(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（２１）と、溶断部（２２）と、少なくとも一つの穴部（２３）とからなるヒューズ構造であって、
前記基材（２１）は、上層部（２１１）と下層部（２１２）を備え、それによりヒューズ構造の基礎を形成し、
前記溶断部（２２）は、前記上層部（２１１）と下層部（２１２）の間に設けられ、前記下層部（２１２）の外側には高導熱材料層（２４）が設けられ、
前記穴部（２３）は、前記溶断部（２２）の表面箇所に設けられ、それにより前記溶断部（２２）の溶断空間を形成することを特徴とする、ヒューズ構造。
【請求項２】
前記上層部（２１１）の外側には、低導熱材料層（２５）が更に設けられることを特徴とする、請求項１に記載のヒューズ構造。
【請求項３】
前記上層部（２１１）の外側には、高導熱材料層（２４）が更に設けられることを特徴とする、請求項１に記載のヒューズ構造。
【請求項４】
前記上層部（２１１）と下層部（２１２）はセラミックス材料であることを特徴とする、請求項１、請求項２または請求項３のいずれかの項に記載のヒューズ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヒューズ構造に関し、特に高出力に耐えられるヒューズ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のヒューズ構造は、高導熱材料層或いは低導熱材料層を備えていないため、高出力に耐えるヒューズとして用いるのには適していない。図１に示すように、従来のヒューズ構造３０の溶断部３２が、基材３１の上層部３１１と下層部３１２の間に設けられ、上層部３１１と下層部３１２は、同じ種類の材料からなる基材（例えば、セラミックス材料）であり、その内部には高導熱材料層或いは低導熱材料層の構造をもたないため、高出力に耐えられず、大電流の回路に使用することができない。また、従来のヒューズ構造は、ユーザーのニーズに応じて各種の導熱に使用して、ヒューズ素子を保護、或いは、回路のその他の電子素子を保護することができない。これらの問題点は、いずれも使用者にとって不便であり、使用者を困らせることになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
そこで、本発明は、高出力に耐えられるヒューズ構造を提供することを目的とする。
【０００４】
また、本発明は、ヒューズ素子を保護することができるヒューズ構造を提供することを目的とする。
【０００５】
また、本発明は、その他の電子素子を保護することができるヒューズ構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるヒューズ構造は、基材と、溶断部と、少なくとも一つの穴部とからなる。基材は、上層部と下層部を備え、それにより、ヒューズ構造の基礎を形成する。溶断部は、前記上層部と下層部の間に設けられ、前記溶断部と前記下層部の間には、高導熱材料層が設けられる。前記穴部は、前記溶断部の表面箇所に設けられ、それにより、前記溶断部の溶断空間を形成する。
【０００７】
前記ヒューズ構造において、前記上層部と下層部はセラミックス材料であるのが好ましい。
【０００８】
前記ヒューズ構造において、前記上層部の外側には、低導熱材料層が設けられるのが好ましい。
【０００９】
前記ヒューズ構造において、前記上層部の外側には、高導熱材料層が設けられるのが好ましい。
【００１０】
本発明によるもう一つのヒューズ構造は、基材と、溶断部と、少なくとも一つの穴部とからなる。基材は、上層部と下層部を備え、それにより、ヒューズ構造の基礎を形成する。溶断部は、前記上層部と下層部の間に設けられ、前記下層部の外側には、高導熱材料層が設けられる。前記穴部は、前記溶断部の表面箇所に設けられ、それにより、前記溶断部の溶断空間を形成する。
【００１１】
前記ヒューズ構造において、前記上層部と下層部はセラミックス材料であるのが好ましい。
【００１２】
前記ヒューズ構造において、前記上層部の外側には、低導熱材料層が設けられるのが好ましい。
【００１３】
前記ヒューズ構造において、前記上層部の外側には、高導熱材料層が設けられるのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来のヒューズ構造の概略図である。
【図２】本発明の実施例１の概略図である。
【図３】本発明の実施例２の概略図である。
【図４】本発明の実施例３の概略図である。
【図５】本発明の実施例４の概略図である。
【図６】本発明の実施例５の概略図である。
【図７】本発明の実施例６の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施例１）
図２を参照する。図２は、本発明の実施例１の概略図である。図に示すように、本発明のヒューズ構造１０は、基材１１と、溶断部１２と、少なくとも一つの穴部１３と、からなる。基材１１は、上層部１１１と下層部１１２を備え、ヒューズ構造の基礎を形成する。溶断部１２は、上層部１１１と下層部１１２の間に設けられ、溶断部１２と下層部１１２の間には、高導熱材料層１４が設けられる。少なくとも一つの穴部１３は、溶断部１２の表面箇所に設けられ、溶断部１２の溶断空間を形成する。その内、上層部１１１と下層部１１２は、セラミックス材料である。以上により、本発明は、高出力に耐えられる的ヒューズ構造を達成することができる。  
【００１６】
（実施例２、実施例３）
図３と図４を参照する。図２と図３は、本発明の実施例２と実施例３の概略図である。図に示すように、図３では、ヒューズ構造１０（図２に図示）の上層部１１１の外側に、低導熱材料層１５を更に設け、図４では、ヒューズ構造１０（図２に図示）の上層部１１１の外側に、高導熱材料層１４を更に設ける。  
【００１７】
（実施例４）
図５を参照する。図５は、本発明の実施例４の概略図である。図に示すように、本発明の実施例４のヒューズ構造２０は、基材２１と、溶断部２２と、少なくとも一つの穴部２３とからなる。基材２１は、上層部２１１と下層部２１２を備えて、ヒューズ構造の基礎を形成する。溶断部２２は、上層部２１１と下層部２１２の間に設けられ、下層部２１２の外側には、高導熱材料層２４が設けられる。少なくとも一つの穴部２３は、溶断部２２の表面箇所に設けられ、溶断部２２の溶断空間を形成する。上層部２１１と下層部２１２はセラミックス材料である。以上により、本発明は、高出力に耐えられる的ヒューズ構造を達成することができる。
【００１８】
（実施例５、実施例６）
図６と図７を参照する。図６と図７は、本発明の実施例５と実施例６の概略図である。図に示すように、図６では、ヒューズ構造２０（図５に図示）の上層部２１１の外側に、低導熱材料層２５を更に設け、図７では、ヒューズ構造２０（図５に図示）の上層部２１１の外側に、高導熱材料層２５を更に設ける。
【符号の説明】
【００１９】
１０    ヒューズ構造
１１    基材
１１１  上層部
１１２  下層部
１２    溶断部
１３    穴部
１４    高導熱材料層
１５    低導熱材料層
２０    ヒューズ構造
２１    基材
２１１  上層部
２１２  下層部
２２    溶断部
２３    穴部
２４    高導熱材料層
２５    低導熱材料層
３０    従来のヒューズ構造
３１    基材
３１１  上層部
３１２  下層部
３２    溶断部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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