(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置において、
前記ベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、
前記リードフレームは、前記ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定され、
前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置において、
前記ベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、
前記リードフレームは、前記ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定され、
前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置において、
前記ベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、
前記リードフレームは、前記ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定され、
前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であり、
前記封止部材は、前記ベース体の一部を露出させるように形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする請求項１または３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記封止部材は、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である熱硬化性のエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、
前記ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意する第１工程と、
前記回路基板を、前記ベース体に固定する第２工程と、
前記リードフレームを、接着性を有する熱可塑性樹脂により前記ベース体に対して接着固定する第３工程と、
前記回路基板に電気的に接続された前記リードフレームに対して少なくとも前記ベース体に接着固定される部位を前記封止部材により封止する第４工程と、
を備え、
前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、
前記ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意する第１工程と、
前記回路基板を、前記ベース体に固定する第２工程と、
前記リードフレームを、接着性を有する熱可塑性樹脂により前記ベース体に対して接着固定する第３工程と、
前記回路基板に電気的に接続された前記リードフレームに対して少なくとも前記ベース体に接着固定される部位を前記封止部材により封止する第４工程と、
を備え、
前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、
前記ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意する第１工程と、
前記回路基板を、前記ベース体に固定する第２工程と、
前記リードフレームを、接着性を有する熱可塑性樹脂により前記ベース体に対して接着固定する第３工程と、
前記ベース体の一部を除き、前記回路基板に電気的に接続された前記リードフレームに対して少なくとも前記ベース体に接着固定される部位を前記封止部材により封止する第４工程と、
を備え、
前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする請求項８または１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記回路基板には複数のリードフレームが電気的に接続され、
前記第３工程は、前記ベース体の所定の位置に前記熱可塑性樹脂を塗布した後に当該熱可塑性樹脂を介して前記複数のリードフレームを前記ベース体にそれぞれ接着固定することを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記封止部材は、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である熱硬化性のエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項８〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース体に固定されて電気的に接続された回路基板およびリードフレームが封止部材により封止される半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ベース体に固定されて電気的に接続された回路基板およびリードフレームが封止部材により封止される半導体装置に関する技術として、下記特許文献１に開示される半導体装置が知られている。この半導体装置は、ベース体としての銅合金板の一面に接着剤を介して半導体素子およびリードフレームが接着固定され、これら半導体素子およびリードフレームが金線にてワイヤボンディングされた後、モールド樹脂にてモールド成形なされることで、パッケージ化して構成されている。
【０００３】
また、下記特許文献２に開示される電子制御装置では、回路基板はベース部材に接着された状態で外部接続端子に電気的に接続されており、ベース部材と外部接続端子のそれぞれの一部が外部に露出するように、回路基板が封止樹脂によってモールドされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０７−２６３６０５号公報
【特許文献２】特開２００８−０８４９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、性能の向上とともに半導体装置が大型化すると、各部材間での熱変形等の影響により応力歪が生じてしまう。特に、ベース体として鉄や銅を採用する場合には、このベース体の熱変形が大きくなり、上述した応力歪も大きくなってしまう。また、単に、ベース体として熱膨張係数が小さな部材を採用しても、その材質等によってはベース体に塗布される接着剤との密着力等の確保が困難になってしまう。
【０００６】
この場合、融点が高いものでは安定した溶接接合も困難であり、ベース体およびリードフレームにかしめ固定用の穴を加工してかしめ固定すると、ベース板からの放熱阻害が生じるだけでなく穴加工のための領域が必要となり、ベース体等が大型化してしまう。また、絶縁シートを介して接着する場合でも、シートの貼り付け位置精度が低いことから絶縁シートを接着する比較的広い接着面積が必要となり、接着面の表面粗さが大きいとさらに広い接着面積が必要となり、ベース体等が大型化してしまう。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、封止部材により封止されるベース体等の各部材間にて発生する応力歪を抑制し得る半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の半導体装置では、回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置において、前記ベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、前記リードフレームは、前記ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定され、前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
特許請求の範囲に記載の請求項２の半導体装置では、回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置において、前記ベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、前記リードフレームは、前記ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定され、前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする。
特許請求の範囲に記載の請求項３の半導体装置では、回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置において、前記ベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、前記リードフレームは、前記ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定され、前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であり、前記封止部材は、前記ベース体の一部を露出させるように形成されることを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項２または３に記載の半導体装置において、前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項１または３に記載の半導体装置において、前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記封止部材は、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である熱硬化性のエポキシ系樹脂であることを特徴とする。
【００１３】
特許請求の範囲に記載の請求項８の半導体装置の製造方法では、回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、前記ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意する第１工程と、前記回路基板を、前記ベース体に固定する第２工程と、前記リードフレームを、接着性を有する熱可塑性樹脂により前記ベース体に対して接着固定する第３工程と、前記回路基板に電気的に接続された前記リードフレームに対して少なくとも前記ベース体に接着固定される部位を前記封止部材により封止する第４工程と、を備え、前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
特許請求の範囲に記載の請求項９の半導体装置の製造方法では、回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、前記ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意する第１工程と、前記回路基板を、前記ベース体に固定する第２工程と、前記リードフレームを、接着性を有する熱可塑性樹脂により前記ベース体に対して接着固定する第３工程と、前記回路基板に電気的に接続された前記リードフレームに対して少なくとも前記ベース体に接着固定される部位を前記封止部材により封止する第４工程と、を備え、前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする。
特許請求の範囲に記載の請求項１０の半導体装置の製造方法では、回路基板とこの回路基板に電気的に接続されるリードフレームとこれら回路基板およびリードフレームが固定されるベース体とを備え、少なくとも前記リードフレームが前記ベース体に固定される部位が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、前記ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意する第１工程と、前記回路基板を、前記ベース体に固定する第２工程と、前記リードフレームを、接着性を有する熱可塑性樹脂により前記ベース体に対して接着固定する第３工程と、前記ベース体の一部を除き、前記回路基板に電気的に接続された前記リードフレームに対して少なくとも前記ベース体に接着固定される部位を前記封止部材により封止する第４工程と、を備え、前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項１１の発明は、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法において、前記熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【００１６】
請求項１２の発明は、請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法において、前記熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
【００１７】
請求項１３の発明は、請求項８または１０に記載の半導体装置の製造方法において、前記ベース体は、前記熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であることを特徴とする。
請求項１４の発明は、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記回路基板には複数のリードフレームが電気的に接続され、前記第３工程は、前記ベース体の所定の位置に前記熱可塑性樹脂を塗布した後に当該熱可塑性樹脂を介して前記複数のリードフレームを前記ベース体にそれぞれ接着固定することを特徴とする。
請求項１５の発明は、請求項８〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記封止部材は、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である熱硬化性のエポキシ系樹脂であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１の発明では、回路基板およびリードフレームが固定されるベース体は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、リードフレームは、ベース体に対して接着性を有する熱可塑性樹脂により接着固定されている。
【００２０】
これにより、ベース体として鉄や銅を採用する場合と比較して、当該ベース体の熱膨張係数と他の部材の熱膨張係数との差が小さくなるので、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。特に、リードフレームは、熱可塑性樹脂によりベース体に接着固定されるので、上述のような焼結体にて構成されるベース体であっても、当該ベース体との接着力を確保することができる。
特に、熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体とリードフレームとの接着力をより高めて、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
また、請求項２の発明では、ベース体は、熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であるため、熱可塑性樹脂がベース体に接着されやすくなり、当該ベース体とリードフレームとの接着力をより高めることができる。
また、請求項３の発明のように、熱可塑性樹脂がヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であり、封止部材がベース体の一部を露出させるように形成されても、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００２１】
請求項８の発明では、第１工程により、ベース体として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体が用意され、第２工程により、回路基板がベース体に固定され、第３工程により、リードフレームが、接着性を有する熱可塑性樹脂によりベース体に対して接着固定され、第４工程により、回路基板に電気的に接続されたリードフレームに対して少なくともベース体に接着固定される部位が封止部材により封止される。
【００２２】
これにより、ベース体として鉄や銅を採用する場合と比較して、当該ベース体の熱膨張係数と他の部材の熱膨張係数との差が小さくなるので、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。特に、リードフレームは、熱可塑性樹脂によりベース体に接着固定されるので、上述のような焼結体にて構成されるベース体であっても、当該ベース体との接着力を確保することができる。
特に、熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体とリードフレームとの接着力をより高めて、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
また、請求項９の発明では、ベース体は、熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であるため、熱可塑性樹脂がベース体に接着されやすくなり、当該ベース体とリードフレームとの接着力をより高めることができる。
また、請求項１０の発明のように、第４工程にて封止部材がベース体の一部を露出させるように形成され、熱可塑性樹脂がヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であっても、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００２３】
請求項１４の発明では、第３工程により、ベース体の所定の位置に熱可塑性樹脂が塗布された後に、当該熱可塑性樹脂を介して複数のリードフレームがベース体にそれぞれ接着固定される。これにより、複数のリードフレームがベース体に同一工程にて接着固定されるので、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００２４】
請求項４，１１の発明では、熱可塑性樹脂は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体とリードフレームとの接着力をより高めて、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００２５】
請求項５，１２の発明では、熱可塑性樹脂は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体とリードフレームとの接着力をより高めて、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００２６】
請求項７，１５の発明では、封止部材は、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である熱硬化性のエポキシ系樹脂であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体との熱膨張係数の差が小さくなるので、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００２７】
請求項６，１３の発明では、ベース体は、熱可塑性樹脂が接着される部位の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であるため、熱可塑性樹脂がベース体に接着されやすくなり、当該ベース体とリードフレームとの接着力をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す説明図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す説明図である。
【図４】本実施形態の半導体装置の製造方法に係る第１変形例の要部を示す説明図である。
【図５】本実施形態の半導体装置に係る第２変形例の要部を示す断面図である。
【図６】本実施形態の半導体装置に係る第３変形例の要部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を具現化した一実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置１０の構成を概略的に示す断面図である。図２および図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【００３０】
図１に示すように、半導体装置１０は、回路基板１１と、この回路基板１１に電気的に接続される複数のリードフレームと、回路基板１１が固定されるベース体２０とを備えており、各リードフレームの外側端部およびベース体２０の裏面等が露出するようにモールド樹脂３０により封止されて構成されている。リードフレームとしては、ベース体２０に対して接着剤４０を介して接着固定されるもの（以下、第１リードフレーム１２という）や、回路基板１１に直接接触することなくモールド樹脂３０にて固定されるもの（以下、第２リードフレーム１３という）があり、それぞれワイヤ１４等を介して回路基板１１に電気的に接続されている。なお、図１では、便宜上、第１リードフレーム１２および第２リードフレーム１３を、それぞれ１つずつ図示している。
【００３１】
回路基板１１は、アルミナからなるセラミック板により、熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上８ｐｐｍ／℃以下の一般的なものとして構成されている。この回路基板１１の実装面には、ＩＣチップ等が実装されている。
【００３２】
ベース体２０は、回路基板１１等にて発生した熱を放熱するヒートシンクとしての機能等を有するもので、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体から、略板状に構成されている。このベース体２０は、接着剤４０が接着される接着面２１の表面粗さが０．５μｍＲａ以上、より好ましくは１．５μｍＲａ以上になるように形成されている。
【００３３】
モールド樹脂３０は、熱硬化性のエポキシ樹脂からなり、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは９ｐｐｍ／℃以上１１ｐｐｍ／℃以下となるように構成されている。なお、モールド樹脂３０は、特許請求の範囲に記載の「封止部材」の一例に相当し得る。
【００３４】
接着剤４０は、熱可塑性樹脂、例えば、熱可塑性ポリエーテルアミドからなり、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上２００ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは５０ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下であり、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５５℃以上、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは７０Ｐａ以上となるように構成されている。なお、接着剤４０は、接着時の厚みが１５μｍ以上２００μｍ以下になっている。また、接着剤４０は、使用環境等に応じて、上記各条件の少なくとも１つを満たすように構成されてもよい。また、接着剤４０として、上記各条件の少なくとも１つを満たすように、シリコーン系の接着剤やエポキシ系の接着剤が採用されてもよい。なお、接着剤４０は、特許請求の範囲に記載の「接着性を有する熱可塑性樹脂」の一例に相当し得る。
【００３５】
ここで、ベース体２０および接着剤４０を上述のように構成する理由について、以下に説明する。
性能の向上とともに半導体装置１０が大型化すると、ベース体２０やモールド樹脂３０等の各部材間での熱変形等の影響により応力歪が生じてしまう。特に、一般的である鉄や銅をベース体２０として採用する場合には、このベース体２０の熱変形が大きくなり、上述した応力歪も大きくなってしまう。また、単に、ベース体２０として熱膨張係数が小さな部材を採用しても、その材質等によってはベース体２０に塗布される接着剤との密着力等の確保が困難になってしまう。
【００３６】
この場合、融点が高いものでは安定した溶接接合も困難であり、ベース体２０およびリードフレーム１２にかしめ固定用の穴を加工してかしめ固定すると、ベース体２０からの放熱阻害が生じるだけでなく穴加工のための領域が必要となり、ベース体２０等が大型化してしまう。また、絶縁シートを介して接着する場合でも、シートの貼り付け位置精度が低いことから絶縁シートを接着する比較的広い接着面積が必要となり、接着面の表面粗さが大きいとさらに広い接着面積が必要となり、ベース体等が大型化してしまう。
【００３７】
そこで、本実施形態では、ベース体２０として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を採用するとともに、接着剤４０として、熱可塑性樹脂を採用している。これにより、ベース体２０として鉄や銅を採用する場合と比較して、当該ベース体２０の熱膨張係数と他の部材の熱膨張係数との差が小さくなり、各部材間にて発生する応力歪が抑制される。特に、リードフレーム１２は、熱可塑性樹脂である接着剤４０によりベース体２０に接着固定されるので、上述のような焼結体にて構成されるベース体２０であっても、当該ベース体２０との接着力が確保されることとなる。
【００３８】
次に、本実施形態に係る半導体装置１０の製造方法の工程を、図２〜図３を用いて詳細に説明する。図２（Ａ）〜（Ｃ）および図３（Ｄ），（Ｅ）は、本実施形態における半導体装置１０の製造方法の工程を示す説明図である。
【００３９】
まず、図２（Ａ）に示すように、アルミナからなるセラミック板にＩＣチップを実装等して回路基板１１を成形する。次に、図２（Ｂ）に示すように、ベース体２０として、所定の形状に成形されたアルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体を用意し、接着面２１の表面粗さを、０．５μｍＲａ（好ましくは１．５μｍＲａ）以上になるように形成する。なお、図２（Ｂ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第１工程」の一例に相当し得る。
【００４０】
続いて、図２（Ｃ）に示すように、回路基板１１を、ベース体２０の接着面２１側の所定の位置に、接着剤４０と異なる接着剤４１を介して接着固定する。なお、図２（Ｃ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第２工程」の一例に相当し得る。
【００４１】
そして、図３（Ｄ）に示すように、ベース体２０の所定の接着面２１上に接着剤４０を塗布した後に、当該接着剤４０を介して各リードフレーム１２をベース体２０に接着固定する。このとき、接着剤４０は、後述する各リードフレーム１２を接着した後の厚みが１５μｍ以上２００μｍ以下となるように塗布される。なお、図３（Ｄ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第３工程」の一例に相当し得る。
【００４２】
続いて、図３（Ｅ）に示すように、各リードフレーム１２やベース体２０に直接接触しない各リードフレーム１３がそれぞれワイヤ等を介して回路基板１１に電気的に接続した後に、各部材を各リードフレーム１２，１３の外側端部およびベース体２０の裏面等が露出するようにモールド樹脂３０により封止する。このとき、回路基板１１に電気的に接続された各リードフレーム１２に対してベース体２０に接着固定される部位がモールド樹脂３０により封止されることとなる。これにより、図１に示す半導体装置１０が完成する。なお、図３（Ｅ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第４工程」の一例に相当し得る。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１０では、回路基板１１および各リードフレーム１２が固定されるベース体２０は、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体からなり、各リードフレーム１２は、ベース体２０に対して接着性を有する熱可塑性樹脂である接着剤４０により接着固定されている。
【００４４】
そして、本実施形態に係る半導体装置１０の製造方法では、図２（Ｂ）に示す工程により、ベース体２０として、アルミナおよびシリカのいずれかを含む焼結体が用意され、図２（Ｃ）に示す工程により、回路基板１１がベース体２０に固定され、図３（Ｄ）に示す工程により、各リードフレーム１２が、接着性を有する熱可塑性樹脂である接着剤４０によりベース体２０に対して接着固定され、図３（Ｅ）に示す工程により、回路基板１１に電気的に接続された各リードフレーム１２，１３に対して少なくともベース体２０に接着固定される部位がモールド樹脂３０により封止される。
【００４５】
これにより、ベース体２０として鉄や銅を採用する場合と比較して、当該ベース体２０の熱膨張係数と他の部材の熱膨張係数との差が小さくなるので、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。特に、各リードフレーム１２は、熱可塑性樹脂である接着剤４０によりベース体２０に接着固定されるので、上述のような焼結体にて構成されるベース体２０であっても、当該ベース体２０との接着力を確保することができる。
【００４６】
また、本実施形態に係る半導体装置１０の製造方法では、図３（Ｄ）に示す工程により、ベース体２０の所定の位置に接着剤４０が塗布された後に、当該接着剤４０を介して複数のリードフレーム１２がベース体２０にそれぞれ接着固定される。これにより、複数のリードフレーム１２がベース体２０に同一工程にて接着固定されるので、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００４７】
さらに、本実施形態に係る半導体装置１０およびその製造方法では、接着剤４０は、ヤング率が６００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体２０と各リードフレーム１２との接着力をより高めて、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００４８】
また、本実施形態に係る半導体装置１０およびその製造方法では、接着剤４０は、粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体２０と各リードフレーム１２との接着力をより高めて、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００４９】
さらに、本実施形態に係る半導体装置１０およびその製造方法では、モールド樹脂３０は、熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である熱硬化性のエポキシ系樹脂であるため、上述のような焼結体にて構成されるベース体２０との熱膨張係数の差が小さくなるので、各部材間にて発生する応力歪を抑制することができる。
【００５０】
さらにまた、本実施形態に係る半導体装置１０およびその製造方法では、ベース体２０は、接着剤４０が接着される接着面２１の表面粗さが０．５μｍＲａ以上であるため、熱可塑性樹脂である接着剤４０がベース体２０に接着されやすくなり、当該ベース体２０と各リードフレーム１２との接着力をより高めることができる。
【００５１】
図４は、本実施形態の半導体装置１０の製造方法に係る第１変形例の要部を示す説明図である。図５は、本実施形態の半導体装置１０に係る第２変形例の要部を示す断面図である。図６は、本実施形態の半導体装置１０に係る第３変形例の要部を示す断面図である。
【００５２】
上述した図３（Ｄ）に示す工程では、図４に示すように、接着剤４０を各リードフレーム１２の接着部にそれぞれ塗布した後に、当該接着剤４０を介して各リードフレーム１２をベース体２０に接着固定してもよい。このように、予め接着剤４０が塗布された各リードフレーム１２を用意することで、ベース体２０の所定の位置に接着剤４０を塗布する工程を廃止することができる。
【００５３】
また、図５に示すように、接着剤４１を廃止し、ベース体２０の所定の位置に接着剤４０を塗布するとともに、この接着剤４０を介して回路基板１１および各リードフレーム１２をベース体２０に接着固定してもよい。また、図６に示すように、接着剤４０は、ベース体２０の接着面２１側に塗布されることに限らず、さらに当該ベース体２０の側面２２に塗布されてもよい。
【００５４】
なお、本発明は上記実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記実施形態およびその変形例と同等の作用・効果が得られる。
（１）上述したリードフレーム１２のように、回路基板１１に電気的に接続される全てのリードフレームが、ベース体２０に対して接着剤４０を介して接着固定されてもよい。
【００５５】
（２）ベース体２０は、ヒートシンクとしての機能を有することに限らず、例えば、回路基板１１を支持するための支持部材としての機能等を有してもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１０…半導体装置
１１…回路基板
１２，１３…リードフレーム
２０…ベース体
２１…接着面
３０…モールド樹脂（封止部材）
４０…接着剤（接着性を有する熱可塑性樹脂）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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