(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が形成されたウエハの機能面に、基材と接着層とが積層されてなり、前記基材と前記接着層との間の剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍ以上であり、前記基材の厚さが７５μｍ以上であり、波長が４４０ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率が７４％以上である接着フィルムを貼付する貼付段階と、
前記ウエハの前記機能面で反射して前記基材および前記接着層を透過した光を受光することにより、前記ウエハの前記機能面の画像を撮像する撮像段階と、
前記画像に基づいて、前記ウエハを分割する位置を決定する分割位置決定段階と、
前記ウエハを分割して前記電子部品を個片化する分割段階と、
を備える接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項２】
電子部品が形成されたウエハの機能面に、基材と接着層とが積層されてなり、前記基材と前記接着層との間の剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍ以上１．６２Ｎ／５ｃｍ以下であり、前記基材の厚さが７５μｍ以上であり、波長が４４０ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率が７４％以上９２％以下である接着フィルムを貼付する貼付段階と、
前記ウエハの前記機能面で反射して前記基材および前記接着層を透過した光を受光することにより、前記ウエハの前記機能面の画像を撮像する撮像段階と、
前記画像に基づいて、前記ウエハを分割する位置を決定する分割位置決定段階と、
前記ウエハを分割して前記電子部品を個片化する分割段階と、
を備える接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項３】
電子部品が形成されたウエハの機能面に、基材と接着層とが積層されてなり、前記基材と前記接着層との間の剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍ以上１．６２Ｎ／５ｃｍ以下であり、前記基材の厚さが７５μｍ以上１００μｍ以下であり、波長が４４０ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率が７４％以上９２％以下である接着フィルムを貼付する貼付段階と、
前記ウエハの前記機能面で反射して前記基材および前記接着層を透過した光を受光することにより、前記ウエハの前記機能面の画像を撮像する撮像段階と、
前記画像に基づいて、前記ウエハを分割する位置を決定する分割位置決定段階と、
前記ウエハを分割して前記電子部品を個片化する分割段階と、
を備える接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記貼付段階は、ヘッドに保持されている弾性体で、前記接着フィルムを前記ウエハの前記機能面に押圧する段階を有する、
請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記接着層が、ＮＣＦまたはＡＣＦを含む、
請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記撮像段階の前に、前記機能面に前記接着フィルムを貼付された前記ウエハの裏面を研削する裏面研削段階をさらに備える、
請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記裏面研削段階は、前記基材を保護する保護層が前記基材上に貼り付けられていない前記ウエハの裏面を研削する段階を有する、
請求項６に記載の接着フィルム付き電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の接着フィルム付き電子部品の製造方法により製造された前記接着フィルム付き電子部品の前記接着層から、前記基材を剥離する剥離段階と、
前記基材が剥離された接着層付き電子部品を、前記接着層を用いて基板の表面に接着する接着段階と、
を備える実装体の製造方法。
【請求項９】
前記接着段階は、ヘッドに保持されている弾性体で、前記接着層付き電子部品を前記基板の前記表面に押圧する押圧段階を有する、
請求項８に記載の実装体の製造方法。
【請求項１０】
前記押圧段階は、前記弾性体で、複数の前記接着層付き電子部品を前記基板の前記表面に同時に押圧する段階を有する、
請求項９に記載の実装体の製造方法。
【請求項１１】
前記分割段階は、前記ウエハの裏面にダイシングテープが貼り付けられた状態で、前記ウエハを分割する段階を有し、
前記剥離段階は、複数の前記接着フィルム付き電子部品が前記ダイシングテープに貼り付けられた状態のまま、前記複数の接着フィルム付き電子部品のそれぞれの前記接着層から、前記基材を剥離する段階を有する、
請求項８から請求項１０までの何れか一項に記載の実装体の製造方法。
【請求項１２】
前記剥離段階の後、前記接着フィルム付き電子部品の前記接着層から、前記基材が剥離されているか否かを確認して選別する選別段階をさらに備え、
前記接着段階は、前記基材が剥離されていることが確認された前記接着層付き電子部品を、前記接着層を用いて基板の表面に接着する段階を有する、
請求項８から請求項１１までの何れか一項に記載の実装体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着フィルム付き電子部品の製造方法および実装体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体装置が形成されたウエハを個々の半導体装置に分割して、個片化された半導体装置を配線基板に実装することが行われている（例えば、特許文献１を参照。）。また、プラスチックフィルムと接着組成物とを有する接着シート材を用いて、半導体チップを回路基板に実装することが知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
特許文献１  特開２０００−０２１９１５号公報
特許文献２  特開２００７−２１１２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ウエハに接着組成物を貼り付けたままウエハを分割すると、ウエハを個々の半導体チップに分割するときに発生する切削屑などが接着組成物に付着しやすい。また、ウエハにプラスチックフィルムおよび接着組成物を貼り付けたままウエハを分割すると、プラスチックフィルムが接着組成物から剥離しやすい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、電子部品が形成されたウエハの表面に、基材と接着層とが積層されてなる接着フィルムを貼付する貼付段階と、ウエハの表面で反射して基材および接着層を透過した光を受光することにより、ウエハの表面の画像を撮像する撮像段階と、画像に基づいて、ウエハを分割する位置を決定する分割位置決定段階と、ウエハを分割して電子部品を個片化する分割段階とを備える接着フィルム付き電子部品の製造方法が提供される。
【０００５】
上記の方法において、貼付段階は、ヘッドに保持されている弾性体で、接着フィルムをウエハの表面に押圧する段階を有してよい。上記の方法において、基材と接着層との間の剥離力は、０．１７Ｎ／５ｃｍ以上であってよい。上記の方法において、基材の厚さは、７５μｍ以上であってよい。上記の方法において、接着フィルムにおける、波長が４４０ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率は、７４％以上であってよい。
【０００６】
上記の方法において、撮像段階の前に、表面に接着フィルムを貼付されたウエハの裏面を研削する裏面研削段階をさらに備えてよい。上記の方法において、裏面研削段階は、基材を保護する保護層が基材の上に貼り付けられていないウエハの裏面を研削する段階を有してよい。上記の方法において、接着層はＮＣＦまたはＡＣＦを含んでよい。
【０００７】
本発明の第２の態様においては、上記の方法により製造された接着フィルム付き電子部品の接着層から、基材を剥離する剥離段階と、基材が剥離された接着層付き電子部品を、接着層を用いて基板の表面に接着する接着段階とを備える実装体の製造方法が提供される。
【０００８】
上記の方法において、接着段階は、ヘッドに保持されている弾性体で、接着層付き電子部品を基板の表面に押圧する押圧段階を有してよい。上記の方法において、押圧段階は、弾性体で、複数の接着層付き電子部品を基板の表面に同時に押圧する段階を有してよい。
【０００９】
上記の方法において、分割段階は、ウエハの裏面にダイシングテープが貼り付けられた状態で、ウエハを分割する段階を有してよく、剥離段階は、複数の接着フィルム付き電子部品がダイシングテープに貼り付けられた状態のまま、複数の接着フィルム付き電子部品のそれぞれの接着層から、基材を剥離する段階を有してよい。上記の方法において、剥離段階の後、接着フィルム付き電子部品の接着層から、基材が剥離されているか否かを確認して選別する選別段階をさらに備えてよく、接着段階は、基材が剥離されていることが確認された接着層付き電子部品を、接着層を用いて基板の表面に接着する段階を有してよい。
【００１０】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実装体１００の断面の一例を概略的に示す。
【図２】ウエハ２００の一例を概略的に示す。
【図３】治具３００にウエハ２００を接着する段階の一例を概略的に示す。
【図４】ウエハ２００に接着フィルム４００を貼付する段階の一例を概略的に示す。
【図５】ウエハ２００をダイシング装置５１０のチャックテーブル５２０に載置する段階の一例を概略的に示す。
【図６】ウエハ２００の表面の画像を撮像する段階の一例を概略的に示す。
【図７】ウエハ２００を分割する段階の一例を概略的に示す。
【図８】接着層４０４から基材４０２を剥離する段階の一例を概略的に示す。
【図９】基材４０２が剥離されていることを確認する段階の一例を概略的に示す。
【図１０】接着層付きチップ９００を回路基板１１０に接着する段階の一例を概略的に示す。
【図１１】回路基板１１０にチップ１２０を実装する方法の他の例を概略的に示す。
【図１２】回路基板１１０にチップ１２０を実装する方法の他の例を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１３】
以下、図面を参照して、実施形態について説明するが、図面の記載において、同一または類似の部分には同一の参照番号を付して重複する説明を省く場合がある。なお、図面は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、比率等は現実のものとは異なる場合がある。また、説明の都合上、図面相互間においても互いの寸法の関係又は比率が異なる部分が含まれる場合がある。
【００１４】
図１は、実装体１００の断面の一例を概略的に示す。実装体１００は、回路基板１１０と、チップ１２０と、接着層１３０とを備える。実装体１００は、回路基板１１０にチップ１２０を実装して得られる。実装体１００は、複数のチップ１２０を備えてよい。複数のチップ１２０は、同一の工程で回路基板１１０に実装されてよい。
【００１５】
回路基板１１０は、チップ１２０が実装される側の表面に、電極１１４を有する。回路基板１１０としては、プリント配線板、多層配線基板、フレキシブル基板などを例示できる。回路基板１１０は基板の一例であってよい。
【００１６】
チップ１２０は、デバイス１２２と、バンプ１２４とを有する。チップ１２０は、電子部品の一例であってよい。バンプ１２４は、回路基板１１０の電極１１４と電気的に接続され、デバイス１２２と回路基板１１０とを電気的に接続する。
【００１７】
デバイス１２２は、能動素子であってもよく、受動素子であってもよい。能動素子としては、ＭＩＳＦＥＴ、ＨＢＴ、ＨＥＭＴ等の半導体デバイス、ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回路素子、半導体レーザー、発光ダイオード、発光サイリスタ等の発光デバイス、光センサ、受光ダイオード等の受光デバイス、または、太陽電池を例示できる。受動素子としては、抵抗、キャパシタ、インダクタを例示できる。デバイス１２２は、電子部品の一例であってよい。
【００１８】
接着層１３０は、回路基板１１０とチップ１２０とを接着する。接着層１３０は、例えば、熱硬化性樹脂を含む組成物を熱硬化させることで得られる。図２から図１０を用いて、回路基板１１０にチップ１２０を実装する方法の一例を説明する。
【００１９】
図２は、ウエハ２００の一例を概略的に示す。本実施形態において、まず、ウエハ２００を準備する。ウエハ２００としては、シリコンウエハ等の半導体ウエハを例示できる。ウエハ２００の表面には、複数のデバイス１２２が形成されてよい。ウエハ２００の表面には、格子状のスクライブライン２０２が形成されてよい。複数のデバイス１２２のそれぞれは、スクライブライン２０２によって区画された複数の領域のそれぞれに形成されてよい。ウエハ２００のデバイス１２２が形成された面（機能面と称する場合がある。）には、バンプ１２４が形成されてよい。ウエハ２００は、バックグラインド装置等により、機能面と反対側の面（裏面と称する場合がある。）が研削されてよい。これにより、ウエハ２００の厚さを薄くすることができる。
【００２０】
図３は、治具３００にウエハ２００を接着する段階における断面図の一例を概略的に示す。本実施形態においては、準備したウエハ２００を治具３００に固定する。治具３００は、ウエハ２００の直径よりも大きな直径を有するリング状または枠状のフレーム３０２と、一方の面が接着性を有するダイシングテープ３０４とを備えてよい。ダイシングテープ３０４は、フレーム３０２の一方の面の側に貼り付けられ、フレーム３０２の内側に展張されてよい。ウエハ２００は、治具３００の中央部に貼り付けられてよい。ウエハ２００は、機能面の反対側の面がダイシングテープ３０４に貼り付けられてよい。
【００２１】
ダイシングテープ３０４は、紫外線を照射することにより剥離力が小さくなる粘着フィルムであってよい。これにより、ウエハ２００を複数のチップ分割した後、ダイシングテープ３０４に紫外線を照射することで、個々のチップをピックアップするときにチップをダイシングテープ３０４から分離するのが容易になる。
【００２２】
図４は、ウエハ２００に接着フィルム４００を貼付する段階における断面図の一例を概略的に示す。本実施形態において、まず、ウエハ２００の機能面に、基材４０２と接着層４０４とが積層されてなる接着フィルム４００を配置する。
【００２３】
基材４０２は、接着フィルム４００をリール状に巻き取った場合に、接着層４０４同士が接着することを防止する。基材４０２は、ダイシング装置などを用いてウエハ２００を分割するときに、切削屑などが接着層４０４に付着することを抑制する。基材４０２としては、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のプラスチック材料、または、上質紙、グラシン紙等の紙類を例示できる。基材４０２は、表面にシリコーン処理などの離型処理が施されてよい。
【００２４】
基材４０２は、可視光を透過してよい。これにより、安価な光学系を用いた場合であっても、基材４０２および接着層４０４をウエハ２００に貼り付けた状態で、ウエハ２００の表面の画像を撮像することができる。つまり、ＩＲカメラのような高価な光学系を使用しなくても、ウエハ２００の機能面に形成されたデバイス１２２、スクライブライン２０２、バンプ１２４、アライメントマークなどの画像を撮像することができる。
【００２５】
基材４０２は、可視光のうち、特定の波長の光を吸収してよい。基材４０２は、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光のうち、特定の波長の光を吸収してもよい。この場合、ウエハ２００の表面の可視光画像を撮像すると、当該可視光画像において基材４０２が存在する領域は着色されて見える。
【００２６】
これにより、ウエハ２００の表面を撮像した可視光画像に基づいて、基材４０２の有無を判別することができる。基材４０２が、特定の波長の光を吸収する場合であっても、基材４０２が、可視光のうち上記特定の波長の光以外の光を十分に透過させる場合には、基材４０２が存在する領域において、ウエハ２００の表面のパターンを判別することができる。
【００２７】
例えば、ウエハ２００を複数のチップ１２０に分割する工程の途中で基材４０２が接着層４０４から剥離した場合には、接着層４０４に切削屑が付着している可能性がある。このような場合には、基材４０２が剥離したチップ１２０を不良品と判断することが好ましい。そこで、ウエハ２００を分割する工程を実施した後、ウエハ２００の表面の可視光画像を撮像して、基材４０２の有無を判断してよい。これにより、切削屑に汚染されたチップ１２０が実装されることを抑制できる。
【００２８】
また、基材４０２は、実装工程の前に接着層４０４から剥離される。しかし、基材４０２が剥離されないまま実装工程が実施されると、実装体１００に不具合が生じる可能性がある。そこで、基材４０２を剥離する工程を実施した後、ウエハ２００の表面の可視光画像を撮像して、基材４０２の有無を判断してよい。これにより、基材４０２が剥離されないまま実装工程が実施されることを抑制できる。
【００２９】
基材４０２の厚さは、７５μｍ以上であってよい。基材４０２の厚さが７５μｍ未満の場合には、ダイシング装置等を用いてウエハ２００を分割する工程の途中で基材４０２が接着層４０４から剥離する場合があり、基材４０２の厚さが７５μｍ以上の場合と比較して加工性に劣る。基材４０２の厚さは、１２５μｍ以下であってよい。基材４０２の厚さが１２５μｍを超えると、基材４０２の上に接着層４０４を塗布して接着フィルム４００を製造するときに、基材４０２の上に接着層４０４を塗布しにくくなる。
【００３０】
接着層４０４は、膜形成樹脂、液状硬化成分および硬化剤を含んでよい。接着層４０４は、各種ゴム成分、柔軟剤、各種フィラー類等の添加剤を含んでもよく、更に、導電性粒子を含んでもよい。接着層４０４は、ＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、またはそれらを積層させたものであってもよい。
【００３１】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を例示できる。材料の入手の容易さおよび接続信頼性の観点からフェノキシ樹脂を含むことが好ましい。液状硬化成分としては、液状エポキシ樹脂、アクリレートを例示できる。接続信頼性および硬化物の安定性の観点から２以上の官能基を有することが好ましい。硬化剤としては、液状硬化成分が液状エポキシ樹脂の場合は、イミダゾール、アミン類、スルホニウム塩、オニウム塩、フェノール類を例示できる。液状硬化成分がアクリレートの場合には、硬化剤として有機過酸化物を例示できる。
【００３２】
基材４０２と接着層４０４との間の剥離力は、０．１７Ｎ／５ｃｍ以上であってよい。ここで、基材４０２と接着層４０４との間の剥離力とは、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に基づいて、１８０度方向にＴ型剥離した場合の剥離力を示す。基材４０２と接着層４０４との間の剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍ未満の場合には、ダイシング装置などを用いてウエハ２００を分割する工程の途中で基材４０２が接着層４０４から剥離する場合があり、基材４０２と接着層４０４との間の剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍ以上の場合と比較して加工性に劣る。
【００３３】
基材４０２と接着層４０４との間の剥離力は、図３に関連して説明した治具３００にウエハ２００を接着する段階における、ウエハ２００とダイシングテープ３０４との剥離力より小さくてよい。基材４０２と接着層４０４との間の剥離力は、紫外線の照射等により剥離力が小さくなる前の状態におけるウエハ２００とダイシングテープ３０４との剥離力より小さくてよい。
【００３４】
基材４０２は、基材４０２の厚さが７５μｍ以上であり、かつ、基材４０２と接着層４０４との間の剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍ以上であってよい。これにより、ダイシング装置などを用いてウエハ２００を分割する工程における加工性に優れた接着フィルム４００が得られる。
【００３５】
接着フィルム４００は、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率が７４％以上であってよい。上記光の透過率は、基材４０２または接着層４０４の材質、厚さ、表面処理などにより調整できる。上記光の透過率は、基材４０２または接着層４０４に添加する添加剤の種類または添加量により調整できる。例えば、接着層４０４に無機フィラーを添加することで、接着層４０４の光の透過率を低下させることができる。
【００３６】
ここで、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率が７４％以上とは、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の最大値が７４％以上であることを示す。また、上記光の透過率は、接着フィルム４００の厚さによって異なる。そこで、上記光の透過率とは、ウエハ２００に貼り付けられた状態における接着フィルム４００の厚さにおける、上記光の透過率を示す。接着フィルム４００は、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の全範囲における光の透過率が７４％以上であってもよい。
【００３７】
次に、押圧装置４１０を用いて、接着フィルム４００をウエハ２００に貼付する。押圧装置４１０は、ステージ４２０とヘッド４３０とを備えてよい。ステージ４２０は、ウエハ２００を載置してよい。ウエハ２００は、治具３００に保持されたまま、ステージ４２０に載置されてよい。ステージ４２０は加熱装置４２２を有してよい。なお、接着フィルム４００をウエハ２００に貼付する段階においては、加熱装置４２２を使用しなくてもよい。
【００３８】
ヘッド４３０は、押圧部材４３２と、押圧部材４３２を保持する保持部４３４とを有してよい。ヘッド４３０は、押圧部材４３２をステージ４２０側に向かって押圧する。押圧部材４３２は、弾性体であってよい。弾性体は、シリコーンゴムなどのエラストマーであってよい。これにより、金属製の押圧部材と比較して、接着フィルム４００をウエハ２００に均一に貼付することができる。
【００３９】
押圧装置４１０は、表面に接着フィルム４００が配置されたウエハ２００を、ステージ４２０とヘッド４３０との間に挟んで押圧する。本実施形態においては、まず、ステージ４２０の上に、治具３００に保持されたウエハ２００を載置する。次に、ヘッド４３０に保持されている押圧部材４３２で、接着フィルム４００をウエハ２００の機能面に押圧する。これにより、接着フィルム４００をウエハ２００に貼付することができる。
【００４０】
なお、本実施形態において、押圧装置４１０を用いて、接着フィルム４００をウエハ２００に貼付する場合について説明した。しかし、接着フィルム４００をウエハ２００に貼付する方法は、これに限定されない。例えば、ロールラミネーターを用いて、接着フィルム４００をウエハ２００に貼付してもよい。
【００４１】
図５は、ウエハ２００をダイシング装置５１０のチャックテーブル５２０に載置する段階の一例を概略的に示す。本実施形態においては、まず、接着フィルム４００が貼り付けられたウエハ２００が、ダイシング装置５１０のチャックテーブル５２０の上に載置される。ウエハ２００は、治具３００に保持された状態でチャックテーブル５２０の上に載置されてよい。
【００４２】
図５は、ダイシング装置５１０の断面の一例を概略的に示す。ダイシング装置５１０は、例えば、スクライブライン２０２に沿ってウエハ２００を分割する。これにより、ウエハ２００を複数のチップ１２０に個片化することができる。ダイシング装置５１０は、ウエハを分割する分割装置の一例であってよい。ウエハ２００は、治具３００に保持された状態で分割されてよい。ウエハ２００は、表面に接着フィルム４００が貼り付けられた状態で分割されてよい。
【００４３】
ダイシング装置５１０は、チャックテーブル５２０と、アライメントステージ５３０と、撮像部５４０と、切削部５５０と、制御部５６０とを備えてよい。チャックテーブル５２０は、ウエハ２００を保持した治具３００を載置することができる。チャックテーブル５２０は、図示しない減圧装置により治具３００を吸引して、チャックテーブル５２０の上に治具３００を固定してよい。
【００４４】
アライメントステージ５３０は、制御部５６０の指示に基づいて、チャックテーブル５２０をｘ方向およびｙ方向に移動させてよい。アライメントステージ５３０は、ｘｙステージであってよい。
【００４５】
撮像部５４０は、ウエハ２００の表面で反射して接着フィルム４００を透過した光を受光することにより、ウエハ２００の表面の画像を撮像してよい。撮像部５４０は、例えば、ウエハ２００を照明する照明部材と、ウエハ２００の表面で反射した光を受光する光学系と、光学系が捉えた像を撮像する撮像素子とを有する。撮像部５４０は、撮像した画像の情報を制御部５６０に送信してよい。撮像部５４０は特に限定されるものではないが、撮像部５４０は、可視光画像を撮像することが好ましい。これにより、安価な光学系を用いることができる。
【００４６】
切削部５５０は、制御部５６０の指示に基づいて、ウエハ２００を切削してよい。切削部５５０は、ウエハ２００を切削するブレード５５２を有してよい。切削部５５０は、回転するブレード５５２をウエハ２００に押圧して、ウエハ２００を切削してよい。
【００４７】
制御部５６０は、画像処理部５６２と、駆動部５６４とを有してよい。画像処理部５６２は、撮像部５４０から、ウエハ２００表面の画像の情報を受け取ってよい。画像処理部５６２は、受け取った画像の情報に基づいて、スクライブライン２０２の位置を判断してよい。画像処理部５６２は、スクライブライン２０２の位置でウエハ２００を分割することを決定してよい。画像処理部５６２は、ウエハ２００を分割する位置に関する情報を駆動部５６４に送信してよい。
【００４８】
駆動部５６４は、画像処理部５６２から、ウエハ２００を分割する位置に関する情報を受け取ってよい。駆動部５６４は、上記のウエハ２００を分割する位置に関する情報に基づいて、アライメントステージ５３０および切削部５５０を駆動してよい。これにより、駆動部５６４は、ウエハ２００を分割してデバイス１２２を個片化することができる。
【００４９】
例えば、画像処理部５６２がスクライブライン２０２に沿って、ウエハ２００をｘ方向に分割することを決定した場合、駆動部５６４は、アライメントステージ５３０を駆動して、スクライブライン２０２の一端がブレード５５２の下方に位置するように、チャックテーブル５２０を移動させる。
【００５０】
次に、駆動部５６４は、切削部５５０を駆動して、ブレード５５２を回転させた状態で切削部５５０を下方に移動させて、ブレード５５２をウエハ２００に圧接させる。その後、駆動部５６４は、アライメントステージ５３０を駆動して、ウエハ２００をｘ方向に移動させる。これにより、スクライブライン２０２に沿って、ウエハ２００をｘ方向に分割することができる。
【００５１】
図６は、ウエハ２００の表面の画像を撮像する段階における断面図の一例を概略的に示す。本実施形態においては、まず、ダイシング装置５１０の撮像部５４０が、ウエハ２００の表面で反射して基材４０２および接着層４０４を透過した光を受光することにより、ウエハ２００の表面の画像を撮像する。
【００５２】
接着フィルム４００の４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率が７４％以上である場合には、撮像部５４０として、可視光領域の画像を撮像する安価な機器を使用することができる。また、ウエハ２００の表面に基材４０２および接着層４０４を貼り付けた状態のまま、スクライブライン２０２、バンプ１２４、回路パターン、アライメントマーク等の画像を撮像することができる。これにより、ウエハ２００の表面に基材４０２および接着層４０４を貼り付けた状態のまま、ウエハ２００を分割することができる。
【００５３】
次に、ダイシング装置５１０の画像処理部５６２が、撮像部５４０が撮像した画像の情報を受け取る。画像処理部５６２は、上記の画像の情報に基づいて、ウエハ２００を分割する位置を決定する。画像処理部５６２は、ウエハ２００の機能面の画像からスクライブライン２０２の位置を認識して、スクライブライン２０２に沿って、ウエハ２００を分割することを決定してよい。画像処理部５６２は、ウエハ２００の機能面の画像からバンプ１２４またはアライメントマークの位置を認識して、スクライブライン２０２の位置を認識してもよい。
【００５４】
図７は、ウエハ２００を分割する段階における断面図の一例を概略的に示す。本実施形態において、画像処理部５６２がウエハ２００を分割する位置を決定すると、駆動部５６４は、上記の決定に基づいてアライメントステージ５３０および切削部５５０を駆動して、ウエハ２００を分割してチップ１２０を個片化する。ダイシング装置５１０は、ウエハ２００の裏面にダイシングテープ３０４が貼り付けられた状態でウエハ２００を分割してよい。これにより、ウエハ２００を分割した後のハンドリングが容易になる。
【００５５】
以上の工程により、接着フィルム付きチップ７００を製造することができる。本実施形態によれば、接着層４０４の表面が基材４０２に覆われた状態で、接着フィルム付きチップ７００を製造することができるので、接着層４０４の表面に切削屑が付着することを抑制できる。接着フィルム付きチップ７００は、接着フィルム付き電子部品の一例であってよい。
【００５６】
図８は、接着層４０４から基材４０２を剥離する段階における断面図の一例を概略的に示す。本実施形態において、まず、複数の接着フィルム付きチップ７００がダイシングテープ３０４に貼り付けられた状態のまま、複数の接着フィルム付きチップ７００の基材４０２の上に、粘着フィルム８００を貼り付ける。粘着フィルム８００の材質は、粘着フィルム８００と基材４０２との剥離力が、基材４０２と接着層４０４との剥離力より大きくなるように選択してよい。
【００５７】
次に、粘着フィルム８００を図中矢印の方向に引っ張ることで、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から、基材４０２を剥離する。これにより、複数の接着フィルム付きチップ７００がダイシングテープ３０４に貼り付けられた状態のまま、複数の接着フィルム付きチップ７００のそれぞれの接着層４０４から、基材４０２を剥離することができる。
【００５８】
図９は、基材４０２が剥離されているかを確認する段階における断面図の一例を概略的に示す。図９に示すとおり、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２を剥離することで、接着層付きチップ９００を製造することができる。本実施形態においては、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２を剥離した後、ダイシング装置５１０の撮像部５４０が、ウエハ２００の表面の画像を撮像する。画像処理部５６２は、ウエハ２００の表面の画像を処理して、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から、基材４０２が剥離されているか否かを確認する。
【００５９】
例えば、基材４０２として、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光のうち特定の波長の光を吸収する材料を用いた場合、ウエハ２００の表面の可視光画像における基材４０２が存在する領域は着色されて見える。これにより、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から、基材４０２が剥離されているか否かを確認することができる。画像処理部５６２は、基材４０２が剥離されている接着層付きチップ９００を選別してよい。
【００６０】
なお、本実施形態においては、ダイシング装置５１０が、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２が剥離されているか否かを確認する場合について説明した。しかしながら、上記の確認方法はこれに限定されない。例えば、ダイシングテープ３０４から個々の接着層付きチップ９００を分離するピックアップ装置が、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２が剥離されているか否かを確認してもよい。
【００６１】
また、本実施形態においては、ウエハ２００の表面の可視光画像を画像処理することで、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２が剥離されているか否かを確認する場合について説明した。しかしながら、上記の確認方法はこれに限定されない。例えば、ダイシングテープ３０４から個々の接着層付きチップ９００を分離するピックアップ装置が接着層付きチップ９００をピックアップする場合、接着層４０４から基材４０２が剥離されていないときには、接着層４０４から基材４０２が剥離されているときと比較して、ピックアップ装置の先端とダイシングテープ３０４との距離がより遠い地点で、ピックアップ装置と接着層付きチップ９００とが接触する。そこで、ピックアップ装置が検出する圧力変化に基づいて、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２が剥離されているか否かを確認してよい。
【００６２】
図１０は、接着層付きチップ９００を回路基板１１０に接着する段階における断面図の一例を概略的に示す。本実施形態においては、まず、基材４０２が剥離されていることが確認された接着層付きチップ９００をピックアップして、回路基板１１０の表面の所定の位置に配置する。接着層付きチップ９００と回路基板１１０とは、両者を押圧したときに、接着層付きチップ９００のバンプ１２４と回路基板１１０の電極１１４とが電気的に接続するように位置合わせされる。
【００６３】
次に、接着層付きチップ９００が配置された回路基板１１０を、押圧装置４１０のステージ４２０の上に載置する。そして、ヘッド４３０に保持されている押圧部材４３２で、接着層付きチップ９００を回路基板１１０の表面に押圧する。このとき、加熱装置４２２がステージ４２０を介して、接着層４０４を加熱してよい。これにより、基材４０２が剥離された接着層付きチップ９００を、接着層４０４を用いて回路基板１１０の表面に接着することができる。
【００６４】
押圧部材４３２は弾性体であってよい。これにより、複数の接着層付きチップ９００を回路基板１１０の表面に同時に押圧した場合であっても、接着層付きチップ９００と回路基板１１０とを良好に接続することができる。
【００６５】
以上の工程により、実装体１００を製造することができる。本実施形態においては、ウエハ２００の機能面側に接着フィルム４００が貼り付けられた状態で、ウエハ２００が個々のチップ１２０に分割される。これにより、接着フィルム４００の接着層４０４に切削屑などが付着することを抑制できる。本実施形態においては、接着フィルム４００は、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率が７４％以上であってよい。これにより、ウエハ２００の機能面側に接着フィルム４００が貼り付けられた状態で、ウエハ２００を分割する位置を決定することができる。
【００６６】
本実施形態においては、接着フィルム４００の基材４０２の厚さは、７５μｍ以上であってよく、基材４０２と接着層４０４との間の剥離力は、０．１７Ｎ／５ｃｍ以上であってよい。これにより、ウエハ２００の機能面側に接着フィルム４００が貼り付けられた状態でウエハ２００を分割する場合であっても、当該分割工程における接着層４０４からの基材４０２の剥離を防止することができる。
【００６７】
本実施形態においては、ウエハ２００の裏面を研削した後、ウエハ２００の機能面に接着フィルム４００を貼り付けて、ウエハ２００をダイシングしてよい旨を説明した。しかし、実装体１００の製造方法はこれに限定されない。例えば、ウエハ２００の機能面に接着フィルム４００を貼り付けた後、ウエハ２００の裏面研削とウエハ２００のダイシングとを実施してもよい。ウエハ２００の裏面を研削する場合、接着フィルム４００をウエハ２００の機能面を保護する保護層として利用してもよく、接着フィルム４００の上にさらに保護層を設けてもよい。
【００６８】
図１１は、回路基板１１０にチップ１２０を実装する方法の他の例を概略的に示す。図１１において、図１から図１０までと同一または類似の部分には、図１から図１０までと同一の参照番号を付して、重複する説明を省く場合がある。
【００６９】
本実施形態では、Ｓ１１０２において、ウエハ２００を準備する。Ｓ１１０４において、ウエハ２００の機能面に接着フィルム４００を貼り付ける。接着フィルム４００の貼り付けは、図４に関連して説明した方法と同様にして実施することができる。
【００７０】
Ｓ１１０６において、機能面に接着フィルム４００が貼付されたウエハ２００の裏面を研削する。ウエハ２００の裏面研削は、例えば、以下の手順で実施できる。まず、バックグラインド装置のチャックテーブル１１６２の上に、機能面に接着フィルム４００が貼付されたウエハ２００を載置する。
【００７１】
このとき、接着フィルム４００側の面とチャックテーブル１１６２とが対向するように、ウエハ２００を載置する。本実施形態においては、ウエハ２００の機能面に接着フィルム４００が貼り付けられているので、接着フィルム４００の基材４０２の上に、基材４０２を保護する保護層（バックグラインドテープ）を貼り付けなくてもよい。これにより、実装体１００、接着フィルム付きチップ７００および接着層付きチップ９００の製造費用を抑制することができる。
【００７２】
次に、バックグラインド装置の研削ホイール１１６４を回転させ、回転している研削ホイール１１６４をウエハ２００の裏面に押圧する。これにより、ウエハ２００の裏面を研削することができる。
【００７３】
Ｓ１１０８において、ウエハ２００をダイシングテープ３０４に転写する。これにより、治具３００にウエハ２００を接着することができる。このとき、ウエハ２００の裏面と、ダイシングテープ３０４とを貼り付けてよい。Ｓ１１１０において、ウエハ２００をダイシングする。これにより、接着フィルム付きチップ７００を製造することができる。ウエハ２００のダイシングは、図５から図７に関連して説明した方法と同様にして実施することができる。
【００７４】
Ｓ１１１２において、接着層４０４から基材４０２を剥離する。これにより、接着層４０４が露出する。また、接着層付きチップ９００が得られる。基材４０２の剥離は、図８に関連して説明した方法と同様にして実施することができる。Ｓ１１１４において、個片化された接着層付きチップ９００をピックアップする。ピックアップ装置のピックアップツール１１７２は、接着層付きチップ９００を吸着することで、接着層付きチップ９００をピックアップしてよい。
【００７５】
このとき、基材４０２が剥離されていることが確認された接着層付きチップ９００を選別して、ピックアップしてよい。接着層付きチップ９００の選別は、図９に関連して説明した方法と同様にして、接着フィルム付きチップ７００の接着層４０４から基材４０２が剥離されていることを確認することで、実施することができる。
【００７６】
Ｓ１１１６において、回路基板１１０の所定の位置に、接着層付きチップ９００を配置する。Ｓ１１１８において、接着層付きチップ９００を回路基板１１０に圧着する。接着層付きチップ９００の配置および圧着は、図１０に関連して説明した方法と同様にして実施することができる。以上の工程により、実装体１００を製造することができる。
【００７７】
なお、上記の実施形態において、押圧部材４３２にエラストマーなどの弾性体を用いて、複数の接着層付きチップ９００を回路基板１１０に一括して実装する場合について説明した。しかし、回路基板１１０にチップ１２０を実装する方法は、これに限定されない。例えば、エラストマーなどの弾性体を用いずに、接着層付きチップ９００を回路基板１１０に実装してもよい。また、複数の接着層付きチップ９００を、１つずつ回路基板１１０に実装してもよい。
【００７８】
図１２は、回路基板１１０にチップ１２０を実装する方法の他の例を概略的に示す。図１２は、接着層付きチップ９００を回路基板１１０に接着する段階における断面図の一例を概略的に示す。図１２において、図１から図１１までと同一または類似の部分には、図１から図１１までと同一の参照番号を付して、重複する説明を省く場合がある。
【００７９】
押圧装置１２１０は、フリップチップボンディングにより、回路基板１１０とチップ１２０とを電気的に接続する。押圧装置１２１０は、ステージ１２２０と、セラミックツール１２３０とを備える。押圧装置１２１０およびステージ１２２０は、それぞれ、押圧装置４１０およびステージ４２０と同様の構成を有してよい。
【００８０】
セラミックツール１２３０は、接着層付きチップ９００を回路基板１１０に対して押圧する。セラミックツール１２３０は、複数の接着層付きチップ９００を、１つずつ回路基板１１０に対して押圧してよい。セラミックツール１２３０は、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム等のセラミックを含んでよい。セラミックツール１２３０は、ヘッドの一例であってよい。セラミックツール１２３０は、セラミックツール１２３０を加熱する加熱装置１２３２を有してよい。加熱装置１２３２は、セラミックヒータであってよい。
【実施例】
【００８１】
（実施例１〜９）
表１の実施例１から実施例８に示すとおり、「接着層と基材との剥離力」、「基材の厚さ」および「可視光の透過率」が異なる、８種類の接着フィルムを用意した。実施例１から実施例８では、接着フィルムの接着層の一例としてＮＣＦを用いた。また、実施例９として、接着層の一例としてＡＣＦを用いた接着フィルムを用意した。各接着フィルムの基材には、離型処理方法と厚さの異なるＰＥＴフィルムを用いた。
【００８２】
実施例１から実施例８までの接着フィルムは、以下の手順で作製した。まず、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、東都化成株式会社製）１０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、ジャパンエポキシレジン株式会社製)１０質量部、イミダゾール系潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１ＨＰ、旭化成株式会社製）１５質量部、ゴム成分（ＲＫＢ、レジナス化成株式会社製）５質量部およびシランカップリング剤（Ａ−１８７、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）１質量部にトルエン１００質量部を加えて攪拌して、均一な樹脂溶液を調整した。
【００８３】
次に、バーコーターを用いて、実施例１から実施例８で使用するそれぞれの基材の上に、上記の樹脂溶液を塗布した。樹脂溶液を塗布した基材を８０℃のオーブンに入れ、溶媒を揮発させて、樹脂溶液を乾燥させることで、ＰＥＴフィルムとＮＣＦとを有する接着フィルムを作製した。作製した接着フィルムのＮＣＦの厚さは、すべて３０μｍであった。
【００８４】
実施例９の接着フィルムは、以下の手順で作製した。まず、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、東都化成株式会社製）１０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、ジャパンエポキシレジン株式会社製)１０質量部、イミダゾール系潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１ＨＰ、旭化成株式会社製）１５質量部、ゴム成分（ＲＫＢ、レジナス化成株式会社製）５質量部、シランカップリング剤（Ａ−１８７、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）１質量部および導電性粒子（ＡＵＥ、積水化学工業）５質量部にトルエン１００質量部を加えて攪拌して、均一な樹脂溶液を調整した。
【００８５】
次に、バーコーターを用いて、実施例９で使用する基材の上に、上記の樹脂溶液を塗布した。樹脂溶液を塗布した基材を８０℃のオーブンに入れ、溶媒を揮発させて、樹脂溶液を乾燥させることで、ＰＥＴフィルムとＡＣＦとを有する接着フィルムを作製した。作製した接着フィルムのＡＣＦの厚さは、３０μｍであった。
【００８６】
実施例１から実施例９までの接着フィルムにおいて、接着層と基材との剥離力は、基材の上に樹脂溶液を塗布する前に、基材の表面に離型処理を施すことで調整した。離型処理は、シリコーン系の剥離剤を基材の表面に塗布した後、基材を加熱して、基材を乾燥させることで実施した。シリコーン系の剥離剤の配合を調整することで、接着層と基材との剥離力が異なる接着フィルムを作製した。
【００８７】
基材と接着層との剥離力は、テンシロン（株式会社オリエンテック製）を用いて測定した。測定は、幅５０ｍｍ、長さ１００ｍｍの接着フィルムを用いて実施した。引張方向は１８０度方向とし、引張方法はＴ型剥離とした。引張速度は毎分３００ｍｍに設定した。測定は、温度２３±２℃、湿度５５±１０％ＲＨの条件で実施した。
【００８８】
接着フィルムの透過率は、ＭＣＰＤ−２０００（大塚電子株式会社製）を用いて、平行光線透過率を測定した。接着フィルムの透過率は、以下の手順で算出した。まず、接着フィルムの接着層とガラス基板とが対向するように各接着フィルムをガラス基板の上に貼り付けて、測定試料を準備した。ガラス基板の厚さは１．１ｍｍであった。次に、ガラス基板単体の平行光線透過率を測定した。測定は、透過させる光の波長を３００ｎｍから１１００ｎｍまで連続的に変化させて実施した。次に、準備した測定試料のそれぞれについても同様に、平行光線透過率を測定した。ガラス基板単体の平行光線透過率を１００％として、各接着フィルムの透過率を算出した。
【００８９】
基材の厚さは、マイクロメーター（ミツトヨ株式会社製）を用いて測定した。
【００９０】
次に、実施例１から実施例９までの接着フィルムのそれぞれをシリコンウエハの一方の面の全面に貼り付けて、ダイシング試験に用いる試料を準備した。シリコンウエハの直径は６インチであり、シリコンウエハの厚さは４００μｍであった。
【００９１】
次に、ダイシングにより、上記試料のそれぞれを６．３ｍｍ×６．３ｍｍのチップに分割して、パターンの視認性と加工性とを評価した。ダイシング装置は、ＤＦＤ−６５１（株式会社ディスコ製）を用いた。ブレードは、ＮＢＣ−ＺＢ２０３０−０．０４ｔ（株式会社ディスコ製）を用いた。ブレードの厚さは４０μｍであった。ブレードの回転数は３００００ｒｐｍに設定した。ブレードの送り速度は１０ｍｍ／ｓｅｃに設定した。
【００９２】
パターンの視認性は、ＤＦＤ−６５１に搭載されたＣＣＤカメラでシリコンウエハの表面に形成されたパターンを観察した。パターンの線幅は３０μｍであった。加工性は、ダイシング装置によりシリコンウエハを分割して、６．３ｍｍ×６．３ｍｍのチップに個片化した場合に、接着層から基材が剥離したチップの数を測定することで評価した。
【００９３】
表１に、実施例１から実施例８までの接着フィルムを用いてシリコンウエハを分割した場合における、パターンの視認性と加工性とを示す。表１において、◎は、非常に良好であったことを表す。○は、良好であったことを表す。
【表１】
0005597422.tif 000002
【００９４】
表１に示すとおり、実施例１から実施例８までの接着フィルムを貼り付けた状態で、シリコンウエハ上のパターンを良好に判別することができた。表１に示すとおり、実施例１から実施例８までの接着フィルムを貼り付けた状態でシリコンウエハをダイシングした場合であっても、接着層からの基材の剥離を抑制することができた。
【００９５】
実施例９の接着フィルムについても、実施例９の接着フィルムをシリコンウエハに貼り付けた状態で、シリコンウエハ上のパターンを良好に判別することができた。また、実施例９の接着フィルムをシリコンウエハに貼り付けた状態でシリコンウエハをダイシングした場合であっても、接着層からの基材の剥離を抑制することができた。
【００９６】
実施例９と同様にして、厚さが５〜３０μｍＡＣＦを接着層として用いた接着フィルムを製造した。製造した接着フィルムのそれぞれについて、実施例１から実施例９と同様にして、パターンの視認性と加工性とを評価した。これらの接着フィルムについても、シリコンウエハ上のパターンを良好に判別することができた。また、これらの接着フィルムをシリコンウエハに貼り付けた状態でシリコンウエハをダイシングした場合であっても、接着層からの基材の剥離を抑制することができた。また、ＮＣＦとＡＣＦとを積層させて得られた接着層を有する接着フィルムを製造した場合も、同様の効果を得ることができた。
【００９７】
（比較例１〜１０）
表２の比較例１から比較例１０に示すとおり、「接着層と基材との剥離力」、「基材の厚さ」および「可視光の透過率」が異なる、１０種類の接着フィルムを用意した。「接着層と基材との剥離力」、「基材の厚さ」および「可視光の透過率」は、実施例１から実施例９の場合と同様にして測定した。
【００９８】
比較例１の接着フィルムは、実施例１から実施例８までの接着フィルムと同様の方法により製造した。シリコーン系の剥離剤の配合を調整することで、実施例１から実施例８までの接着フィルムと比較して、接着層と基材との剥離力が弱い接着フィルムを作製した。
【００９９】
比較例２および比較例３の接着フィルムは、以下の手順で作製した。まず、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、東都化成株式会社製）１０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、ジャパンエポキシレジン株式会社製)１０質量部、イミダゾール系潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１ＨＰ、旭化成株式会社製）１５質量部、ゴム成分（ＲＫＢ、レジナス化成株式会社製）５質量部、無機フィラー（ＳＯＥ２、株式会社アドマテックス製）５０質量部、シランカップリング剤（Ａ−１８７、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）１質量部にトルエン１００質量部を加えて攪拌して、均一な樹脂溶液を調整した。
【０１００】
次に、比較例２および比較例３で使用するそれぞれの基材の上に、バーコーターを用いて、上記の樹脂溶液を塗布した。樹脂溶液を塗布した基材を８０℃のオーブンに入れ、溶媒を揮発させて、樹脂溶液を乾燥させることで、ＰＥＴフィルムとＮＣＦとを有する接着フィルムを作製した。作製した接着フィルムのＮＣＦの厚さは、すべて３０μｍであった。
【０１０１】
比較例２および比較例３においても、基材の上に樹脂溶液を塗布する前に、基材の表面に離型処理を施すことで、接着層と基材との剥離力を調整した。離型処理は、シリコーン系の剥離剤を基材の表面に塗布した後、基材を加熱して、基材を乾燥することで実施した。シリコーン系の剥離剤の配合を調整することで、接着層と基材との剥離力が異なる接着フィルムを作製した。
【０１０２】
比較例４から比較例１０までの接着フィルムは、基材として厚さが２５μｍまたは５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた以外は、実施例１から実施例８までの接着フィルムと同様の方法により製造した。
【０１０３】
比較例４から比較例１０においても、基材の上に樹脂溶液を塗布する前に、基材の表面に離型処理を施すことで、接着層と基材との剥離力を調整した。離型処理は、シリコーン系の剥離剤を基材の表面に塗布した後、基材を加熱して、基材を乾燥することで実施した。シリコーン系の剥離剤の配合を調整することで、接着層と基材との剥離力が異なる接着フィルムを作製した。
【０１０４】
比較例１から比較例１０までの接着フィルムのそれぞれをシリコンウエハの一方の面の全面に貼り付けて、ダイシング試験に用いる試料を準備した。シリコンウエハの直径は６インチであり、シリコンウエハの厚さは４００μｍであった。実施例１から実施例９の場合と同様にして、ダイシングにより、上記試料のそれぞれを６．３ｍｍ×６．３ｍｍのチップに分割して、パターンの視認性と加工性とを評価した。
【０１０５】
表２に、比較例１から比較例１０までの接着フィルムを用いてシリコンウエハを分割した場合における、パターンの視認性と加工性とを示す。表２において、◎は、非常に良好であったことを表す。○は、良好であったことを表す。△は、一部不良であったことを表す。×は、不良であったことを表す。
【表２】
0005597422.tif 000003
【０１０６】
表２に示すとおり、比較例１においては、実施例１から実施例９と比較して加工性に劣る。比較例１の接着フィルムは、接着層と基材との剥離力が０．１７Ｎ／５ｃｍより小さいので、ダイシング工程が終了したときに、基材が接着層から剥離することがあった。
【０１０７】
比較例２および比較例３においては、波長が４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率が７４％より小さいので、実施例１から実施例９と比較してパターンの視認性に劣る。また、比較例２および比較例３においては、実施例１から実施例９と比較して加工性がやや劣る。比較例２および比較例３の接着フィルムは、基材に無機フィラーが添加されているので、ダイシング工程が終了したときに、基材の表面が荒れることがあった。
【０１０８】
比較例４から比較例１０においては、実施例１から実施例９と比較して加工性に劣る。比較例４から比較例１０の接着フィルムは、基材の厚さが７５μｍより小さいので、ダイシング工程が終了したときに、基材が接着層から剥離することがあった。
【０１０９】
（実施例１０）
表面に複数のバンプが形成されたシリコンウエハを用意した。シリコンウエハは、直径が６インチであり、厚さが０．６ｍｍであった。バンプは、Ｃｕの電極の表面に半田をプリコートすることで形成した。半田の厚さは２５μｍであった。Ｃｕの電極は、直径が３３ｍｍであり、厚さが２５μｍであった。バンプのピッチは、８５μｍであった。バンプの数は、２７２個であった。
【０１１０】
次に、実施例１から実施例８までと同様にして、接着フィルムを作製した。実施例１０の接着フィルムの基材としては、厚さが１００μｍの透明なＰＥＴフィルムを用いた。実施例１０の接着フィルムの接着層としては、実施例１から実施例８までと同様のＮＣＦを用いた。実施例１０の接着層のＮＣＦの厚さは、３０μｍであった。実施例１０の接着フィルムにおいて、接着層と基材との剥離力は０．７２Ｎ／５ｃｍであった。実施例１０の接着フィルムにおいて、波長が４４０ｎｍ、５５０ｎｍおよび７００ｎｍの光の透過率は、全て７４％以上であった。
【０１１１】
次に、シリコンウエハのバンプが形成された側の面の全面に、作製した接着フィルムを貼り付けた。次に、バックグラインド装置（ＤＦＧ８５４０、株式会社ディスコ製）を用いて、シリコンウエハの接着フィルムが貼り付けられていない側の面を研削して、シリコンウエハの厚さを２００μｍにした。バックグラインドの条件は、粗加工が０．４μｍ／ｓｅｃであり、仕上げ加工が０．３μｍ／ｓｅｃであった。
【０１１２】
バックグラインドを実施した後、接着フィルムを剥がして、バンプの破損および変形の有無を調べた。バンプの破損および変形の有無は、ＤＦＧ８５４０に搭載されたＣＣＤカメラで撮影した画像を観察することにより実施した。その結果、全てのバンプにおいて、バンプの破損および変形は認められなかった。また、バックグラインド中にシリコンウエハが欠けたり、割れたりすることもなかった。研削面の一部には、転写と呼ばれる加工ムラが認められた。しかし、加工ムラの程度は、一般的なバックグラインドテープをシリコンウエハの機能面に貼り付けて、シリコンウエハをバックグラインドした場合と同程度であった。
【０１１３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【０１１４】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【０１１５】
１００  実装体
１１０  回路基板
１１４  電極
１２０  チップ
１２２  デバイス
１２４  バンプ
１３０  接着層
２００  ウエハ
２０２  スクライブライン
３００  治具
３０２  フレーム
３０４  ダイシングテープ
４００  接着フィルム
４０２  基材
４０４  接着層
４１０  押圧装置
４２０  ステージ
４２２  加熱装置
４３０  ヘッド
４３２  押圧部材
４３４  保持部
５１０  ダイシング装置
５２０  チャックテーブル
５３０  アライメントステージ
５４０  撮像部
５５０  切削部
５５２  ブレード
５６０  制御部
５６２  画像処理部
５６４  駆動部
７００  接着フィルム付きチップ
８００  粘着フィルム
９００  接着層付きチップ
１１６２  チャックテーブル
１１６４  研削ホイール
１１７２  ピックアップツール
１２１０  押圧装置
１２２０  ステージ
１２３０  セラミックツール
１２３２  加熱装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１１】
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