(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電力を入力して整流する整流回路と、
前記整流回路によって整流された電力を昇圧及び降圧可能な昇降圧回路と、
前記昇降圧回路によって昇圧又は降圧された電力を蓄積する発射電力充電用コンデンサと、
パチンコ球を所定のタイミングで発射させるための発射制御パルスを発生する発射タイミング信号発生回路と、
通電によりパチンコ球を弾き出すための発射ソレノイドと、
前記発射タイミング信号発生回路からの発射制御パルスに応答して、発射電力充電用コンデンサに蓄積された電力を用いて前記発射ソレノイドを通電する発射ソレノイド駆動回路と、
前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧を入力し、前記端子電圧を用いて前記昇降圧回路の昇降圧動作を制御する昇降圧制御回路とを備え、
前記昇降圧制御回路内に、操作ハンドルの回転位置に応じて前記発射ソレノイドの通電直前の前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧を可変設定する第１電圧調整器と、前記発射ソレノイドの通電直前の前記発射電力充電用コンデンサの前記第１電圧調整器による端子電圧の変化範囲を可変設定する第２電圧調整器とを設けたことを特徴とする遊技機の発射制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機の発射制御装置において、
前記昇降圧制御回路は、
前記昇降圧回路による昇圧動作を制御するためのパルス列信号を発生するパルス列信号発生回路と、
基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
前記パルス列信号発生回路からのパルス列信号の前記昇降圧回路への供給の有無を制御するゲート回路と、
前記基準電圧発生回路から出力された基準電圧側の電圧を比較電圧として入力するとともに、前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧をフィードバック電圧として入力して、前記比較電圧が前記フィードバック電圧よりも高いとき前記ゲート回路による前記パルス列信号の前記昇降圧回路への供給を許容し、前記比較電圧が前記フィードバック電圧よりも低いとき前記ゲート回路による前記パルス列信号の前記昇降圧回路への供給を禁止する比較器とを備え、
前記第１電圧調整器により前記基準電圧発生回路から出力された基準電圧側の電圧又は前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧を変更するとともに、前記第２電圧調整器により前記基準電圧発生回路から出力された基準電圧側の電圧又は前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧を変更するようにした遊技機の発射制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の遊技機の発射制御装置において、前記昇降圧制御回路は、さらに、
前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧を入力して、前記発射電力充電用コンデンサの端子電圧が前記第１電圧調整器及び前記第２電圧調整器によって変更され得る最高電圧よりも高い所定の電圧より高くなったとき、前記ゲート回路による前記パルス列信号の前記昇降圧回路への供給を禁止する過剰昇圧防止回路を備えたことを特徴とする遊技機の発射制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パチンコ球を発射する遊技機の発射制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ハンドル操作に応じたパチンコ球の発射強度を安定させるために、次のように構成した発射制御装置が知られている。第１の従来装置は、入力した交流電力を整流して直流電力を得て、この直流電力を用いて定電流制御によりパチンコ球発射用のソレノイドに定電流を流すようにしている（下記引用文献１の図４参照）。また、第２の従来装置は、入力した交流電力を整流して直流電力を得て、この直流電力を用いて降圧定電圧制御によりパチンコ球発射用のソレノイドに電流を流すようにしている（下記引用文献１の図３及び下記引用文献２，３参照）。また、第３の従来装置は、入力した交流電力を整流して直流電力を得て、この直流電力を用いて昇圧定電圧制御によりパチンコ球発射用のソレノイドに電流を流すようにしている（下記引用文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−６０２号公報
【特許文献２】特開平９−３２０８４２号公報
【特許文献３】特開２００４−１１３５５３号公報
【特許文献４】特開２００３−５２９８１号公報
【発明の概要】
【０００４】
上記第１の従来装置においては、入力電圧を昇圧できないために、入力電圧が低い場合には、発射ソレノイドに流す定電流に必要な駆動電圧を得ることができないことがあり、発射ソレノイドの種類によっては対応できない場合があるという問題がある。上記第２の従来装置においても、入力電圧を昇圧できないために、発射ソレノイドの駆動電圧が入力した交流電力の電圧よりも高いときには対応できないという問題がある。また、上記第３の従来装置においては、入力電圧が高い場合には、極めて高い電圧を制御する必要が生じ、制御対象が全体的に高電圧になり、発熱の問題が生じるとともに、コストアップにもつながるという問題がある。
【０００５】
上記問題に対処するために、昇降圧可変定電圧制御を採用することにより、比較的安価かつ簡単に、入力電圧に対して発射ソレノイドの駆動電圧を広い範囲にわたって制御できるようにして、種々の入力電圧及び発射ソレノイドに対応できるようにした遊技機の発射制御装置を提供することにある。なお、下記本発明の各構成要件の記載においては、本発明の理解を容易にするために、実施形態の対応箇所の符号を括弧内に記載しているが、本発明の各構成要件は、実施形態の符号によって示された対応箇所の構成に限定解釈されるべきものではない。
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の特徴は、交流電力を入力して整流する整流回路（２２）と、整流回路によって整流された電力を昇圧及び降圧可能な昇降圧回路（２６）と、昇降圧回路によって昇圧又は降圧された電力を蓄積する発射電力充電用コンデンサ（２７）と、パチンコ球を所定のタイミングで発射させるための発射制御パルスを発生する発射タイミング信号発生回路（４０）と、通電によりパチンコ球を弾き出すための発射ソレノイド（２９）と、発射タイミング信号発生回路からの発射制御パルスに応答して、発射電力充電用コンデンサに蓄積された電力を用いて発射ソレノイドを通電する発射ソレノイド駆動回路（２８）と、発射電力充電用コンデンサの端子電圧を入力し、前記端子電圧を用いて昇降圧回路の昇降圧動作を制御する昇降圧制御回路（３０）とを備え、昇降圧制御回路内に、操作ハンドルの回転位置に応じて発射ソレノイドの通電直前の発射電力充電用コンデンサの端子電圧を可変設定する第１電圧調整器（ＶＲ３，ＶＲ２２，ＶＲ３１，ＶＲ４３）と、発射ソレノイドの通電直前の発射電力充電用コンデンサの第１電圧調整器による端子電圧の変化範囲を可変設定する第２電圧調整器（ＶＲ１，ＶＲ２、ＶＲ２１，ＶＲ２３，ＶＲ３２，ＶＲ３３，ＶＲ４１，ＶＲ４２）とを設けたことにある。
【０００７】
この場合、前記昇降圧制御回路（３０）は、昇降圧回路による昇圧動作を制御するためのパルス列信号を発生するパルス列信号発生回路（３２）と、基準電圧を発生する基準電圧発生回路（３５）と、パルス列信号発生回路からのパルス列信号の昇降圧回路への供給の有無を制御するゲート回路（３３）と、基準電圧発生回路から出力された基準電圧側の電圧を比較電圧として入力するとともに、発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧をフィードバック電圧として入力して、比較電圧がフィードバック電圧よりも高いときゲート回路によるパルス列信号の昇降圧回路への供給を許容し、比較電圧がフィードバック電圧よりも低いときゲート回路によるパルス列信号の昇降圧回路への供給を禁止する比較器（３４）とを備え、前記第１電圧調整器（ＶＲ３，ＶＲ２２，ＶＲ３１，ＶＲ４３）により基準電圧発生回路から出力された基準電圧側の電圧又は発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧を変更するとともに、前記第２電圧調整器（ＶＲ１，ＶＲ２、ＶＲ２１，ＶＲ２３，ＶＲ３２，ＶＲ３３，ＶＲ４１，ＶＲ４２）により基準電圧発生回路から出力された基準電圧側の電圧又は発射電力充電用コンデンサの端子電圧側の電圧を変更するようにするとよい。
【０００８】
上記のように構成した本発明においては、昇降圧制御回路が昇降圧回路を制御して、発射電力充電用コンデンサに充電されて、発射ソレノイドに印加される電圧を昇降圧制御できるので、種々の入力電圧及び発射ソレノイドに対応できるようになる。この場合、第２電圧調整器により、発射ソレノイドの通電直前の発射電力充電用コンデンサの第１電圧調整器による端子電圧の変化範囲を可変設定することができるので、簡単に、種々の入力電圧及び発射ソレノイドに対応できるようになる。
【０００９】
また、本発明の他の特徴は、前記昇降圧制御回路（３０）は、さらに、発射電力充電用コンデンサ（２７）の端子電圧側の電圧を入力して、発射電力充電用コンデンサの端子電圧が第１電圧調整器（ＶＲ３，ＶＲ２２，ＶＲ３１，ＶＲ４３）及び第２電圧調整器（ＶＲ１，ＶＲ２、ＶＲ２１，ＶＲ２３，ＶＲ３２，ＶＲ３３，ＶＲ４１，ＶＲ４２）によって変更される最高電圧よりも高い所定の電圧より高くなったとき、ゲート回路（３３）によるパルス列信号の昇降圧回路（２６）への供給を禁止する過剰昇圧防止回路（３７，３８）を備えたことにある。
【００１０】
この本発明の他の特徴によれば、発射電力充電用コンデンサの端子電圧が異常に高くなることが防止されるので、本発明の発射制御装置が的確に保護される。そして、この場合、過剰昇圧防止回路は、単に、ゲート回路によるパルス列信号の昇降圧回路への供給を禁止するだけでよいので、簡単な構成により発射制御装置の保護を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る遊技機の発射制御装置の電気回路図である。
【図２】図１の各部における信号波形図である。
【図３】図１の変形例に係る遊技機の発射制御装置の一部の電気回路図である。
【図４】図１の他の変形例に係る遊技機の発射制御装置の一部の電気回路図である。
【図５】図１のさらに他の変形例に係る遊技機の発射制御装置の一部の電気回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る遊技機の発射制御装置について図１の電気回路図を用いて説明する。この発射制御装置は、交流電源１０に電源スイッチ２１を介して接続された全波整流回路２２及びコンデンサ２３からなる電源回路を備えている。交流電源１０は、例えばＡＣ１６Ｖ〜ＡＣ２８．８Ｖ程度の２相交流電源である。電源スイッチ２１は、交流電源１０から電力供給線にそれぞれ介装されており、オンオフ切り替えされる。全波整流回路２２は、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４からなり、交流電源１０からの交流電力を全波整流して正側電源ライン２４及び接地側電源ライン２５に供給する。コンデンサ２３は、正側電源ライン２４及び接地側電源ライン２５間に接続されて、全波整流回路２２によって全波整流された電力を蓄積する。
【００１３】
正側電源ライン２４には、ダイオードＤ５を介して、制御用電源回路１１が接続されている。制御用電源回路１１は、トランジスタ、ダイオード、抵抗及びコンデンサからなって電源電圧Ｖｃｃ（例えば、ＤＣ５Ｖ）を生成して、他の制御回路に供給する。この制御用電源回路１１は、周知の回路であるとともに、本発明に直接関係しないので詳しい説明を省略する。
【００１４】
正側電源ライン２４及び接地側電源ライン２５には、昇降圧回路２６、発射電力充電用コンデンサ２７及び発射ソレノイド駆動回路２８がこの順に接続されている。昇降圧回路２６は、正側電源ライン２４にコイルＬ１、コンデンサＣ１及びショットキーバリアダイオードＤ６をこの順に介装させている。コイルＬ１とコンデンサＣ１との接続点である正側電源ライン２４と、接地側電源ライン２５との間には、パワーＭＯＳＦＥＴ２６ａが接続されている。コンデンサＣ１とショットキーバリアダイオードＤ６のアノード側との接続点である正側電源ライン２４と、接地側電源ライン２５との間には、コイルＬ２が接続されている。発射電力充電用コンデンサ２７は、ショットキーバリアダイオードＤ６のカソード側の正側電源ライン２４と、接地側電源ライン２５との間に接続されている。この発射電力充電用コンデンサ２７の充電による端子電圧が、後述する発射ソレノイド２９を定電圧駆動するための駆動電圧である。
【００１５】
このように構成した昇降圧回路２６においては、発射ソレノイド駆動回路２８の作動によって降圧された発射電力充電用コンデンサ２７の電圧を、パワーＭＯＳＦＥＴ２６ａにパルス列信号を供給してパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａのオンオフ動作を繰り返し制御することにより昇圧させる。すなわち、昇降圧回路２６は長時間の昇圧動作により入力電圧を昇圧して発射電力充電用コンデンサ２７を充電し、同コンデンサ２７の端子電圧を上昇させる。この動作が、本発明の昇圧動作に対応する。一方、パワーＭＯＳＦＥＴ２６ａの繰り返しオンオフ制御時間を短くして、パワーＭＯＳＦＥＴ２６ａをオフ状態に長く保つと、昇降圧回路２６の昇圧動作の低下により、同コンデンサ２７の端子電圧は減少する。この動作が、本発明の降圧動作に対応する。
【００１６】
発射ソレノイド駆動回路２８は、ショットキーバリアダイオードＤ７、パワーＭＯＳＦＥＴ２８ａ及び抵抗Ｒ１，Ｒ２からなる。ショットキーバリアダイオードＤ７及びパワーＭＯＳＦＥＴ２８ａは、正側電源ライン２４（すなわち発射電力充電用コンデンサ２７の正側端子）と接地側電源ライン２５との間に直列に接続されている。ショットキーバリアダイオードＤ７のカソードが正側電源ライン２４に接続され、ショットキーバリアダイオードＤ７のアノードがパワーＭＯＳＦＥＴ２８ａのドレインに接続され、パワーＭＯＳＦＥＴ２８ａのソースが接地側電源ライン２５に接続されている。パワーＭＯＳＦＥＴ２８ａのゲートには、詳しくは後述する発射制御パルスが抵抗Ｒ１を介して供給されるようになっているとともに、パワーＭＯＳＦＥＴ２８ａのゲートは抵抗Ｒ２を介して接地側電源ライン２５に接続されている。
【００１７】
ショットキーバリアダイオードＤ７の両端には、発射ソレノイド２９の両端が接続されている。発射ソレノイド２９は、通電により、通電電流値にほぼ比例した力でパチンコ球を弾くように、パチンコ球発射装置内に組み込まれている。このような構成により、発射ソレノイド駆動回路２８に発射制御パルスが供給されると、パワーＭＯＳＦＥＴ２８ａがオンして、発射ソレノイド２９に電流が流れてパチンコ球がその電流値に応じた大きさの力で弾かれる。発射制御パルスの供給停止後には、発射ソレノイド２９内に蓄積されたエネルギーによる電流がショットキーバリアダイオードＤ７を介して還流し、発射ソレノイド２９に逆起電力が発生されることを防止する。
【００１８】
次に、発射制御パルスについて説明する。発射制御パルスは、発射タイミング信号発生回路４０から発生される。発射タイミング信号発生回路４０は、発振器で構成され、外部から指示によりパチンコ球の発射が許容されている状態で、遊戯者がハンドルを回動操作したときに動作して、図２（ａ）に示すように、約６００ｍｓの周期で約１０．５ｍｓ幅のパルス列信号を発射ソレノイド駆動回路２８に出力する。なお、発射タイミング信号発生回路４０に接続したスイッチ４１は、外部からの指示によりパチンコ球の発射が許容され、かつ遊戯者がハンドルを回動操作してパチンコ球が発射される状態にあることを規定するスイッチを機能的に代表して示している。
【００１９】
発射タイミング信号発生回路４０は、発射制御パルスと同一周期で位相の異なる、パチンコ球発射装置内にパチンコ球を送り出すことを制御するための球送り制御パルスを、球送りソレノイド駆動回路４２に出力する。球送りソレノイド駆動回路４２は、ショットキーバリアダイオードＤ８、ＮＰＮトランジスタＴｒ１及び抵抗Ｒ３，Ｒ４からなる。ショットキーバリアダイオードＤ８及びＮＰＮトランジスタＴｒ１は、正側電源ライン２４（すなわちコンデンサ２３とコイルＬ１の接続点と接地間に直列に接続されている。ショットキーバリアダイオードＤ８のカソードが正側電源ライン２４に接続され、ショットキーバリアダイオードＤ８のアノードがＮＰＮトランジスタＴｒ１のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＴｒ１のエミッタが接地されている。ＮＰＮトランジスタＴｒ１のベースには、球送り制御パルスが抵抗Ｒ３を介して供給されるようになっているとともに、ＮＰＮトランジスタＴｒ１のベースは抵抗Ｒ４を介して接地されている。
【００２０】
ショットキーバリアダイオードＤ８の両端には、球送りソレノイド４３の両端が接続されている。球送りソレノイド４３は、通電により、パチンコ球のパチンコ球発射装置内への球送りを制御する。このような構成により、球送りソレノイド駆動回路４２に球送り制御パルスが供給されると、ＮＰＮトランジスタＴｒ１がオンして、球送りソレノイド４３に電流が流れてパチンコ球がパチンコ球発射装置内に送られる。そして、この送られたパチンコ球は、前述のように、発射ソレノイド２９の通電によって弾き出される。球送り制御パルスの供給停止後には、球送りソレノイド４３内に蓄積されたエネルギーによる電流がショットキーバリアダイオードＤ８を介して還流し、球送りソレノイド４３に逆起電力が発生されることを防止する。
【００２１】
次に、昇降圧回路２６を制御する昇降圧制御回路３０について説明する。昇降圧制御回路３０は、パルス列信号発生回路３２、アンドゲート回路３３、比較器３４、基準電圧発生回路３５、電圧調整装置３６、比較器３７及び保護電圧発生器３８を備えている。パルス列信号発生回路３２は、予め決められた周波数で発振する発振器で構成され、パルス列信号をアンドゲート回路３３の一方の入力に供給する。アンドゲート回路３３は、その他方の入力に比較器３４の出力が接続されており、比較器３４からハイレベルの信号が供給されたとき（図２（ｂ）参照）、パルス列信号発生回路３２からのパルス列信号（図２（ｃ）参照）を昇降圧回路２６のパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａのゲートに供給する。比較器３４の出力端は抵抗Ｒ５を介して制御用電源電圧Ｖｃｃに接続されている。
【００２２】
比較器３４の正側入力（＋）には、基準電圧発生回路３５が接続されている。基準電圧発生回路３５は、例えばシャントレギュレータで構成され、正側電源ライン２４からダイオードＤ５及び抵抗を介して電源電圧を入力して、予め決められた比較電圧Vcp（例えば、１．２３５Ｖ）を生成して比較器３４の正側入力（＋）に供給する。なお、基準電圧発生回路３５から比較器３４への基準電圧の供給ラインはコンデンサＣ２を介して接地されている。
【００２３】
一方、比較器３４の負側入力（―）には、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２、ポテンショメータＶＲ３及び固定抵抗Ｒ６からなる電圧調整装置３６からのフィードバック電圧Vfdが供給されている。可変抵抗ＶＲ１、固定抵抗Ｒ及び可変抵抗ＶＲ２は、駆動電圧ライン３１と接地間に直列に接続されている。ポテンショメータＶＲ３は、固定抵抗Ｒ６に並列に接続されていて、可動子から取出される電圧をフィードバック電圧Vfdとして比較器３４の負側入力（−）に供給する。このフィードバック電圧Vfdの比較器３４への供給路もコンデンサＣ３を介して接地されている。
【００２４】
この場合、ポテンショメータＶＲ３は、操作ハンドルの回転に連動して可動子を移動させることにより、出力電圧であるフィードバック電圧Vfdを変動させるもので、本発明の第１電圧調整器に対応する。そして、比較電圧Vcpがフィードバック電圧Vfdよりも高い状態にあると、比較器３４はハイレベルの信号をアンドゲート回路３３に供給して（図２（ｂ）参照）、アンドゲート回路３３はパルス列信号発生回路３２からのパルス列信号を昇降圧回路２６に供給し、昇降圧回路２６は、そのパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａのオンオフ動作の繰り返しにより昇圧動作をし、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧を上昇させる（図２（ｃ）（ｄ）参照）。そして、駆動電圧ライン３１の電圧も上昇し、電圧調整装置３６のポテンショメータＶＲ３から出力されるフィードバック電圧Vfdが比較電圧Vcpを超えると、比較器３４の出力はローレベルになる。これにより、アンドゲート回路３３はオフして、パルス列信号発生回路３２からのパルス列信号の昇降圧回路２６への供給を停止するので、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は上昇しなくなる。その結果、ポテンショメータＶＲ３の可動子の位置に応じて、駆動電圧ライン３１すなわち発射電力充電用コンデンサ２７の電圧は変更される。
【００２５】
具体的には、ポテンショメータＶＲ３の可動子が図示下位置にある方が、上位置にある場合に比べて、比較器３４の負側入力（−）に供給される電圧が低くなる、すなわち比較器３４がハイレベルに保たれる時間が長くなり、発射電力充電用コンデンサ２７に充電される電圧は高くなる。したがって、操作ハンドルの回転角が最低であるときにポテンショメータＶＲ３の可動子は図示最上位置にあり、操作ハンドルの回転角が大きくなるに従ってポテンショメータＶＲ３の可動子は図示最下位置に向かって移動する。このポテンショメータＶＲ３の可動子の位置に応じて、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は例えば２０Ｖ〜２４Ｖの間で変化する。
【００２６】
また、電圧調整装置３６の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２は業者により調整されるものであり、これらの可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２を調整することにより、前述したポテンショメータＶＲ３の可動子から比較器３４の負側入力（−）に供給される電圧の範囲を変更することができる。これにより、操作ハンドルの回動により変更される駆動電圧ライン３１の電圧（発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧）の範囲を変更することができる。これは、発射ソレノイド２９の種類によって駆動電圧を可変にできるようにするためである。これらの可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２が本発明の第２電圧調整器に対応する。
【００２７】
また、アンドゲート回路３３の他方の入力端子には、比較器３７の出力端子も接続されている。比較器３７の正側入力（＋）には、比較器３４の正側入力（＋）と同じ基準電圧発生回路３５からの比較電圧Vcpが供給されている。比較器３７の負側入力（−）には、保護電圧発生器３８からの保護電圧Vsfが供給されている。保護電圧発生器３８は、駆動電圧ライン３１と接地間に接続された抵抗Ｒ７，Ｒ８の直列回路からなり、抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点の電圧が保護電圧Vsfとして比較器３７の負側入力（−）に供給されている。また、この場合も、保護電圧Vsfの比較器３７への供給路と接地間にはコンデンサＣ４が接続さている。なお、これらの抵抗Ｒ７，Ｒ８は固定抵抗であってもよいし、出力電圧を変更できるように可変抵抗であってもよい。
【００２８】
そして、この場合も、比較電圧Vcpが保護電圧Vsfよりも大きいときに、比較器３７はハイレベルの信号を出力してアンドゲート回路３３をオンする。一方、比較電圧Vcpが保護電圧Vsfよりも小さいときには、比較器３７はローレベルの信号を出力してアンドゲート回路３３をオフする。また、比較器３４及び比較器３７のうちの一方の出力信号がローレベルになれば、他方の出力信号がハイレベルであっても、アンドゲート回路３３にはローレベルの信号が入力されることになる。すなわち、比較器３４及び比較器３７の出力にあっては、ローレベルの出力信号が優先されることになる。この場合、保護電圧Vsfは、フィードバック電圧Vfdが取り得る最小値、すなわち操作ハンドルを最大に回転した場合のフィードバック電圧Vfdよりも小さな値であるが、それらの差は僅かである。具体的には、フィードバック電圧Ｖfdで設定される駆動電圧の最大値よりも数ボルト高く、かつ回路構成部品の耐圧よりも若干低い電圧（例えば、４０Ｖ）になるように、保護電圧Ｖsfがフィードバックされている。したがって、電圧調整装置３６が正常であれば、比較器３７の出力信号がローレベルになるときには、比較器３４の出力信号は必ずローレベルであり、この保護電圧発生器３８及び比較器３７は実質的には機能しない。
【００２９】
しかしながら、電圧調整装置３６、比較器３４などの異常によって比較器３４の負側入力（−）の入力電圧が極めて低くなった場合（例えば、比較器３４の負側入力（−）が接地された場合）には、比較器３４は極めて長時間又は常にハイレベルの信号を出力することになる。この場合、アンドゲート回路３３は、極めて長時間又は常に、パルス列信号発生回路３２からのパルス列信号を昇降圧回路２６のパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａに供給し、昇降圧回路２６は昇圧動作を極めて長時間又は常に行うので、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧が極めて高くなる。しかしながら、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧すなわち駆動電圧ライン３１の電圧がある程度高くなると、比較器３７は、ローレベルの信号をアンドゲート回路３３に供給してアンドゲート回路３３をオフする。なお、このアンドゲート回路３３をオフする駆動電圧ライン３１の電圧（発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧）は、ポテンショメータＶＲ３及び可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２によって昇圧される発射電力充電用コンデンサ２７に端子電圧の最大値よりも高い所定の電圧値である。
【００３０】
したがって、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は極めて高くなることはなく、例えば４０Ｖ程度以下に抑えられる。そして、これらの保護電圧発生装置３８及び比較器３７が、本発明の過剰昇圧防止回路を構成する。なお、電圧調整装置３６内の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２、ポテンショメータＶＲ３及び固定抵抗Ｒ６、並び保護電圧発生器３８内の抵抗値Ｒ７、Ｒ８は比較的大きな値に設定されており、発射電力充電用コンデンサ２７に蓄積された電荷が、これらの抵抗ＶＲ１〜ＶＲ３，Ｒ６〜Ｒ８を介して急速に放電されることはない。
【００３１】
さらに、比較器３４，３７の出力端子は、ＮＰＮトランジスタＴｒ２及び抵抗Ｒ９，Ｒ１０からなるスイッチング回路４４を介して接地されている。ＮＰＮトランジスタＴｒ２のコレクタは比較器３４，３７の出力に接続され、ＮＰＮトランジスタＴｒ２のエミッタは接地されている。ＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースには、抵抗Ｒ９を介して発射タイミング信号発生回路４０からの発射制御パルスが供給されるようになっている。また、ＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースは、抵抗Ｒ１０を介して接地されている。したがって、発射タイミング信号発生回路４０から発射制御パルスにより発射ソレノイド２９が通電制御されるのと同時に、ＮＰＮトランジスタＴｒ２はオンする。この場合も、前記比較器３４，３７の場合と同様に接地（ローレベル）が優先されるので、アンドゲート回路３３の他方の入力も同時にローレベルになり、このタイミングでは昇降圧回路２６のパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａにパルス列信号発生回路３２からのパルス列信号が供給されずに、昇降圧回路２６は昇圧動作をしない。これは、発射ソレノイド２９が通電制御される状態では、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧を昇圧制御によって不安定にすることなく、安定させるためである。
【００３２】
次に、上記のように構成した実施形態の作動を説明する。交流電源１０に発射制御装置を接続した後、電源スイッチ２１をオンすると、全波整流回路２２によって全波整流されて直流電力がコンデンサ２３に蓄積される。そして、制御用電源回路１１にも正側電源ライン２４を介して直流電力が供給され、制御用電源回路１１は制御用の電源電圧Ｖｃｃを各種回路に供給し始める。
【００３３】
この状態では、基準電圧発生回路３５から比較電圧Ｖcpが比較器３４の正側入力（＋）に供給され、比較器３４の負側入力（−）には電圧調整装置３６からフィードバック電圧Ｖfdが供給されている。このフィードバック電圧Ｖfdは、発射電力充電用コンデンサ２７から駆動電圧ライン３１を介して供給された発射ソレノイド２９の駆動電圧を電圧調整装置３６で分圧したものである。いま、遊戯者により操作ハンドルが操作されていなければ、電圧調整装置３６のポテンショメータＶＲ３の可動子は図示高い側の位置にあり、フィードバック電圧Ｖfdが比較的高い電圧に設定されている。この状態では、比較電圧Ｖcpがフィードバック電圧Ｖfdよりも高い状態では、比較器３４はハイレベル信号を出力し、パルス列信号発生回路３２から出力されたパルス列信号がアンドゲート回路３３を介して昇降圧回路２６に供給され、昇降圧回路２６のパワーＭＯＳＦＥＴ２８ａを繰り返しオンオフ制御する。このパワーＭＯＳＦＥＴ２８ａの繰り返しオンオフ制御により、昇降圧回路２６は入力電圧を昇圧して発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧を上昇させる。この上昇された端子電圧は、駆動電圧ライン３１を介して電圧調整装置３６に供給され、比較器３４の負側入力（−）に供給されるフィードバック電圧Ｖfdは上昇する。そして、フィードバック電圧Ｖfdが比較電圧Ｖcpよりも大きくなると、比較器３４はローレベル信号を出力する。これにより、アンドゲート回路３３はオフ制御されるので、昇降圧回路２６は昇圧動作を停止する。
【００３４】
この状態で、電圧調整装置３６の抵抗ＶＲ１〜ＶＲ３，Ｒ６及び保護電圧発生器３８の抵抗Ｒ７，Ｒ８などを介した僅かな放電により、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧が低下して、電圧調整装置３６を介して比較器３４の負側入力（−）に供給される電圧が比較電圧Ｖcpよりも低下すると、比較器３４はふたたびハイレベル信号をアンドゲート回路３３に供給する。これにより、昇降圧回路２６が昇圧動作をふたたび実行し始めるので、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は、フィードバック電圧Ｖfdと比較電圧Ｖcpが一致する所定の電圧（例えば、ＤＣ２０Ｖ）に保たれる。なお、この場合のフィードバック電圧Ｖfdは保護電圧発生器３８からの保護電圧Ｖsfよりも大きく、比較器３４，３７の出力はローレベル優先であるので、保護電圧発生器３８及び比較器３７は機能しない。また、この状態では、発射タイミング信号発生回路４０も、発射制御パルスを出力しないので、スイッチング回路４４はオフ状態に保たれている。
【００３５】
この状態で、遊戯者が操作ハンドルを回動させると、スイッチ４１はオンして、発射タイミング信号発生回路４０は、図２（ａ）に示すように、所定タイミングの発射制御パルスを出力し始める。また、この場合、発射タイミング信号発生回路４０は、前記発射制御パルスとは異なる位相の球送り制御パルスを球送りソレノイド駆動回路４２に供給する。そして、球送りソレノイド駆動回路４２は、球送りソレノイド４３を前記球送り制御パルスに従って通電するので、パチンコ球発射装置内に順次パチンコ球がセットされる。したがって、発射タイミング信号発生回路４０が発射制御パルスを発射ソレノイド駆動回路２８に出力するごとに、発射ソレノイド駆動回路２８は発射ソレノイド２９を通電制御してパチンコ球を弾き出す。また、発射タイミング信号発生回路４０は、前記発射制御パルスをスイッチング回路４４のＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースにも供給する。これにより、発射制御パルスが出力されている間、ＮＰＮトランジスタＴｒ２はオンしてアンドゲート回路３３をオフ状態に保つ。その結果、この状態では、昇降圧回路２６が昇圧動作を行うことなく、発射ソレノイド２９への通電量が安定するので、パチンコ球は安定した力で弾き出される。
【００３６】
前述した発射ソレノイド２９への通電により、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は、図２（ｄ）に示すように急激に降下する。この発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧の降下は駆動電圧ライン３１を介して電圧調整装置３６に伝達され、電圧調整装置３６に印加される電圧も降下する。これにより、電圧調整装置３６のポテンショメータＶＲ３から出力されるフィードバック電圧Ｖfdが基準電圧発生回路３５から出力される比較電圧Ｖcpよりも低くなり、比較器３４は、図２（ｂ）に示すように、ハイレベル信号を出力し始める。したがって、アンドゲート回路３３がオンして、パルス列信号発生回路３２からのパルス列信号が昇降圧回路２６のパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａに供給されて、パワーＭＯＳＦＥＴ２６ａを繰り返しオンオフ制御する（図２（ｃ）参照）。その結果、昇降圧回路２６は昇圧動作を開始し、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は、図２（ｄ）に示すように上昇し始める。
【００３７】
この上昇された端子電圧は、駆動電圧ライン３１を介して電圧調整装置３６に供給され、比較器３４の負側入力（−）に供給されるフィードバック電圧Ｖfdは上昇する。そして、フィードバック電圧Ｖfdが比較電圧Ｖcpよりも大きくなると、比較器３４はローレベル信号を出力する。これにより、アンドゲート回路３３はオフ制御されるので、昇降圧回路２６は昇圧動作を停止する（図２（ｂ）〜（ｄ）参照）。この場合、電圧調整装置３６内のポテンショメータＶＲ３の可動子の位置は、遊戯者の操作ハンドルの回転位置が大きくなるに従って図示下側に位置する。すなわち、遊戯者の操作ハンドルの回転位置が大きくなるに従って、駆動電圧ライン３１を介して供給される発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧が同じであっても、ポテンショメータＶＲ３の可動子から出力されるフィードバック電圧Ｖfdは小さくなる。一方、比較器３４は、比較電圧Ｖcpがフィードバック電圧Ｖfdよりも大きい間、アンドゲート回路３３をオンして昇降圧回路２６による昇圧動作を許容し、比較電圧Ｖcpがフィードバック電圧Ｖfdよりも小さくなるとアンドゲート回路３３をオフして昇降圧回路２６による昇圧動作を停止させるので、ポテンショメータＶＲ３の可動子の位置が図示下側にあるほど、すなわち操作ハンドルの回転角が大きいほど、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は高圧に制御され、パチンコ球は発射ソレノイド２９によって大きな力で弾き出される。
【００３８】
このように、遊戯者による操作ハンドルの回転位置に応じてポテンショメータＶＲ３の可動子の位置を変更すると、フィードバック電圧Ｖfdの大きさが所定の範囲で可変制御される。これにより、発射電力充電用コンデンサ２７の充電端子電圧が所定範囲で可変制御され、遊戯者は操作ハンドルの回転操作によりパチンコ球の弾き出し力を調整することができる。
【００３９】
一方、電圧調整装置３６内の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を可変制御することにより、駆動電圧ライン３１から供給される駆動電圧（発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧）に対して、電圧調整装置３６のポテンショメータＶＲ３から出力されるフィードバック電圧Ｖfdを変更することも可能である。具体的には、駆動電圧ライン３１から供給される駆動電圧が一定であっても、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値を大きくする（又は可変抵抗ＶＲ２の抵抗値を小さくする）に従ってフィードバック電圧Ｖfdは小さくなる、すなわちフィードバック電圧ＶfdはポテンショメータＶＲ３の変更に応じて低い電圧の範囲内で変化するようになる。一方、比較器３４は、比較電圧Ｖcpがフィードバック電圧Ｖfdよりも大きい状態で、アンドゲート回路３３をオン制御して昇降圧回路２６を昇圧動作させる。したがって、この場合には、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は高い側に設定制御されることになる。
【００４０】
逆に、駆動電圧ライン３１から供給される駆動電圧が一定であっても、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値を小さくする（又は可変抵抗ＶＲ２の抵抗値を大きくする）に従ってフィードバック電圧Ｖfdは大きくなる、すなわちフィードバック電圧ＶfdはポテンショメータＶＲ３の変更に応じて高い電圧の範囲内で変化するようになる。そして、この場合も、比較器３４は、比較電圧Ｖcpがフィードバック電圧Ｖfdよりも大きい状態で、アンドゲート回路３３をオン制御して昇降圧回路２６を昇圧動作させる。したがって、この場合には、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は低い側に設定制御されることになる。この可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２による発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧の昇降圧制御は、種類の異なる発射ソレノイド２９に対して、同一のパチンコ球の弾き出し力を実現する。その結果、パチンコ機の設定者が、発射ソレノイド２９の種類に応じて電圧調整装置３６内の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を操作して発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧、すなわち昇降圧回路２６の昇降圧の程度を調整しておけば、種々の発射ソレノイド２９に対して本実施形態に係る発射制御装置を適用することができる。
【００４１】
また、上記のように構成した発射制御装置においては、比較器３７及び保護電圧発生器３８が設けられている。そして、保護電圧発生器３８は、この発射制御装置を保護するために、フィードバック電圧Vfdが取り得る最小値よりも小さな保護電圧Vsfを比較器３７の負側入力（−）に供給している。すなわち、電圧調整装置３６、比較器３４などの異常によって比較器３４の負側入力（−）の入力電圧が極めて低くなった場合（例えば、比較器３４の負側入力（−）が接地された場合）には、比較器３４は極めて長時間又は常にハイレベルの信号を出力することになる。この場合、アンドゲート回路３３は、極めて長時間又は常に、パルス列信号発生回路３２からのパルス列信号を昇降圧回路２６のパワーＭＯＳＦＥＴ２６ａに供給し、昇降圧回路２６は昇圧動作を極めて長時間又は常に行うので、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧が極めて高くなる。
【００４２】
しかしながら、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧すなわち駆動電圧ライン３１の電圧がある程度高くなると、比較器３７は、ローレベルの信号をアンドゲート回路３３に供給してアンドゲート回路３３をオフする。したがって、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧が極めて高くなることを防止できる。なお、この保護電圧発生器３８は、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧すなわち駆動電圧ライン３１の電圧が極めて高くなることを防止するのみで、比較器３４のローレベル出力によるアンドゲート回路３３をオフ制御及びスイッチング回路４４のオンによるアンドゲート回路３３をオフ制御を禁止するものではない。したがって、この保護電圧発生器３８による保護が、この発射制御装置の通常の作動に影響を及ぼすことはない。
【００４３】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変形も可能である。
【００４４】
上記実施形態においては、電圧調整装置３６から出力されてポテンショメータＶＲ３によるフィードバック電圧Ｖfdの範囲を変えて発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧の範囲を変えるために、２つの可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を用いるようにした。しかし、これに代えて、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２の一方を固定抵抗にしてもよいし、比較電圧Ｖcpの大きさにもよるが、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２の一方を省略してもよい。また、固定抵抗Ｒ６を省略してもよい。
【００４５】
上記実施形態においては、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧を駆動電圧ライン３１を介して電圧調整装置３６に導いて、電圧調整装置３６内にて、ポテンショメータＶＲ３による操作ハンドルの回転位置に応じた電圧調整と、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２による電圧範囲の調整を行うようにした。しかし、これらの電圧調整及び電圧範囲の調整を、比較器３４にてフィードバック電圧Ｖfdと比較される比較電圧Ｖcp側で行ったり、電圧調整装置３６から出力されるフィードバック電圧Ｖfd側と比較電圧Ｖcp側との組み合わせで行ったりしてもよい。
【００４６】
例えば、図３に示すように、基準電圧発生回路３５の出力をそれぞれ直列に接続した可変抵抗ＶＲ２１、ポテンショメータＶＲ２２及び可変抵抗ＶＲ２３を介して接地する。そして、ポテンショメータＶＲ２２の可動子から出力される電圧を比較器３４の正側入力（＋）に導く。一方、駆動電圧ライン３１を介して供給される電圧を、固定抵抗Ｒ２１，Ｒ２２で分圧して比較器３４の負側入力（−）に導く。この場合、ポテンショメータＶＲ２２が、操作ハンドルの回転角に応じて変化する上記実施形態のポテンショメータＶＲ３に対応する。そして、可変抵抗ＶＲ２１，ＶＲ２３が上記実施形態の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２に対応する。比較器３４は、上記実施形態と同様に、正側入力（＋）の電圧が負側入力（−）の電圧よりも高いときに昇降圧回路２６に昇圧動作を実行させて、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧（駆動電圧ライン３１上の電圧）を高くする側に制御する。
【００４７】
したがって、この場合には、ポテンショメータＶＲ２２の可動子が図示上方に移動するに従って、比較器３４の正側入力（＋）に供給される電圧が高くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧も高くなる。そのために、操作ハンドルの回転角が大きくなるに従って、ポテンショメータＶＲ２２の可動子は図示下方から上方へ移動するようにする。また、可変抵抗ＶＲ２１の抵抗値を小さく（又は可変抵抗ＶＲ２３の抵抗値を大きく）するに従って、比較器３４の正側入力（＋）に供給される電圧は高くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧も高い電圧範囲で変化するように設定される。逆に、可変抵抗ＶＲ２１の抵抗値を大きく（又は可変抵抗ＶＲ２３の抵抗値を小さく）するに従って、比較器３４の正側入力（＋）に供給される電圧は低くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧も低い電圧範囲で変化するように設定される。なお、この場合も、可変抵抗ＶＲ２１，ＶＲ２３の一方を固定抵抗に変更してもよい。
【００４８】
また、図４に示すように、基準電圧発生回路３５の出力をそれぞれ直列に接続した固定抵抗Ｒ３１、ポテンショメータＶＲ３１及び固定抵抗Ｒ３２を介して接地する。そして、ポテンショメータＶＲ３１の可動子から出力される電圧を比較器３４の正側入力（＋）に導く。一方、駆動電圧ライン３１を介して供給される電圧を、可変抵抗Ｖ３２，ＶＲ３３で分圧して比較器３４の負側入力（−）に導く。この場合、ポテンショメータＶＲ３１が、操作ハンドルの回転角に応じて変化する上記実施形態のポテンショメータＶＲ３に対応する。そして、可変抵抗ＶＲ３２，ＶＲ３３が上記実施形態の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２に対応する。比較器３４は、この場合も、正側入力（＋）の電圧が負側入力（−）の電圧よりも高いときに昇降圧回路２６に昇圧動作を実行させて、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧（駆動電圧ライン３１上の電圧）を高くする側に制御する。
【００４９】
したがって、この場合には、ポテンショメータＶＲ３１の可動子が図示上方に移動するに従って、比較器３４の正側入力（＋）に供給される電圧が高くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧も高くなる。そのために、操作ハンドルの回転角が大きくなるに従って、ポテンショメータＶＲ３１の可動子は図示下方から上方へ移動するようにする。また、可変抵抗ＶＲ３２の抵抗値を小さく（又は可変抵抗ＶＲ３３の抵抗値を大きく）するに従って、比較器３４の負側入力（−）に供給される電圧は高くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は低い電圧範囲で変化するように設定される。逆に、可変抵抗ＶＲ３２の抵抗値を大きく（又は可変抵抗ＶＲ３３の抵抗値を小さく）するに従って、比較器３４の負側入力（−）に供給される電圧は低くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は高い電圧範囲で変化するように設定される。なお、この場合も、可変抵抗ＶＲ３２，ＶＲ３３の一方を固定抵抗に変更してもよい。
【００５０】
また、図５に示すように、基準電圧発生回路３５の出力を直列に接続した可変抵抗ＶＲ４１、ＶＲ４２で分圧して比較器３４の正側入力（＋）に導く。一方、駆動電圧ライン３１を、固定抵抗Ｒ４１、ポテンショメータＶＲ４３及び固定抵抗Ｒ４２を介して接地する。そして、ポテンショメータＶＲ４３の可動子から出力される電圧を比較器３４の負側入力（−）に導く。この場合、ポテンショメータＶＲ４３が、操作ハンドルの回転角に応じて変化する上記実施形態のポテンショメータＶＲ３に対応する。そして、可変抵抗ＶＲ４１，ＶＲ４２が上記実施形態の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２に対応する。比較器３４は、この場合も、正側入力（＋）の電圧が負側入力（−）の電圧よりも高いときに昇降圧回路２６に昇圧動作を実行させて、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧（駆動電圧ライン３１上の電圧）を高くする側に制御する。
【００５１】
したがって、この場合には、ポテンショメータＶＲ４３の可動子が図示下方に移動するに従って、比較器３４の負側入力（−）に供給される電圧が低くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は高くなる。そのために、操作ハンドルの回転角が大きくなるに従って、ポテンショメータＶＲ４３の可動子は図示上方から下方へ移動するようにする。また、可変抵抗ＶＲ４１の抵抗値を小さく（又は可変抵抗ＶＲ４２の抵抗値を大きく）するに従って、比較器３４の正側入力（＋）に供給される電圧は高くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は高い電圧範囲で変化するように設定される。逆に、可変抵抗ＶＲ４１の抵抗値を大きく（又は可変抵抗ＶＲ４２の抵抗値を小さく）するに従って、比較器３４の正側入力（＋）に供給される電圧は低くなり、発射電力充電用コンデンサ２７の端子電圧は低い電圧範囲で変化するように設定される。なお、この場合も、可変抵抗ＶＲ４１，ＶＲ４２の一方を固定抵抗に変更してもよい。
【００５２】
上記実施形態及び変形例では、操作ハンドルの回転位置に応じて電圧を調整する電圧調整器をポテンショメータＶＲ３，ＶＲ２２，ＶＲ３１，ＶＲ４３でそれぞれ構成した。しかし、これらのポテンショメータＶＲ３，ＶＲ２２，ＶＲ３１，ＶＲ４３に代えて、操作ハンドルの回転位置に応じて単に抵抗値が変化する可変抵抗器で構成してもよい。この場合、可変抵抗器のいずれ一方の端子から出力電圧を取出したり、可変抵抗に固定抵抗をそれぞれ直列に接続して接続点から出力電圧を取出したりするとよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０…交流電源、１１…制御用電源回路、２２…全波整流回路、２４…正側電源ライン、２５…接地側電源ライン、２６…昇降圧回路、２７…発射電力充電用コンデンサ、２８…発射ソレノイド駆動回路、２９…発射ソレノイド、３０…昇降圧制御回路、３１…駆動電圧ライン、３２…パルス列信号発生回路、３３…アンドゲート回路、３４，３７…比較器、３５…基準電圧発生回路、３６…電圧調整装置、３８…保護電圧発生器、４０…発射タイミング信号発生回路、４２…球送りソレノイド駆動回路、４３…球送りソレノイド、４４…スイッチング回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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