(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されており、第１及び第２の導電層を含む複数の導電層の積層体により構成されているＩＤＴ電極とを備える弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に第１のマスクを配置する工程と、
前記第１のマスクの上から前記第１の導電層を形成する第１の導電層形成工程と、
前記第１の導電層形成工程の後に、前記第１のマスクを除去する第１の除去工程と、
前記第１の除去工程の後に、前記圧電基板上に第２のマスクを配置する工程と、
前記第２のマスクの上から前記第２の導電層を形成する第２の導電層形成工程と、
を備える弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の導電層形成工程の前に、溝を形成する工程をさらに備え、
前記第１の導電層の少なくとも一部が前記溝の内部に位置するように前記第１の導電層を形成する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のマスクを用いて前記溝を形成し、
前記第１の導電層の全体が前記溝の内部に位置するように前記第１の導電層を形成する、請求項２に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２のマスクとは異なるマスクを用いて前記溝を形成する、請求項２に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波共振子や弾性波フィルタ装置などの弾性波装置が広く用いられるようになってきている。
【０００３】
一般的に、弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性波を励振させるＩＤＴ電極とを備えている。弾性境界波装置は、ＩＤＴ電極を覆うように圧電基板の上に形成された誘電体層をさらに備えており、この誘電体層によりＩＤＴ電極で励振された弾性波が閉じ込められ、弾性境界波となる。
【０００４】
例えば下記の特許文献１に記載のように、ＩＤＴ電極は、一般的に、フォトレジストからなるレジストマスクの上から導電層を成膜することにより形成される。具体的には、下記の特許文献１には、圧電基板の上に配置したレジストマスクの上から、下層電極膜、上層電極膜及び被覆電極膜をこの順番で形成した後に、被覆電極膜の上面のみをエッチングすることによりＩＤＴ電極を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、ＩＤＴ電極の形成工程において、圧電基板上に導電材料の体積が進むにつれて、レジストマスクの開口部にも導電材料が堆積していく。このため、ＩＤＴ電極の形成工程において、レジストマスクの開口面積が徐々に小さくなっていく。よって、ＩＤＴ電極の頂部の幅がＩＤＴ電極の底部の幅よりも小さくなってしまう。従って、横断面積が十分に大きく、電気抵抗が十分に低いＩＤＴ電極を形成することが困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＩＤＴ電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造し得る弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、第１及び第２の導電層を含む複数の導電層の積層体により構成されているＩＤＴ電極とを備える弾性波装置の製造方法に関する。本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板の上に第１のマスクを配置する工程と、第１のマスクの上から第１の導電層を形成する第１の導電層形成工程と、第１の導電層形成工程の後に、第１のマスクを除去する第１の除去工程と、第１の除去工程の後に、圧電基板上に第２のマスクを配置する工程と、第２のマスクの上から第２の導電層を形成する第２の導電層形成工程とを備えている。
【０００９】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、第１の導電層形成工程の前に、溝を形成し、第１の導電層の少なくとも一部が溝の内部に位置するように第１の導電層を形成する。
【００１０】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、第１のマスクを用いて溝を形成し、第１の導電層の全体が溝の内部に位置するように第１の導電層を形成する。この構成によれば、第１の導電層の形成に用いるマスクと溝を形成するために用いるマスクとを別個に設ける必要がない。従って、溝形成用のマスクの形成工程及び除去工程を省略することができる。従って、弾性波装置の製造が容易となる。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第１及び第２のマスクとは異なるマス
クを用いて溝を形成する。この場合、第１の導電層の一部が溝の外部に位置している弾性波装置であっても好適に形成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、第１の導電層の形成に用いた第１のマスクとは異なる第２のマスクを用いて第２の導電層を形成する。このため、第２の導電層の形成時において、マスクの開口が狭くなりすぎることを抑制できる。よって、横断面積の広い第２の導電層を形成することができる。従って、本発明によれば、ＩＤＴ電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【図３】第１の実施形態における第１のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図４】第１の実施形態における第１の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図５】第１の実施形態における第１の除去工程を説明するための略図的断面図である。
【図６】第１の実施形態における第２のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図７】第１の実施形態における第２の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図８】比較例におけるマスク形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図９】比較例における第１の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図１０】比較例における第２の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図１１】第２の実施形態における弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図１２】第２の実施形態における第１のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図１３】第２の実施形態における溝形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図１４】第２の実施形態における第１の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図１５】第２の実施形態における第１の除去工程を説明するための略図的断面図である。
【図１６】第２の実施形態における第２のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図１７】第２の実施形態における第２の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図１８】第１の変形例における弾性境界波装置の略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施した好ましい形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【００１５】
（第１の実施形態）
（弾性表面波装置１の構成）
図１は、第１の実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。まず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態において製造する弾性表面波装置１の構成について説明する。
【００１６】
図１及び図２に示すように、弾性表面波装置１は、圧電基板１０を備えている。圧電基板１０は、適宜の圧電材料からなる。圧電基板１０は、例えば、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、水晶、ＺｎＯなどにより形成することができる。
【００１７】
圧電基板１０の上には、ＩＤＴ電極１１と、一対のグレーティング反射器１２，１３が形成されている。グレーティング反射器１２，１３は、ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に配置されている。
【００１８】
図２に示すように、ＩＤＴ電極１１及び反射器１２，１３は、第１及び第２の導電層１１ａ、１１ｂを含む複数の導電層の積層体により構成されている。具体的には、本実施形態では、ＩＤＴ電極１１及び反射器１２，１３は、第１及び第２の導電層１１ａ、１１ｂの積層体により構成されている。もっとも、本発明においては、第１及び第２の導電層を含む３層以上の導電層の積層体によりＩＤＴ電極が構成されていてもよい。
【００１９】
本実施形態では、第２の導電層１１ｂは、第１の導電層１１ａの上面及び側面を覆うように形成されている。もっとも、本発明においては、第２の導電層は、第１の導電層の上にのみ形成されていてもよいし、第１の導電層の上面及び側面を覆うように形成されていてもよい。
【００２０】
第１及び第２の導電層１１ａ、１１ｂは、適宜の導電材料からなる。第１及び第２の導電層１１ａ、１１ｂは、例えば、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、もしくは、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。なお、第１及び第２の導電層１１ａ、１１ｂは、互いに同じ材料からなるものであってもよいし、互いに異なる材料からなるものであってもよい。
【００２１】
（弾性表面波装置１の製造方法）
次に、本実施形態における弾性表面波装置１の製造方法について説明する。
【００２２】
まず、図３に示すように、圧電基板１０の上に、第１のマスク２１を配置する（第１のマスク配置工程）。第１のマスク２１は、例えば、レジストなどにより形成することができる。
【００２３】
次に、図４に示すように、第１のマスク２１の上から、スパッタリング法やＣＶＤ法などの適宜の薄膜形成法により、第１の導電層１１ａを形成する（第１の導電層形成工程）。この第１の導電層形成工程においては、圧電基板１０上に第１の導電層１１ａが形成されると共に、第１のマスク２１の上にも導電層２２が形成される。このため、第１の導電層１１ａの形成が進行するにつれて、第１のマスク２１の開口面積が徐々に小さくなっていく。従って、作成された第１の導電層１１ａの横断面形状は、圧電基板１０から離れるに従って先細る形状となる。具体的には、第１の導電層１１ａの横断面形状は、例えば、略台形状となる。
【００２４】
次に、図５に示すように、第１のマスク２１を、溶剤などを用いて除去（リフトオフ）する（第１の除去工程）。この第１の除去工程において、第１のマスク２１の上に形成されていた導電層２２も除去され、圧電基板１０の上に第１の導電層１１ａが残された状態となる。
【００２５】
なお、上述の第１の導電層形成工程を長期間にわたって行った場合、圧電基板１０上の第１の導電層１１ａと、第１のマスク２１上の導電層２２とが繋がってしまう場合がある。第１のマスク２１と導電層２２とが繋がってしまうとリフトオフが困難になる。従って、第１の導電層形成工程では、第１の導電層１１ａと導電層２２とが繋がらないように成膜することが好ましい。
【００２６】
次に、図６に示すように、圧電基板１０上に第２のマスク２３を配置する（第２のマスク配置工程）。第２のマスク２３も、第１のマスク２１と同様に、例えば、レジストにより形成することができる。
【００２７】
次に、図７に示すように、第２のマスク２３の上から、スパッタリング法やＣＶＤ法などの適宜の薄膜形成法により、第２の導電層１１ｂを形成する（第２の導電層形成工程）。この第２の導電層形成工程においては、圧電基板１０上に第２の導電層１１ｂが形成されると共に、第２のマスク２３の上にも導電層２４が形成される。このため、第２の導電層１１ｂの形成が進行するにつれて、第２のマスク２３の開口面積が徐々に小さくなって行く。従って、作成された第２の導電層１１ｂの横断面形状も、第１の導電層１１ａの横断面形状と同様に、圧電基板１０から離れるに従って先細る形状となる。
【００２８】
最後に、第２のマスク２３を、溶剤などを用いて除去（リフトオフ）する（第２の除去工程）。この第２の除去工程において、第２のマスク２３の上に形成されていた導電層２４も除去され、図１及び図２に示す弾性表面波装置１が完成する。
【００２９】
なお、この第２の除去工程において、リフトオフが困難とならないように、第２の導電層形成工程においては、第１の導電層形成工程と同様に、第２の導電層１１ｂと導電層２４とが繋がらないように成膜することが好ましい。
【００３０】
ところで、本実施形態のように、ＩＤＴ電極を複数の導電層の積層体により構成する場合、マスクの配置及び除去工程の数量を少なくするために、通常は、共通のマスクを用いて複数の導電層を成膜する。具体的には、まず、図８に示すように、圧電基板１１０の上にマスク１２１を形成する。その後、図９及び図１０に示すように、マスク１２１の上から、第１の導電層１１１ａと、第２の導電層１１１ｂとを連続して形成する。
【００３１】
しかしながら、この場合は、第１の導電層１１１ａの形成工程と、第２の導電層１１１ｂの形成工程とのそれぞれにおいて、マスク１２１の上に導電層１２２，１２４が堆積する。導電層１２２，１２４が堆積するにつれて、マスク１２１の開口面積が加速度的に小さくなって行く。このため、第２の導電層１１１ｂ、特に第２の導電層１１１ｂの上部は幅狭となってしまう。よって、横断面積が大きな第２の導電層１１１ｂを形成し、ＩＤＴ電極を低抵抗にすることは困難である。
【００３２】
それに対して本実施形態では、上述のように、第１の導電層１１ａの形成に用いた第１のマスク２１を除去し、新たな第２のマスク２３を用いて第２の導電層１１ｂを形成する。このため、第２の導電層１１ｂを幅広に形成することができる。よって、横断面積が大きく、電気抵抗が低いＩＤＴ電極を形成することができる。
【００３３】
また、第１の導電層１１ａの形成と、第２の導電層１１ｂの形成とに異なるマスク２１，２３を用いることにより、第２の導電層１１ｂを厚く付けた場合であっても、マスク上の導電層と、第２の導電層１１ｂとが繋がりにくくなる。従って、第２の導電層１１ｂを厚く付けた場合であっても、リフトオフ可能である。すなわち、本実施形態の弾性表面波装置の製造方法によれば、第２の導電層１１ｂを厚く付けることが可能である。従って、より電気抵抗が低いＩＤＴ電極を形成することができる。
【００３４】
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例や変形例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００３５】
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態における弾性表面波装置の略図的断面図である。
【００３６】
上記第１の実施形態では、圧電基板１０の平坦な表面の上にＩＤＴ電極１１及び反射器１２，１３が形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
【００３７】
図１１に示すように、本実施形態では、圧電基板１０の表面に溝１０ａが形成されている。そして、その溝１０ａ内に第１の導電層１１ａが形成されている。本実施形態では、具体的には、溝１０ａは、第１の導電層１１ａにより埋められており、第２の導電層１１ｂは、溝１０ａの外に形成されている。
【００３８】
本実施形態においても、まず、図１２に示すように、第１のマスク配置工程を行う。この本実施形態における第１のマスク配置工程は、上記第１の実施形態における第１のマスク配置工程と実質的に同様である。
【００３９】
次に、本実施形態では、図１３に示すように、第１のマスク２１の上から圧電基板１０をエッチングすることにより、圧電基板１０の表面に溝１０ａを形成する。圧電基板１０のエッチング方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＢＣｌ３，ＮＨ３，Ａｒ，Ｘｅ，Ｏ２，ＣＯ２，等のガスを用いるドライエッチングにより行うことができる。
【００４０】
次に、図１４に示すように、溝１０ａの形成にも用いた第１のマスク２１を用いて、第１の導電層１１ａを形成する（第１の導電層形成工程）。この本実施形態における第１の導電層形成工程は、上記第１の実施形態における第１の導電層形成工程と実質的に同様である。
【００４１】
次に、図１５に示す、第１のマスク２１と、第１のマスク２１の上に形成されていた導電層２２とを除去する第１の除去工程、図１６に示す第２のマスク形成工程、図１７に示す第２の導電層形成工程、及び第２の除去工程を行うことにより、弾性表面波装置を完成させる。なお、これら本実施形態における第１の除去工程、第２のマスク形成工程、第２の導電層形成工程及び第２の除去工程は、上記第１の実施形態における第１の除去工程、第２のマスク形成工程、第２の導電層形成工程及び第２の除去工程と実質的に同様である。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態でも、上記第１の実施形態と同様に、第１の導電層１１ａの形成と、第２の導電層１１ｂの形成とで異なるマスクを使用する。従って、上記第１の実施形態と同様に、横断面積が大きく、電気抵抗が低いＩＤＴ電極を形成することができる。
【００４３】
なお、本実施形態のように、第１のマスク２１を用いて溝１０ａを形成する場合は、第１の導電層１１ａの全体が溝１０ａ内に位置するように第１の導電層１１ａを形成することが好ましい。溝１０ａの形成に第１のマスク２１を用いた場合、第１のマスク２１の表面が劣化し、第１のマスク２１の表面に導電層がより付着しやすくなる。このため、例えば、第１の導電層の一部が溝外に位置するように第１の導電層を形成すると、第１の導電層と、第１のマスクの上に形成された導電層とが繋がってしまい、リフトオフが困難となる場合がある。
【００４４】
それに対して、本実施形態のように、第１の導電層１１ａの全体が溝１０ａ内に位置するように第１の導電層１１ａを形成した場合は、第１の導電層１１ａと、第１のマスクの上に形成された導電層２２とが繋がりにくい。従って、リフトオフが容易となる。
【００４５】
（変形例）
上記第２の実施形態では、第１の導電層１１ａの形成に用いる第１のマスク２１を用いて溝１０ａを形成する例について説明した。但し、本発明はこれに限定されない。第１及び第２のマスクとは異なるマスクを用いて溝１０ａを形成してもよい。この方法は、第１の導電層１１ａの一部が溝１０ａ外に位置している弾性波装置の製造に好適である。
【００４６】
上記第１及び第２の実施形態では、本発明を実施した好ましい形態の例について、弾性表面波装置の製造方法を例に挙げて説明した。但し、本発明はこれに限定されない。本発明は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置の製造にも好適に適用されるものである。その場合は、図１８に示すように、第２の導電層形成工程の後に、少なくとも一層の誘電体層３０を形成すればよい。
【符号の説明】
【００４７】
１…弾性表面波装置
１０…圧電基板
１０ａ…溝
１１…ＩＤＴ電極
１１ａ…第１の導電層
１１ｂ…第２の導電層
１２，１３…反射器
２１…第１のマスク
２２，２４…導電層
２３…第２のマスク
３０…誘電体層
【図１】
0005560998.tif 000002
【図２】
0005560998.tif 000003
【図３】
0005560998.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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