(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を減圧する排気手段と、
前記処理容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、
前記処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通され、端面において被処理物を支持するリフタピンと、
を備え、
前記マイクロ波を導入してプラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、
前記プラズマの着火を条件として、前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に上昇させるように前記リフタピンを制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の位置は、前記リフタピンの端面が前記載置台の上面から１ｍｍ以上、７ｍｍ以下突出した位置であること、を特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記載置台に設けられた加熱手段をさらに備え、
前記第２の位置は、前記加熱手段からの熱的影響が抑制される位置であること、を特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記熱的影響が抑制される位置は、前記被処理物に設けられたレジストのポッピングが抑制される位置であること、を特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通されたリフタピンの端面において被処理物を支持し、
前記処理容器の内部を大気よりも減圧し、
前記処理容器の内部にプロセスガスを導入し前記処理容器の内部にマイクロ波を導入してプラズマを生起し、
前記被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、
前記プラズマの着火を条件として、前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に上昇させるように前記リフタピンを制御すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記第１の位置は、前記リフタピンの端面が前記載置台の上面から１ｍｍ以上、７ｍｍ以下突出した位置であること、を特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記第２の位置は、前記載置台に設けられた加熱手段からの熱的影響が抑制される位置であること、を特徴とする請求項５または６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記熱的影響が抑制される位置は、前記被処理物に設けられたレジストのポッピングが抑制される位置であること、を特徴とする請求項７記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置を用いて、被処理物のプラズマ処理を行うこと、を特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを利用したドライプロセスは、電子デバイスの製造、金属部品の表面硬化、プラスチック部品の表面活性化、無薬剤殺菌など、幅広い技術分野において活用されている。例えば、半導体装置や液晶ディスプレイ装置などの電子デバイスの製造に際しては、アッシング、ドライエッチング、薄膜堆積あるいは表面改質などの各種のプラズマ処理が行われている。プラズマを利用したドライプロセスは、低コストで、高速であり、薬剤を用いないために環境汚染を低減できる点でも有利である。
【０００３】
また、このようなプラズマ処理を行うための各種のプラズマ処理装置が提案されている。このプラズマ処理装置の処理容器内には被処理物（例えば、半導体ウェーハなど）を載置するための載置台が設けられている。そして、載置台には、被処理物の受け渡しを行うためのリフタピンが設けられている。また、載置台には、被処理物を加熱するためのヒータが設けられる場合がある。
【０００４】
ここで、リフタピンにより被処理物を載置台の上面から持ち上げて、被処理物を処理する技術が知られている。
例えば、リフタピンにより被処理物を載置台の上面から持ち上げてプラズマ処理を行う場合には、受け渡しの位置から被処理物をさらに上昇させてからプラズマを発生させるようにしている（特許文献１を参照）。    
この場合、被処理物の上昇量が多く被処理物と載置台との間が離れすぎると、処理容器内に導入されたマイクロ波が被処理物に吸収されてしまい、プラズマの着火率が低下する場合がある。
【０００５】
逆に、被処理物の上昇量が少ないと載置台に設けられた加熱手段からの熱的影響が強くなり、被処理物が不必要に加熱されてしまう場合がある。また、被処理物と発生させたプラズマとの間が離れすぎるため、処理速度が低下したり処理の面内均一性が悪化したりするなどしてプラズマ処理の制御性が悪化するおそれもある。
【特許文献１】特開平１０−２２２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、プラズマの着火率を向上させることができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、
大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を減圧する排気手段と、
前記処理容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、
前記処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通され、端面において被処理物を支持するリフタピンと、
を備え、
前記マイクロ波を導入してプラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、
前記プラズマの着火を条件として、前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に上昇させるように前記リフタピンを制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、
処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通されたリフタピンの端面において被処理物を支持し、
前記処理容器の内部を大気よりも減圧し、
前記処理容器の内部にプロセスガスを導入し前記処理容器の内部にマイクロ波を導入してプラズマを生起し、
前記被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、
前記プラズマの着火を条件として、前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に上昇させるように前記リフタピンを制御すること、
を特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
【０００９】
さらにまた、本発明の他の一態様によれば、上記のプラズマ処理装置を用いて、被処理物のプラズマ処理を行うこと、を特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、プラズマの着火率を向上させることができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。尚、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１２】
図１は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式図である。  図１に示すように、プラズマ処理装置１には、略円筒形状の処理容器２が設けられている。処理容器２は、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。また、処理容器２は、ステンレスやアルミニウム合金などの金属材料で形成されている。
【００１３】
処理容器２の上部には開口部が設けられ、開口部には誘電体窓３が備えられている。誘電体窓３は、石英ガラスあるいはアルミナなどの誘電体材料で形成されている。また、処理容器２の開口部と誘電体窓３との間には図示しないＯリングなどのシール部材が設けられ、気密が維持できるようになっている。
【００１４】
誘電体窓３を含む処理容器２の上部には導波管４が設けられている。導波管４の断面は矩形状を呈している。そして、誘電体窓３に対向する面（Ｈ面）がマイクロ波Ｍの電界方向に垂直な面となっている。また、Ｈ面に対して垂直方向に伸びる面（Ｅ面）がマイクロ波の電界方向に平行な面となり、マイクロ波Ｍの進行側に設けられＨ面およびＥ面に対して垂直な面が反射面（短絡面；Ｒ面）となっている。また、Ｈ面には、スロット（アンテナ手段）５がＥ面に沿って開口している。また、導波管４には図示しないマイクロ波発生手段が接続され、図示しないマイクロ波発生手段で発生させたマイクロ波Ｍを導波管４で導波することができるようになっている。本実施の形態においては、スロット５が処理容器２の内部にマイクロ波Ｍを導入するマイクロ波導入手段となる。
【００１５】
処理容器２の側壁上部にはガス導入口６が設けられ、配管６ａを介して図示しないガス導入手段と接続されている。図示しないガス導入手段から供給されるプロセスガスＧは、配管６ａを介して処理容器２の内部に導入される。また、ガス導入口６は、誘電体窓３の下方に位置するプラズマＰの発生領域に向けてプロセスガスＧを導入することができるような位置に設けられている。
【００１６】
プロセスガスＧは、プラズマ処理の種類などにより適宜選択される。例えば、被処理物Ｗのエッチングを行う場合には、酸素ガス（Ｏ２）単体、あるいは酸素ガスにＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６などのフッ素系ガスを添加した混合ガス、これらのガスに水素ガスを添加したガスなどを使用することができる。なお、プロセスガスＧは例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００１７】
処理容器２の底面には、排気口７が設けられている。排気口７には、排気管７ａを介して図示しない排気手段が接続されている。真空ポンプなどの図示しない排気手段は、処理容器の内部を所定の圧力まで減圧することができる。また、排気口７と図示しない排気手段との間には図示しない開閉バルブやＡＰＣバルブのような圧力制御バルブなどが適宜設けられている。そして、図示しない排気手段、開閉バルブ、圧力制御バルブなどを制御して処理容器２の内部を排気ＥＸすることで大気圧よりも減圧された雰囲気とし、これを維持することができるようになっている。
【００１８】
処理容器２の側壁には被処理物Ｗを処理容器２内部に搬入、搬出するための搬入搬出口１０が設けられている。そして、搬入搬出口１０に対向してロードロック室１１が設けられている。ロードロック室１１には、搬入搬出口１０に連通する開口部１１ａが設けられ、開口部１１ａを気密に閉止することができるゲートバルブ１２が設けられている。また、ゲートバルブ１２を昇降させることで開口部１１ａの開閉を行う開閉手段１２ａが設けられている。
【００１９】
処理容器２の内部には、載置台８が設けられている。載置台８には図示しない静電チャックやヒータなどの加熱手段が内蔵されている。そして、図示しない静電チャックにより載置台８の上面に載置された被処理物Ｗを保持することができるようになっている。また、図示しない加熱手段により被処理物Ｗの加熱ができるようになっている。
【００２０】
載置台８の上面よりは下方であって載置台８の外周には、整流板９が設けられている。整流板９には多数の孔が設けられている。整流板９は、被処理物Ｗの表面から排気されるガスの流動を制御することで、被処理物Ｗの表面のガスの流れを制御する。
【００２１】
載置台８にはリフタピン１３を挿通させるための貫通孔が複数設けられ、リフタピン１３が載置台８の上面から突没可能なっている。そして、載置台８の上面から突出した複数のリフタピン１３の上端面において被処理物Ｗの裏面を支持するようになっている。すなわち、リフタピンは、処理容器２の内部に設けられた載置台８を昇降自在に挿通され、端面において被処理物Ｗの裏面を支持することができるようになっている。リフタピン１３の下端は昇降板１５に保持されている。また、昇降板１５には昇降手段１６が接続され、昇降板１５を昇降させることができるようになっている。そのため、昇降手段１６により昇降板１５を昇降させることで、リフタピン１３を載置台８の上面から突没させることができるようになっている。
【００２２】
プラズマ処理装置１には図示しない制御手段が設けられ、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作や処理条件などが制御できるようになっている。例えば、リフタピン１３の昇降、プロセスガスＧやマイクロ波Ｍの導入、処理容器２内部の圧力、載置台８の温度などが制御できるようになっている。
【００２３】
ここで、リフタピン１３を載置台８の上面から突出させ、被処理物Ｗを載置台８の上面から持ち上げるようにすれば、被処理物Ｗの両面を同時に処理することができる。また、被処理物Ｗを昇降させ、載置台８と被処理物Ｗとの距離を変えることで被処理物Ｗの温度制御を行うこともできる。
【００２４】
図２は、被処理物の上昇量と温度との関係を例示するためのグラフ図である。なお、縦軸は被処理物Ｗの温度を表し、横軸は処理時間を表している。また、Ａ１は上昇量が０ｍｍの場合（載置台８の上面に載置された状態）、Ａ２は１ｍｍ、Ａ３は２ｍｍ、Ａ４は３ｍｍ、Ａ５は４ｍｍ、Ａ６は５ｍｍ、Ａ７は２３ｍｍの場合である。また、この際の処理条件としては、プロセスガスＧをフッ素系ガスと酸素ガスの混合ガス、処理圧力を１２０Ｐａ、マイクロ波出力を２７００Ｗ、載置台の温度を２７５℃としている。
図２に示すように、被処理物Ｗの上昇量が多くなるほど載置台８に設けられた加熱手段から受ける熱量が少なくなるので、被処理物Ｗの温度上昇が抑えられる。そのため、被処理物Ｗの位置（上昇量）により被処理物Ｗの温度制御をすることができる。このようにすれば、載置台８に設けられた加熱手段により温度制御を行う場合に比べて、応答性の高い温度制御を行うことができ、また低温での処理も可能となる。
【００２５】
リフタピン１３により被処理物Ｗを載置台８の上面から持ち上げてプラズマ処理する場合としては、例えば、表面に変質層が形成されたレジストをアッシング処理する場合を例示することができる。    
表面に変質層が形成されたレジストをアッシング処理する場合には、被処理物Ｗの温度が上昇しすぎるとポッピングが発生するおそれがある。そのため、ポッピングが発生しないような温度となるような位置（上昇量）においてアッシング処理が行われる。
【００２６】
ここで、被処理物Ｗの上昇量を多くしすぎるとプラズマＰの発生が阻害される場合がある。すなわち、プラズマＰの着火が行われず、プラズマＰを発生させることができない場合がある。
【００２７】
本発明者の得た知見によれば、被処理物Ｗと載置台８との間が離れすぎると（上昇量を多くしすぎると）、処理容器２内に導入されたマイクロ波Ｍが被処理物Ｗに吸収されるようになるので、プラズマＰの着火が阻害されることになる。この場合、被処理物Ｗにマイクロ波Ｍが吸収されると、被処理物Ｗの温度が上昇することにもなる。その結果、被処理物Ｗの温度制御性が阻害されるのみならず、熱による被処理物Ｗの変形や破損などが生じるおそれもある。
【００２８】
一方、上昇量を少なくしすぎると被処理物Ｗと載置台８との距離が近づくから、載置台８に設けた加熱手段から受ける熱量が増えて被処理物Ｗの温度が上昇し、先に述べたポッピングなどを発生させてしまうおそれがある。
【００２９】
そのため、本実施の形態においては、プラズマＰの着火時とプラズマ処理時とで被処理物Ｗの位置（上昇量）を変えるようにしている。すなわち、マイクロ波Ｍを導入することでプラズマＰの着火を行う際には、リフタピン１３により被処理物Ｗを載置台８の上面近傍の位置に支持し、プラズマＰの着火後においては、リフタピン１３により被処理物Ｗを前述の位置よりも載置台８から遠ざかった位置、すなわちプラズマＰの側に寄った位置に支持するようにしている。
【００３０】
このようにすれば、プラズマＰの着火時において、プラズマＰの確実な着火を図るとともに、被処理物Ｗへのマイクロ波Ｍの吸収量を減らすことで不要な温度上昇を抑制することができる。    
また、プラズマＰの着火後においては被処理物Ｗを発生させたプラズマＰにより近い位置、すなわち、プラズマ処理に適した位置に上昇させることで、プラズマ処理の制御性を向上させることができる。
【００３１】
なお、後述するように、プラズマＰの着火後においては誘電体窓３の下面から一定距離（スキンデプス）だけ入るまでの間にマイクロ波Ｍが反射され、マイクロ波Ｍの定在波が形成される。そして、マイクロ波Ｍの反射面がプラズマ励起面となって、このプラズマ励起面で安定なプラズマＰが励起されるようになる。そのため、被処理物Ｗを上昇させることで発生させたプラズマＰにより近い位置に移動させてもプラズマＰの発生に与える影響は少ない。
【００３２】
図３は、被処理物Ｗの上昇量とプラズマの着火率との関係を例示するためのグラフ図である。なお、縦軸は１秒以内の着火率（１秒以内に着火することができた確率）を表し、横軸は被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離（被処理物Ｗの上昇量）を表している。    
図３に示すように、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離（被処理物Ｗの上昇量）を７ｍｍ以下とすれば確実な着火を行うことができる。この場合、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離が小さくなるほど（被処理物Ｗの上昇量が小さくなるほど）載置台８に設けられた加熱手段からの熱を多く受けることになる。そのため、不要な温度上昇を抑制するためには、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離（被処理物Ｗの上昇量）を１ｍｍ以上とすることが好ましい。すなわち、リフタピンの端面が載置台８の上面から１ｍｍ以上、７ｍｍ以下突出した位置とすることが好ましい。
【００３３】
図４は、プラズマ処理における被処理物の温度を例示するためのグラフ図である。なお、縦軸は被処理物の温度を表し、横軸は処理時間を表している。また、Ｂ１は、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離を２３ｍｍとし、その位置でプラズマＰの着火とプラズマ処理を行った場合である。Ｂ２は、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離を２３ｍｍとし、プラズマ処理を行わずその位置で放置した場合である。Ｂ３は、プラズマＰの着火時においては載置台８の上面近傍に被処理物Ｗを支持し、プラズマＰの着火後にプラズマ処理に適した位置に被処理物Ｗを上昇させた場合である。すなわち、Ｂ３においては、プラズマＰの着火時においては被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離を４ｍｍとし、プラズマＰの着火後に被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離を２３ｍｍとした場合である。また、この際の処理条件としては、プロセスガスＧをフッ素系ガスと酸素ガスの混合ガス、処理圧力を２０Ｐａ、マイクロ波出力を２７００Ｗ、載置台の温度を２７５℃としている。
【００３４】
Ｂ２の場合においては、プラズマ処理を行わずに放置するので載置台８に設けられた加熱手段からの熱のみにより被処理物Ｗの温度が上昇することになる。この場合、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離を２３ｍｍとすれば、載置台８に設けられた加熱手段からの熱による温度上昇をほぼなくすことができる。このように、被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離（被処理物Ｗの上昇量）をある程度大きくすれば、載置台８に設けられた図示しない加熱手段からの熱的影響を抑制することができる。
【００３５】
Ｂ１の場合においては、着火時においても被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間が離れすぎているので、被処理物Ｗにマイクロ波Ｍが吸収され被処理物Ｗの温度が上昇することになる。なお、Ｂ２に示すように載置台８に設けられた加熱手段からの熱的影響が少ないので、Ｂ１の場合における温度上昇はマイクロ波Ｍの吸収にともなうものとなる。なお、着火時に被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間が離れすぎている場合にはプラズマＰの着火が困難となるが、着火された場合にはプラズマＰからの熱による温度上昇が加わることになる。
【００３６】
Ｂ３の場合においては、着火時における被処理物Ｗの裏面と載置台８上面との間の距離が小さいので、被処理物Ｗに吸収されるマイクロ波Ｍの量が抑制される。この場合、プラズマＰが着火される可能性が高く、被処理物Ｗの温度上昇は主にプラズマＰからの熱によるものとなる。
【００３７】
このように、プラズマＰの着火を行う際には、被処理物Ｗを載置台８の上面近傍の位置に支持し、プラズマＰの着火後にプラズマ処理に適した位置に被処理物Ｗを上昇させるようにすれば、被処理物Ｗの意図しない温度上昇を抑制することができる。また、プラズマの着火率を向上させることができるとともに、プラズマ処理の制御性を向上させることもできる。
【００３８】
また、プラズマＰの着火後における被処理物Ｗの位置は、載置台８に設けられた図示しない加熱手段からの熱的影響が抑制されるような位置であることが好ましい。そのようにすれば、被処理物Ｗの変形や破損が抑制される。そして、表面に変質層が形成されたレジストをアッシング処理する場合には、レジストのポッピングが抑制される位置であることが好ましい。
【００３９】
次に、プラズマ処理装置１の作用について例示をする。    
まず、図示しない搬送手段により被処理物Ｗがロードロック室１１を介して処理容器２の内部に搬入される。搬入された被処理物Ｗをリフタピン１３の上端面に受け渡した後、図示しない搬送手段が処理容器２の外に退避する。その後、処理容器２がゲートバルブ１２により気密に密閉される。
【００４０】
気密に密閉された処理容器２の内部が図示しない排気手段により所定の圧力まで減圧されるとともに、所定のプロセスガスＧが導入される。その後、スロット５を介してマイクロ波Ｍが誘電体窓３に導入される。マイクロ波Ｍは誘電体窓３の表面を伝搬して、処理容器２内の処理空間に放射される。このようにして処理空間に放射されたマイクロ波Ｍのエネルギーにより、プロセスガスＧのプラズマＰが形成される。プラズマＰ中の電子密度が、誘電体窓３を透過して導入されるマイクロ波Ｍを遮蔽できる密度（カットオフ密度）以上になると、マイクロ波Ｍは誘電体窓３の下面から一定距離（スキンデプス）だけ入るまでの間に反射されるようになる。そのため、マイクロ波Ｍの定在波が形成されることになる。
【００４１】
すると、マイクロ波Ｍの反射面がプラズマ励起面となって、このプラズマ励起面で安定的にプラズマＰが励起されるようになる。このプラズマ励起面で励起された安定的なプラズマＰ中においては、イオンや電子がプロセスガスＧの分子と衝突することにより、励起された原子や分子、遊離原子（ラジカル）などの励起活性種（プラズマ生成物）が生成される。これらプラズマ生成物は、処理容器２内を下方に拡散して被処理物Ｗの表面に飛来することで、エッチング、アッシング、薄膜堆積、表面改質、プラズマドーピングなどの各種のプラズマ処理が行われる。      
プラズマ処理が終了した被処理物Ｗはロードロック室１１を介して処理容器２の外部に搬出される。以後、同様にして他の被処理物Ｗのプラズマ処理を行うこともできる。
【００４２】
ここで、プラズマ処理装置１においては、以下に例示をする本実施の形態に係るプラズマ処理方法を実施するようにしている。    
本実施の形態に係るプラズマ処理方法においては、プラズマＰの着火時とプラズマ処理時とで被処理物Ｗの位置（上昇量）を変えるようにしている。
【００４３】
まず、前述したようにリフタピン１３の上端面に被処理物Ｗを受け渡しこれを支持する。次に、処理容器２の内部を大気よりも減圧された所定の圧力にし、所定のプロセスガスＧを導入する。  
次に、リフタピン１３を下降させることで載置台８の上面近傍に被処理物Ｗを支持する。  そして、スロット５を介してマイクロ波Ｍを誘電体窓３に導入し、誘電体窓３の表面を伝搬したマイクロ波Ｍを処理空間に放射させることでプラズマＰを生起（着火）する。この際、載置台８の上面近傍に被処理物Ｗを支持することで、被処理物Ｗに吸収されるマイクロ波Ｍの量を減らすことができるので、確実な着火を図ることができる。また、同理由から、意図しない不要な温度上昇を抑制することもできる。この場合、前述したようにリフタピンの端面が載置台８の上面から１ｍｍ以上、７ｍｍ以下突出した位置とすることが好ましい。
【００４４】
プラズマＰが着火した後には、被処理物Ｗをプラズマ処理に適した位置に上昇させる。すなわち、プラズマＰの着火後においては、リフタピン１３により被処理物Ｗを前述の位置よりもプラズマの側に寄った位置に支持する。そのようにすれば、処理速度の向上、処理の面内均一性の向上などプラズマ処理の制御性の向上を図ることができる。また、載置台８に設けられた図示しない加熱手段からの熱的影響が抑制されるので、被処理物Ｗの変形や破損が抑制される。また、表面に変質層が形成されたレジストをアッシング処理する場合には、レジストのポッピングが抑制される。なお、リフタピン１３の昇降制御は、先に述べたように図示しない制御手段によるが、プラズマの着火は、例えばプラズマの発光をセンサで検知するようにしても良いし、実験から求めた時間による制御（時間制御）によるものであっても良い。
【００４５】
次に、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について例示をする。      
尚、説明の便宜上、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を半導体装置の製造方法を例にとり例示をする。    
半導体装置の製造方法は、成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより基板（ウェーハ）表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などの複数の工程を繰り返すことにより実施される。
【００４６】
そして、例えば、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１を用いて基板表面にパターンを形成したり、レジストを除去したりすることで、半導体装置を製造することができる。また、例えば、本実施の形態に係るプラズマ処理方法を用いて基板表面にパターンを形成したり、レジストを除去したりすることで、半導体装置を製造することができる。
【００４７】
本実施の形態に係るプラズマ処理装置、プラズマ処理方法を用いるものとすれば、生産性の向上を図ることができるとともに製品品質の向上をも図ることができる。  
なお、本実施の形態に係るプラズマ処理装置、プラズマ処理方法以外は、既知の各工程の技術を適用することができるのでそれらの説明は省略する。
【００４８】
なお、説明の便宜上、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法として半導体装置の製造方法を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、液晶表示装置の製造、燃料電池の製造、太陽電池の製造、その他、各種電子部品などの製造にも適応が可能である。
【００４９】
また、プラズマ処理装置１として表面波プラズマを用いるものを例示したが、これに限定されるわけではない。処理容器の内部にマイクロ波を導入することでプラズマを形成させる各種のプラズマ処理装置に適用させることができる。また、エッチング処理やアッシング処理のみならず表面改質処理などにも適用させることができる。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。    
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
【００５１】
例えば、プラズマ処理装置１が備える各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００５２】
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式図である。
【図２】被処理物の上昇量と温度との関係を例示するためのグラフ図である。
【図３】被処理物の上昇量とプラズマの着火率との関係を例示するためのグラフ図である。
【図４】プラズマ処理における被処理物の温度を例示するためのグラフ図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  プラズマ処理装置、２  処理容器、３  誘電体窓、４  導波管、８  載置台、１３  リフタピン、Ｇ  プロセスガス、Ｍ  マイクロ波、Ｐ  プラズマ、Ｗ  被処理物
【図１】
0005565892.tif 000002
【図２】
0005565892.tif 000003
【図３】
0005565892.tif 000004
【図４】
0005565892.tif 000005