(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法において、
該方法は、
Ａ）  活性領域（１２）と、該活性領域（１２）を両側から取り囲む第１接続領域（１１）とを有する第１基板を用意するステップを有しており、ここで活性領域（１２）には、有機機能積層体（３）が構成されており、
前記第１基板（１）の前記第１接続領域（１１）に、前記活性領域（１２）を両側から取り囲む凹部（１０）を用意し、
前記の方法はさらに、
Ｂ）  カバー領域（２２）と、該カバー領域（２２）を両側から取り囲む第２接続領域（２１）とを有する第２基板（２）を用意するステップと、
Ｃ）  第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層（４）を第２基板（２）上の第２接続領域（２１）に直接被着するステップと、
Ｄ）  前記の第１接続層（４）の第１ガラスはんだ材料をガラス化（９１）するステップと、
Ｅ）  前記のガラス化した第１接続層（４）上または第１基板（１）の第１接続領域（１１）上に第２接続層（５）を被着するステップと、
Ｆ）  第１基板（１）と第２基板（２）とを接続して、第２接続層（５）により、第１接続領域（１１）と、第１接続層（４）とが接続されるようにするステップとが含まれており、
前記第２接続層（５）は、当該第２接続層（５）が完全に前記凹部（１０）内に埋め込まれて配置されるようにするため、前記凹部（１０）の深さよりも小さい厚さを有しており、
前記第２接続層（５）は、硬化可能有機接着剤を有しており、
前記接着剤は、方法ステップＦの後、硬化される、
ことを特徴とする、
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法。
【請求項２】
−  前記の方法ステップＣおよびＤにて前記の第１接続層（４）を第１の厚さで構成し、
−  前記の方法ステップＦの後、第２接続層（５）が、前記の第１の厚さの５分の１以下の第２の厚さを有するようにする、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
−  前記の第２接続層（５）は、電磁ビームを吸収する材料を有しており、
−  前記の第１接続層（４）には当該の吸収性の材料は含まれていない、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
−  前記の方法ステップＤの間または方法ステップＤの後、前記の第２基板（２）とは反対側を向いた、第１接続層（４）の表面を平坦化する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
−  前記の方法ステップＦの前に前記の第２基板（２）のカバー領域（２２）に接着剤および／またはゲッタ材料を配置する、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
−  前記の方法ステップＡにて少なくとも１つのカバー状のバリア層（３３）を有する有機機能積層体（３）を形成する、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１基板（１）および前記第２基板（２）および前記第１接続層（４）および前記第２接続層（５）によって形成される空所全体において、前記有機機能積層体（３）を取り込んで、ゲッタ材料（６）と接着剤（７）とからなる混合物を配置する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法において、
該方法は、
Ａ）  活性領域（１２）と、当該活性領域（１２）を両側から取り囲む第１接続領域（１１）とを有する第１基板（１）を準備するステップと、
Ｂ）  カバー領域（２２）と、該カバー領域（２２）を両側から取り囲む第２接続領域（２１）とを有する第２基板（２）を用意するステップと、
Ｃ）  第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層（４）を第１基板（１）上の第１接続領域（１１）にて直接被着するステップと、
Ｄ）  第１基板（１）上の第１接続層（４）の第１ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
Ｄ’）  前記の第１基板（１）の活性領域（１２）に有機機能積層体（３）を形成するステップと、
Ｅ）  前記のガラス化した第１接続層（４）上または第２基板（２）の第２接続領域（２１）上に第２接続層（５）を被着するステップと、
Ｆ）  第１基板（１）と第２基板（２）とを接続して、第２接続層（５）により、第２接続領域（２１）と、第１接続層（４）とが接続されるようにするステップとが含まれており、
前記第１基板（１）および前記第２基板（２）および前記第１接続層（４）および前記第２接続層（５）によって形成される空所全体において、前記有機機能積層体（３）を取り囲んで、ゲッタ材料（６）と接着剤（７）とからなる混合物が配置されている、
ことを特徴とする、
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法。
【請求項９】
前記接着材（７）は、エポキシ樹脂である、
請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着剤（７）は、同時に前記第２接続層（５）を構成する、
請求項７から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ゲッタ材料（６）は、微細に研磨した粒子の形で接着剤（７）に分散されている、
請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲッタ材料（６）は、単分散ナノ粒子の形態で接着剤（７）に分散されている、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
有機オプトエレクトロニクス素子において、
該有機オプトエレクトロニクス素子には、
−  活性領域（１２）と、該活性領域（１２）を両側から取り囲む第１接続領域（１１）と有する第１基板（１）が含まれており、活性領域（１２）に有機機能積層体（３）が形成されており、前記第１基板（１）は前記第１接続領域（１１）において前記活性領域（１２）を両側から取り囲む凹部（１０）を有しており、
前記の有機オプトエレクトロニクス素子にはさらに
−  前記の活性領域（１２）上にあるカバー領域（２２）と、第１接続領域（１１）上にありかつ当該のカバー領域（２２）を両側から取り囲む第２接続領域（２１）とを有する第２基板（２）、および
−  前記の第１接続領域（１１）と第２接続領域（２１）との間の第１接続層（４）および第２接続層（５）が含まれており、
ただし
−  前記の第１接続層（４）は、第２接続領域（２１）に直に接しておりかつ第１ガラスはんだ材料からなり、
−  前記の第２接続層（５）により、第１接続層（４）と第１接続領域（１１）とが接続され、
− 前記第２接続層（５）は、当該第２接続層（５）が完全に前記凹部（１０）内に埋め込まれて配置されるようにするため、前記凹部（１０）の深さよりも小さい厚さを有しており、
−  前記の第２接続層（５）は、硬化可能有機接着剤を有することを特徴とする、
有機オプトエレクトロニクス素子。
【請求項１４】
−  前記の第１接続層（４）は第１の厚さを有しており、
−  前記の第２接続層（５）は、当該の第１の厚さの５分の１以下である第２の厚さを有する、
請求項１３に記載の素子。
【請求項１５】
前記第１基板（１）および前記第２基板（２）および前記第１接続層（４）および前記第２接続層（５）によって形成される空所全体において、前記有機機能積層体（３）を取り囲んで、ゲッタ材料（６）と接着剤（７）とからなる混合物が配置されている、
請求項１３または１４に記載の素子。
【請求項１６】
前記接着材（７）は、エポキシ樹脂である、
請求項１５に記載の素子。
【請求項１７】
前記接着剤（７）は、同時に前記第２接続層（５）を構成する、
請求項１５または１６に記載の素子。
【請求項１８】
前記ゲッタ材料（６）は、微細に研磨した粒子の形で接着剤（７）に分散されている、
請求項１５から１７までのいずれか１項に記載の素子。
【請求項１９】
前記ゲッタ材料（６）は、単分散ナノ粒子の形態で接着剤（７）に分散されている。
請求項１８に記載の素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、ドイツ国特許出願第１０２００８０６３６３６．３号に優先権を主張するものであり、ここにその開示内容は参照によって本願に取り入れられるものとする。
【０００２】
ここには有機オプトエレクトロニクス素子の作製方法および有機オプトエレクトロニクス素子が示されている。
【０００３】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の持続的かつ信頼性の高い動作のために必要なのは、この有機発光ダイオードをシーリングして酸素および湿気から保護することである。このためにはＯＬＥＤの酸素および／または湿気の影響を受けやすい構成部分を２つのガラスプレートの間に配置することができ、ここでこのガラスプレートは、上記の構成部分を取り囲む接着剤によって接続され、これによってカプセル化が行われる。上記の接着剤にはふつう小球体または繊維の形態の充填剤が含まれており、これらは、例えば２つのガラスプレート間の所定間隔に対する分離部（スペーサ）として機能する。
【０００４】
しかしながらこの接着剤はふつう酸素および水蒸気をまったく通さないわけではないので、上記のガスは、時間の経過と共に接着剤を通ってＯＬＥＤに拡散することがある。
【０００５】
本発明の少なくとも１つの実施形態の課題は、有機オプトエレクトロニクス素子の作製方法を提供することである。さらに別の少なくとも１つの実施形態の課題は、有機オプトエレクトロニクス素子を提供することである。
【０００６】
これらの課題は、独立請求項の方法および有機オプトエレクトロニクス素子によって解決される。上記の有機オプトエレクトロニクス素子および方法の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項に示されており、またさらに以下の説明および図面から明らかになろう。
【０００７】
１実施形態に記載した有機オプトエレクトロニクス素子の作製方法には殊に以下のステップが含まれている。すなわち、
この方法は、
Ａ）  活性領域と、この活性領域を両側から取り囲む第１接続領域と有する第１基板を用意するステップを有しており、ここで上記の活性領域には、有機機能積層体が形成されており、
上記の方法はさらに
Ｂ）  カバー領域と、このカバー領域を両側から取り囲む第２接続領域とを有する第２基板を用意するステップと、
Ｃ）  第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層を第２基板上の第２接続領域に直接被着するステップと、
Ｄ）  上記の第１接続層の第１ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
Ｅ）  上記のガラス化した第１接続層上または第１基板の第１接続領域上に第２接続層を被着するステップと、
Ｆ）  第１基板と第２基板とを接続して、第２接続層により、第１接続領域と、第１接続層とが接続されるようにするステップとが含まれているのである。
【０００８】
別の１実施形態によれば有機オプトエレクトロニクス素子には、例えば
−  活性領域と、この活性領域を両側から取り囲む第１接続領域と有する第１基板が含まれており、ここで上記の活性領域には、有機機能積層体が形成されており、
上記の有機オプトエレクトロニクス素子にはさらに
−  上記の活性領域上にあるカバー領域と、第１接続領域上にありかつ上記のカバー領域を両側から取り囲む第２接続領域とを有する第２基板、および
−  上記の第１接続領域と第２接続領域との間の第１接続層および第２接続層が含まれており、
ただし
−  上記の第１接続層は、第２接続領域に直に接しておりかつ第１ガラスはんだ材料からなり、
−  上記の第２接続層により、第１接続層と第１接続領域とが接続される。
【０００９】
以下で説明する実施形態、特徴およびそれらの組み合わせは、別に明示的に示さないかぎり、有機オトエレクトロニクス素子にも、この有機オプトエレクトロニクス素子の作製方法にも同様に関係するものである。
【００１０】
ここでまた以下において一方の層または一方の構成素子が、他方の層または他方の構成素子の「上」または「上方」に配置または被着されているということは、一方の層または一方の構成素子が直にかつ機械的および／または電気的に直接に接触接続して他方の層または他方の構成要素に配置されていることを意味し得る。さらに一方の層または一方の素子が、他方の層または他方の素子の上にないし上方に間接的に配置されることも意味し得る。この場合に別の複数の層および／または構成素子が、一方の層と他方の層との間ないしは一方の構成素子と他方の構成素子との間に配置されることもあり得る。
【００１１】
ここでまた以下において、一方の層または一方の構成素子が、別の２つの層または素子の「間」に配置されているということは、一方の層または一方の構成素子が直に、別の２つの層または構成素子のうちの１つに機械的および／または電気的に直接的に接触接続しているかまたは間接的に接触接続しており、かつ別の２つの層または構成素子のうちの別の１つに機械的および／または電気的に直接的に接触接続しているかまたは間接的に接触接続していることを意味し得る。この場合に間接的な接触接続では、別の複数の層および／または構成素子は、一方の層と、別の２つの層のうちの少なくとも一方の層との間、ないしは一方の構成素子と、別の２つの構成素子のうちの少なくとも一方の構成素子との間に配置することができる。
【００１２】
上記の第２接続層が、方法ステップＥにおいて第１接続層および第１基板上に被着される場合、例えばこのことが意味し得るのは、第２接続層の一部が第１接続層に被着され、また第２接続層の別の一部が第１基板上に被着されることであり、この場合にこれらの第２接続層の一部は、方法ステップＦにおいて実際の第２接続層につなぎ合わせされる。第２接続層は、方法ステップＥにおいて例えば直接的および間接的に第１接続層に被着することができ、および／または直接的および間接的に第１基板に被着することができる。したがって作製された有機オプトエレクトロニクス素子において第２接続層は、第１接続層に直接接しかつ第１基板に直接接し、またこれらとそれぞれ共通の境界面を有することができるのである。
【００１３】
ここでまたは以下で「オプトエレクトロニクス」とは、殊に電磁ビームないしは光を電圧および／または電流に変換し、および／または電圧および／または電流を電磁ビームないしは光に変換する特性を表し得る。したがって有機オプトエレクトロニクス素子は、第１のケースでは、有機的なビームを受光する構成素子ないしはビームを検出する構成素子、例えば有機フォトダイオードまたは太陽セルとして実施することでき、また第２のケースでは有機的なビーム放出構成素子、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として実施することできるのである。ここでまた以下において「光」または「電磁ビーム」はともに、殊に赤外線〜紫外線の波長領域に含まれる少なくとも１つの波長または波長領域を有する電磁ビームを意味し得る。ここで光ないしは電磁ビームは、可視波長領域、すなわち約３５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの１つまたは複数の波長を有する近赤外から青色の波長領域を含むことができる。
【００１４】
第１基板と第２基板との間に第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層が配置されることにより、純粋な接着材料層を有する公知のＯＬＥＤに比べて、酸素および湿気および水蒸気に対して一層に気密なカプセリングを得ることができる。
【００１５】
殊に第２基板または第１基板および第２基板もガラスを有することができ、このガラスは、例えばホウケイ酸塩ガラスまたはアルミニウムケイ酸塩ガラスなどのケイ酸塩ガラスおよび／または石英ガラスまたは有機素子に有利な別のガラス材料を有する。
【００１６】
殊に有利には上記のオプトエレクトロニクス素子を有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として実施することができる。このＯＬＥＤは、例えば活性領域において第１基板上に第１電極を有し得る。第１電極上には、有機材料からなる１つまたは複数の機能層を備えた活性層を被着することができる。上記の機能層は、例えば電子輸送層、正孔遮断層、エレクトロルミネセンス層、電子遮断層および／または正孔輸送層として構成することができる。これらの機能層上には第２電極を被着することができる。上記の機能層では電子注入および正孔注入および電子再結合および正孔再結合により、個々の波長または複数の波長領域を有する電磁ビームを形成することができる。ここでは観察者に単色、多色および／または混合色の光印象を与えることができる。
【００１７】
例えば第１電極および／または第２電極を殊に有利には平面状に実施することができ、またはこれらを択一的に第１電極部分領域ないし第２電極部分領域に構造化して実施することができる。例えば、第１電極は、互いに平行に配置される第１電極ストライプの形態で実施することができ、またこれに対して垂直方向に延在しかつ互いに平行に配置される第２電極ストライプとして第２電極を実施することができる。したがって第１電極ストライプと第２電極ストライプの重畳を、別個に制御可能な発光領域として実施することができる。さらに第１電極または第２電極だけを構造化することも可能である。殊に有利には第１電極および／または第２電極または電極部分領域は、第１導体路と導電的に接続される。ここでは電極または電極部分領域を、例えば第１導体路へ移行させることができるか、または第１導体路とは別個に実施して第１導体路に導電的に接続することができる。上記の導体路は、第１基板と第２接続層との間で活性領域および第１接続領域から引き出すことができるため、上記の有機機能積層体は、第１接続領域の外部で電気的に接触接続させることができる。
【００１８】
上記の有機オプトエレクトロニクス素子がＯＬＥＤとして実施され、またその際に殊にいわゆる"ボトムエミッタ"型として実施される場合、すなわち、有機機能積層体で形成されるビームが第１基板を通って放射される場合、第１基板は、有利には上記の活性層で形成される電磁ビームの少なくとも一部に対して透過性を有することができる。
【００１９】
上記のボトムエミッタ型の構成では、第１電極も上記の活性層において形成される電磁ビームの少なくとも一部に対して透過性を有することができる。アノードとして実施することができしたがって正孔注入材料として使用される透明な第１電極は、例えば透明かつ導電性の酸化物を有するか、または透明かつ導電性の酸化物から構成することができる。透明な導電性酸化物（transparent coductive oxid，略して「ＴＣＯ」）は、透明かつ導電性の材料であり、ふつうは例えば酸化亜鉛、酸化スズ、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化インジウムまたは殊に有利には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属酸化物である。例えばＺｎＯ，ＳｎＯ２またはＩｎ２Ｏ３などのような２元金属酸素化合物の他に、例えばＺｎ２ＳｎＯ４，ＣｄＳｎＯ３，ＺｎＳｎＯ３，ＭｇＩｎ２Ｏ４，ＧａＩｎＯ３，Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５，またはＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２のような３元金属酸素化合物、または種々異なる透明かつ導電性の酸化物の混合物もＴＣＯの群に属する。さらにＴＣＯは必ずしも化学量論的な組成に相応する必要はなく、ｐ形ドーピングまたはｎ形ドーピングすることもできる。
【００２０】
上記の機能層は、有機ポリマ、有機オリゴマ、有機モノマ、有機系の非ポリマ小分子（"small molecules"）またはそれらの組み合わせを有することができる。機能層のための適切な材料ならびにこれらの材料の配置および構造化は、当業者には公知であるので、ここではさらに説明しない。
【００２１】
第２電極はカソードとして実施することができ、したがって電子注入材料として使用することができる。カソード材料としては、例えばアルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウム、リチウムならびにそれらの化合物、組み合わせおよび合金が有利であることが判明している。付加的または択一的に第２電極を透明に実施することでき、および／または第１電極をカソードとして、また第２電極をアノードとして実施することも可能である。このことは意味するのは、殊に上記のＯＬＥＤが"トップエミッタ"型として実施できることである。例えば上記の有機オプトエレクトロニクス素子をボトムエミッタ型であると同時にトップエミッタ型として実施し、ひいては透明に実施することも可能である。
【００２２】
さらに上記の活性領域は、アクティブまたはパッシッブなディスプレイまたは照明装置用の特徴および構成要素、例えばＴＦＴを有することが可能である。
【００２３】
第１ガラスはんだ材料は、有利にはガラス状の、すなわちアモルフォスまたは結晶質の溶融可能および硬化可能な材料または複数の材料を有する複合材料とすることができ、この材料はさらに、例えば熱膨張係数を適合させるための有利な充填材料を有することができる。ガラスフリット（glass-frit）とも称することの可能な第１ガラスはんだ材料は、実際にガラス化するための材料および充填材料を有することができ、また例えば酸化物からなる混合物を含むことができる。これらの酸化物は、バナジウム酸化物、リン酸化物、チタン酸化物、例えば酸化鉄（III）（Ｆｅ２Ｏ３）などの酸化鉄、すず酸化物、ホウ素酸化物、アルミニウム酸化物、アルカリ土類金属酸化物、シリコン酸化物、亜鉛酸化物、ビスマス酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコン酸化物およびアルカリ酸化物から選択される。殊に環境技術的および環境との共存性の観点から必要である場合には、第１ガラスはんだ材料を鉛化合物フリーとすることも可能である。第１ガラスはんだ材料は、例えば方法ステップＣにおける溶媒−バインダ混合物の成形可能なガラスはんだ材料とすることが可能である。溶媒−バインダ混合物として、例えばアミルアセテートおよびニトロセルロースからなる混合物が適している。ガラスはんだ材料、充填材料およびそれらの混合物に対する別の実施例および実施形態は、刊行物US 6,936,963 B2およびUS 6,998,776 B2に記載されている。その開示内内容を参照によってここに取り込むものとする。
【００２４】
方法ステップＣにおける第２基板の第２接続領域上への第１ガラスはんだ材料の被着は、例えばペーストとしてスクリーン印刷、ステンシル印刷またはディスペンスによって行うことができるため、第１ガラスはんだ材料によるいわゆるガラスはんだビードによって上記のカバー領域が包囲され、またダイレクトに、すなわち直接かつ機械的に直に接触接続して被着される。引き続いて、炉において熱を供給することにより、なお成形可能な第１ガラスはんだ材料を乾燥し、脱バインドし、焼結してガラス化することができる。これによって方法ステップＥの前にすでに、持続的でありかつ酸素および湿気を通さない第１接続層が第２基板上に作製される。第１接続層と第２基板と境界面も同様に酸素および湿気を通さない。公知のＯＬＥＤの場合のようにレーザによって第１接続層のガラス化を行うのではなく、炉において行うことにより、コスト的に有利でありかつ経済的な作製プロセスを可能にすることができる。第１接続層を炉においてガラス化することにより、第２基板に適合させた熱膨張係数を有する第１ガラスはんだ材料と第２基板とを応力を伴わずに溶融させることができる。ここでは例えばレーザの作用を用いた公知の局所的な溶融プロセスにより、第１接続層および／または第２基板において応力が発生することはない。さらに、コストが高くかつ繁雑な第２基板の処理も同様に省略することができる。
【００２５】
第１接続層は、第１の厚さで形成することができ、これに対して引き続いて第２接続層は第２の厚さで形成される。第２の厚さは、第１の厚さ以下とすることが可能である。これにより、一続きになった接着層を有する従来のＯＬＥＤに比べて、シーリング区間の幅および高さを同じにした場合、すなわち第１接続層と第２接続層とが一体となったシーリング区間の幅および高さを同じにした場合、公知の純粋な接着層に比べて酸素および／または水蒸気を通過させる体積の割合を低減することできる。第２の厚さが第１の厚さよりも小さく形成されていればいるほど、酸素および／または湿気が、有機オプトエレクトロニクス積層体を有する活性領域に入りこんで拡散できる確率がそれだけ小さくなる。殊に有利には第１接続層によって第１基板と第２基板との間の間隔が決定的に確定され、すなわち第２の厚さは、第１の厚さの５分の１以下であり、有利には１０分の１以下になるのである。第１の厚さは、有機オプトエレクトロニクス素子および場合によって先で説明するゲッタ層の実施に応じて、有利には５マイクロメートル以上、殊に有利には１０マイクロメートル以上かつ２０マイクロメートル以下の厚さを有することができる。したがって殊に１０マイクロメートル以上の第１基板と第２基板との間の間隔が可能であり、このことは殊に、例えば面積の大きな有機オプトエレクトロニクス素子の場合には有利になり得る。それは、これにより、積層体を有する構成素子の内部体積と周囲との間の圧力差分に起因する第１基板および／または第２基板の変形などを補償できるからである。
【００２６】
これに対して第２接続層は、接続特性および接着特性の点から最適化した第２の厚さを有することができる。第２接続層は、第２接続層の材料の１原子層または数原子層以上でありかつ１マイクロメートルまたは数マイクロメートル以下、有利には５マイクロメートル以下、殊に２マイクロメートル以下、さらに殊に有利には１マイクロメートル以下の第２の厚さを有することが可能である。ここで第２接続層は殊に有利にも、間隔を定める充填（「スペーサ」）剤を有しないようにすることが可能である。
【００２７】
第２接続層は、硬化可能有機接着剤を有することができ、この接着剤は、上記の方法ステップＦにおいて第１基板と第２基板とをつなげた後、硬化することが可能である。ここで、また以下で「硬化」とは、接着剤そのものにおける有利な反応およびメカニズム、ならびに第１接続層および第１基板との接着剤との任意の境界面における有利な反応およびメカニズムのことであり、これにより、第１基板と第２基板との持続的な接続が可能になる。これには、架橋反応または溶媒の蒸発および／または気化などのプロセスが含まれ得る。上記の硬化は、自動的に開始される反応によって生じさせるか、または外部からエネルギを供給することによって生じさせることができ、２番目のケースでは、例えば、殊に紫外または赤外光の形態の電磁ビームまたは熱を供給することによって行われる。上記の接着剤は、例えば有機架橋材料またはこのような材料を複数含むものを有することができ、例えば、シロキサン、エポキシド、アクリレート、メチルメタクリレート、ウレタンまたはモノマ、オリゴマまたはポリマの形態のこれらの誘導体であり、またはさらにその化合物、混合物またはコポリマでもある。殊に有利には上記のマトリックス材料は、エポキシ樹脂を含むことができるかまたはエポキシ樹脂とすることができ、および／またはＵＶビームによって硬化可能である。
【００２８】
さらに第２接続層は、第２ガラスはんだ材料を含むかまたはこのようなものから得られるものとすることが可能である。第２ガラスはんだ材料は、第１ガラスはんだ材料に関連して説明したのと同様の特徴、特性およびそれらの組み合わせを有することができる。
【００２９】
殊に第２接続層は、電磁ビームを吸収する材料を有することができ、この材料は、希土類金属、遷移金属の群から、また殊に鉄、銅、バナジウムおよびネオジムの金属からの１つまたは複数の材料から選択される。このような１つまたは複数の吸収性の材料を第２接続層に混ぜることによって、電磁ビームに対する吸収度を高め、これによって第２接続層の硬化を加速することができる。さらに第１接続層は、上記のような吸収性の材料を含まないか、またはこの吸収性の材料を少なくとも比較的低い濃度でしか有しないため、第２接続層に入射した電磁ビームを所期のように吸収することができる。殊に吸収性材料の適性は、第２ガラスはんだ材料からなる第２接続層との組み合わせで決まる。それは、吸収特性によって第２接続層すなわち第２ガラスはんだ材料を局所的に所期のように加熱することができ、ひいてはこれのガラス化を改善することができるからである。
【００３０】
上記の方法ステップＦの後、第２接続層の第２ガラスはんだ材料をガラス化することができる。これは、殊に紫外光または赤外光による照射によって第２ガラスはんだ材料を溶融させることによって行うことできる。これは、例えば、レーザまたは別の適切なビーム源を用いて第２接続層に照射することできる。上で説明したように第２接続層の第２の厚さが第１接続層の第１の厚さよりも小さいことによって可能になるのは、第２ガラスはんだ材料のガラス化が、作製すべき有機オプトエレクトロニクス素子の別の構成部分の温度を大きく上昇させることがないようにすることである。したがって上記の有機オプトエレクトロニクス素子のカプセル化を低い温度で行うことができ、その際に上記の積層体の損傷が生じることはない。ここで第２接続層が薄ければ薄いほど、それだけ一層容易に第２接続層を溶融させてガラス化させることができ、またそれだけ一層容易に第２接続層と第１接続層との、また第２接続層と第１基板との持続的な接続を形成することができる。第１接続層のすでにガラス化されたガラスはんだ材料は、第２ガラスはんだ材料の溶融およびガラス化の際、第２ガラスはんだ材料との境界面の領域以外において、高粘度また殊に有利には固体のままに維持されるため、第２基板と第１基板との間隔は、実質的に第１接続層の第１の厚さを介して定めることができる。殊に有利にはこれに加えて第１ガラスはんだ材料は、第２ガラスはんだ材料よりも高い融点を有し得る。
【００３１】
したがって第１ガラスはんだ材料および第２ガラスはんだ材料は組成が異なり、さらに殊にその融点が異なり得るのである。
【００３２】
さらに第１接続層は、方法ステップＤ中またこのステップの後、第２基板とは反対側を向いた面を平坦化することができる。これは、例えばすでにガラス化した第１ガラスはんだ材料をエッチングすることによっておよび／または有利には研磨することによって行うことができ、ないしは択一的または付加的に炉における方法ステップＤのガラス化プロセスにおいて相応に成形することによって行うこともできる。上記の平坦化によって例えば可能になるのは、作製した構成素子において第１接続層と第２接続層との相互の接着ならびに第１基板と第２基板との相互の間隔の最適化とを得ることである。
【００３３】
さらに方法ステップＡにおいて、第１接続領域に凹部を有する第１基板を用意することができる。殊にこの凹部を形成して、この凹部が上記の活性領域を両側から取り囲むようにする。この凹部は、方法ステップＦの後、第２接続層が少なくとも部分的にこの凹部に配置されるようにするために設けることができる。このことが意味し得るのは、方法ステップＦにおいて第２接続層が少なくとも部分的に上記の凹部に被着されることである。択一的または付加的に可能であるのは、上記の方法ステップにおいて第２接続層を第１接続層上にも被着して、つぎに方法ステップＦにおいて第１基板と第２基板とを接続する際に第２接続層が少なくとも部分的に上記の凹部に配置されるようにすることである。第２接続層が少なくとも部分的に上記の凹部に配置されることが意味し得るのは、上記の凹部が、例えば第２接続層の第２の厚さよりも浅い深さを有することである。この場合に第２接続層は、なお凹部から突出することができる。この場合に上記の凹部は、第１接続層の幅とは無関係に選択することのできる幅を有することができる。これとは択一的に上記の凹部の深さを第２接続層の第２の厚さ以上にすることも可能であり、これによって方法ステップＦの後、第２接続層が完全に凹部に配置され、したがって第２接続層を第１基板および第１接続層によって完全に取り囲むことできる。この場合に例えば上記の凹部は、第１接続層の幅以上の幅を有することができる。ここでは方法ステップＦの後、第１接続層も凹部に入り込むことができ、ひいては部分的に上記の凹部に配置されることが可能である。第２接続層を少なくとも部分的に凹部に配置することによって達成することができるのは、第２接続層を少なくとも部分的に周囲の雰囲気から遮断できることである。
【００３４】
さらに第２基板のカバー領域には接着剤および／またはゲッタ材料を配置することができる。ゲッタ材料として有利には酸化可能な材料および／または湿気と結合する材料を使用することができ、この材料は、酸素および湿気と反応し、また少量ではあるが接着剤から例えば第２接続層を通って拡散し得る、有機機能積層体に有害な物質をバインドすることができる。容易に酸化する酸化材料として、とりわけアルカリ金属およびアルカリ土類金属およびその酸化物の群からの金属、例えば酸化カルシウムおよび酸化バリウムなどの化学吸着性材料が使用される。さらに例えばチタンなどの別の金属または酸化可能な非金属材料も好適である。さらに物理吸着性の材料として強く乾燥させたゼオライトも好適である。
【００３５】
ゲッタ材料は、第２基板のカバー領域に直接被着することができるかまたはゲッタ材料および接着剤からなる混合物内にあり、この場合にこのゲッタ材料は、例えば粒子の形態で接着剤に拡散させることできる。この接着剤は、第２接続層に関連して上で説明した接着剤のうちの１つを有することできる。殊に以下に説明するケース、すなわち接着剤が有機機能積層体とは間隔を空けずに配置されるケースでは、接着剤はエポキシドを有するかエポキシ樹脂から構成することでき、ここで例えば有機機能積層体の実施形態との関連で説明したカソード材料はこのエポキシドを損傷しない。ゲッタ材料−接着剤−混合物に対して有利であるのは、ゲッタ材料の粒子を細かくひいて、この粒子が、例えばカソードなどの有機機能積層体の機械的な損傷にも結び付かず、また第１接続層と第１基板との間の第２接続層に影響を与えないようにすることである。
【００３６】
殊に上記のゲッタ材料および／または接着剤は、方法ステップＦの前、および方法ステップＤにおいて第１ガラスはんだ材料をガラス化した後、被着することができる。このことが意味し得るのは、ゲッタ材料および／接着剤が、第１接着層も配置されている第２基板の面に配置されることであり、これによって方法ステップＦにおいて第１基板と第２基板とを接続した後、ゲッタ材料および／または接着剤は、上記の有機積層体と一緒に、第１基板、第２基板、第１接続層および第２接続層によって囲まれる空所に配置される。ゲッタ材料および／または接着剤は、方法ステップＦの後、有機機能積層体から離れて配置され得るため、なお第１基板と第２基板との間に残っている空所があり、この空所には、例えばガスを充填することができる。ここで上記の間隔は主に、ゲッタ材料の厚さおよび第１接続層の第１の厚さによって調整可能である。第２基板は付加的にカバー領域のキャビティ、すなわち凹部を有することができ、このキャビティに上記のゲッタ材料および／または接着剤を少なくとも部分的に配置し、また例えば有機機能積層体に対して好適に間隔が空けられる。これとは択一的に上記のゲッタ材料および／または接着剤は、有機機能積層体の周りにある全体が取り囲まれた空所を充填することできる。
【００３７】
上記の有機機能積層体に対して間隔を空けてゲッタ材料を配置することにより、上記の空所に拡散する酸素および／または空所に拡散する湿気をゲッタ材料によって面で取り込むことができる。これによって上記の有機機能積層体に欠陥が生じるまで比較的高いいわゆるポンプ能力（Pumpkapazitaet）を得ることができる。これに対して上記の接着剤が、例えば上記の空所全体に配置される場合、この空所は、同時に第２接続層を構成し得る。単分散ナノ粒子をゲッタ材料として使用する場合、第２接続層をゲッタ材料−接着剤−混合物によって構成することさえも可能である。この場合には接着剤におけるゲッタ材料濃度を低くして、ゲッタ材料粒子が互いに接触せず、また拡散チャネルを構成し得ないようにする。
【００３８】
殊に第２ガラスはんだ材料からなる第２接続層に関連して可能であり得るのは、また接着剤からなりかつ適切に密閉された第２接続層においても可能であり得るのは、公知のＯＬＥＤに比較して比較的少ないゲッタ材料を第２基板のカバー領域に配置するかまたはゲッタ材料をまったく配置しないことである。この場合、第１基板と第２基板のとの間に永続的に密閉された接続を作製することできるため、有機オプトエレクトロニクス素子の寿命を長くすることができ、その際にゲッタ材料は必要ない。
【００３９】
さらに上記の方法ステップにおいて少なくとも１つのバリア層を有する有機機能積層体を構成することでき、ここではこのバリア層によって有機機能積層体をカバーする。したがってプラズマ援用化学気相成長法（PECVD法 plasma-enchanced chemical vapor deposition）から得られる積層体により、またはスパッタリングによってデポジットした酸化層、窒化層および／または酸窒化物層、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ−）および／または酸化シリコン（ＳｉＯ２−）層により、上記の有機機能積層体をカプセル化することができる。ＳｉＮｘ（Ｎ）およびＳｉＯ２（Ｏ）のこのような層の組み合わせは複数回繰り返すことができるため、個々の拡散チャネルが閉じられる。ここではこれらの拡散チャネルの各拡散チャネルは、有機機能積層体の活性面において目に見える欠陥に結び付き得るものである。しかしながらＮＯＮＯＮＯＮからなる積層体ではなお、密でない個々の点欠陥が生じることがあり得る。第２基板と、第１接続層と、第２接続層とを用いる上記の方法に加えてバリア層によって有機機能積層体を上記のようにカプセル化すると、水および酸素の拡散パスを延長させて、水の作用による有機オプトエレクトロニクス素子の経年変化をさらに遅延させ、これによってこの構成素子は、６０℃の温度および９０％の相対湿度における５０４時間の典型的な湿気検査に耐えることができ、その際に水または酸素が原因でありかつ長さが約４００マイクロメートルよりも長い欠陥が発生することはない。
【００４０】
例えば上記の有機オプトエレクトロニクス素子は、ゲッタ材料およびバリア層の組み合わせも有することができる。
【００４１】
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する別の１実施形態によれば、この方法には以下のステップが含まれている。すなわち、
Ａ）  活性領域と、活性領域を両側から取り囲む第１接続領域とを有する第１基板を用意するステップと、
Ｂ）  カバー領域と、このカバー領域を両側から取り囲む第２接続領域とを有する第２基板を用意するステップと、
Ｃ）  第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層を第２基板上の第２接続領域に直接被着するステップと、
Ｄ）  第１基板上の第１接続層の第１ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
Ｄ’）  有機機能積層体を第１基板の活性領域に形成するステップと、
Ｅ）  上記のガラス化した第１接続層上または第２基板の第２接続領域上に第２接続層を被着するステップと、
Ｆ）  第１基板と第２基板とを接続して、第２接続層により、第１接続領域と、第１接続層とが接続されるようにするステップとが含まれているのである。
【００４２】
したがって上で説明した方法と比べて第１接続層も第１基板上に形成してこれをガラス化することができるのである。これにより、上記の有機機能積層体は、第１接続層をガラス化した後はじめて、方法ステップＤ’において第１基板上に被着されるため、方法ステップＤによる有機機能積層体の損傷を回避することができる。このようにして作製可能な有機オプトエレクトロニクス素子はつぎのような特徴を有することが可能である。すなわち、
−  活性領域と、この活性領域を両側から取り囲む第１接続領域と有する第１基板。ここで上記の活性領域には、有機機能積層体（３）が形成されている。
【００４３】
−  上記の活性領域上にあるカバー領域と、第１接続領域上にありかつ上記のカバー領域を両側から取り囲む第２接続領域とを有する第２基板。
【００４４】
−  上記の第１接続領域と第２接続領域との間の第１接続層および第２接続層。
ただし
−  上記の第１接続層は、第２接続領域に直に接しておりかつ第１ガラスはんだ材料からなり、
−  上記の第２接続層により、第１接続層と第１接続領域とが接続される。
【００４５】
このような有機オプトエレクトロニクス素子は、有機機能積層体を基準にした第１接続層および第２接続層の空間的な配置構成が、上で説明した有機オプトエレクトロニクス素子と比べて逆の構造を有する。この方法およびこれによって作製可能な構成素子は、上で説明した特徴、特性、実施形態およびその組み合わせのうちの１つまたは複数を有することができる。
【００４６】
ここで説明する方法では、前述した特性および特徴を有する有機オプトエレクトロニクス素子を作製することでき、この構成素子は、シーリング区間を有しており、すなわち、第１基板と第２基板との間で第１接続領域の第１接続層および第２接続領域の第２接続層を有しており、ここでは第１接続層および第２接続層の割合は可変かつ自由に選択可能である。第１接続層の幅および第１の厚さ、また第２接続層の幅および第２の厚さはそれぞれ、また互いの任意の関係において、材料コストおよび密閉度の最適化の観点から自由に選択可能である。第１接続層の第２の厚さは、第１接続層の第１の厚さに比べて小さくして、第１基板と第２基板との間の密な接続に必要とされる厚さにする。第２接続層が薄ければ薄いほど、それだけ一層酸素および／または湿気が有機オプトエレクトロニクス素子に入り込む危険性が小さくなり、したがってそれだけ一層この構成素子の達成可能な寿命を長くすることできるのである。
【００４７】
本発明の別の有利の利点、有利な実施形態および発展形態は、図１Ａないし６に関連して以下に説明する実施形態から得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１Ａ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示す図である。
【図１Ｂ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示す別の図である。
【図１Ｃ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示すさらに別の図である。
【図１Ｄ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示すさらに別の図である。
【図１Ｅ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示すさらに別の図である。
【図１Ｆ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示すさらに別の図である。
【図１Ｇ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示すさらに別の図である。
【図１Ｈ】本発明の１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法を概略的に示すさらに別の図である。
【図２】別の実施例による有機オプトエレクトロニクス素子の概略図である。
【図３】さらに別の実施例による有機オプトエレクトロニクス素子の概略図である。
【図４】さらに別の実施例による有機オプトエレクトロニクス素子のさらに別の概略図である。
【図５】さらに別の実施例による有機オプトエレクトロニクス素子のさらに別の概略図である。
【図６】さらに別の実施例による有機オプトエレクトロニクス素子のさらに別の概略図である。
【００４９】
複数の実施例および図において、同じ構成部分または同じ機能を有する構成部分にはそれぞれ同じ参照符号が付されている。ここに示した素子およびこられの素子間の互いの大きさの比は、基本的に縮尺通りであるとみなすべきでなく、むしろ層、構成部分、構成素子および領域などの個々の素子は、図示し易くするためおよび／またはわかり易くするため、厚いサイズまたは大きなサイズで誇張して描かれていることがある。
【００５０】
図１Ａないし１Ｈには１実施例にしたがって有機オプトエレクトロニクス素子１００を作製する方法が示されている。図１Ａに示した第１方法ステップＡでは第１基板１が用意され、この基板は、活性領域１２と、この活性領域を取り囲む第１接続領域１１とを有する。図示の実施例において基板１はガラス製である。
【００５１】
活性領域１２には有機機能積層体３が構成されており、この有機機能積層体は、図示の実施例において有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として実施されている。この有機発光ダイオードは基板１上に第１電極３１を有しており、この第１電極上に複数の有機機能層を含む活性有機層３０が被着されている。活性有機層３０上には第２電極３２が被着されている。第１電極３１および第２電極３２はアノードないしはカソードとして構成されており、これらは活性層３０に正孔および電子を注入するのに適している。
【００５２】
活性層３０は、少なくとも１つのエレクトロルミネッセンス層を有しており、この層は、動作時に上記の注入した電子と正孔との再結合による電磁ビームを放射するのに適している。活性層３０は付加的に別の有機機能層を有することがあり、例えば少なくとも１つの正孔輸送層および／または電子輸送層、および／または上記の一般的な部分で説明した別の特徴などを有することがある。さらに有機機能積層体３は、上下に配置された複数のエレクトロルミネッセンス層と、それら層の間にそれぞれ配置された別の複数の有機機能層とを有する多層ＯＬＥＤとして構成することも可能である。活性層３０の上記の機能層は、一般的な部分で説明した小有機分子またはポリマの形態の有機材料を有することができる。
【００５３】
第１電極３１および第２電極３２は図示の実施例においてそれぞれ透明に実施されており、例えば一般的な部分で説明したような金属および／またはＴＣＯを有する。これにより、以下に説明する方法によって作製可能な有機オプトエレクトロニクス素子１００は、ボトムエミッション型およびトップエミッション型として実施されるため、動作時に活性層３０において形成される電磁ビームは、第１基板１を通過すると共に、以下に説明する第２基板を通過して放出することができ、上記の有機オプトエレクトロニクス素子１００は、透明両側放射型ＯＬＥＤとして構成されるのである。
【００５４】
択一的または付加的には、有機フォトダイオードまたはソーラセルなどのビーム検出積層体として上記の有機機能層３を構成することもでき、および／または薄膜トランジスタなどの別の有機電子構成部分を有することもできる。
【００５５】
図１Ｂに示した第２の方法ステップＢにおいて、ガラス製の第２基板２が用意される。この第２基板は、カバー領域２２と、このカバー領域を取り囲む第２接続領域２１とを有する。図１Ｃに示した別の方法ステップでは、第１ガラス材料を有する第１接続層４を第２接続領域２１の上に被着する。ここで第１ガラスはんだ材料は有利には鉛フリーであり、また例えば一般的の部分で説明した材料および組成を有する。ここで第１ガラスはんだ材料は、いわゆるガラスはんだビードまたはペーストの形態で、例えばディスペンス、スクリーン印刷またはステンシル印刷によって可塑状態で被着される。被着のために添加される溶媒および非硬化型バインダを有し得る第１接続層４は、第２接続領域２１に沿ってカバー領域２２を取り囲む。
【００５６】
図１Ｄに示した別の方法ステップＤでは、第１接続層４がガラス化される。このことは矢印９１によって示されている。このために第１接続層４と第２基板２とを炉において熱を供給することによって乾燥させ、脱バインダし、焼結してガラス化する。この際に第２接続領域２１において第１接続層４と第２基板２とが接続される。第１ガラスはんだ材料は、適切な添加物により、第２基板２に適合する熱膨張係数を有し得る。これによって第２基板２と第１接続層４との応力を伴わない溶融が可能である。第１接続層４の厚さおよび幅は、可変に選択可能であり、またコストのかかる第２基板２のガラス処理を行わなくても第１接続層４を被着する際にすでに調節可能である。上記の有機機能積層体３は、第１ガラスはんだ材料のガラス化プロセスとは関係しないため、第１接続層４のガラス化９１は最適な条件下で行うことができる。ここで説明している炉プロセスとは択一的にまたはこれに付加的に第１接続層４を紫外線ないし赤外線の波長領域のビームを照射することによってガラス化することも可能である。この場合にも第１接続層４と第２基板２との気密な接続に最適な条件下でガラス化９１を行うことができ、その際に有機機能積層体３に対して配慮を行う必要はない。
【００５７】
以下で説明する第２接続層５の厚さの最小化および／または接着強度を改善するため、第２基板２とは反対側向いた第１接続層４の表面をガラス化９１した後、平坦化することができる。これは、例えば平面仕上げによって行うことができる。これとは択一的にすでに上記の炉プロセスにおけるガラス化９１中またはガラス化の前に成形を行って平坦化することが可能である。
【００５８】
図１Ｅに示したさらなる方法ステップＥでは、カバー領域１２を取り囲む第１接続層４の、第２基板２とは反対側の表面に第２接続層５を被着する。ここで第２接続層５は、有利には充填剤のない硬化可能有機接着剤を有しており、これは例えばエポキシ樹脂などである。第１接続層４は、完成した有機オプトエレクトロニクス素子１００における第１基板１と第２基板２との所望の間隔の点から選択される第１の厚さを有するが、これに対して第２接続層５は、第１の厚さよりも格段に薄い第２の厚さで被着することができる。例えば第２の厚さは、第１の厚さの５分の１以下であり、また殊に有利には１０分の１以下である。有利には、第１基板１と第２基板２との間でなお密接した接続が可能となる分だけ第２接続層５の第２の厚さをできるだけ薄くすることできる。このために第２接続層５は、数原子層から数マイクロメートルの第２の厚さを有することができる。硬化可能有機接着剤を含めた第２接続層５の厚さが薄ければ薄いほど、第２接続層５の接着剤を通る湿気と酸素の拡散速度が小さくなり、またこのようにして作製される有機オプトエレクトロニクス素子１００の寿命を長くすることができる。
【００５９】
ガラス化される第１接続層４上に第２接続層５を被着するのとは択一的にまたはこれに付加的に、方法ステップＥにおいて第１基板１の第１接続領域１１上に第２接続層５を被着することも可能である。このことは図１Ｆに示した通りである。
【００６０】
図１Ｇに示したつぎの方法ステップＦでは、第２基板２を第１基板１の上に配置し、第１接続層４および第２接続層５を用いて第１基板１と接続する。このためにカバー領域２２と活性領域１２とが、また第１接続領域１１と第２接続領域２１とがそれぞれ上下に配置され、第２接続層５より、第１接続層４と第１基板１の第１接続領域１１とが接続される。ここで第１接続層４および第２接続層５の幅は、図１Ｇに示したように少なくともほぼ同じとすることが可能である。これとは択一的に第２接続層５は、組み立て後に第１接続層４よりも大きな幅を有し、また例えば縁部を構成することも可能であり、この縁部によって第１接続層４と第２接続層５との間の境界面が取り囲まれる。
【００６１】
図１Ｈに示した有機オプトエレクトロニクス素子１００を作製するさらなる方法ステップにより、第２接続層５が硬化される。この硬化は、図１Ｈにおいて矢印９２によって示したように、第２接続層５における硬化可能な有機接着剤の架橋によって行われ、この架橋は熱またはビームによって誘導される。これとは択一的に、例えば多成分接着剤の原理にしたがって接着剤を化学的に誘導して架橋し、硬化させることも可能である。第１接続層５を硬化９２する際に有機機能積層体３に加えられるエネルギ供給量および熱供給量は、第２接続層５の第２の厚さがわずかであることに起因して十分に小さく、これを損傷することはない。
【００６２】
硬化可能な有機接着剤を有する第２接続層５とは択一的に、方法ステップＥにおいて第１接続層４上および／または第１基板１の第１接続領域１１上に第２接続層５として第２ガラスはんだ材料を被着することも可能である。上で説明した利点は、接着剤の代わりに第２ガラスはんだ材料を使用する際にも当てはまる。殊に方法ステップＦの後、例えば集束させたレーザビームを用いて第２接続層５の第２ガラスはんだ材料を所期のように溶融させてガラス化することができる。ここでは、第１基板１、有機機能層３および第１接続層４へのそれぞれの熱供給量は、小さく維持することができる。殊に有利には第２ガラスはんだ材料は、第１ガラスはんだ材料よりも低い温度で軟化する。第１接続層５として硬化可能有機接着剤を使用する場合と同様に、第２ガラスはんだ材料を使用する場合にも第２接続層５の第２の厚さが小さいことは有利である。それは第２接続層５が薄ければ薄いほど、第２接着層５をそれだけ容易に溶融してガラス化できるからである。この際には必要に応じて、第２接続層５は数原子層から数マイクロメートルの第２の厚さを有することができる。第２ガラスはんだ材料を有する第２接続層５を所期のように溶融させてガラス化するため、第２接続層５は付加的に、電磁ビームを吸収可能な材料を有することができる。これに対して第１接続層４にはこの材料が含まれない。この吸収性の材料は有利には金属または金属化合物を有しており、有利には金属酸化物を有する。例えばこの材料は、例えばバナジウム、鉄、銅、クロームおよび／またはネオジムなどの遷移金属または希土類金属またはこれらの酸化物とすることが可能である。
【００６３】
図１Ｈに示したようにここで示した方法によって有機オプトエレクトロニクス素子１００を作製することができ、ここで第２接続層５の第２の厚さは、第１接続層４および第２接続層５とを合わせた全体の厚みと比べて格段に小さく、また第１基板１と第２基板２との間の接続部の大部分は、第１ガラスはんだ材料からなりかつ酸素および湿気を通さない第１接続層４によって形成される。
【００６４】
上で説明した方法とは択一的に第１基板の第１接続領域１１に第１接続層４を被着し、引き続いてガラス化することも可能である。第１接続層４のガラス化によって有機機能積層体３が損傷されないようにするため、ガラス化の後にはじめてこれを被着する。この場合のこの方法は、上で説明した方法と比べて、例えばつぎのようなステップを有する。すなわち、
Ａ）  活性領域１２と、活性領域１２を取り囲む第１接続領域１１とを有する第１基板１を用意するステップと、
Ｂ）  カバー領域２２と、カバー領域２２を取り囲む第２接続領域２１とを有する第２基板を用意するステップと、
Ｃ）  第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層４を第１基板１上の第１接続領域１１に直接被着するステップと、
Ｄ）  第１基板１において第１接続層４の第１ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
Ｄ’）  有機機能積層体３を第１基板１の活性領域１２に形成するステップと、
Ｅ）  上記のガラス化した第１接続層４上または第２基板の第２接続領域２１上に第２接続層５を被着するステップと、
Ｆ）  第１基板１と第２基板２とを接続して、第２接続層５によって第２接続領域２１と、第１接続層４とが接続されるようにするステップとが含まれているのである。
【００６５】
以下の実施例では、上で説明した実施例による有機オプトエレクトロニクス素子１００の別の変形形態を示す。したがって以下の説明では主にそれぞれの違いの説明に限定する。説明しない素子および特徴的構成は、上で説明した実施例および／または一般的な部分で説明したように実施される。
【００６６】
図２および３には有機オプトエレクトロニクス素子２００および３００が示されており、ここでは第１基板１は第１接続領域１１に、活性領域１２を取り囲む凹部１０を有する。
【００６７】
ここで図２の実施例では、凹部１０は、第２接続層５の第２の厚さよりも浅い深さを有する。凹部１０によって可能になるのは、酸素および湿気に対する透過路が一層長くなることに起因して第１基板１と第２接続層５との間の境界面の密閉度をさらに高めることができることである。この凹部の幅は、第１接続層の幅とは無関係に選択することが可能である。さらに有機オプトエレクトロニクス素子２００を包囲する雰囲気に直接接する、第２接続層５の部分を低減することができる。
【００６８】
ここで図３の実施例によれば、凹部１０は、第２接続層５の第２の厚さよりも深い深さを有する。これによって第１接続層４は凹部１０に入り込み、これによって第２接続層５は、凹部１０の縁部領域のギャップを除いて基板１および第１接続層４に取り囲まれる。これにより、殊に第２接続層５が接着剤を有している場合に第２接続層５を通る酸素および湿気の拡散速度を、また第２接続層５と基板１との間および第２接続層５と第１接続層４との間の境界面を通る酸素および湿気の拡散速度をさらに低減することができる。
【００６９】
図４〜６の実施例には有機オプトエレクトロニクス素子４００，５００および６００が示されており、これら素子は、素子の寿命を長くするための別の付加的な手段を有し、これらの手段は、第１接続層４および第２接続層５からなるここで説明している組み合わせと一緒に有利に使用することが可能である。
【００７０】
図４００に示した実施例では、バリア層３３を有する有機機能積層体３を用意する。バリア層３３は、ＰＥＣＶＤ法によってデポジットした酸化シリコン層および窒化シリコン層からなる積層体を有する。ＳｉＮｘ（Ｎ）およびＳｉＯ２（Ｏ）からなる層の組み合わせは複数回、有利に少なくとも２回に繰り返されるため、個々の拡散チャネルが閉じられる。ここではこれらの拡散チャネルの各拡散チャネルは、有機機能積層体３の活性面において目に見える欠陥に結び付き得るものである。バリア層３３によるカプセリング、ならびに第１接続層３と、第２接続層５と、第２基板２とによるカプセリングとを組み合わせることにより、有機オプトエレクトロニクス素子４００は、６０℃の温度および９０％の相対湿度における５０４時間の典型的な湿気検査に耐えることができ、その際に水または酸素が原因でありかつ長さが４００マイクロメートルよりも長い欠陥が発生することはない。
【００７１】
図５に示した実施例によれば有機オプトエレクトロニクス素子５００は、第２基板２のカバー領域２２に、キャビティ２０、すなわち凹部を有しており、このキャビティにゲッタ材料６が配置される。ゲッタ材料６は、酸素および湿気とバインドする材料、例えば一般的な部分で説明した材料を有しており、有利にはＢａＯおよび／またはＣａＯを有する。
【００７２】
図示の実施例とは択一的に、キャビティ２０なしにゲッタ材料６を第２基板２のカバー領域２２に配置することもできる。しかしながらキャビティ２０により、有利にも有機オプトエレクトロニクス素子５００の外形の高さを低くすることができる。同じことは上記の複数の実施例にも当てはまるため、上で説明した有機オプトエレクトロニクス素子１００，２００，３００，４００もキャビティ２０を第２基板２に有することが可能である。
【００７３】
図６に示した実施例では有機オプトエレクトロニクス素子６００は、第１基板１および第２基板２ならびに第１接続層４および第２接続層５によって形成される全体的な空所に、有機機能積層体３を取り囲んで、ゲッタ材料６と接着剤７とからなる混合物を有する。有利にはエポキシ樹脂である接着剤７は、同時に第２接続層５を構成する。ゲッタ材料６は、微細に研磨した粒子の形で接着剤７に分散されており、殊に有利には単分散ナノ粒子の形態で分散されている。
【００７４】
上で示した実施例の特徴は組み合わせることもでき、これによって有機オプトエレクトロニクス素子の寿命をさらに延ばすことができる。
【００７５】
本発明は、実施例に基づく上記の説明によってこれらの実施例に限定されることはない。むしろ本発明にはあらゆる新規の特徴ならびに複数の特徴のあらゆる組み合わせが含まれるものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の任意の組み合わせが含まれる。このことは、そのような組み合わせまたは組み合わせそれ自体が、特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないとしてもあてはまるものである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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