(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の層、該第一の層の平坦な表面上に配設された第二の層、及び該第二の層の表面上に配設され且つ平坦な裏面を有する第三の層を含み、該第二の層には厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口が形成されており、該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成している、ことを特徴とする複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ。
【請求項２】
該第一の層はシリコンであり、該第二の層は二酸化シリコンであり、該第三の層はシリコンである、請求項１記載のウエーハ。
【請求項３】
第一の層の平坦な表面上に第二の層を配設する第一の積層工程と、
該第一の積層工程の後に、該第二の層に厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口を形成する開口形成工程であって、該第二の層の表面上にレジスト膜を塗布し、該貫通開口に対応したパターンで該レジスト膜を露光して現像し、レジスト膜非存在領域において該第二の層をその厚さ全体に渡って、該第二の層に対しては活性であるが該第一の層に対しては非活性であるエッチング液を使用するエッチングによって除去することを含む開口形成工程と、
該開口形成工程の後に、該第二の層の表面上に平坦な裏面を有する第三の層を配設し、これによって該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成するようになす第二の積層工程と、
を含む、ことを特徴とする複数個の空洞を有する積層構造ウエーハの製造方法。
【請求項４】
該第一の層はシリコンであり、該第二の層は二酸化シリコンであり、第三の層はシリコンである、請求項３記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小電気機械システム（micro-electro-mechanical  system：以下「ＭＥＭＳ」と略称する）の構成要素を製作するのに好都合に使用することができる、複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、ＭＥＭＳの構成要素、例えばマイクロ圧力センサー、マイクロミラー、マイクロアクチュエータ、マイクロカンチレバー及びマイクロパワーデバイス、を製作する素材として、ＳＯＩ（silicon  on  insulator）ウエーハの如き積層構造ウエーハが使用されている。下記特許文献１及び２には、複数個の空洞を有するＳＯＩウエーハ及びその製造方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−５０８２６号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
マイクロ圧力センサー、マイクロミラー、マイクロアクチュエータ、マイクロカンチレバー及びマイクロパワーデバイスの如きＭＥＭＳの構成要素を製作する際には、一般に空洞を形成することが必要であり、空洞が形成されていない積層構造ウエーハを素材として使用する場合には、所要空洞を形成するために種々の煩雑な加工処理を遂行することが必要である。
【０００４】
一方、上記特許文献１及び２には複数個の空洞を有する積層構造ウエーハが開示されている。これらのウエーハは、シリコンから成る第一の層の表面に所要深さの凹所を複数個形成し、しかる後に第一の層の表面に第二の層を積層して凹所の上面を閉じ、かくして複数個の空洞を形成している。所要深さの凹所はフォトリゾグラフ技法を利用したエッチングによって形成される。然るに、凹所の深さはエッチングの進行度合に依存するが、エッチングの進行度合を充分精密に制御することは著しく困難であり、それ故に凹所の深さを充分精密に所定値にすることは著しく困難である。ＭＥＭＳの構成要素の機能精度を充分精密なものにするためには空洞の容積を充分精密に所要値に設定することが必要であるが、空洞の深さを充分精密に所要値にすることが著しく困難である故に、必然的に空洞の容積を充分精密に所要値に設定することが著しく困難である。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、空洞の容積を充分精密に所要値にすることができる、複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、鋭意研究の結果、３層が積層された積層構造における中間層に厚さ方向に貫通した貫通開口を形成し、かかる貫通開口の上面及び下面を上下両層によって閉じた形態にすれば、空洞の深さ即ち上下方向寸法は中間層の厚さによって規定され、従って中間層の厚さを充分精密に設定しさえすれば、空洞の平面形状はフォトリゾグラフ技法等によって充分精密に設定することができるので、空洞の容積を充分精密に設定することができ、従って上記主たる技術的課題を達成することができることを見出した。
【０００７】
即ち、本発明の一局面によれば、上記主たる技術的課題を達成するウエーハとして、第一の層、該第一の層の平坦な表面上に配設された第二の層、及び該第二の層の表面上に配設され且つ平坦な裏面を有する第三の層を含み、該第二の層には厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口が形成されており、該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成している、ことを特徴とする複数個の空洞を有する積層構造ウエーハが提供される。
【０００８】
本発明の第二の局面によれば、上記主たる技術的課題を達成する製造方法として、第一の層の平坦な表面上に第二の層を配設する第一の積層工程と、
該第一の積層工程の後に、該第二の層に厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口を形成する開口形成工程であって、該第二の層の表面上にレジスト膜を塗布し、該貫通開口に対応したパターンで該レジスト膜を露光して現像し、レジスト膜非存在領域において該第二の層をその厚さ全体に渡って、該第二の層に対しては活性であるが該第一の層に対しては非活性であるエッチング液を使用するエッチングによって除去することを含む開口形成工程と、
該開口形成工程の後に、該第二の層の表面上に平坦な裏面を有する第三の層を配設し、これによって該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成するようになす第二の積層工程と、
を含む、ことを特徴とする複数個の空洞を有する積層構造ウエーハの製造方法が提供される。
【０００９】
好適実施形態においては、該第一の層はシリコンであり、該第二の層は二酸化シリコンであり、該第三の層はシリコンである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ及びその製造方法においては、複数個の空洞の容積は充分精密に所定値に設定される。それ故に、本発明の複数個の空洞を有する積層構造ウエーハを使用すれば、マイクロ圧力センサー、マイクロミラー、マイクロアクチュエータ、マイクロカンチレバー及びマイクロパワーデバイスの如きＭＥＭＳの構成要素を比較的簡潔に且つ充分精密に製作することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適実施形態について更に詳細に説明する。
【００１２】
図１乃至図７は、本発明の複数個の空洞を有する積層構造ウエーハの製造方法の好適実施形態を図示している。かかる製造方法においては、図１に示す如く、薄円板形状である第一の層２を準備する。この第一の層２はシリコンであるのが好適である。そして、この第一の層２の表面上に第二の層４を配設する（第一の積層工程）。かかる第二の層４は二酸化シリコンであるのが好適である。二酸化シリコンから構成されている第二の層４は、それ自体は周知の適宜の方法、例えば常温熱酸化法、高圧熱酸化法或いはＣＶＤ（chemical  vapor  deposition）法によって配設することができる。かような方法によって第二の層４を構成する場合には、図１に二点鎖線で図示する如く、第一の層２の表面上のみならず裏面及び周面にも第二の層４が生成される。第一の層２の裏面及び周面に生成された第二の層４は、必要に応じて研削等の適宜の方法によって除去することができる。特に第二の層４の厚さを比較的厚くすることが望まれる場合には、特許第３６９７１５５号公報或いは特開２００３−１９２３２８号公報に開示されている所謂繰り返し積層方法によって第二の層４を配設することができる。第一の層２の裏面には、それ自体は周知の所要アライメントマーク（図示していない）を施すことができる。
【００１３】
次いで、第二の層４に所要パターンで厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口６（図４及び図５を参照されたい）を形成する（開口形成工程）。貫通開口６は所要パターン、例えば図５において左右方向及び紙面に垂直な方向に所要間隔をおいて配設された行列パターン、で配列され、貫通開口６の各々は矩形状でよい。かような開口形成工程はフォトリゾグラフ技法によって遂行する。フォトリゾグラフ技法による開口形成工程について説明すると、図２に図示する如く、第二の層４の表面上にレジスト膜８を塗布する。しかる後にレジスト膜８を形成すべき貫通開口６に対応したパターンで露光して現像し、かくして図３に図示する如くレジスト膜８に複数個の貫通開口１０を形成する。次いで、貫通開口１０が形成された領域において第二の層４を化学的エッチングによってその厚さ全体に渡って除去し、かくして図４に図示する如く第二の層４に複数個の貫通開口６を形成する。第二の層４の化学的エッチングは、第二の層４に対しては活性であるが第一の層２に対しては非活性であるエッチング液、第一の層２がシリコンで第二の層４が二酸化シリコンである場合には例えばフッ酸或いはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液、を使用し、第二の層４はその厚さ全体に渡って除去するが第一の層２は実質上損傷せしめないようにする。しかる後に、図５に図示する如く、レジスト膜８を除去する。
【００１４】
上記開口形成工程に続いて、第二の積層工程を遂行する。この第二の積層工程においては、図６に図示するとおり、別途に準備した第三の層１２を第二の層４の表面に配設し、これによって貫通開口６の上面を閉じ、かくして貫通開口６をその４側面と共に下面及び上面が閉じられた閉鎖空洞１４にせしめる。第三の層１２はシリコンであるのが好適であり、この場合には加熱融着法によって二酸化シリコンから構成されている第二の層４の表面上に第三の層１２を配設することができる。下面は第一の層２の平坦な表面によって閉じられ上面は第三の層４の平坦な裏面によって閉じられた閉鎖空洞１４内を所要減圧乃至加圧状態にせしめることが望まれる場合には、所要減圧乃至加圧雰囲気内で第二の積層工程を遂行することができる。高熱伝導率の気体雰囲気中で第二の積層工程を遂行すれば、閉鎖空洞１４内に高熱伝導率の気体を封入することができる。次いで、必要に応じて第三の層１２の表面に研削加工を加え、図７に図示する如く第三の層１２を所要薄さにする。所望ならば、第三の層１２の表面上には第一の層２の裏面に形成したアライメントマークに対応せしめてアライメントマーク（図示していない）を形成することができる。
【００１５】
上述したとおりの工程を経て製造された積層構造ウエーハは、下面は第一の層２によって閉じられ上面は第三の層１２によって閉じられた複数個の閉鎖空洞１４を含んでいる。閉鎖空洞１４の深さは第二の層４の厚さによって規定され、従って充分精密に所定深さに設定することができる。また、閉鎖空洞１４の平面形状はレジスト膜８に形成した貫通開口１０の平面形状によって規制され、従って充分精密に規定することができる。
【００１６】
複数個の閉鎖空洞１４を有する積層構造ウエーハは、隣接する閉鎖空洞１４間で切断して夫々が１個の閉鎖空洞１４を備えた複数個の素子に分割され、複数個の素子の各々はＭＥＭＳの構成要素素材として利用される。図８は、分割された１個の素子における第三の層１２の表面上に歪検出器１６を装着して構成されたマイクロ圧力センサー１８を図示している。閉鎖空洞１４の容積は充分精密に設定され得る故にマイクロ圧力センサー１６は所要部位の圧力を充分に精密に検出することができる。図９及び図１０は、分割された１個の素子の、閉鎖空洞１４が存在する領域において、第三の層１２に図１０において上下方向に対向して位置するチャンネル状切欠２０ａ及び２０ｂを形成することによって製造されたマイクロミラー２２を図示している。
【００１７】
上述した好適実施形態においては、空洞１４はその４側面及び上下面が閉じられた閉鎖空洞であるが、所望ならば空洞１４を例えば図７において紙面に垂直な方向に貫通して延在する形態、従って対向する２側面は開放されている形態、にすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の製造方法の好適実施形態における第一の積層工程を示す簡略断面図。
【図２】本発明の製造方法の好適実施形態における開口形成工程の第一段階を示す簡略断面図。
【図３】本発明の製造方法の好適実施形態における開口形成工程の第二段階を示す簡略断面図。
【図４】本発明の製造方法の好適実施形態における開口形成工程の第三段階を示す簡略断面図。
【図５】本発明の製造方法の好適実施形態における開口形成工程の第四段階（最終段階）を示す簡略断面図。
【図６】本発明の製造方法の好適実施形態における第二の積層工程を示す簡略断面図。
【図７】本発明の製造方法の好適実施形態における第二の積層工程の後工程を示す簡略断面図。
【図８】本発明の複数個の空洞を有する積層構造ウエーハを分割することによって生成された素子を使用して形成されたマイクロ圧力センサーを示す簡略断面図。
【図９】本発明の複数個の空洞を有する積層構造ウエーハを分割することによって生成された素子を使用して形成されたマイクロミラーを示す簡略断面図。
【図１０】図８のマイクロミラーの平面図。
【符号の説明】
【００１９】
２：第一の層
４：第二の層
６：第二の層に形成された貫通開口
８：レジスト膜
１０：レジスト膜に形成された貫通開口
１２：第三の層
１４：空洞
１６：歪検出器
１８：マイクロ圧力センサー
２０ａ：切欠
２０ｂ：切欠
２２：マイクロミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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