(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上部から最下部まで温度勾配を有しており、かつ第一の炉に接続されている第二の炉に、Siを含有する予備精製した二元若しくは三元の過共晶合金を当該第一の炉から移し、その後、100〜200μmの大きさの純粋シリコン結晶を当該第二の炉内の融液に加え、当該第二の炉内の融液が共晶組成になるまで温度差により結晶を成長させ、それから、融液を当該第二の炉から当該第一の炉に移し、過共晶状態へとし、その後、融液を当該第二の炉に戻し、一定量の１〜５mmの大きさのSi結晶が形成されるまでプロセスを繰り返すことを特徴とする、１〜５mmの大きさの純粋シリコン結晶の形成、分離及び溶融のための半連続プロセス。
【請求項２】
前記合金が、Al-Si合金、Zn-Si合金、又は、Al-Zn-Si合金である請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記合金が、Al-Si合金である請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
炉内で得られた１〜５mmの大きさのシリコン結晶を含有する融液を、当該融液の共晶温度よりも少し高めの温度に保った遠心分離機に移し、それから、結晶を当該遠心分離機の壁に押しつけ、Siを含有する融液をその中心に残して、当該遠心分離機からデカンテーションする請求項１乃至３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
形成されたシリコン結晶が、遠心分離又はろ過によって、前記融液から分離される請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
得られた結晶を再溶融し、太陽電池級シリコン用のインゴットに成形する請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
第一の炉と当該第一の炉に接続された第二の炉とを含む太陽電池級シリコンを製造するための装置であって、
当該装置は、シリコンを含有する二元若しくは三元の過共晶合金又は精製したシリコン融液を、当該第一の炉で形成し、当該第二の炉に移すことができるように構成され、
当該第二の炉は、炉の最上部で高い温度及び炉の最下部で低い温度という温度勾配を持つように構成され、かつ、100〜200μmの大きさの純粋シリコン結晶が供給されて、同シリコン結晶を当該融液中で成長させて大型のシリコン結晶(１〜５mm)が形成されるように構成され、そして、
当該装置は、当該第二の炉内の融液が共晶組成に到達した時に、セラミックフィルターを通して、当該第二の炉から当該第一の炉へと融液をポンプで送られるように構成される、ことを特徴とする太陽電池級シリコンを製造するための装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二元若しくは三元のSi含有過共晶合金から又は精製したシリコン融液から高純度のシリコン結晶を分離する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近数十年の間、無公害エネルギー源を低コストで利用するための新規な技術及び製品の開発は、大きな関心を引きつけてきた。太陽エネルギーは、全く公害を起こすことがなく、豊富に利用できるため、最も関心のあるエネルギー源の一つである。太陽エネルギーは、光起電力効果により電気に変換され、そのため、太陽光は、いわゆる太陽電池に吸収される。本発明の目的は、太陽電池に用いるための低コストのシリコン材料を提供することである。
【０００３】
太陽電池級シリコン（solar grade silicon）は、伝統的に、シーメンス法（Siemens process）により製造されてきた。この方法の重要な特徴は、化学蒸着（CVD）である。シーメンス法は、エネルギーを消費し、高コストのプロセスである。シーメンス法により得られる材料は、半導体等の電子技術応用に適した純度（＞11N）を有する。太陽電池材料用のシリコンは、より低い純度（＞5N）でもよいが、なおさら光起電力プロセスに用いるのに適している。ここで、Nは、材料の純度を表す9の桁数である。
【０００４】
近年、エルケム法（Elkem process）又はフェシル法（Fesil process）と呼ばれる、石英及び炭素を用いて製造する直接法（direct process）が用いられてきた。製品は、溶融シリコンで、UMG-Si（アップグレード金属級シリコン(upgraded metallurgical grade silicon)）又はSoG-Si（太陽電池級シリコン）として一般的に知られている。当該方法は、高温（＞1400℃）で操作され、そのため、多量のエネルギーを消費し、材料の選択もそのような温度では大きな課題である。
【０００５】
米国特許第4,124,410号明細書には、下側の基板粒界二次構造を複製する、受動p型多結晶（multigrained）シリコン基板上で成長したp型及びn型のエピタキシャル（epitaxial）層を含む、多結晶エピタキシャルn-on-p-on-p基板プレーナ型ダイオードが記載されている。当該シリコン基板は、液体金属溶媒中の金属級シリコンの溶液から、シリコンの板状晶（platelet）を除去し、溶融ゾーン中で酸性シリカスラグと接触させて、その部分的に精製されたシリコンの板状晶を溶融し、回転するシリコン種ロッド上の精製されたシリコンの融液から精製された金属シリコンブール（boule）を引き出すことにより製造される。当該基板は、従来の高純度の半導体級シリコンより実質的に高い不純物レベルで製造されるが、結果として得られる低コストのダイオードは、太陽電池の性能を有する。
【０００６】
国際公開第2007/112592 A1号パンフレットには、シリコンを精製する方法が記載されている。当該方法では、第一の溶融液体をシリコン及び溶媒金属から生成し、その後、この第一の溶融液体を第一のガスと接触させて、ドロス（dross）及び第二の溶融液体を生成し、それから、当該ドロス及び第二の溶融液体を分離する。その後、第二の溶融液体を冷却し、シリコン結晶及び母液を生成してから、母液から結晶を分離する。
【０００７】
したがって、太陽電池としての使用に適したシリコンを製造する全ての公知の方法は、多大なコストとエネルギーを消費する方法である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
太陽電池への適用に有用である又は直ちにそのようなシリコン材料に転換できる、精製された金属材料を提供することが、本発明の目的である。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、エネルギー消費をより少なくし、出発材料についての柔軟性をより大きくすることができる、太陽電池級シリコンの製造のための代替プロセスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
したがって、本発明は、シリコンを含有する（＞15重量％Si）溶融した二元若しくは三元の過結晶合金中又は精製したシリコン融液中で、大型（約1〜5 mm）の高純度シリコン結晶を結晶化することを含み、小型（約100〜200μm）のシリコン結晶を融液に加えて、結果として生じるシリコン結晶を遠心分離又はろ過により分離することを特徴とする、太陽電池級シリコンを製造するプロセスに関する。
【００１１】
前記合金は、Al-Si、Zn-Si又はAl-Zn-Si合金が好ましい。より好ましい合金は、Al-Si合金である。
【００１２】
本発明は、また、最上部から最下部まで温度勾配を有する炉に、Siを含有する予備精製した二元若しくは三元の過結晶合金又は精製したシリコン融液を移し、その後、小型（約100〜200μm）の純粋シリコン結晶を融液に加え、前記炉内の融液が共晶組成になるまで温度差により結晶を成長させ、それから、融液を炉から移し、過共晶状態へとし、その後前記融液を炉に戻し、一定量（＞100 kg）の大型のSi結晶が形成されるまでプロセスを繰り返すことを特徴とする、大型（約1〜5 mm）の純粋シリコン結晶の形成、分離及び溶融のための半連続プロセスにも関する。
【００１３】
好ましい実施形態において、予備精製及び融液を過共晶状態へとすることは、当該方法を使用する炉に連結する第一の炉内で行う。
【００１４】
さらに好ましい実施形態において、炉内で得られた大型のシリコン結晶を含有する融液を、前記融液の共晶温度の少し高めの温度に保った遠心分離機に移し、それから、結晶を前記遠心分離機の壁に押しつけ、Siを含有する融液をその中心に残して、前記遠心分離機からデカンテーションする。
【００１５】
本発明の実施形態は、下記する説明、及び、そのような実施形態を説明する添付図を参照することにより、最も理解されうる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】共晶温度が577℃で共晶組成がAl-12.6%Siであることを示すAl-Si相図。
【図２】溶融及びろ過を含む本発明の第一の実施形態。
【図３】遠心分離も含む本発明のさらなる実施形態。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
定義
特に明記しない限り、本明細書において用いられる以下の用語は、以下の意味を有するものとする。
【００１８】
用語「炉（furnace）」とは、例えば、誘導炉（induction furnace）等、金属産業で通常用いられる型の炉をいう。
【００１９】
用語「合金（alloy）」とは、２以上の金属元素の均一な混合物であって、その金属元素のうち少なくとも１つは金属であり、結果として生じる物質は金属の性質を有するものをいう。
【００２０】
結晶に関連して用いられる用語「大型（large）」とは、結晶の大きさが約1 mm〜約5 mmの結晶をいう。
【００２１】
結晶に関連して用いられる用語「小型（small）」とは、粒子の大きさが約1 mm〜約5 mmとは異なる結晶をいう。好ましい範囲は、3〜4 mm（約100〜200μm）であってよい。
【００２２】
用語「析出（precipitate）」とは、結晶等の固体の物質を溶液から分離させるプロセスをいう。析出としては、結晶化を挙げることができる。
【００２３】
用語「金属等級シリコン（metallurgical grade silicon）」（約99.8％）又は「太陽電池級シリコン」（＞5N、すなわち＞99.999％）とは、相対的に純粋なシリコン、すなわち少なくとも98.0重量％のシリコンを含有するものをいう。
【００２４】
発明の詳細な説明
より詳しくは、本発明は、シリコンを含有する溶融した二元若しくは三元の過結晶合金中で「大型」の高純度シリコン結晶を結晶化することに関する。例えば、二元のAl-Si又はZn-Si合金を用いてもよいし、例えば、三元のAl-Zn-Si合金を用いてもよい。又は、精製したシリコン融液を用いてもよい。簡単にするために、図１に示す二元のAl-Si合金相図に主に重点を置いて、本発明を説明する。しかしながら、本発明に係る方法は、言及する他の合金と十分に同等に作用することに留意すべきである。
【００２５】
精製したシリコン融液は、例えば、シリコン、亜鉛及び塩素を含有していてよい。好ましくは、純度が＞99.9％で、ホウ素及びリンを微量（＜1 ppmw）含む、予備精製した金属シリコンが用いられる。
【００２６】
したがって、本発明は、「小型」のシリコン結晶を添加し、その後、遠心分離によりアルミニウム−シリコン融液から「大型」の高純度シリコン結晶を分離することにより、過共晶のアルミニウム−シリコン溶融合金中又は精製したシリコン融液中で、「大型」の高純度シリコン結晶を結晶化することに関する。
【００２７】
続いて、大型の高純度シリコン結晶を、好ましくは塩酸又はブタノールを用いて、エッチングし、表面からアルミニウムを除去し、乾燥する前に蒸留水で洗浄する。この方法により製造された物質は、太陽電池の製造に適した高純度（＞5N）のシリコンである。
【００２８】
以下に、融液から大型のシリコン結晶を分離するための本発明の２つの異なる実施形態（ろ過と遠心分離）を記載する。
【００２９】
図２は、大型の純粋シリコン結晶の形成、分離及び溶融のための半連続プロセスを示す。左側の炉において、シリコンを溶解することにより、過共晶の融液、例えばAl-Si融液（＞12.6% Si）を製造する。このシリコンは、例えば、700℃を超える温度のアルミニウム融液中で、石英、Mg-Si又は切りみぞ（kerf）の形態であってよい。重い不純物（例えば、SiC）は底に沈み、軽い不純物（例えば、Al2O3、SiO2）は表面に浮上する。純粋な過共晶Al-Si合金（例えば、Al-20％Si）を、例えばセラミックフィルター（グラファイト、SiC、又はAl2O3又はSiO2）を通して、図２の右側の第二の炉に移す。
【００３０】
第二の炉は、最上部における高い温度及び最下部における低い温度での温度勾配を有する。適した温度勾配は、用いられる合金に依る。Al-Si合金に対しては、最上部の温度は好ましくは660〜680℃の範囲内で、最下部の温度は好ましくは580〜600℃である。この融液に対して最も好ましい温度は、最上部及び最下部がそれぞれ680℃及び580℃である。純粋で小型のシリコン結晶を、重力により、又は、羽根車（impeller）（グラファイト、SiC、又はAl2O3又はSiO2）の助力を受けて、融液に供給して、温度差によって、より大型のシリコン結晶へと成長させる。第二の炉内の融液が共晶組成に到達した後、融液は、大型のシリコン結晶の移送を避けるために、セラミックフィルター（グラファイト、SiC、又はAl2O3又はSiO2）を通して、第一の炉へとポンプで送り返される。このプロセスは、第二の炉内で一定の量の大型シリコン結晶が精製されるまで繰り返し、その後、すべてのAl-Si融液を第一の炉へ移す。第二の炉内で残った純粋なシリコン結晶は、1550℃超に融解し、石英のるつぼ（crucible）内でインゴットを鋳造する。続いて、石英のるつぼ内で、そのインゴットを小さい粒子に破砕し、浸出（leach）させ、洗浄し、再溶融して、太陽電池級シリコンを製造する。
【００３１】
さらなる実施形態において、700〜800 rpmで回転可能な石英（SiO2）製の遠心分離機を用いる。この実施形態によれば、大型のシリコン結晶を含有する融液は、第二の炉から遠心分離機へと移される。遠心分離機内の温度は、共晶温度577℃の少し高めの温度に保たれる。シリコン結晶をるつぼの壁へと押しつけ、Al-Si融液を装置の中心部分に残す（図３参照）。その融液は、るつぼからデカンテーションして取り出し、シリコン結晶を乾燥し、HClでエッチングして表面からアルミニウムを除去し、続いて、蒸留水（DI water）で洗浄して乾燥する。得られた純粋な結晶は、太陽産業においてある一定の適用のための太陽電池級シリコンとして販売されてもよいし、又は、再溶融し、太陽産業に太陽電池級シリコンとして販売されるインゴットとして鋳造してもよい。
【００３２】
本発明に係る方法に用いられる温度は、太陽電池級シリコンの製造に用いられる従来の方法と比較して顕著に減少させるため、コスト及びエネルギー消費も顕著に減少する。
【００３３】
上記したように、本発明に係るプロセスは、可能な出発原料についての柔軟性をより大きくすることもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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