(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子及び前記発光素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタを含む画素部をマトリクス状に複数配置した表示部と、
前記表示部に含まれる複数の画素部を走査するための信号を供給する複数の走査線と、
前記表示部に含まれる複数の画素部に信号電圧を供給するための複数のデータ線と、
前記表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線と、
前記基幹電源線に対して外部から入力される前記所定の固定電位を供給する電源部と、
前記複数の走査線の各々に対応し、対応する走査線と平行に前記基幹電源線から分岐して設けられ、複数の前記駆動トランジスタのソース電極に電気的に接続される複数の第１電源線であって、その各々が前記表示部内において一本ずつ分離して設けられている複数の第１電源線と、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される第２電源線と、
を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の画素部の各々は、
第１電極が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され第２電極が前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたコンデンサと、一方の端子が前記データ線に接続され他方の端子が前記コンデンサの第１電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第１電極との導通及び非導通を切り換えるスイッチング素子と、を備え、
前記駆動トランジスタは、所定のバイアス電圧が供給されることにより前記駆動トランジスタを非導通とするバックゲート電極を備え、
前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、
前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線と、前記スイッチング素子の制御及び前記バックゲート電極への前記所定のバイアス電圧の供給制御を実行する駆動回路と、を備え、
前記所定のバイアス電圧は、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくするための電圧であり、
前記駆動回路は、
前記バイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくして前記駆動トランジスタを非導通とし、
前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記スイッチング素子を導通させて、前記駆動トランジスタを非導通とした状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、
前記複数の第１電源線の各々に対応して設けられ、前記第１電源線の電位を前記所定の固定電位に固定するための複数の電位固定部を備え、
前記複数の第１電源線の各々は、前記基幹電源線から前記電位固定部を介して分岐している、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記電位固定部は、ボルテージフォロワ回路により構成される、
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記駆動トランジスタのゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための前記所定のバイアス電圧とは、
各画素部に含まれる前記発光素子を最大階調で発光させるために必要な所定の信号電圧が前記駆動トランジスタのゲート電極に印加されたときに、前記駆動トランジスタのゲート電極及びソース電極間の電位差よりも前記閾値電圧の絶対値が大きくなるように設定された電位である、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記バックゲート電極に前記所定のバイアス電圧を供給している期間と、前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給する期間とを同じとする、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子と前記駆動トランジスタとを互いに逆の極性のトランジスタで構成し、
前記走査線と前記所定のバイアス線とを共通の制御線とする、
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記駆動トランジスタはＰ型トランジスタである、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、
前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給した後、前記スイッチング素子を非導通とし、
前記所定のバイアス電圧よりも低い電位を前記バックゲート電極に供給して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動トランジスタを導通状態とし、
前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる、
請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記駆動トランジスタはＮ型トランジスタである、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記駆動回路は、
前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給した後、前記スイッチング素子を非導通とし、
前記所定のバイアス電圧よりも高い電位を前記バックゲート電極に供給して前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動トランジスタを導通状態とし、
前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる、
請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
発光素子及び前記発光素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタを含む画素部をマトリクス状に複数配置した表示部と、
前記表示部に含まれる複数の画素部を走査するための信号を供給する複数の走査線と、
前記表示部に含まれる複数の画素部に信号電圧を供給するための複数のデータ線と、
前記表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線と、
前記基幹電源線に対して外部から入力される前記所定の固定電位を供給する電源部と、
前記複数の走査線の各々に対応し、対応する前記走査線と平行な方向に前記基幹電源線から分岐して設けられ、複数の前記駆動トランジスタのソース電極に電気的に接続される複数の第１電源線であって、その各々が前記表示部内において一本ずつ分離して設けられている複数の第１電源線と、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される第２電源線と、
を有する有機ＥＬ表示装置の制御方法であって、
前記複数の画素部の各々は、
第１電極が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され第２電極が前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたコンデンサと、一方の端子が前記データ線に接続され他方の端子が前記コンデンサの第１電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第１電極との導通及び非導通を切り換えるスイッチング素子と、を備え、
前記駆動トランジスタは、所定のバイアス電圧が供給されることにより前記駆動トランジスタを非導通とするバックゲート電極を備える有機ＥＬ表示装置の制御方法であって、
前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線を備え、
前記所定のバイアス電圧は、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくするための電圧であり、
前記バイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくして前記駆動トランジスタを非導通とし、
前記バイアス電圧を印加している期間内に前記スイッチング素子を導通させて、前記駆動トランジスタを非導通とした状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する、
有機ＥＬ表示装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、発光素子及び発光素子を駆動するための駆動素子を含む画素部をマトリクス状に配置した表示部を有し、表示部に含まれる各画素部に対応して複数の走査線及び複数のデータ線が配置されている。例えば、各画素部を２個のトランジスタ及び１個のコンデンサで構成し、駆動素子のソース電極に電気的に接続された第１電源線を、走査線に平行な方向及び垂直な方向の両方に網目状に配置する場合、コンデンサの第１電極に駆動素子のゲート電極が接続され、コンデンサの第２電極に駆動素子のソース電極が接続される（例えば、特許文献１参照）。この場合、コンデンサの第１電極に信号電圧が供給され、ソース電極に接続されているコンデンサの第２電極の電位は第１電源線の電位によって決定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１０８２５２号公報
【特許文献２】特開２００９−２７１３２０号公報
【特許文献３】特開２００９−６９５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来の技術では以下のような問題が生じていた。
【０００５】
即ち、走査線に平行な各ラインのうち発光動作を行っているラインでは、第１電源線に電流が流れることにより電圧降下が生じて電位が変動する。このとき、発光動作を行っているラインに隣接するラインの各画素部に、映像信号に対応する信号電圧を書き込む場合、第１電源線は網目状に配置されているので、走査線に垂直な方向に沿って設けられた配線を介して、発光動作を行っているラインに配置された第１電源線の電圧降下の影響が、信号電圧の書き込み動作を行っているラインに配置された第１電源線に伝わる。言い換えると、走査線に垂直な方向に配置された第１電源線を介して、走査線に平行な方向に配置され発光動作を行っているラインに対応する第１電源線の電圧降下が、走査線に平行な方向に配置され信号電圧の書き込み動作を行っているラインに対応する第１電源線に伝播する。その結果、信号電圧の書き込み動作を行っているラインに対応し、走査線に平行な方向に配置された第１電源線の電位が変動する。
【０００６】
さらに、発光動作を行っているラインにおいて、表示部の中央に向かって電圧降下の影響が大きくなるため、信号電圧の書き込み動作を行っているラインに配置された各画素部に第１電源線から供給される電位にばらつきが生じる。
【０００７】
このように、第１電源線の電位が電圧降下により低下している場合にコンデンサの第１電極に信号電圧の書き込みを行うと、コンデンサの第２電極の電位が低下した状態でコンデンサの第１電極に信号電圧が供給されるので、コンデンサには所望の電圧値よりも小さな電圧が保持される。また、コンデンサに保持される電圧が各画素部間でばらつく。その結果、表示部から発光される輝度が低下するともに表示部に輝度ムラが発生し、表示部を所望の輝度で発光させることができないという問題が生じる。
【０００８】
また、信号電圧の書き込み期間中に、駆動素子が導通状態となって駆動素子の駆動電流が流れる場合がある。この場合、信号電圧の書き込み期間中に駆動電流が第１電源線を介して流れることにより第１電源線の電位が変動する。その結果、コンデンサには所望の電圧値よりも小さな電圧が保持される。
【０００９】
かかる問題を解決するために、第１電源線及び、第２電源線のいずれか一方、もしくは両方の電源線を走査線に平行なライン毎に走査し、発光素子の発光動作時と信号電圧の書き込み時とで駆動素子の導通、非導通状態を切り換えることで、コンデンサに所望の電圧値を書き込む方法がある（例えば、特許文献２参照）。この方法では、発光動作時には、発光素子に順バイアスが印加される向きに第１電源線及び第２電源線の電位を制御し、一方、信号電圧の供給期間には、発光素子に順バイアスが印加されないように第１電源線及び第２電源線の電位を制御する。これによって、信号電圧の供給期間内に第１電源線を介して発光素子に流れる駆動電流を防止できる。
【００１０】
しかしながら、この場合、第１電源線及び第２電源線の電位を変動させるための専用ドライバが別途必要となり、コスト高を招くという問題がある。
【００１１】
一方、第１電源線及び第２電源線と発光素子との間に別途スイッチ用のトランジスタを設け、信号電圧の供給期間内にこのトランジスタをオフすることで信号電圧の供給期間内に流れる駆動電流を防止する方法もある（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、この方法では、別途スイッチ用のトランジスタを設ける分だけ画素部を構成する素子の点数及びトランジスタを制御する為の配線が増加し、製造工程において歩留まりが低下するとともに電源部から供給する電源電圧が大きくなり消費電力の増加を招くという問題がある。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、表示部に含まれる各画素部の構成を簡素化しつつ書き込み中の画素部に対応する電源線の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、発光素子及び前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子を含む画素部をマトリクス状に複数配置した表示部と、前記表示部に含まれる複数の画素部を走査するための信号を供給する複数の走査線と、前記表示部に含まれる複数の画素部に信号電圧を供給するための複数のデータ線と、前記表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線と、前記基幹電源線に対して外部から入力される前記所定の固定電位を供給する電源部と、前記複数の走査線の各々に対応し、対応する走査線と平行に前記基幹電源線から分岐して設けられ、複数の前記駆動素子のソース電極に電気的に接続される複数の第１電源線であって、その各々が前記表示部内において一本ずつ分離して設けられている複数の第１電源線と、前記駆動素子のドレイン電極に電気的に接続される第２電源線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の画素部の各々は、第１電極が前記駆動素子のゲート電極に接続され第２電極が前記駆動素子のソース電極に接続されたコンデンサと、一方の端子が前記データ線に接続され他方の端子が前記コンデンサの第１電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第１電極との導通及び非導通を切り換えるスイッチング素子と、を備え、前記駆動素子は、所定のバイアス電圧が供給されることにより前記駆動素子を非導通とするバックゲート電極を備え、前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線と、前記スイッチング素子の制御及び前記バックゲート電極への前記所定のバイアス電圧の供給制御を実行する駆動回路と、を備え、前記所定のバイアス電圧は、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくするための電圧であり、前記駆動回路は、前記バイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくして前記駆動素子を非導通とし、前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記スイッチング素子を導通させて、前記駆動素子を非導通とした状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する。
【発明の効果】
【００１４】
本態様によると、前記表示部の外周に配置され、前記電源部から所定の固定電位を前記表示部に供給するための基幹電源線を設け、前記走査線と平行に複数の第１電源線を前記一本の基幹電源線から分岐させて、前記表示部内において隣接する前記第１電源配線同士が分離されるように一本ずつ設ける。これにより、前記複数の第１電源線の各々は、前記表示部内において隣接する第１電源線と分離されているので、信号電圧の書き込みの対象である所定の行の画素部に対応する前記第１電源線の電位が、前記所定の行に隣接する発光動作中の画素部に対応する前記第１電源線の電圧降下の影響を受けることを防止できる。
【００１５】
その上で、本態様では、前記バックゲート電極に所定のバイアス電圧を供給することで前記駆動素子を非導通とし、前記駆動素子を非導通とした状態で、前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する。これにより、前記駆動電流を停止させた状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給するので、前記信号電圧の供給期間中に前記駆動電流が前記発光素子に流れることによる前記第１電源線の電圧降下を防止できる。そのため、前記信号電圧の供給期間中に前記コンデンサの第２電極の電位の変動を防止でき、前記コンデンサに所望の電圧を保持させることができる。その結果、書き込み中の画素部に対応する第１電源線の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる。
【００１６】
ここで、本態様では、前記バックゲート電極を、前記駆動素子の導通及び非導通を切り替えるためのスイッチとして用いている。前記所定のバイアス電圧は、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記駆動素子のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電位である。前記所定のバイアス電圧の供給制御により前記駆動素子の導通及び非導通の切り替えを制御することで、前記バックゲート電極をスイッチ素子として用いることができるので、前記信号電圧の書き込み期間中に前記駆動電流を遮断するためのスイッチ素子を別途設ける必要がなくなる。
【００１７】
このように、本態様では、前記信号電圧の書き込み期間中に前記第１電源線を前記表示部内において隣接する行の画素部に対応する第１電源線と分離するとともに、前記駆動素子のバックゲート電極を用いて前記駆動素子にスイッチとしての機能を兼用させた。これにより、各画素部において、前記信号電圧の書き込み期間中に前記駆動電流を遮断するためのスイッチ素子を設ける必要がなくなるので、各画素部の構成を簡素化でき、本装置の製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、発光画素の詳細な回路構成を示す回路図である。
【図３】図３は、駆動トランジスタのＶｓｇ−Ｉｄ特性の一例を示すグラフである。
【図４Ａ】図４Ａは、最大階調での発光時の発光画素の状態を模式的に示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、信号電圧書き込み時の発光画素の状態を模式的に示す図である。
【図５】図５は、有機ＥＬ表示装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】図６は、実施の形態１の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図７】図７は、発光画素の詳細な回路構成を示す回路図である。
【図８】図８は、有機ＥＬ表示装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図９】図９は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、ボルテージフォロワ回路ＶＦを有さない表示パネル内の電圧及び電流を模式的に示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置が有する表示パネル内の電圧及び電流を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、駆動トランジスタをＮ型トランジスタとした場合の、発光画素の回路構成の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の有機ＥＬ表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
請求項１記載の有機ＥＬ表示装置は、発光素子及び前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子を含む画素部をマトリクス状に複数配置した表示部と、前記表示部に含まれる複数の画素部を走査するための信号を供給する複数の走査線と、前記表示部に含まれる複数の画素部に信号電圧を供給するための複数のデータ線と、前記表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線と、前記基幹電源線に対して外部から入力される前記所定の固定電位を供給する電源部と、前記複数の走査線の各々に対応し、対応する走査線と平行に前記基幹電源線から分岐して設けられ、複数の前記駆動素子のソース電極に電気的に接続される複数の第１電源線であって、その各々が前記表示部内において一本ずつ分離して設けられている複数の第１電源線と、前記駆動素子のドレイン電極に電気的に接続される第２電源線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の画素部の各々は、第１電極が前記駆動素子のゲート電極に接続され第２電極が前記駆動素子のソース電極に接続されたコンデンサと、一方の端子が前記データ線に接続され他方の端子が前記コンデンサの第１電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第１電極との導通及び非導通を切り換えるスイッチング素子と、を備え、前記駆動素子は、所定のバイアス電圧が供給されることにより前記駆動素子を非導通とするバックゲート電極を備え、前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線と、前記スイッチング素子の制御及び前記バックゲート電極への前記所定のバイアス電圧の供給制御を実行する駆動回路と、を備え、前記所定のバイアス電圧は、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくするための電圧であり、前記駆動回路は、前記バイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくして前記駆動素子を非導通とし、前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記スイッチング素子を導通させて、前記駆動素子を非導通とした状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する。
【００２０】
本態様によると、前記表示部の外周に配置され、前記電源部から所定の固定電位を前記表示部に供給するための基幹電源線を設け、前記走査線と平行に複数の第１電源線を前記一本の基幹電源線から分岐させて、前記表示部内において隣接する前記第１電源配線同士が分離されるように一本ずつ設ける。これにより、前記複数の第１電源線の各々は、前記表示部内において隣接する第１電源線と分離されているので、信号電圧の書き込みの対象である所定の行の画素部に対応する前記第１電源線の電位が、前記所定の行に隣接する発光動作中の画素部に対応する前記第１電源線の電圧降下の影響を受けることを防止できる。
【００２１】
その上で、本態様では、前記バックゲート電極に所定のバイアス電圧を供給することで前記駆動素子を非導通とし、前記駆動素子を非導通とした状態で、前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する。これにより、前記駆動電流を停止させた状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給するので、前記信号電圧の供給期間中に前記駆動電流が前記発光素子に流れることによる前記第１電源線の電圧降下を防止できる。そのため、前記信号電圧の供給期間中に前記コンデンサの第２電極の電位の変動を防止でき、前記コンデンサに所望の電圧を保持させることができる。その結果、書き込み中の画素部に対応する第１電源線の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる。
【００２２】
ここで、本態様では、前記バックゲート電極を、前記駆動素子の導通及び非導通を切り替えるためのスイッチとして用いている。前記所定のバイアス電圧は、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記駆動素子のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電圧である。前記所定のバイアス電圧の供給制御により前記駆動素子の導通及び非導通の切り替えを制御することで、前記バックゲート電極をスイッチ素子として用いることができるので、前記信号電圧の書き込み期間中に前記駆動電流を遮断するためのスイッチ素子を別途設ける必要がなくなる。
【００２３】
このように、本態様では、前記信号電圧の書き込み期間中に前記第１電源線を前記表示部内において隣接する行の画素部に対応する第１電源線と分離するとともに、前記駆動素子のバックゲート電極を用いて前記駆動素子にスイッチとしての機能を兼用させた。これにより、各画素部において、前記信号電圧の書き込み期間中に前記駆動電流を遮断するためのスイッチ素子を設ける必要がなくなるので、各画素部の構成を簡素化でき、本装置の製造コストを削減することができる。
【００２４】
請求項２記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、前記複数の第１電源線の各々に対応して設けられ、前記第１電源線の電位を前記所定の固定電位に固定するための複数の電位固定部を備え、前記複数の第１電源線の各々は、前記基幹電源線から前記電位固定部を介して分岐している。
【００２５】
前記複数の第１電源線の各々が前記基幹電源線から直接分岐している場合、前記発光動作を行っている行に配置されている各画素部で前記駆動電流が流れ、前記第１電源線に電圧降下が生じることによりこの行に対応する第１電源線と基幹電源線との分岐点に電圧降下が発生する。そのため、前記電圧降下の影響を受けて、前記信号電圧の書き込みを行う所定の行に対応する第１電源線と基幹電源線と分岐点の電位が変動してしまう場合がある。その結果、前記信号電圧の書き込みを行う所定の行に対応する前記第１電源線の電位は、前記所定の行に配置されている各画素部間では均一になっているが、前記第１電源線の電位そのものが前記電源部の固定電位よりも低い電圧値に変動する。
【００２６】
本態様によると、前記複数の第１電源線の各々に対応して、前記第１電源線の電位を前記所定の固定電位に固定するための複数の電位固定部を備え、前記複数の第１電源線の各々は、前記基幹電源線から前記電位固定部を介して分岐している。これにより、前記電位固定部が前記複数の第１電源線の各々の電位を前記所定の固定電位に保持するので、前記信号電圧の書き込みを行う所定の行における前記第１電源線が、前記基幹電源線を介して前記発光動作を行っている行に対する第１電源線の電圧降下の影響を防止できる。
【００２７】
よって、表示部に含まれる各画素部を所望の輝度で発光させることができる。
【００２８】
請求項３記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記電位固定部は、ボルテージフォロワ回路により構成される。
【００２９】
例えば、特開２００９−２７１３２０号公報に記載の構成においては、前記信号電圧の書き込みを行う際に、前記第１電源線に固定電位を与える手段として専用のドライバを用いているが、その場合、複数の第１電源線を走査して前記複数の第１電源線に前記所定の固定電位を供給する期間と、前記駆動電流を供給する期間とを切り替える必要がある。そのため、前記専用ドライバにはシフトレジスタ等の複雑な回路が必要となりコスト高を招く。
【００３０】
本態様によると、前記電位固定部をボルテージフォロワ回路のみにより構成する。これにより、前記電位固定部の出力を前記所定の固定電位の１値のみとすることができるので、前記電位固定部で信号の走査及び切り替えを行う必要がなくなる。そのため、前記複数の第１電源線の電位を前記所定の固定電位に保持するための専用ドライバを設ける場合に比べて、簡易な構成で前記第１電源線の電位を前記所定の固定電位に保持できる。その結果、製造コストを低減することができる。
【００３１】
請求項４記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記駆動素子のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための前記所定のバイアス電圧とは、各画素部に含まれる前記発光素子を最大階調で発光させるために必要な所定の信号電圧が前記駆動素子のゲート電極に印加されたときに、前記駆動素子のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも前記閾値電圧の絶対値が大きくなるように設定された電位である。
【００３２】
本態様によると、前記所定のバイアス電圧を、各画素部において前記発光素子を最大階調で発光させるために必要な所定の信号電圧が前記駆動素子のゲート電極に印加されたときに、前記駆動素子のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも前記閾値電圧の絶対値が大きくなるように設定する。この場合、前記所定のバイアス電圧を設定することによって、全ての表示階調において、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記駆動素子のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくすることができる。その結果、前記信号電圧の書き込みを行う際に、前記駆動素子を確実に非導通として、前記駆動電流を停止させることが出来る。
【００３３】
請求項５記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記バックゲート電極に前記所定のバイアス電圧を供給している期間と、前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給する期間とを同じとする。
【００３４】
本態様によると、前記バックゲート電極に前記所定のバイアス電圧の供給している期間と、前記スイッチング素子をオンしている期間とを同時としてもよい。
【００３５】
請求項６記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記スイッチング素子と前記駆動素子とを互いに逆の極性のトランジスタで構成し、前記走査線と前記所定のバイアス線とを共通の制御線とする。
【００３６】
本態様によると、前記バイアス電圧の供給を開始するタイミングと前記スイッチング素子をオンするタイミングとが同時の場合であって、且つ、前記バイアス電圧の供給を終了するタイミングと前記スイッチング素子をオフするタイミングとが同時の場合、前記走査線と前記バイアス線を共通の制御線とすることができる。これにより、前記表示部の配線数を削減することができるので、回路構成を簡素化できる。
【００３７】
請求項７記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記駆動素子はＰ型トランジスタである。
【００３８】
請求項８記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記駆動回路は、前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給した後、前記スイッチング素子を非導通とし、前記所定のバイアス電圧よりも低い電位を前記バックゲート電極に供給して、前記駆動素子の閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動素子を導通状態とし、前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる。
【００３９】
本態様によると、前記駆動素子がＰ型の場合、例えば前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給した後、前記所定のバイアス電圧よりも低い電位を前記バックゲート電極に供給することにより、前記駆動素子を非導通状態から導通状態へと遷移させ、前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を流して前記発光素子を発光させる。
【００４０】
これにより、前記信号電圧の書き込み期間中に、前記第１電源線に前記駆動電流が流れることによる第１電源線の電圧降下の発生を防止できるので、前記コンデンサに所望の電圧を保持することができる。その結果、前記駆動素子は前記所望の電圧に対応する前記駆動電流を流して前記発光素子を発光させることができる。
【００４１】
請求項９記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記駆動素子はＮ型トランジスタである。
【００４２】
請求項１０記載の有機ＥＬ表示装置によれば、前記駆動回路は、前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給した後、前記スイッチング素子を非導通とし、前記所定のバイアス電圧よりも高い電位を前記バックゲート電極に供給して前記駆動素子の閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動素子を導通状態とし、前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる。
【００４３】
本態様によると、前記駆動素子がＮ型の場合、前記コンデンサの第１電極に前記信号電圧を供給した後、前記所定のバイアス電圧よりも高い電位を前記バックゲート電極に供給することにより、前記駆動素子を非導通状態から導通状態へと遷移させて、前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を流して前記発光素子を発光させる。
【００４４】
これにより、前記信号電圧の書き込み期間中に、前記第１電源線に前記駆動電流が流れることによる第１電源線の電圧降下の発生を防止できるので、前記コンデンサに所望の電圧を保持することができる。その結果、前記駆動素子は前記所望の電圧に対応する前記駆動電流を流して前記発光素子を発光させることができる。
【００４５】
請求項１１記載の態様の有機ＥＬ表示装置の制御方法によれば、発光素子及び前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子を含む画素部をマトリクス状に複数配置した表示部と、前記表示部に含まれる複数の画素部を走査するための信号を供給する複数の走査線と、前記表示部に含まれる複数の画素部に信号電圧を供給するための複数のデータ線と、前記表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線と、前記基幹電源線に対して外部から入力される前記所定の固定電位を供給する電源部と、前記複数の走査線の各々に対応し、対応する前記走査線と平行な方向に前記基幹電源線から分岐して設けられ、複数の前記駆動素子のソース電極に電気的に接続される複数の第１電源線であって、その各々が前記表示部内において一本ずつ分離して設けられている複数の第１電源線と、前記駆動素子のドレイン電極に電気的に接続される第２電源線と、を有する有機ＥＬ表示装置の制御方法であって、前記複数の画素部の各々は、第１電極が前記駆動素子のゲート電極に接続され第２電極が前記駆動素子のソース電極に接続されたコンデンサと、一方の端子が前記データ線に接続され他方の端子が前記コンデンサの第１電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第１電極との導通及び非導通を切り換えるスイッチング素子と、を備え、前記駆動素子は、所定のバイアス電圧が供給されることにより前記駆動素子を非導通とするバックゲート電極を備える有機ＥＬ表示装置の制御方法であって、前記有機ＥＬ表示装置は、さらに、前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線を備え、前記所定のバイアス電圧は、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくするための電圧であり、前記バイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動素子の閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも大きくして前記駆動素子を非導通とし、前記バイアス電圧を印加している期間内に前記スイッチング素子を導通させて、前記駆動素子を非導通とした状態で前記信号電圧を前記コンデンサの第１電極に供給する。
【００４６】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一又は相当する要素には同じ符号を付けて、その重複する説明を省略する。
【００４７】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図面を用いて説明する。
【００４８】
図１は、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【００４９】
同図に示す有機ＥＬ表示装置１００は、書き込み駆動回路１１０と、データ線駆動回路１２０と、バイアス電圧制御回路１３０と、直流電源１５０と、表示パネル１６０とを備える。ここで、表示パネル１６０は、ｎ行×ｍ列（ｎ、ｍは自然数）の行列状に配置された複数の発光画素１７０が配置された表示部１８０と、表示部１８０の外周に配置され、所定の固定電位Ｖｄｄを表示部１８０に供給する基幹電源線１９０とを有し、書き込み駆動回路１１０、データ線駆動回路１２０、バイアス電圧制御回路１３０及び直流電源１５０に接続されている。
【００５０】
有機ＥＬ表示装置１００は、さらに、複数の発光画素１７０の行ごとに対応して設けられた複数の走査線１６４と、基幹電源線１９０から分岐して複数の発光画素１７０の行ごとに設けられた電源線１６２と、複数の発光画素１７０の列ごとに対応して設けられたデータ線１６６とを備える。
【００５１】
図２は、発光画素１７０の詳細な回路構成を示す回路図である。なお、同図には、発光画素１７０に対応する電源線１６１及び１６２と、走査線１６４と、バイアス配線１６５と、データ線１６６とも示されている。
【００５２】
同図に示す発光画素１７０は、本発明の画素部であって、走査トランジスタ１７１と、駆動トランジスタ１７３と、コンデンサ１７４と、発光素子１７５とを備える。なお、図２に示す発光画素１７０は、ｋ行、ｊ列（１≦ｋ≦ｎ、１≦ｊ≦ｍ）の発光画素１７０を例に示しているが、他の発光画素も同様の構成を有する。
【００５３】
以下、図１及び図２に記載した各構成要素について、その接続関係及び機能を説明する。
【００５４】
書き込み駆動回路１１０は、複数の発光画素１７０の行ごとに対応して設けられた複数の走査線１６４に接続され、複数の走査線１６４に走査パルスＳＣＡＮ（１）〜ＳＣＡＮ（ｎ）を供給することにより、複数の発光画素１７０を行単位で順次走査する。この走査パルスＳＣＡＮ（１）〜ＳＣＡＮ（ｎ）は、走査トランジスタ１７１のオン及びオフを制御する信号である。
【００５５】
データ線駆動回路１２０は、複数の発光画素１７０の列ごとに対応して設けられた複数のデータ線１６６に接続され、複数のデータ線１６６にデータ線電圧ＤＡＴＡ（１）〜ＤＡＴＡ（ｍ）を供給する。各データ線電圧ＤＡＴＡ（１）〜ＤＡＴＡ（ｍ）は、対応する列の発光素子１７５の発光輝度に対応する信号電圧を時分割で含む。つまり、データ線駆動回路１２０は、複数のデータ線１６６に信号電圧を供給する。なお、データ線駆動回路１２０とバイアス電圧制御回路１３０とは、本発明の駆動回路に相当する。
【００５６】
バイアス電圧制御回路１３０は、複数の発光画素１７０の行ごとに対応して設けられた複数のバイアス配線１６５に接続され、複数のバイアス配線１６５にバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）を供給することにより、複数の発光画素１７０の閾値電圧を行単位で制御する。言い換えると、複数の発光画素１７０の導通及び非導通を行単位で切り換える。なお、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）により発光画素１７０の閾値電圧が制御されることについては後述する。
【００５７】
直流電源１５０は、本発明の電源部であって、基幹電源線１９０を介して電源線１６２に接続され、基幹電源線１９０に固定電位Ｖｄｄを供給する。例えば、固定電位Ｖｄｄは１５Ｖである。
【００５８】
電源線１６１は、本発明の第２電源線であって、駆動トランジスタ１７３のドレイン電極に発光素子１７５を介して接続されている。この電源線１６１は、例えば電位が０Ｖのグランド線である。
【００５９】
走査線１６４は、複数の発光画素１７０の行ごとに対応して共通に設けられ、書き込み駆動回路１１０と、対応する各発光画素１７０が有する走査トランジスタ１７１のゲート電極に接続されている。
【００６０】
バイアス配線１６５は、複数の発光画素１７０の行ごとに対応して共通に設けられ、バイアス電圧制御回路１３０と、対応する各発光画素１７０が有する駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極ＢＧに接続されている。
【００６１】
データ線１６６は、複数の発光画素１７０の列ごとに対応して共通に設けられ、データ線駆動回路１２０からデータ線電圧ＤＡＴＡ（１）〜ＤＡＴＡ（ｍ）が供給される。
【００６２】
基幹電源線１９０は、表示部１８０の外周に配置され、直流電源１５０から供給された固定電位Ｖｄｄを表示部１８０へ供給する。具体的には、基幹電源線１９０は、直流電源１５０及び複数の電源線１６２に接続され、直流電源１５０から供給された固定電位Ｖｄｄを複数の電源線１６２に伝達する。なお、表示部１８０の外周とは、マトリクス状に配置された複数の発光画素１７０を含む領域のうち最小となる領域と、表示パネル１６０の外縁との間の領域である。
【００６３】
電源線１６２は、本発明の第１電源線であって、走査線１６４と平行に基幹電源線１９０から分岐して設けられ、同一行に属する発光画素１７０の駆動トランジスタ１７３のソース電極に接続されている。有機ＥＬ表示装置１００に含まれる複数の電源線１６２は、表示部１８０内において一本ずつ分離して設けられている。言い換えると、有機ＥＬ表示装置１００に含まれる複数の電源線１６２は、複数の発光画素１７０の行ごとに対応して設けられ、対応する複数の発光画素１７０の行に沿って配置されている。
【００６４】
走査トランジスタ１７１は、本発明のスイッチング素子であり、一方の端子がデータ線１６６に接続され、他方の端子がコンデンサ１７４の第１電極に接続され、データ線１６６とコンデンサ１７４の第１電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、走査トランジスタ１７１は、ゲート電極が走査線１６４に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方がデータ線１６６に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方がコンデンサ１７４の第１電極に接続されている。そして、書き込み駆動回路１１０から走査線１６４を介してゲート電極に供給される走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）に応じてデータ線１６６とコンデンサ１７４の第１電極との導通及び非導通を切り換える。
【００６５】
駆動トランジスタ１７３は、本発明の駆動素子であり、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、ゲート電極Ｇ及びバックゲート電極ＢＧを有し、ゲート電極Ｇがコンデンサ１７４の第１電極に接続され、ソース電極Ｓが電源線１６２を介してコンデンサ１７４の第２電極に接続され、コンデンサ１７４に保持された電圧に応じた駆動電流を発光素子１７５に流すことにより発光素子１７５を発光させ、バックゲート電極ＢＧに所定のバイアス電圧が供給されることにより駆動トランジスタ１７３を非導通とする。つまり、駆動トランジスタ１７３は、コンデンサ１７４に保持された電圧に応じたドレイン電流である駆動電流を発光素子１７５に供給する。この駆動トランジスタ１７３の詳細な説明は後述する。
【００６６】
コンデンサ１７４は、発光画素１７０の発光素子１７５の発光輝度に対応する電圧を保持するためのコンデンサである。具体的には、コンデンサ１７４は、第１電極及び第２電極を有し、第１電極が駆動トランジスタ１７３のゲート電極及び走査トランジスタ１７１のソース電極及びドレイン電極の他方に接続され、第２電極が電源線１６２を介して駆動トランジスタ１７３のソース電極に接続されている。つまり、コンデンサ１７４の第１電極は、走査トランジスタ１７１が導通したときにデータ線１６６に供給されているデータ線電圧ＤＡＴＡ（ｊ）が設定される。一方、コンデンサ１７４の第２電極は、電源線１６２の固定電位Ｖｄｄが設定される。
【００６７】
発光素子１７５は、駆動トランジスタ１７３から供給されるドレイン電流により発光する、例えば有機ＥＬ発光素子である。
【００６８】
走査トランジスタ１７１は例えばＮ型薄膜トランジスタ（Ｎ型ＴＦＴ）であり、駆動トランジスタ１７３はＰ型薄膜トランジスタ（Ｐ型ＴＦＴ）である。
【００６９】
次に、上述した駆動トランジスタ１７３の特性について説明する。
【００７０】
図３は、駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧に対するドレイン電流特性（Ｖｓｇ−Ｉｄ特性）の一例を示すグラフである。
【００７１】
同図の横軸は、駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧Ｖｓｇを示し、同図の縦軸は、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流Ｉｄを示す。具体的には、縦軸は、駆動トランジスタ１７３のゲート電極の電圧を基準としたソース電極の電圧を示し、ソース電極の電圧がゲート電極の電圧より高い場合に正、低い場合に負となる。
【００７２】
同図には、異なる複数のバックゲート電圧に対応するＶｓｇ−Ｉｄ特性が示されており、具体的には、駆動トランジスタ１７３のソース−バックゲート間電圧Ｖｓｂを−８Ｖ、−４Ｖ、０Ｖ、４Ｖ、８Ｖ、１２Ｖとした場合のＶｓｇ−Ｉｄ特性が示されている。ここで、駆動トランジスタ１７３のソース−バックゲート間電圧Ｖｓｂは、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極の電圧を基準としたソース電極の電圧を示し、ソース電極の電圧がバックゲート電極の電圧より高い場合に正、低い場合に負となる。
【００７３】
図３に示すＶｓｇ−Ｉｄ特性から、Ｖｓｇが同じ場合であってもＶｓｂに応じてＩｄが異なることが分かる。ここで例えば、ドレイン電流Ｉｄが１００ｐＡ以下の場合、駆動トランジスタ１７３は非導通、ドレイン電流が１μＡ以上の場合、駆動トランジスタ１７３は導通しているとする。例えば、Ｖｓｇ＝６Ｖの場合、Ｖｓｂ＝−８Ｖ、−４Ｖの場合はＩｄが１００ｐＡ以下であるので、駆動トランジスタ１７３は非導通となる。また、同様にＶｓｇ＝６ＶであってもＶｓｂ＝４Ｖ、８Ｖ、１２Ｖの場合はＩｄが１μＡ以上となるので、駆動トランジスタ１７３は導通となる。
【００７４】
これに対し、Ｖｓｇ＝２Ｖの場合、Ｖｓｂ＝−８Ｖ、−４Ｖ、０Ｖの場合はＩｄが１００ｐＡ以下であるので、駆動トランジスタ１７３は非導通となる。また、同様にＶｓｇ＝２Ｖであっても、Ｖｓｂ＝１２Ｖの場合はＩｄが１μＡ以上となるので、駆動トランジスタ１７３は導通となる。
【００７５】
このように、駆動トランジスタ１７３は、Ｖｓｇが同じであっても、Ｖｓｂに応じて導通と非導通とが切り換わる。つまり、駆動トランジスタ１７３は、Ｖｓｂに応じて閾値電圧が変化する。具体的には、Ｖｓｂが低くなるほど、閾値電圧が高くなる。よって、駆動トランジスタ１７３は、ソース−ゲート間電圧が同じであっても、バイアス配線１６５を介してバイアス電圧制御回路１３０から供給されるバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）に応じて導通及び非導通が切り換えられる。
【００７６】
なお、駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通を区別する電流量は、駆動トランジスタ１７３が組み込まれる回路によって規定され、上記の例に限らない。具体的には、駆動トランジスタ１７３が導通しているとは、駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧が最大階調に対応する電圧の場合に、当該最大階調に対応するドレイン電流を供給可能な状態である。一方、駆動トランジスタ１７３が非導通であるとは、駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧が最大階調に対応する電圧の場合に、ドレイン電流が許容電流以下となっている状態である。
【００７７】
許容電流とは、電源線１６２に電圧降下が生じない程度のドレイン電流の最大値である。言い換えると、発光画素１７０に許容電流が流れても、その許容電流の電流量は十分に小さいので、電源線１６２に生じる電圧降下が十分に小さく影響はない。
【００７８】
ここで、バイアス電圧制御回路１３０から供給されるバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧及びローレベル電圧の電圧値の決定について説明する。
【００７９】
発光画素１７０の駆動トランジスタ１７３に要求される条件として、以下の２点が挙げられる。
【００８０】
（条件i）最大階調での発光時に、最大階調に対応したドレイン電流を発光素子１７５に供給する。
【００８１】
（条件ii）信号電圧の書き込み時に、発光素子１７５に供給するドレイン電流を許容電流以下とする。
【００８２】
例えば、最大階調に対応したドレイン電流を３μＡ、書き込み期間の許容電流を１００ｐＡとする。
【００８３】
以下、図３に示したＶｓｇ−Ｉｄ特性を用いて、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧及びローレベル電圧の電圧値の決定について説明する。
【００８４】
まず、発光時のソース−バックゲート間電圧の特性として、Ｖｓｂ＝８Ｖを選択する。
【００８５】
次に、最大階調での発光時のソース−ゲート間電圧を決定する。具体的には、最大階調に対応したドレイン電流Ｉｄは３μＡであるので、上述したようにＶｓｂ＝８Ｖを選択すると、Ｖｓｇ＝５．６Ｖと決まる。
【００８６】
次に、信号電圧の書き込み時に、ドレイン電流Ｉｄを許容電流以下とするようなソース−バックゲート間電圧Ｖｓｂを選択する。ここで、ドレイン電流Ｉｄは、いかなる階調に対応する信号電圧が発光画素１７０に書き込まれた場合であっても、許容電流以下となることが要求される。発光素子１７５の発光輝度の階調は、コンデンサ１７４に保持された電圧が大きいほど高くなる。よって、最大階調に対応する信号電圧に対応する電圧をコンデンサ１７４が保持していても、ドレイン電流Ｉｄが許容電流以下でなければならない。例えば、最大階調に対応する信号電圧を発光画素１７０に書き込んだときにコンデンサ１７４が保持する電圧は、上述した最大階調で発光したときの駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧である５．６Ｖである。
【００８７】
Ｖｓｇ＝５．６Ｖのときにドレイン電流Ｉｄが１００ｐＡ以下となるソース−バックゲート間電圧Ｖｓｂは、Ｖｓｂ≦−４Ｖである。したがって、信号電圧書き込み時のソース−バックゲート間電圧ＶｓｂとしてＶｓｂ＝−４Ｖを選択する。
【００８８】
以上のように、発光時のソース−バックゲート間電圧がＶｓｂ＝８Ｖ、書き込み時のソース−バックゲート間電圧がＶｓｂ＝−４Ｖと決定される。
【００８９】
ところで、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電圧は、ソース電圧からソース−バックゲート間電圧を引いた電圧である。つまり、Ｖｂ＝Ｖｓ−Ｖｓｂである。ここでＶｓ＝Ｖｄｄより、Ｖｂ＝Ｖｄｄ−Ｖｓｂとなる。
【００９０】
発光時は、上述したようにＶｓｂ＝８Ｖなので、Ｖｂ＝１５−８よりＶｂ＝７Ｖとなる。
【００９１】
一方、書き込み時は、上述したようにＶｓｂ＝−４Ｖなので、Ｖｂ＝１５−（−４）よりＶｂ＝１９Ｖとなる。
【００９２】
図４Ａは、最大階調での発光時の発光画素１７０の状態を模式的に示す図である。図４Ｂは、信号電圧書き込み時の発光画素１７０の状態を模式的に示す図である。
【００９３】
図４Ａに示すように、最大階調発光時には、Ｖｂ＝７ＶとすることによりＶｓｂ＝８Ｖとし、最大階調に対応した３μＡのドレイン電流Ｉｄを発光素子１７５に供給する。
【００９４】
一方、図４Ｂに示すように、信号電圧書き込み時には、Ｖｂ＝１９ＶとすることによりＶｓｂ＝−４Ｖとし、最大階調に対応する信号電圧が書き込まれた場合でドレイン電流を許容電流以下とできる。つまり、信号電圧書き込み時に、電源線１６２の電圧降下が発生しない。
【００９５】
以上のように構成された有機ＥＬ表示装置１００は、表示部１８０の外周に配置され、直流電源１５０から所定の固定電位Ｖｄｄを表示部１８０に供給するための基幹電源線１９０を設け、複数の走査線１６４と平行に複数の電源線１６２を基幹電源線１９０から分岐させて、表示部１８０内において隣接する電源線１６２同士が分離されるように一本ずつ設ける。これにより、複数の電源線１６２の各々は、表示部１８０内において隣接する電源線１６２と分離されているので、信号電圧の書き込みの対象である所定の行の発光画素１７０に対応する電源線１６２の電位に対する、所定の行に隣接する発光動作中の発光画素１７０に対応する電源線１６２の電圧降下の影響を防止できる。
【００９６】
その上で、本実施の形態では、バックゲート電極に所定のバイアス電圧を供給することで駆動トランジスタ１７３を非導通とし、駆動トランジスタ１７３を非導通とした状態で、信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給する。これにより、ドレイン電流を停止させた状態で信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給するので、信号電圧の供給期間中にドレイン電流が発光素子に流れることによる、電源線１６２の電圧降下の発生を防止できる。そのため、信号電圧の供給期間中にコンデンサ１７４の第２電極の電位の変動を防止でき、コンデンサ１７４に所望の電圧を保持させることができる。その結果、書き込み中の発光画素１７０に対応する電源線１６２の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる。
【００９７】
ここで、本実施の形態では、バックゲート電極を、駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通を切り替えるためのスイッチとして用いている。
【００９８】
言い換えると、バイアス電圧制御回路１３０は、バイアス配線１６５を介してバックゲート電極に供給するバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）により、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧を制御する。具体的には、バイアス電圧制御回路１３０は、書き込み駆動回路１１０が走査トランジスタ１７１を導通させてコンデンサ１７４の第１電極にデータ線１６６から信号電圧を書き込む期間中に、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が停止するようなバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）を供給する。なお、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が停止するとは、ドレイン電流が許容電流以下となることである。
【００９９】
つまり、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が停止するようなバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）の電圧は、信号電圧の書き込み期間中に、駆動トランジスタ１７３のゲート−ソース間電圧よりも駆動トランジスタ１７３の閾値電圧を大きくするための電圧である。以降、本明細書において、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が停止するようなバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）の電圧を、バイアス電圧として記載する場合がある。
【０１００】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、バイアス電圧制御回路１３０から供給されるバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）により、駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通を切り換えることができる。言い換えると、バイアス電圧の供給制御により、駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通の切り換えを制御することで、バックゲート電極をスイッチ素子として用いることができるので、信号電圧の書き込み期間中に駆動電流を遮断するためのスイッチ素子を別途設ける必要がなくなる。その結果、発光画素１７０の回路構成を簡素化でき、製造コストを削減することができる。
【０１０１】
次に、上述した有機ＥＬ表示装置１００の動作について説明する。
【０１０２】
図５は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００の動作を示すタイミングチャートであり、具体的には、図２に示したｋ行、ｊ列の発光画素１７０の動作を中心に示している。同図において、横軸は時刻を示し、縦方向には上から順に、ｊ列の発光画素１７０のデータ線１６６に供給されるデータ線電圧ＤＡＴＡ（ｊ）、ｋ−１行の発光画素１７０の走査線１６４に供給される走査パルスＳＣＡＮ（ｋ−１）、ｋ−１行の発光画素１７０のバイアス配線１６５に供給されるバックゲートパルスＢＧ（ｋ−１）が示され、さらに、ｋ行及びｋ＋１行の発光画素に供給される走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ＋１）、バックゲートパルスＢＧ（ｋ＋１）が示されている。
【０１０３】
ここで、例えば、最大階調の信号電圧に対応するデータ線電圧ＶＤＨを１５Ｖ、最低階調の信号電圧に対応するデータ線電圧ＶＤＬを９Ｖとする。例えば、また、走査パルスＳＣＡＮ（１）〜ＳＣＡＮ（ｎ）のハイレベル電圧ＶＧＨを２０Ｖ、ローレベル電圧ＶＧＬを−５Ｖとする。また、図３を用いて決定したように、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨを１９Ｖ、ローレベル電圧ＢＧＬを７Ｖとする。
【０１０４】
時刻ｔ０より前において、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）及びバックゲートパルスＢＧ（ｋ）はローレベルであるので、ｋ行の発光画素１７０は直前のフレーム期間の信号電圧に応じて発光している。
【０１０５】
次に、時刻ｔ０において、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）がローレベルからハイレベルへと切り換わることにより、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電位はＶｂ＝７ＶからＶｂ＝１９Ｖへと上昇する。つまり、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧は、最大階調に対応する信号電圧が発光画素１７０に書き込まれても、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が許容電流以下となるような値とする。言い換えると、最大階調に対応する信号電圧が発光画素１７０に書き込まれた場合にコンデンサ１７４に保持される電圧よりも、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧が大きくなるようにする。
【０１０６】
次に、時刻ｔ１において、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がローレベルからハイレベルへと切り換わることにより、走査トランジスタ１７１がオンする。これにより、データ線１６６とコンデンサ１７４の第１電極とが導通することにより、コンデンサ１７４の第１電極にデータ線電圧ＤＡＴＡ（ｊ）が供給される。コンデンサ１７４の第２電極は、電源線１６２に接続されているので、固定電圧Ｖｄｄ（１５Ｖ）が供給されている。
【０１０７】
ここで、例えばデータ線電圧ＤＡＴＡ（ｊ）が９．４Ｖとすると、図４Ｂに示すようにソース−バックゲート間電圧はＶｓｂ＝−４Ｖ、ソース−ゲート間電圧はＶｓｇ＝５．６Ｖとなる。ここで、図３に示すようにＶｓｂ＝−４ＶのＶｓｇ−Ｉｄ特性より、Ｖｓｇ＝５．６Ｖに対応するドレイン電流Ｉｄは１００ｐＡとなる。よって、ドレイン電流Ｉｄは許容電流以下であるので、書き込み時に電源線１６２の電圧降下を十分に抑制できる。これにより、電源線１６２の電圧降下の影響を受けずに、コンデンサ１７４に信号電圧に応じた電圧を保持させることができる。
【０１０８】
次に、時刻ｔ２において走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がハイレベルからローレベルへと切り換わることにより、走査トランジスタ１７１がオフする。これにより、コンデンサ１７４は、時刻ｔ２の直前の電圧を保持する。つまり、コンデンサ１７４は、電源線１６２の電圧降下の影響を受けずに信号電圧に応じた電圧を保持する。
【０１０９】
つまり、時刻ｔ１〜ｔ２は信号電圧の書き込み期間である。この信号電圧の書き込み期間において、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）は継続してハイレベルであるので、最大階調に対応する信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給しても駆動トランジスタ１７３のドレイン電流Ｉｄが許容電流以下となる。よって、ドレイン電流Ｉｄを停止させた状態でコンデンサ１７４に信号電圧に応じた電圧を保持させるので、信号電圧の書き込み期間中に電源線１６２の電位が低下することに起因する輝度ムラを防止できる。具体的には、ｋ行の発光画素１７０の書き込み期間中に、ｋ行の発光画素１７０に対応して設けられた電源線１６２の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる。
【０１１０】
電源線１６２の電圧降下は、電源線１６２から発光画素１７０へ電流が流れることによって生じる。よって、上述のように、ドレイン電流Ｉｄを許容電流以下とすることにより電源線１６２から発光画素１７０へ流れる電流を実質的に停止することで、電源線１６２の電圧降下を防止する。
【０１１１】
また、有機ＥＬ表示装置１００が有する複数の電源線１６２のそれぞれは、マトリクス状に配置された複数の発光画素１７０の各行に１対１に対応し、基幹電源線１９０から分岐して設けられている。
【０１１２】
ところで、発光素子１７５は駆動トランジスタ１７３のドレイン電流Ｉｄにより発光するので、発光中の発光画素１７０に対応して設けられた電源線１６２（以下、発光行の電源線１６２と記載）には電圧降下が生じている。
【０１１３】
しかしながら、有機ＥＬ表示装置１００では、書き込み中の発光画素１７０行に対応する電源線１６２（以下、書き込み行の電源線１６２と記載）と、発光行の電源線１６２とは、別々に設けられている。よって、書き込み行の電源線１６２の電圧は、均一となる。言い換えると、書き込み行の電源線１６２の電圧は、ばらつかない。
【０１１４】
よって、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、発光中の発光画素１７０に対応して設けられた電源線１６２の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる。
【０１１５】
なお、信号電圧は、階調が大きくなるにつれて低くなるので、最大階調以外に対応する信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給しても駆動トランジスタ１７３のドレイン電流Ｉｄが許容電流以下となることは明白である。
【０１１６】
次に、時刻ｔ３において、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）がハイレベルからローレベルへと切り換わることにより、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電位はＶｂ＝１９ＶからＶｂ＝７Ｖへと低下する。よって、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧が低下し、信号電圧に対応するコンデンサ１７４に保持された電圧に応じたドレイン電流Ｉｄが供給されることにより、発光素子１７５の発光が開始される。例えば、信号電圧が９．４Ｖの場合、コンデンサ１７４に保持された電圧は、信号電圧と固定電圧Ｖｄｄ（例えば、０Ｖ）との差分である５．４Ｖであり、図３に示すようにドレイン電流Ｉｄは３μＡとなり、発光素子１７５は最大階調に対応した輝度で発光する。
【０１１７】
その後、時刻ｔ３〜ｔ４において、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）は、継続してローレベルであるので、発光素子１７５は継続して発光する。つまり、時刻ｔ３〜ｔ４は、発光期間である。
【０１１８】
次に、時刻ｔ５において、時刻ｔ１と同様に、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がローレベルからハイレベルへと切り換わることにより、走査トランジスタ１７１がオンする。これにより、データ線１６６とコンデンサ１７４の第１電極とが導通することにより、コンデンサ１７４の第１電極にデータ線電圧ＤＡＴＡ（ｊ）が供給される。
【０１１９】
上述した時刻ｔ１〜ｔ５は、有機ＥＬ表示装置１００の１フレーム期間に相当し、時刻ｔ５以降も時刻ｔ１〜ｔ５と同様の動作が繰り返し実行される。
【０１２０】
このように、有機ＥＬ表示装置１００は、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）をハイレベルとして駆動トランジスタ１７３のドレイン電流を許容電流以下とした状態で、コンデンサ１７４の第２電極に電圧降下が発生していない固定電位Ｖｄｄ＝１５Ｖを設定し、さらに、信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給する。これにより、ドレイン電流を停止させた状態で、コンデンサ１７４の第１電極に信号電圧を供給するので、信号電圧の書き込み期間中にドレイン電流Ｉｄが流れることにより電源線１６２の電位が低下することを防止できる。その結果、時刻ｔ３〜ｔ４の発光期間において、発光画素１７０は所望の発光輝度で発光できる。なお、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が許容電流以下のとき、当該駆動トランジスタ１７３は実質的に非導通である。
【０１２１】
以上のように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、発光素子１７５及び発光素子１７５への電流の供給を制御する駆動トランジスタ１７３を含む発光画素１７０をマトリクス状に複数配置した表示部１８０と、表示部１８０に含まれる複数の発光画素１７０を走査するための走査パルスＳＣＡＮ（１）〜（ｎ）を供給する複数の走査線１６４と、表示部１８０に含まれる複数の発光画素１７０に信号電圧を供給するための複数のデータ線１６６と、表示部１８０の外周に配置され、所定の固定電位Ｖｄｄを表示部１８０に供給する基幹電源線１９０と、基幹電源線１９０に対して外部から入力される所定の固定電位Ｖｄｄを供給する直流電源１５０と、複数の走査線１６４の各々に対応し、対応する走査線１６４と平行に基幹電源線１９０から分岐して設けられ、複数の駆動トランジスタ１７３のソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続される複数の電源線１６２であって、その各々が表示部１８０内において一本ずつ分離して設けられている複数の電源線１６２と、駆動トランジスタ１７３のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される電源線１６１と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、複数の発光画素１７０の各々は、第１電極が駆動トランジスタ１７３のゲート電極に接続され第２電極が駆動トランジスタ１７３のソース電極に接続されたコンデンサ１７４と、一方の端子がデータ線１６６に接続され他方の端子がコンデンサ１７４の第１電極に接続され、データ線１６６とコンデンサ１７４の第１電極との導通及び非導通を切り換える走査トランジスタ１７１と、を備え、駆動トランジスタ１７３は、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨが供給されることにより駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通を制御するバックゲート電極を備え、有機ＥＬ表示装置１００は、さらに、バックゲート電極に印加されるバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨを供給するバイアス配線１６５と、走査トランジスタ１７１の制御及びバックゲート電極へのバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨの供給制御を実行する書き込み駆動回路１１０及びバイアス電圧制御回路１３０と、を備え、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨは、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧をゲート電極及びソース電極の間の電位差よりも大きくするための電位であり、書き込み駆動回路１１０及びバイアス電圧制御回路１３０は、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨをバックゲート電極に印加することにより、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧の絶対値をゲート電極及びソース電極の間の電位差よりも大きくして駆動トランジスタ１７３を非導通とし（時刻ｔ０）、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨを印加している期間（時刻ｔ０〜ｔ３）内に走査トランジスタ１７１を導通させて（時刻ｔ１〜ｔ２）、駆動トランジスタ１７３を非導通とした状態で信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給する。
【０１２２】
これにより、複数の電源線１６２の各々は、表示部１８０内において隣接する電源線１６２と分離されているので、信号電圧の書き込みの対象である所定の行の発光画素１７０に対応する電源線１６２の電位が、所定の行に隣接する発光動作中の発光画素１７０に対応する電源線１６２の電圧降下の影響を受けることを防止できる。
【０１２３】
その上で、本実施の形態では、バックゲート電極にバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨを供給することで駆動トランジスタ１７３を非導通とし、駆動トランジスタ１７３を非導通とした状態で、信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給する。これにより、駆動電流Ｉｄを停止させた状態で信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給するので、信号電圧の供給期間中に駆動電流Ｉｄが発光素子１７５に流れることによる、電源線１６２の電圧降下の発生を防止できる。そのため、信号電圧の供給期間中にコンデンサ１７４の第２電極の電位の変動を防止でき、コンデンサ１７４に所望の電圧を保持させることができる。その結果、書き込み中の発光画素１７０に対応する電源線１６２の電圧降下に起因する輝度ムラを防止できる。
【０１２４】
ここで、本実施の形態では、バックゲート電極を、駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通を切り替えるためのスイッチとして用いている。バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨは、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧の絶対値を駆動トランジスタ１７３のゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電位である。バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨの供給制御により駆動トランジスタ１７３の導通及び非導通の切り替えを制御することで、バックゲート電極をスイッチ素子として用いることができるので、信号電圧の書き込み期間中に駆動電流Ｉｄを遮断するためのスイッチ素子を別途設ける必要がなくなる。
【０１２５】
このように、本実施の形態では、信号電圧の書き込み期間中に電源線１６２を表示部１８０内において隣接する行の発光画素に対応する電源線１６２と分離するとともに、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極を用いて駆動トランジスタ１７３にスイッチとしての機能を兼用させた。これにより、各発光画素１７０において、信号電圧の書き込み期間中に駆動電流Ｉｄを遮断するためのスイッチ素子を設ける必要がなくなるので、各発光画素１７０の構成を簡素化でき、有機ＥＬ表示装置１００の製造コストを削減することができる。
【０１２６】
ここで、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧の絶対値を駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間の電位差よりも大きくするためのバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨとは、各発光画素１７０に含まれる発光素子１７５を最大階調で発光させるために必要な所定の信号電圧が駆動トランジスタ１７３のゲート電極に印加されたときに、駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧Ｖｓｇよりも駆動トランジスタ１７３の閾値電圧の絶対値が大きくなるように設定された電位である。つまり、バックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨは、所定のバイアス電圧である。
【０１２７】
この場合、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極にバックゲートパルスＢＧ（１）〜ＢＧ（ｎ）のハイレベル電圧ＢＧＨを設定することによって、全ての表示階調において、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧の絶対値を駆動トランジスタ１７３のソース−ゲート間電圧Ｖｓｇよりも大きくすることができる。その結果、信号電圧の書き込みを行う際に、駆動トランジスタ１７３を確実に非導通として、ドレイン電流Ｉｄを停止させることができる。
【０１２８】
また、有機ＥＬ表示装置１００は、図４の時刻ｔ１〜ｔ２において、コンデンサ１７４の第１電極に信号電圧を供給した後、時刻ｔ２において走査トランジスタ１７１を非導通とする。そして時刻ｔ３において、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）のハイレベル電圧（ＢＧＨ＝１９Ｖ）よりも低いバックゲートパルスＢＧ（ｋ）のローレベル電圧（ＢＧｌ＝７Ｖ）をバックゲート電極に供給して駆動トランジスタ１７３の閾値電圧をゲート−ソース間電圧よりも小さくすることで駆動トランジスタ１７３を導通状態とし、コンデンサ１７４に保持されている電圧に対応するドレイン電流Ｉｄを発光素子１７５に流して発光素子１７５を発光させる。
【０１２９】
つまり、本実施の形態のように駆動トランジスタ１７３がＰ型トランジスタの場合、コンデンサ１７４の第１電極に信号電圧を供給した後、所定のバイアス電圧であるバックゲートパルスＢＧ（ｋ）のハイレベル電圧よりも低い電圧の逆バイアス電圧であるバックゲートパルスＢＧ（ｋ）のローレベル電圧を駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極に供給する。その結果、駆動トランジスタ１７３を非導通状態から導通状態へと遷移させて、コンデンサ１７４に保持されている電圧に対応するドレイン電流Ｉｄを流して発光素子１７５の発光を開始する。
【０１３０】
なお、本実施の形態では、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）がハイレベル状態となっている期間（時刻ｔ０〜ｔ３）内に、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がハイレベルとなる（時刻ｔ１〜ｔ２）が、バックゲートパルスＢＧ（ｋ）がハイレベル状態となる期間と、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がハイレベル状態となる期間とが同じでもよい。言い換えると、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極にバックゲートパルスＢＧ（ｋ）のハイレベル電圧を供給している期間と、コンデンサ１７４の第１電極に信号電圧を供給している期間とを同じとしてもよい。
【０１３１】
（実施の形態１の変形例）
本変形例に係る有機ＥＬ表示装置は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００とほぼ同じであるが、走査線１６４とバイアス線とを共通の制御線とした点が異なる。
【０１３２】
以下、実施の形態１の変形例について、実施に形態１と異なる点を中心に図面を用いて具体的に説明する。
【０１３３】
図６は、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図であり、図７は、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置が有する発光画素の詳細な回路構成を示す回路図である。
【０１３４】
図６に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００は、図１に示した実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００と比較してバイアス電圧制御回路１３０およびバイアス配線１６５を備えず、発光画素１７０に代わり発光画素２７０を備える。また、有機ＥＬ表示装置２００は、表示パネル１６０に代わり、複数の発光画素２７０が配置された表示部２８０を含む表示パネル２６０を備える。
【０１３５】
図７に示すように、発光画素２７０は、発光画素１７０と比較して、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電極が走査線１６４に接続されている。つまり、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００は、実施の形態１に係る表示装置１００と比較して、バイアス配線１６５がないので配線数を削減でき、回路構成を簡素化できる。
【０１３６】
図８は、実施の形態１の変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００の動作を示すタイミングチャートである。具体的には、図６に示したｋ行、ｊ列の発光画素２７０の動作を中心に示している。
【０１３７】
まず、時刻ｔ２１において、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がローレベルからハイレベルへと切り換わることにより、走査トランジスタ１７１がオフする。
【０１３８】
ここで、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）のローレベル電圧ＶＧＬは７Ｖ、ハイレベル電圧ＶＧＨは１９Ｖである。よって、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がローレベルからハイレベルへと切り換わることにより、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電位はＶｂ＝７ＶからＶｂ＝１９Ｖへと上昇する。つまり、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧は、最大階調に対応する信号電圧が発光画素２７０に書き込まれても、駆動トランジスタ１７３のドレイン電流が許容電流以下となるような値となる。言い換えると、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）のハイレベル電圧ＶＧＨは、最大階調に対応する信号電圧が発光画素２７０に書き込まれた場合にコンデンサ１７４に保持される電圧よりも、駆動トランジスタ１７３の閾値電圧が大きくなるような電圧である。
【０１３９】
つまり、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００のように、駆動トランジスタ１７３のバックゲートの電位を所定のバイアス電位にするためのバイアス配線１６５を設けず、走査線１６４に供給される走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）のハイレベル電圧ＶＧＨを所定のバイアス電位として利用している。
【０１４０】
次に、時刻ｔ２２において、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がハイレベルからローレベルへと切り換わることにより、走査トランジスタ１７１がオフする。
【０１４１】
つまり、時刻ｔ２１〜ｔ２２は信号電圧の書き込み期間である。この信号電圧の書き込み期間において、駆動トランジスタ１７３のバックゲートに供給される電圧は継続して走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）のハイレベル電圧ＶＧＨであるので、最大階調に対応する信号電圧をコンデンサ１７４の第１電極に供給しても駆動トランジスタ１７３のドレイン電流Ｉｄが許容電流以下となる。よって、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、信号電圧の書き込み期間中にコンデンサ１７４の第２電極の電位が変動することを防止できる。
【０１４２】
ところで、時刻ｔ２２において、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）のローレベル電圧（ＶＧＬ＝７Ｖ）が供給された場合の、駆動トランジスタ１７３のソース−バックゲート間電圧Ｖｓｂは７Ｖとなる。実施の形態１において述べたように、発光素子１７５が最大階調で発光している場合の駆動トランジスタ１７３のソース電位は６Ｖであるので、発光素子１７５が最大階調で発光している場合の駆動トランジスタ１７３のソース−バックゲート間電圧Ｖｓｂは１４Ｖとなる。よって、図３に示したＶｓｇ−Ｉｄ特性より、駆動トランジスタ１７３に要求される条件である（条件ｉ）最大階調での発光時に、最大階調に対応したドレイン電流を発光素子１７５に供給する、を満たすことができる。
【０１４３】
つまり、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００は、走査線１６４に供給される走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）のローレベル電圧ＶＧＬを、最大階調に対応したドレイン電流Ｉｄを流すバックゲート−ソース間電圧を得るためのバックゲート電位として利用している。
【０１４４】
次に、時刻ｔ２３において、時刻ｔ２１と同様に、走査パルスＳＣＡＮ（ｋ）がローレベルからハイレベルへと切り換わることにより、走査トランジスタ１７１オンする。また、駆動トランジスタ１７３のバックゲート電位はＶｂ＝７ＶからＶｂ＝１９Ｖへと上昇する。
【０１４５】
上述した時刻ｔ２１〜ｔ２３は、有機ＥＬ表示装置１００の１フレーム期間に相当し、時刻ｔ２３以降も時刻ｔ２１〜ｔ２３と同様の動作が繰り返し実行される。
【０１４６】
以上のように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２００は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００と比較して、走査線１６４とバイアス配線１６５とを共通の制御線としてした。つまり、走査線１６４は、実施の形態１と比較してさらに、駆動トランジスタ１７３のバックゲートに接続されている。これにより、駆動トランジスタ１７３のバックゲートに所定のバイアス電位（ＶＧＨ＝１９Ｖ）を供給している期間と、コンデンサ１７４の第１電極に信号電圧を供給している期間とを同じとする。
【０１４７】
（実施の形態２）
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００とほぼ同じであるが、複数の電源線１６２の各々に対応して設けられ、複数の電源線１６２の電位を所定の固定電位に固定するための複数の電位固定部を備え、複数の電源線１６２の各々は、基幹電源線１９０から電位固定部を介して分岐している点が異なる。
【０１４８】
以下、本実施の形態について、実施の形態１と異なる点を中心に図面を用いて説明する。
【０１４９】
図９は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【０１５０】
同図に示す有機ＥＬ表示装置４００は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００と比較して、表示パネル１６０に代わり表示パネル４６０を備える。
【０１５１】
表示パネル４６０は、表示パネル１６０と比較して、さらに、複数の電源線１６２の各々に対応して設けられた複数のボルテージフォロワ回路ＶＦを有する。具体的には、複数の電源線１６２の各々は、基幹電源線１９０から複数のボルテージフォロワ回路ＶＦを介して分岐している。
【０１５２】
このボルテージフォロワ回路ＶＦは、本発明の電位固定部の一例であって、対応する電源線１６２の電位を所定の固定電位Ｖｄｄに固定する。具体的には、ボルテージフォロワ回路ＶＦは、非反転入力端子、反転入力端子及び出力端子を有するオペアンプで構成される。このオペアンプは、非反転入力端子が基幹電源線１９０に接続され、出力端子が対応する電源線１６２に接続され、出力端子がさらに反転入力端子に接続されている。
【０１５３】
よって、ボルテージフォロワ回路ＶＦは、増幅度が１で、入力インピーダンスが非常に低く、出力インピーダンスが非常に高い増幅回路である。したがって、オペアンプの非反転入力端子に接続された基幹電源線１９０の電位と、オペアンプの出力端子に接続された電源線１６２の電位とを同じとし、かつ、電源線１６２の電位を基幹電源線１９０の電位である所定の固定電位Ｖｄｄに固定するように動作する。言い換えると、電源線１６２の電位が変動しても、基幹電源線１９０には、電源線１６２の電位の変動が伝わらない。したがって、一の電源線１６２の電位が変動しても、基幹電源線１９０の電位は所定の固定電位Ｖｄｄとなり、他の電源線１６２の電位は所定の固定電位Ｖｄｄに保たれる。
【０１５４】
以下、ボルテージフォロワ回路ＶＦを有さない構成と、ボルテージフォロワ回路ＶＦを有する本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４００とを比較して、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４００の効果について説明する。
【０１５５】
図１０Ａは、ボルテージフォロワ回路ＶＦを有さない表示パネル内の電圧及び電流を模式的に示す図である。図１０Ｂは、ボルテージフォロワ回路ＶＦを有する表示パネル内の電圧及び電流を模式的に示す図である。つまり、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４００が有する表示パネル４６０内の電圧及び電流を模式的に示す図である。
【０１５６】
まず、図１０Ａに示すようにボルテージフォロワ回路ＶＦを有さない表示パネル内の電圧及び電流について説明する。このような表示パネルとしては、例えば実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００の表示パネル１６０が挙げられる。
【０１５７】
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００の表示パネルでは、上述したように信号電圧の書き込み中の発光画素１７０に流れる駆動トランジスタ１７３のドレイン電流Ｉｄは許容電流以下となる。つまり、書き込み中の発光画素１７０では実質的にドレイン電流Ｉｄは停止している。
【０１５８】
これにより、信号電圧の書き込み中の発光画素行に対応して設けられた電源線１６２には、電圧降下が生じない。
【０１５９】
一方、発光中の発光画素１７０では発光輝度に応じた電流が流れる。よって、発光中の発光画素行に対応する電源線１６２では発光輝度に応じた電流により電圧降下が生じる。
【０１６０】
このように生じた、発光中の発光画素行に対応して設けられた電源線１６２の電圧降下は、基幹電源線１９０の電位に影響を与える。具体的には、基幹電源線１９０の電位は、いずれの電源線１６２よりも直流電源１５０に近い位置では、直流電源１５０から供給される固定電位Ｖｄｄ（１５Ｖ）と等しくなるが、電源線１６２が分岐するにつれて電圧降下が生じる。その結果、信号電圧の書き込み中の発光画素行に対応する電源線１６２と基幹電源線１９０との分岐点の電位は、例えば１４．６Ｖとなり、直流電源１５０から供給される固定電位Ｖｄｄ（１５Ｖ）とは異なる。
【０１６１】
言い換えると、複数の電源線１６２の各々が基幹電源線１９０から直接分岐している場合、発光動作を行っている発光画素行に配置されている各発光画素１７０でドレイン電流が流れ、電源線１６２に電圧降下が生じることによりこの発光画素行に対応する電源線１６２と基幹電源線１９０との分岐点に電圧降下が発生する。そのため、電圧降下の影響を受けて、信号電圧の書き込みを行う所定の発光画素行に対応する電源線１６２と基幹電源線１９０と分岐点の電位が変動してしまう場合がある。その結果、信号電圧の書き込みを行う所定の発光画素行に対応する電源線１６２の電位は、所定の行に配置されている各発光画素１７０間では均一になっているが、電源線１６２の電位そのものが直流電源１５０の固定電位Ｖｄｄ（１５Ｖ）よりも低い電圧値に変動する。
【０１６２】
これに対し、図１０Ｂに示すように、ボルテージフォロワ回路ＶＦを有する実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置４００の表示パネル４６０では、発光中の発光画素行に対応する電源線１６２の電圧降下は、ボルテージフォロワ回路ＶＦにより基幹電源線１９０の電位に影響をしない。よって、基幹電源線１９０の電位は、基幹電源線１９０のいずれの位置においても直流電源１５０から供給される固定電位Ｖｄｄとなる。その結果、信号電圧の書き込み中の発光画素行に対応する電源線１６２と基幹電源線１９０との分岐点の電位は、固定電位Ｖｄｄ（１５Ｖ）となる。
【０１６３】
言い換えると、ボルテージフォロワ回路ＶＦが複数の電源線１６２の各々の電位を所定の固定電位Ｖｄｄに保持するので、信号電圧の書き込みを行う所定の発光画素行における電源線１６２に対する、基幹電源線１９０を介して発光動作を行っている行における電源線１６２からの電圧降下の影響を防止できる。
【０１６４】
よって、表示部１８０に含まれる各発光画素１７０を所望の輝度で発光させることができる。
【０１６５】
以上のように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４００は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００と比較してさらに、複数の電源線１６２の各々に対応して設けられ、複数の電源線１６２の電位を所定の固定電位Ｖｄｄに固定するための複数のボルテージフォロワ回路ＶＦを備え、複数の電源線１６２の各々は、基幹電源線１９０からボルテージフォロワ回路ＶＦを介して分岐している。
【０１６６】
これにより、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４００は、書き込み中の発光画素行に対応する電源線１６２の電圧を固定電位Ｖｄｄに固定できるので、表示部１８０に含まれる各発光画素１７０を所望の輝度で発光させることができる。
【０１６７】
また、例えば、特開２００９−２７１３２０号公報に記載の構成においては、信号電圧の書き込みを行う際に、電源線に固定電位を与える手段として専用のドライバを用いているが、その場合、複数の電源線を走査して複数の電源線に所定の固定電位を供給する期間と、発光画素に駆動電流を供給する期間とを切り替える必要がある。そのため、専用ドライバにはシフトレジスタ等の複雑な回路が必要となりコスト高を招く。
【０１６８】
これに対し、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４００は、電源線１６２に固定電位Ｖｄｄを与える手段をボルテージフォロワ回路ＶＦのみにより構成する。これにより、ボルテージフォロワ回路ＶＦの出力を所定の固定電位Ｖｄｄの１値のみとすることができるので、ボルテージフォロワ回路ＶＦが電源線１６２を走査する、又は、電源線１６２の電圧の切り替えを行う必要がなくなる。そのため、複数の電源線１６２の電位を所定の固定電位Ｖｄｄに保持するための専用ドライバを設ける場合に比べて、簡易な構成で電源線１６２の電位を所定の固定電位Ｖｄｄに保持できる。その結果、製造コストを低減することができる。
【０１６９】
以上、本発明の実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は、これら実施の形態及び変形例に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態及び変形例に施したものや、異なる実施の形態及び変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【０１７０】
例えば、上記説明では、走査トランジスタをゲート電極に印加されているパルスがハイレベルのときに導通するＮ型トランジスタとし、駆動トランジスタをゲート電極に印加されているパルスがローレベルのときに導通するＰ型トランジスタとしたが、これらを逆の極性のトランジスタで構成し、走査線１６４及びバイアス配線１６５の極性を反転させて、例えば、図１１に示すような回路構成としてもよい。
【０１７１】
また、駆動トランジスタの極性は、走査トランジスタの極性と同じでもよい。
【０１７２】
また、駆動トランジスタ及び走査トランジスタは、ＴＦＴであるとしたが、例えば接合型の電界効果トランジスタであってもよい。また、これらのトランジスタは、ベース、コレクタ及びエミッタを有するバイポーラトランジスタであってもよい。
【０１７３】
また、上記各実施の形態では、電源線１６１をグランド線としたが、電源線１６１が直流電源１５０に接続され、０Ｖ以外の電位（例えば、１Ｖ）が供給されてもよい。
【０１７４】
また、電源線１６２の電位を固定するための電位固定部の構成は、上記のボルテージフォロワ回路ＶＦに限らず、アイソレーションアンプでもよい。
【０１７５】
また、有機ＥＬ表示装置４００は、１つの電源線１６２に対応して２つのボルテージフォロワ回路ＶＦを有したが、１つの電源線１６２に対応して１つのボルテージフォロワ回路ＶＦを有してもよい。
【０１７６】
また、例えば、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、図１２に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本発明に係る有機ＥＬ表示装置が内蔵されることにより、映像信号を反映した高精度な画像表示が可能な薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【０１７７】
本発明は、とりわけアクティブ型の有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用である。
【符号の説明】
【０１７８】
１００、２００、４００    有機ＥＬ表示装置
１１０    書き込み駆動回路
１２０    データ線駆動回路
１３０    バイアス電圧制御回路
１５０    直流電源
１６０、２６０、４６０    表示パネル
１６１、１６２    電源線
１６４    走査線
１６５    バイアス配線
１６６    データ線
１７０、２７０    発光画素
１７１    走査トランジスタ
１７３    駆動トランジスタ
１７４    コンデンサ
１７５    発光素子
１８０、２８０    表示部
１９０    基幹電源線
ＶＦ    ボルテージフォロワ回路
【図１】
0005562251.tif 000002
【図２】
0005562251.tif 000003
【図３】
0005562251.tif 000004
【図４Ａ】
0005562251.tif 000005
【図４Ｂ】
0005562251.tif 000006
【図５】
0005562251.tif 000007
【図６】
0005562251.tif 000008
【図７】
0005562251.tif 000009
【図８】
0005562251.tif 000010
【図９】
0005562251.tif 000011
【図１０Ａ】
0005562251.tif 000012
【図１０Ｂ】
0005562251.tif 000013
【図１１】
0005562251.tif 000014
【図１２】
0005562251.tif 000015