(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の処理反応炉にガスを供給する半導体製造装置用のガス供給装置において、
複数のガス供給源と、
各ガス供給源に接続されたガス導入管と、
複数のガス導入管が集合したガス集合管と、
ガス集合管から分岐された複数の分岐管であって、各々が対応する処理反応炉に接続された複数の分岐管と、
ガス集合管および複数の分岐管に設けられた圧力式流量制御器とを備え、
圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた圧力検出器と、各分岐管に設けられたコントロール弁と、各分岐管のうちコントロール弁の下流側または上流側に設けられたオリフィスと、圧力検出器からの検出圧力Ｐ１ から流量Ｑｃ＝ＫＰ１ （Ｋは定数）を求める流量演算回路と、流量設定信号Ｑｓを出力する流量設定回路と、流量演算回路からの流量Ｑｃと流量設定回路からの流量設定信号Ｑｓとに基づいて各コントロール弁を制御する演算制御回路とを有することを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置。
【請求項２】
圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた流量検出用のサーマルセンサを更に有し、サーマルセンサからの信号Ｑａが演算制御回路に送られて、この演算制御回路においてガス集合管内の圧力が音速領域であるか否か判定されることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
【請求項３】
複数のガス供給源のうちあるガス供給源のガス導入管にバイパス管が接続され、このバイパス管と各々の分岐管との間が連通管により連通されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
【請求項４】
各分岐管は枚葉クラスタ式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
【請求項５】
各分岐管はバッチ式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
【請求項６】
圧力式流量制御器は、演算制御回路と各コントロール弁との間に設けられた電気／空圧調整部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造用のガス供給装置に係り、とりわけ装置の小形化と製造コストの低減を図ることができる半導体製造装置用のガス供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体製造に於いては、多種類のガスを経時的に切換え使用したり、或いは同一種類のガスを夫々異なる流量で並列的に使用することが多く行なわれている。そのため、従前の半導体製造装置用のガス供給装置では、供給すべき各ガス系統毎にマスフローコントローラ等の流量制御器を夫々設け、これによって供給ガスの高精度な流量制御を行なうようにしている。
【０００３】
例えば、半導体製造の主工程の一つであるエッチング工程は、複数の絶縁膜を順次エッチングする所謂ステップエッチングと呼ばれるプロセスから成り、各プロセスに於いては３〜４種類のガスの組合せによってエッチングが行なわれる。このため、エッチング工程用のガス供給装置だけでも合計１０種以上のガス及び流量制御器が必要となり、半導体製造設備全体としては、膨大な数の流量制御器が必要となる。
【０００４】
同様に、例えばＣＶＤ工程では、一基の反応処理炉内へ複数の供給口から同種類のガスを、同一又は異なる流量でもって同時に供給することにより、所謂ＣＶＤ処理を行なう場合がある。この場合、通常各供給口のライン毎に流量制御器を設け、これによって供給ガスの流量を調整するようにしており、多数の流量制御器を必要とする。
【０００５】
ところで、流量制御器としては、これまで主にマスフローコントローラが用いられてきたが、近年になって圧力式流量制御器の利用が開発されつつある。しかし、前述のように流量制御器の設置台数が多いと、ガス供給装置が大形化するだけでなく、製造コストや保守点検費が上昇する。また、流量制御器の設置台数が多いと、その保守管理に手数がかかるだけでなく、交換用部品や予備品自体の必要数も多くなり、ガス供給装置のランニングコストが高くついてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３２３４６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、各処理反応炉毎に流量制御器を設置する必要がなく、かつこの流量制御器をきわめてコンパクトに構成することができる半導体製造装置用のガス供給装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の処理反応炉にガスを供給する半導体製造装置用のガス供給装置において、複数のガス供給源と、各ガス供給源に接続されたガス導入管と、複数のガス導入管が集合したガス集合管と、ガス集合管から分岐された複数の分岐管であって、各々が対応する処理反応炉に接続された複数の分岐管と、ガス集合管および複数の分岐管に設けられた圧力式流量制御器とを備え、圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた圧力検出器と、各分岐管に設けられたコントロール弁と、各分岐管のうちコントロール弁の下流側または上流側に設けられたオリフィスと、圧力検出器からの検出圧力Ｐ１ から流量Ｑｃ＝ＫＰ１ （Ｋは定数）を求める流量演算回路と、流量設定信号Ｑｓを出力する流量設定回路と、流量演算回路からの流量Ｑｃと流量設定回路からの流量設定信号Ｑｓとに基づいて各コントロール弁を制御する演算制御回路とを有することを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
【０００９】
本発明は、圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた流量検出用のサーマルセンサを更に有し、サーマルセンサからの信号Ｑａが演算制御回路に送られて、この演算制御回路においてガス集合管内の圧力が音速領域であるか否か判定されることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
【００１０】
本発明は、複数のガス供給源のうちあるガス供給源のガス導入管にバイパス管が接続され、このバイパス管と各々の分岐管との間が連通管により連通されていることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
【００１１】
本発明は、各分岐管は枚葉クラスタ式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
【００１２】
本発明は、各分岐管はバッチ処理式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
【００１３】
本発明は、圧力式流量制御器は、演算制御回路と各コントロール弁との間に設けられた電気／空圧調整部を有することを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明によれば、各処理反応炉毎に圧力式流量制御器を設置する必要がなく、かつ圧力式流量制御器をきわめてコンパクトな構造で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は本発明による半導体用ガス供給装置の第１の実施の形態を示す概略系統図。
【図２】図２は一次圧力と実流量との関係を示す図。
【図３】図３（ａ）はコントロール弁を開いた状態における一次圧力を示す図、図３（ｂ）は圧力検出器によって検出された流量とサーマルセンサによって検出された流量を示す図。
【図４】図４は比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図。
【図５】図５は他の比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図。
【図６】図６は圧力式流量制御器を示す詳略図。
【図７】図７は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第２の実施の形態を示す図。
【図８】図８は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第３の実施の形態を示す図。
【図９】図９（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第４の実施の形態を示す図。
【図１０】図１０は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第５の実施の形態を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
第１の実施の形態
以下、図面を参照して本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第１の実施の形態について説明する。
【００１７】
図１乃至図６は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第１の実施の形態を示す図であり、このうち図１は半導体製造装置用ガス供給装置を示す概略系統図、図２は一次圧力と実流量との関係を示す図、図３（ａ）（ｂ）はオリフィスの異常監視状態を示す図であって、図３（ａ）はコントロール弁を開いた状態における一次圧力を示す図、図３（ｂ）は圧力検出器によって検出された流量とサーマルセンサによって検出された流量を示す図、図４は比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図、図５は他の比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図、図６は圧力式流量制御器を示す詳細図である。
【００１８】
図１乃至図６に示すように、半導体製造装置用のガス供給装置１０は複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂにガスを供給するものである。このような処理反応炉２７ａ，２７ｂとしては、多数のウエハを同時に処理するバッチ式の処理反応炉（プロセスチャンバ）が考えられ、このような処理反応炉２７ａ，２７ｂによって、ＦＰＤ、ＬＥＤ、ＰＶ（太陽電池）を含む半導体が得られる。
【００１９】
このような半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
【００２０】
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとして不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
【００２１】
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられ、さらに分岐管２１ａ，２１ｂには、開閉弁２４ａ，２４ｂが設けられている。
【００２２】
次に図１及び図６により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図１および図６に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて各コントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。なお、オリフィス２２ａ，２２ｂを各コントロール弁２３ａ，２３ｂの上流側に設けてもよい。
【００２３】
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
【００２４】
ここで図６により、圧力式流量制御器３０についてより詳述する。
【００２５】
図６は、圧力式流量制御器３０の構成系統図である。図６において、一般にオリフィス２２ａ，２２ｂの前後の気体の圧力Ｐ２ ／Ｐ１ （Ｐ１ ：上流側圧力、Ｐ２ ：下流側圧力）が気体の臨界圧力比（空気や窒素等の場合は約０．５）以下になると、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となって、オリフィス２２ａ，２２ｂの下流側の圧力変動が上流側に伝達しなくなり、オリフィス２２ａ，２２ｂの上流側の状態に相応した安定な質量流量を得ることができる。即ち、オリフィス２２ａ，２２ｂの径が一定の場合、上流側圧力Ｐ１ を下流側圧力Ｐ２ の約２倍以上に設定すると、オリフィス２２ａ，２２ｂを流通する下流側流量Ｑｃは上流側圧力Ｐ１ にのみ依存し、Ｑｃ＝ＫＰ１（Ｋは定数）という直線関係が高精度に成立し、オリフィス径が同一なら、この定数Ｋも一定となる（図２参照）。
【００２６】
オリフィス２２ａ，２２ｂの上流側の分岐管２１ａ，２１ｂには、駆動部６０ａにより開閉されるコントロール弁２３ａ，２３ｂが設けられ、オリフィス２２ａ，２２ｂの下流側の分岐管２１ａ，２１ｂは、各々開閉弁２４ａ，２４ｂを介して処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続されている。オリフィス２２ａ，２２ｂより上流側の圧力Ｐ１ は圧力検出器１７により検出され、増幅回路３６を介して圧力表示器４２に表示される。また、その出力はＡ／Ｄ変換器３８を通してデジタル化され、演算回路４０によりオリフィス２２ａ，２２ｂより下流側流量ＱがＱ＝ＫＰ１（Ｋ：定数）により算出される。なお、圧力表示器４２は必ずしも設ける必要はない。
【００２７】
一方、温度検出器１８により検出されたオリフィス２２ａ，２２ｂより上流側の温度Ｔ１ は、増幅回路４６、Ａ／Ｄ変換器４８を介して温度補正回路５０に出力され、前記流量Ｑが温度補正されて、演算流量Ｑｃが比較回路５６に出力される。ここで、比較回路５６は、コントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御する演算制御回路５８を構成する。
【００２８】
他方、流量設定回路５２からはＡ／Ｄ変換器５４を介して設定流量Ｑｓが出力され、比較回路５６に送信される。比較回路５６では演算流量Ｑｃと設定流量Ｑｓの差信号ＱｙがＱｙ＝Ｑｃ−Ｑｓによって算出され、増幅回路６０を介してコントロール弁２３ａ，２３ｂの駆動部６０Ａに出力される。この駆動部６０Ａは差信号Ｑｙが零になる方向にコントロール弁２３ａ，２３ｂを開閉制御して、コントロール弁２３ａ，２３ｂより下流側の流量が設定流量に等しくなるように制御するものである。
【００２９】
当該圧力式流量制御器３０は、オリフィス２２ａ，２２ｂの上流側圧力Ｐ１ を調整することにより二次側流量を制御する構成としているため、コントロール弁２３ａ，２３ｂの上流側のガス圧力に影響されることなしにオリフィス２２ａ，２２ｂの下流側の流量制御を行なうことができ、比較的リニアー性の良い流量特性が得られる。また、ガスの種類やガスの流量が変った場合に於いても、基準ガス及び基準流量に対する所謂フローファクターを予かじめ求めておくことにより、各種の異なるガスやガス流量に対しても、比較的簡単に高精度な流量制御を行なうことができる。
【００３０】
また、比較回路５６を含む演算制御回路５８、演算回路４０、温度補正回路５０、流量設定回路５２、Ａ／Ｄ変換器５４、増幅回路６０、増幅回路３６、圧力表示器４２、Ａ／Ｄ変換器３８、増幅回路４６、およびＡ／Ｄ変換器４８によって制御回路３０Ａが構成されている。
【００３１】
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
【００３２】
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
【００３３】
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が、演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
【００３４】
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
【００３５】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００３６】
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂに至る。
【００３７】
分岐管２１ａ，２１ｂ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに供給される。
【００３８】
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
【００３９】
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
【００４０】
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ内の圧力は、二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
【００４１】
ところで、本実施の形態においては、オリフィス２２ａ，２２ｂの詰まり等の異常を監視するため、定期的に以下のような異常監視手法を採用している。
【００４２】
例えば、図３（ａ）に示すように定期的にガス供給装置１０の運転を停止する。そしてコントロール弁２３ａ，２３ｂを閉として、ガス集合管１５内に合流ガスを充てんしておき、圧力検出器１７により検出された検出圧力（一次圧力Ｐ１ ）を所定の値に保つ。この状態でコントロール弁２３ａ，２３ｂを開く。この場合、圧力検出器１７により検出された検出圧力（一次圧力Ｐ１ ）が時間とともに減少する。このときの一次圧力Ｐ１ の降下レートを定期的に求め、運転前の降下レートの初期値と比較する。そして一次圧力Ｐ１ の降下に時間がかかるようであれば、オリフィス２２ａ，２２ｂに目詰りが発生したものと判断する。
【００４３】
あるいは圧力式流量制御器３０の流量演算回路４０において求められた流量Ｑｃと、流量検出用のサーマルセンサ２０によって求められた流量とを演算制御回路５４において比較することにより、オリフィス２２ａ，２２ｂの目詰りを監視することもできる（図３（ｂ））。なお、図３（ｂ）において、２台の処理反応炉２７ａ，２７ｂが設置されているという前提のもとで、流量演算回路４０により求められた流量Ｑｃは、各処理反応炉２７ａ，２７ｂ毎の流量であってサーマルセンサ２０によって求められた流量の約半分の値を示している。
【００４４】
次に本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の作用効果について、図４に示す比較例との対比で説明する。
【００４５】
図４に示すように、比較例としてのガス供給装置は複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂが集合するとともに処理反応炉２７ａに達するガス集合管１５とを有している。またガス導入管１３ａにはガス供給弁１２ａが設けられ、ガス導入管１３ｂには開閉弁２、流量調整部３、および圧力検出器１７が設置されている。
【００４６】
さらにガス集合管１５には流量制御器１が設置され、この流量制御器１は流量検出用のサーマルセンサ５と、流量調整部４と、サーマルセンサ５からの検出流量に基づいて流量調整部４を調整する制御回路１Ａとを有している。
【００４７】
またガス集合管１５には流量制御器１の下流側に開閉弁２４ａが設けられている。
【００４８】
図４において、プロセス待ちの際は、流量調整部４を閉としておき、流量制御器１のガス集合管１５内をガスで充てんする。プロセス制御を開始する場合、流量制御器１の流量調整部４を開として流量制御を開始するが、ガス集合管１５内をガスで充てんした状態から流量制御を開始する場合、処理反応炉２７ａに供給されるガスの流量が一時的に増加する。
【００４９】
これに対して本願発明によれば、プロセス制御を開始するため、コントロール弁２３ａ，２３ｂを開いてガス集合管１５内をガスで充てんした状態から流量制御を開始する際、コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側または上流側にオリフィス２２ａ，２２ｂが設けられているので、処理反応炉２７ａ，２７ｂ側に供給されるガスの流量が一時的に増加してしまうことはない。
【００５０】
さらに図４に示す比較例において、流量制御器１の上流側のガス導入管１３ｂに、流量制御器１の流量調整部４と別個に開閉弁２および追加の流量調整部３が設けられている。
【００５１】
これに対して本願発明によれば、圧力式流量制御器３０自体にコントロール弁２３ａ，２３ｂおよび流量調整部１６が設けられているため、圧力式流量制御器３０と別個に開閉弁２あるいは追加の流量調整部３を設ける必要はない。
【００５２】
次に本発明を図５に示す更なる比較例との対比で説明する。
【００５３】
図５に示すように、比較例としてのガス供給装置は複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂが集合するガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐するとともに各々処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続された分岐管２１ａ，２１ｂとを有している。またガス導入管１３ａにはガス供給弁１２ａが設けられ、ガス導入管１３ｂには開閉弁２、流量調整部３、および圧力検出器１７が設置されている。
【００５４】
また各分岐管２１ａ，２１ｂには流量制御器１が設置され、各流量制御器１は流量検出用のサーマルセンサ５２と、流量調整部４と、サーマルセンサ５からの検出流量に基づいて流量調整部４を調整する制御回路１Ａとを有している。
【００５５】
さらに分岐管２１ａには開閉弁２９ａ，２４ａが各々設けられ、分岐管２１ｂには開閉弁２９ｂ，２４ａが各々設けられている。
【００５６】
図５において、２基の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して各々流量制御器１が設けられ、流量制御器１の数は処理反応炉２７ａ，２７ｂと同数の合計２基となっている。
【００５７】
これに対して本願発明によれば、２基の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して１基の圧力式流動制御器３０が設置されており、このため流量制御器３０の設置コストを大幅に削減することができる。
【００５８】
第２の実施の形態
次に図７により本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第２の実施の形態について説明する。図７に示す第２の実施の形態は流量検出用のサーマルセンサを取外したものであり、他の構成は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。
【００５９】
このような半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
【００６０】
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
【００６１】
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられ、さらに分岐管２１ａ，２１ｂには、開閉弁２４ａ，２４ｂが設けられている。
【００６２】
次に図７により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図７に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて各コントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
【００６３】
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８とが順次設けられている。
【００６４】
さらにまた圧力式流量制御器３０の制御回路３０Ａの構造は、図６に示すものと同一となっている。
【００６５】
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
【００６６】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００６７】
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂに至る。
【００６８】
分岐管２１ａ，２１ｂ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに供給される。
【００６９】
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
【００７０】
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
【００７１】
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
【００７２】
第３の実施の形態
次に図８により本発明の第３の実施の形態について説明する。
【００７３】
図８に示す第３の実施の形態は４台のバッチ式の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄを設置したものであり、他の構造は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。
【００７４】
半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
【００７５】
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
【００７６】
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられ、さらに分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄには、開閉弁２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄが設けられている。
【００７７】
次に図８により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図８に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
【００７８】
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
【００７９】
なお、圧力式流量制御器３０の制御回路３０Ａの構造は、図６に示すものと同一となっている。
【００８０】
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
【００８１】
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
【００８２】
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
【００８３】
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
【００８４】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００８５】
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに至る。
【００８６】
分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに供給される。
【００８７】
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
【００８８】
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
【００８９】
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
【００９０】
第４の実施の形態
次に図９（ａ）（ｂ）（ｃ）により本発明の第４の実施の形態について説明する。
【００９１】
図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第４の実施の形態は、４基の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄが設置されるとともに、これら４基の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは枚葉クラスタ式の処理反応炉からなっている。
【００９２】
さらに４基の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは搬送モジュール（ＴＭ）６１を囲んで設けられ、搬送モジュール６１にはロードロックモジュール（ＬＬＭ）６２を介して搬入搬出部６３が接続されている。
【００９３】
また圧力式流量制御器３０は電気／空圧調整部３０Ｂを有している。
【００９４】
図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す実施の形態において、他の構成は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。
【００９５】
半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
【００９６】
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
【００９７】
また、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）において、処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとしては、枚葉クラスタ式の処理反応炉（ショートバッチ式の処理反応炉も含むプロセスチャンバ）が考えられる。
【００９８】
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられている。
【００９９】
次に図９により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図９に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて電気／空圧調整部３０Ｂを介して各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
【０１００】
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
【０１０１】
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
【０１０２】
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
【０１０３】
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
【０１０４】
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
【０１０５】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【０１０６】
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに至る。
【０１０７】
分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに供給される。
【０１０８】
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
【０１０９】
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
【０１１０】
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
【０１１１】
また図９（ｂ）（ｃ）に示すように、処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄのうち、処理反応炉２７ａ〜２７ｃを運転し、処理反応炉２７ｄを待機状態とした後、処理反応炉２７ｄの運転を開始する場合、コントロール弁２３ｄを開く必要がある。このとき、ガス集合管１５内の圧力低下が生じて処理反応炉２７ａ〜２７ｃへ供給されるガス流量に脈動が生じることが考えられる。（図９（ｂ））。
【０１１２】
これに対して本願発明によれば、制御回路３０Ａは電気／空圧調整部３０Ｂを介してコントロール弁２３ａ〜２３ｄを開閉駆動するので、コントロール弁２３ａ〜２３ｄをソフトに動作させて処理反応炉２７ａ〜２７ｄへ供給されるガス流量に脈動が生じることはない。
【０１１３】
第５の実施の形態
次に図１０により本発明の第５の実施の形態について説明する。
【０１１４】
図１０に示す第５の実施の形態において、あるガス供給源（Ｎ２ ガス供給源）１１ａからのガス導入管にバイパス管７０が接続され、このバイパス管７０と各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとが連通管８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄにより連通されている。
【０１１５】
またバイパス管７０には追加流量調整部７６と、追加圧力検出器７７と、追加の流量検出用のサーマルセンサ８０とが設けられ、各連通管８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄには各々追加コントロール弁８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄとオリフィス８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄが設けられている。
【０１１６】
他の構成は図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第４の実施の形態と略同一である。
【０１１７】
半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
【０１１８】
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
【０１１９】
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられている。
【０１２０】
次に図１０により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図１０に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて電気／空圧調整部３０Ｂを介して各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
【０１２１】
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
【０１２２】
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
【０１２３】
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
【０１２４】
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
【０１２５】
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
【０１２６】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【０１２７】
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに至る。
【０１２８】
分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに供給される。
【０１２９】
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
【０１３０】
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
【０１３１】
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
【０１３２】
また、制御回路３０Ａは電気／空圧調整部３０Ｂを介してコントロール弁２３ａ〜２３ｄを開閉駆動するので、コントロール弁２３ａ〜２３ｄをソフトに動作させて、処理反応炉２７ａ〜２７ｄへ供給されるガス流量に脈動を生じさせることはない。
【０１３３】
ところで図１０において、コントロール弁２３ａ〜２３ｄを開とし、追加コントロール弁８２ｂ〜８２ｄを閉として処理反応炉２７ａ〜２７ｄを運転させた状態から処理反応炉２７ａのみを停止させる場合、圧力式流量制御器３０はコントロール弁２３ａを閉とする。次に追加コントロール弁８２ｂ〜８２ｄを閉としたまま、追加コントロール弁８２ａのみを開とし、Ｎ２ ガス供給源１１ａからのＮ２ ガスをバイパス管７０から連通管８１ａを経て処理反応炉２７ａ内に導入することができる。
【０１３４】
なお、追加コントロール弁８２ａ〜８２ｄの駆動制御を行なう場合、コントロール弁２３ａ〜２３ｄの駆動制御と同様に圧力式流量制御器３０を設置し、この圧力式流量制御器３０により追加コントロール弁８２ａ〜８２ｄを制御してもよく、追加サーマルセンサ８０からの信号に基づいて図示しない制御部により追加コントロール弁８２ａ〜８２ｄを制御してもよい。
【符号の説明】
【０１３５】
１０  ガス供給装置
１１ａ，１１ｂ  ガス供給源
１２ａ，１２ｂ  ガス供給弁
１３ａ，１３ｂ  ガス導入管
１５  ガス集合管
１６  流量調整器
１７  圧力検出器
１８  温度検出器
２０  流量検出用のサーマルセンサ
２１ａ，２１ｂ  分岐管
２２ａ，２２ｂ  オリフィス
２３ａ，２３ｂ  コントロール弁
２４ａ，２４ｂ  開閉弁
２７ａ，２７ｂ  処理反応炉
３０  圧力式流量制御器
３０Ａ  制御回路
４０  流量演算回路
５２  流量設定回路
５８  演算制御回路
【図１】
0005562712.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005562712.tif 000007
【図７】
0005562712.tif 000008
【図８】
0005562712.tif 000009
【図９】
0005562712.tif 000010
【図１０】
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