(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の搭載位置の置きずれ量を計測する置きずれ量計測手段と、
前記計測された前記基板の搭載位置の置きずれ量に基づいて、所定の基板枚数の周期で出現する置きずれ量の予測パターンを学習する制御手段とを備え、
前記制御手段が、前記予測パターンの学習結果に基づいて、次基板の搭載位置を決定し、決定された搭載位置に該次基板を搭載することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御手段が、計測済みの基板の搭載位置の置きずれ量に基づいて、前記次基板の第１の予測置きずれ量を算出し、算出された第１の予測置きずれ量に基づいて、該次基板を搭載する時の置き位置補正量を算出し、算出された置き位置補正量に基づいて、前記次基板の搭載位置を決定することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記所定の基板枚数を一管理単位とし、
前記制御手段が、更に、前記次基板に対応する管理単位に含まれる基板について計測された搭載位置の置きずれ量に基づいて、該次基板の第２の予測置きずれ量を算出し、前記第１の予測置きずれ量と前記第２の予測置きずれ量とに基づいて、前記置き位置補正量を算出することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記置きずれ量計測手段が、更に、前記制御手段が前記決定された搭載位置に基板を搬送中に、該基板の置きずれ量を計測し、
前記制御手段が、前記基板を搬送中に計測された置きずれ量と前記算出された置き位置補正量とを比較し、該比較結果に基づいて、前記決定された基板の搭載位置を再設定することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
基板の搭載位置の置きずれ量を計測する工程と、
前記計測された前記基板の搭載位置の置きずれ量に基づいて、所定の基板枚数の周期で出現する置きずれ量の予測パターンを学習する工程と、
前記予測パターンの学習結果に基づいて、次基板の搭載位置を決定し、決定された搭載位置に該次基板を搭載する工程とを有する
ことを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項６】
請求項１に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程とを有する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置を用いて液晶表示素子や半導体素子等のデバイスを製造することが行われている。露光装置は、マスク、レチクル等の原版をマスクステージ上に搭載し、走査駆動して基板を露光することによって、デバイスを製造する。その製造工程において、精度良く重ね合わせ露光をするためには、基板チャック上に搭載された基板の基準位置からのずれ（置きずれ）を計測し補正することが必要となる。前回の基板の置きずれの計測値に基づいて、予め基板ステージ及び基板チャックを駆動させ、基板ステージ及び基板チャックの駆動中に今回の基板の置きずれを計測し、計測値に基づいて基板ステージ及び基板チャックを更に補正駆動する方法が提案されている。
また、特許文献１は、以下のような露光装置を提案している。この露光装置は、基板の特徴部分の第１基準に対する第１ずれ量を求めるとともに、基板上のマークの第２基準に対する第２ずれ量を求める。そして、第２ずれ量が許容範囲内にない場合に、第１基準を変更することによって、基板を位置決めする。これにより、基板上のマークが基板の外形的特徴との関係でずれている場合であっても、エラーを生じさせることなくマーク計測が実施可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２２８３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光対象の基板を基板チャックの基準位置に搭載する際には、基板と原版との相対位置を精密計測（アライメント）することが必要である。ここで、基板を搭載する際に、基板毎に異なる誤差が生じる。従って、精密計測をする前に、基板搭載位置を計測するための計測機器であるメカプリアライメントを用いて置きずれ量の計測を行い、この計測結果に基づいて基板ステージ及び基板チャックによる補正駆動を行う。
【０００５】
図５は、露光装置における基板の置きずれ量の補正処理の例を示す図である。まず、露光装置が、基板ステージを基板搬入位置に移動させ（ステップＳ１００）、基板ステージに基板を搭載する（ステップＳ１０１）。次に、露光装置が、メカプリアライメントによる前回の置きずれ量の計測値に基づいて、基板ステージ及び基板チャックの目標停止位置を決定する（ステップＳ１０２）。続いて、露光装置が、精密計測を行うための所定の位置（精密計測位置）へ基板ステージ及び基板チャックを駆動させる（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３における駆動中に、露光装置は、メカプリアライメントによって、基板の置きずれ量を計測する（ステップＳ１０４）。次に、露光装置は、上記ステップＳ１０４において計測された置きずれ量のＸ、Ｙ、θ成分が所定の許容範囲内であるかを判断する（ステップＳ１０５）。露光装置が、置きずれ量のＸ、Ｙ、θ成分が所定の許容範囲内であると判断した場合は、精密計測を行う（ステップＳ１０７）。露光装置が、置きずれ量のＸ、Ｙ、θ成分が所定の許容範囲内でないと判断した場合は、露光装置は、置きずれ量のＸ、Ｙ、θ成分が許容範囲内になるように、基板ステージ及び基板チャックを補正駆動する（ステップＳ１０６）。
【０００６】
ここで、計測される基板の置きずれ量については、所定の基板枚数の周期で所定のパターンが出現することを本発明者は発見した。そのパターンとは、例えば、１枚目の基板から４枚目の基板まで置きずれ量が増加し、５枚目の基板において置きずれ量が１枚目の基板の置きずれ量のレベルまで減少した後、５枚目の基板から８枚目の基板まで置きずれ量が増加するというようなものである。しかし、図５に示した基板の置きずれ量の補正処理では、基板の置きずれ量のパターンを考慮して目標停止位置を決定することは行っていない。従って、基板毎に置きずれ量が異なる場合には、図５のステップＳ１０５の処理において置きずれ量が許容範囲でないと判断されることが多くなる。その結果、精密計測を実行する前の基板ステージ及び基板チャックの補正駆動が頻繁に生じて、装置スループットが向上しない。
本発明は、基板の置きずれが均一に発生しない場合に、精密計測前の基板ステージ及び基板チャックの補正駆動回数を抑えて、装置スループットを向上させる露光装置、露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態の露光装置は、基板の搭載位置の置きずれ量を計測する置きずれ量計測手段と、前記計測された前記基板の搭載位置の置きずれ量に基づいて、所定の基板枚数の周期で出現する置きずれ量の予測パターンを学習する制御手段とを備える。前記制御手段が、前記予測パターンの学習結果に基づいて、次基板の搭載位置を決定し、決定された搭載位置に該次基板を搭載する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の露光装置によれば、精密計測前の基板ステージ及び基板チャックの補正駆動回数を抑えて、装置スループットを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態の露光装置の構成例を示す図である。
【図２】置きずれ量の予測パターンと置きずれ量の計測値の推移を示す図である。
【図３】本実施形態の露光装置の動作処理フローの例を示す図である。
【図４】置きずれ量の予測パターンの学習処理フローの例を示す図である。
【図５】露光装置における基板の置きずれ量の補正処理の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本実施形態の露光装置の構成例を示す図である。図１に示す露光装置１は、ステップ・アンド・リピート方式、又はステップ・アンド・スキャン方式を採用する走査型投影露光装置である。この露光装置１は、不図示の光源部を有する照明光学系を備え、光源部からの光で原盤Ｍに形成された回路パターンを基板Ｐに露光する。原盤Ｍは、例えば、石英ガラス製である。原盤Ｍには、転写されるべき回路パターンが形成されている。光源部において、光源は、例えば、レーザーを使用する。使用可能なレーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザー等である。なお、レーザーの種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えばＹＡＧレーザーを使用しても良いし、レーザーの個数も限定されない。また、光源部にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザーをインコヒーレント化するインコヒーレント光学系を使用することが好ましい。更に、光源部に使用可能な光源は、レーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプ等のランプも使用可能である。
【００１１】
また、照明光学系は、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、及び絞り等を含む。一般に、光学系は、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する。照明光学系は、軸上光、軸外光を問わず使用可能である。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含む。なお、ライトインテグレーターは、光学ロッドや回折要素に置換される場合もある。また、開口絞りは、円形絞り、変形照明用の輪帯照明絞り、及び４重極照明絞り等として構成される。
【００１２】
図１に示すように、露光装置１は、原版マークＭＭａ、ＭＭｂが付された原版Ｍを搭載する原版ステージＭＳ、基板マークＰＭａ、ＰＭｂを付された基板Ｐを搭載する基板チャックＰＣを備える。また、露光装置１は、基板チャックをＸ，Ｙ方向に駆動する基板ステージＰＳ、原版Ｍに付されたパターンを基板Ｐへ投影露光するための投影光学系ＵＭを備える。また、露光装置１は、原版マークＭＭａ、ＭＭｂと基板マークＰＭａ、ＰＭｂの位置合わせに用いる画像を計測する画像計測装置としてのセンサＣＣＤａ、ＣＣＤｂを備える。また、露光装置１は、干渉計制御装置ＩＣＭ、センサ制御装置ＳＣＭ、装置制御装置ＭＣＭ、演算制御装置ＡＣＭを備える。
基板ステージＰＳは、基板ＰをＸ，Ｙ，Ｚ方向に搬送する基板搬送手段である。基板ステージＰＳは、レーザー干渉計ＰＳＸＩａ、ＰＳＹＩｂと基板ステージＰＳ上に搭載されたミラーＰＳＸＢＭ、ＰＳＹＢＭでＸＹθ方向に精密に計測され、制御される。レーザー干渉計ＰＳＸＩａ、ＰＳＹＩｂは、干渉計制御装置ＩＣＭによって制御される。センサ制御装置ＳＣＭは、センサＣＣＤａ、ＣＣＤｂを制御する。基板チャックＰＣは、θ方向にのみ駆動可能であり、内部に備えられたモータによって制御される。基板Ｐは、表面上にレジスト（感光剤）が塗布された、シリコンウエハ等の被処理体である。基板Ｐの露光時においては、投影光学系ＵＭは、照明光学系からの露光光で照明された原盤Ｍ上のパターンを所定倍率（例えば、１／４、若しくは１／５）で、基板ステージＰＳによって搬送された基板上に投影露光する。投影光学系ＵＭとしては、複数の光学要素のみから構成される光学系や、複数の光学要素と少なくとも一枚の凹面鏡とから構成される光学系（カタディオプトリック光学系）が採用可能である。若しくは、投影光学系４として、複数の光学要素と少なくとも一枚のキノフォーム等の回折光学要素とから構成される光学系や、全ミラー型の光学系等も採用可能である。
【００１３】
メカプリアライメントＭＰＸ、ＭＰＹｒ、ＭＰＹｌは、基板の搭載位置の置きずれ量を計測する置きずれ量計測手段である。具体的には、メカプリアライメントＭＰＸ、ＭＰＹｒ、ＭＰＹｌは、センサ制御装置ＳＣＭから計測指示を受け、基板チャックＰＣに対する基板ＰのＸ，Ｙ方向の置きずれを計測し、計測結果をセンサ制御装置ＳＣＭを介して演算制御装置ＡＣＭに通知する。演算制御装置ＡＣＭは、メカプリアライメントによる計測結果に基づいて、基板ＰのＸ，Ｙ、θ成分の置きずれ量を算出する。演算制御装置ＡＣＭは、算出された置きずれ量に基づいて、次基板すなわち基板Ｐの次に露光対象となる基板の置き位置補正量を算出する制御手段として機能する。次基板の置き位置補正量は、次基板の置きずれを解消するための補正量である。具体的には、置き位置補正量は、前回露光対象となった基板について計測された置きずれ量から決まる基板チャックＰＣ及び基板ステージＰＳの目標停止位置に対する補正量である。
本実施形態においては、演算制御装置ＡＣＭは、計測された基板の搭載位置の置きずれ量に基づいて、置きずれ量の予測パターンを学習する。予測パターンは、所定の基板枚数の周期で出現する置きずれ量の特徴のパターンであって、置きずれ量の推移の傾向を示す。予測パターンは、置きずれ量の予測値を複数含む。
【００１４】
図２は、置きずれ量の予測パターンと置きずれ量の計測値の推移を示す図である。図２（Ａ）は、置きずれ量の予測パターンを示す。図２（Ａ）中のａ乃至ｄは、置きずれ量の予測値である。図２（Ｂ）に示す例では、基板４枚の周期で、置きずれ量の特徴が出現する。図２（Ｂ）中に示す点線の楕円で囲った部分が各々の特徴を示す。各々の特徴には、符号ａ、ｂ，ｃ，ｄのそれぞれに対応する基板の順序で、置きずれ量の計測値が出現する。演算制御装置ＡＣＭは、例えば、図２（Ｂ）中の符号ａ、ｂ，ｃ，ｄのそれぞれに対応する基板の置きずれ量の平均値をプロットすることによって、図２（Ａ）に示すような置きずれ量の予測パターンを作成／更新する。具体的には、図２（Ｂ）中の符号ａ、ｂ，ｃ，ｄに対応する基板の置きずれ量の平均値が、それぞれ、図２（Ａ）に示す予測パターンにおける符号ａ，ｂ，ｃ，ｄに対応する置きずれ量の予測値である。この予測パターンの作成／更新処理が、予測パターンの学習処理である。
【００１５】
演算制御装置ＡＣＭは、予測パターンの学習結果に基づいて、次基板の搭載位置の決定に用いられる置き位置補正量を算出する。具体的には、演算制御装置ＡＣＭは、計測済みの基板の搭載位置の置きずれ量に基づいて、次基板の第１の予測置きずれ量を算出する。第１の予測置きずれ量は、例えば、現時点において計測済みの置きずれ量のうち、置きずれ量の計測値の特徴内における置きずれ量の出現順序が、次基板の置きずれ量の出現順序と同じ基板に対応する置きずれ量の計測値の平均値である。例えば、図２（Ｂ）中に示す各基板のうち、次基板が符号ｂに対応する基板である場合、計測済みの基板の置きずれ量のうち、符号ｂに対応する基板の置きずれ量の平均値が、次基板の第１の予測置きずれ量である。演算制御装置ＡＣＭは、算出された第１の予測置きずれ量で、予測パターンを更新する。また、演算制御装置ＡＣＭは、算出された第１の予測置きずれ量に基づいて、該次基板を搭載する時の置き位置補正量を算出する。これにより、露光対象となる基板の置き位置補正量を、計測済みの全ての置きずれ量の傾向を反映させて決定することが可能となる。演算制御装置ＡＣＭは、算出した置き位置補正量を装置制御装置ＭＣＭへ通知する。装置制御装置ＭＣＭは、通知された置き位置補正量に基づいて、該次基板の搭載位置すなわち目標停止位置を決定し、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣを上記目標停止位置に補正駆動させる。メカプリアライメントが、搭載位置への基板の搬送中に該基板の置きずれ量を計測し、装置制御装置ＭＣＭが、上記計測された置きずれ量と算出された置き位置補正量とを比較し、該比較結果に基づいて、基板の搭載位置を再設定するようにしてもよい。
【００１６】
演算制御装置ＡＣＭが、以下のようにして次基板の置き位置補正量を算出するようにしてもよい。所定の枚数の基板を一管理単位としての作業単位とする。そして、演算制御装置ＡＣＭが、次基板に対応する管理単位（作業単位）に含まれる基板について計測された搭載位置の置きずれ量に基づいて、該次基板の作業単位での特徴パターンを算出する。この作業単位での特徴パターンは、次基板が含まれる作業単位での予測置きずれ量（第２の予測置きずれ量）である。第２の予測置きずれ量は、例えば、現時点において計測済みの、次基板が含まれる作業単位内の基板の置きずれ量のうち、置きずれ量の特徴内における置きずれ量の出現順序が次基板と同じである基板に対応する置きずれ量の平均値である。演算制御装置ＡＣＭが、第１の予測置きずれ量と第２の予測置きずれ量とに基づいて、上記次基板の置き位置補正量を算出するようにしてもよい。これにより、露光対象となる基板の置き位置補正量を、計測済みの全ての基板の置きずれ量の傾向と、露光対象となる基板が含まれる作業単位における置きずれ量の傾向とを反映させて決定することが可能となる。
本実施形態の露光装置の制御方法、デバイスの製造方法は、図１に示す露光装置１が備える各処理部の機能によって実現される。
【００１７】
図３は、本実施形態の露光装置の動作処理フローの例を示す図である。図３（Ａ）は、露光装置１の全体処理フローの例を示す。まず、不図示の原版搬送装置が、原版保管棚から原版ステージＭＳ上へ原版Ｍを搬入して搭載する（ステップＳ１）。次に、露光装置が、露光対象となる基板Ｐの基板ステージＰＳ上への搭載処理を行う（ステップＳ２）。原版Ｍ及び基板Ｐの搭載後、露光装置は、基板Ｐの既存パターン上に原版Ｍ上のパターンを精度良く露光するために、投影光学系ＵＭを通して、原版マークＭＭ及び基板マークＰＭの精密計測（アライメント）を行う（ステップＳ３）。ステップＳ３においては、露光装置は、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣを精密計測を行うための位置である精密計測位置へ駆動させる。また、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣの精密計測位置への駆動中に、露光装置は、メカプリアライメントによって置きずれ量の計測を行う。精密計測終了後、露光装置は露光動作を開始する（ステップＳ４）。
【００１８】
図３（Ｂ）は、本実施形態の露光装置による基板の置きずれ量の補正処理フローの例を示す。図３（Ｂ）に示す処理フローは、図３（Ａ）のステップＳ２及びＳ３の処理に対応する。まず、露光装置の装置制御装置ＭＣＭが、基板搬入のために、基板ステージＰＳを基板受け取り位置に移動させる（ステップＳ２１）。次に、装置制御装置ＭＣＭが、不図示の基板搬送装置を制御して、基板Ｐを基板チャックＰＣに搭載する（ステップＳ２２）。基板搭載後、演算制御装置ＡＣＭが、置きずれ量の予測パターンの学習結果に基づいて、今回露光対象となる基板Ｐの置き位置補正量を、Ｘ，Ｙ，θそれぞれについて算出し（ステップＳ２３）、算出した置き位置補正量を装置制御装置ＭＣＭに通知する。ステップＳ２３においては、図４を参照して後述する置きずれ量の予測パターンの学習処理も並行して行われる。装置制御装置ＭＣＭは、通知された置き位置補正量に基づいて、今回の基板Ｐの搭載位置、すなわち基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣの目標停止位置を設定する（ステップＳ２４）。具体的には、装置制御装置ＭＣＭは、基板Ｐの前に露光対象となった基板についての置きずれ量の計測値から決まる目標停止位置を、置き位置補正量だけ補正した結果得られる位置を、今回の目標停止位置として決定する。装置制御装置ＭＣＭは、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣの、Ｘ，Ｙ，θの目標停止位置を設定する。
【００１９】
次に、装置制御装置ＭＣＭが、ステップＳ２４において設定された目標停止位置へ基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣを駆動させる。これにより、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣが精密計測位置に移動する（ステップＳ２５）。精密計測位置への移動中に、メカプリアライメントＭＰＸ，ＭＰＹｒ、ＭＰＹｌが、基板ステージＰＳに搭載された基板Ｐの、基板チャックＰＣに対する置きずれ量を、Ｘ，Ｙ，θそれぞれについて計測する（ステップＳ２６）。続いて、装置制御装置ＭＣＭが、ステップＳ２１において算出された置き位置補正量と、ステップＳ２６において計測された置きずれ量とを、Ｘ，Ｙ成分それぞれについて比較し、比較結果に基づいて、目標停止位置のＸ，Ｙ成分を再設定する（ステップＳ２７）。上記ステップＳ２７の処理も、ステップＳ２６の処理と同様に、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣの精密計測位置への移動中に実行する。
【００２０】
次に、装置制御装置ＭＣＭが、ステップＳ２６において計測された置きずれ量のθ成分が所定の許容範囲内であるかを判断する（ステップＳ２８）。装置制御装置ＭＣＭが、置きずれ量のθ成分が所定の許容範囲内であると判断した場合は、精密計測処理が行われる（ステップＳ３）。装置制御装置ＭＣＭが、置きずれ量のθ成分が所定の許容範囲内でないと判断した場合は、露光装置１は、置きずれ量のθ成分が許容範囲内になるように、基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣを補正駆動する（ステップＳ２９）。
本実施形態の露光装置１は、置きずれ量の予測パターンの学習結果に基づいて基板Ｐの置き位置補正量を算出する（図３（Ｂ）のステップＳ２３を参照）。従って、基板の置きずれ量が均一に発生しない場合においても、置きずれ量が解消された適切な目標停止位置を設定することができる。その結果、精密計測処理（ステップＳ３）の前に行う基板ステージＰＳ及び基板チャックＰＣの補正駆動回数を減らすことが可能となり、装置スループットを向上させることができる。
【００２１】
図４は、本実施形態の露光装置の置きずれ量の予測パターンの学習処理フローの例を示す図である。図４に示す学習処理は、図３（Ｂ）のステップＳ２３において行われる。まず、演算制御装置ＡＣＭが、基板の置きずれ値をＸ，Ｙ，θそれぞれについて取得し（ステップＳ３１）、取得した置きずれ量を記憶する（ステップＳ３２）。次に、演算制御装置ＡＣＭが、予測パターンがあるかを判断する（ステップＳ３３）。演算制御装置ＡＣＭが、予測パターンがないと判断した場合、露光装置１は、１単位分の基板の露光を完了したかを判断する（ステップＳ３４）。１単位分の基板の露光が完了していない場合は処理を終了する。１単位分の基板の露光が完了した場合、露光装置の演算制御装置ＡＣＭが、新規に予測パターンを作成する（ステップＳ３５）。
上記ステップＳ３３において、演算制御装置ＡＣＭが、予測パターンがあると判断した場合、演算制御装置ＡＣＭは、ステップＳ１において取得された置きずれ量が予測パターンに適合するかを判断する（ステップＳ３６）。具体的には、演算制御装置ＡＣＭは、取得された基板の置きずれ量と予測パターンが示す該基板の置きずれ量との差が所定の許容範囲内であるかを判断し、該判断結果に基づいて、置きずれ量が予測パターンに適合するかを判断する。演算制御装置ＡＣＭが、置きずれ量が予測パターンに適合しないと判断した場合、演算制御装置ＡＣＭは、新規に予測パターンを作成する（ステップＳ３５）。演算制御装置ＡＣＭが、置きずれ量が予測パターンに適合すると判断した場合、演算制御装置ＡＣＭは、次基板の作業単位での特徴パターン（第２の予測置きずれ量）を更新する（ステップＳ３７）。
【００２２】
次に、露光装置１が、１単位分の基板の露光が完了したかを判断する（ステップＳ３８）。露光装置１が、１単位分の基板の露光が完了していないと判断した場合は処理を終了する。露光装置１が、１単位分の基板の露光が完了したと判断した場合、演算制御装置ＡＣＭが、上記ステップＳ３２において記憶された置きずれ量に基づいて、置きずれ量の予測パターン（第１の予測置きずれ量）を更新する（ステップＳ３９）。
【００２３】
ステップＳ３９における予測パターンの更新処理と、ステップＳ３８における作業単位での特徴パターンの更新処理について以下に説明する。この例では、前述した図２（Ｂ）に示すように４基板毎に置きずれ量の特徴が出現するものとし、演算制御装置ＡＣＭは、図２（Ｂ）中のａ，ｂ，ｃ，ｄの各々に対応する基板の置きずれ量を用いて、予測パターン及び作業単位での特徴パターンの更新を行う。例えば、数枚の基板がまとまった単位であり、複数単位連続で露光する際の更新学習式は、製造中の単位番号をｌ、特徴が現れる基板枚数をｓ、特徴が１単位内で現れる回数をｖ、予測パターン内の各予測値の先頭からの位置をｎとする。また、学習に用いる基板のステップをｑ、メカプリアライメントによる置きずれ計測値をｘ，ｙ，θとする。学習に用いる基板のステップｑは、該基板に対応する置きずれ量の特徴の先頭からの位置であり、例えば、該基板に対応する特徴が図２（Ｂ）の点線の楕円で囲った特徴のうち何番目の特徴であるかを示す。
【００２４】
ｌ単位目ｐ単位目の基板のＸ成分の予測パターンＭｘp,l,n は、以下の式１で求められる。
【数１】
0005473500.tif 000002
また、この基板のＸ成分の作業単位での特徴パターンＭ’ｘp,l,n は、以下の式２で求められる。
【数２】
0005473500.tif 000003
【００２５】
作業単位での特徴パターンの重みをｗとすると、この基板のＸ成分の置き位置補正量Ｃｘp,l,n は、以下の式３で求められる。
【数３】
0005473500.tif 000004
同様に、この基板のＹ成分の予測パターンＭｙp,l,n 、作業単位での特徴パターンＭ’ｙp,l,n 、置き位置補正量Ｃｙp,l,n は、それぞれ、以下の式４、５、６で求められる。
【数４】
0005473500.tif 000005
【００２６】
同様に、この基板のθ成分の予測パターンＭθp,l,n 、作業単位での特徴パターンＭ’θp,l,n 、置き位置補正量Ｃθp,l,n は、それぞれ、以下の式７、８、９で求められる。
【数５】
0005473500.tif 000006
前述した図３のステップＳ２３においては、演算制御装置ＡＣＭは、上記式３、６、９によって、今回露光対象となる基板に対応する置き位置補正量を、Ｘ，Ｙ，θそれぞれについて算出する。
【００２７】
（デバイスの製造方法）
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２８】
１  露光装置
ＡＣＭ  演算制御装置
ＭＣＭ  装置制御装置
ＳＣＭ  センサ制御装置
【図１】
0005473500.tif 000007
【図２】
0005473500.tif 000008
【図３】
0005473500.tif 000009
【図４】
0005473500.tif 000010
【図５】
0005473500.tif 000011