(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路面上に複数の電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの回路面の一部と、少なくともひとつの側面の一部と、裏面の一部とを囲むように配設されるとともに、２つの絶縁層の間に配線層を有する、インターポーザ基板と、
を備え、
前記半導体チップの裏面のうち前記半導体チップの中央近傍部分に前記インターポーザ基板が接着固定され、
前記半導体チップの側面において前記半導体チップと前記インターポーザ基板とが離間して設けられた所定の間隔を有し、
前記インターポーザ基板は、前記半導体チップの側面ないし、前記半導体チップの裏面のうち接着面を除く部分と対向する面が非接着面となっていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記インターポーザ基板には、前記配線層上の前記半導体チップ側の面に前記半導体チップの電極に接続するための第１の電極パッドが設けられ、かつ、その反対面側に外部と接続するための第２の電極パッドが設けられたことを特徴とする、請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記半導体チップ上の電極と前記第１の電極パッドとを接続する第１の導電体と、
前記第２の電極パッド上に設けられた第２の導電体と、
を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記半導体チップの側面方向から前記インターポーザ基板を押圧したときに、前記間隔が前記半導体チップの少なくとも裏面側に移動し、かつ、前記インターポーザ基板の前記非接着面が前記半導体チップの裏面から浮いた状態となるように構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記半導体チップの裏面における前記インターポーザ基板と前記半導体チップとの接着面積は、前記半導体チップの裏面の全面積の半分以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記インターポーザ基板の前記２つの絶縁層のうち前記半導体チップの表面と対向する側に位置する絶縁層は、熱可塑性樹脂よりなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記半導体チップの側面において前記半導体チップと前記インターポーザ基板の間の前記間隔に、柔軟性材料よりなる充填部材を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記半導体チップの側面方向から前記インターポーザ基板を押圧又は、加熱して押圧したときに、前記充填部材が前記半導体チップの少なくとも裏面側に移動し、かつ、前記インターポーザ基板の前記非接着面が前記半導体チップの裏面から浮いた状態となるように構成されることを特徴とする請求項７記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記充填部材は、ゴム材料よりなることを特徴とする請求項７又は８記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記充填部材は、はんだが溶融する温度以下で軟化する材料よりなることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記インターポーザ基板は、その中央部分が前記半導体チップの回路面上に配され、両先端部分が前記半導体チップの裏面側に折り返され、両先端部分同士が離間していることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記インターポーザ基板は、その中央部分が前記半導体チップの回路面上に配され、両先端部分が前記半導体チップの裏面側に折り返され、前記半導体チップの裏面上にて両先端部分が重なり合っていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記インターポーザ基板は、その中央部分が前記半導体チップの裏面上に配され、両先端部分が前記半導体チップの回路面側に折り返され、前記半導体チップの回路面上にて両先端部分が離間していることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記インターポーザ基板は、基板中央部分が前記半導体チップの側面上に配され、一方の先端部分が前記半導体チップの回路面側に折り返され、他方の先端部分が前記半導体チップの裏面側に折り返されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
半導体パッケージを複数積層した３次元半導体パッケージにおいて、
前記半導体パッケージのうち、少なくとも最下段に配置され、かつ、基板に直接実装されることになる半導体パッケージは、請求項１乃至１４のいずれか一に記載の半導体パッケージであることを特徴とする３次元半導体パッケージ。
【請求項１６】
基板上に、請求項１乃至１４のいずれか一に記載の半導体パッケージ、又は、請求項１５記載の３次元半導体パッケージが実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記基板に直接実装される半導体パッケージは、前記基板を曲面化したときに、前記間隔が前記半導体チップの少なくとも裏面側に移動し、前記インターポーザ基板が前記半導体チップの前記非接着面が前記半導体チップの裏面から浮いた状態になることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
筐体内に、請求項１６又は１７記載の半導体装置が組み込まれていることを特徴とする電子機器。
【請求項１９】
半導体パッケージの製造方法であって、
２つの絶縁層の間に配線層を有するインターポーザ基板に非接着領域を形成する工程と、
前記インターポーザ基板に半導体チップの表面側が対向するように実装する工程と、
前記半導体チップの側面に間隔を形成する部材を配置する工程と、
前記インターポーザ基板が前記部材を介して前記半導体チップの裏面側に折り曲げる工程と、
を含み、
前記非接着領域を形成する工程では、前記インターポーザ基板における、前記半導体チップの側端面と対向することになる部分と、前記半導体チップの裏面のうち前記半導体チップの中央近傍部分とを除く部分と対向することになる部分と、のそれぞれに前記非接着領域を形成し、
前記折り曲げる工程では、前記半導体チップの表面、及び、前記半導体チップの裏面のうち前記半導体チップの中央近傍部分に前記インターポーザ基板を接着固定することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記インターポーザ基板を前記半導体チップの裏面側に折り曲げた後に、前記部材を抜き取る工程を含むことを特徴とする請求項１９記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願）本願は、先の日本特許出願２００６−１５７１３７号（２００６年６月６日出願）の優先権を主張するものであり、前記先の出願の全記載内容は、本書に引用をもって繰込み記載されているものとみなされる。
本発明は、半導体チップをパッケージした半導体パッケージ、その製造方法、半導体装置、及び電子機器に関し、特に、外観が曲面化された電子機器に適した半導体パッケージ、その製造方法、半導体装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器は軽薄短小の流れと共に、曲面を多用しデザイン重視の製品が市場に出始めている。また、コンセプトモデルとしても様々な電子機器で曲面デザインの製品が発表されている。【０００３】
曲面を有した外観で軽薄短小なモデルを実現するためには、従来実装が不可能であった曲面部にも内蔵部品を搭載する事が望まれており、基板に半導体パッケージを実装した半導体装置を曲面化して空きスペースにも実装できるようにすることが好ましい。【０００４】
ここで、基板に半導体パッケージを実装した半導体装置の従来例について説明する。【０００５】
図１３は、従来例１に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。従来例１は、特許文献１に示されているチップサイズパッケージを実装した半導体装置である。図１３を参照すると、従来例１に係る半導体装置は、半導体チップ１０１裏面中央部分の極めて狭い面積を残した裏面全面及び半導体チップ１０１側面に、非粘着剤１１８が塗布されている。また、半導体チップ１０１側の面に配置された熱可塑性樹脂１０２と逆の面に配置された熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる絶縁性樹脂１０３とこれらの樹脂層の間に接着されて配置された配線パターン１１０とで構成されるインターポーザ基板１１１が、この半導体チップ１０１の周側面を１周に亘って覆うようにして形成されている。インターポーザ基板１１１は、半導体チップ１０１の裏面側の非粘着剤１１８が塗布されていない部分において、半導体チップ１０１と熱可塑性樹脂１０２によって接着されている。半導体チップ１０１上にウェハ工程において形成された電極パッド（図示せず）上には導電体１０４が夫々形成されており、半導体チップ１０１は、この導電体１０４と、この半導体チップ１０１と接着された熱可塑性樹脂１０２に形成された電極パッド１０５とを介して、インターポーザ基板内部の配線パターン１１０とフリップチップ接続されている。また、外部に面して形成された絶縁性樹脂１０３には、半導体チップ１０１の裏面側に形成された部分に、外部との接続用の複数個の電極パッド１０５が形成されている。これらの外部接続用の電極パッド１０５上にはバンプ１０８が形成され、これらのはんだバンプ１０８は、基板１０９上に形成された電極パッド１０５と夫々フリップチップ接続されている。【０００６】
図１４は、従来例２に係る半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。従来例２は、特許文献２に示されているチップサイズパッケージである。図１４を参照すると、従来例２に係る半導体装置は、回路面上に複数の電極２２１が設けられたベアチップ２１３と、ベアチップ２１３を被覆し、内面側にベアチップ２１３の各電極２２１にそれぞれ対応させて複数のベアチップ実装用の第１の電極２２２が設けられると共に、外面側に各第１の電極２２２とそれぞれ対応させて、当該各第１の電極２２２とそれぞれ導通する複数の外部接続用の第２の電極２１８が設けられたフイルム状部材２１２と、ベアチップ２１３の各電極２２１とフイルム状部材２１２の各第１の電極２２２とをそれぞれ電気的に接続する接続手段２２３と、フイルム状部材２１２の内面及びベアチップ２１３間に充填され、ベアチップ２１３を封止しかつベアチップ２１３とフイルム状部材２１２とを接着する絶縁性樹脂２１４Ｂとを備え、フイルム状部材２１２は、ベアチップ２１３の周側面と対向する内面間に緩衝材２２９を備えている。【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１４６７５１号公報（段落００９３、図２５）
【特許文献２】特開平８−３３５６６３号公報（段落００３１、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載された半導体パッケージの構造では、基板へ搭載後、曲面化を実現するためにはいくつかの問題がある。以下、本発明の観点から、これらの文献に記載された半導体パッケージの構造について、分析を与える。なお、上記特許文献１、２の全開示内容はその引用をもって本書に繰込み記載する。【０００９】
特許文献１（図１３参照）の半導体装置に関しては、基板１０９が温度変化に応じて熱膨張及び冷却収縮を繰り返すような場合において、この基板１０９の膨張収縮運動にインターポーザ基板１１１がはんだバンプ１０８を介して同調し、インターポーザ基板１１１自身が伸縮することによって、基板１０９の膨張収縮運動に起因する熱応力が発生することを防止することができる。しかしながら、半導体チップ１０１とインターポーザ基板１１１が全周にわたって接着もしくは接触しているため、基板１０９を曲面化する際には、膨張収縮運動に起因する応力よりも大きな応力が加わるため、半導体パッケージが応力を吸収しきれず、曲げに追従しきれない。そのため、曲面化の際に、はんだボール１０８との接合面や半導体チップ１０１のクラックによる接続不良が生じる。【００１０】
特許文献２（図１４参照）の半導体装置に関しては、フイルム状部材２１２の曲げ部分に集中する曲げによるストレスを緩衝材２２９によって緩和させることができる。しかしながら、ベアチップ２１３とフイルム状部材２１２とが絶縁性樹脂２１４Ｂによって接着しているため、半導体パッケージを基板に搭載して基板を曲面化すると、はんだボール２１５との接合面、接続手段２２３との接合面、ベアチップ２１３のクラックによる接続不良が生じる。【００１１】
本発明の主な課題は、基板の曲面化の際、基板上に搭載されたはんだバンプとの接合面や半導体チップへのストレスを緩和して、接続不良がなく信頼性の高い半導体パッケージ、その製造方法、半導体装置、及び電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の視点においては、半導体パッケージにおいて、回路面上に複数の電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの回路面の一部と、少なくともひとつの側面の一部と、裏面の一部とを囲むように配設されるとともに、２つの絶縁層の間に配線層を有する、インターポーザ基板と、前記半導体チップ上の電極と前記第１の電極パッドとを接続する第１の導電体と、前記第２の電極パッド上に設けられた第２の導電体と、を備え、前記半導体チップの裏面のうち前記半導体チップの中央近傍部分に前記インターポーザ基板が接着固定され、前記半導体チップの側面において前記半導体チップと前記インターポーザ基板とが離間して設けられた所定の間隔を有し、前記インターポーザ基板は、前記半導体チップの側面ないし、前記半導体チップの裏面のうち接着面を除く部分と対向する面が非接着面となっていることを特徴とする（形態１、ないし形態１−１）。
【００１３】
本発明の第２の視点においては、半導体パッケージを複数積層した３次元半導体パッケージにおいて、前記半導体パッケージのうち、少なくとも最下段に配置され、かつ、基板に直接実装されることになる半導体パッケージは、前記半導体パッケージであることを特徴とする（形態２）。【００１４】
本発明の第３の視点においては、半導体装置において、基板上に、前記半導体パッケージ、又は、前記３次元半導体パッケージが実装されていることを特徴とする（形態３−１）。【００１５】
本発明の第４の視点においては、電子機器において、筐体内に前記半導体装置が組み込まれていることを特徴とする（形態４）。【００１６】
本発明の第５の視点においては、半導体パッケージの製造方法が提供され、２つの絶縁層の間に配線層を有するインターポーザ基板に非接着領域を形成する工程と、前記インターポーザ基板に半導体チップの表面側が対向するように実装する工程と、前記半導体チップの側面に間隔を形成する部材を配置する工程と、前記インターポーザ基板が前記部材を介して前記半導体チップの裏面側に折り曲げる工程と、を含み、
前記非接着領域を形成する工程では、前記インターポーザ基板における、前記半導体チップの側端面と対向することになる部分と、前記半導体チップの裏面のうち前記半導体チップの中央近傍部分とを除く部分と対向することになる部分と、のそれぞれに前記非接着領域を形成し、
前記折り曲げる工程では、前記半導体チップの表面、及び、前記半導体チップの裏面のうち前記半導体チップの中央近傍部分に前記インターポーザ基板を接着固定することを特徴とする（形態５）。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の各視点によれば、インターポーザ基板と半導体チップ側面の間には間隔があり、インターポーザ基板に余長があるため、半導体パッケージを搭載した基板を曲面化しても、インターポーザ基板が曲げに追従でき、はんだバンプとの接合面や半導体チップへのストレスを緩和して、接続不良がなく信頼性の高い半導体パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した平面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の図１のＸ−Ｘ´間の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る半導体パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置の構成（積層型１）を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置の構成（積層型２）を模式的に示した断面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。
【図７】本発明の実施形態２に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置の構成（積層型１）を模式的に示した断面図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置の構成（積層型２）を模式的に示した断面図である。
【図９】本発明の実施形態３に係る半導体パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明の実施形態４に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した平面図である。
【図１１】本発明の実施形態４に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の図１０のＹ−Ｙ´間の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。
【図１２】本発明の実施形態５に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。
【図１３】従来例１に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。
【図１４】従来例２に係る半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１  半導体チップ
２  第１の導電体
３  第２の導電体
４  隙間
５、５Ａ、５Ｂ  半導体パッケージ
１０  インターポーザ基板
１１  熱可塑性樹脂（絶縁層）
１１ａ  非接着面
１２  配線パターン（配線層）
１３  絶縁性樹脂（絶縁層）
１４、１５ａ、１５ｂ  電極パッド
１６  充填部材
２０  基板
２１  電極パッド
３１  プラズマ
３２  マスク材
３３  スペーサ
３４  ヒータ
３５  ローラ
１０１  半導体チップ
１０２  熱可塑性樹脂
１０３  絶縁性樹脂
１０４  導電体
１０５  電極パッド
１０８  はんだバンプ
１０９  基板
１１０  配線パターン
１１１  インターポーザ基板
１１２、１１２Ａ、１１２Ｂ  半導体パッケージ
１１８  非粘着剤
２１１  導体パターン
２１２  フイルム状部材
２１３  ベアチップ
２１４Ａ、２１４Ｂ  絶縁性樹脂
２１５  はんだボール
２１８  第２の電極
２２１  電極
２２２  第１の電極
２２３  接続手段
２２９  緩衝材
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の半導体パッケージにおいて、インターポーザ基板は、好ましくは、前記配線層上の前記半導体チップ側の面に前記半導体チップの電極に接続するための第１の電極パッドが設けられ、かつ、その反対面側に外部と接続するための第２の電極パッドが設けられたインターポーザ基板である（形態１−２）。【００２１】
本発明の半導体パッケージにおいて、前記半導体チップ上の電極と前記第１の電極パッドとを接続する第１の導電体と、前記第２の電極パッド上に設けられた第２の導電体と、を備えることができる（形態１−３）。【００２２】
前記半導体チップの側面方向から前記インターポーザ基板を押圧したときに、前記間隔が前記半導体チップの少なくとも裏面側に移動し、かつ、前記インターポーザ基板の前記非接着面が前記半導体チップの裏面から浮いた状態となるように構成されることができる（形態１−４）。【００２３】
前記半導体チップの裏面における前記インターポーザ基板と前記半導体チップとの接着面積は、前記半導体チップの裏面の全面積の半分以下であることができる（形態１−５）。【００２５】
前記インターポーザ基板の前記２つの絶縁層のうち前記半導体チップの表面と対向する側に位置する絶縁層は、熱可塑性樹脂よりなることができる（形態１−７）。【００２６】
前記半導体チップの側面において前記半導体チップと前記インターポーザ基板の間の前記間隔に、柔軟性材料よりなる充填部材を有することができる（形態１−８）。【００２７】
前記半導体チップの側面方向から前記インターポーザ基板を押圧又は、加熱して押圧したときに、前記充填部材が前記半導体チップの少なくとも裏面側に移動し、かつ、前記インターポーザ基板の前記非接着面が前記半導体チップの裏面から浮いた状態となるように構成されることができる（形態１−９）。【００２８】
前記充填部材は、ゴム材料よりなることができる（形態１−１０）。【００２９】
前記充填部材は、はんだが溶融する温度以下で軟化する材料よりなることができる（形態１−１１）。【００３０】
前記インターポーザ基板は、その中央部分が前記半導体チップの回路面上に配され、両先端部分が前記半導体チップの裏面側に折り返され、両先端部分同士が離間していることができる（形態１−１２）。【００３１】
前記インターポーザ基板は、その中央部分が前記半導体チップの回路面上に配され、両先端部分が前記半導体チップの裏面側に折り返され、前記半導体チップの裏面上にて両先端部分が重なり合っていること（形態１−１３）。  前記インターポーザ基板は、その中央部分が前記半導体チップの裏面上に配され、両先端部分が前記半導体チップの回路面側に折り返され、前記半導体チップの回路面上にて両先端部分が離間していることができる（形態１−１４）。【００３２】
前記インターポーザ基板は、基板中央部分が前記半導体チップの側面上に配され、一方の先端部分が前記半導体チップの回路面側に折り返され、他方の先端部分が前記半導体チップの裏面側に折り返されていることができる（形態１−１５）。【００３３】
半導体パッケージを複数積層した３次元半導体パッケージにおいて、前記半導体パッケージのうち、少なくとも最下段に配置され、かつ、基板に直接実装されることになる半導体パッケージは、形態１−１〜形態１−１５のいずれかの半導体パッケージであることができる（形態２）。【００３４】
基板上に、形態１−１〜形態１−１５のいずれかの半導体パッケージ、又は、形態２の３次元半導体パッケージが実装されていることにより半導体装置とすることができる（形態３−１）。【００３５】
前記基板に直接実装される半導体パッケージは、前記基板を曲面化したときに、前記間隔が前記半導体チップの少なくとも裏面側に移動し、前記インターポーザ基板が前記半導体チップの前記非接着面が前記半導体チップの裏面から浮いた状態になることができる（形態３−２）。【００３６】
筐体内に、形態３−１又は形態３−２の半導体装置を組み込むことにより、電子機器を得ることができる（形態４）。【００３７】
半導体パッケージの製造方法（形態５）において、前記インターポーザ基板を前記半導体チップの裏面側に折り曲げた後に、前記部材を抜き取る工程をさらに含むことができる（形態５−１）。【００３８】
（実施形態１）
本発明の実施形態１に係る半導体パッケージについて図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージを基板に搭載した半導体装置の構成を模式的に示した平面図である。図２は、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージを基板に搭載した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の図１のＸ−Ｘ´間の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。【００３９】
この半導体装置は、半導体パッケージ５と、基板２０と、を有する。この半導体装置は、基板２０上に半導体パッケージ５を搭載したものであり、基板２０を曲面化したときにも第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へのストレスを緩和できるように構成したものである。この半導体装置は、曲面を有する筐体を用いた電子機器に組み込む際に適用できる。また、筐体が平面形状の場合であっても、基板２０を曲面化することにより得られた筐体との間のスペースには別の部品を搭載できることはいうまでもなく、曲面化された基板下の筐体との隙間が大きいスペースに周囲に配置された部品よりも高さの高い部品を配置する場合には有効である。【００４０】
半導体パッケージ５は、半導体チップ１を当該半導体チップ１と略同サイズにパッケージしたチップサイズパッケージ（Chip Size Package；ＣＳＰ）である。半導体パッケージ５は、半導体チップ１と、第１の導電体２と、インターポーザ基板１０と、第２の導電体３と、を有する。【００４１】
半導体チップ１は、半導体集積回路を有するチップであり、回路面上にウェハ工程において形成された複数の電極パッド（図示せず）を有する。半導体チップ１の各電極パッド（図示せず）上には第１の導電体２が形成されている。半導体チップ１は、第１の導電体２および第１の電極パッド１４を介してインターポーザ基板１０の配線パターン１２とフリップチップ接続されている。【００４２】
第１の導電体２は、半導体チップ１の各電極パッド（図示せず）と、インターポーザ基板１０の第１の電極パッド１４とを電気的に接続（接合）するバンプ形状の導電体である。第１の導電体２には、例えば、Ａｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎはんだ等の導電体を用いることができる。【００４３】
第２の導電体３は、インターポーザ基板１０の第２の電極パッド１５ａと、外部接続部品とを電気的に接続する為の物で、第２の導電体には、例えば、はんだボールを用いることができる。【００４４】
インターポーザ基板１０は、半導体チップ１と基板２０とを電気的に接続する可撓性の配線基板である。インターポーザ基板１０は、半導体チップ１の側面との間に一定の間隔（隙間４）がある状態で、半導体チップ１の対向する２辺を覆うようにして形成されている。なお、半導体チップ１の側面方向からインターポーザ基板１０を押圧したときに、半導体チップ１の側面にあった隙間４は半導体チップ１の少なくとも裏面側に移動し、インターポーザ基板１０の非接着面１１ａが半導体チップ１の裏面から浮いた状態となる。実施形態１に係るインターポーザ基板１０は、基板中央部分が半導体チップ１の回路面側に配され、先端部分が半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）側に折り返され、両先端部分同士が離間している。インターポーザ基板１０と半導体チップ１側面の隙間４による余長は、基板２０を曲面化した際に、インターポーザ基板１０が下方に引き下げられても伸びることのない長さとする。この余長は、基板２０の曲率に応じて設定され、基板２０の曲率が大きければ長く設定され、曲率が小さければ短く設定される。インターポーザ基板１０は、熱可塑性樹脂１１と、配線パターン１２と、絶縁性樹脂１３と、第１の電極パッド１４と、第２の電極パッド１５ａ、１５ｂと、を有する。【００４５】
熱可塑性樹脂１１は、インターポーザ基板１０の半導体チップ１側に配置された熱可塑性樹脂よりなる絶縁層である。熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の電極パッド（図示せず）と、配線パターン１２とを電気的に接続するための下穴を有する。当該下穴には第１の導電体２および第１の電極パッド１４が配されている。熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の回路面（第１の電極パッド１４の配設面を除く）、および、半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）の中央近傍部分（半導体チップ１の裏面におけるインターポーザ基板１との対向面のうち、中央部の２分の１の幅領域、特に、半導体チップ１側の面まで延材する延材方向に垂直な幅の領域）と接着されており、半導体チップ１の側面ないし、半導体チップ１の裏面のうち接着面以外の部分と対向する面が非接着面１１ａとなっている。なお、熱可塑性樹脂１１は、第１の電極パッド１４の配設面にて半導体チップ１の回路面の電極パッドと導電体で接続されて強度が確保されていれば、半導体チップ１の回路面（第１の電極パッド１４の配設面を除く）と接着していなくともよい。半導体チップ１の裏面の中央近傍部分における熱可塑性樹脂１１と半導体チップ１との接着面積は、半導体チップ１の側面方向からインターポーザ基板１０を押圧したときに、隙間４が半導体チップ１の少なくとも裏面側に移動し、かつ、インターポーザ基板１０の非接着面１１ａが半導体チップ１の裏面から浮いた状態となるようにするため、半導体チップ１の裏面の全面積の半分以下が望ましい。熱可塑性樹脂１１の非接着面１１ａは、表面改質（例えば、プラズマ処理、非粘着材塗布）により、加熱しても半導体チップ１とは接着しない状態となっている。【００４６】
配線パターン１２は、熱可塑性樹脂１１と絶縁性樹脂１３の間にて接着されて配置された導電体（例えば、銅）よりなる配線層である。配線パターン１２は、熱可塑性樹脂１１の下穴に配された第１の電極パッド１４および第１の導電体２を介して、半導体チップ１の電極パッド（図示せず）と電気的に接続されている。配線パターン１２は、絶縁性樹脂１３の下穴に配された第２の電極パッド１５ａと、第２の導電体３とを介して、基板２０の電極パッド２１と電気的に接続されている。配線パターン１２は、絶縁性樹脂１３の下穴に配された第２の電極パッド１５ａと電気的に接続されている。【００４７】
絶縁性樹脂１３は、インターポーザ基板１０の半導体チップ１の反対面側に配置された熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる絶縁層である。絶縁性樹脂１３は、基板２０側に折り返された部分に、基板２０の電極パッド２１と、配線パターン１２とを電気的に接続するための下穴を有する。当該下穴には第２の電極パッド１５ａと第２の導電体３が配されている。絶縁性樹脂１３は、半導体パッケージ５上に他の半導体パッケージを積層させる場合（図４、５参照）には、半導体チップ１の回路面側に折り返された部分に当該他の半導体パッケージ（図示せず）の第２の導電体（図示せず）と、配線パターン１２とを電気的に接続するための下穴が形成され、当該下穴には第２の電極パッド１５ｂが配される。なお、絶縁性樹脂１３は、半導体パッケージ５上に他の半導体パッケージを積層しない場合は、第２の電極パッド１５ｂ用の下穴を設けなくてもよい。【００４８】
第１の電極パッド１４は、半導体チップ１の電極パッド（図示せず）と、配線パターン１２とを電気的に接続するための導電性材料（例えば、Ｎｉ／Ａｕ及びＰｄ等）からなる電極パッドである。第１の電極パッド１４は、熱可塑性樹脂１１に配線パターン１２まで貫通するようにして設けられ、半導体チップ１の電極パッド（図示せず）に対応する位置に開けられた下穴に配されている。【００４９】
第２の電極パッド１５ａは、基板２０とインターポーザ基板１０を電気的に接続する為の導電性材料（例えば、Ｎｉ／Ａｕ及びＰｄ等）からなる電極パッドである。第２の電極パッド１５ａは、熱可塑性樹脂１３に配線パターン１２まで貫通するようにして設けられ、基板２０の電極パッドに対応する位置に開けられた下穴に配されている。なお、第２の電極パッド１５ｂは、半導体パッケージ５上に他の半導体パッケージを積層しない場合は、なくてもよい。【００５０】
第２の導電体３は、基板２０の電極パッド２１と、インターポーザ基板１０の第２の電極パッド１５ａとを電気的に接続するための導電体である。基板２０は、加熱により曲面化可能な基板（配線基板）である。基板２０は、絶縁層の内層に配線層（図示せず）が設けられ、絶縁層の半導体パッケージ５側の面に配線層に接続された電極パッド２１が露出している。電極パッド２１は、第２の導電体３を介してインターポーザ基板１０の第２の電極パッド１５ａと電気的に接続される。【００５１】
次に、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージの製造方法について図面を用いて説明する。図３は、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００５２】
まず、２つの絶縁層の間にパターンが形成されている配線層を有したインターポーザ基板１０を準備する。なお、絶縁層は、一方を熱可塑性樹脂１１とし、反対面側を絶縁性樹脂１３として構成されている。【００５３】
次に、インターポーザ基板１０を構成する熱可塑性樹脂１１及び絶縁性樹脂１３に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー、またはエキシマレーザー等を用いて配線パターン１２に達する複数個の下穴を所望の場所に形成する（ステップＡ１）。次に、これらの下穴から配線パターン１２が露出した部分に、公知のメッキ法及びスパッタ法等により電極パッド１４、１５ａ、１５ｂを形成する（ステップＡ２）。【００５４】
次に、インターポーザ基板１０の熱可塑性樹脂１１の表面のうち半導体チップ１と接着させる所望の部分を金属平板等からなるマスク材３２により覆って保護した後、マスク材３２の開口部から露出した熱可塑性樹脂１１（半導体チップ１と接着させない部分）をプラズマ３１に曝すことによって、非接着面（図３（Ｂ）の１１ａ）を形成する（ステップＡ３；図３（Ａ）参照）。これにより、熱可塑性樹脂１１の非接着面（図３（Ｂ）の１１ａ）の接着力が消失される。【００５５】
次に、フリップチップボンダー等による熱圧着法等のような公知のフリップチップ技術により、半導体チップ１の回路面上の電極パッド（図示せず）上に形成された第１の導電体２を、熱可塑性樹脂１１に形成された第１の電極パッド１４に接続する（ステップＡ４）。【００５６】
次に、第１の導電体２及び第１の電極パッド１４を介して半導体チップ１と接続されたインターポーザ基板１０を、半導体チップ１を接続していない絶縁性樹脂１３側をヒータ３４上に接するようにして設置し、真空吸着により固定する（ステップＡ５；図３（Ｂ）参照）。【００５７】
次に、半導体チップ１の両側面にスペーサ３３を配置し、インターポーザ基板１０を、ヒータ３４上で加熱しながら半導体チップ１の側面に配置されたスペーサ３３、及び半導体チップ１の裏面に沿って折り曲げ、シリコン及びテフロン（登録商標）等の耐熱性に優れた材料で作製されたローラ３５で、インターポーザ基板１０の外側から所定の荷重（０．５〜３ｋｇ程度）を加えることによって、インターポーザ基板１０の回路面および両先端部分を半導体チップ１表面に接着する（ステップＡ６；図３（Ｃ）参照）。このとき、熱可塑性樹脂１１の非接着面１１ａは、半導体チップ１表面に接着されない。【００５８】
次に、スペーサ３３を抜き取る（ステップＡ７）。最後に、インターポーザ基板１０の第２の電極パッド１５ａ上に第２の導電体３を形成する（ステップＡ８；図３（Ｄ）参照）。これにより、半導体パッケージ５ができる。このようにしてできた半導体パッケージ５は基板に２次実装されることになる。【００５９】
なお、上記製造方法では、半導体チップ１の両側面に所定の隙間４を設けるためにスペーサ３３を配置しているが、所定の隙間４を設けるためのインターポーザ基板１０の全長がわかっている場合は、半導体チップ１の裏面側に折り返されたインターポーザ１０の両先端部分を、半導体チップ１の裏面側（例えば中心位置など）で離間なく接触させ、接着することにより、半導体チップ１の表面側だけをローラ３５による所定の荷重を加えるだけでよく、更にスペーサ３３を抜き取る工程を省くことができるというメリットがある。このように、製造することによって、インターポーザ基板１０の両先端部分が接触した半導体パッケージを得ることができる。この場合にも、上記両先端部分が離間した半導体パッケージと同様に曲面化に対応できることは言うまでもない。【００６０】
次に、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置を曲面化する場合について説明する。【００６１】
半導体パッケージ５を実装した平坦な基板２０（図２（Ａ）参照）を、半導体チップ１の図２の左右方向の中心を頂点として２次元的に凸状（円筒面状）に曲げてゆくと、半導体チップ１の裏面側中央部で接着されているインターポーザ基板１０は、湾曲する基板２０に追従して変形し、インターポーザ基板１０の半導体チップ１の裏面側の部分が、半導体チップ１の裏面中央部分（半導体チップ１と熱可塑性樹脂１１の接着部分）を頂点（接点）とした凸状（弧状）に湾曲する（図２（Ｂ）参照）。これにより、インターポーザ基板１０と半導体チップ１の側面にある隙間４は、半導体チップ１の少なくとも裏面側に移動し、インターポーザ基板１０の非接着面１１ａが半導体チップ１の裏面から浮いた状態となる。このように、インターポーザ基板１０が基板２０の曲面化に追従することができるため、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。【００６２】
次に、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置について図面を用いて説明する。図４、５は、本発明の実施形態１に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。【００６３】
図４を参照すると、実施形態１に係る半導体パッケージ５上に従来例１の半導体パッケージ１１２Ａ、１１２Ｂを積層した３次元半導体パッケージは、曲面化された基板２０上に２次実装されている。基板２０に直接実装されことになる半導体パッケージ５は、最下段に配置される。従来例１の半導体パッケージ１１２Ａ、１１２Ｂは、半導体チップ１０１とインターポーザ基板１１１が全周にわたって接着もしくは接触しているものである（図１３参照）。なお、半導体パッケージ１１２Ａ、１１２Ｂは、非粘着剤１１８を有さない構成であってもよい。半導体パッケージ５の第２の電極パッド１５ａは、第２の導電体３を介して基板２０の電極パッド２１に接続されている。半導体パッケージ１１２Ａは、はんだバンプ１０８を介して半導体パッケージ５の第２の電極パッド１５ｂに接続されている。半導体パッケージ１１２Ｂは、はんだバンプ１０８を介して半導体パッケージ１１２Ａの電極パッド１０５に接続されている。この３次元半導体パッケージを基板２０上に実装後、曲面化する場合においても、前述の半導体パッケージ５単体を基板２０上に搭載し、曲面化した時と同様に、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。【００６４】
図５を参照すると、実施形態１に係る半導体パッケージ５上に同様の半導体パッケージ５Ａ、５Ｂを積層した３次元半導体パッケージは、曲面化された基板２０上に２次実装されている。半導体パッケージ５は、第２の導電体３を介して基板２０の電極パッド２１に接続されている。半導体パッケージ５Ａは、第２の導電体３を介して半導体パッケージ５の第２の電極パッド１５ｂに接続されている。半導体パッケージ５Ｂは、第２の導電体３を介して半導体パッケージ５Ａの第２の電極パッド１５ｂに接続されている。この３次元半導体パッケージを基板２０上に実装後、曲面化する場合においても、前述の半導体パッケージ５単体を基板２０上に搭載し、曲面化した時と同様に、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。また、曲面化時に半導体パッケージ５でのストレスが半導体パッケージ５Ａ、５Ｂに伝わってしまった場合でも、半導体パッケージ５と同様の効果により基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。【００６５】
実施形態１によれば、インターポーザ基板１０と、半導体チップ１側面の間には隙間４があり、インターポーザ基板１０に余長があるため、基板２０を曲面化する際にインターポーザ基板１０が曲げに追従できることにより、第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。そのため、接続不良がなく信頼性の高い半導体パッケージを提供することができる。【００６６】
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係る半導体パッケージについて図面を用いて説明する。図６は、本発明の実施形態２に係る半導体パッケージを基板に搭載した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。【００６７】
実施形態２に係る半導体パッケージでは、実施形態１に係る半導体パッケージにおける半導体チップ（図２の１）とインターポーザ基板（図２の１０）の間の隙間（図２の４）に充填部材１６が介在している。実施形態２に係る半導体パッケージにおけるその他の構成は、実施形態１に係る半導体パッケージと同様である。【００６８】
充填部材１６は、柔軟性材料よりなり、そのような材料として、例えば、ゴム弾性、粘弾性、クリープ性、可塑性、ゲル状、ゼリー状等の性状を有する材料が挙げられる。充填部材１６は、硬度３０以下のゴム材料よりなることが望ましい。また、充填部材１６には、常温で硬くとも、第２の導電体３が溶融する温度以下で軟化する材料を用いることができ、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる。充填部材１６は、基板２０を曲面化する前においては半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間に配されている（図６（Ａ）参照）。この半導体装置を曲面化する際には、基板２０の曲面化による残留応力を除くために、加熱をしながら実施する。ここでの加熱温度は、第１の導電体２、および第２の導電体３が溶融する温度以下である。半導体チップ１の左右方向の中心を頂点として２次元的に凸状（円筒面状）に曲げてゆくと、実施形態１と同様にインターポーザ基板１０は第２の導電体３を介して下方に引き下げられるが、曲面化の際の加熱により充填部材１６はインターポーザ基板１０が引き下げられる力で形状変化が容易にできる程度に軟化する。この充填部材１６の軟化により、実施形態１でインターポーザ基板１０と半導体チップ１の側面にある隙間４が、半導体チップ１の裏面側に移動するのと同様に、軟化した充填部材１６の一部分が半導体チップ１の裏面コーナー近傍に移動する。ただし、充填部材１６は、基板２０を曲面化したときに半導体チップ１の裏面とインターポーザ基板１０の間の間隔に全て充たされている必要はなく、隙間４を有していてもよい。【００６９】
次に、本発明の実施形態２に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置について図面を用いて説明する。図７、８は、本発明の実施形態２に係る半導体パッケージ上に他の半導体パッケージを積層した３次元半導体パッケージを曲面化された基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。【００７０】
図７を参照すると、実施形態２に係る半導体パッケージ５上に従来例１の半導体パッケージ１１２Ａ、１１２Ｂを積層した３次元半導体パッケージは、曲面化された基板２０上に２次実装されている。従来例１の半導体パッケージ１１２Ａ、１１２Ｂは、半導体チップ１０１とインターポーザ基板１１１が全周にわたって接着もしくは接触しているものである（図１３参照）。なお、半導体パッケージ１１２Ａ、１１２Ｂは、非粘着剤１１８を有さない構成であってもよい。半導体パッケージ５は、第２の導電体３を介して基板２０の電極パッド２１に接続されている。半導体パッケージ１１２Ａは、はんだバンプ１０８を介して半導体パッケージ５の第２の電極パッド１５ｂに接続されている。半導体パッケージ１１２Ｂは、はんだバンプ１０８を介して半導体パッケージ１１２Ａの電極パッド１０５に接続されている。この３次元半導体パッケージを基板２０上に実装後、曲面化する場合においても、実施形態１と同様に、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。【００７１】
図８を参照すると、実施形態２に係る半導体パッケージ５上に同様の半導体パッケージ５Ａ、５Ｂを積層した３次元半導体パッケージは、曲面化された基板２０上に２次実装されている。なお、半導体パッケージ５Ａ、５Ｂは、充填部材１６を有さない構成であってもよい。半導体パッケージ５は、第２の導電体３を介して基板２０の電極パッド２１に接続されている。半導体パッケージ５Ａは、第２の導電体３を介して半導体パッケージ５の第２の電極パッド１５ｂに接続されている。半導体パッケージ５Ｂは、第２の導電体３を介して半導体パッケージ５Ａの第２の電極パッド１５ｂに接続されている。この３次元半導体パッケージを基板２０上に実装後、曲面化する場合においても、実施形態１と同様に、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。また、曲面化時に半導体パッケージ５でのストレスが半導体パッケージ５Ａ、５Ｂに伝わってしまった場合でも、半導体パッケージ５と同様の効果により基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがない。【００７２】
実施形態２によれば、実施形態１と同様な効果を奏するとともに、実施形態１に係る半導体パッケージの製造方法において用いられるスペーサ（図３（Ｂ）の３３）の代わりに充填部材１６を用いれば、スペーサ（図３（Ｂ）の３３）を抜き取る工程を省けるというメリットがある。また、半導体チップ１の両側面に隙間４がある半導体パッケージと比較し、充填部材１６が充填されていることにより、安定するというメリットがある。ここで、充填部材の配置に関しては、必ずしも半導体チップ１の側面とインターポーザ１０間の全面に充填されている必要はなく、半導体チップの側面に点在させるなど部分的に充填することにより、曲面化の際のインターポーザ基板１０の追従性を向上させる事も可能である。【００７３】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３に係る半導体パッケージについて図面を用いて説明する。図９は、本発明の実施形態３に係る半導体パッケージの構成を模式的に示した断面図である。【００７４】
実施形態１、２に係る半導体パッケージ（図２、図６の５）においては、インターポーザ基板（図２、図６の１０）の先端部分が半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）側に折り返され、両先端部分同士が離間した構成となっているが、実施形態３に係る半導体パッケージ５においては、インターポーザ基板１０の両先端部分同士が重なり合った構成となっている（図９の点線で囲まれた領域Ｐを参照）。実施形態３に係る半導体パッケージ５におけるその他の構成は、実施形態１、２と同様である。【００７５】
インターポーザ基板１０について、熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の回路面、および、半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）の中央近傍部分と接着されており、半導体チップ１の裏面側に折り返された図９の左側先端部分が半導体チップ１の裏面の中央近傍部分と接着され、半導体チップ１の裏面側に折り返された図９の右側先端部分が重なり合う領域の全部又は一部にて左側先端部分の絶縁性樹脂１３と接着されている。また、熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の側面、及び、半導体チップ１の裏面のうち接着面以外の部分と対向する面が非接着面１１ａとなっている。半導体チップ１の裏面の中央近傍部分における熱可塑性樹脂１１と半導体チップ１との接着面積は、半導体チップ１の裏面の全面積の半分以下が望ましい。また、インターポーザ基板１０の両先端部分同士が重なり合う領域における熱可塑性樹脂１１と絶縁性樹脂１３との接着面積は、半導体チップ１の裏面の全面積の半分以下が望ましい。【００７６】
なお、図９では半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間の間隔が隙間４となっているが、実施形態２で示した充填部材（図６の１６参照）を介在させてもよい。【００７７】
また、半導体パッケージ５を基板に実装して、基板を曲面化した場合には、半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間の隙間４や充填部材は、実施形態１、２と同様に、半導体チップ１の少なくとも裏面側に移動し、インターポーザ基板１０の非接着面１１ａが半導体チップ１の裏面から浮いた状態となる。【００７８】
また、実施形態３のようなインターポーザ基板１０の両先端部分が重なり合った構成は、実施形態１、２の３次元半導体パッケージにおける各半導体パッケージ（図４の５、１１２Ａ、１１２Ｂ、図５の５、５Ａ、５Ｂ、図７の５、１１２Ａ、１１２Ｂ、図８の５、５Ａ、５Ｂ参照）にも適用することができる。【００７９】
実施形態３によれば、半導体パッケージ５を基板上に２次実装後、曲面化する場合においても、実施形態１、２と同様の効果により、基板上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがないため、接続不良がなく信頼性の高い半導体パッケージ構造が可能である。また、インターポーザ基板１０の両先端部分同士が重なり合った構成であるため、実施形態１、実施形態２と比較すると、半導体チップ１裏面に折り返されたインターポーザ基板１０の両先端部分の接着面積が大きくとれるため、信頼性を向上できるというメリットがある。【００８０】
（実施形態４）
本発明の実施形態４に係る半導体パッケージについて図面を用いて説明する。図１０は、本発明の実施形態４に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した平面図である。図１１は、本発明の実施形態４に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の図１０のＹ−Ｙ´間の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。【００８１】
実施形態１、２に係る半導体パッケージ（図２、図６の５）においては、インターポーザ基板（図２、図６の１０）の中央部分が半導体チップ１の回路面側に配され、先端部分が半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）側に折り返され、両先端部分同士が離間した構成となっているが、実施形態４に係る半導体パッケージ５においては、インターポーザ基板（図２、図６の１０）の中央部分が半導体チップ１の裏面側に配され、先端部分が半導体チップ１の回路面側に折り返され、両先端部分同士が離間した構成となっている（図１１の点線で囲まれた領域Ｑを参照）。実施形態４に係る半導体パッケージ５におけるその他の構成は、実施形態１、２と同様である。【００８２】
インターポーザ基板１０について、熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の回路面、および、半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）の中央近傍部分と接着されており、半導体チップ１の回路面側に折り返された部分の全体が半導体チップ１の回路面に接着されている。また、熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の側面、及び、半導体チップ１の裏面のうち中央近傍部分（接着面）以外の部分と対向する面が非接着面１１ａとなっている。半導体チップ１の裏面の中央近傍部分における熱可塑性樹脂１１と半導体チップ１との接着面積は、半導体チップ１の裏面の全面積の半分以下が望ましい。【００８３】
なお、図１１（Ａ）では半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間の間隔が隙間４となっているが、実施形態２で示した充填部材（図６の１６参照）を介在させてもよい。【００８４】
また、半導体パッケージ５を基板２０に実装して、基板２０を曲面化した場合には、半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間の隙間４や充填部材は、実施形態１、２と同様に、半導体チップ１の少なくとも裏面側に移動し、インターポーザ基板１０の接着面１１ａが半導体チップ１の裏面から浮いた状態となる（図１１（Ｂ）参照）。【００８５】
また、実施形態４のようなインターポーザ基板１０の先端部分が半導体チップ１の回路面側に折り返された構成は、実施形態１、２の３次元半導体パッケージにおける各半導体パッケージ（図４の５、１１２Ａ、１１２Ｂ、図５の５、５Ａ、５Ｂ、図７の５、１１２Ａ、１１２Ｂ、図８の５、５Ａ、５Ｂ参照）にも適用することができる。【００８６】
実施形態４によれば、半導体パッケージ５を基板２０上に２次実装後、曲面化する場合においても、実施形態１、２と同様の効果により、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがないため、接続不良がなく信頼性の高い半導体パッケージ構造が可能である。【００８７】
（実施形態５）
本発明の実施形態５に係る半導体パッケージについて図面を用いて説明する。図１２は、本発明の実施形態５に係る半導体パッケージを基板に実装した半導体装置の構成を模式的に示した図面であり、（Ａ）は曲面化前の断面図、（Ｂ）は曲面化後の断面図である。【００８８】
実施形態１、２に係る半導体パッケージ（図２、図６の５）においては、１枚のインターポーザ基板（図２、図６の１０）を用いた構成となっているが、実施形態５に係る半導体パッケージ５においては、複数枚（図１２では２枚）のインターポーザ基板１０を用いた構成となっている。実施形態４に係る半導体パッケージ５におけるその他の構成は、実施形態１、２と同様である。【００８９】
インターポーザ基板１０について、基板中央部分が半導体チップ１の側面に配され、先端部分が半導体チップ１の回路面側および裏面側に折り返されている。２枚のインターポーザ基板１０は、半導体チップ１の周囲に左右対称に配設されている。ただし、２枚のインターポーザ基板１０の配線パターンは必ずしも同一である必要はない。２枚のインターポーザ基板１０の先端部分は離間している（図１２の点線で囲まれた領域Ｒを参照）。インターポーザ基板１０における熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の回路面、および、半導体チップ１の回路面の反対面（裏面）の中央近傍部分と接着されており、半導体チップ１の回路面側に折り返された部分の全体が半導体チップ１の回路面に接着されている。また、熱可塑性樹脂１１は、半導体チップ１の側面、及び、半導体チップ１の裏面のうち中央近傍部分（接着面）以外の部分と対向する面が非接着面１１ａとなっている。半導体チップ１の裏面の中央近傍部分における熱可塑性樹脂１１と半導体チップ１との接着面積は、半導体チップ１の裏面の全面積の半分以下が望ましい。【００９０】
なお、図１２（Ａ）では半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間の間隔が隙間４となっているが、実施形態２で示した充填部材（図６の１６参照）を介在させてもよい。【００９１】
また、半導体パッケージ５を基板２０に実装して、基板２０を曲面化した場合には、半導体チップ１の側面とインターポーザ基板１０の間の隙間４や充填部材は、実施形態１、２と同様に、半導体チップ１の少なくとも裏面側に移動し、インターポーザ基板１０の非接着面１１ａが半導体チップ１の裏面から浮いた状態となる（図１２（Ｂ）参照）。【００９２】
また、実施形態５のような複数枚のインターポーザ基板１０を用いた構成は、実施形態１、２の３次元半導体パッケージにおける各半導体パッケージ（図４の５、１１２Ａ、１１２Ｂ、図５の５、５Ａ、５Ｂ、図７の５、１１２Ａ、１１２Ｂ、図８の５、５Ａ、５Ｂ参照）にも適用することができる。【００９３】
実施形態５によれば、半導体パッケージ５を基板２０上に２次実装後、曲面化する場合においても、実施形態１、２と同様の効果により、基板２０上に搭載された第２の導電体３との接合面や半導体チップ１へストレスを与えることがないため、接続不良がなく信頼性の高い半導体パッケージ構造が可能である。【００９４】
また、実施形態５によれば、半導体チップ１の上面および下面の一部がインターポーザ基板１０に覆われていないため、放熱性で有効である。特に、発熱性の高いパワーアンプやＣＰＵなどのような半導体チップに有効である。【００９５】
なお、各実施形態の３次元半導体パッケージについては、３次元実装される半導体パッケージは基板に実装される一番下の半導体パッケージが本発明の半導体パッケージであるが、その上に実装される半導体パッケージは本発明の半導体パッケージであっても、従来例１、２に係る半導体パッケージであってもよい。【００９６】
また、基板として、リジッドな基板を想定して説明したが、実装後曲面化される基板であればフレキシブルな基板であってもよく、その際には加熱して基板を曲面化させる必要はない。例えば、曲面形状を有する筐体に本発明の半導体装置を実装することで筐体の曲面形状に応じて、半導体パッケージに設けられたインタポーザ基板と間隔が追従して変形（移動）し、はんだバンプ等の導電体等にかかる応力を緩和吸収することができる。この際、間隔として充填部材が配置されている場合には、充填部材は加熱せずに変形できる材料を選択することで、加熱工程を削減することも可能である。【００９７】
本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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