(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の上方の半導体層と、
前記半導体層の上方のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜の上方のゲイト電極と、
前記半導体層、前記ゲイト絶縁膜、及び前記ゲイト電極の上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上方の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上方の画素電極と、
前記第３の絶縁膜の上方のコモン電極と、
前記画素電極の上方及び前記コモン電極の上方の液晶と、
前記液晶の上方のカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの上方の第２の基板と、を有し、
前記画素電極と前記コモン電極とは、前記液晶に、前記第１の基板と概略平行に電界を印加する機能を有し、
前記ゲイト絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、無機物を有し、
前記第３の絶縁膜は、有機物を有し、前記第２の絶縁膜と積層された部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板の上方の半導体層と、
前記半導体層の上方のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜の上方のゲイト電極と、
前記半導体層、前記ゲイト絶縁膜、及び前記ゲイト電極の上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上方の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上方の画素電極と、
前記第３の絶縁膜の上方のコモン電極と、
前記画素電極の上方及び前記コモン電極の上方の液晶と、
前記液晶の上方のカラーフィルターと、
前記液晶の上方のブラックマトリックスと、
前記カラーフィルターの上方及び前記ブラックマトリクスの上方の第２の基板と、を有し、
前記画素電極と前記コモン電極とは、前記液晶に、前記第１の基板と概略平行に電界を印加する機能を有し、
前記ゲイト絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、無機物を有し、
前記第３の絶縁膜は、有機物を有し、前記第２の絶縁膜と積層された部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する発明は、ガラスや石英等の絶縁基板に設けられた結晶性珪素膜を用
いた絶縁ゲイト構造を有する半導体装置、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダ
イオ─ド（ＴＦＤ）、またはそれらを応用した薄膜集積回路、特にパッシブマトリクス型
液晶表示装置用薄膜集積回路やアクティブマトリクス型液晶表示装置用薄膜集積回路、及
びその作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラスや石英等の絶縁基板に薄膜トランジスタをマトリクス状に形成し、このＴ
ＦＴをスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の液晶表示装置の研究が盛
んにされている。
【０００３】
また、アクティブマトリクス回路（画素回路や画素マトリクス回路とも呼ばれる）と周
辺駆動回路（ドライバ─回路とも呼ばれる）とを同一絶縁基板上に集積化したアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が注目されている。この構成は、周辺駆動回路一体型と呼ば
れている。
【０００４】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、２枚の基板上に液晶層を駆動する電
極等を形成し対向させた透明電極を用いていた。この２枚の基板間に液晶を封入し、液晶
に印加する電界の方向を基板面にほぼ垂直な方向とする。そして、さらにその電界強度を
変化させることで、一般的に棒状の形状を有する液晶分子の配向方向を、基板と平行、あ
るいは基板に垂直と変化させることで実現していた。一般的にこの場合、液晶材料の示す
特徴の一つである光学異方性を利用して光を変調させるため、前記装置には偏向板を配置
し、入射光を直線偏光となるようにしていた。
【０００５】
しかし、このような動作方法をとる液晶電気光学装置は、表示面に対して垂直な方向か
ら見たときは正常な表示状態でも、斜めから見ると表示が暗く、不鮮明になり、さらにカ
ラ─表示であれば変色してしまう現象が見られた。
【０００６】
このような問題を解決するため、液晶層に印加する電界の方向を基板面に平行な方向と
する方法（ＩＰＳモ─ド）がある。
このような電気光学装置では、液晶分子長軸を基板に平行な状態を維持したままスイッ
チングするため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ない。
このため、視野角による光漏れ、コントラストの低下等が、従来のＴＮ、ＳＴＮ方式に
比べ小さい。
【０００７】
このＩＰＳモ─ドの電極構成として、図１７に示した様な一枚の基板上に櫛歯状電極を
形成した方法が知られている。
しかし、前記櫛歯状電極を用いた場合、画素素子において、配線パタ─ンが微細化かつ
複雑化し、生産性が悪いという問題点があった。
また、電極形状が複雑なので、液晶層にかかる電界も複雑なものとなっていた。
さらに、櫛歯状電極とすることによって光が遮られ、光が透過できる有効面積（開口率
）が著しく低下し、暗いディスプレイしか実現できず、実用化は不可能であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記問題を解決するものであって、その目的とするところは、透明電極がなく
とも高コンラストで、工程が簡易で量産可能な、且つ、開口率が大きく明るい周辺駆動回
路一体型の液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決し、上記目的を達成するために本発明では以下のような手段を用いる。
【００１０】
本発明の第１は図１にその具体的な構成の一例を示すように
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１は同じ層内に存在し、
前記コモン電極とコモン線１０３、１０４は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し
、コンタクトにより接続され、
前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子
の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置
である。
【００１１】
上記構成において、各々の画素に薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス型液
晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、画素電極１０８と、走査線に接続された
ゲイト線１０２、１０５と、信号線に接続されたソ─ス線１０６、１０７を有することを
特徴とする液晶表示装置である。
【００１２】
上記構成において、パッシブ駆動するパッシブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１３】
上記構成におけるコモン電極１１０、１１１と画素電極１０８は、平行であり、図２に
示すように同じ層内にあり、且つ同一材料、同一工程で作られることを特徴とする液晶表
示装置である。
【００１４】
上記のコモン電極と画素電極は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属
、または、Ｓｉもしくは、Ｔｉとアルミニウムとの積層から成ることを特徴とする液晶表
示装置である。
【００１５】
また、上記のコモン線１０３、１０４とゲイト線１０２、１０５は、図２に示すように
同じ層内で、且つ同一材料、同一工程で作られることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１６】
本願発明の第２は、図３にその具体的な構成の一例を示すように、
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
前記画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１は同じ層内に存在し、
前記コモン電極とコモン線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトに
より接続され、
その上に、平坦化膜２３０を有し、
前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子
の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置
である。
【００１７】
上記構成におけるコモン電極及び画素電極上の平坦化膜２３０は、ポリイミド等からな
る有機物、窒化珪素または酸化珪素等からなる無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層
膜を用いる液晶表示装置である。
【００１８】
また、本発明において図１に具体的な構成を示すように、
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に形成され、
一画素内で、１つの前記画素電極１０８が、一対のコモン電極１１０、１１１に挟まれ
て形成され、
前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子
の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置
である。
【００１９】
本発明の第３は、図４〜８にその具体的な構成の一例を示すように、
絶縁表面２０１を有する基板上に結晶性半導体層１０１を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜２０５を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜２１０を形成する工程と、
前記第１の導電膜をゲイト線１０２、１０５と、コモン線１０３、１０４に形成する工
程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、
全面に第１の層間膜２０６を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜を画素電極１０８と、コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６
、１０７に形成する工程と、を有する液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００２０】
ここでいう結晶性半導体層とは、単結晶シリコン膜や、アモルファスと結晶が混在して
いる多結晶シリコン膜や、結晶構造と認められるものが、わずかに含まれたアモルファス
主体の多結晶シリコン膜等のような少なくとも結晶性を有するシリコン膜を指している。
【００２１】
図３で示した構成を得るために、
絶縁表面２０１を有する基板上に結晶性半導体層１０１を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜２０５を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜２１０を形成する工程と、
前記第１の導電膜をゲイト線１０５と、コモン線１０３、１０４に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、
全面に第１の層間膜２０６を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜を画素電極１０８と、コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６
、１０７に形成する工程と、前記画素電極と前記コモン電極と前記ソ─ス線及び基板全面
上に、平坦化膜２３０を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００２２】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体層を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、
全面に第１の層間膜を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線に形成する工程と、を有し、
且つ、５枚以下のマスクにより作製される液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００２３】
上記構成におけるコモン電極上の平坦化膜２３０は、ポリイミド等からなる有機物、ま
たは窒化珪素からなる無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層膜を用いる液晶表示装置
の作製を特徴としている。            
【００２４】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体層を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工程と、
前記第１の導電膜を酸化させる工程と、
前記結晶性半導体層に第１次不純物ド─ピングを行う工程と、
導電酸化膜を除去する工程と、
前記導電酸化膜を除去する工程の後に、第１次不純物ド─ピングよりも低濃度の第２次
不純物ド─ピングを行う工程と、
全面に第１の層間膜を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線に形成する工程と、を有し、
且つ、５枚以下のマスクにより作製される液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００２５】
上記構成において、第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線を形成する工
程後、基板全面に平坦化膜を形成する工程と、
を有し、且つ、全工程を５枚以下のマスクで作製する液晶表示装置の作製を特徴としてい
る。
【００２６】
本発明の第４は、図９にその具体的な構成の一例を示すように、
外部装置との配線接続端子９００は、少なくとも２つ以上の配線の積み重ねで形成され
た配線の積層からなることを特徴とする液晶表示装置である。
【００２７】
図１０（ｂ）に示したように、
外部装置との配線接続端子９００は、絶縁基板上に形成された珪素膜１０１の上に、少
なくとも２つ以上の配線の積み重ねで形成された配線の積層からなることを特徴とする液
晶表示装置である。
【００２８】
上記構成における配線の積層は、同一材料により形成し、同一工程によって形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置である。
【００２９】
上記構成における配線接続端子９００は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属、または、導電性を有する無機化合物、または、Ｓｉもしくは、Ｔｉとアルミニ
ウムとの積層から成ることを特徴とする液晶表示装置である。    
【００３０】
図１０（ｂ）に示したように、
絶縁表面を有する基板２０１上に第１の導電膜２１０を形成する工程と、
前記第１の導電膜を第１配線端子２１１の形状にする工程と、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜２２０を形成する工程と、
前記第２の導電膜を第２配線端子２２１の形状にする工程と、
基板全面に層間絶縁膜２３０を形成する工程と、
基板表面の前記層間絶縁膜を削り、前記第２配線端子の上部表面を露出させ、外部装置
との配線接続端子９００を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００３１】
絶縁表面を有する基板２０１上に半導体層１０１を形成する工程と、
前記半導体層上に第１の導電膜２１０を形成する工程と、
前記第１の導電膜を第１配線端子２１１の形状にする工程と、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜を第２配線端子２２１の形状にする工程と、
基板全面に層間絶縁膜２３０を形成する工程と、
基板表面の前記層間絶縁膜を削り、前記第２配線端子の上部表面を露出させ、外部装置
との配線接続端子９００を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の作製方法。
【００３２】
本発明の第５は、図１２にその具体的な構成の一例を示すように、
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
第１配線と第２配線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、
並列して隣合う前記第１配線の間に存在する領域を遮光する前記第２配線と、  並列し
て隣合う前記第２配線の間に存在する領域を遮光する前記第１配線と、  前記第１配線と
前記第２配線によって囲まれた画素表示領域は、光を変調し得ることを特徴とする液晶表
示装置である。
【００３３】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一画素内で、１つの前記画素電極１２０８が、一対のコモン電極１２１０、１２１１に
挟まれて形成され、ソ─ス線１２０６、１２０７と隣合う前記コモン電極との間に存在す
る領域を遮光するコモン線１２０３と、
ゲイト線１２０５と隣合う前記コモン線１２０３との間に存在する領域を遮光する画素
電極１２０８と、を有することを特徴とする液晶表示装置である。
【００３４】
上記構成において第一配線であるコモン線１２０３とゲ─ト線１２０５の両方と第二配
線である画素電極間で保持容量を形成することを特徴とする液晶表示装置である。
【００３５】
図１６に示すように、対向基板は、一対の基板を重ね合わせた時に生じる配線の隙間を
十分に埋める、コモン電極１２１０よりも小さなブラックマトリックス１６００を複数有
することを特徴とする液晶表示装置である。
【００３６】
図４〜８を用いて本発明の作製工程を示す。
絶縁表面を有する基板上に、非晶質珪素薄膜１０１を形成し〔図４（ａ）〕、それを所
望の大きさにフォトリソグラフィ─法を用いてアイランドに、（１）パタ─ニングを行い
〔図４（ｂ）〕、その上にゲイト絶縁膜２０５を成膜する。〔図４（ｃ）〕
この状態での上面図を図５に示す。
【００３７】
前記ゲイト絶縁膜の上に、第１の導電膜２１０を形成する。〔図６（ｄ）〕
この第１の導電膜の材料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可能である
。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよい。
【００３８】
次に、フォトリソグラフィ─法を用いて、（２）パタ─ニングを行い、走査線と、走査
線に接続されたゲイト線１０２、１０５と、コモン線１０３、１０４を形成する。〔図６
（ｅ）〕
この状態での上面図を図７に示す。
【００３９】
そして、ゲイト電極をマスクとして、ゲイト絶縁膜２０５をエッチングする。    
【００４０】
その後、Ｐイオンを公知のイオンド─プ法によって、半導体層に注入する。
引き続き、Ｎチャネル型ＴＦＴを（３）レジストマスクで覆い、Ｂイオンの注入を行っ
た後、レ─ザ─アニ─ルを行う。〔図６（ｆ）〕
この時、公知のイオンド─プ法によって、ＬＤＤ構造を形成してもよい。かくすると、
トランジスタの特性をより安定なものとすることができる。
【００４１】
次に、第１の層間絶縁膜２０６を形成する。〔図８（ｇ）〕この層間絶縁膜は、コモン
線とコモン電極とを分離し、コンタクトのみで接続させる。こうすることで、櫛歯電極で
生じていた電界の乱れを防ぐ。図１７で示した従来の櫛歯電極では、液晶層に電界をかけ
た時、直接関係のない余計な配線（例えば櫛歯の歯でない箇所のコモン線やソ─ス線）に
よる電界の乱れが生じていた。
さらに、その上にポリイミド膜等の平坦化膜を形成すると、後の工程で形成される画素
電極の端部とコモン電極の端部を基板から同じ距離位置にすることができる。
【００４２】
また、各層間絶縁膜としては、ポリイミド等からなる有機物、または窒化珪素からなる
無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層膜を用いることが可能である。
【００４３】
その後、フォトリソグラフィ─法を用いて、（４）パタ─ニングを行い〔図８（ｈ）〕
、その上に公知のスパッタ法により第２の導電膜２２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、（５）パタ─ニングを行い、画素電極１
０８、コモン電極、ソ─ス線１０６を形成して、図８（ｉ）の状態になる。  この状態で
の上面図が図１である。
図１は、配線が重なって見えない箇所が、分かるよう故意に示した図であり、また、同
一材料、同一工程で形成される箇所は、同じ斜線模様で塗りつぶして示した図である。
【００４４】
こうして、ＣＭＯＳ構造を（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、の５枚のマスク
によって作製できた。
このように、層間絶縁膜または、平坦化膜との積層膜を形成し、コモン電極の端部と画
素電極の端部の基板からの距離的位置を概略同一にすることで、コモン電極の真横に絶縁
膜を挟んで画素電極を形成する。
かくすると、液晶層に電界を真横にかけることができ、表示特性が向上する。    
【００４５】
上記作製工程と同時進行的に、図９（ａ）で示した外部装置の配線接続端子９００を（
１）、（２）、（３）、（４）、（５）、での５枚のマスクによって作製する。
この配線接続端子の断面図を図９（ｂ）で示す。
従来、配線接続端子を作製するためには、マスクを使用する工程を追加しなければなら
なかった。
【００４６】
まず、上記作製工程と同様に、絶縁表面を有する基板上に、結晶性半導体薄膜を形成し
、それを所望の大きさにフォトリソグラフィ─法を用いて配線接続端子の形状をしたアイ
ランドに、（１）パタ─ニングを行う。
しかし、この工程は、高さを調整するだけであるので、配線接続端子を作製する上では
、なくてもよい。  
【００４７】
次に、その上にゲイト絶縁膜２０５を成膜する。
【００４８】
前記ゲイト絶縁膜の上に、第１の導電膜２１０を形成する。
この第１の導電膜の材料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可能である
。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよい。
【００４９】
次に、フォトリソグラフィ─法を用いて、（２）パタ─ニングを行い、第１配線端子２
１１を形成する。
【００５０】
そして、ゲイト絶縁膜２０５をエッチングし、、第１の層間絶縁膜２０６を形成する。
【００５１】
その後、フォトリソグラフィ─法を用いて、（４）パタ─ニングを行い、第１配線端子
２１１上の第１の層間絶縁膜を除去し、その上に公知のスパッタ法により第２の導電膜２
２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、（５）パタ─ニングを行い、第２配線端
子２２１を形成する。                                                    
【００５２】
その後、第２層間絶縁膜２３０を形成する場合には、第２配線端子２２１の表面が覆わ
れてしまう。〔図１０（ａ）〕そこで、Ｏ2 アッシングを行い、表面を削り取り、第２配
線端子の表面及び第２配線の表面をむき出しにする。〔図１０（ｂ）〕こうして、外部装
置の配線接続端子９００も（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、の４〜５枚のマス
クによって作製できる。
【００５３】
上記作製工程により、外部装置の配線接続端子備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表示
装置を５枚以下のマスクで作製することが可能となった。
【００５４】
また、以下で示すような電極構成としてもよい。
【００５５】
例えば、画素電極とコモン電極の配置は、図１１のように、一つの画素中に複数設けら
れた一対のコモン電極の間に画素電極を設けた構成としても良い。かくすれば、より開口
率が向上する。
【００５６】
また、図１２のような画素電極１２０８の形状にして、コモン線１２０３とゲイト線１
２０５の両方と保持容量を形成するような構成にしてもよい。
さらに、図１４のように、コモン線１２０３を設計すると、さらなる保持容量が形成さ
れる。
図１２の電極構成での画素部の等価回路を図１５に示す。
【００５７】
そして、同時に、画素電極や、コモン線の形状を上記のように変えることは、液晶表示
装置を駆動させて画像表示を行う際、可視光が配線と配線との隙間を透過する光漏れを防
ぐ効果を合わせもつ。
【００５８】
このように形成されたＣＭＯＳ構造の上に、ポリイミドよりなる配向膜を形成した。配
向膜としてはポリイミドを公知のスピンコート法もしくはＤＩＰ法などにより形成した。
【００５９】
次に配向膜表面をラビングした。
ラビング方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率異方性が正の材料の場
合、電界方向に非平行であって、電界方向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度を
なす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場合、電界に非垂直であって、
電界に垂直な方向に４５°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす方向とする
。また第二の基板側のラビング処理は、第一の基板のラビング方向に平行、もしくは反平
行をなすようになされる。
【００６０】
このようにして形成された基板と対向の基板を重ね合わせて液晶パネルを形成した。前
記一対の基板は、基板間に球状スペーサーを挟むことでパネル面内全体で均一な基板間隔
となるようにした。また、前記一対の基板を接着固定するためにエポキシ系の接着剤でシ
ールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路領域を囲むようにした。この後所
定の形状に前記一対の基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した。
【００６１】
次に偏光板を基板の外側に二枚貼り合わせた。偏光板の配置ついて、一対の偏光板をそ
の光軸が直交するように配置し、いずれか一方の偏光板の光軸、例えば偏光板の光軸を、
ラビング方向に平行にした。
【００６２】
このように基板を重ね合わせた時に、液晶表示装置を駆動させて画像表示を行うに際し
て、可視光を透過する必要のない配線と配線との隙間上方やトランジスタ上方には遮光性
を有するブラックマトリクス（ＢＭ）を配置するのが一般的である。
【００６３】
ブラックマトリクスとしては、チタン膜、クロム膜など遮光性を有する金属薄膜や、黒
色顔料を分散させた樹脂材料を用いることができる。
【００６４】
従来、ブラックマトリクス（ＢＭ）を形成する時には、大きめの位置合わせマ─ジンを
とってブラックマトリクスを形成していたが、そうすることで画素領域の開口率を下げて
いた。
【００６５】
しかし、本発明では、図１２のように、画素電極や、コモン線の形状を変え、ＢＭ化し
て、ブラックマトリックスをなるべく画素表示領域に形成しないことで、開口率の向上を
図った。
そして、配線の形状を変えるだけでは遮光できない領域である半導体層領域は、遮光性
を有し、ＢＭとして機能する材料で形成するか、もしくは、この部分のみ対向基板にＢＭ
を形成する。このブラックマトリックスは、コモン電極よりも小さいものでよく、画素表
示領域には形成しない。
また、前記遮光できない領域は、配線に囲まれており、このブラックマトリックスを形
成しても、開口率の低下には全く関係がない。
こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れ
ると同時に、半導体領域を光の劣化から保護する。
【００６６】
かくすることにより、５枚のマスク工程で、透明電極を設けなくても液晶配向制御し、
光を変調し得る液晶表示装置を得ることができた。
また、ＩＰＳモ─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメントずれがなくな
り、共通電極と液晶駆動電極の間の距離精度を向上することができ、開口率が向上した。
【発明の効果】
【００６７】
かくすることにより、５枚のマスク工程で透明電極を設けなくても液晶配向制御し、光
を変調し得る液晶表示装置を得ることができた。
また、ＩＰＳモ─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメントずれがなくな
り、共通電極と液晶駆動電極の間の距離精度を向上することができた。    
【００６８】
従来の櫛歯電極を用いた電極配線では、液晶層に最も近接している層に存在する配線及
び電極が多く、且つ、複雑な形状をしており、画素表示部に接している液晶層に、複雑な
電界が生じ、複雑な電気力線が存在していた。そのため、開口率が低く、複雑な電極形状
により、画素表示部における個々の液晶にかかる電界が不均一なものとなり、表示特性が
悪化していた。
【００６９】
しかし、本発明のようにコモン線とコモン電極を絶縁層を挟み、互いに違う層に分離し
、コンタクトで接続させると、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が、
コモン電極と画素電極とソ─ス線だけとなる。
このコモン電極と画素電極とソ─ス線は、単純な形状であり、同じ層内で平行に配置さ
れている。
そのため、画素表示部に接している液晶材料に、より均一な横電界をかけることができ
、表示特性が向上した。
【００７０】
上記のように、本発明では、ゲイト線とコモン線を先に形成し、第１層間膜を形成して
から、画素電極とコモン電極を形成する。この第１層間膜は、画素電極端部とコモン電極
端部の各々の基板からの距離的位置を概略一致させている。
つまり、層間絶縁層上に、コモン電極端部の真横に画素電極端部を配置するための層間
膜である。
さらに、この第１層間膜は、液晶層に電界をかける時に余計な配線（コモン線及びソ─
ス線）を分離して、電界の乱れを防ぎ、後の工程で形成される画素電極とコモン電極を、
より基板から同じ距離位置にするという効果がある。
【００７１】
本発明では、第一層間膜を平坦化膜とし、画素電極とコモン電極とソ─ス線を形成して
もよい。こうすることで、後の工程で形成される画素電極とコモン電極を、より基板から
同じ距離位置にする効果を持つ。
【００７２】
さらに、コモン電極と画素電極とソ─ス線を形成後、平坦化された第２層間膜を形成し
てもよい。この平坦化された第２層間膜は、保護膜を兼ねている。
【００７３】
本発明は、コモン電極と画素電極とソ─ス線は、同じ層内で平行に配置されており、且
つ同一材料、同一工程で作られる。
こうすることで、電極層数が低減され、低コスト化できる。
さらに、従来の櫛歯電極より単純な電極配線にしたため、開口率が向上した。    
【００７４】
６５０℃以下で成膜する場合の本発明の電極及び配線材料として、アルミニウムを用い
れば、導電性が高く、放熱性に優れ、発生する熱からＴＦＴ等を保護することができる。
また、低抵抗のため、ロスが少なく、さらに各配線が互いに干渉しあうことを防ぐ。
【００７５】
また、従来、配線接続端子を作製するためには、マスクを使用する工程を追加しなけれ
ばならなかった。しかし、上記作製工程と同時進行的に、（１）、（２）、（３）、（４
）、（５）、のマスク工程によって作製でき、外部装置の配線接続端子を備えた、周辺駆
動回路一体型の液晶表示装置を５枚以下のマスクで作製することができる。
【００７６】
そして、従来のように対向基板に大きめの位置合わせマ─ジンをとってブラックマトリ
クスを形成すると、画素領域の開口率が下がるという問題点があった。  しかし、本発明
では、図１２のように、画素電極や、コモン線の形状を変え、ＢＭ化することもできる。
そして、配線の形状を変えるだけでは遮光できない半導体層領域を半ＢＭとして使用する
か、もしくは、図１６のように、この部分のみ対向基板にコモン電極より小さなＢＭを形
成する。
こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れ
、さらに、半導体領域を光による劣化から保護できる。
【００７７】
このように本発明は、工業的価値は大きな発明であるが、特に大面積基板上に薄膜トラ
ンジスタを形成し、これをアクティブマトリクスやドライバ─回路、ＣＰＵ、メモリ─に
利用して、オンボ─ドの超薄型パソコン、携帯端末とした場合には、その利用分野は限り
なく拡大し、新たな産業を形成するに十分たる資質を有する。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施例１の液晶装置における画素部の構成を示す上面図
【図２】本発明の実施例１の画素部の構成のＡ−Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
【図３】本発明の実施例４の画素部の構成のＡ−Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
【図４】本発明の実施例１の作製工程の断面図
【図５】図４（ｃ）の作製工程の上面図
【図６】本発明の実施例１の作製工程の断面図
【図７】図６（ｅ）の作製工程の上面図
【図８】本発明の実施例１の作製工程の断面図
【図９】本発明の配線接続端子の上面図とＡ−Ａ’線における断面図
【図１０】本発明の配線接続端子の作製工程の断面図
【図１１】本発明の実施例２の液晶装置における画素部の構成を示す上面図
【図１２】本発明の実施例３の液晶装置における画素部の構成を示す上面図
【図１３】本発明の実施例３の画素部の構成のＡ−Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
【図１４】本発明の実施例３の作製工程の上面図
【図１５】本発明の実施例３の画素部等価回路図
【図１６】本発明の実施例３で対向基板を貼り合わせた時の上面図
【図１７】従来の櫛歯型電極で構成された画素部を示す上面図
【００７９】
以下に実施例を用いて、より詳細に本発明を説明する。
【実施例１】
【００８０】
図４〜８に本実施例の液晶表示装置の６００℃以下での作製工程を示す。
【００８１】
まず、絶縁表面を有する基板２０１としてコーニング社製＃１７３７を用いてその上に
下地膜（図示せず）として酸化珪素を２０００Åの厚さにスパッタ法によって成膜する。
石英基板などを用いる場合は、下地膜を成膜しなくともよい。    
【００８２】
その後、酸化珪素の下地膜上に厚さ３００Å〜１０００Å、本実施例では厚さ５００Å
の非晶質珪素膜１０１をシランのグロー放電を利用した平行平板式のプラズマＣＶＤ法に
より、成膜する。減圧ＣＶＤ法を用いる場合は、ジシランを利用して４５０℃〜６５０℃
、典型的には５４０℃にて非晶質珪素を成膜する。〔図４（ａ）〕
【００８３】
非晶質珪素膜を形成したら、レ─ザ─光の照射または加熱処理、またはレ─ザ─光の照
射と加熱処理を組み合わせた方法により、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
【００８４】
得られた結晶性珪素膜をフォトリソグラフィ─法によって、（１）パタ─ニングし、島
状領域を形成した。〔図４（ｂ）〕
【００８５】
さらに、結晶性珪素膜の上に、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜及びそれらの
積層膜をプラズマＣＶＤ法によって、厚さ５００Å〜２０００Å、本実施例では１０００
Åの酸化珪素膜をゲイト絶縁膜２０５として、全面に堆積した。プラズマＣＶＤ法として
は、シランと酸素の混合気体をグロー放電させて成膜している。〔図４（ｃ）〕
この状態の上面図を図５に示す。
本実施例では、図５で示したように、半導体層の形状は、折れ曲がった形をしている。
【００８６】
その後、ゲイト絶縁膜上に、スパッタ法によって、厚さ３０００Å〜１００００Å、本
実施例では、厚さ４０００Åのアルミニウム膜を第１の導電膜２１０として全面に堆積し
た。〔図６（ｄ）〕
【００８７】
このアルミニウム成膜には、シリコンやスカンジウムなどの物質を０．１〜５重量％含
有したアルミニウム合金ターゲットを使用する。本実施例ではスカンジウムを０．２重量
％含有したターゲットを用いて成膜している。
【００８８】
スカンジウムを含有させるのは、後の１００℃以上の熱工程において、アルミニウムの
異常成長により、ヒロックやウィスカ─と呼ばれる突起物が形成されることを抑制するた
めである。
【００８９】
アルミニウム以外の材料としては、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ等の導電性を有する金属を使用す
ることができる。
【００９０】
次に、第１の導電膜の上に形成したレジストマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト
絶縁膜を（２）パタ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、導電膜をチャネ
ル領域を覆う領域でゲイト線１０２に形成する。また同時に、コモン線を形成する。〔図
６（ｅ）〕
この状態の上面図を図７に示す。
【００９１】
そして、ゲイト線１０２をマスクとして、ゲイト絶縁膜２０５を除去する。
【００９２】
その後、Ｎ型を付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公知のイオンド─ピングによ
り、全面にド─ピングする。
【００９３】
次に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを覆う（３）レジストマスクを配置する。    
【００９４】
その後、Ｂ（ボロン）イオンの注入を行う。
ここで、Ｂイオンを注入する前においては、Ｐイオンが低濃度に注入された低濃度不純
物領域である。従って、Ｂイオンの注入によって容易にその導電型が反転する。
【００９５】
そして、レジストマスクを取り除き、注入された不純物の活性化と不純物イオンが注入
された領域のアニ─ルを行うためにレ─ザ─光の照射を行う。
【００９６】
次に、第１の層間絶縁膜として厚さ３０００Å〜８０００Å、本実施例ではプラズマＣ
ＶＤ法によって、厚さ５０００Åの窒化珪素膜２０６を形成する。〔図８（ｇ）〕これは
、酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。また、ポリイミ
ド等からなる有機物を用いた膜を使用してもよい。
ポリイミド膜を用いる場合、層間膜は公知のスピンコ─ティング法により、平坦化膜を
形成する。
このように、平坦化することで、後の工程で形成される各々の第２金属配線を、基板に
対してより概略同じ距離的位置にすることができる。
また、例えば、厚さ２５００Åの窒化珪素膜形成後に、厚さ２５００Åの平坦化したポ
リイミド膜を形成する多層膜としてもよい。
【００９７】
その後、レジストマスクを層間絶縁膜上に形成する。
そして、ソ─ス領域２０２に対するコンタクトホ─ル、ドレイン領域２０３に対するコ
ンタクトホ─ルの形成を（４）エッチングにより行う。〔図８（ｈ）〕
【００９８】
そして、スパッタ法によって、厚さ３０００Å〜１００００Å、本実施例では、厚さ４
０００Åのアルミニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積した。
【００９９】
このアルミニウム成膜は、第１の導電膜と同様にスカンジウムを０．２重量％含有した
ターゲットを用いて成膜している。
【０１００】
アルミニウム以外の材料としては、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ等の導電性を有する金属を使用す
ることができる。
【０１０１】
次に、導電膜の上に形成したレジストマスクを用いて、アルミニウム膜を（５）パタ─
ニングし、レジストマスクを除去することにより、画素電極１０８、コモン電極、ソ─ス
線１０６を形成する。〔図８（ｉ）〕
この状態の上面図を図１に示す。
この時、基板から画素電極の端部までの距離と、基板からコモン電極の端部までの距離
は、概略一致している。
この後、第２層間膜として、ポリイミド等からなる平坦化膜を形成してもよい。またこ
の平坦化膜は保護膜の役目も果たす。
【０１０２】
次に、ポリイミドよりなる配向膜を形成した。配向膜としてはポリイミドを公知のスピ
ンコート法もしくはＤＩＰ法などにより形成した。
【０１０３】
次に配向膜表面をラビングした。
ラビング方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率異方性が正の材料の場
合、電界方向に非平行であって、電界方向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度を
なす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場合、電界に非垂直であって、
電界に垂直な方向に４５°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす方向とする
。
【０１０４】
次に、対向基板の作製過程についての詳細を説明する。
まず、対向基板上にブラックマトリクスを１０００〜２０００Åの厚さに形成する。
【０１０５】
このブラックマトリクスは、後にセル組みした際に、画素表示部以外の金属配線の隙間
にのみ配置する。ブラックマトリクスとしては、金属薄膜や黒色顔料を含有した樹脂材料
を用いる。
次に、画像をカラ─表示する必要がある場合は、カラ─フィルタ─を公知の構成で形成
する。
【０１０６】
次に、ブラックマトリクス及びカラ─フィルタ─を覆って透光性樹脂材料でなる平坦化
膜を成膜する。
【０１０７】
この対向の基板側のラビング処理は、第１の基板のラビング方向に平行、もしくは反平
行をなすようになされる。
【０１０８】
このようにして形成された基板と対向の基板を重ね合わせて液晶パネルを形成した。前
記一対の基板は、基板間に球状スペーサーを挟むことでパネル面内全体で均一な基板間隔
となるようにした。また、前記一対の基板を接着固定するためにエポキシ系の接着剤でシ
ールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路領域を囲むようにした。この後所
定の形状に前記一対の基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した。
【０１０９】
最後に偏光板を基板の外側に二枚貼り合わせて、液晶表示装置を完成する。
【実施例２】
【０１１０】
本実施例に示す構成においては、実施例１と比較して、電極パタ─ンが異なる。
【０１１１】
まず、絶縁表面を有する基板上に下地膜（図示せず）と非晶質珪素膜を実施例１と同様
な方法により、成膜する。
【０１１２】
非晶質珪素膜を形成したら、実施例１と同様に、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
【０１１３】
得られた結晶性珪素膜を実施例１と同様な方法で、島状領域を形成する。この結晶性珪
素膜１１０１の形状は、図１１で示した通りである。
【０１１４】
さらに、結晶性珪素膜の上に、ゲ─ト絶縁膜を実施例と同様な方法で、全面に堆積する
。
【０１１５】
その後、ゲイト絶縁膜上に、アルミニウム膜を実施例１と同様な方法で、第１の導電膜
として全面に堆積する。
【０１１６】
次に、第１の導電膜の上に形成したレジストマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト
絶縁膜をパタ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、導電膜をチャネル領域
を覆う領域でゲイト線に形成する。また同時に、コモン線と線幅６μｍのソ─ス線を形成
する。
【０１１７】
そして、ゲイト絶縁膜を除去する。
【０１１８】
その後、実施例１と同様な方法で、Ｎ型を付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公
知のイオンド─ピングにより、全面にド─ピングする。
【０１１９】
次に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを覆うレジストマスクを配置する。
【０１２０】
その後、実施例１と同様な方法で、Ｂ（ボロン）イオンの注入を行う。
そして、レ─ザ─アニ─ルを行う。
【０１２１】
次に、実施例１と同様な方法で、層間絶縁膜を形成する。また、この層間膜上には公知
のスピンコ─ティング法による平坦化膜を積層してもよい。
【０１２２】
その後、レジストマスクをポリイミド膜上に形成する。
そして、ソ─ス領域に対するコンタクトホ─ル、ドレイン領域に対するコンタクトホ─
ルの形成をエッチングにより行う。
【０１２３】
そして、実施例１と同様な方法で、アルミニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積す
る。
【０１２４】
次に、導電膜の上に形成したレジストマスクを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニング
し、レジストマスクを除去することにより、画素電極及びコモン電極を形成する。
本実施例では、１画素中に、コモン電極１１１０、１１１１、１１１２を３つ形成し、
その隣合うコモン電極の間に幅２μｍの画素電極１１０８、１１０９を形成する。
【０１２５】
このように、形成された画素部を図１１に示す。
【０１２６】
以下、実施例と同様な方法で、液晶セルを作製した。さらにこの後、実施例１と同様に
一対の基板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【実施例３】
【０１２７】
本実施例に示す構成においては、図１２、図１３に示したように、実施例１と比較して
、画素電極パタ─ンと、コモン電極パタ─ンと、ブラックマトリクスを有する対向基板で
ある点が異なる。
【０１２８】
まず、絶縁表面を有する基板上に下地膜（図示せず）と非晶質珪素膜を実施例１と同様
な方法により、成膜する。
【０１２９】
非晶質珪素膜を形成したら、実施例１と同様に、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
【０１３０】
得られた結晶性珪素膜を実施例１と同様な方法で、島状領域１２０１を形成する。
【０１３１】
さらに、この結晶性珪素膜１２０１の上に、ゲ─ト絶縁膜１３０５を実施例と同様な方
法で、全面に堆積する。
【０１３２】
その後、ゲイト絶縁膜上に、アルミニウム膜を実施例１と同様な方法で、第１の導電膜
として全面に堆積する。
【０１３３】
次に、第１の導電膜の上に形成したレジストマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト
絶縁膜をパタ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、導電膜をチャネル領域
を覆う領域でゲイト線１２０２、１２０５に形成する。また同時に、コモン線１２０３、
１２０４を形成する。
この状態での上面図を図１４に示す。
図１４に示したように、コモン線１２０３の形状を変え、ＢＭの役割も兼ねるような形
にする。
【０１３４】
そして、ゲイト絶縁膜を除去する。
【０１３５】
その後、実施例１と同様な方法で、Ｎ型を付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公
知のイオンド─ピングにより、全面にド─ピングする。
【０１３６】
次に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを覆うレジストマスクを配置する。
【０１３７】
その後、実施例１と同様な方法で、Ｂ（ボロン）イオンの注入を行う。
そして、レ─ザ─アニ─ルを行う。
【０１３８】
次に、実施例１と同様な方法で、層間絶縁膜を形成する。この層間膜上に公知のスピン
コ─ティング法による平坦化膜を積層してもよい。
【０１３９】
その後、レジストマスクをポリイミド膜上に形成する。
そして、ソ─ス領域１３０２に対するコンタクトホ─ル、ドレイン領域１３０３に対す
るコンタクトホ─ルの形成をエッチングにより行う。
【０１４０】
そして、実施例１と同様な方法で、アルミニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積す
る。
【０１４１】
次に、導電膜の上に形成したレジストマスクを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニング
し、レジストマスクを除去することにより、画素電極１２０８と、コモン電極１２１０、
１２１１と、ソ─ス線１２０６、１２０７を形成する。
【０１４２】
この状態の上面図を図１２、断面図を図１３に示す。
この時の画素電極のパタ─ンは、図１２で示したようにＴ字型をしており、コモン線と
ゲイト線の両方と重なっており、その重なっている所で、保持容量を形成している。
本実施例の画素部の等価回路図を図１５に示す。
【０１４３】
次に、本実施例の対向基板の作製過程についての詳細を説明する。
まず、対向基板上にブラックマトリクスを１０００〜２０００Åの厚さに形成する。ブ
ラックマトリクスに用いる材料としては、金属薄膜や黒色顔料を含有した樹脂材料を用い
る。
【０１４４】
本実施例のように、配線の形状を変えても遮光できない領域である半導体層領域だけを
対向基板のＢＭで遮光する。（図１６）
従って、このブラックマトリックス１６００は、コモン電極１２０８よりも小さいもの
でよく、画素表示領域には形成しない。
この小さなブラックマトリックスを形成しても、開口率の低下には全く関係がない。
また、配線の形状を変えるだけでは遮光できない領域である半導体層領域を、遮光性を
有し、ＢＭとして機能する材料で形成してもよい。
こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れ
ると同時に、半導体領域を光の劣化から保護する。
【０１４５】
以下、実施例１と同様な方法で、液晶セルを作製した。さらにこの後、実施例１と同様
に一対の基板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【実施例４】
【０１４６】
本実施例に示す構成においては、図３に示したように、実施例１と比較して、画素電極
と、コモン電極を形成した後に第２層間絶縁膜を形成する点が異なる。  よって、上面図
は図１と同じである。
【０１４７】
また、実施例１とは、画素電極１０８と、コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０
６、１０７を形成する工程まで全く同じである。
【０１４８】
画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線を形成した後、第２層間絶縁膜として厚さ３００
０Å〜８０００Å、本実施例ではプラズマＣＶＤ法によって、厚さ５０００Åの窒化珪素
膜２３０を形成する。
この膜は、酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。また
、ポリイミド等からなる有機物を用いた膜を使用してもよい。
ポリイミド膜を用いる場合、層間膜は公知のスピンコ─ティング法により、平坦化でき
る。このように、平坦化することで、後の工程で形成される各々の第２金属配線を、基板
に対してより概略同じ距離的位置にすることができる。
また、厚さ２５００Åの窒化珪素膜形成後に、厚さ２５００Åの平坦化したポリイミド
膜を形成する多層膜としてもよい。
この第２層間絶縁膜はＴＦＴを保護する役目を果たす。また、この膜の厚さを変えるこ
とによって、液晶層にかかる電界の強度を調節できる。
【０１４９】
以下、実施例１と同様な方法で、液晶セルを作製した。さらにこの後、実施例１と同様
に一対の基板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【実施例５】
【０１５０】
本実施例に示す構成においては、実施例１と同時進行的に、図９（ａ）で示した外部
装置の配線接続端子９００を（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、での５枚のマス
クによって作製する。この配線接続端子の断面図を図９（ｂ）で示す。
【０１５１】
まず、実施例１と同様に、絶縁表面を有する基板上に、非晶質珪素膜を形成し、それを
所望の大きさにフォトリソグラフィ─法を用いて配線接続端子の形状をしたアイランドに
、（１）パタ─ニングを行う。
しかし、この工程は、高さを調整するだけであるので、配線接続端子を作製する上では
、なくてもよい。  
【０１５２】
次に、実施例１と同様に、その上にゲイト絶縁膜２０５を成膜する。
【０１５３】
前記ゲイト絶縁膜の上に、実施例１と同様に、第１の導電膜２１０を形成する。
この第１の導電膜の材料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可能である
。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよい。
【０１５４】
次に、実施例１と同様に、フォトリソグラフィ─法を用いて、（２）パタ─ニングを行
い、第１配線端子２１１を形成する。
【０１５５】
そして、実施例１と同様に、ゲイト絶縁膜２０５をエッチングし、、第１の層間絶縁膜
２０６を形成する。
【０１５６】
その後、実施例１と同様に、フォトリソグラフィ─法を用いて、（４）パタ─ニングを
行い、第１配線端子２１１上の第１の層間絶縁膜を除去し、その上に公知のスパッタ法に
より第２の導電膜２２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、（５）パタ─ニングを行い、第２配線端
子２２１を形成する。                                                    
【０１５７】
その後、実施例４のように第２層間絶縁膜２３０を形成する場合には、第２配線端子２
２１の表面が覆われてしまう。〔図１０（ａ）〕そこで、Ｏ2 アッシングを行い、表面を
削り取り、第２配線端子の表面及び第２配線の表面をむき出しにする。〔図１０（ｂ）〕
こうして、外部装置の配線接続端子９００も（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、
の４〜５枚のマスクによって作製できる。
【０１５８】
上記作製工程により、外部装置の配線接続端子を備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表
示装置を５枚以下のマスクで作製する。
【実施例６】
【０１５９】
本実施例の構成は下記の用件を除けば、実施例１と同一である。
【０１６０】
まず、絶縁基板として、石英基板を用いる。なお、加熱処理温度に耐える基板であれ
ば、石英に限定されるものではない。
この石英基板上に、下地膜として、酸化珪素膜を３０００Åの厚さに成膜する。
【０１６１】
次に、非晶質珪素膜を減圧ＣＶＤ法で６００Åの厚さに成膜する。
この非晶質珪素膜の厚さは、２０００Å以下とすることが好ましい。
【０１６２】
その後、非晶質珪素膜の一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入させ、
６４０℃で、４時間の加熱処理を行い、結晶化させる。
【０１６３】
結晶性珪素膜を得たら、ＨＣｌを３％含有させた酸素雰囲気中において９５０℃の加
熱処理を行うことにより、熱酸化膜を２００Åの厚さに成膜する。
【０１６４】
次に、熱酸化膜を除去する。そして、（１）パタ─ニングを施し、島状領域を得た。
【０１６５】
以下、実施例１と同様な方法で、液晶セルを作製した。さらにこの後、実施例１と同様
に一対の基板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【符号の説明】
【０１６６】
１０１  非晶質半導体層
１０２  ゲイト線ｎ
１０３  コモン線ｎ
１０４  コモン線ｎ−１
１０５  ゲイト線ｎ＋１
１０６  ソ─ス線ｎ
１０７  ソ─ス線ｎ＋１
１０８  画素電極
１１０、１１１  コモン電極
２０１  絶縁基板
２０２  ソ─ス領域
２０３  ドレイン領域
２０４  チャネル領域
２０５  ゲイト絶縁膜
２０６  第１の層間膜
２１０  第１の導電膜
２１１  第１導電配線
２２０  第２の導電膜
２２１  第２導電配線
２３０  第２層間絶縁膜
３０１  非晶質半導体層
３０２  ゲイト線ｎ
３０３  コモン線ｎ
３０４  コモン線ｎ−１
３０５  ゲイト線ｎ＋１
３０６  ソ─ス線ｎ
３０７  ソ─ス線ｎ＋１
９００  配線接続端子
１１０１  非晶質半導体層
１１０２  ゲイト線ｎ
１１０３  コモン線ｎ
１１０４  コモン線ｎ−１
１１０５  ゲイト線ｎ＋１
１１０６  ソ─ス線ｎ
１１０７  ソ─ス線ｎ＋１
１１０８  画素電極
１１１０、１１１１、１１１２  コモン電極
１２０１  非晶質半導体層
１２０２  ゲイト線ｎ
１２０３  コモン線ｎ
１２０４  コモン線ｎ−１
１２０５  ゲイト線ｎ＋１
１２０６  ソ─ス線ｎ
１２０７  ソ─ス線ｎ＋１
１２０８  画素電極
１２１０、１２１１  コモン電極
１３０１  絶縁基板
１３０２  ソ─ス領域
１３０３  ドレイン領域
１３０４  チャネル領域
１３０５  ゲイト絶縁膜
１３０６  第１の層間膜
１６００  ブラックマトリクス
１７０１  非晶質半導体層
１７０３  コモン線
１７０４  ゲイト線
１７０５  ゲイト線ｎ＋１
１７０６  ソ─ス線ｎ
１７０７  ソ─ス線ｎ＋１
１７０８  画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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