(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
対向する第１の主表面および第２の主表面を備える基板を準備し、前記第１の主表面および第２の主表面に対して精密研磨を行い、第１の主表面および第２の主表面がともに、基板の中心を基準とした１３２ｍｍ角内の領域での平坦度を０．３μｍ以下にし、かつ二乗平均平方根粗さＲｑを０．２５ｎｍ以下にする工程と、
前記精密研磨後の基板の第１の主表面に前記第２の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさを有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面に対して研磨を行い、前記底面の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にする平滑化工程と、
をこの順に行うものであり、
前記凹部を形成する工程は、
前記第１の主表面に小孔を形成する小孔形成工程と、
前記小孔の底面近傍の側壁を切削して前記小孔の底面を広げる底面拡大工程と、
広げられた底面の上にある前記小孔の側壁を除去する側壁除去工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項２】
前記底面拡大工程と前記側壁除去工程とを交互に実施することを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項３】
前記底面拡大工程は、
回転軸に固定された研削ディスクを前記小孔の中に挿入する段階と、
前記研削ディスクを前記小孔の底面近傍の側壁に当てて、この底面近傍の側壁を研削する段階と、を備え、
前記側壁除去工程では、前記研削ディスクにより研削された部分よりも第１の主表面側にある側壁を除去する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板の第１の主表面に外周溝部を形成する工程と、前記外周溝部の内側に内周溝部を形成する工程とをさらに備え、
前記小孔形成工程は、少なくとも前記外周溝部および内周溝部に掛かる大きさの底面を有する小孔を形成するものであり、
前記底面拡大工程は、回転軸に固定された研削ディスクを前記小孔の中に挿入する段階と、前記研削ディスクを前記小孔の底面近傍の側壁に当てつつ、前記回転軸を前記内周溝部に沿って移動させ、この底面近傍の側壁を研削する段階とを備え、
前記側壁除去工程は、前記外周溝、内周溝および広げられた小孔の底面に囲まれる基板部分を除去するものである
ことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項５】
前記小孔形成工程において形成される小孔は、前記凹部の外周部分に形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項６】
前記凹部は、当該凹部の底面と前記第２の主表面との間の距離が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下となる深さを有することを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項７】
前記平滑化工程は、底面に対し、磁性流体研磨、研磨スラリーを用いた研磨および化学機械研磨のうちのいずれかの研磨を行うことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板は、石英ガラスまたはＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第２の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項９に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることを特徴とする請求項９に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか一項に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法によって製造されたインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜およびマスクブランク用基板をエッチング加工するエッチング工程を備えることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドパターンが形成される表側の主表面に対向する裏側の主表面に凹部を形成するマスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板の製造方法を用いたインプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びこのインプリントモールド用マスクブランクの製造方法を用いたインプリントモールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、モールドパターンが形成される表側主表面に対向する裏側の主表面に凹部が形成されたインプリントモールドが知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。基板の裏面に凹部を形成することにより、モールドパターンが形成されている領域の基板の厚さを薄くすることができる。これにより、ウェハ上の光硬化樹脂にモールドパターンを転写した後、モールドパターンが広がる方向に変形させ、モールドを剥離しやすくするようにできるという効果がある。このようなインプリントモールドを形成するためには、モールドパターンを形成する前のインプリントモールド用マスクブランクやマスクブランク用基板の段階において、それらの裏面に凹部が形成されていることが望まれている。
【０００３】
インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板は、モールドパターンを形成する表側の主表面に高い平坦度が求められている。また、裏側の主表面においても、作製されたインプリントモールドを転写装置（スタンパ装置）に設置する際の固定治具は、裏側の主表面にも当接する場合が多いことから、表側の主表面ほどではないが高い平坦度が求められる。このため、最初に、凹部を形成する前の基板の表側および裏側の主表面に対して研削および精密研磨を行い、表側および裏側の主表面の平坦度を各所定値以上にする。その後、基板の裏側の主表面に凹部を形成する。そして、マスクブランク用基板の裏側の主表面に凹部を形成する方法としては、例えば、研削装置の研削ヘッドを基板の裏側の主表面に押し当てて研削していく方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５３６５９１号公報
【特許文献２】特開２００９−１７０７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の方法で凹部を形成し、マスクブランク用基板を製造した場合、凹部を研削するときに凹部の底面に高い圧力が加わる等の要因により、表側の主表面が盛り上がってしまい、表側の主表面の平坦度が悪化するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は、マスクブランク用基板の表側主表面の平坦度を高く維持するマスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴は、インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、対向する第１の主表面および第２の主表面を備える基板を準備し、前記第１の主表面および第２の主表面に対して精密研磨を行い、第１の主表面および第２の主表面がともに、基板の中心を基準とした１３２ｍｍ角内の領域での平坦度を０．３μｍ以下にし、かつ二乗平均平方根粗さＲｑを０．２５ｎｍ以下にする工程と、前記精密研磨後の基板の第１の主表面に前記第２の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさを有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に対して研磨を行い、前記底面の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にする平滑化工程と、をこの順に行うものである。ここで、前記凹部を形成する工程は、前記第１の主表面に小孔を形成する小孔形成工程と、前記小孔の底面近傍の側壁を切削して前記小孔の底面を広げる底面拡大工程と、広げられた底面の上にある前記小孔の側壁を除去する側壁除去工程と、を備える。
【０００８】
本発明の発明者は、基板の表側主表面（第２の主表面）の平坦度を精密研磨等によって高くしても、その後、裏側の主表面（第１の主表面）に凹部を形成すると、表側の主表面の平坦度が悪化してしまう要因について、鋭意研究を行った。その結果、研削によって凹部を形成する際に、凹部底面に掛かる大きな加工圧力等の影響で、凹部底面から基板内部（表側の主表面方向）に向かって所定の厚さで、残留応力が残ってしまうことを突き止めた。そして、凹部底面と第２の主表面との間の基板厚さが従来の凹部を形成していない基板よりも大幅に薄いことから、この残留応力が基板を変形させてしまう。その結果、第２の主表面の平坦度が悪化しているということを突き止めた。
すなわち、本発明の第１の特徴によれば、マスクブランク用基板の表側の主表面の平坦度を高い状態に維持することができる。また、凹部の底面の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にまで平滑化する平滑化工程を備えることで、マスクブランク用基板を用いて形成されたインプリントモールドを用いて、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部の底面における光の散乱を抑制することができる。
また、凹部は、第２の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域に形成されている。これにより、モールドパターンの総ての部分を変形させることができる。また、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部と第１の主表面との境界部分がモールドパターン形成領域に掛からないため、第２の主表面のモールドパターン形成領域の全体に光が入射して、光硬化樹脂の全体を硬化させることができる。
また、凹部を形成する工程については、加工圧力が比較的低い底面拡大工程で小穴の底面を広げることにより、広げられた小孔の底面と第２の主表面（表側主表面）との間の基板部分（基板の内部領域）と、その後の側壁除去工程にて削り取られる基板部分とを分離することができる。よって、その後に行う側壁除去工程において、加工圧力が比較的高い切削加工を基板に対して行っても、その影響が広げられた小孔の底面から基板の第２の主表面までの間の基板部分に及ぶことを抑制できる。これにより、凹部底面の加工で凹部底面と第２の主表面との間の基板内部に生じる残留応力を大幅に低減できる。そして、第１の主表面（裏側主表面）に凹部を形成した後も、基板の第２の主表面の平坦度を高く維持することができ、平坦度の高い第２の主表面に微細な凹凸パターン（モールドパターン）を形成することができる。なお、底面拡大工程と側壁除去工程とを交互に実施すると好ましい。
【０００９】
本発明の第１の特徴において、凹部は、その凹部の底面と第２の主表面との間の距離（基板の厚さ）が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下となる深さであることが望ましい。２．０ｍｍよりも小さいと、凹部底面と第２の主表面との間の基板の厚さが厚くなり過ぎ、第１の主表面に凹部を形成する目的であるモールド剥離時に行うモールドパターンの変形を行うのに大きな力が必要になってしまう。これによって、基板の薄い部分（凹部底面と第２の主表面との間の基板部分）が、変形後に元の形状に戻らなくなる恐れや、亀裂が入る恐れがある。また、０．５ｍｍよりも大きいと、凹部底面と第２の主表面との間の基板の厚さが薄くなり過ぎ、基板の薄い部分の耐力が低く変形時に亀裂が入る恐れがある。なお、凹部の底面と第２の主表面との間の距離の下限値については、０．６ｍｍ以上であるとより好ましく、上限値については１．６ｍｍ以下であるとより好ましい。
【００１１】
また、平滑化工程は、前記底面に対し、磁性流体研磨、研磨スラリーを用いた研磨および化学機械研磨のうちいずれかの研磨を行うことが好ましい。さらに、基板は、石英ガラスまたはＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低膨張ガラスからなることが望ましい。
【００１３】
底面拡大工程が、回転軸に固定された研削ディスクを小孔の中に挿入する段階と、研削ディスクを小孔の底面近傍の側壁に当てて、この底面近傍の側壁を研削する段階とを備え、側壁除去工程では、研削ディスクにより研削された部分よりも第１の主表面側にある側壁を除去してもよい。研削ディスクを用いた基板の加工は、側壁除去工程において行う加工に比べて、底面に掛かる加工圧力が低い加工である。よって、研削ディスクを用いて小孔の底面近傍の側壁を削り取ることにより、側壁除去工程を行う前に、小孔の底面と第２の主表面との間の基板部分と、その後の側壁除去工程にて削り取られる基板部分とを分離することができる。
【００１４】
さらに、底面拡大工程の後、側壁除去工程において、拡大された底面の外周縁に沿って、小径の研削ロッドによって、基板の内部領域と拡大された底面で分離されている基板部分（この段階で除去される部分）と、この段階で基板の内部領域と拡大された底面で分離されていない基板部分とを側壁側も分離して、除去される基板部分をする工程としてもよい。すなわち、除去される基板部分が底面側の切削と側壁側の切削でくり抜いて除去する側壁除去工程としてもよい。このような側壁除去工程では、除去される基板部分を一度に取り出すことができるので、凹部形成に要する時間を大きく短縮できる。また、側壁部分に掛かる力も小さくすることができるので、側壁部分の残留応力も低減でき、内部クラックの発生リスクも低減できる。
【００１５】
また、基板の第１の主表面に外周溝部を形成する工程と、外周溝部の内側に内周溝部を形成する工程とをさらに備え、小孔形成工程を、少なくとも外周溝部および内周溝部に掛かる大きさの底面を有する小孔を形成するものとし、底面拡大工程を、回転軸に固定された研削ディスクを前記小孔の中に挿入する段階と、前記研削ディスクを前記小孔の底面近傍の側壁に当てつつ、前記回転軸を前記内周溝部に沿って移動させ、この底面近傍の側壁を研削する段階とを備えるものとし、側壁除去工程を、外周溝、内周溝および広げられた小孔の底面に囲まれる基板部分を除去するようにしてもよい。このようなマスクブランク用基板の製造方法とすることにより、外周溝部と内周溝部と広げられた小孔の底面に囲まれる基板部分を一度に取り出すことができるので、凹部形成に要する時間を大きく短縮できる。基板内部に掛かる力が小さい小径の研削ロッドで外周溝部と内周溝部を形成するため、側壁部分の残留応力も低減でき、内部クラックの発生リスクも低減できる。
【００１６】
また、小孔形成工程において形成される小孔は、凹部の外周部分に形成してもよい。凹部の開口の中心は、第２の主表面におけるモールドパターン形成領域の中心近傍に一致させることが望ましい。また、最初に形成した小孔の底面に対向する第２の主表面の領域は加工圧力の影響を受ける場合がある。このため、最初に形成する小孔は、モールドパターン形成領域の中心から極力外れた（凹部の外周部分）に形成する。これにより、モールドパターン形成領域に与える加工応力の影響を小さく抑えることができる。
【００１７】
本発明の第２の特徴は、第１の特徴に係わるマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第２の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えるインプリントモールド用マスクブランクの製造方法であることを要旨とする。ここで、前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることが好ましい。あるいは、前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることが望ましい。
【００１８】
本発明の第３の特徴は、第２の特徴に係わるインプリントモールド用マスクブランクの製造方法によって製造されたインプリントモールド用マスクブランクにおける薄膜及びマスクブランク用基板をエッチング加工するエッチング工程を備えるインプリントモールドの製造方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、マスクブランク用基板の内部に残留する応力を低減し、マスクブランク用基板の表側の主表面の平坦度を高い状態に維持するマスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の構成を示す断面図であり、図１（ｂ）は、マスクブランク用基板の第１の主表面ＳＦ１側から見た上面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｈ）は、本発明の第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板５の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｈ）は、本発明の第２の実施の形態に係わるマスクブランク用基板５の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｈ）は、本発明の第３の実施の形態に係わるマスクブランク用基板５の製造方法の前半の工程を示す工程断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｆ）は、本発明の第３の実施の形態に係わるマスクブランク用基板５の製造方法の後半の工程を示す工程断面図である。
【図６】第４の実施の形態に係わるインプリントモールド用マスクブランクの製造方法により製造されたインプリントモールド用マスクブランク３の構成を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）は、第５の実施の形態に係わるインプリントモールド２の製造方法により製造されたインプリントモールド２の構成を示す断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のインプリントモールド２の使用状態を説明するための概略断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｇ）は、第５の実施の形態に係わるインプリントモールド２の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】比較例に係わる基板の第２の主表面の平坦度を示す鳥瞰図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して、本発明の第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板５の構成を説明する。図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は第１の主表面ＳＦ１側から見た上面図である。
【００２３】
マスクブランク用基板５は、インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板である。マスクブランク用基板５は、対向する第１の主表面ＳＦ１及び第２の主表面ＳＦ２を備える平板状の基板１１の第１の主表面ＳＦ１に所定の大きさを有する凹部ＣＶが形成されたものである。凹部ＣＶは、第１の主表面ＳＦ１に平行な底面ＢＦと、第１の主表面ＳＦ１と底面ＢＦの間をほぼ垂直に繋ぐ側壁ＳＤとにより規定される窪みである。凹部ＣＶの底面ＢＦと第２の主表面ＳＦ２との距離ＴＨは、例えば、１．５ｍｍである。なお、側壁ＳＤは必ずしも垂直である必要はなく、凹部ＣＤがすり鉢状になるような傾斜した形状であってもよい。
【００２４】
このマスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２上にクロム等から成るパターン形成用の薄膜を成膜したものがマスクブランクである。そして、このマスクブランクの薄膜が成膜された側の基板１１の主表面にモールドパターン（凹凸パターン）を形成したものがインプリントモールドである。
【００２５】
すなわち、マスクブランク用基板５は、モールドパターンが形成される予定の主表面（第２の主表面ＳＦ２）に対向する側の主表面（第１の主表面）に、凹部ＣＶが形成された基板１１からなる。
【００２６】
図１（ｂ）に示すように、基板１１は方形状の形状を有し、凹部ＣＶは円形の形状を有する。もちろん、基板１１の形状はこのような矩形状に限定されず、また凹部ＣＶの形状もこのような円形状に限定されず、矩形状やその他の多角形状であってもよい。基板１１及び凹部ＣＶの形状は、インプリントモールドの用途、大きさなどに応じて適宜決定される。凹部ＣＶの大きさは、円形状の場合では直径、矩形状の場合は短辺方向の長さで５０ｍｍ以上あることが好ましく、６０ｍｍ以上であると好適である。また、マスクブランク用基板５の剛性確保を考慮すると、マスクブランク用基板５の大きさが約１５２ｍｍ角である場合においては、凹部ＣＶの直径または短辺方向の長さは、１００ｍｍ以下であることが望ましく、９０ｍｍ以下であると好適である。
【００２７】
基板１１の中心と凹部ＣＶの中心は一致していることが最も望ましく、少なくともそのずれが１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下であることが望ましい。第２の主表面ＳＦ２側においてモールドパターンが形成される領域ＭＲの中心を基板１１の中心と一致させることが一般的である。これは、転写対象物のレジスト膜へのインプリントモールドの押し付け時や剥離時の変形がモールドパターン（凹凸パターン）の中心から順次広がっていくようになるためである。凹部ＣＶは真円形状の形状を有することが望ましい。転写装置にインプリントモールドを固定して転写する時の凹部ＣＶと転写装置の固定装置とで形成される空間内の内圧が、第２の主表面ＳＦ２の変形に与える影響が同心円状の分布となり、調整しやすいためである。
【００２８】
基板１１の材質としては、例えば、石英ガラスやＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低膨張ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ＣａＦ２ガラス等のガラス素材、シリコン、ステンレス（ＳＵＳ）、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属素材、樹脂素材等が挙げられる。この中でも、ガラス素材は、精度の高い加工が可能であり、しかも平坦度及び平滑度に優れるため、インプリントモールドを使用してパターン転写を行う場合、転写パターンの歪みなどが生じにくい高精度のパターン転写を行える。また、ガラス素材は、残留応力の残りやすい脆性材料であるため、本発明の効果がより発揮される。光硬化性樹脂に対してパターン転写を行う場合、少なくとも基板１１は、ガラス等の透光性を有する材質から成ることが望ましく、石英ガラスや石英ガラスやＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低膨張ガラスが好ましい。
【００２９】
凹部ＣＶは、少なくとも基板１１の外周部を除く領域に形成されている。凹部ＣＶは、凹部ＣＶを形成した第１の主表面ＳＦ１と反対側の第２の主表面ＳＦ２においてモールドパターン（凹凸パターン）が形成される領域（以後、「モールドパターン形成領域」という）ＭＲを含む大きさの領域に形成される。凹部３が形成される領域がモールドパターン形成領域ＭＲよりも小さいと、外側のモールドパターンにほとんど変形しない部分が発生し、外側に変形するモールドパターンと挟まれるレジスト膜が潰されてしまうおそれがあるからである。特に、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部ＣＶと第１の主表面ＳＦ１との境界部分が、第２の主表面ＳＦ２のモールドパターン形成領域ＭＲに掛かってしまうと、光硬化樹脂を硬化させるための光の入射が正常に行うことができず、樹脂の硬化不良が起る可能性がある。
【００３０】
図２（ａ）〜図２（ｈ）を参照して、本発明の第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板５の製造方法を説明する。
【００３１】
（イ）まず、平板状の基板１１の対向する第１の主表面ＳＦ１および第２の主表面ＳＦ２に対して所定の研削および精密研磨を行い、高い平坦度および高い表面粗さの主表面ＳＦ１、ＳＦ２を有する基板１１を準備する。主表面ＳＦ１、ＳＦ２の研削や精密研磨は、従来のマスクブランクの製造で用いられている製法を適用する。なお、第１の主表面ＳＦ１および第２の主表面ＳＦ２は、基板１１の大きさが例えば１５２ｍｍ角の場合では、基板１１の中心を基準とした１３２ｍｍ角内の領域で平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましく、同じく１３２ｍｍ角内０．２μｍ以下であると好適である。また、第１の主表面ＳＦ１および第２の主表面ＳＦ２の表面粗さは、二乗平均平方根粗さＲｑで０．２５ｎｍ以下（１０μｍ角エリアでの平滑性）であることが好ましい。
【００３２】
（ロ）次に、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、基板１１の第１の主表面ＳＦ１に小孔ＳＣＶを形成する（小孔形成工程）。小孔ＳＣＶは、底面ｂｆ１と、底面ｂｆ１と第１の主表面とを繋ぐ側壁ｓｄ１とで規定される。小孔ＳＣＶは、第１の主表面ＳＦ１の法線方向から見て、凹部ＣＶよりも小さい領域であって、凹部ＣＶが形成される領域の内側に形成される。小孔ＳＣＶは、後述する研削ディスク２１ｂが挿入可能な程度の大きさを有する。また、小孔ＳＣＶは、凹部ＣＶと同じ深さを有する。これらを換言すると、小孔ＳＣＶの側壁ｓｄ１で囲まれた領域は、凹部ＣＶの側壁ＳＤで囲まれた領域よりも小さい領域であって、凹部ＣＶの側壁ＳＤで囲まれた領域の内側に形成される。また、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１は、凹部ＣＶの底面ＢＦと同じ位置に形成される。
【００３３】
なお、小孔形成工程において形成される小孔ＳＣＶは、第１の主表面ＳＦ１の法線方向から見て、モールドパターン形成領域ＭＲの中心から極力離れた箇所に形成することが望ましい。最初に形成される小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１の直径は、少なくも凹部ＣＶの半径よりも小さくする必要がある。小孔ＳＣＶの形成に伴う残留応力の影響の排除を最優先とする場合、小孔ＳＣＶの直径を凹部ＣＶの直径からモールドパターン形成領域の一辺の長さを差し引いた数値の１／２以下とするとよい。しかし、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１の面積は凹部ＣＶの底面ＢＦの面積よりも大幅に小さくなるため、残留応力の影響も小さくなる。これらのことを考慮すると、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１の直径は、凹部ＣＶの底面ＢＦの直径の１／７以上かつ１／２未満とすることが望ましい。なお、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１の直径の下限値は、凹部ＣＶの底面ＢＦの直径の１／６以上であると好ましく、１／５であるとより好ましい。また、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１の直径の上限値は、凹部ＣＶの底面ＢＦの直径の２／５以下であると好ましく、１／３であるとより好ましい。
【００３４】
例えば、直径７０ｍｍφの凹部ＣＶを形成する場合、最初の小孔ＳＣＶの直径は、１０ｍｍ〜３５ｍｍ未満あることが望ましい。また、１２ｍｍ〜２８ｍｍの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、１４ｍｍ〜２３ｍｍの範囲である。また、例えば、厚さ（第１の主表面ＳＦ１と第２の主表面ＳＦ２との間の距離）が６．２５ｍｍの基板１１に凹部ＣＶを形成する場合、小孔ＳＣＶ及び凹部ＣＶの深さは、４．２５ｍｍ〜５．７５ｍｍであることが好ましく、４．７ｍｍ〜５．６ｍｍの範囲であるとより好ましく、例えば５ｍｍ程度である。
【００３５】
具体的には、例えば、後述する、回転軸２２ａの先端に固定された回転可能な棒状の研削ロッド２２ｂを用意する。研削ロッド２２ｂを回転させながら、研削ロッド２２ｂの先端を基板１１の第１の主表面ＳＦ１のうち凹部ＣＶの外周部分に押し当てて、基板１１を研削する。そして、所定の深さまで研削ロッド２２ｂを基板１１の内部に挿入すればよい。なお、小孔形成工程では、研削の代りに、レーザー加工等によって小孔ＳＣＶを形成しても構わない。
【００３６】
（ハ）次に、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１近傍の側壁ｓｄ１を切削して小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１を広げる（底面拡大工程）。具体的には、先ず、回転軸２１ａの先端に固定された回転可能な研削ディスク２１ｂを小孔ＳＣＶの中に挿入する。そして、回転する研削ディスク２１ｂの外周を小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１近傍の側壁ｓｄ１に当てて、この底面ｂｆ１近傍の側壁ｓｄ１を研削する。これにより、小孔ＳＣＶの底面が、図２（ｂ）のｂｆ１から図２（ｄ）のｂｆ２まで広げられる。ただし、側壁ｓｄ１は変化しない。
【００３７】
（ニ）次に、図２（ｅ）及び図２（ｆ）に示すように、広げられた底面ｂｆ２の上にある小孔ＳＣＶの側壁ｓｄ１を除去する（側壁除去工程）。この側壁除去工程では、研削ディスク２１ｂにより研削された部分よりも第１の主表面ＳＦ１側にある側壁ｓｄ１を除去する。換言すれば、底面拡大工程において広げられた底面ｂｆ２と図２（ｃ）の第１の主表面ＳＦ１との間にある基板１１を、研削ロッド２２ｂを用いて研削する。これにより、底面ｂｆ２の外周からほぼ垂直に側壁ｓｄ２が立ち上がる小孔ＳＣＶが形成される。なお、ここでは、側壁ｓｄ１に回転する研削ヘッド２２ｂを押し当てて切削することで、側壁ｓｄ１を除去しているがこの方法に限らない。例えば、第１の主表面ＳＦ１側から研削ヘッドを押し当てることで、上側から切削して側壁ｓｄ１を除去しても、除去する側壁ｓｄ１は底面ｂｆ２と第２の主表面ＳＦ２との間の基板部分とは分離されているので残留応力の問題は特に生じない。また、この工程においても、研削の代りにレーザー加工等によって側壁ｓｄ１を除去しても構わない。
【００３８】
（ホ）図２（ｇ）及び図２（ｈ）に示すように、上記した、底面拡大工程と側壁除去工程とを交互に実施することにより、第１の主表面ＳＦ１に所定の大きさを有する凹部ＣＶを形成する。具体的には、底面拡大工程と側壁除去工程とを交互にそれぞれＮ−１回実施する。Ｎは２以上の自然数である。これにより、小孔ＳＣＶの底面は、Ｎ−１回の底面拡大工程により底面ｂｆＮまで広げられ、小孔ＳＣＶの側面も、Ｎ−１回の側壁除去工程により側壁ｓｄＮまで広げられる。そして、小孔ＳＣＶの底面ｂｆＮを凹部ＣＶの底面ＢＦと等しくし、小孔ＳＣＶの側壁ｓｄＮを凹部ＣＶの側壁ＳＤと等しくする。このように、底面拡大工程と側壁除去工程とを交互に実施することにより、小孔ＳＣＶを凹部ＣＶまで拡大する。
【００３９】
（ヘ）その後、小孔ＳＣＶの底面ｂｆＮ及び側壁ｓｄＮを、磁性流体研磨（ＭＲＦ）や研磨スラリーを用いた研磨加工、化学機械研磨（ＣＭＰ）などの方法により研磨して鏡面に仕上げる（平滑化工程）。平滑化工程では、少なくとも、小孔ＳＣＶの底面ｂｆＮの表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にまで平滑化することが望ましい。以上の工程により、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したマスクブランク用基板５を製造することができる。
【００４０】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。
【００４１】
加工圧力が比較的低い底面拡大工程により、小孔ＳＣＶの底面ｂｆと第２の主面ＳＦ２との間の基板１１部分と、その後の側壁除去工程にて削り取られる基板１１部分とを分離することができる。よって、その後に行う側壁除去工程において、加工圧力が比較的高い加工を基板１１に対して行っても、その影響が小孔ＳＣＶの底面ｂｆから基板１１の第２の主面ＳＦ２までの間の基板１１部分に及ぶことを抑制できる。よって、第１の主面ＳＦ１に凹部ＣＶを形成した後も、基板１１の第２の主面ＳＦ２の平坦度を高く維持することができるので、平坦度の高い第２の主面ＳＦ２に微細な凹凸パターン（モールドパターン）を形成することができる。また、マスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２からマスクブランク用基板５の内部にかけて残留する応力を低減することができる。
【００４２】
研削ディスク２１ｂを用いた基板１１の加工は、側壁除去工程において行う加工に比べて、加工圧力の低い加工である。よって、研削ディスク２１ｂを用いて小孔ＳＣＶの底面ｂｆ近傍の側壁ｓｄを削り取ることにより、側壁除去工程を行う前に、小孔ＳＣＶの底面ｂｆと第２の主面ＳＦ２との間の基板１１部分と、その後の側壁除去工程にて削り取られる基板１１部分とを分離することができる。
【００４３】
凹部ＣＶの開口の中心は、第２の主面ＳＦ２におけるモールドパターン形成領域ＭＲの中心に一致することが望ましい。また、最初に形成した小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１に対向する第２の主面ＳＦ２の領域は加工圧力の影響を受ける場合がある。このため、最初の小孔ＳＣＶは、モールドパターン形成領域ＭＲの中心から極力外れた（外周部分）に形成する。これにより、モールドパターン形成領域ＭＲに与える加工応力の影響を小さく抑えることができる。
【００４４】
凹部ＣＶの底面ＢＦの表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にまで平滑化する。マスクブランク用基板５を用いて形成されたインプリントモールドを用いて、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部ＣＶの底面ＢＦにおける光の散乱を抑制することができる。
【００４５】
凹部ＣＶは、第２の主表面ＳＦ２のモールドパターン形成領域ＭＲを含む大きさの領域に形成されている。これにより、モールドパターンの総ての部分を変形させることができる。また、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部ＣＶと第１の主表面ＳＦ１との境界部分がモールドパターン形成領域ＭＲに掛からないため、第２の主表面ＳＦ２のモールドパターン形成領域ＭＲの全体に光が入射して、光硬化樹脂の全体を硬化させることができる。
【００４６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法は、側壁除去工程が異なること以外は、第１の実施の形態と概ね同じである。この第２の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法で製造されるマスクブランク用基板は、第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法で製造されたものとほぼ同一である。
【００４７】
図３（ａ）〜図３（ｈ）は、第２の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法を説明する図である。（イ）の基板を準備する工程、（ロ）小孔形成工程、（ハ）底面拡大工程、およびそれらの工程を説明する図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法と同じであるので、説明を省略する。
【００４８】
（ニ）の側壁除去工程は、第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法とは異なる。図３（ｅ）及び図２（ｆ）に示すように、広げられた底面ｂｆ２の上にある除去すべき基板部分である除去部ＲＭ１を除去する。この側壁除去工程では、小径の研削ロッド２３ｂを用い、底面拡大工程で底面ｂｆ２側が基板内部領域と既に切り離されている除去部ＲＭ１に対し、底面ｂｆ２の外周縁に沿う側壁側も切り離すことで、除去部ＲＭ１を一括除去する。具体的には以下の工程で行う。まず、底面ｂｆ２の外周縁の上方にあたる第１の主表面ＳＦ１から回転軸２３ａに固定された研削ロッド２３ｂを押し当てて、底面ｂｆ２に向かって切削する。研削ロッド２３ｂが底面ｂｆ２によってＲＭ１が切り離されている深さまで達したら、研削ロッド２３ｂを回転させたまま、今度は底面ｂｆ２の外周縁に沿って１周するまで基板を研削させながら移動させる。これにより、除去部ＲＭ１の側壁側を少なくともこの段階では除去しない基板部分と切り離すことができる。そして、切り離された除去部ＲＭ１を取り除くことで、底面ｂｆ２の外周からほぼ垂直に側壁ｓｄ２が立ち上がる小孔ＳＣＶが形成される。なお、ここでは、第１の主表面ＳＦ１の１箇所から研削ロッド２３ｂを押し当てて、底面ｂｆ２の外周縁に沿って１周させて除去部ＲＭ１を切り離したが、２箇所以上の第１の主表面ＳＦ１から研削ロッド２３ｂを押し当てて、側壁側の切り離し作業を分割して行ってもよい。また、研削ロッド２３ｂの代りに、レーザー加工等によって側壁側との切り離し作業を行っても構わない。
【００４９】
（ホ）および（ヘ）の工程、図３（ｇ）、（ｈ）についても、第１の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法と同じであるので、説明を省略する。以上説明したように、本発明の第２の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法によれば、第１の実施の形態の製造方法の作用効果に加え、以下の作用効果がある。１回の側壁除去工程で除去される除去部ＲＭ１を一度にくり抜くように取り出すことができるので、凹部ＣＶの形成に要する時間を大きく短縮できる。また、研削ロッド２３ｂは小径であり、側壁ｓｄ２に係る力も小さくすることができるので、側壁ｓｄ２部分の残留応力もより低減でき、内部クラックの発生リスクもより低減できる。
【００５０】
（第３の実施の形態）
図４（ａ）〜図４（ｈ）および図５（ａ）〜図５（ｆ）を参照して、本発明の第３の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法を説明する。なお、第１の実施の形態とは製造方法は異なるが、製造されるマスクブランク用基板はほぼ同一である。
【００５１】
最初に（イ）の基板を準備する工程を行うが、第１の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
（ロ）次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、基板１１の第1の主表面ＳＦ１に外周溝部ＧＶ２を形成する。具体的には、最初に、回転軸２３ａに固定された小径の研削ロッド２３ｂを第１の主表面ＳＦ１のうち凹部ＣＶの外周に当たる部分に押し当て、凹部ＣＶと概ね同じ深さまで切削する。さらに、凹部のＣＶの外周に沿って研削ロッド２３ｂを周回させ、研削ロッド２３ｂの側面と先端で切削していくことで、外周溝部ＧＶ２が形成される。外周溝部ＧＶ２は、小孔ＣＶの深さから図４（ｇ）に示す研削ディスク２４ｂの厚さ（あるいは切削幅）を差し引いた深さよりも深いが、深くても小孔ＣＶと同じとする。この場合では、外周溝部ＧＶ２の外周の側壁は、凹部ＣＶの側壁ＳＤに相当し、外周溝部ＧＶ２の底面は、凹部ＣＶの底面ＢＦと同じ深さに位置する。
【００５２】
（ハ）次に、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に示すように、第1の主表面ＳＦ１における外周溝部ＧＶ２の内側に内周溝部ＧＶ３を形成する。内周溝部ＧＶ３の形成方法は、外周溝部ＧＶ２の場合と同様である。なお、外周溝部ＧＶ２が平面視円形状の場合、内周溝部ＧＶ３を外周溝部ＧＶ２と同心の円形状とすることが望ましい。また、内周溝部ＧＶ３と外周溝部ＧＶ２との間隔は、図４（ｇ）に示す研削ディスク２４ｂの回転軸２４ａを内周溝部ＧＶ３に挿入した場合において、研削ディスク２４ｂの外周先端が、外周溝部ＧＶ２の内周側側壁まで到達するようにする。この場合では、内周溝部ＧＶ３の底面は、凹部ＣＶの底面ＢＦと同じ深さに位置する。
【００５３】
（ニ）次に、図４（ｅ）及び図４（ｆ）に示すように、第１の実施の形態における（ロ）の工程と同様に、第１の主表面ＳＦ１に小孔ＳＣＶを形成する（小孔形成工程）。ただし、小孔ＳＣＶは外周溝部ＧＶ２と内周溝部ＧＶ３がともに掛かる位置に形成する。
【００５４】
（ホ）次に、図４（ｇ）及び図４（ｈ）に示すように、小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１近傍の側壁ｓｄ３，ｓｄ４を切削して小孔ＳＣＶの底面ｂｆ１を広げる（底面拡大工程）。具体的には、小孔ＳＣＶから回転軸２４ａの先端に固定された回転可能な研削ディスク２４ｂを挿入する。そして、回転する研削ディスク２４ｂの外周を底面ｂｆ１近傍の側壁ｓｄ３，ｓｄ４に当てつつ、回転軸２４ａを内周溝部ＧＶ３に沿う軌道で移動させる。これによって、外周溝部ＧＶ２と内周溝部ＧＶ３に挟まれる基板の領域（除去部ＲＭ２）が拡大された底面ｂｆ３によって基板内部領域から切り離される。これにより、基板内部領域から切り離された除去部ＲＭ２を一度に除去できる（側壁除去工程）。また、同時に、内周溝部ＧＶ３の内周側壁ｓｄ４の底面ｂｆ１近傍で所定距離（回転軸２４ａの外周から研削ディスク２４ｂの外周端までの距離にほぼ相当）だけ内側まで底面ｂｆ３によって全周にわたって切り込みが入る。
【００５５】
（ト）次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、底面ｂｆ３によって底面側が基板内部領域から既に切り離されている除去部ＲＭ３に対し、研削ロッド２３ｂを用いて溝部ＧＶ４を形成して側壁側も切り離すことで、除去部ＲＭ３を取り除く。なお、外周溝部ＧＶ２、内周溝部ＧＶ３および溝部ＧＶ４は、研削ロッド２３ｂの代りに、レーザー加工等によって側壁側との切り離し作業を行っても構わない。
（チ）さらに、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示すように、残る除去部ＲＭ４については、側壁ｓｄ５の底面ｂｆ３近傍に研削ディスク２４ｂの外周を当てつつ周回軌道することで、基板内部領域から除去部ＲＭ４を切り離す。そして、切り離された除去部ＲＭ４を取り除き、凹部ＣＶが形成される。除去部ＲＭ４が研削ディスク２４ｂを周回軌道させただけでは、基板内部領域から切り離せない部分が残る場合においては、溝部ＧＶ４を形成する（ト）の工程とこの（チ）の工程を必要回数繰り返し、図５（ｅ）及び図５（ｆ）に示すように凹部ＣＶを形成する。
【００５６】
（リ）凹部ＣＶの底面ＢＦや側壁ＳＤを平滑化する平滑化工程については、第１の実施の形態における（ヘ）の工程と同様であるので説明は省略する。なお、外周溝部ＧＶ２を形成する（ロ）の工程、内周溝部ＧＶ３を形成する（ハ）の工程、小孔ＳＣＶを形成する（ニ）の工程は、どの順序で行っても凹部ＣＶの形成することは可能である。
【００５７】
以上説明したように、本発明の第３の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法によれば、第１の実施の形態や第２の実施の形態の製造方法の作用効果に加え、以下の作用効果がある。一度の側壁除去工程で除去される除去部ＲＭ２、ＲＭ３、ＲＭ４の大きさが大きく、研削ロッド２３ｂや研削ディスク２４ｂの使用回数をさらに少なくすることができる。このため、凹部ＣＶの形成に要する時間もさらに短縮することができる。また、第２の実施の形態に比べて研削ロッド２３ｂの使用回数も少ないため、基板にトータルで係る力をさらに小さくすることができ、凹部ＣＶの底面ＢＦに生じる残留応力もさらに低減することができる。
【００５８】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態では、上記したマスクブランク用基板５を用いたインプリントモールド用マスクブランクの製造方法について説明する。
【００５９】
図６は、第４の実施の形態に係わるインプリントモールド用マスクブランクの製造方法により製造されたインプリントモールド用マスクブランク３の構成を示す断面図である。インプリントモールド用マスクブランク３は、マスクブランク用基板５の凹部ＣＶが形成された第１の主表面ＳＦ１に対向する第２の主表面ＳＦ２に、パターン形成用の薄膜４（例えば、クロム膜）が形成されたものである。すなわち、モールドパターンが形成される側の主表面ＳＦ２に、パターン形成用の薄膜４が一様に成膜されたものである。
【００６０】
パターン形成用の薄膜４は、単層であっても複数層から成っても構わない。例えば、クロム系材料の単層膜よりなるマスクブランクが一例として挙げられる。また他の例として、薄膜４は、上層と下層の積層構造を有し、上層はクロム（Ｃｒ）系材料で形成され、下層がタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されたマスクブランクなどが挙げられる。クロム（Ｃｒ）系材料としては、Ｃｒ単体、またはＣｒの窒化物、炭化物、炭化窒化物などのＣｒ化合物がある。クロム系材料の単層膜の場合、ＣｒＯＣＮが特に好ましい。また、タンタルを主成分とする材料としては、例えばＴａＨｆ、ＴａＺｒ、ＴａＨｆＺｒなどのＴａ化合物、あるいはこれらのＴａ化合物をベース材料として、例えばＢ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ等の副材料を加えた材料などがある。
【００６１】
パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程について説明する。薄膜４の成膜工程では、例えば、スパッタリング成膜法を用いればよい。スパッタリング成膜法によれば、膜厚が均一な薄膜４を成膜することができる。スパッタリング成膜法によって、上記した下層としてＴａＨｆ膜を成膜する場合、スパッタターゲットとしてＴａとＨｆの合金ターゲットを用い、チャンバー内に導入するスパッタガスは、アルゴンガスやヘリウムガスなどの不活性ガスを用いる。また、上記した上層として例えばＣｒＮ膜を成膜する場合、スパッタターゲットとしてＣｒターゲットを用い、チャンバー内に導入するスパッタガスは、アルゴンガスやヘリウムガスなどの不活性ガスに窒素を混合したものを用いる。
【００６２】
なお、インプリントモールド用マスクブランク３は、薄膜４の上にレジスト膜が更に成膜されたものであってもよい。
【００６３】
（第５の実施の形態）
第５の実施の形態では、上記したインプリントモールド用マスクブランク３を用いたインプリントモールドの製造方法について説明する。
【００６４】
図７（ａ）は、第３の実施の形態に係わるインプリントモールド２の製造方法により製造されたインプリントモールド２の構成を示す断面図である。インプリントモールド２は、凹部ＣＶが形成された第１の主表面ＳＦ１に対向する第２の主表面ＳＦ２にモールドパターン９（凹凸パターン）が形成されたものである。前述したように、凹部ＣＶは、モールドパターン形成領域ＭＲを含む大きさの領域に形成されている。
【００６５】
図７（ｂ）は、図７（ａ）のインプリントモールド２の使用状態を説明するための概略断面図である。被転写体（転写対象物）３０における、例えばシリコンウェハなどの被転写体構成層３１上に塗布された、例えばＵＶ硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などのレジスト膜３２に、インプリントモールド２のモールドパターン９を直接押し付ける。これにより、モールドパターン９をレジスト膜３２に転写する。転写した後に、図７（ｂ）のインプリントモールド２を被転写体３０から剥離するときに、小さい力で容易に、モールドパターン９を変形させることができる。よって、被転写体３０上に転写されたパターンの破損や、モールドパターン９の破損などを抑制することができる。
【００６６】
図８（ａ）〜図８（ｇ）を参照して、第３の実施の形態に係わるインプリントモールド２の製造方法を説明する。図８（ａ）〜図８（ｇ）は、図６のインプリントモールド用マスクブランク３の第２の主表面ＳＦ２にモールドパターン９を形成する主要な工程を示す断面図である。なお、図８（ａ）〜図８（ｅ）は、モールドパターン９の詳細な加工工程を示すため、図６及び図７（ａ）の点線で囲んだ領域Ｇに相当する部分を拡大して示す。
【００６７】
（い）先ず、図８（ａ）に示すように、インプリントモールド用マスクブランク３の薄膜４の上に、例えば、電子線描画用のレジストを塗布し、所定のベーク処理を施す。これにより、インプリントモールド用マスクブランク３の第２の主表面ＳＦ２上に、レジスト膜３５が形成される。
【００６８】
（ろ）次に、電子線描画装置などを用いて、レジスト膜３５に所定のパターン（例えばラインアンドスペースパターン）を描画する。その後、図８（ｂ）に示すように、レジスト膜３５を現像してレジストパターン３５ａを形成する。なお、レジストパターン３５ａが残された部分は、後に形成されたモールドパターン９の凸部に相当し、レジスト膜３５が除去され、薄膜４が表出していた部分は、後に形成されたモールドパターン９の凹部に相当する。
【００６９】
（は）レジストパターン３５ａを形成したインプリントモールド用マスクブランク３を、ドライエッチング装置内に導入する。そして、レジストパターン３５ａをマスクとして薄膜４をエッチング加工して、図８（ｃ）に示すように、薄膜パターン４ａを形成する（エッチング工程）。薄膜パターン４ａの形状は、レジストパターン３５ａの形状に対応している。ここで、ドライエッチング装置からインプリントモールド用マスクブランク３を一旦取出して、図８（ｄ）に示すように、残存するレジストパターン３５ａを除去してもよい。また、薄膜４の層構成及び材質によっては、複数段階のエッチング加工によって薄膜パターン４ａを形成する場合がある。
【００７０】
（に）薄膜パターン４ａをマスクとしてマスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２をエッチング加工して、図８（ｅ）に示すように、マスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２に、モールドパターン９を形成する（エッチング工程）。モールドパターン９の形状は、薄膜パターン４ａの形状に対応している。
【００７１】
（ほ）次に、図８（ｆ）に示すように、モールドパターン９を形成したマスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２上に、台座構造用のレジストパターン７を形成する。ウェットエッチングなどの方法により、マスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２のうち、レジストパターン７で保護されている部分以外の薄膜４を除去し、更に、マスクブランク用基板５に対して、例えばウェットエッチングなどを行う。これにより、図８（ｇ）に示すように、モールドパターン９の周囲がモールドパターン９の形成面よりも低い台座構造が得られる。
【００７２】
（へ）その後、レジストパターン７及び薄膜パターン４ａを除去することにより、図７（ａ）に示したインプリントモールド２を製造することができる。
【実施例】
【００７３】
１５２ｍｍ角の基板１１を用意し、この基板１１の第１の主表面ＳＦ１に直径７０ｍｍφ、深さＤＰ５ｍｍの円形の凹部を形成して、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したマスクブランク用基板５を製造した。凹部の形成は、図２を参照して説明した手順により行った。
【００７４】
上記したマスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２上にＴａＨｆ膜とＣｒＮ膜を積層した薄膜４を形成して、インプリントモールド用マスクブランク３を製造した。更に、薄膜４の上に、電子線描画用のレジスト（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ  ＰＲＬ００９）を５０ｎｍの厚みに塗布した。そして、所定のベーク処理を施して、インプリントモールド用マスクブランク３の上に、レジスト膜３５を形成した。
【００７５】
次に、電子線描画機を用いて、上記のレジスト膜３５にハーフピッチ２０ｎｍのラインアンドスペースパターンを描画した後、レジスト膜３５を現像してレジストパターン３５ａを形成した。
【００７６】
次に、レジストパターン３５ａを作成したインプリントモールド用マスクブランク３を、ドライエッチング装置に導入し、酸素を含まない塩素ガスを用いたドライエッチングを行った。これにより、上記のレジストパターン３５ａをマスクとして、ＴａＨｆ膜とＣｒＮ膜を積層した薄膜４をエッチング加工して、薄膜パターン４ａを形成した。この時のエッチング終点は、反射光学式の終点検出器を用いることで判別した。
【００７７】
ここで、インプリントモールド用マスクブランク３を、ドライエッチング装置から一旦取り出して、残存するレジストパターン３５ａを硫酸過水溶液によって除去した。
【００７８】
そして、インプリントモールド用マスクブランク３を、再び、同じドライエッチング装置に導入し、フッ素系（ＣＨＦ３）ガスを用いたドライエッチングを行った。これにより、薄膜パターン４ａをマスクとして合成石英ガラスからなる基板１１をエッチング加工して、モールドパターン９としてのガラスパターン（ガラスの段差パターン）を形成した。
【００７９】
なお、ここでガラスパターンの断面形状を確認するため、上記と同様に作成した評価用のブランクを破断し、走査型電子顕微鏡によるパターン断面の観察を行った。その結果、ガラスパターンの幅が、上記の薄膜パターン４ａの幅と同じであること、及びガラスパターンの深さが均一であることを確認した。
【００８０】
次に、上記のガラスパターンを作成したインプリントモールド用マスクブランク３上にフォトレジスト（東京応化社製  ｉＰ３５００）を４６０ｎｍの厚さに塗布し、紫外線による露光と現像を行い、台座構造用のレジストパターン７を形成した。
【００８１】
次に、上記の台座構造用のレジストパターン７を作成したインプリントモールド用マスクブランク３に対して、硝酸第２セリウムアンモニウム液によるウェットエッチングを行い、上記のレジストパターン７で保護されている部分以外の薄膜４を除去した。更に、フッ素系（ＣＨＦ３）ガスによるドライエッチングを行い、上記のレジストパターン７で保護されている部分以外の基板１１の一部を除去した。更に、硫酸過水により上記のレジストパターン７を除去することにより、深さが１５μｍ程度の台座構造を作成した。更に、上記のガラスパターンの上の薄膜パターン４ａを硝酸第２セリウムアンモニウム液で除去した。これにより、図５（ａ）に示したインプリントモールド２を作製することができた。
【００８２】
（比較例）
図１（ａ）及び図１（ｂ）の基板１１に相当する１５２ｍｍ角の基板を用意し、この基板の第１の主表面ＳＦ１に直径７０ｍｍφ、深さ５ｍｍの円形の凹部を形成した。凹部の形成は、座繰り加工（研削加工）を用いて行った。
【００８３】
凹部を形成した後に、第１の主表面ＳＦ１に対向する基板の第２の主表面ＳＦ２の平坦度を測定した。ここで、平坦度は、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ  Ｒｅａｄｉｎｇ）で示される表面の反り（変位量）を表す値であって、例えば、１４２ｍｍ角の領域において、基材表面を基準として最小二乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基材表面の最も高い位置と、焦表面より下にある基材表面の最も低い位置との高低差の絶対値とする。
【００８４】
図９に示すように、基板の第２の主表面ＳＦ２のうち、座繰り加工により形成された凹部に対向する領域が大きく盛り上がっている様子が分る。１４２ｍｍ角四方の平坦度を測定したところ、ＴＩＲが０．４４８μｍであった。なお、図９において、平坦度の測定を行った１４２ｍｍ角四方の領域の中心に、凹部の中心がほぼ重なっている。なお、凹部の形成の前に凹部に対向する基板の第２の主表面ＳＦ２に対して、円形の研磨バフを用いた研磨処理を予め行っている。このため、１４２ｍｍ角四方の領域の四隅は、中央部に比べて研磨されにくく盛り上がってしまう。
【００８５】
以上説明した比較例の基板に比べて、本発明の第１の実施の形態によれば、マスクブランク用基板５の第２の主表面ＳＦ２の平坦度を、高くすることができる。
【００８６】
上記のように、本発明は、５つの実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【符号の説明】
【００８７】
２    インプリントモールド
３    インプリントモールド用マスクブランク
４    薄膜
５    マスクブランク用基板
９    モールドパターン
１１    基板
２１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａ    回転軸
２１ｂ、２４ｂ    研削ディスク
２２ｂ、２３ｂ    研削ロッド
ＢＦ、ｂｆ１〜ｂｆＮ    底面
ＣＶ    凹部
ＭＲ    モールドパターン形成領域
ＲＭ１、ＲＭ２、ＲＭ３、ＲＭ４    除去部
ＳＣＶ    小孔
ＳＤ、ｓｄ１〜ｓｄＮ    側壁
ＳＦ１    第１の主表面
ＳＦ２    第２の主表面
【図１】
0005597444.tif 000002
【図２】
0005597444.tif 000003
【図３】
0005597444.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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