(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、
前記半導体基板は、前記配線層に覆われた第１の領域と、前記半導体基板の外周部に形成され、且つ、前記配線層に覆われていない第２の領域とを備え、
前記半導体基板の前記第２の領域に絶縁膜が形成され、
前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とは略同一の面であり、
前記半導体基板の前記外周部には、段差が形成された段差加工領域を備える、
ことを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面との高さは同じである、  
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、
前記半導体基板は、前記配線層に覆われた第１の領域と、前記半導体基板の外周部に形成され、且つ、前記配線層に覆われていない第２の領域とを備え、
前記第１の領域の配線層において、前記第１の領域から前記第２の領域に向かって層厚が減少する第３の領域を備え、
前記第３の領域の前記配線層上に絶縁膜が形成され、
前記第１の領域における前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とは、略同一の面であり、
前記半導体基板の前記外周部には、段差が形成された段差加工領域を備える、
ことを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、
前記配線層は、前記配線層の上面がほぼ平坦であり、且つ、その高さが略同一であるような第４の領域と、前記第４の領域から前記半導体基板の周辺部に向かって、前記配線層の上面の高さが減少する第５の領域と、を備え、
前記第５の領域の前記配線層上に絶縁膜が形成され、
前記第４の領域における前記配線層の上面と前記第５の領域の前記絶縁膜の上面とは、略同一の面であり、
前記半導体基板の外周部には、段差が形成された段差加工領域を備える、
ことを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、
前記配線層は、前記配線層の上面がほぼ平坦であり、その高さが略同一である第４の領域と、前記第４の領域から前記半導体基板の周辺部に向かって、前記配線層の上面の高さが減少する第５の領域と、を備え、
前記第４の領域及び前記第５の領域の前記配線層上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上面がほぼ平坦であり、且つ、その高さが略同一であり、
前記半導体基板の外周部には、段差が形成された段差加工領域を備える、
ことを特徴とする半導体ウェハ。  
【請求項６】
前記絶縁膜は、酸化物もしくは窒化物からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の半導体ウェハ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載の半導体ウェハと、
前記半導体ウェハにおいて略同一である前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とに接するように接合された被接合半導体ウェハとを、
備えることを特徴とする積層構造体。
【請求項８】
半導体基板の中央部に第１の領域に配線層を形成し、
前記半導体基板の外周部に位置し、且つ、前記配線層に覆われていない第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を研磨することにより、前記配線層の上面と略同一の面であるような前記絶縁膜の上面を形成し、
前記絶縁膜を形成後、前記半導体基板の前記外周部の最外周部分に段差加工を行う、
ことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、３次元多層構造の半導体モジュールを得る方法として、個片化された半導体チップを接合して積層する手法が検討されてきたが、積層コスト低減の観点から、半導体チップとする前に、あらかじめ複数の半導体ウェハを接合した後に、個片化することが検討されている。
【０００３】
また、半導体ウェハを接合する方法としては、水酸基結合やプラズマ活性化などの手法を用いた常温での直接接合法や樹脂材料を介した樹脂接合法等が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２５１２７７号公報
【特許文献２】特開平５−２２６３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、積層された半導体ウェハから製造することができる半導体チップの取り数を増やすことができ、且つ、半導体ウェハの加工費用を低減することができる半導体基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、半導体ウェハは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、前記半導体基板は、前記配線層に覆われた第１の領域と、前記半導体基板の外周部に形成され、且つ、前記配線層に覆われていない第２の領域とを備え、前記半導体基板の前記第２の領域に絶縁膜が形成され、前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とは、略同一の面である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図２】実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図３】実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その３）である。
【図４】実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その４）である。
【図５】実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その５）である。
【図６】実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その６）である。
【図７】実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第１の変形例を説明するための図である。
【図８】実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第２の変形例を説明するための図である。
【図９】比較例の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は発明の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
【０００９】
まず、半導体ウェハ１について説明する。詳細には、半導体ウェハ１上に配線層１１が形成され、被接合半導体ウェハ２と貼り合される前の半導体ウェハ１上の各領域について、半導体ウェハ１の一例を示す図１を用いて説明する。図１（ａ）は、半導体ウェハ１の外周部側の部分を示す断面図であり、図１（ｂ）は、半導体ウェハ１の上面図である。
【００１０】
図１（ａ）の断面図に示されるように、半導体ウェハ１については、半導体ウェハ１の中心から外周部５１近傍までの中央部５０におけるその上面１ａはほぼ平坦であり、その高さは略同一である。ここで、略同一とは、半導体ウェハ１の裏面から測定して数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、半導体ウェハ１の製造工程において工業的に許容される程度の高さの違いがある場合も含むことを意味する。さらに、半導体ウェハ１の外周部５１における上面１ａは、平坦な領域が終わり、図中に示すＡ点から半導体ウェハ１の外側に向かって丸みを帯びつつ、その高さが徐々に低くなって、半導体ウェハ１の側面１ｂへと続いている。
【００１１】
さらに、半導体ウェハ１の中央部５０の一部の上面１ａ上には、金属と絶縁体とからなる配線層１１が形成されている。詳細には、この配線層１１は絶縁膜とその中に形成された配線とを含む。以下、配線層１１が形成されている半導体ウェハ１の上面１ａの部分を第１の領域６０と呼び、配線層１１が形成されていない半導体ウェハ１の上面１ａの部分を、第２の領域６１と呼ぶ。なお、第２の領域６１には配線層１１が形成されている場合もあるが、この部分に形成された配線層１１は不完全なものであるため、以下の説明においては、第２の領域６１に形成された配線層１１は、配線層１１と見なさず、第２の領域６１には配線層１１はないものとして取り扱う。
【００１２】
また、上面１ａにおいて、半導体ウェハ１の外周部５１と中央部５０のうちの外周部５１側の部分とには、半導体素子を形成することができない又は形成しない領域があり、以下の説明においては、この領域をエッジカット領域３１と呼ぶ。詳細には、配線層１１のエッチング工程において配線層１１を覆うレジスト膜を形成する際、レジスト膜が半導体ウェハ１の側面１ｂや裏面１ｃへ回り込むことを防止するために、レジスト膜の外周部を取り除くエッジカット処理が施される。そのため半導体ウェハ１の外周部５１と、中央部５０のうちの外周部５１側の部分との配線層１１にはレジスト膜が覆うことなく、よってこの半導体ウェハ１の外周部５１と、中央部５０のうちの外周部５１側の部分との上に形成された配線層１１がエッチングされてしまう。従って、この領域には半導体素子を形成することができない又は形成しないエッジカット領域３１が存在する。
【００１３】
半導体ウェハ１上の配線層１１の厚さは、半導体ウェハ１の中央部５０の中心部ではほぼ一定であり、言い換えると、半導体ウェハ１上の配線層１１の上面１１ａの高さは、半導体ウェハ１の中央部５０の中心部では略同一である。ここで、略同一とは、先の説明と同様に、半導体ウェハ１の上面１ａから測定して数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、半導体ウェハ１の製造工程において工業的に許容される程度の高さの違いがある場合も含むことを意味する。以下の説明においては、この配線層１１の厚さがほぼ一定であり、且つ、ほぼ平坦である領域を、配線層厚一定領域（第４の領域）３３と呼ぶ。また、配線層厚一定領域３３とエッジカット領域３１との間には、配線層厚一定領域３３からエッジカット領域３１にかけて（配線層厚一定領域３３から半導体ウェハ１の周辺部に向かって）、配線層１１の厚さが徐々に減っていく領域、言い換えると、配線層１１の上面１１ａの高さが徐々に低くなっていく領域があり、以下の説明においては、この領域を配線層厚暫減領域（第５の領域）３２と呼ぶ。
【００１４】
この配線層厚暫減領域３２が形成される理由としては、半導体ウェハ１上に配線層１１を形成する工程において、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）と呼ばれる配線層１１の上面１１ａを研磨する研磨工程が行われるが、このＣＭＰの際に、研磨ダレ（研磨した表面に傾斜等が存在すること）が発生することに起因する。すなわち、配線厚一定領域３３からエッジカット領域３１にかけて、配線層１１の厚さは研磨ダレにより暫減していく。しかしながら、この暫減の程度はナノメートルオーダと小さいため、この配線層厚暫減領域３２には、半導体素子や配線を形成することは可能である。
【００１５】
さらに、図１（ｂ）に示すように、略円形の半導体ウェハ１は、ノッチ４０（図１（ｂ）において半導体ウェハ１の下端にある切り欠け）を有し、さらに、略円形の配線層１１は、ノッチ４０の一部に重なるように、半導体ウェハ１の中央部５０の外周側を除いて、中央部５０上に形成されている。また、エッジカット領域３１は、ノッチ４０の最も内側の部分（この切り欠けの先端を以下の説明では、ノッチ４０の先端４１と呼ぶ）を含むように形成される。
【００１６】
ここでは、３次元積層半導体モジュールを製造する際に行われる、直接接合法による半導体ウェハの接合を例に説明するが、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１７】
図１から図６は、本実施形態の製造方法を示す図である。詳細には、図１から図４の各（ａ）は、半導体ウェハ１の外周部側の部分の断面図であり、図１から図４の各（ｂ）は、半導体ウェハ１の上面図である。また、図５及び図６は半導体ウェハ１の外周部側の部分の断面図である。
【００１８】
まず、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、先に説明したような配線層１１が形成された半導体ウェハ１を準備する。この配線層１１は、略円形であり、半導体ウェハ１の中央部５０の外周側を除いて、中央部５０上に形成されている。
【００１９】
次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１上に、配線層１１から半導体ウェハ１の外周部５１までを覆うような、シリコン酸化物等の酸化物やシリコン窒化物等の窒化物からなる絶縁膜１２を形成する。この絶縁膜１２を形成する方法としては、ＳＯＧ（Spin On Glass）などの塗布法や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの蒸着法やスパッタ法など、特に形成方法を限定することなく公知の方法を用いることができる。この際、図２（ａ）中のエッジカット領域３１と配線層厚暫減領域３２とにおける配線層１１と絶縁膜１２との厚さの合計が、配線層厚一定領域３３の配線層１１の厚さ以上になることが好ましく、半導体ウェハ１の上面１ａから見た絶縁膜１２の上面１２ａの高さに関して、配線層厚一定領域３３に位置する部分の高さよりも配線層厚暫減領域３２及びエッジカット領域３１に位置する部分の高さのほうが高くなっていることがさらに好ましい。この後にＣＭＰを用いて絶縁膜１２の上面１２ａをほぼ一定の高さに平坦化することとなるが、ＣＭＰは表面の形状に沿って研磨する傾向があるため、上記のように絶縁膜１２を形成したほうが、絶縁膜１２の上面１２ａを平坦化することが容易であるからである。図２（ｂ）に示すように、絶縁膜１２は、ノッチ４０の先端４１より外側にまで形成される。
【００２０】
そして、この絶縁膜１２の上面１２ａをＣＭＰ等の研磨法を用いて研磨し、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように絶縁膜１２の上面１２ａを平坦化する。これにより、エッジカット領域３１の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域３１の一部に位置する絶縁膜１２の上面１２ａと、配線層厚暫減領域３２及び配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２の上面１２ａもしくは配線層１１の上面１１ａとは、連続した１つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一となる。ここで、略同一とは、全面に亘って半導体ウェハ１の上面１ａから測定して数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、研磨の際のわずかな傾きを考慮したうえで、この後の製造工程及び製品として許容される数ｎｍ程度の高さの違いがある場合をも含むことを意味する。また、図３（ａ）に示されるように、エッジカット領域３１の最外周に形成された絶縁膜１２の部分の上面１２ａの高さについては、略同一でなくても良い。
【００２１】
また、詳細には、図３（ａ）の断面図に示すように、絶縁膜１２の上面１２ａがほぼ平坦であるような領域の端部Ｂは、半導体ウェハ１の上面１ａがほぼ平坦であるような領域が終わり丸みを帯び始める位置Ａよりも、半導体ウェハ１の外側に位置している。この端部Ｂの位置は、図３（ｂ）においては、半導体ウェハ１の外周に最も近い点線で示されている。また、図３（ｂ）に示すように、絶縁膜１２の上面１２ａがほぼ平坦であるような領域は、ノッチ４０の先端４１よりも半導体ウェハ１の外側に形成されているが、これに限定するものではなく、ノッチ４０の先端４１より内側（半導体ウェハ１の中心部側）で絶縁膜１２の上面１２ａがほぼ平坦である領域が終わっていても良い。
【００２２】
このように、絶縁膜１２を形成する前の状態を示す図１（ａ）と比べて、図３（ａ）においては、絶縁膜１２が設けられていることにより、配線層厚暫減領域３２の一番上に位置する面である最上面（絶縁膜１２の上面１２ａもしくは配線層１１の上面１１ａ）はほぼ平坦となり、エッジカット領域３１の最外周近傍の一部を除いて、エッジカット領域３１の一部に位置する絶縁膜１２の上面１２ａもほぼ平坦となる。従って、エッジカット領域３１の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域３１の一部に位置する絶縁膜１２の上面１２ａと、配線層厚暫減領域３２及び配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２の上面１２ａもしくは配線層１１の上面１１ａとは、連続した１つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一となる。
【００２３】
なお、図３（ａ）及び（ｂ）においては、配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２は研磨により除去され、絶縁膜１２は、エッジカット領域３１と配線層厚暫減領域３２の一部又は全体を覆うものとなる。言い換えると、絶縁膜１２は、配線層１１が形成されている第１の領域６０の外周部と、配線層１１が形成されていない第２の領域６１とを覆うものとなる。しかしながら、これに限るものではなく、本実施形態の第１の変形例を示す図７（ａ）及び（ｂ）にように、配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２を残し、絶縁膜１２が半導体ウェハ１の全体を覆うようにしても良い。すなわち、先に説明した実施形態と同様に、エッジカット領域３１の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域３１の一部に位置する絶縁膜１２の上面１２ａと、配線層厚暫減領域３２及び配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２の上面１２ａとは、連続した１つの平坦な面であり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一としても良い。ここで、略同一とは、先に説明したように、数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、製造工程及び製品として許容される数ｎｍ程度の高さの違いがある場合をも含むことを意味する。また、図７（ａ）に示されるように、エッジカット領域３１の最外周に形成された絶縁膜１２の部分の上面１２ａの高さについては、略同一でなくても良い。
【００２４】
次に、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、研磨、ダイサーによる切断、エッチング等により半導体ウェハ１の外周部５１の最外周部分に段差加工を行い、段差加工領域３４を形成する。図４（ｂ）に示すように、段差加工は、ノッチ４０の先端４１よりも内側に形成される。段差加工の詳細については、後で説明する。
【００２５】
そして、図５に示すように、半導体ウェハ１と被接合半導体ウェハ２とを直接接合し、積層構造を形成する。詳細には、被接合半導体ウェハ２は、半導体基板１の配線層１１の上に積層されることとなる。半導体ウェハ１を被接合半導体ウェハ２に接合する際の接合方法としては、水酸基結合やプラズマ活性化などの手法を用いた常温での直接接合法を用いる。他の接合方法として、例えば樹脂材料を介した樹脂接合法等が挙げられるが、樹脂材料は耐熱性に問題があり、耐熱性や接合位置精度の観点からは好ましくないため、直接接合法を用いる。
【００２６】
次に、接合した半導体ウェハ１と被接合半導体ウェハ２との積層構造の厚さを薄くする。詳細には、図６に示すように、半導体ウェハ１の裏面１ｃに対して研削及び研磨を行う。
【００２７】
ここで、比較例を挙げて、段差加工領域３４を形成する理由を説明する。この比較例は、本発明者が従来用いていた直接接合法による半導体ウェハの接合方法である。
【００２８】
まず、第１の比較例を、図９を用いて説明する。この図９は半導体ウェハ１の外周部側の部分の断面図である。
【００２９】
比較例においては、図９（ａ）に示すように、半導体ウェハ１上に絶縁膜１２を形成しないことから、先に説明したように配線層１１の上面１１ａの高さは一定ではなく、詳細には、配線層厚一定領域３３における配線層１１の上面１１ａの高さと、エッジカット領域３１と配線層厚暫減領域３２とにおける配線層１１の上面１１ａの高さとは異なる。
【００３０】
この後の工程において、図９（ｂ）に示すように、比較例の半導体ウェハ１と被接合半導体ウェハ２とを直接接合すると、配線層厚暫減領域３２及びエッジカット領域３１においては、半導体ウェハ１と被接合半導体ウェハ２とが直接接触することのない非接合領域３５が形成されてしまう。
【００３１】
この後、比較例においては、図９（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１の裏面１ｃに対して研削及び研磨を行うこととなるが、この非接合領域３５が広く形成されてしまうことから、研削及び研磨の際に、容易に半導体ウェハ１が破断してしまうという問題が発生する。
【００３２】
従って、半導体ウェハ１の破断を回避するために、半導体ウェハ１の外周部に段差加工を行うこととなる。
【００３３】
比較例においては、図９（ｄ）に示すように、研磨、ダイサーによる切断、エッチング等により半導体ウェハ１の外周部に段差加工を行い、段差加工領域３４を形成する。すなわち、比較例における非接合領域３５にあたる領域（図９（ｂ）参照）に、段差加工を行うのである。
【００３４】
この後の工程において、図９（ｅ）に示すように、比較例の半導体ウェハ１と被接合半導体ウェハ２とを直接接合すると、段差加工領域３４を形成することにより、半導体ウェハ１の外周部に非接合領域３５が発生しない。
【００３５】
次に、比較例においては、図９（ｆ）に示されるように、半導体ウェハ１の裏面１ｃを研削及び研磨を行うこととなるが、半導体ウェハ１の外周部に非接合領域３５が発生しないことから、半導体ウェハ１の外周部での破断を防止することができる。
【００３６】
なお、比較例においては、この段差加工領域３４は、配線層厚暫減領域３２よりもさらに半導体ウェハ１の内側（半導体ウェハの中心部側）まで行う必要があり、実際に必要な段差加工領域３４の幅は、例えば数ミリ程度のものとなる。さらに、この段差加工領域３４には製品として有効な半導体素子を形成することができない。
【００３７】
本実施形態においても、半導体ウェハ１の外周部での破断を防止するために、半導体ウェハ１の外周部に段差加工を行う。しかしながら、本実施形態においては、絶縁膜１２を設けたことにより、エッジカット領域３１の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域３１の一部に位置する絶縁膜１２の上面１２ａと、配線層厚暫減領域３２及び配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２の上面１２ａもしくは配線層１１の上面１１ａとは、連続した１つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一となるため、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、段差加工の加工幅は比較例と比べて小さくすることができる（図９（ｄ）参照）。
【００３８】
本実施形態によれば、配線層１１を有する半導体ウェハ１において、エッジカット領域３１と配線層厚暫減領域３２とに位置する配線層１１が薄くなっていても、その厚さを補うように絶縁膜１２を形成することから、エッジカット領域３１の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域３１の一部に位置する絶縁膜１２の上面１２ａと、配線層厚暫減領域３２及び配線層一定領域３３に位置する絶縁膜１２の上面１２ａもしくは配線層１１の上面１１ａとは、連続した１つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一とすることができる。従って、半導体ウェハ１を直接接合する際に生じる非接合領域３５を無くし、必要とする段差加工領域３４の幅を小さくすることができる。その結果、段差加工にかかるコストを減らすことができる。さらに、本実施形態においては、配線層厚暫減領域３２も半導体素子の形成領域として使用することが可能であるため、製品として有効な半導体チップの取り数を増やすことができる。
【００３９】
また、本実施形態においては、接合する半導体ウェハ１は２枚に限るものではなく、複数の半導体ウェハ１を接合しても良い。従来は、複数の半導体ウェハ１を積層させる場合には、半導体ウェハ１の外周部での破断を防止するために、上に積層される半導体ウェハ１ほど、より大きな幅で段差加工領域３４を形成する必要があったが、本実施形態においては、このような必要はなく、従って、製品として有効な半導体チップの取り数を減らすことを避けることができる。
【００４０】
なお、本実施形態においては、半導体ウェハ１を被接合ウェハ２に接合しているが、半導体ウェハ１が接合されるウェハは特に限定されるものではなく、図８のように、本実施形態を用いて同じように加工された半導体ウェハ１どうしを接合しても良い。
【００４１】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４２】
１    半導体ウェハ
２    被接合半導体ウェハ
１１  配線層
１２  絶縁膜
３１  エッジカット領域
３２  配線層厚暫減領域（第５の領域）
３３  配線層厚一定領域（第４の領域）
３４  段差加工領域
３５  非接合領域
４０  ノッチ
４１  ノッチの先端
５０  半導体ウェハの中央部
５１  半導体ウェハの外周部
６０  第１の領域
６１  第２の領域
【図１】
0005548173.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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