(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイス間で送受信されるデータを一時的に保持することによりデータの送受信を調整するとともに、前記保持したデータの位置を示す位置情報を出力する調整部と、
前記位置情報の変化量に基づいて、前記複数のデバイスのうちの少なくとも１つの対象デバイスの消費電力を増加させる消費電力増加処理及び該消費電力を低減する消費電力低減処理を実行する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記消費電力増加処理では、
前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、
前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、
前記消費電力低減処理では、
前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が増加しない時間が第３閾値より大きい場合に、前記対象デバイスの電圧を低減し、
前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が減少しない時間が第４閾値より大きい場合に前記対象デバイスの電圧を低減する、半導体集積回路。
【請求項２】
前記対象デバイスが複数である場合に、前記制御回路は、それぞれの対象デバイスについて、前記消費電力増加処理及び前記消費電力低減処理の何れを実行すべきかを示す処理モードを判定し、複数の対象デバイスについての判定結果が互いに異なる場合には、前記対象デバイスを低消費電力で動作させるための低消費電力モードが設定されているときには前記消費電力低減処理を実行し、前記対象デバイスを高速で動作させるための高速モードが設定されているときには前記消費電力増加処理を実行する、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記対象デバイスの動作環境を監視する監視部をさらに備え、
前記制御回路は、前記監視部により前記動作環境の異常が検出されたときに、前記消費電力低減処理を実行する、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
複数のデバイスが接続されるインターコネクトにおいて、
複数のデバイス間で送受信されるデータを一時的に保持することによりデータの送受信を調整するとともに、前記保持したデータの位置を示す位置情報を出力する調整部と、
前記位置情報の変化量に基づいて、前記複数のデバイスのうちの少なくとも１つの対象デバイスの消費電力を増加させる消費電力増加処理及び該消費電力を低減する消費電力低減処理を実行する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記消費電力増加処理では、
前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、
前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、
前記消費電力低減処理では、
前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が増加しない時間が第３閾値より大きい場合に、前記対象デバイスの電圧を低減し、
前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が減少しない時間が第４閾値より大きい場合に前記対象デバイスの電圧を低減する、インターコネクト。
【請求項５】
複数のデバイス間で送受信されるデータを一時的に保持することによりデータの送受信を調整するシステムにおいて、
前記保持したデータの位置を示す位置情報の変化量に基づいて、前記複数のデバイスのうちの少なくとも１つの対象デバイスの消費電力を増加させる消費電力増加処理及び該消費電力を低減する消費電力低減処理を実行するものであって、
前記消費電力増加処理では、
前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、
前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、
前記消費電力低減処理では、
前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が増加しない時間が第３閾値より大きい場合に、前記対象デバイスの電圧を低減し、
前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が減少しない時間が第４閾値より大きい場合に前記対象デバイスの電圧を低減する、制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体集積回路、インターコネクト、及び制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の低消費電力化の要求が高まっている。具体的には、以下の場合に半導体集積回路の低消費電力化が求められる。
【０００３】
例えば、半導体集積回路の大規模化のためにチップが積層される場合である。この場合には、チップ間の熱を放熱することが難しくなる。しかしながら、半導体集積回路の薄型化のために、チップ間の熱を放熱するのに十分なヒートシンク等の放熱装置を取り付けることができない。従って、半導体集積回路の大規模化のためにチップが積層される場合には、半導体集積回路の消費電力（特に、ピーク電力）の削減が求められる。
【０００４】
これに対して、動的電圧周波数制御技術（以下、「ＤＶＦＳ（Dynamic Voltage and Frequency Scaling）」という）という技術が知られている。ＤＶＦＳは、常に、必要最低限の電圧及び周波数で半導体集積回路を動作させることにより、半導体集積回路が動作している間に消費される電力を削減する技術である。
【０００５】
しかしながら、従来、ＤＶＦＳを実現するための制御回路（以下、「ＶＦＣ（Voltage Frequency Controller）」という）は、アプリケーション毎に個別に開発されている。そのようなＶＦＣは、汎用性が無く、且つ、再利用性が低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１８７３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ＶＦＣの汎用性及び再利用性を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態に係る半導体集積回路は、複数のデバイス間で送受信されるデータを一時的に保持することによりデータの送受信を調整するとともに、前記保持したデータの位置を示す位置情報を出力する調整部と、前記位置情報の変化量に基づいて、前記複数のデバイスのうちの少なくとも１つの対象デバイスの消費電力を増加させる消費電力増加処理及び該消費電力を低減する消費電力低減処理を実行する制御回路と、を備える。前記制御回路は、前記消費電力増加処理では、前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さく、かつ、前記位置情報が変化するまでに要する時間が第１閾値より小さい場合に、前記対象デバイスの電圧を増加させ、その後に前記周波数を切り換え、前記消費電力低減処理では、前記消費電力を制御する対象デバイスがスレーブデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より小さい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が増加しない時間が第３閾値より大きい場合に、前記対象デバイスの電圧を低減し、前記消費電力を制御する対象デバイスがマスタデバイスである場合、前記位置情報の変化量が０より大きい場合、または、前記位置情報が維持される時間が第２閾値より大きい場合に、前記周波数を切り替え、その後、前記位置情報が減少しない時間が第４閾値より大きい場合に前記対象デバイスの電圧を低減する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図。
【図２】図１のインターコネクト１０の構成を示すブロック図。
【図３】第１実施形態に係るＤＶＦＳ処理の手順を示すフローチャート。
【図４】図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）の手順を示すフローチャート。
【図５】図３の消費電力低減処理（Ｓ３１１）の手順を示すフローチャート。
【図６】図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）及び消費電力低減処理（Ｓ３１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図７】図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）及び消費電力低減処理（Ｓ３１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図８】図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）及び消費電力低減処理（Ｓ３１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図９】図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）及び消費電力低減処理（Ｓ３１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図１０】第２実施形態に係るＤＶＦＳ処理の手順を示すフローチャート。
【図１１】図１０の消費電力低減処理（Ｓ１０１１）の手順を示すフローチャート。
【図１２】図１０の消費電力増加処理（Ｓ１００３）及び消費電力低減処理（Ｓ１０１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図１３】図１０の消費電力増加処理（Ｓ１００３）及び消費電力低減処理（Ｓ１０１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図１４】図１０の消費電力増加処理（Ｓ１００３）及び消費電力低減処理（Ｓ１０１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図１５】図１０の消費電力増加処理（Ｓ１００３）及び消費電力低減処理（Ｓ１０１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図。
【図１６】第３実施形態に係るモード選択処理の手順を示すフローチャート。
【図１７】第４実施形態に係るモード選択処理の手順を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１１】
本実施形態に係る半導体集積回路について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【００１２】
図１に示すように、半導体集積回路１は、インターコネクト１０と、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）２１と、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）２２と、メモリ２３と、インタフェース２４と、周辺機器２５と、入力装置２６と、を備える。
【００１３】
図１のインターコネクト１０は、ＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５の間のデータの送受信を制御するモジュールである。ＭＰＵ２１及びＤＳＰ２２は、所定の処理を実行するプロセッサである。メモリ２３は、ＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、及び周辺機器２５が実行する処理に必要なデータを記憶するモジュールである。インタフェース２４は、周辺機器２５及び入力装置２６とインターコネクト１０との間のデータの送受信を制御するモジュールである。周辺機器２５は、ＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、及びメモリ２３との間でデータの送受信を実行するデバイスである。入力装置２６は、ＤＶＦＳ処理に必要なパラメータ（第１閾値ＴＨ１〜第４閾値ＴＨ４、及び閾値電圧ＶＴＨ）、並びに動作モード（低消費電力モードＬＰ及び高速モードＨＳ）の入力を受け付ける装置である。低消費電力モードＬＰは、動作速度より消費電力を優先するときに設定される。高速モードＨＳは、消費電力より動作速度を優先するときに設定される。ＤＳＰ２２、メモリ２３、及びインタフェース２４は、それぞれ、レギュレータ及びクロックギアを備える。なお、インタフェース２４は、ネットワークを介して所定の装置と接続されても良い。
【００１４】
本実施形態に係るインターコネクトについて説明する。図２は、図１のインターコネクト１０の構成を示すブロック図である。
【００１５】
図２に示すように、インターコネクト１０は、調整部１１と、ＶＦＣ１２と、監視部１３と、を備える。
【００１６】
図２の調整部１１は、複数のデバイス（図１のＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５）間で送受信されるデータＤを一時的に保持することにより、データＤの送受信を調整するモジュールである。調整部１１は、ＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５から送信されるデータＤを受信し、受信したデータＤを一時的に保持し、ＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５に保持したデータＤを送信する。調整部１１は、データＤを受信するときはスレーブデバイスとして機能し、データＤを送信するときはマスタデバイスとして機能する。すなわち、調整部１１がデータＤを受信するときはＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５がマスタデバイスとして機能し、調整部１１がデータＤを送信するときはＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５がスレーブデバイスとして機能する。また、調整部１１は、データＤを保持したときに、データＤの位置情報ＬＩを出力する。位置情報ＬＩは、調整部１１におけるデータＤの位置を示す情報であり、データＤの送受信の状態に応じて変化する情報である。例えば、調整部１１は、ＦＩＦＯ（First In First Out）メモリ又はレジスタマップ等のメモリである。例えば、位置情報Ｌ１は、調整部１１がＦＩＦＯメモリである場合にはインデックスの値であり、調整部１１がメモリである場合にはアドレスである。
【００１７】
図２のＶＦＣ１２は、調整部１１の出力（位置情報ＬＩ）に基づいてＤＶＦＳ処理を実行することにより、対象デバイスの消費電力を制御するモジュールである。ＶＦＣ１２は、ＤＶＦＳ処理を実行することにより、電圧制御信号ＶＣＳ及び周波数制御信号ＦＣＳを生成する。次いで、ＶＦＣ１２は、生成した電圧制御信号ＶＣＳ及び周波数制御信号ＦＣＳをデータの送受信の対象となるデバイス（以下、「対象デバイス」という）に出力する。対象デバイスは、図１のＭＰＵ２１、ＤＳＰ２２、メモリ２３、及び周辺機器２５である。例えば、ＶＦＣ１２は、表１に従って、電圧制御信号ＶＣＳ及び周波数制御信号ＦＣＳを生成する。なお、ＶＦＣ１２は、半導体集積回路１内であれば任意の場所（例えば、インターコネクト１０の外部）に設けられても良い。また、ＶＦＣ１２は、ソフトウェア（例えば、制御プログラムを実行するＭＰＵ２１）により実現されても良い。
【表１】
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【００１８】
図２の監視部１３は、対象デバイスの動作環境を監視するモジュールである。監視部１３は、動作環境に異常があった場合に割込信号ＩＳを生成し、生成した割込信号ＩＳをＶＦＣ１２に出力する。例えば、動作環境は、対象デバイスの動作温度や動作電流である。監視部１３は、対象デバイスの動作温度や動作電流が所定の値より大きい場合に、割込信号ＩＳを生成する。
【００１９】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。第１実施形態は、対象デバイスがスレーブデバイスである場合のＤＶＦＳ処理の例である。
【００２０】
第１実施形態に係るＤＶＦＳ処理について説明する。図３は、第１実施形態に係るＤＶＦＳ処理の手順を示すフローチャートである。
【００２１】
＜図３：パラメータ計算（Ｓ３０１）＞  図２のＶＦＣ１２が、ＤＶＦＳ処理に必要なパラメータを計算する。パラメータ計算（Ｓ３０１）では、ＶＦＣ１２が、パラメータ計算部として動作する。具体的には、ＶＦＣ１２は、調整部１１の出力（位置情報ＬＩ）を監視する。位置情報ＬＩが変化すると、ＶＦＣ１２は、位置情報ＬＩの変化量（以下、「位置情報変化量ΔＬＩ」という）と、位置情報ＬＩが変化するまでに要する時間を示す第１サイクル数Ｃ１と、位置情報ＬＩが維持される時間を示す第２サイクル数Ｃ２と、位置情報ＬＩが増加しない時間を示す第３サイクル数Ｃ３と、を計算する。すなわち、第１サイクル数Ｃ１〜第３サイクル数Ｃ３は、位置情報ＬＩの変化に関するパラメータである。
【００２２】
＜図３：Ｓ３０２＞  図２のＶＦＣ１２が、パラメータ計算（Ｓ３０１）において計算した位置情報変化量ΔＬＩが０より大きいか否かを判定する。位置情報変化量ΔＬＩが０より大きいことは、対象デバイスの電圧及び周波数を増加させる必要があることを意味する。位置情報変化量ΔＬＩが０より大きい場合には（Ｓ３０２−ＹＥＳ）、消費電力増加処理（Ｓ３０３）が実行される。位置情報変化量ΔＬＩが０以下である場合には（Ｓ３０２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ３１１）が実行される。
【００２３】
＜図３：消費電力増加処理（Ｓ３０３）＞  図２のＶＦＣ１２が、所定の条件が成立する場合に、対象デバイスの消費電力を増加させるための処理を実行する。消費電力増加処理（Ｓ３０３）では、ＶＦＣ１２が、電力制御部として動作する。消費電力増加処理（Ｓ３０３）が終了すると、ＤＶＦＳ処理が終了する。
【００２４】
＜図３：消費電力低減処理（Ｓ３１１）＞  図２のＶＦＣ１２が、所定の条件が成立する場合に、対象デバイスの消費電力を低減するための処理を実行する。消費電力低減処理（Ｓ３１１）では、ＶＦＣ１２が、電力制御部として動作する。消費電力低減処理（Ｓ３１１）が終了すると、ＤＶＦＳ処理が終了する。
【００２５】
すなわち、図２のＶＦＣ１２は、図３のパラメータ計算（Ｓ３０１）において計算したパラメータに基づいて、対象デバイスの電圧及び周波数を動的に制御する。
【００２６】
第１実施形態に係る消費電力増加処理及び消費電力低減処理について説明する。図４は、図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）の手順を示すフローチャートである。図５は、図３の消費電力低減処理（Ｓ３１１）の手順を示すフローチャートである。
【００２７】
図４は、低消費電力モードＬＰが設定されたときの消費電力増加処理である。
【００２８】
＜図４：Ｓ４０１＞  図２のＶＦＣ１２が、第１サイクル数Ｃ１が所定の第１閾値ＴＨ１より小さいか否かを判定する。第１サイクル数Ｃ１が第１閾値ＴＨ１より小さいことは、位置情報Ｌ１が短期間に変化したことを意味する。第１サイクル数Ｃ１が所定の第１閾値ＴＨ１より小さい場合には（Ｓ４０１−ＹＥＳ）、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）が実行される。第１サイクル数Ｃ１が第１閾値ＴＨ１以上である場合には（Ｓ４０１−ＮＯ）、消費電力増加処理は終了する。
【００２９】
＜図４：ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）＞  図２のＶＦＣ１２が、対象デバイスの電圧を増加させるための制御信号ＶＣＳを生成する。次いで、ＶＦＣ１２は、生成した制御信号ＶＣＳを対象デバイスに出力する。これにより、対象デバイスの電圧が増加する。ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）では、ＶＦＣ１２は、電圧制御部として動作する。
【００３０】
＜図４：Ｓ４０３＞  図２のＶＦＣ１２が、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）において生成した制御信号ＶＣＳによる対象デバイスの電圧の増加が完了したか否か（対象デバイスの電圧が一定になったか否か）を判定する。対象デバイスの電圧の増加が完了した場合には（Ｓ４０３−ＹＥＳ）、ＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）が実行される。対象デバイスの電圧の増加が完了していない場合には（Ｓ４０３−ＮＯ）、対象デバイスの電圧の増加が完了するまで待機する。
【００３１】
＜図４：ＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）＞  図２のＶＦＣ１２が、対象デバイスの周波数を増加させるための制御信号ＦＣＳを生成する。次いで、ＶＦＣ１２は、生成した制御信号ＦＣＳを対象デバイスに出力する。これにより、対象デバイスの周波数が増加する。ＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）では、ＶＦＣ１２は、周波数制御部として動作する。ＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）が終了すると、消費電力増加処理が終了する。
【００３２】
図５の消費電力低減処理は、低消費電力モードＬＰが設定されたときの消費電力低減処理である。
【００３３】
＜図５：Ｓ５０１＞  図２のＶＦＣ１２が、位置情報変化量ΔＬＩが０であるか否かを判定する。位置情報変化量ΔＬＩが０である場合には（Ｓ５０１−ＹＥＳ）、Ｓ５０２が実行される。位置情報変化量ΔＬＩが０未満である場合には（Ｓ５０１−ＮＯ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）が実行される。
【００３４】
＜図５：Ｓ５０２＞  図２のＶＦＣ１２が、第２サイクル数Ｃ２が第２閾値ＴＨ２より大きいか否かを判定する。第２サイクル数Ｃ２が第２閾値ＴＨ２より大きいことは、位置情報ＬＩが所定期間以上変化していないことを意味する。第２サイクル数Ｃ２が第２閾値ＴＨ２より大きい場合には（Ｓ５０２−ＹＥＳ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）が実行される。第２サイクル数Ｃ２が第２閾値ＴＨ２以下である場合には（Ｓ５０２−ＮＯ）、Ｓ５０４が実行される。
【００３５】
＜図５：ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）＞  図２のＶＦＣ１２が、対象デバイスの周波数を低減するための制御信号ＦＣＳを生成する。次いで、ＶＦＣ１２は、生成した制御信号ＦＣＳを対象デバイスに出力する。これにより、対象デバイスの周波数が減少する。ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）では、ＶＦＣ１２は、周波数制御部として動作する。
【００３６】
＜図５：Ｓ５０４＞  図２のＶＦＣ１２が、第３サイクル数Ｃ３が第３閾値ＴＨ３より大きいか否かを判定する。第３サイクル数Ｃ３が第３閾値ＴＨ３より大きいことは、位置情報ＬＩが所定期間以上連続して増加していないことを意味する。第３サイクル数Ｃ３が第３閾値ＴＨ３より大きい場合には（Ｓ５０４−ＹＥＳ）、Ｓ５０５が実行される。第３サイクル数Ｃ３が第３閾値ＴＨ３以下である場合には（Ｓ５０４−ＮＯ）、消費電力低減処理が終了する。
【００３７】
＜図５：Ｓ５０５＞  図２のＶＦＣ１２が、対象デバイスの電圧Ｖが閾値電圧ＶＴＨより大きいか否かを判定する。対象デバイスの電圧Ｖが閾値電圧ＶＴＨより大きいことは、対象デバイスの電圧を低減する必要があることを意味する。対象デバイスの電圧Ｖが閾値電圧ＶＴＨより大きい場合には（Ｓ５０５−ＹＥＳ）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）が実行される。対象デバイスの電圧Ｖが閾値電圧ＶＴＨ以下である場合には（Ｓ５０５−ＮＯ）、消費電力低減処理が終了する。
【００３８】
＜図５：ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）＞  図２のＶＦＣ１２が、対象デバイスの電圧を低減するための制御信号ＶＣＳを生成する。次いで、ＶＦＣ１２は、生成した制御信号ＶＣＳを対象デバイスに出力する。これにより、対象デバイスの電圧が低下する。ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）では、ＶＦＣ１２は、電圧制御部として動作する。ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）が終了すると、消費電力低減処理が終了する。
【００３９】
第１実施形態に係るＤＶＦＳ処理の具体例について説明する。図６〜図９は、図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３）及び消費電力低減処理（Ｓ３１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図である。
【００４０】
図６は、期間Ｔ０〜Ｔ１の状態を示す。時刻Ｔ０において、位置情報ＬＩの値は０であり、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］であり、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］である。すなわち、対象デバイスは、最小電圧及び最小周波数で動作している。
【００４１】
図６の期間Ｔ０〜Ｔ１において、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持され、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］に維持される。
【００４２】
図７は、期間Ｔ１〜Ｔ２の状態を示す。時刻Ｔ１において、位置情報ＬＩの値は０から１に増加する（すなわち、“ΔＬＩ＞０”である）ので（Ｓ３０２−ＹＥＳ）、消費電力増加処理（Ｓ３０３）が実行される。第１サイクル数Ｃ１（＝Ｔ１−Ｔ０）が第１閾値ＴＨ１より小さいので（Ｓ４０１−ＹＥＳ）、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）が実行される。これにより、対象デバイスの電圧増加が開始する。
【００４３】
図７の期間Ｔ１〜Ｔ２において、対象デバイスの電圧は増加し、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００４４】
図７の時刻Ｔ２において、対象デバイスの電圧増加が完了すると（Ｓ４０３−ＹＥＳ）、ＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）が実行される。これにより、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に達し、対象デバイスの周波数は１００［ＭＨｚ］に達する。
【００４５】
図８は、期間Ｔ２〜Ｔ４の状態を示す。期間Ｔ２〜Ｔ３において、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は１００［ＭＨｚ］に維持される。
【００４６】
図８の時刻Ｔ３において、位置情報ＬＩの値は１から５に増加する（すなわち、“ΔＬＩ＞０”である）ので（Ｓ３０２−ＹＥＳ）、消費電力増加処理（Ｓ３０３）が実行される。第１サイクル数Ｃ１（＝Ｔ３−Ｔ２）が第１閾値ＴＨ１以上であるので（Ｓ４０１−ＮＯ）、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）及びＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）は実行されない。これにより、対象デバイスの電圧及び周波数は維持される。
【００４７】
図８の期間Ｔ３〜Ｔ４において、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は１００［ＭＨｚ］に維持される。
【００４８】
図８の時刻Ｔ４において、位置情報ＬＩの値は５から４に減少する（すなわち、“ΔＬＩ＜０”である）ので（Ｓ３０２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ３１１）が実行される。“ΔＬＩ＜０”であるので（Ｓ５０１−ＮＯ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）が実行される。これにより、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に達する。また、第３サイクル数Ｃ３（＝Ｔ４−Ｔ３）が第３閾値ＴＨ３以下であるので（Ｓ５０４−ＮＯ）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）は実行されない。これにより、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持される。
【００４９】
図９は、期間Ｔ４〜Ｔ７の状態を示す。期間Ｔ４〜Ｔ５において、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００５０】
図９の時刻Ｔ５において、位置情報ＬＩの値は４である（すなわち、“ΔＬＩ＝０”である）ので（Ｓ３０２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ３１１）が実行される。“ΔＬＩ＝０”且つ第２サイクル数Ｃ２（＝Ｔ５−Ｔ４）が第２閾値ＴＨ２以下であるので（Ｓ５０２−ＮＯ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）は実行されない。これにより、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。また、第３サイクル数Ｃ３（＝Ｔ５−Ｔ３）が第３閾値ＴＨ３より大きく（Ｓ５０４−ＹＥＳ）、且つ、対象デバイスの電圧Ｖ（＝１．０［Ｖ］）が閾値電圧ＶＴＨより大きいので（Ｓ５０５−ＹＥＳ）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）が実行される。これにより、対象デバイスの電圧減少が開始する。
【００５１】
図９の期間Ｔ５〜Ｔ６において、対象デバイスの電圧は減少し、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００５２】
図９の時刻Ｔ６において、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］に達し、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００５３】
図９の期間Ｔ６〜Ｔ７において、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００５４】
なお、高速モードＨＳが設定されたときの消費電力増加処理は、図４の消費電力増加処理において、Ｓ４０１が省略される。すなわち、高速モードＨＳでは、常に、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）が実行される。
【００５５】
また、高速モードＨＳが設定されたときの消費電力低減処理は、図５の消費電力低減処理において、Ｓ５０２が省略される。すなわち、高速モードＨＳでは、位置情報の変化量ΔＬＩが０より小さいときに限り、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）が実行される。
【００５６】
第１実施形態によれば、半導体集積回路１は、調整部１１と、ＶＦＣ１２と、を備える。調整部１１は、複数のデバイス間で送受信されるデータを一時的に保持することによりデータの送受信を調整する。ＶＦＣ１２は、調整部１１により保持されたデータの位置を示す位置情報ＬＩに基づいて、複数のデバイスのうちの少なくとも１つの対象デバイスの消費電力を制御する。すなわち、ＶＦＣ１２は、位置情報の変化量ΔＬＩと、位置情報の変化に関する第１サイクル数Ｃ１〜第３サイクル数Ｃ３と、を計算し、計算結果に応じて対象デバイスの消費電力を制御する。その結果、ＶＦＣ１２の汎用性及び再利用性を改善することができる。
【００５７】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、対象デバイスがマスタデバイスである場合のＤＶＦＳ処理の例である。なお、上述の実施形態と同様の内容についての説明は省略する。
【００５８】
第２実施形態に係るＤＶＦＳ処理について説明する。図１０は、第２実施形態に係るＤＶＦＳ処理の手順を示すフローチャートである。
【００５９】
＜図１０：パラメータ計算（Ｓ１００１）＞  図２のＶＦＣ１２が、ＤＶＦＳ処理に必要なパラメータを計算する。パラメータ計算（Ｓ１００１）では、ＶＦＣ１２が、パラメータ計算部として動作する。具体的には、ＶＦＣ１２は、調整部１１の出力（位置情報ＬＩ）を監視する。位置情報ＬＩが変化すると、ＶＦＣ１２は、位置情報変化量ΔＬＩと、位置情報ＬＩが変化するまでに要する時間を示す第１サイクル数Ｃ１と、位置情報ＬＩが維持される時間を示す第２サイクル数Ｃ２と、位置情報ＬＩが減少しない時間を示す第４サイクル数Ｃ４と、を計算する。すなわち、第１サイクル数Ｃ１、第２サイクル数Ｃ２、及び第３サイクル数Ｃ３は、位置情報ＬＩの変化に関するパラメータである。
【００６０】
＜図１０：Ｓ１００２＞  図２のＶＦＣ１２が、パラメータ計算（Ｓ１００１）において計算した位置情報変化量ΔＬＩが０より小さいか否かを判定する。位置情報変化量ΔＬＩが０より小さいことは、対象デバイスの電圧及び周波数を増加させる必要があることを意味する。位置情報変化量ΔＬＩが０より小さい場合には（Ｓ１００２−ＹＥＳ）、消費電力増加処理（Ｓ１００３）が実行される。位置情報変化量ΔＬＩが０以上である場合には（Ｓ１００２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ１０１１）が実行される。
【００６１】
＜図１０：消費電力増加処理（Ｓ１００３）＞  図２のＶＦＣ１２が、所定の条件が成立する場合に、対象デバイスの消費電力を増加させるための処理を実行する。消費電力増加処理（Ｓ１００３）では、ＶＦＣ１２が、電力制御部として動作する。消費電力増加処理（Ｓ１００３）が終了すると、ＤＶＦＳ処理が終了する。
【００６２】
＜図１０：消費電力低減処理（Ｓ１０１１）＞  図２のＶＦＣ１２が、所定の条件が成立する場合に、対象デバイスの消費電力を低減するための処理を実行する。消費電力低減処理（Ｓ１０１１）では、ＶＦＣ１２が、電力制御部として動作する。消費電力低減処理（Ｓ１０１１）が終了すると、ＤＶＦＳ処理が終了する。
【００６３】
すなわち、図２のＶＦＣ１２は、図１０のパラメータ計算（Ｓ１００１）において計算したパラメータに応じて、対象デバイスの電圧及び周波数を動的に制御する。
【００６４】
第２実施形態に係る消費電力増加処理及び消費電力低減処理について説明する。図１１は、図１０の消費電力低減処理（Ｓ１０１１）の手順を示すフローチャートである。
【００６５】
図１０の消費電力増加処理（Ｓ１００３）は、第１実施形態（図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３））と同様である（図４を参照）。
【００６６】
図１１は、低消費電力モードＬＰが設定されたときの消費電力低減処理である。
【００６７】
＜図１１：Ｓ１１０１＞  図２のＶＦＣ１２が、位置情報変化量ΔＬＩが０であるか否かを判定する。位置情報変化量ΔＬＩが０である場合には（Ｓ１１０１−ＹＥＳ）、Ｓ１１０２が実行される。位置情報変化量ΔＬＩが０より大きい場合には（Ｓ１１０１−ＮＯ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）が実行される。
【００６８】
＜図１１：Ｓ１１０２＞  第１実施形態（図５のＳ５０２）と同様である。
【００６９】
＜図１１：ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）＞  第１実施形態（図５のＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０２））と同様である。
【００７０】
＜図１１：Ｓ１１０４＞  図２のＶＦＣ１２が、第４サイクル数Ｃ４が第４閾値ＴＨ４より大きいか否かを判定する。第４サイクル数Ｃ４が第４閾値ＴＨ４より大きいことは、位置情報ＬＩが所定期間以上連続して減少していないことを意味する。第４サイクル数Ｃ４が第４閾値ＴＨ４より大きい場合には（Ｓ１１０４−ＹＥＳ）、Ｓ１１０５が実行される。第４サイクル数Ｃ４が第４閾値ＴＨ４以下である場合には（Ｓ１１０４−ＮＯ）、消費電力低減処理が終了する。
【００７１】
＜図１１：Ｓ１１０５＞  第１実施形態（図５のＳ５０４）と同様である。
【００７２】
＜図１１：ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ１１０６）＞  第１実施形態（図５のＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６））と同様である。
【００７３】
第２実施形態に係るＤＶＦＳ処理の具体例について説明する。図１２〜図１５は、図１０の消費電力増加処理（Ｓ１００３）及び消費電力低減処理（Ｓ１０１１）における電圧及び周波数の変化を示す概略図である。
【００７４】
図１２は、期間Ｔ０〜Ｔ１の状態を示す。時刻Ｔ０において、位置情報ＬＩの値は１であり、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］であり、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］である。すなわち、対象デバイスは、最小電圧及び最小周波数で動作している。
【００７５】
図１２の期間Ｔ０〜Ｔ１において、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持され、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］に維持される。
【００７６】
図１３は、期間Ｔ１〜Ｔ２の状態を示す。時刻Ｔ１において、位置情報ＬＩの値は１から０に減少する（すなわち、“ΔＬＩ＜０”である）ので（Ｓ１００２−ＹＥＳ）、消費電力増加処理（Ｓ１００３）が実行される。第１サイクル数Ｃ１（＝Ｔ１−Ｔ０）が第１閾値ＴＨ１より小さいので（Ｓ４０１−ＹＥＳ）、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）が実行される。これにより、対象デバイスの電圧増加が開始する。
【００７７】
図１３の期間Ｔ１〜Ｔ２において、対象デバイスの電圧は増加し、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００７８】
図１３の時刻Ｔ２において、対象デバイスの電圧増加が完了すると（Ｓ４０３−ＹＥＳ）、ＦＣＳ生成（周波数増加）（Ｓ４０４）が実行される。これにより、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に達し、対象デバイスの周波数は１００［ＭＨｚ］に達する。
【００７９】
図１４は、期間Ｔ２〜Ｔ４の状態を示す。期間Ｔ２〜Ｔ３において、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は１００［ＭＨｚ］に維持される。
【００８０】
図１４の時刻Ｔ３において、位置情報ＬＩの値は０に維持される（すなわち、“ΔＬＩ＝０”である）ので（Ｓ１００２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ１０１１）が実行される。第２サイクル数Ｃ２（＝Ｔ３−Ｔ２）が第２閾値ＴＨ２以下であるので（Ｓ１１０２−ＮＯ）、ＶＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）は実行されない。これにより、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。また、第４サイクル数Ｃ４（＝Ｔ３−Ｔ１）が第４閾値ＴＨ４より小さいので（Ｓ１１０４−ＮＯ）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ１１０６）は実行されない。これにより、対象デバイスの電圧が維持される。
【００８１】
図１４の期間Ｔ３〜Ｔ４において、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は１００［ＭＨｚ］に維持される。
【００８２】
図１４の時刻Ｔ４において、位置情報ＬＩの値は０から２に増加する（すなわち、“ΔＬＩ＞０”である）ので（Ｓ１００２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ１０１１）が実行される。“ΔＬＩ＞０”であるので（Ｓ１１０１−ＮＯ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）が実行される。これにより、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に達する。また、第４サイクル数Ｃ４（＝Ｔ４−Ｔ２）が第４閾値ＴＨ４以下であるので（Ｓ１１０４−ＮＯ）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ１１０６）は実行されない。これにより、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持される。
【００８３】
図１５は、期間Ｔ４〜Ｔ７の状態を示す。期間Ｔ４〜Ｔ５において、対象デバイスの電圧は１．０［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００８４】
図１５の時刻Ｔ５において、位置情報ＬＩの値は２に維持されている（すなわち、“ΔＬＩ＝０”である）ので（Ｓ１００２−ＮＯ）、消費電力低減処理（Ｓ１０１１）が実行される。“ΔＬＩ＝０”且つ第２サイクル数Ｃ２（＝Ｔ５−Ｔ４）が第２閾値ＴＨ２以下であるので（Ｓ１１０２−ＮＯ）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）は実行されない。これにより、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。また、第４サイクル数Ｃ３（＝Ｔ５−Ｔ２）が第４閾値ＴＨ４より大きく（Ｓ１１０４−ＹＥＳ）、且つ、対象デバイスの電圧Ｖ（＝１．０［Ｖ］）が閾値電圧ＶＴＨより大きいので（Ｓ１１０５−ＹＥＳ）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ１１０６）が実行される。これにより、対象デバイスの電圧減少が開始する。
【００８５】
図１５の期間Ｔ５〜Ｔ６において、対象デバイスの電圧は減少し、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００８６】
図１５の時刻Ｔ６において、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］に達し、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００８７】
図１５の期間Ｔ６〜Ｔ７において、対象デバイスの電圧は０．９［Ｖ］に維持され、対象デバイスの周波数は５０［ＭＨｚ］に維持される。
【００８８】
なお、高速モードＨＳが設定されたときの消費電力増加処理は、図４の消費電力増加処理において、Ｓ４０１が省略される。すなわち、高速モードＨＳでは、常に、ＶＣＳ生成（電圧増加）（Ｓ４０２）が実行される。
【００８９】
また、高速モードＨＳが設定されたときの消費電力低減処理は、図１１の消費電力低減処理において、Ｓ１１０２が省略される。すなわち、高速モードＨＳでは、位置情報の変化量ΔＬＩが０より大きいときに限り、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）が実行される。
【００９０】
第２実施形態によれば、ＶＦＣ１２は、位置情報の変化量ΔＬＩと、位置情報の変化に関する第１サイクル数Ｃ１、第２サイクル数Ｃ２、及び第４サイクル数Ｃ４と、に応じて対象デバイスの消費電力を制御する。その結果、ＶＦＣ１２の汎用性及び再利用性を改善することができる。
【００９１】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、対象デバイスが複数である場合のＤＶＦＳ処理の例である。なお、上述の実施形態と同様の内容についての説明は省略する。
【００９２】
第３実施形態では、図２の調整部１１は、マスタデバイスから送信されるデータＤを受信するスレーブデバイスとしての機能と、スレーブデバイスにデータＤを送信するマスタデバイスとしての機能と、を同時に実行する。
【００９３】
第３実施形態に係るモード選択処理について説明する。図１６は、第３実施形態に係るモード選択処理の手順を示すフローチャートである。
【００９４】
図１６のモード選択処理は、図３のＤＶＦＳ処理の前に実行される。
【００９５】
＜図１６：処理モード判定（Ｓ１６０１）＞  図２のＶＦＣ１２が、データＤの送信元であるマスタデバイス及びデータＤの送信先であるスレーブデバイスのそれぞれについて、消費電力増加処理及び消費電力低減処理の何れを実行すべきかを示す処理モードを判定する。処理モード判定（Ｓ１６０１）では、ＶＦＣ１２が、処理モード判定部として動作する。例えば、ＶＦＣ１２は、スレーブデバイスについては図３のＳ３０２と同様に処理モードを判定し、マスタデバイスについては図１０のＳ１００２と同様に処理モードを判定する。
【００９６】
＜図１６：Ｓ１６０２＞  図２のＶＦＣ１２が、処理モード判定（Ｓ１６０１）の複数の判定結果が互いに異なるか否かを判定する。複数の判定結果が互いに異なる場合には（Ｓ１６０２−ＹＥＳ）、Ｓ１６０３が実行される。複数の判定結果が互いに等しい場合には（Ｓ１６０２−ＮＯ）、ＤＶＦＳ処理（Ｓ１６１１）が実行される。
【００９７】
＜図１６：Ｓ１６０３＞  図２のＶＦＣ１２が、動作モードを判定する。動作モードが高速モードＨＳである場合には（Ｓ１６０３−Ａ）、消費電力増加処理（Ｓ１６０４）が実行される。動作モードが低消費電力モードＬＰである場合には（Ｓ１６０３−Ｂ）、消費電力低減処理（Ｓ１６２１）が実行される。
【００９８】
＜図１６：消費電力増加処理（Ｓ１６０４）＞  第１実施形態（図３の消費電力増加処理（Ｓ３０３））と同様である（図４を参照）。消費電力増加処理（Ｓ１６０４）が終了すると、モード選択処理が終了する。
【００９９】
＜図１６：ＤＶＦＳ処理（Ｓ１６１１）＞  スレーブデバイスについては、第１実施形態と同様である（図３を参照）。マスタデバイスについては、第２実施形態と同様である（図１０を参照）。ＤＶＦＳ処理（Ｓ１６１１）が終了すると、モード選択処理が終了する。
【０１００】
＜図１６：消費電力低減処理（Ｓ１６２１）＞  スレーブデバイスについては、第１実施形態（図３の消費電力低減処理（Ｓ３１１））と同様である（図５を参照）。マスタデバイスについては、第２実施形態（図１０の消費電力低減処理（Ｓ１０１１））と同様である（図１１を参照）。消費電力低減処理（Ｓ１６２１）が終了すると、モード選択処理が終了する。
【０１０１】
第３実施形態によれば、対象デバイスが複数である場合に、図２のＶＦＣ１２は、それぞれの対象デバイスについて、対象デバイスの消費電力を増加させるための消費電力増加処理（Ｓ１６０４）及び対象デバイスの消費電力を低減するための消費電力低減処理（Ｓ１６２１）の何れを実行すべきかを示す処理モードを判定し、複数の判定結果が互いに異なる場合には、対象デバイスを低消費電力で動作させるための低消費電力モードが設定されているときには消費電力低減処理（Ｓ１６２１）を実行し、対象デバイスを高速で動作させるための高速モードが設定されているときには消費電力増加処理（Ｓ１６０４）を実行する。すなわち、調整部１１が送信チャネルのデータＤ及び受信チャネルのデータＤの両方を処理する場合に、ＶＦＣ１２が、送信チャネルの対象デバイス（スレーブデバイス）及び受信チャネルの対象デバイス（マスタデバイス）の処理モードが異なるときには、動作モードに従って消費電力増加処理（Ｓ１６０４）及び消費電力低減処理（Ｓ１６２１）を選択する。その結果、複数のチャネルを取り扱う場合においても、ＶＦＣ１２の汎用性及び再利用性を改善することができる。
【０１０２】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。第４実施形態は、対象デバイスの動作環境に異常があった場合に、低消費電力処理を実行する例である。なお、上述の実施形態と同様の内容についての説明は省略する。
【０１０３】
第４実施形態に係るモード選択処理について説明する。図１７は、第４実施形態に係るモード選択処理の手順を示すフローチャートである。
【０１０４】
図１７のモード選択処理は、図３のＤＶＦＳ処理の前に実行される。
【０１０５】
＜図１７：Ｓ１７０１＞  図２のＶＦＣ１２が、割込信号ＩＳの有無を判定する。割込信号ＩＳがある場合には（Ｓ１７０１−ＹＥＳ）、閾値変更（Ｓ１７０２）が実行される。割込信号ＩＳがない場合には（Ｓ１７０１−ＮＯ）、ＤＶＦＳ処理（Ｓ１７１１）が実行される。
【０１０６】
＜図１７：閾値変更（Ｓ１７０２）＞  図２のＶＦＣ１２が、第２閾値ＴＨ２〜第４閾値ＴＨ４を０に変更する。これにより、第２サイクル数Ｃ２〜第４サイクル数Ｃ４の値にかかわらず、消費電力低減処理（Ｓ１７０３）においてＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ５０３）、ＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ５０６）、ＦＣＳ生成（周波数低減）（Ｓ１１０３）、及びＶＣＳ生成（電圧低減）（Ｓ１１０６）が実行される状態になる。
【０１０７】
＜図１７：消費電力低減処理（Ｓ１７０３）＞  スレーブデバイスについては、第１実施形態（図３の消費電力低減処理（Ｓ３１１））と同様である（図５を参照）。マスタデバイスについては、第２実施形態（図１０の消費電力低減処理（Ｓ１０１１））と同様である（図１１を参照）。消費電力低減処理（Ｓ１７０３）が終了すると、モード選択処理が終了する。
【０１０８】
＜図１７：ＤＶＦＳ処理（Ｓ１７１１）＞  スレーブデバイスについては、第１実施形態と同様である（図３を参照）。マスタデバイスについては、第２実施形態と同様である（図１０を参照）。ＤＶＦＳ処理（Ｓ１７１１）が終了すると、モード選択処理が終了する。
【０１０９】
図２の監視部１３は、対象デバイスの動作環境が正常に戻った場合に割込信号ＩＳを解除する。これにより、ＤＶＦＳ処理（Ｓ１７１１）が実行される状態になる。
【０１１０】
第４実施形態によれば、図２のＶＦＣ１２は、監視部１３により対象デバイスの動作環境の異常が検出されたときに、対象デバイスの消費電力を低減するための消費電力低減処理（Ｓ１７０３）を実行する。すなわち、ＶＦＣ１２は、対象デバイスの動作環境に異常があった場合に、消費電力低減処理（Ｓ１７０３）を実行する。その結果、対象デバイスの動作環境に異常があったときに対象デバイスの消費電力が増加することに起因する対象デバイスへの損傷を防ぐことができる。
【０１１１】
本実施形態に係るＶＦＣ１２の少なくとも一部は、ハードウェアで構成しても良いし、ソフトウェアで構成しても良い。ソフトウェアで構成する場合には、ＶＦＣ１２の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させても良い。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。
【０１１２】
また、本実施形態に係るＶＦＣ１２の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布しても良い。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布しても良い。
【０１１３】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化される。また、上述した実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明が形成可能である。例えば、上述した実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１４】
１  半導体集積回路
１０  インターコネクト
１１  調整部
１２  ＶＦＣ
１３  監視部
２１  ＭＰＵ
２２  ＤＳＰ
２３  メモリ
２４  インタフェース
２５  周辺機器
２６  入力装置
【図１】
0005481329.tif 000003
【図２】
0005481329.tif 000004
【図３】
0005481329.tif 000005
【図４】
0005481329.tif 000006
【図５】
0005481329.tif 000007
【図６】
0005481329.tif 000008
【図７】
0005481329.tif 000009
【図８】
0005481329.tif 000010
【図９】
0005481329.tif 000011
【図１０】
0005481329.tif 000012
【図１１】
0005481329.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
0005481329.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
0005481329.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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