(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケルの製造方法であって、
１００℃以上２００℃未満の溶媒中において、ニッケルイオンと還元剤と保護剤とを混合することによって第１の溶液を調製する第１の工程と、
前記第１の溶液を２００℃〜３００℃の範囲にある温度で１０〜３０分間加熱する第２の工程とを含み、
前記第１の溶液における前記ニッケルイオンの濃度が、５ｍｍｏｌ／ｌ〜２０ｍｍｏｌ／ｌの範囲にあり、
前記保護剤がポリビニルピロリドンであり、
前記第１の溶液における前記ポリビニルピロリドンの構成単位の濃度が、前記ニッケルイオンの濃度の１〜５倍の範囲にある（ただし、前記第２の工程の加熱時間が１０分間の場合は、前記ポリビニルピロリドンの構成単位の濃度が、前記ニッケルイオンの濃度の２〜３倍の範囲にある）、製造方法。
【請求項２】
前記還元剤が水素化ホウ素ナトリウムである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
第２の工程の加熱温度が２４０〜２６０℃である、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１の溶液における前記ニッケルイオンの濃度が、５ｍｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｍｏｌ／ｌの範囲にあり、
前記第１の溶液における前記ポリビニルピロリドンの構成単位の濃度が、前記ニッケルイオンの濃度の３〜５倍の範囲にあり、
前記第２の工程は、前記第１の溶液を２００℃〜３００℃の範囲にある温度で２０分間加熱する工程である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程は、塩化ニッケルとポリビニルピロリドンとが溶解された１６０℃のトリエチレングリコール溶液に水素化ホウ素ナトリウムを加えることによって前記第１の溶液を調製する工程であり、
前記第２の工程は、前記第１の溶液を２５０℃で２０分間加熱する工程であり、
前記第１の溶液における前記塩化ニッケルの濃度が、６．４３ｍｍｏｌ／ｌであり、
前記第１の溶液における前記ポリビニルピロリドンの構成単位の濃度が、前記塩化ニッケルの濃度の３〜５倍の範囲にある、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
六方最密充填構造を有し、長さが１００ｎｍ以上である、ファイバー状ニッケル。
【請求項７】
最大径が１００ｎｍ以下である、請求項６に記載のファイバー状ニッケル。
【請求項８】
径が０．５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、請求項６に記載のファイバー状ニッケル。
【請求項９】
水素を吸蔵することによって結晶構造が面心立方構造に変化する、請求項６に記載のファイバー状ニッケル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファイバー状ニッケルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ワイヤー状やロッド状の金属粒子を製造する方法が開示されている（たとえば特開２００７−２８４７１４号公報および特開２００８−１７９８３６号公報）。特開２００７−２８４７１４号公報には、ニッケルナノロッドの製造方法が開示されている。特開２００７−２８４７１４号公報には、界面活性剤、環状炭化水素および還元剤を含有し、ｐＨが７〜１０の範囲にある水溶液に、ニッケルイオンを含む水溶液を添加することによって、面心立方構造（ｆｃｃ構造）を有するニッケルナノロッドが得られることが記載されている。特開２００８−１７９８３６号公報には、多価アルコール系化合物を還元剤としてワイヤー状の銀粒子を製造した実施例が開示されている。【０００３】
一方で、粒子状のニッケルを製造した例が開示されている（Journal of Colloid and Interface Science, 311, p461-468, 2007年）。この文献には、塩化ニッケル（II）６水和物を還元することによって、面心立方構造（ｆｃｃ構造）を有するニッケルが生成したことが記載されている。また、六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）を有する粒子状のニッケルについても開示されている（特開２００４−３５３０８９号公報および特開２００６−４５６４８号公報）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８４７１４号公報
【特許文献２】特開２００８−１７９８３６号公報
【特許文献３】特開２００４−３５３０８９号公報
【特許文献４】特開２００６−４５６４８号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Journal of Colloid and Interface Science, 311, p461-468, 2007年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来から、六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケル、およびその製造方法については知られていなかった。【０００７】
このような状況において、本発明は、六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケルおよびその製造方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、検討した結果、本発明者らは、六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケルを製造する方法を初めて見出した。本発明は、この新規な知見に基づく。【０００９】
すなわち、本発明の製造方法は、六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケルの製造方法であって、溶媒中において、ニッケルイオンと還元剤と保護剤とを混合することによって第１の溶液を調製する第１の工程と、前記第１の溶液を２００℃以上の温度で加熱する第２の工程とを含み、前記第１の溶液における前記ニッケルイオンの濃度が、５ｍｍｏｌ／ｌ〜２０ｍｍｏｌ／ｌの範囲にある。この製造方法によって、六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケルが得られる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、従来においては得ることができなかった六方最密充填構造を有するファイバー状ニッケルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施例で作製したサンプル１の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図２】図２は、実施例で作製したサンプル２の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図３】図３は、実施例で作製したサンプル３の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図４】図４は、実施例で作製したサンプル４の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図５】図５は、実施例で作製したサンプル５の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図６】図６は、実施例で作製したサンプル６の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図７】図７は、実施例で作製したサンプル７の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図８】図８は、実施例で作製したサンプル８の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図９】図９は、実施例で作製したサンプル９の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図１０】図１０は、実施例で作製したサンプル１０の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図１１】図１１は、実施例で作製したサンプル１１の沈殿の電子顕微鏡像を示す。
【図１２】図１２Ａは、サンプル８のＥＤＳ測定の測定位置を示し、図１２Ｂはその測定結果を示す。
【図１３】図１３は、サンプル１、８および１０について、Ｘ線回折測定の結果を示す。
【図１４】図１４は、水素ガスによる処理の前後におけるサンプル８のＸ線回折測定の結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態について、例を挙げて以下に説明する。しかし、本発明は、以下の実施形態および実施例に限定されない。以下の説明では、特定の数値や特定の材料を例示する場合があるが、本発明の効果が得られる限り、他の数値や他の材料を適用してもよい。
【００１３】
［ファイバー状ニッケルの製造方法］
本発明の製造方法は、六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）を有するファイバー状ニッケルの製造方法である。この製造方法は、以下の第１および第２の工程を含む。
【００１４】
第１の工程では、溶媒中において、ニッケルイオンと還元剤と保護剤とを混合することによって第１の溶液を調製する。第１の溶液におけるニッケルイオンの濃度は、５ｍｍｏｌ／ｌ〜２０ｍｍｏｌ／ｌの範囲（たとえば５ｍｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｍｏｌ／ｌの範囲）にある。溶媒の一例は、トリエチレングリコールである。第１の工程において、溶媒（第１の溶液）の温度に特に限定はなく、１００℃以上２００℃未満であってもよい。
【００１５】
第２の工程では、第１の溶液を２００℃以上の温度（たとえば２００〜３００℃の範囲や２５０〜３００℃の範囲や２４０〜２６０℃の範囲にある温度）で加熱する。加熱時間は好ましくは１０分間以上であり、たとえば１０〜３０分間である。第２の工程によって、ファイバー状ニッケルを得ることが可能である。
【００１６】
第１の工程で用いられる還元剤は、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ4）であってもよい。第１の溶液における水素化ホウ素ナトリウムの濃度は、ニッケルイオンの濃度の５〜６０倍の範囲（たとえば５〜３０倍の範囲）にあってもよい。
【００１７】
第１の工程で用いられる保護剤は、ポリビニルピロリドンであってもよい。以下、ポリビニルピロリドン（すなわち、ポリ（Ｎ−ビニル−２−ピロリドン））を「ＰＶＰ」という場合がある。
【００１８】
上記製造方法では、第１の溶液における前記ニッケルイオンの濃度が、５ｍｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｍｏｌ／ｌの範囲にあり、第１の溶液におけるポリビニルピロリドンの構成単位（Ｎ−ビニル−２−ピロリドン由来の単位）の濃度が、ニッケルイオンの濃度の３〜５倍の範囲にあってもよい。そして、第２の工程は、第１の溶液を２００℃〜３００℃の範囲（たとえば２５０〜３００℃の範囲や２４０〜２６０℃の範囲）にある温度で２０分間加熱する工程であってもよい。
【００１９】
本発明の好ましい一例について説明する。この好ましい一例の第１の工程では、溶媒中において、ニッケルイオンと水素化ホウ素ナトリウムとポリビニルピロリドンとを混合することによって第１の溶液を調製する。溶媒の一例は、トリエチレングリコールである。第１の溶液におけるニッケルイオンの濃度は、５ｍｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｍｏｌ／ｌの範囲にある。第１の溶液におけるポリビニルピロリドンの構成単位の濃度は、ニッケルイオンの濃度の３〜５倍の範囲にある。第１の溶液における水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ4）の濃度は、たとえば、ニッケルイオンの濃度の５〜３０倍の範囲にある。ニッケルイオンは、塩化ニッケルなどのニッケルの塩を溶媒に溶解させることによって、供給できる。第１の工程において、溶媒（第１の溶液）の温度は、１００℃以上２００℃未満であってもよい。第１の工程の典型的な一例では、ニッケルイオンとポリビニルピロリドンとを含むトリエチレングリコール溶液に水素化ホウ素ナトリウムを加えることによって第１の溶液が調製される。
【００２０】
好ましい一例の第２の工程では、第１の工程で得られた溶液を、２００〜３００℃の範囲（たとえば２５０〜３００℃の範囲や２４０〜２６０℃の範囲）にある温度で１０分〜３０分加熱する。第２の工程によって、ファイバー状ニッケルを得ることができる。
【００２１】
上記製造方法において、第１の工程が以下の工程（ｉ）であり、第２の工程が以下の工程（ii）であってもよい。すなわち、本発明の製造方法は、以下の工程（ｉ）および（ii）を含む方法であってもよい。工程（ｉ）では、塩化ニッケルとポリビニルピロリドンとが溶解された１６０℃のトリエチレングリコール溶液に水素化ホウ素ナトリウムを加えることによって第１の溶液を調製する。
【００２２】
工程（ｉ）の第１の溶液における塩化ニッケルの濃度は、６．４３ｍｍｏｌ／ｌである。工程（ｉ）の第１の溶液におけるＰＶＰの構成単位（Ｎ−ビニル−２−ピロリドン由来の単位）の濃度は、塩化ニッケルの濃度の３〜５倍の範囲（１９．２９ｍｍｏｌ／ｌ〜３２．１４ｍｍｏｌ／ｌ）にある。工程（ｉ）の第１の溶液における水素化ホウ素ナトリウムの濃度は、６４．３ｍｍｏｌ／ｌである。
【００２３】
工程（ii）では、第１の溶液を２５０℃で２０分間加熱する。工程（ii）によって、第１の溶液中に、ファイバー状のニッケルが生成する。
【００２４】
工程（ｉ）は、以下の工程（ｉ−ａ）および（ｉ−ｂ）を含んでもよい。まず、工程（ｉ−ａ）では、塩化ニッケルとポリビニルピロリドンとが溶解されたトリエチレングリコール溶液（Ａ）を調製する。トリエチレングリコール溶液（Ａ）における塩化ニッケルの濃度は、１１．２５ｍｍｏｌ／ｌである。トリエチレングリコール溶液（Ａ）におけるＰＶＰの構成単位の濃度は、塩化ニッケルの濃度の３〜５倍の範囲（３３．７５ｍｍｏｌ／ｌ〜５６．２５ｍｍｏｌ／ｌ）にある。
【００２５】
工程（ｉ−ｂ）では、所定の温度（たとえば１６０℃）に加熱されたトリエチレングリコール溶液（Ａ）に、水素化ホウ素ナトリウムを含むトリエチレングリコール溶液（Ｂ）を添加することによって、第１の溶液を調製する。トリエチレングリコール溶液（Ｂ）中の水素化ホウ素ナトリウムの濃度は、１１２．５ｍｍｏｌ／ｌである。トリエチレングリコール溶液（Ａ）とトリエチレングリコール溶液（Ｂ）とは、体積比で、［トリエチレングリコール溶液（Ａ）中のトリエチレングリコールの量］：［トリエチレングリコール溶液（Ｂ）中のトリエチレングリコールの量」＝４：３となるように混合する。
【００２６】
なお、上記工程（ｉ）および（ii）の条件に近い条件でも、ファイバー状ニッケルを製造することが可能である。たとえば、以下の工程（Ｉ）および（II）を含む製造方法によっても、ファイバー状ニッケルを製造することが可能である。
【００２７】
工程（Ｉ）では、溶媒中において、ニッケルイオンと還元剤と、必要に応じて保護剤とを混合する。保護剤にＰＶＰを用いる場合には、溶媒中のＰＶＰの構成単位のモル数Ａは、溶媒中のニッケルイオンのモル数Ｂの１倍〜５倍の範囲とする。溶媒の例には、トリエチレングリコールが含まれる。還元剤の例には、ＮａＢＨ4が含まれる。第１の溶液におけるニッケルイオンの濃度は、たとえば１ｍｍｏｌ／ｌ〜２０ｍｍｏｌ／ｌの範囲（たとえば１ｍｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｍｏｌ／ｌの範囲や５ｍｍｏｌ／ｌ〜２０ｍｍｏｌ／ｌの範囲や５ｍｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｍｏｌ／ｌの範囲）にある。第１の溶液におけるＰＶＰの構成単位の濃度は、ニッケルイオンの濃度の１〜５倍の範囲にある。第１の溶液における水素化ホウ素ナトリウムの濃度は、ニッケルイオンの濃度の５〜６０倍の範囲（たとえば５〜３０倍の範囲）にある。ニッケルイオンは、塩化ニッケルなどのニッケルの塩を溶媒に溶解させることによって、供給できる。
【００２８】
工程（II）では、工程（Ｉ）で得られた溶液を、２００℃〜３００℃の範囲にある温度で１０分〜３０分加熱する。工程（II）によって、ファイバー状ニッケルを得ることが可能である。
【００２９】
なお、工程（ii）の条件は同じで工程（ｉ）における第１の溶液の調製条件を変更することによって、六方最密充填構造を有する粒子状のニッケルを作製することも可能である。たとえば、第１の溶液における塩化ニッケルの濃度を２．１４ｍｍｏｌ／ｌとし、ＰＶＰの構成単位の濃度を塩化ニッケルの濃度の３倍とし、水素化ホウ素ナトリウムの濃度を塩化ニッケルの濃度の１０倍とすることによって、六方最密充填構造を有する粒子状のニッケルが得られる。作製される粒子状ニッケルの粒径は、１００ｎｍ以下であってもよく、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲にあってもよい。
【００３０】
［ファイバー状ニッケル］
本発明の製造方法によって得られるファイバー状ニッケルは、六方最密充填構造（ｈｃｐ）構造を有する。ファイバー状ニッケルの最大径は、１００ｎｍ以下であってもよく、２５ｎｍ以下や２０ｎｍ以下や１０ｎｍ以下（たとえば０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下）であってもよい。一例では、ファイバー状ニッケルの径は、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲（たとえば２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲）にある。ファイバー状ニッケルの長さに限定はなく、たとえば３０ｎｍ〜０．２μｍの範囲にあってもよく、その範囲以上の長さであってもよく、１μｍ以下や１０μｍ以下や１ｍｍ以下であってもよい。一例では、ファイバー状ニッケルは、径が２５ｎｍ以下（たとえば０．５ｎｍ以上２５ｎｍ以下）で長さが５０ｎｍ以上（たとえば１００ｎｍ以上１０μｍ以下）であってもよい。ファイバー状ニッケルの径および長さは、ファイバー状ニッケルの電子顕微鏡像から見積もることができる。
【００３１】
本発明のファイバー状ニッケルは、径が０．５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、長さが１００ｎｍ以上であってもよい。長さは１ｍｍ以下（たとえば１００μｍ以下や１０μｍ以下）であってもよい。また、本発明のファイバー状ニッケルは、長さが径の２０倍以上であってもよい。
【００３２】
本発明のファイバー状ニッケルは、水素を吸蔵することによって結晶構造が面心立方構造に変化してもよい。結晶構造が六方最密充填構造から面心立方構造に変化するに伴って、ファイバー状ニッケルの磁性が常磁性から強磁性に変化する。本発明のファイバー状ニッケルは、水素吸蔵材料として利用することが可能である。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。以下の方法で、１１種類のサンプルを作製した。【００３４】
［サンプル１］
まず、トリエチレングリコール４０ｍｌに、ＰＶＰと０．１５ｍｍｏｌの塩化ニッケル（II）６水和物（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）とを加えることによって、トリエチレングリコール溶液（Ａ）を調製した。加えたＰＶＰの構成単位のモル数は、０．４５ｍｍｏｌとした。したがって、トリエチレングリコール溶液中において、ＰＶＰの構成単位のモル数ａと塩化ニッケルのモル数ｂとの比ａ／ｂは、３である。ＰＶＰは、和光純薬工業株式会社製の重量平均分子量ＭＷが４００００のものを用いた。【００３５】
次に、上記トリエチレングリコール溶液を１６０℃に加熱した。次に、加熱したトリエチレングリコール溶液に、１．５ｍｍｏｌの水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ4）を含むトリエチレングリコール３０ｍｌを一気に加えて第１の溶液を調製した。【００３６】
次に、第１の溶液を撹拌しながら、２５０℃まで加熱した。昇温速度は約２５℃／分とした。第１の溶液の温度が２５０℃まで昇温されたのちは、第１の溶液の温度を２５０℃に維持したままで２０分間撹拌を続けた。一連の工程によって、第１の溶液中には沈殿が生じた。この沈殿を、透過型電子顕微鏡で観察した。【００３７】
［サンプル２〜１１］
まず、トリエチレングリコール４０ｍｌに、ＰＶＰと０．４５ｍｍｏｌの塩化ニッケル６水和物（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）とを加えることによって、トリエチレングリコール溶液（Ａ）を調製した。このとき、加えたＰＶＰの構成単位のモル数ａを０．４５ｍｍｏｌ／ｌ〜４．５ｍｍｏｌ／ｌの範囲で変化させた。すなわち、ＰＶＰの構成単位のモル数ａと塩化ニッケル６水和物のモル数ｂとの比ａ／ｂを、１〜１０の範囲で変化させた。【００３８】
次に、上記トリエチレングリコール溶液を１６０℃に加熱した。次に、加熱したトリエチレングリコール溶液に、４．５ｍｍｏｌの水素化ホウ素ナトリウムを含むトリエチレングリコール３０ｍｌを一気に加えて第１の溶液を調製した。【００３９】
次に、第１の溶液を撹拌しながら、２５０℃まで加熱した。昇温速度は約２５℃／分とした。第１の溶液の温度が２５０℃まで昇温されたのちは、第１の溶液の温度を２５０℃に維持したままで撹拌を続けた。第１の溶液の温度を２５０℃に維持する時間（以下、「加熱時間」という場合がある）は、２０秒〜３時間の範囲で変化させた。所定の加熱時間の後に、加熱を終了した。一連の工程によって、第１の溶液中には沈殿が生じた。この沈殿を、透過型型電子顕微鏡で観察した。１１種類のサンプルの作製条件に関して、第１の溶液（トリエチレングリコール７０ｍｌ）中の各成分の量、上記モル比ａ／ｂの値、および上記加熱時間を、表１に示す。【００４０】
【表１】
0005629959.tif 000002
【００４１】
表１の各成分の量を濃度（ｍｍｏｌ／ｌ）で表した表を、表２に示す。【００４２】
【表２】
0005629959.tif 000003
【００４３】
サンプル１で生成した沈殿について、電子顕微鏡の像を図１に示す。図１に示すように、サンプル１では粒子状ニッケルが生成した。電子顕微鏡像からサンプル１の粒子の粒径を測定したところ、粒径は、１３．３±３．８ｎｍであった。【００４４】
サンプル２〜１１で生成した沈殿について、電子顕微鏡の像を図２〜図１１に示す。図２、図４、図８および図１０に示すように、塩化ニッケルの添加量が０．４５ｍｍｏｌ（濃度：６．４３ｍｍｏｌ／ｌ）で、ａ／ｂが１〜５で、加熱時間が２０分の場合には、ファイバー状のニッケルが選択的に形成された。また、図３および７に示すように、塩化ニッケルの添加量が０．４５ｍｍｏｌ（濃度：６．４３ｍｍｏｌ／ｌ）で、ａ／ｂが２〜３で、加熱時間が１０分の場合も、ファイバー状のニッケルらしきものが一部に見られた。その他のサンプルでは、主に粒子状のニッケルが確認された。ファイバー状のニッケルの平均径は、４．３±０．８ｎｍ（３．５ｎｍ〜５．１ｎｍの範囲）であった。【００４５】
サンプル８について、エネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＳ）を行った。測定位置の像を図１２Ａに示す。また、図１２Ａに示した各位置における測定結果を図１２Ｂに示す。図１２Ｂのスペクトルから各測定位置におけるニッケル相対量を算出した結果を、表３に示す。【００４６】
【表３】
0005629959.tif 000004
【００４７】
表３に示すように、図１２Ａの像において色が濃いところほど、ニッケルの相対量が多かった。このことから、サンプル８では、繊維状のニッケルが生成したことが確かめられた。【００４８】
粒子状のニッケルが生成したサンプル１、および繊維状のニッケルが生成したサンプル８および１０について、Ｘ線回折測定の結果を図１３に示す。図１３のスペクトルから、生成したいずれのニッケルも六方最密充填構造を有することが分かった。このように、従来製造されることがなかった、六方最密充填構造を有するファイバー状のニッケルが得られた。また、サンプル１では、六方最密充填構造を有する粒子状のニッケルが得られた。【００４９】
六方最密充填構造を有するニッケルは磁性を示さない。ところが、六方最密充填構造を有するニッケルを水素ガスで処理すると、水素を吸蔵することによって少なくとも一部のニッケルが面心立方構造に変わって磁性を示すようになる。水素ガスによる処理は、たとえば、水素ガス雰囲気下（１．０１×１０5Ｐａ（７６０Ｔｏｒｒ））、１８０℃で行われる。このような性質を様々な素子やデバイスに応用することが可能である。【００５０】
サンプル８と同じ条件で作製したファイバー状ニッケルを、水素ガスで処理した。具体的には、サンプル８のファイバー状ニッケルを、温度が２００℃で水素圧が１０１．３ｋＰａの雰囲気下に３０分以上配置した。処理前後のファイバー状ニッケルについて、Ｘ線回折測定を行った。測定結果を図１４に示す。【００５１】
図１４のＸＲＤスペクトルに示されるように、水素ガスによる処理によって、ファイバー状ニッケルの結晶構造が、六方最密充填構造から面心立方構造に変化した。また、水素ガスによる処理の前は常磁性であったファイバー状ニッケルが、水素ガスによる処理によって強磁性を示した。【００５２】
本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、クレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、六方最密充填構造を有するファイバー状のニッケルに利用できる。六方最密充填構造を有するファイバー状のニッケルは、水素吸蔵材料、触媒、電極、センサなど、様々な分野に応用が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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