(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に、少なくとも、軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、少なくとも、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層と第３の磁気記録層を有しており、
前記第１の磁気記録層と前記第２の磁気記録層の間に結合層を設けており、
前記結合層を介した、前記第１の磁気記録層と前記第２の磁気記録層は、強磁性結合しており、
前記結合層を介した、前記第１の磁気記録層と前記第２の磁気記録層は、グラニュラー構造からなり、
前記第２の磁気記録層の直上に前記第３の磁気記録層を設けており、
前記第１の磁気記録層と第２の磁気記録層と第３の磁気記録層は、磁化容易軸方向が前記非磁性基体面に対して垂直方向であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 
【請求項２】
前記結合層を介して強磁性結合している前記第１の磁気記録層と前記第２の磁気記録層は、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなるグラニュラー構造からなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。 
【請求項３】
前記第１の磁気記録層の一軸異方性定数Ｋｕ1と、前記第２の磁気記録層の一軸異方性定数Ｋｕ2と前記第３の磁気記録層の一軸異方性定数Ｋｕ3との値がそれぞれ異なり、その大小関係がＫｕ1＞Ｋｕ2＞Ｋｕ3であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。 
【請求項４】
前記結合層が、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒの内から選ばれる元素、またはこれらの内の少なくとも１つの元素を主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。 
【請求項５】
前記結合層の膜厚が、0.3nm以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体に関する。より詳細には、コンピューター、ＡＶ機器等の記憶装置として用いられるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に搭載される垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の記録密度は急速に増加しており、今後もこの傾向は引続き継続すると予測されている。このような記録密度の著しい増加の結果、記録した信号を安定に保持できなくなる現象である「熱揺らぎ」という問題に対処すべく、面内磁気記録方式と正反対の特徴、即ち記録密度の増大に伴いビットの安定性が増すという特性を有する垂直磁気記録方式を採用した垂直磁気記録媒体の開発が盛んに行われ、実用化されている。
磁気記録媒体の高密度化を進めるためは、磁気記録層を構成する結晶粒子の磁気的な分離を促進し、磁化反転単位を小さくしていく必要がある。磁性体の熱安定性（熱揺らぎ耐性）は、一軸異方性定数をＫｕとし、活性化体積をＶａとすると、両者の積であるＫｕＶａという指標で表さる。ここで、Ｖａは磁化反転単位の体積Ｖと相関していることが知られている。即ち、ＫｕＶａ（あるいはＫｕＶ）が小さくなるほど磁気記録媒体の熱安定性は低下する。この指標から明らかなように、記録密度を向上するために磁化反転単位を小さくするとともに熱安定性が低下することとなり、垂直磁気記録媒体といえども熱揺らぎ問題を生じることとなる。従って、磁化反転単位を小さくしても熱安定性を維持するためには、Ｋｕを大きくする必要がある。
【０００３】
一方、ＨＤＤにおいて記録時に必要となる磁場強度は、ほぼＫｕに比例することが知られている。そのため、熱安定性を維持するためにＫｕを大きくする場合は、記録時に必要となる磁場強度が増加し、その増加が著しい場合には記録不能となる場合も生じる。
また、磁化反転単位を小さくしていくと、反磁界が小さくなるため、磁気記録層の反転磁界は大きくなっていく。すなわち、磁化反転単位を小さくするほど記録に必要となる磁場強度は大きくなっていくことになる。
よって、高密度化に向けた磁化反転単位の微細化とＫｕの増加は、磁気記録媒体の記録分解能と熱安定性の向上に寄与するものの、双方とも「磁気記録媒体への記録しやすさ」（以下、単に「記録容易性」とも表記する。）を低下させることにつながる。
以上の背景から、記録容易性を低下させることなく磁気記録媒体の熱安定性や電磁変換特性を向上させる方法が求められている。
この問題を解決する方法として、特許文献１では、２層構造の磁気記録層において、その間に結合層を設けることで、熱安定性を損ねることなく記録容易性の向上を実現した垂直磁気記録媒体を提供することを目的とし、さらには、ノイズ特性、Ｓ／Ｎ特性等の性能を向上して、高密度化と記録容易性の向上が同時に実現された垂直磁気記録媒体を提供すること目的とした垂直磁気記録媒体の提供方法が提案されてきた。
【０００４】
しかし、より高密度化を目論み、磁化反転単位の微小化を進めると、高Ｋｕであるグラニュラー構造の磁気記録層占有割合が増加し、反転磁界が増大してしまい、磁気記録媒体としての記録容易性の低下を抑制するには限界がある。また、記録容易性の維持を目論み、磁化反転し易くするために低Ｋｕ層を厚くしてしまうと高Ｋｕの磁性層における占有割合が低下し、高密度化は困難となってしまう。よって、更なる高密度化の為に、Ｋｕに依存する保磁力Ｈｃを低く制御しつつ、高記録分解能が得られる新たな技術が必要となっている。
【特許文献１】特開２００６−４８９００号公報
【特許文献２】特開２００４−３１０９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述の問題点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、磁気記録層をＫｕの異なる3層の磁気記録層で構成し、より一層、熱安定性を損ねることなく記録容易性の向上を実現した垂直磁気記録媒体を提供することにある。さらには、ノイズ特性、Ｓ／Ｎ特性等の性能を向上して、高密度化と記録容易性の向上が同時に実現された垂直磁気記録媒体を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の目的を達成するため、非磁性基体上に、少なくとも、軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、磁気記録層は、少なくとも、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層と第３の磁気記録層を有しており、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層の間に結合層を設けており、結合層を介した、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層は、強磁性結合しており、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層は、グラニュラー構造からなり、第２の磁気記録層の直上に第３の磁気記録層を設けており、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層と第３の磁気記録層は、磁化容易軸方向が非磁性基体面に対して垂直方向であることを特徴とする。 
これにより、熱安定性を阻害することなく反転磁界を低下させて記録容易性を高めることができる。 
ここで、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層と第３の磁気記録層の内、少なくとも結合層を介して強磁性結合し、連続する磁気記録層は、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなるグラニュラー構造からなることが特に好ましい。 
また、グラニュラー構造からなる磁気記録層について、一軸異方性定数Ｋｕの値がそれぞれ異なることが好ましい。その大小関係として、第１の磁気記録層の一軸異方性定数Ｋｕ１と、第２の磁気記録層の一軸異方性定数Ｋｕ２とが、Ｋｕ１＞Ｋｕ２の関係であることが特に好ましい。 
【０００７】
また、結合層は、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒの内から選ばれる元素、またはこれらの内の少なくとも1つの元素を主
成分とする合金からなることが好ましい。
また、結合層の膜厚は、0.3nm以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、垂直磁気記録媒体において、磁気記録層間の強磁性結合を適切に設定することができ、更に、高Ｋｕ層と低Ｋｕ層を設けることで、指標ＫｕＶの向上と全磁気記録層の平均的な保磁力Ｈｃの低減により、熱安定性を損ねることなく磁気記録媒体の反転磁界を低減し、同時にノイズ特性、Ｓ／Ｎ特性等の磁気記録媒体性能の向上を実現することができる。また、磁気記録層をＫｕの異なる３層の磁気記録層から成る構造とすることで、低Ｋｕ、即ち、低Ｈｃの磁気記録層から順次磁化反転が生じ、高Ｋｕ磁気記録層の磁化反転をさせ易くなる。これにより、磁気記録媒体の熱安定性の向上、記録容易性の向上、記録密度の向上を同時に実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
本発明は、特許文献１により提案された強磁性結合しているＫｕの異なる磁気記録層について、さらに高密度化と磁化反転容易性を向上させる為に、低Ｋｕ層の一部を新たにグラニュラー構造の磁気記録層で置換した構造をしている。磁化反転が、低Ｋｕ層、置換したグラニュラー構造の磁気記録層、高Ｋｕ層と、順次行われるため記録容易性の維持、更に熱安定性の確保ならびに記録密度の向上が可能となる。
磁気記録層の条件、磁気記録層間の交換結合エネルギーを制御するために用いる結合層の材料や膜厚等を実験的に詳細に検討を行った。
以下、本発明のより詳細な内容について説明する。
図１は、本発明の垂直磁気記録媒体の実施形態を説明する為のもので、断面模式図で示している。図１に示すように、本発明の実施形態の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に、軟磁性裏打ち層２、下地層３、非磁性中間層４、第１の磁気記録層５、結合層６、第２の磁気記録層７、第３の磁気記録層８、保護層９、液体潤滑層１０を順次形成している。
非磁性基体１としては、磁気記録媒体用に通常用いられる基体であってよく、例えば、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。また、基板加熱温度を１００℃以内に抑える場合は、ポリカーボネイト、ポリオレフィン等の樹脂からなるプラスチック基板を用いることもできる。
【００１０】
軟磁性裏打ち層２は、磁気記録に用いる磁気ヘッドからの磁束を制御して記録・再生特性を向上するために形成することが好ましい層で、軟磁性裏打ち層を省略することも可能である。軟磁性裏打ち層としては、結晶のＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等、また非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒ等を用いることができる。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、他の層と連続成膜で形成する場合などは、生産性との兼ね合いから１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが望ましい。他の層の成膜前に、めっき法などによって、あらかじめ非磁性基体上に成膜する場合、数μｍと厚くすることも可能である。
下地層３は、その上に形成する非磁性中間層４または第１の磁気記録層５の結晶配向性、結晶粒径等を制御するために形成することが好ましい層で、非磁性材料、軟磁性材料を用いることができる。下地層を省略することも可能である。
軟磁性材料の場合は、下地層が軟磁性裏打ち層の機能の一部を担うこととなり、より好ましく用いられる。軟磁性材料としては、パーマロイ系材料である、ＮｉＦｅＡｌ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＮｂＢ、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅＣｒなどを用いることができる。パーマロイ系下地層の膜厚は、磁気記録層の磁気特性や電磁変換特性が最適となるように調整され、おおむね３ｎｍ以上５０ｎｍ以下程度であることが、磁気記録媒体特性と生産性との兼ね合いから望ましい。
【００１１】
非磁性材料としては、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｉ３Ａｌなどの材料を用いることができる。非磁性材料を用いる場合は、記録ヘッドが発生する磁場を軟磁性裏打ち層に効果的に集中させる観点からは膜厚が薄い程良く、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが望ましい。
非磁性中間層４は、第１の磁気記録層５の結晶配向性、結晶粒径及び粒界偏析を好適に制御するために形成する。非磁性中間層４を省略することも可能である。その材料としては、ＲｕまたはＲｕ中にＣ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金、あるいはＰｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈなどを用いることが好ましい。非磁性中間層の膜厚は、磁気記録層の磁気特性や電磁変換特性を劣化させない範囲で可能な限り薄くすることが、高密度記録を実現するためには必要であり、具体的には１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることが好ましい。
第１の磁気記録層５は、少なくともＣｏとＰｔを含む合金の強磁性材料が好適に用いられ、その磁化容易軸（例えば、六方最密充填構造のｃ軸）が膜面に垂直方向に配向していることが垂直磁気記録媒体として用いるために必要である。第１の磁気記録層５としては、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの合金材料、（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ、（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎなどの多層積層膜、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔＯ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ2Ｏ3、ＣｏＰｔ−ＡｌＮ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ3Ｎ4などのグラニュラー材料からなる磁気記録層を用いることができる。
【００１２】
グラニュラー構造は、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなる構造であり、磁気記録層内で近接する磁性結晶粒子間の相互作用を抑制できる。従って、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層の間に強磁性結合を備える場合にあっては、磁気記録層間で結合を保持しつつ、磁気記録層内の磁性結晶粒間の相互作用を抑制することが可能となる。この結果、ノイズ、Ｓ／Ｎ特性等を向上することが可能となることから、第１の磁気記録層としてグラニュラー構造が特に好ましく用いられる。
結合層６は、特許文献１に示された理由と同様の理由で用いる。即ち、第１の磁気記録層５と第２の磁気記録層７を適切に強磁性結合させ、磁性層全体の平均的な保磁力Ｈｃを低減させるために必要な層である。磁気記録層の磁化反転機構を考えると、２つの磁気記録層を結合層を介さずに積層した場合は、これらの磁気記録層は同時に磁化反転することとなり、磁気記録層全体のＨｃの効果的な低減が出来ない。一方で、結合層を設けた磁気記録層の場合は、外部磁場印加時において、結合層上下の磁気記録層の内、一軸異方性定数Ｋｕが小さくＨｃが低い磁気記録層の磁化が先に反転し、その影響でＫｕが大きくＨｃが高い磁気記録層の磁化反転をし易くさせ、磁気記録層全体のＨｃを低減させる。上下の磁気記録層が異なる磁化回転により、２段階の磁化反転することで、熱安定性を向上させながら反転磁界を低下させ、記録容易性を向上させるという効果的な機能を寄与する。
【００１３】
なお、結合層を介し、積層した磁気記録層の交換結合が完全に切れた場合には、エネルギー障壁が低くなり、熱安定性を向上させることができない。従って、強磁性結合を維持しながら、効果的にＨｃを低減させる為の適切な磁気記録層間の結合エネルギーを導出するという観点から、結合層が必要となる。磁気記録層間の強磁性結合は、垂直磁気記録媒体が使用される常温にて生じていることが必要である。
結合層６に用いる材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒから選ばれる材料またはこれらを主成分とする合金を用いることが好ましい。Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ等の非磁性材料の場合は、膜厚を調整することで、磁気記録層間の強磁性結合および適切な結合エネルギーを得ることができる。強磁性材料であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉは、非磁性材料との合金化、成膜条件や成膜雰囲気の調整等により、適切な結合エネルギーを得ることができる。
結合層６の膜厚は０．３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。これは、結合層６の材料の内、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを除く材料では、結合層６の膜厚を０．３ｎｍ以下とすることで、結合エネルギーを広範に制御でき、かつ磁気記録層を構成する結晶粒相互間の磁気的な分離性をより良く保つことができるためノイズが低減できるためである。また、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの場合には、膜厚を０．３ｎｍ以下とすることで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの磁気特性の影響を無視しうる程度に抑制することが可能となるためである。
【００１４】
第２の磁気記録層７としては、第１の磁気記録層５と同様の材料、構成を用いることができる。結合層を介した強磁性結合を備える場合には、磁気記録層間で結合を保持しつつ、磁気記録層内の磁性結晶粒間の相互作用を抑制することが可能である為、第１の磁気記録層と同様に、第２の磁気記録層としてグラニュラー構造が特に好ましく用いられる。また、磁気記録層全体のグラニュラーの占有割合が増加し、磁化反転単位を低減でき、高密度化が可能となる。
第１の磁気記録層と第２の磁気記録層は次の関係を満たすように設定する。第１の磁気記録層の一軸異方性定数をＫｕ1、膜厚をＴ1、第２の磁気記録層の一軸異方性定数をＫｕ2、膜厚をＴ2とした場合、Ｋｕ１Ｔ１＞Ｋｕ２Ｔ２の関係を満たすように、第１および第２の磁気記録層の膜厚および材料を設定する。
この理由は、第２の磁気記録層が先に磁化反転するようにするためであり、これにより、熱安定性を阻害することなく反転磁界をより効果的に低下させることが可能なためである。以上の理由から、Ｋｕ1Ｔ1、Ｋｕ2Ｔ2の大小関係が規定される。このようにすることにより、熱安定性向上の効果と同時に、反転磁界を低下させる効果を得ることが可能となる。
【００１５】
第３の磁気記録層８としては、第１の磁気記録層５と第２の磁気記録層７と同様の材料、構成を用いることができる。
第１の磁気記録層および第２の磁気記録層と第３の磁気記録層は次の関係を満たすように設定する。第３の磁気記録層の一軸磁気異方性定数をＫｕ3、膜厚をＴ3としたとき、前述同様の理由の基に、第１の磁気記録層との関係は、Ｋｕ1Ｔ1＞Ｋｕ3Ｔ3となるように、第１および第３の磁気記録層の膜厚および材料を設定する。一方の第２の磁気記録層との関係は、Ｋｕ3とＫｕ2は等しくなく、好ましくはＫｕ3＜Ｋｕ2の関係になるように設定する。加えて、Ｋｕ1≧１０Ｋｕ2、Ｋｕ１≧１０Ｋｕ3の関係にあると、熱安定性を確実に維持する事が可能であり、より望ましい。
なお、媒体ノイズを低減し、Ｓ／Ｎを向上させるためには、磁気記録層のＰｔ含有量を低減することが好ましいことが知られている。しかしながら、Ｐｔ含有量を低減するに伴い、熱安定性は劣化する。従って、従来の磁気記録層で熱安定性を確保する場合には、Ｐｔ含有量は１０原子％を超えて高く設定されていた。これに対し、本発明に係る結合エネルギーを制御した積層磁気記録層を用いれば、十分な熱安定性を維持できるため、Ｐｔ含有量を低減することが可能となる。より具体的には、最もＫｕの低い磁気記録層、即ち最初に磁化反転を開始する第３の磁気記録層のＰｔ含有量を低減することが可能となる。第３の磁気記録層にＰｔを全く含まない材料を適用することも可能である。更に、Ｐｔを含む場合にはその含有量を１０原子％以下とすることで、媒体ノイズを低減し、Ｓ／Ｎを向上させるとともに、反転磁界を効果的に低下できることが特許文献１により明らかにされている。即ち、磁気記録層の組成については、Ｋｕの最も低い第３の磁気記録磁気記録層において、少なくともＣｏとＣｒを含有して構成し、Ｐｔを含む場合にはその含有量が１０原子％以下であるように構成することが好ましい。更に、Ｔａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｎ、Ｃｕの内から選ばれる少なくとも一つの元素を磁気記録層に含むことがより好ましい。このような組成とすることで、より一層、媒体の低ノイズ化を促進すると共に、磁気記録層の反転磁界をより有効に低減する効果が得られる。
【００１６】
ここで、第２の磁気記録層と第３の磁気記録層について記す。先述の通り、本発明による磁気記録層の構造は、特許文献１で提案された２層構造の磁気記録層の内、低Ｋｕ層の一部をグラニュラー構造の第２の磁気記録層で置換した構造であり、第３の磁気記録層は従来の低Ｋｕ層に相当する。第１、第２の磁気記録層間に結合層を設けた理由は、結合層を用いて低Ｈｃ化し、かつ実効的なＫｕの低下を抑制して熱安定性の劣化を抑制することであった。第２、第３の磁気記録層間には結合層を設定していない。これは、第２の磁気記録層と第３の磁気記録層の実効的なＫｕを低下させ、反転磁界を下げ、記録容易性を向上させるためである。即ち、第２の磁気記録層と結合層を介さずに結合している最もＫｕの小さな第３の磁気記録層は、低Ｋｕを利用したＨｃのより効果的な低減が可能である。更に、Ｐｔ含有量やＴａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｎ、Ｃｕといった元素を用いて磁性粒子間の交換結合を制御することで、記録容易性を確保するために磁気記録層全体の低Ｋｕ層の占める割合を増加しても、磁化反転開始磁界Ｈｎを確保することが可能である。これにより、媒体の低ノイズ化がより一層促進され、高密度化と記録容易性、加えて熱安定性の維持が両立できる。
保護層９は、例えばカーボンを主体とする薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護層として一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良い。
【００１７】
液体潤滑層１０は、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。その他、磁気記録媒体の液体潤滑層材料として一般的に用いられる様々な潤滑材料を使用しても良い。
非磁性基体の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。液体潤滑層を除く各層の形成には、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法を用いることが出来る。また、液体潤滑層の形成には、例えばディップ法、スピンコート法を用いることができる。
【実施例】
【００１８】
以下に本発明の垂直磁気記録媒体について実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
図１に示す構成を用いて垂直磁気記録媒体を作製した例について示す。
〔実施例１〕
非磁性基体１として表面が平滑なＮｉＰメッキを施したＡｌ合金を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を40ｎｍの膜厚で成膜した。次にパーマロイ系合金であるＮｉ−Ｆｅ−Ｓｉターゲットを用いてＮｉＦｅＳｉ下地層３を１０ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて、Ｒｕターゲットを用いて、Ｒｕ非磁性中間層４を１０ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて93（Ｃｏ−8Ｃｒ−20Ｐｔ）−7ＳｉＯ2ターゲットを用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第１の磁気記録層５を4〜8ｎｍの膜厚で成膜した。次に、Ｒｕターゲットを用いて、Ｒｕ結合層６を０．２ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて、93（Ｃｏ−15Ｃｒ−10Ｐｔ）−7ＳｉＯ2ターゲットを用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第２の磁気記録層７を4.0ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて、93（Ｃｏ−20Ｃｒ−5Ｐｔ）−7SiO2ターゲットを用いて、第３の磁気記録層８を4〜8ｎｍの膜厚で成膜した。最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護層９を3ｎｍの膜厚で成膜後、真空装置から取り出した。なお、第１、第２および第３の磁気記録層はＲＦマグネトロンスパッタリング法により、それ以外の各層はＤＣマグネトロンスパッタリング法により形成した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑層１０を２ｎｍの膜厚でディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
〔比較例１〕
Ｒｕ結合層６までは同様の工程で成膜し、引き続き、93（Ｃｏ−15Ｃｒ−10Ｐｔ）−7ＳｉＯ2ターゲットを用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第２の磁気記録層７を8〜12ｎｍの膜厚で成膜し、第３の磁気記録層８を成膜せず、２層からなる磁気記録層とし、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護層９を3ｎｍの膜厚で成膜後、真空装置から取り出した。実施例にて示した３層からなる磁気記録層の全膜厚と等しい全磁気記録層膜厚16nmとなるように成膜した。
〔比較例２〕
Ｒｕ結合層６までは同様の工程で成膜し、引き続き、96（Ｃｏ−15Ｃｒ−10Ｐｔ）−4Ｂターゲットを用いて、ＣｏＣｒＰｔＢ第２の磁気記録層７を8〜12ｎｍの膜厚で成膜し、第３の磁気記録層８を成膜せず、２層からなる磁気記録層とし、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護層９を3ｎｍの膜厚で成膜後、真空装置から取り出した。実施例にて示した３層からなる磁気記録層の全膜厚と等しい全磁気記録層膜厚16nmとなるように成膜した。
【００１９】
まず、実施例１における各磁気記録層のＫｕを以下のようにして測定した。膜の構成は、非晶質軟磁性裏打ち層を除き、Ｒｕ中間非磁性層上に第１の磁気記録層のみを８ｎｍ形成した磁気記録媒体、同様に第２、第３の磁気記録層のみを形成した磁気記録媒体をそれぞれ作製し、磁気トルクメーターを用いて一軸異方性定数Ｋｕの測定を試みた。その結果、第１の磁気記録層におけるＫｕ1は７．５×１０6ｅｒｇ／ｃｃ、第２の磁気記録層におけるＫｕ2は２．０×１０6ｅｒｇ／ｃｃ、第３の磁気記録層におけるＫｕ3は１．３×１０6ｅｒｇ／ｃｃであった。これらより、Ｋｕ１＞Ｋｕ２＞Ｋｕ３の関係を満たしている。
次に、全磁気記録層膜厚を１６ｎｍとし、各磁気記録層の膜厚比を制御して成膜し、磁気記録媒体の磁化反転単位の大きさに対する保磁力Ｈｃを測定したところ、図2に示す結果が得られた。
図より、Ｒｕ結合層直上の磁気記録層が今回の発明である第２、第３の磁気記録層からなる場合と単層磁気記録層の場合では、同じ磁化反転単位の大きさで比較すると、本発明である低Ｋｕ層の一部をグラニュラー構造の磁性層で置換した３層磁気記録層を用いることで明らかに低Ｈｃ化が可能である。すなわち、反転容易性を維持しながら、記録密度の向上を達成できることを意味している。また、第１の磁気記録層のＫｕが充分大きく、指標ＫｕＶは６０以上を得られ、熱安定性は確実に維持できる。
〔実施例２〕
ＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を成膜しなかった以外は実施例１と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。
〔比較例３〕
ＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２とＲｕ結合層６を成膜しなかった以外は実施例１と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００２０】
図３に実施例２および比較例３の磁化曲線を示す。図より、Ｒｕ結合層を磁気記録層間に挿入することで、保磁力Ｈｃを低減することが可能である。また、図３の場合では、その低下率は約２０％に及ぶ。結合層を少なくとも一方の磁気記録層間に介することで、磁化の反転容易性は向上する。
〔比較例４〕
Ｒｕ結合層６を０．３５ｎｍとして成膜した以外は実施例２と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。
図４に比較例４に示した磁気記録媒体の磁化曲線を示す。図より、２段階の磁化反転が生じていることが見受けられる。これは第１の磁気記録層と第２の磁気記録層間の強磁性結合が結合層の厚膜化により完全に切れてしまい、両磁気記録層は磁気的に分離された状態になってしまったことを示している。即ち、Ｒｕ結合層が厚すぎると磁気記録層間の結合力は消失し、高Ｋｕ層の磁化反転には大きな磁界が必要となり、反転容易性は低下してしまう。
〔比較例５〕
第１の磁気記録層５と同じターゲットである93（Ｃｏ−8Ｃｒ−20Ｐｔ）−7ＳｉＯ2を用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第２磁気記録層７を４．０ｎｍの膜厚で成膜した以外は実施例２と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００２１】
図５に比較例５で示した磁気記録媒体の磁化曲線を示す。図より、第１および第２の磁気記録層が同じグラニュラー材料、即ち同じＫｕを示す材料を用いると、反転容易性は低下してしまう。 
［参考例３］
非磁性基体１として表面が平滑なＮｉＰメッキを施したＡｌ合金を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を40ｎｍの膜厚で成膜した。次にパーマロイ系合金であるＮｉ−Ｆｅ−Ｓｉターゲットを用いてＮｉＦｅＳｉ下地層３を１０ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて、Ｒｕターゲットを用いて、Ｒｕ非磁性中間層４を１０ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて93（Ｃｏ−8Ｃｒ−20Ｐｔ）−7ＳｉＯ2ターゲットを用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第１の磁気記録層５を4〜8ｎｍの膜厚で成膜した。次に、Ｒｕターゲットを用いて、Ｒｕ結合層６を０．２ｎｍの膜厚で成膜した。引き続いて、93（Ｃｏ−15Ｃｒ−10Ｐｔ）−7ＳｉＯ2ターゲットを用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第２の磁気記録層７を4.0ｎｍの膜厚で成膜した。第３の磁気記録層８は成膜せず、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護層９を3ｎｍの膜厚で成膜後、真空装置から取り出した。なお、第１、第２および第３の磁気記録層はＲＦマグネトロンスパッタリング法により、それ以外の各層はＤＣマグネトロンスパッタリング法により形成した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑層１０を２ｎｍの膜厚でディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。 
〔比較例６〕 
結合層６、第２の磁気記録層７、第３の磁気記録層８を成膜しなかったこと以外は参考例３と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。 
〔比較例７〕 
93（Ｃｏ−8Ｃｒ−20Ｐｔ）−7ＳｉＯ2ターゲットを用いて、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2第１の磁気記録層５を8〜12ｎｍの膜厚で成膜し、結合層６、第２の磁気記録層７、第３の磁気記録層８を成膜しなかったこと以外は参考例３と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。 
【００２２】
ここで、参考例３と比較例７は磁気記録層の合計膜厚が等しい。Ｋｕに関しては、実施例１での測定値と同等である。 
図６に第１の磁気記録層膜厚を８ｎｍとした場合の、本質的にデータ記録時の磁界に近い、残留保磁力Ｈｃｒの印加磁界角度依存性の測定結果を示す。図より、比較例７にて、第１の磁気記録層のみで１２ｎｍ成膜した場合、Ｈｃｒが大きく、垂直磁場に対して８kOeもの値を示している。同じく第１の磁気記録層を比較例６にて８ｎｍとして成膜した場合、5.2kOeまで低下していることが解る。Ｋｕの大きな第1の磁気記録層の膜厚を薄くすることで占有体積が低減し、Ｈｃｒ、即ち、保磁力が低下したことを示している。なお、Ｋｕに関しては、不変である。これらに対して、参考例３のように、全磁気記録層の内、上層に結合層を介して第２の磁気記録層を配置することで、同じ膜厚である第1の磁気記録層に用いた材料のみで構成された比較例７と比べ、効果的に保磁力の低減が為されていることが明らかである。更に、第１の磁気記録層のＫｕは結合層により維持できているため、熱安定性は確保できている。 
[実施例４]
96（Ｃｏ−15Ｃｒ−10Ｐｔ）−4Ｂターゲットを用いて、ＣｏＣｒＰｔＢ第３の磁気記録層８を8〜12ｎｍの膜厚で成膜したこと以外は実施例１と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。 
〔比較例８〕 
結合層６を成膜しなかったこと以外は実施例４と全く同様にして磁気記録媒体を作製した。 
【００２３】
図７に実施例４と比較例８ならびに参考例３におけるＨｃｒの印加磁界依存性の測定結果を示す。図より、第３の磁気記録層を用い、３層構造の磁気記録層とする事で、垂直磁場に対し、Ｈｃｒは4.4ｋＯｅまで低下していることが解る。一方で、結合層６を成膜しなかった場合はＨｃｒの低減率が悪く、効果的な保磁力の低減が為されていないことが明確である。加えて、結合層６を用いていないため、磁気記録層全体の実効的なＫｕが低下し、熱安定性が劣化してしまっている。 
なお、印加磁界の角度に対する変化に着目すると、実施例４では各角度における垂直磁場（０deg.）に対する低下率が抑制されていることが見受けられる。図８に図７で示した結果について、それぞれ垂直磁場におけるＨｃｒで規格化した数値を示す。実施例４におけるＨｃｒの角度に対する変化はどのデータに比べても最小の範囲であり、角度に対するバラツキが少なくなっている。これは、ＣｏＣｒＰｔＢ第３の磁気記録層８を用いたことで、高い磁化反転開始磁界Ｈｎが得られたことによる効果である。これにより、高密度記録時でも、データの記録／再生時のエラーが低減でき、媒体ノイズを抑制でき、磁気記録媒体性能の向上を図ることができる。 
従って、本発明によれば、垂直磁気記録媒体において、磁気記録層間の強磁性結合を適切に設定し、更に、異なるＫｕを有する磁気記録層を３層設けることで、熱安定性の指標ＫｕＶの向上とＫｕに依存するＨｃの低減により、熱安定性を損ねることなく磁気記録媒体の反転磁界を低減し、同時にノイズ特性、Ｓ／Ｎ特性等の磁気記録媒体性能の向上を確実に実現することができる。これにより、磁気記録媒体の熱安定性の向上、記録容易性の向上、記録密度の向上を同時に実現することが可能となる。 
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施形態の構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施例と比較例の特性比較図である。
【図３】本発明の実施例と比較例の特性比較図である。
【図４】本発明の比較例における特性図である。
【図５】本発明の実施例と比較例の特性比較図である。
【図６】本発明の参考例と比較例の特性比較図である。
【図７】本発明の実施例と比較例、参考例の特性比較図である。
【図８】本発明の実施例と比較例、参考例の特性比較図である。
【符号の説明】
【００２５】
１    非磁性基体
２    軟磁性裏打ち層
３    下地層
４    非磁性中間層
５    第１の磁気記録層
６    結合層
７    第２の磁気記録層
８    第３の磁気記録層
９    保護層
１０  液体潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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