(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉで構成される合金からなり、３００Ｋにおける電気伝導率σが１０００〜３０００Ｓ／ｃｍであり、
Ａｌを含有するＭｇ合金、並びに／又はＡｌ及びＭｇの混合物と、Ｓｉとを混合することにより得られ、Ａｌの含有量が３．５〜６．０ａｔ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量がＭｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である組成原料から合成されるアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料。
【請求項２】
３００Ｋにおける電気伝導率σが１１００〜２５００Ｓ／ｃｍである請求項１に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料。
【請求項３】
Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉで構成される合金からなるアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法であって、
Ａｌを含有するＭｇ合金、並びに／又はＡｌ及びＭｇの混合物と、Ｓｉとを混合することにより得られ、Ａｌの含有量が３．５〜６．０ａｔ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量がＭｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である組成原料を、開口部と前記開口部を覆う蓋部とを備え、前記開口部の辺縁における前記蓋部への接触面と、前記蓋部における前記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料からなる熱電変換材料。
【請求項５】
熱電変換部と、該熱電変換部に設けられた第１電極及び第２電極とを備え、
前記熱電変換部が請求項１又は２に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を用いて製造される熱電変換素子。
【請求項６】
請求項５に記載の熱電変換素子を備える熱電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料；熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール；並びにアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境問題の高まりに応じて、各種のエネルギーを効率的に利用する様々な手段が検討されている。特に、産業廃棄物の増加等に伴って、これらを焼却する際に生じる廃熱の有効利用が課題となっている。例えば大型廃棄物焼却施設では、廃熱により高圧の蒸気を発生させ、この蒸気により蒸気タービンを回転させて発電することにより廃熱回収が行われている。しかし、廃棄物焼却施設の大多数を占める中型・小型廃棄物焼却施設では、廃熱の排出量が少ないため、蒸気タービン等により発電する廃熱の回収方法は採用できていない。
【０００３】
このような中型・小型の廃棄物焼却施設において採用することが可能な廃熱を利用した発電方法としては、例えば、ゼーベック効果或いはペルチェ効果を利用して可逆的に熱電変換を行う熱電変換材料・熱電変換素子・熱電変換モジュールを用いた方法が提案されている。
【０００４】
熱電変換モジュールとしては、例えば図１及び図２に示すようなものが挙げられる。この熱電変換モジュールでは、熱伝導率の小さいｎ型半導体及びｐ型半導体がそれぞれｎ型熱電変換部１０１及びｐ型熱電変換部１０２の熱電変換材料として用いられる。並置されたｎ型熱電変換部１０１及びｐ型熱電変換部１０２の上端部には電極１０１５，１０２５が、下端部には電極１０１６，１０２６がそれぞれ設けられる。そして、ｎ型熱電変換部及びｐ型熱電変換部の上端部にそれぞれ設けられた電極１０１５，１０２５が接続されて一体化された電極を形成すると共に、ｎ型熱電変換部及びｐ型熱電変換部の下端部にそれぞれ設けられた電極１０１６，１０２６は分離されて構成される。
【０００５】
ここで、図１に示すように、電極１０１５，１０２５の側を加熱し、電極１０１６，１０２６の側から放熱することで、電極１０１５，１０２５と、電極１０１６，１０２６との間に正の温度差（Ｔｈ−Ｔｃ）が生じ、熱励起されたキャリアによってｐ型熱電変換部１０２がｎ型熱電変換部１０１よりも高電位となる。このとき、電極１０１６と電極１０２６との間に負荷として抵抗３を接続することで、ｐ型熱電変換部１０２からｎ型熱電変換部１０１へと電流が流れる。
【０００６】
一方、図２に示すように、直流電源４によってｐ型熱電変換部１０２からｎ型熱電変換部１０１へと直流電流を流すことで、電極１０１５，１０２５において吸熱作用が生じ、電極１０１６，１０２６において発熱作用が生じる。また、ｎ型熱電変換部１０１からｐ型熱電変換部１０２へと直流電流を流すことで、電極１０１５，１０２５において発熱作用が生じ、電極１０１６，１０２６において吸熱作用が生じる。
【０００７】
熱電変換モジュールの他の例としては、例えば図３及び図４に示すようなものが挙げられる（例えば特許文献１を参照）。この熱電変換モジュールでは、熱伝導率の小さいｎ型半導体のみが熱電変換材料として用いられる。ｎ型熱電変換部１０３の上端部には電極１０３５が、下端部には電極１０３６がそれぞれ設けられる。
【０００８】
この場合、図３に示すように、電極１０３５側を加熱し、電極１０３６側から放熱することで、電極１０３５と電極１０３６との間に正の温度差（Ｔｈ−Ｔｃ）が生じ、電極１０３５側が電極１０３６側よりも高電位となる。このとき、電極１０３５と電極１０３６との間に負荷として抵抗３を接続することで、電極１０３５側から電極１０３６側へと電流が流れる。
【０００９】
一方、図４に示すように、直流電源４によって電極１０３６側からｎ型熱電変換部１０３を経て電極１０３５側へと直流電流を流すことで、電極１０３５において吸熱作用が生じ、電極１０３６において発熱作用が生じる。また、直流電源４によって電極１０３５側からｎ型熱電変換部１０３を経て電極１０３６へと直流電流を流すことで、電極１０３５において発熱作用が生じ、電極１０３６において吸熱作用が生じる。
【００１０】
このように極めてシンプルな構成で効率的に熱電変換を行うことができる熱電変換素子は、従来特殊な用途を中心に応用展開されている。
【００１１】
ここで、従来、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｃｏ−Ｓｂ系、Ｚｎ−Ｓｂ系、Ｐｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｔｅ系等の熱電変換材料により、燃料電池、自動車、ボイラー・焼却炉・高炉等の約２００℃から８００℃程度の廃熱源を利用して電気に変換する試みが行われてきた。しかし、このような熱電変換材料には有害物質が含まれるため、環境負荷が大きくなるという問題があった。
【００１２】
また、高温用途で用いるものとしては、Ｂ４Ｃ等、ホウ素を多量に含むホウ化物、ＬａＳ等のレアアース金属カルコゲナイト等が研究されているが、Ｂ４ＣやＬａＳ等の金属間化合物を主体とする非酸化物系の材料は、真空中で比較的高い性能を発揮するものの、高温下で結晶相の分解が生じる等、高温領域での安定性が劣るという問題があった。
【００１３】
一方、環境負荷が少ないＭｇ２Ｓｉ（例えば特許文献２及び３、非特許文献１〜３を参照）、Ｍｇ２Ｓｉ１−ｘＣｘ（例えば非特許文献４を参照）等のシリサイド系（珪化物系）の金属間化合物を含む材料も研究されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平１１−２７４５７８号公報
【特許文献２】特開２００５−３１４８０５号公報
【特許文献３】国際公開第０３／０２７３４１号
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｍｇ２Ｓｉ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｖｏｌ．１０９，Ｎｏ．６，Ｍａｒｃｈ  １５，１９５８，ｐ．１９０９−１９１５
【非特許文献２】Ｓｅｅｂｅｃｋ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｉｎ  Ｍｇ２Ｓｉ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ  Ｐｒｏｇｒａｍ  Ｐｒｅｓｓ  １９６２．Ｖｏｌ．２３，ｐｐ．６０１−６１０
【非特許文献３】Ｂｕｌｋ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｍｇ２Ｓｉ  ｂｙ  ｔｈｅ  ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｂｒｉｄｇｍａｎ  ｍｅｔｈｏｄ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４６１（２００４）８６−８９
【非特許文献４】Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｍｇ２Ｓｉ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｎ  ｂｙ  ｔｈｅ  Ｂｒｉｄｇｅｍａｎ  ｍｅｔｈｏｄ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、上記Ｍｇを含有するシリサイド系の金属間化合物を含む材料は、熱電変換性能が低いといった問題点があり、Ｍｇを含有するシリサイド系の金属間化合物を含む材料を実際に熱電変換モジュールに実用化するには至っていなかった。
【００１７】
例えば、特許文献２，３に記載のマグネシウム−ケイ素複合材料については、これが有する熱電特性については、全く検討されていない。しかし、本発明者らが検討したところによれば、特許文献２，３に記載のマグネシウム−ケイ素複合材料は、本願で必要とされるマグネシウム−ケイ素複合材料の特性を有しないものであった。
【００１８】
本発明は、以上の課題に鑑みてなされたものであり、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、熱電変換モジュールの材料として好適に使用可能なアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料であって、優れた熱電変換特性を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を行った。その結果、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含むアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料が優れた熱電変換特性を有すると共に、熱電変換性能を決定する要因のうち、特に電気伝導率が高いものであることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。
【００２０】
［１］  Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、３００Ｋにおける電気伝導率σが１０００〜３０００Ｓ／ｃｍであるアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料。
【００２１】
［１］に記載の発明は、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、高い電気伝導率を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料である。ここで、熱電変換材料の熱電変換特性を示す性能指数は、一般に以下の数式（１）によって導出され、上記性能指数に絶対温度Ｔを乗じた数値が無次元性能指数ＺＴとなる。
【数１】
0005629920.tif 000002
［上記式（１）において、αはゼーベック係数を、σは電気伝導率を、κは熱伝導率を示す。］
【００２２】
上記数式（１）から明らかなように、電気伝導率が高い材料は無次元性能指数も高くなる傾向にある。このため、［１］に記載の発明によれば、熱電変換特性に優れたアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を得ることができる。
【００２３】
なお、［１］に記載の発明における複合材料は、「Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金」を含むものであり、例えばＭｇ２Ｓｉ等のマグネシウムシリサイドに、不純物程度のアルミニウムを含有する、アルミニウムをドープした材料とは異なるものである。本発明において、上記複合材料としては、通常、Ａｌ元素の含有量が０．５ａｔ％以上のものを指す。
【００２４】
［２］  Ａｌを含有するＭｇ合金、並びに／又はＡｌ及びＭｇの混合物と、Ｓｉとを混合することにより得られ、Ａｌの含有量が１〜１０ａｔ％である組成原料から合成される［１］に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料。
【００２５】
［２］に記載の発明は、［１］に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を製造する際の組成原料を規定したものである。したがって、［２］に記載の発明によれば、［１］に記載の発明と同等の効果を得ることができる。
【００２６】
［３］  前記組成原料中のＡｌの含有量が３．５〜６．０ａｔ％である［２］に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料。
【００２７】
［３］に記載の発明は、［２］に記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を製造する際の組成原料中の好ましいＡｌの含有量を規定したものである。この［３］に記載の発明によれば、［２］に記載の発明の効果に加え、焼結体の機械的強度に優れるという効果を得ることができる。
【００２８】
［４］  Ａｌを含有するＭｇ合金、並びに／又はＡｌ及びＭｇの混合物と、Ｓｉとを混合することにより得られ、Ａｌの含有量が１〜１０ａｔ％である組成原料を、開口部と前記開口部を覆う蓋部とを備え、前記開口部の辺縁における前記蓋部への接触面と、前記蓋部における前記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法。
【００２９】
［４］に記載の発明は、［１］又は［２］に記載の発明を、製造方法の発明として規定したものである。したがって、［４］に記載の発明によれば、［１］又は［２］に記載の発明と同等の効果を得ることができる。
【００３０】
［５］  ［１］から［３］のいずれかに記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料からなる熱電変換材料。
【００３１】
［６］  熱電変換部と、該熱電変換部に設けられた第１電極及び第２電極とを備え、前記熱電変換部が［１］から［３］のいずれかに記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を用いて製造される熱電変換素子。
【００３２】
［７］  ［６］に記載の熱電変換素子を備える熱電変換モジュール。
【００３３】
［５］から［７］に記載の発明は、［１］から［３］のいずれかに記載の発明を熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュールの発明として規定したものである。したがって、［５］から［７］に記載の発明によれば、［１］から［３］のいずれかに記載の発明と同等の効果を得ることができる。
【００３４】
［８］  ［１］から［３］のいずれかに記載のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料が用いられてなる耐食性材料、軽量構造材、摩擦材、セラミックス基板、誘電体磁器組成物、水素吸蔵組成物、又はシラン発生装置。
【００３５】
本発明に係るマグネシウム−ケイ素複合材料の用途としては、好ましくは、熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュールの用途を挙げることができるが、例えば、耐食性材料、軽量構造材、摩擦材、セラミックス基板、誘電体磁器組成物、水素吸蔵組成物、シラン発生装置等の用途に用いることもできる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、高い電気伝導率を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料である。ここで、電気伝導率が高い材料は無次元性能指数も高くなる傾向にあるため、本発明によれば、熱電変換特性に優れたアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】熱電変換モジュールの一例を示す図である。
【図２】熱電変換モジュールの一例を示す図である。
【図３】熱電変換モジュールの一例を示す図である。
【図４】熱電変換モジュールの一例を示す図である。
【図５】焼結装置の一例を示す図である。
【図６】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料における無次元性能指数と温度との関係を示す図である。
【図７】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料における電気伝導率とアルミニウムの組成比との関係を示す図である。
【図８】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料における無次元性能指数と電気伝導率との関係を示す図面である。
【図９】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料における無次元性能指数とアルミニウムの組成比との関係を示す図である。
【図１０】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料における圧縮強度とアルミニウムの組成比との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について図面を挙げて詳細に説明する。
【００３９】
＜アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料＞
［アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の特性］
本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、３００Ｋにおける電気伝導率σが１０００〜３０００Ｓ／ｃｍである。ここで、熱電変換材料の性能指数を示す上記の数式（１）から明らかなように、電気伝導率σが高い材料は、性能指数も高くなる傾向にある。このため、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、優れた熱電変換性能を有する傾向にある。アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料が優れた電気伝導率を示すことにより、例えば、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を熱電変換素子、熱電変換モジュールに使用する場合に、高い熱電変換性能を得ることができる。なお、上記電気伝導率は、１１００〜２５００Ｓ／ｃｍであることが好ましく、１２００〜２０００Ｓ／ｃｍであることが更に好ましい。
【００４０】
ここで、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、組成原料を加熱溶融し、好ましくは加熱溶融後の試料を粉砕した後のものであっても、粉砕後の試料を焼結した後のものであってもよいが、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の電気伝導率に言及するとき、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含む組成原料を加熱溶融し、加熱溶融後の試料を粉砕して、粉砕後の試料を焼結した後に測定されたものを指すものとする。同様に、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の無次元性能指数に言及するとき、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含む組成原料を加熱溶融し、加熱溶融後の試料を粉砕して、粉砕後の試料を焼結した後に測定されたものを指すものとする。
【００４１】
すなわち、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料とは、組成原料の加熱溶融物、当該加熱溶融物の粉砕物及び当該粉砕物の焼結体を包含した意味をなし、これらの加熱溶融物、粉砕物、及び焼結体は、それぞれ単独で商品としての価値を有するものである。本発明に係る熱電変換材料自体及び熱電変換素子を構成する熱電変換部は、当該焼結体から構成されるものである。
【００４２】
上述したとおり、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、「Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金」を含むものであり、例えばＭｇ２Ｓｉ等のマグネシウムシリサイドに、不純物程度のＡｌを含有する、Ａｌをドープした材料とは異なるものである。本発明において上記複合材料としては、通常、Ａｌの含有量が０．５ａｔ％以上のものを指す。
【００４３】
また、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、８６０Ｋにおける無次元性能指数が０．４７以上であることが好ましく、０．５５以上であることがより好ましい。無次元性能指数が上記範囲内にあることにより、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を熱電変換材料として用いたときに、優れた熱電変換性能を得ることができる。
【００４４】
なお、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、インゴット状のもの、粉末状のもの、粉末状のものを焼結したもの等、いかなる形態のものであってもよいが、粉末状のものを焼成したものであることが好ましい。更に、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の用途としては、好ましくは、後述する熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュールの用途を挙げることができるが、このような用途に限定されるものではなく、例えば、耐食性材料、軽量構造材、摩擦材、セラミックス基板、誘電体磁器組成物、水素吸蔵組成物、シラン発生装置等の用途に用いることもできる。
【００４５】
更に、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、機械的強度に優れるものである。このため、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、これを容易に熱電変換素子等に加工することができる。
【００４６】
＜熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール＞
本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、熱電変換材料として好適に使用できるものである。即ち、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、３００Ｋにおける電気伝導率が１０００〜３０００Ｓ／ｃｍのものであるので、熱電変換性能に優れる傾向にあり、これを熱電変換材料として熱電変換素子、熱電変換モジュールに使用する場合に、高い熱電変換性能を得ることができる。
【００４７】
＜アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法等＞
本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法は、Ａｌを含有するＭｇ合金、並びに／又はＡｌ及びＭｇの混合物と、Ｓｉとを混合することにより得られ、Ａｌの含有量が１〜１０ａｔ％である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有するものである。
【００４８】
また、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造方法は、加熱溶融工程において得られた試料を粉砕する粉砕工程と、粉砕された上記試料を焼結する焼結工程とを有することが好ましい。
【００４９】
なお、組成原料中におけるＡｌの含有量は、３．５〜６．０ａｔ％であることがより好ましく、３．８〜５．８ａｔ％であることが更に好ましい。Ａｌの含有量をこのような範囲とすることにより、焼結体の機械的強度に優れるようになる。したがって、例えばブレードソーによって焼結体を所望の大きさに切り出す際にも、素子が破損することを防止できる。
【００５０】
（混合工程）
混合工程においては、Ａｌを含有するＭｇ合金、並びに／又はＡｌ及びＭｇの混合物と、Ｓｉとを混合して、Ａｌの含有量が１〜１０ａｔ％、好ましくは３．５〜６．０ａｔ％、より好ましくは３．８〜５．８ａｔ％である組成原料を得る。
【００５１】
Ｓｉとしては、例えば３Ｎ以上、好ましくは６Ｎ以上のシリコンを利用することができる。ここで、シリコンとしては、具体的には、例えばＬＳＩ用高純度シリコン原料、太陽電池用高純度シリコン原料、高純度金属シリコン、高純度シリコンインゴット、高純度シリコンウエハ等を挙げることができる。
【００５２】
混合工程においてＡｌ及びＭｇの原料としてＡｌ及びＭｇの混合物を用いる場合、Ｍｇとしては、９９．５ｗｔ％程度以上の純度を有するものであり、実質的に不純物を含有しないものである限り、特に限定されるものではないが、例えば、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｌ等の不純物を含むものであっても差し支えない。
【００５３】
また、混合工程においてＡｌ及びＭｇの原料としてＡｌ及びＭｇの混合物を用いる場合、Ａｌとしては、９９．５ｗｔ％程度以上の純度を有するものであり、実質的に不純物を含有しないものである限り、特に限定されるものではないが、例えば、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｌ等の不純物を含むものであっても差し支えない。
【００５４】
更に、混合工程においてＡｌ及びＭｇの原料としてＡｌを含有するＭｇ合金を用いる場合には、Ａｌを２．０〜８．２ａｔ％、好ましくは３．５〜６．０ａｔ％、より好ましくは３．８〜５．８ａｔ％含有する合金を挙げることができる。このような合金としては、具体的には、ＡＭ２０、ＡＺ３１Ｂ、ＡＭ６０Ｂ、及びＡＺ９１Ｄを挙げることができる。このような合金は、市場の様々な製品からリサイクル可能であるため、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の製造コストを低減することができる。
【００５５】
混合工程において用いられる組成原料は、Ｍｇの含有量がＭｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量がＭｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である。
【００５６】
なお、Ｍｇの含有量は、Ｍｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で６６．２７〜６６．６７ａｔ％であることが好ましく、このときのＳｉの含有量は、Ｍｇ及びＳｉの合計含有量に基づく原子量比で３３．３３〜３３．７３ａｔ％であることが好ましい。
【００５７】
（加熱溶融工程）
加熱溶融工程においては、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含む組成原料を還元雰囲気下且つ好ましくは減圧下において、Ｍｇ及びＡｌの融点を超えＳｉの融点を下回る温度条件下で熱処理してＡｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を溶融合成することが好ましい。ここで、「還元雰囲気下」とは、特に水素ガスを５体積％以上含み、必要に応じてその他の成分として、不活性化ガスを含む雰囲気を指す。斯かる還元雰囲気下で加熱溶融工程を行うことにより、Ｍｇ、Ａｌ、及びＳｉを確実に反応させることでき、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を合成することができる。
【００５８】
加熱溶融工程における圧力条件としては、大気圧でもよいが、１．３３×１０−３Ｐａ〜大気圧が好ましく、安全性を考慮すれば、例えば０．０８ＭＰａ程度の減圧条件とすることが好ましい。
また、加熱溶融工程における加熱条件としては、７００℃以上１４１０℃未満、好ましくは１０８５℃以上１４１０℃未満で、例えば３時間程度熱処理することができる。ここで、熱処理の時間は２〜１０時間であってもよい。熱処理を長時間のものとすることにより、得られるアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料をより均一化することができる。なお、Ａｌの融点は６６０．４℃、Ｓｉの融点は１４１０℃である。
【００５９】
ここで、Ｍｇの融点である６９３℃以上に加熱することによりＭｇが溶融した場合、Ａｌ及びＳｉがその中に溶け込んで反応を開始するが、反応速度がやや遅いものとなる。一方、Ｍｇの沸点である１０９０℃以上に加熱した場合、反応速度は速いものとなるが、Ｍｇが急激に蒸気となって飛散するおそれがあるので注意して合成する必要がある。
【００６０】
また、組成原料を熱処理する際の昇温条件としては、例えば、１５０℃に達するまでは１５０〜２５０℃／ｈの昇温条件、１１００℃に達するまでは３５０〜４５０℃／ｈの昇温条件を挙げることができ、熱処理後の降温条件としては、９００〜１０００℃／ｈの降温条件を挙げることができる。
【００６１】
なお、加熱溶融工程を行う際には、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを備え、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で行う必要がある。このように研磨処理することで、組成原料の組成比率に近い組成比率を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を得ることができる。これは、上記蓋部と上記開口部の辺縁との接触面において隙間が形成されず、耐熱容器が密閉されるため、蒸発したＭｇやＡｌの耐熱容器外への飛散を抑制することができるためと考えられる。
【００６２】
上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面との研磨処理については特に限定されず、研磨処理されたものでありさえすればよい。しかし、特に、当該接触面の表面粗さＲａを０．２〜１μｍとすると密着状態を形成するのに好ましく、０．２〜０．５μｍとすると更に好ましい。表面粗さが１μｍを超えると、開口部の辺縁と蓋部との密着性が不十分になる場合がある。一方、表面粗さＲａが０．２μｍ未満の場合、必要以上の研磨を行うこととなり、コスト面で好ましくない。また、上記接触面は、表面うねりＲｍａｘが０．５〜３μｍであることが好ましく、０．５〜１μｍであることが更に好ましい。表面うねりＲｍａｘが０．５μｍ未満の場合、必要以上の研磨を行うこととなり、コスト面で好ましくない。
【００６３】
ここで、このような耐熱容器としては、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、白金、イリジウム、シリコンカーバイト、ボロンナイトライド、パイロライティックボロンナイトライド、パイロライティックグラファイト、パイロライティックボロンナイトライドコート、パイロライティックグラファイトコート、及び石英からなる密閉容器を挙げることができる。また、上記耐熱容器の寸法としては、容器本体が内径１２〜３００ｍｍ、外径１５〜３２０ｍｍ、高さ５０〜２５０ｍｍで、蓋部の直径が１５〜３２０ｍｍのものを挙げることができる。
【００６４】
更に、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とを密着させるため、必要に応じて、上記蓋部の上面を直接又は間接におもりにて加圧することができる。当該加圧の際の圧力は、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００６５】
加熱溶融工程を還元雰囲気下において行うために使用するガスとしては、１００体積％の水素ガスでもよいが、水素ガス５体積％以上を含む窒素ガス又はアルゴンガス等、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを挙げることができる。このように、加熱溶融工程を還元雰囲気下で行う理由としては、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を製造するにあたって、酸化ケイ素のみならず、酸化マグネシウムの生成を極力避ける必要があることを挙げることができる。
【００６６】
加熱溶融された試料は、自然冷却及び強制冷却によって冷却することができる。
【００６７】
（粉砕工程）
粉砕工程は、加熱溶融された試料を粉砕する工程である。粉砕工程においては、加熱溶融された試料を、微細で、狭い粒度分布を有する粒子に粉砕することが好ましい。微細で、狭い粒度分布を有する粒子に粉砕することにより、これを焼結する際に、粉砕された粒子同士がその表面の少なくとも一部において融着し、空隙（ボイド）の発生がほとんど観察されない程度に焼結することができ、理論値の約７０％から理論値とほぼ同程度の密度を有する焼結体を得ることができる。
【００６８】
粉砕した上記試料は、好ましくは、平均粒径が０．０１〜１００μｍのものを使用することができる。具体的には、７５μｍ篩パスの粒子を使用することができる。
【００６９】
なお、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を熱電変換材料として利用する場合には、粉砕工程の後にドーパントを所定量添加することにより焼結工程でドーピングを行ってもよい。
【００７０】
ドーパントの具体例としては、例えば、２価のＭｇサイトにドープするホウ素、ガリウム、インジウム等の３価のドーパント；４価のＳｉサイトにドープするリン、ビスマス等の５価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの１種以上を必要量添加して、ｎ型熱電変換材料として用いられるアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を製造することができる。
【００７１】
また、ドーパントの他の具体例としては、例えば、２価のＭｇサイトにドープするＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の１価のドーパント；４価のＳｉサイトにドープするホウ素、ガリウム、インジウム等の３価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの１種以上を必要量添加して、ｐ型熱電変換材料として用いられるアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を製造することができる。
【００７２】
加圧圧縮焼結して安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体が得られる限り、ドーパントとしては、Ｍｇ２Ｓｉを焼結する際に使用する反応装置等からアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料に溶け込んでドープされるドーパントが、焼結体のドーパントの全部であってもよく、焼結体のドーパントの一部であってもよい。
【００７３】
なお、一般に、加熱溶融工程でドーパントを添加する場合、熱平衡状態下での固溶限界濃度まで可能であるが、後述する焼結工程でドーピングを行う場合、固溶限界濃度を超えてドーパントの添加を行うことができる。
【００７４】
（焼結工程）
焼結工程は、粉砕した上記試料を焼結する工程である。焼結工程における焼結の条件としては、場合によってドーパントを添加した上記試料を、加圧圧縮焼結法により真空又は減圧雰囲気下で焼結圧力５〜６０ＭＰａ、焼結温度６００〜１０００℃で焼結する方法を挙げることができる。
【００７５】
焼結圧力が５ＭＰａ未満である場合、理論密度の約７０％以上の十分な密度を有する焼結体を得ることが難しくなり、得られた試料が強度的に実用に供することができないものとなるおそれがある。一方、焼結圧力が６０ＭＰａを超える場合、コストの面で好ましくなく、実用的でない。また、焼結温度が６００℃未満では、粒子同士が接触する面の少なくとも一部が融着して焼成された理論密度の７０％から理論密度に近い密度を有する焼結体を得ることが難しくなり、得られた試料が強度的に実用に供することができないものとなるおそれがある。また、焼結温度が１０００℃を超える場合には、温度が高すぎるために試料の損傷が生じるばかりでなく、場合によってはＭｇが急激に蒸気となって、飛散するおそれがある。
【００７６】
具体的な焼結条件としては、例えば、焼結温度を６００〜８００℃の範囲内のものとし、焼結温度が６００℃に近い温度にあるときには、焼結圧力を６０ＭＰａに近い圧力とし、焼結温度が８００℃に近い温度であるときには、焼結圧力を５ＭＰａに近い圧力として、５〜６０分間程度、好ましくは１０分間程度焼結する焼結条件を挙げることができる。斯かる焼結条件の下で焼結を行うことで、高い機械的強度と、理論密度とほぼ同等の密度とを有し、安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体を得ることができる。
【００７７】
また、気体が存在する環境下で焼結工程を行う場合、窒素やアルゴン等の不活性ガスを使用した雰囲気下で焼結することが好ましい。
【００７８】
焼結工程において、加圧圧縮焼結法を採用する場合、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方圧焼結法（ＨＩＰ）、及び放電プラズマ焼結法を採用することができる。これらの中でも、放電プラズマ焼結法が好ましい。
【００７９】
放電プラズマ焼結法は、直流パルス通電法を用いた加圧圧縮焼結法の一種で、パルス大電流を種々の材料に通電することによって加熱・焼結する方法であり、原理的には金属・グラファイト等の導電性材料に電流を流し、ジュール加熱により材料を加工・処理する方法である。
【００８０】
このようにして得られた焼結体は、高い機械的強度を有し、且つ安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体となり、風化せず、耐久性に優れて、安定性及び信頼性に優れた熱電変換材料として使用できる。
【００８１】
（熱電変換素子）
本発明に係る熱電変換素子は、熱電変換部と、該熱電変換部に設けられた第１電極及び第２電極とを備え、この熱電変換部が本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を用いて製造されるものである。
【００８２】
（熱電変換部）
熱電変換部としては、上記の焼結工程にて得られた焼結体を、ワイヤーソー等を用いて所望の大きさに切り出したものを用いることができる。
この熱電変換部は、通常、１種類の熱電変換材料を用いて製造されるが、複数種類の熱電変換材料を用いて複層構造を有する熱電変換部としてもよい。複層構造を有する熱電変換部は、焼結前の複数種類の熱電変換材料を所望の順序で積層した後、焼結することにより製造することができる。
【００８３】
（電極）
上記第１電極及び第２電極の形成方法は特に限定されるものではないが、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を用いて製造された熱電変換素子は、メッキ法により電極を形成できることが特徴の１つである。
通常、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を用いて製造された熱電変換部にメッキ法で電極を形成しようとした場合、材料中に残留する金属マグネシウムに起因して水素ガスが発生し、メッキの接着性が悪くなる。一方、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を用いて製造された熱電変換部の場合には、材料中に金属マグネシウムが殆ど含まれないため、メッキ法により接着性の高い電極を形成することが可能である。メッキ法としては、特に限定されないが、無電界ニッケルメッキが好ましい。
【００８４】
メッキ法により電極を形成する前の焼結体の表面に、メッキを行うのに支障となる凹凸がある場合には、研磨して平滑にすることが好ましい。
このようにして得られたメッキ層付きの焼結体を、ワイヤーソーやブレードソーのような切断機で所定の大きさにカットして、第１電極、熱電変換部、及び第２電極からなる熱電変換素子が作製される。
【００８５】
また、第１電極及び第２電極は、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の焼結時に一体して形成することも可能である。即ち、電極材料、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料、電極材料をこの順で積層し、加圧圧縮焼結することにより、両端に電極が形成された焼結体を得ることができる。
【００８６】
本発明における加圧圧縮焼結法による電極の形成方法として、２つの方法について説明する。
第１の方法は、例えばグラファイトダイ及びグラファイト製パンチからなる円筒型の焼結用冶具内にその底部から順次、ＳｉＯ２のような絶縁性材料粉末の層、Ｎｉのような電極形成用金属粉末の層、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の粉砕物の層、上記電極形成用金属粉末の層、上記絶縁性材料粉末の層を所定の厚さで積層した後、加圧圧縮焼結を行う。
上記絶縁性材料粉末は、焼結装置から電極形成用金属粉末に電気が流れるのを防止し、溶融を防ぐために有効であり、焼結後、形成された電極から該絶縁性材料を分離する。
第１の方法においては、カーボンペーパーを絶縁性材料粉末層と電極形成用金属粉末層との間に挟み、さらに円筒型焼結用冶具の側内壁表面にカーボンペーパーを設置しておけば、粉末同士の混合を防止し、また焼結後に電極と絶縁材料層を分離するのに有効である。
このようにして得られた焼結体の上下表面の多くは、凹凸が形成されるため、研磨して平滑にする必要があり、その後、ワイヤーソーやブレードソーのような切断機で所定の大きさにカットして、第１電極、熱電変換部、及び第２電極からなる熱電変換素子が作製される。
絶縁性材料粉末を用いない従来の方法によると、電流によって電極形成用金属粉末を溶融させてしまうため、大電流を使用できず電流の調整が難しく、したがって、得られた焼結体から電極が剥離してしまう問題があった。一方、第１の方法では絶縁性材料粉末層を設けることによって、大電流を用いることができ、その結果、初期の焼結体を得ることができる。
【００８７】
第２の方法は、上記第１の方法における絶縁性材料粉末層を用いないで、円筒型の焼結用冶具内にその底部から順次、Ｎｉのような電極形成用金属粉末の層、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料の粉砕物の層、上記電極形成用金属粉末の層を積層し、上記電極形成用金属粉末の層に接する焼結用冶具の上記グラファイトダイの表面に、ＢＮのような絶縁性、耐熱性、且つ離型性のセラミックス粒子を塗布又はスプレーして、加圧圧縮焼結を行う。この場合、第１の方法のようにカーボンペーパーを使用する必要はない。
この第２の方法は、第１の方法の利点を全て有する上に、得られた焼結体の上下表面が平滑であるため、殆ど研磨する必要がないという利点を有する。
得られた焼結体を所定の大きさにカットして、第１電極、熱電変換部、及び第２電極からなる熱電変換素子を作製する方法は上記第１の方法と同様である。
【００８８】
（熱電変換モジュール）
本発明に係る熱電変換モジュールは、上記のような本発明に係る熱電変換素子を備えるものである。
【００８９】
熱電変換モジュールの一例としては、例えば図１及び図２に示すようなものが挙げられる。この熱電変換モジュールでは、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料から得られたｎ型半導体及びｐ型半導体がそれぞれｎ型熱電変換部１０１及びｐ型熱電変換部１０２の熱電変換材料として用いられる。並置されたｎ型熱電変換部１０１及びｐ型熱電変換部１０２の上端部には電極１０１５，１０２５が、下端部には電極１０１６，１０２６がそれぞれ設けられる。そして、ｎ型熱電変換部及びｐ型熱電変換部の上端部にそれぞれ設けられた電極１０１５，１０２５が接続されて一体化された電極を形成すると共に、ｎ型熱電変換部及びｐ型熱電変換部の下端部にそれぞれ設けられた電極１０１６，１０２６は分離されて構成される。
【００９０】
また、熱電変換モジュールの他の例としては、例えば図３及び図４に示すようなものが挙げられる。この熱電変換モジュールでは、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料から得られたｎ型半導体がｎ型熱電変換部１０３の熱電変換材料として用いられる。ｎ型熱電変換部１０３の上端部には電極１０３５が、下端部には電極１０３６がそれぞれ設けられる。
【００９１】
本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、高い電気伝導率を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料である。ここで、電気伝導率σが高い材料は、無次元性能指数も高くなる傾向にあるため、本発明によれば、熱電変換特性に優れたアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を得ることができる。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明について、実施例を挙げて詳細に説明する。なお、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。なお、実施例１、２、３及び５は参考例である。
【００９３】
＜＜試験例１；熱電特性の測定＞＞
＜実施例１＞
［混合工程］
高純度シリコン３６．２３質量部、マグネシウム６２．７２質量部、及びアルミニウム１．０６質量部を混合し、ＭｇとＳｉとの組成比が、Ｍｇ：Ｓｉ＝６６．０：３３．０、Ａｌの含有量が１．０ａｔ％の組成原料（１．０ａｔ％Ａｌ、６６．０ａｔ％Ｍｇ、３３．０ａｔ％Ｓｉ）を得た。なお、高純度シリコンとしては、ＭＥＭＣ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製で、純度が９９．９９９９９９９％の半導体グレード、直径４ｍｍ以下の粒状のものを用いた。また、マグネシウムとしては、日本サーモケミカル社製で、純度が９９．９３％、大きさ１．４ｍｍ×０．５ｍｍのマグネシウム片を用いた。また、アルミニウムとしては、フルウチ化学株式会社社製で、純度が９９．９９％、大きさ３〜７ｍｍのチップ状のものを用いた。
【００９４】
［加熱溶融工程］
上記組成原料を、Ａｌ２Ｏ３製の溶融ルツボ（日本化学陶業社製、内径３４ｍｍ、外径４０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ；蓋部は直径４０ｍｍ、厚さ２．５ｍｍ）に投入した。当該溶融ルツボは、開口部の辺縁の蓋部への接触面と、蓋部の開口部の辺縁への接触面とが、表面粗さＲａが０．５μｍ、表面うねりＲｍａｘが１．０μｍとなるように研磨されたものを用いた。溶融ルツボの開口部の辺縁と、蓋部とを密着させて、加熱炉内に静置し、加熱炉の外部からセラミック棒を介して、３ｋｇｆ／ｃｍ２となるようにおもりで加圧した。
【００９５】
次いで、加熱炉の内部を、ロータリーポンプで５Ｐａ以下となるまで減圧し、次いで拡散ポンプで１．３３×１０−２Ｐａとなるまで減圧した。この状態で、加熱炉内を２００℃／ｈで１５０℃に達するまで加熱し、１５０℃で１時間保持して組成原料を乾燥させた。この際、加熱炉内には、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを充填し、水素ガスの分圧を０．００５ＭＰａ、アルゴンガスの分圧を０．０５２ＭＰａとした。
【００９６】
その後、４００℃／ｈで１１００℃に達するまで加熱し、１１００℃で３時間保持した。次いで、１００℃／ｈで９００℃にまで冷却し、１０００℃／ｈで室温にまで冷却した。
【００９７】
［粉砕工程・焼結工程］
加熱溶融後の試料は、陶製乳鉢を用いて７５μｍにまで粉砕し、７５μｍの篩に通した粉末を得た。そして、図５に示すように、内径１５ｍｍのグラファイトダイ１０と、グラファイト製パンチ１１ａ，１１ｂとで囲まれた空間に、粉砕したマグネシウム−ケイ素複合材料１．０ｇを仕込んだ。粉末の上下端には、パンチへのマグネシウム−ケイ素複合材料固着防止のためにカーボンペーパーを挟んだ。その後、放電プラズマ焼結装置（ＥＬＥＮＩＸ社製、「ＰＡＳ−ＩＩＩ−Ｅｓ」）を用いてアルゴン雰囲気下で焼結を行い、焼結体を得た。焼結条件は下記のとおりである。
焼結温度：７５０℃
圧力：３０．０ＭＰａ
昇温レート：１００℃／ｍｉｎ×５ｍｉｎ（〜５００℃）
０℃／ｍｉｎ×１０ｍｉｎ（５００℃）
２０℃／ｍｉｎ×１２．５ｍｉｎ（５００〜７５０℃）
０℃／ｍｉｎ×２ｍｉｎ（７５０℃）
冷却条件：真空放冷
雰囲気：Ａｒ  ６０Ｐａ（冷却時は真空）
【００９８】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．０１で示すものとする。
【００９９】
＜実施例２＞
混合工程において、アルミニウムの添加量を２．１１質量部とし、組成原料中のアルミニウムの含有量を２．０ａｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１００】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．０２で示すものとする。
【０１０１】
＜実施例３＞
混合工程において、アルミニウムの添加量を３．１６質量部とし、組成原料中のアルミニウムの含有量を３．０ａｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１０２】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．０３で示すものとする。
【０１０３】
＜実施例４＞
混合工程において、アルミニウムの添加量を６．１１質量部とし、組成原料中のアルミニウムの含有量を５．０ａｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１０４】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．０５で示すものとする。
【０１０５】
＜実施例５＞
混合工程において、アルミニウムの添加量を１０．５質量部とし、組成原料中のアルミニウムの含有量を１０ａｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１０６】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．１０で示すものとする。
【０１０７】
＜実施例６＞
混合工程において、高純度シリコン３６．４４ｇ、及びアルミニウムを含有するマグネシウム合金（ＡＭ６０）６３．５８ｇを混合し、ＭｇとＳｉとの組成比を、Ｍｇ：Ｓｉ＝６６．０：３３．０、Ａｌの含有量を３．８ａｔ％とした組成原料を用いた点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１０８】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．０３８で示すものとする。
【０１０９】
＜実施例７＞
混合工程において、高純度シリコン３６．２８ｇ、及びアルミニウムを含有するマグネシウム合金（ＡＺ９１）６３．７５ｇを混合し、ＭｇとＳｉとの組成比を、Ｍｇ：Ｓｉ＝６６．０：３３．０、Ａｌの含有量を５．８ａｔ％とした組成原料を用いた点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１１０】
なお、図６〜図９において、本実施例に由来するサンプルはｙ＝０．０５８で示すものとする。
【０１１１】
＜比較例１＞
混合工程において、アルミニウムを添加しなかった点以外は、実施例１と同様の方法により、マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１１２】
なお、図６〜図９において、本比較例に由来するサンプルはｙ＝０で示すものとする。
【０１１３】
＜比較例２＞
混合工程において、アルミニウムの添加量を０．１６質量部とし、組成原料中のアルミニウムの含有量を０．１５ａｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１１４】
なお、図６〜図９において、本比較例に由来するサンプルはｙ＝０．００１５で示すものとする。
【０１１５】
＜比較例３＞
混合工程において、アルミニウムの添加量を０．３５質量部とし、組成原料中のアルミニウムの含有量を０．３３ａｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法により、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を得た。
【０１１６】
なお、図６〜図９において、本比較例に由来するサンプルはｙ＝０．００３３で示すものとする。
【０１１７】
＜評価＞
［ゼーベック係数、熱伝導率、及び電気伝導率の測定］
実施例１〜７、比較例１〜３で得られた焼結体を、熱起電力・熱伝導率測定装置（アルバック理工社製、「ＺＥＭ２」）及びレーザーフラッシュ法熱伝導率測定装置（アルバック理工社製、「ＴＣ・７０００Ｈ」）を用い、動作温度３３０〜８６０Ｋにおけるゼーベック係数α、熱伝導率κ、及び電気伝導率σを測定すると共に、３００Ｋにおける電気伝導率を別途測定した。測定した各種パラメーターを元に、上記数式（１）に従って、無次元性能指数ＺＴを算出した。結果を表１及び図６〜図９に示す。
【０１１８】
【表１】
0005629920.tif 000003
【０１１９】
表１より、組成原料中のＡｌの含有量が１〜１０ａｔ％である実施例１〜７のアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、比較例１〜３の複合材料と比較して優れた熱電変換性能が得られていることが分かる。この結果より、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、熱電変換材料として好適に使用できることが分かる。
【０１２０】
＜＜試験例２；塑性の評価＞＞
試験例１に倣って、Ａｌが０．０ａｔ％、１．０ａｔ％、３．０ａｔ％、５．８ａｔ％、又は１０ａｔ％の組成原料から、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）又はマグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を調製した。これらの各焼結体につき、ダイヤモンドワイヤーソーを用いて切断し、切断後の断面におけるクラックの有無を調べた。ここで、クラックが入ったものを×、クラックが入っていないものを○とした。結果を表２に示す。
【０１２１】
【表２】
0005629920.tif 000004
【０１２２】
表２より、組成原料中のＡｌの含有量が１〜１０ａｔ％である本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、マグネシウム・ケイ素複合材料と比べても優れた塑性を有することが分かる。この結果より、本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、熱電変換素子への加工が容易であると推察される。
【０１２３】
＜＜試験例３；圧縮強度の評価＞＞
試験例１の実施例２，６，７に倣って、Ａｌが２ａｔ％、３．８ａｔ％、又は５．８ａｔ％の組成原料から、アルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）を調製した。これらの各焼結体につき、ダイヤモンドワイヤーソーを用いて２．７ｍｍ×２．７ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切断し、オートグラフ（島津製作所製、「ＡＧ−１０ＴＡ」）を用いて圧縮強度（Ｎ）を測定した。このときの試験速度は０．３７５ｍｍ／ｍｉｎとした。なお、測定は４回行い、最高値及び最低値を省いた２点の測定値及びその平均値を求めた。結果を図１０に示す。
【０１２４】
図１０より、組成原料中のＡｌの含有量が３．５〜６．０ａｔ％の範囲では、圧縮強度が特に優れることが分かる。この結果より、Ａｌの含有量が３．５〜６．０ａｔ％である組成原料を用いて調製したアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料（焼結体）は、例えばブレードソーによって焼結体を所望の大きさに切り出す際にも、素子が破損することを防止できると考えられる。
なお、図示しないが、組成原料中のＡｌの含有量が６．０ａｔ％を超えると、圧縮強度は低下した。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、高い電気伝導率を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料である。ここで、電気伝導率が高い材料は無次元性能指数も高くなる傾向にあるため、本発明によれば、熱電変換特性に優れたアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を得ることができる。
【符号の説明】
【０１２６】
１０１  ｎ型熱電変換部
１０１５，１０１６  電極
１０２  ｐ型熱電変換部
１０２５，１０２６  電極
１０３  ｎ型熱電変換部
１０３５，１０３６  電極
３  負荷
４  直流電源
１０  グラファイトダイ
１１ａ，１１ｂ  グラファイト製パンチ
【図１】
0005629920.tif 000005
【図２】
0005629920.tif 000006
【図３】
0005629920.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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