(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メソ多孔性シリカを触媒として用いることを特徴とするアセトンからイソブチレンを製造する方法。
【請求項２】
ゼオライト又はゼオライト類似物質のうち、該ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径よりも小さな分子サイズを有する有機ケイ素化合物により酸点を不活性化処理したゼオライト又はゼオライト類似物質を触媒として用いることを特徴とするアセトンからイソブチレンを製造する方法。
【請求項３】
前記有機ケイ素化合物がメチルジエトキシシラン又はフェニルシランであることを特徴とする請求項２に記載のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
【請求項４】
前記ゼオライトがベータ型ゼオライト又はＭＦＩ型ゼオライトであることを特徴とする請求項２又は３に記載のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
【請求項５】
前記アセトンがバイオマスを原料として製造されたアセトンであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アセトンからイソブチレンを製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アセトンは、溶剤あるいは化学品製造の原料などに広く用いられている基幹化合物である。アセトンは、クメン法（クメンヒドロペルオキシドからフェノールを製造する際の副生物）あるいはプロピレンのワッカー酸化法などにより得られる。また、アセトンから製造される化学品としては、アセトンに青酸を反応させて製造したアセトンシアンヒドリン（ＡＣＨ）に、濃硫酸とメタノールを反応させて製造されるメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）が挙げられる。ＭＭＡは、透明樹脂として有用なポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）のモノマー（ＭＭＡモノマー）である。【０００３】
ＭＭＡモノマー製造については、日本を中心としたアジア地域では、イソブチレンを出発原料としたＭＭＡモノマー製造法（イソブチレン直接酸化法）が主に採用されており、イソブチレンは、アセトンとともにＰＭＭＡ製造には不可欠な原料である。現在、ＭＭＡモノマー原料としてのイソブチレンは、主に、ナフサ分解により得られるＣ４留分からブタジエンを分留した残渣であるスペントＢＢから、イソブチレンを酸触媒による水和反応によりターシャリーブタノールとして抽出した後、これを脱水することで得ている。【０００４】
前述のＡＣＨ法は、世界的には最もＭＭＡモノマー生産量が多いプロセスであるが、濃硫酸の使用による装置腐食や廃酸の処理が不可避である。そこで、ＡＣＨ法の原料であるアセトンをイソブチレンへ変換させた後、該イソブチレンからイソブチレン直接酸化法によりＭＭＡモノマーを製造できれば、ＡＣＨ法での課題を回避してアセトンをＭＭＡモノマーの原料として使用することができる。アセトンは比較的安価な化学品であり、アセトンをイソブチレンへと高効率で変換することができる触媒及び製造方法が見出せれば、アセトンも有望なイソブチレンソースとして期待できる。【０００５】
アセトンをイソブチレンに変換する研究としては、ベータ（β）ゼオライト、Ｈ−Ｙゼオライト及びＨ−ＺＳＭ−５ゼオライトを用いて、アセトンからイソブタンやイソホロンを経由してイソブチレンが生成することが報告されている（非特許文献１）。【０００６】
また、近年、再生可能な資源であるバイオマスからのエネルギー及び化学品製造技術として、バイオリファイナリー技術が世界的な注目を集めている。バイオリファイナリーとは、各種バイオマスのガス化、糖化及び抽出などにより、合成ガス、グルコースなどの糖類及びリグニンなどの芳香族化合物などを製造し、それらを多様に変換することでエネルギー及び化学品を製造しようとするものである。【０００７】
バイオリファイナリーの原料となるバイオマスは、資源作物に由来するもの、廃棄物に由来するものに大きく分けられる。資源作物に由来するバイオマスとは、食用作物、木材、草花などの他、それらの作物の未利用部分も含まれる。一方、廃棄物に由来するバイオマスとしては、食品廃棄物、下水などの汚泥、家畜糞尿、廃紙などが挙げられる。【０００８】
バイオリファイナリーにより製造される製品としては、エネルギーではエタノールやブタノール、ディーゼル油などが挙げられる。化学品においても、米エネルギー省が提唱する糖由来のコハク酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、アスパラギン酸などの基幹化合物（プラットフォーム化合物）からの派生によれば、非常に多くの化学品が製造可能である。【０００９】
アセトンもバイオマスから製造することが可能であり、汚泥をはじめとする有機廃棄物を原料とし、ジルコニウムを担持した鉄酸化物系触媒を用いて製造することができる（特許文献１）。【００１０】
イソブチレンをさらに安定して入手するために、石油精製由来のスペントＢＢ以外のイソブチレンソースを確保しておくことは、イソブチレン直接酸化法の多様性、競争力の面からも非常に重要である。したがって、バイオマスあるいはバイオマス誘導品からイソブチレンを製造する方法に期待がかかる。アセトン、イソブチレンともに、化学産業において非常に有用な化合物であり、バイオマスからそれらを製造する技術の意義は大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−６１８５２号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｇｒａｈａｍ  Ｊ．  Ｈｕｔｃｈｉｎｇｓ著、ジャーナル  オブ  キャタリシス  （Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ）、１４７巻、１７７−１８５頁、１９９４年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
非特許文献１において報告されているプロトン型のβゼオライト（Ｈ−β）やＨ−ＺＳＭ−５ゼオライトを用いたアセトンからイソブチレンへの変換反応では、反応初期のイソブチレン選択率が低いことが記載されている。反応初期においては、イソブタンが高選択的に生成し、反応時間が長くなると、炭素析出（コーキング）による触媒活性低下を伴って、イソブチレンが高選択的に生成するようになる。イソブチレンは、主に図１に示すようにアセトンが自己縮合した化合物（ジアセトンアルコール、メシチルオキシド、ホロン、イソホロンなど）が分解することにより生成すると推定されている。【００１４】
非特許文献１のＨ−βやＨ−ＺＳＭ−５の場合のように、ゼオライトの酸点にプロトンが多く存在する場合には、炭素析出により活性点の酸性質がある程度弱められ、触媒の活性が低下するまでは、高選択的にイソブチレンが生成することは期待できない。したがって、プロトン型のゼオライトでは、反応初期から高選択的にイソブチレンを製造することは困難である。一般的に、炭素析出は強い酸点で起こりやすい。このため、反応初期からイソブチレンを製造するためには、酸点の強さを適度に調節したゼオライト触媒を用いる、あるいはゼオライトよりも弱い酸点を有する触媒を用いることが有効であると考えられる。同時に、この場合炭素析出抑制の効果から、触媒寿命の延長も期待される。【００１５】
また、特許文献１の方法などによりバイオマスから製造したアセトンはバイオマス由来のアセトンであり、さらにそのアセトンをイソブチレンへ変換すれば、バイオマス由来イソブチレンが製造可能となる。そのバイオマス由来イソブチレンをもとにして、イソブチレン直接酸化法などによるバイオマス由来ＭＭＡの製造も可能である。【００１６】
本発明の目的は、アセトンからイソブチレンを反応初期から高選択率で収率よく製造する方法を提供することである。また、バイオマスから製造されるアセトンをイソブチレンに変換することで、バイオマス由来イソブチレンを製造することも本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、メソ多孔性シリカを触媒として用いることを特徴とするアセトンからイソブチレンを製造する方法である。
【００１８】
また本発明は、ゼオライト又はゼオライト類似物質のうち、該ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径よりも小さな分子サイズを有する有機ケイ素化合物により酸点を不活性化処理したゼオライト又はゼオライト類似物質を触媒として用いることを特徴とする、アセトンからイソブチレンを製造する方法である。【００１９】
さらに本発明は、前記アセトンが、バイオマスを原料として製造されたアセトンであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、アセトンからイソブチレンを反応初期から高選択率で収率よく製造できる触媒を提供することができる。また、炭素析出抑制により触媒寿命を延長させることができる。また、バイオマスから製造可能なアセトンを原料としてイソブチレンを製造する新たな製造方法を実現し、バイオマス由来イソブチレンの供給が可能となる。さらに、得られたバイオマス由来イソブチレンを用いて、ＭＭＡモノマーなどの化学品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】アセトンからイソブチレンへの変換反応において推測される反応機構を示した図である。
【図２】アルミノケイ酸塩におけるＢ酸点の形成機構を示した図である。
【図３】本実施例において用いた反応装置の概略を示す図である。
【図４】本実施例において調製した触媒のアンモニアＴＰＤによる酸点分布を示した図である。
【図５】参考例２における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図６】参考例３における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図７】参考例４における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図８】参考例５における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図９】参考例６における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１０】参考例７における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１１】参考例８における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１２】参考例９における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１３】参考例１０における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１４】参考例１１における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１５】参考例１２における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１６】実施例１２における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図１７】比較例１における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図１８】比較例２における反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率を示した図である。
【図１９】比較例３における反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を示した図である。
【図２０】有機ケイ素化合物による酸点不活性化処理（シラン接触分解法）の概略を示した図である。
【図２１】Ｓｐａｃｅ−Ｆｉｌｌｉｎｇモデルにおけるベータ型ゼオライトの細孔構造を示した図である。
【図２２】Ｓｐａｃｅ−Ｆｉｌｌｉｎｇモデルにおけるフェニルシランの分子構造を示した図である。
【図２３】Ｓｐａｃｅ−Ｆｉｌｌｉｎｇモデルにおけるビス（３，５−ジメトキシフェニル）シランの分子構造を示した図である。
【図２４】Ｓｐａｃｅ−Ｆｉｌｌｉｎｇモデルにおけるトリス（３，５−ジメチルフェニル）シランの分子構造を示した図である。
【図２５】各種有機ケイ素化合物によるＭＦＩ型ゼオライトの酸点不活性化度の相違を示した模式図である。
【図２６】本実施例において用いた有機ケイ素化合物処理装置の概略を示した図である。
【図２７】本実施例において調製した触媒のアンモニア−ＴＰＤによる酸点分布を示した図である。
【図２８】実施例１３における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図２９】実施例１４における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図３０】実施例１５における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図３１】比較例４における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【図３２】参考例１における（ａ）反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率、（ｂ）反応時間に対するオレフィン組成を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明に係るアセトンからイソブチレンを製造する方法において、用いる触媒は、カチオンによりイオン交換された酸点を有するゼオライト、カチオンによりイオン交換された酸点を有するゼオライト類似物質及びメソ多孔性シリカより選ばれる少なくとも一つの化合物である。
【００２３】
ゼオライトとは一般的に結晶性の多孔質アルミノケイ酸塩の総称であり、四面体構造である（ＳｉＯ４）４−と（ＡｌＯ４）５−を基本構造単位とし、これらが３次元的に連結することで結晶を形成する。また、アルミニウムイオン以外の３価あるいは４価の元素をケイ酸塩骨格に組み込んだメタロケイ酸塩もゼオライトに含まれる。ゼオライトの細孔の入口径は０．４〜０．８ｎｍ程度であるため、入口径よりも小さな分子は細孔内に進入できるが、大きな分子は進入できない分子ふるい作用を有する。これらは、構造及び組成が多様であるため、構造コード、生成過程、鉱物学、細孔径、細孔の次元、アルミニウム濃度、他のカチオン濃度及び構成元素などのさまざまな観点から異なる分類がなされている（ゼオライトの科学と工学、小野嘉夫・八嶋建明／編、講談社サイエンティフィック参照）。ゼオライト類似物質とは、ケイ酸塩のゼオライトと類似の構造及び酸点を有する化合物であり、リン酸塩系多孔質結晶が代表的である。
【００２４】
本発明におけるゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点は、ブレンステッド酸点であることが好ましい。一般的に、固体酸触媒における酸点の種類は、ブレンステッド酸点とルイス酸点に大きく分類される。ブレンステッド−ローリーの酸・塩基の定義によれば、ブレンステッド酸（Ｂ酸）とはプロトン（Ｈ＋）を放出する酸であり、ルイス酸（Ｌ酸）とはＨ＋の授受を伴わず、電子対の受容により酸反応を媒介する酸である。
【００２５】
ゼオライトのようなアルミノケイ酸塩においては、４価のＳｉの一部が３価のＡｌに置換されており、その電気的中性を保つために、ＳｉとＡｌを架橋するＯへのプロトン付加とＡｌ上への負電荷生成が起こり、図２に示すように架橋ＯＨ基によるＢ酸点が形成される。このＢ酸点の性質は、ゼオライトの構造、導入される金属あるいは金属イオンあるいは含有されるＡｌの量などによって異なる。ゼオライトにおけるＡｌ含有量は、２９ＳｉのＭＡＳ−ＮＭＲから、Ｓｉに対するＡｌの比（Ｓｉ／Ａｌ）を算出することで求めることができる。本発明におけるＳｉ／Ａｌには制限はないが、５〜５００であることが好ましい。
【００２６】
本発明におけるゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点は、カチオンによりイオン交換された酸点である。カチオン交換により発現する酸強度は、カチオンの種類や価数よって異なる。カチオンの価数により、カチオン１つにつき交換される酸点の数が変化し、ｎ価のカチオンを用いるとカチオン１つにつきｎ個の酸点のプロトンを交換することができる。即ち、１価のカチオンでは、カチオン／酸点＝１／１で、２価のカチオンでは、カチオン／酸点＝１／２で交換される。イオン交換に用いられるカチオンは、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウム、鉄、コバルト、銅、ニッケル、亜鉛、パラジウム、銀など、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素及び遷移金属から選ばれる、少なくとも一つの金属のイオンである。本発明においては、この中でも、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウムが好ましい。また、カチオンによりイオン交換されたゼオライト又はゼオライト類似物質は格子酸素イオンに由来する塩基性を示す場合もあり、強い酸点が必要でない一般的な酸・塩基触媒反応においては、酸点と塩基点とが協奏的に働いて触媒作用を示す。
【００２７】
ゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点プロトンのカチオンによるイオン交換手法には制限はない。例えば、ゼオライト又はゼオライト類似物質を蒸留水に分散させた溶液に、交換に用いるカチオンの硝酸塩を添加し、加熱還流を行う。加熱還流終了後、蒸留水で洗浄して風乾することで、カチオン交換ゼオライト又はゼオライト類似物質を得ることができる。必要に応じて該操作を繰り返し、カチオン交換の度合いを調節することも可能である。また、テンプレート含有ゼオライト又はゼオライト類似物質から調製する場合には、まず、焼成によりテンプレートを除去後、テンプレート除去ゼオライト又はゼオライト類似物質を蒸留水に分散させる。該分散溶液に硝酸アンモニウムを添加して加熱還流を行い、蒸留水で洗浄、風乾することにより、一度アンモニウムイオン交換ゼオライト又はゼオライト類似物質を調製する。その後、該アンモニウムイオン交換ゼオライト又はゼオライト類似物質を前述した方法と同様の方法で目的のカチオンとイオン交換することにより、カチオン交換ゼオライト又はゼオライト類似物質を調製することができる。
【００２８】
また、本発明に係るアセトンからイソブチレンを製造する方法において、用いる触媒は、その細孔径よりも小さな分子サイズを有する有機ケイ素化合物により酸点を不活性化処理したゼオライト又はゼオライト類似物質である。
【００２９】
本発明におけるゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点は、有機ケイ素化合物により不活性化処理された酸点である。ゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点は、結晶外表面、細孔入口付近及び細孔内部のいずれにも存在し、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径に対する有機ケイ素化合物の分子サイズを選択することにより、酸点の位置による不活性化処理の有無を制御可能である。一般的に、空間的制限のない結晶外表面の酸点では、芳香族生成、オレフィン消費、炭素析出などが顕著に起こると考えられる。また、細孔内部の酸点のうち、ゼオライトのクロスセクションに存在する酸点では、その酸点密度の高さから前記反応が起こりやすいと考えられる。本発明においては、これらのイソブチレン生成に好適でない外表面及び細孔内部の酸点を、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径よりも小さい分子サイズを有する有機ケイ素化合物により適切に不活性化することで、アセトンからイソブチレンを反応初期から高選択率で収率よく製造できる。
【００３０】
なお、本発明においてゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径とは、ケイ素およびアルミニウムと酸素からなる環構造の解析から求められる細孔開口部のアパーチャー径を基に、各原子のファンデルワールス半径を考慮して算出して得られる細孔径を示す。
【００３１】
また、本発明における分子サイズとは、ファンデルワールス半径をもとに算出した分子サイズを示す。本発明における代表的な原子のファンデルワールス半径は、水素（Ｈ）：０．１２ｎｍ、炭素（Ｃ）：０．１７ｎｍ、酸素（Ｏ）：０．１５２ｎｍ、ケイ素（Ｓｉ）：０．２１ｎｍである。
【００３２】
図２１に、Ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｚｅｏｌｉｔｅ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎのゼオライト構造データベースに記載のＢＥＡ型ゼオライトの結晶構造をもとにして、各原子のファンデルワールス半径を用いたＳｐａｃｅ−Ｆｉｌｌｉｎｇモデルにより示した構造を示す。占有体積を表わすファンデルワールス半径を用いると、ＢＥＡの細孔径は、一般的に用いられるＢＥＡのアパーチャー径（０．６４×０．７６ｎｍ）よりも小さく表現される。また、図２１においては、Ｔ原子は全てケイ素（Ｓｉ）とした。図２２〜２４には、フェニルシラン（図２２）、ビス（３，５−ジメトキシフェニル）シラン（図２３）およびトリス（３，５−ジメチルフェニル）シラン（図２４）の有機ケイ素化合物について、各原子のファンデルワールス半径を用いたＳｐａｃｅ−Ｆｉｌｌｉｎｇモデルによる構造を示す。
【００３３】
有機ケイ素化合物が細孔開口部に対する分子サイズを最小にする方向で細孔に接近したとき、その分子サイズが細孔径よりも小さい場合には、細孔内へ侵入（拡散）することができる。図２１のＢＥＡ型ゼオライトの細孔径と図２２〜２４の有機ケイ素化合物の分子サイズを比較する。１つのベンゼン環を有するフェニルシラン（図２２）はＢＥＡ型ゼオライトの細孔内へ侵入（拡散）することが可能であるが、２つおよび３つのベンゼン環を有するビス（３，５−ジメトキシフェニル）シラン（図２３）およびトリス（３，５−ジメチルフェニル）シラン（図２４）では、細孔内への侵入（拡散）が困難である。一方、ベンゼン環を有さず、ベンゼン環よりも小さなメチル基、エチル基、メトキシ基およびエトキシ基などのアルキル基やアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物は、細孔内への侵入（拡散）が容易である。したがって、有機ケイ素化合物の分子サイズによって、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔内への侵入（拡散）挙動が異なり、細孔内部の酸点まで不活性化できるかどうかが決定される。
【００３４】
また、細孔径よりも小さい分子サイズとは開口部の細孔径よりも小さいサイズを示し、非等方的な細孔においては長軸方向の開口部細孔径よりも小さいサイズを示す。
【００３５】
本発明における有機ケイ素化合物としては、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径よりも小さい分子サイズを有し、下記式（１）に示す化合物を用いることができる。
【００３６】
【化１】
0005611813.tif 000002
（前記式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基及び水素からなる群から選択される１種を表す。また、Ｒ４は水素を表す）。
【００３７】
ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径にもよるが、前記アルキル基としては、メチルプロピオキシ基、ｎ−ブトキシ基等が挙げられる。また、前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。また、前記アリール基としては、フェニル基、メチルフェニル等が挙げられる。
【００３８】
前記有機ケイ素化合物としては、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径にもよるが、具体的にはジエトキシメチルシラン、フェニルシラン、テトラメチルシラン等が挙げられる。しかし、有機ケイ素化合物はこれらに限定されない。
【００３９】
これら有機ケイ素化合物の種類は、ゼオライト及びゼオライト類似物質の細孔径、不活性化する酸点の位置、有機ケイ素化合物の物性及び入手の容易性などを考慮して、適宜選択することが可能である。例えば、０．６４×０．７６ｎｍのアパーチャー径（Ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｓｉｚｅ）を有するβゼオライトでは、フェニルシラン（Ｒ１＝Ｃ６Ｈ５、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈ）、ジエトキシメチルシラン（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｃ２Ｈ５Ｏ、Ｒ３＝ＣＨ３、Ｒ４＝Ｈ）などが好適である。
【００４０】
有機ケイ素化合物によるゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点を不活性化する処理方法には制限はない。例えば、有機ケイ素接触分解法（以下、シラン接触分解法）が挙げられる。該手法ではまず、ゼオライト又はゼオライト類似物質と、加熱により気化させた有機ケイ素化合物とを物理接触させることで有機ケイ素化合物をゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点に化学吸着させる。その後、高温で焼成することで、化学吸着した有機ケイ素化合物の有機物部分を除去しシリカ（ＳｉＯ２）へと変性させる。これにより、ゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点は不活性化される。不活性化により生じたＳｉＯ２は反応中においても安定に存在する上、炭素析出などによる触媒劣化も抑制されるため、選択性の向上のみならず触媒寿命の延長を達成することもできる。有機ケイ素化合物の化学吸着温度及びその後の焼成温度は、該有機ケイ素化合物の沸点や熱分解特性などを考慮して適宜選択される。
【００４１】
シラン接触分解法の概念図を図２０に示す。図２０では有機ケイ素化合物としてメチルジエトキシシラン（ＤＥＭＳ）を用いている。まず、ゼオライト又はゼオライト類似物質の外表面及び細孔内に存在する酸点にＤＥＭＳが化学吸着する。その後、Ｎ２雰囲気下で加熱されることにより、揮発性の炭化水素が気化し、不揮発性のＳｉ含有物が酸点上に残存する。さらに空気中で焼成することによりＳｉ含有物がＳｉＯ２となり安定化し、酸点上にＳｉＯ２を選択的に形成することができる。
【００４２】
また、ＭＦＩ型ゼオライト（アパーチャー径：０．５４×０．５６ｎｍ）を例としたときの有機ケイ素化合物の種類による酸点不活性化度の相違を図２５に示す。図２５では有機ケイ素化合物として、ＤＥＭＳ、フェニルシラン（ＰＳ）、ジフェニルメチルシラン（ＤＰＭＳ）、トリフェニルシラン（ＴＰＳ）を用いている。前記ゼオライトの細孔径よりも小さい分子サイズを有するＤＥＭＳ及びＰＳについては、図２５に示すようにゼオライトの外表面に存在する酸点、細孔内に存在する酸点いずれも不活性化される。一方、前記ゼオライトの細孔径よりもやや大きい分子サイズを有するＤＰＭＳについては、ゼオライトの外表面に存在する酸点及び細孔入口付近に存在する酸点については不活性化されるが、細孔内部に存在する酸点は不活性化されない。さらに、前記ゼオライトの細孔径よりも大きい分子サイズを有するＴＰＳについては、ゼオライトの外表面に存在する酸点のみが不活性化され、細孔内に存在する酸点は不活性化されない。本発明においては、酸点の不活性化にゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔径よりも分子サイズが小さい有機ケイ素化合物を用いるため、図２５のＤＥＭＳ及びＰＳを用いた例のようにゼオライト又はゼオライト類似物質の外表面に存在する酸点、細孔内に存在する酸点の両者を不活性化することができる。
【００４３】
前記有機ケイ素化合物による酸点の不活性化処理は、脱アルミニウム処理やカチオン交換したゼオライト及びゼオライト類似物質に対しても適用可能であり、脱アルミニウム処理により生じるネストシラノールに対しても適用可能である。
【００４４】
ゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点の性質（量、強度）は、アンモニアなどの塩基性分子をプローブとして用いた昇温脱離法（ＴＰＤ）や吸着熱法によって求めることができる。本発明においては、ゼオライト又はゼオライト類似物質の酸性ＯＨ基のプロトンが、カチオンによりイオン交換されることにより、アンモニアＴＰＤにおける５７３Ｋ以上に現れるアンモニア脱離ピークが減少する。一般的に、アンモニアＴＰＤでの５７３Ｋ以上のアンモニア脱離ピークは、ゼオライト又はゼオライト類似物質の強い酸点に起因するものであり、本発明においては、より強い酸点のプロトンの一部あるいは全てがカチオン交換されることによって、アセトンからイソブチレンを製造するために好適な酸点が形成される。これにより、反応初期からイソブチレンを高選択的に製造可能となる。
【００４５】
本発明におけるゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔構造及び細孔径には制限はないが、酸素１０員環以上の細孔を有するゼオライト又はゼオライト類似化合物が好ましい。酸素１０員環よりも小さな細孔を有するゼオライト又はゼオライト類似化合物を用いると、イソブチレンの細孔外への拡散が阻害されることによる分解や逐次酸化が増加し、イソブチレンの選択性が低下する。酸素１０員環以上を有するゼオライト又はゼオライト類似化合物としては、ＡｌＰＯ４−１１（ＡＥＬ）、ＥＵ−１（ＥＵＯ）、フェリエライト（ＦＥＲ）、ヒューランダイト（ＨＥＵ）、ＺＳＭ−１１（ＭＥＬ）、ＺＳＭ−５（ＭＦＩ）、ＮＵ−８７（ＮＥＳ）、シータ−１（ＴＯＮ）、ウェイネベアイト（ＷＥＩ）、ＡｌＰＯ４−５（ＡＦＩ）、ＡｌＰＯ４−３１（ＡＴＯ）、ベータ（ＢＥＡ）、ＣＩＴ−１（ＣＯＮ）、Ｘ、Ｙ、ホージャサイト（ＦＡＵ）、グメリナイト（ＧＭＥ）、Ｌ（ＬＴＬ）、モルデナイト（ＭＯＲ）、ＺＳＭ−１２（ＭＴＷ）、オフレタイト（ＯＦＦ）、ＳＴＡ−１（ＳＡＯ）、ＳＡＰＯ−３７（ＦＡＵ）、クローバライト（ＣＬＯ）、ＶＰＩ−５（ＶＦＩ）、ＡｌＰＯ４−８（ＡＥＴ）、ＣＩＴ−５（ＣＦＩ）及びＵＴＤ−１（ＤＯＮ）などが挙げられる。カッコ内は構造コードである。この中でも、細孔径や酸強度の観点からＭＦＩ、Ｘ、Ｙ、ＢＥＡおよびＦＡＵが好ましい。しかし、本発明におけるゼオライト及びゼオライト類似物質はこれらに限定されない。これらのゼオライト又はゼオライト類似物質の酸点プロトンを、カチオンによりイオン交換する、もしくは、有機ケイ素化合物により不活性化処理することで、好適な触媒が得られる。
【００４６】
ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔は、１次元、２次元あるいは３次元に規則的に発達した細孔径が２ｎｍよりも小さいミクロ細孔である。規則性ミクロ細孔の有無は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などによる観察により確認することができる。
【００４７】
また、本発明の製造方法における触媒は、メソ多孔性シリカである。メソ多孔性シリカとは、メソポーラスシリカとも呼ばれ、細孔径２〜５０ｎｍの細孔が、１次元、２次元あるいは３次元に均一な大きさかつ規則的に発達したＳｉ−Ｏ骨格からなる化合物である。規則性メソ細孔の有無は、ＴＥＭによる観察の他、窒素吸着法及びＸ線回折法によっても確認することができる。代表的なメソ多孔性シリカとしては、ＦＳＭ−１６、ＭＣＭ−４１、ＭＣＭ−４８、ＭＣＭ−５０及びＳＢＡ−１５などが挙げられる。これらはシラノール基由来のＯＨ基（Ｓｉ−ＯＨ）を有しており、ゼオライト又はゼオライト類似物質よりも弱い酸性を示すことが知られている。メソ多孔性シリカが有する弱い酸点は、本発明における反応の進行には好適である。
【００４８】
本発明においては、主にアセトンの二量化反応あるいは三量化反応を経由して、イソブチレンが生成される（図１）。アセトンのアルドール縮合によって生成するジアセトンアルコール及びメシチルオキシド、メシチルオキシドとアセトンとのアルドール縮合によって生成するホロン、及びホロンの１，６−マイケル付加によって生成するイソホロンの分解反応により、イソブチレンが生成する。このアセトンの自己縮合反応及び引き続く分解反応は非常に複雑であり、種々の反応経路が考えられるため、図１ではイソブチレン生成への寄与が大きいと考えられる経路を挙げた。
【００４９】
本発明における酸点は、カチオンによりイオン交換されている、もしくは、有機ケイ素化合物により不活性化処理されている。アセトンのアルドール縮合反応はカチオン交換されたＢ酸点によって特に促進される。一般的に、アルドール縮合反応は比較的弱い酸の他、塩基によっても進行し、強い酸が必須ではない。本発明におけるアセトンのアルドール縮合反応は、二量化及び三量化のどちらの反応経路においても鍵となる反応であり、イソブチレン生成にはカチオン交換されたＢ酸点は不可欠である。一方、Ｌ酸点では芳香族化や炭素析出などが促進される場合も多く、Ｂ酸点が存在せず、Ｌ酸点のみ存在する触媒を用いた場合には、イソブチレンはほとんど生成しない。
【００５０】
本発明においては、規則的に発達したミクロ細孔あるいはメソ細孔という制御された空間内で反応が進行することにより、アセトンの縮合反応が三量化までに抑制され、それ以上の縮合による副反応が抑制されることにより、イソブチレン選択性及び収率の向上が可能となる。規則的な細孔空間を有さない触媒では、アセトン縮合度の制御が不十分であり、イソブチレン選択性及び収率は高くない。
【００５１】
本発明においては、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔内に存在する酸点で反応が進行することが好ましく、細孔外に存在する酸点を除去することも性能向上には有効である。具体的には、シラン化剤を用いて、細孔外に存在する酸点を選択的に修飾する。さらに、本発明においては、ゼオライト又はゼオライト類似物質の細孔内において、イソブチレンの酸化、２量化などの好ましくない逐次反応を抑制するために、ゼオライト又はゼオライト類似物質の結晶の大きさを小さくすることで、細孔内での拡散を制御することも可能である。
【００５２】
本発明におけるゼオライト又はゼオライト類似物質、メソ多孔体の製造方法には、特に制限はなく、一般的な金属酸化物や酸触媒の合成手法が適用できる。また、触媒の結晶性や粒子径を制御するために、水熱合成や常圧合成を適宜使い分けることができる。一般的に、ゼオライトやメソポーラスシリカのように規則性細孔を有する触媒は、ｐＨ、温度及び圧力などを制御して、テンプレートである界面活性剤と無機種（触媒前駆体）が自己組織的に集合した構造体を構築させた後、熱処理によりテンプレートが除去され、洗浄、イオン交換及び乾燥を適宜行なうことで調製される。この場合の細孔の大きさや形状は、集合体生成条件、界面活性剤の炭素鎖長などで制御可能である。
【００５３】
本発明におけるアセトンは、各種バイオマス原料から製造されたアセトンを原料として用いることができる。また、石油精製、化学工業で得られるクメン法フェノール製造の副生アセトンなどを用いても差し支えない。
【００５４】
本発明におけるアセトンからイソブチレンを製造する方法は、気相反応が好適であり、反応器としては、固定床流通式反応器が用いられる。バッチ式及び連続式のいずれもが使用可能であるが、生産性を考慮すれば、連続式が好ましい。
【００５５】
反応に用いる触媒の質量をＷ（ｋｇ−ｃａｔ）、アセトンの流量をＦ（ｋｇ−アセトン／ｈ）とする。Ｗ／Ｆは０．０１ｈ以上が好ましく、より好ましくは０．０５ｈ以上、さらに好ましくは０．１ｈ以上である。また、Ｗ／Ｆは２０以下が好ましく、より好ましくは１５以下であり、さらに好ましくは１０以下である。
【００５６】
同伴させる流通ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、酸素及びこれらの混合ガスを用いることができる。
【００５７】
反応温度は２５０℃以上が好ましく、より好ましくは３００℃以上、さらに好ましくは３５０℃以上である。また、反応温度は６５０℃以下が好ましく、より好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは５５０℃以下である。
【００５８】
反応圧力は常圧で差し支えないが、背圧弁などを用いて、必要に応じて加圧することも可能である。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明において、実施例及び比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。【００６０】
（反応装置）
本実施例において、反応装置には固定床流通式触媒反応器を用いた。本実施例で使用した反応装置の概略を図３に示す。原料であるアセトンはマイクロフィーダー１から、同伴ガスである窒素（Ｎ２）はＮ２ボンベ３から流量計２を介して供給した。供給したアセトンを、テープヒーター４による加熱部分（１００℃）において気化し、触媒を充填した固定床流通式反応器５に導入した。固定床流通式反応器５には、電気炉６及び熱電対７を備え付けた。固定床流通式反応器５の出口部分もテープヒーター８により加熱し（１００℃）、ガス状の原料及び生成物を恒温槽９（１４０℃）及びガスクロマトグラフ１０に導入して分析した。分析ガス以外はパージバルブ１１から排気した。【００６１】
（有機ケイ素化合物処理装置）
本実施例において使用した有機ケイ素化合物処理装置の概略を図２６に示す。Ｎ２ボンベ１２と空気ボンベ１３は三方バルブ１４を介して連結されて、流量計１５により流量を調節した。気化装置１６には有機ケイ素化合物（液体）が充填された。気化装置１６及び有機ケイ素化合物の流路にはテープヒーター１９が巻かれ、気化装置１６の加熱と有機ケイ素化合物の流路内での凝縮防止に用いられた。流量計１５及び気化装置１６と、熱電対２０及び電気炉２１を備え付けた管型焼成炉とは、六方バルブ１７を介して連結された。管型焼成炉内にはガラス製焼成管が保持され、ゼオライト層２２が充填された。また、管型焼成炉は断熱材２３により覆われている。六方バルブ１７を切り替えることで、管型焼成炉に導入されるガスが気化装置１６を経由するか否かを選択可能となる。本処理はＮ２ガス流通下で行われ、Ｎ２ガスを気化装置１６に経由させ、該Ｎ２ガスで加熱された有機ケイ素化合物（８０℃）をバブリングすることで、有機ケイ素化合物がＮ２ガスに同伴された。該有機ケイ素化合物を伴うＮ２ガスは管型焼成炉内のガラス製焼成管に導入され、１００℃に加熱されたゼオライト層２２への化学吸着（３０分）が行われた。その後放冷し、六方バルブ１７を切り替えてＮ２ガスを気化装置１６不経由で流通させ系内をパージした。【００６２】
その後、再びゼオライト層２２を１００℃に保持して、２度目の化学吸着を行った。なお、２度目の化学吸着の前にゼオライト層２２をかき混ぜ、より均一に化学吸着が行われるようにした。２度の化学吸着の後、六方バルブ１７を気化装置１６不経由に切り替え、Ｎ２流通下でゼオライト層２２を５５０℃まで昇温し、そのまま１．５時間焼成処理を行い、有機ケイ素化合物を酸点上で分解した。さらに、六方バルブ１７はそのままで三方バルブ１４を空気側に切り替え、５００℃のまま１．５時間焼成処理を行い、分解したケイ素化合物に含まれる炭素分を除去した。これら一連の操作をさらに２回繰り返した。【００６３】
（原料及び生成物の分析）
原料及び生成物の分析は、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）法で行った。【００６４】
原料であるアセトンをＡ（モル）、ＧＣ法により求められた残存アセトンをＢ（モル）とした場合、アセトンの転化率Ｃ（％）は以下のように表される。【００６５】
Ｃ（％）＝１００×（Ａ−Ｂ）／Ａ
また、ＧＣにより検出された各生成物のモル数をＤ（ｎ）（モル）とした場合、各生成物の選択率Ｓ（ｎ）（％）は以下のように表される。Ｄ（ｎ）は、目的生成物であるイソブチレンの炭素数４を基準として換算した。【００６６】
Ｓ（ｎ）（％）＝１００×Ｄ（ｎ）／（Ａ−Ｂ）
ＧＣ法により検出され同定された生成物は、オレフィン（エチレン、プロピレン、イソブチレン）の他、酢酸、パラフィン、芳香族化合物（ベンゼン、トルエン、キシレン）であり、不明成分は合算しその他とした。【００６７】
炭素析出反応により析出し、反応後の触媒上に残存する炭素成分（コーク）の分析は、熱重量分析（ＴＧ）により行った。【００６８】
［参考例２］
（触媒調製）
・テンプレート除去
テンプレート含有Ｎａ型ベータ型ゼオライト（商品名：「ＨＳＺ−９３０ＮＨＡ」、東ソー株式会社製、略号：ＢＥＡ、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3＝２７）を、空気中で、３５０℃まで毎分０．９℃で昇温して７時間保持した後、引き続いて５００℃まで毎分０．８３℃で昇温し、４８時間保持して、テンプレートを除去した。
【００６９】
・イオン交換処理
テンプレートを除去したＮａ型ベータ型ゼオライト（Ｎａ型ＢＥＡ）１０ｇを、蒸留水１５０ｍｌに分散し、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）１０ｇを添加して、１００℃で３時間加熱還流した。還流終了後、蒸留水で洗浄し風乾した。この操作を合計３回行い、アンモニア型ＢＥＡ（ＮＨ４−ＢＥＡ）を得た。ここで、２回目及び３回目の操作におけるＮＨ４ＮＯ３量はそれぞれ１５ｇ及び２０ｇとした。さらに、得られたＮＨ４−ＢＥＡ５ｇを蒸留水５０ｍｌに分散し、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ３）を添加して、１００℃で３時間加熱還流し、イオン交換処理を合計３回行った。ここで、用いたＮａＮＯ３の量は、１回目：２．５ｇ、２回目：３．０ｇ及び３回目：５．０ｇとした。【００７０】
・触媒焼成
５００℃で２時間空気焼成し、Ｎａ型ＢＥＡ（Ｎａ−ＢＥＡ）を得た。アンモニアＴＰＤにより求めたＮａ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図４に示した。【００７１】
（反応評価）
前記Ｎａ−ＢＥＡ０．７ｇを触媒とし、Ｗ／Ｆ＝０．５（ｈ）でアセトンを供給し、同伴ガスとしてＮ２ガスを毎分６０ｃｃ（０．００３６ｍ３／ｈ）で供給し、５００℃において反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図５（ａ）に示した。また、反応時間に対するオレフィン組成を図５（ｂ）に示した。【００７２】
［参考例３］
（触媒調製）
・イオン交換処理
参考例２のＮＨ4−ＢＥＡ５ｇを蒸留水５０ｍｌに分散し、硝酸カリウム（ＫＮＯ3）を添加して、イオン交換処理を合計３回行った。ここで、用いたＫＮＯ3の量は、１回目：２．５ｇ、２回目：３．０ｇ及び３回目：５．０ｇとした。硝酸カリウム（ＫＮＯ3）を用いたこと以外は参考例２と同様にして行った。
【００７３】
・触媒焼成
参考例２と同様にして焼成し、Ｋ型ＢＥＡ（Ｋ−ＢＥＡ）を得た。アンモニアＴＰＤにより求めたＫ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図４に示した。
【００７４】
（反応評価）
Ｋ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図６に示した。
【００７５】
［参考例４］
（反応評価）
反応温度を５５０℃としたこと以外は、参考例３と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図７に示した。
【００７６】
［参考例５］
（反応評価）
Ｗ／Ｆを０．７５としたこと以外は、参考例３と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図８に示した。
【００７７】
［参考例６］
（触媒調製）
・イオン交換処理
硝酸セシウム（ＣｓＮＯ3）を用いたこと以外は参考例３と同様にして行った。
【００７８】
・触媒焼成
参考例３と同様にして焼成し、Ｃｓ型ＢＥＡ（Ｃｓ−ＢＥＡ）を得た。アンモニアＴＰＤにより求めたＣｓ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図４に示した。
【００７９】
（反応評価）
Ｃｓ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物収率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を、図９に示した。
【００８０】
［参考例７］
（触媒調製）
・イオン交換処理
硝酸マグネシウム６水和物（Ｍｇ（ＮＯ3）2・６Ｈ2Ｏ）を用いたこと以外は参考例３と同様にして行った。
【００８１】
・触媒焼成
参考例３と同様にして焼成し、Ｍｇ型ＢＥＡ（Ｍｇ−ＢＥＡ）を得た。
【００８２】
（反応評価）
Ｍｇ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１０に示した。
【００８３】
［参考例８］
（触媒調製）
・イオン交換処理
硝酸カルシウム４水和物（Ｃａ（ＮＯ3）2・４Ｈ2Ｏ）を用いたこと以外は参考例３と同様にして行った。
【００８４】
・触媒焼成
参考例３と同様にして焼成し、Ｃａ型ＢＥＡ（Ｃａ−ＢＥＡ）を得た。
【００８５】
（反応評価）
Ｃａ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１１に示した。
【００８６】
［参考例９］
（触媒調製）
・イオン交換処理
硝酸ストロンチウム（Ｓｒ（ＮＯ3）2）を用いたこと以外は参考例３と同様にして行った。
【００８７】
・触媒焼成
参考例３と同様にして焼成し、Ｓｒ型ＢＥＡ（Ｓｒ−ＢＥＡ）を得た。
【００８８】
（反応評価）
Ｓｒ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１２に示した。
【００８９】
［参考例１０］
（触媒調製）
・イオン交換処理
硝酸ランタン６水和物（Ｌａ（ＮＯ3）3・６Ｈ2Ｏ）を用いたこと以外は参考例３と同様にして行った。
【００９０】
・触媒焼成
参考例３と同様にして焼成し、Ｌａ型ＢＥＡ（Ｌａ−ＢＥＡ）を得た。
【００９１】
（反応評価）
Ｌａ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１３に示した。
【００９２】
［参考例１１］
（触媒調製）
・イオン交換処理
硝酸セリウム６水和物（Ｃｅ（ＮＯ3）3・６Ｈ2Ｏ）を用いたこと以外は参考例３と同様にして行った。
【００９３】
・触媒焼成
参考例３と同様にして焼成し、Ｃｅ型ＢＥＡ（Ｃｅ−ＢＥＡ）を得た。
【００９４】
（反応評価）
Ｃｅ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１４に示した。
【００９５】
［参考例１２］
（触媒調製）
・イオン交換処理
市販のＨ−ＺＳＭ−５（ズードケミー触媒株式会社製、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3＝５０）、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ3）を用いたこと以外は参考例３と同様にして、イオン交換を行い、Ｎａ型ＺＳＭ−５（Ｎａ−ＺＳＭ−５）を得た。
【００９６】
（反応評価）
Ｎａ−ＺＳＭ−５  ０．５ｇを用いて、Ｗ／Ｆ＝０．３５、反応温度を４５０℃としたこと以外は、参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときのアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１５に示した。
【００９７】
［実施例１２］
（触媒調製）
臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）５．４５ｇを蒸留水３００ｇに加え、３５℃で溶解させ、０．０５ｍｏｌ／ＬのＣＴＡＢ水溶液とした。該溶液に、２８質量％アンモニア水２１．０ｇを加えた。この溶液を攪拌しながら、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１７．５ｇを１０分かけて添加した。ＴＥＯＳ添加終了後、４５分間攪拌した。該溶液をオートクレーブに入れて、１００℃で７２時間、水熱合成を行った。水熱合成終了後、オートクレーブを１時間、室温で放置した。内容物を取り出し、遠心分離により固形分であるＣＴＡＢ含有ＭＣＭ−４１を沈降させた後、蒸留水を用いて洗浄した。さらに、得られたＣＴＡＢ含有ＭＣＭ−４１を、１０質量％の硝酸アンモニウム水溶液１００ｇに分散し、７０〜８０℃で１時間ほど処理した。この操作を３回繰り返した後、蒸留水により洗浄し、風乾した。ＣＴＡＢ含有ＭＣＭ−４１の粒径を３００〜５００μｍにそろえた後、５４０℃で２４時間焼成（５４０℃までは１２時間かけて昇温）を行い、ＭＣＭ−４１を得た。【００９８】
（反応評価）
前記ＭＣＭ−４１を触媒として用いたこと以外は参考例３と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図１６（ａ）に示した。また、反応時間に対するオレフィン組成を図１６（ｂ）に示した。
【００９９】
［比較例１］
（触媒調製）
・テンプレート除去
参考例２と同様にして行った。
【０１００】
・イオン交換処理
テンプレートを除去したＮａ型ＢＥＡ１０ｇを、蒸留水１５０ｍｌに分散し、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）１０ｇを添加して、１００℃で３時間加熱還流した。還流終了後、蒸留水で洗浄し風乾した。この操作を合計３回行い、アンモニア型ＢＥＡ（ＮＨ４−ＢＥＡ）を得た。ここで、２回目及び３回目の操作におけるＮＨ４ＮＯ３量はそれぞれ１５ｇ及び２０ｇとした。【０１０１】
・触媒焼成
ＮＨ４−ＢＥＡを５００℃で２時間空気焼成し、プロトン型ＢＥＡ（Ｈ−ＢＥＡ）を得た。アンモニアＴＰＤにより求めたＨ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図４に示した。【０１０２】
（反応評価）
Ｈ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図１７（ａ）に示した。また、反応時間に対するオレフィン組成を図１７（ｂ）に示した。
【０１０３】
［比較例２］
（反応評価）
参考例１２のＨ−ＺＳＭ−５を触媒として用いたこと以外は、参考例１２と同様にして反応評価を行った。このときのアセトン転化率、生成物選択率及び生成オレフィン中のイソブチレン選択率（カッコ内）を図１８に示した。
【０１０４】
［比較例３］
（反応評価）
市販のチタニア（ＴｉＯ2、アナターゼ型、和光純薬工業株式会社製）を用いたこと以外は、参考例２と同様にして反応評価を行った。このときのアセトン転化率と生成物選択率を図１９に示した。
【０１０５】
［実施例１３］
（触媒調製）
・テンプレート除去
テンプレート含有Ｎａ型ベータ型ゼオライト（商品名：「ＨＳＺ−９３０ＮＨＡ」、東ソー株式会社製、略号：ＢＥＡ、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝２７）を、空気中で、３５０℃まで毎分０．９℃で昇温して７時間保持した後、引き続いて５００℃まで毎分０．８３℃で昇温し、４８時間保持して、テンプレートを除去した。【０１０６】
・イオン交換処理
テンプレートを除去したＮａ型ベータ型ゼオライト（Ｎａ型ＢＥＡ）１０ｇを、蒸留水１５０ｍｌに分散し、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）１０ｇを添加して、１００℃で３時間加熱還流した。還流終了後、蒸留水で洗浄し風乾した。この操作を合計３回行い、アンモニア型ＢＥＡ（ＮＨ４−ＢＥＡ）を得た。ここで、２回目及び３回目の操作におけるＮＨ４ＮＯ３量はそれぞれ１５ｇ及び２０ｇとした。【０１０７】
・触媒焼成
前記ＮＨ４−ＢＥＡを５００℃において２時間空気焼成することで、プロトン型ＢＥＡ（Ｈ−ＢＥＡ）を得た。アンモニアＴＰＤにより求めたＨ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図２７に示す。【０１０８】
・有機ケイ素化合物による酸点の不活性化処理
前記処理で得られたＨ−ＢＥＡ  １．０ｇを前記図２６に示す有機ケイ素化合物処理装置のガラス製焼成管に充填し、石英ウールで固定した。４０ｍｌ／ｍｉｎの空気流通下、５５０℃まで昇温し、５５０℃で１時間保持した。その後、流通ガスをＮ２ガスに切り替えて１００℃まで放冷した。焼成炉が１００℃に安定した後、Ｎ２ガスにジエトキシメチルシラン（東京化成工業株式会社製、略号：ＤＥＭＳ）を８０℃で気化装置１６から同伴させ、Ｈ−ＢＥＡにＤＥＭＳを化学吸着させた。３０分後気化装置１６を放冷し、４０℃以下になった時点で焼成管も放冷した。焼成管を取り出し、軽く振とうしてゼオライト層２２をかき混ぜた後、再び焼成管を焼成炉に保持し、Ｎ２ガスを流通して１００℃に加熱し、ＤＥＭＳの化学吸着を繰り返した。その後、５５０℃で１．５時間Ｎ２ガス下焼成の後、引き続いて５５０℃で１．５時間空気焼成した。さらに、これら一連の処理を２回繰り返して、ＤＥＭＳ処理したＢＥＡゼオライト（ＤＥＭＳ−ＢＥＡ）を得た。アンモニア−ＴＰＤにより求めたＤＥＭＳ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図２７に示す。【０１０９】
（反応評価）
前記ＤＥＭＳ−ＢＥＡを触媒として用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図２８（ａ）に示した。また、反応時間に対するオレフィン組成を図２８（ｂ）に示した。ＴＧから求めた反応後のＤＥＭＳ−ＢＥＡ上に残存する析出コーク量は、反応に用いたＤＥＭＳ−ＢＥＡの質量に対して、１０％であった。
【０１１０】
［実施例１４］
（触媒調製）
有機ケイ素化合物として、フェニルシラン（東京化成工業株式会社製、略号：ＰＳ）を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして触媒を調製し、ＰＳ処理したＢＥＡゼオライト（ＰＳ−ＢＥＡ）を得た。アンモニア−ＴＰＤにより求めたＰＳ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図２７に示す。【０１１１】
（反応評価）
触媒としてＰＳ−ＢＥＡを用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図２９（ａ）に示す。また、反応時間に対するオレフィン組成を図２９（ｂ）に示す。ＴＧから求めた反応後のＰＳ−ＢＥＡ上に残存する析出コーク量は、反応に用いたＰＳ−ＢＥＡの質量に対して、７．４％であった。
【０１１２】
［実施例１５］
（触媒調製）
実施例１３と同様の方法で得られたＨ−ＢＥＡを４０ｍｌ／ｍｉｎのＮ2流通条件で水蒸気を分圧１０．１ｋＰａで供給し、５００℃で３時間水蒸気処理した。その後、ゼオライト骨格外に存在するアルミニウムを除去するために、実施例１３と同様の方法でＮＨ4−ＢＥＡへとイオン交換した後、５００℃で２時間空気焼成を行い、脱アルミニウム（Ａｌ）処理したＢＥＡゼオライト（脱Ａｌ−ＢＥＡ）を得た。得られた脱Ａｌ−ＢＥＡに参考例２と同様の方法でＤＥＭＳ処理を行い、ＤＥＭＳ処理した脱Ａｌ−ＢＥＡゼオライト（ＤＥＭＳ−脱Ａｌ−ＢＥＡ）を得た。
【０１１３】
（反応評価）
触媒としてＤＥＭＳ−脱Ａｌ−ＢＥＡを用いたこと以外は実施例１３と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図３０（ａ）に示す。また、反応時間に対するオレフィン組成を図３０（ｂ）に示す。ＴＧから求めた反応後のＤＥＭＳ−脱Ａｌ−ＢＥＡ上に残存する析出コーク量は、反応に用いたＤＥＭＳ−脱Ａｌ−ＢＥＡの質量に対して、１０％であった。【０１１４】
［比較例４］
（触媒調製）
有機ケイ素化合物として、ジフェニルメチルシラン（東京化成工業株式会社製、略号：ＤＰＭＳ）を用いたこと以外は、参考例２と同様にして触媒を調製し、ＤＰＭＳ処理したＢＥＡゼオライト（ＤＰＭＳ−ＢＥＡ）を得た。アンモニア−ＴＰＤにより求めたＤＰＭＳ−ＢＥＡの酸点の量及び強度分布を図２７に示す。
【０１１５】
（反応評価）
触媒としてＤＰＭＳ−ＢＥＡを用いたこと以外は参考例２と同様にして、反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図３１（ａ）に示す。また、反応時間に対するオレフィン組成を図３１（ｂ）に示す。ＴＧから求めた反応後のＤＰＭＳ−ＢＥＡ上に残存する析出コーク量は、用いたＤＰＭＳ−ＢＥＡの質量に対して、３６％であった。
【０１１６】
［参考例１］
（反応評価）
触媒として参考例２の方法で調製したＨ−ＢＥＡを用いたこと以外は参考例２と同様にして反応評価を行った。このときの反応時間に対するアセトン転化率と生成物選択率を図３２（ａ）に示す。また、反応時間に対するオレフィン組成を図３２（ｂ）に示す。ＴＧから求めた反応後のＨ−ＢＥＡ上に残存する析出コーク量は、用いたＨ−ＢＥＡの質量に対して、５３％であった。
【０１１７】
前記実施例１３〜１５、比較例４、参考例１における析出コーク量の結果を表１に示す。【０１１８】
【表１】
0005611813.tif 000003
【符号の説明】
【０１１９】
１      マイクロフィーダー（アセトン供給用）
２      流量計
３      Ｎ２ボンベ
４      テープヒーター
５      固定床流通式触媒反応器（触媒充填）
６      電気炉
７      熱電対
８      テープヒーター
９      恒温槽
１０    ガスクロマトグラフ（ＧＣ）
１１    パージバルブ
１２    Ｎ２ボンベ
１３    空気ボンベ
１４    三方バルブ
１５    流量計
１６    気化装置（有機ケイ素化合物供給用）
１７    六方バルブ
１８    排気口
１９    テープヒーター
２０    熱電対
２１    電気炉
２２    ゼオライト層（ガラス製焼成管内）
２３    断熱材
【図１】
0005611813.tif 000004
【図２】
0005611813.tif 000005
【図３】
0005611813.tif 000006
【図４】
0005611813.tif 000007
【図５】
0005611813.tif 000008
【図６】
0005611813.tif 000009
【図７】
0005611813.tif 000010
【図８】
0005611813.tif 000011
【図９】
0005611813.tif 000012
【図１０】
0005611813.tif 000013
【図１１】
0005611813.tif 000014
【図１２】
0005611813.tif 000015
【図１３】
0005611813.tif 000016
【図１４】
0005611813.tif 000017
【図１５】
0005611813.tif 000018
【図１６】
0005611813.tif 000019
【図１７】
0005611813.tif 000020
【図１８】
0005611813.tif 000021
【図１９】
0005611813.tif 000022
【図２０】
0005611813.tif 000023
【図２１】
0005611813.tif 000024
【図２２】
0005611813.tif 000025
【図２３】
0005611813.tif 000026
【図２４】
0005611813.tif 000027
【図２５】
0005611813.tif 000028
【図２６】
0005611813.tif 000029
【図２７】
0005611813.tif 000030
【図２８】
0005611813.tif 000031
【図２９】
0005611813.tif 000032
【図３０】
0005611813.tif 000033
【図３１】
0005611813.tif 000034
【図３２】
0005611813.tif 000035