(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の辺と、前記第１の辺と向かい合う第２の辺と、を有する第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、集積回路が形成された半導体基板と、
前記第１の面の第１領域に設けられた第１の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第１の樹脂突起の上に設けられた第１の配線層と、を有する複数の第１の外部端子と、
前記第１の面の第２領域に設けられた第２の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第２の樹脂突起の上に設けられた第２の配線層と、を有する複数の第２の外部端子と、
を有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記第１の辺に近い領域に設けられ、前記第２領域は、前記第１領域よりも前記第２の辺に近い領域に設けられ、
前記第１の外部端子は、前記第２の外部端子よりも多く設けられ、
前記第１の樹脂突起の前記第１の面からの高さは、前記第２の樹脂突起の前記第１の面からの高さよりも低い、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
複数の前記第１の外部端子は、前記第１の辺に沿って配置され、
複数の前記第２の外部端子は、前記第２の辺に沿って配置される、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の配線層の幅と、前記第２の配線層の幅が同じである、半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置が実装された、電子モジュール。
【請求項５】
第１の辺と、前記第１の辺と向かい合う第２の辺と、を有する第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、集積回路が内部に形成された半導体基板を用意する工程と、
前記第１の面の第１領域に設けられた第１の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第１の樹脂突起の上に設けられた第１の配線層と、を有する複数の第１の外部端子を形成する工程と、
前記第１の面の第２領域に設けられた第２の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第２の樹脂突起の上に設けられた第２の配線層と、を有する複数の第２の外部端子を形成する工程と、
を有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記第１の辺に近い領域に設け、前記第２領域は、前記第１領域よりも前記第２の辺に近い領域に設け、
前記第１の外部端子は、前記第２の外部端子よりも多く設け、
前記第１の樹脂突起の前記第１の面からの高さが、前記第２の樹脂突起の前記第１の面からの高さよりも低くなるように形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１および第２の外部端子を形成する工程は、
前記第１の面において、樹脂材料膜を形成する工程と、
前記樹脂材料膜を露光現像処理し、第１の方向に延びる第１および第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第１および第２の樹脂層を熱処理することで、前記第１および第２の樹脂突起を形成する工程と、
を有し、
前記露光現像処理において、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記第１の樹脂層の幅が、前記第２の方向における前記第２の樹脂層の幅よりも大きくなるようにパターニングする、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記第１および第２の外部端子を形成する工程は、
前記第１の面において、第１の膜厚を有する第１の樹脂材料膜を形成する工程と、
前記第１の樹脂材料膜を露光現像処理し、第１の方向に延びる第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の面において、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の樹脂材料膜を形成する工程と、
前記第２の樹脂材料膜を露光現像処理し、第１の方向に延びる第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層を熱処理することによって、前記第２の樹脂突起を形成し、前記第２の樹脂層を熱処理することによって、前記第１の樹脂突起を形成する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項において、
前記第１の配線層の幅と、前記第２の配線層の幅を同じにする、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の前記第１の面と、配線基板との間に接着剤を設ける工程と、
前記半導体装置および前記配線基板を押圧することによって、前記半導体基板の前記第１の外部端子と前記第２の外部端子を、前記配線基板と電気的に接続する工程と、
を有する、電子モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電子モジュール及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置等の電子モジュールのガラスまたはプラスチック等からなる配線基板に実装される駆動用の半導体装置として、樹脂突起と、その上に形成された複数の配線から構成された外部端子を有する半導体装置が知られている（特許文献１）。このような半導体装置を用いることで、外部端子を配線基板に押し当てて電気的に接続する際、外部端子の樹脂突起の弾性力でもって物理的ダメージを回避しながら導通性を確保することができる。
【０００３】
ところで、このような電子モジュールに実装される半導体装置の外部端子は、液晶表示装置等の高解像度化の要求によって、出力用の外部端子数が、入力用の外部端子数よりも多くなる。このため、実装される半導体装置の端子レイアウトは、出力側と入力側で、非対称な配置になってしまうことが知られている（特許文献１）。
【０００４】
このような半導体装置においては、外部端子数の多い領域（出力側）は、弾性力を有する樹脂突起の数が多いため、外部端子数の少ない領域（入力側）よりも、押圧力に対する半導体基板の反発力が相対的に大きくなってしまう。したがって、一定の押圧力で半導体基板を配線基板に実装した場合、外部端子数が相対的に少なく、反発力が弱い領域の外部端子は潰れすぎてしまい、接触部の面積が大きくなりすぎる可能性がある。また、外部端子数が相対的に多く、反発力の強い領域は、外部端子の接続部において必要な接続面積を確保できなくなる可能性がある。
【０００５】
上記の課題に対し、半導体基板の押圧時における反発力のバランスをとるため、所定の領域にダミーバンプを形成する技術や、外部端子数の少ない領域の配線幅を、外部端子数の多い領域の配線幅よりも大きく設計する技術が用いられる（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−８１４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の様態の１つは、配線基板へ実装される際、配線基板との接続信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の様態の１つは、上記の半導体装置が実装された、信頼性の高い電子モジュールを提供することにある。
【０００９】
本発明の様態の１つは、より低コストで、外部端子のレイアウトの自由度が高い、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の様態の１つは、接着剤の排出性が良く、信頼性の高い電子モジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明の様態の１つである半導体装置は、
第１の辺と、前記第１の辺と向かい合う第２の辺と、を有する第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、集積回路が形成された半導体基板と、
前記第１の面の第１領域に設けられた第１の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第１の樹脂突起の上に設けられた第１の配線層と、を有する複数の第１の外部端子と、
前記第１の面の第２領域に設けられた第２の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第２の樹脂突起の上に設けられた第２の配線層と、を有する複数の第２の外部端子と、
を有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記第１の辺に近い領域に設けられ、前記第２領域は、前記第１領域よりも前記第２の辺に近い領域に設けられ、
前記第１の外部端子は、前記第２の外部端子よりも多く設けられ、
前記第１の樹脂突起の前記第１の面からの高さは、前記第２の樹脂突起の前記第１の面からの高さよりも低い。
【００１２】
なお、本発明に係る記載では、「〜の上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「〜の上」という文言を用いている。同様に、「〜の下」という文言は、Ａ下に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ下に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとする。
【００１３】
本発明によれば、外部端子数が第１領域より少ない第２領域において、第１の外部端子よりも高い反発力を有する第２の外部端子が設けられるため、半導体装置を配線基板に実装する際、押圧力に対する半導体基板の反発力のバランスが取ることができる。これによって、第１の外部端子と第２の外部端子を、配線基板に均一に押し当てられるため、第１および第２の外部端子の接触面積を所定の面積とすることができ、確実に導通性が確保される。したがって、配線基板へ実装される際、配線基板との接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１４】
（２）本発明の様態の１つにおいて、
複数の前記第１の外部端子は、前記第１の辺に沿って配置され、
複数の前記第２の外部端子は、前記第２の辺に沿って配置されてもよい。
【００１５】
（３）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１の配線層の幅と、前記第２の配線層の幅が同じであってもよい。
【００１６】
本発明によれば、反発力のバランスをとることを目的として、第２の外部端子の配線幅を、第１の配線幅よりも大きくする必要がない。これによれば、複数の第２の外部端子の配線の隣接幅を一定に保つことができるため、マイグレーションの発生を防止することができる。したがって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明によれば、反発力のバランスをとることを目的として、第２の外部端子の配線幅を、第１の配線幅よりも大きくする必要がなく、かつ、ダミーバンプ等を形成する必要がない。これによれば、半導体基板のレイアウトの際に、配線を太くするための領域や、ダミーバンプ用の領域を考慮する必要がない。したがって、小型化等の要求に対応するためのレイアウトの自由度が高い半導体装置を提供することができる。
【００１８】
（４）本発明の様態の１つである電子モジュールは、上記いずれかの半導体装置が実装される。
【００１９】
本発明によれば、接続信頼性の高い半導体装置が実装された電子モジュールを提供することができる。したがって、信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。
【００２０】
（５）本発明の様態の１つである半導体装置の製造方法は、
第１の辺と、前記第１の辺と向かい合う第２の辺と、を有する第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、集積回路が内部に形成された半導体基板を用意する工程と、
前記第１の面の第１領域に設けられた第１の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第１の樹脂突起の上に設けられた第１の配線層と、を有する複数の第１の外部端子を形成する工程と、
前記第１の面の第２領域に設けられた第２の樹脂突起と、前記集積回路と電気的に接続され、一部が前記第２の樹脂突起の上に設けられた第２の配線層と、を有する複数の第２の外部端子を形成する工程と、
を有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記第１の辺に近い領域に設け、前記第２領域は、前記第１領域よりも前記第２の辺に近い領域に設け、
前記第１の外部端子は、前記第２の外部端子よりも多く設け、
前記第１の樹脂突起の前記第１の面からの高さが、前記第２の樹脂突起の前記第１の面からの高さよりも低くなるように形成する。
【００２１】
本発明によれば、配線の幅を大きく設計したり、ダミーバンプを設けたりせずに、接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。したがって、外部端子のレイアウトの自由度が高い、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２２】
（６）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１および第２の外部端子を形成する工程は、
前記第１の面において、樹脂材料膜を形成する工程と、
前記樹脂材料膜を露光現像処理し、第１の方向に延びる第１および第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第１および第２の樹脂層を熱処理することで、前記第１および第２の樹脂突起を形成する工程と、
を有し、
前記露光現像処理において、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記第１の樹脂層の幅が、前記第２の方向における前記第２の樹脂層の幅よりも大きくなるようにパターニングしてもよい。
【００２３】
（７）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１および第２の外部端子を形成する工程は、
前記第１の面において、第１の膜厚を有する第１の樹脂材料膜を形成する工程と、
前記第１の樹脂材料膜を露光現像処理し、第１の方向に延びる第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の面において、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の樹脂材料膜を形成する工程と、
前記第２の樹脂材料膜を露光現像処理し、第１の方向に延びる第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層を熱処理することによって、前記第２の樹脂突起を形成し、前記第２の樹脂層を熱処理することによって、前記第１の樹脂突起を形成する工程と、
を有していてもよい。
【００２４】
（８）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１の配線層の幅と、前記第２の配線層の幅を同じにしてもよい。
【００２５】
（９）本発明の様態の１つである電子モジュールの製造方法は、
上記いずれかに記載の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の前記第１の面と、配線基板との間に接着剤を設ける工程と、
前記半導体装置および前記配線基板を押圧することによって、前記半導体基板の前記第１の外部端子と前記第２の外部端子を、前記配線基板と電気的に接続する工程と、
を有する。
【００２６】
本発明によれば、半導体装置が、第1の外部端子と、該第1の外部端子よりも高い第２の外部端子とを有する。これによれば、第２の外部端子が塞き止めとして作用し、接着剤の排出を促すことができる。また、これによれば、第１領域と第２領域における反発力のバランスをとることができる。したがって、接着剤の排出性が良く、信頼性の高い電子モジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図および断面図。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す平面図。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る電子モジュールの製造方法を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る電子モジュールの一例を模式的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態およびその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２９】
１．  半導体装置
以下、図面を参照して、第１の実施の形態に係る半導体装置について説明する。
【００３０】
図１（Ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置１００を模式的に示す平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置１００のＩＢ−ＩＢ線の要部を模式的に示す断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置１００のＩＣ−ＩＣ線の要部を模式的に示す断面図である。
【００３１】
半導体基板１０は、図１（Ａ）に示すように、チップ状をなしていてもよい。すなわち、半導体基板１０は半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板１０は、複数の半導体基板１０からなるウエハ状をなしていてもよい（図示せず）。例えば、導体基板１０は、シリコン基板であってもよい。図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０には、集積回路１が形成される。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３２】
半導体基板１０がチップ状をなす場合、図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１３と、第１の面１３の反対側の面である第２の面１４と、を有する。半導体基板１０の第１の面１３は、図１（Ａ）に示すように、第１の辺１１と、第１の辺１１と対向する第２の辺１２を有する。例えば、図１（Ａ）に示すように、第１の面１３の２つの長辺（第１の面１３が有する他の２つの辺よりも長い辺）のうち一方が第１の辺１１であって、他方が第２の辺１２であってもよい。また、図示はされないが、半導体基板１０の２つの短辺（第１の面１３が有する他の２つの辺よりも短い辺）のうち一方が第１の辺１１であって、他方が第２の辺１２であってもよい。
【００３３】
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０の第１の面１３には、第１領域１７および第２領域１８が設けられる。第１領域１７および第２領域１８は、外部端子が設けられる設計上の領域である。
【００３４】
図１（Ａ）に示すように、第１領域１７には、後述される第１の外部端子２０が複数設けられ、第２領域１８には後述される第２の外部端子３０が複数設けられる。第１領域１７および第２領域１８は、それぞれ、第１の辺１１と第２の辺１２とに沿って形成される。図１（Ａ）に示すように、第１領域１７は、第２領域１８よりも第１の辺１１に近い領域である。また、図１（Ａ）に示すように、第２領域１８は、第１領域１７よりも第２の辺１１に近い領域である。言い換えれば、第１領域１７は、第１の辺１１と第２領域１８に挟まれる領域であり、第２領域１８は、第２の辺１２と第１領域１７に挟まれる領域である。
【００３５】
前述のように、第１領域１７には、後述される第１の外部端子２０が複数形成され、第２領域１８には、後述される第２の外部端子３０が複数形成される。図１（Ａ）に示すように、第１領域１７は、第２領域１８よりも外部端子が数多く形成される領域である。つまりは、第１領域１７は、半導体装置１００の出力側の外部端子が形成される領域であってもよい。また、第２領域１８は、半導体装置１００の入力側の外部端子が形成される領域であってもよい。
【００３６】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１上に第１の電極２１および第２の電極３１を有する。第１および第２の電極２１、３１は、半導体基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されていてもよい。第１および第２の電極２１、３１は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。
【００３７】
第１および第２の電極２１、３１が形成される領域は、第１の電極２１が第１領域１７内に形成され、第２の電極３１が第２領域１８内に形成される限り、特に限定されない。第１の電極２１および第２の電極３１は、集積回路１が形成される領域の上方に形成されてもよい。または、第１の電極２１および第２の電極３１は、集積回路１が形成される領域以外に形成されていてもよい。第１の電極２１および第２の電極３１は、図１（Ａ）に示すように、それぞれ第１の辺１１と第２の辺１２の沿って配置されていてもよい。ここで、図１（Ａ）に示すように、第１の辺１１に沿って配置される第１の電極２１よりも、第２の辺に沿って配置される第２の電極３１の方が、より広いピッチ幅で配置されていてもよい。
【００３８】
第１の電極２１および第２の電極３１の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、第１の電極２１および第２の電極３１は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されていてもよい。第１の電極２１および第２の電極３１は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３９】
図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１３の上に形成された絶縁膜１６を有する。絶縁膜１６はパッシベーション膜であってもよい。絶縁膜１６は、第１の電極２１および第２の電極３１の少なくとも一部を、それぞれ露出させるように形成されていてもよい。つまりは、絶縁膜１６は、第１の電極２１および第２の電極３１の上にそれぞれ位置する開口部１６ａを有していてもよい。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する膜であれば、特に限定されない。例えば、絶縁膜１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、絶縁膜１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜であってもよい。
【００４０】
図１（Ｂ）に示すように、半導体装置１００は、絶縁膜１６の上に形成された第１の樹脂突起２３と第２の樹脂突起３３と、を有する。図１（Ａ）に示すように、第１の樹脂突起２３は、第１領域１７において、第１の電極２１に隣接して形成される。また、第２の樹脂突起３３は、第２領域１８において、第２の電極３１に隣接して形成される。第１領域１７と第２領域１８において第１および第２樹脂突起２３、３３が形成される位置は特に限定されるものではない。
【００４１】
第１および第２樹脂突起２３、３３の形状は、特に限定されるものではない。図１（Ａ）に示すように、第１の樹脂突起２３は、第１の辺１１に沿って延びるように形成されていてもよい。また、図１（Ａ）に示すように、第２の樹脂突起３３は、第２の辺１２に沿って延びるように形成されていてもよい。
【００４２】
ここで、第１および第２樹脂突起２３、３３が延びる方向を第１の方向１１０とし、第１の方向１１０と直交する方向を第２の方向１２０とする。
【００４３】
図１（Ｂ）に示すように、第１および第２樹脂突起２３、３３の表面は、曲面になっていてもよい。第１および第２樹脂突起２３、３３は、第２の方向１２０において、図１（Ｂ）に示すように、略半円の断面形状を有していてもよい。
【００４４】
また、図１（Ｃ）に示すように、第１および第２樹脂突起２３、３３の後述される第１および第２配線層２５、３５が形成されない部分において、凹部２４、３４が形成されていてもよい。凹部２４、３４の深さは、特に限定されない。これによれば、外部端子の配線間の距離が大きくなり、マイグレーションを防止することができる。また、接着剤を介して、半導体装置を配線基板へ押し当てて実装する際、凹部２４、３４から不要な接着剤が排出されるため、接着剤の排出性が向上する。
【００４５】
ここで、図１（Ｂ）に示すように、第１の樹脂突起２３は、第１の面１３からの高さがＨ１となるように形成される。また、図１（Ｂ）に示すように、第２の樹脂突起３３は、第１の面１３からの高さが、Ｈ１よりも高い、Ｈ２となるように形成される。
【００４６】
本実施形態における第１および第２樹脂突起２３、３３の高さとは、第１および第２樹脂突起２３、３３の凹部２４、３４を除く部分であって、後述される第１および第２配線層２５、３５が形成される部分の、第１の面１３からの高さを意味する。また、図１（Ｂ）に示すように、第１および第２樹脂突起２３、３３は、第２の方向１２０において、略半円の断面形状を有していてもよい。したがって、第１および第２樹脂突起２３、３３の高さとは、第１および第２樹脂突起２３、３３が最も厚みを有する部分の、絶縁層１６からの高さを意味する。
【００４７】
第１および第２樹脂突起２３、３３の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの樹脂材料を適用することができる。例えば、第１および第２樹脂突起２３、３３は、公知の感光性樹脂材料から形成されていてもよい。具体的には、第１および第２樹脂突起２３、３３は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。
【００４８】
図１（Ａ）に示すように、半導体装置１００は、集積回路１と電気的に接続され、一部が第１の樹脂突起２３の上に設けられた第１の配線層２５と、集積回路１と電気的に接続され、一部が第２の樹脂突起３３の上に設けられた第２の配線層３５と、を有する。
【００４９】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、第１の配線層２５は、絶縁膜１６の開口部１６ａ内の第１の電極２１に電気的に接続し、開口部１６ａから絶縁膜１６の上を介して第１の樹脂突起２３の上に至るように設けられる。図１（Ｂ）に示すように、第１の配線層２５は、第１の樹脂突起２３の最も厚みのある部分を覆うように形成される。また、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、第２の配線層３５は、絶縁膜１６の開口部１６ａ内の第２の電極３１に電気的に接続し、開口部１６ａから絶縁膜１６の上を介して第２の樹脂突起３３の上に至るように設けられる。図１（Ｂ）に示すように、第２の配線層３５は、第２の樹脂突起３３の最も厚みのある部分を覆うように形成される。
【００５０】
ここで、上述のように、第１領域１７において、第１の電極２１の数は、第２領域１８に形成される第２の電極３１の数より多くなるように設計される。したがって、図１（Ａ）に示すように、第１の配線層２５は、第２の配線層３５よりも多く形成される。
【００５１】
第１および第２の配線層２５、３５の形状は特に限定されず、図１（Ｂ）に示すように、第１および第２電極２１、３１から第２の方向１２０において延びるように形成され、第１および第２の樹脂突起２３、３３をそれぞれ覆った後、再度、絶縁膜１６の上に延びるように形成されてもよい。また、第１および第２の配線層２５、３５の配線幅（第１の方向１１０における幅）は、特に限定されず、同じ配線幅であってもよい。更に、第１および第２の配線層２５、３５の厚さは、同じ厚さであってもよい。
【００５２】
第１および第２の配線層２５、３５の構造及び材料は、特に限定されるものではない。例えば、第１および第２の配線層２５、３５は、それぞれ単層で形成されていてもよい。あるいは、図１（Ｂ）に示すように、第１および第２の配線層２５、３５は、複数層で形成されていてもよい。第１および第２の配線層２５、３５は、例えば、樹脂などの材料と密着性の高い第１の導電層（２５ａ、３５ａ）と、導電性の高い第２の導電層（２５ｂ、３５ｂ）とを含んでいてもよい。具体的には、第１の導電層（２５ａ、３５ａ）は、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）およびニッケルクロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。第２の導電層（２５ｂ、３５ｂ）は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。
【００５３】
以上により、図１（Ａ）に示すように、第１領域１７に設けられた第１の樹脂突起２３と、集積回路１と電気的に接続され、一部が第１の樹脂突起２３の上に設けられた第１の配線層２５と、を有する複数の第１の外部端子２０が形成される。また、図１（Ａ）に示すように、第２領域１８に設けられた第２の樹脂突起３３と、集積回路１と電気的に接続され、一部が第２の樹脂突起３３の上に設けられた第２の配線層３５と、を有する複数の第２の外部端子３０が形成される。
【００５４】
上述のように、第１領域１７に形成される第１の樹脂突起２３は、第２領域１８に形成される第２の樹脂突起３３よりも相対的に高さが低い。これによって、半導体装置１００は、第２の外部端子３０よりも相対的に高さが低い第１の外部端子２０を有することができる。
【００５５】
（変形例）
図２において、本実施形態に係る半導体装置１００の変形例の一例を示す。
【００５６】
図２（Ａ）に示すように、第１領域１７において、第１の方向１１０に沿って並列配置された複数の外部端子２０が、第２の方向１２０において、複数形成されていてもよい。図２（Ａ）においては、第１の方向１１０に沿って並列配置された複数の外部端子２０が２列形成されているが、２列以上の配置であってもよい。
【００５７】
また、図２（Ｂ）に示すように、第１の辺１１と第２の辺１２との間に挟まれた両辺に沿って、第３の外部端子４０が複数形成されていてもよい。第３の外部端子４０の構成は、第１の外部端子２０の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００５８】
本実施の形態に係る半導体装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５９】
本実施形態に係る半導体装置によれば、第１領域１７における複数の第１の外部端子２０の全体の反発力と、第２領域１８における複数の第２の外部端子３０の全体の反発力と、のバランスをとることができるため、配線基板へ実装される際、配線基板との接続信頼性の高い半導体装置１００を提供することができる。
【００６０】
本実施形態における外部端子の反発力とは、外部端子を構成する樹脂突起と配線が実装時に変形する際の押圧力に対する反作用の力である。本実施形態に係る半導体装置１００は、配線基板に実装される場合、配線基板に接着剤を介して押し当てられ、外部端子を弾性変形させて配線基板のリード部分との接触面を外部端子に形成し、電気的接続を図る。したがって、外部端子の反発力とは、実装される場合に外部端子が有する反発力である。
【００６１】
第１領域１７に設けられる第１の外部端子２０の数が、第２領域１８に設けられる第２の外部端子３０の数よりも多い場合、本実施の形態に係る半導体装置１００においては、第２領域１８に、第１の外部端子２０よりも相対的に高さが高く、反発力が高い第２の外部端子３０が設けられる。これによって、外部端子数が少ない第２領域１８において、全体の反発力を上げることができ、外部端子数が多い第１領域１７の全体の反発力とバランスを取ることができる。したがって、第１および第２の外部端子２０、３０を均一に配線基板等に押し当てられるため、第１および第２の外部端子２０、３０の接触面積を所定の面積とすることができ、確実に導通性が確保される。
【００６２】
また、本実施形態に係る半導体装置によれば、反発力のバランスをとることを目的として、第２の外部端子の配線幅を、第１の配線幅よりも大きくする必要がない。これによれば、複数の第２の外部端子の配線の隣接幅を一定に保つことができるため、マイグレーションの発生を防止することができる。したがって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００６３】
また、本実施形態に係る半導体装置によれば、反発力のバランスをとることを目的として、第２の外部端子の配線幅を、第１の配線幅よりも大きくする必要がなく、かつ、ダミーバンプ等を形成する必要がない。これによれば、半導体基板のレイアウトの際に、配線を太くするための領域や、ダミーバンプ用の領域を考慮する必要がない。したがって、小型化等の要求に対応するためのレイアウトの自由度が高い半導体装置を提供することができる。
【００６４】
２．  半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００６５】
図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する要部の断面図である。
【００６６】
図３（Ａ）に示すように、第１の電極２１、第２の電極３１および絶縁膜１６を有した半導体基板１０（半導体ウエハまたはチップ）を用意する。第１の電極２１は第１領域１７に、第２の電極３１は第２領域１８に、それぞれ配置されている。半導体基板１０の内部には集積回路１が形成されている。第１の電極２１、第２の電極３１および絶縁膜１６との詳細な構成は、上述されているために省略する。
【００６７】
図３（Ｂ）に示すように、第１の電極２１、第２の電極３１および絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材料膜５０が形成される。樹脂材料膜５０は、熱硬化性を有した熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、感光性を有した感光性樹脂組成物であってもよい。以下の本実施の形態では、感光性を有した樹脂材料膜５０を用いた場合の製造方法の一例について後述する。
【００６８】
樹脂材料膜５０は、半導体装置１０の第１の面１１の上方において全面的に塗布されて形成されてもよい。また、樹脂材料膜５０は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、樹脂材料膜５０は、例えばシート状物であってもよい。樹脂材料膜５０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００６９】
次に、図３（Ｃ）に示すように、樹脂材料膜５０を図示しないマスク等の露光装置によって露光した後、現像液によって現像し、パターニングを行って、第１の樹脂層５１および第２の樹脂層５２を形成する。
【００７０】
第１の樹脂層５１は、キュアリングの後に第１の樹脂突起２３となる樹脂層であって、第１領域１７に形成される。図示はされないが、第１の樹脂層５１は、第１領域１７において、第１の辺１１（第１の方向１１０）に沿って延びるように形成されていてもよい。図３（Ｃ）に示すように、第１の樹脂層５１の幅Ｗ１（第１の方向１１０に直交する第２の方向１２０における幅）は、後述される第２の樹脂層５２の幅Ｗ２よりも小さくなるようにパターニングされる。
【００７１】
第２の樹脂層５２は、キュアリングの後に第２の樹脂突起３３となる樹脂層であって、第２領域１８に形成される。図示はされないが、第２の樹脂層５２は、第２領域１８において、第２の辺１２（第１の方向１１０）に沿って延びるように形成されていてもよい。図３（Ｃ）に示すように、第２の樹脂層５２の幅Ｗ２（第１の方向１１０に直交する第２の方向１２０における幅）は、第１の樹脂層５１の幅Ｗ１よりも大きくなるようにパターニングされる。
【００７２】
本工程における露光現像処理は、公知のフォトリソグラフィー技術を用いることができる。例えば、樹脂材料膜５０がポジ型のレジストである場合、マスク（図示せず）は、第１および第２の樹脂突起２３、３３が形成される領域において、樹脂材料膜５０が露光処理されるように配置される。また、樹脂材料膜５０がネガ型のレジストである場合は、第１および第２の樹脂突起２３、３３が形成される領域においてマスクが配置されてもよい。マスクは、遮光性を有していればよく、例えば、クロム等の遮光膜が形成されたガラス板であってもよい。マスクが所定配置に配置された後、図示しない光源ランプから例えば紫外線の照射が行われて、露光処理が行われる。現像処理に用いられる現像液は、不要な樹脂層を除去できる公知の現像液であればよく、例えば、有機アルカリ現像液であってもよい。
【００７３】
第１および第２の樹脂突起２３、３３を形成する工程は、図３（Ｄ）に示すように、第１および第２の樹脂層５１、５２を熱処理（キュアリング）することによって、第１および第２の樹脂層５１、５２を変形させる工程をさらに含む。
【００７４】
加熱する手段は特に限定されず、図示しない熱源から赤外線４１を照射することによって加熱してもよい。第１および第２の樹脂層５１、５２が加熱されることによって粘性が低下し、第１および第２の樹脂層５１、５２の自重と表面張力の作用によって、第１および第２の樹脂層５１、５２は形状を変形することができる。その結果、図３（Ｄ）に示すように、上面形状が滑らかな曲線を有し、その断面が略半円形状である第１および第２の樹脂突起２３、３３が形成される。
【００７５】
ここで、上述のように、第２の樹脂層５２の幅Ｗ２（第２の方向１２０における幅）は、第１の樹脂層５１の幅Ｗ１よりも大きくなるようにパターニングされている。これによれば、幅が大きい第２の樹脂突起３３の第１の面１３からの高さが、幅が小さい第１の樹脂突起２３の第１の面１３からの高さよりも高くなるように形状を制御することができる。したがって、第１および第２の樹脂層５１、５２の幅を制御することにより、第１の樹脂突起２３よりも高さが高い第２樹脂突起３３を形成することができる。
【００７６】
次に、図３（Ｅ）に示すように、開口部１６ａの内側に位置する第１の電極２１および第２の電極３１の上から絶縁膜１６上を介し、第１および第２の樹脂突起２３、３３の上に至るまで、第１および第２の配線層２５、３５をそれぞれ形成する。その形成には、公知の技術を用いることができ、例えばスパッタリングを適用してもよい。その後、所望の形状にパターニング（エッチング）され、第１および第２の配線層２５、３５が形成される。例えば、図示はしないが、第１の導電層（２５ａ、３５ａ）を構成する第１導電膜をスパッタリングにて形成し、その上に第２の導電層（２５ｂ、３５ｂ）を構成する第２導電膜をスパッタリングにて形成してもよい。そして、第２導電膜をパターニングし、第２の導電層（２５ｂ、３５ｂ）を形成してもよい。そして、第２の導電層（２５ｂ、３５ｂ）をエッチングマスクとして、第１導電層をエッチングし、第１の導電層（２５ａ、３５ａ）を形成してもよい。なお、第１および第２の配線層２５、３５の詳細な構成は、上述されているために省略する。
【００７７】
半導体基板１０が半導体ウエハである場合、第１および第２の配線層２５、３５が形成された後、所望のサイズに切断され、半導体装置１００を形成してもよい（図示せず）。
【００７８】
（変形例）
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例について説明する。図４は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に説明する要部の断面図である。
【００７９】
図４（Ａ）に示すように、第１の電極２１、第２の電極３１および絶縁膜１６を有した半導体基板１０（半導体ウエハまたはチップ）を用意し、図３（Ｂ）と同様に、第１の電極２１、第２の電極３１および絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる第１の樹脂材料膜６０が形成される。図４（Ａ）に示すように、第１の樹脂材料膜６０は膜厚Ｔ１を有することができる。なお、第１の樹脂材料膜６０の材料および構成は、樹脂材料膜５０と同じであるため、樹脂材料膜５０の説明と同様であるため、その説明を省略する。
【００８０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１の樹脂材料膜６０を露光現像処理によってパターニングする。これによって、第２領域１８において第１の方向１１０に沿って延び、第１の面１１の上に形成された絶縁膜１６の表面からの高さがＴ１である第１の樹脂層６１を形成する。本工程の詳細は、図３（Ｃ）における説明と同様であるため、その説明を省略する。
【００８１】
次に、図４（Ｃ）に示すように、第１の電極２１、第２の電極３１および絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる第２の樹脂材料膜６５が形成される。図４（Ｃ）に示すように、第２の樹脂材料膜６５は、第１の樹脂材料膜６０の膜厚よりも小さい膜厚Ｔ２を有することができる。なお、第２の樹脂材料膜６５の材料および構成は、樹脂材料膜５０と同じであるため、樹脂材料膜５０の説明と同様であるため、その説明を省略する。
【００８２】
次に、図４（Ｄ）に示すように、第２の樹脂材料膜６５を露光現像処理によってパターニングする。これによって、第１領域１７において第１の方向１１０に沿って延び、第１の面１１の上に形成された絶縁膜１６の表面からの高さがＴ２である第２の樹脂層６６を形成する。ここで、第１の樹脂層６１の第２の方向１２０における幅と、第２の樹脂層６６の第２の方向１２０における幅は、同じであってもよいし、第１の樹脂層６１の幅が、第２の樹脂層６６の幅よりも大きくてもよい。本工程の詳細は、図３（Ｃ）における説明と同様であるため、その説明を省略する。
【００８３】
次に、図４（Ｅ）に示すように、第１および第２の樹脂層６１、６６を熱処理（キュアリング）することによって、第１樹脂突起２３と、第１の樹脂突起２３よりも高さが高い第２樹脂突起３３を形成することができる。なお、本工程の詳細は、図３（Ｄ）における工程の説明と同様であるため、その説明を省略する。
【００８４】
以下、図３（Ｅ）と同様に、第１および第２の配線層２５、３５を形成することができる（図示せず）。
【００８５】
半導体基板１０が半導体ウエハである場合、第１および第２の配線層２５、３５が形成された後、所望のサイズに切断され、半導体装置１００を形成してもよい（図示せず）。
【００８６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【００８７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法よれば、第１領域１７に複数の第１の外部端子２０を形成し、第２領域１８に、第１の外部端子２０よりも高さが高い第２の外部端子３０を形成することができる。これによれば、配線の幅を大きく設計したり、ダミーバンプを設けたりせずに、接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。したがって、外部端子のレイアウトの自由度が高い、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００８８】
３．  電子モジュールの製造方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子モジュール、およびその製造方法について説明する。
【００８９】
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法を説明する図である。
【００９０】
本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、半導体装置１００を用意することを含む。半導体装置１００は、既に上述された、いずれかの構成をなしていればよい。
【００９１】
本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、配線基板８０を用意することを含む（図５（Ａ）参照）。配線基板８０は、図５（Ａ）に示すように、配線パターン８１とベース基板８３とを含む。
【００９２】
配線パターン８１は、電気的接続部８２を有する。電気的接続部８２は、配線パターン８１のうち、他の部材との電気的な接続に利用される部分である。配線パターン８１は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。配線パターン８１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）などの金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。また、配線パターン８１は、その一部がベース基板８３の内側を通るように形成されていてもよい。
【００９３】
ベース基板８３は、光透過性を有する材料または構成からなる。例えば、ベース基板８３の材料は、無機系の材料であることができる。このとき、ベース基板８３は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。ベース基板８３が、ガラス基板である場合、配線基板８０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。あるいは、ベース基板８３は、有機系の材料であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、ベース基板８３としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。
【００９４】
本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、半導体装置１００を配線基板８０に搭載することを含む。本工程によって、第１および第２の外部端子２０、３０と配線パターン８１の電気的接続部８２とを接触させて電気的に接続する。これによって、半導体装置１００が、配線基板８０に電気的に接続される。
【００９５】
半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法は、第１および第２の外部端子２０、３０を、配線基板８０の電気的接続部８２に押し当てることができる限り、特に限定されない。半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法の一例を、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）を参照して、説明する。
【００９６】
はじめに、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００を配線基板８０上方に配置して、半導体装置１００の第１および第２の外部端子２０、３０と配線基板８０の配線パターン８１（電気的接続部８２）とが対向するように位置合わせをする。ここで、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００の第１の面１１と、配線基板８０との間に接着剤９０を設ける。本工程では、予め、配線基板８０側に接着剤９０を設けておいてもよいが、特に限定されるものではなく、半導体装置１００側に設けられていてもよい。接着剤９０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤９０は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤９０は、公知のＮＣＦ（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接着剤であってもよい。
【００９７】
次に、図５（Ｂ）に示すように、半導体装置１００と配線基板８０との間に押圧力Ｆ１を加えることで押圧して、第１および第２の外部端子２０、３０と配線パターン８１（電気的接続部８２）とをそれぞれ接触させる。これによれば、半導体装置１００と配線基板８０とによって第１および第２の外部端子２０、３０を押圧力によって、弾性変形させることができる。このとき、第１および第２の樹脂突起２３、３３の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、第１および第２の外部端子２０、３０と電気的接続部８２（配線パターン８１）とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。
【００９８】
ここで、図５（Ｂ）に示すように、第２の外部端子３０は、第１の外部端子２０よりも高さが高いため、第１の外部端子２０よりも先に配線基板８０の電気的接続部８２と接触することができる。つまりは、図５（Ｂ）に示すように、第２の外部端子３０が先に接触部３８を形成することができる。これによれば、半導体装置１００と配線基板８０とを押圧し、余分な接着剤９０を排出しながら電気的接続を行う本工程において、第２の外部端子３０が、接着剤９０の塞き止め部となり、第３の方向１３０に接着剤９０が積極的に流れるように作用することができる。ここで第３の方向１３０とは、第２の外部端子３０から第１の外部端子２０への方向であって、例えば、第２の方向１２０であってもよい。これによって、不要な接着剤９０が半導体装置１００と配線基板８０との間に残留しにくくなるため、第１および第２の外部端子２０、３０と電気的接続部８２（配線パターン８１）との電気的接続を確実に行うことができる。
【００９９】
次に、図５（Ｃ）に示すように、第１の外部端子２０も、電気的接続部８２との接触部２８を形成する。ここで、第１領域１７において、押圧力Ｆ１に対する反作用として、複数の第１の外部端子２０の全体の合力である反発力Ｆ２が発生する。また、第２領域１８においても、複数の第２の外部端子３０の全体の合力である反発力Ｆ３が発生する。このとき、第２領域１８においては、第２の外部端子３０の形成された数が少ないが、第１の外部端子２０よりも高く形成されているため、個別の第２の外部端子３０の反発力を、個別の第１の外部端子２０の反発力よりも大きくすることができる。これによって、押圧力Ｆ１に対する第１領域１７の全体の反発力Ｆ２と、第２領域１８の全体の反発力Ｆ３のバランスを取ることができる。
【０１００】
次に、半導体装置１００を配線基板８０に搭載する工程の後に、接着剤９０を硬化させて、接着層を形成してもよい（図示せず）。接着層によって、半導体装置１００と配線基板８０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。
【０１０１】
図示はしないが、さらに検査工程や切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る電子モジュール１０００を製造してもよい。
【０１０２】
図６には、電子モジュール１０００の一例として、表示デバイスである場合の電子モジュール１０００を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１００は、表示デバイスである電子モジュール１０００を制御するドライバＩＣであってもよい。
【０１０３】
本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１０４】
本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法によれば、半導体装置１００と配線基板８０の接合時、第２の外部端子が、接着剤の塞き止めとして機能し、接着剤の排出を促すことができる。したがって、接着剤の排出性が良く、信頼性の高い電子モジュールの製造方法を提供することができる。
【０１０５】
また、本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法によれば、外部端子の数が少ない第２領域１８において、個別の反発力が高い第２の外部端子３０が形成されているため、押圧力Ｆ１に対する第１領域１７の全体の反発力Ｆ２と、押圧力Ｆ１に対する第２領域１８の全体の反発力Ｆ３と、のバランスをとることができる。これによって、第１の外部端子２０と第２の外部端子３０を均一に押し当てられるため、第１および第２の外部端子２０、３０の接触面積を所定の面積とすることができ、確実に導通性が確保される。したがって、配線基板に確実に接続された半導体装置を有する電子モジュールを提供することができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１  集積回路、１０  半導体基板、１１  第１の辺、１２  第２の辺、１３  第１の面、１４  第２の面、１６  絶縁膜、１６ａ  開口部、１７  第１領域、１８  第２領域、２０  第１の外部端子、２１  第１の電極、２３  第１の樹脂突起、２４  凹部、２５  第１の配線層、２５ａ  第１の導電層、２５ｂ  第２の導電層、３０  第２の外部端子、３１  第２の電極、３３  第２の樹脂突起、３４  凹部、３５  第２の配線層、３５ａ  第１の導電層、３５ｂ  第２の導電層、４０  第３の外部端子、５０  樹脂材料膜、５１  第１の樹脂層、５２  第２の樹脂層、６０  第１の樹脂材料膜、６１  第１の樹脂層、６５  第２の樹脂材料膜、６６  第２の樹脂層、８０  配線基板、８１  配線パターン、８２  電気的接続部、８３  ベース基板、９０  接着剤、１００  半導体装置、１１０  第１の方向、１２０  第２の方向、１３０  第３の方向、１０００  電子モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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