(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察対象である観察面を有する第１部品と、
前記観察面から距離をおいて設けられた第２部品と、
前記観察面に対向した前記第２部品の面上に、複数の金属粒子が前記第２部品の材料によって互いに離間して形成された金属粒子形成部と、
光を前記第１部品を介して前記観察面に照射する照射部と、
前記観察面を反射した前記光から、前記観察面上ないしその近傍の状態観察をする観察部と、
を備え、
前記第１部品および前記第２部品は、前記観察面と前記金属粒子形成部が前記光の電磁場内となるように、前記観察面および前記金属粒子形成部を保持するとともに、
前記光は、前記第１部品を通過した後前記観察面で全反射し、前記全反射した前記光は前記第１部品を通過した後、前記観察部に至ることを特徴とする観察装置。
【請求項２】
前記金属粒子形成部は、前記複数の金属粒子が、前記第２部品の材料中に一部表出するように埋め込まれることによって互いに離間して形成されていることを特徴とする請求項１記載の観察装置。
【請求項３】
前記観察部は、前記光のＰ偏光成分から前記状態観察をすることを特徴とする請求項１または２記載の観察装置。
【請求項４】
前記第１部品および前記第２部品は、前記観察面および前記金属粒子形成部を前記光のエバネッセント場内に保持することを特徴とする請求項３記載の観察装置。
【請求項５】
前記観察部は、前記観察面を反射した前記光の吸収スペクトルから前記観察面上ないしその近傍の状態観察をすることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の観察装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、観察装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノデバイスの開発においては、例えば、分子構造の０．１レーヤー程度の精度で、ナノデバイスの形成プロセス中の状況を観察しながら製作し、その観察情報を更なる高性能デバイスの開発プロセスにフィードバックするといったことが必要とされる。しかし、分子構造レベルの微細な構造の観察手段が乏しいため、開発の実態は、先ずナノデバイスを完成し、性能評価をして、それを次の完成品製作に反映しながらレベルアップを図るといった開発手段をとらざるを得ない。この結果、ナノデバイスの開発や、その製造工程の確立に多くの時間と費用を必要としている。
【０００３】
分子や分子構造の特定方法の一つとして、例えば、原子間の結合における熱振動を観察する方法がある。熱振動の周波数の値は、原子の結合構造の変化に敏感に反応して変わるため、熱振動の周波数が検出できれば分子構造の知見を得ることができる。
【０００４】
熱振動周波数の観察手段として、赤外線領域の吸収特性の測定や反射分光特性の測定、また可視光・紫外光で励起されたラマン散乱光の分光特性の測定などの方法が、従来から用いられてきた。また、電子線を観察手段と用いられるものに、ＥＥＬＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｅｎａｅｒｇｙ  Ｌｏｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；電子エネルギー損失分光法）が知られている。しかし、上記のいずれの方法も、検出感度の課題があり、１レーヤー以下のレベルの分子構造の検出を行うことは困難であった。
【０００５】
一方、ＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；走査型トンネル顕微鏡）のＩ−Ｖ特性を解析することで、ＥＥＬＳと同様な結果が、１個の分子に対しても知ることができるとの報告もある。この方法は、超高真空化と、熱雑音の発生と熱膨張を抑えるための極低温状態化が必要で、適用するには多くの制限がある。
【０００６】
これらと異なり、全反射プリズムの反射面下に試料および金属を配し、これに光を反射させて、金属に誘起されるプラズモン共鳴によって増強された光を用いて光吸収を測定するといった方法が提案されている。例えば、全反射プリズムの反射面下に網状金属を設け、この網状金属に接するように試料を配して、この試料での赤外吸収スペクトルを測定する方法、金属上に試料を配置し、かつ試料上方に空気を介し光学プリズムを配置する計測装置、また、光学プリズムの反射面に金属薄膜を形成し、金属薄膜下に試料を配置する測定装置などが提案されている。
【０００７】
他方、分子構造の研究に関連し、シリコン表面に付着する各種分子成分の分析に関連する報告として、例えば、シリコン表面を水素化する方法に関する報告や、そのような、シリコン表面上に付着した水素とシリコンの結合に起因する吸収波数特性を多重反射ＡＴＲ（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  Ｔｏｔａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ；減衰全反射）法で測定した報告などがなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−２２９８２９号公報
【特許文献２】特開平０６−２６５３３６号公報
【特許文献３】特開２００１−２１５６５号公報
【特許文献４】特開２００８−２０３１７２号公報
【特許文献５】特開２００９−８０１０９号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｂ．Ｃ．Ｓｔｉｐｅ，Ｍ．Ａ．Ｒｅｚａｅｉ  ａｎｄ  Ｗ．Ｈｏ；Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．２８０（１９９８），１７３２
【非特許文献２】Ｓ．Ｗａｔａｎａｂｅ；Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．１０８（１９９８）５９６５
【非特許文献３】Ｓ．Ｗａｔａｎａｂｅ，  Ｙ．Ｓｕｇｉｔａ；Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．３２７（１９９５）１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そのような従来のプラズモン共鳴による光吸収測定による観察方法では、例えば、１原子層以下の存在量を有する分子などの検出を行うことは容易ではない。また、例えば上記のような存在量の小さな分子等の試料を金属に接し、設けることも困難である。
【００１１】
そこで本発明の観察装置の課題は、より高い検出感度を有する観察装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の観察装置は、
観察対象である観察面を有する第１部品と、
前記観察面から距離をおいて設けられた第２部品と、
前記観察面に対向した前記第２部品の面上に、複数の金属粒子が前記第２部品の材料によって互いに離間して形成された金属粒子形成部と
光を、前記第１部品を介して前記観察面に照射する照射部と、
前記観察面を反射した前記光から、前記観察面上ないしその近傍の状態観察をする観察部と、
を備え、
前記第１部品および前記第２部品は、前記観察面と前記金属粒子形成部が前記光の電磁場内となるように、前記観察面および前記金属粒子形成部を保持することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の観察装置によって、基本的な観察装置に比べ、５〜７倍のより検出感度の高い観察装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】比較実施例を説明するための図
【図２】比較実施例によって測定した吸収特性を示す図
【図３】吸収特性を説明するための図
【図４】本発明の観察装置（その１）を説明するための図
【図５】本発明の観察装置（その１）と比較実施例によって測定した吸収特性を比較し、説明する図
【図６】本発明の観察装置（その２）を説明するための図
【図７】本発明の観察装置の物理作用を検討する図
【図８】本発明の観察装置を用いた観察装置システムを説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
【００１６】
本発明者は、先ず、比較実施例として、次に示すような、観察装置（これを、ここでは金属粒子型観察装置と呼称する）を検討した。
（比較実施例）
図１に、その金属粒子型観察装置の一部断面の模式図を示す。金属粒子型観察装置１００は、観察セル１０１、照射部１０２および観察部１０３を備えている。観察セル１０１は、第１部品１０４、互いに離間した複数の金属粒子１０５および第２部品１０６を備えている。第１部品１０４は観察面１０７を有し、光学プリズムである。観察面１０７において光１０８が全反射する観察面１０７が観察対象であり、そこで、観察面１０７の表面状態や観察面１０７に設置した試料の状態を観察するなど、観察面１０７上ないしその近傍の状態を観察可能とする。
【００１７】
照射部１０２では、観察に必要な波長や偏光の光を第１部品に照射し、観察部では、反射して来た光の強度などを測定する。
【００１８】
互いに離間した複数の粒子からなる金属粒子１０５は、第１部品１０４の観察面１０５に、距離Ｇおいて、相対して設けられた第２部品１０６の表面上に設けられる。金属粒子１０５は、例えば金（Ａｕ）であり、例えば、１００ｎｍ以下の直径を有する粒子が離散して配置される。
【００１９】
互いに離間した複数の金属粒子１０５は、光１０８が観察面１０７において全反射する際に、エバネッセント波が金属粒子１０５全体を含むように設けられる。すなわち、第１部品１０４と第２部品１０６の距離Ｇは、光１０８の波長以下である。従って、金属粒子１０５の大きさは、上記の様に、光１０８の波長以下のナノサイズである。照射部１０２は、第１部品１０４を介して観察面１０７に光１０８を照射し、観察部１０３は、観察面１０７で反射した光１０８から観察面１０７上ないしその近傍の状態を観察する。
【００２０】
このような構成の金属粒子型観察装置１００において、第１部品１０４および第２部品１０６は、観察面１０７およびナノサイズの互いに離間している金属粒子１０５が、光１０８のエバネッセント波の電磁波内になるように、観察面１０７および金属粒子１０５の距離Ｇを持続的に保持することにより、互いに離間している複数の金属粒子１０５において生じた局在（表面）プラズモンとエバネッセント波の電場とのカップリングが発生し、局在（表面）プラズモン共鳴（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍａ  Ｒｅｓｏｎａｎｓｅ；ＳＰＲ）が起き、プラズモンポラリトンが励起する。これにより、観察面１０７の状態（観察面上ないしその近傍の状態）に起因して、観察部１０３で観察される光１０８の吸収に関する波長依存性を測定すると、特定波数において吸収が増大する。このように、金属粒子１０５における局在（表面）プラズモンとエバネッセント波の電場のカップリングをより増大させることにより、観察面の状態観察感度を向上することができる。
【００２１】
図１に示した金属粒子型観察装置の構成により、測定を実施した。具体的には、第１部品１０４、第２部品１０６に、シリコン（Ｓｉ）を用い、観察面１０７はＳｉの（１１１）面を使用した。金属粒子１０５は金（Ａｕ）の微粒子を使用し、この金（Ａｕ）の微粒子は、成長速度を遅くした電子ビーム蒸着法で、個々の微粒子が互いに離間するように形成して、その個々の大きさは、数１０ｎｍ以下であった。照射部１０２からの光１０８は、分光された赤外光を用い、全反射光を観察部１０３の検出器で受光した。
【００２２】
第１部品１０４の観察面１０７と、第２部品の金属粒子１０５が形成された面との距離Ｇの制御は、第１部品１０４と第２部品１０６を外側から圧力Ｐｒを、図示しない、万力でトルクを加える方式を用い、この圧力Ｐｒの変化で距離Ｇを変化させた。
【００２３】
観察対象として、第１部品１０４のシリコン（Ｓｉ）の観察面１０７の（１１１）表面に、水素（Ｈ）を付加させた状態のものを用いた。
【００２４】
図２に、その測定結果を示す。図２の横軸は波数（Ｗａｖｅｎｕｍｂｅｒ）で、縦軸は
万力にトルクを加えたときの状態での出力光強度（Ｒ）を、万力にトルクを加えない状態、つまり距離Ｇが十分離れているときでの出力光強度（Ｒ０）で規格化した値を示す。実線はＰ偏光（Ｐ−ｐｏｌ．）の光を示し、点線はＳ偏光（Ｓ−ｐｏｌ．）の光を示す。図１において、光１０８の進行方向の垂直で、観察面１０７に対し交差する方向の偏光がＰ偏光で、光１０８の進行方向に垂直で、観察面１０７に対し平行な方向の偏光がＳ偏光である。
【００２５】
図２から解るように、Ｓ偏光では信号は観察されないが、Ｐ偏光では約２０８０ｃｍ−１付近において吸収信号Ｍが、また約２２５０ｃｍ−１付近において吸収信号ＭＯ３が観察された。
【００２６】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、分子の構造を模式的に示した図である。吸収信号Ｍは、先に本発明者が報告している、多重反射ＡＴＲ法によって検出され信号と同じ波数である。これにより、吸収信号Ｍは、図３（ａ）に示すように、シリコン結晶１１０の（１１１）面のテラスを構成するシリコン原子１１１に、（１１１）面に垂直に結合した水素原子１１２の（１１１）面に垂直な熱振動に対応した信号と考えられる。
【００２７】
吸収信号ＭＯ３は、図３（ｂ）に示すように、シリコン結晶１１０の（１１１）面より飛び出したシリコン原子１１１に、（１１１）面に垂直に水素原子１１２が結合し、シリコン原子１１１とシリコン結晶１１０との間に３つの酸素原子１１３が結合した構造において、水素原子１１２の（１１１）面に垂直な熱振動に対応した信号と考えられる。なお、吸収信号ＭＯ３は、多重反射ＡＴＲ法では観察されない。
【００２８】
このように、観察面１０７を反射した光１０８の吸収スペクトルから、観察面１０７の状態（この場合は、シリコンに付着した水素の状態）を観察することができる。Ｐ偏光の光によって観察面１０７の状態が観察できたということは、Ｐ偏光の光は観察面１０７と金属粒子１０５の配置方向に偏光した光を含んでいるため、観察面１０７に垂直な方向に分極したプラズモンポラリトンが励起され、観察面１０７に垂直な方向の動的分極（ｄｙｎａｍｉｃ  ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）を有する構造が電場増強される。よって、観察面１０７に垂直な方向の構造分子の熱振動を効率的に観察することができる。他方Ｓ偏光の光では電場増強が無いため、吸収スペクトルが現れて来ない。
（実施例その１）
本発明者は、上記の比較実施例より更なる検出感度の向上を目指して検討を進めた。
【００２９】
図４、本発明の観察装置（その１）の、一部断面の模式図を示す。本発明の観察装置（その１）２００は、基本的な構成は、図１に示した金属粒子型観察装置１００と同様であるが、第１部品１０４の観察面１０７と距離Ｇを隔てて相対する、第２部品１０６の面に形成された、複数の粒子からなる混成金属粒子２０１と、これを含む本発明の観察セル（その１）２０２の個所が異なる。
【００３０】
観察装置（その１）２００の実施構成は、第１部品１０４、第２部品１０６に、シリコン（Ｓｉ）を用い、観察面１０７はＳｉの（１１１）面を使用した。第１部品１０４の観察面１０７に相対する、第２部品１０６の表面に混成金属粒子２０１が形成される。
【００３１】
混成金属粒子２０１の拡大図（ａ）、（ｂ）を、図４の左下に示す。混成金属粒子２０１の形成は、先ず、第２部品１０６と同じ材料のシリコン（Ｓｉ）を、成長速度を遅くした電子ビーム蒸着法で形成して、その個々の大きさが数１０ｎｍ以下であるのシリコン（Ｓｉ）微粒子２０４を付着させ、次に、成長速度を遅くした電子ビーム蒸着法で形成して、その個々の大きさが数１０ｎｍ以下である金（Ａｕ）微粒子２０３を、シリコン（Ｓｉ）微粒子２０４付着面上に付着させた。このとき、金（Ａｕ）微粒子２０３はシリコン（Ｓｉ）微粒子２０４で互いに離間されるようにし、例えば、拡大図（ａ）の様に、シリコン（Ｓｉ）微粒子２０４の隙間のシリコン表面へ挟まるように金（Ａｕ）微粒子２０３が付着するのが好ましい。また拡大図（ｂ）の様に、シリコン表面上のシリコン（Ｓｉ）微粒子２０４の隙間や一部積層したシリコン（Ｓｉ）微粒子２０４上へ挟まるように金（Ａｕ）微粒子２０３が形成される状態などが混在した場合でも、金（Ａｕ）微粒子２０３がシリコン（Ｓｉ）微粒子２０４で互いに離間されるようになっていることが好ましい。
【００３２】
こうして形成した、本発明の観察装置（その１）で、比較実施例において述べたものと同様に、観察対象として、シリコン（Ｓｉ）の観察面１０７の（１１１）表面に、水素（Ｈ）を付加させた状態のものを用いて、光吸収スペクトル特性を観察した。
【００３３】
図５に、その本発明の観測装置（その１）＜混成金属粒子使用＞での観測結果と、比較実施例での金属粒子型観測装置での観測結果とを同時に示した。図５において、横軸は波数で、縦軸は、万力にトルクを加えたときの状態での出力光強度（Ｒ）を、万力にトルクを加えない状態での出力光強度（Ｒ０）で規格化した値を用いて、−ｌｏｇ（Ｒ／Ｒ０）を用いている。このときの光はＰ偏光したものを入射している。図中太線Ａは、本発明の
観測装置（その１）＜混成金属粒子使用＞によるもので、細線Ｂは、比較実施例での金属粒子型観測装置＜金属粒子使用＞によるものである。
【００３４】
図５に示されているように、両線のベースラインがほぼ一致しており、これは、第１部品と第２部品間に圧力をかけ、距離Ｇが光波長レベルになるようにして状態観測をしたとき、両観測装置の観測面と金属粒子形成面との距離Ｇが略一致した状態で観測が行われていることを示している。その状況下で比較した結果は、同じ波長帯で、ＭおよびＭＯ３が観察されるが、太線Ａのほうが５〜７倍ピークが高い。即ち、本発明の観測装置（その１）＜混成金属粒子使用＞によるもののほうが、検出感度が向上していることが解る。
【００３５】
こうした本発明の観察装置における検出感度の向上の効果は、第２部品の材料および同時に混成金属粒子を形成する材料として、上記のシリコン（Ｓｉ）のほかに、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、臭化カリウム（ＫＢｒ）などを適用することが可能である。また、混成金属粒子における金属としては、上記の金（Ａｕ）以外に白金（Ｐｔ）も適用できる。
【００３６】
本発明の観察装置の検出感度の向上は、図５のような第２部品の材料の微粒子と金属微粒子で混成金属粒子を作って行う方法以外に、第２部品中に離散して金属粒子を半ば埋め込み、金属粒子が一部露出しつつ第２部品の材料中に存在するようにしても良い。
（実施例その２）
図６に、そうした、本発明の観察装置（その２）３００の、一部断面の模式図を示す。本発明の観察装置（その２）３００は、基本的な構成は、図１で示した金属粒子型観察装置１００および本発明の観察装置（その１）２００と同様であるが、第１部品１０４の観察面１０７と距離Ｇを隔てて相対する、第２部品１０６の面に形成された、複数の粒子からなる、埋め込み金属粒子３０１と、これを含む本発明の観察セル（その２）３０２の個所が異なる。
【００３７】
本発明の観察装置（その２）３００の実施構成は、第１部品１０４、第２部品１０６に、シリコン（Ｓｉ）を用い、観察面１０７はＳｉの（１１１）面を使用した。第１部品１０４の観察面１０７に相対する、第２部品１０６の表面に埋め込み金属粒子３０１が形成される。
【００３８】
埋め込み金属粒子３０１の拡大図（ａ）、（ｂ）を図６の左下に示す。埋め込み金属粒子３０１の形成は、例えば、拡大図（ａ）の様に、第２部品１０６の表面を、ウエットあるいはドライエッチングなどの手法で作成された離間する多数の微小半球形の開口部に、埋め込み用金属粒子３０３を埋め込む手法や、拡大図（ｂ）の様に、第２部品１０６の表面に間隔を空けた複数のＶ溝３０４を形成し、その中に離間して埋め込み用金属粒子３０３をはめ込む手法などが適用可能である。
【００３９】
観察装置（その２）３００においても、観察装置（その１）３００と同様に、複数の金属粒子が第２部品の材料によって互いに離間して形成された構成をとることで、図５で示したのと同様な、高い検出感度を有する観察装置を実現することができる。
【００４０】
図７は、本発明の観察装置が、比較実施例のそれに比べ、検出感度の向上が見られる現象を検討するための図である。図７（ａ）は、比較実施例の場合で、金属粒子１０５は第２部品１０６の表面上に接して形成されていて、観察面１０７からのエバネッセント波と金属粒子中に局在するプラズモンと結合して共鳴する過程において、垂直方向の結合度合い係数ＲＶと水平方向の結合度合い係数Ｒｈとがほほ同等になっているとみられる。上記共鳴強度即ち吸収スペクトル検出感度は垂直方向結合のみの効果である。
【００４１】
図７（ｂ−１）は、本発明の観察装置（その１）２００の混成金属粒子２０１の部分拡大図であり、図７（ｂ−２）は、本発明の観察装置（その２）３００の埋め込み金属粒子３０１の部分拡大図である。金属粒子２０３、２０４それぞれに隣接するものは、第２部品の材料の粒子２０４あるいは第２部品１０６そのものである。その結果、垂直方向の結合度合い係数ＲＶのほうが水平方向のそれに比し、より増大するといった効果が生じ、共鳴強度即ち吸収スペクトル検出感度は垂直方向のみの効果であることと相俟って、検出感度の大幅向上がなされたものと考えることができよう。
（実施例・観察装置システム）
図８に、本発明の観察装置（その１）あるいは観察装置（その２）を用い、自動的ないしは効率的に、微細な分子構造などの状態観察を、局在プラズモン共鳴の吸収スペクトルを通して、高感度に観察可能な観察装置システム４００の構成を示す。
【００４２】
観察装置システム４００は、大別して、例えば、観察セル（その１）２０２を用いた本発明の観察装置（その１）（または本発明の観察装置（その２））、システム全体と個別装置とを制御する制御装置４０１、光の分光検出関係を行う赤外分光装置４０２、および第１部品１０４と第２部品１０６間の距離Ｇを、例えば万力などで圧力Ｐｒを加えて制御する距離制御装置４０３からなる。赤外分光装置４０２は赤外光源４０４から得た光を分光器４０５で分波し、かつ偏光制御装置４０６で偏光した光１０８を本発明の観察装置に入射させる。観察面１０７で全反射した光を検出器４０７で受けることで、任意の波長の任意の偏光波の検出器到達光強度を測定できる。こうして、制御装置でシステム全体を制御し、距離制御装置を制御して、例えば、圧力無し、即ち万力強度０、よって距離Ｇが波長レベルより離れている状態の検出光強度Ｒ０と、圧力をかけ距離Ｇが波長レベル以下の、共鳴が生じている状態の検出光強度Ｒを得れば、先に図５に示したデータを得ることができ、その吸収波長から観察面１０７上ないし近傍の状態を観察することができる。
【００４３】
なお、図８に示した赤外分光装置４０２は、回折格子を用いた分散型赤外分光装置をイメージした構成を示してが、この赤外分光装置４０２として、レーザ光による波数モニタ、移動鏡をもつ干渉計およびコンピュータ処理部を有するフーリエ変換型赤外分光装置についても適用可能であることは言うまでも無い。
【００４４】
以上の実施例を含む実施の形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
観察対象である観察面を有する第１部品と、
前記観察面から距離をおいて設けられた第２部品と、
前記観察面に対向した前記第２部品の面上に、複数の金属粒子が前記第２部品の材料によって互いに離間して形成された金属粒子形成部と
光を、前記第１部品を介して前記観察面に照射する照射部と、
前記観察面を反射した前記光から、前記観察面上ないしその近傍の状態観察をする観察部と、
を備え、
前記第１部品および前記第２部品は、前記観察面と前記金属粒子形成部が前記光の電磁場内となるように、前記観察面および前記金属粒子形成部を保持することを特徴とする観察装置。
（付記２）
前記金属粒子形成部は、前記複数の金属粒子が、前記第２部品の材料中に一部表出するように埋め込まれることによって互いに離間して形成されていることを特徴とする付記１記載の観察装置。
（付記３）
前記観察部は、前記光のうち前記観察面と前記金属粒子形成部との配置方向に偏光した光から前記状態観察をすることを特徴とする付記１または２記載の観察装置。
（付記４）
前記光は、前記第１部品を通過した後前記観察面で全反射し、前記全反射した前記光は前記第１部品を通過した後、前記観察部に至ることを特徴とする付記１または２記載の観察装置。
（付記５）
前記第１部品および前記第２部品は、前記観察面および前記金属粒子形成部を前記光のエバネッセント場内に保持することを特徴とする付記４記載の観察装置。
（付記６）
前記観察部は、前記観察面を反射した前記光の吸収スペクトルから前記観察面上ないしその近傍の状態観察をすることを特徴とする付記１ないし５のいずれかに記載の観察装置。
（付記７）
前記金属粒子は、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）であることを特徴とする付記１ないし６のいずれかに記載の観察装置。
（付記８）
前記第１部品の材料は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、臭化カリウム（ＫＢｒ）のうちの１つであることを特徴とする付記１ないし７のいずれかに記載の観察装置。
【符号の説明】
【００４５】
１００  金属粒子型観察装置
１０１  観察セル
１０２  照射部
１０３  観察部
１０４  第１部品
１０５  金属粒子
１０６  第２部品
１０７  観察面
１０８  光
１１０  シリコン結晶
１１１  シリコン原子
１１２  水素原子
１１３  酸素原子
２００  本発明の観察装置（その１）
２０１  混成金属粒子
２０２  本発明の観測セル（その１）
３００  本発明の観察装置（その２）
３０１  埋め込み金属粒子
３０２  本発明の観測セル（その２）
３０３  埋め込み用金属粒子
３０４  Ｖ溝
４００  観察装置システム
４０１  制御装置
４０２  赤外分光装置
４０３  距離制御装置
４０４  赤外光源
４０５  分光器
４０６  偏光制御装置
４０７  検出器
【図１】
0005626066.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図７】
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