(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
ビルドアップ基板と、
前記ビルドアップ基板の表面に配置されたＩＣと、
前記ＩＣの最上面に配置されたテープ回路であって、前記テープ回路は、前記テープ回路上に配置された複数のコンデンサーを有し、前記テープ回路は、前記ＩＣの周辺端の上を延びている、テープ回路と、
前記テープ回路の中央領域に対して配置された熱インタフェイス材料（ＴＩＭ）であって、前記ＴＩＭは、前記テープ回路上に配置された前記複数のコンデンサーによって囲まれている、ＴＩＭと、
突出している内側部分を有する蓋であって、前記蓋は、前記ＴＩＭの上に配置されている、蓋と
を備えている、ＩＣパッケージ。
【請求項２】
前記テープ回路は、前記ビルドアップ基板と電気的に連絡している、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項３】
キャビティが前記テープ回路と前記蓋の間に規定されている、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項４】
前記中央領域を囲んでいる成形コンパウンドをさらに備え、前記成形コンパウンドは、前記蓋を支持する、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項５】
前記ビルドアップ基板の前記表面に固着される支持部材をさらに備え、前記支持部材は、前記ビルドアップ基板の周辺表面を囲み、前記支持部材は、前記蓋を支持する、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項６】
前記蓋は、複数の突出部を有し、
第一の突出部は、前記蓋の中央部から延びており、第二の突出部は、前記蓋の周辺部から延びており、前記第一の突出部は、前記ＴＩＭに隣接しており、前記第二の突出部は、前記ビルドアップ基板に隣接している、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、概して集積回路（ＩＣ）に関し、より具体的には、オンパッケージデカップリング（ＯＰＤ）コンデンサーを有するＩＣパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
デカップリングコンデンサーまたはチップコンデンサーは、一般的に、不必要な信号を除去するか、チップへの電源雑音を低減するために用いられる。ＩＣの通常動作の間、チップの電源使用は変動し得る。例えば、回路状態に変化があるとき、チップは電源から付加的な電流を得ようとすることがある。ＩＣの電力消費量の定常的な変化は、電流変動を引き起こし、チップ内に不必要な雑音を生成する。このように、デカップリングコンデンサーは、通常、電流変動を安定させて、デバイスをより滑らかに動かすために一般的なＩＣパッケージに含まれる。
【０００３】
これらのコンデンサーは、通常、ＩＣパッケージの基板層上に設置される。しかしながら、それらをあまりにダイの近くに設置することはできず、そして、ダイとダイを囲んでいるチップコンデンサーとの間に十分なスペースがなければならない。それゆえに、より大きいダイが使用されるときには、より大きい基板がチップコンデンサーに対応するために必要である。換言すれば、より大きいダイは、ダイと全てのチップコンデンサーをＩＣパッケージ内にはめ込むために、さらにより大きいパッケージング基板を必要とする。パッケージサイズの増大は、パッケージングコストだけでなく、使用されるより大きなパッケージング基板に起因する製造リスクも増加させる。
【０００４】
このように、パッケージング基板のサイズをさらに拡大することなく、ＩＣパッケージ内に設置される必要がある全てのチップコンデンサーを収容できるＩＣパッケージを有することが非常に望ましい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態は、ＯＰＤコンデンサーを有するＩＣパッケージを作成する装置および方法を含む。
【０００６】
本発明は、例えば、プロセス、装置、システムまたはデバイス等の多くの態様で実装され得ることが理解されなければならない。本発明のいくつかの実施形態が以下において説明される。
【０００７】
一実施形態において、ＩＣパッケージが開示される。ＩＣパッケージは、ビルドアップ基板上に配置されているＩＣを含む。基板層は、ＩＣの最上面上に配置される。一部の実施形態において、ＩＣ上に配置されている基板層は、ビルドアップ基板と比較するとより薄い。複数のコンデンサーが、ＩＣの最上面上の基板層上に配置されている。一つ以上のワイヤーが、基板層上のコンデンサーをＩＣの下のビルドアップ基板に接続するために使用される。一部の実施形態において、ワイヤーは銅（Ｃｕ）製のワイヤーである。他の実施形態において、ワイヤーは金（Ａｕ）製のワイヤーである。
【０００８】
別の実施形態において、テープ回路を有するＩＣパッケージが開示される。ＩＣパッケージは、ビルドアップ基板の表面上に配置されているＩＣを含む。テープ回路は、ＩＣの最上面上に配置される。一実施形態において、テープ回路は、ＩＣの端を覆って延び、ビルドアップ基板に接続されている。複数のコンデンサーが、テープ回路上に配置される。
【０００９】
本発明に従うさらに別の実施形態において、ＩＣをパッケージングする方法が開示される。その方法は、パッケージング基板上にＩＣを設置することを含む。複数のチップコンデンサーが、基板層上に設置される。基板層は、次に、ＩＣの最上面上に設置される。一実施形態において、基板層は、ＩＣと複数のチップコンデンサーとの間に設置される挿入物である。基板層上の複数のチップコンデンサーは、一つ以上のワイヤーによってパッケージング基板に接続されている。
【００１０】
発明の別の側面が、添付図面とともに受け取られ、実施例によって発明の原理を例示する以下の詳細な説明から明らかになる。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
ビルドアップ基板と、
該ビルドアップ基板上に配置された集積回路と、
該集積回路の最上面を覆って配置された基板層と、
該基板層上に配置された複数のコンデンサーと
を備え、
該コンデンサーは、該ビルドアップ基板に接続されている、ＩＣパッケージ。
（項目２）
前記ＩＣ、基板層、および複数のコンデンサーを囲む成形コンパウンドと、
該基板層の最上面の一部の上に配置される熱インタフェイス材料（ＴＩＭ）層であって、該最上面は該成形コンパウンドに露出されていない、ＴＩＭ層と、
より厚い内側部分を有する蓋であって、該内側部分は、該ＴＩＭ層を覆って配置され、該蓋の外側部分は該成形コンパウンドによって支持される、蓋と
をさらに備えている、項目１に記載のＩＣパッケージ。
（項目３）
前記基板層は、前記ＩＣの前記最上面の全領域を覆っている、項目１に記載のＩＣパッケージ。
（項目４）
前記基板層は、前記ＩＣの前記最上面の周辺部分を覆っている、項目１に記載のＩＣパッケージ。
（項目５）
前記ビルドアップ基板は、前記基板層よりも厚い、項目１に記載のＩＣパッケージ。
（項目６）
前記基板層は、テープ回路を含む、項目１に記載のＩＣパッケージ。
（項目７）
集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
ビルドアップ基板と、
該ビルドアップ基板の表面上に配置された集積回路と、
該ＩＣの最上面上に配置されたテープ回路と、
を備え、
該テープ回路は、該テープ回路上に複数のコンデンサーが配置されている、ＩＣパッケージ。
（項目８）
前記テープ回路が前記ＩＣの周辺端を覆って延びており、該テープ回路は前記ビルドアップ基板と電気的に連絡している、項目７に記載のＩＣパッケージ。
（項目９）
前記テープ回路の中央領域に対して配置された熱インタフェイス材料（ＴＩＭ）であって、該ＴＩＭは該テープ回路の上に配置された前記複数のコンデンサーによって囲まれている、ＴＩＭと、
突出している内側部分を有する蓋であって、該蓋は、該ＴＩＭを覆って配置されている、蓋と
をさらに備えている、項目７に記載のＩＣパッケージ。
（項目１０）
キャビティが前記テープ回路と前記蓋の間に規定されている、項目９に記載のＩＣパッケージ。
（項目１１）
前記中央領域を囲んでいる成形コンパウンドをさらに備え、該成形コンパウンドは、前記蓋を支持する、項目９に記載のＩＣパッケージ。
（項目１２）
前記ビルドアップ基板の前記表面に固着される支持部材をさらに備え、該支持部材は、該ビルドアップ基板の周辺表面を囲み、該支持部材は、前記蓋を支持する、項目９に記載のＩＣパッケージ。
（項目１３）
前記テープ回路の中央領域に対して配置されるＴＩＭと、
複数の突出部を有する蓋と
をさらに備え、
第一の突出部は該蓋の中央部から延びており、第二の突出部は該蓋の周辺部から延びており、該第一の突出部は該ＴＩＭに隣接し、該第二の突出部は前記ビルドアップ基板に隣接している、項目７に記載のＩＣパッケージ。
（項目１４）
集積回路（ＩＣ）をパッケージングする方法であって、
集積回路をパッケージング基板上に設置することと、
基板層上に複数のチップコンデンサーを配置することと、
該複数のチップコンデンサーを有する該基板層を該ＩＣの最上面上に設置することと、
該基板層上の該複数のチップコンデンサーを該パッケージング基板に接続することと
を含む、方法。
（項目１５）
前記接続することは、前記基板層と前記パッケージング基板との間にワイヤーを連結することによって行われる、項目１４に記載の方法。
（項目１６）
前記接続することは、前記ＩＣを覆って前記パッケージング基板まで延びている可撓性回路の一体層上に前記複数のチップコンデンサーを設置することによって行われる、項目１４に記載の方法。
（項目１７）
第一の熱インタフェイス材料（ＴＩＭ）を前記ＩＣの前記最上面上に設置することであって、該第一のＴＩＭは、該ＩＣと前記基板層との間に設置される、ことと、
第二のＴＩＭを該基板層の中央領域に対して設置することと、
該第二のＴＩＭを覆って蓋を設置することと
をさらに含む、項目１４に記載の方法。
（項目１８）
前記第二のＴＩＭは、前記基板層上の前記複数のチップコンデンサーによって囲まれている、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
前記基板層は、前記ＩＣの前記最上面の周辺部のみを被覆している、項目１４に記載の方法。
（項目２０）
前記基板層は、前記ＩＣの前記最上面の全領域を被覆している、項目１４に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
発明は、以下の添付図面とともに受け取られる次の説明を参照することによって最もよく理解され得る。
【図１】図１は、例示的であって限定するものではなく、チップコンデンサーを有する集積回路パッケージ１００を示している。
【図２】図２は、例示的であって限定するものではなく、本発明に従う実施形態としてのＩＣパッケージ２００を示している。
【図２Ａ】図２Ａは、例示的であって限定的ではなく、本発明に従う実施形態として、熱放散を改善するために形成される蓋１２０を有するＩＣパッケージ２５０を示している。
【図３】図３は、例示的であって限定するものではなく、本発明の一実施形態に従うＩＣパッケージ３００の断面図である。
【図４】図４は、例示的であって限定するものではなく、本発明に従う実施形態としてのテープ回路４０４を有するＩＣパッケージ４００を示す。
【図５】図５は、例示的であって限定的ではなく、本発明のさらに別の実施形態として、二部分蓋を有するＩＣパッケージ５００を示している。
【図６】図６は、例示的であって限定的ではなく、発明に従う一実施形態としての単一部分蓋１２０を有するＩＣパッケージ６００を示している。
【図７】図７は、発明の一実施形態に従うＩＣパッケージの大きさを増加させることなく、チップコンデンサーをＩＣパッケージにはめ込むために、集積回路をパッケージングするフロー７００を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の実施形態は、ＯＰＤコンデンサーを有するＩＣパッケージを作成する装置および方法を説明する。
【００１３】
しかしながら、本発明が、これらの特定の詳細の一部または全てを用いずに実施され得ることは、当業者にとって明らかである。他の例においては、周知の動作は、本発明を必要以上に不明瞭にしないために詳述されなかった。
【００１４】
本明細書において説明される実施形態は、コンデンサーの設置に対応するためにパッケージング基板の大きさを拡大することなく、ＯＰＤコンデンサーを有するＩＣパッケージを作成するための技術を提供する。実施形態は、ダイを囲んでいるビルドアップ基板、すなわちパッケージング基板上にコンデンサーを設置する代わりに、ダイの最上部上の挿入層上にチップコンデンサーを設置することによって、より小さいパッケージング基板が使用されることを可能にする。挿入層は、ダイとチップコンデンサーとの間に設置される中間基板層である。それゆえに、一般的なパッケージング基板と比較してより薄い層が、底部にあるダイと最上部に置かれたチップコンデンサーとの間に挟まれているにもかかわらず、挿入層は基板層であり得る。このように、必要なチップコンデンサーは、それでも、パッケージング基板、すなわち、ビルドアップ基板および全体的なＩＣパッケージの大きさを増加させることなしにＩＣパッケージの中に設置されることができる。そのため、使用されるパッケージの大きさは、使用されるダイの大きさに基づくが、パッケージ内に設置されるチップコンデンサーの数には基づかない。
【００１５】
図１は、例示的であって限定するものではなく、チップコンデンサー１３０を有する集積回路パッケージ１００を示している。はんだ隆起１０６を有するＩＣ１０２が、ビルドアップ基板１０８の１つの面または、外縁に配置される。ＩＣ１０２は、ビルドアップ基板１０８にＩＣ１０２を接続する複数の接触パッド１０６を有する。ビルドアップ基板１０８とＩＣ１０２との間のキャビティは、欠肉１０４で満たされる。複数の接触リード１１０が、ビルドアップ基板１０８の反対側に配置される。接触パッド１０６に取り付けられた接触リードまたははんだボール１１０によって、ＩＣ１０２からの信号がＩＣパッケージ１００の外部に送られる。複数のコンデンサー１３０は、概してＩＣ１０２によって生成されるノイズを低減するために用いられ、ＩＣ１０２付近のビルドアップ基板１０８上に設置される。熱インタフェイス材料（ＴＩＭ）１２２が、ＩＣ１０２を覆って配置され、蓋１２０がＴＩＭ１２２の最上部上に設置される。蓋１２０は、ＩＣ１０２からの熱をＩＣパッケージ１００の外に効果的に移動させるために、通常、高伝導性の材料からできている。ＴＩＭ１２２は、蓋１２０とＩＣ１０２との間の隙間を埋めるために使用されることにより、熱の移動効率を増加させる。蓋１２０の側面は支持部材１２３によって支えられる。一般的な実施形態においては、支持部材１２３は金属スチフナーである。接着剤１２４が、支持部材１２３を蓋１２０およびビルドアップ基板１０８に接続するために使用される。
【００１６】
図２は、例示的であって限定するものではなく、本発明に従う実施形態としてのＩＣパッケージ２００を示している。基板層２２５は、ＩＣ１０２の最上面上のＴＩＭ１２２の最上部に設置される。一実施形態において、基板層２２５は、２つの金属層を含み、ビルドアップ基板１０８よりも薄い。複数のチップコンデンサー１３０が、基板層２２５の最上部に設置される。例示的な実施形態において、基板層２２５は、ＩＣ１０２と複数のチップコンデンサー１３０との間に設置される挿入層である。基板層２２５は、ＴＩＭ１２２の層を介してＩＣ１０２に取り付けられる。ＩＣ１０２の最上部上の複数のコンデンサー１３０が、ワイヤー２１０によってビルドアップ基板１０８に接続される。基板層２２５が複数層の基板であることが理解されなければならず、この場合、層はワイヤー２１０を介してビルドアップ基板１０８にチップコンデンサー１３０を電気的に接続する絶縁層によって分離された地面または電源プレーンであり得る。一実施形態において、ワイヤー２１０は銅（Ｃｕ）製ワイヤーである。別の実施形態において、ワイヤー２１０は金（Ａｕ）製ワイヤーである。さらに別の実施形態において、ワイヤー２１０は、ビルドアップ基板１０８に接着され、電気的に結合されることができるアルミニウム（Ａｌ）または他の伝導性の金属でできている。一実施形態において、ワイヤー２１０が、基板層２２５の端およびダイ１０２の端に可能な限り近接して設置されることにより、ワイヤー２１０の長さを短縮してインダクタンスを低減する。ＴＩＭ１２２は、基板層２２５を覆って設置される。ＴＩＭ１２２は、ＴＩＭ１２２の中央部がＴＩＭ１２２の側面よりも厚いように、形成される。ＴＩＭ１２２のより厚い中央部は、基板層２２５と接触する。ＩＣ１０２を囲む領域およびＩＣパッケージ２００内のコンデンサー１３０は、成形コンパウンド１１５によって充填される。したがって、一部の実施形態において、ＴＩＭ１２２の側面は成形コンパウンド１１５によって支持される。他の実施形態において、ＴＩＭ１２２は延長された側面を有することなくＴＩＭ１２２の中央部だけに位置する。これらの実施形態のうちの一部において、接着剤が、蓋１２０を成形コンパウンド１１５に取り付けるために使用される。蓋１２０は、ＩＣパッケージ２００を覆って、ＴＩＭ１２２の最上部に設置される。一実施形態において、蓋１２０は、銅のような高伝導性の金属でできている放熱器である。
【００１７】
図２Ａは、例示的であって限定するものではなく、本発明の実施形態として熱損失を改善するために形成される蓋１２０を有するＩＣパッケージ２５０を示す。複数のコンデンサー１３０が、ＴＩＭ１２２の層を介してＩＣ１０２の最上面上に取り付けられる基板層２２５上に設置される。ＴＩＭ１２２の別の層が、基板層２２５の最上部上に設置される。ＴＩＭ１２２がより厚い中央部を有する必要性を排除するように、ＴＩＭ１２２の最上部に設置される蓋１２０が形成される。その代わりに、蓋１２０は、蓋１２０の側面より厚い突出した中央部を有する。一実施形態において、突出した中央部は、内側部分と呼ばれ、蓋１２０の側面は外側部分と呼ばれ得る。別の実施形態において、ＩＣ１０２の最上部においてＴＩＭ１２２のより薄い層を使用すると、ＩＣパッケージ２５０の熱放散はより効率的である。
【００１８】
図３は、例示的であって限定するものではなく、本発明の一実施形態に従うＩＣパッケージ３００の断面図である。インターポーザ、すなわち、基板層２２５はＴＩＭ１２２を介してＩＣ１０２の最上面上に取り付けられる。しかしながら、図２Ａおよび２に示されるＩＣパッケージ２００および２５０と異なり、ＩＣパッケージ３００内の基板層２２５は、それぞれＩＣ１０２の最上面の全ての領域を被覆しない。ＩＣパッケージ３００内の基板層２２５は、図３に図示されるように、ＩＣ１０２の最上面の周辺部だけを被覆する。複数のコンデンサー１３０が、ＩＣ１０２の最上面の周辺部付近の基板層２２５の最上部に配置されている。ＴＩＭ１２２がＩＣ１０２を覆って設置され、ＴＩＭ１２２の突出している中央部は、ＩＣ１０２の最上面の中央と直接接触している。蓋、すなわち放熱器１２０が、ＩＣパッケージ３００を覆って設置される。蓋、すなわち放熱器１２０の突起部は、ＴＩＭ１２２を介してＩＣ１０２に接続される。一実施形態において、ＩＣ１０２からの熱は、挿入層、すなわち基板層２２５を通り抜けることなくＴＩＭ１２２を通って放熱器１２０に直接伝播することができるので、ＩＣ１０２と放熱器１２０との間の直接の接触は、ＩＣパッケージ３００の熱放散を改善する。
【００１９】
図４は、例示的であって限定するものではなく、本発明に従う実施形態としてのテープ回路４０４を有するＩＣパッケージ４００を示す。テープ回路４０４は、複数のチップコンデンサー１３０とＩＣ１０２との間の挿入層としてＩＣ１０２の上に配置される。ＴＩＭ１２２の層が、テープ回路４０４をＩＣ１０２の最上面上に取り付ける。一実施形態において、テープ回路４０４は二金属層の可撓性の基板であって、その一つの層が電源に接続され、もう一つの層は地面に接続されている。チップコンデンサー１３０は、ＩＣ１０２を覆って延びているテープ回路４０４によってビルドアップ基板１０８に接続されることにより、ビルドアップ基板１０８に接続する。例示的な実施形態において、テープ回路４０４は、はんだ接合４０８を介してビルドアップ基板１０８に接続される。テープ回路４０４がチップコンデンサー１３０からビルドアップ基板１０８まで電気信号を送達する配線パターンを含むことが理解されなければならない。また、配線パターンを外部の汚染物質から保護するために、テープ回路４０４が、テープ回路４０４の上の配線パターンを被覆する保護膜を含み得ることが理解されなければならない。一実施形態において、テープ回路４０４は、図２、２Ａおよび３にそれぞれ示されているＩＣパッケージ２００、２５０および３００の中の基板層２２５と置き換わる。別の実施形態において、図２〜３に示されるようなワイヤー２１０の代わりにテープ回路４０４を使用することによって、ＩＣパッケージ４００のインダクタンスを低下させる。ＴＩＭ１２２が、ＩＣパッケージ４００を覆って設置される蓋１２０によって、テープ回路４０４の最上部に設置される。テープ回路４０４は、ＩＣを覆って延びている可撓性回路の一体層と呼ばれ得る。
【００２０】
図５は、例示的であって限定するものではなく、本発明のさらに別の実施形態として、二部分蓋を有するＩＣパッケージ５００を示す。支持部材５１５によって支持される蓋１２０が、ＩＣパッケージ５００を覆って設置される。ＩＣパッケージ５００において使用される二部分蓋は、このように、支持部材５１５に取り付けられる蓋１２０によって形成される。蓋１２０は、テープ回路４０４およびＩＣ１０２の最上部上のＴＩＭ１２２に接触する中央突出部を有する。蓋１２０の中央突出部は、ＴＩＭ１２２およびテープ回路４０４を介してＩＣ１０２と直接接触している。たとえテープ回路４０４がＩＣパッケージ５００において使われるとしても、当業者であれば、図２、２Ａおよび３に図示されるような基板層２２５が、テープ回路４０４の代わりに挿入層として使用され得ることを理解するであろう。複数のチップコンデンサー１３０が、ＩＣパッケージ５００内においてテープ回路４０４の上に設置される。ＩＣパッケージ１００、２００、２５０、３００および４００内の成形コンパウンド１１５が取り除かれ、ＩＣパッケージ５００内において空隙５１０がＩＣ１０２を囲んでいる状態のままにしておく。一実施形態において、空隙５１０はキャビティと呼ばれ得る。別の実施形態では、ＩＣパッケージ５００は、成形コンパウンド１１５で注入されない。このように、蓋１２０の側面は、成形コンパウンド１１５の代わりに支持部材５１５によって支持される。例示的な実施形態において、支持部材５１５はＣｕ製のスチフナであって、接着剤５０５によって蓋１２０とビルドアップ基板１０８とに連結される。一実施形態において、接着剤５０５は熱硬化性接着剤である。例示的な実施形態において、接着剤５０５はエポキシ接着剤である。
【００２１】
図６は、例示的であって限定するものではなく、本発明に従う一実施形態としての単一部分蓋１２０を有するＩＣパッケージ６００を示す。図６に示される蓋１２０は、複数の突出部を有する。第一の突出部６１０が、蓋１２０の中央から延び、ＩＣ１０２の最上部に設置されたＴＩＭ１２２と接触する。第二の突出部６２０が、蓋１２０の周辺部から延び、接着剤５０５によってビルドアップ基板１０８に連結される。一実施形態において、第二の突出部６２０は、ＩＣパッケージ６００を覆って設置された蓋１２０を支持する支持部材として機能する。ＩＣパッケージ６００は成形コンパウンドで充填されず、そのため、空隙５１０がＩＣパッケージ６００内のＩＣ１０２およびコンデンサー１３０の周りに形成される。たとえＩＣパッケージ６００内のコンデンサー１３０がテープ回路４０４の上に設置されていても、これは例示的であって限定的であることを意味しない。当業者であれば、テープ回路４０４が他の任意の適切なインターポーザ、例えば、ＩＣパッケージ２００、２５０および３００において使用される基板層２２５によって置換され得ることを理解するであろう。
【００２２】
図７は、発明の一実施形態に従って、ＩＣパッケージの大きさを増加させることなく、チップコンデンサーをＩＣパッケージにはめ込むために、集積回路をパッケージングするフロー７００を示す。ＩＣが、動作７１０において、パッケージング基板上に設置される。複数のチップコンデンサーが、動作７２０において、基板層の表面上に配置される。基板層が、動作７２０において、その後、ＩＣの最上面上に設置される。例示的な実施形態において、ＩＣの下のパッケージング基板は、６〜８層の金属層を備え、ＩＣの最上部に設置された基板層よりも実質的に厚い。一部の実施形態において、図２、２Ａおよび３に図示されるように、ＩＣの最上部に設置される基板層は基板層２２５に類似している。他の実施態様において、基板層は図４、５および６に示されるように、テープ回路４０４に類似している。基板層の最上部上の複数のチップコンデンサーは、動作７４０において、パッケージング基板に接続される。一部の実施形態において、ワイヤーが、ＩＣの最上部の上のチップコンデンサーをパッケージング基板に接続するために使用される。他の実施態様において、ＩＣの端を覆って曲がり込む可撓性の基板は、チップコンデンサーをパッケージング基板に接続するために使用される。当業者であれば、ＩＣパッケージプロセスにおける他の周知のステップ、例えば、基板調製、ワイヤーボンディング、モールディングおよびキュアリング等は、本発明を不明瞭にしないために除外されてきたことを承知しているであろう。
【００２３】
当業者であれば、ボールグリッドアレイを有するフリップチップパッケージが、図１〜６の例示的な図に示されていることを理解するであろう。しかしながら、本明細書に記載の技術は、例えば、熱スプレッダボールグリッドアレイ（ＨＳＢＧＡ）、ロープロファイルボールグリッドアレイ（ＬＢＧＡ）、薄型精密ピッチボールグリッドアレイ（ＴＦＢＧＡ）、フリップチップチップスケールパッケージ（ＦＣＣＳＰ）等の他のパッケージング構成に適用され得るので、前記内容は限定を意味するものではない。
【００２４】
実施形態は、これまでＩＣに関して説明されてきた。本明細書において説明される方法および装置は、任意の好適な回路に組み込まれ得る。例えば、方法および装置は、マイクロプロセッサーまたはプログラム可能な論理デバイスのような多種類の装置のデバイスに組み込まれ得る。例示的なプログラム可能論理デバイスは、少し例を挙げるとすれば、プログラム可能アレイ論理（ＰＡＬ）、プログラム可能論理アレイ（ＰＬＡ）、フィールドプログラム可能論理アレイ（ＦＰＬＡ）、電気的にプログラム可能な論理デバイス（ＥＰＬＤ）、電気的に消去可能なプログラム可能論理デバイス（ＥＥＰＬＤ）、論理セルアレイ（ＬＣＡ）、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、特定用途向けの規格製品（ＡＳＳＰ）、特定用途向けのＩＣ（ＡＳＩＣ）を含む。
【００２５】
方法動作が特定の順序で記述されたが、他の動作が記述された動作の間で実行され得ること、記述された動作が調節されることにより、それらがわずかに異なる時間に発生すること、記述された動作がシステム内に分散され、システムが、重複した動作のプロセスが所望の態様で実行されている限りプロセスに関連した様々な間隔でプロセス動作の発生を許容し得ることが理解されるべきである。
【００２６】
上記の発明は、明瞭な理解を得るために幾分詳細に述べられてきたが、特定の変更および修正が、添付のクレームの範囲内で行われることが可能であることは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的であって限定的でないと見なされるべきであり、回路本発明が本明細書において付与される詳細に制限されるべきではなく、添付のクレームの範囲および同等物内において修正され得る。
【図１】
0005389971.tif 000002
【図２】
0005389971.tif 000003
【図２Ａ】
0005389971.tif 000004
【図３】
0005389971.tif 000005
【図４】
0005389971.tif 000006
【図５】
0005389971.tif 000007
【図６】
0005389971.tif 000008
【図７】
0005389971.tif 000009