(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミングを有する４サイクルの内燃機関であって、該内燃機関の排ガス路に設けられ、内部に排ガス浄化用触媒を備えた内燃機関用マフラにおいて、
マフラハウジングの内部に形成され、排ガス流入口と連通した第１膨張室と、
マフラハウジングの内部で該第１膨張室と仕切り壁で区画され、排ガス流出口と連通し、該仕切り壁に設けられた排ガス通過孔から排ガスが流入する第２膨張室と、
該排ガス通過孔を通る排ガス流路に設けられ、排ガス中の有害物質を除去する排ガス浄化用触媒と、を備え、
前記バルブタイミング時にマフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気をマフラハウジング外から前記第１膨張室に導入する二次空気導入用隙間を設けるとともに、
前記第２膨張室に設けられ、内部に前記排ガス流出口に連なる排ガス流出路が形成され、該排ガス流出路に網目状の消音スクリーンを備えた筒状のテールパイプを備え、
前記二次空気導入用隙間を、テールパイプ外周面と該テールパイプ外周面に対置された前記マフラハウジングの端縁との間に形成し、
更に、互いに対置され前記二次空気導入用隙間を形成するテールパイプ外周面とマフラハウジング端縁とを、異なる曲率半径をもつ円弧で形成し、
マフラハウジング端縁の一部の曲率半径をテールパイプ外周面の曲率半径より小さくして、前記二次空気導入用隙間を形成するようにしたことを特徴とする汎用内燃機関用マフラ。
【請求項２】
吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミングを有する４サイクルの内燃機関であって、該内燃機関の排ガス路に設けられ、内部に排ガス浄化用触媒を備えた内燃機関用マフラにおいて、
マフラハウジングの内部に形成され、排ガス流入口と連通した第１膨張室と、
マフラハウジングの内部で該第１膨張室と仕切り壁で区画され、排ガス流出口と連通し、該仕切り壁に設けられた排ガス通過孔から排ガスが流入する第２膨張室と、
該排ガス通過孔を通る排ガス流路に設けられ、排ガス中の有害物質を除去する排ガス浄化用触媒と、を備え、
前記バルブタイミング時にマフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気をマフラハウジング外から前記第１膨張室に導入する二次空気導入用隙間を設けるとともに、
前記第２膨張室に設けられ、内部に前記排ガス流出口に連なる排ガス流出路が形成され、該排ガス流出路に網目状の消音スクリーンを備えた筒状のテールパイプを備え、
前記二次空気導入用隙間を、テールパイプ外周面と該テールパイプ外周面に対置された前記マフラハウジングの端縁との間に形成し、
更に、互いに対置され前記二次空気導入用隙間を形成するテールパイプ外周面とマフラハウジング端縁とを、夫々テールパイプ周方向に同一の曲率半径をもつ同心状の円弧で形成し、
前記二次空気導入用隙間の隙間長をテールパイプ周方向に同一にしたことを特徴とする用内燃機関用マフラ。
【請求項３】
吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミングを有する４サイクルの内燃機関であって、該内燃機関の排ガス路に設けられ、内部に排ガス浄化用触媒を備えた内燃機関用マフラにおいて、
マフラハウジングの内部に形成され、排ガス流入口と連通した第１膨張室と、
マフラハウジングの内部で該第１膨張室と仕切り壁で区画され、排ガス流出口と連通し、該仕切り壁に設けられた排ガス通過孔から排ガスが流入する第２膨張室と、
該排ガス通過孔を通る排ガス流路に設けられ、排ガス中の有害物質を除去する排ガス浄化用触媒と、を備え、
前記バルブタイミング時にマフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気をマフラハウジング外から前記第１膨張室に導入する二次空気導入用隙間を設けるとともに、
前記第２膨張室に設けられ、内部に前記排ガス流出口に連なる排ガス流出路が形成され、該排ガス流出路に網目状の消音スクリーンを備えた筒状のテールパイプを備え、
前記二次空気導入用隙間を、テールパイプ外周面と該テールパイプ外周面に対置された前記マフラハウジングの端縁との間に形成し、
更に、前記マフラハウジングが、前記第１膨張室を形成する第１マフラハウジングと、前記第２膨張室を形成する第２マフラハウジングとが互いに接合されて構成され、
第１マフラハウジングと第２マフラハウジングとの間に前記テールパイプを介在させ、第１マフラハウジングとテールパイプ外周面との間に前記二次空気導入用隙間が形成され、
該二次空気導入用隙間が第１マフラハウジングと第２マフラハウジングとの接合部まで延在されていることを特徴とする汎用内燃機関用マフラ。
【請求項４】
吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミングを有する４サイクルの内燃機関であって、該内燃機関の排ガス路に設けられ、内部に排ガス浄化用触媒を備えた内燃機関用マフラにおいて、
マフラハウジングの内部に形成され、排ガス流入口と連通した第１膨張室と、
マフラハウジングの内部で該第１膨張室と仕切り壁で区画され、排ガス流出口と連通し、該仕切り壁に設けられた排ガス通過孔から排ガスが流入する第２膨張室と、
該排ガス通過孔を通る排ガス流路に設けられ、排ガス中の有害物質を除去する排ガス浄化用触媒と、を備え、
前記バルブタイミング時にマフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気をマフラハウジング外から前記第１膨張室に導入する二次空気導入用隙間を設けるとともに、
前記第２膨張室に設けられ、内部に前記排ガス流出口に連なる排ガス流出路が形成され、該排ガス流出路に網目状の消音スクリーンを備えた筒状のテールパイプを備え、
前記二次空気導入用隙間を、テールパイプ外周面と該テールパイプ外周面に対置された前記マフラハウジングの端縁との間に形成し、
更に、前記排ガス流出口を形成する前記テールパイプの隔壁に、軸方向に前記二次空気導入用隙間及び第１膨張室に連通する切欠きを形成したことを特徴とする汎用内燃機関用マフラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排気ガス浄化用触媒を備え、発電機、産業機械等の原動機として用いられる小型汎用内燃機関に用いられて好適なマフラに関する。
【背景技術】
【０００２】
前記小型汎用内燃機関では、排ガス規制に対処すべく、内燃機関の排ガス路に設けられたマフラに、排ガス浄化用触媒を内蔵させたものが知られている。排ガス浄化用触媒として、三元触媒や酸化触媒等があるが、三元触媒は、内燃機関に供給される燃料と空気の比率が理論空燃比でないと、排ガスの浄化能力が低下する。また、酸化触媒は、一酸化炭素（ＣＯ）や炭化水素（ＨＣ）を酸化させ、ＣＯ２や水に変換して無害化するものであるため、内燃機関をリーン領域で運転し、排ガス中の残留酸素を多くする必要がある。
【０００３】
しかし、小型汎用内燃機関では、通常、出力・加速性能を良くするため、リッチ領域で運転されている。また、コスト面及び搭載スペースの都合上、キャブレタ方式が用いられているため、燃料を自由にリーン領域とすることができない。そのため、従来、マフラに二次空気を導入する試みがなされている。二次空気の導入方式として、ポンプによるもの（特許文献１及び２）、リード弁を用いた方式（特許文献３及び４）や、２サイクルの内燃機関では、排ガスのベンチュリ効果を利用して二次空気を導入する方式（特許文献５）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２０９５１２号公開公報
【特許文献２】特開平１１−６２５７４号公開公報
【特許文献３】特開平９−１５８７２２号公開公報
【特許文献４】特開平６−２９９８４５号公開公報
【特許文献５】特開平９−２７３４１９号公開公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、これらの方式は、構成が複雑となり、コストアップとなるという問題がある。また、二次空気導入路に排ガスが逆流し、高温の排ガスが外部に流出するという問題がある。高温の排ガスが流出することで、排ガスの流出箇所によっては、付近の部品を焼損させるおそれがある。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑み、マフラの構成を複雑化することなく、低コストで二次空気を導入可能にし、これによって、排ガス浄化用触媒の排ガス浄化能力を高く維持させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的を達成するため、本発明の汎用内燃機関用マフラは、吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミングを有する４サイクルの内燃機関であって、該内燃機関の排ガス路に設けられ、内部に排ガス浄化用触媒を備えた内燃機関用マフラにおいて、マフラハウジングの内部に形成され、排ガス流入口と連通し、該排ガス流入口から排ガスが流入する第１膨張室と、マフラハウジングの内部で第１膨張室と仕切り壁で区画され、排ガス流出口と連通し、該仕切り壁に設けられた排ガス通過孔から排ガスが流入する第２膨張室と、該排ガス通過孔を通る排ガス流路に設けられ、排ガス中の有害物質を除去する排ガス浄化用触媒と、を備え、吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミング時にマフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気をマフラハウジング外から第１膨張室に導入する二次空気導入用隙間を設けたことを第１の要旨とするものである。
【０００８】
内燃機関の燃焼排ガスは、先ず第１膨張室に流入し、次に第２膨張室に流入することで、膨張作用と壁面反射による減衰効果とで、圧力変動が平準化され、消音される。本発明では、二次空気（外部空気）を外部から第１膨張室に導入する隙間を設け、吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミング時に、マフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気導入用隙間から二次空気を導入するようにしている。このように、二次空気導入用隙間を形成するだけであるので、マフラの構成を複雑化することなく、低コストで二次空気の導入が可能となる。
【０００９】
また、排ガス浄化用触媒は、第１膨張室と第２膨張室とを仕切る仕切り壁の排ガス通過孔に設けられ、二次空気が第１膨張室に導入されるように構成したので、排ガス浄化用触媒を通過する排ガスを酸素リッチ状態とすることができる。そのため、排ガス浄化用触媒の排ガス浄化能力を高く維持できる。
【００１０】
本発明において、第２膨張室に設けられ、内部に排ガス流出口に連なる排ガス流出路が形成され、該排ガス流出路に網目状の消音スクリーンを備えた筒状のテールパイプを備え、二次空気導入用隙間を、テールパイプ外周面と該テールパイプ外周面に対置されたマフラハウジングの端縁との間に形成することを第２の要旨とする。これによって、既設のマフラを大きく改造することなく、かつ新たな部材を設けることなく、二次空気導入用隙間を低コストで形成できる。
【００１１】
また、もともと排ガス流出口の周辺には、排ガスの熱によって焼損を受ける部品は配設されていない。前記構成では、二次空気導入路がテールパイプの外周面に沿って形成され、テールパイプの排ガス流出口近傍に位置されているので、仮に、排ガスが逆流して、二次空気導入用隙間から排ガスが排出されたとしても、排ガスの熱によって焼損を受ける部品は存在しない。
【００１２】
そして本第１発明は、前記第１の要旨と第２の要旨に加えて、互いに対置され二次空気導入用隙間を形成するテールパイプ外周面とマフラハウジング端縁とを、異なる曲率半径をもつ円弧で形成し、マフラハウジング端縁の一部の曲率半径をテールパイプ外周面の曲率半径より小さくして、二次空気導入用隙間を形成する。これによって、マフラハウジング端縁の加工を煩雑化することなく、二次空気導入用隙間の隙間面積を容易に拡大できる。
【００１３】
又本第２発明は、前記第１の要旨と第２の要旨に加えて、互いに対置され二次空気導入用隙間を形成するテールパイプ外周面とマフラハウジング端縁とを、夫々テールパイプ周方向に同一の曲率半径をもつ同心状の円弧で形成し、二次空気導入用隙間の隙間長をテールパイプ周方向に同一にする。これによって、テールパイプ及びマフラハウジング端縁を従来の加工方法で成形しながら、二次空気導入用隙間の形成が可能になる。
【００１４】
又本第３発明は、前記第１の要旨と第２の要旨に加えて、マフラハウジングが、第１膨張室を形成する第１マフラハウジングと、第２膨張室を形成する第２マフラハウジングとが互いに接合されて構成され、第１マフラハウジングと第２マフラハウジングとの間にテールパイプを介在させ、第１マフラハウジングとテールパイプ外周面との間に二次空気導入用隙間が形成され、該二次空気導入用隙間が第１マフラハウジングと第２マフラハウジングとの接合部まで延在されている。
【００１５】
これによって、第１マフラハウジングと第２マフラハウジングの接合部の構成を変更するだけの簡単な加工方法の変更で、二次空気導入用隙間の隙間面積を拡大できる。そのため、二次空気の導入量を低コストで増加出来る。
【００１６】
又本第４発明は、前記第１の要旨と第２の要旨に加えて、排ガス流出口を形成するテールパイプの隔壁に、軸方向に二次空気導入用隙間及び第１膨張室に連通する切欠きを形成する。これによって、特別な流路を新たに設けることなく、簡単な加工で、二次空気導入路の流路面積を拡大でき、二次空気の導入量を増加できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、吸気弁と排気弁とが共に開放されるバルブタイミングを有する４サイクルの内燃機関であって、該内燃機関の排ガス路に設けられ、内部に排ガス浄化用触媒を備えた内燃機関用マフラにおいて、マフラハウジングの内部に形成され、排ガス流入口と連通した第１膨張室と、マフラハウジングの内部で該第１膨張室と仕切り壁で区画され、排ガス流出口と連通し、該仕切り壁に設けられた排ガス通過孔から排ガスが流入する第２膨張室と、該排ガス通過孔を通る排ガス流路に設けられ、排ガス中の有害物質を除去する排ガス浄化用触媒と、を備え、前記バルブタイミング時にマフラハウジング内に形成される負圧によって、二次空気をマフラハウジング外から第１膨張室に導入する二次空気導入用隙間を設けたので、マフラの構成を複雑化することなく、低コストで二次空気の導入が可能になる。また、排ガス浄化用触媒を通過する排ガスを酸素リッチ状態とすることができ、排ガス浄化用触媒の排ガス浄化能力を高く維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明装置の第１実施形態に係るマフラの平面図である。
【図２】第１実施形態に係るマフラの部分断面（図１中のＡ―Ａ断面）を含む正面図である。
【図３】図２中のＢ―Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】図２中のＣ部拡大図である。
【図５】第１実施形態に係るマフラのＯ２増加率及びＨＣ浄化率を示す図表である。
【図６】第１実施形態に係るマフラのＯ２増加率を示す線図である。
【図７】第１実施形態に係るマフラのＨＣ浄化率を示す線図である。
【図８】本発明装置の第２実施形態に係るマフラの一部拡大図である。
【図９】本発明装置の第３実施形態に係るマフラの一部拡大図である。
【図１０】本発明装置の第４実施形態に係るマフラの一部拡大図である。
【図１１】第４実施形態に係るマフラのテールパイプの斜視図である。
【図１２】４サイクル内燃機関に装備されたマフラの内部圧力を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではない。
【００２０】
（実施形態１）
本発明のマフラを４サイクルの小型汎用内燃機関に適用した第１実施形態を図１〜図７に基づいて説明する。図１〜図３において、本実施形態に係るマフラ１０のマフラハウジング１２は、上下に２つ割りされた第１マフラハウジング１４と第２マフラハウジング１６とで構成されている。第１マフラハウジング１４と第２マフラハウジング１６との間には、仕切り板１８が設けられている。第１マフラハウジング１４及び第２マフラハウジング１６の接合部は、第１マフラハウジング１４及び第２マフラハウジング１６の端縁が、両側から仕切り板１８の端縁を挟着している。そして、第２マフラハウジング１６の端縁が第１マフラハウジング１４の端縁を巻き締めて接合した巻締め部２０を形成している。
【００２１】
仕切り板１８によって、仕切り板１８の下方に第１膨張室２２が形成され、仕切り板１８の上方に第２膨張室２４が形成されている。第１マフラハウジング１４には、接合部２５を介して排気管２６が挿入固定され、排気管２６の開口２６ａがマフラハウジング１２の内部に開口している。該開口２６ａに対面する位置で、円筒形状の外筒２８が仕切り板１８に貫通した状態で固着されている。外筒２８の内部に、ＰｔやＰｄ等の酸化触媒を担持したハニカム形状の触媒担体３０が収納されている。
【００２２】
仕切り板１８の他の領域には、第１膨張室２２側に向かって突出する半円筒形状凹部１８ａが形成されている。該半円筒形状凹部１８ａに円筒形状のテールパイプ３２が嵌合され、テールパイプ３２は、半円筒形状凹部１８ａに数ヶ所スポット溶接で固着されている。テールパイプ３２の内部は排ガスの流出路となり、排ガス流出口３２ａがマフラハウジング１２の外部に開口している。テールパイプ３２の内部には、排ガス流出路を遮蔽するように、第１消音スクリーン３４及び第２消音スクリーン３６が設けられている。
【００２３】
第１消音スクリーン３４及び第２消音スクリーン３６は、網目状に形成され、互いに間隔を置いて配置され、第２消音スクリーン３６は排ガス流出口３２ａ付近に配置されている。排ガスがテールパイプ３２の内部を通り、第１消音スクリーン３４及び第２消音スクリーン３６の細孔を通るとき、絞り作用を受けて、圧力変動が平滑化されて消音される。第１消音スクリーン３４及び第２消音スクリーン３６は、消炎作用をも有する。
【００２４】
図４は図２中のＣ部拡大図である。図４において、排ガス流出口３２ａ付近に、テールパイプ３２の内部を遮蔽するように、第２消音スクリーン３６が設けられている。第１マフラハウジング１４の端縁１４ａ及び第２マフラハウジング１６の端縁１６ａは、テールパイプ３２の外周面の方向に沿うように折り曲げられている。端縁１４ａ及び１６ａで仕切り板１８の端縁１８ｂを挟み、延長された第２マフラハウジング１６の端縁１６ａが、端縁１６ａ及び１８ｂを巻き締めして、巻締め部２０を形成している。
【００２５】
第２マフラハウジング１６の端縁１６ａの内周及びこれに相対するテールパイプ３２の外周面は、夫々周方向に曲率半径が同一な円弧で形成されている。端縁１６ａの内周及びテールパイプ３２の外周面とは、略同一曲率半径を有し、端縁１６ａの内周はテールパイプ３２の外周面に密着し、これらの間に隙間は形成されていない。一方、第１マフラハウジング端縁１４ａの中央部の内周の曲率半径Ｒ２は、テールパイプ３２の外周面の曲率半径Ｒ１より小さく形成されている。そのため、テールパイプ外周面と端縁１６ａの内周とは、両端部で接しているが、中央領域に二次空気導入用隙間ｓが形成されている。また、仕切り板１８は、排ガス流出口３２ａ付近で角形の切欠き１８ｃを有している。
【００２６】
かかる構成において、小型汎用内燃機関が稼動した後排気される排ガスｅは、排気管２６からマフラ１０の第１膨張室２２に流入する。第１膨張室２２に流入した排ガスｅは、酸化触媒を担持した触媒担体３０を通過するとき、一酸化炭素（ＣＯ）や炭化水素（ＨＣ）が酸化され、ＣＯ２や水に変換して無害化される。
【００２７】
排ガスｅは、第１膨張室２２及び第２膨張室２４で膨張を繰り返し、膨張作用と壁面反射による減衰効果とで、圧力の変動を平準化されて消音される。触媒担体３０で無害化されて第２膨張室２４に到達した排ガスｅは、テールパイプ３２を通る時、第１消音スクリーン３４及び第２消音スクリーン３６で消音かつ消炎されて、排ガス流出口３２ａから排出される。
【００２８】
図１２は、４サイクルの小型汎用内燃機関に設けられたマフラ１０の内部圧力を示す。図１２に示すように、排気上死点（３６０°）直後の行程（破線円Ｄ内）で、吸気弁と排気弁とが共に開となるオーバラップ時に、負圧が発生していることがわかる。図１２は、１００％負荷時及び無負荷時の内部圧力を示すが、部分負荷時でも同一の結果となることがわかっている。
【００２９】
触媒担体３０に担持された酸化触媒の浄化能力を高く維持するために、第１膨張室２２内を酸素リッチ状態に保持する必要がある。本実施形態では、吸気弁と排気弁とが共に開放となるオーバラップ時に、マフラハウジング１２の内部が負圧となるので、二次空気導入用隙間ｓから外部空気（二次空気）が導入され、第１膨張室２２を酸素リッチ状態にすることができる。これによって、酸化触媒の浄化能力を高く維持できる。
【００３０】
本実施形態によれば、二次空気導入用隙間ｓから二次空気を導入するようにしているため、既設のマフラ１０を大きく改造する必要がなく、かつマフラ１０の構成を複雑化する必要がない。そのため、低コストで酸化触媒の浄化能力を高く維持できる。
また、二次空気導入用隙間ｓはテールパイプ３２に排ガス流出口３２ａの近傍に配置され、高温の排ガスｅが流出する排ガス流出口３２ａの周辺には、もともと排ガスｅの熱によって焼損を受ける部品は配置されていない。そのため、排ガスｅが二次空気導入用隙間ｓに逆流し、二次空気導入用隙間ｓから排出されたとしても、排ガスｅの熱で焼損を受ける部品は存在しない。
【００３１】
また、第１マフラハウジング端縁１４ａの内周の中央部の曲率半径Ｒ２をテールパイプ３２の外周面の曲率半径Ｒ１より小さくすることで、二次空気導入用隙間ｓを形成している。これによって、端縁１４ａの加工を煩雑化することなく、二次空気導入用隙間ｓの形成が容易であると共に、滑らかな二次空気導入用流路が形成され、排ガスｅの乱流が発生しない。そのため、排ガスｅの流入効率を向上できる。
【実施例】
【００３２】
本実施形態のマフラ１０で、触媒浄化率を測定した試験結果を図６〜図８に示す。この試験は４サイクルＯＨＶエンジン（排気量１３１ｃｃ）を１００％負荷、及び３０６０ｒｐｍで運転したときの試験結果である。図５中、隙間長ｔとは図４に図示された隙間長ｔを指す。図７の縦軸は、第１膨張室２２で排ガスｅに含まれるＯ２の含有率を示す。この試験結果から、二次空気導入用隙間ｓを設けたことにより、第１膨張室２２の排ガス中のＯ２含有率が飛躍的に高まり、これによって、ＨＣ浄化率が著しく向上したことがわかる。
【００３３】
（実施形態２）
次に、本発明装置の第２実施形態を図９により説明する。本実施形態は、互いに対置され二次空気導入用隙間ｓを形成するテールパイプ３２の外周面と、第１マフラハウジング１４の端縁１４ａとを、夫々テールパイプ周方向に同一の曲率半径をもつ同心状の円弧で形成し、二次空気導入用隙間ｓの幅をテールパイプ周方向に同一となるように構成している。なお、前記第１実施形態と同様に、第２マフラハウジング１６の端縁１６ａとテールパイプ３２の外周面とは、同一の曲率半径をもち、互いに密着し、これらの間に隙間を形成していない。その他の構成は、前記第１実施形態と同一である。
【００３４】
本実施形態によれば、端縁１４ａが同一曲率半径を有する円弧で形成されるため、端縁１４ａの成形加工が容易になるという利点がある。即ち、テールパイプ３２及び端縁１６ａを従来と同様の加工方法で成形でき、加工方法を変更する必要がない。
【００３５】
（実施形態３）
次に、本発明装置の第３実施形態を図１０により説明する。本実施形態は、前記第２実施形態と比べて、巻締部２０の端部をテールパイプ３２から離隔している。即ち、仕切り板１８の切欠き４０をテールパイプ３２から離れる方向に拡大し、端縁１４ａ及び１６ａ間に二次空気導入用隙間ｓをもたせると共に、切欠き４０に合わせて、巻締部２０をテールパイプ３２から離している。その他の構成は第２実施形態と同一である。
【００３６】
本実施形態によれば、二次空気導入用隙間ｓがテールパイプ３２の外周面と端縁１４ａとの間のみならず、巻締め部２０にまで延在させることができる。このように、巻締部２０の構成を変えるだけの簡単な加工方法の変更で、二次空気導入用隙間ｓの隙間面積を容易に拡大できる。
【００３７】
（実施形態４）
次に、本発明装置の第４実施形態を図１１及び図１２により説明する。本実施形態は、排ガス流出口３２ａを形成するテールパイプ３２の隔壁下部に、軸方向に沿って切欠き４０を形成したものである。その他の構成は、第２実施形態と同一である。この切欠き４０を形成することで、二次空気導入用隙間ｓの隙間面積を拡大できる。
【００３８】
本実施形態によれば、第２実施形態で得られる作用効果に加えて、テールパイプ３２の一部に切欠き４０を形成するという簡単な加工で、二次空気導入用隙間ｓの隙間面積を容易に拡大できる。これによって、二次空気導入量を増加し、酸化触媒の浄化能力を高く維持できる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によれば、内燃機関の排ガス路に設けられたマフラの構成を複雑化することなく、低コストで二次空気を導入可能にし、かつ排ガス浄化用触媒の排ガス浄化能力を高く維持できる。
【符号の説明】
【００４０】
１０                      マフラ
１２                      マフラハウジング
１４                      第１マフラハウジング
１４ａ                    第１マフラハウジング端縁
１６                      第２マフラハウジング
１６ａ                    第２マフラハウジング端縁
１８                      仕切り板
１８ａ                    半円筒形状凹部
１８ｂ                    仕切り板端縁
１８ｃ                    切欠き
２０                      巻締め部
２２                      第１膨張室
２４                      第２膨張室
２５                      接合部
２６                      排気管
２８                      外筒
３０                      触媒担体
３２                      テールパイプ
３２ａ                    排ガス流出口
３４                      第１消音スクリーン
３６                      第２消音スクリーン
４０                      切欠き
Ｒ１、Ｒ２                  曲率半径
ｅ                        排ガス
ｓ                        二次空気導入用隙間
ｔ                        隙間長
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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