(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性高分子膜とパターニングされたレジスト膜とをこの順で有する基板を形成する工程、
レジスト膜のパターンに従って導電性高分子膜をエッチングする工程、及び、
導電性高分子膜上のレジスト膜を剥離液により剥離する工程、をこの順で含み、
前記剥離液が有機溶剤（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含み、
前記有機溶剤（Ａ）が、Ｎ−アルキルピロリドン、カルボン酸アミド化合物、ジアルキルスルホキシド、及び、エーテル化合物よりなる群から選択され、
前記有機溶剤（Ｂ）が、アルキロラクトン、炭酸アルキレン、及び、多価アルコールよりなるから選択され、
前記有機溶剤（Ａ）の含有量が剥離液の５重量％以上４０重量％以下であり、かつ、前記有機溶剤（Ｂ）の含有量が剥離液の６０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする
パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法。
【請求項２】
前記有機溶剤（Ａ）がＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、及び、テトラヒドロフランよりなる群から選択される、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記有機溶剤（Ｂ）がγ−ブチロラクトンである、請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記有機溶剤（Ａ）単独での導電性高分子膜への浸透幅をａとしたとき、剥離液の導電性高分子膜への浸透幅がａ／２以下である、請求項１〜３いずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記導電性高分子がポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、及び、これらの誘導体よりなる群から選択される、請求項１〜４いずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記導電性高分子がポリ（３，４−ジアルコキシオキシチオフェン）又はその誘導体である、請求項１〜５いずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記導電性高分子がポリ（３，４−ジアルコキシオキシチオフェン）である、請求項１〜６いずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板が硝子類、ウエハー類、ポリエステル類、及び、ポリオレフィン類よりなる群から選択される、請求項１〜７いずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか１つに記載の方法により得られたことを特徴とする
パターニングされた導電性高分子膜を有する基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法及びパターニングされた導電性高分子膜を有する基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＺｎＯ（酸化亜鉛）を成分とする無機化合物が使用されているが、インジウムが希少元素であり、無機化合物は加工がしにくいため、導電性高分子による代替の研究が進められている。
この導電性高分子は、導電性、光の透過性、発光性に優れるのみならず、フィルム成膜性、薄膜性、フレキシブル性にも優れており、電解コンデンサー、帯電防止膜、高分子ＥＬ、太陽電池等への実用化の開発が行われている。【０００３】
例えば、電解コンデンサーの場合では、その電解質より導電性が高い導電性高分子を使用することにより、化学的・物理的に安定であり、耐熱性にも優れ、かつ、周波数特性の良好な電解コンデンサーを作ることができる。
また、導電性高分子をポリマーフィルムの表面に薄く成膜することにより、透明性を保ったまま静電気を防止することができるため、使い勝手のよい帯電防止フィルムや帯電防止容器として使用できる。【０００４】
導電性高分子をＩＴＯ膜の代替として透明導電膜に使用しようとする場合には、実用的で有用な生産性の高いパターニング法を採用する必要があり、各種のパターニング法が検討されている。
例えば、インクジェット印刷法によるパターニング（特許文献１）が知られている。【０００５】
これに対し、基板上に成膜した導電性高分子膜のさらに上にフォトレジストをコートし、フォトリソグラフィーを用いてレジスト膜にパターンを形成した後、該レジスト膜をマスク材として、そのパターンに沿って下層の導電性高分子をエッチング剤でエッチングする方法は、精度よくアスペクト比の高いパターンが形成できるという利点がある。
導電性高分子をエッチングによってパターニングする方法は、例えば、特許文献２に開示されている。【０００６】
レジスト膜の剥離には、溶解力に優れた有機溶剤が用いられる。例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（特許文献３）、ジメチルスルホキシド（特許文献４）、テトラヒドロフラン（特許文献５）が例示できる。【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１０９４３５号公報
【特許文献２】特開平５−３３５７１８号公報
【特許文献３】特開平０１−０８１９４９号公報
【特許文献４】特開昭６０−０６６４２４号公報
【特許文献５】特開２００３−３４６５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の方法は、パターニングを印刷で行うため、簡便で精度のよい方法であるが、導電性高分子はインク化が難しいという欠点がある。
また、特許文献２に記載の方法は、導電性高分子のエッチング後に、上層のレジスト膜を有機溶剤で剥離する必要がある。この場合、レジスト膜も導電性高分子膜も共に有機高分子であるため、レジスト膜と導電性高分子膜の界面でのみ剥離して、導電性高分子膜と基板との界面では剥離せず、かつ、導電性高分子を侵さない溶剤が必要であり、さらに、エッチング液に触れた導電性高分子膜の端部は有機溶剤に侵されやすいため、特に技術的に難しい問題を抱えている。【０００９】
特許文献３〜５に記載されている剥離剤に関しては、これらの有機溶剤はフォトレジストを剥離するだけでなく、パターニングした導電性高分子に浸透する。特にパターニングした導電性高分子の端部から浸透し、浸透した部分を変色させたり、膨潤により膜厚が厚くなったり、パターンが脱落する問題がある。
このような導電性高分子の変色は、透明導電膜としての機能を著しく低減させる。例えば、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＥＬディスプレイやタッチパネルのような透明導電膜を使用する各種ディスプレイに応用した場合、画像を表示した画面に導電性高分子のパターンの影が現れ、画像の表示に著しい障害を起こす。【００１０】
本発明の目的は、上記課題を解決することであり、具体的には、剥離性に優れ、かつ、導電性高分子膜よりレジスト膜を剥離するに際し、導電性高分子膜の端部の変色が抑制された、パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法、及び、前記製造方法により得られる基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは鋭意検討した結果、以下の＜１＞及び＜９＞に記載の手段により上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至った。好ましい実施態様である＜２＞〜＜８＞と共に以下に記載する。
＜１＞  基板上に導電性高分子膜とパターニングされたレジスト膜とをこの順で有する基板を形成する工程、レジスト膜のパターンに従って導電性高分子膜をエッチングする工程、及び、導電性高分子膜上のレジスト膜を剥離液により剥離する工程、をこの順で含み、前記剥離液が有機溶剤（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含み、前記有機溶剤（Ａ）が、Ｎ−アルキルピロリドン、カルボン酸アミド化合物、ジアルキルスルホキシド、及び、エーテル化合物よりなる群から選択され、前記有機溶剤（Ｂ）が、アルキロラクトン、炭酸アルキレン、及び、多価アルコールよりなるから選択され、前記有機溶剤（Ａ）の含有量が剥離液の５重量％以上４０重量％以下であり、かつ、前記有機溶剤（Ｂ）の含有量が剥離液の６０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とするパターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法、
＜２＞  前記有機溶剤（Ａ）がＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、及び、テトラヒドロフランよりなる群から選択される、＜１＞に記載の基板の製造方法、
＜３＞  前記有機溶剤（Ｂ）がγ−ブチロラクトンである、＜１＞又は＜２＞に記載の基板の製造方法、
＜４＞  前記有機溶剤（Ａ）単独での導電性高分子膜への浸透幅をａとしたとき、剥離液の導電性高分子膜への浸透幅がａ／２以下である、＜１＞〜＜３＞いずれか１つに記載の基板の製造方法、
＜５＞  前記導電性高分子がポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、及び、これらの誘導体よりなる群から選択される、＜１＞〜＜４＞いずれか１つに記載の基板の製造方法、
＜６＞  前記導電性高分子がポリ（３，４−ジアルコキシオキシチオフェン）又はその誘導体である、＜１＞〜＜５＞いずれか１つに記載の基板の製造方法、
＜７＞  前記導電性高分子がポリ（３，４−ジアルコキシオキシチオフェン）である、＜１＞〜＜６＞いずれか１つに記載の基板の製造方法、
＜８＞  前記基板が硝子類、ウエハー類、ポリエステル類、及び、ポリオレフィン類よりなる群から選択される、＜１＞〜＜７＞いずれか１つに記載の基板の製造方法、
＜９＞  ＜１＞〜＜８＞いずれか１つに記載の方法により得られたことを特徴とするパターニングされた導電性高分子膜を有する基板。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、剥離性に優れ、かつ、導電性高分子膜よりレジスト膜を剥離するに際し、導電性高分子膜の端部の変色が抑制された、パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法、及び、前記製造方法により得られる基板を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】導電性高分子上に直接形成したレジスト膜を剥離する方法を示す工程図である。
【図２】導電性高分子上に他の膜を介して形成されたレジスト膜を剥離する方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００１４】
１０      導電性高分子
２０      基板
３０      レジスト膜
４０      マスクパターン
５０      他の膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のパターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法は、基板上に導電性高分子膜とパターニングされたレジスト膜とをこの順で有する基板を形成する工程、レジスト膜のパターンに従って導電性高分子膜をエッチングする工程、及び、導電性高分子膜上のレジスト膜を剥離液により剥離する工程、をこの順で含み、前記剥離液が有機溶剤（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含み、前記有機溶剤（Ａ）が、Ｎ−アルキルピロリドン、カルボン酸アミド化合物、ジアルキルスルホキシド、及び、エーテル化合物よりなる群から選択され、前記有機溶剤（Ｂ）が、アルキロラクトン、炭酸アルキレン、及び、多価アルコールよりなるから選択され、前記有機溶剤（Ａ）の含有量が剥離液の５重量％以上４０重量％以下であり、かつ、前記有機溶剤（Ｂ）の含有量が剥離液の６０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする。【００１６】
本発明において、導電性高分子膜上に形成されたレジスト膜の剥離液として、レジスト膜の剥離性に優れた有機溶剤（Ａ）と、導電性高分子への浸透が少ない有機溶剤（Ｂ）との混合液を使用することにより、レジスト膜の剥離性に優れると共に、レジスト膜の下層に設けられた導電性高分子膜の変色が抑制される。
なお、本発明において数値範囲を表す「下限〜上限」の記載は、特に断りのない限り「下限以上、上限以下」を表し、「上限〜下限」の記載は、特に断りのない限り「上限以下、下限以上」を表す。すなわち、端点である上限及び下限を含む数値範囲を意味する。【００１７】
１．剥離液、導電性高分子、基板及びレジスト膜、並びに、導電性高分子膜のパターン（パターニングされた導電性高分子膜）
（剥離液）
本発明において、レジスト膜の剥離液は、有機溶剤（Ａ）及び有機溶剤（Ｂ）を含有する。なお、該剥離液は、導電性高分子膜及びレジスト膜の界面から、レジスト膜のみを剥離させる。
剥離液は、有機溶剤（Ａ）及び有機溶剤（Ｂ）の他に、他の有機溶剤、水等の他の無機溶剤、及び、界面活性剤等の他の成分を含有していてもよいが、有機溶剤（Ａ）及び有機溶剤（Ｂ）の合計含有量が、剥離液全体の７０重量％以上であることが好ましく、８０重量％以上であることがより好ましく、９０重量％以上であることがさらに好ましい。また、溶剤としては、有機溶剤（Ａ）及び有機溶剤（Ｂ）のみを含有していることが特に好ましい。【００１８】
＜有機溶剤（Ａ）＞
有機溶剤（Ａ）は、Ｎ−アルキルピロリドン、カルボン酸アミド化合物（モノアシルアミン化合物）、ジアルキルスルホキシド、及び、エーテル化合物よりなる群から選択される。なお、有機溶剤（Ａ）は一種を単独で使用してもよく、二種以上を併用してもよい。
Ｎ−アルキルピロリドンは、環状のアミド化合物のことであり、本発明においてアミドとはカルボン酸と、アンモニア、１級アミン、又は、２級アミンのいずれかとが脱水縮合した化合物を指す。Ｎ−アルキルピロリドンは、アルキル基の炭素数が１〜４であることが好ましく、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン等が例示でき、Ｎ−メチルピロリドンが特に好ましい。
カルボン酸アミド化合物は、鎖状のアミド化合物のことであり、該カルボン酸アミド化合物とはカルボン酸とアンモニア、１級アミン、又は、２級アミンのいずれかとが脱水縮合した化合物を指す。カルボン酸アミド化合物としては、カルボン酸アミド（Ｒ1ＣＯ−ＮＨ2）、Ｎ−アルキルカルボン酸アミド（Ｒ1ＣＯ−ＮＨＲ2）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルボン酸アミド（Ｒ1ＣＯ−ＮＲ2Ｒ3）が例示でき、これらの中でも、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルボン酸アミドが好ましい。なお、前記Ｒ1は水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立にアルキル基を表し、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。カルボン酸アミド化合物としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが好ましい。
ジアルキルスルホキシド（Ｒ4−ＳＯ−Ｒ5）は、スルフィニル基の硫黄原子に二つのアルキル基が結合した化合物である。前記Ｒ4及びＲ5はアルキル基であり、炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることが好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。ジアルキルスルホキシドとしては、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。【００１９】
エーテル化合物は、エーテル結合（−Ｏ−）を持つ化合物のことで、環状エーテル化合物でも鎖状エーテル化合物でもよい。エーテル化合物の具体例としては、オキセタン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル等が挙げられる。エーテル化合物としては、水との親和性が高いものが水で洗い流せることから好ましい。このような観点から、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。【００２０】
これら有機溶剤（Ａ）として、特に好ましいものは、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロフランであり、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロフランがより好ましい。【００２１】
＜有機溶剤（Ｂ）＞
本発明において、有機溶剤（Ｂ）は、導電性高分子への浸透性が少ない有機溶剤である。有機溶剤（Ａ）と有機溶剤（Ｂ）とを混合することにより、レジスト膜の剥離性を維持したまま、導電性高分子膜に有機溶剤（Ａ）が浸透するのを防ぎ、変色のない微細な線幅の導電性高分子パターンが得られる。
かかる有機溶剤（Ｂ）は、アルキロラクトン、炭酸アルキレン、及び、多価アルコールよりなる群から選択される。なお、有機溶剤（Ｂ）は一種を単独で使用してもよく、二種以上を併用してもよい。【００２２】
アルキロラクトンは、環状のエステル結合を持つ化合物のことで、３員環のラクトン（α−ラクトンともいう。）、４員環のラクトン（β−ラクトンともいう。）、５員環のラクトン（γ−ラクトンともいう。）、６員環のラクトン（δ−ラクトンともいう。）等が挙げられ、５員環のラクトン、６員環のラクトンが好ましい。
炭酸アルキレンは、アルキレングリコールと炭酸とのエステル化合物のことで、具体的な炭酸アルキレンとしては、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等が挙げられ、炭酸エチレンが好ましい。
多価アルコールは、ヒドロキシル基を２個以上含むアルコールのことで、例えば、ジエチレングリコールのようにエーテル結合を含んでいてもヒドロキシル基が２個以上ある場合は多価アルコールに該当する。具体的な多価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン等が挙げられる。この中でも、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールが好ましい。【００２３】
有機溶剤（Ｂ）として、特に好ましいものは、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールであり、その中でもγ−ブチロラクトン、プロピレングリコール、ジエチレングリコールがさらに好ましく、γ−ブチロラクトンが最も好ましい。【００２４】
＜混合比率等＞
有機溶剤（Ａ）単独での導電性高分子膜への浸透幅をａとしたとき、剥離液の導電性高分子膜への浸透幅がａ／２以下となるように、有機溶剤（Ｂ）を混合して、剥離液を調製することが好ましい。
かかる混合により、レジスト膜の剥離性と、端部の膨潤、剥離及び変色等の防止とを両立することができる。【００２５】
上記の導電性高分子膜への浸透幅は、以下の試験により測定できる。
基板としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを選び、その表面に導電性高分子としてＣＬＥＶＩＯＳ  ＰＨ５００（商品名、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）含有）を用いて５００ｎｍの薄膜を作製する。
次いで、ポジ形フォトレジストとして、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含むレジストであるＴＲＰ−１０１（東亞合成株式会社製）をスピンコーターによりコートし、９０℃で１５分間プリベークを行って、膜厚１μｍのレジスト層を形成する。
このレジスト層に、露光装置（株式会社ハイテック製）を用いて、Ｌ／Ｓ＝１０／１０（１０μｍのラインアンドスペース）と一辺４００μｍの正方形とを含む繰り返しパターンを持つフォトマスクを介して、ＵＶ光を１００ｍＪ／ｃｍ2照射して露光する。
現像液（０．４５重量％ＫＯＨと０．４５重量％Ｋ2ＣＯ3の水溶液）にて現像し、水洗後、乾燥してレジストパターンを形成する。
この基板をクリーンオーブン内で１１０℃にて１０分間保持し、ポストベークを行う。
パターニングしたレジスト膜をマスク材として、１０重量％の硝酸セリウムアンモニウムと１０重量％の硝酸の混合物であるエッチング液を用いて、３０℃にて６秒間、導電性高分子をエッチング処理し、水洗して導電性高分子のパターンを形成する。
最後に、導電性高分子膜上のレジスト層を、有機溶剤（Ａ）単独、又は、有機溶剤（Ａ）及び有機溶剤（Ｂ）の混合液を用い、１２℃にて１分間浸漬することにより、レジスト膜を剥離し、ドライヤー（吹き出し口で風速２０ｍ／ｓ、ドライヤー吹き出し口と基板の距離１００ｍｍ、基板表面での風速１４〜１８ｍ／ｓ、室温、角度４５°）で該混合液を基板から除去する。
次いで、１２℃の水に１分間浸漬し、ドライヤー（吹き出し口で風速２０ｍ／ｓ、ドライヤー吹き出し口と基板の距離１００ｍｍ、基板表面での風速１４〜１８ｍ／ｓ、室温、角度４５°）で水を除去し、導電性高分子がパターニングされたテスト基板を得る。
該テスト基板について、テスト基板をレーザー式表面形状観察顕微鏡  ＶＦ−７５００（商品名  株式会社キーエンス製）で観察し、１０μｍのラインの端部で有機溶剤（Ａ）又は剥離液が浸透して白色になっている部分の幅を測定する。なお、本来のポリチオフェンは青色をしており、変色の境界は明確に観測できる。【００２６】
剥離液において、有機溶剤（Ａ）の含まれる割合は５重量％〜４０％重量であり、有機溶剤（Ｂ）の含まれる割合は９５重量％〜６０重量％である。有機溶剤（Ａ）の含まれる割合が５重量％未満であると、十分な剥離性を得ることができない。また、有機溶剤（Ａ）の含まれる割合が４０重量％を超えると、導電性高分子膜の端部の変色が急激に増加する。また、有機溶剤（Ｂ）の含まれる割合が９５重量％を超えると、十分な剥離性を得ることができず、６０重量％未満であると、導電性高分子膜の端部の変色が急激に増加する。
有機溶剤（Ａ）の含有量が５重量％〜２０重量％、有機溶剤（Ｂ）の含有量が９５重量％〜８０重量％であることがより好ましい。【００２７】
本発明において、剥離液には、剥離前の洗浄水が基板に付着して持ち込まれたり、空気中の水分が溶け込んだりするので、水が含まれることがある。水は、剥離能力がなく混合液の剥離能力を低下させるため、剥離液中の水の含有量を１０重量％以下にすることが好ましい。より好ましくは５重量％以下であり、さらに好ましくは３重量％以下であり、最も好ましくは１重量％以下である。【００２８】
本発明において、剥離液には、導電性高分子へ悪影響を及ぼさない程度に、剥離力の強化のために界面活性剤等の添加剤を含んでいてもよい。その含有量は５重量％以下が好ましい。
本発明において使用される界面活性剤は、カチオン、アニオン、ノニオン、ベタイン等のどのタイプの使用も可能である。【００２９】
（導電性高分子）
本発明に使用する導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリビチオフェン、ポリイソチオフェン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリイソチアナフテン、ポリイソナフトチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリチアジル、ポリエチレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリドデシルチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの誘導体等が例示できる。
このうち、好ましくはポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン又はこれらの誘導体であり、より好ましくは、ポリチオフェン又はその誘導体であり、さらに好ましくはポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）又はその誘導体であり、ポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）が特に好ましい。
ポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）の中では、電気伝導度、空気中での安定性及び耐熱性に優れたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が最も好ましい。【００３０】
本発明においては導電性高分子の電気伝導度を高める目的で、ドーパントを併用することができる。該ドーパントとしては、ヨウ素、塩素等のハロゲン類、ＢＦ3、ＰＦ5等のルイス酸類、硝酸、硫酸等のプロトン酸類や、遷移金属、アルカリ金属、アミノ酸、核酸、界面活性剤、色素、クロラニル、テトラシアノエチレン、ＴＣＮＱ等、公知のものが例示される。ポリチオフェン及びその誘導体を用いる場合のドーパントとしてはポリスチレンスルホン酸が好ましい。【００３１】
導電性高分子を塗膜する際に、バインダー樹脂、界面活性剤、消泡剤、界面活性剤を含んだ液体にして用いることが多い。
導電性高分子と基材との密着性強化のために使うような下地膜を有していてもよい。
本発明において、剥離液は、このようなバインダー樹脂や下地膜への浸透防止に対しても、有効である。【００３２】
バインダー樹脂としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。
ポリウレタン樹脂としては、Ｕ７１０（Ａｌｂｅｒｄｉｎｇｋ  Ｂｏｌｅｙ社製）、ＳａｎｃｕｒｅＴＭ８２５（Ｌｕｂｒｉｚｏｌ社製）、ＮｅｏＲｅｚＴＭＲ９８６（ＤＳＭ社製）、ＢａｙｄｅｒｍＴＭ  Ｆｉｎｉｓｈ  ８５ＵＤ（ＬＡＮＸＥＳＳ社製）等が挙げられる。
ポリエステル樹脂としてはＥａｓｔｅｋＴＭ１２００−０２−３０％（ＥＡＳＴＭＡＮ社製）、プラスコート  Ｚ−４６５（互応化学工業株式会社製）等が挙げられる。【００３３】
具体的な導電性高分子としては、商品名「Ｐａｎｉｐｏｌ」（Ｐａｎｉｐｏｌ社製）として市販されているポリアニリンが知られており、機能性スルホン酸でドープした有機溶媒可溶型ポリアニリンである。
商品名「Ｏｒｍｅｃｏｎ」（Ｏｒｍｅｃｏｎ社製）で市販されたポリアニリンは、有機酸をドーパントに用いた溶媒分散型ポリアニリンである。
商品名「ＣＬＥＶＩＯＳ」（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製）で市販されているポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）はポリスチレンスルホン酸をドーパントとしている。
その他に、商品名「ＳＴポリ」（アキレス株式会社製）で市販されるポリピロール、商品名「ＰＥＴＭＡＸ」（東洋紡績株式会社製）で市販されるスルホン化ポリアニリン、商品名「ＳＣＳ−ＮＥＯ」（マルアイ株式会社製）で市販されるポリアニリンも本発明に使用できる。
特許流通促進事業として特許流通支援チャートの平成１３年度化学６「有機導電性ポリマー」に記載されている導電性高分子も本発明に使用できる。【００３４】
（基板）
本発明に用いる基板は、使用目的や用途に従い適宜選択することができる。
具体的には、ソーダ石灰硝子、ケイ酸硝子、バリウム硝子、燐酸塩硝子、ホウ酸塩硝子、フッ化物硝子、石英硝子等の硝子類、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素 、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等から構成されるウエハー類、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテン、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン類、その他にポリスチレン、ポリイミド、ポリアクリレート、メタクリレート等が例示される。
好ましい基板としては、硝子類、ウエハー類、ポリエステル類、ポリオレフィン類が例示できる。フレキシブルな基板となり、画像表示装置に格納しやすいポリエチレンテレフタレートのフィルムやシートが特に好ましい。【００３５】
（レジスト）
本発明に使用するレジストとしては、液状のものでも固形化したものでもいずれも使用できる。フォトレジストやドライフィルムレジストが特に好ましく、液状のフォトレジストが最も好ましい。【００３６】
（導電性高分子膜のパターン）
パターニングされた導電性高分子膜の最小線幅が小さいほど、剥離液が導電性高分子膜に浸透し、変色した部分の占める割合が大きくなる。本発明で使用される剥離液はかかる場合に特に効果を発揮する。
一般に線幅をライン（Ｌとする）といい、線幅と線幅の間隔をスペース（Ｓとする）という。前述のようにレジストを剥離する有機溶剤の組成によって、該有機溶剤が導電性高分子に浸透し変色を起こす幅も決まる。そして、浸透した幅をＸ（μｍ）とすると、線幅Ｌ（μｍ）が細いほど導電性高分子への影響（影響率（％）＝Ｘ／Ｌ×１００で表される。）も大きくなるので、浸透した幅Ｘが同じ場合、使用する線幅が重要となる。
有機溶剤が浸透した部分の導電性高分子は、パターニング前の導電性高分子とは性質が変化しており、導電性高分子の実用化に各種の悪影響を及ぼす。
有機溶剤が浸透した部分は、膨潤によって基板から剥がれやすくなる。膨潤した部分は、膨潤前よりも基板と平行な方向に広がろうとする力が発生し、基板との密着力が低下する。線幅が細いほど密着力が劣る部分の割合が多くなり剥がれやすくなる。【００３７】
また、有機溶剤が浸透した部分は、膨潤によって膨潤前とは外観上の色が変わっている。
無機化合物の透明導電膜は、特有の色をしており、ＩＴＯは黄色、ＺｎＯ膜は青色をしているが、これらの透明導電膜は有機溶剤の浸透などは発生せず、浸漬しても元の色のままである。
一方、導電性高分子も種類によって特有の色をしており、ポリチオフェンは青色、ポリアニリンは緑色、ポリピロールは黒色をしているが、レジスト膜を剥離後に顕微鏡で観察すると、有機溶剤の浸透した部分は白味を帯びて変色している。このような部分的な変色は、ＬＣＤの画素電極のように光を透過して色を表示する用途において、問題となる。ＬＣＤの画素電極では、画素電極のパターンの影が画像の表示画面に現れる。このような現象はタッチパネルでも発生する。さらに、ＬＣＤの画素電極では、画素電極内の変色した部分は、本来表示する色とは異なった色を表示する。一方、画素電極内の変色していない部分は本来の色を表示するので、このような場合、人間の目には混色（複数の色が混ざって元の色とは違う一つの色に見えること。ＲＧＢの三色でフルカラーを表示するのも混色の一例。）によって、本来表示すべき色とは違った色に認識され、色の再現性に問題を生じる。
一般に、ＬＣＤ等のディスプレイに使用する場合の透明導電膜の最小線幅は、ディスプレイの画面寸法及び解像度によって異なるが、おおよそ２μｍ〜５００μｍである。【００３８】
また、有機溶剤が浸透した部分は、膨潤によって膜厚の均一性を悪化させる。膜厚の均一性が重要な用途として、有機ＥＬが挙げられる。
有機ＥＬでは、導電性高分子の膜厚のばらつきが、発光層の膜厚のばらつきの原因となる。そして、発光層の膜厚が薄すぎる部分に電荷が集中し、発光層が破壊されることがある。破壊された部分は発光しなくなり、いわゆるダークスポットとなる。
有機ＥＬに使用される場合の透明導電膜の最小線幅は、ディスプレイの画面寸法及び解像度によって異なるが、おおよそ２μｍ〜５００μｍである。
よって、実用的な、導電性高分子のパターニングに含まれる最小線幅は、５００μｍ以下でなければならない。好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以下であり、さらに好ましくは３０μｍ以下であり、最も好ましくは２０μｍ以下である。
一方、最小線幅が小さくなるとフォトリソグラフィーの露光及びフォトマスクに対する負荷が増え、使用する露光装置やフォトマスクが高価になる。よって、導電性高分子のパターンに含まれる最小線幅は、２μｍ以上が好ましく、４μｍ以上がより好ましく、６μｍ以上がさらに好ましく、１０μｍ以上が最も好ましい。【００３９】
２．パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法
本発明の基板の製造方法は、（Ａ）基板上に導電性高分子膜とパターニングされたレジスト膜とをこの順で有する基板を形成する工程（以下、基板形性工程、又は、工程（Ａ）ともいう。）、レジスト膜のパターンに従って導電性高分子膜をエッチングする工程（以下、エッチング工程、又は、工程（Ｂ）ともいう。）、及び、導電性高分子膜上のレジスト膜を剥離液により剥離する工程（以下、剥離工程、又は、工程（Ｃ）ともいう。）、をこの順で含む。【００４０】
（工程（Ａ））
工程（Ａ）は、基板上に導電性高分子膜とパターニングされたレジスト膜とをこの順で有する基板を形成する工程であり、該工程（Ａ）は、基板上に導電性高分子膜を成膜する工程、導電性高分子膜上にレジスト膜を成膜する工程、及び、レジスト膜を紫外線によりパターン様となるように露光し、現像液で現像する工程を含むことが好ましく、上記工程をこの順で有することがより好ましい。【００４１】
基板上に導電性高分子膜を成膜する工程は、基板上に導電性高分子の溶液をコーティングし、乾燥して導電性高分子の薄膜を形成させてもよく、基板の表面上で導電性高分子を重合することにより薄膜を形成してもよい。
なお、ドーパントは公知の方法で添加することができる。導電性高分子の溶液中にドーパントを添加する方法、予め導電性高分子膜を成膜してから、ドーパントを後で導入する方法、導電性高分子膜を作製する際にドーパントを挿入する方法のいずれを使用することもできる。
前記導電性高分子の薄膜は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、特に好ましいのは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。【００４２】
成膜した導電性高分子膜上にレジスト膜を成膜する工程は、レジスト溶液を導電性高分子膜の上からコーティングし、ベーキングを行ってレジスト膜を形成することが好ましい。
次に、レジスト膜を紫外線によりパターン様となるように露光し現像液で現像する工程を含むことが好ましい。このレジスト膜は、マスクパターンを介して露光し、レジスト膜にパターンを形成することが好ましい。
レジスト膜の露光光源としては、Ａｒレーザー、半導体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等が例示できる。
これにより、基板上に導電性高分子及びパターン化されたレジスト膜をこの順で有する基板を得ることができる。【００４３】
（工程（Ｂ））
次いで、工程（Ｂ）では、レジスト膜のパターンに従って導電性高分子膜をエッチングする。すなわち、パタ−ンを形成したレジスト膜を一種のマスクとして導電性高分子をエッチング処理し、導電性高分子のパターンを形成する。エッチングの方法としては特に限定されず、公知の方法が使用できる。
本発明において、導電性高分子膜のエッチングの方法としては、エッチング液を用いたウェットエッチング方法が例示でき、浸漬法及びスプレー法のいずれも使用することができる。
また、導電性高分子膜をドライエッチングしてもよい。ドライエッチングとしては、例えば、プラズマエッチング、光エッチング、イオンビームエッチングなどが挙げられる。プラズマエッチングとしては、反応性イオンエッチングが好ましい。光エッチングとしては、例えば、紫外線の照射によりエッチングする紫外光エッチングが挙げられ、紫外線としては、エキシマレーザやＹＡＧレーザー等の高調波を使用した光を用いることができる。
なお、さらに、レジストの現像後にポストベークを行うことが好ましい。【００４４】
（工程（Ｃ））
工程（Ｃ）（剥離工程）では、導電性高分子膜上のレジスト膜を剥離し、導電性高分子のパターンを得る。
該剥離工程では、導電性高分子をパターニング処理した後の基板（以下、処理基板という。）と剥離液とを接触させることが必要である。かかる剥離工程は、処理基板を剥離液の入った容器中に入れる方法（浸漬法）や、剥離液を処理基板上に噴霧する方法（噴霧法、スプレー法）が例示できる。
処理基板を容器中に入れる方法では、剥離液は、処理基板上のレジスト層が完全に浸るように使用することが好ましい。【００４５】
処理基板と剥離液の接触は、少なくともレジスト層が導電性高分子膜から完全に分離するまで必要であり、通常は、１０秒〜５分の間で適宜選択される。好ましくは２０秒〜３分の間から選択し、より好ましくは３０秒〜２分の間から選択する。
なお、これらの処理時間は剥離剤を撹拌することによっても短縮できるため、前記噴霧以外にも浸漬揺動、液循環、超音波などの方法が用いることができる。【００４６】
前記剥離工程において、剥離剤の温度を制御することが好ましい。
剥離液は、加熱して用いるのが一般的であるが、高温処理では剥離液が導電性高分子膜の導電性に対して悪影響を与える場合がある。したがって５０℃以下が好ましい。より好ましくは４０℃以下であり、さらに好ましくは３５℃以下であり、最も好ましくは３０℃以下である。また、低温であると、剥離能力が落ちるので５℃以上が好ましく、より好ましくは１０℃以上である。【００４７】
剥離工程の終了後、処理基板を引き上げ、水（例えば、蒸留水）や有機溶剤などの洗浄液で洗浄する、洗浄工程を有することが好ましい。
洗浄に使う洗浄液は、水、アセトン、又は低級アルコール、もしくはこれらの混合物であることが好ましい。なお、本発明において低級アルコールとは、炭素数１〜４の分岐していてもよいアルキル基を有するアルコールであり、具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールである。これら低級アルコールは混合して使用してもよく、洗浄性を落とさない範囲で、それ以外の比較的沸点の低いアルコール、例えばｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノールを混合してもよい。好ましい洗浄液はイオン交換水、メタノール及び／又はエタノールであり、これらの混合物であってもよい。洗浄水としては、水が最も好ましい。【００４８】
本発明における、洗浄工程の時間は、３０秒〜５分が好ましい。洗浄工程の時間が３０秒以上であると、十分な洗浄性を得ることができ、また、５分以下であると、導電性高分子が基板から脱落することがない。洗浄工程の時間を上記範囲内とすることにより導電性高分子を有する基板の歩留まりが良好であるので好ましい。【００４９】
前記洗浄工程において、洗浄液の温度を制御することが好ましい。洗浄時間の短縮及び洗浄残り防止のためには洗浄温度が５℃以上であり、洗浄後の導電性高分子の導電性の悪化、すなわち表面抵抗の上昇を防ぐためには洗浄温度が６０℃以下であることが好ましい。洗浄液の温度は、５℃以上５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１０℃以上４０℃以下であり、さらに好ましくは１０℃以上３０℃以下である。【００５０】
本発明において、剥離工程及び洗浄工程の少なくとも一方を５℃〜６０℃の温度で行うことが好ましく、剥離工程及び洗浄工程の両方を５℃〜６０℃の温度で行うことがより好ましい。【００５１】
洗浄に対する負荷を低減するため、洗浄前に基板に付着した剥離液を除去することが好ましい。これらの方法としては、布でのふき取り、スポンジローラーで挟んで絞る、気体で吹き飛ばす、基板を回転させて遠心力で振り落とす、等の既存の方法が適用できる。
導電性高分子膜は基板との密着性が弱い場合があり、特に導電性高分子膜が剥離液で濡れた状態のまま固体と接すると、導電性高分子膜が基板から部分的に脱落したり、めくれたりする可能性が大きくなる。剥離液の除去方法としては、気体で吹き飛ばすことが好ましい。気体としては、空気、窒素、酸素、ネオンやヘリウム等の不活性ガスなどが例示できるが、安価な空気が好ましい。
気体は、基板に対して垂直に当てると除去しにくくなり、基板に対して水平に当てると導電性高分子が剥がれたりするので、基板に対して斜め方向から気体を当てるのが好ましく、斜め方向の角度が４５°±３０°の範囲がさらに好ましい。
洗浄した後の水、メタノール、アセトン、エタノール等の洗浄剤を基板から除去する方法についても、同じく気体で混合液を吹き飛ばすことが好ましい。【００５２】
また、本発明において、洗浄工程の後に乾燥工程を行うことが好ましい。前記乾燥工程としては公知の方法から適宜選択することができる。【００５３】
なお、本発明のレジスト膜の剥離方法は、前述した導電性高分子上に直接形成したレジスト膜を剥離する場合に限定されるものではない。導電性高分子上に他の膜を成膜して、その上にレジストを成膜し、パターニング後剥離する場合や、パターニングした導電性高分子が付いた基板上に他の膜を成膜しさらにレジストを成膜してパターニング後剥離する場合にも適用できる。【００５４】
以下に図を参照して詳述する。なお、以下の図において、同一の符号は、同一の対象を指すものである。
図１は、導電性高分子上に直接形成したレジスト膜を剥離する方法を示す工程図である。
図１（ａ）において、基板２０上に導電性高分子１０を成膜する。次いで、導電性高分子１０上にレジスト膜３０を成膜する（図１（ｂ））。マスクパターン４０を介してレジスト膜３０を露光し（図１（ｃ））、パターン様に現像する（図１（ｄ））。なお、図１では、レジスト膜３０としてポジ型レジストを使用しており、露光された部分が可溶性となる。なお、露光に使用する光源は特に限定されないが、紫外線を好適に使用することができる。
次いで、導電性高分子１０をエッチングし（図１（ｅ））、さらに導電性高分子１０上のレジスト膜３０を剥離する（図１（ｆ））。本発明の剥離剤及び剥離方法は、前記図１（ｅ）に示す導電性高分子１０上のレジスト膜３０の剥離剤及び前記レジスト膜の剥離方法として好適に使用することができる。【００５５】
図２は、導電性高分子上に他の膜を介して形成されたレジスト膜を剥離する方法を示す工程図である。
図２（ａ）において、基板２０上に導電性高分子１０及び他の膜５０がこの順で成膜されている。次に、他の膜５０上に、レジスト膜３０を成膜し（図２（ｂ））、図１（ｃ）と同様にマスクパターン４０を介してレジスト膜３０を露光する（図２（ｃ））。レジスト膜３０をパターン様に現像し（図２（ｄ））、次いで、他の膜５０をエッチングする（図２（ｅ））。最後に、他の膜５０を介して導電性高分子１０上に形成されたレジスト膜３０を剥離する、この段階で剥離剤が導電性高分子１０と接するので、本発明の剥離剤であれば導電性高分子１０の導電性を損なわず表面抵抗の上昇を防ぐことができる（図２（ｆ））。
本発明の剥離剤及び剥離方法は、図２（ｅ）に示すように、他の膜５０を介して導電性高分子１０上に設けられているレジスト膜３０の剥離剤及びレジスト膜の剥離方法としても使用することができる。
ここで、他の膜は特に限定されず、例えば、ＬＣＤや有機ＥＬ等の配線金属（アルミニウム、銅、銀、モリブデン、チタン、タンタル、クロム）、反射式ＬＣＤに用いられる外光の反射材（銀など）が例示できる。【００５６】
（ポストベーク）
エッチング液に触れた導電性高分子膜の端部は有機溶剤に侵されやすい。導電性高分子膜のうちエッチング液に触れた部分を少なくするには、レジスト膜と導電性高分子膜の密着性を増し、レジスト膜と導電性高分子膜との隙間にエッチング液が侵入するのを防ぐ方法が有効である。密着性の強化により、導電性高分子膜が有機溶剤によって侵されるのを防ぐことができるので、密着性を強化する処理を行うのがよい。密着性を増す方法としては、レジストの塗布後のプリベークを強化する方法、レジストの現像後にポストベーク処理を行う方法等がある。このうちポストベークを行うのが好ましい。ポストベークによって、レジスト膜は剥離しにくくなるが、本発明の剥離液は、かかる場合にも使用することができる。
【実施例】
【００５７】
以下に、実施例を挙げ本発明について説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。【００５８】
［実施例１−１］
基板としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを選び、その表面に導電性高分子としてＣＬＥＶＩＯＳ  ＰＨ５００（商品名、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）含有）を用いて５００ｎｍの薄膜を作製した。
次いで、ポジ形フォトレジストとして、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含むレジストであるＴＲＰ−１０１（東亞合成株式会社製）をスピンコーターによりコートし、９０℃で１５分間プリベークを行って、膜厚１μｍのレジスト層を形成した。
このレジスト層に、露光装置（株式会社ハイテック製）を用いて、Ｌ／Ｓ＝１０／１０（１０μｍのラインアンドスペース）と一辺４００μｍの正方形を含む繰り返しパターンを持つフォトマスクを介して、ＵＶ光を１００ｍＪ／ｃｍ2照射して露光した。
現像液（０．４５重量％ＫＯＨと０．４５重量％Ｋ2ＣＯ3の水溶液）にて現像し、水洗後、乾燥してレジストパターンを形成した。
この基板をクリーンオーブン内で１１０℃１０分間保持し、ポストベークを行った。【００５９】
パターニングしたレジスト膜をマスク材として、１０重量％の硝酸セリウムアンモニウムと１０重量％の硝酸の混合物であるエッチング液を用いて、３０℃にて６秒間、導電性高分子をエッチング処理し、水洗して導電性高分子のパターンを形成した。
最後に、導電性高分子膜上のレジスト層を、有機溶剤（Ａ）としてＮ−メチルピロリドン５％、有機溶剤（Ｂ）としてγ‐ブチロラクトン９５％、の混合液を剥離液として用い、１２℃にて１分間浸漬することにより、レジスト膜を剥離し、ドライヤー（吹き出し口で風速２０ｍ／ｓ、ドライヤー吹き出し口と基板の距離１００ｍｍ、基板表面での風速１４〜１８ｍ／ｓ、室温、角度４５°）で該混合液を基板から除去した。
次いで、１２℃の水に１分間浸漬し、ドライヤー（吹き出し口で風速２０ｍ／ｓ、ドライヤー吹き出し口と基板の距離１００ｍｍ、基板表面での風速１４〜１８ｍ／ｓ、室温、角度４５°）で水を除去し、導電性高分子をパターニングしたテスト基板を得た。
該テスト基板について、以下の試験を行った。【００６０】
・導電性高分子の端部の観察
テスト基板をレーザー式表面形状観察顕微鏡  ＶＦ−７５００（商品名  株式会社キーエンス製）で観察し、１０μｍのラインの端部で混合液が浸透して白色になっている部分の幅を測定した。なお、本来のポリチオフェンは青色をしており、変色の境界は明確に観測できる。
浸透幅は実用的には０．９μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．７μｍ以下であり、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。
また、浸透幅をラインの幅で除することにより、影響率（％）を求めた。なお、影響率は実用的には９％以下であることが好ましく、より好ましくは７％以下であり、さらに好ましくは３％以下である。【００６１】
・剥離性（レジスト残り）
乾燥後のテスト基板をレーザー式表面形状観察顕微鏡  ＶＦ−７５００（商品名  株式会社キーエンス製）で観察し、導電性高分子膜の上に剥離できずに残存しているレジスト膜の有無を観察した。
観察は、フォトマスクに繰返し存在するパターンの一つに相当する部分とした。このパターンの一つは約３ｍｍ×約３ｍｍの範囲に相当する。
評価基準：  
○：レジストの剥離残りが見当たらない。
△：１μｍよりも小さいレジスト剥離残りがある。
×：１μｍ以上のレジスト剥離残りがある。【００６２】
その結果、導電性高分子の端部で混合液が浸透して白色になった部分は０．３μｍ未満であり、剥離できずに残存しているレジストは見当たらなかった。この結果を表１に記載した。【００６３】
［実施例１−２〜１−８］
剥離液を表１のものに変える以外、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表１に示す。【００６４】
［比較例１−１〜１−４］
有機溶剤を表１のものに変える以外、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表１に示す。【００６５】
【表１】
0005447390.tif 000002
【００６６】
［実施例２−１〜２−５］
剥離液を表２のものとした以外は、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表２に示す。【００６７】
［比較例２−１〜２−４］
剥離液を表２のものに変える以外、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表２に示す。【００６８】
【表２】
0005447390.tif 000003
【００６９】
［実施例３−１〜３−２］
剥離液を表３のものとした以外は、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表３に示す。【００７０】
［比較例３−１〜３−４］
剥離液を表３のものに変える以外、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表３に示す。【００７１】
【表３】
0005447390.tif 000004
【００７２】
［実施例４−１］
剥離液を表４のものとした以外は、実施例１−１と同様の方法で試験を行った。結果を表４に示す。【００７３】
【表４】
0005447390.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の方法によりパターニングを行った導電性高分子膜は、端部の変色を抑え、均一な膜厚を形成できる。本発明は、導電性高分子の透明導電膜としての利便性を大きく向上させるものであり、本発明によりパターニングした導電性高分子膜を有する基板を用いることにより、ディスプレイ等の画像表示装置として、性能向上に貢献するものである。
【図１】
0005447390.tif 000006
【図２】
0005447390.tif 000007