(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のモジュールから第２のモジュールへ、その周縁部に切り欠きが設けられた円形の基板を搬送するために、横方向に移動自在な基板保持部を備える基板搬送装置において、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部３箇所の位置を検出するために、前記周縁部における互いに異なる位置に光を照射する３基の光源部と、前記各光源部に対して対となる３基の受光部と、を備えるセンサ部と、
前記センサ部に対して前記基板保持部を相対的に移動させるための駆動部と、
前記基板保持部、駆動部及びセンサ部の各動作を制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第１のモジュールから受け取った基板を保持した基板保持部を、前記センサ部に対して予め設定された第１の位置に位置させて前記基板の周縁部の各位置を検出する第１のステップと、
前記基板保持部をセンサ部に対して当該第１の位置からずれた第２の位置に位置させて基板の周縁部の各位置を検出する第２のステップと、
前記基板の切り欠きに光源部の光照射領域が位置している状態を異常状態と呼ぶとすると、前記第１のステップ及び第２のステップの各検出結果に基づいて、
ａ.  前記第１の位置及び第２の位置のいずれかで異常状態が発生しており、前記第１の位置及び第２の位置のうちのいずれかで異常状態が発生したかを特定することができる
ｂ.  前記第１の位置及び第２の位置のいずれにおいても異常状態が発生していない
ｃ.  前記第１の位置及び第２の位置の両方で異常状態が発生している
ｄ.  前記第１の位置及び第２の位置の少なくともいずれかで異常状態が発生しているが、その位置を特定することができない
のいずれかの結果を導く第３のステップと、
前記第３のステップにおける結果がａまたはｂのときには、前記第１の位置及び第２の位置のうち異常状態が発生していない位置で検出した周縁部の各位置に基づいて第２のモジュールに対する基板保持部の受け渡し位置を決定し、また前記結果がｃまたはｄのときには、前記基板の切り欠きから外れた位置に光を照射するために、前記基板保持部をセンサ部に対して、前記第１の位置及び第２の位置と異なる第３の位置に移動させて基板の周縁部の各位置を検出し、当該各位置に基づいて前記受け渡し位置を決定する第４のステップと、
を実行するように制御信号を出力すること特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記センサ部は、４対以上の前記光源部と受光部とを備え、
この４対以上の光源部と受光部とが使用可能であるときには、これら４対以上の光源部と受光部とにより基板の周縁部の各位置が検出されることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１〜第４のステップからなる第１のモードを実行する代わりに、
前記第１のモジュールから受け取った基板を保持した基板保持部を、センサ部に対して予め設定された第５の位置に位置させて前記基板の周縁部の各位置を検出するステップと、
前記ステップで検出した周縁部の各位置に基づいて、前記異常状態が発生しているか否かを判定するステップと、
前記ステップで異常状態が発生していないと判定された場合には、前記第５の位置で検出した周縁部の各位置に基づいて第２のモジュールに対する基板保持部の受け渡し位置を決定し、異常状態が発生していると判定された場合には、基板保持部を前記第５の位置からずれた第６の位置に移動させて前記基板の周縁部の各位置を検出し、第５の位置及び第６の位置で検出した基板の周縁部の各位置に基づいて、前記異常状態となる光源部と受光部とからなるセンサ対を特定し、前記センサ対により検出された周縁部の位置以外の各位置に基づいて前記受け渡し位置を決定するステップと、
からなる第２のモードを実行することを特徴とする請求項２記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第２のモード実行時に前記受光部の検出結果に基づいて、前記光源部と当該光源部に対となる受光部とからなる検出部が使用可能であるか使用不可であるかを判定し、使用可能な前記検出部が３基になったときに前記第２のモードに代わり第１のモードを実行することを特徴とする請求項３記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記第２のモードで、異常状態となる検出部の特定は、前記第５の位置及び第６の位置で夫々検出された基板の各周縁部の位置から演算される当該基板の中心位置の変位量と、第５の位置及び第６の位置で夫々検出された基板の各周縁部の位置から演算される基板の径の大きさと、に基づいて行われることを特徴とする請求項３または４記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記第３のステップにおける判定は、前記第１の位置で検出した基板の各周縁部の位置から演算される当該基板の中心位置及び径の大きさと、前記第２の位置で検出した基板の各周縁部の位置から演算される基板の中心位置及び径の大きさと、に基づいて行われることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記第３のステップにおける判定は、前記第１の位置で検出した基板の中心位置と、前記第２の位置で検出した基板の中心位置との変位量に基づいて行われることを特徴とする請求項６に記載の基板搬送装置。
【請求項８】
請求項１記載の基板搬送装置を用いる基板搬送方法において、
前記第１のモジュールから受け取った基板を保持した基板保持部を、センサ部に対して予め設定された第１の位置に位置させて前記基板の周縁部の各位置を検出する第１の工程と、
前記基板保持部をセンサ部に対して当該第１の位置からずれた第２の位置に位置させて基板の周縁部の各位置を検出する第２の工程と、
前記基板の切り欠きに光源部の光照射領域が位置している状態を異常状態と呼ぶとすると、前記第１のステップ及び第２のステップの各検出結果に基づいて、
ａ.  前記第１の位置及び第２の位置のいずれかで異常状態が発生しており、前記第１の位置及び第２の位置のうちのいずれかで異常状態が発生したかを特定する
ｂ.  前記第１の位置及び第２の位置のいずれにおいても異常状態が発生していない
ｃ.  前記第１の位置及び第２の位置の両方で異常状態が発生している
ｄ.  前記第１の位置及び第２の位置の少なくともいずれかで異常状態が発生しているが、その位置を特定することができない
のいずれかの結果を導く第３の工程と、
前記第３のステップにおける結果がａまたはｂのときには、前記第１の位置及び第２の位置のうち異常状態が発生していない位置で検出した周縁部の各位置に基づいて第２のモジュールに対する基板保持部の受け渡し位置を決定し、また前記結果がｃまたはｄのときには、前記基板の切り欠きから外れた位置に光を照射するために、前記基板保持部をセンサ部に対して、前記第１の位置及び第２の位置と異なる第３の位置に移動させて基板の周縁部の各位置を検出し、当該各位置に基づいて、前記受け渡し位置を決定する第４の工程と
を備えることを特徴とする基板搬送方法。
【請求項９】
前記センサ部は、４対以上の前記光源部と受光部とを備え、
この４対以上の光源部と受光部とが使用可能であるときには、前記第１〜第４の工程からなる第１のモードを実行する代わりに、
前記第１のモジュールから受け取った基板を保持した基板保持部を、センサ部に対して予め設定された第５の位置に位置させて前記基板の周縁部の各位置を検出する工程と、
前記ステップで検出した基板の周縁部の各位置に基づいて、前記異常状態が発生しているか否かを判定する工程と、
前記工程で異常状態が発生していないと判定された場合には、前記第５の位置で検出した基板の周縁部の各位置に基づいて第２のモジュールに対する基板保持部の受け渡し位置を決定し、異常状態が発生していると判定された場合には、基板保持部を前記第５の位置からずれた第６の位置に移動させて基板の周縁部の各位置を検出し、第５の位置及び第６の位置で検出した基板の周縁部の各位置に基づいて、前記異常状態となる前記光源部と当該光源部に対となる受光部とからなる検出部を特定し、前記検出部により検出された周縁部の位置以外の各周縁部の位置に基づいて前記受け渡し位置を決定する工程と、
からなる第２のモードを実行することを特徴とする請求項８記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
前記第２のモード実行時に前記受光部の検出結果に基づいて、各検出部が使用可能であるか使用不可であるかを判定する工程と、
使用可能な検出部が３基になったときに、前記第２のモードに代わり第１のモードを実行する工程と、
を含むことを特徴とする請求項９記載の基板搬送方法。
【請求項１１】
前記第３の工程における判定は、前記第１の位置で検出した基板の各周縁部の位置から演算される当該基板の中心位置及び径の大きさと、前記第２の位置で検出した基板の各周縁部の位置から演算される基板の中心位置及び径の大きさと、に基づいて行われることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
【請求項１２】
モジュール間で基板を受け渡して処理を行う基板搬送装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８ないし１１のいずれか一つに記載の基板搬送方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、モジュール間で基板を搬送する基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、装置内に基板であるウエハに対して処理を行う処理モジュールを複数個設け、これら処理モジュール間を基板搬送装置によりウエハを順次搬送することによって、所定の処理が行われる。
前記基板搬送装置は、ウエハを保持する保持部を備える。
【０００３】
ウエハに適切な処理を行うためには、モジュールの所定の位置に前記ウエハを精度高く受け渡すことが求められる。そのために、前記保持部におけるウエハの周縁部の位置を検出部（センサ）により検出し、その検出した位置に基づいてウエハを搬送することが検討されている。例えば特許文献１には、そのように検出したウエハの周縁部の位置に基づいて、モジュールの相互間のウエハの搬送量を補正し、前記モジュールにおけるウエハの位置ずれを解消することが記載されている。また、特許文献２には、検出した周縁部の位置からウエハの中心位置を求め、当該中心位置と予め定められた基準位置とのずれ量に基づいて搬送アーム部がウエハを搬送目標位置に移載できるように制御することが記載されている。
【０００４】
しかしウエハは真円ではなく、その周縁部にウエハを位置決めするための切り欠き（ノッチ）が形成されている。前記検出部の検出範囲が、この切り欠きに重なってしまった場合には、保持部におけるウエハの位置が正常に検出できなくなるので、然るべき対処が必要である。また、何らかの問題により上記の複数設けられる検出部が故障した場合、装置内の処理中のウエハの搬送を停止し、ウエハを回収するために作業者が装置内に立ち入りウエハを取り除くことが考えられる。しかし、そうなると装置内でウエハの処理が中断され、スループットが大きく低下してしまうおそれがある。このような事情から、複数設けられる検出部の一部が使用できない場合にも、前記ウエハの位置を精度高く検出することが求められている。特許文献１、２の各装置ではこれらのような問題については考慮されておらず、当該問題を解決できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３１９０５号公報
【特許文献２】特開２００６−３５１８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その周縁部に切り欠きが設けられる円形の基板を搬送するにあたり、当該基板の周縁部の位置を各々検出する光源部及び当該光源部に対になる受光部の数が少なくても、精度高くモジュールに基板を搬送することができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板搬送装置は、第１のモジュールから第２のモジュールへ、その周縁部に切り欠きが設けられた円形の基板を搬送するために、横方向に移動自在な基板保持部を備える基板搬送装置において、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部３箇所の位置を検出するために、前記周縁部における互いに異なる位置に光を照射する３基の光源部と、前記各光源部に対して対となる３基の受光部と、を備えるセンサ部と、
前記センサ部に対して前記基板保持部を相対的に移動させるための駆動部と、
前記基板保持部、駆動部及びセンサ部の各動作を制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第１のモジュールから受け取った基板を保持した基板保持部を、前記センサ部に対して予め設定された第１の位置に位置させて前記基板の周縁部の各位置を検出する第１のステップと、
前記基板保持部をセンサ部に対して当該第１の位置からずれた第２の位置に位置させて基板の周縁部の各位置を検出する第２のステップと、
前記基板の切り欠きに光源部の光照射領域が位置している状態を異常状態と呼ぶとすると、前記第１のステップ及び第２のステップの各検出結果に基づいて、
ａ.  前記第１の位置及び第２の位置のいずれかで異常状態が発生しており、前記第１の位置及び第２の位置のうちのいずれかで異常状態が発生したかを特定することができる
ｂ.  前記第１の位置及び第２の位置のいずれにおいても異常状態が発生していない
ｃ.  前記第１の位置及び第２の位置の両方で異常状態が発生している
ｄ.  前記第１の位置及び第２の位置の少なくともいずれかで異常状態が発生しているが、その位置を特定することができない
のいずれかの結果を導く第３のステップと、
前記第３のステップにおける結果がａまたはｂのときには、前記第１の位置及び第２の位置のうち異常状態が発生していない位置で検出した周縁部の各位置に基づいて第２のモジュールに対する基板保持部の受け渡し位置を決定し、また前記結果がｃまたはｄのときには、前記基板の切り欠きから外れた位置に光を照射するために、前記基板保持部をセンサ部に対して、前記第１の位置及び第２の位置と異なる第３の位置に移動させて基板の周縁部の各位置を検出し、当該各位置に基づいて前記受け渡し位置を決定する第４のステップと、
を実行するように制御信号を出力すること特徴とする。
【０００８】
本発明の具体的態様は、例えば下記の通りである。
（ａ）前記センサ部は、４対以上の前記光源部と受光部とを備え、
この４対以上の光源部と受光部とが使用可能であるときには、これら４対以上の光源部と受光部とにより基板の周縁部の各位置が検出される。
（ｂ）前記制御部は、前記第１〜第４のステップからなる第１のモードを実行する代わりに、
前記第１のモジュールから受け取った基板を保持した基板保持部を、センサ部に対して予め設定された第５の位置に位置させて前記基板の周縁部の各位置を検出するステップと、
前記ステップで検出した周縁部の各位置に基づいて、前記異常状態が発生しているか否かを判定するステップと、
前記ステップで異常状態が発生していないと判定された場合には、前記第５の位置で検出した周縁部の各位置に基づいて第２のモジュールに対する基板保持部の受け渡し位置を決定し、異常状態が発生していると判定された場合には、基板保持部を前記第５の位置からずれた第６の位置に移動させて前記基板の周縁部の各位置を検出し、第５の位置及び第６の位置で検出した基板の周縁部の各位置に基づいて、前記異常状態となる光源部と受光部とからなるセンサ対を特定し、前記センサ対により検出された周縁部の位置以外の各位置に基づいて前記受け渡し位置を決定するステップと、
からなる第２のモードを実行する。
【０００９】
（ｃ）前記制御部は、前記第２のモード実行時に前記受光部の検出結果に基づいて、前記光源部と当該光源部に対となる受光部とからなる検出部が使用可能であるか使用不可であるかを判定し、使用可能な前記検出部が３基になったときに前記第２のモードに代わり第１のモードを実行する。
（ｄ）前記第２のモードで、異常状態となる検出部の特定は、前記第５の位置及び第６の位置で夫々検出された基板の各周縁部の位置から演算される当該基板の中心位置の変位量と、第５の位置及び第６の位置で夫々検出された基板の各周縁部の位置から演算される基板の径の大きさと、に基づいて行われる。
【００１０】
（ｅ）前記第３のステップにおける判定は、前記第１の位置で検出した基板の各周縁部の位置から演算される当該基板の中心位置及び径の大きさと、前記第２の位置で検出した基板の各周縁部の位置から演算される基板の中心位置及び径の大きさと、に基づいて行われる。
（ｆ）前記第３のステップにおける判定は、前記第１の位置で検出した基板の中心位置と、前記第２の位置で検出した基板の中心位置との変位量に基づいて行われる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、３つ設けられるセンサ部に対して基板の位置をずらして各位置で前記検出部を構成する光源部から受光部に光を照射し、各受光量に基づいてセンサ部の検出範囲が基板の切り欠きに重なっているか否かを判定し、いずれかの位置で重なっていると判定されたときには、さらに基板の位置をセンサ部に対してずらして、基板の周縁部の位置を検出する。従って、必要な光源部及び受光部の数を抑えながら、精度高くモジュールに基板を受け渡すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る基板搬送機構をなす搬送アームとモジュールの斜視図である。
【図２】前記搬送アームの斜視図である。
【図３】前記搬送アームの平面図である。
【図４】前記搬送アームの側面図である。
【図５】前記搬送アームの検出部による検出結果の一例を示す模式図である。
【図６】前記周縁位置検出機構の検出部のブロック図である。
【図７】前記搬送アームの動作を制御する制御部のブロック図である。
【図８】前記制御部に設けられるメモリの概念図である。
【図９】前記搬送アームによる搬送の模式図である。
【図１０】前記搬送アームによる搬送の模式図である。
【図１１】前記搬送アームの保持部と当該保持部に保持されるウエハの位置関係を示す平面図である。
【図１２】検出される周縁位置に基づいて演算されるウエハの各座標を示す平面図である。
【図１３】前記ウエハの各座標を示す平面図である。
【図１４】前記ウエハの各座標を示す平面図である。
【図１５】前記ウエハの各座標を示す平面図である。
【図１６】ウエハの中心座標が変化する様子を示す説明図である。
【図１７】前記搬送アームが行う通常モードのフローチャートである。
【図１８】臨時モード実行時の保持部の動作状態を示す説明図である。
【図１９】臨時モード実行時の保持部の動作状態を示す説明図である。
【図２０】臨時モード実行時の保持部の動作状態を示す説明図である。
【図２１】臨時モード実行時の保持部の動作状態を示す説明図である。
【図２２】臨時モード実行時の保持部の動作状態を示す説明図である。
【図２３】前記搬送アームが行う通常モードのフローチャートである。
【図２４】前記搬送アームが行う通常モードのフローチャートである。
【図２５】前記搬送アームの検出部による検出結果の一例を示す模式図である。
【図２６】前記搬送アームを備える塗布、現像装置の平面図である。
【図２７】前記搬送アームを備える塗布、現像装置の斜視図である。
【図２８】前記搬送アームを備える塗布、現像装置の側面図である。
【図２９】前記搬送アームの他の構成及び他の搬送方法を示す概略図である。
【図３０】前記搬送アームの他の構成及び他の搬送方法を示す概略図である。
【図３１】前記搬送アームの他の構成及び他の搬送方法を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は基板搬送装置をなす搬送アーム３０と、搬送アーム３０により円形の基板であるウエハＷが受け渡されるモジュール群の斜視図を示している。ウエハＷの周縁部には切り欠きであるノッチＮが設けられている。図中１１は、ウエハＷにレジストを塗布するモジュールＣＯＴが格納される筐体であり、搬送口１２を介して前記モジュールＣＯＴにウエハＷが受け渡されて、前記レジスト塗布処理が行われる。筐体１１は前記搬送アーム３０が移動するウエハＷの搬送路２０に面しており、この搬送路２０を挟んで筐体１１に対向するように複数の加熱モジュール２１が設けられている。加熱モジュール２１は前記レジストが塗布されたウエハＷを載置する熱板を備え、ウエハＷを加熱処理する。図中２２は加熱モジュール２１におけるウエハＷの搬送口である。
【００１４】
搬送アーム３０は、上流側のモジュール（図１では省略している）からレジスト塗布モジュールにウエハＷを搬送後、加熱モジュール２１に搬送してウエハＷに一連の処理を行う。搬送アーム３０は、ウエハＷの保持部をなすフォーク３（３Ａ、３Ｂ）、基台３１、回転機構３２、昇降台３４及び基板周縁位置検出機構４０を備える。
【００１５】
２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは互いに上下に重なるように基台３１上に支持部３３Ａ、３３Ｂを介して夫々支持されており、互いに独立して基台３１上を進退する。基台３１は、回転機構３２により、前記昇降台３４上に鉛直軸周りに回転自在に設けられている。昇降台３４は、上下方向に延伸されたフレーム３５に囲まれるように設けられ、上下方向（図１中Ｚ方向）に昇降する。フレーム３５の内部には昇降台３４を昇降させるための昇降機構が設けられている。加熱モジュール２１の下方に設けられる筐体３６に横方向（図１中Ｙ方向）に直線状に伸びるＹ軸ガイドレールが設けられ、フレーム３５は当該ガイドレールに接続されている。そして、フレーム３５は、Ｙ方向に移動するように構成されている。このように構成されることで、前記フォーク３Ａ、３ＢはＺ方向、Ｙ方向及びこれらＺ、Ｙ方向に直交するＸ方向に移動自在、且つ鉛直軸回りに回転自在に構成され、上記の各モジュールにアクセスして、ウエハＷを受け渡すことができる
【００１６】
搬送アーム３０の基台（移動基体）３１及びフォーク３Ａ、３Ｂについて、その斜視図、平面図、側面図である図２、図３、図４も参照しながらさらに説明する。フォーク３Ａ、３Ｂは互いに同様に構成されているので、代表してフォーク３Ａを説明する。フォーク３Ａは平板の円弧状に形成され、図３に示すように搬送するウエハＷの周囲を囲むように構成される。このフォーク３Ａの内周は、モジュール内外での搬送時にウエハＷの位置が若干ずれても搬送を行えるようにウエハＷの外周よりも若干大きく形成されている。
【００１７】
また、フォーク３Ａの内周下側には、互いに間隔をおいて、ウエハＷの裏面周縁部が載置される４つの保持爪３７がフォーク３Ａ、の内側に向けて突出するように形成されている。保持爪３７の各々には、真空吸着口３８が設けられている。真空吸着口３８は、保持爪３７にウエハＷの裏面周縁部が載置されたときに、当該周縁部を真空吸着してウエハＷを当該保持爪３７に保持する。真空吸着口３８はフォーク３Ａに設けられる３８に接続されている。このように真空吸着を行うことで、ウエハＷの周縁部の水平位置を位置決めすることができる。図中３３はフォーク３Ａを基台３１に支持する支持部である。
【００１８】
上記のようにフォーク３は基台３１上を進退するが、通常は基台３１の後退位置に位置し、モジュールにウエハＷを受け渡すにあたり、後退位置から前進した受け渡し位置に移動する。図３、図４は、フォーク３Ａ、３Ｂが夫々後退位置、受け渡し位置に移動した状態を示している。搬送アーム３０は一方のフォークでモジュールからウエハＷを受け取り、他方のフォークでモジュールに対してウエハＷを受け渡す。つまり搬送アーム３０は、モジュールとの間で保持するウエハＷを入れ替えるように動作する。
【００１９】
続いて基板周縁位置検出機構４０について説明する。センサ部である基板周縁位置検出機構４０は４つの検出部４（４Ａ〜４Ｄ）を備え、フォーク３Ａまたは３ＢがウエハＷを保持した状態で基台３１の後退位置（基準位置）に位置するときに、前記ウエハＷの周縁部の位置を夫々検出するために設けられる。各検出部４は、ウエハＷの互いに異なる４つの周縁位置を検出できるように前記ウエハＷの周縁部に沿って互いに間隔を隔て設けられる。
【００２０】
検出部４Ａ〜４Ｄは、４つの光源部４１（４１Ａ〜４１Ｄ）と、各光源部４１と対をなす４つの受光部４２（４２Ａ〜４２Ｄ）とにより構成される。前記光源部４１（４１Ａ〜４１Ｄ）は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）を備え、前記基台３１上に設けられ、例えば前記後退位置のフォーク３Ａ、３Ｂの下方側に配置されている。また、光源部４１は図示しないレンズを備え、前記ＬＥＤの光はこのレンズを介して図４中矢印で示すように垂直上方に照射される。また、光源部４１の光の照射領域は、平面視、後退位置のフォーク３のウエハＷの外側から中心部側へ向かって直線状に形成される。
【００２１】
受光部４２は、複数の受光素子が直線状に配列されて構成されたリニアイメージセンサ（ＬＩＳ）である。前記受光素子は例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）により構成される。そして、受光部４２は支持部材４３を介して基台３１上に設けられ、前記フォーク３Ａ、３Ｂの上方側に配置されている。つまり、互いに対となる光源部４１と受光部４２とは、前記後退位置のフォーク３Ａ、３Ｂが保持するウエハＷを上下から挟むように設けられている。そして、受光部４２の各受光素子は、光源部４１の光を受光できるように前記ウエハＷの外側から中心部側へ向かって配列される。
【００２２】
フォーク３がウエハＷを保持し、前記後退位置及び後述するように後退位置より若干前進した位置に停止しているときに、前記各光源部４１により下方から上方に向けて光を発光する。発光した光をフォーク３Ａの上方に設けられている受光部４２により受光する。このとき、受光部４２の各画素であるＣＣＤの検出値に基づいて、後述の制御部は受光した画素と受光しない画素との境界の位置を決定することができる。そして、決定した境界の位置をＸＹ平面の所定の位置を原点とする座標で表し、後述するようにウエハＷの中心位置や半径を算出するための演算を行うことができる。前記ＸＹ平面のＹ方向は、基台３１の移動方向であり、Ｘ方向は前記Ｙ方向に直交し、フォーク３が移動する方向である。
【００２３】
受光部４２により前記境界の位置、即ちウエハＷの周縁部の位置が認識される様子を具体的に示すために、図５を用いて説明する。図５はウエハＷ及びフォーク３の位置と前記受光部（リニアイメージセンサ）４２における各受光素子に対応する画素の受光量との関係を模式的に示した図であり、光源部４１により発光した光を受光していない画素の検出値（以下「受光量」という。）を第１の値ｎ１とし、光源部４１により発光した光を受光している画素の受光量を第２の値ｎ２とする。このとき、ウエハＷの周縁部の位置を、各画素の受光量が第１の値ｎ１と第２の値との間で変化する位置Ｅとして検出することができる。受光量を８ビットのデータとして処理するときは、第１の値ｎ１を例えば０とし、第２の値ｎ２を例えば２５５以下の所定の値とすることができる。図５では、ウエハＷの内側から画素に番号を付けて示しており、基台３１上を後退したフォーク３が基準位置（後退位置）にあるときに、光源部４１により発光した光がフォーク３により遮られる受光素子の番号を９００としている。このように受光部４２は、当該受光部４２の伸長方向に沿ったウエハＷの周縁部の位置を検出するＣＣＤラインセンサとして構成されている。
【００２４】
検出部４の構成について更に説明する。図６に示すように、検出部４は、光源部４１、受光部４２に加え、ＣＣＤラインセンサ制御部４４、ディジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）４５、アナログディジタルコンバータ（ＡＤＣ）４６を有する。ＣＣＤラインセンサ制御部４４は、図示しないクロックからのクロック信号に基づいて受光部４２をなすＣＣＤラインセンサの各受光素子（ＣＣＤ素子）の動作タイミングをずらし、電荷移動させるためのタイミングジェネレータであり、光源部４１に対する電流制御も行う。ＤＡＣ４５は、ＣＣＤラインセンサ制御部４４からのディジタル制御信号を、光源部４１に入力するためにアナログ変換する。ＡＤＣ４６は、受光部４２からの検出信号であるアナログ出力信号を後述の制御部５へ出力するために、ディジタル変換する。
【００２５】
以上のような構成により、ＣＣＤラインセンサ制御部４４からの制御信号が、ＤＡＣ４５によりアナログ変換され、光源部４１に入力される。それによって、光源部４１のＬＥＤが発光する。光源部４１からの出力光を受光した受光部４２は、ＣＣＤラインセンサ制御部４４からの制御信号のタイミングに基づいて、受光部４２内で電荷移動させられることによって各画素の受光量に応じた信号を出力する。この信号（検出値）がＡＤＣ４６を介して、制御部５に入力される。
【００２６】
搬送アーム３０はコンピュータからなる制御部５を備え、この制御部５により各部の動作が制御される。図７に示す制御部５のブロック図も参照しながら説明する。制御部５はアンプ４７を介して、フォーク３Ａ、３Ｂを駆動させるために基台３１に設けられたＸ軸駆動用のモータＭ１、Ｍ２、基台３１をＹ方向に駆動させるために筐体３６に設けられたＹ軸駆動用のモータＭ３、昇降台３４をＺ方向に駆動させるためにフレーム３５に設けられたＺ軸駆動用のモータＭ４、回転機構３２に設けられた回転駆動用のモータＭ５の計５基のモータＭ１〜Ｍ５を制御する。モータＭ１〜Ｍ５の回転動作はタイミングベルトなどの伝達機構により、フォーク３、基台３１、回転機構３２及び昇降台３４に各々伝達される。
【００２７】
そして、各モータＭ１〜Ｍ５の各回転量に応じた距離の分、これら搬送アーム３０の各部が上記のようにＸＹＺ方向に夫々直線移動し、前記回転機構３２が回転する。また、モータＭ１〜Ｍ５には、その回転量に応じてパルスを出力するエンコーダ４８及び前記パルス数をカウントするカウンタ４９が各々接続されている。カウンタ４９が前記カウントに応じた信号を制御部５に出力し、それによって制御部５は搬送アーム３０の各部の位置を検出することができる。図７では図が煩雑化することを防ぐためにモータＭ、エンコーダ４８及びカウンタ４９の組を一つのみ示している。
【００２８】
図７に示すように制御部５は、演算処理部５１、プログラム格納部５２、表示部５３、アラーム発生部５４及び記憶部５５を備えている。図中５０はバスである。演算処理部５１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するデータ処理部である。演算処理部５１は、プログラム格納部５２に記録された各プログラムを読み取り、これらのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って各部に制御信号を送り、ウエハＷの搬送を実行する。
【００２９】
プログラム格納部５２は、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体であり、ウエハＷの搬送モードである通常モード、臨時モードを各々実行するためのプログラム５６、５７を格納している。各モードについては後述する。プログラム格納部５２は、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magnetoptical；ＭＯ）ディスク等により構成される。表示部５３は、例えばコンピュータの画面よりなる。
【００３０】
また、制御部５は各モジュールの動作も制御し、前記表示部５３から、モジュールでの各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。アラーム発生部５４は、例えば検出部４の１つが使用不可になると、その旨を示すアラーム音を発する。記憶部５５は、図８に示すように上記の検出部４Ａ〜４Ｄにより検出されるウエハＷの周縁部の位置（周縁位置）や、上記各モードを実行することにより得られる演算値が記憶される。前記演算値については、各モードを説明するときに述べる。
【００３１】
ところで、図７には加熱モジュール２１の縦断面を示しており、搬送アーム３０によるウエハＷの搬送を説明するために、この加熱モジュール２１の構成を簡単に説明しておくと、図中２３はウエハＷが載置される熱板である。２４は昇降ピンであり、昇降機構２５により昇降してフォーク３Ａ、３Ｂと熱板２３との間でウエハＷを受け渡す。つまり、熱板２３に移動したウエハＷはフォーク３により保持された位置から垂直に移動して熱板２３に受け渡される。
【００３２】
ここで、搬送アーム３０によるレジスト塗布モジュールＣＯＴから加熱モジュール２１へのウエハの搬送の概要を図９、図１０を参照しながら説明する。図９以降の各図では、説明のためにフォーク３及び基台３１を若干簡略して示している。上記のようにフォーク３はレジスト塗布モジュールＣＯＴから受け渡されたウエハＷの側周を囲むように当該ウエハＷを保持する。このようにウエハＷが保持されたときに、図９に示すようにウエハＷがフォーク３に載置されたとき、その中心位置ｏがフォーク３の予め設定された適正位置ｐに重なる状態であれば、フォーク３の前記適正位置ｐが、熱板２３の適正位置ｑ（図中に座標（α、β）として示している）に重なるように基台３１及びフォーク３が移動し、それによってウエハＷの中心位置ｏが前記適正位置ｑに重なるように、すなわち熱板２３の適正な位置にウエハＷを載置することができる。
【００３３】
しかし、図１０に示すように前記ウエハＷの中心位置ｏとフォーク３の適正位置ｐとがずれている場合、上記のようにフォーク３の適正位置ｐが熱板２３の適正位置ｑに重なるように移動すると、ウエハＷの中心位置ｏは、前記フォーク３の適正位置ｐとのずれ量だけ熱板２３の適正位置ｑからずれて受け渡されてしまう。図中Ｘ方向、Ｙ方向の前記適正位置ｐに対するウエハＷの中心位置ｏのずれ量を夫々ΔＸ、ΔＹとしている。また、このように適正位置からずれた場合の中心位置ｏをｏ’として示す。
【００３４】
そこで、前記ＸＹ平面におけるウエハＷの周縁部の座標位置を各検出部４で検出し、その検出結果に基づいてＸＹ平面におけるウエハＷの中心位置（中心座標）ｏ’を演算する。そして、このウエハＷを加熱モジュール２１に受け渡す際には、この中心位置ｏ’とフォーク３の適正位置ｐとのずれ量が解消されるように、基台３１のＹ方向の位置及びフォーク３のＸ方向の位置を制御する。
【００３５】
図１０では適正位置ｐに対して中心位置ｏ’が、熱板２３側にΔＸ、レジスト塗布モジュールＣＯＴからの基台３１の移動方向にΔＹずれた場合の例を示している。この場合、熱板２３へのウエハＷの受け渡し時にフォーク３の適正位置ｐは、熱板２３の適正位置ｑの座標（α、β）からΔＸ、ΔＹ分ずれた、（α−ΔＸ、β−ΔＹ）に位置するように、フォーク３及び基台３１の位置が補正される。つまり、中心位置ｏ’と適正位置ｐとのずれ量に対応して、ウエハＷを受け渡すときのフォーク３の熱板２３に対する位置が変更される。それによってウエハＷの中心位置ｏ’が、熱板２３の適正位置ｑに重なるように受け渡される。このようなモジュールの適正位置ｑの座標データは制御部５の記憶部５５に記憶され、そのように記憶されたデータに基づいて前記受け渡しを行うために演算が行われる。
【００３６】
ところが、上記のようにウエハＷにはノッチＮが設けられているので、フォーク３が後退位置に位置しているときに、例えば図１１に示すように検出部４Ａ〜４Ｄのいずれか１つの検出範囲がノッチＮに重なる、即ち光源部４１からの光がノッチＮに照射される場合がある。図１１では検出部４Ａの検出範囲がノッチＮに重なった例を示している。このような場合、ノッチＮに重なる検出部４Ａは、ウエハＷの外形よりも内側の位置を周縁部の位置として検出することから、当該検出部４Ａの検出結果を用いて演算した中心位置（図中ofとしている）は、実際の中心位置ｏからずれてしまう。それを防ぐために、制御部５には、ノッチＮが前記検出範囲に重なっているか否かを判定し、重なっていると判定した場合にはノッチＮと検出部４との位置がずれるようにフォーク３を移動させて、再度中心位置を演算する機能が設けられている。
【００３７】
そして、制御部５はこの検出部４Ａ〜４Ｄがすべて使用可能であるときは、プログラム５６により通常モードを実行し、検出部４Ａ〜４Ｄのうちの一つが故障などにより使用不可になった場合は、プログラム５７により臨時モードを実行する。各モードは夫々異なるプロセスで、ノッチＮの重なり判定と中心位置の演算とを実行する。
【００３８】
どのように前記ノッチＮの重なり判定を行うか説明する前に、ウエハＷの周縁部の位置から中心位置の座標（中心座標）を算出する方法について図１２を参照しながら説明する。ウエハＷの中心位置ｏが既述のフォーク３の適正位置ｐに重なるように位置するときの、各受光部４２上のウエハＷの周縁部の位置を、それぞれａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点として示している。また、４個の受光部４２Ａ〜４２Ｄの延在する方向とＹ軸とのなす角をθ１、θ２、θ３、θ４とする。
【００３９】
そして、この適正位置ｐに対して保持されたウエハＷがずれているときの当該ウエハＷの位置をずれ位置とし、ずれ位置における受光部４２上のウエハＷの周縁部の位置を、それぞれａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点とする。
【００４０】
各受光部４２における、ａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点とａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点との距離をΔａ、Δｂ、Δｃ、Δｄとする。このとき、Δａ、Δｂ、Δｃ、Δｄは、
Δａ［mm］＝{(ａ'点の画素数)−(ａ点の画素数)}×画素間隔［mm］    （１）
Δｂ［mm］＝{(ｂ'点の画素数)−(ｂ点の画素数)}×画素間隔［mm］    （２）
Δｃ［mm］＝{(ｃ'点の画素数)−(ｃ点の画素数)}×画素間隔［mm］    （３）
Δｄ［mm］＝{(ｄ'点の画素数)−(ｄ点の画素数)}×画素間隔［mm］    （４）
なお、ａ点の画素数とは、受光部４２のウエハＷの中心側における始点からａ点までにおける画素の数を意味する。
【００４１】
すると、ａ点〜ｄ点、ａ´点〜ｄ´点の座標は、次のように表される。式中ＲはウエハＷ半径である。また、Ｘ、Ｙはフォーク３が各モジュールから受け渡し位置でウエハＷを受け取り、後退位置に移動したときの適正位置ｐの座標、つまり上記ウエハＷがフォーク３に適正に保持されたときの上記中心位置ｏのＸ座標、Ｙ座標である。これらＲの値、及びｏの座標は予め設定された既知の値である。
【００４２】
ａ点 (Ｘ１，Ｙ１)＝(Ｘ−Ｒsinθ１，Ｙ−Ｒcosθ１)                （５）
ａ'点 (Ｘ１'，Ｙ１')＝(Ｘ１−Δａsinθ１，Ｙ１−Δａcosθ１）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δａ)sinθ１，Ｙ−(Ｒ＋Δａ)cosθ１)  （６）
ｂ点 (Ｘ２，Ｙ２)＝(Ｘ−Ｒsinθ２，Ｙ＋Ｒcosθ２)                （７）
ｂ'点 (Ｘ２'，Ｙ２')＝(Ｘ２−Δｂsinθ２，Ｙ２＋Δｂcosθ２）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δｂ)sinθ２，Ｙ＋(Ｒ＋Δｂ)cosθ２)      （８）
ｃ点 (Ｘ３，Ｙ３)＝(Ｘ＋Ｒsinθ３，Ｙ＋Ｒcosθ３)              （９）
ｃ'点 (Ｘ３'，Ｙ３')＝(Ｘ３＋Δｃsinθ３，Ｙ３＋Δｃcosθ３）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｃ)sinθ３，Ｙ＋(Ｒ＋Δｃ)cosθ３)    （１０）
ｄ点 (Ｘ４，Ｙ４)＝(Ｘ＋Ｒsinθ４，Ｙ−Ｒcosθ４)              （１１）
ｄ'点 (Ｘ４'，Ｙ４')＝(Ｘ４＋Δｄsinθ４，Ｙ４−Δｄcosθ４）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｄ)sinθ４，Ｙ−(Ｒ＋Δｄ)cosθ４)    （１２）
従って、式（６）、式（８）、式（１０）、式（１２）により、ａ´点（Ｘ１´，Ｙ１´）、ｂ´点（Ｘ２´，Ｙ２´）、ｃ´点（Ｘ３´，Ｙ３´）、ｄ´点（Ｘ４´，Ｙ４´）の座標を求めることができる。
【００４３】
そして、このように算出されたａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のうちいずれか３点から、ずれ位置におけるウエハＷの中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）を
算出することができる。例えば、ａ´点（Ｘ１´，Ｙ１´）、ｂ´点（Ｘ２´，Ｙ２´）、ｃ´点（Ｘ３´，Ｙ３´）の３点からずれ位置における中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）を算出する式は、下記式（１３）及び（１４）で表される。
0005582152.tif 000002
【００４４】
ところで、上記のノッチＮと検出部４の検出範囲との重なり判定を行うには、このように３つの周縁位置から演算された中心位置と、前記３つの周縁位置の１つとから演算されるウエハＷの半径Ｒ’が用いられる。例えばａ´点、ｂ´点、ｃ´点から中心座標を算出した場合、半径Ｒ’は下記式（１５）で演算される。
0005582152.tif 000003
【００４５】
上記式（１５）では中心座標ｏ’とｂ’点の座標から半径Ｒ’を算出しているが、３つの周縁位置から中心座標ｏ’を演算したときに、これらの周縁位置のうちどの周縁座標を用いて半径を算出するかは予め決められている。例えばａ´点、ｂ´点、ｄ´点の各座標から中心座標ｏ’を算出したときは、ａ’点の座標が用いられ、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点の各座標から中心座標ｏ’を算出したときは、ｃ’点の座標が用いられ、ａ´点、ｃ´点、ｄ´点の各座標から中心座標ｏ’を算出したときは、ｄ’点の座標が用いられる。
【００４６】
次に通常モードにおいて、ノッチＮと検出部４の検出範囲との重なりの有無の判定を行う方法と、判定の結果、重なりがあったときの対処とを説明する。説明の便宜上、ａ´点、ｂ´点、ｄ´点から演算される中心座標（中心位置）をｏ’１、半径をＲ’１とし、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点から演算される中心座標をｏ’２、半径をＲ’２とする。また、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点から演算される中心座標をｏ’３、半径をＲ’３とし、ａ´点、ｃ´点、ｄ´点から演算される中心座標をｏ’４、半径をＲ’４とする。図１３はウエハＷと検出部４との位置関係の一例を示しており、ウエハＷを保持するフォーク３は後退位置（基準位置）にあるものとする。検出部４Ａ〜４Ｄの検出範囲のいずれにもノッチＮが重なっていない。この場合、上記のようにａ´〜ｄ’点のうち３点を用いて４通り中心位置ｏ’（ｏ’１〜ｏ’４）及び半径Ｒ’（Ｒ’１〜Ｒ’４）を求めると、その４通りの半径Ｒ’は正常範囲内に収まるので、その最大値−最小値が予め設定した閾値以下になる。従って制御部５は、各検出部４がノッチＮに重なっていないものと判定し、４通り求められた中心位置ｏ’１〜ｏ’４について平均値を演算し、その演算値を中心位置ｏ’とする。
【００４７】
図１４にはウエハＷと検出部４との位置関係の他の一例を示しており、検出部４Ａの検出範囲にノッチＮが重なっている。図１４には、このときに算出される各中心位置ｏ’１〜ｏ’４を示している。このとき前記重なりが起きたことにより、半径Ｒ１’〜Ｒ４’のうち２つは既知の値である実際のウエハＷの半径と比較して短くなる。図１４に示した例ではＲ２’及びＲ４’がそのように短くなっている。従って上記の半径Ｒ’についてその最大値−最小値を演算すると、前記閾値よりも大きくなる。従って、検出部４Ａ〜４Ｄのいずれかの検出範囲にノッチＮが重なったことを判別することができる。
【００４８】
このとき検出範囲がノッチＮに重なっていない検出部４を用いて算出した半径Ｒ’については当然に実際の半径と同じ正常値を示す。しかし、ノッチＮに重なった検出部４のデータを用いて算出された半径Ｒ’であっても、演算される中心位置ｏ’がウエハＷの実際の中心位置からノッチＮの切り欠き方向にずれることで、前記正常範囲に収まってしまう場合がある。図１４の例ではｂ´点、ｃ´点、ｄ´点から求めた半径Ｒ’１が該当する。
【００４９】
そこで、ノッチＮに重ならない検出部を特定するために、制御部５はフォーク３を若干前進させ、図１５に示すように検出部４とウエハＷの位置とをずらす。この前進させる距離は例えば１ｍｍであり、このように前進した位置を第１の微小前進位置とする。第１の微小前進位置にて制御部５は、再度中心位置ｏ’１〜ｏ’４及び半径Ｒ’１〜半径Ｒ’４について演算する。
【００５０】
図１６上段は、例えば基台３１の所定の位置を原点として、ＸＹ座標系を中心位置ｏ’１〜ｏ’４が移動する様子を示している。図中後退位置で取得した中心位置ｏ’１〜ｏ’４を白点で、第１の前進位置で取得した中心位置ｏ’１〜ｏ’４を黒点で夫々示している。図に示すように、後退位置における各中心位置ｏ’と、第１の微小前進位置における各中心位置ｏ’とを比較すると、ノッチＮに対する検出部４の位置が変化することにより、ノッチＮに重なった検出部４を用いて算出した中心位置ｏ’のうち、Ｙ方向の位置が移動するものがある。
【００５１】
図１６中下段は、ノッチＮが検出部４Ａの検出範囲から次第に外れるようにウエハＷが移動したときに、正常に検出される中心位置ｏ’３から見て、ノッチＮにより誤って検出された他の中心位置ｏ’１、ｏ’２、ｏ’４の動きを示す概念図であり、後退位置と第１の微小前進位置との間で、フォーク３の移動量を差し引いた各座標ｏ’の移動を示している。このように誤って演算された各中心位置は、あたかも正常に演算された中心位置に近づいていくように移動していく。なお、ノッチＮの切り込みに対して検出部４Ａの検出範囲の重なりが次第に大きくなっていくようにウエハＷが移動するときには、他の中心位置ｏ’１、ｏ’２、ｏ’４は正常に演算される中心位置ｏ’３から離れるように移動する。
【００５２】
そして、既述のように後退位置において、ノッチＮに重なる検出部４を含み、正常値と同様の半径Ｒ’を演算する検出部４の組み合わせ（この例では４Ａ、４Ｂ、４Ｄ）から算出される中心位置については、ノッチＮに対する検出位置がウエハＷの内側と外側との間で変化することにより、上記のＹ方向への位置の変動が起きる。つまり、後退位置にて演算された半径Ｒ’が正常値であり、後退位置及び第１の微小前進位置で算出される中心位置ｏ’を互いに比較してＹ方向に変化が起きない検出部４の組み合わせが、ノッチＮに重ならない検出部４であると特定することができ、この組み合わせから得られた中心位置ｏ’を正しいウエハＷの中心位置として決定することができる。検出部４Ｃ以外の検出部４がノッチＮに重なった場合にも同様にしてウエハＷの中心位置が特定される。
【００５３】
前記制御部５の記憶部５５はこのような演算を行うことができるように、図８に示すように基準位置、第１の前進位置の夫々で各検出部４Ａ〜４Ｄにより取得した周縁位置の座標、中心座標をｏ’１〜ｏ’４、半径Ｒ’１〜Ｒ’４の各データを記憶する。また、上記のように中心位置のＹ方向の変化の有無を判定できるように、中心座標のＹ成分について基準位置と第１の前進位置との差分を演算し、その演算結果を記憶する領域が設けられている。制御部５は、演算される差分が所定の範囲を越えたら前記Ｙ成分の変化があったと見なし、越えない場合は変化がないものとする。
【００５４】
このように検出部４Ａ〜４Ｄを用いたノッチＮの検出方法と、正常な中心位置の算出方法を説明したところで、通常モードの一連の動作について、レジスト塗布モジュールＣＯＴから加熱モジュール２１へのウエハＷの搬送を例に挙げて図１７のフローに沿って説明する。基台３１がレジスト塗布モジュールＣＯＴに向かうように位置し、フォーク３Ａが基台２１を受け渡し位置に前進して、レジスト塗布モジュールＣＯＴからウエハＷを受け取った後、後退位置へと移動する（ステップＳ１）。各検出部４Ａ〜４Ｄの光源部４１から受光部４２へ光が照射され、これら各検出部４Ａ〜４ＤによりウエハＷの周縁位置の座標が取得される。そして、この周縁位置の座標に基づいて中心座標ｏ’１〜ｏ’４及び半径Ｒ’１〜Ｒ’４が演算されて記憶される（ステップＳ２）。そして、制御部５は、半径Ｒ’１〜Ｒ’４のうちの最大値と最小値とを用いて、前記最大値−最小値が予め設定された閾値より大きいか否かを判定する（ステップＳ３）。
【００５５】
前記閾値より大きくないと判定された場合は、いずれの検出部４の検出範囲もノッチＮに重なっていないと判定され、中心座標ｏ’１〜ｏ’４のＸ成分、Ｙ成分についての夫々平均値を算出し、その平均値を中心座標ｏ’（Ｘ’、Ｙ’）とする。その後、図１０で説明したように、フォーク３Ａにおける適正座標ｐ（Ｘ，Ｙ）とのずれ量ΔＸ、ΔＹを算出する。
ΔＸ（ｍｍ）＝Ｘ’−Ｘ        （１６）
ΔＹ（ｍｍ）＝Ｙ’−Ｙ        （１７）
そして図１０で説明したように、このΔＸ、ΔＹと、加熱モジュール２１の熱板２３の適正位置の座標とに基づいて、中心座標ｏ’が加熱モジュール２１の熱板２３の適正位置ｑに重なるようにウエハＷを受け渡す際のフォーク３の適正位置ｐの座標位置が演算される。つまり、ウエハＷ受け渡し時の基台３１の位置及びフォーク３の位置が演算される。そして、そのように演算した位置に基台３１が移動し、フォーク３が加熱モジュールに向かって演算された位置へと前進して、ウエハＷの中心位置ｏ’が熱板２３の適正位置ｑに重なるように載置される（ステップＳ４）。
【００５６】
ステップＳ３で、演算された半径Ｒ’の最大値−最小値が閾値より大きいと判定された場合は、いずれかの検出部４の検出範囲がノッチＮに重なっていると判定され、フォーク３Ａを第１の微小前進位置へ前進させ、光源部４１から光を照射して、ステップＳ２と同様に各検出部４Ａ〜４Ｄにより周縁位置の座標が取得される。そして、この第１の前進位置における中心座標ｏ’１〜ｏ’４及び半径Ｒ’１〜Ｒ’４が演算される（ステップＳ５）。そして、後退位置、第１の微小前進位置の夫々で取得された中心座標のＹ成分の差分が演算される。
【００５７】
前記後退位置にて演算された半径Ｒ’が正常範囲内であり、且つ前記Ｙ成分の差分が予め設定した範囲内に収まるように演算されている検出部４の組み合わせを特定して、この組み合わせにより演算された中心座標ｏ’を実際の中心座標ｏ’とする。組み合わせを特定した後の中心座標については上記ステップＳ２で算出したデータを用いてもよいし、本ステップＳ６で算出したデータを用いてもよい。そして、ステップＳ４同様に、フォーク３の適正位置ｐに対するずれ量ΔＸ、ΔＹを演算し、この中心座標ｏ’が前記熱板２３の適正位置ｑに重なるように、前記ウエハＷの搬送を行う（ステップＳ６）。上記の一連の動作は通常モード実行プログラム５６により制御される。
【００５８】
続いて、臨時モードにおいて、ノッチＮと検出部４の検出範囲との重なりの有無の判定を行う方法と、判定の結果、重なりがあったときの対処とを説明する。通常モードと同様にウエハＷを保持したフォーク３が後退位置に移動し、４つの検出部４Ａ〜４Ｄのうち使用不可の検出部を除いた３つの検出部４を用いてウエハＷの周縁位置を検出し、その周縁位置に基づいてウエハＷの半径Ｒ’及び中心座標ｏ’を演算する。その後、フォーク３が第１の微小前進位置へ移動し、前記３つの検出部４を用いてウエハＷの周縁位置を検出し、その周縁位置に基づいてウエハＷ半径Ｒ’及び中心座標ｏ’を演算する。
【００５９】
ここで、通常モードで説明したように後退位置または第１の微小前進位置において、３つの検出部４のうちの１つの検出範囲がノッチＮに重なっているとすると、そのように重なっている状態で算出される半径Ｒ’は正常範囲よりも小さくなる場合がある。また、後退位置または第１の前進位置で算出された半径Ｒ’が共に正常範囲に収まっていても後退位置と第１の微小前進位置との間で、中心座標ｏ’のＹ成分が変化する。
【００６０】
既述のようにウエハＷの半径Ｒ’については、中心座標ｏ’と、ウエハＷの周方向に見て３つの検出部４の配列間隔が最も短くなり、その配列の中央に位置する検出部４の検出座標との距離として求めている。そのことから、使用不可になった検出部４の周方向に隣接するいずれかの検出部４の検出範囲がノッチＮに重なると、半径Ｒ’が実際の半径よりも小さくなる。そして、使用不可になった検出部４のウエハＷ中心を挟んで対向する検出部４の検出範囲がノッチＮに重なると、半径Ｒ’は正常範囲に収まるが、前記Ｙ成分の変動が起こることになる。
【００６１】
図１８では、検出部４Ｃが使用不可になった例を示しており、フォーク３が後退位置にあるときに検出部４Ａの検出範囲がノッチＮに重なった例を示している。図１９では、前記フォーク３が第１の微小前進位置に移動した状態を示している。図１８、図１９に示すように検出部４Ａに対するノッチＮの位置がずれることで検出部４Ａ、４Ｂ、４Ｄにより演算されるｏ’１の位置がずれる。従って制御部５から見れば、後退位置及び／または第１の微小前進位置で検出部４ＡがノッチＮに重なっていることが分かる。
【００６２】
そこで、図２０に示すように予め設定された距離を、フォーク３がさらに前進する。この前進距離は、ノッチＮが検出範囲から外れるだけの十分な距離とする。そして、この前進位置（第２の微小前進位置とする）で検出部４Ａ、４Ｂ、４Ｄを用いてウエハＷの周縁位置を検出し、その周縁位置に基づいて正確な中心位置ｏ’１を演算する。従って、図８に示すように前記制御部５の記憶部５５は、前記第２の前進位置の周縁位置、この周縁位置から演算される中心位置を記憶する記憶領域を備えている。検出部４Ｃ以外の他の検出部が使用不可になった場合や検出部４Ａ以外の検出部４がノッチＮに重なった場合も、同様に中心位置の検出が行われる。
【００６３】
図１８〜図２０では中心座標のＹ成分が変化する場合について説明したが、他のケースについて説明する。後退位置及び第１の微小前進位置において共に演算される半径Ｒ’が正常範囲よりも短い場合には、後退位置及び第１の微小前進位置においてノッチＮがいずれかの検出部４の検出範囲に重なっているので、上記Ｙ成分が変化している場合と同様にフォーク３を第２の微小前進位置に移動させて中心座標を算出する。
【００６４】
後退位置及び第１の微小前進位置において中心座標のＹ成分に変化が無く、後退位置で算出した半径Ｒ’のみが正常範囲よりも小さく、且つ第１の微小前進位置における半径Ｒ’が正常範囲に収まっている場合については、後退位置ではノッチＮに検出範囲が重なっていたが、第１の微小前進位置では検出範囲がノッチＮから外れたことを示す。従って、第１の微小前進位置にて取得された周縁位置から取得した中心座標を正しいウエハＷの中心座標とする。図２１、図２２ではこのような例を示しており、検出部４Ｄが使用不可になっており、後退位置にてノッチＮは検出部４Ａに重なっている。この場合は、第１の微小前進位置で取得した中心座標ｏ’２が正しい中心座標であるため、フォーク３の第２の微小前進位置への移動は行われない。
【００６５】
そして、後退位置及び第１の微小前進位置において中心座標のＹ成分に変化が無く、第１の微小前進位置で算出した半径Ｒ’のみが正常範囲よりも小さく、後退位置における半径Ｒ’が正常範囲に収まっている場合については、第１の微小前進位置ではノッチＮに検出範囲が重なっており、後退位置では前記検出範囲からノッチＮが外れていたことを示す。従って、第１の微小前進位置にて取得された周縁位置から取得した中心位置を正しいウエハＷの中心位置とし、フォーク３の第２の前進位置への移動は行われない。
【００６６】
臨時モードの一連の動作について前記通常モードとの差異点を中心に、レジスト塗布モジュールＣＯＴから加熱モジュール２１へのウエハＷの搬送を例に挙げて、図２３のフローに沿って説明する。ここでは図１８〜図２０の例と同様に検出部４Ｃが使用不可になっているものとする。上記のステップＳ１と同様に例えばフォーク３Ａがレジスト塗布モジュールＣＯＴからウエハＷを受け取り、後退位置へと移動し（ステップＴ１）、この後退位置にて光源部４１から光が照射され、各検出部４Ａ、４Ｂ、４Ｄにより周縁位置の座標が取得される。そして、前記周縁位置の座標に基づいて中心座標ｏ’（ｏ’１）及び半径Ｒ’（Ｒ‘１）が演算される（ステップＴ２）。その後、フォーク３Ａが第１の微小前進位置に移動し、光源部４１から光が照射されて各検出部４Ａ、４Ｂ、４Ｄによりこの第１の前進位置におけるウエハＷの周縁位置の座標が取得される。そして、前記周縁位置の座標に基づいて中心位置ｏ’１及び半径Ｒ’１が演算される（ステップＴ３）
【００６７】
然る後、既述のようにステップＴ２、ステップＴ３で取得された中心位置ｏ’１のＹ成分の差分を演算し、許容範囲に収まっているか否か判定する。許容範囲に収まっていればステップＴ２、Ｔ３で夫々演算した半径Ｒ’１が正常範囲に収まっているか否かを判定する。つまり、前記後退位置及び第１の微小前進位置で検出部４Ａ、４Ｂ、４Ｄのいずれかの検出範囲がノッチＮに重なっているか否か判定する（ステップＴ４）。いずれか一方の半径Ｒ’１だけが正常範囲に収まっていると判定されれば、その半径Ｒ’１と同じステップで求めた中心座標を正常な中心座標として決定する。両方のＲ’１が正常範囲に収まっていればステップＴ２、Ｔ３で算出したうちのいずれか一方の中心座標例えばステップＴ２で算出した中心座標を正常な中心座標として決定する。そして、そのように決定した中心座標に基づいて、通常モードと同様にウエハＷの搬送を行う（ステップＴ５）。
【００６８】
ステップＴ４において、中心座標ｏ’１のＹ成分の差分が許容範囲に収まっていないと判定された場合及びステップＴ２、Ｔ３で演算した半径Ｒ‘１が正常範囲に含まれていないと判定された場合は、フォーク３Ａを第２の微小前進位置に移動させ、検出部４の検出範囲からノッチＮが外れた状態で、各光源部４１から光が照射されてウエハＷの周縁位置の座標が取得される。その周縁位置の座標に基づいて中心座標ｏ’１が演算され（ステップＴ６）、このステップＴ６で演算した中心座標ｏ’１に基づいて、フォーク３Ａの適正位置ｐとのずれ量ΔＸ、ΔＹが演算され、このずれ量に基づいてこの中心座標ｏ’１が前記熱板２３の適正位置ｑに重なるように、前記ウエハＷの搬送が行われる（ステップＴ７）。
【００６９】
ところで、ウエハＷのフォーク３の保持位置によっては、例えば第２の微小前進位置にフォーク３Ａが前進したときにいずれかの検出部４の検出範囲からウエハＷが外れてしまう場合がある。上記の図５の模式図で言えば、第１の値ｎ１となる受光量が検出されず、第２の値ｎ２の受光量だけが検出される場合である。このような状態になったときはウエハＷの周縁位置の検出が行えないので、搬送アーム３０によるウエハＷの搬送が停止され、例えば制御部５に設けられる表示画面（不図示）に、そのような搬送停止が起きた旨を示す警告が表示されたり、制御部５に設けられるアラーム発生部５４からアラーム音が発生される。上記の一連の動作は臨時モード実行プログラム５７により制御される。
【００７０】
続いて、通常モードから臨時モードへの切り替え動作について説明する。この切り替えは、各検出部４における光源部４１の異常または受光部４２の異常を検出すると自動で行われ、異常発生時にフォーク３が保持しているウエハＷ及び後続のウエハＷを臨時モードで搬送する。
【００７１】
上記のように光源部４１は例えばＬＥＤにより構成されており、ＬＥＤに発生する異常としては、ＬＥＤの消灯、ＬＥＤの光量の低下、ＬＥＤに備えられたレンズの汚れ、あるいは、制御部５とＬＥＤとの間のいずれかのケーブルの断線等がある。上記のような光源部４１の異常の検出は、例えば上記のウエハＷの周縁位置を検出する際に、ウエハＷを保持したフォーク３が後退位置に移動する度に行われ、フォーク３に保持されているウエハＷに通常遮られない位置に配置されている受光素子により、光源部４１から発した光の光量を検出して行う。
【００７２】
図２４は、既述の図５と同様、受光部４２の画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフであり、この図２４を参照しながら説明する。上記のような光源部４１の異常が起きると、図２４に例示するように光源部４１から光を発するように制御部５から信号が送信されたときに、検出される光量が第２の値ｎ２から変化する。この受光量が許容値より低くなった場合には、その光源部４１を備える検出部４を使用不可とし、アラーム音の発生及び警告の画面表示を行うと共に動作モードを通常モードから臨時モードに切り替える。すなわち、この例ではウエハの中心位置を算出すると共に、光源部４１の異常の判定を行うので、光源部４１の不具合を即座に把握することができるようになっている。
【００７３】
次に受光部４２の異常の検知方法について説明する。受光部４２に発生する異常としては、各ＣＣＤの欠陥、制御部５と受光部４２との間のいずれかのケーブルの断線等が例示される。図２４と同様に画素番号と受光量との関係を模式的に示した図２５も参照しながら説明する。
【００７４】
フォーク３がウエハＷをモジュールに受け渡した後、ウエハＷを保持しない状態で後退位置に移動する。このように後退位置に移動したときにもウエハＷの周縁位置を検出する場合と同様に光源部４１から受光部４２へ光が照射される。そして受光した光量を検出し、その検出値に基づいて行う。このように光を受光したときに、受光部４２に上記の異常があると、フォーク３に遮られていない位置に配置されている画素の受光量が、本来検出されるはずの第２の値ｎ２にならず、変化することがある。例えば、受光部４２を構成する異常の発生したＣＣＤが全く光を検出できないとき、前記ＣＣＤよりなる画素は図２５中点線で示すように、例えば第１の値ｎ１等の、第２の値ｎ２と異なる値を検出する。
【００７５】
従って、このように第２の値ｎ２でない検出値を示す画素があったり、検出値のデータが得られないような場合、制御部５は、このような検出値を示す受光部４２に異常が発生していると判定し、当該受光部４２を備える検出部４を使用不可とする。そして、光源部４１に異常が発生した場合と同様にアラーム音の発生及び警告の画面表示を行うと共に、搬送モードの切り替えとを行う。この受光部４２における異常の有無の検出は、例えばフォーク３Ａ、３Ｂの一方がウエハＷをモジュールに受け渡した後、ウエハＷを保持していない状態で後退位置に移動する度に行われる。このとき例えば光源部４１の光がウエハＷに遮られないように、他方のフォーク３はウエハＷを受け渡すために受け渡し位置に移動している。
【００７６】
上記の搬送アーム３０によれば、３個の検出部４を用いて、ウエハＷのノッチＮに各検出部４の検出範囲が重ならないようにウエハＷの中心座標が算出され、その中心座標に基づいてウエハＷのモジュールへの搬送が行われるモードを備えている。従って、４つの検出部４のうち１つが使用不可になっても、搬送アーム３０の動作を停止させる必要が無く、ユーザが装置内に立ち入る必要もないので、モジュールの適正位置へ精度高くウエハＷを受け渡すことができると共に、搬送アーム３０と既述の各モジュールとからなる基板処理装置の稼働率の低下を抑えることができる。そして、４個の検出部４が使用可能であるときは、この４個の検出部４を用いてウエハＷの中心座標を検出する。従って、ウエハＷの中心座標を検出するために前進する動作を行う回数を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
【００７７】
前記光源部４１としては、複数のＬＥＤを直線状に配列させた光源、又は単一のＬＥＤの発光側に直線状に導光材料を設け直線状の光源としたものを用いることができる。また、受光部４２として、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）ラインセンサの他に、ファイバーラインセンサ、光電センサ等各種のリニアイメージセンサを用いることができる。すなわち、受光部４２の受光素子として、ＣＣＤ、光電センサ等の各種の受光素子を用いることができる。また、光源部４１をフォーク３の上側に、受光部４２をフォーク３の下側に設けてもよい。さらに、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂに夫々検出部４が４つずつ設けられているような構成にすることも可能である。その場合には、検出部４を構成する一対の光源部４１とリニアイメージセンサ４２は、後退しているフォーク３Ａ、３Ｂが保持しているウエハＷのいずれかを上下から挟むように設けられたものであればよい。検出部４は４基以上設けられていてもよい。
【００７８】
続いて、搬送アーム３０、加熱モジュール２１及びレジスト塗布モジュールＣＯＴが適用される塗布、現像装置について図２６〜図２８を参照しながら簡単に説明する。前記塗布、現像装置は露光装置に接続されてレジストパターン形成装置を構成しており、図２６、図２７、図２８は夫々前記レジストパターン形成装置の平面図、概略斜視図、側面図である。
【００７９】
レジストパターン形成装置は、図２６及び図２７に示すように、キャリアブロック６１、処理ブロック６２、インターフェイスブロック６３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロック６３側に、露光装置６４が設けられている。処理ブロック６２は、キャリアブロック６１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロック６３は、処理ブロック６２のキャリアブロック６１側と反対側に、処理ブロック６２に隣接するように設けられている。露光装置６４は、インターフェイスブロック６３の処理ブロック６２側と反対側に、インターフェイスブロック６３に隣接するように設けられている。
【００８０】
キャリアブロックＳ１は、キャリア７１、載置台７２及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア７１は、載置台７２上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア７１からウエハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウエハＷを受け取り、キャリア７１に戻すためのものである。
【００８１】
処理ブロック６２は、図２６及び図２７に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。図２６及び既述の図１は、前記第３のブロックＣＯＴ層Ｂ３を示している。
【００８２】
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図２８に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図２６に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウエハＷが搬送される。
【００８３】
棚ユニットＵ２は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図２８に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。なお、図２８において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００８４】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１と第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２との間には、棚ユニットＵ１から棚ユニットＵ２にウエハＷを直接搬送するシャトルＥが設けられている。
【００８５】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々薬液の塗布モジュール、加熱モジュール群及び既述の搬送アーム３０を有する。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は薬液の塗布モジュールの代わりに現像液の供給モジュールが設けられることを除き他の単位ブロックと同様の構成である。図示の便宜上、各単位ブロックの搬送アーム３０をＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４として示している。
【００８６】
インターフェイスブロックＳ３は、図２７に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウエハＷが搬送される。
【００８７】
キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウエハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウエハＷに反射防止膜が形成される。
【００８８】
反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウエハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウエハＷにレジスト膜が形成される。
【００８９】
レジスト膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。なお、レジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール
群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウエハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００９０】
レジスト膜が形成されたウエハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介してシャトルＥに受け渡され、棚ユニットＵ２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。インターフェイスアームＦに受け渡されたウエハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。その後ウエハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウエハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア７１に戻される。
【００９１】
既述の例では、搬送アーム３０によるレジスト塗布モジュールＣＯＴから加熱モジュール２１への搬送例を説明したが、搬送アーム３０の他に前記受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ及びインターフェイスアームＦも、本発明における基板搬送装置に相当し、搬送アーム３０と同様に上記の基板周縁位置検出機構４０を備えている。そして、これらの基板搬送装置においても前段側のモジュールから後段側のモジュールにウエハＷを受け渡すにあたり、搬送アーム３０で説明したようにウエハＷの中心座標の演算が行われ、当該中心座標に基づいて搬送が行われる。つまり上記搬送経路において、前段側のモジュールから後段側のモジュールへの搬送はすべて、レジスト塗布モジュールＣＯＴから加熱モジュール２１への搬送例で説明したように行われる。
【００９２】
ところで、上記のように検出部４は、基台３１に設けられることには限られない。例えば図２９、３０に示すように搬送路２０の天井側、床側に夫々光源部４１、受光部４２を配置し、基台３１及びフォーク３がこれらの間を通過するときに、上記のウエハＷの中心位置の検出及びフォーク３の受け渡し位置の決定が行われてもよい。基台３１は、光源部４１の光を遮らないような形状にする。そして、このような場合フォーク３を検出部４に対してＸ方向に若干ずらす代わりに、図３１に示すように基台３１をＹ方向に若干移動させて、ノッチＮに対するウエハＷの位置をずらし、上記の中心位置の検出を行うことができる。
【００９３】
また、上記のウエハＷの中心位置の検出はウエハＷを受け取る前段側モジュールからウエハＷを受け渡す後段側モジュールへウエハＷを受け渡すまでに行えばよい。従ってフォーク３を後退させた後、基台３１が停止した状態で行ってもよいし、基台３１が後段側モジュールへ移動している途中で、フォーク３を前進させて検出を行ってもよい。また、フォーク３の後退位置を基準位置として、その基準位置から前進させることにより、ノッチＮの検出作業を行っているが、基準位置を前記後退位置の前方側とし、その位置からフォーク３を後退させて、ノッチＮの検出作業を行ってもよい。また、基台３１に対して、検出部４が移動できるように駆動機構を設け、フォーク３の代わりに検出部４を移動させてウエハＷの中心位置の検出を行うことができる。なお、臨時モードにおいて中心位置ｏ’を検出する場合、通常モードにおいて中心位置ｏ’を取得する位置とは異なる位置にフォーク３を移動させて取得してもよい。つまり、上記後退位置及び第１の微小前進位置から夫々ずれた位置にフォークを移動して検出を行ってもよい。
【００９４】
また、検出部４を５対以上設けて通常モードはこれらの検出部４を用い、使用可能な検出部３が３対になったときに上記の臨時モードを実行するようにしてもよい。
【００９５】
また、上記の例ではステップＳ６、Ｔ４において中心座標のＹ方向の位置変動の有無に基づいて、ノッチＮに検出部４の検出範囲が重なっているか否かを判定しているが、他の判定方法について示す。第１の微小前進位置で取得した各座標ｏ’について、後退位置からのフォーク３の移動量分だけフォーク３の後方側にずらす。このように取得した各座標ｏ’と後退位置で取得した各座標ｏ’の距離を計算する。つまり、図１６下段で示したように、後退位置と第１の微小前進位置との間で各座標ｏ’のフォーク３の移動量を差し引いた各座標ｏ’の移動量（変位量）を演算する。この移動量は、上記のように第１の微小前進位置からずらしたｏ’のＸ座標、Ｙ座標をＸ’’、Ｙ’’、後退位置のＸ座標、Ｙ座標をＸ’、Ｙ’とすると、{（Ｘ’’−Ｘ’）2＋（Ｙ’’−Ｙ’）2}1/2である。前記図１６に示したように検出範囲がノッチＮ重ならないセンサを用いて演算したｏ’は他のｏ’に比べてこの移動量が小さい。
【００９６】
そこで通常モードのステップＳ５、Ｓ６においては半径が正常範囲内であり、この移動量が最小となるｏ’を正しい中心位置とすることができる。臨時モードのステップＴ４においては、前記移動量が予め設定した許容範囲に収まり、演算される各半径が正常範囲に収まればノッチＮに検出範囲が重なっていないと判定することができる。移動量が許容範囲に収まっていない場合は、Ｙ成分の差分が許容範囲に収まっていないと判定された場合のようにフォーク３Ａを第２の微小前進位置に移動させて、中心座標を取得する。
【符号の説明】
【００９７】
Ｎ        ノッチ
Ｗ        ウエハ
３Ａ、３Ｂ    フォーク
３０      搬送アーム
３１      基台
４０      基板周縁位置検出機構
４        検出部
４１      光源部
４２      受光部
５        制御部
５６      通常モード実行プログラム
５７      臨時モード実行プログラム
【図１】
0005582152.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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