(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が搭載される搭載面と、前記搭載面の前記発光素子の周囲に配置された反射面と、前記発光素子と反射面との間の空間を少なくとも封止する封止部材とを有し、
前記封止部材は、前記反射面よりも上側に突出する部分を有し、該突出する部分は、円錐形であり、
前記反射面は、前記発光素子からの入射する光を上方に向けて正反射するとともに、予め定めた割合で拡散光を生じる拡散反射面であり、
前記封止樹脂の円錐面の傾斜角は、前記発光素子から出射される光のうち、前記拡散反射面に直接入射した光の正反射光が、当該拡散反射面と接する側の前記円錐面に直接入射するように定められていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、前記円錐形の封止部材の円錐面は、前記発光素子から出射され、前記拡散反射面で正反射された光が直接入射する位置にあることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光装置において、前記搭載面は、前記発光素子の光を反射する反射面であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置において、前記反射面は、光拡散性の粒子を分散させた樹脂、光拡散性のセラミック、および、表面が粗面の金属膜のいずれかにより構成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置において、前記発光素子は、複数であり、前記円錐形の封止部材の中心からずれた位置にそれぞれ搭載されていることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に搭載した発光素子（ＬＥＤ）を樹脂で封止した半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤパッケージの代表的なものに、パッケージ基板上にＬＥＤを実装し、ＬＥＤを取り囲むようにホーン形状のリフレクタを配置し、ＬＥＤとリフレクタとの間の空間を樹脂で封止した構造が広く知られている。封止樹脂は、ＬＥＤの発する光に対して透明なものが用いられる。また、必要に応じて封止樹脂に、ＬＥＤの発する光を波長変換する蛍光体粒子を分散させることもある。
【０００３】
封止樹脂の形状としては、上面を平坦な面にしたＰＬＣＣ（Plastic  leaded  chip  carrier)タイプのものや、封止樹脂の上面を所定の曲面形状にし、封止樹脂をレンズとして作用させる構造等が種々提案されている。例えば、封止樹脂をドーム形状に盛り上げた場合、ＬＥＤの発する光の取り出し効率を向上させ、同時に指向性の制御を行うことができる。ドーム形状の封止樹脂の形成方法としては、金型を用いたインジェクションモールド法等が用いられる。
【０００４】
また、特許文献１には、出射光の波長が異なる複数のＬＥＤを並べて配置し、これを一体に覆う封止樹脂の外形を円錐形にした照明装置が開示されている。この照明装置は、複数のＬＥＤからの出射光を封止樹脂の円錐面で反射して、円錐の先端に集めるように円錐の頂角が設計されている。円錐形の封止樹脂の先端部において、集められた光を混合して先端から出射する。これにより色ムラを低減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
封止樹脂をドーム状にしてレンズ作用を生じさせるＬＥＤパッケージの例を図１に示す。ＬＥＤチップ１は、ホーン形状のリフレクタ４が搭載された基板３にダイボンディングされ、ボンディングワイヤ５により基板３上の電極２と接続される。封止樹脂６はドーム状である。封止樹脂６にレンズ機能を持たせたＬＥＤパッケージは、封止樹脂６に集光性を持たせてＬＥＤチップ１からの光の取り出し効率を上げているため、ＬＥＤチップ１とドーム状の封止樹脂６の中心位置７とのズレが大きく指向特性に影響する。図２（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ１がドーム状の封止樹脂６の中心位置７にある場合、出射光は法線方向を中心とした指向性を示すが、ＬＥＤチップ１が中心位置７からずれた位置８にある場合には、図２（ｂ）に示すように法線方向に対して傾いた指向性を示す。このため、ＬＥＤチップ１の位置ずれ量の許容幅が狭くなり、製造歩留まりが低下するという問題がある。
【０００７】
一方、特許文献１に記載の円錐形の封止樹脂を用いる構成は、複数のＬＥＤチップからの光のうち直上方向に進む光を円錐形の封止樹脂の先端に集めるように設計されている。しかしながら、ＬＥＤチップの出射光は、実際には一定の広がり角をもって出射されるため、直上ではない方向に出射される光を円錐形の封止樹脂で制御することは難しい。また、ＬＥＤチップが位置ずれした場合、直上方向に出射される光については円錐への入射角に変化がないため、位置ずれを許容することができるが、直上以外の方向への出射光を制御することはできない。このため、光の取り出し効率を向上させることは難しい。
【０００８】
本発明の目的は、ＬＥＤチップが位置ずれした場合であっても、指向性のずれが少なく、光の取り出し効率が高い発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の発光装置は、発光素子が搭載される搭載面と、搭載面の発光素子の周囲に配置された反射面と、発光素子と反射面との間の空間を少なくとも封止する封止部材とを有する。封止部材は、反射面よりも上側に突出する部分を有し、該突出する部分は、円錐形である。反射面は、発光素子からの入射する光を上方に向けて正反射するとともに、予め定めた割合で拡散光を生じる拡散反射面である。
【００１０】
円錐形の封止部材の円錐面は、発光素子から出射され、拡散反射面で正反射された光が直接入射する位置にあるように設計することが望ましい。
【００１１】
搭載面は、発光素子の光を反射する反射面であることが望ましい。
【００１２】
反射面は、光拡散性の粒子を分散させた樹脂、光拡散性のセラミック、および、表面が粗面の金属膜のいずれかにより構成することが可能である。
【００１３】
発光素子は、複数であり、円錐形の封止部材の中心からずれた位置にそれぞれ搭載されている構成にすることも可能である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の発光装置は、拡散反射面により発光素子を囲み、拡散反射面よりも上側に突出する封止部材を円錐形にしたことにより、発光素子の位置ずれが生じた場合であっても、指向特性の変化を抑制することができる。すなわち、発光素子の位置ずれにロバスト性を持たせることができる。また、複数の発光素子を配置した場合であっても、指向性の変化が小さく、発光素子の発光色が異なる場合でも色ムラを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来のドーム型の封止樹脂を備える発光装置の断面図。
【図２】図１の発光装置において（ａ）ＬＥＤチップの位置ずれがない場合の指向特性を示すグラフ、（ｂ）ＬＥＤチップの位置ずれがある場合の指向性を示すグラフ。
【図３】第１の実施形態の発光装置の断面図。
【図４】図３の発光装置の封止樹脂内部の光の反射および拡散を示す説明図。
【図５】図３の発光装置において（ａ）ＬＥＤチップの位置ずれがない場合の指向特性を示すグラフ、（ｂ）ＬＥＤチップの位置ずれがある場合の指向性を示すグラフ。
【図６】第１の実施形態の発光装置において、複数のＬＥＤチップを搭載した場合の上面から見た配置を示す説明図。
【図７】図６の発光装置において指向特性を示すグラフ。
【図８】第２の実施形態の発光装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の一実施の形態の発光装置について図面を用いて説明する。
（第１の実施形態）
図３に、第１の実施形態の発光装置の断面図を示す。この発光装置は、リードフレーム１２を表面に備えた樹脂製の基板１３と、基板１３上に搭載されたリフレクタ部１４と、リードフレーム１２上にダイボンディングされたＬＥＤチップ１１と、ＬＥＤチップ１１を封止する封止樹脂１６とを備えて構成される。ＬＥＤチップ１１は、上面に一対の電極（不図示）を有し、これらの電極は、ボンディングワイヤ１５によりリードフレーム１２にそれぞれ接続されている。
【００１７】
封止樹脂１６は、リフレクタ１４よりも上に突出して盛り上がった形状であり、突出した部分は円錐形状である。封止樹脂１６は、ＬＥＤチップ１１の発する光に対して透明な材料により形成されている。封止樹脂１６の屈折率は、円錐面において空気との屈折率差により全反射の臨界角を決定するため、円錐の頂角の角度と共に、ＬＥＤチップ１１からの光のうち円錐面で外部に出射する角度範囲が決まる。よって、これを考慮して封止樹脂１６の屈折率および円錐の頂角を設計する。また、円錐面における光の取り出し効率を高めるため、ＬＥＤチップ１１との屈折率差が小さい材料で封止樹脂６を形成することが好ましい。また、封止樹脂１６は、ランプハウスを構成する基板１３およびリフレクタ１４の材質や熱膨張係数等を考慮して、密着性が高く、熱膨張係数差が小さいものを選択することが好ましい。
【００１８】
具体的には、例えば、紫外光領域から可視光領域の光に対して透過率の高いシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、ポリオレフィン樹脂、ＰＶＡ樹脂、フッ素系樹脂、ウレタン樹脂等により封止樹脂１６を形成することができる。
【００１９】
リードフレーム１２の基材は、銅や鉄系を用いることができる。基材の表面には、耐食性を向上させるための層として、例えば厚さ０．５〜９μｍ程度のＮｉ層を配置する。さらに、表面を高反射率にするために、厚さ０．５〜５μｍ程度のＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａ１、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｐｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｃｕ等の層で被覆された構造にすることが好ましい。
【００２０】
基板１３は、ＬＥＤチップ１１の出射光を上方に向けて高効率で反射するために、基板１３の上面が、高反射率の金属層（Ａ１、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｐｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｃｕ等の金属層）により覆われていることが好ましい。ただし、リードフレーム１２を短絡させないように配置する。または、基板１３の上面のできるだけ広い面積をリードフレーム１２が覆うようにし、リードフレーム１２の形状を設計することも可能である。高反射率の金属層は、蒸着法やメッキ法により基板上面もしくはリードフレーム上面に形成することができる。
【００２１】
リフレクタ１４は、反射面１４０が、所定の割合の拡散光を生じさせ、残りの光を正反射する拡散反射面となるように構成する。拡散反射面１４０の拡散光の光量Ｓ１と正反射光の光量Ｓ２との割合は、Ｓ１／（Ｓ＋Ｓ２）＝３０％〜７０％程度であることが望ましい。一例としては、Ｓ１／（Ｓ１＋Ｓ２）＝５０％に設定することができる。
【００２２】
このような拡散反射面１４０は、例えば酸化チタンやチタン酸バリウム等の拡散性の粒子を分散させた樹脂によりリフレクタ１４を構成することにより実現することができる。例えば、粒径０．１〜０．５μｍの酸化チタンを１０％〜７５％含む樹脂によりリフレクタ１４を形成することにより、Ｓ１／（Ｓ＋Ｓ２）＝３０％〜７０％にすることができる。また、粒径０．１５〜０．２５μｍの酸化チタンを２０％〜５０％含む樹脂によりリフレクタ１４を形成することができる。
【００２３】
基板１３およびリフレクタ１４の基材樹脂としては、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＣＴ（ポリシクロへキシレン・ジメチレン・テレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＰ（ポリプロピレン）等を用いることができる。
【００２４】
また、リフレクタ１４をセラミックで構成することも可能である。具体的には例えば、アルミナ、酸化チタン、ジルコニア、ＢｅＯ、ＳｉＣ、ＣｕＷ等によりリフレクタ１４を構成し、拡散反射面１４０の表面粗さを調整することにより、Ｓ１／（Ｓ＋Ｓ２）＝３０％〜７０％を実現することができる。
【００２５】
さらに、リフレクタ１４の拡散反射面を金属により形成し、表面粗さを調整することにより、上記拡散反射面１４０を構成することも可能である。
【００２６】
リフレクタ１４の拡散反射面１４０の傾斜角と、封止樹脂１６の円錐の頂角との関係は、ＬＥＤチップ１１から出射される光のうち、拡散反射面１４０に入射した光の正反射光が、封止樹脂１４の円錐面（斜面）に入射する関係になるように設計する。
【００２７】
このように、封止樹脂１６を所定の全反射角の円錐面を有する円錐形状とし、かつ、所定の割合で拡散光を生じさせる拡散反射面１４０をＬＥＤチップ１の周囲に配置し、さらに、正反射光が円錐面に直接入射するように円錐形の封止樹脂１６を配置したことにより、図４に示すように、ＬＥＤチップ１１から上方（基板１３の法線方向）に向けて出射される光のうち、臨界角より小さい角度で円錐面に入射する光４１は、そのまま外部に出射される。臨界角より大きい角度で円錐面に入射する光４２は、円錐面で反射されて封止樹脂１６内部に戻され、リードフレーム１２や基板１３の表面や拡散反射面１４０で１回以上反射され、臨界角より小さい角度で再び円錐面に到達して外部に出射される。これにより、円錐形の封止樹脂１６のレンズ効果により円錐面から出射される光の角度が制御される。
【００２８】
法線方向から大きく傾いてＬＥＤチップ１１から出射された光４３は、拡散反射面１４０に入射し、正反射光４４と所定の割合の拡散光４５を生じさせる。正反射光４４は、封止樹脂１６の円錐面に入射する。拡散光４５のうち上方に向けて拡散された光は、正反射光４４とは異なる様々な角度で封止樹脂１６の円錐面の広範囲に入射する。これらの光は、円錐面の入射角が臨界角より小さい場合は外部に出射される。臨界角以上である場合は、円錐面で反射され、封止樹脂１６内部に戻され、リードフレーム１２や基板１３の表面や拡散反射面１４０で１回以上反射され、臨界角より小さい角度で再び円錐面に到達して外部に出射される。拡散光４４のうち下方に向けて拡散された光は、リードフレーム１２および基板１３の表面で反射されることにより、上方に向けて反射され、円錐面に到達して出射される。
【００２９】
このように拡散反射面１４０で拡散光４４を生じさせることにより、ＬＥＤチップ１１から直接到達する光のみの場合よりも、円錐面全体に、広い入射角の範囲で光を入射させることができるため、拡散反射面１４０がない場合と比較して、円錐面から出射される光に指向角に依存した強度ムラが生じるのを低減することができる。
【００３０】
よって、円錐形の封止樹脂１６のレンズ効果と、拡散反射面１４０の拡散光による指向角に依存した強度ムラ低減効果により、所定の指向特性の出射光を得ることができる。
【００３１】
このような構造であるため、ＬＥＤチップ１１が、封止樹脂１６の中心位置からずれてダイボンドされた場合であっても、出射光の指向性のずれを抑制することができる。すなわち、ＬＥＤチップ１１が封止樹脂１６の中心位置からずれてダイボンドされた場合、ずれた側の円錐面および拡散傾斜面１４０に入射する光量が増加するが、円錐面に臨界角以上で入射した光は全反射され、戻り光は基板面やリードフレーム１２で１回以上反射することにより、ずれた側とは逆側の円錐面へも光を入射させることができる。また、拡散反射面１４０においては所定の割合で拡散光が生じるため、円錐面全体に拡散光を広い角度範囲で入射させることができる。これにより、ＬＥＤチップ１１の位置ずれによる光の偏りを修正し、指向性のずれを低減できる。
【００３２】
一例として、本実施形態の発光装置の構成において、封止樹脂１６の中心位置からのＬＥＤチップ１１の位置ずれがない場合のシミュレーションで求めた出射光の指向特性を図５（ａ）に、位置ずれがある場合の出射光の指向特性を図５（ｂ）に示す。ただし、封止樹脂１６の屈折率１．４、拡散反射面１４０の拡散光の光量Ｓ１と正反射光の光量Ｓ２との割合Ｓ１／（Ｓ＋Ｓ２）＝５０％、リフレクタ１４の高さ１．０５ｍｍ、リフレクタ１４の開口径２．８ｍｍ、封止樹脂１６の頂角１１４．５°、ＬＥＤチップ１１の発光波長６１５ｎｍとして求めた。図５（ｂ）のＬＥＤチップ１１の位置ずれ量は、０．１ｍｍとした。
【００３３】
図５（ｂ）の指向特性から明らかなように、ＬＥＤチップ１１が位置ずれした場合であっても、ずれていない図５（ａ）の指向特性と比較して、指向角が２度しかずれておらず、従来のドーム型の発光装置と比較してＬＥＤチップ１１の位置ずれにロバスト性を持っていることがわかる。
【００３４】
本実施形態の発光装置の製造方法は、リフレクタおよび封止樹脂を備えた発光装置の製造方法と同様であるが、円錐形の封止樹脂１６は、インジェクション成形プロセスを用いて形成する。
【００３５】
なお、上述の実施形態では、ＬＥＤチップ１１を一つだけ搭載した発光装置について説明したが、図６に示すように、複数のＬＥＤチップ１１を配列してリードフレーム１２上に配置した構成にすることも可能である。ここではＬＥＤチップ１１を４個配置している。この場合、円錐形の封止樹脂１６の中心からずれた位置に４個のＬＥＤチップ１１が配置されるが、本実施形態の構成を用いることにより、出射光の指向性は、複数ビームに分割されたり、指向特性が大きく傾いたりせず、図７に示すように法線方向に向かう一つのビーム状の指向性をしめす。
【００３６】
また、複数のＬＥＤチップ１１としてそれぞれ異なる出射波長のものを用い、マルチカラーとすることも可能である。マルチカラーとした場合も、本実施形態の発光装置ではＬＥＤチップ１１がセンターからずれた位置に存在しても指向特性に偏りを生じにくい構成であるため、複数のＬＥＤチップ１１の混色性がよく、発光色の分布の少ないマルチカラー発光装置を提供できる。
【００３７】
ＬＥＤチップ１１としては、波長領域が紫外線域から赤外線域までどのようなものでもよい。例えば、窒化ガリウム系化合物半導体やシリコンカーバイト系化合物半導体等を用いることができる。
【００３８】
なお、上述の実施形態では、基板１３は樹脂製であり、その上にリードフレーム１２を配置した構成であったが、基板１３をセラミック製とし、リードフレーム１２に代えて電極膜を配置することも可能である。
【００３９】
また、基板１３およびリフレクタ１４をリジッド基板により構成することも可能である。
【００４０】
封止樹脂１６に代えて、低融点ガラス、ゾルーゲルガラス等のガラスを用いることも可能である。
【００４１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態の発光装置について説明する。
【００４２】
第２の実施形態では、図８に示すように、リフレクタ１４と基板１３を一体としてシリコン基板で構成する。シリコン基板の表面に金属膜を配置することにより、電極および拡散反射層１４０を形成している。他の構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４３】
リフレクタ１４および基板１３は、シリコン基板をエッチングしてリフレクタ１４の開口を形成することにより一体に形成する。形成した開口の底面（基板１３の上面）および開口の内側面（リフレクタ１４の反射面）および外側面に高反射率の金属膜を形成する。基板１３の上面の金属膜１３０を所定のパターンにフォトリソグラフィ等により加工することにより、ＬＥＤチップ１１を搭載する電極が形成される。また、リフレクタ１４の反射面の金属膜１３０をエッチング法またはブラスト法により、表面粗さＲａが０．１μｍ以上の粗面に加工することにより拡散反射面１４０を形成する。
【００４４】
シリコン基板からリフレクタ１４と基板１３を一体に形成する具体的な方法の一例を説明する。まずＳｉウエハの（１００）面に熱酸化膜を形成する。次にＳｉウエハの表面にレジストをスピンコートした後、プリベークし、マスク露光、現像することで、エッチングする面を残し、レジストで覆う。ポストプリベークの後、レジストをマスクとして、フッ酸とフッ化アンモニウムを混合したバッファードフッ酸で熱酸化膜をエッチングすることにより、熱酸化膜を所定のパターンに加工した後、レジストを除去する。熱酸化膜をマスクとして、ＫＯＨ系のアルカリウェットエッチング液によりシリコン基板をエッチングする。これにより、（１１１）面を斜面としたリフレクタ１４および基板１３が形成される。
【００４５】
リフレクタ１４および基板１３の表面に、リフトオフ法により所定のパターンのＴｉ／Ｎｉ／Ａｇの積層膜を金属膜１３０として形成する。リフレクタ１４の斜面の金属膜１３０を粗面加工し、拡散反射面１４０を形成する。
【００４６】
なお、金属膜１３０の表面全体を成膜時に表面粗さが０．１μｍ以上になるように形成することも可能である。
【００４７】
また、金属膜１３０は、光による硫化、または酸化が起こらないような材料であることが望ましく、上記層構成の他に、Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｇＢｉＮｄ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ、ＴｉＷ／Ａｕ、Ｔｉ／ＮｉＶ／Ａｕ、Ｃｒ／ＮｉＶ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｇＮｄＣｕ、Ｃｒ／Ｎｉ／ＡｇＮｄＣｕ、ＴｉＷ／ＡｇＮｄＣｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｇＢｉ、Ｃｒ／Ｎｉ／ＡｇＢｉ、ＴｉＷ／ＡｇＢｉ、Ｃｒ／Ｎｉ／ＡｇＢｉＮｄ、ＴｉＷ／ＡｇＢｉＮｄ、Ｃｒ／ＮｉＶ／ＡｇＢｉＮｄ、Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｇＢｉＡｕ、Ｃｒ／Ｎｉ／ＡｇＢｉＡｕ、ＴｉＷ／ＡｇＢｉＡｕ、または、Ｃｒ／ＮｉＶ／ＡｇＢｉＡｕ等の積層膜とすることも可能である。これらは、蒸着等により成膜することができる。
【００４８】
また、金属膜１３０は、Ｃｕ膜を無電解メッキや電鋳により形成した後、Ｃｕ膜の上にさらにＡｕ、ＡｇＢｉ、Ｐｄ、Ａｇ／Ｒｅ、Ａｇ／Ｒｅ、Ａｇ／Ｒｈ等を電界メッキ等で積層した構成とすることも可能である。これにより、共晶接合が可能な電極を形成することができる。
【００４９】
シリコン基板のエッチングに用いる溶液は、ＫＯＨ以外に、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）やＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）やＮ２Ｈ４とＨ２０の混合液を用いることも可能である。また、ドライエッチングプロセス、ダイシングブレードによるプロセス、ブラストプロセス等によりシリコン基板を加工することも可能である。
【００５０】
第２の実施形態の発光装置の作用および効果は、第１の実施形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００５１】
（第３の実施形態）
第３の実施形態として砲弾型の発光装置について説明する。砲弾型の発光装置は、リードフレームが拡散反射面を備える形状に加工され、リフレクタを兼用する。リードフレームを内包するように封止樹脂で封止される。封止樹脂は、少なくともリードフレームよりも上の部分が円錐形に形成されている。リードフレームがＬＥＤチップを搭載する面には、高反射率膜を配置することが望ましい。拡散反射面は、高反射率のリードフレームの表面を粗面加工することにより形成されている。
【００５２】
このように砲弾型の発光装置であっても、本発明を適用することができ、ＬＥＤチップの位置ずれの許容度の大きな発光装置を提供できる。作用および効果は、第１の実施形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００５３】
上述した第１〜第３の実施形態の発光装置は、拡散反射面１４０によりＬＥＤチップ１１を囲み、拡散反射面よりも上側に突出する封止樹脂を円錐形にしたことにより、ＬＥＤチップの位置ずれが生じた場合であっても、指向特性の変化を抑制することができる。すなわち、ＬＥＤチップずれにロバスト性を持たせることができる。また、複数のＬＥＤチップを配置した場合であっても、指向性の変化が小さく、各ＬＥＤチップの発光色が異なる場合でも色ムラを抑制することができる。
【００５４】
本発明の発光装置は、バックライト用光源、車載用インジケータ、ストロボ用光源、ダウンライト用光源、非常灯、温度センサー用光源、ガスセンサー用光源、花卉成長制御用光源、集魚用光源、無影灯用光源、光ＣＴ用光源、白血病細胞破壊用光源、集虫用光源、光触媒励起用光源、人検知センサー用光源、紙検知センサ用光源等に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１、１１…ＬＥＤチップ、２、１５…リードフレーム、３、１３…基板、４、１４…リフレクタ、５、１５…ボンディングワイヤ、６、１６…封止樹脂、７…中心位置、１３０…金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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