(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、前記吸収層積層体が前記多層膜上に形成された第１吸収層と前記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、前記吸収層積層体の側面にて前記第１吸収層が前記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、前記側面欠陥部に位置する前記第２吸収層上に堆積膜を形成する補修工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項２】
前記補修工程前に、前記吸収層積層体の余剰に起因する黒欠陥部に位置する前記吸収層積層体を除去する黒欠陥修正工程を有し、前記側面欠陥部が前記黒欠陥修正工程にて形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項３】
前記補修工程では、前記堆積膜を形成する際に、前記側面欠陥部に位置する前記第２吸収層の端部と、前記堆積膜の端部とが合うように設定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項４】
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、前記吸収層積層体が前記多層膜上に形成された第１吸収層と前記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有する反射型マスクであって、
前記吸収層積層体の側面にて前記第１吸収層が前記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有し、前記側面欠陥部に位置する前記第２吸収層上に堆積膜が形成されていることを特徴とする反射型マスク。
【請求項５】
前記側面欠陥部に位置する前記第２吸収層の端部と、前記堆積膜の端部とが合うように、前記堆積膜が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）リソグラフィに用いられる反射型マスクの製造方法および反射型マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路などの半導体素子は、回路パターンが描かれた原版であるマスクに露光光を照射し、当該パターンを縮小光学系を介して半導体基板（ウェハ）上に転写するフォトリソグラフィ工程を繰り返し行うことによって、大量生産されている。
【０００３】
近年、半導体素子の微細化が進み、フォトリソグラフィの露光波長をより短くして解像度を上げる方法が検討されており、特に波長１３．５ｎｍのＥＵＶリソグラフィの開発が進んでいる。
【０００４】
ＥＵＶリソグラフィでは物質の光吸収の関係で透過型マスクが使えないため、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）などの多層膜による反射を利用した反射型マスクが使用される。一般的に、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、ＥＵＶマスクと称する場合がある。）としては、基板上に多層膜が形成され、多層膜上に吸収層がパターン状に形成されたものが用いられている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
ＥＵＶマスクにおいて吸収層パターンに欠陥が存在すると、ウェハ上に転写された回路パターンに欠陥が生じることになる。そのため、ＥＵＶマスクの製造過程においては、通常、吸収層パターンの欠陥検査が行われ、欠陥が見つかった場合には欠陥修正が行われる。
【０００６】
ＥＵＶマスクの欠陥には、パターンが余剰に存在している黒欠陥と、パターンが欠落している白欠陥とがある。黒欠陥の修正方法としては、アシストガスを吹きつけながら集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）や電子ビーム（ＥＢ：Electron Beam）を照射するガスアシストエッチング法により余剰なパターンを除去する方法が知られている。白欠陥の修正方法としては、ＦＩＢやＥＢを用いた化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）によりパターンが欠落している部分に堆積膜を形成する方法が知られている。
【０００７】
ＥＵＶマスクの欠陥検査では、検査光として深紫外線（ＤＵＶ：Deep Ultra Violet）が使用されている。ＥＵＶマスクは、露光光であるＥＵＶに対してコントラストを高く確保するように多層膜および吸収層が設計されているが、多層膜および吸収層は検査光として使用するＤＵＶに対しては反射率の差が小さい。そこで、吸収層はＤＵＶに対しても反射率が十分小さくなるように表面処理されている。例えば、吸収層表面に自然酸化膜を形成する、吸収層表面に酸素を導入するなどの手法が知られている。
【０００８】
金属材料とその酸化物とではエッチング速度が異なるため、吸収層表面に形成された酸化膜と吸収層の内部とではエッチング速度が異なる。そのため、黒欠陥修正の場合、アシストガスを吹きつけながらＦＩＢもしくはＥＢを照射すると、吸収層の側面において吸収層内部が酸化膜よりも過度にエッチングされ、吸収層パターンが垂直側面を有さなくなり、いわゆるサイドエッチングが発生しやすい。サイドエッチングが発生する要因は、ＦＩＢまたはＥＢの照射量が過剰である、アシストガスが吸収層内部と過剰に反応する、などが知られている。サイドエッチング発生箇所は正常なパターンと比較してＥＵＶ光吸収能力が損なわれるため、パターン精度が低下するという問題がある。
【０００９】
この問題を解決するために、吸収層のエッチングおよび酸化を交互に複数回実施し、酸化膜を形成しつつエッチングすることで、サイドエッチングを抑制する技術が提案されている（例えば特許文献２および特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３１９５４２号公報
【特許文献２】特開２００９−９８３６９号公報
【特許文献３】特開２００９−２１０８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
サイドエッチングの発生によってパターン精度が低下する場合には、不良品となり、歩留まりが下がる要因となる。そこで、従来は、上記のようにサイドエッチングが発生しないように反射型マスクを製造していた。
【００１２】
しかしながら、吸収層のエッチングおよび酸化を繰り返し行う黒欠陥の修正方法では、吸収層のエッチングの際に真空度の安定化や加工領域の指定に時間がかかるため、修正に長時間を要する。さらに、吸収層の三次元構造を加味した厳密な膜厚を予測した修正が必要となる。
【００１３】
また、マスクブランクスに異物が含まれている場合、ＥＵＶマスクの製造過程において異物が除去されることで、パターンが欠落し、吸収層パターンが垂直側面を有さなくなる場合もある。
【００１４】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜を形成する補修工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、反射型マスクが、吸収層積層体の側面にて第１吸収層が第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する場合に、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に堆積膜を形成することで、側面欠陥部を補修し、反射型マスクの転写特性を回復することが可能である。したがって、反射型マスクの歩留まりを飛躍的に向上させることが可能となる。
【００１７】
上記発明においては、上記補修工程前に、上記吸収層積層体の余剰に起因する黒欠陥部に位置する上記吸収層積層体を除去する黒欠陥修正工程を有し、上記側面欠陥部が上記黒欠陥修正工程にて形成されたものであることが好ましい。黒欠陥部を修正する際にはサイドエッチングが発生しやすいため、歩留まり低下の原因となるが、本発明を適用することにより歩留まりを高めることが可能である。また、本発明においては側面欠陥部を補修することができるため、従来のように長時間を要してサイドエッチングが生じないように黒欠陥部の修正を行う必要がないので、効率良く反射型マスクを製造することが可能となる。
【００１８】
また本発明においては、上記補修工程では、上記堆積膜を形成する際に、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層の端部と、上記堆積膜の端部とが合うように設定することが好ましい。側面欠陥部に位置する第２吸収層の端部と、堆積膜の端部とが合うように設定することにより、側面欠陥部に対して堆積膜が小さく形成されている場合であっても、良好な転写特性を示す反射型マスクを得ることができるからである。
【００１９】
また本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有し、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供する。
【００２０】
本発明によれば、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に堆積膜が形成されているので、反射型マスクがサイドエッチングのような側面欠陥部を有する場合であっても、良好な転写特性を得ることが可能である。
【００２１】
上記発明においては、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層の端部と、上記堆積膜の端部とが合うように、上記堆積膜が形成されていることが好ましい。上述したように、このような構成とすることにより、側面欠陥部に対して堆積膜が小さく形成されている場合であっても、反射型マスクの転写特性を回復することが可能である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、反射型マスクが、吸収層積層体の側面にて第１吸収層が第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する場合に、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に堆積膜を形成することで、側面欠陥部を補修し、反射型マスクの転写特性を回復することが可能であり、その結果、歩留まりの向上を図ることが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の反射型マスクの製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明の反射型マスクの製造方法の他の例を示す工程図である。
【図３】本発明の反射型マスクの製造方法における黒欠陥修正工程の一例を示す工程図である。
【図４】本発明の反射型マスクの製造方法の他の例を示す工程図である。
【図５】本発明の反射型マスクの一例を示す概略平面図および断面図である。
【図６】本発明の反射型マスクの他の例を示す概略平面図および断面図である。
【図７】本発明の反射型マスクの他の例を示す概略断面図である。
【図８】実施例１のシミュレーション１における反射型マスクを示す概略平面図および断面図である。
【図９】実施例１のシミュレーション１によるサイドエッチング量と転写寸法のズレ量との関係を示すグラフである。
【図１０】実施例１のシミュレーション２における反射型マスクを示す概略平面図および断面図である。
【図１１】実施例１のシミュレーション２による堆積膜厚と転写寸法のズレ量との関係を示すグラフである。
【図１２】実施例１のシミュレーション３における反射型マスクを示す概略断面図である。
【図１３】実施例１のシミュレーション３による堆積膜縮小量と転写寸法のズレ量との関係を示すグラフである。
【図１４】実施例１のシミュレーション４における反射型マスクを示す概略断面図である。
【図１５】実施例１のシミュレーション４による堆積膜位置ズレ量と転写寸法のズレ量との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の反射型マスクの製造方法および反射型マスクについて詳細に説明する。
【００２５】
Ａ．反射型マスクの製造方法
本発明の反射型マスクの製造方法は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜を形成する補修工程を有することを特徴とするものである。
【００２６】
本発明の反射型マスクの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の反射型マスクの製造方法の一例を示す工程図である。図１（ａ）に例示する反射型マスク１Ａは、基板２と、基板２上に形成された多層膜３と、多層膜３上に形成されたキャッピング層４と、キャッピング層４上にパターン状に形成された吸収層積層体７とを有している。吸収層積層体７は、キャッピング層４上に形成された第１吸収層５と、第１吸収層５上に形成された第２吸収層６とを有する。例えば、第１吸収層５がＴａ（タンタル）などの酸化されやすい金属材料を含有する場合、第２吸収層６は自然酸化膜となる。また、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクのＤＵＶによるパターン欠陥検査を容易にするために、第２吸収層６には検査光のＤＵＶに対して反射率が低い材料を用い、第１吸収層５には露光光のＥＵＶに対して吸収率が高い材料を用いることもある。この反射型マスク１Ａは、吸収層積層体７の側面にて第１吸収層５が第２吸収層６よりも過度に欠落している側面欠陥部１０を有している。
本発明においては、このような反射型マスク１Ａの側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の上部に、原料ガス１１を吹きつけながら、ＦＩＢまたはＥＢ１２を照射して、堆積膜８を形成する（図１（ｂ）〜（ｃ）、補修工程）。これにより、側面欠陥部１０が補修された反射型マスク１Ｂが得られる。
【００２７】
図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の反射型マスクの製造方法の他の例を示す工程図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板２上に、多層膜３と、キャッピング層４と、第１吸収層５および第２吸収層６を含む吸収層積層体７とが積層された反射型マスクブランクス１Ｃを準備する。次に、図示しないが、吸収層積層体７上にフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンの開口部に位置する吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）をプラズマエッチングし、フォトレジストパターンを除去して、図２（ｂ）に示すように吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）をパターニングする。吸収層積層体７の加工の際には、図２（ｂ）および図３（ａ）に示すように、吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）の余剰に起因する黒欠陥部２０が形成される場合がある。なお、図２（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、図３（ａ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。
吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）のパターニング後、黒欠陥部２０が検出された場合には、黒欠陥部２０を修正するために、図２（ｃ）に示すように、黒欠陥部２０に、アシストガス２１を吹きつけながら、ＦＩＢまたはＥＢ２２を照射して、黒欠陥部２０に位置する吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）をエッチングする。その結果、図２（ｄ）に示すように、黒欠陥部２０に位置する吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）が除去される。吸収層積層体７においては、上述したように、第２吸収層６が第１吸収層５の材料の酸化膜であったり、第２吸収層６が検査光のＤＵＶに対して反射率が低い材料を含有し、第１吸収層５が露光光のＥＵＶに対して吸収率が高い材料を含有していたりする。そのため、第１吸収層５および第２吸収層６のエッチング速度が異なり、それにより、図２（ｄ）および図３（ｂ）に示すように吸収層積層体７の側面において第１吸収層５が第２吸収層６よりも過度に除去されてしまう場合がある。すなわち、サイドエッチングが発生する場合がある。これは、吸収層積層体７の側面にて第１吸収層５が第２吸収層６よりも欠落している側面欠陥部１０となる。なお、図２（ｄ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図であり、図３（ｂ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。
そこで本発明においては、側面欠陥部１０を補修するために、上記の図１（ａ）〜（ｃ）と同様に、図２（ｄ）〜（ｅ）に示すように、反射型マスク１Ａの側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の上部に、原料ガス１１を吹きつけながら、ＦＩＢまたはＥＢ１２を照射して、堆積膜８を形成する（補修工程）。これにより、側面欠陥部１０が補修された反射型マスク１Ｂが得られる。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の反射型マスクの製造方法の他の例を示す工程図である。まず、図４（ａ）に示すように、基板２上に、多層膜３と、キャッピング層４と、第１吸収層５および第２吸収層６を含む吸収層積層体７とが積層された反射型マスクブランクス１Ｃを準備する。反射型マスクブランクスの製造時には、異物が付着したり混入したりする場合がある。例えば図４（ａ）に示すように、第１吸収層５に異物２５が混入する場合がある。このような反射型マスクブランクス１Ｃを用いて、図４（ｂ）に示すように吸収層積層体７（第１吸収層５および第２吸収層６）をパターニングすると、吸収層積層体７のパターニング過程において異物２５が除去されて、図４（ｃ）に示すように吸収層積層体７の側面において第１吸収層５が第２吸収層６よりも欠落してしまう場合がある。これは、吸収層積層体７の側面にて第１吸収層５が第２吸収層６よりも欠落している側面欠陥部１０となる。
そこで本発明においては、側面欠陥部１０を補修するために、上記の図１（ａ）〜（ｃ）と同様に、図４（ｃ）〜（ｄ）に示すように、反射型マスク１Ａの側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の上部に、原料ガス１１を吹きつけながら、ＦＩＢまたはＥＢ１２を照射して、堆積膜８を形成する（補修工程）。これにより、側面欠陥部１０が補修された反射型マスク１Ｂが得られる。
【００２９】
このように本発明においては、反射型マスクが、吸収層積層体の側面にて第１吸収層が第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する場合に、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に堆積膜を形成することで、側面欠陥部を補修し、良好な転写特性を備える反射型マスクを製造することが可能である。したがって本発明においては、反射型マスクが側面欠陥部を有する場合であっても、反射型マスクの転写特性を回復することができるので、反射型マスクの歩留まりを大幅に向上させることが可能となる。
【００３０】
以下、本発明の反射型マスクの製造方法における各工程について説明する。
【００３１】
１．補修工程
本発明における補修工程は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜を形成する工程である。
以下、側面欠陥部の補修方法および側面欠陥部を有する反射型マスクについて説明する。
【００３２】
（１）側面欠陥部の補修方法
本発明においては、側面欠陥部を補修するために、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に堆積膜を形成する。
【００３３】
堆積膜の形成方法としては、通常、原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射する方法が用いられる。
原料ガスとしては、ＦＩＢまたはＥＢを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。例えば、フェナントレン、ナフタレン、ピレンなどの炭化水素系のガス、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）、コバルトカルボニル（Ｃｏ2（ＣＯ）8）、鉄カルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）5）等の金属カルボニル、Trimethyl(methylcyclopentadienyl)platinum（MeCpPt(Me)3）などの金属含有ガス、テトラエトキシシラン（TEOS）、1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxaneなどのシリコン含有ガスを用いることができる。炭素を含む堆積膜は形状制御が容易であるという利点を有する。また、タングステンやクロムなどの金属を含む堆積膜は、高い遮光性を得ることができるという利点を有する。
エネルギービームとしては、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に局所的に堆積膜を形成することができるものであれば特に限定されないが、ＦＩＢまたはＥＢが好ましく用いられる。これらは、高度な微細加工が可能であり、微細な側面欠陥部にも対応できるからである。中でも、ダメージを低減できることから、ＥＢが好適である。
【００３４】
堆積膜を形成する際、図示しないが側面欠陥部に対して同等の大きさで堆積膜を形成してもよく、図５（ａ）、（ｂ）に例示するように側面欠陥部１０に対して堆積膜８を大きく形成してもよく、図６（ａ）、（ｂ）に例示するように側面欠陥部１０に対して堆積膜８を小さく形成してもよい。側面欠陥部を確実に補修するためには、側面欠陥部に対して堆積膜が大きく形成されるように設定することが好ましい。しかしながら、側面欠陥部では第１吸収層は欠落しているものの第２吸収層は存在するので、側面欠陥部の位置を正確に検出するのが困難となる場合がある。そのため、側面欠陥部に対して堆積膜が小さく形成されることもある。
なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線断面図であり、図５（ａ）および図６（ａ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。
【００３５】
中でも、堆積膜を形成する際には、図５（ａ）、（ｂ）および図６（ａ）、（ｂ）に例示するように、側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の端部６Ｅと、堆積膜８の端部８Ｅとが合うように設定することが好ましい。図６（ａ）、（ｂ）に例示するように側面欠陥部１０に対して堆積膜８が小さく形成されている場合であっても、側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の端部６Ｅと、堆積膜８の端部８Ｅとが合うように設定することにより、良好な転写特性を示す反射型マスクが得られるからである。
なお、側面欠陥部に位置する第２吸収層の端部と、堆積膜の端部とが合うように設定するとは、反射型マスクが多層膜上に吸収層が形成されている吸収領域と多層膜上に吸収層が形成されていない反射領域とを有する場合において、側面欠陥部に位置する第２吸収層の反射領域側の端部と、堆積膜の反射領域側の端部とが合うように設定することをいう。
【００３６】
堆積膜の厚みとしては、所望のＥＵＶの吸収率が得られる厚みであれば特に限定されるものではなく、堆積膜の組成に応じて適宜選択される。炭化水素系のガスを用いて堆積膜を形成する場合、堆積膜の厚みは、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍ程度とすることができ、好ましくは２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内である。堆積膜の厚みが薄すぎると、所望のＥＵＶの吸収率を得ることが困難であり、堆積膜の厚みが厚すぎると、成膜に時間を要するからである。
【００３７】
（２）側面欠陥部を有する反射型マスク
本発明における補修工程に用いられる反射型マスクは、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有するものである。
以下、反射型マスクにおける各構成について説明する。
【００３８】
（ａ）側面欠陥部
本発明における反射型マスクの側面欠陥部は、吸収層積層体が垂直側面を有しておらず、吸収層積層体の側面にて第１吸収層が第２吸収層よりも欠落しているものである。
【００３９】
側面欠陥部は、吸収層積層体の側面にて第１吸収層が第２吸収層よりも欠落しているものであればよく、側面欠陥部の形成要因としては特に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように側面欠陥部１０が黒欠陥部２０の修正の際に形成されたものであってもよく、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように側面欠陥部１０が反射型マスクブランクス１Ｃの製造時に付着または混入した異物２５に因るものであってもよく、図示しないが側面欠陥部が吸収層積層体（第１吸収層および第２吸収層）のパターニングの際に形成されたものであってもよい。中でも、側面欠陥部は黒欠陥部を修正する際に形成されたものであることが好ましい。黒欠陥部を修正する際にはサイドエッチングが発生しやすいため、歩留まり低下の原因となるが、本発明を適用することにより歩留まりを高めることができるからである。また、本発明においては側面欠陥部を補修することができるため、従来のように長時間を要してサイドエッチングが生じないように黒欠陥部の修正を行う必要がなく、効率良く反射型マスクを製造することができるからである。
【００４０】
側面欠陥部の大きさとしては、特に限定されるものではなく、例えば、側面欠陥部の反射領域側の端部に対して垂直な方向の距離は、１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。側面欠陥部の上記距離が短すぎるものは、側面欠陥部が存在していても転写特性に大きな影響を及ぼさない場合があり、側面欠陥部の上記距離が長すぎるものは、第１吸収層が欠落しているために第２吸収層の自己支持性が損なわれる場合がある。
なお、側面欠陥部の反射領域側の端部に対して垂直な方向の距離とは、図５（ａ）、（ｂ）に示すような側面欠陥部１０の反射領域側の端部（６Ｅ、８Ｅ）に対して垂直な方向の距離ｄをいう。側面欠陥部が黒欠陥部を修正する際に形成されたものである場合には、側面欠陥部１０の上記距離ｄは、サイドエッチング量とも称される。
【００４１】
（ｂ）吸収層積層体
本発明における反射型マスクに用いられる吸収層積層体は、多層膜上にパターン状に形成され、多層膜上に形成された第１吸収層と第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有するものであり、反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。
【００４２】
第１吸収層の材料としては、ＥＵＶを吸収可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、Ｔａを主成分とする材料などのＴａまたはＴａ合金を含むＴａ系材料や、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などのＣｒを含むＣｒ系材料が用いられる。さらに、ＷＮ、ＴｉＮ等も使用可能である。
【００４３】
第２吸収層の材料としては、ＥＵＶを吸収可能なものであれば特に限定されるものではない。例えば、第２吸収層は、上記第１吸収層の材料の酸化膜であってもよく、上記第１吸収層とは別に成膜されたものであってもよい。
中でも、第２吸収層の材料は、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクのＤＵＶによるパターン欠陥検査を容易にするために、検査光のＤＵＶに対する反射率が低いものであることが好ましい。このような第２吸収層の材料としては、例えば、上記Ｔａ系材料の酸化物や、Ｃｒ（クロム）、ＳｉＯ（酸化ケイ素）などが挙げられる。
【００４４】
本発明においては、上述したように側面欠陥部が黒欠陥修正工程にて形成されたものであることが好ましいことから、第２吸収層の材料は、上記第１吸収層の材料よりもエッチング速度が遅いものであることが特に好ましい。このような第２吸収層の材料としては、上記第１吸収層の材料に応じて適宜選択される。第１吸収層および第２吸収層の材料の好ましい組み合わせとしては、具体的に、第１吸収層が上記Ｔａ系材料を含有し、第２吸収層が上記Ｔａ系材料の酸化物を含有する場合などを挙げることができる。
【００４５】
第１吸収層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などが用いられる。
【００４６】
第２吸収層の成膜方法としては、第１吸収層および第２吸収層の材料に応じて適宜選択される。例えば、第２吸収層が第１吸収層の材料の酸化物を含有する場合、第２吸収層は第１吸収層の材料の自然酸化膜であってもよく、第１吸収層表面を酸化して第２吸収層（酸化膜）を形成してもよく、第１吸収層成膜時と同じ原料を用い、酸素を導入しながら成膜して第２吸収層（酸化膜）を形成してもよい。具体的に、第１吸収層が上記Ｔａ系材料を含有し、第２吸収層が上記Ｔａ系材料の酸化物を含有する場合、ＴａまたはＴａ合金は非常に酸化されやすいことから、第２吸収層は第１吸収層の材料の自然酸化膜となり得る。また、第２吸収層が第１吸収層の材料の酸化物を含有しない場合、第２吸収層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などが用いられる。
【００４７】
第１吸収層および第２吸収層をパターン状に形成する方法としては、通常、フォトリソグラフィ法が用いられる。具体的には、多層膜が形成された基板上に第１吸収層および第２吸収層を形成し、第２吸収層上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層をパターニングし、フォトレジストパターンをマスクとして第１吸収層および第２吸収層をエッチングし、残存するフォトレジストパターンを除去して、第１吸収層および第２吸収層をパターン状に形成する。フォトリソグラフィ法としては、一般的な方法を用いることができる。
【００４８】
（ｃ）多層膜
本発明における反射型マスクに用いられる多層膜は、基板上に形成されるものである。
多層膜の材料としては、一般的に反射型マスクの多層膜に使用されるものを用いることができ、中でも、ＥＵＶに対する反射率が極めて高い材料を用いることが好ましい。反射型マスク使用時においてコントラストを高めることができるからである。ＥＵＶを反射する多層膜としては、通常、Ｍｏ／Ｓｉの周期多層膜が用いられる。また、特定の波長域で高い反射率が得られる多層膜として、例えば、Ｒｕ／Ｓｉの周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅの周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物の周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂの周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕの周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏの周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕの周期多層膜等も用いることができる。
【００４９】
多層膜を構成する各層の膜厚や、各層の積層数としては、使用する材料に応じて異なるものであり、適宜調整される。例えば、Ｍｏ／Ｓｉの周期多層膜としては、数ｎｍ程度の厚さのＭｏ膜とＳｉ膜とが４０層〜６０層ずつ積層された多層膜を用いることができる。
【００５０】
多層膜の厚みとしては、例えば２８０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度とすることができる。
多層膜の成膜方法としては、例えば、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法などが用いられる。
【００５１】
（ｄ）キャッピング層
本発明に用いられる反射型マスクにおいては、多層膜と吸収層積層体との間にキャッピング層が形成されていてもよい。キャッピング層は、多層膜の酸化防止や、反射型マスクの洗浄時の保護のために設けられるものである。キャッピング層が形成されていることにより、多層膜の最表面がＳｉ膜やＭｏ膜である場合には、Ｓｉ膜やＭｏ膜が酸化されるのを防ぐことができる。Ｓｉ膜やＭｏ膜が酸化されると、多層膜の反射率が低下するおそれがある。
【００５２】
キャッピング層の材料としては、上記機能を発現するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ＳｉやＲｕ等が挙げられる。
また、キャッピング層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜１５ｎｍ程度とすることができる。
キャッピング層の成膜方法としては、スパッタリング法等を挙げることができる。
【００５３】
（ｅ）バッファ層
本発明に用いられる反射型マスクにおいては、多層膜と吸収層積層体との間にバッファ層が形成されていてもよい。バッファ層は、下層の多層膜に損傷を与えるのを防止するために設けられるものである。バッファ層が形成されていることにより、吸収層積層体をドライエッチング等の方法でパターンエッチングする際に、下層の多層膜がダメージを受けるのを防止することができる。
本発明において、多層膜上に上記キャッピング層が形成されている場合には、通常、多層膜上にキャッピング層およびバッファ層の順に積層される。
【００５４】
バッファ層の材料としては、耐エッチング性が高いものであればよく、通常、吸収層積層体とエッチング特性の異なる材料、すなわち吸収層積層体とのエッチング選択比が大きい材料が用いられる。バッファ層および吸収層積層体のエッチング選択比は５以上であることが好ましく、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である。さらに、バッファ層の材料としては、低応力で、平滑性に優れた材料であることが好ましい。特にバッファ層の平滑性は、０．３ｎｍＲｍｓ以下であることが好ましい。このような観点から、バッファ層の材料は、微結晶またはアモルファス構造であることが好ましい。
このようなバッファ層の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ、ＣｒＮ等が挙げられる。
【００５５】
また、バッファ層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜２５ｎｍ程度とすることができる。
バッファ層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法などが挙げられる。ＳｉＯ2を用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気下で、多層膜上にＳｉＯ2を成膜するのが好ましい。
【００５６】
（ｆ）基板
本発明における反射型マスクに用いられる基板としては、一般的に反射型マスクの基板に使用されるものを用いることができ、例えば、ガラス基板や金属基板を使用することができる。中でも、ガラス基板が好ましく用いられる。ガラス基板は、良好な平滑性および平坦度が得られるので、特に反射型マスク用基板として好適である。ガラス基板の材料としては、例えば、石英ガラス、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等）、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。また、金属基板の材料としては、例えば、シリコン、Ｆｅ−Ｎｉ系のインバー合金等が挙げられる。
【００５７】
基板は、反射型マスクの高反射率および転写精度を得るために、平滑性が０．２ｎｍＲｍｓ以下であることが好ましく、また平坦度が１００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、平滑性を示す単位Ｒｍｓは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。また、平坦度は、ＴＩＲ(Total Indicated Reading)で示される表面の反り（変形量）を示す値である。この値は、基板表面を元に最小二乗法で定められる平面を焦平面としたとき、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある最も低い位置の高低差の絶対値である。また、上記平滑性は１０μｍ角エリアでの平滑性であり、上記平坦度は１４２ｍｍ角エリアでの平坦度である。
【００５８】
また、基板の厚みとしては、例えば６ｍｍ〜７ｍｍ程度とすることができる。
【００５９】
２．黒欠陥修正工程
本発明の反射型マスクの製造方法は、上記補修工程前に、上記吸収層積層体の余剰に起因する黒欠陥部に位置する上記吸収層積層体を除去する黒欠陥修正工程を有することが好ましい。上述したように、黒欠陥部を修正する際にはサイドエッチングが発生しやすいため、歩留まり低下の原因となるが、本発明を適用することにより歩留まりを高めることができるからである。また、本発明においてはサイドエッチングのような側面欠陥部を補修することができるため、従来のように長時間を要してサイドエッチングが生じないように黒欠陥部の修正を行う必要がなく、効率良く反射型マスクを製造することができるからである。
【００６０】
黒欠陥部に位置する吸収層積層体を除去する方法としては、エネルギービームを照射することで吸収層積層体を局所的にエッチングすることができる方法であれば特に限定されるものではない。中でも、黒欠陥部に位置する吸収層積層体にアシストガスを供給しながらエネルギービームを照射することにより、吸収層積層体をガスアシストエッチングする方法が好ましく用いられる。エネルギービームのみを用いる場合に比較して、吸収層積層体を良好にエッチングすることができるからである。また、ガスアシストエッチングではサイドエッチングが発生しやすいため、本発明を適用するのが好ましい。
【００６１】
エネルギービームとしては、黒欠陥部に位置する吸収層積層体を局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではないが、ＦＩＢまたはＥＢが好ましく用いられる。これらは、高度な微細加工が可能であり、微細な黒欠陥部にも対応できるからである。
【００６２】
３．側面欠陥部検査工程
本発明の反射型マスクの製造方法は、上記補修工程前に、上記反射型マスクの上記側面欠陥部を検査する側面欠陥部検査工程を有することが好ましい。上記黒欠陥修正工程が行われる場合には、上記黒欠陥修正工程後に、側面欠陥部検査工程が行われる。
【００６３】
側面欠陥部の検査方法としては、吸収層積層体の側面にて第１吸収層が第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を検出できる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、電子顕微鏡を用いる方法が挙げられる。
【００６４】
４．その他の工程
本発明の反射型マスクの製造方法は、上記の補修工程、黒欠陥修正工程、および側面欠陥部検査工程の他に、反射型マスクブランクスを準備する準備工程、吸収層をパターニングする吸収層パターニング工程などを有していてもよい。
【００６５】
Ｂ．反射型マスク
本発明の反射型マスクは、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有し、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００６６】
図７は、本発明の反射型マスクの一例を示す概略断面図である。図７に例示する反射型マスク１Ｂは、基板２と、基板２上に形成された多層膜３と、多層膜３上に形成されたキャッピング層４と、キャッピング層４上にパターン状に形成された吸収層積層体７とを有している。吸収層積層体７は、キャッピング層４上に形成された第１吸収層５と、第１吸収層５上に形成された第２吸収層６とを有する。この反射型マスク１Ｂは、吸収層積層体７の側面にて第１吸収層５が第２吸収層６よりも過度に欠落している側面欠陥部１０を有しており、側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６上に堆積膜８が形成されている。
【００６７】
本発明によれば、側面欠陥部に位置する第２吸収層上に堆積膜が形成されているので、反射型マスクがサイドエッチングのような側面欠陥部を有する場合であっても、転写特性の改善を図ることが可能である。
【００６８】
なお、反射型マスクの各構成については、上記「Ａ．反射型マスクの製造方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
【００６９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００７０】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例１］
（１）シミュレーション１
本発明の効果をシミュレーションにより詳しく検証した。シミュレータは、Panoramic Technology社製EM-Suiteを使用した。またシミュレーションは、実際のＥＵＶマスク構造およびＥＵＶ転写装置の光学系をモデルに実施した。
ＥＵＶマスクの構造は、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、酸化珪素からなる基板２上に、モリブデンおよび珪素（膜厚２．８ｎｍ／４．２ｎｍ）の４０対からなる多層膜３と、珪素からなるキャッピング層４（膜厚１１ｎｍ）とが順に積層され、キャッピング層４上に、線幅２２５ｎｍのラインパターンの吸収層積層体７（窒化タンタルからなる第１吸収層５およびタンタルの酸化物からなる第２吸収層６）（膜厚５１ｎｍ）が形成された構造とした。さらに、側面欠陥部１０（サイドエッチング発生箇所）として、サイドエッチング量３１を０〜１００ｎｍの範囲で変化させた。なお、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線断面図であり、図８（ａ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。
転写条件は、キヤノン（株）社製ＥＵＶ露光装置ＳＦＥＴ（Small Field Exposure Tool）の光学系に設定し、ＮＡ＝０．３、σ＝０．３／０．７（inner/outer）とした。転写寸法は、ウェハ上へ５分の１縮小露光した光学像から寸法を算出した。
【００７１】
図９にサイドエッチング量３１と転写寸法のズレ量との関係を示す。なお、吸収層積層体７の線幅は２２５ｎｍであり、縮小倍率は５分の１であるので、図９において転写寸法のズレ量＝０ｎｍは転写寸法＝４５ｎｍを表す。図９から読み取ると、サイドエッチング量３１が３０ｎｍ以上となると転写寸法が５％変動することが予想される。そのため、３０ｎｍ以上のサイドエッチングが発生した場合にはＥＵＶ転写特性の回復が必要となる。
【００７２】
（２）シミュレーション２
次に、本発明における補修工程がＥＵＶ転写特性の回復に有効であることをシミュレーションにより検証した。
シミュレーションに使用した堆積膜の位置と形状は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、側面欠陥部１０（サイドエッチング発生箇所）に位置する第２吸収層６上に矩形の堆積膜８を形成したモデルで検証した。なお、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＦ−Ｆ線断面図であり、図１０（ａ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。ＥＵＶマスクのその他の構造は、上記の図８（ａ）、（ｂ）に示すＥＵＶマスクの構造と同様とした。
シミュレーション条件は上記シミュレーション１と同様とした。堆積膜８は炭化水素として光学定数を指定した。
【００７３】
図１１に、サイドエッチング量３１を３０ｎｍ，５０ｎｍ，７５ｎｍ，１００ｎｍとした条件における、堆積膜厚と転写寸法のズレ量との関係を示す。なお、吸収層積層体７の線幅は２２５ｎｍであり、縮小倍率は５分の１であるので、図１１において転写寸法のズレ量＝０ｎｍは転写寸法＝４５ｎｍを表す。
シミュレーションの結果、サイドエッチング量毎に堆積膜を適切な膜厚で形成することで、転写寸法のズレ量はゼロ、つまり正常部と同等な転写寸法に近づき、本発明における補修工程が側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）のＥＵＶ転写特性の回復に有効であることが確認された。
【００７４】
（３）シミュレーション３
上記シミュレーション２は、側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）を完全に覆う堆積膜を形成した結果を示した。
次に、本発明の実施裕度を検証すべく、側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）よりも堆積膜を小さく形成したモデルを作成し、転写寸法へ与える影響を評価した。
図１２に、計算に使用したモデルを示す。側面欠陥部１０（サイドエッチング発生箇所）よりも、堆積膜縮小量３２分だけ小さな堆積膜８を形成した。ＥＵＶマスクのその他の構造は、上記図１０（ａ）、（ｂ）に示すＥＵＶマスクの構造と同様とした。
シミュレーション条件は上記シミュレーション２と同様とした。
【００７５】
図１３に、図１２に示す線幅２２５ｎｍのラインパターンの吸収層積層体７においてサイドエッチング量３１が１００ｎｍである場合の補修における、堆積膜縮小量３２と転写寸法のズレ量との関係を示す。このとき、堆積膜８の厚さは４０ｎｍで計算した。
シミュレーションの結果、堆積膜縮小量３２と転写寸法とには相関があり、堆積膜縮小量３２が５０ｎｍ以上で転写寸法が５％変動することが予測された。この結果は、本発明における補修工程において、側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）を厳密に定義して、堆積膜を形成する必要はなく、５０ｎｍ程度の堆積膜縮小量があっても転写寸法を満足することが可能であることを示すものである。
【００７６】
（４）シミュレーション４
図５（ａ）、（ｂ）および図６（ａ）、（ｂ）に示すような側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の端部６Ｅと堆積膜８の端部８Ｅとの位置関係が、転写寸法に及ぼす影響を、シミュレーションで検証した。
図１２に示すモデルにおいて、線幅２２５ｎｍのラインパターンの吸収層積層体７のサイドエッチング量３１を１００ｎｍ、堆積膜８の厚さを６０ｎｍ、堆積膜縮小量３２を５０ｎｍとした。このとき、図１４に示すように、側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の端部６Ｅと堆積膜８の端部８Ｅとの位置関係を、堆積膜位置ズレ量３３として、０〜５０ｎｍの範囲で系統的に変化させ、転写寸法に及ぼす影響を検証した。
シミュレーション条件は上記シミュレーション１と同様とした。堆積膜８は炭化水素として光学定数を指定した。
【００７７】
図１５にシミュレーションの結果を示す。堆積膜位置ズレ量がゼロであり、側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の端部６Ｅと堆積膜８の端部８Ｅとが一致する、すなわち、側面欠陥部１０に位置する第２吸収層６の端部６Ｅと堆積膜８の端部８Ｅとが合うように設定する場合が最も転写寸法が良好である。
【００７８】
［実施例２］
まず、酸化珪素からなる基板上に、モリブデンと珪素（膜厚２．８ｎｍ／４．２ｎｍ）の４０対からなる多層膜と、珪素からなるキャッピング層（膜厚１１ｎｍ）とが順に積層され、キャッピング層上に吸収層積層体（窒化タンタルからなる第１吸収層およびタンタルの酸化物からなる第２吸収層）（膜厚５１ｎｍ）がパターン状に形成された反射型マスクを準備した。第１吸収層および第２吸収層のパターンは、線幅２２５ｎｍのラインパターンであり、黒欠陥部として幅１００ｎｍ、長さ３００ｎｍサイズのラインが膨らんだ黒欠陥部を形成した。
黒欠陥部のエッチング除去には、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製フォトマスク修正用ＦＩＢ装置ＳＩＲ７（ガリウムイオン、加速電圧１５ｋＶ）を使用した。黒欠陥部に、フッ化キセノンからなるエッチング用ガスを導入しながらＦＩＢを照射することで、黒欠陥部をエッチング除去した。黒欠陥部修正箇所を電子顕微鏡で観察したところ、吸収層積層体にサイドエッチングが発生していることが確認された。このとき、サイドエッチング量は１００ｎｍであった。
次に、原料ガスを導入しながらＦＩＢを照射することで、側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した。このとき原料ガスにはフェナントレンを使用した。上記実施例１で算出したとおり、堆積膜を４０ｎｍの膜厚で堆積した。
【００７９】
側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した箇所を含むラインパターンを、キヤノン（株）社製ＥＵＶ露光装置ＳＦＥＴを使用して、ウェハ上に塗布したレジストへ５分の１縮小転写した。次に、レジストを現像することでレジストパターンを得た。
このレジストパターンを（株）日立ハイテクノロジーズ社製ＳＥＭ型寸法測定機（ＣＧ４０００）にて観察することで、補修箇所の転写特性評価を行った。側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した箇所は、正常なパターンと同等のレジストパターンが形成されていることをＳＥＭ観察で確認した。
【００８０】
［実施例３］
堆積膜の形成においてＦＩＢに替えてＥＢを利用したこと以外は、実施例２と同様にした。堆積膜の形成においては、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＦＩＢ−ＳＥＭダブルビーム装置ＸＶｉｓｉｏｎ２００を使用した。このとき、ＥＢの加速電圧は１ｋｅＶとし、原料ガスにはフェナントレンを使用した。
【００８１】
側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した箇所を含むラインパターンを、キヤノン（株）社製ＥＵＶ露光装置ＳＦＥＴを使用して、ウェハ上に塗布したレジストへ５分の１縮小転写した。次に、レジストを現像することでレジストパターンを得た。
このレジストパターンを（株）日立ハイテクノロジーズ社製ＳＥＭ型寸法測定機（ＣＧ４０００）にて観察することで、補修箇所の転写特性評価を行った。側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した箇所は、正常なパターンと同等のレジストパターンが形成されていることをＳＥＭ観察で確認した。
【００８２】
［実施例４］
まず、酸化珪素からなる基板上に、モリブデンと珪素（膜厚２．８ｎｍ／４．２ｎｍ）の４０対からなる多層膜と、珪素からなるキャッピング層（膜厚１１ｎｍ）とが順に積層され、キャッピング層上に吸収層積層体（窒化タンタルからなる第１吸収層およびタンタルの酸化物からなる第２吸収層）（膜厚５１ｎｍ）がパターン状に形成された反射型マスクを準備した。第１吸収層および第２吸収層のパターンは、線幅２２５ｎｍのラインパターンである。
反射型マスクを、（株）ニューフレアテクノロジー社製、マスクパターン欠陥検査装置ＮＰＩ−６０００ＥＵＶαを使用してパターン欠陥検査を行ったところ、線幅２２５ｎｍのラインパターンに欠陥が検出された。この欠陥を電子顕微鏡で観察したところ、吸収層積層体に幅７５ｎｍ、長さ７５ｎｍのサイドエッチングが確認された。
次に、側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に、実施例２と同様にして堆積膜を形成した。この際、フェナントレンを原料ガスとしてＦＩＢを照射することで、膜厚４０ｎｍの堆積膜を形成した。
【００８３】
側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した箇所を含むラインパターンを、キヤノン（株）社製ＥＵＶ露光装置ＳＦＥＴを使用して、ウェハ上に塗布したレジストへ５分の１縮小転写した。次に、レジストを現像することでレジストパターンを得た。
このレジストパターンを（株）日立ハイテクノロジーズ社製ＳＥＭ型寸法測定機（ＣＧ４０００）にて観察することで、補修箇所の転写特性評価を行った。側面欠陥部（サイドエッチング発生箇所）に堆積膜を形成した箇所は、正常なパターンと同等のレジストパターンが形成されていることをＳＥＭ観察で確認した。
【符号の説明】
【００８４】
１Ａ，１Ｂ  …  反射型マスク
１Ｃ  …  反射型マスクブランクス
２  …  基板
３  …  多層膜
４  …  キャッピング層
５  …  第１吸収層
６  …  第２吸収層
７  …  吸収層積層体
８  …  堆積膜
１０  …  側面欠陥部
１１  …  原料ガス
１２  …  ＦＩＢまたはＥＢ
２０  …  黒欠陥部
２１  …  アシストガス
２２  …  ＦＩＢまたはＥＢ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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