(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタ素子を含む素子基板と、
液晶層を挟んで前記素子基板と対向するように配置された対向基板と、
前記素子基板の前記対向基板とは反対側に設けられたバックライトと、
前記素子基板の前記液晶層側の表面上に形成され、前記素子基板と前記対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための第１測定部と、
前記対向基板の前記液晶層側の表面上に形成され、前記素子基板と前記対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための第２測定部と、
前記第２測定部側に設けられた測定用開口部と、
前記素子基板と前記第２測定部との間に設けられ、前記バックライトからの光が前記測定用開口部を透過するのを防止するための遮光層とを備え、
前記第１測定部および前記第２測定部は、それぞれ、数値を読むための目盛りの形状を有する第１目盛り層および第２目盛り層を含み、
前記遮光層は、前記第１測定部の前記バックライトとは反対側の表面上に、前記第１測定部を構成する前記第１目盛り層の形状を反映した形状を有するように設けられている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記遮光層は、平面的に見て、少なくとも前記測定用開口部に対応する領域を覆うように設けられている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１測定部と前記遮光層との間に形成された絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜は、前記第１測定部を構成する前記第１目盛り層の形状を反映した形状を有するように形成されるとともに、前記遮光層は、前記第１測定部を構成する前記第１目盛り層の形状が反映された前記絶縁膜の目盛りの形状を反映した形状に形成されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１目盛り層および前記第２目盛り層は、平面的に見て、櫛歯形状に形成されており、
前記第１目盛り層の前記バックライトとは反対側の表面上に形成された前記遮光層は、平面的に見て、前記第１目盛り層の目盛りの形状を反映した櫛歯形状に形成されており、  前記遮光層の櫛歯部の幅は、前記第２目盛り層の櫛歯部と櫛歯部との間の幅と略等しく形成されており、
前記第１目盛り層の櫛歯部の幅は、前記遮光層の櫛歯部の幅よりも小さい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記トランジスタ素子は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、
前記第１目盛り層は、前記トランジスタ素子のゲート電極と同一の金属層から形成されており、
前記遮光層は、前記トランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極と同一の金属層から形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
トランジスタ素子を含む素子基板と、
液晶層を挟んで前記素子基板と対向するように配置された対向基板と、
前記素子基板の前記対向基板とは反対側に設けられたバックライトと、
前記素子基板の前記液晶層側の表面上に形成され、前記素子基板と前記対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための第１測定部と、
前記対向基板の前記液晶層側の表面上に形成され、前記素子基板と前記対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための第２測定部と、
前記第２測定部側に設けられた測定用開口部と、
前記素子基板と前記第２測定部との間に設けられ、前記バックライトからの光が前記測定用開口部を透過するのを防止するための遮光層とを備え、
前記第１測定部および前記第２測定部は、それぞれ、数値を読むための目盛りの形状を有する第１目盛り層および第２目盛り層を含み、
前記第１測定部の前記バックライトとは反対側の表面上に、前記第１測定部を構成する前記第１目盛り層の形状を反映した形状を有する絶縁層を備えている、液晶表示装置。
【請求項７】
前記トランジスタ素子は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、
前記遮光層は、前記バックライトとは反対側の表面が前記ゲート電極を覆う絶縁膜で覆われて、かつ前記素子基板と前記第１測定部との間に、前記バックライトからの光が前記測定用開口部を透過するのを防止するように設けられている、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１目盛り層は、前記トランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極と同一の金属層から形成されており、
前記遮光層は、前記トランジスタ素子のゲート電極と同一の金属層から形成されている、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記対向基板の前記バックライト側の表面上に設けられたブラックマトリクスをさらに備え、
前記第２測定部は、前記ブラックマトリクスと同一の層から形成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、素子基板および対向基板の表面上にそれぞれ形成され、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための測定部を備える液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、素子基板および対向基板の表面上にそれぞれ形成され、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための測定部を備える液晶表示装置および電子機器が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、ＴＦＴ側ガラス基板（素子基板）と、液晶層を挟んでＴＦＴ側ガラス基板に対向するように配置された対向側ガラス基板（対向基板）と、ＴＦＴ側ガラス基板の表面上に形成されたＴＦＴ基板側パネル用アライメントマーカー（測定部）と、対向側ガラス基板の表面上に形成された対向基板側パネル用アライメントマーカー（測定部）と、ＴＦＴ側ガラス基板の液晶層とは反対側に設けられたバックライトとを備えた液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、ＴＦＴ側ガラス基板と対向側ガラス基板との貼り合わせ工程において、ＴＦＴ基板側パネル用アライメントマーカーと、対向基板側パネル用アライメントマーカーとが重なるようにして貼り合わせられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２５００２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、たとえば、バックライトからの光がＴＦＴ側ガラス基板から対向側ガラス基板に向かって照射される際に、アライメントマーカーが形成されている部分では、光が遮光される一方、アライメントマーカーが形成されていない部分では、光が透過するという不都合がある。このため、アライメントマーカーが形成されていない部分をバックライトからの光が透過することによって、対向側ガラス基板側から光漏れが発生するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、バックライトからの光が対向基板側から漏れるのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における液晶表示装置は、トランジスタ素子を含む素子基板と、液晶層を挟んで素子基板と対向するように配置された対向基板と、素子基板の対向基板とは反対側に設けられたバックライトと、素子基板の液晶層側の表面上に形成され、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための第１測定部と、対向基板の液晶層側の表面上に形成され、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定するための第２測定部と、第２測定部側に設けられた測定用開口部と、素子基板と第２測定部との間に設けられ、バックライトからの光が測定用開口部を透過するのを防止するための遮光層とを備える。
【０００８】
この第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、素子基板と第２測定部との間に、バックライトからの光が測定用開口部を透過するのを防止するための遮光層を設けることによって、バックライトからの光が素子基板と第２測定部との間に設けられる遮光層により遮光されるので、バックライトからの光が対向基板側から漏れるのを抑制することができる。
【０００９】
この場合、好ましくは、遮光層は、平面的に見て、少なくとも測定用開口部に対応する領域を覆うように設けられている。このように構成すれば、バックライトからの光が遮光層によって遮光されるので、光が少なくとも測定用開口部を透過するのを防止することができる。これにより、バックライトからの光が測定用開口部から漏れるのを確実に抑制することができる。
【００１０】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１測定部および第２測定部は、それぞれ、数値を読むための目盛りの形状を有する第１目盛り層および第２目盛り層を含み、遮光層は、第１測定部のバックライトとは反対側の表面上に、第１測定部を構成する第１目盛り層の形状を反映した形状を有するように設けられている。このように構成すれば、第１目盛り層の形状を反映した遮光層の外形形状（目盛り）を読み取ることができるので、遮光層の外形形状（目盛り）と、第２目盛り層（目盛り）とを読み取ることにより、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定することができる。
【００１１】
この場合、好ましくは、第１測定部と遮光層との間に形成された絶縁膜をさらに備え、絶縁膜は、第１測定部を構成する第１目盛り層の形状を反映した形状を有するように形成されるとともに、遮光層は、第１測定部を構成する第１目盛り層の形状が反映された絶縁膜の目盛りの形状を反映した形状に形成されている。このように構成すれば、第１測定部と遮光層との間に絶縁膜を形成した場合にも、遮光層の外形形状（目盛り）を読み取ることができるので、遮光層の外形形状と、第２目盛り層とを読み取ることにより、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれを測定することができる。
【００１２】
上記第１目盛り層を含む第１測定部および第２目盛り層を含む第２測定部を備える液晶表示装置において、好ましくは、第１目盛り層および第２目盛り層は、平面的に見て、櫛歯形状に形成されており、第１目盛り層のバックライトとは反対側の表面上に形成された遮光層は、平面的に見て、第１目盛り層の目盛りの形状を反映した櫛歯形状に形成されており、遮光層の櫛歯部の幅は、第２目盛り層の櫛歯部と櫛歯部との間の幅と略等しく形成されており、第１目盛り層の櫛歯部の幅は、遮光層の櫛歯部の幅よりも小さい。このように構成すれば、遮光層の櫛歯部が、平面的に見て、第２目盛り層の櫛歯部と櫛歯部との間に隙間なく重なる位置の目盛りを読み取ることにより、素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれ量を測定することができる。
【００１３】
上記第１目盛り層を含む第１測定部および第２目盛り層を含む第２測定部を備える液晶表示装置において、好ましくは、トランジスタ素子は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、第１目盛り層は、トランジスタ素子のゲート電極と同一の金属層から形成されており、遮光層は、トランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極と同一の金属層から形成されている。このように構成すれば、第１目盛り層とトランジスタ素子のゲート電極とを別個に形成する場合、および、遮光層とトランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極とを別個に形成する場合と異なり、第１目盛り層および遮光層を製造する際の製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１４】
液晶表示装置において、好ましくは、前記第１測定部および前記第２測定部は、それぞれ、数値を読むための目盛りの形状を有する第１目盛り層および第２目盛り層を含み、前記第１測定部の前記バックライトとは反対側の表面上に、前記第１測定部を構成する前記第１目盛り層の形状を反映した形状を有する絶縁層を備えている。また、上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、前記トランジスタ素子は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、遮光層は、前記バックライトとは反対側の表面が前記ゲート電極を覆う絶縁膜で覆われて、かつ素子基板と第１測定部との間に、バックライトからの光が測定用開口部を透過するのを防止するように設けられている。このように構成すれば、バックライトからの光が素子基板と第１測定部との間に設けられた遮光層によって遮光されるので、光が第１測定部を介して測定用開口部を透過するのを抑制できるとともに、遮光層を第１測定部よりも素子基板側に設けることにより、対向基板側の測定用開口部から第１測定部と第２測定部とを直接視認することができるので、第１測定部と第２測定部とを用いて素子基板と対向基板との貼り合わせ位置のずれをより正確に測定することができる。
【００１５】
この場合、好ましくは、第１測定部および第２測定部は、それぞれ、数値を読むための目盛りの形状を有する第１目盛り層および第２目盛り層を含み、トランジスタ素子は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、第１目盛り層は、トランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極と同一の金属層から形成されており、遮光層は、トランジスタ素子のゲート電極と同一の金属層から形成されている。このように構成すれば、第１目盛り層とトランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極とを別個に形成する場合、および、遮光層とトランジスタ素子のゲート電極とを別個に形成する場合と異なり、第１目盛り層および遮光層を製造する際の製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１６】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、対向基板のバックライト側の表面上に設けられたブラックマトリクスをさらに備え、第２測定部は、ブラックマトリクスと同一の層から形成されている。このように構成すれば、第２測定部とブラックマトリクスとを別個に形成する場合と異なり、第２目盛り層を製造する際の製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１７】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、バックライトからの光が対向基板側から漏れるのを抑制することが可能な液晶表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の液晶表示装置の概略的な構造を説明するための概念図である。
【図２】比較例による液晶表示装置の概略的な構造を説明するための概念図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の測定用開口部周辺の平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の測定用開口部周辺の拡大平面図である。
【図６】図４の２００−２００線に沿った断面図である。
【図７】図４の３００−３００線に沿った断面図である。
【図８】図５の４００−４００線に沿った断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
まず、図１および図２を参照して、本発明の具体的な実施形態を説明する前に、本発明の液晶表示装置１００の概略的な構造（構成）について比較例との対比で説明する。
【００２１】
本発明の液晶表示装置１００は、図１に示すように、液晶層１０１を挟んで対向するようにＴＦＴ基板（素子基板）１０２と対向基板１０３とを備えている。また、ＴＦＴ基板１０２のＺ１方向側には、ＴＦＴ基板１０２側から対向基板１０３側に光を照射するためのバックライト１０４が設けられている。また、図１には図示していないが、本発明の液晶表示装置１００の表示領域を取り囲む額縁領域において、ＴＦＴ基板１０２の表面上には、平面的に見て、目盛りの形状を有するＴＦＴ基板側マーク（第１測定部（第１目盛り層））１０５が形成されている。また、ＴＦＴ基板側マーク１０５およびＴＦＴ基板１０２の表面上には、絶縁膜１０６が形成されている。この絶縁膜１０６は、ＴＦＴ基板側マーク１０５の目盛りの形状を反映した形状に形成されている。また、絶縁膜１０６の表面上には、遮光層１０７が形成されている。ここで、本発明の液晶表示装置１００では、遮光層１０７は、バックライト１０４から照射された光が、対向基板側マーク１０８ｂの周辺領域の測定用開口部１０９から透過するのを防止することを目的として形成されている。また、遮光層１０７は、平面的に見て、ＴＦＴ基板側マーク１０５、対向基板側マーク１０８ｂおよび測定用開口部１０９に対応する領域を覆う（オーバラップする）ようにＴＦＴ基板１上に形成されるとともに、測定用開口部１０９の開口面積よりも大きく形成されている。また、遮光層１０７は、ＴＦＴ基板側マーク１０５の目盛りの形状を反映した絶縁膜１０６の形状をさらに反映した形状を有する目盛り部１０７ａを含んでいる。また、遮光層１０７の表面上には、絶縁膜１１０が形成されている。
【００２２】
また、対向基板１０３の表面上（Ｚ１方向側の表面上）には、ブラックマトリクス１０８ａが形成されている。このブラックマトリクス１０８ａには、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０３とのずれを測定するための測定用開口部１０９が設けられている。また、対向基板１０３の表面上には、測定用開口部１０９に対応するように、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０３との貼り合わせ位置のずれを測定するための対向基板側マーク（第２測定部（第２目盛り層））１０８ｂが形成されている。また、対向基板側マーク１０８ｂは、平面的に見て、ＴＦＴ基板側マーク１０５および遮光層１０７の目盛り部１０７ａと重なるように形成されている。この遮光層１０７の目盛り部１０７ａの目盛りと、対向基板側マーク１０８ｂの目盛りとのずれを測定用開口部１０９から確認することによって、ＴＦＴ基板１０２と、対向基板１０３との貼り合わせ位置のずれを測定可能に構成されている。また、対向基板側マーク１０８ｂおよび対向基板１０３の表面上には、オーバーコート層１１１が形成されている。
【００２３】
なお、図１に示した例では、遮光層１０７をＴＦＴ基板側マーク１０５を覆うように、ＴＦＴ基板側マーク１０５と対向基板側マーク１０８ｂとの間に形成したが、本発明はこれに限らず、遮光層１０７をＴＦＴ基板側マーク１０５とＴＦＴ基板１０２との間に配置してもよい。この場合は、貼り合わせずれ測定時には、遮光層１０７を用いずにＴＦＴ基板側マーク１０５と対向基板側マーク１０８ｂとを用いて貼り合わせずれの測定を行う。なお、この点については、後述する第２実施形態において詳細に説明する。
【００２４】
次に、本発明の比較例による液晶表示装置１５０では、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０２の表面上には、ＴＦＴ基板側マーク１０５が形成されている。ＴＦＴ基板側マーク１０５の表面上には、絶縁膜１０６が形成されている。なお、対向基板１０３側の構成は、図１に示す本発明の液晶表示装置１００と同様である。また、比較例による液晶表示装置１５０では、ＴＦＴ基板側マーク１０５の目盛りと、対向基板側マーク１０８ｂの目盛りとを測定用開口部１０９から確認することによって、ＴＦＴ基板１０２と、対向基板１０３との貼り合わせ位置のずれを測定可能に構成されている。なお、比較例による液晶表示装置１５０の構成では、絶縁膜１０６の表面上には、本発明のような遮光層１０７（図１参照）が形成されていないため、バックライト１０４からの光が測定用開口部１０９から透過する。
【００２５】
このように、図１に示した本発明の液晶表示装置１００は、図２に示した比較例の液晶表示装置１５０とは異なり、バックライト１０４から照射された光が遮光層１０７によって遮光されるので、測定用開口部１０９から光漏れが発生するのを抑制することが可能である。
【００２６】
以下、上記した本発明の概略的構成をより具体化した実施形態について説明する。
【００２７】
（第１実施形態）
図３〜図８を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００ａの構成について説明する。なお、第１実施形態では、縦電界モードの液晶表示装置１００ａに本発明を適用した場合について説明する。
【００２８】
第１実施形態による液晶表示装置１００ａは、図３に示すように、略矩形形状を有するＴＦＴ基板１と、略矩形形状を有する対向基板２とを備えている。なお、ＴＦＴ基板１は、本発明の「素子基板」の一例である。また、ＴＦＴ基板１と対向基板２とは、後述する液晶層２０を挟むようにシール材３によって貼り合わされている。シール材３は、ＴＦＴ基板１および対向基板２の外縁部に沿って塗布されている。また、ＴＦＴ基板１の表面上には、液晶表示装置１００ａを駆動させるための駆動ＩＣ４が設けられている。また、ＴＦＴ基板１および対向基板２は、複数の画素が設けられた表示領域５と、表示領域５を囲むように設けられた額縁領域６とを含んでいる。また、ＴＦＴ基板１のＺ１方向側には、バックライト７（図６参照）が設けられている。このバックライト７は、ＴＦＴ基板１から対向基板２へ向かって光を照射するように構成されている。
【００２９】
また、表示領域５および額縁領域６の詳細な断面構造としては、図６に示すように、表示領域５において、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極８ａが形成されている。また、額縁領域６において、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極８ａと同一の金属層からなるＴＦＴ基板側マーク８ｂが形成されている。なお、ＴＦＴ基板側マーク８ｂは、本発明の「第１測定部」および「第１目盛り層」の一例である。ＴＦＴ基板側マーク８ｂは、図４に示すように、ＴＦＴ基板１の表面上の４隅にＸ方向およびＹ方向に沿って延びるように形成されている。また、ＴＦＴ基板側マーク８ｂは、図５に示すように、平面的に見て、櫛歯形状を有している。ＴＦＴ基板側マーク８ｂは、Ｘ方向に沿って形成され、数値を読むための目盛りの形状の複数の櫛歯部８ｃと、Ｙ方向に沿って形成され、複数の櫛歯部８ｃを連結する連結部８ｄとを含んでいる。また、図４および図５に示すように、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの近傍には、「−２」、「−１」、「０」、「＋１」および「＋２」などの数値部８ｅが形成されている。図８に示すように、数値部８ｅは、ゲート電極８ａ（図６参照）およびＴＦＴ基板側マーク８ｂと同一の金属層からなる。
【００３０】
また、表示領域５において、ゲート電極８ａおよびＴＦＴ基板１の表面上には、ＳｉＮなどからなるゲート絶縁膜９ａを含む絶縁膜９が形成されている。なお、絶縁膜９は、額縁領域６において、ＴＦＴ基板側マーク８ｂおよびＴＦＴ基板１の表面上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの表面上に形成される絶縁膜９は、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの目盛りの形状を反映した形状（櫛歯形状）に形成されている。また、数値部８ｅの表面上に形成される絶縁膜９は、数値部８ｅの数値の形状を反映した形状（数値）に形成されている。
【００３１】
また、表示領域５において、ゲート電極８ａと絶縁膜９とを介して対向するように、半導体層１０が形成されている。なお、半導体層１０は、ａ−Ｓｉとｎ＋Ｓｉとからなる。半導体層１０の上部には、ソース電極１１およびドレイン電極１２が形成されている。そして、ゲート電極８ａ、絶縁膜９、半導体層１０、ソース電極１１およびドレイン電極１２により薄膜トランジスタ１３が構成されている。
【００３２】
ここで、第１実施形態では、額縁領域６において、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの表面上の絶縁膜９の表面上には、薄膜トランジスタ１３のソース電極１１およびドレイン電極１２と同一の金属層からなるとともに、バックライト７からの光が後述する測定用開口部２１ａを透過するのを防止するための遮光層１４ａが設けられている。この遮光層１４ａは、平面的に見て、ＴＦＴ基板側マーク８ｂ、対向基板側マーク２１ｂおよび測定用開口部２１ａに対応する領域に設けられている。また、遮光層１４ａは、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの形状を反映した形状に形成されている。これにより、遮光層１４ａは、ＴＦＴ基板側マーク８ｂに対応する目盛り部１４ｂを有する。さらに、目盛り部１４ｂは、図５に示すように、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの櫛歯部８ｃに対応する櫛歯部１４ｃと、連結部８ｄに対応する連結部１４ｄとを含んでいる。また、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの櫛歯部８ｃの幅Ｗ１は、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂの櫛歯部１４ｃの幅Ｗ２よりも小さい。
【００３３】
また、図４に示すように、遮光層１４ａは、平面的に見て、略Ｌ字形状に形成されており、Ｙ方向に沿って形成されているＴＦＴ基板側マーク８ｂと、Ｘ方向に沿って形成されているＴＦＴ基板側マーク８ｂとを覆うように形成されている。また、図６に示すように、遮光層１４ａは、平面的に見て、測定用開口部２１ａに対応する領域を覆う（オーバラップする）ように絶縁膜９上に形成されるとともに、測定用開口部２１ａの開口面積よりも大きく形成されている。また、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂと、対向基板側マーク２１ｂとのずれを読み取ることにより、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれを測定可能に構成されている。また、数値部８ｅ（図５参照）の表面上に形成された絶縁膜９の表面上に形成される遮光層１４ａには、数値部８ｅの数値の形状を反映した形状の数値部１４ｅが形成されている。
【００３４】
また、表示領域５において、ソース電極１１およびドレイン電極１２を覆うように、ＳｉＮなどからなるパッシベーション膜１５が形成されている。また、パッシベーション膜１５には、コンタクトホール１５ａが形成されている。また、額縁領域６において、遮光層１４ａの表面上には、表示領域５に形成されたパッシベーション膜１５と同一の層（パッシベーション膜１５）が形成されている。
【００３５】
また、表示領域５において、パッシベーション膜１５の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜（ＯＶＬ）１６が形成されている。また、平坦化膜１６には、コンタクトホール１６ａが形成されている。また、額縁領域６において、パッシベーション膜１５の表面上には、表示領域５に形成された平坦化膜１６と同一の層（平坦化膜１６）が形成されている。
【００３６】
また、表示領域５において、平坦化膜１６の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極１７が形成されている。また、パッシベーション膜１５のコンタクトホール１５ａと平坦化膜１６のコンタクトホール１６ａとを介して、コンタクト部１２ａにおいて画素電極１７とドレイン電極１２とが接続されている。また、画素電極１７の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１８が形成されている。また、額縁領域６において、平坦化膜１６の表面上には、表示領域５に形成された配向膜１８と同一の層（配向膜１８）が形成されている。
【００３７】
対向基板２は、ＴＦＴ基板１と液晶層２０を挟んで対向するように配置されている。また、表示領域５において、対向基板２のＺ１方向側の表面上には、樹脂などからなるブラックマトリクス（ＢＭ）２１ｃが形成されている。また、額縁領域６において、ブラックマトリクス２１ｃには、ＴＦＴ基板１と対向基板２とのずれを測定するための測定用開口部２１ａが設けられている。測定用開口部２１ａは、図３に示すように、額縁領域６の対向基板２の４隅に対応する部分に、略Ｌ字形状に形成されている。また、ＴＦＴ基板１の表面上の測定用開口部２１ａに対応する領域には、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂが形成されるとともに、対向基板２の表面上の測定用開口部２１ａに対応する領域には、対向基板側マーク２１ｂが形成されている。そして、測定用開口部２１ａからＴＦＴ基板側マーク８ｂに対応する遮光層１４ａの目盛り部１４ｂと、対向基板側マーク２１ｂとを視認可能に構成されている。
【００３８】
また、図６に示すように、額縁領域６において、対向基板側マーク２１ｂは、対向基板２の表面上に形成されている。なお、対向基板側マーク２１ｂは、本発明の「第２測定部」および「第２目盛り層」の一例である。対向基板側マーク２１ｂは、表示領域５の対向基板２のＺ１方向側の表面上に形成されたブラックマトリクス２１ｃと同一層から形成されている。また、対向基板側マーク２１ｂは、図３および図４に示すように、対向基板２の４隅にＸ方向およびＹ方向に沿って延びるように形成されている。また、対向基板側マーク２１ｂは、図５に示すように、平面的に見て、櫛歯形状を有している。この対向基板側マーク２１ｂは、Ｘ方向に沿って形成され、数値を読むための目盛りの形状の複数の櫛歯部２１ｄと、Ｙ方向に沿って形成され、複数の櫛歯部２１ｄを連結する連結部２１ｅとを有している。
【００３９】
また、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間の幅Ｗ３は、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂの櫛歯部１４ｃの幅Ｗ２と略同一である。また、対向基板側マーク２１ｂの連結部２１ｅと、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂとは、平面的に見て、Ｘ方向にずれた状態に配置されている。また、図５に示すように、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間の幅Ｗ３は、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃと櫛歯部１４ｃとの間の幅Ｗ４とは異なるように形成されている。つまり、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄのピッチと、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃのピッチとが異なるように形成されている。これにより、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間に、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃが隙間なく重なる位置の目盛りを読み取ることによって、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれ量を測定可能である。なお、図６に示すように、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間に、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃが隙間なく重なっている場合には、測定用開口部２１ａに対応する領域に設けられた遮光層１４ａによって、バックライト７からの光を遮光することが可能である。また、図７に示すように、平面的に見て、ＴＦＴ基板側マーク８ｂと、対向基板側マーク２１ｂとがオーバラップするように配置されている場合にも、測定用開口部２１ａに対応する領域に設けられた遮光層１４ａによって、バックライト７からの光を遮光することが可能である。
【００４０】
また、図６に示すように、表示領域５において、ブラックマトリクス２１ｃの表面上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）などのカラーフィルター（ＣＦ）２２が形成されている。カラーフィルター２２の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなるとともに保護膜としてのオーバーコート層（ＯＶＣ）２３が形成されている。また、額縁領域６において、対向基板側マーク２１ｂおよび対向基板２の表面上には、表示領域５に形成されたオーバーコート層２３と同一の層が形成されている。
【００４１】
また、表示領域５において、オーバーコート層２３の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる共通電極２４が形成されている。また、共通電極２４の表面上には、樹脂からなるフォトスペーサー（ＰＳ）２５が形成されている。フォトスペーサー２５は、セルギャップ（ＴＦＴ基板１と対向基板２との間の距離）を調整する機能を有する。また、フォトスペーサー２５および共通電極２４の表面上には、ポリイミドなどからなる配向膜２６が形成されている。また、額縁領域６において、オーバーコート層２３の表面上には、表示領域５に形成された配向膜２６と同一の層（配向膜２６）が形成されている。
【００４２】
次に、図５を参照して、ＴＦＴ基板側マーク８ｂと対向基板側マーク２１ｂとの目盛りの読取動作について説明する。
【００４３】
ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせの位置のずれを測定する際には、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂの櫛歯部１４ｃが、平面的に見て、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間に隙間なく重なる部分の数値を読み取る。たとえば、図５に示す状態では、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂの櫛歯部１４ｃが、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間に隙間なく重なる部分の数値が「０」なので、ＴＦＴ基板１と対向基板２とのずれ量は「０」であると判断される。
【００４４】
第１実施形態では、上記のように、遮光層１４ａを、平面的に見て、測定用開口部２１ａおよび対向基板側マーク２１ｂに対応する領域を覆うように設けることによって、バックライト７からの光がＴＦＴ基板１と対向基板側マーク２１ｂとの間に設けられる遮光層１４ａによって遮光されるので、バックライト７からの光が対向基板２側から漏れるのを抑制することができる。
【００４５】
また、第１実施形態では、上記のように、遮光層１４ａを、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの表面上に、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの形状を反映した形状を有するように設けることによって、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの形状を反映した遮光層１４ａの目盛り部１４ｂを読み取ることができるので、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂと、対向基板側マーク２１ｂ（目盛り）とを読み取ることにより、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれを測定することができる。
【００４６】
また、第１実施形態では、上記のように、絶縁膜９を、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの形状を反映した形状を有するように形成するとともに、遮光層１４ａを、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの形状が反映された絶縁膜９の目盛りの形状を反映した形状に形成することによって、ＴＦＴ基板側マーク８ｂと遮光層１４ａとの間に絶縁膜９を形成した場合にも、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂを読み取ることができるので、遮光層１４ａの目盛り部１４ｂと、対向基板側マーク２１ｂとを読み取ることにより、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれを測定することができる。
【００４７】
また、第１実施形態では、上記のように、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃの幅Ｗ２を、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間の幅Ｗ３と略等しくするとともに、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの櫛歯部８ｃの幅Ｗ１を、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃの幅Ｗ２よりも小さくすることによって、遮光層１４ａの櫛歯部１４ｃが、平面的に見て、対向基板側マーク２１ｂの櫛歯部２１ｄと櫛歯部２１ｄとの間に隙間なく重なる位置の目盛りを読み取ることにより、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれ量を測定することができる。
【００４８】
また、第１実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板側マーク８ｂを、薄膜トランジスタ１３のゲート電極８ａと同一の金属層から形成するとともに、遮光層１４ａを、薄膜トランジスタ１３のソース電極１１およびドレイン電極１２と同一の金属層から形成することによって、ＴＦＴ基板側マーク８ｂと薄膜トランジスタ１３のゲート電極８ａとを別個に形成する場合、および、遮光層１４ａと薄膜トランジスタ１３のソース電極１１およびドレイン電極１２とを別個に形成する場合と異なり、ＴＦＴ基板側マーク８ｂおよび遮光層１４ａを製造する際の製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、上記のように、対向基板側マーク２１ｂを、ブラックマトリクス２１ｃと同一の層から形成することによって、対向基板側マーク２１ｂとブラックマトリクス２１ｃとを別個に形成する場合と異なり、対向基板側マーク２１ｂを製造する際の製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、図９を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、ＴＦＴ基板側マークの表面上に遮光層を形成した第１実施形態とは異なり、遮光層の表面上にＴＦＴ基板側マークを形成する。
【００５１】
この第２実施形態による液晶表示装置１００ｂでは、ＴＦＴ基板１の表面上に、遮光層２０８ｂが形成されている。また、遮光層２０８ｂは、対向基板２側の測定用開口部２１ａおよび対向基板側マーク２１ｂに対応する全領域を覆うように形成されている。これにより、バックライト７からの光が測定用開口部２１ａを透過するのを防止することが可能である。この遮光層２０８ｂは、上記した第１実施形態の薄膜トランジスタ１３のゲート電極８ａと同一の金属層からなる。また、遮光層２０８ｂの表面上には、絶縁膜９を介してＴＦＴ基板側マーク２１４ａが形成されている。また、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａの目盛りは、測定用開口部２１ａから直接視認可能である。なお、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａは、本発明の「第１測定部」および「第１目盛り層」の一例である。
【００５２】
また、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａの幅Ｗ５は、対向基板側マーク２１ｂと対向基板側マーク２１ｂとの間の間隔（幅）Ｗ６と略等しい。また、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａとＴＦＴ基板側マーク２１４ａとの間の間隔（幅）Ｗ７は、対向基板側マーク２１ｂと対向基板側マーク２１ｂとの間の間隔（幅）Ｗ６よりも大きい。つまり、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａのピッチと、対向基板側マーク２１ｂのピッチとが異なるように形成されている。これにより、対向基板側マーク２１ｂと対向基板側マーク２１ｂとの間に、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａが隙間なく重なる位置の目盛りを測定用開口部２１ａから直接読み取ることによって、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれ量を測定可能である。なお、第２実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５３】
第２実施形態では、上記のように、遮光層２０８ｂを、ＴＦＴ基板１とＴＦＴ基板側マーク２１４ａとの間に、バックライト７からの光が測定用開口部２１ａを透過するのを防止するように設けることによって、バックライト７からの光がＴＦＴ基板１とＴＦＴ基板側マーク２１４ａとの間に設けられた遮光層２０８ｂによって遮光されるので、光がＴＦＴ基板側マーク２１４ａを介して測定用開口部２１ａを透過するのを抑制できるとともに、遮光層２０８ｂをＴＦＴ基板側マーク２１４ａよりもＴＦＴ基板１側に設けることにより、対向基板２側の測定用開口部２１ａからＴＦＴ基板側マーク２１４ａと対向基板側マーク２１ｂとを直接視認することができるので、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａと対向基板側マーク２１ｂとを用いてＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせ位置のずれをより正確に測定することができる。
【００５４】
また、第２実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａを、薄膜トランジスタ１３のソース電極１１およびドレイン電極１２と同一の金属層から形成するとともに、遮光層２０８ｂを、薄膜トランジスタ１３のゲート電極８ａと同一の金属層から形成することによって、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａと薄膜トランジスタ１３のソース電極１１およびドレイン電極１２とを別個に形成する場合、および、遮光層２０８ｂと薄膜トランジスタ１３のゲート電極８ａとを別個に形成する場合と異なり、ＴＦＴ基板側マーク２１４ａおよび遮光層２０８ｂを製造する際の製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００５５】
（応用例）
図１０〜図１２は、それぞれ、上記した本発明の液晶表示装置１００、および、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００ａおよび１００ｂを用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図１０〜図１２を参照して、本発明の液晶表示装置１００、および、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００ａおよび１００ｂを用いた電子機器について説明する。
【００５６】
本発明の液晶表示装置１００、および、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００ａおよび１００ｂは、図１０〜図１２に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）５００、第２の例としての携帯電話６００、および、第３の例としての情報携帯端末７００（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。
【００５７】
図１０の第１の例によるＰＣ５００においては、キーボードなどの入力部５１０および表示画面５２０などに本発明の液晶表示装置１００、および、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００ａおよび１００ｂを用いることが可能である。図１１の第２の例による携帯電話６００においては、表示画面６１０に本発明の液晶表示装置１００、および、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００ａおよび１００ｂが用いられる。図１２の第３の例による情報携帯端末７００においては、表示画面７１０に本発明の液晶表示装置１００、および、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００ａおよび１００ｂが用いられる。
【００５８】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５９】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、本発明の一例として、縦電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、縦電界モード以外に横電界モードの液晶表示装置を用いてもよい。
【００６０】
また、上記第１および第２実施形態では、本発明の第１測定部および第２測定部の一例として、それぞれ、ＴＦＴ基板側マークおよび対向基板側マークを適用する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、本発明の第１測定部および第２測定部にマーク以外の測定部を適用してもよい。
【００６１】
また、上記第１および第２実施形態では、遮光層を金属層から形成する例を示したが本発明はこれに限らない。たとえば、遮光層を樹脂などから形成してもよい。
【００６２】
また、上記第１実施形態では、遮光層をソース電極およびドレイン電極と同一の金属層から形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、遮光層をソース電極およびドレイン電極とは別個の金属層から形成してもよい。
【００６３】
また、上記第１実施形態では、ＴＦＴ基板側マークおよび測定用開口部に対応する領域に遮光層を形成し、上記第２実施形態では、遮光層を全面に形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ＴＦＴ基板側マークおよび対向基板側マークが形成されていない測定用開口部に対応する領域のみに遮光層を形成してもよい。なお、上記第１実施形態において、測定用開口部に対応する領域のみに遮光層を形成する場合には、ＴＦＴ基板側マーク８ｂの幅を対向基板側マーク２１ｂと対向基板側マーク２１ｂとの間の間隔と等しくするとともに、ＴＦＴ基板側マーク８ｂと対向基板側マーク２１ｂとを用いて貼り合わせずれを測定する。
【００６４】
また、第２実施形態では、遮光層をゲート電極と同一の金属層から形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、遮光層を樹脂などから形成してもよい。
【００６５】
また、第２実施形態では、ＴＦＴ基板側マークをソース電極およびドレイン電極と同一の金属層から形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ＴＦＴ基板側マークをソース電極およびドレイン電極とは別個の金属層から形成してもよい。
【００６６】
また、上記第１および第２実施形態では、対向基板側マークをブラックマトリクスと同一層から形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、対向基板側マークをブラックマトリクスとは別個の層から形成してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１  ＴＦＴ基板（素子基板）      ２  対向基板      ７  バックライト      ８ａ  ゲート電極      ８ｂ、２１４ａ  ＴＦＴ基板側マーク（第１測定部）（第１目盛り層）      ８ｃ  櫛歯部      ９  絶縁膜      １１  ソース電極  １２      ドレイン電極      １３  薄膜トランジスタ（トランジスタ素子）      １４ａ  遮光層      １４ｄ  櫛歯部      ２０  液晶層      ２１ａ  測定用開口部      ２１ｂ  対向基板側マーク（第２測定部）（第２目盛り層）      ２１ｃ  ブラックマトリクス      ２１ｄ  櫛歯部      １００、１００ａ、１００ｂ  液晶表示装置      ５００  ＰＣ（電子機器）      ６００  携帯電話（電子機器）      ７００  情報携帯端末（電子機器）
【図１】
0005502508.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005502508.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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