(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダであって、
平行に配置される電極板、
信号給電要素、および
支持フレーム
を含み、
支持フレームが、接地された側部フレームと、絶縁およびシールド機構とを持つ可動フレームであり、
信号給電要素が、一つの端部表面が三角形状であり、電極板のカソード板の給電ポートと表面接触する円筒および階段形状の導体を形成する、胴部およびヘッド部を包含し、
給電ポートが、電極板の裏側の中心における凹状の領域に位置し、前記凹状の領域の前記カソード板に平行な断面が三角形状であり、
ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する電極板のシールド層が、接地接続される、
可動ホルダ。
【請求項２】
電極板が支持フレームに配置されてホルダを形成し、干渉防止金属シールドスクリーンがホルダ間またはホルダアレイ間に配置される、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項３】
絶縁およびシールド機構が、
電極板のカソード板のためのシールド層の、接地された金属シールドカバーと、
シールドカバー上に配置されるスルーホールと
を包含する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項４】
シールド層が、金属シールドカバーと、電極板のカソード板の背面との間に絶縁層を包含する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項５】
給電要素の絶縁およびシールドが、金属給電コアのための外側シールド層および絶縁層を包含する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項６】
カソード板のシールドカバーがセラミック絶縁層およびシールド層を包含し、シールドカバーがカソード板の背面および側部表面全体を覆う、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項７】
ホルダアレイが、
数セットの電極板の組み合わせで形成され、特定の放電距離で分離される電極アレイと、電極アレイで形成される支持フレームまたはホルダアレイと
を包含する、請求項２記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項８】
信号給電要素が、
ＲＦ／ＶＨＦ給電ラインで形成される導体であり、セラミック絶縁層で覆われた胴部を持つ金属給電コア
を包含する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項９】
信号給電要素の一つの端部が、ＲＦ／ＶＨＦ電源および電源適合装置のマイナス出力ポートに接続される、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダ。
【請求項１０】
シリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダの電源信号給電方法であって、
電極板を平行に支持フレームに配置する工程と、
信号給電要素の一つの端部表面が三角形状である、少なくとも一つの信号給電要素を提供する工程と、
電極板のカソード板の給電ポートに対し、表面給電モードでＲＦ／ＶＨＦ電源信号を伝送する工程であって、給電ポートが、電極板のカソード板の裏側の中心における凹状の領域に位置し、前記凹状の領域の前記カソード板に平行な断面が三角形状である、工程と、 
ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を放電するための電極アレイを支持フレームに形成する工程と
を含み、
信号給電要素が、円筒および階段形状の導体を形成する胴部およびヘッド部を包含する、
電源信号給電方法。
【請求項１１】
電極アレイが、電源信号を放電するための可動ホルダを形成する、支持フレームに配置される電極板および信号給電要素を包含し、干渉防止金属シールドスクリーンがホルダアレイのホルダ間に配設される、請求項１０記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダの電源信号給電方法。
【請求項１２】
ホルダアレイが、
特定の放電距離で分離される電極アレイを形成するために、複数の給電要素と、表面給電モードで給電要素にそれぞれ接続される対応する電極板と
を包含する、請求項１１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダの電源信号給電方法。
【請求項１３】
信号給電要素が、
ＲＦ／ＶＨＦ給電ラインで形成される導体であり、セラミック絶縁層で覆われた胴部を持つ金属給電コア
を包含する、請求項１１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダの電源信号給電方法。
【請求項１４】
信号給電要素の一つの端部が、ＲＦ／ＶＨＦ電源および電源適合装置のマイナス出力ポートに接続される、請求項１１記載のシリコン薄膜太陽電池のための可動ホルダの電源信号給電方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、太陽電池技術に関し、より詳細には、真空チャンバ内部で使用可能なシリコン薄膜太陽電池のための可動治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、シリコン薄膜太陽電池では、多くの場合、プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を使用して単接合または多接合光起電ＰＩＮ膜層を構築する。このタイプの高周波（ＲＦ）容量結合型平行平板反応器は、一般に、薄膜太陽電池業界で使用される。ＰＥＣＶＤは、一般的に、電極板要素または電極板からなる電極アレイを使用する反応チャンバ内で実施される。業界内では、支持フレームを持つ電極は、通例、治具、ホルダ、クランプユニットまたは固定具と呼ばれ、チャンバ内部にホルダが設置されるプラズマ化学気相堆積装置は、多くの場合、「堆積ボックス」、換言すれば、反応器チャンバと呼ばれる。
【０００３】
様々な材料、例えば、アモルファスシリコン、アモルファスシリコン−ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化シリコンおよび酸化シリコン等の大面積薄膜堆積を行うため、ＲＦ容量結合型平行平板反応器が広く使用されている。
【０００４】
シリコン薄膜太陽電池分野は、太陽光業界の重要な部門であり、平行電極板容量放電モデルが太陽光業界のコア技術の一つになる。１３．５６MHz  ＲＦのためのホルダは、高速アモルファスシリコン薄膜堆積で広く使用され、高い効率および低いプロセスコストを有する。シリコン薄膜技術に対する需要が高まるにつれ、微結晶およびナノ結晶シリコン薄膜材料が一層注目されている。
【０００５】
しかし、微結晶環境下では、１３．５６MHz  ＲＦで生成されるプラズマは、低いプラズマ密度、低い堆積速度、目標膜厚さに到達するまでの長い堆積時間および有意なバックグラウンド汚染を有することができる。したがって、多くの場合、作製される薄膜が高い不純物特性および不十分な光学的特性を有し、製品の品質および性能に深刻な影響を及ぼす。結晶シリコン薄膜技術が業界に十分に貢献するには、いかに高速堆積を行うかが重要になる。
【０００６】
超短波（ＶＨＦ）は、１３．５６MHzの二倍以上の正規の周波数を指す。業界で主に使用されるＶＨＦは、一般的に、２７．１２〜１００MHzの範囲である。しかし、容量放電モデルでは、ＶＨＦで生じる定在波効果および表皮効果が非常に顕著になり、駆動周波数が増大するとこれらの効果がより強くなる。カリフォルニア大学バークレー校のM. A. Lieberman教授は、これらの二つの効果について徹底的な調査を行った。彼の研究結果が示すように、均一な薄膜のＶＨＦ  ＰＥＣＶＤ堆積の重大な条件は、励起周波数（λ０）の自由空間波長が容量放電電極チャンバの寸法係数（Χ）よりもはるかに大きく、表皮深さ（δ）が厚さ許容係数（η０）よりもはるかに大きいことである。例として、１m2の放電面積および６０MHzの励起周波数では、λ０≒Χおよびδ≒ηである。そのため、この励起周波数では、表皮効果および定在波効果が非常に顕著になり、１m2の電極板上における不均一な放電につながる。
【０００７】
このように、ＶＨＦで駆動される大面積の均一な放電をいかに達成するかは、結晶シリコン薄膜技術のために対処すべき技術的問題の一つである。これも、業界内で大変な関心を生じさせた。２００３年、米国特許第２００３／０１５０５６２Ａ１号は、ＶＨＦで生じる不均質性を改善するため、容量結合型放電で磁気ミラーを使用する方法を開示した。中国特許第２００７１０１５０２２７．４号、第２００７１０１５０２２８．９号および第２００７１０１５０２２９．３号は、均一な電界を得るため、ＶＨＦ信号の異なる給電形態を適用するＶＨＦの三つの電極設計を開示した。
【０００８】
しかし、依然として以下の問題が残ることができる：  １）ＶＨＦ−ＰＥＣＶＤチャンバ内の電極が複雑な設計構造を有する；  ２）継続的な改善の一つの理由として、反応チャンバおよび電極の定常的な組立／分解および清掃により、電極の異常な変形が生じることができる；  ３）既存特許で開示された多点給電構造は、個々の給電点の対称経路を要求する小さい接触表面を有することができ、給電点のボンディング導体とカソード板との間に接触がない。より具体的には、有効な放電のため、ボンディング導体とカソード板との間に隔離シールドが要望されることができる。これらの構造設計は、比較的厳しい実際の要件を有し、均一な放電のための多過ぎる決定因子を有し、実際の生産における要望、例えば、分解および清掃を満たすことができない。
【０００９】
そのため、業界で使用される設備では、単点給電が主流の設計になる。しかしながら、定在波効果および表皮効果のため、現在の単点給電構造は、高い給電周波数を増大させるための要件を満たすことができない。したがって、現在の市場需要を満たし、品質を改善し、コストを低減するには、既存の堆積ホルダおよび電極をより実用的にするためのさらなる開発および改善が要望されることができる。他方、複数のガラスを加工または堆積することができるＣＶＤホルダシステムを使用する傾向もある。そのため、大量生産の需要を満たすため、工業製品の設計および開発にＶＨＦの有効な給電モデルを適用することは、実用的に大変に有意義である。
【００１０】
発明の内容
シリコン結晶薄膜の現在の技術的欠点についての先の分析に基づき、本発明は、ＶＨＦ駆動高速堆積薄膜の問題、例えば、不均一性および不整合性を解決することを目的とする。それゆえに、技術的解決策は、平行電極板および信号給電要素を包含し、支持フレームも包含する一方、支持フレームが、接地された側部フレームと、絶縁およびシールド機構とを持つ可動フレームである。
【００１１】
一つの端部が三角形状であり、電極板のカソード板の給電ポートと表面接触する円筒および階段形状の導体を形成する、胴部およびヘッド部を、信号給電要素が包含する。給電ポートが、電極板の裏側の中心における凹状の三角領域に位置する。さらに、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する電極板のシールド層が、接地接続される。
【００１２】
技術的解決策は、スライド装置が可動フレームの側部フレームの下部に設置され、電極板が支持フレームに配置されてホルダを形成し、干渉防止金属シールドスクリーンがホルダ間またはホルダアレイ間に配置されることも包含する。
【００１３】
絶縁およびシールド機構が、電極板のカソード板のためのシールド層の、接地された金属シールドカバーと、シールドカバー上に配置されるスルーホールとを包含する。
【００１４】
シールド層が、金属シールドカバーと、電極板のカソード板の背面との間に絶縁層を包含する。給電要素の絶縁およびシールドが、金属給電コアのための外側シールド層および絶縁層を包含する。
【００１５】
カソード板のシールドカバーがセラミック絶縁層およびシールド層を包含し、シールドカバーがカソード板の背面および側部表面全体を覆う。
【００１６】
技術的解決策によるホルダアレイが数セットの電極板の組み合わせで形成され、特定の放電距離で分離される電極アレイと、電極アレイで形成される支持フレームまたはホルダアレイとを包含する。信号給電要素がＲＦ／ＶＨＦ給電ラインで形成される導体であり、高温耐性セラミック絶縁層で覆われた胴部を持つ金属給電コアを包含する。
【００１７】
本発明によれば、ホルダにおける表面給電モードのための解決策は、電極板を平行に支持フレームに配置する工程と、少なくとも一つの信号給電要素を提供する工程とを包含する。信号給電要素の一つの端部が三角形状である。解決策は、電極板のカソード板の給電ポートに対して表面給電モードでＲＦ／ＶＨＦ電源信号を伝送する工程であって、給電ポートが、電極板のカソード板の裏側の中心における凹状の三角領域に位置する、工程と、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を放電するための電極アレイを支持フレームに形成する工程とを包含する。信号給電要素が、円筒および階段形状の導体を形成する胴部およびヘッド部を包含する。
【００１８】
電極アレイが、電源信号を放電するための可動ホルダを形成する、支持フレームに配置される電極板および信号給電要素を包含し、干渉防止金属シールドスクリーンがホルダアレイのホルダ間に配設される。
【００１９】
ホルダアレイが、特定の放電距離で分離される電極アレイを形成するため、複数の給電要素と、表面給電モードで給電要素にそれぞれ接続される対応する電極板とを包含する。
【００２０】
信号給電要素が、ＲＦ／ＶＨＦ給電ラインで形成される導体であり、セラミック絶縁層で覆われた胴部を持つ金属給電コアを包含する。
【００２１】
本発明の開示される実施態様の効果は、側部給電モードを持つスロット型カソード板と異なり、より大きい放電面積、より高い均一性およびより安定した放電、より小さいアクセスキャパシタンス、ホルダ間のより少ないＲＦ干渉ならびにより弱い定在波および表皮効果を包含する。生産性を増大させ、バッテリーコストを低減するため、本発明は、２７．１２MHz〜２００MHzの範囲の任意の正規のＶＨＦによる大面積の均一な放電に適用することができる。
【００２２】
現在の多点給電構造の問題、例えば、小さい接触表面および個々の給電点の対称経路の要件を克服することにより、本発明による表面給電モードは、完全な絶縁シールドを達成し、給電信号の接続導体とカソード板との間の非接触要件を回避する。放電体と信号給電要素との間に完全な絶縁シールドがあるとき、信号干渉を防ぐことができ、有効な放電を達成することができる。
【００２３】
業界で使用される設備では、定在波効果および表皮効果のため、単点給電が主流の設計になるものの、現在の単点給電構造は、高い給電周波数を増加させるための要件を満たすことができない。多点給電では、構造設計が比較的厳しい実際の要件を有し、均一な放電のための多過ぎる決定因子を有することから、実際の生産における要望、例えば、分解および清掃を満たすことが困難であることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明による可動ホルダの断面透視図である。
【図２】支持フレームの構造図である。
【図３】円筒信号給電要素２０１（給電要素または給電ストリップを指す）の構造図である。
【図４】カソード板２０３の構造図である。
【図５】カソードシールドカバー２０４の構造図である。
【図６】本発明の第一の実施態様による垂直電極板の概略図である。
【図７】２４個の基板、１２個のカソード板および６個のアノード板を包含する、本発明による第二の実施態様である。
【図８】本発明の第三の実施態様によるホルダアレイの構造図である。
【００２５】
図１〜８では、ホルダ０２が電極板および支持フレームを包含する。電極板は、アノード板２０８、カソード板２０３およびカソード板２０３とカソードシールドカバー２０４との間に配設される絶縁層２０７を包含する。給電ストリップ２０１の一つの端部の三角形状表面２０１−１は、カソード電極板の裏側の中心における凹状の三角領域に位置する給電ポート２０３−１と表面接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する。給電ストリップ２０１の胴部は、セラミック絶縁カバー２０２で覆われる。支持フレームは、上部固定板２１４、下部固定板２２１および側部フレーム２１６からなり、その下部には接地された金属ローラ２１８が設置される。接地された金属ガイドスロット２０９が上部固定板２１４および下部固定板２２１の両方に配置される。ホルダ０２は、真空チャンバ０１内で放電し、Ｐ−Ｉ−Ｎ膜を基板２０６上に堆積する。真空チャンバ０１は、ガスシステムアクセスポート１０１、電源システムアクセスポート１０２、真空システムアクセスポート１０５およびトラック１０４を含有する。
【００２６】
本発明によれば、表面給電ホルダの設計は、先に述べた本発明の目的を達成し、結晶シリコン系薄膜のための既存の多点給電ＶＨＦ−ＰＥＶＣＤ堆積手法の多くの解決困難な問題、例えば、反応チャンバの複雑な電極構造、容易な電極変形、小さい接触面積、個々の給電点間に要求される対称経路および完全なシールド等を克服する。本発明による表面給電ホルダ設計では、これらの問題が存在しない。より詳細には、アノード板の二重作用表面を高効率に使用することにより、チャンバ内部で電気を放電するための大面積の均一な電界を得ることができる。さらに、実用可能な工業生産プロセスを達成し、シリコン系薄膜太陽電池の大量生産の要望を満たすため、複数のガラス板を加工または堆積することができるＣＶＤホルダシステムが有効なＶＨＦ表面給電モデルで使用される。
【００２７】
本発明の寄与は、ＶＨＦ電源駆動高速堆積膜の均一性および整合性について、根本的な解決策を提供することも包含する。ホルダ０２が真空チャンバ０１内に配設され、ホルダ０２が平行電極板およびシールド機構を包含する。平行電極板は、カソード板２０３およびアノード板２０８を包含する。給電ポート２０３−１が三角形状であり、信号給電要素２０１の一つの端部２０１−１が三角形状である一方、信号給電要素２０１は、円筒胴部および三角形状の端部表面２０１−１を包含する階段またはステップ形状である。三角形状の端部表面２０１−１は、カソードシールドカバー２０４を有するカソード電極板２０３の裏側の中心における凹状の三角領域に位置する、給電ポート２０３−１の三角表面に対応する。信号給電要素の胴部は、容易なシールドのために円筒構造であり、信号給電要素の他の端部２０１−３は、ＲＦ／ＶＨＦ電源および電源適合装置（図示せず）のマイナス端部に接続され、三角端部表面の一つは、接地された側部フレームを持つ可動フレーム内で電極板の給電ポートと表面接触し、その両方が絶縁およびシールド保護装置（図示せず）を有する。接地された金属ガイドスロット２０９は、導電性の接地および固定機能を提供する。
【００２８】
発明の詳細な説明
以下に、本発明による可動ホルダ０２の原理を添付図１〜８によってさらに例示する。ホルダ０２は、支持フレームおよび電極板を包含し、支持フレームは、下部固定板２２１、上部固定板２１４、側部フレーム２１６および側部フレーム２１６の下部に設置される接地された金属ローラ２１８を包含する。接地された金属ガイドスロット２０９は、上部固定板２１４および下部固定板２２１の両方に配置される。
【００２９】
電極板は、アノード板２０８およびカソード板２０３を包含し、絶縁層またはストリップ２０７は、カソード板２０３とカソードシールドカバー２０４との間に配設される。ＲＦ／ＶＨＦ電源信号の給電ポート２０３−１は、カソード電極板２０３の裏側の中心および凹状の三角領域の内部に位置する。給電ストリップ２０１は、胴部およびヘッド部を持つ円筒階段形状の導体であり、一つの端部表面２０１−１（換言すれば、ヘッド部または給電パッドの表面）が三角形状であり、カソード電極板２０３の給電ポート２０３−１と表面接触する。さらに、給電ストリップ２０１の胴部は、セラミック絶縁層２０２で覆われる。
【００３０】
数セットの電極板の組み合わせおよび支持フレームは、特定の放電距離で分離される電極アレイまたは電極アレイで形成されるホルダアレイを形成する。干渉防止金属シールドスクリーンがホルダアレイのホルダ間に配置される。ホルダまたはホルダアレイは、真空チャンバ０１内で放電する。真空チャンバ０１は、ガスシステムアクセスポート１０１、電源システムアクセスポート１０２および真空システムアクセスポート１０５を包含する。さらに、可動ドアが真空チャンバ０１の前面に設置され、開閉することができる一方、トラック１０４が真空チャンバ０１の内部に設置される。
【００３１】
第一の実施態様
電極板が垂直に配置され、カソードの給電ポートが三角形状であり、給電要素が円筒形状である。以下に、本発明の本実施態様を図１〜６によって詳細に例示する。
【００３２】
本発明によれば、薄膜太陽電池の可動ホルダは、動作周波数が約２７．１２〜１００MHzであるＶＨＦ電源を使用する。真空チャンバ０１を使用して真空状態が達成され、ガスシステムアクセスポート１０１が真空チャンバ０１の上部に構成される。真空チャンバ０１は、電源システムアクセスポート１０２、真空システムアクセスポート１０５も包含し、可動ドアが真空チャンバ０１の前面に設置される。大量生産に好適な薄膜太陽電池板またはいわゆるチップを形成するため、ホルダ０２が真空環境で（電気を）放電してチャンバ内部に大面積の均一な電界を形成し、チャンバ内の基板２０６にヘテロ接合Ｐ−Ｉ−Ｎ積層膜が堆積する。
【００３３】
ホルダ０２上の固定ガスパイプの入口は、真空チャンバ０１の内部でガスシステムポート１０１のノズルと結合する。電源コードの一つ端部がホルダ０２の電源コネクタに接続され、電源コードの他の端部がＶＨＦ電源システムのアクセスポート１０２に接続される。絶縁層またはストリップ２０７は、カソード板２０３とカソードシールドカバー２０４との間に配設され、給電ストリップ２０１のヘッド部の三角給電表面２０１−１は、カソード板２０３の裏側の給電ポート２０３−１と表面接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する。給電ストリップ２０１の他の端部におけるスルーホールポート２０１−３がホルダ０２の電源コネクタに接続され、給電ストリップ２０１のカソードシールドカバー２０４への接触を防ぐため、給電ストリップ２０１の胴部がセラミック絶縁層２０２で覆われる。
【００３４】
給電ストリップ２０１がカソードシールドカバー２０４に接触せずにカソード板２０３から出られるように、カソードシールドカバー２０４は、カソード板２０３の給電ポート２０３−１の位置に対応するスルーホール２０４−１を有する。給電ストリップ２０１は、所望の導電性を持つ金属銅で作成することができ、カソードシールドカバー２０４およびアノード板２０８の両方が接地される。プレコーティングされた基板２０６がホルダ０２の支持フレームに配設され、ホルダ０２がトラック１０４に沿って真空チャンバ０１内に押し込まれる。
【００３５】
次いで真空チャンバの前面の可動ドアが閉じられ、真空システムによって所望の真空状態に到達することができる。さらに、アルゴンガスがチャンバに充填される。チャンバ内の圧力が約６０Paに到達すると、ＶＨＦ電源が入り、チャンバを清掃するために電気が放電され、その後、電源が切れる。さらに、５．０×１０−４Paの高度真空に到達すると、チャンバを清掃するためにアルゴンガスが充填される。最後に、プロセスガスが約５slpmでチャンバに供給され、堆積プロセスを開始して気相堆積膜を完成させる。
【００３６】
第二の実施態様
カソード板の給電ポートが三角形状であり、給電要素が円筒形状である。
【００３７】
図７のホルダは、第一の実施態様のものと同様である。本実施態様では、垂直堆積チャンバを使用する。６個のアノード板２０８および１２個のカソード板２０３が１２セットの電極を形成し、二つのカソード２０３毎に一つのアノード２０８を共有する。したがって、合計２４個の基板２０６に同時に薄膜を堆積することができる。詳細な手順を次に記載する。
【００３８】
ａ）  厚さ約６００nmの透明導電性膜でそれぞれコーティングされた２４個のガラス基板２０６（１６４０mm×７０７mm×３mm）を、膜側が外側に、ガラス側が電極に向くように、ホルダ０２上の対応する２４個の基板位置に配設する。
【００３９】
ｂ）  真空チャンバドア上の可動ドアを開き、ホルダ０２をトラック１０４に沿って真空チャンバ０１内に押し込み、可動ドアを閉じる。
【００４０】
ｃ）  真空チャンバ内部を約５．０×１０−４Paの真空状態に到達させ、アルゴンガスを充填する。チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れ、４００Ｗで放電してチャンバを２分間清掃し、電源を切る。
【００４１】
ｄ）  約５．０×１０−４Paの高度真空状態に到達させ、チャンバをアルゴンガスで２回清掃する。
【００４２】
ｅ）  ガス混合物（シランおよび水素）を５slpmでチャンバ内に投入し、チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れる。そのうえで、４００Ｗで放電して微結晶真性シリコン層を４０分間堆積する。
【００４３】
ｆ）  電源を切り、高度真空状態に到達させる。
【００４４】
ｇ）  チャンバに窒素ガスを大気圧まで充填し、真空チャンバドアを開き、ホルダ０２を押し出し、ＴＣＯガラスを室温で冷却する。
【００４５】
第三の実施態様
電極板が垂直に配置され、カソード板の給電ポートが三角形状であり、給電要素が円筒形状であり、干渉防止装置（図示せず）がホルダ間に配置される。
【００４６】
図８のホルダは、第一の実施態様のものと同様である。本実施態様では、合計６個のホルダ０２を使用し、２４個の基板に同時に薄膜を堆積する。各ホルダ０２は、一つのアノード板２０８を共有する二つのカソード板２０３を含有し、２セットの電極を形成する。したがって、合計２４個の基板２０６に同時に薄膜を堆積することができる。
【００４７】
ａ）  厚さ約６００nmの透明導電性膜でそれぞれコーティングされた２４個のガラス基板２０６（１６４０mm×７０７mm×３mm）を、膜側が外側に、ガラス側が電極に向くように、６個のホルダ０２上の対応する２４個の基板位置に配設する。
【００４８】
ｂ）  真空チャンバドア上の可動ドアを開き、可動ホルダ０２をトラック１０４に沿って真空チャンバ０１内に押し込み、真空チャンバの可動ドアを閉じる。
【００４９】
ｃ）  真空チャンバ内部を約５．０×１０−４Paの真空状態に到達させ、アルゴンガスを充填する。チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れ、４００Ｗで放電してチャンバを２分間清掃し、電源を切る。
【００５０】
ｄ）  約５．０×１０−４Paの高度真空状態に到達させ、チャンバをアルゴンガスで２回清掃する。
【００５１】
ｅ）  ガス混合物（シランおよび水素）を５slpmでチャンバ内に投入し、チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れる。さらに、４００Ｗで放電して微結晶真性シリコン層を４０分間堆積する。
【００５２】
ｆ）  電源を切り、高度真空状態に到達させる。
【００５３】
ｇ）  チャンバに窒素ガスを大気圧まで充填し、真空チャンバドアを開き、ホルダ０２を押し出し、ＴＣＯガラスを室温で冷却する。
【００５４】
先の詳細な説明は、本発明の実施態様を添付図によって例示している。しかし、本発明は、実施態様、特に、給電要素およびカソード板の形状に関して限定されない。当業者は、本発明の原理および目的を逸することなく、様々な変更を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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