(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
−投影パターン（１０４．３）を含むマスク（１０４．１）を保持する役割をするマスク装置（１０４）、
−光学要素群（１０５．２）、
−基板（１０６．１）を保持する役割をする基板装置（１０６）、及び
−測定装置（１１３）、
を有し、
前記光学要素群（１０５．２）が、複数の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を含み、かつ前記基板（１０６．１）上に前記投影パターン（１０４．３）の像を投影する目的のために設計され、
前記測定装置（１１３）が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影において発生する少なくとも１つの結像誤差を判断するように構成及び配置された、
マイクロリソグラフィにおける使用に向けた光学結像装置であって、
−測定装置（１１３）が、検出ユニット（１１３．１）を含み、
−前記検出ユニット（１１３．１）は、投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部、及び／又はマスク装置（１０４）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像を、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録するように構成及び配置され、該測定像は、光学要素群（１０５．２）の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の少なくとも過半数の部分を通じて生成されたものであり、
−前記測定装置（１１３）は、前記測定像を用いて、結像誤差を、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して判断するように構成及び配置される、
ことを特徴とする光学結像装置。
【請求項２】
前記測定装置（１１３）は、前記基板（１０６．１）上の前記投影パターン（１０４．３）の前記像の位置の目標位置からの偏差を判断するように設計されることを特徴とする請求項１に記載の光学結像装置。
【請求項３】
前記測定像は、前記光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の全てによって生成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学結像装置。
【請求項４】
前記検出ユニットは、前記マスク装置（１０４）に配置された測定要素（１１３．２）の測定像を記録するように設計されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項５】
前記検出ユニットは、前記投影パターン（１０４．３）の近くに配置された測定要素（１１３．２）の測定像を記録するように設計されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項６】
−前記マスク装置（１０４）は、前記投影パターン（１０４．３）を有する前記マスク（１０４．１）を含み、
−前記測定要素（１１３．２）は、前記マスク（１０４．１）に配置されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項７】
前記測定要素（１１３．２）は、前記投影パターン（１０４．３）の直近に配置されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項８】
前記測定要素（１１３．２）は、少なくとも１つの測定パターンを含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項９】
前記測定パターンは、２次元格子であり、及び／又は２つの１次元格子を含むことを特徴とする請求項８に記載の光学結像装置。
【請求項１０】
−前記検出ユニット（１１３．１）は、前記基板装置（１０６）又はその近くに配置され、及び／又は
−前記測定像を前記検出ユニット（１１３．１）に誘導するように設計された光学誘導装置が、前記基板装置（１０６）又はその近くに設けられる、
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項１１】
−前記検出ユニット（１１３．１）は、基準要素（１０５．３）に配置され、
−位置判断装置（１１３．６）が、前記検出ユニット（１１３．１）に対する前記基板（１０６．１）の位置を判断するために設けられる、
ことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項１２】
前記基準要素は、前記光学要素群（１０５．２）又は該光学要素群の光学要素のための支持構造体（１０５．３）であることを特徴とする請求項１１に記載の光学結像装置。
【請求項１３】
−前記基板装置（１０６）は、前記基板（１０６．１）を含み、
−前記光学誘導装置は、前記基板の表面によって形成される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の光学結像装置。
【請求項１４】
第１の波長の光が、前記基板（１０６．１）上に前記投影パターン（１０４．３）の像を投影するために供給され、
−第２の波長の光が、前記測定像を生成するために供給され、
−前記第１の波長は、前記第２の波長とは異なっている、
ことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項１５】
前記第２の波長は、前記検出ユニット（１１３．１）の最適感度を利用するために該検出ユニット（１１３．１）に適応されていることを特徴とする請求項１４に記載の光学結像装置。
【請求項１６】
前記第１の波長は、ＥＵＶ領域にあることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の光学結像装置。
【請求項１７】
−前記検出ユニット（１１３．１）に接続された補正ユニット（１１５）が設けられ、  −前記基板上に前記投影パターンの像を投影することに関わる結像装置（１０１）の構成要素（１０４、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの少なくとも１つが、能動的に制御可能な構成要素（１１２）であり、
−前記能動的に制御可能な構成要素（１１２）は、前記補正装置（１１５）に接続可能であり、
−前記結像誤差の少なくとも部分的な補正を達成するために、前記補正装置（１１５）は、該結像誤差に基づいて前記能動的に制御可能な構成要素（１１２）を制御する機能を備えて設計される、
ことを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の光学結像装置。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの能動的に制御可能な構成要素は、前記マスク装置（１０４）の構成要素、前記光学要素群（１０５．２）の光学要素（１１２）、又は前記基板装置（１０４）の構成要素であることを特徴とする請求項１７に記載の光学結像装置。
【請求項１９】
請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の光学結像装置のためのマスクであって、
投影パターン（１０４．３）及び測定要素（１１３．２）を含み、該測定要素（１１３．２）は、該測定要素（１１３．２）の測定像を、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録することを可能とするように構成及び配置され、
ことを特徴とするマスク。
【請求項２０】
前記測定要素（１１３．２）は、前記投影パターン（１０４．３）の直近に配置されることを特徴とする請求項１９に記載のマスク。
【請求項２１】
前記測定要素（１１３．２）は、少なくとも１つの測定パターンを含むことを特徴とする請求項１９又は請求項２０に記載のマスク。
【請求項２２】
前記測定パターンは、２次元格子パターン（１１３．２）であることを特徴とする請求項２１に記載のマスク。
【請求項２３】
−投影パターン（１０４．３）の像が、光学要素群（１０５．２）の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を用いて基板（１０６．１）上に投影され、
−前記基板上に前記投影パターン（１０４．３）の前記像を投影する際に発生する結像誤差の判断が行われる、
マイクロリソグラフィに向けた結像方法であって、
−投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の測定像、及び／又は該投影パターン（１０４．３）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して検出され、該測定像は、光学要素群（１０５．２）の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の少なくとも過半数の部分によって生成され、
−結像誤差の判断が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して、且つ前記測定像を用いて行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記基板（１０６．１）上の前記投影パターン（１０４．３）の前記像の位置の目標位置からの偏差が、結像誤差として判断されることを特徴とする請求項２３に記載の結像方法。
【請求項２５】
前記測定像は、前記光学要素群（１０５．２）の前記光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の全てによって生成されることを特徴とする請求項２３又は請求項２４に記載の結像方法。
【請求項２６】
前記測定要素（１１３．２）は、前記投影パターン（１０４．３）を含むマスク装置（１０４）に配置されることを特徴とする請求項２３から請求項２４のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項２７】
前記測定要素（１１３．２）は、前記投影パターンの近くに配置されることを特徴とする請求項２３から請求項２６のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項２８】
前記測定要素（１１３．２）は、前記投影パターン（１０４．３）を含むマスク（１０４．１）に配置されることを特徴とする請求項２３から請求項２７のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項２９】
前記測定要素（１１３．２）は、前記投影パターン（１０４．３）の直近に配置されることを特徴とする請求項２８に記載の結像方法。
【請求項３０】
前記測定要素（１１３．２）は、少なくとも１つの測定パターンを含むことを特徴とする請求項２３から請求項２９のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項３１】
前記測定パターンは、２次元格子（１１３．２）であり、及び／又は２つの１次元格子を含むことを特徴とする請求項３０に記載の結像方法。
【請求項３２】
前記測定像は、前記基板（１０６．１）の近くで捕捉されることを特徴とする請求項２３から請求項３１のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項３３】
−前記測定像は、基準要素（１０５．３）上に配置された検出ユニット（１１３．１）を通じて捕捉され、
−前記検出ユニット（１１３．１）に対する前記基板（１０６．１）の位置が判断される、
ことを特徴とする請求項２３から請求項３２のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項３４】
前記基準要素は、前記光学要素群（１０５．２）又は該光学要素群（１０５．２）の光学要素のための支持構造体（１０５．３）であることを特徴とする請求項３３に記載の結像方法。
【請求項３５】
前記測定像は、前記基板（１０６．１）の表面によって形成される光学誘導装置の使用によって補足されることを特徴とする請求項２３に記載の結像方法。
【請求項３６】
−前記投影パターン（１０４．３）の像が、第１の波長の光によって前記基板（１０６．１）上に投影され、
−前記測定像は、第２の波長の光によって生成され、
−前記第１の波長は、前記第２の波長とは異なっている、
ことを特徴とする請求項２３から請求項３５のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項３７】
前記第２の波長は、前記測定像を記録する際の感度を最適化する目的で適応されることを特徴とする請求項３６に記載の結像方法。
【請求項３８】
−前記基板上に前記投影パターンの像を投影することに関わる構成要素（１０４、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの少なくとも１つが、能動的に制御可能な構成要素（１１２）であり、
−前記結像誤差を少なくとも部分的に補正するために、前記能動的に制御可能な構成要素（１１２）は、該結像誤差に基づいて制御される、
ことを特徴とする請求項２３から請求項３７のいずれか１項に記載の結像方法。
【請求項３９】
前記少なくとも１つの能動的に制御可能な構成要素（１１２）は、前記投影パターン（１０４．３）を含むマスク装置（１０４）の構成要素、前記光学要素群（１０５．２）の光学要素（１１２）、又は前記基板（１０６．１）を含む基板装置（１０６）の構成要素であることを特徴とする請求項３８に記載の結像方法。
【請求項４０】
マイクロリソグラフィにおける使用に向けて、光学要素群（１０５．２）の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を用いて基板（１０６．１）上に投影された投影パターン（１０４．３）の像における結像誤差を判断する方法であって、
−投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の測定像、及び／又は該投影パターン（１０４．３）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像が記録され、該測定像は、光学要素群（１０５．２）の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の少なくとも過半数の部分を通じて、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して生成され、
−結像誤差の判断が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して、且つ前記測定像を用いて行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項４１】
−投影パターン（１０４．３）を含むマスク（１０４．１）、
−光学要素群（１０５．２）、
−基板（１０６．１）、及び
−測定装置（１１３）、
を有し、
−前記光学要素群（１０５．２）が、複数の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を含み、かつ投影光束によって前記投影パターン（１０４．３）の像を前記基板（１０６．１）上に投影し、
−前記測定装置（１１３）が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影の際に発生する少なくとも１つの結像誤差を判断する、
マイクロリソグラフィにおける使用に向けた光学結像装置であって、
−測定装置（１１３）が、測定光束を用いて生成される測定像を、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録する検出ユニット（１１３．１）を含み、
−前記測定像は、前記投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の像、及び／又はマスク装置（１０４）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の像であり、
−前記測定像は、
・第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の少なくとも過半数の部分、及び／又は
・前記第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの１つに対して機能的な接続を有する少なくとも１つの第２の光学要素、
を通じて生成され、
−前記測定装置（１１３）は、前記測定像を用いて、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して結像誤差を判断する、
ことを特徴とする光学結像装置。
【請求項４２】
−投影パターン（１０４．３）を含むマスク（１０４．１）、
−光学要素群（１０５．２）、
−基板（１０６．１）、及び
−測定装置（１１３）、
を有し、
−前記光学要素群（１０５．２）が、複数の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を含み、かつ投影光束によって前記投影パターン（１０４．３）の像を前記基板（１０６．１）上に投影し、
−前記測定装置（１１３）が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影の際に発生する少なくとも１つの結像誤差を判断する、
マイクロリソグラフィにおける使用に向けた光学結像装置であって、
−測定装置（１１３）が、第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの１つに各々が機能的に接続された複数の第２の光学要素を含み、
−前記測定装置（１１３）は、測定光束を通じて生成される測定像を、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録する検出ユニット（１１３．１）を含み、
−前記測定像は、前記第２の光学要素を通じて生成され、かつ投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の像、及び／又はマスク装置（１０４）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の像であり、
−前記測定装置（１１３）は、前記測定像を用いて、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して結像誤差を判断する、
ことを特徴とする光学結像装置。
【請求項４３】
−前記検出ユニット（１１３．１）に接続された補正ユニット（１１５）が設けられ、  −前記基板上に前記投影パターンの像を投影することに関わる結像装置（１０１）の構成要素（１０４、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの少なくとも１つが、能動的に制御可能な構成要素（１１２）であり、
−前記能動的に制御可能な構成要素（１１２）は、前記補正装置（１１５）に接続可能であり、
−前記結像誤差の少なくとも部分的な補正を達成するために、前記能動的に制御可能な構成要素（１１２）は、該結像誤差に基づいて前記補正装置（１１５）によって制御することができる、
ことを特徴とする請求項４１又は請求項４２に記載の光学結像装置。
【請求項４４】
−投影パターン（１０４．３）の像が、投影光束を用いて、かつ光学要素群（１０５．２）の第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を用いて基板（１０６．１）上に投影され、
前記基板（１０６．１）上に前記投影パターン（１０４．３）の前記像を投影する際に発生する少なくとも１つの結像誤差の判断が行われる、
マイクロリソグラフィにおける使用に向けた結像方法であって、
−投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の測定像、及び／又は該投影パターン（１０４．３）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像が、測定光束によって生成され、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録され、該測定像は、
・第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の少なくとも過半数の部分、及び／又は
・前記第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの１つに対して機能的な接続を有する少なくとも１つの第２の光学要素、
を通じて生成され、
−結像誤差の判断が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して、且つ前記測定像を用いて行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項４５】
−投影パターン（１０４．３）の像が、投影光束を用いて、かつ光学要素群（１０５．２）の第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を用いて基板（１０６．１）上に投影され、
前記基板上に前記投影パターン（１０４．３）の前記像を投影する際に発生する少なくとも１つの結像誤差の判断が行われる、
マイクロリソグラフィにおける使用に向けた結像方法であって、
−投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の測定像、及び／又は該投影パターン（１０４．３）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像が生成され、該測定像は、測定光束と、光学要素群（１０５．２）の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの１つと各々が機能的に接続された複数の第２の光学要素とによって生成され、
−前記測定像は、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録され、
−結像誤差の判断が、前記測定像を用いて、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項４６】
−前記基板上に前記投影パターンの像を投影することに関わる構成要素（１０４、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの少なくとも１つが、能動的に制御可能な構成要素（１１２）であり、
−前記結像誤差を少なくとも部分的に補正するために、前記能動的に制御可能な構成要素（１１２）は、該結像誤差に基づいて制御される、
ことを特徴とする請求項４４又は請求項４５に記載の結像方法。
【請求項４７】
マイクロリソグラフィにおける使用に向けて、投影光束を用いて、かつ光学要素群（１０５．２）の第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を用いて基板（１０６．１）上に投影パターン（１０４．３）の像を投影する時に発生する結像誤差を判断する方法であって、
−投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の測定像、及び／又は該前記投影パターン（１０４．３）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録され、該測定像は、測定光束によって生成され、該測定像はまた、
・第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）の少なくとも過半数の部分、及び／又は
・前記第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの１つに対して機能的な接続を有する少なくとも１つの第２の光学要素、
を通じて生成され、
−結像誤差の判断が、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して、且つ前記測定像を用いて行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項４８】
マイクロリソグラフィにおける使用に向けて、投影光束を用いて、かつ光学要素群（１０５．２）の第１の光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）を用いて基板（１０６．１）上に投影パターン（１０４．３）の像を投影する時に発生する結像誤差を判断する方法であって、
−投影パターン（１０４．３）の少なくとも一部の測定像、及び／又は該投影パターン（１０４．３）又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素（１１３．２）の測定像が生成され、該測定像は、測定光束と、光学要素（１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２）のうちの１つと各々が機能的に接続された複数の第２の光学要素とによって生成され、
−前記測定像は、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して記録され、
−結像誤差の判断が、前記測定像を用いて、前記基板（１０６．１）上への前記投影パターン（１０４．３）の前記投影と時間的に平行して行われる、
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連特許出願への相互参照
本特許出願は、開示内容を本明細書においてその全体を引用により組み込む２００５年１２月２３日出願の米国特許仮出願第６０／７５３、７１８号の利益を３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．１１９（ｅ）（１）の下で請求するものである。
本発明は、光学結像装置に関する。本発明は、マイクロ電子回路の製造に用いられるマイクロリソグラフィの関連の使用に供することができる。従って、本発明は、この種の光学結像装置における使用ためのマスクにも関する。最後に、本発明は、結像誤差を判断する方法、並びに本方法を利用する結像処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
特にマイクロリソグラフィの分野では、相応に高い像品質を達成するために、とりわけ、かつ可能な限り最高の精度で作られた構成要素を用いることに加えて、結像装置の構成要素、すなわち、例えばレンズ又はミラーのような光学要素を可能な限り正確に位置決めすることが不可欠である。数ナノメートル又はそれ未満の桁の微細領域にある厳密な品質要件は、その大部分が、生産されるマイクロ電子回路の小型化を進めるために、マイクロ電子回路の製造に用いられる光学システムの分解能を高めるという絶え間ない必要性の結果である。
【０００３】
用いられる光のより短い波長へのシフトが通常は付随する分解能の向上により、用いられている光学要素の位置決めにより高い精度が要求されるだけではなく、当然ながら同じく光学システム全体の結像誤差を最小にすることに関する要件も増大する。
マイクロリソグラフィに用いられるＵＶ領域、例えば１９３ｎｍ前後の作動波長だけでなく、特に１３ｎｍ前後の作動波長を有するいわゆる極ＵＶ領域（ＥＵＶ）における短い作動波長に鑑みて、個々の構成要素の位置決めにおいて課せられる厳しい要件を満たすために、マスク台、光学要素、及び基板台（例えば、ウェーハ台）のような個々の構成要素の位置を多くの場合にいわゆる測定フレームに確立された基準体、例えば基準構造体に対して個々に判断すること、及びこの後にこれらの構成要素を互いに対して能動的に位置決めすることが頻繁に提案されている。
【０００４】
一方でこの解決法は、基板（殆どの場合はウェーハ）上のマスクの投影パターンの位置の実時間測定を通常行わないが、構成要素の相対位置及び像の位置は、基準体に対する構成要素の個々の位置データから間接的にしか求まらないという欠点を有する。それぞれの測定誤差は累積的に加算されることになり、場合によっては比較的高い総測定誤差をもたらす。更に、この解決法は、能動的に位置決めすべきである多くの要素を含み、その全ては、ナノラジアン（ｎｒａｄ）領域の必要な角度的精度及びピコメートル（ｐｍ）領域の必要な直進位置精度を用いてそれらの位置に設定及び制御する必要がある。更に、これは、基準体及び光学要素に対する支持構造体の熱安定性に特に厳しい要件を必要とする。通常、ここでは、熱膨張に対して単にケルビン当たり数ダースのナノメートル（ｎｍ／Ｋ）を許容することができるだけである。
【０００５】
これに反して、更に、基板上のマスクの投影パターンの像の位置が実時間で判断されるいくつかの公知の解決法が存在する。ここでは、基板上の投影パターンの像の位置は、有意に少ない能動要素、場合によっては僅かに１つの能動要素によって補正することができる。それによって残りの構成要素の動的制御が単純化するだけでなく、基準体及び光学要素のための支持構造体の熱安定性に課される要件の厳しさも著しく軽減する。
【０００６】
基板上のマスクの投影パターンの像の位置の実時間判断は、多くの場合にいわゆるレーザポインタ原理に従って行われる。これは、マスク又はその近くに配置された光源から始まって、像の形成に関わる光学要素を通って像生成光の経路の近くを進み、最終的に基板又はその近くに至る経路に沿って平行レーザビームを導き、このレーザビームをその場所で検出器によって捕捉することを含む。正しい位置からの光学要素の小さな偏差であっても、この時点でレーザビームのその目標位置からの偏向を引き起こすことになり、この偏差は、検出器を通じて記録され、補正を行う上で用いられる。この種の方法は、例えば、ＵＳ２００３／０２３４９９３Ａ１（Ｈａｚｅｌｔｏｎ他）に開示されている。
この構成では、レーザビームが、像の形成に関わる光学要素を通じて導かれるという事実から、基板上のマスクの投影パターンの像の正しい位置からの起こり得る偏差を判断するだけでなく、像内の他の誤差（例えば、歪み等）を記録することも可能である。本明細書では、これらの位置誤差及び他の誤差の全てを総称して結像誤差と呼ぶ。
【０００７】
上述の解決法は、ここでもまた、光源及び検出器の位置決めが、ナノラジアン領域（ｎｒａｄ）の角精度及びピコメートル領域（ｐｍ）の直進精度に関して、並びに熱安定性に関して相応に厳しい要件を受けるという欠点を有する。中でも、光源は、通常は、基準体から遠くに通常は配置される（例えば、いわゆる測定フレーム内に）熱的に安定した精巧な支持構造体によって支持されるべきである。更に、基準体に対するこれらの構成要素の位置を判断するのに、ここでもまた、高価な手段が必要であり、これらの結果も補正計算に加わることになる。
【０００８】
【特許文献１】米国特許仮出願第６０／７５３、７１８号
【特許文献２】ＵＳ２００３／０２３４９９３Ａ１
【発明の概要】
【０００９】
従って、本発明の目的は、上述の欠点が存在せず又は少なくとも僅かな程度しか存在しない光学結像装置、それに向けたマスク、結像誤差の判断の方法、並びに結像処理を提供することであり、それによって特に結像誤差を補正することができ、適用可能な場合は、結像誤差の補正を可能な最も直接的な方法、簡単な方式、かつ実時間で判断することができる。
本発明は、光学結像装置、それに向けたマスク、結像誤差の判断の方法、並びに結像処理を提供する更に別の目的を有し、それによって結像誤差は、可能な最も直接的な方法で判断することができ、適用可能な場合は、少数の要素で補正することができる。
【００１０】
本発明は、そのような直接的な判断及び適用可能な場合は結像誤差の補正が、マスクの位置の判断が基板上へのマスクの投影パターンの像の投影に関わる第１の光学要素の少なくとも大部分を通じて又は第１の光学要素に機能的に接続された第２の光学要素を通じて基板の近くの箇所から行われる場合には簡単な方法で実施することができるという観察に基づいている。本発明によりこれを達成するために、マスク又はその近く又は投影パターン又はその近くに位置する測定要素の測定像が、基板上でのマスクの投影パターンの像の形成に関わる第１の光学要素の少なくとも過半数の部分を通じて又は第１の光学要素に機能的に接続された第２の光学要素を通じて測定要素を投影することによって生成され、測定像を評価することによって結像誤差が判断される。
【００１１】
測定要素を用いることは、それを直接的な方法でマスク又はその投影パターンに対して適切に定められた安定した位置に持ってくることができるという利点を有し、これは、能動光源を適切に定めて安定に位置決めする必要がある従来技術のレーザポインタ法とは異なり、僅かの労力及び経費しか必要としない。本発明の概念によると、特に、簡単な方式でマスクに又は投影パターンの直近に受動測定要素を直接に置くことが可能である。しかし、そのような測定要素を用いることに加えて又はその代替として、測定像に対する投影パターンの少なくとも一部を用いることも可能である。
【００１２】
基板の直近で測定像及び従ってとりわけマスク位置を捕捉するこの可能性は、いくつかの利点を有する。例えば、光学要素、マスク装置、基板装置、又は基準体に起因するあらゆる誤差（位置誤差、動的誤差、熱的誤差等）は排除される。殆どの場合、この方法で記録される測定像は、基板上の投影パターンの実際の像を良好な近似で表し、それによってこれに基づいて適切な補正を行うことができる。必要に応じて、測定像捕捉位置と基板位置の間の差は、基板位置に対する測定像捕捉位置の基準測定を通じて簡単な方式で判断して考慮することができる。更にかつその他に、光学要素群のあらゆる拡大誤差、並びに更に別の基準測定系のあらゆる縮尺誤差は、この構成によって自動的に、場合によっては単一の段階で補正することも可能である。
【００１３】
この方式で判断された結像誤差の補正は、投影に関わる構成要素のうちの少なくとも１つを用いて簡単に行うことができる。すなわち、場合によっては、補正は、像の投影に関わる能動的に制御可能な構成要素のうちの１つのみしか用いずに達成することができる。
好ましくは、これは、大きな帯域幅の範囲内で制御可能な構成要素である。ここでは、能動的に制御可能な構成要素は、基板装置自体で構成することも可能である。一方、光学要素のうちの１つを能動的に制御可能な構成要素として機能させることができる。一部の事例では、結像誤差の補正を変化する境界条件に適応させる補正処理の適切な自動調整を想定することも可能である。
【００１４】
従って、本発明は、その主題の１つとして、マスク装置が投影パターンを収容するマスクを受け取る役割をし、光学要素群、基板装置が基板及び測定装置を受け取る役割をする、特にマイクロリソグラフィにおける使用に向けた光学結像装置を有する。光学要素群は、複数の光学要素を含み、基板上に投影パターンの像を投影するように設計される。測定装置は、基板上への投影パターンの投影において発生する少なくとも１つの結像誤差を判断するように設計される。測定装置は、検出装置を更に含み、検出装置は、投影パターンの少なくとも一部の及び／又はマスク装置又はその近くに位置する少なくとも１つの測定要素の測定像を捕捉又は検出する役割をし、測定像は、光学要素群の光学要素の少なくとも過半数の部分を通じて生成され、測定装置は、測定像の使用を通じて結像誤差を判断するように設計される。
【００１５】
本発明の更に別の主題は、本発明による光学結像装置のためのマスクであり、マスクは、投影パターン及び測定要素を含む。
本発明が説明する更に別の主題は、投影パターンが光学要素群の光学要素を用いて基板上に投影される、特にマイクロリソグラフィに向けた結像方法であり、結像方法は、基板上に投影パターンの像を生成する上で発生する少なくとも１つの結像誤差の判断を含む。
投影パターンの少なくとも一部及び／又は投影パターン区域に配置された少なくとも１つの測定要素を投影することにより、光学要素群の光学要素の少なくとも過半数の部分を通じて生成された測定像が記録される。この後、測定像の使用を通じて結像誤差が判断される。
【００１６】
最後に、本発明が説明する更に別の主題は、特にマイクロリソグラフィにおける使用に向けて、光学要素群の光学要素を用いた基板上への投影パターンの像の投影において発生する結像誤差を判断する方法である。投影パターンの少なくとも一部及び／又は投影パターン又はその近くに配置された少なくとも１つの測定要素を投影することにより、光学要素群の光学要素の少なくとも過半数の部分を通じて生成された測定像が捕捉される。結像誤差は、ここでもまた、測定像の使用を通じて判断される。
本発明の更に別の好ましい実施形態は、従属請求項に及び添付図面を参照する好ましい実施形態の例の以下の説明において呈示する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明によるマスクの好ましい実施形態を有する本発明による光学結像装置の好ましい実施形態の概略図である。
【図２】図１のマスクの概略図である。
【図３】結像誤差を検出するために本発明による方法の好ましい実施形態を用い、かつ図１の結像装置を用いる本発明による結像方法の好ましい実施形態の流れ図である。
【図４】本発明による方法の更に別の好ましい実施形態を用いて結像誤差を検出する本発明による結像方法の更に別の好ましい実施形態の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、図１から３を参照して、マイクロリソグラフィ用途に向けた光学結像装置の好ましい実施形態を説明する。
図１は、極ＵＶ領域（ＥＵＶ）内の第１の波長の光で作動するマイクロリソグラフィ装置１０１の形態にある本発明による光学結像装置の好ましい実施形態の概略図を示している。マイクロリソグラフィ装置１０１は、照明システム１０３、マスク１０４、及び光軸１０５．１を有する対物系１０５の形態にある光学装置を有する光学投影システム１０２を含む。照明システム１０３は、適切な導光システム（図面には示していない）を用いて、投影光束（図面には示していない）によってマスク装置１０４の反射マスク１０４．１を照らす。マスク台１０４．２上に配置されたマスク１０４．１上には、対物系１０５内の光学要素を用いて、基板装置１０６上の基板１０６．１、例えば、ウェーハ上に投影光束によって投影される投影パターン１０４．３が存在する。
【００１９】
対物系１０５は、対物系１０５のハウジング１０５．３内に支持されるいくつかの第１の光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２から成る光学要素群１０５．２を含む。作動波長がＥＵＶ領域（約１３ｎｍ）領域内にあるので、光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２は、反射光学要素、すなわち、ミラー又は同様の要素である。
更に、対物系１０５のハウジング１０５．３に取り付けられた符号化器１１３．１の形態にある検出ユニット、マスク装置１０４又はその近くに配置されるいくつかの測定要素１１３．２、及び対物系１０５のハウジング１０５．３に取り付けられた誘導装置１１３．３を含む測定装置１１３が存在する。
【００２０】
符号化器１１３．１は、図１において測定光束の光線経路１１３．４によって示すように、全ての光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、及び誘導装置１１３．３を通じて符号化器１１３．１に導かれる測定要素１１３．２の測定像を記録する。ここで検出は、ウェーハ上に投影パターン１０４．３を投影する役割をする投影光束の第１の波長とは異なる測定光束の第２の波長に対して行われ、この第２の波長は、符号化器１１３．１の最大感度のための最適化される。しかし、本発明の他の変形では、測定像の検出は、ウェーハ上に投影パターンを投影するために用いられる波長で行うことができることを理解すべきである。特に、この場合には、測定光束は、適切な手段を通じて投影光束から分岐させることができる。
【００２１】
本実施例における誘導装置１１３．３は、ウェーハ１０６．１の付近で対物系１０５のハウジング１０５．３に取り付けられた方向変更ミラーである。この構成は、対物系１０５のハウジング１０５．３内で、符号化器の設置、その接近性、及び／又は他の構成要素の設計自由度に関して符号化器１１３．１を有利な箇所に配置することを可能にする。しかし、本発明の他の変形は、異なって構成された誘導装置を有することができることを理解すべきである。特に、基板に必要な反射性質が与えられた場合には、図１において破線の光線経路１１３．５で示すように、この基板を少なくとも誘導装置の一部として機能させることも可能である。この場合には、誘導装置を省略することが可能であると考えられ、ウェーハ上への投影パターンの投影において掩蔽を発生させるであろう。
【００２２】
測定装置１１３は、更に、対物系１０５のハウジング１０５．３上で符号化器１１３．１の直近に配置された基準測定装置１１３．６の形態にある位置判断装置を含む。
この基準測定装置１１３．６は、従来の方式で符号化器１１３．１を基準としたウェーハ１０６．１の相対位置を判断する役割をする。
従って、言い換えれば、対物系１０５のハウジング１０５．３は、基準要素に対応し、このハウジング１０５．３に対して上述の測定が行われる。しかし、本発明の他の変形では、結像装置の他の構成要素が、基準要素としての役割をすることができることを理解すべきである。例えば、多くの場合に測定フレームと呼ばれる対物系１０５のハウジング１０５．３のための支持構造体１１４は、基準要素として機能することができる。同様に、光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２のうちの１つを基準要素とすることができる。この目的に特に適するのは、基板の近くに配置された重量のあるミラー又は同様の要素である。最後に、例えば、基板台上に符号化器を配置することにより、基板装置自体、例えば、基板台を基準要素とすることができる。
【００２３】
また、本発明の他の変形では、例えば、光路の端部にある光学要素のいくつかを迂回することができるように、測定要素の測定像は、要素群の光学要素の過半数の部分のみを通じて誘導することができることを更に理解すべきである。これは、迂回した光学要素がその位置及び熱的性質に関して十分に安定している場合、及び／又はこの光学要素自体が基準要素を成す場合には特に可能である。
測定像から、及び基準測定装置１１３．６によって判断される符号化器１１３．１に対するウェーハ１０６．１の位置から、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影における１つ又はそれよりも多くの結像誤差を実時間で判断することができる。
すなわち、符号化器１１３．１内で観測された目標条件からの測定像の偏差に基づいて、ウェーハ１０６．１上での目標位置及び／又は目標幾何学形状からの投影パターン１０４．３の像偏差に関して結論を引き出すことができる。
従って、測定像を用いて求められた位置偏差に基づいて、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影に関わる構成要素の位置に対して結論を引き出すことができ、それと同時に測定像を通じて求められた幾何学形状偏差によって、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影における更に別の結像誤差に対して結論を引き出すことが可能になる。
【００２４】
図２で分るように、本実施例における測定要素１１３．２は、マスク１０４．１上で投影パターン１０４．３の直隣に配置され、マスク装置１０４の走査方向１０４．４に沿って延びる２次元格子の形態にある２つの測定パターンである。２次元格子１１３．２は、例えば、適切な簡易露光処理などを通じてマスク１０４．１上に配置されていることが可能である。これは、場合によっては投影パターン１０４．３が作り出される処理と同時に及び／又はその同じ処理によって達成することができる。
【００２５】
そのような２次元格子１１３．２を用いると、格子幾何学形状が既知であり、符号化器１１３．１は（場合によっては適切な較正の後に）、位置偏差を確立するのに格子１１３．２の測定像の変位から生じるパルスを記録して計数するだけでよいので、上述の位置偏差を記録することが特に平易である。
更に、符号化器１１３．１は、格子１１３．２の測定像の幾何学形状における偏差、例えば、格子１１３．２の歪みを記録することができ、これらの偏差から、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影における更に別の結像誤差に関して結論を引き出すことができる。
【００２６】
この関連で、本発明の他の変形において、異なる向きの少なくとも２つの１次元格子を２次元格子の代わりに用いることも可能であると考えられることを理解すべきである。本発明の他の変形では、いずれか他の測定要素を格子１１３．２の代わりに用い、及び／又は測定像に基づいて位置偏差及び／又は更に別の結像誤差を検出することを可能にするいずれか他の検出ユニットを符号化器１１３．１の代わりに用いることも可能であると考えられることを更に理解すべきである。
【００２７】
本発明の他の変形では、１つ又はそれよりも多くの測定要素は、マスクに直接配置する必要はないことを更に理解すべきである。代わりに、例えば、マスク又は投影パターンへの明確な空間的関係が保証される場合には、１つ又はそれよりも多くの測定要素は、マスク又は投影パターンの近くにマスク装置とは別々に配置することも可能である。
マスク１０４．１に直接配置された受動測定要素１１３．２の使用は、特別な手段を用いることなく、これらの測定要素１１３．２が、マスク１０４．１及びマスクの投影パターン１０４．３に対して明確で安定した位置を有するという利点を有する。能動光源を適切に定めて安定した位置に保持すべきである従来技術で公知のレーザポインタ法とは異なり、本発明の概念の下でこの目的おいて必要な手段は、小さな範囲のものだけである。
【００２８】
ウェーハ１０６．１の直近の箇所で、測定像及び従って特にマスク１０４．１の位置を直接捕捉する概念は、いくつかの利点を有する。例えば、光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、マスク装置１０４、基板装置１０６、及び支持構造体１１４から起因するあらゆる測定誤差（位置誤差、動的誤差、熱的誤差等）は排除される。
殆どの場合、この方法で記録される測定像は、ウェーハ１０６．１上の投影パターン１０４．３の実際の像を良好な近似で表し、以下に詳細に説明することになるが、この測定像に基づいて適切な補正を行うことができる。基板位置、すなわち、ウェーハ１０６．１の位置からの測定像検出位置、すなわち、符号化器１１３．１の位置の偏差は、基準測定装置１１３．５によって行われる基準測定を通じて判断して考慮される。更に、この構成によって、光学要素群のあらゆる拡大誤差、並びに更に別の基準測定系のあらゆる縮尺誤差は、自動的に、場合によっては単一の段階で補正することも可能である。
【００２９】
符号化器１１３．１によって判断された結像誤差の補正は、測定装置１１３に接続した制御装置１１５の形態にある補正装置を用いて行われる。図１に一部分を象徴的にしか示していない制御線１１５．１によって例示するように、中央制御装置としての制御装置１１５は、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影に関わる能動構成要素に接続される。当然ながら能動構成要素への接続は、必ずしも常設的な有線接続である必要はない。その代わりに、これらの通信は、少なくとも一部の区画で単に一時的に存在する場合がある無線接続とすることができる。
制御装置１１５は、符号化器１１３．１によって判断された結像誤差を処理し、この結像誤差に基づいて、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影に関わる能動構成要素のうちの１つのアクチュエータ要素に対する命令を計算する。この能動構成要素は、本実施例ではウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影の光路にある最後の光学要素１１２である。
【００３０】
しかし、本発明の他の変形では、ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影に関わる１つ又はそれよりも多くの他の構成要素を能動構成要素として構成することができ、判断された結像誤差の補正に用いることができることは明らかであるべきである。好ましくは、そのような構成要素は、大きな帯域幅の範囲内で制御可能である。制御可能な構成要素は、基板装置自体によって構成することも可能である。
ウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影に関わる能動構成要素のアクチュエータ要素に対する制御命令は、他の方法で判断することができることを更に理解すべきである。例えば、これらの命令は、メモリに記憶された関連のルックアップテーブル及び／又は他のモデルから直接取得することができる。
【００３１】
図３は、いわゆるスキャナ原理に従って作動して結像誤差を判断する方法の好ましい実施形態が用いられる図１及び２のマイクロリソグラフィ装置１０１によって実施されるマイクロリソグラフィ方法から成る本発明による結像方法の好ましい実施形態の流れ図を示している。
【００３２】
まず、段階１１６．１で、マイクロリソグラフィ方法の処理シーケンスが始まる。次に、段階１１６．２で、図１のマイクロリソグラフィ装置１０１を処理に対して利用可能にする。
結像段階１１６．３では、段階１１６．４でウェーハ１０６．１の露光と平行して結像誤差の判断を行う。図１及び２に関連して上述のように、２次元格子１１３．２の測定像を符号化器１１３．１によって測定し、基準測定を基準測定装置１１３．６によって行い、これらの結果を、例えば、符号化器１１３．１内に統合された測定装置１１３の処理ユニットによって処理する。
【００３３】
上述の段階１１６．４で判断したウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影における結像誤差に基づいて、１１６．５において、制御装置１１５によって光学要素１１２の作動要素に適切な命令を送ることで、図１及び２に関連して上述の結像誤差の補正を行う。
上述のように、結像誤差の判断及び補正は、ウェーハ１０６．１の露光と平行して行う。少なくとも、ウェーハ１０６．１の露光を停止する必要をもたらすことになる結像誤差が見つからない限り、上述のように結像誤差の判断及び補正と同時に露光を独立して行う。
更に別の段階１１６．６は、更に別の補正サイクルを行う必要があるか否かに関する判断から成る。この判断が偽である場合には、処理シーケンスは、段階１１６．７で終了する。そうでなければ、処理は、段階１１６．４へとループして戻る。
【００３４】
図４は、この事例ではいわゆるステッパ原理に従って作動し、結像誤差の判断の方法の好ましい実施形態が用いられる図１及び２のマイクロリソグラフィ装置によって実施されるマイクロリソグラフィ処理から成る本発明による結像方法の更に好ましい実施形態の流れ図を示している。
まず、段階２１６．１で、マイクロリソグラフィ方法の処理シーケンスが始まる。次に、段階２１６．２で、図１のマイクロリソグラフィ装置１０１を処理に対して利用可能にする。
【００３５】
結像段階２１６．３では、段階１１６．４で結像誤差の判断を行う。図１及び２に関連して上述のように、２次元格子１１３．２の測定像を符号化器１１３．１によって測定し、基準測定を基準測定装置１１３．６によって行い、これらの結果を、例えば、符号化器１１３．１内に統合された測定装置１１３の処理ユニットによって処理する。
上述の段階２１６．４で判断したウェーハ１０６．１上への投影パターン１０４．３の投影における結像誤差に基づいて、２１６．５において、制御装置１１５によって光学要素１１２の作動要素に適切な命令を送ることで、図１及び２に関連して上述の結像誤差の補正を行う。
更に別の段階２１６．６では、ウェーハ１０６．１を露光する。次に続く段階２１６．７は、更に別の露光サイクルを行う必要があるか否かに関する判断から成る。この判断が偽である場合には、処理シーケンスは、段階２１６．８で終了する。そうでなければ、処理は、ループして戻り、段階２１６．３を繰り返す。
【００３６】
本発明の更に別の変形では、測定像は、第１の光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２を用いて作り出されず、又はこれらのみを用いては作り出されず、第１の光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２のうちの１つに１つ又はそれよりも多くが作動的に接続した第２の光学要素の群を少なくとも部分的に通じて作り出される。この目的において、そのような第２の光学要素は、例えば、それぞれの第１の光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２のステータス変化（例えば、位置変化）と、これらに接続した第２の光学要素との間で相関関係が既知であるか又は相関関係を十分に確実に判断又は推定することができるように、それぞれの第１の光学要素１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２に堅固に接続することができる。
第２の光学要素は、場合によっては測定光束の波長に依存して、単独で又はいずれかの組合せで用いられる屈折性、反射性、又は回折性光学要素によって構成することができる。
【００３７】
更に、測定像の概念は、別々の測定要素の投影に限定されないことが明らかであると考えられる。むしろ、測定像は、その全部又は一部のいずれかを投影パターン１０４．３の少なくとも一部から成る測定光束を用いて生成した像で構成するように想定することができる。また、投影パターン１０４．３は、通常は十分に既知の測定可能な構造を有しており、それによってその像から十分な精度で結像誤差を判断することができる。
【００３８】
以上、光学要素群が専ら反射光学要素のみから成る例を通じて本発明を説明した。しかし、本発明では、特に異なる第１の波長を用いた投影の場合に、屈折性、反射性、又は回折性光学要素を単独で含むか又はこれらをいずれかの組合せで含む光学要素群に向けた用途を当然見出すことができることをここで注意すべきである。
更に、マイクロリソグラフィの分野から取った例を通じてこれまで本発明を説明したことに注意する必要がある。しかし、本発明は、あらゆる他の用途又は結像処理において同様に用いることができることを理解すべきである。
【符号の説明】
【００３９】
１０４  マスク装置
１０４．１  マスク
１０４．３  投影パターン
１０５．２  光学要素群
１０６  基板装置
１０６．１  基板
１１３  測定装置
【図１】
0005629731.tif 000002
【図３】
0005629731.tif 000003
【図４】
0005629731.tif 000004
【図２】
0005629731.tif 000005