(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構成要素（１）およびバリスタ体（２）を含み、前記バリスタ体（２）が静電放電から前記半導体構成要素を保護するように前記半導体構成要素に接点接続され、熱伝導性セラミックを含む共通のキャリア（３）に前記半導体構成要素および前記バリスタ体が互いから離れて配置され、
前記キャリア（３）が、基質としての熱伝導性セラミックおよび充填材としての金属を含む、電気的構成要素アセンブリ。
【請求項２】
半導体構成要素（１）およびバリスタ体（２）を含み、前記バリスタ体（２）が静電放電から前記半導体構成要素を保護するように前記半導体構成要素に接点接続され、熱伝導性セラミックを含む共通のキャリア（３）に前記半導体構成要素および前記バリスタ体が互いから離れて配置され、
前記バリスタ体（２）が、基質としてのバリスタセラミックと、充填材としての熱伝導性材料とを少なくとも含む複合材料を有する、電気的構成要素アセンブリ。
【請求項３】
半導体構成要素（１）およびバリスタ体（２）を含み、前記バリスタ体（２）が静電放電から前記半導体構成要素を保護するように前記半導体構成要素に接点接続され、熱伝導性セラミックを含む共通のキャリア（３）に前記半導体構成要素および前記バリスタ体が互いから離れて配置され、
抵抗／温度特性曲線に従属するような、前記半導体構成要素（１）の制御電流の調整に寄与する、サーミスタをさらに有する、電気的構成要素アセンブリ。
【請求項４】
前記キャリア（３）の熱伝導性セラミックが、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化マンガンのうち少なくとも１つの材料を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項５】
前記キャリア（３）が板として実施される、請求項１から４のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項６】
前記キャリア（３）が、互いから電気的に分断された導電トラック（８）を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項７】
前記半導体構成要素（１）と前記バリスタ体（２）とが導電トラック（８）に接点接続する、請求項６に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項８】
前記バリスタ体（２）が前記キャリア（３）に面する側で、少なくとも１つの導電トラック（８）に接触する外部電気的接点（３ａ、３ｂ）を有する、請求項６または７のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項９】
前記バリスタ体（２）が前記半導体構成要素（１）と並列に接続される、請求項１から８のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１０】
前記バリスタ体（２）が少なくとも１つの内部電極（５）を有する、請求項１から９のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１１】
前記バリスタ体（２）が少なくとも１つの外部電気的接点（４ａ、４ｂ）と、少なくとも１つの内部電極（５）とを有し、前記内部電極は少なくとも１つのめっきされたスルーホール（６）によって前記外部電気的接点に接続される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１２】
前記半導体構成要素（１）が取り付けられた前記キャリア（３）と、前記バリスタ体（２）とがハウジング（１０）において一体化され、前記ハウジングが、前記キャリアに接続されて前記キャリアに熱的に結合される熱伝導性領域を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１３】
前記バリスタ体（２）がモノリシックな多層バリスタからなる、請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１４】
前記半導体構成要素（１）が以下の構成要素：光電子構成要素、ＬＥＤ、キャパシタ、多層キャパシタ、サーミスタ、多層サーミスタ、ダイオード、増幅器、から選択される、請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
一実施形態による半導体構成要素のための熱消散手段を備える電気的構成要素アセンブリが記載される。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は熱伝導体を備えるバリスタ構成要素を開示している。一実施形態によれば、発光ダイオードがバリスタ構成要素に配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２００７０１３０１６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
達成すべき一つの目標は、アセンブリ内の電気的構成要素のための熱消散手段を明記することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
半導体構成要素およびバリスタ体を有する電気的構成要素アセンブリが記載される。バリスタ体は半導体構成要素に、静電放電から前記半導体構成要素を保護するように、好ましくは半導体構成要素と並列に、接点接続される。高熱伝導性セラミックを含み、半導体構成要素とバリスタ体の両方が配置されるキャリアが、熱消散手段として提供される。キャリアはこのようにして、半導体構成要素とバリスタ体の共通の熱消散キャリアの役割を果たす。構成要素アセンブリは自立したユニット全体を形成する。共通のキャリアは以下ではヒートシンクまたは共通のヒートシンクとも呼ばれる。
【０００６】
共通のヒートシンクの半導体構成要素およびバリスタ体を分離して配置することによって、半導体構成要素には、半導体構成要素とバリスタ体との接続によって、過電圧からの、特に静電放電からの保護が与えられている。半導体構成要素は、それ自身がこの目的のために開発されたかまたは構成されたものである必要はないことが有利である。バリスタ体は、バリスタ体に電気的に結合した半導体構成要素の過電圧からの可能な最良の保護の目的で、半導体構成要素の設計を考慮することなく、分離して作成されるか設計される。したがって、バリスタ体の過電圧からの保護の機能は、半導体構成要素の構造によって生じたいかなる制約もなく完全に利用されることが可能となる。
【０００７】
一実施形態によれば、ヒートシンクは高熱伝導性セラミックを含む。例えば窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化マンガンは、適切なセラミックであると判明している。高熱伝導性セラミックは、例えば金属などの高熱伝導性充填材を受け入れる基質として形成されうる。したがって、一実施形態によれば、金属粒子はヒートシンクのすでに高熱伝導性のセラミック基質において充填材として含まれる。この方策はヒートシンクの全体の熱伝導性をさらに増加させる。
【０００８】
一実施形態によれば、ヒートシンクは、半導体構成要素およびバリスタ体が取り付けられる板または堅い支持体として実施されるキャリアとしての役割を果たす。
【０００９】
構成要素アセンブリの一実施形態によれば、半導体構成要素およびバリスタ体は、共通のヒートシンクに加えられた導電トラックに接点接続される。この場合には、熱は半導体構成要素およびバリスタ体からヒートシンクに直接消散されうるだけでなく、導電トラックからも消散されうる。導電トラックは、いずれの場合にも、複数回の方向の変化を伴う進路を有することができるか、または平らで幾何学的なパターンとして実現されることができる。それはスクリーン印刷によってヒートシンクに加えられる。
【００１０】
一実施形態によれば、半導体構成要素は、その下側をヒートシンクに向けて置かれ、ヒートシンクの導電性端子に接点接続された外部電気的接点を有する。この場合には、半導体構成要素の外部電気的接点は、はんだ球として、特にフリップチップ接点接続部として実施されることが好ましい。そのような外部電気的接点は、ヒートシンクの半導体構成要素の取り付けをかなり容易にする。
【００１１】
有利な一実施形態によれば、ヒートシンクは、適切な場合にはヒートシンクに加えられた、例えば導電トラック構造体に接続された、電気めっきされたスルーホールを有する。したがって、半導体構成要素の、および／またはバリスタ体の電気的接点接続部は、ヒートシンクを通って例えばプリント回路基板へと続いてもよい。
【００１２】
ヒートシンクは、上下に配置された、間に導電トラックが延びる複数の層をさらに有してもよく、該導電トラックは、例えばヒートシンクのめっきされたスルーホールに接続されることがある。それらの層は誘電体層、特に高熱伝導性セラミック層であってよい。
【００１３】
構成要素アセンブリの好ましい一実施形態によれば、バリスタ体は、好ましくは、少なくともバリスタセラミックと高熱伝導性材料からなる複合材料からなり、該高熱伝導性材料はバリスタセラミックとは異なり、原則としてバリスタ体の非線形抵抗機能に応じて選択される。基質のために適切な組成は、例えば、酸化亜鉛−ビスマス−アンチモンまたは酸化亜鉛−プラセオジム化合物である。
【００１４】
一実施形態によれば、バリスタセラミックは複合材料の主要構成要素または基質として形成され、熱伝導性材料は前記基質の充填材として形成される。高熱伝導性充填材の一例は金属である。
【００１５】
充填材は好ましくは、バリスタ体の高熱伝導性粒子の分散として存在する。適切な金属または合金は、例えば、タングステン、パラジウム、白金、銀からなる。
【００１６】
バリスタセラミックの充填材として好ましくは存在する金属は、バリスタ体により高い熱伝導性を与える利点を有し、熱はバリスタ体自身によってヒートシンクに消散されうる。半導体構成要素とバリスタ体の間の電気的端子を通って伝わる熱もまた、特に熱伝導性を有するように実施されるバリスタ体によってヒートシンクに消散されうる。
【００１７】
有利な一実施形態では、バリスタ体はバリスタセラミックと異なる、またはバリスタセラミックよりも高い熱伝導率を有する高熱伝導性セラミックを含む。適切なセラミックは、例えば窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウムおよび酸化マンガンであることが判明している。特にそれらは、例えば、バリスタ体内で望ましくない結晶妨害を形成することのない酸化亜鉛などの、好ましいバリスタセラミックと、良好に焼結されることができるからでもある。追加の高熱伝導性セラミックが、金属の場合と同様に、基質として実施されるバリスタセラミックの充填材として存在してもよい。
【００１８】
バリスタ体は、バリスタセラミック層と、少なくとも部分的にその間に置かれる内部電極層との積層体を有する多層バリスタとして実施されてもよい。多層バリスタが、焼結されたモノリシックな多層構成要素となるのが好ましい。主要な割合で、酸化亜鉛は好ましくは個々の層のバリスタセラミックとして選ばれ、内部電極は銀、パラジウム、白金、銅、ニッケル、またはこれらの元素の合金を含んでもよい。
【００１９】
一実施形態によれば、多層バリスタとして実施されるバリスタ体の１つまたは複数の層が酸化ジルコニウムを含んでもよい。この場合には、多層バリスタの、セラミックヒートシンクに置かれる少なくとも底部層が、酸化ジルコニウムを含むことが好ましい。これによって、セラミックヒートシンクの、および適切ならばセラミックヒートシンクに存在する導電トラックの、多層バリスタの漂遊容量の影響を取り除くことが可能である。多層バリスタの頂部層もまた、酸化ジルコニウムを含む層として実施されることが可能であろう。このことは、さらなる構成要素がバリスタ体に配置され、前記さらなる構成要素が漂遊容量によって妨害されないままであることを意図されたものである場合は、有利となりうるであろう。
【００２０】
多層バリスタに代わって、バリスタ体はバルクバリスタとして実施されることもできる。バルクバリスタは単一のバリスタブロックであり、その外側には、互いに逆の極性の外部接点がある。内側には、しかしながら、バリスタブロックは金属層を有しない。
【００２１】
一実施形態によれば、バリスタ体は複数の電気的端子を有し、その第１の電気的端子の少なくとも１つは、半導体構成要素と接触する。前記電気的端子は好ましくはバリスタ体の金属層として実施される。金属層はバリスタ体の頂部側の少なくとも一部分に、例えばスクリーン印刷によって加えられることができる。電気的端子は好ましくは固着可能である。
【００２２】
複数の電気的端子がヒートシンクの接触線および／または導電トラックに接続されうる。
【００２３】
構成要素アセンブリの一実施形態によれば、バリスタ体の複数の電気的端子は、第１の電気的端子とは分離した、外側に向かってバリスタ体と接触する少なくとも１つの第２の電気的端子を含む。このことは、バリスタ体が前記第２の電気的端子によって、半導体構成要素から離れた第２の電気的ポテンシャルに接続されることを意味する。第２の電気的端子は例えば接地端子であってもよい。この場合には、第２の電気的端子はプリント回路基板の導電トラックに接点接続されてもよい。
【００２４】
第１の電気的端子と第２の電気的端子の両方が金属層として実施されてもよい。金属層として実施されるバリスタ体の電気的端子は、以下の材料：金、ニッケル、クロム、パラジウム、スズ、のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００２５】
構成要素アセンブリの一実施形態によれば、外側に向かってバリスタ体と接触する第２の電気的端子は、バリスタ体の下側に、すなわち、半導体構成要素の取り付け領域とは垂直方向に正反対の領域に配置される。第２の電気的端子は例えば固着パッドとして実施されることができる。
【００２６】
一実施形態では、第２の電気的端子を、バリスタ体の頂部側の第１の電気的端子から間隔を空けるように配置する。この場合には、２つの端子はバリスタ体を半導体構成要素および接地へと接続する接触線を有することも可能であろう。
【００２７】
一実施形態では、半導体構成要素と接触するバリスタ体の第１の電気的端子に、同時に外側に向かってバリスタ体の接触を形成するようにし、適切な場合は、第１の電気的接点と共に用いられる接触線を用いる。
【００２８】
一実施形態によれば、バリスタ体は、バリスタ体の容量を調整する役目を果たす少なくとも１つの内部電極を有する。内部電極は積層体の層の間に配置されうる。内部電極はバリスタを通る、またはバリスタ体からの過電圧またはサージ電流を消散する接地電極であってよい。内部電極はバリスタ体の少なくとも１つの電気的端子に接続される。しかしながら、この場合には機械的な接点接続は必ずしも必要ではない。したがって、内部電極はバリスタ体内で「浮いている（独語でｓｃｈｗｅｂｅｎｄ）」方式で配置されることもできるだろう。代替として、内部電極は少なくとも１つの、ビアとして指定されてもよい、めっきされたスルーホールによって、少なくとも１つの電気的端子に接続される。
【００２９】
一実施形態によれば、複数の内部電極がバリスタ体に存在し、バリスタ体の異なる電気的端子に接触する。内部電極は浮いている方式で実施されてもよく、外側に向かって接点接続されるように実施されてもよい。前記電極はバリスタセラミックまたは誘電体によって互いから隔離されることが好ましく、積層方向に共通の重なり領域を有することが好ましく、それによって容量が形成されうる。一実施形態によれば、内部電極は半導体構成要素の取り付け領域に垂直に延びる。
【００３０】
その中に、またはそこにヒートシンクが配置される、ハウジングを有する構成要素アセンブリが好ましい。ハウジングが、バリスタ体および／または半導体構成要素に接点接続された少なくとも１つの導電性部品または領域を有することが好ましい。ハウジングはバリスタ体を保持し、半導体構成要素およびバリスタ体はハウジングの導電性部品と並列に接続される。ハウジングの導電性部品は、特に、例えば導電トラックなどの金属層として実施されてもよい。ハウジングの導電性部品は好ましくはアルミニウムまたは銅を含む。
【００３１】
一実施形態によれば、ハウジングは、バリスタ体のおよび半導体構成要素の共通のキャリアまたは共通のヒートシンクに熱的に結合された少なくとも１つの熱伝導性領域を有する。結果として、バリスタ体によって、および／または共通のキャリアによって取り入れられた熱はハウジングを通って消散されうる。この場合には、ハウジングのこの熱伝導性領域は、例えば、高熱伝導性セラミックまたは金属などの、高熱伝導性材料からなってもよい。
【００３２】
構成要素アセンブリの好都合な一実施形態によれば、それは半導体構成要素に接続するサーミスタをさらに有する。その抵抗／温度特性曲線に従属するように、サーミスタは半導体構成要素の制御電流の調整に寄与し、よって安全防護対策に配慮するように動作しうる。一実施形態によれば、サーミスタはバリスタ体に取り付けられるが、そこに取り付けられる必要はない。そのかわりに、バリスタ体に沿った、または共通のハウジング内のキャリアから離れた、共通のキャリアまたは共通のヒートシンクに配置されることができよう。サーミスタは、サーミスタの測定値を用いて半導体構成要素に供給する電流を調整する評価ユニットに接続されてもよい。制御電流は、ＬＥＤがサージ電流に晒されないように、または可能な限り一定のＡＣ電流で駆動されるように調整される。
【００３３】
半導体構成要素は多数の構成要素から選ばれることができる。それは光電子構成要素、例えばＬＥＤ、キャパシタまたは多層キャパシタ、ＰＴＣまたはＮＴＣ特性を有するサーミスタまたは多層サーミスタ、ダイオード、または増幅器などでありうる。すべての場合に、バリスタ体は、バリスタ体に接点接続される半導体構成要素を、安全防護対策に配慮するように過電圧から保護することが可能である。そして、本明細書のいくつかの実施形態によれば、半導体構成要素から熱を消散することさえも可能である。
【００３４】
半導体構成要素としてのＬＥＤは、好ましくは以下の材料：リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）、セレン化スズ（ＺｎＳｅ）、の１つまたはそれ以上からなる。
【００３５】
共通のセラミックヒートシンクを有する構成要素アセンブリは、個々の製品として産業的に応用可能であるという利点を有する。
【００３６】
記載された主題は、以下の例示の実施形態および図面を参考にして、より詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】半導体構成要素およびバリスタ体が共通のヒートシンクに取り付けられ、第１の配列によって互いに接続される、構成要素アセンブリの概略平面図である。
【図２】図１の平面図によって示されるバリスタ体の断面図である。
【図３】バリスタ体が、複数の下側接点によって異なる導電トラックに接点接続され、少なくとも１つの内部電極を有する点で異なる、図１に基づく概略平面図である。
【図４】バリスタ体の異なる実施形態を示す図である。
【図５】バリスタ体の異なる実施形態を示す図である。
【図６】バリスタ体の異なる実施形態を示す図である。
【図７】構成要素アセンブリの斜視図である。
【図８】ハウジングを有する、またはハウジング内にある構成要素アセンブリの図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
図１は、ここではＬＥＤである半導体構成要素１と、バリスタ体２とが、共通の熱伝導性セラミックキャリア３に互いから離れて配置された、光電子構成要素アセンブリの平面図を示す。この例では、ＬＥＤはアノード端子７ａと接地端子７ｂとを頂部側に有する。端子７ａと７ｂはいずれの場合にも結合パッドおよび、セラミックヒートシンクに加えられた導電トラック８に接続された接触線を有する。ＬＥＤ１の端子に接点接続された導電トラックは、いずれの場合もバリスタ体２の電気的端子に接続されるように形づくられている。
【００３９】
バリスタ体２は頂部側に第１の電気的端子４ａ、例えばアノード端子を有し、それは結合パッドとして実施される。下側に、バリスタ体は第２の電気的端子４ｂ（この図の斜視図では見えない）、例えば接地端子を有する。バリスタ体２の第２の電気的端子４ｂは、導電トラック８に結合されるが、結合パッドとして、好ましくはフリップチップ接点接続部として実施されてもよい。
【００４０】
図２は図１に示したバリスタ体２の断面図を示す。頂部側の第１の電気的端子４ａおよび下側の第２の電気的端子４ｂが、いずれも層として示される。第２の電気的端子４ｂは好ましくは接地端子である。バリスタ体２またはバリスタチップは、好ましい一実施形態によれば以下の寸法を有する。
長さ：２００μｍ＋／−１０％
幅：２００μｍ＋／−１０％
厚さ：１００μｍ＋／−１０％
【００４１】
図３は、図１と対照的に、下側に取り付けられて互いから間隔を空けられた第１の電気的端子４ａおよび第２の電気的端子４ｂを有するバリスタ体２を示す。前記電気的端子４ａおよび４ｂのそれぞれは導電トラック８に接点接続されている。バリスタ体２の電気的端子は、互いに電気的に絶縁された異なる導電トラックと接触する。バリスタ体に含まれるバリスタセラミックによってつくられたバリスタ抵抗と、内部電極５とによって、バリスタ体が過電圧にさらされるか導電性になる場合には、電気的端子４ａおよび４ｂは互いに接続される。この場合には、バリスタ体内で「浮いている」内部電極５（破線枠）が示されるが、前記内部電極は絶対に必須とは限らない。前記電極および電気的端子に接点接続されためっきされたスルーホールを有するか有さない内部電極５の配置は、バリスタ体が半導体構成要素からの、または半導体構成要素への過電圧を消散するように導電性になり始める所要の電圧限界に基づいて、決定される。
【００４２】
下側に取り付けられた電気的端子４ａおよび４ｂの代わりに、バリスタチップが横方向に取り付けられた電気的端子を有してもよいと思われる。好ましくは、電気的端子はいかなる場合にもそれぞれ閉じた層、例えばニッケルおよび／またはスズ（Ｓｎ）を含む材料からなる層を形成する。層として実施されるバリスタ体またはバリスタチップの外部接点の層の厚さは０．９〜３．１μｍであってよい。
【００４３】
図４は平面図の図３によって示されたバリスタ体の断面図を示す。バリスタ体２はバリスタセラミック層の積層体からなり、その間に内部電極５が配置される。平面接触パッド４ａおよび４ｂはバリスタ体の下側に配置され、それらはセラミックヒートシンク３のそれぞれの導電トラック８に面的な接続を形成する。
【００４４】
図５は図４によるバリスタ体２を示すが、下側に取り付けられた接触パッド４ａおよび４ｂがいずれも、バリスタ体の下側から少し突き出た平面状の接触パッドおよび半球状の接触パッドからなり、該二つのパッドは上下に配置されている、という点で相違する。この場合には、平面状の接触パッドはバリスタ体に直接加えられ、半球状の接触パッドは平面状の接触パッドのそれぞれの下側に加えられる。
【００４５】
図６は、頂部側に第１の電気的接点４ａを有するバリスタ体２を示す。該第１の電気的接点は、例えばバリスタ体２の頂部側から少し突き出た平面状の接触パッドの形態であり、該接触パッドは半導体構成要素の同一の極性の対応する電気的端子７ａ、例えばアノード端子に、例えば導電トラック８によって、または接触線によって、直接にまたは間接に接点接続される。バリスタ体２の下部における電気的接点４ｂの構造に関しては、この図によって示されたバリスタ体は前の図のバリスタ体と異ならない。しかしながら、下側のこれら電気的端子は外側に向かって異なる接点接続をしてもよい。例として、下側の電気的端子４ｂの両方が、セラミックヒートシンクに接地接点で接点接続してもよい。
【００４６】
図６はさらに、セラミックヒートシンクの平面と、電気的接点４ａおよび４ｂに接続された内部電極５とにそれぞれ垂直に延びる、めっきされたスルーホール６を示す。この場合には、第１のめっきされたスルーホール６が頂部側の電気的接点４ａを第１の内部電極に接続する。さらなるめっきされたスルーホール６がバリスタ体２の下側の複数の電気的接点４ｂに第２の内部電極を接続する。めっきされたスルーホールに異なる方法でこのように接続される内部電極は、バリスタセラミックによって互いから分断されている。したがって、第１の電気的極性の内部電極５は、第２の極性の内部電極５への電気的接続を、それらの間に存在するバリスタセラミックが導電性となる場合にのみ、形成するよう意図されている。
【００４７】
めっきされたスルーホール６は、例えば金属などの、導電性材料で満たされた穴として形成されてもよい。
【００４８】
ここに図示したバリスタ体の実施形態のすべては、基質としてのバリスタセラミックと、例えば小さい金属球または金属粒子である高熱伝導性の充填材とからなる複合材料を含んでもよい。多層バリスタ体に関する場合には、少なくとも１つの層または複数の層が高熱伝導性の充填材を含んでもよい。
【００４９】
図７は斜視図で光電子構成要素アセンブリを示す。図３に概略的に示されたアセンブリの電気的構成要素の間の相互接続にしたがって、さらなるプリント回路基板（図示せず）または外部電子回路アセンブリに、セラミックヒートシンクにプリントされた導電トラック８を電気的に接続することができる、めっきされたスルーホール９が示される。
【００５０】
図８は本明細書で以前に示した実施形態の光電子構成要素アセンブリを示し、構成要素アセンブリは加えてくぼみまたはピット１５を含むハウジング１０を有する。セラミックヒートシンク３はこのくぼみの底にある。前記セラミックヒートシンクは、バリスタ体２の接地端子をハウジングの接地端子１４に接続する１つまたは複数のめっきされたスルーホール９を有してもよい。代替として、導電トラック８がバリスタ体２の接地端子をハウジングの接地端子１４に接続するように、セラミックヒートシンク３に導電トラック８がプリントされてもよい。
【００５１】
セラミックヒートシンク３に加えられる半導体構成要素１が、頂部側において、接続線によってハウジングの第１の導電性部分１２に接続される。頂部側において、バリスタ体２は接続線によってハウジングの第２の導電性部分１３に接続される。ハウジング１０の、第１、第２、およびこれも導電性の、接地端子１４の役割を果たす第３の部分が、絶縁部１３によって互いから電気的に分断される。
【００５２】
半導体構成要素がＬＥＤである一方で、表面がＬＥＤからの光に晒される反射性コーティングをくぼみ１５が有する場合は好都合である。構成要素アセンブリからの光を合わせた出力（独語でＬｉｃｈｔａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）全体はこれによって増加しうる。接地の役割を果たすハウジング１４の導電性部分は、例えば銅またはアルミニウムなどの、例えば金属からなってもよい。特に、低抵抗の導電性であり、光を合わせた出力を向上させるような高い反射性を有する金属が好ましい。
【００５３】
好ましくは、バリスタ体２と半導体構成要素１の共通のヒートシンクはハウジングの高熱伝導性領域に機械的に結合されるが、いかなる場合にも、ハウジング１０が共通のヒートシンクによって汲み上げられる熱を消散することができ、前記熱がさらに外側に向けてバリスタ体２および／または半導体構成要素１から出る、またはバリスタ体２および／または半導体構成要素１によって発せられるように、共通のヒートシンクはハウジングに熱的に結合される。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体構成要素
２  バリスタ体
３  キャリアまたはヒートシンク
４ａ  バリスタ体の第１の電気的端子
４ｂ  バリスタ体の第２の電気的端子
５  バリスタ体の内部電極
６  バリスタ体のめっきされたスルーホール
７ａ  半導体構成要素の第１の電気的端子
７ｂ  半導体構成要素の第２の電気的端子
８  キャリアの、またはキャリア内の導電トラック
９  キャリアのめっきされたスルーホール
１０  ハウジング
１１  ハウジングの第１の導電部分
１２  ハウジングの第２の導電部分
１３  絶縁層
１４  ハウジングの第３の導電部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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