(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状パターンが第１の間隔で並置された密集パターンを第１の試験用基板表面上のフォトレジスト膜に投影して得られるレジストパターンの第１のレジスト線幅が第１の最大値になる前記第１の試験用基板表面の第１の位置を複数の露光量に対して求めることで、複数の前記第１の最大値と複数の前記第１の位置との関係を表す第１の最大線幅位置特性を導出し、帯状パターンが前記第１の間隔より広い第２の間隔で並置された孤立パターンを前記第１の試験用基板表面上のフォトレジスト膜に投影して得られるレジストパターンの第２のレジスト線幅が第２の最大値になる前記第１の試験用基板表面の第２の位置を複数の露光量に対して求めることで、複数の前記第２の最大値と複数の前記第２の位置との関係を表す第２の最大線幅位置特性を導出する第１の工程と、
前記第１の最大線幅位置特性における、レジスト線幅の所望の最大値に対応する第１の基板表面位置と、前記第２の最大線幅位置特性における前記所望の最大値に対応する第２の基板表面位置との中間の基板表面位置を、前記密集パターンと前記孤立パターンとを含むフォトマスクの縮小像をフォトレジスト膜に投影する第３の基板表面位置として定める第２の工程と、
前記第１の最大線幅位置特性における前記所望の最大値に対応する第１の露光量と、前記第２の最大線幅位置特性における前記所望の最大値に対応する第２の露光量との中間の露光量を、前記フォトマスクの縮小像をフォトレジスト膜に投影する第３の露光量として定める第３の工程と、
前記第３の基板表面位置と前記第３の露光量とに基づいて、前記第１の試験用基板表面に対応する基板表面上のフォトレジスト膜に前記フォトマスクの縮小像を投影する第４の工程とを有する、
集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路装置の製造方法において、
更に、前記フォトマスクの縮小像をフォトレジスト膜に投影する基板表面位置が定められている場合には、前記フォトマスクの縮小像を前記基板表面に相当する第２の試験用基板表面に形成したフォトレジスト膜の複数の領域に投影してレジストパターンを形成し、前記孤立パターンに対応するレジスト線幅と前記密集パターンに対応するレジスト線幅との差の標準偏差を導出する第５の工程を有し、
前記標準偏差が基準値を超える場合には、前記第１の工程〜前記第３の工程を実施して、前記第３の基板表面位置および前記第３の露光量を新たに定めた後に、新たに定めた前記第３の基板表面位置および新たに定めた前記第３の露光量により前記第４の工程を実施し、
前記標準偏差が前記基準値を超えない場合には、定められている前記基板表面位置により、前記フォトマスクの縮小像を前記基板表面上のフォトレジスト膜に投影することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記密集パターンを投影する際の前記第１の試験用基板表面の位置と前記第１のレジスト線幅との関係を２次関数でフィティングすることにより、前記第１の最大値と前記第１の位置を特定して、前記第１の最大線幅位置特性を導出し、
前記孤立パターンを投影する際の前記第１の試験用基板表面の位置と前記第２のレジスト線幅との関係を２次関数でフィティングすることにより、前記第２の最大値と前記第２の位置を特定して、前記第２の最大線幅位置特性を導出することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
帯状パターンが第１の間隔で並置された密集パターンと帯状パターンが前記第１の間隔より広い第２の間隔で並置された孤立パターンとを含むフォトマスクの縮小像を基板表面上のフォトレジスト膜に投影する基板表面位置が定められている場合には、前記フォトマスクの縮小像を前記基板表面に相当する第１の試験用基板の表面に形成したフォトレジスト膜の複数の領域に投影してレジストパターンを形成し、前記孤立パターンに対応するレジスト線幅と前記密集パターンに対応するレジスト線幅との差の標準偏差を導出し、
前記標準偏差が基準値を超えない場合には、定められている前記基板表面の位置により前記マスクパターンの縮小像を前記基板表面上のフォトレジスト膜に投影し、
前記標準偏差が前記基準値を超える場合には、
前記密集パターンを前記基板表面に相当する第２の試験用基板表面上のフォトレジスト膜に投影して得られるレジストパターンの第１のレジスト線幅が第１の最大値になる前記第２の試験用基板表面の第１の位置を複数の露光量に対して求めることで、複数の前記第１の最大値と複数の前記第１の位置との関係を表す第１の最大線幅位置特性を導出し、
前記孤立パターンを前記第２の試験用基板表面上のフォトレジスト膜に投影して得られるレジストパターンの第２のレジスト線幅が第２の最大値になる前記第２の試験用基板表面の第２の位置を複数の露光量に対して求めることで、複数の前記第２の最大値と複数の前記第２の位置との関係を表す第２の最大線幅位置特性を導出し、
前記第１の最大線幅位置特性における、レジスト線幅の所望の最大値に対応する第１の基板表面位置と前記第２の最大線幅位置特性における前記所望の最大値に対応する第２の基板表面位置との中間の基板表面位置を、前記フォトマスクの縮小像をフォトレジスト膜に投影する第３の基板表面位置として定め、
前記第３の基板表面位置に基づいて、前記フォトマスクの縮小像を前記基板表面上のフォトレジスト膜に投影する
集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路装置の微細構造は、フォトリソグラフィ技術により形成される。フォトリソグラフィ技術では、まず、基板表面に形成したフォトレジスト膜に、フォトマスクのパターンを投影する。その後、このフォトレジスト膜を現像して、フォトマスクのパターンに対応するレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンを、例えばエッチングマスクとして、基板表面上に微細構造を形成する。
【０００３】
フォトマスクのパターンをレジスト膜に投影する露光方式は、集積回路装置の微細化と共に変遷してきた。現在、最も広く用いられている露光方式は、フォトマスクパターンの縮小像を、レジスト膜に投影（照射）する縮小投影露光方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２００３/０７５４２８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
集積回路装置の性能（動作速度等）は、その微細構造、特に配線幅に依存している。集積回路装置の配線幅は、エッチングマスクとなるレジストパターンの線幅により決まる。従って、レジストパターンの線幅は、チップによらず、一定であることが好ましい。
【０００６】
しかし、縮小投影露光方法により形成するレジストパターンの線幅は、必ずしも一定ではなく、大きく変動することがある。そこで、本発明の目的は、縮小投影露光方法で形成するレジストパターンの線幅の変動を小さくする集積回路装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本製造方法の第１の観点によれば、基板表面に形成した第１のフォトレジスト膜の複数の第１のレジスト領域に、フォトマスクの縮小像を順次投影した後、前記第１のフォトレジスト膜を現像して、前記縮小像に対応するレジストパターンを形成する縮小投影露光工程を有し、前記フォトマスクが、帯状パターンが第１の間隔で並置された密集パターンと、前記第１の間隔より広い第２の間隔で前記帯状パターンが並置された孤立パターンを含み、前記レジストパターンに含まれる帯状パターンの現像後の第１のレジスト線幅の露光特性において、前記縮小像の結像面に対する基板表面位置の増加に応じて、前記第１のレジスト線幅が増加し、最大線幅に達した後に減少し、且つ、前記フォトマスクに照射する光の露光量の変化に応じて前記第１のレジスト線幅が変化する集積回路装置の製造方法であって、前記密集パターンに対応する、前記最大線幅と基板表面位置の関係を示す第１の最大線幅位置特性と、前記孤立パターンに対応する、前記最大線幅と基板表面位置の関係を示す第２の最大線幅位置特性を導出し、前記第１の最大線幅位置特性における、所望の最大線幅に対応する第１の基板表面位置と、前記第２の最大線幅位置特性における、前記所望の最大線幅に対応する第２の基板表面位置の中間の基板表面位置を、露光時の基板表面位置として定める第１の工程と、前記基板表面を前記露光時の基板表面位置に配置した後、前記縮小投影露光工程を行う第２の工程とを有する集積回路装置の製造方法が提供される。 
【発明の効果】
【０００８】
本集積回路装置の製造方法によれば、縮小投影露光方法で形成するレジストパターンの線幅の変動を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１で使用する縮小露光装置の概略図である。
【図２】縮小像が投影されたフォトレジスト膜の概略平面図である。
【図３】実施の形態１で使用するフォトマスクの概略平面図である。
【図４】フォトマスクに含まれる試験用パターンの部分拡大図である。
【図５】実施の形態１の縮小投影露光装置の露光特性である。
【図６】レジスト線幅が大きく変動する場合の露光特性の一例である。
【図７】露光条件の導出に使用する試験用基板の概略平面図である。
【図８】実施の形態１の密集パターン及び孤立パターンの露光特性である。
【図９】図８の露光特性における、基板表面位置とレジスト線幅の関係を、２次関数でフィティングした平滑化露光特性である。
【図１０】露光時の基板表面位置を定める方法を説明する図である。
【図１１】露光量の決定方法を説明する図である。
【図１２】露光量ｇにおける、基板表面位置とレジスト線幅の関係を表す図である。
【図１３】実施の形態２の露光特性である。
【図１４】実施の形態２における、露光時の基板表面位置を定める手順を説明する図である。
【図１５】バイアス線幅の経時変化を説明する図である。
【図１６】各ロットにおけるバイアス線幅の標準偏差を、ヒストグラムに表した図である。
【図１７】実施の形態４の集積回路装置の製造方法に含まれるレジストパターン形成工程のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１１】
（実施の形態１）
（１）縮小投影露光装置
図１は、本実施の形態で使用する縮小露光装置２の概略図である。尚、縮小投影露光装置は、ステッパ又はスキャナーとも呼ばれる装置である。図２は、縮小像が投影されるフォトレジスト膜１４の概略平面図である。
【００１２】
縮小投影露光装置２は、図１に示すように、光源４と、光源４が放射した放射光６を整形し、レチクルと呼ばれるフォトマスク８に照射するコンデンサレンズ１０を有している。また、縮小投影露光装置２は、フォトマスク８に形成したマスクパターンを縮小して、基板（例えば、Ｓｉ基板）１２の基板表面に形成したフォトレジスト膜１４に投影する縮小投影レンズ１６を有している。また、縮小投影露光装置２は、基板１２を載置するステージ１８を有している。ここで、ステージ１８は、基板１２を担持した状態で、上下方向２０及び水平方向２２に移動可能である。
【００１３】
本実施の形態では、この縮小投影露光装置２により、フォトマスク８に放射光６を照射して、基板１２の基板表面に形成したフォトレジスト膜１４の複数のレジスト領域２３に、フォトマスク８の縮小像を投影する（図２参照）。この複数のレジスト領域２３への縮小像の投影は、ステージ１８の水平方向への移動機能（ステップアンドリピート機能）により実現される。その後、フォトレジスト膜１４を現像して、フォトマスク８の縮小像に対応するレジストパターンを形成する。
【００１４】
尚、以上のように、基板表面に形成したフォトレジスト膜１４にフォトマスク８の縮小像（マスクパターンの縮小像）を投影した後、フォトレジスト膜１４を現像して、上記縮小像に対応するレジストパターンを形成する工程を、縮小投影露光工程と呼ぶこととする。一方、フォトマスクパターンの縮小像を、レジスト膜に投影することは、縮小投影露光と呼ぶこととする。
【００１５】
（２）フォトマスク
図３は、本実施の形態で使用するフォトマスク８の概略平面図である。図４は、フォトマスク８に含まれる試験用の部分拡大図である。
【００１６】
集積回路装置を製造する過程では、多数のフォトマスクが用いられる。これら多数のフォトマスクは、夫々、集積回路装置の構成要素（例えば、素子分離溝、ゲート、拡散層、コンタクトホール）に対応している。そして、各構成要素に対応するマスクパターンが、図３に示すように、フォトマスク８のマスクパターン領域２６に形成されている。
【００１７】
更に、本実施の形態のフォトマスクマスク８は、図３に示すように、マスクパターン領域２６の間に、試験用パターン２４を有している。この試験用パターン２４には、密集パターン２４ａと孤立パターン２４ｂの２種類がある。密集パターン２４ａは、図４（ａ）に示すように、帯状パターン２８が一定の間隔Ｄ１で並置されたパターンである。ここで、帯状パターン２８の線幅Ｗは、フォトマスク８により製造する集積回路装置の配線の最小線幅に等しいことが好ましい。また、間隔Ｄ１は、帯状パターンの幅Ｗに等しいことが好ましい。本実施の形態における線幅Ｗおよび間隔Ｄ１は、共に３６０ｎｍである。
【００１８】
一方、孤立パターン２４ｂは、図４（ｂ）に示すように、密集パターンの間隔Ｄ１より広い一定の間隔Ｄ２で、線幅Ｗの帯状パターン２８が並置されたパターンである。ここで、間隔Ｄ２は、フォトリソグラフィの解像度より十分広く、近接効果が生じない広さであることが好ましい。本実施の形態における孤立パターン２４ｂの間隔Ｄ２は、１〜１０μｍである。
【００１９】
（３）露光特性
図５は、縮小投影露光装置２の露光特性である。図５の縦軸は、帯状パターンのレジスト線幅である。横軸は、フォトマスク膜１４の露光時の基板表面位置である。ここで、基板表面位置１９とは、縮小投影露光装置２が投影する縮小像の結像面２１（縮小像の解像度が最も高くなる面）と基板表面２５との高低差（結像面に対する基板表面位置）である。尚、基板表面位置の符号は、フォトマスク側で正になるように定められている。また、よく知られているように、縮小像の結像面は、縮小投影レンズ１６の焦点面に一致する。
【００２０】
図５に示す帯状パターンのレジスト線幅は、以下の手順により測定する。まず、未加工のＳｉ基板表面に、ポジ型のフォトレジスト膜を形成する。次に、このフォトレジスト膜の複数のレジスト領域に、縮小投影露光装置２により、密集パターン２４ａ及び孤立パターン２４ｂの縮小像を順次投影する。
【００２１】
この際、基板表面位置は、０.２μｍずつ変化させる。更に、変化させた各基板表面位置において、放射光６の照射量（以下、露光量と呼ぶ）を５％ずつ変化させながら、複数のレジスト領域に縮小像を順次投影する。ここで、露光量は５通りであり、少ない順に、露光量ａ，露光量ｂ，露光量ｃ，露光量ｄ，露光量ｅと呼ぶこととする。尚、放射光６の強度は一定に保ち、露光量は、露光時間により調整する。
【００２２】
次に、このフォトレジスト膜を現像して、帯状パターンを形成する。その後、この帯状パターンのレジスト線幅を、電子線測長機（CD-SEM; Critical Dimension-Scanning Electron Microscope）により測定する。尚、フォトレジスト膜の成膜条件（フォトレジスト溶液の組成、塗布条件、加熱処理条件等）及び現像条件は、他の実施の形態も含め、一定とする。
【００２３】
図５（ａ）及び（ｂ）は、夫々、密集パターン及び孤立パターンに対応する露光特性である。図５（ａ）の折れ線３０ａ〜３０ｅは、夫々、露光量ａ〜ｅで形成したレジストパターンに含まれる帯状パターンのレジスト線幅と、基板表面位置の関係（以下、基板表面位置特性）を表している。ここで、折れ線に付した符号のアルファベット部分は、露光量を表している。例えば、折れ線３０ａは、露光量ａで形成した帯状パターンの基板表面位置特性である。以下の図面でも、同じである。尚、露光特性とは、以上のように、露光量の異なる複数の基板表面位置特性を有する特性である。
【００２４】
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、現像後のレジストパターンに含まれる帯状パターンの現像後のレジスト線幅（折れ線３０ａ〜３０ｅ, ３２ａ〜３２ｅ）は、基板表面位置の増加に応じて単調に増加し、結像面（基板表面位置＝０μｍ）で最大線幅に達した後、単調に減少する。基板表面位置による上記レジスト線幅の変化は、以下のように説明することができる。
【００２５】
フォトマスク８の縮小像は、結像面２１で最も鮮明になる。このため、基板表面位置１９が結像面２１から離れるほど、フォトマスク８の帯状パターンの下側に放射光６が回り込む。このため、基板表面位置１９が結像面２１から離れるほど、レジストパターンに含まれる帯状パターンのレジスト線幅は狭くなる。
【００２６】
また、レジスト線幅は、図５に示すように、露光量の変化に応じて変化する。本実施の形態のフォトレジスト膜１４はポジ型なので、露光量が増加するとレジスト線幅が細くなる。尚、フォトレジスト膜１４がネジ型の場合には、露光量が増加するとレジスト線幅が太くなる。
【００２７】
ところで、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、密集パターンと孤立パターンの露光特性は一致しない。この不一致は、所謂、近接効果と呼ばれる現象である。
【００２８】
―露光量によるレジスト線幅の調整（関連技術）―
上述したように、フォトマスクの縮小像は、結像面上で最も鮮明になる。従って、縮小投影露光は、基板表面位置を結像面に一致させた状態で行うことが好ましい。しかし、図５に示すように、現像後のレジストパターンに含まれる、密集パターンのレジスト線幅及び孤立パターンのレジスト線幅は一致しない。そこで、露光量を調整して、所望のレジスト線幅に、密集パターンのレジスト線幅と孤立パターンのレジスト線幅の双方を、バランスよく近づけることが考えられる。この時、孤立パターンのレジスト線幅と密集パターンのレジスト線幅の差（以下、バイアス線幅と呼ぶ）を小さくする露光量を選択することで、両レジスト線幅のバランスがよくなる。
【００２９】
例えば、基板表面２５を結像面２１に配置し露光量ｃでレジスト膜１４に縮小投影露光工程を施すと、密集パターン２４ａに対応するレジスト線幅は３６０ｎｍになる。一方、孤立パターン２４ｂに対応するレジスト線幅は、３７０ｎｍになる。従って、バイアス線幅は、１０ｎｍ（＝３７０ｎｍ−３６０ｎｍ）になる。
【００３０】
また、基板表面２５を結像面２１に配置し露光ｄでレジスト膜１４に縮小投影露光工程を施すと、密集パターンに対応するレジスト線幅は３４８ｎｍになる。一方、孤立パターンに対応するレジスト線幅は、３６３ｎｍになる。従って、バイアス線幅は、１５ｎｍ（＝３６３ｎｍ−３４８ｎｍ）になる。
【００３１】
以上のように、露光量ｃ又はｄの何れで縮小投影露光工程を行っても、密集パターンのレジスト線幅及び孤立パターンのレジスト線幅は、概ね３６０ｎｍになる。しかし、露光量ｃで縮小投影露光工程を行った場合のバイアス線幅（１０ｎｍ）は、露光量ｄで縮小投影露光工程を行った場合のバイアス線幅は（１５ｎｍ）より小さい。従って、露光量ｃで縮小投影露光工程を行うことにより、密集パターンのレジスト線幅と孤立パターンのレジスト線幅を、バランスよく所望のレジスト線幅に近づけることが可能になる。
【００３２】
ところで、縮小投影露光装置の露光特性は、基板表面に絶縁膜等の微細構造が形成されると、変化する場合がある。すなわち、露光特性は、縮小投影露光を実施する集積回路装置の各製造工程（例えば、拡散形成工程、ゲート形成工程、コンタクトホール形成工程）で異なる場合がある。このため、露光条件は、各製造工程で使用するフォトマスク毎に定めることが好ましい。例えば、拡散層、ゲート層、コンタクトホール層夫々のフォトマスクに、露光条件を定めることが好ましい。
【００３３】
但し、図５に示すような詳細な露光特性を、使用するフォトマスク全てについて測定することは容易ではない。従って、基板表面位置を結像面に固定した状態で、露光量だけを変化させる縮小投影露光工程を実施することで、レジスト線幅の露光量依存特性を導出し、この特性に基づいて所望のレジスト線幅に対応する露光量を定めることが考えられる。
【００３４】
しかし、このような露光量によるレジスト線幅の調整方法には、レジストパターンに含まれる帯状パターンのレジスト線幅が、時に大きく変動するという問題がある（このような問題は、レンズ１０,１６の収差とは関係なく起こり得る。すなわち、レンズ１０,１６の収差が所定の基準値以内に収束していても、レジスト線幅が大きく変動することがある。）。
【００３５】
図６は、このようなレジスト線幅の変動が発生した場合の露光特性の一例である。図６（ａ）及び（ｂ）は、夫々、密集パターン２４ａ及び孤立パターン２４ｂに対応する露光特性である。尚、縦軸及び横軸は、図５（ａ）及び（ｂ）と同じである。
【００３６】
図６（ａ）に示した密集パターンの露光特性は、図５（ａ）の密集パターンの露光特性と略同じである。一方、図６（ｂ）に示した孤立パターンの露光特性は、図５（ｂ）の孤立パターンの露光特性とは大きく異なっている。図６（ｂ）では、レジスト線幅が最大になる基板表面位置（以下、最大線幅位置と呼ぶ）が、結像面に一致しない。しかも、露光量が変化するに従って、最大線幅位置も移動する。
【００３７】
図６の露光特性において、上記手順に従って露光量を定めると、所望のレジスト線幅３６０ｎｍに対する露光量は、露光量ｃになる。図６から明らかなように、露光量ｃで縮小投影露光工程を実施すると、密集パターン及び孤立パターンのレジスト線幅は、夫々、３６０ｎｍ及び３６３ｎｍになり、略所望のレジスト線幅３６０ｎｍが得られる。しかも、バイアス線幅も、３ｎｍ（＝３６３ｎｍ−３６０ｎｍ）と小さくなる。従って、一見、何ら問題がないように思われる。
【００３８】
ところで、フォトマスク８の縮小像は、レジスト膜１４の複数のレジスト領域２３に投影される（図１及び２参照）。この複数のレジスト領域２３への縮小像の投影露光は、ステージ１８を平行移動させて行う。この時、基板表面位置１９が、上下に僅かに変動することがある。
【００３９】
レジスト線幅が最大になる最大線幅位置と結像面が一致している場合には、基板表面位置が多少上下に移動しても、レジスト線幅は殆ど変化しない。しかし、図６（ｂ）のように最大線幅位置と結像面と一致していない場合、基板表面位置１９が上下に移動すると、レジスト線幅が大きく変動する。
【００４０】
例えば、図６の露光特性を有する製造工程において、結像面（基板表面位置＝０μｍ）に基板表面を配置して露光量ｃで縮小投影露光工程を行うと、孤立パターンに対応するレジスト線幅は３６３ｎｍになる（図６（ｂ）参照）。今、複数のレジスト領域２３で縮小投影露光を行っている間に基板表面位置が＋０．２μｍに変わったとする。すると、孤立パターンに対応するレジス線幅は、３４０ｎｍに大きく減少する（図６（ｂ）参照）。
【００４１】
図６（ｂ）に示すように、露光量ｃに対応する基板表面位置特性３６ｃの頂点は、結像面に一致していない。このため、結像面における基板表面位置特性３６ｃの傾きは零にならない。このため、基板表面位置が僅かに増加しただけで、レジスト線幅が大きく減少する。
【００４２】
尚、図６（ｂ）のような露光特性の変化は、基板表面への微細構造の形成以外の要因によっても変化する。例えば、放射光強度の変化、フォトマスクのパターン占有率、結像面位置の経時変化等によっても、露光特性は変化する。
【００４３】
ところで、これら変動要因のうち、結像面位置の経時変化は、以下に説明する手順により容易に除去することができる。まず、未加工のＳｉ基板表面にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜の複数のレジスト領域に、基板表面位置を変化させながら、一定の露光量で、縮小投影露光を施す。次に、このフォトレジスト膜を現像して、レジストパターンに含まれる帯状レジストパターンのレジスト線幅を測定して、基板表面位置とレジスト線幅の関係（基板表面位置特性）を得る。
【００４４】
ここで、縮小像の結像面の位置は、この基板表面位置特性において、レジスト線幅が最大になる基板表面位置（すなわち、最大線幅位置）に他ならない。従って、ステージ１８の原点を、この最大線幅位置に移動することにより、結像面位置の経時変化を補正することができる。このような結像面位置の補正は、日常的に行うことが好ましい。
【００４５】
尚、以上の例では、孤立パターンに対応する露光特性が変動しているが、密集パターンに対する露光特性が変動する場合もある。
【００４６】
（４）製造方法
次に、本実施の形態の集積回路装置の製造方法を説明する。
【００４７】
(i）露光条件の決定工程
―露光特性の導出工程―
最初に、密集パターン２４ａ及び孤立パターン２４ｂに対応する露光特性を導出する。図７は、露光特性の導出に使用する試験用基板３８の概略平面図である。
【００４８】
まず、集積回路装置の製造過程で縮小投影露光工程（縮小投影露光＋現像）が施される基板（例えば、トランジスタと層間絶縁膜が形成されたＳｉ基板）と略同一構造の試験用基板を用意する。すなわち、上記基板に相当する試験用基板を用意する。
【００４９】
次に、この試験用基板３８の表面にフォトレジスト膜１４を形成し、この試験用基板３８を、縮小投影露光装置２のステージ１８に載置する（図１参照）。
【００５０】
次に、このフォトレジスト膜１４の複数のレジスト領域２３ａの夫々に、試験用基板表面の基板表面位置と露光量とを変更しながら、縮小投影露光工程を順次施す（図７参照）。ここで、基板表面位置は、例えば、試験用基板のオリフラ４０に水平な方向４２に沿って変化させる。一方、露光量は、オリフラ４０に垂直な方向４４に沿って変化させる。
【００５１】
この時に使用するフォトマスク８は、図３に示すように、マスクパターン領域２６、密集パターン２４ａ、及び孤立パターン２４ｂを有している。ここで、マスクパターン領域２６には、集積回路装置の構成要素に対応するマスクパターンが形成されている。
【００５２】
次に、上記縮小投影露光工程によりレジスト領域２３ａに形成された、密集パターン及び孤立パターンに対応する帯状レジストパターンのレジスト線幅を、ＣＤ−ＳＥＭにより測定して、密集パターン及び孤立パターンの露光特性を導出する。
【００５３】
図８は、このようにして導出した露光特性である。ここで、図８（ａ）及び（ｂ）は、夫々、密集パターン及び孤立パターンの露光特性である。また、図８（ａ）及び（ｂ）の折れ線４８ｂ,５０ｂは、露光量ｂで形成した帯状パターンのレジスト線幅と基板表面位置の関係（基板表面位置特性）を表している。一方、図８（ａ）及び（ｂ）の折れ線４８ｄ,５０ｄは、露光量ｄで形成した帯状パターンのレジスト線幅と基板表面位置の基板表面位置特性を表している。
【００５４】
尚、以上の例では、マスクパターン領域２６の間に設けた密集パターン２４ａ及び孤立パターン２４ｂを利用して露光特性を測定している。しかし、マスクパターン領域２６に含まれる配線パターンを利用して露光特性を測定してもよい。通常、マスクパターン領域２６には、密集した配線パターンと孤立した配線パターンの双方が含まれている。従って、これらを密集パターン及び孤立パターンとして、上記手順にしたがって、露光特性を導出してもよい。
【００５５】
―最大線幅位置特性の導出工程―
次に、密集パターン２４ａ及び孤立パターン２４ｂ夫々について、最大線幅と基板表面位置の関係を示す最大線幅位置特性を導出する。その際、基板表面位置とレジスト線幅の関係（基板表面位置特性）を２次関数でフィティングし、レジスト線幅の最大値（最大線幅）に対応する基板表面位置（最大線幅位置）を特定する。
【００５６】
図９は、図８の露光特性における、基板表面位置とレジスト線幅の関係（基板表面位置特性４８ｂ,４８ｄ,５０ｂ,５０ｄ）を２次関数でフィティングした平滑化露光特性である。図９（ａ）及び（ｂ）は、夫々、密集パターンに対応する平滑化露光特性（曲線５２ｂ,５２ｄ）及び孤立パターン平滑化露光特性（曲線５４ｂ,５４ｄ）である。このように、低次の多項式でフィティングすることにより、レジスト線幅の最大値（最大線幅）と、この最大線幅に対応する基板表面位置（最大線幅位置）の特定が容易になる。
【００５７】
図９（ａ）には、特定した最大線幅と最大線幅位置に対応する、座標５５ａ及び座標５５ｂを結んで導出した一点鎖線５６ａが示されている。また、図９（ｂ）には、同様に、特定した最大線幅と最大線幅位置に対応する座標５５ｃ,５５ｄを結んで導出した一点鎖線５６ｂが示されている。これら一点鎖線５６ａ,５６ｂは、最大線幅と最大線幅位置の関係（最大線幅位置特性）を示している。
【００５８】
以上のように、本工程では、図８（ａ）に示す密集パターン２４ａの露光特性における基板表面位置とレジスト線幅の関係（基板表面位置特性４８ｂ,４８ｄ）を２次関数でフィティングすることにより、最大線幅に対応する基板表面位置を特定して、密集パターン２４ａに対応する最大線幅位置特性５６ａを導出する。また、同様に、孤立パターン２４ｂに対応する最大線幅位置特性５６ｂを導出する。
【００５９】
―基板表面位置の決定工程―
次に、所望のレジスト線幅に対応する、露光時の基板表面位置を定める。図１０は、露光時の基板表面位置を定める方法を説明する図である。縦軸は、レジスト線幅である。横軸は、基板表面位置である。図１０には、密集パターン２４ａ及び孤立パターン２４ｂ夫々の、平滑化露光特性（曲線５２ｂ,５２ｄ、曲線５４ｂ,５４ｄ）と最大線幅位置特性５６ａ,５６ｂが示されている。
【００６０】
本工程では、まず、密集パターン２４ａの最大線幅位置特性５６ａにおいて、所望の最大線幅（例えば、３７０ｎｍ）に対応する基板表面位置（例えば、０．００μｍ）を導出する（図１０参照）。同様に、孤立パターン２４ｂの最大線幅位置特性５６ｂにおいて、上記所望の最大線幅（例えば、３７０ｎｍ）に対応する基板表面位置（例えば、−０．１８μｍ）を導出する。その後、夫々の中間の基板表面位置（例えば、平均値−０．０９μｍ）を、露光時の基板表面位置Ｐとして定める。
【００６１】
―露光量の決定工程―
次に、所望のレジスト線幅に対応する、露光時の露光量を定める。図１１は、露光時の露光量の決定方法を説明する図である。図１１は、図１０を簡素化した図であり、最大線幅位置特性５６ａ,５６ｂと平滑化露光特性（曲線５２ｂ,５２ｄ、曲線５４ｂ,５４ｄ）が示されている。尚、平滑化露光特性におけるレジスト線幅と基板表面位置の関係を、平滑化-基板表面位置特性と呼ぶこととする。
【００６２】
ここで、最大線幅位置特性５６ａ,５６ｂは、レジスト線幅が最大になる基板表面位置と、その最大線幅の関係を示している。しかし、最大線幅位置特性５６ａ,５６ｂは、最大線幅が得られる露光量は表していない。
【００６３】
しかし、この露光量は、最大線幅位置特性５６ａ,５６ｂを導出する元となった、平滑化露光特性の露光量（露光量５２ｂ,５２ｄ,５４ｂ,５４ｄ）を、最大線幅に応じて、比例配分することにより容易に導出することができる。
【００６４】
例えば、図１１から明らかように、密集パターンの最大線幅を所望の線幅３７０ｎｍにする露光量は、密集パターンの平滑化-基板表面位置特性５２ｂの露光量ｂである。一方、孤立パターンの最大線幅位置特性５６ｂにおける所望の線幅３７０ｎｍに対応する点Ａは、孤立パターンの平滑化-基板表面位置特性５４ｂの頂点Ｂから、孤立パターンの平滑化-基板表面位置特性５４ｄの頂点Ｃまでの距離Ｌの４７％の位置にある。ここで、露光量ｄは、露光量ｂの１１０％である。従って、孤立パターンの最大線幅を所望の線幅３７０ｎｍにする露光量（点Ａに対応する露光量）は、露光量ｂの１０４．７％（＝１００％＋１０％×０.４７）の露光量ｆである。
【００６５】
以上のようにして導出した、密集パターンの最大線幅を所望の線幅にする露光量ｂと、孤立パターンの最大線幅を所望の線幅にする露光量ｆの中間の露光量ｇを、露光時の露光量に定める。すなわち、第１の最大線幅位置特性（最大線幅位置特性５６ａ）にける所望の線幅（例えば、３７０ｎｍ）に対応する第１の露光量（例えば、露光量ｂ）と、第２の最大線幅位置特性（最大線幅位置特性５６ｂ）にける所望の線幅（例えば、３７０ｎｍ）に対応する第２の露光量（例えば、露光量ｄ）の中間の露光量（例えば、露光量ｆ）を露光時の露光量として定める。
【００６６】
尚、以上の例では、基板表面位置を決定した後、露光量を決定しているが、先に露光量を決定した後、基板表面位置を決定してもよい。
【００６７】
―レジスト線幅の変動―
次に、上記露光時の基板表面位置Ｐに基板表面を配置して、上記露光時の露光量ｇで縮小投影露光工程を行った場合のレジスト線幅の変動を説明する。
【００６８】
図１２は、露光時の露光量ｇにおける基板表面位置特性（基板表面位置とレジスト線幅の関係）を表す図である。曲線６０ｇが、密集パターンに対応する基板表面位置特性である。一方、曲線６２ｇが、密集パターンに対応する基板表面位置特性である。
【００６９】
フォトレジスト膜１４を形成した基板表面を、上記露光時の基板表面位置（−０．０９μｍ）に配置し、露光量ｇで縮小投影露光工程を行うと、密集パターン及び孤立パターンのレジスト線幅は、夫々、３６６ｎｍ及び３７２ｎｍになる（図１２参照）。
【００７０】
今、ステージ１８の水平方向の移動（ステップアンドリピート）により、基板表面位置が０.２μｍ増加し、０．１１μｍになったとする。この時、基板表面位置特性６０ｇから明らかように、密集パターンのレジスト線幅は殆ど変化しない。
【００７１】
一方、孤立パターンのレジスト線幅は、図１２に示すように、３６０ｎｍになる。従って、孤立パターンのレジスト線幅は、基板表面位置が０．２μｍの増加すると、１２ｎｍ（＝３７２ｎｍ−３６０ｎｍ）減少する。この変動幅は、上記「（３）露光特性」で図６（ｂ）を参照して説明した、基板表面を結像面に配置した場合のレジスト線幅の変動２３ｎｍ（＝３６３ｎｍ−３４０ｎｍ）の略半分である。このように、本実施の形態によれば、レジスト線幅の変動を小さくすることができる。
【００７２】
尚、以上の例では、図１２の不明瞭にならないように、所望の線幅を３７０ｎｍとして説明した。しかし、所望のレジスト線幅を、上記「（３）露光特性」と同様に３６０ｎｍにすると、レジスト線幅の変動は更に小さくなる。
【００７３】
以上のように本実施の形態では、露光時の基板表面位置を、密集パターンの最大線幅を所望の線幅にする第１の基板表面位置と、孤立パターンの最大線幅を所望の線幅にする第２の基板表面位置の中間の値にする。従って、基板表面位置が、密集パターンの最大線幅位置（基板表面位置特性６０ｇの頂点）及び孤立パターンの最大基板表面位置（基板表面位置特性６２ｇの頂点）の何れにも片寄らないので、レジスト線幅の変動が小さくなる。
【００７４】
尚、露光時の基板表面位置は、上記第１の基板表面位置及び上記第２の基板表面位置の平均値でなくてもよい。例えば、平均値より、孤立パターンの基板表面位置特性６２ｇに寄った基板表面位置を、露光時の基板表面位置に定めても良い。一例を挙げるならば、上記平均値に、上記平均値と第２の基板表面位置の和の１/２を加えた位置を、露光時の基板表面位置として定めてもよい。この場合、レジスト線幅の変動が更に小さくなる。
【００７５】
以上の例では、「露光時の基板表面位置」を定めた露光特性に基づいて、「露光時の露光量」を定めている。しかし、「露光時の基板表面位置」さえ定まれば、「露光時の露光量」は、種々の方法により適宜決定することができる。
【００７６】
例えば、上記「基板表面位置の決定工程」により、まず露光時の表面基板位置を定める。その後、この露光時の表面基板位置に試験用基板の表面を固定して、異なる露光量で縮小投影露光工程を行う。次に、各露出光量で形成した帯状パターンのレジスト線幅を測定して、レジスト線幅の露光量依存特性を導出する。この露光量依存特性に基づいても、所望の線幅に対応する「露光時の露光量」を定めることができる。
【００７７】
（ii）縮小投影露光工程
まず、上記試験用基板の元になった製造途中の基板１２（例えば、トランジスタと層間絶縁膜が形成されたＳｉ基板）の表面にレジスト膜１４を形成し、この基板１２を、縮小投影露光装置２のステージ１８に載置する（図１参照）。
【００７８】
次に、ステージ１８の垂直移動機能により、基板１２の表面を、上述した「露光時の基板表面位置Ｐ」に配置する。その後、フォトレジスト膜１４の複数のレジスト領域２３ａに、上述した「露光時の露光量ｇ」でフォトマスク８の縮小像を順次投影する。その後、このフォトレジスト膜１４を現像して、フォトマスク８の縮小像に対応するレジストパターンを形成する。
【００７９】
ここで、複数のレジスト領域２３ａへの縮小投影露光は、ステージ１８への水平方向移動機能（ステップアンドリピート機能）により実現する。この時、基板表面位置が変動する場合がある。しかし、上述したように、本実施の形態によれば、レジスト線幅の変動は僅かである。従って、本実施の形態によれば、集積回路装置の配線幅等の変動を小さくすることができる。
【００８０】
（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１と略同じである。従って、共通する部分については、説明を省略する。
【００８１】
図１３は、本実施の形態に係る製造工程（例えば、コンタクトホール形成工程）における露光特性である。図１３（ａ）及び（ｂ）は、夫々、密集パターン及び孤立パターンの露光特性である。また、縦軸及ぶ横軸は、夫々、レジスト線幅及び基板表面位置である。
【００８２】
図１３（ａ）に示すように、密集パターンの最大線幅位置は結像面に一致しない。一方、孤立パターンの最大線幅位置は、図１３（ｂ）に示すように、結像面に一致する。
【００８３】
実施の形態１では、孤立パターンの最大線幅位置が結像面に一致しない場合の、集積回路装置の製造工程を説明した（図６参照）。しかし、このように露光特性が異なっても、実施の形態１と同様の手順により、集積回路装置を製造することができる。
【００８４】
図１４は、本実施の形態の「露光時の基板表面位置」を定める手順を説明する図である。
【００８５】
まず、実施の形態１と同様に、試験用基板を用いて、露光量をパラメータとして露光特性を測定する。次に、この露光特性を２次関数でフィティングして、平滑化露光特性（平滑化-基板表面位置特性６４ｂ,６４ｄ、平滑化-基板表面位置特性６６ｂ,６６ｄ）を導出する。次に、各平滑化-基板表面位置特性の頂点を結ぶ最大線幅位置特性６８ａ,６８ｂを導出する。
【００８６】
その後、密集パターンの最大線幅位置特性６８ａにおいて所望の最大線幅に対応する基板表面位置と、孤立パターンの最大線幅位置特性６８ｂにおいて所望の最大線幅に対応する基板表面位置の中間の基板表面位置を、露光時の基板表面位置に定める。更に、実施の形態１と同様の手順で、露光時の露光量を定める。
【００８７】
次に、これら「露光時の基板表面位置」及び「露光時の露光量」により、試験用基板の元になった製造途中の基板に縮小投影露光工程を施す。
【００８８】
（実施の形態３）
集積回路装置の製造は、通常、一定数の基板（以下、ロット）を単位として進められる。あるロットに縮小投影露光を施す場合には、まず縮小投影露光装置に露光条件を設定し、ロット内の全ての基板に同一条件で縮小投影露光を施す。
【００８９】
ところで、各製造工程における露光特性は、製造する集積回路装置の構造が同じであれば、ロットが異なっても殆ど変化しない。従って、所定の構造を有する集積回路装置を初めて製造する場合、最初に露光条件を定めれば、後続のロットには、同一の露光条件で縮小投影露光工程を行うことができる。
【００９０】
しかし、種々の原因により、露光特性が突然変化することがある。このため、本発明者は、集積回路装置を製造している間、帯状パターンのレジスト線幅と、所望のレジスト線幅（例えば、３６０ｎｍ）の誤差が、一定範囲内に収まっているか監視している。そして、このレジスト線幅の誤差が一定範囲を超えた場合には、露光条件を見直すようにしている。尚、レジスト線幅の誤差の許容範囲は、デバイス特性（動作速度等）の仕様により決まる。
【００９１】
しかし、本発明者は、レジスト線幅の誤差が許容される範囲内（例えば、±３０ｎｍ）であっても、レジスト線幅のバラツキが大きくなる場合が存在することに気が付いた。上述したように露光条件が変化すると、レジスト線幅のバラツキが大きくなる。しかし、レジスト線幅の誤差の許容範囲が比較的広いため、レジスト線幅の誤差だけを監視していても、露光条件の変化に気付かない場合がある。
【００９２】
そこで、本発明者は、密集パターンに対応するレジスト線幅と、孤立パターンに対応するレジスト線幅の差（以下、バイアス線幅と呼ぶ）を監視して、露光特性の変化を検知することにした。
【００９３】
図１５は、バイアス線幅の経時変化を説明する図である。縦軸は、バイアス線幅である。横軸は、ロット番号である。ここで、縦軸に示したバイアス線幅は、各ロットから抽出した基板の所定のレジスト領域におけるバイアス線幅である。一方、横軸のロット番号は、各ロットに施した縮小投影露光工程の順番である。
【００９４】
図１５の折れ線７０は、最上部のレジスト領域２３ａにおけるバイアス線幅の変化である（図２参照）。折れ線７２は、中央部のレジスト領域２３ｂにおけるバイアス線幅の変化である。折れ線７４は、最下部のレジスト領域２３ｃにおけるバイアス線幅の変化である。折れ線７６は、最左部のレジスト領域２３ｄにおけるバイアス線幅の変化である。折れ線７８は、最右部のレジスト領域２３ｅにおけるバイアス線幅の変化である。尚、一ロット当たりの基板数は、２４枚である。
【００９５】
図１５に示すように、バイアス線幅は、−２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内で変動する。この値自体は、露光特性から想定される範囲内である。従って、バイアス線幅の大きさだけを監視していても、露光特性の変化には気づかない。
【００９６】
図１６は、各ロットにおけるバイアス線幅の標準偏差を、ヒストグラムに表した図である。縦軸は、出現頻度である。横軸は、バイアス線幅の標準偏差である。ここで、標準偏差は、よく知られているように、バラツキを定量化した値である。
【００９７】
図１６に示すように、殆どのロットでバイアス線幅の標準偏差は、５.０ｎｍ以下である。しかし、幾つかのロットでは、標準偏差が５.０ｎｍを超えている。標準偏差が５.０ｎｍ以下になったロットの製造時の露光特性を調べても、露光特性に変化は見られなかった。一方、標準偏差が５.０ｎｍ以上のロットの製造時の露光特性を調べると、露光特性が変化していた。従って、バイアス線幅の標準偏差を監視することにより、露光特性の変化を確実に検出することが可能になる。
【００９８】
図１７は、本実施の形態の集積回路装置の製造方法に含まれるレジストパターン形成工程のフローチャートである。
【００９９】
本実施の形態では、まず、露光時の基板表面位置が既に定められているか判断する（ステップＳ１）。
【０１００】
そして、露光時の基板表面位置が定められてない場合には、実施の形態１で説明した「露光条件の決定工程」（ステップＳ４）及び「縮小投影露光工程」（ステップＳ５）を順次行い、次の工程（例えば、エッチング工程）に進む。
【０１０１】
一方、露光時の基板表面位置が既に定められている場合には、試験用基板の表面に、フォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜の複数のレジスト領域にフォトマスク８の縮小像を順次投影する。
【０１０２】
次に、このフォトレジスト膜を現像して、上記縮小像に対応するレジストパターンを形成する。次に、各レジスト領域に形成された密集パターンに対応するレジスト線幅と、孤立パターンに対応するレジスト線幅を測定して、密集パターンのレジスト線幅と孤立パターンのレジスト線幅の差（バイアス線幅）の標準偏差を導出する（ステップＳ２）。ここで、バイアス線幅を測定するレジスト領域の数は、例えば、３〜８箇所である。
【０１０３】
次に、この標準偏差が、基準値（例えば、５ｎｍ）を超えるか判断する（ステップＳ３）。標準偏差が基準値を超える場合には、実施の形態１で説明した「露光条件の決定工程」（ステップＳ４）を実施して新たな露光条件を定め、この新たな露光条件により「縮小投影露光工程」（ステップＳ５）を実施する。一方、上記標準偏差が、基準値を超えていない場合には、既存の露光条件で、実施の形態１の「縮小投影露光工程」（ステップＳ５）を行う。その後、次の工程（例えば、エッチング工程）に進む。
【０１０４】
本実施の形態によれば、露光特性の変動の検知が容易になるので、配線幅等のバラツキ増大を予防することができる。
【０１０５】
以上の実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記）
（付記１）
基板表面に形成した第１のフォトレジスト膜の複数の第１のレジスト領域に、フォトマスクの縮小像を順次投影した後、前記第１のフォトレジスト膜を現像して、前記縮小像に対応するレジストパターンを形成する縮小投影露光工程を有し、
前記フォトマスクが、帯状パターンが第１の間隔で並置された密集パターンと、前記第１の間隔より広い第２の間隔で前記帯状パターンが並置された孤立パターンを含み、
前記レジストパターンに含まれる帯状パターンの現像後の第１のレジスト線幅の露光特性において、前記縮小像の結像面に対する基板表面位置の増加に応じて、前記第１のレジスト線幅が増加し、最大線幅に達した後に減少し、且つ、前記フォトマスクに照射する光の露光量の変化に応じて前記第１のレジスト線幅が変化する集積回路装置の製造方法であって、
前記密集パターンに対応する、前記最大線幅と基板表面位置の関係を示す第１の最大線幅位置特性と、前記孤立パターンに対応する、前記最大線幅と基板表面位置の関係を示す第２の最大線幅位置特性を導出し、前記第１の最大線幅位置特性における、所望の最大線幅に対応する第１の基板表面位置と、前記第２の最大線幅位置特性における、前記所望の最大線幅に対応する第２の基板表面位置の中間の基板表面位置を、露光時の基板表面位置として定める第１の工程と、
前記基板表面を前記露光時の基板表面位置に配置した後、前記縮小投影露光工程を行う第２の工程と、
を有する、
集積回路装置の製造方法。
【０１０６】
（付記２）
付記１に記載の集積回路装置の製造方法において、
更に、前記露光時の基板表面位置が定められている場合には、前記基板表面に相当する第１の試験用基板表面に形成した、第２のフォトレジスト膜の複数の第２のレジスト領域に、前記フォトマスクの縮小像を順次投影した後、前記第２のフォトレジスト膜を現像して、前記縮小像に対応するレジストパターンを形成し、前記複数の第２のレジスト領域における、前記孤立パターンに対応する第２のレジスト線幅と前記密集パターンに対応する第３のレジスト線幅の差の標準偏差を導出する第３の工程を有し、
前記標準偏差が、基準値を超える場合には、前記第１の工程を実施して、前記露光時の基板表面位置を新たに定めた後に、新たに定めた前記露光時の基板表面位置により前記第２の工程を実施し、
前記標準偏差が、所定の基準値を超えない場合には、定められている前記露光時の基板表面位置により前記第２の工程を実施することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１０７】
（付記３）
付記１又は２に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の工程において、前記基板表面に相当する第２の試験用基板表面に形成した第３のフォトレジスト膜の複数の第３のレジスト領域に、前記試験用基板表面の基板表面位置と前記露光量とを変更しながら、前記フォトマスクの縮小像を順次投影した後、前記第３のフォトレジスト膜を現像して、前記縮小像に対応するレジストパターンを形成し、
前記第３のレジスト領域に形成された、前記密集パターンに対応する第４のレジスト線幅と前記孤立パターンに対応する第５のレジスト線幅を測定して、前記密集パターンの第１の露光特性及び前記孤立パターンの第２の露光特性を導出し、
前記第１の露光特性及び前記第２の露光特性に基づいて、前記第１の最大線幅位置特性及び前記第２の最大線幅位置特性を導出することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１０８】
（付記４）
付記３に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の露光特性における基板表面位置と前記第１のレジスト線幅の関係を２次関数でフィティングすることにより、前記最大線幅に対応する基板表面位置を特定して、前記第１の最大線幅位置特性を導出し、
前記第２の露光特性における基板表面位置と前記第１のレジスト線幅の関係を２次関数でフィティングすることにより、前記最大線幅に対応する基板表面位置を特定して、前記第２の最大線幅位置特性を導出することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１０９】
（付記５）
付記２項に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記露光時の基板表面位置が定められてない場合には、前記第１の工程を行った後に、前記第２の工程を行うことを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１１０】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の工程において、前記第１の基板表面位置と前記第２の基板表面位置の平均値を、前記露光時の基板表面位置として定めることを特徴とする、
集積回路装置の製造方法。
【０１１１】
（付記７）
付記３に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記露光量が少なくても２通り以上あることを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１１２】
（付記８）
付記３に記載の集積回路装置の製造方法において、
２通りの前記露光量について前記第１の露光特性を導出し、夫々の前記第１の露光特性における基板表面位置と前記第１のレジスト線幅の関係を２次関数でフィティングして、フィティングにより得られた２次関数の頂点を直線で結んで、前記第１の最大線幅位置特性を導出し、
２通りの前記露光量について前記第２の露光特性を導出し、夫々の前記第１の露光特性における基板表面位置と前記第１のレジスト線幅の関係を２次関数でフィティングして、フィティングにより得られた２次関数の頂点を直線で結んで、前記第２の最大線幅位置特性を導出することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１１３】
（付記９）
付記１乃至８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の工程において、
前記第１の最大線幅位置特性にける前記所望の線幅に対応する第１の露光量と、前記第２の最大線幅位置特性にける前記所望の線幅に対応する第２の露光量の中間の露光量を露光時の露光量として定め、その後に前記露光時の基板表面位置を定めることを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【０１１４】
（付記１０）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の工程において、前記第１の基板表面位置と前記第２の基板表面位置の平均値に、前記平均値と前記第２の基板表面位置の和の１/２を加えた位置を、前記露光時の基板表面位置として定めることを特徴とする、
集積回路装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１１５】
８・・・フォトマスク
１２・・・基板
１４・・・フォトレジスト膜
１９・・・基板表面位置
２３・・・レジスト領域
２４ａ・・・密集パターン
２４ｂ・・・孤立パターン
【図１】
0005540655.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005540655.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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