(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿ってそれぞれ延出したゲート配線及び補助容量線と、第１方向に直交する第２方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との略中間に位置し第２方向に沿って延出した帯状の第１主電極及び前記第１主電極と一体的に形成され第１方向に沿って延出した帯状の容量部を含む画素電極と、前記画素電極を覆うとともに第２方向に対して鋭角に交差する第３方向と平行な第１ラビング方向にラビング処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線の直上に配置され第２方向に沿って延出した帯状の第２主電極を含む対向電極と、前記対向電極を覆うとともに第１ラビング方向に平行な第２ラビング方向にラビング処理された第２配向膜と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記容量部の第１方向に沿った長さは前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との間の前記補助容量線の第１方向に沿った長さと同等であり、前記容量部は前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との間の前記補助容量線を覆うように配置され、
前記第１主電極と前記第２主電極との第１方向に沿った電極間距離をＬとし、前記セルギャップをＧＰとしたとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、前記液晶分子のプレチルト角αよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第２方向と第３方向とのなす角度θ１は、０°より大きく４５°より小さいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１配向膜の第１ラビング方向及び前記第２配向膜の第２ラビング方向は、互いに逆向きであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１配向膜の第１ラビング方向及び前記第２配向膜の第２ラビング方向は、ともに同じ向きであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。このような横電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と対向電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。
【０００３】
一方で、アレイ基板に形成された画素電極と、対向基板に形成された対向電極との間に、横電界あるいは斜め電界を形成し、液晶分子をスイッチングする技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１９２８２２号公報
【特許文献２】特開平９−１６００４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
第１方向に沿って延出したゲート配線と、第１方向に直交する第２方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との略中間に位置し第２方向に沿って延出した帯状の第１主電極を含む画素電極と、前記画素電極を覆うとともに第２方向に対して鋭角に交差する第３方向に平行な第１ラビング方向にラビング処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線の直上に配置され第２方向に沿って延在した帯状の第２主電極を含む対向電極と、前記対向電極を覆うとともに第１ラビング方向に平行な第２ラビング方向にラビング処理された第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第１主電極極と前記第２主電極との第１方向に沿った電極間距離をＬとし、前記セルギャップをＧＰとしたとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、前記液晶分子のプレチルト角αよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００７】
本実施形態によれば、
第１方向に沿って延出したゲート配線と、第１方向に直交する第２方向に対して右回りに鋭角に交差する第３方向に沿って延出した帯状の第１主電極及び第２方向に対して左回りに鋭角に交差する第４方向に沿って延出した帯状の第２主電極を含む画素電極と、前記画素電極を覆うとともに第２方向に平行な第１ラビング方向にラビング処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され第３方向に沿って延出した帯状の第３主電極及び前記第２主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され第４方向に沿って延出した帯状の第４主電極を含む対向電極と、前記対向電極を覆うとともに第１ラビング方向に平行な第２ラビング方向にラビング処理された第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第１主電極と前記第３主電極との第１方向に沿った電極間距離Ｌと、前記第２主電極と前記第４主電極との第１方向に沿った電極間距離Ｌとが略等しく、前記セルギャップをＧＰとしたとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、前記液晶分子のプレチルト角αよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルの画素を対向基板の側から見たときのアレイ基板の構造を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図２に示した液晶表示パネルの対向基板における画素の構造を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、第１構成例の一画素における最小の単位構成体を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示した単位構成体のうち、第１主電極、第２主電極、及び、スイッチング素子を含む液晶表示パネルの断面を概略的に示す断面図である。
【図７】図７は、液晶層に含まれる液晶分子のプレチルト角αを説明するための液晶表示パネルの概略断面図である。
【図８】図８は、液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を説明するための液晶表示パネルの概略断面図である。
【図９】図９は、第２構成例の一画素における最小の単位構成体を概略的に示す平面図である。
【図１０】図１０は、液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を説明するための液晶表示パネルの概略断面図である。
【図１１】図１１は、液晶層に含まれるスプレイ配向した液晶分子のプレチルト角αを説明するための液晶表示パネルの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態における液晶表示装置１の構成を概略的に示す図である。
【００１１】
すなわち、液晶表示装置１は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮ、液晶表示パネルＬＰＮに接続された駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３、液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライト４などを備えている。
【００１２】
液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された図示しない液晶層と、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１３】
バックライト４は、図示した例では、アレイ基板ＡＲの背面側に配置されている。このようなバックライト４としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００１４】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１５】
液晶表示パネルＬＰＮは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出している。また、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに沿って交互に並列配置されている。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差する第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出している。また、ソース配線Ｓは、第１方向Ｘに沿って並列配置されている。ここに示した例では、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと、ソース配線Ｓとは、略直交している。
【００１６】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。
【００１７】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、対向電極ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１８】
なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成される一方で対向電極ＣＥが対向基板ＣＴに形成された構成であり、これらの画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成される電界は、アレイ基板ＡＲの主面あるいは対向基板ＣＴの主面にほぼ平行な横電界（あるいは、基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界）である。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。アクティブエリアＡＣＴには、ｍ×ｎ個のスイッチング素子ＳＷが形成されている。
【００２０】
画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。アクティブエリアＡＣＴには、ｍ×ｎ個の画素電極ＰＥが形成されている。対向電極ＣＥは、例えばコモン電位であり、液晶層ＬＱを介して複数の画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。この対向電極ＣＥは、図示しない導電部材を介して、アレイ基板ＡＲに形成された給電部ＶＳと電気的に接続されている。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。
【００２１】
以下に、本実施形態の第１構成例について説明する。
【００２２】
図３は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮの画素ＰＸを対向基板ＣＴの側から見たときのアレイ基板ＡＲの構造を概略的に示す平面図である。
【００２３】
ゲート配線Ｇ１、補助容量線Ｃ１及びＣ２は、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。ソース配線Ｓ１及びＳ２は、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。ゲート配線Ｇ１は、補助容量線Ｃ１と補助容量線Ｃ２との間に位置し、補助容量線Ｃ２に近接している。
【００２４】
図示した例では、画素ＰＸは、図中の破線で示したように、補助容量線Ｃ１及びＣ２とソース配線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当し、第１方向Ｘに沿った長さよりも第２方向Ｙに沿った長さの方が長い長方形状である。図示した画素ＰＸにおいて、補助容量線Ｃ１は上側端部に配置され、補助容量線Ｃ２は下側端部に配置され、ソース配線Ｓ１は左側端部に配置され、ソース配線Ｓ２は右側端部に配置されている。ソース配線Ｓ１と画素電極ＰＥとの間、及び、ソース配線Ｓ２と画素電極ＰＥとの間には、略長方形状の開口部が形成される。
【００２５】
画素電極ＰＥは、図示を省略したスイッチング素子に電気的に接続されている。この画素電極ＰＥは、第１主電極ＰＡ及び容量部ＰＣを含んでいる。これらの第１主電極ＰＡ及び容量部ＰＣは、一体的に形成されており、互いに電気的に接続されている。なお、図示した例では、一画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥのみが図示されているが、図示を省略した他の画素についても同一形状の画素電極が配置されている。
【００２６】
第１主電極ＰＡは、第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。この第１主電極ＰＡは、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上の位置よりも画素ＰＸの内側に位置し、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間の略中間に位置している。この第１主電極ＰＡは、画素ＰＸの上側端部から下側端部まで延出している。
【００２７】
容量部ＰＣは、第１方向Ｘに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。この容量部ＰＣは、補助容量線Ｃ１の直上に配置されている。なお、この容量部ＰＣは、図示したように、画素電極ＰＥの一部（つまり、第１主電極ＰＡなどと同一材料により一体的に形成されている）であっても良いが、画素電極ＰＥに電気的に接続された他の部材、例えば、スイッチング素子の半導体層やソース配線と同一部材によって形成されても良い。このような容量部ＰＣの第１方向Ｘに沿った長さは、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間の補助容量線Ｃ１の第１方向Ｘに沿った長さと同等以下である。
【００２８】
なお、図中のＲＢ１は、アレイ基板ＡＲの表面に配置された第１配向膜ＡＬ１の第１ラビング方向を示し、また、図中のＲＢ２は、図示しない対向基板の表面に配置された第２配向膜ＡＬ２の第２ラビング方向を示している。ここに示した例では、これらの第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２は、互いに平行且つ逆向きである。
【００２９】
図４は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮの対向基板ＣＴにおける画素ＰＸの構造を概略的に示す平面図である。なお、対向電極ＣＥと画素電極ＰＥとの位置関係を説明するために、画素電極ＰＥを破線で図示している。
【００３０】
対向電極ＣＥは、第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２を含んでいる。これらの第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、それぞれ第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。第２主電極ＣＡ１は、ソース配線Ｓ１の直上に配置されている。第２主電極ＣＡ２は、ソース配線Ｓ２の直上に配置されている。これらの第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、一体的に形成されており、互いに電気的に接続されている。
【００３１】
これらの第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、画素電極ＰＥの第１主電極ＰＡと重なることはなく、第１方向Ｘに沿って略一定の間隔を置いて交互に並んでいる。すなわち、第１主電極ＰＡは、第２主電極ＣＡ１と第２主電極ＣＡ２との間の略中間に位置している。図中の左側から、第２主電極ＣＡ１、第１主電極ＰＡ、第２主電極ＣＡ２の順に並んでいる。第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との第１方向Ｘに沿った電極間距離は、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との第１方向Ｘに沿った電極間距離と略同一である。
【００３２】
このような画素ＰＸのうち、主として表示に寄与する開口部（透過部）は、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間にそれぞれ形成される。画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、各開口部における液晶分子ＬＭの主な配向方向は、図中の矢印Ａ１及びＡ２のいずれかで示した方向である。つまり、一画素ＰＸにおいて、２分割配向されている。
【００３３】
この現象についてより詳細に説明する。
【００３４】
図５は、第１構成例の一画素ＰＸにおける最小の単位構成体を概略的に示す平面図である。
【００３５】
画素電極ＰＥは、第１主電極ＰＡを含んでいる。第１主電極ＰＡは、第２方向Ｙに延出している。対向電極ＣＥは、第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２を含んでいる。第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、第２方向Ｙに延出している。
【００３６】
これらの隣接する第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２の間には、１本の第１主電極ＰＡが位置している。つまり、第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、１本の第１主電極ＰＡを挟んで両側に配置されている。このため、第１方向Ｘに沿って、第２主電極ＣＡ１、第１主電極ＰＡ、及び、第２主電極ＣＡ２と交互に配置されている。これらの第１主電極ＰＡ及び第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、互いに平行に配置されている。また、第２主電極ＣＡ１と第１主電極ＰＡとの電極間距離は、第２主電極ＣＡ２と第１主電極ＰＡとの電極間距離と略同等である。
【００３７】
画素電極ＰＥを覆う第１配向膜ＡＬ１の第１ラビング方向ＲＢ１、及び、対向電極ＣＥを覆う第２配向膜ＡＬ２の第２ラビング方向ＲＢ２は、互いに平行であって、第２方向Ｙに対して鋭角に交差する第３方向Ｄ３と平行である。図示したように、第１ラビング方向ＲＢ１と第２ラビング方向ＲＢ２とは互いに逆向きの方向である。
【００３８】
ここで、画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥの延出方向である第２方向Ｙと第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２と平行な第３方向Ｄ３とのなす角度θ１は、０°より大きく４５°より小さい角度である。このなす角度θ１については、５°〜２５°程度、より望ましくは１０°前後とすることが液晶分子ＬＭの配向制御の観点で極めて有効である。ここでは、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２は、第２方向Ｙに対して数°程度わずかに傾いた方向であり、例えば、７°である。
【００３９】
図６は、図５に示した単位構成体のうち、第１主電極ＰＡ、第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２、及び、スイッチング素子ＳＷを含む液晶表示パネルＬＰＮの断面を概略的に示す断面図である。ここでは、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２との間に電位差が形成された状態での等電位線が図示されている。
【００４０】
アレイ基板ＡＲは、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する第１絶縁基板ＳＵＢ１を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板ＳＵＢ１の対向基板ＣＴに対向する側に、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００４１】
スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型であっても良いし、ボトムゲート型であっても良く、詳述しないが、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成された半導体層を備えている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、絶縁層ＩＳによって覆われている。
【００４２】
画素電極ＰＥは、図示した第１主電極ＰＡ、及び、図示しない容量部ＰＣを含んでいる。このような画素電極ＰＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、絶縁層ＩＳの上に形成されており、絶縁層ＩＳに形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。
【００４３】
第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。この第１配向膜ＡＬ１は、第１ラビング方向ＲＢ１にラビング処理されている。
【００４４】
一方、対向基板ＣＴは、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する第２絶縁基板ＳＵＢ２を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、第２絶縁基板ＳＵＢ２のアレイ基板ＡＲに対向する側に、対向電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。なお、この対向基板ＣＴには、図示は省略するが、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクスや各画素ＰＸに対応して配置されたカラーフィルタ層、カラーフィルタ層の表面の凹凸の影響を緩和するオーバーコート層などが配置されても良い。
【００４５】
対向電極ＣＥは、図示した第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２を含んでいる。このような対向電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。図示したように、第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、第１主電極ＰＡの直上からずれた位置に配置されている。すなわち、第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２のそれぞれは、第１主電極ＰＡの直上の位置を挟んだ両側に配置されており、第１主電極ＰＡとは対向しないように配置されている。
【００４６】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第２配向膜ＡＬ２は、対向電極ＣＥを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。この第２配向膜ＡＬ２は、第２ラビング方向ＲＢ２にラビング処理されている。
【００４７】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサが配置され、これにより、所定のギャップ、例えば３〜７μｍのセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で図示しないシール材によって貼り合わせられている。
【００４８】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。液晶層ＬＱは、図示しないが液晶分子ＬＭを含んでいる。このような液晶層ＬＱは、ポジ型の液晶材料によって構成されている。
【００４９】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板ＳＵＢ１の外面には、第１偏光軸を有する第１偏光板ＰＬ１が接着剤などにより貼付されている。また、対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板ＳＵＢ２の外面には、第２偏光軸を有する第２偏光板ＰＬ２が接着剤などにより貼付されている。
【００５０】
本実施形態においては、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と、第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸とが直交する位置関係にあり、一方の偏光板は、その偏光軸が液晶分子ＬＭの長軸方向つまり第１ラビング方向ＲＢ１あるいは第２ラビング方向と平行（つまり、第１方向Ｘと平行）または直交（つまり第２方向と平行）するように配置されている。これにより、ノーマリーブラックモードを実現している。
【００５１】
すなわち、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に電位差が形成されていない無電界時（ＯＦＦ時）には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２に平行な方向に配向している。ここでは、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２は、ともに第３方向Ｄ３と平行であり且つ逆向きの方向である。
【００５２】
このため、液晶分子ＬＭは、図５の破線で示したように、その長軸が第３方向Ｄ３と平行となるように配向する。しかも、このとき、液晶分子ＬＭは、第１配向膜ＡＬ１の近傍、第２配向膜ＡＬ２の近傍、及び、液晶層ＬＱの中間部において略均一なプレチルト角を持って配向している（ホモジニアス配向）。
【００５３】
バックライト４からのバックライト光は、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態によって異なる。ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００５４】
一方、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態（ＯＮ時）では、図６に示したように、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間に、それぞれ基板と略平行な横電界が形成される。これにより、液晶分子ＬＭは、その長軸が電界の向きと略平行となるように基板主面と略平行な平面内で回転する。
【００５５】
図５に示した例では、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間の液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間の横電界に沿って時計回りに回転し、第２方向Ｙに対して図中の左側を向くように配向する。第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の横電界に沿って時計回りに回転し、第２方向Ｙに対して図中の右側を向くように配向する。
【００５６】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に横電界が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向が２方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインが形成される。つまり、各画素ＰＸには、２つのドメインが形成される。
【００５７】
液晶表示パネルＬＰＮに入射した一部のバックライト光は、これらの第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間を通過した際に、その偏光状態が変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。つまり、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間及び第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間のそれぞれが表示に寄与する開口部（あるいは透過部）となる。
【００５８】
このような本実施形態によれば、一画素内に２つのドメインを形成することが可能となるため、２方向での視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となるとともに、階調反転の発生を抑制することが可能となる。したがって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００５９】
θ１が４５°以上となると、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に電界が形成された際に、液晶分子ＬＭが各領域で上記の方向に一様に回転しにくくなり、配向の乱れが生じやすくなる。一方で、θ１が４５°より小さい鋭角である場合、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間の電界の強度が比較的小さくても、液晶分子ＬＭが各領域で上記の方向に一様に回転し、安定的に２つのドメインを形成することが可能となる。
【００６０】
なお、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの合わせずれが生じた際に、第１主電極ＰＡを挟んだ両側の第２主電極ＣＡ１及びＣＡ２との距離に差が生じることがある。しかしながら、このような合わせずれは、全ての画素ＰＸに共通に生じるため、画素ＰＸ間での電界分布に相違はなく、画像の表示に影響を及ぼさない。
【００６１】
また、一画素内において、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との電極間距離が、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との電極間距離と大きく相違したとしても、それぞれの領域での液晶分子ＬＭの回転方向は同一（図示した例では時計回り）であり、それぞれの領域での液晶分子ＬＭの配向を揃えやすくなる。したがって、配向異常などに起因した液晶表示パネルＬＰＮの透過率の低減を抑制することが可能となる。
【００６２】
換言すると、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの合わせずれが生じても、画素電極ＰＥ−対向電極ＣＥ間の印加電圧（Ｖ）に対する液晶表示パネルＬＰＮの透過率（Ｔ）の関係を示すＶ−Ｔ特性を略一定に保つことが可能となる。これにより、液晶表示パネルの個体差を低減することが可能となり、また、Ｖ−Ｔ特性の調整にかかる負荷も低減することが可能となる。
【００６３】
なお、ＯＮ時には、画素電極ＰＥの第１主電極ＰＡ付近、また、対向電極ＣＥの第２主電極ＰＣ１及びＰＣ２付近では、横電界がほとんど形成されない（あるいは、液晶分子ＬＭを駆動するのに十分な電界が形成されない）ため、液晶分子ＬＭは、ＯＦＦ時と同様に、第３方向Ｄ３からほとんど動かない。このため、画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥは、光透過性の導電材料によって形成されているが、これらの領域ではバックライト光がほとんど透過せず、ＯＮ時において表示にほとんど寄与しない。したがって、画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥは、必ずしも透明な導電材料によって形成される必要はなく、アルミニウムや銀などの導電材料を用いて形成しても良い。
【００６４】
図７は、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭのプレチルト角αを説明するための液晶表示パネルＬＰＮの概略断面図である。なお、この図７は、第３方向Ｄ３に沿った液晶表示パネルＬＰＮの断面に相当し、説明に必要な構成のみを図示している。
【００６５】
アレイ基板ＡＲの表面に配置された第１配向膜ＡＬ１は第３方向Ｄ３と平行な第１ラビング方向ＲＢ１に沿ってラビング処理されている。対向基板ＣＴの表面に配置された第２配向膜ＡＬ２は第３方向Ｄ３と平行な第２ラビング方向ＲＢ２に沿ってラビング処理されている。液晶分子ＬＭは、一方向に延出した棒状である。
【００６６】
ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向Ｚに沿って略均一に配向している。本実施形態において、液晶分子ＬＭのプレチルト角αとは、アレイ基板ＡＲの主面と平行な平面に対して、第１配向膜ＡＬ１の近傍に位置する液晶分子ＬＭの長軸となす角度と定義する。この液晶分子ＬＭのうち、対向基板ＣＴに向かって起き上がった先端部をＬＭＴと称し、アレイ基板ＡＲ側に向かって寝た後端部をＬＭＢと称する。
【００６７】
図８は、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭの配向状態を説明するための液晶表示パネルＬＰＮの概略断面図である。なお、この図８は、第１方向Ｘに沿った液晶表示パネルＬＰＮの断面に相当し、説明に必要な構成のみを図示している。また、ここに示した例は、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との第１方向Ｘに沿った電極間距離、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との第１方向Ｘに沿った電極間距離が等しい場合に相当する。
【００６８】
本実施形態においては、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１（あるいは第２主電極ＣＡ２）との第１方向Ｘに沿った電極間距離をＬとし、液晶層ＬＱを保持するアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間のセルギャップをＧＰとしたとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、液晶分子ＬＭのプレチルト角αよりも大きい。なお、ここでの電極間距離Ｌとは、液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から観察したときに、第１主電極ＰＡの縁部から第２主電極ＣＡ１（あるいは第２主電極ＣＡ２）の縁部までの第１方向Ｘに沿った距離である。また、ここでのセルギャップＧＰとは、液晶層ＬＱのリタデーションから算出される平均値であって、ある特定の位置で実測される値ではない。
【００６９】
ＯＮ時には、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間にそれぞれプレチルト角αよりも大きななす角度Θを持って斜め電界が形成される。第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の領域では、それぞれ液晶分子ＬＭは、このような斜め電界により配向制御される。
【００７０】
すなわち、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間の領域では、液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間に形成された電界により回転し、ＯＦＦ時の先端部ＬＭＴがアレイ基板ＡＲ側を向くとともに後端部ＬＭＢが対向基板ＣＴ側を向くように配向する。また、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の領域では、液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間に形成された電界により回転し、ＯＦＦ時の先端部ＬＭＴが対向基板ＣＴ側を向くとともに後端部ＬＭＢがアレイ基板ＡＲ側を向くように配向する。
【００７１】
本実施形態によれば、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、液晶分子ＬＭのプレチルト角αよりも大きいため、液晶分子ＬＭを起き上がらせる力が大きく、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の領域で液晶分子をスムースに回転させることが可能となるとともに、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ１との間の領域でも液晶分子をスムースに回転させることが可能となる。
【００７２】
結果として、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の領域、及び、第１主電極ＰＡと第２主電極ＣＡ２との間の領域からなる一画素内において、液晶分子ＬＭの回転方向を揃えることが可能となる。したがって、ＯＦＦ時及びＯＮ時において、液晶分子ＬＭの配向を安定化させることが可能となり、配向異常に起因した液晶表示パネルの透過率の低減を抑制することが可能となる。
【００７３】
次に、本実施形態の第２構成例について説明する。
【００７４】
図９は、第２構成例の一画素ＰＸにおける最小の単位構成体を概略的に示す平面図である。
【００７５】
画素電極ＰＥは、第１主電極ＰＡ及び第２主電極ＰＢを含んでいる。第１主電極ＰＡ及び第２主電極ＰＢは、図示を省略したゲート配線が延出する第１方向Ｘ及び図示を省略したソース配線が延出する第２方向Ｙとは異なる方向に延出している。より具体的には、第１主電極ＰＡは第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに対して右回りに鋭角に交差する第３方向Ｄ３に沿って延出した帯状であり、第２主電極ＰＢは第２方向Ｙに対して左回りに鋭角に交差する第４方向Ｄ４に沿って延出した帯状である。これらの第１主電極ＰＡ及び第２主電極ＰＢは、それぞれの端部で繋がっている。このため、画素電極ＰＥは、概略Ｖ字形状である。
【００７６】
対向電極ＣＥは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる方向に延出した第３主電極ＣＡ及び第４主電極ＣＢを含んでいる。第３主電極ＣＡは、第３方向Ｄ３に沿って延出した帯状である。第４主電極ＣＢは、第４方向Ｄ４に沿って延出した帯状である。これらの第３主電極ＣＡ及び第４主電極ＣＢは、それぞれの端部で繋がっている。このため、対向電極ＣＥは、画素電極ＰＥと同様の概略Ｖ字形状である。
【００７７】
なお、図示した第３主電極ＣＡは第１方向Ｘに沿って２本並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の左側の第３主電極をＣＡ１と称し、図中の右側の第３主電極をＣＡ２と称する。同様に、第４主電極ＣＢも第１方向Ｘに沿って２本並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の左側の第４主電極をＣＢ１と称し、図中の右側の第４主電極をＣＢ２と称する。第３主電極ＣＡ１と第４主電極ＣＢ１とが繋がっており、第３主電極ＣＡ２と第４主電極ＣＢ２とが繋がっている。これらの第３主電極ＣＡ１及びＣＡ２、及び、第４主電極ＣＢ１及びＣＢ２は、すべて電気的に接続されている。つまり、対向電極ＣＥは、櫛歯状に形成されている。
【００７８】
隣接する第３主電極ＣＡ１及びＣＡ２の間には、１本の第１主電極ＰＡが位置している。つまり、第３主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、１本の第１主電極ＰＡの直上の位置を挟んで両側に配置されている。このため、第１方向Ｘに沿って、第３主電極ＣＡ１、第１主電極ＰＡ、及び、第３主電極ＣＡ２と交互に配置されている。これらの第１主電極ＰＡ及び第３主電極ＣＡ１及びＣＡ２は、互いに平行に配置されている。また、第３主電極ＣＡ１と第１主電極ＰＡとの第１方向Ｘに沿った電極間距離は、第３主電極ＣＡ２と第１主電極ＰＡとの第１方向Ｘに沿った電極間距離と略同等である。
【００７９】
隣接する第４主電極ＣＢ１及びＣＢ２の間には、１本の第２主電極ＰＢが位置している。つまり、第４主電極ＣＢ１及びＣＢ２は、１本の第２主電極ＰＢの直上の位置を挟んで両側に配置されている。このため、第１方向Ｘに沿って、第４主電極ＣＢ１、第２主電極ＰＢ、及び、第４主電極ＣＢ２と交互に配置されている。これらの第２主電極ＰＢ及び第４主電極ＣＢ１及びＣＢ２は、互いに平行に配置されている。また、第４主電極ＣＢ１と第２主電極ＰＢとの第１方向Ｘに沿った電極間距離は、第４主電極ＣＢ２と第２主電極ＰＢとの第１方向Ｘに沿った電極間距離と略同等である。
【００８０】
ここで、第２方向Ｙと第３方向Ｄ３とのなす角度θ１、及び、第２方向Ｙと第４方向Ｄ４とのなす角度θ２は、０°より大きく４５°より小さい角度であることが望ましい。また、なす角度θ１がなす角度θ２と同一角度であっても良い。この場合、第１主電極ＰＡの長さと第２主電極ＰＢの長さが同一であるとき、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘに沿った第１主電極ＰＡと第２主電極ＰＢとの境界線に対して線対称の形状となる。また、この場合、第３主電極ＣＡ１の長さと第４主電極ＣＢ１の長さが同一であり、また、第３主電極ＣＡ２の長さと第４主電極ＣＢ２の長さが同一であるとき、対向電極ＣＥは、第１方向Ｘに沿った第３主電極ＣＡと第４主電極ＣＢとの境界線に対して線対称の形状となる。
【００８１】
画素電極ＰＥを覆う第１配向膜ＡＬ１の第１ラビング方向ＲＢ１及び対向電極ＣＥを覆う第２配向膜ＡＬ２の第２ラビング方向ＲＢ２は、互いに平行であって、例えば、第２方向Ｙに平行である（図９に示した例では、第１ラビング方向ＲＢ１と第２ラビング方向ＲＢ２とは平行且つ互いに逆向きの方向である）。
【００８２】
なお、他の構成については、第１構成例と同一であり、説明を省略する。
【００８３】
このような第２構成例においては、ＯＦＦ時には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２に平行な方向に配向している。ここでは、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２は、ともに第２方向Ｙと平行であり且つ逆向きの方向である。このため、液晶分子ＬＭは、図中の破線で示したように、その長軸が第２方向Ｙと平行となるように配向する。このとき、第１構成例と同様に、黒表示となる。
【００８４】
一方、ＯＮ時においては、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間、及び、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間に、それぞれ基板と略平行な横電界が形成される。同様に、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間、及び、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間に、それぞれ基板と略平行な横電界が形成される。これにより、液晶分子ＬＭは、その長軸が電界の向きと略平行となるように基板主面と略平行な平面内で回転する。
【００８５】
図示した例では、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間の液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間の横電界に沿って反時計回りに回転し、図中の左上を向くように配向する。第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間の液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間の横電界に沿って反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。
【００８６】
また、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間の液晶分子ＬＭは、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間の横電界に沿って時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間の液晶分子ＬＭは、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間の横電界に沿って時計回りに回転し、図中の右上を向くように配向する。
【００８７】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に横電界が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向が４方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインが形成される。つまり、各画素ＰＸには、４つのドメインが形成される。
【００８８】
このとき、液晶表示パネルＬＰＮに入射した一部のバックライト光は、これらの第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間、及び、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間を通過した際に、その偏光状態が変化し、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２を透過して、白表示となる。
【００８９】
このような本実施形態の第２構成例によれば、一画素内に４つのドメインを形成することが可能となるため、４方向での視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となるとともに、階調反転の発生を抑制することが可能となる。したがって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００９０】
図１０は、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭの配向状態を説明するための液晶表示パネルＬＰＮの概略断面図である。なお、図１０の左側の断面図は図９の第１方向Ｘに沿ったＢ−Ｂ’線で切断した液晶表示パネルＬＰＮの断面図に相当し、図１０の右側の断面図は図９の第１方向Ｘに沿ったＣ−Ｃ’線で切断した液晶表示パネルＬＰＮの断面図に相当し、それぞれ説明に必要な構成のみを図示している。
【００９１】
また、ここに示した例は、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との第１方向Ｘに沿った電極間距離、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との第１方向Ｘに沿った電極間距離、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との第１方向Ｘに沿った電極間距離、及び、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との第１方向Ｘに沿った電極間距離がいずれも等しい場合に相当する。
【００９２】
この第２構成例においても、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１（あるいは第３主電極ＣＡ２）との第１方向Ｘに沿った電極間距離、あるいは、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１（あるいは第４主電極ＣＢ２）との第１方向Ｘに沿った電極間距離をＬとし、液晶層ＬＱを保持するアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間のセルギャップをＧＰとしたとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、液晶分子ＬＭのプレチルト角αよりも大きい。
【００９３】
ＯＮ時には、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間にそれぞれプレチルト角αよりも大きななす角度Θを持って斜め電界が形成される。第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間、及び、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間のそれぞれの領域では、液晶分子ＬＭは、このような斜め電界により配向制御される。
【００９４】
すなわち、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間の領域では、液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ１との間に形成された電界により回転し、ＯＦＦ時の先端部ＬＭＴが対向基板ＣＴ側を向くとともに後端部ＬＭＢがアレイ基板ＡＲ側を向くように配向する。また、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間の領域では、液晶分子ＬＭは、第１主電極ＰＡと第３主電極ＣＡ２との間に形成された電界により回転し、ＯＦＦ時の先端部ＬＭＴがアレイ基板ＡＲ側を向くとともに後端部ＬＭＢが対向基板ＣＴ側を向くように配向する。
【００９５】
また、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間の領域では、液晶分子ＬＭは、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ１との間に形成された電界により回転し、ＯＦＦ時の先端部ＬＭＴがアレイ基板ＡＲ側を向くとともに後端部ＬＭＢが対向基板ＣＴ側を向くように配向する。また、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間の領域では、液晶分子ＬＭは、第２主電極ＰＢと第４主電極ＣＢ２との間に形成された電界により回転し、ＯＦＦ時の先端部ＬＭＴが対向基板ＣＴ側を向くとともに後端部ＬＭＢがアレイ基板ＡＲ側を向くように配向する。
【００９６】
このような第２構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。
【００９７】
本実施形態において、上記の第１構成例及び第２構成例では、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２が互いに平行且つ逆向きであったため、ＯＦＦ時において、液晶分子ＬＭがホモジニアス配向している場合を例に説明したが、第１ラビング方向ＲＢ１及び第２ラビング方向ＲＢ２がともに第３方向Ｄ３と平行であり且つ同じ向きの方向であっても良い。この場合には、液晶分子ＬＭは、ＯＦＦ時において、その長軸が第３方向Ｄ３と平行となるように配向する。しかも、このとき、液晶分子ＬＭは、図１１に示すように、液晶層ＬＱの中間部において略水平に配向し、ここを境界として第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角αを持って配向する（スプレイ配向）。本実施形態において、プレチルト角αとは、図７を参照して定義したように、第１配向膜ＡＬ１の近傍に位置する液晶分子ＬＭの長軸とアレイ基板ＡＲの主面と平行な平面とのなす角度であって、液晶層ＬＱの中間部における液晶分子の配向は無視する。
【００９８】
以下に、上記の第１構成例に対応した実施例１及び実施例２についてそれぞれ説明する。
【００９９】
≪実施例１≫
図３に示したような形状の画素電極ＰＥを備えたアレイ基板ＡＲを用意した。このようなアレイ基板ＡＲについては、画素電極ＰＥを覆う水平配向性を示す第１配向膜ＡＬ１を形成し、第３方向Ｄ３に平行な第１ラビング方向ＲＢ１に沿ってラビング処理した。
【０１００】
一方で、図４に示したような形状の対向電極ＣＥを備えた対向基板ＣＴを用意した。このような対向基板ＣＴについては、対向電極ＣＥを覆う水平配向性を示す第２配向膜ＡＬ２を形成し、第３方向Ｄ３に平行且つ第１ラビング方向ＲＢ１とは逆向きの第２ラビング方向ＲＢ２に沿ってラビング処理した（ホモジニアス配向処理）。
【０１０１】
このようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に５．０μｍのセルギャップＧＰを形成し、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせた。このとき、画素電極ＰＥの各主電極と対向電極ＣＥの各主電極との電極間距離Ｌは１０μｍに設定した。これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、メルク社製ポジ型液晶材料を注入して液晶表示パネルＬＰＮを作製した。
【０１０２】
このとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは２７°であり、第１配向膜ＡＬ１の近傍の液晶分子ＬＭのプレチルト角αは５°とした。
【０１０３】
このような実施例１によれば、組み立てずれの大きさに依存しない均一な表示品位を得られることが確認された。
【０１０４】
≪実施例２≫
第２配向膜ＡＬ２の第２ラビング方向ＲＢ２を第１ラビング方向ＲＢ１と同じ向きとする（スプレイ配向処理）以外は実施例Ｔ１と同一条件で液晶表示パネルＬＰＮを作成した。このとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは２７°であり、第１配向膜ＡＬ１の近傍の液晶分子ＬＭのプレチルト角αは５°とした。
【０１０５】
このような実施例２によれば、組み立てずれの大きさに依存しない均一な表示品位を得られることが確認された。
【０１０６】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【０１０７】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＡＣＴ…アクティブエリア  ＰＸ…画素
Ｓ…ソース配線  Ｇ…ゲート配線  Ｃ…補助容量線
ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極
ＣＥ…対向電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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