(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ処理用の組成物中における、エステル過酸およびイミド−アルカン過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用であって
前記エステル過酸が、次式（II)：
0005496875.tif 000009
（式中、
Ｒは、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
ｎは１〜４である）
で示されることを特徴とする使用。
【請求項２】
前記エステル過酸が、過アジピン酸、過グルタル酸および過コハク酸のメチルモノエステルの混合物であり、その混合物の主成分が過グルタル酸のメチルモノエステルである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記イミド−アルカン−過カルボン酸が、次式：
0005496875.tif 000010
（式中、Ａは、下記：
0005496875.tif 000011
または
0005496875.tif 000012
から選択された基を表し、
ここで、
ｎは、整数０、１または２であり、
Ｒ１は、次の意味：水素、塩素、臭素、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、アリールまたはアルキルアリールの１つを有し、
Ｒ２は、水素、塩素、臭素または次のもの：−ＳＯ3Ｍ、−ＣＯ2Ｍ、−ＣＯ3Ｍもしくは−ＯＳＯ3Ｍから選択された基であり、
Ｍは、水素、アルカリ金属、アンモニウムまたはアルカリ土類金属の同等物を意味し、
Ｘは、Ｃ1〜Ｃ19アルキレンまたはアリーレンを示す）
で示される、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記イミド−アルカン−過カルボン酸が、ε−フタルイミド−ペルオキシカプロン酸である、請求項１または３に記載の使用。
【請求項５】
半導体ウェハ処理に使用される、エステル過酸およびイミド−アルカン過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも１種の酸化剤を含む組成物であって、
前記エステル過酸が、次式：
0005496875.tif 000013
（式中、
Ｒは、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
ｎは１〜４である）
で示されることを特徴とする組成物。
【請求項６】
請求項２に規定されるエステル過酸および請求項３または４で規定されるイミド−アルカン過カルボン酸からなる群から選択される少なくとも１種の酸化剤を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
溶液の形態にある、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
スラリーの形態にあり、研磨粒子をさらに含む、請求項５〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物中に存在する酸化剤の総量が、０．０１〜４０％ｗ／ｗである、請求項５〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
キレート剤、安定剤、分散剤、腐食防止剤、増粘剤、ｐＨ調整剤またはそれらの混合物から選択される少なくとも１種の材料をさらに含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
半導体ウェハ処理のための請求項５〜１０のいずれか一項に記載の組成物の使用。
【請求項１２】
前記処理が、前記組成物を前記半導体ウェハの表面と接触させることによって行われるウェハ洗浄を含む、請求項１１に記載の使用。
【請求項１３】
前記処理が、前記組成物を研磨される表面と接触させることと、前記研磨される表面と別の研磨面との間に摩擦を引き起こすことによって前記表面を研磨することとを含む表面の化学機械平坦化（ＣＭＰ）を含む、請求項１１または１２に記載の使用。
【請求項１４】
前記ＣＭＰが、半導体基板上の金属層に対して行われ、その金属が、アルミニウム、銅、タングステン、チタン、それらの合金およびそれらの混合物から選ばれる、請求項１３に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、参照により本明細書に援用される、２００７年４月１３日出願の欧州特許出願公開第０７１０６１６８．３号明細書の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、半導体ウェハの処理のための、特に半導体ウェハのクリーニングおよび化学機械研磨のための酸化剤の使用に関する。本発明はまた、組成物の使用およびそのための組成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
それらの半導体ウェハおよび金属層の処理はしばしば、有機物、小粒子、重金属および半導体ウェハおよび金属層の表面からの他の残渣などの汚染物質を除去するために洗浄組成物の使用を必要とする。
化学機械平坦化（ＣＭＰ）工程はまた、半導体産業で一般的に用いられる。実際に、集積回路における半導体ウェハ、誘電体層、導電性ワイヤおよびバリア材の表面は、高密度の集積回路に達するのに極めて重要である、ある程度の平面性を達成するために研磨されなければならない。例えば、ＣＭＰはしばしば、金属相互連結層の蒸着後に半導体基板を平坦化するために用いられる。
【０００４】
酸化剤として過酸化水素を含有する洗浄およびＣＭＰ組成物を使用することは公知である。あいにく、かかる組成物の使用は、半導体ウェハおよび金属層の表面の腐食を招くかもしれない。ゆえに、洗浄およびＣＭＰ方法だけでなく、洗浄およびＣＭＰ組成物も、半導体ウェハ処理中に腐食を防止するために開発されてきた。
例えば、米国特許出願公開第２００２／００２０４３２号明細書は、ウェハの温度を（室温〜４５℃に）ならびに洗浄液の温度を（０〜４５℃に）制御しながら過酸化水素、アンモニアおよび水をベースとする従来からの洗浄液を使用することによって半導体ウェハをカバーするケイ化物層が腐食するのを防ぐ半導体ウェハ表面の洗浄法を開示している。
腐食防止化合物を組成物に添加することも知られている。例えば、米国特許出願公開第２００５／０２６１１５１号明細書は、過酸化水素をベースとし、かつ、洗浄されている金属層と結合し、金属層の腐食を防止するキレート剤として働くアゾール化合物を含有する半導体ウェハ処理用の水性腐食防止洗浄組成物を開示している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウェハ処理用のこれらの公知の洗浄およびＣＭＰ組成物があるにもかかわらず、基板の腐食を制限／回避しながら良好な効果を示す洗浄およびＣＭＰ組成物が必要とされ続けている。実際に、半導体ウェハおよび金属層、特にシリコンの表面に対する過酸化水素ベースの組成物の腐食性の問題は、益々大きくなっている。さらに、過酸化水素をベースとする組成物の使用については、ＣＭＰにおける洗浄および研磨性能に関してだけでなく、組成物の安定性に関する問題も持ち上がっている。
本発明の目的は、基板の腐食を制限／回避しながら良好な洗浄および／または研磨効果を示す、半導体ウェハの処理用の新規組成物を調合するための新規酸化剤を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明はそれ故、半導体ウェハ処理用の組成物中での、過酸から、特にエステル過酸およびイミド−アルカン−過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用に関する。本発明はまた、過酸から、特にエステル過酸およびイミド−アルカン−過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも１種の酸化剤を含む組成物の使用に、ならびに、半導体ウェハ処理に使用するための、過酸から、特にエステル過酸およびイミド−アルカン−過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも１種の酸化剤を含む組成物に関する。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明において、半導体ウェハ処理は通常、ウェハ洗浄および／または化学機械平坦化（ＣＭＰ）工程を含む。
本発明の本質的な特徴の１つは、かかる処理の効果を損なうことなく、半導体ウェハの処理に使用される過酸化水素の量の低減にある。これは、半導体ウェハ処理組成物中に通常使用される過酸化水素の全体または少なくとも一部を置き換えるために、過酸、特にエステル過酸および／またはイミド−アルカン−過カルボン酸を使用し、これにより従来からの組成物と比較して過酸化水素の濃度を下げることを可能にすることによって達成することができる。過酸が半導体ウェハ処理用の有効な酸化剤であることが実際に分かった。過酸が過酸化水素と比較して基板の腐食を抑えることもまた分かった。さらに、過酸は酸化剤として過酸化水素を専ら含有するものと比較して貯蔵寿命が延長される半導体ウェハ処理組成物の調製を可能にすることが分かった。
【０００８】
用語「過酸」は、少なくとも１つの−ＣＯＯＯＨ基を含有する化合物を意味する。
本発明による半導体ウェハ処理組成物中に存在する過酸は、単一の酸化剤の存在であることができる。過酸はまた、他の通常の酸化剤、例えば過酸化水素と組み合わせて存在することができる。好ましくは、過酸は過酸化水素と組み合わせて使用される。
【０００９】
その意図される使用に依存して、過酸は、少なくとも０．０１％ｗ／ｗ、特に少なくとも０．１％ｗ／ｗ、例えば約１％ｗ／ｗの量で組成物中に存在してもよい。過酸は一般に、多くとも４０％ｗ／ｗ、好ましくは多くとも３０％ｗ／ｗ、例えば約２０％ｗ／ｗの量で組成物中に存在する。
本発明では、半導体ウェハ処理に使用される組成物中に存在する酸化剤の総量は通常０．０１〜４０％ｗ／ｗである。
【００１０】
本発明に使用される組成物は通常液体である。液体組成物は水性であることができる。あるいはまた、それらは非水性であることができる。液体組成物は溶液または懸濁液であることができる。
過酸を含有する組成物の貯蔵寿命は通常、唯一の酸化剤として過酸化水素を含有する組成物の貯蔵寿命より長い。この言明は以下にさらに例示される。
【００１１】
本発明によれば、過酸は、イミド−アルカン−過カルボン酸およびエステル過酸からなる群から好ましくは選択される。
イミド−アルカン−過カルボン酸は、両方とも全体が参照により本明細書に援用される、ソルベー・ソレクシス社（ＳＯＬＶＡＹ  ＳＯＬＥＸＩＳ  Ｓ．ｐ．Ａ．）によって所有される、例えば欧州特許出願公開第０  ３２５  ２８８号明細書におよびソルベー・ソレクシス社（ＳＯＬＶＡＹ  ＳＯＬＥＸＩＳ  Ｓ．ｐ．Ａ．）によって出願された国際特許出願国際公開第２００４／００７４５２号パンフレットに開示されている。
【００１２】
具体的には、イミド−アルカン−過カルボン酸は、一般式（Ｉ）：
【化１】
0005496875.tif 000002
（式中、Ａは下記：
【化２】
0005496875.tif 000003
または
【化３】
0005496875.tif 000004
から選択された基を表し、
ここで、
ｎは、整数０、１または２であり、
Ｒ１は、次の意味：水素、塩素、臭素、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、アリールまたはアルキルアリールの１つを有し、
Ｒ２は、水素、塩素、臭素または次のもの：−ＳＯ3Ｍ、−ＣＯ2Ｍ、−ＣＯ3Ｍもしくは−ＯＳＯ3Ｍから選択された基であり、
Ｍは、水素、アルカリ金属、アンモニウムまたはアルカリ土類金属の同等物を意味し、
Ｘは、Ｃ1〜Ｃ19アルキレンまたはアリーレンを示す）
を有する。
【００１３】
前記過酸は、ほとんどの場合にアルコールならびに、エーテル、エステル、ケトンおよびハロゲン化溶剤、特に塩素化溶剤などの、有機溶剤に可溶である。例えば、有機溶剤はアセトン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、酢酸エチル、または乳酸エチルであってもよい。それらはまた非常に多くの場合に水に、特に７より上のｐＨで可溶である。組成物のｐＨに依存して、それらはこのように、溶液またはスラリーの形態で使用することができる。この後者の場合に、それらの酸化特性に加えて、これらの製品は、幾らかの研磨特性をまた示す。
【００１４】
イミド−アルカン−過カルボン酸を含有する組成物の貯蔵寿命は通常、唯一の酸化剤として過酸化水素を含有する組成物の貯蔵寿命より長い。
前記イミド−アルカン−過カルボン酸は、独特の臭気のない、安定な固体材料として一般に入手可能である。さらなる利点は、それらが無視できる水生毒性の生分解性生成物へ分解するようなそれらの生分解性である。
より好ましくは、イミド−アルカン−過カルボン酸は、ε−フタルイミドペルオキシカプロン酸（ＰＡＰと呼ばれる）である。ＰＡＰは、例えば、商標ユーレコ（ＥＵＲＥＣＯ）（登録商標）でソルベー・ソレクシス社（ＳＯＬＶＡＹ  ＳＯＬＥＸＩＳ  Ｓ．ｐ．Ａ．）によって販売されている。
【００１５】
エステル過酸は、全体を参照により本明細書に援用されるソルベー・インテロックス・リミティッド（ＳＯＬＶＡＹ  ＩＮＴＥＲＯＸ  ＬＩＭＩＴＥＤ）によって出願された例えば欧州特許出願公開第０  ７６５  ３０９号明細書、欧州特許出願公開第０  ９４６  ５０６号明細書および欧州特許出願公開第１  ０８９  ９７１号明細書に開示されている。
【００１６】
具体的には、本発明に有用なエステル過酸は、一般式（ＩＩ）：
【化４】
0005496875.tif 000005
（式中、Ｒは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、ｎは１〜４である）
を有する。Ｒが３または４個の炭素原子を有するとき、アルキル基は線状または分岐であることができる、すなわち、アルキル基はｎ−もしくはイソプロピル、またはｎ−、イソ−もしくは第三ブチルであることができる。
【００１７】
好ましくは、Ｒはメチル基である。多くの場合に、ｎは２、３、および４、すなわち、過アジピン酸、過グルタル酸および過コハク酸のモノエステル混合物である。より好ましくは、この混合物の主成分は、３に等しいｎを有する。かかるエステル過酸は、例えば、過アジピン酸、過グルタル酸および過コハク酸のメチルモノエステルの混合物であり、この混合物主成分は、過グルタル酸のメチルモノエステルである。かかるエステル過酸は、商標パーエスタン（ＰＥＲＥＳＴＡＮＥ）（登録商標）でソルベー・インテロックス・リミティッド（ＳＯＬＶＡＹ  ＩＮＴＥＲＯＸ  ＬＩＭＩＴＥＤ）によって販売されている。
【００１８】
かかるエステル過酸は通常、良好なハンドリングおよび安定性特性の貯蔵安定平衡系につながる、水、極性溶剤またはそれらの混合物に溶解されて使用される。これらの平衡系は、相当するジエステル、エステル酸、二酸、酸過酸および二過酸を含む。かかる系は通常、１〜５の範囲のｐＨを有する。平衡溶液中のエステル過酸の全濃度は通常、溶液の２〜約１０質量％、好ましくは約３〜約６質量％である。過酸化水素もまた典型的には、３０質量％以下の濃度で、５〜２５％、例えば１０〜２０質量％の範囲の濃度で平衡溶液中に存在する。
【００１９】
エステル過酸を含有するかかる平衡系は通常、酸化剤として過酸化水素を専ら含有する組成物と比較してより高い安定性を与える。
過酸化水素ベースの組成物と比較してそれらを含有する組成物の腐食の制限と貯蔵寿命の改善とに向けたそれらの利点に加えて、上に引用されるイミド−アルカン−過カルボン酸およびエステル過酸は、多くの他の過酸のような、強い臭気を与えない利点を有する。
【００２０】
本発明の第１実施形態では、半導体ウェハ処理はウェハ洗浄を含む。ウェハ洗浄は通常、組成物を半導体ウェハの表面と接触させることによって行われる。洗浄の目的は、有機物、小粒子、重金属ならびに半導体ウェハおよび金属層の表面からの他の残渣などの汚染物質を除去することである。例えば、溶剤ベースの洗浄組成物は、ポスト−エッチフォトレジスト層を低ｋ誘電材料から除去するために使用することができる。
第１実施形態によれば、半導体ウェハは、浸漬、シャワーおよびスプレー技法をはじめとする、洗浄液を使用して半導体を洗浄する任意の従来法を用いて洗浄することができる。洗浄のための有用な装置は例えば、洗浄液で満たされている１つ以上の水タンクをはじめとする、湿式回分式洗浄装置であることができる。
【００２１】
第１実施形態で実施される洗浄は、単一工程またはそれ以上で行うことができる。それは、機械的洗浄工程をさらに含むことができる。機械的洗浄には、例えば高速回転ブラシでのブラシ−スクラブ洗浄、および高周波数を用いる超音波洗浄が含まれる。洗浄工程には通常、リンスおよび／または乾燥工程が続く。
通常、半導体ウェハ洗浄のための第１実施形態に使用される組成物は、溶液の、好ましくは水溶液または有機溶剤溶液の形態にある。意図される使用に依存して、水溶液、有機溶剤溶液、または両方の混合物が好ましいかもしれない。例えば、有機溶剤は、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、および／またはハロゲン化溶剤から選択されてもよい。好適な例は、アセトン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、酢酸エチル、または乳酸エチルである。
【００２２】
第１実施形態に使用される洗浄組成物のｐＨは通常、１〜１３まで変わることができる。洗浄組成物のｐＨは実際に、選ばれる過酸の性質と共に変わるであろう。時々、ｐＨは、選ばれる過酸の溶解性に合わせられる必要がある。
組成物のｐＨは、酸または塩基で調整されてもよい。酸には、硫酸、塩酸、リン酸および硝酸などの任意の鉱酸、または酢酸などの有機酸が含まれる。塩基は通常、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、アンモニア、または有機アミンである。ｐＨはまた、緩衝液を添加することによって維持することができる。
洗浄工程が第１実施形態で行われる操作温度は通常、０〜１００℃、好ましくは４０〜７０℃である。第１実施形態での洗浄工程の継続期間は通常、少なくとも１０秒、好ましくは少なくとも３０秒、より好ましくは少なくとも１分である。第１実施形態での洗浄工程の継続期間は一般に、多くとも３０分、特に多くとも２０分、より特に多くとも１０分である。
【００２３】
本発明の第２実施形態では、半導体ウェハ処理は、ウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）を含む。事実上は、ＣＭＰは、組成物を研磨される表面と接触させることと、研磨される表面と研磨面との間に摩擦を引き起こすことによって表面を研磨することとを含む。ＣＭＰの目的は、表面を平面にすることである。実際に、集積回路における半導体ウェハ、誘電体層、導電性ワイヤおよびバリア材の表面は、高密度の集積回路に達するのに極めて重要である、ある程度の平面性を達成するために研磨されなければならない。例えば、ＣＭＰはしばしば、金属相互連結層の蒸着後に半導体基板を平坦化するために用いられる。
【００２４】
本発明の第２実施形態によれば、ＣＭＰは、半導体基板上の金属層に対して行うことができる。金属は、アルミニウム、銅、タングステン、金、銀、白金、ニッケル、またはチタン、ならびにそれらの合金およびそれらの混合物であることができる。金属は好ましくはアルミニウムまたは銅、より好ましくは銅である。金属層は、配線またはプラグを形成することができる。
第２実施形態によるＣＭＰ工程のための装置として、研磨される表面を有するワークピースを保持するホルダーと、それに取り付けられた研磨パッドを有する（そして回転速度を変えることができるモーターを備えた）研磨面プレートとを有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨パッドは特に限定されず、例えば、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フルオロ樹脂などを使用することができる。
第２実施形態で実施されるＣＭＰ工程は、１つの単一工程またはそれ以上で行うことができる。それはまた、２段階工程で行うことができ、そのうち、第２段階が基板の洗浄に相当する。通常、各ＣＭＰ段階に、洗浄段階が続く。
通常、半導体ウェハＣＭＰのために第２実施形態に使用される組成物は、スラリーの、好ましくは水性スラリーまたは有機溶剤スラリーの形態にある。
【００２５】
研磨される材料に関して第２実施形態に使用されるＣＭＰ組成物のｐＨを調整することは有利であることができる。組成物のｐＨは、上に詳述されたような、酸または塩基で調整されてもよい。
通常、第２実施形態に使用されるＣＭＰ組成物は、研磨粒子をさらに含むことができる。研磨粒子は一般に、少なくとも０．０１％ｗ／ｗ、好ましくは少なくとも０．１％ｗ／ｗ、より好ましくは少なくとも０．５％ｗ／ｗ、特に少なくとも１％ｗ／ｗの量で存在する。一般に、研磨粒子は、多くとも６０％ｗ／ｗ、特に好ましくは多くとも３０％ｗ／ｗ、より好ましくは多くとも２０％ｗ／ｗ、例えば多くとも１５％ｗ／ｗの量で存在する。研磨粒子は、無機粒子、ポリマー粒子、または非ポリマー有機粒子であることができる。通常の研磨粒子は、例えば、アルミナ、シリカ、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化セリウムおよび他の材料である。研磨粒子の機械的作用およびスラリーの化学的作用の両方が、ウェハ源から材料を除去する。
【００２６】
本発明の第２実施形態による好ましいＣＭＰ条件は、用いられる特定のＣＭＰ装置に依存する。
多くのタイプのワークピースの製造は、ワークピースの少なくとも一表面の実質的な平坦化または研磨を必要とする。平面を必要とするかかるワークピースの例には、半導体部品のみならず、光学部品、セラミックス、メモリーディスクなどもまた挙げられる。本出願は勿論また、かかるワークピースのＣＭＰにも適用することができ、それ故にまた、化学機械平坦化のための過酸から選択された少なくとも１種の酸化剤を含む組成物の使用に関する。
【００２７】
本発明の第３実施形態では、半導体ウェハ処理組成物は、キレート剤、安定剤、分散剤、腐食防止剤、界面活性剤、増粘剤、ｐＨ調整剤またはそれらの混合物から選択された少なくとも１種の材料をさらに含む。
キレート剤の例は、その内容が参照により本明細書に援用される、例えば、米国特許出願公開第２００６／００７３９９７号明細書（２ページ、段落［００３５］〜３ページ、段落［００４４］）に、米国特許出願公開第２００５／０００５５２５号明細書（４ページ、段落［００４８］）に、および欧州特許出願公開第１  ６４２  ９４９号明細書（１５ページ、段落［００８４］）に記載されている。
分散剤および界面活性剤は、非イオン性、陰イオン性、陽イオン性および両性であることができる。有用な分散剤および界面活性剤の例は、その内容が参照により本明細書に援用される、例えば、米国特許出願公開第２００５／０００５５２５号明細書（３ページ、段落［００３７］〜［００４０］）におよび欧州特許出願公開第１  ６４２  ９４９号明細書（１５ページ、段落［００９１］〜１６ページ、段落［００９７］）に記載されている。
【００２８】
有用な腐食防止剤（不動態化剤）は、その内容が参照により本明細書に援用される、例えば、米国特許出願公開第２００５／０２６１１５１号明細書（２ページ、段落［００１５］）に、米国特許出願公開第２００５／０００５５２５号明細書（４ページ、段落［００５０］〜［００５１］）におよび欧州特許出願公開第１  ６４２  ９４９号明細書（４ページ、段落［００３６］〜１３ページ、段落［００６４］）に記載されている。腐食防止剤は好ましくはアゾール、例えば、ベンゾトリアゾールである。
上に説明されたように、ｐＨ調整剤は酸または塩基であってもよい。酸には、硫酸、塩酸、リン酸および硝酸などの任意の鉱酸、または酢酸などの有機酸が含まれる。塩基は通常、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムなどの、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、または有機アミンである。ｐＨはまた、緩衝液を添加することによって維持することができる。緩衝液の例は、その内容が参照により本明細書に援用される、欧州特許出願公開第１  ６４２  ９４９号明細書（１６ページ、段落［００９９］〜１７ページ、段落［０１００］）に記載されている。
【実施例】
【００２９】
本発明は以下にさらに例示されるが、その範囲はそれに限定されない。
実施例１〜４：フォトレジスト溶解試験
フォトレジスト溶解試験は、様々な有機溶剤の存在下におよび場合により過酸として１質量％のε−フタルイミド−ペルオキシカプロン酸の存在下に、黒ダイヤモンドＩ（ＢＤＩ、ｋ＝３，０、６〜８％気孔率）上の清浄ブランケット・フォトレジスト（ＰＲ、側鎖基としてアダマンタンおよびラクトン付きメタクリレート−ベースの樹脂、１９３ｎｍ）に対して行った。下の表１は、フォトレジスト層の完全な除去に必要な時間をまとめる。
【００３０】
【表１】
0005496875.tif 000006
【００３１】
実施例５〜８：黒ダイヤモンドＩ上でのフォトレジスト湿式ストリップ除去
フォトレジスト湿式ストリップ除去実験は、側鎖基としてアダマンタンおよびラクトン付きメタクリレート−ベースの樹脂からなるフォトレジスト層（ＰＲ、１９３ｎｍ）でカバーされたプラズマ処理シングル・ダマスセン黒ダイヤモンドＩ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｉ）（ＳＤ  ＢＤＩ、ｋ＝３，０、６〜８％気孔率）に対して行った。本目的は、ポスト−エッチ・フォトレジストの除去を試験することであった。エッチングは、Ｏ2、Ａｒ、ＣＦ4、およびＣＨ2Ｆ2反応性イオンエッチ（ＲＩＥ）プラズマで行った。誘電体高さは２４０ｎｍであった。試験は、超音波の存在下に、１０分間行った。除去効果は、光学顕微鏡検査を用いて評価した。試験の結果を下の表２にまとめる。
【００３２】
【表２】
0005496875.tif 000007
【００３３】
実施例９〜１２：ナノクラスター化シリカ上でのフォトレジスト湿式ストリップ除去
フォトレジスト湿式ストリップ除去実験は、窒化タンタル金属ハードマスク、ボトム反射防止コーティング層（ＢＡＲＣ、１９３ｎｍ）、ならびに側鎖基としてアダマンタンおよびラクトン付きメタクリレート−ベースの樹脂からなるフォトレジスト層（ＰＲ、１９３ｎｍ）でカバーされたシングル・ダマスセン・ナノクラスター化シリカ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｎａｎｏ  Ｃｌｕｓｔｅｒｅｄ  Ｓｉｌｉｃａ）（ＳＤ  ＮＣＳ、ｋ＝２，５、３０％気孔率）に対して行った。エッチングは、３段階反応性イオンエッチ（ＲＩＥ）プラズマ：ＨＢｒ（フォトレジスト硬化）、ＨＢｒ／Ｏ2混合物（ＢＡＲＣオープニング）、およびＣｌ2（ＴａＮエッチ）で行った。誘電体高さは１９０ｎｍであった。試験は、超音波の存在下に、２０℃および４０℃で１０分間行った。除去効果は、光学顕微鏡検査を用いて評価した。試験の結果を下の表３にまとめる。
【００３４】
【表３】
0005496875.tif 000008