(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの反対面を備えた多孔性材料（１０）で作られた構造の化学気相堆積による溶浸のための方法であって、
第１の面（１１）は、ガス流（１２）にさらされており、
第２の面（１３）は、支持体（１５）に対して全く接触がなく、
平行なチャネルが貫通され、フォーシングコーン（１６）が提供された前記支持体（１５）を、前記ガス流に対して前記多孔性材料構造の前記第２の面側に配置し、前記構造を前記支持体上に懸架する段階を含む方法。
【請求項２】
前記支持体（１５）は、インコネルで作られた円筒形支持体であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多孔性材料構造（１０）は、前記支持体（１５）の法線に関して角度αで傾斜しており、αは１から１５°であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
−酸化物の粒子または薄膜を合成する第１の段階と、
−ＣＶＤにより少なくとも一つの貴金属または非貴金属を分散する第２の段階と、
をさらに備えている請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方法は、ＣＶＤにより他の貴金属または非貴金属を分散する別の段階が続く請求項４に記載の方法。
【請求項６】
加熱処理により前記堆積の安定化をする第３の段階をさらに備えている請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の段階は含浸体層（「ウォッシュコート」）を適用する段階である請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記含浸体は、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＢａＯ２、ゼオライト、ＴｉＯ２／Ｖ２Ｏ５から選択された、いくつかの異なる特性の混合酸化物で構成されている請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の段階において、前記金属は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｕから選択される請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記多孔性材料構造は、ハチの巣状のセラミック構造またはセラミック発泡体タイプである請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
二つの反対面を備えた多孔性材料（１０）で作られた構造の化学気相堆積による溶浸のためのデバイスであって、
第１の面（１１）はガス流（１２）にさらされており、
第２の面（１３）を保持するための手段であって、前記第２の面（１３）は支持体（１５）に対して全く接触がなく、
前記保持手段は、平行なチャネルが貫通され、及びフォーシングコーン（１６）が提供された前記支持体（１５）を備えていることを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
前記支持体（１５）は、インコネルで作られた円筒形支持体である請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
異なる開口の分布が重なり合った少なくとも二つの多層サブ支持体（３０、３１）を備えている請求項１１に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、特に、触媒系のための多層構造またはヘテロ構造を得るために化学気相堆積（ＣＶＤ）によって多孔性材料で作られた構造の溶浸のための方法及び装置に関している。
【背景技術】
【０００２】
「ウォッシュコート」＋金属型触媒系は、高密なまたは多孔質な構造の表面上に十分に分散したナノメトリックサイズの連続的及び一様な薄膜及び／または粒子（直径が１から１００ｎｍ）の形態で利用できる。これらの応用分野は、例えば、空気の触媒作用（汚染物質（揮発性有機化合物（ＶＯＣ）、酸化窒素（ＮＯｘ））の処理）、炭化水素の改質による水素の生成、またはバイオ燃料または吸着による水素の貯蔵。
【０００３】
そのような触媒を形成するための従来の技術は、液体プロセスによる含浸であり、例えば、非特許文献１で述べられているような銀粒子の堆積、または非特許文献２で述べられているような白金粒子の堆積による。この技術の主な難点は以下の通りである。
−相当量の堆積材料を必要とする。ＣＶＤによるものの５から１０倍以上である。
−多孔性構造内部に液体を流入するため非均一な堆積を引き起こす。
−後に加熱処理の段階（乾燥及び焼成）が続かなければならない。
【０００４】
ＣＶＤは滑らかな表面を被覆するために一般的に利用されている。多孔性材料から作られた構造に対して、できる限り最高に前記構造に溶浸するために、液相堆積が好まれる。しかし、そのような液相堆積は制御することが難しく、及び前記堆積厚さは高い。このように、非常に小さな孔に材料を溶浸するためにそれを利用することは問題外である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】“Ｐｒｏｍｏｔｉｏｎａｌ  ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  ＳＯ２  ｏｎ  ｔｈｅ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｃａｔａｌｙｔｉｃ  ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ＮＯｘ  ｗｉｔｈ  ｐｒｏｐａｎｅ／ｐｒｏｐｅｎｅ  ｏｖｅｒ  Ａｇ／γ−Ａｌ２Ｏ３”  ｂｙ  Ｔ．Ｎ．Ａｎｇｅｌｉｄｉｓ  ａｎｄ  Ｎ．Ｋｒｕｓｅ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  Ｂ：  Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ  ３４，  ２００１，  ｐａｇｅｓ  ２０１−２１２）
【非特許文献２】“Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｂｅｔａ−ｃｏａｔｅｄ  ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ  ｈｏｎｅｙｃｏｍｂ  ｍｏｎｏｌｉｔｈｓ  ｂｙ  ｉｎ  ｓｉｔｕ  ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ−Ｕｔｉｌｉｓａｔｉｏｎ  ａｓ  Ｐｔ  ｓｕｐｐｏｒｔ  ｆｏｒ  ＮＯｘ  ａｂａｔｅｍｅｎｔ  ｉｎ  ｄｉｅｓｅｌ  ｅｘｈａｕｓｔ”  ｂｙ  Ａ．Ｂｕｅｎｏ−Ｌｏｐｅｚ，  Ｄ．Ｌｏｚａｎｏ−Ｃａｓｔｅｌｌｏ，  Ｉ．Ｓｕｃｈ−Ｂａｓａｎｅｚ，  Ｊ．Ｍ．Ｉｌｌａｎ−Ｇｏｍｅｚ，  Ｃ．Ｓａｌｉｎａｓ−Ｍａｒｔｉｎｅｓ  ｄｅ  Ｌｅｃｅａ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  Ｂ：  Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ  ５８，  ２００５，  ｐａｇｅｓ  １−７）
【非特許文献３】“Ｓｙｓｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＹＢＣＯ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｇｒｏｗｎ  ｂｙ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ−  ＭＯＣＶＤ”  ｂｙ  Ｊ．Ｐ．Ｓｅｎａｔｅｕｒ，  Ｆ．Ｆｅｌｔｅｎ，  Ｓ．Ｐｉｇｎａｒｄ，  Ｆ．Ｗｅｉｓｓ，  Ａ．Ａｂｒｕｔｉｓ，  Ｖ．Ｂｉｇｅｌｙｔｅ，  Ａ．Ｔｅｉｓｅｒｓｋｉｓ，  Ｚ．Ｓａｌｔｙｔｅ  ａｎｄ  Ｂ．Ｖｅｎｇａｌｉｓ（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｌｌｏｙｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐｏｎｄｓ  ２５１，  １９９７，  ｐａｇｅｓ  ２８８−２９１）
【非特許文献４】“Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ａｘｉａｌｌｙ  ｎｏｎ−ｕｎｉｆｏｒｍ  Ｐｄ  ｃａｔａｌｙｔｉｃ  ｍｏｎｏｌｉｔｈｓ  ｂｙ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”  ｂｙ  Ｖａｎｉａ  Ｃｏｍｉｎｏｓ  ａｎｄ  Ａｓｔｅｒｉｏｓ  Ｇａｖｒｉｉｌｉｄｉｓ  （Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  Ａ：  Ｇｅｎｅｒａｌ  ２１０（２００１），ｐａｇｅｓ  ３８１−３９０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明の目的は、上で明示されたような先行技術の解法において存在する技術的な問題を解決できる多孔性材料で作られた構造の化学気相堆積による溶浸のための方法及びデバイスである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明は、二つの反対面を備えている多孔性材料で作られた構造の化学気相堆積による溶浸のための方法に関しており、第１の面はガス流にさらされており、第２の面は少なくとも部分的に全く接触が無く、支持体は平行チャネルが貫通され、及び前記ガス流と前記多孔性材料で作られた構造の間に介入されたフォーシングコーンが提供されており、前記構造は前記支持体上に置かれるか、または前記支持体上に懸架されていることを特徴としている。
【０００８】
有利的に、前記支持体は、インコネルで作られた円筒形支持体である。
【０００９】
有利的に、多孔性材料で作られた前記構造は前記支持体の法線に関連して角度αで傾いていることも可能であり、αは１から１５°である。
【００１０】
本願発明の方法は、
−酸化物の粒子または薄膜を合成する第１の段階と、
−ＣＶＤにより少なくとも一つの貴金属または非貴金属を分散する第２の段階と、
−必要ならば、ＣＶＤにより他の貴金属または非貴金属を分散する別の段階と、
−加熱処理により前記堆積の安定化をする第３の段階と、
を備えている。
【００１１】
一つの実施形態において、前記第１の段階は、含浸体または「ウォッシュコート」を適用する段階であって、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＢａＯ２、ゼオライト、ＴｉＯ２／Ｖ２Ｏ５から選択された、いくつかの異なる特性の混合酸化物で構成されていてもよい。第２の段階において、前記金属は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｕから選択されうる。多孔性材料で作られた前記構造はハチの巣状のセラミック構造またはセラミック発泡体タイプである。
【００１２】
本願発明は同様に、二つの反対面を備えた多孔性材料で作られた構造の化学気相堆積による溶浸のためのデバイスに関連しており、第１の面はガス流にさらされており、及び第２の面を保持するための手段は少なくとも部分的に全く接触がなく、前記保持手段は平行なチャネルが貫通され、及びフォーシングコーンで提供された支持体を備えていることを特徴としている。
【００１３】
有利的に、前記支持体は、インコネルで作られた円筒形支持体である。
【００１４】
代わりとなる実施形態において、本願発明のデバイスは、異なる開口の分布が重なりあった少なくとも二つの多層サブ支持体を備えている。
【００１５】
本願発明の方法は、多孔性材料で作られた構造の厚さ全体にわたって貫通するために、前記ガス流を強制することによってＣＶＤ技術を適用することが可能である。このように、前記ガス流は前記多孔性材料構造の前記第１の面に向かって好ましい方法に指向され、及び前記構造の前記第２の面は、前記ガス流を「取り入る（ｓｕｃｋ  ｕｐ）」するために少なくとも部分的に解放されている。前記第２の「開口」面は、前記チャネルの厚さと望まれる堆積の厚さに応じて、前記構造におけるホールの数、前記構造が前記支持体に関して懸架されている場合は高さＤ、前記構造の傾斜αなどが適用されうる。
【００１６】
本願発明の方法は、触媒系（「ウォッシュコート」含浸体被覆＋金属）に対する多層またはヘテロ構造を得ることが可能である。多孔性タイプの支持体（または基板）上に連続的または非連続的な薄膜（粉または粒子）の形態で酸化物タイプの混合物（Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＹＳＺ、Ｖ２Ｏ５、ＢａＯ、ＴｉＯ２など）を堆積することが可能である。同様に、ナノ粒子の形態で、第ＶＩＩＩ族（Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ）及びＩ族（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）の金属化合物を堆積することも可能である。
【００１７】
開口が提供された支持体の特定の構造は、２から６００ｃｐｓｉ（平方インチあたりのチャネル数  Ｃｈａｎｎｅｌｓ  Ｐｅｒ  Ｓｑｕａｒｅ  Ｉｎｃｈ）及び／または２から６０ｐｐｉ（平方インチあたりの孔数  Ｐｏｒｅｓ  Ｐｅｒ  ｓｑｕａｒｅ  Ｉｎｃｈ）の多孔率を有する発泡体またはハチの巣状のような、触媒タイプに対するフィルタリング支持体の多孔性材料構造の効果的な溶浸を可能にする。それは厚さの点からだけでなく構造の観点からも均一な活性層の堆積を導く。フィルタリング支持体のような前記フィルタリング壁の深い浸透は体積の交換が好ましく、得られうる特定の表面を可能にする。
【００１８】
加えて、操作条件を制御することは、触媒の形態（サイズ）及び濃度（分散）を調節し、及びそのようにして、ナノメトリックサイズ（＜２０ｎｍ）の非常に細かく分散した粒子の合成を可能にしている。
【００１９】
本願発明の方法によって、面（２Ｄ）上でまたは容積（３Ｄ）上で複雑な多孔性材料構造内部で完全な触媒系（「ウォッシュコート」＋金属）を堆積することが可能である。前記触媒は、高密なまたは多孔質な支持体の表面上によく分散したナノメトリックサイズ（直径が１から１００ｎｍ）の連続的で均一な薄膜及び／または粒子の形態である。
【００２０】
本願発明の方法は最終的に、
−調節可能なチューブ炉により支持体上に選択的な手段で触媒系を合成すること
−溶浸板を変えることにより多様な寸法の一部を合成すること
−「ウォッシュコート」または活性触媒層を処理により安定化すること
を可能にしている。
【００２１】
本願発明の方法及びデバイスの応用分野は、例えば空気の触媒作用（ＶＯＣ，ＮＯｘの処理）、炭化水素の改質による水素の生成、またはバイオ燃料または吸収による水素の貯蔵である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】本願発明の装置の三つの実施形態のうちの一つを図示している。
【図１Ｂ】本願発明の装置の三つの実施形態のうちの一つを図示している。
【図１Ｃ】本願発明の装置の三つの実施形態のうちの一つを図示している。
【図２Ａ】支持体の実施例を上面図及び断面図でそれぞれ図示している。
【図２Ｂ】支持体の実施例を上面図及び断面図でそれぞれ図示している。
【図３】図２で図示された支持体を溶浸している本願発明のデバイスを図示している。
【図４Ａ】触媒容量に応じて得られた粒子のサイズを与える測定の二つの例を図示している。
【図４Ｂ】触媒容量に応じて得られた粒子のサイズを与える測定の二つの例を図示している。
【図５】本願発明のデバイスの代わりとなる実施形態を概略的に図示している。
【図６】本願発明のデバイスの代わりとなる実施形態を概略的に図示している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１Ａ、１Ｂ及び１Ｃで図示されているように、本願発明に従って、二つの反対面に提供された多孔性材料構造１０の化学気相堆積による溶浸のための方法は、第１の面１１をガス流１２にさらすことであり、第２の面１３は少なくとも部分的に全く接触が無く、これは、前記構造１０内部で粒子の成長、密度及びサイズを制御することを可能にしている。
【００２４】
第１の実施形態において、図１Ａで示されるように、前記構造１０は、例えば平行なチャネル１７の開口を有する支持体１５上に置かれる。この第１の実施形態において、得られる膜はこれらのチャネル１７の選択的溶浸を可能にしている。
【００２５】
第２の実施形態において、図１Ｂで示されたように、前記構造１０は、前記支持体１５の上に距離Ｄで懸架され、前記距離Ｄは調整される。この第２の実施形態は、前記多孔性材料構造１０のインプット（第１の面１１）とアウトプット（第２の面１３）の間の堆積勾配を形成することが可能である。
【００２６】
第３の実施形態は、前記支持体１５の上に配置されたフォーシングコーン１６を実装した第２の実施形態に対応している。前記構造１０はそれから、ガス流１２が十分に横断され、前記構造１０の全体の高さにわたって均一な堆積を得ることを可能にしている。
【００２７】
本願発明の方法は、
−厚さが一般的に２０ｎｍ、５０ｎｍより大きく、及び３００ｎｍに等しい連続的または非連続的な膜の形態で、一つ以上の酸化物または「ウォッシュコート」で構成された予備層を堆積する第１の段階と、
−前に堆積された「ウォッシュコート」上に、単位μｍ２あたり５０粒子で領域に分散し、２０ｎｍより一般的に小さい直径のナノ粒子の形態で、貴金属、または非貴金属を分散させる第２の段階と、
−必要な場合は、例えば制御された雰囲気下（真空またはＯ２、Ｈ２、Ａｒのようなガスの分圧）で加熱処理により前記触媒の堆積の安定化をする第３の段階と、
を備えている。
【００２８】
前記第１の段階において、反応面は、高比表面の均一な「ウォッシュコート」の適用によって顕著に増大されてもよい。前記「ウォッシュコート」は異なる性質の一つ以上の混合酸化物（Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＢａＯ２、ゼオライト、ＴｉＯ２／Ｖ２Ｏ５、等）より構成されてもよい。
【００２９】
第２の段階において、前記貴金属または非貴金属は「ウォッシュコート」上に堆積された前記触媒の主な構成要素であり、これは、特に前記反応の活性エネルギーを減少させることを可能にしている。この構成要素は、白金（Ｐｔ）またはパラジウム（Ｐｄ）であり、加えて、これらの材料はよい安定性を有している。他の貴金属（Ｒｈ（ロジウム）、Ａｕ（金）または非貴金属（Ａｇ、Ｃｕ、等））はターゲットとされた応用に依存して利用されうる。気相堆積法は、有機金属先駆体または金属塩の薄膜の堆積をすることが可能である。それによって、混合酸化物で構成された均一な活性層（「ウォッシュコート」）を形成すること、または生産材料に関連して反応媒体に適合された同一のリアクターにおいて、マクロ多孔性支持体上に緻密なまたは離散的な方法で貴金属を堆積すること（ＣＶＤ）が可能である。
【００３０】
本願発明の方法は、多孔性材料構造内部に堆積された連続的または不連続的な薄膜で構成される触媒系を合成することが可能である。それは、触媒基板の前記溶浸及びそれらの安定化（そのままの熱処理）の観点、及びそれらの統合の観点から真の改善を可能にしている。
【００３１】
非常に少ない有機溶媒を利用しているのでそのような方法は「クリーン」であり、それは必要ならば、再循環されうる純粋な及び乾燥した生成物を再生することが可能である。さらに、排ガス処理の分野において使用される支持体のような複雑な形状（セラミック発泡体またはハチの巣状構造など）を被覆することに関して、それは非常に制限されることがない。
【００３２】
触媒のＣＶＤ堆積の従来の方法と比較して、本願発明の方法は、含浸体または「ウォッシュコート」の形成、それから同一のリアクターにおいて３Ｄ多孔性材料構造内部に貴金属または非貴金属の分散を可能にする。この方法は同様に、改質による水素の生成、または水素貯蔵材料に対する空気処理の分野において（例えば触媒コンバータに対するＶＯＣ、ＮＯｘの処理）直接の応用を見つける、完全触媒系の単一の包囲内での生産を可能にしている。
【００３３】
使用される前記ＣＶＤリアクターはそれから、非特許文献３において述べられ、及び図３に図示されるように、リアクターの底部を経由して反応ガスの流入を有する特定の形状を有してもよい。被覆される前記構造はそれからガス流の上に懸架され、これは粒子によっていかなる汚染を避けることを可能にしており、この構成は重力を通して後退する。さらに、スライド式装着管状炉は、熱勾配が調整されることが可能であり、これは一様な方法で前記支持体を加熱するか、または熱勾配を生成するために、マクロ多孔性の支持体の一つの高さまたは全体の高さにわたって選択的に堆積することを可能にしている。
【００３４】
図２Ａ、２Ｂ及び３は、例えば直径８０ｍｍ及び高さ１０ｍｍのインコネルで作られた円形支持体１５の例を図示している。前記支持体１５は、開口、例えば直径２ｍｍの円筒形チャネル１７で貫通され、中心は５ｍｍの間隙を介され、及びチャネル形状の開口１８はその中心がコーン状で終端される。一方で、そのような支持体は、多孔性構造体の改善した溶浸と、他方では、良好な熱慣性を可能にしている。図１Ｃにおいて図示されたように、フォーシングコーン１６は、前記ガス流１２の全体が前記多孔性材料構造１０を横断させることを可能にする。前記構造１０内部での前記ガスの拡がりは、前記支持体１５と前記構造１０の間の距離Ｄ（１から２０ｍｍ）を修正することによって調整されうる。参照番号２０は前記ＣＶＤリアクターの壁を指定している。
【００３５】
一つの応用、例えば触媒コンバータについて、前記多孔性構造はより大きな寸法を有しうる（一般的に直径＝１４５ｍｍ、高さ１００ｍｍ）。前記材料の多孔率はより小さい構造と同じであり、前記支持体における開口のサイズは小さな構造に対する支持体のものと同じ大きさのオーダーである。
【００３６】
有利な代わりとなる実施形態において、前記支持体１５は、二つの多重サブ支持体３０及び３１を備えてもよく、その開口分布は異なっている。サブ支持体の一つ、例えばサブ支持体３１は取り外し可能及び取り換え可能であってもよく、これはターゲットとされた応用に対して支持体の全体の分布を順応させることを可能にしている。実際、所定の開口の選択は、所定の孔における堆積を避けること、または前記孔に依存している異なるタイプの粒子を堆積することが望まれうる。
【００３７】
このように、図５において図示された第１の実施形態では、第１の段階において、前記サブ支持体３０及び３１が重ねられ、これは、第１のチャネルＡに垂直に、前記構造１０の孔を第１の材料で満たすことを可能にしている。第２の段階において、前記サブ支持体３１は前記サブ支持体３１’によって置き換えられ、これは、第２のチャネルＢに垂直に、前記構造１０の孔を第２の材料で満たすことを可能にしている。図６において図示された第２の実施形態では、第１の段階において、堆積は前記二つのサブ支持体３０及び３１で実施され、これは、第１のチャネルＡに垂直に、前記構造１０の孔を第１の材料で満たすことを可能にしている。第２の段階において、前記サブ支持体３１は取り除かれ、第１及び第２のチャネルＡ及びＢに垂直に前記構造１０の孔を第２の材料で満たす。
【００３８】
同一の支持体１５は同様に、前記支持体の開口の分布に関連して、前記構造１０を置き換えること（例えば回転）が考慮されうる。
【００３９】
最後に、開口を有する前記支持体１５の上に調整可能な高さＤで前記構造１０を配置することにより、前記孔における堆積の分布は、前記支持体を変えることなく、この高さの調節（前記支持体が貫通されない場合のように）によって容易に調整されうる。
【００４０】
前記構造１０は同様に、前記支持体１５の表面の法線に関して、角度α（例えば１°から１５°）に沿って傾けられうる。前記構造１０のそのような傾斜は、チャネル１７内部に勾配または（一意的に前記構造１０の中心で）局所的な堆積を導く乱流を生み出すことを可能にする。そのような堆積は、非特許文献４で述べられているように触媒の理論的性能を改善することを可能にする。
【００４１】
［実施例］
一つの実施形態において、前記多孔性材料構造１０は、ハチの巣状のセラミック構造、セラミック発泡体タイプ、または任意の他の複雑な幾何学的構造である。
【００４２】
この高密な、またはマクロ多孔な構造はコージライト（２Ａｌ２Ｏ３．２ＳｉＯ２．５ＭｇＯ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、チタンアルミナ（Ａｌ２Ｏ３．ＴｉＯ２）、ジルコンアルミナ（Ａｌ２Ｏ３．ＺｒＯ２）等である。
【００４３】
以下の工程が実行される。
−「ウォッシュコート」の均一な薄膜の堆積であって、これは異なる性質の混合酸化物（Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＢａＯ２、ｚｅｏｌｉｔｅ等）で構成されうる。
−化学気相堆積であって、これは前記「ウォッシュコート」上に貴金属または非貴金属（触媒）を堆積することよりなり、前記貴金属は、触媒のターゲットとされたタイプに依存して異なる性質となることが可能である（Ｐｔ、Ｐｔ／Ｒｈ、Ａｇ／Ｐｔ／Ｒｈ、Ａｇ、Ａｕ等）。
【００４４】
前記得られた粒子のサイズは、図４Ａ及び４Ｂで図示されるように、２０から４０００ｐｐｍの間のＡｇ荷重率に応じて、３から２００ｎｍの間で振動する。
【００４５】
それぞれのＡｇ含有量に対して、前記支持体における開口の中高位での前記粒子サイズの値は（図４Ａ）、前記開口の全ての高さにわたって計算された平均値（図４Ｂ）と等しく、前記堆積はこれにより、前記開口の全体高さに対して均一であることに留意すべきことは関心あることである。
【符号の説明】
【００４６】
１０  多孔性材料構造
１１  第１の面
１２  ガス流
１３  第２の面
１５  支持体
１６  フォーシングコーン
１７  チャネル
１８  開口
２０  壁
３０、３１、３１’  サブ支持体
【図１Ａ】
0005562847.tif 000002
【図１Ｂ】
0005562847.tif 000003
【図１Ｃ】
0005562847.tif 000004
【図２Ａ】
0005562847.tif 000005
【図２Ｂ】
0005562847.tif 000006
【図３】
0005562847.tif 000007
【図４Ａ】
0005562847.tif 000008
【図４Ｂ】
0005562847.tif 000009
【図５】
0005562847.tif 000010
【図６】
0005562847.tif 000011