(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電薄膜を支持基板で支持する複合圧電基板の製造方法であって、
圧電基板にイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素の濃度がピークになる部分を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入面側に、前記圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、前記圧電基板との界面に作用する熱応力が前記支持基板と前記圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、
前記仮支持基板を形成した前記圧電基板を加熱し、前記圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として前記圧電基板から前記圧電薄膜を分離する加熱工程と、
前記圧電基板から分離した前記圧電薄膜に前記支持基板を形成する支持工程と、
を実施する複合圧電基板の製造方法。
【請求項２】
前記支持工程は、前記支持基板を、前記圧電薄膜における前記圧電基板からの分離面側に形成する工程であり、
前記支持工程の後で、前記圧電薄膜のイオン注入面側に形成した前記仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程と、前記仮支持基板を除去したイオン注入面側に圧電デバイスの機能電極を形成する電極形成工程とを実施する、請求項１に記載の複合圧電基板の製造方法。
【請求項３】
前記仮支持基板は被エッチング層を備え、
前記仮支持基板除去工程は、前記被エッチング層をエッチングすることで前記仮支持基板を除去する、請求項１ないし２に記載の複合圧電基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程は、加熱により前記圧電基板から前記圧電薄膜を分離した後で、当該圧電薄膜を分離するための加熱温度よりも高温に前記圧電薄膜を加熱するアニール工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合圧電基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板は、前記圧電薄膜に積層される誘電体膜を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合圧電基板の製造方法。
【請求項６】
前記電極形成工程は、圧電デバイスの機能電極として前記圧電薄膜にＩＤＴ電極を形成する、請求項２〜５のいずれか１項に記載の複合圧電基板の製造方法。
【請求項７】
前記支持基板は、犠牲層領域および支持層領域からなり圧電薄膜に形成されるメンブレン層と、前記メンブレン層に形成される支持基板とを備え、
前記支持工程の後で、前記犠牲層領域を除去して空洞部を形成する工程を実施する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合圧電基板の製造方法。
【請求項８】
圧電基板に注入されたイオン化した元素の濃度がピークになる部分を分離面として前記圧電基板から分離されることにより形成されており、前記分離面に対向するイオン注入面の近傍での前記イオン化した元素の残留密度が、前記分離面の近傍での前記イオン化した元素の残留密度よりも小さい圧電薄膜と、
前記圧電薄膜の前記分離面側に形成された支持基板と、
前記圧電薄膜の前記イオン注入面側に形成された機能電極と、
を備える圧電デバイス。
【請求項９】
前記機能電極がＩＤＴ電極である、請求項８に記載の圧電デバイス。
【請求項１０】
前記支持基板と前記圧電薄膜との間に、前記圧電薄膜を前記支持基板に支持させる支持層領域と、犠牲層領域が除去されてなる空洞部と、を設けた構成である、請求項８または９に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電体の薄膜（圧電薄膜）を備える複合圧電基板の製造方法、および複合圧電基板から構成される圧電デバイスに関するものであり、特には圧電薄膜に熱処理を施す複合圧電基板の製造方法および圧電デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、圧電薄膜を利用する様々な圧電デバイスが開発されている。
圧電デバイスとして、圧電薄膜を支持基板によって支持した複合圧電基板が用いられることがある（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、支持基板の構成材料としてサファイア、シリコン、ガリウムヒ素等が利用でき、圧電薄膜として石英、ＬＴ（タンタル酸リチウム）、ＬＮ（ニオブ酸リチウム）等の圧電体の薄膜が利用できることが開示されている。また、複合圧電基板の製造方法として、イオン注入を行って圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法が開示されている。
【０００４】
イオン注入を行って圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法の工程フローでは、接合可能な厚みからなる圧電基板の一方主面に水素イオンなどが注入される。これにより、圧電基板の内部にイオンの分布が集中するイオン注入層が形成される。次に、イオン注入を行った圧電基板一方主面に、活性化接合や親和性接合等を用いて支持基板が接合される。その後、圧電基板が加熱されてイオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜が分離される。
【０００５】
このようなイオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を用いることで、極めて薄い圧電薄膜を支持基板で支持した複合圧電基板が得られるが、圧電薄膜の内部には注入イオンが残留し、これにより圧電性が劣化する。そのため、圧電薄膜の分離温度以上の高温で圧電薄膜を長時間加熱することで、残留イオンを圧電薄膜から抜き、圧電性を回復させる処理が実施されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００２−５３４８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
イオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による複合圧電基板の製造方法では、支持基板に接合した状態の圧電薄膜（圧電基板）は上述のように分離温度やアニール温度に加熱される。その加熱の際、支持基板と圧電薄膜との界面に作用する熱応力が大きければ、圧電薄膜の剥がれや割れが発生して問題になることがある。このような圧電薄膜の不具合は、大きな基板サイズで複合圧電基板を製造する場合に特に生じ易く、大きい基板サイズの複合圧電基板を工業的に安定して製造することが困難な要因となっている。このため、支持基板は、熱処理で発生する熱応力が小さい構成材料で構成する必要があり、構成材料の線膨張係数に関する制約条件が厳しかった。
【０００８】
支持基板の特性に応じて圧電デバイスでは様々なメリットが得られるため、支持基板の構成材料は選択性が高いことが望まれる。例えばフィルタ用途のデバイスでは、支持基板の線膨張係数を小さくすることでフィルタの温度−周波数特性を向上させられるが、線膨張係数に関する制約から線膨張係数が圧電薄膜よりも大幅に小さい構成材料を選定することはできない。また、支持基板の熱伝導性を高めて放熱性および耐電力性を改善し、支持基板の構成材料を安価なものにしてデバイス製造コストを低減することが望まれるが、そのような構成材料が、線膨張係数に関する制約条件を満足するものであるとは限らない。また、支持基板の構成材料が加工性の高いもの（例えばシリコンなど）であれば、支持基板の構造を複雑化することができ、ＭＥＭＳやジャイロなど多様なデバイスにイオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を展開することが可能になる。しかし、この加工性の高い支持基板の材料では、線膨張係数に関する制約条件を満足することは難しかった。このように、支持基板として選定しうる構成材料には大幅な制限があった。
【０００９】
また、特許文献１では、イオン注入層から形成された分離面に電極を形成して弾性表面波デバイスを形成しているが、この場合、圧電性回復処理を施したとしても、一定程度のイオンの残留があるため、分離面の近傍領域では圧電性の劣化の程度が大きい、という問題もあった。
【００１０】
本発明の目的は、支持基板の構成材料の選択性を高められる圧電デバイスの製造方法、および、より良好な特性が得られる圧電デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、圧電薄膜を支持基板で支持する複合圧電基板の製造方法であって、圧電基板にイオン化した元素を注入して、圧電基板の中に元素の濃度がピークになる部分を形成するイオン注入工程と、圧電基板のイオン注入面側に、圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、圧電基板との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、仮支持基板を形成した圧電基板を加熱し、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離する加熱工程と、圧電基板から分離した圧電薄膜に支持基板を形成する支持工程と、を実施する。
【００１２】
この製造方法では、圧電薄膜を支持基板で支持してなる複合圧電基板が、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を用いて製造できる。仮支持基板は、圧電薄膜との界面に作用する熱応力がほとんど存在しない、あるいは、圧電薄膜との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電薄膜との界面に作用する熱応力よりも小さいものであり、この仮支持基板を圧電基板のイオン注入面側に形成して加熱工程を実施するため、同工程における圧電薄膜と仮支持基板との界面に作用する熱応力を低減できる。なお、所定界面に作用する熱応力は、当該界面における拘束が無いと仮定した状態での当該界面両側近傍領域の線膨張の差に応じて定まる。支持基板自体は、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分での分離や圧電性回復のための加熱工程の後で圧電薄膜に形成するので、支持基板の構成材料として任意の線膨張係数のものを選定できる。
【００１３】
この発明の支持工程は、支持基板を、圧電薄膜における圧電基板からの分離面側に形成する工程であり、支持工程の後で、圧電薄膜のイオン注入面側に形成した仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程と、そのイオン注入面側に圧電デバイスの機能電極を形成する電極形成工程とを実施すると好適である。
【００１４】
この製造方法では圧電薄膜の表裏が従来の製造方法とは逆を向き、圧電薄膜の分離面が支持基板側を、圧電薄膜のイオン注入面側が支持基板とは逆側を向くことになる。また、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜では、注入イオンの残留密度が小さいほど局所的な圧電性の劣化が少ない傾向があって、圧電基板における注入された元素の濃度がピークになる部分であった分離面近傍よりもイオン注入面近傍のほうが、圧電性の劣化が少ない。このように、本発明では圧電性の劣化が少ないイオン注入面側に機能電極を形成することで、従来よりも良好なデバイス特性の圧電デバイスを製造することが可能になる。
【００１５】
この発明の仮支持基板は被エッチング層を備え、仮支持基板除去工程は、被エッチング層をエッチングすることで仮支持基板を除去すると好適である。
エッチングにより仮支持基板の分離を行うことで、圧電薄膜に不要な応力や衝撃を与えることなく仮支持基板を除去でき、圧電薄膜における不具合の発生をさらに抑止できる。これにより、デバイス特性を安定させて圧電デバイスを製造することが可能になる。また、被エッチング層を除去した後の仮支持基板本体の再利用が可能になり、コスト面でも有利である。
【００１６】
この発明の加熱工程は、所定温度への加熱により圧電基板から圧電薄膜を分離した後で、その所定温度よりも高温に圧電薄膜を加熱する工程であると好適である。
圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として分離した圧電薄膜は、高温で熱処理を行った場合、結晶格子間に残留する残留イオンが抜けること、イオン注入時に生じた結晶格子歪が小さくなって結晶性が回復すること、により圧電性が回復する。これにより、高温での熱処理（アニール処理）を施す場合、良好なデバイス特性で圧電デバイスを製造することが可能になる。
【００１７】
この発明の支持基板は、圧電薄膜に積層される誘電体膜を備えると好適である。
例えば、フィルタなどでは伝搬する波の伝搬速度をコントロールしたり信頼性を向上させたりすることなどを目的に、圧電薄膜に誘電体膜を積層する場合がある。そのような構成の場合、誘電体膜としてその目的に応じた適切な誘電率の構成材料を選定する必要があるが、従来は、熱応力の制約からやはり誘電体膜として選定しうる構成材料には大幅な制限があった。本発明によれば誘電体膜を備える支持基板を加熱工程の後で圧電薄膜に形成するので、圧電薄膜と誘電体膜との界面に作用する熱応力を考慮する必要がなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。
【００１８】
この発明の電極形成工程は、圧電デバイスの機能電極として圧電薄膜にＩＤＴ電極を形成すると好適である。
これにより、複合圧電基板を表面波デバイスや境界波デバイスとして利用することができる。
【００１９】
この発明の支持基板は、犠牲層領域および支持層領域からなり圧電薄膜に積層されるメンブレン層を備え、支持工程の後で犠牲層領域を除去して空洞部を形成する工程を実施すると好適である。
圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜では、イオン注入面近傍ほど、注入イオンの衝突エネルギーが大きく結晶格子の格子間隔が伸びる傾向にあり、分離面側が凹、イオン注入面側が凸となるような応力が圧電薄膜に残留する。従来は、圧電薄膜のイオン注入面側がメンブレン構造の空洞部に露出する構造であったため、空洞部側に圧電薄膜が凸となり、スティッキング現象（空洞部が潰れる現象）が生じ易かった。本発明によれば前述のように圧電薄膜の表裏が従来とは逆になるので、メンブレン構造の空洞部とは逆側に圧電薄膜が凸となりスティッキング現象が生じ難くなる。したがって、特性の安定した圧電デバイスを製造することが可能になる。
【００２０】
この発明の圧電デバイスは、圧電基板に注入されるイオン化した元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から分離された圧電薄膜と、圧電薄膜の分離面側に形成された支持基板と、圧電薄膜のイオン注入面側に形成された機能電極と、を備える。
【００２１】
また、この発明の圧電デバイスは、機能電極がＩＤＴ電極であると好適である。
【００２２】
また、この発明の圧電デバイスは、支持基板と圧電薄膜との間に、圧電薄膜を支持基板に支持させる支持層領域と、犠牲層領域が除去されてなる空洞部とを設けた構成であると、好適である。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、加熱工程では、圧電基板との界面に作用する熱応力がほとんど存在しない、あるいは、圧電基板との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい仮支持基板を、圧電基板のイオン注入面側に形成しておくので、同工程での加熱による圧電薄膜の不具合の発生を従来よりも抑止できる。また、この発明による複合圧電基板が、圧電単結晶材料による場合は、より不具合を抑制して製造できる。支持基板自体は加熱工程の後で圧電薄膜に形成するので、加熱工程で圧電薄膜との界面に作用する熱応力を考慮する必要がなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。
【００２４】
したがって、圧電薄膜の構成材料と支持基板の構成材料との組み合わせの選択性を高められる。例えば、フィルタ用途のデバイスでは、支持基板の構成材料の線膨張係数を圧電薄膜の線膨張係数よりも大幅に小さくすることで、フィルタの温度−周波数特性を向上させることが可能になる。また、支持基板に熱伝導率性が高い構成材料を選定して放熱性および耐電力性を向上させることが可能になり、安価な構成材料を選定してデバイスの製造コストを低廉にすることが可能になる。また、例えばシリコンなどの加工性の高い構成材料を選定して、支持基板の構造を複雑化することが可能になり、ＭＥＭＳやジャイロなど多様なデバイスに圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を展開することができる。
【００２５】
また、圧電性の劣化がより小さい、圧電薄膜のイオン注入面側に電極が形成されているため、良好な特性の圧電デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図３】図１に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図４】圧電デバイスの構造に基づく本発明の作用効果の一例を説明する図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図５に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図７】図５に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図８】圧電デバイスの構造に基づく本発明の作用効果の一例を説明する図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】図９に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図１１】図９に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
《第１の実施形態》
本発明の第１の実施形態に係る複合圧電基板を備える弾性表面波デバイスの製造方法を、図１〜４を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図２，図３は図１のフローチャートで示される製造過程での模式構成を示す断面図である。
【００２８】
まず、圧電体の単結晶基板である圧電基板１を用意し、イオン注入工程を行う（図１，図２：Ｓ１０１）。イオン注入工程では、圧電基板１の平坦な一方主面からイオンを注入し、この一方主面（イオン注入面）近傍の内部にイオン注入部分２を形成する。
【００２９】
ここでは圧電基板１として、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板を用いる。なお、圧電基板１は、イオン注入部分２での後述する熱による分離が可能で、圧電性を有する材質であればどのようなものであってもよく、ＬＴの他、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）、ＬＢＯ（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）、ＫＮ（ＫＮｂＯ3）、ＫＬＮ（Ｋ3Ｌｉ2Ｎｂ5Ｏ15）等を用いることができる。
【００３０】
ここでは、加速エネルギー１５０ＫｅＶ、ドーズ量１．０×１０17ａｔｏｍ／ｃｍ2の条件で、水素イオンを圧電基板１に注入する。これにより、圧電基板１ではイオン注入面から深さ約１μｍの領域に水素イオンの分布が集中し、その領域がイオン注入部分２となる。このイオン注入部分２は、圧電基板に注入されたイオン元素の濃度がピークになる部分である。なお、注入するイオンは圧電基板１の材質に合わせて選定するとよく、ヘリウムイオンやアルゴンイオンなどを用いることができる。また、イオン注入の条件も、圧電基板１の材質および圧電薄膜の厚みに応じて適宜設定するとよく、例えば加速エネルギーが７５ＫｅＶであれば、深さ約０．５μｍの領域がイオン注入部分２となる。
【００３１】
次に、圧電基板１のイオン注入面に被エッチング層３を積層形成する被エッチング層形成工程を行う（図１，図２：Ｓ１０２）。被エッチング層３は、後の仮支持基板除去工程において、圧電薄膜や支持基板に対して選択性を確保してエッチングできる構成材料を採用するとよく、ZnO、SiO2、AlNなどの無機材料やCu、Al、Tiなどの金属材料、ポリイミド系などの有機材料、あるいはそれらの多層膜などを用いることができる。なお、被エッチング層は設けられずともよい。
【００３２】
次に、圧電基板１に積層した被エッチング層３に仮基板４を貼り合わせる仮支持工程を行う（図１，図２：Ｓ１０３）。ここで、仮基板４は被エッチング層３とともに仮支持基板を構成する。被エッチング層３と仮基板４とからなる仮支持基板は、圧電基板１との界面に作用する熱応力が後述する支持基板よりも小さく、好ましくは、問題とならない程度に十分小さくすることが可能な構成材料を選定する。
【００３３】
ここでは仮基板４の構成材料として圧電基板１と同種のＬＴ基板を採用し、被エッチング層３の構成材料としてＣｕ膜およびＳｉＯ２膜をそれぞれスパッタ成膜により積層したものを採用する。したがって仮基板４単体の線膨張係数と圧電基板１単体の線膨張係数は等しく、これにより、被エッチング層３と仮基板４とからなる複合材である仮支持基板と圧電基板１（圧電薄膜１１）との界面に作用する熱応力を、問題とならない程度に十分小さくすることができる。なお、被エッチング層３の線膨張係数はＬＴ基板の線膨張係数と相違するが、上記Ｃｕ膜のような延性が高い構成材料（金属材料など）を圧電基板１に直接積層するとともに、被エッチング層３の厚みを必要十分な程度に薄く（圧電基板や仮基板の１／１０以下）しておくことにより、圧電基板１（圧電薄膜１１）との界面における熱応力を低減することができる。
【００３４】
次に、被エッチング層３および仮基板４が配設された圧電基板１を加熱する加熱工程を行う（図１，図２：Ｓ１０４）。これにより、圧電基板１の内部のイオン注入部分２を分離面として圧電基板１から圧電薄膜を分離し、仮基板４および被エッチング層３が形成された圧電薄膜１１からなる複合圧電基板を形成する。ここでは、圧電薄膜１１を分離するのと同時にその圧電性を回復するために、圧電基板１から圧電薄膜１１を加熱分離するために必要な分離温度（具体的には４００℃程度）よりも高温のアニール温度で長時間（具体的には５００℃、３時間）の熱処理を行う。これにより、昇温過程でイオン注入部分２を分離面として圧電薄膜１１が分離され、その後、結晶格子間に残留する水素イオンが抜けるとともに、イオン注入時に生じた結晶格子歪が小さくなって、結晶性が回復し、その結果圧電性が回復する。
【００３５】
次に、圧電薄膜１１の分離面を平坦化し、誘電体膜１２を形成する平坦化・誘電体膜形成工程を行う（図１，図２：Ｓ１０５）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよいが、誘電体膜１２は本発明に必須の構成ではなく設けなくてもよい。
【００３６】
ここでは、圧電薄膜１１の分離面をＣＭＰ処理等により研磨し表面粗さＲａを１ｎｍ以下にする。また誘電体膜１２として例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、金属酸化物、金属窒化物、ダイヤモンドライクカーボンなどを成膜する。これにより、弾性表面波デバイスにおける弾性表面波の伝搬速度を誘電体膜１２の誘電率に応じてコントロールすることが可能になり、所望のデバイス特性を容易に実現できるようになる。なお、誘電体膜１２としては、適切な誘電率であることは当然として、熱伝導性が大きく線膨張係数が小さい材質を用いると好適である。そのため、例えば線膨張係数の小さい層と熱伝導率の大きい層との二層構造のように、複数の層によって誘電体膜１２を構成してもよい。熱伝導性が大きければ、弾性表面波デバイスの放熱性と耐電力性を改善でき、線膨張係数が小さければ、弾性表面波デバイスの温度−周波数特性を改善できる。
【００３７】
次に、圧電薄膜１１に積層した誘電体膜１２にベース基板１３を貼り合わせる支持工程を行う（図１，図２：Ｓ１０６）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００３８】
ベース基板１３は誘電体膜１２とともに支持基板を構成する。誘電体膜１２とベース基板１３とからなる支持基板は、前述の仮支持基板のように加熱工程における圧電基板（圧電薄膜）との界面に作用する熱応力を考慮する必要が無く、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。そのため、誘電体膜１２やベース基板１３として、単体での線膨張係数が圧電薄膜１１に比べて著しく小さな構成材料を採用することも可能になり、弾性表面波デバイスの温度―周波数特性を大幅に改善できる。また、誘電体膜１２やベース基板１３として熱伝導性の良い構成材料を採用することで、弾性表面波デバイスの放熱性、耐電力性を良化できる。さらに、誘電体膜１２やベース基板１３として安価な構成材料、形成方法を採用することで、弾性表面波デバイスの製造コストを低廉にできる。
【００３９】
次に、被エッチング層３および仮基板４からなる仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程を行う（図１，図３：Ｓ１０７）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００４０】
ここでは、被エッチング層３および仮基板４からなる仮支持基板を除去するために、被エッチング層３をウエットエッチング、あるいはドライエッチングする。一般的には、被エッチング層３が無機系材料、金属系材料であればウエットエッチングを用い、有機系材料であればドライエッチングを用いる。これにより、圧電薄膜１１に不要な応力や衝撃を与えることなく被エッチング層３および仮基板４を除去でき、圧電薄膜１１における不具合の発生を抑止できる。なお、被エッチング層３から分離した仮基板４は、その後の弾性表面波デバイスの製造で再利用すると好適である。
【００４１】
次に、圧電薄膜１１上に、ＩＤＴ電極１４、引き回し配線１６などを形成し、ＩＤＴ電極保護膜１５としてＳｉＯ２膜を形成する電極形成・保護膜形成工程を行う（図１，図３：Ｓ１０８）。ＩＤＴ電極１４は、２つの櫛歯状電極を互い違いに配置した構成のものであり、デバイスの仕様に応じて、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ等を単体もしくは複数積層して用いる。また、これらの合金でもよい。引き回し配線１６はＡｌ、Ｃｕ等を用いる。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００４２】
次に、外部端子となるバンプ１７およびハンダボール１８を形成し、圧電薄膜１１、誘電体膜１２、およびベース基板１３からなる複合圧電基板をダイシングし、複数の弾性表面波デバイス１０を形成する外部端子形成・デバイスカット工程を行う（図１，図３：Ｓ１０９）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００４３】
以上の各工程により弾性表面波デバイス１０を製造することで、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による極薄の圧電薄膜１１を、誘電体膜１２およびベース基板１３からなる支持基板に形成した複合圧電基板を形成できる。加熱工程における熱応力を抑制することができる仮支持基板を用いて弾性表面波デバイス１０を製造することで、熱応力に基づく圧電薄膜１１の不具合の発生を従来よりも抑止できる。誘電体膜１２およびベース基板１３は加熱工程の後で圧電薄膜１１に形成するので、加熱工程における熱応力を考慮することなく構成材料を選定できる。
また、イオン注入部分で分離して単結晶基板から切り出された単結晶膜の圧電薄膜は、成膜等で形成された圧電薄膜と比べて劈開による圧電膜の破壊が起こり易く、これまでは圧電性回復のための熱処理時に線膨張係数差によって生じる応力に対して格段の配慮が必要であった。しかし本発明であれば、線膨張係数差による応力を抑制でき、容易に単結晶の圧電薄膜を得ることができる。
【００４４】
また、誘電体膜１２およびベース基板１３からなる支持基板は、圧電薄膜１１における圧電基板１からの分離面に積層することになる。このため、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜１１の分離面側とイオン注入側が逆向きの弾性表面波デバイス１０が得られる。ここで、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜１１の分離面側とイオン注入側が逆向きの弾性表面波デバイス１０の構造に基づく本発明の作用効果の一例を、図４を参照して説明する。
【００４５】
図４（Ａ）は、従来方法で製造する弾性表面波デバイスの模式図、図４（Ｂ）は、本発明で製造する弾性表面波デバイスの模式図である。いずれの場合も、イオン注入工程で圧電基板１にイオン注入面Ａからイオンを注入することでイオン注入部分２を形成し、イオン注入部分２を分離面Ｂとして圧電基板１から圧電薄膜１１を分離する。従来方法では、イオン注入面Ａに支持基板を形成することになり、圧電薄膜１１の分離面Ｂにデバイスの機能電極を形成することになる。一方、本発明では、イオン注入面Ａに仮支持基板を形成した後、分離面Ｂに支持基板を形成し、仮支持基板を除去した後のイオン注入面Ａにデバイスの機能電極を形成することになる。
【００４６】
イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜１１では、加熱工程で結晶性や圧電性を回復していても一定程度の水素イオンの残留がある。そして、水素イオンの残留密度は圧電基板１におけるイオン注入部分２となる領域、即ち圧電薄膜１１における分離面Ｂの近傍領域で大きく、イオン注入面Ａの近傍領域で小さい。水素イオンの残留密度が小さい領域ほど局所的な圧電性の劣化が少ない傾向があるため、分離面Ｂの近傍領域では圧電性の劣化の程度が大きく、イオン注入面Ａ近傍では圧電性の劣化の程度が小さい。したがって、本発明で製造する弾性表面波デバイスでは、圧電性の劣化が少ないイオン注入面Ａに機能電極を形成することで、従来方法で製造する弾性表面波デバイスよりも良好なデバイス特性が得られる。
【００４７】
なお、この第１の実施形態では弾性表面波デバイスの製造方法を示したが、弾性境界波デバイスも同様の工程にて作製できる。
【００４８】
《第２の実施形態》
次に、本発明の第２の実施形態に係る複合圧電基板を備えるバルク波デバイスの製造方法を、図５〜図８を参照して説明する。図５は、本実施形態に係るバルク波デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図６，図７は図５のフローチャートで示される製造過程での模式構成を示す断面図である。
【００４９】
第１の実施形態と同様に、まず、イオン注入工程を行う（図５：Ｓ２０１）。次に、被エッチング層形成工程を行う（図５：Ｓ２０２）。次に、仮支持工程を行う（図５：Ｓ２０３）。次に、加熱工程を行う（図５，図６：Ｓ２０４）。これにより、１μｍ程度の厚みの圧電薄膜３１のイオン注入面側に、被エッチング層２３および仮基板２４からなる仮支持基板を配設する。なお、第１の実施形態と同じく、被エッチング層は設けられずともよい。
【００５０】
次に、圧電薄膜３１の分離面を平坦化し、バルク波デバイスを駆動させるための下部側電極３４（下部駆動電極および下部引き回し配線）を形成する（図５，図６：Ｓ２０５）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００５１】
なお、下部駆動電極の電極材料は、バルク波デバイスの要求する物性値に応じたどのような材料でもよく、WやMoやTaやHfなどの高融点金属材料、CuやAlなどの低抵抗金属、Ptなどの熱拡散を起こしにくい金属材料、Ti、Niといった圧電材料との密着性の高い金属材料、もしくは、それらを含む多層構造膜を採用することができる。また、電極形成方法は、電極材料の種類や所望の物性値に応じた、どのような方法でもよく、EB蒸着、スパッタリング、CVDなどを採用することができる。下部引き回し配線の電極材としては、CuやAlなどを用いることができる。
【００５２】
次に、メンブレン構造の犠牲層領域３２Ａを形成する（図５，図６：Ｓ２０６）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００５３】
次に、メンブレン構造の支持層領域３２Ｂを形成する（図５，図６：Ｓ２０７）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。なお、支持層領域３２Ｂの表面はポリッシングを行って平坦化する。
【００５４】
メンブレン構造の犠牲層領域３２Ａと支持層領域３２Ｂとがメンブレン層を構成する。犠牲層領域３２Ａの材料は、後の犠牲層除去時に下部側電極３４とのエッチング選択性を得られるようなエッチングガスあるいはエッチング液を選択可能な材料を選ぶとよい。Ni・Cu・Alなどの金属や、SiO2・ZnO・PSG（フォスフォシリケートグラス）などの絶縁膜や、有機膜などが、犠牲層材料として用いることができる。
【００５５】
次に、犠牲層領域３２Ａと支持層領域３２Ｂとからなるメンブレン層にベース基板３３を接合する（図５，図６：Ｓ２０８）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００５６】
ベース基板３３はメンブレン層とともに支持基板を構成する。この支持基板（ベース基板３３、犠牲層領域３２Ａ、および支持層領域３２Ｂ）は、圧電基板（圧電薄膜３１）との界面に作用する熱応力を考慮することなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。
【００５７】
次に、被エッチング層２３をエッチングして、被エッチング層２３および仮基板２４からなる仮支持基板を除去する（図５，図７：Ｓ２０９）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００５８】
次に、圧電薄膜３１のイオン注入面側にバルク波デバイスを駆動させるための上部側電極３５（上部駆動電極および上部引き回し配線）を形成する（図５，図７：Ｓ２１０）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。この際、圧電薄膜３１に複数の窓３６を開ける加工を行い、犠牲層を除去するためのエッチャント導入孔と、下部電極配線の取り出し孔とを設ける。下部電極配線の取り出し孔には、ビア電極およびパッド電極を形成する。窓開け加工は、フォトリソグラフィー技術を用いてレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとしたドライエッチングにより行う。上部電極材料も、下部電極材料と同様に、バルク波デバイスの要求する物性値に応じた材料を適宜用いればよい。
【００５９】
次に、犠牲層領域３２Ａに連通する窓３６から、犠牲層領域３２Ａにエッチャントを導入し、犠牲層領域３２Ａの構成材料を除去し、メンブレン構造の空洞部３８を形成する（図５，図７：Ｓ２１１）。犠牲層領域３２Ａの構成材料に応じてウエットエッチング、もしくはドライエッチングを選択する。ウエットエッチング液およびエッチングガスは、圧電薄膜３１や電極３４，３５に対して影響を与えないものを選択するとよい。
【００６０】
次に、バンプおよびハンダボールからなる外部端子３９を形成し、圧電薄膜３１、支持層領域３２Ｂ、およびベース基板３３からなる複合圧電基板をダイシングし、複数のバルク波デバイス３０を形成する（図５，図７：Ｓ２１２）。
【００６１】
以上の各工程によりバルク波デバイス３０を製造することで、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による極薄の圧電薄膜３１を、支持層領域３２Ｂおよびベース基板３３からなる支持基板に形成した複合圧電基板を形成できる。加熱工程における熱応力を抑制することができる仮支持基板を用いてバルク波デバイス３０を製造することで、熱応力に基づく圧電薄膜３１の不具合の発生を従来よりも抑止できる。犠牲層領域３２Ａ、支持層領域３２Ｂおよびベース基板３３は加熱工程の後で圧電薄膜３１に形成するので、加熱工程における熱応力を考慮することなく構成材料を選定できる。
【００６２】
また、支持層領域３２Ｂおよびベース基板３３からなる支持基板は、圧電薄膜３１における圧電基板２１からの分離面に積層することになる。このため、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜３１の分離面側とイオン注入側が逆向きのバルク波デバイス３０が得られる。ここで、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜３１の分離面側とイオン注入側が逆向きのバルク波デバイス３０の構造に基づく本発明の作用効果の一例を、図８を参照して説明する。
【００６３】
図８（Ａ）は、従来方法で製造するバルク波デバイスの模式図、図８（Ｂ）は、本発明で製造するバルク波デバイスの模式図である。いずれの場合も、イオン注入工程で圧電基板２１にイオン注入面Ａからイオンを注入することでイオン注入部分２２を形成し、イオン注入部分２２を分離面Ｂとして圧電基板２１から圧電薄膜３１を分離する。従来方法では、イオン注入面Ａにメンブレン層を形成して、メンブレン構造の空洞部３８を構成することになる。一方、本発明ではイオン注入面Ａに仮支持基板を形成した後、分離面Ｂにメンブレン層を形成して、メンブレン構造の空洞部３８を構成することになる。
【００６４】
イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜３１では、イオン注入面Ａの近傍ほど、水素イオンの衝突エネルギーが大きく、結晶格子の格子間隔が広がっている。このため、分離面側が凹、イオン注入面側が凸となるような応力が圧電薄膜に残留する。したがって、本発明で製造するバルク波デバイスでは、凸になるイオン注入面側がメンブレン構造の空洞部とは逆側を向き、従来方法で製造するバルク波デバイスよりも、空洞部が潰れるスティッキング現象が生じ難く、信頼性が高い構造が得られる。
【００６５】
なお、この第２の実施形態における製造方法は、その他のメンブレン構造を有するデバイス、例えば、ＦＢＡＲデバイスや板波デバイス、ラム波デバイスに適用できる。
【００６６】
《第３の実施形態》
次に、本発明の第３の実施形態に係る複合圧電基板を備えるジャイロデバイスの製造方法を、図９〜図１１を参照して説明する。なお、ジャイロデバイスは、圧電振動子でシリコン振動板を屈曲振動させ、回転によってシリコン振動板に作用するコリオリの力を圧電振動子により検出する構成である。ここでは、ジャイロデバイスにおける圧電薄膜と駆動電極とからなる圧電振動子と、圧電振動子が形成されるシリコン振動板とからなる音叉型のジャイロデバイスの製造方法を例に説明する。
図９は、本実施形態に係るジャイロデバイスの製造方法の一部を示すフローチャートである。図１０，図１１は図９のフローチャートで示される製造過程での模式構成を示す断面図である。
【００６７】
第１・第２の実施形態と同様に、まず、イオン注入工程を行う（図９：Ｓ３０１）。次に、被エッチング層形成工程を行う（図９：Ｓ３０２）。次に、仮支持工程を行う（図９：Ｓ３０３）。次に、加熱工程を行う（図９，図１０：Ｓ３０４）。これにより、１μｍ程度の厚みの圧電薄膜５１のイオン注入面側に、被エッチング層４３および仮基板４４からなる仮支持基板を配設する。なお、被エッチング層は設けられずともよい。
【００６８】
次に、圧電薄膜５１の分離面を平坦化し、後述する振動子５０Ａを駆動させるための下部側電極５４を形成し、下部側電極５４に対して絶縁層５６を積層形成する（図９，図１０：Ｓ３０５）。絶縁層５６は、後述する振動子５０Ａとシリコン振動板５０Ｂとの接合層となる。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００６９】
なお、下部側電極５４の電極材料は、ジャイロデバイスの要求する物性値に応じたどのような材料でもよく、WやMoやTaやHfなどの高融点金属材料、CuやAlなどの低抵抗金属、Ptなどの熱拡散を起こしにくい金属材料、Ti、Niといった圧電材料との密着性の高い金属材料、もしくは、それらを含む多層構造膜を採用することができる。また絶縁層５６は、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いることができる。
【００７０】
次に、絶縁層５６に対してシリコン振動板５０Ｂを貼り合わせる（図９，図１０：Ｓ３０６）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００７１】
シリコン振動板５０Ｂは下部側電極５４および絶縁層５６とともに支持基板を構成する。この支持基板（下部側電極５４、絶縁層５６、およびシリコン振動板５０Ｂ）は、圧電基板（圧電薄膜）との界面に作用する熱応力を考慮することなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。
【００７２】
次に、被エッチング層４３を除去し、被エッチング層４３および仮基板４４からなる仮支持基板を除去する（図９，図１０：Ｓ３０７）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００７３】
次に、圧電薄膜５１のイオン注入面側にジャイロデバイスを駆動させるための上部側電極５５を形成し、所定形状に上部側電極５５、圧電薄膜５１および下部側電極５４をパターニングして振動子５０Ａを形成する（図９，図１０：Ｓ３０８）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。上部側電極材料も、下部側電極材料と同様に、ジャイロデバイスの要求する物性値に応じた材料を適宜用いればよい。
【００７４】
次に、シリコン振動板５０Ｂに、粘着剤を塗布したサポート基板５７を貼り合わせる（図９，図１１：Ｓ３０９）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００７５】
次に、シリコン振動板５０ＢをF系ガスによりドライエッチングし、所望形状（音叉型）に加工する（図９，図１１：Ｓ３１０）。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。
【００７６】
次に、サポート基板５７を取り除き、振動子５０Ａとシリコン振動板５０Ｂとからなるジャイロデバイス５０を形成する（図９，図１１：Ｓ３１０）。
【００７７】
以上の各工程によりジャイロデバイス５０を製造することで、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による極薄の圧電薄膜５１を備える振動子５０Ａを、シリコン振動板５０Ｂに形成した複合圧電基板を形成できる。加熱工程における熱応力を抑制することができる仮支持基板を用いてジャイロデバイス５０を製造することで、熱応力に基づく圧電薄膜５１の不具合の発生を従来よりも抑止できる。シリコン振動板５０Ｂは加熱工程の後で振動子５０Ａに形成するので、加熱工程における熱応力を考慮することなく構成材料を選定できる。
【００７８】
なお、この製造方法と同様にして、ＲＦスイッチデバイスなど各種ＭＥＭＳデバイスを作製できる。ＭＥＭＳデバイスでは、加工性から、デバイス支持材として、シリコン基板を用いる場合が多いが、シリコン基板の線膨張係数は、圧電基板（圧電薄膜）に比べて小さいため、従来の方法ではアニール温度まで加熱することが困難であったが、本発明では、問題なくシリコン基板を支持基板としたＭＥＭＳデバイスを作製することが可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１，２１，４１…圧電基板
２，２２…イオン注入部分
３，２３，４３…被エッチング層
４，２４，４４…仮基板
１０…表面波デバイス
１１，３１，５１…圧電薄膜
１２…誘電体膜
１３，３３…ベース基板
１４…ＩＤＴ電極
１５…ＩＤＴ電極保護膜
１６…配線
１７…バンプ
１８…ハンダボール
３０…バルク波デバイス
３２Ａ…犠牲層領域
３２Ｂ…支持層領域
３４，５４…下部側電極
３５，５５…上部側電極
３６…窓
３８…空洞部
３９…外部端子
５０…ジャイロデバイス
５０Ａ…振動子
５０Ｂ…シリコン振動板
５６…絶縁層
５７…サポート基板
【図１】
0005429200.tif 000002
【図２】
0005429200.tif 000003
【図３】
0005429200.tif 000004
【図４】
0005429200.tif 000005
【図５】
0005429200.tif 000006
【図６】
0005429200.tif 000007
【図７】
0005429200.tif 000008
【図８】
0005429200.tif 000009
【図９】
0005429200.tif 000010
【図１０】
0005429200.tif 000011
【図１１】
0005429200.tif 000012