(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層を含む熱アシスト磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とするＨＣＰ構造を有し、（１１・０）面を基板面と平行とした配向をとっていることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項２】
Ｒｕを主成分とする下地層が、ＲｕＡｌ、ＲｕＣｏ、ＲｕＮｉ、ＲｕＭｎ、ＲｕＣｒ、ＲｕＶ、ＲｕＭｏ、ＲｕＷ、ＲｕＴｉ、ＲｕＴａ、ＲｕＺｒ、ＲｕＣｕ、ＲｕＳｉ、ＲｕＢ合金の何れかであることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項３】
Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が５Ｐａ以上のＡｒガス雰囲気中でのスパッタリング法で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項４】
Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層上に、ＭｇＯ下地層が形成されており、該ＭｇＯ下地層上に磁性層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項５】
Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とするＢＣＣ構造の合金からなる下地層上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項６】
Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造の合金が、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ、ＣｒＭｎ、ＣｒＷ合金の何れかであることを特徴とする請求項５に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項７】
Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が、Ｂ２構造を有するＮｉＡｌ、もしくはＲｕＡｌ合金下地層上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項８】
磁性層がＬ１０構造を有するＦｅＰｔ、もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項９】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が請求項１乃至８の何れか１項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱アシスト磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
媒体に近接場光等を照射して表面を局所的に加熱し、媒体の保磁力を低下させて書き込みを行う熱アシスト記録は、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度を実現できる次世代記録方式として注目されている。熱アシスト記録を用いた場合、室温における保磁力が数十ｋＯｅの記録媒体でも、現状ヘッドの記録磁界により容易に書き込みを行うことができる。このため、記録層に１０６  Ｊ／ｍ３台の高い結晶磁気異方性Ｋｕを有する材料を使用することが可能となり、熱安定性を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ以下まで微細化できる。このような高Ｋｕ材料としては、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金（Ｋｕ〜７×１０６  Ｊ／ｍ３）や、ＣｏＰｔ合金（Ｋｕ〜５×１０６  Ｊ／ｍ３）等が知られている。
【０００３】
磁性層に、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金を用いる場合、該ＦｅＰｔ層は（００１）配向をとっている必要がある。これは、下地層に適切な材料を用いることによって実現できる。例えば、特許文献１にはＭｇＯ下地層を用いることによって、ＦｅＰｔ磁性層が（００１）配向を示すことが示されている。また、非特許文献１には、ＲｕＡｌ下地層を用いることにより、ＦｅＰｔ磁性層が（００１）配向を示すことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３５３６４８
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ９７，  １０Ｈ３０１  （２００５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
熱アシスト記録媒体において、媒体ノイズを低減するには、磁性粒子間の交換結合を十分に低減し、磁気クラスターサイズを低減する必要がある。交換結合を低減するには、磁性層にＳｉＯ２やＣ等の粒界偏析材料を添加することが望ましい。しかし、粒界偏析材料を多量に添加すると、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金の規則度が劣化し、Ｋｕが低下する。このため、粒界偏析材料を多量に添加することなく、磁性粒子間の交換結合を低減する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とするＨＣＰ構造を有する合金であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いることによって解決できる。すなわち、本願発明は次の構成による。
【０００８】
（１）基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層を含む熱アシスト磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とするＨＣＰ構造を有する合金であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（２）Ｒｕを主成分とする下地層が、ＲｕＡｌ、ＲｕＣｏ、ＲｕＮｉ、ＲｕＭｎ、ＲｕＣｒ、ＲｕＶ、ＲｕＭｏ、ＲｕＷ、ＲｕＴｉ、ＲｕＴａ、ＲｕＺｒ、ＲｕＣｕ、ＲｕＳｉ、ＲｕＢ合金の何れかであることを特徴とする（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３）Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が（１１・０）面を基板面と平行とした配向をとっていることを特徴とする（１）または（２）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（４）Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が５Ｐａ以上のＡｒガス雰囲気中でのスパッタリング法で形成されていることを特徴とする（１）乃至（３）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５）Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層上に、ＭｇＯ下地層が形成されており、該ＭｇＯ下地層上に磁性層が形成されていることを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（６）Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とするＢＣＣ構造の合金からなる下地層上に形成されていることを特徴とする（１）乃至（５）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（７）Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造の合金が、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ、ＣｒＭｎ、ＣｒＷ合金の何れかであることを特徴とする（６）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（８）Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層が、Ｂ２構造を有するＮｉＡｌ、もしくはＲｕＡｌ合金下地層上に形成されていることを特徴とする（１）乃至（５）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（９）磁性層がＬ１０構造を有するＦｅＰｔ、もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする（１）乃至（８）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（１０）磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が（１）乃至（９）の何れか１項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、高いＬ１０規則度を有し、かつ、磁性粒子間の交換結合が十分に低減された磁性粒子からなる熱アシスト記録媒体が実現され、これを用いた磁気記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を表す図
【図２】本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を表す図
【図３】本発明の磁気ヘッドを表す図
【図４】本発明の磁気記録媒体のＡｒガス圧とＳＮＲの関係を表す図
【図５】本発明の磁気記憶装置の傾視図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本願発明の熱アシスト磁気記録媒体は、基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層を含み、該下地層の少なくとも一つが、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とするＨＣＰ構造を有する合金であることを特徴とする。
【００１２】
Ｒｕ下地層は、ＣｏＣｒＰｔ合金と酸化物からなるグラニュラー磁性層の下地層として広く用いられている。この場合、Ｒｕ下地層は（００・１）配向をとっている。ＣｏＣｒＰｔ合金はＲｕと同じＨＣＰ構造を有し、格子定数も比較的近い。よって、（００・１）配向したＲｕ下地層の上にＣｏＣｒＰｔ合金を形成することにより、該ＣｏＣｒＰｔ合金がエピタキシャル成長により、良好な（００・１）配向を示す。これが、ＣｏＣｒＰｔ合金磁性層を用いた現行の垂直記録媒体でＲｕ下地層が広く使用されている理由である。
【００１３】
一方、磁性層にＬ１０構造を有する合金、例えばＦｅＰｔ合金等を用いる場合、上記Ｒｕ下地層を使用することは困難と考えられていた。これは、Ｌ１０−ＦｅＰｔ合金の（００・１）面は、４回対称の正方形であるため、六回対称のＲｕ（００・１）面上にエピタキシャル成長しないと考えられていたためである。
【００１４】
ここでＲｕ下地層を、スパッタリング法を用いて５Ｐａ以上の高ガス圧で形成することにより、Ｒｕ結晶粒の初期成長部よりも上層部（先端部）が細くなったｄｏｍｅ形状のＲｕ結晶粒を形成することができる。これは、自己陰影効果によるものであるが、これにより、隣接するＲｕ結晶粒間に深い溝が形成され、Ｒｕ下地層表面の凹凸が大きくなる。本願発明者は、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層を、前期Ｒｕ下地層上に形成することにより、磁性粒子間にも溝が形成され、これにより粒子間の交換結合を低減できることを見いだした。これにより、磁気クラスターサイズが低減され、低ノイズな熱アシスト媒体を得ることができる。
【００１５】
Ｒｕ下地層は、Ａｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｂ等の元素を含有していても良い。Ｒｕ合金がＨＣＰ構造を維持できる範囲内であれば、上記元素の含有量に特に制限はないが、より顕著な凹凸を形成するため、添加量は３０ａｔ％（原子％）以下が望ましい。
【００１６】
また、Ｌ１０−ＦｅＰｔ合金に（００１）配向をとらせるため、Ｒｕ下地層は（１１・０）配向をとっていることが望ましい。Ｒｕに（１１・０）配向をとらせるには、例えば、Ｃｒ下地層を１５０〜３００℃の高温で作製し、該Ｃｒ下地層上にＲｕ下地層を形成すればよい。高温で形成されたＣｒ下地層は、（１００）配向をとるため、該Ｃｒ下地層上にＲｕ下地層を形成することにより、該Ｒｕ下地層がエピタキシャル成長によって、（１１・０）配向を示す。Ｃｒ下地層の代わりに、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ、ＣｒＭｎ、ＣｒＷ等のＢＣＣ構造を有するＣｒ合金を用いても良い。Ｒｕ下地層に（１１・０）配向をとらせるための、Ｃｒ、もしくはＣｒ合金下地層を、以後、配向制御層と記す。配向制御層にＣｒ合金を用いる場合、該Ｃｒ合金に含まれるＴｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ等の添加元素の含有量は、概ね４０ａｔ％以下が望ましい。４０ａｔ％を上回ると、配向制御層の（１００）配向が劣化するため、好ましくない。
【００１７】
また、配向制御層として、Ｂ２構造を有するＮｉＡｌ合金、もしくはＲｕＡｌ合金を用いても良い。ＮｉＡｌ合金、もしくはＲｕＡｌ合金を概ね１５０℃以上の高温で形成した場合、（１００）配向を示す。よって、該ＮｉＡｌ合金、もしくはＲｕＡｌ合金からなる配向制御層の上にＲｕを形成することにより、該Ｒｕに（１１・０）配向をとらせることができる。
【００１８】
配向制御層と、Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層の間に、格子ミスフィットを緩和するためのミスフィット緩和層を形成してもよい。これにより、磁性層の配向性が改善され、Ｈｃを更に高くすることができる。ミスフィット緩和層には、ＢＣＣ構造、もしくはＨＣＰ構造を有する合金を用いことができる。ミスフィット緩和層にＢＣＣ構造の合金を用いる場合、該ＢＣＣ合金の格子定数ａＢＣＣは、配向制御層の格子定数をａ１、Ｒｕ、もしくはＲｕ合金のａ軸の格子定数をａ２とすると、ａ１  ＜  ａＢＣＣ  ＜  １．２２ａ２であることが望ましい。また、ミスフィット緩和層にＨＣＰ構造の合金を用いる場合、該ＨＣＰ合金のａ軸の格子定数ａＨＣＰは、ａ１  ＜  １．２２ａＨＣＰ  ＜  １．２２ａ２であることが望ましい。配向制御層には、例えば、ＭｏＣｒ、ＭｏＶ、ＷＣｒ、ＷＶ、ＷＭｏ等のＢＣＣ合金や、ＲｕＣｏ、ＲｕＣｒ等のＨＣＰ合金を用いることができる。
【００１９】
Ｌ１０−ＦｅＰｔ合金からなる磁性層は、Ｒｕ、もしくはＲｕ下地層上に直接形成してもよいが、Ｒｕ、もしくはＲｕ下地層上にＭｇＯ下地層を形成し、該ＭｇＯ下地層上に形成してもよい。Ｒｕ下地層と、磁性層間にＭｇＯを導入することにより、下地層中の元素が磁性層中に拡散するのを防ぐことができる。但し、ＭｇＯ層を厚くしすぎると、表面の凹凸が低下するため、ＭｇＯ膜厚は５ｎｍ以下、望ましくは３ｎｍ以下が好ましい。
【００２０】
磁性層には、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金、もしくはＣｏＰｔ合金を用いることができる。磁性層は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることが望ましい。上記酸化物、もしくは元素が磁性結晶粒を分断したグラニュラー構造をとらせることによって、磁性粒子間の交換結合を低減できると同時に、磁性結晶粒を微細化できる。
【００２１】
Ｃｒ、もしくはＣｒ合金下地層（配向制御層）と基板の間に、密着性を改善するための密着層を設けても良い。また、ヒートシンク層として、熱伝導率の高いＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、もしくはこれらの合金層を設けても良い。また、書き込み能力を改善するため、軟磁性下地層（ＳＵＬ）を形成しても良い。ＳＵＬとしては、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒＴａ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＺｒＢ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ等を用いることができる。ＳＵＬは上記軟磁性合金単層としても良いし、Ｒｕを介して反強磁性結合した積層膜でもよい。
【実施例】
【００２２】
（実施例１）
図１に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。ガラス基板１０１、Ｃｏ−５０ａｔ％Ｔｉシード層１０２、Ｃｏ−３ａｔ％Ｎｂ−５ａｔ％Ｚｒ軟磁性下地層（ＳＵＬ）１０３、Ｃｒ−２０ａｔ％Ｖ下地層１０４、Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層１０５、（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ）−１２ｍｏｌ％ＴｉＯ２磁性層１０６、Ｆｅ−３０ａｔ％Ｎｉキャップ層１０７、ＤＬＣ保護膜１０８が順次形成されている。シード層からキャップ層までの成膜はスパッタリング法、ＤＬＣ保護膜はイオンビーム法を用いた。Ｒｕ合金には、ＲｕＡｌ、ＲｕＣｏ、ＲｕＮｉ、ＲｕＭｎ、ＲｕＣｒ、ＲｕＶ、ＲｕＭｏ、ＲｕＷ、ＲｕＴｉ、ＲｕＴａ、及びＲｕＺｒ合金を用いた。ＣｒＶ合金下地層の（１００）配向化を促進するため、該下地層形成前に、１５０〜３００℃の基板加熱を行うことが望ましいが本実施例では２８０  ℃で加熱を行った。また、磁性層の規則度改善のため、磁性層形成前に４００℃以上の基板加熱を行った。Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層は、５Ｐａ以上、望ましくは１０Ｐａ以上のＡｒガス雰囲気中で形成することが好ましいが、本実施例では、１２Ｐａで形成した。
また、上記媒体と同一層構成で、Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層を形成しない（ｗ／ｏ  Ｒｕ）媒体を比較例１として作製した。
【００２３】
本実施例媒体のＸ線回折測定を行ったところ、ＣｒＶ下地層のＢＣＣ（１００）配向、Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層のＨＣＰ（１１・０）配向、磁性層のＬ１０（００１）配向が確認できた。表１に本実施例媒体の保磁力Ｈｃ、磁性層の平均粒径＜Ｄ＞、及びクラスターサイズＤｎを示す。ここで、平均粒径は、ＴＥＭ観察により見積もった。また、クラスターサイズは、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇｎ．，  ｖｏｌ．  ２７，  ｐｐ４９７５−４９７７，  １９９１に記載の方法を用いて室温で測定した。具体的には、マイナーループ解析から見積もった反磁界係数Ｎｄと磁性膜ｔｍａｇを用いて、Ｄｎ＝ｔｍａｇ×√Ｎｄとしてクラスターサイズを算出した。尚、表には、Ｒｕ下地層を形成せず、ＣｒＶ下地層上に直接ＭｇＯ下地層を形成した比較例媒体の値も示してある。本実施例媒体は、いずれも１５ｋＯｅ以上の高いＨｃを示した。これに対し、比較例媒体のＨｃは１０．２ｋＯｅと低かった。平均粒径は、実施例、比較例共に概ね６−６．５ｎｍで大きな差はみられなかった。一方、実施例媒体のＤｎはいずれも３０ｎｍ以下であったのに対し、比較例媒体のＤｎは５６ｎｍと、実施例媒体よりも大幅に大きかった。実施例媒体と比較例媒体の平均粒径が、ほぼ同程度であったことから、実施例媒体のクラスターサイズが小さいのは、交換結合がより低減されているためと考えられる。
【００２４】
【表１】
0005561773.tif 000002
【００２５】
以上より、Ｒｕ、もしくはＲｕ合金からなる下地層を形成することにより、交換結合が低減され、クラスターサイズを低減できることが明らかになった。また、Ｒｕ合金下地層にＲｕＣｏ、ＲｕＮｉ、ＲｕＣｒを用いたときに、クラスターサイズが特に小さくなっており、これらの下地層を用いることにより、交換結合を著しく低減できることがわかった。
【００２６】
（実施例２）
図２に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。ガラス基板２０１、Ｔｉ−５０ａｔ％Ａｌシード層２０２、Ｃｕ−２ａｔ％Ｚｒヒートシンク層２０３、Ｒｕ−５０ａｔ％Ａｌ下地層２０４、Ｍｏ−２０ａｔ％Ｖ下地層２０５、Ｒｕ−２ａｔ％Ｃｕ下地層２０６、ＭｇＯ下地層２０７、（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−４５ｍｏｌ％Ｃ磁性層２０８、ＣｏＣｒＰｔキャップ層２０９、ＤＬＣ２１０が順次形成されている。シード層からキャップ層までの成膜はスパッタリング法、ＤＬＣ保護膜はイオンビーム法を用いた。ここで、ＭｏＶ下地層は、ＮｉＡｌ下地層とＲｕＣｕ下地層の格子整合性を改善するためのミスフィット緩和層である。ＲｕＡｌ下地層に（１００）配向をとらせるため、ＲｕＡｌ下地層形成前に２００℃程度の基板加熱を行った。また、磁性層の規則度改善のため、磁性層形成前に４５０℃で基板加熱を行った。本実施例では、ＲｕＣｕ下地層成膜時のＡｒガス圧を３Ｐａから２２Ｐａまで変化させた。
【００２７】
本実施例媒体のＸ線回折測定を行ったところ、ＲｕＣｕ下地層成膜時のＡｒガス圧に依らず、ＲｕＡｌ下地層のＢ２（１００）配向、ＭｏＶ下地層のＢＣＣ（１００）配向、ＲｕＣｕ合金下地層のＨＣＰ（１１・０）配向、磁性層のＬ１０（００１）配向が確認できた。
【００２８】
本実施例で作製した媒体の記録再生特性を、図３に示したヘッドを用いて評価した。ヘッドは、主磁極３０１、補助磁極３０２、磁界を発生させるためのコイル３０３、レーザーダイオードＬＤ３０４、ＬＤから発生したレーザー光３０５を近接場発生素子３０６まで伝達するための導波路３０７から構成される記録ヘッド３０８、及びシールド３０９で挟まれた再生素子３１０から構成される再生ヘッド３１１からなる。近接場光素子から発生した近接場光により媒体３１２を加熱し、媒体の保磁力をヘッド磁界以下まで低下させて記録できる。また、ＬＤ、導波路、近接場発生素子からなる加熱機構３１３を主磁極と補助磁極の間に配置しても良い。但し、この場合、主磁極のリーディング側を加熱する必要があるため、媒体の進行方向は図とは逆に右側となる。
【００２９】
上記ヘッドで評価した本実施例媒体のＳＮＲとＲｕＣｕ下地層形成時のＡｒガス圧の関係を図４に示す。ガス圧の増加と共にＳＮＲが増加し、５Ｐａ以上で１４ｄＢ以上の高いＳＮＲが得られる。ＳＮＲはガス圧増加と共に更に増加し、１０Ｐａ以上で１５ｄＢ以上の値が得られている。
【００３０】
ＲｕＣｕ下地層をＡｒガス圧３Ｐａで形成した媒体と、１０Ｐａで形成した媒体の磁性層の平均粒径を、平面ＴＥＭ観察により見積もったところ、両者の平均粒径は、それぞれ６．１ｎｍ、６．３ｎｍでほぼ同程度であった。尚、上記平面ＴＥＭ観察は、磁性層の平均粒径を精密に見積もるため、ＣｏＣｒＰｔキャップ層を形成しない媒体を作製して行った。また、実施例１で述べた手法と同様の手法で両者のクラスターサイズを見積もったところ、ＲｕＣｕ下地層をＡｒガス圧３Ｐａで形成した媒体のクラスターサイズは６２ｎｍであった。これに対して、ＲｕＣｕ下地層を１０Ｐａで形成した媒体のクラスターサイズは２２ｎｍと小さかった。このことは、後者の媒体で磁性粒子間の交換相互作用がより低減されていることを示している。また、両者の断面ＴＥＭ観察を行ったところ、１０Ｐａで形成したＲｕＣｕ下地層の方が、先端部が細くなっており、粒子間に深い溝が形成されていた。交換相互作用が低減されたのは、このためと考えられる。以上より、ＲｕＣｕ下地層形成時のＡｒガス圧を増加させることにより、磁性粒子間の交換相互作用が低減され、ＳＮＲを改善できることがわかった。ＲｕＣｕ形成時のＡｒガス圧を１０Ｐａから更に増加させてもＳＮＲに大きな変化はないが、ガス圧を過剰に増加させると、ヘッドの浮上特性等のＨＤＩ性能が劣化するため、Ａｒガス圧は４０Ｐａ以下が望ましい。
【００３１】
（実施例３）
実施例１で示した媒体（実施例媒体１．１〜１．１２）にパーフルオルポリエーテル系の潤滑剤を塗布したのち、図５に示した磁気記憶装置に組み込んだ。本磁気記憶装置は、磁気記録媒体５０１と、磁気記録媒体を回転させるための駆動部５０２と、磁気ヘッド５０３と、ヘッドを移動させるための駆動部５０４と、記録再生信号処理系５０５から構成される。磁気ヘッドは図３で示したヘッドと同一構造のヘッドを用いた。表２に１４００ｋＦＣＩの信号を記録し、記録再生特性を評価したときのＳＮＲと記録トラック幅ＭＷＷを示す。ここで、記録トラック幅はトラックプロファイルの半値幅と定義した。実施例媒体はいずれも１５ｄＢ以上の高いＳＮＲと、６０ｎｍ以下の狭いＭＷＷを示した。中でも、クラスターサイズが特に小さかった実施例媒体１．３、実施例媒体１．４、実施例媒体１．６が高いＳＮＲを示した。また、ＲｕＭｎ、ＲｕＷ、ＲｕＴａ下地層を用いた実施例媒体１．５、実施例媒体１．９、実施例媒体１．１１が特に狭いＭＷＷを示した。よって、トラック密度を上げる場合は、ＲｕＷ、ＲｕＭｏ、ＲｕＳｉ下地層を用いることが望ましいことがわかった。
【００３２】
【表２】
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【符号の説明】
【００３３】
１０１…ガラス基板
１０２…ＣｏＴｉシード層
１０３…ＣｏＮｂＺｒ軟磁性下地層
１０４…ＣｒＶ下地層
１０５…Ｒｕ、もしくはＲｕ合金下地層
１０６…ＦｅＰｔ−ＴｉＯ２磁性層
１０７…ＦｅＮｉキャップ層
１０８…ＤＬＣ保護膜
２０１…ガラス基板
２０２…ＴｉＡｌシード層
２０３…ＣｕＺｒヒートシンク層
２０４…ＲｕＡｌ下地層
２０５…ＭｏＶ下地層
２０６…ＲｕＣｕ下地層
２０７…ＭｇＯ下地層
２０８…ＦｅＰｔＣ磁性層
２０９…ＣｏＣｒＰｔキャップ層
２０１０…ＤＬＣ保護膜
３０１…主磁極
３０２…補助磁極
３０３…コイル
３０４…半導体レーザーダイオード
３０５…レーザー光
３０６…近接場光発生部
３０７…導波路
３０８…記録ヘッド
３０９…シールド
３１０…再生素子
３１１…再生ヘッド
５０１…磁気記録媒体
５０２…媒体駆動部
５０３…磁気ヘッド
５０４…ヘッド駆動部
５０５…記録再生信号処理系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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