(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状のウェーハにおける一方の面である保持面のみを保持した状態で、前記ウェーハの面取りを行う面取り方法であって、
前記ウェーハにおける他方の面である非保持面の周縁部および前記ウェーハの側面を、粗研削用の研削材を用いて研削する非保持面粗研削段階のみを備える粗研削工程と、
前記粗研削工程の後に、前記ウェーハの非保持面の周縁部および前記ウェーハの側面を、精研削用の研削材を用いて研削する非保持面精研削段階、並びに、前記ウェーハの保持面の周縁部および前記ウェーハの側面のうちの少なくとも保持面の周縁部を、精研削用の研削材を用いて研削する保持面精研削段階を備える精研削工程とを備える
ことを特徴とするウェーハの面取り方法。
【請求項２】
請求項１に記載のウェーハの面取り方法において、
前記精研削工程後のウェーハにおける保持面の周縁部の形状および非保持面の周縁部の形状が非対称となるように、前記ウェーハの面取りを行う
ことを特徴とするウェーハの面取り方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のウェーハの面取り方法において、
前記精研削工程では、当該精研削工程における取り代が、前記粗研削工程における取り代よりも大きくなるように、前記粗研削工程後のウェーハを研削する
ことを特徴とするウェーハの面取り方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの面取り方法に関し、詳しくは、結晶性インゴットから円板状に切り出してウェーハを製造する場合におけるウェーハの面取り方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハ（以下、ウェーハと称す）を製造する際には、まず、結晶性インゴット（以下、インゴットと称す）をスライスしてウェーハを得て、このウェーハに対して粗面取り加工を施している。粗面取り加工後には、ラップ加工、仕上げ面取り加工を施している。また、仕上げ面取り加工後には、エッチング加工、ミラー面取り加工、ウェーハの表面の鏡面研磨加工を施している。
【０００３】
ウェーハの仕上げ面取り方法としては、例えば、ウェーハの外周部を回転中の砥石に押し当て、この押し当て面に沿って、ウェーハおよび砥石を相対的に移動させながら面取りする方法が提案されている（特許文献１参照）。
また、仕上げ面取り加工における取り代がある程度大きい場合には、粗研削と精研削との二段階に分けて研削する方法が提案されており、例えば、メタルボンド砥石でウェーハの面取り面を粗加工する粗面取り工程と、この粗面取り工程後に、メタルボンド砥石よりも粒度が細かいレジンボンド砥石で面取り面を精密加工する精密面取り工程とを備える方法が提案されている（特許文献２参照）。
さらに、粗研削後に精研削する際に、ウェーハの周縁部の先端部とテーパー部との取り代を均一にするような方法が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２０７５８５号公報
【特許文献２】特開２００１−７１２４４号公報
【特許文献３】特開２００１−３３４４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜３に記載の方法により、ウェーハの仕上げ面取りをする場合には、ウェーハの周縁部における欠け（以下、チップと称す）が発生するという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、ウェーハの周縁部における欠けの発生を抑制できるウェーハの面取り方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、次の知見を見出した。
すなわち、例えば、精研削工程後のウェーハにおける保持面の周縁部の形状および非保持面の周縁部の形状が非対称となるように、ウェーハの面取りを行う場合、以下のような傾向が特に強いことを見出した。
ウェーハのチップは、吸着などで保持される保持面の周縁部に発生しやすく、保持面と反対側の非保持面の周縁部には発生しにくい。
また、このチップは、ウェーハにおける研削材との接触部分と非接触部分との境界（以下、接触境界と称す）の近傍にて発生する。
さらに、このチップは、粗研削工程の際に発生しやすく、精研削工程の際には発生しにくい。
そして、粗研削工程の際に発生したチップは精研削工程においても研削されずに残ってしまう。
本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
【０００８】
本発明のウェーハの面取り方法は、円板状のウェーハにおける一方の面である保持面のみを保持した状態で、前記ウェーハの面取りを行う面取り方法であって、前記ウェーハにおける他方の面である非保持面の周縁部および前記ウェーハの側面を、粗研削用の研削材を用いて研削する非保持面粗研削段階のみを備える粗研削工程と、前記粗研削工程の後に、前記ウェーハの非保持面の周縁部および前記ウェーハの側面を、精研削用の研削材を用いて研削する非保持面精研削段階、並びに、前記ウェーハの保持面の周縁部および前記ウェーハの側面のうちの少なくとも保持面の周縁部を、精研削用の研削材を用いて研削する保持面精研削段階を備える精研削工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によりウェーハの周縁部におけるチップの発生を抑制できる理由については、必ずしも定かではないが、本発明者は以下のように推察する。
すなわち、従来の仕上げ面取り方法では、粗研削工程が、ウェーハにおける非保持面の周縁部と側面とを研削する非保持面粗研削段階と、ウェーハにおける保持面の周縁部および側面のうちの少なくとも保持面の周縁部を研削する保持面粗研削段階とを備える。このような場合において、非保持面粗研削段階では、保持面を保持する保持手段と研削材との間にウェーハが挟み込まれることとなるため、ウェーハのばたつきを抑制することができ、結果として、チップの発生を抑制できる。一方、保持面粗研削段階では、保持手段と研削材との間にウェーハが挟み込まれないので、研削中にウェーハがばたついてしまい、結果として、ウェーハの保持面の周縁部にチップが発生しやすくなる。
また、このようなチップは、ウェーハにおける研削材の接触境界の近傍に発生しやすい。ここで、保持面粗研削段階では、保持面の周縁部を研削するので、接触境界は、側面と同一面上に位置せずに、ウェーハの中心側に位置することとなる。このため、精研削工程において、ウェーハにおける保持面の周縁部と側面とを研削しても（保持面精研削段階を行っても）、粗研削工程で発生したチップが研削されずに残ってしまう。
これに対して、本発明においては、粗研削工程で、非保持面粗研削段階のみを行っており、保持面粗研削段階を行っていないので、粗研削工程の際のウェーハのばたつきによる保持面の周縁部でのチップの発生を抑制できる。
また、粗研削工程で、非保持面粗研削段階のみを行う場合でも、保持面の周縁部における接触境界の近傍にチップが発生することがある。しかし、非保持面粗研削段階のみを行う場合は、接触境界は、側面と同一面上に位置することとなる。このため、精研削工程において、ウェーハにおける保持面の周縁部と側面とを研削することで、チップを研削できる。
さらに、保持面の周縁部は保持面精研削段階のみで研削されることとなるが、精研削工程の際には、研削材の粒度の影響により粗研削工程と比べてチップが発生しにくい。
以上のようにして、本発明によれば、ウェーハの周縁部におけるチップの発生を抑制できるものと本発明者は推察する。
【００１０】
本発明のウェーハの面取り方法では、前記精研削工程後のウェーハにおける保持面の周縁部の形状および非保持面の周縁部の形状が非対称となるように、前記ウェーハの面取りを行うことが好ましい。
この発明によれば、ユーザーのニーズに対応したウェーハを提供できる。
【００１１】
本発明のウェーハの面取り方法では、前記精研削工程では、当該精研削工程における取り代が、前記粗研削工程における取り代よりも大きくなるように、前記粗研削工程後のウェーハを研削することが好ましい。
粗研削工程では、研削材の粒度が粗いため、研削材とウェーハを相対移動させたときに研削部分に線状の傷（以下、加工層と称す）が発生する場合がある。そして、粗研削工程の取り代が精研削工程における取り代よりも大きい場合、精研削工程を行っても加工層が残ってしまう場合がある。
これに対して、この発明によれば、精研削工程における取り代を粗研削工程における取り代よりも大きくするために、粗研削工程の際に発生する加工層を後の精研削工程により研削でき、結果として、加工層の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に用いる面取り装置を示す摸式図である。
【図２】前記一実施形態における粗研削工程において、ウェーハの非保持面の周縁部を研削した状態を示す側面図である。
【図３】前記一実施形態における精研削工程において、ウェーハの非保持面の周縁部を研削した状態を示す側面図である。
【図４】前記一実施形態における精研削工程において、ウェーハの保持面の周縁部を研削した状態を示す側面図である。
【図５】本発明の実施形態におけるウェーハの断面形状の変化を示す説明図である。
【図６】従来の仕上げ面取り方法における粗研削工程において、ウェーハの一方の面の周縁部を研削した状態を示す側面図である。
【図７】従来の仕上げ面取り方法における粗研削工程において、ウェーハの他方の面の周縁部を研削した状態を示す側面図である。
【図８】従来の仕上げ面取り方法におけるウェーハの断面形状の変化を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明のウェーハの面取り方法の一実施形態を、図面を参照して説明する。
なお、本実施形態では、特に明示しない限り、「上」、「下」、「左」、「右」といった方位を示す用語は、図１を基準として用いる。
【００１４】
［面取り装置の構成］
まず、本実施形態に用いる面取り装置について説明する。
図１に示すように、面取り装置１は、ウェーハＷの保持面としての下面ＷＡを保持し、下面ＷＡの周縁部（以下、下周縁部と称す）およびウェーハＷの側面に対して粗研削工程を行い、下周縁部、側面、および、ウェーハＷの非保持面としての上面ＷＢの周縁部（以下、上周縁部と称す）に対して精研削工程を行う。この面取り装置１は、下面ＷＡを吸着するウェーハ吸着部２と、このウェーハ吸着部２で吸着されたウェーハＷを研削する研削部３とを備える。
【００１５】
ウェーハ吸着部２は、ウェーハＷの下面ＷＡを吸着により保持する、保持手段としての吸着ステージ２１と、この吸着ステージ２１を回転させる回転手段（図示せず）とを備える。
研削部３は、ウェーハＷを研削する研削ホイール３１と、この研削ホイール３１を保持するホイール保持部材３２と、研削ホイール３１およびホイール保持部材３２を回転させたり、上下方向に昇降させたり、左右方向に移動させる駆動手段（図示せず）とを備える。
研削ホイール３１は、粗研削用の研削材としての粗研削ホイール３１１と、この粗研削ホイール３１１の下側に設けられた、精研削用の研削材としての精研削ホイール３１２とを備える。
【００１６】
粗研削ホイール３１１は、粒度が４００番〜８００番（より好ましくは、粒度が６００番〜８００番）の研削材を備えることが好ましい。前記粒度が前記下限未満では、チップや加工層が発生しやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、面取り加工における生産性が低下する傾向にある。この粗研削ホイール３１１の外周面には、図２に示すように、ウェーハＷの上周縁部ＷＣを研削可能な上面粗研削部３１１Ｃと、側面ＷＤを研削可能な側面粗研削部３１１Ｄと、下周縁部ＷＥを研削可能な保持面粗研削部３１１Ｅとを備える溝部が形成されている。
精研削ホイール３１２は、粒度が１０００番以上（より好ましくは、１０００番〜４０００番、特に好ましくは、１０００番〜２０００番）の研削材を備えることが好ましい。前記粒度が前記下限未満では、チップや加工層が発生しやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、面取り加工における生産性が低下する傾向にある。この精研削ホイール３１２の外周面には、図３および図４に示すように、上周縁部ＷＣを研削可能な非保持面精研削部３１２Ｃと、側面ＷＤを研削可能な側面精研削部３１２Ｄと、下周縁部ＷＥを研削可能な下面精研削部３１２Ｅとを備える溝部が形成されている。
ここで、粗研削ホイール３１１および精研削ホイール３１２の数は、特に限定されない。また、粗研削ホイール３１１および精研削ホイール３１２に用いる接着剤の種類は特に限定されないが、メタルボンドを用いることが好ましい。
【００１７】
［面取り方法の説明］
次に、本実施形態のウェーハの面取り方法について説明する。
通常、ウェーハを製造する場合には、インゴットをスライスして得られるウェーハに対して粗面取り加工を施す。そして、粗面取り加工後に、ラップ加工を施し、さらに仕上げ面取り加工を施す。また、仕上げ面取り加工後には、エッチング加工、ミラー面取り加工、ウェーハの表面の鏡面研磨加工を施す。
本実施形態においては、上記面取り装置１を用いた面取り方法を、このような仕上げ面取り加工のときに採用した。また、本実施形態においては、ウェーハＷの保持面に生じる傷を後工程において除去できるという観点から、ウェーハＷの保持面に対し鏡面研磨加工が施されるようにしている。
なお、以下において、粗研削工程前、粗研削工程後、精研削工程のうちの非保持面精研削段階後、精研削工程後のウェーハを、それぞれ、研削前ウェーハＷ、粗研ウェーハＷ１、精研中ウェーハＷ１ａ、精研ウェーハＷ２と称す。また、粗研削工程前の上周縁部、側面、下周縁部を、研削前上周縁部ＷＣ、研削前側面ＷＤ、研削前下周縁部ＷＥと称し、粗研削工程後の上周縁部、側面、下周縁部を、粗研上周縁部ＷＣ１、粗研側面ＷＤ１、粗研下周縁部ＷＥ１と称し（図２参照）、非保持面精研削段階後の上周縁部、側面、下周縁部を、精研中上周縁部ＷＣ１ａ、精研中側面ＷＤ１ａ、精研中下周縁部ＷＥ１ａと称し（図３参照）、精研削工程後の上周縁部、側面、下周縁部を、精研上周縁部ＷＣ２、精研側面ＷＤ２、精研下周縁部ＷＥ２と称す（図４参照）。
【００１８】
本実施形態においては、以下に説明する粗研削工程および精研削工程を行う。
粗研削工程においては、研削前ウェーハＷの研削前上周縁部ＷＣおよび研削前側面ＷＤを、粗研削ホイール３１１を用いて研削する。
具体的には、面取り装置１において、吸着ステージ２１に保持された研削前ウェーハＷの研削前上周縁部ＷＣが、粗研削ホイール３１１の上面粗研削部３１１Ｃと接触するような上下位置となるように、研削部３を移動させる。その後、吸着ステージ２１を研削前ウェーハＷとともに所定回転速度（好ましくは、１０ｍｍ／ｓｅｃ〜５０ｍｍ／ｓｅｃ）で回転させるとともに、研削ホイール３１も同様に回転させる。この状態で、研削部３を右方向に（研削前ウェーハＷに向けて）移動させ、粗研削ホイール３１１を研削前上周縁部ＷＣおよび研削前側面ＷＤに当接させて、ウェーハＷを研削する。
このような粗研削工程により、粗研上周縁部ＷＣ１、粗研側面ＷＤ１、粗研下周縁部ＷＥ１を有する粗研ウェーハＷ１が形成される。
なお、図２に示すＴ１は、粗研削工程における取り代を示す。
【００１９】
精研削工程は、前記粗研削工程の後に行われ、以下に説明する非保持面精研削段階としての上面精研削段階および保持面精研削段階としての下面精研削段階を備える。これら上面精研削段階および下面精研削段階の順序は特に限定されないが、本実施形態では、上面精研削段階の後に下面精研削段階を行う。
【００２０】
上面精研削段階においては、粗研ウェーハＷ１の粗研上周縁部ＷＣ１および粗研側面ＷＤ１を、精研削ホイール３１２を用いて研削する。
具体的には、面取り装置１において、図３に示すように、粗研上周縁部ＷＣ１が精研削ホイール３１２の非保持面精研削部３１２Ｃと接触するような上下位置となるように、研削部３を移動させる。その後、吸着ステージ２１を研削後ウェーハＷ１とともに所定回転速度（好ましくは、１０ｍｍ／ｓｅｃ〜５０ｍｍ／ｓｅｃ）で回転させるとともに、研削ホイール３１も同様に回転させる。この状態で、研削部３を右方向に（研削後ウェーハＷ１に向けて）移動させ、精研削ホイール３１２を研削後上周縁部ＷＣ１および研削後側面ＷＤ１に当接させて、ウェーハＷ１を研削する。
このような上面精研削段階により、精研中上周縁部ＷＣ１ａ、精研中側面ＷＤ１ａ、精研中下周縁部ＷＥ１ａを有する精研中ウェーハＷ１ａが形成される。
なお、図３に示すＴ２１は、上面精研削段階における取り代を示す。
【００２１】
下面精研削段階においては、精研中ウェーハＷ１ａの精研中下周縁部ＷＥ１ａおよび精研中側面ＷＤ１ａのうちの少なくとも精研中下周縁部ＷＥ１ａを、精研削ホイール３１２を用いて研削する。ここでは、精研中下周縁部ＷＥ１ａと精研中側面ＷＤ１ａとを、精研削ホイール３１２を用いて研削する場合について説明する。
具体的には、面取り装置１において、図４に示すように、精研中下周縁部ＷＥ１ａが精研削ホイール３１２の下面精研削部３１２Ｅと接触するような上下位置となるように、研削部３を移動させる。その後、吸着ステージ２１を精研中ウェーハＷ１ａとともに所定回転速度（好ましくは、１０ｍｍ／ｓｅｃ〜５０ｍｍ／ｓｅｃ）で回転させるとともに、研削ホイール３１も同様に回転させる。この状態で、研削部３を右方向に（精研中ウェーハＷ１ａに向けて）移動させ、精研削ホイール３１２を精研中下周縁部ＷＥ１ａおよび精研中側面ＷＤ１ａに当接させて、ウェーハＷ１ａを研削する。
このような下面精研削段階により、精研上周縁部ＷＣ２、精研側面ＷＤ２、精研下周縁部ＷＥ２を有する精研ウェーハＷ２が形成される。
なお、図４に示すＴ２２は、下面精研削段階における取り代を示す。
【００２２】
本実施形態においては、以上のようにして、図５に示すように、精研ウェーハＷ２における精研下周縁部ＷＥ２の形状および精研上周縁部ＷＣ２の形状が非対称となるように、ウェーハＷの面取りを行っている。
また、精研削工程における取り代Ｔ２は、上面精研削段階における取り代Ｔ２１および下面精研削段階における取り代Ｔ２２の合計値であるが、本実施形態においては、このような取り代Ｔ２が、粗研削工程における取り代Ｔ１よりも大きくなるように、研削している。
【００２３】
ここで、従来の仕上げ面取り方法では、まず、図６に示すような非保持面粗研削段階と、図７に示すような保持面粗研削段階とを備える粗研削工程を行う。
非保持面粗研削段階では、研削前ウェーハＷの研削前上周縁部ＷＣおよび研削前側面ＷＤを研削し（図６参照）、保持面粗研削段階では、研削前側面ＷＤおよび研削前下周縁部ＷＥを研削することで（図７参照）、粗研上周縁部ＷＣ３、粗研側面ＷＤ３、および、粗研下周縁部ＷＥ３を有する粗研ウェーハＷ３が形成される。
そして、粗研ウェーハＷ３に対して、本実施形態と同様に、非保持面精研削段階および保持面精研削段階を有する精研削工程を行い、図８に示すように、精研上周縁部ＷＣ４、精研側面ＷＤ４、および、精研下周縁部ＷＥ４を有する精研ウェーハＷ４を得ることができる。
ここで、一般的に、精研削工程における取り代Ｔ４は、粗研削工程における取り代Ｔ３よりも小さくなるように、ウェーハＷを研削している。
【００２４】
そして、非保持面粗研削段階では、下面ＷＡを保持する吸着ステージ２１と粗研削ホイール３１１との間に研削前ウェーハＷが挟み込まれることとなるため、研削前ウェーハＷのばたつきを抑制することができ、結果として、チップの発生を抑制できる。
一方、保持面粗研削段階では、吸着ステージ２１と粗研削ホイール３１１との間に研削前ウェーハＷが挟み込まれないので、研削中に研削前ウェーハＷがばたついてしまい、結果として、図８に示すように、粗研ウェーハＷ３の粗研下周縁部ＷＥ３にチップが発生しやすくなる。
このようなチップは、粗研ウェーハＷ３における粗研削ホイール３１１との接触境界Ｌ３の近傍に発生しやすい。
【００２５】
また、保持面粗研削段階では、研削前周縁部ＷＥも研削するので、接触境界Ｌ３は、粗研側面ＷＤ３と同一面上に位置せずに、粗研ウェーハＷ３の中心側に位置することとなる。そして、チップが発生する領域（チップ発生領域ＣＲ３）は、粗研ウェーハＷ３の粗研下周縁部ＷＥ３のうち、粗研側面ＷＤ３から比較的に遠い位置に存在することとなる。このため、精研削工程において、粗研ウェーハＷ３における粗研下周縁部ＷＥ３と粗研側面ＷＤ３とを研削しても（保持面精研削段階を行っても）、粗研削工程で発生したチップが研削されず、精研下周縁部ＷＥ４に残ってしまう（図８参照）。
【００２６】
さらに、粗研削工程では、粗研削ホイール３１１の粒度が粗いため、粗研削ホイール３１１と研削前ウェーハＷを相対移動させたときに、研削部分に線状の傷（以下、加工層Ｓと称す）が発生する場合がある。そして、粗研削工程の取り代Ｔ３が精研削工程における取り代Ｔ４よりも大きい場合、精研削工程を行っても、加工層Ｓが精研上周縁部ＷＣ４に残ってしまう場合がある（図８参照）。
【００２７】
これに対して、本実施形態では、粗研削工程において、研削前上周縁部ＷＣと研削前側面ＷＤのみの研削を行い、研削前下周縁部ＷＥの研削を行っていない。つまり、上述した従来の非保持面粗研削段階のみを行い、研削前ウェーハＷのばたつきによるチップが発生しやすい保持面粗研削段階を行っていないため、粗研削工程におけるチップの発生を抑制できる。
仮に、図５に示すように、チップが発生したとしても、接触境界Ｌ１は、粗研側面ＷＤ１と同一面上に位置することとなる。そして、チップ発生領域ＣＲ１は、従来のチップ発生領域ＣＲ３と比べて、粗研側面ＷＤ１に近い位置に存在することとなる。このため、精研削工程において、粗研下周縁部ＷＥ１と粗研側面ＷＤ１とを研削することで、粗研削工程で発生したチップが研削され、精研下周縁部ＷＥ２に残ってしまうことがない。
【００２８】
また、本実施形態では、精研削工程での取り代Ｔ２を粗研削工程での取り代Ｔ１よりも大きくしているため、粗研削工程で加工層Ｓが発生した場合でも、精研削工程において加工層Ｓを除去できる。
【００２９】
［実施形態の作用効果］
上述したような本実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）上述のように、粗研削工程の際のウェーハＷのばたつきによる下面ＷＡの周縁部ＷＥでのチップの発生を抑制できる。また、上述のように、精研削工程において、ウェーハにおける保持面の周縁部と側面とを研削することで、チップを研削できる。さらに、上述のように、精研削工程の際には、研削材の粒度の影響により粗研削工程と比べてチップが発生しにくい。このようにして、本実施形態によれば、ウェーハの周縁部におけるチップの発生を抑制できる。
【００３０】
（２）ウェーハの下面の周縁部の形状および上面の周縁部の形状を非対称とすることができ、ユーザーのニーズに対応したウェーハを提供できる。
【００３１】
（３）精研削工程における取り代Ｔ２を粗研削工程における取り代Ｔ１よりも大きくするために、粗研削工程の際に発生する加工層Ｓを後の精研削工程により研削でき、結果として、加工層Ｓの発生を抑制できる。
【００３２】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良および設計の変更などが可能である。
すなわち、上記実施形態においては、粗面取り加工が施されているウェーハに対して、本発明のウェーハの面取り方法を実施したが、粗面取り加工が施されていないウェーハに対して、本発明のウェーハの面取り方法を実施してもよい。
また、前記精研削工程においては、非保持面精研削段階の前に保持面精研削段階を行ってもよい。
さらに、上記実施形態においては、面取り装置１の保持手段としてウェーハＷを吸着により保持する吸着ステージ２１を用いたが、この保持手段は、粘着材などによりウェーハＷを保持する手段であってもよい。
また、前記下面精研削段階においては、精研中ウェーハＷ１ａの精研中下周縁部ＷＥ１ａと精研中側面ＷＤ１ａとを、精研削ホイール３１２を用いて研削したが、精研中下周縁部ＷＥ１ａのみを、精研削ホイール３１２を用いて研削してもよい。
【実施例】
【００３３】
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【００３４】
［実施例］
まず、上記実施形態に用いる面取り装置１と同様の構成を有する以下の仕様の面取り装置を準備した。
面取り装置：東精エンジニアリング社製、「Ｗ−ＧＭ−４２００Ａ」および「Ｗ−ＧＭ−３２００」
粗研削ホイール：メタルボンド（形状：Ｔ型ホイール、粒度：６００番）
精研削ホイール：メタルボンド（形状：Ｔ型ホイール、粒度：１０００番）
また、粗面取り加工およびラップ加工が施されたウェーハ（直径：２００ｍｍ＋取り代）２００〜４００枚を１ロットとして準備した。
【００３５】
そして、この１ロットのウェーハについて、粗研削工程として、ウェーハＷの上面ＷＢの周縁部ＷＣおよびウェーハＷの側面ＷＤを、粗研削ホイール３１１を用いて研削した。次いで、精研削工程として、粗研削工程後のウェーハＷ１の上面ＷＢの周縁部ＷＣ１およびウェーハＷ１の側面ＷＤ１を、精研削ホイール３１２を用いて研削した（非保持面精研削段階）。その後、非保持面精研削段階後のウェーハＷ１ａの下面ＷＡの周縁部ＷＥ１ａおよびウェーハＷ１ａの側面ＷＤ１ａを、精研削ホイール３１２を用いて研削して（保持面精研削段階）、仕上げ面取り加工を施した。
なお、精研削工程における取り代Ｔ２は、粗研削工程における取り代Ｔ１よりも大きい。また、仕上げ面取り加工後のウェーハの直径は２００ｍｍである。
【００３６】
実施例においては、合計１４ロットのウェーハ（合計枚数：３２３５枚）について、上記の仕上げ面取り加工を施し、その後、ミラー面取り加工を施した。そして、ミラー面取り加工後のウェーハについて、１ロットごとに外観不良検査を行ったところ、チップおよび加工層は見られなかった。そのため、ミラー面取り加工を再度施す必要がなかった。
得られた結果を表１に示す。なお、外観不良検査は、ミラー面取り加工後のウェーハの加工部分に対し、集束光を照射し、その透過光を目視にて観察することにより評価した。
【００３７】
［比較例］
粗研削工程において、ウェーハＷの下面ＷＡの周縁部ＷＥおよびウェーハの側面ＷＤをさらに研削するとともに、精研削工程における取り代Ｔ２を実施例よりも０．０５ｍｍ大きくし、粗研削工程における取り代Ｔ１を実施例よりも０．０５ｍｍ小さくしたこと以外は実施例と同様にして、仕上げ面取り加工を施した。
なお、精研削工程における取り代Ｔ２は、粗研削工程における取り代Ｔ１よりも小さい。また、仕上げ面取り加工後のウェーハの直径は２００ｍｍである。
【００３８】
比較例においては、合計５１ロットのウェーハ（合計枚数：１１７８５枚）について、上記の仕上げ面取り加工を施し、その後、ミラー面取り加工を施した。そして、ミラー面取り加工後のウェーハについて、実施例と同様にして１ロットごとに外観不良検査を行ったところ、１１７８５枚中に１３枚のウェーハにチップまたは加工層が見られた。不良率は、０．１１％であった。また、チップまたは加工層が見られたウェーハを含むロットの数は６であり、これらのロットについてはミラー面取り加工を再度施した。ミラー面取り直し率［（ミラー面取り加工を再度施したロット数／全ロット数）×１００］は、１１．７６％であった。得られた結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
0005623249.tif 000002
【００４０】
表１に示す結果からも明らかなように、前記実施形態（実施例）においては、ウェーハの周縁部におけるチップおよび加工層の発生を抑制できることが確認された。
【符号の説明】
【００４１】
１…面取り装置
２…ウェーハ吸着部
２１…吸着ステージ
３…研削部
３１…研削ホイール
３１１…粗研削ホイール
３１２…精研削ホイール
３２…ホイール保持部材
ＣＲ１、ＣＲ３…チップ発生領域
Ｌ１、Ｌ３…接触境界
Ｓ…加工層
Ｗ、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４…ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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