(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定時間の未使用状態のときに通常モードから当該画像形成装置の制御を行うＣＰＵへの給電を停止する省電力モードに移行する画像形成装置において、
省電力モードにおいて、画像形成装置のカバーが開かれたことを検出するカバー開放検知手段と、前記省電力モード時のカバー開放検知手段がカバー開放を検知したとき記憶制御手段に電源を供給する省電力モード時電源供給手段と、前記記憶制御手段により前記カバー開放を記録する記憶装置と、前記省電力モードから通常モードの状態に復帰したとき、前記記憶装置にアクセスし、省電力モード中のカバー開放を判断する判断手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載された画像形成装置において、
省電力モードにおける画像形成装置の内部の温度を検知する温度検知手段と、
アラーム信号を出力する手段と、を有し、
前記省電力モード時電源供給手段は、前記アラーム信号を受信したとき前記記憶制御手段に電源を供給し、前記記憶制御手段は、アラーム信号が発生したとき前記温度検知手段で検知した温度を記憶することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項１に記載された画像形成装置において、
光学ユニットと、前記光学ユニットに対して位置決めされた感光体と、
前記判断手段が省電力モード中にカバーが開かれたと判断したとき、光学ユニットと感光体との位置ずれ補正を実行する補正手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
請求項２に記載された画像形成装置において、
光学ユニットと、前記光学ユニットに対して位置決めされた感光体と、
前記判断手段が省電力モード中にカバーが開かれたと判断したとき又は前記省電力モード中における温度変化が所定の値を超えると判断したとき、光学ユニットと感光体との位置ずれ補正を実行する補正手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれかに記載された画像形成装置において、
前記温度検知手段は、省電力モードにおいて前記省電力モード時電源供給手段より給電されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
請求項３または４に記載された画像形成装置において、
前記省電力モードから通常モードに復帰した時、前記判断手段は、省電力モード中にカバーの開放又は所定の温度変化が無いと判断したとき、前記補正手段による補正を行わないことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載された画像形成装置において、
前記記憶装置は、不揮発性記憶装置であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、とくに省電力化、低コスト化が可能な画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置も急速にカラー化が進み、これに加えて、低消費電力、装置コストの低減及びランニングコスト低減の要求も高まっている。低コスト化を図るために、マシン構造の簡素化及び小型化、部品費用の低減がされている。
【０００３】
低消費電力に関しては、財団法人省エネルギーセンターの「国際エネルギースタープログラム」に適合するための基準の値となるＴＥＣ値（Typical Electricity Consumption）がその商品の印刷または複写の速度に基づき算出される基準値以下である場合、「国際エネルギースタープログラム」の適合商品として認定を受けることができ、これは、販売するための大きなセールスポイントとなる。
【０００４】
さらに、この規格値を満たすのみならず、更なる消費電力化を図るためには、消費電力モード中の消費電力の低減が重要になってくる。例えば、省電力モードへの移行時間が短い程、消費電力も小さくなるため、移行時間も短くなる傾向にある。なお、この省電力モードへの移行は通常、装置に搭載された既知のリアルタイムクロック（ＲＴＣ）ＩＣと呼ばれる時計を基準に、ある一定の時間以上印刷などの動作をしない場合に移行する。また、このリアルタイムクロックＩＣは、省電力モード中は電池により駆動されるのが一般的である。
【０００５】
装置コストの低減を図るためには、構造の簡素化及び小型化があげられる中、装置のカバー開閉で光学ユニットと感光体の位置関係がずれてしまう問題がある。また、部品費の低減により光学ユニットに使用するレンズを安価にするために、例えば、プラスチックレンズを使用しているが、このプラスチックレンズが温度変化で、レンズに歪が発生してしまうため、光学ユニットからのレーザ光の経路のずれが発生してしまう。これらのずれを補正するために、カバーの開閉があった場合及びレンズが歪む程の温度変化を検出した場合には、このずれを補正するための位置ずれ補正制御を行う必要がある。
【０００６】
ところが、省電力モード中にＣＰＵ（中央処理装置）の給電を停止すると、省電力モード中に発生したカバー開閉、温度変化があったとしても分からない。このため、位置ずれ補正の為に、省電力モード復帰時には、省電力モード中に実際にはカバー開閉、もしくは温度変化が無かった場合でも常に位置ずれ補正制御を実施する必要がある。
また、省電力モード時にＣＰＵへの給電を停止してしまうと、省電力モードから復帰する際には、位置ずれ補正制御を行うため、中間転写ベルト上にトナー像を形成する必要があり、それによってトナー消費が発生し、ランニングコストの増大を招くという問題がある。
【０００７】
この問題に対して、省電力モード中における画像形成装置のカバー開閉を検出する方法として、駆動系電源電圧と制御系電源電圧の少なくとも２つ以上の電源電圧を供給するスイッチング電源を用意して、省電力モード中は駆動系電源電圧を遮断して、制御系電源電圧に切り替え、ＣＰＵに電源供給する方法が提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、特許文献１に記載された画像形成装置は、省電力中でもＣＰＵが動作する必要があり、省電力モード中に消費電力が発生してしまう問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、画像形成装置において、省電力モード中にＣＰＵに電源供給をしなくても、省電力モード中に発生したカバー開閉及び温度変化があったことを記憶しておき、省電力モードから通常モードへの復帰時には、前記記憶した内容により、位置ずれ補正制御を実施するか否かを判断することにより、省電力モード中の消費電力と不要なトナー消費を抑え、ランニングコストを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、所定時間の未使用状態のときに通常モードから当該画像形成装置の制御を行うＣＰＵへの給電を停止する省電力モードに移行する画像形成装置において、省電力モードにおいて、画像形成装置のカバーが開かれたことを検出するカバー開放検知手段と、前記省電力モード時のカバー開放検知手段がカバー開放を検知したとき記憶制御手段に電源を供給する省電力モード時電源供給手段と、前記記憶制御手段により前記カバー開放を記録する記憶装置と、前記省電力モードから通常モードの状態に復帰したとき、前記記憶装置にアクセスし、省電力モード中のカバー開放を判断する判断手段と、を有することを特徴とする画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１０】
省電力モード中にＣＰＵに給電をしなくても、省電力モード中に発生したカバー開閉及び温度変化があったことを不揮発の記憶装置に記憶し、省電力モード復帰時には、この不揮発の記憶装置に記憶した内容より、省電力モード復帰時に、位置ずれ補正制御を実施するか、しないかを判断し、カバーの開閉、もしくは温度変化が無かった場合には位置ずれ補正制御を実施しないことで、省電力モード中の消費電力を低減し、不要なトナー消費を抑えることができるため、ランニングコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態の画像形成装置のシステム構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態の画像形成装置の電源供給システムの構成図である。
【図３】不揮発記憶装置内部の構成を示すブロック図である。
【図４】カバー開時の不揮発性記憶装置の制御回路の構成を示す図である。
【図５】カバー開時の不揮発性記憶装置の制御回路の動作フロー図である。
【図６】リアルタイムクロックＩＣアラーム信号検出時の不揮発記憶装置であるＮＶＲＡＭの制御回路の構成を示す図である。
【図７ａ】リアルタイムクロックＩＣアラーム信号検出時の不揮発記憶装置であるＮＶＲＡＭの制御回路動作フロー図である。
【図７ｂ】リアルタイムクロックＩＣアラーム信号検出時の不揮発記憶装置であるＮＶＲＡＭの制御回路動作フローの図７ａに続く図である。
【図７ｃ】リアルタイムクロックＩＣアラーム信号検出時の不揮発記憶装置であるＮＶＲＡＭの制御回路動作フローの図７ｂに続く図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について、添付した図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態の画像形成装置のシステム構成を示すブロック図である。
図１において、システム１００は、まず、省電力モード移行判定部１０１、省電力モード信号生成部１０２、給電ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０３及びカバー開閉検知スイッチ１０５には省電力モードでも遮断することの無い定常電圧＋５Ｖｅが給電されている。省電力モードに移行する前は、カバー開閉検知信号生成部１０４がカバー開閉検知スイッチ１０５の状態を示し、ＣＰＵ１０６によりカバー開閉状態を判断する。
【００１３】
画像形成装置がある一定時間使用されないと、省電力モード移行判定部１０１により通常モードから省電力モードに移行する。省電力モードに移行すると、省電力モード信号生成部１０２より生成された移行信号が給電ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０３に入力され、給電ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０３によりＣＰＵ１０６への給電が停止される。給電が停止されたＣＰＵ１０６は、カバー開閉を検知することはできない。
ここで、カバー開閉検知スイッチ１０５には、既に述べたように省電力モードでも切れない定常電圧＋５Ｖｅが給電されている。この定常電圧＋５Ｖｅを使用し、省電力モード中においてカバーを開いた時に、省電力モード時電源生成部１１０は、不揮発記憶装置制御部１０８及び不揮発記憶装置１０９への供給電圧Ｖｃｏを生成する。この時、カバー開閉検知信号生成部１０４は、カバーが開いていることを示す信号（後述するカバー開信号ＣＯＶＥＲ＿ＯＰＥＮ＿Ｎ）を不揮発記憶装置制御部１０８に出力し、この信号を受信した不揮発記憶装置制御部１０８は、カバーが開いたことを不揮発記憶装置１０９に書き込む。省電力モードから通常モードになったとき、ＣＰＵは不揮発記憶装置１０９の書き込み情報に基づき、位置ずれ補正を行うか否か判断する。
【００１４】
次に、省電力モード中の温度の取り込みについて説明する。リアルタイムクロックＩＣ１１１、及びリアルタイムクロックＩＣアラーム出力検知部１１２は、省電力モード中においては、バッテリー１１３により動作している。ここで、一般的なリアルタイムクロックＩＣ１１１はアラーム機能、即ち一定間隔の時間でこのアラーム信号を出力する機能を有している。また、このアラーム出力のタイミングは、ＣＰＵ１０６が省電力モードに移行する前に予め設定しておく。
リアルタイムクロックＩＣ１１１がアラーム信号を出力したとき、このアラーム信号は、リアルタイムクロックＩＣアラーム出力検知部１１２に出力され、保持される。この保持されたアラーム信号を省電力モード時電源生成部１１０に出力し、省電力モード時電源生成部１１０はこの信号を受信することにより供給電圧Ｖｃｏを生成し、供給電圧Ｖｃｏにより、不揮発記憶装置制御部１０８、不揮発記憶装置１０９、ＡＤコンバータ１１４及び温湿度センサ１１５が給電される。また、この保持されたアラーム信号を不揮発記憶装置制御部１０８が受信することで、不揮発記憶装置制御部１０８は、ＡＤコンバータ１１４よりデジタル化された温度データを受信する。
【００１５】
図２は、前記省電力モード時電源生成部１１０及びカバー開閉検知信号生成部１０４を含む、電源供給システムの構成図である。
図２において、省電力モード信号生成部１０２より出力される省電力モード信号ＳＬＰ＿Ｎがロジックレベル“Ｌ”になった時に、本画像形成装置は、省電力モードへ移行する。ＣＰＵ＿ＡＣＳ＿Ｐ信号はＣＰＵ１０６から出力される信号である。このＣＰＵ＿ＡＣＳ＿Ｐ信号のロジックレベルが“Ｈ”になった時にＣＰＵ１０６が記憶装置にアクセスすることを示す。ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ信号は、前記リアルタイムクロックＩＣアラーム出力検知部１１２より生成される信号である。このＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ信号は、前記リアルタイムクロックＩＣ１１１からアラームが出力されたことを示す信号で、ワンショットパルスで出力するアラーム信号を保持した信号である。この信号は、“Ｈ”レベルになった時にリアルタイムクロックからアラーム信号が出力されたことを示す。
【００１６】
ここで、省電力モード信号ＳＬＰ＿Ｎがロジックレベル“Ｈ”になり、ＣＰＵ１０６へのアクセス信号ＣＰＵ＿ＡＣＳ＿ＰとリアルタイムクロックＩＣアラーム信号ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐがロジックレベル“Ｌ”、つまり、リアルタイムクロックＩＣ１１１からアラームが出力されていない状態では、ＰＮＰトランジスタ２及び３はＯＦＦ状態になる。
また、ＣＰＵアクセス信号ＣＰＵ＿ＡＣＳ＿Ｐ及びリアルタイムクロックＩＣアラーム信号ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ信号が“Ｌ”の場合では、ＮＰＮトランジスタ６及び７はＯＦＦ状態になり、コレクタがオープン状態になるため、ＰＮＰトランジスタ４のベース電流を引き込まないので、ＰＮＰトランジスタ４はＯＦＦ状態となる。
このため、ＰＮＰトランジスタ１のベースはオープン状態となり、ＰＮＰトランジスタ１はＯＦＦ状態になり、供給電圧Ｖｃｏには給電電圧は発生しない。
【００１７】
次に、省電力モード中にカバーが開になった時の動作について説明する。
前記カバー開閉検知信号生成部１０４（図１）で、スイッチ５を介して、定常電圧＋５Ｖｅを抵抗１４及び１５で分圧して生成されるＣＯＶＥＲ＿ＯＰＥＮ＿Ｎ信号は、ロジックレベル“Ｌ”の時にカバーが開けられたことを示す。カバーが開けられると、スイッチ５が開になり、抵抗１５により接地されているため、カバー開信号ＣＯＶＥＲ＿ＯＰＥＮ＿Ｎはロジックレベル“Ｌ”になる。
即ち、カバーが閉じられた場合、スイッチ５も閉になり、カバー開信号ＣＯＶＥＲ＿ＯＰＥＮ＿Ｎ信号は、抵抗１４と抵抗１５により分圧された電圧となり、これは、ロジックレベル“Ｈ”になったことを示す。
【００１８】
ここで、省電力モード信号ＳＬＰ＿Ｎが“Ｌ”、ＣＰＵアクセス信号ＣＰＵ＿ＡＣＳ＿Ｐ及びリアルタイムクロックＩＣアラーム信号ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐが“Ｌ”で、且つ、スイッチ５が閉の時は、ＰＮＰトランジスタ２及び３はＯＮ状態になるため、ＰＮＰトランジスタ２のコレクタには、スイッチ５、抵抗１１を介して定常電圧＋５Ｖｅが、ＰＮＰトランジスタ１のベースに給電され、ＰＮＰトランジスタ１はＯＦＦ状態になり、供給電圧Ｖｃｏには給電電圧は発生しない。ＰＮＰトランジスタ４はＯＦＦの状態を継続しているため、ＰＮＰトランジスタ１のベース電圧には影響を与えない。
【００１９】
省電力モード信号ＳＬＰ＿Ｎが“Ｌ”、ＣＰＵアクセス信号ＣＰＵ＿ＡＣＳ＿Ｐ及びリアルタイムクロックＩＣアラーム信号ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐがロジックレベル“Ｌ”で、且つ、スイッチ５が開の時は、ＰＮＰトランジスタ２はＯＮ状態になっているが、ＰＮＰトランジスタ２のエミッタはオープンになっているため、ＰＮＰトランジスタ１のベースに給電されない。しかし、ＰＮＰトランジスタ３がＯＮ状態になっているので、ＰＮＰトランジスタ１のベースは、ＰＮＰトランジスタ３、抵抗８を介して接地状態になるため、ＰＮＰトランジスタ１はＯＮ状態になり、供給電圧Ｖｃｏには給電電圧が発生する。
【００２０】
リアルタイムクロックＩＣアラーム信号ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐが“Ｈ”もしくはＣＰＵアクセス信号ＣＰＵ＿ＡＣＳ＿Ｐが“Ｈ”の場合は、省電力モード信号ＳＬＰ＿Ｎの“Ｌ”、“Ｈ”及びスイッチ５の開閉に関わらず、ＮＰＮトランジスタ６、もしくはＮＰＮトランジスタ７がＯＮ状態になり、ＰＮＰトランジスタ４のベース電流を引き込むため、ＰＮＰトランジスタ４はＯＮ状態になり、ＰＮＰトランジスタ１のベース電流を引き込み、ＰＮＰトランジスタ１はＯＮ状態になり、供給電圧Ｖｃｏには給電電圧が発生する。
【００２１】
ここで、省電力モード中においてカバーを開いた時には、省電力モード時電源生成部１１０は、上記のように不揮発記憶装置制御部１０８及び不揮発記憶装置１０９への供給電圧Ｖｃｏを生成する。この時、カバー開閉検知信号生成部１０４は、カバーが開いていることを示すカバー開信号（ロジックレベル“Ｌ”のＣＯＶＥＲ＿ＯＰＥＮ＿Ｎ）を不揮発記憶制御部１０８に出力し、この信号を受信した不揮発記憶装置制御部１０８は、カバーが開いたことを不揮発記憶装置１０９に書き込む。
【００２２】
次に、不揮発記憶装置内部の構成について、図３を参照して説明する。図３に示すように、記憶装置は一般的に、記憶するデータ格納エリアがあり、この格納エリアには１対１の関係でアドレス（番地）が付けられている。そして、各アドレスにどのデータを書き込むかを予め割当てておく。
図３では、アドレスＭ番地に、カバー開閉があったことを示すデータを格納するエリアを割当て、アドレスｎ番地は、省電力モードに移行してから、リアルタイムクロックＩＣ１１１（図１）が１回目のアラーム信号を出力したタイミングで格納した温度データを格納するエリアとして割当てていることを、また、アドレスｎ＋１番地には、１回目のアラーム信号を出力したタイミングで格納した湿度データを格納するエリアとして割当てていることを示す。
また、アドレスｎ＋２番地はリアルタイムクロックＩＣ１１１が２回目のアラーム信号を出力したタイミングで格納した温度データを格納しており、アドレスｎ＋２（ａ−１）番地には、リアルタイムクロックＩＣ１１１がａ回目のアラーム信号を出力したタイミングで格納した温度データを格納するためのエリアに割当て、また、アドレスｎ＋２ａ−１番地には、リアルタイムクロックＩＣ１１１がａ回目のアラーム信号を出力したタイミングで格納した湿度データを格納するためのエリアに割当ている。
【００２３】
次に、アドレスＮ番地に、最後に書き込みを行ったアドレス記録エリアであって、例えば、リアルタイムクロックＩＣ１１１がａ回目のアラーム信号を出力した時に湿度データを書き込んだアドレスｎ＋２ａ−１番地が記憶されている。
【００２４】
次に、省電力モード中にカバー開があった場合、及びリアルタイムクロックＩＣ１１１からアラームが出力された場合における処理について説明する。
不揮発記憶装置１０９には、一般的に使用されている既知のＮＶＲＡＭ（Non Volatile Random Access Memory）を用いる。このＮＶＲＡＭは、データを記憶するエリアを示す複数の信号線からなるアドレス信号と書き込みデータ、読み込みデータを交換する複数の信号線からならデータ信号、データをＮＶＲＡＭに書き込むためのライト信号及びＮＶＲＡＭからデータを読み出すためのリード信号により制御される。
なお、後述の図４、図６中に記載されているＮＶＲＡＭ２００、６２４は同一のもので、ＮＶＲＡＭ前段にあるセレクタ２０１は、カバーオープン（開）検出時のＮＶＲＡＭ接続信号、リアルタイムクロックＩＣ１１１のアラーム検出時のＮＶＲＡＭ接続信号、及びＣＰＵ１０６のＮＶＲＡＭ接続信号を選択するためのセレクタである。また、ＮＶＲＡＭ同様に、図４、図６に記載されているセレクタ２０１、６２２も同一のものである。
【００２５】
まず、省電力モード中にカバー開になった場合について説明する。図４は、カバー開時の不揮発性記憶装置１０９の制御回路の構成を示す図で、図５は、カバー開時の不揮発性記憶装置１０９の制御回路の動作フロー図である。
図４のカバーオープン検出時ＮＶＲＡＭアクセス制御信号生成部４００は、パワーオンリセット信号生成部４０１、発振器４０２、カバーオープン検知部４０３、ＮＶＲＡＭアクセスシーケンス制御部４０４、ＮＶＲＡＭリードデータ保持部４０８、カバーオープンフラグ有無判定部４０９からなり、セレクタ２０１を介してＮＶＲＡＭ２００を制御する。
【００２６】
図５において、カバーオープン検出時ＮＶＲＡＭアクセス制御信号生成部４００に供給電圧Ｖｃｏが給電されると（Ｓ５０１）、パワーオンリセット信号生成部４０１は、パワーオンリセット信号を出力し（Ｓ５０２）、給電電圧が安定した後、パワーオンリセットを解除する（Ｓ５０３）。そして、発振器４０２より制御信号を生成するための基準クロック信号が出力される（Ｓ５０４）。この時、図４のカバーオープン検知部４０３で、前記カバーオープン信号ＣＯＶＥＲ＿ＯＰＥＮ＿Ｎがロジックレベル“Ｌ”であることが検知されると（Ｓ５０５：ＹＥＳ）、カバー開が発生したと判断し、ＮＶＲＡＭアクセスシーケンス制御部４０４のリードアクセス制御部４０６よりＮＶＲＡＭ２００のリードシーケンスが開始される（Ｓ５０６）。
【００２７】
この時、リードするデータのアドレスは、図３に示したアドレスＭのデータである。そして、読み出されたデータをＮＶＲＡＭリードデータ保持部４０８により保持する（Ｓ５０７）。
カバーオープンフラグ有無判定部４０９では、継続されている省電力モード中で、過去にカバー開があったか否かを判定する（Ｓ５０８）。ここで、過去にカバー開があったことを示すカバーオープンフラグがあった場合には（Ｓ５０８：ＹＥＳ）、そのまま処理を終了する。
ステップＳ５０８において、過去にカバーオープンフラグがなかった場合には（Ｓ５０８：ＮＯ）、今回検出したカバーオープンを記録する必要があるため、ＮＶＲＡＭアクセスシーケンス制御部４０４のライトアクセス制御部４０７より、ライトシーケンスを開始し、ＮＶＲＡＭのアドレスＭ（図３）にカバーオープンフラグを書き込み（Ｓ５０９）、このライトシーケンスが完了した後（Ｓ５１０：ＹＥＳ）、この処理を終了する。
このようにして、省電力モード中にカバーオープンを検出したときは必ずＮＶＲＡＭに記憶されるようになっている。
【００２８】
次に、省電力モード中に、リアルタイムクロックＩＣ１１１よりアラーム信号が出力された場合のＮＶＲＡＭアクセス制御について説明する。
図６及び図７は、リアルタイムクロックＩＣアラーム信号検出時の不揮発記憶装置であるＮＶＲＡＭの制御回路の構成及びその動作フロー図である。
図６において、リアルタイムクロックＩＣアラーム検出時ＮＶＲＡＭアクセス制御信号生成部６００は、パワーオンリセット信号生成部６０１、発振器６０２、アラーム信号検知部６０３、ＮＶＲＡＭアクセスシーケンス制御部６０４、ライトデータ選択制御部６０８、ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ保持解除信号生成部６０９などからなり、セレクタＡ６２３を介して、ＡＤコンバータアクセスシーケンス制御部６１２と、セレクタ６２２を介してＮＶＲＡＭ６２４と接続されている。温湿度センサ１１５から取得した温湿度をＡＤコンバータ１１４を介して、ＡＤコンバータアクセスシーケンス制御部６１２により各データ及び信号の制御を行う。
ここで、リアルタイムクロックＩＣアラーム検出時ＮＶＲＡＭアクセス制御信号生成部６００にある、パワーオンリセット信号生成部６０１と発振器６０２については、カバーオープン検出時ＮＶＲＡＭアクセス制御信号生成部４００のパワーオンリセット信号生成部４０１と発振器４０２と共通でもよい。
【００２９】
図６及び図７ａ〜図７ｃにおいて、まず、Ｖｃｏ給電を開始すると（Ｓ７０１）、パワーオンリセット信号生成部６０１よりパワーオンリセット信号を出力して（Ｓ７０２）、パワーオンリセットを解除する（Ｓ７０３）。そして、発振器６０２より制御信号を生成するための基準クロック信号が出力される（Ｓ７０４）。ここで、リアルタイムクロックＩＣ１１１（図１）からワンショットのパルスが出力され、アラーム保持回路６１０により保持された、ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ信号を出力する。このＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ信号のロジックレベルがアラーム信号検知部６０３により“Ｈ”と検知されると（Ｓ７０５：ＹＥＳ）、リアルタイムクロックＩＣアラーム検出時ＮＶＲＡＭアクセス制御信号生成部６００、ＡＤコンバータアクセスシーケンス制御部６１２がアクティブ状態となり、ＡＤコンバータアクセスシーケンス制御部６１２のアナログ温度データ取り込み開始信号生成部６１３が起動してアナログ温度データ取り込み開始信号を出力し（Ｓ７０６）、アナログ温度データを取り込む。この時、アナログデータの取り込みと、このアナログデータが、デジタルデータに変換されるために必要な時間を確保するために、データ取り込み規定時間確保タイマ６１５をスタートさせる（Ｓ７０７）。そして、データ取り込み規定時間確保タイマ６１５のタイムアウト出力を待ち、タイムアウトが出力されたときは（Ｓ７０８：ＹＥＳ）、デジタル温度データ取り込み制御部６１６がデジタル温度データの取り込みを開始する（Ｓ７０９）。そして、読み取ったデジタルデータをデジタル温度データ保持部６１７にて保持し（Ｓ７１０）、デジタル温度データの保持が完了した後、デジタル温度データ保持完了フラグセット部６１８にて温度データ取り込み完了フラグをセットする（Ｓ７１１）。
【００３０】
温度データ取り込み完了フラグがセットされたときは（Ｓ７１２：ＹＥＳ）、アナログ湿度データ取り込み開始信号生成部６１４が起動し、アナログ湿度データ取り込み開始信号を出力し（Ｓ７１３）。この時、アナログデータの取り込みと、このアナログデータが、デジタルデータに変換されるために必要な時間を確保するために、データ取り込み規定時間確保タイマ６１５をスタートさせる（Ｓ７１４）。そして、データ取り込み規定時間確保タイマ６１５のタイムアウト出力を待つ。タイムアウトが出力された後（Ｓ７１５：ＹＥＳ）、デジタル湿度データ取り込み制御部６１９がデジタル湿度データの取り込みを開始する（Ｓ７１６）。そして、読み取ったデジタルデータをデジタル湿度データ保持部６２０にて保持し（Ｓ７１７）、デジタル湿度データの保持が完了した後、デジタル湿度データ保持完了フラグセット部６２１にて湿度データ取り込み完了のフラグをセットする（Ｓ７１８）。
【００３１】
湿度データ取り込み完了のフラグがセットされたときは（Ｓ７１９：ＹＥＳ）、ＮＶＲＡＭアクセスシーケンス制御部６０４のリードアクセス制御部６０６が、図３で示したアドレスＮ番地のデータの読み出しを開始し（Ｓ７２０）、読み込んだ値をＮＶＲＡＭリードデータ保持部６１１に保持する（Ｓ７２１）。ここで、アドレスＮ番地のリードデータがｎであった場合には、アドレス生成演算部６０５によりこのリードデータｎに＋１とし（Ｓ７２２）、ｎ＋１をＮＶＲＡＭ６２４の温度データ書き込みアドレスとして、ＮＶＲＡＭ６２４にアドレス信号として出力し、ライトアクセス制御部６０７より生成されて、温度データの書き込みを開始する（Ｓ７２３）。また、書き込んだ温度データは、デジタル温度データ保持部６１７より出力され、セレクタＡ６２３により選択され、ＮＶＲＡＭ６２４に出力される。
【００３２】
上記温度データの書き込みが完了した後（Ｓ７２４：ＹＥＳ）、アドレスｎ＋２にデジタル湿度データ保持部６２０より出力された湿度データをセレクタＡ６２３により選択され、ＮＶＲＡＭ６２４に出力され、書き込みを開始する（Ｓ７２７）。
湿度データのＮＶＲＡＭ６２４への書き込みが完了すると（Ｓ７２８）、デジタル湿度データ保持完了フラグセット部６２１に完了フラグがセットされ、ＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ保持解除信号生成部６０９より、アラーム保持回路６１０にロジックレベル“Ｈ”で保持されていたＲＴＣ＿ＡＬＭ＿Ｐ信号を解除する（Ｓ７２９）。これにより、供給電圧Ｖｃｏの給電が停止し、回路は無給電状態に戻る。
【００３３】
以上のように、省電力モード中にカバー開閉及び温度変化があったことを不揮発記憶装置に記憶し、省電力モードから復帰時に、その不揮発記憶装置の記憶内容に基づいて、カバー開閉、もしくは温度変化があったと判断した場合には、位置ずれ補正制御を行なうことができる。つまり、省電力モード中にＣＰＵに給電しなくとも、省電力モード復帰時に位置ずれ補正制御を行うことができることで、省電力中の消費電力を低減し、カバー開閉及び温度変化が無かった場合には位置ずれ補正制御を行わないことで、不要なトナー消費を控えることができ、ランニングコストの低減することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１、２、３、４・・・ＰＮＰトランジスタ、６、７・・・ＮＰＮトランジスタ、５、１０５・・・カバー開閉検知スイッチ、８、９、１０、１１・・・抵抗、１００・・・システム、１０１・・・省電力モード移行判定部、１０２・・・省電力モード信号生成部、１０３・・・給電ＯＮ／ＯＦＦ制御部、１０４・・・カバー開閉検知信号生成部、１０６・・・ＣＰＵ、１０８・・・不揮発記憶装置制御部、１０９・・・不揮発記憶装置、１１０・・・省電力モード時電源生成部、１１１・・・リアルタイムクロックＩＣ、１１２・・・リアルタイムクロックＩＣアラーム出力検知部、１１３・・・バッテリー、１１４・・・ＡＤコンバータ、１１５・・・温湿度センサ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３５】
【特許文献１】特開２００６−１５９７４０号公報
【図１】
0005467515.tif 000002
【図２】
0005467515.tif 000003
【図３】
0005467515.tif 000004
【図４】
0005467515.tif 000005
【図５】
0005467515.tif 000006
【図６】
0005467515.tif 000007
【図７ａ】
0005467515.tif 000008
【図７ｂ】
0005467515.tif 000009
【図７ｃ】
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