(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置において、
前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、
前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、
前記プローブカードが設置されるテストヘッドと、
を有し、前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであって、
前記ウエハ駆動ステージは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであって、
前記ウエハ駆動ステージの移動方向と前記テストヘッドの移動方向とは同一方向であって、
前記テストヘッドの前記ウエハ面に対し垂直方向における移動速度は、前記ウエハ駆動ステージの前記ウエハ面に対し垂直方向における移動速度よりも低速で移動させることができるものであることを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し平行方向に移動させることができるものであることを特徴とする請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項３】
ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置の制御方法において、
前記プローブ装置は、前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、前記プローブカードが設置されるテストヘッドとを有しており、
前記ウエハ駆動ステージ及び前記テストヘッドをともに前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させながら、前記電極部と前記プローブ針とを接触させ、
前記電極部と前記プローブ針とを接触させた後、前記半導体素子領域の試験を行うものであって、
前記ウエハ駆動ステージの移動方向と前記テストヘッドの移動方向とは同一方向であって、
前記電極部と前記プローブ針とを接触させる際、前記ウエハ駆動ステージの移動速度よりも前記テストヘッドの移動速度が、低速であること特徴とするプローブ装置の制御方法。
【請求項４】
前記電極部と前記プローブ針とを接触させた後、前記半導体素子領域の試験を行う前に、
前記テストヘッドを前記ウエハ面に対し平行方向に微小移動させることにより、前記電極部の表面に形成された膜を除去することを特徴とする請求項３に記載のプローブ装置の制御方法。
【請求項５】
前記テストヘッドを前記ウエハ面に対し平行方向に微小移動させる際に、前記ウエハ駆動ステージについても、前記テストヘッドの微小移動の方向と異なる方向であって、前記ウエハ面に対し平行な方向に微小移動させることを特徴とする請求項４に記載のプローブ装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ装置及びプローブ装置の制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハ上に二次元的に形成された半導体回路等の半導体素子領域における試験を行う際にプローブ装置が用いられる。このプローブ装置は、検査等の試験の対象となるシリコンウエハ上の半導体素子領域に設けられた複数の電極部に、プローブ装置に設置されているプローブカードの複数のプローブ針を各々接触させて電気的に接続させて、試験信号等を入力して試験を行う。尚、試験信号は、プローブ装置に接続されたＬＳＩ（Large Scale Integration）テスタ等により発生させ、電極部は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ハンダ等のバンプにより形成されている。
【０００３】
プローブ装置において、試験の対象となるシリコンウエハは、プローブ装置のウエハステージ上に設置され、このウエハステージを上下左右等の３次元方向に移動させることにより、シリコンウエハを移動させることができる。このようにウエハステージを移動させることにより、シリコンウエハに設けられた電極部とプローブカードに設けられたプローブ針との位置合せや、電極部とプローブ針との接触動作を行う。
【０００４】
このようなプローブ装置においては、省スペース化、試験時間の短縮を目的としたプローブ装置が開示されている（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−６７８５４号公報
【特許文献２】特開２００４−３２４７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、プローブ装置を用いた試験を行う際には、シリコンウエハ上に設けられた電極部を介し、試験信号等を入力させるため、プローブカードに設けられたプローブ針の先端と、シリコンウエハ上に設けられた電極部とを接触させる必要がある。
【０００７】
しかしながら、シリコンウエハ上に設けられた電極部とプローブ針の先端とを接触させる際の力が強いと、電極部やシリコンウエハにおいて電極部の下部に設けられた半導体回路等に強い衝撃を与えてしまう。このような強い衝撃により、形成されている半導体回路等を破壊してしまう場合や、または、特性を低下させてしまう場合がある。
【０００８】
このことを図１に基づいてより詳しく説明する。例えば、図１に示されるように、シリコンウエハ１２０には半導体回路等が形成されており、この半導体回路等の一部として層間絶縁膜１２３と配線層１２４とが交互に積層形成されている場合について考える。この場合、プローブ針１５１の先端が、シリコンウエハ１２０の表面に形成された電極部１２２において強い力で接触させると、プローブ針１５１の先端との接触の際の強い力の衝撃が、電極部１２２の下部にまで伝わる。これにより、層間絶縁膜１２３に亀裂１２５等が生じ、半導体回路等において不良が発生してしまう。また、プローブ針１５１の先端が、電極部１２２に強い力で接触することにより、プローブ針の先端が接触していた電極部において、深くて大きなプローブ痕が形成されてしまう場合がある。このような深くて大きなプローブ痕が形成されると、電極部１２２においてワイヤボンディング等により接続を行う際、電極部１２２と接続されるボンディングワイヤとの付着力が低下し、製造される半導体素子における不良の原因となる。尚、図１（ａ）は、電極部１２２とプローブ針１５１の先端が接触する前の状態を示すものであり、図１（ｂ）は、電極部１２２とプローブ針１５１の先端が強い力で接触した後の状態を示すものである。
【０００９】
このため、プローブ装置における試験を行う場合において、シリコンウエハ内に形成されている半導体回路を破壊することなく、また、プローブ痕ができるだけ小さく形成されるプローブ装置及びプローブ装置の制御方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施の形態の一観点によれば、ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置において、前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、前記プローブカードが設置されるテストヘッドと、を有し、前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであって、前記ウエハ駆動ステージは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであって、前記ウエハ駆動ステージの移動方向と前記テストヘッドの移動方向とは同一方向であって、前記テストヘッドの前記ウエハ面に対し垂直方向における移動速度は、前記ウエハ駆動ステージの前記ウエハ面に対し垂直方向における移動速度よりも低速で移動させることができるものであることを特徴とする。
【００１１】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置の制御方法において、前記プローブ装置は、前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、前記プローブカードが設置されるテストヘッドとを有しており、前記ウエハ駆動ステージ及び前記テストヘッドをともに前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させながら、前記電極部と前記プローブ針とを接触させ、前記電極部と前記プローブ針とを接触させた後、前記半導体素子領域の試験を行うものであって、前記ウエハ駆動ステージの移動方向と前記テストヘッドの移動方向とは同一方向であって、前記電極部と前記プローブ針とを接触させる際、前記ウエハ駆動ステージの移動速度よりも前記テストヘッドの移動速度が、低速であること特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
開示のプローブ装置及びプローブ装置の制御方法では、シリコンウエハ内に形成されている半導体回路等を破壊することなく、プローブ針の先端の接触痕をできるだけ小さくすることのできるプローブ装置及びプローブ装置の制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】電極部とプローブ針とを接触させる際の説明図
【図２】第１の実施の形態におけるプローブ装置の構造図
【図３】試験の対象となるウエハの説明図
【図４】電極部に形成されるプローブ痕の説明図
【図５】第１の実施の形態におけるプローブ装置の制御方法の説明図（１）
【図６】図５の要部拡大図
【図７】第１の実施の形態におけるプローブ装置の制御方法の説明図（２）
【図８】第１の実施の形態におけるプローブ装置の制御方法の説明図（３）
【図９】第２の実施の形態におけるプローブ装置の制御方法の説明図
【図１０】図９（ｂ）の要部を拡大した説明図
【図１１】第２の実施の形態におけるプローブ装置の他の制御方法の説明図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
図２に基づき、第１の実施の形態におけるプローブ装置及びプローブ装置の制御方法について説明する。
【００１６】
本実施の形態におけるプローブ装置１０は、試験の対象となるシリコンウエハであるウエハ２０を設置するウエハ駆動ステージ３０と、プローブカード５０が接続されているテストヘッド４０とを有している。ウエハ駆動ステージ３０は、不図示の駆動系により全体を３次元方向、即ち、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動させることが可能であり、更には、ウエハ駆動ステージ３０の全体をθ方向に傾けることが可能である。また、テストヘッド４０は、不図示の駆動系により全体を３次元方向、即ち、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動可能であり、更には、テストトヘッド４０全体をθ方向に傾けることが可能である。プローブカード５０は、一方の面において、ウエハ２０に設けられた電極部と接触させるための複数のプローブ針５１を有している。また、プローブカード５０は、他方の面において不図示の電極端子を有しており、この電極端子はテストヘッド４０における不図示の電極端子と電気的に接続されている。尚、プローブ装置１０は、ケーブル６１によりＬＳＩテスタ６０に接続されている。また、プローブ装置１０におけるウエハ駆動ステージ３０及びテストヘッド４０は不図示の制御部に接続されており、制御部における制御により、ウエハ駆動ステージ３０及びテストヘッド４０を所定の方向に移動させることができる。尚、不図示の制御部は、プローブ装置１０の内に設けてもよく、また、ＬＳＩテスタ６０内に設けてもよい。
【００１７】
また、図３に示すように、試験の対象となるウエハ２０は、二次元的に所定の形状の半導体素子領域２１が複数形成されており、各々の半導体素子領域２１には複数の電極部２２を有している。この電極部２２は、試験の際にプローブ針５１の先端と接触する部分であり、Ａｌ、金（Ａｕ）、ハンダ等の材料からなるバンプにより形成されている。尚、図３（ａ）は、試験の対象となるウエハ２０の全体を示す上面図であり、図３（ｂ）は、ウエハ２０上に形成された半導体素子領域２１の拡大図である。
【００１８】
ところで、ウエハ２０における電極部２２とプローブ針５１とを接触させる際の速度を低速にすることにより、ウエハ２０上に形成されている半導体回路等の破壊等を防ぐことができ、ウエハ２０における電極部２２に形成されるプローブ痕も小さくすることができる。即ち、プローブ針５１を電極部２２に接触させる際の相対速度を低速にすることにより、ウエハ２０上に形成されている半導体回路等における破壊等を防ぐことができ、ウエハ２０電極部２２において形成されるプローブ痕も小さくすることができる。
【００１９】
このことを図４に基づき説明する。図４は、電極部２２とプローブ針５１とを接触させる際、プローブ針５１と電極部２２との相対速度を変えて接触させた場合の電極部２２の表面の状態を示すものである。尚、図４（ａ）は、相対速度が２０ｍｍ／秒で接触させた場合の電極部２２の表面を示すものであり、図４（ｂ）は、相対速度が１０ｍｍ／秒で接触させた場合の電極部２２の表面を示すものである。どちらの場合においても、プローブ痕は形成されるものの、図４（ａ）に示す相対速度が２０ｍｍ／秒で接触させた場合に比べ、図４（ｂ）に示す相対速度が１０ｍｍ／秒で接触させた場合の方が、形成されるプローブ痕は浅く小さなものとなる。
【００２０】
このように、プローブ針５１に対する電極部２２の相対速度を低くすることにより、プローブ痕を浅く小さくすることができる。また、このプローブ痕の様子から、プローブ針５１に対する電極部２２の相対速度を低くすることにより、電極部２２の下部に形成される半導体回路等に与える衝撃を軽減することができるものと推認される。
【００２１】
このように、プローブ針５１に対する電極部２２の相対速度を低くすることにより、電極部２２に形成されるプローブ痕を浅く小さなものとすることができ、半導体回路等に与える衝撃も和らげることが可能である。ところで、従来のプローブ装置は、テストヘッドが固定された状態で、ウエハ駆動ステージを上方向に移動させることにより、プローブ針と電極部とを接触させる構造のものである。従って、重いウエハ駆動ステージのみをウエハ面に対し垂直方向に極めて低速で移動させることは、駆動系において大きな負担となり実用的ではなく、また、プローブ針５１と電極部２２とを接触させる際の時間を要し、試験のスループット等を低下させてしまう。
【００２２】
よって、本実施の形態におけるプローブ装置１０では、ウエハ駆動ステージ３０と、テストヘッド４０とが、ともにウエハ２０に対し略垂直方向（Ｚ軸方向）に移動することができる構造のものである。図５及び図６に示すように、このプローブ装置１０において、ウエハ２０の電極部２２とプローブ針５１の先端とを接触させる際には、ウエハ駆動ステージ３０を矢印Ａに示す方向に移動させ、テストヘッド４０を矢印Ｂに示す方向に移動させる。矢印Ａに示す方向と矢印Ｂに示す方向とは、ともに同一方向でありウエハ２０面に対し略垂直方向（Ｚ軸方向）である。この際、ウエハ駆動ステージ３０を移動させる速度よりも低速で速度でテストヘッド４０を移動させる。これにより、試験のスループットをあまり低下等させることなく、プローブ針５１に対する電極部２２の相対速度が低い状態で、プローブ針５１と電極部２２とを接触させることができる。また、ウエハ駆動ステージ３０を駆動するための駆動系における負担は大きくないため、通常の駆動系を使用することが可能である。尚、図６は、図５における半導体素子領域２１の電極部２２の部分の拡大図である。また、電極部２２の周囲には、絶縁体からなるカバー膜２３が形成されている。
【００２３】
図７及び図８に基づき、プローブ針５１の先端と電極部２２との接触について、より詳細に説明する。図７及び図８に示されるように、ウエハ駆動ステージ３０は速度Ｖ１で＋Ｚ方向に移動し、テストヘッド４０は速度Ｖ２で＋Ｚ方向に移動している。即ち、図８（ａ）に示すように、ウエハ駆動ステージ３０の設置されたウエハ２０の電極部２２は速度Ｖ１で＋Ｚ方向に移動し、図８（ｂ）に示すように、テストヘッド４０に取り付けられたプローブカード５０のプローブ針５１は速度Ｖ２で＋Ｚ方向に移動している。この場合、プローブ針５１に対するウエハ２０における電極部２２の相対速度は、図８（ｃ）に示すように、Ｖ１−Ｖ２であり、このような低い相対速度Ｖ１−Ｖ２でプローブ針５１とウエハ２０における電極部２２とを接触させることができる。
【００２４】
このように、本実施の形態におけるプローブ装置１０では、ウエハ２０に設けられた半導体回路を破壊等することなく、ウエハ２０の電極部２２とプローブ針５１の先端とを接触させることができる。これにより、プローブ装置を用いた試験において、ウエハ２０の電極部２２とプローブ針５１の先端とが接触する際に生じる半導体回路における破壊等を防ぐことができる。また、プローブ針５１の先端が接触することにより形成される電極部２２におけるプローブ痕は浅く、かつ、小さなものとなる。このため、電極部２２においてワイヤボンディングにより電気的に接続を行う際、電極部２２におけるボンディングワイヤとの付着力の低下を防ぐことができる。尚、この後、プローブ針５１の先端と電極部２２とが接触している状態で、本実施の形態におけるプローブ装置１０によりウエハ２０における半導体素子領域２１における試験が行われる。
【００２５】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態において電極部２２とプローブ針５１の先端とが接触している状態で、更に、電極部２２の表面に形成されている酸化膜等をプローブ針５１により削り取るものである。
【００２６】
具体的には、電極部２２がアルミニウム等の材料により形成されている場合には、電極部２２の表面にアルミニウムの酸化膜が形成される。特に、第１の実施の形態では、電極部２２とプローブ針５１とを接触させる際の相対速度が低いため、電極部２２の表面に酸化膜が形成されていると、酸化膜により電極部２２とプローブ針５１との電気的な接続が不確実となる場合がある。このような場合において、ウエハ２０の半導体回路等における正確な試験を行うことができない。
【００２７】
このため、テストヘッド４０をウエハ２０面に略平行な方向、即ち、Ｘ方向、Ｙ方向または、Ｘ方向及びＹ方向に微小移動させることにより、電極部２２の表面に接触しているプローブ針５１の先端の位置を微小移動させる。これにより、電極部２２の表面に形成されている不図示の酸化膜を削り取ることができる。尚、この場合、ウエハ駆動ステージ３０を移動させてもよく、更には、テストヘッド４０とともにウエハ駆動ステージ３０をテストヘッド４０の移動方向に対し反対方向、または、垂直方向に移動させてもよい。
【００２８】
本実施の形態におけるプローブ装置１０の制御方法について図９に基づき説明する。図９に示されるように、ウエハ２０の電極部２２にプローブ針５１が接触している状態で、プローブ針５１を矢印Ｃで示す方向、即ち、＋Ｘ方向に微小移動させる。プローブ針５１の微小移動はテストヘッド４０を移動させることにより行う。尚、図９（ａ）は、ウエハ２０の半導体素子領域２１の電極部２２にプローブ針５１が接触し微小移動している状態を示すものであり、図９（ｂ）は、電極部２２の拡大図であり、図９（ｃ）は、電極部２２の上面図である。このように、プローブ針５１を＋Ｘ軸方向に微小移動させることにより、電極部２２の表面に形成されている酸化膜が除去され、酸化膜が除去された領域２２ａが形成される。この酸化膜が除去された領域２２ａは、電極部２２において、酸化されていない金属が露出しているため、この酸化膜が除去された領域２２ａに、プローブ針５１が接触することにより、電極部２２とプローブ針５１とを電気的に接続することができる。
【００２９】
より詳細に電極部２２の表面における酸化膜の除去される過程について、図１０に基づき説明する。尚、図１０（ａ）は、電極部２２の表面にプローブ針５１の先端が接触している状態であって、プローブ針５１が矢印Ｃに示す方向に移動する前の状態を示すものであり、図１０（ｂ）は、プローブ針５１が矢印Ｃに示す方向に移動した後の状態を示すものである。図１０（ａ）に示すように、電極部２２の表面にプローブ針５１の先端が接触している状態では、プローブ針５１の先端では、電極部２２に対し力が加わっている。この状態で、矢印Ｃに示す方向にプローブ針５１の先端を移動させると、電極部２２の表面はプローブ針５１の先端により削り取られて酸化膜が除去されて、酸化膜が除去された領域２２ａが形成される。このように酸化膜が除去された領域２２ａでは金属が露出しているため、酸化膜が除去された領域２２ａにおいてプローブ針５１の先端を接触させることにより、電極部２２とプローブ針５１とを電気的に接続することができる。
【００３０】
次に、本実施の形態におけるプローブ装置１０の他の制御方法について、図１１に基づき説明する。図１１に示されるように、ウエハ２０の電極部２２にプローブ針５１が接触している状態で、プローブ針５１をＸＹ面における２次元方向に微小移動させる。プローブ針５１の微小移動はテストヘッド４０を移動させることにより行う。尚、図１１（ａ）は、ウエハ２０の半導体素子領域２１の電極部２２にプローブ針５１が接触し微小移動している状態を示すものであり、図１１（ｂ）は、電極部２２の拡大図であり、図１１（ｃ）は、電極部２２の上面図である。このように、プローブ針５１をＸＹ面における２次元方向に微小移動させることにより電極部２２の表面に形成されている酸化膜が除去され、酸化膜が除去された領域２２ｂが形成される。この酸化膜が除去された領域２２ｂでは、電極部２２における酸化されていない金属が露出しているため、プローブ針５１の先端を接触させることにより、電極部２２とプローブ針５１とを電気的に接続させることができる。尚、本実施の形態におけるプローブ装置１０の制御は、不図示の制御部において行われる。
【００３１】
以上より、本実施の形態におけるプローブ装置１０の制御方法では、表面に酸化膜等を形成しやすい金属材料により電極部２２を形成している場合においても、電極部２２とプローブ針５１との接続をより確実なものとすることができる。この後、プローブ針５１の先端と電極部２２とが接触している状態で、本実施の形態におけるプローブ装置１０によりウエハ２０における半導体素子領域２１における試験が行われる。
【００３２】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３３】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置において、
前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、
前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、
前記プローブカードが設置されるテストヘッドと、
を有し、前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであることを特徴とするプローブ装置。
（付記２）
前記ウエハ駆動ステージは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであって、
前記テストヘッドの前記ウエハ面に対し垂直方向における移動速度は、前記ウエハ駆動ステージの前記ウエハ面に対し垂直方向における移動速度よりも低速で移動させることができるものであることを特徴とする付記１に記載のプローブ装置。
（付記３）
前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し平行方向に移動させることができるものであることを特徴とする付記１または２に記載のプローブ装置。
（付記４）
前記ウエハ駆動ステージは、前記ウエハ面に対し水平方向に移動させることができるものであることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のプローブ装置。
（付記５）
ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置の制御方法において、
前記プローブ装置は、前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、前記プローブカードが設置されるテストヘッドとを有しており、
前記ウエハ駆動ステージ及び前記テストヘッドをともに前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させながら、前記電極部と前記プローブ針とを接触させ、
前記電極部と前記プローブ針とを接触させた後、前記半導体素子領域の試験を行うものであって、
前記電極部と前記プローブ針とを接触させる際、前記ウエハ駆動ステージの移動速度よりも前記テストヘッドの移動速度が、低速であること特徴とするプローブ装置の制御方法。
（付記６）
前記電極部と前記プローブ針とを接触させた後、前記半導体素子領域の試験を行う前に、
前記テストヘッドを前記ウエハ面に対し平行方向に微小移動させることにより、前記電極部の表面に形成された膜を除去することを特徴とする付記５に記載のプローブ装置の制御方法。
（付記７）
前記テストヘッドを前記ウエハ面に対し平行方向に微小移動させる際に、前記ウエハ駆動ステージについても、前記テストヘッドの微小移動の方向と異なる方向であって、前記ウエハ面に対し平行な方向に微小移動させることを特徴とする付記６に記載のプローブ装置の制御方法。
【符号の説明】
【００３４】
１０        プローブ装置
２０        ウエハ
２１        半導体素子領域
２２        電極部
２２ａ      酸化膜が除去された領域
２２ｂ      酸化膜が除去された領域
２３        カバー膜
３０        ウエハ駆動ステージ
４０        テストヘッド
５０        プローブカード
５１        プローブ針
６０        ＬＳＩテスタ
６１        ケーブル
【図１】
0005560946.tif 000002
【図２】
0005560946.tif 000003
【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005560946.tif 000008
【図９】
0005560946.tif 000009
【図１０】
0005560946.tif 000010
【図１１】
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【図４】
0005560946.tif 000012