(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのスイッチング素子、および、このスイッチング素子の出力側に接続されこのスイッチング素子の電流を検出する電流検出抵抗器を有し、入力電圧を直流電圧に変換する力率改善回路と；
少なくとも１つのスイッチング素子を有し力率改善回路により変換された直流電圧を変換して負荷に供給する電力変換回路と；
この電力変換回路のスイッチング素子の駆動を制御するドライバ部と；
力率改善回路の駆動を制御する力率改善制御部、および、電力変換回路の動作を制御する変換制御部を一体的に備え、ドライバ部と別体に形成されているとともに、入力電圧により起動可能な制御素子と；
力率改善回路の電流検出抵抗器の低圧側に配置されこの力率改善回路、ドライバ部および制御素子のそれぞれのグランド電位が接続された１点グランド部と；
を具備していることを特徴とする電源装置。
【請求項２】
請求項１記載の電源装置と；
負荷としての放電ランプが取り付けられる器具本体と；
を具備していることを特徴とする照明器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、それぞれスイッチング素子を有する力率改善回路および電力変換回路を有する電源装置およびこれを備えた照明器具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば負荷としての放電ランプに接続される電源装置は、スイッチング素子を有し電源部からの入力電圧を昇圧した直流電圧に変換する力率改善回路と、この力率改善回路から出力される直流電圧を高周波電圧に変換して放電ランプを点灯させるインバータ回路およびこのインバータ回路と放電ランプとの間に電気的に接続されインバータ回路から供給される電力を制御するＬＣ共振回路などを有する電力変換回路などとを備えている。インバータ回路は、例えば対をなすスイッチング素子を備えたハーフブリッジ型のものなどがあり、スイッチング素子をドライバ部であるドライブ回路によって制御することによりスイッチング動作させ、所定周波数の高周波電圧を、電力変換回路を介して放電ランプに印加することが可能である。
【０００３】
このような電源装置において、力率改善回路のスイッチング素子をスイッチング制御する力率改善制御部、および、ドライブ回路の駆動を制御する発振制御部を有し電力変換回路の動作を制御する変換制御部を、ドライブ回路とともに一体化、すなわち１つの集積回路パッケージとして構成したものが知られている(例えば、特許文献１参照。)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６６２９８号公報(第１３−１４頁、図１)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の電源装置の制御素子では、力率改善制御部および変換制御部とともにドライブ回路を一体化しているため、力率改善回路のスイッチング素子およびインバータ回路のスイッチング素子を駆動する電流がそれぞれ流れ、これら電流の干渉が生じやすい。この結果、上述の電源装置では、制御素子に複数のグランド端子が必要となるとともに、パターン構成および部品配置などの自由度が損なわれるという問題点を有している。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、配線パターンおよび部品の配置の自由度を向上できるとともに、小型化可能な電源装置およびこれを備えた照明器具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の電源装置は、少なくとも１つのスイッチング素子、および、このスイッチング素子の出力側に接続されこのスイッチング素子の電流を検出する電流検出抵抗器を有し、入力電圧を直流電圧に変換する力率改善回路と；少なくとも１つのスイッチング素子を有し力率改善回路により変換された直流電圧を変換して負荷に供給する電力変換回路と；この電力変換回路のスイッチング素子の駆動を制御するドライバ部と；力率改善回路の駆動を制御する力率改善制御部、および、電力変換回路の動作を制御する変換制御部を一体的に備え、ドライバ部と別体に形成されているとともに、入力電圧により起動可能な制御素子と；力率改善回路の電流検出抵抗器の低圧側に配置されこの力率改善回路、ドライバ部および制御素子のそれぞれのグランド電位が接続された１点グランド部と；を具備しているものである。
【０００８】
力率改善回路は、例えばスイッチング素子を備えた昇圧チョッパ回路などが用いられる。この力率改善回路は、電力変換回路から見た入力供給手段であり、直流電圧を出力して、これを電力変換回路に入力電圧として印加する。
【０００９】
電力変換回路は、例えばインバータ回路の他に、コンデンサとインダクタとを直列に接続した共振回路などを備え、インバータ回路を、共振回路における共振点近傍の周波数領域で発振動作するように制御することが好ましい。
【００１０】
負荷は、例えば蛍光ランプなどの放電ランプが好適であるが、これに限定されるものではない。
【００１１】
ドライバ部は、例えば電力変換回路のスイッチング素子をスイッチング駆動するハイサイドドライバなどが用いられる。
【００１２】
制御素子は、例えば表面実装型のＩＣ、あるいはマイコンとして力率改善回路の制御用の力率改善制御部および電力変換回路の制御用の変換制御部などを集積化した集積回路である。
【００１３】
１点グランド部は、例えば力率改善回路、ドライバ部および制御素子の各制御部などのグランド電位が一点に集中的に纏められて配線される部分である。
【００１４】
請求項２記載の照明器具は、請求項１記載の電源装置と；負荷としての放電ランプが取り付けられる器具本体と；を具備しているものである。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１記載の電源装置によれば、力率改善制御部および変換制御部を一体的とした制御素子を、ドライバ部と別体に形成することにより、力率改善回路のスイッチング素子と力率改善制御部との距離、および、電力変換回路のスイッチング素子と変換制御部との距離を短くできるので、配線パターンおよび部品の配置の自由度が向上するとともに、力率改善回路、ドライバ部および制御素子のそれぞれのグランド電位を力率改善回路のスイッチング素子の出力側に接続された電流検出抵抗器の低圧側の１点グランド部に接続することにより、制御素子のグランド端子数を低減して制御素子を小型化できるとともに、グランド電位のばらつきに起因するノイズの影響をより確実に低減できる。
【００１６】
請求項２記載の照明器具によれば、請求項１記載の電源装置を備えることで、その効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態を示す電源装置の回路図である。
【図２】同上電源装置の基板の一主面側を模式的に示す斜視図である。
【図３】同上基板の裏面側を模式的に示す平面図である。
【図４】同上電源装置のコモンモードチョークおよび整流素子を模式的に示す側面図である。
【図５】同上電源装置の制御素子の平面図である。
【図６】同上電源装置を備えた照明器具の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は電源装置の回路図、図２は電源装置の基板の一主面側を模式的に示す斜視図、図３は基板の裏面側を模式的に示す平面図、図４は電源装置のコモンモードチョークおよび整流素子を模式的に示す側面図、図５は電源装置の制御素子の平面図、図６は電源装置を備えた照明器具の斜視図である。
【００２０】
図１に示すように、電源装置すなわち電子安定器としての熱陰極形放電ランプ点灯装置である放電ランプ点灯装置10は、電源部11の出力側に、この電源部11からの直流出力(直流電圧)を昇圧する力率改善(ＰＦＣ)回路12が電気的に接続され、この力率改善回路12の出力側に、この力率改善回路12からの直流出力(直流電圧)を高周波交流電圧に変換して出力するインバータ回路13が電気的に接続され、このインバータ回路13の出力側に、このインバータ回路13の出力周波数に応じた電圧を出力する共振回路14が電気的に接続され、この共振回路14の出力側に負荷としての例えば熱陰極形蛍光ランプなどの放電ランプFLが着脱可能に装着される。また、この放電ランプ点灯装置10は、力率改善回路12、インバータ回路13および共振回路14を制御する制御素子16を備え、この制御素子16には、インバータ回路13の駆動用のドライバ部であるドライブ素子17が電気的に接続されている。そして、この放電ランプ点灯装置10は、図２および図３に示す長尺状の基板Ｂにそれぞれ実装されている。
【００２１】
図１に示す電源部11は、例えば１００Ｖ〜２４２Ｖなどの交流の電源ｅに対して、過電流保護用のヒューズFUおよびノイズフィルタ回路18が接続され、このノイズフィルタ回路18の出力側にブリッジダイオードなどの整流用の整流素子である全波整流素子RECが接続されて構成されている。
【００２２】
ノイズフィルタ回路18は、コンデンサC1、コモンモードチョークL1およびコンデンサC2によって構成されたラインフィルタである。そして、このノイズフィルタ回路18は、力率改善回路12およびインバータ回路13などから発生する高周波ノイズを電源ｅ側へと出力させないためのものである。
【００２３】
コンデンサC1，C2は、図２に示すように、基板Ｂの一主面である表面BaにてコモンモードチョークL1に隣接して、基板Ｂの長手方向の一端側寄りにそれぞれ実装されている。
【００２４】
コモンモードチョークL1は、図２および図４に示すように、対をなす(一対の)巻線L1a，L1bを有する平面視で長方形状のコア21と、このコア21が搭載された絶縁性の平面視で長方形状のベース部22とを有し、巻線L1a，L1bに対してそれぞれ電気的に接続された対をなす(二対の)リード23a，23b，24a，24bがベース部22から下方に突出している。また、このコモンモードチョークL1は、基板Ｂの表面Baに、長手方向をこの基板Ｂの長手方向に沿わせた状態で実装されている。さらに、一方のリード23a，24aは、図１に示すように、それぞれコンデンサC1すなわち電源ｅ側に電気的に接続され、他方のリード23b，24bは、コンデンサC2と全波整流素子RECの入力側にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２５】
ここで、図４に示すように、リード23a，23b，24a，24bは、長方形の頂点の位置に対応するようにそれぞれ配置されており、異極のリード23a，24a(リード23b，24b)間のピッチP1は、コア21の長さ寸法である長手寸法D1よりも大きい所定値に設定されている。すなわち、コモンモードチョークL1は、電源部11(図１)の出力に応じたインダクタンスの種類などに拘らず、一定のリード23a，24a間(リード23b，24b間)ピッチP1を有している。このピッチP1は、例えば各機種に使用されるコモンモードチョークL1のうち、電流定格が最も大きいコア21を用いる場合のリード23a，24a間(リード23b，24b間)ピッチに統一されている。
【００２６】
また、図１に示す全波整流素子RECは、図示しないダイオードなどの複数の整流素子が長方形状にパッケージ化された表面実装型の素子であり、図３に示すように、コモンモードチョークL1の他主面である裏面Bbにて基板Ｂに実装されており、コモンモードチョークL1のリード23a，24a間(リード23b，24b間)に位置している。具体的に、全波整流素子RECは、平面視で長方形状に形成された素子本体26と、この素子本体26の四隅近傍から突出する入力端子27a，27bおよび出力端子28a，28bを備えている。そして、この全波整流素子RECは、電源部11の出力に応じて内部の素子の耐圧などが変更されているのみで、素子本体26の外形寸法、および、各端子27a，27b，28a，28bの配置などは電源部11の出力に拘らず一定となっている。さらに、この全波整流素子RECを含むコモンモードチョークL1の裏面Bb側には、図示しない放熱用の樹脂が塗布されている。
【００２７】
また、図１に示す力率改善回路12は、例えば昇圧チョッパ回路であり、この力率改善回路12は、全波整流素子RECの出力側に、インバータ回路13との間に昇圧用のトランスであるチョッパチョークL2と逆阻止用のダイオードＤとの直列回路が電気的に接続されているとともに、チョッパチョークL2とダイオードＤのアノードとの接続点にスイッチング素子としての第１スイッチング素子、すなわちチョッピング用スイッチング素子である電界効果トランジスタ(ＦＥＴ)Q1が電気的に並列に接続されて、かつ、ダイオードＤのカソードとインバータ回路13との接続点に、抵抗器R1，R2の直列回路と平滑用のコンデンサである電解コンデンサC3との並列回路が電気的に接続されている。
【００２８】
チョッパチョークL2は、一次巻線L2aと二次巻線L2bとを有し、一次巻線L2aが全波整流素子RECの出力側とダイオードＤのアノードとの間に電気的に接続されているとともに、二次巻線L2bの一端側がグランド電位に電気的に接続され、他端側が制御素子16に電気的に接続されている。したがって、制御素子16には、チョーク電圧Ｖが入力されている。また、このチョッパチョークL2は、図２に示すように、基板Ｂの表面Baの一端側寄りの位置に実装されている。
【００２９】
電界効果トランジスタQ1は、ドレイン端子がチョッパチョークL2とダイオードＤのアノードとの接続点に電気的に接続されているとともに、出力側であるソース端子がスイッチング電流IDの検出用の電流検出抵抗器R3を介してグランド電位に電気的に接続され、かつ、制御端子であるゲート端子が制御素子16に電気的に接続されている。また、この電界効果トランジスタQ1は、図２に示すように、基板Ｂの表面Baにて、この基板Ｂの長手方向の中心よりも一端側寄りの位置に、放熱板HSに熱的に接続された状態で実装されている。そして、この電流検出抵抗器R3とグランド電位との接続点は、図１に示すように、力率改善回路12の全てのグランド電位が集中的に接続される１点グランド部Ｇとなっている。
【００３０】
電解コンデンサC3は、図２に示すように、基板Ｂの表面Baにて、この基板Ｂの長手方向の中心よりも他端側寄りの位置に実装されている。
【００３１】
また、図１に示すインバータ回路13は、スイッチング素子としての第２スイッチング素子、すなわちインバータ用のスイッチング素子である電界効果トランジスタQ2，Q3が電気的に直列に接続された、いわゆるハーフブリッジ型のものである。
【００３２】
電界効果トランジスタQ2，Q3は、制御端子であるゲート端子がドライブ素子17に電気的に接続されており、このドライブ素子17から供給される信号によってオンオフが制御される。また、これら電界効果トランジスタQ2，Q3は、図３に示すように、基板Ｂの裏面Bbにて、この基板Ｂの長手方向の他端寄りの位置にそれぞれ実装されている。
【００３３】
図１に示す共振回路14は、電界効果トランジスタQ3の両端に電気的に接続された直流カット用のコンデンサC4と、インダクタとしてのバラストチョークである共振インダクタンスL3の一次巻線との直列回路を備えるとともに、この共振インダクタンスL3の一次巻線の出力側に、放電ランプFLと並列にコンデンサである共振コンデンサC5が電気的に接続され、放電ランプFLの放電ランプ電圧の検出用の抵抗器R4，R5の直列回路が電気的に接続され、かつ、これら抵抗器R4，R5の接続点が制御素子16と電気的に接続されている。そして、これら共振回路14およびインバータ回路13などにより、電力変換回路31が構成されている。
【００３４】
共振インダクタンスL3は、図２に示すように、基板Ｂの表面Baにて、この基板Ｂの長手方向の他端寄りの位置に実装されている。
【００３５】
また、図１に示す放電ランプFLは、各フィラメントFLa，FLbに対して、図示しない予熱回路が電気的に接続されている。
【００３６】
そして、制御素子16は、例えば表面実装型のいわゆるＩＣ(集積回路)であり、力率改善回路12と電気的に接続される力率改善制御部33、抵抗器R4，R5などを介して検出した負荷電圧(負荷電流)である放電ランプ電圧(放電ランプ電流)などに基づきインバータ回路13および共振回路14などの電力変換回路31の動作状態を検出する状態検出部34、および、この状態検出部34により検出した動作状態に基づいてインバータ回路13の電界効果トランジスタQ2，Q3の動作制御用の周波数信号Ｐを生成してドライブ素子17へと出力する発振制御部35などを内部に一体に備えている。
【００３７】
なお、制御素子16が各部33，34，35などを一体に備えるとは、これらが制御素子16において集積化していることをいう。
【００３８】
また、制御素子16は、各部33，34，35などを長方形状にパッケージ化した図５に示す制御素子本体37と、この制御素子本体37の両長辺37a，37bに配置された端子部38とを有している。そして、この制御素子16は、図２および図３に示すように、電界効果トランジスタQ1(図１)および電解コンデンサC3の間のこれらに近接した位置で、基板Ｂの裏面Bbにて、この基板Ｂの長手方向および幅方向の略中心位置に、長手方向を基板Ｂの長手方向に沿わせた状態で実装されている。
【００３９】
ここで、図５に示す端子部38は、所定の等間隔で互いに配置された複数の端子(ピン)41を備えており、これら端子41は、制御素子本体37の一方の長辺37aに位置する端子41と他方の長辺37bに位置する端子41とが、制御素子本体37の幅方向に略対称な位置となっている。また、この端子部38には、制御素子本体37の一方の長辺37a側でかつ制御素子本体37の長手方向の端部、すなわち制御素子本体37の角部近傍に、電源入力端子42を備え、制御素子本体37の他方の長辺37b側でかつ制御素子本体37の長手方向の中心寄りの位置に、グランド端子43を備えている。
【００４０】
また、グランド端子43は、図１に示す制御素子16の各部33，34，35などのグランド電位を１つに纏めたものであり、上記１点グランド部Ｇと電気的に接続されることにより、制御素子16のグランド電位を、放電ランプ点灯装置10のグランド電位に固定するように構成されている。
【００４１】
また、力率改善制御部33は、電源部11側の入力電圧、直流出力電圧、チョーク電圧Ｖおよび電界効果トランジスタQ1に流れるスイッチング電流IDなどの所定の信号に基づいて、電界効果トランジスタQ1のスイッチングパルスであるチョッピング用周波数信号PCを生成して出力する機能を有している。
【００４２】
状態検出部34は、例えば抵抗器R4，R5などを介して検出した放電ランプ電流(放電ランプ電圧)に基づく放電ランプFLの状態(電力変換回路31の状態)に応じて、発振制御部35を介してドライブ素子17を制御可能に構成されている。
【００４３】
また、発振制御部35は、状態検出部34により検出した放電ランプFLの点灯状態に基づいて、所定の周波数を有する周波数信号Ｐを生成する機能を有している。
【００４４】
そして、これら状態検出部34および発振制御部35などにより、電力変換回路31の動作を制御する変換制御部46が構成されている。すなわち、この変換制御部46により、インバータ回路13の制御、放電ランプFLの始動シーケンスおよび回路保護などの電力変換回路31の全体の制御が可能となる。
【００４５】
また、ドライブ素子17は、制御素子16の発振制御部35から供給される調光用の周波数信号Ｐに応じて、数十ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ程度の周波数、例えば５０ｋＨｚ以上で電界効果トランジスタQ2，Q3を交互にオンオフする(スイッチング駆動する)ことで、電界効果トランジスタQ3のドレイン−ソース間に所定の高周波交流を発生させるものであり、制御素子16と別体に形成されている。さらに、このドライブ素子17は、グランド電位が上記１点グランド部Ｇに電気的に接続されている。そして、このドライブ素子17は、図３に示すように、基板Ｂの裏面Bbにて、長手方向の他端寄りである電界効果トランジスタQ2，Q3の近傍に実装されている。
【００４６】
そして、図６に示すように、このように構成された放電ランプ点灯装置10は、電気機器としての照明器具に適用できる。この照明器具は、放電ランプ点灯装置10が配置された器具本体51、この器具本体51の両端に直管形の放電ランプFLが装着されるソケット52などを備えている。
【００４７】
次に、上記一実施の形態の動作を説明する。
【００４８】
放電ランプ点灯装置10を起動させると、図１に示すように、力率改善回路12の電解コンデンサC3の高圧側から制御素子16の電源入力端子42へと電力が供給され、制御素子16が起動する。
【００４９】
そして、制御素子16が力率改善制御部33によりチョッピング用周波数信号PCを生成して電界効果トランジスタQ1をスイッチング動作させることにより、電源部11で整流された入力電圧の位相を、力率改善回路12で入力電流の位相と合わせて力率を改善する。
【００５０】
具体的に、電界効果トランジスタQ1がオンされると、チョッパチョークL2(ダイオードＤ)に直線的に増加する電流が流れることで、このチョッパチョークL2の二次巻線L2bにチョーク電流が流れ、チョッパチョークL2に電磁的エネルギが蓄積される。力率改善制御部33は、検出したスイッチング電流IDが所定値になると、オフのチョッピング用周波数信号PCを電界効果トランジスタQ1のゲート端子に出力してこの電界効果トランジスタQ1をオフする。この結果、チョッパチョークL2に蓄積された電磁的エネルギが放出され、チョッパチョークL2(ダイオードＤ)に直線的に減少する電流が流れる。
【００５１】
この力率改善回路12から出力された出力電圧は、電解コンデンサC3によって平滑されて直流電圧となり、電力変換回路31のインバータ回路13へと入力する。このインバータ回路13では、制御素子16の発振制御部35により生成された周波数信号Ｐによってドライブ素子17が駆動されることにより、電界効果トランジスタQ2，Q3が、例えば５０ｋＨｚなどの所定の周波数でオンオフ動作するため、入力された直流電圧が高周波交流電圧に変換される。
【００５２】
この高周波交流電圧により、共振回路14が共振して共振電流が流れ、また、予熱回路により放電ランプFLのフィラメントFLa，FLbが予熱される。
【００５３】
そして、フィラメントFLa，FLbの予熱によりフィラメントFLa，FLb間に所定の始動電圧が印加されて放電ランプFLが点灯(始動)し、この放電ランプFLが定常点灯される。
【００５４】
このとき、電力変換回路31では、抵抗器R4，R5を介して状態検出部34により検出された放電ランプ電流(放電ランプ電圧)などに基づき、発振制御部35からドライブ素子17へと供給される周波数信号Ｐを生成することにより、インバータ回路13の駆動周波数を可変させ、放電ランプ電流(放電ランプ電圧、放電ランプ電力)が所定の目標値となるようにフィードバック制御がなされる。
【００５５】
以上のように、力率改善制御部33および変換制御部46を一体的とした制御素子16を、ドライブ素子17と別体に形成することにより、力率改善回路12の電界効果トランジスタQ1と力率改善制御部33との距離、および、インバータ回路13の電界効果トランジスタQ2，Q3と変換制御部46との距離をそれぞれ短くできるので、配線パターンの配置の自由度が向上するとともに、力率改善回路12、ドライブ素子17および制御素子16のそれぞれのグランド電位を力率改善回路12の電界効果トランジスタQ1の出力側、具体的には電流検出抵抗器R3の低圧側の１点グランド部Ｇに接続することにより、制御素子16のグランド端子数を低減して制御素子16を小型化できるとともに、グランド電位のばらつきに起因するノイズの影響を低減でき、さらには、１点グランド部Ｇを電解コンデンサC3と離間しているので、実装しやすく、構成の自由度が向上する。
【００５６】
すなわち、力率改善制御部33およびドライブ素子17は、各電界効果トランジスタQ1，Q2，Q3の近傍に位置することが安定動作上好ましい。しかしながら、力率改善制御部、変換制御部およびドライバ回路などを一体に集積する従来例の構成の場合、制御素子の大きさが大きくなってしまい、接続される部分までの距離が大きくなる。このため、上記一実施の形態では、力率改善制御部33および変換制御部46のみを制御素子16に配置し、ドライブ素子17を別体としているので、力率改善制御部33を電界効果トランジスタQ1に接近させた位置とし、ドライブ素子17を各電界効果トランジスタQ2，Q3に接近させた位置とすることができるため、これら電界効果トランジスタQ1，Q2，Q3への供給電流がお互いのノイズによる相互干渉をしにくい配置とすることができ、安定動作が可能になる。
【００５７】
また、上記従来例の構成の場合、電界効果トランジスタへの供給電流が相互干渉をしやすいようにグランド端子の工夫が必要になる、例えば電力系と制御系(ロジック系)とで制御素子16においてグランドを別々とし、電解コンデンサC3と電界効果トランジスタQ1とを電力系のグランドとし、制御系のグランドを電力系のグランドに１点グランドとしたり、電力系のグランドをインバータ回路13の電界効果トランジスタQ3のソース端子側に形成し、制御系のグランドを別に構成して、それぞれ１点グランドとした後、これらを力率改善回路12側の１点グランドと接続したりする必要があるのに対して、上記一実施の形態では、ドライブ素子17が制御素子16に組み込まれていないため、制御素子16はグランド端子43が１つのみで済み、全体としての省端子化(省ピン化)が可能になり、グランド本数やパターン構成によって基板Ｂ(放電ランプ点灯装置10)が大型化することを防止できる。
【００５８】
特に、力率改善回路12の電界効果トランジスタQ1には最も大きな電流が流れるので、この電界効果トランジスタQ1の出力側、本実施の形態では電流検出抵抗器R3の低圧側に１点グランド部Ｇを取ることにより、グランド電位のばらつきに起因するノイズを最小限とすることができる。
【００５９】
さらに、基板Ｂの表面Baに実装されたコモンモードチョークL1の対をなすリード23a，24a間(リード23b，24b間)にて基板Ｂの裏面Bbに、全波整流素子RECを実装することにより、全波整流素子RECの実装スペースを確保でき、高密度実装が可能になるとともに、コモンモードチョークL1のコア21は小型のものを用いることができる。
【００６０】
しかも、電源部11の出力に拘らず、コモンモードチョークL1のリード23a，24a間(リード23b，24b間)の距離を、電流定格が最も大きいコア21を用いるものに共通化することにより、基板Ｂに形成するリード23a，24a，23b，24bの実装用の孔部の配置を電源部11の出力の種類に対応した基板Ｂ毎に変える必要がなく、共通の基板Ｂで電源部11の出力が異なる製品に対応できる。
【００６１】
そして、コモンモードチョークL1には電源ｅからの入力電流が略そのまま流れ発熱が大きいものの、基板ＢのコモンモードチョークL1の背面側の位置すなわち裏面Bbの１箇所に放熱用の樹脂を塗布するだけでコモンモードチョークL1および全整流素子RECを容易に放熱可能となる。
【００６２】
なお、上記一実施の形態において、電源部11、インバータ回路13および共振回路14などのそれぞれの細部の構成は、上記構成および制御に限定されるものではない。
【００６３】
また、負荷としては、放電ランプだけでなく、他の様々な負荷を用いることができる。
【符号の説明】
【００６４】
10    電源装置としての放電ランプ点灯装置
12    力率改善回路
16    制御素子
17    ドライバ部であるドライブ素子
31    電力変換回路
33    力率改善制御部
46    変換制御部
51    器具本体
FL    負荷としての放電ランプ
Ｇ    １点グランド部
Q1，Q2，Q3    スイッチング素子としての電界効果トランジスタ
R3    電流検出抵抗器
【図１】
0005464328.tif 000002
【図２】
0005464328.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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