(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板の上方に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極の上方に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆うバンクと、
前記第１の電極の上方に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層の上方に設けられた第２の電極と、
外部入力端子と、
シール材と、
前記シール材により前記第１の基板に貼り合わされた第２の基板と、
を有し、
前記有機発光層の発光は、前記第２の基板を介して放射される発光装置であって、
前記バンクを用いて前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を維持し、
前記シール材の下方には前記絶縁膜が配置され、前記バンクが配置されておらず、
前記シール材の下方の第１の領域では、第１の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜の一部は、前記外部入力端子を構成し、
前記外部入力端子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記シール材の下方の第２の領域では、第２の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、同一の導電膜をパターニングする工程を経て形成されたものであることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板の上方に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極の上方に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆うバンクと、
前記第１の電極の上方に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層の上方に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極及び前記バンクの上方に設けられた第２の絶縁膜と、
外部入力端子と、
シール材と、
前記シール材により前記第１の基板に貼り合わされた第２の基板と、
を有し、
前記有機発光層の発光は、前記第２の基板を介して放射される発光装置であって、
前記バンクを有する領域において、前記第２の絶縁膜と前記第２の基板とが接触する領域を有し、
前記シール材の下方には前記第１の絶縁膜が配置され、前記バンクが配置されておらず、
前記シール材の下方の第１の領域では、第１の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜の一部は、前記外部入力端子を構成し、
前記外部入力端子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記シール材の下方の第２の領域では、第２の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、同一の導電膜をパターニングする工程を経て形成されたものであることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子を用いた表示装置及びその作製方法に関し、さらに詳細には有
機発光素子を封止する構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光素子を用いた表示装置が研究されている。有機発光素子で画素部を構成
した表示装置は自発光型であり、液晶表示装置のようにバックライトなどの光源を必要と
しない。このため表示装置の軽量化や薄型化を実現する手段として有望視されており、携
帯電話や個人向け携帯型情報端末（Personal Digital Assistant : PDA）などに用いるこ
とが期待されている。
【０００３】
有機発光素子とは、有機化合物層が二つの電極に挟まれたダイオード構造を有し、一方
の電極から正孔が注入されるとともに、他方の電極から電子が注入されることにより、有
機化合物層の内部で電子と正孔とが結合して発光をする発光体をいう。有機発光素子とし
て、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode : OLED）が挙げられる。
【０００４】
図１２の断面図は、従来の、有機発光素子を用いたアクティブマトリクス方式の表示装
置である。基板５００、５１１は透光性である。有機発光素子を有する基板を素子基板と
いう。有機発光素子５１３は画素電極５０３、有機化合物層５０４、対向電極５０５から
なる。有機発光素子の画素電極は層間絶縁膜５０２の上面と、層間絶縁膜を貫通し制御回
路５０１に達するコンタクトホールの側面とに接して形成される。ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor : 薄膜トランジスタ）からなる制御回路５０１は、駆動回路の出力に応じて導
通、非導通を切り換えるスイッチング用ＴＦＴと、画素電極５０３に駆動回路の出力に応
じた電圧を印加して、対向電極と画素電極との間に電流を流す電流制御用ＴＦＴとを有す
る。有機化合物層５０４が発光する光の強度は、画素電極と対向電極との間に流れる電流
の量に依存する。
【０００５】
封止基板５１２は素子基板と対向して設けられ、シール材５０６を用いて貼り合わせら
れる。画素電極が光反射性、対向電極が透光性であれば発光する光は断面図上方向に透光
性を有する封止基板を透過して視認される。ＴＦＴの反対の側から有機発光素子の発光す
る光を取り出すことができるため、画素の開口率に関わらず、高輝度、高精細な表示を実
現できる。
【０００６】
カラー表示をするときは、カラーフィルターと白色発光ダイオードとを組み合わせるこ
とができる。この場合、封止基板はカラーフィルターを有し、封止基板と素子基板とがシ
ール材を用いて貼り合わせられる。白色ダイオードがカラーフィルターと接触するように
貼り合せる構造もある。封止基板は基板５１１、カラーフィルター、遮光部５０７からな
る。カラーフィルターは、白色発光ダイオードと接触させて形成してもよい。カラーフィ
ルターは、第１の分光フィルター５０８、第２の分光フィルター５０９、第３の分光フィ
ルター５１０からなる。各々の分光フィルターは、赤色、青色又は緑色の光のうち、いず
れか一色を透過するようにして、加法混色の三原色を用いたカラー表示をする。各々の分
光フィルターの間隙には遮光部５０７を設けて光を遮断する。この構造は、例えば特開平
１２−１７３７６６号公報に記載されている。
【０００７】
このように、有機発光素子を用いた表示装置において、高輝度化やカラー化などにより
高品位な画質を実現すべく開発が進められている。しかしながら、有機化合物層は蒸着法
により形成するために、ＴＦＴの配線等に起因する突出部や画素電極の側面へ膜が成長し
ずらい。有機化合物層が突出部などで断線すると、断線箇所で画素電極と対向電極とが短
絡し、有機発光層に電界が加わらない非発光の画素ができてしまう。
【０００８】
そこで、バンク（bank : 土手）と呼ばれる構造が提案されている。画素が発光しないこ
とによる点欠陥を防止するために、ＴＦＴに起因する突出部や画素電極の周縁部を覆うよ
うに絶縁膜を設け、次いで、絶縁膜の上面や絶縁膜のなだらかな側面に沿って有機化合物
層、対向電極を設ける構成が提案されており、このような構造は例えば特開平９−１３４
７８７号公報に記載されている。またバンクは、バンクの上端がバンクの下端に対してせ
りだしたオーバーハング形状とする構造もあり、このような構造は例えば特開平８−３１
５９８１号公報、特開平９−１０２３９３号公報に記載されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、有機発光素子を用いた表示装置を製造するには、さらに解決しなければ
いけない課題がある。
【００１０】
例えば、上述した封止基板、有機発光素子が接触する構成は、封止基板上に硬度の高い異
物、傷があると、これら異物等により有機発光素子の断線が発生するおそれがある。する
と、有機化合物膜を貫通して対向電極と画素電極とが短絡し非発光な画素が生じ、歩留ま
りの低下につながる。
【００１１】
断線の原因になりやすい異物は、封止基板を洗浄しても除去しきれなかったごみ、カラ
ーフィルターの製造時に混入してしまったごみなどのうち硬質なものである。また、素子
基板の製造工程において装置内部や周囲の環境に存在するごみが有機発光素子上に混入す
ることもある。
【００１２】
断線は、素子基板と封止基板との間にあるシール材を硬化して、二枚の基板を貼り合せ
る時に起こりやすい。貼り合わせ時は、基板面に垂直に強い圧力が加わるため、有機発光
素子上に硬質なごみがあると、局所的に強い力が加わり有機発光素子の断線が発生する。
さらに、貼り合わせ時に、基板面に平行な力が加わったときに、突起状の硬質なごみがあ
るとずり応力によって有機発光素子が損傷する。そこで、有機発光素子と封止基板とが接
触しないように間隙を空けることで、ごみによる断線を防ぐことが考えられる。
【００１３】
しかしながら、有機発光素子と封止基板との間隔を広げると、表示装置の側面から水分
、酸素が浸入しやすくなる。表示装置の前面、背面は無機材料からなるガラスや、金属か
らなる基板で構成されるため、水蒸気、酸素透過性が低く、水分、酸素が表示装置の前面
、背面から侵入することはほとんどない。ただし表示装置の側面の、基板に挟まれた部分
は、有機樹脂からなるシール材が設けられている。シール材は透湿度が高いため、シール
材を通過して封止空間に浸入する水分の量は無視することができない。このため、基板の
厚みを除く表示装置の側面の厚さはできるだけ小さくする方が良い。
【００１４】
有機発光素子は、水分により陰極が酸化したり、有機化合物層と陰極との間で剥離が生
じるなどしてダークスポット（非発光画素）が発生し、表示品質が著しく低下する。ダー
クスポットは進行型の欠陥であり有機発光素子を動作させなくても進行するといわれてい
る。これは、陰極がＡｌＬｉ、ＭｇＡｇなどからなり、陰極に含有されるアルカリ金属、
アルカリ土類金属が水分に対して高い反応性を持つためである。
【００１５】
また、有機発光素子上方に間隙をおいて封止基板を設けると、有機発光素子と封止基板
との間隔を制御するものがないため、この間隔が表示領域において不均一になる。すると
、有機発光素子が放射する光を封止基板の側から取り出す表示装置にあっては、干渉によ
る縞状のむらができ、視認性が低下する。
【００１６】
つまり、有機発光素子と封止基板とが接触していると、硬質な突起状の異物によって有
機発光素子の断線が発生し、歩留まりが低下するという問題がある。しかしながら、有機
発光素子と封止基板とが離れていると、側面から浸入する水分が増大し有機発光素子の劣
化が進行しやすくなるといった問題がある。加えて、封止基板の側から有機発光素子の放
射する光を取り出す構成にあっては、有機発光素子と封止基板とが離れていると、干渉に
よる明暗のむらが生じるという問題がある。
【００１７】
そこで本発明は、歩留まりを向上でき、有機発光素子の劣化を防止するような表示装置
及びその作製方法を提供することを課題とする。さらに、封止基板の側から有機発光素子
の発光する光を取り出す構成の表示装置にあっては、歩留まりが向上するだけでなく、有
機発光素子の劣化を防ぎ、輝度の均一性を高めることが可能となる構成の表示装置及びそ
の作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明では素子基板は、画素電極、画素電極の端部を覆うバンク、有機化合物層、対向
電極を有する。ここで有機化合物層、対向電極はバンクの表面のうち側面にのみ沿って設
けられ、バンクの上端には形成されない。封止基板はバンクの上端に接して設けられる。
素子基板と封止基板とは、シール材で貼り合わせられる。
【００１９】
まず、有機発光素子と封止基板とがバンクによって離れていると、封止基板に硬質なご
みがあっても、このごみが有機発光素子に接触することはなく、有機発光素子の損傷が抑
えられ、歩留まりが向上する。また、貼り合わせ時に素子基板及び封止基板の前面に強い
圧力を加えても、有機発光素子と封止基板との間隔は画素部において高密度に形成された
バンクで保たれるため、封止基板や、封止基板にある突起状の異物が有機発光素子に接触
することはない。
【００２０】
かつ、バンクによって有機発光素子と封止基板との間隔が均一に保たれているので、封
止基板の界面と有機発光素子の界面とで反射し干渉する光は干渉光の強度が一定になり、
表示される画像は輝度の均一性が高まる。
【００２１】
さらに、バンクによって素子基板と対向基板との間隔を保持するので、基板の厚みを除
く表示装置の側面の厚さを薄く保つことができる。このため、表示装置の側面から浸入す
る水分によって生じる有機発光素子の劣化反応が防止される。
【００２２】
本発明では、バンクと同時に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をシール材をと画素部との間
に設けても良い。絶縁膜は上端を封止基板に接触させる。つまり、バンクの上端と、絶縁
膜の上端とが封止基板に接する構成となる。有機発光素子と封止基板との間隔は、バンク
と絶縁膜とを組み合わせて制御されることで、より均一になる。
【００２３】
もちろん、保護膜を有機発光素子やバンクを覆うように設けて、有機発光素子を水分か
ら保護してもよい。この場合、封止基板はこのバンクの上端に形成された保護膜に接して
設けられる。保護膜は複数の薄膜を積層して形成してもよい。
【００２４】
シール材を、バンクの上端や、バンクと同一工程にて形成される絶縁膜の上端に設ける
と、シール材を設けた部分のみ局所的にバンク又は絶縁膜の上端と封止基板との間隔が広
がり、画素部において封止基板と有機発光素子との間隔が不均一になる。そこで、シール
材は、バンクの上端にこないように配置する。
【００２５】
ここで、所定のパターン上だけにバンクと同一工程にて形成される絶縁膜を設けるよう
にすると、封止基板と有機発光素子との間隔の均一性をより高めることができる。所定の
パターンについて以下に説明する。
【００２６】
画素部、駆動回路部のように配線、電極が微細パターンで形成されている構成では、配
線、電極の厚みによる凹凸は、配線、電極上に有機樹脂膜を設けることで平坦化すること
ができる。平坦化の度合いは、有機樹脂膜の厚さや、配線、電極の厚さに依存するが、例
えば、配線、電極の厚みによる凹凸が数１００ｎｍであったとしても、有機樹脂膜を塗布
した後は有機樹脂膜の表面にある凹凸の厚さはその半分以下くらいになる。
【００２７】
しかし、端子部などのように配線、電極が広い幅で形成されている構成は、配線、電極
上に有機樹脂膜を塗布しても、配線、電極の厚みによる凹凸はほとんど平坦化されない。
例えば、配線、電極上の有機樹脂膜の表面と、配線、電極の周囲の有機樹脂膜の表面とで
は、ほぼ配線、電極の厚さに相当する高さの差ができる。
【００２８】
平坦化の度合いは有機樹脂膜の厚さや、配線、電極の厚さに依存するが、それでも画素
部、駆動回路部のように配線、電極の幅が５０μｍ以下、微細パターンの画素を画素部に
有するときは配線、電極の幅が１０μｍ以下と小さければ、端子部に比べて配線、電極の
厚みは平坦化されやすい。
【００２９】
図１１（Ａ）の断面図は、有機樹脂膜を塗布したときの膜厚の分布を示す。導電体膜と
してソース電極１１６、ドレイン電極１１７、配線１２４、１２５がある。配線１２４、
１２５は、外部信号を入力する端子であり、配線抵抗を下げるために１００μｍ〜１００
０μｍくらいの幅がある。これら配線、電極を覆うように有機樹脂膜を塗布すると、配線
１２４、１２５の上方だけは平坦化がされず、端子部１２２などに形成された有機樹脂膜
の上端は、画素部１２１、駆動回路部１２０に比べて高くなる。有機発光素子と封止基板
との間隔を均一にするためには、図１１（Ｂ）の断面図のように配線１２４〜１２５上の
有機樹脂膜は除去した方が良い。除去後の有機樹脂膜１２７、１２８の上端はほぼ同じ高
さになる。
【００３０】
図６の上面図に画素部の配線の例を示し、配線の幅を説明する。電源供給配線４２０を
例にとる。電源供給配線は配線の幅４３８が１〜１０μｍの幅である。
配線の幅は配線の端から端までの距離をいい、配線の幅が広いほど配線抵抗が低下する。
なお、配線の長さは引きめぐらされた配線において、信号が伝達される距離をいい、配線
の長さが長いほど配線抵抗が増大する。
【００３１】
なお、バンクとなる膜は、１．５μｍ以上１０μｍ以下の厚さにすることが好ましい。
膜が薄いときは、封止基板上の異物の厚さが断面方向に厚い場合に、有機発光素子が破損
する恐れがある。かつ、封止基板の界面と、有機発光素子の界面で反射する光の光路長の
差が小さいため、可視光の特定波長が干渉により強め合う色づきが生じやすい。厚いとき
は、保護膜等をバンク上に形成するときに、カバレッジが悪く、均一な被覆が困難になる
。
【００３２】
本発明の表示装置は、以下の構成を有する。
有機発光素子を有する素子基板と、素子基板と対向して設けられる封止基板と、前記素子
基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール材とを有する表示装置において、前記素子基
板にバンクが設けられ、前記バンクの上端と、前記シール材の上端とが前記封止基板に接
することを特徴とする表示装置。
【００３３】
有機発光素子を有する素子基板と、前記素子基板と対向して設けられる封止基板と、前
記素子基板と封止基板とを貼り合わせるシール材とを有する表示装置において、前記素子
基板はバンクと、前記バンクと同一工程にて設けられる絶縁膜とを有し、前記バンクの上
端と、前記絶縁膜の上端と、前記シール材の上端とが前記封止基板に接することを特徴と
する表示装置。
【００３４】
前記各構成において、前記シール材の下端は、前記バンク下に積層される膜と同一工程
で形成される膜に接することを特徴とする表示装置。
【００３５】
または、有機発光素子を有する素子基板と、素子基板と対向して設けられる封止基板と
、素子基板と封止基板とを貼り合わせるシール材とを有する表示装置において、素子基板
はバンクと、バンクと同一工程にて設けられる絶縁膜と、少なくともバンクの上端を覆っ
て形成される保護膜とを有し、前記バンクの上端に設けられる前記保護膜と、前記シール
材の上端とが封止基板に接することを特徴とする表示装置。
【００３６】
有機発光素子を有する素子基板と、前記素子基板と対向して設けられる封止基板と、前
記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール材とを有する表示装置において、前記
素子基板はバンクと、前記バンクと同一工程にて設けられる絶縁膜と、少なくとも前記バ
ンクの上端と前記絶縁膜の上端とを覆って形成される保護膜とを有し、前記バンクの上端
に設けられる前記保護膜と、前記絶縁膜の上端に設けられる前記保護膜と前記シール材の
上端とが封止基板に接することを特徴とする表示装置。
【００３７】
前記各構成のうち保護膜を有する構成において、前記保護膜は、前記バンク下に積層さ
れる膜と同一工程で形成される膜と、前記シール材の下端とに挟まれていることを特徴と
する表示装置。
【００３８】
前記各構成のうち、前記バンクの下端及び前記絶縁膜の下端に接して導電体膜があると
きは、前記導電体膜の幅は５０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【００３９】
前記各構成のうち保護膜を有する構成において、前記素子基板は画素電極と、前記画素
電極の端部を覆って設けられる前記バンクと、前記画素電極上にあり前記バンクの表面の
うち側面に接する有機化合物層と、前記有機化合物層上にあり前記バンクの表面のうち側
面に接する対向電極とが設けられることを特徴とする表示装置。
【００４０】
前記構成のうち、画素電極と対向電極を有する構成において、前記画素電極は光反射性
を有する材料からなり、前記対向電極は透光性を有する材料からなることを特徴とする表
示装置。
【００４１】
前記各構成において、前記素子基板と前記第封止基板と前記シール材とで囲まれた空隙
が真空状態であることを特徴とする表示装置。
【００４２】
前記各構成のうち保護膜を有する構成において、前記保護膜は複数の膜からなることを
特徴とする表示装置。
【００４３】
前記各構成において、前記封止基板のうち前記素子基板に対向する面は分光フィルター
を有し、前記分光フィルターの下方に前記有機化合物層があることを特徴とする表示装置
。
【００４４】
本発明の表示装置の作製方法は、以下のようにまとめられる。
有機発光素子は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極とに挟まれた有
機化合物層とから設けられ、前記有機発光素子を有する素子基板と、前記素子基板と対向
して設けられる封止基板とをシール剤を用いて貼り合せる表示装置の作製方法において、
前記画素電極の端部を覆ってバンクを形成する第１工程と、前記画素電極上に前記有機化
合物層を形成する第２工程と、前記有機化合物層上に前記対向電極を形成する第３工程と
、シール材を前記封止基板の周縁部に相当する位置に設ける第４工程と、前記バンクの上
端に前記封止基板を接して貼り合せ、前記シール材を硬化する第５工程とからなることを
特徴とする表示装置の作製方法。
【００４５】
前記構成において、前記第１工程において前記バンクと同時に絶縁膜を形成し、前記第
５工程において前記バンクの上端と前記絶縁膜の上端とに前記封止基板を接して貼り合せ
ることを特徴とする表示装置の作製方法。
【００４６】
前記各構成において、前記第３工程と前記第４工程との間に少なくとも前記バンク上及
び前記対向電極上に保護膜を設ける工程を有し、前記第５工程において少なくとも前記バ
ンクの上端に設けられた前記保護膜が前記封止基板と接することを特徴とする表示装置の
作製方法。
【００４７】
前記各構成のうち、バンク及び絶縁膜を有する構成において、請求項１４又は１５にお
いて、導電体膜の幅が５０μｍ以下である領域に前記バンク及び前記絶縁膜を設けること
を特徴とする表示装置の作製方法。
【００４８】
上記各構成の表示装置及びその作製方法でなる本発明によれば、有機発光素子を用いた
表示装置において、有機発光素子の劣化を防止すること、歩留まりを向上することが可能
になる。
【００４９】
加えて、上記各構成の表示装置及びその作製方法でなる本発明によれば、封止基板の側
から有機発光素子の放射する光を取り出す構成にあって、高輝度、高精細な表示を行うと
ともに、有機発光素子の劣化を防止すること、歩留まりを向上すること、輝度の均一性を
高め良好な表示性能を得ることが可能になる。
【００５０】
以上の構成でなる本発明を、以下の実施形態、実施例によって詳細に説明する。実施形
態、実施例は適宜に組み合わせて用いることができる。
【発明の効果】
【００５１】
画素部に設けられたバンク、バンクと同一工程にて形成された絶縁膜によって素子基板
と封止基板との間隔を制御することで、基板の間隔を狭く保ち、表示装置の側面から浸入
する水蒸気による有機発光素子の劣化を防げる。
【００５２】
さらに、バンク等の上端と封止基板とが接しているため、有機発光素子の上方に間隙を
おいて封止基板がある。よって、封止基板上にあるごみなどの突起上の異物によって有機
発光素子が断線することを防止することが可能となり、点欠陥等の不良を低減し、歩留ま
りを高めることができる。
【００５３】
また、有機発光素子の放射する光を封止基板の側から取り出す表示装置においては、画
素部に設けられたバンクやバンクと同一工程にて形成される絶縁膜によって、有機発光素
子と封止基板との間隔を均一に保つことが可能となり、干渉縞の発現を防ぎ、コントラス
ト、輝度の均一性の高い良好な表示性能を確保することができる。
【００５４】
さらに、カラーフィルターを封止基板上に設けて、カラー表示をする表示装置にあって
は、カラーフィルターの製造工程においてカラーフィルターに含まれる異物により有機発
光素子が断線することが防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施形態１の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図２】実施形態２の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図３】実施形態３の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図４】実施形態４の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図５】実施形態１の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す上面図。
【図６】実施例１のアクティブマトリクス基板の断面図。
【図７】実施例１の画素部の上面図。
【図８】実施例１の画素部の等価回路。
【図９】実施例２の電子装置の一例を説明する斜視図。
【図１０】実施例２の電子装置の一例を説明する斜視図。
【図１１】有機樹脂膜を塗布したときの膜厚分布を示す断面図。
【図１２】従来の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００５６】
[実施形態１]
本実施形態では、画素部のバンクや、バンクと同一工程にて設けられる絶縁膜により基
板間の間隔を制御する構成を示す。この絶縁膜は駆動回路部上にのみ設ける。
【００５７】
図１で示すのは有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置の断面図であ
る。図１の表示装置の構成要素を、順次説明する。
【００５８】
基板１００は、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表される
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板を用い
る。また、石英基板やシリコン基板又はステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを
用いても良い。また、本実施形態の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板
を用いても良い。
【００５９】
下地膜として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜
を用いることができる。本実施形態では下地膜として二層構造を用いるが、前記絶縁膜の
単層膜又は二層以上積層させた構造を用いても良い。本実施形態では下地膜１１８は膜厚
が１０ｎｍ〜１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。下地膜１１９は膜厚が２０ｎ
ｍ〜２００ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。
【００６０】
半導体膜１１０として膜厚が１０〜１５０ｎｍのシリコン膜、ゲート絶縁膜１１１とし
て膜厚が２０〜３００ｎｍの窒化膜を形成する。ゲート電極１１２〜１１３として第１の
導電体膜に膜厚が３０〜６０ｎｍの窒化タンタル膜、第２の導電体膜に膜厚が３７０〜４
００ｎｍのタングステン膜を形成する。第１の導電体膜上に第２の導電体膜を積層する。
第１の層間絶縁膜１１４として膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成
する。第２の層間絶縁膜１１５として膜厚が１〜３μｍのアクリル樹脂膜を形成する。
【００６１】
第１の層間絶縁膜１１４は酸化窒化シリコン膜だけでなく、窒化シリコン膜を酸化窒化
シリコン膜の代わりに用いることができる。窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜は、後
述する有機発光素子の陰極に含まれるＬｉ、Ｍｇなどのアルカリ成分が溶出し、ＴＦＴの
電気特性を劣化させることを抑える。
【００６２】
ドレイン電極１１７及びソース電極１１６は、膜厚が５０ｎｍ〜８００ｎｍのチタン膜
と、膜厚が３５０〜４００ｎｍのアルミ合金膜と、膜厚が１００ｎｍ〜１６００ｎｍのチ
タン膜とからなる積層構造である。アルミ合金膜はアルミを主成分としシリコンが不純物
元素として添加された材料を用いる。本実施形態ではドレイン電極、ソース電極として導
電体膜を三層積層した構造を用いるが、単層又は二層に積層した構造を用いてもよい。導
電体膜１２３、配線１２４、１２５はドレイン電極及びソース電極と同一の層で形成され
る。こうして、画素部、駆動回路部にＴＦＴが形成される。
【００６３】
画素電極１０３は、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しく
はカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いて、蒸着法により形成する。好ましくはＭｇＡｇ
（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電極を用いれば良い。他に
もＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。本実施形態で
は、画素電極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いて陰極として形成する。画素電極の厚
さは１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲にする。画素電極はソース電極１１６に一部を重ねて
形成する。
【００６４】
バンク１０７は、ＴＦＴの配線を覆うようにアクリル樹脂膜やポリイミド樹脂膜などの
有機樹脂膜を用いて形成する。有機樹脂膜は１．５〜１０μｍの厚さで用いる。絶縁膜１
０８は、バンクと同一の工程にて形成する。絶縁膜１０８は駆動回路のＴＦＴを覆い、Ｔ
ＦＴを外部衝撃から保護する。
【００６５】
有機化合物層１０４は、バンクのなだらかな傾斜面に沿って蒸着法により形成する。バ
ンクは、赤、青、緑の各色を発光する発光層を蒸着するときに、蒸着する材料を画素毎に
分離して混色を防ぐ隔壁となる。また電極、配線に起因する突出部をバンクで覆うことで
、有機化合物層の断線を防ぎ、ひいては画素電極と対向電極との短絡を防止する。
【００６６】
有機化合物層は、電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層の順に積層されるが、
電子輸送層／発光層／正孔輸送層、または電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層
／正孔注入層のような構造としてもよい。本発明では公知のいずれの構造を用いても良い
。
【００６７】
具体的な有機化合物層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレン、緑
色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニ
レンビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。
発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍの範囲にする。
【００６８】
上記の例は発光層として用いることのできる材料の一例であり、これに限定されるもの
ではない。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層を形成するための
材料は、その可能な組合せにおいて自由に選択することができる。
【００６９】
対向電極１０５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫）膜をスパッタ法によ
り形成する。対向電極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲にする。
対向電極は互いに隣接するバンクの側面に接して形成する。図示してはいないが表示部外
で対向電極が短絡され共通電極となっている。
【００７０】
保護膜１０９は窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon
）膜を好適に用いる。保護膜を通過して発光が取り出されるため、可視光領域において高
い透過率が得られるように保護膜の材料、膜厚を選択する必要がある。絶縁物のエネルギ
ー帯は価電子帯、禁止帯、伝導帯があり、光の吸収は、電子が価電子帯から伝導帯へと遷
移することに起因する。このため禁止帯のエネルギー幅、つまりバンドギャップから光の
吸収端を求めて、可視光の透過率との相関性を見出すことができる。バンドギャップは、
窒化シリコン膜が５ｅＶであり、酸化窒化シリコン膜が膜質に依存して５ｅＶ〜８ｅＶの
範囲であり、ＤＬＣ膜が３ｅＶである。光速、プランク定数を用いて計算すると光の吸収
端は、窒化シリコン膜が２４８ｎｍ、酸化窒化シリコン膜が１５５ｎｍ〜２４８ｎｍ、Ｄ
ＬＣ膜が４１３ｎｍとなる。つまり、窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜は可視光領域
での光の吸収がない。ＤＬＣ膜は可視光領域で紫色の光を吸収し茶色がかる。本実施形態
では、ＤＬＣ膜を用いて有機発光素子を水分から保護する。ただし、ＤＬＣ膜の膜厚は１
００ｎｍ〜2００ｎｍと薄くして、可視光における短波長の光の吸収を抑える。
【００７１】
以上の構成によりなる基板を本実施形態では素子基板と呼ぶ。上述の素子基板において
、画素電極上に、有機化合物膜、対向電極を積層した構成を示したが、両電極の短絡を防
ぐため、絶縁材料からなる数ｎｍ〜数１０ｎｍの厚さの薄膜を画素電極と有機化合物との
間、または、対向電極と有機化合物膜の間に形成してもよい。画素電極がＡｌＬｉ、Ｍｇ
Ａｇで構成される陰極であるため、画素電極上に設けられた絶縁材料からなる薄膜は、陰
極を水分や酸素から保護する保護膜としての機能を持つ。
【００７２】
封止基板１０１は、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表さ
れるバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板を
用いる。また、石英基板や本実施形態の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック
基板を用いても良い。
【００７３】
封止基板にガラスからなる基板を用いたときは、素子基板の基板もガラスからなる基板
を用いると良い。パネルを使用する環境の温度が急激に変化したときに、素子基板と封止
基板との熱膨張係数が同じであれば、熱衝撃による基板の破損を防ぐことができる。基板
を薄型化すると基板の機械的強度が低下し、熱衝撃によって基板が破損しやすくなるため
、基板の熱膨張係数をそろえることが特に有効になる。
【００７４】
シール材１０２はエポキシ系の材料を用いる。シール材は紫外線硬化型樹脂を用いるこ
とも可能であるし、熱硬化型樹脂を用いることも可能である。有機発光素子の耐熱温度以
下で硬化が可能なシール材を選択することが好ましい。シール材はチッソ社が販売してい
るＬＩＸＳＯＮ  ＢＯＮＤ  ＬＸ‐０００１を用いることもできる。ＬＸ‐０００１は二
液性のエポキシ樹脂である。封止基板の周縁部にＬＸ‐０００１を塗布後、素子基板と封
止基板とを貼り合わせ、この一対の基板の両面に基板面に垂直な圧力をかけながら１００
℃で２時間硬化する。硬化後のシール材の厚さは、圧力や塗布量を調節することで０．２
μｍ〜１０μｍの厚さにすることができる。シール材の一部に間隙を開けて排気口を形成
する。
【００７５】
なお、導電体膜１２３はシール材１０２下の積層膜の膜厚をシール材が設けられる領域
下で等しくし、素子基板と封止基板との間隔を均一にするために補助的に用いる。導電体
膜１２３は後述する外部入力端子が形成される部分を除いて、有機樹脂膜からなる第２の
層間絶縁膜の上面及び側面を覆うように設ける。
【００７６】
真空容器に、シール材で貼り合せられた素子基板と封止基板とからなるパネルを入れて
、パネルの排気口から空気を抜いて真空状態にする。次ぎに、この状態のまま、パネル内
を真空状態に保って、排気口を封止する。こうしてパネル内を真空状態に保つ。
【００７７】
端子部１２２には、外部入力端子が設けられる。パネル端部に設けられる外部入力端子
に異方性導電フィルムを介してＦＰＣ（Flexible Print Circuit : フレキシブルプリン
ト配線板）が接続される。外部回路から外部入力端子に画像データ信号や各種タイミング
信号及び電源を入力する。外部入力端子から入力されたスタートパルス、クロックパルス
などの画像データ信号、タイミング信号は駆動回路に出力される。
【００７８】
異方性導電フィルムは、樹脂のフィルムの中に、ニッケルやカーボン等の金属でコーテ
ィングした微細粒子が分散しており、外部入力端子とＦＰＣの間には電気を流すが、外部
入力端子間には電気を流さない性質を有する。
【００７９】
図４の上面図はこのような表示装置の外観である。図４を鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’
、鎖線Ｃ−Ｃ’で切断した断面が図１である。鎖線Ａ−Ａ’は画素部やパネルの周縁部を
、鎖線Ｂ−Ｂ’は外部入力端子の配線１２４と対向電極１０５との接続構造を、鎖線Ｃ−
Ｃ’は駆動回路のＴＦＴと外部入力端子の配線１２５との接続構造を示す。
【００８０】
有機発光素子の放射する光が出射する方向は有機発光素子の構成によって異なるが、こ
こでは画素電極は光反射性を有する陰極とし、対向電極は透光性を有する陽極とし、封止
基板を透光性とし、有機発光素子から放射される光を封止基板の側へと出射させる。
【００８１】
画素部１２０、駆動回路部１２１ａ〜１２１ｃ、端子部１２２は各々点線で囲まれた領
域である。端子部は外部入力端子の配線１２２、配線１２４（配線１２４は図示しない）
が形成され、異方性導電フィルムを介して外部入力端子にＦＰＣ２００が貼りつけられる
。
【００８２】
駆動回路部は、第１の走査側駆動回路部１２０ａ、第２の走査側駆動回路部１２０ｂ、
信号側駆動回路部１２０ｃがある。駆動回路部の回路構成は、走査側駆動回路部と信号側
駆動回路部とで異なるがここでは省略する。駆動回路部はｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネ
ル型ＴＦＴからなるＣＭＯＳ回路を基本回路として構成される。これらのＴＦＴを用いて
、シフトレジスタやラッチ回路、バッファ回路などが形成される。また、絶縁膜１０８は
駆動回路のＴＦＴを覆うように形成する。この絶縁膜は、バンクと同一工程で形成される
。
【００８３】
バンク１０７は画素部に列方向にストライプ状に設けられている。対向電極１０５は共
通電極であり、バンクの側面に沿ってストライプ状に設けられ、バンクの形成されていな
い表示領域外で短絡している。
【００８４】
基板１００、１０１、シール材１０２に囲まれる封止空間は、封止空間内の水分、酸素
濃度を低くして、有機発光素子の劣化、例えばダークスポットの発生を防止するように真
空状態に保たれる。
【００８５】
封止空間を真空状態に保てば、大気圧と真空圧との圧力の差から、外気から両基板に強
い圧力が加わる。しかしながら、有機発光素子と封止基板との間隔は、画素部に高密度で
形成されたバンクで保持されるため、封止基板が有機発光素子に接して、有機発光素子を
損傷することが防げる。
【００８６】
駆動回路部の絶縁膜１０８は、弾力性を有する有機樹脂膜が広い面積で形成されている
ため、外部から機械的衝撃が加わったときに圧力を分散しＴＦＴの損傷を防ぐ緩衝材とし
て働く。かつ、バンクとともに絶縁膜１０８を用いることで、有機発光素子と封止基板と
の間隔を均一にし画素部の干渉縞の発現を防止するギャップ制御材として働く。
【００８７】
[実施形態２]
本実施形態では、封止基板がカラーフィルターを有し、カラーフィルターと白色発光ダ
イオードを組み合わせてカラー表示をする表示装置について説明する。
【００８８】
図２は、有機発光素子を用いた表示装置の断面を示す。図１と同等機能を有する部位は
同じ符号を付す。図１と異なる点を中心に説明する。有機発光素子は、白色発光ダイオー
ドを用いる。白色光を発光させるためには、有機化合物膜の発光層にＺｎＢＴＺ錯体を用
いたり、あるいは芳香族ジアミン（ＴＰＤ）＼１，２，４−トリアゾール誘導体（ｐ−Ｅ
ｔＴＡＺ）＼Ａｌｑ（ただし、Ａｌｑは赤色発光色素であるニールレッドで部分的にドー
プすることを意味する。）の積層体を用いたりする。
【００８９】
有機発光素子１０６を有する素子基板と、封止基板１３０とはシール材１０２を用いて
貼り合わせられる。封止基板１３０は透光性を有する基板１２９と、基板１２９上のカラ
ーフィルターと、カラーフィルターを覆う平坦化膜１２８とからなる。カラーフィルター
は、第１の分光フィルターと、第２の分光フィルターと、第３の分光フィルターとからな
る。例えば、第1の分光フィルターは赤色を選択的に透過するフィルターとし、第2の分光
フィルターは緑色を選択的に透過するフィルターとし、第3の分光フィルターは青色を選
択的に透過するフィルターとする。平坦化膜１２８は、互いに隣接する分光フィルターの
重なりや間隙を平坦化する。
【００９０】
それぞれの分光フィルターは、画素ごとに設けられる。例えば、第１の分光フィルター
１２６が有機発光素子上方に設けられる。カラーフィルター、例えば第２の分光フィルタ
ー１２７をシール材を設ける部分の内側の領域で、かつ画素部の外側の領域に設ける。絶
縁膜１０８と封止基板１３０とが広い面積で接するため、有機発光素子と封止基板との間
隔の均一性を高めることができる。
【００９１】
アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスや窒素雰囲気下で、素子基板と封止基板とを封止
すると、水分、酸素から有機発光素子を保護し、陰極の酸化反応や陰極と有機化合物層と
の剥離を抑えることができる。不活性ガスは充分に乾燥させたものを用いる。
【００９２】
カラーフィルター、例えば第1の分光フィルター１２６と有機発光素子106との距離は、
バンクの膜厚で決定される。バンクの膜厚は１．５〜１０μｍのため、カラーフィルター
と有機発光素子とを１０μｍ以下と近接して設けることができる。カラーフィルターと発
光体とが近接しているため、ユーザーの視角の変化にともなう色ずれを防止でき、明瞭な
表示が得られる。
【００９３】
[実施形態３]
本実施形態は、乾燥剤をシール材に分散させた例を示す。
【００９４】
本実施形態を図３の断面図を用いて説明する。図２と同等機能を有する部位は同じ符号
を付す。図２と異なる点のみを説明する。シール材102は内部に乾燥剤１3１を有する。乾
燥剤の粒径は直径が１．０μｍ以下好ましくは０．２μｍ以下と細かく粉砕されたものを
用いる。乾燥剤は酸化カルシウム、酸化バリウムなどを用いることができる。シール材と
乾燥剤とが混合されたものをシリンジに充填する。公知のディスペンサ方式にてシリンジ
の上端から所定値のガス圧力を加え、シリンジの下端の細いノズルから、シール材と乾燥
剤とを吐出し、シール材を封止基板１３０の周縁部に形成する。
【００９５】
乾燥材がシール材に充填され、吸湿性、防湿性を持たせているため、カラーフィルター
上の平坦化膜127は、シール材が設けられる部分は除去し、表示装置の側面においてシー
ル材の占める割合を高める。
【００９６】
また、封止空間内を、封止基板と屈折率の近い絶縁材料、例えば絶縁性のオイルで満た
す。封止基板と、絶縁性のオイル等との屈折率差が小さいと、表面反射が低減され、有機
発光素子から放射される光の利用効率を向上させることができる。有機発光素子の長期信
頼性を高めるために、絶縁性のオイルは充分に脱泡、脱水し酸素、水分の混入を防ぐこと
が好ましい。
【００９７】
なお、封止空間内を絶縁性のオイルで満たす方法は、公知の技術を用いることができる
。例えば、真空容器に、シール材で貼り合せられた素子基板と封止基板とからなるパネル
と、絶縁性オイルを満たした容器を入れて、パネルの排気口から素子基板と封止基板との
間隙の空気を抜いて真空状態にする。次ぎに、この状態のまま、パネルの排気口をこの絶
縁性オイルに浸漬して、真空容器内を大気圧に戻す。その結果、絶縁性オイル液面に大気
圧がかかり、真空状態にある素子基板と封止基板との間隙に、絶縁性オイルが注入される
。次ぎに、この状態のまま排気口を封止する。
【００９８】
乾燥剤により外気から浸入する水蒸気を、封止空間に入り込む前に捕獲でき、防湿性、
吸湿性が向上し、有機発光素子の長寿命化を図ることができる。
【００９９】
[実施形態４]
本発明は、素子基板の側から有機発光素子の放射する光を取り出す表示装置に適用して
もよい。図４は有機発光素子を用いたアクティブマトリクス方式の表示装置であり、有機
発光素子の放射する光を素子基板の側から取り出す構成である。放射される光は断面図下
方向に出射する。図４は、図１と同等機能を有する部位は同じ符号を用いている。実施形
態１との同異を以下に説明する。
【０１００】
下地膜１１８、１１９、半導体膜１１０、ゲート絶縁膜１１１、ゲート電極１１２、１
１３、第１の層間絶縁膜１１４、第２の層間絶縁膜１１５の膜厚や材料は実施形態１と同
じである。
【０１０１】
第２の層間絶縁膜１１５を貫通し、半導体膜１１０に達するコンタクトホールを形成す
る。そして、コンタクトホールの側壁、第２の層間絶縁膜の表面に接して、ソース電極１
１６、ドレイン電極１１７とを形成する。配線１２４〜１２５、導電体膜１２３も、ソー
ス電極やドレイン電極と同時に形成する。
【０１０２】
次いで、画素電極１０３をドレイン電極１１７の端部に重ねて設ける。本実施例では、
透明電極としてＩＴＯ膜や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した
透明導電膜を用いる。透明導電膜は正孔注入電極、つまり陽極として用いる。
【０１０３】
次いで、３．０μｍの膜厚のポリイミド樹脂膜を用いて、バンク１０７と駆動回路のＴ
ＦＴを覆う絶縁膜１０８とを設ける。次に、有機化合物層１０４、対向電極１０５を蒸着
法により形成する。このとき有機化合物層１０４を形成する前に画素電極１０３に対して
熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが好ましい。なお、本実施例では有機発光
素子の対向電極を陰極とし、ＡｌＬｉ電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。
なお、有機化合物層１０４は、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子
注入層といった複数の層を組み合わせて積層することにより形成されている。
【０１０４】
以上のようにして基板１００上に有機発光素子を形成する。なお、本実施例では下側の
電極が透光性の陽極となっているため、有機化合物層で発生した光は下面（基板１００）
へ放射される。
【０１０５】
保護膜１０９を設けることで有機化合物層１０４や対向電極（陰極）１０５を水分や酸
素から保護することは可能である。なお、本実施例では保護膜１０９として３００ｎｍ厚
の窒化珪素膜を設ける。この保護膜１０９は陰極を形成した後に大気解放しないで連続的
に形成しても構わない。
【０１０６】
次いで、シール材１０２が封止基板の周縁部に設けられ、封止基板と素子基板とが貼り
合わせられる。封止基板はコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代
表されるバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基
板を用いる。封止基板は石英基板、シリコン基板、金属基板又はステンレス基板の表面に
絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本実施形態の処理温度に耐え得る耐熱性を
有するプラスチック基板を用いても良い。
【０１０７】
本実施形態によれば、素子基板と封止基板とを近接して設けることができるため、表示
装置の側面からの水分の浸入を減らせる。かつ、素子基板と封止基板とを近接して設けて
も、封止基板上のごみなどの異物に起因した有機発光素子の断線を防止でき、点欠陥の発
生を防止できる。
【実施例１】
【０１０８】
本発明は有機発光素子を用いたあらゆる表示装置に適用することができる。図６はその
一例であり、ＴＦＴを用いて作製されるアクティブマトリクス型の表示装置の例を示す。
実施例のＴＦＴはチャネル形成領域を形成する半導体膜の材質により、アモルファスシリ
コンＴＦＴやポリシリコンＴＦＴと区別されることがあるが、本発明はそのどちらにも適
用することができる。
【０１０９】
基板４０１は、石英やコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表
されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからな
る基板を用いる。
【０１１０】
次いで、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から
なる下地膜４０２が設けられる。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏか
ら作製される酸化窒化シリコン膜４０２ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm
）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜４０２ｂを５０〜２
００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜４
０２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造とし
て形成してもよい。
【０１１１】
次いで、島状半導体層４０３〜４０７、ゲート絶縁膜４０８、ゲート電極４０９〜４１
２を形成する。島状半導体膜４０３〜４０７は厚さを１０〜１５０ｎｍ、ゲート絶縁膜は
厚さを５０〜２００ｎｍ、ゲート電極は厚さを５０〜８００ｎｍとする。
【０１１２】
次いで、層間絶縁膜４１３を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、
Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を第１の層間絶縁膜４１３ａとして１０〜２０
０nm（好ましくは５０〜１００nm）形成する。第１の層間絶縁膜として酸化窒化膜を形成
することも可能である。さらに、有機樹脂膜からなる第２の層間絶縁膜４１３ｂを０．５
〜１０μｍ（好ましくは１〜３μｍ）形成する。第２の層間絶縁膜はアクリル樹脂膜、ポ
リイミド樹脂膜などを好適に用いることができる。第２の層間絶縁膜は島状半導体膜４０
３〜４０７、ゲート電極４０９〜４１２に起因する凹凸を平坦化するに充分な厚さとする
ことが望ましい。
【０１１３】
さらに、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜
を第１の保護膜４３７cとして１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成する。
第１の保護膜は、後述する有機発光素子の陰極に含まれるＬｉ、Ｍｇなどのアルカリ成分
が溶出し、ＴＦＴの電気特性を劣化させることを抑える。本実施例では第１の保護膜を酸
化窒化シリコン膜で形成したが、酸化窒化シリコン膜の代わりに酸化シリコン膜を用いて
もよい。
【０１１４】
次いで、島状半導体膜４０３〜４０７の表面に達するコンタクトホールを形成するため
のパターニングを行う。
【０１１５】
そして、駆動回路部４３５において、島状半導体膜４０３〜４０４のソース領域に接続
するソース配線４１４〜４１５と、ドレイン領域に接続するドレイン配線４１６〜４１７
とを形成する。なお、これらの配線は、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金
膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜をパターニングして形成する。
【０１１６】
また、画素部においては、データ配線４１８、ドレイン側の配線４１９、電源供給配線
４２０、ドレイン側の電極４２１を形成する。スイッチング用ＴＦＴ４２８のドレインに
データ配線４１８が接続し、ソースにソース側の配線４１９が接続する。ソース側の配線
４１９は電流制御用ＴＦＴ４３０のゲート電極４１１と接続する。電流制御用ＴＦＴ４３
６のドレインに電源供給配線４２０が接続し、ソースにソース側の電極４２１が接続する
。対向電極とソース側の電極４２１とが接続している。
【０１１７】
以上のようにして、ｎチャネル型ＴＦＴ４２９、ｐチャネル型ＴＦＴ４３０を有する駆
動回路部と、スイッチング用ＴＦＴ４３１、リセット用ＴＦＴ４３２、保持容量４３３、
電流制御用ＴＦＴ４３４を有する画素部とを同一基板上に形成することができる。
【０１１８】
次いで、有機発光素子の対向電極４２３を形成する。対向電極は陰極とし、ＭｇＡｇや
ＬｉＦなどの光反射性の材料を用いる。陰極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとする。次
いで、１．５〜１０μｍの厚さのアクリル樹脂膜からバンク４２２を画素部４３６に形成
する。バンクを形成すると同時に駆動回路部に絶縁膜４２８を形成する。
【０１１９】
次いで、有機発光素子の有機化合物層４２４を形成する。有機化合物層は、単層又は積
層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一般的には陽極上に正孔
注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電
子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構
造でも良い。本発明では公知のいずれの構造を用いても良い。
【０１２０】
なお、本実施例ではＲＧＢに対応した三種類の発光層を蒸着する方式でカラー表示を行
う。具体的な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレン、緑色に
発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレン
ビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎ
ｍとすれば良い。上記の例は発光層として用いることのできる有機化合物の一例であり、
これに限定されるものではない。
【０１２１】
なお、本実施例で示す有機化合物は、発光層とＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）
またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）からなる正孔注入層を積層した構造とする。
【０１２２】
次いで、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）で形成される画素電極４２５を形成する。Ｉ
ＴＯは仕事関数が４．５〜５．０ｅＶと高く、正孔を効率良く有機発光層に注入すること
ができる。ＩＴＯは陽極となる。以上により、ＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いて形成
される陰極、発光層と正孔輸送層とを積層した有機化合物、ＩＴＯで形成される陽極とか
らなる有機発光素子が設けられる。なお、陽極に透明電極を用いることで、図６において
矢印で示す方向に光を放射させることができる。
【０１２３】
次いで、第２の保護膜４３８としてＤＬＣ膜を形成し、シール部分から水蒸気や酸素な
どが浸入し、有機発光素子が劣化することを防ぐ。ＤＬＣ膜を成膜するとき、端子部のう
ち、ＦＰＣを設ける部分ははマスクを用いて、予め被覆しておく。
【０１２４】
図６の断面図に示した画素部の上面図が図７である。図６と共通する要素は同じ符号を
用いて示している。また、図７において、鎖線Ｇ−Ｇ'及び鎖線Ｈ−Ｈ'線で切断した断面
が図６において示されている。図７の点線で囲まれた領域の外側にバンクが設けられてい
る。また、点線で囲まれた領域の内側に赤色、緑色、青色の画素に対応した発光色を発光
する発光層と、陽極とが設けられる。
【０１２５】
図８ではこのような画素部の等価回路を示し、図５と共通する要素は同じ符号を用いて
示している。スイッチング用ＴＦＴ４３１をマルチゲート構造とし、電流制御用ＴＦＴ４
１１にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けている。ポリシリコンを用いたＴ
ＦＴは、高い動作速度を示すが故にホットキャリア注入などの劣化も起こりやすい。その
ため、画素内において機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分に低いスイッチ
ング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは、高い
信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な（動作性能の高い）表示装置を作製する上
で非常に有効である。
【０１２６】
本実施例では、電流制御用ＴＦＴ４３４にｎチャネル型ＴＦＴを用い、電流制御用ＴＦ
Ｔのソースに有機発光素子の陰極（画素電極）を接続する。こうして、陽極（対向電極）
側から陰極側に電流が流れるように制御することにより、陰極から注入された電子と、陽
極から注入された正孔が発光層で結合し、有機発光素子が発光する。なお、電流制御用Ｔ
ＦＴに陽極が接続した構成であれば、電流制御用ＴＦＴをｐチャネル型とし、電流制御用
ＴＦＴのドレインに有機発光素子の陽極を接続し、陽極から陰極に電流が流れるように制
御する。
【０１２７】
なお、バンクは、封止基板の近傍にあるバンクの上端が、第２の層間絶縁膜に接するバ
ンクの下端に対してせりだしたオーバーハング形状の構成を採用してもよい。この構成で
も、バンクにより有機発光素子と封止基板との接触を防ぐ効果、有機発光素子と封止基板
との間隔を画素部において一定に保つ効果、素子基板と封止基板とを近接させて設けるこ
とができる効果を得ることができる。
【実施例２】
【０１２８】
本発明を実施して形成された発光装置は様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示
部として用いられる。本発明の電子装置としては、携帯電話、ＰＤＡ、電子書籍、ビデオ
カメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置、例えばＤＶ
Ｄ（Digital Versatile Disc）プレーヤー、デジタルカメラ、などが挙げられる。それら
電子装置の具体例を図９、図１０に示す。
【０１２９】
図９（Ａ）は携帯電話であり、表示用パネル９００１、操作用パネル９００２、接続部
９００３からなり、表示用パネル９００１には表示装置９００４、音声出力部９００５、
アンテナ９００９などが設けられている。操作パネル９００２には操作キー９００６、電
源スイッチ９００７、音声入力部９００８などが設けられている。本発明は表示装置９０
０４に適用することができる。
【０１３０】
図９（Ｂ）はモバイルコンピュータ或いは携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメ
ラ部９２０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、表示装置９２０５で構成されて
いる。本発明は表示装置９２０５に適用することができる。このような電子装置には、３
インチから５インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることに
より、携帯型情報端末の軽量化を図ることができる。
【０１３１】
図９（Ｃ）は携帯書籍であり、本体９３０１、表示装置９２０２〜９３０３、記憶媒体
９３０４、操作スイッチ９３０５、アンテナ９３０６から構成されており、ミニディスク
（ＭＤ）やＤＶＤに記憶されたデータや、アンテナで受信したデータを表示するものであ
る。本発明は表示装置９３０２〜９３０３に用いることができる。携帯書籍は、４インチ
から１２インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることにより
、携帯書籍の軽量化と薄型化を図ることができる。
【０１３２】
図９（Ｄ）はビデオカメラであり、本体９４０１、表示装置９４０２、音声入力部９４
０３、操作スイッチ９４０４、バッテリー９４０５、受像部９４０６などで構成されてい
る。本発明は表示装置９４０２に適用することができる。
【０１３３】
図１０（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体９６０１、画像入力部９６０２、
表示装置９６０３、キーボード９６０４で構成される。本発明は表示装置９６０３に適用
することができる。
【０１３４】
図１０（Ｂ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレ
ーヤーであり、本体９７０１、表示装置９７０２、スピーカ部９７０３、記録媒体９７０
４、操作スイッチ９７０５で構成される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Digi
tal Versatile Disc）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを
行うことができる。本発明は表示装置９７０２に適用することができる。
【０１３５】
図１０（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体９８０１、表示装置９８０２、接眼部９８
０３、操作スイッチ９８０４、受像部（図示しない）で構成される。本発明は表示装置９
８０２に適用することができる。
【０１３６】
本発明の表示装置は図９（Ａ）の携帯電話、図９（Ｂ）のモバイルコンピュータ或いは
携帯型情報端末、図９（Ｃ）の携帯書籍、図１０（Ａ）のパーソナルコンピュータに用い
、スタンバイモードにおいて黒色の背景を表示することで機器の消費電力を抑えることが
できる。
【０１３７】
また、図９（Ａ）で示す携帯電話操作において、操作キーを使用している時に輝度を下
げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる
。また、着信した時に表示装置の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消
費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時
間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる
。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。
【０１３８】
ここでは図示しなかったが、本発明はその他にもナビゲーションシステムをはじめ冷蔵
庫、洗濯機、電子レンジ、固定電話機、ファクシミリなどに組み込む表示装置としても適
用することも可能である。このように本発明の適用範囲はきわめて広く、さまざまな製品
に適用することができる。
【図１】
0005548795.tif 000002
【図２】
0005548795.tif 000003
【図３】
0005548795.tif 000004
【図４】
0005548795.tif 000005
【図５】
0005548795.tif 000006
【図６】
0005548795.tif 000007
【図７】
0005548795.tif 000008
【図８】
0005548795.tif 000009
【図９】
0005548795.tif 000010
【図１０】
0005548795.tif 000011
【図１１】
0005548795.tif 000012
【図１２】
0005548795.tif 000013