(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法における樹脂層薄膜化処理液の管理方法において、樹脂層薄膜化処理液の無機アルカリ性化合物の濃度を中和滴定法によって求め、初期濃度と同濃度の液を補充することで、所定の範囲内に無機アルカリ性化合物の濃度を保持することを特徴とする樹脂層薄膜化処理液の管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層薄膜化処理液の管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジストを設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。
【０００３】
近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が５０〜８０μｍ未満、導体間隙が５０〜８０μｍの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙５０μｍ未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。
【０００４】
サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。
【０００５】
光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、１０μｍ以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。
【０００６】
このような問題を解決すべく、（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、厚い状態の光架橋性樹脂層を基板上に形成するので、気泡の混入や凹凸の追従性の低下といった問題が起こり難く、さらに、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層を使ってエッチングレジスト層を形成するので、微細な導電パターンを形成することができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法では、工程（ｂ）において、高濃度のアルカリ性水溶液を光架橋性樹脂層の薄膜化処理に使用するため、次のような問題があった。まず、樹脂層薄膜化処理液が空気と接触すると、炭酸塩を生じることにより劣化する。また、薄膜化処理により、基板が処理液を持ち出すことによる処理液の減少も、薄膜化能力を不安定化させる要因である（例えば、特許文献２参照）。さらに、水分蒸発による濃縮も無視できない。
【０００８】
樹脂層薄膜化処理液の能力を一定に保つために、薄膜化能力を反映する何らかの指標をもとに、樹脂層薄膜化処理液の管理を行うことが必要不可欠である。
【０００９】
液晶基板製造工程やプリント配線板工程などにおいて、感光性有機樹脂の現像に用いられるアルカリ系現像液の管理における現像能力を反映する指標として、現像液自身のｐＨがある。樹脂層薄膜化処理の場合、光架橋性樹脂層に含まれるカルボン酸末端を持つアルカリ可溶性樹脂と高濃度のアルカリ水溶液とが接触、反応して、ｐＨが実際の濃度で測定される値よりも低く観測されるために、処理液のｐＨで管理することは困難である。
【００１０】
中和滴定によるアルカリ系現像液の管理方法も提案されているが、この管理方法を特許文献１の工程（ｂ）に応用すると、種々の問題点が生じる場合がある（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
すなわち、特許文献３における現像液の管理方法の場合、現像液を自動的にサンプリングした液のアルカリ濃度が目標より高い場合には水を補充し、低い場合には現像液よりも高濃度の補充液を目標濃度からのずれに応じて追加補充する。特許文献１における樹脂層薄膜化処理液は、液晶基板製造工程やプリント配線板工程などに用いられるアルカリ系現像液よりも、濃度変化が処理に及ぼす影響が大きいため、より厳密な管理が必要であり、高濃度の補充液を追加補充すると、薄膜化処理が不安定になる。
【００１２】
より詳しく説明すると、アルカリ系現像液による感光性樹脂層の現像工程の場合、光架橋していない感光性樹脂層を全て現像できるように、アルカリ系現像液の濃度が変化することを見越して、感光性樹脂層全てが溶出される時間（ブレイクポイント）よりも１．５倍〜２．０倍程度の時間の処理が施されている。光架橋している部分は、この時間であれば、剥離しない。これに対して、特許文献１における工程（ｂ）では、全く光架橋していない光架橋性樹脂層を均一に薄膜化しなければならず、高濃度の補充液を追加補充することで生じる僅かの濃度のずれが薄膜化量に大きく影響してしまう。高濃度の補充液を追加補充する際に、槽内を一気に撹拌することで、瞬間的に目標濃度になるように機械的な操作を施すことも考えられるが、この撹拌によって、樹脂層薄膜化処理液が発泡し、この泡によって、薄膜化処理が不均一になる場合があるため、これも適用不可能である。
【００１３】
処理枚数や処理面積によって、定量補充をする管理方法は有効であると考えられるが、濃度のずれを僅かでも引き起こさないためには、多量の処理液を供給しなければならず、樹脂層薄膜化処理液を無駄に消費することになるため、好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０９６４３８号パンフレット
【特許文献２】特開２００６−１３３５６０号公報
【特許文献３】特開平９−２３６９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法における樹脂層薄膜化処理液の管理方法において、高濃度の無機アルカリ性化合物を含む樹脂層薄膜化処理液の薄膜化能力を一定に保つことを可能にする管理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法における樹脂層薄膜化処理液の管理方法において、樹脂層薄膜化処理液の無機アルカリ性化合物の濃度を中和滴定法によって求め、初期濃度と同濃度の液を補充することで、所定の範囲内に無機アルカリ性化合物の濃度を保持することを特徴とする樹脂層薄膜化処理液の管理方法で、本発明の課題は解決された。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、中和滴定法を用いた液管理をすることにより、ｐＨ管理による液管理方法と比較して厳密な管理ができるため、樹脂層薄膜化処理液を無駄に消費することがなく、環境負荷を低減することができる。また、初期濃度と同濃度の液を補充することで、高濃度液の補充液を補充する場合と比較して、より厳密な管理ができると共に、高濃度の無機アルカリ性化合物を含む樹脂層薄膜化処理液の薄膜化能力を一定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程を含む導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の樹脂層薄膜化処理液の管理方法について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程を含む導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。基板２は、絶縁性基板５の片表面に導電層４を設けてなる。工程（ａ）では、基板２の導電層４上に光架橋性樹脂層１を形成する。工程（ｂ）は、工程（ｂ１）〜（ｂ３）からなる。工程（ｂ１）では、光架橋性樹脂層１の上層部にアルカリ水溶液を浸透させ、ミセル化した光架橋性樹脂層６を形成する。工程（ｂ２）では、ミセル化した光架橋性樹脂層６を溶解除去し、光架橋性樹脂層１を薄膜化させる。工程（ｂ３）では、薄膜化後の光架橋性樹脂層１を水洗した後、水滴を除去する。なお、工程（ｂ２）は必須ではなく、工程（ｂ１）後に工程（ｂ３）を行って、水洗でミセル化した光架橋性樹脂層６を溶解除去してもよい。工程（ｃ）では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層１を露光し、架橋部３を形成する。工程（ｄ）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１を現像により除去する。工程（ｅ）では、光架橋性樹脂の架橋部３で覆われていない導電層４をエッチングし、導電パターンを得る。
【００２１】
光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は１００℃以上であることが好ましい。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。
【００２２】
表面に導電層を設けた基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ／メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
【００２３】
リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、１９９２年刊行、（株）近代化学社刊）に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
【００２４】
光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォートシリーズ（商品名、旭化成イーマテリアルズ社製）、フォテックシリーズ（商品名、日立化成工業社製）、リストンシリーズ（商品名、デュポンＭＲＣドライフィルム社製）、ＡＬＰＨＯシリーズ（商品名、ニチゴー・モートン社製）等を挙げることができる。
【００２５】
光架橋性樹脂層の厚みは、１５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。この厚みが１５μｍ未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合がある。一方、１００μｍを超えると、光架橋性樹脂層の製造コストが高くなるだけでなく、製造した光架橋性樹脂層のエッジフュージョンが顕著で保存性が悪くなる場合がある。
【００２６】
本発明における光架橋性樹脂層の薄膜化処理は、３つの工程（ｂ１）〜（ｂ３）よりなる。まず、工程（ｂ１）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％、より好ましくは、１０〜１５質量％含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液を供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。５質量％未満では、ミセルが不溶化し難く、溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内ムラが発生する。また、２０質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。
【００２７】
工程（ｂ１）において、樹脂層薄膜化処理液は繰り返し使用されるが、水分蒸発による濃縮、基板移載時の処理液持ち出し、空気中の二酸化炭素と接触、反応することによる炭酸塩の形成等による劣化が起こり、液の薄膜化処理能力を一定に保持することは難しい。しかし、樹脂層薄膜化処理液の状態が一定に管理されていないと薄膜化能力を不安定化させ、処理後の膜厚に差が生じ、安定生産性の低下、歩留りの低下につながる。
【００２８】
そこで、本発明では、中和滴定法で求めたアルカリ濃度を所定の範囲内に保持する方法で、樹脂層薄膜化処理液の状態を一定にしようとするものである。
【００２９】
具体的には、連続稼働している薄膜化処理装置から所定量の樹脂層薄膜化処理液を採取し、ｐＨを測定しながら、これに塩酸または硫酸を滴下し、中和点に達するまでに添加した酸の量から無機アルカリ性化合物の濃度を求める。得られた滴定曲線より無機アルカリ性化合物の濃度を算出するが、酸性領域ではカルボン酸基を有するバインダーの影響で滴定曲線がシフトするため、正確な濃度が見積もれない場合がある。そのため、アルカリ領域で濃度を算出する必要がある。この濃度が樹脂層薄膜化処理液の所定の範囲外にずれていた場合、本発明では、樹脂層薄膜化処理液の初期濃度と同じ濃度の液を添加する。「所定の範囲」とは、樹脂層薄膜化処理液の初期濃度に対して、−５％〜＋５％の濃度範囲をいい、以下、「目標濃度」ともいう。このような中和滴定による無機アルカリ性化合物濃度の測定及び樹脂層薄膜化処理液の添加という操作を所定時間毎に行うことで、樹脂層薄膜化処理液の薄膜化能力を一定範囲内に保持することが可能になる。
【００３０】
中和滴定から樹脂層薄膜化処理液の添加までを自動で行うこともできる。自動システムとしては、例えば、少なくとも自動的に所定時間毎に薄膜化処理液を計量しながらサンプリングする機能（定量ポンプ、計量管等）、ｐＨメータ、液を撹拌する機能（マグネチックスターラー等）、滴定液（酸）を滴下する機能（パルスモータ駆動のポンプ等）、推定中和点ｐＨを設定し、該ｐＨになったら滴定液の滴下を停止する機能、滴定液の滴下量を算出する機能、該滴下量から無機アルカリ性化合物の濃度を算出する機能、目標濃度を設定する機能、［（目標濃度−測定濃度）×樹脂層薄膜化処理液タンク容積／目標濃度］で計算される量の初期濃度と同濃度の液を供給する機能（定量ポンプ等）、一連の滴定測定完了後、滴定容器等を洗浄する機能を含むシステムが挙げられる。液を補充する場合の計算式は上記を基本とするが、実際のプロセスを見ながら種々の補正をするのが好ましい。
【００３１】
上述の例では推定中和点ｐＨを設定し、そのｐＨになるまでに滴下した酸の量から無機アルカリ性化合物の濃度を算出したが、測定精度を高めるためには、滴定終了ｐＨとして、中和点ｐＨを過ぎたｐＨ（中和点がｐＨ８ならば、７〜６程度）に設定し、酸滴下開始から滴下終了までの間でｐＨ変化率が最も大きくなる酸滴下量を求め、その点をもって中和点とし、それまでに滴下した酸の量から無機アルカリ性化合物の濃度を算出するのが好ましい。
【００３２】
次いで、工程（ｂ２）では、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０、より好ましくは、ｐＨ６〜８の水溶液を供給し、工程（ｂ１）で不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。このように、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を分けることで、工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層は処理液中にほとんど溶け込まないため、処理液の溶解性変化が少なく、安定した連続薄膜化処理ができるという利点がある。また、工程（ｂ２）において、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩はいずれもアルカリ領域に優れた緩衝能力を有するため、工程（ｂ１）から高濃度のアルカリ水溶液の一部が混入した場合においても、急激なｐＨの上昇を防止することができ、局所的な処理液の撹拌ムラ及びスプレームラ、光架橋性樹脂層の溶解ムラに起因するｐＨ変化を最小限まで抑制することができる。さらに、ｐＨ５〜１０の水溶液を使用することにより、（ｂ２）における光架橋性樹脂層成分の再分散性を一定に保つことができ、安定した連続薄膜化処理ができる。
【００３３】
工程（ｂ２）において、水溶液のｐＨが５未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する場合がある。一方、水溶液のｐＨが１０を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生する場合がある。また、工程（ｂ２）の処理液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、液のｐＨを調整した後に使用してもよい。工程（ｂ２）において、水溶液の供給流量は多い方が好ましく、光架橋性樹脂層１ｃｍ２あたり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。工程（ｂ２）において、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。
【００３４】
工程（ｂ２）に続き、工程（ｂ３）で処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去することにより、光架橋性樹脂層の薄膜化処理が完了する。水洗水としては、工業用水、水道水、イオン交換水、蒸留水等が挙げられる。樹脂層表面の水滴の除去方法としては、エアーナイフ、吸液性ロール、温風乾燥等が挙げられるが、物理的な接触がなく、除去効率がよいことから、エアーナイフが特に好ましい。
【００３５】
光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの０．０５〜０．９倍の厚みまで薄くすることをいう。
【００３６】
薄膜化処理の方法として、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件（温度、時間、スプレー圧）は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜４０℃、さらに好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．３ＭＰａである。
【００３７】
工程（ｃ）では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられるが、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とし、フォトツールを用いた片面、両面密着露光が好適に用いられる。
【００３８】
工程（ｄ）では、光架橋していない光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、０．３〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
【００３９】
工程（ｅ）では、エッチングレジスト層以外の露出した導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。
【実施例】
【００４０】
以下実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
＜工程（ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２５５ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．４ｍｍ、商品名：ＦＲ−４、三菱ガス化学社製）上に耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度１００℃、エアー圧力０．３０ＭＰａ、ラミネート速度０．５０ｍ／ｍｉｎにて、ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ５０３８、厚み５０μｍ、旭化成イーマテリアルズ社製）をラミネートした。
【００４２】
＜工程（ｂ１）＞
水平搬送方式の連続処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行った。液温２５℃、スプレー圧０．０５ＭＰａの条件下で処理を行った。支持層フィルムを剥離した後、無機アルカリ性化合物として炭酸ナトリウムを１０質量％含む樹脂層薄膜化処理液で、ドライフィルムレジストの光架橋樹脂層成分を一旦不溶化した。タンク容量は１５０ｋｇであった。このとき、中和滴定による液管理システムを用い、初期濃度と同濃度の液を補充して、アルカリ濃度を一定に保持した。１０枚処理毎に５０ｍｌの処理液を定量ポンプと計量管を用いて採取し、これを２倍に希釈して、中和滴定を行い、無機アルカリ性化合物の濃度を算出した。測定濃度が９．５質量％未満または１０．５質量％を超えた場合、槽内の濃度が９．５〜１０．５質量％になるまで、初期濃度と同じ濃度の液を補充した。補充量は、平均して１００ｍｌであった。
【００４３】
＜工程（ｂ２）〜（ｂ３）＞
工程（ｂ２）で、樹脂層薄膜化処理液として、炭酸ナトリウムを０．１質量％含む樹脂層薄膜化処理液（液温度２５℃、スプレー圧０．０５ＭＰａ）を使って、不溶化された光架橋樹脂成分を再分散させて溶解除去し、工程（ｂ３）で、処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後（液温度２５℃、スプレー圧０．０５ＭＰａ）、エアーナイフによって薄膜化後の樹脂層表面の水滴を除去した。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定した。以上の条件で、１日５０枚ずつの薄膜化処理を１００日間続けたところ、光架橋性樹脂層の薄膜化後の膜厚は、平均値より−１μｍ〜＋１μｍの範囲に収まっており、処理液の管理は安定的に行われていた。
【００４４】
＜工程（ｃ）＞
ライン／スペース＝２５／２５μｍのパターンが描画されたフォトツールを用い、出力３ｋｗの超高圧水銀灯（商品名：ＵＲＭ−３００、ウシオライティング社製）を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
【００４５】
＜工程（ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察した結果、ライン／スペース＝２５／２５μｍのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。
【００４６】
＜工程（ｅ）＞
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液（液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを実施した。続いて、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
【００４７】
（比較例１）
樹脂層薄膜化処理液の管理に中和滴定を用いず、ｐＨによる液管理を行った以外は実施例１と同条件で、導電パターンを得た。槽内のｐＨを初期値からのずれがないように管理すると、１枚処理する毎に初期濃度と同濃度の液を平均して１０００ｍｌ補充しなければならず、樹脂層薄膜化処理液を無駄に消費した。
【００４８】
（比較例２）
樹脂層薄膜化処理液の管理に中和滴定を用いず、ｐＨによる液管理を行い、さらに、高濃度の補充液（１１質量％の炭酸ナトリウム水溶液）を用いた以外は実施例１と同条件で、導電パターンを得た。１枚処理する毎に平均して２００ｍｌの高濃度液を補充し、槽内のｐＨを初期値からのずれがないように管理した。処理開始から１５日経過した時に薄膜化量のバラつきが生じて、−１μｍ〜＋１μｍの範囲に収まらなくなり、その後は１００日間まで継続して薄膜化量のバラつきが生じ、適正な管理が行われなかった。また、１５日経過後の無機アルカリ性化合物の濃度を求めると、１０．６質量％であり、適正な濃度値ではなかった。
【００４９】
（比較例３）
初期濃度と同じ濃度の液ではなく、高濃度の補充液（１１質量％の炭酸ナトリウム水溶液）を用いた以外は実施例１と同条件で、導電パターンを得た。処理枚数の１０枚目、２０枚目、３０枚目・・・と中和滴定直後に薄膜化量にバラつきが見られ、薄膜化処理量が−１μｍ〜＋１μｍの範囲に収まっておらず、最大で−２μｍの薄膜化処理量となる場合があった。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１  光架橋性樹脂層（未架橋部）
２  基板
３  光架橋性樹脂層の架橋部
４  導電層
５  絶縁性基板
６  ミセル化した光架橋性樹脂層
【図１】
0005444063.tif 000002