(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に前記接続孔を形成した後、前記接続孔の内部に前記バリアメタル膜を堆積する前に以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程；
（ｂ）前記ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介してプラズマ励起された還元ガスを供給し、前記接続孔の内部にドライクリーニング処理を施して、前記接続孔の内部の自然酸化膜を還元反応により除去する工程；
（ｃ−１）前記（ｂ）工程の後、前記半導体ウエハを前記ウエハステージから上昇させて、前記半導体ウエハの主面を前記シャワーヘッドに近接させる工程；
（ｃ−２）前記（ｃ−１）工程の後、前記シャワーヘッドの加熱温度を利用した第１の温度で前記半導体ウエハを熱処理して、前記還元ガスと前記自然酸化膜との前記還元反応により生成され、前記接続孔の内部に残留する化学量論的組成の生成物を除去する工程；
（ｄ）前記（ｃ−２）工程の後、前記半導体ウエハを前記第１のチャンバから第２のチャンバへ搬送する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２のチャンバにおいて、前記第１の温度よりも高い第２の温度で前記半導体ウエハを熱処理して、前記還元ガスと前記自然酸化膜との前記還元反応により生成され、前記接続孔の内部に残留する非化学量論的組成の生成物を除去する工程、
前記還元ガスはＮＦ３ガスとＮＨ３ガス、またはＮＦ３ガスとＨ２ガスであり、
前記第１の温度は１００から１５０℃であり、
前記第２の温度は１５０から４００℃であり、
前記金属膜は銅膜であり、
前記バリアメタル膜は窒化タンタル膜、窒化タンタル膜上にタンタル膜を積み重ねた積層膜、または窒化タンタル膜上にルテニウム膜を積み重ねた積層膜である。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１６５から３５０℃である。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１８０から２２０℃である。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は２００℃である。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間の前記半導体ウエハの搬送は、真空搬送される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、絶縁膜に開口された接続孔の内部に金属膜を埋め込む半導体装置の製造工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
日本特許公開２００３−３２４１０８号公報（対応米国はＵＳＰ６８６４１８３）には、三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ化系ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、シリコン基板およびゲート電極の表面に存在する自然酸化膜を除去する方法が開示されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、日本特許公開平２−２５６２３５号公報（対応米国はＵＳＰ５０３０３１９）には、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとによりハロゲン塩を生成し、これを被処置体の酸化膜と反応させる、あるいはハロゲン塩ガスを直接酸化膜と反応させて、下地にダメージを与えることなく酸化膜を選択的にエッチング、除去する方法が開示されている（特許文献２参照）。
【０００４】
また、日本特許公開平３−１１６７２７号公報には、表面に酸化膜の形成された半導体基板をフッ素原子を含むガス中に曝したのち、還元性ガス中あるいは不活性ガス中あるいは真空中でアニールすることにより、該酸化膜を除去するクリーニング方法が開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３２４１０８号公報
【特許文献２】特開平２−２５６２３５号公報
【特許文献３】特開平３−１１６７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の高集積化が進むにつれて、電界効果トランジスタはスケーリング則に従い微細化され、ゲートやソース・ドレインと配線とを繋ぐため、層間絶縁膜に形成される接続孔においては０．１μｍ以下の口径が要求されている。しかし、接続孔の底部に露出する導電材料の表面（例えばゲートを構成する導電膜、ソース・ドレインを構成する半導体領域、あるいは上記導電膜や半導体領域上に形成されるシリサイド層などの表面）には自然酸化膜が形成されやすく、上記接続孔の内部に金属膜を埋め込む際は、良好な導通をとるために自然酸化膜を除去する必要がある。特に、口径が０．１μｍ以下の微細な接続孔では、接続孔の底部の自然酸化膜の除去は難しく、従来から様々なクリーニング方法や処理装置等が提案されている。
【０００７】
ところで、接続孔の底部に形成される自然酸化膜の厚さにはばらつきがある。このため、本発明者らは、オーバーエッチングすることなく接続孔の底部の自然酸化膜や不純物を完全に除去する方法として、接続孔を形成した後に、例えばＨＦガスとＮＨ３ガスまたはＮＦ３ガスとＮＨ３ガス等の還元ガスを用いたドライクリーニング処理、あるいはＮＦ３ガスとＮＨ３ガスまたはＮＦ３ガスとＨ２ガス等の還元ガスを含むＡｒガスの反応性プラズマを用いたドライクリーニング処理を行っている。
【０００８】
しかしながら、上記ドライクリーニング処理については、以下に説明する種々の技術的課題が存在する。
【０００９】
ドライクリーニング処置を行った接続孔の底部および側面にはケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が生成される。接続孔の内部には、一般にバリアメタル膜（例えばチタン膜上に窒化チタン膜を積み重ねた積層膜）を介して主導電材料となる金属膜が埋め込まれるが、上記生成物が残留していると、接続孔の底面においては、バリアメタル膜とその下の導電材料との接触抵抗がばらつき、接続孔の側面においては、バリアメタル膜が剥がれるなどの問題が生ずる。
【００１０】
そこで、ドライクリーニング処理を行った接続孔部分を上記生成物の昇華温度である１００℃程度で暖めることによって接続孔の底面および側面から生成物を除去する検討を行った。ところが、１００℃程度の温度で接続孔部分を暖めても生成物を完全に昇華させることができず、上記問題を回避することはできないことが明らかとなった。これは、接続孔の底面および側面に生成する生成物の組成が全て（ＮＨ４）２ＳｉＦ６ではなく、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から僅かにずれた組成（非化学量論的組成の化合物、これらも混乱のないときは便宜的にケイフッ化アンモニウムまたは（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）で表示する）も含まれており、その組成が僅かにずれた生成物が１００℃程度の温度では昇華せずに接続孔の底面および側面に残留したためと考えられる。
【００１１】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一実施の形態によれば、絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を形成する前に、第１のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程と、ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介して還元ガスを供給し、接続孔の内部をドライクリーニング処理する工程と、シャワーヘッドの加熱温度を利用した１００から１５０℃の第１の温度で半導体ウエハを熱処理する工程と、半導体ウエハを第１のチャンバから第２のチャンバへ搬送する工程と、第２のチャンバにおいて１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハを熱処理する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１３】
一実施の形態によれば、接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することができるので、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１であるＣＭＯＳデバイスの製造工程を示す半導体基板の要部断面図である。
【図２】図１に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図３】図２に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図４】図３に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図５】（ａ）は図４に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図であり、（ｂ）は同図（ａ）に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図６】実施の形態１によるバリアメタル膜の成膜装置の概略平面図である。
【図７】実施の形態１によるバリアメタル膜の成膜工程図である。
【図８】実施の形態１によるバリアメタル膜の成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバの概略断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ実施の形態１によるバリアメタル膜の成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバにおける半導体ウエハの処理工程を説明するためのチャンバの概略断面図である。
【図１０】ｎＭＩＳを形成した後に、ドライクリーニング処理および熱処理を半導体基板に施した場合のゲート電極と半導体基板との間に流れる電流と熱処理温度との関係を示すグラフ図である。
【図１１】図５に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図１２】図１１に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図１３】図１２に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図１４】図１３に続くＣＭＯＳデバイスの製造工程中の図１と同じ箇所の要部断面図である。
【図１５】実施の形態２によるバリアメタル膜の成膜工程図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ実施の形態２によるバリアメタル膜の成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバにおける半導体ウエハの処理工程を説明するためのチャンバの概略断面図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ実施の形態３によるバリアメタル膜の成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、本実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、本実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、本実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１６】
また、本実施の形態においては、電界効果トランジスタを代表するＭＩＳ・ＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）をＭＩＳと略し、ｐチャネル型のＭＩＳ・ＦＥＴをｐＭＩＳと略し、ｎチャネル型のＭＩＳ・ＦＥＴをｎＭＩＳと略す。また、便宜的にＭＯＳと記載しても非酸化膜を除外するものではない。また、本実施の形態において、ウエハと言うときは、Ｓｉ（Silicon）単結晶ウエハを主とするが、それのみではなく、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を広く指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。また、シリコン膜、シリコン部、シリコン部材等というときは、明らかにそうでないときまたはそうでない旨明示されているときを除き、純粋なシリコンばかりでなく、不純物を含むもの、ＳｉＧｅまたはＳｉＧｅＣ等のシリコンを主要な成分の一つとする合金等（歪シリコンを含む）、添加物を含むものを含むことはいうまでもない。また、多結晶シリコン等というときも、明らかにそうでないときまたはそうでない旨明示されているときを除き、典型的なものばかりでなく、アモルファスシリコン等も含むことはいうまでもない。
【００１７】
また、本実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
また、ドライクリーニング技術に関しては、一之瀬らの日本国特許出願第２００６−３７０４号（２００６．１．１１出願）、日本国特許出願第２００６−１２３５５号（２００６.１．２０出願）、日本国特許出願第２００６−１０７７８０号（２００６.４．１０出願）に開示されているので、それと重複する部分については、原則として繰り返さないこことする。
【００１９】
（実施の形態１）
実施の形態１によるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）デバイスの製造方法を図１から図１４を用いて説明する。図１から図５および図１１から図１４はＣＭＯＳデバイスの要部断面図、図６はバリアメタル成膜装置の概略平面図、図７はバリアメタル膜の成膜工程図、図８はバリアメタル成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバの概略断面図、図９（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれバリアメタル成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバにおける半導体ウエハの処理工程を説明するためのチャンバの概略断面図、図１０はｎＭＩＳを形成した後に、ドライクリーニング処理および熱処理を半導体基板に施した場合のゲート電極と半導体基板との間に流れる電流と熱処理温度との関係を示すグラフ図である。
【００２０】
まず、図１に示すように、例えばｐ型の単結晶シリコンからなる半導体基板（半導体ウエハと称する平面略円形状の半導体の薄板）１を用意する。次に、半導体基板１の主面に素子分離領域４を形成する。素子分離領域４は、半導体基板１をエッチングして深さ０．３５μｍの溝を形成し、続いて半導体基板１の主面上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により絶縁膜、例えば酸化シリコン膜を堆積した後、溝の外部の酸化シリコン膜をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により除去することによって形成する。
【００２１】
次に、半導体基板１のｎＭＩＳ形成領域にｐ型不純物、例えばボロン（Ｂ）をイオン注入してｐ型ウェル６を形成し、半導体基板１のｐＭＩＳ形成領域にｎ型不純物、例えばリン（Ｐ）をイオン注入してｎ型ウェル８を形成する。この後、ｐ型ウェル６またはｎ型ウェル８にｎＭＩＳまたはｐＭＩＳのしきい値を制御するための不純物をイオン注入してもよい。
【００２２】
次に、例えばフッ酸水溶液を用いたウェットエッチングにより半導体基板１の表面を洗浄した後、半導体基板１を熱酸化して、例えば厚さ５ｎｍのゲート絶縁膜９を半導体基板１の表面（ｐ型ウェル６およびｎ型ウェル８のそれぞれの表面）に形成する。
【００２３】
次に、図２に示すように、ゲート絶縁膜９上に、例えば厚さ０．２μｍのゲート電極用の導体膜を形成した後、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングによりゲート電極用の導体膜を加工して導体膜からなるゲート電極１０ｎ，１０ｐを形成する。ゲート電極用の導体膜は、例えばＣＶＤ法により形成された多結晶シリコン膜からなり、ｎＭＩＳ形成領域にはｎ型不純物が導入された多結晶シリコン膜からなるゲート電極１０ｎ、ｐＭＩＳ形成領域にはｐ型不純物が導入された多結晶シリコン膜からなるゲート電極１０ｐが形成される。
【００２４】
次に、ｐ型ウェル６にｎ型不純物、例えばヒ素（Ａｓ）をイオン注入し、ｎＭＩＳのゲート電極１０ｎに対して自己整合的に相対的に低濃度なソース・ドレイン拡張領域１１を形成する。同様に、ｎ型ウェル８にｐ型不純物、例えばフッ化ボロン（ＢＦ２）をイオン注入し、ｐＭＩＳのゲート電極１０ｐに対して自己整合的に相対的に低濃度なソース・ドレイン拡張領域１２を形成する。上記ソース・ドレイン拡張領域１１，１２の深さは、例えば３０ｎｍである。
【００２５】
次に、図３に示すように、半導体基板１の主面上に、例えば厚さ１０ｎｍの酸化シリコン膜１３をＣＶＤ法により堆積した後、さらに酸化シリコン膜１３上に窒化シリコン膜をＣＶＤ法により堆積する。続いて窒化シリコン膜をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により異方性エッチングして、ｎＭＩＳのゲート電極１０ｎおよびｐＭＩＳのゲート電極１０ｐのそれぞれの側壁にサイドウォール１５を形成する。その後、ｐ型ウェル６にｎ型不純物、例えばヒ素をイオン注入し、ｎＭＩＳのゲート電極１０ｎおよびサイドウォール１５に対して自己整合的に相対的に高濃度なソース・ドレイン拡散領域１６を形成する。同様に、ｎ型ウェル８にｐ型不純物、例えばフッ化ボロンをイオン注入し、ｐＭＩＳのゲート電極１０ｐおよびサイドウォール１５に対して自己整合的に相対的に高濃度なソース・ドレイン拡散領域１７を形成する。上記ソース・ドレイン拡散領域１６，１７の深さは、例えば５０ｎｍである。
【００２６】
次に、サリサイド技術によりｎＭＩＳのゲート電極１０ｎおよびソース・ドレイン拡散領域１６の表面およびｐＭＩＳのゲート電極１０ｐおよびソース・ドレイン拡散領域１７の表面に低抵抗のニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）層１８を形成する。なお、ここではニッケルシリサイド層を例示したが、他のシリサイド層、例えばチタンシリサイド層またはコバルトシリサイド層等を形成してもよい。ニッケルシリサイド層１８は、例えば以下に説明する方法により形成される。
【００２７】
まず、半導体基板１の主面上にスパッタリング法によりニッケル膜および窒化チタン膜を順次堆積する。ニッケル膜の厚さは、例えば１０ｎｍ、窒化チタン膜の厚さは、例えば１５ｎｍである。窒化チタン膜はニッケル膜の酸化を防止するためにニッケル膜上に設けられ、窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。続いて半導体基板１にＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal）法を用いて、例えば温度３２０℃の熱処理を３０秒施すことにより、ニッケル膜とｎＭＩＳのゲート電極１０ｎを構成するｎ型多結晶シリコン膜およびニッケル膜とｎＭＩＳのソース・ドレイン拡散領域１６が形成された半導体基板１を構成する単結晶シリコンとを選択的に反応させてニッケルシリサイド層１８を形成する。同様に、ニッケル膜とｐＭＩＳのゲート電極１０ｐを構成するｐ型多結晶シリコン膜およびニッケル膜とｐＭＩＳのソース・ドレイン拡散領域１７が形成された半導体基板１を構成する単結晶シリコンとを選択的に反応させてニッケルシリサイド層１８を形成する。続いて硫酸を用いたウエット洗浄、または硫酸と過酸化水素水とを用いたウエット洗浄等により、未反応のニッケル膜および窒化チタン膜を除去した後、半導体基板１にＲＴＡ法を用いて、例えば温度５５０℃の熱処置を３０秒施すことにより、ニッケルシリサイド層１８の低抵抗化を行う。
【００２８】
次に、図４に示すように、半導体基板１の主面上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜を堆積して第１絶縁膜１９ａを形成する。続いて第１絶縁膜１９ａ上にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）膜を堆積して第２絶縁膜１９ｂを形成し、第１および第２絶縁膜１９ａ，１９ｂからなる層間絶縁膜を形成する。その後、第２絶縁膜１９ｂの表面をＣＭＰ法により研磨する。下地段差に起因して第１絶縁膜１９ａの表面に凹凸形状が形成されていても、第２絶縁膜１９ｂの表面をＣＭＰ法により研磨することにより、その表面が平坦化された層間絶縁膜が得られる。
【００２９】
次に、レジストパターンをマスクとして第１および第２絶縁膜１９ａ，１９ｂをエッチングし、接続孔２０を所定の箇所、例えばｎＭＩＳのゲート電極１０ｎおよびソース・ドレイン拡散領域１６、ならびにｐＭＩＳのゲート電極１０ｐおよびソース・ドレイン拡散領域１７の上方に位置する第１および第２絶縁膜１９ａ，１９ｂに形成する。接続孔２０の口径は０．１μｍ以下、例えば０．０８μｍである。
【００３０】
次に、図５（ａ）に示すように、接続孔２０の内部を含む半導体基板１の主面上にチタン膜２１を堆積し、さらに図５（ｂ）に示すように、チタン膜２１上に窒化チタン膜２２を堆積する。チタン膜２１は酸素原子を２５ａｔ％まで固溶できることからニッケルシリサイド層１８表面の還元材として用いられて、ニッケルシリサイド層１８との接触抵抗を低減する機能を有する。また、窒化チタン膜２２は後の工程で接続孔２０の内部に埋め込まれる金属膜の構成原子が拡散するのを抑制または防止する機能を有する。なお、以下の説明においては、チタン膜２１上に窒化チタン膜２２を積み重ねた積層膜をバリアメタル膜と言い、接続孔２０の内部に埋め込まれて主導電材料となる金属膜とは区別する。
【００３１】
チタン膜２１および窒化チタン膜２２の成膜には、図６に示す成膜装置５０が用いられる。以下に、チタン膜２１および窒化チタン膜２２の形成方法について図６から図９を用いて詳細に説明する。
【００３２】
成膜装置５０は、第１搬送室５１ａと第２搬送室５１ｂの２つの搬送室が配置され、第１搬送室５１ａの周囲に開閉手段であるゲートバルブ５２を介してローダ５３、アンローダ５４および３つのチャンバ５５，５６，５７が備わり、第２搬送室５１ｂの周囲に開閉手段であるゲートバルブ５２を介して２つのチャンバ５８，５９が備わったマルチチャンバタイプである。さらに、第１搬送室５１ａと第２搬送室５１ｂとの間には２つの搬送用のチャンバ６０，６１が備わっている。第１搬送室５１ａは排気機構等により所定の真空度に保持され、その中央部には半導体ウエハＳＷを搬送するための多関節アーム構造の搬送用ロボット６２ａが設けられている。同様に、第２搬送室５１ｂは排気機構等により所定の真空度に保持され、その中央部には半導体ウエハＳＷを搬送するための多関節アーム構造の搬送用ロボット６２ｂが設けられている。
【００３３】
第１搬送室５１ａに備わるチャンバ５５，５６は、例えば１５０℃以上の高温の加熱処理を行う加熱処理用チャンバ、チャンバ５７はドライクリーニング処置用チャンバである。第２搬送室５１ｂに備わるチャンバ５８は高指向性スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法によりチタン膜２１を堆積するチタン成膜用チャンバ、チャンバ５９はＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法またはプラズマＣＶＤ法により窒化チタン膜２２を堆積する窒化チタン成膜用チャンバである。第１搬送室５１ａと第２搬送室５１ｂとの間に備わるチャンバ６０，６１は第１搬送室５１ａと第２搬送室５１ｂとの間での半導体ウエハＳＷの受け渡しを行う受渡用チャンバであり、また半導体ウエハＳＷの冷却にも用いられる冷却用チャンバである。なお、成膜装置５０では、第１搬送室５１ａのみに備わるチャンバを３つとし、第２搬送室５１ｂのみに備わるチャンバを２つとしたが、これに限定されるものではなく、同じ用途のチャンバまたは他の用途のチャンバを追加することも可能である。
【００３４】
まず、ローダ５３に複数の半導体ウエハＳＷを搭載したフープ（Front Open Unified  Pod）を載せた後（図７の工程Ｐ１）、搬送用ロボット６２ａによってフープから１枚の半導体ウエハＳＷを取り出し、第１搬送室５１ａへ真空搬入する。フープは半導体ウエハＳＷのバッチ搬送用の密閉収納容器であり、通常２５枚、１２枚、６枚等のバッチ単位で半導体ウエハＳＷを収納する。フープの容器外壁は微細な通気フィルタ部を除いて機密構造になっており、塵埃はほぼ完全に排除される。従って、クラス１０００の雰囲気で搬送しても、内部はクラス１の清浄度が保てるようになっている。成膜装置５０とのドッキングは、フープの扉を成膜装置５０の内部に引き込むことによって清浄さを保持した状態で行われる。
【００３５】
次に、搬送用ロボット６２ａによって半導体ウエハＳＷを第１搬送室５１ａからドライクリーニング処理用のチャンバ５７へ真空搬送する（図７の工程Ｐ２）。図８にチャンバ５７の概略断面図を示す。チャンバ５７は主としてウエハステージ５７ａ、ウエハリフトピン５７ｂ、シャワーヘッド５７ｃおよびリモートプラズマ発生装置５７ｄによって構成される。ウエハステージ５７ａおよびウエハリフトピン５７ｂは独立した昇降機構を持ち、シャワーヘッド５７ｃと半導体ウエハＳＷとの距離および半導体ウエハＳＷとウエハステージ５７ａとの距離を任意に制御することができる。また、ウエハステージ５７ａの上方に設置されたシャワーヘッド５７ｃは常に一定温度に維持されており、その温度は例えば１８０℃である。
【００３６】
チャンバ５７へ半導体ウエハＳＷを搬入する時は、図９（ａ）に示すように、ウエハステージ５７ａを下降させ、ウエハリフトピン５７ｂを上昇させて、ウエハリフトピン５７ｂ上に半導体ウエハＳＷを載せる。シャワーヘッド５７ｃと半導体ウエハＳＷとの距離は、例えば１６．５±１２．７ｍｍ、半導体ウエハＳＷとウエハステージ５７ａとの距離は、例えば２５．４±１７．８ｍｍに設定される。
【００３７】
続いて半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理する時は、図９（ｂ）に示すように、ウエハステージ５７ａを上昇させ、ウエハリフトピン５７ｂを下降させて、ウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを載せる。シャワーヘッド５７ｃと半導体ウエハＳＷとの距離は、例えば１７．８±５．１ｍｍに設定される。
【００３８】
ドライクリーニング処理時には、リモートプラズマ発生装置５７ｄにおいて還元ガス、例えばＮＦ３ガスおよびＮＨ３ガスを添加したＡｒガスまたはＮＦ３ガスおよびＨ２ガスを添加したＡｒガスを励起させてプラズマを生成し、このプラズマをチャンバ５７内へ導入する。チャンバ５７内に導入されたプラズマをシャワーヘッド５７ｃを介して半導体ウエハＳＷの主面上に供給することにより、プラズマとニッケルシリサイド層１８の表面に形成された自然酸化膜との間で起きる、例えば式（１）に示す還元反応によって自然酸化膜が除去される。ドライクリーニング処理時におけるプロセス条件は、例えばシャワーヘッド温度１８０℃、ＮＦ３ガス流量１４ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス流量７０ｓｃｃｍ、圧力４００Ｐａ、プラズマパワー３０Ｗである。
【００３９】
ＳｉＯ２＋ＮＦ３＋ＮＨ３→ （ＮＨ４）２ＳｉＦ６＋Ｏ２            式（１）
この時、還元反応により生成された生成物（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が接続孔２０の内部を含む半導体ウエハＳＷの主面上に残留する。さらに、半導体ウエハＳＷはウエハステージ５７ａ上に載せてあるだけであり、上記生成物は半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部にも残留する。半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部に残留する生成物は、半導体ウエハＳＷを他のチャンバへ搬送する場合などにおいて剥がれ、汚染や発塵の原因となる。そこで、ドライクリーニング処置に続いて、チャンバ５７内において半導体ウエハＳＷに熱処理を施すことにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去すると同時に、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部に残留する生成物を除去する。
【００４０】
続いて半導体ウエハＳＷを熱処理する時は、図９（ｃ）に示すように、ウエハステージ５７ａを下降させ、ウエハリフトピン５７ｂを上昇させて、半導体ウエハＳＷを温度１８０℃に設定されたシャワーヘッド５７ｃへ近づける。シャワーヘッド５７ｃと半導体ウエハＳＷとの距離は、例えば３．８±２．６ｍｍ、半導体ウエハＳＷとウエハステージ５７ａとの距離は、例えば５．９ｍｍ以上に設定される。
【００４１】
熱処理時には、シャワーヘッド５７ｃの加熱温度（１８０℃）を利用して半導体ウエハＳＷが加熱される。半導体ウエハＳＷの温度は１００から１５０℃となり、上記ドライクリーニング処置時に半導体ウエハＳＷの主面上に形成された生成物（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が、例えば式（２）に示す反応によって昇華し除去される。さらに、この熱処理によって半導体ウエハＳＷの側面および裏面も加熱されて、側面および裏面の一部に残留した生成物も除去される。
【００４２】
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６→ ＳｉＦ４＋２ＮＨ３＋２ＨＦ          式（２）
しかしながら、上記ドライクリーニング処理時に半導体ウエハＳＷに形成された生成物の組成が（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から僅かでもずれていると、温度１００から１５０℃の熱処理では式（２）の反応が起こり難く、完全に生成物を除去することができなくなり、極微少の生成物が半導体ウエハＳＷの主面上に残留する。前述したように、接続孔２０の内部に微少でも生成物が残留していると、その後接続孔２０に内部に形成されるチタン膜２１とニッケルシリサイド層１８との接触抵抗のばらつきなどの問題が生じる。そこで、次工程において、半導体ウエハＳＷに１５０℃よりも高い温度の熱処理を施して、半導体ウエハＳＷの主面上に残留した微少の生成物を除去する。
【００４３】
次に、搬送用ロボット６２ａによって半導体ウエハＳＷをドライクリーニング処理用のチャンバ５７から加熱処理用のチャンバ５５（またはチャンバ５６）へ第１搬送室５１ａを介して真空搬送し、チャンバ５５（またはチャンバ５６）に備わるステージ上に載せる（図７の工程Ｐ３）。チャンバ５５（またはチャンバ５６）のステージ上に半導体ウエハＳＷを載せることにより、半導体ウエハＳＷを所定の温度で加熱し、１００から１５０℃の温度では昇華せずに半導体ウエハＳＷの主面上に残留した生成物を昇華させて除去する。半導体ウエハＳＷの主面上での温度は、例えば１５０から４００℃が適切な範囲と考えられる（他の条件によってはこの範囲に限定されないことはもとよりである）。また、量産に適した範囲としては１６５から３５０℃が考えられるが、さらに１８０から２２０℃等の２００℃を中心値とする範囲が最も好適と考えられる。
【００４４】
図１０は、ｎＭＩＳ（図１０の挿入図）を形成した後に、ドライクリーニング処理および熱処理を半導体基板に施した場合のゲート電極と半導体基板との間に流れる電流（リーク電流）と熱処理温度との関係を示すグラフ図である。
【００４５】
正常なｎＭＩＳのゲート電流は１×１０−１３Ａ／μｍ２程度であるが、ｎＭＩＳの表面にドライクリーニング処理により生成した生成物が残留すると、その生成物を通して５×１０−１１Ａ／μｍ２以上の表面リーク電流が流れる。しかし、１５０℃よりも高い温度で熱処理を行うと、温度の増加に従って表面リーク電流が減少し、例えば１６０℃程度の温度で熱処理をすると、リーク電流は１×１０−１２Ａ／μｍ２程度に減少し、さらに１８０℃程度の温度で熱処理をすると、リーク電流は１×１０−１３Ａ／μｍ２程度に減少する。このことから、１８０℃よりも高い温度で熱処理をすることにより、ｎＭＩＳの表面にリーク電流が流れない状態まで生成物を除去することができると考えられる。
【００４６】
次に、搬送用ロボット６２ａによって半導体ウエハＳＷを加熱処理用のチャンバ５５（またはチャンバ５６）から冷却・受渡用のチャンバ６０（またはチャンバ６１）へ第１搬送室５１ａを介して真空搬送し、チャンバ６０（またはチャンバ６１）に備わるステージ上に載せる（図７の工程Ｐ４）。チャンバ６０（またはチャンバ６１）のステージ上に半導体ウエハＳＷを載せることにより、半導体ウエハＳＷは冷却される。
【００４７】
次に、搬送用ロボット６２ｂによって半導体ウエハＳＷを冷却・受渡用のチャンバ６０（またはチャンバ６１）からチタン成膜用のチャンバ５８へ第２搬送室５１ｂを介して真空搬送する（図７の工程Ｐ５）。チャンバ５８内を排気機構により所定の真空度、例えば１．３３×１０−６Ｐａとした後、半導体ウエハＳＷを所定の温度に加熱し、チャンバ５８内へＡｒガスを所定の流量により導入して高指向性スパッタリング法により半導体ウエハＳＷの主面上へチタン膜２１を堆積する。チタン膜２１の厚さは、例えば２０ｎｍである。なお、チタン膜２１は高指向性スパッタリング法の他に、プラズマＣＶＤ法により堆積することができる。
【００４８】
次に、搬送用ロボット６２ｂによって半導体ウエハＳＷをチタン成膜用のチャンバ５８から窒化チタン成膜用のチャンバ５９へ第２搬送室５１ｂを介して真空搬送する（図７の工程Ｐ６）。チャンバ５９内を排気機構により所定の真空度とした後、半導体ウエハＳＷを所定の温度に加熱し、チャンバ５９内へ所定のガスを所定の流量により導入してＭＯＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により半導体ウエハＳＷの主面上へ窒化チタン膜２２を堆積する。窒化チタン膜２２の厚さは、例えば５ｎｍである。
【００４９】
次に、搬送用ロボット６２ｂによって半導体ウエハＳＷを窒化チタン成膜用のチャンバ５９から冷却・受渡用のチャンバ６０（またはチャンバ６１）へ第２搬送室５１ｂを介して真空搬送する（図７の工程Ｐ７）。
【００５０】
次に、搬送用ロボット６２ａによって半導体ウエハＳＷを冷却・受渡用のチャンバ６０（またはチャンバ６１）からアンローダ５４へ真空搬出し（図７の工程Ｐ８）、アンローダ５４に置かれたフープへ載せる。
【００５１】
このように、ドライクリーニング処理の工程（図７の工程Ｐ２）とチタン膜２１を堆積する工程（図７の工程Ｐ５）との間に１５０から４００℃の熱処理を半導体基板１に施すことによって（図７の工程Ｐ３）、接続孔２０の底面および側面にドライクリーニング処置時に生成された生成物が除去されるので、接続孔２０の底面におけるチタン膜２１とニッケルシリサイド層１８との接触抵抗のばらつきを低減することができる。さらに、接続孔２０の側面におけるチタン膜２１の剥がれを防止することができる。
【００５２】
その後、図１１に示すように、接続孔２０の内部を含む半導体基板１の主面上にタングステン膜２３をＣＶＤ法により堆積し、例えばＣＭＰ法によりタングステン膜２３の表面を平坦化することによって接続孔２０の内部にタングステン膜２３を埋め込み、タングステン膜２３を主導電材料とするプラグを形成する。
【００５３】
なお、前述した接続孔２０の内部にプラグを形成する工程では、プラグの主導電材料をタングステン膜２３とし、バリアメタル膜をチタン膜２１上に窒化チタン膜２２を積み重ねた積層膜としたが、これに限定されるものではなく、種々変更することは可能である。例えば（１）プラグの主導電材料をタングステン膜とし、バリアメタル膜を窒化タングステン膜とする。１台のタングステン成膜装置を用いて窒化タングステン膜およびタングステン膜を順次成膜することができるので、スループットが向上し、コストを低減することができる。（２）プラグの主導電材料を銅膜とし、バリアメタル膜を窒化チタン膜とする。（３）プラグの主導電材料を銅膜とし、バリアメタル膜を窒化タンタル膜とする。窒化タンタル膜を用いることにより、バリアメタル膜に窒化チタン膜を用いた場合よりも銅原子が拡散するのを抑制または防止することができる。（４）プラグの主導電材料を銅膜とし、バリアメタル膜を窒化タンタル膜上にタンタル膜を積み重ねた積層膜とする。銅膜と窒化タンタル膜との間にタンタル膜を挿入することにより、銅膜と窒化タンタル膜との密着性を向上させることができる。（５）プラグの主導電材料を銅膜とし、バリアメタル膜を窒化タンタル膜上にルテニウム膜を積み重ねた積層膜とする。銅膜と窒化タンタル膜との間にルテニウム膜を挿入することにより、銅膜と窒化タンタル膜との密着性を向上させることができる。（６）プラグの主導電材料をアルミニウム膜とし、バリアメタル膜をチタン膜上に窒化チタン膜を積み重ねた積層膜、または窒化タングステン膜とする。
【００５４】
次に、図１２に示すように、半導体基板１の主面上にストッパ絶縁膜２４および配線形成用の絶縁膜２５を順次形成する。ストッパ絶縁膜２４は絶縁膜２５への溝加工の際にエッチングストッパとなる膜であり、絶縁膜２５に対してエッチング選択比を有する材料を用いる。ストッパ絶縁膜２４は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成される窒化シリコン膜とし、絶縁膜２５は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成される酸化シリコン膜とすることができる。なお、ストッパ絶縁膜２４と絶縁膜２５には次に説明する第１層目の配線が形成される。
【００５５】
次に、シングルダマシン法により第１層目の配線を形成する。まず、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングによってストッパ絶縁膜２４および絶縁膜２５の所定の領域に配線溝２６を形成した後、半導体基板１の主面上にバリアメタル膜２７を形成する。バリアメタル膜２７は、例えば窒化チタン膜、窒化タンタル膜、窒化タンタル膜上にタンタル膜を積み重ねた積層膜、または窒化タンタル膜上にルテニウム膜を積み重ねた積層膜である。続いてＣＶＤ法またはスパッタリング法によりバリアメタル膜２７上に銅のシード層を形成し、さらに電解めっき法を用いてシード層上に銅めっき膜を形成する。銅めっき膜により配線溝２６の内部を埋め込む。続いて配線溝２６以外の領域の銅めっき膜、シード層およびバリアメタル膜２７をＣＭＰ法により除去して、銅膜を主導電材料とする第１層目の配線Ｍ１を形成する。
【００５６】
次に、デュアルダマシン法により第２層目の配線を形成する。まず、図１３に示すように、半導体基板１の主面上にキャップ絶縁膜２８、層間絶縁膜２９および配線形成用のストッパ絶縁膜３０を順次形成する。キャップ絶縁膜２８および層間絶縁膜２９には、後に説明するように接続孔が形成される。キャップ絶縁膜２８は、層間絶縁膜２９に対してエッチング選択比を有する材料で構成され、例えばプラズマＣＶＤ法により形成される窒化シリコン膜とすることができる。さらにキャップ絶縁膜２８は第１層目の配線Ｍ１を構成する銅の拡散を防止する保護膜としての機能を有している。層間絶縁膜２９は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成されるＴＥＯＳ膜とすることができる。ストッパ絶縁膜３０は、層間絶縁膜２９および後にストッパ絶縁膜３０の上層に堆積される配線形成用の絶縁膜に対してエッチング選択比を有する絶縁材料で構成され、例えばプラズマＣＶＤ法により形成される窒化シリコン膜とすることができる。
【００５７】
次に、孔形成用のレジストパターンをマスクとしたドライエッチングによりストッパ絶縁膜３０を加工した後、ストッパ絶縁膜３０上に配線形成用の絶縁膜３１を形成する。絶縁膜３１は、例えばＴＥＯＳ膜とすることができる。
【００５８】
次に、配線溝形成用のレジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより絶縁膜３１を加工する。この際、ストッパ絶縁膜３０がエッチングストッパとして機能する。続いてストッパ絶縁膜３０および配線溝形成用のレジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより層間絶縁膜２９を加工する。この際、キャップ絶縁膜２８がエッチングストッパとして機能する。続いて露出したキャップ絶縁膜２８をドライエッチングにより除去することにより、キャップ絶縁膜２８および層間絶縁膜２９に接続孔３２が形成され、ストッパ絶縁膜３０および絶縁膜３１に配線溝３３が形成される。
【００５９】
次に、接続孔３２および配線溝３３の内部に第２層目の配線を形成する。第２層目の配線は、バリアメタル層および主導電材料である銅膜からなり、この配線と下層配線である第１層目の配線Ｍ１とを接続する接続部材は第２層目の配線と一体に形成される。まず、接続孔３２および配線溝３３の内部を含む半導体基板１の主面上にバリアメタル膜３４を形成する。バリアメタル膜３４は、例えば窒化チタン膜、窒化タンタル膜、窒化タンタル膜上にタンタル膜を積み重ねた積層膜、または窒化タンタル膜上にルテニウム膜を積み重ねた積層膜である。バリアメタル膜３４を形成する前には前述したドライクリーニング処理が行われるが、このドライクリーニング処理においてもその後、前述した１００から１５０℃の温度での加熱と１５０℃よりも高い温度での加熱とを半導体ウエハに対して行い、接続孔３２の底面ならびに接続孔３２および配線溝３３の側壁に生成した生成物の除去を行ってもよい。これにより、バリアメタル膜３４と第１層目の配線Ｍ１との接触抵抗のばらつきを低減することができ、また、キャップ絶縁膜２８、層間絶縁膜２９、ストッパ絶縁膜３０および絶縁膜３１からのバリアメタル膜３４の剥がれを防止することができる。続いてＣＶＤ法またはスパッタリング法によりバリアメタル膜３４上に銅のシード層を形成し、さらに電解めっき法を用いてシード層上に銅めっき膜を形成する。銅めっき膜により接続孔３２および配線溝３３の内部を埋め込む。続いて接続孔３２および配線溝３３以外の領域の銅めっき膜、シード層およびバリアメタル膜３４をＣＭＰ法により除去して、銅膜を主導電材料とする第２層目の配線Ｍ２を形成する。
【００６０】
その後、図１４に示すように、例えば前述した第２層目の配線Ｍ２と同様な方法によりさらに上層の配線を形成する。図１４では、第３層目から第６層目の配線Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６を形成したＣＭＯＳデバイスを例示している。続いて第６層目の配線Ｍ６上に窒化シリコン膜３５を形成し、窒化シリコン膜３５上に酸化シリコン膜３６を形成する。これら窒化シリコン膜３５および酸化シリコン膜３６は、外部からの水分や不純物の侵入防止およびα線の透過の抑制を行うパッシベーション膜として機能する。
【００６１】
次に、窒化シリコン膜３５および酸化シリコン膜３６をレジストパターンをマスクとしたエッチングにより加工して、第６層目の配線Ｍ６の一部（ボンディングパッド部）を露出させる。続いて露出した第６層目の配線Ｍ６上に金膜およびニッケル膜等の積層膜からなるバンプ下地電極３７を形成し、バンプ下地電極３７上に金または半田等からなるバンプ電極３８を形成することにより、実施の形態１であるＣＭＯＳデバイスが略完成する。なお、このバンプ電極３８は外部接続用電極となる。この後、半導体ウエハＳＷから半導体チップに個々に切り分けられ、パッケージ基板等に実装されて半導体装置が完成するが、それらの説明は省略する。
【００６２】
なお、実施の形態１のドライクリーニング処理では、リモートプラズマ発生装置５７ｄにおいて還元ガス、例えばＮＦ３ガスおよびＮＨ３ガスを添加したＡｒガス（プラズマ励起用のガスとしてはＡｒガスが多用されるが、その他の希ガスまたはそれらの混合ガスでもよい）を励起させてプラズマを生成し、このプラズマをチャンバ５７内へ導入して自然酸化膜を還元反応により除去したが、プラズマを用いずに、ＨＦガスとＮＨ３ガスまたはＮＦ３ガスとＮＨ３ガス等の還元ガスをチャンバ５７内へ導入して自然酸化膜を還元反応により除去してもよい。
【００６３】
また、リモートプラズマ装置に限定されるものではなく、その他の特性に問題がなければ、通常のプラズマ装置を用いても問題はない。リモートプラズマは基板に損傷を与えない利点がある。
【００６４】
また、プラズマを用いて処理する場合は、上記ガスの組み合わせに限らず、窒素、水素、フッ素（これらの複合ラジカルを含む）のそれぞれのラジカルまたは反応種を生成するものであれば、特にこのプロセスに対して有害なものでなければ、その他のガスの組み合わせでもよい。すなわち、窒素、水素およびフッ素ラジカル生成ガス（混合ガス含む）とプラズマ励起ガスとその他の添加ガス等との混合ガス雰囲気を適宜用いればよい。
【００６５】
また、還元ガス等の反応ガスは上記ガスに限らず、酸化膜と比較的低温で反応して気化する反応種を生成するものであればよい。
【００６６】
このように、実施の形態１によれば、接続孔２０の内部にバリアメタル膜（チタン膜２１上に窒化チタン膜２２を積み重ねた積層膜）を形成する前に行うドライクリーニング処置により、接続孔２０の底面および側面に化学量論的組成から僅かにずれた生成物が残留するが、この生成物はドライクリーニング処理の後に行う１５０℃よりも高い温度の熱処理により除去されるので、接続孔２０の底面におけるバリアメタル膜とニッケルシリサイド層１８との接触抵抗のばらつきを低減することができ、また接続孔２０の側面におけるバリアメタル膜の剥がれを防ぐことができるので、接続孔２０部分における電気的特性のばらつきを低減することができる。また、実施の形態１は上下層の配線を接続する接続孔部分にも適用することができ、同様の効果を得ることができる。例えば実施の形態１に例示したデュアルダマシン配線の形成工程において、接続孔３２および配線溝３３の内部にバリアメタル膜３４を形成する前に行うドライクリーニング処理の後に実施の形態１を実施することにより、接続孔３２部分における電気的特性のばらつきを低減することができる。
【００６７】
（実施の形態２）
前述した実施の形態１で説明したように、バリアメタル膜の形成工程において行われるドライクリーニング処理では、半導体ウエハＳＷの主面上、側面および裏面の一部に生成物が残留する。このため、ドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わる１８０℃に設定されたシャワーヘッド５７ｃによって半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の温度で加熱して（ＮＨ４）２ＳｉＦ６の組成の生成物を除去し、さらに、加熱処理用のチャンバ５５，５６により半導体ウエハを１５０℃よりも高い温度で加熱して（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から僅かに組成のずれた生成物の除去を行っている。
【００６８】
実施の形態２では、ドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるシャワーヘッド５７ＣＨの温度を１８０℃よりも高い温度、例えば２５０℃に設定し、ドライクリーニング処理の直後に、シャワーヘッド５７ＣＨにより半導体ウエハＳＷを１８０から２２０℃の温度で加熱して（ＮＨ４）２ＳｉＦ６の組成の生成物および（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から僅かに組成のずれた生成物の除去を行う。
【００６９】
実施の形態２によるバリアメタル膜の形成方法を図１５および図１６を用いて説明する。図１５はバリアメタル膜の成膜工程図、図１６（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれバリアメタル膜の成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバにおける半導体ウエハの処理工程を説明するためのチャンバの概略断面図である。なお、バリアメタル膜の成膜装置は、前述した実施の形態１の成膜装置５０を用いる。
【００７０】
まず、前述した実施の形態１と同様にして、半導体ウエハＳＷをローダ５３からドライクリーニング処理用のチャンバ５７へ真空搬送する（図１５の工程Ｐ１，Ｐ２）。チャンバ５７に備わるシャワーヘッド５７ＣＨは常に一定温度に維持されており、その温度は例えば２５０℃である。
【００７１】
チャンバ５７へ半導体ウエハＳＷを搬入する時は、図１６（ａ）に示すように、ウエハステージ５７ａを下降させ、ウエハリフトピン５７ｂを上昇させて、ウエハリフトピン５７ｂ上に半導体ウエハＳＷを載せる。シャワーヘッド５７ＣＨと半導体ウエハＳＷとの距離は、例えば１６．５±１２．７ｍｍ、半導体ウエハＳＷとウエハステージ５７ａとの距離は、例えば２５．４±１７．８ｍｍに設定される。
【００７２】
続いて半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理する時は、図１６（ｂ）に示すように、ウエハステージ５７ａを上昇させ、ウエハリフトピン５７ｂを下降させて、ウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを載せる。シャワーヘッド５７ＣＨと半導体ウエハＳＷとの距離は、例えば１７．８±５．１ｍｍに設定される。ドライクリーニング処理が行われた半導体ウエハＳＷの主面上、側面および裏面の一部には、還元反応により生成された生成物（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が残留する。
【００７３】
続いて半導体ウエハＳＷを熱処理する時は、図１６（ｃ）に示すように、ウエハステージ５７ａを下降させ、ウエハリフトピン５７ｂを上昇させて、半導体ウエハＳＷを温度２５０℃に設定されたシャワーヘッド５７ＣＨへ近づける。シャワーヘッド５７ＣＨと半導体ウエハＳＷとの距離は、例えば３．８±２．６ｍｍ、半導体ウエハＳＷとウエハステージ５７ａとの距離は、例えば５．９ｍｍ以上に設定される。
【００７４】
熱処理時には、シャワーヘッド５７ＣＨの加熱温度（２５０℃）を利用して半導体ウエハＳＷが加熱されるので、半導体ウエハＳＷの温度は１５０℃よりも高くなり、上記ドライクリーニング処置時に半導体ウエハＳＷの主面上、側面および裏面の一部に残留した（ＮＨ４）２ＳｉＦ６の組成の生成物が除去され、さらに（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から僅かに組成のずれた生成物も除去される。
【００７５】
次に、搬送用ロボット６２ａによって半導体ウエハＳＷをドライクリーニング処理用のチャンバ５７から冷却・受渡用のチャンバ６０（またはチャンバ６１）へ第１搬送室５１ａを介して真空搬送し、チャンバ６０（またはチャンバ６１）に備わるステージ上に載せる（図１５の工程Ｐ３）。チャンバ６０（またはチャンバ６１）のステージ上に半導体ウエハＳＷを載せることにより、半導体ウエハＳＷは冷却される。
【００７６】
その後は前述した実施の形態１と同様に、搬送用ロボット６２ｂによってチタン成膜用のチャンバ５８においてチタン膜を堆積し（図１５の工程Ｐ４）、窒化チタン成膜用のチャンバ５９においてチタン膜上に窒化チタン膜を堆積した後（図１５の工程Ｐ５）、半導体ウエハＳＷを冷却・受渡用のチャンバ６０（またはチャンバ６１）へ真空搬送する（図１５の工程Ｐ６）。さらに、搬送用ロボット６２ａによって半導体ウエハＳＷをアンローダ５４へ真空搬出し（図１５の工程Ｐ７）、アンローダ５４に置かれたフープへ載せる。
【００７７】
このように、実施の形態２によれば、ドライクリーニング処理において半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部に生成した不要な生成物は、ドライクリーニング処理に続くシャワーヘッド５７ＣＨによる１８０から２２０℃の熱処理によって除去されるので、前述した実施の形態１で行う熱処理用のチャンバ５５，５６における熱処理工程が不要となり、前述した実施の形態１よりも製造工程数を削減することができる。
【００７８】
（実施の形態３）
前述した実施の形態１で説明したように、バリアメタル膜の形成工程において行われるドライクリーニング処理では、一般に半導体ウエハＳＷをウエハステージ５７ａに単に置くだけであり、このため、半導体ウエハＳＷの主面上のみならず、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部にも（ＮＨ４）２ＳｉＦ６の組成の生成物が残留する。半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部に残留した生成物は、半導体ウエハＳＷを他のチャンバへ搬送する場合などにおいて剥がれて、汚染や発塵の原因となる。そこで、前述した実施の形態１および２では、ドライクリーニング処置に続いて、同じチャンバ５７内で半導体ウエハＳＷに熱処理を施すことにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去すると同時に、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部に残留する生成物を除去している。
【００７９】
実施の形態３では、ドライクリーニング処理時において半導体ウエハＳＷの裏面へのドライクリーニングガスの回り込みを防ぐことにより、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部への生成物の生成を防止する。従って、前述した実施の形態１においてドライクリーニング処理後に続いて行われるシャワーヘッド５７ｃによる半導体ウエハＳＷの熱処理、すなわちチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａを下降させ、ウエハリフトピン５７ｂを上昇させて、半導体ウエハＳＷを温度１８０℃に設定されたシャワーヘッド５７ｃへ近づけることによる熱処理（図９（ｃ））は不要となる。なお、ドライクリーニング処理により半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物は、熱処理用のチャンバ５５，５６における１５０℃よりも高い温度の熱処理により除去することができる。
【００８０】
実施の形態３によるドライクリーニング処理の方法を図１７を用いて説明する。図１７（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれバリアメタル膜の成膜装置に備わるドライクリーニング処理用チャンバの概略断面図である。
【００８１】
図１７（ａ）は、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部への生成物の生成を防止する第１のドライクリーニング処理方法を説明する図である。半導体ウエハＳＷはウエハステージ５７ａ上に置かれており、昇降機構を有するシーリング５７ｅを半導体ウエハＳＷの主面上の周囲に接触させて押さえることにより、半導体ウエハＳＷの周囲および裏面へのドライクリーニングガスの回り込みを防いでいる。
【００８２】
図１７（ｂ）は、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部への生成物の生成を防止する第２のドライクリーニング処理方法を説明する図である。半導体ウエハＳＷは静電チャック機能を有するウエハステージ５７ａ上に置かれており、半導体ウエハＳＷの裏面とウエハステージ５７ａとの間に隙間を形成することなく、ドライクリーニング処理を行うことができる。静電チャックは、ウエハステージ５７ａの上に誘電層を設けてウエハステージ５７ａと半導体ウエハＳＷとの間に電圧を印加し、両者間に発生した力によって半導体ウエハＳＷを吸着する機構である。吸着方式の違いによって誘電体として絶縁材料を使用するクーロン力型とジョンソン・ラベック力型とに分類されるが、低電圧で強い吸着力を有するジョンソン・ラベック力型はアルミナなどのセラミック製の静電チャックに多く、耐熱性と耐プラズマ性の面で有利であることから普及している。静電チャックは機械的な保持具を使用しないことから半導体ウエハＳＷの全面を均一に処理することができる。
【００８３】
さらに、昇降機構を有するシャドウリング５７ｆを半導体ウエハＳＷの主面上の周囲に備えており、半導体ウエハＳＷに接触させずに半導体ウエハＳＷの周囲をシャドウリング５７ｆによって覆い、ウエハステージ５７ａの周囲から上方に向けてＨｅガス等の不活性ガスを流す。これにより、半導体ウエハＳＷの周囲および裏面へのドライクリーニングガスの回り込みを防いでいる。
【００８４】
図１７（ｃ）は、半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部への生成物の生成を防止する第３のドライクリーニング処理方法を説明する図である。半導体ウエハＳＷはウエハステージ５７ａ上に置かれており、昇降機構を有するシーリング５７ｅを半導体ウエハＳＷの主面上の周囲に接触させて押さえることにより、半導体ウエハＳＷの周囲および裏面へのドライクリーニングガスの回り込みを防いでいる。
【００８５】
さらに、シーリング５７ｅの下部にはシーリング５７ｅにつながる排気室５７ｇが備わっており、ウエハステージ５７ａは排気室５７ｇ内に置かれている。排気室５７ｇにはＨｅガス等の不活性ガスを排気室５７ｇへ導入する配管と排気室５７ｇから排気する配管とが設けられており、半導体ウエハＳＷの周囲および裏面へ不活性ガスを流入できる構造となっている。
【００８６】
このように、実施の形態３によれば、ドライクリーニング処理において半導体ウエハＳＷの側面および裏面の一部に不要な生成物が生成せず、ドライクリーニング処理に続くシャワーヘッド５７ｃによる半導体ウエハＳＷの熱処理が不要となるので、前述した実施の形態１よりも製造工程数を削減することができる。
【００８７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８８】
以下に、本願に開示された発明の概要を項に分けて簡潔に示す。
１．絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に前記接続孔を形成した後、前記接続孔の内部に前記バリアメタル膜を堆積する前に以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程；
（ｂ）前記ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介して還元ガスを供給し、前記接続孔の内部をドライクリーニング処理する工程；
（ｃ）前記シャワーヘッドの加熱温度を利用（シャワーヘッドの輻射等）した第１の温度で前記半導体ウエハに対して第１の熱処理する工程；
（ｄ）前記半導体ウエハを前記第１のチャンバから第２のチャンバへ搬送する工程；
（ｅ）前記第２のチャンバにおいて、前記第１の温度よりも高い第２の温度で前記半導体ウエハに対して第２の熱処理する工程。
【００８９】
なお、本願では、主にバリアメタル形成前の接続孔内洗浄プロセスについて説明したが、本項１、８、または１１の各サブパラグラフのプロセスは、その他のウエハ処理の前処理（ドライ洗浄）として適用できることは言うまでもない。
【００９０】
すなわち、熱処理または各種の膜形成等のウエハ処理前の洗浄（例えばシリコン表面の自然酸化膜を比較的低温（例えば摂氏４００度以下）で昇華、蒸発または気化する物質に変換する処理）としてドライ洗浄を実行する際に、ドライ洗浄の結果生成し、ウエハ表面（上面、側面、裏面を含む）に堆積、結露または凝結した洗浄残渣（洗浄処理生成物を含む）をドライ洗浄室と同室で、洗浄機構の一部または全部を利用して、第１の温度（ウエハ上面温度）で熱処理することによって前記洗浄残渣の一部を気化させて除去した後、ウエハを別の処理室に移動させ、そこで第１の温度よりも高い第２の温度（ウエハ上面温度）で熱処理することによって残留する残渣を気化させるものである。
【００９１】
第１の熱処理は比較的低温で出来るため、装置構造を比較的簡単に出来ること、またはスループットを確保できる利点がある。また、この処理によって、ハンドリングに必要な裏面、側面の残渣は比較的完全に（ハンドリングによる汚染の伝播を回避する限度で）除去できる利点がある。第２の熱処理が必要なのは、生成物が非化学量論的な組成を含むと気化温度が上昇する場合があるほか、複雑な構造を有する実際のウエハ上面では、地形学的特徴に依存して、実効的気化温度が上昇する場合があるからである。
２．前記項１記載の半導体装置の製造方法おいて、前記第１の温度は１００以上１５０℃未満である。
３．前記項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１５０から４００℃である。
４．前記項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１６５から３５０℃である。
５．前記項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１８０から２２０℃である。
６．前記項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は２００℃である。
７．前記項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間の前記半導体ウエハの搬送は、真空搬送される。
８．絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に前記接続孔を形成した後、前記接続孔の内部に前記バリアメタル膜を堆積する前に以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程；
（ｂ）前記ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介して還元ガスを供給し、前記半導体ウエハの主面上のシリコンの表面をドライクリーニング処理する工程；
（ｃ）前記シャワーヘッドの加熱温度を利用した第１の温度で前記半導体ウエハに対して第１の熱処理する工程、
ここで、前記シャワーヘッドは１８０℃よりも高い温度に維持される。
【００９２】
すなわち、熱処理または各種の膜形成等のウエハ処理前の洗浄（例えばシリコン表面の自然酸化膜を比較的低温（例えば摂氏４００度以下）で昇華、蒸発または気化する物質に変換する処理）としてドライ洗浄を実行する際に、ドライ洗浄の結果生成し、ウエハ表面（上面、側面、裏面を含む）に堆積、結露または凝結した洗浄残渣（洗浄処理生成物を含む）をドライ洗浄室と同室で、洗浄機構の一部または全部を利用して、十分に高い温度（ウエハ上面温度）で熱処理することによって前記洗浄残渣のほぼ全部を気化させて除去するものである。
【００９３】
この場合は一回の熱処理でしかも同室で出来るため、装置の処理室を有効に利用できる利点がある。
９．前記項８記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の温度は１８０から２２０℃である。
１０．前記項８記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の温度は２００℃である。
１１．絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に前記接続孔を形成した後、前記接続孔の内部に前記バリアメタル膜を堆積する前に以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程；
（ｂ）前記ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介して還元ガスを供給し、前記接続孔の内部をドライクリーニング処理する工程；
（ｃ）前記半導体ウエハを前記第１のチャンバから第２のチャンバへ搬送する工程；
（ｄ）前記第２のチャンバにおいて、第２の温度で前記半導体ウエハを熱処理（前記項１の第２の熱処理に対応）する工程、
ここで、前記工程（ｂ）では、前記半導体ウエハの側面および裏面に前記還元ガスが供給されない。
【００９４】
すなわち、熱処理または各種の膜形成等のウエハ処理前の洗浄（例えばシリコン表面の自然酸化膜を比較的低温（例えば摂氏４００度以下）で昇華、蒸発または気化する物質に変換する処理）としてドライ洗浄を実行する際に、ドライ洗浄の結果生成し、ウエハ表面（このとき上面の周辺部、側面、裏面に堆積物が付着しないようにしてドライ洗浄を実行することが必要である）に堆積、結露または凝結した洗浄残渣（洗浄処理生成物を含む）をドライ洗浄室と別室で、十分に高い温度（ウエハ上面温度）で熱処理することによって前記洗浄残渣のほぼ全部を気化させて除去するものである。
１２．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１５０から４００℃である。
１３．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１６５から３５０℃である。
１４．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は１８０から２２０℃である。
１５．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の温度は２００℃である。
１６．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は以下の工程を含む：
（ｂ１）前記ウエハステージ上に置かれた前記半導体ウエハの周辺部をシーリングにより押さえる工程。
１７．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は以下の工程を含む：
（ｂ１）前記半導体ウエハを静電チャックにより前記ウエハステージ上に吸着する工程；
（ｂ２）前記半導体ウエハの周辺部を前記半導体ウエハと接触させずにシャドウリングにより覆い、前記ウエハステージの周辺部から不活性ガスを流入させる工程。
１８．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は以下の工程を含む：
（ｂ１）前記ウエハステージ上に置かれた前記半導体ウエハの周辺部をシーリングにより押さえる工程；
（ｂ２）前記ウエハステージの裏面側から不活性ガスを流入させる工程。
１９．前記項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間の前記半導体ウエハの搬送は、真空搬送される。
２０．前記項１、８または１１記載の半導体装置の製造方法において、前記金属膜はタングステン膜であり、前記バリアメタル膜はチタン膜上に窒化チタン膜を積み重ねた積層膜、または窒化タングステン膜である。
２１．前記項１、８または１１記載の半導体装置の製造方法において、前記金属膜は銅膜であり、前記バリアメタル膜は窒化チタン膜、窒化タンタル膜、窒化タンタル膜上にタンタル膜を積み重ねた積層膜、または窒化タンタル膜上にルテニウム膜を積み重ねた積層膜である。
２２．前記項１、８または１１記載の半導体装置の製造方法において、前記金属膜はアルミニウム膜であり、前記バリアメタル膜はチタン膜上に窒化チタン膜を積み重ねた積層膜、または窒化タングステン膜である。
【符号の説明】
【００９５】
１  半導体基板
４  素子分離領域
６  ｐ型ウェル
８  ｎ型ウェル
９  ゲート絶縁膜
１０ｎ  ゲート電極
１０ｐ  ゲート電極
１１  ソース・ドレイン拡張領域
１２  ソース・ドレイン拡張領域
１３  酸化シリコン膜
１５  サイドウォール
１６  ソース・ドレイン拡散領域
１７  ソース・ドレイン拡散領域
１８  ニッケルシリサイド層
１９ａ  第１絶縁膜
１９ｂ  第２絶縁膜
２０  接続孔
２１  チタン膜
２２  窒化チタン膜
２３  タングステン膜
２４  ストッパ絶縁膜
２５  絶縁膜
２６  配線溝
２７  バリアメタル膜
２８  キャップ絶縁膜
２９  層間絶縁膜
３０  ストッパ絶縁膜
３１  絶縁膜
３２  接続孔
３３  配線溝
３４  バリアメタル膜
３５  窒化シリコン膜
３６  酸化シリコン膜
３７  バンプ下地電極
３８  バンプ電極
５０  成膜装置
５１ａ  第１搬送室
５１ｂ  第２搬送室
５２  ゲートバルブ
５３  ローダ
５４  アンローダ
５５，５６，５７  チャンバ
５７ａ  ウエハステージ
５７ｂ  ウエハリフトピン
５７ｃ，５７ＣＨ  シャワーヘッド
５７ｄ  リモートプラズマ発生装置
５７ｅ  シーリング
５７ｆ  シャドウリング
５７ｇ  排気室
５８，５９，６０，６１  チャンバ
６２ａ，６２ｂ  搬送用ロボット
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６  配線
ＳＷ  半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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