(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル・ボロン合金製の針本体部と、該針本体部から下方へ突出しかつ該針本体部と異なる導電性材料製の針先部とを含む堆積物を堆積技術により製作すること、
製作された堆積物に焼鈍処理を行うことを含み、
前記焼鈍処理は、前記堆積物を２００°Ｃ以上及び４００°Ｃ未満の温度で、１時間から２時間の間加熱することを含み、
前記ボロンの含有量は０．０２以上、０．２０ｗｔ％以下である、電気的試験用プローブの製造方法。
【請求項２】
さらに、前記焼鈍処理の後、前記堆積物を常温まで自然冷却することを含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記焼鈍処理及び前記自然冷却は恒温槽で行う、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
ニッケル・ボロン合金で形成された針本体部と、該針本体部から下方へ突出しかつ該針本体部と異なる導電性材料で形成された針先部とを備え、請求項１に記載の製造方法により製造された電気的試験用プローブ。
【請求項５】
前記針本体部は、基板に取り付けられるフット部と、該フット部の下端から横方向へ延びるアーム部と、該アーム部の先端部から下方に突出する台座部とを備え、前記針先部は前記台座部の下端から突出している、請求項４に記載のプローブ。
【請求項６】
前記ニッケル・ボロンの合金の平均結晶サイズは約１２２Åである、請求項４に記載のプローブ。
【請求項７】
前記ニッケル・ボロンの合金の結晶サイズは約９７〜１７０Åである、請求項４に記載のプローブ。
【請求項８】
複数の取付部を下面に備える基板と、前記基板に片持ち梁状に取り付けられた複数のプローブとを含み、
前記プローブは、請求項４に記載のものであり、また前記針本体部において前記取付部に取り付けられている、電気的試験用電気的接続装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ニッケル・ボロン合金製の針主体部を備える電気的試験用プローブ、それを用いた電気的接続装置、及びプローブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハに作り込まれた多数の半導体集積回路は、各チップに分離されるに先立ち、一般的に、仕様書通りに製造されているか否かの電気的試験を受ける。この電気的試験には、各半導体集積回路である被検査体の電極に接続される複数のプローブを備えるプローブカードのようなプローブ組立体、すなわち電気的接続装置が用いられ、被検査体は電気的接続装置を経てテスタに接続される。
【０００３】
この種の電気的接続装置に用いられる従来のプローブの１つとして、板状のプローブ本体部すなわち針本体部と、該針本体部に設けられて被検査体の電極に当接される針先部とを備えるものがある（例えば、特許文献１参照）。針本体部は、プローブ基板への取付け部とされるフット部と、該フット部から前記プローブ基板の下方へ間隔をおいてプローブ基板に沿って横方向へ伸びるアーム部と、該アーム部の先端部から下方へ突出する台座部とを備え、該台座部に前記針先部を設けている。
【０００４】
特許文献１では、前記針本体部を針先部で用いる材料よりも高い靱性を有する導電材料で形成し、該針本体部の台座部の下端に設けられる針先部を、硬度において針本体部に用いる材料より優れた導電性材料で形成している。
【０００５】
針本体部，特にアーム部を靭性に優れた金属材料で形成することにより、プローブの針先部が被検査体の電極に押し付けられたとき、アーム部の弾性変形に伴って針先部を被検査体の電極上で滑らせることができる。この針先の滑りにより前記電極上の酸化膜を削ることができる。したがって、プローブのアーム部に前記した弾性変形を生じさせるオーバドライブを作用させることにより、前記針先部の針先で電極の酸化膜を除去し、両者の確実な電気的接触を得ることができ、しかも、この針先部を高硬度材料で形成することにより、針先の滑りによる針先部の摩耗が抑制される。
【０００６】
この種の板状のプローブは、フォトリソグラフィー技術と、電鋳法のような堆積技術とを用いて製造される。また、針主体部は、一般に、ニッケル又はニッケル合金（Ｎｉ・Ｗ、Ｎｉ・Ｐ、Ｎｉ・Ｆｅ、Ｎｉ・Ｍｎ、Ｎｉ・Ｃｏ等）で製作されている。
【０００７】
しかし、ニッケル製の針主体部は、電気的特性は良好である（電気手抵抗が低い）が、機械的特性（ばね性）が悪く（弱く）、オーバードライブを作用させるコンタクトの繰り返しにより塑性変形するか、又は折損してしまう。また、ニッケル合金は、機械的特性は良好であるが、電気的特性が悪く、高電流を流すとジュール熱により変形してしまう。
【０００８】
特許文献２は、ニッケル−マンガン合金製の針主体部を焼鈍処理をすることにより、適宜な硬度を維持しつつ、脆化しにくく，クリープ耐性が良好なプローブとすることを提案している。しかし、そのようなニッケル−マンガン合金製のプローブでは、プローブの微細化により、充分な機械的特性を得ることができない。
【０００９】
特許文献３は、螺旋形のプローブの少なくとも弾性変形部（螺旋部）をＮｉ・Ｐ又はＮｉ・Ｂのニッケル合金とし、そのような螺旋形のプローブを２００°Ｃから３００°Ｃで加熱処理することにより、弾性変形部をアモルファス状態に維持することを提案している。しかし、弾性変形部をアモルファス状態のニッケル合金としたプローブは、電気的特性が悪く、また基板に片持ち梁状に支持されるコンタクトプローブには適さない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−１９０８８５号公報
【特許文献２】特許第２７４５７４４号公報
【特許文献３】特開２００９−９４０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、機械的特性及び電気的特性のいずれもが良好なプローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る、電気的試験用プローブは、ニッケル・ボロン合金で形成された針本体部と、該針本体部から下方へ突出しかつ該針本体部と異なる導電性材料で形成された針先部とを備える。前記ボロンの含有量は０．０２以上、０．２０ｗｔ％以下である。
【００１３】
前記針本体部は、基板に取り付けられるフット部と、該フット部の下端から横方向へ延びるアーム部と、該アーム部の先端部から下方に突出する台座部とを備えていてもよく。また前記針先部は前記台座部の下端から突出していてもよい。
【００１４】
本発明に係る、電気的試験用の電気的接続装置は、複数の取付部を下面に備える基板と、前記基板に片持ち梁状に取り付けられた複数のプローブとを含む。前記プローブは、上記したものであり、また針主体部において前記取付部に取り付けられている。
【００１５】
本発明に係る、電気的試験用プローブの製造方法は、ニッケル・ボロン合金製の針本体部と、該針本体部から下方へ突出しかつ該針本体部と異なる導電性材料製の針先部とを含む堆積物を堆積技術により製作し、製作された堆積物に焼鈍処理を行うことを含む。前記ボロンの含有量は０．０２ｗｔ％以上、０．２０ｗｔ％以下である。前記ニッケル・ボロン合金の平均結晶サイズを約１２２Åとすることができる。あるいは、前記ニッケル・ボロン合金の結晶サイズを約９７〜１７０Åとすることができる。
【００１７】
前記焼鈍処理は、前記堆積物を２００°Ｃ以上及び４００°Ｃ未満の温度で、１時間から２時間の間加熱することを含む。
【００１８】
本発明に係る製造方法は、さらに、前記焼鈍処理の後、前記堆積物を常温まで自然冷却することを含むことができる。また、前記焼鈍処理及び前記自然冷却は恒温槽で行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のプローブ及びそれを用いる電気的接続装置の各製造方法において、針本体部は、ボロンの含有量が０．０２以上、０．２０ｗｔ％以下のニッケル・ボロン合金とされている。また、前記プローブのための堆積物は焼鈍処理を受け、この焼鈍処理は、前記堆積物を２００°Ｃ以上及び４００°Ｃ未満の温度で、１時間から２時間の間加熱することを含む。このため、機械的特性及び電気的特性のいずれもが良好になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る電気的接続装置の一実施例を示す正面図であある。
【図２】本発明に係るプローブの一実施例を示す図である。
【図３】図２に示すプローブの針先部及びその近傍の拡大図である。
【図４】図３における４−４線に沿って得た断面図である。
【図５】耐久評価結果（ＴＤ数と変位量との関係）を示す図である。
【図６】電流特性評価結果（印加電流と針圧維持率との関係）を示す図である。
【図７】Ｎｉ・ＢプローブのＸ線解析図形を示す図である。
【図８】熱処理温度とＨＶ硬度との関係及び熱処理温度と針先高さ位置の変位量との関係を示す図である。
【図９】熱処時間とＨＶ硬度との関係及び熱処理時間と針先高さ位置の変位量との関係を示す図である。
【図１０】ボロンの含有量と応力との関係を示す図である。
【図１１】ボロンの含有量とＨＶ硬度との関係を示す図である。
【図１２】プローブの製造方法の各工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２１】
１０  試験装置
１２  半導体ウエーハ
１４  チャックトップ
１６  電気的接続装置
２０  補強部材
２２  配線基板
２４  プローブ基板
２６  プローブ
２８  取り付けリング
３０  セラミック基板
３２  多層シート
３４  フット部
３６  アーム部
３８  台座部
４０  針先部
４２  針先
４４  導電性材料
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１を参照するに、試験装置１０は、半導体ウエーハ１２に形成された複数の集積回路を平板状被検査体とし、それらの被検査体を同時に又は複数回に分けて試験する電気的試験に用いられる。各被検査体は、その上面に複数の電極１２ａを有する。
【００２３】
図１を参照するに、試験装置１０は、電極１２ａを上方に向けた状態に半導体ウエーハ１２を取り外し可能に保持するチャックトップ１４と、チャックトップ１４に受けられたウエーハ１２（特に、被検査体）と試験用電気回路とを電気的に接続する電気的接続装置１６とを含む。
【００２４】
試験のための信号は、応答信号を得るべくウエーハ１２（集積回路）に供給する電気信号（電圧、電流）と、その電気信号に対するウエーハ１２（集積回路）からの応答信号等の試験信号とを含む。
【００２５】
チャックトップ１４は、既知の検査ステージに備えられたものであり、またウエーハ１２を電極１２ａが上方に向けられた状態に取り外し可能に保持する上面を有する。チャックトップ１４へのウエーハ１２の保持は、真空吸着とすることができる。
【００２６】
チャックトップ１４と接続装置１６とは、水平面内のＸ、Ｙ及び水平面に垂直のＺの三方向に三次元的に相対的に移動されると共に、Ｚ方向へ伸びるθ軸線の周りに角度的に相対的に回転される。一般的には、チャックトップ１４が接続装置１６に対し、三次元的に移動されると共に、Ｚ方向へ伸びるθ軸線の周りに角度的に回転される。
【００２７】
接続装置１６は、平坦な下面を有する補強部材２０と、補強部材２０の下面に保持された円形平板状の配線基板２２と、配線基板２２の下面に配置された円形平板状のプローブ基板２４と、プローブ基板２４の下面に配置された複数のプローブ２６と、プローブ基板２４を配線基板２２に取り付ける取り付けリング２８とを含む。
【００２８】
補強部材２０は、ステンレス板のような金属材料で製作された公知のものである（例えば、特開２００８−１４５２３８号公報参照）。そのような補強部材２０は、外側の環状部と、該環状部の内側を周方向に伸びる内側の取付部、環状部及び取付部を一体的に連結する複数の連結部と、環状部から半径方向外方へ延びる複数の延長部とを有する。図示の例では、補強部材２０は、プローブ基板２４とほぼ同じ直径寸法を有する環状部から内側の箇所が上方に突出した状態に示されている。
【００２９】
例えば、特開２００８−１４５２３８号公報に記載されているように、補強部材２０の上側に補強部材２０の熱変形を抑制する環状の熱変形抑制部材、又は配線基板の上方の空間を覆うカバーを配置してもよいし、その熱変形抑制部材の上に前記したカバーを配置してもよい。
【００３０】
配線基板２２は、図示の例では、ガラス入りエポキシ樹脂のような電気絶縁樹脂により円板状に製作された公知の印刷配線基板である。そのような配線基板２２は、前記した試験用電気回路に対する試験信号の受け渡しをするように試験用電気回路に電気的に接続される複数の第１の端子（図示せず）を上面外周縁部に有し、それら端子に接続された複数の導電路（図示せず）を内部に有する。
【００３１】
配線基板２２は、さらに、プローブ基板２４に電気的に接続される複数の複数の第２の端子（図示せず）を下面に有する。各第２の端子は、導電路に電気的に接続される。第２の端子は、プローブ２６と同数備えられている。
【００３２】
プローブ基板２４は、図示の例では、セラミックにより形成されたセラミック基板３０と、ポリイミド樹脂のような電気絶縁性樹脂により形成されて、セラミック基板３０の下面に形成されたフレキシブル多層シート３２とを備える。
【００３３】
上記のようなプローブ基板２４は、配線基板２２の第２の端子に電気的に接続された複数の内部配線（図示せず）を有すると共に、それら内部配線に電気的に接続された複数のプローブランド（図示せず）を多層シート３２の下面に備える。内部配線及びプローブランドも、プローブ２６と同数設けられている。
【００３４】
補強部材２０と配線基板２２とは、補強部材２０の下面と配線基板２２の上面とを互いに当接させた状態に、複数のねじ部材（図示せず）により同軸的に結合されている。これに対し、プローブ基板２４は、プローブ２６が下方となるように、取り付けリング２８と複数のねじ部材とを用いて配線基板２２の下面に取り付けられている。
【００３５】
配線基板２２とプローブ基板２４との間に電気接続器を配置し、配線基板２２の導電路とプローブ基板２４の内部配線とをその電気接続器により電気的に接続してもよい。そのような電気接続器は、例えば、特開２００８−１４５２３８号公報に記載されている公知のものを用いることができる。
【００３６】
各プローブ２６は、図２から図４に示すように、上下方向へ伸びる取付部、すなわちフット部３４と、フット部３４の下部からフット部３４の延在方向と交差する横方向（水平方向）へ伸びるアーム部３６と、アーム部３６の先端部から下方へ突出する台座部３８と、台座部３８から下方へ突出する針先部４０とを含む。
【００３７】
図示の例では、フット部３４、アーム部３６及び台座部３８は、平板状のプローブ本体、すなわち針本体部を形成している。針先部４０の下端部は、横断面積が最も小さい下端をウエーハ１２の集積回路の電極に押圧される針先４２とされている。
【００３８】
各プローブ２６は、その針先４２が下方に突出した状態に、フット部３４の上端部において、半田のような導電性接合材による接合、レーザによる溶接等の手法により、前記したプローブランドに片持ち梁状に装着されている。
【００３９】
図１に示す例では、１０程度のプローブ２６を示しているにすぎないが、実際には、例えばウエーハ１２が３００ｍｍの直径寸法を有する場合、２万を超える多数のプローブ２６が設けられている。それらのプローブ２６の針先４２の高さ位置は、同じ位置とされている。
【００４０】
各プローブ２６の針本体部を形成している、フット部３４、アーム部３６及び台座部３８は、針先部４０より高い脆性を有しかつ晶質状態（非アモルファス状態）のニッケル・ボロン合金（Ｎｉ・Ｂ合金）で製作されている。
【００４１】
これに対し、針先部４０は、針本体部より高い硬度を有する導電性材料で製作されている。針先部４０用の導電性材料として、ロジウム、タングステン、コバルト、及びそれらとニッケルとの合金（ニッケル合金）を挙げることができる。
【００４２】
針本体部を主として形成しているニッケル・ボロン合金の結晶サイズは５０ｎｍ以下（すなわち、最大で５０ｎｍ）とされており、ボロンの含有量は０．０２重量％（ｗｔ％）以上、０．２０重量％（ｗｔ％）以下とされている。
【００４３】
針先部４０を形成している導電性材料４４は、図４に示すように、一部４４ａを台座部３８に埋没させ、残部４４ｂを台座部３８から下方に突出させて、針先部としている。このため、台座部３８は、ニッケル・ボロン合金に加えて、導電性材料４４の一部４４ａによっても形成されているが、主たる材料はニッケル・ボロン合金である。
【００４４】
［実験例１］
【００４５】
表１に示すように、針本体部が主としてニッケル（Ｎｉ）製のＮｉプローブＡ、針本体部が主としてニッケル・リン合金（Ｎｉ・Ｐ合金）製のＮｉ：ＰプローブＢ、針本体部が主としてニッケル・マンガン合金（Ｎｉ・Ｍｎ合金）製のＮｉ：ＭｎプローブＣ、及び針本体部が主としてニッケル・ボロン合金（Ｎｉ・Ｂ合金）製のＮｉ・ＢプローブＤを、電鋳法によりそれぞれ複数ずつ製作し、それらのプローブを熱処理して、完成させた。熱処理（焼鈍処理）は、３００°Ｃの恒温槽内で１時間加熱し、その恒温槽内で室温まで自然冷却させた。
【００４６】
各プローブは、図２から図４に示す形状を有する。またプローブＢ，Ｃ及びＤのリン、マンガン又はボロンの含有量は、平均値である。
【００４７】
そのようなプローブＡ，Ｂ，Ｃ及びＤを、それらのフット部３４を固定することにより、片持ち梁状に支持部材に支持させた状態で、プローブに２００ｎｍのオーバードライブ（ＯＤ）を作用させ、その後オーバードライブを解除して針先部４０をフリーにし、その状態でそれぞれ熱処理後の、針先部４０のＺ方向における高さ位置の変位量（μｍ）、固有抵抗（ｍΩ）及びＨＶ硬度を求めた。固有抵抗は、図２における部位３６，３８間の抵抗を四端子法で測定した。その結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
0005597385.tif 000002
【００４９】
表１から明らかなように、プローブ相互の機械的特性の関係及び電気的特性の関係は、以下のようになった。
機械的特性：ＮｉプローブＡ≦Ｎｉ・ＭｎプローブＣ＜Ｎｉ・ＢプローブＤ＜Ｎｉ・ＰプローブＢ
電気的特性：Ｎｉ・ＰプローブＢ＜Ｎｉ・ＢプローブＤ＜Ｎｉ・ＭｎプローブＣ≦Ｎｉ・プローブＡ
【００５０】
上記の結果、Ｎｉ・ＢプローブＤは、変位量がプローブＡ及びＣよりも優れ、固有抵抗がプローブＢよりも優れており、またＨＶ硬度がプローブＡ，Ｂ及びＣのいずれよりも優れているから、機械的特性及び電気的特性のいずれにおいても優れている、ということが明確になった。
【００５１】
［実験例２］
【００５２】
各プローブをそのフット部３４において実験例１と同じ状態に支持部材に支持させた状態で、各プローブに１２０ｎｍのオーバードライブ（ＯＤ）で導電板に５０万回タッチダウン（ＴＤ）させたときの耐久評価結果（ＴＤ回数とＺ方向における針先４２の高さ位置の変位量（μｍ）との関係）及び電流特性評価結果（印加電流と針圧維持率との関係）をそれぞれ図５及び図６に示す。
【００５３】
各プローブをそのフット部３４において実験例１と同じ状態に支持部材に支持させた状態で、各プローブに１２０ｎｍのオーバードライブ（ＯＤ）で導電板に５０万回タッチダウン（ＴＤ）させたときの耐久評価結果（ＴＤ回数とＺ方向における針先３４の高さ位置の変位量（μｍ）との関係）及び電流特性評価結果（印加電流と針圧維持率との関係）をそれぞれ図５及び図６に示す。
【００５４】
図５及び図６において、ＴＤ回数はｋ回（１０００回）で表示しており、また曲線５０，５２及び５４は、それぞれ、プローブＡ，Ｂ及びＤの評価結果を示す。図５及び図６から、プローブＤは、変位量及び固有抵抗はプローブＢより優れており、ＨＶ硬度はプローブＡ及びＢのいずれよりも優れている、ということが明確になった。
【００５５】
図５及び図６から、機械的特性及び電気的特性は以下のようになった。
機械的特性：ＮｉプローブＡ＜Ｎｉ・ＰプローブＢ≒Ｎｉ・ＢプローブＤ
電気的特性：Ｎｉ・ＰプローブＢ＜ＮｉプローブＡ＜Ｎｉ・ＢプローブＤ
【００５６】
上記の結果、Ｎｉ・ＢプローブＤは、機械的特性及び電気的特性の両者において、ＮｉプローブＡ及びＮｉ・ＰプローブＢよりも優れていることが明確になった。
【００５７】
［実験例３］
【００５８】
上記実験例１及び２で用いた複数のプローブＤの、Ｎｉ・Ｂ合金中のボロンの含有量（重量％＝ｗｔ％）の測定結果、結晶粒径の測定結果及びＸ線回折図形を、それぞれ、表２、表３及び図７に示し、測定条件を表４に示す。
【００５９】
【表２】
0005597385.tif 000003
【００６０】
【表３】
0005597385.tif 000004
【００６１】
【表４】
0005597385.tif 000005
【００６２】
表２、表３及び図７から、Ｎｉ・ＢプローブＤは、Ｎｉ・Ｂ合金中のボロンは平均で０．１８ｗｔ％含まれており、また１２２Å（１２．２ｎｍ）の平均粒径を有し、Ｎｉ（１１１）面及びＮｉ（２００）面で強いピークを有しており、さらにアモルファス化していないことが明確になった。
【００６３】
［実験例４］
【００６４】
実験例１と同様の電鋳法により製作した焼鈍前の６種類のＮｉ・ＢプローブＤを、それぞれ、１００°Ｃ、２００°Ｃ、３００°Ｃ、３６０°Ｃ、４００°Ｃ及び４５０°Ｃで１時間加熱し、実験例１と同様に恒温槽内で自然冷却させて、完成させた。それらのプローブについて、２００μｍのオーバードライブを作用させたときのＺ方向における針先高さ位置の変位量（μｍ）及びＨＶ硬度を測定した。
【００６５】
測定結果を図８に示す。図８において、曲線５６及び５８は、それぞれ、変位量及び硬度を示す。
【００６６】
図８から明らかなように、焼鈍温度が４００°Ｃ以上で硬度の低下が見られ、また４００°Ｃ以上では２００μｍのオーバードライブでの変位量はプローブの折損により測定できなかった。
【００６７】
図８から、熱処理温度の上限はプローブの折損を防止する上から４００°Ｃ未満が好ましく、下限は良好な硬度及び変位量が得られる２００°Ｃが好ましいことが明確になった。
【００６８】
[実験例５]
【００６９】
実験例１と同様の電鋳法により製作した熱処理前の６種類のＮｉ・ＢプローブＤを、それぞれ、３００°Ｃの同じ焼鈍温度で、０．５時間、１時間、２時間、３時間、４時間及び８時間焼鈍し、実験例１と同様に恒温槽内で自然冷却させて、完成させた。それらのプローブについて、２００μｍのオーバードライブを作用させたときのＺ方向における針先高さ位置の変位量（μｍ）及びＨＶ硬度を測定した。
【００７０】
その結果を図９に示す。図９において、曲線６０及び６２は、それぞれ、ＨＶ硬度及び変位量である。図９から、焼鈍時間は、変位量が少なく、硬度が高い１時間から２時間の範囲が好ましいことが明確になった。
【００７１】
[実験例６]
【００７２】
ボロンの含有量（ｗｔ％）が異なる複数のＮｉ・ＢプローブＤを実験例１と同じ手法により製作した。それらのプローブについて、応力（ＭＰａ）とＨＶ硬度を測定した。応力及びＨＶ硬度の測定結果を、それぞれ、図１０及び図１１に示す。
【００７３】
図１０から、ボロンの含有量の増加にともなって、応力が増加することが明確になった。しかし、応力が１００ＭＰａ以上になると、安定したメッキ被膜を作成することができなくなる。また、図１１から、ボロンの含有量が多くなるにともなって、硬度が大きくなることが明確になった。
【００７４】
ボロンの含有量が０．０８ｗｔ％以上であれば、Ｎｉ：ＢプローブＤの機械的特性及び電気的特性のいずれもが良好になる。また、焼鈍前のＮｉ：ＢプローブＤのＨＶ硬度が５００以上でなければ、充分な機械的特性を得ることが難しい。それゆえに、ボロンの含有量は、０．０２ｗｔ％から０．２０ｗｔ％の範囲内であることが望ましい。
【００７５】
[製造方法の実施例]
【００７６】
次に、図１２を参照して、プローブ２６の製造方法について説明する。説明及び図面の簡素化のために、以下の例では、同時に形成される多数のプローブを代表する１つのプローブについて説明する。
【００７７】
先ず、図１２（Ａ）に示すように、シリコンウエーハのような金属板が基台７０として準備され、シード層７２が基台７０の上面に形成される。シード層７２は、銅のようにエッチング処理により除去可能の金属材料を基台７０の上面にメッキすることにより形成することができる。
【００７８】
次いで、図１２（Ｂ）に示すように、フォトレジスト７４がシード層７２の上に塗布され、台座部３８の一部と針先部４０とを形成している導電性材料４４を模る開口７６がフォトレジスト７４に形成され、その開口７４に犠牲層７８が形成される。犠牲層７８は、銅のようにエッチング処理により除去可能の金属材料を、電鋳法、蒸着法、スパッタリング法等の堆積技術を用いて開口７６に堆積させることにより、形成することができる。
【００７９】
次いで、図１２（Ｃ）に示すように、フォトレジスト７４が除去され、フォトレジスト８０が露出されたシード層７２及び犠牲層７８の上に塗布され、針本体部を模る開口８２がフォトレジスト８０に形成される。
【００８０】
次いで、図１２（Ｄ）に示すように、その開口２４に針本体部の一部として作用する金属材料層８４が形成される。金属材料層８４は、ボロン（Ｂ）の含有量が０．０２ｗｔ％以上及び０．２０ｗｔ％以下となるＮｉ・Ｂ合金を、前記した堆積技術を用いて開口８２に堆積させることにより、形成することができる。
【００８１】
次いで、図１２（Ｅ）に示すように、フォトレジスト８０が除去され、フォトレジスト８６が露出されたシード層７２、犠牲層７８及び金属材料層８４の上に塗布され、台座部３８の一部と針先部４０とを形成している導電性材料４４を模る開口８８がフォトレジスト８６に形成され、その開口８８に台座部３８の一部と針先部４０とを形成する導電性材料層９０が形成される。導電性材料層９０は、ロジウムのような高硬度金属材料を、開口８８に前記した堆積技術を用いて体積させることにより、形成することができる。
【００８２】
次いで、図１２（Ｆ）に示すように、フォトレジスト８６が除去され、フォトレジスト９２が露出されたシード層７２、犠牲層７８、金属材料層８４及び導電性材料層９０の上に塗布され、針本体部の残部を模る開口９４がフォトレジスト９２に形成される。
【００８３】
次いで、図１２（Ｇ）に示すように、針本体部の残部として作用する金属材料層９４が開口９６に形成される。金属材料層９６は、ボロン（Ｂ）の含有量が０．０２ｗｔ％以上及び０．２０ｗｔ％以下となるＮｉ・Ｂ合金を、前記した堆積技術を用いて開口８２に堆積させることにより、形成することができる。
【００８４】
次いで、図１２（Ｈ）に示すようにフォトレジスト９２が除去され、図１２（Ｉ）に示すように犠牲層９０がエッチング処理により除去され、図１２（Ｊ）に示すようにシード層７２がエッチング処理により除去される。
【００８５】
上記の結果、図2に示すプローブと同様に形状を有する多数の堆積物９８が形成される。
【００８６】
得られた堆積物９８は、高温槽内において２００°Ｃ以上及び４００°Ｃ未満の温度で、１時間から２時間の間加熱された後、高温槽内で常温まで自然冷却される。これにより、堆積物９８は、プローブ２６に完成される。
【００８７】
上記の実施例では、プローブ基板３６を配線基板２２に取り付けているが、配線基板２２を省略してもよいし、プローブ２６を配線基板２２に取り付けて、プローブ基板３６を省略し、配線基板２２自体をプローブ基板として用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、上記実施例に限定されず、特許請求の範囲に記載された趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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