(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理空間を形成する処理容器と、
この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置部と、
前記基板を加熱するための過熱水蒸気を前記処理空間に供給する過熱水蒸気供給手段と、
前記処理空間を排気する排気手段と、
前記処理空間の温度を制御するために、前記処理容器において当該処理空間の周囲に設けられた流体滞留空間と、
前記流体滞留空間に流体を供給する流体供給手段と、
前記流体滞留空間から流体を除去する除去手段と、
を備えることを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
過熱水蒸気供給手段は、前記載置部に載置された基板の中央下方から過熱水蒸気を供給する吐出口を備え、
前記排気手段は、前記基板の中央上方から排気する排気口を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記吐出口は、処理空間の周縁部に向けて過熱水蒸気を吐出するように複数設けられたことを特徴とする請求項２記載の基板加熱装置。
【請求項４】
前記処理空間には、前記吐出口、排気口を夫々囲み、過熱水蒸気の流れを規制する整流部材が設けられていることを特徴とする請求項２または３記載の基板加熱装置。
【請求項５】
前記処理空間は、その周縁部の厚さよりも中央部の厚さが大きい円板状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
【請求項６】
前記処理空間において、過熱水蒸気を供給する吐出口、排気口が夫々基板の一端側、他端側に夫々開口していることを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
【請求項７】
前記吐出口は基板の一端側の上下に、前記排気口は基板の他端側の上下に夫々開口していることを特徴とする請求項６記載の基板加熱装置。
【請求項８】
前記処理空間の上側の壁面及び前記処理空間の下側の壁面は基板に平行に形成されることを特徴とする請求項７記載の基板加熱装置。
【請求項９】
前記処理空間を横方向に複数区画するための区画部材と、
前記区画部材を、処理空間を連通させる状態と区画する状態との間で動作させる動作機構と、
各処理空間の間で基板を搬送する搬送手段と、
を備え、前記過熱水蒸気供給手段は、各処理空間に個別に過熱水蒸気を供給することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
【請求項１０】
複数区画された処理空間の一つには、過熱水蒸気の代わりに基板を冷却するガスが供給されることを特徴とする請求項９に記載の基板加熱装置。
【請求項１１】
前記流体滞留空間は、区画された処理空間毎に設けられ、
前記流体供給手段は、各流体滞留空間に個別に流体を供給し、
前記除去手段は、各流体滞留空間から個別に流体を除去することを特徴とする請求項９または１０記載の基板加熱装置。
【請求項１２】
前記搬送手段は、前記載置部を兼用するベルトと、処理空間の配列方向に沿って前記ベルトを移動させるベルト駆動機構と、
を備えることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
【請求項１３】
処理空間を形成する処理容器内に設けられた載置部に基板を載置する工程と、
過熱水蒸気供給手段により、前記基板を加熱するための過熱水蒸気を前記処理空間に供給する工程と、
排気手段により前記処理空間を排気する工程と、
前記処理空間の温度を制御するために、前記処理容器において当該処理空間の周囲に設けられる流体滞留空間に流体を供給する工程と、
前記流体滞留空間から流体を除去する工程と、
を備えることを特徴とする基板加熱方法。
【請求項１４】
前記処理空間を横方向に複数区画するための区画部材を、動作機構により処理空間を連通させる状態と区画する状態との間で動作させる工程と、
搬送手段により各処理空間の間で基板を搬送する工程と、
各処理空間に個別に過熱水蒸気を供給する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１３記載の基板加熱方法。
【請求項１５】
複数区画された処理空間の一つに、過熱水蒸気の代わりに基板を冷却するガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板加熱方法。
【請求項１６】
前記流体滞留空間は、区画された処理空間毎に前記処理容器に設けられ、
前記流体滞留空間に流体を供給する工程は、各流体滞留空間に個別に流体を供給する工程を備え、
流体滞留空間から流体を除去する工程は、各流体滞留空間から個別に流体を除去する工程を備えることを特徴とする請求項１４または１５記載の基板加熱方法。
【請求項１７】
基板加熱装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１３ないし１６のいずれか一つに記載の基板加熱方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過熱水蒸気により基板を加熱する基板加熱装置、基板加熱方法及びこの方法を実施するプログラムが記憶された記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
この塗布、現像装置にはレジストなどの薬液の供給後や、露光後における現像処理の前後でウエハを加熱する加熱モジュール（加熱装置）が設けられている。この加熱モジュールにおいては、ウエハが載置される熱板が設けられ、熱板内には抵抗発熱体であるヒータが埋設されている。このヒータに電流が流されて熱板が加熱され、その熱により前記ウエハが加熱される。
【０００４】
ところで、スループットを向上させるためにウエハの大型化が進んでおり、このように大型化したウエハを処理するために前記熱板も大型化が要求されている。しかし、このように大型化した熱板を均一性高く加熱することは難しく、従ってウエハをその面内で均一性高く加熱することが難しくなっている。また、ウエハに反りがある場合に、ウエハと熱板との距離が異なることにより、ウエハの面内で温度分布が異なってしまう。
【０００５】
また、前記加熱モジュールにおいて、例えばロットの切り替わり時に第１のウエハを第１の処理温度で加熱した後、後続の第２のウエハを第１の処理温度よりも低い第２の処理温度で加熱する場合がある。この場合に、前記熱板による加熱においては、当該熱板の冷却に多くの時間を消費してしまい、スループットが低下してしまうおそれがある。
【０００６】
従って、上記のような抵抗加熱によらずにウエハを均一に加熱することができ、さらにウエハの加熱温度を容易に変更することができる基板加熱装置が求められていた。なお、特許文献１には基板に過熱水蒸気を供給して膜を剥離させる装置について記載されているが、上記の問題を解決できるものではない。また、特許文献２には複数の熱板が設けられた加熱装置について記載されているが、同様に上記の問題を解決できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１５３５１０（段落００７６、図５）
【特許文献２】特開２００２−９３６８７（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板を均一性高く加熱することができ、基板ごとに加熱温度を速やかに変更することができる基板加熱装置、基板加熱方法及び当該基板加熱方法を実施するコンピュータプログラムを備えた記憶媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板加熱装置は、処理空間を形成する処理容器と、
この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置部と、
前記基板を加熱するための過熱水蒸気を前記処理空間に供給する過熱水蒸気供給手段と、
前記処理空間を排気する排気手段と、
前記処理空間の温度を制御するために、前記処理容器において当該処理空間の周囲に設けられた流体滞留空間と、
前記流体滞留空間に流体を供給する流体供給手段と、
前記流体滞留空間から流体を除去する除去手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
過熱水蒸気供給手段は、例えば前記載置部に載置された基板の中央下方から過熱水蒸気を供給する吐出口を備え、
前記排気手段は、前記基板の中央上方から排気する排気口を備え、前記吐出口は、処理空間の周縁部に向けて過熱水蒸気を吐出するように複数設けられている。前記処理空間は、その周縁部の厚さよりも中央部の厚さが大きい円板状に形成されていてもよく、また前記処理空間には、前記吐出口、排気口を夫々囲み、過熱水蒸気の流れを規制する整流部材が設けられていてもよい。
【００１１】
前記処理空間において、過熱水蒸気を供給する吐出口、排気口が夫々基板の一端側、他端側に夫々開口していてもよく、その場合例えば前記吐出口は基板の一端側の上下に、前記排気口は基板の他端側の上下に夫々開口しており、また前記処理空間の上側の壁面及び前記処理空間の下側の壁面は基板に平行に形成される。
【００１２】
また、前記処理空間を横方向に複数区画するための区画部材と、前記区画部材を、処理空間を連通させる状態と区画する状態との間で動作させる動作機構と、各処理空間の間で基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記過熱水蒸気供給手段は、各処理空間に個別に過熱水蒸気を供給するように構成してもよく、複数区画された処理空間の一つには、過熱水蒸気の代わりに基板を冷却するガスが供給されてもよい。
【００１３】
さらに前記流体滞留空間は、区画された処理空間毎に設けられ、前記流体供給手段は、各流体滞留空間に個別に流体を供給し、前記除去手段は、各流体滞留空間から個別に流体を除去するように構成してもよい。前記搬送手段は、例えば前記載置部を兼用するベルトと、処理空間の配列方向に沿って前記ベルトを移動させるベルト駆動機構と、を備える。
【００１４】
本発明の基板加熱方法は、処理空間を形成する処理容器内に設けられた載置部に基板を載置する工程と、
過熱水蒸気供給手段により、前記基板を加熱するための過熱水蒸気を前記処理空間に供給する工程と、
排気手段により前記処理空間を排気する工程と、
前記処理空間の温度を制御するために、前記処理容器において当該処理空間の周囲に設けられる流体滞留空間に流体を供給する工程と、
前記流体滞留空間から流体を除去する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１５】
例えば前記処理空間を横方向に複数区画するための区画部材を、動作機構により処理空間を連通させる状態と区画する状態との間で動作させる工程と、搬送手段により各処理空間の間で基板を搬送する工程と、各処理空間に個別に過熱水蒸気を供給する工程と、を備え、複数区画された処理空間の一つに、過熱水蒸気の代わりに基板を冷却するガスを供給する工程を含むようにしてもよい。
【００１６】
また、前記流体滞留空間は、区画された処理空間毎に前記処理容器に設けられ、前記流体滞留空間に流体を供給する工程は、各流体滞留空間に個別に流体を供給する工程を備え、流体滞留空間から流体を除去する工程は、各流体滞留空間から個別に流体を除去する工程を備えるようにしてもよい。
【００１７】
基板加熱装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の基板加熱方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、処理容器と、過熱水蒸気を処理容器内の処理空間に供給して基板を加熱する過熱水蒸気供給手段と、前記処理空間を排気する排気手段と、を備えている。従って、熱板に基板を載置して当該基板を加熱する場合に比べて、熱板の温度分布や熱板から基板の各部の距離に影響されることが無いので、基板を均一性高く加熱することができ、熱板に残留した熱を除去する必要が無いので、基板間で速やかにその加熱温度を変更することができる。従ってスループットの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るウエハ加熱装置の縦断側面図である。
【図２】前記ウエハ加熱装置のＡ−Ａ矢視横断平面図である。
【図３】前記ウエハ加熱装置のノズルの縦断側面図である。
【図４】前記ウエハ加熱装置のＢ−Ｂ矢視横断平面図である。
【図５】前記ウエハ加熱装置によりウエハが加熱される様子を示した説明図である。
【図６】前記ウエハ加熱装置によりウエハが加熱される様子を示した説明図である。
【図７】過熱水蒸気の供給のタイミングと排気のタイミングとを示すタイムチャートである。
【図８】他のウエハ加熱装置の縦断側面図である。
【図９】前記ウエハ加熱装置の横断平面図である。
【図１０】前記ウエハ加熱装置の斜視図である。
【図１１】前記ウエハ加熱装置によりウエハが加熱される様子を示した説明図である。
【図１２】前記ウエハ加熱装置によりウエハが加熱される様子を示した説明図である。
【図１３】他のウエハ加熱装置の縦断側面図である。
【図１４】前記ウエハ加熱装置の横断平面図である。
【図１５】前記ウエハ加熱装置の過熱水蒸気の流れを示す説明図である。
【図１６】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
本発明の基板加熱装置に係るウエハ加熱装置１について、その縦断側面図、縦断側面図である図１を参照しながら説明する。このウエハ加熱装置１は、扁平な方形状の処理容器１１を備えており、この処理容器１１内には基板であるウエハＷを加熱処理するための処理空間Ｓが設けられている。処理容器１１は、外壁部１１ａと、この外壁部１１ａによりその外側が覆われた中間部１１ｂと、を備えている。この中間部１１ｂの内側は、前記処理空間Ｓを形成する内壁部１１ｃにより被覆されている。前記外壁部１１ａは金属により構成されている。中間部１１ｂは例えばシリカからなる多孔質セラミックスや、グラスウールなどの断熱材により構成され、処理空間Ｓを保温する役割を有している。また、後述の過熱水蒸気による腐食を防ぐために、内壁部１１ｃはステンレスにより構成されている。この処理空間Ｓは、その周縁部から中央部に向かうにつれて厚さが大きくなった円形状の密閉空間であり、当該処理空間Ｓを形成する壁面が、曲面により構成されている。
【００２１】
処理容器１１は、当該処理容器１１の一縁部をなす蓋部１２と、この蓋部１２により開閉される本体部１３とからなる。本体部１３には、ウエハＷを当該本体部１３の内部へ搬入するための開口部１４が設けられており、この開口部１４は前記処理空間Ｓを構成する。そして、図１に示すように蓋部１２により、その開口部１４が塞がれたときに、前記処理空間Ｓが形成される。本体部１３には、開口部１４の周囲にシール部材であるＯリング１５が設けられており、当該Ｏリング１５を介して蓋部１２は本体部１３に密着する。
【００２２】
蓋部１２には駆動機構１６が接続されており、駆動機構１６は蓋部１２を図１に示す位置から本体部１３に対して横方向に離れるように移動させ、さらに本体部１３に対して下降させて、前記開口部１４を開放する。
【００２３】
図２は図１における処理容器１１のＡ-Ａ矢視断面図である。この図２に示すように処理空間Ｓの下部から上方に向けてウエハの載置部をなす４本の支持ピン１７が突き出ており、これらの支持ピン１６は処理空間Ｓの中央にウエハＷを支持できるように、処理空間Ｓの周方向に配列されている。また、処理空間Ｓの中央下部にはノズル２１が設けられている。図３は、このノズル２１の縦断側面図である。このノズル２１は、その側周に沿って複数の吐出口２２を備え、その内部に前記吐出口２２に連通する流路２３を備えている。そして、ノズル２１は各吐出口２２から斜め上方に向けて後述の過熱水蒸気を吐出し、処理空間Ｓの周縁部に当該過熱水蒸気が供給される。
【００２４】
処理空間Ｓの中央上部には、ノズル２１に対向するように排気部２４が設けられている。排気部２４は例えば前記ノズル２１を上下逆向きにした形状に構成されており、吐出口２２に相当する箇所は排気口２５として構成されている。また、処理空間Ｓの下部には処理空間Ｓの上方に向けて突出した、整流部材１８、１９が設けられている。これら整流部材１８、１９は、図２に示すように平面視リング状に形成され、ノズル２１を中心とした同心円状に設けられている。一方、処理空間Ｓの上部においても、整流部材１８、１９が処理空間Ｓの下方に向けて突出するように設けられている。このように処理空間Ｓの上部側に設けられた整流部材１８、１９は、排気部２４を中心とした同心円状に構成されている。これら処理空間Ｓの上下に設けられた整流部材１８、１９は、例えば上下で互いに重なり合う位置に設けられている。
【００２５】
処理容器１１の下部には、前記ノズル２１に接続される流路２６が設けられており、流路２６の上流側には配管３１の一端が接続されている。配管３１の他端は、水蒸気過熱部３２、水蒸気生成部３３、流量制御部３４をこの順に介して、水が貯留された水供給源３５に接続されている。水蒸気過熱部３３及び水蒸気生成部３４は、過熱水蒸気生成部３６を構成している。
【００２６】
流量制御部３４は、バルブやマスフローコントローラなどにより構成されており、後述の制御部１００から出力される制御信号を受信して、その制御信号に応じて水供給源３５から供給される水を配管３１の下流側に供給する。水蒸気生成部３３は供給された水を常圧で加熱して飽和水蒸気を発生させ、その飽和水蒸気を下流側に供給できるように構成されている。水蒸気過熱部３２は、制御部１００から出力される制御信号に従って、水蒸気過熱部３２から供給された水蒸気を常圧で１００℃よりも高い温度、例えば１１０℃〜３００℃に加熱して、過熱水蒸気を発生させる。そして、この過熱水蒸気を配管３１を介して処理空間Ｓに供給することができるように構成されている。
【００２７】
ここで、過熱水蒸気とは飽和水蒸気を所定の圧力においてその飽和温度以上に加熱して得られるＨ２Ｏガスであり、常圧で加熱する場合は上記のように１００℃で蒸発した飽和水蒸気を１００℃よりも高い温度で加熱して得られるガスである。水蒸気過熱部３２及び水蒸気生成部３３における水及び飽和水蒸気の加熱は、誘導加熱や抵抗加熱などにより行う。また、過熱水蒸気が配管３１を通流中に冷却されて水蒸気化及び液化することを防ぐために、配管３１において過熱水蒸気生成部３６の下流側にはテープヒータ３７が巻装されている。
【００２８】
処理容器１１の上部には、前記排気部２４の排気口２５に接続される流路４１が設けられており、流路４１の上流側には、排気管４２の一端が接続されている。排気管４２の他端は排気量調整部４３を介して例えば真空ポンプにより構成される排気手段４４に接続されている。排気量調整部４３は、バルブやマスフローコントローラなどにより構成されており、制御部１００から出力される制御信号を受信して、その制御信号に応じて処理空間Ｓの排気量を制御する。
【００２９】
各配管は例えば金属で夫々構成されているが、過熱水蒸気に接する配管３１、４２の内壁面は、石英により被覆されている。また、同様に過熱水蒸気に接する
処理空間Ｓの内壁面、処理容器１１の流路２６、４１の内壁面、ノズル２２、排気部２４の表面は、石英により構成されている。これは、過熱水蒸気により各部が腐食し、腐食物がウエハＷに付着することを防ぐためである。なお、これら過熱水蒸気に接する各部は、処理容器１１の内壁部１１ｃ同様にステンレスにより構成してもよいし、処理容器１１の内壁部１１ｃを石英により構成してもよい。
【００３０】
図４は図１における処理容器１１のＢ−Ｂ矢視横断平面図である。この図に示すように、処理容器１１の下部には、流路２６を囲うように扁平なリング状のエア滞留空間４５が設けられている。また、処理容器１１の上部には、流路４１を囲うように扁平なリング状のエア滞留空間４６が設けられている。エア滞留空間４６は、エア滞留空間４５と同様の形状に形成されており、これらのエア滞留空間４５、４６は上下で互いに重なる位置に設けられている。エア滞留空間４５、４６は、処理容器１１を上下に向かうように形成されたエア滞留空間４７により互いに接続されている。エア滞留空間４７は、処理空間Ｓの外側に、処理空間Ｓの周方向に沿って複数形成されている。
【００３１】
処理容器１１の下部には配管５１、５１の下流端が接続されており、この下流端は前記エア滞留空間４５に開口している。配管５１、５１の上流側は互いに合流し、流量制御部５５、冷却部５６をこの順に介してエアが貯留された供給源５４に接続されている。図中Ｖ１は、配管５１に介設されたバルブである。流量制御部５５は、流量制御部３４と同様に構成され、制御部１００から出力される制御信号を受信して、エア滞留空間４５〜４７へのエアの給断を制御する。また、冷却部５６は、制御部１００から出力される制御信号に応じて、配管５１の上流側から供給されたエアを所定の温度に冷却して、下流側へと供給する。
【００３２】
処理容器１１の上部には配管６１、６１の一端が接続されており、この一端は前記エア滞留空間４６に開口している。配管６１、６１の他端は互いに合流して、排気量制御部６２を介して前記排気手段４４に接続されている。図中Ｖ２は配管６１に介設されたバルブである。排気量制御部６２は、排気量制御部４３と同様に構成され、制御部１００から出力される制御信号を受信して、エア滞留空間４５〜４７からのエアの排気量を夫々制御する。
【００３３】
このウエハ加熱装置１には、コンピュータからなる制御部１００が設けられている。制御部１００はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部１００からウエハ加熱装置１の各部に制御信号を送り、既述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。また、例えばメモリには過熱水蒸気の供給流量、エアの供給流量及び電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵがプログラムの各命令を実行する際これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこのウエハ加熱装置１の各部位に送られることになる。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部１００にインストールされる。
【００３４】
続いて、このウエハ加熱装置１にてウエハＷが加熱される様子を、図５及び図６を参照しながら説明する。このウエハ加熱装置１に搬入されるウエハＷには、例えば、前段の塗布装置でレジストが塗布されている。また、ここでは、例えば１７０℃で加熱される第１のロットのウエハＷ１が数枚搬入された後に、１５０℃で加熱される第２のロットのウエハＷ２を連続で処理する場合について説明する。図７は、ウエハＷ１について処理を行う際の過熱水蒸気の供給及び排気のタイミングを示すタイムチャートであり、この図７も参照しながら説明を行う。
【００３５】
図５（ａ）は、ウエハＷ１が搬入される前のウエハ加熱装置１を示したものである。このとき、バルブＶ１、Ｖ２は閉じられており、エア滞留空間４５〜４７にはエアが滞留し、当該エア滞留空間４５〜４７は常圧になっている。また、テープヒータ３７が所定の温度に加熱されている。また、ノズル２１からの過熱水蒸気の供給及び排気部２４からの排気は行われていない。
【００３６】
ウエハＷの搬送手段５０がウエハＷを保持した状態で、ウエハ加熱装置１に接近すると、蓋部１２が本体部１３から横方向に離れた後、下降して、開口部１４が開放される。そして、図５（ｂ）に示すようにウエハＷの搬送手段５０が、開口部１４を介して本体部１３内に進入した後、下降して、ウエハＷが支持ピン１７上に受け渡される（時刻ｔ１）。搬送手段５０が本体部１３から退避すると、蓋部１２が上昇し、本体部１３に密着して処理空間Ｓが形成される（図５（ｃ））。
【００３７】
続いて、所定の流量で水が過熱水蒸気生成部３６に供給されて、１７０℃の過熱水蒸気が生成すると共に、排気部２４から排気が開始される（時刻ｔ２）。この排気流量は、例えば処理空間Ｓへの過熱水蒸気の供給流量と同量であり、処理空間Ｓは常圧に保たれる。そして、生成した過熱水蒸気は図５（ｄ）に矢印で示すようにノズル２１の吐出口２２から処理空間Ｓに供給され、ウエハＷ１の裏面側を、整流部材１８、１９に衝突しながら処理空間Ｓの壁面に沿って当該ウエハＷ１の中心部から外周側へと向う。そして、外周に向かった過熱水蒸気は、前記外周からウエハＷ１の表面側に回りこみ、整流部材１８、１９に衝突しながら処理空間Ｓの壁面に沿って当該ウエハＷ１の中心部側へと向かい、排気部２４から排気される。このとき、エア滞留空間４５〜４７に滞留しているエアによる、処理空間Ｓとウエハ加熱装置１の外部空間との断熱作用により、処理空間Ｓの温度の低下が妨げられる。従って、処理空間Ｓでの過熱水蒸気の水蒸気化及び液化が防がれる。
【００３８】
このように処理空間Ｓに過熱水蒸気の流れが形成され、この流れに曝されて、ウエハＷは１７０℃に加熱される。ウエハＷからはガス状のレジストの昇華物が発生するが、この昇華物は前記過熱水蒸気の流れによって、排気されて、処理空間Ｓから除去される。そして、ウエハＷに塗布されたレジストの乾燥が進行する。ところで、この過熱水蒸気が被加熱物に接触して熱を伝える対流伝熱は０．４８ｃａｌ／ｇ／℃である。例えば空気（エア）の対流伝熱は０．２４ｃａｌ／ｇ／℃である。つまり、加熱した空気をウエハＷに供給する場合に比べて過熱水蒸気を供給する場合の方がウエハＷへの熱伝達性が高く、短時間で当該のウエハＷに大きなエネルギーを与えることができる。従って、短時間でウエハＷを加熱することができる。また、過熱水蒸気は、飽和水蒸気に比べて酸素の含有量が少ないため、ウエハＷやその表面に形成されている各膜を酸化させることが抑えられる。
【００３９】
過熱水蒸気の供給を開始してから所定の時間経過後、過熱水蒸気の供給が停止し（時刻ｔ３）、処理空間Ｓの過熱水蒸気が除去された後、過熱水蒸気の供給停止に少し遅れて処理空間Ｓの排気が停止する（時刻ｔ４）。過熱水蒸気により加熱された処理容器１１が放熱され、冷却される。その後、再び処理空間Ｓへの過熱水蒸気の供給及び処理空間Ｓの排気が開始される（時刻ｔ５）。時刻ｔ４とｔ５との間隔は、前記昇華物が冷却されて固化し、処理容器１１やウエハＷ１に付着することがないような間隔に設定する。過熱水蒸気の供給及び排気の再開後は、引き続きウエハＷ１が加熱され、レジストの乾燥が進行する。そして、過熱水蒸気の供給及び排気を再開してから所定の時間経過後、過熱水蒸気の供給が停止し（時刻ｔ６）、処理空間Ｓの過熱水蒸気が除去された後、処理空間Ｓの排気が停止する（時刻ｔ７）。
【００４０】
然る後、蓋部１２が開かれ、搬送手段５０が本体部１３内に進入し、搬入時とは逆の動作でウエハＷを当該本体部１３から搬出し（図６（ａ））、蓋部１２が閉じられる（図６（ｂ））。その後、後続のウエハＷ１が加熱装置１に搬入され、先のウエハＷ１と同様に処理を受ける。
【００４１】
そして、全ての第１のロットのウエハＷ１の処理が終了した後、第２のロットのウエハＷ２がウエハ加熱装置１に搬入される。その一方で、バルブＶ１、Ｖ２が開かれ、冷却部５６で所定の温度例えば２３℃に冷却されたエアがエア滞留空間４５〜４７に所定の流量で供給されると共に、この供給される流量と同じ流量でエア滞留空間４５〜４７からの排気が行われる（図６（ｃ））。そして、エア滞留空間４５〜４７のエアの入れ替えが進み、処理空間Ｓの温度が低下する。エア供給及び排気開始から所定の時間経過後、バルブＶ１、Ｖ２が閉じられる。このときの処理空間Ｓの温度は、ウエハＷ１の加熱処理時の温度よりも低いが、過熱水蒸気の処理空間Ｓへの供給時に、当該過熱水蒸気が水蒸気化及び液化しない温度とする。然る後、１５０℃の過熱水蒸気がウエハＷ１の加熱処理時と同様に処理空間Ｓに供給されると共に処理空間Ｓが排気され、ウエハＷ２が加熱処理される（図６（ｄ））。そして、ウエハＷ１を処理するときと同様のプロセスでウエハＷ２の処理が進行し、処理終了後、ウエハＷ２は処理容器１１から搬出される。
【００４２】
このウエハ加熱装置１によれば、ウエハＷの加熱温度に応じて温度制御した過熱水蒸気をウエハＷに供給しているので、従来のウエハＷを載置した熱板による加熱を行う場合に比べて、均一性高くウエハＷを加熱することができる。また過熱水蒸気の温度を変更することでウエハＷの加熱温度を速やかに変更できるので、スループットを向上させることができる。更に、過熱水蒸気の流れに曝されてウエハＷは加熱されるので、ウエハＷに形成された各膜から昇華物が生じても、その昇華物が過熱水蒸気の流れに押し流されて除去される。従って前記昇華物が固化して、ウエハＷに付着することが抑えられる。
【００４３】
また、このウエハ加熱装置１によれば、処理容器１１において、処理空間Ｓの周囲にエア滞留空間４５〜４７を設けたことにより、処理空間Ｓが断熱され、処理空間Ｓの温度が高温に保たれる。従って、過熱水蒸気がウエハＷ上で凝集して、水蒸気化及び液化し、ウエハＷの各部の加熱にばらつきが生じることを防ぐことができる。さらに、このエア滞留空間４５〜４７に冷却したエアを供給できるようになっているため、速やかに処理容器１１の温度を下げることができる。従って、直前に処理したウエハＷよりも処理温度が低いウエハＷを速やかに処理することができるため、スループットをより大きく向上させることができる。また、発熱源を処理容器１１内に持たないことからも、当該処理容器１１の温度を速やかに下げることができるので、スループットを向上させることができる。
【００４４】
ところで、上記の例においては処理温度が高いウエハＷ１をウエハ加熱装置１に搬入した後に、処理温度が低いウエハＷ２をウエハ加熱装置１に搬入する場合について説明しているが、ウエハＷ２の後に例えばその処理温度が１８０℃であり、ウエハＷ２の処理温度よりも高いウエハＷ３を搬入する場合は、例えばエア対流空間４５〜４７のエアを入れ替えずに、ウエハＷ３の処理を行う。
【００４５】
また、この例では、整流部材１８、１９を処理空間Ｓに設けて、過熱水蒸気の流れを規制し、過熱水蒸気の処理空間Ｓ内での滞留時間を長くして、少ない過熱水蒸気の供給量でウエハＷを加熱できるようになっているが、整流部材１８、１９を設けずに、過熱水蒸気を供給してもよい。その場合は、処理空間Ｓを曲面により構成しているため、過熱水蒸気が処理空間Ｓの壁面に沿ってノズル２１から排気部２４へ、よりスムーズに流れる。その結果として、ウエハＷをより均一性高く加熱することができる。また、この例ではノズル２１の吐出口２２をウエハＷに向けて開口しないように形成し、ウエハＷに直接過熱水蒸気が吐出されないようにしている。このような構成により、過熱水蒸気の吐出の圧力により、ウエハＷの位置がずれて搬送手段５０への受け渡しが行えなくなることが防がれるので好ましい。
【００４６】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態であるウエハ加熱装置７について、その縦断側面図、横断平面図である図８、図９を夫々参照しながら、ウエハ加熱装置１との差異点を中心に説明する。このウエハ加熱装置７の概略構成を述べると、１つの処理容器７１において、処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣが横方向に直線状に配列されている。処理容器７１の長さ方向の両外側には、水平軸まわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように一対の回動体７２、７３が配置されている。回動体７２、７３には合成繊維により構成されたベルト７４、７４が巻き掛けられている。回動体７２にはベルト駆動機構である回動機構７５が接続され、回動体７２を回動軸周りに回動させることにより、ベルト７４が、処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣ内及び処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣの下方を通過する周回軌道に沿って移動する。
【００４７】
また、処理容器７１の長さ方向の両外側には、昇降ピン７７Ａ、７７Ｂが夫々設けられており、昇降機構７８により昇降自在に構成されている。昇降ピン７７Ａ、７７Ｂは、装置７の外部のウエハＷの搬送手段５０と前記ベルト７４との間でウエハＷの受け渡しを行う。処理容器７１の一端側（図中左側）にて、ベルト７４、７４にウエハＷが受け渡されると、ウエハＷは当該ベルト７４、７４により処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣを順次搬送され、処理空間ＳＣから処理容器７１の他端側へ搬出される。そして、この搬送中にウエハＷは、処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣで夫々異なる温度で加熱処理される。
【００４８】
処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣは、既述の処理空間Ｓと略同様に構成されているが、ベルト７４にウエハＷが載置されるため、処理空間Ｓの内部に支持ピン１７は設けられていない。処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣへの入り口には夫々シャッタ７９Ａ、７９Ｂ、７９Ｃが設けられている。また処理空間ＳＣの出口にはシャッタ７９Ｄが設けられている。図１０にはシャッタ７９Ａを示しており、その下部にはベルト７４の移動路を構成する切り欠き７０、７０が設けられている。各シャッタ７９Ｂ〜７９Ｄは、このシャッタ７９Ａと同様に構成されている。これらシャッタ７９Ａ〜７９Ｄは、各処理空間を区画する区画部材であり、不図示の動作機構により互いに独立して昇降する。それによって、各処理空間同士及び処理空間と処理容器７１の外部空間とが夫々区画される。
【００４９】
また、各処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣの周囲には、夫々エア滞留空間４５、４６４７が設けられており、処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣについて個別に温度変更を行うことができるようになっている。また、各エア滞留空間に個別に冷却エアを供給し、各エア滞留空間から個別に排気を行うことができるように、図８に示すように配管系が構成されている。この冷却エアの配管系は、ウエハ加熱装置１と同様に配管５１、６１、流量制御部５５、冷却部５６及び排気量制御部６２及び各バルブを備えている。これらの配管系の構成要素及びエア滞留空間において、処理空間ＳＡに対応するものには、図１で用いた数字の後に記号Ａを付して示している。同様に処理空間ＳＢ、ＳＣに対応するものには、数字の後にＢ、Ｃを夫々付して図中に示している。また、これらの構成要素において、処理空間ＳＡ〜ＳＣに共通しているものについては、記号Ａ、Ｂ、Ｃを付していない。
【００５０】
図８に示すように過熱水蒸気生成部３６から処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣに夫々過熱水蒸気を供給でき、処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣから夫々個別に排気を行うことができるように配管系が構成されている。この過熱水蒸気の配管系においても、冷却エアの配管系と同様に処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣに夫々対応するものについて夫々数字の後に記号Ａ、Ｂ、Ｃを付して図中に示している。図中Ｖ３Ａ〜Ｖ３Ｃは、そのように過熱水蒸気の供給先を切り替えるためのバルブである。また、図中では記載を一部省略しているが、ウエハ加熱装置１と同様にテープヒータ３７は、処理容器７１から過熱水蒸気生成部３６に至るまで巻装されている。
【００５１】
また、図示は省略しているが、ウエハ加熱装置７においては、ウエハ加熱装置１と同様に制御部１００により装置の各部の動作が制御され、ウエハＷに一連の処理が行われる。後述の他の実施形態のウエハ加熱装置も同様である。
【００５２】
続いて、ウエハ加熱装置７の動作について説明する。このウエハ加熱装置７には、例えば絶縁膜を構成する薬液が塗布されたウエハＷが搬送される。処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣでウエハＷは段階的に異なる温度で加熱され、前記薬液中に含まれる溶剤の除去、絶縁膜を構成する分子の骨格の形成、絶縁膜の焼き固めが順次行われる。例えば先行してウエハ加熱装置７に搬送される第１のロットのウエハＷ１は、処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣで夫々１２０℃、１４０℃、１６０℃で加熱され、その後に搬送される第２のロットのウエハＷ２は夫々１１０℃、１３０℃、１５０℃で加熱される。
【００５３】
ウエハ搬入前においては、ウエハ加熱装置１と同様にエアが各エア滞留空間に滞留しており、テープヒータ３７が所定の温度に加熱される。このとき、各シャッタ７９Ａ〜７２Ｄ及び昇降ピン７７は、図８に示した下降位置にある。そして、不図示の搬送手段により、ウエハ加熱装置７にウエハＷ１が搬送されると、上昇した昇降ピン７７Ａに受け渡される（図１１（ａ））。昇降ピン７７が下降し、ウエハＷ１がベルト７４に受け渡されると、シャッタ７９Ａが上昇し、処理空間ＳＡの入り口が開放される（図１１（ｂ））。ベルト７４が駆動し、ウエハＷが処理空間ＳＡに搬入され、ベルト７４の駆動が停止する。シャッタ７９Ａが下降し、処理空間ＳＡが外部空間と区画され、１２０℃の過熱水蒸気が処理空間ＳＡに供給されると共に処理空間ＳＡが排気され、ウエハＷ１が加熱される（図１１（ｃ））。
【００５４】
第１の実施形態と同様に、所定の時間経過後に処理空間ＳＡへの過熱水蒸気の供給が停止し、それに少し遅れて処理空間ＳＡの排気が停止する。そして、処理空間ＳＡが冷却された後、再度１２０℃の過熱水蒸気が処理空間ＳＡに供給されると共に処理空間ＳＡの排気が行われ、ウエハＷ１が加熱される。その後、再び処理空間ＳＡへの過熱水蒸気の供給が停止し、それに少し遅れて処理空間ＳＡの排気が停止する。続いてシャッタ７９Ｂが上昇し、処理空間ＳＢの入り口が開放される。ベルト７４が駆動し、ウエハＷ１が処理空間ＳＢ内に搬入される（図１１（ｄ））。
【００５５】
然る後、ベルト７４の駆動が停止し、シャッタ７９Ｂが下降して、処理空間ＳＢが処理空間ＳＡから区画される。そして、１４０℃の過熱水蒸気が処理空間ＳＢに供給されると共に処理空間ＳＢが排気され、ウエハＷ１が加熱される（図１２（ａ））。所定の時間経過後、前記過熱水蒸気の供給が停止し、それに少し遅れて処理空間ＳＢの排気が停止する。そして、処理空間ＳＢが冷却された後、再度１４０℃の過熱水蒸気が処理空間ＳＢに供給されると共に処理空間ＳＢの排気が行われ、ウエハＷ１が加熱される。
【００５６】
その後、再び処理空間ＳＢへの過熱水蒸気の供給が停止し、それに少し遅れて処理空間ＳＢの排気が停止する。続いてシャッタ７９Ｃが上昇し、処理空間ＳＣの入り口が開放される。ベルト７４が駆動し、ウエハＷが処理空間ＳＣ内に搬入される（図１２（ｂ））。ベルト７４の駆動が停止し、シャッタ７９Ｃが下降し、処理空間ＳＣが処理空間ＳＢから区画される。その後、１６０℃の過熱水蒸気が処理空間ＳＣに供給されると共に処理空間ＳＣが排気され、ウエハＷ１が加熱される（図１２（ｃ））。所定の時間経過後、前記過熱水蒸気の供給が停止し、それに少し遅れて処理空間ＳＣの排気が停止する。そして、処理空間ＳＣが冷却された後、再度１６０℃の過熱水蒸気が処理空間ＳＢに供給されると共に処理空間ＳＣの排気が行われ、ウエハＷ１が加熱される。
【００５７】
然る後、処理空間ＳＣへの過熱水蒸気の供給が停止し、それに少し遅れて処理空間ＳＣの排気が停止する。その後、シャッタ７９Ｄが上昇し、ベルト７４が駆動してウエハＷが処理容器７１から搬出される（図１２（ｄ））。その後、昇降ピン７７がウエハＷを突き上げ、不図示の搬送手段にウエハＷが受け渡される。
【００５８】
その後、各エア滞留空間４５Ａ〜４７Ａ、４５Ｂ〜４７Ｂ、４５Ｃ〜４７Ｃに所定の温度例えば２３℃で夫々所定の流量のエアが供給されると共に、供給される量と同じ流量で各エア滞留空間からの排気が行われる。各処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣが冷却され、然る後、エア滞留空間への冷却エアの供給及び排気が停止し、ウエハＷ２がウエハ加熱装置７に搬入され、ウエハＷ１と同様の手順で処理を受ける。
【００５９】
このウエハ加熱装置７においても、過熱水蒸気によりウエハＷを加熱しているので、ウエハ加熱装置１と同様にウエハＷを均一性高く加熱することができ、ウエハＷの加熱温度の変更を短時間で行うことができる。また、ウエハ加熱装置７においては、連接された処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣでウエハＷに夫々異なる温度の過熱水蒸気が供給されるので、複数の加熱装置間でウエハＷを搬送して処理を行う場合よりも処理時間を短縮することができる。
【００６０】
上記の例ではウエハＷを処理空間ＳＣで処理後に、処理空間ＳＡ〜ＳＣに対応する各エア滞留空間に冷却エアを供給して、処理空間ＳＡ〜ＳＣの温度を低下させているが、処理空間毎にエア滞留空間が形成されていることから、次のように冷却エアを供給してもよい。処理空間ＳＡでウエハＷ１を加熱処理した直後に処理空間ＳＡの周囲のエア滞留空間４５Ａ〜４７Ａに冷却エアを供給すると共にエア滞留空間４５Ａ〜４７Ａの排気を行い、処理空間ＳＡの冷却を行う。その一方で昇降ピン７７Ａにより後続のウエハＷ２をベルト７４に受け渡し、処理空間ＳＢにウエハＷ１を搬入すると共に処理空間ＳＡにウエハＷ２を搬入し、処理空間ＳＢ、ＳＡにおいて夫々異なる温度でウエハＷ１、Ｗ２の加熱処理を行う。
【００６１】
そして、処理空間ＳＢ、ＳＡにおける加熱処理終了後、エア滞留空間４５Ｂ〜４７Ｂに対して冷却エアの供給及び排気を行い、処理空間ＳＢの温度が下がった後にベルト７４を駆動させて処理空間ＳＣ、ＳＢに夫々ウエハＷ１、Ｗ２を搬入し、加熱処理を行う。処理空間ＳＣ、ＳＢにおける加熱処理終了後は、エア滞留空間４５Ｃ〜４７Ｃに対して冷却エアの供給及び排気を行い、処理空間ＳＣの温度が下がった後にベルト７４を駆動させて処理空間ＳＣにウエハＷ２を搬入すると共にウエハＷ１を処理容器７１から搬出する。このようにある一の処理空間において一のロットのウエハの処理が終わったら、他の処理空間とは独立して他のロットのウエハの処理温度に応じて当該一の処理空間の温度を変更することで、速やかに他のロットのウエハを搬入することができ、よりスループットを高めることができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態であるウエハ加熱装置８について説明する。ウエハ加熱装置８は、ウエハ加熱装置７と略同様に構成されており、その縦断側面図、横断平面図である図１３、図１４を夫々参照しながらウエハ加熱装置７との差異点を中心に説明する。図１３ではエア滞留空間からの排気及びエア滞留空間への冷却エアの供給を行う配管系の図示を省略しているが、この配管系はウエハ加熱装置７と同様に構成されている。
【００６３】
このウエハ加熱装置８において、処理空間ＳＡ，ＳＢ、ＳＣは夫々扁平な角型の空間として構成されており、その上面及び下面はウエハＷと平行するように形成されている。各処理空間ＳＡ〜ＳＣの上下には、ウエハの搬送方向の一端側、他端側に過熱水蒸気の吐出口８１、排気口８２が夫々形成されている。図１４に示すように各処理空間の下方側に開口した吐出口８１及び排気口８２は、ウエハＷの搬送方向に直交するように複数設けられている。各処理空間の上方側においても下方側と同様に吐出孔８１、排気口８２が、前記搬送方向に直交するように複数設けられている。
【００６４】
各処理空間ＳＡ、ＳＢ、ＳＣで夫々個別に吐出口８１からの吐出量及び排気口８２からの排気量を制御できるように配管系が形成されている。また、この配管系では、上下の吐出口８１で夫々独立して過熱水蒸気の供給量を制御し、また上下の排気口で夫々独立して過熱水蒸気の排気量を制御できるように構成されている。図中８３は流量制御部、８４は排気量制御部である。８５は各吐出口８１と過熱水蒸気生成部３６とを接続する配管であり、ウエハ加熱装置１、７の配管３１に相当する。８６は各排気口８２と排気手段４４とを接続する配管であり、ウエハ加熱装置１、７の配管６１に相当する。前記流量制御部８３は、配管８５に介設され、各処理空間へ供給する過熱水蒸気の供給量を制御する。前記排気量制御部８４は配管８６に介設され、各処理空間の排気量を制御する。
【００６５】
図示を省略しているが、ウエハ加熱装置１、７と同様に過熱水蒸気の液化及び水蒸気化を防ぐために、配管８５において処理容器１１から過熱水蒸気生成部３６に亘ってテープヒータ３７が巻装されている。また、この例ではエア滞留空間４５Ａ〜４５Ｃ、４６Ａ〜４６Ｃは夫々平板状に形成されていることを除けば、第１、第２の実施形態と同様に構成されている。
【００６６】
ウエハ加熱装置８に搬入されるウエハＷは、第２の実施形態と同様に絶縁膜を形成するための薬液が塗布されており、ウエハ加熱装置７に搬入される場合と同様の手順で各処理空間ＳＡ〜ＳＣを搬送され、加熱処理を受ける。図１４及び図１５では処理空間ＳＡで処理を受けるウエハＷを示している。これらの図に矢印で示すように各処理空間では、供給された過熱水蒸気が処理空間の上側の壁面、下側の壁面に沿って夫々ウエハＷの搬送方向とは逆方向に向かって流れる。この過熱水蒸気の流れに曝されてウエハＷが加熱され、加熱処理中においてはウエハＷの塗布膜から生じた昇華物が、この過熱水蒸気の流れに押し流されて除去される。このウエハ加熱装置８は、ウエハ加熱装置７と同様の効果を有する。
【００６７】
（第４の実施形態）
続いて第４の実施形態であるウエハ加熱装置９について、第２の実施形態のウエハ加熱装置７との差異点を中心に図１６を参照しながら説明する。このウエハ加熱装置９に搬送されるウエハＷは、化学増幅型のレジストが塗布され、さらに露光処理をうけているが、現像処理を受けていない。つまり、ウエハ加熱装置９においては、いわゆるポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）が行われる。処理空間ＳＡ、ＳＣには過熱水蒸気の代わりにウエハＷを例えば２３℃に冷却するための冷却エアが供給されるように構成されている。配管３１Ａ、３１Ｂの上流側は過熱水蒸気生成部３６に接続される代わりに、冷却部９１を介してエア供給源９２に接続されている。冷却部９１は冷却部５５と同様に構成されている。また配管３１Ａ、３１Ｃにおいて、冷却部９３の下流側には流量制御部９３が介設されている。エア供給源に供給されたエアが冷却部９１にて、設定された温度に冷却され、配管３１Ａ、３１Ｃの下流側へ供給される。流量制御部９３により、そのように冷却されたエアの各処理空間ＳＡ、ＳＣへの給断が制御される。
【００６８】
処理空間ＳＡ、ＳＣでは過熱水蒸気が供給される場合と同様に、前記冷却エアの供給と排気とが行われる。そして、処理空間ＳＡで冷却されたウエハＷが処理空間ＳＢで加熱され、さらに処理空間ＳＣで冷却される。このように、冷却と加熱とを行うことにより前記レジストで起こる酸触媒反応を制御する。
【００６９】
この第４の実施形態では、例えば処理空間ＳＡ、ＳＢで冷却、加熱処理を夫々行った後、ウエハＷを処理空間ＳＡに戻して、処理空間ＳＡで冷却を行ってもよい。その後、処理空間ＳＡの入り口の昇降ピン７７ＡでウエハＷを加熱装置の外部の搬送手段に受け渡してもよい。この第４の実施形態において、処理空間ＳＡ〜ＳＣの形状は、第３の実施形態と同様の形状に構成してもよい。さらに、第１の実施形態においてもノズル２１から処理空間Ｓへの過熱水蒸気と冷却エアとの供給が切り替えられるように構成して、ＰＥＢを行うようにしてもよい。
【００７０】
上記の各実施形態の各部の構成は相互に適用することができる。例えば、第２、第３の実施形態においても処理空間ＳＡ、ＳＢで処理後にウエハＷを処理空間ＳＡに戻して処理を行い、処理空間ＳＡの入り口の昇降ピン７７ＡでウエハＷを搬送手段に受け渡してもよい。また、第１の実施形態においても第３の実施形態のように処理空間Ｓを角型に構成し、ウエハＷの一端側から他端側へ過熱水蒸気流を形成して、ウエハＷを加熱してもよい。
【００７１】
第２〜第４の実施形態においてはベルト７４を停止させず、ウエハＷを移動させながら過熱水蒸気の供給を行ってウエハＷを加熱してもよい。また、各実施形態においては、各処理空間で加熱処理中に過熱水蒸気の供給の停止及び排気の停止を行う回数は１回に限られず、複数回行ってもよいし、このような停止処理を行わず、連続して過熱水蒸気の供給及び排気を行ってもよい。また、上記の各実施形態では処理空間内に残留した過熱水蒸気が液化しないように、過熱水蒸気の供給停止後に排気の停止を行っているが、過熱水蒸気の供給及び排気の停止を同時に行ってもよい。
【００７２】
各実施形態ではエア滞留空間４５〜４７から排気管６１を介して排出されたエアを排気手段４４により排気しているが、排気管６１を排気手段４４に接続する代わりにエア供給源５４へと接続する。そして、排気管６１にポンプを介設し、そのポンプによって排気管６１、エア供給源５４、供給管５１及びエア滞留空間４５〜４７の間でエアが循環するようにしてもよい。つまり、この場合、排気管４２によりエア供給源５４にエアが回収され、回収されたエアは再度、冷却部５６により冷却されて、エア滞留空間４５〜４７に供給されることになる。また、エア滞留空間４５〜４７にはエア以外のガスを供給してもよいし、温度調整された液体を供給してもよい。
【符号の説明】
【００７３】
Ｗ、Ｗ１、Ｗ２          ウエハ
Ｓ、ＳＡ、ＳＢ、ＳＣ    処理空間
１、７、８、９          ウエハ加熱装置
１１、７１              処理容器
１２                    蓋部
１３                    本体部
１８、１９              整流部材
２１                    ノズル
２２                    吐出口
２４                    排気部
２５                    排気口
３２                    水蒸気過熱部
３３                    水蒸気生成部
３６                    過熱水蒸気生成部
４５、４６、４７        エア滞留空間
７４                    ベルト
７５                    回動機構
７９Ａ〜７９Ｄ          シャッタ
１００                  制御部
【図１】
0005407736.tif 000002
【図２】
0005407736.tif 000003
【図３】
0005407736.tif 000004
【図４】
0005407736.tif 000005
【図５】
0005407736.tif 000006
【図６】
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【図７】
0005407736.tif 000008
【図８】
0005407736.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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