(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた複数の第１端子と、
前記基板に載置された配線層群と、
前記基板に設けられ、前記配線層群から前記第１端子まで引き回された複数の第１配線と、
前記配線層群の上面または下面に設けられ、前記第１端子から前記基板を介して接続された複数の第２端子と、
前記配線層群に載置された半導体チップと、
前記半導体チップに設けられ、前記第２端子に接続する複数の第３端子とを備え、
前記配線層群は、前記配線層群の上面に対して垂直に延びる軸を回転軸として回転可能であり、
前記半導体チップは前記回転軸が前記配線層群に交差する第１の交点に重なるように配置され、
前記第１配線の一端は、前記回転軸が前記基板に交差する第２の交点に対して回転対称となるように配置され、
互いに接続される前記第１配線の前記一端と前記第２端子とが、互いに重なるように配置され、
前記複数の第２端子は、前記第１の交点に対して回転対称であり、前記回転軸を中心とした同一円周上に等間隔に配置され、
前記配線層群は、前記半導体チップから前記第２端子まで引き回された複数の第２配線を有し、前記複数の第２配線は、前記回転軸を中心に放射線状に配置され、
前記配線層群の回転により、前記複数の第１端子のうち特定の機能を有する第１端子は、前記配線層群が回転する前とは相異なる、前記複数の第３端子のうち前記特定の機能を有する第３端子に接続される半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２配線のそれぞれは、前記複数の第１配線と交差しており、
前記第２配線のそれぞれと前記複数の第１配線とが交差する交差箇所にはそれぞれ前記第２端子が配置されており、前記交差箇所のうち１つの交差箇所において前記第２端子が前記第１配線に接続されている半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記交差箇所では、前記第２配線の長手方向における先端に設けられた前記第２端子が前記第１配線に接続されている半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記基板は、リードフレームである半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記リードフレームは、ダイパッドと、前記ダイパッドを囲むように配置された複数の内部リードとを有し、
前記配線層群は前記ダイパッドに載置され、
前記複数の第１端子は、前記複数の内部リードに配置されている半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記複数の第１端子は、前記基板の下面に設けられており、前記基板の前記下面において第１電源端子と第１信号端子とに分離しており、
前記複数の第２端子は、前記配線層群の上面に設けられており、前記配線層群の上記上面において第２電源端子と第２信号端子とに分離しており、
前記第１信号端子と前記第２信号端子とを接続する配線と、前記第１電源端子と前記第２電源端子とを接続する配線とは、互いに分離している半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記基板は、一対の前記第１端子を有しており、前記一対の第１端子は、互いに電気的に接続されており、
前記第２端子は、互いに電気的に接続された前記一対の第１端子の何れか１つに接続されている半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記基板には、複数の第１配線が設けられており、
前記第１配線の一端は、それぞれ、前記基板の前記上面に設けられているとともに前記第２端子に接続されており、
前記基板は、前記上面に対して垂直に延びる軸を回転軸として回転可能であり、
前記基板の回転前と前記基板の回転後とにおいて、前記第１配線の前記一端のうちの一部は重なるが、前記第１配線の前記一端のうちの残りは重ならない半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記配線層群の前記上面の周縁部分には、前記第２端子が設けられていない領域が存在しており、
前記配線層群の下面には、前記第１端子と前記第２端子とをそれぞれ接続するための導通体が設けられており、
前記配線層群の前記下面のうち前記領域とは反対側の部分には、前記配線層群の強度を補強するための補強用導通体が設けられている半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
通常モードと、評価モードと、解析モードとを備え、
前記配線層群は、前記第１端子に接続するためのパッドと、Ｈ固定接続用パッドと、Ｌ固定接続用パッドとをさらに有し、
前記第１端子と前記第２端子とが互いに接続されている場合には、前記通常モードが実行され、
モード切替端子の何れかのパッドと前記第１端子とが互いに接続されている場合には、前記評価モードおよび前記解析モードのどちらか一方のモードが実行される半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記基板の前記上面には、複数の前記配線層群が互いに間隔を開けて配置されており、
前記複数の配線層群の上には、それぞれ、前記半導体チップが設けられている半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の半導体装置において、
複数の前記配線層群と複数の前記半導体チップとを備え、
前記基板の前記上面の上には、前記配線層群と前記半導体チップとが交互に積層されている半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の組立工程における低コスト化および半導体装置の開発期間の短縮に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話およびデジタルスチルカメラ等の各種電子機器の小型化ならびに高機能化の要請に伴い、半導体装置のサイズの縮小、半導体装置における処理速度の高速化および半導体装置の多ピン化等に対応できる高度なパッケージ技術が要求されている。その中でも半導体チップのシュリンクと SOC（システムオンチップ；system on chip）による多ピン化とが進んでいる影響を受けて、半導体チップのパッド（端子）の間隔を狭くし、半導体装置を組み立てる際には狭い間隔で並べた半導体チップのパッドと基板上のパッドとを互いに重ねて配置することが必要である。
【０００３】
現在、携帯電話およびデジタルスチルカメラ等のシステム LSI（Large Scale Integration）で多く使用されている有機素材の多層基板を用いたパッケージでは、半導体チップのパッド（端子）の間隔が従来よりも狭くなると、その狭い間隔で配置された半導体チップのパッドに基板のパッドが重なるように基板内に配線を形成することは困難である。よって、この場合には、よりコストの高い特別な基板が必要となる。
【０００４】
この問題を解決する一つの手段として、現在、有力であると考えられている方法は、シリコンインターポーザ等の中間配線層を介して基板と半導体チップとを接続するという２段構成の接続である。具体的には、従来よりも狭い間隔で並んだ半導体チップのパッドとシリコンインターポーザ上のパッドとを互いに重ねて配置し、シリコンインターポーザ内においてパッドの間隔を広げ、その後にシリコンインターポーザを基板に接続するという方法である。
【０００５】
シリコンインターポーザを使用した別の例としては、特許文献１のように、積層する半導体チップのサイズの可能な組み合わせを増加させるために、再配線層として使用するものも存在する。このように、パッケージの構成は、半導体チップと基板とでパッケージを構成するという従来の構成から、半導体チップと基板との間に中間配線層を追加した構成へ進化している。
【０００６】
また、半導体装置には、次の要望を満たすことも必要となっている。
【０００７】
携帯電話等では、システム LSI に伴うソフトの開発期間およびコストが嵩んでおり、どのようにして同一の半導体チップ（システム LSI ）を用いて複数種の半導体装置を製造するかということ（半導体チップの共有化）が重要となっている。その結果、同一の半導体チップを用いてメモリ容量等の周辺部品のみを変更することにより、半導体装置の機能に差別化を持たせることが必要となってくる。この場合、半導体装置における半田ボールの配置（信号の送信先）は周辺部品に連動して変わる。従来は半導体装置に対する要望が少なかったため、周辺部品を変更する際には、特許文献１などの中間配線層を用いるよりも基板の配線を引き直して配線を再配線する方が効率的であった。しかし、現在では、上述のように半導体装置に対する要望が増えてきているので、周辺部品を変更するたびに基板の配線を引き直して配線を再配線するという方法では対応しきれない。
【特許文献１】特開２００１−２５７３０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体チップの共有化に関しては、ひとつの半導体チップに対しひとつの半田ボールの配置（信号の送信先）しか存在せず、半導体装置の用途または機能が異なれば基板を再度作成する必要がある。よって、半田ボールの配置が相異なる基板を製造するためにはコストが高くなり、また、半導体装置の開発期間が長くなるという問題がある。
【０００９】
また、将来的には、複数種の半導体チップを同一の基板に配線させることにより基板を共有化させ、その結果、半導体装置の低コスト化および半導体装置の開発期間の短縮化を図るということが考えられる。しかし、現状では、このような技術を行うことも難しい。
【００１０】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、配線層群を介した２段構成のパッケージを用い、配線層群を基板の上面において回転させることにより複数種の半導体チップを同一の基板に接続させることを目的とする。
【００１１】
さらに、配線の引き回しの自由度がない低コストな基板を使用した場合、基板において配線を引き直すことができたとしても、ボールの配置を変えることができず、ボールの配置を変更するためには高コストな基板を使用するしか方法がなかった。しかし、配線層群を基板の上面において回転させることで配線の引き回しの自由度が増すため、低コストな基板を使用することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置は、基板と、配線層群と、半導体チップと、複数の第１、第２および第３端子とを備えている。複数の第１端子および配線層群は基板に設けられている。複数の第２端子は、配線層群に設けられており、第１端子から基板を介して接続されている。また、半導体チップは配線層群に設けられており、複数の第３端子は、半導体チップに設けられており第２端子に接続している。配線層群は、配線層群の上面に対して垂直に延びる軸を回転軸として回転可能であり、配線層群の回転により、複数の第１端子のうち特定の機能を有する第１端子と複数の第３端子のうち特定の機能を有する第３端子とが互いに接続される。
【００１３】
これにより、半導体装置を設けるための基板（例えば配線基板）における配線形態が相異なる度に、基板を作製しなくて良い。
【００１４】
後述の好ましい実施形態では、複数の第２端子は、回転軸が配線層群に交差する交点に対して回転対称となるように配線層群の上面または下面に配置されており、基板には、複数の第１配線が設けられており、第１配線の一端は、回転軸が基板に交差する交点に対して回転対称となるように配置されており、互いに接続される第１配線の一端と第２端子とは、互いに重なるように配置されており、第３端子は、配線層群が回転する前と配線層群が回転した後とでは相異なる第１端子へ接続される。
【００１５】
本発明の半導体装置では、第１端子の配置が相異なる複数種類の基板を備え、第３端子は、配線層群が回転する前と配線層群が回転した後とでは、基板のそれぞれにおいて相異なる第１端子へ接続されることが好ましい。
【００１６】
本発明の半導体装置では、複数の第１端子は、基板の下面に設けられており基板の下面において第１電源端子と第１信号端子とに分離しており、複数の第２端子は、配線層群の上面に設けられており配線層群の上面において第２電源端子と第２信号端子とに分離しており、第１信号端子と第２信号端子とを接続する配線と、第１電源端子と第２電源端子とを接続する配線とは、互いに分離していることが好ましい。これにより、電源配線および信号配線を容易に引き回すことができる。
【００１７】
本発明の半導体装置では、基板は、配線層群から第１端子まで引き回された第１配線を複数有し、配線層群は、半導体チップから第２端子まで引き回された第２配線を複数有し、第２配線のそれぞれは、複数の第１配線と交差しており、第２配線のそれぞれと複数の第１配線とが交差する交差箇所にはそれぞれ第２端子が配置されており、交差箇所のうち１つの交差箇所において第２端子が第１配線に接続されていることが好ましい。これにより、信号が基板の下面から出力される位置を変更できる。さらに、この交差箇所において第２配線の長手方向における先端に設けられた第２端子が第１配線に接続されていれば、高速信号線におけるオープンスタブによるノイズを削除することができる。
【００１８】
本発明の半導体装置では、基板は一対の第１端子を有しており、一対の第１端子は互いに電気的に接続されており、第２端子は互いに電気的に接続された一対の第１端子の何れか１つに接続されていることが好ましい。これにより、信号が基板の下面から出力される位置をさらに大きく変更できる。
【００１９】
本発明の半導体装置では、基板には複数の第１配線が設けられており、第１配線の一端はそれぞれ基板の上面に設けられているとともに第２端子に接続されており、基板は上面に対して垂直に延びる軸を回転軸として回転可能であり、基板の回転前と基板の回転後とにおいて、第１配線の一端のうちの一部は重なるが、第１配線の一端のうちの残りは重ならないことが好ましい。これにより、配線形態が複雑な配線基板に対しても半導体装置を電気的に接続させることができる。
【００２０】
本発明の半導体装置では、配線層群の上面の周縁部分には、第２端子が設けられていない領域が存在しており、配線層群の下面には、第１端子と第２端子とをそれぞれ接続するための導通体が設けられており、配線層群の下面のうち領域とは反対側の部分には、配線層群の強度を補強するための補強用導通体が設けられていることが好ましい。これにより、配線層群の強度を保持することができる。
【００２１】
本発明の半導体装置では、通常モードと、評価モードと、解析モードとを備えていることが好ましい。そして、配線層群は、第１端子に接続するためのパッドと、Ｈ固定接続用パッドと、Ｌ固定接続用パッドとをさらに有し、第１端子と第２端子とが互いに接続されている場合には、通常モードが実行され、モード切替端子の何れかのパッドと第１端子とが互いに接続されている場合には、評価モードおよび解析モードのどちらか一方のモードが実行されることが好ましい。このような半導体装置では、比較的複雑な解析および評価を行うことができる。
【００２２】
後述の好ましい実施形態では、基板は、リードフレームである。
【００２３】
後述のまた別の好ましい実施形態では、基板の上面には複数の配線層群が互いに間隔を開けて配置されており、複数の配線層群の上にはそれぞれ半導体チップが設けられている。
【００２４】
後述のさらに別の好ましい実施形態では、複数の配線層群と複数の半導体チップとを備え、基板の上面の上には配線層群と半導体チップとが交互に積層されている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、複数種の半導体チップを同一の基板に配線させることにより基板を共有することができ、また、半導体チップを変更せずに周辺部品を変更することにより相異なる用途の半導体装置を供給することができる。よって、半導体装置の製造コストの低廉化および半導体装置の開発時間の短縮化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、同一要素には同一符号を付しており、説明を省略する場合がある。また、各図面においては、それぞれの厚みおよび長さ等は図面の作成上、実際の形状とは異なる。さらに、半導体チップの接続用電極、基板の接続端子、配線パターンおよびビア等については省略または図示しやすい個数および形状としている。
【００２７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態における半導体装置について図１、図２（ａ）および（ｂ）、図３（ａ）〜（ｃ）ならびに図４を用いて説明する。
【００２８】
図１は本実施の形態にかかる半導体装置の分解平面図である。図２（ａ）は本実施の形態にかかる半導体装置の上面図であり、図２（ｂ）は本実施の形態にかかる半導体装置の側面図である。図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図２（ｂ）に示す半導体装置とは相異なる半導体装置の側面図である。図４は、配線層群の上面に対して垂直に延びる軸を回転軸として配線層群を図２（ａ）の状態から回すことにより電源信号および電源信号以外の信号（以下では、「電源信号以外の信号」を単に「信号」という）の送信先を変えた状態における半導体装置の上面図である。
【００２９】
まず、図１、図２（ａ）および（ｂ）、図３（ａ）〜（ｃ）ならびに図４における符号を説明する。
【００３０】
１００は半導体チップであり、１０１は半導体チップ１００上に配置されたパッド（第３端子）であり、パッド１０１には信号用パッドと電源用パッドとが含まれている。
【００３１】
１１０は配線層群である。１１１は配線層群１１０に設けられたパッド（第２端子）であり、配線層群１１０を貫通して配線層群１１０の下面に配置されており、信号用パッド（第２信号端子）と電源用パッド（第２電源端子）とを有している。
１１２は半導体チップ１００からパッド１１１まで引き回された配線（第２配線）であり、信号または電源信号を半導体チップ１００からパッド１１１へ送信するための配線である。配線１１２の一端は半導体チップ１００のパッド１０１に接続されており、互いに接続される配線１１２の一端と半導体チップ１００のパッド１０１とは互いに重なるように配置されている。Ｓ１は配線層群１１０の回転中心点であり、配線層群１１０の回転軸が配線層群１１０の上面に交差する点である。
【００３２】
１２０は基板である。１２３は基板１２０の下面に設けられたパッド（第１端子）であり、半田ボール１７０に電気的に接続される。１２１は基板１２０を貫通してパッド１２３に接続された導通体であり、１２２は配線層群１１０からパッド１２３まで引き回された配線（第１配線）であり、信号または電源信号を配線層群１１０からパッド１２３へ送信するための配線である。１２２ａは配線１２２の一端であり配線層群１１０のパッド１１１に接続されており、互いに接続される配線１２２の一端１２２ａと配線層群１１０のパッド１１１とは互いに重なるように配置されている。Ｓ２は配線層群１１０の回転軸が基板１２０に交差する点であり、中心点Ｓ２と配線層群１１０の回転中心点Ｓ１とが重なるように基板１２０と配線層群１１０とは配置されている。
【００３３】
１５０は半導体チップ１００のパッド１０１と配線層群１１０上の配線１１２の一端とを接続するための導通体であり、１６０は配線層群１１０のパッド１１１と基板１２０上の配線１２２の一端１２２ａとを接続するための導通体であり、配線層群１１０を貫通して配線層群１１０の下面に配置されているパッド１１１に接続されている。１７０は基板１２０の下面に設けられた半田ボールである。
【００３４】
なお、本実施の形態および以下の第２から第１１の実施の形態では、各部品の材料は特に限定されず、また、パッケージとしてはモールド樹脂に覆われていないパッケージであってもモールド樹脂に覆われたパッケージであってもどちらでもよい。図面においては、図を明瞭にするためにモールド樹脂を記載していない。
【００３５】
次に、本実施の形態にかかる半導体装置を説明する。
【００３６】
図１において半導体チップ１００のパッド１０１の間隔は従来よりも狭く、半導体チップ１００のパッド１０１と配線１２２の一端１２２ａとを互いに重ねて配置することは困難である。しかし、配線層群１１０では、半導体チップ１００のパッド１０１と配線１１２の一端とを互いに重ねて配置することが可能である。そのため、マイクロバンプを用いて半導体チップ１００のパッド１０１と配線１１２の一端とを互いに接続することにより、半導体チップ１００と配線層群１１０とが電気的に接続される。ここで、配線層群１１０では、配線１１２は、一端よりもパッド１１１の間隔が広がるように、放射線状に設けられている。そのため、配線層群１１０のパッド１１１を配線１２２の一端１２２ａに重ねて配置することができる。これにより、配線層群１１０を介して半導体チップ１００と基板１２０とを互いに電気的に接続することが可能となる。
【００３７】
さらに、配線層群１１０では、パッド１１１は、配線層群１１０の上面における回転中心点Ｓ１に対して回転対称となるように配置され、基板１２０では、配線１２２は、一端１２２ａが基板１２０の中心点Ｓ２に対して回転対称となるように基板１２０の上面に配置されている。
【００３８】
本実施の形態では、配線層群１１０のパッド１１１は、回転軸を中心として、同一円周上に且つ等間隔に配置されており、また、パッド１１１の個数を３２個としている。よって、１１．２５°（＝３６０°／３２）ごとに回転軸を中心として配線層群１１０を回転させても、配線層群１１０のパッド１１１と基板１２０の配線１２２の一端１２２ａとが互いに重なるので配線層群１１０を基板１２０に電気的に接続することができる。これにより、次で述べるように、半導体チップ１００のパッド１０１は、配線層群１１０の回転前と回転後とにおいて相異なる基板１２０のパッド１２３に接続される。
【００３９】
図２（ａ）および（ｂ）は、実際に組み立てられた状態の半導体装置を示している。例えば、半導体チップ１００のパッド１０１の「Ａ」は導通体１５０、配線層群１１０、導通体１６０および基板１２０を介して半田ボール１７０の「Ａ’」に接続されている。
【００４０】
図３（ａ）〜（ｃ）には、それぞれ、図２（ｂ）とは半導体チップ１００と配線層群１１０との接続状態または配線層群１１０と基板１２０との接続状態が相異なる半導体装置の側面図を示している。
【００４１】
図３（ａ）では、半導体チップ１００が図２（ｂ）に示す状態から反転している。具体的には、半導体チップ１００は、反転して配線層群１１０の下面に設けられており、半導体チップ１００が下面に設けられた配線層群１１０は、基板１２０の上面に設けられている。
【００４２】
図３（ｂ）では、半導体チップ１００および配線層群１１０がそれぞれ図２（ｂ）に示す状態から反転している。具体的には、反転した配線層群１１０および半導体チップ１００がこの順で基板１２０の下面に設けられている。
【００４３】
図３（ｃ）では、配線層群１１０が図２（ｂ）に示す状態から反転している。具体的には、半導体チップ１００は、反転した配線層群１１０の上面に設けられており、反転した配線層群１１０は、基板１２０の下面に設けられている。
【００４４】
ここで、本実施の形態では、図３（ａ）〜（ｃ）に示す構成であっても、図２（ｂ）に示す構成と同一の効果を奏するので、特に問題は生じない。
【００４５】
図４は図２（ａ）に示す状態から回転軸を中心として配線層群１１０を１１．２５°回転させたものであり、図２（ａ）と同じように半導体チップ１００のパッド１０１の「Ａ」は導通体１５０、配線層群１１０、導通体１６０および基板１２０を介して半田ボール１７０に接続されている。ただし、図４では、図２（ａ）と異なり、半導体チップ１００のパッド１０１の「Ａ」の接続先は半田ボール１７０の「Ａ’」から「Ａ”」に変更されるので、信号または電源信号は基板１２０の下面の中央寄りに配置された半田ボール１７０ではなく基板１２０の下面の周縁寄りに配置された半田ボール１７０に送信される。
【００４６】
ここで、半田ボール１７０を基板１２０の下面の中央寄りに配置した方が良いのか周縁寄りに配置した方が良いのかは、半導体装置を設ける配線基板などにおける配線の引き回しによって決まり、具体的には、配線基板などにおいて配線が配線基板の表層に設けられているかまたは配線基板の内層に設けられているかによって決まる。
【００４７】
本実施の形態では、配線層群１１０の特定のパッド１１１が基板１２０の下面の中央寄りに配置された半田ボール１７０と接続されている状態から回転軸を中心として配線層群１１０を回転させると、そのパッド１１１を基板１２０の下面の周縁寄りに配置された半田ボール１７０に接続させることができる。よって、基板１２０として半田ボール１７０が基板の下面の中央寄りに配置された基板を用いる場合であっても半田ボール１７０が基板の下面の周縁寄りに配置された基板を用いる場合であっても、同一の配線層群１１０を用いることができる。そのため、配線基板などにおける配線形態が相異なるたびに基板１２０を作製しなくてもよく、半導体装置を低コストで提供できるとともに半導体装置の開発期間の短縮を実現することができる。
【００４８】
また、回転軸を中心として配線層群１１０を回転させると基板１２０への信号または電源信号の送信先を変更することができるので、端子の配置が相異なる半導体チップ１００に対しても同一の基板１２０を用いて半導体装置を組み立てることができる。よって、基板１２０を共通とすることによる半導体装置の低コスト化および半導体装置の開発期間の短縮化を図ることができる。
【００４９】
第１の実施の形態では、説明を簡易化するために一枚の基板を用いた場合を説明したが、パッドの配置が相異なる複数種の基板を用いても良い。このように複数種の基板を用いた場合であっても回転軸を中心として配線層群を回転させれば、配線の引き回しの自由度を増加させることができる。よって、配線の引き回しの自由度が少ない低コストな基板を用いる場合には、配線の引き回しの自由度を増加させることができるため、有効である。
【００５０】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態では、上記第１の実施の形態における配線層群において信号端子と電源端子とを互いに独立させて分離させている。よって、配線層群において信号配線および電源配線を引き回し易くすることができる。本実施の形態における半導体装置について図５（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。なお、図５（ａ）は配線層群の下面図であり、図５（ｂ）は基板の上面図である。
【００５１】
まず、図５（ａ）および（ｂ）における符号を説明する。
【００５２】
図５（ａ）において、２１０は配線層群であり、１１１ａは配線層群２１０に設けられた信号用パッド（第２信号端子）であり、１１１ｂは配線層群２１０に設けられた電源用パッド（第２電源端子）である。２１５は配線層群２１０に設けられた配線であり、電源用パッド１１１ｂをまとめる配線である。
【００５３】
図５（ｂ）において、２２０は基板であり、１２３ａは基板２２０に設けられた信号用パッド（第１信号端子）であり、１２３ｂは基板２２０に設けられた電源用パッド（第１電源端子）である。２２５は基板２２０に設けられた配線であり、電源用パッド１２３ｂをまとめる配線である。この配線２２５は、配線層群２１０と基板２２０とを接続する導通体に接続されたパッドも兼ねている。なお、１２１，１２２および１２３は上記第１の実施の形態で述べた通りである。
【００５４】
次に、本実施の形態にかかる半導体装置を説明する。
【００５５】
図５（ａ）および（ｂ）に示すように、配線層群２１０上において、信号用パッド１１１ａと電源用パッド１１１ｂとは互いに分離している。具体的には、本実施の形態における半導体チップ（不図示）では、電源端子がすべて中央寄りに引き出され、信号端子がすべて周縁寄りに引き出されている。そのため、本実施の形態における配線層群２１０では、よって、信号用パッド１１１ａは配線層群２１０の上面の周縁寄りに設けられており、電源用パッド１１１ｂは配線層群２１０の上面の中央寄りに設けられている。
【００５６】
このとき、太い配線を用いて電源配線におけるインピーダンスを下げることが好ましく、図５（ａ）に示すように、電源用パッド１１１ａは配線層群２１０の上面の中央において平面視円形状の配線２１５を用いて強化されている。
【００５７】
配線層群２１０と接続される基板２２０においても、信号用パッド１２３ａと電源用パッド１２３ｂとは互いに分離している。具体的には、信号用パッド１２３ａは基板２２０の下面の周縁寄りに設けられており、電源用パッド１２３ｂは基板２２０の下面の中央寄りに設けられている。また、電源配線におけるインピーダンスを下げるために平面視円形状の配線２２５が設けられており、基板２２０は回転軸を中心として配線層群２１０を回転させても半導体装置のインピーダンスが劣化しないように構成されている。このように、本実施の形態では、配線層群２１０において信号用パッド１１１ａと電源用パッド１１１ｂとを分離することにより、電源配線におけるインピーダンスを下げることができるとともに信号配線を引き回しやすくなる。
【００５８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態では、配線層群と基板とを接続する導通体の配置を変更することにより、上記第１の実施の形態に比べて、信号および電源信号が基板の下面から出力される位置を変更することができる。
【００５９】
本実施の形態にかかる半導体装置について図６（ａ）〜（ｃ）および図７を用いて説明する。図６（ａ）〜（ｃ）および図７は図２（ａ）に示す領域Ｂを拡大した平面図である。なお、図７では、配線層群と基板とをワイヤーボンド接続しているが、本発明において、配線層群と基板との接続方式をフリップチップ方式としても良くワイヤーボンド方式としても良い。
【００６０】
まず、図６（ａ）〜（ｃ）および図７における符号を説明する。
【００６１】
図６（ａ）〜（ｃ）および図７において、３１１は配線層群に設けられたパッド（第２端子）であり、３１２は半導体チップからパッド３１１まで引き回された配線（第２配線）であり、信号または電源信号を半導体チップからパッド３１１へ送信するための配線である。３２２は配線層群から基板まで引き回された配線（第１配線）であり、信号または電源信号を配線層群から基板へ送信するための配線である。図６（ａ）から（ｃ）における３６０はパッド３１１と配線３２２とを接続するための導通体であり、図７における３４０はパッド３１１と配線３２２とを接続するためのワイヤーである。
【００６２】
本実施の形態では、配線層群に設けられた配線３１２は、途中で屈折しており、具体的には図６（ａ）〜（ｃ）では配線３１２と配線３２２とが交差する領域においてＸ軸方向の正方向側（図６（ａ）〜（ｃ）における右側）に屈折しており、図７では配線３２２に近い領域においてＸ軸方向の正方向側（図７における右側）に屈折している。配線３１２と配線３２２とが交差している箇所には、配線層群のパッド３１１が配置されている。
【００６３】
図６（ａ）では、導通体３６０が下から２番目に配置されている配線層群のパッド３１１に接続されており、配線３１２と配線３２２との接続は、具体的には、１−I、２−II、３−III、４−IV、５−V、６−＊である。ここで、「１−I」は、配線３１２の「１」と配線３２２の「I」とが互いに接続されていることを意味し、「６−＊」は、配線３１２の「６」が図６（ａ）に示す配線３２２の何れにも接続されていないことを意味する。
【００６４】
図６（ａ）と図６（ｂ）とでは、６つの導通体３６０のうち３つの導通体３６０が相異なる位置に設けられており、配線３１２と配線３２２との接続は、具体的には、１−I、２−IV、３−II、４−III、５−V、６−＊である。このように、図６（ａ）と図６（ｂ）とでは、配線３１２の「２」、「３」および「４」の接続先が相異なる。
【００６５】
図６（ｃ）では、上記第１の実施の形態に記載したように回転軸を中心として配線層群が回転しており、その結果、配線３１２が同図における左方向にシフトしている。配線３１２と配線３２２との接続は、具体的には、１−＊、２−III、３−I、４−II、５−IV、６−Vである。このように、上記第１の実施の形態と導通体３６０の位置を変更して配線３１２の接続先を変更すること（本実施形態）とを掛け合わせることにより、信号および電源信号が基板の下面から出力される位置を変更することができる。よって、基板における配線形態を変更することなく実装基板などの要望に応えることが可能となる。
【００６６】
図７では、ワイヤ３４０の接続先を変更すれば、図６（ａ）〜（ｃ）と同じ効果を得ることができる。
【００６７】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態では、上記第３の実施の形態において、高速信号線におけるオープンスタブによるノイズを削除したものであり、半導体装置の電気特性の向上を図ったものである。
【００６８】
本実施の形態における半導体装置について図８を用いて説明する。ここで、図８は、図２（ａ）に示す領域Ｂを拡大した平面図であり、図８における３１１，３１２，３２２および３６０は上記第３の実施の形態に示す通りである。
【００６９】
図８では、図６（ａ）〜（ｃ）に示す配線３１２のうち「２」を短くして、配線３１２の「２」と配線３２２の「I」とを接続している。配線３２２の「２」のうち配線３１２に接続された箇所よりも先端を「２」から切り離すことにより、オープンスタブのノイズ源となる配線を取り除くことができる。よって、配線３１２の「２」と「４」とでは、導通体３６０の位置は同じであるが、配線３１２の「２」の方が配線３１２の「４」よりもノイズの影響を受けにくい。
【００７０】
また、配線３１２の「２」は配線３２２の「I」に接続されており、配線３２２の「I」はオープンスタブであるので、配線３２２の「I」の先端からノイズの影響を受ける。しかし、例えば、配線３１２の「１」と配線３２２の「II」との接続においては、両配線ともにオープンスタブであるので、両配線の先端からノイズの影響を受けてしまう。よって、どちらか一方の配線がオープンスタブである場合には、両配線がオープンスタブである場合に比べて、ノイズの影響を削減することができる。
【００７１】
さらに、配線３１２の「１」と配線３２２の「II」との接続では、導通体３６０が配線３２２の「II」の長手方向における中点付近に設けられているので、配線３２２の「II」の下端からも上端からもノイズの影響を受けてしまう。しかし、配線３１２の「２」と配線３２２の「I」との接続では、導通体３６０が配線３２２の「I」の端（図８における下端）に設けられているので、配線３２２の「I」の下端からのノイズの影響は小さいと考えられる。
【００７２】
以上説明したように、配線３１２の「２」は、それ以外の配線３１２に比べてオープンスタブによるノイズを削減することができる。よって、配線層群の回転角度の大きさを高速信号線に合わせて決定することができ、残りの配線については上記第３の実施の形態で記載したように接続することができる。このように、本実施の形態では、高速信号線を優先的に接続させるため、高速信号線自身が選択肢を持つ意味が低くなり、その分の電気特性を改善させることが可能となる。
【００７３】
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態では、配線層群の１つの信号に対して基板側では２つの受け手を持っているというものであり、配線層群と配線とを接続する導通体の位置を変更することにより上記第１の実施の形態の場合に比べて信号の送信先を大きく変更することができる。
【００７４】
本実施の形態にかかる半導体装置について図９〜図１４を用いて説明する。なお、図９は配線層群の下面図である。図１０は、図９に示す配線層群が接続される基板の上面図である。図１１および図１２は、それぞれ、本実施の形態における一の変形における配線層群の下面図および基板の下面図である。図１３および図１４は、それぞれ、本実施の形態における別の一の変形における配線層群の下面図および基板の下面図である。
【００７５】
まず、図９〜図１４における符号を説明する。
【００７６】
図９、図１１および図１３において、５１０は配線層群であり、５１２は信号線であり、５１４は電源線である。１本の信号線５１２には一対の信号用パッド１１１ａ，１１１ａが接続されており、１本の電源線５１４には一対の電源用パッド１１１ｂ，１１１ｂが接続されている。
【００７７】
図１０において、５２０は基板であり、５２２は基板５２０の上面に設けられた配線であり、５２３は基板５２０の下面に設けられたパッド（第１端子）であり、５２４は基板５２０の下面に設けられた配線である。なお、パッド５２３には、信号用パッドと電源用パッドとが含まれている。５２５および５２８はそれぞれ基板５２０上の電源用パッドをまとめる配線であり、配線層群５１０と基板５２０とを接続する導通体に接続されたパッドを兼ねている。５２６および５２７はそれぞれ基板５２０に設けられた信号用パッドである。５８０は基板５２０を厚み方向に貫通する導通体である。
【００７８】
図１２および図１４において、５２０は基板であり、５７１は信号線が接続された半田ボールであり、５７２は電源線が接続されたボールであり、５７３は何も接続されていないＯＰＥＮ状態の半田ボールである。
【００７９】
次に、本実施の形態にかかる半導体装置を説明する。
【００８０】
配線層群５１０では、図９に示すように、１本の信号線５１２に対して一対の信号用パッド１１１ａ，１１１ａが接続されており、１本の電源線５１４に対して一対の電源用パッド１１１ｂ，１１１ｂが接続されている。なお、信号用パッド１１１ａおよび電源用パッド１１１ｂの個数は図９の記載の個数に限定されない。
【００８１】
配線層群５１０に接続される基板５２０の上面の中央寄りでは、図１０に示すように、電源用パッドが二重に配置されており、内側に配置された電源用パッドは配線５２５でまとめられており、外側に配置された信号用パッドは配線５２８でまとめられている。また、基板５２０の上面の周縁寄りでは、信号用パッド５２６，５２７が二重に配置されている。
【００８２】
導通体５８０は基板５２０の厚み方向に貫通しており、基板５２０の上面では導通体５８０に配線５２２が接続されており、その下面では導通体５８０に配線５２４が接続されている。配線５２２には、上述の配線５２５，５２８および信号用パッド５２６，５２７が接続されており、配線５２４には、パッド５２３が接続されている。
【００８３】
基板５２０には、図１０に示すように、配線層群５１０からの信号を信号用パッド５２７で受けた場合の配線と配線層群５１０からの信号を信号用パッド５２６で受けた場合の配線とが設けられている。基板５２０の信号用パッド５２６，５２７で信号を受けると、どちらの場合も、配線５２２、導通体５８０および配線５２４を介してパッド５２３に送信される。
【００８４】
また、基板５２０には、図１０に示すように、配線層群５１０からの電源信号を配線５２５で受けた場合の配線とその電源信号を配線５２８で受けた場合との２通りの配線が設けられている。配線５２５，５２８で電源信号を受けると、どちらの場合も、配線５２２、導通体５８０および配線５２４を介してパッド５２３に送信される。
【００８５】
信号線５１２のすべてを配線層群５１０の上面の周縁寄りに配置し電源線５１４のすべてを配線層群５１０の上面の中央寄りに配置するためには、配線層群５１０では、図１１に示すように、一対の信号用パッド１１１ａ，１１１ａのうち外側の信号用パッド１１１ａに導通体１６０を配置し、一対の電源用パッド１１１ｂ，１１１ｂのうち内側の電源用パッド１１１ｂに導通体１６０を配置すればよい。このとき、基板５２０の下面における半田ボールの配置は図１２に示すようになる。
【００８６】
また、信号線５１２の一部を配線層群５１０の上面の中央寄りに配置し電源線５１４のすべてを配線層群５１０の上面の周縁寄りに配置するためには、図１３に示すように導通体１６０を配置すればよい。このとき、基板５２０の下面における半田ボールの配置は図１４に示すようになる。
【００８７】
ここで、配線層群５１０の信号用パッド１１１ａの「Ｃ」および「Ｄ」に着目する。
【００８８】
図１１に示す配線層群５１０では、信号用パッド１１１ａの「Ｃ」に導通体１６０が配置されており、この信号用パッド１１１ａは、図１０における基板５２０の信号用パッド５２７の「Ｃ’」を介して図１２における半田ボールの「Ｃ”」に接続される。一方、図１３に示す配線層群５１０では、信号用パッド１１１ａの「Ｄ」に導通体が配置されており、この信号用パッド１１１ａは、図１０における基板５２０の信号用パッド５２７の「Ｄ’」を介して図１４における半田ボールの「Ｄ”」に接続される。このように、配線層群５１０における導通体１６０の位置を変更すれば、複数通りの配線パターンを提供することができる。
【００８９】
また、配線層群５１０の電源用パッド１１１ｂの「Ｅ」および「Ｆ」に着目する。
【００９０】
図１１に示す配線層群５１０では、電源用パッド１１１ｂの「Ｅ」に導通体１６０が配置されており、この電源用パッド１１１ｂは、図１０における配線５２５の「Ｅ’」を介して図１２に示す領域「Ｅ”」に設けられた半田ボールに接続される。一方、図１３に示す配線層群５１０では、電源用パッド１１１ｂの「Ｆ」に導通体１６０が配置されており、この電源用パッド１１１ｂは、図１０における配線５２８の「Ｆ’」を介して図１４に示す領域「Ｆ”」に設けられた半田ボールに接続される。
【００９１】
このように本実施の形態では、上記の第１の実施の形態に比べて基板５２０における配線が複雑となるが、上記第１の実施の形態と異なり基板５２０から出力される信号の位置を大きく変更することができるので、配線基板などにおける配線形態が複雑であっても対応することができる。
【００９２】
（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態では、上記第１の実施の形態と異なり、特定の信号配線のみを変更したものである。本実施の形態にかかる半導体装置について図１５および図１６を用いて説明する。なお、図１５は、配線層群の下面図であり、図１６（ａ）および（ｂ）は、基板の上面図であり、回転軸を中心として図１６（ａ）に記載の基板を１８０°回転させると図１６（ｂ）に示す基板となる。
【００９３】
まず、図１５と図１６（ａ）および（ｂ）における符号を説明する。
【００９４】
図１５において、６１０は配線層群であり、６１２は信号線であり、１１１，１１１ａ，１１１ｂおよび１６０は上記第１の実施の形態で記載した通りである。ここで、信号用パッド１１１ａは、図１５では配線層群６１０の上面における上半分に設けられているが、配線層群６１０の上面においてどのように設けられていても良く、基板における第１端子に接続可能となるように設けられていればよい。
【００９５】
図１６（ａ）および（ｂ）において、６２０は基板である。６２１は信号用パッドであり、６２２は信号配線であり、６２３は導通体であり、６２４は基板６２０の下面に設けられた信号用パッド（第１信号端子）である。信号用パッド６２１は、信号配線６２２および導通体６２３を介して信号用パッド６２４に接続されている。６２６は導通体であり、６２７は電源配線であり、６２９は基板６２０の下面に設けられた電源用パッド（第１電源端子）である。６３１および６３２はそれぞれ基板６２０に設けられた電源配線であり、配線層群６１０と基板６２０とを接続する導通体に接続されたパッドも兼ねている。電源配線６３１，６３２は、導通体６２６および電源配線６２７を介して電源用パッド６２９に接続されているが、電源配線６３１と電源配線６３２とでは電位が相異なるため、電源配線６３１と電源配線６３２とは互いに切り離されている。
【００９６】
本実施の形態における配線層群６１０では、図１５に示すように、信号用パッド１１１ａは、配線層群６１０の上面を２分したときの一方に設けられており、その上面の周縁寄りに配置されている。また、電源用パッド１１１ｂは、配線層群６１０の上面の中央寄りに配置されており、異なる電位に合わせて２箇所に分けて配置されている。図１５における上側に配置された電源用パッド群６１４はVDDに接続されており、図１５における下側に配置された電源用パッド群６１６はVSSに接続されている。
【００９７】
本実施の形態における基板６２０では、図１６（ａ）および（ｂ）に示すように、基板６２０の上面の中央寄りには電源配線６３１、６３２が配置されており、基板６２０の上面の周縁寄りには信号用パッド６２１が配置されている。図１６（ａ）に示す上側に配置された電源配線６３１は基板６２０の中心側に配置された電源用パッドに接続され、図１６（ａ）に示す下側に配置された電源配線６３２は基板６２０の周縁側に配置された電源用パッドに接続される。そして、基板６２０では、電源配線６３１、６３２から電源用パッドに接続される配線引き回しを除いて、回転軸を中心として図１６（ａ）に示すＧ領域を１８０°回転させるとＨ領域となる。
【００９８】
本実施の形態における配線層群６１０および基板６２０を用いて半導体装置を作製する場合には、まず、配線層群６１０を図１６（ａ）に示す基板６２０の上に配置して、最適な配線パターンとなるように回転軸を中心として配線層群６１０を回転させる。回転軸を中心として配線層群６１０を回転させる際の回転角度は０°以上９０°未満にする必要がある。回転角度を９０°以上とすると、配線層群６１０の電源用パッド群６１４が基板６２０の電源配線６３１および電源配線６３２の両方に接続されてしまい配線層群６１０の電源用パッド群６１５が基板６２０の電源配線６３１および電源配線６３２の両方に接続されてしまうので、電源用パッド６１４と電源用パッド６１５との間でショートが発生してしまう。一方、回転角度を９０°未満とすると、配線層群６１０の電源用パッド群６１４は基板６２０の電源配線６３１および電源配線６３２のどちらか一方に接続され配線層群６１０の電源用パッド群６１５は基板６２０の電源配線６３１および電源配線６３２の他方に接続されるので、電源配線６３１，６３２を介して電源用パッド群６１４と電源用パッド群６１５との間においてショートが発生することを抑制できる。
【００９９】
次に、回転軸を中心として図１６（ａ）に示す基板６２０を１８０°回転させると、図１６（ｂ）に示すように電源用パッド群６３１と電源用パッド群６３２が入れ替わり、図１５の配線層群６１０の電源用パッド群６１４、６１５の接続先となる基板６２０の電源用パッド（第１電源端子）の位置を入れ替えることができる。当然、配線層群６１０の信号用パッドは点対称に配置されており、１８０°回転させても変更されることはなく、VDDおよびVSSの配置のみを入れ替えることができる。
【０１００】
本実施形態では、上述のように、回転軸を中心として配線層群６１０を回転させて最適な配線パターンとした後、基板６２０における信号線の配置を変更せずに電源線の配置のみを変更することができる。よって、本実施形態では、上記第１の実施の形態に比べて、配線基板などにおける配線形態が複雑であっても充分に対応することができる。
【０１０１】
なお、本実施形態では、説明のために信号線と電源線とで区別したが、特定の信号だけを非対称にした場合でも、同じ効果を得ることができる。
【０１０２】
また、基板の回転角度は１８０°に限定されない。
【０１０３】
（第７の実施の形態）
本発明の第７の実施の形態では、上記第１の実施の形態における配線層群の形状を変更したものである。本実施形態にかかる半導体装置について図１７を用いて説明する。なお、図１７は、本実施形態における配線層群の下面図である。
【０１０４】
図１７における符号を説明する。図１７において、７１０は配線層群であり、７１１はダミーパッドであり、７６０は配線層群を補強するための補強用の導通体である。１１１，１１１ａ，１１１ｂ，１６０および２１５は何れも上記第１の実施の形態に記載の通りである。
【０１０５】
図１７では、配線層群７１０の平面形状は四角形である。ダイシングして配線層群７１０を作製するということを考えると、配線層群７１０の平面形状は円形よりも四角形の方が好ましいと考えられる。
【０１０６】
一般に、配線層群の平面形状が四角形である場合、上記第１の実施の形態で記載したようにパッドを配線層群の上面における中心点に対して回転対称に配置すると、パッドが配置されていない領域（以下では「未パッド領域」という）が四角形の４隅に形成される。未パッド領域には、パッドが配置されていないのでそのパッドに接続される導通体が設けられない。そのため、このような未パッド領域が四角形の４隅に形成されると、配線層群と基板との間にアンダーフィル材を注入する際に、未パッド領域と未パッド領域以外の領域とのバランスが悪くなってしまい、ボイドが発生する虞がある。また、このような未パッド領域が四角形の４隅に形成されると配線層群の強度を保持できない場合があり、半導体装置の信頼性が基準を下回ってしまう虞がある。
【０１０７】
そこで、本実施形態における配線層群７１０では、配線層群７１０の上面における４隅にダミーパッド７１１を設けそのダミーパッド７１１にそれぞれ配線層群を補強するための補強用の導通体７６０を設けている。これにより、配線層群７１０として平面形状が四角形である配線層群を用いた場合でも、半導体装置の信頼性を維持することができる。
【０１０８】
（第８の実施の形態）
本発明の第８の実施の形態では、上記第１の実施形態に記載の配線層群における特定の端子に対してＨ固定およびＬ固定する機能を追加したものである。本実施形態にかかる半導体装置について図１８を用いて説明する。なお、図１８は、本実施形態における配線層群の下面図である。
【０１０９】
図１８における符号を説明する。図１８において、８１０は配線層群であり、８１１はモード切替端子であり、８１２は信号線である。１１１，１１１ａ，１１１ｂ，１６０，２１５，７１１および７６０は上記第１および第７の実施の形態に記載の通りである。
【０１１０】
本実施の形態では、配線層群８１０の下面における隙間（図１８では、配線層群８１０の右下の隙間）を利用して３本の信号線をH固定、L固定できるように設定したものである。なお、図１８では配線層群８１０として平面形状が４角形である配線層群を用いているが、配線層群８１０の平面形状は特に限定されない。
【０１１１】
本実施の形態では、半導体チップに、解析モードと評価モードとを入力するための端子（モード切替端子）が設けられている（不図示）。このモード切替端子は３端子であり、各端子をＨ固定またはＬ固定したときの組み合わせてモードが切り替わるようになっている。
【０１１２】
このモード切替端子は配線層群８１０にも設けられている。配線層群８１０ではボール接続用のパッド、Ｈ固定接続用のパッドおよびＬ固定接続用のパッドの３種類のパッド８１１，８１１，８１１が設けられており、配線層群８１０と基板とを接続する導通体１６０をボール接続用パッド、Ｈ固定接続用パッドまたはＬ固定接続用パッドのどのパッドに配置するかでモードを決めることができる。ボール接続用パッドは必要がなければオープンであっても問題ない。ボール接続用パッド、Ｈ固定接続用パッドおよびＬ固定接続用パッドは高い抵抗を介してＨまたはＬに固定されており、何れのパッドもオープン状態のときには通常モードに移行するように設定されている。
【０１１３】
通常モードで半導体装置を使用する場合は、上記第１の実施の形態などに記載したように回転軸を中心として配線層群８１０を回転させて接続先を変更する。評価モードおよび解析モードで半導体装置を使用するときは、回転軸を中心として配線層群８１０を回転させずに図１８に示す角度に固定して、配線層群８１０と基板とを接続する導通体１６０の配置を変更することにより評価１モード、評価２モード、解析１モードおよび解析２モードなどの複数のモードに切り替えることができる。これにより、より複雑な解析および評価が可能となり、解析および評価の工数を削減することができる。
【０１１４】
（第９の実施の形態）
本発明の第９の実施の形態では、上記第１の実施形態に記載の基板をリードフレームに置き換えたものである。本実施形態にかかる半導体装置について図１９を用いて説明する。なお、図１９は、本実施形態にかかる半導体装置の上面図である。
【０１１５】
図１９における符号を説明する。リード９２３とダイパッド９２４とは、リードフレームを組み立てる前では、フレーム枠（不図示）によりつながっている。しかし、リードフレームの組み立て時において樹脂で固定した後にフレーム枠を切断する。これにより、リード９２３とダイパッド９２４とは絶縁される。９２１はリード９２３の上面に設けられたパッドであり、９２２は配線層群１１０からパッド９２１まで引き回された配線である。９２３ａは内部リードであり、９２３ｂは外部リードである。９２５は封止樹脂である。なお、１００、１０１、１１０、１１１および１１２は、上記第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１６】
本実施形態にかかる半導体装置では、ダイパッド９２４の上に配線層群１１０が設けられており、配線層群１１０の上に半導体チップ１００が設けられており、リード９２３の外部リード９２３ｂが露出するように封止樹脂９２５で封止されている。
【０１１７】
本実施形態における配線層群１１０の構成は上記第１の実施の形態における配線層群１１０の構成と略同一であるので、回転軸を中心として配線層群１１０を回転させると、パッド１１１の接続先を例えばリード９２３の「Ｉ」から「Ｊ」へ大きく変更することができる。
【０１１８】
（第１０の実施の形態）
本発明の第１０の実施の形態では、半導体装置は複数の配線層群を備えている。本実施形態にかかる半導体装置について図２０を用いて説明する。なお、図２０は、本実施形態にかかる半導体装置の上面図である。
【０１１９】
本実施形態にかかる半導体装置では、複数の配線層群１１０，１１０が基板１２０の上面において互いに間隔を開けて横に並んで配置されている。これにより、仕様が相異なる半導体チップを同一の基板に搭載させる場合でも、配線層群１１０における配線の引き回しと配線層群１１０の回転とにより、信号配置の不整合を吸収することが可能となる。
【０１２０】
なお、図２０では、基板の上に２枚の配線層群が設けられているが、配線層群の枚数は特に限定されない。
【０１２１】
また、配線層群の下面に半導体チップが搭載されている構造でも問題はない。
【０１２２】
（第１１の実施の形態）
本発明の第１１の実施の形態では、半導体装置は複数の配線層群と複数の半導体チップとを備えている。本実施形態にかかる半導体装置について図２１を用いて説明する。なお、図２１は、本実施形態にかかる半導体装置の側面図である。
【０１２３】
本実施形態にかかる半導体装置では、基板１２０の上面の上において、配線層群１１０と半導体チップ１００とが交互に積層されている。これにより、回転軸を中心として仕様が相異なる配線層群を別々に回転させることができる。よって、上記第１０の実施の形態と同じく、配線層群における配線引き回しと配線層群の回転とにより、信号配置の不整合を吸収することが可能となる。
【０１２４】
なお、図２１では、基板の上に２枚の配線層群が設けられているが、配線層群の枚数は特に限定されない。
【０１２５】
また、配線層群の下面に半導体チップが搭載されている構造でも問題はない。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
以上説明したように、本発明の半導体装置は、半導体装置の用途の違いにより基板の下面における半田ボールの配置（信号の送信先）が異なった場合でも、共通の基板を用いて半導体装置を製造することができる。また、配線の引き回しの自由度の少ない低コストな基板に対して、配線の引き回しの自由度を向上させることができる。よって、半導体装置の低コスト化および半導体装置の開発期間の短縮化を図ることができ、高コストおよび開発期間が長いといった問題点を抱える携帯電話またはデジタルスチルカメラ等の電子機器分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体装置の分解平面図である。
【図２】（ａ）は第１の実施の形態にかかる半導体装置の一形態の上面図であり、（ｂ）はその半導体装置の側面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図２（ｂ）に示す半導体装置とは相異なる半導体装置の側面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかる半導体装置の別の形態の上面図である。
【図５】（ａ）は第２の実施の形態での配線層群の下面図であり、（ｂ）は同実施の形態での基板の上面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は第３の実施の形態において基板の配線と配線層群の配線との接続形態を示す平面図である。
【図７】第３の実施の形態において基板の配線と配線層群の配線との別の接続形態を示す平面図である。
【図８】第４の実施の形態において基板の配線と配線層群の配線との接続形態を示す平面図である。
【図９】第５の実施の形態での配線層群一の構成を示した下面図である。
【図１０】第５の実施の形態での基板の上面図である。
【図１１】第５の実施の形態での配線層群別の構成を示した下面図である。
【図１２】第５の実施の形態での基板の一の構成を示した下面図である。
【図１３】第５の実施の形態での配線層群のまた別の構成を示した下面図である。
【図１４】第５の実施の形態での基板の別の構成を示した下面図である。
【図１５】第６の実施の形態での配線層群の下面図である。
【図１６】（ａ）は第６の実施の形態での基板の上面図であり、（ｂ）は回転軸を中心として（ａ）に示す基板を１８０°回転させたときの基板の上面図である。
【図１７】第７の実施の形態での配線層群の下面図である。
【図１８】第８の実施の形態での配線層群の下面図である。
【図１９】第９の実施の形態にかかる半導体装置の上面図である。
【図２０】第１０の実施の形態にかかる半導体装置の上面図である。
【図２１】第１１の実施の形態にかかる半導体装置の側面図である。
【符号の説明】
【０１２８】
１００      半導体チップ 
１０１      パッド （第３端子）
１１０      配線層群
１１１      パッド （第２端子）
１１１ａ    信号用パッド （第２信号端子）
１１１ｂ    電源用パッド （第２電源端子）
１１２      配線（第２配線）
１２０      基板 
１２２      配線（第１配線）
１２３      パッド （第１端子）
１２３ａ    信号用パッド （第１信号端子）
１２３ｂ    電源用パッド （第１電源端子）
１６０      導通体 
３１１      パッド （第２端子）
３１２      配線 （第２配線）
３２２      配線 （第１配線）
５１０      配線層群
５１２      信号線 
５１４      電源線 
５２０      基板 
５２３      パッド （第１端子）
６１０      配線層群
６２０      基板 
６２４      信号用パッド （第１信号端子）
６２９      電源用パッド （第１電源端子）
７１０      配線層群
７１１      ダミーパッド 
７６０      補強用の導通体 
８１０      配線層群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図５】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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