(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＥＭ観察により測定した平均粒径（メジアン径）が２００ｎｍ以下のペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含むセラミック粉末であって、
該チタン酸バリウムのＴＥＭ観察により測定される双晶欠陥の割合が１３％以上であり、結晶格子におけるｃ／ａが１．００８０以上である、セラミック粉末。
【請求項２】
前記チタン酸バリウムの平均粒径が８０〜２００ｎｍである、請求項１に記載のセラミック粉末。
【請求項３】
前記チタン酸バリウムの双晶欠陥の割合が１３〜２３％である、請求項１又は２に記載のセラミック粉末。
【請求項４】
前記チタン酸バリウムの結晶格子におけるｃ／ａが１．００９１〜１．０１０５である、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック粉末。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック粉末の焼結体からなる誘電体層と、内部電極層とを交互に積層させてなる、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に薄層誘電体層を使用した積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）において有用な、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含むセラミック粉末及び当該セラミック粉末を使用して得られるＭＬＣＣに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Multi-Layer Ceramic Capacitor）は、携帯機器、通信機器等の様々な電子機器に用いられている。
【０００３】
近年、ＭＬＣＣ等の電子部品は小型化、高性能化の流れが著しく、例えばＭＬＣＣの場合、小型化と大容量化が著しい。ＭＬＣＣの容量は、ＭＬＣＣの素地を構成する誘電体層の積層数に比例し、誘電体層一層あたりの厚みに反比例するので、誘電体層の厚みを、例えば１μｍ以下に薄くしつつ、積層数を増やすことが望まれている。
【０００４】
このような誘電体層の形成材料たるセラミック粉末として、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末が広く用いられている。
【０００５】
性能や信頼性を確保する観点から、また物理的にも、前記の誘電体層の厚みを薄くするためには、チタン酸バリウム粉末を微細化することが重要である。
【０００６】
ここで、誘電体層の薄層化に適したチタン酸バリウム系化合物の合成方法として、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合し、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る方法が提案されている（特許文献１）。
【０００７】
特許文献１の方法で得られるチタン酸バリウム系化合物粉末は、その平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、１０％以上の粒子の内部に双晶欠陥が存在し、粒度分布の標準偏差が２０以下であると記載され、さらに当該粉末を使用すれば、表面粗さのバラツキを抑えることができ、それによりＭＬＣＣのショート率や絶縁抵抗の不良を抑制することができる旨記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１３２０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１では、具体的な電気的特性に関するデータが示されていないが、一般的にはこのような１００ｎｍ以下の小粒径チタン酸バリウムセラミック粉末は、焼成して誘電体層とする際、例えば酸素分圧や温度など焼成条件の変動に対して、得られる誘電体層の電気的特性の変動の幅が大きい、すなわち適正な焼成温度幅が狭い。
【００１０】
一般にＭＬＣＣを製造する際には、グリーンシートと呼ばれる、内部電極層とセラミック粉末を含む層との積層体を集積・積層してＭＬＣＣ成型物を多数作成し、これらを焼成炉に入れて一度に焼成処理がなされる。
【００１１】
このため各成型物を完全に均等に加熱することは困難であり、焼成ムラが生じ、焼結がより進行する部分や、反対に焼結が抑制される部分が生じるため、適正焼成温度幅が狭いと、不良品が発生して歩留まりが低下してしまう。
【００１２】
従って、特許文献１記載の方法では、高い歩留まりが期待できず、焼成条件の変動、例えば温度や酸素分圧の小さな変動によっても、得られるＭＬＣＣの特性が大きく影響を受けるだけでなく、歩留まりが大きく低下してしまう。
【００１３】
そこで本発明は、適正焼成温度幅が広く生産性に優れた、特に１μｍ以下の薄層誘電体層の形成に有用な、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を提供し、これにより高い歩留まりで信頼性の高い均質なＭＬＣＣ製品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、平均粒径が一定以下で、かつ双晶欠陥を一定割合以上含み、結晶格子のｃ／ａが一定値以上とテトラゴナリティ（正方晶度）の高いチタン酸バリウムを含むセラミック粉末が、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するにいたった。
【００１５】
すなわち本発明は、ＳＥＭ観察により測定した平均粒径（メジアン径）が２００ｎｍ以下のペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含むセラミック粉末であって、該チタン酸バリウムのＴＥＭ観察により測定される双晶欠陥の割合が１３％以上であり、結晶格子におけるｃ／ａが１．００８０以上である、セラミック粉末である。
【００１６】
前記チタン酸バリウムの平均粒径は、８０〜２００ｎｍであることが、優れた誘電体層を得る観点から好ましい。
【００１７】
本発明のセラミック粉末を構成するペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムは、その双晶欠陥の割合が１３〜２３％であり、結晶格子におけるｃ／ａが１．００９１〜１．０１０５であることが好ましい。このような範囲にある本発明のセラミック粉末を使用すると、高い歩留まりでＭＬＣＣを生産することができる。
【００１８】
さらに本発明のＭＬＣＣは、本発明のセラミック粉末の焼結体からなる誘電体層と、内部電極層とを交互に積層させてなるものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、適正焼成温度幅が広く生産性に優れた、特に１μｍ以下の薄層誘電体層の形成に有用な、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末が提供され、このセラミック粉末を使用すれば、高い歩留まりでＭＬＣＣを製造することができるので、ＭＬＣＣの製造コスト削減にもつながる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、双晶欠陥を形成しているチタン酸バリウム粒子を示す模式図である。
【図２】図２は、本発明の積層セラミックコンデンサの概略縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
上述の通り、本発明のセラミック粉末はペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含み、そのチタン酸バリウムの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により測定した平均粒径（メジアン径）は２００ｎｍ以下である。
【００２２】
前記平均粒径は、チタン酸バリウムの粉末サンプルをＳＥＭ観察し、ｎ＝５００として、そのメジアン径をとることで求められる。
【００２３】
平均粒径が２００ｎｍよりも大きいと、厚み１μｍ以下で、かつ平滑で信頼性の高い誘電体層を得ることができない。
【００２４】
また平均粒径は通常８０ｎｍ以上であり、本発明のセラミック粉末を使用して得られる誘電体層の薄層化の観点から好ましくは８０〜２００ｎｍである。なお、平均粒径の調整方法については後述する。
【００２５】
次に、前記ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムは、その透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により測定される双晶欠陥の割合が１３％以上である。双晶欠陥の割合は、前記チタン酸バリウムの粉末をＴＥＭ観察し、ｎ＝１００として双晶を形成しているものをカウントすることにより測定する。双晶欠陥を形成しているチタン酸バリウム粒子の模式図を図１に示す。
【００２６】
本発明においては、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムの双晶欠陥の割合が１３％以上であり、かつその結晶格子におけるｃ／ａが一定の値以上であることにより、これらが何らかの相乗作用を示し、本発明のセラミック粉末に広い適正焼成温度幅を与えているものと考えられる。
【００２７】
このような観点からは、前記双晶欠陥の割合は１３〜２３％であることが好ましい。なお、双晶欠陥の割合の調整方法については後述する。
【００２８】
前記ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムの結晶格子におけるｃ／ａは、前述の通り１．００８０以上である。ｃ／ａは、公知の粉末Ｘ線回折法によりチタン酸バリウムの回折ピークを測定し、得られた回折ピークをリートベルト法で解析し、ａ軸とｃ軸の格子定数を算出することにより求めることができる。
【００２９】
このようにチタン酸バリウムのテトラゴナリティ（正方晶度）が高く、かつ双晶欠陥の割合が一定以上である本発明のセラミック粉末は、適正焼成温度幅が広く、これを使用して高い歩留まりでＭＬＣＣを製造することができる。
【００３０】
また、チタン酸バリウムのテトラゴナリティが高いと、その誘電率が高くなり、ＭＬＣＣの高容量につながるので好ましい。
【００３１】
以上の観点からは、ｃ／ａは１．００９１〜１．０１０５であれば、本発明のセラミック粉末を使用して得られるＭＬＣＣの容量ばらつきがおよそ２％以下になるのでより好ましい。なお、ｃ／ａの調整方法については後述する。
【００３２】
次に、本発明のセラミック粉末の製造方法について説明する。当該製造方法は、前記粉末の主成分を構成するチタン酸バリウムが以上説明した種々のパラメータを達成することができる限り特に限定されないが、例えば以下のように種々の条件、要因を考慮、調整して製造することができる。
【００３３】
一般的に、まずチタン原料とバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成し、これを熱処理して焼成することによりセラミック粉末とし、必要に応じて粒径の調整のために粉砕処理を行い、さらに必要に応じて種々の添加化合物と混合する。
【００３４】
前記のチタン酸バリウムの合成方法としては従来種々の方法が知られており、例えばゾルゲル法、水熱法、固相法等が知られている。
【００３５】
これらのうち、ゾルゲル法や水熱法は双晶欠陥の発生を抑制し、またｃ／ａの値を低下させる傾向がある。
固相法は、双晶欠陥の発生を多くし、またｃ／ａの値を高くする傾向がある。
【００３６】
さらに合成されたチタン酸バリウムにおける、バリウムとチタンとの比（Ｂａ／Ｔｉ）は、ストイキオメトリーから僅かに大きいとｃ／ａの値を高め、逆に小さいとｃ／ａの値を低くする傾向がある。双晶欠陥の割合にはあまり影響しない。
【００３７】
さらに前記の熱処理は、本発明においては、水熱処理と加熱処理の二段階に分けて行うことが好ましい。
【００３８】
前記加熱処理の温度が高い又は時間が長いと、双晶欠陥の発生割合が高まり、ｃ／ａの値が高くなる傾向があり、反対に加熱処理の温度が低い又は時間が短いと、双晶欠陥の発生が抑制され、またｃ／ａの値が低くなる傾向がある。
【００３９】
前記水熱処理は、ゾルゲル法等により合成されたチタン酸バリウム粉末を水や所定の水溶液等の液に投入し、液を媒体として前記粉末に熱エネルギーを付与することにより実現される。
【００４０】
水熱処理温度は１００℃以上が好ましく、１００℃未満ではチタン酸バリウムのテトラゴナリティを高める効果はあまり期待できない。なお、水熱処理温度は、通常２００℃以下である。
【００４１】
水熱処理の時間には特段制限はないが、１時間以上であれば充分な水熱処理を行うことができ、通常１２時間以下である。また、水熱処理時の圧力は１ＭＰａ以上であれば充分な効果が期待できる。
【００４２】
さらに、水熱処理用の液は水であっても構わないが、好ましくは前記ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムのＡサイト金属イオン、すなわちバリウムイオンを所定濃度で含む水溶液、望ましくは、処理粉末に含まれるＡサイト金属のモル数の０．１倍以上のＡサイト金属イオンを含む水溶液を使用する。
【００４３】
水熱処理を終えた後、チタン酸バリウム粉末を乾燥し、そして熱処理を加えることで、粒子を成長させて、所望の平均粒径を有するチタン酸バリウム粉末を得る。またこの熱処理によって、チタン酸バリウムの双晶欠陥の割合及び結晶格子のｃ／ａの値がさらに高まる。
【００４４】
前記加熱処理の条件は特に限定されないが、通常５００〜１２００℃／０．５〜６時間の条件で、好ましくは８９０〜９７０℃／２〜６時間の条件である。またこの加熱処理は、大気雰囲気下で行ってもよいし、Ｎ２等の雰囲気下で行ってもよい。
【００４５】
このように一定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって、粒子成長の度合いを制御して、所望の平均粒径が達成される。焼成する前は、チタン酸バリウム粉末の平均粒径は通常１０〜４０ｎｍであるが、この加熱処理（焼成）により、通常８０〜２００ｎｍまで成長する。
【００４６】
以上説明した加熱処理により、チタン酸バリウムの双晶欠陥の割合を高め、また結晶格子のｃ／ａの値を高めることができる。
【００４７】
このようにして得られたチタン酸バリウム粉末を、必要に応じて粉砕処理し、粒径を調節したり、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整える。
【００４８】
この粉砕処理は湿式でも乾式でもよいが、乾燥凝集の観点から乾式粉砕が好ましい。なお、乾式粉砕を行うと、ｃ／ａの値が低下する傾向がある。双晶欠陥の割合にはあまり影響しない。
【００４９】
本発明においては、以上の各操作における傾向を踏まえたうえで、個々の条件等を適宜調節・設定して、本発明で規定される平均粒径、双晶欠陥割合及びｃ／ａ値を満たすペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末を製造する。
【００５０】
特に本発明においては、ゾルゲル法又は固相法によりチタン酸バリウムを製造し、製造されたチタン酸バリウムを１１０〜１２０℃／２〜２４時間／ｐＨ１３．０〜１３．５の条件で水熱処理し、水熱処理されたチタン酸バリウムを８９０〜９７０℃／２〜６時間の条件で加熱処理して、必要に応じて加熱処理されたチタン酸バリウムに乾式粉砕処理を行って、チタン酸バリウム粉末を得ることが好ましい。
【００５１】
本発明のセラミック粉末は、例えば以上のようにして得られるチタン酸バリウム粉末を含んでおり、後述するように、必要に応じて種々の添加化合物を含む。
【００５２】
例えば以上説明したようにして得られる本発明のセラミック粉末は、適正焼成温度幅が広く、また平均粒径も小さいため、これを使用して、厚み１μｍ以下の誘電体層を有する高品質なＭＬＣＣを高い歩留まりで製造することができる。製造されたＭＬＣＣは、十分な静電容量を有し、また製品ごとの静電容量のバラツキが小さく、欠陥品ができにくい。
【００５３】
次に、本発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサを説明する。図２は、本発明の積層セラミックコンデンサ１の概略縦断面図である。
【００５４】
積層セラミックコンデンサ１は、規格で定められたチップ寸法及び形状（例えば１．０×０．５×０．５ｍｍの直方体）を有するセラミック焼結体１０と、セラミック焼結体１０の両側に形成される一対の外部電極２０とから概ね構成される。セラミック焼結体１０は、チタン酸バリウムの粒子結晶を主成分とし、内部に誘電体層１２と内部電極層１３とが交互に積層されてなる積層体１１と、積層方向上下の最外層として形成されるカバー層１５とを有している。
【００５５】
積層体１１は、静電容量や要求される耐圧等の仕様に応じて、２枚の内部電極層１３で挟まれる誘電体層１２の厚さが１μｍ以下（例えば９００ｎｍ程度）であって、全体の積層数が数十〜数百の高密度多層構造を有している。
【００５６】
積層体１１の最外層部分に形成されるカバー層１５は、誘電体層１２及び内部電極層１３を外部からの湿気やコンタミ等の汚染から保護し、それらの経時的な劣化を防ぐ。
【００５７】
積層セラミックコンデンサ１は、例えば次のようにして製造される。まず、チタン酸バリウムを主成分とする微粒子の原料粉末を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥、粉砕して誘電体粉末（本発明のセラミック粉末）を調製する。前記添加化合物としては例えば、Ｍｇ，Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｃｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ｌｉ，Ｂ，Ｎａ又はＫの酸化物が挙げられる。これらの添加化合物は通常、チタン酸バリウム１モルに対して、合計で０．０１〜０．１モル添加される。
【００５８】
調製した誘電体粉末をポリビニルブチラール樹脂等のバインダ及びエタノール等の有機溶剤で湿式混合し、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に厚み１μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。そして、誘電体グリーンシートの表面に、有機バインダを含む金属導電ペーストをスクリーン印刷やグラビア印刷により印刷することで内部電極層１３のパターンを配置する。前記金属として、コストの観点からニッケルが広く採用されている。
【００５９】
なお、前記金属導電ペーストには共材として、平均粒径が５０ｎｍ以下のチタン酸バリウムを均一に分散させてもよい。その後、例えば１５ｃｍ×１５ｃｍの大きさに打ち抜いて揃えられた誘電体グリーンシートを内部電極層１３と誘電体層１２とが互い違いになるように所定層数だけ積層する。積層した誘電体グリーンシートの上下にカバー層１５となるカバーシートを圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットし、その後に外部電極２０となるＮｉ導電ペーストをカットした積層体の両側面に塗布して乾燥させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１の成型体が得られる。
【００６０】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサ１の成型体を、約３５０℃のＮ２雰囲気中で脱バインダした後に、Ｎ２、Ｈ２、Ｈ２Ｏの混合ガス（酸素分圧が約１．０×１０−１１ＭＰａ）において１１００〜１２８０℃で１０分〜２時間焼成することで、積層セラミックコンデンサ１が得られる。
【００６１】
得られた積層セラミックコンデンサ１において、内部電極層１３は誘電体層１２の長さ方向両端面に端縁が交互に露出するように埋設されており、内部電極層１３の端縁に露出した部分が、外部電極２０と接続している。
【００６２】
また、前記誘電体層１２の厚みは通常３μｍ以下、好ましくは０．５〜１μｍであり、前記内部電極層１３の厚みは通常０．５〜３μｍである。本発明のセラミック粉末においては、その主成分であるチタン酸バリウムの平均粒径が２００ｎｍ以下にコントロールされているため、このような薄層誘電体層であっても、その表面において優れた平滑性が達成され、ショート等の不具合が起きにくい積層セラミックコンデンサが得られる。
【００６３】
さらに前記焼成により、前記誘電体粉末の主成分であるチタン酸バリウムからなるコア部と、前記添加化合物及びチタン酸バリウムの固溶体からなるシェル部とを有するコア−シェル構造の粒子が形成されることにより誘電体層に良好な温度特性が付与され、ＭＬＣＣが周辺環境の温度変化にさらされても、静電容量等の性能変化が小さい。
【実施例】
【００６４】
（実施例１）
ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末を以下の手法で得た。
【００６５】
先ず、ゾルゲル法で合成された平均粒径；１５ｎｍ、Ｂａ／Ｔｉ比；1.0021のチタン酸バリウム粉体を、120℃／6時間／pH13.5の条件で水熱処理し、乾燥後にＮ２雰囲気中で９７０℃／２時間の条件で加熱処理（焼成）を施して、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末を得た。前記チタン酸バリウムの平均粒径は１４５ｎｍであり、双晶欠陥を含む割合は１６％、ｃ／ａは１．０１０１であった。
【００６６】
なお平均粒径については、粉末サンプルをＳＥＭ観察し、５００個の粒子について粒径を測定し、そのメジアン径を平均粒径とした。
【００６７】
双晶割合については、粉末サンプルをＴＥＭ観察し、１００個の粒子について双晶を形成しているものをカウントすることにより、その割合を求めた。
さらにｃ／ａは、粉末Ｘ線回折測定を行い、リートベルト解析を実施することにより求めた。
【００６８】
得られたチタン酸バリウム粉末を原料に、X7R系誘電体組成｛（１００BaTiO3−１．０Ｈｏ２Ｏ３−１．０ＭｇＯ−０．７ＭｎＯ２−１．５ＳｉＯ２）；単位  ｍｏｌ｝にてセラミック粉末を得て、常法によりＭＬＣＣの成型物を作製し、これを焼成炉内で焼成し、誘電体層数５０、ニッケル内部電極層数５１、誘電体層１層の厚み１μｍのＭＬＣＣを作製した。
【００６９】
１００個のＭＬＣＣサンプルについて、その静電容量を測定し、その平均値、および平均値に対する標準偏差を評価したところ、以下の結果となり、非常に均一な容量分布をもつＭＬＣＣが得られたことがわかった。
【００７０】
【数１】
0005629719.tif 000002
【００７１】
前記標準偏差（静電容量のバラツキ）に関しては、バラツキが大きくなると静電容量に関する歩留まりが低下することから、その数値が３．０％未満を合格とした。
【００７２】
このようにサンプルは静電容量のバラツキが小さかったことから、本発明のセラミック粉末は適正焼成温度幅が広く、生産性が高いことが分かる。
【００７３】
以上の結果を下記表１及び２にまとめる。なお、焼成後のＭＬＣＣをＴＥＭ解析した結果、用いたＭＬＣＣにおいて、その製造に用いたチタン酸バリウム粉末原料の双晶欠陥の割合と同等な割合で双晶欠陥が含まれることが確認された。
【００７４】
（比較例１）
実施例１において得られたペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末を、気流式乾式粉砕機（ジェットマイザー）を用いて２パス処理を行ったところ、前記粉末の平均粒径が１３０ｎｍに、ｃ／ａが１．００７８となった。また双晶欠陥を含む粒子の割合は、粉砕処理を行う前と同じ１６％であった。
【００７５】
このチタン酸バリウム粉末を原料に、実施例１と同一組成にてセラミック粉末を得て、誘電体層数５０、ニッケル内部電極層数５１、誘電体層の１層の厚みが１μｍのＭＬＣＣを作成し、１００個のＭＬＣＣサンプルについて、その静電容量および静電容量の平均値に対する標準偏差を評価したところ、以下の結果になり、容量分布が悪く静電容量のバラツキの大きいＭＬＣＣが得られたことがわかった。
【００７６】
【数２】
0005629719.tif 000003
【００７７】
以上の結果を下記表１及び２にまとめる。なお、焼成後のＭＬＣＣをＴＥＭ解析した結果、用いたＭＬＣＣにおいて、その製造に用いたセラミック粉末原料の双晶欠陥の割合と同等な割合で双晶欠陥が含まれることが確認された。
【００７８】
（実施例２〜１３、比較例２〜４）
チタン酸バリウムの合成法、熱処理前後の平均粒径、Ｂａ／Ｔｉ比、各種熱処理条件、粉砕条件、双晶欠陥の生成比率、及びｃ／ａの値を下記表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にしてチタン酸バリウム粉末を製造した。
【００７９】
得られたチタン酸バリウム粉末を原料として、実施例１と同一組成にてセラミック粉末を調製し、常法によりＭＬＣＣの成型物を得て、これを焼成炉内で焼成し、ニッケル内部電極層数５１、誘電体層の１層の厚み１μｍのＭＬＣＣを作成した。１００個のＭＬＣＣサンプルについて、その静電容量および静電容量の平均値に対する標準偏差を評価した。
【００８０】
結果を下記表２に示す。なお、全ての例において、焼成後のＭＬＣＣをＴＥＭ解析した結果、用いたＭＬＣＣにおいて、その製造に用いたセラミック粉末原料の双晶欠陥の割合と同等な割合で双晶欠陥が含まれることが確認された。
【００８１】
【表１】
0005629719.tif 000004
【００８２】
例えば実施例１及び２並びに比較例１の比較により、乾式粉砕を行うと、チタン酸バリウム粉末の平均粒径が小さくなり、双晶欠陥割合に影響はなく、ｃ／ａが小さくなることが分かり、実施例１１〜１３を比較すると、加熱処理の時間が長いと、平均粒径が大きくなり、双晶欠陥の割合及びｃ／ａが共に高くなることが分かる。
【００８３】
また比較例４より、チタン酸バリウム粉末の製造条件によっては、双晶欠陥割合もｃ／ａもいずれも達成できないことが分かる。
【００８４】
【表２】
0005629719.tif 000005
【符号の説明】
【００８５】
１  積層セラミックコンデンサ
１０  セラミック焼結体
１１  積層体
１２  誘電体層
１３  内部電極層
１５  カバー層
２０  外部電極
【図１】
0005629719.tif 000006
【図２】
0005629719.tif 000007