(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車のヘッドライト用の、電磁放射を放出するオプトエレクトロニクス素子であって、
空洞部を有するケーシングボディを備えた形式のものにおいて、
・該空洞部はトレンチ状に形成されており、
・該空洞部内に複数の半導体チップが、線形配列で配置されており、
・２つの隣接する半導体チップの相互間に、該半導体チップの横方向の側縁長の１．５倍以下でありかつ０μｍ以上の間隔が設けられており、
前記半導体チップの配列体は、第１の端部および第２の端部を有し、
該第１の端部に、前記半導体チップのうち少なくとも２つが第１の直線に沿って配置されており、
前記第１の直線に対して斜めである第２の直線に沿って、前記半導体チップのうち少なくとも２つが前記第２の端部に配置されており、
前記第１の直線は前記第２の直線に対して、２０°以下かつ１０°以上の傾斜角度の傾きを有することを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
２つの隣接する前記半導体チップの相互間に、３００μｍ以下でありかつ０μｍ以上の間隔が設けられている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
２つの隣接する前記半導体チップの相互間に、１００μｍ以下でありかつ０μｍ以上の間隔が設けられている、請求項２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
前記半導体チップはプリント配線基板上または導体フレームに配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
前記ケーシングボディは、前記半導体チップの配列体に沿った１つの側で、前記空洞部を制限する内壁を有し、
該内壁の少なくとも一部分は反射壁として形成され、
該反射壁は、電磁放射の少なくとも１つのスペクトル領域に対して反射性である、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
前記反射壁は、前記半導体チップの取り付け面に対して実質的に８０°以上かつ１１０°以下の角度で延在する、請求項５記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
前記半導体チップは、前記反射壁に対して１ｍｍ以下かつ０ｍｍ以上の間隔をおいて配置されている、請求項５または６記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
前記半導体チップは、前記反射壁に対して５００μｍ以下かつ０μｍ以上の間隔をおいて配置されている、請求項５記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
前記半導体チップは、前記反射壁に対して１５０μｍ以下かつ０μｍ以上の間隔をおいて配置されている、請求項８記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
少なくとも１つの光学的素子が設けられており、
該光学的素子は、電磁放射の発散を低減するものであり、前記半導体チップに共通に所属している、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１１】
前記光学的素子は、非結像性の集光器であり、
該光学的素子の入射部は本来の集光器出力部であることにより、逆方向に焦点形成するために集光器を通常のように利用するのと比較して、放射は該集光器を透過して集中されず、低減された発散度で該光学的素子の出射部から該集光器から出射される、請求項１０記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１２】
前記入射部は入射面または入射開口を有し、
該入射面または入射開口の幅は、前記半導体チップの側縁長の１．５倍以下である、請求項１１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１３】
前記入射面または入射開口の幅は、前記半導体チップの側縁長の１．２５倍以下である、請求項１２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１４】
電磁放射は前記光学的素子から放射円錐で出射され、
該放射円錐は、前記半導体チップが配置された線に対して垂直な平面に、０〜３０°の間の広がり角度を有し、有利には０〜２０°の間の広がり角度を有し、特に有利には０〜１０°の間の広がり角度を有し、これらの境界はそれぞれに取り入れられる、請求項１１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１５】
前記集光器は、ＣＰＣ状、ＣＥＣ状またはＣＨＣ状の集光器である、請求項１１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１６】
前記集光器は、入射部と出射部とを接続する側壁を有し、
該側壁は、該側壁上に該入射部と該出射部との間を延在する直接的な接続線が実質的に真っ直ぐに延在するように形成される、請求項１１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１７】
前記集光器は、空洞を定義する本体を有し、
該本体の内壁は、電磁放射の少なくとも１つのスペクトル部分領域に対して反射性である、請求項１１から１６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１８】
前記集光器は誘電性の集光器であり、
該集光器の本体は、適切な屈折率を有する誘電体材料から成る完全ボディであることにより、入射部を介して入力結合された放射は、該完全ボディの側方の境界面で全反射することにより、該入射部と該出射部とを接続する周辺の媒体へ反射される、請求項１１から１６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１９】
前記出射部は、前記完全ボディのレンズ状に湾曲された境界面である、請求項１８記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２０】
前記半導体チップと前記集光器の入射部との間にギャップが設けられている、請求項１１から１９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２１】
前記ギャップには、固体物質または液体物質が設けられていない、請求項２０記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２２】
前記半導体チップから放出された電磁放射の波長を変換する発光変換素子を有する、請求項１から２１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２３】
前記発光変換素子は、放射透過性の充填材に混入され、該充填材によって前記半導体チップが封入される、請求項２２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２４】
前記充填材は前記半導体チップの上に、２００μｍ以下かつ５μｍ以上の厚さを有する、請求項２３記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２５】
前記発光変換素子は、前記半導体チップ上に取り付けられている、請求項２２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２６】
前記半導体チップ上に、放射透過性の担体ボディが配置され、
該担体ボディ上に前記発光変換素子が取り付けられている、請求項２２または２５記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２７】
前記発光変換素子は、前記担体ボディの半導体チップと反対側の１つの側に配置される、請求項２６記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２８】
前記半導体チップから放出された電磁放射を拡散させるための拡散材料を有する、請求項１から２７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２９】
発光モジュールにおいて、
請求項１から２８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子を備えることを特徴とする、発光モジュール。
【請求項３０】
投光器モジュールである、請求項２９記載の発光モジュール。
【請求項３１】
前記オプトエレクトロニクス素子に対して過電圧保護部が設けられている、請求項２９または３０記載の発光モジュール。
【請求項３２】
前記過電圧保護部は、少なくとも１つのバリスタを有する、請求項３１記載の発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００４０３６１５７．６号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
【０００２】
本発明は、請求項１の上位概念に記載されたオプトエレクトロニクス素子と、この形式のオプトエレクトロニクス素子を有する発光モジュールとに関する。
【０００３】
ＥＰ０９３３８２３Ａ２に、表面実装型のオプトエレクトロニクス素子が開示されている。このような素子は、２つの金属バンドから成る導体フレームと発光ダイオードチップとを有し、該発光ダイオードチップは該金属バンドのうち一方に取り付けられ、該金属バンドのうち他方に、コンタクトワイヤによって導電接続されている。この素子はさらに、平行６面体の形状の底部と、矩形のフレーム部分とを有するケーシングを備えている。該底部は導体フレームに下から接着されており、該フレーム部分は該導体フレームに上から固定される。フレーム部分はケーシング空洞部を定義し、このケーシング空洞部は放射透過性のカバーによってカバーされる。
【０００４】
たとえば照明またはランプ等の多くの用途では、１つの放射放出性の半導体チップの放射強度だけでは十分でなく、複数の半導体チップが必要とされる。このような場合、それぞれ１つの半導体チップを有する複数の素子を使用することが多い。このことは、ＥＰ０９３３８２３Ａ２に記載されている。ここでは個々の素子は個々のピクセルとして使用され、これらの個々のピクセルはたとえば、面照明のためにマトリクス状に配置されるか、またはこれら個々のピクセルを使用して球形のランプを形成し、複数の個々のピクセルないしは素子を給電線バーの周囲にまとめる。
【０００５】
このようなランプは、一般的な照明用途に非常に適しているが、可能な限り高い照明密度と可能な限り小さい放射角度とが要求される用途では制限されている。たとえば、複数の半導体チップが可能な限り高密度かつコンパクトに配置された個々の素子を使用する場合には制限が課される。このような制限は、素子ケーシングの大きさだけでも決定される。さらに、各個別の素子を電気的に接続する必要がある。このこともスペースを必要とし、比較的面倒であり、所要スペースおよび製造上の手間をさらに増大する。
【０００６】
本発明の課題は、次のような素子を提供することである。すなわち、半導体チップのコンパクトな配置を実現し、とりわけ、たとえば自動車ヘッドライト等の投光器のアプリケーションに適しており、高い照明密度と狭い放射角度とが必要とされ、放射円錐の形状が特別であり良好に定義されている必要があるアプリケーションに適している放射特性を有する素子を提供することである。
【０００７】
前記課題は、請求項１記載の素子によって解決される。従属請求項に、素子の有利な実施形態および有利な発展形態が記載されている。
【０００８】
本発明によれば、冒頭に述べた形式の素子においてトレンチ状の空洞を形成し、この空洞内に複数の半導体チップを、線形配置で配置する。
【０００９】
半導体チップのこのような線形配列により、素子によって放出される放射円錐の形状が、多くの用途に有利な形状になる。放射円錐の断面の長さを比較的長くし、該断面の幅を長さと比較して小さくすることができる。このことはたとえば、自動車ヘッドライトでの用途に有利である。このような用途では、垂直方向に比較的小さい空間角度に放射し、かつ水平方向に走行路を全幅で放射しなければならない。すなわち、比較的大きな空間角度に放射しなければならない。
【００１０】
このような素子では、２つの隣接する半導体チップは相互間で、有利には次のような間隔を有する。すなわち、横方向の側縁長の１．５倍以下であり、かつ０μｍ以上である間隔を有する。半導体チップをこのように密に配置することにより、素子は、可能な限り狭い空間角度で放出される可能な限り均質の放射円錐を生成するのに適するようになり、可能な限り高い放射強度で可能な限り小さい面積に投射できるようになる。横方向の側縁長とは、半導体チップの配置方向に測定される、該半導体チップの相互に対向するチップ側縁の間隔を指す。
【００１１】
有利には、隣接する半導体チップの相互間の間隔は３００μｍ以下であり、特に有利には１００μｍ以下であり、かつ０μｍ以上である。
【００１２】
目的に適っているのは、半導体チップをプリント配線基板（ＰＣＢ）または導体フレームに配置することである。
【００１３】
特に有利にはケーシングボディは、半導体チップの配置に沿った１つの側で、空洞を制限する内壁を有する。ここでは、内壁の少なくとも一部分は反射壁として形成される。この反射壁は、電磁放射の少なくとも１つのスペクトル領域に対して反射性である。このような反射壁により、不所望の空間領域への放射の放出が抑圧される。こうするためには反射壁は、半導体チップの取り付け面に対して実質的に８０°以上かつ１１０°以下の角度で延在するのが目的に適っている。とりわけ反射壁は、取り付け面に対して実質的に垂直に延在する。
【００１４】
半導体チップは有利には、反射壁との間に１ｍｍ以下の間隔で、有利には５００μｍ以下の間隔で、特に有利には１５０μｍ以下の間隔で、かつ０ｍｍ以上の間隔で配置される。半導体チップと反射壁との間の間隔を小さくすることにより、放射円錐の一部が比較的高い放射密度で該反射壁に当たり、効率的な遮蔽が実現されると同時に、放射を、高い放射密度の低発散の放射円錐にすることができる。素子の有利な実施形態では、半導体チップの配列は第１の端部と第２の端部とを有し、該第１の端部では少なくとも２つの半導体チップが、第２の直線に対して傾いている第１の直線に沿って配置されて、かつ、該第２の直線に沿って少なくとも２つの半導体チップが第２の端部に配置されている。特に有利には、第１の直線は第２の直線に対して、２０°以下かつ１０°以上の傾斜角度で傾いており、とりわけ約１５°の傾斜角度で傾いている。このように構成された素子も、とりわけ自動車ヘッドライトの用途に適している。
【００１５】
ドイツの標準規格ＥＣＥによれば、自動車ヘッドライトのヘッドライト円錐は、該自動車ヘッドライトの放射方向で見て左側に、水平方向に延在する上限を有することにより、対向車両の運転者が眩惑されないようにしなければならない。それに対してヘッドライト円錐の右側は、水平線に対して１５°傾いた面にある上限を有することにより、道路または道路側縁の走行方向で見て右側にある部分がヘッドライトにより、左側より良好に照明され、ないしは走行方向にさらに遠くに照明されるようにしなければならない。このような特性を有する投光器は、本素子によって簡単に実現することができる。
【００１６】
有利には素子に、電磁放射の発散度を低減しかつ半導体チップに共通に所属する少なくとも１つの光学的素子が設けられる。この光学的素子は特に有利には、非結像性である集光器であり、該光学的素子の入射部は本来の集光器出射部である。このことにより、集光器を通常のようにフォーカシングのために適用するのと比較して、放射は逆方向に集光器を透過し、集光されるのではなく、集光器から低減された発散度で、該光学的素子の出射部を透過して出射する。
【００１７】
前記入射部は、有利には入射面または入射開口を有する。この入射面または入射開口は、半導体チップの横方向の側縁長の１．５倍以下の幅を有し、有利には該側縁長の１．２５倍以下の幅を有する。横方向の側縁長とは、主放射方向に対して垂直な半導体チップの寸法を指す。
【００１８】
このように小さい入射部は、電磁放射が放出される空間角度を光学的素子によって、可能な限り半導体チップの近傍にまで小さくし、放射円錐の断面を小さくするのに有利である。このことはとりわけ、素子が可能な限り高い放射強度で、可能な限り小さい面積に投射するのに適さねばならない場合に必要である。ここで、幾何光学で重要な維持量は到達範囲すなわち放射密度である。これは、光源の面積と該光源が放射する空間角度との積である。到達範囲が維持されることによってとりわけ、拡散性の放射源の光、たとえば半導体発光ダイオードの光を集光できなくなり、すなわち比較的小さい寸法を有する面積に方向づけできなくなるので、放射ビームを可能な限り小さい断面で光学的素子に入射するのが有利である。
【００１９】
小さい入射部で、半導体チップから放出された全放射が光学的素子に到達できるようにするためには、これに相応して、該入射部を可能な限り半導体チップの近傍に置く必要がある。
【００２０】
このような光学的素子は、半導体チップが配置された線に対して垂直な平面の放射円錐の発散度を低減する。このことにより、放射円錐は０〜３０°の間の広がり角度を有し、特に有利には０〜１０°の間の広がり角度を有する。これらの限界は、それぞれに取り入れられる。
【００２１】
こうするために、集光器は有利には、ＣＰＣ状、ＣＥＣ状またはＣＨＣ状の集光器とされる。したがってこれ以降は、このような集光器は、反射性の側壁が少なくとも部分的および／または少なくとも最大限に、複合放物面集光器（Compound parabolic concentrator、ＣＰＣ）、複合楕円面集光器（Compound elliptic concentrator、ＣＥＣ）および／または複合双曲線集光器（Compound hyperbolic concentrator、ＣＨＣ）の形状を有する。
【００２２】
択一的に、集光器は有利には、次のような側壁を有する。すなわち、入射部と出射部とを接続し、該側壁を延在する直接的な接続線が該入射部と出射部との間を実質的に直線で延在するように形成された側壁を有する。
【００２３】
ここでは集光器は、次のような本体を有するのが目的に適っている。すなわち、空洞を定義し、内壁が電磁放射の少なくとも１つのスペクトル部分領域に対して反射性である本体を有するのが目的に適っている。
【００２４】
有利な択一的構成では集光器は、次のような誘電性の集光器である。すなわち、本体が、適切な屈折率を有する誘電体材料から成る完全ボディである集光器である。このことにより、入射部を介して入力結合された放射は、該完全ボディの横方向の境界面で全反射することにより、入射部と出射部とを接続する周辺の媒体へ反射される。
【００２５】
誘電性の集光器の出射部は有利には、完全ボディのレンズ状に湾曲された境界面であり、このような境界面によって、発散度がさらに低減される。
【００２６】
有利な実施形態では、半導体チップと集光器の入射部との間にギャップが設けられる。このギャップは有利には、固体または液体の材料を最大限に有さない。このことにより、電磁放射の高発散の成分が光学的素子に到達しなくなる。したがって、放出される放射強度が犠牲にされても、素子によって放出された放射円錐の発散度はさらに低減される。素子は有利には、発光変換素子を有する。この発光変換素子は、とりわけ白色光を生成するためのものである。
【００２７】
本発明の実施形態では、発光変換素子は有利には、放射透過性の充填材に混入され、この充填材によって、半導体チップは少なくとも部分的に封入される。充填材は有利には、半導体チップ上に、２００μｍ以下かつ５μｍ以上の厚さを有する。これによって、該半導体チップから放出された放射の変換が、該半導体チップに可能な限り近傍で行われるようになる。このことにより、電磁放射はすべての放射角度で、可能な限り同程度に、すなわち可能な限り同じ成分で変換される。
【００２８】
択一的に、発光変換素子は有利には薄層で、半導体チップ上に直接取り付けられる。
【００２９】
素子の有利な別の択一的な実施形態では、半導体チップ上に放射透過性の担体ボディが配置され、この担体ボディ上に発光変換素子が取り付けられる。ここでは、発光変換素子は有利には、担体ボディの半導体ボディと反対側に配置される。
【００３０】
素子は有利には拡散素子を有する。この拡散素子は、色印象および放射強度に関して可能な限り均質な放射円錐を実現するためのものである。発光モジュールは、上記の実施形態のうち１つによるオプトエレクトロニクス素子を有する。前記発光モジュールは、有利には投光器モジュールであり、とりわけ自動車用の投光器モジュールである。
【００３１】
発光モジュールは有利には、素子に対する過電圧保護部を有し、該過電圧保護部は、特に有利には少なくとも１つのバリスタを有する。
【００３２】
以下で図１〜３０に関連して説明する実施例に、本発明による素子のさらに別の利点、有利な実施形態および発展形態が記載されている。
【００３３】
図面
図１  本発明による素子の第１の実施例を概略的に示す平面図である。
【００３４】
図２  本発明による素子の第２の実施例を概略的に示す立体図である。
【００３５】
図３  本発明による素子の第３の実施例を概略的に示す立体図である。
【００３６】
図４  第４の実施例による素子を備えた発光モジュールを概略的に示す立体図である。
【００３７】
図５  本発明による素子の第５の実施例を概略的に示す立体図である。
【００３８】
図６  本発明による素子の第６の実施例を示す概略的な平面図である。
【００３９】
図７  本発明による素子の第７の実施例を示す概略的な立体図である。
【００４０】
図８  第８の実施例による素子を備えた、図４に示された発光モジュールである。
【００４１】
図９  本発明による素子の第９の実施例を示す概略的な平面図である。
【００４２】
図１０  本発明による素子の第１０の実施例を概略的に示す立体図である。
【００４３】
図１１  半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の第１１の実施例のケーシングの概略的な断面図である。
【００４４】
図１２  半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の第１２の実施例のケーシングの概略的な断面図である。
【００４５】
図１３〜１８  半導体チップの配列に沿った平面で切断された、種々の実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【００４６】
図１９  図５に示された素子を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す立体図である。
【００４７】
図２０  本発明による素子の別の実施例を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す立体図である。
【００４８】
図２１  別の実施例の素子を備えた発光モジュールの別の実施例である。
【００４９】
図２２  本発明による素子が付加的な光学的素子を有する、図２１に示された投光器モジュールを概略的に示す立体図である。
【００５０】
図２３  別の実施例による素子を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す平面図である。
【００５１】
図２４  別の実施例による素子を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す平面図である。
【００５２】
図２５および２６  本発明による素子がそれぞれ付加的な光学的素子を備えた、図２３および２４に示された発光モジュールを概略的に示す立体図である。
【００５３】
図２７  第１の実施例による光学的素子を示す概略的な立体図である。
【００５４】
図２８  別の実施例の光学的素子を備えた半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、素子の一部の概略的な断面図である。
【００５５】
図２９  半導体チップ配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の別の実施例の一部を概略的に示す断面図である。
【００５６】
図３０  半導体チップ配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の別の実施例の一部を概略的に示す断面図である。
【００５７】
実施例および図面において、同一の構成要素または同機能の構成要素にはそれぞれ同じ参照符号が付されている。図面に示されている要素は縮尺どおりであると見なすべきではなく、理解しやすくするために個々の要素を過度に拡大して描かれている場合もある。
【００５８】
図１に示された素子はケーシングボディ２を有し、該ケーシングボディ２は担体２１とフレーム２２とを有する。フレーム２２は内壁５を有し、該内壁５は空洞部５０を制限する。トレンチ状に形成された空洞部５０内には、複数の半導体チップ４、たとえば５つの半導体チップ４が線形配列で配置されている。図１〜７に示された素子１では、半導体チップ４は直線で配置されている。
【００５９】
内壁５は、半導体チップ４に対して比較的小さい間隔を有し、この間隔はたとえば、半導体チップ４の横方向の側縁長以下である。これに相応して、空洞部５０の底部５４の面積は比較的小さく、該空洞部５０のたとえば半導体チップ４の配列に沿った寸法は、該半導体チップ４の横方向の側縁長の８倍以下であり、半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直である該空洞部５０の寸法は、半導体チップ４の横方向の側縁長の２倍以下である。
【００６０】
半導体チップ４はケーシングボディ２に電気的に取り付けられ、たとえば相互に直列接続される。こうするために、空洞部５０の底部５４は複数の電気的な内部面コンタクト１２を有し、半導体チップはたとえば、該空洞部５０の底部５４に対向する側で、たとえばはんだ付けまたは導電性接着材により、相応の内部面コンタクト１２に導電接続される。その際には、半導体チップは各面コンタクト１２の一部の表面上に位置する。半導体チップ４は内部面コンタクト１２と反対側で、たとえばボンディングワイヤ４６によって、相応の面コンタクトに導電接続されている（図１参照）。
【００６１】
内部面コンタクト１２のうち２つは担体２１上において、該担体２１のフレーム２２に対して横方向にずれた位置にある領域まで延在する。ここで該２つの内部面コンタクト１２は、素子１の外部コンタクト１４に導電接続され、該外部コンタクト１４を介して素子１は外部に電気的に接続される。半導体チップ４は動作時に、たとえば青色または紫外光の波長領域に所属する電磁放射を放出する。図１に示された素子では、フレーム２２の内壁５はこのような電磁放射に対する反射器として形成される。すなわち、フレーム２２は反射性の材料を含むか、または該フレーム２２に反射性の材料がコーティングされている。さらに、内壁５は半導体チップ４の取り付け面に対して斜行し、このことによって電磁放射は所望の放射方向に反射される。
【００６２】
たとえばフレームは、酸化アルミニウムを含むか、または酸化アルミニウムから成る。択一的に、フレームに含まれる材料を比較的良好でない反射性の材料、たとえば窒化アルミニウムまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）とするか、またはフレームをこのような材料から形成し、該フレームに付加的に、良好な反射性の層、たとえばアルミニウムから成る層を設けることもできる。ＬＣＰをフレーム２２用の材料として使用する利点は、この材料を担体２１に対して熱的に適合できることである。担体２１は材料としてたとえば窒化アルミニウムを含む。窒化アルミニウムは低コストであり、高い熱伝導性を有する。択一的な材料として、たとえばシリコンまたは炭化シリコンを使用することもできる。
【００６３】
担体２１とフレーム２２と該担体２１上に取り付けられた面コンタクト１２，１４とを有するケーシングボディをこのように構成することにより、素子１の製造が簡単になり、たとえばスルーコンタクトの面倒な形成が必要なくなる。しかし択一的に、ケーシングボディを一体形で構成することもでき、たとえばリードフレームを射出成形することにより、該ケーシングボディが半導体チップ４と素子１とに対してそれぞれコンタクトを有するように形成することもできる。
【００６４】
上記で図１に基づいて説明した素子と異なり、図２および３に示された素子の内壁５は、半導体チップ４の取り付け面に対して斜行せず、実質的に垂直に延在する。このような素子１でも、内壁５はたとえば反射性に形成されることにより、少なくとも部分的に反射壁５１として機能する。図４〜１０に示された素子１も、内壁５の残りの部分と異なって半導体チップ４の取り付け面に対して比較的斜行する少なくとも１つの反射壁５１を有する。反射壁の主延在面と取り付け面との間には、８０°〜１１０°の間の角度が形成される。たとえば反射壁５１は真っ直ぐに延在し、取り付け面に対して実質的に９０°の角度で傾斜されている。
【００６５】
図１１に、このような反射壁５１の一例が概略的な断面図で示されている。半導体チップ４は反射壁５１に対して、たとえば１００μｍの間隔５３をおいて配置されている。このように小さい間隔５３で、反射壁５１が比較的低く形成されていても、すなわち該反射壁５１の高さが低くても、該反射壁５１の効率的な反射作用が実現される。さらにこのような小さい間隔により、半導体チップ４によって放出された電磁放射の一部が、面積あたりで高い放射強度で反射壁５１に当たるので、不所望の空間角度で放射されることを回避でき、かつ、有利には狭い所望の空間角度で高い放射密度で電磁放射を放射できる。
【００６６】
このような特性はとりわけ、所定の空間角度を可能な限り明るく照明しなければならない、たとえば自動車ヘッドライト等の投光器で望まれる。自動車ヘッドライトではたとえば、走行経路、すなわちとりわけ道路を可能な限り明るく照明し、かつ、対向車両が眩惑されないようにして、光が上側の空間角度に不所望に、かつ大幅に放射されるのを回避しなければならない。このことも、反射壁５１を有する素子によって実現される。さらに、半導体チップ４の細長い配列により、経路ないしは道路が該道路の幅全体にわたって明るく、一面に、均質に照明できるようになる。
【００６７】
電磁放射が空間半分の特定の空間角度範囲に放射されるのを阻止しなければならない場合には、図４〜７に示された素子１が有するような内壁５を形成するのが特に有利である。このような内壁では、半導体チップ４の配列に沿った側の内壁５の一部分が反射壁５１として形成されるのに対し、該内壁５の残りの部分は、半導体チップ４の取り付け面に対して格段に大きく斜行し、たとえば約５０°の角度で斜行する。
【００６８】
図４に発光モジュール１５０が示されており、この発光モジュール１５０は素子１を１つだけ有する。素子１の寸法は小さくされており、このことによって有利には、素子１を多様に使用でき、簡単に取り付けることができる。たとえばこの素子の長さは、半導体チップ４の横方向の側縁長の１５倍より小さく、該素子の幅は、半導体チップ４の横方向の側縁長の８倍より小さい。このような寸法例は、５つの半導体チップ４を有する素子１に適用される。一般的には、素子の長さは当然のことながら、半導体チップ４の数に依存する。この長さに関してはたとえば、以下の一般的な式が成り立つ。
Ｌｍａｘ＝ｋ（１．５・ｎ＋６）
ここでは、Ｌｍａｘは素子１の最大長であり、ｎは半導体チップ４の数であり、ｋは半導体チップ４の横方向の側縁長である。
【００６９】
発光モジュール１５０はモジュール担体１８を有し、このモジュール担体１８には２つの孔１７と凹入部１５とが設けられる。孔１７は機械的な取り付けに使用され、択一的または付加的に、発光モジュール１５０を熱的に接続するためにも使用される。たとえば、孔１７を有する発光モジュール１５０は、ねじ山を有する１つまたは２つの取り付けピンまたはねじ山を有さない１つまたは２つの取り付けピンによって差し込まれ、クランプまたはねじによって固定される。
【００７０】
モジュール担体１８は、熱伝導性が良好な第１の層１８１と、電気絶縁性の第２の層１８２とを有し、該第２の層１８２は第１の層上に取り付けられている（図８参照）。素子１は第２の層１８２の凹入部内に、モジュール担体１８の第１の層１８１上に取り付けられており、該第１の層に、たとえばはんだまたは接着材によって、機械的に接続されかつ熱伝導接続されている。
【００７１】
発光モジュール１５０は、さらに２つの電気的な面コンタクト１６を有し、これらの面コンタクト１６の一部はモジュールフレーム１９内に位置し、別の部分はモジュールフレーム１９外に位置している。電気的な面コンタクト１６の内側部分は、素子１を電気的に接続するために使用されるのに対し、該面コンタクト１６の外側部分は、発光モジュール１５０を外部で電気的に接続するためのコンタクトを形成する。素子１はとりわけ投光器モジュールに使用され、とりわけ自動車アプリケーションにも使用される。
【００７２】
上記で図１〜７に基づいて説明した素子と異なり、図８〜１０に示された素子１は１つの直線上にのみ配置されるわけではなく、２つの直線上に配置される。これらの直線は相互間で、約１５°の角度をなす。横方向の内壁５は２つの構成部分を有し、これらの構成部分はそれぞれ、隣接する半導体チップ配列に対して平行に延在するので、これらも相互間で約１５°の角度をなし、反射壁５１としても形成されている。内壁５の別の部分は円弧の形状で半導体チップ４の周辺を延在し、半導体チップ４の取り付け平面を基準として、反射壁５１より斜めに方向づけされている。
【００７３】
図８に示された素子１と異なり、図９および１０に示された素子１の内壁は、半導体チップ４の周辺で該半導体チップ４の配列の形状により良好に適合された輪郭を有する。換言すると内壁５は、円弧の形状で半導体チップ４の周辺を延在する部分を有さず、該内壁５の該当部分は、密に接近している弧の形状で半導体チップ４周辺に案内される。このことは、可能な限り狭い放射角度を実現すると同時に可能な限り高い放射密度を実現するのに有利である。
【００７４】
素子１は、たとえば白色光を放出する。このためにはたとえば、素子１は発光変換素子７を有する。発光変換素子７は、半導体チップ４から放出された第１の波長領域の放射を少なくとも部分的に、該第１の波長領域と異なる第２の波長領域の放射に変換する。白色光を生成するためには、半導体チップによって放出された放射と変換された放射とを混合するか、または、変換された放射が、混合された白色光を実現する色成分を有するようにする。
【００７５】
発光変換材料は、少なくとも１つの発光体を含むことができる。ここではたとえば、たとえば希土類（とりわけＣｅ）に添加されるガーネット等の無機質の発光体、またはペリレン発光体等の有機発光体が適している。たとえばＷＯ９８／１２７５７に、別の適切な発光体が記載されている。その点では、この開示内容は引用によって本願の開示内容に含まれるものとする。
【００７６】
図１１，１２，１４および１５では、発光変換素子７は薄い層の形状で、半導体チップ４の放射出力結合面上に直接取り付けられる。放射変換を可能な限りチップの近傍で引き起こすことにより、電磁放射の放射角度に依存しない、可能な限り均質の色印象が実現される。こうするために半導体チップ４として適しているのは、とりわけ面放射源であり、たとえば薄膜発光ダイオードチップである。薄膜発光ダイオードは、とりわけ以下の特徴を有する：・放射放出性のエピタキシ層列の担持エレメント側の主面に、反射層が被着または形成されており、この反射層はエピタキシ層列内で生成された電磁放射の少なくとも一部をこのエピタキシ層列に戻るよう反射させる。
・エピタキシ層列は２０μｍ以下の範囲、とりわけ１０μｍの範囲の厚さを有する。
・エピタキシ層列は混合構造を有する少なくとも１つの面を備えた少なくとも１つの半導体層を包含し、理想的な場合にはこの面によりエピタキシ層列内にほぼエルゴード的な光分布が生じる。すなわち、この光分布は可能な限りエルゴード的な確率論的散乱特性を有する。
【００７７】
この種の薄膜発光ダイオードチップの原理については、たとえばI. Schnitzer等によるAppl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174-2176に記載されている。この刊行物の開示内容は、引用によって本願の開示内容とする。
【００７８】
薄膜発光ダイオードチップは良好な近似ではランベルト面放射源である。したがって素子での適用、とりわけ投光器における用途に特に非常に適している。
【００７９】
図１１に示された実施例では、半導体チップ４の１つの側はボンディングワイヤ４６によって電気的に接続されるのに対し、図１２に示された実施例では、半導体チップはたとえば、両電気的な面コンタクトを同一の側で有するように構成される。このことにより、発光変換材料７の薄い層を取り付けるのが容易になる。
【００８０】
半導体チップ４に、たとえばシリコーンをベースとする充填材９（図１１参照）を充填するか、または半導体チップ４を放射透過性のカバープレート９０（図１２参照）によって被覆することにより、半導体チップ４を外部の影響から保護することができる。発光変換材料７の薄い層を半導体チップ４に直接取り付ける他に択一的または付加的に、この発光変換材料を充填材９に混合し、これを半導体チップ４に充填することもできる。このことは図１３に示されている。このような充填材９でも、可能な限り均質な色印象を得るためには、充填材はチップより上に、たとえば５０μｍの最大高さ９１を有する。
【００８１】
図１３に、チップ相互間の間隔４２が示されている。この間隔は、たとえば７０μｍである。さらに図１３には、半導体チップ４の横方向の側縁長４１も示されている。投光器アプリケーションでは、可能な限り高い放射出力と可能な限り高い放射密度とを必要とすることが多いので、半導体チップとしてたとえば、約１ｍｍの横方向の側縁長４１を有する高出力発光ダイオードが使用される。この高出力発光ダイオードの電力は、少なくとも１Ｗを上回り、有利には２Ｗを上回る。１つのチップはたとえば、約２００ｌｍの放射出力を生成する。素子１は、たとえば８Ｗ以上の電力で動作し、有利には１０Ｗ以上の電力で動作し、特に有利には１２Ｗ以上の電力で動作するように構成されている。半導体チップ４を１列に細長く配置することにより、半導体チップ４相互間の間隔が狭くても、半導体チップによって動作時に生成される損失熱が効率的に排熱される。というのも、各半導体チップはせいぜい２つの対向する側で、別の半導体チップ４に隣接しているからである。それゆえ、各半導体チップでは少なくとも、別の相互に対向する２つの側で、複数の半導体チップ４の熱が実質的に滞留することなく、横方向の排熱が可能になる。
【００８２】
図１５に示された素子の一部では、半導体チップ４は次のような担体ボディ１０によって被覆されている。すなわち、拡散材料を有する拡散層８が取り付けられた担体ボディ１０によって被覆されている。この拡散層８によって、素子１によって放出される電磁放射の均質性が改善され、かつ、半導体チップ４によって放出され発光変換材料７によって変換された放射の完全混合が改善される。担体ボディ１０はたとえば、ガラスから製造された薄いディスクである。これは、たとえば接着材によってチップ表面に直接取り付けられるか、または空洞部５０を、半導体チップ４に対してある一定の間隔をおいて被覆する。放射出力結合を改善するためには、担体ボディ１０または拡散層９の自由な表面を、たとえば粗面処理する。
【００８３】
択一的または付加的に、担体ボディ１０上に薄い層である発光変換材料７を取り付けることもできる（図１６、ないしは図１７および図１８を参照）。このような構成の利点は、発光変換材料７が取り付けられた担体ボディ１０の表面を、製造時に製造公差に起因して無視できないほどに表面に凹凸が生じてしまう半導体チップの表面より平坦に形成できることである。このことにより、発光変換材料７を担体ボディ１０上に、場合によってはより均質かつより制御されて取り付けることができ、放出される放射の均質性が改善された素子を形成することができる。
【００８４】
担体ボディ１０の１つの側に拡散層９が取り付けられ、別の側に発光変換材料７の層が取り付けられている場合、半導体チップ４に対して発光変換材料７の層が対向するかまたは拡散層９が対向するように、該担体ボディを該半導体チップの表面上または上方に取り付けることができる。前者の利点は、放射変換がチップのより近傍で行われ、より均質な放射像が得られることである。それに対して後者の利点は、半導体チップ４と発光変換材料７とが空間的に相互に分離され、かつ相互により良好に熱絶縁されることである。発光体も半導体チップも通常は、過度に高い温度で出力損失を呈し、動作時ないしは放射変換時でもそのつど熱を発生するので、半導体チップ４と発光変換材料７とを少なくとも部分的に相互に熱絶縁するのは有利である。
【００８５】
これらの層が取り付けられた担体ボディ１０は、たとえば接着材または充填材料によって、半導体チップの表面上ないしは上方に取り付けることができる。さらに半導体チップ４と担体ボディ１０との間に、固体物質または液体物質が存在しない空間を設けることもできる。
【００８６】
図１９〜２２および２３に示された発光モジュールに対して、対応するコネクタ１６０が設けられる。この対応コネクタ１６０に電気的な面コンタクト１６が組み込まれ、発光モジュールはコネクタによって外部に電気的にコンタクトされる。
【００８７】
発光モジュール１５０はたとえば、半導体チップ４に対する過電圧保護部を有する。このような過電圧保護部はたとえば、少なくとも１つのバリスタ１６１の形態で設けられ、素子１ないしは半導体チップ４に対して並列接続される（たとえば図２０および２１参照）。
【００８８】
図２２には基本的に、図２３に示された発光モジュールが示されているが、異なる点は、素子１は付加的に光学的素子３も有することである。これはたとえば誘電性の完全ボディとして形成され、この完全ボディの外表面は、入射部３２と、出射部３１と、該入射部３２と出射部３１とを接続する側壁３３とを有する。
【００８９】
該光学的素子３はたとえば非結像性である集光器であり、該光学的素子３の入射部３２は本来の集光器出力部である。したがって該光学的素子３の放射は、発散度が低減されて出射部３１から出射される。光学的素子の側壁は、たとえば放物面形または放物面状に湾曲される。すなわち、集光器はたとえばＣＰＣ状の集光器である。
【００９０】
このような光学的素子は、たとえば図２８に断面図で示されている。この断面は素子１の一部を示しており、半導体チップ４の配列の主延在方向に対して垂直に延在する。この光学的素子３によって、電磁放射の発散が大幅に低減される。この電磁放射は、図２８では線によって示されている。電磁放射の放射密度を最大限に維持するためには、光学的素子３ないしは該光学的素子３の入射部３２を可能な限り半導体チップ４のチップ出力結合面の近傍に配置する必要がある。たとえば入射部３２は、半導体チップ４上に直接取り付けられる。
【００９１】
択一的にたとえば、半導体チップ４と集光器の入射部との間にギャップを設けることもできる。このギャップではたとえば、固体物質または液体物質が最大限に排除される。この構成により、とりわけ半導体チップ４の主放射方向に対して特に大きな角度で放出された次のようなビーム、すなわち出射部３１から放出された放射円錐を過度に大きく拡開してしまうビームは入射部に当たることがなく、該入射部の側を通り過ぎるようになる。誘電性の集光器の場合、このようなギャップを使用することにより、放射のうちで入射部３２の境界面で反射される成分が大きいほど、この入射角は大きくなる。したがって、入射部３２に当たる放射の高発散成分はそのつど減衰される。
【００９２】
しかし、入射部３２においてこのような反射が発生するのを阻止したい場合には、たとえば入射部を粗面加工することにより、集光器ないしは光学的素子３に到達する放射の割合が上昇する。
【００９３】
集光器の本体はたとえば、透過性のガラス、結晶またはプラスチックから成り、たとえば移送成形法または射出成形法で製造される。
【００９４】
入射部３２を半導体チップに近づけるほど、入射部３２を小さく構成することができ、出射部３１から放出される実現可能な放射密度は高くなる。入射面３２の幅はたとえば、半導体チップ４の横方向の側縁長の１．２倍である。
【００９５】
出射部３１から出射される放射円錐は、半導体チップの配列の主延在線に対して垂直な平面で、たとえば９°の広がり角度を有する。このことを実現するためには、ＣＰＣ状の集光器は、入射部３２の幅ｂと関連するある程度の最小長を必要とする。理想的なコンパクトな放物面集光器では、以下の式が当てはまる。
１＝ｂ／２（１＋ｓｉｎθ）ｃｏｓθ／ｓｉｎ２θ
ここでは、１は最小長であり、θは、半導体チップ４の配列の主延在線に対して垂直な平面での放射円錐の最大広がり角度である。最大広がり角度を約９°にするためには、光学的素子３の長さを入射部の幅の約２３倍にする必要がある。最大広がり角度を１５°にするためには、光学的素子３の長さを入射部３２の幅の約９倍にする必要があり、広がり角度を２０°にするためには、この係数を約５．５にする必要があり、広がり角度を３０°にするためには約２．６にする必要がある。
【００９６】
ＣＰＣ状の集光器に対する択一的手段として、光学的素子３はたとえば、入射部３２から出射部３１までの直線上に延在する側壁を有する。このような光学的素子３の例が、図２７に示されている。これは、角錐台状の基本形を有する誘電性の集光器である。さらに入射部３１は、球面レンズまたは非球面レンズの形態で外側に向かって湾曲されている。非球面形の湾曲が球面形の湾曲より優れている点は、非球面形の湾曲はたとえば、光学的素子３の光軸からの距離が大きくなるほど小さくなり、発散度が光学的素子３によって低減されるべき放射円錐が点状の光放射源ではなくある程度の広がりを有する放射源であることを考慮できることである。
【００９７】
このような光学的素子がＣＰＣ状の光学的素子より優れている点は、放射円錐の発散を同等に低減できると同時に、該光学的素子３の構成上の高さを格段に低減できることである。図２７に示された光学的素子３の別の利点は、側面３３が直線的であるため、光学的素子３をたとえば射出成形または移送成形等のモールド法によってより簡単に製造できることである。
【００９８】
誘電性の集光器に対する択一的手段として、光学的素子３はたとえば、反射性の内壁を有する空洞を含む本体である。これは、たとえば図２９および３０に示されている。光学的素子３はたとえば、フレーム２２の内壁５によって形成されるか、またはフレーム２２と一体形に形成される。もちろん択一的に、光学的素子を、フレーム２２内またはフレーム２２上方に配置される素子の別個の構成要素とすることもできる。フレームの内壁、光学的素子３の空洞の内壁および誘電性の集光器の側壁３３に反射性の層を設けることができる。この反射性の層は、たとえばアルミニウムを有するか、またはアルミニウムから成る。
【００９９】
図３０に示された光学的素子３の空洞は対称的に形成されていない。このことは、図２８および２９に示された光学的素子３にも当てはまる。むしろ光学的素子３ないしはフレーム２２の内壁３３は、図４〜１０に示された素子のように、反射壁５１として形成された部分を有する。反射壁５１として形成された内壁３３の部分の高さは、たとえば４００μｍ以上１．５ｍｍ以下であり、たとえば反射壁は８００μｍの高さである。反射壁５１として形成された部分に続いて、内壁３３が該内壁３３の対向する部分に対して対称的に延在する。
【０１００】
図１〜２２に示された実施例による素子１は、それぞれ４つまたは５つの半導体チップ４のみを有するが、たとえば１０個より多くの半導体チップ４、２０個より多くの半導体チップ４、または３０個より多くの半導体チップ４を有することも可能である。
【０１０１】
図２３および２４に示された素子１は、たとえば３０個の半導体チップ４を有する。これらはすべてが直列接続されているわけでなく、たとえばそれぞれ５つの半導体チップ４から成る複数のグループが設けられ、これらのグループの中で半導体チップ４は相互に直列接続されている。半導体チップ４から成る個々のグループは、相互に並列接続されている。これに相応して、これらの素子は２個だけでなく、１２個の外部コンタクト１４を有し、これらの外部コンタクトのうち、素子１の相互に対向する側でそれぞれ６つが配置されている。
【０１０２】
もちろん、素子１において一般的に、半導体チップを任意に相互に接続することができる。図２３および２４に基づいて説明した素子および発光モジュールに基づいて、半導体チップのグループで半導体の数を任意選択でき、かつグループの数を任意選択できる。１グループあたり半導体チップが１つである極端な事例では、すべての半導体チップが相互に並列接続される。
【０１０３】
モジュール１５０は、図２３に示された実施例では、電気的な面コンタクト１６を有する２つの対応コネクタ１６０を備えている。これと異なり、図２４に示された発光モジュールは、直列接続された半導体チップ４の各グループごとに２つの電気的な面コンタクト１６を有し、これらの半導体チップ４のグループはモジュール内で相互に独立して動作し、かつ異なる電流強度で動作できる。もちろんこのような発光モジュールも、たとえば図２５および２６に示されたような光学的素子３を有することができる。すでに上記で言及したように、このような発光モジュールは特に、自動車においてヘッドライトモジュールとして使用するのに適している。
【０１０４】
素子１ないしは発光モジュール１５０を使用するのは、もちろん決して自動車ヘッドライトに限られることはなく、すべての考えられる投光器の種類も含まれる。さらに本発明は、とりわけ投影光源にも適している。さらに、たとえば半導体チップは、少なくとも部分的に相互に独立して動作できるように構成することができる。このようにして、異なる投影像および／または異なる色を連続的に投影するために半導体チップを使用することができる。
【０１０５】
本発明の保護範囲は、実施例に基づく本発明の説明によって、これらの実施例に限定されない。したがって、たとえば必ずしも、半導体チップを１つの列に配置する必要はない。むしろ、とりわけ半導体チップの数が多い場合、半導体チップが全体的に線形に配置される限り、半導体チップをたとえば２つの列に配置することもできる。半導体チップのこのような２つの列は、ともに線の形態をなし、とりわけ細長く配置される。本発明は、新たな各特徴ならびにそれらの特徴の各組み合わせを包含し、このことは殊にこれらの特徴またはこれらの組み合わせ自体が明示的に請求項または実施例に示されていない場合であっても、請求項における特徴の各組み合わせを含む。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明による素子の第１の実施例を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明による素子の第２の実施例を概略的に示す立体図である。
【図３】本発明による素子の第３の実施例を概略的に示す立体図である。
【図４】第４の実施例による素子を備えた発光モジュールを概略的に示す立体図である。
【図５】本発明による素子の第５の実施例を概略的に示す立体図である。
【図６】本発明による素子の第６の実施例を示す概略的な平面図である。
【図７】本発明による素子の第７の実施例を示す概略的な立体図である。
【図８】第８の実施例による素子を備えた、図４に示された発光モジュールである。
【図９】本発明による素子の第９の実施例を示す概略的な平面図である。
【図１０】本発明による素子の第１０の実施例を概略的に示す立体図である。
【図１１】半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の第１１の実施例のケーシングの概略的な断面図である。
【図１２】半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の第１２の実施例のケーシングの概略的な断面図である。
【図１３】半導体チップの配列に沿った平面で切断された、１つの実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【図１４】半導体チップの配列に沿った平面で切断された、１つの実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【図１５】半導体チップの配列に沿った平面で切断された、１つの実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【図１６】半導体チップの配列に沿った平面で切断された、１つの実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【図１７】半導体チップの配列に沿った平面で切断された、１つの実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【図１８】半導体チップの配列に沿った平面で切断された、１つの実施例による素子の半導体チップを概略的に示す断面図である。
【図１９】図５に示された素子を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す立体図である。
【図２０】本発明による素子の別の実施例を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す立体図である。
【図２１】別の実施例の素子を備えた発光モジュールの別の実施例である。
【図２２】本発明による素子が付加的な光学的素子を有する、図２１に示された投光器モジュールを概略的に示す立体図である。
【図２３】別の実施例による素子を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す平面図である。
【図２４】別の実施例による素子を備えた発光モジュールの別の実施例を概略的に示す平面図である。
【図２５】本発明による素子が付加的な光学的素子を備えた、図２３および２４に示された発光モジュールを概略的に示す立体図である。
【図２６】本発明による素子が付加的な光学的素子を備えた、図２３および２４に示された発光モジュールを概略的に示す立体図である。
【図２７】第１の実施例による光学的素子を示す概略的な立体図である。
【図２８】別の実施例の光学的素子を備えた半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、素子の一部の概略的な断面図である。
【図２９】半導体チップ配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の別の実施例の一部を概略的に示す断面図である。
【図３０】半導体チップ配列の主延在方向に対して垂直な平面で切断された、本発明による素子の別の実施例の一部を概略的に示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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