(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された基板上に実装される電子部品を封止するための封止用樹脂フィルムであって、
６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０7Ｐａ・ｓとなる樹脂組成物からなり、
前記樹脂組成物が、
（Ａ）下記式（１）で示されるビニル化合物、ならびに、
（Ｂ）スチレン系熱可塑性エラストマー
を含有し、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との質量割合（（Ａ）：（Ｂ））が、４０：６０〜６０：４０である、熱硬化性樹脂組成物からなる封止用樹脂フィルム。
【化１】
0005435685.tif 000022
（式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基またはフェニル基を表し、複数のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、同一であっても異なっていてもよい。
また、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（２）で表される構造であり、−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（３）で表される繰返し単位であり、Ｚは酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１以上の有機基を表す。
また、ａおよびｂは、少なくとも一方が０でない０〜３００の整数を表し、ｃおよびｄは、それぞれ独立に０または１の整数を表す。）
【化２】
0005435685.tif 000023
（式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
また、式（３）中、Ｒ16およびＲ17は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。）
【請求項２】
前記−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が、下記式（４）で表される構造であり、
前記−（Ｙ−Ｏ）−が、下記式（５）または（６）で表される繰返し単位である請求項１に記載の封止用樹脂フィルム。
【化３】
0005435685.tif 000024
【請求項３】
前記−（Ｙ−Ｏ）−が、前記式（６）で表される繰返し単位である、請求項２に記載の封止用樹脂フィルム。
【請求項４】
電子部品を封止してモジュールを得るモジュールの製造方法であって、少なくとも、
配線パターンが形成された基板上に電子部品を設置し、該電子部品を該基板上に固定する部品固定工程と、
前記部品固定工程後に、前記基板および前記電子部品の上に請求項１〜３のいずれかに記載の封止用樹脂フィルムを設置するフィルム設置工程と、
前記フィルム設置工程後に、前記封止用樹脂フィルム上に基材を設置し、６０〜３００℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該基材と前記基板とをプレスする低圧加熱プレス工程と、を具備するモジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のモジュールの製造方法により得られるモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンが形成された基板上に搭載された電子部品を封止するための封止用樹脂フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンが設けられた基板上に半導体素子等の電子部品が複数搭載された半導体装置においては、一般的に金属キャップを設ける形態が主流だったが、近年、パッケージの薄型化やコストダウンのために樹脂封止にてパッケージングされるものが増加してきている（例えば、特許文献１および２参照。）。
【０００３】
具体的には、特許文献１には、「金型の片方に一括封止型半導体の基板を、他の一方に半固形状のエポキシ樹脂組成物を配置し圧縮成形法にて加熱硬化させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。」が記載されている。
【０００４】
また、特許文献１と同一出願人により提案された特許文献２には、「フィルムのうえに品質特性の異なる複数種のエポキシ樹脂系組成物を並列又は及び積層したシート状接着体。」が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−５６１４１号公報
【特許文献２】特開２００６−１１７９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１および２に記載の樹脂封止方法およびシート状接着体であっても、封止する前に、ハンダ等を用いて半導体素子を基板上に実装しておく必要があり、半導体素子の実装と封止を一括で行うには至っておらず、生産効率が低い問題があることが明らかとなった。
また、特許文献１および２に記載の樹脂封止方法およびシート状接着体を用いると、圧縮形成に要する圧力が高くなり、薄型の電子部品や高周波電子部品に十分に対応できない場合があることが明らかとなった。
【０００７】
そこで、本発明は、電子部品（例えば、半導体素子等）の実装と封止を一括かつ低圧で行うことを可能とする封止用樹脂フィルムならびに該封止用樹脂フィルムを用いたモジュール（例えば、半導体装置等）およびモジュール前駆体の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０7Ｐａ・ｓとなる樹脂組成物を封止用のフィルムとして用いることにより、電子部品の実装と封止が一括かつ低圧で可能になることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、以下の（１）〜（１９）を提供する。
【０００９】
（１）配線パターンが形成された基板上に実装される電子部品を封止するための封止用樹脂フィルムであって、
６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０7Ｐａ・ｓとなる樹脂組成物からなる封止用樹脂フィルム。
【００１０】
（２）上記樹脂組成物が、
（Ａ）下記式（１）で示されるビニル化合物、ならびに、
（Ｂ）ゴムおよび／または熱可塑性エラストマー
を含有する熱硬化性樹脂組成物からなる上記（１）に記載の封止用樹脂フィルム。
【００１１】
【化１】
0005435685.tif 000002
【００１２】
式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基またはフェニル基を表し、複数のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、同一であっても異なっていてもよい。
また、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（２）で表される構造であり、−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（３）で表される繰返し単位であり、Ｚは酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１以上の有機基を表す。
また、ａおよびｂは、少なくとも一方が０でない０〜３００の整数を表し、ｃおよびｄは、それぞれ独立に０または１の整数を表す。
【００１３】
【化２】
0005435685.tif 000003
【００１４】
式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
また、式（３）中、Ｒ16およびＲ17は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
【００１５】
（３）上記−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が、下記式（４）で表される構造であり、
上記−（Ｙ−Ｏ）−が、下記式（５）または（６）で表される繰返し単位である上記（２）に記載の封止用樹脂フィルム。
【００１６】
【化３】
0005435685.tif 000004
【００１７】
（４）上記−（Ｙ−Ｏ）−が、上記式（６）で表される繰返し単位である、上記（３）に記載の封止用樹脂フィルム。
（５）上記（Ｂ）成分が、スチレン系熱可塑性エラストマーである、上記（２）〜（４）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルム。
（６）上記（Ａ）成分と上記（Ｂ）成分との質量割合（（Ａ）：（Ｂ））が、４０：６０〜６０：４０である、上記（２）〜（５）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルム。
【００１８】
（７）上記樹脂組成物が、
（Ｃ）フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂、および／または、重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であって水酸基を有する２官能型直鎖状エポキシ樹脂、ならびに、
（Ｄ）フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック
を含有するエポキシ樹脂組成物からなる上記（１）に記載の封止用樹脂フィルム。
【００１９】
（８）上記（Ｄ）成分の含有量が、上記（Ｃ）成分１００質量部に対して３０〜２００質量部である、上記（７）に記載の封止用樹脂フィルム。
【００２０】
（９）上記（Ｃ）成分のノボラック型エポキシ樹脂が、下記式（７）で表されるエポキシ樹脂である、上記（７）または（８）に記載の封止用樹脂フィルム。
【００２１】
【化４】
0005435685.tif 000005
（式（７）中、ｎは１〜１０の数（平均値）を表す。）
【００２２】
（１０）上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂が、下記式（８）で表されるエポキシ樹脂である、上記（７）〜（９）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルム。
【００２３】
【化５】
0005435685.tif 000006
【００２４】
式（８）中、Ｑは、単結合、炭素数１〜７の炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−または下記式で表される基を表し、複数のＱは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ21は、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ21は、同一であっても異なっていてもよい。ｅは、０〜４の整数を表し、複数のｅは、同一であっても異なっていてもよい。ｎは、２５〜５００の数（平均値）を表す。
【００２５】
【化６】
0005435685.tif 000007
【００２６】
式中、Ｒ22は、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ22は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ23は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子を表し、ｆは、０〜５の整数を表す。
【００２７】
（１１）上記（Ｄ）成分が、下記式（９）で表される変性フェノールノボラックである、上記（７）〜（１０）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルム。
【００２８】
【化７】
0005435685.tif 000008
【００２９】
式（９）中、Ｒ24は、炭素数１〜５のアルキル基を表し、複数のＲ24は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ25は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ25は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ26は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ26は、同一であっても異なっていてもよい。ｇは、０〜３の整数を表し、複数のｇは、同一であっても異なっていてもよい。ｈは、０〜３の整数を表し、複数のｈは、同一であっても異なっていてもよい。ｎ：ｍは、１：１〜１．２：１である。
【００３０】
（１２）上記（Ｄ）成分が、上記式（９）中のＲ24がメチル基である、上記（１１）に記載の封止用樹脂フィルム。
（１３）上記エポキシ樹脂組成物が、更に（Ｅ）イソシアナート化合物を含有する、上記（７）〜（１２）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルム。
（１４）上記エポキシ樹脂組成物が、更に（Ｆ）無機フィラーを含有する、上記（７）〜（１３）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルム。
（１５）上記（Ｆ）成分の無機フィラーが、平均粒径５μｍ以下のものである、上記（１４）に記載の封止用樹脂フィルム。
【００３１】
（１６）電子部品を封止してモジュールを得るモジュールの製造方法であって、少なくとも、
配線パターンが形成された基板上に電子部品を設置し、該電子部品を該基板上に固定する部品固定工程と、
上記部品固定工程後に、上記基板および上記電子部品の上に上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルムを設置するフィルム設置工程と、
上記フィルム設置工程後に、上記封止用樹脂フィルム上に基材を設置し、６０〜３００℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該基材と上記基板とをプレスする低圧加熱プレス工程と、を具備するモジュールの製造方法。
【００３２】
（１７）上記（１６）に記載のモジュールの製造方法により得られるモジュール。
【００３３】
（１８）電子部品を封止してモジュール前駆体を得るモジュール前駆体の製造方法であって、少なくとも、
第１基材上に上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルムを設置する第１フィルム設置工程と、
上記第１フィルム設置工程後に、上記封止用樹脂フィルム上に電子部品を設置し、該封止用樹脂フィルムにより該電子部品を上記第１基材上に固定する部品固定工程と、
上記部品固定工程後に、上記封止用樹脂フィルムおよび上記電子部品の上に上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の封止用樹脂フィルムを設置する第２フィルム設置工程と、
上記第２フィルム設置工程により設置された上記封止用樹脂フィルム上に第２基材を設置し、６０〜２３０℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該第２基材と上記第１基材とをプレスする低圧加熱プレス工程と、を具備するモジュール前駆体の製造方法。
【００３４】
（１９）上記（１８）に記載のモジュール前駆体の製造方法により得られるモジュール前駆体。
【発明の効果】
【００３５】
以下に示すように、本発明によれば、基板への電子部品（例えば、半導体素子等）の実装と電子部品の封止を一括かつ低圧で可能とする封止用樹脂フィルムならびに該封止用樹脂フィルムを用いたモジュール（例えば、半導体装置等）およびモジュール前駆体の製造方法を提供することができる。
また、本発明の封止用樹脂フィルムを用いれば、基板上の電子部品の実装と封止が一括かつ低圧で可能となるため、モジュールの生産効率が飛躍的に向上し、薄型電子部品や高周波電子部品の封止にも対応できる。
更に、本発明のモジュール前駆体の製造方法は、機能や種類、厚みや形状の異なる多数の電子部品を含んだ多機能のモジュール前駆体を容易に製造することができるため非常に有用である。
更にまた、本発明のモジュール前駆体は、多様な用途の基板への実装に適用でき、また基板への実装時に接続と封止が同時に形成することができるため非常に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルム（以下、「本発明の封止用樹脂フィルム」ともいう。）は、配線パターンが形成された基板上に実装される電子部品を封止するための封止用樹脂フィルムであって、６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０7Ｐａ・ｓとなる樹脂組成物からなるフィルムである。
本発明においては、「６０〜２３０℃での最低粘度」とは、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で、粘度計（ＶＡＲ−１００、ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）を用いて６０〜２３０℃の範囲で測定することができる粘度の最低値のことをいう。
【００３７】
このような粘度物性を有する樹脂組成物を封止用樹脂フィルムに用いることにより、電子部品の実装と封止を一括かつ低圧で行うことが可能となる。これは、後述する本発明の第２の態様に係るモジュールの製造方法に示すように６０〜３００℃で電子部品を封止することにより、得られる本発明の封止用樹脂フィルムの電子部品間への埋め込み性が良好となり、かつ、樹脂流れ（圧着時の横方向へのはみ出し）も起きず、また、電子部品のバンプ（突起電極）と基板電極とが接触するように基板上に位置決めした電子部品がずれず、更に、厚みの設計精度も良好となるためであると考えられる。
また、このような粘度物性を有する樹脂組成物を封止用樹脂フィルムに用いることにより、薄型の電子部品や高周波電子部品であっても破損もなく、実装と封止を一括に行うことができる。
【００３８】
また、電子部品の実装と封止を一括かつ低圧でより容易に行える観点から、６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０5Ｐａ・ｓとなる樹脂組成物を用いるのが好ましく、１〜１０4Ｐａ・ｓとなる樹脂組成物を用いるのがより好ましい。
【００３９】
本発明においては、上記樹脂組成物が、（Ａ）上記式（１）で示されるビニル化合物、ならびに、（Ｂ）ゴムおよび／または熱可塑性エラストマー、を含有する熱硬化性樹脂組成物からなるのが好ましい。
次に、各成分について詳述する。
【００４０】
＜（Ａ）成分：ビニル化合物＞
上記（Ａ）成分のビニル化合物は、下記式（１）で示されるものであり、特開２００４−５９６４４号公報に記載されたものと同様である。
【００４１】
【化８】
0005435685.tif 000009
【００４２】
上記式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基またはフェニル基を表し、複数のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、同一であっても異なっていてもよい。
また、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（２）で表される構造であり、−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（３）で表される繰返し単位であり、Ｚは酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１以上の有機基を表す。
また、ａおよびｂは、少なくとも一方が０でない０〜３００の整数を表し、ｃおよびｄは、それぞれ独立に０または１の整数を表す。
【００４３】
【化９】
0005435685.tif 000010
【００４４】
ここで、上記式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
また、上記式（３）中、Ｒ16およびＲ17は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
【００４５】
また、上記式（１）中、Ｚは、炭素数３以下のアルキレン基であるのが好ましい。具体的には、メチレン基が好適に例示される。
【００４６】
更に、上記式（１）中、ａおよびｂは、少なくともいずれか一方が０でない０〜３００の整数を表すが、０〜３０の整数を表すのが好ましい。
【００４７】
本発明においては、上記式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15は、炭素数３以下のアルキル基であるのが好ましく、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であるのが好ましい。具体的には、下記式（４）で表される構造が好適に例示される。
【００４８】
【化１０】
0005435685.tif 000011
【００４９】
また、上記式（３）中、Ｒ16およびＲ17は、炭素数３以下のアルキル基であるのが好ましく、Ｒ18およびＲ19は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であるのが好ましい。具体的には、下記式（５）または（６）で表される構造が好適に例示される。
【００５０】
【化１１】
0005435685.tif 000012
【００５１】
本発明においては、（Ａ）成分であるビニル化合物は、数平均分子量１０００〜３０００であるのが、得られる熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度がより低くなり、（Ａ）成分間の反応性が良好になる理由から好ましい。なお、（Ａ）成分間で反応が進むことにより、得られる熱硬化性樹脂組成物の硬化速度が向上し、本発明の封止用樹脂フィルムの硬化物の耐熱性や硬度等の物性も向上するため好ましい。
ここで、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いて求めた値とする。
【００５２】
また、本発明においては、このようなビニル化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
＜（Ｂ）成分：ゴムおよび／または熱可塑性エラストマー＞
上記（Ｂ）成分のゴムとしては、具体的には、例えば、スチレン−ブタジエンゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴム等が挙げられる。
これらの中でも、スチレン−ブタジエンゴムを用いるのが、上記（Ａ）成分との相溶性が良好となり、また、得られる熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの硬化物の弾性率および誘電率が低くなり、更に、基板や電子部品との接着耐久性が良好となるため好ましい。
【００５４】
一方、上記（Ｂ）成分の熱可塑性エラストマーとしては、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマー、具体的には、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
【００５５】
本発明においては、上記（Ｂ）成分としては、得られる熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの硬化物の弾性率の観点から熱可塑性エラストマーが好ましい。特に、得られる熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの電子部品に対する流動性、低誘電率および低弾性率の観点から、スチレン系熱可塑性エラストマーが好ましい。
【００５６】
また、本発明においては、このようなゴムおよび／または熱可塑性エラストマーは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５７】
本発明においては、上述した（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量割合（（Ａ）：（Ｂ））は、１０：９０〜９０：１０であるのが好ましく、得られる熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの封止後の硬化物が、低誘電率・低誘電正接と低弾性率をバランスよく備える観点から、４０：６０〜６０：４０であるのがより好ましく、４５：５５〜５５：４５であるのが更に好ましい。
【００５８】
本発明においては、上述した（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する熱硬化性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含有していてもよい。
ここで、無機フィラーとしては、具体的には、例えば、後述する（Ｆ）成分として例示するものが挙げられる。
【００５９】
また、本発明においては、上記熱硬化性樹脂組成物は、硬化触媒を含有していてもよいが、加熱のみによって硬化することができる。
【００６０】
本発明においては、上記熱硬化性樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。
例えば、溶媒の存在下または非存在下で、上記（Ａ）成分および上記（Ｂ）ならびに所望により含有してもよい各種添加剤の各々を加熱真空混合ニーダー等により混合する方法により製造することができる。
具体的には、所定の溶剤濃度に溶解し、それらを４０〜１００℃に加温された反応釜に所定量投入し、常圧混合を３０分〜６時間行うことにより製造することができる。その後、真空下（最大１トール）で更に５分〜６０分混合撹拌することができる。
【００６１】
このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの製造方法としては、具体的には、例えば、熱硬化性樹脂組成物を有機溶剤に溶解または分散させてワニスとした後に、所望の支持体に塗布し、乾燥させる方法等が挙げられる。
【００６２】
上記有機溶剤としては、具体的には、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤；ジオクチルフタレート、ジブチルフタレートなどの高沸点溶媒；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ここで、有機溶剤の使用量は、特に限定されないが、固形分が２０〜９０質量％となるように使用するのが好ましく、２０〜５０質量％となるように使用するのがより好ましい。
また、作業性の観点から、ワニスは、１００〜６００ｍＰａ・ｓの粘度範囲であるのが好ましい。
ここで、粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、回転数６０ｒｐｍ、２５℃で測定した値とする。
【００６３】
上記支持体は特に限定されず、その具体例としては、銅、アルミニウム等の金属箔、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂等の有機フィルム等が挙げられる。
また、上記支持体はシリコーン系化合物等で離型処理されていてもよい。
【００６４】
また、ワニスを塗布する方法は特に限定されないが、薄膜化・膜厚制御の観点からマイクログラビア法、スロットダイ法、ドクターコ一夕一方式等が挙げられ、所望のフィルムの厚み等に応じて適宜選択されるが、特にマイクログラビア方式が、フィルムの厚みを薄く設計しうることから好ましい。マイクログラビア法により、例えば、厚み９０μｍ以下のフィルムを得ることができる。
【００６５】
また、ワニスを塗布した後の乾燥条件は、ワニスに使用される有機溶剤の種類や量、塗布の厚み等に応じて、適宜、設定することができ、一般に、大気圧下、６０〜１２０℃で、１〜３０分程度で行うことが好ましく、防爆機能を有する乾燥機を使用することが安全上の観点から好ましい。また、乾燥は、大気中または窒素雰囲気中にて行うことができる。
【００６６】
このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０7Ｐａ・ｓとなるため、電子部品の実装と封止を一括かつ低圧で行うことが可能となる。
【００６７】
また、このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの厚みは、３０〜５００μｍであるのが好ましく、３０〜１２５μｍであるがのより好ましい。
特に薄型化が要求されるような場合には、３０〜１００μｍであるのが好ましい。本発明の封止用樹脂フィルムは、このような範囲においても、十分な物理的・電気的特性を保持することができる。
【００６８】
更に、このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、封止した後に硬化させた硬化物が、高周波領域で低誘電率・低誘電正接を有しており、例えば、温度２５℃、周波数５ＧＨｚの条件で、誘電率４以下、誘電正接０．０２５以下のレベルとすることができる。また、例えば、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の配合割合等の制御を通じて、誘電率２．６以下、誘電正接０．００５以下のレベルを達成することもできる。
【００６９】
更に、このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、封止した後に硬化させた硬化物が、低弾性率であり、応力緩和にも寄与することができ、加工上、ハンドリングがしやすい。例えば、動的粘弾性測定による弾性率として、温度２５℃で、３．５ＧＰａ以下にすることができる。また、例えば、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の配合割合等の制御を通じて、１．５ＧＰａ以下のレベルを達成することもできる。
【００７０】
更に、このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、硬化前後の厚みがほぼ均一であるため、硬化後の厚みの均一性に優れたものとなる。
【００７１】
本発明においては、このような熱硬化性樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの封止した後の硬化条件は、適宜、設定することができ、例えば、１５０〜２５０℃で、１０〜１２０分程度とすることができる。
【００７２】
本発明においては、上記樹脂組成物が、（Ｃ）フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂、および／または、重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であって水酸基を有する２官能型直鎖状エポキシ樹脂、ならびに、（Ｄ）フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含有するエポキシ樹脂組成物からなるのが好ましい。
次に、各成分について詳述する。
【００７３】
＜（Ｃ）成分：ノボラック型エポキシ樹脂および／または２官能型直鎖状エポキシ樹脂＞
上記（Ｃ）成分のノボラック型エポキシ樹脂は、分子骨格および側鎖が剛直で、硬化後のポリマーの運動性を落とす方向に働くものである。
【００７４】
上記（Ｃ）成分のノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、下記式（７）で表されるエポキシ樹脂が好適に挙げられる。
【００７５】
【化１２】
0005435685.tif 000013
【００７６】
上記式（７）中、ｎは１〜１０の数（平均値）を表し、１〜５であるのが好ましく、１であるのがより好ましい。
【００７７】
これらの中でも、下記式（７′）で表されるエポキシ樹脂であるのがより好ましい。
【００７８】
【化１３】
0005435685.tif 000014
【００７９】
上記式（７′）中、ｎは上記式（７）と同様である。
【００８０】
上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂は、分子骨格および側鎖が剛直で、硬化後のポリマーの運動性を落とす方向に働くものである。
【００８１】
本発明においては、上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、１０，０００〜２００，０００であり、１５，０００〜７０，０００であるのが好ましい。
また、上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂の数平均分子量は、３，７００〜７４，０００であるのが好ましく、５，５００〜２６，０００であるのがより好ましい。
更に、上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、５０００ｇ／当量以上であるのが好ましい。
更に、上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂は、重量平均分子量／数平均分子量が２〜３の範囲のものが特に好ましい。
ここで、重量平均分子量および数平均分子量は、上述した（Ａ）成分であるビニル化合物の測定と同様、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いて求めた値とする。
【００８２】
上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂としては、具体的には、例えば、下記式（８）で表されるエポキシ樹脂が好適に挙げられる。
【００８３】
【化１４】
0005435685.tif 000015
【００８４】
上記式（８）中、Ｑは、単結合、炭素数１〜７の炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−または下記式で表される基を表し、複数のＱは、同一であっても異なっていてもよい。
【００８５】
【化１５】
0005435685.tif 000016
【００８６】
上記式中、Ｒ22は、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ22は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ23は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子を表す。
ｆは、０〜５の整数を表す。
【００８７】
上記式（８）中、Ｒ21は、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ21は、同一であっても異なっていてもよい。
ｅは、０〜４の整数を表し、複数のｅは、同一であっても異なっていてもよい。
ｎは、２５〜５００の数（平均値）を表す。
【００８８】
上記（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂としては、下記式（８′）で表されるエポキシ樹脂がより好ましい。
【００８９】
【化１６】
0005435685.tif 000017
【００９０】
上記式（８′）中、Ｑおよびｎは、それぞれ、上記式（８）のＱおよびｎと同様である。
【００９１】
本発明においては、このようなエポキシ樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９２】
＜（Ｄ）成分：変性フェノールノボラック＞
上記（Ｄ）成分の変性フェノールノボラックは、フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸エステル化したものである。
上記（Ｄ）成分の変性フェノールノボラックとしては、例えば、下記式（９）で表される変性フェノールノボラックが好適に挙げられる。
【００９３】
【化１７】
0005435685.tif 000018
【００９４】
上記式（９）中、Ｒ24は、炭素数１〜５のアルキル基を表し、メチル基であるのが好ましく、複数のＲ24は、同一であっても異なっていてもよい。
また、Ｒ25は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ25は、同一であっても異なっていてもよい。
また、Ｒ26は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ26は、同一であっても異なっていてもよい。
ｇは、０〜３の整数を表し、複数のｇは、同一であっても異なっていてもよい。
ｈは、０〜３の整数を表し、複数のｈは、同一であっても異なっていてもよい。
ｎ：ｍは、１：１〜１．２：１であり、約１：１であることが好ましい。
ｎとｍの合計としては、例えば２〜４とすることができる。
【００９５】
上記式（９）におけるｎ、ｍは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。
【００９６】
上記（Ｄ）成分の変性フェノールノボラックとしては、下記式（９′）で表される変性フェノールノボラックが好適に挙げられる。
【００９７】
【化１８】
0005435685.tif 000019
【００９８】
上記式（９′）中、Ｒ24、ｎおよびｍは、それぞれ、上記式（９）のＲ24、ｎおよびｍと同様である。
特に好ましくは、上記式（９′）においてＲ24がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。
【００９９】
本発明においては、このような変性フェノールノボラックは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１００】
上記（Ｄ）成分の含有量は、上記（Ｃ）成分１００質量部に対して３０〜２００質量部であるのが好ましく、５０〜１８０質量部であるのがより好ましい。（Ｄ）成分の含有量がこの範囲であると、得られるエポキシ樹脂組成物からなる封止用樹脂フィルムの封止後の硬化性が良好となり、かつ、硬化後に良好な誘電特性が期待できる。
なお、上記（Ｃ）成分が上述したフェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂である場合は、上記（Ｄ）成分を３０〜７０質量部配合することが特に好ましい。また、上記（Ｃ）成分が上述した２官能型直鎖状エポキシ樹脂である場合は、上記（Ｄ）成分を１２０〜１８０質量部配合することが特に好ましい。
【０１０１】
＜（Ｅ）成分：イソシアナート化合物＞
本発明においては、上述した成分（Ｃ）および成分（Ｄ）を含有するエポキシ樹脂組成物は、更に、（Ｅ）イソシアナート化合物を含有するのが好ましい態様の１つである。
エポキシ樹脂中にヒドロキシ基がある場合は、そのヒドロキシ基やエポキシ樹脂が開環した際に生成するヒドロキシ基と、イソシアナート化合物中のイソシアナート基とが反応して、ウレタン結合を形成し、硬化後（封止後）のポリマーの架橋密度を上げ、分子の運動性を更に低下させることができるため好ましい。また、極性の大きいヒドロキシ基が減少するため、一層の誘電率の低下、誘電正接の低下が可能になると考えられる。更に、一般にエポキシ樹脂は分子間力が大きく、フィルム化する場合に均一な成膜が困難であり、かつフィルム化してもフィルム強度が弱く、フィルム形成時にクラックが入りやすい傾向があるが、イソシアナート化することにより、これらの欠点を除くことができるため、加工性の点からも好ましい。
【０１０２】
上記（Ｅ）成分のイソシアナート化合物としては、例えば、２個以上のイソシアナート基を有するイソシアナート化合物が挙げられる。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアナート（ＨＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロへキシルメタンジイソシアナート、テトラメチルキシリレンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナート、ナフタレンジイソシアナート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート、トリジンジイソシアナート、ｐ−フェニレンジイソシアナート、シクロへキシレンジイソシアナート、ダイマー酸ジイソシアナート、水素化キシリレンジイソシアナート、リシンジイソシアナート、トリフェニルメタントリイソシアナート、トリ（イソシアナートフェニル）トリホスフアート等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、ヘキサメチレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナートが好ましい。
【０１０３】
また、上記（Ｅ）成分のイソシアナート化合物には、イソシアナート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアナート化合物の３量体を含むプレポリマーが挙げられる。
【０１０４】
上記（Ｅ）成分のイソシアナート化合物は、特に、上述した（Ｃ）成分の２官能型直鎖状エポキシ樹脂との組み合わせで使用することが好ましい。エポキシ樹脂の開環反応に伴なう生成したヒドロキシ基と（Ｅ）成分のイソシアナート基との反応に加えて、２官能型直鎖状エポキシ樹脂中にはヒドロキシ基が存在するため、このヒドロキシ基とイソシアナート基とが反応できるため、より大きな効果が得られる。
【０１０５】
上記（Ｅ）成分のイソシアナート化合物の含有量は、上記（Ｃ）成分１００質量部に対して１００〜４００質量部であるのが好ましく、３００〜３５０質量部であるのがより好ましい。（Ｅ）成分の含有量がこの範囲であると、フィルム形成時に、発泡が抑えられ均一なフィルムになりやすく、またハジキ現象が生じにくい。更に、形成したフィルムを乾燥させた後クラックが生じにくく、フィルムの操作性に優れ、誘電特性も良好となることが期待できる。
【０１０６】
＜（Ｆ）成分：無機フィラー＞
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、（Ｆ）無機フィラーを含有するのが好ましい態様の１つである。
上記（Ｆ）成分の無機フィラーは、特に限定されず、上記エポキシ樹脂組成物に、更に所望の特性を付与するものである。例えば、熱膨張率を調整する物質、熱伝導性を調整する物質等が挙げられる。
【０１０７】
熱膨張率を調整する物質としては、具体的には、例えば、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。
また、上記熱伝導性を調整する物質のうち、上記熱伝導性物質としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、ダイヤモンドなどの酸化物；窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物；等が挙げられる。
これらは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１０８】
これらの中でも、上記無機フィラーとしては、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。
【０１０９】
上記無機フィラーの含有量は、所望の性質を発揮させるのに必要な量であって、かつフィルム形成が可能な量であれば、特に制限されるものではないが、上記成分（Ｃ）〜（Ｅ）の合計１００質量部に対して、２００〜５００質量部であるのが好ましく、３５０〜４７０質量部であるのがより好ましく、３８０〜４２０質量部であるのが更に好ましい。無機フィラーの含有量がこの範囲であると、無機フィラーの樹脂組成物に対する分散性や、得られる樹脂組成物の加工性の点から好ましい。
【０１１０】
上記無機フィラーは、粒状、粉末状、りん片等のいずれの形態であってもよい。
【０１１１】
上記無機フィラーの平均粒径（粒状でない場合は、その平均最大径）は、０．５μｍ以下であることが、無機フィラーの樹脂組成物に対する分散性や、得られる樹脂組成物の加工性の点から好ましく、０．３μｍ以下であることがより薄いフィルムを成形可能となる点からより好ましい。
【０１１２】
上記無機フィラーは、必要に応じて、表面処理を施されたものであってもよい。例えば、粒子表面に酸化皮膜を形成させたものであってもよい。
【０１１３】
本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として硬化促進剤を含有してもよい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として公知のものを使用することができ、具体的には、例えば、２−メチルイミダゾ−ル、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどの複素環化合物イミダゾール類；トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのリン化合物類；２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ベンジルジメチルアミンなどの第３級アミン類；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセンやその塩などのジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）類；アミン類やイミダゾ−ル類をエポキシ、尿素、酸などでアダクトさせたアダクト型促進剤類；等が挙げられる。
硬化促進剤の含有量は、上記（Ｃ）成分１００質量部に対して、１〜１０質量部であるのが好ましい。
【０１１４】
また、本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として重合開始剤を含有してもよい。
重合開始剤としては、公知の重合開始剤を使用することができ、具体的には、例えば、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、１，１，３，３−テトラメチルプチルベルオキシ−２−エチルヘキサノアート等が挙げられる。
重合開始剤の含有量は、上記（Ｃ）成分１００質量部に対して、１〜１０質量部であるのが好ましい。
【０１１５】
本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、粘着性付与剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含有してもよい。
【０１１６】
上記成膜補助剤としては、具体的には、例えば、ジビニルベンゼンが挙げられる。
成膜補助剤の含有量は、上記（Ｃ）成分１００質量部に対して、５０〜１５０質量部であるのが好ましい。
【０１１７】
また、本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、弾性率の向上、膨張係数の低下、ガラス転移温度（Ｔｇ値）の変更等を目的として、必要に応じて、上記（Ｃ）成分以外のエポキシ樹脂を含有してもよい。
上記（Ｃ）成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニルエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１１８】
本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、脂肪酸エステル化されていないフェノールノボラック、クレゾールノボラック樹脂、フェノール多核体等の公知のエポキシ樹脂硬化剤を含有してもよい。
フェノール多核体としては、例えば、３〜５核体程度等のフェノール類が挙げられる。
【０１１９】
本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。
例えば、溶媒の存在下または非存在下で、上記（Ｃ）成分および上記（Ｄ）成分ならびに所望により含有してもよい上記（Ｅ）成分の各々をプロペラ撹拌機、バンバリー式ミキサー、遊星式ミキサー、加熱真空混合ニーダー等により混合する方法により製造することができる。なお、所望により含有してもよい上記（Ｆ）成分は、上記（Ｃ）〜（Ｅ）成分を混合した後に添加してもよく、上記（Ｃ）〜（Ｅ）成分と同時に添加してもよい。
具体的には、所定の溶剤濃度に溶解し、それらを２５〜６０℃に加温された反応釜に所定量投入し、常圧混合を３０〜６０分行うことにより製造することができる。その後、真空下（最大１トール）で更に５分〜６０分混合撹拌することができる。ただし（Ｆ）成分を他の成分と同時に捷拝する場合は、真空下での混合撹拌時間を３０〜６０分延長するのが好ましい。
【０１２０】
このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの製造方法としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂組成物を有機溶剤に溶解または分散させてワニスとした後に、所望の支持体に塗布し、乾燥させる方法等が挙げられる。
【０１２１】
ここで、有機溶剤の種類や使用量については、上述した熱硬化性樹脂組成物におけるものと同様である。
また、支持体、ワニスの塗布方法や乾燥条件についても、上述した熱硬化性樹脂組成物におけるものと同様である。
【０１２２】
このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、６０〜２３０℃での最低粘度が１〜１０7Ｐａ・ｓとなるため、電子部品の実装と封止を一括かつ低圧で行うことが可能となる。
【０１２３】
また、このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの厚みは、上記エポキシ樹脂組成物が（Ｆ）成分を含まない場合、３０〜５００μｍであるのが好ましく、３０〜１２５μｍであるがのより好ましい。
特に薄型化が要求されるような場合には、３０〜１００μｍであるのが好ましい。本発明の封止用樹脂フィルムは、このような範囲においても、十分な物理的・電気的特性を保持することができる。
【０１２４】
一方、上記エポキシ樹脂組成物が（Ｆ）成分を含む場合、得られる本発明の封止用樹脂フィルムの厚みは、３０〜５００μｍであるのが好ましく、３０〜１２５μｍであるのがより好ましい。
【０１２５】
更に、このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、封止した後に硬化させた硬化物が、高周波領域で低誘電率・低誘電正接を有しており、例えば、温度２５℃、周波数５ＧＨｚの条件で、誘電率４以下、誘電正接０．０２５以下のレベルとすることができる。また、例えば、（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の配合割合等の制御を通じて、誘電率２．６以下、誘電正接０．００５以下のレベルを達成することもできる。
【０１２６】
更に、このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、封止した後に硬化させた硬化物が、低弾性率であり、応力緩和にも寄与することができ、加工上、ハンドリングがしやすい。例えば、動的粘弾性測定による弾性率として、温度２５℃で、３．５ＧＰａ以下にすることができる。また、例えば、（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の配合割合等の制御を通じて、１．５ＧＰａ以下のレベルを達成することもできる。
【０１２７】
更に、このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムは、硬化前後の厚みがほぼ均一であるため、硬化後の厚みの均一性に優れたものとなる。
【０１２８】
本発明においては、このようなエポキシ樹脂組成物からなる本発明の封止用樹脂フィルムの封止した後の硬化条件は、特に限定されないが、例えば、硬化温度を段階的に上昇させることができ、具体的には８０℃、１００℃、１５０℃、１８０℃に段階的に温度を引き上げることができる。また、硬化時間はフィルムの完全な硬化状態を維持する条件とすることができる。
【０１２９】
本発明の第２の態様に係るモジュールの製造方法（以下、「本発明のモジュール製造方法」ともいう。）は、電子部品を封止してモジュールを得るモジュールの製造方法であって、少なくとも、
配線パターンが形成された基板上に電子部品を設置し、該電子部品を該基板上に固定する部品固定工程と、
上記部品固定工程後に、上記基板および上記電子部品の上に本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルムを設置するフィルム設置工程と、
上記フィルム設置工程後に、上記封止用樹脂フィルム上に基材を設置し、６０〜３００℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該基材と上記基板とをプレスする低圧加熱プレス工程と、を具備するモジュールの製造方法である。
【０１３０】
次に、各工程について、図１を用いて詳述する。
図１は、モジュールの製造方法の実施態様の一例を模式的に説明する断面図である。
【０１３１】
＜部品固定工程＞
上記部品固定工程は、配線パターンが形成された基板上に電子部品を設置し、該電子部品を該基板上に固定する工程である。
具体的には、所定の配線パターン（図示せず）が形成された基板１上に電子部品２を設置し、電子部品２を基板１上に固定する工程である（図１（Ａ）参照。）。
【０１３２】
ここで、基板１としては、モジュール（例えば、半導体装置）に用いられる公知の基板を用いることができる。
また、電子部品２としては、モジュール基板に搭載される公知の電子部品を用いることができ、具体的には、例えば、半導体素子（例えば、フィリップチップ）、コンデンサー等を用いるのが好ましい。
更に、固定する方法は特に限定されず、例えば、本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルムを予め基板上に設置し、電子部品を該封止用樹脂フィルムに押し付ける方法；仮固定用の樹脂を予め基板に設置し、電子部品を該仮固定用の樹脂と接着または粘着させる方法；電子部品のバンプ（突起電極）に予めフラックス材を付着させる方法；等が挙げられる。
【０１３３】
＜フィルム設置工程＞
上記フィルム設置工程は、上記部品固定工程後に、上記基板および上記電子部品の上に本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルムを設置する工程である。
具体的には、基板１および基板１上に固定された電子部品２の上部に本発明の封止用樹脂フィルム３を設置する工程である（図１（Ｂ）参照。）。
【０１３４】
＜低圧加熱プレス工程＞
上記低圧加熱プレス工程は、上記フィルム設置工程後に、上記封止用樹脂フィルム上に基材を設置し、６０〜３００℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該基材と上記基板とをプレスする工程である。
具体的には、上記フィルム設置工程後に、上記封止用樹脂フィルム３上に基材４を設置し、上記基材４と基板１とを矢印の方向にプレスする工程である（図１（Ｂ）および（Ｃ）参照。）。
【０１３５】
上記基材４としては、具体的には、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等を用いることができる。
また、上記基材４には、後述するように封止用樹脂フィルム３上から取り除くことを考慮して、封止用樹脂フィルム３と接する面に、離型効果のある部材（例えば、テフロンクッション等）が付いているのが好ましい。
【０１３６】
本発明においては、上記低圧加熱プレス工程において本発明の封止用樹脂フィルムを用いているため、１ＭＰａ以下の低圧であっても、電子部品の実装と封止を一括に行うことが可能となる。これは、６０〜３００℃で加熱することにより、本発明の封止用樹脂フィルムの電子部品間への埋め込み性が良好になるとともに、電子部品の実装もなされるためである。
また、１ＭＰａ以下の低圧で封止を行うことが可能となるため、薄型電子部品の封止にも対応することができる。
更に、６０〜３００℃で加熱により本発明の封止用樹脂フィルムの電子部品間への埋め込み性が良好になるため、電子部品の低背化が可能となる。
【０１３７】
ここで、低圧加熱プレスの条件は、使用する封止用樹脂フィルム３の種類により、６０〜３００℃の温度範囲、１ＭＰａ以下の圧力で適宜、設定することができる。例えば、封止用樹脂フィルムとして上述した熱硬化性樹脂組成物からなるものを用いた場合は、温度１５０〜３００℃、実圧力０．５０〜１．００ＭＰａとすることができ、上述したエポキシ樹脂組成物からなるものを用いた場合は、温度６０〜２３０℃、実圧力０．０５〜１．００ＭＰａとすることができる。
また、この温度は、電子部品に使用されているバンプ（突起電極）および基板電極の材質（例えば、銅や、銅表面にメッキしたハンダ、金、スズ等）により６０〜３００℃の範囲内で適宜、設定するのが望ましい。
【０１３８】
本発明においては、上記低圧加熱プレス工程は、大気圧下で行うこともできるが、減圧下（例えば、１０ｋＰａ以下）で行うのが好ましく、１ｋＰａ以下の減圧下で行うのがより好ましい。
【０１３９】
本発明のモジュール製造方法のおいては、上記低圧加熱プレス工程の後に、所定の条件で硬化させ、必要に応じて基材４を取り除くことにより、モジュールを製造することができる（図１（Ｄ）参照。）。
ここで、硬化条件は、使用する封止用樹脂フィルム３の種類により、適宜、設定することがでる。例えば、封止用樹脂フィルムとして上述した熱硬化性樹脂組成物からなるものを用いた場合は、１８０〜２００℃で３０〜２４０分間加熱することにより硬化させることができ、上述したエポキシ樹脂組成物からなるものを用いた場合は、１８０〜２００℃で３０〜２４０分間加熱することにより硬化させることができる。
【０１４０】
本発明の第３の態様に係るモジュール（以下、「本発明のモジュール」ともいう。）は、本発明の第２の態様に係るモジュールの製造方法により得られるモジュールである。
本発明のモジュールは、上述したように、本発明の封止用樹脂フィルムの封止した後の硬化物が、高周波領域で低誘電率・低誘電正接を有しているため、例えば、温度２５℃、周波数５ＧＨｚの条件で、誘電率４以下、誘電正接０．０２５以下のレベルとすることができる。
また、本発明のモジュールは、上述したように、本発明の封止用樹脂フィルムの封止した後の硬化物が、低弾性率であり、応力緩和にも寄与することができ、加工上、ハンドリングがしやすい。例えば、動的粘弾性測定による弾性率として、温度２５℃で、３．５ＧＰａ以下にすることができる。
【０１４１】
本発明の第４の態様に係るモジュール前駆体の製造方法（以下、「本発明のモジュール前駆体の製造方法」ともいう。）は、電子部品を封止してモジュール前駆体を得るモジュール前駆体の製造方法であって、少なくとも、
第１基材上に本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルムを設置する第１フィルム設置工程と、
上記第１フィルム設置工程後に、上記封止用樹脂フィルム上に電子部品を設置し、該封止用樹脂フィルムにより該電子部品を上記第１基材上に固定する部品固定工程と、
上記部品固定工程後に、上記封止用樹脂フィルムおよび上記電子部品の上に本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルムを設置する第２フィルム設置工程と、
上記第２フィルム設置工程により設置された上記封止用樹脂フィルム上に第２基材を設置し、６０〜２３０℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該第２基材と上記第１基材とをプレスする低圧加熱プレス工程と、を具備するモジュール前駆体の製造方法である。
【０１４２】
次に、各工程について、図２を用いて詳述する。
図２は、モジュール前駆体の製造方法の実施態様の一例を模式的に説明する断面図である。
ここで、モジュール前駆体とは、本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルムによって基材間に電子部品が挟み込まれた構造を有するものをいう。
【０１４３】
＜第１フィルム設置工程＞
上記第１フィルム設置工程は、第１基材上に本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルム（以下、「第１封止フィルム」ともいう。）を設置する工程である。
具体的には、基材５上に第１封止フィルム６を設置する工程である（図２（Ａ）参照。）。
ここで、上記基材５としては、上記基材４と同様のものを用いることができる。
【０１４４】
＜部品固定工程＞
上記部品固定工程は、上記第１フィルム設置工程後に、上記第１封止フィルム上に電子部品を設置し、該第１封止フィルムにより該電子部品を上記第１基材上に固定する工程である。
具体的には、第１封止フィルム６上に電子部品７を設置し、第１封止フィルム６中に電子部品７の一部が埋め込まれることにより、電子部品７を第１基材５上に固定する工程である（図２（Ａ）（Ｂ）参照。）。
【０１４５】
＜第２フィルム設置工程＞
上記第２フィルム設置工程は、上記部品固定工程後に、上記第１封止フィルムおよび上記電子部品の上に本発明の第１の態様に係る封止用樹脂フィルム（以下、「第２封止フィルム」ともいう。）を設置する工程である。
具体的には、第１封止フィルム６および電子部品７上に第２封止フィルム８を設置する工程である（図２（Ｃ）参照。）。
【０１４６】
＜低圧加熱プレス工程＞
上記低圧加熱プレス工程は、上記第２フィルム設置工程により設置された上記第２封止フィルム上に第２基材を設置し、６０〜２３０℃で加熱しながら、１ＭＰａ以下の圧力で、該第２基材と上記第１基材とをプレスする工程である。
具体的には、上記第２封止フィルム８上に第２基材９を設置し、第２基材９と第１基材５とを矢印の方向にプレスする工程である（図２（Ｃ）および（Ｄ）参照。）。
ここで、第２基材９としては、上記基材４と同様のものを用いることができる。
【０１４７】
ここで、低圧加熱プレスの条件は、使用する封止フィルム６および８の種類により、６０〜２３０℃の温度範囲、１ＭＰａ以下の圧力で適宜、設定することができる。例えば、封止フィルムとして上述した熱硬化性樹脂組成物からなるものを用いた場合は、温度６０〜２３０℃、実圧力０．５０〜１．００ＭＰａとすることができ、上述したエポキシ樹脂組成物からなるものを用いた場合は、温度６０〜２３０℃、実圧力０．０５〜１．００ＭＰａとすることができる。
ここで、この温度範囲は、上述した本発明のモジュール製造方法の低圧加熱プレスの温度範囲（６０〜３００℃）とは異なり、上述した熱硬化性樹脂組成物の硬化反応や、上述した本発明の封止用樹脂フィルムの電子部品間への埋め込み性によって適宜、設定するのが望ましい。
【０１４８】
本発明においては、上記低圧加熱プレス工程は、大気圧下で行うこともできるが、減圧下（例えば、１０ｋＰａ以下）で行うのが好ましく、１ｋＰａ以下の減圧下で行うのがより好ましい。
【０１４９】
本発明のモジュール前駆体の製造方法においては、上記低圧加熱プレスを施すによりモジュール前駆体を製造することができる（図２（Ｄ）および（Ｅ）参照。）。この際、モジュールの用途に応じてモジュール前駆体を切断（個片化）することができる（図２（Ｅ）参照。）。
【０１５０】
このような本発明のモジュール前駆体の製造方法は、機能や種類、厚みや形状の異なる多数の電子部品を含んだ多機能のモジュール前駆体を容易に製造することができるため非常に有用である。
【０１５１】
本発明の第５の態様に係るモジュール前駆体（以下、「本発明のモジュール前駆体」ともいう。）は、本発明の第４の態様に係るモジュール前駆体の製造方法により得られるモジュール前駆体である（図２（Ｆ）参照。）。
このような本発明のモジュール前駆体を用いることにより、例えば、図２（Ｄ）または（Ｅ）に示す第１基材５および第２基材９を取り除き、基板１０上に実装することにより、容易にモジュールを製造することができる。
【０１５２】
このような本発明のモジュール前駆体は、上述したように個片化することもできるため多様な用途の基板への実装に適用でき、また基板への実装時に接続と封止が同時に形成することができるため非常に有用である。
【実施例】
【０１５３】
以下、実施例を示して、本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５４】
（実施例１〜３、比較例１）
下記表１に示す配合（質量部）で、メチルエチルケトンを溶剤として熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製した（固形分約３０重量％）。得られたワニスを、支持体（ＰＥＴ）上に、厚み３０μｍとなるようマイクログラビアコーターで塗布した後、８０〜１２０℃、１０分間の条件で乾燥させて、封止用樹脂フィルムを得た。
なお、熱硬化性樹脂組成物の６０〜２３０℃での最低粘度は、ワニスを調製し、乾燥させた後の組成物で測定した。具体的には、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で、粘度計（ＶＡＲ−１００、ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）を用いて測定したところ、それぞれ、下記第１表に示す結果であった。
【０１５５】
得られた各封止用樹脂フィルムを、２００℃、６０分間の条件で硬化させた。
硬化後の各フィルムを４０ｍｍ×１００ｍｍに切り取り、直径約２ｍｍの筒状試験体とした。
各試験体の誘電率（ε）および誘電正接（ｔａｎδ）を、空洞共振器を用いて、温度２５℃、周波数５ＧＨｚで測定した。その結果を第１表に示す。
また、同様の各試験体のガラス転移温度（Ｔｇ）および弾性率（ＧＰａ）を、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）により、周波数１０Ｈｚ（引張りモード）で測定した。その結果を表１に示す。
【０１５６】
【表１】
0005435685.tif 000020
【０１５７】
上記第１表に示す各組成成分としては、以下に示すものを用いた。
・ビニル化合物Ａ１：ＯＰＥ−２ｓｔ（一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ7が水素であり、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が構造式（４）であり、−（Ｙ−Ｏ）−が構造式（６）であり、Ｚがメチレン基であり、ｃおよびｄが１である。）、数平均分子量２２００、三菱ガス化学社製
・ビニル化合物Ａ２：ＯＰＥ−２ｓｔ（一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ7が水素であり、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が構造式（４）であり、−（Ｙ−Ｏ）−が構造式（６）であり、Ｚがメチレン基であり、ｃおよびｄが１である。）、数平均分子量３００００、三菱ガス化学社製
・熱可塑性エラストマーＢ１：ＴＲ２００３、ＪＳＲ社製
【０１５８】
（参考例１および２）
下記表２に示す配合（質量部）で、メチルエチルケトンを溶剤としてエポキシ樹脂組成物のワニスを調製した（固形分約３０重量％）。得られたワニスを、支持体（ＰＥＴ）上に、厚み３０μｍとなるようマイクログラビアコーターで塗布した後、８０〜１２０℃、１０分間の条件で乾燥させて、封止用樹脂フィルムを得た。
なお、熱硬化性樹脂組成物の６０〜２３０℃での最低粘度は、ワニスを調製し、乾燥させた後の組成物で測定した。具体的には、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で、粘度計（ＶＡＲ−１００、ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）を用いて測定したところ、それぞれ、下記第２表に示す結果であった。
【０１５９】
【表２】
0005435685.tif 000021
【０１６０】
上記第２表に示す各組成成分としては、以下に示すものを用いた。
・エポキシ樹脂Ｃ１：フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型樹脂。式（７′）でｎ＝１〜１．２のもの。
・エポキシ樹脂Ｃ２：重量平均分子量が３９０００であり、かつ水酸基を有する２官能型直鎖状エポキシ樹脂。エポキシ当量１２０００ｇ／当量、数平均分子量１４５００。
・アセチル化フェノールノボラックＤ１：（ｎ：ｍ＝１：１）
・硬化剤：２−エチル−４−メチルイミダゾール
・成膜補助剤：ジビニルベンゼン（ＤＶＢ９６０、新日鉄化学社製）
・開始剤：１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノアート
・溶剤：エチルメチルケトン
【０１６１】
（実施例４）
得られた封止用樹脂フィルムのうち、実施例２で調製した封止用樹脂フィルムを用いて、電子部品１（Ｓｉチップ、ｔ２５０μｍ、５ｍｍ□）および電子部品２（Ｓｉチップ、ｔ１２５μｍ、７．５ｍｍ□）の封止を行った。
【０１６２】
具体的には、まず、テフロンクッション付きＰＥＴ基材のテフロンクッション表面上に封止用樹脂フィルムを厚さ１０μｍで設置した後に、１８０℃下において、該封止用樹脂フィルム上に電子部品１および２を設置し、該封止用樹脂フィルムにより該電子部品をテフロンクッション付きＰＥＴ基材上に固定した（図２（Ａ）および（Ｂ）参照。）。
次に、該封止用樹脂フィルムおよび該電子部品の上に、封止用樹脂フィルムを厚さ１３５μｍで設置し、更にその上にテフロンクッション付き熱盤（基材）を設置した。
その後、高温真空プレス機（北川精機社製）を用い、２００℃、プレス圧１ＭＰａ、真空度１．０ｋＰａの条件で、６０分間、ＰＥＴ基材と熱盤とを真空プレスし、モジュール前駆体を得た（図２（Ｃ）および（Ｄ）参照。）。
【図面の簡単な説明】
【０１６３】
【図１】図１は、モジュールの製造方法の実施態様の一例を模式的に説明する断面図である。
【図２】図２は、モジュール前駆体の製造方法の実施態様の一例を模式的に説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１６４】
１，１０  基板
２，７  電子部品
３，封止用樹脂フィルム
４  基材
５  第１基材
６  第１封止フィルム
８  第２封止フィルム
９  第２基材
【図１】
0005435685.tif 000025
【図２】
0005435685.tif 000026