(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気化させた金属酸化物膜の原料とキャリアガスの混合ガスを、大気開放下に加熱された基材表面に吹き付けてその基材表面に金属酸化物膜を形成する大気開放型ＣＶＤ装置であって、
前記基材の上部に配され前記混合ガスの供給を受けるノズルと、
前記ノズルのガス噴出部分と前記基材とを所定間隔離間して対向させながら前記ノズル、または前記基材、またはこれらノズルと基材の双方を並行する平面内で回転させる機構とを備え、
前記基材に対して前記混合ガスを吹き付けるための前記ノズルのガス噴出部分は、所定形状の多数の孔を有し、これら多数の孔の配置を乱数により不規則に位置決めするとともに、前記ガス噴出部分に配置される不規則な多数の孔は、前記ガス噴出部分の中心から最外周部まで隣り合う同心円上に開ける孔の外周部２点以上が重なるように配置した同心円を想定し、前記ガス噴出部分に配置される孔の総数をもとに前記同心円上での孔の配置を乱数により位置決めすることを特徴とする大気開放型ＣＶＤ装置。
【請求項２】
さらに、前記ノズルのガス噴出部分周辺に前記基材を覆うことのできるスカート状部材が配されていることを特徴とする請求項１に記載の大気開放型ＣＶＤ装置。
【請求項３】
さらに、前記ノズルの内部に供給された前記混合ガスを分散および対流させる邪魔板が配されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の大気開放型ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種基材表面に金属酸化物膜を形成するための大気開放型ＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材表面に酸化チタン、酸化珪素、酸化インジューム、酸化錫等の金属酸化物薄膜を形成する方法として、例えば、ゾルゲル法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、溶射法等が知られている。これらのうち、大気開放型ＣＶＤ法は、大型設備を必要とせず、長尺状の基材にも連続的に金属酸化物膜を形成することができるという特徴がある。大気開放型ＣＶＤ法は、キャリアガス供給源、原料気化器、ノズル、これらを接続する配管、基材を載置して加熱する基材加熱装置等からなるＣＶＤ装置により、気化させた原料をキャリアガスとともに、加熱された基材表面にノズルから吹き付け、基材表面で空気中の酸素と混合ガスを反応させて基材表面に酸化物膜を堆積させる。
【０００３】
この大気開放型ＣＶＤ装置は、例えば、特許文献１，２等に記載されているように、加熱された基板の表面にノズルのガス噴出部分から混合ガスを吹き付けて金属酸化物膜を形成している。よって、均一な膜を得るには混合ガスを均一な状態で安定して基材に吹き付けることが必要となる。
【特許文献１】特開２００７−２３９０８３号公報
【特許文献２】特開２００４−１０７６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の大気開放型ＣＶＤ法では、ノズルの混合ガス噴出部分の形状が、幅の狭いスリット形状あるいは単管形状といった単純な形状のものを使用して走査させ、堆積させる方法をとっている。また、ガス噴出部分が大面積のシャワー型のものを用いた方法ではノズルパターン（ガス噴出部分に開けられた孔の配置を意味する。）に沿った形の膜厚分布や気流の影響により均一な成膜ができないという問題があった。また、従来の大気開放型ＣＶＤ装置は、ノズル内部に供給された混合ガスをガス噴出部分全体にわたって均一な状態で、安定に供給させることは困難であった。その結果、成膜面内の膜厚の均一化が困難であり、同時に大面積基板への成膜も不可能であった。
【０００５】
さらに、ガス噴出部分から放たれた原料の大半が基材表面で反応、堆積することなく排気されてしまい、供給する混合ガスの数％程度しか反応に使用することができない。そのため、原料のロスが大きいだけでなく、基材表面に金属酸化物膜を堆積させる速度が遅く、基材表面に緻密で膜厚の厚い金属酸化物膜を効率的、かつ低コストで形成することが困難であった。
【０００６】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、大気開放型ＣＶＤ法により、大型の基材表面にも緻密で膜厚の厚い均一な金属酸化物膜を形成できる大気開放型ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る大気開放型ＣＶＤ装置は、気化させた金属酸化物膜の原料とキャリアガスの混合ガスを、大気開放下に加熱された基材表面に吹き付けてその基材表面に金属酸化物膜を形成する大気開放型ＣＶＤ装置であって、前記基材の上部に配され前記混合ガスの供給を受けるノズルと、上記ノズルのガス噴出部分（以降、多孔板とも言う。）と上記基材とを所定間隔離間して対向させながら上記ノズル、または上記基材、またはこれらノズルと基材の双方を並行する平面内で回転させる機構とを備え、上記基材に対して上記混合ガスを吹き付けるための上記ノズルのガス噴出部分は、所定形状の多数の孔を有し、これら多数の孔の配置を乱数により不規則に位置決めするとともに、上記ガス噴出部分に配置される不規則な多数の孔は、上記ガス噴出部分の中心から最外周部まで隣り合う同心円上に開ける孔の外周部２点以上が重なるように配置した同心円を想定し、上記ガス噴出部分に配置される孔の総数をもとに上記同心円上での孔の配置を乱数により位置決めすることを特徴とする。
さらに例えば、上記ノズルのガス噴出部分周辺に上記基材を覆うことのできるスカート状部材が配されていることを特徴とする。また例えば、上記ノズルの内部に供給された上記混合ガスを分散および対流させる邪魔板が配されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、大気開放型ＣＶＤ装置のノズルを基板上部で回転させることで、大型の基材表面にも緻密で膜厚の厚い均一な金属酸化物膜を効率良く、かつ低コストで形成できる。また、大気開放型ＣＶＤ法を使用することで、大型設備を必要とせず、長尺状の基材にも連続的に実用に耐える金属酸化物膜を形成することが可能となり、実用的価値が極めて高い成膜装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態例に係る大気開放型化学気相析出（ＣＶＤ）装置（以下、単にＣＶＤ装置ともいう。）の概略構成を模式的に示している。図１に示すように本実施の形態例に係るＣＶＤ装置は、大気開放型ＣＶＤ法により基材上に連続的に金属酸化物膜を形成するため、ガス供給部１、流量計２、原料気化部４、酸素ガス供給部６、ノズル７、これらを接続する配管３ａ〜３ｃ、基材１０、基材１０の加熱装置９を備える。
【００１０】
本実施の形態例に係るＣＶＤ装置のガス供給部１は、例えば窒素ガスボンベ等のキャリアガス供給源であり、このキャリアガス（例えば、乾燥窒素ガス）は、その供給量が流量計２で計数されながら、ヒーターH1で加熱された配管３ａを介して、原料気化部４へ供給される。原料気化部４内には金属酸化物の原料５が載置されており、原料気化部４全体をヒーターH2で加熱している。原料５は、原料気化部４内で、例えば６０〜３００℃程度に加熱気化され、気化した金属酸化物の原料は、例えば毎分０．５〜３０．０リットル程度の流量のキャリアガスとともに混合ガス供給管３ｂへ送られる。なお、この配管３ｂもヒーターH3で加熱されている。
【００１１】
一方、酸素ガス供給部６からは、ヒーターH3で加熱された配管３ｃを介して酸素ガスが供給される。この配管３ｃと混合ガス供給管３ｂとがその下流側で接続されているので、原料気化部４で気化させた金属酸化物の原料とキャリアガスとの混合ガス中に酸素ガスが供給される。そして、金属酸化物の原料と、キャリアガスの混合ガスと、酸素ガスとが混合したガスがノズル７に供給される。なお、酸素ガスと原料混合ガスの割合は、任意に選択することができるが、通常は容量比で１：５〜２：１程度とすることが好ましい。
【００１２】
このように金属酸化物の原料とキャリアガスの混合ガスと酸素ガスとの混合ガスがノズル７に供給されることで、ヒーター９ａを配した加熱装置９で加熱された基材１０の表面に、ノズル７に設けた孔８を通じて、この混合ガスが吹き付けられ、空気中の酸素と混合ガスが反応して基材１０の表面に金属酸化物膜が堆積する。なお、ガス供給部１あるいは酸素ガス供給部６につながる配管には、必要に応じて除湿器を連結してもよい。
【００１３】
本実施の形態例に係るＣＶＤ装置において、大気開放型ＣＶＤ法により表面に酸化物膜を形成する基材に制限はなく、混合ガスを吹き付ける際の加熱に耐えられる材料であれば、通常のＣＶＤ法に用いられる基材、例えば金属、金属酸化物、ガラス、陶磁器、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。また、基材の種類は、用途等に応じて選択されるが、好ましい基材としては、プラスチック、ステンレス鋼や鉄等の導電性材料、酸化亜鉛や酸化チタン等の誘電体多結晶、あるいは単結晶材料、Ｓｉ半導体材料等がある。
【００１４】
基材表面に形成する酸化物に特に制限はないが、好ましい酸化物としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、サファイア、Ｓｎ：Ｉｎ2Ｏ3(ＩＴＯ：Indium Tin Oxide)等の金属酸化物が挙げられる。この金属酸化物を構成する原料としては、それを揮発させて大気中に放出した際に、大気中の酸素あるいは水分等と反応して金属酸化物を形成するものであれば特に限定されない。例えば、各種金属のアルキル化合物、アルケニル化合物、フェニルあるいはアルキルフェニル化合物、アルコキシド化合物、ジ−ピバロイルメタン化合物、ハロゲン化合物、アセチルアセトネート化合物、ＥＤＴＡ化合物等が挙げられる。これらのうち、安全性面等からジ−ピバロイルメタン化合物が好ましい。
【００１５】
上述したキャリアガスとしては、加熱下で使用する原料化合物と反応する媒体でなければ、特に限定されない。例えば、上述した窒素ガス以外にも、アルゴンガス等の不活性ガス、炭酸ガス、有機フッ素系ガスあるいはヘキサン、ヘプタン等の有機物等を使用できる。なお、安全性、経済性の面からは不活性ガスが好ましく、中でも窒素ガスが経済性の面より最も好ましい。また、酸素ガス供給部６から供給される酸素ガスは、酸素単体を使用しても、あるいは酸素を窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスと混合して供給してもよい。さらには、酸素ガスとともに、あるいは酸素ガスに代えてオゾンを使用することも可能である。この場合、酸素ガスと不活性ガスの混合割合は、容量比で１０：９０〜１００：０（通常は、２０：８０あるいは１００：０）とすることが好ましい。
【００１６】
図２は、本実施の形態例に係るＣＶＤ装置のノズルおよびその近辺の断面を拡大して模式的に示す図である。また、図３は、ノズルのガス噴出部分である多孔板部分を示す図である。図２に示すように、本実施の形態例に係るＣＶＤ装置のノズル７は、例えば半球形状の凹部１４を有するフード部１２を備え、フード内部には所定容積の中空部分が形成されている。また、ノズル７は、所定形状の多数の孔が配された多孔板２０を有し、フード部１２の外周下部にはスカート部１５が配されている。このスカート部１５によって、ノズル７の下部で多孔板２０と対向する所定位置に配された被成膜基材１０を覆うことで、基材１０とスカート部１５と多孔板２０の空間内に混合ガスの対流ができ、混合ガスのロスを少なくして金属酸化物膜を形成することができる。フード部１２およびスカート部１５の材質は、加熱によりゆがみが発生しない程度であれば、例えばステンレス鋼等でもよく、特に限定はしない。また、スカート部１５の幅や厚みは、加熱によりゆがみが発生しない程度であれば、特に限定はしない。さらに、スカート部１５の配置は、基材１０の側面を覆う状態が好ましいが、基材１０に対して数ｍｍ離間していてもよく、その距離は例えば５ｍｍ以下が好ましい。
【００１７】
さらに、フード部１２の上方部には、ノズル７全体を一定の速度（例えば、毎分１回転以上）で回転させるため、例えばモーター駆動等で構成される回転機構１７が配されている。そして、回転機構１７とフード部１２の上方部間には、ノズル７を回転駆動するための駆動ベルト１８が張架されている。
【００１８】
フード部１２の頭頂部分には、原料とキャリアガスと酸素ガスとの混合ガスをフード部１２内に流入するための供給口１６が設けられ、その供給口１６には、混合ガス供給のためのガス供給管１１が接続されている。また、フード部１２内の上部であって、供給口１６の下部には邪魔板１３が設けられており、この邪魔板１３により、供給口１６から送り込まれた混合ガスが分散され、フード部１２の凹部１４内で、その混合ガスが対流するようになっている。そして、凹部１４内の混合ガスは、ノズル７に設けた多孔板２０の孔より、加熱装置９上に載置された基材１０の表面に均一に吹き付けられて、その上に金属酸化物膜１９を堆積させる。
【００１９】
図２に示すように、フード部１２内に邪魔板１３を設置することにより、供給口１６より供給された混合ガスがフード部１２の凹部１４内で対流が起こり被成膜基材１０に吹き付けられるため、より均一な成膜が可能となる。また、邪魔板１３の形状は円、多角形等何でもよく、枚数も特に限定しない。材質についてもステンレス鋼等、耐熱性に問題がなければ特に限定しない。また、その形態についても無垢板でも孔付きの板でも何でもよい。例えば図２では、供給口１６より２０ｍｍ下方の位置にφ８０×ｔ５ｍｍのステンレンス鋼板が１枚設置されている。
【００２０】
なお、従来の大気開放型ＣＶＤ装置では、混合ガスの損失を防ぐためにノズルへのガス供給量を適宜減らす制御を行っていたが、そのような方法では成膜の速度が落ちることになる。これに対して本実施の形態例に係るＣＶＤ装置では、邪魔板１３によりノズル内で原料混合ガスが分散および対流する構成、また、スカート部１５により基材１０と多孔板２０の空間内で原料混合ガスを対流させる構成をとっているためガスの損失がなく、成膜速度も落ちることがない。また、ノズルの形状および多孔板の形状は、上記以外にも適宜選択することができ、その外形寸法も、例えば、φ３００ｍｍ以上の基材上に成膜可能であれば、任意に設定することができる。
【００２１】
ノズル７のガス噴出部分である多孔板２０は、図３に示すように、所定の径および厚さを有する円板に混合ガスの噴出孔として、所定形状（例えばφ２ｍｍ程度）の多数（例えば、数百個）の孔３０が配されている。ここでは、これらの孔を多孔板２０上に規則的（同心円上に中心から規則的な角度で多数の孔が開いている。）に配置するのではなく、それらの孔あけ位置を不規則に位置決めする。すなわち、成膜時において、ノズル７の多孔板２０と基材１０との間隔（図２のｈ）が、例えば５〜５０ｍｍ、さらに好ましくは１５〜３０ｍｍとなるようにノズル７を支持し、この間隔を維持しながら、回転機構１７を介してノズル７全体を基材と並行する平面内で回転させ、基材上に金属酸化物膜を生成する。この間隔ｈの距離を５ｍｍより大きくすることで、より混合ガスの対流が起こり均一な成膜が可能となる。逆にその間隔を５０ｍｍよりも小さくすることで、基材１０を加熱している加熱装置９の上昇気流による影響を受けないため、混合ガスが基材１０へ効率よく到達し、均一な成膜が可能となる。仮に孔３０を多孔板２０の面内に規則的に配した場合、多孔板２０の回転と穴位置の規則性とに起因して、基材上において金属酸化物膜の堆積に偏りが発生する。そこで、本実施の形態例に係るＣＶＤ装置では、ガス噴出部分に配された多孔板２０の面内における孔の位置を不規則に選択し、それらの規則性を排することで、金属酸化物膜のムラが生じるのを防止している。
【００２２】
次に、本実施の形態例に係るＣＶＤ装置において、ノズル７の多孔板２０の孔の位置を決定する一方法について説明する。例えば、図４に示すように、円板の中心Oに対して同軸の多数の同心円４０と、その中心Oを通って互いに直交する基準線４１，４３を想定する。そして、多孔板２０の面内に配される孔の総数をもとに、個々の孔をどの同心円上のどの位置に配するかを、乱数を使って決定する。具体的には、図５の（ａ）に示すように、中心Ｏから最外周部まで、隣り合う同心円（図５（ａ）では５１，５３）上に開ける孔（図５（ａ）では３０ｆ，３０ｇ）の外周部が２点（図５（ａ）においてＰ１，Ｐ３で示す点）以上が重なるように配置した同心円を想定する。なお、図５（ｂ），（ｃ）は、隣り合う同心円上の孔の外周部が２点以上、重なっていない例を示している。その孔の同心円上における位置については乱数を使い、基準線４１あるいは基準線４３からの角度θを０〜３６０°の間で求める。さらに、中心Ｏから最外周部までを５０ｍｍ毎に区切り、各エリア内であらかじめ穿孔する孔数を決定する。孔の総数は面積換算で、多孔板２０の面積に対して０.５〜１０％、好ましくは１〜５％の範囲がよい。
【００２３】
孔３０の形状は、好ましくは円形だが、三角形、四角形、正多角形、楕円等、どのような形状でもよい。また、一枚の多孔板に対し複数の形状の孔が存在していてもよい。また、孔３０の大きさは、その形状が円形である場合、φ０．５ｍｍ〜５ｍｍが好ましく、その他の形状の場合は０.２ｍｍ2〜２０ｍｍ2が好ましい。孔の大きさがφ０.５ｍｍまたは０.２ｍｍ2よりも大きければ、混合ガスの流速が上がることなく、より混合ガスの対流が良好となり、φ５ｍｍまたは２０ｍｍ2よりも小さければ、ノズル内での混合ガスの対流が良好となり、いずれの場合もより均一な成膜が可能となる。また、本発明の孔の求め方はコンピュータを使用し、自然乱数を発生させる方法をとっているが、乱数の種類は各種あり（例えば、２進乱数、自然乱数、一様乱数等、種類は様々ある。）、孔配置が求められるやり方であればどのような方法でもよい。
【００２４】
図４に示す例では、中心Ｏからの同心円４０ａと、乱数で得た基準線４３からの角度θ１によって孔３０ａの位置が決まる。同様に孔３０ｂも、中心Ｏからの同心円４０ｂと、乱数で得た基準線４３からの角度θ２の位置に穿孔され、孔３０ｃは、中心Ｏからの同心円４０ｃと、乱数で得た基準線４３からの角度θ３で決まる位置に穿孔される。その他の孔の穿孔位置も同様に求める。
【００２５】
なお、ノズル７のフード部１２のガス噴出部分２５を加熱装置９上に載置された基材１０へ近接させ、位置決めするため、基材１０のステージとして機能する加熱装置９をＸＹＺ方向に移動させる機構を設けてもよいし、あるいは、ノズル７をＸＹＺ方向に移動させる機構としてもよい。また、加熱装置９とノズル７の双方をＸＹＺ方向に同時に移動可能とする機構を設けてもよい。また、加熱装置９側を回転させ双方とも回転させて成膜を行っても良い。双方を回転させる場合には、互いの回転方向を変える他、回転速度を変更する等の処置を取る。
【００２６】
以上説明したように、大気開放型ＣＶＤ装置のノズルのガス噴出部分に、不規則な位置に多数の孔を開けた多孔板を配置し、回転機構によりノズルとともに多孔板自身も基材上部でその基板に対向する所定の位置（高さ）で回転するよう構成することで、基材表面に均一に混合ガスが吹き付けられ、基材表面に金属酸化物膜が均一に堆積するため、面内膜厚の分布が均一な膜を成膜できる。また、成膜時に回転機構により基材上部でノズルを回転させることで、大面積の基板へも膜厚の均一な成膜が可能となるだけでなく、従来のＣＶＤ装置のように基材上にノズルを走査させる方式に比べて、ＣＶＤ装置そのものの容積やＣＶＤ装置の設置に要する場所の省スペース化を図ることができる。
【００２７】
さらには、ノズルの内部の所定位置に邪魔板を配したことで、ノズル内に送り込まれた混合ガスが分散され、ノズル内で対流することによりガス噴出の際、基材に対し均一に混合ガスを噴出することができる。
【００２８】
さらには、ノズルの下部の所定位置にスカート部を配し、被成膜基材全体を覆うことができるようにすることで、基材とノズルのスカート部と多孔板の空間内に混合ガスを対流させることができるため、基材表面に単に気化させた金属酸化物の混合ガスを吹き付ける従来のＣＶＤ装置と比較して、金属酸化物膜の堆積時間（成膜時間）を大幅に短縮することが可能となる。それとともに、混合ガスの損失がないため、各種の基材表面に緻密で膜厚の厚い金属酸化物膜を効率良く、かつ低コストで形成することができる。
【００２９】
（実施例1）
図４に示した穿孔方法を用いて、中心Oから最外周部まで、φ２ｍｍの孔を１ｍｍずつ重なるように配置した同心円を想定し、孔の同心円上における位置については、自然乱数を発生させる関数rand（  ）を使って角度θを０〜３６０°の間で求め、その位置にドリルを用いて穿孔したφ３００ｍｍのステンレス鋼の多孔板を準備した。そして、図１に示す大気開放型ＣＶＤ装置を使用して、１２インチシリコンウエハ基板へ大気開放型ＣＶＤ法によりＹ2Ｏ3膜を生成した。この実施例１では、Ｙ2Ｏ3膜の出発原料としてＹ（ＤＰＭ）3（純度９９．６％）を用いた。Ｙ2Ｏ3膜の合成条件は、Ｎ2キャリアガスもガス流量を２０リットル／ｍｉｎ、Ｙ（ＤＰＭ）3の気化温度を２２０℃、基板の加熱温度を５２０℃、ノズル−基板間の距離を1９ｍｍ、合成時間を３０分、フードの回転速度を１回転／ｍｉｎと設定した。その結果を表1に示すとともに、成膜後の状態を図6に示す。
【００３０】
（実施例２〜８）
ここでは、実施例１の穿孔方法と同様に、孔の径、形状、スカート部の有無、邪魔板の有無といった各種条件を変更し成膜した。その結果を表1に示す。
【００３１】
【表１】
0005496474.tif 000002
【００３２】
（比較例１〜８）
比較例として、被成膜基材、原料等の合成条件を同一にし、孔の配置、フードの回転、邪魔板、スカート部の有無について本発明の範囲外とし、本発明と比較した。その結果を表１に示す。さらに、比較例1と比較例２の成膜後の状態をそれぞれ図７と図８に示す。
【００３３】
本発明と比較例を対比したところ、比較例1の条件ではノズルの回転や孔位置の規則性に起因して、基材上において金属酸化物膜の堆積に偏りが発生していることが見てとれる。さらに、比較例2の条件ではノズルの回転がないために、孔の配置に起因した膜ムラが発生している。比較例３〜８についても、孔の配置、スカート部、邪魔板の有無の条件が異なるが、比較例2とほぼ同様の結果となった。しかしながら本発明では、ガス噴出部分となる多孔板の孔の配置を不規則とし、ノズルを回転させて成膜を行ったことにより、膜厚の均一な金属酸化物膜の形成を可能とした。さらに、ノズルの内部に邪魔板、また、ガス噴出部分周辺にスカート部を設けたことにより原料ガスのロスを最小限とし、混合ガスの対流が起こすことによる基材へ均一な成膜も可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態例に係る大気開放型化学気相析出（ＣＶＤ）装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態例に係るＣＶＤ装置のノズルおよびその近辺の断面を拡大して模式的に示す図である。
【図３】ノズルのガス噴出面としてのシャワー板部分を示す図である。
【図４】ノズルの多孔板における穴位置を決定する一方法について説明するための図である。
【図５】ノズルの多孔板における穴位置を決定する一方法について説明するための図である。
【図６】実施例1における成膜後の基材写真である。
【図７】比較例1における成膜後の基材写真である。
【図８】比較例２における成膜後の基材写真である。
【符号の説明】
【００３５】
１    ガス供給部
２    流量計
３ａ〜３ｃ    配管
４    原料気化部
５    原料
６    酸素ガス供給部
７    ノズル
８，３０，３０ａ〜３０ｃ，３０ｆ，３０ｇ    孔
９    加熱装置
９ａ，H1〜H3    ヒーター
１０    基材
１１    ガス供給管
１２    フード部
１３    邪魔板
１４    凹部
１５    スカート部
１６    供給口
１７    回転機構
１８    駆動ベルト
１９    金属酸化物膜
２０    多孔板
２５    ガス噴出部分
４０ａ〜４０ｃ，５１，５３    同心円
【図１】
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【図２】
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【図３】
0005496474.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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