(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工装置による加工の際に供給された加工液が加工によって生成された加工廃液を収容する廃液収容タンクと、該廃液収容タンクに収容された加工廃液を送給する廃液送給ポンプと、該廃液送給ポンプによって送給された加工廃液を濾過して清水に精製する廃液濾過手段と、該廃液濾過手段によって精製された清水を貯水する清水貯水タンクと、該清水貯水タンクに貯水された清水を送給する清水送給ポンプと、該清水送給ポンプによって送給された清水を純水に精製するイオン交換器を含む純水生成手段と、を具備する加工廃液処理装置において、
該イオン交換器は、ハウジングと、該ハウジング内に収容されたアニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層およびアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層とを具備し、該混合樹脂層を形成するアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との重量比は、３：２に設定されており、
該ハウジングには該アニオン交換樹脂層に清水を流入する清水流入手段と該混合樹脂層側から純水を流出する純水流出手段が設けられており、該清水流入手段と該純水流出手段は該ハウジングの上側に設けられている、
ことを特徴とする加工廃液処理装置。
【請求項２】
該アニオン交換樹脂層を形成するアニオン交換樹脂と該混合樹脂層を形成する混合樹脂との重量比は、３：２〜４：１に設定されている、請求項１記載の加工廃液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を切削する切削装置等の加工装置に付設され、加工時に供給される加工液の廃液を処理する加工廃液処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、切削ブレードに加工水を供給する加工水供給手段を具備し、該加工水供給手段によって切削水を回転する切削ブレードに供給することにより切削ブレードを冷却するとともに、切削ブレードによる被加工物の切削部に加工水を供給しつつ切削作業を実施する。
【０００４】
上述したように切削時に供給された加工液にはシリコンや窒化ガリウム系化合物半導体を切削することによって発生する切削屑が混入される。この半導体素材からなる切削屑が混入された加工廃液は環境を汚染することから、加工廃液処理装置を用いて切削屑を除去した後に、再利用したり廃棄している。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２３０５２７号公報
【０００６】
上記加工廃液処理装置は、切削装置による加工の際に供給された加工液が加工によって生成された加工廃液を収容する廃液収容タンクと、該廃液収容タンクに収容された加工廃液を送給する廃液送給ポンプと、該廃液送給ポンプによって送給された加工廃液を濾過して清水に精製する廃液濾過手段と、該廃液濾過手段によって精製された清水を貯水する清水貯水タンクと、該清水貯水タンクに貯水された清水を送給する清水送給ポンプと、該清水送給ポンプによって送給された清水を純水に精製するイオン交換器を含む純水生成手段とを具備している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した加工廃液処理装置の純水生成手段に使用されるイオン交換器はアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂を混合した混合樹脂が用いられているが、寿命が短く不経済であるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、純水生成手段に使用されるイオン交換器の寿命を長くすることができる加工廃液処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、加工装置による加工の際に供給された加工液が加工によって生成された加工廃液を収容する廃液収容タンクと、該廃液収容タンクに収容された加工廃液を送給する廃液送給ポンプと、該廃液送給ポンプによって送給された加工廃液を濾過して清水に精製する廃液濾過手段と、該廃液濾過手段によって精製された清水を貯水する清水貯水タンクと、該清水貯水タンクに貯水された清水を送給する清水送給ポンプと、該清水送給ポンプによって送給された清水を純水に精製するイオン交換器を含む純水生成手段と、を具備する加工廃液処理装置において、
該イオン交換器は、ハウジングと、該ハウジング内に収容されたアニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層およびアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層とを具備し、該混合樹脂層を形成するアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との重量比は、３：２に設定されており、
該ハウジングには該アニオン交換樹脂層に清水を流入する清水流入手段と該混合樹脂層側から純水を流出する純水流出手段が設けられており、該清水流入手段と該純水流出手段は該ハウジングの上側に設けられている、
ことを特徴とする加工廃液処理装置が提供される。
【００１０】
上記アニオン交換樹脂層を形成するアニオン交換樹脂と上記混合樹脂層を形成する混合樹脂との重量比は、３：２〜４：１に設定されていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による加工廃液処理装置の純水生成手段を構成するイオン交換器は、アニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層およびアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層とから構成されているとともに、混合樹脂層を形成するアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との重量比は３：２に設定されており、清水をアニオン交換樹脂層側から流入し混合樹脂層側から純水を流出するようにしたので、アニオンが多く混入されている半導体を切削または研削することによって生成される廃液を効果的に純水に変換することができるとともに、イオン交換器の寿命を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に従って構成された加工廃液処理装置を加工装置としての切削装置に隣接して配設した状態を示す斜視図。
【図２】本発明に従って構成された加工廃液処理装置の構成要素を加工廃液の流れに従って示す説明図。
【図３】図２に示す装置ハウジングを構成する各壁を透視し装置ハウジング内に加工廃液処理装置の構成要素を配置した状態を示す斜視図。
【図４】図２に示す加工廃液処理装置の純水生成手段を構成するイオン交換器の第１の実施形態を示す断面図。
【図５】図２に示す加工廃液処理装置の純水生成手段を構成するイオン交換器の第２の実施形態を示す断面図。
【図６】本発明によって構成されたイオン交換器と従来用いられているイオン交換器による処理時間とイオン交換器から流出された水の比抵抗値の計測結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に従って構成された加工廃液処理装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には加工装置としての切削装置に隣接して配設された本発明による加工廃液処理装置の斜視図が示されている。
加工装置としての切削装置２は、略直方体状の装置ハウジング２０を具備している。この装置ハウジング２０内には、被加工物を保持するチャックテーブル２１が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル２１は、上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル２１は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル２１には、被加工物として後述するウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ２１１が配設されている。このように構成されたチャックテーブル２１は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１５】
図１に示す切削装置２は、切削手段としてのスピンドルユニット２２を具備している。スピンドルユニット２２は、図示しない割り出し送り手段によって図１において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図１において矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット２２は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング２２１と、該スピンドルハウジング２２１に回転自在に支持された回転スピンドル２２２と、該回転スピンドル２２２の前端部に装着された切削ブレード２２３とを具備している。スピンドルハウジング２２１の前端部には、切削ブレード２２３の上半部を覆うブレードカバー２２４が取り付けられており、このブレードカバー２２４に上記切削ブレード２２３に向けて加工液を噴射する加工液供給ノズル２２５が配設されている。なお、加工液供給ノズル２２５は、図示しない加工液供給手段に接続されている。
【００１６】
図１に示す切削装置２は、上記チャックテーブル２１上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード２２３によって切削すべき領域を検出するための撮像手段２３を具備している。この撮像手段２３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、上記装置ハウジング２０におけるカセット載置領域２４aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル２４が配設されている。このカセット載置テーブル２４は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル２４上には、被加工物としての半導体ウエーハWを収容するカセット２５が載置される。カセット２５に収容される半導体ウエーハWは、表面に格子状のストリートが形成されており、この格子状のストリートによって区画された複数の矩形領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成されている。このように形成された半導体ウエーハWは、環状の支持フレームFに装着されたダイシングテープTの表面に裏面が貼着された状態でカセット２５に収容される。
【００１７】
また、図示の実施形態における切削装置２は、カセット載置テーブル２４上に載置されたカセット２５に収容されている半導体ウエーハW（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）を仮置きテーブル２６に搬出する搬出・搬入手段２７と、仮置きテーブル２６に搬出された半導体ウエーハWを上記チャックテーブル２１上に搬送する第１の搬送手段２８と、チャックテーブル２１上で切削加工された半導体ウエーハWを洗浄する洗浄手段２９と、チャックテーブル２１上で切削加工された半導体ウエーハWを洗浄手段２９へ搬送する第２の搬送手段２９０を具備している。
【００１８】
図１に示す切削装置２は以上のように構成されており、以下その作用について簡単に説明する。
カセット載置テーブル２４上に載置されたカセット２５の所定位置に収容されている半導体ウエーハW（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル２４が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出手段２７が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハWを仮置きテーブル２６上に搬出する。仮置きテーブル２６に搬出された半導体ウエーハWは、第１の搬送手段２８の旋回動作によって上記チャックテーブル２１上に搬送される。チャックテーブル２１上に半導体ウエーハWが載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハWをチャックテーブル２１上に吸引保持する。また、半導体ウエーハWをダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFは、上記クランプ２１1によって固定される。このようにして半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル２１は、撮像手段２３の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル２１が撮像手段２３の直下に位置付けられると、撮像手段２３によって半導体ウエーハWに形成されているストリートが検出され、スピンドルユニット２２を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節してストリートと切削ブレード２２３との精密位置合わせ作業が行われる。
【００１９】
その後、切削ブレード２２３を矢印Ｚで示す方向に所定量切り込み送りし所定の方向に回転させつつ、半導体ウエーハWを吸引保持したチャックテーブル２１を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向（切削ブレード２２３の回転軸と直交する方向）に所定の切削送り速度で移動することにより、チャックテーブル２１上に保持された半導体ウエーハWは切削ブレード２２３により所定のストリートに沿って切断される（切削工程）。この切削工程においては、図示しない加工液供給手段を作動して加工液供給ノズル２２５から加工液が切削ブレード２２３による加工部に向けて噴射される。このようにして、半導体ウエーハWを所定のストリートに沿って切断したら、チャックテーブル２１を矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送りし、上記切削工程を実施する。そして、半導体ウエーハWの所定方向に延在するストリートの全てに沿って切削工程を実施したならば、チャックテーブル２１を９０度回転させて、半導体ウエーハWの所定方向と直交する方向に延在するストリートに沿って切削工程を実行することにより、半導体ウエーハWに格子状に形成された全てのストリートが切削されて個々のチップに分割される。なお、分割されたチップは、ダイシングテープTの作用によってバラバラにはならず、環状のフレームFに支持されてウエーハの状態が維持されている。
【００２０】
上述したように半導体ウエーハWのストリートに沿って切削工程が終了したら、半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル２１は最初に半導体ウエーハWを吸引保持した位置に戻される。そして、半導体ウエーハWの吸引保持を解除する。次に、半導体ウエーハWは第２の搬送手段２９０によって洗浄手段２９に搬送される。洗浄手段２９に搬送された半導体ウエーハWは、ここで洗浄され乾燥される。このようにして洗浄・乾燥された半導体ウエーハWは、第１の搬送手段２８によって仮置きテーブル２６に搬送される。そして、半導体ウエーハWは、搬出・搬入手段２７によってカセット２５の所定位置に収納される。
【００２１】
上述した切削工程において、図示しない加工液供給手段によって加工液供給ノズル２２５から切削ブレード２２３による加工部に噴射された加工液は、切削ブレード２２３および加工部を冷却した後に廃液として回収され、切削装置２に隣接して配設された廃液処理装置１０によって純水に精製されて再利用される。この廃液処理装置１０について、図１乃至図５を参照して説明する。
【００２２】
図示の実施形態における廃液処理装置１０は、装置ハウジング１００を具備しており、この装置ハウジング１００内に廃液処理装置の構成要素が配設されている。装置ハウジング１００内に配設される廃液処理装置の構成要素の一実施形態について、図２を参照して説明する。
【００２３】
図２には、本発明に従って構成された廃液処理装置の構成要素が廃液の流れに従って示されている。図示の実施形態における廃液処理装置１０は、上記切削装置２における加工時に加工液供給ノズル２２５から切削ブレード２２３による加工部に供給された加工液が加工によって生成された廃液を収容する廃液タンク３と、該廃液タンク３に収容された廃液を送給する廃液送給ポンプ３０を具備している。廃液タンク３は、上記切削装置２に装備される廃液送出手段に配管３１によって接続される。従って、廃液タンク３には切削装置２に装備される廃液送出手段から送られる廃液が配管３１を介して導入される。この廃液タンク３の上壁に廃液を送給する廃液送給ポンプ３０が配設されている。
【００２４】
上記廃液送給ポンプ３０によって送給される加工廃液は、フレキシブルホースからなる配管３２を介して廃液濾過手段４に送られる。廃液濾過手段４は、清水受けパン４１と、該清水受けパン４１上に配置される第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bを具備している。この第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bは、清水受けパン４１上に着脱可能に配置される。なお、上記廃液送給ポンプ３と第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bとを接続する配管３２には電磁開閉弁４３aおよび電磁開閉弁４３ｂが配設されている。電磁開閉弁４３aが附勢(ON)して開路すると廃液送給ポンプ３によって送給された加工廃液が第１のフィルター４２aに導入され、電磁開閉弁４３bが附勢(ON)して開路すると廃液送給ポンプ３０によって送給された加工廃液が第２のフィルター４２bに導入されるようになっている。第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bに導入された加工廃液は、第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bによって濾過され加工廃液に混入している切削屑が捕捉されて清水に精製され清水受けパン４１に流出する。この清水受けパン４１はフレキシブルホースからなる配管４４によって清水貯水タンク５に接続されており、従って清水受けパン４１に流出した清水はフレキシブルホースからなる配管４４を介して清水貯水タンク５に送られ貯留される。
【００２５】
上記配管３２には、廃液濾過手段４の第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bに送給される加工廃液の圧力を検出する圧力検出手段３３が配設されており、この圧力検出手段３３は検出信号を後述する制御手段に送る。例えば、上記電磁開閉弁４３aを附勢(ON)して加工廃液を第１のフィルター４２aによって濾過している状態において、圧力検出手段３１からの検出信号が所定圧力値以上に達したならば、後述する制御手段は第１のフィルター４２aに加工屑が堆積してフィルターとしての機能が失われたと判断し、電磁開閉弁４３aを除勢(OFF)して、電磁開閉弁４３bを附勢(ON)する。そして、後述する制御手段は、第１のフィルター４２aから第２のフィルター４２bに切り換えたことを後述する操作盤に設けられた表示手段に表示する。このように表示手段に表示されたメッセージに基いてオペレータは第１のフィルター４２aが寿命に達したことを感知し、フィルターを交換することができる。また、上記電磁開閉弁４３bを附勢(ON)して加工廃液を第２のフィルター４２bによって濾過している状態において、圧力検出手段３３からの検出信号が所定圧力値以上に達したならば、後述する制御手段は第２のフィルター４２bに加工屑が堆積してフィルターとしての機能が失われたと判断し、電磁開閉弁４３bを除勢(OFF)して、電磁開閉弁４３aを附勢(ON)する。そして、後述する制御手段は、第２のフィルター４２bから第１のフィルター４２aに切り換えたことを後述する操作盤に設けられた表示手段に表示する。
【００２６】
上記廃液濾過手段４からフレキシブルホースからなる配管４４を介して送られ清水貯水タンク５に貯留された清水は、清水送給ポンプ５０によって送給されフレキシブルホースからなる配管５１を介して純水生成手段６に送られる。図示の実施形態における純水生成手段６は、支持台６１と、該支持台６１に立設された仕切り板６１１と、支持台６１における仕切り板６１１の後側に配置された紫外線照射手段６２と、支持台６１における仕切り板６１１の前側に配置された第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bと、支持台６１における仕切り板６１１の後側に配置された精密フィルター６４を具備している。この第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bと精密フィルター６４は、支持台６１上に着脱可能に配置される。上記清水送給ポンプ５０によって送給されフレキシブルホースからなる配管５１を介して送られた清水は、紫外線照射手段６２に導入され、ここで紫外線(UV)が照射されることによって殺菌される。紫外線照射手段６２において殺菌処理された清水は、配管６５を介して第１のイオン交換器６３aまたは第２のイオン交換器６３bに導入される。なお、配管６５には電磁開閉弁６６aおよび電磁開閉弁６６ｂが配設されている。電磁開閉弁６６aが附勢(ON)して開路すると殺菌処理された清水が第１のイオン交換器６３aに導入され、電磁開閉弁６６bが附勢(ON)して開路すると殺菌処理された清水が第２のイオン交換器６３bに導入されるようになっている。第１のイオン交換器６３aまたは第２のイオン交換器６３bに導入された清水は、イオンが交換されて純水に精製される。このようにして清水がイオン交換されて精製された純水には、第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bを構成するイオン交換樹脂の樹脂屑等の微細な物質が混入されている場合がある。このため、図示の実施形態においては上述したように第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bによって清水がイオン交換されて精製された純水を配管６７を介して精密フィルター６４に導入し、この精密フィルター６４によって純水に混入されているイオン交換樹脂の樹脂屑等の微細な物質を捕捉する。
【００２７】
なお、上記配管６７には、第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bから精密フィルター６４に送給される純水の圧力を検出する圧力検出手段６８が配設されており、この圧力検出手段６８は検出信号を後述する制御手段に送る。例えば、圧力検出手段６８からの検出信号が所定圧力値以上に達したならば、後述する制御手段は精密フィルター６４に樹脂屑等の微細な物質が堆積してフィルターとしての機能が失われたと判断し、後述する操作盤に設けられた表示手段に表示する。このように表示手段に表示されたメッセージに基いてオペレータは精密フィルター６４が寿命に達したことを感知し、フィルターを交換することができる。
【００２８】
また、上記配管６７には、第１のイオン交換器６３aまたは第２のイオン交換器６３bから精密フィルター６４に送給される純水の比抵抗を検出するための比抵抗計６９が配設されており、この比抵抗計６９は検出信号を後述する制御手段に送る。後述する制御手段は、上記電磁開閉弁６６aを附勢(ON)して清水を第１のイオン交換器６３aによって純水に精製している状態において、比抵抗計６９からの検出信号が所定値（例えば１４MΩ・cm）以下に達したならば、後述する制御手段は第１のイオン交換器６３aによる純水精製能力が低下したと判断し、電磁開閉弁６６aを除勢(OFF)して、電磁開閉弁６６bを附勢(ON)する。そして、後述する制御手段は、第１のイオン交換器６３aから第２のイオン交換器６３bに切り換えたことを後述する操作盤に設けられた表示手段に表示する。このように表示手段に表示されたメッセージに基いてオペレータは第１のイオン交換器６３aが寿命に達したことを感知し、第１のイオン交換器６３aのイオン交換樹脂を交換することができる。また、上記電磁開閉弁６６bを附勢(ON)して第２のイオン交換器６３bによって清水を純水に精製している状態において、比抵抗計６９からの検出信号が所定値（例えば１４MΩ・cm）以下に達したならば、後述する制御手段は第２のイオン交換器６３bによる純水精製能力が低下したと判断し、電磁開閉弁６６bを除勢(OFF)して、電磁開閉弁６６aを附勢(ON)する。そして、後述する制御手段は、第２のイオン交換器６３bから第１のイオン交換器６３aに切り換えたことを後述する操作盤に設けられた表示手段に表示する。
【００２９】
上記純水生成手段６によって精製された純水は、フレキシブルホースからなる配管６０を介して純水温度調整手段７に送られる。純水温度調整手段７に送られた純水は、ここで所定温度（例えば２３℃）に調整され配管７０を介して上記切削装置２に装備される加工液供給手段に循環せしめられる。
【００３０】
上述した廃液タンク３、廃液濾過手段４、純水生成手段６、純水温度調整手段７および各配管等は、図１および図３に示す装置ハウジング１００内に配置される。なお、図３には装置ハウジング１００を構成する後述する各壁を透視し装置ハウジング１００内に上記廃液タンク３、廃液濾過手段４、純水生成手段６、純水温度調整手段７および各配管等が配置された状態が示されている。図示の実施形態における加工廃液処理装置１０の装置ハウジング１００は、直方体状の収容室を形成する枠体１１０と、該枠体１１０に装着される底壁１２１と上壁１２２と左側壁１２３と右側壁１２４と後壁１２５および枠体１１０の前側に装着され枠体１１０の前側に形成される前側開口１０１を開閉する開閉扉１２６とからなっている。
【００３１】
このように構成された装置ハウジング１００の底壁１２１上には、上記廃液タンク３と清水貯水タンク５および純水生成手段６が配置される。廃液タンク３は装置ハウジング１００の底壁１２１における後壁１２５側に配置され、清水貯水タンク５は廃液タンク３に隣接して底壁１２１の中央部に配置され、純水生成手段６は清水貯水タンク５に隣接して底壁１２１における前側開口１０１側（開閉扉１２６側）に配置される。
【００３２】
上記純水生成手段６は、図示の実施形態においては装置ハウジング１００の前側開口１０１を通して引き出し可能に配置されている。即ち、装置ハウジング１００を構成する左側壁１２３と右側壁１２４の内面下端部には、互いに対向して配設され底壁１２１の上面と平行に前後方向に延びる一対のガイドレール１３０、１３０が配設されている。この一対のガイドレール１３０、１３０上に純水生成手段６の支持台６１を載置することにより、純水生成手段６は一対のガイドレール１３０、１３０に沿って装置ハウジング１００の前側開口１０１を通して引き出し可能に支持される。従って、純水生成手段６を一対のガイドレール１３０、１３０に沿って装置ハウジング１００の前側開口１０１を通して引き出すことにより、純水生成手段６を構成する支持台６１に配置された第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bと精密フィルター６４の交換を容易に実施することができる。
【００３３】
図示の実施形態における加工廃液処理装置１０においては、装置ハウジング１００内における上記純水生成手段６および清水貯水タンク５の上側に上記廃液濾過手段４が装置ハウジング１００の前側開口１０１を通して引き出し可能に配置されている。即ち、装置ハウジング１００を構成する左側壁１２３と右側壁１２４の内面中間部には、互いに対向して配設され上記底壁１２１の上面と平行（一対のガイドレール１３０、１３０と平行）に前後方向に延びる一対のガイドレール１４０、１４０が配設されている。この一対のガイドレール１４０、１４０上に廃液濾過手段４の清水受けパン４１を載置することにより、廃液濾過手段４は一対のガイドレール１４０、１４０に沿って装置ハウジング１００の前側開口１０１を通して引き出し可能に支持される。なお、廃液濾過手段４の引き出し操作を容易にするために、廃液濾過手段４を構成する清水受けパン４１の前端には下方に突出する把手４１１が設けられている。従って、廃液濾過手段４を一対のガイドレール１４０、１４０に沿って装置ハウジング１００の前側開口１０１を通して引き出すことにより、廃液濾過手段４を構成する清水受けパン４１に着脱可能に配置された第１のフィルター４２aおよび第２のフィルター４２bの交換を容易に実施することができる。このように廃液濾過手段４が引き出し可能に配置されているために、廃液濾過手段４の清水受けパン４１と上記清水貯水タンク５とを接続する配管はフレキシブルホースからなる配管４４によって接続されている。
【００３４】
上述したように廃液濾過手段４の清水受けパン４１と上記清水貯水タンク５とをフレキシブルホースからなる配管４４によって接続することに関連して、装置ハウジング１００における廃液濾過手段４の後壁１２５側にはフレキシブルホースからなる配管４４を支持するホース支持板１５０が配設されている。このホース支持板１５０は、後壁１２５側に向けて高くなるように傾斜するとともに右側壁１２４側に向けて高くなるように傾斜する形状に構成されており、フレキシブルホースからなる配管４４が自重により下方に湾曲するのを防止し、フレキシブルホースからなる配管４４を清水受けパン４１側が常に高い位置に位置付けられるように維持する。従って、清水受けパン４１に流出した清水は、自重によりフレキシブルホースからなる配管４４を通して清水貯水タンク５に流入することができる。
【００３５】
図示の実施形態における加工廃液処理装置１０においては、装置ハウジング１００内における上記ホース支持板１５０の上側に上記純水温度調整手段７が配置される。即ち、装置ハウジング１００を構成する左側壁１２３と右側壁１２４に装着された図示しない支持部材上に純水温度調整手段７が載置され、適宜の固定手段によって固定される。
【００３６】
図示の実施形態における加工廃液処理装置１０は、上記各構成手段の作動を制御する制御手段８と、該制御手段８に廃液処理開始情報等の処理情報を入力する操作盤９を具備している。この制御手段８と操作盤９は、図示の実施形態においては一体的に構成されている。このように構成された制御手段８および操作盤９は、装置ハウジング１００における廃液濾過手段４の上側に配置される。即ち、装置ハウジング１００を構成する左側壁１２３と右側壁１２４に装着された図示しない支持部材上に制御手段８と、該制御手段８および操作盤９が載置され、適宜の固定手段によって固定される。このとき、操作盤９が装置ハウジング１００の前側（開閉扉１２６側に配置されている側）に位置付けられる。なお、操作盤９には処理情報等を入力する入力手段９１と、制御手段８による処理情報を表示する表示手段９２等が配設されている。
【００３７】
ここで、上記第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bについて、図４および図５を参照して説明する。なお、第１のイオン交換器６３aおよび第２のイオン交換器６３bは同一の構成であるため、図４および図５においてはイオン交換器６３として説明する。
図４に示す実施形態におけるイオン交換器６３は、ハウジング６３１と、該ハウジング６３１内に収容されたアニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層６３２およびアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層６３３とを具備している。図４に示す実施形態においてはアニオン交換樹脂層６３２が下層に形成され、このアニオン交換樹脂層６３２の上側に混合樹脂層６３３が積層して形成されている。そして、ハウジング６３１には、アニオン交換樹脂層６３２側から清水を流入する清水流入手段６３４が設けられているとともに、混合樹脂層６３３側から純水を流出する純水流出手段６３５が設けられている。清水流入手段６３４は、ハウジング６３１の上壁を貫通して配設された清水流入管６３４aからなり、その下端がアニオン交換樹脂層６３２の下部に開口され、その上端が配管６５に接続されている。また、純水流出手段６３５は、ハウジング６３１の上に形成される純水取り出し室６３５aに開口する純水流出口６３５bからなっており、該純水流出口６３５bが配管６７に接続されている。
【００３８】
次に、図５に示す実施形態におけるイオン交換器６３について説明する。
図３に示す実施形態におけるイオン交換器６３も図４に示すイオン交換器６３と同様にハウジング６３１と、該ハウジング６３１内に収容されたアニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層６３２およびアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層６３３とを具備している。図５に示す実施形態においては混合樹脂層６３３が下層に形成され、この混合樹脂層６３３上側にアニオン交換樹脂層６３２が積層して形成されている。そして、ハウジング６３１には、アニオン交換樹脂層６３２側から清水を流入する清水流入手段６３４が設けられているとともに、混合樹脂層６３３側から純水を流出する純水流出手段６３５が設けられている。清水流入手段６３４は、ハウジング６３１の上に形成される清水流入室６３４bに開口する清水流入口６３４cからなっており、該清水流入口６３４cが配管６５に接続されている。また、純水流出手段６３５は、ハウジング６３１の側壁に沿って配設された純水流出管６３５cからなり、その下端が混合樹脂層６３３の下部に開口され、その上端が配管６７に接続されている。
【００３９】
上記図４および図５に示すイオン交換器６３は、アニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層６３２とアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層６３３とから構成されているとともに、清水をアニオン交換樹脂層６３２側から流入し混合樹脂層６３３側から純水を流出するようにしたので、アニオンが多く混入されている半導体を切削または研削することによって生成される廃液を効果的に純水に変換することができるとともに、イオン交換器６３の寿命を長くすることができる。
【００４０】
本発明者等は、アニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との重量比が３：２の混合樹脂を製作し、この混合樹脂によって形成する混合樹脂層とアニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層との重量比を変えた下記４種類のイオン交換器を製作した。
No.１：混合樹脂層の重量が３５０g、アニオン交換樹脂層の重量が０g（アニオン交換
樹脂層を形成するアニオン交換樹脂と混合樹脂層を形成する混合樹脂との重
量比が０：１００）
No.２：混合樹脂層の重量が２１０g、アニオン交換樹脂層の重量が１４０g（アニオン
交換樹脂層を形成するアニオン交換樹脂と混合樹脂層を形成する混合樹脂と
の重量比が２：３）
No.３：混合樹脂層の重量が１４０g、アニオン交換樹脂層の重量が２１０g混合樹脂層
の重量が２１０g、アニオン交換樹脂層の重量が１４０g（アニオン交換樹脂層
を形成するアニオン交換樹脂と混合樹脂層を形成する混合樹脂との重量比が
３：２）
No.４：混合樹脂層の重量が７０g、アニオン交換樹脂層の重量が２８０g混合樹脂層の
重量が２１０g、アニオン交換樹脂層の重量が１４０g（アニオン交換樹脂層を
形成するアニオン交換樹脂と混合樹脂層を形成する混合樹脂との重量比が
４：１）
【００４１】
上記４種類のイオン交換器にそれぞれ切削加工排水を１分間に１リットルの割合で流入し、このイオン交換器から流出された水の比抵抗値を計測し、その計測結果が図６に示されている。図６において、横軸はイオン交換器による切削加工排水の処理時間（分）で、縦軸はイオン交換器から流出された水の比抵抗値（MΩ・cm）を示している。なお、イオン交換器から流出された水の比抵抗値が１４MΩ・cm以上であれば、純水として再利用することができる。
図６に示す実験結果によると、No.１のイオン交換器、即ちアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との重量比が３：２の混合樹脂層だけによる従来用いられているイオン交換器は６０００分程度処理すると処理された水の比抵抗値が１４MΩ・cm以下となった。No.２のイオン交換器は９０００分程度処理した後の水の比抵抗値が１４MΩ・cmを維持し、No.３のイオン交換器は１１０００分程度処理した後の水の比抵抗値が１４MΩ・cmを維持し、No.４のイオン交換器は１２０００分程度処理した後の水の比抵抗値が１４MΩ・cmを維持した。このように、イオン交換器をアニオン交換樹脂のみからなるアニオン交換樹脂層とアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを混合した混合樹脂層とから構成するとともに、清水をアニオン交換樹脂層側から流入し混合樹脂層側から純水を流出するようにすることにより、混合樹脂層だけによる従来用いられているイオン交換器に比して、５０％以上寿命が長くなる。特に、アニオン交換樹脂層を形成するアニオン交換樹脂と混合樹脂層を形成する混合樹脂との重量比を３：２〜４：１に設定することにより混合樹脂層だけによる従来用いられているイオン交換器の略２倍の寿命を有するイオン交換器を得ることができる。
【００４２】
以上、本発明に従って構成された加工廃液処理装置を半導体ウエーハをストリートに沿って切削する切削装置に適用した例を示したが、本発明による加工廃液処理装置は半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する研削装置等の他の加工装置に適用しても同様の作用効果が得られる。
【符号の説明】
【００４３】
2：切削装置
２１：チャックテーブル
２２：スピンドルユニット
２２１：スピンドルハウジング
２２２：回転スピンドル
２２３：切削ブレード
２２５：加工液供給ノズル
３：廃液タンク
３１：廃液送給ポンプ
４：廃液濾過手段
４１：清水受けパン
４２a：第１のフィルター
４２b：第２のフィルター
４３a、４３ｂ：電磁開閉弁
５：清水貯水タンク
５０：清水送給ポンプ
６：純水生成手段
６１：支持台
６２：紫外線照射手段
６３a：第１のイオン交換器
６３b：第２のイオン交換器
６４：精密フィルター
６６a、６６ｂ：電磁開閉弁
７：純水温度調整手段
７１：冷却液槽
７２：冷却液送給ポンプ
７３：冷却器
７４：熱交換器
８：制御手段
９：操作盤
９１：入力手段
９２：表示手段
１０：加工廃液処理装置
１００：装置ハウジング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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