(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極を備えた第１部材と、前記第１電極に対向する第２電極を備えた第２部材と、前記第１電極と前記第２電極との間で変形して前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電粒子を備えた異方性導電材と、を有する実装構造体であって、
前記第１部材には、前記第１電極及び前記第１部材に形成された絶縁層がこの順に積層されており、当該絶縁層は、前記第１電極と重なる領域に開口部が形成され、
前記第１電極は、前記絶縁層の前記開口部の底部に位置し、
当該絶縁層の前記開口部の周囲は、少なくとも一部が前記第２電極と平面的に重なっており、前記第２部材が前記第１部材に圧着されることで前記第２電極が前記絶縁層に当接しており、
前記導電粒子の粒径は、前記開口部の深さ寸法の２倍以上であることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
前記第２部材は、厚さが１５μｍ以下の基材フィルムに前記第２電極が形成されたフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１に記載の実装構造体。
【請求項３】
前記第２部材は、弾性率が０．８Ｇｐａ以下の基材フィルムに前記第２電極が形成されたフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１に記載の実装構造体。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の実装構造体を備えた電気光学装置であって、
前記第１部材は、画素電極が形成された電気光学装置用基板であることを特徴とする電
気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の実装構造体を備えたタッチパネルであって、
前記第１部材は、位置検出用電極が形成されたタッチパネル用基板であることを特徴と
するタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電材を用いた実装構造体、並びにかかる実装構造体を備えた電気光学装置およびタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器では、電気光学装置の表面に、タッチパネルと称せられる入力装置が配置され、電気光学装置の画像表示領域に表示された画像を参照しながら、情報の入力が行える入力機能付き電気光学装置が用いられている。かかる入力機能付き電気光学装置において、電気光学装置用基板やタッチパネル用基板には半導体ＩＣやフレキシブル基板が実装されており、かかる実装には異方性導電材が用いられることが多い。
【０００３】
ここで、異方性導電材の場合、電極間の抵抗値を低くするには、導電粒子を電極間で確実に押し潰して変形させる必要がある。そこで、電極表面の凹凸を導電粒子の粒径を２／３以下にすることが提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、基板に形成された絶縁層の開口部の底部に位置する第１電極と、フレキシブル基板の第２電極とを異方性導電材で電気的に接続する際、開口部の大きさを第２電極よりも大きくし、かつ、開口部の深さ、導電粒子の粒径、および第２電極の厚さにおいて所定の寸法関係をもたせることが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２５５８４９号公報
【特許文献２】特開２００８−２３３４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような実装構造体において、基板側の第１電極が絶縁層の開口部の底部に位置する場合において、半導体ＩＣ側やフレキシブル基板側の第２電極に対して、絶縁層の開口部の周囲が一部でも平面的に重なっている場合には、開口部内で導電粒子が十分に押し潰されず、電極間の抵抗が大きいという不具合が発生する。しかしながら、特許文献１、２のいずれの技術を用いても、かかる不具合を解消することができないという問題点がある。すなわち、特許文献１に記載の技術では、第１電極の周りに絶縁層が存在しないことを前提とし、特許文献２に記載の技術では、第２電極全体が開口部に重なっていることを前提としているため、上記不具合に対する解決手段とはなり得ない。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、絶縁層の開口部内で第１電極と第２電極とを異方性導電材によって電気的に接続する場合でも、開口部の内部で導電粒子を十分に押し潰すことのできる実装構造体、並びにかかる実装構造体を備えた電気光学装置およびタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本願発明者が種々検討した結果、第１部材の第１電極と、第２部材の第２電極とを異方性導電材によって電気的に接続する際、第１電極が第１部材に形成された絶縁層の開口部の底部に位置し、かつ、絶縁層の開口部の周囲の少なくとも一部が第２電極と平面的に重なっている場合でも、開口部の内部で導電粒子が一定以上押し潰されていればよいことに着目して本発明に到達した。すなわち、本発明は、開口部の内部で導電粒子を１／２以下にまで押し潰すことを目的に以下の構成を採用したことを特徴とする。
【０００９】
まず、本発明は、第１電極を備えた第１部材と、前記第１電極に対向する第２電極を備えた第２部材と、前記第１電極と前記第２電極との間で変形して前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電粒子を備えた異方性導電材と、を有する実装構造体であって、前記第１部材には、前記第１電極及び前記第１部材に形成された絶縁層がこの順に積層されており、当該絶縁層は、前記第１電極と重なる領域に開口部が形成され、前記第１電極は、前記絶縁層の前記開口部の底部に位置し、当該絶縁層の前記開口部の周囲は、少なくとも一部が前記第２電極と平面的に重なっており、前記第２部材が前記第１部材に圧着されることで前記第２電極が前記絶縁層に当接しており、前記導電粒子の粒径は、前記開口部の深さ寸法の２倍以上であることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、絶縁層において、開口部の周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極と平面的に重なるため、第２部材を第１部材に圧着する際、第２電極が絶縁層に当接し、開口部内では、導電粒子がそれ以上、変形することが阻止される。この場合でも、導電粒子の粒径については、変形前の寸法で、開口部の深さ寸法の２倍以上であるので、第２電極が絶縁層に当接する前に、開口部の内部において、導電粒子は、第１電極と第２電極との間で押し潰されて５０％以上変形している。このため、第２電極が絶縁層に当接する場合でも、導電粒子を十分に変形させることができるので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００１１】
本発明は、前記第２部材がフレキシブル基板あるいは半導体ＩＣである場合に適用することができる。
【００１２】
本発明において、前記第２部材は、厚さが１５μｍ以下の基材フィルムに前記第２電極が形成されたフレキシブル基板であることが好ましい。このように構成すると、第２部材（フレキシブル基板）は、基材フィルムの厚さが１５μｍ以下と薄く、撓みやすい。このため、第２部材を第１部材に圧着する際、第２電極と絶縁層との間に導電粒子が介在しても、第２部材（フレキシブル基板）が撓んで第２電極が開口部の内部に入り込む。従って、開口部の内部において、導電粒子は、第１電極と第２電極との間で押し潰されて十分変形するので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００１３】
本発明において、前記第２部材は、弾性率が０．８Ｇｐａ以下の基材フィルムに前記第２電極が形成されたフレキシブル基板であることが好ましい。このように構成すると、第２部材（フレキシブル基板）は、基材フィルムの弾性率が０．８Ｇｐａ以下と小さく、撓みやすい。このため、第２部材を第１部材に圧着する際、第２電極と絶縁層との間に導電粒子が介在しても、第２部材（フレキシブル基板）が撓んで第２電極が開口部の内部に入り込む。従って、開口部の内部において、導電粒子は、第１電極と第２電極との間で押し潰されて十分変形するので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００１４】
次に、本発明の別の形態は、第１電極を備えた第１部材と、前記第１電極に対向する第２電極を備えた第２部材と、前記第１電極と前記第２電極との間で変形して前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電粒子を備えた異方性導電材と、を有する実装構造体であって、前記第１電極は、前記第１部材に形成された絶縁層の開口部の底部に位置し、当該絶縁層の前記開口部の周囲は、少なくとも一部が前記第２電極と平面的に重なっており、前記第２部材は、厚さが１５μｍ以下の基材フィルムに前記第２電極が形成されたフレキシブル基板であることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、第２部材（フレキシブル基板）は、基材フィルムの厚さが１５μｍ以下と薄く、撓みやすい。このため、第２部材を第１部材に圧着する際、第２電極と絶縁層との間に導電粒子が介在しても、第２部材（フレキシブル基板）が撓んで第２電極が開口部の内部に入り込む。従って、開口部の内部において、導電粒子は、第１電極と第２電極との間で押し潰されて十分変形するので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００１６】
次に、本発明のさらに別の形態は、第１電極を備えた第１部材と、前記第１電極に対向する第２電極を備えた第２部材と、前記第１電極と前記第２電極との間で変形して前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電粒子を備えた異方性導電材と、を有する実装構造体であって、前記第１電極は、前記第１部材に形成された絶縁層の開口部の底部に位置し、当該絶縁層の前記開口部の周囲は、少なくとも一部が前記第２電極と平面的に重なっており、前記第２部材は、弾性率が０．８Ｇｐａ以下の基材フィルムに前記第２電極が形成されたフレキシブル基板であることを特徴とする。
【００１７】
本発明において、第２部材（フレキシブル基板）は、基材フィルムの弾性率が０．８Ｇｐａ以下と小さく、撓みやすい。このため、第２部材を第１部材に圧着する際、第２電極と絶縁層との間に導電粒子が介在しても、第２部材（フレキシブル基板）が撓んで第２電極が開口部の内部に入り込む。従って、開口部の内部において、導電粒子は、第１電極と第２電極との間で押し潰されて十分変形するので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００１８】
本発明を適用した実装構造体を、例えば電気光学装置において採用される。この場合、前記第１部材は、画素電極が形成された電気光学装置用基板である。また、本発明を適用した実装構造体は、タッチパネルに採用することもできる。この場合、前記第１部材は、位置検出用電極が形成されたタッチパネル用基板である。かかる電気光学装置およびタッチパネルは、それらを組み合わせて入力装置付き電気光学装置として構成される場合があり、かかる入力装置付き電気光学装置は、携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用した実装構造体が用いられる入力装置付き電気光学装置の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る実装構造体の説明図である。
【図３】本発明を適用した実装構造体で用いた異方性導電材に含まれる導電粒子の変形率と、電極間の抵抗値との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の実施の形態２に係る実装構造体の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る実装構造体の特徴を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。以下、各実施の形態で共通な基本構成を説明した後、各実施の形態の詳細な説明を行なう。
【００２１】
［入力装置付き電気光学装置の全体構成］
図１は、本発明を適用した実装構造体が用いられる入力装置付き電気光学装置の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）には、入力装置付き電気光学装置の全体構成および断面構成を模式的に示してある。
【００２２】
図１（ａ）において、入力装置付き電気光学装置１００は、概ね、液晶装置等からなる画像生成装置５と、この画像生成装置５において表示光を出射する側の面に重ねて配置された静電容量型入力装置８とを有している。静電容量型入力装置８は入力パネル８ａ（タッチパネル）を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａ（表示パネル）としての液晶パネルを備えている。本形態において、入力パネル８ａおよび電気光学パネル５ａはいずれも矩形の平面形状を備えており、静電容量型入力装置８および入力装置付き電気光学装置１００を平面視したときの中央領域が入力領域８０ａである。また、画像生成装置５および入力装置付き電気光学装置１００において入力領域８０ａと平面視で重なる領域が画像形成領域である。
【００２３】
図１（ａ）、（ｂ）において、画像生成装置５は、透過型や半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル５ａに対して入力パネル８ａが配置されている側とは反対側（表示光の出射側とは反対側）にはバックライト装置（図示せず）が配置されている。画像生成装置５において、電気光学パネル５ａに対して表示光の出射側には第１偏光板６１が重ねて配置され、その反対側に第２偏光板６２が重ねて配置されている。このため、静電容量型入力装置８は、アクリル樹脂系等といった透光性の接着剤（図示せず）によって第１偏光板６１に接着されている。
【００２４】
電気光学パネル５ａは、表示光の出射側に配置された透光性の素子基板５０と、この素子基板５０に対して対向配置された透光性の対向基板６０とを備えている。対向基板６０と素子基板５０とは、矩形枠状のシール材７１により貼り合わされており、対向基板６０と素子基板５０との間においてシール材７１で囲まれた領域内に液晶層５５が保持されている。素子基板５０において、対向基板６０と対向する面には複数の画素電極５８がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、対向基板６０において、素子基板５０と対向する面には共通電極６８がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されている。なお、画像生成装置５がＩＰＳ(In Plane Switching)方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である場合、共通電極６８は素子基板５０の側に設けられる。また、素子基板５０が表示光の出射側に配置されることもある。素子基板５０において、対向基板６０の縁から張り出した張出領域５９には駆動用ＩＣ７５がＣＯＧ実装されているとともに、張出領域５９にはフレキシブル基板７３が接続されている。なお、素子基板５０には、素子基板５０上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
【００２５】
静電容量型入力装置８において、入力パネル８ａは、ガラス板やプラスチック板等からなる透光性のタッチパネル用基板８１を備えており、本形態では、タッチパネル用基板８１としてガラス基板が用いられている。タッチパネル用基板８１の第１面８１ａには、タッチパネル用基板８１からみて下層側から上層側に向かって第１導電膜８４ａ、層間絶縁膜８１４、および第２導電膜８４ｂが形成されている。本形態では、第１導電膜８４ａおよび第２導電膜８４ｂのうちの少なくとも一方によって入力位置検出用電極８５が形成され、他方によって、入力位置検出用電極８５の途切れ部分を電気的に接続する中継電極８６が形成されている。
【００２６】
タッチパネル用基板８１の端部では、第１面８１ａにフレキシブル基板３５が接続されている。タッチパネル用基板８１の第１面８１ａの側には、透光性および絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼付されており、かかるカバー９０には、タッチパネル用基板８１の第１面２０ａの外側領域と重なる領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷されている。かかる遮光層９０ａで囲まれた領域が入力領域８０ａである。遮光層９０ａは、電気光学パネル５ａの外側領域と重なっており、画像生成装置５の光源や導光板の端部から漏れた光を遮断する。
【００２７】
また、タッチパネル用基板８１の第２面８１ｂの略全面には、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル８ａに侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている。かかる導電層９９にはフレキシブル基板３５の分岐部分３５ａが接続されており、導電層９９には、フレキシブル基板３５を介して、シールド電位が印加される。
【００２８】
［実施の形態１］
（実装構造体の全体構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る実装構造体の説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）には、実装前後の様子を示してある。
【００２９】
図１を参照して説明した入力機能付き電気光学装置１００では、タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装部分、素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装部分、素子基板５０と駆動用ＩＣ７５との実装部分が存在し、本形態は、上記３箇所のいずれにも適用することができる。従って、以下に説明する実装構造体において、「第１部材１」および「第２部材２」は各々、図１に示す入力機能付き電気光学装置１００の各部材と以下の関係
タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装構造体
第１部材１＝タッチパネル用基板８１
第２部材２＝フレキシブル基板３５
素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装構造体
第１部材１＝素子基板５０
第２部材２＝フレキシブル基板７３
素子基板５０と駆動用ＩＣ７５との実装構造体
第１部材１＝素子基板５０
第２部材２＝駆動用ＩＣ７５
となる。
【００３０】
図２に示す実装構造体２００は、第１電極１１を備えた第１部材１と、第１電極１１に対向する第２電極２２を備えた第２部材２とを異方性導電材４０によって実装した構造を有している。異方性導電材４０は、熱可塑性あるいは熱硬化性の樹脂４１と、樹脂４１中に分散した導電粒子４とからなる。導電粒子４は、樹脂粒子表面に金属層を被覆してなる。
【００３１】
かかる実装構造体２００を構成するには、図２（ａ）に示すように、第１部材１をステージ２１０上載置した状態で、第１電極１１と第２電極２２とが対向するように、第２部材２を配置し、しかる後に、図２（ｂ）に示すように、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する。その際、第２部材２と圧着ヘッド２３０との間にはフッ素樹脂製などのシート２２０を配置しておく。その結果、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で押し潰される。ここで、樹脂４１が熱硬化性であれば、圧着ヘッド２３０からの加熱によって樹脂４１を硬化させる。これに対して、樹脂４１が熱可塑性であれば、圧着ヘッド２３０からの加熱によって樹脂４１を溶融させた後、圧着ヘッド２３０を第２部材２から離間させて樹脂４１を冷却し、固化させる。
【００３２】
（導電粒子４の変形率と電極間の抵抗値との関係）
図３は、本発明を適用した実装構造体で用いた異方性導電材に含まれる導電粒子の変形率と、電極間の抵抗値との関係を示すグラフである。
【００３３】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、第１部材１に第２部材２を実装すると、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で変形して第１電極１１と第２電極２２とを電気的に接続させる。その際、異方性導電材４０に含まれる導電粒子４の変形率と、電極間の抵抗値との関係は、図３に示すグラフの通りである。ここで、変形率は、下式
変形率＝（（変形後の短径方向の寸法Ｄｂ）／（変形前の粒径Ｄａ））×１００％
に相当する値であり、
変形率＝（（変形後の高さ寸法）／（変形前の高さ寸法））×１００％
と表現することもできる。
【００３４】
図３から分るように、導電粒子４の変形率が大きいほど、電極間の抵抗値が低くなる。特に変形率が５０％の場合には、抵抗値が１０Ω以下になり、その後、導電粒子４の変形率が大きくなっても、電極間の抵抗値は１０Ω付近を推移する。
【００３５】
そこで、本形態では、以下に説明するように、第１部材１および第２部材２の構成にかかわらず、導電粒子４の変形率を５０％以上に設定する。
【００３６】
（実装構造体２００の詳細構成）
本形態の実装構造体２００において、第２部材２は、ポリイミドなどからなる基材フィルム２１に第２電極２２が形成されたフレキシブル基板である。かかる第２部材２において、基材フィルム２１の厚さは例えば２５μｍであり、基材フィルム２１の弾性率は４．０Ｇｐａである。第２電極２２は、厚さが１０μｍの銅層からなる。
【００３７】
第１部材１には、第１電極１１および絶縁層１２がこの順に積層されており、絶縁層１２において第１電極１１と重なる領域には開口部１２ａが形成されている。このため、第１電極１１は、開口部１２ａの底部に位置する。絶縁層１２は、図１を参照して説明したタッチパネル用基板８１や素子基板５０に形成した層間絶縁膜、平坦化膜あるいは保護膜である。かかる絶縁層１２は、樹脂層などにより形成されており、膜厚が２〜２．５μｍであり厚い。また、第１電極１１は、金属層やＩＴＯなどの透光性導電膜からなる。
【００３８】
ここで、絶縁層１２の開口部１２ａは第２電極２２よりわずかに小さく、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なることになる。従って、図２（ｂ）に示すように、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接し、開口部１２ａ内では、導電粒子４がそれ以上、変形することが阻止される。
【００３９】
かかる構成の場合でも、導電粒子４の変形率を５０％以上とするために、本形態では、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法Ｈの２倍以上とする。具体的には、本形態において、開口部１２ａの深さ寸法Ｈは、例えば２μｍであるので、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で４μｍに設定してある。なお、本形態において、開口部１２ａの深さ寸法Ｈは、第１電極１１の上面から開口部１２ａの開口縁までの高さ寸法に相当する。
【００４０】
このため、本形態では、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接した場合でも、それより前に、開口部１２ａの内部では、第１電極１１と第２電極２２との間で導電粒子４が２μｍまで押し潰されており、導電粒子４の変形率を５０％とすることができる。
【００４１】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なるため、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接し、開口部１２ａ内では、導電粒子４がそれ以上、変形することが阻止される。この場合でも、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法Ｈの２倍以上であるので、第２電極２２が絶縁層１２に当接する前に、導電粒子４は５０％以上変形していることになる。このため、本形態によれば、第２電極２２が絶縁層１２に当接する場合でも、導電粒子４を十分に変形させることができるので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００４２】
［実施の形態２］
（実装構造体の全体構成）
図４は、本発明の実施の形態２に係る実装構造体の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）には、実装前後の様子を示してある。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１共通するので、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００４３】
図１を参照して説明した入力機能付き電気光学装置１００では、タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装部分、素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装部分、素子基板５０と駆動用ＩＣ７５との実装部分が存在し、本形態は、上記３箇所のうち、タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装部分、素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装部分のいずれにも適用することができる。従って、以下に説明する実装構造体において、「第１部材１」および「第２部材２」は各々、図１に示す入力機能付き電気光学装置１００の各部材と以下の関係
タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装構造体
第１部材１＝タッチパネル用基板８１
第２部材２＝フレキシブル基板３５
素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装構造体
第１部材１＝素子基板５０
第２部材２＝フレキシブル基板７３
となる。
【００４４】
図４に示す実装構造体２００は、第１電極１１を備えた第１部材１と、第１電極１１に対向する第２電極２２を備えた第２部材２とを異方性導電材４０によって実装した構造を有している。異方性導電材４０は、熱可塑性あるいは熱硬化性の樹脂４１と、樹脂４１中に分散した導電粒子４とからなる。導電粒子４は、樹脂粒子表面に金属層を被覆してなる。
【００４５】
かかる実装構造体２００を構成するには、図４（ａ）に示すように、第１部材１をステージ２１０上載置した状態で、第１電極１１と第２電極２２とが対向するように、第２部材２を配置し、しかる後に、図４（ｂ）に示すように、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する。その際、第２部材２と圧着ヘッド２３０との間にはフッ素樹脂製などのシート２２０を配置しておく。その結果、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で押し潰される。ここで、樹脂４１が熱硬化性であれば、圧着ヘッド２３０からの加熱によって樹脂４１を硬化させる。これに対して、樹脂４１が熱可塑性であれば、圧着ヘッド２３０からの加熱によって樹脂４１を溶融させた後、圧着ヘッド２３０を第２部材２から離間させて樹脂４１を冷却し、固化させる。
【００４６】
その結果、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で変形して第１電極１１と第２電極２２とを電気的に接続させる。その際、異方性導電材４０に含まれる導電粒子４の変形率と、電極間の抵抗値との関係は、図３を参照して説明したように、導電粒子４の変形率が大きいほど、電極間の抵抗値が低くなる。特に変形率が５０％の場合には、抵抗値が１０Ω以下になり、その後、導電粒子４の変形率が大きくなっても、電極間の抵抗値は１０Ω付近を推移する。
【００４７】
（実装構造体２００の詳細構成）
図５は、本発明の実施の形態２に係る実装構造体の特徴を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）には、実装途中および実装後の様子を示してある。
【００４８】
本形態の実装構造体２００において、第２部材２は、ポリイミドなどからなる基材フィルム２１に第２電極２２が形成されたフレキシブル基板である。かかる第２部材２において、基材フィルム２１の弾性率は４．０Ｇｐａであり、基材フィルム２１の厚さは１５μｍあるいはそれ以下である。従って、第２部材２（フレキシブル基板）は、通常のフレキシブル基板（基材フィルム２１の厚さが２５μｍ）に比して４０％程度、撓みやすい。なお、第２電極２２は、厚さが１０μｍの銅層からなる。
【００４９】
また、第１部材１には、第１電極１１および絶縁層１２がこの順に積層されており、絶縁層１２において第１電極１１と重なる領域には開口部１２ａが形成されている。このため、第１電極１１は、開口部１２ａの底部に位置する。絶縁層１２は、図１を参照して説明したタッチパネル用基板８１や素子基板５０に形成した層間絶縁膜、平坦化膜あるいは保護膜である。かかる絶縁層１２は、樹脂層などにより形成されており、膜厚が２〜２．５μｍであり厚い。また、第１電極１１は、金属層やＩＴＯなどの透光性導電膜からなる。
【００５０】
ここで、絶縁層１２の開口部１２ａは第２電極２２よりわずかに小さく、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なることになる。従って、図４（ｂ）に示すように、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接し、開口部１２ａ内では、導電粒子４がそれ以上、変形することが阻止される。
【００５１】
そこで、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法Ｈの２倍以上に設定されている。具体的には、本形態において、開口部１２ａの深さ寸法Ｈは、例えば２μｍであるので、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で４μｍに設定してある。このため、本形態では、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接した場合でも、それより前に、開口部１２ａの内部では、第１電極１１と第２電極２２との間で導電粒子４が２μｍまで押し潰されており、導電粒子４の変形率を５０％とすることができる。
【００５２】
また、図５（ａ）に示すように、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２と絶縁層１２との間に導電粒子４が介在すると、第１電極１１と第２電極２２との間で導電粒子４を押し潰せなくなるが、本形態において、第２部材２（フレキシブル基板）は、基材フィルム２１の厚さが１５μｍ以下と薄く、撓みやすい。このため、図５（ｂ）に示すように、第２電極２２と絶縁層１２との間に導電粒子４が介在した場合でも、第２部材２（フレキシブル基板）が撓んで第２電極２２が開口部１２ａの内部に入り込む。従って、開口部１２ａの内部において、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で押し潰されて、変形率が５０％になるまで変形する。
【００５３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なるため、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接し、開口部１２ａ内では、導電粒子４がそれ以上、変形することが阻止される。この場合でも、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法Ｈの２倍以上であるので、第２電極２２が絶縁層１２に当接する前に、導電粒子４は５０％以上変形していることになる。このため、本形態によれば、第２電極２２が絶縁層１２に当接する場合でも、導電粒子４を十分に変形させることができるので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００５４】
また、図５（ａ）に示すように、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２と絶縁層１２との間に導電粒子４が介在した場合でも、第２部材２（フレキシブル基板）は、基材フィルム２１の厚さが１５μｍ以下と薄く、撓みやすいため、図５（ｂ）に示すように、第２部材２（フレキシブル基板）が撓んで第２電極２２が開口部１２ａの内部に入り込む。このため、開口部１２ａの内部において、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で押し潰されて、変形率が５０％になるまで変形するので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００５５】
［実施の形態３］
本形態の基本的な構成は、実施の形態２と共通する。従って、実施の形態２と同じく、図４および図５を参照して説明する。本形態の実装構造体２００も、実施の形態２と同様、図１を参照して説明した入力機能付き電気光学装置１００において、タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装部分、素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装部分のいずれにも適用することができる。従って、以下に説明する実装構造体において、「第１部材１」および「第２部材２」は各々、図１に示す入力機能付き電気光学装置１００の各部材と以下の関係
タッチパネル用基板８１とのフレキシブル基板３５との実装構造体
第１部材１＝タッチパネル用基板８１
第２部材２＝フレキシブル基板３５
素子基板５０とフレキシブル基板７３との実装構造体
第１部材１＝素子基板５０
第２部材２＝フレキシブル基板７３
となる。
【００５６】
図４に示す実装構造体２００は、実施の形態２と同様、第１電極１１を備えた第１部材１と、第１電極１１に対向する第２電極２２を備えた第２部材２とを異方性導電材４０によって実装した構造を有している。かかる実装構造体２００において、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で変形して第１電極１１と第２電極２２とを電気的に接続させる。その際、異方性導電材４０に含まれる導電粒子４の変形率と、電極間の抵抗値との関係は、図３を参照して説明したように、導電粒子４の変形率が大きいほど、電極間の抵抗値が低くなる。特に変形率が５０％の場合には、抵抗値が１０Ω以下になる。
【００５７】
本形態の実装構造体２００において、第２部材２は、ポリイミドなどからなる基材フィルム２１に第２電極２２が形成されたフレキシブル基板である。かかる第２部材２において、基材フィルム２１の厚さは２５μｍであり、基材フィルム２１の弾性率は０．８Ｇｐａ、あるいはそれ以下である。従って、第２部材２（フレキシブル基板）は、通常のフレキシブル基板（基材フィルム２１の弾性率は４．０Ｇｐａ）に比して４０％程度、撓みやすい。なお、第２電極２２は、厚さが１０μｍの銅層からなる。
【００５８】
また、第１部材１には、第１電極１１および絶縁層１２がこの順に積層されており、絶縁層１２において第１電極１１と重なる領域には開口部１２ａが形成されている。このため、第１電極１１は、開口部１２ａの底部に位置する。ここで、絶縁層１２の開口部１２ａは第２電極２２よりわずかに小さく、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なることになる。従って、図４（ｂ）に示すように、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接し、開口部１２ａ内では、導電粒子４がそれ以上、変形することが阻止される。
【００５９】
ここで、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法Ｈの２倍以上に設定されている。具体的には、本形態において、開口部１２ａの深さ寸法Ｈは、例えば２μｍであるので、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で４μｍに設定してある。このため、本形態では、圧着ヘッド２３０によって第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接した場合でも、それより前に、開口部１２ａの内部では、第１電極１１と第２電極２２との間で導電粒子４が２μｍまで押し潰されており、導電粒子４の変形率を５０％とすることができる。
【００６０】
また、図５（ａ）に示すように、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２と絶縁層１２との間に導電粒子４が介在すると、第１電極１１と第２電極２２との間で導電粒子４を押し潰せなくなるが、本形態において、第２部材２（フレキシブル基板）は、基材フィルム２１の弾性率が０．８Ｇｐａ以下と小さく、撓みやすい。このため、図５（ｂ）に示すように、第２電極２２と絶縁層１２との間に導電粒子４が介在した場合でも、第２部材２（フレキシブル基板）が撓んで第２電極２２が開口部１２ａの内部に入り込む。このため、開口部１２ａの内部において、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で押し潰されて、変形率が５０％になるまで変形する。
【００６１】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なるため、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２が絶縁層１２に当接し、開口部１２ａ内では、導電粒子４がそれ以上、変形することが阻止される。この場合でも、導電粒子４の粒径Ｄａについては、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法Ｈの２倍以上であるので、第２電極２２が絶縁層１２に当接する前に、導電粒子４は５０％以上変形していることになる。このため、本形態によれば、第２電極２２が絶縁層１２に当接する場合でも、導電粒子４を十分に変形させることができるので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００６２】
また、図５（ａ）に示すように、第２部材２を第１部材１に圧着する際、第２電極２２と絶縁層１２との間に導電粒子４が介在した場合でも、第２部材２（フレキシブル基板）は、基材フィルム２１の弾性率が０．８Ｇｐａ以下と小さく、撓みやすいため、図５（ｂ）に示すように、第２部材２（フレキシブル基板）が撓んで第２電極２２が開口部１２ａの内部に入り込む。従って、開口部１２ａの内部において、導電粒子４は、第１電極１１と第２電極２２との間で押し潰されて、変形率が５０％になるまで変形するので、電極間の抵抗値を小さくすることができる。
【００６３】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、絶縁層１２の開口部１２ａは第２電極２２よりわずかに小さいために、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なる構成であったが、絶縁層１２の開口部１２ａが第２電極２２より大きくて、位置ずれなどの理由により、絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なる場合に本発明を適用してもよい。
【００６４】
上記実施の形態では、絶縁層１２の開口部１２ａの底部のみに第１電極１１が形成されていたが、第１電極１１が絶縁層１２の開口部１２ａの底部からさらに絶縁層１２の表面にまで形成されている場合や、絶縁層１２の開口部１２ａの底部で第１電極１１に重なるように補助電極が形成され、かかる補助電極が絶縁層１２の表面にまで形成されている場合に本発明を適用してもよい。
【００６５】
上記実施の形態では、画像生成装置５として液晶装置を用いたが、画像生成装置５としては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１・・第１部材、２・・第２部材、４・・導電粒子、５・・画像生成装置、８・・静電容量型入力装置、８ａ・・入力パネル、１１・・第１電極、１２・・絶縁層、１２ａ・・開口部、２１・・基材フィルム、２２・・第２電極、３５、７３・・フレキシブル基板（第２部材）、４０・・異方性導電材、４１・・樹脂、５０・・素子基板（第１部材）、７５・・駆動用ＩＣ（第２部材）、８１・・タッチパネル用基板（第１部材）、１００・・入力装置付き電気光学装置、２００・・実装構造体
【図１】
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【図３】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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