(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界効果トランジスタにおけるｎ−半導体としての、又は太陽電池における電荷輸送材料及び／又は励起子輸送材料としての、一般式（Ｉ．Ｂ）
【化１】
0005496189.tif 000043
［式中、
Ｒ1基、Ｒ2基、Ｒ3基及びＲ4基の内の少なくとも２つはＣｌであり、残りの基は水素であり、
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して水素、或いは非置換又は置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリールである］の化合物の使用。
【請求項２】
Ｒa及びＲbが、それぞれ独立して、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキル又は分枝状Ｃ3〜Ｃ30−アルキルである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
Ｒ1及びＲ3がそれぞれ塩素である、請求項１又は２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項４】
Ｒ1及びＲ4がそれぞれ塩素である、請求項１又は２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項５】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれ塩素である、請求項１又は２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がそれぞれ塩素である、請求項１又は２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項７】
励起子太陽電池における励起子輸送材料としての請求項６に記載の使用。
【請求項８】
少なくとも１つのゲート構造とソース電極とドレイン電極とを有する基板と、ｎ型半導体として請求項１から６のいずれか一項に記載の式（Ｉ．Ｂ）の少なくとも１種の化合物とを含む、有機電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記電界効果トランジスタの少なくとも一部がｎ型半導体として請求項１から６のいずれか一項に記載の式（Ｉ．Ｂ）の少なくとも１種の化合物を含む、多数の有機電界効果トランジスタを含む基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の少なくとも１つの基板を含む、半導体装置。
【請求項１１】
請求項１から６のいずれか一項に記載の式（Ｉ．Ｂ）の少なくとも１種の化合物を含む、有機太陽電池。
【請求項１２】
式（Ｉ．Ｂａ）
【化２】
0005496189.tif 000044
［式中、
Ｒ1及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素であるか、又は
Ｒ1及びＲ4はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ3はそれぞれ水素であり、
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキルである］の化合物。
【請求項１３】
Ｒ1及びＲ4はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ3はそれぞれ水素である、請求項１２に記載の化合物。
【請求項１４】
式（Ｉ．Ｂ）
【化３】
0005496189.tif 000045
［式中、
Ｒ1及びＲ4はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ3はそれぞれ水素であるか、又は
Ｒ1及びＲ3は、それぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素であるか、又は
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又は
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれＣｌであり、
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して水素であるか、又は非置換若しくは置換アルキル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、クロロ化アリール若しくはクロロ化ヘタリールである］の化合物の製造法であって、
ａ２）ナフタレン−１，８；４，５−テトラカルボン酸二無水物を式Ｒa−ＮＨ2のアミンと、適切な場合、式Ｒb−ＮＨ2のアミンと反応させて式（Ｄ）
【化４】
0005496189.tif 000046
の化合物を得て、
ｂ２）工程ａ２）において得られた化合物を、触媒としてのヨウ素の存在下で塩素との反応で塩素化する方法。
【請求項１５】
工程ｂ２）における式（Ｄ）の化合物の塩素化が、クロロスルホン酸において、触媒量のヨウ素の存在下で、塩素との反応によって生じる、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塩素化ナフタリンテトラカルボン酸誘導体と、その製造と、電荷輸送材料、励起子輸送材料又はエミッタ材料としてのその使用とに関する。
【０００２】
将来、古典的な無機半導体だけでなく、ますます低分子量材料又はポリマー材料に基づく有機半導体が、エレクトロニクス産業の多くの部門において使用されることが予想される。多くの場合、これらの有機半導体は、古典的な無機半導体を越える利点、例えば、それらに基づく半導体部品のより良好な基板適合性及びより良好な加工性を有する。それらは、可撓性基板上の加工を可能にし、分子モデリングの方法によりそれらの界面軌道エネルギーを特定用途部門に正確に調整することを可能にする。かかる部品の著しいコストの低下により、有機エレクトロニクスの研究分野に対する復活がもたらされた。「有機エレクトロニクス」は、主に、有機半導体層に基づく電子部品の製造のための新規な材料及び製造法の開発に関する。これらには、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、及び光電装置が挙げられる。開発についての大きな可能性は、例えば記憶素子及び集積光電子デバイスにおける有機電界効果トランジスタにあると考えられる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、電流によって励起される際に発光する材料の性質を利用する。ＯＬＥＤは、特に、フラット視覚的表示装置を製造するための陰極線管及び液晶表示装置に対する代替物として興味深い。非常にコンパクトなデザイン及び本質的により低い消費電力のため、ＯＬＥＤを含むデバイスは、とりわけ移動式の用途、例えば、携帯電話、ラップトップ等の用途に適切である。また、開発についての大きな可能性は、最大輸送幅と光誘起励起状態のための高移動性（高励起子拡散長）とを有し、且つ、従って、いわゆる励起子太陽電池における活性材料としての使用に有利には適切である材料にもあると考えられる。非常に良好な量子収量を達成することは、かかる材料に基づく太陽電池により一般に可能である。
【０００３】
Ｈ．Ｔａｃｈｉｋａｗａ及びＨ．Ｋａｗａｂａｔａは、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌｕｍｅ４４，Ｎｏ．６Ａ（２００５），ｐ．３７６９−３７７３において、ハロゲン化ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸ビス無水物の複合体についてのハイブリッド密度関数理論の研究について記載している。これらの研究において、電子状態に対するハロゲン置換の効果は、コンピュータでモデル化されるだけであった。ハロゲン化ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸ビス無水物の実施可能な合成、及び実際の存在する化合物における測定値は、記載されていない。
【０００４】
ＤＥ３６２０３３２には、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物及び２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、並びにこれらの化合物の製造法が記載されている。
【０００５】
ＤＥ３７０３１３１Ａ１には、２，３，６，７−テトラフルオロナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸ビスイミド、その製造法、及び電気伝導性を有するラジカルアニオン塩を製造するためのその使用が記載されている。
【０００６】
ＤＥ１０１４８１７２Ａ１には、環上の２位及び６位に電子供与性置換基を有する蛍光ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボキシイミド、並びに高分子量有機及び無機材料を着色するための蛍光染料としての、蛍光標識のためのレーザ染料としての、及び生物分子のための蛍光標識としてのその使用が記載されている。
【０００７】
ＪＰ１１１４９９８４には、以下の化合物：
【化１】
0005496189.tif 000002
［式中、Ｒ1〜Ｒ12及びＲ21〜Ｒ32は、それぞれ、特に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、環状アルコキシ基、又は置換若しくは非置換アリール基である］の内の少なくとも１種に基づく層を含む有機エレクトロルミネセンス素子が記載されている。
【０００８】
Ｂ．Ａ．Ｊｏｎｅｓ、Ａ．Ｆａｃｃｈｅｔｔｉ、Ｍ．Ｒ．Ｗａｓｉｌｉｅｗｓｋｉ及びＴ．Ｊ．Ｍａｒｋｓは、Ｗｅｂ１１／１４／２００７に公開されたＪＡＣＳ  ＡＲＴＩＣＬＥＳにおいて、周囲条件下でのｎ−半導体の安定性についての構造的及び電子的基準について記載している。また、達成される移動度が依然として改善を必要とするものの、シアン化ナフタレンテトラカルボン酸誘導体についても言及される。
【０００９】
ＵＳ２００５／０１７６９７０Ａ１には、置換ペリレン−３，４−ジカルボキシイミド及びペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）に基づくｎ−半導体が記載されている。また、この文献には、非常に一般的な用語において、且つ製造例によるいかなる証明なしで、置換ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド及びナフタレン−１，４，５，８−ビス（ジカルボキシイミド）と、ｎ−半導体としてのそれらの使用とが記載されている。
【００１０】
Ｋ．Ｃ．Ｓｅｅ、Ｃ．Ｌａｎｄｉｓ、Ａ．Ｓａｒｊｅａｎｔ及びＨ．Ｅ．Ｋａｔｚは、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００８，２０，３６０９−３６１６において、以下の２種の化合物：
【化２】
0005496189.tif 000003
に基づく半導体について記載している。
【００１１】
ＷＯ２００７／０７４１３７には、一般式（Ａ）
【化３】
0005496189.tif 000004
［式中、
Ｒ1基、Ｒ2基、Ｒ3基及びＲ4基の内の少なくとも１つは、Ｂｒ、Ｆ及びＣＮから選択される置換基であり、
Ｙ1は、Ｏ又はＮＲaであり、Ｒaは、水素又はオルガニル基であり、
Ｙ2は、Ｏ又はＮＲbであり、Ｒbは、水素又はオルガニル基であり、
Ｚ1及びＺ2は、それぞれ独立してＯ又はＮＲcであり、Ｒcは、オルガニル基であり、
Ｚ3及びＺ4は、それぞれ独立してＯ又はＮＲdであり、Ｒdは、オルガニル基であり、
Ｙ1がＮＲaであり、且つＺ1基及びＺ2基の内の少なくとも１つがＮＲcである場合、Ｒaは、Ｒcと共に、フランキング結合の間に２〜５個の原子を有する架橋基であってもよく、及び
Ｙ2がＮＲbであり、且つＺ3基及びＺ4基の内の少なくとも１つがＮＲdである場合、Ｒbは、Ｒd基と共に、フランキング結合の間に２〜５個の原子を有する架橋基であってもよい］の化合物と、有機電界効果トランジスタにおけるｎ−半導体としてのその使用とが記載されている。
【００１２】
ＷＯ２００７／０９３６４３には、とりわけ有機電界効果トランジスタ、太陽電池及び有機発光ダイオードのための有機エレクトロニクスにおける半導体、とりわけｎ−半導体としての、一般式（Ｂ）
【化４】
0005496189.tif 000005
［式中、
ｎは、２、３又は４であり、
Ｒn1基、Ｒn2基、Ｒn3基及びＲn4基の内の少なくとも１つがフッ素であり、
適切な場合、少なくとも１つの更なるＲn1基、Ｒn2基、Ｒn3基又はＲn4基は、Ｃｌ及びＢｒから独立して選択される置換基であり、残りの基は、それぞれ水素であり、
Ｙ1は、Ｏ又はＮＲaであり、Ｒaは、水素又はオルガニル基であり、
Ｙ2は、Ｏ又はＮＲbであり、Ｒbは、水素又はオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、それぞれＯであり、
Ｙ1がＮＲaである場合、Ｚ1基及びＺ2基の内の１つは、ＮＲcであってもよく、Ｒa基及びＲc基は、共に架橋基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合、Ｚ3基及びＺ4基の内の１つは、ＮＲdであってもよく、Ｒb基及びＲd基は、共に架橋基である］の化合物の使用が記載されている。
【００１３】
本出願の優先日において未公表の欧州特許出願０７１１４５５６．９には、エミッタ材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料としての、一般式（Ｃ）
【化５】
0005496189.tif 000006
［式中、
Ｙ1は、Ｏ又はＮＲaであり、Ｒaは、水素又はオルガニル基であり、
Ｙ2は、Ｏ又はＮＲbであり、Ｒbは、水素又はオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、それぞれＯであり、
Ｒ11基、Ｒ12基、Ｒ13基、Ｒ14基、Ｒ21基、Ｒ22基、Ｒ23基及びＲ24基は、それぞれ塩素及び／又はフッ素であり、
Ｒ11基、Ｒ12基、Ｒ13基、Ｒ14基、Ｒ21基、Ｒ22基、Ｒ23基及びＲ24基の内の１又は２つは、ＣＮであってもよく、及び／又は１つのＲ11基、Ｒ12基、Ｒ13基、Ｒ14基、Ｒ21基、Ｒ22基、Ｒ23基及びＲ24基は、水素であってもよく、及び
Ｙ1がＮＲaである場合、Ｚ1基及びＺ2基の内の１つは、ＮＲcであってもよく、Ｒa基及びＲc基は、共に架橋Ｘ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合、Ｚ3基及びＺ4基の内の１つは、ＮＲdであってもよく、Ｒb基及びＲd基は、共に架橋Ｘ基である］の化合物の使用が記載されている。同様に、塩素化が、クロロスルホン酸における、触媒量のヨウ素の存在下での塩素との反応によって生じる、塩素化合物の製造について記載されている。
【００１４】
具体的には電界効果トランジスタ及び有機太陽電池のための有機エレクトロニクスにおける使用に有利には適切である半導体材料の必要性が依然としてある。求められているものは、とりわけ、可視波長範囲内、とりわけ４５０ｎｍ超の波長範囲内において事実上透明である半導体材料である。好ましくは、半導体材料は、４５０ｎｍ超の波長範囲内において１０％未満の吸光度を有し、特に吸光度を有さず、前記半導体材料は、空気に安定であって、且つ高い電荷移動度を有する。同様に、求められているものは、とりわけ液体形態で加工可能な半導体材料であり；即ち、前記半導体材料は、十分に可溶であるべきであり、それは、湿式加工を直接可能にし、且つ低コストの有機エレクトロニクスの製造を可能にする。好ましくは、例えば、前記半導体材料は、真空蒸着法によって蒸着される場合は最低０．１ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1の電荷移動度、又は、例えば、液体形態で蒸着される場合は最低０．０１ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1の電荷移動度を有するべきである。
【００１５】
驚くべきことに、塩素化ナフタレンテトラカルボン酸誘導体は、電荷輸送材料、励起子輸送材料又はエミッタ材料として特に有利には適切であることがここで分かった。前記塩素化ナフタレンテトラカルボン酸誘導体は、とりわけ、好ましくは例えば少なくとも０．０１ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1の高い電荷移動度を有するｎ型半導体として注目に値する。更に、それから得られる成分は、空気に安定である。
【００１６】
従って、本発明は、第１に、電荷輸送材料、励起子輸送材料又はエミッタ材料としての、一般式（Ｉ）
【化６】
0005496189.tif 000007
［式中、
Ｒ1基、Ｒ2基、Ｒ3基及びＲ4基の内の少なくとも２つはＣｌであり、残りの基は水素であり、
Ｙ1は、Ｏ又はＮＲaであり、Ｒaは、水素又はオルガニル基であり、
Ｙ2は、Ｏ又はＮＲbであり、Ｒbは、水素又はオルガニル基であり、
Ｚ1及びＺ2は、それぞれＯであり、
Ｚ3及びＺ4は、それぞれＯである］の化合物の使用を提供する。前記化合物は、とりわけ電荷輸送材料として注目に値する。
【００１７】
本発明は、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物及び２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド以外の、一般式（Ｉ）
【化７】
0005496189.tif 000008
［式中、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又はＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれＣｌであり、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は、それぞれＯであり、且つＹ1及びＹ2は、それぞれ上記定義の通りで且つ以下に詳細に定義される通りである］の化合物を更に提供する。
【００１８】
本発明は、式（Ｉ．Ｂａ）
【化８】
0005496189.tif 000009
［式中、
Ｒ1及びＲ4はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ3はそれぞれ水素であるか、又は
Ｒ1及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素であり、及び
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキルである］の化合物を更に提供する。
【００１９】
本発明は、更に、一般式（Ｉ）の化合物の製造法を提供する。
【００２０】
本発明は、更に、エミッタ材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料としての式（Ｉ）の化合物の使用に関する。
【００２１】
また、本発明は、式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物を含む有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、多数の有機電界効果トランジスタを含む基板、半導体装置、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）及び有機太陽電池を提供する。
【００２２】
好ましい実施形態において、式（Ｉ）の化合物は、式（Ｉ．Ａ）
【化９】
0005496189.tif 000010
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ上記定義の通りであり、且つ以下に詳細に定義される通りである］の化合物から選択される。
【００２３】
更なる好ましい実施形態において、式（Ｉ）の化合物は、式（Ｉ．Ｂ）
【化１０】
0005496189.tif 000011
［式中、
Ｒ1基、Ｒ2基、Ｒ3基及びＲ4基の内の少なくとも２つはＣｌであり、残りの基は水素であり；及び
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して水素、或いは非置換又は置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリールである］の化合物から選択される。
【００２４】
好ましくは、式（Ｉ．Ｂ）の化合物において、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキル又は分枝状Ｃ3〜Ｃ30−アルキルである。
【００２５】
好ましくは、式（Ｉ）の化合物並びに式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物において、Ｒ1基及びＲ3基はそれぞれ塩素であり、Ｒ2基及びＲ4基はそれぞれ水素である。
【００２６】
更に好ましくは、式（Ｉ）の化合物並びに式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物において、Ｒ1基及びＲ4基はそれぞれ塩素であり、Ｒ2基及びＲ3基はそれぞれ水素である。
【００２７】
更に好ましくは、式（Ｉ）の化合物並びに式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物において、Ｒ1基、Ｒ2基及びＲ3基はそれぞれ塩素であり、Ｒ4基はそれぞれ水素である。
【００２８】
更に好ましくは、式（Ｉ）の化合物並びに式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物において、Ｒ1基、Ｒ2基、Ｒ3基及びＲ4基は、それぞれ塩素である。
【００２９】
本明細書において、「非置換又は置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール」という表現は、非置換若しくは置換のアルキル、非置換若しくは置換のアルケニル、非置換若しくは置換のアルカジエニル、非置換若しくは置換のアルキニル、非置換若しくは置換のシクロアルキル、非置換若しくは置換のビシクロアルキル、非置換若しくは置換のシクロアルケニル、非置換若しくは置換のヘテロシクロアルキル、非置換若しくは置換のアリール、又は非置換若しくは置換のヘテロアリールを言及する。
【００３０】
本発明において、「アルキル」という表現は、直鎖状又は分枝状アルキルを含む。好ましくは直鎖状又は分枝状Ｃ1〜Ｃ70−アルキル、とりわけＣ1〜Ｃ30−アルキル、よりとりわけＣ1〜Ｃ20−アルキル、例えばＣ1〜Ｃ12−アルキルである。アルキル基の例は、とりわけ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。好ましい分枝状アルキル基は、スワローテイル型アルキル基（下記参照）である。
【００３１】
また、「アルキル」という表現は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲe−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）2−から選択される１個以上の非隣接基によってその炭素鎖が中断され得るアルキル基を含む。Ｒeは、好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである。また、アルキルという表現は置換アルキル基を含む。置換アルキル基は、アルキル鎖の長さに応じて１個以上（例えば、１個、２個、３個、４個、５個又は５個超）の置換基を有することができる。これらは、好ましくは、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシル、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、ニトロ及びシアノからそれぞれ独立して選択されるが、ここでＥ1及びＥ2は、それぞれ独立して水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである。ハロゲン置換基は、好ましくはフッ素、塩素又は臭素である。
【００３２】
カルボキシレート及びスルホネートは、それぞれ、カルボン酸官能基若しくはスルホン酸官能基の誘導体、とりわけ金属カルボキシレート若しくはスルホネート、カルボン酸エステル官能基若しくはスルホン酸エステル官能基、又はカルボキサミド官能基若しくはスルホンアミド官能基である。アルキル基のシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリール置換基は、同様に非置換又は置換であってよく；適切な置換基は、これらの基について以下で示されるものである。
【００３３】
また、アルキルに関する上記の所見は、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル等におけるアルキル部分にも当てはまる。
【００３４】
アリール置換アルキル基（「アリールアルキル」）は、以下で定義される通りの少なくとも１個の非置換又は置換アリール基を有する。「アリールアルキル」におけるアルキル基は、少なくとも１個の更なる置換基を担持することができ、及び／又は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲe−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ2−から選択される１個以上の非隣接基によって中断され得る。Ｒeは、上で挙げられた意義の内の１つを有する。アリールアルキルは、好ましくはフェニル−Ｃ1〜Ｃ10−アルキル、より好ましくはフェニル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、例えば、ベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−フェノールプロピ−１−イル、２−フェノールプロピ−１−イル、３−フェノールプロピ−１−イル、１−フェノールブチ−１−イル、２−フェノールブチ−１−イル、３−フェノールブチ−１−イル、４−フェノールブチ−１−イル、１−フェノールブチ−２−イル、２−フェノールブチ−２−イル、３−フェノールブチ−２−イル、４−フェノールブチ−２−イル、１−（フェノールメタ）エチ−１−イル、１−（フェノールメチル）−１−（メチル）エチ−１−イル又は（フェノールメチル）−１−（メチル）プロピ−１−イル；好ましくは、ベンジル及び２−フェネチルである。
【００３５】
本発明において、「アルケニル」という表現は、鎖長に応じて１個以上の非累積炭素−炭素二重結合（例えば、１個、２個、３個、４個又は４個超）を担持することができる直鎖状及び分枝状アルケニル基を含む。２個の二重結合を有するアルケニルは、以下でアルカジエニルとしても言及される。Ｃ2〜Ｃ18−アルケニル基が好ましく、Ｃ2〜Ｃ12−アルケニル基が特に好ましい。また、「アルケニル」という表現は、１個以上（例えば、１個、２個、３個、４個、５個又は５個超）の置換基を担持することができる置換アルケニル基を含む。適切な置換基は、例えば、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アルコキシ、アルキルチオ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ及びシアノから選択されるが、ここでＥ3及びＥ4は、それぞれ独立して水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである。
【００３６】
従って、アルケニルは、例えば、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、ペンタ−１，３−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−６−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−６−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−５−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−１−イル、オクタ−１，４−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−３−イル、オクタ−１，４−ジエン−６−イル、オクタ−１，４−ジエン−７−イル、オクタ−１，５−ジエン−１−イル、オクタ−１，５−ジエン−３−イル、オクタ−１，５−ジエン−４−イル、オクタ−１，５−ジエン−７−イル、オクタ−１，６−ジエン−１−イル、オクタ−１，６−ジエン−３−イル、オクタ−１，６−ジエン−４−イル、オクタ−１，６−ジエン−５−イル、オクタ−１，６−ジエン−２−イル、デカ−１，４−ジエニル、デカ−１，５−ジエニル、デカ−１，６−ジエニル、デカ−１，７−ジエニル、デカ−１，８−ジエニル、デカ−２，５−ジエニル、デカ−２，６−ジエニル、デカ−２，７−ジエニル、デカ−２，８−ジエニル等である。また、アルケニルに関する所見は、アルケニルオキシ、アルケニルチオ等におけるアルケニル基にも当てはまる。
【００３７】
「アルキニル」という表現は、１個以上の非隣接三重結合を有する非置換又は置換アルキニル基、例えば、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル、４−ヘキシニル、５−ヘキシニル等を含む。また、アルキニルに関する所見は、アルキニルオキシ、アルキニルチオ等におけるアルキニル基にも当てはまる。置換アルキニルは、好ましくは、アルケニルについて上記の置換基の内の１つ以上（例えば、１、２、３、４、５又は５超）を担持する。
【００３８】
本発明において、「シクロアルキル」という表現は、非置換の、或いは置換されたシクロアルキル基、好ましくはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル又はシクロオクチル、とりわけＣ5〜Ｃ8−シクロアルキルを含む。置換されたシクロアルキル基は、１個以上（例えば、１個、２個、３個、４個、５個又は５個超）の置換基を有することができる。これらは、好ましくは、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、及びアルキル基について上記の置換基からそれぞれ独立して選択される。置換の場合、シクロアルキル基は、好ましくは、１個以上、例えば、１個、２個、３個、４個又は５個のＣ1〜Ｃ6−アルキル基を担持する。
【００３９】
好ましいシクロアルキル基の例は、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、２−、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、２−、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、２−、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、２−、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチルである。
【００４０】
シクロアルケニルという表現は、３〜８個、好ましくは５〜６個の炭素環構成員を有する非置換及び置換一価不飽和炭化水素基、例えば、シクロペンテン−１−イル、シクロペンテン−３−イル、シクロヘキセン−１−イル、シクロヘキセン−３−イル、シクロヘキセン−４−イル等を含む。シクロアルキルの適切な置換基は、上記されている。
【００４１】
ビシクロアルキルという表現は、好ましくは、５〜１０個の炭素原子を有する二環式炭化水素基、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−１−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−７−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタ−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタ−２−イル、ビシクロ［３．３．０］オクチル、ビシクロ［４．４．０］デシル等を含む。「ビシクロアルキル」という表現は、非置換の、或いは置換されたビシクロアルキル基を含む。置換されたビシクロアルキル基は、１個以上（例えば１個、２個、３個又は３個超）の置換基を有することができる。これらは、好ましくは、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、及びアルキル基について上記の置換基からそれぞれ独立して選択される。
【００４２】
本発明において、「アリール」という表現は、非置換であっても又は置換されてもよい単環又は多環芳香族炭化水素基を含む。アリールは、好ましくは、非置換又は置換フェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニル等であり、より好ましくはフェニル又はナフチルである。置換アリールは、それらの環系の数及び大きさに応じて、１個以上（例えば、１個、２個、３個、４個、５個又は５個超）の置換基を有する。それらは、好ましくは、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシル、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ5Ｅ6、ニトロ及びシアノからそれぞれ独立して選択されるが、ここでＥ5及びＥ6は、それぞれ独立して水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである。ハロゲン置換基は、好ましくはフッ素、塩素又は臭素である。アリールは、より好ましくは、置換の場合、一般に１個、２個、３個、４個又は５個、好ましくは１個、２個又は３個の置換基を担持することができるフェニルである。
【００４３】
１個以上の基を担持するアリールは、例えば、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２−、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、並びに２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル、並びに２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニルである。
【００４４】
本発明において、「ヘテロシクロアルキル」という表現は、一般に５〜８個の環原子、好ましくは５又は６個の環原子を有する非芳香族、不飽和又は完全飽和脂環基を含み、ここで環炭素原子の内の１、２又は３つは、酸素、窒素、硫黄及び−ＮＲe−基から選択されるヘテロ原子によって置換され、それは、非置換の、又は１個以上、例えば１、２、３、４、５若しくは６個のＣ1〜Ｃ6−アルキル基によって置換される。Ｒeは、上で定義された通りである。かかるヘテロ脂環基の例としては、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリジニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソオキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、１，２−オキサゾリン−５−イル、１，３−オキサゾリン−２−イルおよびジオキサニルが挙げられる。
【００４５】
本発明において、「ヘテロアリール」という表現は、非置換又は置換ヘテロ芳香族単環又は多環基、好ましくは、ピリジル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、インドリル基、プリニル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，３，４−トリアゾリル基及びカルバゾリル基を含むが、これらのヘテロシクロ芳香族基は、置換の場合、一般に、１個、２個又は３個の置換基を担持することができる。前記置換基は、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ、ヒドロキシル、カルボキシル、ハロゲン及びシアノから選択される。
【００４６】
場合により酸素及び硫黄から選択されるヘテロ原子を更に含む窒素含有５〜７員ヘテロシクロアルキル基又はヘテロアリール基は、例えば、ピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ピロリジニル、ピラゾリニル、ピラゾリジニル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、インドリル、キノリニル、イソキノリニル又はキナルジニルを含む。
【００４７】
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素である。
【００４８】
式（Ｉ）又は（Ｉ．Ｂ）の化合物において、Ｒa基及びＲb基は、同一に、又は異なって定義されてよい。好ましい実施形態において、Ｒa基及びＲb基は、同一の定義を有する。
【００４９】
好ましい第一の実施形態において、Ｒa基及びＲb基は、どちらも水素である。
【００５０】
水素以外のＲa基及びＲb基の具体例は：
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシル、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−ブトキシエチル、３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、３−プロポキシプロピル、３−ブトキシプロピル、４−メトキシブチル、４−エトキシブチル、４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；
２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、３−メチルチオプロピル、３−エチルチオプロピル、３−プロピルチオプロピル、３−ブチルチオプロピル、４−メチルチオブチル、４−エチルチオブチル、４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジ−チアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，９−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；
２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチルアミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジアザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；
（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；
プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；
２−メチルスルフィニルエチル、２−エチルスルフィニルエチル、２−プロピルスルフィニルエチル、２−イソプロピルスルフィニルエチル、２−ブチルスルフィニルエチル、２−及び３−メチルスルフィニルプロピル、２−及び３−エチルスルフィニルプロピル、２−及び３−プロピルスルフィニルプロピル、２−及び３−ブチルスルフィニルプロピル、２−及び４−メチルスルフィニルブチル、２−及び４−エチルスルフィニルブチル、２−及び４−プロピルスルフィニルブチル、並びに４−ブチルスルフィニルブチル；
２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル、並びに４−ブチルスルホニルブチル；
カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル及び１４−カルボキシテトラデシル；
スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル及び１４−スルホテトラデシル；
２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、３−及び４−ヒドロキシブチル、並びに８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；
２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル；
２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル、並びに２−、３−及び４−ブロモブチル；
２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル、並びに２−、３−及び４−ニトロブチル；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシ；
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ及びヘキシルチオ；
エチニル、１−及び２−プロピニル、１−、２−及び３−ブチニル、１−、２−、３−及び４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデシニル、並びに１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデシニル；
エテニル、１−及び２−プロペニル、１−、２−及び３−ブテニル、１−、２−、３−及び４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデセニル、並びに１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデセニル；
メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ及びジベンジルアミノ；
ホルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ及びベンゾイルアミノ；
カルバモイル、メチルアミノカルボニル、エチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、ヘキシルアミノカルボニル、ヘプチルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、ノニルアミノカルボニル、デシルアミノカルボニル及びフェニルアミノカルボニル；
アミノスルホニル、Ｎ−ドデシルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスルホニル及びＮ−ビス（４−クロロフェニル）アミノスルホニル；
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）カルボニル及び（４−クロロフェノキシ）カルボニル；
メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ヘキソキシスルホニル、ドデシルオキシスルホニル、オクタデシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、１−及び２−ナフチルオキシスルホニル、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）スルホニル、並びに（４−クロロフェノキシ）スルホニル；
ジフェニルホスフィノ、ジ−（ｏ−トリル）ホスフィノ及びジフェニルホスフィンオキシド；
フェニルアゾ、２−ナフチルアゾ、２−ピリジラゾ及び２−ピリミジルアゾ；
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、並びに３−、４−及び５−プロピルシクロオクチル；３−及び４−ヒドロキシシクロヘキシル、３−及び４−ニトロシクロヘキシル、並びに３−及び４−クロロシクロヘキシル；
１−、２−及び３−シクロペンテニル、１−、２−、３−及び４−シクロヘキセニル、１−、２−及び３−シクロヘプテニル、並びに１−、２−、３−及び４−シクロオクテニル；
２−ジオキサニル、１−モルホリニル、１−チオモルホリニル、２−及び３−テトラヒドロフリル、１−、２−及び３−ピロリジニル、１−ピペラジル、１−ジケトピペラジル、並びに１−、２−、３−及び４−ピペリジル；
フェニル、２−ナフチル、２−及び３−ピリル、２−、３−及び４−ピリジル、２−、４−及び５−ピリミジル、３−、４−及び５−ピラゾリル、２−、４−及び５−イミダゾリル、２−、４−及び５−チアゾリル、３−（１，２，４−トリアジル）、２−（１，３，５−トリアジル）、６−キナルジル、３−、５−、６−及び８−キノリニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−ベンゾチアゾリル、５−ベンゾチアジアゾリル、２−及び５−ベンズイミダゾリル、並びに１−及び５−イソキノリル；
１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−インドリル、１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−イソインドリル、５−（４−メチルイソインドリル）、５−（４−フェニルイソインドリル）、１−、２−、４−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、３−（５−フェニル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、５−（３−ドデシル−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロキノリニル）、並びに２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−クロマニル、２−、４−及び７−キノリニル、２−（４−フェニルキノリニル）、並びに２−（５−エチルキノリニル）；
２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、並びに２，４，６−トリ−ｓｅｃ．ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル、並びに２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル、並びに２，４−、３，５−及び２，６−ジクロロフェニル；２−、３−及び４−ヒドロキシフェニル、並びに２，４−、３，５−及び２，６−ジヒドロキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニル；３−及び４−カルボキシフェニル；３−及び４−カルボキシアミドフェニル、３−及び４−Ｎ−メチルカルボキシアミドフェニル、並びに３−及び４−Ｎ−エチルカルボキシアミドフェニル；３−及び４−アセチルアミノフェニル、３−及び４−プロピオニルアミノフェニル、並びに３−及び４−ブチリルアミノフェニル；３−及び４−Ｎ−フェニルアミノフェニル、３−及び４−Ｎ−（ｏ−トリル）アミノフェニル、３−及び４−Ｎ−（ｍ−トリル）アミノフェニル、並びに３−及び４−（ｐ−トリル）アミノフェニル；３−及び４−（２−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（３−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（４−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（２−ピリミジル）アミノフェニル、並びに４−（４−ピリミジル）アミノフェニル；
４−フェニルアゾフェニル、４−（１−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ナフチルアゾ）フェニル、４−（４−ナフチル−アゾ）フェニル、４−（２−ピリイルアゾ）フェニル、４−（３−ピリジラゾ）フェニル、４−（４−ピリジルアゾ）フェニル、４−（２−ピリミジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリミジルアゾ）フェニル及び４−（５−ピリミジルアゾ）フェニル；
フェノキシ、フェニルチオ、２−ナフトキシ、２−ナフチルチオ、２−、３−及び４−ピリジルオキシ、２−、３−及び４−ピリジルチオ、２−、４−及び５−ピリミジルオキシ、並びに２−、４−及び５−ピリミジルチオである。
【００５１】
好ましいフッ素化Ｒa基及びＲb基は、以下の：
２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロペンチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロヘキシル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロヘプチル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロノニル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロデシル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロペンチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロヘキシル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロヘプチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロオクチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロノニル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル−、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミノ、１−ベンジル−２，２，２−トリフルオロエチル、２−ブロモ−２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−ピリジン−２−イルエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メトキシフェニル）エチルアミノ、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチル、２，２−ジフルオロ−１−フェニルエチル、１−（４−ブロモフェニル）−２，２，２−トリフルオロエチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピルアミン、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、ペンタフルオロフェニル、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、４−シアノ−（２，３，５，６）−テトラフルオロフェニル、４−カルボキシ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２−フルオロ−５−ニトロフェニル、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルフェニル、２−フルオロ−５−メチルフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、４−カルボキシアミド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヨードフェニル、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，３，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−４，５，６−トリフルオロフェニル、４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、２−フルオロ−４−ニトロフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−メチルフェニル、３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジブロモ−６−フルオロフェニル、３，５−ジクロロ−２，４−ジフルオロフェニル、４−シアノ−２−フルオロフェニル、２−クロロ−４−フルオロフェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−トリフルオロメチル−６−フルオロフェニル、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル、３−クロロ−２−フルオロフェニル、５−クロロ−２−フルオロフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−フルオロフェニル、２，３−ジシアノ−４，５，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロ−３−カルボキシフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−カルボキシフェニル、２，３，５−トリフルオロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−フルオロ−５−カルボキシフェニル、２−クロロ−４，６−ジフルオロフェニル、６−ブロモ−３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−ニトロフェニル、２，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３−ジフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−ニトロテトラフルオロフェニル、２，２’，３，３’，４’，５，５’，６，６’−ノナフルオロビフェニル、２−ニトロ−３，５，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−６−フルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロ−６−ヨードフェニル、２−フルオロ−６−カルボキシフェニル、２，４−ジフルオロ−３−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−カルボキシフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、２，５−ジブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−５−メチルスルホニルフェニル、５−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヒドロキシメチルフェニル、３−フルオロ−４−ブロモメチルフェニル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロフェニル、２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、３−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、５−クロロ−２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−ヨード−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ニトロ−４，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−メチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、３，５−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，３，６−トリクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−（トリフルオロメチル）ベンジル、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、４−フルオロフェネチル、３−（トリフルオロメチル）フェネチル、２−クロロ−６−フルオロフェネチル、２，６−ジクロロフェネチル、３−フルオロフェネチル、２−フルオロフェネチル、（２−トリフルオロメチル）フェネチル、４−フルオロフェネチル、３−フルオロフェネチル、４−トリフルオロメチルフェネチル、２，３−ジフルオロフェネチル、３，４−ジフルオロフェネチル、２，４−ジフルオロフェネチル、２，５−ジフルオロフェネチル、３，５−ジフルオロフェネチル、２，６−ジフルオロフェネチル、４−（４−フルオロフェニル）フェネチル、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、ペンタフルオロフェネチル、２，４−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（３−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−２−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−６−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，３，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，４−トリフルオロ）フェネチル、（３，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，５−トリフルオロ）フェネチル、（２−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（３−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（４−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−クロロ）フェネチル、（２，３−ジフルオロ−４−メチル）フェネチル、２，６−ジフルオロ−３−クロロフェネチル、（２，６−ジフルオロ−３−メチル）フェネチル、（２−トリフルオロメチル−５−クロロ）フェネチル、（６−クロロ−２−フルオロ−５−メチル）フェネチル、（２，４−ジクロロ−５−フルオロ）フェネチル、５−クロロ−２−フルオロフェネチル、（２，５−ジフルオロ−６−クロロ）フェネチル、（２，３，４，５−テトラフルオロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２，３−（ジフルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，５−ジ（トリフルオロメチル））フェネチル、２−フルオロ−３，５−ジブロモフェネチル、（３−フルオロ−４−ニトロ）フェネチル、（２−ブロモ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２−（ブロモ−５−フルオロ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−ブロモ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−クロロ）フェネチル、（３−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（２−ブロモ−５−トリフルオロメチル）フェネチル等である。
【００５２】
非常に好ましい実施形態において、Ｒa基及びＲb基は、それぞれ独立して１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキル、好ましくは１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ20アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ20−アルキル、特に１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ10−アルキル、例えば、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロペンチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロヘキシル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロヘプチル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロノニル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロデシル、３，３，３−トリフルオロプロピル、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロペンチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロヘキシル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロヘプチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロオクチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロノニルである。
【００５３】
更なる好ましい実施形態において、Ｒa基及びＲb基は、一般式（ＩＩ）
【化１１】
0005496189.tif 000012
［式中、
＃は、イミド窒素原子への結合位置を表し、
ｐは、０又は１であり、
ｘは、２又は３であり、
Ａは、存在する場合、−Ｏ−及び−Ｓ−から選択される１個以上の非隣接基によって中断され得るＣ1〜Ｃ10−アルキレン基であり、
ここでｘが２である場合、Ｒf基を担持する炭素原子は、更に水素原子を担持し、
Ｒf基は、１個以上の非隣接酸素原子によって中断され得るＣ1〜Ｃ30−アルキル、例えばＣ4〜Ｃ30−アルキルからそれぞれ独立して選択され、Ｒf基の内の少なくとも１つは、Ｃ4〜Ｃ30−アルキルオキシ又はＣ4〜Ｃ30−アルキルチオであってもよい］の基から選択される。
【００５４】
式（ＩＩ）の好ましい基は、例えば、２−エチルヘキシ−１−イルである。
【００５５】
Ｒa基及びＲb基は、より好ましくは、式（ＩＩ．１）の基（いわゆるスワローテイル型基）から選択される。好ましくは、式（ＩＩ．１）の基において、Ｒf基は、Ｃ1〜Ｃ30−アルキル、好ましくはＣ1〜Ｃ12−アルキル、より好ましくはＣ1〜Ｃ8−アルキル、例えばＣ4〜Ｃ8−アルキル、好ましくはＣ5〜Ｃ7−アルキルから選択される。従って、Ｒa基及びＲb基は、好ましくは両方とも式
【化１２】
0005496189.tif 000013
［式中、
＃は、イミド窒素原子への結合位置を表し、及び
Ｒf基は、Ｃ1〜Ｃ30−アルキル、好ましくはＣ1〜Ｃ12−アルキル、より好ましくはＣ1〜Ｃ8−アルキルから独立して選択される］の基である。一実施形態において、各Ｒf基は、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、例えばＣ4〜Ｃ8−アルキル、好ましくはＣ5〜Ｃ7−アルキルから独立して選択される。従って、Ｒf基は、具体的には、酸素原子によって中断されない直鎖状アルキル基である。一実施形態において、各Ｒfは、同じ意味を有する。更なる実施形態において、各Ｒfは、異なる意味を有する。
【００５６】
式ＩＩ．１の好ましい基は、例えば：
１−エチルプロピル、１−メチルプロピル、１−プロピルブチル、１−エチルブチル、１−メチルブチル、１−ブチルペンチル、１−プロピルペンチル、１−エチルペンチル、１−メチルペンチル、１−ペンチルヘキシル、１−ブチルヘキシル、１−プロピルヘキシル、１−エチルヘキシル、１−メチルヘキシル、１−ヘキシルヘプチル、１−ペンチルヘプチル、１−ブチルヘプチル、１−プロピルヘプチル、１−エチルヘプチル、１−メチルヘプチル、１−ヘプチルオクチル、１−ヘキシルオクチル、１−ペンチルオクチル、１−ブチルオクチル、１−プロピルオクチル、１−エチルオクチル、１−メチルオクチル、１−オクチルノニル、１−ヘプチルノニル、１−ヘキシルノニル、１−ペンチルノニル、１−ブチルノニル、１−プロピルノニル、１−エチルノニル、１−メチルノニル、１−ノニルデシル、１−オクチルデシル、１−ヘプチルデシル、１−ヘキシルデシル、１−ペンチルデシル、１−ブチルデシル、１−プロピルデシル、１−エチルデシル、１−メチルデシル、１−デシルウンデシル、１−ノニルウンデシル、１−オクチルウンデシル、１−ヘプチルウンデシル、１−ヘキシルウンデシル、１−ペンチルウンデシル、１−ブチルウンデシル、１−プロピルウンデシル、１−エチルウンデシル、１−メチルウンデシル、１−ウンデシルドデシル、１−デシルドデシル、１−ノニルドデシル、１−オクチルドデシル、１−ヘプチルドデシル、１−ヘキシルドデシル、１−ペンチルドデシル、１−ブチルドデシル、１−プロピルドデシル、１−エチルドデシル、１−メチルドデシル、１−ドデシルトリデシル、１−ウンデシルトリデシル、１−デシルトリデシル、１−ノニルトリデシル、１−オクチルトリデシル、１−ヘプチルトリデシル、１−ヘキシルトリデシル、１−ペンチルトリデシル、１−ブチルトリデシル、１−プロピルトリデシル、１−エチルトリデシル、１−メチルトリデシル、１−トリデシルテトラデシル、１−ウンデシルテトラデシル、１−デシルテトラデシル、１−ノニルテトラデシル、１−オクチルテトラデシル、１−ヘチルテトラデシル、１−ヘキシルテトラデシル、１−ペンチルテトラデシル、１−ブチルテトラデシル、１−プロピルテトラデシル、１−エチルテトラデシル、１−メチルテトラデシル、１−ペンタデシルヘキサデシル、１−テトラデシルヘキサデシル、１−トリデシルヘキサデシル、１−ドデシルヘキサデシル、１−ウンデシルヘキサデシル、１−デシルヘキサデシル、１−ノニルヘキサデシル、１−オクチルヘキサデシル、１−ヘプチルヘキサデシル、１−ヘキシルヘキサデシル、１−ペンチルヘキサデシル、１−ブチルヘキサデシル、１−プロピルヘキサデシル、１−エチルヘキサデシル、１−メチルヘキサデシル、１−ヘキサデシルオクタデシル、１−ペンタデシルオクタデシル、１−テトラデシルオクタデシル、１−トリデシルオクタデシル、１−ドデシルオクタデシル、１−ウンデシルオクタデシル、１−デシルオクタデシル、１−ノニルオクタデシル、１−オクチルオクタデシル、１−ヘプチルオクタデシル、１−ヘキシルオクタデシル、１−ペンチルオクタデシル、１−ブチルオクタデシル、１−プロピルオクタデシル、１−エチルオクタデシル、１−メチルオクタデシル、１−ノナデシルエイコサニル、１−オクタデシルエイコサニル、１−ヘプタデシルエイコサニル、１−ヘキサデシルエイコサニル、１−ペンタデシルエイコサニル、１−テトラデシルエイコサニル、１−トリデシルエイコサニル、１−ドデシルエイコサニル、１−ウンデシルエイコサニル、１−デシルエイコサニル、１−ノニルエイコサニル、１−オクチルエイコサニル、１−ヘプチルエイコサニル、１−ヘキシルエイコサニル、１−ペンチルエイコサニル、１−ブチルエイコサニル、１−プロピルエイコサニル、１−エチルエイコサニル、１−メチルエイコサニル、１−エイコサニルドコサニル、１−ノナデシルドコサニル、１−オクタデシルドコサニル、１−ヘプタデシルドコサニル、１−ヘキサデシルドコサニル、１−ペンタデシルドコサニル、１−テトラデシルドコサニル、１−トリデシルドコサニル、１−ウンデシルドコサニル、１−デシルドコサニル、１−ノニルドコサニル、１−オクチルドコサニル、１−ヘプチルドコサニル、１−ヘキシルドコサニル、１−ペンチルドコサニル、１−ブチルドコサニル、１−プロピルドコサニル、１−エチルドコサニル、１−メチルドコサニル、１−トリコサニルテトラコサニル、１−ドコサニルテトラコサニル、１−ノナデシルテトラコサニル、１−オクタデシルテトラコサニル、１−ヘプタデシルテトラコサニル、１−ヘキサデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−テトラデシルテトラコサニル、１−トリデシルテトラコサニル、１−ドデシルテトラコサニル、１−ウンデシルテトラコサニル、１−デシルテトラコサニル、１−ノニルテトラコサニル、１−オクチルテトラコサニル、１−ヘプチルテトラコサニル、１−ヘキシルテトラコサニル、１−ペンチルテトラコサニル、１−ブチルテトラコサニル、１−プロピルテトラコサニル、１−エチルテトラコサニル、１−メチルテトラコサニル、１−ヘプタコサニルオクタコサニル、１−ヘキサコサニルオクタコサニル、１−ペンタコサニルオクタコサニル、１−テトラコサニルオクタコサニル、１−トリコサニルオクタコサニル、１−ドコサニルオクタコサニル、１−ノナデシルオクタコサニル、１−オクタデシルオクタコサニル、１−ヘプタデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ペンタデシルオクタコサニル、１−テトラデシルオクタコサニル、１−トリデシルオクタコサニル、１−ドデシルオクタコサニル、１−ウンデシルオクタコサニル、１−デシルオクタコサニル、１−ノニルオクタコサニル、１−オクチルオクタコサニル、１−ヘプチルオクタコサニル、１−ヘキシルオクタコサニル、１−ペンチルオクタコサニル、１−ブチルオクタコサニル、１−プロピルオクタコサニル、１−エチルオクタコサニル、１−メチルオクタコサニルである。
【００５７】
より好ましい基は、例えば：
１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルプロピル、１−エチルブチル、１−エチルペンチル、１−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、１−エチルオクチル、１−プロピルブチル、１−プロピルペンチル、１−プロピルヘキシル、１−プロピルヘプチル、１−プロピルオクチル、１−ブチルペンチル、１−ブチルヘキシル、１−ブチルヘプチル、１−ブチルオクチル、１−ペンチルヘキシル、１−ペンチルヘプチル、１−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、１−ヘキシルオクチル、１−ヘプチルオクチルである。
【００５８】
式ＩＩ．１）［式中、各Ｒfは、同じ意味を有する］の基の非常に好ましい例は、１−ブチルペンチ−１−イル、１−ペンチルヘキシ−１−イル及び１−ヘキシルヘプチ−１−イルである。式ＩＩ．１）［式中、各Ｒfは、異なる意味を有する］の基の好ましい例は、２−エチルヘキシル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル又は１−メチルヘキシルである。更なる好ましい実施形態において、Ｒaは、式（ＩＩＩ．Ａ）：−（ＣnＨ2n）−Ｒa1の基から選択され、Ｒbは、式（ＩＩＩ．Ｂ）：−（ＣnＨ2n）−Ｒb1の基から選択される［式中、Ｒa1及びＲb1は、非置換又は置換シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールからそれぞれ独立して選択され、ｎは、１〜４の整数である］。
【００５９】
従って、Ｒaは、好ましくは、−ＣＨ2−Ｒa1、−ＣＨ2ＣＨ2−Ｒa1、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｒa1及び−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｒa1から選択される。従って、Ｒbは、好ましくは、−ＣＨ2−Ｒb1、−ＣＨ2ＣＨ2−Ｒb1、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｒb1及び−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｒb1から選択される。
【００６０】
従って、Ｒa1及びＲb1は、好ましくは、一般式（１）〜（１６）
【化１３】
0005496189.tif 000014
［式中、
＃は、（ＣnＨ2n）基への結合位置を表し、
式５、８、１１及び１４におけるＲh基は、Ｃ1〜Ｃ3−アルキル、Ｃ1〜Ｃ3−フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ1Ｅ2、ニトロ及びシアノからそれぞれ独立して選択されるが、Ｅ1及びＥ2は、それぞれ独立して水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールであり、
式６、７、９、１０、１２、１３、１５及び１６におけるＲi基は、Ｃ1〜Ｃ3−アルキル基からそれぞれ独立して選択され、
式５、６及び７におけるｘは、１、２、３、４又は５であり、
式８、９及び１０におけるｘは、１、２、３又は４であり、
式１１、１２及び１３におけるｘは、１、２又は３であり、
式１４、１５及び１６におけるｘは、１又は２である］の基から選択される。
【００６１】
好ましくは、式（ＣnＨ2n）−Ｒa1及び（ＣnＨ2n）−Ｒb1におけるｎは、１又は２である。
【００６２】
好ましくは、Ｒa及びＲbは、両方とも
【化１４】
0005496189.tif 000015
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表す］である。
【００６３】
更なる好ましい実施形態において、Ｒa及びＲbは、１，１−ジヒドロペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ9−アルキル基、特に１，１−ジヒドロペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ6−アルキル基から選択される。
【００６４】
従って、Ｒa及びＲbは、一般式（ＩＶ）
＃−ＣＨ2−（ペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ9−アルキル）  （ＩＶ）
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表す］の基から、特に、＃−ＣＨ2−（ペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ5−アルキル）から選択される。
【００６５】
式（ＩＶ）における好ましいペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ5−アルキル基は、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ｎ−ヘプタフルオロプロピル（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ヘプタフルオロイソプロピル（ＣＦ（ＣＦ3）2）、ｎ−ノナフルオロブチル（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ｎ−ウンデカフルオロペンチル（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、更にＣ（ＣＦ3）3、ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）である。式（ＩＶ）における好ましいペルフルオロ−Ｃ6〜Ｃ9−アルキル基としては、ｎ−Ｃ6Ｆ13、ｎ−Ｃ7Ｆ15、ｎ−Ｃ8Ｆ17又はｎ−Ｃ9Ｆ19が挙げられる。
【００６６】
好ましい実施形態によれば、Ｒa及びＲbは同一である。好ましくは、Ｒa及びＲbは、両方とも−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）又はＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）である。
【００６７】
更なる好ましい実施形態において、Ｒa及びＲbは、１，１，２，２−テトラヒドロペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ10−アルキル基から選択される。
【００６８】
従って、Ｒa及びＲbは、一般式（Ｖ）
＃−ＣＨ2−ＣＨ2−（ペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ8−アルキル）  （Ｖ）
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表す］の基から選択される。
【００６９】
式（Ｖ）における好ましいペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ8−アルキル基は、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ｎ−ヘプタフルオロプロピル（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ヘプタフルオロイソプロピル（ＣＦ（ＣＦ3）2）、ｎ−ノナフルオロブチル（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ｎ−ウンデカフルオロペンチル（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ｎ−Ｃ6Ｆ13、ｎ−Ｃ7Ｆ15、ｎ−Ｃ8Ｆ17、Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2又はＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）である。好ましい実施形態によれば、Ｒa及びＲbは同一である。
【００７０】
更なる好ましい実施形態において、Ｒa及びＲbは、一般式（ＶＩ）
【化１５】
0005496189.tif 000016
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表し、
ｍは、１〜５であり、
ｎは、１〜１０、好ましくは２〜５である］のフルオロフェニルアルキル基からそれぞれ選択される。
【００７１】
一般式（ＶＩ）の基において、ｍは、好ましくは５である。
【００７２】
一般式（ＶＩ）の化合物において、ｎは、好ましくは２である。
【００７３】
一般式（ＶＩ）のフルオロフェニルアルキル基は、好ましくは、
【化１６】
0005496189.tif 000017
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表し、及び
Ａは、ＣＨ2、（ＣＨ2）2又は（ＣＨ2）3である］から選択される。
【００７４】
フルオロフェニルアルキル基は、より好ましくは、式
【化１７】
0005496189.tif 000018
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表し、及び
Ａは、ＣＨ2、（ＣＨ2）2又は（ＣＨ2）3である］の基から選択される。
【００７５】
上記の式において、Ａは、とりわけ（ＣＨ2）2である。
【００７６】
好ましい実施形態において、Ｒa及びＲbは、両方とも、
【化１８】
0005496189.tif 000019
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表す］である。
【００７７】
更なる好ましい実施形態において、Ｒa及びＲbは、一般式（ＶＩＩ）
【化１９】
0005496189.tif 000020
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表し、及び
ｓは、１〜５である］のフルオロフェニル基から選択される。
【００７８】
好ましい実施形態において、Ｒa及びＲbは、両方とも、
【化２０】
0005496189.tif 000021
［式中、＃は、イミド窒素原子への結合位置を表す］である。
【００７９】
本発明の更なる目的は、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物及び２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド以外の式（Ｉ）の新規なトリ−及びテトラクロロ化ナフタレン化合物に関する。具体例としては、式Ｉ［式中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は、それぞれＯであり；Ｙ1は、ＮＲaであり、Ｒaは、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキルであり；Ｙ2は、ＮＲbであり、Ｒbは、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキルであり；Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又はＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれＣｌである］のそれらの化合物が挙げられる。
【００８０】
本発明の更なる目的は、式（Ｉ．Ｂａ）
【化２１】
0005496189.tif 000022
［式中、
Ｒa及びＲbは、独立して、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30−アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキルであり；及び
Ｒ1及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素であるか、又は
Ｒ1及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素である］のジクロロ化ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物である。
【００８１】
式（Ｉ）の適切な化合物の具体例は、以下に示される。
【化２２−１】
0005496189.tif 000023
【化２２−２】
0005496189.tif 000024
【化２２−３】
0005496189.tif 000025
【化２２−４】
0005496189.tif 000026
【化２２−５】
0005496189.tif 000027
【００８２】
本発明は、更に、式（Ｉ．Ａ）
【化２３】
0005496189.tif 000028
［式中、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又はＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれＣｌである］の化合物の製造法であって、クロロスルホン酸において、適切な場合、触媒としてのヨウ素の存在下で、塩素との反応でナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物を塩素化する方法を提供する。
【００８３】
ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物は、溶媒としてのクロロスルホン酸における塩素との反応によって塩素化され得る。
【００８４】
ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物と塩素化剤との反応は、好ましくは、触媒としてのヨウ素の存在下で起きる。
【００８５】
塩素化の温度及び期間は、化合物（Ｉ．Ａ）の塩素化の程度を制御するために使用され得る。
【００８６】
塩素化剤との反応のための反応温度は、典型的には、３５〜１５０℃、好ましくは３５〜１１０℃、より好ましくは６０〜１００℃、例えば４０〜９５℃の範囲内である。
【００８７】
ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物と塩素化剤との反応は、標準圧力下又は高圧下で行うことが可能であり、例えば、塩素化の圧力は、１ｂａｒ〜１００ｂａｒの範囲内である。通常、塩素化の圧力は、１〜１０ｂａｒの範囲内である。
【００８８】
式（Ｉ．Ａ）の化合物は、典型的には沈殿によって反応混合物から単離される。前記沈殿は、例えば、化合物を溶解しないか、又は非常に小さい程度だけ溶解するが、不活性溶媒と混和性である液体を添加することによって生じる。好ましい沈殿剤は、水である。沈殿生成物は、次いで濾過によって単離することが可能であり、典型的には十分に高い純度を有する。
【００８９】
また、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物は、ＤＥ３６２０３３２に記載される方法に従って製造することも可能である。
【００９０】
半導体としての生成物の使用のために、式（Ｉ．Ａ）の化合物を更に精製することは有利であり得る。例としては、カラムクロマトグラフィー法が挙げられるが、その場合、例えばハロゲン化炭化水素、例えばメチレンクロリド又はトルエン／−又は石油エーテル／エチルアセテート混合物に溶解された生成物は、シリカゲル上で分離又は濾過される。更に、昇華又は結晶化による精製が可能である。
【００９１】
必要な場合、精製工程は、１回、又は１回超繰り返され、及び／又は異なる精製工程は、非常に純粋な化合物（Ｉ．Ａ）を得るために組み合わせられる。
【００９２】
本発明は、更に、式（Ｉ．Ｂ）
【化２４】
0005496189.tif 000029
［式中、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又はＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれＣｌであり、
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して水素、又は非置換若しくは置換アルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリール若しくはヘテロアリールである］の化合物の製造法であって、
ａ１）クロロスルホン酸における、適切な場合、触媒としてのヨウ素の存在下で、塩素との反応でナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物を塩素化して、一般式Ｉ．Ａ
【化２５】
0005496189.tif 000030
［式中、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又はＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれＣｌである］の化合物を得て、
ｂ１）工程ａ１）において得られた化合物を、式Ｒa−ＮＨ2のアミンと、および適切な場合、式Ｒb−ＮＨ2のアミンと反応させる方法を提供する。
【００９３】
反応工程ａ１）に関して、ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物の塩素化に関する上記の所見が参照される。
【００９４】
反応工程ｂ１）におけるカルボン酸無水物基のイミド化は、概ね公知である。極性非プロトン溶媒の存在下で無水物を一級アミンと反応させることが好ましい。適切な極性非プロトン溶媒は、窒素ヘテロ環、例えば、ピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、キナルジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリドン及びＮ−メチルピロリドンである。
【００９５】
前記反応は、イミド化触媒の存在下で行うことが可能である。適切なイミド化触媒は、有機酸及び無機酸、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸及びリン酸である。適切なイミド化触媒は、更に、遷移金属、例えば亜鉛、鉄、銅及びマグネシウムの有機塩及び無機塩である。例としては、酢酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、酸化亜鉛、酢酸鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）及び酢酸マグネシウムが挙げられる。イミド化触媒は、好ましくは芳香族アミンの反応に使用され、一般に脂環式アミンの反応のためにも有利である。脂肪族アミン、とりわけ短鎖脂肪族アミンの反応の場合、イミド化触媒を用いて分注することが一般に可能である。使用されるイミド化触媒の量は、アミド化すべき化合物の全質量に対して、一般に５〜８０質量％、より好ましくは１０〜７５質量％である。
【００９６】
二無水物に対するアミンの定量的モル比は、好ましくは約２：１〜４：１、より好ましくは２．２：１〜３：１である。
【００９７】
工程ｂ１）における反応温度は、一般に、周囲温度〜２００℃、好ましくは４０℃〜１８０℃である。脂肪族アミン及び脂環式アミンは、好ましくは約６０℃〜１００℃の温度範囲内で反応する。芳香族アミンは、好ましくは約１２０℃〜１６０℃の温度範囲内で反応する。
【００９８】
工程ｂ１）における反応は、好ましくは、保護ガス雰囲気、例えば窒素の下で行われる。
【００９９】
工程ｂ１）における反応は、標準圧力又は所望により高圧力の下で行うことが可能である。適切な圧力範囲は、約０．８〜１０ｂａｒの範囲内である。揮発性アミンが使用される場合（沸点、例えば≦１８０℃）、高圧力の下で作業することが好ましい。
【０１００】
一般に、工程ｂ１）において得られたジイミドは、更なる精製なしで後続の反応のために使用され得る。しかし、半導体としての生成物の使用のために、生成物を更に精製することが有利であり得る。例としては、カラムクロマトグラフィー法が挙げられ、その場合、生成物は、好ましくはハロゲン化炭化水素、例えばメチレンクロリド、クロロホルム又はテトラクロロエタンに溶解され、シリカゲル上で分離又は濾過される。最後に溶媒は除去される。
【０１０１】
本発明は、更に、式（Ｉ．Ｂ）
【化２６】
0005496189.tif 000031
［式中、
Ｒ1及びＲ4はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ3はそれぞれ水素であるか、又はＲ1及びＲ3は、それぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素であるか、又はＲ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ4は水素であるか、又はＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれＣｌであり、
Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して水素であるか、又は非置換若しくは置換アルキル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、クロロ化アリール若しくはクロロ化ヘタリールである］の化合物の製造法であって、
ａ２）
ナフタレン−１，８；４，５−テトラカルボン酸二無水物を式Ｒa−ＮＨ2のアミンと、適切な場合、式Ｒb−ＮＨ2のアミンと反応させて式（Ｄ）
【化２７】
0005496189.tif 000032
の化合物を得て、
ｂ２）工程ａ２）において得られた化合物を、触媒としてのヨウ素の存在下で塩素との反応で塩素化する方法を提供する。
【０１０２】
好ましい実施形態において、ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物は、式Ｒa−ＮＨ2のアミン、及び適切な場合、式Ｒb−ＮＨ2の内の１つを用いて工程ａ２）において転化されるが、Ｒa及びＲbは、触媒としてのヨウ素の存在下で塩素との反応によって塩素化され得ない各基である。好ましくは、工程ｂ２）における式（Ｄ）の化合物の塩素化は、クロロスルホン酸において、触媒量のヨウ素の存在下で、塩素との反応によって生じる。ヨウ素の量は、塩素の量に対して１〜１０質量％、好ましくは２〜５質量％である。
【０１０３】
塩素との反応のための反応温度は、典型的には、４０〜１５０℃、好ましくは６０〜１００℃の範囲内である。
【０１０４】
ナフタレン−１，８：４，５−テトラカルボン酸二無水物と塩素との反応は、標準圧力下又は高圧下で行うことが可能であり、例えば、塩素化の圧力は、１ｂａｒ〜１００ｂａｒの範囲内である。通常、塩素化の圧力は、１ｂａｒ〜１０ｂａｒの範囲内である。
【０１０５】
通常、反応時間は、２〜４８時間、好ましくは４〜１６時間の範囲に及ぶ。塩素化の反応温度及び反応時間は、塩素化の程度を制御するために使用され得る。
【０１０６】
通常、約５０ｍＬのクロロスルホン酸が、式（Ｄ）の２〜２０ミリモルの化合物のための溶媒として使用される。
【０１０７】
式（Ｉ．Ｂ）［式中、Ｒ1及びＲ4はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ3はそれぞれ水素であるか、又はＲ1及びＲ3はそれぞれＣｌであり、且つＲ2及びＲ4はそれぞれ水素である］の化合物を、スキーム１において概説されるように製造することも可能である。
スキーム１：
【化２８】
0005496189.tif 000033
【０１０８】
スキーム１において、Ｒa及びＲbは、上記定義の通りである。式（ＩＸ）及び（Ｘ）のジクロロナフタレンテトラカルボン酸ビス無水物は、ＲaがＲbと異なる場合、それぞれ式Ｒa−ＮＨ2のアミン及び適切な場合、式Ｒb−ＮＨ2の内の１つで処理される。通常、反応は、溶媒中において行われる。適切な溶媒としては、Ｃ1〜Ｃ6アルカンカルボン酸、例えば酢酸が挙げられる。また、式（ＩＸ）の２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物及び式（Ｘ）の２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物（即ち、それぞれ、式（Ｉ．Ａ）［式中、Ｒ1及びＲ4は両方とも塩素であり、且つＲ2及びＲ3は両方とも水素であるか、又はＲ1及びＲ3は両方とも塩素であり、且つＲ2及びＲ4は両方とも水素である］の化合物）は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６，７１，８０９８−８１０５に記載される方法に従って製造することも可能である。
【０１０９】
式（Ｉ．Ｂ）［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は塩素である］の化合物は、ＤＥ３６２０３３２に記載される方法に従って製造され得る、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物から開始して、スキーム１において示される方法と同様に製造され得る。
【０１１０】
式（Ｉ）、より具体的には式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物は、特に有利には、有機半導体として適切である。それらは、一般にｎ型半導体として機能する。本発明により使用される式（Ｉ）の化合物が他の半導体と組み合わせられ、且つエネルギーレベルの位置が、他の半導体がｎ型半導体として機能するという結果を有する場合、化合物（Ｉ）は、例外的な場合においてｐ−半導体として機能することもできる。
【０１１１】
式（Ｉ）の化合物は、それらの空気安定性のために注目に値する。驚くべきことに、式（Ｉ）の化合物を含む有機電界効果トランジスタは、それらの空気安定性及び湿度安定性のために注目に値する。
【０１１２】
式（Ｉ）の化合物は、高電荷輸送移動度を有し、及び／又は、高オン／オフ比を有する。式（Ｉ）の化合物は、真空蒸着法によって蒸着される場合は最低０．１ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1の電荷移動度、又は、液体形態で蒸着される場合は最低０．０１ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1の電荷移動度を有する。平均オン／オフ比は、少なくとも１０4、好ましくは少なくとも１０5である。それらは、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）のための特に有利な方法において適切である。
【０１１３】
本発明の化合物は、特に有利には、現在までのところ通例のｎ−チャネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ））が使用される集積回路（ＩＣ）の製造に適切である。従って、これらは、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、スタティックＲＡＭ及び他のデジタル論理演算装置のためのＣＭＯＳ様半導体装置である。
【０１１４】
半導体材料の製造のために、式（Ｉ）の本発明の化合物は、以下の方法：印刷（オフセット、フレキソ、グラビア、スクリーン、インクジェット、電子写真）、蒸発、レーザ転写、スピンコーティング、フォトリソグラフィー、ドロップキャストの内の１つによって更に加工され得る。それらは、ディスプレイ（とりわけ大型及び／又はフレキシブルディスプレイ）及びＲＦＩＤタグ用にとりわけ適切である。
【０１１５】
本発明の化合物は、それらがエレクトロルミネセンスによって、又はＦｏｅｒｓｔｅｒエネルギー遷移（ＦＲＥＴ）を介した適切なリン光エミッタによって励起されるＯＬＥＤにおける蛍光エミッタとしても特に適切である。
【０１１６】
式（Ｉ）の本発明の化合物は、帯電顔料染料を介した電気泳動効果に基づいて色のオン／オフを切り換えるディスプレイにおいても特に適切である。かかる電気泳動ディスプレイは、例えばＵＳ２００４／０１３０７７６に記載されている。
【０１１７】
本発明は、更に、少なくとも１つのゲート構造とソース電極とドレイン電極とを有する基板と、ｎ型半導体として上記で定義された通りの式Ｉの少なくとも１種の化合物とを含む有機電界効果トランジスタを提供する。本発明は、更に、電界効果トランジスタの少なくとも一部がｎ型半導体として上記で定義された通りの式Ｉの少なくとも１種の化合物を含む多数の有機電界効果トランジスタを含む基板を提供する。また、本発明は、少なくとも１つのかかる基板を含む半導体装置を提供する。
【０１１８】
特定の実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィー）を有する基板であって、それぞれのトランジスタが、
−  基板に配置された有機半導体；
−  導伝性のチャネルの導伝性を制御するためのゲート構造；及び
−  チャネルの２つの端部に導伝性ソース及びドレイン電極
を含み、有機半導体が、式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物から成るか、又は式（Ｉ）の化合物を含む、基板である。更に、有機電界効果トランジスタは、一般に誘電体を含む。
【０１１９】
更なる特定の実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターンを有する基板であって、それぞれのトランジスタが集積回路を形成するか、又は集積回路の一部であり、トランジスタの少なくとも一部が式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物を含む、基板である。
【０１２０】
適切な基板は、概ね、この目的のために公知の材料である。適切な基板は、例えば、金属（好ましくは、周期律表の８、９、１０又は１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物材料（例えば、ガラス、石英、セラミック、ＳｉＯ2）、半導体（例えば、ドープされたＳｉ、ドープされたＧｅ）、金属合金（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等に基づいく）、半導体合金、ポリマー（例えば、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン、並びにそれらの混合物及び複合物）、無機固体（例えば、アンモニウムクロリド）、紙、及びそれらの組み合わせである。基板は、所望の使用に応じて、柔軟であっても、又は柔軟でなくてもよく、且つ湾曲形状又は平面形状を有してよい。
【０１２１】
半導体装置のための典型的な基板は、マトリックス（例えば、石英マトリックス又はポリマーマトリックス）及び、場合により、誘電体上層を含む。
【０１２２】
適切な誘電体は、ＳｉＯ2、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソブテン）、ポリビニルカルバゾール、フッ素化ポリマー（例えば、Ｃｙｔｏｐ、ＣＹＭＭ）、シアノプルラン、ポリビニルフェノール、ポリ−Ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニル、又は熱的に若しくは大気水分によって架橋性のポリマーである。特定の誘電体は、「自己組織化ナノ誘電体」、即ち、ＳｉＣｌ官能基、例えば、Ｃｌ3ＳｉＯＳｉＣｌ3、Ｃｌ3Ｓｉ−（ＣＨ2）6−ＳｉＣｌ3、Ｃｌ3Ｓｉ−（ＣＨ2）12−ＳｉＣｌ3を含むモノマーから得られる、及び／又は大気水分によって、若しくは溶媒で希釈される水の添加によって架橋されるポリマーである（例えば、Ｆａｃｃｉｅｔｔｉ  Ａｄｖ．Ｍａｔ．２００５，１７，１７０５−１７２５参照）。水の代わりに、ヒドロキシル含有ポリマー、例えばポリビニルフェノール若しくはポリビニルアルコール、又はビニルフェノール及びスチレンのコポリマーが架橋成分として役立つことも可能である。また、少なくとも１種の更なるポリマー、例えば次いで更に架橋するポリスチレンが、架橋作用の間に存在することも可能である（Ｆａｃｉｅｔｔｉ、米国特許出願２００６／０２０２１９５参照）。
【０１２３】
基板は、更に、一般に基板上に配置される（例えば、誘電体上の非導電性層に蒸着されるか、又は埋め込まれる）電極、例えばＯＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有することができる。基板は、更に、典型的には誘電体上層（即ちゲート誘電体）の下に配置されるＯＦＥＴの導伝性ゲート電極を含むことができる。
【０１２４】
特定の実施形態において、絶縁体層（ゲート絶縁層）は、基体表面の少なくとも一部の上に存在する。絶縁体層は、無機絶縁体、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮ等、強誘電絶縁体、例えばＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｌａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3等、有機絶縁体、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール、ポリアクリレート等、及びそれらの組み合わせから好ましくは選択される少なくとも１種の絶縁体を含む。
【０１２５】
ソース電極及びドレイン電極のための適切な材料は、概ね導電性材料である。これらには、金属、好ましくは、周期律表の８、９、１０又は１１族の金属、例えばＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等が挙げられる。また、導電性ポリマー、例えば、ＰＥＤＯＴ（＝ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））；ＰＳＳ（＝ポリ（スチレンスルホネート））、ポリアニリン、表面改質金等も適切である。好ましい導電性材料は、１０-3オーム×メートル未満、好ましくは１０-4オーム×メートル未満、とりわけ１０-6又は１０-7オーム×メートル未満の比抵抗を有する。
【０１２６】
特定の実施形態において、ドレイン電極及びソース電極は、有機半導体材料上に少なくとも部分的に存在する。基板が、半導体材料又はＩＣにおいて通例使用される通りの更なる部品、例えば絶縁体、抵抗体、コンデンサ、導体トラック等を含むことができることはいうまでもない。
【０１２７】
電極は、通例の方法、例えば蒸発、リソグラフィ法又は別の構造体化法によって適用され得る。
【０１２８】
半導体材料は、印刷によって分散相の適切な助剤（ポリマー、界面活性剤）でも加工され得る。
【０１２９】
好ましい実施形態において、一般式Ｉの少なくとも１種の化合物（及び、適切な場合、更なる半導体材料）の蒸着は、気相蒸着法（物理蒸着、ＰＶＤ）によって行われる。ＰＶＤ法は、高真空条件下で実施され、以下の工程：蒸発、輸送、蒸着を含む。驚くべきことに、一般式Ｉの化合物は、本質的に分解しない、及び／又は望ましくない副生成物を形成しないことから、特に有利にはＰＶＤ法における使用に適切であることが分かった。蒸着される材料は、高純度で得られる。特定の実施形態において、蒸着材料は、結晶の形態で得られるか、又は高結晶含有率を含む。一般に、ＰＶＤのために、一般式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物は、その蒸発温度よりも高い温度に加熱され、結晶化温度よりも低く冷却することによって基板上に蒸着される。蒸着における基板の温度は、好ましくは約２０〜２５０℃の範囲内、より好ましくは５０〜２００℃である。
【０１３０】
得られた半導体層は、一般に、ソース電極とドレイン電極との間のオーム接触のために十分な厚みを有する。蒸着は、不活性雰囲気下で、例えば窒素、アルゴン又はヘリウムの下で実施され得る。
【０１３１】
蒸着は、典型的には、周囲圧力で又は減圧下で実施される。適切な圧力範囲は、約１０-7〜１．５ｂａｒである。
【０１３２】
式（Ｉ）の化合物は、好ましくは１０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１５〜２５０ｎｍの厚さの基板上に蒸着される。特定の実施形態において、式Ｉの化合物は、結晶形態で少なくとも部分的に蒸着される。この目的のために、とりわけ上記のＰＶＤ法が適切である。更に、以前に製造された有機半導体結晶を使用することが可能である。かかる結晶を得るために適切な方法は、Ｒ．Ａ．Ｌａｕｄｉｓｅ  ｅｔ  ａｌ．によって"Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｅｍｉ−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １８７（１９９８），ｐａｇｅｓ４４９−４５４及び"Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ−ｓｉｚｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ｏｆ  α−Ｈｅｘａｔｈｉｏｐｈｅｎｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １９８２（１９９７），ｐａｇｅｓ  ４１６−４２７に記載され、それらは、参考として本明細書で援用される。
【０１３３】
有利には、一般式（Ｉ）の化合物を、溶液から加工することも可能である。その場合、一般式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物（及び、適切な場合、更なる半導体材料）は、例えばスピンコーティングによって基板に塗布される。更に、式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物は、溶液剪断によって基板に塗布される。この種の蒸着は、例えば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００８，２０，２５８８−２５９４．に記載されている。これとしては、典型的なナイフコーティング法、例えば空気ナイフコーティング、ナイフコーティング、空気ブレードコーティング、スクイーズコーティング、ロールコーティング及びキスコーティングが挙げられる。この目的のために、例えば、式（Ｉ）の化合物の溶液を第１基板に塗布し、次いで第２基板を前記溶液に接触させる。次いで、剪断エネルギーを導入する。好ましい実施形態によれば、式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物の少量の溶液、例えば液滴が基板上に加えられる。基板温度は、室温と、溶媒蒸発速度を制御するための使用溶媒の沸点の６０〜８０％の温度との間に及ぶ。固定ウエハに対して上部ウエハを引き抜くことは、溶液上のウエハ間に剪断力を及ぼす。剪断速度は、通常０．０１〜０．５ｍｍ／秒の範囲内、好ましくは０．０８６６〜０．１７３２ｍｍ／秒である。疎水性表面を有する基板を使用することが有利であり得る。基板表面を疎水化するために適切な化合物は、アルキルトリアルコキシシラン、例えばｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン若しくはｎ−オクタデシルトリ（イソプロピル）オキシシラン、又はフェニルトリクロロシランを含む。
【０１３４】
一般式（Ｉ）の化合物が溶液から加工される場合、使用溶媒は、低沸点又は高沸点を有することができる。適切な溶媒は、芳香族溶媒、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、オクタヒドロナフタレン、クロロベンゼン若しくはジクロロベンゼン、とりわけオルト−ジクロロベンゼン、又は直鎖状若しくは環状エーテル、例えばテトラヒドロフラン、ジグリコールメチルエーテル若しくは芳香族エーテル、例えば、ジフェニルエーテルメトキシベンゼン、ペルフルオロポリエーテル、例えばＨＴ−６０若しくはＨＴ９０ＣＴ１３５（Ｓｏｌｖａｙから、ペルフルオロエチレングリコールのコポリマー、鎖の開始端及び終端にＣＦ3基を有するペルフルオロプロピレングリコール）、Ｃ1〜Ｃ6−カルボン酸のＣ1〜Ｃ6−アルキルエステル、例えば、メチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、メチルプロピオネート、エチルプロピオネート、プロピルプロピオネート、ブチルプロピオネート及びそれらの混合物である。好ましい実施形態によれば、溶媒の混合物、とりわけ少なくとも２種の溶媒が異なる沸点を有するものが使用される。好ましくは、沸点の差は、３０℃よりも大きい。
【０１３５】
また、式（Ｉ）の化合物は、印刷方法によって、半導体素子、とりわけＯＦＥＴを製造するためにも適切である。この目的のために、通例の印刷方法（インクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア；凹版印刷、ナノ印刷）を使用することが可能である。印刷方法における式（Ｉ）の化合物の使用のための好ましい溶媒は、芳香族溶媒、例えばトルエン、キシレン、環状エーテル、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン、又は直鎖状エーテル、例えばジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等である。これらの「半導体インク」に増粘物質、例えばポリマー、例えばポリスチレン等を添加することも可能である。この場合、使用される誘電体は、上述の化合物である。
【０１３６】
特定の実施形態において、本発明の電界効果トランジスタは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。通例の構成において、薄膜トランジスタは、基板上に配置されるゲート電極と、その上及び基板上に配置されるゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層上に配置される半導体層と、半導体層上のオーム接触層と、オーム接触層上のソース電極及びドレイン電極とを有する。
【０１３７】
好ましい実施形態において、基板の表面は、一般式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物（及び、適切な場合、少なくとも１種の更なる半導体材料）の蒸着の前に改質される。この改質は、半導体材料と結合する領域及び／又は半導体材料が蒸着され得ない領域を形成する役目をする。基板の表面は、好ましくは、基板の表面と式（Ｉ）の化合物とへの結合に適切な少なくとも１種の化合物（Ｃ１）によって改質される。適切な実施形態において、一般式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物（及び、適切な場合、更に半導性化合物）の改善された蒸着を可能にするために、基板の表面一部又は完全な表面に少なくとも１種化合物（Ｃ１）が被覆される。更なる実施形態は、対応する製造法による基板上への一般式（Ｃ１）の化合物のパターンの蒸着を含む。これらには、この目的のために公知のマスク法や、例えば、参考として本明細書で完全に援用されるＵＳ−２００７−０１９０７８３−Ａ１に記載される通りのいわゆる「パターン形成」法が挙げられる。
【０１３８】
式（Ｃ１）の適切な化合物は、基板と一般式Ｉの少なくとも１種の半導体化合物との両方との結合相互作用が可能である。「結合相互作用」という用語は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位相互作用、ファンデルワールス相互作用、例えば双極子−双極子相互作用等、及びそれらの組み合わせの形成を含む。一般式（Ｃ１）の適切な化合物は、以下の通りである。
−  シラン、ホスホン酸、カルボン酸、ヒドロキサム酸、例えば、アルキルトリクロロシラン、例えば、ｎ−オクタデシルトリクロロシラン；アリールトリクロロシラン、例えば、フェニルトリクロロシラン；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えば、アルキルトリアルコキシシラン、例えば、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（イソプロピル）オキシシラン；トリアルコキシアミノアルキルシラン、例えば、トリエトキシアミノプロピルシラン及びＮ−［（３−トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン；トリアルコキシアルキル３−グリシジルエーテルシラン、例えば、トリエトキシプロピル３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えば、アリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリロイルオキシアルカン及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば、１−トリエトキシシリル−３−アクリロイルオキシプロパン。
−  アミン、ホスフィン及び硫黄を含む化合物、とりわけチオール。
【０１３９】
化合物（Ｃ１）は、好ましくは、アルキルトリアルコキシシラン、とりわけｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン；フェニルトリクロロシラン；ヘキサアルキルジシラザン、及びとりわけヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）；Ｃ8〜Ｃ30−アルキルチオール、とりわけヘキサデカンチオール；メルカプトカルボン酸及びメルカプトスルホン酸、とりわけメルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及びアルカリ金属、並びにそれらのアンモニウム塩から選択される。
【０１４０】
また、本発明の半導体を含む各種半導体構造、例えばトップコンタクト、トップゲート、ボトムコンタクト、ボトムゲート、又は例えばＵＳ２００４／００４６１８２に記載される通りの縦型構成、例えばＶＯＦＥＴ（縦型有機電界効果トランジスタ）も考えられる。
【０１４１】
層厚さは、例えば、半導体において１０ｎｍ〜５μｍ、誘電体において５０ｎｍ〜１０μｍであり；電極は、例えば、２０ｎｍ〜１μｍの厚さであってよい。また、ＯＦＥＴは、他の部品、例えばリング発振器又はインバータを形成するために組み合わせることも可能である。
【０１４２】
本発明の更なる一態様は、ｎ−及び／又はｐ−半導体であり得る複数の半導体部品を含む電子部品の提供である。かかる部品の例は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、トンネルダイオード、コンバータ、発光部品、生物学的及び化学的検出器又はセンサ、温度依存性検出器、光検出器、例えば偏光感度光検出器、ゲート、ＡＮＤ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴ、ＯＲ、ＴＯＲ及びＮＯＲゲート、レジスタ、スイッチ、タイマー装置、静的又は動的ストア、及びプログラム可能な回路を含む他の動的又は連続的、論理的若しくは他のデジタル部品である。
【０１４３】
特定の半導体素子は、インバータである。デジタル論理において、インバータは、入力信号を反転させるゲートである。インバータは、ＮＯＴゲートとも呼ばれる。現実のインバータ回路は、入力電流の逆を構成する出力電流を有する。典型値は、例えば、ＴＴＬ回路について（０、＋５Ｖ）である。デジタルインバータの性能は、電圧伝達曲線（ＶＴＣ）、即ち出力電流に対する入力電流のプロットを再現する。理想的には、それは、段階的機能であり、現実の測定された曲線がかかる段階に近ければ近いほど、インバータはより良好である。本発明の特定の実施形態において、式（Ｉ）の化合物は、インバータにおける有機ｎ型半導体として使用される。
【０１４４】
また、式（Ｉ）、より具体的には式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の本発明の化合物は、特に有利には有機光電装置（ＯＰＶ）における使用にも適切である。
【０１４５】
有機太陽電池は、一般に層構造を有し、一般に少なくとも以下の層：陽極、光活性層及び陰極を含む。従って、これらの層は、一般に通例の基板上に位置する。有機太陽電池の構造は、例えば、参考として本明細書で完全に援用されるＵＳ２００５／００９８７２６及びＵＳ２００５／０２２４９０５に記載されている。
【０１４６】
本発明は、更に、光活性材料として上記定義の通りの式Ｉの少なくとも１種の化合物を含む有機太陽電池を提供する。
【０１４７】
有機太陽電池のための適切な基板は、例えば、酸化物材料（例えば、ガラス、セラミック、ＳｉＯ2、特に石英等）、ポリマー（例えば、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン、並びにそれらの混合物及び複合物）及びそれらの組み合わせである。
【０１４８】
適切な電極（陰極、陽極）は、概ね金属（好ましくは、周期律表の８、９、１０又は１１族の、例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ）、半導体（例えば、ドープされたＳｉ、ドープされたＧｅ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）等）、金属合金（例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等に基づく、とりわけＭｇ／Ａｇ合金）、半導体合金等である。電極の内の１つ、例えば使用される陽極は、好ましくは入射光に本質的に透過性の材料である。これとしては、例えば、ＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＺｎＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープＺｎＯ）、ＴｉＯ2、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔが挙げられる。他の電極、例えば使用される陰極は、好ましくは、入射光を本質的に反射する材料である。例えば、これとしては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａ等の金属膜が挙げられる。
【０１４９】
光活性層自体は、本発明による方法によって提供された少なくとも１つの層を含むか、又は少なくとも１つの層から成り、有機半導体材料として、上記定義の通りの式Ｉａ及び／又はＩｂの少なくとも１種の化合物を含む。光活性層に加えて、１つ以上の更なる層があり得る。これらには、例えば、
−  電子導電性を有する層（ＥＴＬ、電子輸送層）
−  吸収してはならない正孔導電材料を含む層（正孔輸送層、ＨＴＬ）
−  吸収するべきでない励起子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層（例えば、励起子ブロッキング層、ＥＢＬ）、及び
−  増倍層
が挙げられる。
【０１５０】
適切な励起子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層は、例えば、ＵＳ６，４５１，４１５に記載されている。
【０１５１】
励起子ブロッカー層のための適切な材料は、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）、４，４’，４''−トリス［３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）又はポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）である。
【０１５２】
本発明の太陽電池は、光活性供与体−受容体ヘテロ接合に基づいてよい。式Ｉの少なくとも１種の化合物がＨＴＭ（正孔輸送材料）として使用される場合、対応するＥＴＭ（電子輸送材料）は、化合物の励起後にＥＴＭへの急激な電子遷移が生じるように選択されなければならない。適切なＥＴＭは、例えば、Ｃ６０及び他のフラーレン、ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（ＰＴＣＤＩ）等である。式Ｉの少なくとも１種の化合物がＥＴＭとして使用される場合、相補的なＨＴＭは、化合物の励起後にＨＴＭへの急激な正孔遷移が生じるように選択されなければならない。ヘテロ接合は、平坦な（平滑な）設計を有することができる（Ｔｗｏ  ｌａｙｅｒ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｃｅｌｌ，Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４８（２），１８３−１８５（１９８６）又はＮ．Ｋａｒｌ，Ａ．Ｂａｕｅｒ，Ｊ．Ｈｏｌｚａｅｐｆｅｌ，Ｊ．Ｍａｒｋｔａｎｎｅｒ，Ｍ．Ｍｏｅｂｕｓ，Ｆ．Ｓｔｏｅｌｚｌｅ，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，２５２，２４３−２５８（１９９４）参照）。ヘテロ接合は、バルクヘテロ接合又は相互貫入供与体−受容体ネットワークとしても設計され得る（例えば、Ｃ．Ｊ．Ｂｒａｂｅｃ，Ｎ．Ｓ．Ｓａｒｉｃｉｆｔｃｉ，Ｊ．Ｃ．Ｈｕｍｍｅｌｅｎ，Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．，１１（１），１５（２００１）参照）。
【０１５３】
また、式Ｉの化合物は、ＭｉＭ、ｐｉｎ、ｐｎ、Ｍｉｐ又はＭｉｎ構造を有する太陽電池における光活性材料としても使用され得る（Ｍ＝金属、ｐ＝ｐドープ有機又は無機半導体、ｎ＝ｎドープ有機又は無機半導体、ｉ＝有機層で構成される本質的に導伝性の系；例えば、Ｂ．Ｊ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ  ｅｔ  ａｌ．，Ｏｒｇ．Ｅｌｅｔｒｏｎ．，５（４），１７５（２００４）又はＭａｅｎｎｉｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ７９，１−１４（２００４）参照）。
【０１５４】
また、式Ｉの化合物は、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，９３（７），３６９３−３７２３（２００３）においてＰ．Ｐｅｕｍａｎｓ，Ａ．Ｙａｋｉｍｏｖ，Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔによって記載される通りの多層電池における光活性材料としても使用され得る（特許ＵＳ４，４６１，９２２、ＵＳ６，１９８，０９１及びＵＳ６，１９８，０９２参照）。
【０１５５】
また、式Ｉの化合物は、２つ以上の積層されたＭｉＭ、ｐｉｎ、Ｍｉｐ又はＭｉｎダイオードから構成される多層電池における光活性材料としても使用され得る（特許出願ＤＥ１０３１３２３２．５参照）（Ｊ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，４５１４５２，５１５−５１７（２００４））。
【０１５６】
Ｍ層、ｎ層、ｉ層及びｐ層の層厚さは、典型的には１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜４００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。薄層は、レーザアブレーションによって、又は溶液加工可能法若しくは分散液加工可能法、例えばスピンコーティング、ナイフコーティング、キャスティング法、スプレー、浸漬コーティング又は印刷（例えば、インクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア；凹版印刷、ナノ印刷）によって、減圧下で又は不活性ガス雰囲気中において、蒸着により製造され得る。
【０１５７】
適切な有機太陽電池は、上記したように、電子供与体（ｎ型半導体）又は電子受容体（ｐ−半導体）として式Ｉの少なくとも１種の本発明の化合物を含むことができる。一般式Ｉの化合物に加えて、以下の半導体材料は、有機光電装置における使用に適切である。
【０１５８】
ハロゲン化されていないか、又はハロゲン化されたフタロシアニン。これらには、無金属フタロシアニン、又は二価金属若しくは金属原子を含む基を含むフタロシアニン、とりわけチタニルオキシ、バナジルオキシ、鉄、銅、亜鉛等のものが挙げられる。適切なフタロシアニンは、とりわけ銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン及び無金属フタロシアニンである。特定の実施形態において、ハロゲン化フタロシアニンが使用される。これらには、以下のものが挙げられる。
【０１５９】
２，６，１０，１４−テトラフルオロフタロシアニン、例えば、２，６，１０，１４−銅テトラフルオロフタロシアニン及び２，６，１０，１４−亜鉛テトラフルオロフタロシアニン；１，５，９，１３−テトラフルオロフタロシアニン、例えば、１，５，９，１３−銅テトラフルオロフタロシアニン及び１，５，９，１３−亜鉛テトラフルオロフタロシアニン；２，３，６，７，１０，１１，１４，１５−オクタフルオロフタロシアニン、例えば、２，３，６，７，１０，１１，１４、１５−銅オクタフルオロフタロシアニン及び２，３，６，７，１０，１１，１４，１５−亜鉛オクタフルオロフタロシアニン；ヘキサデカクロロフタロシアニン及びヘキサデカフルオロフタロシアニン、例えば、銅ヘキサデカクロロフタロシアニン、亜鉛ヘキサデカクロロフタロシアニン、無金属ヘキサデカクロロフタロシアニン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン、ヘキサデカフルオロフタロシアニン又は無金属ヘキサデカフルオロフタロシアニン。
【０１６０】
ポルフィリン、例えば、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリン（ＴｐｙＰ）、又はテトラベンゾポルフィリン、例えば、無金属テトラベンゾポルフィリン、銅テトラベンゾポルフィリン若しくは亜鉛テトラベンゾポルフィリン。本発明により使用される式（Ｉ）の化合物等、可溶前駆体として溶液から加工され、基板上の熱分解によって顔料系光活性成分に転化されるテトラベンゾポルフィリンがとりわけ好ましい。
【０１６１】
それぞれが非置換であるか、又は置換されてよいアセン、例えば、アンスラセン、テトラセン、ペンタセン。置換アセンは、好ましくは、電子供与性置換基（例えば、アルキル、アルコキシ、エステル、カルボキシレート又はチオアルコキシ）、電子吸引性置換基（例えば、ハロゲン、ニトロ又はシアノ）及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの置換基を含む。これらは、２，９−ジアルキルペンタセン及び２，１０−ジアルキルペンタセン、２，１０−ジアルコキシペンタセン、１，４，８，１１−テトラアルコキシペンタセン及びルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン）が挙げられる。適切な置換ペンタセンは、参考として本明細書で援用されるＵＳ２００３／０１００７７９及びＵＳ６，８６４，３９６に記載されている。好ましいアセンはルブレンである。
【０１６２】
液晶（ＬＣ）材料、例えばコロネン、例えばヘキサベンゾコロネン（ＨＢＣ−ＰｈＣ12）、コロネンジイミド、又はトリフェニレン、例えば２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヘキシルチオトリフェニレン（ＨＴＴ6）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（４−ｎ−ノニルフェニル）トリフェニレン（ＰＴＰ9）又は２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（ウンデシルオキシ）トリフェニレン（ＨＡＴ11）。ディスコチック液晶材料が特に好ましい。
【０１６３】
チオフェン、オリゴチオフェン及びそれらの置換誘導体；適切なオリゴチオフェンは、クアテルチオフェン、キンキチオフェン、セキシチオフェン、α，ω−ジ（Ｃ1〜Ｃ8）−アルキルオリゴチオフェン、例えば、α，ω−ジヘキシルクアテルチオフェン、α，ω−ジヘキシルキンキチオフェン及びα，ω−ジヘキシルセキシチオフェン、ポリ（アルキルチオフェン）、例えば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ビス（ジチエノチオフェン）、アントラジチオフェン及びジアルキルアントラジチオフェン、例えば、ジヘキシルアントラジチオフェン、フェニレン−チオフェン（Ｐ−Ｔ）オリゴマー及びそれらの誘導体、とりわけα，ω−アルキル−置換フェニレン−チオフェンオリゴマーである。
【０１６４】
α，α’−ビス（２，２−ジシアノビニル）キンキチオフェン（ＤＣＶ５Ｔ）型、３−（４−オクチルフェニル）−２，２’−ビチオフェン（ＰＴＯＰＴ）型、ポリ（３−（４’−（１，４，７−トリオキサオクチル）フェニル）チオフェン）（ＰＥＯＰＴ）型、ポリ（３−（２’−メトキシ−５’−オクチルフェニル）チオフェン）（ＰＯＭｅＯＰＴ）型、ポリ（３−オクチルチオフェン）（Ｐ3ＯＴ）型の化合物、ポリ（ピリドピラジン−ビニレン）−ポリチオフェン混合物、例えば、ＥＨＨ−ＰｐｙＰｚ、ＰＴＰＴＢコポリマー、ＢＢＬコポリマー、Ｆ8ＢＴコポリマー、ＰＦＭＯコポリマー；Ｂｒａｂｅｃ  Ｃ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２９９６，１８，２８８４参照、（ＰＣＰＤＴＢＴ）ポリ［２，６−（４，４−ビス（２−エチルヘキシル）−４Ｈ−シクロペンタ［２，１ｂ；３，４ｂ’］ジチオフェン）−４，７−（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）も適切である。
【０１６５】
パラフェニレンビニレン及びパラフェニレンビニレンを含むオリゴマー又はポリマー、例えば、ポリパラフェニレンビニレン、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）、ＭＤＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン））、ＰＰＶ、ＣＮ−ＰＰＶ（各種アルコキシ誘導体を有する）。
【０１６６】
フェニレンエチニレン／フェニレンビニレンハイブリッドポリマー（ＰＰＥ−ＰＰＶ）。
【０１６７】
ポリフルオレン及び例えば４，７−ジチエン−２’−イル−２，１，３−ベンゾチアジアゾールとの交互ポリフルオレンコポリマー；ポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ8ＢＴ）、ポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−ブチルフェニル）ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＰＦＢ）も適切である。
【０１６８】
ポリカルバゾール、即ち、カルバゾールを含むオリゴマー及びポリマー。
【０１６９】
ポリアニリン、即ち、アニリンを含むオリゴマー及びポリマー。
【０１７０】
トリアリールアミン、ポリトリアリールアミン、ポリシクロペンタジエン、ポリピロール、ポリフラン、ポリシロール、ポリホスホール、ＴＰＤ、ＣＢＰ、Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ。
【０１７１】
フラーレン；かかる電池において、フラーレン誘導体は正孔導体である。
【０１７２】
本出願において、「フラーレン」という用語は、炭素から構成され、縮合炭素環の規則的三次元ネットワークを有する材料を言及する。これらは、球状、円筒状、卵形状、平板状又は角状構造を有することができる。適切なフラーレンは、例えば、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ８０、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ８６、Ｃ９０、Ｃ９６、Ｃ１２０、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）及び多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）である。フラーレン誘導体の例は、フェニル−Ｃ61−酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ71−酪酸メチルエステル（［７１］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ84−酪酸メチルエステル（［８４］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ61−酪酸ブチルエステル（［６０］ＰＣＢＢ）、フェニル−Ｃ61−酪酸オクチルエステル（［６０］ＰＣＢＯ）及びチエニル−Ｃ61−酪酸メチルエステル（［６０］ＴｈＣＢＭ）である。Ｃ６０又はＰＣＢＭ（＝［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル）の使用が特に好ましい。
【０１７３】
有機太陽電池において、少なくとも１種の本発明の化合物とハロゲン化フタロシアニンとを含む半導体材料の組み合わせを使用することが特に好ましい。
【０１７４】
リレン。この関連において、「リレン」という用語は、一般に、ペリ結合ナフタレン単位から構成される分子部分を有する化合物を言及する。ナフタレン単位の数に従って、それらは、ペリレン（ｎ＝２）、テリレン（ｎ＝３）、クアテリレン（ｎ＝４）、又はより高次のリレンであってよい。従って、それらは、以下の式
【化２９】
0005496189.tif 000034
［式中、
Ｒn1基、Ｒn2基、Ｒn3基及びＲn4基は、ｎ＝１〜４の場合、それぞれ独立して水素、ハロゲン、又はハロゲン以外の基であってよく、
Ｙ1は、Ｏ又はＮＲaであり、ここでＲaは、水素又はオルガニル基であり、
Ｙ2は、Ｏ又はＮＲbであり、ここでＲbは、水素又はオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、それぞれＯであり、
ここでＹ1がＮＲaである場合、Ｚ1基及びＺ2基の内の１つは、ＮＲcであってもよく、ここでＲa基及びＲc基は、共にフランキング結合の間に２〜５個の原子を有する架橋基であり、及び
ここでＹ2がＮＲbである場合、Ｚ3基及びＺ4基の内の１つは、ＮＲdであってもよく、ここでＲb基及びＲd基は、共にフランキング結合の間に２〜５個の原子を有する架橋基である］のペリレン、テリレン又はクアテリレンであってよい。
【０１７５】
適切なリレンは、例えば、参考として本明細書で援用されるＷＯ２００７／０７４１３７、ＷＯ２００７／０９３６４３及びＷＯ２００７／１１６００１（＝ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５３３３０）に記載されている。
【０１７６】
有機太陽電池において、式Ｉの少なくとも１種の本発明の化合物を含む半導体材料の組み合わせを使用することが特に好ましい。
【０１７７】
また、全ての上述の半導体材料は、ドープされ得る。従って、特定の実施形態において、本発明の有機太陽電池において、式Ｉの化合物及び／又は（存在する場合）それとは異なる更なる半導体材料は、少なくとも１種のドーパントと結合して使用される。ｎ型半導体としての化合物Ｉの使用のために適切なドーパントは、例えばピロニンＢ及びローダミン誘導体である。
【０１７８】
本発明は、更に、式Ｉの少なくとも１種の化合物を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関する。
【０１７９】
有機発光ダイオードは、概ね複数の層から形成される。これとしては、１．陽極、２．正孔輸送層、３．発光層、４．電子輸送層、及び５．陰極が挙げられる。有機発光ダイオードは、言及された層の全てを有さない可能性もある；例えば、層（１）（陽極）、（３）（発光層）及び（５）（陰極）を含む有機発光ダイオードが同様に適切であり、その場合、層（２）（正孔輸送層）及び（４）（電子輸送層）の機能が隣接層であると仮定される。層（１）、（２）、（３）及び（５）、又は層（１）、（３）、（４）及び（５）を有するＯＬＥＤが同様に適切である。有機発光ダイオードの構造及びその製造法は、例えばＷＯ２００５／０１９３７３から、当業者に概ね周知である。ＯＬＥＤの個々の層のための適切な材料は、例えばＷＯ００／７０６５５に開示されている。これらの文献を参考として本明細書で開示する。化合物Ｉは、通例の技法によって、即ち、熱蒸発、化学蒸着及び他の技法によって、気相からの蒸着により基板に塗布され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１ａ】図１ａ（移動度）は、５０日間の時間の間の相対湿度に依存する空気中における実施例２の化合物の溶液剪断蒸着によって製造されたＯＴＦＴの電気的性質の変動を示す図。
【図１ｂ】図１ｂ（オン／オフ）は、５０日間の時間の間の相対湿度に依存する空気中における実施例２の化合物の溶液剪断蒸着によって製造されたＯＴＦＴの電気的性質の変動を示す図。
【図１ｃ】図１ｃは、空気中における閾値電圧と時間（５０日間）との間の相関性を示す図。
【０１８１】
本発明を、以下の非限定的な実施例を参照して詳細に示す。
【０１８２】
実施例
Ｉ．  式（Ｉ．Ｂ）の化合物の製造
実施例１：
【化３０】
0005496189.tif 000035
【０１８３】
５５０ｍｇ（１．６３ミリモル）の異性体純粋な２，６−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６，７１，８０９８−８１０５に記載されているように製造される）を、１．６２ｇ（６．５２ミリモル）の１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロペンチルアミンと共に２５ｍＬの酢酸に添加し、１４０℃に１時間加熱する。その後、減圧下で酢酸を除去し、固体をメタノールで数回洗浄する。過剰反応物を除去するため、生成物を２％のＮａＨＣＯ3溶液で沸騰させ、未溶解の固体をカラムクロマトグラフィー（ＴＨＦ）によって精製する。４２０ｍｇ（３２％）の帯黄色の固体を得る。
【０１８４】
前記精製を三帯勾配昇華によって行うが、前記帯は、２００℃、１５０℃及び１１６℃である。３００ｍｇの負荷から、１５７ｍｇの昇華生成物を得る。
【０１８５】
オルト−ジクロロベンゼンにおける実施例４．３の化合物のＵＶ可視スペクトルは、４５０ｎｍ超の波長範囲において吸光を示さなかった。
【０１８６】
標題化合物は、室温で１質量％のトルエン溶解性、及び室温で３質量％のテトラヒドロフラン溶解性を示した。
【０１８７】
実施例２：
【化３１】
0005496189.tif 000036
【０１８８】
１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチルアミンを使用した以外は実施例１に記載されたように合成を行った。１８０、１３０及び１００℃で三帯式炉を使用して昇華によって化合物を精製した。３０２ｍｇの標題化合物から開始して、１７７ｍｇの精製生成物を得た。
【０１８９】
オルト−ジクロロベンゼンにおける実施例２の化合物のＵＶ可視スペクトルは、４５０ｎｍ超の波長範囲において吸光を示さなかった。
【０１９０】
標題化合物は、室温で０．８質量％のトルエン溶解性、及び室温で１．５質量％のテトラヒドロフラン溶解性を示した。
【０１９１】
実施例３：
Ｒa及びＲbが１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロアルキルである式（Ｄ）
【化３２】
0005496189.tif 000037
［式中、ｎは１〜３０である］のビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロアルキル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドを製造するための一般的手法。
【０１９２】
２５ｍＬのＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）と３ｍＬの酢酸と２．６８ｇ（０．０１モル）の１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物と０．０５モルの１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロアルキルアミンとの混合物を９０℃で５時間加熱した。続いて、反応混合物を１００ｍＬの希塩酸上に注ぎ、濾過し、約５０ｍＬの水で、次いでエタノールで数回洗浄した後、減圧下で７０℃での乾燥を行った。粗生成物を、ジクロロメタンから結晶化によって精製することができる。標題化合物を、６５〜９０％の収率で得た。
【０１９３】
実施例４：
Ｒa及びＲbが１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロアルキルであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が塩素である式（Ｉ．Ｂ）
【化３３】
0005496189.tif 000038
［式中、ｎは１〜３０である］のテトラクロロ化化合物を製造するための一般的手法。
【０１９４】
クロロスルホン酸（５０ｍＬ）において実施例３の下で得られた生成物（約３．０〜５．０ｇ）をヨウ素（１．０ｇ）と混合し、加熱した。８５℃の温度で、８〜１６時間の期間に亘って１ｂａｒの塩素を反応混合物に導入し、塩素ガスを溶液の表面の下に導入した。反応の経過をＤＣによってモニタした。室温に冷却後、反応混合物を水に添加する。沈殿する固体を濾別し、水で洗浄し、減圧下で乾燥する。標題化合物の収率は、約９０％の純度（ＤＣ）で６２〜９８％の範囲に及ぶ。標題化合物を、トルエン及び／又はジクロロメタンから結晶化によって、或いはカラムクロマトグラフィーによって精製した。
【０１９５】
化合物を、三帯式炉を使用して昇華によって更に精製することができる。例えば：
実施例４．３の化合物：２００、１４０及び１００℃での昇華；
実施例４．４の化合物：２３０、１６０及び１００℃での昇華。実施例４．４の５９１ｍｇの化合物から開始して、４３６ｍｇの昇華化合物を得た。
【０１９６】
オルト−ジクロロベンゼンにおける実施例４．３の化合物のＵＶ可視スペクトルは、４５０ｎｍ超の波長範囲において吸光を示さなかった。
【０１９７】
ｎ＝１、２、３及び４での標題化合物についてのトルエン及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶解性を室温で決定した。
【０１９８】
【表１】
0005496189.tif 000039
【０１９９】
ＩＩ．  電界効果トランジスタにおいて使用する場合の性能結果：
全ての性能試験を、勾配昇華によって精製した化合物によって行った。
【０２００】
ＩＩ．１  気相から蒸着による半導体基板の製造
高度にドープされたｎ型（１００）シリコンウエハ（導伝率＜０．００４Ω-1ｃｍ）を、素子のための基板として使用した。ゲート誘電体としてのＳｉＯ2層（単位面積静電容量Ｃi＝１０ｎＦ／ｃｍ2）をＳｉ基板上に３０００Åの厚さに熱的に成長させた。次いで、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板をピラニア溶液（体積％でＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2との７：３混合物）で３０分間洗浄し、脱イオン水で水洗し、窒素銃を使用して乾燥し、続いてＳｉＯ2／Ｓｉ水をＵＶ−オゾンプラズマ（Ｊｅｔｌｉｇｈｔ  ＵＶＯ−ｃｌｅａｎｅｒ  Ｍｏｄｅｌ４２−１００Ｖ）によって２０分間処理した。真空蒸着室（Ａｎｇｓｔｒｏｍ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｉｎｃ．，Ｃａｎａｄａ）を用いて０．２〜０．３Å／ｓの範囲内の蒸着速度及び１０-6トルの圧力で明確に定義された温度（第１表参照）で保持されたＳｉ／ＳｉＯ2基板上に有機半導体薄膜（４５ｎｍ）を蒸着した。材料の電荷移動度を測定するためにトップコンタクト構成の薄膜トランジスタを使用した。シャドウマスクを介して、金のソース及びドレイン電極（典型的なチャネル長は１００μｍで、幅／長さ比は約２０）を蒸着した。Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００−ＳＣＳ半導体パラメータアナライザを使用して素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定した。主要な素子パラメータ、例えば電荷担体移動度（μ）、閾値電圧（ＶT）及びオン／オフ電流比（Ｉon／Ｉoff）を、標準手順を用いてゲート電圧（Ｖg）特性に対するソース−ドレイン電流（Ｉd）から抽出した。移動度を、ＶGに対する（ＩDS）1/2のプロットの勾配から飽和レジームにおいて決定した。
【０２０１】
表面処理（オプション）
ＯＴＳ−Ｖ
ＳｉＯ2被覆ウエハの洗浄後、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板に、トリクロロエチレンにおけるオクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ）の３ｍＭ溶液をスピンコートし、次いでアンモニア蒸気で飽和した環境中に１２時間配置し、その後、音波洗浄、連続洗浄及び乾燥を行った。最後に、上記のように有機半導体を真空蒸着した。
【０２０２】
第１表：窒素雰囲気中において測定された各種基板温度（Ｔsub）での式（Ｉ．Ｂ）の化合物についての電界効果移動度（μ）、オン／オフ比（Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ）及び閾値電圧（Ｖt）
【表２】
0005496189.tif 000040
a少なくとも３つの素子について得られた平均値。b記録された最大移動度。
【０２０３】
第２表：周囲空気中において測定された各種基板温度（Ｔsub）での式（Ｉ．Ｂ）の化合物についての電界効果移動度（μ）、オン／オフ比（Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ）及び閾値電圧（Ｖt）
【表３】
0005496189.tif 000041
a少なくとも３つの素子について得られた平均値。b記録された最大移動度。
【０２０４】
ＩＩ．２  溶液共有蒸着による半導体基板の製造
高度にドープされたｎ型Ｓｉ（１００）ウエハ（＜０．００４Ωｃｍ）を、基板として使用した。ゲート誘電体としての３００ｎｍのＳｉＯ2層（単位面積当たりの静電容量Ｃｉ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）をＳｉ基板上に熱的に成長させた。これらのウエハをピラニア溶液（体積でＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2との７：３混合物）において洗浄し、脱イオン水で水洗し、次いでＮ2により乾燥した。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板上のフェニルトリクロロシラン（ＰＴＳ）処理表面を、以下の手法によって得た。洗浄ＳｉＯ2／Ｓｉ基板を、８０℃のトルエンにおいてＰＴＳの３質量％溶液中に終夜浸漬した。次いで、基板をトルエン、アセトン、イソプロパノールで水洗し、窒素の蒸気によって乾燥した。ＰＴＳ処理ＳｉＯ2／Ｓｉ基板の接触角は約７０°であった。有機半導体薄膜を、溶液剪断法によってＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に蒸着した。溶液剪断薄膜を、下記のように製造した。７０℃でこれらの試料を終夜乾燥させた後、４０ｎｍの金接点を膜上に蒸着し、５０μｍのチャネル長（Ｌ）及び約２０のＷ／Ｌ比を有する素子を製造した。Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００半導体パラメトリックアナライザ（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ  ＯＨ）を使用することによりＮ2充填グローブボックスにおいてＯＴＦＴ転送及び出力特性を記録した。空気安定性について、空気中における曝露後の時間の関数として試料をモニタした。反対のものに言及しない場合、素子は、剪断方向と平行のチャネル長を有する。
【０２０５】
溶液剪断：
化合物をオルト−ジクロロベンゼン（５又は１０ｍｇ  ｍＬ-1）に溶解し、溶液を、ホットスポット上に配置したウエハ基板上に滴下した。ＰＴＳで処理した疎水性ＳｉＯ2／Ｓｉウエハを溶液液滴の上部に配置した。溶液上で剪断を適用するために上部ウエハを一定速度で引いた。剪断速度：０．００８６ｍｍ／ｓ；温度：１２６℃。
【０２０６】
第３表：溶液共有法によって蒸着した式（Ｉ．Ｂ）の化合物の電気的性質（溶媒：オルト−ジクロロベンゼン）
【表４】
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Ｔsub＝Ｔ基板
平均値は、少なくとも４つの素子から得られた。
【０２０７】
研究された分子の空気安定性試験を、移動度と、オン／オフ比と、時間の関数としての閾値電圧（Ｖｔ）とを測定することによってモニタした。空気中におけるＯＴＦＴの電気的性質の変動は、しばしば相対湿度の影響によるものと考えられる。１．５ヵ月間の空気曝露の後、１、２及び４．３の平均移動度は、それぞれ、４．５０×１０-2、１．７３×１０-1、２．２０×１０-2〜１．８８×１０-2、１．０９×１０-1、８．６３×１０-3ｃｍ-2Ｖ-1ｓ-1にわずかに減少した。５０日間の時間の間の相対湿度に依存する空気中における実施例２の化合物の溶液剪断蒸着によって製造されたＯＴＦＴの電気的性質の変動を、図１ａ（移動度）及び図１ｂ（オン／オフ）に示す。図１ｃは、空気中における閾値電圧と時間（５０日間）との間の相関性を示す。図１ａ、１ｂ及び１ｃにおいて、各実現値における黒丸は、窒素グローブボックスにおける電気的性能に相応し、ＲＨは、相対湿度を意味する。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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