(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の一面に形成される酸化膜と、
前記セラミック本体の一面において前記酸化膜の両側に形成される第１外部電極及び第２外部電極と、
前記誘電体層上に形成され、前記第１外部電極に露出する第１電極引出部と前記酸化膜に露出し、露出した端部に複合金属酸化物領域が形成された第１絶縁引出部とを含む第１内部電極と、
前記第２外部電極に露出する第２電極引出部と前記酸化膜に露出し、露出した端部に複合金属酸化物領域が形成され、前記第１絶縁引出部と重畳されて付加容量を形成する第２絶縁引出部とを含み、前記第１内部電極と前記誘電体層を挟んで対向して配置される第２内部電極と、
前記酸化膜上に配置される絶縁層と、
を含む積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記酸化膜は、前記第１及び第２絶縁引出部の重畳領域を全て覆うように形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記第１外部電極と第２外部電極との間に形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第１内部電極及び第２内部電極は、前記セラミック本体の長さ方向及び幅方向の平面に形成され、前記セラミック本体の幅方向の一面に露出する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記第１内部電極及び第２内部電極は、前記セラミック本体の実装面に対して垂直に配置される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記第１外部電極及び第２外部電極は、前記セラミック本体の幅方向の一面に形成され、前記セラミック本体の厚さ方向の一面または他面に延びて形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記酸化膜と前記第１外部電極及び第２外部電極において前記セラミック本体の幅方向の一面に形成された領域を全て覆うように形成される絶縁層をさらに含む、請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記第１内部電極及び第２内部電極は、前記セラミック本体の実装面に対して水平に配置される、請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記酸化膜は、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、シリコン（Ｓｉ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる群から選択される一つ以上を含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記酸化膜は、酸化マンガン（ＭｎＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、三酸化二マンガン（Ｍｎ２Ｏ３）、四酸化三マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選択される一つ以上を含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記複合金属酸化物領域は、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ、Ｎｉ−Ｍｎ−ＯまたはＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏを含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記絶縁層は、有機樹脂、セラミック、無機フィラー、ガラスまたはこれらの混合物を含む、請求項１または７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
誘電体層を含むセラミック本体と、
重畳領域を有し、前記セラミック本体の一面に露出する第１及び第２引出部をそれぞれ有する第１及び第２内部電極と、
前記第１及び第２引出部の重畳領域を覆うように形成される酸化膜と、
前記第１及び第２引出部と連結され、前記酸化膜の両側に形成される第１及び第２外部電極と、
前記酸化膜上に配置される絶縁層と、を含み、
前記第１及び第２引出部は、酸化膜により覆われた端部に複合金属酸化物領域が形成される、積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記誘電体層上に形成され、前記セラミック本体の長さ方向の一面及び対向する幅方向の一面及び他面に露出する第１内部電極と、
前記第１内部電極と前記誘電体層を挟んで対向して配置され、前記セラミック本体の長さ方向の一面に対向する長さ方向の他面及び幅方向の一面及び他面に露出する第２内部電極と、
前記セラミック本体の幅方向の一面及び他面に配置される酸化膜と、
第１内部電極と電気的に連結される第１外部電極と、
第２内部電極と電気的に連結される第２外部電極と、
前記酸化膜上に配置される絶縁層と、を含み、
前記第１及び第２内部電極は、幅方向の一面及び他面に露出した端部に複合金属酸化物領域が形成される、積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、優れた静電容量及び低いＥＳＬを示し、回路基板への実装が容易な積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタまたはサーミスタなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設けられた外部電極と、を備える。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、一誘電体層を挟んで対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極と、を含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００５】
最近は、電子製品の小型化及び多機能化に伴い、チップ部品も小型化及び高機能化する傾向にあり、これによって、積層セラミックキャパシタにも小さいサイズ及び大きい容量の高容量製品が求められている。
【０００６】
また、積層セラミックキャパシタは、ＬＳＩの電源回路内に配置されるバイパス（ｂｙｐａｓｓ）キャパシタとして有用に用いられており、このようなバイパスキャパシタとしての機能を果たすためには、積層セラミックキャパシタが高周波ノイズを効果的に除去できなければならない。このような要求は、電子装置の高周波化の傾向によってさらに増大している。バイパスキャパシタとして用いられる積層セラミックキャパシタは、回路基板上の実装パッド上に半田付けにより電気的に連結され、上記実装パッドは、基板上の配線パターンや導電性ビアを介して他の外部回路と連結されることができる。
【０００７】
積層セラミックキャパシタは、キャパシタンス成分の他に、等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）成分をともに有しており、このような等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）成分はバイパスキャパシタの機能を阻害する。特に、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）は、高周波でキャパシタのインドントンスを高めて、高周波ノイズ除去特性を阻害する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−０２３７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、優れた静電容量及び低いＥＳＬを示し、回路基板への実装が容易な積層セラミック電子部品を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の一面に形成される酸化膜と、上記セラミック本体の一面において上記酸化膜の両側に形成される第１外部電極及び第２外部電極と、上記誘電体層上に形成され、上記第１外部電極に露出する第１電極引出部と上記酸化膜に露出し、露出した端部に複合金属酸化物領域が形成された第１絶縁引出部とを含む第１内部電極と、上記第２外部電極に露出する第２電極引出部とを上記酸化膜に露出し、露出した端部に複合金属酸化物領域が形成され、上記第１絶縁引出部と重畳されて付加容量を形成する第２絶縁引出部とを含み、上記第１内部電極と上記誘電体層を挟んで対向して配置される第２内部電極と、を含む積層セラミック電子部品が提供される。
【００１１】
上記酸化膜は、上記第１及び第２絶縁引出部の重畳領域を全て覆うように形成されることができる。
【００１２】
上記積層セラミック電子部品は、上記酸化膜上に配置される絶縁層をさらに含むことができる。
【００１３】
上記絶縁層は、第１外部電極と第２外部電極との間に形成されることができる。
【００１４】
上記第１内部電極及び第２内部電極は、上記セラミック本体の長さ方向及び幅方向の平面に形成され、上記セラミック本体の幅方向の一面に露出することができる。
【００１５】
上記第１内部電極及び第２内部電極は、上記セラミック本体の実装面に対して垂直に配置されることができる。
【００１６】
本発明の一実施形態によると、上記第１外部電極及び第２外部電極は、上記セラミック本体の幅方向の一面に形成され、上記セラミック本体の厚さ方向の一面または他面に延びて形成されることができる。
【００１７】
また、本実施形態による積層セラミック電子部品は、上記酸化膜と上記第１外部電極及び第２外部電極において上記セラミック本体の幅方向の一面に形成された領域を全て覆うように形成される絶縁層をさらに含むことができる。
【００１８】
本実施形態において、上記第１内部電極及び第２内部電極は、上記セラミック本体の実装面に対して水平に配置されることができる。
【００１９】
上記酸化膜は、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、シリコン（Ｓｉ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる群から選択される一つ以上を含むことができ、上記酸化膜は、酸化マンガン（ＭｎＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、三酸化二マンガン（Ｍｎ２Ｏ３）、四酸化三マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選択される一つ以上を含むことができる。
【００２０】
上記複合金属酸化物領域は、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ、Ｎｉ−Ｍｎ−ＯまたはＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏを含むことができる。
【００２１】
上記絶縁層は、有機樹脂、セラミック、無機フィラー、ガラスまたはこれらの混合物を含むことができる。
【００２２】
本発明の他の実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、重畳領域を有し、上記セラミック本体の一面に露出する第１及び第２引出部をそれぞれ有する第１及び第２内部電極と、上記第１及び第２引出部の重畳領域を覆うように形成される酸化膜と、上記第１及び第２引出部と連結され、上記酸化膜の両側に形成される第１及び第２外部電極と、を含み、上記第１及び第２引出部は、酸化膜により覆われた端部に複合金属酸化物領域が形成される積層セラミック電子部品が提供される。
【００２３】
上記積層セラミック電子部品は、酸化膜上に配置される絶縁層をさらに含むことができる。
【００２４】
本発明のさらに他の実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記誘電体層上に形成され、上記セラミック本体の長さ方向の一面及び対向する幅方向の一面及び他面に露出する第１内部電極と、上記第１内部電極と上記誘電体層を挟んで対向して配置され、上記セラミック本体の長さ方向の一面に対向する長さ方向の他面及び幅方向の一面及び他面に露出する第２内部電極と、上記セラミック本体の幅方向の一面及び他面に配置される酸化膜と、第１内部電極と電気的に連結される第１外部電極と、第２内部電極と電気的に連結される第２外部電極と、を含み、上記第１及び第２内部電極は、幅方向の一面及び他面に露出した端部に複合金属酸化物領域が形成される積層セラミック電子部品が提供される。
【００２５】
上記積層セラミック電子部品は、酸化膜上に配置される絶縁層をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、積層セラミックキャパシタに関するものであって、より詳細には、優れた静電容量及び低いＥＳＬを示し、回路基板への実装が容易な積層セラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を示す概略斜視図である。
【図２】図１のセラミック本体の分解斜視図である。
【図３ａ】図１に図示された積層セラミック電子部品の内部電極の構造を示す断面図である。
【図３ｂ】図１に図示された積層セラミック電子部品の内部電極の構造を示す断面図である。
【図４ａ】図１のＡ−Ａ'に沿った断面図である。
【図４ｂ】図１のＡ−Ａ'に沿った断面図である。
【図５】図１のＡ−Ａ'に沿った投影断面図である。
【図６】図１のＢ−Ｂ'に沿った断面図である。
【図７】図１のＣ１−Ｃ１'に沿った断面図である。
【図８】図１のＣ２−Ｃ２'に沿った断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品を示す斜視図である。
【図１０ａ】図９のＡ−Ａ'に沿った断面図である。
【図１０ｂ】図９のＡ−Ａ'に沿った断面図である。
【図１１】図９のＢ−Ｂ'に沿った断面図である。
【図１２】図９のＣ１−Ｃ１'に沿った断面図である。
【図１３】図９のＣ２−Ｃ２'に沿った断面図である。
【図１４】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品を示す斜視図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ'に沿った断面図である。
【図１６】図１４のＢ−Ｂ'に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。なお、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２９】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を示す概略斜視図であり、図２は図１のセラミック本体１１０の分解斜視図である。
【００３０】
図３ａ及び図３ｂは図１に図示された積層セラミック電子部品の内部電極の構造を示す断面図である。
【００３１】
図４ａ及び図４ｂは図１のＡ−Ａ'に沿った断面図であり、図５は図１のＡ−Ａ'に沿った投影断面図であり、図６から図８はそれぞれ図１のＢ−Ｂ'、Ｃ１−Ｃ１'及びＣ２−Ｃ２'に沿った断面図である。
【００３２】
図１から図８を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１１１を含むセラミック本体１１０と、上記誘電体層１１１上に形成される内部電極１２１、１２２と、上記セラミック本体１１０の一面に形成される酸化膜１４０と、外部電極１３１、１３２と、を含むことができる。
【００３３】
上記セラミック本体１１０は六面体形状からなることができる。チップの焼成時におけるセラミック粉末の焼成収縮により、セラミック本体１１０は、完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【００３４】
本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図１に示されたｘ、ｙ及びｚはそれぞれ長さ方向、厚さ方向、幅方向を示す。ここで、厚さ方向は、誘電体層が積層される積層方向と同一の概念で用いられることができる。
【００３５】
本実施形態において、セラミック本体１１０は、幅方向に対向する第１面１及び第２面２と、長さ方向に対向する第３面３及び第４面４と、厚さ方向に対向する第５面５及び第６面６と、を有することができる。
【００３６】
本発明の一実施形態によると、上記セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１１が積層されて形成されることができる。上記セラミック本体１１０を構成する複数の誘電体層１１１は、焼結された状態であり、隣接する誘電体層１１１同士の境界が確認できないほど一体化されていることができる。
【００３７】
上記誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及び有機バインダーを含むセラミックグリーンシートの焼成により形成されることができる。上記セラミック粉末は、高い誘電率を有する物質であり、これに制限されるものではないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料などを用いることができる。
【００３８】
本発明の一実施形態によると、セラミック本体１１０の内部には、上記誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が形成されることができる。図３ａ及び図３ｂはセラミック本体１１０を構成する誘電体層１１１と上記誘電体層１１１に形成された内部電極１２１、１２２を示す断面図であり、図４ａ及び図４ｂは図１のＡ−Ａ'に沿った断面図である。
【００３９】
本発明の一実施形態によると、第１極性の第１内部電極１２１及び第２極性の第２内部電極１２２は、一対をなすことができ、一誘電体層１１１を挟んで対向するように長さ方向及び幅方向の平面において厚さ方向に積層配置されることができる。
【００４０】
本発明の一実施形態によると、第１及び第２内部電極は、導電性金属を含む導電性ペーストにより形成されることができる。上記導電性金属は、これに制限されるものではないが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄまたはこれらの合金であることができる。
【００４１】
これに限定されるものではないが、誘電体層１１１を形成するセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法またはグラビア印刷法などの印刷法を利用して導電性ペーストで内部電極層を印刷することができる。内部電極層が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層して焼成することにより、セラミック本体１１０を形成することができる。
【００４２】
図３ａ、図３ｂ、図４ａ及び図４ｂを参照すると、第１及び第２内部電極は、セラミック本体１１０の第１面に露出する第１引出部１２１ａ、１２１ｂ及び第２引出部１２２ａ、１２２ｂをそれぞれ含むことができる。上記第１引出部１２１ａ、１２１ｂは、外部電極と連結されるための第１電極引出部１２１ａと、外部電極と連結されない第１絶縁引出部１２１ｂと、を含む。また、上記第２引出部１２２ａ、１２２ｂも、外部電極と連結される第２電極引出部１２２ａと、第１絶縁引出部１２１ｂと重畳領域を有し、外部電極と連結されない第２絶縁引出部１２２ｂと、を含む。
【００４３】
一般に、第１及び第２内部電極は重畳領域によって静電容量を形成し、異なる極性の外部電極と連結される引出部は重畳領域を有しない。しかし、本発明の一実施形態によると、第１及び第２引出部、より具体的には、第１及び第２絶縁引出部１２１ｂ、１２２ｂが重畳領域を有して付加容量を形成することができる。
【００４４】
図４ａ及び図４ｂを参照すると、上記酸化膜１４０の両側には、異なる極性の第１及び第２外部電極１３１、１３２が形成されることができる。
【００４５】
セラミック本体１１０の第１面に引き出された第１内部電極１２１の第１電極引出部１２１ａと連結されるように第１外部電極１３１が形成され、セラミック本体１１０の第１面に引き出された第２内部電極１２２の第２電極引出部１２２ａと連結されるように第２外部電極１３２が形成されることができる。
【００４６】
上記第１外部電極１３１は、第１引出部において第２引出部と重畳されない領域と連結されることができ、第２外部電極１３２は、第２引出部において第１引出部と重畳されない領域と連結されることができる。
【００４７】
上記第１外部電極１３１は、第２引出部と接触されないように第１引出部の一部と連結されることができ、第２外部電極１３２は、第１引出部と接触されないように第２引出部の一部と連結されることができる。
【００４８】
上記セラミック本体１１０の第１面には、第１引出部１２１ａ、１２１ｂと第２引出部１２２ａ、１２２ｂとの重畳領域を全て覆うように酸化膜１４０が形成される。また、第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間の電気的短絡を確実に防止するために、図５に示されているように、上記酸化膜１４０は、重畳領域より長さ方向に大きい幅を有するように形成されることができる。即ち、上記セラミック本体１１０の長さ方向における第１及び第２引出部の重畳領域の幅をＷ１、酸化膜１４０の幅をＷ２としたとき、Ｗ２＞Ｗ１であることができる。
【００４９】
また、図面に示されてはいないが、本発明の一実施形態によると、上記酸化膜１４０は、第１及び第２引出部の重畳領域を覆うように形成され、第１及び第２外部電極１３１、１３２と所定間隔を置いて形成されることができる。
【００５０】
上記酸化膜１４０を形成する方法としては、スラリーの塗布、乾燥膜の付着または転写などの方法が挙げられるが、内部電極が露出したセラミック本体１１０の一面に付着できれば、その方法は特に制限されない。
【００５１】
上記酸化膜１４０は、上記内部電極に含まれている金属に固溶されて内部電極に含まれている金属より高い抵抗を有する複合酸化物を形成する全ての成分を含むことができ、これに限定されるものではないが、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、シリコン（Ｓｉ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる群から選択される一つ以上を含むことができる。
【００５２】
さらに、これに制限されるものではないが、上記酸化膜１４０は、酸化マンガン（ＭｎＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、三酸化二マンガン（Ｍｎ２Ｏ３）、四酸化三マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選択される一つ以上で形成されることができる。
【００５３】
上記酸化膜１４０が第１及び第２絶縁引出部１２１ｂ、１２２ｂの露出した端部を覆うことにより、上記酸化膜１４０と接している第１及び第２絶縁引出部１２１ｂ、１２２ｂの端部には複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃが形成される。上記複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃは、内部電極を構成する金属に上記酸化膜１４０の成分が固溶されて形成される。より具体的には、第１絶縁引出部１２１ｂに形成された複合金属酸化物領域は第１複合金属酸化物領域１２１ｃとなり、第２絶縁引出部１２２ｂに形成された複合金属酸化物領域は第２複合金属酸化物領域１２２ｃとなることができる。
【００５４】
上記複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃは、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ、Ｎｉ−Ｍｎ−ＯまたはＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏで形成されることができ、上記の例に限定されず、内部電極を構成する金属と酸化膜１４０に含まれた成分の組み合わせにより多様に形成されることができる。
【００５５】
上記複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃは上記酸化膜１４０上にも形成されることができる。このとき、上記複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃと上記酸化膜１４０は、その境界がはっきり確認できないほど一体化されていることができる。上記酸化膜１４０は、厚く形成される必要はなく、内部電極と反応して複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃが形成される程度の厚さであれば十分である。
【００５６】
上記酸化膜１４０が非常に薄く塗布される場合は、上記酸化膜１４０と上記複合金属酸化物領域１２１ｃ、１２２ｃの成分が同一に形成されることができる。
【００５７】
また、図面には、酸化膜１４０が屈曲のない完全な平面を有するように示されているが、内部電極との反応により、連結されていない区間が存在したり、表面が屈曲状に形成されることができる。
【００５８】
なお、本発明の積層セラミック電子部品は、上記第１外部電極１３１と第２外部電極１３２との間に形成され、上記酸化膜１４０を覆う絶縁層１５０をさらに含むことができる。上記絶縁層１５０は、これに限定されるものではないが、有機樹脂、セラミック、無機フィラー、ガラスまたはこれらの混合物を含むことができる。
【００５９】
本実施形態のように、第１及び第２外部電極１３１、１３２がセラミック本体１１０の第１面に形成され、絶縁層１５０が第１外部電極１３１と第２外部電極１３２との間に配置される場合、上記セラミック本体１１０の第１面が実装面となり、第１及び第２内部電極１２１、１２２は積層セラミック電子部品の実装面、即ち、第１面１に対して垂直に配置されることができる。
【００６０】
本発明の一施形態によると、第１及び第２内部電極は、引出部にも重畳領域が形成されるため、積層セラミック電子部品の容量が増加する。また、外部極性が印加される第１内部電極と第２内部電極との間の距離が近くなってカレントループ（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｏｐ）が短くなることができ、これにより、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ、Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が低くなることができる。
【００６１】
上記酸化膜は、セラミック本体の一面に露出し、重畳される内部電極の引出部を覆うことにより、内部電極間の電気的短絡を防止することができる。また、上記酸化膜を適用することによって形成された複合金属酸化物領域は、酸化膜とともに耐湿特性の低下などの内部欠陥を効率的に防止し、露出した内部電極端部の信頼性劣化を防止することができる。
【００６２】
また、上記絶縁層をさらに適用することにより、積層セラミック電子部品の信頼性をより向上させることができ、必要な特性に応じて上記絶縁層の厚さを適切に調節することができる。
【００６３】
また、本実施形態のように、積層セラミック電子部品の一面に外部電極が形成される場合、回路基板の実装がより容易になり、実装密度が向上することができる。
【００６４】
図９から図１３は本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品を示す。図９は本実施形態による積層セラミック電子部品を示す斜視図であり、図１０ａ及び図１０ｂは図９のＡ−Ａ'に沿った断面図であり、図１１から図１３はそれぞれ図９のＢ−Ｂ'、Ｃ１−Ｃ１'及びＣ２−Ｃ２'に沿った断面図である。以下では、上述の実施形態と異なる構成要素を中心に説明し、同一の構成要素及び効果に対する詳細な説明は省略する。
【００６５】
図９から図１３に示されているように、本実施形態によると、第１面に形成された第１及び第２外部電極１３１、１３２は、上記セラミック本体１１０の厚さ方向の一面または他面まで延びて形成されることができる。
【００６６】
この場合、上記絶縁層１５０は、第１外部電極１３１と第２外部電極１３２との間で上記酸化膜１４０を覆う形態に形成されることができるが、第１及び第２外部電極１３１、１３２において上記セラミック本体１１０の第１面に形成された領域と上記酸化膜１４０を全て覆うように形成されることもできる。
【００６７】
上記のように第１及び第２外部電極１３１、１３２がセラミック本体１１０の厚さ方向の一面または他面に延びて形成される場合、セラミック本体１１０の厚さ方向の一面または他面（第５面または第６面）が実装面となることができ、第１及び第２内部電極は積層セラミック電子部品の実装面に対して水平に配置されることができる。即ち、水平実装が可能である。
【００６８】
図面に示されてはいないが、上記の二つの実施形態において、上記内部電極１２１、１２２は、上記セラミック本体１１０の第１面１だけでなく第２面２、第３面３または第４面４のうち一つ以上の面に露出することができ、内部電極が露出した面には酸化膜が配置されることができる。また、露出した内部電極の端部には複合金属酸化物領域が形成されることができ、上記複合金属酸化物領域は上記酸化膜上に形成されることもできる。また、上記酸化膜上には絶縁層がさらに配置されることができる。
【００６９】
上記複合金属酸化物領域、酸化膜及び絶縁層に対する説明は、上述の内容と重複されるため省略し、内部電極が露出する面の数、位置、外部電極の拡張構造及び位置なども当業者によって多様に変更されることができる。
【００７０】
図１４から図１６は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品を示す。図１４は本実施形態による積層セラミック電子部品の斜視図であり、図１５及び図１６はそれぞれＡ−Ａ'及びＢ−Ｂ'に沿った断面図である。以下では、上述の実施形態と異なる構成要素を中心に説明し、同一の構成要素及び効果に対する詳細な説明は省略する。
【００７１】
図１４から図１６を参照すると、本発明のさらに他の一実施形態によると、誘電体層１１１'を含むセラミック本体１１０'と、上記誘電体層１１１'上に形成され、上記セラミック本体１１０'の長さ方向の一面及び対向する幅方向の一面及び他面に露出する第１内部電極と、上記第１内部電極と上記誘電体層１１１'を挟んで対向して配置され、上記セラミック本体１１０'の長さ方向の一面に対向する長さ方向の他面及び幅方向の一面及び他面に露出する第２内部電極と、上記セラミック本体１１０'の幅方向の一面及び他面に配置される酸化膜１４０'と、第１内部電極と電気的に連結される第１外部電極１３１'と、第２内部電極と電気的に連結される第２外部電極１３２'と、を含む積層セラミック電子部品が提供される。
【００７２】
第１及び第２外部電極が同一面に形成される上記の実施形態と異なって、本実施形態では、第１及び第２外部電極１３１'、１３２'が異なる面に形成される。即ち、長さ方向に対向する一面及び他面にそれぞれ形成される形態の積層セラミック電子部品に関するものである。
【００７３】
本実施形態において、第１内部電極１２１'は第１電極引出部１２１ａ'及び第１絶縁引出部１２１ｂ'を含み、第２内部電極１２２'は第２電極引出部１２２ａ'及び第２絶縁引出部１２２ｂ'を含むことができる。
【００７４】
上記第１外部電極１３１'と連結される第１電極引出部１２１ａ'は、上記セラミック本体１１０'の長さ方向の一面に露出し、上記酸化膜１４０'と接する第１絶縁引出部１２１ｂ'は、上記セラミック本体１１０'の幅方向に対向する一面及び他面に露出する。また、第２外部電極１３２'と連結される第２電極引出部１２２ａ'は、上記セラミック本体１１０'の長さ方向の一面と対向する他面に露出し、上記酸化膜１４０'と接する第２絶縁引出部１２２ｂ'は、第１絶縁引出部１２１ｂ'と同様に上記セラミック本体１１０'の幅方向に対向する一面及び他面に露出する。
【００７５】
上記酸化膜１４０'と接する第１及び第２絶縁引出部１２１ｂ'、１２２ｂ'の端部には、複合金属酸化物領域１２１ｃ'、１２２ｃ'が形成されることができる。
【００７６】
また、上記酸化膜１４０'上には、絶縁層１５０'がさらに配置されることができる。
【００７７】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【００７８】
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１２１  第１内部電極
１２２  第２内部電極
１３１  第１外部電極
１３２  第２外部電極
１４０  酸化膜
１５０  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
0005540452.tif 000004
【図３ｂ】
0005540452.tif 000005
【図４ａ】
0005540452.tif 000006
【図４ｂ】
0005540452.tif 000007
【図５】
0005540452.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０ａ】
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【図１０ｂ】
0005540452.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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