(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び該配線部上に接合部を介して実装された少なくとも１つの半導体チップを含む半導体実装部品と、
該半導体実装部品表面のうち少なくとも該配線部及び該接合部が露出した表面上に設けられた被覆層とを具備し、
前記被覆層は、フッ素系樹脂からなる第１の被覆層と、該第１の被覆層上に積層された、ウレタン系樹脂、及びアクリル系樹脂のうち少なくとも１つからなる第２の被覆層との積層であることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記被覆層は、前記第１の被覆層、及び前記第２の被覆層に用いられる樹脂材料を塗布して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記被覆層は、１０μｍないし５０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記接合部は、鉛を含まず、かつＡｇ及びＣｕのうち少なくとも１種の高温用接合材料を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記半導体チップは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタチップを含み、前記半導体実装部品上に充填された絶縁性ゲルと、該半導体実装部品及び該絶縁性ゲルを封止するケースとをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁ゲート型トランジスタやダイオードなどの半導体パワー素子を組み込んだ半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電車、自動車、エレベータ等のドライブシステムに搭載される絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ基板が樹脂モールドされており、その樹脂モールド内部に、シリコンの樹脂が充填されている。電車、自動車、エレベータ等のドライブシステムは、塵埃、排気ガス、地熱発電などから発生する腐食ガス環境で使用されることがある。内部の耐絶縁性は、シリコンのポッティングにより処置されている。
【０００３】
例えば硫黄、硫黄系腐食ガス環境では、樹脂モールド材やシリコンのポッティング材にガスが浸透し、内部の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに実装されているはんだ接合部や端子あるいはＣｕパターンなどが腐食することがある。この腐食ガスにより、例えば、Ｃｕパターンが腐食し、減肉が発生、最終的に断線に至った場合は、導通不良が生じる危険性がある。その際に、電車や車およびエレベータ等の停止や故障の発生となることがある。
【０００４】
また、環境上の問題から、今後、パワートランジスタなどに使用されている鉛高温はんだまたは接合材料において、有害物質である鉛の削減、または鉛を含まない高温用はんだが使用される傾向にある。その際に、鉛高温はんだの代用品として、ナノ粒子の銀を含んだ接合材料や銅を含んだ材料が使用される可能性があり、接合部の耐食性が低くなって、腐食ガス環境におけるトラブルが発生する可能がある。
【０００５】
耐食性をあげるため、電極パッドの第１の配線層上に、金、高融点金属例えばニッケル、モリブデン、タングステン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、チタン、バナジウム、レニウム、クロム、プラチナ、イリジウム、オスミウム、及びロジウム等の腐食性ガス雰囲気に対して耐性がある導電材料を用いて第２の配線層を形成する技術がある（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、配線部、接合部に亘り、腐食防止し得ることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３４８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、耐環境性の良好な半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体素子は、基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び該配線部上に接合部を介して実装された少なくとも１つの半導体チップを含む半導体実装部品と、
該半導体実装部品表面のうち少なくとも該配線部及び該接合部が露出した表面上に設け
られた被覆層とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、耐環境性の良好な半導体素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の半導体素子の一例を模式的に表す断面図である。
【図２】本発明の半導体素子の他の例を模式的に表す断面図である。
【図３】図２に示す絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子の一部を正面から見た図である。
【図４】半導体素子サンプルの一例の模式図である。
【図５】耐環境性試験の結果を表す図である。
【図６】半導体素子サンプルの一例の模式図である。
【図７】耐環境性試験の結果を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【００１２】
図１に、本発明の半導体素子の一例を模式的に表す断面図を示す。
【００１３】
図示するように、本発明にかかる半導体素子１０は、例えばＡｌＳｉＣ基板等の絶縁基板１、絶縁基板１上に設けられた例えば銅などからなる配線部２、はんだ接合部３、及び１またはそれ以上の半導体チップ４を有する半導体実装部品表面のうち、少なくとも配線部２及び接合部３が露出した表面上に設けられた被覆層５を含むことを特徴とする。
【００１４】
ここでは、半導体実装部品とは、被覆層を設ける前の半導体素子の構造をいい、図１に示す構成の場合、絶縁基板１と配線部２とはんだ接合部３と１またはそれ以上の半導体チップとを示す。
【００１５】
被覆層５は、配線部２及び接合部３が露出した表面上に形成することができる。あるいは、絶縁基板１、配線部２及び接合部３が露出した表面、半導体チップ４表面にかけて、絶縁基板１のもう一方の面を除く半導体実装部品表面全体に形成することができる。
【００１６】
本発明によれば、腐食や高湿度環境に弱い配線部、はんだ接合部が露出した表面に被覆層を設けることができるので、半導体素子の耐環境性を格段に向上させることができる。
【００１７】
また、本発明によれば、被覆層を設けることにより、接合部に発生しやすいはんだボール、配線部の端子に発生しやすいバリ、及び半導体実装部品表面に付着した導電性の異物等を固定して、半導体素子の製造時におよび作動時における端子間や配線パターン間等における短絡を防止し得る。
【００１８】
さらに、本発明によれば、半導体実装部品を組み立てた後、半導体実装部品表面に被覆層を形成する工程、例えばスプレー塗布工程等の簡便な工程を追加するだけで、製造工程の大幅な変更を伴うことなく、半導体素子を提供することが出来る。
【００１９】
被覆層は、樹脂材料を塗布して形成することができる。
【００２０】
樹脂材料としては、フッ素系樹脂、ウレタン系樹脂、及びアクリル系樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが出来る。
【００２１】
被覆層は、フッ素系樹脂からなる第１の被覆層と、該第１の被覆層上に積層された第２の被覆層との積層にすることができる。このようにフッ素系樹脂を第１層として他の樹脂を積層させると半導体チップとの密着性が良好になり、振動や温度サイクルによる剥離を防止するとともに、多層にすることにより水分や腐食ガス等の透過を抑制し、半導体素子の腐食を防止することができる。
【００２２】
第２の被覆層に使用する樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、及びウレタン系樹脂等をあげることができる。
【００２３】
被覆層は、１０μｍないし５０μｍの厚さを有することが好ましい。
【００２４】
被覆層の厚さが１０μｍ未満であると、耐環境性が不十分となり、５０μｍを超えると、乾燥に時間がかかり作業性や製造性に問題が生じる傾向がある。また、被覆層の厚さが５０μｍを超える場合は、乾燥時に割れなどの発生も問題となる傾向がある。
【００２５】
本発明に使用可能な被覆層の形成方法として、例えばスプレー塗布方法、刷毛塗り等があげられる。
【００２６】
接合部として、例えば鉛フリーはんだを使用することが出来る。
【００２７】
本発明に使用可能な鉛フリーはんだとして、例えば錫−銀合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、及び錫−銅合金等の錫合金があげられる。
【００２８】
さらに、鉛フリーはんだとして、Ａｇ及びＣｕのうち少なくとも１種を含有する高温用接合材料を用いることが出来る。
【００２９】
また、本発明の半導体素子を用いると、接合部に、鉛フリーはんだ例えば高温用接合材料として銀ナノ粒子を適用した場合であっても、その上に被覆層が設けられているので、接合材料と、腐食性ガス及び大気との接触を防止することができる。これにより、例えば腐食性ガスにおける硫化銀の生成、塩化銀の生成、大気中における酸化銀の生成等を防止し、耐食性の高い半導体素子を提供できる。
【００３０】
このように、本発明によれば、銀ナノ粒子等の高温用接合材料を適用しても耐食性の高い半導体素子を提供できるので、半導体チップとしてＳｉチップのみならず高温接合に耐え得るＳｉＣチップを使用することが可能となる。
【００３１】
図２に、本発明の半導体素子の他の例を模式的に表す断面図を示す。
【００３２】
図示するように、この半導体素子２０は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子であって、放熱板１５上に、はんだ部１７により接合された、基板２１、基板２１上に設けられた配線部２２，接合部２３及び半導体チップ１６，２４を含む半導体実装部品３０が設けられ、この半導体実装部品３０の基板２１、配線部２２，及び接合部２３が露出した表面及び半導体チップ１６，２４にかけて被覆層２５が形成されている。半導体チップ１６，２４は、主電極にダイレクトボンディング１３により接合されている。半導体チップ２４は、端子２７にボンディングされている。ここで、半導体チップ１６はとしてファーストリカバリーダイオード（ＦＲＤ）チップ、半導体チップ２４として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）チップを使用することが出来る。さらに、被覆層２５で被覆された半導体実装部品３０上には絶縁性ゲル１１が充填され、放熱板１５上に設けられたケース１８により封止されている。
【００３３】
図３に、図２に示す絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子の一部を正面から見た図を示す。
【００３４】
図３では、便宜上、絶縁性ゲル１１、及びケース１８は取り除いている。
【００３５】
ここで、図２は、図３のＸ−Ｘ’断面図に相当する。
【００３６】
図示するように、この絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子２０は、絶縁基板２１と、その上に設けられた、コレクタ端子３１，ゲート端子３２，エミッタ端子３３、及び図示しない接合部を介して形成されたＦＲＤチップ１６及びＩＧＢＴチップ２４を有する。ＦＲＤチップ１６及びＩＧＢＴチップ２４、各々、コレクタ端子３１，ゲート端子３２，エミッタ端子３３と接続されている。
【００３７】
本発明にかかる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子は、例えば点線３４で囲まれた領域に、基板、配線部，及び接合部が露出した表面及びＩＧＢＴチップを含む半導体チップにかけて、被覆層が形成されている。これにより、硫黄や硫黄化合物系、塩素、塩素化合物等の腐食性ガスの透過を抑制し、耐腐食性が良好となることから、製品の信頼性向上が図れる。また、本発明にかかる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子は、単に被覆層を形成する工程例えばスプレー塗布工程等を追加するだけで、製造工程を大幅に変更することなく、製品の提供が可能である。
【００３８】
また、本発明にかかる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子を車や列車およびエレベータ等のドライブシステム運転に適用すると、最適な機器の運用を行うことができる。
【００３９】
本発明にかかる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ素子は、耐腐食性が良好であるため、例えば鉛フリーはんだ特にＡｇナノ粒子の高温用接合材料を適用することが出来る。さらに、半導体チップとしてＳｉチップ、及び高温接合に耐え得るＳｉＣチップを使用することが可能である。
【００４０】
実施例
実施例１，比較例１
銅板の樹脂コーティング
サンプルとして１００ｍｍ×５０ｍｍ×１．０ｍｍ厚の銅板を用意し、スプレー塗布法を用いて、樹脂コーティングを行った。用いた樹脂は、フッ素系樹脂とアクリル系である。フッ素系樹脂は、フッ素系ポリマーを主成分としたフッ素系溶剤で、比重が１．４１、防湿性（櫛形電極基板  ６０℃−９５％ＲＨ  ５００時間後）が１．０×１０１１Ω、熱分解温度が２８０℃である。アクリル系樹脂は、アクリルを主成分とした比重０．９２、耐水性は２０×１０９Ωである。連続使用温度範囲は、１６５℃のものを使用。コーティング膜の厚さは、それぞれ５μｍ、１０μｍ、５０μｍ、５０μｍ以上とした。
【００４１】
１０μｍ以上のコーティングであれば、例え、はんだボールやＣｕなどの導電性のある物質が短絡部分にあったとしても、短絡は発生しなかった。５０μｍ以上では、作業性が悪く、コーティングに時間が掛かるほか、乾燥するに当たり、非常に時間を要することがわかった。そのため、コーティングの上限は、５０μｍ程度であると好適である。この５０μｍ以下であれば、コーティングの際には特に問題なく、乾燥時間も２４時間以内となった。
【００４２】
耐環境性試験
次に、樹脂コーティングしたサンプル及び樹脂コーティングしていないサンプルについて、腐食性ガスまたは高湿環境による耐環境性試験を実施した。
【００４３】
腐食性ガス環境試験では、サンプルを４０℃、０．１ｐｐｍの濃度の硫化水素系ガスを含む環境中に５００時間放置した。
【００４４】
高湿環境試験では、６０℃で９０％の湿度を有する恒温恒湿槽に５００時間放置した。
【００４５】
コーティング有のものについては、ガス環境中や湿度環境での変色や腐食などはみられなかった。
【００４６】
電子顕微鏡にて確認したところ、腐食生成物は確認できなかった。
【００４７】
さらに、電子線マイクロアナライザーにより、元素分析を実施したが、基材の銅が検出されただけであった。この状況は厚さ１０μｍ以上の樹脂コーティングであれば、ほぼ同様の結果であった。
【００４８】
しかし、コーティングの無いものについては、表面に茶褐色の変色が見られており、電子顕微鏡による観察でも腐食生成物が確認できた。同様に、電子線マイクロアナライザーにより、元素分析を実施したが、基材の銅の他に硫黄が検出された。１０μｍ以下の樹脂コーティングでも同様の結果であった。
【００４９】
このように、樹脂コーティングを使用することにより、銅線、はんだ等の導電体に変色、腐食等が起こらないので、本発明の半導体素子を用いると、高湿環境あるいは腐食ガス環境下で使用しても導通不良を生じない。
【００５０】
実施例２
半導体素子
基板として、５ｍｍ厚のＡｌＳｉＣ基板を用意し、３００μｍ厚の銅配線を形成した後、はんだ材料としてＳｎ−３．０重量％Ａｇ−０．５重量％Ｃｕを用いて、Ｓｉを用いたＩＧＢＴ素子とをはんだ接合した。得られた半導体実装部品表面に、スプレー塗布によりフッ素系樹脂コーティングを１０μｍ厚で形成し、半導体素子サンプルを得た。
【００５１】
図４に、半導体素子サンプルの模式図を示す。
【００５２】
図示するように、半導体素子サンプル４６は、ＡｌＳｉＣ基板４１、銅配線４２、はんだ接合部４３、及びＩＧＢＴ素子４４とを含む半導体実装部品と、半導体実装部品の表面に被覆された樹脂コーティング４５を有する。
【００５３】
この半導体素子サンプル４６を、濃度０．１ｐｐｍの硫化水素系ガスを含む４０℃のガス環境で２０００時間放置し、腐食ガスによる耐環境性試験を行った。
【００５４】
その結果として、図４の領域Ａの一部を拡大した図を図５に示す。
【００５５】
コーティング有については、表面に黒褐色の変色がなく、断面での観察でも、図５のように、銅配線の腐食による減肉はみられない。
【００５６】
比較例２
図６に示すように、樹脂コーティングを形成しないこと以外は実施例２と同様にして半導体素子サンプルを形成した。得られた半導体素子サンプル４７について、同様に、耐環境性試験を行った。
【００５７】
その結果として、図６の領域Ｂの一部を拡大した図を図７に示す。
【００５８】
コーティングの無いものについては、表面に黒褐色の変色が見られており、断面での観察では、図７のように銅配線表面に、腐食により減肉している箇所４８がみられた。
【００５９】
以上のように、本発明によれば、腐食や高湿度環境に弱い配線部、はんだ接合部が露出した表面に被覆層を設けることができるので、半導体素子の耐環境性を格段に向上させることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１，２１…基板、２，２２…配線部、３，２３…接合部、４，１６，２４…半導体チップ、５，２５…被覆層、１０，２０…半導体素子、３０…半導体実装部品
【図１】
0005395699.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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