(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の（ア）乃至（オ）を備えるプローブユニット基板。
（ア）スルーホールを備える電気絶縁性の基板。
（イ）前記基板の表面に形成された第１の導体層であって、次の（ａ）乃至（ｃ）を備える第１の導体層。
（ａ）前記スルーホール内の導体と接続しているスルーホール受けパッドからなる第１の導体パターン。
（ｂ）第１の間隙を介して前記第１の導体パターンを取り囲んでいる平坦性改善リング。
（ｃ）第２の間隙を介して前記平坦性改善リングを取り囲んでいる第２の導体パターン。
（ウ）前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層。
（エ）前記第１の絶縁層の上部に形成された少なくとも一つの導体層とそれを覆う少なくとも一つの絶縁層。
（オ）最上部の絶縁層の表面に形成されたプローブ搭載パッド。
【請求項２】
次の（ア）乃至（オ）を備えていて、（カ）乃至（ク）の特徴を有するプローブユニット基板。
（ア）スルーホールを備える電気絶縁性の基板。
（イ）前記基板の表面に形成された第１の導体層であって、次の（ａ）乃至（ｃ）を備える第１の導体層。
（ａ）前記スルーホール内の導体と接続しているスルーホール受けパッドからなる第１の導体パターン。
（ｂ）第１の間隙を介して前記第１の導体パターンを取り囲んでいる平坦性改善リング。
（ｃ）第２の間隙を介して前記平坦性改善リングを取り囲んでいる第２の導体パターン。
（ウ）前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層。
（エ）前記第１の絶縁層の上部に形成された少なくとも一つの導体層とそれを覆う少なくとも一つの絶縁層。
（オ）最上部の絶縁層の表面に形成されたプローブ搭載パッド。
（カ）前記少なくとも一つの導体層の少なくとも一つが、第３の導体パターンと、その第３の導体パターンから絶縁された平坦化パターンとを備えている。
（キ）前記平坦化パターンは前記プローブ搭載パッドよりも大きな平面サイズを備えている。
（ク）前記平坦化パターンは前記プローブ搭載パッドの下方に位置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ搭載パッドの平坦化または水平化に特徴のあるプローブユニット基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この明細書において、「プローブユニット」とは、電子部品または電気部品を検査するための複数のプローブを有するユニットを意味し、例えば、半導体ウエハー上の電気回路を検査するときに用いるプローブカードや、液晶パネルを検査するときに用いるプローブユニットなどがこれに該当する。そして、「プローブユニット基板」とは、プローブユニットのための基板であって、基板の内部に配線が形成されていて、複数のプローブを取り付けることのできる基板を意味する。
【０００３】
図１１は従来のプローブユニット基板の一部を拡大して示した断面図である。セラミック基板１０の表面には第１の導体層１２が所定のパターンで形成されている。第１の導体層１２の上には第１の絶縁層１４、第２の導体層１６、第２の絶縁層１８が順番に形成されている。第２の絶縁層１８の表面には多数のプローブ搭載パッド２０が形成されていて、このプローブ搭載パッド２０にマイクロ・カンチレバー方式のプローブ２２が取り付けられる。第１の導体層１２は、所定のパターンとなるように形成されていて、スルーホール受けパッド２４と接地領域２６を含んでいる。セラミック基板１０にはスルーホール２８が形成されていて、スルーホール２８の内部の導体とスルーホール受けパッド２４が接続している。スルーホール受けパッド２４は、セラミック基板１０のスルーホール導体の熱収縮による位置変位を吸収する目的で設けられている。スルーホール受けパッド２４は第２の導体層１６に接続している。
【０００４】
スルーホール受けパッド２４と接地領域２６の間には第１の絶縁層１４が堆積することになる。したがって、第１の絶縁層１４の表面は平坦にならずに、凹凸（うねり）を示すことになる。このような凹凸は、第２の導体層１６と第２の絶縁層１８にも波及していく。また、第２の導体層１６が所定のパターンで形成されている場合には、そのパターンに起因する凹凸も加わっていく。その結果、第２の絶縁層１８の表面に凹凸が現れる。そのような第２の絶縁層１８の表面にプローブ搭載パッド２０が形成されると、プローブ搭載パッド２０の表面が平坦にならなかったり、平坦ではあっても水平状態から傾斜したりするおそれがある。そのようなプローブ搭載パッド２０のそれぞれにマイクロ・カンチレバー方式のプローブ２２を取り付けると、多数のプローブ２２の先端３０の高さがばらつくおそれがある。
【０００５】
スルーホール受けパッド２４と接地領域２６の間隙を小さくすれば、第１の絶縁層１４の表面の凹凸が緩和されるが、上記の間隙はあまり小さくできない。この点を以下に説明する。図１２（Ａ）は第１の導体層１２のスルーホール受けパッド２４の付近のパターンを示す平面図である。スルーホール受けパッド２４の周囲には間隙３２（導体層の形成されていない領域）が形成されていて、スルーホール受けパッド２４と接地領域２６は距離ｄだけ離れている。距離ｄは例えば１００μｍである。
【０００６】
上述の間隙３２が存在するために、第１の絶縁層１４の表面に凹凸が生じるのであるから、距離ｄを小さくすれば、そのような凹凸が緩和される可能性がある。すなわち、図１２（Ｂ）に示すように、間隙３２の距離ｄを小さくする（例えば２５μｍにする）ことが考えられる。しかしながら、距離ｄを小さくすると、図１２（Ｃ）に示すように、間隙３２に微小なゴミ３４が付着した場合に、スルーホール受けパッド２４と接地領域２６の間が短絡する危険がある。ゆえに、距離ｄはあまり小さくできない。ゴミ３４ではなくて、何らかのパターン不良によって短絡する場合も同様である。
【０００７】
図１３は従来のプローブユニット基板の別の例の一部を拡大して示した断面図である。このプローブユニット基板は、多層配線部４２が第１の導体層１２と第１の絶縁層１４と第２の導体層１６と第２の絶縁層１８と第３の導体層５４と第３の絶縁層５６と第４の導体層５８と第４の絶縁層６０と第５の導体層６２と第５の絶縁層６４で構成されている。第５の絶縁層６４の表面には多数のプローブ搭載パッド２０が形成されている。この従来例は、図１２に示した従来例と同様に、スルーホール受けパッド２４と接地領域２６の間に第１の絶縁層１４が堆積することに起因して、第１の絶縁層１４の表面に凹凸が生じる。これに加えて、例えば、第２の導体層１６や第４の導体層５８に形成された配線パターンに起因して、その上の絶縁層１８，６０の表面に凹凸が生じる。これらの凹凸が最上部の第５の絶縁層６４の表面に波及して、プローブ搭載パッド２０の表面が平坦にならなかったり、平坦ではあっても水平状態から傾斜したりするおそれがある。
【０００８】
ところで、多層配線基板の平坦性に関する技術については次のようなものが知られている。多層配線基板の最上層に形成した導体層（プローブ搭載パッドに相当する）にプローブを固定する技術において、多層配線基板の表面の平坦性を向上させるための工夫が次の特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００６−２１０４７３号公報
【０００９】
この特許文献１は、絶縁基体の上面に、貫通孔を有する樹脂被覆層を形成して、その貫通孔を埋めるように導体層を設けている。したがって、樹脂被覆層と導体層の表面の高さはほぼ同じになり、凹凸が生じない。そして、それらの樹脂被覆層と導体層の上に、さらに、樹脂絶縁層と配線導体層を設けることができる。これにより、多層配線基板の表面の凹凸が緩和され、この表面に導体層を形成して、これにプローブを固定すれば、多数のプローブの先端の高さがばらつくことがない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の特許文献１の技術によれば、多層配線基板の表面の凹凸は少なくなるが、「貫通孔を有する樹脂被覆層」を形成するために、製造工程が複雑になる。特許文献１によれば、樹脂被覆層に貫通孔を形成するには、金属膜をマスクとして樹脂被覆層の上面側を酸素プラズマ処理するか、または、レーザを使って樹脂被覆層の一部を貫通除去する必要がある。
【００１１】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、製造工程を複雑にすることなく、プローブユニット基板の表面の凹凸を少なくして、プローブ搭載パッドが波打ったり傾斜したりすることのないプローブユニット基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のプローブユニット基板は、プローブ搭載パッドが平坦かつ水平な状態を保てるように多層配線部に平坦性改善リングを設けた点に特徴がある。本発明の第１の観点に係るプローブユニット基板は平坦性改善リングを備えるものであり、次の（ア）乃至（オ）を備えている。（ア）スルーホールを備える電気絶縁性の基板。（イ）前記基板の表面に形成された第１の導体層であって、次の（ａ）乃至（ｃ）を備える第１の導体層。（ａ）前記スルーホール内の導体と接続しているスルーホール受けパッドからなる第１の導体パターン。（ｂ）第１の間隙を介して前記第１の導体パターンを取り囲んでいる平坦性改善リング。（ｃ）第２の間隙を介して前記平坦性改善リングを取り囲んでいる第２の導体パターン。（ウ）前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層。（エ）前記第１の絶縁層の上部に形成された少なくとも一つの導体層とそれを覆う少なくとも一つの絶縁層。（オ）最上部の絶縁層の表面に形成されたプローブ搭載パッド。
【００１３】
ところで、この明細書において「上」または「下」とは、次の方向を意味する。「上」とは、電気絶縁性の基板からプローブ搭載パッドに向かう方向を意味し、「下」とは、その反対方向を意味する。したがって、「上」または「下」は、プローブユニット基板あるいはその構成要素が重力に対してどのような配置関係にあるかとは無関係である。
【００１６】
本発明の第２の観点に係るプローブユニット基板は平坦性改善リングと平坦化パターンを併用するものであり、次の（ア）乃至（オ）を備えていて、（カ）乃至（ク）の特徴を有するものである。（ア）スルーホールを備える電気絶縁性の基板。（イ）前記基板の表面に形成された第１の導体層であって、次の（ａ）乃至（ｃ）を備える第１の導体層。（ａ）前記スルーホール内の導体と接続しているスルーホール受けパッドからなる第１の導体パターン。（ｂ）第１の間隙を介して前記第１の導体パターンを取り囲んでいる平坦性改善リング。（ｃ）第２の間隙を介して前記平坦性改善リングを取り囲んでいる第２の導体パターン。（ウ）前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層。（エ）前記第１の絶縁層の上部に形成された少なくとも一つの導体層とそれを覆う少なくとも一つの絶縁層。（オ）最上部の絶縁層の表面に形成されたプローブ搭載パッド。（カ）前記少なくとも一つの導体層の少なくとも一つが、第３の導体パターンと、その第３の導体パターンから絶縁された平坦化パターンとを備えている。（キ）前記平坦化パターンは前記プローブ搭載パッドよりも大きな平面サイズを備えている。（ク）前記平坦化パターンは前記プローブ搭載パッドの下方に位置する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のプローブユニット基板は、上述のように平坦性改善リングを設けたことにより、多層配線部の表面の凹凸が少なくなり、表面に形成されたプローブ搭載パッドが波打ったり傾斜したりすることがない。したがって、多数のプローブ搭載パッドのそれぞれに固定されたプローブの先端高さがばらつくことがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。図１は本発明のプローブユニット基板を搭載したプローブカードの正面図である。配線基板３６の一方の側にはプローブユニット基板３８が固定され、他方の側には補強板４０が固定されている。プローブユニット基板３８はセラミック基板１０と多層配線部４２を備えている。セラミック基板１０の表面には、薄膜でできた多層配線部４２が形成されていて、この多層配線部４２の表面には多数のプローブ搭載パッドが形成されていて、そのそれぞれにマイクロ・カンチレバー方式のプローブ２２が固定されている。
【００１９】
図２は本発明の第１実施例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。セラミック基板１０の上に多層配線部４２が形成され、その上にマイクロ・カンチレバー方式のプローブ２２が固定されている。セラミック基板１０は本発明における電気絶縁性の基板に相当する。多層配線部４２は第１の導体層１２と第１の絶縁層１４と第２の導体層１６と第２の絶縁層１８で構成されている。第１の導体層１２は、スルーホール受けパッド２４と、それを取り囲む平坦性改善リング４８と、さらにそれを取り囲む接地領域２６を含んでいる。セラミック基板１０にはスルーホール２８が形成されていて、そのスルーホール２８内の導体とスルーホール受けパッド２４が接続している。スルーホール受けパッド２４は、セラミック基板１０のスルーホール導体の熱収縮による位置変位を吸収する目的で設けられている。スルーホール受けパッド２４はスルーホール２８内の導体を介してセラミック基板１０の他方の側の配線に接続されている。また、このスルーホール受けパッド２４は第２の導体層１６に接続されている。第２の絶縁層１８の表面には多数のプローブ搭載パッド２０が形成されている。このプローブ搭載パッド２０にプローブ２２の根元が固定されている。スルーホール受けパッド２４の周囲には平坦性改善リング４８が存在するので、スルーホール受けパッド２４の付近で第１絶縁層１４の表面が大きく波打つことがない。したがって、多層配線部４２は全体として凹凸（うねり）が小さくなり、第２絶縁層１８の表面のプローブ搭載パッド２０は波打つことがない。また、このプローブ搭載パッド２０は傾斜することがなく、ほぼ水平を保つ。ゆえに、このプローブ搭載パッド２０に固定されたプローブ２２は、その先端３０の高さがばらつくことがない。
【００２０】
図３（Ａ）は第１の導体層１２（図２を参照）のスルーホール受けパッド２４の付近のパターンを示す平面図である。スルーホール受けパッド２４の裏側の中央にはスルーホール２８が接続している。スルーホール受けパッド２４の周囲には、第１の間隙５０を介して平坦性改善リング４８が形成されている。さらに、平坦性改善リング４８の周囲には、第２の間隙５２を介して接地領域２６が形成されている。スルーホール受けパッド２４は本発明における第１の導体パターンに相当し、接地領域２６は本発明における第２の導体パターンに相当する。平坦性改善リング４８は第１の間隙５０を介してスルーホール受けパッド２４を取り囲んでおり、さらに、接地領域２６は第２の間隙５２を介して平坦性改善リング４８を取り囲んでいる。第１の間隙５０の距離ｄ１は例えば２５μｍであり、第２の間隙５２の距離ｄ２は例えば２５μｍである。平坦性改善リング４８の幅は例えば５２０μｍである。距離ｄ１とｄ２は、従来技術における間隙ｄ（図１２（Ａ）を参照）よりも小さいので、第１の間隙５０と第２の間隙５２の付近における第１の絶縁層１４（図２を参照）の表面の落ち込みが少なくなり、その結果、第１の絶縁層１４の表面の凹凸（うねり）が小さくなる。
【００２１】
ここで、短絡の危険性について説明する。図３（Ｂ）に示すように、第１の間隙５０にゴミ３４が挟まったと仮定する。第１の間隙５０の距離は小さく設定されているので、ここにゴミ３４が挟まると、スルーホール受けパッド２４と平坦性改善リング４８が短絡するおそれがある。しかしながら、平坦性改善リング４８は接地領域２６から絶縁されているので、スルーホール受けパッド２４が接地領域２６と短絡することはない。第１の間隙５０ではなくて、第２の間隙５２にゴミが挟まったとしても、同様である。ただし、第１の間隙５０と第２の間隙５２の両方にゴミが挟まると、スルーホール受けパッド２４と接地領域２６が短絡するおそれがあるが、そのようなことが起きる確率はきわめて少ない。したがって、従来例の図１２（Ｂ）のパターンと比較して、短絡の危険性は格段に小さくなる。
【００２２】
図４は本発明の第１参考例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。この第１参考例は、上述の平坦性改善リングを設けずに、平坦化パターンを設けたものである。この第１参考例の多層配線部４２は第１の導体層１２と第１の絶縁層１４と第２の導体層１６と第２の絶縁層１８と第３の導体層５４と第３の絶縁層５６と第４の導体層５８と第４の絶縁層６０と第５の導体層６２と第５の絶縁層６４で構成されている。第５の絶縁層６４の表面には多数のプローブ搭載パッド２０が形成されている。
【００２３】
第１の導体層１２はスルーホール受けパッド２４と、それを取り囲む接地領域２６を含んでいるが、平坦性改善リングは備えていない。第２の導体層１６と第３の導体層５４と第４の導体層５８は配線層である。第５の導体層６２は接地層である。第２の導体層１６は平坦化パターン６６と所定の導体パターン６７を含んでいる。この所定の導体パターン６７は、本発明における第３の導体パターンに相当する。第４の導体層５８も平坦化パターン６８と所定の導体パターン６９を含んでいる。この所定の導体パターン６９も、本発明における第３の導体パターンに相当する。平坦化パターン６６，６８はプローブ搭載パッド２０の下方に位置している。これらの平坦化パターン６６，６８の平面サイズはプローブ搭載パッド２０の平面サイズよりも大きい。そして、下側の平坦化パターン６６の平面サイズの方が、上側の平坦化パターン６８の平面サイズよりも大きい。すなわち、平面サイズを比較すると、プローブ搭載パッド２０＜平坦化パターン６８＜平坦化パターン６６の関係になっている。プローブ搭載パッド２０の平面サイズは例えば１２０μｍであり、平坦化パターン６６の平面サイズは例えば１８０μｍ角であり、平坦化パターン６８の平面サイズは例えば１５０μｍ角である。平坦化パターン６６，６８は、プローブ搭載パッド２０の下方において導体層のパターンの境界（導体層と絶縁層の間の平面上の境界）が存在しないようにするためのものである。平坦化パターン６６，６８が存在することにより、平坦化パターン６６，６８の付近では、平坦化パターン６６，６８の上側にある第２の絶縁層と１８と第４の絶縁層６０の表面の凹凸が少なくなる。その結果、プローブ搭載パッド２０の近傍では、第５の絶縁層６４の表面の凹凸（うねり）が少なくなる。したがって、プローブ搭載パッド２０は波打つことなく、かつ、ほぼ水平を保つ。ゆえに、このプローブ搭載パッド２０に固定されたプローブ２２は、その先端３０の高さがばらつくことがない。平坦化パターン６６，６８は同一の導体層の別のパターン（どのような電位でも構わない）に電気的に接続させるのが好ましい。
【００２４】
図５は本発明の第２参考例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。この第２参考例は、図４に示す第１参考例に類似しているが、第３の導体層５４と第５の導体層６２も平坦化パターン７０，７２を含んでいる点で、第１参考例とは異なっている。これらの平坦化パターン７０，７２も、プローブ搭載パッド２０の下方に位置していて、その平面サイズはプローブ搭載パッド２０の平面サイズよりも大きい。この第２参考例は、第２導体層１６から第５導体層６２までのすべての導体層１６，５４，５８，６２において平坦化パターン６６，７０，６８，７２を含んでいる。これらの平坦化パターンの平面サイズは下に行くほど大きくなっており、平面サイズの大小関係は、プローブ搭載パッド２０＜平坦化パターン７２＜平坦化パターン６８＜平坦化パターン７０＜平坦化パターン６６の関係になっている。プローブ搭載パッド２０の平面サイズは例えば１２０μｍ角であり、平坦化パターン７２の平面サイズは例えば１３５μｍ角であり、平坦化パターン６８の平面サイズは例えば１５０μｍ角であり、平坦化パターン７０の平面サイズは例えば１６５μｍ角であり、平坦化パターン６６の平面サイズは例えば１８０μｍ角である。
【００２５】
図６は本発明の第２実施例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。この実施例は、図４の第１参考例において、図２の平坦性改善リング４８を追加したものである。すなわち、図６において、第１の導体層１２は、スルーホール受けパッド２４と、それを取り囲む平坦性改善リング４８と、さらにそれを取り囲む接地領域２６を含んでいる。また、第２の導体層１６と第４の導体層５８は平坦化パターン６６，６８を含んでいる。この実施例は、平坦性改善リング４８による平坦化効果と、平坦化パターン６６，６８による平坦化効果を併せ持つものである。
【００２６】
次に、平坦化パターンの平面形状を説明する。図７は図１のプローブカードを図１の下から見た部分平面図であり、図５に示す平坦化パターンを備えたプローブユニット基板３８を備えているものである。プローブユニット基板３８の表面には多数のプローブ２２が搭載されている。プローブカードで測定されるＩＣチップの仮想的なスクライブライン４４が破線で示されている。プローブユニット基板３８の多層配線部の内部には、図５に示す平坦化パターン７２が形成されている。平坦化パターン７２の上方にはプローブ搭載パッド２０が位置している。平坦化パターン７２はプローブ搭載パッド２０ごとにひとつずつ設けることができるが、この例では、ひとつの平坦化パターン７２に対して複数のプローブ搭載パッド２０が対応している。この場合、ひとつの平坦化パターン７２は任意の個数のプローブ搭載パッド２０に対応させることができる。
【００２７】
図８は平坦化パターンの平面形状の変更例を示す部分平面図である。平坦化パターン７２とプローブ搭載パッド２０との対応関係が図７のものとは異なっている。ひとつの平坦化パターン７２に２個のプローブ搭載パッド２０が対応している。
【００２８】
図９は平坦化パターンの平面形状の別の変更例を示す部分平面図である。多層配線部の最上層は第５の絶縁層であり、その上には多数のプローブ搭載パッド２０が形成されている。そのプローブ搭載パッド２０にはプローブ２２が固定されている。第５の絶縁層の下には第５の導体層６２が存在する。この第５の導体層６２（右上から左下に延びるハッチングで示している）は接地層であって、接地領域７４と平坦化パターン７２を含んでいる。プローブ搭載パッド２０の下方に平坦化パターン７２が位置している。プローブ搭載パッド２０のすぐ下側の導体層が接地層の場合は、その接地層はベタパターン（ほぼ全面を覆うパターン）にすれば足りる。しかし、この例では、後述するように短絡箇所の修復の容易性を考慮して、平坦化パターン７２を形成している。平坦化パターン７２は電気的には接地領域７４に接続されていて、接地層の一部を構成している。この例ではプローブ搭載パッド２０は細長い形状をしていて、これらのプローブ搭載パッド２０は複数個ずつにグループ化されている。ひとつのグループに属する複数のプローブ搭載パッドに対応する平坦化パターン７２は、互いに細い連結部７６によって連結されている。さらに、これらの平坦化パターン７２は別の細い連結部７８によって接地領域７４に連結されている。細い連結部７６，７８の幅は例えば５０〜１００μｍである。
【００２９】
図１０は図９のＡ−Ａ線断面図である。プローブ搭載パッド２０と平坦化パターン７２との間で、何らかの原因で短絡箇所８０（図９も参照）が生じたことを想定する。平坦化パッド７２は図９に示すように接地電位となっているので、上述のような短絡が生じると、プローブ搭載パッド２０が接地電位となってしまい、プローブ２２にウエハー検査用の電気信号を与えることができなくなる。そこで、この短絡箇所８０を補修する必要があるが、短絡箇所自体を切断等によって補修すると、プローブ搭載パッド２０の直下の位置での補修作業に起因する凹凸が生じるおそれがあり、そのような補修作業は好ましくない。そこで、この実施例では、図９において、Ｂ−Ｂ線とＣ−Ｃ線のところで連結部７６を切断することができる。連結部７６を切断しても、プローブ搭載パッド２０の直下で凹凸が生じることがなく、補修により凹凸が生じたとしても、プローブ搭載パッド２０の平坦性に影響を与えることはない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明のプローブユニット基板を搭載したプローブカードの正面図である。
【図２】本発明の第１実施例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。
【図３】第１実施例における第１の導体層のスルーホール受けパッドの付近のパターンを示す平面図である。
【図４】本発明の第１参考例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。
【図５】本発明の第２参考例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。
【図６】本発明の第２実施例のプローブユニット基板の一部の側面断面図である。
【図７】図１のプローブカードを図１の下から見た部分平面図である。
【図８】平坦化パターンの平面形状の変更例を示す部分平面図である。
【図９】平坦化パターンの平面形状の別の変更例を示す部分平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】従来のプローブユニット基板の一部を拡大して示した断面図である。
【図１２】従来技術における第１の導体層のスルーホール受けパッドの付近のパターンを示す平面図である。
【図１３】従来のプローブユニット基板の別の例の一部を拡大して示した断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  セラミック基板
１２  第１の導体層
１４  第１の絶縁層
１６  第２の導体層
１８  第２の絶縁層
２０  プローブ搭載パッド
２２  プローブ
２４  スルーホール受けパッド
２６  接地領域
２８  スルーホール
３０  プローブの先端
３２  間隙
３４  ゴミ
３６  配線基板
３８  プローブユニット基板
４０  補強板
４２  多層配線部
４４  スクライブライン
４８  平坦性改善リング
５０  第１の間隙
５２  第２の間隙
５４  第３の導体層
５６  第３の絶縁層
５８  第４の導体層
６０  第４の絶縁層
６２  第５の導体層
６４  第５の絶縁層
６６，６８  平坦化パターン
６７，６９  導体パターン
７０，７２  平坦化パターン
７４  第５の導体層の接地領域
７６，７８  第５の導体層の連結部
８０  短絡箇所
【図１】
0005412029.tif 000002
【図２】
0005412029.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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