(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の下側に配置され、相互に離隔する一対の支持部により前記試料を支持する試料支持冶具と、
前記試料の上側に配置され、相互に離隔する一対の押圧部により前記試料を押圧可能な押圧冶具と、
前記試料支持冶具及び前記押圧冶具の少なくとも一方を移動させて前記押圧部により前記試料を押圧させる駆動機構と、
前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する変位量を検出する変位検出部と、
前記試料に加えられる荷重を検出する荷重検出部と、
前記変位検出部及び前記荷重検出部から変位量の検出値及び荷重検出値が入力されて前記駆動機構を制御する制御装置とを有し、
前記制御装置は、前記荷重検出部の検出値により前記試料に加わる荷重の急減を検出した後に、前記試料に加わる荷重が一定範囲内に収まるように前記駆動機構を制御することを特徴とする密着性評価装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記試料に加わる荷重が急減する直前の荷重をＮ１、前記試料に加わる荷重が急減した直後の荷重をＮ２、Ｒを０＜Ｒ＜１を満たす定数としたときに、前記試料に加わる荷重の急減を検出した後に、前記試料に加わる荷重Ｎが、Ｎ２−Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）≦Ｎ≦Ｎ２＋Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）を満たすように前記駆動機構を制御することを特徴とする請求項１に記載の密着性評価装置。
【請求項３】
前記押圧冶具は、前記一対の押圧部を結ぶ線分と、前記押圧冶具の変位方向とに垂直な方向の軸の周りに回動可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の密着性評価装置。
【請求項４】
試料の下側を相互に離隔する一対の支持部を有する試料支持冶具により支持し、前記試料の上側に相互に離隔する一対の押圧部を有する押圧冶具を配置する工程と、
前記押圧冶具を前記試料支持冶具に対し一定の速度で近づけて前記押圧部により前記試料に荷重を加える工程と、
前記試料に加わる荷重を監視し、前記試料に加わる荷重の急減を検出すると前記試料に加わる荷重が一定の範囲に収まるように前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する移動速度を変化させる工程と
を有することを特徴とする密着性評価方法。
【請求項５】
前記試料に加わる荷重が急減する直前の荷重をＮ１、前記試料に加わる荷重が急減した直後の荷重をＮ２、Ｒを０＜Ｒ＜１を満たす定数としたときに、前記試料に加わる荷重の急減を検出した後は、前記試料に加わる荷重Ｎが、Ｎ２−Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）≦Ｎ≦Ｎ２＋Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）を満たすように前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する移動速度を変化させることを特徴とする請求項４に記載の密着性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に形成した膜の密着性の評価に適した密着性評価装置及び密着性評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化及び高性能化の要求に対応すべく、半導体装置に新規な材料や製造プロセスを適用する試みがなされている。しかし、そのような新規な材料や製造プロセスで形成された膜の密着性が十分でないと、製造工程で加わる応力によって膜が剥離するおそれがあり、半導体装置の信頼性に大きな影響を与える。そのため、新規な材料や製造プロセスを実際に半導体装置に適用する前に、膜の密着性を評価することが重要である。
【０００３】
膜の密着性評価方法としては、テープテスト法、スタッドプル法、ｍＥＬＴ（modified Edge Liftoff Test）法、及び４点曲げ試験法等の様々な方法が知られている。なかでも、４点曲げ試験法は荷重の加わり方が実際の半導体装置製造工程中における荷重の加わり方に似ていることから、半導体基板上に形成した膜の密着性評価方法として注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９５８６５号公報
【特許文献２】特開２００１−５９８０３号公報
【特許文献３】特開２００７−１０３５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、４点曲げ試験法は半導体基板上に形成した膜の密着性評価方法として注目されているものの、従来の４点曲げ試験法をそのまま適用しただけでは膜の密着性を精度よく評価することができないことがある。
【０００６】
以上から、半導体基板上の膜の密着性を評価するのに適した密着性評価装置及び密着性評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一観点によれば、試料の下側に配置され、相互に離隔する一対の支持部により前記試料を支持する試料支持冶具と、前記試料の上側に配置され、相互に離隔する一対の押圧部により前記試料を押圧可能な押圧冶具と、前記試料支持冶具及び前記押圧冶具の少なくとも一方を移動させて前記押圧部により前記試料を押圧させる駆動機構と、前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する変位量を検出する変位検出部と、前記試料に加えられる荷重を検出する荷重検出部と、前記変位検出部及び前記荷重検出部から変位量の検出値及び荷重検出値が入力されて前記駆動機構を制御する制御装置とを有し、前記制御装置は、前記荷重検出部の検出値により前記試料に加わる荷重の急減を検出した後に、前記試料に加わる荷重が一定範囲内に収まるように前記駆動機構を制御する密着性評価装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
上記密着性評価装置では、制御装置が試料に加わる荷重の急減を検出すると、試料に加わる荷重が一定範囲内に収まるように駆動機構を制御して押圧冶具の試料支持冶具に近づく速度を調整する。これにより、押圧冶具の試料支持冶具に近づく速度に試料内で膜が剥離する速度が追従できるようになり、膜の密着強度が高い場合であっても荷重−変位量特性にプラトー領域が明確に出現するようになる。その結果、膜の密着性を良好な精度で評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、密着性評価方法の例を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、図１に示す密着性評価方法により得られる変位−荷重特性を示す図である。
【図３】図３は、実施形態に係る密着性評価装置を示す模式図である。
【図４】図４は、実施形態に係る密着性評価装置の動作を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）は、実施形態に係る密着性評価装置の押圧冶具を示す模式図、図５（ｂ）は実施形態の変形例に係る押圧冶具を示す模式図である。
【図６】図６は、実施例１の試料を示す斜視図及び部分拡大図である。
【図７】図７は、実施例１の密着性評価試験の結果を示す図である。
【図８】図８は、比較例１の密着性評価試験の結果を示す図である。
【図９】図９は、実施例２の試料を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、実施例２の密着性評価試験の結果を示す図である。
【図１１】図１１は、比較例２の密着性評価試験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態を説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。
【００１１】
図１（ａ）〜（ｃ）は、４点曲げ試験装置を使用した膜の密着性評価方法の例を示す模式図である。また、図２（ａ），（ｂ）は、その密着性評価方法により得られる変位量−荷重特性を示す図である。
【００１２】
ここでは、図１（ａ）に示すように、試料８０は、基板８１の上に膜８２、接着層８３及びダミー基板８４を積層した構造を有し、基板８１と膜８２との密着性を評価するものとする。また、試料８０には、基板８１側にノッチ（溝）８１ｎを形成し、このノッチ８１ｎを形成した面を下側にして４点曲げ試験装置にセットするものとする。
【００１３】
４点曲げ試験装置は、試料８０の下側の面の両端部近傍を支持する一対の支持部８５ａ，８５ｂを有する試料支持冶具と、試料８０の上側の面に接触して試料８０を押圧する一対の押圧部８６ａ，８６ｂを有する押圧冶具とを備えている。押圧部８６ａ，８６ｂは試料８０の中心を挟んで相互に離隔した位置に配置され、押圧部８６ａ，８６ｂ間の間隔は支持部８５ａ，８５ｂ間の間隔よりも小さく設定されている。
【００１４】
このような４点曲げ試験装置を用いて密着性を評価する場合、押圧冶具（押圧部８６ａ，８６ｂ）を一定の速度で下方に移動（変位）させながら、ロードセルにより試料８０に加わる荷重を測定する。そして、押圧冶具の変位（移動量）と試料８０に加わる荷重との関係を調べる。
【００１５】
押圧冶具の変位量が少ない間は、試料８０全体が弾性変形する。この場合、押圧冶具の変位量の増加にともなって試料８０に加わる荷重が直線的に増加する（図２（ａ）にＩで示す範囲）。
【００１６】
押圧冶具の変位量がある値になると、図１（ｂ）に示すように、ノッチ８１ｎを起点にして基板８１にクラック８１ａが発生する。このクラック８１ａは、短時間で膜８２まで到達する。このとき、図２（ａ）にＰで示すように、試料８０に加わる荷重が急激に減少する。
【００１７】
押圧冶具が更に下方に移動すると、図１（ｃ）に示すように、膜８２が基板８１から剥がれていく。このとき、押圧冶具の変位量が増加しても試料８０に加わる荷重はほぼ一定の値となる（図２（ａ）にIIで示す範囲）。このように押圧冶具の変位量が変化しても試料８０に加わる荷重がほぼ一定となる領域を、プラトー領域と呼んでいる。
【００１８】
プラトー領域では、押圧冶具の移動速度と膜８２が剥がれる速度とが釣り合っているということができる。このプラトー領域の荷重は半導体基板８１に対する膜８２の密着性を反映した値となり、プラトー領域の荷重が高いほど半導体基板８１に対する膜８２の密着性が高いということができる。
【００１９】
ところで、近年の半導体装置で使用される膜の密着性を４点曲げ試験法で評価しようとすると、押圧冶具の変位量と試料に加わる荷重との関係が図２（ｂ）に示すようになり、プラトー領域が現れないことがある。本願発明者らは、その理由を解明すべく種々実験検討を行った。その結果、膜の密着性が高い（例えば５Ｎ／ｍｍ2以上）場合は、従来の４点曲げ試験法をそのまま適用しただけではプラトー特性が現れないことが判明した。
【００２０】
従来の４点曲げ試験法では押圧冶具の移動速度が一定であるため、膜の密着性が高いと、押圧冶具の移動速度に膜が剥がれる速度が追従できなくなってプラトー領域が現れなくなると考えられる。
【００２１】
以下、添付の図面を参照しつつ実施形態について説明する。
【００２２】
図３は、実施形態に係る密着性評価装置を示す模式図である。
【００２３】
図３に示すように、本実施形態に係る密着性評価装置１０では、台座１２の上にロードセル１８及び試料支持冶具１３が配置されている。試料支持冶具１３には試料９０の下側の両端部近傍に接触して試料９０を支持する凸状の支持部１３ａ，１３ｂが設けられている。この支持部１３ａ，１３ｂの先端は曲率半径が１ｍｍ程度の曲面となっている。また、支持部１３ａ，１３ｂ間の間隔は６０ｍｍに設定されている。
【００２４】
試料９０に加えられる荷重はロードセル１８により測定され、その測定値は制御装置（コンピュータ）１９に送られる。
【００２５】
台座１２の上方には、モータ１４、リードスクリュー１４ｂ、ヘッド部材１４ｃ及び押圧冶具１５が配置されている。モータ１４はフレーム１１に固定されており、制御装置１９により駆動制御される。
【００２６】
リードスクリュー１４ｂは、モータ１４の回転軸に接続されている。ヘッド部材１４ｃはリードスクリュー１４ｂの回転によりリードスクリュー１４ｂに沿って上下方向に移動する。押圧冶具１５はヘッド部材１４ｂの下部に支持され、ヘッド部材１４ｂとともに上下方向に移動する。
【００２７】
押圧冶具１５は、試料９０の上側の面に接触する一対の凸状の押圧部１５ａ，１５ｂを有している。この押圧部１５ａ，１５ｂの先端は例えば曲率半径が１ｍｍの曲面となっている。また、押圧部１５ａ，１５ｂ間の間隔は４０ｍｍに設定されている。
【００２８】
更に、本実施形態の密着性評価装置１０は、台座１２に固定された光学式変位計１７と、ヘッド部材１４ｃに接続されたミラー１６とを有している。光学式変位計１７は、ミラー１６にレーザ光を照射し、ミラー１６で反射されたレーザ光によりヘッド部材１４（押圧冶具１５）の変位量を検出する。その検出結果も、制御装置１９に入力される。
【００２９】
以下、上述の密着性評価装置１０を用いた密着性評価方法について、図４に示すフローチャートを参照して説明する。
【００３０】
まず、ステップＳ１１において、中央にノッチ９０ｎが形成された試料９０を用意し、その試料９０をノッチ９０ｎを下側にして試料支持冶具１３の上にセットする。この場合、ノッチ９０ｎは、試料支持冶具１３の支持部１３ａ，１３ｂ間の中心及び押圧冶具１５の押圧部１５ａ，１５ｂ間の中心に位置するようにする。その後、オペレータからの指示により制御装置１９は密着性評価試験（４点曲げ試験）を開始し、モータ１４を駆動して押圧冶具１５を一定の速度（例えば０．１μｍ／秒）で下方に移動させる。
【００３１】
なお、ステップＳ１１で処理を開始してからステップＳ１８で処理を終了するまでの間、制御装置１９にはロードセル１８及び光学式変位計１７から試料９０に加わる荷重の測定値と押圧冶具１３の変位との情報が随時入力される。制御装置１９は、それらの情報をメモリ（図示せず）に時系列に記録する。
【００３２】
次に、ステップＳ１２において、制御装置１９は、ロードセル１８の出力に基づいて試料９０に加わる荷重を監視し、荷重が急激に減少するまで待つ。そして、試料９０に加わる荷重が急激に減少したと判定したとき（ＹＥＳのとき）は、ステップＳ１３に移行する。荷重の急激な減少は、試料９０にクラックが発生したことを示している。
【００３３】
ステップＳ１３において、制御装置１９は、荷重が急激に減少する直前の荷重（最大荷重）をＮ1とし、減少直後の荷重をＮ2とする。その後、ステップＳ１４に移行し、試料９０に加えられる荷重Ｎが、次の（１）式を満足するか否かを判定する。
【００３４】
Ｎ2−Ｒ（Ｎ1−Ｎ2）≦Ｎ  …（１）
ここで、Ｒは０＜Ｒ＜１の範囲で経験的に設定される定数である。このＲの値によりプラトー領域における荷重のばらつきの幅が決まる。荷重のばらつきを小さくするという観点からは、Ｒの値は小さくすることが好ましい。しかし、クラック発生直後の荷重Ｎ2は常にプラトー領域の荷重と等しいわけではないので、Ｒが小さすぎると密着性を正しく評価することができなくなる。本実施形態では、Ｒの値を０．１とする。
【００３５】
ステップＳ１４において否（ＮＯ）と判定したときは、ステップＳ１５に移行して、制御装置１９は、モータ１４の回転速度を増加させる。すなわち、押圧冶具１５の下降速度を増加させる。その後、ステップＳ１８に移行する。一方、ステップＳ１４において前記（１）式を満足すると判定したとき（ＹＥＳのとき）は、ステップＳ１６に移行する。そして、試料９０に加えられる荷重Ｎが、次の（２）式を満足するか否かを判定する。
【００３６】
Ｎ≦Ｎ2＋Ｒ（Ｎ1−Ｎ2）  …（２）
ステップＳ１６で否（ＮＯ）と判定したときは、ステップＳ１７に移行する。そして、制御装置１９は、モータ１４の回転速度を減少させる。すなわち、押圧冶具１５の下降速度を減少させる。その後、ステップＳ１８に移行する。
【００３７】
一方、ステップＳ１６で上記（２）式を満足すると判定したとき（ＹＥＳのとき）は、制御装置１９はモータ１４の回転速度を変化させることなく、ステップＳ１８に直接移行する。
【００３８】
ステップＳ１８では、測定を終了するか否かを判定する。ここでは、荷重が急激に減少した位置を基準とし、基準からの変位量が１００μｍを超えた場合に測定を終了するものとする。測定終了条件が満たされない場合（ＮＯの場合）は、ステップＳ１４に戻って処理を継続する。
【００３９】
一方、ステップＳ１８で測定終了条件が満たされていると判定した場合（ＹＥＳの場合）は、プラトー領域の荷重により試料９０の膜の密着性を評価する。
【００４０】
以上のように、本実施形態の密着性評価装置１０は、試料９０に加わる荷重の急激な減少を検出すると、試料９０に加わる荷重Ｎが一定の範囲（Ｎ2−Ｒ（Ｎ1−Ｎ2）≦Ｎ≦Ｎ2＋Ｒ（Ｎ1＋Ｎ2））となるように押圧冶具１５の下降速度を制御する。
【００４１】
このため、評価対象となる膜の密着強度が高く、膜が剥がれる速度が遅い場合であっても、変位量−荷重特性にプラトー領域を出現させることができ、膜の密着強度を精度よく評価することができる。
【００４２】
（変形例）
上述の実施形態では、押圧冶具１５の中心の位置が試料支持冶具１３の中心位置又は試料９０の中心位置からずれていると、図５（ａ）に示すように試料９０に加わる力が偏って、密着性を精度よく評価することができなくなる。
【００４３】
そこで、変形例では、図５（ｂ）に示すように押圧冶具１５をヘッド部材１４に、軸１４ｄを中心として回転可能に取り付けている。
【００４４】
この変形例の押圧冶具１５では、図５（ｂ）に示すように押圧冶具１５の中心が試料支持冶具１３の中心又は試料９０の中心から若干ずれた場合であっても、押圧冶具１５が回転して押圧部１５ａ，１５ｂを試料９０に均等に押し当てることができる。これにより、膜の密着性を精度よく評価することができる。
【００４５】
（実施例１）
図６は、本実施形態の実施例１に係る密着性評価方法に用いた試料を示す斜視図である。
【００４６】
近年のＬＳＩ等の半導体装置には、微細化及び高性能化にともなって、ダマシン法により形成される銅（Ｃｕ）配線が広く用いられるようになった。この銅配線には製造工程で様々な応力が加わるため、銅配線とその上下の層との間で剥離が発生するおそれがある。そのため、銅配線とその上下の層との間の密着性を評価することが重要である。
【００４７】
図６に示すように、厚さ７２５μｍのシリコン（Ｓｉ）基板２１を用意し、そのシリコン基板２１の表面に厚さ１００ｎｍの熱酸化膜（酸化シリコン膜２２）を形成した。そして、酸化シリコン膜２２の上に、スパッタ法により、厚さ２０ｎｍのタンタル（Ｔａ）膜２３と、厚さ２０ｎｍの銅（Ｃｕ）シード膜とを順に形成した。その後、銅シード膜の上に電解めっき法により厚さ約１μｍの銅めっき膜を成膜して、銅シード膜及び銅めっき膜とよりなる銅膜２４を形成した。
【００４８】
次に、銅膜２４を化学機械研磨（ＣＭＰ）法により研磨して、その厚さを３００ｎｍ程度とした。そして、銅膜２４の表面を還元処理した後、銅膜２４の上にＣＶＤ法により厚さ７０ｎｍのシリコンカーバイド（ＳｉＣ）膜２５を形成した。
【００４９】
次に、シリコン基板２１を、一辺が７ｃｍの正方形の形状（Ｗ１＝Ｌ１＝７０ｍｍ）に切り出した。また、厚さ７２５μｍのシリコン基板を用意し、その基板をシリコン基板２１と同じ形状に切り出して、ダミー基板２７を形成した。そして、このダミー基板２７を、エポキシ樹脂２６を用いてシリコン基板２１（シリコンカーバイド膜２５）の上に接合した。
【００５０】
その後、ダイシングソーにより、ダミー基板２７の中央にノッチ２７ｎを形成した。このノッチ２７ｎはＷ１方向に延び、幅が２０μｍ、深さが７２０μｍである。
【００５１】
このようにして形成した実施例１の試料２０を、ダミー基板２７側を下にして図３に示す密着性評価装置１０の試料支持冶具１３の上に設置した。なお、試料支持冶具１３の支持部１３ａ、１３ｂ間の距離Ｄ１（図６参照）は６０ｍｍとし、押圧冶具１５の押圧部１５ａ、１５ｂ間の距離Ｄ２は４０ｍｍとした。また、実施例１では、図５（ｂ）に示す押圧冶具１５を用いた。
【００５２】
その後、図４のフローチャートに示す手順で密着性評価試験を実施して、銅膜２４の密着性の評価を行った。荷重が急減するまでの押圧冶具１５の下降速度は０．１μｍ／秒とした。
【００５３】
図７は、実施例１の密着性評価試験を実施した結果を示す図である。この図７に示すように、押圧冶具１５の変位に比例して荷重が増加した後、クラック発生にともなって荷重が急減し、その後、プラトー領域が出現した。プラトー領域の荷重は約６Ｎであった。
【００５４】
密着性評価試験後の試料２０を観察した結果、タンタル膜２３と酸化シリコン膜２２との界面が剥離しており、銅膜２４とタンタル膜２３及びシリコンカーバイト膜２５との密着性は極めて良好であることが確認できた。
【００５５】
（比較例１）
比較例１では、クラックの発生前後の押圧冶具１５の下降速度を一定としたこと以外は実施例１同様にして密着性評価試験を実施した。
【００５６】
図８は、比較例１の密着性評価試験の結果を示す図である。この図８に示すように、比較例１ではクラック発生後にプラトー領域が現れず、押圧冶具１５の変位量の増加にともなって荷重が増加し続けている。このように、押圧冶具１５の下降速度を一定とした場合にプラトー領域が現れないのは、試料２０のタンタル膜２３と酸化シリコン膜２２との間の剥離の速度が、押圧冶具１５の下降速度に追従できないためであると考えられる。
【００５７】
また、図８から、比較例１においてクラックが発生した直後の荷重Ｎ２は、実施例１のプラトー領域の荷重よりも高い値となっていることがわかる。
【００５８】
（実施例２）
図９は、本実施形態の実施例２の密着性評価に用いた試料を示す斜視図である。
【００５９】
実施例２では、ボンディング剤と半導体チップとの密着性評価を行った。このような密着性評価は、例えば複数の半導体チップをボンディング剤を用いて積層したチップ積層タイプの半導体装置の信頼性評価に有用である。
【００６０】
図９に示すように、実施例２では、厚さ７２５μｍのシリコン基板を用意し、そのシリコン基板を一辺が７ｃｍの正方形の形状（Ｗ２＝Ｌ２＝７０ｍｍ）に切り出して、基板３１及び基板３３を形成した。そして、基板３１の片面に厚さＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂３２を２μｍの厚さに塗布し、ＢＣＢ樹脂３２により基板３１と基板３３とを接合した。
【００６１】
その後、ダイシングソーにより、基板３３の中央にノッチ３３ｎを形成した。ノッチ３３ｎはＷ２方向に延び、幅が２０μｍ、深さが７２０μｍである。
【００６２】
このようにして形成した実施例２の試料３０を、基板３３を下にして、図３に示す密着強度試験装置１０の試料支持冶具１３上に載置した。なお、実施例２でも、試料支持冶具１３の支持部１３ａ、１３ｂ間の距離Ｄ１は６０ｍｍとし、押圧冶具１５の押圧部１５ａ、１５ｂ間の距離Ｄ２は４０ｍｍとした。
【００６３】
その後、図４のフローチャートに示す手順で密着性評価試験を実施して、ボンディング剤と半導体チップとの間の密着性の評価を行った。密着性評価試験時の条件は、実施例１と同じである。
【００６４】
図１０は、実施例２の密着性評価試験を実施した結果を示す図である。この図１０に示すように、実施例２でもクラック発生後にプラトー領域が出現することが確認できた。この実施例２では、プラトー領域の荷重は約９Ｎであった。
【００６５】
（比較例２）
図１１は、比較例２の密着性評価の結果を示す図である。
【００６６】
比較例２では、クラック発生前後の押圧冶具１５の下降速度を一定としたこと以外は実施例２と同様にして密着性評価試験を実施した。
【００６７】
図１１は、比較例２の密着性評価試験の結果を示す図である。この図１１に示すように、比較例２ではクラック発生後にプラトー領域が現れず、押圧冶具１５変位量の増加にともなって荷重が増加し続けており、密着性の評価を行うことができなかった。
【００６８】
以上の諸実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００６９】
（付記１）試料の下側に配置され、相互に離隔する一対の支持部により前記試料を支持する試料支持冶具と、
前記試料の上側に配置され、相互に離隔する一対の押圧部により前記試料を押圧可能な押圧冶具と、
前記試料支持冶具及び前記押圧冶具の少なくとも一方を移動させて前記押圧部により前記試料を押圧させる駆動機構と、
前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する変位量を検出する変位検出部と、
前記試料に加えられる荷重を検出する荷重検出部と、
前記変位検出部及び前記荷重検出部から変位量の検出値及び荷重検出値が入力されて前記駆動機構を制御する制御装置とを有し、
前記制御装置は、前記荷重検出部の検出値により前記試料に加わる荷重の急減を検出した後に、前記試料に加わる荷重が一定範囲内に収まるように前記駆動機構を制御することを特徴とする密着性評価装置。
【００７０】
（付記２）前記制御装置は、前記試料に加わる荷重が急減する直前の荷重をＮ１、前記試料に加わる荷重が急減した直後の荷重をＮ２、Ｒを０＜Ｒ＜１を満たす定数としたときに、前記試料に加わる荷重の急減を検出した後に、前記試料に加わる荷重Ｎが、Ｎ２−Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）≦Ｎ≦Ｎ２＋Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）を満たすように前記駆動機構を制御することを特徴とする付記１に記載の密着性評価装置。
【００７１】
（付記３）前記押圧冶具は、前記一対の押圧部を結ぶ線分と、前記押圧冶具の変位方向とに垂直な方向の軸の周りに回動可能であることを特徴とする付記１又は２に記載の密着性評価装置。
【００７２】
（付記４）前記係数Ｒは０．１以下に設定されることを特徴とする付記２に記載の密着性評価装置。
【００７３】
（付記５）前記制御装置は、前記試料に加わる荷重が急減するまでは、前記押圧冶具が前記試料支持冶具に一定の速度で近づくように前記駆動機構を制御することを特徴とする付記１に記載の密着性評価装置。
【００７４】
（付記６）前記制御装置は、前記試料に加わる荷重が急減した後の前記押圧冶具の変位量が一定値に到達したときに測定を終了することを特徴とする付記１に記載の密着性評価装置。
【００７５】
（付記７）試料の下側を相互に離隔する一対の支持部を有する試料支持冶具により支持し、前記試料の上側に相互に離隔する一対の押圧部を有する押圧冶具を配置する工程と、
前記押圧冶具を前記試料支持冶具に対し一定の速度で近づけて前記押圧部により前記試料に荷重を加える工程と、
前記試料に加わる荷重を監視し、前記試料に加わる荷重の急減を検出すると前記試料に加わる荷重が一定の範囲に収まるように前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する移動速度を変化させる工程とを有することを特徴とする密着性評価方法。
【００７６】
（付記８）前記試料に加わる荷重が急減する直前の荷重をＮ１、前記試料に加わる荷重が急減した直後の荷重をＮ２、Ｒを０＜Ｒ＜１を満たす定数としたときに、前記試料に加わる荷重の急減を検出した後は、前記試料に加わる荷重Ｎが、Ｎ２−Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）≦Ｎ≦Ｎ２＋Ｒ（Ｎ１−Ｎ２）を満たすように前記押圧冶具の前記試料支持冶具に対する移動速度を変化させることを特徴とする付記７に記載の密着性評価方法。
【符号の説明】
【００７７】
１ａ、１ｂ…クラック、１ｎ、２７ｎ、３３ｎ、９０ｎ…ノッチ、２０、３０、９０…試料、１０…密着性評価装置、１１…フレーム、１１ａ…レール、１２…支持台、１３…下側冶具、１３ａ、１３ｂ…支点、１４…アクチュエータ（駆動機構）、１４ａ…モータ、１４ｂ…ネジ棒、１４ｃ…ヘッド部材、１４ｄ…軸、１５…上側冶具、１５ａ、１５ｂ…圧子、１６…ミラー、１７…光学式変位計、１８…ロードセル、１９…制御装置、２１…シリコン基板、２２…酸化シリコン膜（熱酸化膜）、２３…バリアメタル膜、２４…銅膜、２５…シリコンカーバイド膜、２６…エポキシ樹脂層、２７…ダミー基板、３１、３３…基板、３２…ＢＣＢ樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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