(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の半導体領域と、前記第一の半導体領域とはバンドギャップが異なり、かつ前記第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域とから構成されたヘテロ接合ダイオードを有する半導体装置において、
前記第二の半導体領域の一部もしくは全部に不純物が導入され、前記不純物の濃度は、前記ヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくとも前記ヘテロ接合ダイオードの外周端部における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域よりも、前記外周端部以外における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域が同等か先にアバランシェ降伏を起こす不純物濃度に設定される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第二の半導体領域中に前記第二の半導体領域とは異なる不純物導電型もしくは不純物密度からなる第三の半導体領域を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第三の半導体領域は、前記第一の半導体領域を形成する第一の導電型とは逆の第二の導電型で、かつ少なくとも前記第二の半導体領域より不純物密度が高い
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第一の半導体領域と接する第一の電極と、
前記第三の半導体領域と接する第二の電極とを有し、
前記第一の半導体領域と前記第一の電極、及び前記第三の半導体領域と前記第二の電極とは、それぞれオーミック接続している
ことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二の半導体領域の不純物密度は、前記第一の半導体領域と前記第二の半導体領域との接合界面から遠ざかるほど高くなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二の半導体領域の厚みは、前記第二の半導体領域に導入されている不純物密度の拡散長と同等以上の厚みである
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第二の半導体領域は、複数の半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の半導体層の各層間の少なくとも一つは、境界の結晶の配列が不連続となる部分を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第一の半導体領域に接し、前記ヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、前記第二の半導体領域の端部に印加される電界を緩和する電界緩和領域を有する
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第一の半導体領域とショットキー接合ダイオードを形成するショットキー金属領域を有し、
前記ショットキー金属領域は、少なくとも前記第二の半導体領域の一部と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第一の半導体領域とＰＮ接合ダイオードを形成するウェル領域を有し、
前記ウェル領域は、少なくとも前記第二の半導体領域の一部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
ゲート絶縁膜を介して前記ヘテロ接合ダイオードを形成する前記第一の半導体領域と前記第二の半導体領域との接合部の一部に接するゲート電極を有する
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
第一の半導体領域に接する第二導電型のベース領域と、
第一導電型のソース領域と、
ゲート絶縁膜を介して少なくとも前記第一の半導体領域並びに前記ソース領域に接するゲート電極とを有し、
前記ソース領域が前記第二の半導体領域の一部と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第一の半導体領域は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドの少なくともいずれかで構成されている
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第二の半導体領域は、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウムの少なくともいずれかで構成されている
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
第一の半導体領域と、前記第一の半導体領域とはバンドギャップが異なり、かつ前記第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域とから構成されたヘテロ接合ダイオードを有する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記第一の半導体領域上に前記第二の半導体領域を形成する第１の工程と、
前記第二の半導体領域に不純物を導入する第２の工程とを有し、
前記第２の工程は、前記第二の半導体領域における不純物密度が前記第一の半導体領域と前記第二の半導体領域との接合界面から遠ざかるほど高くなるように前記不純物を導入し、導入される不純物の濃度は、前記ヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくとも前記ヘテロ接合ダイオードの外周端部における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域よりも、前記外周端部以外における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域が同等か先にアバランシェ降伏を起こす不純物濃度に設定される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
第一の半導体領域と、前記第一の半導体領域とはバンドギャップが異なり、かつ前記第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域とから構成されたヘテロ接合ダイオードを有する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記第一の半導体領域上に前記第二の半導体領域を形成する第１の工程と、
前記第二の半導体領域に不純物を導入する第２の工程と、
前記第２の工程で前記第二の半導体領域に導入された前記不純物を熱処理により拡散させる第３の工程とを有し、
前記第２の工程は、導入される不純物の濃度は、前記ヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくとも前記ヘテロ接合ダイオードの外周端部における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域よりも、前記外周端部以外における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域が同等か先にアバランシェ降伏を起こす不純物濃度に設定され、
前記第３の工程は、前記第二の半導体領域における不純物密度が前記第一の半導体領域と前記第二の半導体領域との接合界面から遠ざかるほど高くなるように前記熱処理の熱処理温度ならびに熱処理時間を設定する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第一の半導体領域に第一の電極をオーミック接続する第４の工程を有し、
前記第４の工程は、熱処理の工程を含み、この熱処理の工程は、前記第３の工程を含む
ことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の工程は、複数の多結晶シリコン層を積層して複数の半導体層で前記第二の半導体領域を形成する
ことを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐量のヘテロ接合ダイオードを含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の技術としては、例えば以下に示す文献に記載されたものが知られている（特許文献１参照）。この文献１では、Ｎ＋  型の基板領域上にＮ−  型のエピタキシャル領域が形成された半導体基体の一主面にＮ型の多結晶シリコン領域が接するように形成されており、エピタキシャル領域とＮ型の多結晶シリコン領域とはヘテロ接合を形成している。また、Ｎ＋  型基板領域の裏面には裏面電極が形成されている。
【０００３】
上記のような構成の従来技術は、裏面電極をカソード、多結晶シリコン領域をアノードとして両方の間に電圧を印加すると、多結晶シリコン領域とエピタキシャル領域の接合界面において整流作用が生じ、ダイオード特性が得られる。例えば、カソードを接地してアノードに正電位を印加した場合には、ダイオードの順方向特性に相当する導通特性が得られる一方、アノードに負電位を印加した場合には、ダイオードの逆方向特性に相当する阻止特性が得られる。この順方向特性並びに逆方向特性はともに金属電極と半導体材料から構成されるショットキー接合のごとき特性を呈する。
【０００４】
このような従来技術においては、多結晶シリコン領域の不純物密度や導電型を変えることで、例えば所定の逆方向特性（それに応じた順方向特性）を有するダイオードを任意に構成できる。これにより、ショットキー接合によるダイオードに比べて、必要に応じて最適な耐圧系のダイオードを構成することができるという利点を有する。
【特許文献１】特開２００３−３１８４１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来構造において、単に多結晶シリコンを用いてヘテロ接合を形成するだけでは、順方向特性並びに逆方向特性はショットキー接合ダイオードと同様の傾向となる。このため、電気的な特性としてショットキー接合とは異なる性能を引き出すことができなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ショットキー接合ダイオードに比べて高いアバランシェ耐量特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の課題を解決する手段は、第一の半導体領域と、前記第一の半導体領域とはバンドギャップが異なり、かつ前記第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域とから構成されたヘテロ接合ダイオードを有する半導体装置において、前記第二の半導体領域の一部もしくは全部に不純物が導入され、前記不純物の濃度は、前記ヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくとも前記ヘテロ接合ダイオードの外周端部における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域よりも、前記外周端部以外における前記第一の半導体領域とヘテロ接合している前記第二の半導体領域が同等か先にアバランシェ降伏を起こす不純物濃度に設定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ヘテロ接合ダイオードの外周端部を除くヘテロ接合領域の接合面全体で、外周端部に比べて同等もしくはそれより先にアバランシェ降伏を起こすことが可能となる。これにより、アバランシェ耐量を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を用いて本発明を実施するための最良の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図１に示す実施例１の半導体装置は、炭化珪素とシリコンとのヘテロ接合を用いたヘテロ接合ダイオードを構成し、以下では第一の半導体領域１００の基板材料として炭化珪素を用いた場合について説明する。
【００１１】
図１において、第一の半導体領域１００は、例えば炭化珪素のポリタイプが４ＨタイプのＮ＋  型である基板領域１上に、Ｎ−  型のドリフト領域２が形成された基板材料で構成されている。基板領域１としては、例えば抵抗率が数ｍから数１０ｍΩｃｍ、厚さが数１０〜数１００μｍ程度のものを用いることができる。ドリフト領域２としては、例えばＮ型の不純物密度が１０１５〜１０１８ｃｍ−３、厚みが数〜数１０μｍのものを用いることができる。本実施例１では例えば不純物密度が１０１６ｃｍ−３、厚みが１０μｍのものを用いた場合で説明する。なお、本実施例１では、第一の半導体領域１００が、基板領域１とドリフト領域２からなる基板の場合について説明するが、抵抗率の大きさに関わらず基板領域１のみで形成された基板を使用してもかまわない。
【００１２】
ドリフト領域２の基板領域１との接合面に対向する主面に接するように、第二の半導体領域１０１として、炭化珪素よりもバンドギャップの小さい多結晶シリコンからなる第一のヘテロ半導体領域３が積層形成されている。ドリフト領域２と第一のヘテロ半導体領域３の接合部では、炭化珪素と多結晶シリコンのバンドギャップが異なる材料によるヘテロ接合ダイオードが形成されており、その接合界面にはエネルギー障壁が存在している。本発明においては、このヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくとも第一のヘテロ半導体領域３中でアバランシェ降伏が起こるように第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度を設定しており、例えばＰ型で不純物密度が１０１７ｃｍ−３、厚みが０．５μｍとした場合で説明する。
【００１３】
また、本実施例１においては、第一のヘテロ半導体領域３に接するように第一の電極４が、基板領域１に接するように第二の電極５がそれぞれ形成されている。第一の電極４の金属材料としては、例えばＴｉ（チタン）２０００Åとその上にＡｌ（アルミ）５０００Åを、第二の電極５の金属材料としては、例えばＴｉ（チタン）５０００Åとその上にＮｉ（ニッケル）３０００Åを積層したものをそれぞれ用いることができる。
【００１４】
このようなヘテロ接合ダイオードを有限な領域に形成した場合に、活性領域には必ず端部が生じる。図１では、ドリフト領域２と第一のヘテロ半導体領域３のヘテロ接合部の端部が活性領域の最外周端部となった場合を例示しており、そこには一例として電界緩和領域６を形成している。
【００１５】
一般に、活性領域の最外周端部はそれ以外の主領域部１０３と比べて、電位分布ならびに電界分布に変化点が生じる。電界緩和領域６はその変化量を緩和するための領域として機能する。一例として本実施例１においては、電界緩和領域６の材料としてドリフト領域２とは逆導電型のＰ型で４Ｈ−ＳｉＣから構成される場合で説明するが、高い抵抗を有する不活性領域でもよいし、ＳｉＯ２  など絶縁性の高い材料で構成してもよい。このように、本実施例１では、第一の電極４をアノード、第二の電極５をカソードとした縦型のダイオードを構成している。
【００１６】
次に、本実施例１の動作について説明する。
【００１７】
第一の電極４と第二の電極５の間に電圧を印加すると、第一のヘテロ半導体領域３とドリフト領域２の接合界面において整流作用が生じ、ダイオード特性が得られる。まず、第二の電極５（カソード）を接地電位とし、第一の電極４（アノード）に正電位を印加すると、ヘテロ接合ダイオードは順方向特性を示し、従来構造と同様にショットキー接合ダイオードのごとく導通特性を示す。すなわち、順方向特性はヘテロ接合部からドリフト領域２側並びに第一のヘテロ半導体領域３側にそれぞれ広がる内蔵電位の和によって決まる電圧降下で順方向電流が流れる。例えば本実施例１においては、ヘテロ接合部からドリフト領域２並びに第一のヘテロ半導体領域３にそれぞれ広がる内蔵電位の和が１．２Ｖ程度であり、それに応じた電圧降下で順方向電流が流れる。
【００１８】
このとき、電界緩和領域６とドリフト領域２との間に形成されるＰＮ接合ダイオードにおいても順バイアスとなるが、内蔵電位が約３Ｖ程度となるため、電界緩和領域６とドリフト領域２との間では電流が流れない。
【００１９】
次に、第一の電極４（アノード）を接地電位とし第二の電極５（カソード）に正電位を印加すると、ヘテロ接合ダイオードは逆方向特性を示し遮断特性を示す。本実施例１においては、活性領域の主領域部１０３において、第一のヘテロ半導体領域３の導電型をＰ型としているため、図２に示す通り、遮断特性はＰＮ接合ダイオードのごとく動作する。これは、第一のヘテロ半導体領域３の導電型をＰ型、ドリフト領域２の導電型をＮ型とした構成では、ＰＮ接合ダイオードに見られるような所定の電界下で発生するキャリアによる漏れ電流特性が優勢になる程に、ヘテロ接合界面のエネルギー障壁を介する漏れ電流を大幅に低減することができるからである。以下、その理由について詳述する。
【００２０】
ショットキー接合ダイオードの漏れ電流特性は、半導体材料の電子親和力とショットキー金属の仕事関数の差によって形成されるショットキー障壁の高さでほぼ一義的に決まる。しかしながら、従来構造や本実施例１におけるヘテロ接合ダイオードは、異なる半導体材料の接合によって構成されているため、その漏れ電流特性は、主に異なる半導体材料間に生じるエネルギー障壁の高さと漏れ電流の起源となる多数キャリアの供給源の大きさによって決まる。
【００２１】
このうち、エネルギー障壁の高さは、炭化珪素からなるドリフト領域２並びにシリコンからなる第一のヘテロ半導体領域３の各々の半導体材料によってほぼ決まるため、ショットキー接合ダイオードや従来構造と同様の性能を有する。一方、漏れ電流の起源となる多数キャリアの供給源という観点では、本実施例１の場合には、ショットキー接合ダイオード並びに従来構造に比べて格段に小さくなっている。つまり、第一のヘテロ半導体領域３をＰ型で構成し、Ｎ型のドリフト領域２にとって多数キャリアとなる伝導電子が第一のヘテロ半導体領域３で発生しにくくなっており、伝導電子の発生起源を抑える構成となっているからである。
【００２２】
さらに、第二の電極５（カソード）に印加する正電位を大きくしていった時に、第一のヘテロ半導体領域３が全域空乏化しないように、第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度並びに厚みとしておくことで、アノード側の伝導電子供給源となる第一の電極４からドリフト領域２への伝導電子の供給が直接行われない。また、第一のヘテロ半導体領域３の空乏化せずに残っている領域の厚みが、第一のヘテロ半導体領域３における電子の拡散長より大きい場合には、さらに電子の供給源から分断することができる。これらにより、本実施例１ではショットキー接合ダイオードや従来構造に比べて格段に低い漏れ電流特性が得られる。
【００２３】
このとき、電界緩和領域６とドリフト領域２とのＰＮ接合間においても逆バイアス状態となるが、第一のヘテロ半導体領域３とドリフト領域２間のヘテロ接合よりもさらに漏れ電流が小さいことから、活性領域全体の漏れ電流特性には影響しない。
【００２４】
次に、逆方向特性のうち耐圧に関しては、活性領域の主領域部１０３においては、単一の半導体材料で保持するよりも複数の半導体材料で保持するため、もともと高い保持能力を有しているが、バンドギャップが狭い半導体材料側（ここでは第一のヘテロ半導体領域３側）の不純物密度をドリフト領域２よりも高くすることで、さらに高い保持能力を持たすことができる。すなわち、カソード／アノード間に印加された電圧を、電圧保持能力の高いドリフト領域２側がより高くなるように振り分けることができるためである。
【００２５】
そして、カソード／アノード間に印加された電圧がさらに高くなり、活性領域の耐圧、すなわち活性領域のアバランシェ降伏電圧に達したときに、本実施例１においてはさらなる特徴を発揮する。すなわち、第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度を所定値以下とすることで、活性領域の外周端部に形成された電界緩和領域６に接するドリフト領域２に比べて、同等もしくはそれより先に第一のヘテロ半導体領域３とドリフト領域２が接する面の任意の場所でアバランシェ降伏を起こすことができ、高いアバランシェ耐量を発揮することができる。その理由は次のとおりである。
【００２６】
本実施例１において例示したドリフト領域２を構成する４Ｈ−ＳｉＣは高い絶縁破壊電界特性を有していることで知られている。例えば、「半導体ＳｉＣ技術と応用  松波弘之編著  日刊工業新聞社」のＰ．１１に記載されている表２．２によれば、４Ｈ−ＳｉＣの絶縁破壊電界は２．８ＭＶ／ｃｍ程度を有している。
【００２７】
一方、第一のヘテロ半導体領域３を構成するＳｉ（本実施例１では第一のヘテロ半導体領域３を多結晶シリコンで例示しているが、ここでは説明を判り易くするため単結晶Ｓｉの物理データで説明する）に関しては、「Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ著  Ｗｉｌｅｙ社」のＰ．１０３に記載されているＦｉｇ．２９によれば、Ｓｉ中に導入された不純物密度の大きさに応じて絶縁破壊電界の大きさが変動する。例えば、本実施例１で例示した不純物密度が１０１７ｃｍ−３においては、絶縁破壊電界は０．６ＭＶ／ｃｍ程度であるのに対して、例えば不純物密度が１０１９ｃｍ−３においては（先の文献のＦｉｇ．２９には示されていないがその特性から波形を外挿して推定すると）、絶縁破壊電界は約３ＭＶ／ｃｍ程度と推定される。
【００２８】
このようなデータに基づいて、図３に示すように、図１中の活性領域の主領域部１０３にのみ着目してみると、ドリフト領域２と第一のヘテロ半導体領域３が対面して平坦なヘテロ接合を形成する部分においては、ヘテロ接合界面が最も高い電界となる。上述した文献のデータを使って比較すると、平坦部に限っていえば、概ね第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度が１０１９ｃｍ−３程度を境に、それ以下であればＳｉ（第一のヘテロ半導体領域３）側で、それ以上であれば４Ｈ−ＳｉＣ（ドリフト領域２）側で、アバランシェ降伏が起こることが想定される。したがって、平坦部に限っていえば、本実施例１で例示した第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度が１０１７ｃｍ−３の構成では、第一のヘテロ半導体領域３の全域でアバランシェ降伏が起こることがわかる。
【００２９】
さらに、図１において、第一のヘテロ半導体領域３の端部に対応して形成された電界緩和領域６は、第一のヘテロ半導体領域３の端部への電界集中を緩和している。すなわち、ドリフト領域２と電界緩和領域６とが接する部分においては、ドリフト領域２と電界緩和領域６との間に電位分布が生じ、第一のヘテロ半導体領域３の端部にはほとんど電位分布が生じないためである。このことから、第一のヘテロ半導体領域３に電位分布が広がるのはドリフト領域２と接する平坦な接合面となる。
【００３０】
一方、ドリフト領域２に関しては、電界緩和領域６と接する部分については、電界緩和領域６が形成されていない場合に比べると電界の集中は緩和されているものの、第一のヘテロ半導体領域３に接する平坦部に比べると高い電界分布を有する。このため、カソード／アノード間に印加された電圧が所定値に達し、アバランシェ降伏が生じるのは、ドリフト領域２に接する第一のヘテロ半導体領域３中もしくは電界緩和領域６に接するドリフト領域２周辺ということになる。
【００３１】
このとき、上述したように第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度を調整することで第一のヘテロ半導体領域３の絶縁破壊電界を制御することが可能となる。これにより、ドリフト領域２と接する平坦な第一のヘテロ半導体領域３中では、ドリフト領域２の最も電界が高い電界緩和領域６と接する部分に比べて、同等もしくはそれより先にアバランシェ降伏が起こるように第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度を調整設定することができる。これにより、ドリフト領域２と接する平坦な第一のヘテロ半導体領域３中でアバランシェ降伏が起きるように制御することができる。
【００３２】
このような特徴的な技術を採用することで、端部を有する図１に示すような構成の半導体装置においても、ドリフト領域２と接するヘテロ接合部の接合面全体でアバランシェ降伏を起こして広い範囲で降伏電流を流すことが可能となり、そのアバランシェ降伏によって破壊に至るまでの破壊耐量能力、すなわちアバランシェ耐量を高めることができる。
【００３３】
一方、ショットキー接合ダイオードでは上記のような高いアバランシェ耐量を得るのは原理的に難しい。なぜなら、例えば図３において、第一のヘテロ半導体領域３の部分をショットキー電極で形成した場合を想定して説明すると、ショットキー電極中には第一の電極４（アノード）と第二の電極５（カソード）との間に印加された電圧に応じた電位分布は生じずに、ほとんどドリフト領域２側のみに広がるためである。
【００３４】
上述したように、電界緩和領域６は形成しない場合に比べると接合端部の電界の集中は格段に緩和することが可能となるが、平坦部に形成された接合部の電界の分布に比べると必ず高い電界分布を有する。このため、ショットキー接合ダイオードではドリフト領域２と接する平坦部よりも先に、端部の電界緩和領域６と接するドリフト領域２でアバランシェ降伏が生じる。このことから、ショットキー接合ダイオードにおいては、概ね接合の外周端部周辺の最大電界を示したドレイン領域のあるポイントで局所的にアバランシェ降伏が生じる。このため、アバランシェ耐量の向上に関しては大幅に制約が生じる。これは、単にヘテロ接合ダイオードを形成した従来構造に関しても同じことが言える。
【００３５】
このように、本実施例１においては、端部周辺で局所的にアバランシェ降伏が起こる従来構造とは異なり、第一のヘテロ半導体領域３とドリフト領域２と接する接合面全体でアバランシェ降伏が生じて降伏電流を流すことが可能となり、アバランシェ耐量を高めることができる。
【００３６】
（変形例１，２）
以上、説明したように本実施例１として図１を用いて説明してきたが、図１の電界緩和領域６のさらに外周にガードリング等の耐圧構造を有していても一向に構わない。また、周辺には電界緩和領域６以外でも、例えば図４の断面図に示す先の実施例１に対する変形例１、もしくは図５の断面図に示す先の実施例１に対する変形例２に示すような電界緩和構造を有していても、図１に示す構成と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
図４には、ドリフト領域２の端部に積層形成された例えばＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜７に第一のヘテロ半導体領域３の端部が乗り上げている場合を例示している。第一のヘテロ半導体領域３の端部が層間絶縁膜７上に形成されるため、電界緩和の効果を有するとともに、第一のヘテロ半導体領域３をドライエッチ等でパターニングする時にドリフト領域２にエッチングダメージが入りにくいなどの特徴を有する。なお、図４においては電界緩和領域６と共に形成した場合を例示しているが、層間絶縁膜７のみで構成されていてもよい。
【００３８】
図５には、第一のヘテロ半導体領域３とドリフト領域２の端部を掘り込んだ掘り込み部８を形成してメサ構造を採用した構成を例示している。このような構造でも接合端部の電界緩和が可能である。なお、図５の構造に加え、掘り込み部８に隣接して図１に示す電界緩和領域６を形成してもよい。
【００３９】
（変形例３，４）
以上、図１〜図５においては、第二の半導体領域１０１が単一の導電型及び不純物密度である第一のヘテロ半導体領域３のみで形成された場合について説明してきたが、例えば図６の断面図に示す先の実施例１に対する変形例３、もしくは図７の断面図に示す先の実施例１に対する変形例４に示すように、第一のヘテロ半導体領域３とは導電型もしくは不純物密度が異なる第二のヘテロ半導体領域９を有していてもよい。図６に示す変形例３では、第一のヘテロ半導体領域３と第二のヘテロ半導体領域９が第一の半導体領域１００と第二の半導体領域１０１の積層方向に対して直交する方向に交互に形成されている。一方、図７に示す変形例４では、第一のヘテロ半導体領域３上に第二のヘテロ半導体領域９が積層形成されて、第二の半導体領域１０１が形成されている。
【００４０】
第二のヘテロ半導体領域９はＰ型もしくはＮ型の何れの導電型であってもかまわず、また不純物密度も第一のヘテロ半導体領域３よりも大きくても小さくてもよい。しかしながら、図６並びに図７において、第二のヘテロ半導体領域９が特にＰ型でかつ第一のヘテロ半導体領域３よりも不純物密度高い場合には、先の実施例１に比べて更なる効果を得ることができる。
【００４１】
すなわち、図６に示す構成では、先の図１に示す構成と同程度の耐圧を有しつつ、第二の半導体領域１０１中の抵抗を減らすことができる。さらに、第二のヘテロ半導体領域９の不純物密度がアノード電極４とオーミックコンタクトするほど高ければ、その間の接触抵抗も低減することができる。すなわち、順方向導通時のオン抵抗を減らすことができる。一方、図７に示す構成では、先の実施例１に示す構成と同程度のオン抵抗を有しつつ、遮断状態における漏れ電流を減らすことができる。なぜなら、Ｐ型の不純物密度が高い第二のヘテロ半導体領域９とドリフト領域２との接合界面には、第一のヘテロ半導体領域３とドリフト領域２との接合界面よりも、障壁の高いヘテロ接合障壁が形成されるためである。
【００４２】
（変形例５，６）
上記図７においては、第二の半導体領域１０１中に第一のヘテロ半導体領域３と第二のヘテロ半導体領域９がそれぞれ別の領域として形成された場合を説明してきたが、図１７の断面図に示す先の変形例４に対する変形例５、並びに図１８の断面図に示す先の変形例４に対する変形例６に示すように、第二のヘテロ半導体領域９を削除して第一のヘテロ半導体領域３中に所定の不純物密度分布を持つような構造であってもかまわない。
【００４３】
図１７は図１に対応する断面図であり、第一のヘテロ半導体領域３中の不純物密度が所定の勾配を有する構造となっている。図１９は図１７中のＡ−Ａ線に沿った第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度分布を示している。図１９に示すように、図１７の構造は第一のヘテロ半導体領域３中のアノード電極４と接する部分は不純物密度が高く、ドリフト領域２と接する部分は不純物密度が低くなるように、第一のヘテロ半導体領域３中の不純物密度が分布している。このような構成にすることによって、第二のヘテロ半導体領域９が削除されて第一のヘテロ半導体領域３のみの構成で上記変形例４と同様の効果を実現することができる。この構成は、以下に示す製造方法を用いることで容易に実現することができる。一例として図２０に示す工程断面図を参照して、製造方法を説明する。
【００４４】
先ず図１９（ａ）に示すように、例えばＮ＋  型の基板領域１上にＮ−  型のドリフト領域２をエピタキシャル成長させて形成したＮ型の炭化珪素半導体基体からなる第一の半導体領域１００を用いて、所定のドリフト領域２中に、例えばアルミイオンを選択的に注入した後活性化アニールしてＰ型の電界緩和領域６を形成する。電界緩和領域６を形成する不純物としてはボロンを用いてもよい。また、電界緩和領域６は不純物を活性化せずに耐圧を保持する高抵抗領域として形成してもよいし、もしくは酸化膜などの絶縁膜で形成してもよい。
【００４５】
次に、図１９（ｂ）に示すように、ドリフト領域２上に、例えばＬＰ−ＣＶＤ法により多結晶シリコンからなる第一のヘテロ半導体領域３層を堆積する。続いて、例えばイオン注入法でボロンをドーピングし、第一のヘテロ半導体領域３層の表層部に注入層を形成する。第一のヘテロ半導体領域３は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などで堆積した後にレーザーアニールなどで再結晶化させて形成してもよい。もしくは、例えば分子線エピタキシーなどでヘテロエピタキシャル成長させた単結晶シリコンで形成しても構わない。
【００４６】
また、ドーピングには、表層部だけでなく多段注入によってあらかじめ濃度分布を形成しておいてもよい。また、他のドーピング方法を用いても構わない。また、本実施例では第一のヘテロ半導体領域３層に直接イオンを注入する場合で説明しているが、例えば所定の厚みの酸化膜などを第一のヘテロ半導体領域３層上に形成し、酸化膜を介して不純物を導入する方法を用いても構わない。
【００４７】
次に、図１９（ｃ）に示すように、必要に応じて、フォトリソグラフィとエッチングによりマスク材を形成し、例えば反応性イオンエッチング（ドライエッチング）により、先に形成したマスク材をマスクにして第一のヘテロ半導体領域３を選択的に除去して所定の形状に整形する。マスク材は酸化膜マスクや窒化膜など他のマスクを用いても構わない。また、エッチング方法としては、ウェットエッチなど他の方法を用いてもよい。
【００４８】
引き続いて、裏面側に相当する基板領域１の他主面には、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる第二の電極５を形成し、裏面の良好なコンタクト抵抗を得るために、例えば６００〜１２００℃程度で熱処理する。このとき、本実施例においては、同時に第一のヘテロ半導体領域３に導入されたボロンイオンを不純物活性化してＰ型化し、かつ所定の不純物勾配を形成している。
【００４９】
最後に、第一のヘテロ半導体領域３の表面側に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）を順に堆積することで第一の電極４を形成し、図１７に示す半導体装置を完成することができる。
【００５０】
なお、本発明者らが行った実験では、第一のヘテロ半導体領域３を０．５μｍ程度の厚みの多結晶シリコンで形成し、表層部から約０．１μｍ程度の深さまでの間にボロンイオンをイオン注入した状態で熱処理する場合に、例えば９５０℃で２０分程度の熱処理が加わると、第一のヘテロ半導体領域３の不純物分布はほぼ一様になる結果が得られた。これに対して、例えば９００℃で１分程度の熱処理では、表層部とドリフト領域２側とで約半桁程度の濃度勾配ができることが確認された。
【００５１】
このことから、第一のヘテロ半導体領域３の厚みと熱処理の条件を最適に設定することで、所望の不純物勾配を得ることができる。このように、本製造方法を用いることで、単一の製造プロセスで各領域において所望の不純物密度を得ることができる。
【００５２】
そして、このように不純物分布に勾配を有する場合に、最も理想的な条件としては、少なくとも第一のヘテロ半導体領域３のドリフト領域２と接する側は、上記図１で示した第一のヘテロ半導体領域３側でアバランシェ降伏が起こるような不純物密度以下となり、第一の電極４と接する側は、オーミックコンタクトする不純物密度以上となり、かつ第一のヘテロ半導体領域３の厚みが最も小さくなるように設定してやればよい。
【００５３】
このような指針に基づいて、図１８に示す変形例６の構成を用いることで、第一のヘテロ半導体領域３の厚みを薄くしてさらに低オン抵抗を得ることができる。
【００５４】
図１８は図１７に対応する断面図であり、第一のヘテロ半導体領域３が複数の半導体層（下層半導体層１３と上層半導体層１４）から形成されており、図１７の構成と同様に、不純物密度が所定の勾配を有する構成となっている。なお、図１８では第一のヘテロ半導体領域３が２層の半導体層で形成されている場合を示しているが、３層以上あってもよい。
【００５５】
図２１は図１８中のＢ−Ｂ線に沿った第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度分布を示している。図２１に示すように、図２０の構成では、第一のヘテロ半導体領域３中のアノード電極４と接する部分は不純物密度が高くなる一方、ドリフト領域２と接する部分はアノード電極４と接する部分に比べて不純物密度が低くなるように、第一のヘテロ半導体領域３中の不純物密度が分布形成されている。
【００５６】
さらに、下層半導体層１３と上層半導体層１４の境界部分では不純物の勾配が不連続となっており、第一のヘテロ半導体領域３全体で見た不純物の密度差は図１７に示す構成よりも大きくすることが可能である。このような構成にすることによって、上記変形例５と同様の効果が得られることに加えて、第一のヘテロ半導体領域３の厚みを上記変形例５に比べてより一層薄くすることができ、さらにオン抵抗を低減することができる。
【００５７】
この構成は、以下に示す製造方法を用いることで容易に実現することができる。一例として図２２に示す工程断面図を参照して、その製造方法を説明する。
【００５８】
先ず図２２（ａ）に示すように、例えばＮ＋  型の基板領域１上にＮ−  型のドリフト領域２をエピタキシャル成長させて形成したＮ型の炭化珪素半導体基体からなる第一の半導体領域１００を用いて、所定のドリフト領域２中に、例えばアルミイオンを選択的に注入した後活性化アニールしてＰ型の電界緩和領域６を形成する。電界緩和領域６を形成する不純物としてはボロンを用いてもよい。また、電界緩和領域６は不純物を活性化せずに耐圧を保持する高抵抗領域として形成してもよいし、もしくは酸化膜などの絶縁膜で形成してもよい。
【００５９】
次に、図２２（ｂ）に示すように、ドリフト領域２上に、例えばＬＰ−ＣＶＤ法により多結晶シリコンからなる下層半導体層１３を堆積し、続いてこの下層半導体層１３上に例えばＬＰ−ＣＶＤ法により多結晶シリコンからなる上層半導体層１４を堆積して積層形成する。このとき、下層半導体層１３と上層半導体層１４との間で形成された多結晶シリコンの結晶の配列が少なくとも不連続になっていればよい。例えば下層半導体層１３と上層半導体層１４を形成する際に形成温度とは異なる温度にして結晶の配列が不連続になるようにしてもよいし、あるいはそれぞれ別々に形成してもよい。
【００６０】
その後、例えばイオン注入法でボロンをドーピングして、第一のヘテロ半導体領域３層の上層半導体層１４の表層部に注入層を形成する。下層半導体層１３および上層半導体層１４は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などで堆積した後にレーザーアニールなどで再結晶化させて形成してもよいし、もしくは例えば分子線エピタキシーなどでヘテロエピタキシャル成長させた単結晶シリコンで形成しても構わない。また、ドーピングには、表層部だけでなく多段注入によってあらかじめ濃度分布を形成しておいてもよい。また、他のドーピング方法を用いても構わない。また、本実施例では上層半導体層１３に直接イオンを注入する場合を示しているが、例えば所定の厚みの酸化膜などを第一のヘテロ半導体領域３層上に形成した後、酸化膜を介して不純物を導入する方法を用いても構わない。
【００６１】
次に、図２２（ｃ）に示すように、必要に応じてフォトリソグラフィとエッチングによりマスク材を形成し、例えば反応性イオンエッチング（ドライエッチング）により、先に形成したマスク材をマスクにして第一のヘテロ半導体領域３を選択的に除去して所定の形状に整形する。マスク材は酸化膜マスクや窒化膜など他のマスクを用いても構わない。また、エッチング方法としては、ウェットエッチなど他の方法を用いてもよい。
【００６２】
引き続いて、裏面側に相当する基板領域１の他主面には、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる第二の電極５を形成し、裏面の良好なコンタクト抵抗を得るために、例えば６００〜１２００℃程度で熱処理する。このとき、本実施例においては、同時に第一のヘテロ半導体領域３の上層半導体層１４に導入されたボロンイオンを不純物活性化してＰ型化し、かつ所定の不純物勾配を形成している。
【００６３】
最後に、第一のヘテロ半導体領域３の上層半導体層１４の表面側に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）を順に堆積することで第一の電極４を形成し、図１８に示す半導体装置を完成することができる。
【００６４】
なお、本発明者らが行った実験では、第一のヘテロ半導体領域３を０．５μｍ程度の厚みの多結晶シリコンで形成し、表層部から約０．１μｍ程度の深さまでの間にボロンイオンをイオン注入した状態で熱処理する場合に、例えば９５０℃で２０分程度の熱処理が加わると、第一のヘテロ半導体領域３の不純物分布はほぼ一様になる結果が得られた。これに対して、例えば９００℃で１分程度の熱処理では、表層部とドリフト領域２側とで約半桁程度の濃度勾配ができることが確認された。
【００６５】
このことから、第一のヘテロ半導体領域３の厚みと熱処理の条件を最適に設定すれば、所望の不純物勾配を得ることができる。このように、本製造方法を用いることで、単一の製造プロセスで各領域において所望の不純物密度を得ることができる。
【００６６】
以上のように上記図１７に示す変形例５ならびに上記図１８に示す変形例６の半導体装置は、従来から知られている半導体製造技術を工夫適用することで容易に実現することが可能である。
【００６７】
（変形例７，８）
上記図１〜図７および図１７〜図２２を参照して説明した実施例ならびに変形例では、第一の電極４と第二の電極５間にヘテロ接合ダイオードのみが形成された構成について説明してきたが、図８の断面図に示す先の実施例１に対する変形例７に示すように、この実施例１のヘテロ接合ダイオードとショットキー接合ダイオードとを組み合わせた構造や、図９の断面図に示す先の実施例１に対する変形例８に示すように、この実施例１のヘテロ接合ダイオードとＰＮ接合ダイオードとを組み合わせた構造であってもかまわない。
【００６８】
図８はヘテロ接合ダイオードの第一の電極４とショットキー接合ダイオードのショットキー電極領域１０がそれぞれ別領域で構成されている場合を例示している一方、図９はショットキー電極領域１０が第一の電極４を兼ねている場合を示している。
【００６９】
図８並びに図９に示すショットキー電極領域１０の材料は第一のヘテロ半導体領域３でアバランシェ降伏が起こるような電極材料を用いることができる。なお、図８及び図９に示すように、第一のヘテロ半導体領域３の端部が必ずしも電界緩和領域６と接していなくてもよい。例えば外周をショットキー電極領域１０で囲まれていれば第一のヘテロ半導体領域３の端部においても電界分布がほぼ一様になる。これにより、ドリフト領域２と第一のヘテロ半導体領域３との接合面全体でアバランシェ降伏が起こり、高いアバランシェ耐量を得ることができる。
【００７０】
（変形例９〜１０）
図１０の断面図に示す実施例１に対する変形例９では、第一のヘテロ半導体領域３が離散的に形成され、第一のヘテロ半導体領域３間のドリフト領域２中にＰ型領域１１を形成し、このＰ型領域１１を第一の電極４と直接接続している構成を例示している。図１１の断面図に示す実施例１に対する変形例１０では、図７に示す構成に対してドリフト領域２中に離散的にＰ型領域１１を形成し、このＰ型領域１１が第一のヘテロ半導体領域３を介して第一の電極４と接続している構成を例示している。図１０並びに図１１に示すＰ型領域１１は、第一のヘテロ半導体領域３でアバランシェ降伏が起こるような不純物密度や深さとなるように設定される。
【００７１】
なお、図１０及び図１１では、Ｐ型領域１１と電界緩和領域６とが異なる深さの場合で説明しているが、同様の不純物密度で同等の深さとしても一向に構わない。また、第一のヘテロ半導体領域３の端部は必ずしも電界緩和領域６に接していなくてもよい。例えば外周をＰ型領域１１で囲まれていれば第一のヘテロ半導体領域３の端部にほとんど電界が集中しなくなることから、ドリフト領域２と第一のヘテロ半導体領域３との接合面全体でアバランシェ降伏が起こるため、高いアバランシェ耐量を得ることができる。
【００７２】
図８〜図１１に示すいずれの構成であっても、第一のヘテロ半導体領域３でアバランシェ降伏が起こる構成が含まれていれば、上述した固有の効果を得ることができる。
【００７３】
なお、上記図１〜図１１に示す構成では、第一のヘテロ半導体領域３中の不純物密度を所定値とし、アバランシェ降伏が起こる構成について説明してきたが、図１２の断面図に示す実施例１に対する変形例１１に示すように、第一のヘテロ半導体領域３と接するドリフト領域２中に例えばドリフト領域２よりも不純物密度が高く周囲に比べて高電界となりやすい高電界領域１２を形成するようにしてもよい。このような構成では、少なくとも活性領域の外周端部よりも高い電界が高電界領域１２で生じるので、この領域で外周端部に比べて同等もしくは先にアバランシェ降伏を起こすことが可能となり、第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度によらず、同様の効果を得ることができる。
【００７４】
以上説明したように、上記実施例１においては、第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度を調整することで第一のヘテロ半導体領域中の絶縁破壊電界を制御することができることに着目し、第一のヘテロ半導体領域３の不純物密度を所定値以下に設定することで、活性領域の主領域部１０３ではドリフト領域２の最も電界が高くなる端部等の周辺部分に比べて、同等もしくはそれより先にアバランシェ降伏が起こる。このことから、端部周辺で局所的にアバランシェ降伏が起こる従来構造とは異なり、ドリフト領域２と接する接合面全体でほぼ均一にアバランシェ降伏が起こることから、アバランシェ耐量を高めることができる。
【実施例２】
【００７５】
図１３は本発明の実施例２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図１３に示す実施例２の特徴とするところは、変形例１〜１１を含む先の実施例１で説明したアバランシェ耐量が高いヘテロ接合ダイオードをトランジスタの一部に適用したことにある。
【００７６】
図１３において、この実施例２の半導体装置は、例えば炭化珪素のポリタイプが４ＨタイプのＮ＋  型である基板領域２１上にＮ−  型のドリフト領域２２が形成され、ドリフト領域２２の基板領域２１との接合面に対向する主面に接するように、例えばＰ型の多結晶シリコンからなる第一のヘテロ半導体領域２３とＮ型の多結晶シリコンからなる第二のヘテロ半導体領域２４とが形成されている。
【００７７】
ドリフト領域２２と第一のヘテロ半導体領域２３並びに第二のヘテロ半導体領域２４との接合部は、炭化珪素と多結晶シリコンのバンドギャップが異なる材料によるヘテロ接合からなっており、その接合界面にはエネルギー障壁が存在している。第二のヘテロ半導体領域２４とドリフト領域２２との接合面に共に接するように、例えばシリコン酸化膜から成るゲート絶縁膜２５を介してゲート電極２６が、第二のヘテロ半導体領域２４に接続するようにソース電極２７が、基板領域１に接続するようにドレイン電極２８がそれぞれ形成されている。また、活性領域の外周端部には例えばＰ型の電界緩和領域２９が形成されている。
【００７８】
図１３に示すように、本実施例２においてはドリフト領域２２に溝を形成しこの溝にゲート電極２６を埋め込み形成しているが、溝を形成しないいわゆるプレーナ型の構成でもかまわない。また、本実施例２においてはドリフト領域２２上に第一のヘテロ半導体領域２３並びに第二のヘテロ半導体領域２４を形成しているが、例えばドリフト領域２２の所定領域に溝を形成し、その溝の中に第一のヘテロ半導体領域２３並びに第二のヘテロ半導体領域２４を埋め込むように形成していてもよい。
【００７９】
また、図１３ではゲート絶縁膜２５を介してゲート電極２６と第二のヘテロ半導体領域２４が接する構成を示しているが、実施例２の変形例１として図１４に示すように、ゲート絶縁膜２５を介してゲート電極２６と第一のヘテロ半導体領域２３とが接し、第二のヘテロ半導体領域を特に有していなくてもよい。
【００８０】
また、本実施例２においては、活性領域の外周端部に形成する構造体として、電界緩和領域２９を形成した構成を例示しているが、外周端部の電界集中を緩和できる構造体であれば、どのような構成であってもよい。
【００８１】
次に、図１３に示す構成の動作を説明する。
【００８２】
なお、ここでは例えばソース電極２７を接地し、ドレイン電極２８に正電位を印加した場合の動作について説明する。
【００８３】
まず、ゲート電極２６を例えば接地電位もしくは負電位とした場合には、遮断状態を保持する。これは、第一のヘテロ半導体領域２３並びに第二のヘテロ半導体領域２４とドリフト領域２２とのヘテロ接合界面には、それぞれ伝導電子に対するエネルギー障壁が形成されているためである。このとき、先の実施例１で説明したように、所定の電界下で発生するキャリアが主因となる程漏れ電流が小さくなるように構成しているため、より高い遮断性を保持できると共に、漏れ電流の温度特性が非常に小さいという効果を有している。
【００８４】
次に、遮断状態から導通状態へと転じるべくゲート電極２６に正電位を印加した場合には、ゲート絶縁膜２５を介して第二のヘテロ半導体領域２４とドリフト領域２２が接するヘテロ接合界面までゲート電界が及ぶため、ゲート電極２６近傍の第二のヘテロ半導体領域２４並びにドリフト領域２２には伝導電子の蓄積層が形成される。すなわち、ゲート電極２６近傍の第二のヘテロ半導体領域２４とドリフト領域２２との接合界面における第二のヘテロ半導体領域２４側のポテンシャルが押し下げられ、かつドリフト領域２２側のエネルギー障壁が急峻になることからエネルギー障壁中を伝導電子が導通することが可能となる。
【００８５】
次に、導通状態から遮断状態に移行すべく、再びゲート電極２６を接地電位とすると、第二のヘテロ半導体領域２４並びにドリフト領域２２のヘテロ接合界面に形成されていた伝導電子の反転状態が解除され、エネルギー障壁中のトンネリングが止まる。そして、第二のヘテロ半導体領域２４からドリフト領域２２への伝導電子の流れが止まり、さらにドリフト領域２２中にあった伝導電子が基板領域２１に流れて枯渇すると、ドリフト領域２２側にはヘテロ接合部から空乏層が広がり遮断状態となる。
【００８６】
このとき、図１３に示す装置をモータ駆動などの誘導性の負荷回路に接続して使用した場合には、上記遮断状態に移行する際に、ドレイン電極２８とソース電極２７間に電流が流れている状態で、ドレイン電圧が上昇する。そして、誘導性負荷回路に接続した際の寄生の配線等のインダクタンスによって、ドレイン電圧が所定値以上まで上昇すると、第一のヘテロ半導体領域２３においてアバランシェ降伏が生じる。
【００８７】
この実施例２では、その特徴的な構成により、活性領域の外周端部に形成された電界緩和領域２９とドリフト領域２２との間のアバランシェ降伏電圧よりも第一のヘテロ半導体領域２３とドリフト領域２２間のアバランシェ降伏電圧の方が、同等もしくはそれ以下となる。このため、活性領域の外周端部以外の主活性領域においても広い範囲でアバランシェ降伏が生じ、高いアバランシェ耐量を実現することができる。
【００８８】
一方、本実施例２では、例えばソース電極２７を接地し、ドレイン電極２８に負電位が印加された逆方向導通（還流動作）状態でも使用可能である。例えばソース電極２７並びにゲート電極２６を接地電位とし、ドレイン電極２８に所定の正電位が印加されると、伝導電子に対するエネルギー障壁は消滅し、ドリフト領域２２側から第一のヘテロ半導体領域２３並びに第二のヘテロ半導体領域２４側に伝導電子が流れ、逆導通状態となる。このとき、正孔の注入はなく伝導電子のみで導通するため、逆導通状態から遮断状態に移行する際の逆回復電流による損失も小さくなる。なお、上述したゲート電極２６を接地せずに制御電極として使用することも可能である。
【００８９】
（変形例２，３）
このように、図１３並びに図１４に示す構成においては、一例としてヘテロ接合部をゲート駆動するスイッチの一部に先の実施例１で説明したアバランシェ耐量の高いヘテロ接合ダイオードを適用した一例を説明してきたが、図１５の断面図に示す実施例２に対する変形例２、並びに図１６の断面図に示す実施例２に対する変形例３に示すように、スイッチ素子の一部に内蔵された還流ダイオードとして使用しても同様の効果を得ることができる。
【００９０】
図１５には、炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴにヘテロ接合ダイオードが内蔵された半導体装置の構成を示している。図１５において、第一導電型の基板領域４１並びにドリフト領域４２からなる第一の半導体領域に、第一導電型のソース領域４３と第二導電型のベース領域４４が形成され、ドリフト領域４２並びにベース領域４４並びにソース領域４３に接するようにゲート絶縁膜４５を介してゲート電極４６が形成されている。
【００９１】
また、ベース領域４４とソース領域４３はソース電極４７に接続されており、基板領域４１はドレイン電極４８に接続されている。さらに、ドリフト領域４２とはバンドギャップが異なり、例えば多結晶シリコンからなるヘテロ半導体領域４９がドリフト領域４２とヘテロ接合を形成するように配置されている。ヘテロ半導体領域４９はソース電極４７に接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴが形成されている活性領域の外周端部には、例えば電界緩和領域５０が形成されている。
【００９２】
このように、ＭＯＳＦＥＴの内蔵還流ダイオードとして用いられた場合においても、前述した通り、ドレイン電圧が所定値以上に印加されてヘテロ接合ダイオードが導通状態から遮断状態に移行する際に、ヘテロ半導体領域４９とドリフト領域４２との間でアバランシェ降伏が生じる。これにより、活性領域の主領域の広い範囲で電流を流すことができるため、高いアバランシェ耐量を得ることができる。
【００９３】
図１６に示す炭化珪素からなるＪＦＥＴにヘテロ接合ダイオードが内蔵された構成においても図１５に示す構成と同様の効果を得ることができる。図１６に示す構成では、第一導電型の基板領域５１並びにドリフト領域５２からなる第一の半導体領域に、第一導電型のソース領域５３と第二導電型のゲート領域５４が形成されており、ゲート領域５４はゲート電極５５に接続されており、ソース領域５３はソース電極５６に接続されており、基板領域５１はドレイン電極５７に接続されている。
【００９４】
さらに、ドリフト領域５２とはバンドギャップが異なり、例えば多結晶シリコンからなるヘテロ半導体領域５８がドリフト領域５２とヘテロ接合を形成するように配置されている。なお、この変形例２においては、ソース領域５３とヘテロ半導体領域５８は紙面の奥行き方向に交互に形成されており、ヘテロ半導体領域４９はソース電極５６に接続されている。また、ＪＦＥＴが形成されている活性領域の外周端部には、例えば電界緩和領域５９が形成されている。
【００９５】
このように、ＪＦＥＴの内蔵還流ダイオードとして用いられた場合においても、前述した通り、ドレイン電圧が所定値以上に印加されてヘテロ接合ダイオードが導通状態から遮断状態に移行する際に、ヘテロ半導体領域５８とドリフト領域５２との間でアバランシェ降伏が生じる。このため、活性領域の主領域の広い範囲で電流を流すことができるため、高いアバランシェ耐量を得ることができる。
【００９６】
このように、トランジスタを構成する各部において、少なくとも一部でも本発明の特徴であるアバランシェ耐量が高いヘテロ接合ダイオードを備えることで、トランジスタが導通状態から遮断状態に移行するスイッチングの際の破壊耐量を大幅に向上することができるため、スイッチング周波数の高周波数化や、安全に半導体装置を使用できる動作範囲を高めることができる。
【００９７】
なお、変形例を含む上記実施例１，２において、炭化珪素を基板材料とした半導体装置を一例として説明したが、基板材料はシリコン、シリコンゲルマン、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどその他の半導体材料でもかまわない。また、炭化珪素のポリタイプとして４Ｈタイプを用いて説明したが、６Ｈ、３Ｃ等その他のポリタイプでも構わない。第二の電極５（ドレイン電極２８、４８、５７）と第一の電極４（ソース電極２７、４７、５６）とをドリフト領域２、２２、４２、５２を挟んで対向するように配置し、両電極間を流れる電流を縦方向に流す所謂縦型構造のダイオードもしくはトランジスタとして説明してきたが、例えば第二の電極５（ドレイン電極２８、４８、５７）と第一の電極４（ソース電極２７、４７、５６）とを同一主面上に配置し、電流を横方向に流す所謂横型構造のダイオードもしくはトランジスタであってもかまわない。
【００９８】
また、第一のヘテロ半導体領域３、２３、４９、５８および第二のヘテロ半導体領域９、２４に用いる材料として多結晶シリコンを用いた例で説明したが、炭化珪素とヘテロ接合を形成する材料であれば単結晶シリコン、アモルファスシリコン等他のシリコン材料やゲルマニウムやシリコンゲルマン等他の半導体材料や６Ｈ、３Ｃ等炭化珪素の他のポリタイプなどの材料でもかまわない。また、一例として、ドリフト領域２、２２、４２、５２としてＮ型の炭化珪素を、第一のヘテロ半導体領域３、２３、４９、５８としてＰ型の多結晶シリコンを用いて説明しているが、それぞれＮ型の炭化珪素とＰ型の多結晶シリコン、Ｐ型の炭化珪素とＰ型の多結晶シリコン、Ｐ型の炭化珪素とＮ型の多結晶シリコンの如何なる組み合わせであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明とショットキー接合ダイオードとの逆方向電流−電圧特性を示す図である。
【図３】図１に示す活性領域の主領域部１０３の拡大図である。
【図４】本発明の実施例１における変形例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例１における変形例２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例１における変形例３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例１における変形例４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例１における変形例７に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例１における変形例８に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例１における変形例９に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例１における変形例１０に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例１に対する変形例１１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施例２に対する変形例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施例２に対する変形例２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施例２に対する変形例３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施例１に対する変形例５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施例１に対する変形例６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１９】図１７におけるＡ−Ａ線に沿った不純物密度分布を示す図である。
【図２０】本発明の実施例１に対する変形例５に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２１】図２０におけるＢ−Ｂ線に沿った不純物密度分布を示す図である。
【図２２】本発明の実施例１に対する変形例５に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１，２１，４１，５１…基板領域
２，２２，４２，５２…ドリフト領域
３，２３…第一のヘテロ半導体領域
４…第一の電極
５…第二の電極
６，２９，５０，５９…電界緩和領域
７…層間絶縁膜
８…掘り込み部
９，２４…第二のヘテロ半導体領域
１０…ショットキー電極領域
１１…Ｐ型領域
１２…高電界領域
１３…下層半導体層
１４…上層半導体層
２５，４５…ゲート絶縁膜
２６，４６，５５…ゲート電極
２７，４７，５６…ソース電極
２８，４８，５７…ドレイン電極
４３，５３…ソース領域
４４…ベース領域
４９，５８…ヘテロ半導体領域
５４…ゲート領域
１００…第一の半導体領域
１０１…第二の半導体領域
１０３…主領域部
【図１】
0005560519.tif 000002
【図２】
0005560519.tif 000003
【図３】
0005560519.tif 000004
【図４】
0005560519.tif 000005
【図５】
0005560519.tif 000006
【図６】
0005560519.tif 000007
【図７】
0005560519.tif 000008
【図８】
0005560519.tif 000009
【図９】
0005560519.tif 000010
【図１０】
0005560519.tif 000011
【図１１】
0005560519.tif 000012
【図１２】
0005560519.tif 000013
【図１３】
0005560519.tif 000014
【図１４】
0005560519.tif 000015
【図１５】
0005560519.tif 000016
【図１６】
0005560519.tif 000017
【図１７】
0005560519.tif 000018
【図１８】
0005560519.tif 000019
【図１９】
0005560519.tif 000020
【図２０】
0005560519.tif 000021
【図２１】
0005560519.tif 000022
【図２２】
0005560519.tif 000023