(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置用の洗浄方法であって、該リソグラフィ装置は、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持する該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込める流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記凹部の縁部での前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、
を備え、該方法は、
前記カバーを洗浄するため、前記凹部内に位置した洗浄基板からの反射によって、又は前記テーブルからの反射によって放射を前記カバーの上へ誘導することを含む、リソグラフィ装置用の洗浄方法。
【請求項２】
リソグラフィ装置用の洗浄方法であって、該リソグラフィ装置は、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持する該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込める流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記凹部の縁部での前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、
を備え、該方法は、
前記カバーと前記凹部内に位置した洗浄基板との間に相対移動を与えて、前記カバーと該洗浄基板とを互いに接触させ且つ前記カバーを前記洗浄基板との接触状態から外し、前記カバーを洗浄することを含む、リソグラフィ装置用の洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄基板は、その表面上に形成された構造を有するベース層を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記構造は、前記ベース層内に又は前記ベース層上に形成された閉領域を備え、前記ベース層は、ディスクの形態であり、前記閉領域の外縁部は、前記ディスクの軸を囲む一部又は全部が閉じられた経路を形成する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記閉領域の前記外縁部は、前記洗浄基板の縁部をそこから実質的に一定距離で辿る、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記洗浄基板は、その表面上に形成された多孔質の又は接着性の膜を有するベース層を備える、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記カバーの上面は、前記凹部を囲む前記テーブルの前記上面と、前記凹部内に位置した製造基板の上面と、前記カバーの内縁部又は外縁部の厚さ内で実質的に同一面上にあるように構成される、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記洗浄基板が前記凹部内に位置すると、前記カバーが最も下の位置にあるときに、前記カバーの内周縁部が押し上げられ、それによって前記カバーが同一面にあることを妨げられるように、前記洗浄基板は径方向に製造基板よりも大きい、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記洗浄基板が前記凹部内に位置すると、前記カバーが最も下の位置にあるときに、前記洗浄基板が前記カバーの内周縁部が押し上げられ、それによって前記カバーが同一面にあることを妨げられるように、前記洗浄基板は製造基板よりも厚い、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記洗浄基板は、
幅が２％の許容差で３００ｍｍ又は４５０ｍｍであり、最大厚さが２ｍｍ未満であるベース層と、
前記ベース層の主要面の少なくとも１つの上に形成され、前記ベース層の周辺縁部から０．５ｍｍ以内にある接着性、研磨性、又は多孔質の膜と、
を備える、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記洗浄基板は、前記カバーとの接触中に前記テーブルに対して変位又は回転される、
請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記カバーは、前記洗浄基板との接触中に前記洗浄基板の平面に対して実質的に垂直及び／又は実質的に水平の方向に前記洗浄基板に対して変位される、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記洗浄基板を前記カバーと接触させる前に前記洗浄基板に電荷を印加することをさらに含む、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記カバーを洗浄するため、前記カバーと前記凹部内の前記オブジェクトとの間の、又は前記カバーと前記テーブルの前記上面との間の空間を通して洗浄流体を送り込むことをさらに含む、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記カバーを洗浄するため、放射を前記カバーの上へ誘導することをさらに含む、請求項２から１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[001]  本発明は、リソグラフィ装置用の洗浄基板、リソグラフィ装置用の洗浄方法、及びリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[005]  液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
【発明の概要】
【０００６】
[006]  リソグラフィ装置は、使用時に基板テーブルの凹部内に位置する基板と基板の周囲外側にある基板テーブルの上面との間にギャップがあるように構成されてもよい。ギャップは基板上方の液浸液に侵入することがある泡の発生源として作用することがある。ギャップによって基板の下の領域に汚染物質が侵入することがある。ギャップを通して流体を抽出する装置を備えてもよい。この抽出が基板上方の液浸液への泡が侵入を防止することに役立つことがある。しかし、抽出プロセスによって基板及び／又は基板テーブル上に相当な熱負荷を引き起こし、オーバーレイ誤差の原因になることがある。流体ハンドリング構造と、テーブル（基板テーブルなど）及び／又は基板テーブルによって支持される基板などの流体ハンドリング構造に面する構造との間に力の相互作用が生じることがある。ギャップから抽出される流体は二相のフローであってもよい。このようなフローは、対向する構造と流体ハンドリング構造との間に力の相互作用の原因となることがある力の外乱を引き起こすことがある。このような力の相互作用は基板のエッジ方向などへの焦点誤差を招くことがある。
【０００７】
[007]  これら及び／又はその他の技術的課題を解決するため、基板（又はその他のオブジェクト）の縁部と、基板テーブルなどのテーブルの上面との間のギャップを覆うカバーを備えてもよい。このようなカバーは液体のギャップへの流入を封止するシールとして機能してもよい。しかし、カバーがオブジェクト及び／又はテーブルと接触すると、オブジェクト又はテーブル上にあることがある粒子による汚染のリスクがある。粒子の発生源は、例えばレジスト及び／又はトップコートなどの基板上のコーティングである。このようなコーティングは、例えば剥離によって基板の縁部から除去され得る。
【０００８】
[008]  これらの粒子の一部又は全部がカバーに付着することがある。カバー上のこのような汚染物質は時間経過と共にカバー上に堆積することがある。カバーが閉鎖位置にある場合、汚染物質によってカバーとオブジェクトとの間、及び／又はカバーと（例えば基板又はその他のオブジェクトから径方向に離れた）テーブルの上面との間にギャップの発生を招くことがある。このギャップはカバーが有効な封止を達成することを妨げることがある。封止が適切に確立されないと、オブジェクトの上方の領域の液浸流体に泡が侵入することがある。シールを越えて流体が流れると、オブジェクト（例えば基板）及び／又はテーブルの冷却を引き起こすことがある。液体はカバーのアクチュエータの領域に流入し、カバーのアクチュエータの動作を妨害することがある。液体はオブジェクトの下の領域（例えば基板）に流入することがある。カバーがカバーを通過する液体閉じ込め構造と係合するリスクが高まることがある。液体閉じ込め構造とのこのような係合によって、カバーを上昇させることがある。カバーの上昇は、カバー及び／又は流体閉じ込め構造に損傷を引き起こすことがある。
【０００９】
[009]  例えば、カバーとオブジェクト及び／又はテーブルとの間の封止の劣化を軽減する方法及び装置を提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  ある態様によれば、直径が２％の許容差内で３００ｍｍから４５０ｍｍ、最大厚さが２ｍｍ未満のディスクの形態のベース層と、ベース層の主要面の少なくとも１つの面上に形成された接着性の、研磨性の又は多孔質の膜とを備え、この膜がディスクの周囲縁部から０．５ｍｍ内に存在する、リソグラフィ装置用の洗浄基板が提供される。
【００１１】
[0011]  ある態様によれば、リソグラフィ装置が、上面と、基板を受け、支持するように構成された上面の凹部とを有する基板テーブルと、基板テーブルの上面及び／又は凹部内に位置した基板に隣接する空間に液浸流体を供給し、閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、使用時に、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、上面から基板の主要上面の周辺部へと基板の周囲に延在する平坦なボデーを有するカバーとを備え、カバーの表面を洗浄するステップを含むリソグラフィ装置用の洗浄方法が提供される。
【００１２】
[0012]  ある態様によれば、リソグラフィ装置が、上面と、基板を受け、支持するように構成された上面の凹部とを有する基板テーブルと、基板テーブルの上面及び／又は凹部内に位置した基板に隣接する空間に液浸流体を供給し、閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、使用時に、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、上面から基板の主要上面の周辺部へと基板の周囲に延在する平坦なボデーを有するカバーとを備え、カバーと凹部内に位置する洗浄基板との間を相対移動させて、カバーと洗浄基板とを互いに接触させ、且つカバーを洗浄基板との接触状態から外してカバーを洗浄するステップを含むリソグラフィ装置用の洗浄方法が提供される。
【００１３】
[0013]  ある態様によれば、リソグラフィ装置が、上面と、基板を受け、支持するように構成された上面の凹部とを有する基板テーブルと、基板テーブルの上面及び／又は凹部内に位置する基板に隣接した空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、使用時に、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、上面から基板の主要上面の周辺部へと基板の周囲に延在する平坦なボデーを有するカバーとを備え、カバーを洗浄するためにカバーに放射を誘導するステップを含むリソグラフィ装置用の洗浄方法が提供される。
【００１４】
[0014]  ある態様によれば、上面と、基板を受け、支持するように構成された上面の凹部とを有する基板テーブルと、基板テーブルの上面及び／又は凹部内に位置する基板に隣接した空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、使用時に、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、上面から基板の主要上面の周辺部へと基板の周囲に延在する平坦なボデーを有するカバーと、研磨部材を保持し、研磨部材をカバーに対して相対移動させる研磨部材作動システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１５】
[0015]  ある態様によれば、上面と、基板を受け、支持するように構成された上面の凹部とを有する基板テーブルと、基板テーブルの上面及び／又は凹部内に位置する基板に隣接した空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、使用時に、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、上面から基板の主要上面の周辺部へと基板の周囲に延在する平坦なボデーを有するカバーと、カバーに放射を誘導するように構成された放射出口とを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１６】
[0016]  ある態様によれば、上面と、基板を受け、支持するように構成された上面の凹部とを有する基板テーブルと、基板テーブルの上面及び／又は凹部内に位置する基板に隣接した空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、使用時に、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、上面から基板の主要上面の周辺部へと基板の周囲に延在する平坦なボデーを有するカバーと、カバーの表面を洗浄するカバー洗浄システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0018]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0019]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。
【図３】[0019]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。
【図４】[0020]リソグラフィ投影装置に使用する他の液体供給システムを示す。
【図５】[0021]リソグラフィ投影装置に使用する他の液体供給システムを示す。
【図６】[0022]リソグラフィ投影装置に使用する他の液体供給システムを断面図で示す。
【図７】[0023]基板と基板テーブルの上面との間のギャップを覆うカバーを示す。
【図８】[0024]例示的洗浄基板の幾何形状を示す。
【図９】[0025]接着性の又は多孔質の膜を有する洗浄基板の例を示す。
【図１０】[0026]上面のみに形成された接着性の又は多孔質の膜を有する洗浄基板を示す。
【図１１】[0027]基板の主要面の縁部の丸みが縁部から例えば０．５ｍｍ以内に納められ、例えば縁部から０．５ｍｍ以内に延在する接着性の又は多孔質の膜が形成された洗浄基板を示す。
【図１２】[0028]多孔質の先端又は縁部表面領域を含む洗浄基板を示す。
【図１３】[0029]面取りされた縁部上に形成された接着性の又は多孔質の膜を有する洗浄基板を示す。
【図１４】[0030]面取りされた縁部上に形成されたコロイド粒子（例えばゾル−ゲル）の層を有する洗浄基板を示す。
【図１５】[0031]基板の上面から突出する隆起部を有する洗浄基板の略側面断面図である。
【図１６】[0032]洗浄基板の軸を囲む閉路を形成する隆起部を示す、図１５の洗浄基板の平面図である。
【図１７】[0033]径方向に位置合わせされた複数の隆起部が設けられた洗浄基板の一部の平面図である。
【図１８】[0034]図１７に示す洗浄基板の径方向内側の図である。
【図１９】[0035]交差する隆起部から形成された複数の構造を含む洗浄基板の一部の平面図である。
【図２０】[0036]隆起部が、洗浄基板の軸を囲まない閉路を形成する洗浄基板の一部の平面図である。
【図２１】[0037]基板と基板テーブルの上面との間のギャップに跨がるカバーを示す。
【図２２】[0038]洗浄基板を保持し、カバーを擦るように洗浄基板を移動させるように構成された研磨部材作動システムを示す。
【図２３】[0039]洗浄基板とカバーとを相対移動させるために基板テーブルアクチュエータ及び支持ピンとを使用することを示す。
【図２４】[0040]外科用メス又はブラシを保持し、カバーを擦るように外科用メス又はブラシを移動するように構成された研磨部材作動システムを示す。
【図２５】[0041]カバーの洗浄を補助するため、製造基板よりも厚さ又は半径が大きい洗浄基板が備えられる配置を示す。
【図２６】[0042]基板から放射を反射させることによってカバーの下側を洗浄する配置を示す。
【図２７】[0043]基板の縁部に形成された反射要素から放射が反射される配置を示す。
【図２８】[0044]テーブルの上面に形成された反射要素からカバーへと放射が反射される配置を示す。
【図２９】[0045]光ファイバを使用して放射がカバーへと誘導される配置を示す。
【図３０】[0046]カバーを洗浄するために、カバー上方の領域とカバーの下方の領域との間に流体のフローが供給される配置を示す。
【図３１】[0047]カバーを洗浄するために、カバーの下方の領域からカバーの上方の領域に流体のフローが供給される配置を示す。
【図３２】[0048]電荷保持部材を備える洗浄基板を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0049]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１９】
[0050]  照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでもよい。
【００２０】
[0051]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0052]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２２】
[0053]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２３】
[0054]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム及び静電型光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２４】
[0055]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２５】
[0056]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ又は支持体）、例えば２つ以上の基板テーブル、又は１つ又は複数の基板テーブルと１つ又は複数のクリーニング、センサ又は測定テーブルとの組合せなどを有するタイプとすることができる。例えばある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置決めされた２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ又は複数のオブジェクトを備え、及び／又は保持する。ある実施形態では、テーブルのうち１つ又は複数は放射線感応性基板を保持することができる。ある実施形態では、テーブルのうち１つ又は複数は投影システムからの放射を測定するセンサを保持することができる。ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち、基板テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以降は一般に、測定、センサ及び／又はクリーニングテーブルと呼ぶが、これに限定されない）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外に１つ又は複数のオブジェクトを備える、及び／又は保持することができる。このような１つ又は複数のオブジェクトには、以下から選択される１つ又は複数がある。すなわち、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ又は複数の位置合わせマーク、及び／又は（例えば液体閉じ込め構造をクリーニングする）クリーニングデバイスである。
【００２６】
[0057]  このような「複数ステージ」（又は「マルチステージ」）機械では、複数のテーブルを並列に使用でき、あるいは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用しながら、１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実施することができる。リソグラフィ装置は、基板、センサ及び測定テーブルと同様に並列に使用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ若しくは支持体）を有していてもよい。
【００２７】
[0058]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は装置のコンポーネントの位置、速度などを測定するエンコーダシステムを備えてもよい。ある実施形態では、コンポーネントは基板テーブルを含んでいる。ある実施形態では、コンポーネントは測定及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブルを含んでいる。エンコーダシステムは本明細書に記載のテーブル用の干渉計システムの追加、又はその代替であってもよい。エンコーダシステムは、センサ、トランスデューサ、又は目盛又は格子を有する例えば１対の関連する読み取りヘッドを備えている。ある実施形態では、可動コンポーネント（例えば基板テーブル及び／又は測定及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブル）は１つ又は複数の目盛又は格子と、コンポーネントがそれに対して移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有している。１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドは、１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数の格子と連係してコンポーネントの位置、速度などを判定する。ある実施形態では、コンポーネントがそれに対して移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ又は複数の目盛又は格子を有し、可動コンポーネント（例えば基板テーブル及び／又は測定及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブル）は１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数の格子と連係してコンポーネントの位置、速度などを判定する１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有している。
【００２８】
[0059]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２９】
[0060]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００３０】
[0061]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３１】
[0062]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３２】
[0063]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３３】
[0064]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３４】
[0065]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３５】
[0066]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３６】
[0067]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのマイクロスケール、更にはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造である。
【００３７】
[0068]  投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。
【００３８】
[0069]  局所液浸システムは、液体が基板の局所区域にのみ提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される区域は、その区域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図６は、そのようなシステムで使用することができる異なった供給デバイスを示す。液体を局所区域に封止する封止特徴部が存在する。提案されているこれを配置する方法の１つが、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。
【００３９】
[0070]  オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）に、又はその領域内に供給することができる。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部が存在しないか、活性化されていないか、通常より効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所区域にのみ封止する効果がない場合がある。
【００４０】
[0071]  図２及び図３に図示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体のフローの方向は、図２及び図３に矢印で示されていることに留意されたい。
【００４１】
[0072]  局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィの別の解決法が図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。流体のフローの方向と基板Ｗの方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。
【００４２】
[0073]  提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。
【００４３】
[0074]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、メッシュ又は同様の多孔質材料で覆われた入口を有する液体除去デバイスを有する液体閉じ込め構造を備えている。メッシュ又は同様の多孔質材料は、投影システムの最終要素と可動テーブル（例えば基板テーブル）との間の空間で液浸液と接触する二次元配列の穴を備えている。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料はハニカムメッシュ又はその他の多角形メッシュを含んでいる。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料はリソグラフィ装置の投影システムの画像フィールドの周囲全体に延在する。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は液体閉じ込め構造の底面に位置し、テーブルの方向に面する表面を有している。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、テーブルの上面と全体的に平行な底面の少なくとも一部を有している。
【００４４】
[0075]  図５は、液体ハンドリング構造１２を有する局所液浸システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示す。液体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間に空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明における基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も意味することに留意されたい。基板テーブルＷＴという表現は、明示的に断りのない限り、基板テーブル上に位置するセンサという表現を含む。）液体ハンドリング構造１２はＸＹ平面内で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には相対運動があってもよい。ある実施形態では、液体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間に封止が形成され、封止はガスシール（ガスシールを備えたこのようなシステムが欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触封止であってもよい。
【００４５】
[0076]  液体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む液体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムＰＳの下の空間及び液体ハンドリング構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素から上に少し延在することができる。液体レベルは、液体のバッファが提供されるように液面より上に上昇し、液体のバッファはメニスカス４００によって画定される。ある実施形態では、液体ハンドリング構造１２は、上端で、投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。
【００４６】
[0077]  液体は、液体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められてもよい。ガスシールは気体によって形成される。ガスシール内の気体は、圧力を受けて入口１５を介して液体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５での正圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速の気体フロー１６が存在するように構成される。液体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間の液体に加わるガスの力が液体を空間１１内に閉じ込め、メニスカス３２０の形成を可能にする。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は連続していてもよいし、又は不連続であってもよい。気体フロー１６は、空間１１内に液体を封じ込める効果がある。このようなシステムは、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、液体ハンドリング構造１２はガスシールを有しない。
【００４７】
[0078]  図６は、液体供給システムの一部である液体ハンドリング構造１２を示す。液体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の周辺（例えば周囲）の周りに延在する。部分的に空間１１を画定する表面の複数の開口２０が液体を空間１１に提供する。液体は、空間１１に流入する前にそれぞれのチャンバ２４、２６をそれぞれ通って側壁２８、２２の開口２９、２０を通過する。
【００４８】
[0079]  液体ハンドリング構造１２の底面と、例えば基板Ｗ、又は基板テーブルＷＴ、又は両方である対向面の間にシールが設けられる。図６では、シールデバイスは非接触シールを形成するように構成され、幾つかのコンポーネントから構成されている。投影システムＰＳの光軸から径方向外側に、空間１１内に延在する（任意選択の）フロー制御板５１が設けられている。制御板５１は、液体がそれを通って流れることができる開口５５を有していてもよい。開口５５は、制御板５１が（例えば投影システムＰＳの光軸と平行な）Ｚ方向に変位する場合に有利であり得る。
【００４９】
[0080]  制御板５１の径方向外側に、液体ハンドリング構造１２と対向面との間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ７０があってもよい。抽出器アセンブリ７０は単相抽出器として、又は二相抽出器として動作してもよい。抽出器アセンブリ７０は液体のメニスカス３２０のメニスカスピニングフィーチャとして動作する。
【００５０】
[0081]  抽出器アセンブリの径方向外側にはガスナイフ９０を設けてもよい。抽出器アセンブリとガスナイフの配置は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。
【００５１】
[0082]  単相抽出器としての抽出器アセンブリ７０は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているような液体除去デバイス、抽出器、又は入口を含んでもよい。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、単一の液相の液体抽出を可能にするために液体をガスから分離するために使用される多孔質材料１１１で覆われた入口１２０を含んでもよい。多孔質材料１１１の穴内に形成されるメニスカスが、周囲ガスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に引き込まれることを実質的に防止するようなチャンバ１２１内の負圧が選択される。しかし、多孔質材料１１１の表面が液体と接触すると、フローを制限するメニスカスがなくなり、液体は液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に自由に流入することができる。
【００５２】
[0083]  多孔質材料１１１は、例えば直径などの幅などが１００マイクロメートル、望ましくは５〜５０マイクロメートルの範囲の寸法を各々が有する多数の小さな穴を有している。多孔質材料１１１は、例えば基板Ｗの表面のような、液体がそこから除去される対向面などの表面から５０〜３００マイクロメートルの範囲の高さに保持されてもよい。ある実施形態では、多孔質材料１１１は少なくともやや親液性であり、すなわち例えば水などの液浸液に対するその動的接触角は９０°以下、望ましくは８５°以下、又は望ましくは８０°以下である。
【００５３】
[0084]  ガスナイフ９０の径方向外側には、ガスナイフ９０からガス及び／又はガスナイフ９０を越えて漏出することがある液体を除去するために１つ以上の出口２１０を設けてもよい。１つ以上の出口２１０はガスナイフ９０の１つ以上の出口の間に位置してもよい。流体（ガス及び／又は液体）を出口２１０へと通しやすくするため、ガスナイフ９０の出口から、及び／又はガスナイフ９０の出口の間から出口２１０へと向かう凹部２２０を液体閉じ込め構造１２内に設けてもよい。
【００５４】
[0085]  図６には特に図示されていないが、液体供給システムは、液体のレベルの変動に対処する構成を有する。これは、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２の間に蓄積する（そしてメニスカス４００を形成する）液体に対処することができ、これが逃げないようにするためである。この液体に対処する１つの方法は、疎液性（例えば疎水性）コーティングを設けることである。コーティングは、開口を囲む流体ハンドリング構造１２の頂部の周囲に、及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲に帯を形成することができる。コーティングは、投影システムＰＳの光軸の径方向外側とすることができる。疎液性（例えば疎水性）コーティングは、液浸液を空間１１内に維持するのを助ける。追加的に又は代替的に、構造１２に対して特定の高さに到達した液体を除去するために、１つ又は複数の出口２０１を設けることができる。
【００５５】
[0086]  別の局所区域の配置は、気体抗力原理を利用する液体ハンドリング構造である。いわゆる気体抗力原理は、例えば米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、及びＵＳ２００９−０２７９０６２号に記載されている。このシステムでは、抽出穴は望ましくはコーナーを有する形状で配置される。コーナーはステップ方向、又はスキャン方向などの好ましい移動方向と位置合わせされてもよい。これによって、２つの出口が好ましい方向に垂直に位置合わせされた場合と比較して、好ましい方向での所与の速度の場合、液体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスに加わる力が低減する。しかし、本発明のある実施形態は、平面図でみて任意の形状を有し、又は任意の形状で配置された抽出口などのコンポーネントを有する流体ハンドリングシステムに適用されてもよい。このような形状としては、円のような楕円、例えば四角形などの矩形のような直線形状、ひし形のような平行四辺形、又は４点星以上の星形のような５つ以上のコーナーを有するコーナー付きの形状が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５６】
[0087]  本発明の実施形態が関連する米国特許出願公開ＵＳ２００８／０２１２０４６Ａ１号のシステムの変化形態では、開口が配置されているコーナーを有する幾何形状によって、スキャン方向とステップ方向の両方向に位置合わせされたコーナーにとって鋭角のコーナー（約６０°〜９０°、望ましくは７５°〜９０°、最も望ましくは７５°〜８５°）が存在できる。それによって位置合わせされた各コーナーの方向での速度を高めることが可能になる。これは、例えば臨界速度を超えるなど、スキャン方向での不安定なメニスカスによる液滴の生成が低減するからである。コーナーがスキャン方向とステップ方向の両方向に位置合わせされる場合は、これらの方向で速度上昇を達成し得る。スキャン方向とステップ方向での移動速度は実質的に等しいことが望ましい。
【００５７】
[0088]  図７は、基板Ｗを支持するために使用し得る基板支持体を平面図で示している。基板テーブルは実質的に平坦な上面３１を有してもよい。上面３１には基板Ｗを受け、支持するように構成された凹部３２がある。
【００５８】
[0089]  凹部内には、凹部の表面であってよい基板支持体があってもよい。凹部３２の表面は、基板の下面が支持される複数の突起部を含んでいてもよい。凹部の表面は障壁を含んでいてもよい。複数の開口部が凹部の面内に形成されてもよい。障壁は突起部を囲み、基板Ｗの下面の下方に空間を画定している。開口部が負圧源に接続されている。基板が開口部の上方に位置している場合は、基板Ｗの下方に空間が形成される。空間は負圧の作用で真空排気されてもよい。この配置は基板Ｗを基板テーブルＷＴに固定するために使用されてもよい。
【００５９】
[0090]  ある構成では、基板の主要面、すなわち上面と下面とが基板テーブルの上面３１と実質的に平行になるように凹部が構成されてもよい。ある構成では、基板Ｗの上面は基板テーブルの上面３１と実質的に同一面になるように配置されてもよい。
【００６０】
[0091]  本願では、上や下という用語は記載するシステム内のコンポーネントの相対位置を定義するために用いられてもよい。しかし、これらの用語は、装置が特定の向きで使用される場合のコンポーネントの相対位置を記載するために便宜上用いられるものである。これらは装置を使用し得る向きを特定することを意図するものではない。
【００６１】
[0092]  図７に示すように、基板Ｗの縁部と凹部３２の縁部との間にギャップ３３があってもよい。基板Ｗの周囲に延在するカバー３５が備えられる。カバー３５は、（ある実施形態では基板の口部でよい）基板Ｗの上面の周辺部から基板テーブルＷＴの上面３１へと延在している。カバー３５は、基板Ｗの縁部と凹部３２の縁部との間のギャップ３３全体を覆ってもよい。カバーの内縁部によってカバー３５の開かれた中央部３６が画定されてもよい。使用時にカバー３５が、パターニングされた放射ビームを投影しようとする基板Ｗの部分は覆わないようにカバー３５の開かれた中央部３６が配置されてもよい。カバーの内縁部はパターニングされた投影ビームによって結像される基板表面の近傍の基板部分を覆ってもよい。カバーは、パターニングされた投影ビームによって露光される基板部分から離れた位置にある。カバーは、カバーがテーブル表面から持ち上げられると、カバーが開き、それによって基板を凹部３２から出し入れできるように１つ以上の径方向の切れ目を有してもよい。カバーは、参照によりその全体を本明細書に各々組み込むものとする２０１１年３月１４日に出願された米国特許出願公開第２０１１−００１３１６９号、２０１１年３月１４日に出願された米国特許出願第１３／０４７，２５１号、及び２０１１年３月１４日に出願された米国特許出願ＵＳ１３／０４７，１６５号にさらに詳細に記載されている。
【００６２】
[0093]  図７に示すように、カバー３５が基板Ｗ上に置かれる際に、開かれた中央部３６のサイズは基板Ｗの上面のサイズよりもやや小さくてもよい。図７に示すように、基板Ｗの形状が円形である場合、カバー３５は平面図で見て略環状の形状でよい。
【００６３】
[0094]  カバー３５は、薄いカバープレートの形態でよい。カバープレートは例えばステンレススチールから形成されてもよい。その他の材料を使用してもよい。カバープレートはPlasma Electronic GmbHが提供するタイプのリポセルコーティングで被覆されてもよい。リポセルは疎液性（例えば疎水性）でよく、放射及び（腐食性が高いことがある）液浸液に晒されることによる損傷に対する耐性が比較的高い。リポセルはさらに、カバー３５への汚染物質粒子の付着をも嫌う。リポセルに関するさらに詳しい情報は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００９−０２０６３０４号から得られる。
【００６４】
[0095]  上述のように、時間経過と共にカバー３５に汚染物質粒子が堆積することがある。汚染物質粒子はカバー３５が基板Ｗとの、及び／又は基板テーブルＷＴの上面３１との封止の確立を妨げることがある。汚染の度合いを軽減するために１つ以上のステップを講じてもよい。例えば、製造基板の周辺外部領域（すなわちカバー３５に直に接触する基板表面の領域）を標準的な手順よりも入念に洗浄することもできよう。しかし汚染を完全になくすことは困難である。汚染源は基板のコーティングである。基板表面を洗浄すると汚染物質粒子が発生するリスクが高まる。
【００６５】
[0096]  ある実施形態では、製造基板と同一又は類似する寸法を有する洗浄基板が提供される。例えば、洗浄基板は、洗浄基板が使用されるリソグラフィ装置用の製造基板の直径の２％以内の差の直径を有してもよい。このような洗浄基板は製造基板と同一の（又は同様の）方法でカバー３５の領域に導入することができる。例えば、製造基板Ｗと同じ基板テーブルＷＴの凹部３２内に洗浄基板を配置してもよい。洗浄基板は、修正なしで、又は最小限の修正で製造基板を取り扱うために使用されるものと同じ装置によって取り扱われてもよい。したがって、リソグラフィ装置を修正せずに、又は最小限の修正でカバー３５のインライン洗浄を行うために洗浄基板を使用してもよい。
【００６６】
[0097]  図８は、洗浄基板４０の例示的幾何形状を示す。ある実施形態では、洗浄基板４０は幅４１Ａ（例えば直径）が例えば３００ｍｍ又は４５０ｍｍであるディスクの形態のベース層を備えている。３００ｍｍと４５０ｍｍの幅は市販の、又は市販が予定されている製造基板の標準直径に対応するものである。リソグラフィ装置が異なる幅（例えば直径）を有する製造基板を使用するように構成されている場合は、洗浄基板４０にこの異なる幅を有するベース層を設けてもよい。ある実施形態では、ベース層は１ｍｍ未満の最大厚さ４１Ｂを有している。ある実施形態では、ベース層の厚さは、洗浄基板４０が共に使用されるリソグラフィ装置用の製造基板の厚さと実質的に同一である。例えば、ベース層の厚さはリソグラフィ装置の製造基板の厚さと５％以内の差で同一である。例えば、ベース層の厚さは５％以内の差で７７５ミクロンでもよい。
【００６７】
[0098]  図９は、ベース層４３上のフィルム４２を備える洗浄基板４０の周辺縁部の略側面断面図である。ある実施形態では、フィルム４２は接着性の又は多孔質の膜４２である。ある実施形態では、フィルム４２は研磨フィルム４２である。フィルム４２は、有機粒子、無機粒子、又は両方を除去し、及び／又は保持するように構成されてもよい。フィルム４２は、スポンジ又は粘着性フィルムから構成されてもよい。フィルム４２は無機材料又は有機材料から形成されてもよい。ある実施形態では、ベース層４３は図示した例のようにフィルム４２によって完全に封入されてもよい。あるいは、ベース層４３はフィルム４２によって部分的に封入されてもよい。
【００６８】
[0099]  図１０は、ベース層４３の主要面の１つの面上だけにフィルム４２が備えられる例示的実施形態を示す。ある実施形態では、フィルム４２はベース層４３の周辺縁部を覆う。ベース層４３の径方向内側の主要面にはフィルムがなくてもよい。
【００６９】
[00100]  図１１は、ベース層４３の縁部の距離３９の範囲内に位置するように径方向に延在するフィルム４２がベース層４３に備えられる例示的実施形態を示す。このタイプの実施形態では、フィルム４２は周辺縁部にはない。フィルム４２がないことで洗浄基板４０を取り扱いやすくなる。例えば、フィルム４２がないことでフィルム４２による取り扱い装置の汚染を防止し得る。代替的に又は追加的に、フィルムがないことで取り扱い装置によるフィルム４２の損傷を防止し得る。
【００７０】
[00101]  ある実施形態では、距離３９は０．５ｍｍ以下であり、望ましくは０．４ｍｍ以下であり、より望ましくは０．２５ｍｍ以下である。ある実施形態では、距離３９はカバー３５と、カバー３５が凹部の縁部と製造基板との間のギャップをカバーするような位置にある場合に凹部内に位置する製造基板との重複部分よりも短い。したがって、このような実施形態により洗浄基板が凹部内に位置する場合に、ギャップにわたる位置にカバー３５を降下させると、カバー３５はフィルム４２と接触する状態になる。フィルム４２は洗浄基板の一面（使用時の上面）の全体にわたって形成されてもよく、又は洗浄基板がカバー３５と接触する周囲の近傍領域に制限されてもよい。
【００７１】
[00102]  ある実施形態では、フィルム４２はベース層４３の周辺縁部の平坦ではない領域にはなくてもよい。例えば、ベース層４３の周辺縁部が丸み付けされ、又は面取りされている場合は、フィルム４２は丸み付け、又は面取りされた領域にはなくてもよい。図１１は、このタイプの例示的実施形態を示している。フィルム４２をベース層４３の平坦部分だけに形成することで、洗浄基板４０の製造、及び／又は洗浄基板４０の信頼性を助けることができる。
【００７２】
[00103]  ある実施形態では、フィルム４２は、以下の１つ以上、すなわちヘキサメチルジシラザン（ＨＤＭＳ）、コロイド粒子、及び／又はゾル−ゲル粒子を有するものでよい。ＨＤＭＳ、コロイド粒子、又はゾル−ゲル粒子は単層のような極めて薄い層で形成されてもよい。コロイド粒子（例えばゾル−ゲル粒子）の平均直径は１０ミクロン以下、望ましくは１ミクロン以下、又は望ましくは１００ｎｍ以下でよい。フィルム４２を極めて薄くすることによって、フィルム４２によって汚染物質粒子が発生するリスクが低減する。適切な接着品質を達成するため、液体（例えば水）の静的接触角は例えば５０°未満の親液性（例えば親水性）の角度でよい。接触角が小さいことで接着しやすくなる。例えば、水との接触角が小さいと、表面上に水の層を形成できやすくなる。汚染物質粒子は毛管力によって水野層に付着しやすくなる。
【００７３】
[00104]  ある実施形態では、フィルム４２は基板上に２相無機膜を堆積することによって形成され、その後、相の一つを除去して多孔質の、例えばスポンジ状の１相物質を残す。このタイプの実施形態では、除去される相の容積を制御することによって多孔度を制御することができる。このタイプの多孔質膜は有機でも無機でもよい。
【００７４】
[00105]  ある実施形態では、フィルム４２は基板の上面に無機粒子を（加熱して）溶融させ、多孔質膜を形成することによって形成される。このタイプのある実施形態では、実質的に同サイズの複数の粒子を使用することができる。このタイプの別の実施形態では、異なるサイズ分布を有する複数の粒子を使用することができる。
【００７５】
[00106]  ある実施形態では、ベース層４３の縁部の丸み又は面取りは、ベース層４３の縁部領域３９内にのみ存在するように制約される。このようにして、丸み付け／面取り領域は、洗浄基板４０の平坦な表面がカバー３５と接触できる範囲を拡大する。図１１の例では、制約された丸み付け部分はフィルム４２と組み合わせて形成されるが、それは不可欠ではない。本明細書に開示するどのような洗浄基板構成にも制約された丸み付け又は面取りされた縁部を設けてもよい。
【００７６】
[00107]  図１２は、ベース層４３の縁部表面領域がベース層４３の残りの部分に対して多孔質になるように処理される例を示す。例えば、領域４４はベース層４３のその他の部分に対して粗面化されてもよい。領域４４の多孔度を高めると、カバー３５の表面から抽出される粒子などの汚染物質を貯める領域４４の容量を増すことができる。ある実施形態では、汚染物質粒子は例えば多孔質構造の穴内に閉じ込めてもよい。追加的に又は代替的に、多孔質領域４４はベース層４３のその他の領域よりも摩擦係数が高くてもよく、それが汚染物質をカバー３５から除去するのに役立つ。別の実施形態では、ベース層４３の別の領域は（例えば、例えば平坦なシリコンウェーハなどの未処理の基板よりも）多孔度が高められる。ある実施形態では、ベース層の全体の多孔度が高められる。ある実施形態では、多孔質セラミック層がベース層に設けられる。
【００７７】
[00108]  図１３及び図１４は、洗浄基板４０のベース層４３の縁部の略側面断面図である。図面は、真っ直ぐな面取り縁部を有するベース層４３の縁部を各々示している。ある実施形態では、面取り角度は３０°〜７０°である。図１３の例では、本明細書に記載のフィルム４２は面取りされた縁部に形成される。図１４の例では、複数の粒子６５が面取りされた縁部に付着される。粒子６５は例えばゾル−ゲル粒子などのコロイド粒子であってよい。粒子は加熱プロセス中に表面に付着されてよい。粒子６５は洗浄効果を高めるために、洗浄基板４０がカバー３５と接触する際にカバー３５の形状と一致するように構成されている。粒子６５は接着特性を備えていてもよい。粒子６５間のギャップは、カバー３５の表面からの粒子の形態などの汚染物質を閉じ込め、除去する閉領域を形成してもよい。別の実施形態では、フィルム４２又は粒子６５は、例えば面取りされた縁部に隣接したその洗浄基板の平坦部分上に形成されてもよい。ある実施形態では、フィルム４２又は粒子６５は面取りされた縁部、及び例えば面取りされた縁部に隣接した洗浄基板の平坦部分に形成される。
【００７８】
[00109]  図１５及び図１６はそれぞれ、ベース層４３の上部に形成された閉領域４９を有する洗浄基板４０の実施形態の側面及び上面断面図である。ある実施形態では、閉領域４９は任意選択として隆起部４５の面取りされた領域４７を有するベース層の４３の上面から突起する隆起部４５によって画定されている。隆起部の厚さは例えば２０ミクロン未満、好ましくは１ミクロン〜２ミクロンの範囲でよい。外縁部（図示した例では隆起部４５）は、洗浄基板４０の軸を囲む一部又は全部が閉鎖された経路を形成してもよい。図１６に示す例では、洗浄基板４０の軸は洗浄基板４０を表す円の中心から縦に（ページの外側に）突出している。この例の隆起部４５は、この軸を囲む閉路を形成する。ある実施形態では、隆起部４５は、ベース層４３の縁部の近傍の環状経路を辿る。望ましくは、隆起部４５は基板の縁部と３ｍｍ以内の差、望ましくは１ｍｍ、より望ましくは０．５ｍｍ、さらに望ましくは０．２５ｍｍ以内の差の環状経路を形成する。基板が凹部３２内に置かれると、カバー３５は隆起部４５に接触する。
【００７９】
[00110]  閉領域４９は、カバー３５から擦り落とされた汚染物質を閉じ込めることができる領域を形成するので有用である。閉じ込められた汚染物質はカバー３５の表面から基板４０上に除去される。洗浄基板４０とカバー３５とは、例えば基板をカバー３５に対して移動させることによって互いに相対移動して、隆起部４５がカバー３５に対して径方向に擦られるようにしてもよい。任意選択として、基板４０とカバー３５との相対移動は、隆起部４５がカバーの基準フレーム内で径方向内側の方向に擦られることで、汚染物質が閉領域４９内に落下するような相対移動であってよい。
【００８０】
[00111]  図１７及び図１８は、洗浄基板４０が上面に径方向に位置合わせされた隆起部４５を備える例示的実施形態を示している。図１７は略平面図であり、図１８は径方向内側の図である。この例では、隆起部４５は閉路を形成しない。それにも関わらず、汚染物質粒子は隆起部４５の間の谷間に落下し、カバー３５から効果的に除去され得る。隆起部４５が隆起部４５に対して垂直な方向にカバー３５の上又は下から擦られれば、粒子は特に効果的に除去され得る。このような垂直な動きは、例えば隆起部４５がカバー３５と接触している間に基板４０をその軸を中心に回転させることによって達成可能である。図面は正確な縮尺ではない。構造のサイズは１０分の１ミクロンからミクロンの範囲でよい。隆起部４５は、汚染物質粒子の予測サイズと同じであるか、やや大きい長さを有し、又はこのような距離で離隔されてもよい。分離距離の長さは例えば約２ミクロンである。
【００８１】
[00112]  隆起部の高さ１０１と幅１０５との比率は例えば２：１〜１：２の範囲内であってよい。高さ１０１と幅１０５のいずれか又は両方は隣接する隆起部４５の離間距離より大きくてもよい。
【００８２】
[00113]  ある実施形態では、隆起部は径方向に対して斜角をなすように設けてもよい。隆起部のすべて又は一部が径方向に対して同じ斜角をなすように、複数のこのような隆起部を設けてもよい。別の実施形態では、径方向に対して異なる角度をなして複数の隆起部を設けてもよい。例えば、他のすべての隆起部が径方向に対して第１の角度をなし、間にある隆起部が第２の角度をなすような配置にしてもよい。例えば、他のすべての隆起部が径方向に対して第１の角度をなし、間にある隆起部はすべて第１の角度とは異なる第２の角度をなすような配置にしてもよい。第１及び第２の角度のいずれか又は両方は斜角であってよい。第１及び第２の角度は符号が逆でもよく、同じ符号であってもよい。ある実施形態では、周囲（例えば円周）方向に離隔された同じ径方向位置に隆起部を設けてもよい。すべての隆起部について周囲間隔は同じでもよく、又は別でもよい。２つ以上の隆起部が径方向に重なるように隣接する隆起部間の周囲間隔と角度とが選択されてもよい。ある実施形態では、隆起部が他のどの隆起部とも交差しないように２つ以上の隆起部を配置してもよい。別の実施形態では、交差するように２つ以上の隆起部を配置してもよい。以下に記載する図１９は、交差する隆起部を備える実施形態の例を示す。径方向にではなく位置合わせされる１つ以上の隆起部を有する実施形態では、相当程度の洗浄を達成するには、回転運動がなくてもカバーの洗浄基板に対する垂直運動で十分である。
【００８３】
[00114]  図１９は、交差する隆起部４５によって形成される複数の構造を備える基板４０の例示的実施形態を示す平面図である。図面は正確な縮尺ではない。構造のサイズは１０分の１ミクロンからミクロンの範囲でよい。構造のサイズは、汚染物質粒子の予測サイズと同様か、又はやや大きくてもよい。構造の幅又は長さは、例えば２ミクロンでよい。図１７及び図１８の例のように、隆起部４５によってカバー３５から擦り落とされた粒子は隆起部４５に隣接した領域に落下し、隆起部４５の移動によってカバー３５から除去又は排出され得る。擦り方向が隆起部４５と実質的に垂直な成分を有していると、粒子を特に効果的に除去し得る。この実施形態で構造が純然たる径方向又は周囲（例えば円周）方向には位置合わせされないことは、純然たる径方向に沿って、又は周囲方向に沿って位置合わせさる線形要素から形成される構造よりも広い範囲の擦り方向で粒子を除去するのに効果的であることを意味している。図示した例では、（例えばカバー３５及び／又は基板４０の軸を中心とする回転移動による）周囲方向の擦りと、（例えばカバー３５及び基板４０の径方向及び／又は垂直方向に運動による）径方向の擦りの両方によって隆起部４５を効果的に除去することができる。
【００８４】
[00115]  ある実施形態では、柱を設けた複数の構造を形成してもよい。柱は、例えば円形、多角形、又は不規則な形状などの様々な断面形状を有してもよい。柱は洗浄基板の平面に対して垂直方向に突起してもよい。
【００８５】
[00116]  図２０は、隆起部４５が複数の閉領域４９を形成する例示的実施形態を示す。各々の閉領域４９は、閉領域４９を囲む閉路、又は部分閉路を形成する隆起部４５によって画定されてもよい。１つ以上のこれらの閉路又は部分閉路は、洗浄基板４０の軸を囲まないように配置されてもよい。例えば、閉領域４９は洗浄基板４０の周辺縁部の周囲に配置されてもよい。図示した例では、どの閉路も洗浄基板４０を囲まないが、これは不可欠ではない。別の実施形態では、軸を囲む閉路によって画定される（図１６の閉領域４９のような）１つ以上の閉領域を、軸を囲まない閉路によって画定される１つ以上の閉領域と共に形成してもよい。
【００８６】
[00117]  図１５及び図１６の閉領域４９と同様に、各々の閉領域４９は、カバー３５から擦り落とされた汚染物質が落下する基板４０の領域を形成する。このような汚染物質はカバー３５の表面に落下し、そこから効果的に除去される。洗浄基板４０の軸を囲まない閉路を形成する隆起部４５は、周囲（例えば円周）方向と径方向の両方に位置合わせされた部分を有している。周囲方向に位置合わせされた部分は、洗浄基板４０とカバー３５との相対運動が径方向の運動であるとより効果的である。隆起部４５の径方向に位置合わせされた部分は、洗浄基板とカバー３５との相対運動が周囲方向の運動であるとより効果的である。
【００８７】
[00118]  図１５〜図２０の実施形態では、記載の構造は隆起部４５を使用してベース層４３上に形成される。隆起部４５の突起した性質は、カバー３５に対する研磨を容易にする。しかし、別の方法で構造をベース層の４３の上に形成することができる。例えば、１つ以上の凹部をベース層４３内に設けてもよい。１つ以上の凹部は、例えばエッチングによって形成されてもよい。１つ以上の凹部は、例えばカバー３５から擦り落とされた汚染物質を受ける閉領域を形成してもよい。
【００８８】
[00119]  ある実施形態では、洗浄基板の４０は（追加の構造やコーティング無しの）平坦なシリコンウェーハである。このような洗浄基板４０を、ベース層４３だけを備える洗浄基板であると記載してもよい。別の実施形態では洗浄基板４０は、シリコンとは異なる材料から形成されたベース層４３だけを備えてもよい。
【００８９】
[00120]  上記のいずれかの実施形態のベース層４３はシリコン、セラミック材料、多孔質材料、多孔質セラミック材料、又はその他の材料から形成されてもよい。フィルム４２は、例えば多孔質セラミック材料からなっていてもよい。フィルム４２は有機又は無機材料から形成されてもよい。フィルム４２はポリマー材料から形成されてもよい。フィルム４２はマスクを介する除去（エッチング）によって、又はマスクを介する層の堆積によって形成されてもよい。
【００９０】
[00121]  ある実施形態では、洗浄基板４０は、ベース層４３の主要面の少なくとも１つの面上に構造を形成するように処理されたベース層４３を備えている。構造は、洗浄基板４０の研磨品質を増強するように構成されてもよい。追加的に又は代替的に、構造は、例えば１つ以上の閉領域、又は隆起部に隣接した１つ以上の別の領域によってカバー３５から汚染物質を移送することを補助してもよい。これまで図１２及び図１５〜図２０を参照して例示的構造を説明してきた。これらの、及びその他の構造は望ましくは２ミクロン未満の特性長さスケールを備えてもよい。このような特性長さスケールの構造は、リソグラフィ装置のカバー３５の領域に通常存在する多くのタイプの汚染物質を除去するのに特に効果的である。通常の汚染物質粒子のサイズは２μ未満である。
【００９１】
[00122]  例えば隆起部、柱、閉領域、又は研磨性の、多孔質の若しくは接着性の膜などの上記の構造は、洗浄基板の平坦領域、又は洗浄基板の丸み付け、又は面取りされた縁部のいずれか又は両方の上に形成されてもよい。
【００９２】
[00123]  カバー３５と洗浄基板４０との相対移動はカバーアクチュエータ６０によって行われてもよい。このようなアクチュエータは、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２０１１年３月１４日に出願された米国特許出願公開ＵＳ２０１１−００１３１６９号、２０１１年３月１４日に出願された米国特許出願ＵＳ１３／０４７，２５１号、及び２０１１年３月１４日に出願された米国特許出願ＵＳ１３／０４７，１６５号の各々に記載されている。図２１は、カバー３５の径方向の略断面図である。この図は、カバー３５の下のカバーアクチュエータ６０を示している。カバーアクチュエータ６０は、カバー３５を基板テーブルＷＴの上面３１に対して垂直に移動するように構成されてもよい。代替的に又は追加的に、カバーアクチュエータ６０は、カバー３５を基板テーブルＷＴの上面３１に対して径方向及び／又は周囲方向（例えば円周方向）に移動するように構成されてもよい。これらの移動モードの１つ以上を使用して、製造基板の交換中にカバー３５を変位させてもよい。したがって、カバー３５と製造基板４０との相対運動のために最小限の修正で、又は修正なしで既存のカバーアクチュエータを使用し得る。
【００９３】
[00124]  代替的に又は追加的に、研磨部材作動システム７５によって洗浄基板４０とカバー３５との相対運動を行ってもよい。図２２に示す例示的構成では、研磨部材作動システム７５は、洗浄基板４０を保持するリンク部材７７を備えている。リンク部材７７は、例えば吸引装置を含んでもよい。研磨部材作動システム７５は、洗浄基板４０を垂直方向及び／又は径方向に移動できるように構成されてもよい。代替的に又は追加的に、研磨部材作動システム７５は、相対的な周囲（例えば円周）方向運動を行うために洗浄基板を回転させるように構成されてもよい。矢印７８は、カバーアクチュエータ６０によって持ち上げ状態にされたカバーの下面方向への基板４０の径方向外向きの移動、及び上昇移動を概略的に示している。矢印７９は、アクチュエータ７５によつ基板４０の回転を示している。
【００９４】
[00125]  代替的に又は追加的に、研磨部材作動システム７５は、カバーアクチュエータ６０がカバー３５を移動して所望の相対運動を与える間に洗浄基板４０を固定状態に保持するように構成されてもよい。
【００９５】
[00126]  代替的に又は追加的に、カバー３５が移動している間に洗浄基板４０を保持するため、又はその逆のために動作のために別の装置を使用してもよい。
【００９６】
[00127]  図２３は、洗浄基板４０が支持ピン１０７によって保持される例示的実施形態を示している。この例では、カバー３５又はカバーアクチュエータ６０が基板テーブル位置決め装置１１０によってその上に支持される基板テーブルＷＴの一部を移動することによってカバー３５が移動される。可能な相対移動は矢印１０９によって示されている。相対運動によって、支持ピン１０７は、支持ピン１０７がその内部に備えられているアクセス穴の片側に移動される。支持ピン１０７は、例えば基板を凹部３２内に取り付け、及び／又は凹部から取り外しやすくするために備えられてもよい。基板４０を水平に移動する前に、ピン１０７は基板４０を凹部３２の下側の表面との接触状態から持ち上げる。したがって、このようにして洗浄基板を支持するための既存のハードウェアに対する修正は必要ないか、又は最小限で済む。また、カバー３５又はカバーアクチュエータ６０がその上に取り付けられる基板テーブルの一部を移動させるアクチュエータを（例えばショートストロークモジュール）、基板を投影システムに対してスキャンするために既存のハードウェアに備えてもよい。また、支持ピン１０７がその上に取り付けられるテーブルを移動させるアクチュエータを（例えばロングストロークモジュール）、基板を投影システムに対してスキャンするために既存のハードウェアに備えてもよい。したがって、このような相対移動を行うために既存のハードウェアを修正する必要はないか、又は最小限ですむ。ある実施形態では、（取り付けピン１０７を介して）直線又は回転する往復移動（例えば「揺動」移動）をカバー３５又は基板４０に加えてもよい。移動の振幅は、支持ピン１０７がアクセス穴１１３の壁に接触しないように選択されてもよい。
【００９７】
[00128]  図２４は、製造基板と同じ、又は同類の形態を有する製造基板ではない研磨部材の移動を駆動するように研磨部材作動システム７５が構成される例示的配置を示している。図示した例では、研磨部材９２は外科用メスホルダ９４によって保持される外科用メスを備えている。ある実施形態では、外科用メスは薄い可撓性の刃である。外科用メスは、カバー３５に相当の力を加えている間に容易に曲がる。したがって、外科用メスはカバー３５の形状によく適合することができる。外科用メスは、カバー３５に強く埋め込まれた、又はカバー３５に付着した汚染物質粒子を除去するのに特に効果的であり得る。別の実施形態では、研磨部材は見えるように構成することもできる。例えば（多孔質セラミック材料から形成される）研磨石を含むこともできよう。研磨石は、例えば基板テーブルＷＴからレジスト及び／又はトップコートを除去するために使用される研磨石と同様のものでよいであろう。ある実施形態では、研磨部材はブラシを含む。この実施形態の研磨部材作動システム７５は、研磨部材９２を駆動して円形経路９６内で移動させるように構成されている。円形経路９２はカバー３５の環状の形状を辿る。ある実施形態では、研磨部材９２をカバー３５の下側と接触させる。代替的に又は追加的に、研磨部材９２をカバー３５の上面と接触させてもよい。上記実施形態では、研磨部材は自動化システムを使用して移動される。ある実施形態では、研磨部材は手で使用してもよい。ある実施形態では、研磨部材９２がカバー３５から取出す材料を除去するための真空システムが研磨部材９２に付属している。真空システムは、カバー３５の上面と底面の一方又は両方を洗浄し、又は洗浄を補助するために使用できよう。
【００９８】
[00129]  上記の洗浄基板、研磨部材、及びアクチュエータの１つ以上はいずれも、カバー３５をリソグラフィ装置から取り外さずにカバー３５を洗浄するカバー洗浄システム（すなわちインライン洗浄システム）の例であると見なし得る。
【００９９】
[00130]  ある実施形態では、カバー３５は使用時に、凹部３２を囲む基板テーブルＷＴの上面３１と実質的に同一面上にある上面を呈するように構成される。カバー３５の上面はさらに、（カバー３５の縁部のカバー３５の幅とほぼ等しい許容差の範囲内で）凹部３２内に位置する製造基板の上面と同一面上にあってもよい。このような構成の一例は、洗浄基板４０がリソグラフィ装置用の製造基板と実質的に同一の寸法を有する図２１に示されている。
【０１００】
[00131]  図２５は、洗浄基板４０が製造基板よりも大きいため、洗浄基板４０が凹部３２内に位置する場合、カバー３５が最も下の位置にあるときに、洗浄基板４０がカバー３５の内周縁部を押し上げるように働く実施形態を示している。図２５のカバー３５の要素７４は、カバー３５の歪み又は変位を概略的に示している。したがって、より大きい洗浄基板４０はカバー３５が基板テーブルＷＴの上面３１と同一面上にあることを妨げる。ある実施形態では、洗浄基板４０は製造基板（輪郭６３）よりも径方向に大きい。ある実施形態では、洗浄基板４０は製造基板（輪郭６１）よりも厚い。ある実施形態では、洗浄基板は製造基板よりも径方向に大きく、且つ厚い。
【０１０１】
[00132]  ある実施形態では、洗浄基板は、洗浄基板が使用されるリソグラフィ装置の製造基板の幅よりも下限の幅〜上限の幅だけ大きい幅（例えば直径）を有している。ある実施形態では、下限の幅は１００ミクロン以上、望ましくは２００ミクロン以上、又は好ましくは５００ミクロン以上である。ある実施形態では、上限の幅は５ｍｍ以下、望ましくは４ｍｍ以下、望ましくは３ｍｍ以下、又は望ましくは２ｍｍ以下である。
【０１０２】
[00133]  ある実施形態では、洗浄基板は、洗浄基板が使用されるリソグラフィ装置の製造基板の幅よりも下限の幅〜上限の厚さだけ大きい厚さを有している。ある実施形態では、下限の厚さは１００ミクロン以上、望ましくは２００ミクロン以上、又は好ましくは３００ミクロン以上である。ある実施形態では、上限の厚さは１ｍｍ以下、望ましくは７００ｍｍ以下、又は望ましくは４００ｍｍ以下である。
【０１０３】
[00134]  ある実施形態では、製造基板の直径は３００ｍｍである。ある実施形態では、製造基板の直径は４５０ｍｍである。
【０１０４】
[00135]  洗浄基板４０の方が大きいことによるカバー３５への外乱によって、カバー３５は垂直方向に洗浄基板４０と接触する際の径方向の研磨によるカバー３５の下側の洗浄がしやすくなることがある。例えば、カバー３５と基板４０との相対運動により達成されるカバー３５の下面の擦りは基板４０に対するカバー３５の相対運動によって達成されてもよい。カバー３５と基板４０がとの径方向の相対運動は、カバー３５の歪んだ、又は傾倒した部分７４の角度によって与えられる。
【０１０５】
[00136]  洗浄基板４０の方が大きいことによるカバー３５への外乱によってさらに、カバー３５と洗浄基板４０との間の封止を破ることに役立つ。封止を破ることでカバー３５と基板４０との間への洗浄液のフローの供給に役立つことがある。追加的に又は代替的に、カバー３５と洗浄基板４０との間のギャップは、カバー３５の下側を洗浄するために使用し得る放射へのアクセスを可能にするようなギャップでよい。カバー３５を洗浄するための洗浄流体の使用についてはさらに後述する。カバー３５を洗浄するための放射の使用についてはさらに後述する。
【０１０６】
[00137]  ある実施形態では、カバー３５を複数回同じ洗浄基板４０と接触させる。例えば、カバー３５は複数回洗浄基板４０と垂直に接触させ、洗浄基板４０から垂直に離されてもよい。カバー３５をさらに複数回、どの方向又は方向の組み合わせで同じ洗浄基板４０と接触させてもよい。
【０１０７】
[00138]  図２６は、カバー洗浄システムが、例えば放射をカバー３５へと誘導するように構成されたレーザなどのレーザ放射の放射出口を備える実施形態を示している。図示した例では、出口６２から出力された放射６４は洗浄基板４０の領域６５に入射する。方向転換（例えば反射）されたビームは領域６５からカバー３５の下側へと誘導される。ある実施形態では、放射６４、６６は紫外光放射である。ある実施形態では、放射は製造基板上でリソグラフィを実行するために使用される放射源と同じ放射源によって行われる。代替的に又は追加的に、放射は別個の放射源によって行われてもよい。ある実施形態では、放射はオゾンガスと組み合わせて使用される。ある実施形態では、放射は、適宜の放射が存在する状態で洗浄を補助することができる活性成分に解離する材料と組み合わせて使用される。放射は例えばレーザ生成放射であってよい。材料は例えばウェーハの形態のものでよい。ある実施形態では、放射はエキシマレーザによって提供される。ある実施形態では、放射の波長は１９３ｎｍである。放射はリソグラフィ装置の内部又は外部の放射源によって行われる。放射はカバー３５から有機粒子を除去するために得に効果的である。図２６に示す実施形態では、放射は洗浄基板４０の周辺縁部の湾曲領域又は先細領域６４から方向転換（例えは反射）される。しかし、別の配置も可能である。例えば、図２７に示すように、効果的な反射を補助し、及び／又は反射した放射ビームを必要に応じて方向付け、及び／又は成形するために、反射性コーティング６７を洗浄基板４０の縁部に形成してもよい。
【０１０８】
[00139]  代替的に又は追加的に、基板テーブルＷＴの上面３１から方向転換（（例えは反射）によってカバー３５の下側に放射を誘導するように放射出口６２を構成してもよい。例えは、放射は上面３１を経てカバー３５の下側の径方向外側部分へと方向転換されてもよい。放射は上面３１から直接、及び／又は（図２８に示すように）反射要素６９から方向転換されてもよい。
【０１０９】
[00140]  代替的に又は追加的に、放射７０は基板テーブルＷＴの上面３１、又は基板４０からの反射ではなく、直接カバー３５へと行われてもよい。例えば、図２９に示すように、カバー３５の下に出力端を有する光ファイバ７２を備えてもよい。光ファイバ７２は、例えば基板４０又は基板テーブルＷＴの上に、又は内部に形成されてもよい。ファイバ７２の端部は基板４０と基板テーブルＷＴとの間のギャップ内に突出してもよい。ファイバの端部はギャップを画定する表面と同一面上にあってもよい。
【０１１０】
[00141]  ある実施形態では、カバー３５と凹部３２内の基板４０との間の、又はカバー３５と基板テーブルＷＴの上面３１との間の空間を通して洗浄流体を送り込むシステムを備えてもよい。例示的配置が図３０及び図３１に示されている。図３０の例では、出口８０（例えば洗浄流体供給源）が洗浄液をカバー３５の上方に放出し、抽出器８４が流体をカバー３５の下方から抽出する。その結果生ずるフローが矢印８２によって示されている。図３１の例では、出口８０はカバー３５の下に設けられ、抽出器８４はカバー３５の上方に設けられる。フローは再び矢印８２によって概略的に示されている。
【０１１１】
[00142]  洗浄流体は例えば超純水であってよい。図３０の出口８０、又は図３１の抽出器８４は、液浸流体を閉じ込める流体ハンドリング構造１２内に形成されてもよい。液浸流体を洗浄液として使用してもよい。洗浄流体は液体でもガスでもよく、又は液体とガスとの混合物でもよい。洗浄流体は化学洗浄流体でもよい。洗浄流体の例は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開第２０１１／００８０５６７号に開示されている。
【０１１２】
[00143]  洗浄流体によるフラッシングは上記のどの実施形態と組み合わせて使用されてもよい。例えば、研磨洗浄ステップの後に洗浄流体によるフラッシングを行ってもよい。洗浄流体は研磨洗浄によってほぐれたがカバー３５から除去されていない粒子を除去し得る。
【０１１３】
[00144]  ある実施形態では、カバー３５の一部又は全部を液体に漬け、超音波又はメガソニック攪拌にかけてもよい。代替的に又は追加的に、カバー３５の一部又は全部を化学液洗浄物質に浸してもよい。例えば、汚染物質を溶解するためにカバー３５の一部又は全部を、アセトン又はイソプロパノールなどの溶媒に浸してもよい。溶媒はレジスト及び／又はトップコートなどの基板コーティングを溶解するのに適している。超音波又はメガソニック攪拌、及び化学液洗浄の使用は通常オフラインで使用されるが、インラインでも使用することができる。化学液洗浄はインラインで実施され、これはカバー３５の底面よりも上面の方が容易に達成される。
【０１１４】
[00145]  ある実施形態では、洗浄基板４０はカバー３５に対して帯電されてもよい。帯電基板４０がカバー３５の近傍に移動され、又は接触されると、静電力によって汚染物質粒子がカバー３５から引き離される。代替的に又は追加的に、研磨によって剥ぎ取られた汚染物質粒子は帯電洗浄基板４０により効果的に付着し、より確実に除去される。図３２は、洗浄基板４０が電荷を保持する電荷保持部材１２０を備える実施形態を示している。電荷保持部材１２０は電気絶縁体でよい。電荷保持部材１２０は、（所定量の蓄積された電荷が比較的高い電圧に関連し、ひいては電荷保持部材１２０の周囲に比較的強い電界を生成するように）低キャパシタンスを有している。電荷保持部材１２０は、図３２に示すように洗浄基板からやや突出している。別の実施形態では、電荷保持部材１２０は、基板の上面が平坦になるように基板４０に組み込まれてもよい。
【０１１５】
[00146]  カバー３５を洗浄する上記のどの方法も、カバーがリソグラフィシステム内に位置している間に実施し得る。カバーは、洗浄中、例えば基板テーブルの凹部に隣接して位置してもよい。カバーは、例えば、洗浄中に凹部内に位置する洗浄基板と接触し、又は洗浄基板からわずかな距離、例えば洗浄基板から１ｃｍ以内にあってもよい。この方法は、インライン洗浄動作として実施されてもよい。別の実施形態では、洗浄は、カバーをリソグラフィ装置の外側に移動してオフラインで実行されてもよい。
【０１１６】
[00147]  理解されるように、上記の特徴のどれも別のいずれかの特徴と共に使用することができ、本願で対処するのは明確に記載した組み合わせだけではない。例えば、本発明の実施形態を図２〜図６の実施形態に適用することができよう。さらに、記載は基板テーブル上の製造基板用カバーに焦点を当てているが、カバーは基板テーブル又はその他のテーブル上の別のオブジェクト用のカバーでもよい。例えば、オブジェクトはセンサでもよい。
【０１１７】
[00148]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１１８】
[00149]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。
【０１１９】
[00150]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１２０】
[00151]  １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【０１２１】
[00152]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０１２２】
[00153]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０１２３】
[00154]
１．リソグラフィ装置用の洗浄基板であって、
幅が２％の許容差で３００ｍｍ又は４５０ｍｍであり、最大厚さが２ｍｍ未満であるベース層と、
前記ベース層の主要面の少なくとも１つの上に形成され、前記ベース層の周辺縁部から０．５ｍｍ以内にある接着性の、研磨性の又は多孔質の膜と、
を備える、洗浄基板。
２．前記主要面の前記縁部のいずれの丸み又は面取りも、前記ベース層の前記周辺縁部から０．５ｍｍ以内に制限される、条項１に記載の洗浄基板。
３．前記膜は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＤＭＳ）、コロイド粒子、ゾル−ゲル粒子、セラミック多孔質材料、及び／又はポリマー多孔質材料から選択される１つ以上を有する、条項１又は条項２に記載の洗浄基板。
４．前記洗浄基板の幅は、３００ｍｍ又は４５０ｍｍよりも１００ミクロン〜５ｍｍだけ大きい、条項１から３のいずれかに記載の洗浄基板。
５．前記洗浄基板の厚さは、７７５ミクロン又は９２５ミクロンよりも１００ミクロン〜１ｍｍだけ厚い、条項１から４のいずれかに記載の洗浄基板。
６．幅は、直径である、条項１から５のいずれかに記載の洗浄基板。
７．リソグラフィ装置用の洗浄方法であって、
該リソグラフィ装置は、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持するように構成された該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記凹部の縁部での前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、を備え、
該方法は、前記カバーの表面を洗浄することを含む、
リソグラフィ装置用の洗浄方法。
８．リソグラフィ装置用の洗浄方法であって、
該リソグラフィ装置は、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持するように構成された該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記凹部の縁部での前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、を備え、
該方法は、前記カバーと前記凹部内に位置した洗浄基板との間に相対移動を与えて、前記カバーと該洗浄基板とを互いに接触させ且つ前記カバーを該洗浄基板との接触状態から外し、前記カバーを洗浄することを含む、
リソグラフィ装置用の洗浄方法。
９．前記洗浄基板は、その表面上に形成された基板を有するベース層を備える、条項７又は８に記載の方法。
１０．前記構造は、前記ベース層内に、又は前記ベース層上に形成された閉領域を備える、条項９に記載の方法。
１１．前記ベース層は、ディスクの形態であり、前記閉領域の外縁部は、前記ディスクの軸を囲む一部又は全部が閉鎖された経路を形成する、条項１０に記載の方法。
１２．前記閉領域の外縁部は、前記洗浄基板の前記縁部をそこから実質的に一定距離で辿る、条項１０又は１１に記載の方法。
１３．前記ベース層は、ディスクの形態であり、前記閉領域の外縁部は、前記ディスクの軸を囲まない一部又は全部が閉鎖された経路を形成する、条項１０に記載の方法。
１４．前記洗浄基板は、その表面に形成された多孔質の又は接着性の膜を有するベース層を備える、条項７から１３のいずれかに記載の方法。
１５．前記洗浄基板は、追加の構造又はコーティングがない平坦なシリコンウェーハである、条項７から１３のいずれかに記載の方法。
１６．前記カバーは、使用時に、前記凹部を囲む前記テーブの前記上面と、前記凹部内に位置する製造基板の上面と、前記カバーの内縁部又は外縁部の厚さ内で実質的に同一面上にある上面を呈するように構成される、条項７から１５のいずれかに記載の方法。
１７．前記洗浄基板が前記凹部内に位置すると、前記カバーが最も下の位置にあるときに、該カバーの内周縁部が押し上げられ、それによって該カバーが同一面にあることを妨げられるように、前記洗浄基板は径方向に製造基板よりも大きい、条項１６に記載の方法。
１８．前記洗浄基板が前記凹部内に位置すると、前記カバーが最も下の位置にあるときに、該カバーの内周縁部が押し上げられ、それによって該カバーが同一面にあることを妨げられるように、前記洗浄基板は製造基板よりも厚い、条項１６又は１７に記載の方法。
１９．前記カバーの前記周辺縁部は、前記カバーが前記テーブルの平面に対して垂直方向に前記洗浄基板と接触すると、前記カバーの前記下側が径方向の研磨によって洗浄可能な範囲まで上方に押し上げられる、条項１７又は１８に記載の方法。
２０．前記洗浄基板は、条項１から６のいずれかに記載の洗浄基板である、条項７から１９のいずれかに記載の方法。
２１．前記カバーは、複数回同じ洗浄基板と接触される、条項７から２０のいずれかに記載の方法。
２２．前記カバーは、前記洗浄基板と接触中に前記テーブルに対して変位又は回転される、条項７から２１のいずれかに記載の方法。
２３．前記洗浄基板は、前記カバーと接触中に前記テーブルに対して変位又は回転される、条項７から２２のいずれかに記載の方法。
２４．前記カバーは、前記洗浄基板と接触中に、前記洗浄基板の前記平面に対して実質的に垂直な方向に前記洗浄基板に対して変位される、条項７から２３のいずれかに記載の方法。
２５．前記カバーは、前記洗浄基板と接触中に、前記洗浄基板の前記平面に対して実質的に水平な方向に前記洗浄基板に対して変位される、条項７から２４のいずれかに記載の方法。
２６．前記カバーは、前記洗浄基板と接触中に、前記洗浄基板の前記平面に対して斜角で前記洗浄基板に対して移動される、条項７から２５のいずれかに記載の方法。
２７．前記カバーは、前記洗浄基板と接触中に、前記洗浄基板の前記平面に対して実質的に垂直な軸を中心に前記洗浄基板に対して回転される、条項７から２６のいずれかに記載の方法。
２８．前記洗浄基板を前記カバーと接触させる前に前記洗浄基板に電荷を印加することをさらに含む、条項７から２７のいずれかに記載の方法。
２９．カバーを洗浄するため、前記カバーと前記凹部内のオブジェクトとの間の、又は前記カバーと前記テーブルの前記上面との間の空間を通して洗浄流体を送り込むことをさらに含む、条項７から２８のいずれかに記載の方法。
３０．前記カバーを洗浄するため、放射を前記カバー上に誘導することをさらに含む、条項７から２９のいずれかに記載の方法。
３１．前記オブジェクトは、放射感応性基板であり、前記テーブルは、基板テーブルである、条項７から３０のいずれかに記載の方法。
３２．リソグラフィ装置用の洗浄方法であって、
該リソグラフィ装置は、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持するように構成された該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、を備え、
該方法は、前記カバーを洗浄するために放射を前記カバーへと誘導することを含む、
リソグラフィ装置用の洗浄方法。
３３．前記放射は、前記凹部内に位置する洗浄基板からの反射によって前記カバーに誘導される、条項３２に記載の方法。
３４．前記放射は、前記カバーに向かって反射されるように前記洗浄基板の平坦ではない縁部に照射される、条項３３に記載の方法。
３５．前記放射は、前記洗浄基板の前記縁部上に形成された反射性コーティングへと誘導される、条項３３又は条項３４に記載の方法。
３６．前記放射は、前記テーブルからの反射によって前記カバー上に誘導される、条項３２から３５のいずれかに記載の方法。
３７．前記放射は、光ファイバによって前記カバー上に誘導される、条項３２から３６のいずれかに記載の方法。
３８．前記放射は、紫外光放射である、条項３２から３７のいずれかに記載の方法。
３９．リソグラフィ装置であって、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持するように構成された該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、
研磨部材を前記カバーに対して保持し、前記研磨部材が前記カバーに接触中に前記研磨部材と前記カバーとの間に相対移動を与える研磨部材作動システムと、
を備える、リソグラフィ装置。
４０．前記研磨部材は、条項１から６のいずれかに記載の洗浄基板を含む、条項３９に記載のリソグラフィ装置。
４１．前記研磨部材は、外科用メス、ブラシ及び／又は多孔質セラミック材料から選択される１つ以上を含む、条項３９又は条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４２．前記研磨部材作動システムは、前記研磨部材を前記テーブルに対して移動させるように構成される、条項３９から４１のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
４３．前記研磨部材作動システムは、前記研磨部材を前記テーブルに対して回転させるように構成される、条項３９から４２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
４４．前記研磨部材作動システムは、前記カバーとの接触を保つ間に前記研磨部材を前記テーブルに対して円形経路で移動させるように構成される、条項３９から４３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
４５．前記研磨部材作動システムは、前記真空吸引によって前記研磨部材を保持するように構成される、条項３９から４４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
４６．リソグラフィ装置であって、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持するように構成された該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、
放射を前記カバー上に誘導するように構成された放射出口と、
を備える、リソグラフィ装置。
４７．前記放射は、前記凹部内のオブジェクトからの、又は前記テーブルの前記上面からの反射によって前記カバーに誘導される、条項４６に記載のリソグラフィ装置。
４８．前記放射は、前記オブジェクトの前記縁部上に、又は前記テーブルの前記上面上に形成された反射性コーティングへと誘導される、条項４６又は条項４７に記載のリソグラフィ装置。
４９．前記放射を前記カバーに誘導する光ファイバをさらに備える、条項４６から４８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
５０．前記光ファイバは、前記凹部、前記テーブル又は両方の中のオブジェクト上に、又はオブジェクト内部に形成される、条項４９に記載のリソグラフィ装置。
５１．パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムをさらに備え、
リソグラフィ装置は、前記カバーを洗浄する放射として前記投影システムから照射された放射ビームを使用するように構成される、条項４６から５０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
５２．リソグラフィ装置であって、
上面と、オブジェクトを受け且つ支持するように構成された該上面内の凹部とを有するテーブルと、
前記テーブルの前記上面及び／又は前記凹部内に位置したオブジェクトに隣接する空間に液浸流体を閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記凹部の縁部と前記オブジェクトの縁部との間のギャップを覆うために、使用時に前記上面から前記オブジェクトの上部主要面の周辺部へと前記オブジェクト周りに延在する平坦なボデーを有するカバーと、
前記カバーの表面を洗浄するカバー洗浄システムと、
を備える、リソグラフィ装置。
５３．前記カバー洗浄システムは、前記カバーを洗浄するために前記カバーと前記凹部内のオブジェクトとの間、又は前記カバーと前記テーブルの前記上面との間の空間を通して洗浄流体を送り込む洗浄流体出口と抽出器とを備える、条項５２に記載のリソグラフィ装置。
５４．前記洗浄流体出口は、前記カバーの上方にあり、前記抽出器は、前記カバーの下方にある、条項５３に記載のリソグラフィ装置。
５５．前記洗浄流体出口は、前記カバーの下方にあり、前記抽出器は、前記カバーの上方にある、条項５３に記載のリソグラフィ装置。
５６．前記洗浄流体は、液浸流体、超純水、液体及び／又はガスから選択される１つ以上を含む、条項５２から５５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
５７．前記カバーと前記オブジェクトの間の空間、及び／又は前記カバーと前記テーブルの前記上面との間の空間を提供するため、前記カバーを前記テーブルに対して変位又は回転させるカバー作動システムをさらに備える、条項５３から５６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
５８．洗浄基板が前記凹部内に置かれると、前記カバーが前記洗浄基板に対して封止されることを妨げるために、前記テーブルの前記上面よりも高い上面を有する前記洗浄基板をさらに備える、条項５２から５７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【０１２４】
[00155]  上記の記載は説明目的のためであり、限定的なものではない。したがって、本発明には以下に記載する特許請求の範囲から逸脱することなく修正を行うことができることが当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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