(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備する基板処理装置であって、
前記搬送装置は、
前記基板を支持する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、
前記基板搬送機構は、
搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に複数の円弧状凸部が配置されてなり、前記基板の外周端縁よりも内側を支持する第一支持部と、
前記面上の前記第一支持部よりも内側の位置に複数の円弧状凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、
前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置され、
前記板状体の面上には、前記第一支持部の円弧状凸部との間に凹形状部を形成し、前記凹形状部を介して、前記第一支持部及び前記第二支持部よりも外側に、前記第一支持部及び前記第二支持部を構成する円弧状凸部よりも高く形成された側壁が、前記面上の全ての前記第一支持部に対応するように配置されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第一支持部及び第二支持部を構成する複数の凸部は、前記基板の平面中心点を基準として点対称、或いは前記基板の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されており、
複数の前記凸部のうち、対称位置にある前記凸部は、前記基板に対する支持面積が互いに等しく構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記搬送機構移動部は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転自在に構成され、水平方向に移動自在に構成されている
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、
前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、
前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、
前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、搬送対象物である前記基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に複数の円弧状凸部が配置されてなり、前記基板の外周端縁よりも内側を支持する第一支持部と、前記面上の前記第一支持部よりも内側の位置に複数の円弧状凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置され、前記板状体の面上には、前記第一支持部の円弧状凸部との間に凹形状部を形成し、前記凹形状部を介して、前記第一支持部及び前記第二支持部よりも外側に、前記第一支持部及び前記第二支持部を構成する凸部よりも高く形成された側壁が、前記面上の全ての前記第一支持部に対応するように配置されている基板搬送機構にて支持し、前記基板搬送機構を搬送機構移動部により移動させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置を有する基板処理装置のうち、前記搬送装置に用いられる基板搬送機構であって、
前記基板搬送機構は、
搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に複数の円弧状凸部が複数配置されてなり、前記基板の外周端縁よりも内側を支持する第一支持部と、
前記面上の前記第一支持部よりも内側の位置に複数の円弧状凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、
前記第一支持部と前記第二支持部とは、前記面上で同心円状に配置され、
前記板状体の面上には、前記第一支持部の円弧状凸部との間に凹形状部を形成し、前記凹形状部を介して、前記第一支持部及び前記第二支持部よりも外側に、前記第一支持部及び前記第二支持部を構成する凸部よりも高く形成された側壁が、前記面上の全ての前記第一支持部に対応するように配置されている
ことを特徴とする基板搬送機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送対象物である基板を支持する基板搬送機構、当該基板搬送機構を備える基板処理装置、および、当該基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置は、ウエハ等の基板を処理する処理室と、当該処理室内への基板搬入および当該処理室内からの基板搬出を行う搬送装置とを備えている。搬送装置は、ツイーザと呼ばれる基板搬送機構を備えており、当該基板搬送機構が搬送対象物である基板を支持するようになっている。例えば特許文献１には、フィンガプレートと呼ばれる二股フォーク状の板状体上に段差状の支持部が形成され、当該支持部が基板の外周端縁近傍四箇所を基板被処理面の裏面側から支持するように構成された基板搬送機構が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１８４４７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の基板搬送機構では、基板に反りや撓み等の変形が生じた場合に、当該基板が支持部以外の箇所に接触したり、支持部での基板保持力（基板と支持部との摩擦力）の低下による擦れが生じたりするおそれがある。このような接触や擦れ等は、キズやパーティクル等の発生を招く要因となる。また、基板に変形が生じた場合に、支持部材と基板との接触面積が減少してしまい、基板保持力が低下することがある。基板保持力が低下すると、上述したように基板に対する搬送能力が低下することになる。
【０００５】
本発明は、基板変形によるキズやパーティクル等の発生を抑制するとともに、基板変形に伴う基板保持力低下を抑制して安定した高速搬送を実現可能とする基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する基板搬送機構が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備し、
前記搬送装置は、
前記基板を支持する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、
前記搬送機構は、
搬送対象物である前記基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、
前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、
前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、
前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法によれば、基板の外周端縁近傍のみで当該基板を支持する従来構成に比べて、基板に変形が生じた場合であってもキズやパーティクル等の発生を抑制することができる。さらには、基板変形に伴う基板保持力低下を抑制することができ、安定した高速搬送が実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の一部分の垂直断面図である。
【図３】図１に示す基板処理装置における処理室群内の垂直断面図である。
【図４】図１に示す基板処理装置における上処理室と下処理室の垂直断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る搬送装置の概略構成図である。
【図６】本発明の参考例となる従来構成のツィーザの一例を示す斜視図である。
【図７】図６に示すツィーザにおけるウエハ支持態様の概要を示す説明図であり、（ａ）はウエハに変形が生じた状態の一具体例を示す図、（ｂ）はパーティクル発生状態の一具体例を示す図、（ｃ）はウエハに変形が生じた状態の他の具体例を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る基板搬送機構（ツィーザ）の一例を示す斜視図である。
【図９】図８に示すツィーザにおけるウエハ支持態様の概要を示す説明図であり、（ａ）はウエハに変形が生じた状態の一具体例を示す図、（ｂ）はウエハに変形が生じた状態の他の具体例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
（１）基板処理装置の構成
先ず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成例について説明する。ここでは、基板処理装置がレジスト除去を行うアッシング装置である場合を例に挙げる。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。図２は、図１に示す基板処理装置の一部分の垂直断面図である。図３は、図１に示す基板処理装置における処理室群内の垂直断面図である。図４は、図１に示す基板処理装置における上処理室と下処理室の垂直断面図である。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１１と、当該基板処理装置１０の各構成部を制御するコントローラ８４と、を備えている。
【００１５】
筐体１１内には、搬送室１２を中心として、二つのロードロック室１４ａ，１４ｂと、第一の処理室群１１６および第二の処理室群１１７と、が配置されている。搬送室１２と
各ロードロック室１４ａ，１４ｂとの間にはゲートバルブ（不図示）が設けられており、そのゲートバルブを開けることで搬送室１２内と各ロードロック室１４ａ，１４ｂ内とが連通可能なように構成されている。また、搬送室１２と各処理室群１１６，１１７との間にも図示せぬゲートバルブが設けられており、そのゲートバルブを開けることで搬送室１２内と各処理室群１１６，１１７内とが連通可能なように構成されている。
【００１６】
筐体１１外には、ロードロック室１４ａ，１４ｂと面するように、フロントモジュールであるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。ＥＦＥＭ１８は、例えば、基板であるウエハを２５枚ストックするフープ（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）を３台搭載できるように構成されている。また、ＥＦＥＭ１８内には、大気中にて同時に複数枚（５枚）を移載することが可能な大気ロボット（不図示）が載置されており、その大気ロボットが各ロードロック室１４ａ，１４ｂとの間のウエハ移載を行うようになっている。
【００１７】
図２に示すように、各ロードロック室１４ａ，１４ｂ内には、例えば２５枚のウエハ１を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。この基板支持体２０によって、各ロードロック室１４ａ，１４ｂ内にウエハ１が保持されることになる。基板支持体２０は、例えば炭化珪素やアルミ等で構成されており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば三つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。また、基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ，１４ｂ内において、鉛直方向（上下方向）に移動するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている（図中矢印参照）。
【００１８】
搬送室１２内には、ロードロック室１４ａ，１４ｂと、第一の処理室群１１６および第二の処理室群１１７との間で、ウエハ１を搬送する搬送装置であるロボット３０が設けられている。ロボット３０は、ツィーザと呼ばれる基板搬送機構３２と、当該基板搬送機構３２を移動させる搬送機構移動部としてのアーム３４と、を備えている。基板搬送機構３２は、上ツィーザ３２ａおよび下ツィーザ３２ｂから構成されている。上ツィーザ３２ａおよび下ツィーザ３２ｂは、例えば同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれが搬送対象物であるウエハ１を支持するようになっている。また、アーム３４は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するとともに、水平方向に移動可能なように構成されている（図中矢印参照）。
【００１９】
搬送室１２と第一の処理室群１１６とは、ゲートバルブ３５を介して連通している。したがって、搬送室１２内のロボット３０は、ゲートバルブ３５を介して、ロードロック室１４ａ，１４ｂ内にストックされた未処理のウエハ１を上ツィーザ３２ａおよび下ツィーザ３２ｂにより同時に２枚ずつ第一の処理室群１１６内へ移載し、処理済のウエハ１を第一の処理室群１１６内から上ツィーザ３２ａおよび下ツィーザ３２ｂにより一度に２枚ずつロードロック室１４ａ，１４ｂ内へ移載することができる。また、第二の処理室群１１７についても全く同様であり、搬送室１２内のロボット３０は、ゲートバルブ３５を介して、ロードロック室１４ａ，１４ｂ内の未処理のウエハ１を同時に二枚ずつ第二の処理室群１１７内へ移載し、処理済のウエハ１を第二の処理室群１１７内から一度に２枚ずつロードロック室１４ａ，１４ｂ内に移載することができる。
【００２０】
ここで、第一の処理室群１１６の構成を説明する。なお、第一の処理室群１１６と第二の処理室群１１７とは略同一構造であるので、ここでは第一の処理室群１１６についてのみ説明し、第二の処理室群１１７についてはその説明を省略する。
【００２１】
第一の処理室群１１６内には、図１〜図３に示すように、互いに隣接する二つの下処理室１６ａ，１６ｂが配置されている。下処理室１６ａと下処理室１６ｂとは、これらの間に設けられた連接空間４８を介して連通している。これら下処理室１６ａ，１６ｂは、搬送室１２の側からみて、下処理室１６ａ、下処理室１６ｂの順で直列に並ぶように配置されている。なお、第一の処理室群１１６と略同一構造である第二の処理室群１１７においても、搬送室１２の側からみて下処理室１７ａと下処理室１７ｂとが順に直列に並んでいる。そして、上面からみて、下処理室１６ａ，１６ｂの中心を結ぶ直線と、下処理室１７ａ，１７ｂの中心を結ぶ直線とが、互いに略平行となるように、それぞれが配置されている（図１参照）。
【００２２】
下処理室１６ａ，１６ｂ内には、それぞれ、基板保持台３６ａ，３６ｂが設けられている。基板保持台３６ａ，３６ｂは、各々が独立した構造となっており、装置全体からみるとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、基板保持台３６ｂは、搬送室１２からみて基板保持台３６ａを挟んで遠方に配置されている。基板保持台３６ａ，３６ｂ上に載置されるウエハ１は、それぞれに内蔵された加熱部としてのヒータ３７ａ，３７ｂにより加熱され、例えば３００℃までの昇温が可能である。基板保持台３６ａ，３６ｂは、熱伝導性に優れた金属材料（例えば、Ａ５０５２、Ａ５０５６等のアルミニウム）によって形成されている。
【００２３】
下処理室１６ａと下処理室１６ｂとの間の連接空間４８には、基板搬送機４０が設けられている（図１参照）。基板搬送機４０は、搬送室１２内のロボット３０によって搬送された２枚の未処理のウエハ１のうちの一枚を、当該ロボット３０のツィーザから受け取って基板保持台３６ｂ上に移載し、さらに基板保持台３６ｂ上の処理済のウエハ１を当該ロボット３０のツィーザ上へ移載するように構成されている。
【００２４】
また、下処理室１６ａ，１６ｂの上方側には、それぞれと重なり合うように、上処理室４５ａ，４５ｂが設けられている。つまり、下処理室１６ａ，１６ｂの上方側には、当該下処理室１６ａ，１６ｂと同様に、互いに隣接する二つの上処理室４５ａ、４５ｂが配置されている。
【００２５】
このような配置により、上処理室４５ａと下処理室１６ａとによって処理室１１６ａが構成され、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂとによって処理室１１６ｂが構成され、処理室１１６ａと処理室１１６ｂとにより第一の処理室群１１６が構成されることになる。
【００２６】
ここで、処理室１１６ｂを構成する上処理室４５ｂおよび下処理室１６ｂについて、さらに詳しく説明する。なお、処理室１１６ａを構成する上処理室４５ａおよび下処理室１６ａも略同一構造であるので、ここでは処理室１１６ｂについてのみ説明し、処理室１１６ａについてはその説明を省略する。
【００２７】
図４に示すように、上処理室４５ｂは、例えば石英により円筒状に形成された反応管５２を備えている。反応管５２は、金属製の気密容器である下処理室１６ｂ上に、Ｏリング９２ｂを介して気密に立設されている。反応管５２の上端は、反応管天井板５５によって気密に閉塞されている。これにより、反応管５２は、真空容器を構成することになる。反応管天井板５５には、その略中央部にガス導入部４４ｂおよびガス導入ロ５６が設けられている。ガス導入ロ５６は、図示しない処理ガス供給源に接続され、流量調整された処理ガスが反応管５２内に供給されるようになっている。また、反応管５２内には、導入したガスを分散させる石英製のバッフル板５７が設けられている。反応管５２の周囲には、プラズマ発生用の高周波コイル５４が設けられ、さらに当該高周波コイル５４がコイルカバー５３によって覆われている。高周波コイル５４には、高周波電源５９が接続され、当該高周波電源５９により高周波コイル５４にプラズマ発生用の高周波電流が印加されるよう
に構成されている。
【００２８】
上処理室４５ｂの下方に位置する下処理室１６ｂ内には、既に説明したように、基板保持台３６ｂが固定して設けられている。また、下処理室１６ｂの底部には、昇降可能な昇降シャフト６５が気密に貫通するように配置されている。昇降シャフト６５は、下処理室１６ｂ内に配された昇降基板６４に連結されている。昇降基板６４には、基板保持台３６ｂを貫通する少なくとも三本の基板保持ピン３９ｂが立設されている。このような構成により、下処理室１６ｂ内では、コントローラ８４の制御により昇降シャフト６５を昇降させることで、昇降基板６４および基板保持ピン３９ｂを昇降させることができ、これに伴って基板保持ピン３９ｂの上面に載置されたウエハ１を、基板保持台３６ｂの上面に載置し、あるいは基板保持台３６ｂ上から持ち上げることが可能になっている。
【００２９】
処理室１１６ｂでは、上処理室４５ｂにおける反応管５２がプラズマ発生室５１を形成し、そのプラズマ発生室５１で生成されたプラズマにより下処理室１６ｂ内の基板保持台３６ｂ上のウエハ１が処理されるようになっている。なお、下処理室１６ｂの底部には排気口６６が形成されており、処理済のガスが排気口６６から下処理室１６ｂ外へ排気されるように構成されている。
【００３０】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０の動作について説明する。
【００３１】
ＥＦＥＭ１８からロードロック室１４ａ内へ未処理のウエハ１が移載され、当該ロードロック室１４ａ内が気密に閉塞されると、搬送室１２との間のゲートバルブ（不図示）が開放される。ロードロック室１４ａと搬送室１２が連通すると、搬送室１２内のロボット３０が、ロードロック室１４ａ内の基板支持体２０が保持するウエハ１を上ツィーザ３２ａ上および下ツィーザ３２ｂ上に受け取る。そして、各ツィーザ３２ａ，３２ｂ上に受け取った二枚のウエハ１を、ゲートバルブ３５の開放によって連通状態にある第一の処理室群１１６内または第二の処理室群１１７内のいずれかへ搬送する。例えば第一の処理室群１１６内へ搬送した場合であれば、当該処理室群１１６内では、同時に搬送された二枚のウエハ１のうちの一方がロボット３０によって下処理室１６ａ内の基板保持台３６ａ上に載置されるとともに、他方のウエハ１がロボット３０から基板搬送機４０によって下処理室１６ｂ内の基板保持台３６ｂ上に移載され載置される。
【００３２】
その後、それぞれにおける反応管５２内が気密に閉塞されると、基板保持台３６ａ，３６ｂ上のウエハ１がヒータ３７ａ，３７ｂによって加熱され、ガス導入口５６から反応管５２内に処理ガスが導入され、さらに高周波コイル５４に高周波電流が印加される。これにより、反応管５２によって構成されるプラズマ発生室５１では、プラズマが生成され、活性化された処理ガスによりウエハ１が処理される。ここでは、ウエハ１に残置されたフォトレジストの剥離除去処理が行われる。
【００３３】
プラズマ発生室５１内での処理が完了すると、搬送室１２との間を隔てるゲートバルブ３５が開放され、搬送室１２内のロボット３０は、各ツィーザ３２ａ，３２ｂを処理室群１１６内へ挿入して二枚の処理済のウエハ１を受け取る。すなわち、各ツィーザ３２ａ，３２ｂ上に、下処理室１６ａ内の基板保持台３６ａ上での処理済のウエハ１を受け取るとともに、基板搬送機４０を介して下処理室１６ｂ内の基板保持台３６ｂ上での処理済のウエハ１を受け取る。そして、ロボット３０は回転軸を軸として回転し、処理済みのウエハ１及び各ツィーザ３２ａ，３２ｂを旋回する。次に、各ツィーザ３２ａ，３２ｂ上に搭載された二枚の処理済のウエハ１を、ロードロック室１４ｂ内の空き状態の基板支持体２０上へ移載する。処理後に高温となった処理済のウエハ１は、ロードロック室１４ｂ内で所定の温度まで冷却される。
【００３４】
以上のような処理動作が繰り返されて、ロードロック室１４ｂ内の基板支持体２０が所定数の処理済のウエハ１を受け取ると、搬送室１２との間のゲートバルブ（不図示）が閉塞され、当該ロードロック室１４ｂ内が大気に開放される。その後、処理済のウエハ１がロードロック室１４ｂ内からＥＦＥＭ１８へ移載され、図示しない外部搬送装置により外部に搬出される。
【００３５】
本実施形態にかかる基板処理装置１０は、以上のような処理動作を行う。したがって、当該基板処理装置１０を半導体装置の製造工程に用いた場合には、処理室群１１６，１１７内へロボット３０がウエハ１を搬入する基板供給工程と、処理室群１１６，１１７内にてウエハ１を処理する処理工程と、処理室群１１６，１１７内からロボット３０がウエハ１を搬出する基板排出工程と、が順次実行される。そして、基板供給工程と基板排出工程の少なくとも一方において、後述するように、搬送対象物であるウエハ１の被支持面が、ロボット３０の各ツィーザ３２ａ，３２ｂによって支持されることになる。
【００３６】
（３）搬送装置の構成
次に、搬送室１２内に設けられた搬送装置であるロボット３０の構成例について説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る搬送装置の概略構成図である。
【００３７】
図５に示すように、搬送装置であるロボット３０は、搬送機構移動部として一対のアーム３４ａ，３４ｂを備えている。アーム３４ａ，３４ｂは、それぞれが別個に、水平方向（図中Ｘ１，Ｘ２方向）に水平移動でき、図中Ｙ方向に回転移動でき、図中Ｚ方向に昇降移動できるように構成されている。
【００３８】
アーム３４ａの先端には、ウエハ１を水平姿勢で支持する基板搬送機構３２として、上ツィーザ３２ａが設けられている。また、アーム３４ｂの先端には、同じく基板搬送機構３２として、下ツィーザ３２ｂが設けられている。上ツィーザ３２ａおよび下ツィーザ３２ｂは、それぞれが同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間されている。各アーム３４ａ，３４ｂは、互いが干渉することなく個別移動が可能となるように配置されている。すなわち、上ツィーザ３２ａが上方側に位置し、下ツィーザ３２ｂが下方側に位置した状態で、それぞれが干渉することなく別個に移動し得るようになっている。
【００３９】
（４）基板搬送機構の構成
次に、基板搬送機構３２の構成例について説明する。ここでは、上ツィーザ３２ａおよび下ツィーザ３２ｂが同一形状であることから、これらを単に「ツィーザ」と総称し、これらの一方のみに着目して、以下の説明を行う。
【００４０】
（参考例におけるツィーザの構成）
ここで、本実施形態のツィーザ３２ａ，３２ｂについての説明に先立ち、その比較対象となる参考例として、従来構成によるツィーザについて説明する。図６は、本発明の参考例となる従来構成のツィーザの一例を示す斜視図である。図７は、図６に示すツィーザにおけるウエハ支持態様の概要を示す説明図である。
【００４１】
図６に示すように、参考例のツィーザ２は、例えばφ３００ｍｍの円板状基板であるウエハ１を支持するもので、二股フォーク状の板状体であるフィンガープレート３を有して構成されている。フィンガープレート３上には、当該フィンガープレート３の上面からウエハ１の側に向けて段差状に突出する支持部４が形成されている。支持部４は、ウエハ１の載置中心に対して対象となる四箇所の位置に配置されている。これら四箇所に配された支持部４がウエハ１の裏面（被処理面の反対面）に当接することで、当該ウエハ１の外周端縁近傍四箇所を支持するように構成されている。ウエハ１と支持部４との当接は、当該
ウエハ１の外周端縁から２〜３ｍｍ程度内周側までの領域部分にて行われる。この領域部分は製品構成時に使用しない場合が主で、一般的には傷発生や異物付着等の影響が少ない箇所とされているからである。
【００４２】
搬送対象物であるウエハ１は、シリコン（Ｓｉ）を基材として形成されており、加熱を伴う処理が行われると表裏面や面内等での温度分布の発生態様に起因して反りや撓み等の変形が生じてしまうことが考えられる。
【００４３】
例えば図７（ａ）に示す変形がウエハ１に生じた場合、その外周端縁近傍四箇所を支持部４が支持するツィーザ２では、当該ウエハ１の撓み量が一定量（約１ｍｍ）を超えると、当該ウエハ１がフィンガープレート３の上面に接触してしまう。このような接触は、図７（ｂ）に示すように、特にフィンガープレート３のエッジ近傍箇所（図中Ａ部参照）でのキズやパーティクル等の発生を招く要因となり得る。また、例えば図７（ｃ）に示す変形がウエハ１に生じると、当該変形が生じていない場合に比べて支持部４での基板保持力（ウエハ１と支持部４との摩擦力）が低下してしまう（図中Ｂ部およびＣ部参照）。そのため、ウエハ１と支持部４との擦れによってキズやパーティクル等が発生し易くなるとともに、ウエハ１の外周端縁近傍の裏面（下面）側で発生したパーティクルが表面（上面）側に舞い上がってウエハ１上に付着してしまうおそれがある。さらに、基板保持力が低下すると、ウエハ１の滑りを防ぐために搬送速度を抑えなければならず、当該ウエハ１に対する搬送能力（すなわち基板処理装置１０での単位時間当たりの処理能力）が低下してしまう。
【００４４】
以上のようなキズやパーティクル等は、ウエハ１を用いて構成する製品の製造歩留りを低下させる要因の一つとなるため、その発生を極力抑制すべきである。また、ウエハ１に対する搬送能力の低下は、基板処理装置１０における生産効率低下に繋がり、半導体装置の製造工程に悪影響を及ぼすことになる。
【００４５】
（本実施形態におけるツィーザの構成）
本実施形態におけるツィーザ３２ａ，３２ｂは、上述した参考例のツィーザ２における問題点を鑑み、以下に述べるように構成されている。図８は、本発明の一実施形態に係る基板搬送機構（ツィーザ）一例を示す斜視図である。図９は、図８に示すツィーザにおけるウエハ支持態様の概要を示す説明図である。
【００４６】
（フィンガープレート）
図８に示すように、ツィーザ３２ａ，３２ｂは、例えばφ３００ｍｍの円板状基板であるウエハ１を支持するもの（支持基体）で、中央部分が欠切された二股フォーク状の板状体であるフィンガープレート３２１を有して構成されている。フィンガープレート３２１は、例えば酸化物系のセラミック材料（アルミナセラミック等）により、一対の帯形状部分３２１ａを有して二股フォーク状に形成されている。各帯形状部分３２１ａは、ツィーザ３２ａ，３２ｂがウエハ１を支持している状態において、当該ウエハ１の一部に重なるように配置されているとともに、先端が当該ウエハ１の外周端縁よりも外側の位置まで延びている。
【００４７】
フィンガープレート３２１上には、フィンガープレート３２１の面上に設けられた複数の凸部がウエハ１の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部が設けられている。すなわち、フィンガープレート３２１上には、ガイド側壁３２４によって囲まれる領域内に、当該フィンガープレート３２１の上面からウエハ１の側に向けて突出する複数の凸部からなる第一支持部３２２と、第一支持部３２２とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部３２３と、が形成されている。主に、第一支持部３２２及び及び第二支持部３２３により、本実施形態に係る基板支持部が構成されている。第一支持部３２２お
よび第二支持部３２３は、いずれも、フィンガープレート３２１と同材料によって形成され、突出する頂面がウエハ１の裏面（被処理面の反対面）に当接することで当該ウエハ１を支持するように構成されている。
【００４８】
（第一支持部）
第一支持部３２２は、フィンガープレート３２１の面上にて円周状態に配置されている。ここで、「円周状態」とは、円周を描く位置上に存在することをいい、必ずしも当該円周の全周にわたって連続して存在している必要はなく、当該位置上に間隔を空けて分散して存在している場合を含む。さらに、第一支持部３２２は、ツィーザ３２ａ，３２ｂがウエハ１を支持している状態において、当該ウエハ１の平面中心点からの距離が一定である位置に配置されている。このことは、第一支持部３２２がフィンガープレート３２１の面上で一つの円周上に位置しているとともに、その円周の中心点とウエハ１の平面中心点とが一致することを意味する。
【００４９】
また、第一支持部３２２は、フィンガープレート３２１面上の一つの円周上において、ウエハ１を均等に支持する複数箇所に分散して配置されている。均等支持が可能な複数箇所としては、例えば、ウエハ１の平面中心点を基準とした場合に点対称となる複数箇所、またはウエハ１の中心点を通る線分を基準とした場合に線対称となる複数箇所（左右均等な複数箇所等）が挙げられる。さらに具体的には、第一支持部３２２は、フィンガープレート３２１面上の一つの円周上において、当該円周上の互いに離間する四箇所に分散配置されている。このような四箇所への分散配置によって、一つの円周上には四つの第一支持部３２２が存在し、それぞれの第一支持部３２２がウエハ１の外周端縁近傍四箇所を均等に支持することになる。これら四つの第一支持部３２２によって、ウエハ１に対する第一の支持位置が構成される。なお、ここでは、四箇所への分散配置を例に挙げているが、これに限定されることはなく、四箇所未満や五箇所以上への分散配置であっても実現可能である。なお、第一支持部３２２を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部は、ウエハ１に対する支持面積が互いに等しく構成されている。
【００５０】
第一支持部３２２が存在する円周の大きさは、ウエハ１の径方向の大きさに基づいて設定される。すなわち、円周およびウエハ１の中心点から第一支持部３２２までの距離（すなわち第一支持部３２２が配された円周の半径）は、当該中心点とウエハ１の外周端縁との間の距離（すなわち円板状基板であるウエハ１の半径）に基づいて設定される。好ましくは、第一支持部３２２によりウエハ１の外周端縁近傍を支持すべく、第一支持部３２２までの距離が、ウエハ１の半径を超えない範囲内において、極力大きく設定されているものとする。
【００５１】
ただし、上述の距離を極力大きく設定する場合、以下の点を考慮する必要がある。第一支持部３２２は、ウエハ１の外周端縁と重なる位置には配されておらず、当該外周端縁から所定距離内周側の位置に配置されている。すなわち、第一支持部３２２は、ウエハ１の外周端縁ではなく、ウエハ１の外周端縁の近傍であって、外周端縁よりも内側を支持するように形成されている。具体的には、第一支持部３２２は、ウエハ１の外周端縁から３〜５ｍｍ程度内周側の位置にて、フィンガープレート３２１の面上からの突出部分が周方向に連続して平面円弧状の頂面を有するように形成されている。これにより、第一支持部３２２とガイド側壁３２４との間には、底面がフィンガープレート３２１の上面に一致する凹形状部分が形成されることになる。
【００５２】
以上のことから、第一支持部３２２が存在する円周の大きさについては、例えば、ウエハ１の外径がφ３００ｍｍであれば、当該第一支持部３２２の突出部分外周側をφ２９０ｍｍ〜φ２９４ｍｍ程度、当該第一支持部３２２の突出部分内周側をφ２８０ｍｍ〜φ２８４ｍｍ程度とすることが考えられる。
【００５３】
（第二支持部）
第二支持部３２３は、フィンガープレート３２１の面上の第一支持部３２２とは異なる位置、さらに詳しくは当該第一支持部３２２の周内、すなわち当該第一支持部３２２が存在する円周の内側に配置されている。第二支持部３２３も、第一支持部３２２と同様に、フィンガープレート３２１の面上にて円周状態に配置されている。さらに、第二支持部３２３は、ツィーザ３２ａ，３２ｂがウエハ１を支持している状態において、当該ウエハ１の平面中心点からの距離が一定である位置に配置されている。これらのことは、第一支持部３２２と第二支持部３２３とが、フィンガープレート３２１の面上で同心円周上に配置されていることを意味する。ここで、同心円とは、中心を共有する二つ以上の円のことをいう。したがって、これらが同心円周上に配置されていることから、第二支持部３２３は、第一支持部３２２と径が異なる一つの円周上に位置しているとともに、第一支持部３２２との間隔が一定である位置に配置されていることになる。
【００５４】
また、第二支持部３２３は、第一支持部３２２と同様に、フィンガープレート３２１面上の一つの円周上（第一支持部３２２と同心異径の円周上）において、ウエハ１を均等に支持する複数箇所に分散して配置されている。さらに、第二支持部３２３は、第一支持部３２２と同様に、円周上の互いに離間する四箇所に分散配置されている。これら四つの第二支持部３２３によって、ウエハ１に対する第二の支持位置が構成される。なお、第二支持部３２３についても、第一支持部３２２と同様に、四箇所への分散配置に限定されることはなく、四箇所未満や五箇所以上への分散配置であっても実現可能である。また、第二支持部３２３を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部も、ウエハ１に対する支持面積が互いに等しく構成されている。
【００５５】
第二支持部３２３が存在する円周の大きさは、第一支持部３２２が存在する円周の大きさおよびフィンガープレート３２１の平面形状に基づいて設定される。好ましくは、次の事項を満足する位置に設定される。第一として、第一支持部３２２が存在する円周と同心異径の円周とする。第二として、フィンガープレート３２１における各帯形状部分３２１ａの上面に第二支持部３２３を形成する際の制約を満足する範囲内で、第二支持部３２３を最も内周側（すなわち第一支持部３２２から最も離れる側）に配置できる位置に設定されているものとする。第一支持部３２２との間隔が大きいほうが、後述する効果を得る上では好適だからである。
【００５６】
ただし、第二支持部３２３の位置については、最も内周側への配置にあたり、以下の制約を満足する必要がある。第二支持部３２３は、フィンガープレート３２１上の四箇所に略均等に分散配置され、当該フィンガープレート３２１における一方の帯形状部分３２１ａ上に二つが存在し、他方の帯形状部分３２１ａ上に残り二つが存在する。そのため、それぞれの帯形状部分３２１ａ上では、二つの第二支持部３２３が互いに離間して配置されることになる。第二支持部３２３が存在する円周の大きさは、以上のような離間のための間隔を確保し得る大きさであることを要する。これが第一の制約内容である。
【００５７】
また、各帯形状部分３２１ａ上では、後述する理由により、当該帯形状部分３２１ａの全幅にわたって、第二支持部３２３が連続するように配置されていることが好ましい。すなわち、各帯形状部分３２１ａ上では、当該帯形状部分３２１ａ上の二つの第二支持部３２３のうちの少なくとも一方（例えば帯形状部分３２１ａの先端側に位置するもの）が、当該帯形状部分３２１ａの一方のエッジ位置から他方のエッジ位置まで連続して配置されている。このような配置が可能である大きさの円周上に、第二支持部３２３が存在していることが好ましい。これが第二の制約内容である。
【００５８】
第二支持部３２３が存在する円周の大きさについては、上述した第一および第二の制約
内容と、後述するウエハ１の変形許容量とを鑑み、例えば、ウエハ１の外径がφ３００ｍｍであれば、当該第二支持部３２３の突出部分内周側をφ２３０ｍｍ程度、当該第二支持部３２３の突出部分外周側をφ２４０ｍｍ程度とすることが考えられる。
【００５９】
（ガイド側壁）
各帯形状部分３２１ａの先端部分には、ウエハ１の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁３２４が設けられている。なお、フィンガープレート３２１には、各帯形状部分３２１ａの先端部分と対向する側（すなわちツィーザ３２ａ，３２ｂの根本側）にも、ウエハ１の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁３２４が設けられている。これらのガイド側壁３２４は、第一支持部３２２及び第二支持部３２３を構成する凸部よりもそれぞれ高く形成されている。
【００６０】
（本実施形態におけるツィーザの機能）
本実施形態のツィーザ３２ａ，３２ｂは、円周状に配置されてなる基板支持部、すなわち、同心円状に配置された第一支持部３２２及び第二支持部３２３によりウエハ１を支持する。これにより、ウエハ１の変形方向によらず、再現性良くウエハ１を支持することができる。上述したように、ウエハ１は加熱されることで変形するが、ウエハ１の変形方向は、ウエハ１の特性やウエハ１上に形成される回路配置や種別等に応じて異なってくる。そのため、仮に基板支持部が非円周状（例えば平行線状、或いは四角形状等）に配置されていると、ウエハ１の変形方向によっては、ウエハ１の姿勢変動や高さ変動の量が大きく変化してしまうことがある。これに対し、本実施形態によれば、基板支持部が円周状に配置されているため、ウエハ１の変形方向によらず、再現性良くウエハ１を支持することができる。すなわち、ウエハ１がいずれの方向に変形したとしても、ウエハ１の姿勢変動や高さ変動の量を、常に一定範囲内に抑えることが可能となる。
【００６１】
また、本実施形態では、基板支持部（第一支持部３２２及び第二支持部３２３）が円周状に配置されていることで、搬送時のウエハ１のズレを効果的に抑制できる。上述したように、ツィーザ３２ａ，３２ｂを移動させるアーム３４は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するとともに、水平方向に移動するように構成されている。すなわち、ウエハ１には、搬送時にあらゆる方向から力が働くこととなる。このとき、仮に基板支持部が非円周状（例えば平行線状、或いは四角形状等）に配置されていると、ウエハ１の保持力が方向によって大きく異なってしまう（例えば、回転移動に対する保持力は強いが、水平移動に対する保持力は弱くなってしまう等）。非円周状の構造の場合、ツィーザ３２ａ，３２ｂ上でウエハ１がズレて落下等してしまうことがある。これに対し、本実施形態によれば、基板支持部が円周状に配置されているため、ウエハ１の保持力を方向によらず均等化させることができる。そのため、搬送時のウエハ１のズレを効果的に抑制できる。また、これにより、ウエハ１の搬送速度を増大させることが可能となり、基板処理の生産性を向上させることができる。
【００６２】
また、本実施形態では、第一支持部３２２を構成する複数の凸部は、ウエハ１の平面中心点を基準として点対称、或いはウエハ１の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されている。また同様に、第二支持部３２３を構成する複数の凸部も、ウエハ１の平面中心点を基準として点対称、或いはウエハ１の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されている。これにより、ウエハ１の保持力を、方向によらず均等化させることが出来る。その結果、搬送時のウエハ１のズレをより効果的に抑制できるようになる。なお、仮に凸部が対象に配置されていない場合、ウエハ１の保持力は方向によって異なってしまうことがある。その結果、ウエハ１を回転或いは水平移動させた時に、ツィーザ３２ａ，３２ｂ上でウエハ１がズレて落下等してしまうことがある。
【００６３】
また、本実施形態では、第一支持部３２２を構成する複数の凸部のうち、対象位置にあ
る凸部は、ウエハ１に対する支持面積が互いに等しく構成されている。また同様に、第二支持部３２３を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部も、ウエハ１に対する支持面積が互いに等しく構成されている。これにより、ウエハ１の保持力を、方向によらず均等化させることが出来る。その結果、搬送時のウエハ１のズレを効果的に抑制できるようになる。なお、仮に対象位置にある凸部のウエハ１に対する支持面積が互いに等しく構成されていない場合、ウエハ１の保持力は方向によって異なってしまうことがある。その結果、ウエハ１の搬送時に、ツィーザ３２ａ，３２ｂ上でウエハ１がズレて落下等してしまうことがある。
【００６４】
また、本実施形態のツィーザ３２ａ，３２ｂは、第一支持部３２２に加えて第二支持部３２３を有しており、これら第一支持部３２２および第二支持部３２３の各頂面がウエハ１の裏面（被処理面の反対面）に当接することで当該ウエハ１を支持する。つまり、第一支持部３２２による第一の支持位置および第二支持部３２３による第二の支持位置の両方にて、ウエハ１をその裏面側から支持する。したがって、参考例の場合（ウエハ１の外周端縁近傍四箇所のみを支持する構成の場合）に比べると、ウエハ１を支持する際の荷重の分散化を図ることができる。これにより、各支持位置における荷重をそれぞれ低減させることができ、ウエハ１と第一支持部３２２及び第二支持部３２３とが擦れあうことによってウエハ１の裏面にキズが付いたり、パーティクルが発生したりすることを抑制できる。
【００６５】
第一の支持位置と第二の支持位置の両方にてウエハ１を支持しても、当該ウエハ１の裏面側を支持するので、当該ウエハ１の被処理面に直接的に悪影響が及ぶことはない。
【００６６】
第一の支持位置および第二の支持位置の両方にてウエハ１を支持すれば、参考例の場合（ウエハ１の外周端縁近傍四箇所のみを支持する構成の場合）に比べて、第二の支持位置を設けた分、当該ウエハ１に対する支持面積の増大、すなわち当該ウエハ１に対する基板保持力（支持時の摩擦力）の増大が容易に実現可能である。一方、参考例の場合に対して全体での基板保持力の低下を招くことなく、第一支持部３２２および第二支持部３２３の個々の支持面積を削減して、不必要にウエハ１が接触することが無いようにすることも実現可能である。
【００６７】
ウエハ１を支持する際の荷重の分散化を図ることで、当該ウエハ１の状態によらず（すなわち、当該ウエハ１に変形が生じた場合であっても）、以下に述べるように当該ウエハ１を適切に支持することが実現可能となる。
【００６８】
例えば、図９（ａ）に示す変形がウエハ１に生じた場合には、第一支持部３２２よりも内周側の第二支持部３２３が当該ウエハ１を支持する。したがって、参考例のように外周端縁近傍のみを支持する場合に比べると、ウエハ１がフィンガープレート３２１の上面に接触するのを抑制できる。具体的には、参考例の場合はウエハ１の撓み量が約１ｍｍを超えると接触が発生していたが、例えばφ３００ｍｍのウエハ１に対してφ２３０ｍｍ程度の円周上に第二支持部３２３を配した構成の場合には、ウエハ１の撓みに対する変形許容量を約２ｍｍ程度まで増大させることが可能となる。換言すると、φ３００ｍｍのウエハ１について変形許容量を約２ｍｍ程度とするためには、第二支持部３２３をφ２３０ｍｍ程度の円周上に配置すればよい。なお、フィンガープレート３２１上には、第二支持部３２３のみならず第一支持部３２２も存在しているので、ウエハ１の外周端縁近傍が下方側に垂れてしまうような変形が生じることもない。
【００６９】
また、例えば、図９（ｂ）に示す変形がウエハ１に生じた場合については、当該変形が生じていない場合に比べて第一支持部３２２での基板保持力（ウエハ１と第一支持部３２２との摩擦力）が低下し得るが（図中Ｄ部およびＥ部参照）、第二支持部３２３での基板保持力（ウエハ１と第二支持部３２３との摩擦力）については面接触のままであり低下し
てしまうことがない（図中Ｄ部およびＦ部参照）。つまり、ウエハ１に変形が生じた場合であっても、支持位置の分散化（支持箇所増加）により、幾つかの支持位置は面接触のままであり、全ての支持位置が線接触化してしまうのを回避し得るので、当該ウエハ１に対する基板保持力低下を抑制することができる。
【００７０】
基板保持力低下を抑制できれば、ウエハ１を支持した状態で搬送する場合において、当該ウエハ１の滑りを防止するための搬送速度の低下が不要となる。したがって、参考例の場合に比べると、ウエハ１に対する搬送能力（すなわち基板処理装置１０での単位時間当たりの処理能力）を向上させることが容易に実現可能となる。具体的には、ウエハ処理能力基準となる搬送スループットについて、参考例の場合は例えば１３０ｗｐｈ（一時間当たりのウエハ搬送枚数）であったものが、本実施形態では例えば１８０ｗｐｈに向上させることが可能である。また、参考例の場合に比べると、ウエハ１へのパーティクルの影響が改善されるので、立ち上げ時の搬送位置調整作業において、戻り工程を抑制することも可能となる。
【００７１】
さらに、例えば、図９（ｂ）に示す変形がウエハ１に生じた場合に、ウエハ端縁近傍の裏面（下面）側でパーティクルが発生しても、第一支持部３２２とガイド側壁３２４との間に凹形状部分が形成されているので、発生したパーティクルが凹形状部分とウエハ端縁とによって構成される空間内に封入され、表面（上面）側に舞い上がるのが抑制される。つまり、パーティクルが発生した場合でも、凹形状部分を存在させることで、当該パーティクルのウエハ１上への舞い上がりのリスクを低減することが可能である。このような凹形状部分を形成するための第一支持部３２２の位置は、ウエハ１の外周端縁から３〜５ｍｍ程度内周側とすることが妥当である。この位置が余りに内周側に寄ってしまうと、安定性低下により十分な効果が得られないからである。
【００７２】
本実施形態の第一支持部３２２は、ウエハ１の外周端縁（エッジ部）ではなく、ウエハ１の外周端縁の近傍であって、外周端縁よりも内側を支持するように形成されている。すなわち、第一支持部３２２はウエハ１の外周端縁には接触しないように構成されている。これにより、ウエハ端縁近傍におけるパーティクルの発生を効果的に抑制できる。ウエハ端近傍には、前の基板処理工程（例えばＣＶＤ処理工程）で、ウエハ１の表面上に形成される薄膜はウエハ１の外周端縁にも同時に形成されてしまう。従って、仮に、第一支持部３２２がウエハ１の外周端縁に接触すると、形成された薄膜が剥離する等してパーティクルが発生してしまうことがある。これに対し、本実施形態の第一支持部３２２はウエハ１の外周端縁には接触しないため、パーティクルの発生を効果的に抑制できる。
【００７３】
本実施形態によれば、下のツィーザ３２ｂで搬送するウエハ１上へのパーティクルの付着を効果的に抑制できる。すなわち、２枚のツィーザ３２ａ，３２ｂを上下方向に所定の間隔で離間されて配置する構成では、上のツィーザ３２ａで搬送するウエハ１にて発生したパーティクルが、下のツィーザ３２ｂで搬送するウエハ１上に降り積り易くなる。これに対し、本実施形態では、上述のようにパーティクルの発生や拡散を抑制できることから、下のツィーザ３２ｂで搬送するウエハ１へのパーティクルの付着を効果的に抑制でき、基板処理の品質を向上させることが出来る。
【００７４】
本実施形態によれば、各帯形状部分３２１ａの先端部分や、各帯形状部分３２１ａの先端部分と対向する側（すなわちツィーザ３２ａ，３２ｂの根本側）に、ウエハ１の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁３２４が設けられている。ガイド側壁３２４は、第一支持部３２２及び第二支持部３２３を構成する凸部よりも高く形成されている。ガイド側壁３２４は、ウエハ１をツィーザ３２ａ，３２ｂ上に載置する際のガイドとして機能する。また、ガイド側壁３２４は、搬送時のウエハ１のズレや落下を防止するよう機能する。
【００７５】
本実施形態のツィーザ３２ａ，３２ｂは、アーム３４ａ，３４ｂへの取り付け構造を、参考例として説明した従来構成の場合と同一構造にすることが考えられる。このようにすれば、半導体製造工程で用いられる既存の基板処理装置に対して、大幅な変更を要することなく本実施形態のツィーザ３２ａ，３２ｂを適用することが可能となり、当該基板処理装置の能力向上のための手段として有効なものとなる。
【００７６】
（５）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
【００７７】
本実施形態によれば、基板支持部（第一支持部３２２及び第二支持部３２３）が円周状に配置されている。そのため、ウエハ１の変形方向によらず、再現性良くウエハ１を支持することができる。すなわち、ウエハ１がいずれの方向に変形したとしても、ウエハ１の姿勢変動や高さ変動の量を一定範囲内に抑えることが可能となる。また、基板支持部（第一支持部３２２及び第二支持部３２３）が円周状に配置されているため、ウエハ１の保持力を、方向によらず均等化させることができる。これにより、搬送時のウエハ１のズレを効果的に抑制でき、ウエハ１の搬送速度を増大させ、基板処理の生産性を向上させることができる。
【００７８】
また、本実施形態によれば、第一支持部３２２及び第二支持部３２３を構成する複数の凸部は、それぞれ、ウエハ１の平面中心点を基準として点対称、或いはウエハ１の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されている。これにより、ウエハ１の保持力を、方向によらず均等化させることができる。そして、搬送時のウエハ１のズレを効果的に抑制でき、ウエハ１の搬送速度を増大させ、基板処理の生産性を向上させることができる。
【００７９】
また、本実施形態によれば、第一支持部３２２及び第二支持部３２３を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部は、ウエハ１に対する支持面積が互いに等しく構成されている。これにより、ウエハ１の保持力を、方向によらず更に均等化させることが出来る。そして、搬送時のウエハ１のズレを効果的に抑制でき、ウエハ１の搬送速度を増大させ、基板処理の生産性を向上させることができる。
【００８０】
また、本実施形態にかかるツィーザ３２ａ，３２ｂは、フィンガープレート３２１上にて第一支持部３２２の周内に第二支持部３２３が配されており、これらによってウエハ１を支持する際の荷重の分散化が図られている。そのため、ウエハ１に変形が生じた場合であっても、ウエハ１がフィンガープレート３２１に接触してしまうのを抑制でき、またウエハ１に対する基板保持力低下に起因する擦れ等が発生することも抑制できる。したがって、ウエハ１にキズやパーティクル等が発生してしまうのを極力抑制して、当該ウエハ１を用いて構成する製品の製造歩留りを低下させる要因の一つを排除することが可能となる。さらには、ウエハ１の変形に伴う基板保持力低下を抑制できることから、当該ウエハ１を搬送する際に安定した高速搬送が実現可能となり、基板処理装置１０における生産効率低下を招いたり、半導体装置の製造工程に悪影響を及ぼしたりするのを回避し得るようになる。
【００８１】
また、本実施形態にかかるツィーザ３２ａ，３２ｂは、第一支持部３２２と第二支持部３２３とが同心円周上に配置されるので、ウエハ１に発生する変形が円板状基板に特有のものであっても適切に対応することができる。具体的には、例えば図９（ａ）に示す変形が生じた場合であっても、ウエハ１が必ず第二支持部３２３によって支持される。したがって、このような同心円周上への配置により、円板状基板であるウエハ１を支持するのに非常に好適なものとなり、当該ウエハ１にキズやパーティクル等が発生したり当該ウエハ１に対する基板保持力が低下したりするのを確実に抑制することができる。
【００８２】
特に、本実施形態で説明したように、第一支持部３２２と第二支持部３２３とについて、ウエハ１を均等に支持する複数箇所に分散して配置した場合、さらに詳しくは円周上の互いに離間する四箇所に分散配置した場合には、ウエハ１を支持する際の荷重が第一支持部３２２と第二支持部３２３とのそれぞれに均等に分散される。したがって、荷重の均等な分散によって、キズやパーティクル等の発生のみならず、ウエハ１自体の変形抑制にも有効なものとなる。なお、本実施形態では、第一支持部３２２と第二支持部３２３との両方がそれぞれ均等に分散配置されている場合を例に挙げたが、第一支持部３２２と第二支持部３２３との少なくとも一方が均等に分散配置されていれば、ウエハ１の支持荷重の均等な分散化による効果が得られる。
【００８３】
さらに、本実施形態では、ウエハ１の平面中心点からの距離が一定である位置に第一支持部３２２および第二支持部３２３のそれぞれが配され、これら第一支持部３２２と第二支持部３２３との互いの間隔が一定となっている。つまり、第一支持部３２２と第二支持部３２３とが、ウエハ１の平面中心点と一致する中心点を有する同心円周上に配置されている。このように、第一支持部３２２と第二支持部３２３とが存在する同心円の中心点を、ウエハ１の平面中心点と一致させれば、上述した支持荷重の均等な分散化による効果がより一層確実なものとなる。その場合において、ウエハ１の平面中心点から第一支持部３２２までの距離が、当該平面中心点とウエハ１の外周端縁との間の距離に基づいて設定されていれば、第一支持部３２２を当該外周端縁に極力近づけて配することが実現可能となる。したがって、第一支持部３２２がウエハ１の外周端縁近傍を確実に支持することになる。また、ウエハ１の平面中心点から第二支持部３２３までの距離が、フィンガープレート３２１の帯形状部分３２１ａ上に第二支持部３２３の配置する際の制約を満足する範囲内で、第一支持部３２２から最も離れる大きさに設定されていれば、第一支持部３２２と第二支持部３２３との間隔を極力大きくすることが実現可能となる。第一支持部３２２と第二支持部３２３との間隔が大きく設定されていれば、ウエハ１の支持荷重の分散化が好適に行われ、当該ウエハ１に対する変形許容量の増大や基板保持力の低下抑制等に有効に寄与することになる。
【００８４】
また、本実施形態にかかるツィーザ３２ａ，３２ｂは、第一支持部３２２がウエハ１の外周端縁から所定距離内周側の位置にて周方向に連続し、その第一支持部３２２とガイド側壁３２４との間に凹形状部分が形成されている。したがって、ウエハ１の外周端縁近傍の裏面（下面）側でパーティクルが発生しても、発生したパーティクルがウエハ１の表面（上面）側に舞い上がるのを抑制することができ、当該パーティクルのウエハ１上への舞い上がりのリスクを低減することが可能である。
【００８５】
また、本実施形態にかかるツィーザ３２ａ，３２ｂは、フィンガープレート３２１の帯形状部分３２１ａ上において、少なくとも一つの第二支持部３２３が当該帯形状部分３２１ａの全幅にわたって連続するように配置されている。したがって、帯形状部分３２１ａの両エッジ位置には必ず当該帯形状部分３２１ａの面上から突出する第二支持部３２３が存在していることになるので、特にキズやパーティクル等が発生し易いエッジ近傍箇所において（図７（ｂ）参照）、ウエハ１が帯形状部分３２１ａのエッジ位置に接触するのを確実に回避することができる。なお、本実施形態では、フィンガープレート３２１が二股フォーク状であり一対の帯形状部分３２１ａを有している場合を例に挙げたが、帯形状部分３２１ａは一つのみ、または三つ以上であってもよく、その場合でも第二支持部３２３が全幅にわたって連続配置されていれば、エッジ近傍箇所でのキズやパーティクル等の発生を有効に抑制することができる。
【００８６】
また、本実施形態の第一支持部３２２は、ウエハ１の外周端縁ではなく、ウエハ１の外周端縁の近傍であって、外周端縁よりも内側を支持するように形成されている。すなわち
、第一支持部３２２は、薄膜が形成されるウエハ１の外周端縁には接触しないように構成されている。これにより、パーティクルの発生を効果的に抑制できる。
【００８７】
また、本実施形態によれば、上述のようにパーティクルの発生や拡散を抑制できることから、例えば上のツィーザ３２ａで搬送するウエハ１にて発生したパーティクルが、下のツィーザ３２ｂで搬送するウエハ１へ付着してしまうことを効果的に抑制でき、基板処理の品質を向上させることが出来る。
【００８８】
また、本実施形態のツィーザ３２ａ，３２ｂ上には、各帯形状部分３２１ａの先端部分や根本側に、第一支持部３２２や第二支持部３２３を構成する凸部よりも高く形成された円弧状のガイド側壁３２４が設けられている。これにより、ツィーザ３２ａ，３２ｂ上に載置するウエハ１をガイドする（位置決めする）ことができ、搬送時のウエハ１のズレや落下を防止することができる。
【００８９】
また、本実施形態にかかる基板処理装置１０によれば、搬送室１２内のロボット３０がウエハ１を搬送する際に、当該ウエハ１に変形が生じていてもキズやパーティクル等の発生を抑制できるので、当該ウエハ１を用いて構成する製品の製造歩留りを低下させる要因の一つの排除することが可能となる。さらには、ウエハ１に対する保持力低下も抑制できるので、ウエハ１を搬送する際に安定した高速搬送が実現可能となる。
【００９０】
以上のような本実施形態にかかる基板処理装置１０を用いて半導体装置を製造すれば、半導体装置の製造を高効率で行うことが可能となる。
【００９１】
＜本発明の他の実施形態＞
上述した実施形態では、基板処理装置１０がアッシング装置である場合を例に挙げたが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、本発明は、処理室内での処理内容によらず、その処理室に対する基板搬送を行うものであれば、例えば成膜処理、エッチング処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、アニール処理等の他の処理を行う装置にも適用することが可能である。
【００９２】
また、上述した実施形態では、搬送対象物である基板がウエハ１である場合を例に挙げたが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、本発明において搬送対象物となる基板は、フォトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクまたは磁気ディスク等であってもよい。
【００９３】
また、上述した実施形態では、基板に対する支持位置が二重の同心円周上に配置されている場合を説明したが、例えば三重以上の同心円周上に配置されている場合であっても全く同様に実現可能である。
【００９４】
以上のように、本発明は色々な形態で実施され得るので、本発明の技術的範囲が上述の実施形態に限定されることはない。例えば、上述した実施形態で説明した基板処理装置１０の構成（例えば処理室群１１６，１１７等の構成）は一具体例に過ぎず、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可能であることはいうまでもない。
【００９５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００９６】
本発明の一態様によれば、
搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上で円周状態に配されて前記基板を支持する第一支持部と、
前記面上における前記第一支持部の周内に配されて前記基板を支持する第二支持部と
を有する基板搬送機構が提供される。
【００９７】
好ましくは、
前記第一支持部と前記第二支持部とは、前記面上で同心円周上に配置される。
【００９８】
また好ましくは、
前記第一支持部と前記第二支持部の少なくとも一方は、前記基板を均等に支持する複数箇所に分散して配置される。
【００９９】
また好ましくは、
前記第一支持部と前記第二支持部の少なくとも一方は、円周上の互いに離間する四箇所に分散配置される。
【０１００】
また好ましくは、
前記第一支持部は、前記基板の平面中心点からの距離が一定である位置に配される。
【０１０１】
また好ましくは、
前記平面中心点から前記第一支持部までの距離は、当該平面中心点と前記基板の外周端縁との間の距離に基づいて設定される。
【０１０２】
また好ましくは、
前記第二支持部は、前記基板の平面中心点からの距離が一定である位置に配される。
【０１０３】
また好ましくは、
前記平面中心点から前記第二支持部までの距離は、前記板状体の面上に当該第二支持部の配置する際の制約を満足する範囲内で、前記第一支持部から最も離れる大きさに設定される。
【０１０４】
また好ましくは、
前記第一支持部と前記第二支持部とは、互いの間隔が一定である位置に配される。
【０１０５】
また好ましくは、
前記第一支持部は、前記板状体の面上からの突出部分が前記基板の外周端縁から所定距離内周側の位置にて周方向に連続し、当該突出部分の頂面で前記基板を支持するように形成される。
【０１０６】
また好ましくは、
前記板状体は、前記基板の一部に重なる帯形状部分を有しており、
前記第二支持部は、前記帯形状部分の全幅にわたって連続するように配置される。
【０１０７】
本発明の他の態様によれば、
基板を保持するロードロック室と、
前記ロードロック室に連通可能に構成された搬送室と、
前記搬送室に連通可能に構成され前記基板を処理する処理室とを具備し、
前記搬送室内には、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送装置が設けられ、
前記搬送装置は、
前記基板を支持する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、
前記基板搬送機構は、
前記基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に設けられて前記基板を支持する第一支持部と、
前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に設けられて前記基板を支持する第二支持部とを有し、
前記第一支持部と前記第二支持部とが前記面上で同心円周上に配置されている
基板処理装置が提供される。
【０１０８】
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を保持するロードロック室と、前記ロードロック室に連通可能に構成された搬送室と、前記搬送室に連通可能に構成され前記基板を処理する処理室とを具備し、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送装置が前記搬送室内に設けられた基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、
前記ロードロック室内から前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、
前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、
前記処理室内から前記ロードロック室内へ前記搬送装置が前記基板を搬出する基板排出工程と、を備え、
前記基板供給工程と前記基板排出工程の少なくとも一方では、搬送対象物である基板の被支持面を、面内で同心円周上に配された第一の支持位置および第二の支持位置の両方にて支持する
半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０９】
本発明のさらに他の態様によれば、
搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、
を有する基板搬送機構が提供される。
【０１１０】
本発明のさらに他の態様によれば、
搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に複数の凸部が配置されてなる第一支持部と、
前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、
前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置されている
基板搬送機構が提供される。
【０１１１】
好ましくは、
前記基板支持部は、前記基板の外周端縁よりも内側を支持するように配置されている。
【０１１２】
また好ましくは、
前記板状体の面上には、前記基板支持部よりも外側に、前記基板支持部を構成する凸部よりも高く形成された側壁が配置されている。
【０１１３】
また好ましくは、
前記基板支持部を構成する複数の凸部は、前記基板の平面中心点を基準として点対称、或いは前記基板の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されており、
複数の前記凸部のうち、対象位置にある前記凸部は、前記基板に対する支持面積が互いに等しく構成されている。
【０１１４】
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備し、
前記搬送装置は、
前記基板を支持する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、
前記搬送機構は、
搬送対象物である前記基板の支持基体となる板状体と、
前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する
基板処理装置が提供される。
【０１１５】
好ましくは、
前記基板搬送機構は前記板状体を複数枚有し、
複数の前記板状体は鉛直方向に所定の間隔で互いに離間されて配置されている。
【０１１６】
また好ましくは、
前記搬送機構移載部は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転自在に構成され、水平方向に移動自在に構成されている。
【０１１７】
また好ましくは、
前記処理室内に搬送された前記を加熱する加熱部を備え、
前記基板搬送機構は、
前記板状体の面上に複数の凸部が配置されてなる第一支持部と、
前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、
前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置されている。
【０１１８】
また好ましくは、
前記基板支持部を構成する複数の凸部は、前記基板の平面中心点を基準として点対称、或いは前記基板の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されており、
複数の前記凸部のうち、対象位置にある前記凸部は、前記基板に対する支持面積が互いに等しく構成されている。
【０１１９】
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、
前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、
前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、
前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持する
半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２０】
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、
前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、
前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、
前記基板供給工程及び前記基板搬出工程は、鉛直方向に所定の間隔で互いに離間された複数の板状体により搬送対象である基板をそれぞれ支持し、
前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、前記板状体の面上に複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持する
半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【０１２１】
１        ウエハ
１０      基板処理装置
１２      搬送室
１４ａ    ロードロック室
１４ｂ    ロードロック室
１１６    第一の処理室群
１６ａ    下処理室
１６ｂ    下処理室
１１７    第二の処理室群
１７ａ    下処理室
１７ｂ    下処理室
３０      ロボット
３２      基板搬送機構
３２ａ    上ツィーザ
３２ｂ    下ツィーザ
３４      アーム
３４ａ    アーム
３４ｂ    アーム
４５ａ    上処理室
４５ｂ    上処理室
３２１    フィンガープレート
３２２    第一支持部
３２３    第二支持部
【図１】
0005548163.tif 000002
【図２】
0005548163.tif 000003
【図３】
0005548163.tif 000004
【図４】
0005548163.tif 000005
【図５】
0005548163.tif 000006
【図６】
0005548163.tif 000007
【図７】
0005548163.tif 000008
【図８】
0005548163.tif 000009
【図９】
0005548163.tif 000010