(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライブラインが形成された脆性材料の基板に力を加えることによって、前記スクライブラインに沿ってブレイクする脆性材料基板ブレイク装置であって、
夫々の上面と対向面によって構成される夫々の稜線を平行として相対向するように配置され、上面に前記基板が載置される一対の受け刃と、
前記一対の受け刃を、前記基板との当接面とは逆側の面から夫々支持する一対の支持部材と、
前記稜線に平行な中心軸及び凸の部分円筒面を有し、前記一対の支持部材に夫々固定された一対の回転軸と、
前記一対の受け刃の対向する前縁が一致して中心線となる接近位置と、前記接近位置から離隔した離隔位置との間を移動可能となるように、前記一対の支持部材を互いに逆方向に平行移動させる開閉機構と、
前記基板のスクライブラインが形成された側の裏面にて、前記スクライブラインの背面に沿って線状に当接するブレードと、
前記一対の受け刃に対して前記ブレードが接近するように相対移動させて、基板の面に垂直に力を印加するブレード駆動手段と、を具備し、
前記一対の受け刃は、夫々前記一対の回転軸の部分円筒面と摺動する凹の部分円筒面を有し、
前記一対の支持部材は、
夫々上面で前記受け刃を前記受け刃が回転軸に沿って回動することによって前記基板の面に垂直方向に微小距離だけ移動可能となるよう弾性的に保持するものである脆性材料基板ブレイク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板などの脆性材料基板をブレイクする脆性材料基板ブレイク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、半導体ウエハに形成された素子領域を、その領域の境界位置で分断することにより製造される。半導体ウエハ等の基板の分断装置としてはダイシング装置が一般的であるが、目的によってはスクライブ装置・ブレイク装置も使用される。予めスクライブによる傷入れを施された半導体ウエハ等の基板をブレイクするときには、基板ブレイク装置が使用される。なお、ブレイクとは、結晶性の材料の基板において、分断され易い結晶の特定方位に基板を割る劈開の場合と、結晶の方位とは関係なく基板を割る場合、また多結晶や非晶質材料等の特定方位への結晶性を持たない基板を割る場合とを含む概念である。
【０００３】
従来、半導体基板、例えばシリコンウエハをチップに分断する場合には、ダイシング装置によってダイシングホイールを回転させて、切削によって半導体基板を小さく切断していた。しかし切削による排出屑を排出するための水が必要であり、その水や排出屑が半導体チップの性能へ悪影響を与えないように、半導体チップへの保護を施し、水や排出屑を洗浄するための前後工程が必要となる。従って工程が複雑となり、コスト削減や加工時間が短縮できないという欠点があった。又低誘電体層等の機械的な脆弱層が成膜された半導体基板においては、ダイシングホイールを用いた切削によって膜が剥がれたり欠けが生じるなどの問題が生じたり、微小な機械構造を有するＭＥＭＳ基板においては、水の表面張力による構造の破壊が引起こされるためそもそも水が使用できず、ダイシング工程を適用できないといった問題が生じていた。
【０００４】
又特許文献１，２には、スクライブラインが形成された半導体基板を、スクライブラインが形成された面の裏面から、スクライブラインに沿って面に垂直に押圧することによりブレイクする基板ブレイク装置が提案されている。図１Ａはこのような基板ブレイク装置の主要部を示す図である。本図において、受け刃１０１Ａ，１０１Ｂは微小距離だけ隔てて配置された一対の基板保持部である。受け刃１０１Ａ，１０１Ｂ上には保護用のシート１０２を介して例えば半導体基板１０３が粘着性シート１０４に接着して取り付けられている。半導体基板１０３にはあらかじめ所定間隔でスクライブライン１０５ａ〜１０５ｃが形成されている。ブレイク時には受け刃１０１Ａ，１０１Ｂのちょうど中間にブレイクすべきスクライブライン、この場合にはスクライブライン１０５ｂを配置し、その上部よりブレード１０６をスクライブライン１０５ｂに合わせて降下させ、半導体基板１０３を押圧する。このようにして一対の受け刃１０１Ａ，１０１Ｂとブレード１０６との三点曲げによるブレイクが行われていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３９９３１号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４９４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような構成を有する基板ブレイク装置においては、ブレイク時に半導体基板１０３の下面に形成されたスクライブライン１０５ｂの真上からブレード１０６を図１Ｂに示すように押し下げて押圧した場合、半導体基板１０３は僅かではあるが撓むので、半導体基板１０３と受け刃１０１Ａ，１０１Ｂの前縁が接する部分に応力が集中する。この撓みがスクライブライン１０５ｂのクラック先端部に応力集中を誘起し、粘着性シート１０４を介して接するブレード１０６と半導体基板１０３との接触部に向かってクラックが進展し、最終的に半導体基板１０３はチップ状に分断される。この時にブレード１０６の押し下げ速度や押し込み量等の条件が適切でない場合、半導体基板１０３がブレイクされる際の勢いでブレード１０６から離接し、受け刃１０１Ａ，１０１Ｂおよびブレード１０６による３点で十分に半導体基板１０３を保持できず、ブレイク面は基板の表面に対して垂直とならずに不規則に傾斜してしまうことがあるという問題が生ずる。このように、ブレイク面が傾斜した場合には、半導体チップの品質等に支障を来すことになる。
【０００７】
特に三点曲げによるブレイクでは、単結晶シリコン基板のように、ある特定方位に劈開性を有する結晶性材料のウエハの場合、最も強い劈開性を持つ結晶方位以外の方位でブレイクする場合に、より強い劈開性を示す方向に引きずられるようにブレイクされてしまうことが多い。又受け刃１０１Ａ，１０１Ｂの前縁とスクライブライン１０５ｂ、ブレード１０６の各部位置決め誤差によるブレイク面の傾斜や、半導体基板１０３と粘着性シート１０４とが押し圧を受けることで変形し受け刃上で半導体基板１０３がｙ方向に微小間距離移動することや、前述のようにブレード１０６と半導体基板１０３が離接するような状況で押圧力が一時的に変動する等の影響により、意図したスクライブラインの位置で垂直に且つ平坦な断面を持ってブレイクすることが困難であった。
【０００８】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、特定の単一または複数の方位に劈開面を有する結晶基板や、または劈開性を有しない多結晶、非晶質の基板であってもスクライブラインに沿って垂直にブレイクすることができる基板ブレイク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題を解決するために、本発明の脆性材料基板ブレイク装置は、スクライブラインが形成された脆性材料の基板に力を加えることによって、前記スクライブラインに沿ってブレイクする脆性材料基板ブレイク装置であって、夫々の上面と対向面によって構成される夫々の稜線を平行として相対向するように配置され、上面に前記基板が載置される一対の受け刃と、前記一対の受け刃を、前記基板との当接面とは逆側の面から夫々支持する一対の支持部材と、前記一対の受け刃の対向する前縁が一致して中心線となる接近位置と、前記接近位置から離隔した離隔位置との間を移動可能となるように、前記一対の支持部材を互いに逆方向に平行移動させる開閉機構と、前記基板のスクライブラインが形成された側の裏面にて、前記スクライブラインの背面に沿って線状に当接するブレードと、前記一対の受け刃に対して前記ブレードが接近するように相対移動させて、基板の面に垂直に力を印加するブレード駆動手段と、を具備し、前記一対の支持部材は、夫々上面で前記受け刃を基板の面に垂直方向に微小距離だけ移動可能となるよう弾性的に保持するものである。
【００１０】
ここで前記基板をブレイクするために、一対の受け刃に対してブレードを接近するように相対移動させる際に、前記一対の受け刃の対向する前縁が接触またはほぼ接触するよう近接させた状態で、基板の面に垂直に力を印加する動作を行うようにしてもよい。
【００１１】
ここで前記一対の受け刃と一対の支持部材が、各々当接する円形状を有し、この円形状同士を摺動させることによって、前記受け刃が基板の面に垂直方向に回動できるよう弾性的に固定せしめた構造を有するようにしてもよい。
【００１２】
ここで前記一対の受け刃と一対の支持部材の各々の間に、ブレイク時の荷重によって収縮するゴム材またはバネ材を内包する構成で、前記受け刃が基板の面に垂直方向に沈動できるよう弾性的に固定せしめた構造を有するようにしてもよい。
【００１３】
ここで前記脆性材料基板は、劈開性を有する結晶構造の基板としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
以上詳細に説明したように本発明によれば、ブレイク時に一対の受け刃の対向する前縁を接触またはほぼ接触するように近接させると共に押圧力が加わると受け刃を基板の面に垂直方向に微小距離だけ移動できるようにしているため、基板のブレイク機構に対する不均一、不規則な移動や変動を無くすことができ、この結果、基板が完全に分断されるまでの間、意図する箇所に押し圧力を加え続けることができるため、基板をスクライブラインに沿って垂直にブレイクすることができる。特にブレイクする基板が結晶構造を有し、特定の単一または複数の方位に劈開面を有する基板であっても、劈開面の方位にかかわらず所望の位置と方位で垂直にブレイクすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】図１Ａは従来の基板ブレイク装置の主要部の一例を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは従来の基板ブレイク装置の主要部のブレイク時の動作を示す図である。
【図２】図２は本発明の第１の実施の形態による基板ブレイク装置の正面方向の斜視図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施の形態による基板ブレイク装置の正面方向の斜視図である。
【図４】図４は基板を上述した基板ブレイク装置に取り付けられる脆性材料基板を示す平面図である。
【図５】図５は本実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク前の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【図６】図６は本実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク時の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【図７】図７は本実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク後の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【図８】図８は本発明の第２の実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク前の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【図９】図９は本発明の第３の実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク前の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【図１０】図１０は本発明の第４の実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク前の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【図１１】図１１は本発明の第５の実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク前の受け刃及びブレードを示す図である。
【図１２】図１２は本発明の第６の実施の形態による基板ブレイク装置のブレイク前の受け刃と支持部材及びブレードを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図２及び図３は本発明の第１の実施の形態による脆性材料基板のブレイク装置を示す正面の相異なる方向からの斜視図である。これらの図において、ブレイク装置１０は支持テーブル１１が４本の支柱１２によって台１３上に保持されている。支持テーブル１１はＹテーブル１４を支持するものであり、Ｙテーブル１４上に回転テーブル１５が設けられる。Ｙテーブル１４は回転テーブル１５をｙ軸方向に移動させるテーブルであり、回転テーブル１５は後述する基板を回転させるテーブルである。支持テーブル１１の上面には回転テーブル１５の他に、４本の円柱状の昇降ガイド１７が立設され、昇降ガイド１７の上端を架け渡すようにして架台１８が設けられる。支持テーブル１１と架台１８との間には、昇降ガイド１７によってｚ軸方向にのみ自在に移動できるように昇降案内された昇降テーブル１９が設けられている。
【００１７】
架台１８上には支持部材２０を介してステッピングモータ２１が設けられている。ステッピングモータ２１の回転軸には架台１８に対して自在に回転できるように貫通するボールねじ２２が連結され、ボールねじ２２は昇降テーブル１９に螺合している。このため昇降テーブル１９はステッピングモータ２１の駆動によりｚ軸方向に昇降する。昇降テーブル１９の下面にはブレイク時に基板を押圧することにより基板をブレイクするブレード２３が支持部材２４を介して取付けられている。
【００１８】
支持テーブル１１上にはステッピングモータ２５とその駆動により回転するボールねじ２６が設けられ、ボールねじ２６の駆動を受けＹテーブル１４をｙ軸方向に移動する。モータ２７，回転機構２８は回転テーブル１５を回転させるものである。
【００１９】
支持テーブル１１上には、この発明の特徴部分であるサポート機構３０が設けられる。サポート機構３０は半導体基板等（以下、単に基板という）を保持し、ブレイク時にブレード２３からの押圧力を基板を介して受けて所定の断面でブレイクできるように保持するものである。サポート機構３０の詳細については後述する。
【００２０】
支持テーブル１１の下方にはカメラ３１が設置される。カメラ３１は例えばＣＣＤカメラであり、支持テーブル１１上に形成された開口部及びサポート機構３０に設けられた長穴部を介して、受け刃の前縁部とブレード２３を観察するためのものである。また基板４０を撮像することにより、基板４０上に形成されているスクライブライン又はチップの位置を検出し、これによって基板４０の位置を微調整することができる。
【００２１】
又支持テーブル１１の下方にはカメラ３１をｘ軸方向に移動させる移動機構が設けられる。この移動機構は図３に示すようにステッピングモータ３２とその軸に連結されたポールねじ３３を有しており、ガイドレール３４に沿ってカメラ支持部３５をｘ軸方向に移動させることにより、その上部のカメラ３１をｘ軸方向に移動させるものである。
【００２２】
図４はサポート機構３０上に保持される基板４０を示している。図４において環状のリング部材４１に粘着フィルム４２が張り渡され、この粘着フィルム４２の中心部分に円形の基板４０が貼り付けられている。基板４０上には多数のチップが格子状に形成されており、その下面にはあらかじめ各チップの間を分離することができるように格子状にスクライブラインが形成されている。
【００２３】
なお、この基板ブレイク装置でブレイクされる基板としては、シリコン単結晶基板などの結晶構造を有する基板やサファイア基板やダイヤモンド基板のような高硬度の基板、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板等の基板が含まれる。更にはガラス基板等の種々の脆性材料基板であってもよい。
【００２４】
ここで昇降ガイド１７，架台１８，昇降テーブル１９，支持部材２４，ステッピングモータ２５とボールねじ２６は、ブレード２３をｚ軸方向に上下動させるブレード駆動手段を構成している。又Ｙテーブル１４，回転テーブル１５とその駆動機構はサポート機構３０上の基板４０をその面に沿って移動させる移動手段を構成している。又ステッピングモータ３２，ボールねじ３３とガイドレール３４はカメラ３１をｘ軸方向に移動させるカメラ移動手段を構成している。
【００２５】
図５は受け刃と支持部材周辺の拡大断面図である。一対の支持部材５３Ａ，５３Ｂと回転軸５６Ａ，５６Ｂはネジ等により夫々剛性的に固定され、受け刃５４Ａ，５４Ｂを上下から挟み込む形で支持している。受け刃５４Ａ，５４Ｂと支持部材５３Ａ，５３Ｂとの間には、各々２本の圧縮バネ６２が挿入され、回転軸５６Ａ，５６Ｂと受け刃５４Ａ，５４Ｂを互いに近接する方向に付勢される。そして受け刃５４Ａ，５４Ｂは、支持部材５３Ａ，５３Ｂを互いに逆方向に平行移動させる開閉機構を使用して、ｙ軸方向に開閉移動可能となっている。又受け刃５４Ａ，５４Ｂと支持部材５３Ａ，５３Ｂの間には回転時の負荷調整ばね６４が設けられている。
【００２６】
次に、上述した基板ブレイク装置によるブレイク時の動作について受け刃と支持部材を示す図５〜図７を用いて説明する。基板４０をブレイクするときには、最初に、受け刃の稜線５４Ａａ，５４Ｂａとブレード２３の先端がｘ軸方向のどの位置でも平行となり、ブレード２３がその中央に位置するように調整する。これにより、一対の受け刃５４Ａ，５４Ｂの前縁を位置決めすることが可能となる。
【００２７】
次に、図４に示すように、粘着性フィルム４２を利用して基板４０をリング部材４１に装着する。そして、基板４０のスクライブライン４３が形成された側の面を下にして保護用のシート４４を介してこのリング部材４１を、図１に示す回転テーブル１１にセットする。しかる後、回転テーブル１１の回転角度位置を調整し、基板ブレイク装置のブレード２３の先端に、基板４０のスクライブラインの位置が合うように、基板４０の角度の位置決めを行う。このように位置決めを行った場合には、受け刃５４Ａ，５４Ｂの間の中心線とブレード２３の先端の稜線及び基板４０のスクライブラインとがｚ軸方向で一直線上に配置されることとなる。
【００２８】
次に一対の受け刃５４Ａ，５４Ｂの間隔を閉じる方向に移動させる。そして図６に示すように受け刃の稜線５４Ａａ，５４Ｂａが完全に接触またはほぼ接触した状態で位置決めを終える。尚この状態での稜線の位置が中心線となる。
【００２９】
しかる後、ブレイクを実行する。ブレイクはステッピングモータ２１により昇降テーブル１９を下降させ、ブレード２３をｚ方向に移動させ、図７に示すように一対の受け刃５４Ａ，５４Ｂにより支持された基板４０を、スクライブラインの真上からブレード２３により押圧する。
【００３０】
ブレード２３が基板４０を押圧すると、基板４０のスクライブラインがブレード２３と一致するように置かれているので、ブレード２３は基板４０の上面からスクライブライン４３の背面を押圧する。押圧された基板４０は、一対の受け刃５４Ａ，５４Ｂを押圧する。
【００３１】
一対の受け刃５４Ａ，５４Ｂは、基板４０に当接する各面が双方とも、平坦に加工されており、ｚ方向に同じ高さで、ｚ方向と垂直な平面に位置している。したがって、基板４０に対して受け刃５４Ａ，５４Ｂは、面的に広がりを持った領域で基板４０からの押圧力を受け止める。更にブレード２３が基板４０を押圧すると、受け刃５４Ａは負荷調整ばね６４が収縮して図７に示すように回転軸５６Ａの中心軸を中心にして反時計方向にわずかに回動する。同様に受け刃５４Ｂは負荷調整ばね６４が収縮して図７に示すように回転軸５６Ｂの中心軸を中心にして時計方向にわずかに回動する。これらの回動の角度は例えば１°以下であり、通常は０．１°程度である。このようにブレード２３による基板４０への押圧力が負荷調整ばね６４のばね定数を超える状態となった時、基板４０は曲げ応力を受けつつも受け刃５４Ａ，５４Ｂの夫々上面で面で支えられている状態となる。このため、従来の三点曲げブレーク法で見られたような受け刃５４Ａ，５４Ｂの稜線５４Ａａ，５４Ｂａ部分だけに押圧力がすることなく、基板４０に曲げ応力を加えることが出来る。また、ブレイクされる際の勢いでブレード２３と基板４０が離接することもなく、スクライブラインに沿った垂直の断面で分断することができる。
【００３２】
以上の動作により基板４０のブレイクを行った後は、ブレード２３を上昇させ、ステッピングモータ２５の作用により、Ｙテーブル１４を半導体チップの幅に相当する距離だけ移動させた後、同様のブレイク作業を続行する。
【００３３】
本発明は受け刃軸がわずかに回動するため、押し圧力が加わって基板に撓みが生じてもこれを受け刃上面で面として保持することが出来、基板が完全に分断されるまで確実に保持することができる。結晶性の劈開面を有するシリコン基板等の半導体チップであってもスクライブラインに合わせて基板の面に垂直に分断することができる。このため結晶性の劈開面を有する種々の基板の分断装置に適用することができる。
【００３４】
なお、上述した実施の形態においては、ブレード２３を昇降させることにより基板４０に押圧力を付与して基板４０をブレイクする構成を採用しているが、ブレード２３を昇降させる代わりに、一対の受け刃５４Ａ，５４Ｂを昇降させて基板４０をブレイクする構成を採用してもよい。
【００３５】
次に本発明の他の実施の形態について説明する。以下の実施の形態では主要部についてのみ説明するものとし、全体の構成は図５〜図７とほぼ同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００３６】
図８は本発明の第２の実施の形態を示している。図８において受け刃台７１Ａ，７１Ｂは左右に開閉できるように構成され、その上部に夫々支持部材７２Ａ，７２Ｂが設けられる。又その上部には夫々受け刃７３Ａ，７３Ｂが設けられる。受け刃７３Ａ，７３Ｂは一対の回転軸７４Ａ，７４Ｂによって回動自在に保持されている。又受け刃７３Ａ，７３Ｂと支持部材７２Ａ，７２Ｂの間には回転軸の外側に夫々引っ張りばね７５Ａ，７５Ｂが設けられ、回転軸７４Ａ，７４Ｂに沿って回転自在となっている。更に受け刃７３Ａ，７３Ｂの回転軸の内側には段付きボルト７６Ａ，７６Ｂを貫通させる貫通孔を有し、段付きボルト７６Ａ，７６Ｂの先端のねじ部が支持部材７２Ａ，７２Ｂにねじ止めされる。従って受け刃７３Ａ，７３Ｂは引っ張りばね７５Ａ，７５Ｂによる張力を受けているが、段付きボルト７６Ａ，７６Ｂの頭部によってその上限位置が規定されている。ここで段付きボルト７６Ａ，７６Ｂと受け刃７３Ａ，７３Ｂの貫通孔の間にはわずかにクリアランスを設けておくものとする。又段付きボルト７６Ａ，７６Ｂの頭部上面は受け刃７３Ａ，７３Ｂの上面よりわずかに低くなるように設定されている。
【００３７】
この状態で受け刃７３Ａ，７３Ｂの上部に基板４０を配置し、受け刃７３Ａ，７３Ｂが接する接線の位置にスクライブラインを合わせて上部よりブレード２３で押圧する。これによって受け刃７３Ａ，７３Ｂが接する前縁部分が少し下がるように回転軸７４Ａ，７４Ｂを中心にしてわずかに回動する。この時基板４０は、押し圧力を加えられても受け刃７３Ａ，７３Ｂの上面から離接することなく、スクライブラインに沿った垂直の断面で分断することができる。
【００３８】
次に本発明の第３の実施の形態について図９を用いて説明する。この実施の形態では段付きボルト７６Ａ，７６Ｂの外周部分のうち受け刃７３Ａ，７３Ｂと支持部材７２Ａ，７２Ｂとの境界部分に、沈み込み時の抵抗値を調整するために夫々圧縮ばね７７Ａ，７７Ｂを設けたものである。こうすれば圧縮ばね７７Ａ，７７Ｂの強さを変化させることで、ブレイクする際に受け刃７３Ａ，７３Ｂの境界部分の沈み込みの抵抗値を適宜調整することができる。
【００３９】
次に本発明の第４の実施の形態について図１０を用いて説明する。この実施の形態においては段付きボルト７６Ａ，７６Ｂの外周部分のうち受け刃７３Ａ，７３Ｂと支持部材７２Ａ，７２Ｂとの境界部分に円筒形のゴム板７８Ａ，７８Ｂを夫々配置したものである。この場合にも弾性係数の異なったゴム板を用いることで、ブレイクする際に受け刃７３Ａ，７３Ｂの境界部分の沈み込みの抵抗値を選択することができる。
【００４０】
図１１は第５の実施の形態を示しており、受け刃台７１Ａと支持部材７２Ａ、及び受け刃台７１Ｂと支持部材７２Ｂとを一体化して受け刃台７９Ａ，７９Ｂとした構成を有している。この場合には引っ張りばね８０Ａ，８０Ｂを受け刃７３Ａ，７３Ｂと受け刃台７９Ａ，７９Ｂの下方との間に設けるものとする。この場合も基板４０をその上面に配置し、ブレード２３で押圧することによって基板４０を垂直の断面でブレイクすることができる。
【００４１】
図１２は第６の実施の形態による受け刃部の詳細を示す断面図である。本実施の形態では受け刃と回転軸とを一体化した構成を有しており、受け刃８１Ａ，８１Ｂの下面を円柱状としている。更に支持部材７２Ａ，７２Ｂの上面を円弧状の溝とした構成となっている。このように回転軸を大径化した構造をとることによって、受け刃の下面の略半円形の回転中心軸を、受け刃８１Ａ，８１Ｂの上面高さに一致、または上面よりも上部に設定することができる。特に基板４０が厚かったり脆い材質である場合、過大な押し圧力を基板に加えることでブレード２３と基板４０が接触する基板表面に意図しない破壊を引き起こすことがあるが、回転中心軸を受け刃上面高さ（望ましくは基板とブレードの接触面高さ）に一致させることで、ブレードからの押し圧力を、効率よく基板のスクライブラインのクラック先端を引き裂く方向への曲げ応力に変換することができ、基板表面の破壊を回避することができる。もちろん、第１の実施の形態にあるように、受け刃と支持部材、回転軸をそれぞれ別体構造としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は特定の単一または複数方位に劈開面を有する基板や非晶質、多結晶基板であってもスクライブラインに沿って垂直にブレイクすることができ、シリコン半導体基板など種々の半導体基板をブレイクする脆性材料基板ブレイク装置として適用することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１０  ブレイク装置
１４  Ｙテーブル
１５  回転テーブル
１９  昇降テーブル
２１，２５，３２  ステッピングモータ
２３  ブレード
３０  サポート機構
３１  カメラ
４０  半導体基板
４１  リング部材
４２  粘着性フィルム
５３Ａ，５３Ｂ  支持部材
５４Ａ，５４Ｂ  受け刃
５６Ａ，５６Ｂ  回転軸
７１Ａ，７１Ｂ  受け刃台
７２Ａ，７２Ｂ  支持部材
７３Ａ，７３Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ  受け刃
７４Ａ，７４Ｂ  回転軸
７５Ａ，７５Ｂ，８０Ａ，８０Ｂ  引っ張りばね
７６Ａ，７６Ｂ  段付きボルト
７７Ａ，７７Ｂ  圧縮ばね
７８Ａ，７８Ｂ  ゴム板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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