(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に配置された下層金属膜と、
前記下層金属膜の上に配置された開口部を有する絶縁膜と、
少なくとも前記開口部で露出した前記下層金属膜と、前記絶縁膜の開口壁を延在して被覆するように配置された導電性を有する液体材料を固化した層間接続層と、
前記層間接続層の上に前記層間接続層の被覆境界領域を越えて前記絶縁膜と接するように配置された上層金属膜と、
を含むコンタクトホールを有し、前記開口部で露出した前記下層金属膜の膜厚が、前記開口部で露出していない部分の膜厚よりも薄い、ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記層間接続層が、前記絶縁膜の前記開口壁上端を超え前記開口部周縁の絶縁膜露出面まで延在していることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記層間接続層の膜厚が、前記開口部で露出した前記下層金属膜の膜厚と、前記開口部で露出していない部分の前記下層金属膜の膜厚との差よりも厚いことを特徴とする、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記下層金属膜が、少なくともゲート配線またはデータ配線と電気的に接続されているゲート端子孔部またはデータ端子孔部のコンタクトホールであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項５】
前記開口部で露出した前記下層金属膜が、少なくともドレイン電極と電気的に接続されている画素接続孔部のコンタクトホールであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項６】
前記下層金属膜の最上面に位置する金属膜がＡｌを主成分とする合金膜であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項７】
前記上層金属膜が、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯのいずれかの材料から選択されることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜の最上面に位置する絶縁膜が有機膜であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項９】
前記最上面に位置する有機絶縁膜が、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂のいずれかの材料を含む樹脂から選択されることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示装置が、液晶表示装置であることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１１】
基板上又は前記基板上層に設けられた第１の金属膜と、
前記第１の金属膜を被覆する絶縁膜と、
前記絶縁膜に設けられ、底部が前記第１の金属膜表面に少なくとも達して露出させる開口部に、導電性の液体材料を配置し、固化して形成され、開口底部の露出した前記第１の金属膜表面を被覆するとともに開口壁を少なくとも一部の高さまで被覆し、前記開口部での表面形状が凹状又は凸状の曲面とされる層間接続膜と、
前記層間接続膜の上に少なくとも前記層間接続膜の被覆領域を覆うように形成され、前記開口部での表面形状が、前記層間接続膜に対応して凹状又は凸状の曲面とされる第２の金属層と、
を含む接続構造を有する、ことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記導電性を有する液体材料を固化した前記層間接続層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩＴＯの少なくとも一つを含有することを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の金属膜は、前記開口部によって露出する領域に、所定の深さの凹部を有し、
前記第１の金属膜の前記凹部は、前記層間接続膜で埋められ、
前記層間接続膜の膜厚は、前記第１の金属膜の前記凹部の深さよりも厚い、ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記開口部において、前記開口壁をなす前記絶縁膜のエッジ部の下面端が、前記第１の金属膜の前記凹部の上端から前記開口部内側に突出し、
前記第１の金属膜の前記凹部と、前記絶縁膜のエッジ部の下面端の突出部で囲まれた空間が前記層間接続膜で埋められている、ことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記層間接続膜は、前記開口壁の被覆領域の境界に近づくにしたがって膜厚が薄くなる、ことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１６】
前記絶縁膜が、積層された複数の絶縁膜を含み、
前記層間接続膜は、積層された複数の絶縁膜のうち少なくとも最下層の絶縁膜の開口壁を被覆する、ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一つに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願についての記載）
本願は、先の日本特許出願２００８−０１０９２７号（２００８年１月２１日出願）の優先権を主張するものであり、前記先の出願の全記載内容は、本書に引用をもって繰込み記載されているものとみなされる。
本発明は、表示装置に関し、特に、上層金属膜と下層金属膜との間に開口部を有する絶縁膜を挟んだ、上層金属膜と下層金属膜との電気的な接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置は市場のニーズから、高精細化、大画面化の方向に進展しつつある。前記ニーズを実現するためには、表示画素を駆動する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、「ＴＦＴ」という）と接続される配線、例えばゲート配線やデータ配線等を低抵抗化し、配線遅延等によるＴＦＴへの書き込み不足の課題等を克服する必要が有る。【０００３】
現在、前記課題はアルムニウム（Ａｌ）やその合金、例えばアルムニウムとネオジウム合金（Ａｌ-Ｎｄ合金）を使用することで解決され、前記Ａｌ-Ｎｄ合金を使用した表示装置が市場に供給されている。【０００４】
しかしながら、Ａｌ-Ｎｄ合金は、ＴＦＴの製造工程においてその表面に抵抗値の高い酸化膜を形成する、という課題がある。【０００５】
そのため、表示装置をＡｌ-Ｎｄ合金と例えばインジウムスズ酸化膜（以下、ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）に代表される画素電極を構成する膜と直接接続して構成すると、デバイスで要求される接続抵抗値を満足できない。【０００６】
前記接続抵抗値に関する前記課題の対策として、Ａｌ-Ｎｄ合金膜表面に、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）やそれら合金のからなるカバー膜（このような金属はＡｌ-ＮｄのようなＡｌ合金系金属と比較し、一般的に融点が高いため高融点金属膜と呼称される場合も有る。）を積層して配置し、画素電極等の上層金属膜と接続してコンタクトホールを形成している。【０００７】
このカバー膜は電気的な接続性に加えて、耐酸性、耐塩基性などに優れていることが加味されて選定される。例えば、表示装置製造時においては工程で使用されるガスや薬品などに対する耐腐食性に優れることであり、表示装置完成後は使用環境下での大気中の湿度やガス等による耐腐食性であったりする。【０００８】
カバー膜に耐酸性、耐塩基性が要求される理由は、前記Ａｌ-Ｎｄ合金はＡｌを主成分とする金属であるため、表示装置の製造工程で使用される洗浄液、エッチング液、現像液、剥離液等の酸性、塩基性液に容易に溶解する両性金属の性質を有するためである。また、表示装置の使用環境においては、例えば大気中の水分に加え、大気に含有されるガス、例えば硫黄や塩素ガス等で容易に溶解するためである。【０００９】
さらに、カバー膜は、低融点金属のＡｌ-Ｎｄ合金膜の主成分であるＡｌが、工程中で加熱されることにより、結晶粒が異常に成長すること（ヒロック）を抑制することも目的の一つとして配置され、選定される。なお、Ａｌに含有されるＮｄは、Ａｌのヒロックを抑制するために添加されるものであるが、合金の主成分がＡｌであるため完全に抑制することは容易でない。【００１０】
さて、コンタクトホールに上記カバー膜を配置すれば、画素電極との電気的な接続が取れ、耐腐食性を確保し、ヒロックを抑制することができるため、表示装置を容易に製造できる利点を有する。しかしながら、カバー膜はＡｌ-Ｎｄ膜のようなＡｌ合金膜よりも配線抵抗が高いという欠点がある。【００１１】
ここで、カバー膜の役割は、画素電極等との接続や耐薬品性やヒロック抑制性を付与するものである。そのため、前記課題を解決できるのであれば、カバー膜は、デバイスの構成上からは必ずしも必要とは言えない。【００１２】
このような背景のもと、カバー膜を除去し、部材原価、生産歩留り、生産タット及び生産タクト等の生産面で有利な、ＩＴＯと直接電気的接続が可能な新たな材料系が近年提案されている。【００１３】
さらに、このような金属で表示装置を構成すれば、ゲート配線やデータ配線等の膜厚を薄くすることが可能となり、その結果として、上層に位置する絶縁膜によるカバレッジ性も確保しやすくなる利点も生じる。【００１４】
以下、カバー膜を必要としない材料系について説明する。【００１５】
特許文献１では、カバー膜を配置することなく画素電極と直接に電気的な接続が可能なＡｌ合金を用いた液晶表示装置が開示されている。Ａｌ合金の成分は金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等である。さらに、特許文献１の図２ではチャネル保護逆スタガ型ＴＦＴが、特許文献１の図１にはその液晶表示装置が開示されている。【００１６】
特許文献２では、特許文献１と同様に、カバー膜を配置することなく透明電極と直接に電気的な接続が可能なスパッタターゲット材料が開示されている。そのターゲット材の成分はＡｌを母体としＮｉ、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の中から少なくとも１種類と炭素（Ｃ）とを含む合金である。【００１７】
特許文献３では、同様にカバー膜を配置することなく透明電極層や半導体層と直接に電気的な接続が可能な表示デバイスの素子構造が開示されている。開示された合金成分はアルミニッケル（Ａｌ-Ｎｉ）系合金であり、素子構造は前記Ａｌ-Ｎｉ系合金をパターン化し、その上に絶縁膜を配置し、絶縁膜に開口部を設け、その上にパターン化したＩＴＯ膜を十字に交差させたテストパターンである。【００１８】
特許文献４は、カバー膜を配置することなく透明電極層や半導体層と直接に電気的な接続が可能なスパッタターゲットに関するものである。特許文献４に開示されるスパッタターゲットはＡｌ-Ｎｉ-希土類元素合金である。【００１９】
非特許文献１では、液晶表示装置等のＴＦＴに使用可能で、ＩＴＯやＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）と直接に電気的な接続が可能なスパッタリングターゲットが開示されている。開示されるターゲットは、Ａｌ-Ｎｉ-Ｌａ合金系である。【００２０】
非特許文献２では、ＩＴＯと直接電気的接続ができるＡｌ合金ターゲットＡＣＸが開示されている。【００２１】
次に周知のＴＦＴ基板の製造方法において、上記に説明したカバー膜を配置することなく透明電極膜と直接に電気的な接続が可能な金属膜（特許文献１乃至４、非特許文献１乃至２が相当する。）を用いて、液晶表示装置を製造する場合を、図８（Ａ）乃至（Ｄ）〜図１０（Ａ）乃至（Ｄ）を用いながら説明する。【００２２】
図８（Ａ）、図９（Ａ）、図１０（Ａ）はいずれも、ＴＦＴを配置した基板（以下、ＴＦＴ基板）の表示部、ゲート端子部及びデータ端子部の平面を示し、図８（Ｂ）乃至（Ｄ）、図９（Ｂ）乃至（Ｄ）、図１０（Ｂ）乃至（Ｄ）は、図８（Ａ）、図９（Ａ）、図１０（Ａ）のI-I'線に沿ったゲート端子部の断面、II-II'線に沿った画素部の断面、III-III'線に沿ったデータ端子部の断面を、それぞれ概念図として示したものである。図８（Ａ）乃至（Ｄ）〜図１０（Ａ）乃至（Ｄ）において、１は透明基板、２は第１の金属膜、３はゲート電極、４はゲート端子、５はゲート配線、６は第１の絶縁膜、８は接触膜、９は第２の金属膜、１０はデータ配線、１１はソース電極、１２はドレイン電極、１３はデータ端子、１４は、第２の絶縁膜、１５はゲート端子孔、１６が画素接続孔、１７はデータ端子孔、２０は画素電極、２１は端子保護パターン、５０はアイランドパターンである。【００２３】
第１に、透明基板１の上に、第１の金属膜２である、特許文献１乃至４及び非特許文献１乃至２で開示された合金（以下、説明を容易にするために「Ａｌ-Ｎｉ系」と総称し記載する。）を成膜する。そしてフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、第１の金属膜２をエッチングし、レジストを剥離して、ゲート電極３、ゲート端子４、ゲート配線５をパターンニングする。【００２４】
ここで、第１の金属膜２にカバー膜を配置しなければ透明電極と電気的接続することができないＡｌ-Ｎｄ膜等を使用した場合は、前記金属の上にＴｉやＭｏ等のカバー膜を成膜した後にフォトリソグラフィー、エッチング、剥離が実施されパターンニングされることとなるが、本公知例では、第１の金属膜２と透明電極とが直接に電気的接続ができるためカバー膜は配置されない。【００２５】
第２に、前記第１の金属膜２で形成されたパターンを覆うように、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）からなる第１の絶縁膜６、アモルファスシリコン膜からなる半導体膜７（ａ-Ｓｉ）、リンをドープした接触膜８（ｎ＋-ａ-Ｓｉ）を基板全面に成膜し、その後に、フォトリソグラフィーによってレジストパターンを形成し、接触膜８、半導体膜７をエッチングし、レジストを剥離して、アイランド状にパターン（以下、アイランドパターン５０）を形成する。このアイランドパターン５０は、第１の絶縁膜６を挟んでゲート電極３の上方に形成される。【００２６】
第３に、第２の金属膜９である特許文献１乃至４及び非特許文献１乃至２で開示されたＡｌ-Ｎｉ系の合金を基板全面に成膜する。そしてフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、第２の金属膜９をエッチングし、レジストを剥離して、データ配線１０、ソース電極１１、ドレイン電極１２、データ端子１３をパターンニングする。【００２７】
ここで、第２の金属膜９にカバー膜を配置しなければ透明電極と電気的接続することができないＡｌ-Ｎｄ膜等を使用した場合は、前記金属の上にＴｉやＭｏ等のカバー膜を成膜した後にフォトリソグラフィー、エッチング、レジスト剥離が実施されてパターンニングされることとなるが、本公知例では、第２の金属膜９と透明電極とが直接に電気的接続ができるため配置されない。【００２８】
第４に、第２の金属膜９のレジストパターンを剥離する前、または剥離した後に、データ配線１０、ソース電極１１に被覆されない接触膜８を除去して、半導体膜７を露出させて、チャネルを形成する。また、必要に応じて半導体膜の一部をも除去する場合もある。【００２９】
その後、レジストを除去せずにチャネル形成をした場合はレジストを剥離する（以上、図８）。【００３０】
第５に、第２の金属膜９によって形成されたパターン、半導体膜７が露出したアイランドパターン、第１の絶縁膜６など基板に露出した部材を被覆するように、窒化シリコン膜からなる第２の絶縁膜１４を成膜する。そしてフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、第２の絶縁膜１４をエッチングし、レジストを剥離して、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７等をパターンニングし開口部を設ける（図９）。【００３１】
第６に、ＩＴＯからなる透明導電膜を、第２の絶縁膜１４、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７を覆うように基板に成膜する。そしてフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、透明導電膜をエッチングし、レジストを剥離して、ゲート端子孔１５、データ端子孔１７を覆うように端子保護パターン２１を、画素接続孔１６を覆うように画素電極２０を形成してＴＦＴ基板が完成する（図１０）。【００３２】
次に、特許文献５を、図１２を用いて説明する。図１２（Ａ）は平面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＡ-Ａ'線に沿った断面を示す図である。図１２において、２０１は絶縁膜、２０２は上層導電膜、２０３は下層導電膜、２０４は接続孔、２０５は内側領域、２０６は外側領域、２０７は導電部（介する導電部）、２０８は層間接続材料、２０９は層間接続材料滴下位置である。【００３３】
本公知例は、絶縁膜２０１を挟んだ上層導電膜２０２と下層導電膜２０３との接続方法であって液晶表示装置に適用できる。【００３４】
上層導電膜２０２はＩＴＯからなる画素電極であり、下層導電膜２０３はＴｉからなるドレイン電極であり、絶縁膜２０１は窒化シリコン膜であり、層間接続材料２０８はドレイン電極と画素電極を接続している。【００３５】
本公知例は、基板上に下層導電膜２０３、絶縁膜２０１、上層導電膜２０２をこの順に備え、上層導電膜２０２は、接続孔２０４で隔てられた内側領域２０５と外側領域２０６とが少なくとも１つの導電部を介して（介する導電部２０７）接続された構造において、例えばインクジェット等の手法でもって導電性を含有する液体材料（以下、層間接続材料２０８）を、上層導電膜２０２上の所望の位置に滴下（層間接続材料滴下位置２０９）し、接続孔２０４傾斜部及び下層導電膜２０３を覆うようにフローさせて、上層導電膜２０２と下層導電膜２０３との電気的接続を確保するものである。【００３６】
特許文献５の目的は、ＴＦＴ基板製造時のフォトマスク使用枚数を削減し生産性を向上させるために、層間絶縁配線をインクジェットで塗布することでパターンニング等の工程を増加させることなく、液滴の着弾ばらつきをなくして、絶縁膜２０１を挟んだ上層導電膜２０２と下層導電膜２０３とを接続することである（段落０００３、０００８）。【００３７】
特許文献６には、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部内の底部に生じる僅かな横溝を含む前記開口部内全面に遍く導電性物質を含む溶液を被着させる工程と、前記開口部内に遍く被着された前記導電性物質を含む溶液を乾燥させて導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜の上にバリアメタルを形成する工程を含む製造方法が開示されている。また特許文献７には、絶縁層を介して第１導電層と第２導電層とが積層され、絶縁層に形成された貫通孔を介して第１導電層と第２導電層とが接続されてなる多層配線の形成方法であって、基板上に第１導電層を形成する工程と、第１導電層上の貫通孔の形成領域に、該第１導電層側から上層に向けて広がり形状のマスクを形成する工程と、形成したマスクを除く第１導電層上に絶縁層を形成する工程と、マスクを除去して絶縁層に貫通孔を形成する工程と、該貫通孔内に導電部材を形成し、該導電部材と接続する形にて第２導電層を形成する工程と、を含む方法が開示されている。【００３８】
【特許文献１】特開２００４−２１４６０６号公報
【特許文献２】特開２００５−５４２７３号公報
【特許文献３】特開２００６-３３０６６２号公報
【特許文献４】特開２００６-２２５６８７号公報
【特許文献５】特開２００７-４７６０２号公報
【特許文献６】特開平５−３４３５３６号公報
【特許文献７】特開２００５-３２７５９号公報
【非特許文献１】半導体産業新聞（２００６．８．３０  １０面）
【非特許文献２】三井金属鉱業株式会社ホームページ-->電子材料事業-->薄膜材料事業部ホームページ-->開発・新製品情報-->ＡＣＸ（http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/03/index.html）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
以上の特許文献及び非特許文献の各開示事項は、本書に引用をもって繰り込み記載されているものとする。以下に本発明による関連技術の分析を与える。
特許文献１乃至４及び非特許文献１乃至２には、透明電極層や半導体層と直接接続ができるＡｌ合金系材料が開示されている。【００４０】
しかしながら、特許文献１乃至４及び非特許文献１乃至２には、前記Ａｌ合金材料に起因した、コンタクトホール形成に関する技術課題について記載や示唆はない。【００４１】
特許文献５には、液晶表示画素部のコンタクトホールを液体状の層間接続材料でもって電気的な接続を確保することは開示されている。【００４２】
しかしながら、特許文献５には、ゲート端子孔部やデータ端子孔部の電気的な接続ついては明記されてない。【００４３】
ここで、ゲート端子孔部やデータ端子孔部に、特許文献５の開示技術を適用した場合の課題を述べる。【００４４】
表示装置においては、前記ゲート端子孔部やデータ端子孔部に、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のバンプ（端子）が、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）をはさんで対向することとなる。そして、このＡＣＦは透湿性を有し、大気中の水分が容易に通過することは周知である。【００４５】
そのため、特許文献５のように、最表面に層間接続材料と画素電極とが共に露出し、互いに接しあう構造であると、その接触境界で局部電池が出来ることによって、層間接続材料と画素電極のどちらかの金属が、容易に腐食されることとなる。特許文献５では、明細書段落［００３０］で、活性な金属に分類される『Ａｇを含有する分散液』が層間接続材料として提示されている。【００４６】
以上より、特許文献５では、明細書本文中からはゲート端子孔やデータ端子孔に関する具体的な記載が確認できないと共に、金属腐食に関する技術課題の示唆は確認でき難い。【００４７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、ゲート端子孔、データ端子孔および画素接続孔等に代表されるコンタクトホールの上層金属膜と下層金属膜との電気的な接続に関し、その接続抵抗の低抵抗化及び高信頼性化を実現することができるコンタクトホール構造を備えた表示装置を提供することである。【００４８】
また、本発明は、上記目的を達成する前記コンタクトホール構造及びその製造方法を適用することで、例えばカバー膜を配置することなしに、透明電極層や半導体層と直接に電気的な接続が可能であるが耐腐食性に劣るＡｌ合金系材料等の金属膜を利用可能とした表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００４９】
上記目的を達成するため、本発明によれば、基板の上に配置された下層金属膜と、当該下層金属膜の上に配置された開口部を有する絶縁膜と、少なくとも前記開口部で露出した前記下層金属膜と前記開口部の絶縁膜エッジ部とを延在して被覆するように配置された導電性を有する液体材料を固化した層間接続層と、当該層間接続層の上に前記層間接続層の被覆境界領域を越えて前記絶縁膜と接するように配置された上層金属膜と、を含むコンタクトホールを有し、前記開口部で露出した前記下層金属膜の膜厚が、前記開口部で露出していない部分の前記下層金属膜の膜厚よりも薄い表示装置が提供される。本発明によれば、前記表示装置を製造するにあたり、前記導電性を有する液体材料をインクジェット法、オフセット印刷法等で液体材料を所望の任意位置に配置する表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００５０】
本発明によれば、ゲート端子孔、データ端子孔および画素接続孔等に代表されるコンタクトホールの上層金属膜と下層金属膜との電気的な接続に関し、その接続抵抗の低抵抗化及び高信頼性化を実現することができる。また、本発明によれば、前記コンタクトホール構造を適用することで、例えばカバー膜を配置することなしに、透明電極層や半導体層と直接に電気的な接続が可能なＡｌ合金系材料に代表される耐食性に劣る金属膜を用いた表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（Ａ）と（Ｂ）乃至（Ｄ）は本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板の製造方法及びその構造を示す平面図及び断面図である。
【図２】（Ａ）と（Ｂ）乃至（Ｄ）は本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板の製造方法及びその構造を示す平面図及び断面図である。
【図３】（Ａ）と（Ｂ）乃至（Ｄ）は本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板の製造方法及びその構造を示す平面図及び断面図である。
【図４】（Ａ）と（Ｂ）は本発明の第１の実施例のゲート端子孔を示す断面図である。
【図５】（Ａ）と（Ｂ）は本発明の第２の実施例のゲート端子孔を示す断面図である。
【図６】（Ａ）と（Ｂ）は本発明の第３の実施例のゲート端子孔を示す断面図である。
【図７】（Ａ）と（Ｂ）は本発明の第４の実施例のゲート端子孔を示す断面図である。
【図８】（Ａ）と（Ｂ）乃至（Ｄ）は従来技術のＴＦＴ基板の製造方法及びその構造を示す平面図及び断面図である。
【図９】（Ａ）と（Ｂ）乃至（Ｄ）は従来技術のＴＦＴ基板の製造方法及びその構造を示す平面図及び断面図である。
【図１０】（Ａ）と（Ｂ）乃至（Ｄ）は従来技術のＴＦＴ基板の製造方法及びその構造を示す平面図及び断面図である。
【図１１】従来技術のゲート端子孔を示す断面図である。
【図１２】（Ａ）と（Ｂ）は特許文献５の接続孔を示す平面図と断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  透明基板
２  第１の金属膜（下層金属膜）
３  ゲート電極
４  ゲート端子
５  ゲート配線
６  第１の絶縁膜
７  半導体膜
８  接触膜
９  第２の金属膜（上層金属膜）
１０  データ配線
１１  ソース電極
１２  ドレイン電極
１３  データ端子
１４  第２の絶縁膜
１５  ゲート端子孔
１６  画素接続孔
１７  データ端子孔
２０  画素電極
２１  端子保護パターン
２２  層間接続膜
２３  第１の金属膜露出面
２４  第１の絶縁膜エッジ部
２５  露出面/エッジ部交点
２６  第２の絶縁膜露出面
２７  空間
２８  ボイド
２９  第２の絶縁膜エッジ部
５０  アイランドパターン
２０１  絶縁膜
２０２  上層導電膜
２０３  下層導電膜
２０４  接続孔
２０５  内側領域
２０６  外側領域
２０７  介する導電部
２０８  層間接続材料
２０９  層間接続材料滴下位置
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
本発明のコンタクトホールの接続構造は、その好ましい一実施の形態において、絶縁膜の開口部で露出した下層金属膜の全面と、絶縁膜孔のエッジ部の少なくとも一部とを、導電性を有する液体材料で延在して被覆し、これを固化して層間接続層とする。そして、層間接続層の上にこれの被覆領域を超えて上層金属膜を配置する。このため、層間接続層の表面形状はゆるやかな曲面状（断面形状は曲線状であるため、曲線状ともいう）とすることができる。このため、層間接続層の上に配置される上層金属膜のボイドは激減する。その結果、上層金属膜と下層金属膜の電気的な続抵抗を低抵抗化できると共にコンタクトホールの高信頼性化をも実現できる。【００５４】
また、層間接続層の被覆境界部のエッジ角度を低角度とするとさらに良い。そのためには、導電性を有する液体材料は、好ましくは、導電性を有する液体材料の凝集力や、導電性を有する液体材料と絶縁膜との濡れ性を考慮して選定すると良い。例えば、導電性を有する液体材料に含有される溶媒量を多くすれば、固化時の体積収縮量が大きくなるため、層間接続層の表面形状をより曲線状とすることができるし、被覆境界部のエッジ角度を、より低角度とすることもできる。このようにすれば、被覆境界部の上に位置する上層金属膜にボイドはさらに発生し難くなる。【００５５】
また、導電性を有する液体材料は、ＴＦＴ基板の製造開始から表示装置が完成するまでに晒される最高温度以下で固化する材料を選定すると良い。さらに、最高温度に達する工程は導電性を有する液体材料を配置する以前の工程とするとなおのこと良い。このようにすれば、下層金属膜から層間接続層を突き破るようなヒロックが下層金属膜に成長しないので、下層金属膜のヒロックに起因したボイドが上層金属膜にできることは回避できる。【００５６】
また、導電性を有する液体材料を固化する処理において、加熱に加え減圧を併用すると良い。これにより、加熱時間の短縮や低温度化が達成できる。【００５７】
また、導電性を有する液体材料に、ダメージ層を溶解する材料を選定すると良い。これにより、下層金属膜表面のダメージ層を、導電性を有する液体材料中に拡散できるので、良好な電気的接続が得られる。【００５８】
また、導電性を有する液体材料を配置する前に、下層金属膜を僅かにエッチングするのも良い。これにより、下層金属膜表面のダメージ層を除去することができ、良好な電気的接続が得られる。【００５９】
また、上層金属膜はスパッタリング法で成膜するのが良い。これにより、上層金属膜と絶縁膜との混合層をつくることができる。【００６０】
また、絶縁膜を有機絶縁膜で構成し、この上に上層金属膜をスパッタリングで成膜するとさらに良い。これにより、より確実な上層金属膜と絶縁膜との混合層をつくることができる。混合層によってコンタクトホールの高信頼性化が実現できる。
【実施例１】
【００６１】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例を、表示装置のうちの逆スタガ型ＴＦＴを使用した液晶表示装置について例示しながら説明する。【００６２】
先ず、ＴＦＴ基板の製造方法及びその構造について、図１〜図３を用いて詳細に説明する。【００６３】
図１（Ａ）、図２（Ａ）、図３（Ａ）は、マトリックス状に形成された複数の表示画素の内の１画素、ゲート端子部及びデータ端子部の平面を概念図で示す。図１（Ｂ）乃至（Ｄ）、図２（Ｂ）乃至（Ｄ）、図３（Ｂ）乃至（Ｄ）は、図１（Ａ）、図２（Ａ）、図３（Ａ）のI-I'線に沿ったゲート端子部の断面、II-II'線に沿った画素部の断面、III-III'線に沿ったデータ端子部の断面を、それぞれ概念図として示したものである。図１乃至図３において、１は透明基板、２は第１の金属膜（下層金属膜）、３はゲート電極、４はゲート端子、５はゲート配線、６は第１の絶縁膜、７は半導体膜、８は接触膜、９は第２の金属膜（上層金属膜）、１０はデータ配線、１１はソース電極、１２はドレイン電極、１３はデータ端子、１４は第２の絶縁膜、１５はゲート端子孔、１６は画素接続孔、１７はデータ端子孔、２０は画素電極、２１は端子保護パターン、２２は層間接続膜である。【００６４】
第１に、透明基板１の上に、画素電極２０（図３参照）を構成する膜と電気的に接続することが可能な特許文献１乃至４、非特許文献１乃至２に記載した第１の金属膜２を、マグネトロンスパッタ装置を用いて成膜する。【００６５】
なお、本実施例では、透明基板１に無アルカリガラスガラスを例示するが、耐熱性や耐薬品性等を具備するフィルムのような、より柔軟性を有する基板であっても良い。さらに反射型液晶表示装置を製造する場合は必ずしも透明基板とする必要はない。【００６６】
次に、公知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布、露光、現像してレジストパターンを形成し、燐酸/硝酸/酢酸/水の混酸エッチャントで第１の金属膜２をウエットエッチングし、レジストを剥離して、ゲート電極３、ゲート端子４、ゲート配線５を形成する。【００６７】
用いるレジストは、ノボラック系樹脂の塩基溶液に可溶なポジレジストが好適である。現像液は２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）が良い。剥離液も一般的に使用されるＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）とＭＥＡ（モノエタノールアミン）の混合液が好適である。以降で説明する公知のフォトリソグラフィー工程も同様とする。以降の説明ではこの点に関しては割愛する。【００６８】
次に、パーティクルや汚れを除去することを主目的として、洗浄処理を適宜実施するが、露出している第１の金属膜は両性金属であるＡｌを主成分とする合金であるため、耐薬品性が低く溶解しやすい（腐食性が高い）。そのため、本洗浄工程においては、酸または塩基性溶液で行うことは好ましくなく、例えば中性の界面活性剤溶液を用いると良い。【００６９】
第２に、窒化シリコン（以下、ＳｉＮｘ）からなる第１の絶縁膜６、ａ-Ｓｉからなる半導体膜７、リンをドープしたｎ＋-ａ-Ｓｉからなる接触膜８を、プラズマＣＶＤを用いて真空を破らずに連続成膜して成膜する。【００７０】
次に、公知のフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、接触膜８、半導体膜７をエッチングし、レジストを剥離して、アイランドパターン５０を形成する。このアイランドパターン５０は、第１の絶縁膜６を挟んでゲート電極３の上方に位置させて形成する。【００７１】
本実施例では、第１の絶縁膜６をＳｉＮｘ膜一層としたが、これを積層膜とすることもできる。積層膜とすることで、第１の絶縁膜６のピンホール数を低減できる。また、第１の絶縁膜６はＳｉＮｘ膜に限定されるものでなく、例えばＳｉＯｘ膜等の他の無機絶縁膜を用いても良い。ＳｉＯｘ膜を使用すればＴＦＴ特性を安定化できる。さらに、第１の絶縁膜６として、例えばアクリル系、ノボラック系等の有機絶縁膜を用いても良い。無機膜に加え有機膜を選定することで、幅広い誘電率範囲から、第１の絶縁膜６を選定することが可能となる。【００７２】
第３に、洗浄した後に、特許文献１乃至４、非特許文献１乃至２に記載した第２の金属膜９を、マグネトロンスパッタ装置を用いて成膜する。【００７３】
そして公知のフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、第２の金属膜９を第１の金属膜２と同様なエッチャントでエッチングし、剥離して、データ配線１０、ソース電極１１、ドレイン電極１２、データ端子１３を形成する。【００７４】
次に、パーティクルや汚れを除去することを主目的として洗浄処理を適宜実施するが、露出している第２の金属膜９は両性金属であるＡｌを主成分とする合金であるため、耐薬品性が低く溶解しやすい。そのため、本洗浄工程においては、酸または塩基性溶液で行うことは好ましくなく、例えば中性の界面活性剤溶液を用いると良い。【００７５】
ここで、ソース電極１１、ドレイン電極１２の少なくともその一部は、アイランドパターンを形成する接触膜８と接するように形成されるが、接触膜８に第２の金属膜９が拡散し、デバイスの要求性能によっては、これを満足しない場合もありうる。この場合は、第２の金属膜９の下に、例えばＭｏ、Ｃｒ、Ｔｉ及びその合金膜等を拡散防止膜として配置しても良い。【００７６】
このようにすれば、Ａｌを主成分とする合金膜からなる第２の金属膜９がある程度以上に接触膜８に拡散して、トランジスタ特性が劣化することを防止できる。【００７７】
この拡散防止膜に、第２の金属膜９と同様の燐酸/硝酸/酢酸/水からなる混酸エッチャントで除去できるＭｏ膜及びその合金膜を用いれば、エッチング工程数が増加しないメリットがある。【００７８】
第４に、第２の金属膜９のレジストパターンを剥離する前、または剥離した後に、接触膜８を除去し、半導体膜７を露出して、ソース電極１１とドレイン電極１２との間にチャネル部を形成する。【００７９】
なお、このときに、半導体膜の一部をも除去すれば、トランジスタのオフ特性を向上させることが可能となり好適である。【００８０】
そして、レジストをマスクとして、チャネル形成した場合はレジストを剥離する（以上、図１）。【００８１】
第５に、プラズマＣＶＤを用いてＳｉＮｘ膜からなる第２の絶縁膜１４を成膜し、公知のフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、第２の絶縁膜１４と共に第１の絶縁膜６をもエッチングし、レジストを剥離して、コンタクトホールとなるゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７等の開口部を形成する（図２（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ））。【００８２】
本実施例では、第２の絶縁膜１４をＳｉＮｘ膜一層としたが、第１の絶縁膜６と同様に積層膜としてもよいし、ＳｉＮｘ膜に限定されず無機絶縁膜としても良いし、有機絶縁膜としても良い。【００８３】
ここで、本発明の理解を容易にするために、本発明で特に問題となる剥離工程の課題を具体的に説明する。【００８４】
第１の課題は、ＴＦＴ基板の製造工程で一般的に使用される好適な剥離液が、ＤＭＳＯとＭＥＡの混合液であることである。この混合液は水と混合するとＭＥＡが解離して強塩基性を呈する性質がある。【００８５】
剥離工程において、剥離液にてレジストが除去された基板は、その基板表面から剥離液を除去するために水洗される。そのため、この水洗処理時にＭＥＡと水とが混合し塩基性溶液が基板上にできる。【００８６】
従来のカバー膜を配置したデバイスにおいても、カバー膜からＡｌ-Ｎｄ膜が露出した状態での剥離工程（［背景技術］の第１の金属膜をパターンニングした後の剥離工程、第２の金属膜をパターンニングした剥離工程。この工程では、パターンの上部はカバー膜で被覆されているが、そのエッジ部はＡｌ-Ｎｄ膜が露出している。）でも、この塩基性溶液によるＡｌ-Ｎｄ膜の溶解課題があるため、剥離液処理と水洗処理の間で、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）やＤＭＳＯによって基板を処理して剥離液を希釈（置換処理）して、いる。【００８７】
本実施例では、第１の金属膜２、第２の金属膜９表面には共にカバー膜が配置されないため、従来のカバー膜を配置する構造と比較してより確実な置換処理が要求される。【００８８】
本実施例において、
第１の金属膜２が露出する剥離工程は第１の金属膜をパターンニングした後の剥離工程、
第２の金属膜９が露出する剥離工程は第２の金属膜をパターンニングした後の剥離工程があることは［背景技術］と同じであるが、本実施例においては、カバー膜を配置しない特徴があるため、本工程、すなわち開口部をパターンニングした後の剥離工程が新たに追加となる。なお、この剥離工程では第１の金属膜２と第２の金属膜９とが共に露出することとなる。【００８９】
ここで、第１の金属膜２をパターンニングした後の剥離工程、第２の金属膜９をパターンニングした後の剥離工程では、剥離工程を完了した後に、第１の絶縁膜６、第２の絶縁膜１４が夫々成膜されるため、たとえ剥離工程で金属膜が溶解したとしても、絶縁膜は溶解後の金属パターンに密着して成膜されることとなる。【００９０】
しかしながら、開口部をパターンニングした後の本剥離工程では、第１の金属膜２の上にはすでに第１の絶縁膜６が、第２の金属膜９の上にはすでに第２の絶縁膜１４が接して成膜されている。このため前記金属膜が溶解すると、絶縁膜のエッジ部の下面端が第１の金属膜２、第２の金属膜９から突き出した形状となってしまうこととなる。【００９１】
そのため、本剥離工程では、第１の金属膜２をパターンニングした後の剥離工程、第２の金属膜９をパターンニングした後の剥離工程と比較して、より確実な剥離液の置換処理が要求されることとなる（この絶縁膜のエッジ部の下面端が突き出すことによる課題については後に詳述する。）。【００９２】
さらに、本実施例において剥離液の置換処理がより重要となる第２の課題を、以下に説明する。【００９３】
ＩＴＯなどの画素電極を構成する膜と直接電気的接続は出来ない（接続抵抗値が大きい）Ａｌ-Ｎｄ膜と、本実施例のＩＴＯと直接電気的接続が出来るＡｌ合金は、共にＡｌを主成分とした合金膜であるが、ＩＴＯなどの画素電極を構成する膜との電気的な接続性の違いが有る。これは、その合金材料の析出状態やその表面の酸化度合い等の違いによるものと推定する。【００９４】
アルミ酸化膜はアルミと比較し、化学的に安定で薬品耐性が高い反面、電気抵抗が非常に大きい特性を有する。下記に耐塩基性溶液試験結果を示す。【００９５】
試験片としてガラスの上に、マグネトロンスパッタを用いて１５０℃で、株式会社コベルコ科研製Ａｌ-Ｎｄ膜、株式会社コベルコ科研製Ａｌ-Ｎｉ-Ｌａ膜、三井金属鉱業株式会社製ＡＣＸ膜を夫々成膜し、溶液を満たしたビーカに入る大きさに切断する。【００９６】
ここで、耐塩基性溶液試験を実際の剥離工程で処理し実施すれば良いが、その解離の程度（塩基度）は剥離液と水との混合比率で決定されるため、実際の剥離工程で比較検討するには好適でない。その理由は、剥離工程では、剥離液が付着した基板に対しシャワーなどの方式で水が順次供給されるが、このとき、塩基度の順次変化してしまうためであることと混合比率が全サンプルで一定であるとは限らないためである。また、剥離液中のＤＭＳＯは高い吸湿性も有する。【００９７】
そのため、剥離液と水とが混合した液と比較し塩基性の度合いは小さいが、表示装置の製造においてごく一般的に好適に現像液として用いられる２．３８％ＴＭＡＨを水で３倍程度に希釈し、これに試験片を浸漬して、夫々の膜のエッチング速度を測定し比較した。この方法で耐塩基性溶液試験の目的は達成できる。【００９８】
その結果、Ａｌ-Ｎｄと比較して、Ａｌ-Ｎｉ-Ｌａ膜、ＡＣＸ膜は共に、８〜１０倍程度の大きな溶解速度を有していた。これは、耐塩基性の程度が劣ることを意味する。【００９９】
さらに、購入品のＡｌ-Ｎｉ-Ｌａ合金、ＡＣＸでは容易に組成を変更できないため、容易に組成を変更可能なＡｌ-Ｎｉの合金を用いて耐塩基性溶液試験を実施してＩＴＯと直接電気的接続が出来る金属の性質をより明らかにした。【０１００】
その試験片は、マグネトロンスパッタで成膜し、ビーカに入る大きさに切断して調整する。合金組成はＡｌターゲットの上に、Ｎｉの小片が２％、３％、５％の被覆面積となるようにして可変した。【０１０１】
組成を可変したＡｌ-Ｎｉ膜は、Ｎｉの含有比率が大きくなるほどＩＴＯとの接続抵抗が低くなった。【０１０２】
また耐塩基性試験ではＮｉの含有比率を増大させた試験片ほどエッチングレートが大きくなる現象が確認された。【０１０３】
これらより、ＩＴＯとＡｌ-Ｎｉ合金との接続性を確保するほど、塩基性溶液に対する溶解耐性が劣化することがわかる。すなわち、ＩＴＯと良好な電気的接続が出来るものほど塩基性溶液に腐食されやすく（耐食性に劣る）、剥離工程においてはより確実な置換処理が要求されることが理解される。【０１０４】
また近年、表示装置を構成するＴＦＴ配線材料の低抵抗化の進展に伴い、銅およびその合金も実用化されつつあるが、これら金属も同様な課題を有する。【０１０５】
第６に、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７等の開口部へ導電性を有する液体材料（『導電性を有する液体材料』とは、流動性を有する状態では必ずしも導電性を有さなくとも、固化した状態では導電性を有する材料を指す。）として、Ａｕナノインクをピエゾ方式のインクジェットで配置し、放置してフローさせ、加熱することで溶媒を蒸発させ、固化させて、層間接続膜２２とする。【０１０６】
なお、前記導電性を有する液体材料の配置は、所望の位置に任意に配置できれば良く、例えば、サーマル方式のインクジェットや、オフセット印刷装置等であってもよい。【０１０７】
また、導電性を有する液体材料の固化では、溶媒の蒸発速度を促進するために減圧してから加熱をしても良いし、加熱と減圧を同時に行っても良い。減圧することで溶媒の蒸発速度が促進され、加熱時間の短縮や加熱温度を低下させることができる。これにより、導電性を有する液体材料に混合されている導電材料が酸化され難くなる。【０１０８】
また、導電性を有する液体材料は、加熱によって固化する材料を選定すれば、操作が容易で好適であるが、例えばレーザやイオンビーム等によるものであっても良く、加熱に限定されるものではない。【０１０９】
導電性を有する液体材料としては、Ａｕの他に、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩＴＯ等の金属を含有するインクやペーストでも良い。また、必要に応じてバインダー材を混合しても良い。【０１１０】
さらに、導電性を有する液体材料には、ＴＦＴ基板の製造開始から表示装置が完成するまでにさらされる最高温度以下で固化する材料を選定することが望ましい。【０１１１】
そのためには、導電性を有する液体材料に含有される溶媒が前記最高温度以下で蒸発する物質を選定するのが良く、さらにバインダー材を含有させた場合は、バインダー材も前記最高温度以下で固化する材料を選定するのが望ましい。【０１１２】
一例として、好適な導電性を有する液体材料を開示すると、バインダー材を含まない平均粒径５ｎｍ程度のＡｕナノ粒子を溶媒中に分散させた導電性を有する液体材料を２００℃程度に加熱して溶媒を蒸発させて固化し、層間接続膜２２を形成すれば良い。またＡｕナノ粒子を分散させる分散溶媒は一般的な有機溶媒から選定できるので、２００℃であれば種々のものが選定可能である。【０１１３】
Ａｕ粒子径はナノレベルまで小さくすれば、活性となり融点が低下する。そのため低い加熱温度で２次粒子を成長させることが可能となる。【０１１４】
すなわち、ナノレベルの小さな粒径を有する導電材料を含有する導電性を有する液体材料を用いれば、加熱により溶媒を揮発させる際に導電性粒子が互いに接して、単に導電性を有するようになるだけでなく、導電性を有する液体材料の分散した導電性材料の１次粒子が互いに結合して２次粒子が成長することで、膜がより緻密化し、体積抵抗の低い層間接続層を形成できることとなる。【０１１５】
ここで、ＴＦＴ基板の製造開始から表示装置が完成するまでにさらされる最高温度以下で固化する導電性を有する液体材料を選定することが好適である理由は、前記画素電極を構成する膜と直接電気的な接続ができるＡｌ合金膜はヒロックを抑制したことを前提とするものであるが、その主成分はＡｌであるため、これを完全に無くすことは困難であるためである。【０１１６】
ヒロックは最高加熱温度に依存して成長する。最高温度に達する工程が、導電性を有する液体材料を固化する工程や、それ以降の工程であると、第１の金属膜や第２の金属膜から成長したヒロックが層間接続膜２２の表面まで突き破って成長する可能性を否定できない。そして、ヒロックが層間接続膜２２の表面まで突き破ると、後で説明する端子保護パターン２１にボイドが形成されることとなる。ボイドが引き起こす課題については後に詳述する。【０１１７】
一般的な液晶表示装置の製造工程における最高温度に達する工程は、第１の絶縁膜６、半導体膜７、接触膜８を連続して成膜する工程、または、第２の絶縁膜１４を成膜するＣＶＤ工程である。またその温度は３５０℃程度以上である。この温度以下で、導電性を有する液体材料に含有される溶媒を蒸発させてこれを固化すると良い。【０１１８】
第７に、ＩＴＯからなる透明導電膜を第２の絶縁膜１４、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７の開口部を覆うように１５０℃で基板全面に成膜する。そして公知のフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、レジストをエッチングし、レジストを剥離して、ゲート端子孔１５、データ端子孔１７を覆うように端子保護パターン２１を、画素接続孔１６を覆うように画素電極２０を層間接続膜２２の被覆領域を超えて形成して、コンタクトホールが完成すると共に逆スタガ型ａ-ＳｉＴＦＴ基板の完成となる（図３）。【０１１９】
なお、透明導電膜としては、例示したＩＴＯの他にＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化膜）、ＳｎＯ（スズ酸化膜）等も好適に用いることができる。【０１２０】
次に、本実施例の液晶表示パネルの製造方法について説明する。【０１２１】
第１に、完成したＴＦＴ基板に、ポリイミドを塗布し、焼成し、ラビングして配向膜を形成する。一般的なポリイミドは２００℃で十分に焼成可能である。【０１２２】
さらに、必要に応じて遮光層や色層が配置され、ＩＴＯなどの透明導電膜が対向電極として配置された対向基板にも、ポリイミドを塗布し、焼成し、ラビングして配向膜を形成する。【０１２３】
第２に前記ＴＦＴ基板と対向基板とを、配向膜が配置された面を夫々対向させる。そしてカイラル材を含有した液晶材料を、その間隙に配置する。【０１２４】
前記両基板の間隙（セルギャップ）は、表示面内の面内スペーサ、表示面外の表示面を囲うシール材によって保持される。シール材は熱硬化型、熱と光の併用硬化型、光硬化型など種々あるが、高温を要する熱硬化型、例えばアクリル系のシール材を用いた場合であっても２００℃程度の焼成で十分に硬化する。（シール材が配置される位置を図３に、ａ−ａ'破線で記載。破線よりも画素電極側は対向基板が位置し、ＴＦＴ基板と対向基板との間隙に、液晶材が封止されている。破線の外側には上に何も配置されずに大気中にむき出しの状態である。）。【０１２５】
第３に、ＴＦＴ基板と対向基板とが貼り合わされ液晶が封止された基板に、リタデーションフィルム、偏光板等の光学フィルム等を適宜貼付してＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶パネルが完成する。【０１２６】
次に、本実施例の液晶表示装置の製造方法について説明する。【０１２７】
このように完成した液晶パネルには、ＴＦＴ基板上に端子保護パターン２１で被覆されたゲート端子孔１５及び端子保護パターン２１で被覆されたデータ端子孔１７が、むき出しの状態で大気中にさらされている。【０１２８】
第１に、ＴＦＴ基板上のゲート端子孔１５やデータ端子孔１７の端子保護パターン２１と、配線が形成されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）のバンプ（端子）とを、Ａｕ粒子等を分散させた有機樹脂からなるＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）によって接着する。【０１２９】
第２に、ＴＣＰに形成された配線の他端をドライバ回路等の液晶パネルを駆動させる回路等と接続する。ここで、回路等は前記端子孔と前記バンプとをＡＣＦによって貼り合わせる前にＴＣＰに接続しておいても良い。【０１３０】
第３に、表示面を規定する開口を含むフロントシャーシ、バックライトや導光板とそれを保持するリアシャーシ等を配置して、液晶表示装置の完成となる。【０１３１】
なお、ここではＴＣＰによる接続法を例示したが、ＣＯＧ（Chip On Glass）等のバンプであっても良く、ゲート端子孔１５やデータ端子孔１７の端子保護パターン２１と、少なくとも駆動回路に電気的に接続された端子とが互いに対向し、ＡＣＦ等でこれらが互いに接着される構造であれば良い。【０１３２】
次に、第１の実施例の特徴的部分をさらに詳しく説明する。ここでは、導電性を有する液体材料を基板に配置する工程に関連した工程に焦点を絞って説明する。【０１３３】
また、ゲート端子孔１５は、画素接続孔１６、データ端子孔１７と比較して、開口部に第１の絶縁膜６が余分に積層されている。そのため、ゲート端子孔１５を代表例として図４（Ａ）、（Ｂ）の断面図を用いて説明する。図４（Ａ）、（Ｂ）は図１のI-I'線に対応する部位の断面である。【０１３４】
層間接続膜２２は、ゲート端子孔１５の開口部に位置する第１の金属膜露出面２３と、第１の絶縁膜エッジ部２４の一部とを共に被覆するように、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４との交点（露出面/エッジ部交点２５）を越えて延在して配置される。【０１３５】
導電性を有する液体材料は、開口部に配置した時点で流動可能であるため、その表面（第１の金属膜露出面側と反対面）は緩やかな曲線状となるように流動する。【０１３６】
そして、導電性を有する液体材料を加熱することで、ある程度の形状を保持したまま、導電性を有する液体材料に混合する溶媒が蒸発して体積収縮が起こり固化する。【０１３７】
そのため、固化後の層間接続膜２２の表面（第１の金属膜露出面側と反対面）は露出面/エッジ部交点２５のように直線的に交わる不連続な点は存在せず、ゆるやかな凹形状の曲線となる。【０１３８】
さらに、層間接続膜２２は第１の絶縁膜エッジ部２４との被覆境界部に行くに従い徐々に薄くなる（図４（Ａ））。【０１３９】
ここで、層間接続膜２２の表面の形状や前記被覆境界部の層間接続膜２２の角度の制御は、導電性を有する液体材料の凝集力や、導電性を有する液体材料と第１の絶縁膜６との濡れ性等を任意に調整すれば良い。【０１４０】
そのためには、導電性を有する液体材料に混合される溶媒種、導電性材料粒子の大きさ、溶媒に対する導電性材料の相対量を調整すれば良いし、導電性を有する液体材料と第１の絶縁膜６との濡れ性を向上する目的で界面活性剤を添加することも有効である。このようにすれば、層間接続膜２２の表面の形状をより滑らかにし、第１の絶縁膜エッジ部２４における層間接続膜２２の被覆境界部の角度を低くすることが容易に可能となる。【０１４１】
例えば、導電性を有する液体材料の溶媒にテトラデカンやデカノール等を混合すれば良い。さらに、前記被覆境界のエッジ角度をより低角度としたい場合には、第１の金属膜露出面２３や第１の絶縁膜エッジ部２４を液体または気体状態の導電性を有する液体材料に含有される溶媒、例えば前記テトラデカンやデカノールと導電性を有する液体材料を配置する前に接触または暴露させることで前処理をし、その後に導電性を有する液体材料を開口部に配置してもよい。【０１４２】
開口部に配置した層間接続膜２２の形成状況は、基板を破断して、ＳＥＭ（scanning electron microscope）等で、その断面を観察すれば容易に確認できる。【０１４３】
このように開口部に層間接続膜２２が配置された基板に、例えばマグネトロンスパッタを用いて、端子保護パターン２１となる透明導電膜を成膜する。【０１４４】
そして、公知のフォトリソグラフィー、エッチング、剥離処理を実施することで、画素電極と同一の透明導電膜からなる端子保護パターン２１が、層間接続膜２２及び層間接続膜２２と第１の絶縁膜エッジ部２４との被覆境界を越え、第２の絶縁膜露出面２６まで延在して配置される（図４（Ｂ））。【０１４５】
なお、本実施例では、好適なＴＦＴ基板の製造方法および構造を開示する目的でこのような構成としたが、端子保護パターン２１は、必ずしも画素電極２０を構成する膜でなくとも良い。【０１４６】
例えば、本実施例で例示したＩＴＯ膜よりもさらに安定な（腐食耐性がある）金属膜を採用すれば、端子接続部の耐腐食性が向上する。ただし、この場合、画素電極を構成する膜とは別種の膜である必要があるため、少なくとも成膜工程が１回は増加することとなる。また、端子保護パターン２１は積層構造とすることもできる。【０１４７】
図４（Ｂ）の理解を容易にするために、従来例を示す図１１を用いて説明する。【０１４８】
スパッタ膜の成膜粒の成長方向は、スパッタ粒子の飛来方向とそれが衝突する膜表面の角度に依存する。【０１４９】
図１１に示すように、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４とは、露出面/エッジ部交点２５で膜表面の向きが直線的に交わり不連続に異なっている。【０１５０】
そのため、成膜粒は下地基板の表面形状を反映して異なる向きに成長し、ボイド２８ができる。【０１５１】
ここで、ボイドができる不連続な交点角度を明確にするため、ＩＴＯを８０ｎｍ成膜（ＴＦＴで通常設定される膜厚の２倍程度の厚さ。膜厚を厚く設定すれば、成膜粒は横方向にも成長するため、粒界間隔は当然に狭くなる。そのためボイドが確認し難くなる。ただし厚くすることは透過率が低下するため表示装置としては好ましくない方向である。）し、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜のエッジ部２４のなす角度（第１の金属膜露出面２３を基準線とし、第１の絶縁膜エッジ部２４のエッジ部下端とエッジ部上端を結んだ線が基準線と交わる角度）を可変してボイドの形成状態を確認した。【０１５２】
ＳＥＭ観察において、不連続な交点角度が４５°以上であるとボイドが明瞭に観察された。【０１５３】
図４（Ｂ）に戻って説明を続ける。本実施例では、ゲート端子孔１５に配置した層間接続膜２２の膜厚を例えば６０ｎｍ程度となるように設定した（層間接続膜２２の膜厚は、金属膜露出面（この場合は第１の金属膜露出面２３）の上方に位置する層間接続膜２２であって、金属膜露出面から鉛直の方向の厚さが最も薄い部分の厚さとする。）。【０１５４】
層間接続膜２２の最も薄い部分は、ゲート端子孔１５の略中央部分であった。【０１５５】
また、第１の絶縁膜の膜厚は４００ｎｍとし、第１の絶縁膜エッジ部２４に配置された層間接続膜２２の被覆境界は第１の金属膜２と接する第１の絶縁膜６下面から約２５０ｎｍとした。【０１５６】
そして、端子保護パターン２１を、層間接続膜２２の全面を覆い、さらに、第２の絶縁膜露出面２６まで延在させるように配置した。【０１５７】
端子保護パターン２１にはＩＴＯを選定し、膜厚は４０ｎｍとした。【０１５８】
このように形成した開口部を断面観察した結果、層間接続膜２２の上に位置する端子保護パターン２１および層間接続膜２２の被覆境界部に位置する端子保護パターン２１にはボイドは確認できなかった。【０１５９】
なお、本実施例における第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４との露出面/エッジ部交点２５の角度は約７５°であった。【０１６０】
このように、層間接続膜２２を第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４に延在して配置すれば、層間接続膜２２および第１の絶縁膜エッジ部２４の範囲にはボイドは確認されない。【０１６１】
ここで本実施例では、第１の絶縁膜エッジ部上面端を越えて層間接続膜２２を配置していない。本実施例における第１の絶縁膜エッジ部上面端角度は１０５°（１８０°−７５°）である。この部分ではボイドが確認された。【０１６２】
さらに、第２の絶縁膜１４の膜厚を２５０ｎｍに、第２の絶縁膜エッジ部２９の下面端角度を約５０°としている。第２の絶縁膜エッジ部２９の上面端、第２の絶縁膜エッジ部２９の下面端で共に、端子保護パターン２１にボイドが確認された。【０１６３】
本実施例では、層間接続膜２２の被覆境界を第１の絶縁膜エッジ部２４としたが、本発明はこれに限定されず、第２の絶縁膜エッジ部２９まで層間接続膜２２を延在させて、層間接続層２２を形成しても良い。【０１６４】
このようにすれば、第１の絶縁膜エッジ部２４の上面端及び第２の絶縁膜エッジ部２９の下面端でのボイドの発生は解消される。【０１６５】
以上、本実施例の説明では、逆スタガ型ａ−ＳｉＴＦＴを用いた透過型ＴＮ液晶表示装置の製造方法および構造を例示して説明したが、順スタガ型ａ−ＳｉＴＦＴに適用することができるし、結晶化シリコンＴＦＴ（ｃ−ＳｉＴＦＴ）や反射型ＴＦＴにも適用することができる。【０１６６】
また、表示方式についてはＴＮ方式（Twisted Nematic）限定されるものではなく、例えばＶＡ方式（Vertical Alignment）やＩＰＳ方式（In Plane Switching）であっても良い。ＩＰＳ方式の場合には、対向基板に対向電極は配置されない。【０１６７】
また、本実施例は液晶表示装置に限定されず、有機ＥＬ（organic electroluminescence）やＰＤＰ（Plasma Display Panel）にも採用することができる。【０１６８】
以上のように、開口部に導電性を有する液体材料を配置して、上層金属膜と下層金属膜の間に、層間接続層を形成れば、上層金属膜に発生するボイド抑制し、良好な電気的な接続を確保できる。
【実施例２】
【０１６９】
次に、本発明の第２の実施例について、図５（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。図５（Ａ）、（Ｂ）に示した断面図は、実施例１の説明で用いた図４（Ａ）、（Ｂ）と同様のゲート端子孔１５付近である。【０１７０】
実施例１との違いは、層間接続膜２２の被覆領域である。相違点を中心に説明する。【０１７１】
実施例２では、層間接続膜２２はゲート端子孔１５を越えて第２の絶縁膜露出面２６まで延在して被覆するように、例えば膜厚６０ｎｍで配置する（図５（Ａ））。【０１７２】
そして、端子保護パターン２１は、実施例１と同様に、層間接続膜２２の全面を覆い、さらに、層間接続層２２の被覆境界を越えて第２の絶縁膜露出面２６まで延在して形成する（図５（Ｂ））。【０１７３】
このように、導電性を有する液体材料を開口部に配置し、流動させ、固化させて層間接続層２２を形成すれば、層間接続膜２２の表面（第１の金属膜露出面側と反対面）は露出面/エッジ部交点２５のように直線的に交わる不連続な点は存在せず、ゆるやかな凹形状の曲線となるため、端子保護パターン２１にボイドが形成されることを抑制できる。【０１７４】
実施例２の変形例としては、実施例２で開示した層間接続膜２２と同じ材料を７００ｎｍの膜厚で同様に配置しても良い。このようにすると、層間接続膜は開口部で凸状となるが、露出面/エッジ部交点２５のような直線的に交わる不連続な点は存在しない。その表面はやはり緩やかな曲線となるため、端子保護パターン２１にボイドが形成されることを抑制できる。
【実施例３】
【０１７５】
次に、本発明の第３の実施例について、図６（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。図６（Ａ）、（Ｂ）に示した断面図は、実施例１の説明と同様にゲート端子孔１５付近を示している。【０１７６】
実施例２との違いは、第１の金属膜２の表面が凹状にエッチングされ、さらに、第１の絶縁膜エッジ部２４の下面端が第１の金属膜２と接せずに飛び出ていることである。【０１７７】
実施例１の第５で説明したゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７を開口する工程（図２）では、第２の絶縁膜１４及び第１の絶縁膜６をエッチングする。その際に、第１の金属膜２と第１の絶縁膜６とのエッチング速度選択性が不十分であると、第１の金属膜２が除去され、図６（Ａ）に示すように、第１の絶縁膜６の下面端が第１の金属膜２から飛出し、空間２７が形成されることとなる。【０１７８】
この構造において、層間接続層２２を形成しないで、端子保護パターン２１を直接形成すると、端子保護パターン２１には、前述したようにボイドができる。【０１７９】
しかしながら、本実施例では、導電性を有する液体材料を、第１の金属膜２と第１の絶縁膜６で形成される空間２７を埋めるように配置して層間接続層２２を形成したので、端子保護パターン２１にボイドはでき難い。【０１８０】
本実施例では、実施例２と同様に、層間接続膜２２を第２の絶縁膜露出面２６まで延在させて形成し、端子保護パターン２１を層間絶縁膜２２の被覆境界を超えて配置する（以上、図６（Ａ）、（Ｂ））。【０１８１】
例えば第１の金属膜２が１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度エッチングされ、第１の絶縁膜６の下面端が第１の金属膜から、０．０５μｍ程度飛び出した構造において、例えば層間接続膜２２の膜厚を６０ｎｍとする。配置する層間接続膜２２の厚さを第１の金属膜２のエッチング厚さよりも大きくすれば、小さい場合と比較して、層間接続膜２２の表面は、より緩やかな曲線と出来るため、層間接続膜２２の上層に配置される端子保護パターン２１にボイドはより形成されにくくなる。【０１８２】
また、本実施例では、層間接続膜２２の被覆領域を、実施例１と同様に、第１の絶縁膜エッジ部２４または第２の絶縁膜エッジ部とすることも可能である。【０１８３】
ここで、第１の金属膜２が凹状にエッチングされ、さらに、第１の絶縁膜エッジ部２４の下面端が第１の金属膜２と接せずに飛び出す構造となる傾向にあることを、技術トレンドに言及しながら説明する。【０１８４】
ＴＦＴ基板の製造工程において、開口部に位置する絶縁膜は、マザー基板に配置した全ての部位について同時に除去しなくてはならない。【０１８５】
近年大画面化の方向に進展によりマザー基板も大型化している。このため絶縁膜のエッチングにおけるオーバーエッチング時間は長くなる。（ガラス基板上に配置されたある開口部の第１の絶縁膜がちょうどエッチングされて第１の金属膜が露出される時間を「ジャストエッチング時間」という。ＴＦＴの製造においては、ガラスに配置された複数の開口部の絶縁膜をエッチングする必要があるジャストエッチング時間よりも長く設定する必要が有る。この長くした時間がオーバーエッチング時間である。第１の金属膜２と第１の絶縁膜６とのエッチング速度選択性が無限大でない場合は第１の金属膜２はエッチングされる。）【０１８６】
そのため、マザー基板の大型化にともない第１の金属膜２が凹状によりエッチングされ、さらに、第１の絶縁膜６の下端部が第１の金属膜２からより飛び出す構造となる傾向にある。【０１８７】
このような理由により、本実施例で開示した層間接続膜２２を、第１の金属膜２と第１の絶縁膜６で形成される空間２７を埋めるように配置する構造がさらに有効となる。
【実施例４】
【０１８８】
次に、本発明の第４の実施例を説明する。【０１８９】
実施例３では、第１の金属膜２と第１の絶縁膜６とのエッチング選択性を低く設定した場合を開示したが、本実施例では、選択性を高く設定した場合、例えば無限大に設定した場合について開示するものである。実施例３との相違点を中心に説明する。【０１９０】
エッチング選択性を高く設定した場合は、実施例１および実施例２の説明で開示した図４（Ａ）、図５（Ａ）に示すように、第１の絶縁膜６の下面端と第１の金属膜２の表面とが接触し、実施例３の図６（Ｂ）に示すような空間２７が形成されることはない。【０１９１】
すなわち本実施例では、第１の金属膜２の上に配置された開口部を有する第１の絶縁膜と、少なくとも前記開口部で露出した第１の金属膜２と前記開口部の絶縁膜エッジ部とを延在して被覆するように配置された導電性を有する液体材料を固化した層間接続層と、前記層間接続層の上に前記層間接続層の被覆境界領域を越えて前記絶縁膜と接するように配置された上層金属膜と、を含むコンタクトホールを有し、前記開口部で露出した第１の金属膜２の膜厚が、前記開口部で露出していない部分の膜厚よりも薄い。【０１９２】
実施例１乃至３のゲート端子孔１５では、第１の絶縁膜をエッチングして除去した後に、第１の金属膜露出面２３および第１の絶縁膜エッジ部２４を延在して導電性を有する液体材料を配置して層間接続層２２を形成する。そして、その上層に層間接続層の被覆領域を超えて端子保護パターン２１が形成される。【０１９３】
また、従来技術では、第１の絶縁膜をエッチングして除去した後に、層間接続層２２を配置せずに、その上層に端子保護パターン２１が形成される。【０１９４】
両技術を比較すると、構造は全く異なるが、第１の絶縁膜をエッチングして開口部を形成し、その後に何らかの膜が形成される点のみについては類似する。【０１９５】
一般的なＴＦＴの製造工程においては寸法制御等の面から、第１の絶縁膜６はドライエッチングにより除去され、そのエッジ部角度は５０〜８０°程度となる。この角度は第２の絶縁膜１４でも概ねこの範囲である。より詳しくは、第１の絶縁膜６は第２の絶縁膜１４と比較しＴＦＴ特性の要求を満たすために、緻密な膜が要求されることが多く、第１の絶縁膜６のエッジ部角度は第２の絶縁膜１４のエッジ部角度よりも大きな値となる場合が多い。すなわち、第２の絶縁膜１４のエッジ部角度は、第１の絶縁膜６のエッジ部角度と同じ程度かそれ以下となる場合が多い。【０１９６】
前記エッチングにドライエッチングを用いた場合、第１の金属膜露出面２３にはプラズマの影響やエッチングガスの影響、プラズマガス中に取り込まれたレジストの影響等によってこれら不純物を含むダメージ層がウエットエッチングと比較して形成されやすい。【０１９７】
一般的に、前記ダメージ層は高抵抗を有する膜であるため、第１の金属膜２と層間接続層２２との電気的な接続を阻害する。この課題を解消するにはダメージ層を除去すれば良い。第１の金属膜２を、Ａｌを主成分とする合金膜とし、酸または塩基を用いて薬液処理すると、ダメージ層の除去と共に前記金属膜２がエッチングされる。薬液を用いたエッチングは一般的に指向性が低いため実施例３で説明したような、第１の金属膜２が凹状となり、第１の絶縁膜エッジ部２４の下面端が第１の金属膜２と接せずに、飛び出す構造となりやすい。【０１９８】
ここで、実施例４について図７（Ａ）、（Ｂ）を用いて詳しく説明する。図７（Ａ）、（Ｂ）は実施例１の説明と同じゲート端子孔１５付近の断面図である。【０１９９】
第１の絶縁膜６を第１の金属膜２と選択性の高いエッチングで除去し、ゲート接続孔１５を形成する。ここでは、第１の絶縁膜６と第１の金属膜２とのエッチング選択性が高いため、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４とが露出面/エッジ部交点２５で膜表面の向きが異なるように不連続に交わり接している（図７（Ａ））。【０２００】
次に、第１の金属膜２を僅かにエッチングするように洗浄する。ここでは、０．６％ＴＭＡＨ水溶液で処理して３０ｎｍ程度僅かに除去する程度とし、後に配置する層間接続膜２２の厚さよりも小さな値とするのが良い。【０２０１】
エッチングによって、第１の金属膜２が凹状にエッチングされると共に、第１の絶縁膜エッジ部２４の下面端が第１の金属膜２から飛び出す構造となる。ここでのエッチングは薬液によるものであるため、等方的であり、第１の絶縁膜エッジ部２４の下面端の飛出し量は、エッチング量に比例する。なお、この構造は、実施例３と類似する。【０２０２】
次に、導電性を有する液体材料を、実施例３と同様に、第１の金属膜２と第１の絶縁膜６で形成される空間２７を埋め、さらに、その被覆境界がゲート端子孔１５を越えて第２の絶縁膜露出面２６まで延在するように配置する（図７（Ｂ））。【０２０３】
そして、導電性を有する液体材料を固化することで、層間接続膜２２の表面が第１の金属膜露出面２３、第１の絶縁膜エッジ部２４、第１の絶縁膜露出面、第２の絶縁膜エッジ部分、第２の絶縁膜露出面２６の全領域に渡って直線的に交わる不連続な点は存在しない緩やかな凹状の曲線形状となる。ここで配置する層間接続膜２２の厚さは、前記ＴＭＡＨで除去した第１の金属膜の除去量よりも厚く配置するのが良く、例えば６０ｎｍとする。このようにすれば、層間接続層２２の上に形成される端子保護パターン２１にはボイドは形成されない。【０２０４】
ここで、第１の金属膜２を僅かにエッチングする処理について詳しく述べる。【０２０５】
Ａｌは両性金属であるため、酸性及び塩基薬液でエッチングし除去できる。これは、Ａｌを主成分とするＡｌ合金においても変わるものではない。【０２０６】
ただし、前記両薬液を比較した場合、塩基を用いた方がより好適である。その理由は、実施例１乃至４で説明したレジストは、塩基に可溶なレジストであり、除去する対象のダメージ層にもレジスト分が含まれるためである。【０２０７】
このように、塩基性薬液で処理すれば、第１の金属膜２のエッチングに加えダメージ層の溶解効果も同時に実現することができ効率的である。【０２０８】
また、前記酸性や塩基性薬液処理においては、薬液に浸漬する処理であっても良いし、シャワーで吹き付ける方法であっても良い。さらに、ブラシや超音波処理等の力学的処理を併用してその効果を促進しても良い。また、前記薬液に界面活性剤を混合して第１の金属膜の濡れ性を向上させればダメージ層除去処理をより効果的に実施することができる。【０２０９】
このように、第１の金属膜２を僅かにエッチングすれば、第１の金属膜２の露出面が清浄化され、第１の金属膜２と層間接続層２２との接続抵抗値を小さくすることが可能となる。【０２１０】
以上、実施例１乃至実施例４の説明では、ゲート端子孔１５を例示して、下層金属膜と上層金属膜との間に導電性を有する液体材料を固化した層間接続層２２を配置するコンタクトホールの構造および製造方法を説明してきたが、実施例１乃至実施例４は、画素接続孔１６、データ端子孔１７等のコンタクトホールについても同様に適用できる。【０２１１】
この場合、第１の絶縁膜６は第２の金属膜９の上には配置されず、第２の金属膜６の上には第２の絶縁膜１４が配置されることとなる。【０２１２】
画素接続孔１６またはデータ端子孔１７においては、第２の金属膜９の露出面、第２の金属膜露出面と第２の絶縁膜エッジ部との交点（露出面/エッジ部交点）を越えて第２の絶縁膜エッジ部まで、導電性を有する液体材料を延在して配置し、流動性を失わせて固化させれば、層間接続膜２２の表面は緩やかな曲線形状となる。【０２１３】
そのため、層間接続膜２２の上に配置される端子保護パターン２１にはボイドは形成され難い。【０２１４】
また、層間接続層２２を配置する被覆境界は上記のように、第２の絶縁膜エッジ部としても良いし、第２の絶縁膜露出面２６としても良い。【０２１５】
また、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７等に層間接続層２２を配置するコンタクトホール構造およびその製造方法において、層間接続膜２２の被覆境界を全ての開口部で同じとしても良いし、違えても良い。【０２１６】
例えば、本実施例の説明では、第１の絶縁膜６の厚さを４００ｎｍ、第２の絶縁膜の厚さを２５０ｎｍとする場合を開示したが、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７の金属膜露出面面積を同じとした場合、前記開口部を５００ｎｍだけ被覆する層間接続層２２の導電性を有する液体材料を配置すると、ゲート端子孔１５は第２の絶縁膜エッジ部が、画素接続孔１６及びデータ端子孔１７は第２の絶縁膜露出面２６が、層間接続膜２２の被覆境界となる。【０２１７】
このように、開口部の種類によらずに、配置する導電性を有する液体材料の量を一定とすれば、インクジェット等のノズルを容易に兼用化することができるため、高スループット化が可能となる。【０２１８】
さらに、液晶表示装置完成後の配線腐食（配線溶解）を勘案し、ゲート端子孔１５、データ端子孔１７のみに層間接続膜２２を形成し、画素接続孔１６には配置しないこともできる。【０２１９】
このように配置する理由は、液晶で封止されたパネル内に位置する画素接続孔１６は、透湿性を有するＡＣＦを介して外界にさらされるゲート端子孔１５やデータ端子孔１７と比較して、腐食速度が遅いためである。【０２２０】
さらに、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７の内、ある特定箇所のみに本発明を適用しても良い。【０２２１】
実施例１で説明したように、ゲート端子孔１５、画素接続孔１６、データ端子孔１７は第２の層間絶縁膜１４及び第１の層間絶縁膜６をエッチングして同時に形成される。【０２２２】
そのため、画素接続孔１６、データ端子孔１７は、第２の絶縁膜１４が除去されて第２の金属膜９が露出した後も、ゲート端子孔１５の第１の絶縁膜６がエッチングされるまでエッチング環境下に暴露され続けることとなる。このため、第２の金属膜９は、第１の金属膜２と比較してエッチングされやすい。【０２２３】
実施例３で説明したように第２の金属膜９と第１の絶縁膜６とのエッチング選択比（実施例３では第１の金属膜２と第１の絶縁膜６で説明）が十分ではないと、第２の金属膜９が凹状にエッチングされ、第１の絶縁膜エッジ部下面端が第２の金属膜９から飛び出す構造となりやすい。【０２２４】
この場合は、画素接続孔１６、データ端子孔１７等の第２の金属膜９の開口部のみに選択的に、層間接続層２２を配置することも有効である。【０２２５】
液晶表示装置の製造においてマザー基板の大型化が進展しつつあることは前記したが、その大きさは現に２ｍを超えている。【０２２６】
現状に、マザー基板面内でのエッチング速度均一性確保が大きな技術課題となっている。【０２２７】
このマザー基板面内でのエッチング速度の差異は、例えば製造装置の癖に依存する固定パターンであることが多い。【０２２８】
第１の絶縁膜６または第２の絶縁膜１４のエッチング速度が速い部位は、金属膜が凹状にエッチングされ、絶縁膜エッジ部下面端が金属膜から飛び出しやすい。【０２２９】
そのため、金属膜から絶縁膜エッジ部下面端が飛び出した量が大きな部位についてのみ、選択的に層間接続層２２を配置することも効果的である。【０２３０】
次に、実施例１乃至４において、導電性を有する液体材料の溶媒にテトラデカン、デカノールを用いるのは、この薬品がダメージ層をある程度は溶解する性質を有しているため層間接続層２２に取り込むことができるためである。【０２３１】
導電性を有する液体材料の溶媒に、ダメージ層を溶解する機能を持たせれば、金属膜露出面のダメージ層を減少させることができるためより効率的に接続抵抗を小さくすることが可能である。【０２３２】
上記実施例１乃至実施例４では、ゲート端子孔１５、データ端子孔１７、画素接続孔１６等のコンタクトホールを例示してきたが、本発明のコンタクトホールの構造および製造方法は、前記コンタクトホールに限定されるものではない。【０２３３】
例えば、本発明の応用例としては、ＴＦＴ基板上のゲート配線に接続した実施例１乃至実施例４で例示したゲート端子孔１５と、データ配線と接続していない実施例１乃至実施例４で例示したデータ端子孔１７と同様な構造を有する端子孔とを画素電極を構成する膜（上層金属膜）で連結する。そして、データ配線と接続していない実施例１乃至実施例４で例示したデータ端子孔１７と同様な構造を有する端子孔と配線が形成されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）のバンプ（端子）とを、Ａｕ粒子等を分散させた有機樹脂からなるＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）によって接着することで液晶パネルを製造することが出来る。【０２３４】
さらに、層変換の応用例を追記すると、表示画素と接続したＴＦＴとは別に、表示画素の静電破壊を防止することを目的とする保護ＴＦＴを配置した場合において、ドレイン電極に実施例１乃至実施例４で例示した画素接続孔１６と同様な構造のコンタクトホールを配置し、これに隣接して、ゲート電極と同層に位置するアース等の配線を実施例１乃至実施例４で例示したゲート端子孔１５と同様な構造のコンタクトホールを配置して、両コンタクトホールを、画素電極を構成する膜（上層金属膜）で連結することである。【０２３５】
このように、本発明によるコンタクトホールは、ゲート端子孔１５、データ端子孔１７、画素接続孔１６等のコンタクトホールに限定されず、層変換用コンタクトホールに使用することができるし、上層金属膜は、電極ではなく配線として用いることもできる。【０２３６】
次に、本発明の効果確認のため、下記のサンプルを調整し試験した。確認したサンプル構造は実施例で説明したゲート端子孔と同様な構造のコンタクトホールである。【０２３７】
（実験１）
［サンプル］
サンプル１：実施例１で説明した第１の絶縁膜エッジ部まで層間接続層２２を形成したサンプル。【０２３８】
サンプル２：実施例１で説明した第２の絶縁膜エッジ部まで層間接続層２２を形成したサンプル。【０２３９】
サンプル３：実施例２で説明した第２の絶縁膜露出面２６まで延在して層間接続層２２を形成したサンプル。【０２４０】
比較サンプル：［背景技術］で説明した従来の層間接続層２２を配置しないサンプル。【０２４１】
［サンプル条件］
・第１の金属膜：［非特許文献１］、［非特許文献２］の合金膜及びＮｉ５％含有Ａｌ-Ｎｉ膜、膜厚３００ｎｍ
・第１の絶縁膜：膜厚ＳｉＮｘ膜、４００ｎｍ、エッジ部下面端角度７５°
・第２の絶縁膜：膜厚ＳｉＮｘ膜、２５０ｎｍ、エッジ部下面端角度５０°
・層間接続膜（サンプル１〜３）：平均粒径５ｎｍ程度のＡｕナノ粒子を溶媒中に分散させた導電性を有する液体材料を加熱し固化、膜厚６０ｎｍ
・端子保護パターン：ＩＴＯ膜、膜厚４０ｎｍ【０２４２】
［試験条件］
（１）上記サンプルについてＡＣＦを介してＴＣＰバンプと接続し抵抗を測定（初期接続抵抗）、
（２）初期抵抗を測定したサンプルを、高温・高湿（８５℃、湿度６０％）の環境下で、ＴＣＰ配線とゲート端子間にＤＣ３５Ｖ印加して、抵抗測定及び端子の腐食進行度合いチェック（顕微鏡観察）を経時的に実施。【０２４３】
［試験結果］
初期抵抗：
（大）  比較サンプル≒サンプル１≒サンプル２≧サンプル３  （小）
高温・高湿試験後抵抗：
（大）  比較サンプル≫サンプル１≧サンプル２＞サンプル３  （小）
高温・高湿試験後腐食の進行度合い：
（大）  比較サンプル≫サンプル１≧サンプル２＞サンプル３  （小）【０２４４】
（実験２）
［サンプル］
サンプル３：実施例２で説明した第２の絶縁膜露出面２６まで延在して層間接続層２２を形成したサンプル。【０２４５】
サンプル４：実施例４で説明した、第１の絶縁膜の下面端が第１の金属膜から飛び出たサンプルに、第２の絶縁膜露出面２６まで延在して層間接続層２２を形成したサンプル。【０２４６】
比較サンプル：［背景技術］で説明した従来の層間接続層２２を配置しないサンプル。【０２４７】
［サンプル条件］
・第１の金属膜（ゲート端子）：［非特許文献１］、［非特許文献２］の合金膜及びＮｉ５％含有Ａｌ-Ｎｉ膜、膜厚３００ｎｍ
・第１の絶縁膜：ＳｉＮｘ膜、膜厚４００ｎｍ、エッジ部下面端角度７５°
・第２の絶縁膜：ＳｉＮｘ膜、膜厚２５０ｎｍ、エッジ部下面端角度５０°
・層間絶縁膜形成前洗浄剤
サンプル３及び比較サンプル：ノニオン系界面活性剤
サンプル４：０．６％ＴＭＡＨにて第１の金属膜を３０ｎｍエッチング、第１の絶縁膜下面端飛び出し量０．０５μｍ以下
・層間接続膜（サンプル３、４）：平均粒径５ｎｍ程度のＡｕナノ粒子を溶媒中に分散させた導電性を有する液体材料を加熱し固化、膜厚：６０ｎｍ
・端子保護パターン：ＩＴＯ膜、膜厚：４０ｎｍ【０２４８】
［試験条件］
（１）上記サンプルについてＡＣＦを介してＴＣＰのバンプと接続し抵抗を測定（初期接続抵抗）、
（２）初期抵抗を測定したサンプルを、高温・高湿（８５℃、湿度６０％）の環境下で、ＴＣＰ配線とゲート端子間にＤＣ３５Ｖ印加して、抵抗測定及び端子の腐食進行度合いチェック（顕微鏡観察）を経時的に実施。【０２４９】
［試験結果］
初期抵抗：
（大）  比較サンプル≧サンプル３＞サンプル４  （小）
高温・高湿試験後抵抗：
（大）  比較サンプル≫サンプル３＞サンプル４  （小）
高温・高湿試験後腐食の進行度合い：
（大）  比較サンプル≫サンプル３≧サンプル４  （小）【０２５０】
以上の実験結果より、本発明の有効性を下記のように結論づけることができる。【０２５１】
実験１の結果について説明および推定する。【０２５２】
初期抵抗は比較サンプル、サンプル１、サンプル２の間で差は観察されない。これは、コンタクトホールの接続抵抗値が主として、ゲート端子孔１５に位置する第１の金属膜露出面２３の垂直方向に位置する端子保護パターン２１部と対向するＴＣＰのバンプ部との間に存在するＡＣＦに混合される導電粒子の数によって主として決定されるためであると推定される。【０２５３】
また、サンプル３が他のサンプルと比較して、僅かに小さい初期抵抗値を示したのは、ゲート端子孔１５に位置する第１の金属膜露出面２３の垂直方向に配置される端子保護パターン２１部と対向するＴＣＰのバンプ部との間に存在する導電粒子の数は他のサンプルと同じであるが、サンプル３は、層間接続膜２２を第２の絶縁膜露出面２６まで延在して配置しているため、端子保護パターン２１には、ゲート端子孔１５部および第２の絶縁膜露出面２６までボイドの発生程度が良く、その領域が他のサンプルと比較して大きいことより、ゲート端子孔１５の周辺部（第２の絶縁膜露出面２６）に位置する端子保護パターン２１部と対向するＴＣＰのバンプ部との間に存在する導電粒子が、ある程度は接続抵抗値を低下させることに関与したものと推定される。【０２５４】
なお、この初期抵抗値を低下させるには、ゲート端子孔を大きくするか、ＡＣＦに混合されている異方性導電粒子を増大させれば良く、このようにすればサンプル３と他のサンプル間の接続抵抗値の差をなくすことはできると判断される。【０２５５】
しかしながら、近年の液晶表示装置は高精細化の方向にあるため、バンプピッチ、端子ピッチ間距離が小さくなる傾向にあるため、ゲート端子孔を大きくし開口部面積を稼ぐことは容易ではない。また、ＡＣＦに多量の導電粒子を混合させると、バンプ間、端子間で互いにショートする可能性が高くなり、技術トレンドとマッチしない。以上より、本サンプル４の構造は、初期の接続抵抗を低減させる上で有用な技術であるといえる。【０２５６】
次に、高温・高湿試験について述べる。試験後の接続抵抗値は、サンプル１乃至３と比較して比較サンプルが大きな値を示している。抵抗値が大きな値を示すことは、端子信頼性が無いことを意味する。【０２５７】
比較サンプルの腐食の程度は、サンプル１乃至３と比較し進行していた。腐食は、主として、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４の露出面/エッジ部交点２５部位に沿って枠状に第１の金属膜が溶解するように進行していた。【０２５８】
また、サンプル１乃至３の接続抵抗値は、『サンプル１≧サンプル２＞サンプル３』の順であり、これも顕微鏡観察による腐食の進行度合いと一致する。【０２５９】
この結果は、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４の露出面/エッジ部交点２５と端子保護パターンに形成されたボイドとの距離が近いほど腐食の程度が悪く、腐食が進行することで端子信頼性が低下することを意味する。【０２６０】
サンプル１乃至３の腐食は、比較サンプルと同様に第１金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４の露出面/エッジ部交点２５部位位置に確認された。しかしながら、その程度は、比較サンプルに比べて格段に良くごく部分的に、ゴマ粒状であった。【０２６１】
腐食の進行は次のように推定される。水蒸気を含む水分は先ず、ＡＣＦの有機樹脂のバルクまたは、有機樹脂と端子保護パターンの界面を通過し、端子保護パターン２１のボイドに至る（サンプル３では、端子保護パターンの被覆境界）。【０２６２】
次に、サンプル１乃至３では、ボイドに至った水分は、端子保護パターン２１を通過し絶縁膜表面に至り、次に、端子保護パターン２１と絶縁膜との界面を通過して、層間接続膜の被覆境界に達する。【０２６３】
ここで、比較サンプルでは、ボイドに至った水分は、端子保護パターン２１を通過した時点で第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４の露出面/エッジ部交点２５に達し、第１の金属膜を腐食する。【０２６４】
そして、サンプル１乃至３では、水分は、層間接続膜２２と絶縁膜界面の間を通って、初めて第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４の露出面/エッジ部交点２５部に至り、第１の金属膜を腐食すると判断される。【０２６５】
このようなモデルによって、サンプル１乃至３は、比較サンプルよりも端子信頼性が高くなる実験結果が理解される。【０２６６】
さらに、サンプル１乃至３の腐食は、比較サンプルのように枠状に一様ではなく、部分的にゴマ粒状であったことより、水分は、層間接続膜２２と絶縁膜の界面における何らかのウイークスポットを通じて通過し、その通過した部分の第１の金属膜が優先的に腐食した可能性が高いと推定される。【０２６７】
次に、端子保護パターン２１を層間接続層２２の被覆境界を越えて配置した理由について記載する。【０２６８】
第１の理由は、水分は、先ず端子保護パターン２１のボイドから進入（サンプル３のようにボイドがない場合は端子保護パターンと第２の絶縁膜の境界部）し、その後に、前記した説明経路で端子保護パターンと絶縁膜との界面に至ると推定される。そして、層間接続膜２２と絶縁膜の界面の水分通過と同様に、端子保護パターン２１と絶縁膜の界面においても、水分は何らかのウイークスポットを通じて、層間接続膜２２の被覆境界領域に達すると推定される。次に、層間接続層２２と絶縁膜のウイークスポットを通じて、第１の金属膜に至ることで、金属膜の腐食が可能となると推定されることである。【０２６９】
ここで、端子保護パターン２１を層間接続層２２の被覆境界を越ないように配置した場合は、水分が、層間接続膜２２と絶縁膜の界面のみを通過することで、腐食可能となる。【０２７０】
そのため、端子保護パターン２１を、層間接続層２２の被覆境界を越えて配置すれば、水分が通過して、第１の金属膜露出面２３と第１の絶縁膜エッジ部２４の露出面/エッジ部交点２５部する確率を、夫々の膜界面のウイークスポット確率の積と推定することができるため、飛躍的に低減できる。また、到達する時間も遅延することができる。【０２７１】
なお、本発明では、端子保護パターン２１を層間接続層２２の被覆境界を越えて配置する構造であるが、端子保護パターン２１を層間接続層２２の被覆境界を越ないように配置した場合は、端子保護パターン２１と層間接続層２２とが共にＡＣＦと接触することとなる。そのため、両金属間で水分により局部電池ができる。ゆえにこの構造は、腐食を防止する上で有利とは言い難い。この課題については［発明が解決しようとする課題］で説明済みである。【０２７２】
第２の理由は、上層金属膜であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯなどの透明導電膜の腐食耐性が高いことに起因する。腐食耐性が高ければ、画素電極で使用される金属を端子保護パターン２１として同時に利用することは、当業者にとって容易であるかも知れないが別の理由がある。【０２７３】
それは、層間接続膜２２を被覆し、さらに外側の絶縁膜まで延在させて上層金属膜を配置すれば、層間接続膜２２に達する水分の浸入を抑制することができるためである。その結果、上層金属膜の下に位置する層間接続膜２２を、耐腐食性が劣る材料とすることも可能となる。【０２７４】
例えば、端子部のコンタクトホールの下層金属に、耐腐食性に劣るＡｇ系材料を端子保護パターンで被覆すること無しに使用することは、信頼性面で適当とは思われない（例えば従来の技術であれば第１の金属膜や第２の金属膜がＡｇであり、その上に直接に端子保護パターンが配置されるコンタクトホールを指す。）が、本発明のように、端子保護パターン２１を、層間接続膜２２の全面と、さらにその外側まで被覆し延在させて形成すれば、下層金属膜にＡｇ系材料を用いても、端子信頼性を確保できる。【０２７５】
このように、耐腐食性がある上層金属膜で、層間接続膜２２を被覆し、さらに上層金属膜を外側に延在させれば、水分の侵入を抑制することが可能となるので、層間接続膜２２の選定においては、層間接続膜２２自体の腐食難易性の観点よりもむしろ、上層金属膜／層間接続膜間、層間接続膜／下層金属膜間の接触電位を小さくするように、層間接続膜材料を選定することがより有効となる。【０２７６】
第３の理由は、本発明では、端子保護パターン２１をスパッタ法で形成する場合を開示したが、これも、層間接続層２２を越えて、絶縁膜上まで上層金属膜を配置して、腐食の程度を抑制し、端子の信頼性を確保することに関連する。【０２７７】
スパッタ法を用いれば、スパッタ粒子が絶縁膜に物理的に衝突し、これが絶縁膜に打ち込まれることで、絶縁膜にダメージを与えることができる。【０２７８】
そのため、絶縁膜と端子保護パターンの界面で両成分が入り混じった混合層を作ることが可能となる。このようにすれば、端子保護パターンと絶縁膜との間に水分が侵入することをさらに抑制できる。【０２７９】
水分の進入を抑制する絶縁膜としては、ＳｉＮｘ膜やＳｉＯｘ等の無機膜と比較し、例えばノボラック樹脂や、アクリル樹脂、スチレン樹脂等の有機膜が好適である。その理由は、ＳｉＮｘ等の無機膜と比較して硬度が低いため、より確実な混合層が形成できるためである。【０２８０】
次に、実験２の結果について説明する。【０２８１】
比較サンプルとサンプル３の試験結果関係については実験１ですでに述べた。ここではサンプル３とサンプル４の結果を説明する。【０２８２】
サンプル３とサンプル４の違いは、金属膜表面をエッチングしてから層間接続膜２２を配置するか、エッチングしないで層間接続膜２２を配置するかである。エッチングしないものがサンプル３であり、エッチングしたものがサンプル４である。【０２８３】
ここで、サンプル４とサンプル３とは、高温・高湿試験前後（高温・高湿試験前：初期抵抗）で抵抗値の差が拡大しているようには判断されなかった。サンプル４はサンプル３と比較して高温・高湿試験前後で共に同程度に低い値を示した。これは、第１の金属膜２をエッチングしてダメージ層を除去したことによると判断される。【０２８４】
ダメージ層がエッチングにより除去されることは、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）にて第１の金属膜表面の炭素（以下、Ｃ）及びフッ素（以下、Ｆ）量を測定することで容易に確認される。なお、Ｆは第１の絶縁膜のエッチングガスに由来すると推定される。【０２８５】
また、高温・高湿試験後の顕微鏡による腐食の進行度合いが、サンプル３で若干劣るのは（前記したように、高温・高湿試験前後の抵抗値測定では抵抗値の差は広がっているようには判定できない程度ではあるが。）、金属膜の腐食において水分とダメージ層に含有されるＦが共に関与してこれを促進したため、サンプル４は、第１の絶縁膜エッジ部下面端が第１の金属膜から飛び出している構造となっているため、水分が金属膜に達する経路長が長いための、いずれか一方または双方の理由によると推定される。【０２８６】
ここでは、ゲート端子孔１５のコンタクトホールを代表例として説明したが、第１の絶縁膜が配置されないことを除けば、データ端子孔１７についても同様での結果になると推定される。【０２８７】
次に、画素接続孔１６について説明する。【０２８８】
液晶が封止されたパネル内に位置する画素接続孔１６は、前記したゲート端子孔１５やデータ端子孔１７と比較して腐食速度が遅い。【０２８９】
その理由は、前者は液晶が封止されたパネル内に位置し、後者のように外界にさらされ水分が侵入する程度が小さいためおよび/または大気中に混入する種々の腐食ガスと接する可能性がほとんど無いこと等によると推定される。【０２９０】
画素電極孔１６の最表面に位置する画素電極２０上には、ゲート端子孔１５やデータ端子孔１７のようにＡＣＦは配置されずに液晶材が位置する。【０２９１】
画素接続孔１６においては、表示に寄与する画素電極２０部位とドレイン電極１２との接続抵抗値を小さくすることが重要である。表示に寄与する画素電極部位は画素接続孔１６の最表面に位置する画素電極２０が延在した周辺部である。【０２９２】
ここで、第２の金属膜９からなるドレイン電極１２の露出面と、第２の絶縁膜エッジ部下面端との交点で、画素電極２０にボイドが発生すると、表示に寄与する画素電極部位（画素接続孔１６の周辺部）とドレイン電極１２との接続抵抗値は高くなる。【０２９３】
層間接続膜２２を配置しない従来例の構造においては、画素電極孔１６の第２の絶縁膜エッジ部下面端および上面端に沿って枠取られる様にボイドが発生し、表示に寄与する画素電極部位とドレイン電極１２との接続抵抗値が上昇する。【０２９４】
しかしながら、本実施例のように、第２の金属膜９と画素電極２０の間に層間接続膜２２を形成すれば、画素電極２０に発生するボイドを抑制でき、表示に寄与する画素電極部位とドレイン電極１２との接続抵抗値を小さくすることが可能となる。【０２９５】
層間接続膜２２の被覆境界領域を第２の絶縁膜エッジ部までとすれば、ボイドは第２の絶縁膜上面端でのみ発生するため、表示に寄与する画素電極部位とドレイン電極１２との接続抵抗値を小さくすることが可能である。【０２９６】
また、層間接続膜２２の被覆境界領域を第２の絶縁膜露出面２６までとすれば、第２の絶縁膜上面端でのボイド発生も抑制することが可能となり、表示に寄与する画素電極部位とドレイン電極１２との接続抵抗値をさらに好適にすることができる。【０２９７】
また、第２の金属膜表面を僅かにエッチングし、その表面を清浄化すれば、前記したようにダメージ層を除去できるので、より好適となる。【０２９８】
以上、本発明によれば、初期の接続抵抗値が低く、かつ、耐腐食性が高い信頼性有るコンタクトホール構造及びその製造方法を提供できる。【０２９９】
なお、本発明の説明では技術動向を勘案して、本発明が特に有効となる腐食性が高いＡｌを主成分とした合金を例示して説明してきたが、本発明は、耐腐食性のある金属でも採用することができ、これを排除するものではない。【０３００】
例えば、［背景技術］で説明した、第１の金属膜や第２の金属膜の上にカバー膜を配置した構造に、本発明を適用すればコンタクトホールのボイドをなくすことが可能であるし、第１の金属膜や第２の金属膜を僅かにエッチングしてダメージ層を除去した後に層間接続膜を配置すれば接続抵抗値を低くすることもできる。【０３０１】
現状の液晶表示装置においては、カバー膜として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉやそれら合金系等が使用される。しかしながら、これら金属も、表示装置を継続使用することで、Ａｌを主成分とした合金膜と比較して速度こそ遅いが徐々に端子は腐食する。【０３０２】
また、端子の腐食の課題は、例えばＳ（硫黄）やＣｌ（塩素）等の腐食性ガス雰囲気で使用される頻度が高い産業系用途の液晶表示装置においては、より顕著となることを追記しておく。【０３０３】
前記実施例では、液晶表示装置を特に例示して説明してきたが、同様なコンタクトホールが存在するＰＤＰ表示装置（Plasma Display Panel）、有機ＥＬ（organic electroluminescence）表示装置等についても好適に実施できる。【０３０４】
前記実施例の作用効果は以下の通りである。【０３０５】
少なくとも絶縁膜開口部と絶縁膜エッジ部とに延在して、導電性を有する液体材料を固化した層間接続層を配置し、さらに層間接続層の全てとこれを超えて延在させて隣接する絶縁膜をも被覆するように上層金属膜を配置することによって、接続抵抗が低くかつ耐腐食性が高いコンタクトホールを提供できる。【０３０６】
表示装置の製造工程において最高温度となる工程を、導電性を有する液体材料を配置する以前の工程とすることによって、Ａｌを主成分とする下層金属膜材料を好適に使用できる。【０３０７】
導電性を有する液体材料の固化に減圧法を使用すれば、加熱時間の短縮や低温度化を実現することができるため、導電性を有する液体材料の酸化を抑制でき、接続抵抗が低いコンタクトホールを提供できる。【０３０８】
下層金属膜表面のダメージ層を、導電性を有する液体材料で溶解して拡散させることで、下層金属膜表面の単位体積あたりの腐食元素量を低減できるため、接続抵抗が低くかつ耐腐食性が高いコンタクトホールを提供できる。【０３０９】
導電性を有する液体材料を配置する前に下層金属膜表面のダメージ層と共に、下層金属膜の一部をもエッチングすることで、接続抵抗が低くかつ耐腐食性が高いコンタクトホールを提供できる。【０３１０】
絶縁膜表面に、スパッタリングを用いて上層金属膜を成膜すれば、上層金属膜と絶縁膜の混合層がその界面に出来るため、耐腐食性が高いコンタクトホール構造を提供できる。さらに、絶縁膜を有機膜とすれば、より高い耐腐食性を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【０３１１】
ゆえに本発明は、液晶表示装置、ＰＤＰ表示装置、有機ＥＬ表示装置等、表示装置全般について適用可能である。  本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【図１】
0005389672.tif 000002
【図２】
0005389672.tif 000003
【図３】
0005389672.tif 000004
【図４】
0005389672.tif 000005
【図５】
0005389672.tif 000006
【図６】
0005389672.tif 000007
【図７】
0005389672.tif 000008
【図８】
0005389672.tif 000009
【図９】
0005389672.tif 000010
【図１０】
0005389672.tif 000011
【図１１】
0005389672.tif 000012
【図１２】
0005389672.tif 000013