(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスに組成揺らぎを持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、
前記ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、前記熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋１００（℃）の範囲であること、並びに
前記ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる溶液による処理を含むことを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
ガラスに組成揺らぎを持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、
前記ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、前記熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋１００（℃）の範囲であること、並びに
前記ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる溶液を有する研削液による研削処理又はガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる溶液の研磨剤による研磨処理を含むことを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨処理後の磁気情報記録媒体用ガラス基板の表面粗さＲａが０．１〜５Åであることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋７０（℃）の範囲であることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記ガラス基板は、重量％で、
ＳｉＯ２：４５〜７０％、
Ａｌ２Ｏ３：５〜２０％、
Ｂ２Ｏ３：１〜１５％、
Ｌｉ２Ｏ：０．１〜７％、 
Ｎａ２Ｏ：２〜１０％、
Ｋ２Ｏ：０．５〜１０％、
ＭｇＯ：１〜２０％、
ＣａＯ：０．１〜７％、
ＢａＯ：０〜３％、
ＳｒＯ：０〜３％、
ＺｎＯ：０〜８％、
Ｙ２Ｏ３：０〜５％、
Ｌａ２Ｏ３：０〜５％、
Ｇｄ２Ｏ３：０〜５％、
ＣｅＯ２：０〜３％、
ＴｉＯ２：１〜１５％、
ＨｆＯ２：０〜３％、
ＺｒＯ２：０〜３％、
Ｎｂ２Ｏ５：０〜５％、
Ｔａ２Ｏ５：０〜５％、
Ｓｂ２Ｏ３：０〜２％、
の各ガラス成分を有することを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気情報記録装置は、磁気、光及び光磁気等を利用することによって、情報を情報記録媒体に記録させるものである。その代表的なものとしては、例えば、ハードディスクドライブ装置等が挙げられる。ハードディスクドライブ装置は、基板上に記録層を形成した情報記録媒体としての磁気ディスクに対し、磁気ヘッドによって磁気的に情報を記録する装置である。このような情報記録媒体の基材、いわゆるサブストレートとしては、ガラス基板が好適に用いられている。
【０００３】
近年においては、低価格のパソコンが登場してきたことにより、これに用いられる磁気情報記録媒体用ガラス基板についてもより一層安価なものが望まれている。また、一方でハードディスクの記録密度の向上化についても望まれている。これらの低価格化と高密度化とを両立させるには、近年まで使用されている化学強化ガラスや結晶化ガラスでは困難であった。さらに、これらのガラスによる基板の作製において、高密度化させるために高精度の研削・研磨工程を施すと更なるコストが必要となる為、従来よりもさらに各工程における処理時間の短縮が求められている。
【０００４】
上記課題に対して、例えば特許文献１には、主表面が鏡面であるガラス基板をフッ酸処理で荒らし、その後に研削を施すことで研削レートを向上させることで研削工程の処理時間を短縮させる技術が開示されている。しかしながら、上記技術のように単にフッ酸処理を施して表面を荒らす場合は、所望の粗さを得るまでに基板表面全体がエッチングされてある程度の厚みの材料が全面にわたり除去されてしまう為、その後の研削工程や研磨工程の削りしろが減少してしまう。そのため、予め研削されるガラスブランクス（ガラス素板ともいう）を余裕を持った厚みにする必要がある為、材料コストが増加してしまうというジレンマがあった。また、長時間のフッ酸処理が必要な為、粗さの制御が困難であるとともに、フッ酸処理に付随して、ガラスブランクスにうねりが発生し、そのうねりを解消する為に、研削工程や研磨工程における処理時間が増加してトータルで考えた場合には製造時間が長時間化してしまう場合もあり、よりコストが高くなると同時に良品率の低下を招いてしまう場合があった。
【０００５】
また、特許文献２には、ガラスを分相させた後に結晶化させることでヤング率を向上させている。しかしながら、ヤング率を向上させることで、加工レートを大きく低下させるためにコストが高くなってしまったり、精密研磨や洗浄工程によってガラス表面に結晶粒子に由来した凹凸が発生し、表面品質が低下したりする場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２０５３８２号公報
【特許文献２】特開２００５−１１９９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、その解決すべき課題は、研削工程、及び研磨工程における加工レートを向上させることで処理時間を短縮を可能としながら、平滑性やうねりの発生を抑制し、磁気情報記録媒体用のガラス基板として必要な特性を確保することのできる磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明者らは、磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造工程に用いられるガラス基板の組成に着目し、鋭意検討を行った。この結果、部分的に組成揺らぎを持たせることが可能なガラス組成に、特定の熱処理温度で処理することで意図的に組成ゆらぎを有するガラスブランクスを作成し、ＳｉＯ２濃度の薄い相を除去してその表面を荒らすことによって、研削しろや研磨しろを減少させることなく、研削工程、及び研磨工程における加工レートを向上させることができ、且つ、高い表面平滑性やうねり品質の悪化を抑制することができ、研削工程や研磨工程における負荷を増加させることなく優れた表面品質を有する光学磁気情報記録媒体用ガラス基板を製造し得ることを見出した。
【０００９】
本発明に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラスに組成揺らぎ（１００ｎｍ未満の局所的な組成の不均一性）を持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、前記ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、前記熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋１００（℃）の範囲であることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法である。前記の組成ゆらぎは、組成が部分的に不均一になっていればよく、非晶質であってもよいし、微小な結晶が偏在していてもよい。
【００１０】
前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる極性溶液での処理を含むことが好適である。ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる溶液としては、例えばｐＨ９以上のアルカリ性の極性溶液やｐＨ５以下の酸性の極性溶液が好ましく用いられ、特にフッ酸（フッ化水素酸）を主体とした溶液が効果が高く、より好ましい。このような構成であれば、使用する比較的低濃度なフッ酸を用いて、ＳｉＯ２濃度の薄い相を選択的にエッチングすることが可能であり、基板表面全体のガラスが除去されることで研削しろや研磨しろを低減さえることなく表面の粗さを制御することができ、結果として研削や研磨等の加工性を向上させることができる。
【００１１】
また、前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、酸性の研削液による研削処理又は酸性の研磨剤による研磨処理を含むことが好ましい。このような構成であれば、ＳｉＯ２濃度の薄い相を選択的に除去しながら加工することが可能になり、加工レートを大きく向上させることができる。
【００１２】
前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨処理工程において、前記ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を行う場合に、前記研磨処理工程を最後に行われる研磨工程（最終研磨工程、精密研磨工程ともいう）とし、研磨処理後の磁気情報記録媒体用ガラス基板の表面粗さを適切な範囲に調整することも可能である。最終研磨処理後のＲａは０．１〜５Åとすることが好適であり、このような構成であれば、熱処理温度やガラス組成を制御することで、基板全体を所望の表面粗さまで均質かつ精密に制御することが可能であり、平滑な磁気ディスク上で発生するヘッドの吸着を抑制し、ハードディスクドライブ装置として構成した際にヘッドが安定して浮上動作することが可能となる。
【００１３】
前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋７０（℃）の範囲であることが好適である。このような構成であれば、組成揺らぎを発生させながら、ガラスブランクスの形状修正も行うことができる。
【００１４】
前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記ガラス基板は、重量％で、ＳｉＯ２：４５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２０％、Ｂ２Ｏ３：１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ：０．１〜７％、Ｎａ２Ｏ：２〜１０％、Ｋ２Ｏ：０．５〜１０％、ＭｇＯ：１〜２０％、ＣａＯ：０．１〜７％、ＢａＯ：０〜３％、ＳｒＯ：０〜３％、ＺｎＯ：０〜８％、Ｙ２Ｏ３：０〜５％、Ｌａ２Ｏ３：０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３：０〜５％、ＣｅＯ２：０〜３％、ＴｉＯ２：１〜１５％、ＨｆＯ２：０〜３％、ＺｒＯ２：０〜３％、Ｎｂ２Ｏ５：０〜５％、Ｔａ２Ｏ５：０〜５％、Ｓｂ２Ｏ３：０〜２％、の各ガラス成分を有することが好適である。本発明においては、組成は限定されるものではないが、代表的には上記の組成であれば、本発明の温度範囲で加熱工程を行うことで組成揺らぎを発生させることが可能である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、研削しろや研磨しろを減少させることなく、研削工程、及び研磨工程における加工レートを向上させることのでき、且つ、高い表面平滑性やうねり品質の悪化を抑制することができ、研削工程や研磨工程における負荷を増加させることなく優れた表面品質を有する磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ガラス基板ブランクスの成形用金型の例を示す図である。
【図２】ガラス基板ブランクス成形用金型の下型に溶融ガラスを供給する溶融ガラス供給工程を説明するための模式図である。
【図３】ガラス基板ブランクス成形用金型により溶融ガラスを加圧する加圧工程を示す模式図である。
【図４】本発明の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって製造した情報記録媒体用ガラス基板の一例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における粗研磨工程や精密研磨工程で用いる研磨装置の一例を示す概略断面図である。
【図６】本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により製造された磁気情報記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体の一例である磁気ディスクを示す一部断面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００１８】
本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラスに組成揺らぎを持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、前記ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、前記熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋１００（℃）の範囲であることを特徴とする。
【００１９】
また、本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、そのガラス組成において組成揺らぎを持たせることが可能であり、前記熱処理温度で処理すること以外は、特に限定されず、従来公知の製造方法であればよい。
【００２０】
磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法としては、例えば、ガラスブランクス製造工程、２ラッピング工程、粗研磨工程（１次研磨工程）、精密研磨工程（２次研磨工程）、洗浄工程、等を備える方法等が挙げられる。そして、前記各工程を、この順番で行うものであってもよいし、精密研磨工程（２次研磨工程）と洗浄工程の順番が入れ替わったものであってもよい。さらに、これら以外の工程を備える方法であってもよい。例えば、ラッピング工程と粗研磨工程（１次研磨工程）との間に、端面研磨工程を行うものを備えてもよい。
【００２１】
特に、洗浄工程については、粗研磨工程の後に行っても、精密研磨工程の後に行ってもよく、さらに粗研磨工程及び精密研磨工程の後にそれぞれ一度ずつ行ってもよい。
【００２２】
＜ガラス基板ブランクス製造工程＞
ガラス基板ブランクス製造工程は、溶融ガラスを供給する溶融ガラス供給工程と、プレス成形する加圧工程とを含むガラス基板を製造する工程である。前記ガラスブランクスは、例えば、以下のようにして製造することができる。
【００２３】
図１は、本発明のガラス基板ブランクスをプレス成形で作成するための金型の模式図である。ガラス基板ブランクス成形用金型１は、溶融ガラスが供給され、供給された該溶融ガラスを加圧するための第１の成形面３を備える下型５と、下型５の第１の成形面３との間で溶融ガラスを加圧するための第２の成形面４を備える上型２とを有している。
【００２４】
本発明におけるガラス基板ブランクスの製造方法は、溶融ガラスをプレス成形してガラス基板を製造する方法であり、下型５に形成された第１の成形面３に溶融ガラスを供給する溶融ガラス供給工程と、第１の成形面３、及び上型２に形成された第２の成形面４で、第１の成形面３に供給された溶融ガラスを加圧しながら冷却してガラス基板ブランクスを得る加圧工程とを有している。
【００２５】
（溶融ガラス供給工程）
溶融ガラス供給工程は、下型に形成された第１の成形面に溶融ガラスを供給する工程である。図２は、溶融ガラス供給工程における下型５と溶融ガラス２３等を示す模式図である。まず、流出ノズル２１から溶融ガラス２３を流出して下型５に供給する（図２（ａ））。その後、溶融ガラスが所定量に達するとブレード２２によって溶融ガラス２３を切断し、溶融ガラス２３を分離する（図２（ｂ））。溶融ガラス供給工程において供給された溶融ガラス２３は第１の成形面３の中心部と接触し、主にそこからの放熱によって冷却が始まる。
【００２６】
下型５は予め所定温度に加熱しておく。下型５の温度は、ガラス転移温度をＴｇ（℃）とすると、ガラス成形は、ＴｇからＴｇ±１００（℃）の温度範囲で行われる必要がある。Ｔｇ−１００（℃）より低い温度である場合、ガラス基板の平面度が悪化したり、転写面へのしわの発生、熱衝撃による破損等の問題が起こる。また、Ｔｇ＋１００（℃）より高い温度の場合、ガラスとの融着が発生したり、金型の劣化が著しくなることから好ましくない。
【００２７】
下型５の加熱手段にも特に制限はなく、公知の加熱手段の中から適宜選択して用いることができる。例えば、下型５の内部に埋め込んで使用するカートリッジヒーターや、下型５の外側に接触させて使用するシート状のヒーターなどを用いることができる。また、赤外線加熱装置や、高周波誘導加熱装置を用いて加熱することもできる。
【００２８】
（加圧工程）
加圧工程は、第１の成形面３、及び上型２に形成された第２の成形面４で、第１の成形面３に供給された溶融ガラスを加圧しながら冷却してガラス基板ブランクス１０を得る工程である。
【００２９】
図３は、加圧工程におけるガラス基板ブランクス成形用金型１０とガラス基板ブランクス１０を示す模式図である。溶融ガラス供給工程において溶融ガラス２３が供給された下型５は、上型２と対向する位置まで水平移動する。その後、下型５の第１の成形面３と、上型２の第２の成形面４とで溶融ガラスを加圧する。溶融ガラスは、加圧によって広がって第１の成形面３の周辺部にも接触する。溶融ガラスは第１の成形面３及び第２の成形面４との接触面から放熱することによって冷却・固化し、ガラス基板ブランクス１０となる。
【００３０】
なお、上型２は、下型５と同様に所定温度に加熱されている。加熱温度や加熱手段については上述の下型５の場合と同様である。加熱温度は下型５と同じであっても良いし異なっていても良い。
【００３１】
下型５と上型２に荷重を負荷して溶融ガラスを加圧するための加圧手段は、公知の加圧手段を適宜選択して用いることができる。例えば、エアシリンダ、油圧シリンダ、サーボモータを用いた電動シリンダ等が挙げられる。
【００３２】
次に上型２をガラス基板ブランクス１０から離間させ、吸着部材等で下型５からガラス基板を取り出す。
【００３３】
（熱処理工程）
ガラスの組成揺らぎを促進させる目的として熱処理を行う。この際、ガラスブランクスの平坦度修正と歪み除去も兼ねることができる。熱処理にはセッター（アルミナ、ジルコニア等）を用い、ガラスブランクスと交互に積み重ねて熱処理炉に入れることで行う。ガラスブランクスの熱処理は、ＴｇからＴｇ＋１００（℃）の温度範囲で行われる必要がある。Ｔｇ（℃）より低い温度である場合、ガラスの組成揺らぎを促進させることが出来ず、また、Ｔｇ＋１００（℃）より高い温度の場合、ガラスブランクスの形状の悪化を招き、さらにセッターとの間で融着が発生する可能性も高まることから好ましくない。そこで、ガラスブランクスの組成揺らぎを促進させ、且つ、平坦度修正・歪み除去を行うのに特に好ましい温度範囲はＴｇ〜Ｔｇ＋７０℃である。
【００３４】
また、前記ガラス基板ブランクスは、上述のような製造方法によって得られた場合、ガラス基板ブランクス内に組成揺らぎを有する。つまり、溶融成型後のガラス基板ブランクスを特定の温度で熱処理した場合、ガラス組成が、ＳｉＯ２濃度の濃い相とＳｉＯ２濃度の薄い相との２つの相に分離される。また、組成揺らぎは、ガラス組成に依存し、組成揺らぎが起こるガラスを所定の温度で熱処理すると、ガラスがエネルギー的に安定な方向へシフトするために相分離が起こることから得られる。
【００３５】
組成揺らぎを持たせることのできるガラス組成は、例えば、質量％で、ＳｉＯ２：４５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２０％、Ｂ２Ｏ３：１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ：０．１〜７％、Ｎａ２Ｏ：２〜１０％、Ｋ２Ｏ：０．５〜１０％、ＭｇＯ：１〜２０％、ＣａＯ：０．１〜７％、ＢａＯ：０〜３％、ＳｒＯ：０〜３％、ＺｎＯ：０〜８％、Ｙ２Ｏ３：０〜５％、Ｌａ２Ｏ３：０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３：０〜５％、ＣｅＯ２：０〜３％、ＴｉＯ２：１〜１５％、ＨｆＯ２：０〜３％、ＺｒＯ２：０〜３％、Ｎｂ２Ｏ５：０〜５％、Ｔａ２Ｏ５：０〜５％、Ｓｂ２Ｏ３：０〜２％、を有することが好ましい。
【００３６】
（磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法）
上述の製造方法によって製造されたガラス基板ブランクスに、後述する研削工程、研磨工程を加えることにより磁気情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。図４は、本発明の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって製造した磁気情報記録媒体用ガラス基板の１例を示す図である。図４（ａ）は斜視図、図４（ｂ）は断面図である。磁気情報記録媒体用ガラス基板３０は中心穴３３が形成された円板状のガラス基板であって、主表面３１、外周端面３４、内周端面３５を有している。外周端面３４と内周端面３５には、それぞれ面取り部３６、３７が形成されている。
【００３７】
本発明の平面性の高いガラス基板ブランクスを用いることで、ガラス基板ブランクスの表面を研磨加工するときに、研磨のバラツキを抑制することができる。
【００３８】
＜ラッピング行程＞
ラッピング工程とは、前記ガラス基板を所定の板厚に加工する工程である。具体的には、前記ガラス基板ブランクスの両面を酸性の研削液を用いて研削（ラッピング）加工する工程等が挙げられる。このように加工することによって、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを調整することができる。また、このラッピング工程は、１回であってもよいし、２回以上であってもよい。例えば、２回行う場合、１回目のラッピング工程（第１ラッピング工程）で、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整し、２回目のラッピング工程（第２ラッピング工程）で、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを微調整することが可能となる。
【００３９】
より具体的には、前記第１ラッピング工程としては、ガラス基板が略均一の平坦度となるようにする工程等が挙げられる。
【００４０】
また、前記第２ラッピング工程としては、粗面化されたガラス基板の主表面を、さらに固定砥粒研磨パッドを用いて研削する行程等が挙げられる。この第２ラッピング工程においては、例えば、粗面化されたガラス基板をラッピング装置にセットし、ダイヤモンドタイル（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｔｉｌｅ）のような表面模様付きの三次元固定研磨物を用いることで、ガラス基板の表面をラッピングすることができる。
【００４１】
前記第２ラッピング行程を施すと、後述する粗研磨行程にて行われる研磨を効率良く行うことができる。また、第２ラッピング行程によって施された研磨工程に用いるガラス基板の表面粗さＲａは０．１０μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以下であることがより好ましい。
【００４２】
なお、前記研削工程の前にガラス基板ブランクスに対してＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、例えばフッ酸処理等のガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる極性溶液での処理を施すことが好ましい。具体的には、予めガラスブランクスの表面を適度に荒らしておくことで、加工時に使用するパッド又はペレットに対する引っ掛かりが良くなることを利用して、加工レートを大きく向上させる処理のことである。フッ酸処理後の表面粗さＲａは０．５〜１０μｍの範囲が好ましい。０．５μｍ未満であると加工レートを向上させる効果が十分に得られない。また、１０μｍより大きいと、表面を荒らしすぎることで荒らした深さ分まで研削工程で除去しきれなくなり、その後の研磨工程に影響を及ぼす可能性がある。よって、この表面粗さの範囲となるように、フッ酸処理の時間・濃度を適宜調整すると良い。
【００４３】
前述したように、ガラス基板ブランクスには、部分的に組成揺らぎを有している。この成揺らぎを有するガラス基板をフッ酸等のガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる極性溶液で処理することにより、又は酸性研削液で研削することにより、上述したようにガラス基板に一様の表面粗さを付与することができ、結果的に研削工程における加工レートを向上させることができる。
【００４４】
＜粗研磨工程＞
前記粗研磨工程（１次研磨工程）は、前記ラッピング工程が施されたガラス基板の表面に粗研磨を施す工程である。この粗研磨は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、下記の研磨方法を用いて実施する。
【００４５】
なお、前記粗研磨工程で研磨する表面は、主表面及び／又は端面である。主端面とは、ガラス基板の面方向に平行な面である。端面とは内周端面と外周端面とからなる面のことである。また、内周端面とは、内周側の、ガラス基板の面方向に垂直な面及びガラス基板の面方向に対して傾斜を有する面である。また、外周端面とは、外周側の、ガラス基板の面方向に垂直な面及びガラス基板の面方向に対して傾斜を有する面である。
【００４６】
粗研磨工程で用いる研磨装置は、ガラス基板の製造に用いる研磨装置であれば、特に限定されない。具体的には、図３に示すような研磨装置１が挙げられる。なお、図５は、本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における粗研磨工程や精密研磨工程で用いる研磨装置１の一例を示す概略断面図である。
【００４７】
図５に示すような研磨装置１１は、両面同時研削可能な装置である。また、この研磨装置１１は、装置本体部１１ａと、装置本体部１１ａに研磨液を供給する研磨液供給部１１ｂとを備えている。
【００４８】
装置本体部１１ａは、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３とを備えており、それらが互いに平行になるように上下に間隔を隔てて配置されている。そして、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３とが、互いに逆方向に回転する。
【００４９】
この円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３との対向するそれぞれの面にガラス基板ブランクス１０の表裏の両面を研磨するための研磨パッド１５が貼り付けられている。この粗研磨工程で使用する研磨パッド１５は、粗研磨工程で用いられる研磨パッドであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ポリウレタン製の硬質研磨パッド等が挙げられる。
【００５０】
また、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３との間には、回転可能な複数のキャリア１４が設けられている。このキャリア１４は、複数の素板保持用孔５１が設けられており、この素板保持用孔５１にガラス基板ブランクス１０をはめ込んで配置することができる。キャリア１４としては、例えば、素板保持用孔５１を１００個有していて、１００枚のガラス基板ブランクス１０をはめ込んで配置できるように構成されていてもよい。そうすると、一回の処理（１バッチ）で１００枚のガラス基板ブランクス１０を処理できる。
【００５１】
研磨パッドを介して定盤１２、１３に挟まれているキャリア１４は、複数のガラス基板ブランクス１０を保持した状態で、自転しながら定盤１２，１３の回転中心に対して下定盤１３と同じ方向に公転する。なお、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３とは、別駆動で動作することができる。このように動作している研磨装置１１において、研磨スラリー１６を上定盤１２とガラス基板ブランクス１０との間、及び下定盤１３とガラス基板ブランクス１０との間、夫々に供給することでガラス基板ブランクス１０の粗研磨を行うことができる。
【００５２】
研磨スラリー供給部１１ｂは、液貯留部１１０と液回収部１２０とを備えている。液貯留部１１０は、液貯留部本体１１０ａと、液貯留部本体１１０ａから装置本体部１１ａに延ばされた吐出口１１０ｅを有する液供給管１１０ｂとを備えている。液回収部１２０は、液回収部本体１２０ａと、液回収部本体１２０ａから装置本体部１１ａに延ばされた液回収管１２０ｂと、液回収部本体１２０ａから研磨スラリー供給部１１ｂに延ばされた液戻し管１２０ｃとを備えている。
【００５３】
そして、液貯留部本体１１０ａに入れられた研磨スラリー７は、液供給管１１０ｂの吐出口１１０ｅから装置本体部１１ａに供給され、装置本体部１１ａから液回収管１２０ｂを介して液回収部本体１２０ａに回収される。また、回収された研磨スラリー１６は、液戻し管１２０ｃを介して液貯留部１１０に戻され、再度、装置本体部１１ａに供給可能とされている。
【００５４】
ここで用いる研磨液１６は、研磨剤を水等の溶媒に分散させた状態の液体、すなわち、スラリー液である。この溶媒として、ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる極性溶液を用いることで、研磨工程が、ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を兼ねることもできる。
【００５５】
また、ここで用いる研磨パッド１５は、ウレタンやポリエステル等の合成樹脂の発泡体に、酸化セリウム研磨剤を含有させたものである。
【００５６】
次に、化学強化工程の前に行われる研磨工程において用いられる研磨剤が、ＣｅＯ２の含有量が多く、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。また、研磨パッドについても、前記研磨剤の場合と同様に、ＣｅＯ２の含有量が多く、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。
【００５７】
ＣｅＯ２の含有量が多い研磨剤を用いると、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができる理由としては、以下のような理由によると考えられる。まず、研磨の際にガラス基板の表面に圧力が加わった状態で、ガラス基板とＣｅＯ２とが接触すると、ガラス基板の表面で主な組成であるＳｉ−Ｏの結合が、Ｃｅ−Ｏの結合に置き換わると考えられる。そして、この結合は、容易に分解するが、Ｓｉとの結合が再度形成されにくいと考えられる。よって、ＣｅＯ２の含有量が多い研磨剤を用いると、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。
【００５８】
そして、このようなＣｅＯ２の含有量が多い研磨剤及び研磨パッドであって、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、平滑性を充分に高めることができるだけではなく、研磨後のガラス基板に対するアルカリ土類金属の付着が抑制されると考えられる。このようなアルカリ土類金属の付着が抑制されたガラス基板に対して、化学強化工程を施すことによって、均一な化学強化がなされると考えられる。
【００５９】
なお、前記研磨剤を水に分散させた状態の研磨液を用いて研磨する際、前記水にアルカリ土類金属が含有されていても、アルカリ土類金属が溶解しているため、ガラス基板の表面に付着しにくく、研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が、ガラス基板の表面に付着しやすいと考えられる。よって、アルカリ土類金属の少ない研磨剤を用いることによって、研磨後のガラス基板に対するアルカリ土類金属の付着を充分に抑制できると考えられる。
【００６０】
また、ＣｅＯ２の含有量は、高ければ高いほど好ましい。すなわち、研磨剤に含有する希土類酸化物が、全てＣｅＯ２であることが好ましい。このことは、ＣｅＯ２がガラス基板の研磨性に最も影響することによると考えられる。また、アルカリ土類金属の含有量は、低ければ低いほど好ましい。前記研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が少なければ、アルカリ土類金属による化学強化工程の阻害が抑制されることによると考えられる。
【００６１】
また、ＣｅＯ２の含有量が、前記研磨剤全量に対して、９０質量％以上であることが好ましい。そうすることによって、耐衝撃性に優れた情報記録媒体用ガラス基板を製造でき、さらに、研磨速度をより高めることができ、平滑性のより高い情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。このことは、化学強化工程を阻害しうるアルカリ土類金属の含有量が少なく、さらに、研磨性を高めるＣｅＯ２の含有量が、研磨剤に含有される希土類酸化物に対して単に多いだけではなく、研磨剤全量に対しても多いことによると考えられる。
【００６２】
また、前記研磨液は、前記酸性の研磨剤を水等の溶媒に分散させた状態のものであり、ＣｅＯ２の含有量が、前記研磨液全量に対して、３〜１５質量％であることが好ましい。そうすることによって、耐衝撃性に優れた情報記録媒体用ガラス基板を製造でき、さらに、研磨速度をより高めることができ、平滑性のより高い情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。また、前記研磨剤を水に分散させた状態の研磨液の場合、上述したように、前記水にアルカリ土類金属が含有されていても、アルカリ土類金属が溶解しているため、ガラス基板の表面に付着しにくく、研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が、ガラス基板の表面に付着しやすいと考えられる。よって、前記研磨剤として、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨後のガラス基板に対するアルカリ土類金属の付着を充分に抑制できると考えられる。
【００６３】
また、前記研磨剤が、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における最大値が３．５μｍ以下であり、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における累積５０体積％径Ｄ５０が０．４〜１．６μｍであることが好ましい。
【００６４】
前記研磨剤の粒径が小さすぎると、研磨速度が低下する傾向がある。前記研磨剤の粒径が大きすぎると、研磨によってガラス基板上に形成されうる傷が発生しやすくなる。
【００６５】
なお、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における最大値とは、レーザ回折式粒度分布測定装置にて測定して得られる粉体の集団の全体積を１００％として累積カーブを求め、その累積カーブの最大値となる点の粒子径を意味する。また、Ｄ５０とは、レーザ回折式粒度分布測定装置にて測定して得られる粉体の集団の全体積を１００％として累積カーブを求め、その累積カーブが５０％となる点の粒子径を意味する。
【００６６】
また、前記研磨液１６としては、粗研磨工程では、フッ素含有量が５質量％以下であることが好ましい。
【００６７】
また、前記研磨パッド１５は、酸化セリウムの他に、ケイ酸ジルコニウム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化アルミニウム、炭化ケイ素又は二酸化ケイ素を含有させることができ、これらのなかでもケイ酸ジルコニウムを含有させることがより好ましい。
【００６８】
前記研磨パッドにおける酸化セリウムの配合量は、研磨パッド全量に対して１０〜３０質量％であることが好ましく、１５〜２５質量％であることがより好ましい。
【００６９】
本実施形態に係る研磨パッドは、例えば以下のような方法において製造される。
【００７０】
まず、樹脂溶液と砥粒とを混合して、砥粒分散液を製造する。次に、成形型を使用して該砥粒分散液を硬化させ、内部及び表面に砥粒を固定した板状のブロックを成形させる。続いて、該ブロックを成形型から取り出した後、ブロックの両面を研削し所定の厚さに加工する。
【００７１】
そして、より好適には、まず、樹脂溶液と砥粒とを混合し、この混合液を減圧して脱泡して、無泡砥粒分散液を製造する。次に、成形型を使用して該無泡砥粒分散液を硬化させ、無発泡体の内部及び表面に砥粒を固定した板状のブロックを成形させる。続いて、該ブロックを成形型から取り出した後、ブロックの両面を研削し、所定の厚さに加工する。
【００７２】
＜化学強化工程＞
本発明の製造方法における化学強化工程は、公知の方法であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板を化学強化処理液に浸漬させる工程等が挙げられる。そうすることによって、ガラス基板の表面、例えば、ガラス基板表面から５μｍの領域に化学強化層を形成することができる。そして、化学強化層を形成することで耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。
【００７３】
より詳しくは、化学強化工程は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬させることによって、ガラス基板に含まれるリチウムイオンやナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みにより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の表面が強化される。
【００７４】
本実施形態では、ガラス基板の原料であるガラス基板として、上記のようなガラス組成のものを用いることによって、この化学強化工程により、強化層が好適に形成されると考えられる。具体的には、ガラス基板のアルカリ成分であるＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏのうち、Ｎａ２Ｏの含有量が多く、このＮａ２Ｏのナトリウムイオンが、化学強化処理液に含まれるカリウムイオンに交換されやすいためと考えられる。さらに、化学強化工程を施す前の研磨工程、ここでは粗研磨工程で用いる研磨剤が、上記のような組成の研磨剤であるので、ガラス基板の表面に付着しているアルカリ土類金属の量が少なく、化学強化が均一になされると考えられる。よって、本実施形態のように、好適な化学強化がなされたガラス基板に、精密研磨工程を行うことによって、耐衝撃性に優れたガラス基板を製造することができる。
【００７５】
化学強化処理液としては、ハードディスク用ガラス基板の製造方法における化学強化工程で用いられる化学強化処理液であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、カリウムイオンを含む溶融液、及びカリウムイオンやナトリウムイオンを含む溶融液等が挙げられる。
【００７６】
これらの溶融液としては、例えば、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、炭酸カリウム、及び炭酸ナトリウム等を溶融させて得られた溶融液等が挙げられる。この中でも、硝酸カリウムを溶融させて得られた溶融液と硝酸ナトリウムを溶融させて得られた溶融液とを組み合わせて用いることが、融点が低く、ガラス基板の変形を防止する観点から好ましい。その際、硝酸カリウムを溶融させて得られた溶融液と硝酸ナトリウムを溶融させて得られた溶融液とを、ほぼ同量ずつの混合させた混合液であることが好ましい。
【００７７】
＜精密研磨工程（２次研磨工程）＞
精密研磨工程は、前記粗研磨工程で得られた平坦平滑な主表面を維持しつつ、例えば、主表面の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が６ｎｍ程度以下である平滑な鏡面に仕上げる鏡面研磨処理である、この精密研磨工程は、例えば、上記粗研磨工程で使用したものと同様の研磨装置を用い、研磨パッドを硬質研磨パッドから軟質研磨パッドに取り替えて行われる。なお、前記精密研磨工程で研磨する表面は、前記粗研磨工程で研磨する表面と同様、主表面である。
【００７８】
また、精密研磨工程で用いる研磨剤としては、粗研磨工程で用いた研磨剤より、研磨性が低くても、傷の発生がより少なくなる研磨剤が用いられる。具体的には、例えば、粗研磨工程で用いた研磨剤より、粒子径が低いシリカ系の砥粒（コロイダルシリカ）を含む研磨剤等が挙げられる。このシリカ系の砥粒の平均粒子径としては、２０ｎｍ程度であることが好ましい。そして、前記研磨剤を含む研磨スラリー液をガラス基板に供給し、研磨パッドとガラス基板とを相対的に摺動させて、ガラス基板の表面を鏡面研磨する。
【００７９】
なお、上述のように精密研磨工程における研磨液として、ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる極性溶液を用いることで、ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程とすることも好ましい形態の一つである。
【００８０】
前記精密研磨処理後の磁気情報記録媒体用ガラス基板の表面粗さＲａは０．１〜５Åであることが好ましい。このような範囲であれば、磁気情報記録媒体用のガラス基板として必要な平滑性を持ちながら、過剰に平滑な磁気ディスク上で発生するヘッドの吸着を抑制し、ハードディスクドライブ装置として構成した際にヘッドが安定して浮上動作することが可能となる。
【００８１】
＜洗浄工程＞
洗浄工程は、前記粗研磨工程が施されたガラス基板を洗浄する工程である。
【００８２】
前記粗研磨工程による粗研磨後のガラス基板は、洗浄工程によって洗浄することが好ましい。粗研磨工程後の洗浄工程としては、特に限定されず、ガラス中のＳｉＯ２濃度によって反応性の異なる極性溶液で洗浄することで、ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程とすることもできる。
【００８３】
例えば、ｐＨ１３以上のアルカリ洗剤を用いて、ガラス基板の洗浄を行い、ガラス基板にリンスを行う。次に、ｐＨ１以下の酸系洗剤を用いて、ガラス基板の洗浄を行い、ガラス基板にリンスを行う。最後に、フッ化水素酸（ＨＦ）溶液を用いて、ガラス基板の洗浄を行う。酸化セリウムを用いた研磨に関しては、アルカリ洗浄、酸洗浄、ＨＦ洗浄の順で洗浄を行うことが最も効率的である。これは、まずアルカリ洗剤で研磨材を分散除去し、次に酸洗剤で研磨材を溶解除去し、最後に、ＨＦによってガラス基板をエッチングし、ガラス基板に深く刺さっている研磨材を除去するのである。更にはこのような工程で、ＳｉＯ２濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、後の精密研磨工程の研磨レートを向上させることもできる。
【００８４】
前記洗浄工程は、アルカリ洗浄、酸洗浄、ＨＦ洗浄において、それぞれ別の槽で行うことが好ましい。これらの洗浄を単一の槽で行った場合には、効率的な洗浄ができない場合があるからである。特に、酸洗剤とＨＦを同一槽に入れた場合、ＨＦのエッチング速度は、研磨材の多い場所で低下するため、基板内を均一にエッチングできなくなる傾向があるからである。また、各洗浄の後にリンス槽を用いることが好ましい。これらの洗剤には、場合によって界面活性剤、分散材、キレート剤、還元材などを添加しても良い。また、各洗浄槽には、超音波を印加し、それぞれの洗剤には脱気水を使用することが好ましい。
【００８５】
また、他の方法としては、まず、ＨＦが１質量％、硫酸が３質量％の洗浄液にガラス基板を浸漬させる。その際、その洗浄液に、８０ｋＨｚの超音波振動を印加させる。その後、ガラス基板を取り出す。そして、取り出したガラス基板を中性洗剤液に浸漬させる。その際、その中性洗剤液に、１２０ｋＨｚの超音波振動を印加させる。最後に、ガラス基板を取り出し、純水でリンスを行い、ＩＰＡ乾燥させる。
【００８６】
また、前記洗浄工程後のガラス基板は、その表面に残存したアルカリ土類金属が、１０ｎｇ／ｃｍ２以下であることが好ましく、５ｎｇ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。そうすることによって、耐衝撃性により優れたハードディスク用ガラス基板を得ることができる。このことは、化学強化工程を施すガラス基板の表面に、化学強化工程を阻害しうるアルカリ土類金属の付着量が少ないことによると考えられる。よって、化学強化がガラス基板全面に均一に起こり、耐衝撃性により優れたハードディスク用ガラス基板を得ることができると考えられる。すなわち、記洗浄工程後のガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属が多すぎると、化学強化工程が好適に行われずに、得られたガラス基板の耐衝撃性を充分に高めることができない場合がある。
【００８７】
また、前記洗浄工程後のガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属は、少なければ少ないほど好ましいものである。このことは、前記化学強化工程の前に、前記研磨工程で研磨されたガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属が、化学強化工程を阻害し、均一な化学強化を阻害すると考えられるからである。そして、本実施形態においては、前記洗浄工程後のガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属が、少なければ少ないほど好ましく、その量１０ｎｇ／ｃｍ２以下であれば、耐衝撃性により優れたハードディスク用ガラス基板を製造することができることを見出したものである。
【００８８】
また、この粗研磨後のガラス基板の洗浄は、ガラス基板表面の酸化セリウム量が０．１２５ｎｇ／ｃｍ２以下となるように行なわれる。ガラス基板表面の酸化セリウム量が多すぎると、ガラス基板の平坦度を良好にできない傾向がある。
【００８９】
（成膜工程）
図６は、本実施形態に係る製造方法により製造された磁気情報記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体の一例である磁気ディスクを示す一部断面斜視図である。この磁気ディスクＤは、円形の磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１の主表面に形成された磁性膜１０２を備えている。磁性膜１０２の形成には、公知の常套手段による形成方法が用いられる。例えば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１上にスピンコートすることによって磁性膜１０２を形成する形成方法（スピンコート法）や、磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１上にスパッタリングによって磁性膜１０２を形成する形成方法（スパッタリング法）や、磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１上に無電解めっきによって磁性膜１０２を形成する形成方法（無電解めっき法）等が挙げられる。
【００９０】
磁性膜１０２の膜厚は、スピンコート法による場合では、約０．３〜１．２μｍ程度であり、スパッタリング法による場合では、約０．０４〜０．０８μｍ程度であり、無電解めっき法による場合では、約０．０５〜０．１μｍ程度である。薄膜化および高密度化の観点から、スパッタリング法による膜形成が好ましく、また、無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００９１】
磁性膜１０２に用いる磁性材料は、公知の任意の材料を用いることができ、特に限定されない。磁性材料は、例えば、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金等が好ましい。より具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ等が挙げられる。
【００９２】
磁性膜１０２は、ノイズの低減を図るために、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ等）で分割された多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａ等）であってもよい。磁性膜１０２に用いる磁性材料は、上記磁性材料の他、フェライト系や鉄−希土類系であってもよく、また、ＳｉＯ２、ＢＮ等からなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散した構造のグラニュラー等であってもよい。また、磁性膜１０２への記録には、内面型および垂直型のいずれかの記録形式が用いられてよい。
【００９３】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために、磁性膜１０２の表面には、潤滑剤が薄くコーティングされてもよい。潤滑剤として、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００９４】
さらに必要により磁性膜１０２に対し下地層や保護層が設けられてもよい。磁気ディスクＤにおける下地層は、磁性膜１０２に応じて適宜に選択される。下地層の材料として、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉ等の非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。例えば、Ｃｏを主成分とする磁性膜１０２の場合には、下地層の材料は、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。
【００９５】
また、下地層は、単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造であってもよい。このような複数層構造の下地層は、例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層が挙げられる。磁性膜１０２の摩耗や腐食を防止する保護層として、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層等が挙げられる。これら保護層は、下地層および磁性膜１０２と共にインライン型スパッタ装置で連続して形成することができる。また、これら保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる複数層構成であってもよい。
【００９６】
なお、上記保護層上に、あるいは、上記保護層に代えて、他の保護層が形成されてもよい。例えば、上記保護層に代えて、Ｃｒ層の上にＳｉＯ２層が形成されてもよい。このようなＳｉＯ２層は、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成することによって形成される。
【００９７】
このような本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１を基体とした磁気記録媒体は、磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１が上述した組成により形成されるので、情報の記録再生を長期に亘り高い信頼性で行うことができる。
【００９８】
なお、上述では、本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１を磁気記録媒体に用いた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板１０１は、光磁気ディスクや光ディスク等にも用いることが可能である。
【実施例】
【００９９】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１００】
表１に示すようなガラス組成を有するガラス基板ブランクスを作成し、それぞれＴｇ〜Ｔｇ＋１００℃の温度範囲にて熱処理を行った（実施例１〜１０、比較例１）。
【０１０１】
また、各実施例、比較例のガラス基板ブランクスに組成揺らぎが存在しているかどうかの確認を行った。組成揺らぎの確認方法としては、所定の温度でガラス基板ブランクスに熱処理を施し、その後表面が鏡面になるまで研磨を施し、０．１質量％濃度のフッ酸に浸漬させ、その後の表面形態を電子顕微鏡（ＳＥＭ,又はＴＥＭ）で観察することでＳｉＯ２濃度の低い相が除去されているかどうかで行うことができる。また、フッ酸処理後の表面粗さはＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて計測した。なお、フッ酸の処理時間は全て５分間とした。
【０１０２】
さらに、研削レートは、分相確認後のガラス基板をダイヤモンドペレットを用いて加工し、所望の板厚まで加工したときの加工時間を測定することで行った。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＳＩＩのＴＭＡ（熱機械分析）を用いて測定した。
【０１０３】
【表１】
0005577290.tif 000002
【０１０４】
表１の結果から、組成揺らぎを持たせることのできるガラス組成を用いた実施例１〜１０であれば、熱処理温度がＴｇ＋１００（℃）以下で処理した場合には、適度なフッ酸処理後の表面粗さが得られ、かつ研削レートの向上に繋がることが明らかとなった。
【０１０５】
次に、実施例１と同じガラス組成を用いて、熱処理温度をそれぞれ変えて実施例１１〜１３、及び比較例２〜４のガラス基板を得た。
【０１０６】
【表２】
0005577290.tif 000003
【０１０７】
表２の結果より、熱処理温度がＴｇ（℃）より低い場合（比較例２，３）には、ガラス基板に組成揺らぎが発生せず、フッ酸処理しても充分な表面粗さが得られず、研削レートは向上しなかった。また、Ｔｇ＋１００（℃）より高い場合（比較例４）には、組成揺らぎは発生したが、処理温度が高すぎてガラス基板がの形状が悪化し、セッターとの融着が発生し、研削することができなかった。一方で、熱処理温度がＴｇ〜Ｔｇ＋１００（℃）の温度範囲で処理した場合（実施例１，１１〜１３）、ガラス基板に組成揺らぎを発生させることができ、研削レートを向上させることができた。
【符号の説明】
【０１０８】
１  成型用金型
２  上型
３  第１の成形面
４  第２の成形面
５  下型
１０  ガラス基板ブランクス
１１  研磨装置
１２  上定盤
１３  下定盤
１６  ポンプ
１０１  磁気情報記録媒体用ガラス基板
【図１】
0005577290.tif 000004
【図２】
0005577290.tif 000005
【図３】
0005577290.tif 000006
【図４】
0005577290.tif 000007
【図５】
0005577290.tif 000008
【図６】
0005577290.tif 000009