(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、
前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、
前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、
前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、
前記第２の絶縁層は、補強部材を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記開口部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
前記開口部の底部に露出する前記第２の電極パッド部分に凹部が設けられている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記凹部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
前記凹部の側壁の最外縁部は、前記開口部の側壁の最内縁部と一致している請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記開口部の側壁の面粗度は、前記最上層の絶縁層の上面の面粗度よりも大きい請求項２又は３記載の配線基板。
【請求項５】
複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、
前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、
前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、
前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、
前記第３の絶縁層は、補強部材を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
複数の配線層と、複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、
前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、
前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、
前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、
前記第２の絶縁層は感光性の絶縁性樹脂から構成され、その他の絶縁層は非感光性の同一組成の絶縁性樹脂から構成され、
前記第３の絶縁層のみが補強部材を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
絶縁層を貫通し、上下に隣接する配線層同士を電気的に接続する導体が形成された貫通孔が、垂直方向に積み重なり相互接続された構造を有する請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記貫通孔には、前記導体が充填されている請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
前記補強部材は、繊維束を格子状に織り込んだ構造を有する請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板。
【請求項１０】
前記同一組成の絶縁性樹脂から構成された絶縁層は、同一組成のフィラーを含有している請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層と絶縁層とが積層された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の配線基板を例示する断面図である。図１を参照するに、従来の配線基板１００は、第１配線層１１０、第１絶縁層１２０、第２配線層１３０、第２絶縁層１４０、第３配線層１５０、第３絶縁層１６０、第４配線層１７０、第４絶縁層１８０を有する。
【０００３】
第１配線層１１０、第２配線層１３０、第３配線層１５０、及び第４配線層１７０は、それぞれ例えば銅（Ｃｕ）等から構成されている。第１絶縁層１２０、第２絶縁層１４０、第３絶縁層１６０、及び第４絶縁層１８０は、それぞれ例えばエポキシ系の絶縁性樹脂等から構成されている。
【０００４】
第１配線層１１０と第２配線層１３０とは、第１ビアホール１２０ｘを介して電気的に接続されている。第２配線層１３０を構成するビア配線は、第１ビアホール１２０ｘの側壁を覆うように形成され、中央部近傍に凹部１３０ｘを有する。第２配線層１３０と第３配線層１５０とは、第２ビアホール１４０ｘを介して電気的に接続されている。第３配線層１５０と第４配線層１７０とは、第３ビアホール１６０ｘを介して電気的に接続されている。
【０００５】
第１配線層１１０の側面と下面（第２配線層１３０のビア配線と接続される面）は、第１絶縁層１２０に覆われている。第１配線層１１０の上面（第２配線層１３０のビア配線と接続される面の反対面）は第１絶縁層１２０から露出され、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。第４配線層１７０の一部は第４絶縁層１８０に形成された開口部１８０ｘから露出され、半導体チップ等（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。開口部１８０ｘから露出する第４配線層１７０のピッチは、第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１０のピッチよりも狭くされている。
【０００６】
マザーボード等の実装基板（図示せず）と接続される側の第１絶縁層１２０には、Ｘ方向に並設されたガラス繊維束１９０ａと、Ｙ方向に並設されたガラス繊維束１９０ｂとが格子状に平織りされた形態を有するガラスクロス１９０が含まれている。このような構造により、配線基板１００の反りを低減できる。
【０００７】
配線基板１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。図２〜図４は、従来の配線基板の製造工程を例示する図である。始めに、図２に示す工程では、支持体２１０上に第１配線層１１０を形成し、更に第１配線層１１０を覆うように支持体２１０上にガラスクロス１９０を含む第１絶縁層１２０を形成する。そして、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により、第１絶縁層１２０に、第１絶縁層１２０を貫通し第１配線層１１０の上面を露出させる第１ビアホール１２０ｘを形成する。この際、レーザにより切断されたガラスクロス１９０の端部が開口部１２０ｘの側壁から突出する。
【０００８】
次いで、図３に示す工程では、第１絶縁層１２０上に第２配線層１３０を形成する。第２配線層１３０は、第１ビアホール１２０ｘ内の一部に形成されたビア配線、及び第１絶縁層１２０上に形成された配線パターンを含んで構成される。第２配線層１３０を構成するビア配線は、第１ビアホール１２０ｘの側壁を覆うように形成され、中央部近傍に凹部１３０ｘが形成される。第２配線層１３０は、第１ビアホール１２０ｘの底部に露出した第１配線層１１０と電気的に接続される。
【０００９】
次いで、図４に示す工程では、第１絶縁層１２０上に、第２絶縁層１４０、第３配線層１５０、第３絶縁層１６０、第４配線層１７０、及び第４絶縁層１８０を積層する。そして、第４絶縁層１８０に、第４配線層１７０の一部を露出する開口部１８０ｘを形成する。これにより、支持体２１０の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。更に、支持体２１０を除去することにより、図１に示す配線基板１００が完成する。なお、図１は、図２〜図４とは、上下を反転して描かれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−２２４７３９号公報
【特許文献２】特開２００９−０７６５６５号公報
【特許文献３】国際公開第０３／０３９２１９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、配線基板１００において、ガラスクロス１９０を含む第１絶縁層１２０の厚さは、ガラスクロスを含まない他の絶縁層の厚さよりも厚くなる。これにより、第１絶縁層１２０に形成される第１ビアホール１２０ｘは、第２絶縁層１４０に形成される第２ビアホール１４０ｘや第３絶縁層１６０に形成される第３ビアホール１６０ｘよりも深くなり、かつ、開口端における径（第２絶縁層１４０側の径）も大きくなる。つまり、第１ビアホール１２０ｘは、小径化が困難であり容積が大きくなる。
【００１２】
このような容積が大きい第１ビアホール１２０ｘ全体にビア配線を完全に充填することは、技術的或いはコスト的に困難である。そのため、第１ビアホール１２０ｘの側壁には第２配線層１３０のビア配線が形成されるが、第１ビアホール１２０ｘは完全には充填されず、第２配線層１３０を構成するビア配線の中央部近傍には凹部１３０ｘが形成される。
【００１３】
ビア配線の中央部近傍に凹部１３０ｘが形成された第１ビアホール１２０ｘの直上に他のビアホールを形成すると、凹部１３０ｘ上に他のビアホールのビア配線が形成されるため、上下に隣接するビアホールのビア配線間の接続信頼性が低下する。そこで、図４に示すように、第２ビアホール１４０ｘは、第１ビアホール１２０ｘの直上には形成せず、第１ビアホール１２０ｘ内から横方向に延在する第２配線層１３０の配線パターン上に形成している。
【００１４】
このように、接続信頼性の観点から、第１ビアホール１２０ｘの直上には他のビアホールを形成することができず、第１ビアホール１２０ｘの部分には複数のビアホールが垂直方向に積み重なり相互接続された所謂スタックビア構造を採用できない。
【００１５】
つまり、図２〜図４に示すように、支持体２１０上に第１配線層１１０を覆うようにガラスクロス１９０を含む第１絶縁層１２０を形成し、その上に配線層や絶縁層を形成していく方法で製造された配線基板１００は、反りを低減できる点で有利ではあるが、第１絶縁層１２０に形成される第１ビアホール１２０ｘが大容積となりビア配線を完全には充填できないため、所謂スタックビア構造を採用できず、配線基板１００の高密度化を阻害するという問題があった。
【００１６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、反りを低減可能であると共に、高密度化にも対応可能な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本配線基板の一形態は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第２の絶縁層は、補強部材を備えていることを要件とする。
【００１８】
本配線基板の他の形態は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第３の絶縁層は、補強部材を備えていることを要件とする。
【００１９】
本配線基板の更に他の形態は、複数の配線層と、複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第２の絶縁層は感光性の絶縁性樹脂から構成され、その他の絶縁層は非感光性の同一組成の絶縁性樹脂から構成され、前記第３の絶縁層のみが補強部材を備えていることを要件とする。
【発明の効果】
【００２０】
開示の技術によれば、反りを低減可能であると共に、高密度化にも対応可能な配線基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来の配線基板を例示する断面図である。
【図２】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図６】ガラスクロスを例示する断面図である。
【図７】スタックビア構造を例示する図である。
【図８】配線基板に外部接続端子を形成する例を示す図である。
【図９】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図１４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図１５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図１６】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図１７】第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図１８】図１５の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図２０】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図２１】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図２２】第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【図２３】配線基板Ａのシミュレーション結果を模式的に示した図である。
【図２４】配線基板Ｂのシミュレーション結果を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００２３】
〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態では、本発明を、半導体チップを搭載することにより半導体パッケージとなる配線基板に適用する例を示す。
【００２４】
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図５は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図５を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、第１配線層１１、第１絶縁層１２、第２配線層１３、第２絶縁層１４、第３配線層１５、第３絶縁層１６、第４配線層１７、第４絶縁層１８が順次積層された構造を有する。
【００２５】
なお、配線基板１０において、第１絶縁層１２の下面（第２絶縁層１４と接する面の反対側の面）と第４絶縁層１８の上面（第３絶縁層１６と接する面の反対側の面）の何れか一方を第１の主面、他方を第２の主面と称する場合がある。例えば第１絶縁層１２の下面が配線基板１０の第１の主面であれば、第１の主面に最も近い絶縁層は第１絶縁層１２である。又、例えば第４絶縁層１８の上面が配線基板１０の第２の主面であれば、第２の主面に最も近い絶縁層は第４絶縁層１８である。
【００２６】
配線基板１０において、第１配線層１１は、最下層に形成されている。第１配線層１１は、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成されている。第１層１１ａとしては、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が配線基板１０の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。第１層１１ａとして、例えば金（Ａｕ）膜とニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が配線基板１０の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いても良い。第２層１１ｂとしては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。第１配線層１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２７】
第１配線層１１の一部（第１層１１ａ）は第１絶縁層１２から露出しており、半導体チップ等（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。以降、第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１を第１の電極パッド１１と称する場合があり、又、第１の電極パッド１１側を半導体チップ搭載側と称する場合がある。第１の電極パッド１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。第１の電極パッド１１のピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。
【００２８】
第１絶縁層１２は、第１配線層１１の上面（第２配線層１３のビア配線と接続される面）と側面とを覆い、下面（第２配線層１３のビア配線と接続される面の反対面）を露出するように形成されている。第１絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１２の材料である非感光性の絶縁性樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂を用いることができる。第１絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２９】
第１絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有している。フィラーの含有量は、例えば２０〜７０ｖｏｌ％程度とすることができる。フィラーの粒径は最小粒径０．１μｍ、最大粒径５μｍ、平均粒径０．５〜２μｍ程度であることが好ましい。フィラーの含有量を調整することにより、第１絶縁層１２の熱膨張係数を調整できる（フィラーの含有量を増やすと熱膨張係数が小さくなる）。フィラーの含有量を調整して、第１絶縁層１２の熱膨張係数を第２配線層１３等を構成する銅（Ｃｕ）の熱膨張係数（１７ｐｐｍ／℃程度）に近づけることにより、配線基板１０に生ずる反りを低減できる。なお、特記した場合を除き、本明細書における熱膨張係数は２５〜１５０℃の範囲における値を示すものとする。なお、第１絶縁層１２の含有するフィラーは、シリカ（ＳｉＯ２）には限定されず、アルミナ等を用いても構わない（以下、他の絶縁層についても同様）。
【００３０】
第２配線層１３は、第１絶縁層１２上に形成されている。第２配線層１３は、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の上面を露出する第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第１ビアホール１２ｘは、第２絶縁層１４側に開口されていると共に、第１配線層１１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。
【００３１】
第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘの底部に露出した第１配線層１１と電気的に接続されている。第２配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第２配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３２】
第２絶縁層１４は、第１絶縁層１２上に、第２配線層１３を覆うように形成されている。第２絶縁層１４の材料としては、第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第２絶縁層１４は、第１絶縁層１２が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第２絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３３】
第３配線層１５は、第２絶縁層１４上に形成されている。第３配線層１５は、第２絶縁層１４を貫通し第２配線層１３の上面を露出する第２ビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び第２絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第２ビアホール１４ｘは、第３絶縁層１６側に開口されていると共に、第２配線層１３の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。
【００３４】
第３配線層１５は、第２ビアホール１４ｘの底部に露出した第２配線層１３と電気的に接続されている。第３配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第３配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３５】
第３絶縁層１６は、第２絶縁層１４上に、第３配線層１５を覆うように形成されている。第３絶縁層１６は、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させたものである。第３絶縁層１６に含まれる非感光性の絶縁性樹脂としては、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第３絶縁層１６は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第３絶縁層１６の厚さは、例えば２５〜７５μｍ程度とすることができる。
【００３６】
ガラスクロス１９は、図６に示すように、Ｘ方向に並設されたガラス繊維束１９ａと、Ｙ方向に並設されたガラス繊維束１９ｂとが格子状に平織りされた形態を有する。ガラスクロス１９は、本発明に係る補強部材の代表的な一例である。ガラス繊維束１９ａ及び１９ｂは、１本が例えば数μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねて例えば数１００μｍ程度の幅にしたものである。ガラス繊維束１９ａ及び１９ｂの厚さは、それぞれ１０〜１５μｍ程度とすることができる。
【００３７】
なお、ガラスクロス１９等の補強部材を構成する繊維束は、ガラス繊維束には限定されず、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、テトロン繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束等を用いても構わない。又、繊維束の織り方は平織りには限定されず、朱子織り、綾織り等であっても構わない。又、織布以外に不織布を用いても良い。
【００３８】
なお、第３絶縁層１６のみにガラスクロス１９を設ける理由は、以下のとおりである。すなわち、一般的に、電極パッドとして用いられる配線層（本実施の形態では、第４配線層１７）は、他の配線層に比較し残銅率が低い。よって、残銅率の差により配線基板に反りが生じやすい。そこで、第４配線層１７に隣接する第３絶縁層１６内にガラスクロス１９を設けることにより、第４配線層１７の残銅率を高くした場合と同等の効果が得られ、配線基板１０に生ずる反りを低減可能となるからである。ここで、残銅率とは、ある絶縁層上の面積に占める、配線層を形成する金属層の面積の比率である。本実施の形態の場合には、金属層として銅を想定して残銅率と称するが、金属層は銅以外であっても良い。
【００３９】
なお、半導体チップ搭載側は外部接続端子側に比べて配線層のデザインルールが厳しいため、ガラスクロス１９を半導体チップ搭載側に近い絶縁層に設けることは好ましくない。ガラスクロス１９を設けた絶縁層のビアホールが大容積化し、配線パターンの高密度化や電極パッドの狭ピッチ化等に支障が出るからである。
【００４０】
第４配線層１７は、第３絶縁層１６上に形成されている。第４配線層１７は、第３絶縁層１６を貫通し第３配線層１５の上面を露出する第３ビアホール１６ｘ内に形成されたビア配線、及び第３絶縁層１６上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第３ビアホール１６ｘは、第４絶縁層１８側に開口されていると共に、第３配線層１５の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。
【００４１】
第４配線層１７を構成するビア配線は、第３ビアホール１６ｘの側壁を覆うように形成され、中央部近傍に凹部１７ｘが形成される場合がある。すなわち第４配線層１７を構成するビア配線は、第３ビアホール１６ｘを完全には充填しない場合がある。
【００４２】
第４配線層１７は、第３ビアホール１６ｘの底部に露出した第３配線層１５と電気的に接続されている。第４配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第４配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４３】
第４配線層１７のビア配線に凹部１７ｘが形成される場合がある理由を以下に説明する。すなわち、ガラスクロス１９を含む第３絶縁層１６の厚さは、ガラスクロスを含まない他の絶縁層の厚さよりも厚くなる。これにより、第３絶縁層１６に形成される第３ビアホール１６ｘは、第１絶縁層１２に形成される第１ビアホール１２ｘや第２絶縁層１４に形成される第２ビアホール１４ｘよりも深くなり、かつ、開口端における径（第４絶縁層１８側の径）も大きくなる。つまり、第３ビアホール１６ｘは、小径化が困難であり容積が大きくなる。
【００４４】
このような容積が大きい第３ビアホール１６ｘ全体にビア配線を完全に充填することは、技術的或いはコスト的に困難である。そのため、図５に示すように、第３ビアホール１６ｘの側壁には第４配線層１７のビア配線が形成されるが、第３ビアホール１６ｘは完全には充填されず、第４配線層１７を構成するビア配線の中央部近傍には凹部１７ｘが形成される場合がある。
【００４５】
第４絶縁層１８は、第３絶縁層１６上に、第４配線層１７を覆うように形成されている。第４絶縁層１８の材料としては、エポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。第４絶縁層１８の材料として、第１絶縁層１２等と同様に、エポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いても構わない。第４絶縁層１８の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度することができる。
【００４６】
第４絶縁層１８は開口部１８ｘを有し、開口部１８ｘの底部には凹部１７ｘを含む第４配線層１７の一部が露出している。開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に、金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。
【００４７】
更に、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に（開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に金属層等が形成されている場合には、金属層等の上に）はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するための端子となる。但し、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７（凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に金属層等が形成されている場合には、金属層等）自体を、外部接続端子としても良い。
【００４８】
以降、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７を第２の電極パッド１７と称する場合があり、又、第２の電極パッド１７側を外部接続端子側と称する場合がある。第２の電極パッド１７の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。第２の電極パッド１７のピッチは、前述の第１の電極パッド１１のピッチ（例えば１００〜２００μｍ程度）よりも広く、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。
【００４９】
なお、配線基板１０において、第４配線層１７を構成する配線パターンを第３絶縁層１６上に引き出して形成し、第３絶縁層１６上に引き出された配線パターンを第４絶縁層１８の開口部１８ｘから露出させ、第２の電極パッド１７としても良い。つまり、第４配線層１７の凹部１７ｘ以外の部分を第２の電極パッド１７としても良い。
【００５０】
図７は、スタックビア構造を例示する図である。図７（ａ）は比較のために示す従来の配線基板１００であり、図７（ｂ）は配線基板１０にスタックビア構造を採用した配線基板１０Ａを例示する図である。
【００５１】
図７（ａ）に示す従来の配線基板１００では、中央部近傍に凹部１３０ｘが形成された第１ビアホール１２０ｘ上（第２絶縁層１４０側）に他のビアホールを形成できないため、領域Ａにおいて第３配線層１５０の設計自由度が制限され、配線密度を向上できない。
【００５２】
これに対して、図７（ｂ）に示す配線基板１０Ａでは、ビア配線の中央部近傍に凹部１７ｘが形成された第３ビアホール１６ｘ上（第４絶縁層１８側）には他のビアホールが形成されないため、例えば領域Ｂにスタックビア構造を採用できる。これにより、図７（ａ）の場合に比べて、ビアホール形成位置の制限が緩和され、領域Ｃにおいて第３配線層１５の設計自由度が向上する。その結果、領域Ｄにおいて高密度に配線形成可能となる。又、領域Ｅにおいて配線を引き回す必要がなくなるため、配線基板の小型化が可能となる。
【００５３】
このように、第１の実施の形態に係る配線基板では、ガラスクロス１９を含む第３絶縁層１６は、他の絶縁層に比べて層厚が厚くなる。その結果、第３絶縁層１６に形成される第３ビアホール１６ｘは大容積となるため、第４配線層１７を構成するビア配線は第３ビアホール１６ｘを完全には充填できず、中央部近傍に凹部１７ｘが形成される場合がある。しかしながら、第３ビアホール１６ｘ上（第４絶縁層１８側）には他のビアホールが形成されないため、凹部１７ｘの存在は所謂スタックビア構造を採用する際の妨げとはならず、図７（ｂ）に示す配線基板１０Ａのように、スタックビア構造を採用することができる。これにより、配線基板の高密度化及び小型化が可能となる。
【００５４】
つまり、配線基板１０は、第３絶縁層１６にガラスクロス１９を含む構造とすることにより剛性を高め反りを低減できると共に、必要な部分に所謂スタックビア構造を採用して高密度化及び小型化にも対応できる。又、配線基板１０が高温になり、各絶縁層を構成する絶縁性樹脂のガラス転移温度を超えた場合でも、ガラスクロス１９の剛性により反りの発生が抑制され、高温環境下における挙動が安定する。
【００５５】
図８は、配線基板に外部接続端子を形成する例を示す図である。図８（ａ）は、配線基板１０の第２の電極パッド１７上に、はんだボール２７を形成した場合の図である。図８（ｂ）は、配線基板１０の第２の電極パッド１７に、はんだ２８を用いてリードピン２９を形成した場合の図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第２の電極パッド１７に凹部１７ｘが形成されていても、凹部１７ｘ内がはんだで充填されるため、はんだボールやリードピンの接合に支障は生じない。
【００５６】
このように、第２の電極パッド１７（開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７）上に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成する場合でも、凹部１７ｘ内がはんだで充填されるため、第２の電極パッド１７と外部接続端子との接続信頼性を損なうことはない。
【００５７】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図９〜図１６は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【００５８】
始めに、図９に示す工程では、支持体２１を準備する。支持体２１としては、シリコン板、ガラス板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体２１として銅箔を用いる。後述する図１１に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図１６に示す工程の後に容易にエッチングで除去可能だからである。支持体２１の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。
【００５９】
次いで、図１０に示す工程では、支持体２１の一方の面に、第１配線層１１に対応する開口部２２ｘを有するレジスト層２２を形成する。具体的には、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光、現像することで開口部２２ｘを形成する。これにより、開口部２２ｘを有するレジスト層２２が形成される。なお、予め開口部２２ｘを形成したフィルム状のレジストを支持体２１の一方の面にラミネートしても構わない。
【００６０】
開口部２２ｘは、後述の図１１に示す工程で形成される第１配線層１１に対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。開口部２２ｘの平面形状は、例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。
【００６１】
次いで、図１１に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面の開口部２２ｘ内に、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成される第１配線層１１を形成する。
【００６２】
第１層１１ａは、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、第１配線層１１を形成するには、先ず、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を順にめっきして第１層１１ａを形成し、続いて、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、第１層１１ａ上に銅（Ｃｕ）等からなる第２層１１ｂを形成すれば良い。
【００６３】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示すレジスト層２２を除去した後、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面に第１絶縁層１２を形成する。第１絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有している。フィラーの含有量や含有する目的は、前述の通りである。
【００６４】
第１絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いた場合には、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面にフィルム状の第１絶縁層１２をラミネートする。そして、ラミネートした第１絶縁層１２を押圧しつつ、第１絶縁層１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、第１絶縁層１２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。
【００６５】
第１絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いた場合には、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面に液状又はペースト状の第１絶縁層１２を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した第１絶縁層１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。
【００６６】
次いで、図１３に示す工程では、第１絶縁層１２に、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の上面を露出させる第１ビアホール１２ｘを形成する。第１ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成した第１ビアホール１２ｘは、第２絶縁層１４が形成される側に開口されていると共に、第１配線層１１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となる。なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。第１ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、第１ビアホール１２ｘの底部に露出する第１配線層１１の上面に付着した第１絶縁層１２の樹脂残渣を除去する。
【００６７】
次いで、図１４に示す工程では、第１絶縁層１２上に第２配線層１３を形成する。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘの底部に露出した第１配線層１１と電気的に接続される。第２配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００６８】
第２配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できるが、一例としてセミアディティブ法を用いて第２配線層１３を形成する方法を以下に示す。
【００６９】
始めに、無電解めっき法又はスパッタ法により、第１ビアホール１２ｘの底部に露出した第１配線層１１の上面、及び第１ビアホール１２ｘの側壁を含む第１絶縁層１２上に銅（Ｃｕ）等からなるシード層（図示せず）を形成する。更に、シード層上に第２配線層１３に対応する開口部を備えたレジスト層（図示せず）を形成する。そして、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅（Ｃｕ）等からなる配線層（図示せず）を形成する。続いて、レジスト層を除去した後に、配線層をマスクにして、配線層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、第１絶縁層１２上に第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される第２配線層１３が形成される。
【００７０】
次いで、図１５に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、第１絶縁層１２上に、第２絶縁層１４、第３配線層１５、第３絶縁層１６、及び第４配線層１７を積層する。すなわち、第１絶縁層１２上に第２配線層１３を被覆する第２絶縁層１４を形成した後に、第２絶縁層１４を貫通し第２配線層１３の上面を露出する第２ビアホール１４ｘを形成する。第２ビアホール１４ｘは、必要に応じて、第１ビアホール１２ｘの垂直方向に積み重ねて相互接続する所謂スタックビア構造とすることができる。第２絶縁層１４の材料としては、第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第２絶縁層１４は、第１絶縁層１２が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第２絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００７１】
更に、第２絶縁層１４上に、第２ビアホール１４ｘを介して第２配線層１３に接続される第３配線層１５を形成する。第３配線層１５は、第２ビアホール１４ｘ内を充填するビア配線、及び第２絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第３配線層１５は、第２ビアホール１４ｘの底部に露出した第２配線層１３と電気的に接続される。第３配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第３配線層１５は、例えばセミアディティブ法により形成される。第３配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００７２】
更に、第２絶縁層１４上に、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させた樹脂フィルム（プリプレグ）を積層して第３配線層１５を被覆する第３絶縁層１６を形成する。そして、第３絶縁層１６を貫通し第３配線層１５の上面を露出する第３ビアホール１６ｘを形成する。第３ビアホール１６ｘは、必要に応じて、第２ビアホール１４ｘの垂直方向に積み重ねて相互接続する所謂スタックビア構造とすることができる。第３絶縁層１６は、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させたものである。第３絶縁層１６に含まれる非感光性の絶縁性樹脂としては、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第３絶縁層１６は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第３絶縁層１６の厚さは、例えば２５〜７５μｍ程度とすることができる。
【００７３】
更に、第３絶縁層１６上に、第３ビアホール１６ｘを介して第３配線層１５に接続される第４配線層１７を形成する。第４配線層１７は、第３ビアホール１６ｘ内に形成されたビア配線、及び第３絶縁層１６上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ガラスクロス１９を含む第３絶縁層１６に形成される第３ビアホール１６ｘの容積が大きいため、第３ビアホール１６ｘは完全には充填されず、第４配線層１７を構成するビア配線の中央部近傍には凹部１７ｘが形成される場合がある。第４配線層１７は、第３ビアホール１６ｘの底部に露出した第３配線層１５と電気的に接続される。第４配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第４配線層１７は、例えばセミアディティブ法により形成される。第４配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００７４】
このようにして、支持体２１の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（第２配線層１３、第３配線層１５、及び第４配線層１７）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００７５】
次いで、図１６に示す工程では、第３絶縁層１６上に開口部１８ｘを有する第４絶縁層１８を形成する。具体的には、例えば、第４配線層１７を覆うように、第３絶縁層１６上に液状又はペースト状のエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性の絶縁性樹脂を塗布する。そして、塗布した感光性の絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部１８ｘを形成する。これにより、凹部１７ｘを含む第４配線層１７の一部は、第４絶縁層１８の開口部１８ｘの底部に露出する。第４絶縁層１８の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。なお、第４絶縁層１８をエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等（第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂）を用いて形成し、開口部１８ｘをレーザ加工法等により形成しても構わない。
【００７６】
必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に、例えば無電解めっき法等により金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。
【００７７】
次いで、図１６に示す工程の後、図１６に示す支持体２１を除去することにより、図５に示す配線基板１０が完成する。銅箔から構成されている支持体２１は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１の最表層は金（Ａｕ）膜等であるため、銅箔から構成されている支持体２１のみを選択的にエッチングできる。但し、第４配線層１７が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７が支持体２１とともにエッチングされることを防止するため、第４配線層１７をマスクする必要がある。
【００７８】
支持体２１を除去した後に、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に（開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に金属層等が形成されている場合には、金属層等の上に）はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するための端子となる。但し、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７（凹部１７ｘを含む第４配線層１７上に金属層等が形成されている場合には、金属層等）自体を、外部接続端子としても良い。又、支持体２１を除去する前に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。
【００７９】
なお、図９〜図１６では、支持体２１上に１個の配線基板１０を作製する例を示したが、支持体２１上に複数の配線基板１０となる部材を作製し、それを個片化して複数の配線基板１０を得るような工程としても構わない。
【００８０】
このように、第１の実施の形態によれば、支持体上に半導体チップ搭載側から配線層及び絶縁層を順次積層する。この際、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）の下側に隣接する絶縁層（第３絶縁層）にガラスクロス等の補強部材を設ける。そして、支持体を除去して配線基板を得る。これにより、補強部材を設けた第３絶縁層の剛性を高めることが可能となり、配線基板の反りを低減できる。
【００８１】
この際、補強部材を含む第３絶縁層は、他の絶縁層に比べて層厚が厚くなる。その結果、第３絶縁層に形成されるビアホールは大容積となるため、ビア配線がこのビアホールを完全には充填できず、中央部近傍に凹部が形成される場合がある。しかしながら、第１の実施の形態では、半導体チップ搭載側から配線層及び絶縁層を順次積層して配線基板を製造する。その結果、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）の下側に隣接する第３絶縁層のビアホール上には他のビアホールが形成されないため、凹部の存在は所謂スタックビア構造を採用する際の妨げとはならず、配線基板の高密度化を阻害する要因とはならない。
【００８２】
すなわち、第１の実施の形態に係る配線基板は、第３絶縁層にガラスクロス等の補強部材を設けることにより剛性を高め反りを低減できると共に、必要な部分に所謂スタックビア構造を採用して高密度化にも対応できる。
【００８３】
又、配線基板が高温になり、各絶縁層を構成する絶縁性樹脂のガラス転移温度を超えた場合でも、ガラスクロスの剛性により反りの発生が抑制され、高温環境下における挙動が安定する。
【００８４】
又、同一組成の非感光性の絶縁性樹脂から構成される各絶縁層が、同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することにより、これらの絶縁層の熱膨張係数を略同一値に調整することが可能となり、配線基板に生ずる反りを低減できる。更に、同一組成の非感光性の絶縁性樹脂から構成される各絶縁層の熱膨張係数を、配線層の熱膨張係数に近づけることにより、配線基板に生ずる反りを一層低減可能となる。
【００８５】
〈第２の実施の形態〉
第１の実施の形態では、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）の下側に隣接する絶縁層（第３絶縁層）にガラスクロス等の補強部材を設ける例を示した。第２の実施の形態では、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）にガラスクロスを設ける例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
【００８６】
［第２の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１７は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１７を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板５０は、第３絶縁層１６、第４配線層１７、及び第４絶縁層１８が、それぞれ第３絶縁層５６、第４配線層５７、及び第４絶縁層５８に置換されている点が、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図５参照）と相違する。
【００８７】
配線基板５０において、第３絶縁層５６には、第１の実施の形態の第３絶縁層１６とは異なり、ガラスクロスは設けられていない。第３絶縁層５６の材料としては、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第３絶縁層５６は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板５０に生ずる反りを低減するためである。第３絶縁層５６の厚さは、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４の厚さと同程度であり、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００８８】
第４配線層５７は、第３絶縁層５６上に形成されている。第４配線層５７は、第３絶縁層５６を貫通し第３配線層１５の上面を露出する第３ビアホール５６ｘ内に充填されたビア配線、及び第３絶縁層５６上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第３ビアホール５６ｘは、第４絶縁層５８側に開口されていると共に、第３配線層１５の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。
【００８９】
第４配線層５７は、第３ビアホール５６ｘの底部に露出した第３配線層１５と電気的に接続されている。第４配線層５７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第４配線層５７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。なお、ガラスクロスが設けられていない第３絶縁層５６の厚さは特別に厚くはないため（例えば１５〜３５μｍ程度）、第１の実施の形態のような凹部１７ｘは形成されず第３ビアホール５６ｘは完全に充填することができる（フィルドビアを設けることができる）。
【００９０】
なお、『完全に充填する』とは、ビアホールを充填するビア配線表面が平坦である場合のみならず、ビア配線表面の断面が例えば深さ数μｍ程度のなだらかな円弧状に凹んだり、例えば高さ数μｍ程度のなだらかな円弧状に突出したりする場合も含むものとする。つまり、『完全に充填する』には、スタックビアを形成する際に支障のない程度の凹凸が形成されている場合も含むものとする。
【００９１】
外部接続端子側の最上層の絶縁層である第４絶縁層５８は、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させたものである。なお、第１の実施の形態と同様に、ガラスクロス１９等の補強部材を構成する繊維束は、ガラス繊維束には限定されず、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、テトロン繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束等を用いても構わない。又、繊維束の織り方は平織りには限定されず、朱子織り、綾織り等であっても構わない。又、織布以外に不織布を用いても良い。
【００９２】
第４絶縁層５８に含まれる非感光性の絶縁性樹脂としては、第１絶縁層１２、第２絶縁層１４、及び第３絶縁層５６と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第４絶縁層５８は、第１絶縁層１２、第２絶縁層１４、及び第３絶縁層５６が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板５０に生ずる反りを低減するためである。第４絶縁層５８の厚さは、例えば２５〜７５μｍ程度とすることができる。
【００９３】
第４絶縁層５８は開口部５８ｘを有し、開口部５８ｘの底部には第４配線層５７の凹部５７ｘが露出している。凹部５７ｘは、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。必要に応じ、凹部５７ｘ上に、金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。なお、凹部５７ｘは、第１の実施の形態の凹部１７ｘとは異なり、後述のように、ブラスト処理により意識的に設けたものである。
【００９４】
更に、凹部５７ｘ上に（凹部５７ｘ上に金属層等が形成されている場合には、金属層等の上に）はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するための端子となる。但し、開口部５８ｘの底部に露出する凹部５７ｘ（凹部５７ｘ上に金属層等が形成されている場合には、金属層等）自体を、外部接続端子としても良い。以降、開口部５８ｘの底部に露出する凹部５７ｘを第２の電極パッド５７ｘと称する場合があり、又、第２の電極パッド５７ｘ側を外部接続端子側と称する場合がある。
【００９５】
図１８は、図１７の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。図１８を参照するに、開口部５８ｘは、第４配線層５７側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。言い換えれば、開口部５８ｘは、第２の電極パッド５７ｘの外周方向に突出又は湾曲する曲面状の側壁を有し、かつ、第４絶縁層５８外面に開口する部分の面積が、底面部分の断面積よりも大きい。開口部５８ｘは、例えば半球状に形成することができる。開口部５８ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径（開口端の直径）は例えば２２０〜１１００μｍ程度とすることができる。
【００９６】
凹部５７ｘは、底面側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。凹部５７ｘの外縁部は第４絶縁層５８の下部に入り込むことはなく、凹部５７ｘの側壁の最外縁部は開口部５８ｘの側壁の最内縁部と一致している。凹部５７ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。凹部５７ｘのピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。第４配線層５７の上面を基準とした凹部５７ｘの最深部の深さは、例えば０．５〜４μｍ程度とすることができる。
【００９７】
なお、凹部５７ｘ（第２の電極パッド）及び開口部５８ｘ（第２の電極パッド用の開口）の平面形状は略円形のみならず、略矩形等の各種形状にしても構わない。例えば、凹部５７ｘ及び開口部５８ｘの平面形状を略矩形とすれば、開口部５８ｘにピン（ソケットのピン）を挿入する場合に、挿入するピン（ソケットのピン）の形状によっては、略矩形の開口部５８ｘに、開口部５８ｘの長手方向にピンの長手方向を対応させて挿入することにより、挿入時の作業性が向上する等の効果が得られる。
【００９８】
開口部５８ｘの側壁の断面が凹型Ｒ形状となるのは、後述のように、本実施の形態では、開口部５８ｘをブラスト処理により形成するためである。又、開口部５８ｘが形成されると、引き続き第４配線層５７の上面をブラスト処理により研磨するため、開口部５８ｘと連続する凹部５７ｘが形成される。
【００９９】
なお、開口部５８ｘをレーザ加工法により形成することもできるが、以下の点で好ましくない。第１に、他の絶縁層よりも厚い最上層の絶縁層に比較的大きな開口部を形成する必要があるため、レーザ加工法を用いると数ショットの照射が必要となり、加工時間が増加するためである。第２に、レーザ加工法により形成された開口部の側壁からはレーザにより切断されたガラスクロスの端部が突出し、例えば開口部の底部に露出する配線層上に無電解めっき法等によりＡｕ層等の金属層を形成する場合に、突出部の下部の金属層のめっき厚が薄くなる等の問題が生じるためである。第３に、レーザ加工法で開口部を形成すると、開口部の底部に露出する配線層の表面に樹脂残渣が残る。そのため、デスミア処理を行うが、デスミア処理に用いるエッチング液が配線層の一部を溶解し、所謂ハローイングが発生するためである。又、デスミア処理により絶縁層を構成する樹脂がエッチングされ、ガラスクロスの端部が、より開口部内に突出するからである。
【０１００】
［第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１９〜図２１は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【０１０１】
始めに、図１９に示す工程では、図９〜図１５と同様の工程を実施し、第１絶縁層１２上に、第２絶縁層１４、第３配線層１５、第３絶縁層５６、及び第４配線層５７を積層する。そして、第３絶縁層５６上に、第４配線層５７を覆うように、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させた第４絶縁層５８を形成する。第４絶縁層５８は、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させた樹脂フィルム（プリプレグ）を第３絶縁層５６上に積層し、加圧及び加熱して樹脂を硬化させることにより形成できる。
【０１０２】
このようにして、支持体２１の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（第２配線層１３、第３配線層１５、及び第４配線層５７）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【０１０３】
次いで、図２０に示す工程では、第４絶縁層５８上に、開口部２３ｘを有するレジスト層２３を形成する。具体的には、第４絶縁層５８上に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、第４絶縁層５８上に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光、現像することで開口部２３ｘを形成する。これにより、開口部２３ｘを有するレジスト層２３が形成される。なお、予め開口部２３ｘを形成したフィルム状のレジストを第４絶縁層５８上にラミネートしても構わない。
【０１０４】
開口部２３ｘは、後述の図２１に示す工程で形成される開口部５８ｘに対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。開口部２３ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２２０〜１１００μｍ程度とすることができる。
【０１０５】
なお、レジスト層２３は、後述する図２１に示す工程におけるブラスト処理のマスクとして機能するが、レジスト層２３の表面の一部もブラスト処理により削れる。そこで、レジスト層２３は、表面の一部がブラスト処理により削れてもマスクとしての機能を維持できる程度の厚さに形成する必要がある。レジスト層２３の厚さは、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【０１０６】
次いで、図２１に示す工程では、レジスト層２３をマスクとして矢印方向からブラスト処理を行い、第４絶縁層５８に開口部５８ｘを形成し第４配線層５７の上面を露出させる。そして、更にブラスト処理を継続し第４配線層５７の開口部５８ｘの底部に露出する部分に凹部５７ｘを形成する。このように、第４配線層５７の上面を露出させた後、更にブラスト処理を継続し凹部５７ｘを形成することにより、開口部５８ｘ内に第４絶縁層５８の材料の残渣が残存しないようにできる。
【０１０７】
なお、開口部５８ｘを形成する部分の第４配線層５７に、開口部５８ｘの底部の直径よりも大径のパッド（開口部５８ｘの受けパッド）を形成しておくと、このパッドがブラスト処理で開口部５８ｘを形成する際に研磨剤を受け止めるため、第３絶縁層５６がブラスト処理により研磨されることを防止でき、好適である。
【０１０８】
ブラスト処理により形成された開口部５８ｘ及び凹部５７ｘは、前述の図１８で説明した形状となる。これにより、開口部５８ｘを有する第４絶縁層５８が形成され、開口部５８ｘの底部に露出する第４配線層５７の凹部５７ｘは、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。
【０１０９】
ここでブラスト処理とは、研磨剤を被処理物に高圧で吹きつけ、被処理物の表面粗度を機械的に調整する処理をいう。ブラスト処理には、エアーブラスト処理、ショットブラスト処理、ウェットブラスト処理等があるが、特に、アルミナ砥粒や球状シリカ砥粒等の研磨剤を水等の溶媒に分散させて被処理物の表面に衝突させ、微細領域の研磨を行うウェットブラスト処理を用いると好適である。
【０１１０】
なぜならば、ウェットブラスト処理を用いると、エアーブラスト処理やショットブラスト処理に比べて極めて緻密で被処理物の損傷の少ない研磨が可能だからである。又、ウェットブラスト処理では、研磨剤を水等の溶媒に分散させているため、エアーブラスト処理やショットブラスト処理のように研磨剤が粉塵として空気中に飛散することがないからである。
【０１１１】
ウェットブラスト処理に用いるアルミナ砥粒や球状シリカ砥粒等の研磨剤の粒径は、例えば５〜２０μｍ程度とすることができる。水等の溶媒に分散させたアルミナ砥粒や球状シリカ砥粒等の研磨剤の濃度は、例えば１４ｖｏｌ％程度とすることができる。又、水等の溶媒に分散させた研磨剤を被処理物の表面に噴射する際の噴射圧力は、例えば０．２５ＭＰａ程度とすることができる。
【０１１２】
開口部５８ｘの側壁の面粗度は、例えばＲａ１５０〜６００ｎｍ程度とすることができる。開口部５８ｘを除く第４絶縁層５８の上面の面粗度は、例えばＲａ１５０ｎｍ以下程度とすることができる。これは、ブラスト処理時に、第４絶縁層５８の上面はレジスト層２３でマスクされ、研磨剤がぶつからないためである。このように、ブラスト処理により、開口部５８ｘの側壁のみが粗化され、開口部５８ｘを除く第４絶縁層５８の上面は粗化されない。なお、開口部５８ｘをレーザ加工法により形成する場合には、デスミア処理により、開口部５８ｘの側壁及び第４絶縁層５８の上面はエッチングされ、何れもＲａ５００ｎｍ程度となる。
【０１１３】
必要に応じ、開口部５８ｘの底部に露出する第４配線層５７の凹部５７ｘ上に、例えば無電解めっき法等により金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。但し、この金属層等は、レジスト層２３を除去した後で形成しても良い。
【０１１４】
なお、開口部５８ｘをレーザ加工法により形成しデスミア処理を行った場合のように、第４絶縁層５８の上面の面粗度が大きい（例えばＲａ５００ｎｍ程度）と、無電解めっきの際に、金属層が第４絶縁層５８の上面にも付着（異常析出）しやすい問題が生じる。開口部５８ｘをブラスト処理により形成した場合にはデスミア処理が不要なため、第４絶縁層５８の上面の面粗度を小さく（例えばＲａ１５０ｎｍ以下程度）することが可能となり、このような問題を回避できる。
【０１１５】
又、開口部５８ｘの側壁の面粗度は大きい（例えばＲａ１５０〜６００ｎｍ程度）ため、例えば開口部５８ｘ内に第４配線層５７と電気的に接続するはんだ（はんだボールやはんだバンプ等）を形成した場合に、開口部５８ｘの側壁とはんだとの密着性を高めることができる。
【０１１６】
次いで、図２１に示す工程の後、図２１に示すレジスト層２３を除去し、更に図２１に示す支持体２１を除去することにより、図１７及び図１８に示す配線基板５０が完成する。銅箔から構成されている支持体２１は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１の最表層は金（Ａｕ）膜等であるため、銅箔から構成されている支持体２１のみを選択的にエッチングできる。但し、第４配線層５７が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、開口部５８ｘの底部に露出する凹部５７ｘが支持体２１とともにエッチングされることを防止するため、凹部５７ｘをマスクする必要がある。
【０１１７】
なお、図１９〜図２１では、支持体２１上に１個の配線基板５０を作製する例を示したが、支持体２１上に複数の配線基板５０となる部材を作製し、それを個片化して複数の配線基板５０を得るような工程としても構わない。又、支持体２１を除去する前や除去した後に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。
【０１１８】
このように、第２の実施の形態によれば、半導体チップ搭載側から配線層及び絶縁層を順次積層して配線基板を製造する。そして、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）にガラスクロス等の補強部材を設ける。これにより、補強部材を設けた第４絶縁層の剛性を高めることが可能となり、配線基板の反りを低減できる。
【０１１９】
この際、補強部材を含む第４絶縁層の層厚は他の絶縁層の層厚に比べて厚くなるが、ソルダーレジスト層として機能する第４絶縁層にはビアホールが形成されないため、配線基板の高密度化を阻害する要因にはならない。
【０１２０】
すなわち、第２の実施の形態に係る配線基板は、第４絶縁層にガラスクロス等の補強部材を設けることにより剛性を高め反りを低減できると共に、必要な部分に所謂スタックビア構造を採用して高密度化にも対応できる。なお、ガラスクロス等の補強部材を、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）、又は、その下側に隣接する絶縁層（第３絶縁層）以外の絶縁層に設けても配線基板の反りはある程度は低減できる。しかしながら、配線基板が反った場合に、凹となる側の外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）、又はその下側に隣接する絶縁層（第３絶縁層）にガラスクロス等の補強部材を設けることにより、配線基板を反らす応力に最も効果的に対抗でき、配線基板の反りを低減できる効果が大きくなる。ガラスクロス等の補強部材を、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）、又は、その下側に隣接する絶縁層（第３絶縁層）以外の絶縁層に設けると、補強部材を設けた絶縁層のビアホールに形成されるビア配線の中央部近傍に凹部が形成されるため、その部分では所謂スタックビア構造を採用できず配線層の高密度化に対応できなくなる。
【０１２１】
つまり、配線基板の反りの低減と高密度化を共に実現するためには、ガラスクロス等の補強部材を、外部接続端子側の最上層の絶縁層（第４絶縁層）、又は、その下側に隣接する絶縁層（第３絶縁層）に設けなければならない。
【０１２２】
又、配線基板が高温になり、各絶縁層を構成する絶縁性樹脂のガラス転移温度を超えた場合でも、ガラスクロスの剛性により反りの発生が抑制され、高温環境下における挙動が安定する。
【０１２３】
又、最上層の絶縁層（第４絶縁層）も含めた配線基板を構成する全ての絶縁層の材料として同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用い、全ての絶縁層が同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することにより、全ての絶縁層の熱膨張係数を略同一値に調整することが可能となり、配線基板に生ずる反りを低減できる。更に、全ての絶縁層の熱膨張係数を、配線層の熱膨張係数に近づけることにより、配線基板に生ずる反りを一層低減可能となる。
【０１２４】
又、最上層の絶縁層の開口部をブラスト処理により形成するため、開口部は絶縁層に覆われる配線層側から開口端（絶縁層上面）に向って末広がりとなり、側壁の断面は凹型Ｒ形状となる。そのため、開口部の底部に露出する配線層上面の面積が等しければ、絶縁層上面における開口部の面積は、側壁の断面が配線層上面に対して垂直に近い直線的な形状である従来の配線基板の開口部の面積よりも広くなる。その結果、従来の配線基板と比べて、開口部に所謂ＬＧＡ用ソケットのピンを挿入し易くなり、挿入不良や接触不良の発生を低減できる。
【０１２５】
又、絶縁層の開口部をブラスト処理により形成するため、デスミア処理が不要となりハローイングが発生しない。その結果、開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層とが密着不良の状態になることを防止できる。
【０１２６】
又、最上層の絶縁層の開口部の底部に露出する最上層の配線層にブラスト処理により凹部を形成するため、凹部の底面は開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層との界面とは同一平面内になく一段下がった位置にある。そのため、所謂ＬＧＡ用ソケットのピンから、開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層との界面に直接力が加わり難いため、界面が剥離する虞を低減できる。
【０１２７】
又、所定のマスクを介したブラスト処理により、開口部の側壁のみを粗化できるため、例えば開口部内にはんだ等（はんだボールやはんだバンプ等）を形成した場合に、アンカー効果により開口部の側壁とはんだ等との密着性を高めることができる。又、ブラスト処理時にマスクにより覆われる最上層の絶縁層の上面は粗化されないため、例えば最上層の絶縁層の開口部の底部に露出する配線層上に、無電解めっき法等により金属層等を形成する場合に、最上層の絶縁層の上面（開口部以外の部分）に金属層が付着（異常析出）することを防止できる。
【０１２８】
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図５参照）に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１２９】
図２２は、第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図２２を参照するに、半導体パッケージ７０は、図５に示す配線基板１０と、半導体チップ７１と、バンプ７４と、アンダーフィル樹脂７５とを有する。なお、図２２において、配線基板１０は、図５とは上下を反転して描かれている。
【０１３０】
半導体チップ７１は、本体７２と、電極パッド７３とを有する。本体７２は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。本体７２には、電極パッド７３が形成されている。電極パッド７３は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド７３の材料としては、例えばＡｌ等を用いることができる。
【０１３１】
バンプ７４は、半導体チップ７１の電極パッド７３と、配線基板１０の第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１（第１層１１ａ）とを電気的に接続している。バンプ７４は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂７５は、半導体チップ７１と配線基板１０の一方の面との間に充填されている。
【０１３２】
このように、第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを実現できる。すなわち、反りが少なく高密度化にも対応できる半導体パッケージを実現できる。なお、第２の実施の形態に係る配線基板（図１７参照）を用いても同様の半導体パッケージを実現できることは言うまでもない。
【０１３３】
〈反りのシミュレーション〉
図５において第１絶縁層１２と第２絶縁層１４との間に更に絶縁層と配線層を各５層交互に積層形成した、全部で９層の絶縁層と配線層を有する配線基板（配線基板Ａとする）について、反りのシミュレーションを実行した。又、配線基板Ａにおいて第３絶縁層１６にガラスクロス１９を設けない構成の配線基板（配線基板Ｂとする）について、反りのシミュレーションを行った。
【０１３４】
配線基板Ａ及びＢにおいて、第４絶縁層１８の熱膨張係数のみを６０ｐｐｍ／℃〜６５ｐｐｍ／℃（感光性の絶縁性樹脂を想定）とし、他の８層の絶縁層の熱膨張係数をそれぞれ２０ｐｐｍ／℃〜２５ｐｐｍ／℃（フィラーの含有量を調整した非感光性の絶縁性樹脂を想定）とした。又、配線基板Ａ及びＢの平面形状はそれぞれ４５ｍｍ×４５ｍｍの矩形状とし、配線基板Ａ及びＢの総厚はそれぞれ２７０μｍとした。
【０１３５】
図２３は、配線基板Ａのシミュレーション結果を模式的に示した図である。図２４は、配線基板Ｂのシミュレーション結果を模式的に示した図である。図２３及び図２４に示したように、配線基板Ａ及びＢは何れも半導体チップ搭載面となる第１配線層１１側が凸状に反った形状となった。配線基板全体の反りＴ１及びＴ３、半導体チップ搭載領域の反りＴ２及びＴ４を表１に示す。
【０１３６】
【表１】
0005444136.tif 000002
表１に示すように、第３絶縁層１６にガラスクロス１９を設けた配線基板Ａは、第３絶縁層１６にガラスクロス１９を設けていない配線基板Ｂに比べて、配線基板全体の反り及び半導体チップ搭載領域の反りが大幅に低減されることが確認された。
【０１３７】
すなわち、支持体上に半導体チップ搭載側から配線層及び絶縁層を順次積層して形成されるコアレス基板は、半導体チップ搭載側が凸状となるように反る傾向が顕著であるが、第３絶縁層１６にガラスクロス１９を設けることにより、剛性を高めることが可能となり、配線基板全体の反り及び半導体チップ搭載領域の反りが大幅に低減されることが確認された。
【０１３８】
なお、以上の各実施の形態及びシミュレーションの説明において、『最上層の絶縁層』及び『最上層の配線層』を、それぞれ『最外層の絶縁層』及び『最外層の配線層』と言い換えても良い。すなわち、配線基板における何れか一方の最外層の配線層が最上層の配線層であり、何れか一方の最外層の絶縁層が最上層の絶縁層である。
【０１３９】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１４０】
例えば、各実施の形態では、ビルドアップ工法により支持体の片側に（一方の面に）配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持体を除去してコアレスの配線基板を製造する例を示した。しかし、ビルドアップ工法により支持体の両側に（一方の面及び他方の面に）配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持体を除去してコアレスの配線基板を製造しても構わない。この場合には、支持体の一方の面及び他方の面の何れにも、半導体チップ搭載側から配線層及び絶縁層を順次積層し、最後に支持体を除去する。
【符号の説明】
【０１４１】
１０、５０  配線基板
１１  第１配線層
１１ａ  第１層
１１ｂ  第２層
１２  第１絶縁層
１２ｘ  第１ビアホール
１３  第２配線層
１４  第２絶縁層
１４ｘ  第２ビアホール
１５  第３配線層
１６、５６  第３絶縁層
１６ｘ、５６ｘ  第３ビアホール
１７、５７  第４配線層
１７ｘ、５７ｘ  凹部
１８、５８  第４絶縁層
１８ｘ、２２ｘ、２３ｘ、５８ｘ  開口部
１９  ガラスクロス
１９ａ、１９ｂ  ガラス繊維束
２１  支持体
２２、２３  レジスト層
２７  はんだボール
２８  はんだ
２９  リードピン
７０  半導体パッケージ
７１  半導体チップ
７２  本体
７３  電極パッド
７４  バンプ
７５  アンダーフィル樹脂
【図１】
0005444136.tif 000003
【図２】
0005444136.tif 000004
【図３】
0005444136.tif 000005
【図４】
0005444136.tif 000006
【図５】
0005444136.tif 000007
【図６】
0005444136.tif 000008
【図７】
0005444136.tif 000009
【図８】
0005444136.tif 000010
【図９】
0005444136.tif 000011
【図１０】
0005444136.tif 000012
【図１１】
0005444136.tif 000013
【図１２】
0005444136.tif 000014
【図１３】
0005444136.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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