(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離方法であって、
前記保護テープを貼付けた状態の基板を所定形状に分断したチップ部品に貼付いている当該保護テープを、被着体に当該チップ部品を実装した後に剥離する
前記保護テープは、熱発泡性の粘着層を有し、
加熱手段を備えた吸着搬送手段により前記チップ部品を被着体の所定位置に実装する実装工程と、
前記所定位置で吸着搬送手段により保護テープを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で接着力の弱まった保護テープを吸着搬送手段の退避上昇時に吸着してチップ部品から剥離する剥離工程を含み、
前記加熱工程では、加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる
ことを特徴とする保護テープ剥離方法。
【請求項２】
基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離方法であって、
前記保護テープは、所定の一軸方向に反り返る熱収縮性の粘着層を有し、
加熱手段を備えた吸着搬送手段により前記チップ部品を被着体の所定位置に実装する実装工程と、
前記所定位置で吸着搬送手段により保護テープを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で接着力の弱まった保護テープを吸着搬送手段の退避上昇時に吸着してチップ部品から剥離する剥離工程を含み、
前記加熱工程では、加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる
ことを特徴とする保護テープ剥離方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保護テープ剥離方法において、
前記保護テープの剥離は、ダイボンディング工程の後に行う
ことを特徴とする保護テープ剥離方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の保護テープ剥離方法において、
前記保護テープの剥離は、ワイヤボンディングの前に行う
ことを特徴とする保護テープ剥離方法。
【請求項５】
基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離装置であって、
熱発泡性の粘着層を有する前記保護テープを貼付けた状態で所定形状に分断されたチップ部品を吸着して被着体の所定位置に実装する吸着搬送手段と、
前記所定位置でチップ部品に貼付いている保護テープの接着力を弱める加熱手段と、
接着力の弱まった前記保護テープをチップ部品から剥離する剥離手段を備え、
前記加熱手段を吸着搬送手段に備え、
加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる制御手段を備えた
ことを特徴とする保護テープ剥離装置。
【請求項６】
基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離装置であって、
所定の一軸方向に反り返る熱収縮性の粘着層を有する前記保護テープを貼付けた状態で所定形状に分断されたチップ部品を吸着して被着体の所定位置に実装する吸着搬送手段と、
前記所定位置でチップ部品に貼付いている保護テープの接着力を弱める加熱手段と、
接着力の弱まった前記保護テープをチップ部品から剥離する剥離手段を備え、
前記加熱手段を吸着搬送手段に備え、
加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる制御手段を備えた
ことを特徴とする保護テープ剥離装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６のいずれかに記載の保護テープ剥離装置において、
前記剥離手段は、接着力の弱まった保護テープを吸着搬送手段で吸着したまま退避させることにより、保護テープをチップ部品から剥離するよう構成した
ことを特徴とする保護テープ剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、回路基板、および電子デバイス（例えば、ＬＥＤ（Light-emitting diode）やＣＣＤ（charge coupled device））などの基板の回路面を保護する保護テープを剥離する保護テープ剥離方法およびその装置に関し、特に、基板を所定形状に分断した後のチップ部品を所定の位置に実装した後に保護テープを剥離する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）は、その表面上に多数の素子を形成した後、バックグラインド工程でウエハ裏面を削り、その後、ダイシング工程で各素子に切り分けられている。近年では高密度実装の要求に伴いウエハ厚さを１００μｍから５０μｍ、さらにはそれ以下にまで薄くする傾向にある。
【０００３】
そこで、バックグラインド工程でウエハを薄化加工するとき、回路パターンが形成されたウエハ表面の保護、バックグラインド工程における研削ストレスからウエハを保護するため、およびバックグラインドにより薄型化されたウエハを補強するために、その表面に保護テープが貼付けられる。
【０００４】
また、バックグラインド工程後に、ダイシングテープを介してリングフレームにウエハを接着保持してなるマウントフレームにおいて、そのウエハ上の保護テープに剥離用の粘着テープを貼付けて剥離することにより、剥離テープと一体にして保護テープをウエハ表面から剥離している。（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６５３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来方法では次のような問題がある。
【０００７】
すなわち、従来の保護テープ剥離方法では、ウエハ表面から保護テープを剥離した後にダイシング処理が施されるので、ダイシング時の粉塵や洗浄水が表面に付着し、露出した回路面を汚染するといった問題がある。
【０００８】
また、マウントフレームに保持された状態で保護テープが剥離された後、チップ部品の回路面や電極が露出した状態で次工程に搬送されたり、回路面などにチップマウンタのヘッドを直接に接触させて被着体である基板の所定位置に実装させたりしている。これらの場合にも回路面などを汚染させたり、破損させたりしてしまう。その結果、実装不良やボンディング不良を招くといった問題も生じている。
【０００９】
さらに、チップ部品がＬＥＤの場合、洗浄液や搬送時に表面に付着してしまう油膜などにより、良品にも関わらず品質検査時の測定輝度が基準値よりも低く測定されてしまい、結果として品質不良と判断されるといった問題も生じている。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ダイシング処理後のチップ部品の回路面などを汚染させることなく被着体への実装を可能にする保護テープ剥離方法およびその装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離方法であって、
前記保護テープを貼付けた状態の基板を所定形状に分断したチップ部品に貼付いている当該保護テープを、被着体に当該チップ部品を実装した後に剥離する
前記保護テープは、熱発泡性の粘着層を有し、
加熱手段を備えた吸着搬送手段により前記チップ部品を被着体の所定位置に実装する実装工程と、
前記所定位置で吸着搬送手段により保護テープを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で接着力の弱まった保護テープを吸着搬送手段の退避上昇時に吸着してチップ部品から剥離する剥離工程を含み、
前記加熱工程では、加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる
ことを特徴とする。
【００１２】
また、他の実施形態として、基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離方法であって、
前記保護テープは、所定の一軸方向に反り返る熱収縮性の粘着層を有し、
加熱手段を備えた吸着搬送手段により前記チップ部品を被着体の所定位置に実装する実装工程と、
前記所定位置で吸着搬送手段により保護テープを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で接着力の弱まった保護テープを吸着搬送手段の退避上昇時に吸着してチップ部品から剥離する剥離工程を含み、
前記加熱工程では、加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる
ことを特徴とする。
【００１３】
（作用・効果）  この方法によれば、被着体に実装されるまでチップ部品の表面が保護テープにより保護されているので、回路面などが汚染されることがない。また、加熱により保護テープの粘着層が発泡膨張、あるいは、保護テープが反り返っても、このときにチップ部品と吸着搬送手段との間で発生する押圧力が吸着搬送手段の上昇によってキャンセルされる。したがって、チップ部品に過度の押圧力が加わらないので破損させることがない。なお、この保護テープの剥離のタイミングとして、例えば、ダイボンディング工程の後、あるいは、ワイヤボンディング前であることが好ましい。これらの場合、電気的に接続される電極が、接続直前まで保護テープにより保護されているので、汚染および破損されることなく確実な接続を可能とする。
【００１４】
他の実施形態として、基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離装置であって、
熱発泡性の粘着層を有する前記保護テープを貼付けた状態で所定形状に分断されたチップ部品を吸着して被着体の所定位置に実装する吸着搬送手段と、
前記所定位置でチップ部品に貼付いている保護テープの接着力を弱める加熱手段と、
接着力の弱まった前記保護テープをチップ部品から剥離する剥離手段を備え、
前記加熱手段を吸着搬送手段に備え、
加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる制御手段を備えた
ことを特徴とする。
【００１５】
他の実施形態として、基板の表面に貼付けられた保護テープを剥離する保護テープ剥離装置であって、
所定の一軸方向に反り返る熱収縮性の粘着層を有する前記保護テープを貼付けた状態で所定形状に分断されたチップ部品を吸着して被着体の所定位置に実装する吸着搬送手段と、
前記所定位置でチップ部品に貼付いている保護テープの接着力を弱める加熱手段と、
接着力の弱まった前記保護テープをチップ部品から剥離する剥離手段を備え、
前記加熱手段を吸着搬送手段に備え、
加熱により保護テープの厚みが増える変化に伴って吸着搬送手段と被着体の間にあるチップ部品への押圧を回避させるように吸着搬送手段を上昇させる制御手段を備えた
ことを特徴とする。
【００１６】
（作用・効果）  この構成によれば、保護テープの貼付けられた状態のチップ部品が吸着搬送手段により被着体の所定位置に実装された後に、接着力が弱められてチップ部品から保護テープが剥離除去される。
【００１７】
また、この構成によれば、チップ部品を吸着保持したまま被着体の所定位置への実装から保護テープの剥離までの一連の処理を吸着搬送手段で行うことができる。したがって、接着力の弱まった保護テープが飛散して被着体を汚染することがない。さらに、装置構成を簡素化することもできる。
【００１８】
さらに、この構成によれば、加熱により保護テープの粘着層が発泡膨張、あるいは、保護テープが反り返っても、このときにチップ部品と吸着搬送手段との間で発生する押圧力が吸着搬送手段の上昇によってキャンセルされる。したがって、チップ部品に過度の押圧力が加わらないので破損させることがない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の保護テープ剥離方法およびその装置によれば、チップ部品を被着体の所定位置に実装するまでチップ部品表面の回路や電極などを汚染および破損させることがない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】マウントフレームの斜視図である。
【図２】保護テープ剥離装置の平面図である。
【図３】保護テープ剥離装置の正面図である。
【図４】フレーム搬送機構の平面図である。
【図５】フレーム搬送機構の正面図である。
【図６】チャックテーブルの正面図である。
【図７】ヘッドの部分破断図である。
【図８】実施例の保護テープ剥離の動作説明図である。
【図９】実施例の保護テープ剥離の動作説明図である。
【図１０】実施例の保護テープ剥離の動作説明図である。
【図１１】実施例の保護テープ剥離の動作説明図である。
【図１２】実施例の保護テープ剥離の動作説明図である。
【図１３】実施例の保護テープ剥離の動作説明図である。
【図１４】変形例の保護テープの剥離動作を示す説明図である。
【図１５】紫外線硬化型の保護テープを利用した変形装置の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
【００２２】
この実施例では、基板として半導体ウエハを例にとって説明する。半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という）は、図１に示すように、回路パターンを保護する保護テープＴの貼付けた状態でバックグラインド処理およびダイシング処理が施されてチップ部品ＣＰに分断されている。この分断された基板サイズの複数個のチップ部品ＣＰが、粘着テープＤＴ（ダイシングテープ）を介してリングフレームｆに接着保持され、マウントフレームＭＦとして取り扱われる。
【００２３】
ここで、保護テープＴは、テープ基材に加熱することで発泡膨張して接着力を失う熱発泡性の粘着層を備えたものである。
【００２４】
図２および図３に、本発明方法を実行する保護テープ剥離装置の概略構成および保護テープ剥離工程が示されている。
【００２５】
この保護テープ剥離装置は、マウントフレームＭＦを所定ピッチをおいて多段に収納したカセットＣを載置するカセット載置部１、カセットＣからマウントフレームＭＦを搬出してチャックテーブル２に載置するとともに、保護テープＴの剥離処理されたマウントフレームＭＦをするカセットＣに収納するフレーム搬送機構３、チャックテーブル２に吸着保持されたマウントフレームＭＦからチップ部品ＣＰを吸着して次工程の基板ＧＷの所定位置に搬送および実装するとともに、チップ部品ＣＰから保護テープＴを剥離するテープ剥離機構４、所定ピッチをおいて基板ＧＷを多段に収納した基板収納部５、基板収納部５から基板ＧＷを搬出して保持テーブル６に移載するとともに、保持テーブル６上の基板ＧＷを基板収納部５に収納する基板搬送機構７、およびチップ部品ＣＰから剥離した保護テープＴを回収するテープ回収部８とから構成されている。以下、各構成について具体的に説明する。
【００２６】
カセット載置部１は、図３に示すように、装置フレームに連結固定された縦レール１０と、この縦レール１０に沿ってモータなどの駆動機構１１によりでネジ送り昇降される昇降台１２が備えられている。したがって、カセット載置部１は、マウントフレームＭＦを昇降台１２に載置してピッチ送り昇降するよう構成されている。
【００２７】
フレーム搬送機構３は、図４および図５に示すように、案内レール１３に沿って左右水平に移動する可動台１４に、固定受け片１５とシリンダ１６で開閉されるチャック片１７を備えている。これら固定受け片１５とチャック片１７とでマウントフレームＭＦの一端部を上下から挟持するよう構成されている。また、モータ１８で回動されるベルト１９に可動台１４の下部が連結されており、モータ１８の正逆作動によって可動台１４を左右に往復移動させるようになっている。
【００２８】
チャックテーブル２は、図６に示すように、可動台２０にマウントフレームＭＦのうちウエハＷを吸着保持するウエハ保持テーブル２１と、リングフレームｆを保持するフレーム保持テーブル２２とから構成されている。また、可動台２０は、水平２軸（Ｘ，Ｙ）方向、上下（Ｚ）方向、およびＺ軸周り（θ）方向に、それぞれ移動自在に構成されている。
【００２９】
ウエハ保持テーブル２１は、アクチュエータ９によって昇降可能に構成されている。つまり、ウエハＷの表面高さがリングフレームｆよりも高くなるようにウエハ保持テーブル２１を所定高さまで上昇させ、粘着テープＤＴを延伸してチップ部品ＣＰを分離するように構成されている。
【００３０】
テープ剥離機構４は、図２および図３に示すように案内レール２３に沿って左右に水平移動する可動台２４、可動台２４から延出するアーム先端に配備されたヘッド２５、およびヘッド２５を昇降させるシリンダ２６を備えている。なお、テープ剥離機構４は、本発明の吸着搬送手段の機能も備えている。
【００３１】
ヘッド２５は、図７に示すように、金属製の本体２７の下部からセラミック製のホルダ２８、ヒータ２９、および圧子３０で構成されている。なお、ホルダ２８はボルト３１で本体２７に装着されている。また、本体２７から圧子３０にかけて貫通する流路３２が形成されており、本体側で外部のポンプ３３と連通接続されている。つまり、制御部３４によりポンプ３３を負圧制御することによりヘッド先端でチップ部品ＣＰを吸着保持し、ポンプ３３を静圧制御することにより、吸着保持する剥離後の保護テープＴを排出するように構成されている。なお、テープ剥離機構４は本発明の剥離手段に、ヒータ２９は接着力低減手段および加熱手段に相当する。
【００３２】
基板収納部５は、図２および図３に示すように、未処理の基板ＧＷおよびチップ部品ＣＰの実装済みの基板ＧＷを多段に収納する基板収納マガジン３５を備えている。なお、基板ＧＷとしては、例えば、液晶パネル用のガラス基板やフレキシブル基板など回路パターンおよび電極の形成された基板などが挙げられる。
【００３３】
保持テーブル６は、基板ＧＷを吸着保持する基板保持ステージ３６を備え、この基板保持ステージ３６は、水平２軸（Ｘ，Ｙ）方向、上下（Ｚ）方向、およびＺ軸周り（θ）方向に、それぞれ移動自在に構成されている。
【００３４】
基板搬送機構７は、装置基台に配設された案内レール３７、案内レール３７に沿って走行する可動台３８に備わった前後に進退および昇降するアーム３９、アーム３９の先端に取り付けられて基板ＧＷを吸着保持する基板保持部４０を備えている。
【００３５】
テープ回収部８は、チャックテーブル２と保持テーブル６との間でテープ剥離機構４の移動経路の下方に開口部を上向きにした回収ボックス４１が配備されている。
【００３６】
次に、上記実施例装置を用いて保護テープＴをウエハＷの表面に貼付けるための一連の基本動作を図８〜図１２に基づいて説明する。
【００３７】
待機位置にあるフレーム搬送機構３が、マウントフレームＭＦの搬出位置に移動する。このフレーム搬送機構３は、ウエハＷの表面を上向きにしてカセットＣに多段に収納されているマウントフレームＭＦを把持して後退しながら搬出し、チャックテーブル２への受け渡し位置に移動する。
【００３８】
受け渡し位置に到達したフレーム搬送機構３は、所定高さまで下降してチャック片１７を開放することによりマウントフレームＭＦをチャックテーブル２に移載する。
【００３９】
図８に示すように、マウントフレームＭＦの移載されたチャックテーブル２は、マウントフレームＭＦの裏面全体を吸着保持する。ウエハ保持テーブル２１は、図９に示すように、所定高さ上昇して粘着テープＤＴごとチップ部品ＣＰを突き上げた後、元の高さに下降する。
【００４０】
その後に、可動台２０を操作して搬出対象のチップ部品ＣＰがテープ剥離機構４の吸着位置へと位置合わせされる。位置合わせが完了すると、図１０に示すように、テープ剥離機構４を下降させてチップ部品ＣＰにヘッド２５を当接させて吸着する。吸着が確認されると、図１１に示すように、テープ剥離機構４を上昇させるとともに、水平移動させて保持テーブル６へとチップ部品ＣＰを搬送する。
【００４１】
また、マウントフレームＭＦの搬出と同時に、基板搬送機構７が作動し、基板収納マガジン３５から処理対象の基板ＧＷを基板保持部４０で吸着保持して搬出する。この基板ＧＷは、基板保持ステージ３６に載置される。
【００４２】
基板保持ステージ３６は、基板ＧＷを吸着保持した後、テープ剥離機構４の下降位置へと実装部位が位置合わせされる。
【００４３】
テープ剥離機構４が保持テーブル６側に到達すると実装部位をセンサなどで確認した後に下降し、図１２に示すように、チップ部品ＣＰを基板ＧＷの所定位置に実装する。なお、基板実装部位には、予め導電ペースＰなどが塗布されている。ここで、実装部位へのチップ部品ＣＰの電気的接続および固着は、導電性ペーストＰに限らず、導電性フィルムであってもよい。また、電気的接続が不要な場合、導電材料を含まないペーストまたはフィルムであってもよい。
【００４４】
テープ剥離機構４は、実装位置で停止してチップ部品ＣＰを吸着したままヒータ２９により保護テープＴおよび導電性ペーストを加熱する。ヒータ２９の加熱に伴って保護テープＴの粘着層が発泡膨張して接着力が失われてゆくとともに、導電性ペーストＰは硬化して基板に固着する。
【００４５】
この加熱工程において、制御部３４は、保護テープＴに使用する粘着層の種類、加熱温度、加熱時間によって予め決る保護テープＴの厚みの変化に応じて、テープ剥離機構４を間欠的あるいは連続的に上昇制御する。つまり、粘着層が発泡膨張して保護テープＴの厚みが増すことにより、ヘッド２５と基板ＧＷとの間に挟まれている薄型化されたチップ部品ＣＰに過度の押圧力が作用し、破損しないようにテープ剥離機構４が上昇制御されている。なお、制御部３４は、本発明の制御手段に相当する。
【００４６】
所定時間の加熱により粘着層の加熱処理が完了すると、図７に示すセンサＳにより吸着不良がないことを制御部３４が確認した上で、一方のテープ剥離機構４は、保護テープＴを吸着し続けたまま上昇し、新たなチップ部品ＣＰの搬出位置に向けて移動を開始する。この移動工程で回収ボックス４１の上方を通過するときに、制御部３４は、ポンプ３３を静圧制御し、図１３に示すように、ヘッド２５に吸着保持され続けていた剥離後の保護テープＴを回収ボックス４１に向けて排出させる。
【００４７】
チップ部品ＣＰの実装された基板ＧＷは、基板搬送機構７により基板保持ステージ３６から搬出され、基板収納マガジン３５の元の位置に収納される。その後、基板搬送機構７は、新たな基板ＧＷを搬出する。
【００４８】
以上で一個のチップ部品ＣＰに対する保護テープＴの剥離動作が完了し、以後、マウントフレームＭＦ上のチップ部品ＣＰに対して同じ処理が実行される。さらに、マウントフレームＭＦ上の全てのチップ部品ＣＰについての保護テープＴの剥離処理が完了すると、カセットＣに収納されているマウントフレームＭＦの全てについて同じ処理が繰り返し実行される。
【００４９】
上記構成によれば、チップ部品ＣＰの表面が基板ＧＷに実装されるまで保護テープＴで保護されているので、回路面が汚染されることもなければ、破損することもない。また、保護テープＴが発泡膨張して高さ方向への厚みが増してもチップ部品ＣＰを破損させることもなければ、吸着不良による保護テープＴの飛散を防止することもできる。
【００５０】
本発明は上述した実施例のものに限らず、次のように変形実施することもできる。
【００５１】
（１）上記実施例装置では、加熱により発泡膨張する加熱剥離性を有する粘着層を備えた保護テープＴに代えて、加熱により所定の一軸方向に反り返る熱収縮性の粘着層を利用することもできる。
【００５２】
この場合、所定のチップ部品ＣＰの剥離は、上記実施例と同様の処理手順で実施される。すなわち、テープ剥離機構４により基板ＧＷの所定位置にチップ部品ＣＰを実装した後、ヘッド２５は、その位置で保護テープＴを吸着しつつ加熱する。この加熱工程で、保護テープＴは、図１４に示すように、上向きに反り返るので、制御部３４は、保護テープＴに使用する粘着層の種類、加熱温度、加熱時間によって予め決る保護テープＴの反量に応じて、テープ剥離機構４を間欠的あるいは連続的に上昇させる。同時にヘッド２５の吸着力も同時に増すように制御される。
【００５３】
つまり、粘着層が収縮して保護テープが反り返り、その高さ方向の距離が増すことにより、ヘッド２５と基板ＧＷとの間に挟まれている薄型化されたチップ部品ＣＰに過度の押圧力が作用し、破損しないようにヘッド２５が上昇制御される。同時に、反り返ってヘッド２５との接触面積が低下しないように、反量に応じてヘッド２５の吸着力が増すように制御される。
【００５４】
所定時間の加熱によりチップ部品ＣＰからの保護テープＴの剥離が完了すると、保護テープＴを吸着保持したままチップ部品ＣＰの搬出位置に戻る工程で、保護テープＴをヘッド２５から回収ボックス４１に向けて排出する。
【００５５】
この構成によれば、保護テープＴが反り返って高さ方向への厚みが増してもチップ部品ＣＰを破損させることもなければ、吸着不良による保護テープＴの飛散を防止することもできる。
【００５６】
（２）上記の各実施例における加熱剥離性の保護テープＴに代えて、紫外線硬化型の粘着テープを保護テープＴとして利用することもできる。
【００５７】
この場合、テープ剥離機構４は、ヘッド２５を透過性を有する部材で構成するとともに、図１５に示すように、このヘッド２５に紫外線ＬＥＤ４２を埋設した構成にする。なお、紫外線は、本発明の紫外線照射ユニットに相当する。
【００５８】
この構成の場合、基板ＧＷの所定位置にチップ部品ＣＰを実装した後、ヘッド２５は、その位置で保護テープＴに向けて紫外線を照射する。所定時間の紫外線照射により粘着層が硬化して接着力が減滅した時点で保護テープＴを吸着したままテープ剥離機構４を上昇させる。その結果、保護テープＴは、チップ部品から剥離される。
【００５９】
（３）上記各実施例では、基板ＧＷへのチップ部品ＣＰの固着に導電性ペーストＰを利用していたが、この導電性ペーストＰに代えて、ダイボンドテープを利用してもよい。
【００６０】
この場合、保護テープＴに代えてダイボンドテープをウエハＷの回路面に貼付けておき、当該回路面を下向きにしてリングフレームｆに粘着テープＤＴを介して接着保持したマウントフレームＭＦを作成する。このマウントフレームＭＦの状態でダイボンドテープを含めてダイシング処理することにより、上記実施例装置において、このマウントフレームＭＦを取り扱うことが可能になる。すなわち、基板ＧＷに対していチップ部品ＣＰをフェイス・ダウン・ボンディングが可能になる。
【００６１】
（４）上記各実施例では、基板ＧＷにチップ部品ＣＰをダイボンディングした後にチップ部品ＣＰから保護テープＴを剥離していたが、次のように行ってもよい。すなわち、上記実施例装置のテープ剥離機構４を利用し、ワイヤボンディング工程内の基板保持ステージに保持された基板ＧＷの所定位置にチップ部品ＣＰを実装し、このチップ部品ＣＰにワイヤボンディングする直前で保護テープＴを剥離する。
【００６２】
この構成によれば、チップ部品ＣＰの電極部位がワイヤボンディングする直前まで保護テープＴにより保護されているので、汚染されない。したがって、ワイヤを電極に精度よくボンディングすることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  …  カセット載置部
２  …  チャックテーブル
３  …  フレーム搬送機構
４  …  テープ剥離機構
５  …  基板供給部
６  …  保持テーブル
７  …  基板搬送機構
８  …  テープ回収機構
２５  …  ヘッド
２９  …  ヒータ
３４  …  制御部
Ｔ  …  保護テープ
ＣＰ  …  チップ部品
ＤＴ  …  粘着テープ
ＧＷ  …  基板
ｆ  …  フレーム
ＭＦ  …  マウントフレーム
Ｗ  …  半導体ウエハ
【図１】
0005572353.tif 000002
【図２】
0005572353.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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