(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶構造を有するチタン酸バリウムを主成分とするチタン酸バリウムと、
元素Ｍと、を有し、
前記Ｍの有効イオン半径が、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径または６配位時のＴｉ４＋の有効イオン半径に対して、±２０％以内であり、
前記Ｍのイオン価数が、前記Ｂａまたは前記Ｔｉのイオン価数よりも大きく、
前記Ｍは、ＬａおよびＣｅから選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記誘電体磁器組成物１００モルに対して、前記Ｍが、０モルより多く、１０モル以下含まれている請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物に係り、さらに詳しくは、非常に高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器および電子機器の小型化かつ高性能化が急速に進み、このような機器に使用される電子部品についても、小型化、大容量、高信頼性への要求はますます厳しくなっている。これは、電子部品の一例であるセラミックコンデンサについても例外ではない。【０００３】
このような要求を満たすための方策の１つとして、誘電体材料の高誘電率化が考えられる。現在、高誘電率を示す誘電体材料として広く用いられているチタン酸バリウムは、ペロブスカイト型結晶構造を有するチタン酸バリウム（正方晶型、立方晶型）が主流であり、室温で約数千の比誘電率を示す。これに対し、六方晶構造を有するチタン酸バリウム（六方晶チタン酸バリウム）は、使用温度域において、ペロブスカイト型チタン酸バリウムよりも誘電率が低いため（４００程度）、誘電体材料としてはあまり使用されていなかった。【０００４】
ところが、特許文献１および２では、無容器凝固法を用いて酸素欠損を導入した六方晶チタン酸バリウム（ｈ−ＢａＴｉＯ３）が、室温で１０００００以上の非常に高い比誘電率を有することが記載されている。【０００５】
しかしながら、酸素欠損量を制御するには、還元雰囲気を厳密に設定する必要があるため、その制御は困難であった。また、酸素欠損そのものも寿命を劣化させる要因の１つであると考えられ、酸素欠損型六方晶チタン酸バリウムを用いた電子部品等を安定して使用することは困難であると考えられる。【０００６】
さらには、このような高誘電率を有する誘電体材料を、たとえばセラミックコンデンサなどの電子部品に応用する場合には、電子部品としての信頼性を向上させるために、アニール（再酸化）処理が必要となるが、上記の酸素欠損型六方晶チタン酸バリウムでは、アニール処理を行うと、酸素が補充されるため、極めて短時間で比誘電率が急速に低下してしまうという問題があった。
【特許文献１】特許第３９４１８７１号公報
【特許文献２】特許第４０１３２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、アニール処理を行った場合であっても、非常に高い比誘電率を維持し、種々の電子部品、センサ等に用いて好適な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、酸素欠損型六方晶チタン酸バリウムにおいて巨大比誘電率を発現する機構を解明し、得られた知見に基づき、チタン酸バリウムを構成するＢａおよびＴｉに対して、特定の条件を有する元素を、特定量含有させることで、アニール処理した後であっても、高い比誘電率を維持できることを見出し、本発明を完成するに到った。【０００９】
すなわち、本発明の誘電体磁器組成物は、
六方晶構造を有するチタン酸バリウムを主成分とするチタン酸バリウムと、
元素Ｍと、を有し、
前記Ｍの有効イオン半径が、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径または６配位時のＴｉ４＋の有効イオン半径に対して、±２０％以内であり、
前記Ｍのイオン価数が、前記Ｂａまたは前記Ｔｉのイオン価数よりも大きいことを特徴とする。【００１０】
酸素欠損型の六方晶チタン酸バリウムが非常に高い比誘電率を示すのは、以下の理由によると考えられる。六方晶チタン酸バリウムにおいて酸素欠損が導入されると、これを補償するために、Ｔｉイオンが４価から３価に還元され、これが電気伝導性を担うこととなる。そのため、電気的性質の異なる２つの領域（半導体的な性質を持つ領域および絶縁体領域）が不均一に存在していることに起因する。【００１１】
本発明では、六方晶チタン酸バリウムに酸素欠損を導入する代わりに、上記の有効イオン半径を有する元素Ｍを含有させることで、Ｔｉイオンを４価から３価に還元して、巨大比誘電率を発現させている。また、酸素欠損型の六方晶チタン酸バリウムをアニール処理すると、酸素が補充されるため、Ｔｉイオンの還元が起こらなくなり、比誘電率が急速に低下する。これに対し、本発明では、Ｍを含有させることで、Ｔｉイオンを還元している。そのため、アニール処理を行った場合であっても、発現した巨大比誘電率を維持することができる。あるいは比誘電率の低下を抑制することができる。【００１２】
好ましくは、前記誘電体磁器組成物１００モルに対して、前記Ｍが、０モルより多く、１０モル以下含まれている。Ｍの含有量を上記の範囲内とすることにより、本発明の効果をさらに高めることができる。【００１３】
好ましくは、前記Ｍは、Ｌａ、Ｃｅ、ＢｉおよびＶから選ばれる少なくとも１つである。Ｍを上記の元素から選ぶことにより、本発明の効果をさらに高めることができる。【００１４】
本発明に係る誘電体磁器組成物の用途としては、高誘電率を必要とする用途であれば特に限定されないが、酸素センサ、半導体、セラミックコンデンサなどの電子部品に用いられる誘電体磁器組成物に好適である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、六方晶チタン酸バリウムに、上記の条件を満たすＭを含有させることで、非常に高い比誘電率（たとえば、１００００以上）を発現させることができる。しかも、Ｍを含有する六方晶チタン酸バリウムに対して、アニール処理を行った場合であっても、発現した比誘電率を維持することができる。あるいは比誘電率の低下を抑制することができる。【００１６】
本発明の誘電体磁器組成物は、非常に高い比誘電率を有しているため、高誘電率を必要とする用途に好適である。さらには、アニール処理による比誘電率の低下が抑制されているため、アニール処理が必要となるコンデンサなどの電子部品等の誘電体層に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の誘電体磁器組成物を製造するために用いる赤外線イメージ炉の概略模式図である。
【図２】図２は本発明の実施例および比較例に係る試料について、アニール処理時間と、比誘電率と、の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００１８】
１０…  赤外線イメージ炉
１１…  石英管
１２…  上部シャフト
１３…  下部シャフト
１４…  ハロゲンランプ
１６…  回転楕円面鏡
１８…  溶融帯域
２０…  仮焼体
２２…  単結晶
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。【００２０】
誘電体磁器組成物
本発明の誘電体磁器組成物は、まず、六方晶構造を有するチタン酸バリウムを含む。【００２１】
六方晶構造を有するチタン酸バリウム（六方晶チタン酸バリウム）は、一般式ｈ−ＢａＴｉＯ３で表される。六方晶チタン酸バリウムは、１４６０℃以上で安定な高温安定相であるが、この温度から急冷することで、室温においても、六方晶チタン酸バリウムを存在させることができる。しかしながら、その比誘電率は低い。【００２２】
一方、電子部品等の誘電体層として用いられるチタン酸バリウムは、通常、ペロブスカイト型構造を有している。ペロブスカイト型構造のチタン酸バリウムには、ａ軸とｃ軸との長さの違いにより、正方晶型と立方晶型とが存在しており、どちらも、六方晶チタン酸バリウムよりも高い比誘電率を有する。【００２３】
本実施形態の誘電体磁器組成物においては、六方晶チタン酸バリウムが、チタン酸バリウムの主成分であればよい。具体的には、六方晶チタン酸バリウムは、本実施形態の誘電体磁器組成物に含まれるチタン酸バリウム全体に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上である。なお、後述する六方晶チタン酸バリウムの製造方法においては、正方晶や立方晶のチタン酸バリウムが含まれることもありうる。しかしながら、本発明の誘電体磁器組成物には、六方晶チタン酸バリウムが上記の範囲で含まれていればよい。【００２４】
本発明の誘電体磁器組成物は、さらに、元素Ｍを含む。元素Ｍは、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径（１．６１ｐｍ）または、６配位時のＴｉ４＋の有効イオン半径（０．６０５ｐｍ）に対して、±２０％以内の有効イオン半径を有する。【００２５】
また、元素Ｍは、そのイオン価数が、Ｂａのイオン価数またはＴｉのイオン価数よりも大きい。【００２６】
上記の範囲を満足する有効イオン半径を有し、上記のイオン価数を有する元素Ｍを含有させることで、元素Ｍが、チタン酸バリウム、特に六方晶チタン酸バリウム中に固溶し、酸素欠損を生じさせることなく、Ｔｉイオンを還元することができる。その結果、アニール処理後であっても、比誘電率の低下を抑制することができる。【００２７】
上記の範囲を超える有効イオン半径を有する元素Ｍが含有された場合には、Ｍは、チタン酸バリウム中に固溶することができず、本発明の効果を得ることができない。【００２８】
チタン酸バリウムにおいては、通常、Ｂａのイオン価数は２であり、チタンのイオン価数は４である。したがって、元素Ｍのイオン価数は２より大きいことが好ましい。【００２９】
元素Ｍは、誘電体磁器組成物１００モルに対して、０モルより多く、１０モル以下、好ましくは０．０２モル以上５モル以下、より好ましくは０．０３モル以上１モル以下含有される。元素Ｘの含有量が少なすぎると、本発明の効果が得られない傾向にある。一方、元素Ｘの含有量が多すぎると、絶縁性が低下する傾向にある。【００３０】
また、本実施形態では、元素Ｍを、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径に対して、±２０％以内の有効イオン半径を有するＭ１と、６配位時のＴｉ４＋の有効イオン半径に対して、±２０％以内の有効イオン半径を有するＭ２と、に分けることができる。そうすると、Ｍ１およびＭ２は、一般式を用いて、（Ｍ１ｘＢａ１−ｘ）・（Ｍ２ｙＴｉ１−ｙ）Ｏ３と表すことができる。【００３１】
式中のｘは、Ｍ１の含有量を示しており、０＜ｘ≦０．１０、好ましくは０．００２≦ｘ≦０．０５、より好ましくは０．００３≦ｘ≦０．０１である。また、式中のｙは、Ｍ２の含有量を示しており、０＜ｙ≦０．１０、好ましくは０．００２≦ｘ≦０．０５、より好ましくは０．００３≦ｘ≦０．０１である。なお、０＜ｘ＋ｙ≦０．１０である。【００３２】
この場合、Ｍ１のイオン価数は、Ｂａのイオン価数である２よりも大きいことが好ましく、３であることがより好ましい。すなわち、Ｍ１のイオン価数は、Ｂａのイオン価数よりも１大きいことがより好ましい。【００３３】
また、Ｍ２のイオン価数は、Ｔｉのイオン価数である４よりも大きいことが好ましく、５であることがより好ましい。すなわち、Ｍ２のイオン価数は、Ｔｉのイオン価数よりも１大きいことがより好ましい。【００３４】
元素Ｍは、Ｌａ、Ｃｅ、ＢｉおよびＶから選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。より好ましくは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｖであり、さらに好ましくはＬａ、Ｃｅである。【００３５】
六方晶チタン酸バリウムを主成分とするチタン酸バリウムに、元素Ｍを上記の範囲で含有させることで、アニール処理後であっても、非常に高い比誘電率（たとえば、１００００以上）を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。【００３６】
このような非常に高い比誘電率を示し、かつ、アニール処理後であっても、その比誘電率を維持できる理由としては、たとえば、以下のように考えることができる。【００３７】
まず、六方晶型チタン酸バリウムは、イオン価数を用いて一般式で表すと、ｈ−Ｂａ２＋Ｔｉ４＋Ｏ２−３と表すことができる。このｈ−Ｂａ２＋Ｔｉ４＋Ｏ２−３に対して、Ｂａ２＋よりも価数が１大きいＭ１３＋が含有されると、電荷を補償するために、Ｔｉ４＋の一部が還元され、Ｔｉ３＋が生成する。すなわち、一般式で表すと、ｈ−（Ｂａ２＋１−ｘＭ１３＋ｘ）（Ｔｉ４＋１−ｘＴｉ３＋ｘ）Ｏ２−３となる。【００３８】
このようなＭ１３＋を六方晶チタン酸バリウムに含有させることで、Ｔｉ３＋が生成し、このＴｉ３＋が、六方晶チタン酸バリウムにおいて電気伝導を担うこととなる。そのため、このようなＴｉ３＋が生成している領域は、半導体的な性質を有する領域となっている。一方、半導体的な性質を有する領域以外の領域は、絶縁体領域となっている。このように、電気的性質の異なる２つの領域が不均一に存在すると、その領域間にできた粒界によるＭａｘｗｅｌｌ−Ｗａｇｎｅｒ効果により、非常に高い比誘電率を発現させることができる。【００３９】
酸素欠損型六方晶チタン酸バリウムが示す非常に高い比誘電率も、このＭａｘｗｅｌｌ−Ｗａｇｎｅｒ効果に起因すると考えられるが、本発明においては、酸素欠損により、Ｔｉ３＋を生成するのではなく、Ｍ１３＋を導入することで、Ｔｉ３＋を生成させている。そのため、Ｍ１３＋の含有量により、Ｔｉ３＋の生成量を制御できるため、上記の比誘電率の発現を制御することができる。しかも、本発明の誘電体磁器組成物においては、酸素欠損を導入しないため、誘電体磁器組成物をアニール処理した場合であっても、Ｔｉ３＋が酸化されず、上述した効果を維持できる。その結果、非常に高い比誘電率を維持することができる。【００４０】
上記では、六方晶チタン酸バリウム中に、Ｍ１３＋を導入して、Ｔｉイオンを還元したが、Ｍ２５＋を六方晶チタン酸バリウムに導入して、Ｂａイオンを還元してもよい。この場合であっても、上記のＭａｘｗｅｌｌ−Ｗａｇｎｅｒ効果により、非常に高い比誘電率を得ることができる。【００４１】
なお、本明細書に記載の有効イオン半径は、文献「Ｒ．Ｄ．Ｓｈａｎｎｏｎ，Ａｃｔａ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．，Ａ３２，７５１（１９７６）」に基づく値である。【００４２】
誘電体磁器組成物の製造方法
本発明の誘電体磁器組成物は、単結晶として製造してもよいし、多結晶として製造してもよい。本実施形態では、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により、単結晶としての本発明の誘電体磁器組成物を製造する方法について説明する。【００４３】
まず、誘電体磁器組成物の原料として、チタン酸バリウムの原料と、元素Ｍの原料と、を準備する。【００４４】
チタン酸バリウムの原料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）や、チタン酸バリウムを構成する酸化物（ＢａＯ、ＴｉＯ２）やその混合物を用いることができる。さらに、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。具体的には、チタン酸バリウムの原料として、ＢａＴｉＯ３を用いてもよいし、ＢａＣＯ３およびＴｉＯ２を用いてもよい。【００４５】
また、元素Ｍの原料としては、元素Ｍの化合物、たとえば、酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。【００４６】
次に、準備した誘電体磁器組成物の原料を混合して、通常用いられるバインダを加えた後、たとえば、圧縮成形（プレス）を行い、成形体を得る。この成形体を所定の温度および時間で仮焼し、仮焼体を作製する。仮焼温度および仮焼時間は特に制限されないが、好ましくは１２００〜１５００℃、２〜１２時間である。この仮焼体は元素Ｍが固溶した正方晶型のチタン酸バリウムである。【００４７】
この仮焼体を、図１に示す赤外線イメージ炉１０を用いて、ＦＺ法により、溶融し、単結晶の誘電体磁器組成物として作製する。具体的には、まず、図１の石英管１１内の上部シャフト１２と下部シャフト１３との間に、上記の仮焼体２０を固定する。そして、雰囲気ガスを導入しながら、上部シャフト１２および下部シャフト１３を図１に示す方向に回転させながら、下降させる。雰囲気ガスとしては、Ｎ２＋Ｏ２ガスが好ましい。【００４８】
赤外線イメージ炉１０内には、図１に示すハロゲンランプ１４が設置してあり、このランプから発せられた赤外線を、回転楕円面鏡１６により反射させて、図１に示す溶融帯域１８に集中させる。その結果、溶融帯域１８では、非常に高温となるため、溶融帯域１８を通過する仮焼体２０が溶融され、溶媒となり種結晶（図示省略）に接触し、溶融帯域１８を通過して冷却される際に、単結晶の誘電体磁器組成物２２として作製される。【００４９】
六方晶チタン酸バリウムは、高温安定相を有しているため、溶融させるときの温度は、好ましくは１４６０℃以上、より好ましくは１６００〜１８００℃とする。このような温度で溶融させることにより、作製される単結晶全体に対して、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上を、六方晶チタン酸バリウムとすることができる。ただし、作製条件によっては、正方晶あるいは立方晶のチタン酸バリウムの単結晶が含まれることもある。なお、成長速度については、単結晶が得られるような速度であれば特に制限されない。比較的に速い成長速度においては、単結晶中に酸素欠損が導入されるが、以下のアニール処理により、酸素を補充すればよい。【００５０】
次いで、得られた単結晶の誘電体磁器組成物に対してアニール処理を施す。アニール処理は、誘電体磁器組成物を再酸化するための処理であり、これにより、製品に使用される際の寿命等の信頼性を向上させることができる。アニール条件としては、以下の条件であることが好ましい。まず、アニール雰囲気としては、大気中とすることが好ましい。また、アニールの際の保持温度は８００〜１０００℃、保持時間を、０．５〜１０時間とすることが好ましい。昇温速度は、１０〜１０００℃／時間、冷却速度は１０〜１０００℃／時間とすることが好ましい。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したＮ２  ガス等を用いることが好ましい。【００５１】
上記のようにして得られた単結晶誘電体磁器組成物に、例えばダイヤモンドペーストなどにより端面研磨を施し、Ｃｕなどを蒸着して電極を形成する。【００５２】
このようにして製造された本実施形態の誘電体磁器組成物は、酸素センサ、半導体、セラミックコンデンサなどの電子部品に好適に使用される。【００５３】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。【００５４】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る誘電体磁器組成物は、単結晶の誘電体磁器組成物として製造する方法を例示したが、多結晶の誘電体磁器組成物として製造してもよい。多結晶としての本発明に係る誘電体磁器組成物を製造する方法としては、以下に示す方法を例示することができる。【００５５】
まず、単結晶の誘電体磁器組成物を製造する場合と同様に、原料粉体を混合成形し、仮焼した仮焼体（元素Ｍが固溶した正方晶のチタン酸バリウム）を作製する。この仮焼体を、還元雰囲気中で、１４５０〜１６００℃程度で焼成することで、多結晶の誘電体磁器組成物を製造することができる。また、これを粉砕して、粉末として用いることもできる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。【００５７】
実施例１
まず、チタン酸バリウムの原料として、ＢａＣＯ３およびＴｉＯ２を準備し、元素Ｍの酸化物として、Ｌａ２Ｏ３を準備した。これらを、一般式（Ｂａ１−ｘＭ１ｘ）（Ｔｉ１−ｙＭ２ｙ）Ｏ３におけるｘが、０（試料１）、０．００１（試料２）、０．００２（試料３）０．００３（試料４）、０．００５（試料５ａ）となるように、ボールミルにて混合した。すなわち、Ｍ１としてＬａを含有させ、Ｍ２は含有させなかった。得られた混合粉を、１８０ＭＰａの圧力で圧縮成形し、寸法がΦ８ｍｍ×１００ｍｍの成形体を得た。この成形体を、以下の仮焼条件で仮焼し、Ｌａが固溶した正方晶のチタン酸バリウム（仮焼体）を作製した。【００５８】
仮焼条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１３００〜１４００℃、温度保持時間：１２時間、冷却速度：６００℃／時間、雰囲気ガス：大気とした。【００５９】
次いで、得られた仮焼体について、赤外線イメージ炉を用いて、ＦＺ法により、溶融し、単結晶を作製した。作製条件としては、溶融温度：１７００℃、成長速度：１５ｍｍ／ｈ、雰囲気：Ｎ２＋Ｏ２ガスとした。【００６０】
得られた単結晶を、蛍光Ｘ線分析装置にて調べると、Ｌａが、チタン酸バリウム全体に対して、０．１〜０．５質量％含有されていることが確認できた。【００６１】
次いで、得られた棒状の単結晶誘電体磁器組成物の試料のうち、一部の試料を厚みが１ｍｍ程度となるように切断し、切断面を鏡面研磨した。その後、電極としてＣｕを蒸着し、セラミックコンデンサの試料を得た。各コンデンサ試料について、比誘電率を下記に示す方法により測定した。【００６２】
比誘電率εｓ
コンデンサ試料に対し、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１０ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力し、静電容量Ｃを測定した。そして、比誘電率εｓ（単位なし）を、誘電体磁器組成物の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量Ｃとに基づき算出した。結果を図２に示す。【００６３】
次いで、上記の比誘電率を測定しなかった棒状の単結晶誘電体磁器組成物の試料に対して、以下に示すアニール処理を行った。【００６４】
アニール条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１０００℃、温度保持時間：０．５、９６、１４４、１９２、２４０時間、冷却速度：２００℃／時間、雰囲気ガス：大気とした。【００６５】
その後、電極としてＣｕを蒸着し、セラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料のサイズは、Φ５ｍｍ×１ｍｍの円筒状であった。【００６６】
得られたコンデンサ試料について、比誘電率（εｓ）を上記に示す方法により測定した。結果を図２に示す。【００６７】
実施例２
試料５ａについて実施例１と同様にして仮焼体を作製し、単結晶ではなく、多結晶の誘電体磁器組成物を得た以外は、実施例１と同様にして、コンデンサ試料（試料５ｂ）を作製し、アニール処理前後における比誘電率を測定した。結果を図２に示す。【００６８】
実施例３
Ｍ１の酸化物としてＬａ２Ｏ３の代わりにＣｅＯ２を用いた以外は、実施例１と同様にして、一般式（Ｂａ１−ｘＭ１ｘ）（Ｔｉ１−ｙＭ２ｙ）Ｏ３に対して、ｘが、０.００３（試料６）、０．００５（試料７）、０．０１０（試料８）となるコンデンサ試料を作製し、アニール処理前後における比誘電率を測定した。結果を図２に示す。【００６９】
図２においては、アニール処理を行わずに比誘電率を測定した試料が、アニール処理時間が０ｈの試料である。図２より、アニール処理前の比誘電率については、Ｌａを含有させなかった試料（試料１）を含めて、１０００００以上の非常に高い比誘電率を発現していることが確認できる。また、Ｌａの含有量を多くしていくと、比誘電率が大きくなる傾向にあることが確認できる。【００７０】
さらに、アニール処理後の比誘電率に着目すると、Ｌａを含有させなかった試料（試料１）については、わずか３０分のアニール処理により、比誘電率が３桁低下していることが確認できる。
これに対し、Ｌａを０．００１モル以上含有させた単結晶誘電体磁器組成物を用いた試料（試料２〜５ａ）は、３０分のアニール処理では、ほとんど比誘電率は変わらない結果となった。また、Ｌａを０．００３モル以上含有させた試料（試料４、５ａ）は、２００時間を超えるアニール処理を行っても、比誘電率はそれほど低下していないことが確認できる。なお、Ｌａを０．００１モル含有させた試料（試料２）は、９６時間のアニール処理では、試料１と同程度の比誘電率となっているが、通常のアニール処理時間（３時間未満）程度であれば、比誘電率の低下は、試料１に比べて小さい。【００７１】
また、多結晶の誘電体磁器組成物を用いた試料（試料５ｂ）であっても、実施例１と同様の傾向にあることが確認できる。【００７２】
さらに、Ｌａの代わりにＣｅを用いた試料（試料６〜８）であっても、実施例１と同様の傾向にあることが確認できる。
【図１】
0005407027.tif 000002
【図２】
0005407027.tif 000003