(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、
前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、
前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成され、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記画素のうちの前記第一画素電極が設けられた第一画素部と前記第二画素電極が設けられた第二画素部の少なくとも何れか一方に設けられ、その画素部を区分した二つの領域のうちの一方の領域の液晶分子を所定の第一のチルト方向にチルトさせ、他方の領域の液晶分子を前記第一の方向とは異なる第二のチルト方向にチルトさせるチルト方向規定手段と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、を備え、
前記第二容量電極は、前記走査信号線の延伸方向と平行な前記第二画素電極の二つの横辺の何れか一方と、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する前記第二画素電極の二つの縦辺の両方と、に重なるように形成され、
前記第三容量電極は、前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の前記二つの横辺の他方に重なるように形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第一画素部と前記第二画素部との何れか一方のみに、前記チルト方向規定手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第一画素部と前記第二画素部とは互いに異なる面積を有しており、前記各画素部のうちの、面積が大きい画素部に前記チルト方向規定手段が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記チルト方向規定手段は、前記画素電極と前記共通電極との間に生じた電界による液晶分子のチルト方向を前記第一のチルト方向と前記第二のチルト方向とに規定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記チルト方向規定手段は、前記画素電極と前記共通電極との間に生じた電界の向きを、前記一方の領域において前記第一のチルト方向に歪ませ、前記他方の領域において前記第二のチルト方向に歪ませる手段からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記チルト方向規定手段は、前記画素電極の前記一方の領域側の辺及び前記他方の領域側の辺の外側に配置され、前記画素電極との間に横電界を生じさせる横電界生成手段と、前記画素部を前記第一画素電極の前記一方の辺側の第一領域と前記他方の辺側の第二領域とに区分するように配置され、前記第一画素電極と前記共通電極との間に生じた電界の強度を部分的に低下させる電界減衰手段と、からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第一の薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、
前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、
前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成され、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記第一画素電極の少なくとも互いに反対側の二つの辺の外側に前記第一画素電極と絶縁して配置され、前記第一画素電極との間に横電界を生じさせる第一の横電界生成電極と、
前記第二画素電極の少なくとも互いに反対側の二つの辺の外側に前記第二画素電極と絶縁して配置され、前記第二画素電極との間に横電界を生じさせる第二の横電界生成電極と、
前記共通電極上または前記共通電極に、前記画素のうちの前記第一画素電極が設けられた第一画素部を、前記第一画素電極の二つの辺のうちの一方の辺の側の第一領域と他方の辺の側の第二領域とに区分するように形成され、前記第一画素電極と前記共通電極との間に生じた電界の強度を低下させる第一の電界減衰手段と、
前記共通電極上または前記共通電極に、前記画素のうちの前記第二画素電極が設けられた第二画素部を、前記第二画素電極の二つの辺のうちの一方の辺の側の第三領域と他方の辺の側の第四領域とに区分するように形成され、前記第二画素電極と前記共通電極との間に生じた電界の強度を低下させる第二の電界減衰手段と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、を備え、
前記第二容量電極は、前記走査信号線の延伸方向と平行な前記第二画素電極の二つの横辺の何れか一方と、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する前記第二画素電極の二つの縦辺の両方と、に重なるように形成され、
前記第三容量電極は、前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の二つの横辺の他方に重なるように形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記第一の横電界生成電極は、前記第一画素電極の二つの辺のうちの一方の辺の側と他方の辺の側とで互いに逆向きの横電界を生じさせるように形成され、前記第二の横電界生成電極は、前記第二画素電極の二つの辺のうちの一方の辺の側と他方の辺の側とで互いに逆向きの横電界を生じさせるように形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第一の横電界生成電極及び前記第二の横電界生成電極に、前記第一容量電極と前記第二容量電極とに印加される前記第一の電圧と同じ電圧が印加されることを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第一画素電極と前記第二画素電極との間を延伸するように前記走査信号線が配置されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第一画素電極と前記第二画素電極とはそれぞれ、前記走査信号線の延伸方向と平行な二つの横辺と、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する二つの縦辺と、を有する四角形状に形成されていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように形成されていることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第一の横電界生成電極は、前記第一画素電極の二つの縦辺の外側に配置され、前記第二の横電界生成電極は、前記第二画素電極の二つの縦辺の外側に配置されていることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第一の横電界生成電極は、前記第一容量電極と一体に形成され、前記第二の横電界生成電極は、前記第二容量電極と一体に形成されていることを特徴とする請求項７乃至１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第一の電界減衰手段は、前記第一画素部を、前記第一領域と前記第二領域とに二等分するように配置され、前記第二の電界減衰手段は、前記第二画素部を、前記第三領域と前記第四領域とに二等分するように配置されていることを特徴とする請求項７乃至１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第一の電界減衰手段は、前記第一画素電極の二つの縦辺と平行な直線形状に形成され、前記第二の電界減衰手段は、前記第二画素電極の二つの縦辺と平行な直線形状に形成されていることを特徴とする請求項７乃至１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第一の電界減衰手段と前記第二の電界減衰手段とはそれぞれ、前記共通電極の前記液晶層と対向する面上に形成された誘電体層からなっていることを特徴とする請求項７乃至１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第一の電界減衰手段と前記第二の電界減衰手段とはそれぞれ、前記共通電極に設けられたスリットからなっていることを特徴とする請求項７乃至１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第一画素電極及び前記第二画素電極を覆って第一配向膜が設けられ、前記共通電極及び前記電界減衰手段を覆って第二配向膜が設けられており、前記第一配向膜と前記第二配向膜とはそれぞれ、前記第一の電界減衰手段及び前記第二の電界減衰手段の延伸方向に対して交差する方向にラビングされていることを特徴とする請求項７乃至１７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第一配向膜は、前記第一の電界減衰手段及び前記第二の電界減衰手段の延伸方向に対して一方の方向に４５°の角度で交差する方向にラビングされ、前記第二配向膜は、前記第一の電界減衰手段及び前記第二の電界減衰手段の延伸方向に対して前記一方の方向とは反対方向に４５°の角度で交差する方向にラビングされており、前記液晶層は、正の誘電異方性を有する液晶からなり、その液晶分子が、前記第一画素電極及び前記第二画素電極と前記共通電極との間において９０°のツイスト角でツイスト配向していることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第一配向膜は、前記第一の電界減衰手段及び前記第二の電界減衰手段の延伸方向に対して一方の方向に９０°の角度で交差する方向にラビングされ、前記第二配向膜は、前記第一の電界減衰手段及び前記第二の電界減衰手段の延伸方向に対して前記一方の方向とは反対方向に９０°の角度で交差する方向にラビングされており、前記液晶層は、正の誘電異方性を有する液晶からなり、その液晶分子が、分子長軸を前記第一配向膜及び前記第二配向膜のラビング方向に揃えてホモジニアス配向していることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、一定レベルの直流電圧であることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、電圧レベルが前記第一の電圧と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一の電圧の振幅よりも小さい矩形波交流電圧であることを特徴とする請求項１乃至２１のいずかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、広い視野角をもった液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示の視野角を広くすることが望まれている。そのために、画素を二つの領域に区分し、その一方の領域の視野角特性と他方の領域の視野角特性とを異ならせることにより、前記二つの領域の視野角特性が相乗した広い視野角を得ることが考えられている。
【０００３】
この種の広視野角液晶表示装置としては、従来、例えば特許文献１に記載されているように、第一の薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とを画素毎に形成し、前記第一の薄膜トランジスタの充電能力と、前記第二の薄膜トランジスタの充電能力とを異ならせることにより、前記一方の領域の液晶と他方の領域の液晶とに、異なる値の電圧を印加するようにしたものがある。
【０００４】
また、他の広視野角液晶表示装置としては、特許文献２に記載されているように、液晶層を挟んで対向する第一基板と第二基板の何れか一方に、各画素にそれぞれ対応させて、例えば断面形状が三角形状の凸部を設け、前記凸部を覆って配向膜を形成することにより、各画素毎に、液晶分子が配向膜のラビング方向に向かってプレチルトした第一の領域と、液晶分子が前記配向膜のラビング方向とは逆向きにプレチルトした第二の領域とを形成したものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１５２０１３号公報
【特許文献２】特開平７−３３３６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前記特許文献１及び特許文献２に記載された液晶表示装置は、何れも視野角が充分に広いとは言えない。
【０００７】
しかも、液晶表示装置は、各種の工程を経て製造されるため、同機種の液晶表示装置であっても、製造工程で生じた絶縁膜厚や液晶層厚等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきを生じることがあるが、前記特許文献１及び特許文献２に記載された液晶表示装置は、前記視野角のばらつきの補正が難しい。
【０００８】
この発明は、視野角を充分に広くし、しかも表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる液晶表示装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の液晶表示装置は、第一の薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成され、前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、  前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、前記画素のうちの前記第一画素電極が設けられた第一画素部と前記第二画素電極が設けられた第二画素部の少なくとも何れか一方に設けられ、その画素部を区分した二つの領域のうちの一方の領域の液晶分子を所定の第一のチルト方向にチルトさせ、他方の領域の液晶分子を前記第一の方向とは異なる第二のチルト方向にチルトさせるチルト方向規定手段と、前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、を備え、前記第二容量電極は、前記走査信号線の延伸方向と平行な前記第二画素電極の二つの横辺の何れか一方と、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する前記第二画素電極の二つの縦辺の両方と、に重なるように形成され、前記第三容量電極は、前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の前記二つの横辺の他方に重なるように形成されている、ことを特徴とする。
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の第２の態様の液晶表示装置は、第一の薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成され、前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、前記第一画素電極の少なくとも互いに反対側の二つの辺の外側に前記第一画素電極と絶縁して配置され、前記第一画素電極との間に横電界を生じさせる第一の横電界生成電極と、前記第二画素電極の少なくとも互いに反対側の二つの辺の外側に前記第二画素電極と絶縁して配置され、前記第二画素電極との間に横電界を生じさせる第二の横電界生成電極と、前記共通電極上または前記共通電極に、前記画素のうちの前記第一画素電極が設けられた第一画素部を、前記第一画素電極の二つの辺のうちの一方の辺の側の第一領域と他方の辺の側の第二領域とに区分するように形成され、前記第一画素電極と前記共通電極との間に生じた電界の強度を低下させる第一の電界減衰手段と、前記共通電極上または前記共通電極に、前記画素のうちの前記第二画素電極が設けられた第二画素部を、前記第二画素電極の二つの辺のうちの一方の辺の側の第三領域と他方の辺の側の第四領域とに区分するように形成され、前記第二画素電極と前記共通電極との間に生じた電界の強度を低下させる第二の電界減衰手段と、前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、を備え、前記第二容量電極は、前記走査信号線の延伸方向と平行な前記第二画素電極の二つの横辺の何れか一方と、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する前記第二画素電極の二つの縦辺の両方と、に重なるように形成され、前記第三容量電極は、前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の二つの横辺の他方に重なるように形成されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
この発明によれば、視野角を充分に広くし、しかも表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明の第一実施例を示す液晶表示装置の構成図。
【図２】第一実施例における液晶表示素子の平面図。
【図３】前記液晶表示素子の側面図。
【図４】前記液晶表示素子の第一基板の一部分の被覆絶縁膜及び第一配向膜を省略し    た平面図。
【図５】図４の一つの画素部分の拡大図。
【図６】図４のVI−VI矢視線に沿う拡大断面図。
【図７】図４のVII−VII矢視線に沿う拡大断面図。
【図８】図４のVIII−VIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図９】図４のIX−IX矢視線に沿う拡大断面図。
【図１０】図８のX部の拡大図。
【図１１】前記液晶表示素子の液晶分子の初期配向状態及び第一及び第二偏光板の吸収軸の向きを示す平面図。
【図１２】第一実施例における第一、第二、第三容量電極及び第一、第二の横電界生成電極と第一、第二の電界減衰手段の配置図。
【図１３】前記液晶表示素子の一つの画素の回路図。
【図１４】前記液晶表示素子を駆動する走査信号とデータ信号と第一及び第二の電圧の波形図。
【図１５】前記第一の電圧と前記第二の電圧との電圧差を示す図。
【図１６】前記画素の第一画素部における第一画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１７】前記画素の第二画素部における第二画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１８】前記第一画素部と前記第二画素部の液晶層での電圧−透過率特性図。
【図１９】第一実施例の液晶表示装置における無電界時の液晶分子の配向状態を模式    的に示す断面図。
【図２０】第一実施例の液晶表示装置における駆動電界の歪みと液晶分子の配向状態    とを模式的に示す断面図。
【図２１】第一実施例の液晶表示装置における一つの画素の液晶分子のノーマルチル    ト領域とリバースチルト領域とを示す平面図。
【図２２】第一比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図２３】第二比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図２４】第三比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図２５】第一実施例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図２６】第一及び第二の電界減衰手段の変形例を示す断面図。
【図２７】第一及び第二の電界減衰手段の他の変形例を示す断面図。
【図２８】第一及び第二の電界減衰手段の他の変形例を示す断面図。
【図２９】図１４の走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧のうちの第二電圧を矩形波交流電圧とした例を示す図。
【図３０】図１４の走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧のうちの第二電圧を他の矩形波交流電圧とした例を示す図。
【図３１】第一実施例における第二容量電極、第二の横電界生成電極及び第三容量電極の他の配置例を示す図。
【図３２】第一実施例における第一容量電極、第二容量電極、第一の横電界生成電極及び第二の横電界生成電極の変形例を示す図。
【図３３】この発明の第二実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一部分の第一被覆絶縁膜と第二被覆絶縁膜及び第一配向膜を省略した平面図。
【図３４】図３３の一つの画素部分の拡大図。
【図３５】図３３のXXXV−XXXV矢視線に沿う拡大断面図。
【図３６】図３３のXXXVI−XXXVI矢視線に沿う拡大断面図。
【図３７】第二実施例における第一、第二、第三容量電極及び第一、第二の横電界生成電極と第一、第二の電界減衰手段の配置図。
【図３８】この発明の第三実施例を示す液晶表示素子の第一基板の図３５に対応する部分の断面図。
【図３９】第三実施例における第一、第二、第三容量電極及び第一、第二の横電界生成電極と第一、第二の電界減衰手段の配置図。
【図４０】この発明の第四実施例を示す液晶表示素子の第一基板の図３５に対応する部分の断面図。
【図４１】第四実施例における第一、第二、第三容量電極及び第一、第二の横電界生成電極と第一、第二の電界減衰手段の配置図。
【図４２】この発明の第五実施例を示す第一、第二、第三容量電極及び第一、第二の横電界生成電極と第一、第二の電界減衰手段の配置図。
【図４３】この発明の第六実施例を示す液晶表示素子の第一基板の図３５に対応する部分の断面図。
【図４４】第六実施例における第一、第二、第三容量電極及び第一、第二の横電界生成電極と第一、第二の電界減衰手段の配置図。
【図４５】この発明の第七実施例の液晶表示装置における無電界時の液晶分子の配向状態を模式的に示す断面図。
【図４６】第七実施例の液晶表示装置における駆動電界の歪みと液晶分子の配向状態を模式的に示す断面図。
【図４７】この発明の第八実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部分の被覆絶縁膜及び第一配向膜を省略した平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
［第一実施例］
この発明の第一実施例の液晶表示装置は、図１のように、液晶表示素子１と前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段４０とにより構成されている。
【００３５】
前記液晶表示素子１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス型液晶表示素子であり、複数の画素３３が、図２のように、行方向（図において左右方向）及び列方向（図において上下方向）に配列させて形成されている。
【００３６】
この液晶表示素子１は、図２〜図９のように、対向配置された透明な第一基板３と第二基板４を備えている。そして、前記第一基板（例えば表示面側とは反対側の基板）３の第二基板４と対向する面に、複数の透明な画素電極５が行方向及び列方向に配列させて設けられ、前記第二基板４の第一基板３と対向する面に、前記各画素電極５と対向する一枚膜状の透明な共通電極６が設けられている。
【００３７】
さらに、前記第一基板３には、各画素電極５の行毎に行方向に延伸させて配線された複数の走査信号線７と、各画素電極５の列毎に列方向に延伸させて配線された複数のデータ信号線８とが設けられている。
【００３８】
前記各画素電極５はそれぞれ、電気的に分離して形成された第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとからなっている。この第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂはそれぞれ、前記走査信号線７の延伸方向と平行な二つの横辺と、前記走査信号線７の延伸方向に対して交差する二つの縦辺とを有する四角形状に形成されている。
【００３９】
この実施例において、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、同じ横幅（行方向の幅）を有しており、第一画素電極５ａは、縦幅（列方向の幅）が前記横幅の約２倍である縦長矩形形状に形成され、第二画素電極５ｂは、縦幅と横幅が同程度の正方形形状に形成されている。
【００４０】
そして、前記走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置されている。また、前記データ信号線８は、各列の画素電極５の一側の領域に、列方向に延伸するように配置されている。
【００４１】
また、前記第一基板３には、前記各画素電極５にそれぞれ対応させて、前記第一画素電極５ａに接続された第一のＴＦＴ９ａと、前記第二画素電極５ｂに接続された第二のＴＦＴ９ｂと、が配置されている。この第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとは、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に、前記行方向に並べて配置されている。
【００４２】
前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂはそれぞれ、図４、図５、図６及び図７のように、第一基板３上に形成されたゲート電極１０と、前記第一基板３上の全域に前記ゲート電極１０を覆って形成された透明なゲート絶縁膜１１と、前記ゲート絶縁膜１１上に前記ゲート電極１０と対向させて形成された真正アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２と、前記半導体薄膜１２の上面の中央部に設けられたチャネル保護膜１３と、前記半導体薄膜１２のチャネル領域を挟んで、その一方の側と他方の側との上にそれぞれｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層１４を介して形成されたソース電極１５及びドレイン電極１６とからなっている。
【００４３】
なお、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、互いに逆向きの形状に形成されている。すなわち、第一ＴＦＴ９ａは、第一画素電極５ａと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。また、第二ＴＦＴ９ｂは、第二画素電極５ｂと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。
【００４４】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａのゲート電極１０と第二ＴＦＴ９ｂのゲート電極１０は、互いに同じ走査信号線７に接続されている。また、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５と第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５は、互いに同じデータ信号線８に接続されている。
【００４５】
なお、前記各走査信号線７は、前記第一基板３上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０，１０と同じ金属膜により、前記各ゲート電極１０，１０と一体に形成されている。
【００４６】
一方、前記各データ信号線８は、前記ゲート絶縁膜１１の上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６と同じ金属膜により、前記各ソース電極１５，１５と一体に形成されている。
【００４７】
なお、前記データ信号線８には、各行の画素電極５の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に向かって延びる複数の分岐線８ａが一体に形成されている。この分岐線８ａは、互いに逆向きの形状に形成された前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂのうちの前記データ信号線８に近い側に配置された第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５側を通り、さらに前記データ信号線８から遠い側に配置された第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５側に達するように屈曲させた形状に形成されている。そして、前記データ信号線８は、前記分岐線８ａを介して、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５及び第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５に一体的に接続されている。
【００４８】
この実施例において、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂと各走査信号線７と第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９と各データ信号線８は、次のような工程で形成される。
【００４９】
［工程１］
まず、第一基板３上に、各走査信号線７及びゲート電極１０と前記各容量電極１７，１８，１９を、金属膜の成膜及びそのパターニングにより形成する。
【００５０】
［工程２］
次に、前記ゲート絶縁膜１１と半導体薄膜１２とチャネル保護膜１３とを順次成膜し、前記チャネル保護膜１３を半導体薄膜１２の中央部を覆う形状にパターニングする。
【００５１】
［工程３］
次に、前記コンタクト層１４と、ソース，ドレイン電極及びデータ信号線用の金属膜とを順次成膜し、前記金属膜とコンタクト層１４及び半導体薄膜１２を一括して前記ソース電極１５及びドレイン電極と各データ信号線８の形状にパターニングする。
【００５２】
そのため、前記各データ信号線８は、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００５３】
さらに、前記ゲート絶縁膜１１の上には、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び前記各データ信号線８を覆って透明な被覆絶縁膜２０が設けられており、この被覆絶縁膜２０の上に前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂが形成されている。そして、前記第一画素電極５ａは、前記第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に接続されている。
【００５４】
なお、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、前記被覆絶縁膜２０の第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６，１６上の部分に第一及び第二のコンタクト孔２１ａ，２１ｂを穿設した後に、前記被覆絶縁膜２０上にＩＴＯ膜を成膜し、そのＩＴＯ膜を第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの形状にパターニングすることにより形成される。
【００５５】
従って、第一画素電極５ａは、前記第一のコンタクト孔２１ａにおいて第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続され、前記第二画素電極５ｂは、前記第二のコンタクト孔２１ｂにおいて第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に接続されている。
【００５６】
すなわち、前記液晶表示素子１は、第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとが画素３３毎に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとが、互いに同じデータ信号線８及び走査信号線７に接続されたものである。
【００５７】
そのため、各画素３３はそれぞれ、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の部分を境にして、第一画素電極５ａが設けられた第一画素部３３ａと、第二画素電極５ｂが設けられた第二画素部３３ｂとに区分されている。以下、第一画素部３３ａをメイン画素部、第二画素電極５ｂが設けられた第二画素部３３ｂをサブ画素部という。この実施例において、前記メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂとの面積比（第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの面積比）は、メイン画素部：サブ画素部＝７：３に設定されている。
【００５８】
前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、同じ走査信号線７からの所定電位の走査信号により同時にオンし、同じデータ信号線８から供給されたデータ信号を前記第一画素電極５ａと前記第二画素電極５ｂに各々印加する。
【００５９】
さらに、前記第一基板３には、各画素３３毎に、第一画素電極５ａとの間に第一誘電層が介在されて第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、第二画素電極５ｂとの間に第二誘電層が介在されて第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８と、前記第二画素電極５ｂとの間に第三誘電層が介在されて第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１９とが設けられている。
【００６０】
前記第一容量電極１７と第二容量電極１８及び第三容量電極１９は、図４、図５及び図１２のような形状に形成されている。すなわち、第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるような矩形枠形状に形成されている。
【００６１】
そして、各第一容量電極１７は、行毎に、隣り合う第一容量電極１７，１７の前記走査信号線７に隣接する辺とは反対側の辺の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００６２】
一方、前記第二容量電極１８と第三容量電極１９とのうち、第二容量電極１８は、第二画素電極５ｂの二つの横辺の何れか一方と二つの縦辺の両方とに重なるように配置され、第三容量電極１９は、前記第二画素電極５ｂの二つの横辺の他方と重なるように配置されている。
【００６３】
この実施例において、第二容量電極１８は、第二画素電極５ｂの二つの横辺のうちの走査信号線７に隣接する辺と二つの縦辺の両方とに重なるように、これらの各辺に沿って連続した三方枠形状に形成されている。そして、各第二容量電極１８は、行毎に、隣り合う第二容量電極１８，１８の前記走査信号線７に隣接する辺の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００６４】
また、第三容量電極１９は、第二画素電極５ｂの二つの横辺のうち、前記走査信号線７に隣接する辺とは反対側の一辺と重なるように、前記反対側の辺に沿った直線形状に形成されている。そして、各第三容量電極１９は、行毎に、隣り合う第三容量電極１９，１９の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００６５】
さらに、各走査信号線７と、各画素３３毎に設けられた第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９は、前記第一基板３上に、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０と同じ金属膜により形成されており、前記ゲート絶縁膜１１により覆われている。なお、各走査信号線７は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのゲート電極１０，１０と一体に形成されている。また、第一容量電極１７と第二容量電極１８はそれぞれ、前記走査信号線７との間に間隔を設けて形成されている。
【００６６】
そして、第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの全ての辺と、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第一誘電層を介して対向し、前記第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成している。
【００６７】
また、第二容量電極１８は、第二画素電極５ｂの前記三辺（走査信号線７に隣接する横辺及び二つの縦辺）と、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第二誘電層を介して対向し、前記第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成している。
【００６８】
さらに、第三容量電極１９は、前記第二画素電極５ｂの前記一辺（走査信号線７に隣接する辺とは反対側の横辺）と、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第三誘電層を介して対向し、前記第二画素電極５ｂとの間に前記第三補償容量Ｃｓ３を形成している。
【００６９】
すなわち、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と、前記第二各補償容量Ｃｓ２の第二誘電層と、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層は、同一の層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）として形成されている。
【００７０】
前記第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、前記第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８には、前記共通電極６への印加電圧と同じ第一の電圧が印加され、前記第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１９には、前記第一の電圧とは異なる第二の電圧が印加される。
【００７１】
なお、ドライバ搭載部３ａには、前記第一の電圧を供給するための第一電圧入力端子３６ａと、前記第二の電圧を供給するための第二電圧入力端子３６ｂと、が形成されている。また、図では省略しているが、第一基板３の画面エリア１ａの外側には、前記第一電圧入力端子３６ａに接続された一本の第一電圧供給線と、前記第二電圧入力端子３６ｂに接続された一本の第二電圧供給線と、がデータ信号線８と平行に配線されている。
【００７２】
そして、行毎に共通接続された全ての行の第一容量電極１７と、行毎に共通接続された全ての行の第二容量電極１８は、前記一本の第一電圧供給線に接続されている。すなわち、各行の第一容量電極１７と、各行の第二容量電極１８には、前記第一電圧入力端子３６ａに供給された第一電圧が印加される。
【００７３】
また、行毎に共通接続された全ての行の第三容量電極１９は、前記一本の第二電圧供給線に接続されている。すなわち、各行の第三容量電極１９には、前記第二電圧入力端子３６ｂに供給された第二電圧が印加される。
【００７４】
さらに、前記液晶表示素子１は、各画素３３のメイン画素部３３ａに設けられ、該メイン画素部３３ａを区分した第一と第二の二つの領域３４ａ，３４ｂのうちの第一領域３４ａの液晶分子を所定の第一のチルト方向にチルトさせ、第二領域３４ｂの液晶分子を前記第一の方向とは異なる第二のチルト方向にチルトさせる第一のチルト方向規定手段と、各画素３３のサブ画素部３３ｂに設けられ、該サブ画素部３３ｂを区分した第三と第四の二つの領域３４ｃ，３４ｄのうちの第三領域３４ｃの液晶分子を前記第一のチルト方向にチルトさせ、第四領域３４ｂの液晶分子を前記第二のチルト方向にチルトさせる第二のチルト方向規定手段とを備えている。
【００７５】
前記第一及び第二のチルト方向規定手段は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた電界による液晶分子のチルト方向を前記第一のチルト方向と第二のチルト方向とに規定するように構成されている。
【００７６】
この実施例において、第一のチルト方向規定手段は、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた電界の向きを、前記第一領域３４ａにおいて前記第一のチルト方向に歪ませ、前記第二領域３４ｂにおいて前記第二のチルト方向に歪ませる手段からなっている。
【００７７】
また、第二のチルト方向規定手段は、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた電界の向きを、前記第三領域３４ｃにおいて前記第一のチルト方向に歪ませ、前記第四領域３４ｄにおいて前記第二のチルト方向に歪ませる手段からなっている。
【００７８】
さらに、前記第一のチルト方向規定手段は、第一画素電極５ａの第一領域３４ａ側の辺及び第二領域４３ｂ側の辺の外側に配置され、前記第一画素電極５ａとの間に横電界を生じさせる第一の横電界生成手段と、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた電界の強度を部分的に低下させる第一の電界減衰手段２６ａとからなっている。
【００７９】
また、前記第二のチルト方向規定手段は、第二画素電極５ｂの第三領域３４ｃ側の辺及び第四領域４３ｄ側の辺の外側に配置され、前記第二画素電極５ｂとの間に横電界を生じさせる第二の横電界生成手段と、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた電界の強度を部分的に低下させる第二の電界減衰手段２６ｂとからなっている。
【００８０】
前記第一の横電界生成手段は、第一基板３に、第一画素電極５ａの一方の側とその反対側の二つの辺の外側に前記第一画素電極５ａと絶縁して配置された第一の横電界生成電極２２からなっている。この第一の横電界生成電極２２は、第一画素電極５ａへの印加電圧とは異なる所定の電圧を印加され、第一画素電極５ａの前記二つの辺との間に、前記一方の側と前記反対側とで互いに逆向きの横電界を生じさせる。
【００８１】
前記第二の横電界生成手段は、第一基板３に、前記第二画素電極５ｂの一方の側とその反対側の二つの辺の外側に前記第二画素電極５ｂと絶縁して配置された第二の横電界生成電極２３からなっている。この第二の横電界生成電極２３は、前記所定の電圧（第一の横電界生成電極２２への印加電圧と同じ電圧）を印加され、第二画素電極５ｂの前記二つの辺との間に、前記一方の側と前記反対側とで互いに逆向きの横電界を生じさせる。
【００８２】
この実施例において、第一の横電界生成電極２２は、第一画素電極５ａの各辺のうち、二つの縦辺の外側に配置され、第二の横電界生成電極２３は、第二画素電極５ｂの各辺のうち、二つの縦辺の外側に配置されている。
【００８３】
そして、この実施例では、前記第一の横電界生成電極２２と第二の横電界生成電極２３とに、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８とに印加される第一の電圧と同じ電圧を印加するようにしている。
【００８４】
そのために、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる部分と一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる部分と一体に形成されている。
【００８５】
すなわち、前記第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるような矩形枠形状に形成されると共に、第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる縦枠部をそれぞれ、その全長にわたって、前記第一画素電極５ａに重なる側とは反対側の縁部を第一画素電極５ａの外方に張り出させた幅広形状に形成された第一の金属膜からなっている。そして、第一の横電界生成電極２２は、前記第一の金属膜の二つの縦枠部のうちの第一画素電極５ａの外方に張り出す部分により形成されている。
【００８６】
また、前記第二容量電極１８は、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する横辺と二つの縦辺の両方とに重なるような三方枠形状に形成されると共に、第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる縦枠部をそれぞれ、その全長にわたって、前記第二画素電極５ｂに重なる側とは反対側の縁部を第二画素電極５ｂの外方に張り出させた幅広形状に形成された第二の金属膜からなっている。そして、第二の横電界生成電極２３は、前記第二の金属膜の二つの縦枠部の第二画素電極５ｂの外方に張り出す部分により形成されている。
【００８７】
従って、前記第一の横電界生成電極２２と第二の横電界生成電極２３には、前記第一電圧入力端子３６ａに供給された第一電圧が、前記第一容量電極１７及び第二容量電極１８を介して印加される。
【００８８】
一方、前記第二基板４には、図６〜図９のように、赤色フィルタ２４Ｒ、緑色フィルタ２４Ｇ及び青色フィルタ２４Ｂの三色のカラーフィルタが、各画素３３の列毎に交互に並べて形成されている。さらに、前記第二基板４には、各行及び各列の隣り合う画素３３，３３の間の領域及び各画素３３のメイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂとの間の領域に対応させて遮光膜２５が形成されている。
【００８９】
この実施例において、前記遮光膜２５は、例えば黒色系の顔料を添加した感光性樹脂により形成されており、前記三色のカラーフィルタ２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、第二基板４上の遮光膜２５の無い領域に形成されている。
【００９０】
そして、前記共通電極６は、前記カラーフィルタ２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ及び遮光膜２５上に、各画素３３の配列領域の全域にわたって形成されている。この共通電極６は、前記枠状のシール材３０による基板接合部に設けられたクロス接続部（図示せず）を介して、前記ドライバ搭載部３ａに形成された第一電圧入力端子３６ａに、前記第一及び第二容量電極１７，１８と第一及び第二の横電界生成電極２２，２３と共に接続されている。
【００９１】
また、前記第一の電界減衰手段２６ａと第二の電界減衰手段２６ｂとは、第二基板２に設けられている。そして、第一の電界減衰手段２６ａは、前記メイン画素部３３ａを第一領域３４ａと第二領域３４ｂとに区分するように配置され、前記第二の電界減衰手段２６ｂは、前記サブ画素部３３ｂを第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとに区分するように配置されている。
【００９２】
前記第一の電界減衰手段２６ａと第二の電界減衰手段２６ｂはそれぞれ、共通電極６上に形成された誘電体層からなっている。以下、前記第一の電界減衰手段２６ａを第一誘電体層、第二の電界減衰手段２６ｂを第二誘電体層という。
【００９３】
前記第一誘電体層２６ａは、前記メイン画素部３３ａを、第一画素電極５ａの二つの縦辺のうちの一方の縦辺側の第一領域３４ａと他方の縦辺側の第二領域３４ｂとに区分するように形成されている。この第一誘電体層２６ａは、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた電界の強度を、前記第一誘電体層２６ａに対応する領域において部分的に低下させる。
【００９４】
また、前記第二誘電体層２６ｂは、前記サブ画素部３３ｂを、第二画素電極５ｂの二つの縦辺のうちの一方の縦辺側の第三領域３４ｃと他方の縦辺側の第四領域３４ｄとに区分するように形成されている。この第二誘電体層２６ｂは、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた電界の強度を、前記第二誘電体層２６ｂに対応する領域において部分的に低下させる。
【００９５】
この実施例において、前記第一誘電体層２６ａは、第一画素電極５ａの二つの縦辺間の中間部に対応する位置に、前記メイン画素部３３ａを一方の縦辺側の第一領域３４ａと、他方の縦辺側の第二領域とに二等分するように配置されている。また、前記第二誘電体層２６ｂは、第二画素電極５ｂの二つの縦辺間の中間部に対応する位置に、前記サブ画素部３３ｂを一方の縦辺側の第三領域３４ｃと他方の縦辺側の第四領域３４ｄとに二等分するように配置されている。
【００９６】
さらに、前記第一誘電体層２６ａは、第一画素電極５ａの縦辺と平行に、且つ前記第一画素電極５ａの縦幅の全長に対応する長さに延伸された直線形状に形成され、第二誘電体層２６ｂは、第二画素電極５ｂの縦辺と平行に、且つ前記第二画素電極５ｂの縦幅の全長に対応する長さに延伸された直線形状に形成されている。
【００９７】
前記第一誘電体層２６ａと第二誘電体層２６ｂはそれぞれ、１〜２μｍの膜厚及び１０〜１５μｍの幅の帯状膜であり、その中央部の膜面が平坦面に形成され、両側部の膜面がそれぞれ膜上面から両側面にかけて円弧状の曲面に形成された断面形状を有している。
【００９８】
この誘電体層２６ａ，２６ｂは、前記共通電極６の上に光硬化性樹脂を膜厚に塗布し、その塗布膜を露光及び現像処理によって帯形状にパターニングした後に、加熱処理により、前記樹脂膜の上面と両側面との間の角部を曲面化する方法で形成することができる。
【００９９】
また、前記第一基板３には、前記各画素電極５を覆って第一配向膜２８が設けられ、第二基板４には、前記共通電極６と第一及び第二誘電体層２６ａ，２６ｂを覆って第二配向膜２９が設けられている。
【０１００】
この第一配向膜２８及び第二配向膜２９は、液晶分子を第一基板３及び第二基板４の板面に対して０〜１°程度の極く小さいプレチルト角で配向させる水平配向性をもったポリイミド膜等からなっている。そして、第一配向膜２８と第二配向膜２９はそれぞれ、前記第一誘電体層２６ａ及び第二誘電体層２６ｂの延伸方向に対して交差する方向にラビングされている。
【０１０１】
また、前記第一基板３と第二基板４とは、図２及び図３のように、所定の間隙を設けて対向配置され、画面エリア１ａを囲む枠状のシール材３０を介して貼り合わされている。そして、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に液晶層２が形成されている。前記液晶層２は、前記第一基板３と第二基板４との間の間隙の前記シール材３０で囲まれた領域に、誘電異方性が正のネマティック液晶を封入して形成されている。
【０１０２】
さらに、前記第一基板３の外面には、第一偏光板３１が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置され、前記第二基板４の外面には、第二偏光板３２が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置されている。
【０１０３】
この実施例の液晶表示素子１は、例えばＴＮ型液晶表示素子であり、図５及び図１１のように、第一配向膜２８は、第一誘電体層２６ａ及び第二誘電体層２６ｂの延伸方向に対して一方の方向（図において右回り方向）に４５°の角度で交差する方向にラビングされ、第二配向膜２９は、前記第一誘電体層２６ａ及び第二誘電体層２６ｂの延伸方向に対して前記一方の方向とは反対方向（図において左回り方向）に４５°の角度で交差する方向にラビングされている。
【０１０４】
そして、前記液晶層２の液晶分子２ａは、図１１のように、第一基板３の近傍において第一配向膜２８のラビング方向２８ｒに分子長軸を向けて配列し、第二基板４の近傍において第二配向膜２９のラビング方向２９ｒに分子長軸を向けて配列すると共に、前記各配向膜２８，３９のラビング方向２８ｒ，２９ｒの上流側（ラビングの開始端側）から下流側（ラビングの終了端側）に向かって配向膜面から離れる方向に０〜１°程度の角度でプレチルトした状態で、第一基板３と第二基板４との間、つまり第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間において９０°のツイスト角でツイスト配向している。
【０１０５】
なお、第一誘電体層２６ａ及び第二誘電体層２６ｂの延伸方向に対する第一配向膜２８及び第二配向膜２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒの角度は、厳密に４５°でなくてもよく、また、液晶分子２４のツイスト角も、厳密に９０°でなくてもよい。すなわち、前記誘電体層２６ａ，２６ｂの延伸方向に対する前記配向膜２８，２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒの角度は、±５°程度の誤差が許容され、前記液晶分子２４のツイスト角は、±１０°程度の誤差が許容される。
【０１０６】
また、前記第一偏光板３１と第二偏光板３２は、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加しない無電界時の表示が最も明るい明表示であるノーマリーホワイトモードの液晶表示素子を構成するように配置されている。すなわち、図１１のように、第一偏光板３１は、その吸収軸３１ａを前記第一配向膜２８のラビング方向２８ｒと平行な方向に向けて配置され、第二偏光板３２は、その吸収軸３２ａを前記第一偏光板３１の吸収軸３１ａと直交する方向に向けて配置されている。
【０１０７】
さらに、前記第一基板３には、図２及び図３のように、例えば前記列方向（画面エリア１ａの上下方向）の一端側に、前記第二基板４の外方に張出すドライバ搭載部３ａが形成されており、このドライバ搭載部３ａに、複数の入力端子と複数の走査信号出力端子及び複数のデータ信号出力端子（いずれも図示せず）が形成されたＬＳＩからなるドライバ素子３５が搭載されている。
【０１０８】
そして、各走査信号線７は、画面エリア１ａの外側を迂回させて前記ドライバ素子３５の各走査信号出力端子にそれぞれ接続され、各データ信号線８は、前記ドライバ素子３５の各データ信号出力端子にそれぞれ接続されている。
【０１０９】
また、図では省略しているが、液晶表示素子１の背後（表示面側とは反対側）には、前記液晶表示素子１の画面エリア１ａの全域に向けて均一な照度の光を照射する面光源が配置されている。
【０１１０】
前記液晶表示素子１は、共通電極６に所定の波形の電圧を印加し、第一及び第二容量電極１７，１８と第一及び第二の横電界生成電極２２，２３とに前記共通電極６への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、第三容量電極１９に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加すると共に、各画素３３の行（以下、画素行という）を一行ずつ順次選択し、各画素行毎にその行の各画素３３の第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂに、各データ信号線８から供給されたデータ信号を第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂを介して印加することにより駆動される。
【０１１１】
次に、前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段４０について説明する。この駆動手段４０は、外部から入力される画像データを一時的に記憶する画像メモリ４１と、前記液晶表示素子１の各走査信号線７に走査信号を印加する走査信号線駆動回路４２と、前記液晶表示素子１の各データ信号線８にデータ信号を印加するデータ信号線駆動回路４３とを備えている。なお、前記走査信号線駆動回路４１とデータ信号線駆動回路４２は、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに搭載されたドライバ素子３５に形成されている。
【０１１２】
さらに、前記駆動手段４０は、第一電圧発生回路４４と、第二電圧発生回路４５と、前記走査信号線駆動回路４２及びデータ信号線駆動回路４３と前記第一電圧発生回路４４及び第二電圧発生回路４５を制御する制御部４６を備えている。
【０１１３】
前記走査信号線駆動回路４２は、制御部４６からの同期用クロック信号等の制御信号に基づいて、前記各走査信号線７にそれぞれ、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオン，オフさせる走査信号を印加する。
【０１１４】
図１４において、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎは、一画面を表示する１フレーム（第一行から最終行までの各画素行を順次選択して全ての画素行の各画素３３に一画面分のデータ信号を印加する期間）を前記各画素の行数で分割した各画素行の選択期間であり、ｔ１は第一行の選択期間、ｔ２は第二行の選択期間、ｔ３は第三行の選択期間、ｔ４は第四行の選択期間、ｔ５は第五行の選択期間、ｔｎは最終行（ｎ行）の選択期間である。
【０１１５】
また、図１４において、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，…Ｇｎは各走査信号線７にそれぞれ印加される走査信号であり、Ｇ１は第一行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ２は第二行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ３は第三行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ４は第四行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ５は第五行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇｎは最終行（ｎ行）の走査信号線７に印加される走査信号である。
【０１１６】
これらの走査信号は、該走査信号を印加する走査信号線７が対応する画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの開始時よりも所定時間遅れた書込み開始時に、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオンさせる所定値のオン電位になり、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの終了時よりも所定時間早い書込み終了時に、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオフさせるオフ電位になる波形の信号であり、他の期間は前記オフ電圧に保たれる。
【０１１７】
前記データ信号線駆動回路４３は、制御部４６からの制御信号に基づいて、前記画像メモリ４１に一時的に記憶された画像データを一行の画素分ずつ前記制御部４６を介して取り込み、前記各画素行の選択期間毎に、前記一行の画素分の各画像データそれぞれの階調値に対応したデータ信号を前記各データ信号線８に印加する。
【０１１８】
また、前記第一電圧発生回路４４は、制御部４６からの制御信号に基づいて、第一の電圧Ｖ１を発生する。この第一電圧Ｖ１は、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された第一電圧入力端子３６ａを介して、共通電極６と、各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８と、に印加される（図２参照）。
【０１１９】
すなわち、前記各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８に印加される電圧Ｖｃｏｍは、前記共通電極６への印加電圧と同じ電圧である。以下、前記共通電極６への印加電圧Ｖｃｏｍをコモン信号という。
【０１２０】
前記第一電圧発生回路４４から共通電極６と各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８に印加される第一電圧Ｖ１は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧である。
【０１２１】
この実施例において、前記第一電圧Ｖ１は、図１４に示したように、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転し、さらに前記電圧レベルが１フレーム毎に反転する矩形波交流電圧である。
【０１２２】
また、図１４に示したデータ信号Ｄは、各画素行のうちの一つの画素行の選択期間に、前記走査信号線駆動回路４２から各データ信号線８に印加される信号であり、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に各データ信号線８に印加される各データ信号Ｄはそれぞれ、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に、共通電極６に印加される前記第一電圧Ｖ１との差が前記各画像データそれぞれの階調値に対応する値になるように電位が変化する矩形波信号である。
【０１２３】
一方、前記第二電圧発生回路４５は、制御部４６からの制御信号に基づいて、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を発生する。この第二電圧Ｖ２は、図１４に示したように、一定レベルの直流電圧であり、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された第二電圧入力端子３６ｂを介して、各行の第三容量電極１９に印加される（図２参照）。
【０１２４】
この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１４のように、前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧、例えば前記各レベル値Ｖ１Ｈ，Ｖ１Ｌの中間値、または前記中間値付近の値の電圧である。
【０１２５】
この液晶表示装置において、前記液晶表示素子１の各画素３３はそれぞれ、図１３のような回路で表すことができる。すなわち、画素３３のメイン画素部３３ａは、第一画素電極５ａと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第一画素容量ＣＬＣ１と、前記第一画素電極５ａと第一容量電極１７及びその間の第一誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第一補償容量Ｃｓ１とが第一画素電極５ａにおいて接続され、前記第一画素電極５ａに第一ＴＦＴ９ａが接続された回路からなっている。
【０１２６】
また、前記画素３３のサブ画素部３３ｂは、第二画素電極５ｂと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第二画素容量ＣＬＣ２と、前記第二画素電極５ｂと第二容量電極１８及びその間の第二誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第二補償容量Ｃｓ２と、前記第二画素電極５ｂと第三容量電極１９及びその間の第三誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第三補償容量Ｃｓ３とが第二画素電極５ｂにおいて接続され、前記第二画素電極５ｂに第二ＴＦＴ９ｂが接続された回路からなっている。
【０１２７】
そして、前記共通電極６には、各画素行の選択期間毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転するコモン信号Ｖｃｏｍが印加され、前記第一容量電極１７と前記第二容量電極１８にはそれぞれ、前記コモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加され、前記第三容量電極１９には、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２が印加される。
【０１２８】
また、選択された画素行の各画素３３の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂには、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにより、データ信号線８から供給されたデータ信号Ｄがそれぞれ印加される。
【０１２９】
前記第一画素電極５ａと共通電極６との間と、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧（以下、書込み電圧という）はそれぞれ、前記第一電圧Ｖ１と前記データ信号Ｄとの電圧差に対応した値の電圧であり、その書込み電圧が前記第一画素容量ＣＬＣ１と前記第二画素容量ＣＬＣ２とにチャージされる。
【０１３０】
また、前記第一容量電極１７と前記第二容量電極１８への印加電圧はそれぞれ前記共通電極６へ印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１であるため、前記第一補償容量Ｃｓ１と第二補償容量Ｃｓ２にはそれぞれ前記書込み電圧と同じ電圧がチャージされる。
【０１３１】
一方、前記第三容量電極１９への印加電圧は前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２であるため、前記第三補償容量Ｃｓ３には、前記書込み電圧とは異なる電圧（書込み電圧に対して第一電圧Ｖ１と第二電圧Ｖ２との差に対応した電圧差をもった電圧）がチャージされる。
【０１３２】
なお、第一画素電極５ａと走査信号線７及びデータ信号線８との間には、第一ＴＦＴ９ａのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第一寄生容量という）が存在する。また、第二画素電極５ｂと走査信号線７及び走査信号線７との間には、第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第二寄生容量という）が存在する。
【０１３３】
そのため、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂがオフし、書込みが終了すると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２にチャージされた電圧が、前記第一寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下し、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３にチャージされた電圧が、前記第二寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下する。
【０１３４】
そして、前記メイン画素部３３ａの液晶は、前記第一画素容量ＣＬＣ１のチャージ電圧（第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧）により駆動される。また、前記サブ画素部３３ｂの液晶は、前記第二画素容量ＣＬＣ２のチャージ電圧（第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧）により駆動される。
【０１３５】
図１６は、第一行の各画素３３のうちの一つの画素３３のメイン画素部３３ａにおける第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加される電圧を示し、図１７は、前記一つの画素３３のサブ画素部３３ｂにおける第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧を示している。図１６において、ＶＰ１は第一画素電極５ａの電位である。また、図１７において、ＶＰ２は第二画素電極５ｂの電位である。なお、図１６及び図１７では、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの電位ＶＰ１，ＶＰ２とコモン信号Ｖｃｏｍとを区別しやすいように、これらの立上がり及び立下がりを傾斜させている。
【０１３６】
図１６のように、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、前記第一行の選択期間ｔ１のうちのＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第一ＴＦＴ９ａを介して第一画素電極５ａに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。
【０１３７】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａがオフすると、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１分だけ降下した電圧Ｖａ１になる。以下、この電圧Ｖａ１を第一保持電圧という。
【０１３８】
また、前記共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に反転するが、前記コモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極１７に印加される第一電圧Ｖ１は同じ電圧であるため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが反転しても、第一画素容量ＣＬＣ１及び第一補償容量Ｃｓ１のチャージ電圧は変化しない。そのため、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行の選択期間線ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎにおいても前記第一保持電圧Ｖａ１に保たれる。
【０１３９】
従って、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の第一保持電圧Ｖａ１は、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベル反転にかかわらず、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、実質的に同じ電圧に維持され、その電圧が、前記メイン画素部３３ａの液晶に１フレームの実効電圧として印加される。
【０１４０】
また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、図１７のように、前記第一行の選択期間ｔ１のうちのＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、前記データ信号線８から第二ＴＦＴ９ｂを介して第二画素電極５ｂに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。この書込み電圧Ｖａは、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加された書込み電圧Ｖａと同じ値の電圧である。
【０１４１】
そして、前記第二ＴＦＴ９ｂがオフすると、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２分だけ降下した電圧Ｖａ２になる。以下、この電圧Ｖａ２を第二保持電圧という。なお、前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２は、前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１と同じであり、従って、前記第二保持電圧Ｖａ２は、前記第一保持電圧Ｖａ１と同じ値の電圧である。
【０１４２】
一方、前記第二容量電極１８への印加電圧である第一電圧Ｖ１は、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ電圧（各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する電圧）であるが、第三容量電極１９への印加電圧である第二電圧Ｖ２は、前記第一電圧Ｖ１とは異なる一定レベルの直流電圧である。
【０１４３】
そのため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが前記第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転すると、共通電極６と第三容量電極１９との間の電圧値の低下に伴って、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３のそれぞれのチャージ電圧が、これらのＣＬＣ２，Ｃｓ２，Ｃｓ３の容量値に対応した比率で降圧する。
【０１４４】
また、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが前記第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになると、前記第二画素容量ＣＬＣ２及び前記第二補償容量Ｃｓ２のチャージ電圧と前記第三補償容量Ｃｓ３のチャージ電圧がそれぞれ前記第一画素行の選択期間ｔ１における書込み終了後の電圧（第二ＴＦＴ９ｂがオフした後の電圧）になる。
【０１４５】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行のうちの偶数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転する選択期間）ｔ２，ｔ４，…に、前記第二保持電圧ＶＰ２に対して降圧した電圧Ｖａ３になり、奇数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになる選択期間）ｔ３，ｔ５，…に、前記第二保持電圧ＶＰ２と実質的に同じ電圧に戻る。
【０１４６】
従って、前記サブ画素部３３ｂの液晶には、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に交互に印加される前記電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の電圧が、１フレームの実効電圧として印加される。
【０１４７】
なお、前記第二保持電圧Ｖａ２と、この第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３は、次の（１）式及び（２）式により求めることができる。
【０１４８】
Ｖａ２＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＬ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＨ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−Ｖｇｌ)      …（１）
Ｖａ３＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＨ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＬ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−Ｖｇｌ)      …（２）
Ｃｌｃ；第二画素容量ＣＬＣ２の容量値
Ｃ２；第二補償容量Ｃｓ２の容量値
Ｃ３；第三補償容量Ｃｓ３の容量値
Ｃｇｓ；第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量
Ｃｄｓ；第二ＴＦＴ９ｂのドレイン−ソース間容量
ＶｓｉｇＨ；第一画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｓｉｇＬ；第二画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
Ｖｇｌ；走査信号のオフ電圧
Ｖｐｉｘ；第二画素電極５ｂの電位
ＶｃｏｍＬ；コモン信号Ｖｃｏｍのローレベル電圧値
ＶｃｏｍＨ；コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル電圧値
また、前記サブ画素部３３ｂの液晶に印加される１フレームの実効電圧は、次の（３）式により求めることができる。
【０１４９】
実効電圧＝｛（Ｖａ２２＋Ｖａ３２）／２｝１／２    …（３）
このように、各画素３３のサブ画素部３３ｂの１フレームの実効電圧は、同じ画素３３のメイン画素部３３ａの１フレームの実効電圧に対して降圧した電圧であり、従って、同じ階調値のデータ信号に対して、前記サブ画素部３３ｂの液晶分子が、前記メイン画素部３３ａの液晶分子の立上がり角よりも小さい角度で立上がる。
【０１５０】
そのため、各画素３３のサブ画素部３３ｂの液晶層２での電圧−透過率特性は、前記メイン画素部３３ａの液晶層２での電圧−透過率特性とは異なる特性である。図１８は前記液晶表示素子１におけるメイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を示している。図１８のように、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性は、前記メイン画素部３３ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性である。
【０１５１】
従って、液晶層２の層厚（第一基板３と第二基板４との間の間隙）等を、メイン画素部３３ａの電圧−透過率特性が所定の視野角が得られる特性になるように設計し、さらに、前記第二電圧Ｖ２の値を、サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性が前記メイン画素部３３ａの電圧−透過率特性に対して所定量だけシフトした特性、つまりメイン画素部３３ａの視野角とは異なる視野角が得られる特性になるように前記第二電圧Ｖ２の値を設定することにより、メイン画素部３３ａの視野角特性とサブ画素部３３ｂの視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１５２】
また、メイン画素部３３ａの視野角特性とサブ画素部３３ｂの視野角特性とが相乗した視野角は、前記メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂとの面積比に対応するため、この面積比を選択することにより、所定の広さの視野角を得ることができる。
【０１５３】
さらに、前記液晶表示装置は、各画素３３毎に、第一画素電極５ａの二つの縦辺の外側に配置された第一の横電界生成電極２２と、前記第二画素電極５ｂの二つの縦辺の外側に配置された第二の横電界生成電極２３とを設けると共に、前記共通電極６の液晶層と対向する面上に、前記第一画素電極５ａが設けられたメイン画素部３３ａを第一領域３４ａと第二領域３４ｂとに区分するように配置された第一誘電体層２６ａと、前記第二画素電極５ｂが設けられたサブ画素部３３ｂを第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとに区分するように配置された第二誘電体層２６ｂとを設けている。
【０１５４】
そのため、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加したときの液晶分子２ａのチルト方向を、前記メイン画素部３３ａにおいて前記第一領域３４ａと第二領域３４ｂとで互いに異ならせ、前記サブ画素部３３ｂにおいて前記第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとで互いに異ならせることができる。
【０１５５】
すなわち、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加しない無電界時は、メイン画素部３３ａ及びサブ画素部３３ｂの液晶分子２４が、第一基板３及び第二基板４の板面に対して０〜１°の角度でプレチルトした初期のツイスト配向状態に配向する。図１９は、メイン画素部３３ａにおける無電界時の液晶分子２ａの配向状態を模式的に示している。
【０１５６】
一方、前記共通電極６にコモン信号Ｖｃｏｍを印加し、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂに第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂを介してデータ信号Ｄを印加すると、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に、これらの電極５ａ，６間及び５ｂ，６間の電圧値に対応した強さの電界（以下、駆動電界という）が生じると共に、前記第一の横電界生成電極２２及び第二の横電界生成電極２３に、前記コモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加される。図２０は、メイン画素部３３ａにおける駆動電界の歪みと液晶分子２ａの配向状態を模式的に示している。
【０１５７】
前記駆動電界の印加時は、前記第一の横電界生成電極２２及び第二の横電界生成電極２３への前記第一電圧Ｖ１の印加により、図２０のように、第一画素電極５ａと第一の横電界生成電極２２との間と、第二画素電極５ｂと第二の横電界生成電極２３との間にそれぞれ横電界ｅ１，ｅ２が生じる。前記第一画素電極５ａと第一の横電界生成電極２２との間に生じる横電界ｅ１，ｅ２は、第一画素電極５ａの一方の縦辺側と他方の縦辺側とで互いに逆向きの電界である。また、前記第二画素電極５ｂと第二の横電界生成電極２３との間に生じる横電界ｅ１，ｅ２も、第二画素電極５ｂの一方の縦辺側と他方の縦辺側とで互いに逆向きの電界である。
【０１５８】
従って、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた駆動電界の向きが、前記横電界ｅ１，ｅ２に誘引されて、第一画素電極５ａの一方の縦辺側と他方の縦辺側とで互いに逆方向に傾くように歪む。また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界の向きが、前記横電界ｅ１，ｅ２に誘引されて、第二画素電極５ｂの一方の縦辺側と他方の縦辺側とで互いに逆方向に傾くように歪む。
【０１５９】
また、前記駆動電界は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂに印加されたデータ信号の階調値に対応した強さの電界であるが、前記共通電極６上に、前記メイン画素部３３ａを第一領域３４ａと第二領域３４ｂとに区分するように第一誘電体層２６ａが設けられ、前記サブ画素部３３ｂを第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとに区分するように第二誘電体層２６ｂが設けられているため、前記駆動電界の強度が、第一誘電体層２６ａに対応する領域及び第二誘電体層２６ｂに対応する領域において、これらの誘電体層２６ａ，２６ｂでの電圧降下により部分的に低下する。
【０１６０】
そのため、メイン画素部３３ａにおいては、前記駆動電界の向きが、第一誘電体層２６ａに対応する部分を境にして、第一画素電極５ａの一方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向と、前記第一画素電極５ａの他方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向とに歪む。同様に、サブ画素部３３ｂにおいては、前記駆動電界の向きが、第二誘電体層２６ｂに対応する部分を境にして、第二画素電極５ｂの一方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向と、前記第二画素電極５ｂの他方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向とに歪む。
【０１６１】
そして、第一画素電極５ａの右側に生じた横電界ｅ１による駆動電界の傾き方向と、第一誘電体層２６ａでの電圧降下による前記第一誘電体層２６ａの中心よりも右側の領域における駆動電界の傾き方向は同じ向きであるため、前記メイン画素部３３ａのうち、右側の第一領域３４ａの駆動電界Ｅ１が、前記第一領域３４ａの全域において、第一画素電極５ａから共通電極６に向かって右側に傾いた方向に歪む。図２０において、破線Ｅ１ａは、第一領域３４ａにおける駆動電界Ｅ１の等電位線を示している。
【０１６２】
また、第一画素電極５ａの左側に生じた横電界ｅ２による駆動電界の傾き方向と、第一誘電体層２６ａでの電圧降下による前記第一誘電体層２６ａの中心よりも左側の領域における駆動電界の傾き方向は同じ向きであるため、前記メイン画素部３３ａのうち、左側の第二領域３４ｂの駆動電界Ｅ２が、前記第二領域３４ｂの全域において、第一画素電極５ａから共通電極６に向かって左側に傾いた方向に歪む。図２０において、破線Ｅ２ａは、第二領域３４ｂにおける駆動電界Ｅ２の等電位線を示している。
【０１６３】
従って、第一領域３４ａの液晶分子２ａは、前記第一領域３４ａにおける駆動電界Ｅ１の歪み方向に向いた分子端側が基板３，４に対して立上がる方向（図２０において、第一基板３に対して右上がり方向、第二基板２に対して左下がり方向）にチルトする。この第一領域３４ａにおける液晶分子２ａのチルト方向は、図１９の初期配向状態におけるプレチルトの傾き方向と同じ向きで、基板３，４に対するチルト角が大きくなった方向である。以下、この第一領域３４ａにおける駆動電界による液晶分子２ａのチルトをノーマルチルトという。
【０１６４】
また、第二領域３４ｂの液晶分子２ａは、前記第二領域３４ｂにおける駆動電界Ｅ２の歪み方向に向いた分子端側が基板３，４に対して立上がる方向（図２０において、第一基板３に対して左上がり方向、第二基板２に対して右下がり方向）にチルトする。この第二領域３４ｂにおける液晶分子２ａのチルト方向は、図１９の初期配向状態におけるプレチルトの傾き方向とは逆向きで基板３，４に対するチルト角が大きくなった方向である。以下、この第二領域３４ｂにおける駆動電界による液晶分子２ａのチルトをリバースチルトという。
【０１６５】
これは、サブ画素部３３ｂにおいても同じであり、サブ画素部３３ｂでは、右側の第三領域３４ｃの液晶分子２ａがノーマルチルトし、左側の第四領域３４ｄの液晶分子２ａがリバースチルトする。
【０１６６】
図２１において、右上がりの平行斜線を施した領域は、液晶分子２ａがノーマルチルトする領域、左上がりの平行斜線を施した領域は、液晶分子２ａがリバースチルトする領域、この実施例では、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａと、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと、において液晶分子２ａがノーマルチルトし、メイン画素部３３ａの第二領域３４ｂと、サブ画素部３３ｂの第四領域３４ｄと、において液晶分子２ａがリバースチルトする。
【０１６７】
このように、前記液晶表示素子１は、各画素３３の液晶分子２ａが、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間への駆動電界の印加により、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａと第二領域３４ｂとで互いに反対方向にチルトし、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとで互いに反対方向にチルトする。
【０１６８】
そのため、前記メイン画素部３３ａの第一領域３４ａと第二領域３４ｂは互いに異なる視野角特性を示し、またサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと第四領域３４ｄも互いに異なる視野角特性を示す。
【０１６９】
そして、上述したように、前記サブ画素部３３ｂの液晶層２での電圧−透過率特性は、前記メイン画素部３３ａの液晶層２での電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性であるため、前記メイン画素部３３ａの第一領域３４ａの視野角特性とサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃの視野角特性は互いに異なる特性であり、また、メイン画素部３３ａの第二領域３４ｂの視野角特性とサブ画素部３３ｂの第四領域３４ｃの視野角特性も互いに異なる特性である。
【０１７０】
従って、上記液晶表示装置によれば、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの互いに異なる視野角特性が相乗した、充分に広い視野角を得ることができる。
【０１７１】
また、上記実施例では、前記第一誘電体層２６ａを、メイン画素部３３ａを第一領域３４ａと第二領域３４ｂとに二等分するように配置し、前記第二誘電体層２６ｂを、サブ画素部３３ｂを第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとに二等分するように配置している。
【０１７２】
そのため、液晶分子２ａがノーマルチルトする領域と、液晶分子２ａがリバースチルトする領域との面積比、つまりメイン画素部３３ａの第一領域３４ａと第二領域３４ｂとの面積比と、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとの面積比は、それぞれ１：１である。従って、ノーマルチルト領域の視野角特性とリバースチルト領域の視野角特性とが均等なバランスで相乗した視野角特性を得ることができる。
【０１７３】
図２２は第一比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性を示し、図２３は第二比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性を示し、図２４は第三比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性を示し、図２５は上記実施例の液晶表示装置の視角−輝度特性を示している。
【０１７４】
なお、前記各比較例及び実施例の液晶表示素子は、何れも、６時方向から見たときにコントラストが最も高くなるように設計されたＴＮ型液晶表示装置であり、視角−輝度特性は、各画素電極に、Ｌ０（最も暗い階調値）〜Ｌ２１（最も明るい階調値）の２２階調のうちのＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ７，Ｌ１０，Ｌ１２，Ｌ１６，Ｌ１８，Ｌ１９，Ｌ２０，Ｌ２１の各階調値のデータ信号を印加したときの特性である。また、図２２〜図２５において、視角は、９時方向の視角を０°としたときの前記０°方向に対して反時計回り（左回り）の角度であり、輝度は、各視角における液晶表示素子の法線に対して所定角度傾いた方向の輝度である。
【０１７５】
前記第一比較例の液晶表示装置は、各画素毎に、一つの画素電極と一つのＴＦＴを設け、前記画素電極の各辺との間に補償容量を形成する矩形枠状の容量電極を配置したものであり、上記実施例のような横電界生成電極及び電界減衰手段（誘電体層）は備えていない。
【０１７６】
この第一比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性は、図２２のような特性であり、９０°（６時）付近の視角において、Ｌ１０よりも高階調側の表示に階調潰れや階調反転を生じ、また、２７０°（１２時）付近の視角において、Ｌ１２よりも低階調側の表示に階調潰れや階調反転を生じる。
【０１７７】
前記第二比較例の液晶表示装置は、各画素毎に、第一画素電極及び第二ＴＦＴと第二画素電極及び第二ＴＦＴを設け、前記第一画素電極の各辺との間に第一補償容量を形成する矩形枠形状の第一容量電極と、前記第二画素電極の三辺との間に第二補償容量を形成する三方枠形状の第二容量電極と、前記第二画素電極の他の一辺との間に第三補償容量を形成する直線形状の第三容量電極とを配置すると共に、上記実施例と同様に、前記第一容量電極と第二補償容量とに前記第一電圧Ｖ１を印加し、第三補償容量に前記第二電圧Ｖ２を印加するようにしたものであり、上記実施例のような横電界生成電極及び電界減衰手段（誘電体層）は備えていない。なお、第一画素電極が設けられたメイン画素部と第二画素電極が設けられたサブ画素部との面積比は、メイン画素部：サブ画素部＝７：３に設定されている。
【０１７８】
この第二比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性は、図２３のように、前記第一比較例に比べて、２７０°（１２時）付近の視角における低階調側での階調潰れや階調反転が改善された特性であり、従って前記２７０°付近の視野角が広くなる。
【０１７９】
前記第三比較例の液晶表示装置は、各画素毎に、一つの画素電極と一つのＴＦＴを設け、前記画素電極との間に補償容量を形成する矩形枠状の容量電極を配置すると共に、前記画素電極の二つの縦辺の外側に横電界生成電極を配置し、共通電極の液晶層と対向する面上に、画素電極と共通電極との間に生じた電界の強度を低下させる誘電体層を、前記画素電極の一方の辺側の領域と他方の辺側の領域とに区分するように配置したものである。
【０１８０】
この第三比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性は、図２４のように、前記第一比較例に比べて改善された特性であるが、９０°付近及び２７０°（１２時）付近の視角において、Ｌ２〜Ｌ１２の各階調の表示に階調潰れや階調反転が見られる。
【０１８１】
上記各比較例の液晶表示装置に対して、上記実施例の液晶表示装置は、図２５のような視角−輝度特性をもっている。なお、この視角−輝度特性は、前記メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂとの面積比が、メイン画素部：サブ画素部＝７：３に設定された液晶表示装置の特性である。
【０１８２】
図２５のように、上記実施例の液晶表示装置の視角−輝度特性は、０°〜３６０°の各視角において、階調潰れや階調反転が殆んど無い表示が得られる特性であり、従って、充分に広い視野角を得ることができる。
【０１８３】
さらに、上記実施例の液晶表示装置は、前記第三容量電極１９に印加する電圧を制御するだけで視野角を微調整することができる。そのため、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきが生じても、前記視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１８４】
すなわち、上記実施例の液晶表示装置は、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８とに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１９に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加するようにしているため、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を変化させることができる。
【０１８５】
前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性は、図１８に示したように、前記メイン画素部３３ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性であり、そのシフト量は、前記第二容量電極１８に印加された第一電圧Ｖ１と、前記第三容量電極１９に印加された第二電圧Ｖ２との差に対応する。
【０１８６】
この実施例において、前記メイン画素部３３ａの電圧−透過率特性に対するサブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性のシフト量は、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を小さくするのに伴って小さくなり、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を大きくするのに伴って大きくなる。
【０１８７】
そして、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性をシフトさせると、それに伴って前記第１領域３４ａと第二領域４３ｂのそれぞれの視野角特性が調整されるため、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの視野角特性が相乗した視野角を所定の値に設定することができる。
【０１８８】
このように、上記液晶表示装置は、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、前記サブ画素部３３ｂの視野角特性を任意に調整することができる。従って、前記メイン画素部３３ａの視野角特性とサブ画素部３３ｂの視野角特性とを相乗させた視野角を所定の値になるように微調整し、表示装置相互間の視野角のばらつきを補正することができる。この視野角のばらつきの補正は、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御するだけで容易に行うことができる。
【０１８９】
しかも、上記液晶表示装置は、前記第二容量電極１８を、第二画素電極５ｂの二つの横辺の何れか一方（上記実施例では走査信号線７に隣接する辺）と二つの縦辺の両方とに重なるように形成し、前記第三容量電極１９を、前記第二容量電極１８との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの二つの横辺の他方（上記実施例では走査信号線７に隣接する辺とは反対側の辺）と重なるように形成しているため、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値を、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値に対して大きくすることができる。
【０１９０】
そのため、第三容量電極１９への印加電圧値に若干の変動があっても、第二画素電極５ｂに対応するサブ画素部３３ｂの液晶層２での電圧−透過率特性がみだりに変動することがない。従って、より微細に電圧−透過率特性を調整することが可能になる。また、前記第三容量電極１９へのノイズ電圧の印加による前記サブ画素部３３ｂの液晶層２での電圧−透過率特性の変動も抑制することができる。
【０１９１】
さらに、上記実施例の液晶表示装置は、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間への電界の印加により、メイン画素部３３ａの液晶分子２ａが、前記第一誘電体層２６ａに対応する部分を境にして、前記第一領域３４ａと第二領域３４ｂとで互いに異なる方向にチルトし、サブ画素部３３ｂの液晶分子２ａが、前記第二誘電体層２６ｂに対応する部分を境にして、前記第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとで互いに異なる方向にチルトする。
【０１９２】
そのため、液晶分子２ａがノーマルチルトする領域（メイン画素部３３ａの第一領域３４ａ及びサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃ）と、液晶分子２ａがリバースチルトする領域（メイン画素部３３ａの第二領域３４ｂ及びサブ画素部３３ｂの第四領域３４ｄ）との面積比を常に一定にし、定常的に安定した広視野角表示を行うことができる。
【０１９３】
また、上記実施例では、前記第一容量電極１７を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように矩形枠形状に形成しているため、前記第一補償容量Ｃｓ１の容量値を充分大きくすることができる。
【０１９４】
さらに、上記実施例では、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように走査信号線７を配置しているため、他の領域に走査信号線７の配置スペースを確保する場合に比べて、画素３３の開口率を高くすることができる。
【０１９５】
しかも、上記実施例では、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとを配置しているため、これらのＴＦＴ９ａ，９ｂを画素３３外の領域に配置する場合に比べて、隣り合う画素３３，３０間の間隔を小さくすることができる。
【０１９６】
また、上記実施例では、走査信号線７と第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９を第一基板３上に形成すると共に、第一容量電極１７と第二容量電極１８をそれぞれ走査信号線７との間に間隔を設けて形成している。そのため、前記走査信号線７と各容量電極１７，１８，１９とを一括して同時に、しかも第一容量電極１７と走査信号線７及び第二容量電極１８と走査信号線７とを短絡させること無く形成することができる。
【０１９７】
さらに上記実施例では、前記走査信号線７と各容量電極１７，１８，１９を第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート絶縁膜１１により覆い、前記ゲート絶縁膜１１の上にデータ信号線８を形成し、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂを、前記ゲート絶縁膜１１の上に各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及びデータ信号線８を覆って設けられた被覆絶縁膜２０の上に形成している。そのため、第一画素電極５ａと第一容量電極１７との間の第一誘電層と、第二画素電極５ｂと第二容量電極１８との間の第二誘電層と、第二画素電極５ｂと第三容量電極１９との間の第三誘電層とをそれぞれ、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との積層膜により形成することができる。
【０１９８】
そして、このように第一誘電層、第二誘電層及び第三誘電層を、同一の層として形成することにより、前記各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を一括して同時に形成することができる。
【０１９９】
また、上記実施例では、前記共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍと前記第一容量電極１７に印加する第一電圧Ｖ１（Ｖｃｏｍ＝Ｖ１）を、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧、例えば１フレーム中の各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する矩形波交流電圧としている。そのため、前記各画素３３のメイン画素部３３ａの液晶に、前記第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一保持電圧Ｖａ１に対応した一定値の実効電圧を印加することができる。
【０２００】
さらに、上記実施例では、前記第二容量電極１８に、前記共通電極６及び第一容量電極１７への印加電圧と同じ第一電圧（矩形波交流電圧）Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１９に、一定レベル、例えば前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加している。そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、図１７のように、第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧Ｖａ３とに交互に変化させ、各画素３３のサブ画素部３３ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記二つの電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の実効電圧を印加することができる。
【０２０１】
また、上記実施例では、前記第一の横電界生成電極２２及び第二の横電界生成電極２３に、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８とに印加される第一電圧Ｖ１と同じ電圧を印加するようにしているため、第一の横電界生成電極２２及び第二の横電界生成電極２３に前記第一電圧Ｖ１とは異なる電圧を印加する場合に比べて、駆動手段４０を簡略化することができる。
【０２０２】
さらに、上記実施例では、前記第一の横電界生成電極２２を、前記第一容量電極１７と一体に形成し、前記第二の横電界生成電極２３を、前記第二容量電極１８と一体に形成しているため、前記各横電界生成電極２２，２３を、前記各容量電極１７，１８と同時に形成することができると共に、前記各容量電極１７，１８と各横電界生成電極２２，２３への第一電圧Ｖ１の印加を一括して行うことができる。
【０２０３】
なお、上記実施例では、前記第一誘電体層２６ａと第二誘電体層２６ｂを、上面と両側面との間の角部を曲面にした断面形状に形成しているが、これらの誘電体膜２６ａ，２６ｂは、図２６に示した変形例のように、上面と両側面との間の角部をそのまま残した断面形状に形成してもよい。
【０２０４】
さらに、前記各誘電体膜２６ａ，２６ｂは、図２７に示した他の変形例のように、半楕円状または半円状の断面形状に形成しても、図２８に示した他の変形例のように、幅方向の中心部に頂部をもった二等辺三角形状の断面形状に形成してもよい。
【０２０５】
また、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２は、前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧に限らず、任意の値の直流電圧でもよく、その場合も、サブ画素部３３ｂの液晶に、前記各選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に交互に変化する二つの電圧値を平均した、前記メイン画素部３３ａの実効電圧とは異なる値の実効電圧を印加することができる。
【０２０６】
さらに、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２は、一定レベルの直流電圧に限らず、電圧レベルが前記第一電圧Ｖ１と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧でもよい。
【０２０７】
図２９は、前記第二電圧Ｖ２を矩形波交流電圧とした例を示している。この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１と同位相で、且つ振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧である。
【０２０８】
また、図３０は、前記第二電圧Ｖ２を矩形波交流電圧とした他の例を示している。この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１とは逆位相で、且つ振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧である。
【０２０９】
前記図２９または図３０の何れの波形の第二電圧Ｖ２を前記第三容量電極１９に印加しても、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、前記第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧とに交互に変化させることができる。従って、前記各画素３３のサブ画素部３３ｂの液晶に、前記第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記メイン画素部３３ａの実効電圧とは異なる値の実効電圧を印加することができる。
【０２１０】
また、上記実施例では、前記第二容量電極１８と第三容量電極１９を図３及び図４のような形状に形成しているが、図３１に示した変形例のように、前記第二容量電極１７を、前記第二画素電極５ｂの二つの横辺のうちの走査信号線７に隣接する辺とは反対側の辺と二つの縦辺とに重なるような三方枠形状に形成し、第三容量電極１９を、前記第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する一辺に重なるような直線形状に形成してもよい。この場合も、前記第二の横電界生成電極２３を、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる縦枠部と一体に形成することができる。なお、前記第１誘電体層２６ａと第二誘電体層２６ｂは、上記実施例と同じ位置に配置されている。また、前記第一配向膜２８と第二配向膜２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒは、上記実施例と同じである。
【０２１１】
さらに、上記実施例では、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９を図４、図５及び図１２のような形状に形成しているが、前記第一容量電極１７は、図３２のように、各行の隣り合う第一容量電極１７，１７同士が、第一画素電極５ａの縦辺に重なる縦枠部において、その全長にわたって一体に繋がった形状に形成してもよい。この場合は、前記隣り合う第一容量電極１７，１７同士が一体に繋がった部分により第一の横電界生成電極２２を形成することができる。
【０２１２】
また、前記第二容量電極１８は、図３２のように、各行の隣り合う第二容量電極１８，１８同士が、第二画素電極５ｂの縦辺と重なる縦枠部において、その全長にわたって一体に繋がった形状に形成してもよい。この場合は、前記隣り合う第二容量電極１８，１８同士が一体に繋がった部分により第二の横電界生成電極２３を形成することができる。
【０２１３】
なお、図３２においても、第三容量電極１９は、上記実施例と同じ直線形状に形成されている。また、前記第１誘電体層２６ａと第二誘電体層２６ｂは、上記実施例と同じ位置に配置されている。さらに、前記第一配向膜２８と第二配向膜２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒは、上記実施例と同じである。
【０２１４】
［第二実施例］
次に、この発明の第二実施例を図３３〜図３７を参照して説明する。なお、この第二実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【０２１５】
この第二実施例において、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、上記第一実施例と同じ積層膜により構成されている。また、各走査信号線７は、前記第一基板３上に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのゲート絶縁膜１１により覆われている。そして、各データ信号線８は、前記ゲート絶縁膜１１の上に形成されている。なお、この第二実施例においても、前記各データ信号線８は、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【０２１６】
そして、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９は、前記ゲート絶縁膜１１の上に前記ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び各データ信号線８を覆って設けられた透明な第一被覆絶縁膜２０ａの上に、図２９に示した電極形状と同じ形状に形成されている。
【０２１７】
また、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、前記第一被覆絶縁膜２０ａ上に、前記各容量電極１７，１８，１９を覆って設けられた第二被覆絶縁膜２０ｂの上に、前記第一被覆絶縁膜２０ａ及び前記第二被覆絶縁膜２０ｂに設けられた第一及び第二のコンタクト孔２１ａ，２１ｂにおいて前記第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６と前記第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に各々接続して形成されている。
【０２１８】
すなわち、この第二実施例において、前記第一画素電極５ａと前記第一容量電極１７との間の第一誘電層と、前記第二画素電極５ｂと前記第二容量電極１８との間の第二誘電層と、前記第二画素電極５ｂと前記第三容量電極１９との間の第三誘電層はそれぞれ、前記第二被覆絶縁膜２０ｂからなっている。
【０２１９】
なお、この第二実施例では、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂが、前記コンタクト孔２１ａ，２１ｂ内に入り込んだ部分（第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのドレイン電極１６との接続部）において前記各容量電極１７，１８，１９と短絡しないように、前記各容量電極１７，１８，１９のコンタクト孔付近の部分を前記コンタクト孔２１ａ，２１ｂから充分に離間させた形状に形成している。
【０２２０】
また、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる縦枠部の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる縦枠部の外側に一体に形成されている。さらに、共通電極６上に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた第一及び第二の誘電体層２２，２３は、上記第一実施例と同じ位置に形成されている。
【０２２１】
この第二実施例においても、第一容量電極１７と第二容量電極１８とに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１９に前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を、前記メイン画素部３３ａの電圧−透過率特性に対してシフトさせることができる。
【０２２２】
さらに、第一及び第二の横電界生成電極２２，２３は、前記第一電圧Ｖ１を印加され、第一画素電極５ａとの間及び第二画素電極５ｂとの間に横電界を生じさせる。また、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界のうち、第一誘電体層２６ａに対応する領域及び第二誘電体層２６ｂに対応する領域の電界の強度が、前記第一及び第二誘電体層２６ｂでの電圧降下により低下する。
【０２２３】
そのため、メイン画素部３３ａの駆動電界の向きを、第一領域３４ａと第二領域３４ｂとで互いに逆方向に歪ませ、前記第一領域３４ａの液晶分子と第二領域３４ｂの液晶分子を互いに逆向きにチルトさせると共に、サブ画素部３３ｂの駆動電界の向きを、第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとで互いに逆方向に歪ませ、前記第三領域３４ｃの液晶分子と第四領域３４ｄの液晶分子を互いに逆向きにチルトさせることができる。
【０２２４】
従って、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの視野角特性を互いに異ならせ、これらの視野角特性が相乗した充分に広い視野角を得ることができる。また、この第二実施例においても、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０２２５】
そして、この第二実施例では、前記第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９を、ゲート絶縁膜１１の上に各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び各データ信号線８を覆って設けられた第一被覆絶縁膜２０ａの上に形成しているため、これらの容量電極１７，１８，１９を一括して同時に形成することができる。
【０２２６】
また、この第二実施例では、各容量電極１７，１８，１９を第二被覆絶縁膜２０ｂにより覆い、この第二被覆絶縁膜２０ｂの上に第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂを形成している。
【０２２７】
すなわち、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と、前記第二各補償容量Ｃｓ２の第二誘電層と、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層は、前記第二被覆絶縁膜２０ｂからなる同一の層として形成されている。そのため、前記各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を一括して同時に形成することができる。
【０２２８】
さらに、この第二実施例によれば、データ信号線８が、第一被覆絶縁膜２０ａの上に形成された各容量電極１７，１８，１９により覆われているため、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと前記データ信号線８との間隔を小さくすることができる。従って、上記第一実施例よりも第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの横幅を広くし、各画素３３のメイン画素部３３ａ及びサブ画素部３３ｂの面積を大きくすることができる。
【０２２９】
しかも、前記各容量電極１７，１８，１９のデータ信号線８を覆う部分が、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂとデータ信号線８との間を電気的にシールドする効果をもつため、第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加された電圧に対する第一画素電極５ａとデータ信号線８との間の寄生容量による影響と、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加された電圧に対する第二画素電極５ｂとデータ信号線８との間の寄生容量による影響とを、それぞれ小さくすることができる。
【０２３０】
なお、上記第二実施例では、第一容量電極１７と第二容量電極１８をそれぞれ走査信号線７との間に間隔を設けて形成しているが、走査信号線７は第一基板３上に形成され、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９は第一被覆絶縁膜２０ａの上に形成されているため、第一容量電極１７または第二容量電極１８を走査信号線７と重なるような形状に形成しても、その容量電極と走査信号線７とが短絡することは無い。
【０２３１】
［第三実施例］
図３８及び図３９に示した第三実施例は、前記第二実施例の液晶表示装置において、第二容量電極１８の各辺のうちの走査信号線７の延伸方向に沿った辺を、前記走査信号線７及び各ＴＦＴ９ａ，９ｂと重なる幅に形成したものである。この第三実施例においても、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる縦枠部の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる縦枠部の外側に一体に形成されている。また、共通電極６上に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた第一及び第二の誘電体層２２，２３は、上記第一実施例と同じ位置に形成されている。
【０２３２】
なお、この第三実施例では、第二容量電極１８の走査信号線７及び各ＴＦＴ９ａ，９ｂと重なる部分が第二画素電極５ｂの外方に張り出しているため、この張り出し部と第二画素電極５ｂとの間に、第二の横電界生成電極２３と第二画素電極５ｂとの間に生じる横電界（以下、第一方向の横電界という）の向きに対して交差する方向の横電界（以下、第二方向の横電界という）が生じる。そのため、前記第二方向の横電界の影響により、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃ及び第四領域３４ｄにおける駆動電界の歪み方向が、上記第一及び第二実施例に比べて或る程度乱れる。
【０２３３】
しかし、前記第二方向の横電界の影響による駆動電界の歪みは、前記第一方向の横電界と第二誘電体層２６ｂによる電界強度の低下との相乗作用による駆動電界の歪みに比べて小さいため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界が、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃの殆んど全域及び第四領域３４ｄの殆んど全域において上記第一及び第二実施例と同様な方向に歪む。
【０２３４】
従って、この第三実施例においても、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの視野角特性を互いに異ならせ、これらの視野角特性が相乗した充分に広い視野角を得ることができる。また、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０２３５】
そして、この第三実施例によれば、前記第二容量電極１８の走査信号線７を覆う部分が、第二画素電極５ｂと走査信号線７との間を電気的にシールドする効果をもつため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加された駆動電圧に対する第二画素電極５ｂとデータ信号線８との間の寄生容量による影響を小さくすることができる。
【０２３６】
［第四実施例］
図４０及び図４１に示した第四実施例は、前記第二実施例の液晶表示装置において、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する横辺と二つの縦辺とに重なるように形成された第二容量電極１８を、該第二容量電極１８が対応する画素３３と同じ画素に対応する第一容量電極１７と一体に形成したものである。この第四実施例においても、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる縦枠部の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる縦枠部の外側に一体に形成されている。また、共通電極６上に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた第一及び第二の誘電体層２２，２３は、上記第一実施例と同じ位置に形成されている。
【０２３７】
この第四実施例では、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８とを一体に繋ぐ部分と第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂとの間に第二方向の横電界（第三実施例における第二方向の横電界と同じ向きの横電界）が生じるが、上記第三実施例と同様に、前記第二方向の横電界の影響による駆動電界の歪みは小さい。そのため、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた駆動電界が、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａの殆んど全域及び第二領域３４ｂの殆んど全域において上記第一及び第二実施例と同様な方向に歪み、また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界が、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃの殆んど全域及び第四領域３４ｄの殆んど全域において上記第一及び第二実施例と同様な方向に歪む。
【０２３８】
従って、この第四実施例においても、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの視野角特性を互いに異ならせ、これらの視野角特性が相乗した充分に広い視野角を得ることができる。また、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０２３９】
そして、この第四実施例によれば、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加された駆動電圧に対する第二画素電極５ｂと走査信号線７との間の寄生容量による影響を小さくすることができる。また、第一容量電極１７と第二容量電極１８への第一電圧Ｖ１の印加を一括して行うことができる。
【０２４０】
［第五実施例］
図４２に示した第五実施例は、前記第二実施例の液晶表示装置において、第二容量電極１８を、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する辺とは反対側の横辺と二つの縦辺とに重なるように形成すると共に、この第二容量電極１８を、データ信号線８の延伸方向に隣接する他の画素（隣り合う行の画素）３３の第一容量電極１７と一体に形成したものである。この第五実施例においても、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成されている。また、共通電極６上に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた第一及び第二の誘電体層２２，２３は、上記第一実施例と同じ位置に形成されている。
【０２４１】
この第五実施例では、データ信号線８の延伸方向に隣接する二つの画素３３，３３のうち、一方の画素３３の第二容量電極１８と他方の画素３３の第一容量電極１７とを一体に繋ぐ部分が、前記一方の画素３３の第二画素電極５ｂ及び他方の画素３３の第一画素電極５ａの外方に張り出しているため、この張り出し部と一方の画素の第二画素電極５ｂとの間、及び前記張り出し部と他方の画素３３の第一画素電極５ａとの間に第二方向の横電界（第三実施例における第二方向の横電界と同じ向きの横電界）が生じる。
【０２４２】
しかし、上記第三実施例と同様に、前記第二方向の横電界の影響による駆動電界の歪みは小さいため、前記隣接する二つの画素３３，３３の何れにおいても、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた駆動電界が、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａの殆んど全域及び第二領域３４ｂの殆んど全域において上記第一及び第二実施例と同様な方向に歪み、また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界が、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃの殆んど全域及び第四領域３４ｄの殆んど全域において上記第一及び第二実施例と同様な方向に歪む。
【０２４３】
従って、この第五実施例においても、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの視野角特性を互いに異ならせ、これらの視野角特性が相乗した充分に広い視野角を得ることができる。また、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０２４４】
そして、この第五実施例によれば、隣り合う二つの画素行のうちの一方の行の第一容量電極１７と他方の行の第二容量電極１８への第一電圧Ｖ１の印加を一括して行うことができる。
【０２４５】
［第六実施例］
図４３及び図４４に示した第六実施例は、前記第二実施例の液晶表示装置において、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９を、前記第一容量電極１７の二つの縦辺と一体に形成された第一の横電界生成電極２２及び前記第二容量電極１８の二つの縦辺と一体に形成された第二の横電界生成電極２３を含んで、金属膜１００と、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂ側の縁部を前記金属膜１００よりも張り出させて形成されたＩＴＯ膜等の透明導電膜１０１との積層膜により形成したものである。なお、この第六実施例においても、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成されている。また、共通電極６上に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた第一及び第二の誘電体層２２，２３は、上記第一実施例と同じ位置に形成されている。
【０２４６】
この第六実施例によれば、上記第一及び第二実施例と同様な効果が得られると共に、前記積層膜のうちの透明導電膜１０１を、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと所定の幅で重ならせることにより充分な容量値の各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を形成することができるため、前記金属膜１００の第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂとの重なり幅を小さくし各画素３３の開口率を高くすることができる。
【０２４７】
なお、図４３及び図４４には、前記第二実施例の液晶表示装置における各容量電極１７，１８，１９を前記積層膜により形成した例を示したが、上記第一実施例及び第三実施例から第五実施例の液晶表示装置における各容量電極１７，１８，１９を前記積層膜により形成してもよい。
【０２４８】
また、上記第六実施例では、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９の全てを前記積層膜により形成しているが、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９のうちの一つまたは二つの容量電極を前記積層膜により形成し、他の容量電極は金属膜で形成してもよい。
【０２４９】
その場合、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９のうちの少なくとも第二画素電極５ｂとの重なり面積が最も小さい第三容量電極１９を前記積層膜により形成するのが望ましく、このようにすることにより、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分に確保することができる。
【０２５０】
［第七実施例］
図４５及び図４６に示した第七実施例は、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた駆動電界の強度及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界の強度を部分的に低下させる第一及び第二の電界減衰手段を、前記共通電極６にスリット２７を設けることにより形成したものであり、他の構成は上記第一〜第六の実施例の何れかと同じである。
【０２５１】
なお、この第七実施例においても、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成されている。また、共通電極６に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた前記スリット２７は、各画素３３のメイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂとに、上記第一実施例における第一誘電体層２６ａ及び第二誘電体層２６ａの位置と同じ位置に設けられている。
【０２５２】
この第七実施例においても、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加しない無電界時は、メイン画素部３３ａ及びサブ画素部３３ｂの液晶分子２４が、第一基板３及び第二基板４の板面に対して０〜１°の角度でプレチルトした初期のツイスト配向状態に配向する。図４５は、メイン画素部３３ａにおける無電界時の液晶分子２ａの配向状態を模式的に示している。
【０２５３】
一方、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に駆動電界を印加したときは、上記第一実施例と同様に、前記第一の横電界生成電極２２及び第二の横電界生成電極２３にもコモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加される。図４６は、メイン画素部３３ａにおける駆動電界の歪みと液晶分子２ａの配向状態を模式的に示している。
【０２５４】
前記駆動電界の印加時は、前記第一の横電界生成電極２２及び第二の横電界生成電極２３への前記第一電圧Ｖ１の印加により、図４６のように、第一画素電極５ａと第一の横電界生成電極２２との間と、第二画素電極５ｂと第二の横電界生成電極２３との間にそれぞれ横電界ｅ１，ｅ２が生じる。
【０２５５】
また、この第七実施例では、共通電極６に、メイン画素部３３ａを第一領域３４ａと第二領域３４ｂとに区分し、サブ画素部３３ｂを第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとに区分するようにスリット２７を設けているため、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に、前記スリット２７が設けられた部分の電界強度が低い強度分布の駆動電界が印加される。
【０２５６】
そのため、前記駆動電界の向きが、メイン画素部３３ａにおいて、前記スリット２７に対応する部分を境にして、第一画素電極５ａの一方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向と、第一画素電極５ａの他方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向とに歪む。同様に、サブ画素部３３ｂにおいては、前記駆動電界の向きが、前記スリット２７に対応する部分を境にして、第二画素電極５ｂの一方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向と、第二画素電極５ｂの他方の縦辺側に向かって斜めに傾いた方向とに歪む。
【０２５７】
従って、この第七実施例においても、前記メイン画素部３３ａのうち、右側の第一領域３４ａの駆動電界Ｅ１が、前記第一領域３４ａの全域において、第一画素電極５ａから共通電極６に向かって右側に傾いた方向に歪み、左側の第二領域３４ｂの駆動電界Ｅ２が、前記第二領域３４ｂの全域において、第一画素電極５ａから共通電極６に向かって左側に傾いた方向に歪む。図４６において、破線Ｅ１ａは、第一領域３４ａにおける駆動電界Ｅ１の等電位線を示し、破線Ｅ２ａは、第二領域３４ｂにおける駆動電界Ｅ２の等電位線を示している。
【０２５８】
そして、液晶分子２ａは、前記駆動電界Ｅ１，Ｅ２の歪み方向に向いた分子端側が基板３，４に対して立上がる方向にチルトする。すなわち、メイン画素部３３ａの右側の第一領域３４ａでは液晶分子２ａがノーマルチルトし、左側の第二領域３４ｂでは液晶分子２ａがリバースチルトする。
【０２５９】
これは、サブ画素部３３ｂにおいても同じであり、サブ画素部３３ｂでは、駆動電界の印加により、右側の第三領域３４ｃの液晶分子２ａがノーマルチルトし、左側の第四領域３４ｄの液晶分子２ａがリバースチルトする。
【０２６０】
そのため、前記メイン画素部３３ａの第一領域３４ａと第二領域３４ｂは互いに異なる視野角特性を示し、また、前記メイン画素部３３ａの液晶層２での電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした電圧−透過率特性を有するサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと第四領域３４ｄも互いに異なる視野角特性を示す。従って、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの互いに異なる視野角特性が相乗した、充分に広い視野角を得ることができる。
【０２６１】
また、この第七実施例においても、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０２６２】
［第八実施例］
図４７に示した第八実施例は、非ツイストのホモジニアス配向型液晶表示装置であり、第一配向膜２８と第二配向膜２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒ及び液晶分子２ａの初期配向状態と、前記第一偏光板３１と第二偏光板３２の吸収軸３１ａ，３２ａの向き以外は、前記第一実施例と同じ構成である。すなわち、この第八実施例においても、第一の横電界生成電極２２は、前記第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成され、第二の横電界生成電極２３は、前記第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの二つの縦辺に重なる部分の外側に一体に形成されている。また、共通電極６上に第一及び第二の電界減衰手段として設けられた第一及び第二の誘電体層２２，２３は、上記第一実施例と同じ位置に形成されている。なお、この第八実施例では、第一及び第二の電界減衰手段として、前記第１実施例における誘電体層２６ａ，２６ｂを備えているが、前記第一及び第二の電界減衰手段は、上記第七実施例のように、共通電極６にスリット２７を設けて形成してもよい。
【０２６３】
この第八実施例において、前記第一配向膜２８は、前記第一及び第二の誘電体層２６ａ，２６ｂ（またはスリット２７）の延伸方向に対して一方の方向に９０°の角度で交差する方向２８ｒにラビングされ、第二配向膜２９は、前記誘電体層２６ａ，２６ｂ（またはスリット２７）の延伸方向に対して前記一方の方向とは反対方向に９０°の角度で交差する方向２９ｒにラビングされている。なお、前記誘電体層２６ａ，２６ｂ（またはスリット２７）の延伸方向に対する前記配向膜２８，２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒの角度は、±５°程度の誤差が許容される。
【０２６４】
また、液晶層２は、正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなっており、その液晶分子２ａは、分子長軸を前記第一配向膜２８及び第二配向膜２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒに揃えてホモジニアス配向している。そして、第一偏光板３１は、その吸収軸３１ａを前記第一配向膜２８及び第二配向膜２９のラビング方向２８ｒ，２９ｒに対して４５°の角度で交差させて配置され、第二偏光板３２は、その吸収軸３２ａを前記第一偏光板３１の吸収軸３１ａに対して直交させて配置されている。
【０２６５】
この第八実施例の液晶表示装置においても、各画素３３毎に、第一画素電極５ａが設けられたメイン画素部３３ａの第一領域３４ａと第二領域３４ｂとが互いに異なる視野角特性を示し、また、前記メイン画素部３３ａの液晶層２での電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした電圧−透過率特性を有するサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとが互いに異なる視野角特性を示す。従って、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの互いに異なる視野角特性が相乗した、充分に広い視野角を得ることができる。
【０２６６】
また、この第八実施例においても、前記第三容量電極１９に印加する第二電圧Ｖ２を制御することにより、前記サブ画素部３３ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、表示装置相互間の視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０２６７】
［他の実施例］
なお、上記各実施例では、第一、第二及び第三容量電極１７，１８，１９の全てを第一
基板３上または第一被覆絶縁膜２０ａ上に形成しているが、各容量電極１７，１８，１９
のうちの一つまたは二つの容量電極を、上記第一実施例と同様に第一基板３上に形成し、
他の容量電極を、上記第二実施例から第六実施例と同様に第一被覆絶縁膜２０ａ上に形成
してもよい。
【０２６８】
その場合は、各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３のうちの第一基板３上に設けられた容量電極により形成された一つまたは二つの補償容量の誘電層を、ゲート絶縁膜１１とその上の被覆絶縁膜２０との積層膜により形成し、第一被覆絶縁膜２０ａ上に設けられた補償容量の誘電層を、第一被覆絶縁膜２０ａの上の第二被覆絶縁膜２０ｂにより形成することができる。
【０２６９】
また、上記各実施例では、第一の横電界生成電極２２を第一容量電極１７と一体に形成し、第二の横電界生成電極２３を第二容量電極１７と一体に形成しているが、これらの横電界生成電極２２，２３を前記第一容量電極１７及び第二容量電極１７とは別の導電膜により形成してもよい。その場合、前記横電界生成電極２２，２３に印加する電圧は、前記第一容量電極１７及び第二容量電極１７に印加する第一電圧Ｖ１とは異なる電圧でもよい。
【０２７０】
さらに、上記各実施例では、誘電体層２６ａ，２６ｂまたはスリット２７からなる第一及び第二電界減衰手段を、メイン画素部３３ａ及びサブ画素部３３ｂを二等分するように配置しているが、前記第一の電界減衰手段を、前記二等分する位置から第一画素電極５ａの何れか一方の縦辺方向にずらして配置し、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａと第二領域３４ｂとの面積比を、第一領域＞第二領域、或いは、第一領域＜第二領域の関係になるようにしてもよい。同様に、前記第二の電界減衰手段を、前記二等分する位置から第二画素電極５ｂの何れか一方の縦辺方向にずらして配置し、サブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと第四領域３４ｄとの面積比を、第三領域＞第四領域、或いは、第三領域＜第四領域の関係になるようにしてもよい。
【０２７１】
また、上記各実施例では、第一の横電界生成電極２２を第一画素電極５ａの二つの縦辺の外側に配置し、第二の横電界生成電極２３を第二画素電極５ｂの二つの縦辺の外側に配置しているが、前記第一の横電界生成電極２２を第一画素電極５ａの二つの横辺の外側に配置し、第二の横電界生成電極２３を第二画素電極５ｂの二つの横辺の外側に配置してもよい。
【０２７２】
その場合は、前記第一及び第二の電界減衰手段（誘電体層２６ａ，２６ｂまたはスリット２７）を、メイン画素部３３ａを第一画素電極５ａの一方の横辺側の第一領域と他方の横辺側の第二領域とに区分し、サブ画素部３３ｂを第二画素電極５ｂの一方の横辺側の第三領域と他方の横辺側の第四領域とに区分するように形成すことにより、駆動電界の印加による液晶分子２ａのチルト方向を、前記第一領域と第二領域とで異ならせ、前記第三領域と第四領域とで異ならせることができる。
【０２７３】
さらに、この場合は、第一配向膜２８と第二配向膜２９とをそれぞれ、前記第一及び第二の電界減衰手段の延伸方向に対して交差する方向にラビングすればよく、このようにすることにより、前記第一、第二、第三及び第四の各領域３４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの視野角特性を互いに異ならせ、これらの視野角特性が相乗した、充分に広い視野角を得ることができる。
【０２７４】
上記のように第一の横電界生成電極２２を第一画素電極５ａの二つの横辺の外側に配置し、第二の横電界生成電極２３を第二画素電極５ｂの二つの横辺の外側に配置する場合、前記第一の横電界生成電極２２は、矩形枠形状に形成された第一容量電極１７のうちの第一画素電極５ａの二つの横辺に重なる部分と一体に形成してもよい。
【０２７５】
また、前記第二の横電界生成電極２３は、そのうちの第二画素電極５ｂの一方の横辺の外側に配置する電極部（以下、第一電極部という）を、三方枠形状に形成された第二容量電極１８のうちの第二画素電極５ｂの一方の横辺に重なる部分と一体に形成し、第二画素電極５ｂの他方の横辺の外側に配置する電極部（以下、第二電極部という）を、直線形状の第三容量電極１９と一体に形成してもよい。
【０２７６】
この場合は、前記第二の横電界生成電極２３の第一電極部に前記第一電圧Ｖ１が印加され、第二電極部に前記第二電圧Ｖ２が印加される。そのため、前記第一電極部と第二画素電極５ｂとの間に生じる横電界と、前記第二電極部と第二画素電極５ｂとの間に生じる横電界は、異なる強さの電界であるが、これらの横電界がそれぞれ第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界の向きを歪ませるように作用するため、上記実施例と同様な効果を得ることができる。
【０２７７】
また、前記第一の横電界生成電極２２と第二の横電界生成電極２３は、第一画素電極５ａの全ての辺の外側と、第二画素電極５ｂの全ての辺の外側とに配置してもよい。その場合は、第二の横電界生成電極２３を、三方枠形状の第一電極部と、直線形状の第二電極部とに分離し、そのうちの第一電極部を前記第二容量電極１８と一体に形成し、第二電極部を前記第三容量電極１９と一体に形成してもよい。
【０２７８】
さらに、第二容量電極１８と第三容量電極１９は、その一方の容量電極を、第二画素電極５ｂの一方の横辺と一方の縦辺とに重なる 」形状に形成し、他方の容量電極を、前記一方の容量電極との間に所定の間隔をあけて、第二画素電極５ｂの他方の横辺と他方の縦辺とに重なる「 形状に形成してもよい。その場合は、第二の横電界生成電極２３を、 」形状の第一電極部と、「 形状の第二電極部とに分離し、その一方の電極部を前記第二容量電極１８と一体に形成し、他方の電極部を前記第三容量電極１９と一体に形成してもよい。
【０２７９】
また、上記のように第一の横電界生成電極２２と第二の横電界生成電極２３を、第一画素電極５ａの全ての辺の外側と、第二画素電極５ｂの全ての辺の外側とに配置する場合は、前記第一及び第二の電界減衰手段を、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの縦辺及び横辺に対して斜めに傾いた方向に延伸させて形成し、第一配向膜２８と第二配向膜２９をそれぞれ、前記第一及び第二の電界減衰手段の延伸方向に対して交差する方向にラビングしてもよい。
【０２８０】
さらに、上記各実施例では、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じた駆動電界の向きを、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａ及びサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃにおいて第一のチルト方向に歪ませ、前記メイン画素部３３ａの第二領域３４ｂ及びサブ画素部３３ｂの第四領域３４ｄにおいて第二のチルト方向に歪ませるために、第一及び第二の横電界生成手段（横電界生成電極２２，２３）と、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じた駆動電界の強度を部分的に低下させる第一及び第二の電界減衰手段（誘電体層２６ａ，２６ｂまたはスリット２７）とからなるチルト方向規定手段を備えているが、前記駆動電界の向きを上記のように歪ませるチルト方向規定手段は、他の手段でもよい。
【０２８１】
また、上記各実施例では、前記駆動電界による液晶分子のチルト方向を前記第一のチルト方向と第二のチルト方向とに規定するようにしているが、チルト方向規定手段は、初期配向状態における液晶分子のプレチルト方向を、メイン画素部３３ａの第一領域３４ａ及びサブ画素部３３ｂの第三領域３４ｃと、前記メイン画素部３３ａの第二領域３４ｂ及びサブ画素部３３ｂの第四領域３４ｄとで互いに異ならせるものでもよい。
【０２８２】
その場合、チルト方向規定手段としては、第一基板３と第二基板４の何れか一方に、各画素３０にそれぞれ対応させて、例えば断面形状が三角形状の凸部を設け、前記凸部を覆って配向膜を形成することが考えられる。
【０２８３】
また、上記各実施例では、メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂの両方にチルト方向規定手段を設けているが、前記メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂの何れか一方のみにチルト方向規定手段を設けてもよい。
【０２８４】
その場合、メイン画素部３３ａの面積とサブ画素部３３ｂの面積とを互いに異ならせるときは、前記各画素部３３ａ，３３ｂのうち、面積が大きい画素部に前記チルト方向規定手段を設けるのが好ましい。
【０２８５】
すなわち、メイン画素部３３ａの面積とサブ画素部３３ｂの面積とが異なるときは、面積の小さい画素部の視野角特性よりも、面積の大きい画素部の視野角特性が液晶表示装置の視野角に大きく関与する。
【０２８６】
従って、メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂの何れか一方のみにチルト方向規定手段を設ける場合は、前記チルト方向規定手段を面積が大きい画素部に設け、この画素部にの液晶分子のチルト方向が異なる二つの領域を形成するのが好ましく、このようにすることにより、充分に広い視野角を得ることができる。
【０２８７】
なお、上記各実施例では、メイン画素部３３ａの面積をサブ画素部３３ｂの面積よりも大きくしているが、それと反対に、サブ画素部の面積をメイン画素部の面積よりも大きくしてもよい。その場合、メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂの何れか一方のみにチルト方向規定手段を設けるときは、面積の大きいサブ画素部にチルト方向規定手段を設ければよい。
【０２８８】
また、前記メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂは、同じ面積になるように形成してもよく、その場合、メイン画素部３３ａとサブ画素部３３ｂの何れか一方のみにチルト方向規定手段を設けてもよい。
【０２８９】
さらに、上記各実施例における液晶表示素子１は、各画素３３を行方向と列方向とにそれぞれ直線的に配列したものであるが、各画素３３の配列は、同じ色のカラーフィルタが設けられた画素を、行毎に、行方向に１．５ピッチずらして配置したデルタ配列でもよい。
【０２９０】
また、この発明は、ＴＮ型または非ツイストのホモジニアス配向型液晶表示装置に限らず、他の液晶表示装置、例えば負の誘電異方性を有する液晶を用い、その液晶分子を基板面に対して垂直な方向に分子長軸を向けて配向させた垂直配向型液晶表示装置等にも適用することができる。
【符号の説明】
【０２９１】
１…液晶表示素子、２…液晶層、３，４…基板、５ａ…第一画素電極、５ｂ…第二画素電極、６…共通電極、７…走査信号線、８…データ信号線、９ａ…第一ＴＦＴ、９ｂ…第二ＴＦＴ、１７…第一容量電極、１８…第二容量電極、１９…第三容量電極、Ｃｓ１…第一補償容量、Ｃｓ２…第二補償容量、Ｃｓ３…第三補償容量、２２…第一の横電界生成電極、２３…第二の横電界生成電極、２６ａ，２６ｂ…誘電体層（電界減衰手段）、２７…スリット（電界減衰手段）、２８，２９…配向膜、２８ｒ，２９ｒ…ラビング方向、３３…画素、３３ａ…メイン画素部（第一画素部）、３３ｂ…サブ画素部（第二画素部）、３４ａ…第一領域、３４ｂ…第二領域、３４ｃ…第三領域、３４ｄ…第四領域、４０…駆動手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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