(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜上に絶縁樹脂膜を形成する工程と、
前記絶縁樹脂膜を保護する保護膜を形成する工程と、
レーザを用いて、前記保護膜及び前記絶縁樹脂膜に前記導電膜の少なくとも一部を露出するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを形成する際に生じた残渣を除去する工程と、
前記保護膜を除去する工程と、
前記保護膜を除去した後に、前記絶縁樹脂膜上に密着材を設ける工程と、
前記ビアホールを介して前記導電膜に接続される配線を前記密着材上まで延在させて形成する工程と、
を有し、
前記密着材を設ける工程では、クロメート処理により形成された皮膜を備えた銅箔を前記絶縁樹脂膜上に貼り付け、前記銅箔を除去することにより、前記絶縁樹脂膜上に、前記クロメート処理により形成された皮膜を前記密着材として残存させることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜として、アクリル樹脂を含有するドライフィルムを用いることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記残渣の除去を、ドライエッチング法により行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に好適な多層回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板の微細化及び多層化、並びに電子部品の高密度実装化が急速に進み、プリント配線板に対してビルドアップ多層配線構造の検討が活発に行われている。ビルドアップ多層配線構造では、複数の配線層間に絶縁樹脂膜が形成されており、配線層間の導通をとるために、ビアホールとよばれる微細な穴が絶縁樹脂膜に形成されている。ビアホールを形成する方法としては、絶縁樹脂膜の材料として感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィ技術により絶縁樹脂膜を加工する方法、及びレーザを照射して絶縁樹脂膜を加工する方法がある。これらのうちでは、感光性樹脂が高価であるため、一般的に、レーザを照射する方法が採用されている。
【０００３】
レーザの照射によりビアホールを形成した場合、ビアホールの底及び絶縁樹脂膜上にスミアとよばれる樹脂残渣が残存する。このため、配線層を形成する前に、過マンガン酸カリウム等の液を用いてスミアを除去する処理を行っている。この処理は、デスミア処理とよばれる。
【０００４】
また、配線層の材料として一般的に用いられる銅と樹脂との間の密着強度は低い。このため、デスミア処理では、スミアの除去だけでなく、絶縁樹脂膜の表面への１０点平均表面粗さＲｚで２μｍ以上の微細突起の形成も行っている。このような微細突起はアンカーとして機能し、配線層が絶縁樹脂膜に強固に固定される。従来、このような処理により、０．８ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られている。
【０００５】
配線層の形成に当たっては、デスミア処理後に、めっきシード膜を形成し、その上にマスク用樹脂膜を形成し、これにレーザを用いて開口部を形成し、開口部内にめっき法により銅膜を形成している。但し、開口部の形成の際には、絶縁樹脂膜の表面に存在する微細突起がレーザの乱反射を引き起こす。これまでは、このような乱反射が生じてもその影響は無視できる程度であったが、更なる微細化が進められると、この影響が無視できなくなる。特に、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の幅が１０μｍ以下となると、この現象が顕著となる。
【０００６】
従って、更なる微細化のためには、絶縁樹脂膜の表面を平滑に保ちながら、配線層と絶縁樹脂膜との間の密着強度を高めることが必要とされつつある。
【０００７】
例えば、酸化チタン等の光触媒を用い、絶縁樹脂膜の表面に１０点平均表面粗さＲｚで０．２μｍ以下の微小な凹凸を形成し、高い密着強度を得ようとする技術が報告されている（非特許文献１）。しかしながら、この技術では、凹凸の形成のために酸化チタンの活性化が必要とされ、この活性化のために２０分間〜６０分間もの長さの光照射が必要である。このため、実用化を考慮すると、大幅なコストアップにつながる。また、微小な凹凸を形成することができても、凹凸の形成後にデスミア処理を行うことになるため、結局は微小な凹凸が消滅してしまい、配線層を強固に固定することはできない。
【０００８】
また、イミダゾールシラン剤を絶縁樹脂膜の表面に付着させ、高い密着強度を得ようとする技術も報告されている（特許文献１）。しかしながら、この技術でも、イミダゾールシラン剤の付着後にデスミア処理を行うことになるため、配線層の形成前にイミダゾールシラン剤が除去されてしまう。
【０００９】
また、銅箔の表面にカップリング剤を付着させておき、これを絶縁樹脂膜の表面に転写して、高い密着強度を得ようとする技術も提案されている（特許文献２）。しかしながら、この技術でも、カップリング剤の転写後にデスミア処理を行うことになるため、配線層の形成前にカップリング剤が除去されてしまう。
【００１０】
このように、従来の技術では、絶縁樹脂膜の表面を、レーザの乱反射が影響しない程度まで平滑に保ちながら、つまり、パターニング不良を回避しながら、配線と絶縁樹脂膜との間の密着強度を高めることができない。
【００１１】
【特許文献１】特許第３２７７４６３号公報
【特許文献２】特開２００３−２３４５７３号公報
【特許文献３】特開２００４−１２７９７０号公報
【特許文献４】特開２００５−１５３３５８号公報
【特許文献５】特開２００３−１５２０２０号公報
【特許文献６】特開２００５−５０８８４号公報
【特許文献７】特開２００２−３４４１４４号公報
【特許文献８】特開２００５−２２３０１０号公報
【特許文献９】特開２００４−１４６６６８号公報
【非特許文献１】エレクトロニクス実装学会誌、７、ｐ１３６（２００４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、微細化に伴うパターニング不良を回避しながら、配線と絶縁樹脂膜との間の密着強度を高めることができる多層回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１４】
多層回路基板の製造方法の一態様では、導電膜上に絶縁樹脂膜を形成し、その後、前記絶縁樹脂膜を保護する保護膜を形成する。次に、レーザを用いて、前記保護膜及び前記絶縁樹脂膜に前記導電膜の少なくとも一部を露出するビアホールを形成する。次に、前記ビアホールを形成する際に生じた残渣を除去する。次に、前記保護膜を除去する。前記保護膜を除去した後に、前記絶縁樹脂膜上に密着材を設け、前記ビアホールを介して前記導電膜に接続される配線を前記密着材上まで延在させて形成する。前記密着材を設ける工程では、クロメート処理により形成された皮膜を備えた銅箔を前記絶縁樹脂膜上に貼り付け、前記銅箔を除去することにより、前記絶縁樹脂膜上に、前記クロメート処理により形成された皮膜を前記密着材として残存させる。
【発明の効果】
【００１５】
これらの多層回路基板の製造方法等によれば、保護膜により絶縁樹脂膜を保護した状態で、ビアホールを形成し、残渣を除去するため、微細化に伴うパターニング不良を回避することができる。また、配線の形成の前に密着材を設けておくため、高い密着強度を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。
【００１７】
（参考例）
先ず、参考例について説明する。図１Ａ乃至図１Ｍは、参考例に係る多層回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１８】
先ず、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、支持基板１上に絶縁樹脂膜４を形成する。支持基板１としては、ガラス繊維強化樹脂基材２に銅等からなる回路（導電膜）３が形成されたものを用いる。また、絶縁樹脂膜４の材料としては、例えば熱硬化性エポキシ樹脂を用いる。熱硬化性エポキシ樹脂を用いる場合、熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、これを硬化させる。図１Ｂは、図１Ａの回路３の近傍を拡大して示す断面図である。
【００１９】
次いで、図１Ｃに示すように、絶縁樹脂膜４上に密着材５を形成する。なお、密着材５は膜状のものである必要はなく、絶縁樹脂膜４の表面に付着した物質であってもよい。密着材５の材料としては、例えば、トリアジンチオール、シランカップリング剤、ニトロ安息香酸、及び／又はメルカプトスルホン酸等の化合物が挙げられる。トリアジンチオールとしては、メルカプト基がトリアジン環に二つ以上存在するものが望ましい。また、シランカップリング剤としては、その分子中に、アミノ基、メルカプト基、エポキシ基、イミダゾール基、ビニル基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、及び／又はピリジン基が含まれているものが望ましい。また、ニトロフタル酸、及びニトロサリチル酸並びにこれらのアルカリ金属塩を用いることも望ましい。また、メルカプトスルホン酸としては、メルカプトエタンスルホン酸、及びメルカプトプロパンスルホン酸並びにそのアルカリ金属塩が望ましい。また、密着材５として、銅箔の表面に形成された、亜鉛、ニッケル、コバルト、及び／又はクロムを含む皮膜を転写したものを用いてもよい。このような皮膜は、例えば銅箔のクロメート処理により形成することができる。また、酸化チタン等の光触媒及びイミダゾールシラン剤を用いてもよい。
【００２０】
密着材５の形成後、図１Ｄに示すように、密着材５上に、ドライフィルムを用いて、絶縁樹脂膜４及び密着材５を保護する保護樹脂膜６を形成する。ドライフィルムとしては、例えばアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリイミド樹脂を含有するものが挙げられる。これらのうちでは、アクリル樹脂が最も望ましく、特に、アクリル樹脂及び感光剤が含まれていることが望ましい。感光剤が含まれていると、ラミネート後に容易に硬化させることができるからである。また、絶縁樹脂膜４に対して選択的に除去可能なものであれば、樹脂製でなくともよい。
【００２１】
次いで、図１Ｅに示すように、炭酸ガスレーザを用いて、保護樹脂膜６、密着材５及び絶縁樹脂膜４にビアホール７を形成する。このとき、必然的にビアホール７の底にスミア８が生じる。なお、ＹＡＧ（イットリウム（Yttrium）・アルミニウム（Aluminum）・ガーネット（Garnet）））レーザを用いることも可能であるが、回路３にダメージが付与される可能性があるため、炭酸ガスレーザが望ましい。
【００２２】
その後、図１Ｆに示すように、ＣＦ4ガス及び／又はＳＦ6ガスを用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア８を除去する。プラズマ処理の結果、保護樹脂膜６の表面に突起が形成されることもあるが、本参考例では、この突起が問題を引き起こすことはない。なお、保護樹脂膜６として過マンガン酸に対する耐性があるものを用いる場合には、過マンガン酸を含むデスミア液を用いたデスミア処理を行ってもよい。
【００２３】
続いて、図１Ｇに示すように、保護樹脂膜６を除去する。保護樹脂膜６の除去では、例えば、水酸化ナトリウム水溶液等の強アルカリ液又は有機アミンを含む液を用いた剥離処理を行う。
【００２４】
次いで、図１Ｈに示すように、無電解めっき法により銅のシード膜１１をビアホール７内及び密着材６上に形成する。
【００２５】
その後、図１Ｉに示すように、配線を形成する予定の領域に開口部２２が位置するレジストパターン２１をシード膜１１上に形成する。レジストパターン２１の形成に当たっては、例えば、全面にレジスト剤を形成し、その後に開口部２２を形成する。
【００２６】
続いて、図１Ｊに示すように、電気めっき法により銅膜１２を開口部２２内においてシード膜１１上に形成する。
【００２７】
次いで、図１Ｋに示すように、レジストパターン２１を除去する。
【００２８】
その後、図１Ｌに示すように、銅膜１２から露出しているシード膜１１を、例えばスプレーエッチングにより除去する。この結果、シード膜１１及び銅膜１２を含む配線（導電膜）１３が得られる。
【００２９】
その後、図１Ｍに示すように、絶縁樹脂膜４、密着材５、ビアホール７及び配線１３の形成等を繰り返す。更に、配線１３の一部を露出する開口部１５を備えたソルダレジスト膜１４を形成し、開口部１５内にバンプ等を形成する。また、支持基板１の裏面側についても同様の処理を行う。このようにして、多層回路基板を完成させる。
【００３０】
このような製造方法では、スミア８を除去する際に密着材５が保護樹脂膜６により保護されているため、密着材５が配線１３の形成前に除去されることがない。従って、配線１３をその直下の絶縁樹脂膜４に強固に固定することができる。また、従来のデスミア処理のような絶縁樹脂膜４の表面に突起を形成する処理が必要とされないので、この突起が引き起こすレーザの乱反射が生じることもない。
【００３１】
更に、後述の本願発明者らが行った実験の結果から、保護樹脂膜６の作用により、従来の炭酸ガスレーザを用いた加工では形成できないような微細なビアホール７を形成することができることも判明している。
【００３２】
（実施形態）
次に、実施形態について説明する。図２Ａ乃至図２Ｆは、実施形態に係る多層回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００３３】
先ず、図２Ａに示すように、支持基板１上に絶縁樹脂膜４を形成する。次いで、絶縁樹脂膜４上に、ドライフィルムを用いて、絶縁樹脂膜４を保護する保護樹脂膜６を形成する。
【００３４】
その後、図２Ｂに示すように、炭酸ガスレーザを用いて、保護樹脂膜６及び絶縁樹脂膜４にビアホール７を形成する。このとき、必然的にビアホール７の底にスミア８が生じる。
【００３５】
続いて、図２Ｃに示すように、ＣＦ4及び／又はＳＦ6を用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア８を除去する。プラズマ処理の結果、保護樹脂膜６の表面に突起が形成されることもあるが、本実施形態でも、この突起が問題を引き起こすことはない。なお、保護樹脂膜６として過マンガン酸に対する耐性があるものを用いる場合には、過マンガン酸を含むデスミア液を用いたデスミア処理を行ってもよい。
【００３６】
次いで、図２Ｄに示すように、保護樹脂膜６を除去する。保護樹脂膜６の除去では、例えば、水酸化ナトリウム水溶液等の強アルカリ液又は有機アミンを含む液を用いた剥離処理を行う。
【００３７】
その後、図２Ｅに示すように、絶縁樹脂膜４上に密着材５を形成する。なお、密着材５がビアホール７の底又は上方に形成されて回路３が覆われた場合には、この部分を除去する必要がある。例えば、カップリング剤を含む水溶液中に浸漬させた場合には、密着材５が絶縁樹脂膜４の表面だけでなく、ビアホール７の底にも付着する。このため、ビアホール７の底の密着材５を選択的に除去する必要がある。また、銅箔等の基材の表面に形成された密着材の転写を行った場合には、ビアホール７が塞がれるため、この部分に開口部を形成する必要がある。なお、非特許文献１に記載された酸化チタンは銅等からなる回路３上には残存しないため、選択的な除去を行う必要はない。
【００３８】
密着材５の形成後には、参考例と同様にして、シード膜１１の形成（図２Ｆ）以降の処理を行い、多層回路基板を完成させる。
【００３９】
次に、本願発明者らが実際に行った実験について説明する。
【００４０】
（実験例１）
実験例１では、先ず、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、１８０℃、１時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。次いで、絶縁樹脂膜上にドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３３２５、厚さ：２５μｍ）をラミネートし、２００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギでの光照射を行うことにより、保護樹脂膜を形成した。なお、実験例１では、密着材は形成しなかった。その後、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を７０μｍに設定して、保護樹脂膜及び絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとＣＦ4ガスとの混合比（流量比）が９５：５のガスを用いたプラズマ処理（ドライエッチング）により、ビアホールの底に存在するスミアを除去した。次いで、アミン系のドライフィルム剥離液（アトテック社製のＲＳ−２０００）を用いて保護樹脂膜（ドライフィルム）を剥離した。
【００４１】
そして、ビアホールの周辺の観察を行ったところ、スミア（残渣）は存在していなかった。また、絶縁樹脂膜に形成されているビアホールの直径は５５μｍであり、従来の炭酸ガスレーザを用いた加工では形成できないような微小なものとなっていた。
【００４２】
（実験例２）
実験例２では、先ず、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、更に、クロメート処理された圧延銅箔（日鉱金属社製のＢＨＹ、厚さ：１８μｍ）を熱硬化性エポキシ樹脂上にラミネートした。そして、１８０℃、１時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。その後、銅箔のみを硫酸及び過酸化水素を含むエッチング液（三菱ガス化学社製のＳＥ−０７）を用いて除去することにより、クロメート処理により形成された皮膜を密着材として絶縁樹脂膜上に残存させた。次いで、絶縁樹脂膜上にドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３３２５、厚さ：２５μｍ）をラミネートし、２００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギでの光照射を行うことにより、保護樹脂膜を形成した。その後、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を７０μｍに設定して、保護樹脂膜、密着材及び絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとＣＦ4ガスとの混合比（流量比）が９５：５のガスを用いたプラズマ処理（ドライエッチング）により、ビアホールの底に存在するスミアを除去した。次いで、アミン系のドライフィルム剥離液（アトテック社製のＲＳ−２０００）を用いて保護樹脂膜（ドライフィルム）を剥離した。
【００４３】
そして、ビアホールの周辺の観察を行ったところ、スミア（残渣）は存在していなかった。また、絶縁樹脂膜に形成されているビアホールの直径は５５μｍであり、従来の炭酸ガスレーザを用いた加工では形成できないような微小なものとなっていた。
【００４４】
その後、ロームアンドハース社製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行うことにより、厚さが０．３μｍの無電解銅膜をビアホール内及び密着材上に形成した。続いて、ドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３２１５、厚さ：１５μｍ）を無電解銅膜上にラミネートし、これに線幅が１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。次いで、ドライフィルムをマスクとして用いて、無電解めっき膜上に、電気めっき法により厚さが１５μｍの銅膜を形成した。その後、ドライフィルムを除去し、更に、無電解銅膜の電気めっき法で形成された銅膜から露出している部分も除去した。
【００４５】
この結果、線幅が１０μｍで、厚さが約１５μｍのＬ／Ｓパターンの配線を高い精度で形成することができた。
【００４６】
（実験例３）
実験例３では、密着材の形成に用いる圧延銅箔の処理として、先ず、表面粗さＲｚが０．７μｍでクロメート処理済みの圧延銅箔（日鉱金属社製のＢＨＹ、厚さ：１８μｍ）を１ｗｔ％のγ−アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業製のＫＢＥ−９０３）水溶液に浸漬した。その後、１００℃で３０分間のベークを行うことにより、水溶液を乾燥させた。このようにして、圧延銅箔の表面に対するカップリング剤処理を行った。
【００４７】
その後、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、更に、上記のカップリング剤処理後の圧延銅箔を熱硬化性エポキシ樹脂上にラミネートした。そして、１８０℃、１時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。その後、銅箔のみを硫酸及び過酸化水素を含むエッチング液（三菱ガス化学社製のＳＥ−０７）を用いて除去することにより、クロメート処理により形成された皮膜及びカップリング剤処理により圧延銅箔に付着した物質を密着材として絶縁樹脂膜上に残存させた。次いで、絶縁樹脂膜上にドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３３２５、厚さ：２５μｍ）をラミネートし、２００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギでの光照射を行うことにより、保護樹脂膜を形成した。その後、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を７０μｍに設定して、保護樹脂膜、密着材及び絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとＣＦ4ガスとの混合比（流量比）が９５：５のガスを用いたプラズマ処理（ドライエッチング）により、ビアホールの底に存在するスミアを除去した。次いで、アミン系のドライフィルム剥離液（アトテック社製のＲＳ−２０００）を用いて保護樹脂膜（ドライフィルム）を剥離した。
【００４８】
そして、ビアホールの周辺の観察を行ったところ、スミア（残渣）は存在していなかった。また、絶縁樹脂膜に形成されているビアホールの直径は５５μｍであり、従来の炭酸ガスレーザを用いた加工では形成できないような微小なものとなっていた。
【００４９】
その後、ロームアンドハース社製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行うことにより、厚さが０．３μｍの無電解銅膜をビアホール内及び密着材上に形成した。続いて、ドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３２１５、厚さ：１５μｍ）を無電解銅膜上にラミネートし、これに線幅が１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。次いで、ドライフィルムをマスクとして用いて、無電解めっき膜上に、電気めっき法により厚さが１５μｍの銅膜を形成した。その後、ドライフィルムを除去し、更に、無電解銅膜の電気めっき法で形成された銅膜から露出している部分も除去した。
【００５０】
この結果、線幅が１０μｍで、厚さが約１５μｍのＬ／Ｓパターンの配線を高い精度で形成することができた。
【００５１】
（実験例４）
実験例４では、密着材の形成に用いる圧延銅箔の処理として、先ず、表面粗さＲｚが０．７μｍでクロメート処理済みの圧延銅箔（日鉱金属社製のＢＨＹ、厚さ：１８μｍ）を１ｗｔ％の２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（三協化成社製のサンチオールＮ−１）水溶液に浸漬した。その後、１００℃で３０分間のベークを行うことにより、水溶液を乾燥させた。このようにして、圧延銅箔の表面に対するトリアジンチオール処理を行った。
【００５２】
その後、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、更に、上記のトリアジンチオール剤処理後の圧延銅箔を熱硬化性エポキシ樹脂上にラミネートした。そして、１８０℃、１時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。その後、銅箔のみを硫酸及び過酸化水素を含むエッチング液（三菱ガス化学社製のＳＥ−０７）を用いて除去することにより、クロメート処理により形成された皮膜及びカップリング剤処理により圧延銅箔に付着した物質を密着材として絶縁樹脂膜上に残存させた。次いで、絶縁樹脂膜上にドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３３２５、厚さ：２５μｍ）をラミネートし、２００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギでの光照射を行うことにより、保護樹脂膜を形成した。その後、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を７０μｍに設定して、保護樹脂膜、密着材及び絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとＣＦ4ガスとの混合比（流量比）が９５：５のガスを用いたプラズマ処理（ドライエッチング）により、ビアホールの底に存在するスミアを除去した。次いで、アミン系のドライフィルム剥離液（アトテック社製のＲＳ−２０００）を用いて保護樹脂膜（ドライフィルム）を剥離した。
【００５３】
そして、ビアホールの周辺の観察を行ったところ、スミア（残渣）は存在していなかった。また、絶縁樹脂膜に形成されているビアホールの直径は５５μｍであり、従来の炭酸ガスレーザを用いた加工では形成できないような微小なものとなっていた。
【００５４】
その後、ロームアンドハース社製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行うことにより、厚さが０．３μｍの無電解銅膜をビアホール内及び密着材上に形成した。続いて、ドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３２１５、厚さ：１５μｍ）を無電解銅膜上にラミネートし、これに線幅が１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。次いで、ドライフィルムをマスクとして用いて、無電解めっき膜上に、電気めっき法により厚さが１５μｍの銅膜を形成した。その後、ドライフィルムを除去し、更に、無電解銅膜の電気めっき法で形成された銅膜から露出している部分も除去した。
【００５５】
この結果、線幅が１０μｍで、厚さが約１５μｍのＬ／Ｓパターンの配線を高い精度で形成することができた。
【００５６】
（実験例５）
実験例５は、本願発明の範囲から外れる方法についてのものである。実験例５では、先ず、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、１８０℃、１時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。次いで、密着材及び保護樹脂膜の両方を形成することなく、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を７０μｍに設定して、絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとＣＦ4ガスとの混合比（流量比）が９５：５のガスを用いたプラズマ処理（ドライエッチング）を行った。
【００５７】
スミアの除去後に絶縁樹脂膜の表面粗さを測定したところ、２μｍと大きなものであった。
【００５８】
その後、ロームアンドハース社製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行うことにより、厚さが０．３μｍの無電解銅膜をビアホール内及び絶縁樹脂膜上に形成した。続いて、ドライフィルム（日立化成社製のＲＹ３２１５、厚さ：１５μｍ）を無電解銅膜上にラミネートし、これに線幅が１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。次いで、ドライフィルムをマスクとして用いて、無電解めっき膜上に、電気めっき法により厚さが１５μｍの銅膜を形成した。その後、ドライフィルムを除去し、更に、無電解銅膜の電気めっき法で形成された銅膜から露出している部分も除去した。
【００５９】
しかしながら、絶縁樹脂膜の表面が非常に荒れていたために、ドライフィルムのＬ／Ｓパターンが所望の形状になっておらず、除去されるべき部分にも銅のエッチング残渣が存在していた。つまり、配線として使用できない状態となっていた。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】参考例に係る多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの一部を拡大して示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｃに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｄに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｅに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｆに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｈ】図１Ｇに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｉ】図１Ｈに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｊ】図１Ｉに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｋ】図１Ｊに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｌ】図１Ｋに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｍ】図１Ｌに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ａ】実施形態に係る多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｄに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｅに引き続き、多層回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１：支持基板
２：ガラス繊維強化樹脂基材
３：回路
４：絶縁樹脂膜
５：密着材
６：保護樹脂膜
７：ビアホール
８：スミア
１１：シード膜
１２：銅膜
１３：配線
１４：ソルダレジスト膜
１５：開口部
２１：レジストパターン
２２：開口部
【図１Ａ】
0005407161.tif 000002
【図１Ｂ】
0005407161.tif 000003
【図１Ｃ】
0005407161.tif 000004
【図１Ｄ】
0005407161.tif 000005
【図１Ｅ】
0005407161.tif 000006
【図１Ｆ】
0005407161.tif 000007
【図１Ｇ】
0005407161.tif 000008
【図１Ｈ】
0005407161.tif 000009
【図１Ｉ】
0005407161.tif 000010
【図１Ｊ】
0005407161.tif 000011
【図１Ｋ】
0005407161.tif 000012
【図１Ｌ】
0005407161.tif 000013
【図１Ｍ】
0005407161.tif 000014
【図２Ａ】
0005407161.tif 000015
【図２Ｂ】
0005407161.tif 000016
【図２Ｃ】
0005407161.tif 000017
【図２Ｄ】
0005407161.tif 000018
【図２Ｅ】
0005407161.tif 000019
【図２Ｆ】
0005407161.tif 000020