(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜を、紫外線を透過する基板上に形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面上の一部に第１の金属膜を形成する第１の金属膜形成工程と、
前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面上及び前記第１の金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面上に第１のフォトレジスト層を形成する第１のフォトレジスト層形成工程と、
前記第１の金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面上の一部に形成された前記第１のフォトレジスト層を露光する第１の露光工程と、
前記第１のフォトレジスト層の露光された部分の前記第１の金属膜に接する面と反対の面上に第２の金属膜を形成する第２の金属膜形成工程と、
前記第１のフォトレジスト層の前記導電膜及び前記第１の金属膜に接する面と反対の面上と、前記第２の金属膜の前記第１のフォトレジスト層に接する面と反対の面上とに第２のフォトレジスト層を形成する第２のフォトレジスト層形成工程と、
前記基板の前記導電膜を形成した面と反対の面から紫外線による露光を行う第２の露光工程と、
前記第１のフォトレジスト層及び前記第２のフォトレジスト層を現像する現像工程と、を備えることを特徴とする電鋳型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気めっき法による電鋳体を作製するために使用する電鋳型の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電鋳法によれば、精密に加工された電鋳型と呼ばれる部材を用いることにより、非常に高い転写性を有する部材を製造することが出来る。特に近年、シリコンプロセスにより感光性材料を用いて電鋳型形状に加工するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ  Ｇａｌｖａｎｏｆｏｍｕｎｇ  Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）法によって電鋳型を製造し、合わせて微小な形状を有する部品や金型を製造することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
ＬＩＧＡ法による電鋳型の製造では、Ｘ線による露光方法と紫外線による露光方法が行われている。
【０００４】
Ｘ線による露光では、使用される波長が、使用するフォトレジストの厚みや線幅に対して、十分短い。そのため、Ｘ線による露光では、厚いフォトレジストに対して非常に高い解像度を有する電鋳型を提供できる。しかし、Ｘ線による露光は、Ｘ線源としてシンクロトロン放射装置など特殊で高額な設備を必要とするため、特殊な用途に限られている。
【０００５】
紫外線による露光法では、通常のフォトリソグラフィーに使用する設備で対応できる。しかし、使用する波長が比較的長いため、紫外線の拡散や干渉等の影響が現れるので解像度において十分でない。フォトレジストとフォトマスクとの間に間隙がある場合、この影響が著しく、特にフォトレジストが厚くなるとフォトレジストの表面に凹凸やウネリが生じやすくなる。そのため、この間隙が大きくなり、解像度に問題を来たす。例えば、厚い部品に対して、旨く解像しないことや、厚さ方向に対して、テーパーがつくという問題が生じている。
【０００６】
また、フォトリソグラフィーによって形成した段差がある電鋳型を用いて、電鋳型の開口部の底部から電鋳を開始し、その後段差部に達すると、段差平面方向と厚み方向とにほぼ等方的に成長して行く。そのため、所望とする厚みに電鋳を形成するには、電鋳体の成長先端が段差部を完全に覆うまで電鋳を行う必要がある。そのため、所望とする厚みに加えて、開口部の底部の長さに相当する分についても電鋳を行う必要があった。
【０００７】
この問題を解決するため、開口部の底面に電極を設けることが考案されている（特許文献２および特許文献３参照）。これにより、段差部まで電鋳が進むと、この電極において電鋳の成長が厚さ方向にも開始する。そのため、電鋳時間を大幅に短縮することが出来るようになった。しかし、このような場合でも、フォトレジストとフォトマスクとの間に間隙がある場合、この影響が著しく、特にフォトレジストが厚くなるとフォトレジストの表面に凹凸やウネリが生じやすくなる。そのため、この間隙が大きくなり、解像度に問題を来たす。
【０００８】
このような中、段差を有し、且つ、厚みの厚い電鋳部品の製造を行うことが望まれているが、上記のごとく、厚さ方向にテーパーがつくという問題が残されており、幅広い応用が困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１５１２６号公報
【特許文献２】特開２００７−４６１４７号公報
【特許文献３】国際公開第２００８／１８２６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、紫外線による露光で作製されるフォトレジストを用いた電鋳型において、段差を有し、微細性に優れると同時に厚み方向に垂直度に優れたものとする電鋳型を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
本発明に係る電鋳型は、基板と、前記基板上に形成された第１の金属膜及びフォトレジスト層と、を備える電鋳型であって、前記基板は、紫外線に対して透過性を有し、前記フォトレジスト層は、前記基板上から前記第１の金属膜上の一部まで形成されるとともに、前記フォトレジスト層の前記基板上に形成された部分の厚さは、前記第１の金属膜と前記フォトレジスト層の前記第１の金属膜上に形成された部分との厚さの合計より厚く形成され、前記フォトレジスト層の前記第１の金属膜上に形成された部分の前記第１の金属膜に接する面と反対の面上に第２の金属膜が形成され、前記基板と前記第１の金属膜及び前記フォトレジスト層との間に、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜が形成されることを特徴とする。
【００１２】
この電鋳型は、フォトリソグラフィーにより作製される段差を有する電鋳型であって、この段差部に電極が設けられており、基板とフォトレジストとの間に設けられた導電性を有し紫外線に対して透過性を有する膜を通して、電鋳型開口部の底部に形成された金属膜へ通電することにより、電鋳体を成長させ、その成長端が段差部に至ると段差部に設けられた電極へ通電が起こり、この電極からも電鋳体が成長するようになっているので、効率よく電鋳体を提供することが出来る。
【００１３】
また、導電膜６を電鋳時の電極として機能させているため、外部と電気的に接続するために別途貫通孔等を形成して、貫通孔内に電極として機能する金属膜等を形成する必要がない。これにより、本発明では、所望の電鋳体のみを形成することができる。
【００１４】
また、本発明に係わる電鋳型の製造方法は、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜を、紫外線を透過する基板上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面上の一部に第１の金属膜を形成する第１の金属膜形成工程と、前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面上及び前記第１の金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面上に第１のフォトレジスト層を形成する第１のフォトレジスト層形成工程と、前記第１の金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面上の一部に形成された前記第１のフォトレジスト層を露光する第１の露光工程と、前記第１のフォトレジスト層の露光された部分の前記第１の金属膜に接する面と反対の面上に第２の金属膜を形成する第２の金属膜形成工程と、前記第１のフォトレジスト層の前記導電膜及び前記第１の金属膜に接する面と反対の面上と、前記第２の金属膜の前記第１のフォトレジスト層に接する面と反対の面上とに第２のフォトレジスト層を形成する第２のフォトレジスト層形成工程と、前記基板の前記導電膜を形成した面と反対の面から紫外線による露光を行う第２の露光工程と、前記第１のフォトレジスト層及び前記第２のフォトレジスト層を現像する現像工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
この電鋳型の製造方法は、フォトレジストを用いるフォトリソグラフィーにより作製される段差を有する電鋳型の製造方法であって、段差部に電極を形成し、紫外線に対して透過性を有する基板と導電性を有し紫外線に対して透過性を有する膜の上に、電鋳型の開口部の底部となる部分に金属膜を形成し、この金属膜をフォトマスクとして裏面より露光し、現像を行う工程を有しているので、段差部に電極を有し、且つ、フォトマスクとフォトレジストとの間に隙間がない状態で露光を行うので、寸法精度および厚み方向におけるテーパーがない等優れた電鋳型を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、段差を有し、微細性に優れると同時に厚み方向に垂直度に優れた電鋳体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る機械式腕時計部品の一つであるアンクルを示す図である。
【図２】本発明に係る電鋳型を示す図である。
【図３】本発明に係る電鋳型の製造方法のうち、紫外線を透過する基板の一表面に導電性を有し紫外線に対して透過性を有する膜を形成する工程と、第一の金属膜を形成する工程を示す図である。
【図４】本発明に係る電鋳型の作製方法のうち、第一のネガ型フォトレジスト層を形成する工程と、第二のパターンを有するフォトマスクにより露光する第一の露光工程とを示す説明図である。
【図５】本発明に係る電鋳型の製造方法のうち、第三のパターンを有する第二の金属膜を形成する工程を示す説明図である。
【図６】本発明に係る電鋳型の製造方法のうち、第二のネガ型フォトレジスト層を形成する工程を示す説明図である。
【図７】本発明に係る電鋳型の作製方法のうち、一表面とは反対の表面から露光する第二の露光工程と、ネガ型フォトレジスト層のうち未露光部を除去する現像工程を示す説明図である。
【図８】本発明に係る電鋳型の製造方法により作製された電鋳型を用いて、電鋳を行う際の電鋳体の成長過程を示す説明図である。
【図９】本発明に係る電鋳型の製造方法により作製された電鋳型を用いて、電鋳体を作製したのち、電鋳型から電鋳体を分離したものを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係る実施形態について、図１から図９を参照して説明する。
図１は、本発明に係る電鋳型により作製される機械式腕時計部品の一つであるアンクルを示す図であり、図１（ａ）は上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＡＡ線の断面方向から見たアンクルを示す図である。
【００１９】
図１に示したようにアンクル１は、電鋳体の端部を構成する電鋳部３と、電鋳部３より厚い厚さに形成された電鋳部２と、電鋳部２に形成された穴４を有している。すなわち、電鋳部３と電鋳部２との間に段差を有する。
【００２０】
このような構造からなるアンクル１を作製する本発明に係る電鋳型を図２から図９を参照にして説明する。
【００２１】
図２は、本発明に係る電鋳型の断面を示す図である。
図２において、電鋳型２３は、紫外線に対して透過性を有する基板５と、基板５上に形成された第１の金属膜９及びフォトレジスト層２２と、を備えている。また、基板５と第１の金属膜６及びフォトレジスト層２２との間には、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜６が形成されている。また、フォトレジスト層２２は、導電膜６上から第１の金属膜９上の一部まで形成されている。また、フォトレジスト２２の第１の金属膜９上に形成された部分の第１の金属膜に接する面と反対の面上には、第２の金属膜１５が形成されている。第２の金属膜１５は、当該面上の一部又は全部に形成されていてもよい。
【００２２】
また、フォトレジスト層２２の導電膜６上に形成された部分の厚さは、第１の金属膜９とフォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分との厚さの合計より厚く形成されている。なお、図２に示すように、フォトレジスト層２２は、第１の金属膜９上の所望する部分に形成されればよく、形成されない部分があってもよい。
【００２３】
すなわち、電鋳型２３は、基板５と、基板５上に形成された第１の金属膜９及びフォトレジスト層２２と、を備える電鋳型２３であって、基板５は、紫外線に対して透過性を有し、フォトレジスト層２２は、基板５上から第１の金属膜９上の一部まで形成されるとともに、フォトレジスト層２２の基板５上に形成された部分の厚さは、第１の金属膜９とフォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分との厚さの合計より厚く形成され、フォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分の第１の金属膜９に接する面と反対の面上に第２の金属膜１５が形成され、基板５と第１の金属膜９及びフォトレジスト層２２との間に、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜が形成される。
【００２４】
図２に示す電鋳型の製造方法を図３から図９を用いて説明する。
図３は、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜６を、紫外線を透過する基板５上に形成する導電膜形成工程と、導電膜６の基板５に接する面と反対の面上の一部に第１の金属膜９を形成する第１の金属膜形成工程とを示す図である。
【００２５】
図３（ａ）は、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜６を、紫外線を透過する基板５上に形成する導電膜形成工程を示す図である。
【００２６】
図３（ａ）において、基板５は、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、無機ガラスなどのガラスなどで形成されている。また、アクリルやポリカーボなどの透明なプラスチックや、石英やサファイアなどの透明なセラミックなどでも形成することができる。
【００２７】
導電膜６は、例えば、酸化インジウムと酸化スズからなるＩＴО膜、酸化インジウムなどの透明導電膜を用いる。導電膜６はスパッタリング法などで形成する。また、導電膜６の厚さは、１００Å〜１０μｍで形成する。１００Å以下の場合、必要な導電率が得られない。また、１０μｍ以上の場合、透過率が低下する問題が起きる。さらに、好ましくは、数百〜数千Åの厚さで形成する。
【００２８】
この工程において、基板５にソーダガラスを用いて、導電膜６としてＩＴＯ膜を１０００Åの厚さで形成した場合、紫外線の透過率は、基板５及び導電膜６を含めた値で６５％であり、表面電気抵抗は１３Ω／□である。なお、紫外線の透過率及び表面電気抵抗は、基板５及び導電膜６の材質、膜厚や、電鋳を行う面積によって調整することができる。
【００２９】
図３（ｂ）は、導電膜６上に薄膜のポジ型フォトレジスト７を形成する工程を示す図である。
図３（ｃ）は、フォトリソグラフィー法により所望とするパターンとなるようにポジ型フォトレジスト７に開口部８を形成する工程を示す図である。図３（ｃ）において、ポジ型フォトレジスト層７を上方におかれた第１のパターンを有するフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、所望とするパターンとなるように開口部８を形成する。
【００３０】
図３（ｄ）は、開口部８に電気めっき法により、第１の金属膜９を形成する工程を示す図である。図３（ｄ）において、例えば、第１の金属膜９は、ニッケル約０．１μｍと金約０．０５μｍの積層からなる。なお、第１の金属膜９としては、電気めっき法により形成できるニッケル、銅、金、銀または、これらの金属の何れかを含む合金などを用いることが出来るだけでなく、蒸着、スパッタリングなど気相めっき法により形成される金属である、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、シリコン、タングステン、モリブデン、またはこれらの金属のいずれかを含む合金などを用いることができる。
【００３１】
図３（ｅ）は、ポジ型フォトレジスト７を除去する工程を示す図である。この工程では、ポジ型フォトレジスト７をエッチングにより除去する。これにより、導電膜６の基板５に接する面と反対の面上の一部に第１の金属膜９を形成することができる。この第１の金属膜９は遮光膜として用いられる。なお、第１の金属膜９を気相めっき法でポジ型フォトレジスト７上にも形成した場合、ポジ型フォトレジスト７を除去することで、ポジ型フォトレジスト７上の第１の金属膜９を除去することができる。
【００３２】
図４は、導電膜６の基板５に接する面と反対の面上及び第１の金属膜９の導電膜６に接する面と反対の面上に第１のフォトレジスト層１０を形成する第１のフォトレジスト層形成工程と、第１の金属膜９の導電膜６に接する面と反対の面上の一部に形成された第１のフォトレジスト層１０を露光する第１の露光工程と、を示す図である。
【００３３】
図４（ａ）は、導電膜６の基板５に接する面と反対の面上及び第１の金属膜９の導電膜６に接する面と反対の面上に第１のフォトレジスト層１０を形成する第１のフォトレジスト層形成工程を示す図である。波長３８０ｎｍ以下で感光性を有するエポキシ系の化学増幅型のネガ型フォトレジストをスピンコートによりコートした後、加熱により溶剤成分を蒸発することにより約７０μｍの厚みを有するネガ型の第１のフォトレジスト層１０を形成する。
【００３４】
図４（ｂ）は、第１の金属膜９の導電膜６に接する面と反対の面上の一部に形成された第１のフォトレジスト層１０を露光する第１の露光工程を示す図である。図４（ｂ）に示すように、第１のフォトレジスト層１０の上方に第２のパターンを有する図示しないフォトマスクを配置し、第１のフォトレジスト層１０の第１の金属膜９上に形成された一部を露光する。さらに、第１のフォトレジスト層１０の硬化度を増幅させるために、部材全体を加熱することにより第１の硬化部１１を形成する。
【００３５】
図５は、第１のフォトレジスト層１０の露光された部分である第１の硬化部１１の第１の金属膜９に接する面と反対の面上に第２の金属膜１５を形成する第２の金属膜形成工程を示す図である。
【００３６】
図５（ａ）は、第１のフォトレジスト層１０上に蒸着膜１２を形成する工程を示す図である。この工程において、図示しない抵抗加熱方式の真空蒸着装置により、蒸着膜１２を形成する。蒸着膜１２は、例えば膜厚５０Åのクロム、膜厚５０Åの銅からなる積層に形成される。
【００３７】
図５（ｂ）は、蒸着膜１２上に、薄膜のポジ型フォトレジスト層１３をスピンコートにより形成する工程を示す図である。
【００３８】
図５（ｃ）は、ポジ型フォトレジスト層１３の一部を露光する工程を示す図である。この工程において、ポジ型フォトレジスト層１３の上方に配置された第３のパターンを有する図示しないフォトマスクを介してポジ型フォトレジスト層１３を露光する。なお、この工程において、蒸着膜１２があるため、第１のフォトレジスト層１０は露光されない。
【００３９】
図５（ｄ）は、ポジ型フォトレジスト層１３を現像して、第３のパターンを有するポジ型フォトレジスト層１４を形成する工程を示す図である。
【００４０】
図５（ｅ）は、第１の硬化部１１上に第２の金属膜１５を形成する工程を示す図である。この工程において、蒸着膜１２のうちポジ型フォトレジスト層１４から露出した部分をエッチングする。さらに、ポジ型フォトレジスト層１４を剥離することにより、第３のパターンを有する第２の金属膜１５を形成する。
【００４１】
図６は、第１のフォトレジスト層１０の導電膜６及び第１の金属膜９に接する面と反対の面上と、第２の金属膜１５の第１のフォトレジスト層１０に接する面と反対の面上とに第２のフォトレジスト層１６を形成する第２のフォトレジスト層形成工程を示す図である。
【００４２】
図６（ａ）は、第１のフォトレジスト層１０上及び第２の金属層１５上に第２のフォトレジスト層を形成する工程を示す図である。この工程において、波長３８０ｎｍ以下で感光性を有するエポキシ系の化学増幅型のネガ型フォトレジストをスピンコートによりコートすることにより、ネガ型の第２のフォトレジスト層１６を形成する。第２のフォトレジスト層１６は、約１１０μｍの厚さを有する。
【００４３】
また、図６（ｂ）に示すように、加熱により溶剤成分を蒸発することにより、第１のフォトレジスト層１０のうち未露光部と第２のフォトレジスト層１６を一体化し、フォトレジスト層１７を形成できる。ここで、フォトレジスト層１７は約１８０μｍの厚さを有する。
【００４４】
図７は、基板５の導電膜６を形成した面と反対の面から紫外線による露光を行う第２の露光工程と、第１のフォトレジスト層１０及び第２のフォトレジスト層１６、すなわちフォトレジスト層１７及び硬化部１１を現像する現像工程を示す図である。
【００４５】
図７（ａ）は、基板５の導電膜６を形成した面と反対の面から紫外線による露光を行う第２の露光工程を示す図である。図７（ａ）に示したように、第１の金属膜９をフォトマスクとして基板に対して垂直に紫外光１８の照射を行うことができる。
【００４６】
図７（ｂ）に示すように、露光部の硬化度を増幅させることにより、導電膜６上に第２の硬化部１９を形成することができる。この工程において、部材全体を加熱することにより第２の硬化層１９、未露光部２０を形成する。
【００４７】
図７（ｃ）は、第１のフォトレジスト層１０及び第２のフォトレジスト層１６を現像する現像工程である。フォトレジスト層１７のうち未露光部を除去する現像工程では、紫外線が照射されず硬化しなかった未露光部２０を現像液により除去する。これにより、基板５が、紫外線に対して透過性を有し、フォトレジスト層２２が、基板５上から第１の金属膜９上の一部まで形成されるとともに、フォトレジスト層２２の基板５上に形成された部分の厚さは、第１の金属膜９とフォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分との厚さの合計より厚く形成され、フォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分の第１の金属膜９に接する面と反対の面上に第２の金属膜１５が形成され、基板５と第１の金属膜９及びフォトレジスト層２２との間に、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜が形成された電鋳型２３を形成することができる。すなわち、第２の金属層１５を有し、電鋳体が成長するべき開口部２１と電鋳体の外形を決めることとなる型部２２とを形成する電鋳型２３を得ることができる。
【００４８】
このようにして作製される電鋳型２３の第２の硬化層１９の表面は、第２のフォトレジスト層１６のコート時に生じる膜厚分布により若干凹凸を有している。この場合において本発明は、通常のフォトマスクを使用した場合に生じるこの凹凸により形成されるフォトマスクとフォトレジストとの間の間隙による露光光の屈折、散乱、回折といった光の直進性を失わせる現象が小さい。そのため、非常に解像度が高いのと同時に開口部２１の垂直性も極めて良くなる。
【００４９】
また、導電膜６を電鋳時の電極として機能させることができる。そのため、外部と電気的に接続するために、電鋳型２３の開口部２１と一体化された貫通孔等を別途形成する必要がない。貫通孔を形成した場合、その部分にも電鋳体が形成されてしまい所望とする電鋳体と一体化してしまうため、この電鋳体を除去しなければならない。一方、本発明では、このような除去工程を行うことなく、所望の電鋳体を形成することができる。
【００５０】
また、第２のフォトレジスト層１６を通過した紫外線光１８は、反射等による戻りが無いため、通常用いられる金属表面を有する基板で生じる反射によるフォトレジスト層への影響が無い。そのため、寸法への影響がないと同時に露光量の計算も容易に行える。
【００５１】
さらに、第２のフォトレジスト層１６の膜厚が、所望とする厚みと比べて厚くなった場合においても、裏面より露光するので、必要な厚みに対する露光量により、電鋳される厚さまでは正確に露光される。そのため、電鋳型としての精度を保つことが出来る。
【００５２】
また、フォトレジスト層２２の第２の部分を、さらに複数の多段構造に形成することができる。すなわち、第２の金属膜１５形成工程の後、第２のフォトレジスト層１６形成工程前に、第１の硬化部１１又は第２の金属膜１５上にネガ型のフォトレジストで形成した新たな硬化部を形成する。この新たな硬化部は、第１の硬化部１１の形成方法と同様である。その後、この新たな硬化部の第１の硬化部１１又は第２の金属膜１５に接する面と反対の面上に金属膜を形成する。また、この場合、新たな硬化部は第１の硬化部１１と一体化しているため、両方の硬化部がフォトレジスト層の第２の部分を形成することになる。１回前の工程で形成した硬化部又は金属膜上に新たな硬化部を形成し、新たな硬化部上に新たな金属膜を形成する工程を繰り返すことにより、さらに複数の多段構造を形成することができる。
【００５３】
この場合においても、基板５と、基板５上に形成された第１の金属膜９及びフォトレジスト層２２と、を備える電鋳型２３であって、基板５は、紫外線に対して透過性を有し、フォトレジスト層２２は、基板５上から第１の金属膜９上の一部まで形成されるとともに、フォトレジスト層２２の基板５上に形成された部分の厚さは、第１の金属膜９とフォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分との厚さの合計より厚く形成され、フォトレジスト層２２の第１の金属膜９上に形成された部分の第１の金属膜９に接する面と反対の面上に第２の金属膜１５が形成され、基板５と第１の金属膜９及びフォトレジスト層２２との間に、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜が形成された電鋳型２３を形成している。
【００５４】
図８は、電鋳型２３を用いてニッケル電鋳を行い、アンクル１などの電鋳体の図示しない電鋳液内での成長過程を示す図である。
図８（ａ）に示すように、導電膜６を通じて、外部より電力が供給され、電鋳液に接している第１の金属膜９よりニッケル電鋳体２４の成長が始まる。
【００５５】
図８（ｂ）に示すように、第２の金属膜１５に到達し、第２の金属膜１５上及び第１の金属層９上から成長する。
図８（ｃ）に示すように、所望とする厚みまで電鋳体２４を成長させ、電鋳は終了する。
【００５６】
形成した電鋳体２４は、必要に応じて、表面を研磨され、電鋳型２３から引き剥がされる。これにより、図９に示した電鋳体２５、すなわち、アンクル１などの電鋳部品を得ることができる。
【００５７】
このようにして作製された電鋳体２５であるアンクル１は、断面方向における垂直度は非常に高い。そのため、外形寸法等を含めた精度も機械加工で作製したものと比べ、格段と優れたものであり、機械式腕時計ムーブ部品として理想的なものである。
【００５８】
以上、本発明による電鋳型およびその製造方法によれば、段差を有し、微細性に優れると同時に厚み方向に垂直度に優れた電鋳部品を製造することが出来る。
【符号の説明】
【００５９】
１                      アンクル
２                      電鋳部
３                      電鋳部
４                      穴
５                      基板
６                      導電膜
７、１３                ポジ型フォトレジスト層
８                      開口部
９                      第１の金属膜
１０                    第１のフォトレジスト層
１１                    第１の硬化部
１２                    蒸着膜
１４                    ポジ型フォトレジスト層
１５                    第２の金属膜
１６                    第２のフォトレジスト層
１７                    フォトレジスト層
１８                    紫外光
１９                    第２の硬化部
２０                    未露光部
２１                    開口部
２２                    型部
２３                    電鋳型
２４、２５              電鋳体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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