(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
前記真空容器内に配置され、表面に凸部を有しており、ウェハを吸着する吸着口を有しており、かつ加熱手段を有するステージと、
を有する半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記ステージを加熱した状態において、前記ステージ上にウェハを載置し、前記真空容器内の圧力を第１の圧力に設定した上で、第１の時間保持する初期工程と、
前記初期工程の後、前記ステージを加熱した状態において、前記真空容器内の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に上げて前記ウェハを加熱する加熱工程と、
を備え、
前記初期工程において、前記第１の圧力を、前記ウェハを前記ステージ上に載置してから５秒後までの前記ウェハの平均の昇温速度が０．２℃／秒以下となるように設定する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記初期工程において、前記真空容器内の圧力と、前記吸着口内の圧力の圧力差を、前記ウェハが前記凸部上でスライドしない最小値となる値にする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
予め、前記半導体製造装置における前記ウェハの処理条件において、前記ウェハを前記ステージに載置したときに当該ウェハが前記凸部上でスライドするか否かを、前記真空容器内の圧力と前記吸着口内の圧力の圧力差を変化させて調べ、この調べた結果に基づいて、前記圧力差の設定値を決めておき、
その後、前記初期工程及び前記加熱工程を、複数の前記ウェハに対して繰り返し行い、
前記初期工程において、前記圧力差を前記設定値に設定する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記初期工程において、前記真空容器内の圧力と前記吸着口内の圧力の圧力差を、４００Ｐａ以上６６５Ｐａ以下にする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱工程において、前記真空容器内の圧力と前記吸着口内の圧力の圧力差を、前記初期工程における値の１００％以上１２０％以下の値にする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱工程における前記圧力差を、前記初期工程における値に等しくする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記初期工程において、前記ステージを３００℃以上にする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の時間は、２秒以上１５秒以下である半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱工程の後に、前記ウェハ上に成膜処理を行う半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱工程の後に、前記ウェハ上にドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置が形成されるウェハに対して減圧雰囲気下で処理、例えば成膜処理をするときに、ウェハを所定の温度まで加熱することがある。このような処理で用いられる半導体製造装置は、真空容器内に、加熱手段を有するステージを有する。このステージには、吸着口と、ウェハを支持する凸部が設けられている。
【０００３】
なお、特許文献１には、成膜処理を行うとき、減圧状態にしてからＣＶＤを含む一連の工程を実施する間、チャンバー内圧力を略一定にすると、成膜された膜に生じるストレスが小さくなることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１８９４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、吸着口及び凸部を有するステージを有する半導体製造装置でウェハを処理した場合、ウェハに割れが生じる場合があることに気がついた。そして本発明者は、その原因を検討した結果、ウェハの裏面に、ステージの凸部に起因した傷が発生し、その傷を起点としてウェハが割れると考えた。そこで本発明者は、半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生しないようにすることを検討した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、真空容器と、
前記真空容器内に配置され、表面に凸部を有しており、ウェハを吸着する吸着口を有しており、かつ加熱手段を有するステージと、
を有する半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記ステージを加熱した状態において、前記ステージ上にウェハを載置し、前記真空容器内の圧力を第１の圧力に設定した上で、第１の時間保持する初期工程と、
前記初期工程の後、前記ステージを加熱した状態において、前記真空容器内の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に上げて前記ウェハを加熱する加熱工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明によれば、過熱されたステージ上にウェハを載置した後に、真空容器内の圧力を第１の圧力に設定する。そして加熱工程では、真空容器内の圧力を、第１の圧力よりも高い第２の圧力に設定する。このため、第１の圧力を低くすることにより、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制できる。また、加熱工程では、真空容器内の圧力を高くすることにより、ウェハの全体を短い時間で加熱することができる。このため、半導体装置の生産性が低下することを抑制できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】図１に示した工程で使用される半導体製造装置の構成を示す図である。
【図３】ステージの凸部のレイアウトの一例を示す平面図である。
【図４】図２に示した半導体製造装置を用いて導体膜を形成する方法を説明するフローチャートである。
【図５】図４の変形例を示すフローチャートである。
【図６】図４及び図５のステップＳ２０における、真空容器内の圧力Ｐ１と吸着口内の圧力Ｐ２の差圧Ｐ３の設定値を決定する処理を示すフローチャートである。
【図７】半導体ウェハの昇温速度と真空容器内の圧力Ｐ１の関係を示すグラフである。
【図８】真空容器内の圧力Ｐ１と、半導体ウェハの裏面に観察された傷（ダメージ痕）の数の関係を示す図である。
【図９】半導体ウェハをステージの凸部上に載置してから５秒後までの半導体ウェハの平均の昇温速度と、半導体ウェハの裏面に傷が発生したか否かの関係を示す図である。
【図１０】初期工程における真空容器の圧力Ｐ１と、半導体ウェハの裏面に傷が発生したか否かの関係を示す図である。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この図に示す方法は、絶縁膜２０上に導体膜３０を形成する方法である。
【００１２】
まず、半導体ウェハ１０を半導体製造装置の真空容器内に導入し、ステージ上に載置する。図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ１０には、予め絶縁膜２０及び凹部２２が形成されている。絶縁膜２０は、複数の絶縁膜が積層された積層構造を有していても良い。そして凹部２２の底面は、積層された絶縁膜の界面に位置していてもよい。なお、凹部２２は、例えばトレンチ構造を有するキャパシタを形成するための凹部であってもよいし、ビアを埋め込むための凹部であってもよい。後者の場合、凹部２２は、ビアが埋め込まれる配線層間絶縁膜においては貫通孔になる。また後者の場合、凹部２２は、デュアルダマシン法における配線溝及びビアホールが一体に形成されたものであってもよい。
【００１３】
次いで、凹部２２の底面、側壁、及び絶縁膜２０の上面上に、導体膜３０を形成する。導体膜３０は、ＣＶＤ法により形成されても良いし、ＡＬＤ法により形成されても良い。導体膜３０は、例えばＴｉＮなどの金属膜である。凹部２２がキャパシタを形成するための凹部である場合、導体膜３０は、キャパシタの下部電極である。また凹部２２がビアを埋め込むための凹部である場合、導体膜３０は、バリアメタル膜になる。
【００１４】
その後、絶縁膜２０の上面上に形成された導体膜３０のうち、不要な部分を除去する。
【００１５】
図２は、図１に示した工程で使用される半導体製造装置の構成を示す図である。この半導体製造装置は、真空容器１００及びステージ１４０を有している。ステージ１４０は、真空容器１００の内部に配置されている。ステージ１４０はヒータなどの加熱手段１４６を内蔵している。加熱手段１４６の出力は、ステージ１４０の温度が一定値になるように制御される。この制御は、後述する制御部４００が行っても良い。
【００１６】
またステージ１４０は、凸部１４１，１４２及び吸着口１４４を有している。半導体ウェハ１０は、凸部１４１，１４２上に載置される。吸着口１４４は、半導体ウェハ１０をステージ１４０に吸着するために設けられており、配管２３０を介して真空ポンプ３００に接続している。配管２３０には、流量制御部２３２，２３４が設けられており、流量制御部２３２，２３４により、吸着口１４４からの排気量が制御される。また配管２３０のうち流量制御部２３２と流量制御部２３４の間には、流量制御部２３６を介して配管２３８が接続している。配管２３８は、流量制御部２３４を介して配管２３０に不活性ガス（例えば希ガス）を導入する。
【００１７】
真空容器１００の中には、ステージ１４０のほかに、シャワーヘッド１２０が設けられている。本明細書では、ガスを真空容器１００内に導入する部材であって、ガス導入口が一つ又は複数設けられているものを総称したものをシャワーヘッドと呼ぶ。シャワーヘッド１２０は、半導体ウェハ１０を処理するためのプロセスガスを真空容器１００の内部に導入する。シャワーヘッド１２０は、配管２１０を介してプロセスガスが供給される。配管２１０には流量制御部２１２が設けられている。流量制御部２１２により、真空容器１００内へのプロセスガスの供給量が制御される。
【００１８】
また、真空容器１００は、配管２２０を介して真空ポンプ３００に接続している。配管２２０には、流量制御部２２２及びスロットルバルブ２２４が設けられている。流量制御部２２２及びスロットルバルブ２２４により、真空容器１００からの排気量が制御される。
【００１９】
なお、真空容器１００内の圧力Ｐ１は圧力計１０２により測定され、吸着口１４４内の圧力Ｐ２は圧力計１０４により測定される。また、流量制御部２１２，２２２，２３２，２３４，２３６、及びスロットルバルブ２２４は、制御部４００により制御されている。圧力計１０２，１０４の測定値は、制御部４００に出力される。制御部４００は、これらを制御することにより、真空容器１００内の圧力Ｐ１、及び吸着口１４４内の圧力Ｐ２を所望の値に制御する。制御部４００が圧力Ｐ１，Ｐ２をどのタイミングでどの値に制御するかは、フローチャート等を用いて後述する。
【００２０】
図３は、ステージ１４０の凸部１４１，１４２のレイアウトの一例を示す平面図である。本図では、吸着口１４４を省略している。凸部１４１は、ステージ１４０の縁の全周に添って設けられている。また凸部１４２は、４１の内側の領域の全面にわたって、複数互いに離間して設けられている。凸部１４１と凸部１４２の高さは、互いに等しい。言い換えると、ステージ１４０は、凸部１４１，１４２を除いて窪んでおり、この窪んでいる領域が吸着口１４４に繋がっている。
【００２１】
次に、図４を用いて、図２に示した半導体製造装置を用いて導体膜３０を形成する方法を説明する。ステージ１４０は、予め所定の温度に加熱されている。この所定の温度は、３００℃以上、好ましくは３４０℃以上である。導体膜３０としてＴｉＮ膜を形成する場合、ステージ１４０は、３４０℃以上４００℃以下の間の所定の間の温度に維持される。
【００２２】
ステージ１４０が加熱されている状態で、半導体ウェハ１０は、ステージ１４０上に載置される（ステップＳ１０）。半導体ウェハ１０は、例えば直径が３００ｍｍのシリコンウェハである。ただし半導体ウェハ１０は、直径が２００ｍｍのシリコンウェハであってもよいし、直径が６インチのシリコンウェハであってもよい。
【００２３】
そして、制御部４００は、真空容器１００内の圧力Ｐ１を第１の圧力に設定し、吸着口１４４内の圧力Ｐ２を所定の圧力に設定する。これにより、真空容器１００内の圧力Ｐ１と、吸着口１４４内の圧力Ｐ２との差圧Ｐ３は、設定値に制御される（ステップＳ２０）。この設定値は、予め定められている。この設定値を決定する処理は、図４に示す処理とは別に行われるが、この詳細については後述する。半導体ウェハ１０は、真空容器１００内の圧力Ｐ１と、吸着口１４４内の圧力Ｐ２との差圧Ｐ３によって、ステージ１４０に押し付けられる。
【００２４】
このとき、差圧Ｐ３が小さいほど、半導体ウェハ１０の裏面には傷が付きにくいと考えられる。一方、差圧Ｐ３が小さすぎると、半導体ウェハ１０を処理している途中で半導体ウェハ１０が凸部１４１，１４２上でスライドする可能性が出てくる。本実施形態では、差圧Ｐ３を、半導体ウェハ１０が凸部１４１，１４２上でスライドしない最小の値に設定される。この差圧Ｐ３の最小値は、例えば３Ｔｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下、すなわち４００Ｐａ以上６６５Ｐａ以下である。ただし、差圧Ｐ３は、この最小の値の１倍超１．５倍以下の値であっても良い。
【００２５】
この状態で、半導体ウェハ１０は第１の時間放置される（ステップＳ３０）。これにより、半導体ウェハ１０は加熱される（初期工程）。
【００２６】
本発明者が検討した結果、半導体ウェハ１０の裏面のうち傷が形成されうる部分は、凸部１４１，１４２が接する部分と一致していることが判明した。そして本発明者が検討した結果、後述するように、初期工程における真空容器１００の圧力Ｐ１が高いと、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生し、圧力Ｐ１が低くなるにつれて、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生することが抑制されるようになることが判明した。
【００２７】
この理由は定かではないが、以下のように推定することができる。本発明者が検討した結果、図７に示すように、半導体ウェハ１０の昇温速度は、圧力Ｐ１が高いほど速くなる。このため、圧力Ｐ１が低くなるにつれて半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生することを抑制できるのは、半導体ウェハ１０の昇温速度が低くなるためと考えられる。
【００２８】
特に本実施形態では、ステージ１４０は予め定められた温度に加熱されている。このため、半導体ウェハ１０をステージ１４０に載置した直後において、半導体ウェハ１０のうち凸部１４１，１４２に接する部分は、局所的に他の部分よりも急速に熱膨張する。このため、初期工程において圧力Ｐ１を高くすると、半導体ウェハ１０の裏面に傷が特に発生しやすくなると考えられる。
【００２９】
そこで本実施形態では、圧力Ｐ１の設定値である第１の圧力を、ある程度低くする。例えば第１の圧力は、半導体ウェハ１０をステージ１４０上に載置してから５秒後までの半導体ウェハ１０の平均の昇温速度が０．２℃／秒以下となるように設定される。
【００３０】
なお、第１の時間は、例えば１秒以上１５秒以下である。初期工程の条件では半導体ウェハ１０の昇温速度を遅くしているため、第１の時間を長くしすぎると、半導体ウェハ１０の処理時間が長くなりすぎてしまう。この場合、半導体装置の製造コストが上昇する。また、第１の時間が短すぎると、初期工程を設定した効果が得られず、半導体ウェハ１０の裏面における傷の発生を抑制できないと考えられる。
【００３１】
第１の時間が経過した後、制御部４００は、真空容器１００内の圧力Ｐ１を、第１の圧力よりも高い第２の圧力に上げる（ステップＳ４０）。これにより、半導体ウェハ１０の昇温速度は速くなる（加熱工程）。この状態で第２の時間経過させ（ステップＳ５０）、半導体ウェハ１０が所定の温度まで加熱される。その後、シャワーヘッド１２０から成膜用のプロセスガスが導入され、半導体ウェハ１０に成膜処理が行われる（ステップＳ６０）。なお、ステップＳ２０〜ステップＳ５０までの間は、加熱処理用のプロセスガスが、シャワーヘッド１２０から真空容器１００内に導入されている。第２の圧力は、例えば５Ｔｏｒｒ以上１５Ｔｏｒｒ以下、すなわち６６５Ｐａ以上２０００Ｐａ以下である。また第二の圧力は、例えば第１の圧力の１倍超３．７５倍以下であってもよい。
【００３２】
なお、加熱工程において、真空容器１００内の圧力Ｐ１とともに、吸着口１４４内の圧力Ｐ２も上げるのが好ましい。これにより、圧力Ｐ１と圧力Ｐ２の差圧Ｐ３が必要以上に上昇して半導体ウェハ１０が凸部１４１，１４２に必要以上に強い力で押し付けられることを抑制できる。これにより、半導体ウェハ１０の裏面に傷が付くことをさらに抑制できる。
【００３３】
なお制御部４００は、加熱工程における差圧Ｐ３を、例えば初期工程における差圧Ｐ３の１００％以上１２０％以下、好ましくは初期工程における差圧Ｐ３と等しい値にする。
【００３４】
図５は、図４の変形例を示すフローチャートである。本実施形態では、ステップＳ５０の時間を図４よりも短くした上で、さらに真空容器１００内の圧力Ｐ１を、第２の圧力よりも高い第３の圧力に上げる（ステップＳ５２）。これにより、半導体ウェハ１０の昇温速度はさらに速くなる（第２の加熱工程）。この状態で第３の時間経過させる（ステップＳ５４）。このようにすると、半導体ウェハ１０が所定の温度まで加熱されるまでの時間が短くなる。そして、半導体ウェハ１０が所定の温度まで加熱された後、シャワーヘッド１２０から成膜用のプロセスガスが導入され、半導体ウェハ１０に成膜処理が行われる（ステップＳ６０）。なお、ステップＳ２０〜ステップＳ５４までの間は、加熱処理用のプロセスガスが、シャワーヘッド１２０から真空容器１００内に導入されている。
【００３５】
図６は、図４及び図５のステップＳ２０における、真空容器１００内の圧力Ｐ１と吸着口１４４内の圧力Ｐ２の差圧Ｐ３の設定値を決定する処理を示すフローチャートである。ステージ１４０上に半導体ウェハ１０が載置される。そして制御部４００は、真空容器１００における各種の条件を図４のステップＳ６０で適用される条件に設定する。そして、以下のステップＳ１２０〜ステップＳ１５０に示す処理が行われる。
【００３６】
まず制御部４００は、差圧Ｐ３をある値に設定する（ステップＳ１２０）。そしてしばらく放置した上で、半導体ウェハ１０が凸部１４１，１４２上でスライドするか否かを判断する（ステップＳ１３０）。ステップＳ１３０に示す処理は、例えば半導体製造装置が有するスライド検出用のセンサを用いて行われる。そして、調査対象となっている差圧Ｐ３の全範囲を調査する（ステップＳ１４０）まで、差圧Ｐ３を変更しつつ（ステップＳ１５０）、ステップＳ１２０及びステップＳ１３０に示した処理を行う。
【００３７】
その後、ステップＳ１３０で得られたデータに基づいて、差圧Ｐ３の設定値を決定する（ステップＳ１６０）。この設定値は、例えば、上記したように、半導体ウェハ１０が凸部１４１，１４２上でスライドしない最小値に設定される。ただし、差圧Ｐ３の設定値は、この最小値の１倍超１．５倍以下の値に設定されても良い。
【００３８】
なお、図４又は図５に示した工程は、図６に示した工程が行われて差圧Ｐ３の設定値が決まった後、半導体ウェハ１０を取り替えつつ複数回繰り返される。
【００３９】
図８は、真空容器１００内の圧力Ｐ１と、半導体ウェハ１０の裏面に観察された傷（ダメージ痕）の数の関係を示している。ここで傷は、このグラフから明らかなように、圧力Ｐ１が３０Ｔｏｒｒの場合、傷の数は多い。一方、圧力Ｐ１が１５Ｔｏｒｒの場合、圧力Ｐ１が３０Ｔｏｒｒの場合と比較して傷の数は少なくなった。さらに、圧力Ｐ１が８Ｔｏｒｒ及び４Ｔｏｒｒの場合、傷は発生していなかった。なお、吸着口１４４の圧力Ｐ２は、１Ｔｏｒｒとした。
【００４０】
図９は、半導体ウェハ１０をステージ１４０の凸部１４１，１４２上に載置してから５秒後までの半導体ウェハ１０の平均の昇温速度と、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生したか否かの関係を示す図である。なお、ステージ１４０の温度は、上記した範囲のうちの一定の温度に設定されている。そして昇温速度は、図７に示したように真空容器１００の圧力Ｐ１を変えることにより変更されている。
【００４１】
この図から、初期工程における真空容器１００の圧力Ｐ１が、半導体ウェハ１０をステージ１４０に載置してから５秒後までの半導体ウェハ１０の平均の昇温速度が０．２℃／秒以下の場合、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生しないか、発生していたとしても問題がない程度であることが判明した。
【００４２】
図１０は、初期工程における真空容器１００の圧力Ｐ１と、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生したか否かの関係を示す図である。なお、真空容器１００の圧力Ｐ１と吸着口１４４内の圧力Ｐ２の差圧Ｐ３は、いずれも３Ｔｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下であり、かつ同一の値になっている。
【００４３】
この図から、真空容器１００の圧力Ｐ１が１５Ｔｏｒｒ未満の場合、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生することが抑制されることが判明した。さらにこの図から、真空容器１００の圧力Ｐ１が８Ｔｏｒｒ以下の場合、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生しないか、発生していたとしても問題がない程度であることが判明した。
【００４４】
なお図９及び図１０において、「○」は、半導体ウェハ１０の裏面に傷が確認できなかった場合を示しており、「△」は、半導体ウェハ１０の裏面に傷は生じていたが問題がない程度であった場合を示しており、「×」は、半導体ウェハ１０の裏面に傷が生じており問題がある場合を示している。
【００４５】
また、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生するか否かは、初期工程が１０秒以上の場合、初期工程の時間によらなかった。
【００４６】
以上、本実施形態によれば、半導体ウェハ１０をステージ１４０上に載置して昇温するときに、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生することを抑制できる。
【００４７】
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この半導体装置の製造方法は、絶縁膜２０に凹部２４を形成する工程を含んでいる。
【００４８】
まず図１１（ａ）に示すように、半導体ウェハ１０上に絶縁膜２０を形成する。次いで絶縁膜２０上に、マスクパターン４０（例えばレジストパターン）を形成する。
【００４９】
次いで図１１（ｂ）に示すように、マスクパターン４０をマスクとして、絶縁膜２０をドライエッチングする。これにより、凹部２４が形成される。なお、凹部２４は、例えば、配線溝、ビアホール、コンタクトホール、または容量素子を埋め込むためのトレンチである。
【００５０】
図１１に示した工程に用いられる半導体製造装置は、図２に示した半導体製造装置と同様の構成を有している。ただし、シャワーヘッド１２０及びステージ１４０は、プラズマを生成するための電極としても機能する。そして、半導体ウェハ１０は、第１の実施形態と同様の方法を用いて、ステージ１４０によって所定の温度まで加熱される。
【００５１】
本実施形態によっても、半導体ウェハ１０をステージ１４０上に載置して昇温するときに、半導体ウェハ１０の裏面に傷が発生することを抑制できる。
【００５２】
（実施例１）
図４のステップＳ２０における真空容器１００内の圧力Ｐ１を４Ｔｏｒｒとして、吸着口１４４内の圧力Ｐ２を１Ｔｏｒｒとした。ステップＳ３０における第１の時間を１０秒とした。ステップＳ４０における昇圧後において、真空容器１００内の圧力Ｐ１を１０Ｔｏｒｒとして、吸着口１４４内の圧力Ｐ２を７Ｔｏｒｒとした。ステップＳ５０における第２の時間を３０秒とした。また、ステップＳ２０〜ステップＳ５０の間のシャワーヘッド１２０から真空容器１００に流すガスの流量を７０００ｓｃｃｍとした。
【００５３】
この条件では、図４のステップＳ６０の処理を行った後でも、半導体ウェハ１０に割れは生じなかった。
【００５４】
（実施例２）
図５のステップＳ２０における真空容器１００内の圧力Ｐ１を４Ｔｏｒｒとして、吸着口１４４内の圧力Ｐ２を１Ｔｏｒｒとした。ステップＳ３０における第１の時間を１０秒とした。ステップＳ４０における昇圧後において、真空容器１００内の圧力Ｐ１を１０Ｔｏｒｒとして、吸着口１４４内の圧力Ｐ２を７Ｔｏｒｒとした。ステップＳ５０における第２の時間を１０秒とした。また、ステップＳ５２における昇圧後において、真空容器１００内の圧力Ｐ１を３０Ｔｏｒｒとして、吸着口１４４内の圧力Ｐ２を１０Ｔｏｒｒとした。ステップＳ５４における第３の時間を８秒とした。また、ステップＳ２０〜ステップＳ５４の間のシャワーヘッド１２０から真空容器１００に流すガスの流量を７０００ｓｃｃｍとした。
【００５５】
この条件では、図５のステップＳ６０の処理を行った後でも、半導体ウェハ１０に割れは生じなかった。
【００５６】
以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５７】
１０ 半導体ウェハ
２０ 絶縁膜
２２ 凹部
２４ 凹部
３０ 導体膜
４０ マスクパターン
１００ 真空容器
１０２ 圧力計
１０４ 圧力計
１２０ シャワーヘッド
１４０ ステージ
１４１ 凸部
１４２ 凸部
１４４ 吸着口
１４６ 加熱手段
２１０ 配管
２１２ 流量制御部
２２０ 配管
２２４ スロットルバルブ
２３０ 配管
２３２ 流量制御部
２３４ 流量制御部
２３６ 流量制御部
２３８ 配管
３００ 真空ポンプ
４００ 制御部
【図１】
0005606970.tif 000002
【図２】
0005606970.tif 000003
【図３】
0005606970.tif 000004
【図４】
0005606970.tif 000005
【図５】
0005606970.tif 000006
【図６】
0005606970.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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