(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面とは反対側の第２面との間に不純物濃度が１０１７ｃｍ−３以上である第１導電型の第１半導体領域を有し、前記第１半導体領域と前記第１面との間の第２半導体領域に第２導電型の複数の光電変換部を有し、前記第１半導体領域と前記第２面との間に不純物濃度が１０１７ｃｍ−３未満である前記第１導電型の第３半導体領域を有する基板を形成する工程と、
前記基板の前記第２面側から前記基板を薄くする工程と、を有し
前記薄くする工程では、第１の加工速度で前記基板を薄くした後、前記第３半導体領域の一部を残した状態で前記第１の加工速度から前記第１の加工速度より遅い第２の加工速度に変更し、前記第１半導体領域が露出するように前記第２の加工速度で前記基板を薄くし、前記第１半導体領域が露出した状態で前記薄くする工程を終了することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域より低い不純物濃度の第１導電型又は第２導電型であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記薄くする工程では、前記基板の厚みが６μｍ以下となるように前記第１の加工速度で前記基板を薄くすることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記薄くする工程の後、露出した前記第１半導体領域に水素シンタリング処理を行う工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１半導体領域は、前記第１面から２．８〜４．３μｍの深さに位置することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記薄くする工程が終了した時点で、露出した前記第１半導体領域の不純物濃度が、１０２０ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記薄くする工程では、ＭＰ又はＣＭＰを行うことにより前記第１の加工速度で前記基板を薄くし、渦電流方式ＣＭＰ、ドライエッチング、ウエットエッチング又はＰＡＣＥ法を行うことにより前記第２の加工速度で前記基板を薄くし、前記第１半導体領域をエッチングストッパーとして用いることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板を形成する工程において、前記第１半導体領域は、前記第１面および前記第２面を有する半導体基板の前記第１面と前記第２面との間に、前記第１面を介したイオン注入により形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記イオン注入のイオン注入条件は、ドーズ量が２×１０１１／ｃｍ２以上１×１０１４／ｃｍ２以下、加速エネルギーが２．０ＭｅＶ以上３．４ＭｅＶ以下であることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板を形成する工程において、第１導電型の半導体基板の上に前記第１半導体領域としての第１のエピタキシャル層を形成し、前記第１のエピタキシャル層の上に、前記第２半導体領域としての第２のエピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板を形成する工程において、第１導電型の半導体基板の中に前記第１半導体領域としてのイオン注入層を形成し、前記イオン注入層の上に前記第２半導体領域としてのエピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記薄くする工程の前に前記第１面の上に配線層を形成してから水素シンタリング処理を行い、前記薄くする工程の後に前記複数の光電変換部に対して前記配線層の側とは反対側にマイクロレンズを設けることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面照射型の固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、より高感度の固体撮像装置を実現するために、配線が形成された表面側とは反対側の裏面を光入射側とした裏面照射型固体撮像装置が提案されている。裏面照射型固体撮像装置を形成するための基板は、シリコンなどのバルクウエハを用いた半導体基板、シリコンなどの半導体基板にフォトダイオードを形成するためのエピタキシャル層を形成したエピタキシャル基板又はＳＯＩ基板が使用されている。
【０００３】
半導体基板を用いた裏面照射型固体撮像装置の製造方法としては、半導体基板の一部に、半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成し、この終点検出部の露出を検知して薄膜化を終了する方法が開示されている（特許文献１参照。）。具体的には、まず、半導体基板の一部である撮像領域及び周辺回路部から離れた領域に基板表面側からシリコン酸化膜を埋め込む。次に、基板裏面側から機械的研磨法もしくはＣＭＰ法との組合せで半導体基板を研磨し、更にプラズマエッチングを行ってシリコン酸化膜が露出する際の発光強度変化を検知して薄膜化を終了する。
【０００４】
また、半導体基板にＰ＋層を形成し、Ｐ＋層上にｐエピタキシャル層、ｎエピタキシャル層などを形成し、Ｐ＋層をエッチングストップ層とすることが記載されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３５３９９６号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０５２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の裏面照射型固体撮像装置の製造方法は、製造工程のスループットと受光面となる裏面の平坦性が充分ではなかった。
【０００７】
特許文献１の固体撮像装置の製造方法は、終端検知用のシリコン酸化膜を、シリコン基板の表面側から開口を形成して、その開口にシリコン酸化膜を埋め込んで形成していたため、製造のスループットが低かった。また、プラズマエッチング中の発光強度変化を検出して終端検知を行うが、シリコン基板に埋め込んだシリコン酸化膜はシリコン基板の面内の限られた部分であるため、シリコン酸化膜が露出した際の発光強度の変化が小さかった。そのため、エッチングの終端検知の検出精度は充分ではなかった。さらには、シリコン基板の同様な不純物濃度領域をプラズマエッチングした場合は、プラズマエッチングの処理面では部分的なエッチング速度の違いが発生することから、エッチング終了時の面の平坦性が充分ではなかった。
【０００８】
また、特許文献２の固体撮像装置の製造方法は、エピタキシャル層の形成が行われるため、製造のスループットが低かった。そして、一度のウエットエッチングでのシリコン基板のエッチングは、速いエッチングレートで良好なエッチング面の平坦性を得ることは難しく、良好な平坦性を得るにはエッチングレートを遅くせざるを得なかった。そのため、製造のスループットとエッチング終了時の面の平坦性を両立することは困難であった。
【０００９】
本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするものであり、良好な画像を得ることができる固体撮像装置の安価な製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、第１面と前記第１面とは反対側の第２面との間に不純物濃度が１０１７ｃｍ−３以上である第１導電型の第１半導体領域を有し、前記第１半導体領域と前記第１面との間の第２半導体領域に第２導電型の複数の光電変換部を有し、前記第１半導体領域と前記第２面との間に不純物濃度が１０１７ｃｍ−３未満である前記第１導電型の第３半導体領域を有する基板を形成する工程と、前記基板の前記第２面側から前記基板を薄くする工程と、を有し、前記薄くする工程では、第１の加工速度で前記基板を薄くした後、前記第３半導体領域の一部を残した状態で前記第１の加工速度から前記第１の加工速度より遅い第２の加工速度に変更し、前記第１半導体領域が露出するように前記第２の加工速度で前記基板を薄くし、前記第１半導体領域が露出した状態で前記薄くする工程を終了することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、製造のスループットを向上することができ、光入射側となる半導体基板の裏側の面の平坦性を向上することができる固体撮像装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
【図２】本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
【図３】本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
【図４】本発明の固体撮像装置を適用した撮像システムを示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施例を図１〜図４に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
【００１５】
図１（ａ）は、第１導電型を有する半導体基板内に、イオン注入法によって高濃度の第１導電型不純物をイオン注入し、半導体基板の第１面（表面）から所定の深さに一様に高濃度にドープした第１導電型の第１半導体領域を形成した基板を示している。半導体基板１０は例えばｐ型のシリコンであり、高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１は、ｐ＋型の半導体領域である。ｐ＋型の第１半導体領域１１は、半導体基板全面にボロン（Ｂ）をイオン注入して形成している。イオン注入の条件は、ドーズ量が１Ｅ１４／ｃｍ２、加速エネルギーが３．４ＭｅＶとした。イオン注入の条件の幅は、ドーズ量が２Ｅ１１／ｃｍ２以上１Ｅ１４／ｃｍ２以下、加速エネルギーが２．０ＭｅＶ以上３．４ＭｅＶ以下とすることが好ましい。この注入条件で半導体基板のイオン注入を行うことにより、入射光に応じた電荷を発生させる光電変換部１２の光入射方向の厚みを最適にすることができる。イオン注入は、半導体基板の全面に行うことが、後の半導体基板を薄くする除去工程において、処理面の平坦性を向上させるために特に有効である。また、イオン注入法は、イオン注入条件によって厚み方向の不純物濃度の分布を制御良く形成できるため、後の半導体基板を薄くする除去工程において、処理面の平坦性を向上させるために特に有効である。光電変換部１２は、例えばフォトダイオードである。上記の注入条件では、半導体基板１０の第１面から約２．８〜４．３μｍの深さを中心に高濃度の第１半導体領域（ｐ＋半導体領域）１１が形成される。光電変換部１２は、第１導電型とは反対の第２導電型としてのｎ型の半導体領域として形成され、電子を蓄積する。光電変換部１２は高濃度の第１半導体領域１１と半導体基板１０の第１面との間に形成される。なお、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としたが、反対導電型でも良く、その場合、高濃度の第１半導体領域がｎ＋型、第２導電型の光電変換部がｐ型となる。ｎ＋型の半導体領域を形成するには、イオン注入の条件は、光電変換部１２の深さを考慮してドーズ量及び加速エネルギーが適宜選択される。光電変換部１２の厚みは、薄すぎると感度或いは飽和電荷量が低減し、厚すぎると光電変換部１２に発生した電荷の充分な転送にトランジスタの高い動作電圧が必要、すなわち固体撮像装置の消費電力が高くなる、という理由から制御を行う。なお、上記は半導体基板にイオン注入して高濃度の第１半導体領域を形成して基板を形成する例を示したが、他の形成方法を用いても良い。第１は、第１導電型の半導体基板上に高濃度の第１導電型の第１半導体領域としてのエピタキシャル層を形成し、その上に第１半導体領域より低い不純物濃度又は第１半導体領域とは異なる導電型の第２半導体領域としてのエピタキシャル層を形成する方法である。第２は、第１導電型の半導体基板内に高濃度の第１導電型の第１半導体領域としてのイオン注入層を形成し、その上に第１半導体領域より低い不純物濃度又は第１半導体領域とは異なる導電型の第２半導体領域としてのエピタキシャル層を形成する方法である。第２半導体領域としてのエピタキシャル層は、均一な不純物濃度で形成しても、エピタキシャル層の成長に伴って不純物濃度を低下させて形成しても良い。エ���タキシャル層を用いる場合は、成長表面が第１面側となり、半導体基板上に形成したエピタキシャル層に光電変換部を形成することになる。
このような各種の形成方法によって得られた高濃度の第１導電型の不純物領域を内部に有する基板を準備して、次の回路を構成する光電変換部を形成する工程へと進む。以下は、図１（ａ）で示した半導体基板１０を用いて固体撮像装置を製造する方法を示す。
【００１６】
基板を準備した後は、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１０に光電変換部１２を含む回路を形成する。光電変換部を含む回路は、光電変換部１２、フローティングディフュージョン１４、転送トランジスタＴｒ、そして、不図示の増幅トランジスタ、リセットトランジスタなどが含まれる。また、素子分離層１５が光電変換部１２を他の光電変換部と分離するように形成されている。転送トランジスタＴｒは、ゲート電極１３の電圧の制御によって電荷を光電変換部１２からフローティングディフュージョン１４へ転送する。光電変換部１２は、第１導電型とは反対の第２導電型としてのｎ型の半導体領域を有する。光電変換部１２の第１面側には、光電変換部１２の反対導電型の半導体領域を形成すると、暗電流を抑制することができるため、好適である。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、半導体基板１０の第１面（表面）に配線層２０を形成し、水素シンタリング処理を行う。水素シンタリング処理によって、半導体基板１０であるシリコン基板表面と絶縁膜との界面準位の改善や、シリコン基板とアルミニウム等からなる金属配線との電気的接合性の改善がなされ、良好な画像を得ることができる。
【００１８】
次に、図２（ｄ）に示すように、配線層２０に支持基板３０を貼り合わせる。そして、次の工程である半導体基板１０の研磨のために支持基板側が下になるように上下を反転させる。
【００１９】
次に、図２（ｅ）に示すように、機械研磨法（ＭＰ）又は化学機械研磨法（ＣＭＰ）によって半導体基板１０を薄くする第１の除去工程を行う。半導体基板１０の第２面（裏面）は、第１面の反対側であり、図の上側となっている。第１の除去工程は高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１の深さである４．３μｍと次の第２の除去工程で除去する膜厚を残すために、半導体基板１０が５〜６μｍとなるように行う。除去工程前の半導体基板１０の厚みが事前に測定されている場合は、研磨装置の変位量や研磨時間を制御して研磨を行う。研磨時間を一定にして第１の除去工程を行えば工程が簡略化される。第１の除去工程はこの後に行う第２の除去工程に比べて加工速度が速い。この理由は、製造工程のスループットを向上させるためである。
【００２０】
次に、図２（ｆ）に示すように、高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１をエッチングストッパーとして渦電流方式ＣＭＰで半導体基板１０を薄くする第２の除去工程を行う。渦電流方式ＣＭＰでは、半導体基板１０が含む不純物濃度に対応する電気抵抗率の変化に応じて除去工程の終端を検知する。イオン注入した高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１をエッチングストッパーとして用いて渦電流方式ＣＭＰを行った場合、精度良く半導体基板１０の厚みを制御できる。そして、渦電流方式ＣＭＰによって、良好な平坦性を有する半導体基板が形成できる。したがって、半導体基板１０の裏面から厚み方向の光電変換部１２の配置領域が半導体基板１０の全域にわたって均一になる。特許文献１のシリコン基板内の一部に配置された埋め込み層での終点検知によってエッチングを終了する方法では、エッチング面（光入射側となる裏面）の平坦性が損なわれ、シリコン基板面内で厚みのバラツキが発生する。光電変換部は半導体基板の配線層側から面内で均一な深さに形成されるが、光入射側となる裏面の平坦性が損なわれていると、裏面からの光電変換部の深さが面内で異なるため、感度が面内でバラツキを生じてしまう。したがって、高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１をエッチングストッパーとして利用することは、面内の特性バラツキを抑制し、良好な画質を得るために有効である。また、高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１は、光電変換部１２の端部が半導体基板の第２面（裏面）とならないように表面反転層として機能するため、暗電流を低減することができる。表面反転層として機能させるため、半導体基板を薄くする第２の除去工程を終了した時に露出した高濃度の第１導電型の第１半導体領域の不純物濃度は、１０１７ｃｍ−３以上１０２０ｃｍ−３以下となるように行う。
【００２１】
次に、図３（ｇ）に示すように、水素シンタリング処理を行う。第２の除去工程を行った後の、高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１の露出面の界面準位を改善することができる。したがって、ノイズ源となる電荷の光電変換部への影響をより低減することができる。
【００２２】
次に、図３（ｈ）に示すように、薄くした半導体基板１０の裏面にパッシベーション膜４１を形成し、カラーフィルタ４２、マイクロレンズ４３を設けて固体撮像装置１を形成する。パッシベーション膜４１は、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などで形成する。カラーフィルタは、各光電変換部１２に対応する色の材料で形成する。
【００２３】
さらには、図３（ｉ）に示すように、図３（ｈ）で示した固体撮像装置に透明なカバー部材２を固定して受光領域５０を封止する。
【００２４】
以上のように、半導体基板の除去工程を複数に分けることで工程のスループット向上と、除去工程後の半導体基板の平坦性向上が両立でき、良好な画像を得ることができる固体撮像装置を得ることができる。
【実施例２】
【００２５】
次に、第２の実施例を説明する。本実施例が実施例１と異なる点は、図２（ｆ）で示される第２の除去工程がエッチングによって行われる点である。
【００２６】
エッチングは、ドライエッチング又はウェットエッチングが用いられる。
【００２７】
ドライエッチングのためのエッチングガスとしては、ＣＦ４，ＳＦ６，ＮＦ３，ＳｉＦ４，ＢＦ３，ＸｅＦ２，ＣｌＦ３，ＳｉＣｌ４などがある。実施例１の渦電流式ＣＭＰと同様にドライエッチングにおいても、半導体基板１０の不純物濃度が変化する高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１がエッチングストッパーとなり、半導体基板１０の厚さは精度良く制御され、平坦性が向上する。
【００２８】
また、ウェットエッチングはアルカリウェットエッチングである。エッチング液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、またはＫＯＨ（水酸化カリウム）と水とＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の混合液、あるいはＥＰＷ（エチレンジアミン・ピロカテコール・水）などがある。いずれのエッチャントも、低濃度ｐ型シリコンと高濃度ｐ型シリコンとで選択比を有し、シリコン基板のエッチングにおいて高濃度の第１導電型の第１半導体領域１１がエッチングストッパーとして働き、半導体基板１０の厚さは精度よく制御される。したがって、半導体基板の平坦性は良好である。８０℃における各々のエッチャントのｐ−とｐ＋とのエッチレート比（ｐ−／ｐ＋）はＴＭＡＨで１０程度、ＫＯＨ・水・ＩＰＡ混合液で２００程度、ＥＰＷで約１０００であり、ＥＰＷを用いた場合が最も半導体基板１０の膜厚制御性が良い。高濃度の第１導電型の第１半導体領域を表面反転層として機能させるため、半導体基板を薄くする第２の除去工程を終了した時に露出した高濃度の第１導電型の第１半導体領域の不純物濃度は、１０１７ｃｍ−３以上１０２０ｃｍ−３以下となるように行う。
【実施例３】
【００２９】
次に、第３の実施例を説明する。本実施例が実施例１と異なる点は、図２（ｆ）で示される第２の除去工程がＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によって行われる点である。
【００３０】
ＰＡＣＥ法は、半導体基板の表面をプラズマガスにより局所的にエッチングしながら半導体基板を平坦化する方法である。したがって、半導体基板１０の厚さは精度良く制御され、平坦性も良好であるため、良好な画像を得ることができる。高濃度の第１導電型の第１半導体領域を表面反転層として機能させるため、半導体基板を薄くする第２の除去工程を終了した時に露出した高濃度の第１導電型の第１半導体領域の不純物濃度は、１０１８ｃｍ−３以上１０１９ｃｍ−３以下となるように行う。
【実施例４】
【００３１】
次に、本発明の固体撮像装置を適用した撮像システムの一例を図４に示す。
【００３２】
撮像システム９０は、図４に示すように、主として、光学系、撮像装置８６及び信号処理部を備える。光学系は、主として、シャッター９１、撮影レンズ９２及び絞り９３を備える。撮像装置８６は、固体撮像装置１を含む。信号処理部は、主として、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６、画像信号処理部９７、メモリ部８７、外部Ｉ／Ｆ部８９、タイミング発生部９８、全体制御・演算部９９、記録媒体８８及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４を備える。なお、信号処理部は、記録媒体８８を備えなくても良い。
【００３３】
シャッター９１は、光路上において撮影レンズ９２の手前に設けられ、露出を制御する。
【００３４】
撮影レンズ９２は、入射した光を屈折させて、撮像装置８６の固体撮像装置１の撮像面へ被写体の像を形成する。
【００３５】
絞り９３は、光路上において撮影レンズ９２と固体撮像装置１との間に設けられ、撮影レンズ９２を通過後に固体撮像装置１へ導かれる光の量を調節する。
【００３６】
撮像装置８６の固体撮像装置１は、固体撮像装置１の撮像面に形成された被写体の像を画像信号に変換する。撮像装置８６は、その画像信号を固体撮像装置１から読み出して出力する。
【００３７】
撮像信号処理回路９５は、撮像装置８６に接続されており、撮像装置８６から出力された画像信号を処理する。
【００３８】
Ａ／Ｄ変換器９６は、撮像信号処理回路９５に接続されており、撮像信号処理回路９５から出力された処理後の画像信号（アナログ信号）をデジタル信号へ変換する。
【００３９】
画像信号処理部９７は、Ａ／Ｄ変換器９６に接続されており、Ａ／Ｄ変換器９６から出力された画像信号（デジタル信号）に各種の補正等の演算処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、メモリ部８７、外部Ｉ／Ｆ部８９、全体制御・演算部９９及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４などへ供給される。
【００４０】
メモリ部８７は、画像信号処理部９７に接続されており、画像信号処理部９７から出力された画像データを記憶する。
【００４１】
外部Ｉ／Ｆ部８９は、画像信号処理部９７に接続されている。これにより、画像信号処理部９７から出力された画像データを、外部Ｉ／Ｆ部８９を介して外部の機器（パソコン等）へ転送する。
【００４２】
タイミング発生部９８は、撮像装置８６、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６及び画像信号処理部９７に接続されている。これにより、撮像装置８６、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６及び画像信号処理部９７へタイミング信号を供給する。そして、撮像装置８６、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６及び画像信号処理部９７がタイミング信号に同期して動作する。
【００４３】
全体制御・演算部９９は、タイミング発生部９８、画像信号処理部９７及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４に接続されており、タイミング発生部９８、画像信号処理部９７及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４を全体的に制御する。
【００４４】
記録媒体８８は、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４に取り外し可能に接続されている。これにより、画像信号処理部９７から出力された画像データを、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４を介して記録媒体８８へ記録する。
【００４５】
以上の構成により、固体撮像装置１において良好な画像信号が得られれば、良好な画像（画像データ）を得ることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  固体撮像装置
１０  半導体基板
１１  高濃度の第１導電型の第１半導体領域
１２  光電変換部
１３  ゲート電極
１４  フローティングディフュージョン
１５  素子分離層
Ｔｒ  転送トランジスタ
３０  支持基板
【図１】
0005623068.tif 000002
【図２】
0005623068.tif 000003
【図３】
0005623068.tif 000004
【図４】
0005623068.tif 000005