(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの真空チャンバ（３）と、少なくとも１つのポンプと、構成要素（１）を前記真空チャンバ（３）内に送る１つの搬送装置（２）と、前記構成要素（１）と前記真空チャンバ（３）との間の絶縁体（４）とを備える、構成要素をプラズマ加工するための装置において、
１つの高周波発生器（５）と、
前記真空チャンバ（３）の外部に接続されていて且つ外部共振回路の調整可能なコンデンサと調整可能なインダクタとを有するこの外部共振回路（７）と、
前記構成要素（１）に前記外部共振回路（７）を接続するための少なくとも１つの接続部とが設けられていること、及び
前記構成要素（１）に流れる交流電流が、この構成要素（１）の周囲に広がる振動磁場に作用し、この振動磁場の経時変化によって前記構成要素（１）の表面に生成された渦電流が、前記構成要素（１）の前記表面にプラズマを発生させることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記搬送装置は、少なくとも１つのレール（２）及び１つの駆動部を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記レール（２）は、前記構成要素（１）を前記真空チャンバ（３）に対して絶縁する電気絶縁体（４）を有することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記共振回路は、１つ又は複数の高周波線路（８）を有すること、及び、前記真空チャンバ（３）は、高周波管用の電気絶縁体を有する高周波スリーブ（９）を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記真空チャンバ（３）は、金属製の板（１０）及び／又は格子を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記高周波発生器（５）は、調整可能なインダクタンスを有する帰還コイル（１１）を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
スイッチを介して前記共振回路に接続されたコンデンサ（１２）及び／又はインダクタンス（１４）が、前記共振回路のコンデンサ及び／又はインダクタンスを前記構成要素（１）に対して調整するために設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
交流電流を前記共振回路に供給するための発振管（１６）が設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置を使用することによって構成要素をプラズマ加工するための方法であって、構成要素（１）が、真空チャンバ（３）内に位置決めされ、この真空シャンバが排気される当該方法において、
前記構成要素（１）が、高周波発生器（５）を有する共振回路に接続され、この共振回路のインダクタンス及び／又はコンデンサが、この構成要素（１）に対して調整されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記構成要素（１）と前記共振回路との間の接触が、高周波交流電流を低い出力でこの共振回路に供給することによって検査されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
作動ガスが、前記真空チャンバ（３）内に供給されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
液体が、気化されてバルブを通じて前記真空チャンバ内に供給されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１３】
０．８〜１０ＭＨｚの交流電圧が、前記高周波発生器（５）によって前記共振回路に印加されることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記真空チャンバ（３）は、０．０５〜０．５Ｐａの圧力に排気されることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
板（１０）及び／又は格子が、前記真空チャンバ（３）内に位置決めされることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記構成要素（１）の表面のプラズマが、前記共振回路に交流電流を供給する発振管の陽極電圧を変えることによって調整されることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記共振回路内の追加のコンデンサ（１２）及び／又はインダクタンス（１４）が、前記共振回路を前記構成要素（１）に対して粗く調整するために使用されることを特徴とする請求項９〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記共振回路の前記帰還コイル（１１）のインダクタンスが、前記共振回路を前記構成要素（１）に対して微調整するために変えられることを特徴とする請求項９〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記構成要素（１）のインダクタンス及び容量が測定されること、及び、前記共振回路のインダクタンス及び容量が、この構成要素の当該インダクタンス及び当該容量に対して調整されることを特徴とする請求項９〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波の電磁界によって大容積の構成要素をプラズマ加工する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
構成要素の表面が、プラズマで照射される場合、圧力，温度及びプラズマの組成のようなプラズマパラメータを適切に選択することによって、その表面の機能性及び特性が適切に影響を受け変えられ得る。任意の材料から成る表面を加工し変更し又は被覆する方法が、従来の技術から公知である。これらの方法の場合、プラズマから成る粒子流又はエネルギー流が利用される。これに対して、特にプラズマ容射，アークプラズマ溶融，プラズマ加熱加工法，プラズマＣＶＤ法及びプラズマ洗浄が挙げられる。加工品の表面の機能性が、プラズマ粒子の適切な侵食によって変えられる。このことは、特定の化学特性を有する粒子との相互作用によって又はプラズマによって放出される放射線の作用によって起こる。
【０００３】
プラズマを生成するため、プラズマトーチが使用される。アーク・プラズマトーチの場合、流れているガスが、アークによってイオン化されて10,000〜20.000Ｋの温度に加熱される。高周波プラズマトーチの場合、流れているガスが、高周波の電磁界をシリンダコイルにかけることによってイオン化される。絶縁材から作られているシリンダ状の放電容器内では、高いエネルギー密度の比較的濃いプラズマが発生する。ここでも、20,000Ｋまでのプラズマ温度が得られる。
【０００４】
上述した熱プラズマは、特定の耐温度性に優れている構成要素の加工に対して得られる。最大で100-200 ℃だけの温度に曝されてもよい合成樹脂から成る構成要素又は既にラッカー塗装された構成要素の場合、このような方法は使用できない。
【０００５】
比較的僅かなエネルギー密度を有する薄いプラズマを生成するためには、同様に高周波発生器が利用される。この高周波発生器の周波数範囲は、数百キロヘルツ〜数十ギガヘルツにある。このプラズマは、電極又はアンテナの表面で湧き水状に生成されて空間内に広がる。プラズマの組成及びプラズマから放出された放射線の強度が、電極間の距離が大きくなるにつれて変化する。
【０００６】
このようなプラズマ加工は、確かに小さい構成要素では相応しいものの、このようなプラズマ加工は、大きい構成要素に対しては適さない。プラズマが、狭く限定された範囲内だけで発生し、構成要素の全体にわたって発生しない。それ故に、大きい構成要素の全表面をプラズマ加工するためには、プラズマビームを構成要素にわたって移動させる必要がある。このことは、例えば車両の車体のような構成要素の場合に高い時間経費及びコスト経費につながる。
【０００７】
しかもこれらの公知の方法は、車両の車体で発生する隙間，継目，中空空間及びアンダーカットを加工するためには適さない。プラズマ源から反れた面は、均質なプラズマで照射されていない。プラズマ源に面した面では、均質な加工が強い勾配に起因して保証され得ない。このことは、特に放射線処理によって支配される加工過程に対して成立する。
【０００８】
これに対して請求項１の特徴を有する本発明の装置及び請求項６の特徴を有する本発明の方法は、大きい構成要素がその全表面にわたって均質に作用するプラズマで加工され得る。この加工は、外面及び内面の双方をカバーする。隙間，継目，中空空間及びアンダーカットが同様に加工される。このような領域は、特に多数の要素から構成されている構成要素で発生する。
【特許文献１】ヨーロッパ特許出願公開第 1 354 640号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第 2003/217813号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第 4 781 145号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の装置及び本発明の方法は、いろいろな大きさの任意の構成要素で使用され得る。二三の例だけを挙げると、この装置及びこの方法は、特に車両の車体，飛行機の部品及び機械の部品のような大きい構成要素に対して適する。真空チャンバが必要な大きさを有すること、及び、搬送装置が構成要素に適合されていることが、これに対する前提条件である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
構成要素は、プラズマ加工に対する装置の真空チャンバ内に搬入される。引き続きこの構成要素は、高周波発生器を有する共振回路に連結される。これに対して、共振回路の１つの極又は２つの極が、構成要素に接続される。前者の場合、２番目の極が接地される。したがってこの構成要素は、共振回路の一部を構成する。高周波交流電流が、この構成要素に通電する。この場合、構成要素のインダクタンス及び静電容量が、共振回路のインダクタンス及び静電容量に影響する。構成要素に対する電力の最適な結合を保証するためには、加工すべき構成要素とこの構成要素に固有の容量とインダクタンスとから構成される共振回路が適切に適合される必要がある。このことは、共振回路の容量及びインダクタンスを変えることによって実施される。共振回路の容量及びインダクタンスは、手動で又は自動的に調整できる。自動的な調整の場合、まず構成要素の容量及びインダクタンスが算出される。共振回路の容量及びインダクタンスを変えると、周波数が変化する。
【００１１】
構成要素の異なる加工が、本発明の装置及び本発明の方法によって可能である。構成要素の表面が、プラズマ粒子の化学的な作用によって化学的に加工できる。表面の物理的な特性が、プラズマ放射線によって影響され得る。これに対しては、例えばＵＶラッカーのクロスリンクが挙げられる。表面の電気効果が、表面放電を発生させることによって生じる。これらの電気効果は、これらの表面の加工に使用され得る。
【００１２】
電極配置とは違って、構成要素に対する電極の距離を調整する必要がない。プラズマが、構成要素の表面に渦電流を発生させることによって生成される。
【００１３】
構成要素に流れる交流電流が、振動磁場に作用する。これらの振動磁場は、構成要素の幾何学構造に応じてこの構成要素の周囲に広がる。磁場の経時変化が、電場を誘導する。これらの電場は、プラズマを構成要素の周囲に生成し維持する。
【００１４】
本発明の好適な構成によれば、搬送装置は、構成要素を真空チャンバ内に搬入するために１つ又は多数のレール及び駆動部を有する。この場合、レールは、構成要素に適合され得る。構成要素を真空チャンバに対して絶縁するため、電気絶縁体が、レールに沿って又はレールの範囲内に設けられている。
【００１５】
本発明の好適な構成によれば、共振回路が、高周波管を有する。高周波管用の電気絶縁体を有するスリーブが、真空チャンバに設けられている。
【００１６】
本発明の別の好適な構成によれば、金属板，管及び／又は金属製の格子が、真空室内に設けられている。構成要素は、アンテナを構成する。電磁波が、アンテナから真空室の空間内に放射される。この効果は、その他のアンテナ状の要素によって構成要素の周囲で促進され得る。これには、金属板又は金属製の格子が挙げられる。例えば銅から成る螺旋形に配置された管が、この効果に同様に作用し得る。電磁波が、この部分に結合し、構成要素から特定の距離内にプラズマをさらに生成させる。こうして、構成要素方向のプラズマの放射線の流れが制御され得る。
【００１７】
本発明の別の好適な構成によれば、作動ガスが、真空チャンバ内に供給される。これによって、圧力が、真空チャンバ内で上昇可能である。この圧力は、例えば1,000 Ｐａまで達し得る。作動ガスは、構成要素の表面と化学的に相互作用する。いろいろなガスが、要求に応じて作動ガスとして使用され得る。
【００１８】
本発明の別の好適な構成によれば、液体が、気化されてバルブを通じて真空チャンバ内に供給される。この液体の気化は、作動ガスと同じ課題を満たす。
【００１９】
本発明の別の好適な構成によれば、0.8 〜10 MHzの交流電圧が、高周波発生器によって共振回路に印加される。特に好ましくは、交流電圧は、１〜４ＭＨｚにある。
【００２０】
本発明の別の好適な構成によれば、真空チャンバが、0.05〜0.5 Ｐａの圧力に排気される。従来の技術から公知の方法とは違って、作動圧力が、用途に応じて数10 mbar に上昇され得る。そのため、加工すべき構成要素の表面と相互作用する粒子の数を制御するための別の器具が使用される。作動ガスを使用する場合、チャンバ内の圧力が遥かに高い。
【００２１】
本発明のその他の利点及び好適な構成は、以下の図面の説明及び特許請求の範囲に記載されている。
【００２２】
図中には、プラズマ加工する本発明の装置の実施の形態が示されている。以下に、この装置を説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１及び２は、前及び上から見たプラズマ加工する装置を示す。加工すべき構成要素１が、レール２及び図中で認識不可能な管を通じて真空チャンバ３内に搬入される。構成要素１を真空チャンバ３から絶縁する絶縁体４が、レール２に沿って設けられている。構成要素が、その終端位置に到達することによって、高周波共振回路と構成要素との間の接触部分が閉鎖される。このことは、図中で識別不可能な摺動接触部によって実現される。この摺動接触部は、構成要素１に一体的に固着される。構成要素は、共振回路の一部である。構成要素１以外の共振回路は、図３中に示された帰還コイル１１，同軸ケーブル６，外部共振回路７及び高周波管８から構成される。摺動接触部が、高周波管８の端部に設けられている。高周波管８用の高周波スリーブ９が、真空チャンバ３内に設けられている。プラズマ用の反射器１０が構成要素の上に設けられている。
【００２４】
図３は、図１及び２の装置の回路図を概略的に示す。この回路は、プラズマ加工の最適化を可能にする。高周波発生器５は、同軸ケーブル６を通じて共振回路に交流電流を供給する。高周波発生器５は、帰還コイル１１を有する。この帰還コイル１１のインダクタンスが自動的に調整可能である。３つのコンデンサ１２が、外部共振回路７内に設けられている。全容量を変えるため、これらのコンデンサ１２の全て又はその一部が、共振回路内に組み込まれ得る。共振回路のインダクタンスは、主に構成要素１によって決定される。構成要素１は、高周波管８を介して外部共振回路７に接続されている。共振回路のインダクタンスを構成要素に合わせるため、コイル１３が、外部共振回路に対して設けられている。さらに、高周波管８に沿ったタップを有する別のコイル１４が、コイル１３に対して直接設けられている。このコイル１３は、全インダクタンスの適合に必要な場合にだけに共振回路内に組み込まれる。この場合、高周波管８ａが、高周波管８の代わりに使用される。構成要素１は、選択的にアース１５を通じて接地され得る。
【００２５】
構成要素１と共振回路との間の接触が、高周波交流電流を非常に低い出力で供給することによって検査される。この接触が要求を満たした場合、真空チャンバ３が排気される。真空チャンバ３内の圧力が、加工の種類に依存する特定の値に達した後に、高周波の交流電流が、共振回路に入力される。プラズマが、構成要素１の表面で発生する。このプラズマは、構成要素の加工用に必要になる。構成要素の表面のプラズマの影響が、交流電流を共振回路に入力する送信管１６の陽極電圧を制御することによって制御される。送信管は、図中には示されていない。プラズマ中への電力の結合の効率が、共振回路の送信管１６の電流−電圧特性曲線を監視することによって制御される。プラズマ加工中の共振回路の微調整が、共振回路の帰還コイルのインダクタンスを変えることによって実施される。その前に、追加のインダクタンス１４又はコンデンサ１２を共振回路内に挿入することによって、システムを加工すべき構成要素に粗く調整することが可能である。真空チャンバ３が、プラズマ加工後に換気される。共振回路に対する接触が解除され、構成要素１が、真空チャンバ３から搬送される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】プラズマ加工する装置を前から見た図である。
【図２】プラズマ加工する装置を上から見た図である。
【図３】図１，２の装置の回路図である。
【符号の説明】
【００２７】
１    構成要素
２    搬送装置
３    真空チャンバ
４    電気絶縁体
５    高周波発生器
６    同軸ケーブル
７    外部共振回路
８    高周波管
９    高周波スリーブ
１０  反射器
１１  帰還コイル
１２  外部共振回路のコンデンサ
１３  コイル
１４  コイル
１５  アース
１６  送信管
【図１】
0005597340.tif 000002
【図２】
0005597340.tif 000003
【図３】
0005597340.tif 000004