(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低融点の金属材料で構成される金属層と、
該金属層を覆うように設けられ、前記金属層における酸化膜の生長を防止する機能を有するバリア層とを有し、
前記バリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。
【請求項２】
前記バリア層は、前記金属層の一方の面を覆う第１のバリア層と、前記金属層の他方の面を覆う第２のバリア層とで構成され、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層のうち少なくとも一方は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。
【請求項３】
前記第１のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第１の樹脂組成物層を有する請求項２に記載の導電接続シート。
【請求項４】
前記第１のバリア層は、前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第１の金属バリア層を有する請求項３に記載の導電接続シート。
【請求項５】
前記第１の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである請求項４に記載の導電接続シート。
【請求項６】
前記第２のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第２の樹脂組成物層を有する請求項２ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項７】
前記第２のバリア層は、前記第２の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層を有する請求項６に記載の導電接続シート。
【請求項８】
前記第２のバリア層は、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層である請求項２ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項９】
前記第２の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである請求項７または８に記載の導電接続シート。
【請求項１０】
前記金属層は、その表面に酸化膜を有さない請求項１ないし９のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項１５】
対向する端子同士が、請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
対向する端子同士が、請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
【０００３】
端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップを回路基板に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
【０００４】
しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。
【０００５】
他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。
【０００６】
また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分と、フラックス機能を有する化合物とを含有する樹脂組成物で構成される樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。
【０００９】
かかる構成の導電接続シートを、対向する端子間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に、対向する端子間に凝集し、この端子間の領域には樹脂成分が充填されることから、対向する多数の端子同士を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性を確保することができるようになる。
【００１０】
ここで、導電接続シートが備える樹脂組成物層中にフラックス機能を有する化合物が含まれる構成とするのは、金属層の表面に酸化膜が生長するにしたがって、金属層を溶融させた際における金属材料の端子間への凝集力が低下するため、この凝集力の低下を抑制または防止することにある。したがって、フラックス機能を有する化合物が樹脂組成物層中に含まれていると、かかる化合物の還元作用により、たとえ酸化膜が生長したとしても、金属層から表面酸化膜を除去することができ、その結果、溶融状態の金属材料を確実に対向する端子間に凝集させることができるようになる。
【００１１】
しかしながら、表面酸化膜を金属層から確実に除去するために、樹脂組成物層中における含有量を多くすると、フラックス機能を有する化合物の種類によっては、かかる化合物を含有する樹脂成分による絶縁性が十分に確保することができず、隣接する端子間でリーク電流が生じるという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、フラックス機能を有する化合物の樹脂組成物層中に対する添加を省略しても、溶融状態の金属材料を選択的に端子間に凝集させることができ、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（１６）に記載の本発明により達成される。
（１）  低融点の金属材料で構成される金属層と、
該金属層を覆うように設けられ、前記金属層における酸化膜の生長を防止する機能を有するバリア層とを有し、
前記バリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。
【００１４】
（２）  前記バリア層は、前記金属層の一方の面を覆う第１のバリア層と、前記金属層の他方の面を覆う第２のバリア層とで構成され、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層のうち少なくとも一方は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。
【００１５】
（３）  前記第１のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第１の樹脂組成物層を有する上記（２）に記載の導電接続シート。
【００１６】
（４）  前記第１のバリア層は、前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第１の金属バリア層を有する上記（３）に記載の導電接続シート。
【００１７】
（５）  前記第１の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである上記（４）に記載の導電接続シート。
【００１８】
（６）  前記第２のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第２の樹脂組成物層を有する上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１９】
（７）  前記第２のバリア層は、前記第２の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層を有する上記（６）に記載の導電接続シート。
【００２０】
（８）  前記第２のバリア層は、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層である上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２１】
（９）  前記第２の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである上記（７）または（８）に記載の導電接続シート。
【００２２】
（１０）  前記金属層は、その表面に酸化膜を有さない上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２３】
（１１）  上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２４】
（１２）  上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２５】
（１３）  上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００２６】
（１４）  上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００２７】
（１５）  対向する端子同士が、上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００２８】
（１６）  対向する端子同士が、上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の導電接続シートのように、バリア層で、金属層を覆う構成とすることで、たとえ樹脂組成物層を、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成されたものとしても、導電接続シートにおいて、金属層の表面における酸化膜の生長を的確に防止または抑制することができる。
【００３０】
そのため、本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された封止層を形成することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００３１】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された補強層を形成することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の導電接続シートが備える金属層の他の構成例を示す平面図である。
【図４】本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図６】本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。
【図７】本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００３５】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３６】
図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。
【００３７】
インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００３８】
インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。
【００３９】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００４０】
各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
【００４１】
バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
【００４２】
このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
【００４３】
また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。
【００４４】
なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。
【００４５】
また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。
【００４６】
かかる構成の半導体装置１０において、接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の導電接続シートが適用される。
【００４７】
以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
＜導電接続シート＞
図２は、本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図、図３は、本発明の導電接続シートが備える金属層の他の構成例を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４８】
本発明の導電接続シートは、低融点の金属材料で構成される金属層と、この金属層を覆うように設けられ、金属層における酸化膜の生長を防止する機能を有するバリア層とを有し、バリア層は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする。
【００４９】
このように、導電接続シートにおいて、金属層をバリア層で覆う構成とすることで、金属層の表面における酸化膜の生長（形成）を的確に防止または抑制することができる。
【００５０】
そのため、このような導電接続シートを用いた、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された封止層を形成することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００５１】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された補強層を形成することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００５２】
本実施形態では、導電接続シート１において、金属層１２の両面を第１のバリア層および第２のバリア層で覆い、これら第１のバリア層および第２のバリア層が、それぞれ、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３で構成され、導電接続シート１は、図２に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された三層構造をなす積層体で構成されるものである。すなわち、導電接続シート１は、金属層１２の両面を覆うように、下面には第１の樹脂組成物層１１が、上面には第２の樹脂組成物層１３が設けられた三層構造をなす積層体で構成されるものである。
【００５３】
かかる構成の導電接続シート１において、金属層１２が、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成され、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成されている。
【００５４】
以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１のバリア層および第２のバリア層としてそれぞれ機能する第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、本実施形態では、ともに、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成されているため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。
【００５５】
＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成される。
【００５６】
なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。
【００５７】
樹脂組成物は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しないものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。
【００５８】
硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。
【００５９】
また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００６０】
なお、本明細書中において、「フラックス機能を有する化合物」とは、金属材料で構成される部材の表面に形成された酸化膜（表面酸化膜）を還元して除去する作用を有するものである。
【００６１】
このようなフラックス機能を有する化合物としては、上述した作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸のような脂肪族カルボン酸や、フェノールフタリン、ジフェノール酸のような芳香族カルボン酸等が挙げられ、金属層の表面に形成された酸化膜を除去することを目的に樹脂組成物中に添加される。
【００６２】
しかしながら、本発明では、バリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３で金属層１２を覆う構成としたため、金属層１２における酸化膜の生長が防止されるので、樹脂組成物中への、フラックス機能を有する化合物の添加が省略される。すなわち、本発明では、樹脂組成物層１１は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成される。
【００６３】
そのため、フラックス機能を有する化合物を添加することなく、導電接続シート１を製造することができるので、導電接続シート１を用いて形成される封止層８０において生じるマイグレーションに起因して、隣接する端子２１、４１間同士でリーク電流が発生してしまうのをより一層抑制または防止することができる。
【００６４】
（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。
【００６５】
また、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【００６６】
以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。
【００６７】
このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
【００６９】
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００７０】
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。
【００７１】
さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
【００７２】
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
【００７３】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００７４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００７５】
例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７６】
また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７７】
硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【００７８】
（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。
【００７９】
このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。
【００８０】
具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００８１】
なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００８２】
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドが好ましい。
【００８３】
また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。
【００８４】
また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
【００８５】
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８６】
また、酸二無水物としては、例えば、３，３，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８７】
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００８８】
フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。
【００８９】
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００９０】
また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
【００９１】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００９２】
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層（導電接続材料）１１を容易に取り扱うことが可能となる。
【００９３】
（iii）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【００９４】
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【００９５】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
【００９６】
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子２１、４１間に形成された接続部８１の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
【００９７】
（iｖ）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。
【００９８】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９９】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１００】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子２１、４１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８０中に金属層１２の一部が残存し、封止層８０における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。
【０１０１】
（ｖ）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
【０１０２】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、インターポーザー３０等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１０３】
なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
【０１０４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１０５】
なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。
【０１０６】
また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
【０１０７】
また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。
【０１０８】
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。
【０１０９】
また、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０１１０】
（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。
【０１１１】
熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。
【０１１２】
また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。
【０１１３】
また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１１４】
例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１１５】
また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１１６】
熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１１７】
（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。
【０１１８】
なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、およびフィルム形成性樹脂５〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、およびフィルム形成性樹脂１０〜４５重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、およびフィルム形成性樹脂１５〜４０重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１１９】
また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８０を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子２１、４１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８１の形成も可能にすることができる。
【０１２０】
以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、金属層１２の表面で酸化膜が生長するのを防止するバリア層として機能する。また、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法においてそれぞれ形成される封止層８０および補強層８６を構成する構成材料となるものである。
【０１２１】
＜＜金属層１２＞＞
金属層（金属箔層）１２は、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成される層である。
かかる金属層１２を、その融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は濡れ性を有するものとなる。そのため、端子２１、４１との間に選択的に金属層１２が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８１が形成される。
【０１２２】
特に、この金属層１２を、その表面に実質的に酸化膜（表面酸化膜）が形成されていないものとすると、溶融状態の金属層１２は、より優れた濡れ性を有するものとなる。そのため、端子２１、４１との間に溶融状態の金属層１２をより高い選択性をもって凝集させることができるようになる。
【０１２３】
このように金属層１２を、その表面に実質的に酸化膜（表面酸化膜）が形成されていないものとするには、導電接続シート１の製造を非酸化雰囲気中で行うことで得られた、実質的に酸化膜が形成されていない金属層１２を、樹脂組成物層１１、１３で覆う必要があるが、この点については、導電接続シート１の製造方法において後述する。
【０１２４】
ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０における端子２１、４１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１２５】
さらに、接続部８１形成後、すなわち端子２１、４１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。
【０１２６】
なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。
【０１２７】
このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。
【０１２８】
このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。
【０１２９】
なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。
【０１３０】
具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられる。
【０１３１】
また、金属層１２の厚さは、特に限定されないが、対向する端子２１、４１間のギャップ、および隣接する端子間２１、４１の離隔距離等に応じて適宜設定される。
【０１３２】
例えば、本実施形態のように、半導体装置１０における端子２１、４１間の接続においては、金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１３３】
なお、金属層１２の作製方法は、特に限定されないが、インゴット等の塊から圧延により作製する方法、樹脂組成物層１１へ直接蒸着、スパッタ、めっき等により形成する方法等が挙げられる。
【０１３４】
また、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１３５】
導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１３６】
あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１３７】
なお、本実施形態では、図２に示すように、金属層１２は、樹脂組成物層１１の全面に形成されている場合について説明したが、かかる場合に限定されず、金属層１２は、平面視で樹脂組成物層１１の少なくとも一部に形成されていればよく、その形状は特に限定されない。
【０１３８】
すなわち、金属層が、平面視で樹脂組成物層１１の一部に形成されている場合、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０１３９】
具体的には、図３に示すように、樹脂組成物層１１の上に、各種形状にパターニングされた金属層１２が形成されている。例えば、金属層１２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０１４０】
また、繰り返しパターン状の金属層の作製方法は、特に限定されないが、平面状に形成した金属箔を所定のパターンに打抜く方法、エッチング等により所定のパターンを形成する方法、また、遮蔽板やマスク等を使用することにより蒸着、スパッタ、めっき等で形成する方法等が挙げられる。
【０１４１】
以上のような導電接続シート１の形態は、樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物の形態等に応じて適宜設定される。
【０１４２】
例えば、硬化性樹脂組成物が液状をなす場合、金属層１２を用意し、その両面に硬化性樹脂組成物を塗布し、このものを所定温度で半硬化（Ｂステージ化）することで樹脂組成物層１１、１３としたものを導電接続シート１として供することができる。また、ポリエステルシート等の剥離基材上に硬化性樹脂組成物を塗布し、このものを所定温度で半硬化（Ｂステージ化）等の目的で成膜させた後に、剥離基板から引き剥がし、金属層１２に張り合わせてフィルム上にしたものを導電接続シート１として供することができる。
【０１４３】
また、樹脂組成物が固形状をなす場合は、有機溶剤に溶解した樹脂組成物のワニスをポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥させて樹脂組成物層１１、１３を形成し、その後に金属層１２を張り合わせたものを導電接続シート１として供することができる。また、上記と同様にして得られた樹脂組成物層１１上に、蒸着等の手法を用いて金属層１２を形成し、さらに金属層１２上に上記と同様にして得られた樹脂組成物層１３を貼り合わせてフィルム状にしたものを導電接続シート１として供することもできる。
【０１４４】
なお、金属層１２は、樹脂組成物層１１との密着性を高めることを目的に、エンボス加工が施されたものであってもよい。
【０１４５】
また、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８０を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。
【０１４６】
なお、金属層１２の表面における酸化膜の生長をより確実に防止すると言う観点からは、導電接続シート１を、その両面に樹脂組成物層１１、１３を保護するカバーシートをそれぞれ備える構成としてもよい。
【０１４７】
かかるカバーシートの水蒸気透過度は、特に限定されないが、３０ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ・２５μｍ厚・４０℃・９０％ＲＨ以下であるのが好ましく、１０ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ・２５μｍ厚・４０℃・９０％ＲＨ以下であるのがより好ましい。
【０１４８】
また、このような水蒸気透過度を有するカバーシートとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、これらポリオレフィン樹脂のブレンド樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体等の単層フィルム、これらのフィルムにアルミニウム、シリカ等を蒸着したもの、アルミニウムフィルム、アルミニウムラミネートフィルム等の金属箔または金属箔を含むフィルムが挙げられる。
【０１４９】
なお、このカバーシートは、導電接続シート１を用いて、接続部８１および封止層８０を形成する際や、接続端子８５および補強層８６を形成する際には、その形成に先立って導電接続シート１から剥離される。
【０１５０】
＜導電接続シートの製造方法＞
次に、上述したような構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
【０１５１】
（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、まず、金属層１２を用意する。
この金属層１２は、例えば、インゴット等の塊から圧延により製造することができる。
【０１５２】
次に、金属層１２を、液状をなす樹脂組成物に中に含浸することにより、金属層１２の両面に、液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。
【０１５３】
なお、形成すべき樹脂組成物層１１、１３に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物中に浸漬させた金属層１２を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、金属層１２に吹き付けることにより、目的とする厚さの樹脂組成物層１１、１３を容易に製造することができる。
【０１５４】
（ii）２５℃で樹脂組成物がフィルム状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃でフィルム状をなす場合、まず、ポリエステルシート等の剥離基材を用意する。
【０１５５】
次に、樹脂組成物を有機溶剤に溶解して得られたワニスを、剥離基材上に、塗布した後、所定の温度で乾燥させることにより、フィルム状の樹脂組成物層１１、１３を形成する。
【０１５６】
次に、前記工程により得られるフィルム状の樹脂組成物層１１、１３を個別に用意し、予め製造しておいた金属層１２を、これらフィルム状の樹脂組成物層の間に挾持した状態で、熱ロールでラミネートすることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。
【０１５７】
また、かかる方法以外の方法としては、まず、例えば、剥離基材上に、真空蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法を用いて金属層１２を形成する。
【０１５８】
次に、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層１１を、金属層１２の剥離基材と反対側の面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートとした後、剥離基材を金属層１２から剥離する。
【０１５９】
さらに、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層１３を、金属層１２の剥離基材を剥離した面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートすることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。
【０１６０】
なお、巻重状の金属層１２を使用する場合には、金属層１２をベース基材として用いて、金属層１２の両面側に上述したフィルム状の樹脂組成物層１１、１３を熱ロールを用いてラミネートすることで、巻重状の導電接続シート１を得ることができる。
【０１６１】
さらに、巻重状の金属層１２を使用する場合、金属層１２の両面に、上述したようにして得られたワニスを直接塗布し、その後、溶剤を揮散させて乾燥ことにより、巻重状の導電接続シート１を得ることができる。
【０１６２】
なお、パターン状の金属層を備える導電接続シートを製造する場合には、まず、例えば、剥離基材上にシート状をなす金属層を配置し、金属層側から金型を用いて金属層をハーフカットすることで、余分な金属層を除去することでパターン状をなす金属層を形成する。
【０１６３】
次に、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層を、金属層の剥離基材と反対側の面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートとした後、剥離基材を金属層から剥離する。
【０１６４】
さらに、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層を、金属層の剥離基材を剥離した面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートすることにより、金属層の両面に樹脂組成物層が形成された導電接続シートを製造することができる。
【０１６５】
なお、導電接続シートの製造方法は、上述した方法に限定されるものではなく、導電接続シートの製造方法は、目的や用途に応じて適宜選択することができる。
【０１６６】
以上のような方法により導電接続シート１を製造することができるが、金属層１２を、実質的にその表面に酸化膜を有さないものとする場合、上述した導電接続シート１の製造方法において、金属層１２を用意する工程と、この金属層１２にバリア層である樹脂組成物層１１、１３を形成する工程とを、非酸化雰囲気下で行うことにより、かかる構成の金属層１２を得ることができる。
【０１６７】
なお、本明細書中において、「非酸化性雰囲気」とは、酸素を含有しない雰囲気であればいかなる雰囲気であっても良く、例えば、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられる。
【０１６８】
以上のような導電接続シート１が、例えば、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０の形成に用いられる。
【０１６９】
導電接続シート１を用いた接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０１７０】
＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について詳述する。
【０１７１】
図４は、本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１７２】
以下に説明する接続部８１および封止層８０の形成方法では、導電接続シート１を半導体チップ（基材）２０が有する端子２１と、インターポーザー（対向基材）３０に設けられた端子４１との間に配置する配置工程と、金属材料の融点以上に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。
【０１７３】
なお、接続部８１および封止層８０を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０１７４】
＜＜第１実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１実施形態では、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０に設けられた端子４１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２（金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。
【０１７５】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０とを用意する。
【０１７６】
次いで、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、インターポーザー３０の端子４１側の面に熱圧着させる。
【０１７７】
そして、この状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを、図４（ａ）に示すように、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向するように位置あわせする。
【０１７８】
これにより、端子２１と端子４１とがそれぞれ対向した状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、導電接続シート１が配置されることとなる。
【０１７９】
なお、導電接続シート１は、図４（ａ）に示すように、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着される場合に限らず、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０１８０】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０１８１】
加熱温度は、金属層１２の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
【０１８２】
具体的には、加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０１８３】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体チップ２０およびインターポーザー３０等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。
【０１８４】
このような温度で導電接続シート１を、金属層１２の融点以上に加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０１８５】
この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間の間に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１、４１間への凝集力が特に向上する。
【０１８６】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０１８７】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。
【０１８８】
以上のような導電接続シート１を用いた接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０１８９】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０１９０】
なお、本工程［２］では、対向する端子２１、４１間の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間の接続部８１による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。
【０１９１】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０１９２】
［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。
【０１９３】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０１９４】
特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８０の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０１９５】
硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
【０１９６】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。
【０１９７】
＜＜第２実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２実施形態では、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。
【０１９８】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１実施形態と同様にして、端子２１と端子４１とがそれぞれ対向した状態で、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に、導電接続シート１を配置する。
【０１９９】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上の温度で加熱する。
【０２００】
加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２０１】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。
【０２０２】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２０３】
この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間の間に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１、４１間への凝集力が特に向上する。
【０２０４】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２０５】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間の間に選択的に凝集する。
【０２０６】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。
【０２０７】
以上のような接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２０８】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２０９】
［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２１０】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２１１】
熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。
【０２１２】
熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８０の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。
【０２１３】
熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８１を確実に形成することができるとともに、封止層８０を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子２１、４１間のショートをより確実に防止することができる。
【０２１４】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。
【０２１５】
なお、第１実施形態および第２実施形態では、端子２１が、半導体チップ２０に形成されている面側から突出し、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている場合について説明したが、本発明の端子間の接続方法は、かかる場合に限定されず、端子４１が、インターポーザー３０の端子４１が形成されている面から突出することなく露出し、端子２１が、半導体チップ２０の端子２１が形成されている面から突出する構成をなしている場合にも適用することができる。また、端子４１が、インターポーザー３０の端子４１が形成されている面から突出することなく露出し、端子２１も、半導体チップ２０の端子が形成されている面側から突出することなく露出する構成をなしている場合にも適用することができる。
【０２１６】
さらに、端子４１が、インターポーザー３０の端子４１が形成されている面から突出し、端子２１が、半導体チップ２０の端子２１が形成されている面から突出することなく、露出する構成をなしている場合にも適用することができる。
【０２１７】
また、第１実施形態および第２実施形態では、半導体チップ２０とインターポーザー３０とがそれぞれ備える端子２１と端子４１との間に、接続部８１を形成して電気的に接続する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種電子機器が有する電子部品が備える端子同士を電気的に接続する場合に適用することができ、電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、リジッド基板およびフレキシブル基板等が挙げられる。
【０２１８】
＜本発明の接続端子の形成方法＞
次に、本発明の接続端子の形成方法を用いて、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について説明する。
【０２１９】
この場合、まず、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成し、次いで、これら接続端子８５と補強層８６が設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に、接続（実装）することにより、接続部８１と封止層８０とが形成される。
【０２２０】
以下では、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成する方法について詳述する。
【０２２１】
図５は、本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２２２】
以下に説明する接続端子８５および補強層８６の形成方法では、半導体チップ２０の端子２１側の面に、導電接続シート１を配置する配置工程と、導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２２３】
なお、接続端子８５と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第３実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第４実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０２２４】
＜＜第３実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第３実施形態では、半導体チップ２０の端子２１側の面に、導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２２５】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、図５（ａ）に示すように、下面側に端子２１を備える半導体チップ２０を用意する。
【０２２６】
次いで、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着（配置）させる。
【０２２７】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２２８】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２２９】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２３０】
この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１の表面に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１の表面への凝集力が特に向上する。
【０２３１】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１の表面に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２３２】
以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。このとき、接続端子８５の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２３３】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２３４】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２３５】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２３６】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２３７】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子および補強層の形成方法が適用される。
【０２３８】
なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。
【０２３９】
以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２４０】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、冷却することで、半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とを形成することができる。
【０２４１】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２４２】
＜＜第４実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第４実施形態では、半導体チップ２０の端子２１側の面に、導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４３】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第３実施形態と同様にして、半導体チップ２０の端子２１側に導電接続シート１を熱圧着（配置）させる。
【０２４４】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２４５】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２４６】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２４７】
この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１の表面に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１の表面への凝集力が特に向上する。
【０２４８】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１の表面に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２４９】
以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、接続端子８５の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２５０】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２５１】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２５２】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２５３】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２５４】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子および補強層の形成方法が適用される。
【０２５５】
以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２５６】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、冷却することで、半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とを形成することができる。
【０２５７】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、熱可塑性樹脂成分が含まれるため、前記のように冷却することで熱可塑性樹脂組成物を固化させることができ、これにより、封止層８０が固定されるため、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２５８】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０の端子２１が設けられている面上に、接続端子８５が形成され、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６が形成される。
【０２５９】
なお、第３実施形態および第４実施形態では、半導体チップ２０が備える端子２１に対応するように接続端子８５を形成する場合に、本発明の接続端子の形成方法を適用する場合ついて説明したが、この場合に限定されず、各種電子機器に用いられる電子部品が備える端子（電極）上に、接続端子（バンプ）を形成する場合に適用することができ、各種電子部品としては、例えば、半導体ウエハおよびフレキシブル基板等が挙げられる。
【０２６０】
また、前記第１〜第４実施形態では、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０を、図２に示した導電接続シート１を用いて形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような構成の導電接続シート１’および導電接続シート１”を用いることができる。
【０２６１】
図６は、本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２６２】
以下、本発明の導電接続シートの他の構成例である導電接続シート１’について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０２６３】
導電接続シート１’では、第１のバリア層および第２のバリア層の構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２６４】
すなわち、導電接続シート１’では、第１のバリア層が、第１の樹脂組成物層１１と第１の金属バリア層１１１との積層構造をなし、第２のバリア層が、第２の樹脂組成物層１３と第２の金属バリア層１３１との積層構造をなすこと以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２６５】
以下、これらの層について説明するが、第１のバリア層および第２のバリア層については、ともに、同様の構成をなしているため、第１のバリア層を代表に説明する。
【０２６６】
第１のバリア層は、上記にように、第１の樹脂組成物層１１と第１の金属バリア層１１１との積層構造をなし、第１の金属バリア層１１１が金属層１２側に位置する構成となっている。
【０２６７】
これらのうち第１の樹脂組成物層１１は、前述した導電接続シート１が有する第１の樹脂組成物層１１と同様の構成をなすものである。
【０２６８】
また、第１の金属バリア層１１１は、実質的に酸化膜が形成されていない金属材料で構成されるものである。
【０２６９】
このような第１の金属バリア層１１１としては、特に限定されないが、例えば、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものが挙げられる。かかる材料を主材料として構成される金属バリア層は、その表面に酸化膜が実質的に形成されないものとなるとともに、比較的薄い膜厚のものを成膜した場合でも、金属層１２の表面に酸化膜が形成されるのを防止するバリア層としての機能を好適に発揮するものとなる。さらに、導電接続シート１’を用いて接続部８１を形成した際に、この接続部８１中に、第１の金属バリア層１１１の構成材料が取り込まれたとしても、接続部８１としての機能が低下するのを的確に抑制または防止することができる。
【０２７０】
また、第１の金属バリア層１１１は、その膜厚が金属バリア層としての機能を発揮し得る限り可能な限り、薄く設定されているのが好ましく、具体的には、０．００５〜２μｍ程度であるのが好ましく、０．０１〜１μｍ程度であるのがより好ましい。第１の金属バリア層１１１の膜厚が上記下限値未満となると、第１の金属バリア層１１１を構成する構成材料の種類によっては金属バリア層としての機能が発揮されないおそれがある。また、第１の金属バリア層１１１の膜厚が上記上限値を超えると、第１の金属バリア層１１１を構成する構成材料の種類によっては、導電接続シート１’を用いて形成された接続部８１の機能が低下してしまうおそれがある。
【０２７１】
以上のように、第１のバリア層を、第１の樹脂組成物層１１の他に、さらに第１の金属バリア層１１１を備える構成とすることで、バリア層としての機能を第１のバリア層により確実に付与することができる。これにより、金属層１２の表面において酸化膜が生長してしまうのを、より的確に抑制または防止することができる。
【０２７２】
なお、本構成では、第２のバリア層は、上述した第１のバリア層と同様の構成のものであればよく、第２のバリア層が備える第２の樹脂組成物層１３および第２の金属バリア層１３１は、それぞれ、第１のバリア層が備える第１の樹脂組成物層１１および第１の金属バリア層１１１と同一の組成のものであっても良く、異なる組成のものであっても良い。これらの金属バリア層を金属層１２の片面もしくは両面に形成することで導電接続シート１の樹脂組成物１１、１３の形成を酸化雰囲気下で行なうこともできる。
【０２７３】
また、導電接続シート１’では、第１のバリア層および第２のバリア層のいずれか一方が、バリア層における金属バリア層の形成が省略され、樹脂組成物層の単層構造をなすものであっても良い。
【０２７４】
さらに、図７は、本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２７５】
以下、本発明の導電接続シートの他の構成例である導電接続シート１”について説明するが、前述した導電接続シート１および導電接続シート１’との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０２７６】
導電接続シート１”では、第２のバリア層の構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２７７】
すなわち、導電接続シート１”では、第２のバリア層が、第２の金属バリア層１３１で構成され、第１のバリア層が、第１の樹脂組成物層１１で構成されること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２７８】
これらのうち第２の金属バリア層１３１は、前述した導電接続シート１’が有する第２の金属バリア層１３１と同様の構成をなすものである。
【０２７９】
また、第１の樹脂組成物層１１は、前述した導電接続シート１が有する第１の樹脂組成物層１１と同様の構成をなすものである。
【０２８０】
以上のように、第２のバリア層を第２の金属バリア層１３１で構成し、第１のバリア層を第１の樹脂組成物層１１で構成した場合にも、これらにバリア層としての機能を発揮させることができるので、金属層１２の表面において酸化膜が生長してしまうのを、より的確に抑制または防止することができる。
【０２８１】
なお、導電接続シート１”では、第１のバリア層が、第１の樹脂組成物層１１と第１の金属バリア層１１１との積層構造をなすものであっても良い。
【０２８２】
以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０２８３】
例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０２８４】
また、本発明の端子間の接続方法および接続端子の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【０２８５】
１、１’、１”    導電接続シート
１０              半導体装置
１１              第１の樹脂組成物層
１１１            第１の金属バリア層
１２              金属層
１３              第２の樹脂組成物層
１３１            第２の金属バリア層
２０              半導体チップ
２１              端子
３０              インターポーザー
４１              端子
７０              バンプ
８０              封止層
８１              接続部
８５              接続端子
８６              補強層
【図１】
0005581734.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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