(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ（ｍは自然数）列で各列複数個のマイクロレンズが配置されたマイクロレンズアレイと、各マイクロレンズに対応する開口部を有するマスクと、レーザ光の発生源と、この発生源からのレーザ光を前記マスク及びマイクロレンズに導く導光部と、前記マスク及びマイクロレンズを含むレーザ光の照射系と基板とを相対的に前記マイクロレンズの列に垂直の方向に移動させる駆動手段とを有するレーザ光の照射装置を使用し、
前記ｍ列のマイクロレンズは、ｎ（ｎは自然数、ｎ＜ｍ）列毎に群をなし、各群の中で、マイクロレンズは同一のピッチＰで配列され、各群の相互間で、マイクロレンズはＰ＋Ｐ／ｎで離隔しており、第１工程で、前記基板上のアモルファスシリコン膜にｎ列分のマイクロレンズから１回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、第２工程で、前記レーザ光の照射系と前記基板とが相対的にｎ×Ｐだけ移動した時点で、前記基板上のアモルファスシリコン膜に２×ｎ列分のマイクロレンズから２回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、以後同様にして、複数回のレーザ光の照射を行い、Ｐ／ｎピッチでレーザアニール領域を形成することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】
ｍ（ｍは自然数）列で各列複数個のマイクロレンズが配置されたマイクロレンズアレイと、各マイクロレンズに対応する開口部を有するマスクと、レーザ光の発生源と、この発生源からのレーザ光を前記マスク及びマイクロレンズに導く導光部と、前記マスク及びマイクロレンズを含むレーザ光の照射系と基板とを相対的に前記マイクロレンズの列に垂直の方向に移動させる駆動手段と、前記駆動手段の動作と前記発生源の動作を制御する制御装置とを有し、
前記ｍ列のマイクロレンズは、ｎ（ｎは自然数、ｎ＜ｍ）列毎に群をなし、各群の中で、マイクロレンズは同一のピッチＰで配列され、各群の相互間で、マイクロレンズはＰ＋Ｐ／ｎで離隔しており、
前記制御装置は、第１工程で、前記基板上のアモルファスシリコン膜にｎ列分のマイクロレンズから１回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、第２工程で、前記レーザ光の照射系と前記基板とが相対的にｎ×Ｐだけ移動した時点で、前記基板上のアモルファスシリコン膜に２×ｎ列分のマイクロレンズから２回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、以後同様にして、複数回のレーザ光の照射を行い、Ｐ／ｎピッチでレーザアニール領域を形成するように、前記駆動手段及び前記発生源を制御することを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項３】
レーザ光の照射装置に使用され、ｍ（ｍは自然数）列で各列複数個のマイクロレンズが配置されたマイクロレンズアレイにおいて、
前記ｍ列のマイクロレンズは、ｎ（ｎは自然数、ｎ＜ｍ）列毎に群をなし、各群の中で、マイクロレンズは同一のピッチＰで配列され、各群の相互間で、マイクロレンズはＰ＋Ｐ／ｎで離隔していることを特徴とするマイクロレンズアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ液晶パネル等において、アモルファスシリコン膜をレーザ光の照射によりアニールして低温ポリシリコン膜を形成するレーザアニール方法、装置及びそれに使用するマイクロレンズアレイに関し、特に、マイクロレンズアレイを使用して、薄膜トランジスタを形成すべき領域のみをアニールすることができるレーザアニール方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルにおいては、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜に対して、基板の一端から、線状のビーム形状を有するレーザ光を、前記ビームの長手方向に垂直の方向に走査することにより、低温ポリシリコン膜を形成している。この線状のレーザ光の走査により、アモルファスシリコン膜がレーザ光により加熱されて一旦溶融し、その後、レーザ光の通過により溶融シリコンが急冷され、凝固することにより結晶化して、低温ポリシリコン膜が形成される（特許文献１）。
【０００３】
しかし、この低温ポリシリコン膜の形成方法においては、アモルファスシリコン膜の全体がレーザ光の照射を受けて高温になり、アモルファスシリコン膜の溶融凝固により全体が低温ポリシリコン膜となる。このため、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）を形成すべき領域以外の領域もアニールされるため、処理効率が悪いという問題点がある。
【０００４】
そこで、マイクロレンズアレイを使用し、各マイクロレンズにより、アモルファスシリコン膜上で、微小な複数個の領域にレーザ光を集光させ、各トランジスタに対応する微小領域に、同時に個別的にレーザ光を照射してアニールする方法が提案されている（特許文献２）。この方法では、複数個のＴＦＴ形成予定領域のアモルファスシリコン膜のみをアニール処理するため、レーザ光の利用効率が高くなるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３９４５８０５号公報
【特許文献２】特開２００４−３１１９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この従来のマイクロレンズアレイを使用したレーザアニール方法においては、マイクロレンズアレイの配列ピッチが固定されているため、それに合わせたピッチでＴＦＴ形成領域を設けるか、又はＴＦＴ形成予定領域の位置に合わせたピッチで、マイクロレンズアレイを組み立てる必要があり、汎用性が低いという問題点がある。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、アモルファスシリコン膜におけるトランジスタ形成予定領域のピッチと異なる大きなピッチでマイクロレンズアレイを構成することができ、また、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも小さいピッチでアモルファスシリコン膜にレーザアニールによる微小ポリシリコン膜領域を形成することができるレーザアニール方法、装置及びマイクロレンズアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るレーザアニール方法は、ｍ（ｍは自然数）列で各列複数個のマイクロレンズが配置されたマイクロレンズアレイと、各マイクロレンズに対応する開口部を有するマスクと、レーザ光の発生源と、この発生源からのレーザ光を前記マスク及びマイクロレンズに導く導光部と、前記マスク及びマイクロレンズを含むレーザ光の照射系と基板とを相対的に前記マイクロレンズの列に垂直の方向に移動させる駆動手段とを有するレーザ光の照射装置を使用し、
前記ｍ列のマイクロレンズは、ｎ（ｎは自然数、ｎ＜ｍ）列毎に群をなし、各群の中で、マイクロレンズは同一のピッチＰで配列され、各群の相互間で、マイクロレンズはＰ＋Ｐ／ｎで離隔しており、第１工程で、前記基板上のアモルファスシリコン膜にｎ列分のマイクロレンズから１回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、第２工程で、前記レーザ光の照射系と前記基板とが相対的にｎ×Ｐだけ移動した時点で、前記基板上のアモルファスシリコン膜に２×ｎ列分のマイクロレンズから２回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、以後同様にして、複数回のレーザ光の照射を行い、Ｐ／ｎピッチでレーザアニール領域を形成することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るレーザアニール装置は、ｍ（ｍは自然数）列で各列複数個のマイクロレンズが配置されたマイクロレンズアレイと、各マイクロレンズに対応する開口部を有するマスクと、レーザ光の発生源と、この発生源からのレーザ光を前記マスク及びマイクロレンズに導く導光部と、前記マスク及びマイクロレンズを含むレーザ光の照射系と基板とを相対的に前記マイクロレンズの列に垂直の方向に移動させる駆動手段と、前記駆動手段の動作と前記発生源の動作を制御する制御装置とを有し、
前記ｍ列のマイクロレンズは、ｎ（ｎは自然数、ｎ＜ｍ）列毎に群をなし、各群の中で、マイクロレンズは同一のピッチＰで配列され、各群の相互間で、マイクロレンズはＰ＋Ｐ／ｎで離隔しており、
前記制御装置は、第１工程で、前記基板上のアモルファスシリコン膜にｎ列分のマイクロレンズから１回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、第２工程で、前記レーザ光の照射系と前記基板とが相対的にｎ×Ｐだけ移動した時点で、前記基板上のアモルファスシリコン膜に２×ｎ列分のマイクロレンズから２回目のレーザ光を照射してレーザアニールを行い、以後同様にして、複数回のレーザ光の照射を行い、Ｐ／ｎピッチでレーザアニール領域を形成するように、前記駆動手段及び前記発生源を制御することを特徴とする。
【００１０】
更に、本発明に係るマイクロレンズアレイは、レーザ光の照射装置に使用され、ｍ（ｍは自然数）列で各列複数個のマイクロレンズが配置されたマイクロレンズアレイにおいて、前記ｍ列のマイクロレンズは、ｎ（ｎは自然数、ｎ＜ｍ）列毎に群をなし、各群の中で、マイクロレンズは同一のピッチＰで配列され、各群の相互間で、マイクロレンズはＰ＋Ｐ／ｎで離隔していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、群の最後列のマイクロレンズと最初列のマイクロレンズとの間に、Ｐ＋Ｐ／ｎの間隔があいているので、レーザ光の照射系と基板とを相対的に移動させ、移動距離がｎ×Ｐになった時点で、レーザ光を照射していくと、マイクロレンズアレイのピッチＰの間に（ｎ−１）列のレーザ光照射領域を設けることができる。即ち、マイクロレンズの各群の配列ピッチがＰの中に、ｎ列の照射領域を設けることができ、照射領域の配列ピッチを微細にすることができる。これにより、アモルファスシリコン膜におけるトランジスタ形成予定領域のピッチと異なる大きなピッチでマイクロレンズアレイを構成することができ、また、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも小さいピッチでアモルファスシリコン膜にレーザアニールによる微小ポリシリコン膜領域を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】レーザ照射装置を示す図である。
【図２】レーザ照射領域の推移を示す模式図である。
【図３】上図は、マイクロレンズによりアモルファスシリコン膜上でレーザ光が集光された領域１０（アニールを受けた領域）とマイクロレンズ５の平面的配置とを示し、下図は、ガラス基板上に照射されるレーザ光を示す正面図である。
【図４】図３の次の工程を示す図である。
【図５】図４の次の工程を示す図である。
【図６】図５の次の工程を示す図である。
【図７】図６の次の工程を示す図である。
【図８】図７の次の工程を示す図である。
【図９】図８の次の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好適実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、マイクロレンズ５を使用したレーザ照射装置を示す図である。図１に示すレーザ照射装置は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタのような半導体装置の製造工程において、例えば、そのチャネル領域形成予定領域のみにレーザ光を照射してアニールし、このチャネル領域形成予定領域を多結晶化して、ポリシリコン膜を形成するための装置である。このマイクロレンズ５を使用したレーザアニール装置は、光源１から出射されたレーザ光を、レンズ群２により平行ビームに整形し、多数のマイクロレンズ５からなるマイクロレンズアレイを介して被照射体６に照射する。レーザ光源１は、例えば、波長が３０８ｎｍ又は３５３ｎｍのレーザ光を例えば５０Ｈｚの繰り返し周期で放射するエキシマレーザである。マイクロレンズアレイは、透明基板４に多数のマイクロレンズ５が配置されたものであり、レーザ光を被照射体６としての薄膜トランジスタ基板に設定された薄膜トランジスタ形成予定領域に集光させるものである。透明基板４は被照射体６に平行に配置され、マイクロレンズ５は、トランジスタ形成予定領域の配列ピッチの２以上の整数倍（例えば２）のピッチで配置されている。本実施形態の被照射体６は、例えば、薄膜トランジスタであり、そのａ−Ｓｉ膜のチャネル領域形成予定領域にレーザ光を照射して、ポリシリコンチャネル領域を形成する。マイクロレンズ5の上方には、マイクロレンズ５により、チャネル形成予定領域のみにレーザ光を照射するためのマスク３が配置されており、このマスク３により、被照射体６においてチャネル領域が画定される。
【００１４】
例えば、液晶表示装置の周辺回路として、画素の駆動トランジスタを形成する場合、ガラス基板上にＡｌ等の金属膜からなるゲート電極を、スパッタによりパターン形成する。そして、シラン及びＨ２ガスを原料ガスとし、２５０〜３００℃の低温プラズマＣＶＤ法により、全面にＳｉＮ膜からなるゲート絶縁膜を形成する。その後、ゲート絶縁膜上に、例えば、プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成する。このａ−Ｓｉ：Ｈ膜はシランとＨ２ガスを混合したガスを原料ガスとして成膜する。このａ−Ｓｉ：Ｈ膜のゲート電極上の領域をチャネル形成予定領域として、各チャネル領域に１個のマイクロレンズ５を配置して、このチャネル形成予定領域のみにレーザ光を照射してアニールし、このチャネル形成予定領域を多結晶化してポリシリコンチャネル領域を形成する。なお、マイクロレンズ５は１列ではなく、複数列に配置されており、図２乃至図９の本実施形態では、３列が３群設けられて、計９列のマイクロレンズが配置されている。
【００１５】
図２は、マイクロレンズ５の配置と、レーザ光の照射領域とを示す平面図である。図３乃至図９は、それらの上図で、マイクロレンズによりアモルファスシリコン膜上でレーザ光が集光された領域１０（アニールを受けた領域）とマイクロレンズ５の平面的配置とを示し、それらの下図は、ガラス基板上に照射されるレーザ光を示す正面図である。マイクロレンズ５の上方に例えばアルミニウム製のマスク３が配置され、マスク３の上方にレーザ光を遮光する遮光板７が配置されている。図２に示すように、マイクロレンズ５は、第１群１１、第２群１２及び第３群１３の各群３列の計９列に配置されている。第１群１１、第２群１２、第３群１３の各群の中では、マイクロレンズ５は一定のピッチＰで配置されている。そして、第１群１１と第２群１２との間のマイクロレンズの相互間と、第２群１２と第３群１３との間のマイクロレンズの相互間とは、いずれも、Ｐ＋１／３Ｐの間隔で離隔している。
【００１６】
ガラス基板２０上の全面にはゲート層２１が形成され、更にゲート層２１上にはアモルファスシリコン層２２が形成されている。また、図３に示す初期段階で、マスク３、マイクロレンズ５及び遮光板７は、ガラス基板２０の上方域よりも手前に配置されている。
【００１７】
そして、遮光板７、マスク３及びマイクロレンズ５を固定した状態で、ガラス基板２０を図中、右方に移動させる。この基板の移動態様は、マイクロレンズの配列ピッチＰの３倍の距離だけ移動した後、レーザ光を照射し、更に、ピッチＰの３倍の距離だけ、基板が移動した後、レーザ光を照射するというものである。
【００１８】
次に、上述のごとく構成されたレーザ照射装置により本実施形態のレーザアニール方法を実施する場合の動作について説明する。なお、以下の動作は、マスク及びマイクロレンズを含むレーザ光の照射系と基板とを相対的に前記マイクロレンズの列に垂直の方向に移動させる駆動手段と、レーザ光の発生源との動作を制御する制御装置により制御される。図３に示すように、マスク３は、その開口部が透明基板４上の各マイクロレンズ５に対応するようにして、マイクロレンズ５との位置関係が一定の状態で保持されている。遮光板７は先端側の（基板２０側の）３列分のマイクロレンズ５の上方の領域を除いて、その他のマイクロレンズ５の上方を覆い、レーザ光を遮光している。
【００１９】
そして、図４に示すように、ガラス基板２０を図中右方へ移動させる。そうすると、ガラス基板２０の位置が、ピッチＰの３倍の距離だけ移動した時点で、マイクロレンズ５及びマスク３の下方にマイクロレンズ５の３列分の幅だけ入り込む。そして、この時点で、レーザ光３０を１ショット照射する。そうすると、アモルファスシリコン膜２２においては、ピッチＰの３列分のマイクロレンズ５により集光された領域１０がレーザ光により加熱されて昇温し、溶融凝固して、この領域１０が結晶化する。これにより、この３列分の領域１０がポリシリコン膜となる。３列分のマイクロレンズ５以外のマイクロレンズ５には、遮光板７により遮光されてレーザ光は照射されない。
【００２０】
次に、図５に示すように、ガラス基板２０が更に移動して、ピッチＰの３倍の距離移動した時点で、即ち、移動開始後、６Ｐの距離だけ移動した時点で、レーザ光を１ショット照射する。そうすると、第１群１１のマイクロレンズ５と第２群１２のマイクロレンズ５とにより集光された領域１０で、レーザアニールが実施される。これにより、図４の工程でレーザ光が照射された第１群１１の領域１０に加えて、図５の工程で、第１群と第２群のマイクロレンズ５によりレーザ光が照射された領域１０がレーザアニールを実施されたことになる。そして、第１群と第２群とは、Ｐ＋１／３Ｐだけ距離が離れているので、図５の工程が終了すると、図５及び図２に示すように、ガラス基板２０の先端部の約３列分の部分（約３Ｐの幅の部分）において、第１回目のショットの第１群のマイクロレンズ５により形成されたレーザアニール領域１０と、第２回目のショットの第２群のマイクロレンズ５により形成されたレーザアニール領域１０とは１／３Ｐだけずれる。つまり、ピッチＰで配列された領域１０の中に、３列だけ、第１回目のショットで形成された領域１０に対し１／３Ｐで隣接する領域１０が形成される。
【００２１】
次いで、図６に示すように、ガラス基板２０が、移動開始後、９Ｐだけ移動した時点で、第３回目のレーザ光のショットを行う。そうすると、第１群１１、第２群１２及び第３群１３のマイクロレンズの全てのマイクロレンズを介してレーザ光がアモルファスシリコン膜２２に集光されて照射される。これにより、ガラス基板２０の先端部の約３Ｐの幅の部分においては、第１回目の第１群のレーザ光のショットと、第２回目の第２群のレーザ光のショットと、第３回目の第３群のレーザ光のショットとが１／３Ｐずつずれて照射され、１／３Ｐピッチで３列×３の合計９列のレーザアニール領域１０が形成される。ガラス基板２０の先端から、約３Ｐ離れた位置から約６Ｐ離れた位置までの３Ｐ分の部分においては、第２回目の第１群のマイクロレンズによるショットと第３回目の第２群のマイクロレンズによりショットとの結果、合計６列のレーザアニール領域１０が形成される。
【００２２】
次いで、図７に示すように、ガラス基板２０が更に３Ｐの距離だけ移動した時点で、更に、１ショットレーザ光を照射する。そうすると、ガラス基板２０は、マイクロレンズ５及びマスク３の下方の部分から、約３Ｐの幅だけ、前方に進出し、この約３Ｐの部分を除いたアモルファスシリコン膜２２の部分が、レーザ光の照射を受ける。この工程においても、第１群１１、第２群１２及び第３群１３の全てのマイクロレンズ５から、レーザ光がアモルファスシリコン膜２２上に集光されて、各領域１０にてレーザアニールを受ける。これにより、ガラス基板２０の先端から約６Ｐの幅の部分については、１８列のレーザアニール領域１０が１／３Ｐピッチで並び、更に、約３Ｐだけ後方の部分については、１／３Ｐのピッチと２／３Ｐのピッチで６列の領域１０が並び、更に、約３Ｐだけ後方の部分では、Ｐのピッチで３列の領域１０が並ぶ。
【００２３】
以後、同様にして、ガラス基板１０が３Ｐだけ移動した時点で、レーザ光が１ショット打たれ、第１群１１から第３群１３までの全てのマイクロレンズ５を使用して、レーザアニールが繰り返されていく。これにより、図８及び図９に示すように、１／３Ｐでレーザアニール領域１０が並ぶ領域が拡大されていく。
【００２４】
最後に、ガラス基板の後端部においては、マイクロレンズ５及びマスク３の先端側の部分が３列づつ、他の遮光板によりレーザ光を遮光することにより、レーザ光の照射を停止していく。図中、最も左側の３列のマイクロレンズ５からのレーザ光の照射が停止された後、次の３列のマイクロレンズ５からのレーザ光の照射が停止され、その後、ガラス基板２０が３Ｐだけ移動して、最後のレーザ光のショットが行われると、アモルファス膜の全ての領域でレーザアニールが終了する。
【００２５】
以上のようにして、マイクロレンズ５の配列ピッチはＰであるにも拘わらず、ガラス基板２０上には、配列ピッチが１／３Ｐのポリシリコン領域１０が形成される。これにより、マイクロレンズ５の配列ピッチよりも微細なピッチでポリシリコンの微細な領域を形成することができる。また、各群に属するピッチが同一のマイクロレンズの列の数を、適宜設定し、各群の間の間隔を、（Ｐ＋Ｐ／ｎ）にすることにより、レーザアニール領域１０、即ち、微細なポリシリコン領域１０の形成ピッチを、マイクロレンズ５のピッチに拘わらず、任意（Ｐ／ｎ）に設定することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明によれば、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも更に細かいピッチで微小なレーザアニール領域を形成することができるので、半導体装置の微小化が可能になると共に、マイクロレンズアレイの製造が容易になり、極めて有用である。
【符号の説明】
【００２７】
１：レーザ光源
２：レンズ群
３：マスク
４：透明基板
５：マイクロレンズ
６：被照射体
７：遮光板
１１：第１群（のマイクロレンズ）
１２：第２群（のマイクロレンズ）
１３：第３群（のマイクロレンズ）
２０：ガラス基板
２１：ゲート層
２２：アモルファスシリコン膜
【図１】
0005495043.tif 000002
【図２】
0005495043.tif 000003
【図３】
0005495043.tif 000004
【図４】
0005495043.tif 000005
【図５】
0005495043.tif 000006
【図６】
0005495043.tif 000007
【図７】
0005495043.tif 000008
【図８】
0005495043.tif 000009
【図９】
0005495043.tif 000010