(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなるセラミック面と導電体からなる導電面とをもって表面が構成された部品本体と、
前記導電面を起点として析出しためっき析出物を前記セラミック面上に成長させてなるめっき膜と
を備え、
前記セラミック面は、第１のセラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域と、前記第１のセラミックとは異なる第２のセラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域とを有し、
前記めっき膜は、前記導電面から、前記高めっき成長領域と前記低めっき成長領域との境界を前記低めっき成長領域側へと越える成長が制限された状態で形成されている、
セラミック電子部品。
【請求項２】
前記部品本体は、前記セラミック面を与えるセラミック部分と、前記セラミック部分の表面に一部が露出した状態で前記セラミック部分の内部に形成された内部電極とを備え、前記導電面の少なくとも一部は前記内部電極によって与えられる、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記部品本体は、前記セラミック面を与えるセラミック部分と、前記セラミック部分の表面に一部が露出した状態で前記セラミック部分の内部に形成された内部電極と、前記セラミック部分における前記内部電極の露出面上に形成された導体膜とを備え、前記導電面の少なくとも一部は前記導体膜によって与えられる、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記部品本体は、積層された複数のセラミック層と前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成されかつ一部が露出した複数の内部電極とを備える積層構造を有し、
前記部品本体は、その長さ方向寸法Ｌおよびその幅方向寸法Ｗによって規定されるＬＷ面と、その長さ方向寸法Ｌおよびその厚み方向寸法Ｔによって規定されるＬＴ面と、その幅方向寸法Ｗおよびその厚み方向寸法Ｔによって規定されるＷＴ面とを有する直方体形状またはほぼ直方体形状であり、
前記内部電極は前記ＬＷ面と平行に延び、前記ＷＴ面が前記内部電極の露出面となり、
前記めっき膜は、前記内部電極に電気的に接続される外部端子電極の少なくとも一部となるべきものであり、前記ＷＴ面を覆うとともに、前記ＷＴ面から少なくとも前記ＬＷ面の一部にまで延びるように形成され、
前記部品本体の外表面は、前記めっき膜が形成される領域を除いて前記第２のセラミックから構成される、
請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記部品本体に備える前記セラミック層のうち、最外層を構成するセラミック層が前記第２のセラミックからなり、中間層を構成するセラミック層が前記第１のセラミックからなり、最外層を構成するセラミック層が、中間層を構成するセラミック層に比べて、長さ方向寸法が短く、中間層を構成するセラミック層の長さ方向での両端部を露出させた状態で積層され、
前記部品本体は、前記ＬＴ面に沿うように形成される、前記第２のセラミックからなるセラミック層をさらに備え、
前記めっき膜は、前記ＷＴ面から前記中間層を構成するセラミック層の露出した長さ方向での両端部上にまで延びるように形成される、
請求項４に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記第１のセラミックは、その組成の主成分がチタン酸バリウム系であり、前記第２のセラミックは、その組成の主成分がジルコン酸カルシウム系である、請求項１ないし５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
セラミックからなるセラミック面と導電体からなる導電面とをもって表面が構成され、前記セラミック面は、第１のセラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域と、前記第１のセラミックとは異なる第２のセラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域とを有する、部品本体を用意する工程と、
前記導電面を起点としてめっき析出物を析出させるとともに、当該めっき析出物を成長させることによって、めっき膜を、前記導電面から、前記高めっき成長領域と前記低めっき成長領域との境界を前記低めっき成長領域側へと越える成長が制限された状態で形成する、めっき処理工程と
を備える、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記部品本体を用意する工程は、
前記第１のセラミックを含む第１のセラミックグリーンシートを用意する工程と、
特定の前記第１のセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートを積層することによって、前記第１のセラミックグリーンシートからなる積層体を得る工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートからなる積層体の、前記めっき膜の形成を望まない箇所に前記第２のセラミックを含む膜を形成することによって、部品本体の生の状態のものに相当するグリーンシート積層体を得る工程と、
前記グリーンシート積層体を焼成する工程と
を備える、請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記部品本体を用意する工程は、
前記第１のセラミックを含む第１のセラミックグリーンシートを用意する工程と、
特定の前記第１のセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートを積層することによって、複数の前記部品本体となるべき部分を行方向および列方向に分布させた集合状態にある集合グリーンシート積層体を作製する工程と、
前記集合グリーンシート積層体の主面上の、前記めっき膜の形成を望まない箇所に前記第２のセラミックを含む膜を形成する工程と、次いで、
前記集合グリーンシート積層体を短冊状にカットすることによって、複数の短冊状グリーンシート積層体を取り出す工程と、
前記短冊状グリーンシート積層体の、前記カットによって現れた面上に前記第２のセラミックを含む膜を形成する工程と、
前記短冊状グリーンシート積層体をカットすることによって、個々のセラミック電子部品のための複数の前記グリーンシート積層体を取り出す工程と、
前記グリーンシート積層体を焼成する工程と
を備える、請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第２のセラミックを含む膜を形成する工程は、前記第２のセラミックを含む第２のセラミックグリーンシートを用意する工程と、前記第２のセラミックグリーンシートを貼り付ける工程とを含む、請求項８または９に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミック電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、部品本体上にある外部端子電極のような電極がめっきにより形成されるめっき膜を含む、セラミック電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７に示すように、積層セラミックコンデンサに代表される積層型のセラミック電子部品１０１は、一般に、たとえば誘電体セラミックからなる積層された複数のセラミック層１０２と、セラミック層１０２間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極１０３および１０４とを含む、積層構造の部品本体１０５を備えている。部品本体１０５の一方および他方端面１０６および１０７には、それぞれ、複数の内部電極１０３および複数の内部電極１０４の各端部が露出していて、これら内部電極１０３の各端部および内部電極１０４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部端子電極１０８および１０９が形成されている。
【０００３】
外部端子電極１０８および１０９の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを部品本体１０５の端面１０６および１０７上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極膜１１０がまず形成される。次に、ペースト電極膜１１０上に、たとえばニッケルを主成分とする第１のめっき膜１１１が形成され、さらにその上に、たとえば錫または金を主成分とする第２のめっき膜１１２が形成される。すなわち、外部端子電極１０８および１０９の各々は、ペースト電極膜１１０、第１のめっき膜１１１および第２のめっき膜１１２の３層構造より構成される。
【０００４】
外部端子電極１０８および１０９に対しては、積層型セラミック電子部品１０１がはんだを用いて基板に実装される際に、はんだとのぬれ性が良好であることが求められる。同時に、外部端子電極１０８に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０３を互いに電気的に接続し、かつ、外部端子電極１０９に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０４を互いに電気的に接続する役割が求められる。はんだぬれ性の確保の役割は、上述した第２のめっき膜１１２が果たしており、内部電極１０３および１０４相互の電気的接続の役割は、ペースト電極膜１１０が果たしている。第１のめっき膜１１１は、はんだ接合時のはんだ喰われを防止する役割を果たしている。
【０００５】
しかし、ペースト電極膜１１０は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、この積層型セラミック電子部品１０１の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極膜１１０の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき膜１１１および１１２はその厚みが数μｍ程度であるため、仮に第１のめっき膜１１１および第２のめっき膜１１２のみで外部端子電極１０８および１０９を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
【０００６】
たとえば、特開２００４−１４６４０１号公報（特許文献１）には、導電性ペーストを積層体（部品本体）の端面の少なくとも内部電極の積層方向に沿った稜部に、内部電極の引出し部と接触するよう塗布し、この導電性ペーストを焼き付けまたは熱硬化させて導電膜を形成し、さらに、積層体の端面に電解めっきを施し、上記稜部の導電膜と接続されるように電解めっき膜を形成する方法が開示されている。これによると、外部端子電極の端面における厚みを薄くすることができる。
【０００７】
また、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献２）には、部品本体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっき膜を形成する方法が開示されている。これによっても、外部端子電極の厚みを薄くすることができる。
【０００８】
上述しためっき膜は、基本的には、導電体としての内部電極の露出部を起点として析出しためっき析出物をセラミック部分上でほぼ均一な厚みとなるように成長させることによって形成されたものである。すなわち、このめっき膜の形成には、被めっき面と平行方向へのめっき成長が利用される。
【０００９】
そのため、部品本体の稜線部分のような内部電極の露出部がない場所へもめっき膜を能率的に成長させたい場合には、通常、上記特許文献１にも記載されるように、めっき膜の下地となる導電膜を予め形成しておく必要がある。しかし、下地となる導電膜の形成は、コストの増大や工程数の増加を招く。
【００１０】
この問題を解決するため、めっき膜の形成にあたって、めっき条件をめっき成長力が非常に高くなるように設定し、セラミック部分の表面へそのままめっき成長させる方法も考えられている。しかし、めっき成長力の高い条件ほど、めっき成長を制御することは簡単ではなく、めっき膜の端縁を所定の位置に止めることが難しい。
【００１１】
他方、上述しためっき成長の制御を可能にする方法として、たとえば、特開２００４−１５０１６号公報（特許文献３）に記載のものが注目される。特許文献３には、部品本体の表面に直接めっき膜を形成する技術ではないが、積層チップサーミスタのようなチップ型電子部品の製造方法において、焼付けによる外部端子電極を部品本体上に形成した後、外部端子電極の表面にめっきを施す技術が記載されている。
【００１２】
特許文献３に記載のようなサーミスタの場合、部品本体は半導体セラミックを用いて構成されるため、部品本体の表面抵抗は比較的低い。したがって、部品本体上の所望しない箇所にもめっき成長しやすいという課題がある。
【００１３】
この課題を解決するため、特許文献３には、いくつかの技術が記載されているが、たとえば図７を参照して説明すると、部品本体１０５の表面における、外部端子電極１０８および１０９が形成されない部分に、破線で示すように、ガラス層１１３を形成し、その上にチタネートカップリング剤からなる撥水剤層１１４を形成することが記載されている。ガラス層１１３が形成されず、撥水剤層１１４のみが形成される例も記載されている。
【００１４】
上述したガラス層や撥水剤層は、不所望なめっき成長を防ぐのに有効である。しかしながら、特許文献３に記載の技術には、次のような課題がある。
【００１５】
まず、ガラス層および撥水剤層のいずれであっても、これらを形成するために塗布工程や浸漬工程を必要とする場合、外部端子電極が形成されない場所といった所望の場所にばらつきなくこれらを形成することが難しい。このことは、めっき成長の制御を難しくする。
【００１６】
また、ガラス層の場合、めっき液に溶かされやすいという性質を有していることがある。したがって、特許文献３に記載の技術が、部品本体の表面に直接めっき膜を形成する技術に転用されると、ガラス層の一部がめっき液に溶解され、不所望なめっき成長を引き起こすことがある。このような問題を引き起こさないめっき液を用いることも可能な場合もあり得るが、この場合には、めっき浴の設計の自由度を下げてしまう。
【００１７】
また、撥水剤が、部品本体の表面に直接めっき膜を形成する技術に用いられると、めっき成長が必要な箇所へのめっき成長をも阻害してしまう懸念が高くなる。よって、この場合も、めっき成長の制御を難しくしてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００４−１４６４０１号公報
【特許文献２】特開昭６３−１６９０１４号公報
【特許文献３】特開２００４−１５０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
この発明の目的は、上記のような課題を解決し得る、セラミック電子部品およびその製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明は、セラミックからなるセラミック面と導電体からなる導電面とをもって表面が構成された部品本体と、導電面を起点として析出しためっき析出物をセラミック面上に成長させてなるめっき膜とを備える、セラミック電子部品にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００２１】
すなわち、上記セラミック面は、第１のセラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域と、第１のセラミックとは異なる第２のセラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域とを有し、上記めっき膜は、上記導電面から、高めっき成長領域と低めっき成長領域との境界を低めっき成長領域側へと越える成長が制限された状態で形成されていることを特徴としている。
【００２２】
この発明に係るセラミック電子部品において、部品本体が、セラミック面を与えるセラミック部分と、セラミック部分の表面に一部が露出した状態でセラミック部分の内部に形成された内部電極とを備える場合、導電面の少なくとも一部は内部電極によって与えられてもよく、あるいは、部品本体が、セラミック部分における内部電極の露出面上に形成された導体膜をさらに備える場合、導電面の少なくとも一部は導体膜によって与えられてもよい。
【００２３】
この発明に係るセラミック電子部品の好ましい実施態様において、部品本体は、積層された複数のセラミック層とセラミック層間の特定の界面に沿って形成されかつ一部が露出した複数の内部電極とを備える積層構造を有している。また、部品本体は、その長さ方向寸法Ｌおよびその幅方向寸法Ｗによって規定されるＬＷ面と、その長さ方向寸法Ｌおよびその厚み方向寸法Ｔによって規定されるＬＴ面と、その幅方向寸法Ｗおよびその厚み方向寸法Ｔによって規定されるＷＴ面とを有する直方体形状またはほぼ直方体形状である。ここで、上記内部電極はＬＷ面と平行に延び、ＷＴ面が内部電極の露出面となり、めっき膜は、内部電極に電気的に接続される外部端子電極の少なくとも一部となるべきものであり、ＷＴ面を覆うとともに、ＷＴ面から少なくともＬＷ面の一部にまで延びるように形成される。そして、部品本体の外表面は、めっき膜が形成される領域を除いて第２のセラミックから構成される。
【００２４】
上記好ましい実施態様において、より好ましくは、部品本体に備えるセラミック層のうち、最外層を構成するセラミック層が第２のセラミックからなり、中間層を構成するセラミック層が第１のセラミックからなり、最外層を構成するセラミック層が、中間層を構成するセラミック層に比べて、長さ方向寸法が短く、中間層を構成するセラミック層の長さ方向での両端部を露出させた状態で積層され、部品本体は、ＬＴ面に沿うように形成される、第２のセラミックからなるセラミック層をさらに備え、めっき膜は、ＷＴ面から中間層を構成するセラミック層の露出した長さ方向での両端部上にまで延びるように形成される。
【００２５】
この発明に係るセラミック電子部品において、たとえば、第１のセラミックは、その組成の主成分がチタン酸バリウム系であり、第２のセラミックは、その組成の主成分がジルコン酸カルシウム系である。
【００２６】
この発明は、また、セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、セラミックからなるセラミック面と導電体からなる導電面とをもって表面が構成され、セラミック面は、第１のセラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域と、第１のセラミックとは異なる第２のセラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域とを有する、部品本体を用意する工程と、導電面を起点としてめっき析出物を析出させるとともに、当該めっき析出物を成長させることによって、めっき膜を、前記導電面から、前記高めっき成長領域と前記低めっき成長領域との境界を低めっき成長領域側へと越える成長が制限された状態で形成する、めっき処理工程とを備えることを特徴としている。
【００２７】
上記部品本体を用意する工程において、好ましくは、第１のセラミックを含む第１のセラミックグリーンシートを用意する工程と、特定の第１のセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートを積層することによって、第１のセラミックグリーンシートからなる積層体を得る工程と、第１のセラミックグリーンシートからなる積層体の、めっき膜の形成を望まない箇所に第２のセラミックを含む膜を形成することによって、部品本体の生の状態のものに相当するグリーンシート積層体を得る工程と、グリーンシート積層体を焼成する工程とが実施される。
【００２８】
さらに好ましくは、上記部品本体を用意する工程において、第１のセラミックを含む第１のセラミックグリーンシートを用意する工程と、特定の第１のセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートを積層することによって、複数の部品本体となるべき部分を行方向および列方向に分布させた集合状態にある集合グリーンシート積層体を作製する工程と、集合グリーンシート積層体の主面上の、めっき膜の形成を望まない箇所に第２のセラミックを含む膜を形成する工程と、次いで、集合グリーンシート積層体を短冊状にカットすることによって、複数の短冊状グリーンシート積層体を取り出す工程と、短冊状グリーンシート積層体の、カットによって現れた面上に第２のセラミックを含む膜を形成する工程と、短冊状グリーンシート積層体をカットすることによって、個々のセラミック電子部品のための複数のグリーンシート積層体を取り出す工程と、グリーンシート積層体を焼成する工程とが実施される。
【００２９】
上述した第２のセラミックを含む膜を形成する工程は、好ましくは、第２のセラミックを含む第２のセラミックグリーンシートを用意する工程と、第２のセラミックグリーンシートを貼り付ける工程とを含む。
【発明の効果】
【００３０】
この発明によれば、めっき膜の形成を望まない箇所へのめっき成長を抑制するため、比較的低いめっき成長力を示す第２のセラミックからなる低めっき成長領域が形成され、この低めっき成長領域の形成のため、第２のセラミックを含む膜を所望の箇所に形成した状態で焼成工程を実施すればよい。したがって、前述の特許文献３に記載のようなガラス層や撥水剤層を形成する必要がないので、これらの形成のために塗布工程や浸漬工程を実施する必要がなく、よって、めっき成長を抑制しようとする箇所のみにばらつきなく低めっき成長領域を形成することができる。
【００３１】
また、この発明によれば、撥水剤を用いる必要がないので、めっき成長が必要な箇所にまで撥水剤が付与されてしまう事態を回避することができる。
【００３２】
これらのことから、この発明によれば、めっき成長の制御を容易に行なうことができる。
【００３３】
また、この発明によれば、ガラス層を形成する必要がないので、ガラスが有する、めっき液に溶かされやすいという性質に煩わされることがない。したがって、ガラス層の一部がめっき液に溶解され、不所望なめっき成長を引き起こすという問題に遭遇することがなく、また、めっき浴の設計の自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック電子部品を示す断面図である。
【図２】図１に示したセラミック電子部品の製造過程の途中の状態を示す断面図であって、（１）は外部端子電極を形成する前の部品本体の状態、（２）は外部端子電極における第１層を形成した後の部品本体の状態をそれぞれ示している。
【図３】図１に示したセラミック電子部品のより好ましい製造方法を説明するためのもので、めっき膜の形成を望まない箇所に第２のセラミックグリーンシートを貼り付けた状態にある集合グリーンシート積層体の一部を示す斜視図である。
【図４】図３に示した集合グリーンシート積層体を短冊状にカットして得られた短冊状グリーンシート積層体を示す斜視図である。
【図５】図４に示した短冊状グリーンシート積層体の、カットによって現れた面上に第２のセラミックグリーンシートを貼り付けた状態を示す斜視図である。
【図６】図５に示した短冊状グリーンシート積層体をカットすることによって得られた個々のセラミック電子部品のためのグリーンシート積層体を示す斜視図である。
【図７】従来の積層型のセラミック電子部品を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図１および図２を参照して、この発明の一実施形態によるセラミック電子部品１について説明する。
【００３６】
セラミック電子部品１は、部品本体２を備えている。部品本体２は、積層された複数のセラミック層３および４を備える積層構造を有している。セラミック層３は中間層を構成し、他方、セラミック層４は最外層を構成している。中間層を構成するセラミック層３間の特定の界面に沿って、複数の内部電極５および６が形成されている。内部電極５および６は、たとえばニッケルを主成分としている。
【００３７】
部品本体２は、その長さ方向寸法Ｌおよびその幅方向寸法Ｗによって規定されるＬＷ面と、その長さ方向寸法Ｌおよびその厚み方向寸法Ｔによって規定されるＬＴ面と、その幅方向寸法Ｗおよびその厚み方向寸法Ｔによって規定されるＷＴ面とを有する直方体形状またはほぼ直方体形状である。なお、上記長さ方向寸法Ｌ、幅方向寸法Ｗおよび厚み方向寸法Ｔについては、部品本体２の焼成前の状態に相当するグリーンシート積層体３０を図示する図６に表示されている。
【００３８】
内部電極５および６は上記ＬＷ面と平行に延びている。また、部品本体２のＷＴ面、すなわち一方および他方端面７および８には、それぞれ、複数の内部電極５および複数の内部電極６の各端部が露出している。そして、このように露出した内部電極３の各端部および内部電極４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部端子電極９および１０が形成されている。
【００３９】
なお、図示したセラミック電子部品１は、２個の外部端子電極９および１０を備える２端子型のものであるが、この発明は多端子型のセラミック電子部品にも適用することができる。
【００４０】
前述した最外層を構成するセラミック層４は、中間層を構成するセラミック層３に比べて、長さ方向寸法が短く、中間層を構成するセラミック層３の長さ方向での両端部を露出させた状態で積層されている。前述した外部端子電極９および１０は、ＷＴ面、すなわち端面７および８から中間層を構成するセラミック層３の露出した長さ方向での両端部上にまで延びるように形成されている。
【００４１】
セラミック電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、セラミック層３および４、特に内部電極５および６間に位置するセラミック層３は、誘電体セラミックから構成される。なお、セラミック電子部品１は、その他、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成するものであってもよい。したがって、セラミック電子部品１の機能に応じて、セラミック層３は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよい。
【００４２】
この発明では、互いに異なる組成系の第１および第２のセラミックが用いられることを特徴としている。中間層を構成するセラミック層３は第１のセラミックから構成され、最外層を構成するセラミック層４は第２のセラミックから構成される。第１のセラミックとしては、その表面において、比較的高いめっき成長力を示すものが選ばれ、第２のセラミックとしては、その表面において、比較的低いめっき成長力を示すものが選ばれる。
【００４３】
セラミック電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成する場合、より具体的には第１のセラミックとしては、その組成の主成分がチタン酸バリウム系のものが用いられ、第２のセラミックとしては、その組成の主成分がジルコン酸カルシウム系のものが用いられる。上記チタン酸バリウム系の場合、Ｂａが多少のＣａやＳｒで置換されてもよく、また、Ｔｉが多少のＺｒで置換されてもよい。ジルコン酸カルシウム系の場合、Ｃａが多少のＳｒやＢａで置換されてもよく、また、Ｚｒが多少のＴｉで置換されてもよい。チタン酸バリウム系およびジルコン酸カルシウム系のいずれにおいても、希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｉ等の副成分を含んでいてもよい。
【００４４】
第１のセラミックおよび第２のセラミックの各々は、前者が比較的高いめっき成長力を示し、後者が比較的低いめっき成長力を示すといった条件を満たしていることが、この発明にとって本質的であり、各々の具体的な組成については上記のものには限定されない。
【００４５】
なお、図１および図２では図示されないが、部品本体２の焼成前の状態に相当するグリーンシート積層体３０を図示する図６における側面用の第２のセラミックグリーンシート２３ａから類推されるように、部品本体２は、ＬＴ面、すなわち側面に沿うように形成される、比較的低いめっき成長力を示す第２のセラミックからなるセラミック層をさらに備えていることが好ましい。
【００４６】
上記のように構成された部品本体２によれば、その表面に、セラミック層３および４によって与えられるセラミックからなるセラミック面と内部電極５および６の露出端によって与えられる導電体からなる導電面とが形成され、上記セラミック面には、図２に示したように、第１のセラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域１１と、第２のセラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域１２とが形成される。
【００４７】
外部端子電極９および１０の各々は、部品本体２における内部電極５および６の露出面、すなわち端面７および８上に直接めっきにより形成されためっき膜からなる第１層１３と、その上に形成されるめっき膜からなる第２層１４と、その上に形成されるめっき膜からなる第３層１５とをそれぞれ備えている。なお、これらめっき膜の形成には、通電処理を行なう電解めっきが適用されても、還元剤を用いて金属イオンを析出させる無電解めっきが適用されてもよい。
【００４８】
第１層１３は、複数の内部電極５相互および複数の内部電極６相互をそれぞれ電気的に接続するためのものであり、好ましくは、銅を主成分としている。銅は、めっき処理時のつきまわり性が良好であり、めっき処理の能率化を図れ、かつ外部端子電極９および１０の固着力を高めることができるという利点を有している。しかし、特に、このような利点を望まないならば、ニッケルなど他の金属から第１層１３を構成してもよい。
【００４９】
第２層１４および第３層１５は、セラミック電子部品１の実装性を向上させ、または付与するためのものである。第２層１４は、たとえばニッケルを主成分とするめっき膜からなり、はんだバリア層として機能し、第３層１５は、たとえば錫または金を主成分とするめっき膜からなり、はんだぬれ性を付与するように機能する。
【００５０】
なお、外部端子電極９および１０を構成する層の数は、必要に応じて増減されることができる。
【００５１】
次に、セラミック電子部品１の製造方法、特に、外部端子電極９および１０の形成方法について説明する。
【００５２】
まず、図２（１）に示すように、セラミック層３および４によって与えられるセラミックからなるセラミック面と内部電極５および６によって与えられる導電体からなる導電面とが表面に形成され、上記セラミック面には、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２とが形成された、部品本体２が用意される。
【００５３】
このような部品本体２を得るため、次のような工程が実施される。
【００５４】
比較的高いめっき成長力を示す第１のセラミックを含む第１のセラミックグリーンシートが用意されるとともに、比較的低いめっき成長力を示す第２のセラミックを含む第２のセラミックグリーンシートが用意される。
【００５５】
次に、特定の第１のセラミックグリーンシート上に内部電極５および６を形成する工程が実施される。内部電極５および６の形成には、たとえば、導電性ペーストを印刷する方法が適用される。
【００５６】
次に、上記内部電極５および６を形成した第１のセラミックグリーンシートを含む、複数の第１のセラミックグリーンシートが積層される。これによって、第１のセラミックグリーンシートからなる積層体が得られる。
【００５７】
次に、上記第１のセラミックグリーンシートからなる積層体の、外部端子電極９および１０の形成を望まない箇所に第２のセラミックグリーンシートが貼り付けられる。これによって、部品本体２の生の状態のものに相当するグリーンシート積層体が得られる。なお、第２のセラミックグリーンシートの貼り付けに代えて、第２のセラミックを含む膜をたとえば塗布によって形成してもよい。
【００５８】
次に、上記グリーンシート積層体が焼成される。このようにして、部品本体２が得られる。
【００５９】
次に、外部端子電極９および１０が、それぞれ、内部電極５および６と電気的に接続されるように、部品本体２の端面７および８上に形成される。
【００６０】
この外部端子電極９および１０の形成にあたっては、まず、図２（２）に示すように、部品本体２の端面７および８上に、第１層１３がめっきにより形成される。めっき前の部品本体２においては、図２（１）に示すように、一方の端面７に露出している複数の内部電極５相互、ならびに他方の端面８に露出している複数の内部電極６相互が、電気的に絶縁された状態になっている。また、内部電極５および６の各々の露出部分によって与えられる導電面に隣接して、高めっき成長領域１１が位置している。
【００６１】
第１層１３となるめっき膜を形成するため、まず、内部電極５および６の各々の露出部分によって与えられる導電面を起点として、めっき液中の金属イオンを析出させ、次いで、このめっき析出物を高めっき成長領域１１上に成長させ、隣り合う内部電極５の各露出部および隣り合う内部電極６の各露出部のそれぞれにおけるめっき析出物を物理的に接続した状態とする。このようにして、均質で緻密なめっき膜からなる第１層１３が形成される。
【００６２】
前述したように、外部端子電極９および１０は、ＷＴ面、すなわち端面７および８から中間層を構成するセラミック層３の露出した長さ方向での両端部上にまで延びるように形成される。よって、第１層１３についても、端面７および８から中間層を構成するセラミック層３の露出した長さ方向での両端部上にまで延びるように形成される。高めっき成長領域１１が端面７および８から中間層を構成するセラミック層３の露出した長さ方向での両端部上にまで延びているので、上述したような第１層１３の形成が可能となる。しかし、第１層１３の形成工程においては、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を実質的に越えないようにめっき成長が制御される。ここで、第１層１３形成のためのめっき成長は、その厚み方向のめっき成長とほぼ同等の長さ分だけ、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を越えて生じ得るが、あくまでも、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越える成長が制限された状態となっている。
【００６３】
上述しためっき工程の前の段階では、端面７および８での内部電極５および６の露出が十分であることが望ましい。そのため、好ましくは、部品本体２の端面７および８に研磨処理が施される。この場合、内部電極５および６の各露出端が、端面７および８から突出する程度にまで研磨処理を施せば、各露出端が面方向に広がるため、めっき成長に要するエネルギーをより低減することができる。
【００６４】
次に、好ましくは、上記のように第１層１３が形成された部品本体２が熱処理される。熱処理温度としては、たとえば６００℃以上、好ましくは８００℃以上の温度が採用される。この熱処理によって、内部電極５および６と第１層１３との間で相互拡散層が形成される。相互拡散層においては、金属の体積膨張が起こるため、セラミック層３と内部電極５および６ならびに第１層１３との界面に存在し得る隙間を有利に埋めることができ、その結果、部品本体２の内部への水分の浸入を防止する効果が奏される。
【００６５】
次に、第２層１４がめっきにより形成される。前述した第１層１３の形成の場合には、部品本体２は、セラミック面を与えるセラミック部分と、セラミック部分の表面に一部が露出した状態でセラミック部分の内部に形成された内部電極５および６とを備え、めっき析出の起点となる導電面が内部電極５および６によって与えられたが、第２層１４を形成する場合には、内部電極５および６の露出面上に形成された導体膜としての第１層１３によって、めっき析出の起点となる導電面が与えられる。したがって、第２層１４の形成にあたっては、めっきすべき場所が導電性を有する連続的な面となっているため、第１層１３の場合より容易に形成されることができる。第２層１４の形成に際しても、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えるめっき成長が制限される。
【００６６】
次に、第３層１５がめっきにより形成される。第３層１５を形成する場合には、上述した第２層１４によって、めっき析出の起点となる導電面が与えられる。したがって、第２層１４の形成の場合と同様、第３層１５の形成にあたっては、めっきすべき場所が導電性を有する連続的な面となっているため、第１層１３の場合より容易に形成されることができる。第３層１５の形成に際しても、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えるめっき成長が制限される。
【００６７】
上述した第１層１３、第２層１４および第３層１５の各々を形成するための各めっき工程の後には、純水による洗浄工程が実施される。
【００６８】
以上のようにして、外部端子電極９および１０が形成され、セラミック電子部品１が完成される。
【００６９】
次に、セラミック電子部品１のより好ましい製造方法、言い換えると、大量生産により適した製造方法について、図３ないし図６を参照して説明する。
【００７０】
まず、前述したように、比較的高いめっき成長力を示す第１のセラミックを含む第１のセラミックグリーンシートが用意されるとともに、比較的低いめっき成長力を示す第２のセラミックを含む第２のセラミックグリーンシートが用意される。
【００７１】
次に、特定の第１のセラミックグリーンシート上に内部電極５および６が形成される。
【００７２】
次に、上記内部電極５および６を形成した第１のセラミックグリーンシートを含む、複数の第１のセラミックグリーンシートが積層されることによって、第１のセラミックグリーンシートからなる積層体が作製される。
【００７３】
上記の第１のセラミックグリーンシートからなる積層体を作製するにあたって、好ましくは、図３にその一部が図示されるように、複数の部品本体２となるべき部分を行方向および列方向に分布させた集合状態にある集合グリーンシート積層体２１が作製される。図３において、第１のセラミックグリーンシート２２ならびに内部電極５および６が図示されている。
【００７４】
次に、集合グリーンシート積層体２１の主面２４および２５上の、外部端子電極９および１０の形成を望まない箇所に第２のセラミックグリーンシート２３が貼り付けられる。なお、第２のセラミックグリーンシート２３の貼り付けに代えて、第２のセラミックを含む膜をたとえば塗布によって形成してもよい。
【００７５】
次に、集合グリーンシート積層体２１が、図３に示したカット線２６に沿って短冊状にカットされる。これによって、図４に示すような複数の短冊状グリーンシート積層体２７が取り出される。
【００７６】
次に、短冊状グリーンシート積層体２７の、カットによって現れた面２８（図４参照）上に、図５に示すように、側面用の第２のセラミックグリーンシート２３ａが貼り付けられる。なお、側面用の第２のセラミックグリーンシート２３ａの貼り付けに代えて、第２のセラミックを含む膜をたとえば塗布によって形成してもよい。
【００７７】
次に、短冊状グリーンシート積層体２７が、図５に示したカット線２９に沿ってカットされる。これによって、図６に示すような個々のセラミック電子部品１のための複数のグリーンシート積層体３０が取り出される。
【００７８】
次に、グリーンシート積層体３０が焼成され、それによって、部品本体２が得られる。
【００７９】
その後は、前述したとおり、外部端子電極９および１０を形成する工程が実施され、セラミック電子部品１が完成される。
【００８０】
なお、図３ないし図６においては、たとえば第１のセラミックグリーンシート２２の厚みや第２のセラミックグリーンシート２３および２３ａの厚みが誇張されて図示されていて、図１および図２に示した部品本体２に備える要素と必ずしも一致しないが、図３ないし図６では、図解を容易にするための便宜を優先したものと理解すべきである。
【００８１】
以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。
【００８２】
たとえば、外部端子電極９および１０の第１層１３は、めっきによって形成されるものではなく、導電性ペーストの焼付けによって形成される厚膜であってもよい。この場合には、第２層１４または第３層１５となるめっき膜の形成に際して、高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との組み合わせが有効に働くことになる。
【００８３】
また、部品本体は、積層構造を有するものには限定されない。よって、たとえば単層構造の部品本体を備えるセラミック電子部品にも適用される。上述したように、第１層１３が厚膜である場合もあり得ることや、単層構造の部品本体を備える場合もあり得ることからわかるように、めっき析出の起点となるのは、内部電極の露出端には限らず、部品本体上に形成された導体膜であってもよい。したがって、この発明において形成されるめっき膜は、外部端子電極の少なくとも一部をなすものに限らず、端子としての機能以外の機能を有する導体膜を構成するものであってもよい。
【００８４】
以下、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００８５】
試料として、積層セラミックコンデンサを作製した。部品本体としては、図３ないし図６を参照して説明した製造方法に従って製造した、長さ０．９４ｍｍ、幅０．４７ｍｍおよび厚み０．４７ｍｍのものを用意した。部品本体において、中間層を構成するセラミック層はチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、最外層および側面用のセラミック層はジルコン酸カルシウム系誘電体セラミックからなり、内部電極はＮｉを主成分とするものであった。また、部品本体において、内部電極の積層数は２２０層であり、中間層を構成するセラミック層ならびに最外層を構成するセラミック層および側面用のセラミック層の各厚みは１．５μｍであった。
【００８６】
次に、上記部品本体を、直径７０ｍｍのバレル中に投入し、直径０．８ｍｍのＰＳＺ球、アルミナ粉および水とともに、３００ rpmで２０分間研磨処理した。
【００８７】
次に、上記部品本体５００個を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍの導電性メディアを１００ｍｌ投入した。そして、回転バレルを、ｐＨを８.７に調整した浴温３０℃のＣｕストライクめっき浴に浸漬させ、バレル周速２．６ｍ／分にて回転させながら、電流密度０.１０Ａ／ｄｍ２にて通電して、部品本体の高めっき成長領域上に、直接、膜厚１μｍのＣｕストライクめっき層を形成した。なお、上記Ｃｕストライクめっき浴は、１４ｇ／リットルのピロリン酸銅、１２０ｇ／リットルのピロリン酸カリウム、および１０ｇ／リットルの蓚酸カリウムを含むものであった。
【００８８】
引き続き、上記部品本体等が投入された回転バレルを、ｐＨを８.６に調整した浴温５５℃のＣｕ厚付けめっき浴（上村工業社製「ピロブライトプロセス」）に浸漬させ、バレル周速２．６ｍ／分にて回転させながら、電流密度０.３０Ａ／ｄｍ２にて通電して、上記Ｃｕストライクめっき層上に、膜厚５μｍのＣｕ厚付けめっき層を形成した。
【００８９】
以上のようにして形成されたＣｕストライクめっき層およびＣｕ厚付けめっき層からなるＣｕめっき膜が、外部端子電極の第１層を与えるものである。
【００９０】
次に、上述のように第１層としてのＣｕめっき膜が形成された部品本体を、トップキープ温度７００℃、キープ時間３０分間、酸素濃度５ ppmの条件で熱処理した。
【００９１】
次に、合計体積が３０ｍｌの部品本体を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのはんだボールを７０ｍｌ投入した。そして、回転バレルを、ｐＨを４．２に調整した浴温６０℃のワット浴（弱酸性Ｎｉ浴）に浸漬させ、回転数２０ rpmにて回転させながら、電流密度０.２０Ａ／ｄｍ２にて６０分間通電して、上記Ｃｕめっき膜上に、外部端子電極の第２層となる膜厚約４μｍのＮｉめっき膜を形成した。
【００９２】
引き続き、めっき浴として、石原薬品社製「ＮＢ−ＲＺＳ」を用い、これを温度３０℃およびｐＨ４．５に設定し、電流密度０.１０Ａ／ｄｍ２にて６０分間通電して、上記Ｎｉめっき膜上に、外部端子電極の第３層となる膜厚約４μｍのＳｎめっき膜を形成した。
【００９３】
以上のようにして得られた積層セラミックコンデンサ２００個について、部品本体のＬＷ面上での外部端子電極のＬ方向での寸法ばらつきを求めたところ、ＣＶ値で５％となった。
【００９４】
これに対して、図３に示した第２のセラミックグリーンシート２３の貼り付けを行なわなかったことを除いて、上記と同様の工程を経て製造した積層セラミックコンデンサ２００個について、同様の寸法ばらつきを求めたところ、ＣＶ値で２５％となった。
【００９５】
以上の結果から、互いに異なる組成を有する２種類のセラミックによる高めっき成長領域と低めっき成長領域との組み合わせは、必要な箇所での良好なめっき成長を確保しながら、不所望な箇所でのめっき成長を抑制するのに効果的であることがわかる。
【符号の説明】
【００９６】
１  セラミック電子部品
２  部品本体
３  中間層を構成するセラミック層
４  最外層を構成するセラミック層
５，６  内部電極
９，１０  外部端子電極
１１  高めっき成長領域
１２  低めっき成長領域
１３  第１層
１４  第２層
１５  第３層
２１  集合グリーンシート積層体
２２  第１のセラミックグリーンシート
２３，２３ａ  第２のセラミックグリーンシート
２７  短冊状グリーンシート積層体
３０  グリーンシート積層体
【図１】
0005429067.tif 000002
【図２】
0005429067.tif 000003
【図３】
0005429067.tif 000004
【図４】
0005429067.tif 000005
【図５】
0005429067.tif 000006
【図６】
0005429067.tif 000007
【図７】
0005429067.tif 000008