(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶系窒化物半導体からなる基板と、
前記基板の主面に含まれる第１の領域上に設けられた第１の窒化物半導体部と、
前記主面に含まれる第２の領域上に設けられた第２の窒化物半導体部と、
を備え、
前記第１の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第１の井戸層を含む第１の発光層を有し、
前記第２の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第２の井戸層を含んでおり前記第１の発光層の発光波長と異なる発光波長の第２の発光層を有し、
前記第１の領域の法線方向と前記第２の領域の法線方向とは、前記主面の法線方向と同一であり、
前記基板のうち前記第１の領域上の第１の部分のｃ軸方向と前記主面の法線方向との成す第１の角度と、前記基板のうち前記第２の領域上の第２の部分のｃ軸方向と前記主面の法線方向との成す第２の角度とは異なっている、
ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の角度と前記第２の角度との差は５度以上である、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１の井戸層のＩｎ組成は、前記第２の井戸層のＩｎ組成と異なる、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第１の光ガイド層を有し、
前記第２の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第２の光ガイド層を有し、
前記第１の光ガイド層のＩｎ組成は、前記第２の光ガイド層のＩｎ組成と異なる、ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１の井戸層の発光波長は、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２の井戸層の発光波長は、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２の角度は、６３度以上８０度以下の範囲内又は１００度以上１１７度以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項６の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１の窒化物半導体部及び前記第２の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第１の部分のｃ軸方向は前記第１の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交し、前記第２の部分のｃ軸方向は前記第２の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交している、ことを特徴とする請求項１〜請求項７の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１の窒化物半導体部及び前記第２の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第１の部分のｃ軸方向は前記第１の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行し、前記第２の部分のｃ軸方向は前記第２の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行している、ことを特徴とする請求項１〜請求項７の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第１の窒化物半導体部及び前記第２の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第１の部分のｃ軸方向は前記第１の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交し、前記第２の部分のｃ軸方向は前記第２の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行している、ことを特徴とする請求項１〜請求項７の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の波長の光を出射する発光素子の開発が行われている。特許文献１には、６５０ｎｍ及び７８０ｎｍの二波長のレーザ光を出射する半導体レーザアレイが開示されている。この半導体レーザアレイは、ＧａＡｓ基板と、６５０ｎｍのレーザ光を出射するレーザ素子部と、７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射するレーザ素子部とを備え、この二個のレーザ素子部は、ＧａＡｓ基板上に設けられている。特許文献２には、少なくとも三個のレーザダイオードがプレート上に設けられた複数の波長のレーザ光を出射する多波長レーザダイオードが開示されている。この三個のレーザダイオードはプレート上にプレート表面に沿って並列に設けられている。この三個のレーザダイオードのうちの一部はＧａＮ基板で結晶成長されたものであり、残りはＧａＡｓ基板上で結晶成長されたものである。特許文献３には、少なくとも三個のレーザダイオードがプレート上に接合された複数の波長のレーザ光を出射する多波長レーザダイオードが開示されている。この三個のレーザダイオードはプレート上に積層されて設けられている。この三個のレーザダイオードのうち、一部はＧａＮ基板上で結晶成長されたものであり、残りはＧａＡｓ基板上で結晶成長されたものである。特許文献４には、三個のＬＤがプレート上に接合された複数の波長のレーザ光を出射する多波長レーザが開示されている。この三個のＬＤはＧａＮ基板上にＧａＮ基板表面に沿って並列に設けられている。この三個のＬＤのうち、一部はＧａＮ基板上で結晶成長されたものであり、残りはＧａＡｓ基板上で結晶成長されたものである。非特許文献１には、ＧａＮ基体に設けられた三つの異なるファセットと、それぞれのファセット上に結晶成長されたＬＥＤとを有する発光素子が開示されている。それぞれのＬＥＤは、ファセットが異なることによってＩｎの含有率も異なっており、このため、発光波長も異なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−０１１４１７号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５３０６号公報
【特許文献３】特開２００６−１３５３２３号公報
【特許文献４】特開２００８−２９４３２２号公報
【特許文献５】特開２００６−３１５９４７号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】M.Funato, T.Kotani, T.Kondou, Y.Kawakami, Y Narukawa and T.Mukai, “Tailoredemission color synthesis using microfacet quantum wells consisting of nitridesemiconductors wihout phosphors”, APPLIED PHYSICS LETTERS 88, 261920 (2006)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＧａＮは広い範囲の発光波長を実現できる材料であり、多波長発光素子の発光部位を複数の材料系の組み合わせではなくＧａＮのみで構成することができる。しかし、特許文献１〜４の技術の場合、ＧａＮは化学的に比較的安定しているのでエッチング等による加工が困難であり、従って、異なる発光波長を有する複数のＧａＮでアライメントの精度に優れたの半導体レーザアレイを作製することは容易ではない。また、非特許文献１の場合においてＬＥＤに替えてＬＤを製造する場合、異なる複数のファセット上のそれぞれにＬＤを形成しなければならないのでデバイスプロセスが容易ではない。以上のことから、加工が困難なＧａＮにおいても多波長の発光素子の開発が望まれている。そこで、本発明は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、複数の波長の光を出射する窒化物半導体発光素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の窒化物半導体発光素子は、六方晶系窒化物半導体からなる基板と、前記基板の主面に含まれる第１の領域上に設けられた第１の窒化物半導体部と、前記主面に含まれる第２の領域上に設けられた第２の窒化物半導体部とを備え、前記第１の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第１の井戸層を含む第１の発光層を有し、前記第２の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第２の井戸層を含んでおり前記第１の発光層の発光波長と異なる発光波長の第２の発光層を有し、前記基板のうち前記第１の領域上の第１の部分のｃ軸方向と前記主面の法線方向との成す第１の角度と、前記基板のうち前記第２の領域上の第２の部分のｃ軸方向と前記法線方向との成す第２の角度とは異なっている、ことを特徴とする。従って、第１の窒化物半導体部と第２の窒化物半導体部とのそれぞれの発光波長が異なるので、複数の発光波長を有する窒化物半導体からなる発光素子が提供できる。なお、用途に応じて、第１の窒化物半導体部と第２の窒化物半導体部を隣接させるようにしてもよい。
【０００７】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第１の角度と前記第２の角度との差は５度以上であるのが好ましい。このように、第１の角度と前記第２の角度との差は５度以上なので、第１の窒化物半導体部の発光波長と第２の窒化物半導体部の発光波長との差は比較的大きいものとなる。
【０００８】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第１の井戸層のＩｎ組成が、前記第２の井戸層のＩｎ組成と異なっている。このように、発光層のＩｎ組成を調整することによって第１の窒化物半導体部と第２の窒化物半導体部の発光波長の調整が可能となる。
【０００９】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第１の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第１の光ガイド層を有し、前記第２の窒化物半導体部は、ＩｎＧａＮからなる第２の光ガイド層を有し、前記第１の光ガイド層のＩｎ組成は、前記第２の光ガイド層のＩｎ組成と異なる。これにより、発光波長の異なる前記第１の窒化物半導体部と前記第２の窒化物半導体部のそれぞれに適した光導波構造とすることができる。
【００１０】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第１の井戸層の発光波長は、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内にあるのが好ましい。この場合、第１の発光層は青色光を発光する。
【００１１】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第２の井戸層の発光波長は、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲内にあるのが好ましい。この場合、第２の発光層は緑色光を発光する。
【００１２】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第２の角度は、６３度以上８０度以下の範囲内又は１００度以上１１７度以下の範囲内にあるのが好ましい。第２の角度が６３度以上８０度以下の範囲内又は１００度以上１１７度以下の範囲内にあるとき、第２の発光層でＩｎの取り込みや高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮの結晶品質が優れたものになり、高輝度な緑色光を実現しやすくなる。
【００１３】
本発明の窒化物半導体発光素子では、前記第１の窒化物半導体部及び前記第２の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第１の部分のｃ軸方向は前記第１の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交し、前記第２の部分のｃ軸方向は前記第２の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交していてもよく、または、前記第１の窒化物半導体部及び前記第２の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第１の部分のｃ軸方向は前記第１の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行し、前記第２の部分のｃ軸方向は前記第２の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行していてもよく、または、前記第１の窒化物半導体部及び前記第２の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第１の部分のｃ軸方向は前記第１の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交し、前記第２の部分のｃ軸方向は前記第２の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行していてもよい。ｃ軸方向が導波路の延びている方向に直交している場合、へき開によって光の出射端面を形成しやすくなる。ｃ軸方向が導波路の延びている方向と主面の法線方向とによってなる平面に平行している場合、光学異方性によって導波路方向の利得が大きくなる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、複数の波長の光を出射する窒化物半導体を用いた窒化物半導体発光素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの構成を示す図である。
【図２】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの製造方法を説明するための図である。
【図３】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの製造方法を説明するための図である。
【図４】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの製造方法を説明するための図である。
【図５】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの他の製造方法を説明するための図である。
【図６】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの他の製造方法を説明するための図である。
【図７】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの他の製造方法を説明するための図である。
【図８】実施例１の窒化物半導体多波長レーザの構成を説明するための図である。
【図９】実施例１〜実施例３の窒化物半導体多波長レーザの構成を説明するための図である。
【図１０】実施例２の窒化物半導体多波長レーザの構成を説明するための図である。
【図１１】実施例３の窒化物半導体多波長レーザの構成を説明するための図である。
【図１２】実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザの発振特性を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は、実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザ１（窒化物半導体発光素子）の構成を説明するための図である。窒化物半導体多波長レーザ１は、ＬＤ２及びＬＤ４を備え、ＬＤ２及びＬＤ４は共通のｎ電極３上に設けられている。
【００１７】
ＬＤ２は、ＧａＮ基板２ａ、半導体部２ｂ、ｐ電極２ｃ及びｎ電極２ｄを有する。ＧａＮ基板２ａは、六方晶系窒化物半導体からなる基板５に含まれておりＧａＮ基板２ａの主面Ｓ２（基板５の主面Ｓ５に含まれる第１の領域であり、半導体部２ｂとの界面）から延びている基板５の第１の部分である。基板５は窒化物半導体多波長レーザ１の基板である。半導体部２ｂは、ＧａＮ基板２ａの主面Ｓ２上に設けられている。半導体部２ｂは、ＧａＮ基板２ａの主面Ｓ２上にエピタキシャル成長によって形成されたものとなっている。半導体部２ｂは、ＧａＮ基板２ａ上に順に設けられたＧａＮ層２ｅ、クラッド層２ｆ、ガイド層２ｇ、発光層２ｈ、ガイド層２ｉ、電子ブロック層２ｊ、クラッド層２ｋ及びコンタクト層２ｍを有する。ＧａＮ基板２ａ上にＧａＮ層２ｅが設けられ、ＧａＮ層２ｅ上にクラッド層２ｆが設けられ、クラッド層２ｆ上にガイド層２ｇが設けられ、ガイド層２ｇ上に発光層２ｈが設けられ、発光層２ｈ上にガイド層２ｉが設けられ、ガイド層２ｉ上に電子ブロック層２ｊが設けられ、電子ブロック層２ｊ上にクラッド層２ｋが設けられ、クラッド層２ｋ上にコンタクト層２ｍが設けられている。発光層２ｈは、ＩｎＧａＮからなる複数の井戸層を含む多重量子井戸構造を有する。発光層２ｈは、ＩｎＧａＮを井戸層とする単一量子井戸構造としてもよい。発光層２ｈの発光波長は、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内にあり、発光層２ｈは青色レーザ光を発光する。クラッド層２ｋ及びコンタクト層２ｍは、電子ブロック層２ｊ上においてリッジ形状の導波路２１を成す。電子ブロック層２ｊ上には、リッジ形状の導波路２１に沿って絶縁膜２３が設けられている。そして、導波路２１及び絶縁膜２３上にｐ電極２ｃが設けられている。また、ＧａＮ基板２ａの裏面（主面Ｓ２の反対側にある面）にはｎ電極２ｄが設けられており、ｎ電極２ｄはＧａＮ基板２ａに接している。ｎ電極２ｄは、ｎ電極３の一部であり、ＧａＮ基板２ａ及び半導体部２ｂに重なっている部分である。
【００１８】
ＧａＮ層２ｅはｎ型ドープされたＧａＮからなる。クラッド層２ｆはｎ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなる。ガイド層２ｇはＩｎＧａＮからなる。発光層２ｈは、ＩｎＧａＮからなる複数の井戸層とＧａＮからなる複数のバリア層とを含み、この井戸層とバリア層とが交互に積層されてなる。ガイド層２ｉはＩｎＧａＮからなる。電子ブロック層２ｊはｐ型ドープされたＡｌＧａＮからなる。クラッド層２ｋはｐ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなる。コンタクト層２ｍはｐ型ドープされたＧａＮからなる。ｐ電極２ｃは例えばＮｉ／Ａｕオーミック電極とＴｉ／Ａｕパッド電極からなり、ｎ電極２ｄ（ｎ電極３）は例えばＴｉ／Ａｌオーミック電極とＴｉ／Ａｕパッド電極からなる。絶縁膜２３はＳｉＯ２からなる。ＬＤ２の幅Ｗ２（導波路２１のリッジ状に延びている方向に対し直交する方向のＬＤ２の厚み）は、０．５ｍｍ程度である。
【００１９】
ＬＤ４は、ＧａＮ基板４ａ、半導体部４ｂ、ｐ電極４ｃ及びｎ電極４ｄを有する。ＧａＮ基板４ａは、六方晶系窒化物半導体からなる基板５に含まれておりＧａＮ基板４ａの主面Ｓ４（基板５の主面Ｓ５に含まれる第２の領域であり、半導体部４ｂとの界面）から延びている基板５の第２の部分である。基板５は、ＧａＮ基板２ａ及びＧａＮ基板４ａからなる。半導体部４ｂは、ＧａＮ基板４ａの主面Ｓ４上に設けられている。基板５の主面Ｓ５は、ＬＤ２の主面Ｓ２とＬＤ４の主面Ｓ４とからなり、主面Ｓ２は主面Ｓ４に隣接している。半導体部４ｂは、ＧａＮ基板４ａの主面Ｓ４上にエピタキシャル成長によって形成されたものとなっている。半導体部４ｂは、ＧａＮ基板４ａ上に順に設けられたＧａＮ層４ｅ、クラッド層４ｆ、ガイド層４ｇ、発光層４ｈ、ガイド層４ｉ、電子ブロック層４ｊ、クラッド層４ｋ及びコンタクト層４ｍを有する。ＧａＮ基板４ａ上にＧａＮ層４ｅが設けられ、ＧａＮ層４ｅ上にクラッド層４ｆが設けられ、クラッド層４ｆ上にガイド層４ｇが設けられ、ガイド層４ｇ上に発光層４ｈが設けられ、発光層４ｈ上にガイド層４ｉが設けられ、ガイド層４ｉ上に電子ブロック層４ｊが設けられ、電子ブロック層４ｊ上にクラッド層４ｋが設けられ、クラッド層４ｋ上にコンタクト層４ｍが設けられている。発光層４ｈは、ＩｎＧａＮからなる複数の井戸層を含む多重量子井戸構造を有する。発光層２ｈは、ＩｎＧａＮを井戸層とする単一量子井戸構造としてもよい。発光層４ｈの井戸層のＩｎ組成は、ＬＤ２の発光層２ｈのＩｎ組成と異なっており、発光層４ｈの発光波長は、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲内にあり、発光層４ｈは緑色レーザ光を発光する。クラッド層４ｋ及びコンタクト層４ｍは、電子ブロック層４ｊ上においてリッジ形状の導波路４１を成す。電子ブロック層４ｊ上には、リッジ形状の導波路４１に沿って絶縁膜４３が設けられている。そして、導波路４１及び絶縁膜４３上にｐ電極４ｃが設けられている。また、ＧａＮ基板４ａの裏面（主面Ｓ４の反対側にある面）にはｎ電極４ｄが設けられており、ｎ電極４ｄはＧａＮ基板４ａに接している。ｎ電極４ｄは、ｎ電極３の一部であり、ＧａＮ基板４ａ及び半導体部４ｂに重なっている部分である。ｎ電極３は、ｎ電極２ｄ及びｎ電極４ｄからなる。
【００２０】
ＧａＮ層４ｅはｎ型ドープされたＧａＮからなる。クラッド層４ｆはｎ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなる。ガイド層４ｇはＩｎＧａＮからなる。ガイド層４ｇのＩｎ組成は、ＬＤ２のガイド層２ｇのＩｎ組成と異なっている。発光層４ｈは、ＩｎＧａＮからなる複数の井戸層とＧａＮからなる複数のバリア層とを含み、この井戸層とバリア層とが交互に積層されてなる。ガイド層４ｉはＩｎＧａＮからなる。電子ブロック層４ｊはｐ型ドープされたＡｌＧａＮからなる。クラッド層４ｋはｐ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなる。コンタクト層４ｍはｐ型ドープされたＧａＮからなる。ｐ電極４ｃは例えばＮｉ／Ａｕオーミック電極とＴｉ／Ａｕパッド電極からなり、ｎ電極４ｄ（ｎ電極３）は例えばＴｉ／Ａｌオーミック電極とＴｉ／Ａｕパッド電極からなる。絶縁膜４３はＳｉＯ２からなる。ＬＤ４の幅Ｗ４（導波路４１のリッジ状に延びている方向に対し直交する方向のＬＤ４の厚み）は、０．５ｍｍ程度である。
【００２１】
ＧａＮ基板２ａのｃ軸方向とＧａＮ基板２ａの主面Ｓ２の法線方向との成す第１の角度（オフ角）と、ＧａＮ基板４ａのｃ軸方向とＧａＮ基板４ａの主面Ｓ４の法線方向との成す第２の角度（オフ角）とは異なっている。具体的には、図８に示す実施例１における角度θ２１（第１の角度）と角度θ４１（第２の角度）との差、図１０に示す実施例２における角度θ２２（第１の角度）と角度θ４２（第２の角度）との差、及び、図１２に示す実施例３における角度θ２３（第１の角度）と角度θ４３（第２の角度）との差は、何れも５度以上である。第１の角度と第２の角度との差が１０度程度の場合、ＬＤ２とＬＤ４のＩｎ組成に１０％程度の差が生じるので、ＬＤ２及びＬＤ４を青色・緑色に分けることが可能になるが、発光波長はＩｎ組成だけでなくピエゾ分極にも依存し、ピエゾ分極もオフ角に応じて変化するので、第１の角度と第２の角度との差を５度とした。特に、第２の角度（角度θ４１，θ４２及びθ４３）は、６３度以上８０度以下の範囲内又は１００度以上１１７度以下の範囲内にある。第２の角度が６３度以上８０度以下の範囲内又は１００度以上１１７度以下の範囲内にあるとき、第２の発光層でＩｎの取り込みや高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮの結晶品質が優れたものになり、緑色光を実現しやすくなる。なお、図８、図１０及び図１２の何れにおいても、ＧａＮ基板２ａの主面Ｓ２の法線方向とＧａＮ基板４ａの主面Ｓ４の法線方向とは、共に、基板５の主面Ｓ５の法線方向と同一であり、ｚ軸方向と記載している。
【００２２】
次に、図２〜図４を参照して、窒化物半導体多波長レーザ１の製造方法の概略を説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、複数のＧａＮ基体２ｎ及び複数のＧａＮ基体４ｎを用意する。ＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎは、何れも、ＨＶＰＥ（hydride vapor phase epitaxy）によって作製されたＧａＮインゴットから切り出された部分であり、略同一の寸法の直方体の形状を有する。ＧａＮ基体２ｎの結晶方位はＧａＮ基体４ｎの結晶方位と異なっている。次に、ＧａＮ基体２ｎとＧａＮ基体４ｎとを交互に一列に並べる。隣接するＧａＮ基体２ｎとＧａＮ基体４ｎとは接している（以上、図２（Ａ））。
【００２３】
次に、図２（Ｂ）に示すように、交互に一列に並べた複数のＧａＮ基体２ｎとＧａＮ基体４ｎの全体を下地基板として再度ＨＶＰＥによってＧａＮ層を結晶成長させる。このようにして結晶成長したＧａＮ層のうちＧａＮ基体２ｎ上に形成された部分（ＧａＮ基体２ｐ）の結晶方位はＧａＮ基体２ｎの結晶方位と同一であり、ＧａＮ基体４ｎ上に形成された部分（ＧａＮ基体４ｐ）の結晶方位は、ＧａＮ基体４ｎの結晶方位と同一である。このようにして、複数のＧａＮ基体２ｐ及びＧａＮ基体４ｐが交互に並んだＧａＮインゴットが形成される（以上、図２（Ｂ））。
【００２４】
次に、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示すように、ＧａＮ基体２ｐ及びＧａＮ基体４ｐからなるＧａＮインゴットから基板部５ａを切り出す。基板部５ａのうちＧａＮ基体２ｐに含まれていた部分はＧａＮ基板２ａとなっており、基板部５ａのうちＧａＮ基体４ｐに含まれていた部分はＧａＮ基板４ａとなっている。ＧａＮ基板２ａは、結晶成長のプロセスによって、隣接するＧａＮ基板４ａに接合した状態となっているが、このＧａＮ基板２ａとＧａＮ基板４ａとの界面には結晶欠陥が生じている。
【００２５】
次に、図３（Ａ）に示すように、ＭＯＶＰＥ（Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy）によって、ＬＤ用の積層構造体をエピタキシャル成長させる。このＬＤ用の積層構造体のうちＧａＮ基板２ａ上の部分（積層体２ｑ）は、図１に示す半導体部２ｂと同様の積層構造を有し、ＧａＮ基板４ａ上の部分（積層体４ｑ）は、図１に示す半導体部４ｂと同様の積層構造を有する。ＧａＮ基板２ａの結晶方位はＧａＮ基板４ａの結晶方位と異なっているので、積層体２ｑの発光層内に取り込まれるＩｎの組成比は、積層体４ｑの発光層内に取り込まれるＩｎの組成比と異なる。このように、積層体２ｑの発光波長と積層体４ｑの発光波長とは異なることとなり、このようにして、異なる発光波長（例えば青色の発光波長及び緑色の発光波長）の二つのＬＤが一回のエピタキシャル成長によって得られる（以上、図３（Ａ））。積層体２ｑと積層体４ｑは同一の表面を有しているので、デバイスプロセスが容易になる。
【００２６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ドライエッチングと真空蒸着とを用いて、積層体２ｑにリッジ形状の導波路２１を設け、積層体４ｑにリッジ形状の導波路４１を設ける。これによって、リッジ形状の導波路２１を有する半導体部２ｂがＧａＮ基板２ａ上に形成され、リッジ形状の導波路４１を有する半導体部４ｂがＧａＮ基板４ａ上に形成される。そして、導波路２１及び導波路４１が所定長となるようにＧａＮ基板２ａ、ＧａＮ基板４ａ、積層体２ｑ及び積層体４ｑをへき開する（以上、図３（Ｂ））。
【００２７】
次に、絶縁膜（絶縁膜２３及び絶縁膜４３に対応）と、ｐ電極２ｃ及びｐ電極４ｃと、ｎ電極３とを設けた後に、図３（Ｂ）及び図４（Ａ）に示す切断面Ｌ１に沿った切断を行ってチップ化することによって、図３（Ｃ）及び図４（Ｂ）に示すように、複数の窒化物半導体多波長レーザ１を得る。切断面Ｌ１は、隣接するＬＤ２とＬＤ４との界面を含む面であり、隣接する切断面Ｌ１の間にはＬＤ２とＬＤ４とが含まれる。切断面Ｌ１同士の間隔は、ＬＤ２及びＬＤ４の幅（ＬＤ２及びＬＤ４の並んでいる方向にとったＬＤ２の厚みとＬＤ４の厚みとの合計）程度（１ｍｍ程度）である。なお、この切断処理の前に、ＬＤ２及びＬＤ４のへき開面（端面）に対し、所望の反射率を実現するための端面コートを施しておく。ＬＤ２及びＬＤ４は、同一の導波路形成プロセスを経ており、さらに同一のへき開面（端面）を有しているので、ＬＤ２の発光波長の光軸とＬＤ４の発光波長の光軸とは高精度で一致することとなる。
【００２８】
なお、図２〜図４に示す製造方法に限らず、図５〜図７に示す製造方法によって窒化物半導体多波長レーザ１を製造してもよい。まず、図５（Ａ）に示すように、二つのＧａＮ基体２ｎと、二つのＧａＮ基体４ｎとを、交互に一列に並べる。隣接するＧａＮ基体２ｎとＧａＮ基体４ｎとは接しており、隣接するＧａＮ基体２ｎ同士も接しており、隣接するＧａＮ基体４ｎ同士も接している（以上、図５（Ａ））。
【００２９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、上記のようにして一列並べられた複数のＧａＮ基体２ｎとＧａＮ基体４ｎの全体を下地基板として再度ＨＶＰＥによってＧａＮ層を結晶成長させる。このようにして結晶成長したＧａＮ層のうちＧａＮ基体２ｎ上に形成された部分（ＧａＮ基体２ｐ）の結晶方位はＧａＮ基体２ｎの結晶方位と同一であり、ＧａＮ基体４ｎ上に形成された部分（ＧａＮ基体４ｐ）の結晶方位は、ＧａＮ基体４ｎの結晶方位と同一である。このようにして、ＧａＮ基体２ｐ及びＧａＮ基体４ｐからなるＧａＮインゴットが形成される（以上、図５（Ｂ））。
【００３０】
次に、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示すように、ＧａＮ基体２ｐ及びＧａＮ基体４ｐからなるＧａＮインゴットから基板部５ｂを切り出す。基板部５ｂのうちＧａＮ基体２ｐに含まれていた部分はＧａＮ基板２ａとなっており、基板部５ｂのうちＧａＮ基体４ｐに含まれていた部分はＧａＮ基板４ａとなっている。ＧａＮ基板２ａは、結晶成長のプロセスによって、隣接するＧａＮ基板２ａ及びＧａＮ基板４ａに接合した状態となっているが、ＧａＮ基板４ａとの界面には結晶欠陥が生じている。
【００３１】
次に、図６（Ａ）に示すように、ＭＯＶＰＥによって、ＬＤ用の積層構造体をエピタキシャル成長させる。このＬＤ用の積層構造体のうちＧａＮ基板２ａ上の部分（積層体２ｑ）は、図１に示す半導体部２ｂと同様の積層構造を有し、ＧａＮ基板４ａ上の部分（積層体４ｑ）は、図１に示す半導体部４ｂと同様の積層構造を有する。ＧａＮ基板２ａの結晶方位はＧａＮ基板４ａの結晶方位と異なっているので、積層体２ｑの発光層内に取り込まれるＩｎの組成比は、積層体４ｑの発光層内に取り込まれるＩｎの組成比と異なる。このように、積層体２ｑの発光波長と積層体４ｑの発光波長とは異なることとなり、このようにして、異なる発光波長（例えば青色の発光波長及び緑色の発光波長）の二つのＬＤが一回のエピタキシャル成長によって得られる（以上、図６（Ａ））。積層体２ｑと積層体４ｑは同一の表面を有しているので、デバイスプロセスが容易になる。
【００３２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、ドライエッチングと真空蒸着とを用いて、積層体２ｑにリッジ形状の導波路２１を設け、積層体４ｑにリッジ形状の導波路４１を設ける。これによって、リッジ形状の導波路２１を有する半導体部２ｂがＧａＮ基板２ａ上に形成され、リッジ形状の導波路４１を有する半導体部４ｂがＧａＮ基板４ａ上に形成される。そして、導波路２１及び導波路４１が所定長となるようにＧａＮ基板２ａ、ＧａＮ基板４ａ、積層体２ｑ及び積層体４ｑをへき開する（以上、図６（Ｂ））。
【００３３】
次に、絶縁膜（絶縁膜２３及び絶縁膜４３に対応）と、ｐ電極２ｃ及びｐ電極４ｃと、ｎ電極３とを設けた後に、図６（Ｂ）及び図７（Ａ）に示す切断面Ｌ２に沿った切断を行ってチップ化することによって、図６（Ｃ）及び図７（Ｂ）に示すように、複数の窒化物半導体多波長レーザ１を得る。切断面Ｌ２は、隣接する二つのＬＤ２の界面、又は、隣接する二つのＬＤ４の界面を含む面であり、隣接する二つの切断面Ｌ２の間にはＬＤ２とＬＤ４とが含まれる。切断面Ｌ２同士の間隔は、ＬＤ２及びＬＤ４の幅（ＬＤ２及びＬＤ４の並んでいる方向にとったＬＤ２の厚みとＬＤ４の厚みとの合計）程度（１ｍｍ程度）である。なお、この切断処理の前に、ＬＤ２及びＬＤ４のへき開面（端面）に対し、所望の反射率を実現するための端面コートを施しておく。ＬＤ２及びＬＤ４は、同一の導波路形成プロセスを経ており、さらに同一のへき開面（端面）を有しているので、ＬＤ２の発光波長の光軸とＬＤ４の発光波長の光軸とは高精度で一致することとなる。
【００３４】
なお、図３（Ａ）に示す積層体２ｑにリッジ形状の二つの導波路２１を形成し、図３（Ａ）に示す積層体４ｑにリッジ形状の二つの導波路４１を形成することによって、図６（Ｂ）に示す構造を実現してもよい。この場合、ＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎのそれぞれの幅（ＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎの並んでいる方向にとったＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎのそれぞれの厚み）は、上記幅０．５ｍｍの２倍程度（１ｍｍ程度）にでき、ＧａＮ基板を並べる工程を簡略化できる。積層体２ｑの幅（ＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎの並んでいる方向にとった積層体２ｑの厚み）は上記幅０．５ｍｍの２倍程度（１ｍｍ程度）となり、積層体４ｑの幅（ＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎの並んでいる方向にとった積層体４ｑの厚み）も上記幅０．５ｍｍの２倍程度（１ｍｍ程度）となる。
【００３５】
（実施例１）図８及び図９を参照して、実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザ１の実施例１について説明する。図８に示すように、ＬＤ２のＧａＮ基板２ａのｃ軸方向はＬＤ２の導波路２１の延びている方向（ｙ軸方向）に直交し、ＬＤ４のＧａＮ基板４ａのｃ軸方向はＬＤ４の半導体部４ｂの導波路４１の延びている方向（ｙ軸方向）に直交している。すなわち、ＧａＮ基板２ａのｃ軸方向は、導波路２１（ｙ軸）に直交する面（ｚｘ面）に平行し、ＧａＮ基板４ａのｃ軸方向は、導波路４１（ｙ軸）に直交する面（ｚｘ面）に平行している。ＧａＮ基板２ａのｃ軸方向と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）との成す第１の角度（角度θ２１）は２度であり（主面Ｓ５がａ軸方向２度オフ面）、ＧａＮ基板４ａのｃ軸方向と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）との成す第２の角度（角度θ４１）は７５度である（主面Ｓ５がｍ軸方向７５度オフ面）。ＧａＮ基板２ａのｍ軸方向はｙ軸方向と等価な方向であり、ＧａＮ基板４ａのａ軸方向もｙ軸方向と等価な方向である。
【００３６】
図９に示すように、ＧａＮ層２ｅはｎ型ドープされたＧａＮからなり、５００ｎｍ程度の厚みを有する。クラッド層２ｆは、ｎ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなり、１．５μｍ程度の厚みを有する。クラッド層２ｆのＩｎ，Ａｌ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０２，０．０９，０．８９である。ガイド層２ｇは、ＩｎＧａＮからなり、２００ｎｍ程度の厚みを有する。ガイド層２ｇのＩｎ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０２，０．９８である。
【００３７】
発光層２ｈは、複数のバリア層２ｒと複数の井戸層２ｓとからなり、バリア層２ｒと井戸層２ｓとが交互に積層されている。バリア層２ｒは、ＧａＮからなり、１５ｎｍ程度の厚みを有する。井戸層２ｓは、ＩｎＧａＮからなり、３ｎｍ程度の厚みを有する。井戸層２ｓのＩｎ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．２０，０．８０である。
【００３８】
ガイド層２ｉは、ＩｎＧａＮからなり、２００ｎｍ程度の厚みを有する。ガイド層２ｉのＩｎ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０２，０．９８である。電子ブロック層２ｊは、ｐ型ドープされたＡｌＧａＮからなり、２０ｎｍ程度の厚みを有する。電子ブロック層２ｊのＡｌ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．１２，０．８８である。クラッド層２ｋは、ｐ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮであり、４００ｎｍ程度の厚みを有する。クラッド層２ｋのＩｎ，Ａｌ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０２，０．０９，０．８９である。コンタクト層２ｍは、ｐ型ドープされたＧａＮからなり、５０ｎｍ程度の厚みを有する。
【００３９】
また、ＧａＮ層４ｅは、ｎ型ドープされたＧａＮからなり、５００ｎｍ程度の厚みを有する。クラッド層４ｆは、ｎ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなり、１．５μｍ程度の厚みを有する。クラッド層４ｆのＩｎ，Ａｌ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０２，０．０９，０．８９である。ガイド層４ｇは、ＩｎＧａＮからなり、２００ｎｍ程度の厚みを有する。ガイド層４ｇのＩｎ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０３，０．９７である。
【００４０】
発光層４ｈは、複数のバリア層４ｒと複数の井戸層４ｓとからなり、バリア層４ｒと井戸層４ｓとが交互に積層されている。バリア層４ｒは、ＧａＮからなり、１５ｎｍ程度の厚みを有する。井戸層４ｓは、ＩｎＧａＮからなり、３ｎｍ程度の厚みを有する。井戸層４ｓのＩｎ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．３０，０．７０である。
【００４１】
ガイド層４ｉは、ＩｎＧａＮからなり、２００ｎｍ程度の厚みを有する。ガイド層４ｉのＩｎ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０３，０．９７である。電子ブロック層４ｊは、ｐ型ドープされたＡｌＧａＮからなり、２０ｎｍ程度の厚みを有する。電子ブロック層４ｊのＡｌ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．１２，０．８８である。クラッド層４ｋは、ｐ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮであり、４００ｎｍ程度の厚みを有する。クラッド層４ｋのＩｎ，Ａｌ，Ｇａの組成比は、それぞれ、０．０２，０．０９，０．８９である。コンタクト層４ｍは、ｐ型ドープされたＧａＮからなり、５０ｎｍ程度の厚みを有する。
【００４２】
実施例１に係る窒化物半導体多波長レーザ１の製造方法を説明する。実施例１に係る窒化物半導体多波長レーザ１は図２〜図４に示す製造方法（特に、積層体２ｑにリッジ形状の二つの導波路２１を形成し、積層体４ｑにリッジ形状の二つの導波路４１を形成する製造方法）によって製造された。まず、ＨＶＰＥによって作製されたＧａＮインゴットから切り出した幅１ｍｍ程度の複数のＧａＮ基体２ｎ（ａ軸方向２度オフの結晶方位）と、ＨＶＰＥによって作製された他のＧａＮインゴットから切り出した幅１ｍｍ程度の複数のＧａＮ基体４ｎ（ｍ軸方向７５度オフの結晶方位）とを用意してＧａＮ基体２ｎとＧａＮ基体４ｎとを交互に並べた。次に、この複数のＧａＮ基体２ｎ及びＧａＮ基体４ｎの全体を下地基板として再度ＨＶＰＥによってＧａＮ基体２ｐ及びＧａＮ基体４ｐを結晶成長させ、複数のＧａＮ基体２ｐ及びＧａＮ基体４ｐが交互に並んだＧａＮインゴットを形成した。次に、このＧａＮインゴットから基板部５ａを切り出した。
【００４３】
次に、基板部５ａ上に、積層体２ｑ及び積層体４ｑを、ＭＯＶＰＥによってエピタキシャル成長させた。まず、基板部５ａを、ＮＨ３＋Ｈ２雰囲気、摂氏１０５０度の条件で１０分程度保持し、前処理（サーマルクリーニング）を行った後に、ｎ型ドープされたＧａＮ層（ＧａＮ層２ｅ及びＧａＮ層４ｅ）を摂氏１０５０度程度で基板部５ａ上に成長させる。
【００４４】
次に、温度を摂氏８４０度に下げ、クラッド層２ｆ及びクラッド層４ｆを成長させ、更に、ガイド層２ｇ及びガイド層４ｇを成長させた。次に、発光層２ｈ及び発光層４ｈを成長させた。バリア層２ｒ及びバリア層４ｒを摂氏８４０度程度で成長させ、井戸層２ｓ及び井戸層４ｓを摂氏７４０度程度で成長させた。次に、摂氏８４０度のもとで、ガイド層２ｉ及びガイド層４ｉを成長させた。
【００４５】
なお、基板部５ａのＧａＮ基板２ａとＧａＮ基板４ａとは結晶方位が異なっているので、ＧａＮ基板２ａ上に成長させたガイド層２ｇ、井戸層２ｓ及びガイド層２ｉのＩｎ組成比と、ＧａＮ基板４ａ上に成長させたガイド層４ｇ、井戸層４ｓ及びガイド層４ｉのＩｎ組成比とは異なっていた。
【００４６】
次に、摂氏１０００度程度のもとで電子ブロック層２ｊ及び電子ブロック層４ｊを成長させた。更にこの後、摂氏８４０度程度のもとで、クラッド層２ｋ及びクラッド層４ｋを成長させ、更に、コンタクト層２ｍ及びコンタクト層４ｍを成長させた。以上によって積層体２ｑ及び積層体４ｑを形成した。
【００４７】
次に、積層体２ｑ及び積層体４ｑに対しドライエッチングと真空蒸着とを行うことによって、ストライプ幅２μｍ程度のリッジ形状の導波路２１を積層体２ｑ毎に二つ形成し、同様のリッジ形状の導波路４１を積層体４ｑ毎に二つ形成した。次に、基板部５ａの裏面（半導体部２ｂ及び半導体部４ｂとの界面の反対側にあり、露出している面）を、へき開を容易にするために基板部５ａの厚みが１００μｍ程度になるまで研磨した。
【００４８】
そして、電子ブロック層２ｊ上に導波路２１を挟むようにして絶縁膜２３を形成し、電子ブロック層４ｊ上に導波路４１を挟むようにして絶縁膜４３を形成した後に、導波路２１及び絶縁膜２３上にｐ電極２ｃを形成し、導波路４１及び絶縁膜４３上にｐ電極４ｃを形成した。更に、基板部５ａの裏面にｎ電極３を形成した。そして、導波路２１及び導波路４１の長さが６００μｍ程度となるようにへき開を行った。ここで、ＧａＮ基板２ａ及び積層体２ｑに対するへき開はｍ面へき開であり、ＧａＮ基板４ａ及び積層体４ｑに対するへき開はａ面へき開であった。次に、このへき開によって生じた端面に対し、波長４９０ｎｍの光の反射率が８０％及び９５％のＳｉＯ２／ＴｉＯ２からなる誘電体多層膜を蒸着した。そして、積層体２ｑの二つの導波路２１の間の切断面（切断面Ｌ２に対応）及び積層体４ｑの二つの導波路４１の間の切断面（切断面Ｌ２に対応）に沿った切断を行ってチップ化することによって、複数の窒化物半導体多波長レーザ１を得た。
【００４９】
窒化物半導体多波長レーザ１のＬＤ２は、４６０ｎｍで発振し、窒化物半導体多波長レーザ１のＬＤ４は、５２０ｎｍで発振した。なお、誘電体多層膜の反射率は波長４９０ｎｍを中心に調整しているので、ＬＤ２とＬＤ４の両方にほぼ所望の反射率を提供することができる。このようにして、ＭＯＶＰＥ成長とデバイスプロセスが簡便な多波長発光素子が提供される。本実施例は、光の三原色のうちの青色光と緑色光を含んでいるので、例えば映像表示機器の光源に応用できる。
【００５０】
（実施例２）図１０を参照して、実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザ１の実施例２について説明する。図１０に示すように、ＬＤ２のＧａＮ基板２ａのｃ軸方向はＬＤ２の導波路２１の延びている方向（ｙ軸方向）に直交し、ＬＤ４のＧａＮ基板４ａのｃ軸方向はＬＤ４の半導体部４ｂの導波路４１の延びている方向（ｙ軸方向）と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）とによってなる平面（ｙｚ平面）に平行している。ＧａＮ基板２ａのｃ軸方向は、導波路２１（ｙ軸）に直交する面（ｚｘ面）に平行している。ＧａＮ基板２ａのｃ軸方向と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）との成す第１の角度（角度θ２２）は２度であり（主面Ｓ５がａ軸方向２度オフ面）、ＧａＮ基板４ａのｃ軸方向と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）との成す第２の角度（角度θ４２）は７５度である（主面Ｓ５がｍ軸方向７５度オフ面）。ＧａＮ基板２ａのｍ軸方向はｙ軸方向と等価な方向であり、ＧａＮ基板４ａのａ軸方向はｘ軸方向と等価な方向である。主面Ｓ５がｍ軸方向７５度オフ面となっているＧａＮ基板４ａ上に形成された半導体部４ｂからの発光は正の偏光度を有する。ここで、偏光度は、発光を素子表面から観測した場合に、オフ方向に垂直な成分の発光がオフ方向に平行な成分の発光よりも強いときに、正としている。このＬＤ４から発光されるレーザ光のオフ垂直成分は、このレーザ光のオフ平行成分よりも強い（図１２）。レーザ発振にはＴＥモードが寄与するので、ＬＤ４のようにオフ垂直成分がＴＥモードに一致するように導波路を形成すれば、しきい値電流を低減できる。
【００５１】
実施例２の半導体部２ｂ及び半導体部４ｂの構成は、図９に示す実施例１の場合と同様であった。実施例２に係る窒化物半導体多波長レーザ１の製造方法も、実施例１の場合の製造方法と同様であった。実施例２の場合におけるＧａＮ基板４ａ及び積層体４ｑの端面はへき開性のある結晶面ではないが、ＧａＮ基板２ａ及び積層体２ｑのｍ面へき開に引きずられて良好に割れた。
【００５２】
（実施例３）図１１を参照して、実施形態に係る窒化物半導体多波長レーザ１の実施例２について説明する。図１１に示すように、ＬＤ２のＧａＮ基板２ａのｃ軸方向はＬＤ２の導波路２１の延びている方向（ｙ軸方向）と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）とによってなる平面（ｙｚ平面）に平行し、ＬＤ４のＧａＮ基板４ａのｃ軸方向はＬＤ４の半導体部４ｂの導波路４１の延びている方向（ｙ軸方向）と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）とによってなる平面（ｙｚ平面）に平行している。ＧａＮ基板２ａのｃ軸方向と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）との成す第１の角度（角度θ２３）は９０度であり（主面Ｓ５がｍ面）、ＧａＮ基板４ａのｃ軸方向と基板５の主面Ｓ５の法線方向（ｚ軸方向）との成す第２の角度（角度θ４３）は７０度である（主面Ｓ５がｍ軸方向７０度オフ面）。ＧａＮ基板２ａのｍ軸方向はｚ軸方向と等価な方向であり、ＧａＮ基板４ａのａ軸方向はｘ軸方向と等価な方向である。主面Ｓ５がｍ面となっているＧａＮ基板２ａ上に形成された半導体部２ｂからの発光と、主面Ｓ５がｍ軸方向７０度オフ面となっているＧａＮ基板４ａ上に形成された半導体部４ｂからの発光とは何れも正の偏光度を有するので、ＬＤ２及びＬＤ４に対するしきい値電流は何れも低減される。
【００５３】
実施例３の半導体部２ｂ及び半導体部４ｂの構成は、図９に示す実施例１の場合と同様であった。実施例３に係る窒化物半導体多波長レーザ１の製造方法については、井戸層２ｓ及び井戸層４ｓの成長温度を摂氏７５０度程度とし、ガイド層２ｇ及びガイド層４ｇと、ガイド層２ｉ及びガイド層４ｉと、バリア層２ｒ及びバリア層４ｒとの成長温度を摂氏８５０度程度としたことを除けば、実施例１の場合の製造方法と同様であった。実施例３の場合におけるＧａＮ基板４ａ及び積層体４ｑの端面はへき開性のある結晶面ではないが、ＧａＮ基板２ａ及び積層体２ｑのｃ面へき開に引きずられて良好に割れた。
【符号の説明】
【００５４】
１…窒化物半導体多波長レーザ、２，４…ＬＤ、２１，４１…導波路、２３，４３…絶縁膜、２ａ，４ａ…ＧａＮ基板、２ｂ，４ｂ…半導体部、２ｃ，４ｃ…ｐ電極、２ｄ，３，４ｄ…ｎ電極、２ｅ，４ｅ…ＧａＮ層、２ｆ，４ｆ，２ｋ，４ｋ…クラッド層、２ｇ，４ｇ，２ｉ，４ｉ…ガイド層、２ｈ，４ｈ…発光層、２ｊ，４ｊ…電子ブロック層、２ｍ，４ｍ…コンタクト層、２ｎ，４ｎ，２ｐ，４ｐ…ＧａＮ基体、２ｑ，４ｑ…積層体、２ｒ，４ｒ…バリア層、２ｓ，４ｓ…井戸層、５…基板、５ａ，５ｂ…基板部、Ｓ２，Ｓ４，Ｓ５…主面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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