(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プルアップノードである第1ノードにゲートが接続され、一つのクロック信号端にソースが接続され、自段出力端にドレインが接続される第1薄膜トランジスタと、
プルダウンノードである第2ノードにゲートが接続され、自段出力端にソースが接続され、ローレベル信号端にドレインが接続される第2薄膜トランジスタと、
第1ノードにゲートが接続され、ローレベル信号端にソースが接続され、第2ノードにドレインが接続される第3薄膜トランジスタと、
第2ノードにゲートが接続され、ローレベル信号端にソースが接続され、第1ノードにドレインが接続される第4薄膜トランジスタと、
クロック信号端と第2ノードとの間に接続され、クロック信号端がハイレベルとなるとき、第2ノードをハイレベルにする第1容量と、
クロック信号端と自段出力端との間に接続され、自段出力端がハイレベルとなり、クロック信号端がローレベルとなるとき、自段出力端をクロック信号端に放電させる放電モジュールと、
第1ノードとローレベル信号端との間に接続され、第1ノードに補償と補償保護を提供して、第2ノードをクロック信号端のハイレベル或いはローレベルに応じてハイレベル或いはローレベルに変化する補償モジュールと、
を備え、
前記補償モジュールは、
3段前シフトレジスター入力端にゲートが接続され、他のクロック信号端にソースが接続され、第1ノードにドレインが接続される第6薄膜トランジスタと、
他のクロック信号端にゲートが接続され、他端が第1ノードに接続される第2容量の一端にソースが接続され、ローレベル信号端にドレインが接続される第7薄膜トランジスタと、
前段シフトレジスター入力端にゲートとソースが共に接続され、第7薄膜トランジスタのソースにドレインが接続される第8薄膜トランジスタと、
もう一つのクロック信号端にゲートが接続され、第1ノードにドレインが接続される第9薄膜トランジスタと、
第1ノードにゲートが接続され、自段出力端にドレインが接続され、第9薄膜トランジスタのソースにソースが接続される第10薄膜トランジスタと、
他端が他のクロック信号端に接続される第3容量の一端にゲートが接続され、第1ノードにドレインが接続され、ローレベル信号端にソースが接続される第11薄膜トランジスタと、
3段前シフトレジスター入力端にゲートが接続され、第11薄膜トランジスタのゲートにドレインが接続され、ローレベル信号端にソースが接続される第12薄膜トランジスタと、
を備えることを特徴とするシフトレジスター。
【請求項２】
前記放電モジュールは薄膜トランジスタであり、そのゲート及びソースは同時に自段出力端と接続され、そのドレインはクロック信号端と接続されることを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスター。
【請求項３】
請求項1または2に記載されたシフトレジスターを用いて、シリアルに接続された複数のシフトレジスターを備えるゲート駆動器であって、
前記シフトレジスターは、
3個のクロック信号端と、
1個の自段出力端と、
前段シフトレジスターからの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端と、
3段前シフトレジスターからの出力信号を受信する3段前シフトレジスター入力端と、
を備えることを特徴とするゲート駆動器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶ディスプレーの駆動器に関し、特にシフトレジスター及びそのゲート駆動器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレー(LCD)は、軽量、薄型、使用電力が低いなどの特徴を持ち、携帯電話、ディスプレー及びテレビ等の装置に広く使われる。液晶ディスプレーは、電界を利用して液晶の偏向を制御することによって、光の伝搬を制御して表示画面を生成する。液晶ディスプレーは、主に水平と垂直の二つの方向に配列される画素行列により構成される。画素行列の水平部分は、ゲートラインにより構成され、かつシフトレジスターによりゲート駆動信号が提供される。画素行列の垂直部分は、データラインにより構成され、画素行列にデータ信号を印加するために用いられる。それぞれ異なる電圧を画素行列の画素電極と共通電極に印加することによって、必要な電界が生成される。所定の期間内、複数のシフトレジスターが各ゲートラインを1行目から最終の行目まで順次にストローブされて（strobe）、データ信号がデータラインを通じて対応するゲートラインの画素電極に印加され、当該ゲートラインでの蓄積容量を対応する電圧値まで充電し、そして次の走査までこの電圧値を保持する。
【０００３】
図8は従来技術に係るゲート駆動器の構成概略図である。図8に示すように、従来技術のゲート駆動器は、シリアルに接続された複数段のシフトレジスターSR1、SR2、．．．、SRN、SRN+1、を備える。各シフトレジスターのそれぞれは、第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、直流信号端VDD、及びローレベル信号端VSSに接続される。各段のシフトレジスターのそれぞれの出力端は、液晶ディスプレーのゲートラインに接続される。例えば、1段目のシフトレジスターSR1の出力端OUT1は、液晶ディスプレーの1行目のゲートラインに接続され、2段目のシフトレジスターSR2の出力端OUT2は、液晶ディスプレーの2行目のゲートラインに接続される…。シフトレジスターのそれぞれは、ゲート駆動信号を生成して対応するゲートラインを順次にストローブされることを担当する。そのほか、1段目のシフトレジスターSR1は、シフトスタート信号STVにも接続され、スタート信号を受信する。他のシフトレジスターの出力端は、また隣接する二つの段のシフトレジスターに同時に接続される。例えば、N段目のシフトレジスターSRNが前段のシフトレジスターに送信する出力信号は、N-1段目のシフトレジスターSRN-1のリセット信号とし、N段目のシフトレジスターSRNが後段のシフトレジスターに送信する出力信号は、N＋1段目のシフトレジスターSRN＋1のスタート信号とする。
【０００４】
図9は従来技術に係るシフトレジスターの構成概略図である。図10は従来技術に係るシフトレジスターの動作シーケンスである。図9、図10に示すように、従来技術に係るシフトレジスターは、8個の薄膜トランジスターと2個の容量を備え、入力/出力端は、それぞれ第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2（第2クロック信号は第1クロック信号の反転信号である）、直流信号端VDD、ローレベル信号端VSS、前段のシフトレジスターから出力信号を受信してスタート信号とする前段シフトレジスター入力端INPUTN-1、後段のシフトレジスターから出力信号を受信してリセット信号とする後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1、ゲートラインにゲート駆動信号を出力する自段出力端OUTN、を備える。従来技術に係る上記構成が動作する時、第1ノードQがハイレベルとなると共に、第2ノードQbがローレベルとなると、ハイレベルである第1ノードQが第7薄膜トランジスタM7をオンさせ、ローレベルである第2ノードQbが第8薄膜トランジスタM8をオフさせ、第1クロック信号端CLK1が第7薄膜トランジスタM7を通じて自段出力端OUTNから出力される。これに対して、第1ノードQがローレベルとなると共に、第2ノードQbがハイレベルとなると、ローレベルである第1ノードQが第7薄膜トランジスタM7をオフさせ、ハイレベルである第2ノードQbが第8薄膜トランジスタM8をオンさせ、ローレベル信号端VSSに接続される自段出力端OUTNがローレベルとなり、第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなっても、出力することができない。図10から分かるように、液晶ディスプレーが動作しているときに、各ゲートラインが大部分の時間内でストローブされない状態となり、即ち自段出力端OUTNが大部分の時間内でローレベルに制御される必要があるため、必ず第2ノードQbを多数の場合にハイレベル状態に保持される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、検討結果に示すように、ハイレベルが印加される時間の延長につれて、薄膜トランジスタの閾値電圧が次第に高くなっていき、ハイレベルが薄膜トランジスタのゲートに長期に連続して印加されることは薄膜トランジスタの閾値電圧を向上させる。閾値電圧の向上は、薄膜トランジスタの遷移率を次第に劣化させて、薄膜トランジスタの寿命を短縮するだけではなく、動作も不安定になり、駆動器の正常動作に影響する。
なお、従来技術に係るシフトレジスターの自段出力は、同時に後段のシフトレジスターの入力となる。シフトレジスターがゲートラインを駆動するときに遅延を生じることができるため、このような遅延は複数のゲートラインの累積を経て、シフトレジスターの正常動作に影響する。特に、シフトレジスターの数が多くなるとき、より大きい遅延は後の複数段のシフトレジスターに読み書きの誤りを引き起こす。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は、従来技術のハイレベルを長期に連続して薄膜トランジスタのゲートに印加することによる動作の不安定と寿命短縮など技術欠陥を効率的に解決することができるシフトレジスター及びそのゲート駆動器を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、プルアップノードである第1ノードにゲートが接続され、一つのクロック信号端にソースが接続され、自段出力端にドレインが接続される第1薄膜トランジスタと、プルダウンノードである第2ノードにゲートが接続され、自段出力端にソースが接続され、ローレベル信号端にドレインが接続される第2薄膜トランジスタと、第1ノードにゲートが接続され、ローレベル信号端にソースが接続され、第2ノードにドレインが接続される第3薄膜トランジスタと、第2ノードにゲートが接続され、ローレベル信号端にソースが接続され、第1ノードにドレインが接続される第4薄膜トランジスタと、クロック信号端と第2ノードとの間に接続され、クロック信号端がハイレベルとなるとき、第2ノードをハイレベルにする第1容量と、クロック信号端と自段出力端との間に接続され、自段出力端がハイレベルとなり、クロック信号端がローレベルとなるとき、自段出力端をクロック信号端に放電させる放電モジュールと、第1ノードとローレベル信号端との間に接続され、第1ノードに補償と補償保護を提供して、第2ノードをクロック信号端のハイレベル或いはローレベルに応じてハイレベル或いはローレベルに変化する補償モジュールと、を備えるシフトレジスターを提供する。
【０００７】
上記放電モジュールは、薄膜トランジスタであり、そのゲートとソースが自段出力端にともに接続され、そのドレインがクロック信号端に接続される。
上記技術方案において、上記補償モジュールは、3段前シフトレジスター入力端にゲートが接続され、他のクロック信号端にソースが接続され、第1ノードにドレインが接続される第6薄膜トランジスタと、他のクロック信号端にゲートが接続され、他端が第1ノードに接続される第2容量の一端にソースが接続され、ローレベル信号端にドレインが接続される第7薄膜トランジスタと、前段シフトレジスター入力端にゲートとソースが共に接続され、第7薄膜トランジスタのソースにドレインが接続される第8薄膜トランジスタと、もう一つのクロック信号端にゲートが接続され、第1ノードにドレインが接続される第9薄膜トランジスタと、第1ノードにゲートが接続され、自段出力端にドレインが接続され、第9薄膜トランジスタのソースにソースが接続される第10薄膜トランジスタと、他端が他のクロック信号端に接続される第3容量の一端にゲートが接続され、第1ノードにドレインが接続され、ローレベル信号端にソースが接続される第11薄膜トランジスタと、3段前シフトレジスター入力端にゲートが接続され、第11薄膜トランジスタのゲートにドレインが接続され、ローレベル信号端にソースが接続される第12薄膜トランジスタと、を備える。
上記技術方案において、上記補償モジュールは、他のクロック信号端にゲートが接続され、前段シフトレジスター入力端にソースが接続され、第1ノードにドレインが接続される第13薄膜トランジスタと、後段シフトレジスター入力端にゲートが接続され、第1ノードにソースが接続され、ローレベル信号端にドレインが接続される第14薄膜トランジスタと、第1ノードにゲートが接続され、クロック信号端にソースが接続され、ドレインが自段制御出力端として出力信号を前段シフトレジスターと後段シフトレジスターに送信する第15薄膜トランジスタと、第1薄膜トランジスタのゲートとドレインとの間に接続される第4容量と、を備える
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は、シリアルに接続された複数のシフトレジスターを備え、上記シフトレジスターは、3個のクロック信号端と、1個の自段出力端と、前段シフトレジスターからの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端と、3段前シフトレジスターからの出力信号を受信する3段前シフトレジスター入力端と、を備えることを特徴とするゲート駆動器を提供する。
上記の目的を達成するために、本発明は、シリアルに接続された複数のシフトレジスターを備えるゲートライン駆動装置であって、上記シフトレジスターは、2個のクロック信号端と、1個の自段出力端と、1個の自段制御出力端と、1個の前段シフトレジスターからの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端と、1個の後段シフトレジスターからの出力信号を受信する後段シフトレジスター入力端と、を備え、上記自段出力端が、液晶ディスプレーの対応するゲートラインを駆動するように一つのゲート駆動信号を出力し、上記自段制御出力端が、制御信号を前段シフトレジスターと後段シフトレジスターに出力する他のゲート駆動器を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、シフトレジスター及びそのゲート駆動器を提供し、以下の特徴を有する。
（1）直流電源を採用しなく、クロック信号だけで薄膜トランジスタが駆動されるため、消費電力を大幅に低減することができる。
（2）第2ノードがハイレベルとなる時間を減少し、プルタウンノードである第2ノードがハイレベルとなる時間を元の時間の四分の一或いは二分の一に減少し、即ちハイレベルを第2薄膜トランジスタのゲートに印加する時間を減少して、第2薄膜トランジスタの閾値電圧の偏移を低減する。
（3）二つの薄膜トランジスタを用いて自段出力端のローレベルを維持し、このようにして、薄膜トランジスタの動作時間を大幅に減少することができ、さらに薄膜トランジスタの閾値電圧のシフトを低減する。薄膜トランジスタのゲートのバイアス電圧のデューティ比が約25％或いは50％であり、薄膜トランジスタのゲートのデューティ比が小さい時、その閾値電圧が徐徐に回復することができ、ハイレベルを印加する時間の増加につれてその閾値電圧が増加することができないため、薄膜トランジスタに対する破壊を低減して、薄膜トランジスタの動作寿命を延びる。
（4）第2ノードの電圧は、従来技術の直流駆動方式ではなく、容量駆動方式で、クロック信号端と容量を用いて第2ノードの電圧を駆動する。このように、薄膜トランジスタは、電荷だけで駆動され、電荷によって薄膜トランジスタをオンして、消費電力を減少するだけではなく、同時に薄膜トランジスタの破壊も減少される。
【００１０】
（5）薄膜トランジスタを用いる放電モジュールにより、かつ自段出力端がハイレベルであり、及びクロック信号端がローレベルである時だけ、当該薄膜トランジスタが動作することにより、薄膜トランジスタの特性をよく維持し得、薄膜トランジスタの動作寿命を大幅に延長する。
（6）補償モジュールによって、ゲートバイアスによる薄膜トランジスタの閾値電圧のシフトを補償する。そこで、薄膜トランジスタの閾値電圧はある程度のシフトがあっても、正常の動作に影響しなく、動作寿命を延びる。二つの薄膜トランジスタによって放電回路を構成し、第1薄膜トランジスタの閾値電圧を記憶して、第1薄膜トランジスタの正常動作を保証することができる。
（7）2個の自段出力端が設置され、その中、一つの自段出力端が液晶ディスプレーの対応するゲートラインを駆動するように一つのゲート駆動信号を出力することを担当し、他の自段出力端が独立な薄膜トランジスタを用いて、前段シフトレジスターに、前段シフトレジスターのリセット信号である出力信号を、後段シフトレジスターに、後段シフトレジスターの初期信号である出力信号を、それぞれ出力することを担当する。このように、従来技術の一つの出力端の遅延によって、後の複数段のシフトレジスターに読み書きの誤りを引き起こすことを避けることができ、動作の安定性を向上させる。
要するに、本発明に係るシフトレジスターは、低コスト、低消費電力、長寿命の利点に加えて、高安定性、干渉に強い、小さい遅延など特徴がある。
以下、図面と実施形態を参照して、本発明の技術方案について詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係るシフトレジスターの構成概略図である。
【図２】本発明に係るシフトレジスターの第1実施形態の構成概略図である。
【図３】本発明に係るシフトレジスターの第1実施形態の動作シーケンス図である。
【図４】本発明に係るシフトレジスターの第2実施形態の構成概略図である。
【図５】本発明に係るシフトレジスターの第2実施形態の動作シーケンス図である。
【図６】本発明に係る第1種のゲート駆動器の構成概略図である。
【図７】本発明に係る第2種のゲート駆動器の構成概略図である。
【図８】従来技術に係るゲート駆動器の構成概略図である。
【図９】従来技術に係るシフトレジスターの構成概略図である。
【図１０】従来技術に係るシフトレジスターの動作シーケンス図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は本発明に係るシフトレジスターの構成概略図である。図1に示すように、本発明に係るシフトレジスターの主体は、4個の薄膜トランジスタ、1個の蓄積容量、1個の放電モジュール、1個の補償モジュール、及び対応する入力/出力端を備える。その中、第1薄膜トランジスタM1は、プルアップノードである第1ノードQにゲートが接続され、一つのクロック信号端CLKにソースが接続され、自段出力端OUTNにドレインが接続され、自段出力端OUTNにハイレベル出力を提供する役割を果たす。第2薄膜トランジスタM2は、プルダウンノードである第2ノードQbにゲートが接続され、自段出力端OUTNにソースが接続され、ローレベル信号端VSSにドレインが接続され、自段出力端OUTNをローレベルに保持する役割を果たす。第3薄膜トランジスタM3は、第1ノードQにゲートが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続され、第2ノードQbにドレインが接続され、プルアップノードである第1ノードQがハイレベルとなる時プルダウンノードである第2ノードQbをローレベルに保持する役割を果たす。第4薄膜トランジスタM4は、第2ノードQbにゲートが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続され、第1ノードQにドレインが接続され、第2ノードQbがハイレベルとなる時第1ノードQをローレベルに保持されて、第1薄膜トランジスタM1のゲートをローレベルに維持される役割を果たす。放電モジュール1は、クロック信号端CLKと自段出力端OUTNとの間に接続され、放電する役割を果たす。クロック信号端CLKがローレベル、自段出力端OUTNがハイレベルであるときには、放電モジュール1によりクロック信号端CLKに放電して、自段出力端OUTNをローレベルに維持すると共に、自段出力端OUTNをローレベルにプルダウンする役割を果たす。第1容量C1がクロック信号端CLKと第2ノードQbとの間に接続され、クロック信号端CLKがハイレベルに変更するとき、第1容量C1により第2ノードQbをハイレベルに変更して、第4薄膜トランジスタM4と第2薄膜トランジスタM2をオンさせ、第1ノードQと自段出力端OUTNをローレベルに維持する。補償モジュール2が第1ノードQとローレベル信号端VSSに接続されるとともに、他の信号入力端INPUTに接続され、第1ノードに対して補償と補償保護を提供して、クロック信号端のハイレベルまたはローレベルに応じて第2ノードQbをハイレベルまたはローレベルに変更する。
【００１３】
図2は本発明に係るシフトレジスターの第1実施形態の構成概略図である。本発明に係るシフトレジスターの主体は、12個の水素化アモルファスシリコン(Hydrogenated Amorphous Silicon)薄膜トランジスタ、3個の蓄積容量、及び対応する入力/出力端、を備える。12個の薄膜トランジスタは、それぞれ第1薄膜トランジスタM1、第2薄膜トランジスタM2、第3薄膜トランジスタM3、第4薄膜トランジスタM4、第5薄膜トランジスタM5、第6薄膜トランジスタM6、第7薄膜トランジスタM7、第8薄膜トランジスタM8、第9薄膜トランジスタM9、第10薄膜トランジスタM10、第11薄膜トランジスタM11、第12薄膜トランジスタM12である。3個の蓄積容量は、それぞれ第1容量C1、第2容量C2、第3容量C3である。入力/出力端は、ローレベル信号端VSS、自段出力端OUTN、前段のシフトレジスターから出力信号を受信する前段入力端、3段前のシフトレジスターから出力信号を受信する3段前入力端及び3個のクロック信号端を備える。3個のクロック信号端は、互いに連続する第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、第3クロック信号端CLK3、及び第4クロック信号端CLK4うちの三つである。
【００１４】
図2に示すN段目のシフトレジスターについて、前段のシフトレジスターから出力信号を受信する前段入力端が前段シフトレジスター入力端INPUTN-1、3段前のシフトレジスターから出力信号を受信する3段前入力端が3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3であり、3個のクロック信号端が、それぞれ第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、及び第4クロック信号端CLK4である。第1薄膜トランジスタM1は、プルアップノードである第1ノードQにゲートが接続され、第4クロック信号端CLK4にソースが接続され、自段出力端OUTNにドレインが接続される。第2薄膜トランジスタM2は、プルダウンノードである第2ノードQbにゲートが接続され、自段出力端OUTNにソースが接続され、ローレベル信号端VSSにドレインが接続される。第3薄膜トランジスタM3は、第1ノードQにゲートが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続され、第2ノードQbにドレインが接続される。第4薄膜トランジスタM4は、第2ノードQbにゲートが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続され、第1ノードQにドレインが接続される。放電モジュールとする第5薄膜トランジスタM5は、自段出力端OUTNにゲートとソースが共に接続され、第4クロック信号端CLK4にドレインが接続される。第6薄膜トランジスタM6は、3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3にゲートが接続され、第1クロック信号端CLK1にソースが接続され、第1ノードQにドレインが接続される。第7薄膜トランジスタM7は、第1クロック信号端CLK1にゲートが接続され、第2容量C2の一端にソースが接続され、ローレベル信号端VSSにドレインが接続される。第2容量C2の他端は第1ノードQに接続される。第8薄膜トランジスタM8は、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1にゲートとソースが共に接続され、第7薄膜トランジスタM7のソースにドレインが接続される。第9薄膜トランジスタM9は、第2クロック信号端CLK2にゲートが接続され、第10薄膜トランジスタM10のソースにソースが接続され、第1ノードQにドレインが接続される。第10薄膜トランジスタM10は、第1ノードQにゲートが接続され、自段出力端OUTNにドレインが接続され、第9薄膜トランジスタM9のソースにソースが接続される。第11薄膜トランジスタM11は、第3容量C3の一端にゲートが接続され、第1ノードQにドレインが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続される。第3容量C3の他端は第1クロック信号端CLK1に接続される。第12薄膜トランジスタM12は、3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3にゲートが接続され、第11薄膜トランジスタM11のゲートにドレインが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続される。第1容量C1が第4クロック信号端CLK4と第2ノードQbとの間に接続され、第2容量C2が第1ノードQと第8薄膜トランジスタM8のドレインとの間に設置され、第3容量C3が第1クロック信号端CLK1と第11薄膜トランジスタM11のゲートとの間に設置される。その中、第5薄膜トランジスタM5は本実施形態の放電モジュールとして機能し、第6薄膜トランジスタM6、第7薄膜トランジスタM7、第8薄膜トランジスタM8、第9薄膜トランジスタM9、第10薄膜トランジスタM10、第11薄膜トランジスタM11、第12薄膜トランジスタM12、第2容量C2、及び第3容量C3は、本実施形態の補償モジュールを構成する。実際の使用中、本実施形態の上記技術方案は、水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタだけではなく、他の薄膜トラ���ジスタにも適用されることができる。
【００１５】
図3は、本発明に係るシフトレジスターの第1実施形態の動作シーケンス図である。以下、本発明に係る実施形態の技術方案を、図2と図3に合わせてシフトレジスターの動作プロセスによりさらに説明する。
本実施形態のシフトレジスターの動作は、6段階に分けられ、段階ごとの動作状況は、具体的に以下の通り示す。
【００１６】
第1段階T1
本段階において、第4クロック信号端CLK4がハイレベルとなると共に、他のクロック信号端が全部ローレベルとなる。第4クロック信号端CLK4は、第1容量C1を通じてプルダウンノードである第2ノードQbをハイレベルにし、そして第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4がオン状態となり、プルアップノードである第1ノードQと自段出力端OUTNをローレベル信号端VSSに接続させ、ローレベルを維持する。本段階において、他の薄膜トランジスタは、すべてオフ状態となる。
【００１７】
第2段階T2
本段階において、第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなると共に、他のクロック信号端が全部ローレベルとなり、3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3がハイレベルとなる。3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3のハイレベルは、第12薄膜トランジスタM12をオンさせ、そのドレインがソースを通じてローレベル信号端VSSに接続される。そこで、この時、第1クロック信号端CLK1はハイレベルとなるが、第11薄膜トランジスタM11のゲートはまだローレベルとなり、第11薄膜トランジスタM11をオフ状態にする。この時、第4クロック信号端CLK4はローレベルに変更するため、第2ノードQbもローレベルとなり、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4をオフ状態にする。3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3がハイレベルとなるため、第6薄膜トランジスタM6をオンさせ、ハイレベルである第1クロック信号端CLK1が第6薄膜トランジスタM6を通じて、第1ノードQにより高い電圧を持たせ、第6薄膜トランジスタM6のドレイン（すなわち第1ノードQ）に接続される第2容量C2の端子にもより高い電圧を持つ。第1ノードQがハイレベルとなるため、第7薄膜トランジスタM7をオンさせ、第7薄膜トランジスタM7のソースに接続される第2容量C2の端子もローレベルとなる。
【００１８】
第3段階T3
本段階において、第2クロック信号端CLK2がハイレベルとなると共に、他のクロック信号端が全部ローレベルとなり、第2クロック信号端CLK2のハイレベルは、第9薄膜トランジスタM9をオン状態にする。この時、第1ノードQがハイレベルとなるため、第1薄膜トランジスタM1と第10薄膜トランジスタM10がオン状態となる。そして、第2クロック信号端CLK2、第9薄膜トランジスタM9、第10薄膜トランジスタM10、第1ノードQ、第1薄膜トランジスタM1、と第4クロック信号端CLK4は、第4クロック信号端CLK4に放電する回路を構成し、第1ノードQの電圧が第1薄膜トランジスタM1と第10薄膜トランジスタM10の閾値になるまでずっと放電して、第10薄膜トランジスタM10に第1薄膜トランジスタM1の閾値電圧を記憶して保存させ、この閾値電圧を保持する。
【００１９】
第4段階T4
本段階において、三つのクロック信号端が全部ローレベルとなり、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1がハイレベルとなる。前段シフトレジスター入力端INPUTN-1のハイレベルは、第8薄膜トランジスタM8をオンさせるため、第8薄膜トランジスタM8のドレインがハイレベルとなる。第2容量C2の役割で、第1ノードQの電圧は、元の閾値電圧に第8薄膜トランジスタM8が提供する電圧を加えた電圧、即ちハイレベルとなる。第1ノードQのハイレベルは、第1薄膜トランジスタM1と第3薄膜トランジスタM3をオンさせて、第2ノードQbをローレベル信号端VSSに接続され、ローレベルを保持する。
【００２０】
第5段階T5
本段階において、第4クロック信号端CLK4がハイレベルとなると共に、他のクロック信号端がローレベルとなる。本段階において、第4クロック信号端CLK4のハイレベルは、第1容量C1により第2ノードQbをハイレベルにする傾向があるが、この時、第1ノードQがハイレベルで、第1薄膜トランジスタM1と第3薄膜トランジスタM3がオン状態となって、プルダウンノードである第2ノードQbをローレベル信号端VSSに接続させるため、第2ノードQbがローレベルにプルダウンされて、第2ノードQbのローレベルが第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4をオフ状態にする。そして、第4クロック信号端CLK4は、第1薄膜トランジスタM1を通じて出力し、自段出力端OUTNがハイレベルとなる。
【００２１】
第6段階T6
本段階において、第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなると共に、他のクロック信号端がローレベルとなる。この時、ハイレベルとなる自段出力端OUTNは、放電モジュールである第5薄膜トランジスタM5をオンさせ、自段出力端OUTNがローレベルとなるまで、第5薄膜トランジスタM5を通じてローレベルとなる第4クロック信号端CLK4に放電する。同時に、第1クロック信号端CLKがハイレベルとなるため、第7薄膜トランジスタM7と第11薄膜トランジスタM11をともにオンされる。オンされた第7薄膜トランジスタM7と第11薄膜トランジスタM11は、第1ノードQをローレベル信号端VSSに接続されてローレベルを保持する。その後、第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、と第4クロック信号端CLK4がどのように変化するにもかかわらず、第1ノードQはずっとローレベルを保持して、自段出力端OUTNのローレベルを維持する。同時に、第2ノードQbのレベルは、次のフレームの初期信号が来るまで、第1容量C1を通じて第4クロック信号端CLK4のレベルと合致するように保持され、即ち第4クロック信号端CLK4がハイレベルとなるときには、第2ノードQbのレベルも同じハイレベルとなり、第4クロック信号端CLK4がローレベルとなるときには、第2ノードQbのレベルも同じローレベルとなる。
【００２２】
本実施形態のシフトレジスターの動作プロセスから分かるように、本実施形態の技術方案において、第1薄膜トランジスタM1の役割は、自段出力端OUTNにハイレベル出力を提供することである。第2薄膜トランジスタM2の役割は、自段出力端OUTNをローレベルに保持することである。第3薄膜トランジスタM3の役割は、プルアップノードである第1ノードQがハイレベルとなるときに、プルダウンノードである第2ノードQbをローレベルに保持することである。第4薄膜トランジスタM4の役割は、第2ノードQbがハイレベルとなるとき、第1ノードQをローレベルに保持して、第1薄膜トランジスタM1のゲートをローレベルに保持することである。放電モジュールとする第5薄膜トランジスタM5の役割は、放電することであり、第4クロック信号端CLK4がローレベル、自段出力端OUTNがハイレベルとなるとき、ハイレベルとなる自段出力端OUTNが第5薄膜トランジスタM5を通じて第4クロック信号端CLK4に放電して、自段出力端OUTNがローレベルに維持されると共に、自段出力端OUTNをローレベルにプルダウンする役割を果たす。第6薄膜トランジスタM6の主な役割は、第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなる時、第1ノードQに一つの補償電圧を提供することである。第7薄膜トランジスタM7の主な役割は、第1クロック信号端CLK1がプルアップノードである第1ノードQに補償電圧を提供するとき、第7薄膜トランジスタM7のソースに接続する第2容量C2の一端をローレベルとなるように制御することである。第8薄膜トランジスタM8の主な役割は、第1ノードQに一つのハイレベルを提供することである。第9薄膜トランジスタM9と第10薄膜トランジスタM10の主な役割は、一緒に放電回路を構成し、第10薄膜トランジスタM10に第1薄膜トランジスタM1の閾値電圧を記憶して保存させることである。第11薄膜トランジスタM11の主な役割は、動作しない時に第1ノードQの電圧をローレベルに保持することである。第12薄膜トランジスタM12の主な役割は、第1クロック信号端CLK1が補償電圧を提供するとき、第11薄膜トランジスタM11をオフ状態にすることである。第1容量C1の役割は、第4クロック信号がハイレベルとなるとき、第1容量C1を通じて第2ノードQbをハイレベルにさせて、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4をオンさせ、第1ノードQと自段出力端OUTNをローレベルに維持することである。第2容量C2の主な役割は、補償された第1ノードQをハイレベルにして、第1薄膜トランジスタM1と第3薄膜トランジスタM3をオンさせることである。第3容量C3の主な役割は、第1クロック信号端CLK1を通じて、第11薄膜トランジスタM11のゲートにハイレベルを提供すると共に、直流の発生を避けて、消費電力を低減することができる。
【００２３】
本実施形態に係るシフトレジスターの技術方案において、シフトレジスターの自段出力端OUTNは、液晶ディスプレーの対応するゲートラインを駆動するように一つのゲート駆動信号を出力すると共に、他の二つのシフトレジスターから出力信号を受信する。その中の一つの出力信号は、前段シフトレジスターから出力され、自段シフトレジスターの初期信号として用いる。他の出力信号は、3段前シフトレジスターから出力され、自段シフトレジスターの補償信号として用いる。シフトレジスターの動作は、同時に3個のクロック信号、1個の前段シフトレジスターからの初期信号、及び1個の3段前シフトレジスターからの補償信号により制御される。本実施形態に係るシフトレジスターは、直流電源を採用しなく、クロック信号だけで駆動されるため、消費電力を大幅に低減することができる。本実施形態に係るシフトレジスターは、第2ノードQbがハイレベルとなる時間を減少し、プルタウンノードである第2ノードQbがハイレベルとなる時間を元の時間の四分の一に減少し、即ちハイレベルを第2薄膜トランジスタM2のゲートに印加する時間を減少して、第2薄膜トランジスタM2の閾値電圧の偏移を低減する。本実施形態に係るシフトレジスターは、第2薄膜トランジスタM2と第5薄膜トランジスタM5が共に自段出力端OUTNのローレベルを維持し、このようにして、第2薄膜トランジスタM2の動作時間を大幅に減少することができ、さらに第2薄膜トランジスタM2の閾値電圧のシフトを低減する。その中、第2薄膜トランジスタM2のゲートのバイアス電圧のデューティ比が約25％であり、薄膜トランジスタのゲートのバイアス電圧のデューティ比がより小さい時、その閾値電圧が徐徐に回復することができ、ハイレベルを印加する時間の増加につれてその閾値電圧が増加することができないため、本実施形態が、薄膜トランジスタに対する破壊を低減して、薄膜トランジスタの動作寿命を延長する。同時に、本実施形態の第2ノードQbの電圧は、従来技術の直流駆動方式ではなく、容量駆動方式で、第4クロック信号端CLK4と第1容量C1を用いて第2ノードQbの電圧を駆動する。このように、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4は、電荷だけで駆動され、電荷によって薄膜トランジスタをオンして、消費電力を減少するだけではなく、同時に薄膜トランジスタの破壊も減少される。本実施形態は、まだ一つの放電モジュールを提供する。当該放電モジュールは、薄膜トランジスタを採用し、かつ自段出力端OUTNがハイレベルであり、及び第4クロック信号端CLK4がローレベルである時だけ、当該薄膜トランジスタが動作する。このように、薄膜トランジスタの特性をよく維持し得、薄膜トランジスタの動作寿命を大幅に延びる。さらに、本実施形態は、補償モジュールによって、ゲートバイアスによる薄膜トランジスタの閾値電圧のシフトを補償する。そこで、薄膜トランジスタの閾値電圧はある程度のシフトがあっても、正常の動作に影響しなく、動作寿命を延びる。その中、第9薄膜トランジスタM9と第10薄膜トランジスタM10によって放電回路を構成し、第1薄膜トランジスタM1の閾値電圧を記憶して、第1薄膜トランジスタM1の正常動作を保証することができる。本実施形態は、自段出力端OUTNがハイレベルを出力する時だけ、薄膜トランジスタのゲートにバイ���スを加える。しかし、シフトレジスターのすべての動作プロセスにおいて、自段出力端OUTNからハイレベルを出力する時間は非常に短いため、薄膜トランジスターの閾値電圧のシフトにほぼ影響しなく、薄膜トランジスタが長い時間の動作で劣化しないことを保証することができる。要するに、本実施形態に係るシフトレジスターは、低コスト、低消費電力、長寿命の利点に加えて、高安定性、干渉に強いなど特徴がある。
【００２４】
図4は、本発明に係るシフトレジスターの第2実施形態の構成概略図である。本実施形態のシフトレジスターの主な構成は、8個の水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、2個の蓄積容量、及び対応する入力/出力端、を備える。8個の薄膜トランジスタは、それぞれ第1薄膜トランジスタM1、第2薄膜トランジスタM2、第3薄膜トランジスタM3、第4薄膜トランジスタM4、第5薄膜トランジスタM5、第13薄膜トランジスタM13、第14薄膜トランジスタM14、第15薄膜トランジスタM15である。2個の蓄積容量は、それぞれ第1容量C1、第4容量C4である。入力/出力端は、ローレベル信号端VSS、自段出力端OUTN、自段制御出力端XN、前段のシフトレジスターから出力信号を受信してスタート信号とする前段入力端、後段のシフトレジスターから出力信号を受信してリセット信号とする後段入力端及び2個のクロック信号端を備える。2個のクロック信号端は、順次に出力する第1クロック信号端CLK1と第2クロック信号端CLK2であり、第2クロック信号が第1クロック信号の反転信号である。
【００２５】
図4に示すN段目のシフトレジスターについて、前段のシフトレジスターから出力信号を受信する前段入力端が前段シフトレジスター入力端INPUTN-1、後段のシフトレジスターから出力信号を受信する後段入力端が後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1である。第1薄膜トランジスタM1〜第5薄膜トランジスタM5の接続構成は、上記の本発明にかかるシフトレジスターの第1実施形態と基本的に同じであり、具体的には、第1薄膜トランジスタM1は、プルアップノードである第1ノードQにゲートが接続され、第1クロック信号端CLK1にソースが接続され、自段出力端OUTNにドレインが接続される。第2薄膜トランジスタM2は、プルダウンノードである第2ノードQbにゲートが接続され、自段出力端OUTNにソースが接続され、ローレベル信号端VSSにドレインが接続される。第3薄膜トランジスタM3は、第1ノードQにゲートが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続され、第2ノードQbにドレインが接続される。第4薄膜トランジスタM4は、第2ノードQbにゲートが接続され、ローレベル信号端VSSにソースが接続され、第1ノードQにドレインが接続される。放電モジュールとする第5薄膜トランジスタM5は、自段出力端OUTNにゲートとソースが共に接続され、第1クロック信号端CLK1にドレインが接続される。第13薄膜トランジスタM13は、第2クロック信号端CLK2にゲートが接続され、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1にソースが接続され、第1ノードQにドレインが接続される。第14薄膜トランジスタM14は、後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1にゲートが接続され、第1ノードQにソースが接続され、ローレベル信号端VSSにドレインが接続される。第15薄膜トランジスタM15は、第1ノードQにゲートが接続され、第1クロック信号端CLK1にソースが接続され、ドレインが自段制御出力端XNとして、リセット信号である出力信号を、前段のシフトレジスターにおける第13薄膜トランジスタM13のソースに送信する一方、スタート信号である出力信号を、後段のシフトレジスターにおける第14薄膜トランジスタM14のゲートに送信する。第1容量C1が第1クロック信号端CLK1と第2ノードQbとの間に設置され、第4容量C4が第1薄膜トランジスタM1のゲートとドレインとの間に（第1ノードQと自段出力端OUTNとの間に）設置される。その中、第5薄膜トランジスタM5は本実施形態の放電モジュールとして機能し、第13薄膜トランジスタM13、第14薄膜トランジスタM14、第15薄膜トランジスタM15及び第4容量C4は、本実施形態の補償モジュールを構成する。実際の使用中、本実施形態の上記技術方案は、水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタだけではなく、他の薄膜トランジスタにも適用されることができる。
【００２６】
図5は、本発明に係るシフトレジスターの第2実施形態の動作シーケンス図である。以下、本発明に係る実施形態の技術方案を、図4と図5に合わせてシフトレジスターの動作プロセスによりさらに説明する。
本実施形態のシフトレジスターの動作は、4段階に分けられ、段階ごとの動作状況は、具体的に以下の通り示す。
【００２７】
第1段階T1
本段階において、第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなると共に、第2クロック信号端CLK2、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1、後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1が全部ローレベルとなるため、第13薄膜トランジスタM13と第14薄膜トランジスタM14が共にオフ状態となる。第1容量C1の役割で、第1クロック信号端CLK1のハイレベルは、プルダウンノードである第2ノードQbをハイレベルに瞬間に変更させて、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4をオンさせて、プルアップノードである第1ノードQと自段出力端OUTNをローレベル信号端VSSに接続させてローレベルに維持する。第1ノードQのローレベルは、第1薄膜トランジスタM1、第3薄膜トランジスタM3、第5薄膜トランジスタM5、第15薄膜トランジスタM15をオフ状態にする。
【００２８】
第2段階T2
第1段階T1が終了した後で本段階に至る時、第1クロック信号端CLK1がローレベルとなり、第2クロック信号端CLK2がハイレベルとなると共に、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1が自段シフトレジスターの初期信号とするハイレベルとなり、後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1がローレベル状態を維持する。第2クロック信号端CLK2と前段のシフトレジスター入力端INPUTN-1が共にハイレベルとなるため、オンされた第13薄膜トランジスタM13によって、前段のシフトレジスター入力端INPUTN-1が出力するハイレベルは、第1ノードQをハイレベルにする。第1ノードQのハイレベルは、第1薄膜トランジスタM1、第3薄膜トランジスタM3、第15薄膜トランジスタM15を同時にオンさせる。第3薄膜トランジスタM3をオンさせることは、プルダウンノードである第2ノードQbをローレベルにして、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4をオフ状態にする。この時、第1薄膜トランジスタM1と第15薄膜トランジスタM15がオンされているが、第1クロック信号端CLK1はローレベルとなるため、自段出力端OUTNと自段制御出力端XNが出力しない。
【００２９】
第3段階T3
第2段階T2が終了した後で本段階に至る時、第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなり、第2クロック信号端CLK2がローレベルとなると共に、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1と後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1が共にローレベルとなるため、第13薄膜トランジスタM13と第14薄膜トランジスタM14はオフ状態となる。第1薄膜トランジスタM1のゲートとドレインとの間に第4容量C4が接続されるため、ブートストラップ（bootstrap）効果によって、第1クロック信号端CLK1のハイレベルの作用で、ハイレベルである第1ノードQを更に向上させて、第1薄膜トランジスタM1、第3薄膜トランジスタM3と第15薄膜トランジスタM15のオン状態の保持を続ける。本段階において、第1クロック信号端CLK1のハイレベルは、第1容量C1を通じて第2ノードQbをハイレベルに変化する傾向があるが、第3薄膜トランジスタM3のオンされることがプルダウンノードである第2ノードQbをローレベル信号端VSSに接続されることによって、第2ノードQbをローレベルにプルダウンして、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4がオフ状態となる。第1薄膜トランジスタM1のオンされることは、第1クロック信号端CLK1のハイレベルを第1薄膜トランジスタM1を通じて自段出力端OUTNから出力されて、ハイレベルである自段出力端OUTNが液晶ディスプレーの第N行目のゲートラインを駆動する。第15薄膜トランジスタM15のオンされることは、第1クロック信号端CLK1のハイレベルを第15薄膜トランジスタM15を通じて自段制御出力端XNから出力されて、前段のシフトレジスターにリセット信号を、後段のシフトレジスターにスタート信号を出力する。
【００３０】
第4段階T4
第3段階T3が終了した後で本段階に至る時、第1クロック信号端CLK1がローレベルとなり、第2クロック信号端CLK2がハイレベルとなると共に、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1がローレベルとなり、後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1がハイレベルとなる。第2クロック信号端CLK2と後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1のハイレベルは、第13薄膜トランジスタM13と第14薄膜トランジスタM14を同時にオン状態となって、第1ノードQをローレベルにする。第1ノードQと第2ノードQbが同時にローレベルとなることは、第1薄膜トランジスタM1、第2薄膜トランジスタM2、第3薄膜トランジスタM3、第4薄膜トランジスタM4と第15薄膜トランジスタM15を共にオフ状態にする。第1クロック信号端CLK1がローレベルとなり、自段出力端OUTNがハイレベルとなることは、第5薄膜トランジスタM5をオン状態にし、自段出力端OUTNがローレベルとなって第5薄膜トランジスタM5がオフ状態となるまで、第5薄膜トランジスタM5を通じて、自段出力端OUTNを第1クロック信号端CLK1に放電させる。其の後、第1クロック信号端CLK1と第2クロック信号端CLK2がどのように変化しても、第1ノードQは、ずっとローレベルに保持されて、自段出力端OUTNのローレベルを維持する。同時に、次のフレームの初期信号が来るまで、第2ノードQbのレベルは、第1容量C1を通じて、第1クロック信号端CLK1のレベルと合致するように保持され、即ち第1クロック信号端CLK1がハイレベルとなるとき、第2ノードQbのレベルも同じハイレベルとなり、第1クロック信号端CLK1がローレベルとなるとき、第2ノードQbのレベルも同じローレベルとなる。
【００３１】
本実施形態のシフトレジスターの動作プロセスから分かるように、本実施形態の技術方案において、第1薄膜トランジスタM1の役割は、自段出力端OUTNにハイレベル出力を提供することである。第2薄膜トランジスタM2の役割は、自段出力端OUTNをローレベルに保持することである。第3薄膜トランジスタM3の役割は、プルアップノードである第1ノードQがハイレベルとなるときに、プルダウンノードである第2ノードQbをローレベルに保持することである。第4薄膜トランジスタM4の役割は、第2ノードQbがハイレベルとなるとき、第1ノードQをローレベルに保持して、第1薄膜トランジスタM1のゲートをローレベルに保持することである。放電モジュールとする第5薄膜トランジスタM5の役割は、放電することであり、第1クロック信号端CLK1がローレベル、自段出力端OUTNがハイレベルとなるとき、ハイレベルとなる自段出力端OUTNが第5薄膜トランジスタM5を通じて第1クロック信号端CLK1に放電して、自段出力端OUTNがローレベルに維持されると共に、自段出力端OUTNをローレベルにプルダウンする役割を果たす。第13薄膜トランジスタM13の主な役割は、第2クロック信号端CLK2と前段シフトレジスター入力端INPUTN-1が共にハイレベルとなるとき、前段シフトレジスター入力端INPUTN-1が出力するハイレベルが第13薄膜トランジスタM13を通じて、プルアップノードである第1ノードQに伝送して、第1ノードQをハイレベルにすることである。第14薄膜トランジスタM14の役割は、後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1がハイレベルを出力する時、第1ノードQの電圧をローレベルにすることである。第15薄膜トランジスタM15の役割は、第15薄膜トランジスタM15のドレインを通じて、前段シフトレジスターに、前段シフトレジスターのリセット信号である出力信号を、後段シフトレジスターに、後段フトレジスターのスタート信号である出力信号を、送信することである。第1容量C1の役割は、第1クロック信号がハイレベルとなるとき、第1容量C1を通じて、第2ノードQbをハイレベルにして、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4をオンさせて、第1ノードQと自段出力端OUTNをローレベルに維持することである。第4容量C4の役割は、ブートストラップ効果を利用して、第1ノードQのハイレベルを維持することである。
【００３２】
本実施形態に係るシフトレジスターの技術方案において、シフトレジスターの自段出力端OUTNは、液晶ディスプレーの対応するゲートラインを駆動するように一つのゲート駆動信号を出力すると共に、他の二つのシフトレジスターから出力信号を受信する。その中の一つの出力信号は、前段シフトレジスターから出力され、自段シフトレジスターの初期信号として用いられる。他の出力信号は、後段シフトレジスターから出力され、自段シフトレジスターのリセット信号として用いられる。シフトレジスターの動作は、同時に2個のクロック信号、1個の前段シフトレジスターからの出力信号、及び1個の後段シフトレジスターからの出力信号により制御される。本実施形態に係るシフトレジスターは、直流電源を採用しなく、クロック信号だけで駆動されるため、消費電力を大幅に低減することができる。本実施形態に係るシフトレジスターは、第2ノードQbがハイレベルとなる時間を減少し、プルダウンノードである第2ノードQbがハイレベルとなる時間を元の時間の二分の一に減少し、即ちハイレベルを第2薄膜トランジスタM2のゲートに印加する時間を減少して、第2薄膜トランジスタM2の閾値電圧の偏移を低減する。本実施形態に係るシフトレジスターは、第2薄膜トランジスタM2と第5薄膜トランジスタM5が共に自段出力端OUTNのローレベルを維持し、このようにして、第2薄膜トランジスタM2の動作時間を大幅に減少することができ、さらに第2薄膜トランジスタM2の閾値電圧のシフトを低減する。その中、第2薄膜トランジスタM2のゲートのバイアス電圧のデューティ比が約50％であり、薄膜トランジスタのゲートのバイアス電圧のデューティ比が小さい時、その閾値電圧が徐徐に回復することができ、ハイレベルを印加する時間の増加につれてその閾値電圧が増加することができないため、本実施形態が、薄膜トランジスタに対する破壊を低減して、薄膜トランジスタの動作寿命を延びる。同時に、本実施形態の第2ノードQbの電圧は、従来技術の直流駆動方式ではなく、容量駆動方式で、第1クロック信号端CLK1と第1容量C1を用いて第2ノードQbの電圧を駆動する。このように、第2薄膜トランジスタM2と第4薄膜トランジスタM4は、電荷だけで駆動され、電荷によって薄膜トランジスタをオンして、消費電力を減少するだけではなく、同時に薄膜トランジスタの破壊も減少される。本実施形態は、まだ一つの放電モジュールを提供する。当該放電モジュールは、薄膜トランジスタを採用し、かつ自段出力端OUTNがハイレベルであり、及び第1クロック信号端CLK1がローレベルである時だけ、当該薄膜トランジスタが動作する。このように、薄膜トランジスタの特性をよく維持し得、薄膜トランジスタの動作寿命を大幅に延びる。さらに、本実施形態のシフトレジスターは、2個の自段出力端が設置され、その中、一つの自段出力端が液晶ディスプレーの対応するゲートラインを駆動するように一つのゲート駆動信号を出力することを担当し、他の自段出力端が単独な薄膜トランジスタを用いて、前段シフトレジスターに、前段シフトレジスターのリセット信号である出力信号を、後段シフトレジスターに、後段シフトレジスターの初期信号である出力信号を、それぞれ出力することを担当する。このように、従来技術の一つの出力端の遅延によって、後の��数段のシフトレジスターに読み書きの誤りを引き起こすことを避けることができ、動作の安定性を向上させる。そして、本実施形態の技術方案は、特に複数のシフトレジスターを含むゲート駆動器に適用され、後の複数段のシフトレジスターに読み書きの誤りを引き起こすことを避ける。本実施形態は、自段出力端OUTNがハイレベルを出力する時だけ、薄膜トランジスタのゲートにバイアスを加える。しかし、シフトレジスターのすべての動作プロセスにおいて、自段出力端OUTNからハイレベルを出力する時間は非常に短いため、薄膜トランジスタの閾値電圧のシフトにほぼ影響しなく、薄膜トランジスタが長い時間の動作で劣化しないことを保証することができる。要するに、本実施形態に係るシフトレジスターは、低コスト、低消費電力、長寿命の利点に加えて、高安定性、小遅延など特徴がある。
【００３３】
本発明に係る第1種のゲート駆動器は、シリアルに接続された複数のシフトレジスターを備え、かつ、シリアルに接続された4個のシフトレジスターが一つのシフトレジスターセットを構成する。各シフトレジスターのそれぞれは、3個のクロック信号を受信するクロック信号端と、ゲート駆動信号を対応するゲートラインに送信する自段出力端と、自段シフトレジスターの初期信号として前段シフトレジスターからの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端と、自段シフトレジスターの補償信号として3段前シフトレジスターからの出力信号を受信する3段前シフトレジスター入力端と、を具備する。なお、シフトレジスター毎は、ローレベル信号端に接続される。
【００３４】
図6は、本発明に係る第1種のゲート駆動器の構成概略図である。シフトレジスターのセットの4個のシフトレジスターは、それぞれ第N-3段目のシフトレジスターSRN-3、第N-2段目のシフトレジスターSRN-2、N-1段目のシフトレジスターSRN-1、及びN段目のシフトレジスターSRNである。各シフトレジスターのそれぞれは、図2に示す構成を備える。本実施形態のゲート駆動器は、クロック信号発生器によって、連続する4個のクロック信号を生成し、第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、第3クロック信号端CLK3、及び第4クロック信号端CLK4にそれぞれ提供する。各シフトレジスターのそれぞれは、4個のクロック信号端のうちの3個のクロック信号端に、所定の順序で接続される。
【００３５】
N段目のシフトレジスターSRNを例とし、その入力/出力端は、具体的に、第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、第4クロック信号端CLK4、自段出力端OUTN、N-1段目のシフトレジスター出力端OUTN-1からの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端INPUTN-1と、及び第N-3段目のシフトレジスター出力端OUTN-3からの出力信号を受信する3段前シフトレジスター入力端INPUTN-3である。自段出力端OUTNは、初期信号としての出力信号を後段（第N+1段目）のシフトレジスターに出力し、補償信号としての出力信号を後の第3段目（第N+3段目）のシフトレジスターに出力する。
本発明に係る第1種のゲート駆動器の動作プロセスについては、本発明に係るシフトレジスターの第1実施形態においてすでに詳細に説明したため、ここで、重複な説明を省略する。
【００３６】
本発明に係る第2種のゲート駆動器は、シリアルに接続された複数のシフトレジスターを備え、各シフトレジスターのそれぞれは、2個のクロック信号を受信するクロック信号端と、ゲート駆動信号を対応するゲートラインに送信する自段出力端と、信号を前段シフトレジスターと後段シフトレジスターに出力する自段制御出力端と、自段シフトレジスターの初期信号として前段シフトレジスターからの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端と、自段シフトレジスターのリセット信号として後段シフトレジスターからの出力信号を受信する後段シフトレジスター入力端と、を具備する。なお、シフトレジスター毎は、ローレベル信号端に接続される。
【００３７】
図7は、本発明に係る第2種のゲート駆動器の構成概略図であり、その中、N-1段目のシフトレジスターSRN-1、N段目のシフトレジスターSRN、及びN＋1段目のシフトレジスターSRN+1、を備え、各シフトレジスターのそれぞれは、図4に示す構成を備える。本実施形態のゲート駆動器は、クロック信号発生器によって、連続する2個のクロック信号を生成し、第1クロック信号端CLK1、及び第2クロック信号端CLK2にそれぞれ提供する。その中、第2クロック信号は、第1クロック信号の反転信号である。
【００３８】
N段目のシフトレジスターSRNを例とし、その入力/出力端は、具体的に、第1クロック信号端CLK1、第2クロック信号端CLK2、自段出力端OUTN、自段制御出力端XN、N-1段目のシフトレジスター出力端OUTN-1からの出力信号を受信する前段シフトレジスター入力端INPUTN-1と、及びN＋1段目のシフトレジスター出力端OUTN＋1からの出力信号を受信する後段シフトレジスター入力端INPUTN＋1である。自段制御出力端XNは、初期信号としての出力信号を後段（第N+1段目）のシフトレジスターに出力し、リセット信号としての出力信号を前段（N-1段目）のシフトレジスターに出力する。
本発明に係る第2種のゲート駆動器の動作プロセスについては、本発明に係るシフトレジスターの第2実施形態においてすでに詳細に説明したため、ここで、重複な説明を省略する。
【００３９】
最後に説明すべきは、以上の実施形態は本発明の技術的方案を説明するためのもので、限定を意図しない。上記の最適な実施形態にしたがって本発明を詳しく説明したが、上記の実施形態に記載の技術的方案を修正したり、その部分的な技術的特徴を均等物に取り替えたりすることができ、その修正や取替えは該当する技術的方案の本質が本発明の実施形態の技術的方案の趣旨と範囲を脱出することに繋がらないことは当業者にとって理解するところである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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