分かり本発明に到達した。
【００１３】
すなわち、本発明は、
有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料であって、下記式（１）で表される化合物からなることを特徴とする有機電界発光素子材料、
該有機電界発光素子材料および溶媒を含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物、
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、該有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする有機電界発光素子、
該有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明、
に存する。
【００１４】
【化３】
0005444802.tif 000004
【００１５】
（式（１）中、Ａｒ１は置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表す。環Ａは置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表し、環Ａへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にＡｒ１が結合する。Ｌ１は置換基を有していてもよいフェニレン基である。Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。）
【発明の効果】
【００１６】
本発明の有機電界発光素子材料を用いて有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成することにより、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
【００１９】
［語句の説明］
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。  
本発明において、「（ヘテロ）アリール」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。  
本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を１または２以上有していてもよいことを意味するものとする。
【００２０】
［有機電界発光素子用材料］
本発明の有機電界発光素子材料は、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料であって、下記式（１）で表される化合物からなることを特徴とする。
【００２１】
【化４】
0005444802.tif 000005
【００２２】
（式（１）中、Ａｒ１は置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表す。環Ａは置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表し、環Ａへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にＡｒ１が結合する。Ｌ１は置換基を有していてもよい炭素数５０以下の芳香環または芳香環が連結してなる原子団よりなる基である。Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。）
【００２３】
式（１）で表される化合物は、高い立体障害を持ったアントラセン分子を、連結基を介してピレン環に結合させた化合物である。この化合物は、Ａｒ１とアントラセン環との位置関係から、アントラセン環と環Ａとの平面性を立体障害によって崩すため、化合物の溶解性や膜性が向上すると推測される。一方、立体障害により、遷移状態が阻害されるため、化合物として、電荷移動能が低下するが、ピレン環を分子内に導入することにより電荷移動能が向上するものと推測される。また、アントラセン環を有することで電荷耐久性が向上するものと推測される。このような化合物を湿式成膜法で形成する有機電界発光素子の有機層に用いることにより、有機電界発光素子の耐久性向上、駆動電圧の低下および寿命の向上につながるものと考えられる。
【００２４】
なお、本発明における湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の溶媒を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、これらのうちダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。
【００２５】
以下に上記式（１）における各構成要素について詳細に説明する。
【００２６】
＜Ａｒ１について＞
Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環を表す。  
該芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
【００２７】
また、Ａｒ１は置換基を有していないものが特に好ましいが、置換基を有している場合、その置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、Ａｒ１が有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。
【００２８】
Ａｒ１が有していてもよい置換基のより好適な具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００２９】
炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基は非極性溶媒に高い溶解性を持つために好ましい。
【００３０】
炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフチル基、９−フェナンチル基、３−フェナンチル基などのフェナンチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基などのアントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などのナフタセニル基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基などのクリセニル基、１−ピレニル基などのピレニル基、１−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、１−コロネニル基などのコロネニル基、４−ビフェニル基、３−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、９−フェナントリル基、９−アントラニル基、４−ビフェニル基、３−ビフェニル基が好ましく、フェニル基、２−ナフチル基、３−ビフェニル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。
【００３１】
炭素数３〜２０の芳香族複素環基の例としては、２−チエニル基などのチエニル基、２−フリル基などのフリル基、２−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、９−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、２−ピリジル基などのピリジル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも９−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。
【００３２】
炭素数１〜２０のアルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
【００３３】
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。
【００３４】
炭素数１〜２０のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
【００３５】
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。
【００３６】
なお、Ａｒ１が置換基を有する場合、その置換位置は、Ａｒ１の環Ａへの置換位置に対してパラ位、メタ位であることが好ましく、メタ位であることがより好ましい。
また、Ａｒ１は、その置換基も含め分子量５００以下であることが化合物の精製上好ましい。
【００３７】
＜環Ａについて＞
環Ａは、置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香環基を表し、環Ａへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にＡｒ１が結合する。
【００３８】
環Ａの芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
【００３９】
環Ａがベンゼン環である場合、前記式（１）で表される化合物は、下記式（２）で表される。
【００４０】
【化５】
0005444802.tif 000006
【００４１】
（式（２）中、Ａｒ１およびＬ１は上記式（１）におけると同義である。Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１が結合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。）
【００４２】
また、環Ａは置換基を有していてもよく、その置換基の具体例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、環Ａが有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。
【００４３】
これら置換基の具体例は、上記Ａｒ１が有していてもよい置換基として例示したものと同様である。
【００４４】
なお、環Ａがベンゼン環であり、置換基を有する場合、その置換位置は、環Ａのアントラセン環への置換位置に対して、高い溶解性を維持するという面からは、オルト位またはメタ位が好ましく、特にオルト位が好ましい。また、耐熱性の面からは、パラ位またはメタ位が好ましく、特にパラ位が好ましい。
【００４５】
＜Ｌ１について＞
Ｌ１は、置換基を有していてもよい炭素数５０以下の芳香環または芳香環が連結してなる原子団よりなる基である。
【００４６】
Ｌ１を構成する芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
【００４７】
Ｌ１は、これら環のうちの１つの環のみからなってもよいし、これら環のうちの２以上が連結して炭素数５０以下の原子団を形成していてもよい。
【００４８】
環が連結してなる原子団よりなるＬ１の例としては、ビフェニル、オルト−ターフェニル、メタ−ターフェニル、パラ−ターフェニル、１−フェニルナフタレン、２−フェニルナフタレン、９−フェニルアントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−フェニルキノリン、１，３，５−トリフェニルトリアゾール、９−フェニルカルバゾール等が２価の基になったものが挙げられる。
【００４９】
Ｌ１として好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル、メタ−ターフェニル、９，１０−ジフェニルアントラセン、４−フェニルピリジン由来の２価の基であり、さらに好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル、９，１０−ジフェニルアントラセン由来の２価の基であり、特に好ましくはベンゼン環、ビフェニル由来の２価の基であり、最も好ましくはベンゼン環由来の２価の基、すなわちフェニレン基である。
【００５０】
また、Ｌ１は置換基を有していてもよく、その置換基の具体例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうちＬ１が有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。
【００５１】
これら置換基の具体例は、上記Ａｒ１が有していてもよい置換基として例示したものと同様である。
また、Ｌ１は、その置換基も含めて、分子量８００以下であることが好ましく、化合物の精製のしやすさから、分子量５００以下がより好ましく、分子量３００以下が最も好ましい。
【００５２】
＜ピレン環、アントラセン環について＞
Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。Ｌ１が結合するアントラセン環およびピレン環とは、式（１）において、Ｌ１を介して結合しているアントラセン環とピレン環のことである。
【００５３】
このアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい置換基としては、炭素数５０以下の置換基が好ましく、該置換基はさらに置換基を有していてもよい。
【００５４】
アントラセン環およびピレン環が有していてもよい置換基の具体例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、アントラセン環およびピレン環が有する置換基としては、化合物の安定性の面から、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基が好ましく、芳香族炭化水素環基が特に好ましい。
【００５５】
炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基は非極性溶媒に高い溶解性を持つために好ましい。
【００５６】
炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフチル基、９−フェナンチル基、３−フェナンチル基などのフェナンチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基などのアントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などのナフタセニル基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基などのクリセニル基、１−ピレニル基などのピレニル基、１−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、１−コロネニル基などのコロネニル基、４−ビフェニル基、３−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、９−フェナントリル基、９−アントラニル基が好ましく、フェニル基、２−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。
【００５７】
炭素数３〜２０の芳香族複素環基の例としては、２−チエニル基などのチエニル基、２−フリル基などのフリル基、２−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、９−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、２−ピリジル基などのピリジル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも９−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。
【００５８】
炭素数１〜２０のアルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でもメトキシ基、エトキシ基が溶媒に対する溶解性向上と化合物のガラス転移点、すなわち耐熱性の面から好ましい。
【００５９】
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、３−フェノキシフェノキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基、３−フェノキシフェノキシ基、２−ナフチルオキシ基が溶媒に対する溶解性向上の面から好ましく、３−フェノキシフェノキシ基は特に好ましい。
【００６０】
炭素数１〜２０のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。中でも、メチルチオ基、エチルチオ基は溶媒に対する溶解性向上と化合物のガラス転移点、すなわち耐熱性の面から好ましい。
【００６１】
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。中でも、フェニルチオ基は溶媒に対する溶解性向上の面から好ましい。
【００６２】
またこれらの置換基は置換基を有していてもよく、その置換基としては、前述のＡｒ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
【００６３】
＜分子量について＞
式（１）で表される化合物の分子量は、通常７０００以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量５０００以下であり、溶媒に対する溶解性を考慮した場合、特に好ましくは３０００以下、昇華精製による高純度化を考えた場合、最も好ましくは１５００以下である。また、通常、式（１）で表される化合物の分子量は、５００以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量６００以上である。
【００６４】
＜溶媒に対する溶解性について＞
式（１）で表される化合物は、通常トルエンに対して０．５重量％以上溶解するものが好ましく、塗布時に均一な膜を形成させ易いことから、１．０重量％以上溶解するものが好ましく、さらに塗布膜の膜厚制御がしやすいことから、１．５重量％以上溶解するものがより好ましく、さらに長時間の保存安定性の点から、２．０重量％以上溶解するものが特に好ましく、２．５重量％以上溶解するものが最も好ましい。
【００６５】
＜ガラス転移温度について＞
式（１）で表される化合物は、ガラス転移温度Ｔｇが１２０℃以上であることが好ましい。
【００６６】
＜具体例＞
以下に式（１）で表される化合物の具体例を挙げるが、以下の例示化合物に限定されるものではない。
【００６７】
【化６】
0005444802.tif 000007
【００６８】
【化７】
0005444802.tif 000008
【００６９】
【化８】
0005444802.tif 000009
【００７０】
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、上述の本発明の有機電界発光素子材料および溶媒を含有する。
【００７１】
該有機電界発光素子用組成物における本発明の有機電界発光素子材料の含有量は、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、通常９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９重量％以下である。組成物の有機電界発光素子材料の含有量をこの範囲とすることにより、隣接する層（例えば、正孔輸送層や正孔阻止層）から発光層へ効率よく、正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。また、ドーパント材料またはホスト材料を効率よく均一に分散させることで、濃度消光の抑制と、これに伴う発光効率の向上、低電圧化、長寿命化の効果が得られる。尚、本発明の有機電界発光素子材料は本発明の有機電界発光素子用組成物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が組み合わされて含まれていてもよい。
【００７２】
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒は、湿式成膜により有機電界発光素子材料を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
【００７３】
該溶媒は、溶質である本発明の有機電界発光素子材料や後述の電荷輸送性化合物が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されないが、好ましい溶媒としては以下のものが挙げられる。
【００７４】
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジ
フェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。
【００７５】
これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【００７６】
溶媒の沸点は、通常１００℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、有機電界発光素子用組成物からの溶媒蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。
【００７７】
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶媒の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【００７８】
溶媒の含有量は、有機電界発光素子用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。溶媒の含有量がこの下限を下回ると、有機電界発光素子用組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。
【００７９】
本発明の有機電界発光素子用組成物には、上述の有機電界発光素子材料や溶媒の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。
【００８０】
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成する場合には、本発明の有機電界発光素子材料をホスト材料とし、他の電荷輸送性化合物をドーパント材料として含んでいてもよいし、本発明の有機電界発光素子材料をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化合物をホスト材料として含んでいてもよい。また、ドーパント材料、ホスト材料ともに、本発明の有機電界発光素子材料であってもよい。
【００８１】
本発明の有機電界発光素子用組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。
これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【００８２】
本発明の有機電界発光素子用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、該組成物を１００重量部とすると、通常１重量部以上、また、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
また、有機電界発光素子用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、有機電界発光素子用組成物中の本発明の有機電界発光素子材料に対して、通常５０重量％以下、特に３０重量％以下で、通常０．０１重量％以上、特に０．１重量％以上であることが好ましい。
【００８３】
本発明の有機電界発光素子用組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶媒の他に、別の溶媒を含有していてもよい。そのような溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【００８４】
また、本発明の有機電界発光素子材料は成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
【００８５】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極の間に有機層を有し、該有機層のうち少なくとも一層が、上述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする。該有機層は、１層からなるものであっても、２層以上からなるものであってもよい。また、陽極と陰極の間には、有機層の他、無機化合物からなる層を有していてもよい。
【００８６】
以下に本発明の有機電界発光素子の構造例を示す図１の素子構成に従って、本発明の有機電界発光素子の構成を説明するが、本発明の有機電界発光素子は本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層を陽極および陰極の間に有していればよく、他の層は有していても、有していなくてもよい。
【００８７】
＜基板＞
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００８８】
＜陽極＞
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は発光層側の層（正孔注入層３など）への正孔注入の役割を果たすものである。
【００８９】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。
【００９０】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Appl．Phys．Lett．，60巻，2711頁，1992年）。
【００９１】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【００９２】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００９３】
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【００９４】
＜正孔注入層＞
正孔注入層３は陽極２から発光層４へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層３には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
【００９５】
正孔注入層３の形成方法は特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。湿式成膜法は、従来の真空蒸着法と比較して均質で欠陥がない薄膜が得られ、また膜形成のための時間が短く、工業的にも優れている。
【００９６】
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３の材料を適切な溶媒（正孔注入層用溶媒）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【００９７】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の材料として正孔輸送性化合物および溶媒を含有する。正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、正孔輸送性化合物として、前記式（１）で表される化合物よりなる本発明の有機電界発光素子材料を用いて、湿式成膜法により正孔注入層３を形成してもよい。
【００９８】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン化合物、シラザン化合物、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン化合物、フタロシアニン誘導体などが挙げられる。
【００９９】
中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１００】
【化９】
0005444802.tif 000010
【０１０１】
（式（Ｉ）中、Ａｒ２ＡおよびＡｒ２Ｂはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ２Ａ，Ａｒ２Ｂ，Ａｒ３〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【０１０２】
【化１０】
0005444802.tif 000011
【０１０３】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の１価または２価の基を表す。Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。）
【０１０４】
Ａｒ２Ａ，Ａｒ２Ｂ，Ａｒ３〜Ａｒ１６としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、１価または２価の基が適用可能である。これらはそれぞれ同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。
【０１０５】
Ａｒ２Ａ，Ａｒ２Ｂ，Ａｒ３〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素環および／または芳香族複素環由来の基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。
【０１０６】
Ａｒ２Ａ，Ａｒ２Ｂとしては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の１価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。
【０１０７】
また、Ａｒ３〜Ａｒ５としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の２価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。
【０１０８】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号明細書に記載のものが挙げられる。
【０１０９】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物の１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
【０１１０】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。正孔輸送性化合物の濃度が高すぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、低すぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１１１】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は電子受容性化合物を含有していることが好ましい。電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１１２】
電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号明細書）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【０１１３】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。電子受容性化合物の正孔輸送材料に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１１４】
（溶媒）
正孔注入層形成用組成物に用いる溶媒のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。
【０１１５】
溶媒の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。有機溶媒の沸点が低すぎると、乾燥速度が速く、膜質が悪化する可能性がある。また、有機溶媒の沸点が高すぎると高い乾燥工程の温度を高くする必要がある。そのため、他の層やガラス基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１１６】
正孔注入層形成用組成物に好適な溶媒としては、例えば、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。
【０１１７】
具体的に、エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
【０１１８】
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
【０１１９】
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【０１２０】
アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
【０１２１】
その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
【０１２２】
これらの溶媒は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１２３】
上述した溶媒の中でも、正孔注入層の材料を溶解する能力（溶解能）、若しくは材料との親和性が高い溶媒の方が好ましい。これは、正孔注入層形成用組成物の濃度を任意に設定して、成膜工程の効率に優れる濃度の組成物を調製できるためである。
【０１２４】
（その他含まれてもよいもの）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１２５】
（成膜方法）
上述のような成分を用いて正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３が形成される。
【０１２６】
湿式成膜後は、通常加熱等により膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１２７】
なお、真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合には、前述の正孔注入層の材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成する。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れて、加熱蒸発させることにより正孔注入層３の形成に用いることもできる。
【０１２８】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１２９】
＜正孔輸送層＞
本発明の有機電界発光素子は正孔輸送層４を有することが好ましく、特に後述の発光層５が本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層である場合、正孔輸送層４のイオン化ポテンシャルが−５．１〜−６．５ｅＶであることが好ましい。正孔輸送層４のイオン化ポテンシャルをこの範囲とすることにより、発光層のホスト材料とのイオン化ポテンシャル差を小さくし、発光層への正孔注入をより高効率に行うことが可能になり、得られる有機電界発光素子の高効率化、長寿命化の効果が得られるためである。ここで、正孔輸送層４のイオン化ポテンシャルは、光電子分光法、大気中光電子分光法、サイクリックボルタンメトリーなど市販の装置を用いた一般的な測定法により測定された値をいう。具体的には、石英板、スライドガラスなどの基板に、後述される各種成膜法により１００ｎｍ程度の膜厚に成膜された有機物薄膜を、一般的な真空中での光電子分光法により測定し、決定される。
【０１３０】
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１３１】
正孔輸送層４は、素子が正孔注入層を有する場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極２の上に形成することができる。
【０１３２】
正孔輸送層４の形成に用いることができる材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１３３】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の材料として用いられている材料であればよい。例えば、前述の正孔注入層５に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。
【０１３４】
また、正孔輸送性化合物として、前記式（１）で表される化合物よりなる本発明の有機電界発光素子材料を用いて、湿式成膜法により正孔注入層４を形成してもよい。
【０１３５】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、成膜、加熱乾燥させる。正孔輸送層形成用組成物には、正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。この溶媒は、上記正孔注入層形成用組成物に用いる溶媒として例示したものと同様のものを用いることができる。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層形成時と同様である。
【０１３６】
真空蒸着により正孔輸送層４を形成する場合もまた、成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１３７】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１３８】
正孔輸送層４は架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。ここで、架橋性化合物は、架橋基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
【０１３９】
架橋性化合物の架橋基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。
【０１４０】
架橋性化合物、すなわち、架橋基を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーが有する架橋基の数に特に制限はないが、単位電荷輸送ユニットあたり通常２．０未満、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．５以下となる数が好ましい。これは正孔輸送層形成材料の比誘電率を好適な範囲に調整するためである。また、架橋基の数が多すぎると、反応活性種が発生し、他の材料に悪影響を与える可能性があるためである。ここで、単位電荷輸送ユニットとは、架橋性ポリマーを形成する材料がモノマー体の場合、モノマー体そのものであり、架橋基を除いた骨格（主骨格）のことを示す。他種類のモノマーを混合する場合においても、それぞれのモノマーの主骨格のことを示す。架橋性ポリマーを形成する材料がオリゴマーやポリマーの場合、有機化学的に共役がとぎれる構造の繰り返しの場合は、その繰り返しの構造を単位電荷輸送ユニットとする。また、広く共役が連なっている構造の場合には、電荷輸送性を示す最小繰り返し構造、乃至はモノマー構造を示す。例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、ペリレンなどの多環系芳香族、フルオレン、トリフェニレン、カルバゾール、トリアリールアミン、テトラアリールベンジジン、１，４−ビス（ジアリールアミノ）ベンゼンなどが挙げられる。
【０１４１】
さらに、架橋性化合物としては、架橋基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。この場合の正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１４２】
架橋性化合物の分子量は、通常５０００以下、好ましくは２５００以下であり、また好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。
【０１４３】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解または分散した塗布液（正孔輸送層形成用組成物）を調製して、湿式成膜法により成膜し、その後架橋性化合物を架橋させる。
【０１４４】
この塗布液には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【０１４５】
また、この塗布液は、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤、電子受容性化合物、バインダー樹脂などを含有していてもよい。
【０１４６】
この塗布液に用いられる溶媒は、前記正孔注入層を形成するための溶媒として例示したものと同様である。
【０１４７】
この塗布液は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１４８】
この塗布液を正孔輸送層４の下層に該当する層上に成膜後は、加熱および／または光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させてポリマー化する。成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１４９】
光などの活性エネルギー照射による架橋の場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１５０】
加熱および光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１５１】
加熱および光を含む活性エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分および／または表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱および／または光などの活性エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも後述の発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。
【０１５２】
正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１５３】
＜発光層＞
本発明の有機電界発光素子における発光層５は、本発明の有機電界発光素子材料を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。通常、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて上記の湿式成膜法で形成される。
【０１５４】
成膜時の成膜温度は限定されないが、組成物中に結晶や凝集が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、１３℃以上がより好ましく、１６℃以上がさらに好ましく、また、５０℃以下が好ましく、４０℃以下がさらに好ましい。
【０１５５】
成膜時の相対湿度は限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、好ましくは０．０５ｐｐｍ以上、より好ましくは０．１ｐｐｍ以上、通常８０％以下、好ましくは６０％以下、より好ましくは１５％以下、更に好ましくは１％以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。相対湿度が小さすぎると、成膜条件の制御が困難となり、安定した環境を維持できない。また、大きすぎると発光層への水分吸着が影響する可能性がある。
【０１５６】
成膜後は、通常は加熱乾燥させる。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１５７】
加熱工程における加熱方向は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱方向の例を挙げると、例えば、ホットプレート上に成膜基板を搭載し、そのホットプレートを介して塗布膜を加熱させることで、塗布膜を基板の下面（有機層が塗布されていない基板側）から加熱していく方法、クリーンオーブン内に成膜基板を投入することで、前後左右すべての方向から塗布膜を加熱する方法等が挙げられる。
【０１５８】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限はないが、通常９０℃以上、好ましくは１００℃以上、また、通常２００℃以下、好ましくは１４０℃以下で加熱することが好ましい。加熱温度が高すぎると他の層に成分が拡散する可能性があり、また、低すぎると十分に残存溶媒を取り除けない可能性がある。また、有機電界発光素子用組成物中に溶媒が２種類以上含まれている混合溶媒である場合、少なくとも１種類がその溶媒の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。
【０１５９】
加熱工程における加熱時間は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１５分以上、より好ましくは３０分以上、さらに好ましくは１時間以上、また、好ましくは６時間以下、より好ましくは３時間以下、さらに好ましくは２時間以下である。この加熱により、塗布膜を十分に不溶化させることが可能となる。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、また、短すぎると十分な均質性が得られない。
【０１６０】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると発光層５に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると素子の駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０１６１】
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層を形成しない場合、すなわち、本発明の有機電界発光素子用材料を他の層に用いる場合、発光層としては従来有機電界発光素子の発光層として使用されている材料や方法により形成することができる。
【０１６２】
＜正孔阻止層＞
発光層５上に正孔阻止層６を設けてもよい。この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
【０１６３】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１６４】
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成できる。好ましくは真空蒸着法である。
【０１６５】
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１６６】
＜電子輸送層＞
陰極８と発光層５との間には電子輸送層７を設けてもよい。電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０１６７】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または後述の電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１６８】
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。好ましくは真空蒸着法である。
【０１６９】
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０１７０】
＜電子注入層＞
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
【０１７１】
電子注入層８の形成材料としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が挙げられる。この場合の電子注入層８の膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０１７２】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ3）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １９９７年，Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。
【０１７３】
この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０１７４】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１７５】
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０１７６】
＜陰極＞
陰極９は、発光層５側の層に電子を注入する役割を果たすものである。
【０１７７】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１７８】
陰極９の膜厚は、通常、陽極と同様である。
【０１７９】
さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１８０】
＜その他の層＞
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層、例えば、以下に記載する電子阻止層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０１８１】
電子阻止層は、発光層５に接して、発光層５の陽極側に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔輸送層４、正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔輸送層４、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。
【０１８２】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層８に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号公報記載）等が挙げられる。なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１８３】
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０１８４】
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極から順に設けることになる。
【０１８５】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０１８６】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１８７】
更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０１８８】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、各々の層構成材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１８９】
［有機ＥＬディスプレイ］
本発明の有機ＥＬディスプレイは、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬディスプレイの型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。  
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイを形成することができる。
【０１９０】
［有機ＥＬ照明］
本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【実施例】
【０１９１】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０１９２】
［合成例１］
＜中間体１の合成＞
【化１１】
0005444802.tif 000012
【０１９３】
窒素雰囲気下、１−ピレンボロン酸（２９．８ｇ）、３−ブロモヨードベンゼン（３７．６ｇ）のトルエン（２００ｍｌ）、エタノール（１５０ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６．９９ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）を加え、８時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、塩化メチレンで抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下で留去させ、残渣をシクロヘキサンで再結晶することで中間体１（３６．５ｇ）を得た。
【０１９４】
＜中間体２の合成＞
【化１２】
0005444802.tif 000013
【０１９５】
窒素雰囲気下、中間体１（２０ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１７ｇ）、および酢酸カリウム（１８．７ｇ）のジメチルスルホキシド（１６８ｍｌ）懸濁溶液を６０℃に加熱撹拌後、[１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（II）ジクロロメタン錯体（１．３７ｇ）を加え、８０℃で４時間半撹拌した。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、析出した結晶を濾過した。濾取した結晶をトルエンに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾液を減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレンの混合溶液）にて精製し、シクロヘキサンで懸濁洗浄することにより中間体２（１２．５ｇ）を得た。
【０１９６】
＜中間体３の合成＞
【化１３】
0005444802.tif 000014
【０１９７】
窒素雰囲気下、９−ブロモアントラセン（１７．３ｇ）、２−ビフェニルボロン酸（２０ｇ）のトルエン（１３５ｍｌ）、１，２−ジメトキシエタン（１３５ｍｌ）懸濁溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３．１１ｇ）、２Ｍリン酸三カリウム水溶液（１３５ｍｌ）を加え、８時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝７／１）にて精製することで中間体３（１９．６ｇ）を得た。
【０１９８】
＜中間体４の合成＞
【化１４】
0005444802.tif 000015
【０１９９】
氷冷下、中間体３（１０．７ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）溶液にＮ−ブロモ琥珀酸イミド（５．４７ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液（２５ｍｌ）を反応系内の温度が０〜５℃の範囲内になるように滴下し、９時間室温で撹拌した。反応終了後、反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣を塩化メチレン／メタノールで再結晶して中間体４（１５．５ｇ）を得た。
【０２００】
＜化合物Ａの合成＞
【化１５】
0005444802.tif 000016
【０２０１】
窒素雰囲気下、中間体２（２．４０ｇ）と、中間体４（２．０１ｇ）のトルエン（２４ｍｌ）、エタノール（１２ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２９ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍｌ）を加え、１０時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物を濾過し、濾液をクロロホルムで抽出した。有機層を１Ｎ塩酸で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、エタノールで懸濁洗浄することで化合物Ａ（２．６６ｇ）を得た。
【０２０２】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=606(M＋)）により化合物Ａであることを確認した。  
このもののガラス転移温度は１２５℃、窒素気流下での重量減少開始温度は４６０℃であった。
【０２０３】
［合成例２］
＜中間体５の合成＞
【化１６】
0005444802.tif 000017
【０２０４】
１，２−ジブロモピレン（３.０１ｇ，８.３６ｍｍｏｌ）、２−ナフタレンボロン酸（１.４１ｇ，７.９５ｍｍｏｌ）のトルエン（４２ｍｌ）、エタノール（２１ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１０.５ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０.４８ｇ，０.４２ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら５時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体５（１.１５ｇ，３６％）を得た。
【０２０５】
＜中間体６の合成＞
【化１７】
0005444802.tif 000018
【０２０６】
中間体５（１.１５ｇ，２.８２ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（０.８６ｇ，３.３９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（０.９４ｇ，９.６ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（６９ｍｇ，０.０８５ｍｍｏｌ）のジメチルスルホキシド（８.５ｍｌ）の懸濁液を８０℃で１６時間攪拌した。反応混合物を水にあけ、析出した結晶を濾過した。得られた結晶をトルエンに溶解させ、精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し中間体６（０.７０ｇ，５５％）を得た。
【０２０７】
＜中間体７の合成＞
【化１８】
0005444802.tif 000019
【０２０８】
中間体６（０.７０ｇ，１.５３ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−１−ヨードベンゼン（０.５２ｇ，１.８４ｍｍｏｌ）のトルエン（８ｍｌ）、エタノール（４ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８９ｍｇ，０.０７７ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら５時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体７（５５２ｍｇ，７５％）を得た。
【０２０９】
＜化合物Ｂの合成＞
【化１９】
0005444802.tif 000020
【０２１０】
中間体７（５４８ｍｇ，１.１３ｍｍｏｌ）、９−(２−ビフェニル)−１０−アントラセンボロン酸（５０９ｍｇ，１.３６ｍｍｏｌ）のトルエン（６ｍｌ）、エタノール（３ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１.５ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６６ｍｇ，０.０５７ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら５時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物Ｂ（５８２ｍｇ，７０％）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=732(M＋)）により化合物Ｂであることを確認した。
【０２１１】
［合成例３］
＜中間体８の合成＞
【化２０】
0005444802.tif 000021
【０２１２】
窒素雰囲気下、ブロモピレン（５.３６ｇ，９０.２ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１１.４５ｇ，４５.１ｍｍｏｌ）の脱水シクロヘキサン懸濁液に（０.９４ｇ，９.６ｍｍｏｌ）、ジ−μ−メトキソビス（１，５−シクロオクタジエン）ジイリジウム（I）（９５６ｍｇ，１.４４ｍｍｏｌ）、４，４'−ジ−ターシャリーブチル−２，２'−ジピリジル（７７５ｍｇ，２.８９ｍｍｏｌ）を添加し、還流下で８時間攪拌した。不溶物を濾過し、濾液の溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体８（８.５５ｇ，２３％）を得た。
【０２１３】
＜中間体９の合成＞
【化２１】
0005444802.tif 000022
【０２１４】
中間体８（５.０ｇ，１２.２ｍｍｏｌ）と、１−ヨードナフタレン（６.２４ｇ，２４.６ｍｍｏｌ）のトルエン（６０ｍｌ）、エタノール（３０ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１５ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（７１ｍｇ，０.６１４ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら９時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体９（２.５３ｇ，５１％）を得た。
【０２１５】
＜中間体１０の合成＞
【化２２】
0005444802.tif 000023
【０２１６】
窒素雰囲気下、中間体９（２.５３ｇ，６.２１ｍｍｏｌ）の脱水テトラハイドロフラン(１００ｍｌ)溶液を−７８℃まで冷却し、１.５５Ｍノルマルブチルリチウムヘキサン溶液（５ｍｌ，７.４５ｍｍｏｌ）を滴下した。同温度で１時間攪拌し、ボロン酸トリメチル（１.９４ｇ，１８.６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに−７８℃で２時間攪拌し、室温で４時間攪拌させた。反応混合物を水にあけ、１Ｎ−ＨＣｌでｐＨを１にし、酢酸エチルで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１０（１.７６ｇ，７６％）を得た。
【０２１７】
＜中間体１１の合成＞
【化２３】
0005444802.tif 000024
【０２１８】
中間体１０（１.７６ｇ，４.７２ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−１−ヨードベンゼン（１.６０ｇ，５.６６ｍｍｏｌ）のトルエン（２４ｍｌ）、エタノール（１２ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２７３ｍｇ，０.２３６ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら８時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１１（１.８５ｇ，８１％）を得た。
【０２１９】
＜化合物Ｃの合成＞
【化２４】
0005444802.tif 000025
【０２２０】
中間体１１（１.８４ｇ，３.８０ｍｍｏｌ）、９−(２−ビフェニル)−１０−アントラセンボロン酸（１.７１ｇ，４.５６ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ｍｌ）、エタノール（１０ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（５ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２２０ｍｇ，０.１９０ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら８時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物Ｃ（１.３５ｇ，４９％）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=732(M＋)）により化合物Ｃであることを確認した。
【０２２１】
［合成例４］
＜中間体１２の合成＞
【化２５】
0005444802.tif 000026
【０２２２】
９−ブロモ−１０−アントラセンボロン酸（５.０ｇ，１６.６ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−１−ヨードベンゼン（５.６４ｇ，１９.９ｍｍｏｌ）のトルエン（２００ｍｌ）、エタノール（１００ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９６０ｍｇ，０.８３１ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら８時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１２（３.５６ｇ，５２％）を得た。
【０２２３】
＜化合物Ｄの合成＞
【化２６】
0005444802.tif 000027
【０２２４】
３−(１−ピレニル)フェニルボロン酸（２.９４ｇ，９.１４ｍｍｏｌ）、中間体１２（１.７１ｇ，４.１５ｍｍｏｌ）のトルエン（４０ｍｌ）、エタノール（２０ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２３９ｍｇ，０.２０７ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら９時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物Ｄ（３.５６ｇ，５２％）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=806(M＋)）により化合物Ｄであることを確認した。
【０２２５】
［合成例５］
＜中間体１３の合成＞
【化２７】
0005444802.tif 000028
【０２２６】
１−ナフチルボロン酸（１.１１ｇ，６.４ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−１−ヨードベンゼン（２.３９ｇ，８.４ｍｍｏｌ）のトルエン（３２ｍｌ）、エタノール（１６ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（８ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６９ｍｇ，０.３２ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら５時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１３（２.４０ｇ，６６％）を得た。
【０２２７】
＜中間体１４の合成＞
【化２８】
0005444802.tif 000029
【０２２８】
窒素雰囲気下、中間体１３（２.３ｇ，８.２ｍｍｏｌ）の脱水テトラハイドロフラン(２０ｍｌ)溶液を−７８℃まで冷却し、１.６６Ｍノルマルブチルリチウムヘキサン溶液（５.２ｍｌ，８.５ｍｍｏｌ）を滴下した。同温度で１時間攪拌し、ボロン酸トリメチル（２.５４ｇ，２４.５ｍｍｏｌ）を添加し、さらに−７８℃で２時間攪拌し、室温で３時間攪拌させた。反応混合物を水にあけ、１Ｎ−ＨＣｌでｐＨを１にし、酢酸エチルで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１４（１.２５ｇ，６１％）を得た。
【０２２９】
＜中間体１５の合成＞
【化２９】
0005444802.tif 000030
【０２３０】
中間体１４（１.２４ｇ，４.７９ｍｍｏｌ）、９−ブロモアントラセン（８８１ｍｇ，３.４２ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（１３ｍｌ）、トルエン（５ｍｌ）の溶液に２Ｍリン酸カリウム水溶液（７ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１５８ｍｇ，０.１３６ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら１１時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１５（４８７ｍｇ，３８％）を得た。
【０２３１】
＜中間体１６の合成＞
【化３０】
0005444802.tif 000031
【０２３２】
中間体１５（４８７ｍｇ，１.２８ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５ｍｌ）溶液にＮ−ブロモスクシンイミド（２２８ｍｇ１.２８ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）溶液を１０分かけて滴下した。滴下終了後、室温で４時間攪拌し、水にあけた。析出した結晶を濾別し、中間体１６（４５５ｍｇ，７７％）を得た。
【０２３３】
＜化合物Ｅの合成＞
【化３１】
0005444802.tif 000032
【０２３４】
中間体１６（４５０ｍｇ，０.９７９ｍｍｏｌ）、３−（１−ピレニル）フェニルボロン酸（３７８ｍｇ，１.１８ｍｍｏｌ）のトルエン（１０ｍｌ）、エタノール（４ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５６ｍｇ，０.０４８ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら７時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物Ｅ（４１８ｍｇ，６５％）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=656(M＋)）により化合物Ｅであることを確認した。
【０２３５】
［合成例６］
＜中間体１７の合成＞
【化３２】
0005444802.tif 000033
【０２３６】
ターシャリーブチルアントラセン（５.０ｇ，２１.３ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍｌ）溶液にＮ−ブロモスクシンイミド（３.９９ｇ，２２.４ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５０ｍｌ）溶液を２０分かけて滴下した。滴下終了後、室温で１２時間攪拌した後、水にあけ、分離したオイル層をデカンテーションにて分離し、水層を塩化メチレンで抽出した。オイル層を塩化メチレンに溶解させ、先の抽出液とあわせて精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１７（５.３６ｇ，８０％）を得た。
【０２３７】
＜中間体１８の合成＞
【化３３】
0005444802.tif 000034
【０２３８】
中間体１７（５.３０ｇ，１６.９ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−１−ヨードベンゼン（４.０ｇ，２０.３ｍｍｏｌ）のトルエン（５０ｍｌ）、エタノール（５０ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２５ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５８５ｍｇ，０.５１ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら１８時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１８（４.９０ｇ，７５％）を得た。
【０２３９】
＜中間体１９の合成＞
【化３４】
0005444802.tif 000035
【０２４０】
中間体１８（４.８７ｇ，１２.７ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５３ｍｌ）溶液にＮ−ブロモスクシンイミド（２.４０ｇ，１３.３ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１２ｍｌ）溶液を２０分かけて滴下した。滴下終了後、室温で３時間攪拌し、水にあけ、析出した結晶を濾過した。結晶を５０％メタノール水溶液で洗浄して、中間体１９（５.５ｇ，９４％）を得た。
【０２４１】
＜化合物Ｆの合成＞
【化３５】
0005444802.tif 000036
【０２４２】
中間体１９（５.４９ｇ，１１.８ｍｍｏｌ）、３−(１−ピレニル)フェニルボロン酸（４.５６ｇ，１４.２ｍｍｏｌ）のトルエン（１２０ｍｌ）、エタノール（６０ｍｌ）の溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（４０ｍｌ）を添加し、窒素で１５分間バブリングを行った。ここへテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２７０ｍｇ，０.２３ｍｍｏｌ）を添加し、緩やかに還流させながら５時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物Ｆ（５.９０ｇ，７６％）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=662(M＋)）により化合物Ｆであることを確認した。
【０２４３】
［実施例１］
ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍ成膜したもの（スパッタ成膜品、シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術により２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２４４】
正孔輸送性化合物として下記構造の芳香族アミン高分子化合物ＰＢ−１（重量平均分子量：２９４００、数平均分子量：１２６００）、電子受容性化合物として下記構造の化合物ＰＩ−１および溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。ＰＢ−１とＰＩ−１は重量比でＰＢ−１：ＰＩ−１＝１０：４とし、組成物中のＰＢ−１およびＰＩ−１の合計濃度は２重量％とした。この組成物をスピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒で陽極２上にスピンコートにより湿式成膜した。成膜後、２６０℃で１８０分間加熱乾燥させた。以上の操作により膜厚３０ｎｍの均一な正孔注入層３の薄膜が形成された。
【０２４５】
【化３６】
0005444802.tif 000037
【０２４６】
正孔輸送性化合物として下記構造の化合物ＨＴ−１および溶媒としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。組成物中における化合物ＨＴ−１の濃度は０．４重量％とした。この組成物をスピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒で正孔注入層３上にスピンコートにより湿式成膜した。成膜後、２３０℃で６０分間加熱した。以上の操作により膜厚２０ｎｍの均一な正孔輸送層４の薄膜が形成された。
尚、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは−５．２７ｅＶであった。
【０２４７】
【化３７】
0005444802.tif 000038
【０２４８】
有機電界発光素子材料として合成例１で合成した化合物Ａ、下記構造の化合物Ｄ−１およびトルエンを含有する有機電界発光素子用組成物を、発光層形成に用いる組成物として調製した。組成物中の化合物Ａと化合物Ｄ−１とは重量比で化合物Ａ：Ｄ−１＝１０：１とし、組成物中の化合物ＡおよびＤ−１の合計濃度は０．７５重量％とした。この組成物をスピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒で正孔輸送層４上にスピンコートにより湿式成膜した。成膜後、１００℃で６０分間加熱乾燥させた。以上の操作により膜厚４０ｎｍの均一な発光層５の薄膜が形成された。
【０２４９】
【化３８】
0005444802.tif 000039
【０２５０】
得られた発光層５の上に、真空蒸着法により正孔阻止層６として下記構造の化合物ＨＢ−１を膜厚１０ｎｍとなるように、次いで、電子輸送層７として下記構造の化合物ＥＴ−１を膜厚３０ｎｍとなるように、それぞれ順次積層した。
【０２５１】
【化３９】
0005444802.tif 000040
【０２５２】
その後、真空蒸着法により、電子注入層８としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚０．５ｎｍとなるように、陰極９としてアルミニウムを膜厚８０ｎｍとなるように、それぞれ陽極２であるＩＴＯストライプと直交する形状の２ｍｍ幅のストライプ状に積層した。
【０２５３】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
【０２５４】
この素子からは、ＥＬピーク波長４６４ｎｍの青色発光が得られることを確認した。本実施例と後述の実施例２および比較例１、２で得られた有機電界発光素子の特性および駆動寿命をまとめて表１に示す。
【０２５５】
［比較例１］
上記化合物Ａの代わりに、下記構造の化合物Ｅ−２を使用した以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を得た。  
この素子からは、ＥＬピーク波長４７０ｎｍの青色発光が得られることを確認した。この素子は、実施例１と比較して駆動電圧は同等だったものの最高輝度や効率が低く、駆動寿命も短いものであった。
【０２５６】
【化４０】
0005444802.tif 000041
【０２５７】
［実施例２］
発光層に用いる有機電界発光素子用組成物に含まれる溶媒としてトルエンに代わり、シクロヘキシルベンゼンを使用し、固形分の濃度を２．３重量％に変更したこと以外は実施例１と同様にして有機電界発光素子を得た。  
この素子からは、ＥＬピーク波長４６７ｎｍの青色発光が得られることを確認した。
【０２５８】
［比較例２］
上記化合物Ａの代わりに、比較例１で用いた化合物Ｅ−２を使用した以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を得た。  
この素子からは、ＥＬピーク波長４７２ｎｍの青色発光が得られることを確認した。この素子は、実施例２と比較して最高輝度が低く、駆動電圧が高く電流効率も劣り、色純度も低く、駆動寿命も短いものであった。
【０２５９】
［実施例３］
上記化合物Ａの代わりに、合成例２で合成した化合物Ｂを使用した以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ＥＬピーク波長４６１ｎｍの青色発光が得られることを確認した。
【０２６０】
［実施例４］
上記化合物Ａの代わりに、合成例４で合成した化合物Ｄを使用した以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ＥＬピーク波長４７０ｎｍの青色発光が得られることを確認した。
【０２６１】
［実施例５］
上記化合物Ａの代わりに、合成例５で合成した化合物Ｅを使用した以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ＥＬピーク波長４６４ｎｍの青色発光が得られることを確認した。
【０２６２】
【表１】
0005444802.tif 000042
【０２６３】
＜素子の輝度半減時間＞
実施例１の素子と比較例1の素子を室温条件下、１０００ｃｄ／ｍ２で発光させた時、正面輝度が初期輝度の５０％まで低下する迄に要した時間は、それぞれ６２０時間と５２０時間であった。
また、実施例２の素子と比較例２の素子を室温条件下、１０００ｃｄ／ｍ２で発光させた時、正面輝度が初期輝度の５０％まで低下する迄に要した時間は、それぞれ７００時間と６３０時間であった。
【０２６４】
〔溶解度試験〕
［実施例６］
合成例１で合成した本発明の化合物Ａと、下記式（Ｅ−３）で表される比較化合物を用いて、有機溶剤（シクロヘキシルベンゼン）への溶解度を測定した。測定した結果を表２に示す。
【０２６５】
【化４１】
0005444802.tif 000043
【０２６６】
【表２】
0005444802.tif 000044
【０２６７】
上記より、前記式（１）で表される本発明の化合物は、有機溶剤に対する溶解性に優れることが分かる。前記表１でも示した通り、素子とした場合には、膜均一性に優れるため、短絡やダークスポットなどが生じず、駆動寿命が長く、また発光効率の高い素子が形成される。つまり、前記式（１）で表される化合物よりなる本発明の有機電界発光素子材料は、有機溶剤に対する溶解性と電荷輸送性を両立したものである。
【符号の説明】
【０２６８】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
【図１】
0005444802.tif 000047