(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に設けられた反射電極を有し、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行い、
前記画素の行列状の配置に対して画素列毎に形成され、前記画素を駆動する信号を伝送する信号線が、前記反射電極の画素間の空間を塞がないように形成されており、
前記信号線は、画素列の画素の配列方向に沿って画素間に形成される前記空間を避けて配線されており、
前記信号線は、画素行の画素の配列方向において隣接する画素間では、画素列の画素の配列方向に沿って形成される前記空間と、画素行の画素の配列方向に沿って形成される前記空間との交差部を通して配線されている
半透過型表示装置。
【請求項２】
画素毎に設けられた反射電極を有し、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行い、
前記画素の行列状の配置に対して画素行毎に形成され、前記画素を選択する信号を伝送する走査線が、前記反射電極の画素間の空間を塞がないように形成されており、
前記走査線は、画素行の画素の配列方向に沿って画素間に形成される前記空間を避けて配線されており、
前記走査線は、画素列の画素の配列方向において隣接する画素間では、画素行の画素の配列方向に沿って形成される前記空間と、画素列の画素の配列方向に沿って形成される前記空間との交差部を通して配線されている
半透過型表示装置。
【請求項３】
前記画素は、前記反射電極と当該反射電極に対向する対向電極との間に設けられた液晶層を有する
請求項１または２に記載の半透過型表示装置。
【請求項４】
前記画素を駆動する信号を、フレーム毎に前記画素の全てについて同じ極性で反転させるフレーム反転駆動を行う
請求項３に記載の半透過型表示装置。
【請求項５】
表示モードがノーマリーブラックモードである
請求項３に記載の半透過型表示装置。
【請求項６】
前記画素は、メモリ機能を有する
請求項３に記載の半透過型表示装置。
【請求項７】
前記画素は、データを格納するメモリ部を有する
請求項４に記載の半透過型表示装置。
【請求項８】
前記画素は、メモリ性液晶を用いている
請求項６に記載の半透過型表示装置。
【請求項９】
前記反射電極は、画素毎に複数の電極に分割されており、当該複数の電極の面積の組み合わせによって階調を表示する面積階調を行う
請求項５に記載の半透過型表示装置。
【請求項１０】
前記反射電極は、３つの電極に分割されており、これら３つの電極のうちの２つの電極と残りの１つの電極との面積の組み合わせによって２：１の面積階調を行う
請求項９に記載の半透過型表示装置。
【請求項１１】
前記２つの電極及び前記１つの電極の各大きさが等しい
請求項１０に記載の画素構造。
【請求項１２】
前記２つの電極は、前記１つの電極を挟んで設けられている
請求項１０に記載の画素構造。
【請求項１３】
前記２つの電極は、互いに電気的に接続されている
請求項１０に記載の画素構造。
【請求項１４】
画素毎に設けられた反射電極を有し、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行い、
前記画素の行列状の配置に対して画素列毎に形成され、前記画素を駆動する信号を伝送する信号線が、前記反射電極の画素間の空間を塞がないように形成されており、
前記信号線は、画素列の画素の配列方向に沿って画素間に形成される前記空間を避けて配線されており、
前記信号線は、画素行の画素の配列方向において隣接する画素間では、画素列の画素の配列方向に沿って形成される前記空間と、画素行の画素の配列方向に沿って形成される前記空間との交差部を通して配線されている
半透過型表示装置を有する電子機器。
【請求項１５】
画素毎に設けられた反射電極を有し、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行い、
前記画素の行列状の配置に対して画素行毎に形成され、前記画素を選択する信号を伝送する走査線が、前記反射電極の画素間の空間を塞がないように形成されており、
前記走査線は、画素行の画素の配列方向に沿って画素間に形成される前記空間を避けて配線されており、
前記走査線は、画素列の画素の配列方向において隣接する画素間では、画素行の画素の配列方向に沿って形成される前記空間と、画素列の画素の配列方向に沿って形成される前記空間との交差部を通して配線されている
半透過型表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半透過型表示装置、その（半透過型表示装置）の駆動方法、及び、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、画面背面のバックライト光による透過光を利用して表示を行う透過型表示装置や、外光による反射光を利用して表示を行う反射型表示装置がある。透過型表示装置は、彩度が高く、暗い環境下でも画面が見易いという特長を持っている。反射型表示装置は、消費電力が少なく、明るい環境下でも画面が見易いという特長を持っている。
【０００３】
また、透過型表示装置と反射型表示装置との特長を併せ持つ表示装置として、例えば、１つの画素内に透過表示領域（透過表示部）と反射表示領域（反射表示部）とを有する半透過型表示装置がある（例えば、特許文献１参照）。半透過型表示装置は、暗い環境下ではバックライト光による透過光を用いて表示を行い、明るい環境下では外光による反射光を用いて表示を行うことになる。
【０００４】
半透過型表示装置は、明るい環境下でも、暗い環境下でも画面が見易く、しかも、消費電力が少ないために、電子機器、中でも、屋外で使用される頻度が高い携帯型の電子機器（携帯端末機器）、例えば、デジタルカメラ等の携帯情報機器や、携帯電話機等の携帯通信機器の表示部として用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−９３１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半透過型表示装置において、透過表示領域を確保することと、反射表示性能を保つこととはトレードオフの関係にある。すなわち、透過表示性能を上げるべく、透過表示領域を大きく確保しようとすると、その分だけ反射表示領域を小さくせざるを得ないため反射表示性能が低下する。逆に、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保とうとすると、反射表示領域を大きく確保しなければならないため、その分だけ透過表示性能が低下する。
【０００７】
そこで、本開示は、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保った上で透過表示を実現可能な半透過型表示装置、半透過型表示装置の駆動方法、及び、当該半透過型表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本開示は、
画素毎に設けられた反射電極を有する半透過型表示装置において、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行う
構成を採っている。この半透過型表示装置は、各種の電子機器、中でも、屋外での使用頻度が高い携帯型の電子機器において、その表示部として用いて好適なものである。
【０００９】
上記構成の半透過型表示装置または当該表示装置を用いた電子機器において、反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行うということは、当該画素間の空間の領域を透過表示領域として用いるということである。これにより、１つの画素内に透過表示のための専用の領域を確保する必要がなくなる。このことは、１つの画素内の反射電極の大きさ（面積）として、反射型表示装置の反射電極と同程度の大きさを確保できることを意味する。従って、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、反射電極の画素間の空間を透して透過表示を実現できる。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行うことで、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保った上で透過表示を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示が適用される半透過型液晶表示装置の構成の概略を、一部を切り欠いた状態で示す斜視図である。
【図２】基本的な画素回路を示す回路図である。
【図３】従来の画素部の電極構造の説明に供する図であり、（Ａ）は従来の反射型液晶表示装置の画素部の平面図を、（Ｂ）は従来の半透過方液晶表示装置の画素部の平面図をそれぞれ示している。
【図４】実施形態に係る画素部の電極構造を示す平面図である。
【図５】フレーム反転の駆動方式を採用するのが好ましい理由についてのシミュレーション結果を示す図であり、（Ａ）は電圧無印加時の場合を、（Ｂ）はライン反転またはドット反転の際の電圧印加時の場合を、（Ｃ）はフレーム反転の際の電圧印加時の場合をそれぞれ示している。
【図６】ＭＩＰの画素の回路構成の一例を示すブロック図である。
【図７】ＭＩＰの画素の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図８】面積階調法における画素分割についての説明図である。
【図９】反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行う場合における画素間の液晶分子の動きを示す図である。
【図１０】ノーマリーホワイトモードの場合の画素間における透過率のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】シングルギャップ構造の半透過型液晶表示装置の行方向において隣接する２つの画素の断面構造を示す断面図である。
【図１２】シングルギャップ構造の場合に、ノーマリーブラックのＥＣＢモードの光学設計を行った一例を示す図である。
【図１３】マルチギャップ構造の半透過型液晶表示装置の行方向において隣接する２つの画素の断面構造を示す断面図である。
【図１４】反射表示領域のスペクトルの計算結果を示す図である。
【図１５】透過表示領域のスペクトルの計算結果を示す図である。
【図１６】変形例に係る画素部の電極構造を示す平面図である。
【図１７】本開示が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１８】本開示が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図１９】本開示が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図２０】本開示が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示が適用される半透過型表示装置
１−１．カラー表示対応の半透過型液晶表示装置
１−２．基本的な画素回路
１−３．画素部の電極構造についての考察
２．実施形態の説明
２−１．液晶表示パネルの駆動方式
２−２．ＭＩＰ方式
２−３．面積階調法
２−４．表示モード
２−５．具体的な実施例
３．電子機器
４．変形例
５．本開示の構成
【００１３】
＜１．本開示が適用される半透過型表示装置＞
本開示の技術は、フラットパネル型（平面型）の表示装置に適用することができる。フラットパネル型の表示装置としては、液晶表示（ＬＣＤ）パネルを用いた表示装置、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネルを用いた表示装置、プラズマ表示（ＰＤ）パネルを用いた表示装置などを例示することができる。
【００１４】
これらフラットパネル型の表示装置は、表示の形態で分類すると、透過型、反射型、及び、半透過型に分類することができる。本開示の技術は、透過型表示装置と反射型表示装置との特長を併せ持つ半透過型表示装置、即ち、明るい環境下でも、暗い環境下でも画面が見易く、しかも、消費電力が少ない半透過型表示装置に適用することができる。これらの特長を持つ半透過型表示装置は、電子機器、中でも、屋外での使用頻度が高い携帯型の電子機器、即ち、携帯端末機器、例えば、デジタルカメラ等の携帯情報機器や、携帯電話機等の携帯通信機器の表示部として用いて好適なものである。
【００１５】
本開示が適用される半透過型表示装置は、モノクロ表示対応の表示装置であってもよいし、カラー表示対応の表示装置であってもよい。カラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素）は複数の副画素（サブピクセル）から構成されることになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）を表示する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）を表示する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）を表示する副画素の３つの副画素から構成される。
【００１６】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、ＲＧＢの３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）を表示する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色を表示する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００１７】
［１−１．カラー表示対応の半透過型液晶表示装置］
以下に、本開示が適用される半透過型表示装置として、カラー表示対応の半透過型液晶表示装置を例に挙げて説明するものとする。
【００１８】
図１は、本開示が適用されるカラー表示対応の半透過型液晶表示装置の構成の概略を、一部を切り欠いた状態で示す斜視図である。
【００１９】
図１に示すように、本開示が適用される半透過型表示装置１は、第１パネル部１０、第２パネル部２０、液晶層３０、及び、バックライト部４０を主な構成要素として有する構成となっており、第２パネル部２０の表面側が表示面側となる。第１パネル部１０と第２パネル部２０とは、所定の空隙を持って対向配置されている。そして、第１パネル部１０と第２パネル部２０との空隙内に液晶材料が封止されることによって液晶層３０が形成されている。
【００２０】
第１パネル部１０は、液晶層３０と反対側、即ち、バックライト部４０側から順に、偏光板１１、１／２波長板１２、１／４波長板１３、透明なガラス等を基板材料とする第１基板１４、及び、平坦化膜１５が設けられた構成となっている。
【００２１】
この第１パネル部１０において、第１基板１４上には、共に図示しない複数の信号線と複数の走査線とが交差するように形成されている。そして、複数の信号線と複数の走査線とが交差する部位には、副画素（以下、単に「画素」と記述する場合もある）５０が行列状に２次元配置されている。
【００２２】
第１基板１４上には更に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子や容量素子等の回路素子が画素５０毎に形成されている。これら回路素子や信号線、走査線の上に平坦化膜１５が形成されることによって第１パネル部１０の表面の平坦化が図られている。そして、平坦化膜１５の上に、後述する反射電極が画素５０毎に形成されることになる。第１基板１４は、ＴＦＴを含む回路素子が形成されることからＴＦＴ基板と呼ばれる場合がある。
【００２３】
複数の信号線は、画素５０を駆動する信号（表示信号／映像信号）を伝送するための配線であり、画素５０の行列状の配置に対して画素列毎に、当該画素列の画素の配列方向、即ち、列方向（図１のＹ方向）に沿って延在する配線構造となっている。複数の走査線は、画素５０を行単位で選択する信号（走査信号）を伝送するための配線であり、画素５０の行列状の配置に対して画素行毎に、当該画素行の画素の配列方向、即ち、行方向（図１のＸ方向）に沿って延在する配線構造となっている。
【００２４】
第２パネル部２０は、液晶層３０側から順に、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等から成る透明電極２１、カラーフィルタ２２、透明なガラス等を基板材料とする第２基板２３、１／４波長板２４、１／２波長板２５、及び、偏光板２６が設けられた構成となっている。
【００２５】
この第２パネル部２０において、カラーフィルタ２２は、例えば、列方向（Ｙ方向）に伸びるストライプ状のＲ（赤色）Ｇ（緑色）Ｂ（青色）の各フィルタが、画素５０の行方向（Ｘ方向）のピッチと同じピッチにて繰り返し配列された構成となっている。第２基板２３は、カラーフィルタ（ＣＦ：Color Filter）２２を含んでいることからＣＦ基板と呼ばれる場合がある。
【００２６】
上述した、第１パネル部１０、当該第１パネル部１０と対向配置された第２パネル部２０、及び、第１，第２パネル部１０，２０間に配置された液晶層３０によって半透過型の液晶表示パネルが構成されており、第２パネル部２０の上面（表面）が表示面となっている。
【００２７】
バックライト部４０は、液晶表示パネルを当該パネルの背面側、即ち、第１パネル部１０の液晶層３０と反対側から照明する照明部である。このバックライト部４０は、その構成を特に限定するものではないが、例えば、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)や蛍光管などの光源、プリズムシート、拡散シート、導光板等の周知の部材を用いて構成することができる。
【００２８】
上記構成の半透過型表示装置１において、画素５０は、当該画素５０毎に反射表示領域（反射表示部）と透過表示領域（透過表示部）とを有している。反射表示領域は、先述したように、平坦化膜１５上に画素５０毎に形成される反射電極から成り、第２パネル部２０を透して外部から入射した外光を当該反射電極によって反射し、その反射光によって表示を行う。透過表示領域は、バックライト部５０からの光を透過し、その透過光によって表示を行う。この画素５０毎に設けられる透過表示領域については本開示の特徴とする部分であり、その詳細については後述する。
【００２９】
［１−２．基本的な画素回路］
ここで、画素５０の基本的な画素回路について、図２を用いて説明する。
【００３０】
図２に示すように、複数の信号線６１（６１1，６１2，６１3，・・・）と、複数の走査線６２（６２1,６２2，６２3，・・・）とが交差するように配線され、その交差部に画素５０が配されている。先述したように、複数の信号線６１と複数の走査線６２とは、第１パネル部１０の第１基板（ＴＦＴ基板）１４上に形成されている。そして、信号線６１（６１1，６１2，６１3，・・・）の各一端は、信号出力回路７０の各列に対応した出力端に接続され、複数の走査線６２（６２1,６２2，６２3，・・・）の各一端は、走査回路８０の各行に対応した出力端に接続されている。
【００３１】
画素５０は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ５１と液晶容量５２と保持容量５３とを有する構成となっている。画素トランジスタ５１は、ゲート電極が走査線６２（６２1,６２2，６２3，・・・）に接続され、ソース電極が信号線６１（６１1，６１2，６１3，・・・）に接続されている。
【００３２】
液晶容量５２は、画素電極（画素毎に形成される反射電極に相当）とこれに対向して形成される対向電極（図１の透明電極２１に相当）との間で発生する液晶材料の容量成分を意味し、画素電極が画素トランジスタ５１のドレイン電極に接続されている。液晶容量５２の対向電極には、直流電圧のコモン電位ＶCOMが全画素共通に印加される。保持容量５３は、一方の電極が液晶容量５２の画素電極に、他方の電極が液晶容量５２の対向電極にそれぞれ接続されている。
【００３３】
上記の画素回路から明らかなように、複数の信号線６１（６１1，６１2，６１3，・・・）は、画素５０を駆動する信号、即ち、信号出力回路７０から出力される映像信号を画素列毎に画素５０に伝送する配線である。また、複数の走査線６２（６２1,６２2，６２3，・・・）は、画素５０を行単位で選択する信号、即ち、走査回路８０から出力される走査信号を画素行毎に伝送する配線である。
【００３４】
［１−３．画素部の電極構造についての考察］
本開示の特徴とする透過表示領域について説明する前に、画素５０の電極構造について考察する。
【００３５】
図３は、従来の画素部の電極構造の説明に供する図であり、（Ａ）は反射（全反射）型液晶表示装置の画素部の平面図を、（Ｂ）は従来の半透過型液晶表示装置の画素部の平面図をそれぞれ示している。図３（Ａ），（Ｂ）において、反射電極６３については、網掛けを付して示している。
【００３６】
図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、液晶表示装置の画素部は、画素５０が行列状に配置され、当該行列状の配置に対して信号線６１が列方向に沿って延在する画素間の空間位置に配線され、走査線６２が行方向に沿って延在する画素間の空間位置に配線された構成となっている。先述したように、信号線６１と走査線６２とは、図１において、第１パネル部１０の第１基板１４上に互いに交差するように配線されている。
【００３７】
かかる構成の画素部（画素アレイ部）において、図３（Ａ）に示す反射型液晶表示装置にあっては、アルミニウム等の金属から成る反射電極６３を、画素５０のサイズとほぼ同じ大きさで形成し、当該反射電極６３の領域を反射表示領域としている。すなわち、反射型液晶表示装置では、画素５０のサイズとほぼ同じ大きさの反射表示領域を確保することで、所望の反射表示性能を得るようにしている。
【００３８】
これに対して、図３（Ｂ）に示す従来の半透過型液晶表示装置にあっては、１つの画素５０内に反射電極６３と共に開口部６４を形成し、当該開口部６４を透過表示領域として用いるようにしている。このように、透過表示領域を確保すべく、画素５０内に開口部６４を形成すると、当該開口部６４の面積の分だけ反射電極６３、即ち、反射表示領域を小さくせざるを得ないため反射表示性能が、反射型液晶表示装置のそれに比べて低下する。すなわち、透過表示領域を確保することと、反射表示性能を保つこととはトレードオフの関係にある。
【００３９】
＜２．実施形態の説明＞
本開示の実施形態に係る半透過型液晶表示装置は、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、透過表示を実現するために、反射電極６３の画素５０間の空間を用いて透過表示を行うことを特徴としている。具体的には、図４に示すように、画素５０が行列状に配置されて成る画素部において、信号線６１や走査線６２等の配線を、反射電極６３の画素５０間の空間を塞がないように形成することで、当該空間を透過表示領域として用いて透過表示を行うことができる。
【００４０】
図４において、反射電極６３については、網掛けを付して示している。また、反射電極６３の画素５０間の空間としては、画素列の画素の配列方向、即ち、列方向（図の上下方向）に沿って延在する空間６５Aと、画素行の画素の配列方向、即ち、行方向（図の左右方向）に沿って延在する空間６５Bとが存在する。尚、本例では、画素部に形成される配線として信号線６１及び走査線６２を例示しているが、これらに限られるものではない。すなわち、画素５０を駆動（制御）するに当たって必要となる駆動線（制御線）全てが、ここで言う配線に含まれる。
【００４１】
ここで、「空間を塞がない」とは、配線が反射電極６３の画素５０間の空間６５A，６５Bとオーバーラップしている領域の存在を排除するものではない。具体的には、列方向に配線される信号線６１が行方向に延在する空間６５Bとオーバーラップする状態や、行方向に配線される走査線６２が列方向に延在する空間６５Aとオーバーラップする状態は、「空間を塞がない」概念に含まれるものとする。
【００４２】
また、信号線６１が列方向に延在する空間６５Aと一部があるいは部分的にオーバーラップする状態や、走査線６２が行方向に延在する空間６５Bと一部があるいは部分的にオーバーラップする状態も、「空間を塞がない」概念に含まれるものとする。いずれの場合にも、信号線６１や走査線６２が空間６５A，６５Bとオーバーラップしていない領域を透過表示領域として用いることになる。
【００４３】
また、反射電極６３の画素５０間の空間６５A，６５Bを塞がないように配線を形成する際には、当該配線を反射電極６３の画素５０間の空間６５A，６５Bを避けて形成するのが好ましい。ここで、「空間を避けて」とは、反射電極６３の画素５０間の空間６５A，６５B中に配線が存在しない（即ち、当該空間６５A，６５B中に配線がオーバーラップする領域が存在しない）状態を言う。
【００４４】
具体的には、図４に示すように、信号線６１については、列方向に延在する空間６５Aを避けて、即ち、空間６５Aとの間にオーバーラップする領域（部分）を存在させずに配線するのが好ましい。また、走査線６２については、行方向に延在する空間６５Bを避けて、即ち、空間６５Bとの間にオーバーラップする領域を存在させずに配線するのが好ましい。反射電極６３の画素５０間の空間６５A，６５B中に信号線６１及び走査線６２がオーバーラップする領域が存在しないことで、当該空間６５A，６５Bの領域の全体を透過表示領域として用いることができるため、より高い透過表示性能を得ることが可能となる。
【００４５】
上述したように、反射電極６３の画素５０間の空間を用いて透過表示を行う、即ち、当該空間の領域を透過表示領域とすることにより、画素５０内に透過表示領域を別途確保する必要がなくなる。これにより、図３（Ａ）と図４との対比から明らかなように、画素５０のサイズを同じとした場合、反射電極６３の大きさを反射型液晶表示装置のそれと同等にできるため、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、透過表示を実現可能となる。
【００４６】
［２−１．液晶表示パネルの駆動方式］
ところで、液晶表示パネル（液晶表示装置）においては、液晶に同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等が劣化するのを防ぐために、コモン電位ＶCOMを基準として映像信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。
【００４７】
この液晶表示パネルの駆動方式として、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。ライン反転は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｈ（Ｈは水平期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット駆動は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転は、１画面に相当する１フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。
【００４８】
本実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。但し、以下に説明する理由により、ライン反転やドット反転の駆動法よりも、フレーム反転の駆動方式を採用するのが好ましい。
【００４９】
フレーム反転の駆動方式を採用するのが好ましい理由について、図５のシミュレーション結果を用いて説明する。図５において、（Ａ）は画素５０に電圧を印加しない場合のシミュレーション結果を、（Ｂ）はライン反転またはドット反転の際に画素５０に電圧を印加した場合のシミュレーション結果を、（Ｃ）はフレーム反転の際に画素５０に電圧を印加した場合のシミュレーション結果をそれぞれ表わしている。また、図５（Ｂ），（Ｃ）には、等電位線を一点鎖線で示している。
【００５０】
ライン反転またはドット反転の場合は、透明電極（対向電極）２１と反射電極（画素電極）６３との間の電位が隣接する２つの画素間で異なることにより、画素間における一方の画素近傍と他方の画素近傍での液晶分子の振る舞いが違ってくるため、画素間の液晶配向が安定しない。このことは、図５（Ｂ）に一点鎖線で示す等電位線の分布からも明らかである。
【００５１】
このように、隣接する２つの画素間で電位が異なるライン反転またはドット反転の場合には、画素間の液晶配向を安定して制御することができない。これにより、液晶配向が安定しない画素間の空間を透過表示領域として用いて透過表示を行うと、残像が残ったりする懸念がある。
【００５２】
これに対して、フレーム反転の場合は、透明電極２１と反射電極６３との間の電位が隣接する２つの画素間で同じであることにより、画素間における一方の画素近傍と他方の画素近傍とで液晶分子が同じような振る舞いをすることになるため、画素間の液晶配向がライン反転またはドット反転の場合に比べて安定する。このことは、図５（Ｃ）に一点鎖線で示す等電位線の分布からも明らかである。
【００５３】
このように、隣接する２つの画素間で電位が同じフレーム反転の場合には、画素間の液晶配向を比較的安定して制御することができるため、当該画素間の空間を透過表示領域として用いて透過表示を行っても残像の問題は生じない。以上の理由から、反射電極６３の画素５０間の空間を用いて透過表示を行うに当たっては、ライン反転またはドット反転の駆動方式を用いるよりも、フレーム反転の駆動方式を用いる方が好ましい。但し、先述したように、ライン反転またはドット反転の駆動方式の採用を排除するものではない。
【００５４】
［２−２．ＭＩＰ方式］
ところで、フレーム反転の駆動方式を用いる場合、１フレーム期間に亘って同じ極性の信号電圧を信号線に書き込むことになるためにシェーディングが発生する懸念がある。そこで、本実施形態に係る半透過型液晶表示装置においては、フレーム反転の駆動方式を用いるに当たって、画素５０としてメモリ機能を有する画素、例えば、画素毎にデータを記憶可能なメモリを持つ、所謂、ＭＩＰ(Memory In Pixel)方式を採用することとする。ＭＩＰ方式の場合、画素に常に一定電圧がかかることになるためにシェーディングの問題を解消することができる。
【００５５】
また、ＭＩＰ方式は、データを記憶するメモリを画素内に持つことにより、アナログ表示モードによる表示と、メモリ表示モードによる表示とを実現できる。ここで、アナログ表示モードとは、画素の階調をアナログ的に表示する表示モードである。また、メモリ表示モードとは、画素内のメモリに記憶されている２値情報（論理“１”／論理“０”）に基づいて、画素の階調をデジタル的に表示する表示モードである。
【００５６】
メモリ表示モードの場合、メモリに保持されている情報を用いるため、階調を反映した信号電位の書き込み動作をフレーム周期で実行する必要がない。そのため、メモリ表示モードの場合は、階調を反映した信号電位の書き込み動作をフレーム周期で実行する必要があるアナログ表示モードの場合に比べて消費電力が少なくて済む、換言すれば、表示装置の低消費電力化を図ることができる。
【００５７】
図６は、ＭＩＰの画素の回路構成の一例を示すブロック図であり、図中、図２と同等部位には同一符号を付して示している。また、図７に、ＭＩＰの画素の動作説明に供するタイミングチャートを示す。
【００５８】
図６に示すように、画素５０は、液晶容量（液晶セル）５２に加えて、３つのスイッチ素子５４〜５６及びラッチ部５７を有するＳＲＡＭ機能付きの画素構成となっている。ここで、液晶セル４５は、画素電極とこれに対向して配される対向電極との間で発生する液晶容量を意味している。
【００５９】
スイッチ素子５４は、信号線６１（図２の信号線６１1〜６１3に相当）に一端が接続されており、図２の走査回路８０から走査信号φＶが与えられることによってオン（閉）状態となり、図２の信号出力回路７０から信号線６１を介して供給されるデータＳＩＧを取り込む。ラッチ部５７は、互いに逆向きに並列接続されたインバータ５７１，５７２によって構成されており、スイッチ素子５４によって取り込まれたデータＳＩＧに応じた電位を保持（ラッチ）する。
【００６０】
スイッチ素子５５，５６の各一方の端子には、コモン電位ＶCOMと逆相の制御パルスＸＦＲＰ及び同相の制御パルスＦＲＰが与えられる。スイッチ素子５５，５６の各他方の端子は共通に接続され、その共通接続ノードが、本画素回路の出力ノードＮoutとなる。スイッチ素子５５，５６は、ラッチ部５７の保持電位の極性に応じていずれか一方がオン状態となる。これにより、対向電極（図１の透明電極２１）にコモン電位ＶCOMが印加されている液晶容量５２に対して、制御パルスＦＲＰまたは制御パルスＸＦＲＰが画素電極（図４の反射電極６３）に印加される。
【００６１】
図７から明らかなように、本例の場合、ラッチ部５７の保持電位が負側極性のときは、液晶容量５２の画素電位がコモン電位ＶCOMと同相になるため黒表示となり、ラッチ部５７の保持電位が正側極性のときは、液晶容量５２の画素電位がコモン電位ＶCOMと逆相になるため白表示となる。
【００６２】
上述したことから明らかなように、ＭＩＰの画素５０では、ラッチ部５７の保持電位の極性に応じてスイッチ素子５５，５６のいずれか一方がオン状態となることで、液晶容量５２の画素電極（図４の反射電極６３）に対して、制御パルスＦＲＰまたは制御パルスＸＦＲＰが印加される。これにより、画素５０には常に一定電圧が印加されることになるためにシェーディングが発生する懸念はない。
【００６３】
尚、ここでは、画素５０が内蔵するメモリとしてＳＲＡＭを用いる場合を例に挙げて説明したが、ＳＲＡＭは一例に過ぎず、他の構成のメモリ、例えばＤＲＡＭを用いる構成を採るようにしてもよい。
【００６４】
［２−３．面積階調法］
ところで、ＭＩＰ方式の場合、画素５０毎に１ビットで２階調しか表現を行うことができない。そこで、本実施形態に係る半透過型液晶表示装置において、ＭＩＰ方式を採用するに当たっては、面積階調法を用いるのが好ましい。ここで、面積階調法とは、画素面積（画素電極の面積）に例えば２：１の重みを付けて２ビットで４階調を表現する階調表現方式である。面積階調法の詳細については後述する。
【００６５】
具体的には、画素５０の反射表示領域となる反射電極６３を、面積的に重み付けした複数の画素（副画素）電極に分割する面積階調法を用いている。そして、ラッチ部５７の保持電位によって選択された画素電位を面積的に重み付けした画素電極に通電し、重み付けした面積の組み合わせによって階調表示を行うようにする。
【００６６】
以下に、面積階調法について具体的に説明する。面積階調法は、面積比を２0 ,２1 ，２2 ，・・・，２N-1 、という具合に重み付けしたＮ個の副画素電極で２N 個の階調を表現する階調表現方式であり、例えば、ＴＦＴ特性のばらつきによる画質の不均一性を改善する等の目的で採用される。本実施形態に係る半透過型液晶表示装置にあっては、画素電極である反射電極６３の面積（画素面積）に２：１の重みを付けることによって２ビットで４階調を表現する面積階調法を採るものとする。
【００６７】
画素面積に２：１の重みを付ける構造としては、図８（Ａ）に示すように、画素５０の画素電極を面積１の副画素電極５０１と、当該副画素電極５０１の２倍の面積（面積２）の副画素電極５０２とに分割する構造が一般的である。しかし、図８（Ａ）の構造の場合には、１画素の重心に対する各階調の重心が揃わない（一致しない）ため、階調表現の点で好ましくない。
【００６８】
１画素の重心に対する各階調の重心を揃える構造としては、図８（Ｂ）に示すように、面積２の副画素電極５０４の中心部を矩形形状にくり抜き、そのくり抜いた矩形領域の中心部に面積１の副画素電極５０３を配置する構造がある。しかし、図８（Ｂ）の構造の場合には、副画素電極５０３の両側に位置する、副画素電極５０４の連結部５０４A，５０４Bの幅が狭いため、副画素電極５０４全体の反射面積が小さくなるとともに、連結部５０４A，５０４Bの辺りの液晶配向が難しい。
【００６９】
上述したように、面積階調で、無電界時に液晶分子が基板に対してほぼ垂直になるＶＡ（Vertical Aligned：垂直配向）モードにしようとすると、液晶分子に対する電圧のかかり方が、電極形状や電極サイズ等によって変わるため、良好に液晶配向させることが難しい。また、反射電極の面積比が反射率比になるとは限らないので階調設計が難しい。反射率は、反射電極の面積や液晶配向などによって決まる。図８（Ａ）の構造の場合、面積比が１：２であっても電極周辺の長さの比が１：２とはならない。従って、反射電極の面積比が反射率比になるとは限らない。
【００７０】
このような観点からすると、面積階調法を採用するに当たっては、階調の表現性と反射面積の有効活用を考えると、図８（Ｃ）に示すように、画素電極を同じ面積（大きさ）の３つの副画素電極５０５，５０６A，５０６Bに分割する、所謂、３分割の電極構成にするのが望ましい。
【００７１】
この３分割の電極構成の場合、真ん中の副画素電極５０５を挟む上下２つの副画素電極５０６A，５０６Bを組とし、当該組となる２つの副画素電極５０６A，５０６Bを同時に駆動することで、真ん中の副画素電極５０５との間で画素面積に２：１の重みを付けることができる。また、１画素の重心に対する各階調の重心を揃えることができる。
【００７２】
２つの副画素電極５０６A，５０６Bを同時に駆動するに当たっては、図８（Ｃ）に破線で示すように、２つの副画素電極５０６A，５０６Bを互いに電気的に接続するのが好ましい。２つの副画素電極５０６A，５０６Bを電気的に接続することで、２つの副画素電極５０６A，５０６Bを１つの駆動回路によって駆動することができる。従って、２つの副画素電極５０６A，５０６Bを別々の駆動回路によって駆動する構成を採る場合よりも画素の回路構成を簡略化できる利点がある。
【００７３】
尚、ここでは、ＭＩＰ方式を採用するに当たって、面積階調法を用いる場合を例に挙げて説明したが、他の階調法、例えば時分割階調法を用いるようにしてもよい。但し、面積階調法の場合、静止画であっても時間によって画素電位が異なり、画素内及び画素間の液晶分子が動いてしまう。従って、時分割階調法を用いるよりも面積階調法を用いる方が好ましい。また、面積階調法の場合には、画素電極、即ち、反射電極６３を分割することから、電極間の隙間が多くなるために、パネルの透過率としては分割しない場合よりも高くなる利点がある。
【００７４】
また、上記の例では、メモリ機能を有する画素として、画素毎にデータを記憶可能なメモリを持つＭＩＰの画素を用いるとしたが、これは一例に過ぎない。メモリ機能を有する画素としては、ＭＩＰの画素の他に、例えば、周知のメモリ性液晶を用いる画素を例示することができる。
【００７５】
［２−４．表示モード］
ところで、液晶の表示モードには、電界（電圧）無印加時に白表示、電界印加時に黒表示になるノーマリーホワイトモードと、電界無印加時に黒表示、電界印加時に白表示になるノーマリーブラックモードとがある。この両モードは液晶セルの構造は同じであり、図１の偏光板１１，２６の配置が異なる。
【００７６】
反射電極６３の画素５０間の空間を用いて透過表示を行う場合、画素間の液晶分子は全てスイッチングする訳ではなく、液晶分子が動かない領域も存在する。ノーマリーホワイトモードの場合、液晶分子が動かない領域の存在によって黒を締めることができないために、コントラストが低くなる懸念がある。
【００７７】
図９に、反射電極６３の画素間の空間を用いて透過表示を行う場合における画素間の液晶分子の動きを示す。図９において、反射電極６３の中央部の箇所Ａでは液晶分子が完全に動く。これに対して、画素間における反射電極６３の近傍の箇所Ｂでは液晶分子がある程度動き、画素間の中央部の箇所Ｃでは液晶分子が全く動かない。
【００７８】
これにより、液晶分子が全く動かない画素間の中央部の領域では、透過率が反射電極６３の領域に比べて極端に高くなるため光漏れが生じる。従って、黒が締まらなくなるためコントラストが低下する。
【００７９】
図１０に、ノーマリーホワイトモードの場合の画素間における透過率のシミュレーション結果を示す。尚、図１０において、位置Ａ，Ｂ，Ｃでは、図９の箇所Ａ，Ｂ，Ｃにそれぞれ対応している。図１０のシミュレーション結果から、図９における画素間の中央部の箇所Ｃでは液晶分子が全く動いていないために透過率が高い（例えば、０．３５程度）ことがわかる。
【００８０】
このような理由から、本実施形態に係る半透過型液晶表示装置の表示モードとして、ノーマリーブラックモードを採用するのが好ましい。ノーマリーブラックモードにすれば、液晶に電圧が印加されていない状態、即ち、液晶配向が均一な状態で黒表示になり、黒を締めることができるため、コントラストを上げることができる。但し、ノーマリーホワイトモードの採用を排除するものではない。
【００８１】
光学特性の実測結果の一例として、ノーマリーホワイトモードの場合、白透過率（％）が０．９３程度、黒透過率（％）が０．２９程度であるため、コントラストが３程度である。ノーマリーブラックモードの場合、白透過率（％）が０．７１程度、黒透過率（％）が０．０６程度であるため、コントラストが１２程度である。すなわち、ノーマリーブラックモードを採用することで、コントラストをノーマリーホワイトモードの場合の４倍程度に上げることができる。
【００８２】
［２−５．具体的な実施例］
本実施形態に係る半透過型液晶表示装置の具体的な実施例について以下に説明する。以下では、表示モードとしてノーマリーブラックモードを採用し、動作モードとしてＥＣＢ(Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折）モードを採用する場合を例に挙げて説明するものとする。但し、動作モードとしては、ＥＣＢモードに限られるものではなく、ＶＡ(Vertically Aligned)モードや、ＦＦＳ(Fringe Field Switching)モードなどを採用するようにしてもよい。
【００８３】
図１１は、本実施形態の一実施例に係る半透過型液晶表示装置の行方向（Ｘ方向）において隣接する２つの画素の断面構造を示す断面図であり、図中、図１と同等部位には同一符号を付して示している。
【００８４】
図１１に示すように、第１パネル部１０は、液晶層３０と反対側から順に、偏光板１１、１／２波長板１２、１／４波長板１３、ＴＦＴ基板である第１基板１４、及び、平坦化膜１５が設けられ、平坦化膜１５上に反射電極６３が画素毎に形成された構成となっている。
【００８５】
この第１パネル部１０において、反射電極６３は、画素サイズと同程度の大きさで形成されている。そして、反射電極６３の領域が反射表示領域（反射表示部）となる。また、行方向（Ｘ方向）において隣接する２つの画素の反射電極６３間には、列方向（Ｙ方向）に沿って空間６５Aが形成されている。尚、本断面には現れていないが、図４に示すように、列方向において隣接する２つの画素の反射電極６３間には、行方向に沿って空間６５Bが形成されている。
【００８６】
第１基板１４上には、画素列毎に各画素に対して映像信号を伝送する信号線６１が配線されている。この信号線６１は、列方向に沿って延在する空間６５Aを塞がないように、好ましくは、当該空間６５Aとオーバーラップしないように、反射表示領域内に形成されている。本断面には現れていないが、画素行毎に各画素に対して走査信号を伝送する走査線６２（図４参照）にあっては、行方向に沿って延在する空間６５Bを塞がないように、好ましくは、当該空間６５Bとオーバーラップしないように、反射表示領域内に形成されている。
【００８７】
そして、信号線６１及び走査線６２がオーバーラップしていない反射電極６３の画素間の空間６５A，６５Bは、透過表示領域として用いられる。ここで、本実施例に係る画素構造にあっては、反射表示領域と透過表示領域とで液晶層３０の厚み、即ち、セルギャップが同じシングルギャップ構造となっている。
【００８８】
第１パネル部１０と液晶層３０を挟んで対向する第２パネル部２０は、液晶層３０側から順に、透明電極２１、カラーフィルタ２２、第２基板２３、１／４波長板２４、１／２波長板２５、及び、偏光板２６が設けられた構成となっている。ここでは、行方向において隣接する２つの画素、例えば、Ｒ（赤色）を表示するＲの副画素と、Ｇ（緑色）を表示するＧの副画素についての画素構造を示している。
【００８９】
上述したシングルギャップ構造の場合に、ノーマリーブラックのＥＣＢモードの光学設計を行った一例を図１２に示す。図１２には、第１パネル１０の構成部材、液晶セル（液晶層３０）、及び、第２パネル２０の構成部材の各軸方向を表わしている。具体的には、第１パネル１０側については、偏光板１１の吸収軸方向、１／２波長板１２の延伸軸方向、及び、１／４波長板１３の延伸軸方向をそれぞれ表わしている。また、第２パネル２０側については、液晶セルのＴＦＴ基板側・ＣＦ基板側のラビング方向、１／４波長板２４の延伸軸方向、１／２波長板２５の延伸軸方向、及び、偏光板２６の吸収軸方向をそれぞれ表わしている。
【００９０】
尚、図１２において、各数値は軸方向の角度及び位相差（リタデーション）を表わしている。尚、位相差については、第１，第２パネル１０，２０の各構成部材に対して波長５５０［ｎｍ］の光を入射したときの波長に換算した数値である。
【００９１】
ここでは、具体的な実施例として、シングルギャップ構造の場合を例に挙げて説明したが、反射表示領域と透過表示領域とでセルギャップが異なる、図１３に示すようなマルチギャップ構造であっても構わない。
【００９２】
但し、図１３に示すように、マルチギャップ構造の場合は、反射表示領域と透過表示領域との間に段差を形成すべく、透明電極６３の画素間の空間６５A（６５B）に溝を形成する必要があるために、シングルギャップ構造の場合に比べてプロセス数が増える。従って、プロセスの観点からすると、マルチギャップ構造よりもプロセス数が少なくて済むシングルギャップ構造の方が好ましい。
【００９３】
図１２に示した光学設計（シングルギャップ構造）で、対向電極（透明電極２１）及び画素電極（反射電極６３）の上下電極に対する電圧ＯＮ、電圧ＯＦＦした場合の、反射表示領域と透過表示領域のスペクトルの計算結果を図１４及び図１５に示す。ここで、「電圧ＯＮ」とは上下電極間に電圧を印加する状態を言い、「電圧ＯＦＦ」とは上下電極間に電圧を印加しない状態を言う。
【００９４】
図１４は、反射表示領域のスペクトルの計算結果を示し、図１５は、透過表示領域のスペクトルの計算結果を示している。このスペクトルの計算結果は、画素間における電界分布を再現したものではなく、上下電極による電界が完全に液晶分子にかかっている状態のものである。シングルギャップ構造であることから、通常のマルチギャップ構造の半透過型と異なり、透過表示領域の位相差が少ないため透過率は低い。
【００９５】
＜３．変形例＞
上記実施形態では、信号線６１及び走査線６２を直線状のストライプ配線とし、信号線６１については行方向に延在する空間６５Bの画素の中間位置を、走査線６２については列方向に延在する空間６５Aの画素の中間位置をそれぞれ横切るような配線構造となっている（図４参照）。しかし、この信号線６１及び走査線６２の配線構造は一例であって、これに限られるものではない。
【００９６】
例えば、図１６に示すように、信号線６１及び走査線６２を屈曲した蛇行配線とし、以下のように配線する配線構造が考えられる。すなわち、信号線６１については、行方向において隣接する画素間において、列方向に沿って形成される空間６５Aと、行方向に沿って形成される空間６５Bとの交差部６５Cを通るように、具体的には、その屈曲部６１Aが交差部６５Cに位置するように配線する。また、走査線６２については、列方向において隣接する画素間において、行方向に沿って形成される空間６５Bと、列方向に沿って形成される空間６５ちとの交差部６５Cを通るように、具体的には、その屈曲部６２Aが交差部６５Cに位置するように配線する。
【００９７】
以前に図９及び図１０を用いて述べたように、画素間の中央部の箇所Ｃでは液晶分子が全く動かないことから、列方向に沿って形成される空間６５Aと、行方向に沿って形成される空間６５Bとの交差部６５Cの中心が一番透過表示に悪影響が及ぶと考えられる。従って、信号線６１及び走査線６２を、空間６５A，６５Bの画素の中間位置を通すのではなく、上述した配線構造のように交差部６５Cを通すことで、前者の配線構造を採る場合に比べて良好な透過表示を実現できると考えられる。
【００９８】
＜４．電子機器＞
以上説明した本開示に係る半透過型表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることが可能である。
【００９９】
本開示に係る半透過型表示装置は、あらゆる分野の電子機器の中でも、屋外での使用頻度が高い携帯端末機器の表示部（表示装置）として用いることが好ましい。携帯端末機器としては、例えば、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ゲーム機、ノート型パーソナルコンピュータ、電子書籍等の携帯情報機器や、携帯電話機等の携帯通信機器などを例示することができる。
【０１００】
先述した実施形態の説明から明らかなように、本開示に係る半透過型表示装置は、反射型表示装置と同等の反射表示性能を保った上で透過表示を実現できるために、反射型液晶表示装置の特長である、消費電力が少なく、明るい環境下でも画面が見易いという特長を十全に発揮できる。従って、あらゆる分野の電子機器、中でも、携帯端末機器において、その表示部として本開示に係る半透過型表示装置を用いることで、携帯端末機器の低消費電力化に大きく寄与できる。
【０１０１】
以下に、本開示に係る半透過型表示装置を表示部として用いる電子機器、即ち、本開示に係る電子機器の具体例について説明する。
【０１０２】
図１７は、本開示が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本開示に係る半透過型表示装置を用いることにより作製される。
【０１０３】
図１８は、本開示が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本開示に係る半透過型表示装置を用いることにより作製される。
【０１０４】
図１９は、本開示が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本開示に係る半透過型表示装置を用いることにより作製される。
【０１０５】
図２０は、本開示が適用される携帯通信機器、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【０１０６】
本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本開示に係る半透過型表示装置を用いることにより本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【０１０７】
＜５．本開示の構成＞
尚、本開示は以下のような構成を採ることができる。
（１）画素毎に設けられた反射電極を有し、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行う
半透過型表示装置。
（２）前記反射電極の画素間の空間を塞がないように配線が形成されている
前記（１）に記載の半透過型表示装置。
（３）前記配線は、前記反射電極の画素間の空間を避けて形成されている
前記（２）に記載の半透過型表示装置。
（４）前記配線は、前記画素の行列状の配置に対して画素列毎に形成され、前記画素を駆動する信号を伝送する信号線であり、
前記信号線は、画素列の画素の配列方向に沿って画素間に形成される前記空間を避けて配線されている
前記（３）に記載の半透過型表示装置。
（５）前記信号線は、画素行の画素の配列方向において隣接する画素間では、画素列の画素の配列方向に沿って形成される前記空間と、画素行の画素の配列方向に沿って形成される前記空間との交差部を通して配線されている
前記（４）に記載の半透過型表示装置。
（６）前記配線は、前記画素の行列状の配置に対して画素行毎に形成され、前記画素を選択する信号を伝送する走査線であり、
前記走査線は、画素行の画素の配列方向に沿って画素間に形成される前記空間を避けて配線されている
前記（３）から前記（４）のいずれかに記載の半透過型表示装置。
（７）前記走査線は、画素列の画素の配列方向において隣接する画素間では、画素行の画素の配列方向に沿って形成される前記空間と、画素列の画素の配列方向に沿って形成される前記空間との交差部を通して配線されている
前記（６）に記載の半透過型表示装置。
（８）前記画素は、前記反射電極と当該反射電極に対向する対向電極との間に設けられた液晶層を有する
前記（１）から前記（７）のいずれかに記載の半透過型表示装置。
（９）前記画素を駆動する信号を、フレーム毎に前記画素の全てについて同じ極性で反転させるフレーム反転駆動を行う
前記（８）に記載の半透過型表示装置。
（１０）表示モードがノーマリーブラックモードである
前記（８）または前記（９）に記載の半透過型表示装置。
（１１）前記画素は、メモリ機能を有する
前記（８）に記載の半透過型表示装置。
（１２）前記画素は、データを格納するメモリ部を有する
前記（８）から前記（１１）のいずれかに記載の半透過型表示装置。
（１３）前記画素は、メモリ性液晶を用いている
前記（１１）に記載の半透過型表示装置。
（１４）前記反射電極は、画素毎に複数の電極に分割されており、当該複数の電極の面積の組み合わせによって階調を表示する面積階調を行う
前記（１０）に記載の半透過型表示装置。
（１５）前記反射電極は、３つの電極に分割されており、これら３つの電極のうちの２つの電極と残りの１つの電極との面積の組み合わせによって２：１の面積階調を行う
前記（１４）に記載の半透過型表示装置。
（１６）前記２つの電極及び前記１つの電極の各大きさが等しい
前記（１５）に記載の画素構造。
（１７）前記２つの電極は、前記１つの電極を挟んで設けられている
前記（１５）または前記（１６）に記載の画素構造。
（１８）前記２つの電極は、互いに電気的に接続されている
前記（１５）から前記（１７）のいずれかに記載の画素構造。
（１９）画素毎に設けられた反射電極を有する半透過型表示装置の駆動に当たって、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行う
半透過型表示装置の駆動方法。
（２０）画素毎に設けられた反射電極を有し、
前記反射電極を用いて反射表示を行い、
前記反射電極の画素間の空間を用いて透過表示を行う
半透過型表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０８】
１・・・半透過型液晶表示装置、１０・・・第１パネル部、１１・・・偏光板、１２・・・１／２波長板、１３・・・１／４波長板、１４・・・ガラス基板、１５・・・平坦化膜、２０・・・第２パネル部、２１・・・透明電極、２２・・・カラーフィルタ、２３・・・第２基板、２４・・・１／４波長板、２５・・・１／２波長板、３０・・・液晶層、４０・・・バックライト部、５０・・・画素、５１・・・画素トランジスタ、５２・・・液晶容量（液晶セル）、５３・・・保持容量、５４〜５６・・・スイッチ素子、５７・・・ラッチ部、６１・・・信号線、６２・・・走査線、６３・・・反射電極（画素電極）、６５A，６５B・・・反射電極の画素間の空間、７０・・・信号出力回路、８０・・・走査回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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