(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、Ｂｉ：３１〜５９％、Ｃｕ：０．３〜１．０％、Ｎｉ：０．０１〜０．０６％、残部Ｓｎからなる合金組成を有し、融点１８５℃以下、引っ張り強度７０MＰａ以上、伸びが６５％以上である、鉛フリーはんだ合金。
【請求項２】
さらに、質量％で、ＰおよびＧｅからなる群から選択される１種以上を合計で０．００３〜０．０５％を含有する、請求項１に記載の鉛フリーはんだ合金。
【請求項３】
Ｎｉめっき層を有するＣｕ電極上に請求項１または２に記載の鉛フリーはんだ合金を用いて形成されたはんだ継手。
【請求項４】
前記Ｎｉめっき層はＰを含有する無電解めっき層である、請求項３に記載のはんだ継手。
【請求項５】
板厚が５ｍｍ以下であり、Ｎｉめっき層を有する複数のＣｕ電極を有し、前記Ｃｕ電極の各々は請求項１または２に記載の鉛フリーはんだ合金を用いて形成されたはんだ継手を有する基板。
【請求項６】
前記Ｎｉめっき層はＰを含有する、請求項５に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鉛フリーはんだ合金に関する。特に、接続信頼性に優れるＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉ系鉛フリーはんだ合金に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの電子機器は小型化、薄型化する傾向にある。そのような電子機器に用いられている半導体装置等の電子部品では、厚さを数ｍｍ程度から１ｍｍ以下に薄くした基板が用いられるようになってきている。【０００３】
一方、従来、鉛フリーはんだとしてＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金が広く使用されている。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金は比較的融点が高く、共晶組成であるＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ合金でも２２０℃程度を示す。このため、前述のような薄い基板の電極をＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金ではんだ付けを行うと、接合時の熱で基板が歪み、接合不良が発生する場合がある。【０００４】
このような接続不良に対して、はんだ付けを低温で行うことにより薄い基板の歪みを抑制して接続信頼性を高めることが行われている。これに対応可能な低融点はんだ合金として、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金が知られている。このはんだ合金の中でも、Ｓｎ−５８Ｂｉはんだ合金は、融点が１４０℃程度とかなり低く、基板の歪みを抑制することができる。【０００５】
しかし、Ｂｉは元来脆い元素であり、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金も脆い。Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金のＢｉの含有量を低減しても、ＢｉがＳｎ中に偏析することにより脆化する。Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金を用いてはんだ付けを行ったはんだ継手は、多大な応力が加わるとその脆性により亀裂が発生して機械的強度が劣化するおそれがある。【０００６】
また、電子部品の小型化に対応するため、それに用いる基板の面積を狭くしなければならず、電極の小型化や電極間の低ピッチ化を実現しなければならない。さらには、はんだ付けを行うためのはんだ合金の使用量が低減するため、はんだ継手の機械的強度が低下する。【０００７】
そこで、特許文献１には、高い接合強度を有するはんだ接合を可能とするため、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕおよびＮｉを添加したＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉ鉛フリーはんだ合金が開示されている。同文献によれば、このはんだ合金を用いた接合部は、はんだ接合部中及び／又ははんだ接合界面に六方細密充填構造を有する金属間化合物を形成するため、接合強度が向上するというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３―００７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
電子部品の電極は、通常、Ｃｕであり、このＣｕ電極に対して、無電解Ｎｉめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきや無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきが被覆されているのが一般的である。このように、Ｃｕ電極は、ＡｕやＡｕとＰｄとの組み合わせのような貴金属で無電解めっき処理が行われている。Ａｕめっきは下地のＮｉめっきの酸化を抑制し、溶融はんだとの濡れ性を改善する
。無電解Ｎｉめっきは、無電解めっきに使用される還元剤（例えば、次亜リン酸ナトリウム）由来のかなりの量のＰを含有するＮｉめっきを形成する。このようなＮｉめっきは少なくとも数質量パーセントのＰ、例えば２〜１５質量％を含有する。
【００１０】
しかし、特許文献１には、はんだ合金と電極から引き出されたＣｕ配線部との接合界面に六方細密充填構造の金属間化合物を形成するため、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕやＮｉを添加することが記載されているが、具体的な合金組成は開示されてなく、接合強度が高いとする効果を立証するための結果も記載されていない。同文献は、Ｓｎが５７ａｔｍ、Ｂｉが４３ａｔｍ％である組成に添加するＣｕやＮｉの含有量の範囲が記載されているが、この範囲のすべてにおいて接合強度が向上するか否かは不明である。【００１１】
また、同文献には、はんだ合金の接合対象としてプリント基板のＣｕ配線部やＣｕを含有しない配線部であることが記載されているが、配線部がＣｕであることの他、接合対象がどのような構成であるのか不明である。前述のように、同文献にははんだ合金の具体的な合金組成が開示されていないため、電極とはんだ合金との接合界面に金属間化合物が形成されることを除いて接合界面の状態に関して一切開示も示唆もされていない。したがって、同文献に開示されたＢｉ、ＣｕおよびＮｉの含有量を満たすすべてのはんだ合金が
、例えば無電解Ｎｉめっき処理が行われたＣｕ電極のはんだ付けに使用された場合に、以下のような問題点を解決することができるとは到底考え難い。
【００１２】
無電界Ｎｉめっき処理が行われた電極にはんだ付けが行われると、はんだ合金中のＮｉの拡散係数がＰの拡散係数より大きいため、Ｎｉが優先的にはんだ合金中に拡散し、はんだ合金と電極との接合界面にＰの濃度が相対的に高い部分が生じ、いわゆるＰリッチ層が形成される。このＰリッチ層は固くて脆いためにはんだ継手のせん断強度を劣化させる。そのようなＰリッチ層を有するはんだ継手がせん断により破断した際には、Ｎｉめっき層が露出する現象が発生する。この破断は、はんだ継手自体の破断ではなく、むしろ電極に形成されたＰリッチ層の剥離により引き起こされる。したがって、Ｐリッチ層の形成ははんだ継手の接続信頼性に影響を不利に与えることになる。【００１３】
同様に、めっき処理が行われていないＣｕ電極にはんだ付けが行われた場合にも、同文献で開示されている各元素の含有量の範囲を満たすすべてのはんだ合金が高い接合強度を示すか否かは定かではない。【００１４】
ここに、本発明の課題は、低融点で延性に優れ引張強度が高く、また、無電解Ｎｉめっき処理が行われたＣｕ電極にはんだ付けを行うと、このはんだ付けにより形成されたはんだ継手が高いせん断強度を示すことにより、はんだ接合時の基板の熱歪みを抑制し、優れた接続信頼性を有するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉ系鉛フリーはんだ合金を提供することである。また、本発明の課題は、めっき処理が行われていないＣｕ電極に対しても、はんだ付けにより形成されたはんだ継手が高いせん断強度を示すことにより、優れた接続信頼性を有するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉ系鉛フリーはんだ合金を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、無電解Ｎｉめっき処理により形成されるＰ含有Ｎｉめっき層を有する電極にはんだ付けを行う場合、せん断強度を高めるために、はんだ合金中のＮｉの拡散係数がＰの拡散係数と比較して大きいことに着目した。そして、本発明者らは、はんだ付けの際にＮｉのはんだ合金中への拡散を抑制することにより、Ｐリッチ層の成長を抑制することが可能であることに思い至り、せん断強度を高めるために鋭意検討を行った。【００１６】
まず、本発明者らは、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕのみを０．５質量％程度添加して無電解Ｎｉめっき層を有するＣｕ電極にはんだ付けを行ったところ、はんだ付けにより形成されたはんだ継手はせん断強度が劣るとの知見を得た。そこで、このＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕはんだ合金において、Ｃｕの含有量を１．１質量％にまで増加しても、せん断強度が改善されず、さらには融点が高く延性が大幅に劣化するとの知見を得た。つまり、本発明者らは、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕのみを添加しても、形成されたはんだ継手のせん断強度を高めることができず、Ｃｕの含有量によっては高融点や低延性などの問題が発生するとの知見を得た。【００１７】
そこで、本発明者らは、Ｃｕのみを添加したことによる前述の知見に基づいて、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金に添加するＣｕの含有量と、Ｃｕと全率固溶であるＮｉに着目し、Ｎｉの含有量を精密に調査した。この結果、本発明者らは、Ｃｕが０．３〜１．０質量％であり、Ｎｉが０．０１〜０．０６質量％である場合に、低融点であり、延性に優れ引張強度が高く、Ｐリッチ層の成長を抑制し、無電解Ｎｉめっき層を有するＣｕ電極に形成したはんだ継手のせん断強度が著しく改善するとの知見を得た。これにより、本発明者らは、基板の薄型化によって生じるはんだ付け時の基板の歪みを低減し、優れた接続信頼性を示すとの知見を得た。さらに、本発明者らは、汎用性を確認するため、無電解Ｎｉめっき層を有さないＣｕ電極にはんだ付けを行ったところ、このＣｕ電極に形成したはんだ継手も、無電解Ｎｉめっき層を有するＣｕ電極に形成したはんだ継手と同様に、高いせん断強度を示すとの知見を得て、本発明を完成するに至った。【００１８】
ここに、本発明は次の通りである。
（１）質量％で、Ｂｉ：３１〜５９％、Ｃｕ：０．３〜１．０％、Ｎｉ：０．０１〜０．０６％、残部Ｓｎからなる合金組成を有し、融点１８５℃以下、引っ張り強度７０ＭＰａ以上、伸びが６５％以上である、鉛フリーはんだ合金。
【００１９】
（２）さらに、質量％で、ＰおよびＧｅからなる群から選択される１種以上を合計で０．００３〜０．０５％を含有する、請求項１に記載の鉛フリーはんだ合金。【００２０】
（３）Ｎｉめっき層を有するＣｕ電極上に上記（１）または上記（２）に記載の鉛フリーはんだ合金を用いて形成されたはんだ継手。【００２１】
（４）前記Ｎｉめっき層はＰを含有する無電解めっき層である、上記（３）に記載のはんだ継手。【００２２】
（５）板厚が５ｍｍ以下であり、Ｎｉめっき層を有する複数のＣｕ電極を有し、前記Ｃｕ電極の各々は上記（１）または上記（２）に記載の鉛フリーはんだ合金を用いて形成されたはんだ継手を有する基板。【００２３】
（６）前記Ｎｉめっき層はＰを含有する、上記（５）に記載の基板。
本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、無電解Ｎｉめっき処理が行われ、板厚が５ｍｍ以下である薄い基板に形成されたＣｕ電極のはんだ付けの使用に適しており、無電解Ｎｉめっき層を有する電極のはんだ付けに使用することによって本発明の効果が最も発揮される。したがって、はんだ付けの際の薄い基板の反りは、本発明に係るはんだ合金の低融点のために最小限に抑えられる。このように、はんだ継手の接続信頼性は、はんだ継手のせん断強度が劣化する原因となる接合界面のＰリッチ層の成長の抑制と、はんだ合金の良好な延性（伸び）と高い引張強度のために改善される。さらに、本発明に係るはんだ合金は、無電解Ｎｉめっき処理が行われていないＣｕ電極のはんだ付けに使用することにも適している。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】無電解Ｎｉ／Ａｕめっき処理されたＣｕ電極にＳｎ−５８Ｂｉはんだ合金を用いてはんだ付けを行い、はんだ接合部をせん断除去した後における、倍率３００倍の電極の表面写真である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、無電解Ｎｉ／Ａｕめっき処理が行われたＣｕ電極のはんだ付けによってはんだ継手が形成された場合における、はんだ接合部と電極との界面近傍の倍率８００倍の断面写真であり、図２（ｃ）および図２（ｄ）は、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき処理が行われたＣｕ電極のはんだ付けによってはんだ継手が形成された場合における、はんだ接合部と電極との界面近傍の倍率８００倍の断面写真である。
【図３】図３は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−（０〜１．１）Ｃｕ−０．０３Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕ含有量とせん断強度（Ｃｕ電極）との関係を示す図である。
【図４】図４は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−（０〜１．１）Ｃｕ−０．０３Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量とせん断強度（無電解Ｎｉ／Ａｕ電極）との関係を示す図である。
【図５】図５は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−（０〜１．１）Ｃｕ−０．０３Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量と合金の伸びとの関係を示す図である。
【図６】図６は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−（０〜０．０７）Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量とせん断強度（Ｃｕ電極）との関係を示す図である。
【図７】図７は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−（０〜０．０７）Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量とせん断強度（無電解Ｎｉ／Ａｕ電極）との関係を示す図である。
【図８】図８は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−（０〜０．０７）Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量と合金の伸びとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明を以下により詳しく説明する。以下の説明において、はんだ合金組成に関する「％」は、特に指定しない限り「質量％」である。
【００２６】
本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、ＣｕおよびＮｉを含有するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ合金である。ＣｕとＮｉとは全率固溶であるため、予めＣｕおよびＮｉを含有する本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、ＣｕおよびＮｉの溶解度が低くなり、電極からはんだ合金へのＣｕやＮｉの拡散を抑制することができる。Ｎｉの拡散を抑制することによって、無電解Ｎｉめっき層上に形成されるＰリッチ層の成長を抑制することができる。ここで、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕのみを添加し、Ｃｕの含有量を増加させることによってＣｕおよびＮｉの拡散を抑制することが可能であるとも思われる。
【００２７】
しかし、単にＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕはんだ合金で、Ｃｕの含有量を増加しても、電極との接合界面およびはんだ合金内でＣｕＳｎ化合物が増加するため、せん断強度が劣化し、はんだ合金自体の融点も高まり、延性も劣化する。したがって、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕはんだ合金では、無電解Ｎｉめっき層を有するＣｕ電極のはんだ付けに使用することができない。
【００２８】
ここで、Ｃｕの含有量を増加させずにＮｉの溶解度を低減する元素としてＮｉが挙げられる。そして、はんだ合金が微量のＮｉを含有することによって、はんだ合金が低融点および高延性を示し、電極に無電界Ｎｉ／Ａｕめっきもしくは無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきのような無電解Ｎｉめっき処理が行われている場合には、Ｎｉのはんだ合金への拡散を抑制することにより脆いＰリッチ層の成長を抑制してはんだ継手のせん断強度を大幅に改善する。
【００２９】
さらに、本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、ＣｕおよびＮｉを所定量含有するため、Ｃｕの溶解度が低い。無電解Ｎｉめっき層を有さないＣｕ電極に対しても、Ｃｕのはんだ合金への拡散を抑制することにより、接合界面及びはんだ合金中に生成される脆いＳｎＣｕ化合物の過剰な形成を抑制し、はんだ継手のせん断強度が高まる。その結果、本発明では、Ｃｕ電極にめっき処理が行われているか否かにかかわらず、はんだ付け時の薄い基板の歪みを抑制して優れた接続信頼性を確保することができる。
【００３０】
前述のように、一般に無電界Ｎｉめっき層にはＡｕめっき、もしくはＰｄ／Ａｕのような貴金属やこれらの合金のめっき層が形成されている。Ａｕめっき層はＮｉめっき層の上に形成されている。しかし、Ａｕめっき層は、０．０５μｍ程度の非常に薄い膜厚であり、はんだ合金中への拡散によりはんだ付け時に消失する。したがって、本発明において種々の特性を評価する際に、Ａｕめっき層やその他の貴金属めっき層が特に考慮される必要はない。
【００３１】
本発明において、はんだ合金の合金組成を限定した理由は以下の通りである。
Ｂｉの含有量は３１〜５９％である。Ｂｉははんだ合金の融点を低下させる。Ｂｉの含有量が３１％より少ないと融点が高くはんだ付け時に基板が歪む。Ｂｉの含有量が５９％よりに多いと、Ｂｉの析出により引張強度および延性が劣化する。Ｂｉの含有量は、好ましくは３２〜５８％であり、より好ましくは３５〜５８％である。
【００３２】
Ｃｕの含有量は０．３〜１．０％である。Ｃｕは、無電解Ｎｉめっき層中のＮｉのはんだ合金中への拡散を抑制し、Ｎｉめっき層とはんだ接合部との界面に生成するＰリッチ層の成長を抑制する。また、Ｃｕの拡散も抑制するため、無電解Ｎｉめっき処理が行われていないＣｕ電極とはんだ接合部との接合界面及びはんだ合金中に生成される脆いＳｎＣｕ化合物の過剰な形成を抑制し、はんだ継手のせん断強度が高まる。Ｃｕの含有量が０．３％より少ないと、Ｐリッチ層やＳｎＣｕ化合物の過剰な形成を抑制することができず、せん断強度が低下する。Ｃｕの含有量が１．０％より多いと、はんだ合金中にＳｎとの金属間化合物が過剰に形成され、はんだ合金の延性が低下する。また、はんだ合金の融点が著しく上昇して、はんだ合金のぬれ性が低下する。さらに、基板の歪みが発生することにより作業性が悪化する。Ｃｕの含有量は、好ましくは０．３〜０．８％であり、より好ましくは０．３〜０．７％である。
【００３３】
Ｎｉの含有量は０．０１〜０．０６％である。Ｎｉを添加することにより、Ｃｕが有するＮｉの拡散を抑制する効果を助長し、Ｐリッチ層の成長を抑制してさらにせん断強度が向上する効果を発現する。Ｎｉの含有量が０．０１％より少ないと、せん断強度が向上する効果を発揮することができない。Ｎｉの含有量が０．０６％より多いと、はんだ合金中にＳｎとＮｉとの化合物が過剰に形成されるために延性が低下する。Ｎｉの含有量は好ましくは０．０２〜０．０５である。
【００３４】
本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、任意元素として、ＰおよびＧｅからなる群から選択される１種以上を合計で０．００３〜０．０５％含有してもよい。これらの元素を添加することにより、添加しない場合と同様にＰリッチ層の成長を抑制してはんだ継手のせん断強度を高めるとともに、はんだ合金が酸化により黄色などに変色すること（以下、適宜上、「黄変」と称する。）を防止する効果を発揮する。本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、はんだボールの形態で使用することもできる。はんだボールは、モジュール基板に載置されリフローにより電極に搭載される。この後、画像認識によってはんだ付けされているか否かの判定が行われる。もし、リフロー時の加熱によりはんだボールがリフロー雰囲気中に混入してしまう不可避的な酸素により黄変した場合、黄変後のはんだボールは、画像認識においてはんだボールを認識することができずに不具合と判断される。そのため、はんだボールはリフロー時に黄変しない方がよい。本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、ＰおよびＧｅからなる群から選択される１種以上を含有することにより、酸素などによる変色を防止することで、バンプ品質検査におけるエラーを回避することができる。
【００３５】
このような観点から、好ましくはＰを含有し、さらに好ましくはＰおよびＧｅを含有する。Ｐの含有量は、好ましくは０．００１〜０．０３％であり、より好ましくは０．０１〜０．０７％である。Ｇｅの含有量は、好ましくは０．００１〜０．０３％であり、より好ましくは０．０１〜０．０３％である。
【００３６】
このような合金組成からなる本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、はんだ継手のはんだ接合部をせん断除去した際に、電極の無電界Ｎｉめっき層が露出することがない。前述のように、本発明に係る鉛フリーはんだは、無電界Ｎｉめっき層中のＮｉの拡散を抑制し、めっき層の表面に形成されるＰリッチ層の成長を抑制することができるためである。この結果、本発明に係る鉛フリーはんだ合金では、接合部界面の機械的特性、特にせん断強度が著しく向上する。
【００３７】
また、本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、プリフォーム、ワイヤ、はんだペースト、はんだボール等の形態で使用することができる。本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、高い引張強度および延性を有し、かつ、高いせん断強度を有する。このため、はんだボールの形態で使用する場合、従来のはんだボールより小さくすることが可能となり、電子部品などに用いる基板の薄型化や電極の小型化に十分に対応し得るものである。
【００３８】
本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、ＩＣチップなどのＰＫＧ（Ｐａｃｋａｇｅ）の電極とＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）などの基板の電極とを接合してはんだ継手を形成することができる。ここで、本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、前述のように、高い延性および引張強度を維持しつつ、はんだ継手に適用された場合には優れたせん断強度を有する。このため、リフロー時に基板にわずかな歪みが生じても、電極とはんだ接合部とが破断せず、従来よりも薄い基板を使用したとしても優れた接続信頼性を確保することができる。本発明に係るはんだ継手は、電極およびはんだ接合部で構成される。はんだ接合部とは、主にはんだ合金で形成されている部分を示す。
【００３９】
本発明に係る基板は、板厚が５ｍｍ以下であり、Ｎｉめっき層を有する複数のＣｕ電極を有し、Ｃｕ電極の各々は本発明に係る鉛フリーはんだ合金を用いて形成されたはんだ継手を有する。本発明に係る基板は、融点が低く優れた延性を示す本発明に係る鉛フリーはんだ合金を用いて継手が形成されているため、板厚が５ｍｍ以下であっても反りの発生を抑制し、優れた接続信頼性を有する。基板の板厚は、好ましくは３ｍｍ以下であり、より好ましくは２ｍｍ以下である。基板の材質としては、Ｓｉ、ガラスエポキシ、紙フェノール、ベークライトなどが挙げられる。基板が有する電極としてはめっき処理が行われていないＣｕ電極、Ｎｉなどのめっき処理が施されたＣｕ電極、Ｎｉ電極などが挙げられる。
【００４０】
本発明に係る鉛フリーはんだ合金は、高純度材または低α線材を使用することにより、低α線の鉛フリーはんだ合金を製造することが可能となる。このはんだ合金をメモリ周辺などに使用することで、ソフトエラーを防止することができる。
【実施例】
【００４１】
表１に示すはんだ合金を作製した。このはんだ合金を用いて、はんだ合金の融点、引張強度、伸び（延性）を求め、このはんだ合金を使用して形成したはんだ継手を用いて、Ｐリッチ層の膜厚測定、せん断強度、およびプレート露出率の露出率を以下に示すように求めた。結果を表１に示す。【００４２】
（はんだ合金の融点）
融点は、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（セイコーインスツルメンツ社製：ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で融点（℃）を測定した。で融点（℃）を測定した。【００４３】
（引張強度、伸び（延性））
引張強度試験機（島津製作所社製、ＡＵＴＯ  ＧＲＡＰＨ  ＡＧ−２０ｋＮ）を用い、ストロークスピードを６．０ｍｍ／ｍｉｎとし、歪みスピードを０．３３％／ｓｅｃとして、表１に示すはんだ合金を所定の形状に形成し、引張強度（ＭＰａ）および伸び（％）を測定した。引張強度が７０ＭＰａ以上であり、伸びが６５％以上であれば、実用上問題なく使用することができる。【００４４】
(Ｐリッチ層の膜厚)
表１に示すはんだ合金を、基板の厚みが１．２ｍｍであり電極の大きさが直径０．２４ｍｍであるＰＣＢの無電界Ｎｉ／Ａｕめっき処理が行われたＣｕ電極（以下、単に、「無電解Ｎｉ／Ａｕ電極」と称する。）と接合してはんだ付けを行った。はんだ付けは、各はんだ合金から作製した直径０．３ｍｍのはんだボールを、水溶性フラックス（千住金属社製：ＷＦ−６４００）を用いて基板上に水溶性フラックスを塗布してからボールを搭載し、ピーク温度を２１０℃とするリフロープロファイルでリフロー法によりはんだ付けを行い、はんだ継手が形成された試料を得た。【００４５】
各試料のＰリッチ層の膜厚は、ＳＥＭ写真に基づいて、はんだ接合部とＮｉめっき層との接合界面近傍の断面観察により決定された。具体的には、電子顕微鏡（日本電子社製：ＪＳＭ−７０００Ｆ）を用いた写真から分析し、Ｐリッチ層とＰリッチ層ではない層とに色分けをして区別し、Ｐリッチ層の膜厚（μｍ）を測定した。同じ条件で作製したサンプル５つについて、同様にＰリッチ層の膜厚を測定し、その平均値をＰリッチ層の膜厚とした。【００４６】
（せん断強度）
前述のＰＣＢの電極について、めっき処理が行われていないＣｕ電極（以下、単に、「Ｃｕ電極」と称する。）、および無電界Ｎｉ／Ａｕ電極の２種類を用い、表１に示す各はんだ合金と接合してはんだ付けを行った。このサンプルを、せん断強度測定装置（Ｄａｇｅ社製：ＳＥＲＩＥＳ  ４０００ＨＳ）により、１０００ｍｍ／ｓｅｃの条件でせん断強度（Ｎ）を測定した。せん断強度が、Ｃｕ電極では３．００Ｎ以上であり、かつ無電界Ｎｉ／Ａｕ電極では２．６０Ｎ以上であれば、実用上問題なく使用することができる。【００４７】
（プレート露出率）
せん断強度試験後のサンプルについて、はんだ接合部をせん断除去した後における無電界Ｎｉ／Ａｕ電極の表面ＳＥＭ写真を撮影した。そして、ＥＤＳ分析を実施することによりＮｉが露出する領域を特定し、西華産業株式会社製の画像解析ソフト（Ｓｃａｎｄｉｕｍ）によりその領域の面積を求めた。最後に、Ｎｉめっき層が露出している領域の面積を電極全体の面積で除して、プレート露出率（％）を算出した。【００４８】
【表１】
0005578301.tif 000002
【００４９】
表１に示すように、実施例１〜３３では、いずれも、融点が１８５度以下、引張強度が７０ＭＰａ以上、伸びが６５％以上、Ｐリッチ層の膜厚が０．０１４μｍ以下、Ｃｕ電極を用いて形成したはんだ継手のせん断強度が３．００Ｎ以上、無電界Ｎｉ／Ａｕ電極を用いて形成したはんだ継手のせん断強度が２．６０Ｎ以上であり、プレート露出率はいずれも０％であった。【００５０】
一方、ＣｕおよびＮｉを含有しないＳｎ−５８Ｂｉはんだ合金である比較例１は、Ｐリッチ層の膜厚が厚く、Ｃｕ電極および無電界Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度が著しく劣り、プレート露出率も高い値を示した。【００５１】
Ｎｉを含有しない比較例２およびＣｕを含有しない比較例３は、いずれもＰリッチ層の膜厚が厚く、Ｃｕ電極および無電界Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度が著しく劣った。特に、Ｃｕを含有しない比較例３ではプレート露出率が高い値を示した。【００５２】
Ｂｉが少ない比較例４では、合金の融点が高く伸びも劣るため、基板の歪みを確認した。Ｂｉが多い比較例５では、合金の引張強度や伸びが劣った。また、無電界Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度が劣り、はんだ合金の伸びも劣った。【００５３】
Ｃｕが少ない比較例６では、無電界Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度が劣り、Ｐリッチ層の膜厚が厚くプレート露出率が高い値を示した。Ｎｉを含有せずＣｕが多い比較例７およびＣｕが多い比較例８では、融点が高く、伸びが劣り、無電解Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度も劣った。【００５４】
Ｎｉの含有量が少ない比較例９では、Ｃｕ電極でのせん断強度が劣った。Ｎｉの含有量が多い比較例１０では、合金の伸びが著しく劣った。【００５５】
図１は、無電解Ｎｉ／Ａｕ電極にＳｎ−５８Ｂｉはんだ合金を用いてはんだ付けを行い、はんだ接合部をせん断除去した後における、電極せん断面のＳＥＭ写真である。比較例１、３、５および６では、いずれも図１に示すように、Ｎｉめっき層が露出した。これは、Ｐリッチ層が成長し、Ｐリッチ層と無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層との界面で剥がれが生じたためであると考えられる。【００５６】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、無電解Ｎｉ／Ａｕ電極にはんだ付けを行ったはんだ継手における、はんだ接続部と電極との界面近傍の断面ＳＥＭ写真であり、図２（ｃ）および図２（ｄ）は、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき処理が行われたＣｕ電極にはんだ付けを行ったはんだ継手における、はんだ接続部と電極との界面近傍の断面ＳＥＭ写真である。図２（ａ）および図２（ｃ）より、Ｓｎ−５８Ｂｉ（比較例１：無電界Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度は２．０１Ｎである。）では、Ｃｕを含有していないことにより、Ｐリッチ層が成長していることが明らかになった。一方、図２（ｂ）および図２（ｄ）より、本発明に係るＳｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−０．０３Ｎｉ（実施例７：無電界Ｎｉ／Ａｕ電極でのせん断強度は２．８５Ｎである。）では、ＣｕおよびＮｉを所定量含有していることにより、Ｐリッチ層の成長が抑制されており、これらの写真からＰリッチ層を確認することができなかった。このように、図２によれば、Ｐリッチ層の成長を抑制することによりせん断強度が著しく向上することがわかった。【００５７】
表１の結果に基づいて、はんだ合金のＣｕおよびＮｉの含有量と、Ｃｕ電極、無電解Ｎｉ／Ａｕ電極および伸びとの関係を示す図を図３〜８に示す。図３〜５では、Ｂｉの含有量が４０％で、Ｎｉの含有量が０．０３％である、実施例６〜９ならびに比較例３、６および７の結果を用いた。図６〜８では、Ｂｉの含有量が４０％で、Ｃｕの含有量が０．５％である、実施例７、１０および１１、ならびに比較例２、８および９の結果を用いた。図３は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−（０〜１．１）Ｃｕ−０．０３Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕ含有量とせん断強度（Ｃｕ電極）との関係を示す図である。図４は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−（０〜１．１）Ｃｕ−０．０３Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量とせん断強度（無電解Ｎｉ／Ａｕ電極）との関係を示す図である。図５は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−（０〜１．１）Ｃｕ−０．０３Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量と合金の伸びとの関係を示す図である。図３〜図５によれば、Ｃｕ電極のせん断強度が３．０Ｎ以上を示し、Ｎｉ電極のせん断強度が２．６Ｎ以上を示し、伸びが６５％以上を示すＣｕの範囲は、０．３〜１．０％であることが明らかとなった。【００５８】
図６は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−（０〜０．０７）Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量とせん断強度（Ｃｕ電極）との関係を示す図である。図７は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−（０〜０．０７）Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量とせん断強度（無電解Ｎｉ／Ａｕ電極）との関係を示す図である。図８は、Ｓｎ−４０Ｂｉ−０．５Ｃｕ−（０〜０．０７）Ｎｉはんだ合金の、Ｃｕの含有量と合金の伸びとの関係を示す図である。図６〜８によれば、Ｃｕ電極のせん断強度が３．０Ｎ以上を示し、Ｎｉ電極のせん断強度が２．６Ｎ以上を示し、伸びが６５％以上を示すＮｉの範囲は、０．０１〜０．０６％であることが明らかとなった。
【要約】
低融点で延性に優れ引張強度が高く、接合界面のＰリッチ層の生成を抑制して高いせん断強度を有することにより、基板の歪みを抑制して優れた接続信頼性を有するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉ系鉛フリーはんだ合金を提供する。
電極のＣｕやＮｉの拡散を抑制するとともにはんだ合金の伸びや濡れ性を確保するため、質量％で、Ｂｉ：３１〜５９％、Ｃｕ：０．３〜１．０％、Ｎｉ：０．０１〜０．０６％、残部Ｓｎからなる合金組成を有する。【図３】
0005578301.tif 000003
【図４】
0005578301.tif 000004
【図５】
0005578301.tif 000005
【図６】
0005578301.tif 000006
【図７】
0005578301.tif 000007
【図８】
0005578301.tif 000008
【図１】
0005578301.tif 000009
【図２】
0005578301.tif 000010