(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、結晶構造が正方晶系のコア部と、結晶構造が立方晶系で、バナジウムが固溶したシェル部とを有する結晶粒子により構成されており、前記シェル部の厚みが１１．８〜２４．５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．３５μｍである誘電体磁器からなることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）と、マンガンとを含み、チタン酸バリウム１００モルに対して、前記バナジウムがＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、前記マグネシウムがＭｇＯ換算で０．４〜１．２モル、前記希土類元素（ＲＥ）がＲＥ２Ｏ３換算で０．１２〜０．４８モルおよびマンガンがＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有することを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）と、マンガンとを含み、チタン酸バリウム１００モルに対して、前記バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０．４〜１．２モル、前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．３０〜０．４８モルおよび前記マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有することを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、該粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ１、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ２としたときの各元素のうち２種の元素の濃度比Ｃ２／Ｃ１が０．８〜１．２であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、前記粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素
、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ１、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ２としたときの各元素の濃度比Ｃ２／Ｃ１がいずれも０．８〜１．２であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載のコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子によって構成され、薄層化が可能なコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、積層セラミックコンデンサの誘電体材料には、比誘電率が高いという理由によりチタン酸バリウムが用いられており、また、積層セラミックコンデンサの内部電極層には、安価な卑金属（Ｎｉなど）が用いられている。チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層と内部電極層とを同時に焼成する場合、Ｎｉを酸化させないために酸素分圧を低くする（例えば、１３００℃で０．０３Ｐａ以下）必要があるが、この場合、誘電体層が還元され絶縁性が低下し、実用的な特性が得られなくなるという問題がある。【０００３】
そこで、例えば、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性（またはＪＩＳ規格Ｂ特性）を満足する積層セラミックコンデンサの場合、誘電体材料として、例えば、チタン酸バリウムを主成分とし、これに希土類元素の酸化物や、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｏ等のアクセプタ型、ドナー型元素の化合物を添加した、耐還元性の誘電体磁器が使用されている（例えば、特許文献１を参照）。チタン酸バリウムに、このような複数の添加成分を固溶させた結晶粒子は、結晶構造が正方晶系のコア部（通常は純粋なＢａＴｉＯ３）と、コア部を取り囲み添加成分が固溶したシェル部とから構成されたコアシェル構造を有するものとなっている。【０００４】
また、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子がコアシェル構造を有し、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足する誘電体磁器として、チタン酸バリウムに、バナジウム、マグネシウム、イットリウム等の希土類元素およびマンガンを添加したものも提案されている（例えば、特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３０１５０号公報
【特許文献２】特開２００８−２３９４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そして、近年、携帯電話などの電子機器は、小型化と実装の高密度化が進められているが、このような小型の電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサについても、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、さらなる高容量化が求められている。【０００７】
従って、本発明は、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、高誘電率のコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のコンデンサは、誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、結晶構造が正方晶系のコア部と、結晶構造が立方晶系で、バナジウムが固溶したシェル部とを有する結晶粒子により構成されており、前記シェル部の厚みが１１．８〜２４．５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．３５μｍである誘電体磁器からなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）と、マンガンとを含み、チタン酸バリウム１００モルに対して、前記バナジウムがＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、前記マグネシウムがＭｇＯ換算で０．４〜１．２モル、前記希土類元素（ＲＥ）がＲＥ２Ｏ３換算で０．１２〜０．４８モルおよびマンガンがＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有する誘電体磁器からなることが望ましい。【００１０】
また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）と、マンガンとを含み、チタン酸バリウム１００モルに対して、前記バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０．４〜１．２モル、前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．３０〜０．４８モルおよび前記マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有することが望ましい。【００１１】
また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、該粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ１、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ２としたときの各元素のうち２種の元素の濃度比Ｃ２／Ｃ１が０．８〜１．２であることが望ましい。【００１２】
また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、前記粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ１、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をＣ２としたときの各元素の濃度比Ｃ２／Ｃ１がいずれも０．８〜１．２であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、高誘電率のコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は、本発明のコンデンサの一例を示す概略断面図であり、（ｂ）は、内部の拡大図である。
【図２】本実施形態のコンデンサを構成する誘電体層である誘電体磁器におけるチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の内部構造を示す断面模式図である。
【図３】本実施形態のコンデンサを構成する誘電体層である誘電体磁器において、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度比を測定するための、複数の結晶粒子により形成される二面間粒界相および三重点粒界相の測定位置を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本実施形態のコンデンサについて、図１に示した積層セラミックコンデンサの概略断面図をもとに詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明のコンデンサの一例を示す概略断面図であり、（ｂ）は、内部の拡大図である。図２は、本実施形態のコンデンサを構成する誘電体層である誘電体磁器におけるチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の内部構造を示す断面模式図である。
【００１６】
この実施形態のコンデンサは、コンデンサ本体１の両端部に外部電極３が形成されている。外部電極３は、例えば、ＣｕもしくはＣｕとＮｉの合金ペーストを焼き付けて形成されている。
【００１７】
コンデンサ本体１は、誘電体磁器からなる誘電体層５と内部電極層７とが交互に積層され構成されている。図１では誘電体層５と内部電極層７との積層状態を単純化して示しているが、この実施形態のコンデンサは誘電体層５と内部電極層７とが数百層にも及ぶ積層体となっている。
【００１８】
誘電体磁器からなる誘電体層５は、結晶粒子９と粒界相１１とから構成されており、その厚みは３μｍ以下、特に、２μｍ以下が望ましく、これにより積層セラミックコンデンサを小型、高容量化することが可能となる。なお、誘電体層５の厚みが０．５μｍ以上であると静電容量の温度特性を安定化させることが可能になる。
【００１９】
内部電極層７は、高積層化しても製造コストを抑制できるとともに、誘電体層５との同時焼成が図れるという点でニッケル（Ｎｉ）が好適である。
【００２０】
この実施形態のコンデンサは、誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、結晶構造が正方晶系のコア部と、結晶構造が立方晶系で、バナジウムが固溶したシェル部とを有する結晶粒子により構成されており、前記シェル部の厚みが１１．８〜２４．５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．３５μｍである誘電体磁器からなる。
【００２１】
積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層５が、上記平均粒径の範囲の結晶粒子を有し、かつ結晶粒子９の結晶構造が正方晶系のコア部９ａと立方晶系のシェル部９ｂとを有するコアシェル構造であり、シェル部９ｂの厚みｔが上記範囲であると、コンデンサを構成する誘電体層５の室温（２５℃）における比誘電率が３９５０以上であるとともに、静電容量の温度特性がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃の温度範囲において、２５℃を基準にしたときの静電容量の変化率が±１５％以内を示すもの）を満足する積層セラミックコンデンサとすることができる。
【００２２】
なお、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性とは、−５５〜８５℃の温度範囲において、２５℃を基準にしたときの静電容量の変化率が±１５％以内を示すものをいう。
【００２３】
この実施形態のコンデンサは、コアシェル構造を持つ結晶粒子９のシェル部９ｂの厚みが１１．８〜２６．５ｎｍである。シェル部９ｂの厚みが１１．８ｎｍよりも薄くなると、静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足し難くなり、一方、シェル部９ｂの厚みが２６．５ｎｍよりも厚くなると比誘電率が３９５０よりも低くなる。
【００２４】
また、この実施形態のコンデンサは、誘電体層５である誘電体磁器を構成する結晶粒子９の平均粒径が０．１５〜０．３５μｍである。結晶粒子９の平均粒径が０．１５μｍよりも小さいと、結晶粒子９中にコアシェル構造を形成し難くなり、結晶粒子９の中心部にまで添加成分が固溶した構造に変化してしまい、このため静電容量の温度変化率が±１５％より大きくなりＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しないものとなる。一方、結晶粒子９の平均粒径が０．３５μｍよりも大きいと、静電容量の温度変化率が±１５％より大きくなりＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しないものとなる。
【００２５】
また、本実施形態のコンデンサでは、誘電体層５を構成する誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）と、マンガンとを含み、チタン酸バリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．４〜１．２モル、イットリウム，ジスプロシウム、ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．１２〜０．４８モルおよびマンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有する誘電体磁器からなることが望ましい。
【００２６】
誘電体層５を構成する誘電体磁器の組成を上記範囲にすると、静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足させた状態で比誘電率を４５００以上にできるとともに、ＡＣバイアス特性が３０％以下であり、かつ誘電損失が５％以下の積層セラミックコンデンサを得ることができる。ここでＡＣバイアス特性とは交流０．０１Ｖ／ｕｍを印加した際の誘電率に対する交流１Ｖ／ｕｍを印加した際の誘電率の変化量の比である。
【００２７】
また、本実施形態のコンデンサでは、誘電体層５を構成する誘電体磁器が、チタン酸バリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜１．２モル、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．３０〜０．４８モルおよびマンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有する誘電体磁器からなることが望ましい。誘電体層５を構成する誘電体磁器を上記組成にすると、ＡＣバイアス特性をさらに小さくすることができる。
【００２８】
この実施形態のコンデンサでは、所望の誘電特性を維持できる範囲であれば焼結性を高めるための助剤としてガラス成分や他の添加成分を誘電体磁器中に４質量％以下の割合で含有させてもよい。
【００２９】
本実施形態のコンデンサでは、シェル部９ｂがコア部９ａを取り囲む構造となっているが、コア部９ａをシェル部９ｂが取り囲む結晶粒子９については、元素分析器（ＥＤＳ）を付設した透過電子顕微鏡を用いた分析によって確認する。分析する試料としては、積層セラミックコンデンサを加工して作製した試料から平均粒径の±３０％の範囲にある結晶粒子９を１０〜２０個抽出する。元素分析を行う際の電子線のスポットサイズは１〜３ｎｍとし、分析する箇所は結晶粒子９の表面である粒界から中央部までの領域とする。この場合、結晶粒子９の表面である粒界から中央部にかけて５〜１０ｎｍ毎に元素（マグネシウムまたは希土類元素）の濃度を求め、横軸を距離、縦軸を元素の濃度としたグラフを作成する。ここで、グラフにおいて、最も粒界側にある測定点から順番に３点とり、この３点を用いて近似直線を引き、その直線の傾きを表層部側の元素の濃度勾配とし、また、結晶粒子９の粒界から３０〜１００ｎｍの範囲内にある測定点のうち最も結晶粒子９の中央側にある測定点から順番に３点とり、この３点から近似直線を引き、その直線の傾きを中央部側の元素の濃度勾配とする。そして、表層部側の元素の濃度勾配が０．１５原子％／ｎｍ以上であり、中央部側の元素の濃度勾配が０．５原子％／ｎｍ以下である場合に、コアシェル構造となっているものとする。
【００３０】
次に、結晶粒子９を構成するコア部９ａおよびシェル部９ｂのそれぞれの結晶構造についてはＸ線回折法により求める。まず、誘電体層５のＸ線回折パターンから、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面および（４００）面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す（００４）面（（０４０）面、（４００）面が重なっている。）の回折強度が、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（４００）面および（００４）面のうちのいずれか一方の回折強度と同等かもしくはそれよりも大きくなっているときに結晶粒子９が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものとする。
【００３１】
そして、結晶粒子９がコア部９ａと、コア部９ａを取り囲むシェル部９ｂとを有することを確認した透過電子顕微鏡による分析結果と、結晶粒子９が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものであることの結果とから、結晶粒子９が、正方晶系のコア部９ａと、コア部９ａを取り囲む立方晶系のシェル部９ｂとを有するものと判定する。
【００３２】
次に、結晶粒子９が、正方晶系のコア部９ａと、コア部９ａを取り囲む立方晶系のシェル部９ｂとからなるものと判定したものについて結晶粒子９のシェル部の厚みを求める。結晶粒子９のシェル部９ｂの厚みは、特開２００６−１３７６４７号公報やJ.Am.Ceram.Soc.,90[4]1107-1111(2007)に示されているＸ線回折法を用いた評価方法に基づいて、以下の式より求める。
【００３３】
対象とする結晶粒子９の結晶構造は、測定したＸ線回折パターンにおいて、選択したＸ線回折パターンが純粋な正方晶（ｈ  ｋ  ｌ）または立方晶（ｈ'  ｋ'  ｌ'）の反射に比較してブロードになっており、ピーク位置の同定から正方晶（ｈ  ｋ  ｌ）および立方晶（ｈ'  ｋ'  ｌ'）の反射が含まれているものとする。
【００３４】
そして、対象とする回折データは、正方晶（ｈ  ｋ  ｌ）および立方晶（ｈ'  ｋ'  ｌ'）の反射であり、回折ピークから、ピーク強度（＝積分強度）、ピークトップの２θ位置、半値幅、ピークの形状関数等のパラメータを得る。その際、必要に応じて、ピーク分離を行う。この場合、ピーク分離の条件は、バックグラウンド関数：０次多項式、放射光：Ｋα１、プロファイル関数：the psedo-Voigt関数、半値幅：すべての反射に対し異なる半値幅、プロファイルの対象性：対象、およびデータ分解能：シャープ（最小半値幅：約０．１°）とする。なお、ピーク分離には市販ソフト（例えば、PROFIT）を用いることができ、ピーク分離のためのツールは特に限定されるものではない。
【００３５】
【数１】
0005496331.tif 000002
【００３６】
【数２】
0005496331.tif 000003
【００３７】
また、結晶粒子９の平均粒径は、以下の手順で測定する。まず、焼成後のコンデンサ本体１である試料の破断面を研磨する。この後、研磨した試料を走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が５０〜１００個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択する。次いで、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各結晶粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求める。
【００３８】
また、誘電体磁器の組成は、積層セラミックコンデンサを酸に溶解させた溶液をＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）分析および原子吸光分析を用いて求められる。この場合、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求める。
【００３９】
また、本実施形態のコンデンサでは、誘電体層５である誘電体磁器を形成している粒界相１１が複数の結晶粒子９により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とを有し、誘電体磁器中に含まれる希土類元素、マグネシウムおよびケイ素は、二面間粒界相と三重点粒界相との間で、二面間粒界相における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素のそれぞれの濃度をＣ１、三重点粒界相における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素のそれぞれの濃度をＣ２としたときに、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素うち２種の元素のＣ２／Ｃ１が０．８〜１．２であることが望ましい。希土類元素、マグネシウムおよびケイ素うち２種の元素のＣ２／Ｃ１が０．８〜１．２であると、室温（２５℃）よりも高い温度（例えば、８５℃）において、コンデンサの静電容量のばらつき（ＣＶ）を小さくすることが可能となる。さらに、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の全ての元素のＣ２／Ｃ１が０．８〜１．２である場合には、室温（２５℃）よりも高い温度（例えば、８５℃）におけるコンデンサの静電容量のばらつき（ＣＶ）をさらに小さくすることができる。
【００４０】
図３は、本実施形態のコンデンサを構成する誘電体層５である誘電体磁器において、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度比を測定するための、複数の結晶粒子９により形成される二面間粒界相１１ａおよび三重点粒界相１１ｂの測定位置を示す断面模式図である。
【００４１】
二面間粒界相１１ａおよび三重点粒界相１１ｂにおける希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度は、透過電子顕微鏡に付設のＸ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）によって求める。この場合、分析に用いる試料は、コンデンサの誘電体層５から切り出した薄板状の誘電体磁器にイオンミリング加工を行ったものを用いる。分析する領域は、複数の結晶粒子９より形成されている二面間粒界相１１ａおよび三重点粒界相１１ｂを断面視したときに、少なくとも３個の結晶粒子９の最大径が平均粒径の±２０％以内の範囲にある結晶粒子９群からなる箇所とする。そして、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）を用いて、図３に示すように、二面間粒界相１１ａの位置Ｓ１および三重点粒界相１１ｂの位置Ｓ２における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素のそれぞれの濃度を求め、二面間粒界相１１ａにおける各元素の濃度Ｃ１と三重点粒界相１１ｂにおける各元素の濃度Ｃ２との比Ｃ２／Ｃ１をそれぞれ求める。このとき、分析する二面間粒界相１１ａの位置Ｓ１は粒界相１１の幅のほぼ中央であり、三重点粒界相１１ｂの位置Ｓ２は三重点粒界相１１ｂの中央である。また、二面間粒界相１１ａの位置Ｓ１は三重点粒界相１１ｂの位置Ｓ２を定めた位置から５０ｎｍ以上離れた位置とする。
【００４２】
次に、本実施形態のコンデンサを製造する方法について説明する。
【００４３】
まず、誘電体粉末をポリビニルブチラール樹脂などの有機樹脂やトルエンおよびアルコールなどの溶媒とともにボールミルなどを用いてセラミックスラリを調製し、次いで、セラミックスラリをドクターブレード法やダイコータ法などのシート成形法を用いて基材上にセラミックグリーンシートを形成する。セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層５の高容量化のための薄層化、高絶縁性を維持するという点で１〜５μｍが好ましい。
【００４４】
本実施形態の積層セラミックコンデンサの製法で用いる誘電体粉末は、チタン酸バリウム粉末（以下、ＢＴ粉末という。Ｂａ／Ｔｉのモル比が１．００１〜１．００９）を用いる。また、ＢＴ粉末の平均粒径は０．２１〜０．３０μｍであることが望ましい。本実施形態の積層セラミックコンデンサを製造するための方法では、誘電体層５となる誘電体磁器を構成する結晶粒子９を形成するためのＢＴ粉末として、平均粒径が０．２１〜０．３０μｍの範囲のものを用いることにより、ＢＴ粉末に対して希土類元素（ＲＥ）を含めた添加成分の固溶を抑え、後述する厚みのシェル部を形成できる。これにより誘電体層５の薄層化を容易にし、ＢＴ粉末として、後述する焼成条件により高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足する結晶粒子９とすることが可能になる。
【００４５】
この実施形態のコンデンサを製造する際に用いる誘電体粉末は、後述のチタン酸バリウムを主成分とし、これに、例えば、バナジウム、マグネシウム、希土類元素、マンガンおよび焼結助剤の全成分を所定量被覆したものを用いるのがよい。
【００４６】
この場合、用いる誘電体粉末は、例えば、以下のようにして調製する。まず、純度が９９．９％以上、Ｂａ／Ｔｉのモル比が１．００１〜１．００９であり、平均粒径が０．２１〜０．３０μｍであるチタン酸バリウム粉末（ＢＴ粉末）の懸濁液に、ｐＨ調整剤としてアンモニア水を用いて、ｐＨを６〜８の範囲とし、これに、リチウム水溶液、シリカゾル、炭酸バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、バナジン酸アンモニウム水溶液、酢酸マンガン水溶液およびイットリウム，ジスプロシウム、ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素の水溶液を、この順に、添加し混合してセラミックスラリを調製する。なお、これらの原料試薬の純度は、得られる誘電体磁器への不純物の混入を抑制し、高い誘電特性を得るという理由からいずれも９９．５％以上であるのがよい。
【００４７】
次に、このセラミックスラリを４流体ノズルを備えた噴霧乾燥機に投入し、４流体ノズルから直径が１０μｍ以下の液滴を生成させ、２００℃付近の温度で乾燥処理して、誘電体粉末の前駆体を作製し、次いで、この誘電体粉末の前駆体を乾燥処理の温度よりも高い温度にて加熱処理することにより調製する。
【００４８】
誘電体粉末の組成としては、ＢＴ粉末を１００モルとしたときに、バナジン酸アンモニウム水溶液をＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１０モル、水酸化マグネシウム水溶液をＭｇＯ換算で０．５〜１．２モル、酢酸マンガン水溶液をＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル、イットリウム，ジスプロシウム、ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）の水溶液をＲＥ２Ｏ３換算で０．１２〜０．４８モルの組成とすることが望ましく、これにより高誘電率であり静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足し、ＡＣバイアス特性および誘電損失の小さい積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
【００４９】
また、焼結助剤の添加量はＢＴ粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部になるように調製する。これにより誘電体磁器の焼結性をより高めることができる。その組成は、Ｌｉ２Ｏ＝１〜１５モル％、ＳｉＯ２＝４０〜６０モル％、ＢａＯ＝１５〜３５モル％、およびＣａＯ＝５〜２５モル％が好ましい。
【００５０】
次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストは、Ｎｉもしくはこれらの合金粉末を主成分金属とし、これに共材としてのセラミック粉末を混合し、有機バインダ、溶剤および分散剤を添加して調製する。また、セラミックグリーンシート上の内部電極パターンによる段差を解消するために、内部電極パターンの周囲にセラミックパターンを内部電極パターンと実質的に同一厚みで形成することが好ましい。この場合、セラミックパターンを構成するセラミック成分は、同時焼成での焼成収縮を同じにするという点でセラミックグリーンシートに用いた誘電体粉末を用いることが好ましい。
【００５１】
次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所望枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねて仮積層体を形成する。仮積層体中における内部電極パターンは長寸方向に半パターンずつずらしてある。このような積層工法により切断後の積層体の端面に内部電極パターンが交互に露出されるように形成できる。
【００５２】
なお、本実施形態のコンデンサは、セラミックグリーンシートの主面に内部電極パターンを予め形成した後に積層する工法の他に、セラミックグリーンシートを一旦下層側の機材に密着させた後に、内部電極パターンを印刷し、乾燥させ、印刷、乾燥された内部電極パターン上に、内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートを重ねて仮密着させ、セラミックグリーンシートの密着と内部電極パターンの印刷を逐次行う工法によっても形成できる。
【００５３】
次に、仮積層体を上記仮積層時の温度圧力よりも高温、高圧の条件にてプレスを行い、セラミックグリーンシートと内部電極パターンとが強固に密着された積層体を形成する。
【００５４】
次に、積層体を格子状に切断することにより内部電極パターンの端部が露出するコンデンサ本体成形体を形成する。
【００５５】
次に、得られたコンデンサ本体成形体を脱脂した後、焼成する。焼成は、最高温度を１１５０〜１２３０℃、保持時間を０．１〜４時間とし、水素−窒素の雰囲気中にて行うことが望ましい。この後、９００〜１１００℃の温度範囲で再酸化処理を行うことによってコンデンサ本体１を得る。この後、必要に応じて、コンデンサ本体１の稜線部分の面取りを行うとともに、コンデンサ本体１の対向する端面から露出する内部電極層７を露出させるためにバレル研磨を施しても良い。焼成をこのような条件で行うことにより、誘電体層５を構成する結晶粒子９の平均粒径を０．１５〜０．３５μｍの範囲とし、結晶粒子９の結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、コア部を取り囲み前記バナジウム、マグネシウム、希土類元素（ＲＥ）およびマンガンのうち少なくとも１種の添加成分が固溶した立方晶系のシェル部９ｂとからなり、シェル部９ｂの厚みが１０〜２０ｎｍであるコンデンサ本体１を得ることができる。
【００５６】
また、本実施形態のコンデンサを製造する場合に、得られたコンデンサ本体成形体を脱脂した後、水素−窒素雰囲気中、最高温度に達する前に、一旦、９００〜１０００℃の温度にて０．５〜３時間ほど保持する熱処理工程を設けることが望ましい。このような熱処理工程を設けることにより結晶粒子９の二面間粒界相１１ａおよび三重点粒界相１１ｂにおける希土類元素、マグネシウムおよびガラス成分の組成の差を小さくすることができ、これによりコンデンサの室温（２５℃）よりも高い温度（約８５℃）における静電容量のばらつき（ＣＶ）を小さくすることができる。ここで、静電容量のばらつき（ＣＶ）は、複数個の試料の静電容量の測定値を母数として求めた平均値（ｘ）と標準偏差（σ）の比（σ／ｘ）で表される値である。
【００５７】
上述したように、本実施形態のコンデンサは、誘電体層５を作製するのに、チタン酸バリウムを主成分とし、これに、バナジウム、マグネシウム、希土類元素（ＲＥ）、マンガンおよび焼結助剤の全成分を所定量被覆したものを用い、得られた生のコンデンサ本体成形体を昇温速度の高い焼成条件で焼成することにより、シェル部９ｂの平均厚みの小さい結晶粒子９を得ることができる。
【００５８】
次に、このコンデンサ本体１の対向する端部に、外部電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電極３を形成する。また、場合によっては、この外部電極３の表面に実装性を高めるためにメッキ膜を形成する。こうして本発明のコンデンサを得ることができる。
【実施例１】
【００５９】
まず、原料粉末として、純度が９９．９％であり、Ｂａ／Ｔｉのモル比が１．００５のチタン酸バリウム粉末（以下、ＢＴ粉末という）を準備した。【００６０】
次に、ＢＴ粉末の懸濁液に、アンモニア水をｐＨ調整剤として用いて、ｐＨを６〜８の範囲になるようにした。次に、これに、リチウム水溶液、シリカゾル、炭酸バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、バナジン酸アンモニウム水溶液、酢酸マンガン水溶液およびイットリウム，ジスプロシウム、ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素の水溶液を、この順に、添加し混合してセラミックスラリを調製した。【００６１】
次に、このセラミックスラリを４流体ノズルを備えた噴霧乾燥機に投入し、４流体ノズルから直径が１０μｍ以下の液滴を生成させ、２００℃付近の温度で乾燥処理して、誘電体粉末の前駆体を作製し、次いで、この誘電体粉末の前駆体を４００℃にて加熱処理を行ってＢＴ粉末の表面にバナジウム、マグネシウム、希土類元素、マンガンおよび焼結助剤の全成分が所定量被覆された誘電体粉末を調製した。焼結助剤は、ＳｉＯ２＝５５，ＢａＯ＝２０，ＣａＯ＝１５，Ｌｉ２Ｏ＝１０（モル％）組成となるように組成を調整し、また、その焼結助剤の添加量はＢＴ粉末１００質量部に対して１質量部になるように調整した。また、バナジウム、マグネシウム、希土類元素およびマンガンを所定量被覆したＢＴ粉末に対して、焼結助剤としてガラス粉末を添加した試料を作製した（試料Ｎｏ．３３）。【００６２】
次に、得られた誘電体粉末を、ポリビニルブチラール樹脂と、トルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径１ｍｍのジルコニアボールを用いて湿式混合してセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により厚み２μｍのセラミックグリーンシートを作製した。【００６３】
次に、このセラミックグリーンシートの上面にＮｉを主成分とする導体ペーストを矩形状の内部電極パターンとなるように複数形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、平均粒径が０．３μｍのＮｉ粉末１００質量部に対してＢＴ粉末を添加したものを用いた。【００６４】
次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを２００枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、プレス機を用いて温度６０℃、圧力１０７Ｐａ、時間１０分の条件で密着させて積層体を作製し、しかる後、この積層体を、所定の寸法に切断してコンデンサ本体成形体を形成した。【００６５】
次に、コンデンサ本体成形体を大気中で脱バインダ処理した後、水素−窒素中、昇温速度を２０００℃／ｈとし、表１に示す温度で焼成してコンデンサ本体を作製した。この焼成では、ローラーハースキルンを用いて行った。また、昇温速度を５００℃／ｈとした試料を作製した（試料Ｎｏ．３４）。【００６６】
作製したコンデンサ本体は、続いて、窒素雰囲気中１０００℃で４時間再酸化処理を行った。このコンデンサ本体の大きさは２．０５×１．２８×１．２８ｍｍ３、誘電体層の厚みは２．０μｍ、内部電極層の１層の有効面積は１．７８ｍｍ２であった。なお、有効面積とは、コンデンサ本体の異なる端面にそれぞれ露出するように積層方向に交互に形成された内部電極層同士の重なる部分の面積のことである。【００６７】
次に、コンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にＣｕ粉末とガラスとを含んだ外部電極ペーストを塗布し、８５０℃で焼き付けを行って外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極の表面に、順にＮｉメッキ及びＳｎメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。【００６８】
次に、これらの積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。室温（２５℃）における比誘電率は静電容量をＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製）を用いて、温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、ＡＣ電圧を１．０Ｖ／μｍとして測定し、誘電体層の厚みと内部電極層の有効面積から求めた。【００６９】
誘電損失も同ＬＣＲメータを用いて静電容量と同条件で測定した。また、静電容量の温度特性は静電容量を温度−５５〜８５℃の範囲で測定した。【００７０】
ＡＣバイアス特性は、温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、ＡＣ電圧０．０１〜３．５Ｖ／μｍの条件において、交流（ＡＣ）電圧０．０１Ｖ／μｍ印加時の静電容量をＣ１、温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、ＡＣ電圧３．５Ｖ／μｍ印加時の静電容量をＣ２としたときに、（（Ｃ２−Ｃ１）／Ｃ１）×１００（％）から求めた。【００７１】
誘電体層を構成する結晶粒子の平均粒径は、焼成後のコンデンサ本体である試料の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が３０個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、各結晶粒子の輪郭を画像処理し、各粒子の面積を求め、同じ面積を持つ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求めた。【００７２】
次に、コア部とシェル部とを有する結晶粒子がシェル部がコア部を取り囲むものであるか否かについては、元素分析器（ＥＤＳ）を付設した透過電子顕微鏡を用いた分析によって確認した。分析した試料としては、積層セラミックコンデンサを加工して作製したＴＥＭ用の試料から平均粒径の±３０％の範囲にある結晶粒子を１０〜２０個抽出した。元素分析を行う際の電子線のスポットサイズは１〜３ｎｍとし、分析する箇所は結晶粒子の表面である粒界から中央部までの領域とした。この場合、結晶粒子の表面である粒界から中央部にかけて５〜１０ｎｍ毎に希土類元素の濃度を求め、横軸を距離、縦軸を元素の濃度としたグラフを作成した。ここで、グラフにおいて、最も粒界側にある測定点から順番に３点とり、この３点を用いて近似直線を引き、その直線の傾きを表層部側の元素の濃度勾配とした。また、結晶粒子の粒界から３０〜１００ｎｍの範囲内にある測定点のうち最も結晶粒子の中央側にある測定点から順番に３点とり、この３点から近似直線を引き、その直線の傾きを中央部側の元素の濃度勾配とした。この場合、粒界側の元素の濃度勾配が０．１５原子％／ｎｍ以上であり、中央部側の元素の濃度勾配が０．５原子％／ｎｍ以下である場合に、コアシェル構造となっているものとした。【００７３】
次に、結晶粒子を構成するコア部およびシェル部のそれぞれの結晶構造についてＸ線回折法により求めた。まず、誘電体層を粉砕した試料のＸ線回折パターンから、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面および（４００）面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す（００４）面（（０４０）面、（４００）面が重なっている。）の回折強度が、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（４００）面および（００４）面のうちのいずれか一方の回折強度と同等かもしくはそれよりも大きくなっているときに結晶粒子が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものとした。【００７４】
そして、結晶粒子がコア部と、コア部を取り囲むシェル部とを有することを確認した透過電子顕微鏡による分析結果と、結晶粒子が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものであることの結果とから、結晶粒子が、正方晶系のコア部と、コア部を取り囲む立方晶系のシェル部とを有するものであると判定した。【００７５】
次に、結晶粒子９が、正方晶系のコア部と、コア部を取り囲む立方晶系のシェル部とを有するものと判定したものについて結晶粒子のシェル部の厚みを以下の方法により求めた。【００７６】
結晶粒子のシェル厚みは、前述の数式１および数式２を用いて求めた。このとき、Ｘ線回折装置はPanalytical社製のX‘Pertproを用いた。このとき対象とする結晶粒子の結晶構造は、測定したＸ線回折パターンにおいて、選択したＸ線回折パターンが純粋な正方晶（ｈ  ｋ  ｌ）または立方晶（ｈ'  ｋ'  ｌ'）の反射に比較してブロードになっており、ピーク位置の同定から正方晶（ｈ  ｋ  ｌ）および立方晶（ｈ'  ｋ'  ｌ'）の反射が含まれているものを選択した。【００７７】
そして、回折ピークは、正方晶の（００２），（２００）、立方晶の（２００）を測定の対象とした。ビームの大きさは、縦方向に０．５ｍｍ、水平方向に５ｍｍとした。波長は１．５４９８２Åとした。誘電体磁器の測定は、ステップ幅を０．０２°とし、１点あたりの計数時間を５．０秒とした。また、繰返し回数を１０回とし、１０回分の積算を回折強度とした。なお、評価においては、回折ピークからピーク分離ソフト（PROFIT）を用いて以下の条件で正方晶の（００２），（２００）、立方晶の（２００）をピーク分離を行った。ピーク分離の条件は、バックグラウンド関数：０次多項式、放射光：Ｋα１、プロファイル関数：the psedo-Voigt関数、半値幅：すべての反射に対し異なる半値幅、プロファイルの対象性：対象、データ分解能：シャープ（最小半値幅：約０．１°）および解析範囲：４４°＜２θ＜４７°、とした。【００７８】
また、得られた焼結体である試料の組成分析はＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）分析および原子吸光分析により行った。この場合、得られた誘電体磁器を硼酸と炭酸ナトリウムと混合し溶融させたものを塩酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ＩＣＰ発光分光分析にかけて定量化した。また、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求めた。なお、得られた積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の組成は、表１に示した組成と一致した。【００７９】
調合組成および焼成条件を表１に、得られた積層セラミックコンデンサにおける誘電体層を構成する結晶粒子の平均粒径および誘電特性（比誘電率、静電容量の温度特性、ＡＣバイアス特性，誘電損失）の結果を表２にそれぞれ示す。尚、表１、表２における試料Ｎｏ．Ｉ−５、Ｉ−１１、Ｉ−１４、Ｉ−２０、Ｉ−２５、Ｉ−３０、Ｉ−３４およびＩ−３５は参考試料である。
【００８０】
【表１】
0005496331.tif 000004
【００８１】
【表２】
0005496331.tif 000005
【００８２】
表１、２の結果から明らかなように、試料Ｎｏ．Ｉ−１〜４，Ｉ−６〜１０，Ｉ−１２，Ｉ−１３，Ｉ−１５〜１９，Ｉ−２１〜２４，Ｉ−２６〜２９およびＩ−３１〜３４では、室温（２５℃）における比誘電率が３９５０以上であり、かつ静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足するものとなった。【００８３】
また、試料Ｎｏ．Ｉ−２〜４，Ｉ−６〜１０，Ｉ−１２，Ｉ−１３，Ｉ−１６〜１９，Ｉ−２２〜２４，Ｉ−２７〜２９，Ｉ−３１およびＩ−３２では、室温（２５℃）における比誘電率が４５００以上であり、かつ静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足し、ＡＣバイアス特性が３０％以下であり、さらに、誘電損失が５％以下であった。【００８４】
特に、チタン酸バリウム１００モルに対して、前記バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０４〜０．１モル、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜１．２モル、前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．３〜０．４８モルおよび前記マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．３５モル含有する誘電体磁器を誘電体層とした試料Ｎｏ．Ｎｏ．Ｉ−２〜３，Ｉ−６〜１０，Ｉ−１２，Ｉ−１３，Ｉ−１６〜１９，Ｉ−２２〜２４，Ｉ−２７〜２９，Ｉ−３１およびＩ−３２では、室温（２５℃）における比誘電率を４５００以上、静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足し、ＡＣバイアス特性が２９．００％以下であり、さらに、誘電損失が５％以下であった。【００８５】
これに対して、試料Ｎｏ．Ｉ−５，Ｉ−１１，Ｉ−１４，Ｉ−２０，Ｉ−２５，Ｉ−３０およびＩ−３５では、室温（２５℃）における比誘電率が３９５０以上および静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足すること、のいずれかの特性を満足しないものであった。
【実施例２】
【００８６】
次に、焼成工程において、作製したコンデンサ成形体を脱脂した後、最高温度にて焼成する前に、一旦、表３に示す温度にて１時間の熱処理を行った他は、全て実施例１と同様の方法により試料を作製し、同様の評価を行い、さらに、８５℃における静電容量を測定し、そのばらつき（ＣＶ）を求めた。静電容量のばらつきはそれぞれ３２個の試料から求めた。【００８７】
また、誘電体磁器中の二面間粒界相および三重点粒界相における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度は、透過電子顕微鏡に付設のＸ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）によって求めた。この場合、分析に用いた試料は、作製した積層セラミックコンデンサの誘電体層から切り出した薄板状の誘電体磁器にイオンミリング加工を行ったものを用いた。分析する領域は、二面間粒界相および三重点粒界相を断面視したときに、少なくとも３個の結晶粒子の最大径が平均粒径の±２０％以内の範囲にある結晶粒子群からなる箇所を５箇所選択した。そして、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）を用いて、図３に示すように、二面間粒界相の位置Ｓ１および三重点粒界相の位置Ｓ２における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度を求め、二面間粒界相における元素の濃度Ｃ１と三重点粒界相における元素の濃度Ｃ２との比Ｃ２／Ｃ１の平均値を求めた。このとき、分析する二面間粒界相の位置Ｓ１は粒界相の幅のほぼ中央とし、三重点粒界相の位置Ｓ２は三重点粒界相の中央とした。また、二面間粒界相の位置Ｓ１は三重点粒界相の位置Ｓ２を定めた位置から約５０ｎｍ離れた位置とした。作製条件を表３に、誘電特性等の評価結果を表４に示す。なお、試料Ｎｏ．II−１〜２８は、いずれもコアシェル構造を有し、コア部は正方晶系であり、シェル部は立方晶系であることを確認した。【００８８】
【表３】
0005496331.tif 000006
【００８９】
【表４】
0005496331.tif 000007
【００９０】
表３、４の結果から明らかなように、作製した試料（試料No.II−１〜２８）は、いずれも実施例１の方法にて作製した試料と同様に、室温（２５℃）における比誘電率が３９５０以上であり、かつ静電容量の温度特性がＸ５Ｒ特性を満足するものであった。また、ＡＣバイアス特性は３０％以下であり、誘電損失は５％以下であった。この中で、製造中に、得られたコンデンサ本体成形体を脱脂した後、水素−窒素雰囲気中、最高温度に達する前に、表３に示す温度にて保持する熱処理工程を加えて作製した積層セラミックコンデンサの試料（試料Ｎｏ．II−１〜２３、２５〜２８）は、熱処理工程を設けずに焼成した試料（試料Ｎｏ．II−２４）に比較して、静電容量のばらつき（ＣＶ）がいずれも２％以下と小さく、特に、熱処理工程の温度を９００〜１０００℃とした試料（試料Ｎｏ．II−１〜２１、２５〜２８）では、静電容量のばらつき（ＣＶ）がいずれも１．５％以下であった。
【符号の説明】
【００９１】
１      コンデンサ本体
３      外部電極
５      誘電体層
７      内部電極層
９      結晶粒子
９ａ    コア部
９ｂ    シェル部
１１    粒界相
１１ａ  二面間粒界相
１１ｂ  三重点粒界相
【図１】
0005496331.tif 000008
【図２】
0005496331.tif 000009
【図３】
0005496331.tif 000010