(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光が照射可能な照射領域に対して基板を走査方向に移動しながら前記基板の複数の露光対象領域を露光光で順次露光する露光装置であって、
前記走査方向における第１位置と第２位置との間において加速状態、前記第２位置の近傍において整定状態、及び前記第２位置と第３位置との間において定速状態で、前記照射領域に対して前記基板を保持して前記走査方向に関して一方側に移動可能な基板ステージと、
前記照射領域に対して前記走査方向に関して他方側であって、少なくとも前記第１位置と前記第２位置との距離を隔てた位置に、複数の前記露光対象領域のうち、最初に露光される第１露光対象領域に隣接する前記基板上のアライメントマークが配置可能な検出領域を有し、前記第１露光対象領域の位置を導出するアライメントシステムと、
を備え、
前記照射領域に対して前記走査方向に関して前記他方側の位置において前記基板ステージに前記基板を載置し、
前記基板を載置してから前記基板ステージを前記走査方向に関して前記一方側に移動させる動作中に前記第１露光対象領域の位置を導出する露光装置。
【請求項２】
前記第１位置は、前記第１露光対象領域が前記照射領域の外側に配置される位置である請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１位置に配置された前記基板ステージに保持されている前記基板上の前記アライメントマークが、前記検出領域に配置される請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２位置、及び第２位置と前記第３位置との間の所定位置の少なくとも一方は、前記露光対象領域の一端が前記照射領域の少なくとも一部に配置される露光開始位置を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１露光対象領域は、前記照射領域に対して前記走査方向に関して一方側に移動しながら露光される請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出領域は、前記走査方向とほぼ直交する第２方向に複数配置される請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記アライメントシステムは、前記検出領域が前記照射領域に対して前記走査方向に関して一方側に配置された第１アライメントシステムと、他方側に配置された第２アライメントシステムとを含む請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
露光光が照射可能な照射領域に対して基板を走査方向に移動しながら前記基板の複数の露光対象領域を露光光で順次露光する露光装置であって、
前記走査方向における第１位置と第２位置との間において加速状態、前記第２位置の近傍において整定状態、及び前記第２位置と第３位置との間において定速状態で、前記照射領域に対して前記基板を保持して前記走査方向に関して一方側に移動可能な基板ステージと、
前記照射領域に対して前記走査方向に関して他方側であって、少なくとも前記第１位置と前記第２位置との距離を隔てた位置に、複数の前記露光対象領域のうち、最初に露光される第１露光対象領域に隣接する前記基板上のアライメントマークが配置可能な検出領域を有し、前記第１露光対象領域の位置を導出するアライメントシステムと、
を備え、
前記アライメントシステムは、前記検出領域が前記照射領域に対して前記走査方向に関して一方側に配置された第１アライメントシステムと、他方側に配置された第２アライメントシステムとを含み、
前記第１アライメントシステムの検出領域と前記第２アライメントシステムの検出領域とは、前記走査方向とほぼ直交する第２方向に複数配置され、
前記第１アライメントシステムの前記複数の検出領域のうちの１つと、前記第２アライメントシステムの前記複数の検出領域のうちの１つとは、前記第２方向に関して同じ位置にある露光装置。
【請求項９】
前記基板上の所定のアライメントマークを前記第１アライメントシステムが検出した結果と、前記所定のアライメントマークを前記第２アライメントシステムが検出した結果とに基づいて、前記第１アライメントシステムの検出領域と前記第２アライメントシステムの検出領域との位置関係を導出する処理装置を備える請求項７または８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記基板ステージ上の基準マークを前記第１アライメントシステムが検出した結果と、前記基準マークを前記第２アライメントシステムが検出した結果とに基づいて、前記第１アライメントシステムの検出領域と前記第２アライメントシステムの検出領域との位置関係を導出する処理装置を備える請求項７または８記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１，第２アライメントシステムのそれぞれは、前記走査方向とほぼ直交する第２方向に複数の検出領域を有し、
前記第２アライメントシステムの検出領域の数は、前記第１アライメントシステムの検出領域の数より少ない請求項７〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２方向に関する前記第１アライメントシステムの両端の検出領域の距離と、前記第２アライメントシステムの両端の検出領域の距離とはほぼ同じである請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２方向に関する前記第１アライメントシステムの両端の検出領域の位置と、前記第２アライメントシステムの両端の検出領域の位置とはほぼ同じである請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２方向に関する前記第１アライメントシステムの両端の検出領域の位置と、前記第２アライメントシステムの両端の検出領域の位置とは異なる請求項１２記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第１アライメントシステムと前記第２アライメントシステムとは、それぞれの両端の検出領域を用いて、前記基板上の同一のアライメントマークを検出する請求項１２〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光をすることと、
前記基板の露光によって露光された前記感光剤を現像して露光パターン層を形成することと、
前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラットパネルディスプレイ等の電子デバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。下記特許文献に開示されているように、露光装置は、基板の位置を導出可能なアライメントシステムを備え、そのアライメントシステムを用いるアライメント処理を実行して、基板を露光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３４７１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光装置において、アライメント処理に要する時間が長くなると、スループットが低下して、デバイスの生産性が低下する可能性がある。【０００５】
本発明の態様は、スループットの低下を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、生産性の低下を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、露光光が照射可能な照射領域に対して基板を走査方向に移動しながら前記基板の複数の露光対象領域を露光光で順次露光する露光装置であって、前記走査方向における第１位置と第２位置との間において加速状態、前記第２位置の近傍において整定状態、及び前記第２位置と第３位置との間において定速状態で、前記照射領域に対して前記基板を保持して前記走査方向に関して一方側に移動可能な基板ステージと、前記照射領域に対して前記走査方向に関して他方側であって、少なくとも前記第１位置と前記第２位置との距離を隔てた位置に、複数の前記露光対象領域のうち、最初に露光される第１露光対象領域に隣接する前記基板上のアライメントマークが配置可能な検出領域を有し、前記第１露光対象領域の位置を導出するアライメントシステムと、を備える露光装置が提供される。【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光をすることと、前記基板の露光によって露光された前記感光剤を現像して露光パターン層を形成することと、前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、露光光が照射可能な照射領域に対して基板を走査方向に移動しながら前記基板の複数の露光対象領域を露光光で順次露光する露光方法であって、前記照射領域に前記露光光を照射しながら、複数の前記露光対象領域を順次露光する第１露光処理を実行することと、アライメントシステムの検出領域に、前記第１露光処理が実行された前記基板上のアライメントマークを配置して、前記露光対象領域の位置を導出するアライメント処理を実行することと、前記照射領域に前記露光光を照射しながら、前記第１露光処理及び前記アライメント処理が実行された前記基板上の複数の前記露光対象領域を順次露光する第２露光処理を実行することと、を含み、複数の前記露光対象領域のうち、前記第１露光処理において最初に露光される第１露光対象領域を露光するときの前記走査方向に関する移動方向と、前記第２露光処理において最初に露光される第１露光対象領域を露光するときの前記走査方向に関する移動方向とが、同じである露光方法が提供される。【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光をすることと、前記基板の露光によって露光された前記感光剤を現像して露光パターン層を形成することと、前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、スループットの低下を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る投影システム及び基板ステージの一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る投影領域と、検出領域と、基板との位置関係の一例を示す模式図である。
【図５】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図６】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図９】第１実施形態に係る投影領域と検出領域との関係を説明するための模式図である。
【図１０】第２実施形態に係る投影領域と、検出領域と、基板との位置関係の一例を示す模式図である。
【図１１】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図１２】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図１３】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る投影領域と、検出領域と、基板との位置関係の一例を示す模式図である。
【図１５】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図１６】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図１７】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図、図２は、斜視図である。図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する駆動システム３と、基板ステージ２を移動する駆動システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。
【００１４】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光剤）とを含む。本実施形態において、基板Ｐは、マザーガラスと呼ばれる大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズは、例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約３０００ｍｍの矩形のガラスプレートを用いる。
【００１５】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測する干渉計システム６と、マスクＭの表面（下面、パターン形成面）の位置を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの表面（露光面、感光面）の位置を検出する第２検出システム８と、基板Ｐ上のアライメントマークを検出するアライメントシステム９とを備えている。
【００１６】
また、露光装置ＥＸは、ボディ１３を備えている。ボディ１３は、例えばクリーンルーム内の支持面（例えば床面）ＦＬ上に防振台ＢＬを介して配置されたベースプレート１０と、ベースプレート１０上に配置された第１コラム１１と、第１コラム１１上に配置された第２コラム１２とを有する。本実施形態において、ボディ１３は、投影システムＰＳ、マスクステージ１、及び基板ステージ２のそれぞれを支持する。本実施形態において、投影システムＰＳは、定盤１４を介して、第１コラム１１に支持される。マスクステージ１は、第２コラム１２に対して移動可能に支持される。基板ステージ２は、ベースプレート１０に対して移動可能に支持される。
【００１７】
本実施形態において、投影システムＰＳは、複数の投影光学系を有する。照明システムＩＳは、複数の投影光学系に対応する複数の照明モジュールを有する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。
【００１８】
本実施形態において、投影システムＰＳは、７つの投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７を有し、照明システムＬＳは、７つの照明モジュールＩＬ１〜ＩＬ７を有する。なお、投影光学系及び照明モジュールの数は７つに限定されず、例えば投影システムＰＳが、投影光学系を１１個有し、照明システムＩＳが、照明モジュールを１１個有してもよい。
【００１９】
照明システムＩＳは、所定の照明領域に露光光ＥＬを照射可能である。照明領域は、各照明モジュールＩＬ１〜ＩＬ７から射出される露光光ＥＬが照射可能な照射領域である。本実施形態において、照明システムＩＳは、異なる７つの照明領域のそれぞれを露光光ＥＬで照明する。照明システムＩＳは、マスクＭのうち照明領域に配置された部分を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、水銀ランプ１７から射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。
【００２０】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域に対して移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。駆動システム３は、例えばリニアモータを含み、第２コラム１２のガイド面１２Ｇ上においてマスクステージ１を移動可能である。本実施形態において、マスクステージ１は、駆動システム３の作動により、マスクＭを保持した状態で、ガイド面１２Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２１】
投影システムＰＳは、所定の投影領域に露光光ＥＬを照射可能である。投影領域は、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７から射出される露光光ＥＬが照射可能な照射領域である。本実施形態において、投影システムＰＳは、異なる７つの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれにパターンの像を投影する。投影光学システムＰＳは、基板Ｐのうち投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に配置された部分に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。
【００２２】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。駆動システム４は、例えばリニアモータを含み、ベースプレート１０のガイド面１０Ｇ上において基板ステージ２を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、駆動システム４の作動により、基板Ｐを保持した状態で、ガイド面１０Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２３】
基板Ｐの露光時、制御装置５は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、露光光ＥＬの光路と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＸ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＸ軸方向とする。制御装置５は、投影システムＰＳの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して基板ＰをＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、照明システムＩＳの照明領域に対してマスクＭをＸ軸方向に移動しながら、投影システムＰＳを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００２４】
図３は、本実施形態に係る投影システムＰＳ、第１検出システム７、第２検出システム８、アライメントシステム９、及び投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に配置された基板ステージ２の一例を示す図である。
【００２５】
図２及び図３に示すように、基板ステージ２の上面には、基準部材４３が配置されている。基準部材４３の上面４４は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面とほぼ同一平面内に配置される。また、基準部材４３の上面４４に、露光光ＥＬを透過可能な透過部４５が配置されている。基準部材４３の下方には、透過部４５を透過した光を受光可能な受光装置４６が配置されている。受光装置４６は、透過部４５を介した光が入射するレンズ系４７と、レンズ系４７を介した光を受光する光センサ４８とを有する。本実施形態において、光センサ４８は、撮像素子（ＣＣＤ）を含む。光センサ４８は、受光した光に応じた信号を制御装置５に出力する。
【００２６】
本実施形態において、透過部４５は、基準マークとして機能する。なお、基準部材４３の上面４４に、透過部４５に対して所定位置に配置されたマークを設け、そのマークを基準マークとして用いてもよい。
【００２７】
次に、干渉計システム６、第１，第２検出システム７，８、及びアライメントシステム９について説明する。図１及び図２において、干渉計システム６は、マスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット６Ａと、基板ステージ２の位置を計測するレーザ干渉計ユニット６Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット６Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いて、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット６Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラーを用いて、基板ステージ２の位置を計測可能である。本実施形態において、干渉計システム６は、レーザ干渉計ユニット６Ａ，６Ｂを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＸ方向に関するマスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置情報を計測可能である。
【００２８】
第１検出システム７は、マスクＭの下面（パターン形成面）のＺ軸方向の位置を検出する。第１検出システム７は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムである。第２検出システム８は、基板Ｐの表面（露光面）のＺ軸方向の位置を検出する。第２検出システム８は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムである。
【００２９】
アライメントシステム９は、基板Ｐ上に設けられているアライメントマークを検出する。本実施形態において、アライメントシステム９は、投影システムＰＳに対してＸ軸方向（走査方向）に関して−Ｘ側に配置された第１アライメントシステム９１と、＋Ｘ側に配置された第２アライメントシステム９２とを有する。
【００３０】
第１，第２アライメントシステム９１，９２は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムである。図３に示すように、第１アライメントシステム９１は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の検出器９１Ａ〜９１Ｆと、それら検出器９１Ａ〜９１Ｆに対応し、Ｙ軸方向に配置される複数の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６とを有する。第２アライメントシステム９２は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の検出器９２Ａ，９２Ｂと、それら検出器９２Ａ，９２Ｂに対応し、Ｙ軸方向に配置される複数の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２とを有する。
【００３１】
検出器９１Ａ〜９１Ｆ、９２Ａ，９２Ｂのそれぞれは、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６、ＳＢ１，ＳＢ２に検出光を照射する投射部と、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６、ＳＢ１，ＳＢ２に配置されたアライメントマークの光学像を取得可能な受光部とを有する。複数の検出器９１Ａ〜９１Ｆ、９２Ａ，９２Ｂのそれぞれは、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６、ＳＢ１，ＳＢ２に配置された基板Ｐ上のアライメントマークを検出可能である。
【００３２】
図４は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６、ＳＢ１，ＳＢ２と、基板Ｐとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Ｐの表面を含む平面内の位置関係を示している。図４に示すように、本実施形態おいて、基板Ｐの表面は、マスクＭのパターンの像が投影される複数の露光領域（露光対象領域）ＰＡ１〜ＰＡ４を有する。本実施形態において、基板Ｐの表面は、４つの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を有する。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域ＰＡ３、ＰＡ４が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域ＰＡ１は、露光領域ＰＡ２に対して−Ｙ側に配置されている。露光領域ＰＡ３は、露光領域ＰＡ４に対して＋Ｙ側に配置されている。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２は、露光領域ＰＡ３、ＰＡ４に対して＋Ｘ側に配置されている。
【００３３】
本実施形態において、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれは、ＸＹ平面内において台形である。本実施形態において、投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７による投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６による投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６に対して−Ｘ側に配置されている。また、Ｙ軸方向に関して、投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の間に、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が配置される。
【００３４】
本実施形態において、複数の投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの投影領域ＰＲ１と投影領域ＰＲ７との間隔は、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの露光領域ＰＡ１（ＰＡ４）の−Ｙ側のエッジと露光領域ＰＡ２（ＰＡ３）の＋Ｙ側のエッジとの間隔より小さい。また、Ｙ軸方向に関して外側２つの投影領域ＰＲ１と投影領域ＰＲ７との間隔は、露光領域ＰＡ１の−Ｙ側のエッジと＋Ｙ側のエッジとの間隔とほぼ同じ、あるいはその間隔より僅かに大きい。なお、本実施形態において、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの大きさ及び形状は、ほぼ同じである。
【００３５】
本実施形態において、第１アライメントシステム９１の検出器９１Ａ〜９１Ｆによる複数の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６は、Ｙ軸方向に所定間隔で離れて配置される。第２アライメントシステム９２の検出器９２Ａ，９２Ｂによる複数の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２は、Ｙ軸方向に所定間隔で離れて配置される。本実施形態において、第１アライメントシステム９１は、６つの検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６を有し、第２アライメントシステム９２は、２つの検出領域ＳＢ１，ＳＢ２を有する。本実施形態においては、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２の数は、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６の数より少ない。
【００３６】
本実施形態において、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対してＸ軸方向（走査方向）に関して−Ｘ側に配置されている。検出領域ＳＢ１，ＳＢ２は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対してＸ軸方向（走査方向）に関して＋Ｘ側に配置されている。
【００３７】
複数の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの検出領域ＳＡ１と検出領域ＳＡ６との間隔は、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの露光領域ＰＡ１（ＰＡ４）の−Ｙ側のエッジと露光領域ＰＡ２（ＰＡ３）の＋Ｙ側のエッジとの間隔とほぼ等しい。複数の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの検出領域ＳＢ１と検出領域ＳＢ２との間隔は、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの露光領域ＰＡ１（ＰＡ４）の−Ｙ側のエッジと露光領域ＰＡ２（ＰＡ３）の＋Ｙ側のエッジとの間隔とほぼ等しい。
【００３８】
すなわち、本実施形態においては、Ｙ軸方向に関する第１アライメントシステム９１の両端の検出領域ＳＡ１と検出領域ＳＡ６との距離と、第２アライメントシステム９２の両端の検出領域ＳＢ１と検出領域ＳＢ２との距離とは、ほぼ同じである。
【００３９】
また、本実施形態においては、Ｙ軸方向に関する第１アライメントシステム９１の両端の検出領域ＳＡ１，ＳＡ６の位置と、第２アライメントシステム９２の両端の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２の位置とは、ほぼ同じである。
【００４０】
第１，第２アライメントシステム９１，９２は、基板Ｐに設けられている複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出可能である。本実施形態において、基板Ｐ上にはＹ軸方向に離れて６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置され、それらアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループが、Ｘ軸方向に離れた４箇所に配置される。アライメントマークｍ１，ｍ２，ｍ３は、露光領域ＰＡ１，ＰＡ４の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークｍ４，ｍ５，ｍ６は、露光領域ＰＡ２，ＰＡ３の各両端部に隣接して設けられる。
【００４１】
以下の説明において、Ｘ軸方向に離れた４箇所に配置されるアライメントマークｍ１〜ｍ６の４つのグループのうち、基板Ｐの−Ｘ側のエッジに最も近いアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループを適宜、第１グループＧ１、と称し、第１グループＧ１に次いで基板Ｐの−Ｘ側のエッジに近いアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループを適宜、第２グループＧ２、と称し、第２グループＧ２に次いで基板Ｐの−Ｘ側のエッジに近いアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループを適宜、第３グループＧ３、と称し、基板Ｐの＋Ｘ側のエッジに最も近いアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループを適宜、第４グループＧ４、と称する。
【００４２】
本実施形態においては、基板Ｐ上においてＹ軸方向に離れて配置された６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６に対応して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６（検出器９１Ａ〜９１Ｆ）が配置されている。検出器９１Ａ〜９１Ｆは、アライメントマークｍ１〜ｍ６が検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６に同時に配置されるように設けられている。第１アライメントシステム９１は、検出器９１Ａ〜９１Ｆを用いて、６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能である。
【００４３】
また、基板Ｐ上においてＹ軸方向に離れて配置された２つのアライメントマークｍ１，ｍ６に対応して、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２（検出器９２Ａ，９２Ｂ）が配置されている。検出器９２Ａ，９２Ｂは、アライメントマークｍ１，ｍ６が検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に同時に配置されるように設けられている。第２アライメントシステム９２は、検出器９２Ａ，９２Ｂを用いて、複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つ（両端）のアライメントマークｍ１，ｍ６を同時に検出可能である。
【００４４】
次に、本実施形態に係る、基板Ｐの露光時における露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
【００４５】
本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置ＥＸの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。
【００４６】
露光レシピは、制御装置５に予め記憶されている。少なくとも基板Ｐの露光時（マスクＭ及び基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射動作時）における露光装置ＥＸの動作条件は、露光レシピによって予め決定されている。制御装置５は、露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。
【００４７】
露光レシピは、基板Ｐの露光時におけるマスクステージ１及び基板ステージ２の移動条件を含む。基板Ｐの露光時、制御装置５は、露光レシピに基づいて、マスクステージ１及び基板ステージ２を移動する。本実施形態の露光装置ＥＸは、マルチレンズ型スキャン露光装置であり、基板Ｐの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内のＸ軸方向に移動される。制御装置５は、露光レシピに基づいて、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に同期移動しながらマスクＭに露光光ＥＬを照射して、そのマスクＭを介して基板Ｐの表面の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のそれぞれに露光光ＥＬを照射して、それら露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を露光する。基板Ｐの露光時においては、制御装置５は、露光レシピに基づいて、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して基板ＰをＸ軸方向（走査方向）に移動しながら、基板Ｐの複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光する。
【００４８】
本実施形態において、基板Ｐ上に設けられた複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４に対する露光処理は、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して基板Ｐの表面（ＸＹ平面）に沿ってＸ軸方向に移動させながら実行される。
【００４９】
例えば基板Ｐの露光領域ＰＡ１を露光する場合、制御装置５は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して基板Ｐの露光領域ＰＲ１をＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、照明領域に対してマスクＭをＸ軸方向に移動しながら、照明領域に露光光ＥＬを照射して、マスクＭからの露光光ＥＬを投影システムＰＳを介して投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に照射する。これにより、基板Ｐの露光領域ＰＡ１は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に照射された露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの露光領域ＰＡ１に投影される。
【００５０】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について、図５のフローチャート、及び図６，図７，図８の模式図を参照しながら説明する。
【００５１】
図５に示すように、本実施形態においては、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、基板Ｐ上の複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光して、その基板Ｐ上に第１パターン層（ファーストレイヤ）を形成するための第１露光処理を実行する工程（ステップＳＰ１）と、アライメントシステム９を用いて、第１露光処理が実行された基板Ｐ上のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出して、第１露光処理で形成された第１パターン層をそれぞれ有する露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置を導出するアライメント処理を実行する工程（ステップＳＰ２）と、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、第１露光処理及びアライメント処理が実行された基板Ｐ上の複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光して、その基板Ｐ上（第１パターン層上）に第２パターン層（セカンドレイヤ）を形成するための第２露光処理を実行する工程（ステップＳＰ３）とが実行される。
【００５２】
なお、本実施形態においては、簡単のため、基板Ｐ上に第１，第２パターン層が形成される場合を例にして説明するが、第２パターン層上に、第３、第４、…、第ｎパターン層等、任意の複数のパターン層を形成することができる。例えば、薄膜トランジスタを製造する場合、メタル層、透明電極層等、５層程度のレイヤ（パターン層）が基板Ｐ上に形成される。
【００５３】
また、以下の説明においては、露光領域ＰＡ１を適宜、第１露光領域ＰＡ１、と称し、露光領域ＰＡ２を適宜、第２露光領域ＰＡ２、と称し、露光領域ＰＡ３を適宜、第３露光領域ＰＡ３、と称し、露光領域ＰＡ４を適宜、第４露光領域ＰＡ４、と称する。
【００５４】
まず、第１露光処理について、図６を参照して説明する。
【００５５】
制御装置５は、基板Ｐを基板ステージ２に搬入（ロード）する。基板Ｐには、感光剤が塗布されている。マスクステージ１には、基板Ｐ上に形成される第１パターン層に応じたパターンを有するマスクＭが搬入（ロード）され、保持されている。
【００５６】
基板ステージ２に保持された直後において、図６（Ａ）に示すように、基板Ｐは、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７及び検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６，ＳＢ１，ＳＢ２に対して、所定の位置に配置される。以下の説明において、図６（Ａ）に示す基板Ｐの位置を適宜、初期位置、と称する。
【００５７】
マスクＭがマスクステージ１に保持された後、露光レシピに基づいて、ベースライン計測処理が実行される。ベースライン計測処理は、投影システムＰＳによるマスクＭのパターン像の位置（投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置）とアライメントシステム９の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６，ＳＢ１，ＳＢ２との位置関係（ベースライン量）を計測する処理である。
【００５８】
ベースライン計測処理は、干渉計システム６で基板ステージ２の位置を計測しつつ、マスクＭに配置されたアライメントマーク（不図示）の像を投影システムＰＳ及び透過部４５を介して受光装置４６で受光する処理と、干渉計システム６で基板ステージ２の位置を計測しつつ、アライメントシステム９で透過部４５（基準マーク）を検出する処理とを含む。これにより、干渉計システム６によって規定される座標系（ＸＹ平面内の座標系）における投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置と、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６，ＳＢ１，ＳＢ２の位置とが検出され、制御装置５は、ベースライン量を導出することができる。
【００５９】
本実施形態においては、第１露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、最初に第１露光領域ＰＡ１から露光され、次いで第２露光領域ＰＡ２が露光され、次いで第３露光領域ＰＡ３が露光され、最後に第４露光領域ＰＡ４が露光される。
【００６０】
第１露光処理は、第１パターン層を形成するための露光処理であり、基板Ｐ上にはアライメントマーク（ｍ１〜ｍ６）は設けられていない。第１露光処理を実行するに際し、アライメントシステム９を用いる基板Ｐの位置を検出する処理は実行されない。
【００６１】
制御装置５は、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の露光を開始する。まず、制御装置５は、第１露光領域ＰＡ１の露光を開始するために、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御して、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されるように、基板Ｐを初期位置から第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置に移動する。なお、基板Ｐが第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置に移動する少なくとも直前において、第１露光領域ＰＡ１は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される。
【００６２】
図６（Ｂ）は、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されている状態を示す。第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置は、第１露光領域ＰＡ１の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、図６（Ｂ）に示すように、第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置は、第１露光領域ＰＡ１の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される位置である。
【００６３】
制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第１露光領域ＰＡ１を−Ｘ方向に移動する。これにより、第１露光領域ＰＡ１が露光される。
【００６４】
制御装置５は、少なくとも第１露光領域ＰＡ１が露光終了位置に配置されるまで、基板Ｐを−Ｘ方向に移動する。第１露光領域ＰＡ１の露光終了位置は、第１露光領域ＰＡ１の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、第１露光領域ＰＡ１の露光終了位置は、第１露光領域ＰＡ１の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の−Ｘ側の端に配置される位置である。
【００６５】
以上により、第１露光領域ＰＡ１の露光が終了する。第１露光領域ＰＡ１に対する露光光ＥＬの照射中、基板Ｐを保持した基板ステージ２は、−Ｘ方向にほぼ一定の速度（定速）で移動する。
【００６６】
次に、制御装置５は、第２露光領域ＰＡ２の露光を開始するために、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御して、第２露光領域ＰＡ２が露光開始位置に配置されるように、基板Ｐを第１露光領域ＰＡ１の露光終了位置から第２露光領域ＰＡ２の露光開始位置に移動する。なお、基板Ｐが第２露光領域ＰＡ２の露光開始位置に移動する少なくとも直前において、第２露光領域ＰＡ２は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される。
【００６７】
図６（Ｃ）は、第２露光領域ＰＡ２が露光開始位置に配置されている状態を示す。第２露光領域ＰＡ２の露光開始位置は、第２露光領域ＰＡ２の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、図６（Ｃ）に示すように、第２露光領域ＰＡ２の露光開始位置は、第２露光領域ＰＡ２の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の−Ｘ側の端に配置される位置である。
【００６８】
制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第２露光領域ＰＡ２を＋Ｘ方向に移動する。これにより、第２露光領域ＰＡ２が露光される。
【００６９】
制御装置５は、少なくとも第２露光領域ＰＡ２が露光終了位置に配置されるまで、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動する。第２露光領域ＰＡ２の露光終了位置は、第２露光領域ＰＡ２の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、第２露光領域ＰＡ２の露光終了位置は、第２露光領域ＰＡ２の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される位置である。
【００７０】
以上により、第２露光領域ＰＡ２の露光が終了する。第２露光領域ＰＡ２に対する露光光ＥＬの照射中、基板Ｐを保持した基板ステージ２は、＋Ｘ方向にほぼ一定の速度（定速）で移動する。
【００７１】
次に、制御装置５は、第３露光領域ＰＡ３の露光を開始するために、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御して、第３露光領域ＰＡ３が露光開始位置に配置されるように、基板Ｐを第２露光領域ＰＡ２の露光終了位置から第３露光領域ＰＡ３の露光開始位置に移動する。なお、基板Ｐが第３露光領域ＰＡ３の露光開始位置に移動する少なくとも直前において、第３露光領域ＰＡ３は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される。
【００７２】
図６（Ｄ）は、第３露光領域ＰＡ３が露光開始位置に配置されている状態を示す。第３露光領域ＰＡ３の露光開始位置は、第３露光領域ＰＡ３の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、図６（Ｄ）に示すように、第３露光領域ＰＡ３の露光開始位置は、第３露光領域ＰＡ３の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される位置である。
【００７３】
制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第３露光領域ＰＡ３を−Ｘ方向に移動する。これにより、第３露光領域ＰＡ３が露光される。
【００７４】
制御装置５は、少なくとも第３露光領域ＰＡ３が露光終了位置に配置されるまで、基板Ｐを−Ｘ方向に移動する。第３露光領域ＰＡ３の露光終了位置は、第３露光領域ＰＡ３の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、第３露光領域ＰＡ３の露光終了位置は、第３露光領域ＰＡ３の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の−Ｘ側の端に配置される位置である。
【００７５】
以上により、第３露光領域ＰＡ３の露光が終了する。第３露光領域ＰＡ３に対する露光光ＥＬの照射中、基板Ｐを保持した基板ステージ２は、−Ｘ方向にほぼ一定の速度（定速）で移動する。
【００７６】
次に、制御装置５は、第４露光領域ＰＡ４の露光を開始するために、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御して、第４露光領域ＰＡ４が露光開始位置に配置されるように、基板Ｐを第３露光領域ＰＡ３の露光終了位置から第４露光領域ＰＡ４の露光開始位置に移動する。なお、基板Ｐが第４露光領域ＰＡ４の露光開始位置に移動する少なくとも直前において、第４露光領域ＰＡ４は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される。
【００７７】
図６（Ｅ）は、第４露光領域ＰＡ４が露光開始位置に配置されている状態を示す。第４露光領域ＰＡ４の露光開始位置は、第４露光領域ＰＡ４の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、図６（Ｅ）に示すように、第４露光領域ＰＡ４の露光開始位置は、第４露光領域ＰＡ４の＋Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の−Ｘ側の端に配置される位置である。
【００７８】
制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第４露光領域ＰＡ４を＋Ｘ方向に移動する。これにより、第４露光領域ＰＡ４が露光される。
【００７９】
制御装置５は、少なくとも第４露光領域ＰＡ４が露光終了位置に配置されるまで、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動する。第４露光領域ＰＡ４の露光終了位置は、第４露光領域ＰＡ４の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の少なくとも一部に配置される位置を含む。本実施形態においては、第４露光領域ＰＡ４の露光終了位置は、図６（Ｆ）に示すように、第４露光領域ＰＡ４の−Ｘ側の端が、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される位置である。
【００８０】
以上により、第４露光領域ＰＡ４の露光が終了する。第４露光領域ＰＡ４に対する露光光ＥＬの照射中、基板Ｐを保持した基板ステージ２は、＋Ｘ方向にほぼ一定の速度（定速）で移動する。
【００８１】
以上により、第１露光処理が終了する。第１露光処理が終了した後、基板Ｐが基板ステージ２より搬出（アンロード）される。基板ステージ２からアンロードされた基板Ｐは、現像処理、エッチング処理等を含む各種のプロセス処理を施される。これにより、基板Ｐ上に第１パターン層が形成される。また、第１露光処理及びその後のプロセス処理が実行されることによって、基板Ｐ上に、アライメントマークｍ１〜ｍ６が形成される。
【００８２】
その後、第１パターン層及びアライメントマークｍ１〜ｍ６が形成された基板Ｐに対して、第２露光処理を実行するために、感光剤が塗布される。
【００８３】
次に、アライメント処理について、図７を参照して説明する。
【００８４】
本実施形態においては、２つのアライメントモードが用意されている。露光レシピは、第１アライメントモードと、第２アライメントモードとを有する。制御装置５は、基板Ｐの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を露光するに際し、第１アライメントモード及び第２アライメントモードの少なくとも一方を選択して、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置を導出するアライメント処理を実行する。
【００８５】
第１アライメントモードは、基板Ｐの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のそれぞれに隣接する複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６を全て検出して、基板Ｐの位置及び基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置を導出するモードである。すなわち、第１アライメントモードでは、制御装置５は、第１〜第４グループＧ１〜Ｇ４の全てのアライメントマークｍ１〜ｍ４を、アライメントシステム９を用いて検出する。
【００８６】
第２アライメントモードは、第１アライメントモードに基づくアライメント処理の結果を利用するモードである。第２アライメントモードは、基板Ｐ上の複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、所定のアライメントマークを検出して、その所定のアライメントマークの検出結果と、第１アライメントモードの導出結果とに基づいて、基板Ｐの位置及び基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置を導出するモードである。第２アライメントモードでは、制御装置５は、基板Ｐ上の複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、一部のアライメントマークを、アライメントシステム９を用いて検出する。
【００８７】
以下、第１アライメントモードに基づくアライメント処理について説明する。第２アライメントモードについては後述する。
【００８８】
制御装置５は、第１パターン層及びアライメントマークｍ１〜ｍ６を有する基板Ｐを基板ステージ２に搬入（ロード）する。基板Ｐには、感光剤が塗布されている。基板ステージ２に保持された直後において、基板Ｐは、初期位置に配置される。マスクステージ１には、基板Ｐ上に形成される第２パターン層に応じたパターンを有するマスクＭが搬入（ロード）され、保持されている。
【００８９】
制御装置５は、アライメントシステム９を用いて、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４に対応したアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出して、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置を導出する。
【００９０】
まず、図７（Ａ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６に、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第１アライメントシステム９１は、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置を導出することができる。
【００９１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第２アライメントシステム９２は、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６の位置を導出することができる。
【００９２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６に、第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第１アライメントシステム９１は、第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置を導出することができる。
【００９３】
次に、図７（Ｄ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６に、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第１アライメントシステム９１は、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置を導出することができる。
【００９４】
次に、図７（Ｅ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６に、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第１アライメントシステム９１は、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置を導出することができる。
【００９５】
本実施形態においては、図７（Ｂ）及び図７（Ｄ）を参照して説明したように、第１アライメントシステム９１と第２アライメントシステム９２とは、それぞれの両端の検出領域（ＳＡ１，ＳＡ６）、（ＳＢ１，ＳＢ２）を用いて、基板Ｐ上の同一のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。
【００９６】
上述のベースライン計測処理によって、干渉計システム６によって規定される座標系における第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６の位置は、既知である。したがって、制御装置５は、干渉計システム６によって基板ステージ２の位置を計測しつつ、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１，ＳＡ６にアライメントマークｍ１，ｍ６を配置するとともに、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に、検出領域ＳＡ１，ＳＡ６に配置されたアライメントマークｍ１，ｍ６と同一のアライメントマークｍ１，ｍ６を配置することによって、干渉計システム６によって規定される座標系における第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２の位置を求めることができる。また、制御装置５は、基板Ｐ上のアライメントマークｍ１，ｍ６を第１アライメントシステム９１が検出した結果と、基板Ｐ上のアライメントマークｍ１，ｍ６を第２アライメントシステム９２が検出した結果とに基づいて、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６と、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２との位置関係を導出することができる。
【００９７】
なお、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６と、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２との位置関係を導出する際、基板Ｐ上のアライメントマークを使用せずに、基板ステージ２上の基準マーク（透過部４５）を用いてもよい。制御装置５は、干渉計システム６によって基板ステージ２の位置を計測しつつ、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１，ＳＡ６に基準マーク（透過部４５）を配置するとともに、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に、検出領域ＳＡ１，ＳＡ６に配置された基準マークと同一の基準マークを配置することによって、干渉計システム６によって規定される座標系における第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２の位置を求めることができる。制御装置５は、その基板ステージ２上の基準マークを第１アライメントシステム９１で検出した結果と、基板ステージ２上の基準マークを第２アライメントシステム９２で検出した結果とに基づいて、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６と、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２との位置関係を導出することができる。
【００９８】
なお、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６と、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２との位置関係を導出する際、第１アライメントシステム９１が検出するマーク（アライメントマーク、基準マーク）と、第２アライメントシステム９２が検出するマーク（アライメントマーク、基準マーク）とが異なってもよい。
【００９９】
以上により、制御装置５は、アライメントシステム９を用いて、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のそれぞれに対応して設けられたアライメントマークｍ１〜ｍ６の全てを検出する。
【０１００】
本実施形態において、第１露光領域ＰＡ１に対応するアライメントマークは、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ３、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ３である。第２露光領域ＰＡ２に対応するアライメントマークは、第３グループＧ３のアライメントマークｍ４〜ｍ６、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ４〜ｍ６である。第３露光領域ＰＡ３に対応するアライメントマークは、第１グループＧ１のアライメントマークｍ４〜ｍ６、及び第２グループＧ２のアライメントマークｍ４〜ｍ６である。第４露光領域ＰＡ４に対応するアライメントマークは、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ３、及び第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ３である。
【０１０１】
制御装置５は、第１アライメントシステム９１を用いて検出した第１〜第４グループＧ１〜Ｇ４それぞれのアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置、及び第２アライメントシステム９２を用いて検出した第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６の位置に基づいて、干渉計システム６によって規定される座標系における基板Ｐの位置、及び複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置を導出することができる。
【０１０２】
次に、第２露光処理について、図７を参照して説明する。
【０１０３】
アライメント処理の実行により露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置が導出された後、制御装置５は、基板Ｐ上に第２パターン層を形成するための第２露光処理を開始する。
【０１０４】
本実施形態においては、第２露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、最初に第１露光領域ＰＡ１から露光され、次いで第２露光領域ＰＡ２が露光され、次いで第３露光領域ＰＡ３が露光され、最後に第４露光領域ＰＡ４が露光される。
【０１０５】
制御装置５は、第１露光領域ＰＡ１の露光を開始するために、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御して、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されるように、第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置に移動する。なお、基板Ｐが第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置に移動する少なくとも直前において、第１露光領域ＰＡ１は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される。
【０１０６】
図７（Ｆ）は、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第１露光領域ＰＡ１を−Ｘ方向に移動する。これにより、第１露光領域ＰＡ１が露光される。制御装置５は、少なくとも第１露光領域ＰＡ１が露光終了位置に配置されるまで、基板Ｐを−Ｘ方向に移動する。以上により、第１露光領域ＰＡ１の露光が終了する。
【０１０７】
このように、本実施形態においては、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、第１露光処理において最初に露光される第１露光領域ＰＡ１を露光するときのＸ軸方向に関する基板Ｐの移動方向と、第２露光処理において最初に露光される第１露光領域ＰＡ１を露光するときのＸ軸方向に関する基板Ｐの移動方向とは、同じ方向（−Ｘ方向）である。
【０１０８】
本実施形態においては、第２露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を露光する順序、及び各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を露光するときの基板Ｐの移動方向、露光開始位置、及び露光終了位置は、第１露光処理とほぼ同じである。すなわち、第２露光処理において、制御装置５は、図６を参照して説明した基板Ｐの軌道軌跡（移動経路）と同じ移動軌跡（移動経路）で基板Ｐを移動しながら、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光する。
【０１０９】
このように、本実施形態においては、第１露光処理において複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光するときの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板Ｐの移動軌跡（移動経路）と、第２露光処理において複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光するときの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板Ｐの移動軌跡（移動経路）とが、ほぼ同じである。第２露光処理において露光領域ＰＡ２〜ＰＡ４を露光する手順の説明は省略する。
【０１１０】
以上、基板Ｐ上に第１パターン層を形成する第１露光処理と、その第１パターン層上に第２パターン層を形成するに際し実行されるアライメント処理と、基板Ｐ上に第２パターン層を形成する第２露光処理とについて説明した。
【０１１１】
次に、第２露光処理の一例について説明する。第２露光処理においては、第１パターン層が形成されている複数の基板Ｐが、順次露光される。例えば、所定のマスクＭのパターンからの露光光ＥＬを用いて、所定枚数を１つのグループ（ロット）とする複数の基板Ｐが順次露光される。なお、その１つのロットの複数の基板Ｐは、第１露光処理において第１パターン層を形成するために順次露光され、現像処理等の各種プロセス処理を経た基板Ｐである。
【０１１２】
上述のように、本実施形態においては、第１アライメントモードと第２アライメントモードとが用意されており、第２露光処理が実行される前に、第１アライメントモード及び第２アライメントモードの少なくとも一方が選択され、その選択されたアライメントモードに基づいて、アライメント処理が実行される。
【０１１３】
本実施形態においては、所定枚数（例えば５０枚）の基板Ｐで構成される１ロットの複数の基板Ｐのうち、一枚目の基板Ｐ（ロット先頭の基板Ｐ）から所定枚数（例えば５枚）の基板Ｐを露光する際のアライメント処理として、第１アライメントモードが選択される。図７等を参照して説明したように、第１アライメントモードは、基板Ｐの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のそれぞれに隣接する複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６を全て検出して、基板Ｐの位置及び基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置を導出するモードである。
【０１１４】
本実施形態においては、１つのロットのうち、ロット先頭から所定枚数の基板Ｐが第１アライメントモードに基づいてアライメント処理される。それら複数の基板Ｐが露光された後、制御装置５は、ロット内の残りの基板Ｐを、第２アライメントモードに基づいてアライメント処理し、そのアライメント処理の結果に基づいて、基板Ｐを露光する。
【０１１５】
第２アライメントモードは、第１アライメントモードに基づくアライメント処理の結果を利用するモードである。本実施形態において、第２アライメントモードは、基板Ｐ上の複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、所定のアライメントマークを検出して、その所定のアライメントマークの検出結果と、第１アライメントモードの導出結果とに基づいて、基板Ｐの位置、及びその基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置を導出するモードである。
【０１１６】
以下、第２アライメントモードに基づくアライメント処理、及びそのアライメント処理の結果に基づいて実行される基板Ｐの露光処理（第２露光処理）の一例について、図８を参照して説明する。
【０１１７】
制御装置５は、第１パターン層及びアライメントマークｍ１〜ｍ６を有する基板Ｐを基板ステージ２に搬入（ロード）する。基板Ｐには、感光剤が塗布されている。基板ステージ２に保持された直後において、基板Ｐは、初期位置に配置される。マスクステージ１には、基板Ｐ上に形成される第２パターン層に応じたパターンを有するマスクＭが搬入（ロード）され、保持されている。
【０１１８】
制御装置５は、アライメントシステム９を用いて、基板Ｐ上の所定のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出して、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置を導出する。
【０１１９】
まず、図８（Ａ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６に、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第１アライメントシステム９１は、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置を導出することができる。
【０１２０】
次に、図８（Ｂ）に示すように、制御装置５は、干渉計システム６を用いて、基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２を制御して、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６が配置されるように、基板Ｐを移動する。第２アライメントシステム９２は、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。これにより、制御装置５は、干渉計システム６によって規定される座標系における第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６の位置を導出することができる。
【０１２１】
制御装置５は、第１アライメントシステム９１を用いて第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出した結果と、第２アライメントシステム９２を用いて第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出した結果とに基づいて、干渉計システム６によって規定される座標系における基板Ｐの位置の導出する。
【０１２２】
上述のように、第１アライメントモードに基づくアライメント処理によって、干渉計システム６によって規定される座標系における基板Ｐの位置（以下適宜、位置データ１、と称する）と、その基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置（以下適宜、位置データ２、と称する）とが、既に求められている。位置データ１は、基板Ｐ全体の位置に関するデータであって、例えば基板Ｐの外形（エッジ）の位置など、基板Ｐにおける所定の基準位置を含む。位置データ２は、その基板Ｐにおける所定の基準位置に対する露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置である。
【０１２３】
なお、位置データ１は、第１アライメントモードでアライメント処理されたロット先頭から所定枚数の基板Ｐのうち、任意の１つの基板Ｐから求められたデータでもよいし、その所定枚数の基板Ｐのそれぞれから求められたデータの平均値でもよい。同様に、位置データ２は、第１アライメントモードでアライメント処理されたロット先頭から所定枚数の基板Ｐのうち、任意の１つの基板Ｐから求められたデータでもよいし、その所定枚数の基板Ｐのそれぞれから求められたデータの平均値でもよい。
【０１２４】
また、第２アライメントモードに基づくアライメント処理によって、干渉計システム６によって規定される座標系における基板Ｐの位置（以下適宜、位置データ３、と称する）が求められる。したがって、制御装置５は、第１アライメントモードに基づくアライメント処理の導出結果である位置データ１及び位置データ２と、第２アライメントモードに基づくアライメント処理の導出結果である位置データ３とに基づいて、干渉計システム６によって規定される座標系における基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置（以下適宜、位置データ４、と称する）を求めることができる。本実施形態において、基板Ｐにおける所定の基準位置に対する露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置（基板Ｐにおける所定の基準位置と露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４との位置関係）は、第１アライメントモードに基づくアライメント処理の実行時と、第２アライメントモードに基づくアライメント処理の実行時とで、ほぼ変動しないと考えられる。したがって、制御装置５は、第２アライメントモードに基づいて第１、第２アライメントシステム９１，９２を用いてアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出した結果と、第１アライメントモードの導出結果（位置データ１，２）とに基づいて、基板Ｐの位置（位置データ３）、及び基板Ｐ上の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置（位置データ４）を導出することができる。
【０１２５】
また、上述のように、制御装置５は、第１アライメントモードに基づくアライメント処理において、第１アライメントシステム９１の両端の検出領域ＳＡ１，ＳＡ６と、第２アライメントシステム９２との両端の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２とのそれぞれに、基板Ｐ上の同一のアライメントマークｍ１，ｍ６を配置して、その同一のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６と、第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２との位置関係を求めている。したがって、制御装置５は、第２アライメントモードに基づくアライメント処理において、第１アライメントシステム９１を用いて第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出した結果と、第２アライメントシステム９２を用いて第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出した結果とに基づいて、位置データ３及び位置データ４を精度良く求めることができる。
【０１２６】
各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４それぞれの位置（位置データ４）を求めた後、制御装置５は、それら露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の露光を開始する。
【０１２７】
本実施形態においては、制御装置５は、第２アライメントモードに基づくアライメント処理を実行した後、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、最初に第１露光領域ＰＡ１を露光し、次いで第２露光領域ＰＡ２を露光し、次いで第３露光領域ＰＡ３を露光し、最後に第４露光領域ＰＡ４を露光する。
【０１２８】
制御装置５は、第１露光領域ＰＡ１の露光を開始するために、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御して、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されるように、第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置に移動する。なお、基板Ｐが第１露光領域ＰＡ１の露光開始位置に移動する少なくとも直前において、第１露光領域ＰＡ１は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される。
【０１２９】
図８（Ｃ）は、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第１露光領域ＰＡ１を−Ｘ方向に移動する。これにより、第１露光領域ＰＡ１が露光される。制御装置５は、少なくとも第１露光領域ＰＡ１が露光終了位置に配置されるまで、基板Ｐを−Ｘ方向に移動する。以上により、第１露光領域ＰＡ１の露光が終了する。
【０１３０】
このように、本実施形態においては、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、第１アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理において最初に露光される第１露光領域ＰＡ１を露光するときのＸ軸方向に関する基板Ｐの移動方向と、第２アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理において最初に露光される第１露光領域ＰＡ１を露光するときのＸ軸方向に関する基板Ｐの移動方向とは、同じ方向（−Ｘ方向）である。
【０１３１】
本実施形態においては、第２アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を露光する順序、及び各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を露光するときの基板Ｐの移動方向、露光開始位置、及び露光終了位置は、第１アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理とほぼ同じである。すなわち、第２アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理においては、図６を参照して説明した基板Ｐの軌道軌跡（移動経路）と同じ移動軌跡（移動経路）で基板Ｐを移動しながら、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光する。
【０１３２】
すなわち、本実施形態においては、第１アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理において複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光するときの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板Ｐの移動軌跡（移動経路）と、第２アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理において複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光するときの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板Ｐの移動軌跡（移動経路）とが、ほぼ同じである。
【０１３３】
本実施形態においては、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して＋Ｘ側に第２アライメントシステム９２が配置されており、制御装置５は、第２アライメントモードに基づくアライメント処理において、第２アライメントシステム９２でアライメントマークｍ１，ｍ６を検出した後、第１露光領域ＰＡ１を露光開始位置に直ちに移動することができる。
【０１３４】
基板ステージ２に保持されている基板Ｐ上のアライメントマークｍ１，ｍ６が第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に配置される基板ステージ２の位置（以下適宜、アライメント位置、と称する）から、第１露光領域ＰＡ１の−Ｘ側の端が投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される基板ステージ２の露光開始位置まで移動する際、基板ステージ２は、Ｘ軸方向に関してアライメント位置と露光開始位置との間において加速状態で−Ｘ方向に移動する。また、露光開始位置の近傍において、基板ステージ２の移動状態は、整定状態及び定速状態の少なくとも一方である。また、第１露光領域ＰＡ１の−Ｘ側の端が投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される基板ステージ２の露光開始位置から、第１露光領域ＰＡ１の＋Ｘ側の端が投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７の−Ｘ側の端に配置される基板ステージ２の露光終了位置まで移動する際、基板ステージ２は、定速状態で−Ｘ方向に移動する。
【０１３５】
本実施形態において、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対してＸ軸方向に関して＋Ｘ側であって、少なくとも基板ステージ２の必要最小限の助走距離を隔てた位置に、第１露光領域ＰＡ１に隣接する第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ２を検出可能な第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２が配置されている。これにより、制御装置５は、第２アライメントシステム９２を用いて第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出した後、第１露光領域ＰＡ１の露光処理に直ちに移行することができる。
【０１３６】
基板ステージ２の必要最小限の助走距離とは、第１位置において静止状態の基板ステージ２が第１位置から所定方向の一方側（例えば−Ｘ側）に移動を開始して、所定の目標速度に到達することができる第２位置までの距離である。助走距離は、基板ステージ２が加速する加速距離、及び基板ステージ２が整定する整定距離を含む。第１位置と第２位置との間においては、基板ステージ２は、加速状態で移動し、第２位置の近傍において、整定状態で移動する。
【０１３７】
基板ステージ２の必要最小限の助走距離は、例えば基板ステージ２の移動性能に応じた距離であり、駆動システム４の性能、及び基板ステージ２の重量等に基づく。第２位置に到達するまでに目標速度に到達した基板ステージ２は、第２位置とその第２位置に対して所定方向の一方側（−Ｘ方向）の第３位置との間において、目標速度で定速状態で移動することができる。
【０１３８】
アライメント位置においてほぼ静止状態の基板ステージ２がアライメント位置から移動を開始して、露光開始位置に到達するまでの間に目標のスキャン速度に到達するためには、アライメント位置と露光開始位置との距離は、基板ステージ２の必要最小限の助走距離より長い必要がある。
【０１３９】
図９は、投影光学系ＰＬ２と、第２アライメントシステム９２と、基板Ｐ（基板ステージ２）との関係を示す模式図である。投影領域ＰＲ２に対してＸ軸方向（走査方向）に関して＋Ｘ側であって、少なくとも必要最小限の助走距離ＬＪを隔てた位置に、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、最初に露光される第１露光領域ＰＡ１に隣接する基板Ｐ上の第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出可能な第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２が配置されている。これにより、アライメント位置と露光開始位置との距離ＬＡを、基板ステージ２の必要最小限の助走距離ＬＪより長くすることができる。
【０１４０】
したがって、アライメント位置にほぼ静止状態で配置されている基板ステージ２に保持されている基板Ｐ上の第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６が第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に配置されて第２アライメントシステム９２によって検出された後、基板ステージ２が−Ｘ方向への移動を開始することによって、露光開始位置に到達するまでの間に、目標のスキャン速度に到達することができる。露光開始位置に到達した基板ステージ２が、−Ｘ方向に目標のスキャン速度で定速状態で露光終了位置まで移動することによって、第１露光領域ＰＡ１は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して−Ｘ方向に移動しながら露光される。
【０１４１】
なお、アライメント位置は、第１露光領域ＰＡ１が投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の外側に配置される位置である。また、本実施形態においては、アライメント位置と露光開始位置との距離ＬＡは、必要最小限の助走距離ＬＪとほぼ一致している。すなわち、本実施形態においては、必要最小限の助走距離ＬＪの一端の第１位置とアライメント位置とが一致し、必要最小限の助走距離ＬＪの他端の第２位置と露光開始位置とが一致する。
【０１４２】
なお、アライメント位置と露光開始位置との距離ＬＡが、必要最小限の助走距離ＬＪより長くてもよい。その場合、基板ステージ２は、露光開始位置に到達する前に、目標のスキャン速度に到達することができる。
【０１４３】
以上説明したように、本実施形態によれば、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して＋Ｘ側であって、必要最小限の助走距離以上を隔てた位置に、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、最初に露光される第１露光領域ＰＡ１に隣接する基板Ｐ上の第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６が配置可能な検出領域ＳＢ１，ＳＢ６を有し、第１露光領域ＰＡ１の位置を導出する第２アライメントシステム９２を設けたので、制御装置５は、基板ステージ２をアライメント位置に配置して第２アライメントシステム９２を用いてアライメントマークｍ１，ｍ６の検出を行った後、基板ステージ２を−Ｘ方向に移動して、第１露光領域ＰＡ１の露光を直ちに開始することができる。したがって、アライメント処理に要する時間を短くすることができる。そのため、スループットの低下を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。
【０１４４】
また、本実施形態において、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して−Ｘ側であって、必要最小限の助走距離以上を隔てた位置に、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６を配置することもできる。こうすることにより、第１アライメントシステム９１でアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出した後、基板ステージ２を＋Ｘ方向に移動して、そのアライメントマークｍ１〜ｍ６に対して−Ｘ側に隣接する露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の少なくとも一つに対する露光処理を直ちに開始することができる。
【０１４５】
また、本実施形態によれば、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４のうち、第１露光処理において最初に露光される第１露光領域ＰＡ１を露光するときの走査方向（Ｘ軸方向）に関する移動方向と、第２露光処理において最初に露光される第１露光領域を露光するときの走査方向（Ｘ軸方向）に関する移動方向とが同じ方向（−Ｘ方向）なので、基板ステージ２に基板Ｐが搬入されてからその基板ステージ２から基板Ｐが搬出されるまでの基板ステージ２の移動距離が長くなることを抑制できる。したがって、スループットの低下を抑制できる。
【０１４６】
また、本実施形態によれば、第１露光処理において複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光するときの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板ステージ２の移動軌跡と、第２露光処理において複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光するときの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板ステージ２の移動軌跡とがほぼ同じなので、第１露光処理と第２露光処理とにおいて、ほぼ同じ装置の条件で基板Ｐを露光することができる。例えば、基板ステージ２の移動（位置）に応じてボディ１３等が変形する場合でも、第１露光処理と第２露光処理とにおいて基板ステージ２の移動軌跡を同じにすることによって、第１露光処理と第２露光処理とにおいて、各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４をほぼ同じ装置の条件（ボディ１３の変形条件など）で露光することができる。
【０１４７】
また、本実施形態においては、第２アライメントシステム９２は、Ｙ軸方向に配置される複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、両端のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出するので、制御装置５は、その第２アライメントシステム９２の検出結果に基づいて、基板Ｐの位置、及び露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置を精度良く導出することができる。
【０１４８】
また、本実施形態においては、第１アライメントシステム９１と第２アライメントシステム９２とは、それぞれの両端の検出領域を用いて、基板Ｐ上のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出するので、制御装置５は、その検出結果に基づいて、基板Ｐの位置、及び露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の位置を精度良く導出することができる。
【０１４９】
また、本実施形態においては、第２アライメントシステム９２の検出領域（検出器）の数は、第１アライメントシステム９１の検出領域（検出器）の数より少ない。これにより、第２アライメントシステム９２と基板ステージ２との間（基板ステージ２の上方）のスペースを確保することができる。本実施形態においては、投影システムＰＳに対して＋Ｘ側から、基板ステージ２に対する基板Ｐの搬入動作、及び基板ステージ２からの基板Ｐの搬出動作を円滑に実行することができる。
【０１５０】
なお、本実施形態においては、１つのロット内の複数の基板Ｐが順次露光される場合において、ロット先頭からの所定枚数（例えば５枚程度）の基板Ｐを露光する際に第１アライメントモードが選択され、ロット内の残りの基板Ｐを露光する際に第２アライメントモードが選択される場合について説明したが、例えば、基板Ｐ上に複数のパターン層（例えば５つのパターン層）を積層する場合において、要求されるパターン層の重ね合わせ精度に応じて、第１アライメントモード及び第２アライメントモードの少なくとも一方が選択されてもよい。例えば、高い重ね合わせ精度が要求される場合には、第１アライメントモードを選択し、比較的ラフな重ね合わせ精度でも許容される場合には、第２アライメントモードを選択してもよい。第２アライメントモードでアライメント処理を実行することによって、アライメント処理に要する時間を短縮することができ、スループットの低下を抑制することができる。
【０１５１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５２】
図１０は、第２実施形態に係る投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６、ＳＢ１，ＳＢ２と、基板Ｐとの位置関係の一例を示す模式図である。図１０に示すように、本実施形態おいて、基板Ｐの表面は、マスクＭのパターンの像が投影される６つの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を有する。
【０１５３】
次に、本実施形態に係る第１露光処理について、図１１を参照して説明する。
【０１５４】
本実施形態においては、第１露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のうち、最初に第２露光領域ＰＡ２から露光され、次いで第１露光領域ＰＡ１が露光され、次いで第３露光領域ＰＡ３が露光され、次いで第４露光領域ＰＡ４が露光され、次いで第５露光領域ＰＡ５が露光され、最後に第６露光領域ＰＡ６が露光される。
【０１５５】
図１１（Ａ）は、第２露光領域ＰＡ２が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第２露光領域ＰＡ２を−Ｘ方向に移動する。これにより、第２露光領域ＰＡ２が露光される。
【０１５６】
次に、制御装置５は、第１露光領域ＰＡ１の露光を開始する。図１１（Ｂ）は、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第１露光領域ＰＡ１を＋Ｘ方向に移動する。これにより、第２露光領域ＰＡ２が露光される。
【０１５７】
次に、制御装置５は、第３露光領域ＰＡ３の露光を開始する。図１１（Ｃ）は、第３露光領域ＰＡ３が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第３露光領域ＰＡ３を−Ｘ方向に移動する。これにより、第３露光領域ＰＡ３が露光される。
【０１５８】
次に、制御装置５は、第４露光領域ＰＡ４の露光を開始する。図１１（Ｄ）は、第４露光領域ＰＡ４が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第４露光領域ＰＡ４を＋Ｘ方向に移動する。これにより、第４露光領域ＰＡ４が露光される。
【０１５９】
次に、制御装置５は、第５露光領域ＰＡ５の露光を開始する。図１１（Ｅ）は、第５露光領域ＰＡ５が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第５露光領域ＰＡ５を−Ｘ方向に移動する。これにより、第５露光領域ＰＡ５が露光される。
【０１６０】
次に、制御装置５は、第６露光領域ＰＡ６の露光を開始する。図１１（Ｆ）は、第６露光領域ＰＡ６が露光開始位置に配置されている状態を示す。制御装置５は、基板ステージ２を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射しながら、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して、基板Ｐの第６露光領域ＰＡ６を＋Ｘ方向に移動する。これにより、第６露光領域ＰＡ６が露光される。
【０１６１】
以上により、第１露光処理が終了する。
【０１６２】
次に、第１アライメントモードに基づくアライメント処理について、図１２を参照して説明する。
【０１６３】
基板Ｐ上には、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６と、第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ６と、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６と、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６とが設けられる。
【０１６４】
図１２（Ａ）に示すように、制御装置５は、第１アライメントシステム９１で、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。
【０１６５】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、制御装置５は、第２アライメントシステム９２で、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。
【０１６６】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、制御装置５は、第１アライメントシステム９１で、第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。
【０１６７】
次に、図１２（Ｄ）に示すように、制御装置５は、第１アライメントシステム９１で、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。
【０１６８】
次に、図１２（Ｅ）に示すように、制御装置５は、第１アライメントシステム９１で、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。
【０１６９】
本実施形態においても、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｄ）を参照して説明したように、第１アライメントシステム９１と第２アライメントシステム９２とは、それぞれの両端の検出領域（ＳＡ１，ＳＡ６）、（ＳＢ１，ＳＢ２）を用いて、基板Ｐ上の同一のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。
【０１７０】
本実施形態において、第１露光領域ＰＡ１に対応するアライメントマークは、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ２、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ１，ｍ２である。第２露光領域ＰＡ２に対応するアライメントマークは、第３グループＧ３のアライメントマークｍ３，ｍ４、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ３，ｍ４である。第３露光領域ＰＡ３に対応するアライメントマークは、第３グループＧ３のアライメントマークｍ５，ｍ６、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ５，ｍ６である。第４露光領域ＰＡ４に対応するアライメントマークは、第１グループＧ１のアライメントマークｍ５，ｍ６、及び第２グループＧ２のアライメントマークｍ５，ｍ６である。第５露光領域ＰＡ５に対応するアライメントマークは、第１グループＧ１のアライメントマークｍ３，ｍ４、及び第２グループＧ２のアライメントマークｍ３，ｍ４である。第６露光領域ＰＡ６に対応するアライメントマークは、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１，ｍ２、及び第２グループＧ２のアライメントマークｍ１，ｍ２である。
【０１７１】
制御装置５は、第１アライメントシステム９１を用いて検出した第１〜第４グループＧ１〜Ｇ４それぞれのアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置、及び第２アライメントシステム９２を用いて検出した第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６の位置に基づいて、干渉計システム６によって規定される座標系における基板Ｐの位置、及び複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６それぞれの位置を導出することができる。
【０１７２】
次に、第２露光処理が実行される。第２露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を露光する順序、及び各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を露光するときの基板Ｐの移動方向、露光開始位置、及び露光終了位置は、第１露光処理とほぼ同じである。すなわち、第２露光処理においては、図１１を参照して説明した基板Ｐの軌道軌跡（移動経路）と同じ移動軌跡（移動経路）で基板Ｐを移動しながら、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を順次露光する。
【０１７３】
以上、本実施形態に係る、基板Ｐ上に第１パターン層を形成する第１露光処理と、その第１パターン層上に第２パターン層を形成するに際し実行されるアライメント処理と、基板Ｐ上に第２パターン層を形成する第２露光処理とについて説明した。
【０１７４】
次に、本実施形態に係る第２アライメントモードに基づくアライメント処理について、図１３を参照して説明する。
【０１７５】
図１３（Ａ）に示すように、基板Ｐが初期位置に配置される。次いで、図１３（Ｂ）に示すように、制御装置５は、第１アライメントシステム９１で、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。
【０１７６】
次に、図１３（Ｃ）に示すように、制御装置５は、第２アライメントシステム９２で、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。
【０１７７】
制御装置５は、第１アライメントシステム９１を用いて第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出した結果と、第２アライメントシステム９２を用いて第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出した結果と、第１アライメントモードの導出結果とに基づいて、基板Ｐの位置、及び露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６それぞれの位置を検出する。
【０１７８】
各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６それぞれの位置（位置データ４）を求めた後、制御装置５は、それら露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６の露光を開始する。図１３（Ｄ）に示すように、第２露光領域ＰＡ２が露光開始位置に配置される。
【０１７９】
本実施形態においても、第２アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理において、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を露光する順序、及び各露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を露光するときの基板Ｐの移動方向、露光開始位置、及び露光終了位置は、第１アライメントモードに基づくアライメント処理後に実行される露光処理とほぼ同じである。
【０１８０】
以上説明したように、本実施形態においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光できる。
【０１８１】
なお、図１４に示すような、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６、及びアライメントマークｍ１〜ｍ６を有する基板Ｐを露光する場合であっても、上述の第１露光処理、第１，第２アライメントモードを含むアライメント処理、及び第２露光処理を実行することによって、スループットの低下を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光できる。
【０１８２】
図１４において、基板Ｐの表面は、６つの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を有する。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域ＰＡ３、ＰＡ４が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域ＰＡ５，ＰＡ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域ＰＡ１は、露光領域ＰＡ２に対して−Ｙ側に配置されている。露光領域ＰＡ３は、露光領域ＰＡ４に対して＋Ｙ側に配置されている。露光領域ＰＡ５は、露光領域ＰＡ５に対して−Ｙ側に配置されている。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２は、露光領域ＰＡ３、ＰＡ４に対して＋Ｘ側に配置されている。露光領域ＰＡ５、ＰＡ６は、露光領域ＰＡ３、ＰＡ４に対して−Ｘ側に配置されている。また、基板Ｐの表面は、第１〜第６グループＧ１〜Ｇ６それぞれのアライメントマークｍ１〜ｍ６を有する。
【０１８３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８４】
図１５は、第３実施形態に係るアライメントシステム９の一例を示す図である。本実施形態においては、Ｙ軸方向に関する第１アライメントシステム９１の両端の検出領域（ＳＡ１，ＳＡ６）の位置と、第２アライメントシステム９２の両端の検出領域（ＳＢ１，ＳＢ２）の位置とが異なる。
【０１８５】
次に、第２アライメントモードに基づくアライメント処理の一例について説明する。図１５（Ａ）に示すように、基板Ｐが初期位置に配置される。次いで、図１５（Ｂ）に示すように、制御装置５は、第１アライメントシステム９１で、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。
【０１８６】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、制御装置５は、第２アライメントシステム９２で、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６を検出する。
【０１８７】
制御装置５は、アライメントシステム９の検出結果に基づいて、基板Ｐの位置、及び露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６それぞれの位置を導出し、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６の露光を開始する。
【０１８８】
本実施形態においては、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のうち、最初に第１露光領域ＰＡ１が露光される。図１５（Ｄ）に示すように、第１露光領域ＰＡ１が露光開始位置に配置され、その第１露光領域ＰＡ１の露光が開始される。
【０１８９】
本実施形態においては、Ｙ軸方向に関する第１アライメントシステム９１の両端の検出領域（ＳＡ１，ＳＡ６）の位置と、第２アライメントシステム９２の両端の検出領域（ＳＢ１，ＳＢ２）の位置とが異なるので、基板ステージ２に保持されている基板Ｐ上のアライメントマークｍ１，ｍ６が第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２に配置される基板ステージ２の位置（アライメント位置）から、第１露光領域ＰＡ１の−Ｘ側の端が投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６の＋Ｘ側の端に配置される基板ステージ２の露光開始位置までの距離を短くすることができる。すなわち、図１５（Ｃ）に示す状態から図１５（Ｄ）に示す状態へ変化するときの基板ステージ２の移動距離を短くすることができる。本実施形態においては、図１５（Ｃ）に示すように、基板ステージ２がアライメント位置に配置されるとき、Ｙ軸方向に関して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、最初に露光される第１露光領域ＰＡ１との位置はほぼ同じになる。このように、基板ステージ２の移動距離を短くすることができるので、スループットの低下を抑制することができる。
【０１９０】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１９１】
図１６は、第４実施形態に係るアライメントシステム９の一例を示す図である。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関して、第１アライメントシステム９１の検出領域ＳＡ１〜ＳＡ６と第２アライメントシステム９２の検出領域ＳＢ１，ＳＢ２との距離ＬＸ１と、基板Ｐ上の第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６と第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６との距離ＬＸ２とが、ほぼ同じである。
【０１９２】
本実施形態においては、第２アライメントモードでアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する際、第１アライメントシステム９１を用いる第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の検出と、第２アライメントシステム９２を用いる第３グループＧ３のアライメントマークｍ１，ｍ６の検出とを、同時に行うことができる。したがって、スループットの低下を抑制できる。
【０１９３】
なお、上述の第１〜第４実施形態の基板Ｐとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１９４】
なお、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１９５】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１９６】
また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【０１９７】
露光装置ＥＸの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１９８】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１９９】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０２００】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２０１】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板（感光剤）を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、ステップ２０４では、感光剤を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層（現像された感光剤の層）を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。
【０２０２】
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２０３】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、５…制御装置、９…アライメントシステム、９１…第１アライメントシステム、９２…第２アライメントシステム、ＥＬ…露光光、ＩＬ１〜ＩＬ７…照明モジュール、ＩＲ１〜ＩＲ７…照明領域、ＩＳ…照明システム、Ｍ…マスク、ｍ１〜ｍ６…アライメントマーク、Ｐ…基板、ＰＡ１〜ＰＡ６…露光領域、ＰＬ１〜ＰＬ７…投影光学系、ＰＲ１〜ＰＲ７…投影領域、ＰＳ…投影システム、ＳＡ１〜ＳＡ６…検出領域、ＳＢ１，ＳＢ２…検出領域
【図１】
0005429283.tif 000002
【図２】
0005429283.tif 000003
【図３】
0005429283.tif 000004
【図４】
0005429283.tif 000005
【図５】
0005429283.tif 000006
【図６】
0005429283.tif 000007
【図７】
0005429283.tif 000008
【図８】
0005429283.tif 000009
【図９】
0005429283.tif 000010
【図１０】
0005429283.tif 000011
【図１１】
0005429283.tif 000012
【図１２】
0005429283.tif 000013
【図１３】
0005429283.tif 000014
【図１４】
0005429283.tif 000015
【図１５】
0005429283.tif 000016
【図１６】
0005429283.tif 000017
【図１７】
0005429283.tif 000018