(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗センサであって、
浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックと、
前記磁気反応性スタックと前記下部電極との間の、前記浮上面から所定距離離れた領域に位置する第１の多層絶縁構造とを備え、
前記第１の多層絶縁構造は、第１の電気絶縁層および第１の非磁性導電層を含み、
前記第１の非磁性導電層は、その一方の主面が前記磁気反応性スタックと接触し、
前記第１の電気絶縁層は、
前記第１の非磁性導電層の他方の主面と前記下部電極との間に介在する部分と、
前記第１の非磁性導電層の側端を覆うとともに前記磁気反応性スタックと接触する第１の絶縁側壁とを有する、磁気抵抗センサ。
【請求項２】
前記上部電極と前記磁気反応性スタックとの間の、前記浮上面から所定距離離れた領域に位置する第２の電気絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項３】
前記第２の電気絶縁層は、前記第２の電気絶縁層と第２の非磁性導電層とを含む第２の多層絶縁構造の一部であり、
前記第２の非磁性導電層は、その一方の主面が前記磁気反応性スタックと接触し、
前記第２の電気絶縁層は、
前記第２の非磁性導電層の他方の主面と前記上部電極との間に介在する部分と、
前記第２の非磁性導電層の側端を覆うとともに前記磁気反応性スタックと接触する第２の絶縁側壁とを有する、請求項２に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項４】
前記下部電極および第１の上部非磁性導電層は、同様の化学機械研磨速度を有する、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項５】
前記第１の非磁性導電層は、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｒ、およびＮｉＣｒのうち１つを含む、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項６】
浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に配置された３層スタックを備え、前記３層スタックは、非磁性層によって隔てられた第１の自由層および第２の自由層を含み、さらに、
前記浮上面（ＡＢＳ）の遠位において前記３層スタックの後端に隣接するバックバイアス磁石と、
前記３層スタックおよび前記下部電極のそれぞれの、前記浮上面から所定距離離れた領域に接触する第１の多層絶縁積層と、を備える装置であって、
前記第１の多層絶縁積層は、第１の電気絶縁層および第１の非磁性導電層を含み、
前記第１の非磁性導電層は、その一方の主面が前記３層スタックと接触し、前記第１の電気絶縁層は、前記第１の非磁性導電層の他方の主面と前記下部電極との間に介在する部分と、前記第１の非磁性導電層の側端を覆うとともに前記３層スタックと接触する第１の絶縁側壁とを有する、装置。
【請求項７】
前記下部電極および前記第１の非磁性導電層は、同様の化学機械研磨速度を有する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記上部電極および前記３層スタックのそれぞれの、前記浮上面から所定距離離れた領域に接触する第２の電気絶縁層をさらに備える、請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
前記第２の電気絶縁層は、第２の非磁性導電層を有する第２の多層絶縁積層の一部であり、
前記第２の非磁性導電層は、その一方の主面が前記３層スタックと接触し、
前記第２の電気絶縁層は、
前記第２の非磁性導電層の他方の主面と前記上部電極との間に介在する部分と、
前記第２の非磁性導電層の側端を覆うとともに前記３層スタックと接触する第２の絶縁側壁とを有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記３層スタックの前記第１および第２の自由層のそれぞれの磁化の配向は、互いに垂直であり、浮上面に対して４５度である、請求項６〜９のいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上部電極と下部電極との間に磁気反応性スタックが配置された磁気抵抗センサ、および、浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に３層スタックが配置された装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、本発明に関連する背景技術として、本願よりも先に、本願と同一出願人により出願された特願２０１１−５９１８０号（特開２０１１−１９８４５６号公報）に開示の発明（以下「先願発明」という）について説明する。
【０００３】
シールドとシールドとの間隔の減少は、２つの自由層を有する３層読取機の使用によって実現することができる。３層構造では、磁化がハサミ状の配向である２つの自由層を用いて媒体の磁束を検出する。合成反強磁性（ＳＡＦ）および反強磁性（ＡＦＭ）層は不要であり、自由層のバイアスは、自由層双方の端部が浮上面（air bearing surface）に
あるときの、後端の永久磁石と減磁界との組合せから生じる。ＰＭは、ＡＢＳ面よりも奥にあるので、ＰＭ材料特性およびバイアス磁界を犠牲にすることなくシールドとシールドの間隔をより小さくする機能は妨げられない。ストライプ高さおよび後端の磁気バイアスが小さい３層読取機は、高い読出信号を有するが、磁気的には不安定でプロセス変動の影響を非常に受けやすい。
【０００４】
図１は、磁気読取／書込ヘッド１０の浮上面（ＡＢＳ）に垂直な面に沿う、磁気読取／書込ヘッド１０および磁気ディスク１２の概略断面図である。磁気読取／書込ヘッド１０の浮上面ＡＢＳは、磁気ディスク１２のディスク面１６に対向する。磁気ディスク１２は、磁気読取／書込ヘッド１０に対して、矢印Ａで示す方向に移動または回転する。好ましくは、浮上面ＡＢＳとディスク面１６との間隔は、磁気読取／書込ヘッド１０と磁気ディスク１２との接触を回避しつつ最小にされる。
【０００５】
磁気読取／書込ヘッド１０の書込部分は、上部極１８と、絶縁体２０と、導電コイル２２と、下部極／上部シールド２４とを含む。導電コイル２２は、上部極１８と上部シールド２４との間の適所に絶縁体２０を利用して保持される。導電コイル２２は、図１では２層のコイルとして示されているが、磁気読取／書込ヘッド設計の分野では周知のように、任意の数の層のコイルで形成してもよい。
【０００６】
磁気読取／書込ヘッド１０の読取部分は、下部極／上部シールド２４と、下部シールド２８と、磁気抵抗（ＭＲ）スタック３０とを含む。ＭＲスタック３０は、下部極２４および下部シールド２８それぞれの終端の間に位置する。下部極／上部シールド２４は、シールドとしての機能と、上部極１８と共に使用される共有極としての機能双方を有する。
【０００７】
図２は、図１の代表的な磁気読取／書込ヘッド１０の浮上面ＡＢＳの概略図である。図２は、図１の磁気読取／書込ヘッド１０の浮上面ＡＢＳに沿って現れる、磁気読取／書込ヘッド１０の磁気的に重要な要素の場所を示す。図２において、磁気読取／書込ヘッド１０のすべての間隔および絶縁層は、明確にするために省略している。下部シールド２８と下部極／上部シールド２４との間を離すことによってＭＲスタック３０の場所を設けている。検知電流を、下部極／上部シールド２４および下部シールド２８を介してＭＲスタック３０を通して流す。図１および図２において検知電流が下部極／上部シールド２４および下部シールド２８を通して注入されている間、他の構成は、ＭＲスタックを下部極／上部シールド２４および下部シールド２８から電気的に絶縁し、さらなるリードが検知電流をＭＲスタック３０に与える。検知電流がＭＲスタック３０を通して流れると、読取センサは抵抗応答を示し、結果として出力電圧が変化する。検知電流はＭＲスタック３０の面に対して垂直に流れるので、磁気読取／書込ヘッド１０の読取部は、面に垂直に電流を流す（ＣＰＰ（current perpendicular to plane））タイプの装置である。磁気読取／書込ヘッド１０は例示にすぎず、本発明の様々な実施例にしたがい他のＣＰＰ構成を使用してもよい。
【０００８】
図３は、３層ＭＲスタック５１を含む３層ＣＰＰ  ＭＲセンサ５０の一実施例のＡＢＳの図を示す。ＭＲスタック５１は、金属キャップ層５２と、第１の自由層５４と、非磁性層５６と、第２の自由層５８と、金属シード層６０とを含む。３層ＭＲスタック５１は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に配置される。
【０００９】
動作時は、検知電流Ｉｓが３層ＭＲスタック５１の層５２〜６０の面に対して垂直に流れ、第１の自由層５４および第２の自由層５８それぞれの磁化方向の間に形成される角度の余弦に比例する抵抗を受ける。次に、３層ＭＲスタック５１の両端電圧を測定することにより抵抗の変化を求め、結果として得られる信号を用いて磁気媒体から符号化された情報を復元する。なお、３層ＭＲスタック５１構成は例示にすぎず、本発明の様々な実施例にしたがい３層ＭＲスタック５１の他の層構成を使用してもよいことに留意されたい。
【００１０】
３層ＭＲスタック５１における第１の自由層５４および第２の自由層５８それぞれの磁化の配向は、反平行であり、最初に他の磁界または磁力がない状態ではＡＢＳと平行に設定されている。自由層がこのように反平行方向に整列するのは、これら２つの自由層の
間の静磁場相互作用のためであり、読取機の幅（ＲＷ)がストライプ高さ（ＳＨ）よりも
大きい時に生じる。読取機の感度を高めるためには、好ましくは、２つの自由層の整列が互いに直交する整列で各々がＡＢＳに対して約４５度の角度をなす。これは、各自由層をバイアスする、３層ＭＲスタック５１の後方にあるバックバイアス磁石（図３には示されていない）によって実現される。図３の断面Ａ−Ａに沿う代表的なＣＰＰ  ＭＲセンサ５０の概略断面図である図４は、ＡＢＳよりも奥に設けられ下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に位置するバックバイアス磁石６２を示す。ＡＢＳの後方の３層センサスタック５１の長さは、ストライプ高さＳＨであり、以下で示されるように、記載される実施例において重要な変数である。
【００１１】
図３における断面Ｂ−Ｂに沿う、３層ＣＰＰ  ＭＲセンサ５０のＡＢＳに対して垂直な概略断面図が図５に示される。示されている浮上面ＡＢＳを有する３層ＭＲスタック５１Ａは、記録媒体１２の上方に配置されている。示されているバックバイアス磁石６２は、浮上面ＡＢＳよりも奥にある３層ＭＲスタック５１Ａの上方に配置されている。
【００１２】
３層ＭＲスタック５１Ａの層構造は、３層ＭＲスタック５１と同一である。バックバイアス磁石６２の磁化は、矢印６３で示され、浮上面ＡＢＳに向かう下向きの垂直方向である。３層ＭＲスタック５１の第１の自由層ＦＬ１および第２の自由層ＦＬ２の磁化が、それぞれ矢印５３Ａおよび５５Ａによって概略的に示される。先に述べたように、バックバイアス磁石６２がなければ、磁化５３Ａおよび５５Ａは、ＡＢＳに対して平行でかつ互いに反平行となる。バックバイアス磁石６２の存在によって、磁化５３Ａおよび５５Ａは強制的に図示のようなハサミ状の関係にされる。
【００１３】
図５Ａのグラフの曲線５７Ａは、３層ＭＲスタック５１Ａにおける、記録媒体１２からの磁界強度Ｈｍｅｄｉａを示す。図５Ａに示されるように、センサの磁界強度は、ＡＢＳからの距離の関数として指数的に低下する。図５に示されるセンサ形状においては、読取機の幅ＲＷは、３層スタック５１Ａのストライプ高さＳＨＡよりも大きい。自由層ＦＬ１およびＦＬ２の磁化５３Ａおよび５５Ａがハサミ状の関係にあるので、結果として感度が増す。なぜなら、これらの磁化はどちらも媒体の磁束Ｈｍｅｄｉａに対して自由に反応するからである。しかしながら、製造中のプロセス変動によって生じた小さな変化が、センサ出力の許容できないほど大きな変動を引起す、または、製品歩留まりを許容できないレベルまで低下させることになる磁気的に不安定な部品さえ生じさせる可能性がある。
【００１４】
図５に示されるセンサ形状の変形が図６に示される。示されているバックバイアス磁石６２は、浮上面ＡＢＳの遠位において、３層ＭＲスタック５１Ｂの上方に配置される。３層ＭＲスタック５１Ｂの層構造は、３層ＭＲスタック５１と同一である。３層ＭＲスタック５１Ｂと３層ＭＲスタック５１Ａの違いは、３層ＭＲスタック５１Ｂのストライプ高さＳＨＢが、３層ＭＲスタック５１Ｂの読取機幅ＲＷの２倍以上の長さであることである。センサスタック５１Ａおよび５１Ｂ双方の読取機幅ＲＷは同一である。バックバイアス磁石６２の磁化は、矢印６３で示され、浮上面ＡＢＳに向かう下向きの垂直方向である。第１の自由層ＦＬ１および第２の自由層ＦＬ２の磁化は、それぞれ矢印５３Ｂおよび５５Ｂで概略的に示される。
【００１５】
３層ＭＲスタック５１Ａの磁化の配向と異なり、３層ＭＲスタック５１Ｂの後端における各自由層の磁化は、安定しており、矢印６３で示されるバックバイアス磁石６２の磁化に対して平行である。３層ＭＲスタック５１Ｂのストライプ高さが大きいため、矢印５３Ｂおよび５５Ｂによって示されるように、自由層ＦＬ１およびＦＬ２の磁化は自然に緩和されＡＢＳ近くでは分岐した配向となる。これは、ＦＬ１とＦＬ２との間の静磁相互作用のためである。３層センサスタック５１Ｂの安定性および堅牢性は、３層ＭＲスタック５１Ａのものをはるかに上回る。しかしながら、高められた安定性にはコストが伴う。ス
トライプ高さが増した結果、３層ＭＲスタック５１Ｂの長さのほとんどは、磁気抵抗検知信号に寄与しない。むしろ、センサスタックの後端が電気的分路として機能することにより、センサ出力が低下する。
【００１６】
強固な安定性および増大した感度を有する３層読取センサを提供する、問題の解決策を図７〜図１０に示す。
【００１７】
先願発明の一構造例が図７においてＣＰＰ  ＭＲセンサ７０によって示される。ＣＰＰ  ＭＲセンサ７０において、３層ＭＲスタック７１のストライプ高さは、図６に示される読取機の幅ＲＷの少なくとも２倍である。ＣＰＰ  ＭＲセンサ７０は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に位置付けられた３層ＭＲスタック７１からなり、後部ギャップ磁石６２が、図４に示されるＣＰＰ  ＭＲセンサ５０におけるように３層ＭＲスタック５１の後方にある。違いは、ＣＰＰ  ＭＲセンサ７０では絶縁層７２が３層ＭＲスタック７１と下部シールド２８との間に位置している点である。絶縁層７２が下部シールド２８の後端からＡＢＳに近いある距離のところまで延びることにより、下部シールド２８から３層ＭＲスタック７１を通って下部極／上部シールド２４に向かう電流の流れを狭くしている。矢印で示されるように、ＡＢＳ付近の電流の流れを狭くすることによって、３層ＭＲスタック７１の後端における電気的分路が妨げられ、結果としてセンサ出力が増す。
【００１８】
先願発明の別の構造例が図８に示される。ＣＰＰ  ＭＲセンサ８０は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に配置され大きなストライプ高さを有する３層ＭＲスタック７１からなり、後方ギャップ磁石６２が３層ＭＲスタック７１の後ろにある。この場合、絶縁層７３は、下部極／上部シールド２４と３層ＭＲスタック７１との間に配置される。絶縁層７３は、下部極／上部シールド２８の後端から、ＡＢＳに近いある距離のところまで延びることにより、矢印で示される、上部シールド２４から３層ＭＲスタック７１を通って下部シールド２８に向かう電流の流れを狭くしている。ＡＢＳ付近の電流の流れを狭くすることによって、３層ＭＲスタック７１の後端における電気的分路が妨げられ、結果としてセンサ出力が増す。
【００１９】
先願発明のさらに別の構造例が図９に示される。ＣＰＰ  ＭＲセンサ９０は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に配置され大きなストライプ高さを有する３層ＭＲスタック７１からなり、後方ギャップ磁石６２が３層ＭＲスタック７１の後ろにある。この場合、絶縁層７３は、下部極／上部シールド２４と３層ＭＲスタック７１との間に配置され、絶縁層７２は、下部シールド２８と３層ＭＲスタック７１との間に配置される。絶縁層７２および７３は、上部シールド２４および下部シールド２８の後端から、ＡＢＳに近いある距離のところまで延びることにより、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間、または下部シールド２８と下部極／上部シールド２４との間の、３層ＭＲスタック７１を通した電流の流れを狭くしている。ＡＢＳ付近の電流の流れを狭くすることによって、３層ＭＲスタック７１の後端における電気的分路が妨げられ、結果としてセンサ出力が増す。
【００２０】
先願発明のさらに別の構造例が図１０に示される。ＣＰＰ  ＭＲセンサ１００は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に配置され大きなストライプ高さを有する３層ＭＲスタック７１からなり、後方ギャップ磁石６２が３層ＭＲスタック７１の後ろにある。絶縁層７２は下部シールド２８の後端からＡＢＳまで延びている。この場合、ＡＢＳ近くの絶縁層７２の部分は、処理されて絶縁層７２から導電部７４に変換されている。導電部７４は、矢印で示されるように、下部シールド２８から３層ＭＲスタック７１を通って下部極／上部シールド２４に向かう電流の流れを狭くしている。電流が３層ＭＲスタック７１を流れるときにＡＢＳ付近の電流の流れを狭くすることにより、３層ＭＲスタック７１の後端における電気的分路が妨げられ、結果としてセンサ出力が増す。
【００２１】
絶縁層７２は、ＡＢＳが多数の工程によってラッピングされた後に、導電領域７４に変換してもよい。こうした工程のうちいくつかをここで説明する。１つの方策は、同時にスパッタリングされたＦｅとＳｉＯ２を絶縁層として使用することである。結果として得られるＦｅ／ＳｉＯ２層は、非晶質であり電気抵抗がある。ＡＢＳの優先的な熱処理により、ＡＢＳをレーザビームに当てることで約３５０℃〜４００℃という適当な温度にすると、Ｆｅ分離が生じ、ＡＢＳ近くに導電チャネルが形成される。もう１つの方策は、ＴｉＯｘバリア層を絶縁層として使用することである。通常の雰囲気または水素中でＴｉＯｘ絶縁層を含むＡＢＳをラッピングすると、ＴｉＯｘ層に欠陥が形成されこれが導電チャネルを形成することにより、ＡＢＳで電流が流れる。
【００２２】
ＡＢＳで導電チャネルに変換されてＡＢＳでセンサスタック７１を通る電流の流れを狭くする絶縁層を、下部極／上部シールド２４とスタック７１との間および下部シールド２８とスタック７１との間に配置することもできる。なお、上記センサスタックは例示にすぎず、本発明の様々な実施例にしたがい他の構成を使用してもよいことに留意されたい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
下部シールド導電体２８に絶縁層７２を採用すると、製造および装置性能の問題を引起すことが分かった。図７に示されるＣＰＰ  ＭＲセンサ７０の製造における重要なステップは、下部シールド導電体２８および絶縁層７２の上部、つまり表面Ｓを、３層ＭＲスタック７１が堆積される前に平坦化することである。平坦化は、当業者にとってその技術が周知である化学機械研磨（ＣＭＰ）によって行われる。異種材料のＣＭＰ研磨速度が異なることから問題が生じる。これは、シールド２８と絶縁層７２との交点付近の表面における山や谷といった、表面Ｓの不連続性、絶縁材料における皿状変形（dishing）、なら
びに他の問題に繋がる。結果として得られる平坦化後の表面Ｓの予測不能性は、装置性能の不安定さ、処理中のロット間変動、および製造費用の上昇を招く。
【００２４】
下部シールド導電体２８に絶縁層７２を採用すると、製造および装置性能の問題を引起すことが分かった。図７に示されるＣＰＰ  ＭＲセンサ７０の製造における重要なステップは、下部シールド導電体２８および絶縁層７２の上部、つまり表面Ｓを、３層ＭＲスタック７１が堆積される前に平坦化することである。平坦化は、当業者にとってその技術が周知である化学機械研磨（ＣＭＰ）によって行われる。異種材料のＣＭＰ研磨速度が異なることから問題が生じる。これは、シールド２８と絶縁層７２との交点付近の表面における山や谷といった、表面Ｓの不連続性、絶縁材料における皿状変形（dishing）、なら
びに他の問題に繋がる。結果として得られる平坦化後の表面Ｓの予測不能性は、装置性能の不安定さ、処理中のロット間変動、および製造費用の上昇を招く。
【００２５】
上記先願発明の問題点を解消するため、本発明は、表面Ｓの平坦化をより確実にすることにより、装置性能の安定性を向上するとともに、処理中のロット間変動、および製造費用の上昇を抑制する、磁気抵抗センサおよび装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記課題を解決する本発明の磁気抵抗センサは、浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックと、磁気反応性スタックと下部電極との間の、浮上面から所定距離離れた領域に位置する第１の多層絶縁構造とを備える。第１の多層絶縁層構造は、第１の電気絶縁層および第１の非磁性導電層を含み、第１の非磁性導電層は、その一方の主面が磁気反応性スタックと接触する。第１の電気絶縁層は、第１の非磁性導電層の他方の主面と下部電極との間に介在する部分と、第１の非磁性導電層の側端を覆うとともに磁気反応性スタックと接触する第１の絶縁側壁とを有する。
【００２７】
上記課題を解決する本発明の装置は、浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に配置された３層スタックを備え、３層スタックは、非磁性層によって隔てられた第１の自由層および第２の自由層を含み、さらに、ＡＢＳの遠位において３層スタックの後端に隣接するバックバイアス磁石と、３層スタックおよび下部電極のそれぞれの、浮上面から所定距離離れた領域に接触する第１の多層絶縁積層とを備える。第１の多層絶縁積層は、第１の電気絶縁層および第１の非磁性導電層を含み、第１の非磁性導電層は、その一方の主面が３層スタックと接触し、第１の電気絶縁層は、第１の非磁性導電層の他方の主面と下部電極との間に介在する部分と、第１非磁性導電層の側端を覆うとともに３層スタックと接触する第１の絶縁側壁とを有する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
図面の簡単な説明
【図１】本願の先願発明に係る、磁気読取／書込ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）に垂直な面に沿う、磁気読取／書込ヘッドおよび磁気ディスクの概略断面図である。
【図２】本願の先願発明に係る、図１の磁気読取／書込ヘッドのＡＢＳの概略図である。
【図３】一実施例に係る、面に垂直に電流を流す（ＣＰＰ）典型的な３層センサスタックのＡＢＳの概略図を示す。
【図４】本願の先願発明に係る、図３に示される断面Ａ−Ａに沿うセンサスタックの概略断面図である。
【図５】本願の先願発明に係る、図３の断面Ｂ−Ｂに沿う、ストライプ高さが小さい３層センサの概略断面図である。
【図５Ａ】図５の３層センサの磁界強度のグラフである。
【図６】本願の先願発明に係る、図３の断面Ｂ−Ｂに沿う、ストライプ高さが大きい３層センサの概略断面図である。
【図６Ａ】図６の３層センサの磁界強度のグラフである。
【図７】３層センサの４つの異なる構造例のうちの１つの概略断面図である。
【図８】３層センサの４つの異なる構造例のうちの１つの概略断面図である。
【図９】３層センサの４つの異なる構造例のうちの１つの概略断面図である。
【図１０】３層センサの４つの異なる実施例のうちの１つの概略断面図である。
【図１１】発明の一実施例の概略断面図である。
【図１２】発明の別の実施例の概略断面図である。
【図１３】発明の別の実施例の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
上記先願発明の問題点は、図１１〜図１３に示される発明の実施例によって回避された。図１１は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に配置され大きなストライプ高さを有する３層ＭＲスタック７１を備えるＣＰＰ  ＭＲセンサ１１０を示し、後方ギャップ磁石６２が３層ＭＲスタック７１の後ろにある。絶縁層７２は多層絶縁構造７４に置き換えられている。多層絶縁構造７４は、絶縁層７６および非磁性金属導電層７８を備える。非磁性金属導電層７８のＣＭＰ研磨速度が下部シールド７６と同様であることにより、ＣＭＰ中の表面Ｓの平坦化が確実となる。絶縁層７６は絶縁側壁７７を含み、絶縁側壁７７は、下部シールド２８と非磁性導電層７８との間に導電路がないことを確実にする。側壁７７の厚さは３ｎｍ〜５ｎｍである。
【００３０】
図１２に示されるように、多層絶縁構造７４を図９に示される実施例で採用することもできる。図１２は、下部極／上部シールド２４と下部シールド２８との間に配置され大きなストライプ高さを有する３層ＭＲスタック７１を備えるＣＰＰ  ＭＲセンサ１２０を
示し、後方ギャップ磁石６２が３層ＭＲスタック７１の後ろにある。絶縁層７２は多層絶縁構造７４に置き換えられている。多層絶縁構造７４は、絶縁層７６および非磁性金属導電層７８を備える。非磁性金属導電層７８のＣＭＰ研磨速度が下部シールド７６と同様であることにより、ＣＭＰ中の表面Ｓの平坦化が確実となる。絶縁層７６は絶縁側壁７７を含み、絶縁側壁７７は、下部シールド２８と非磁性導電層７８との間に導電路がないことを確実にする。側壁７７の厚さは３ｎｍ〜５ｎｍである。
【００３１】
絶縁層７６および７６′は、特にＡｌ２Ｏ２、ＳｉＯ２およびＳｉＯＮであり得る。非磁性金属導電層７８および７８′は、特にＲｕ、Ｔａ、ＣｒおよびＮｉＣｒであり得る。
【００３２】
本発明について代表的な実施例を参照しながら説明してきたが、本発明の範囲を超えることなくさまざまな変更を行なうことができ均等物をその要素と置き換えてもよいことを、当業者は理解するであろう。加えて、数多くの修正を行ない特定の状況または材料を本発明の本質的な範囲を超えることなく本発明の教示に合わせてもよい。したがって、クレームに記載の技術は開示された特定の実施例に限定されるのではなく、以下の請求項の範囲に含まれるすべての実施例を含むことが意図されている。
【符号の説明】
【００３３】
１２  磁気ディスク、２４  下部極／上部シールド、２８  下部シールド、６２  バックバイアス磁石、７１  ３層ＭＲスタック、７４  多層絶縁構造、７６  絶縁層、７７  絶縁側壁、７８  非磁性金属導電層、１１０  ＣＰＰ  ＭＲセンサ、Ｓ  表面、ＡＢＳ  浮上面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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