(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域と非発光領域とに区画された第１基板と、前記発光領域上に配される発光部と、前記発光部上に配される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを合着させる接合部材と、を有する平板ディスプレイ装置において、
前記非発光領域に配され第１フォトセンサーで形成され第１光量を測定する第１センシング部及び第２フォトセンサーと光遮断部材とで形成され第２光量を測定する第２センシング部を備え、
地面に対する傾斜度が大きくなるほど、前記第１光量に対する前記第２光量の比が小さくなるように構成し、前記第１センシング部と前記第２センシング部とで測定される光量の比を利用して、前記平板ディスプレイ装置の傾斜度を算出できる
ことを特徴とする平板ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記光遮断部材は、前記第２フォトセンサーの少なくとも一側部に隣接して配される
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記光遮断部材は、前記第２フォトセンサーの一側部と接するように配される
ことを特徴とする請求項２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記光遮断部材の高さは、前記第２フォトセンサーの高さより大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記光遮断部材の幅は、前記第２フォトセンサーの幅より小さいか、または同じである
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記光遮断部材は、柱状である
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記光遮断部材は、前記基板の一面に垂直に配される
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記光遮断部材は、前記接合部材の高さより小さいか、または同じである
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記平板ディスプレイ装置に入射される光に対して前記平板ディスプレイ装置が傾くにつれて、前記第２光量は、前記第１光量に比べて少なくなる
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第１センシング部と前記第２センシング部とは、前記発光部に対して相互対称になるように前記非発光領域に配される
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記発光領域は、前記第１基板の中央部に配され、前記非発光領域は、前記第１基板の外郭部に配される
ことを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には、異なる光センサーに入射される光量の差を利用して、平板ディスプレイ装置の傾斜度を判定できる平板ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光信号を電気信号に変換する光センサーは、最近、光産業及び半導体産業の発展によって、非常に多様な機能を提供できるように開発されている。特に、表示部を備える携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ(Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ)のようなモバイル機器、及びＬＣＤ(Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ)と有機発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ)のような画像ディスプレイ装置に内蔵された光センサーは、ディスプレイ装置にタッチパネル機能を付加する有力な手段として利用されている。
また、ＬＣＤに使われる光センサーの場合、外光をセンシングしてバックライトの光量の調節に利用されることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許第２００７−０１２１９１５号公報
【特許文献２】韓国公開特許第２００７−０００６３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、異なる光センシング部に入射される光量の差を利用して、平板ディスプレイ装置の傾斜度を算出できる平板ディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を達成するために、本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置は、発光領域と非発光領域とに区画された第１基板と、前記発光領域上に配される発光部と、前記発光部上に配される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを合着させる接合部材と、を有する平板ディスプレイ装置において、前記非発光領域に配される第１センシング部及び第２センシング部を備え、前記第１センシング部と前記第２センシング部とで測定される光量の比を利用して、前記平板ディスプレイ装置の傾斜度を算出できる。
【０００６】
本発明において、前記第１センシング部は、第１フォトセンサーで形成され、前記第２センシング部は、第２フォトセンサーと光遮断部材とで形成されうる。
本発明において、前記光遮断部材は、前記第２フォトセンサーの少なくとも一側部に隣接して配されうる。
本発明において、前記光遮断部材は、前記第２フォトセンサーの一側部と接するように配されうる。
【０００７】
本発明において、前記光遮断部材の高さは、前記第２フォトセンサーの高さより高い。
本発明において、前記光遮断部材の幅は、前記第２フォトセンサーの幅より狭いか、または同じでありうる。
本発明において、前記光遮断部材は、柱状でありうる。
本発明において、前記光遮断部材は、前記基板の一面に垂直に配されうる。
【０００８】
本発明において、前記光遮断部材は、前記接合部材の高さより低いか、または同じでありうる。
本発明において、前記第１センシング部は、前記第１センシング部に入射される光の第１光量を測定し、前記第２センシング部は、前記第２センシング部に入射される光の第２光量を測定し、前記第１光量に対する前記第２光量の比を利用して、前記平板ディスプレイ装置の傾斜度を算出できる。
【０００９】
本発明において、前記平板ディスプレイ装置に入射される光に対して、前記平板ディスプレイ装置が傾くにつれて、前記第２光量は、前記第１光量に比べて小さくなりうる。
本発明において、前記平板ディスプレイ装置は、地面に対する傾斜度が大きくなるほど、前記第１光量に対する前記第２光量の比は、小さくなりうる。
【００１０】
本発明において、前記第１センシング部と前記第２センシング部とは、前記発光部に対して相互対称になるように、前記非発光領域に配されうる。
本発明において、前記発光領域は、前記第１基板の中央部に配され、前記非発光領域は、前記第１基板の外郭部に配されうる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、別途のジャイロセンサーなしに、光センサーのみで平板ディスプレイ装置の傾斜度を判定できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の発光部を概略的に示す断面図である。
【図３】図１に示された平板ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。
【図４】図１のＩ−Ｉ線に沿って切り取った断面図である。
【図５】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図６】第２センシング部の変形例を概略的に示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置の作動を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置の作動を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付した図面に示された本発明に関する実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置を概略的に示す斜視図であり、図２は、図１の発光部を概略的に示す断面図であり、図３は、図１に示された平板ディスプレイ装置を概略的に示す平面図であり、図４は、図１のＩ−Ｉ線に沿って切り取った断面図であり、図５は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
図１ないし図５を参照すれば、本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置１００は、第１基板１１０、発光部１２０、第１センシング部１３０、第２センシング部１４０、第２基板１５０、及び接合部材１６０を備えうる。
【００１４】
本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置１００は、有機発光表示装置、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）であり、以下では、平板ディスプレイ装置１００が有機発光表示装置である場合について説明する。
【００１５】
有機発光表示装置である平板ディスプレイ装置１００は、相互対向する第１基板１１０と第２基板１５０とを備え、これらの第１基板１１０と第２基板１５０とは、そのエッジで接合部材１６０によって密封されうる。
【００１６】
第１基板１１０は、非発光領域１１１と発光領域１１２とに区画され、発光領域１１２には、発光部１２０が配されうる。発光領域１１２は、第１基板１１０の中心部に位置し、非発光領域１１１は、第１基板１１０のエッジに位置する。非発光領域１１１には、第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とが配されうる。これについては、後述する。
【００１７】
図２は、前記発光部１２０の一画素の一例を示した断面図である。
図２に示したように、第１基板１１０の上面には、不純物イオンが拡散されることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリヤ層及び/またはバッファ層のような絶縁層１２１が形成されうる。
【００１８】
この絶縁層１２１上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の活性層１２２が半導体材料によって形成され、これを覆うようにゲート絶縁膜１２３が形成される。活性層１２２は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機材半導体や有機半導体が使われうるが、ソース領域１２２ａ、ドレイン領域１２２ｂ、及びこれらの間にチャンネル領域１２２ｃを有する。
【００１９】
ゲート絶縁膜１２３上には、ゲート電極１２４が備えられ、これを覆うように層間絶縁膜１２５が形成される。そして、層間絶縁膜１２５上には、ソース電極１２６ａ及びドレイン電極１２６ｂが備えられ、これを覆うように平坦化膜１２７及び画素定義膜１２８が順次に備えられる。
【００２０】
前記ゲート絶縁膜１２３、層間絶縁膜１２５、平坦化膜１２７、及び画素定義膜１２８は、絶縁体で備えられうるが、単層または複数層の構造に形成されており、有機物、無機物、または有/無機複合物で形成されうる。
前述したようなＴＦＴの積層構造は、必ずしもこれに限定されず、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。
【００２１】
一方、前記平坦化膜１２７の上部には、有機発光素子(ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）の一電極である画素電極１２９ａが形成され、その上部に画素定義膜１２８が形成され、この画素定義膜１２８に所定の開口部を形成して画素電極１２９ａを露出させた後、ＯＬＥＤの有機発光膜１２９ｂを形成する。
【００２２】
前記ＯＬＥＤは、電流の流れによって、赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであって、ＴＦＴのドレイン電極１２６ａにコンタクトホールを通じてコンタクトされた画素電極１２９ａと、全体画素を覆うように備えられた対向電極１２９ｃと、これらの画素電極１２９ａと対向電極１２９ｃとの間に配されて発光する有機発光膜１２９ｂとで構成される。
【００２３】
前記画素電極１２９ａと対向電極１２９ｃとは、前記有機発光膜１２９ｂによって相互絶縁されており、有機発光膜１２９ｂに異なる極性の電圧を加えて有機発光膜１２９ｂから発光されるようにする。
【００２４】
前記有機発光膜１２９ｂは、低分子または高分子有機膜が使われうる。ホール注入層(ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、ホール輸送層(ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、発光層(ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、電子輸送層(ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、電子注入層(ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)が単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン(ＣｕＰｃ)、Ｎ,Ｎ−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(ＮＰＢ)、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)を始めとして、多様なものが適用可能である。これらの有機膜は、真空蒸着の方法で形成されうる。この時、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、共通層であって、赤、緑、青色のピクセルに共通に適用されうる。したがって、図２とは異なり、これらの共通層は、対向電極１２９ｃのように、全体ピクセルを覆うように形成されうる。
【００２５】
前記画素電極１２９ａは、アノード電極の機能を行い、前記対向電極１２９ｃは、カソード電極の機能を行うが、もちろん、これらの画素電極１２９ａと対向電極１２９ｃとの極性は、逆になってもよい。
【００２６】
第１基板１１０の方向に画像が具現される背面発光型である場合、前記画素電極１２９ａは、透明電極となり、対向電極１２９ｃは、反射電極となりうる。この時、画素電極１２９ａは、仕事関数の高いＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で形成され、対向電極１２９ｃは、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａで形成されうる。
【００２７】
対向電極１２９ｃの方向に画像を具現する前面発光型である場合、前記画素電極１２９ａは、反射電極で備えられ、対向電極１２９ｃは、透明電極で備えられる。この時、画素電極１２９ａとなる反射電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物で形成された反射膜と、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含んで備えられうる。そして、前記対向電極１２９ｃとなる透明電極は、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電物質をもって補助電極層やバス電極ラインを形成できる。
【００２８】
両面発光型の場合、前記画素電極１２９ａと対向電極１２９ｃとが、いずれも透明電極で備えられうる。
【００２９】
フレーム(図示せず)に第１基板１１０が載置される構造である場合には、第２基板１５０の方向に画像が具現される前面発光型となる。もちろん、図示していないが、前記フレーム(図示せず)に所定の開口が形成されており、この開口を通じて第１基板１１０の底面が露出される構造である場合には、背面発光型及び両面発光型も適用されうる。
【００３０】
前記画素電極１２９ａ及び対向電極１２９ｃは、必ずしも前述した物質で形成されるものに限定されず、伝導性有機物やＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕなど導電粒子の含まれた伝導性ペーストで形成することもできる。このような伝導性ペーストを使用する場合、インクジェットプリンティング方法を使用してプリンティングでき、プリンティング後には、焼成して電極に形成できる。
【００３１】
前記発光部１２０の対向電極１２９ｃの上面には、この発光部１２０を覆うように無機物、有機物、または有無機複合積層物からなるパッシベーション膜１０がさらに備えられうる。
【００３２】
第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とは、平板ディスプレイ装置１００内に配され、外部から入射される光量を測定できる。さらに詳細には、第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とは、第１基板１１０の非発光領域１１１に配されうる。非発光領域１１１は、第１基板１１０上で発光領域１１２の外側に当たり、かつ接合部材１６０内側に配当する領域を意味する。第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とは、発光部１２０に対して相互対称である位置に配されうる。
【００３３】
図３を参照すれば、第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とは、それぞれ発光部１２０の左側非発光領域１１１ａと右側非発光領域１１１ｂとに配され、第１基板１１０の下端部から同じ高さに配され、発光部１２０に対して対称とされるように配されうる。このように、本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置１００は、第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とが発光部１２０に対して相互対称となるように配されるので、第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とが相互非対称的に配されることによって発生しうる入射光量の差を防止できる。すなわち、同じ条件下で外光が第１センシング部１３０と第２センシング部１４０とに入射して、位置による入射光量の誤差を減少させうる。
【００３４】
第１センシング部１３０は、第１フォトセンサーで形成されうる。第１フォトセンサー１３０は、ＰＮ接合(ｊｕｎｃｔｉｏｎ)光ダイオードでありうる。ＰＮ接合光ダイオードである第１フォトセンサー１３０は、第１受光層１３１と第２受光層１３２とで形成されうる。第１受光層１３１は、ＰＮ接合光ダイオードのＮタイプであり、第２受光層１３２は、ＰＮ接合光ダイオードのＰタイプでありうる。また、第１受光層１３１がＰＮ接合光ダイオードのＰタイプであり、第２受光層１３２がＰＮ接合光ダイオードのＮタイプでありうる。
【００３５】
第１受光層１３１がＮタイプである場合、第１受光層１３１は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎ群から選択された一つ以上の元素、及び酸素(Ｏ)を含みうる。例えば、前記第１受光層１３１は、ＺｎＯ、ＺｎＧａＯ、ＺｎＩｎＯ、ＧａＩｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＺｎＳｎＯ、ＩｎＳｎＯ、またはＺｎＧａＩｎＯの物質を含みうる。
【００３６】
第２受光層１３２がＰタイプである場合、第２受光層１３２は、銅(Ｃｕ)、鉄(Ｆｅ)、ニッケル(Ｎｉ)、コバルト(Ｃｏ)、マンガン(Ｍｎ)、アルミニウム(Ａｌ)、パラジウム(Ｐｄ)、スズ(Ｓｎ)、インジウム(Ｉｎ)、鉛(Ｐｂ)、チタン(Ｔｉ)、ルビジウム(Ｒｂ)、バナジウム(Ｖ)、ガリウム(Ｇａ)、テルビウム(Ｔｂ)、セリウム(Ｃｅ)、ランタン(Ｌａ)及び亜鉛(Ｚｎ)からなる群から選択された一つ以上の金属を含むフタロシアニン化合物で構成されうる。
【００３７】
他の変形例として、第１フォトセンサー１３０は、ＰＩＮ接合光ダイオードでありうる。
第２センシング部１４０は、第２フォトセンサー１４１ａ,１４１ｂと光遮断部材１４２とで形成されうる。
【００３８】
第２フォトセンサー１４１は、ＰＮ接合光ダイオードでありうる。第２フォトセンサー１４１は、第１受光層１４１ａと第２受光層１４１ｂとで形成されうる。第１受光層１４１ａは、ＰＮ接合光ダイオードのＮタイプであり、第２受光層１４１ｂは、ＰＮ接合光ダイオードのＰタイプでありうる。また、第１受光層１４１ａがＰＮ接合光ダイオードのＰタイプであり、第２受光層１４１ｂがＰＮ接合光ダイオードのＮタイプでありうる。
【００３９】
第１受光層１４１ａがＮタイプである場合、第１受光層１４１ａは、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎ群から選択された一つ以上の元素、及びＯを含みうる。例えば、前記第１受光層(１３）はＺｎＯ、ＺｎＧａＯ、ＺｎＩｎＯ、ＧａＩｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＺｎＳｎＯ、ＩｎＳｎＯ、またはＺｎＧａＩｎＯなどの物質を含みうる。
【００４０】
第２受光層１４１ｂがＰタイプである場合、第２受光層１４１ｂは、銅(Ｃｕ)、鉄(Ｆｅ)、ニッケル(Ｎｉ)、コバルト(Ｃｏ)、マンガン(Ｍｎ)、アルミニウム(Ａｌ)、パラジウム(Ｐｄ)、スズ(Ｓｎ)、インジウム(Ｉｎ)、鉛(Ｐｂ)、チタン(Ｔｉ)、ルビジウム(Ｒｂ)、バナジウム(Ｖ)、ガリウム(Ｇａ)、テルビウム(Ｔｂ)、セリウム(Ｃｅ)、ランタン(Ｌａ)及び亜鉛(Ｚｎ)からなる群から選択された一つ以上の金属を含むフタロシアニン化合物で構成されうる。
【００４１】
光遮断部材１４２は、第２フォトセンサー１４１の一側部に接するように配されうる。図１を参照すれば、光遮断部材１４２は、第２フォトセンサー１４１の上端部に接するように配されうる。本発明は、これに限定されず、光遮断部材１４２は、第２フォトセンサー１４１の上端部以外の他の側部に接するように配されうる。光遮断部材１４３は、柱状となりうる。図３及び図４を参照すれば、光遮断部材１４２は、第２フォトセンサー１４１の幅ｗ２より狭い幅ｗ１を有し、第２フォトセンサー１４の高さｔ２より大きい高さｔ１を有しうる。光遮断部材１４２は、接合部材１６０の高さより小さいか、または同じでありうる。第２フォトセンサー１４１の一側部に配される光遮断部材１４３は、平板ディスプレイ装置１００を傾けるにつれて第２フォトセンサー１４１に入射される光線束を低下させる。これにより、第１フォトセンサー１３１,１３２と第２フォトセンサー１４１とに入射される光量は、差が発生し、前記光量差を利用して、平板ディスプレイ装置１００の傾斜度を算出できる。これについては、後述する。
【００４２】
図６は、第２センシング部の変形例を示す平板ディスプレイ装置の部分断面図である。図６を参照すれば、光遮断部材１４２ａ,１４２ｂ,１４２ｃ,１４２ｄは、第２フォトセンサー１４１の４個の側部にそれぞれ配されうる。本発明は、これに限定されず、光遮断部材は、少なくとも一つ以上が第２フォトセンサー１４１の一側部に配されうる。
図７及び図８は、本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置の作動を示す断面図である。図７は、平板ディスプレイ装置を地上に対して一定角度(θ)ほど傾けた時、第１センシング部１３０から見た平板ディスプレイ装置の断面図であり、図８は、第２センシング部１４０から見た平板ディスプレイ装置の断面図である。
【００４３】
図７及び図８を参照すれば、平板ディスプレイ装置１００を地面に対して傾けるほど、第２フォトセンサー１４１に向かう光は、光遮断部材１４２によって一部が遮断されて第２フォトセンサー１４１に入射される。しかし、第１フォトセンサー１３１,１３２に向かう光は、光遮断部材１４２のように、光を遮断する部材がないので、何らの制限なしに第１フォトセンサー１３１,１３２に入射される。平板ディスプレイ装置１００が地面に対して傾いて地面と垂直に近いほど、さらに多くの光が光遮断部材１４２によって遮断されて、第２フォトセンサー１４１に入射される光量は、減少し、第１フォトセンサー１３１,１３２に入射される光量との差がさらに大きくなる。
【００４４】
一方、平板ディスプレイ装置１００が地面に対して傾いた角度が小さくなれば、光遮断部材１４２によって遮断される光量が減少し、第２フォトセンサー１４１に入射される光量と第１フォトセンサー１３１,１３２に入射される光量との差は、減少する。平板ディスプレイ装置１００が地面に対して傾かなければ、光遮断部材１４２によって遮断される光がないので、第１フォトセンサー１３１,１３２と第２フォトセンサー１４１とに入射される光量は、同一である。
【００４５】
整理すれば、第１フォトセンサー１３１,１３２に入射される光量を第１光量とし、第２フォトセンサー１４１に入射される光量を第２光量とすれば、平板ディスプレイ装置１００が地面に対して傾いて、すなわち、平板ディスプレイ装置１００と地面との角度が大きくなるほど、光遮断部材１４２によって第１光量に比べてさらに減少するので、第１光量に対する第２光量の比は、小さくなり、平板ディスプレイ装置１００が地面に近くなるほど、すなわち、平板ディスプレイ装置１００と地面との角度が小さくなるほど、光遮断部材１４２によって遮断される光量が減少するので、第１光量に対する第２光量の比は、大きくなる。第１光量に対する第２光量の比は、制限なしに大きくならず、平板ディスプレイ装置１００が地面に平行し、外光が平板ディスプレイ装置１００に垂直に入射する場合には、第１光量と第２光量とが同一になるので、第１光量に対する第２光量の比は、１となる。
【００４６】
このように、平板ディスプレイ装置１００の地面に対する傾斜度が大きくなるほど、第１光量に対する第２光量の比が小さくなるので(または、第２光量に対する第２光量の比が大きくなるので)、第１光量及び第２光量を測定し、その比を求めることによって平板ディスプレイ装置１００の傾斜度を算出できる。第１光量に対する第２光量の比(または、第２光量に対する第１光量の比)と平板ディスプレイ装置１００の傾斜度との関係は、ルックアップテーブルで整理して別途に保存でき、第１光量に対する第２光量の比を求め、ルックアップテーブルを利用することによって、平板ディスプレイ装置１００の傾斜度を算出できる。
【００４７】
本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置１００は、 別途のジャイロセンサーや照度センサーなしにも、第１センシング部１３０及び第２センシング部１４０のみで平板ディスプレイ装置１００の傾斜度は、容易に算出できる。
【００４８】
そして、前記図面に示された構成要素は、説明の便宜上拡大または縮小して表示されうるので、図面に示された構成要素のサイズや形状に本発明が拘束されず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、ディスプレイ関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１００    平板ディスプレイ装置
１１０    第１基板
１２０    発光部
１３０    第１センシング部
１４０    第２センシング部
１５０    第２基板
１６０    接合部材
【図１】
0005623866.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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