(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第一配線層を形成する第１の工程と、
前記第一配線層を覆うように第１の樹脂からなる第一絶縁層を形成する第２の工程と、
前記第一絶縁層上に形成され、フラックスゲートのコアをなす磁性層を形成する第３の工程と、
前記磁性層を覆うように前記第一絶縁層上に第２の樹脂からなる第二絶縁層を形成する第４の工程と、
前記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第５の工程と、
を少なくとも有するフラックスゲートセンサの製造方法であって、
前記第一配線層と前記第二配線層とが、磁気コイルと、ピックアップコイルとを各々構成するように電気的に接続され、
少なくとも、前記第３、第４及び第５の工程の各々におけるプロセスの温度は、前記第１の樹脂のガラス転移温度よりも低いことを特徴とするフラックスゲートセンサの製造方法。
【請求項２】
前記第１の樹脂のガラス転移温度は３００℃より高いことを特徴とする、請求項１に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程におけるプロセスの温度は、該磁性層の成膜時における第一温度、又は、該磁性層を成膜した後に行われる磁場中熱処理時における第二温度のうち、いずれか高い方の温度であることを特徴とする、請求項１に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。
【請求項４】
前記第３の工程は、コバルト系軟磁性膜をスパッタ法により成膜する第一プロセスと、前記磁場中熱処理を行い、成膜後の該磁性層における誘導磁気異方性を制御する第二プロセスとからなることを特徴とする、請求項３に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の樹脂は同一材料の感光性ポリイミドであり、前記第１の樹脂の熱硬化温度は３５０℃乃至４００℃、前記第２の樹脂の熱硬化温度は２５０℃乃至３００℃であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラックスゲートセンサの製造方法に関する。特に、携帯電話等に使用される電子方位計内に採用されている薄膜フラックスゲートセンサの製造方法に関する。
本願は、２０１０年５月１２日に、日本に出願された特願２０１０−１１０２２９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や、ポータブルナビゲーションデバイス、ゲームコントローラ等においては、電子方位計が使用されている。機器全体の小型化を目的として、この電子方位計についても、小型集積化が要望されている。小型集積化の実現手段として、内部に使用するセンサを薄膜フラックスゲートセンサとする手法がある。【０００３】
図４は、薄膜フラックスゲートセンサの概略構成を示す平面図である。図５Ａおよび図５Ｂは図４に示した薄膜フラックスゲートセンサの断面図である。図５Ａは図４に示した薄膜フラックスゲートセンサのＡ−Ａ部分を表す。図５Ｂは図４に示した薄膜フラックスゲートセンサのＢ−Ｂ部分を表す。
図４、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、薄膜フラックスゲートセンサは、第一配線層１と、第一絶縁樹脂層２と、磁性膜３と、第二絶縁樹脂層４と、第二配線層５とを備える。なお、図示していないが、通常、第二配線層５を覆う保護膜も備える。【０００４】
かかる薄膜フラックスゲートセンサの製造方法は、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。これらの文献に開示された製造方法においては、第一配線層１として、アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜を成形する。その後に、第一絶縁樹脂層２として、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機系酸化膜をスパッタリングや化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）により成膜している。このとき、下地の第一配線層１による凹凸により磁気特性が劣化する。従って、該第一絶縁樹脂層２を厚く成膜した後に、エッチバック法や化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）による平坦化処理が必要となる。また、第一絶縁樹脂層２および第二絶縁樹脂層４に、下層の第一配線層１との接続をとるための開口部を設ける必要がある。フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、ドライエッチング等の手法によりエッチングを行っている。かかるプロセスを採用した場合、工数が多くなるうえに大掛かりな製造装置が必要となる。これにより、センサの製造コストが高くなる。【０００５】
そこで、例えば、特許文献３において、感光性ポリイミドを用いた薄膜磁気センサが提案され、開示されている。感光性ポリイミドを採用することにより絶縁樹脂層のエッチング工程が不要になる。更に、感光性ポリイミドを塗布することにより下地配線による凹凸が低減され、絶縁樹脂層に対する平坦化処理の工程が不要になる。これにより、安価に製造することが可能になる。【０００６】
以下では、図６Ａ〜図６Ｅを参照して、かかる構成の薄膜フラックスゲートセンサの製造方法について、更に全体の概略説明を行う。
まず、図６Ａのように、非磁性基板１０上にシード層をスパッタリングし、レジストマスクを形成した後、電解めっきを行い、エッチングにより上記シード層を除去する。これにより、ソレノイドコイルの下層配線となる第一配線層１を形成する。
次に、図６Ｂのように、第一配線層１に対し、感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像し、熱硬化する。これにより、ソレノイドコイルの配線が接続される開口部８を有する第一絶縁樹脂層２を形成する。
更に、図６Ｃのように、第一絶縁樹脂層２に対し、リフトオフレジストを形成した後に、磁性膜３をスパッタリングにより成膜し、リフトオフを行うことで軟磁性体からなるコアを形成する。
また次に、軟磁性膜を成膜した際に付帯することとなった残留応力や、スパッタリング装置内の磁場により生じた不均一な誘導磁気異方性を除去するために、回転磁場中、又は静磁場中にて熱処理を行う。【０００７】
また更に、図６Ｄのように、磁性膜３を覆って、感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像し、熱硬化する。これにより、ソレノイドコイルの配線が接続される開口部９を有する第二絶縁樹脂層４を形成する。
続いて、図６Ｅのように、第一配線層１と同様に、第二絶縁樹脂層４に対し、シード層をスパッタリングし、レジストマスクを形成した後、電解めっきを行い、上記シード層をエッチングにより除去する。これにより、ソレノイドコイルの上層配線となる第二配線層５を形成する。なお、この第二配線層５には、外部と接続するための図示しない電極パッドが設けられる。
最後に、外部と接続する電極部に開口を設けた、図示しない保護膜を形成する。【０００８】
ここで、以上の手順で製造された薄膜フラックスゲートセンサの動作原理の要点を、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。
上述のように製造されたセンサ素子は、ソレノイド状の磁気コイルとピックアップコイルで形成される。この磁気コイルに対して、図７Ａの上段に示した三角波電流を導通させる。ただし、図７Ａにおいて、横軸は時間ｔである。これにより磁気コイル周辺に磁界Ｈｅｘｃが発生する。図７Ａの中段は、この磁気コイルの磁界Ｈｅｘｃにより励磁されたコアの磁化状態の変化を示すグラフである。ここで、磁気コイルは、図７Ｂに示すＢ−Ｈ特性を有している。このＢ−Ｈ特性に応じて、励磁電流が一定値以上又は以下になると、磁化状態は飽和して一定値をとる。このとき、図７Ａの下段に示すように、コア内の磁化状態の変化点において、ピックアップコイルの電圧におけるスパイク状の電圧が発生する。【０００９】
ここで、外部磁界Ｈｅｘｔが加わっていない場合（Ｈｅｘｔ＝０）、コアの磁化状態は、図７Ａの中段の実線で示したものとなる。ピックアップコイルの電圧は、図７Ａの下段の実線で示したものとなる。
次に、外部磁界Ｈｅｘｔが加わっている場合（Ｈｅｘｔ＜０またはＨｅｘｔ＞０）を考える。このとき、外部磁界Ｈｅｘｔの正負に応じて、磁化特性も図７Ｂに示すように変化する。図７Ｂにおいて、一点鎖線がＨｅｘｔ＞０の場合を示しており、二点鎖線がＨｅｘｔ＜０の場合を示している。従って、外部磁界Ｈｅｘｔの正負に応じて、コアの磁化状態も図７Ａの中段のように変化する。図７Ａの中段において、一点鎖線がＨｅｘｔ＞０の場合を示しており、二点鎖線がＨｅｘｔ＜０の場合を示している。更に、外部磁界Ｈｅｘｔの正負に応じて、ピックアップコイルの電圧におけるスパイク状の電圧が発生する時間的位置も図７Ａの下段のように変化する。図７Ａの下段において、同様に、一点鎖線がＨｅｘｔ＞０の場合を示しており、二点鎖線がＨｅｘｔ＜０の場合を示している。外部磁界が加わっていない場合に対して、外部磁界Ｈｅｘｔが加わっている場合（Ｈｅｘｔ＜０またはＨｅｘｔ＞０）は、時間的に前後にシフトする。したがって、ピックアップコイルの電圧のパルス状波形同士の時間間隔から、外部磁界Ｈｅｘｔの大きさと向きが分かる。【００１０】
このとき、図７Ａの下段における時間ｔ１は式（１）で表され、時間ｔ２は式（２）で表される。ここで、Ｈｃは、磁気コイルの保磁力であり、Ｔｄは、遅延時間である。そこで（ｔ２−ｔ１）を算出すると、式（３）となる。【００１１】
【数１】
0005625053.tif 000002
【００１２】
この式（３）から、磁気コイルの保磁力に起因するヒステリシスの影響を取り除くことができることが分かる。更に、カウンタを用いたデジタル検出が可能である。したがって、アナログ／デジタル変換時の誤差の影響を取り除くことができ、線形性の良好なセンサを構成することができる。【００１３】
このとき、センサ出力の線形性は、三角波の電流値の対時間線形性と、磁気コイルにより発生する励磁磁界および検出対象である外部磁界に対するコアの磁束密度の線形性とに依存する。外部磁界に対するピックアップ電圧の現れる時間間隔の変化は、磁性膜の磁化曲線に沿って変化する。そのため、磁化曲線の線形性の悪化は、センサ出力の線形性の悪化に直接的につながる。【００１４】
従って、理論的に保磁力は相殺されるとはいうものの、磁化曲線の直線性に優れたものが、磁性膜の材料としては望ましい。かかる材料としては、例えば、ＣｏＦｅＳｉＢやＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ系アモルファス材料、ならびにＮｉＦｅやＣｏＦｅなどの軟磁性材料が挙げられる。このように、磁化曲線の線形性の優れた軟磁性体をコアに使用した場合、良好な線形性を有するセンサ素子が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許第２７３０４６７号公報
【特許文献２】国際公開２００７／１２６１６４号パンフレット
【特許文献３】特開２００８−２７５５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
かかるセンサの製造過程においては、前述のように、感光性ポリイミドによる第一絶縁樹脂層２を形成した後に、熱が加わるいくつかの過程を経る。すなわち、磁性膜３（磁性層）を成膜する際の成膜温度であり、磁場中熱処理の温度であり、また、第二絶縁樹脂層４を形成する際のポリイミドに対する熱硬化処理の温度である。なお、ここでは、各工程で行われる熱処理の温度のうち、もっとも高い温度を「プロセスの温度」と称する。【００１７】
ここで、それらの熱処理の温度が、磁性膜が成膜される下地となるポリイミドの第一絶縁樹脂層２のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも高いと、ポリイミドが収縮することによって変形し、第一絶縁樹脂層の上に形成された磁性膜３も変形してしまう。その結果、磁性膜３の応力状態が変化するので磁性膜３の特性が悪化する。すなわち、図８の磁化曲線（Ｂ−Ｈ曲線）に示すように、保磁力が増大するのに伴って、磁化曲線の線形性が悪化する。また、このように磁化曲線の線形性が悪化した磁性膜を使用したセンサの出力特性の線形性も悪化する。【００１８】
このように出力特性の線形性が悪化したセンサでは、特に、励磁磁界のように正負の磁界を交互に印加する場合において、磁界が、正から負、負から正というように交互に印加されたときに磁束密度の変化が異なる。したがって、外部磁界が重畳されたときのピックアップ電圧の波形に歪が生じ易くなる。また、ヒステリシスコンパレータなどにより電圧基準点を設けて時間を検出する場合、外部磁界の印加により波形の歪が大きくなると、ピックアップ電圧が電圧基準点に達する時間間隔が外部磁界に対して線形でなくなり、センサの出力特性の線形性が著しく悪化する。【００１９】
本発明は、磁性層（磁性膜）の磁化曲線の線形性を損なうことのないフラックスゲートセンサの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
フラックスゲートセンサの製造方法は、基板上に第一配線層を形成する第１の工程と、前記第一配線層を覆うように第１の樹脂からなる第一絶縁層を形成する第２の工程と、前記第一絶縁層上に形成され、フラックスゲートのコアをなす磁性層を形成する第３の工程と、前記磁性層を覆うように前記第一絶縁層上に第２の樹脂からなる第二絶縁層を形成する第４の工程と、前記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第５の工程と、を少なくとも有するフラックスゲートセンサの製造方法であって、前記第一配線層と前記第二配線層とが、磁気コイルと、ピックアップコイルと、を各々構成するように電気的に接続され、少なくとも、前記第３、第４及び第５の工程の各々におけるプロセスの温度は、前記第１の樹脂のガラス転移温度よりも低くしてもよい。【００２１】
前記第１の樹脂のガラス転移温度は３００℃より高くてもよい。【００２２】
前記第３の工程におけるプロセスの温度は、該磁性層の成膜時における第一温度、又は、該磁性層を成膜した後に行われる磁場中熱処理時における第二温度のうち、いずれか高い方の温度であってもよい。【００２３】
前記第３の工程は、コバルト系軟磁性膜をスパッタ法により成膜する第一プロセスと、前記磁場中熱処理を行い、成膜後の該磁性層における誘導磁気異方性を制御する第二プロセスとからなってもよい。【００２４】
前記第１及び第２の樹脂は同一材料の感光性ポリイミドであってもよい。前記第１の樹脂の熱硬化温度は３５０℃乃至４００℃前記第２の樹脂の熱硬化温度は２５０℃乃至３００℃であってもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、磁性膜の保磁力の増大に伴う磁気特性の線形性の劣化が抑制され、良好な出力特性が維持されたフラックスゲートセンサが得られる。
本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、第二絶縁層を形成する際の熱硬化の温度の影響も排除することができる。
本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、第二絶縁層を形成する際の熱硬化の温度として、十分な温度（２５０℃〜３００℃）が採用できる。
本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、成膜温度と、磁場中熱処理の温度の大小に拘わらず対応できる。
本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、磁性層を形成するプロセスを明確にできる。
本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、第一絶縁層の樹脂としては、第二絶縁層の樹脂とは異なり、熱硬化温度が高いものが採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係るフラックスゲートセンサの製造方法の一実施形態における手順を示すフローチャート。
【図２】ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる２種類のポリイミド上に成膜したＣｏＮｂＺｒ膜における磁場中熱処理温度と保磁力の関係を示す図。
【図３Ａ】本発明の製造方法により得られたフラックスゲートセンサの磁性膜の磁化曲線を示す図。
【図３Ｂ】本発明の製造方法により得られたフラックスゲートセンサの出力特性を示す図。
【図４】薄膜フラックスゲートセンサの概略構成を示す平面図。
【図５Ａ】図４に示した薄膜フラックスゲートセンサの断面図。
【図５Ｂ】図４に示した薄膜フラックスゲートセンサの断面図。
【図６Ａ】薄膜フラックスゲートセンサの製造工程を説明するための図。
【図６Ｂ】薄膜フラックスゲートセンサの製造工程を説明するための図。
【図６Ｃ】薄膜フラックスゲートセンサの製造工程を説明するための図。
【図６Ｄ】薄膜フラックスゲートセンサの製造工程を説明するための図。
【図６Ｅ】薄膜フラックスゲートセンサの製造工程を説明するための図。
【図７Ａ】動作原理の要点を説明するための図。
【図７Ｂ】動作原理の要点を説明するための図。
【図８】従来の薄膜フラックスゲートセンサの課題を説明するため図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
これより以降の説明では、各工程（ステップ）で印加される温度のうち、もっとも高い温度を「プロセスの温度」と称する。
図１は、本発明のフラックスゲートセンサの製造方法の一実施形態の手順を示すフローチャートである。
本発明の一実施形態の製造方法によれば、まず、ステップＳ１において、非磁性基板上にシード層をスパッタリングし、レジストマスクを形成した後、電解めっきを行い、上記シード層をエッチングにより除去する。これにより、ソレノイドコイルの下層配線となる第一配線層１を形成する。
【００２８】
次に、ステップＳ２において、第一配線層１に対し、感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像し、熱硬化する。これにより、ソレノイドコイルの配線が接続される開口部を有する第一絶縁樹脂層２を形成する。このときの熱硬化温度が高いほど、ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなる。約４００℃以上の温度でポリイミドの熱分解が始まることから、３５０℃〜４００℃程度の温度であることが望ましい。
【００２９】
次に、ステップＳ３において、第一絶縁樹脂層２に対し、リフトオフレジストを形成した後に、磁性膜３をスパッタリングにより成膜し、リフトオフを行う。これにより軟磁性体からなるコアを形成する。ここで、本発明では、磁性膜３を成膜する際の成膜温度を、第一絶縁樹脂層２に採用したポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低くする。なお、このとき用いる磁性膜３としては、ＣｏＦｅＳｉＢやＣｏＮｂＺｒやＣｏＴａＺｒなどのＣｏ系アモルファス材料、あるいはＮｉＦｅやＣｏＦｅ系の軟磁性材料が望ましい。
【００３０】
次に、ステップＳ４において、軟磁性膜を成膜した際に付帯することとなった残留応力や、スパッタリング装置内の磁場により生じた不均一な誘導磁気異方性を除去するために、回転磁場中、又は静磁場中にて熱処理を行う。ここで、本発明では、ステップＳ３と同様に、磁場中熱処理における温度を、第一絶縁樹脂層２に採用したポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低くする。
【００３１】
図２に、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる２種類のポリイミド上に成膜したＣｏＮｂＺｒ膜における磁場中熱処理温度と保磁力の関係を示す。図２では、２種類のポリイミドＡおよびＢと、シリコン基板の場合について示している。ここで、ポリイミドＡおよびＢのガラス転移温度（Ｔｇ）は、それぞれ、３５０℃および３２０℃である。
【００３２】
図２に示すように、ポリイミドＡの場合、磁場中熱処理温度が、３５０℃を超えると、保磁力が増大している。ポリイミドＢの場合、当該温度が３２０℃を超えると、保磁力が増大している。つまり、いずれの場合も、磁場中熱処理温度が、ガラス転移温度を超えると、保磁力が増大しており、磁化曲線の線形性に悪影響を及ぼす可能性が高いことを示している。保磁力磁性膜が成膜された下地ポリイミドが、ガラス転移温度を超えた温度で熱処理されることで軟化し、弾性率が著しく低下する。このため、下地ポリイミドの上に成膜された磁性膜の応力による歪が著しく大きくなる。これにより、逆磁歪効果により磁性膜の異方性エネルギーが増大し、保磁力が増大すると考えられる。
【００３３】
一方、シリコン基板上にＣｏＮｂＺｒ膜を成膜した場合、磁場中熱処理温度を４００℃とした場合でも保磁力は小さいままである。
以上から、例えばポリイミドＡを採用した場合には、磁場中熱処理温度を３５０℃以下にし、一方、ポリイミドＢを採用した場合には、当該温度を３２０℃以下にする。これにより、磁性膜の磁化曲線における保磁力の増大を抑えることができ、それに伴う線形性の劣化を抑えることができる。また、保持力が増大するという現象は、以上の理由によるものであるから、磁場中熱処理温度だけでなく、磁性膜を形成する工程以降に行われる工程における熱処理の温度も、第一絶縁樹脂層２に採用された樹脂のガラス転移温度よりも低いことが望ましい。
【００３４】
図１の製造方法の手順に戻り、ステップＳ５において、磁性膜３を覆って、感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像し、熱硬化する。これにより、ソレノイドコイルの配線が接続される開口部を有する第二絶縁樹脂層４を形成する。なお、本発明では、このときの熱硬化温度も、第一絶縁樹脂層２に採用したポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低くする。なお、この熱硬化処理は、熱による磁性膜の特性変化を抑制するために、回転磁場又は静磁場を印加した状態で行うことが好ましい。
【００３５】
続いて、ステップＳ６において、第一配線層１と同様に、第二絶縁樹脂層４に対し、シード層をスパッタリングし、レジストマスクを形成した後、電解めっきを行い、上記シード層をエッチングにより除去する。これにより、ソレノイドコイルの上層配線となる第二配線層５を形成する。なお、この第二配線層５には、外部と接続するための図示しない電極パッドが設けられる。
【００３６】
最後に、ステップＳ７において、外部と接続する電極部に開口を設けた、図示しない保護膜を形成する。なお、保護膜の形成の際にも、その熱硬化温度は、第一絶縁樹脂層２に採用したポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低くし、かつ、その処理は、回転磁場又は静磁場を印加した状態で行うことが好ましい。
【００３７】
図１に基づき、上述した製造方法においては、ソレノイドコイルの下層配線となる第一配線層１と上層配線となる第二配線層５が、第一絶縁樹脂層２と第二絶縁樹脂層４にそれぞれ設けた開口部を介して電気的に接続される構成（以下、「構成Ａ」と呼ぶ）について詳述した。しかしながら、構成Ａに代えて、第一配線層１と第二配線層５からなるソレノイドコイルの内部空間のみに、第一絶縁樹脂層２と第二絶縁樹脂層４からなる絶縁樹脂層が設けられ、かつ、第一絶縁樹脂層２と第二絶縁樹脂層４によって磁性膜３が内包された構成としても良い。すなわち、第二配線層５が、第一絶縁樹脂層２とこれに積層された第二絶縁樹脂層４の外周側面に沿って設けられ、第一配線層１と電気的に接続される構成（不図示。以下、「構成Ｂ」と呼ぶ）としてもよい。構成Ｂは、たとえば、第一絶縁樹脂層２および第二絶縁樹脂層４を、第一配線層１の両端が露呈するように形成し、次いで、前記ステップＳ６におけるレジストマスクを、第二絶縁樹脂層４および第一配線層１に対して形成した後、電解めっきを行い、前記シードをエッチングにより除去することにより作製することができる。
【００３８】
磁性膜の材料としてＣｏ８５Ｎｂ１２Ｚｒ３を採用し、上述のような製造方法に基づいて製造したフラックスゲートセンサについて、製造プロセス経過後の磁性膜の磁化曲線（Ｂ−Ｈ曲線）を図３Ａに示す。図３Ａに示すように、良好な線形性が維持されている。また、そのときのセンサの出力特性を図３Ｂに示す。図３Ｂに示すように、磁性膜の線形性が維持されていれば、出力特性も良好に維持されている。
【００３９】
以上のように、成膜温度、磁場中熱処理の処理温度、第二絶縁樹脂層の熱硬化処理の処理温度等を、第一絶縁樹脂層に採用したポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低くすることにより、磁性膜の保磁力の増大に伴う磁気特性の線形性の劣化が抑制され、良好な出力特性が維持されたフラックスゲートセンサが得られる。
なお、ポリイミドの熱硬化温度が低いと、プロセス中の薬液に対する耐性が十分に確保し難いことから、その熱硬化温度は、２５０℃〜３００℃程度が望ましい。また、センサモジュールの組立工程や、センサを基板上に実装する時のはんだリフロー温度は、２６０℃程度である。第一絶縁樹脂層に採用した樹脂のガラス転移温度が、はんだリフロー温度よりも低い場合、はんだリフロー時の加熱によって磁性膜の保磁力が増大するため、センサの磁気特性の線形性が劣化する。したがって、第一絶縁樹脂層に採用する樹脂のガラス転移温度は、はんだリフローの温度よりも十分に高いことが望ましい。
【００４０】
従って、これらの制約から、第一絶縁樹脂層に採用するポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）は、３００℃以上が好適となる。すなわち、リフロー温度耐性に優れ、良好な出力特性が維持されるフラックスゲートセンサが得られる。
なお、上述の実施形態は一例であり、発明の趣旨を具現化する態様は、当業者であれば各種想到可能である。
例えば、上述の実施形態においては、絶縁樹脂層として、感光性ポリイミドを採用した場合を説明したが、これに限られることはなく、例えば、ポリベンゾオキサゾールや、クレゾールノボラック樹脂等の感光性樹脂材料でもよい。
【００４１】
しかしながら、工程内の材料管理の観点から、第一絶縁樹脂層と第二絶縁樹脂層とは、同一材料で構成することが望ましい。従って、前述から、その場合には、ガラス転移温度（Ｔｇ）が３００℃以上であり、かつ、２５０℃〜３００℃程度の温度で熱硬化可能な材料ということになる。但し、ステップＳ２の説明で述べたように、第一絶縁樹脂層に採用する材料については、熱硬化温度は、３５０℃〜４００℃程度が望ましい。
【００４２】
また、上述の実施形態においては、感光性の材料である感光性ポリイミドで説明したが、フォトリソグラフィやナノインプリント等の微細加工プロセスによりパターン形成が可能なものであれば、非感光性のポリイミドであってもよい。この非感光性ポリイミドは、一般に、感光性ポリイミドよりもガラス転移温度が高く、４００℃程度のものまで存在する。従って、非感光性ポリイミドを採用した場合、本発明により制限を設けた温度を４００℃程度に設定することが可能となる。
【００４３】
また、上述の実施形態においては、配線形成方法として、電解めっき法を用いたが、無電解めっきや、スパッタ成膜したアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの導電材料をエッチングにより形成してもよい。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明し例証したが、これらはあくまで発明の例示であって限定的に考慮されるべきものではなく、追加、削除、置換及び他の変更は本発明の範囲を逸脱しない範囲で可能である。即ち、本発明は前述した実施形態により限定されるものではなく、請求項の範囲により限定されるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の製造方法は、携帯電話等に使用される電子方位計内に採用されている薄膜フラックスゲートセンサに適用することができる。また、本発明の製造方法は、電流の作る磁界を検出して電流値を測定する電流センサや、磁気式のロータリーエンコーダ、リニアエンコーダに採用されている薄膜フラックスゲートセンサに適用することができる。また、磁性材料を含む磁性粒子や異物を検出する装置に採用されている薄膜フラックスゲートセンサに適用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  第一配線層
２  第一絶縁樹脂層
３  磁性層（磁性膜）
４  第二絶縁樹脂層
５  第二配線層
８  開口部
９  開口部
１０  非磁性基板
【図１】
0005625053.tif 000003
【図２】
0005625053.tif 000004
【図３Ａ】
0005625053.tif 000005
【図３Ｂ】
0005625053.tif 000006
【図４】
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【図５Ａ】
0005625053.tif 000008
【図５Ｂ】
0005625053.tif 000009
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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