(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂環式構造を有する樹脂から構成した樹脂成形部に対し機能膜を形成したブルーピックアップ用の光学素子の製造方法において、
前記樹脂成形部に対し、
ＳｉＯを蒸着源として、Ｏ２ガスを所定圧で導入しながら、蒸着処理により第１のＳｉＯ層を形成する工程と、
ＳｉＯを蒸着源として、Ｏ２ガスを、前記第１のＳｉＯ層を形成する工程よりも低圧で導入しながら、蒸着処理により第２のＳｉＯ層を形成する工程と、
前記第１のＳｉＯ層と前記第２のＳｉＯ層とを酸化する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学素子の製造方法において、
前記第１のＳｉＯ層を形成する工程では、
Ｏ２ガスの導入圧を１．５×１０−２〜２．５×１０−２Ｐａとし、
屈折率を１．４７〜１．５３とし、
層厚を１０〜５０ｎｍとし、
前記第２のＳｉＯ層を形成する工程では、
Ｏ２ガスの導入圧を５．０×１０−３〜１．５×１０−２Ｐａとし、
屈折率を１．５３〜１．８３とし、
層厚を１９０〜５０００ｎｍとすることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学素子の製造方法において、
前記第１のＳｉＯ層と前記第２のＳｉＯ層とを酸化する工程では、
温度９０℃以下，湿度９０％以下の環境下で１０時間〜７日保持するか、イオン注入するか、水に浸漬するか、Ｏ２プラズマ処理を施すか、又はオゾン雰囲気下で紫外線照射することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法において、
屈折率が１．６１以上の高屈折率材料で第３の層を形成する工程と、
屈折率が１．６１未満の低屈折率材料で第４の層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の光学素子の製造方法において、
前記高屈折率材料の層と前記低屈折率材料の層とを交互に繰り返し積層して第５の層以降の層を形成する工程を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法により製造されたことを特徴とする光学素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学素子の製造方法及び光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ピックアップ装置等の光学装置においては、従来の波長が７８０ｎｍ前後の光源を用いたＣＤや、波長６５０ｎｍ前後の光源を用いたＤＶＤよりも更に記録密度を高め、記録容量を向上させるため、波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光が用いられたブルーレイディスク（以下「ＢＤ」と記載する場合もある。）に対応した光学装置が開発されている。
【０００３】
一方、そのような光学装置に用いられる対物レンズやコリメータレンズといった光学素子は、製造にコストがかかるガラスよりも、安易且つ低コストで製造可能な樹脂により製造されることが望まれており、その製造の際には光透過率を高く確保するため反射防止膜が形成されることが多い。
【０００４】
しかしながら、樹脂製の光学素子上に反射防止膜を形成する場合、当該膜（主には金属酸化物膜）は一般的に無機物である為、ガラスを基材とする場合に比べて、基材となる樹脂との線膨張係数の差が大きくなり、剥離やクラック（ひび割れ）が発生しやすいという問題がある。特に、一般的な酸化防止膜やハードコート層として用いられるＳｉＯ２を第１層として用いた場合に、樹脂と十分な密着性が得られないという問題があった。しかしながら、必要な光学特性上の必要性から使用される材料が制限されるのは望ましくなく、解決策が望まれていた。また、光源として、波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光が用いられるようになり、レーザ光自体のエネルギーによる樹脂基材自体の劣化や、記録媒体がより高密度化されることで必然的に光学的な精度も高くする必要があり、樹脂の吸湿等による光学特性の変化も問題となっている。
【０００５】
これに対し、特許文献１の技術では、アクリル系樹脂の基材上に２層のＳｉＯ層を形成するとともにその２層を足し合わせた層厚を４００ｎｍと比較的厚くすることにより、膜の密着性を向上させるとともに膜の耐熱性（熱に対する耐性であってクラックの発生を抑制する特性）を向上させており（段落００４８〜００５０参照）、さらに膜中の特定の層をイオンプレーティングすることにより緻密化し反射防止特性をも向上させている（段落００５３，００６０，００９１，００９２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１５７４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の技術を検討した結果、まず、ブルーレーザ光による樹脂自体の劣化や吸湿による光学特性の変化が問題となった。この問題に対しては、樹脂基材として、吸湿度の低い脂環式構造を有する樹脂を用いることで、ある程度改善することができる。また、特許文献１に記載のＳｉＯ層を用いることで、従来のようにＳｉＯ２をコートする場合に比較して、膜の密着性や耐熱性、反射防止特性をある程度向上させることはできた。
【０００８】
しかしながら、このような膜を形成した光学素子であっても、短波長のブルーレーザ光を用いた高密度の光ピックアップ装置の光学素子として用いた場合には、レーザ光を長時間にわたり照射し続けると、無視できない程度の光学特性の変化が発生することが判明した。更に、特許文献１の技術を採用した場合において長時間使用すると、光学素子に設けられた反射防止膜自体の特性が変化し、光ピックアップ装置に搭載された後に十分な安定性が得られないという問題が発生した。
【０００９】
前述の問題のうち、ブルーレーザ光を長時間照射した際の光学特性の変化に係る問題は、樹脂の表面に設けられたＳｉＯ層がブルーレーザ光に対して吸収特性を有しており、長時間照射された場合には、レーザ光のエネルギーをＳｉＯ層が吸収することで熱が発生する。そしてその発生した熱により、ＳｉＯ層と接する樹脂基材が界面で変形、変質、白濁等の変化を起こしてしまい、特に精密な光学特性が求められる高密度記録用の光ピックアップ装置においては、問題となると考えられる。一方、光ピックアップ装置に光学素子を搭載後に反射防止膜の反射防止特性が不安定になる原因としては、ＳｉＯ層自体が不安定であり、経時により酸素を吸収して光学特性が変化することにより発生することを突き止めた。
したがって、本発明の主な目的は、反射防止膜などの機能膜の樹脂成形部に対する密着性と当該機能膜の耐熱性と光学特性とを向上させたまま安定的に保持しつつ、耐光性を向上させることができる光学素子の製造方法及び光学素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
脂環式構造を有する樹脂から構成した樹脂成形部に対し機能膜を形成したブルーピックアップ用の光学素子の製造方法において、
前記樹脂成形部に対し、
ＳｉＯを蒸着源として、Ｏ２ガスを所定圧で導入しながら、蒸着処理により第１のＳｉＯ層を形成する工程と、
ＳｉＯを蒸着源として、Ｏ２ガスを、前記第１のＳｉＯ層を形成する工程よりも低圧で導入しながら、蒸着処理により第２のＳｉＯ層を形成する工程と、
前記第１のＳｉＯ層と前記第２のＳｉＯ層とを酸化する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、
上記光学素子の製造方法により製造されたことを特徴とする光学素子が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明者らの検討の結果、樹脂と表面コートとの密着性は、コートを成膜する際の密着性が大きく寄与していることが判明した。すなわち、脂環式構造を有する樹脂に対して、ＳｉＯ層を成膜することで密着性を向上した場合、成膜後にＳｉＯ層を酸化処理して、ＳｉＯ２層としても密着性が維持できるという驚くべき結果を見出した。
ここで、本発明でいう「ＳｉＯ層」とは、ＳｉＯを蒸着源として成膜されたＳｉＯｘ（Ｘ＜２）として表される層を意味しており、ｘの値は蒸着の際の酸素ガスの導入量によって適宜設定することが可能である。
【００１３】
更なる検討の結果、密着性を向上させるためＳｉＯ層を成膜する場合に、酸素ガス圧を調整しても、ＳｉＯ層を同一条件で１層のみで成膜したときには、膜剥がれやクラックが発生することがあり、樹脂に対する機能膜の密着性の向上と膜剥がれやクラックの発生の抑止とを、同時に達成することができないことが判明した。例えば、ＳｉＯを蒸着源として、酸素ガスの導入量を増やしていった場合、密着性は向上するものの、８０℃以上の高温試験での耐熱試験でコートのひび割れの問題を解消することができず、逆に酸素ガスの導入量を減らした場合には、ひび割れの問題は低減するものの密着性が十分に得られなかった。
これに対して、ＳｉＯ層成膜時の酸素ガス圧を変化させて２層以上の構成とすることで、これらの問題を克服できることが判明した。
【００１４】
従って、本発明によれば、樹脂成形部に対し２層のＳｉＯ層を形成した後に、それらのＳｉＯ層を酸化処理することで、密着性を保ちながら、レーザ照射時のＳｉＯ層によるレーザ光の吸収を抑制し、更には光ピックアップ装置に搭載後に酸化によりＳｉＯがＳｉＯ２に経時変化することに伴う光学特性の変化も抑制することができる。
以上から、機能膜の樹脂成形部に対する密着性と当該機能膜の耐熱性と光学特性とを向上させたまま安定的に保持しつつ、耐光性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の好ましい実施形態で使用される光ピックアップ装置の概略構成を示す図面である。
【図２】本発明の好ましい実施形態で使用される反射防止膜の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１７】
図１に示す通り、光ピックアップ装置３０には、半導体レーザ発振器３２が具備されている。半導体レーザ発振器３２は、ＢＤ（Blu-ray Disc）用として波長３８０〜４２０ｎｍの特定波長（例えば４０５ｎｍ）のブルーレーザ光（青紫色レーザ）を出射するようになっている。光ピックアップ装置３０は光学装置の一例であり、半導体レーザ発振器３２は光源の一例である。
【００１８】
半導体レーザ発振器３２から出射されるブルーレーザ光の光軸上には、半導体レーザ発振器３２から離間する方向に向かって、コリメータ３３、ビームスプリッタ３４、１／４波長板３５、絞り３６、対物レンズ３７が順次配設されている。
【００１９】
ビームスプリッタ３４と近接した位置であって、上述したブルーレーザ光の光軸と直交する方向には、２組のレンズからなるセンサーレンズ群３８、センサー３９が順次配設されている。
【００２０】
対物レンズ３７は、高密度な光ディスクＤ（ＢＤ用光ディスク）に対向した位置に配置されており、半導体レーザ発振器３２から出射されたブルーレーザ光を光ディスクＤの一面上に集光するようになっている。対物レンズ３７は光学素子の一例であり、像側開口数ＮＡが０．７以上となっている。対物レンズ３７の周縁部にはフランジ部が形成されており、当該フランジ部が２次元アクチュエータ４０に装着されている。２次元アクチュエータ４０の動作により、対物レンズ３７は光軸上を移動自在となっている。
【００２１】
図１中拡大図に示す通り、対物レンズ３７は主には樹脂成形部５０で構成されており、樹脂成形部５０の表面５２には反射防止膜６０が形成されている。
本実施形態では、対物レンズ３７は樹脂成形部５０と反射防止膜６０とで構成され、反射防止膜６０が対物レンズ３７の表面３７ａに形成されている。反射防止膜６０は対物レンズ３７の表面３７ａに加えて、その反対面（表面３７ｂ）に形成されてもよい。
【００２２】
樹脂成形部５０は主には、ブルーレーザ光への耐光性の観点から、脂環式構造を有する重合体からなる樹脂で構成されていることが好ましい。
脂環式構造を有する重合体からなる樹脂としては、例えば、下記の樹脂１，２を使用することができ、反射防止膜６０との密着性を高める上では、樹脂１を使用するのが好ましい。
当該樹脂の具体例としては、日本ゼオン製ＺＥＯＮＥＸ、三井化学製ＡＰＥＬ、ＪＳＲ製アートン、ＴＯＰＡＳ  ＡＤＶＡＮＣＥＤ  ＰＯＬＹＭＥＲＳ  Ｇｍｂｈ製ＴＯＰＡＳなどが挙げられる。
【００２３】
［樹脂１］
樹脂材料１は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００である重合体全繰り返し単位中に、下記式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、下記式（２）及び／又は下記式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）とを、合計含有量が９０重量％以上になるように含有し、さらに繰り返し単位（ｂ）の含有量が１重量％以上１０重量％未満であり、繰り返し単位（ａ）の連鎖が下記関係式（Ｚ）を満たす脂環式炭化水素系共重合体を含有することが好ましい。
Ａ≦０．３×Ｂ  …  （Ｚ）
関係式（Ｚ）中、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量）であり、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数）である。
【００２４】
【化１】
0005458732.tif 000002
【００２５】
【化２】
0005458732.tif 000003
【００２６】
【化３】
0005458732.tif 000004
【００２７】
式（１）、式（２）及び式（３）中のＲ１〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等を表す。その中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基の場合が、耐熱性、低吸水性に優れるので好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げることができる。極性基で置換された鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のハロゲン化アルキル基が挙げられる。鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基；炭素原子数２〜２０、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜６のアルケニル基が挙げられる。
【００２８】
式（１）中のＸは脂環式炭化水素基を表し、それを構成する炭素数は、通常４個〜２０個、好ましくは４個〜１０個、より好ましくは５個〜７個である。脂環式構造を構成する炭素数をこの範囲にすることで複屈折を低減することができる。また脂環式構造は単環構造に限らず、例えばノルボルナン環やジシクロヘキサン環などの多環構造のものでもよい。
【００２９】
脂環式炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有してもよいが、その含有量は、全炭素−炭素結合の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。脂環式炭化水素基の炭素−炭素不飽和結合をこの範囲とすることで、透明性、耐熱性が向上する。また、脂環式炭化水素基を構成する炭素には、水素原子、炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等が結合していてもよく、中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基が耐熱性、低吸水性の点で好ましい。
【００３０】
また、式（３）中の「………」は、主鎖中の炭素−炭素飽和、又は炭素−炭素不飽和結合を示すが、透明性、耐熱性を強く要求される場合、不飽和結合の含有率は、主鎖を構成する全炭素−炭素間結合の、通常１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。
【００３１】
式（１）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（４）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００３２】
【化４】
0005458732.tif 000005
【００３３】
式（２）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（５）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００３４】
【化５】
0005458732.tif 000006
【００３５】
式（３）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（６）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００３６】
【化６】
0005458732.tif 000007
【００３７】
式（４）、式（５）及び式（６）中の、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｉ、Ｒｊ、Ｒｋ、Ｒｌ、Ｒｍ、Ｒｎはそれぞれ独立に水素原子または低級鎖状炭化水素基を示し、水素原子または炭素数１〜６の低級アルキル基が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００３８】
式（２）及び式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の中では、式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の方が、得られる炭化水素系重合体の強度特性に優れている。
【００３９】
本発明においては、炭化水素共重合体中の、式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、式（２）及び／又は式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）との合計含有量は、重量基準で、通常９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。合計含有量を上記範囲にすることで、低複屈折性、耐熱性、低吸水性、機械強度が高度にバランスされる。
【００４０】
脂環式炭化水素系共重合体における鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）の含有量は使用目的に応じて適宜選択されるが、通常、重量基準で１％以上１０％未満、好ましくは１％以上８％以下、より好ましくは２％以上６％以下の範囲である。繰り返し単位（ｂ）の含有量が上記範囲にあると、低複屈折性、耐熱性、低吸水性が高度にバランスされる。
【００４１】
また、繰り返し単位（ａ）の連鎖長は、脂環式炭化水素系共重合体の分子鎖長に対して十分に短く、具体的には、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の重量平均分子量）、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数））とした時、ＡがＢの３０％以下であり、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下の範囲である。Ａがこの範囲外では、低複屈折性に劣る。
【００４２】
上記「脂環式構造を有する重合体」の製造方法については、従来公知の方法で製造可能である。
【００４３】
例えば、脂環式炭化水素系共重合体の製造方法は、（１）芳香族ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、主鎖及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化する方法、（２）脂環式ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、必要に応じて水素化する方法等が挙げられる。
【００４４】
［樹脂２］
樹脂２は、α−オレフィンと、下記一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体からなる樹脂である。
【００４５】
【化７】
0005458732.tif 000008
…式（I）
【００４６】
式（I）中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ1乃至Ｒ18ならびにＲa及びＲbはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。
【００４７】
【化８】
0005458732.tif 000009
…式（II）
【００４８】
式（II）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に、０、１または２を表し、Ｒ21乃至Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。
【００４９】
［一般式（I）及び（II）で表される環状オレフィン］
上記一般式（I）において、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１である。なお、ｋが１の場合には、ｋを用いて表される環は６員環となり、ｋが０の場合にはこの環は５員環となる。
【００５０】
Ｒ1〜Ｒ18ならびにＲa及びＲbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基である。ここで、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
【００５１】
また、炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化アルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００５２】
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。さらに上記一般式（I）において、Ｒ15とＲ16とが、Ｒ17とＲ18とが、Ｒ15とＲ17とが、Ｒ16とＲ18とが、Ｒ15とＲ18とが、あるいはＲ16とＲ17とがそれぞれ結合して（互いに共同して）、単環または多環の基を形成していてもよく、しかもこのようにして形成された単環または多環が二重結合を有していてもよい。ここで形成される単環または多環としては、具体的に以下のようなものが挙げられる。
【００５３】
【化９】
0005458732.tif 000010
【００５４】
なお、上記例示した単環または多環において、１または２の番号を付した炭素原子は、前記一般式（I）においてそれぞれＲ15（Ｒ16）またはＲ17（Ｒ18）結合している炭素原子を表す。
【００５５】
また、Ｒ15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアルキリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜２０のアルキリデン基であり、このようなアルキリデン基の具体的な例としては、エチリデン基、プロピリデン基及びイソプロピリデン基が挙げられる。
【００５６】
一般式（II）において、ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に、０、１または２である。また、Ｒ21〜Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基である。
【００５７】
ここでハロゲン原子は、上記一般式（I）中のハロゲン原子と同じである。また炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００５８】
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としては、アリール基、アラルキル基などが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基などが挙げられる。
【００５９】
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。ここで、Ｒ29及びＲ30が結合している炭素原子と、Ｒ33が結合している炭素原子またはＲ31が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよい。すなわち、上記二個の炭素原子がアルキレン基を介して結合している場合には、Ｒ29とＲ33とが、または、Ｒ30とＲ31とが互いに共同して、メチレン基（−ＣＨ2−）、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）またはプロピレン基（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）の内のいずれかのアルキレン基を形成している。
【００６０】
さらに、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ35とＲ32またはＲ35とＲ39とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。具体的には、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ35とＲ32とにより形成される以下のような芳香族環が挙げられる。
【００６１】
【化１０】
0005458732.tif 000011
【００６２】
ここで、ｑは、一般式（II）におけるｑと同義である。
【００６３】
本発明に係る一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンとしては、具体的には、ビシクロ−２−ヘプテン誘導体（ビシクロヘプト−２−エン誘導体）、トリシクロ−３−デセン誘導体、トリシクロ−３−ウンデセン誘導体、テトラシクロ−３−ドデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロペンタデカジエン誘導体、ペンタシクロ−３−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロ−３−ヘキサデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ヘキサデセン誘導体、ヘキサシクロ−４−ヘプタデセン誘導体、ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−４−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体、オクタシクロ−５−ドコセン誘導体、ノナシクロ−５−ペンタコセン誘導体、ノナシクロ−６−ヘキサコセン誘導体、シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン誘導体、１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン誘導体などが挙げられる。
【００６４】
以下に、本発明に係る一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンのより具体的な例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
【００６５】
《ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン誘導体》
１）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
２）６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
３）５，６−ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
４）１−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
５）６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
６）６−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
７）６−イソブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８）７−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、等
【００６６】
《テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン誘導体》
９）テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１０）８−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１１）８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１２）８−プロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１３）８−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１４）８−イソブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１５）８−ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１６）８−シクロヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１７）８−ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１８）５，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１９）２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２０）８，９−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２１）８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２２）１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２３）２，７，９−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２４）９−エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２５）９−イソブチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２６）９，１１，１２−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２７）９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２８）９−イソブチルー１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２９）５，８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３０）８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３１）８−エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３２）８−エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３３）８−エチリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３４）８−エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３５）８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３６）８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３７）８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３８）８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３９）８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４０）８−イソプロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４１）８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４２）８−イソプロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４３）８−イソプロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４４）８−イソプロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４５）８−クロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４６）８−ブロモテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４７）８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４８）８，９−ジクロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン、等
【００６７】
《ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン誘導体》
４９）ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５０）１２−メチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５１）１２−エチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５２）１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５３）１，６，１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン、等
【００６８】
《オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン誘導体》
５４）オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５５）１５−メチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５６）１５−エチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン、等
【００６９】
《ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン誘導体》
５７）ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５８）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５９）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
６０）１５，１６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン、等
【００７０】
《ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体》
６１）ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．０3,8．０12,16］−５−エイコセン
６２）ヘプタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
【００７１】
《トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン誘導体》
６３）トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６４）２−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６５）５−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン、等
【００７２】
《トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン誘導体》
６６）トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン
６７）１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン、等
【００７３】
《ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン誘導体》
６８）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
６９）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７０）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７１）１４，１５−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン、等
【００７４】
《ジエン化合物》
７２）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４、１０−ペンタデカジエン、等
【００７５】
《ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン誘導体》
７３）ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン
７４）メチル置換ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン、等
【００７６】
《ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン誘導体》
７５）ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン
７６）ジメチル置換ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン、等
【００７７】
《ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．
０14,19］−５−ペンタコセン誘導体》
７７）ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン
７８）トリメチル置換ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン、等
【００７８】
《ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン誘導体》
７９）ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８０）１１−メチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８１）１１−エチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８２）１０，１１−ジメチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］
−３−ヘキサデセン、等
【００７９】
《ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン誘導体》
８３）ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８４）１５−メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８５）トリメチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
【００８０】
《ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22
．０15,20］−５−ヘキサコセン誘導体》
８６）ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22．０15,20］−５−ヘキサコセン、等
【００８１】
《その他》
８７）５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８８）５−メチル−５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８９）５−ベンジル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９０）５−トリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９１）５−（エチルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９２）５−（イソプロピルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９３）５−（ビフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９４）５−（β−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９５）５−（α−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９６）５−（アントラセニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９７）５，６−ジフェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９８）シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物
９９）１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン
１００）１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン
１０１）８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０２）８−メチル−８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０３）８−ベンジル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０４）８−トリル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０５）８−（エチルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０６）８−（イソプロピルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０７）８，９−ジフェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０８）８−（ビフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０９）８−（β−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１０）８−（α−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１１）８−（アントラセニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１２）（シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物）に、シクロペンタジエンを更に付加した化合物
１１３）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
１１４）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ヘキサデセン
１１５）１１−フェニル−ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
１１６）１４，１５−ベンゾ−ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．
０3,8．０12,16］−５−エイコセン
【００８２】
［α−オレフィン］
共重合体を構成するα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの直鎖状α−オレフィン；４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ブテンなどの分岐状α−オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、炭素原子数が２〜２０のα−オレフィンが好ましい。このような直鎖状または分岐状のα−オレフィンは置換基で置換されていても良く、また１種単独、或いは２種以上組合わせて用いることができる。
【００８３】
置換基としては、種々のものが挙げられ特に制限はないが、代表的なものとしてアルキル、アリール、アニリノ、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルキニル、複素環、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、複素環チオ、チオウレイド、ヒドロキシル及びメルカプトの各基、並びにスピロ化合物残基、有橋炭化水素化合物残基、スルホニル、スルフィニル、スルホニルオキシ、スルファモイル、ホスホリル、カルバモイル、アシル、アシルオキシ、オキシカルボニル、カルボキシル、シアノ、ニトロ、ハロゲン置換アルコキシ、ハロゲン置換アリールオキシ、ピロリル、テトラゾリル等の各基及びハロゲン原子等が挙げられる。
【００８４】
上記アルキル基としては炭素数１〜３２のものが好ましく、直鎖でも分岐でもよい。アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【００８５】
アシルアミノ基としては、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基；スルホンアミド基としては、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基；アルキルチオ基、アリールチオ基におけるアルキル成分、アリール成分は上記のアルキル基、アリール基が挙げられる。
【００８６】
アルケニル基としては炭素数２〜２３のもの、シクロアルキル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましく、アルケニル基は直鎖でも分岐でもよい。シクロアルケニル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましい。
【００８７】
ウレイド基としては、アルキルウレイド基、アリールウレイド基；スルファモイルアミノ基としてはアルキルスルファモイルアミノ基、アリールスルファモイルアミノ基；複素環基としては５〜７員のものが好ましく、具体的には２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル等；飽和複素環としては５〜７員のものが好ましく、具体的にはテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル等；複素環オキシ基としては５〜７員の複素環を有するものが好ましく、例えば、３，４，５，６−テトラヒドロピラニル−２−オキシ、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ等；複素環チオ基としては５〜７員の複素環チオ基が好ましく、例えば２−ピリジルチオ、２−ベンゾチアゾリルチオ、２，４−ジフェノキシ−１，３，５−トリアゾール−６−チオ等；シロキシ基としてはトリメチルシロキシ、トリエチルシロキシ、ジメチルブチルシロキシ等；イミド基としては琥珀酸イミド、３−ヘプタデシル琥珀酸イミド、フタルイミド、グルタルイミド等；スピロ化合物残基としてはスピロ［３．３］ヘプタン−１−イル等；有橋炭化水素化合物残基としてはビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル、トリシクロ［３．３．１．１３．７］デカン−１−イル、７，７−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル等が挙げられる。
【００８８】
スルホニル基としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ハロゲン置換アルキルスルホニル基、ハロゲン置換アリールスルホニル基等；スルフィニル基としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基等；スルホニルオキシ基としては、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等；スルファモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル等；ホスホリル基としては、アルコキシホスホリル基、アリールオキシホスホリル基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基等；カルバモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基等；アシル基としては、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基等；アシルオキシ基としては、アルキルカルボニルオキシ基等；オキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基等；ハロゲン置換アルコキシ基としてはα−ハロゲン置換アルコキシ基等；ハロゲン置換アリールオキシ基としては、テトラフルオロアリールオキシ基、ペンタフルオロアリールオキシ基等；ピロリル基としては１−ピロリル等；テトラゾリル基としては１−テトラゾリル等の各基が挙げられる。
【００８９】
上記置換基の他に、トリフルオロメチル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル、ノニルフルオロ−ｔ−ブチル等の各基や、テトラフルオロアリール基、ペンタフルオロアリール基なども好ましく用いられる。更に、これらの置換基は、他の置換基で置換されてもよい。
【００９０】
また、共重合体中の非環状モノマー含有量は、成型性の観点から２０質量％以上であることが好ましく、２５％以上で９０％以下であることがより好ましく、３０％以上で８５％以下であることがさらに好ましい。
【００９１】
反射防止膜６０は機能膜の一例であり、複数の層を積層した多層構造を有している。
詳しくは、図２に示す通り、樹脂成形部５０の表面５２上には第１の層６２が直に形成されており、その上に第２の層６４，第３の層６６，第４の層６８がこの順に形成されている。
【００９２】
第１の層６２は、屈折率が１．４７〜１．５３のＳｉＯ層であってこれを酸化処理したものである。第１の層６２の層厚は１０〜５０ｎｍである。
第２の層６４は、屈折率が１．５３〜１．８３のＳｉＯ層であってこれを酸化処理したものである。第２の層６４の層厚は１９０〜５０００ｎｍである。
【００９３】
第１の層６２の層厚と第２の層６４の層厚とを足し合わせた総層厚は、好ましくは４００ｎｍ以上である。総層厚を４００ｎｍ以上とした場合、波長４０５ｎｍのブルーレーザ光を照射し続けても樹脂成形部５０の白濁や変形などを抑えることができ、対物レンズ３７の耐光性を向上させることができる。
【００９４】
第３の層６６は屈折率１．６１以上の高屈折率材料から構成された層であり、好ましくはＴａ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５とＴｉＯ２との混合物，ＺｒＯ２，ＺｒＯ２とＴｉＯ２との混合物のいずれかで構成されている。
第３の層６６はＳｃ２Ｏ３，ＬａＯ３，ＬａＦ２，Ｙ２Ｏ３，ＨｆＯ２，ＴａＯ，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ３ＳｉＮ又はこれらの混合物で構成されてもよい。
第４の層６８は屈折率１．６１未満の低屈折率材料から構成された層であり、好ましくはＡｌＦ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＦ２から構成されている。
【００９５】
なお、本実施形態では、第３の層６６，第４の層６８の上にさらに第３の層６６，第４の層６８と同様の高屈折率材料層，低屈折率材料層を交互に積層し、反射防止膜６０を全体で６層以上の多層構造としてもよいし、これとは逆に、第３の層６６，第４の層６８，第５の層以降の層はなくてもよい。
【００９６】
続いて、対物レンズ３７の製造方法の一例について説明する。
【００９７】
始めに、上記樹脂を、一定条件下で金型に対し射出成形し、所定形状を有する樹脂成形部５０を形成する。
【００９８】
その後、樹脂成形部５０の表面５２に対し、電子線（Electron Beam）を用いた真空蒸着処理により反射防止膜６０を形成する。
詳しくは、樹脂成形部５０に対し、ＳｉＯを蒸着源として、真空チャンバの内部にＯ２ガスを所定圧（１．５×１０−２〜２．５×１０−２Ｐａ）で導入しながら、真空蒸着処理をおこない、屈折率が１．４７〜１．５３で層厚が１０〜５０ｎｍの第１の層６２（ＳｉＯ層）を形成する。
この場合、抵抗加熱法を用いた真空蒸着処理を実施してもよく、これによれば、電子線を用いた真空蒸着処理を実施した場合と比較して、反射防止膜６０（第１の層６２）の樹脂成形部５０に対する密着性を向上させることができる。
【００９９】
その後、第１の層６２に対し、ＳｉＯを蒸着源として、真空チャンバの内部に、Ｏ２ガスを、第１の層６２を形成したときよりも低圧（５．０×１０−３〜１．５×１０−２Ｐａ）で導入しながら、真空蒸着処理をおこない、屈折率が１．５３〜１．８３で層厚が１９０〜５０００ｎｍの第２の層６４（ＳｉＯ層）を形成する。
【０１００】
その後、第１の層６２と第２の層６４とが設けられた光学素子（樹脂成形部５０）に対して酸化処理を施し、第１の層６２と第２の層６４との屈折率を１．４７〜１．５３とする。
「第１の層６２と第２の層６４とを酸化」させるとは、第１の層６２と第２の層６４との両層を完全にＳｉＯ２層となるまで酸化させる場合だけでなく、それぞれの層の一部を酸化させる場合も含む。
また、本実施の形態では、Ｏ２ガス導入量を多くしてＳｉＯ層を成膜した後に、Ｏ２ガス導入量を少なくして成膜する２層構成について説明したが、更にその上に１層又は複数のＳｉＯ層を設けることも可能である。
また、必要な反射防止特性に応じて、ＳｉＯ層上に適宜１層または複数層の反射防止膜を成膜してもよい。その場合、酸化処理は、ＳｉＯ層上に反射防止膜を成膜した後に行なってもよいし、成膜する前に行ってもよいが、膜の安定性の観点から、反射防止膜を全て成膜した後に酸化処理することが好ましい。
【０１０１】
酸化処理の方法としては、第１，第２の層６２，６４が成膜された光学素子（樹脂成形部５０）を、温度９０℃以下，湿度９０％以下の環境下で１０時間〜７日程度保持（放置）する方法が挙げられる。保持期間は、好ましくは、２４時間（１日）〜７日程度である。
酸化処理の別の方法としては、樹脂成形部５０上に成膜された第１，第２の層６２，６４に対しイオン注入する方法や、第１，第２の層６２，６４が成膜された光学素子（樹脂成形部５０）を高濃度酸素下に保存する方法、第１，第２の層６２，６４が設けられた光学素子（樹脂成形部５０）に対しＯ２プラズマ処理を施す方法、第１，第２の層６２，６４が成膜された光学素子（樹脂成形部５０）に対しオゾン雰囲気下で紫外線を照射する方法などが挙げられる。
ここで、本発明における酸化処理は、各々のＳｉＯ層の酸化度を高める方法であれば、上記の方法に限定されない。
【０１０２】
第１の層６２と第２の層６４は、第３の層６６，第４の層６８を形成した後の自然放置によっても酸化されるが、本発明の酸化処理とは、光ピックアップ装置等の装置に搭載する前に行う処理であってＳｉＯ層の酸化度を高める処理を意味し、本工程では、第３の層６６，第４の層６８を形成する前の当該酸化処理によって意図的にＳｉＯ層の酸化度を変化させている。
【０１０３】
なお、第１の層６２と第２の層６４は基本的に同一組成物であるが、各ＳｉＯ層を形成する工程では、Ｏ２ガスの導入圧（導入量）が異なるため、これら層間には界面が存在する。その界面はＳＥＭ（Scanning Electron Microscope，走査型電子顕微鏡）やＴＥＭ（Transmission Electron Microscope，透過型電子顕微鏡）などにより観察可能であり、その観察結果に基づき、第１の層６２と第２の層６４とを判別することができると考えられる。
【０１０４】
その後は、真空蒸着処理により、第２の層６２上に第３の層６６を形成し、第３の層６６上に第４の層６８を形成する。
以上の処理により、樹脂成形部５０の表面５２に対し反射防止膜６０を形成することができ、これにより対物レンズ３７を製造することができる。
【０１０５】
続いて、光ピックアップ装置３０の動作について説明する。
【０１０６】
光ディスクＤへの情報の記録動作時や光ディスクＤに記録された情報の再生動作時に、半導体レーザ発振器３２からブルーレーザ光が出射される。出射されたブルーレーザ光は、コリメータ３３を透過して無限平行光にコリメートされた後、ビームスプリッタ３４を透過して、１／４波長板３５を透過する。さらに、当該ブルーレーザ光は絞り３６及び対物レンズ３７を透過した後、光ディスクＤの保護基板Ｄ１を介して情報記録面Ｄ２に集光スポットを形成する。
【０１０７】
集光スポットを形成したブルーレーザ光は、光ディスクＤの情報記録面Ｄ２で情報ビットによって変調され、情報記録面Ｄ２によって反射される。そして、この反射光は、対物レンズ３７及び絞り３６を順次透過した後、１／４波長板３５によって偏光方向が変更され、ビームスプリッタ３４で反射する。その後、当該反射光は、センサーレンズ群３８を透過して非点収差が与えられ、センサー３９で受光されて、最終的には、センサー３９によって光電変換されることによって電気的な信号となる。
【０１０８】
以後、このような動作が繰り返し行われ、光ディスクＤに対する情報の記録動作や、光ディスクＤに記録された情報の再生動作が完了する。
【０１０９】
以上の本実施形態によれば、対物レンズ３７の反射防止膜６０を形成する場合に、樹脂成形部５０に対し第１，第２の層６２，６４として２層のＳｉＯ層を形成し、それらのＳｉＯ層を酸化処理している。
そのため、反射防止膜６０の樹脂成形部５０に対する密着性と反射防止膜６０の耐熱性と光学特性とを向上させたまま安定的に保持しつつ、樹脂成形部５０の変形や白濁を抑制して耐光性を向上させることができる（下記実施例参照）。
【実施例】
【０１１０】
（１）サンプルの作製
樹脂として日本ゼオン社製ZEONEX-350Rを使用し、当該樹脂を射出成形して樹脂成形部（樹脂製レンズ）を形成した。
樹脂製レンズとしては、有効径１ｍｍ、軸上厚１．５７ｍｍのブルーレーザ光専用の光ピックアップ装置の対物レンズとした。
【０１１１】
その後、樹脂成形部に対し、表１，表２に記載の層を、電子線を用いた真空蒸着処理により形成・積層した。当該成膜処理においては、ＳｉＯ層形成時のＯ２ガス導入圧と各層の層厚とを、表１，表２に記載の通りとした。
【０１１２】
その後、多層膜を形成した樹脂成形部に対し、酸化処理を施した。
酸化処理として、６０℃，８０％ＲＨ環境下で４８時間保存した。
【０１１３】
以上の処理を施した樹脂成形部を、膜構成（層厚やＯ２ガス導入圧など）や酸化処理の有無に応じて「サンプル１〜１０」とした。
【０１１４】
表１，表２中、「膜構成」の項目で最も下に配置された層が第１の層であり、樹脂成形部に直に形成した層である。
表１中、サンプル１の第１の層（ＳｉＯ層）は、抵抗加熱法を用いた真空蒸着処理により形成した。
表１中、サンプル１の「ＯＡ６００」は、蒸着源としてオプトラン社製OA600を用いて当該蒸着源を蒸発させ作製した層であって、（Ｔａ２Ｏ５＋５％ＴｉＯ２）層である。ＯＡ６００の層を形成する際には、高周波電源により放電しながら成膜し、当該層を緻密化した。
【０１１５】
（２）サンプルの評価
（２．１）密着性
各サンプルの膜に対し、テープ（スリーエム社製No859T）を貼り付けてこれを垂直に引き剥がすという操作を繰り返しおこない、その操作を何回繰り返すと膜が剥離するかという観点から、樹脂成形部に対する膜の密着性を評価した。
評価結果を表１，表２に示す。表１，表２中、◎，○，△，×の基準は下記の通りである。
「◎」…６〜１０回目の操作で膜が剥離する
「○」…２〜５回目の操作で膜が剥離する
「△」…１回目の操作で膜が剥離する
「×」…成膜時に剥離している
【０１１６】
（２．２）耐熱性
各サンプルを、８５℃の恒温槽に１週間放置し、膜のクラックの有無を実態顕微鏡（４０倍）で観察し、クラックの有無や程度などから、膜の耐熱性を評価した。
評価結果を表１，表２に示す。表１，表２中、○，△，×の基準は下記の通りである。
「○」…クラックはない
「△」…細かいスジのようなクラックがある
「×」…大きなひび割れがある
【０１１７】
（２．３）耐光性
８５℃の温度環境下において、各サンプルに対し、波長４０５ｎｍのブルーレーザを１００ｍＷで３週間照射し続け、照射前後の球面収差を表面干渉計で測定してその変動を算出し、その算出結果から、膜の耐光性を評価した。
評価結果を表１，表２に示す。表１，表２中、◎，○，△，×の基準は下記の通りである。
「◎」…変動量が±１０ｍλ未満である
「○」…変動量が±１０ｍλ以上で±２０ｍλ未満である
「△」…変動量が±２０ｍλ以上で±５０ｍλ未満である
「×」…変動量が±５０ｍλ以上である
【０１１８】
【表１】
0005458732.tif 000012
【０１１９】
【表２】
0005458732.tif 000013
【０１２０】
（３）まとめ
表１，表２に示す通り、サンプル１〜６とサンプル７〜１０とを比較すると、サンプル７〜１０は密着性，耐熱性，耐光性のいずれでも結果が良好であった。
特に、酸化処理の有無が異なるサンプル６，８の比較の結果から、酸化処理をおこなうと、密着性，耐熱性に加え、耐光性が著しく向上していた。
以上から、樹脂成形部に対し２層のＳｉＯ層を形成してそのＳｉＯ層を酸化処理することは、密着性，耐熱性を向上させたまま保持し、さらに耐光性を向上させるのに有用であることがわかった。
【符号の説明】
【０１２１】
３０  光ピックアップ装置
３２  半導体レーザ発振器
３３  コリメータ
３４  ビームスプリッタ
３５  １／４波長板
３６  絞り
３７  対物レンズ
３７ａ，３７ｂ  表面
３８  センサーレンズ群
３９  センサー
４０  ２次元アクチュエータ
５０  樹脂成形部
５２  表面
６０  反射防止膜
６２  第１の層
６４  第２の層
６６  第３の層
６８  第４の層
Ｄ  光ディスク
Ｄ１  保護基板
Ｄ２  情報記録面
【図１】
0005458732.tif 000014
【図２】
0005458732.tif 000015