(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生させるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジングと、
前記ハウジングの内部に位置し、基板を支持するサセプタと、
前記プラズマ生成部から供給されたプラズマを前記基板へ噴射する複数の噴射ホールが形成されたバッフルと、を含み、
前記バッフルは、
前記複数の噴射ホールが形成され、中心領域の厚さが縁領域よりも厚いベースと、当該ベースの上面縁領域から上向きに突出し、その上端が前記ベースの上面中心領域よりも高い位置に設けられるリング形状の締結部と、を含む基板処理装置。
【請求項２】
前記ハウジングの開放された上部を密閉し、前記プラズマ生成部からプラズマが流入する流入口が形成された密閉カバーをさらに含み、
前記ベースの中心領域は、前記流入口に対向して位置する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ベースは、中心領域から縁領域に向かって徐々に厚さが薄くなる、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、
前記ベースの底面は、平面である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ベースの上面は上向きに膨らんでいる曲面であり、
前記ベースの底面は下向きに膨らんでいる曲面である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の噴射ホールは、
前記ベースの中心領域に形成された複数の第１噴射ホールと、
前記ベースの縁領域に形成され、前記複数の第１噴射ホールよりも大きい半径を有する複数の第２噴射ホールと、を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２噴射ホール間の間隔は、前記第１噴射ホール間の間隔よりも大きい、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記バッフルは、
前記締結部の上端から前記ベースの中心領域に向かって突出し、前記ベースの上面と離隔したリブ部をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記リブ部の底面と前記締結部の内側面とが連結される領域、ならびに前記締結部の内側面と前記ベースの上面とが連結される領域はラウンドになっている、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ベース部の縁領域と前記締結部が連結される連結領域には排気ホールが形成され、
前記排気ホールは、前記締結部の内側面から外側面へ下方に向って傾斜して設けられた貫通ホールとして提供される、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記排気ホールは、前記締結部に沿って互に離隔して複数個形成され、スリット形状を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
プラズマを噴射する噴射ホールが形成されたバッフルにおいて、
前記噴射ホールが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベースと、当該ベースの上面縁領域から上向きに突出し、その上端が前記ベースの上面中心領域よりも高い位置に設けられるリング形状の締結部と、を含むバッフル。
【請求項１３】
前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、
前記ベースの底面は、平面である、請求項１２に記載のバッフル。
【請求項１４】
前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、
前記ベースの底面は、下向きに膨らんでいる曲面である、請求項１２に記載のバッフル。
【請求項１５】
前記締結部の上端から前記ベースの中心領域に向かって突出し、前記ベースの上面と離隔したリブ部をさらに含む、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のバッフル。
【請求項１６】
前記ベース部の縁領域と前記締結部が連結される連結領域には、複数個の排気ホールが前記締結部に沿って互に離隔して形成され、
前記排気ホールは前記締結部の内側面から外側面に下方に向って傾斜して設けられた貫通ホールとして提供される、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のバッフル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、より詳細にはバッフルを含む基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、フォトレジストは、基板の上に微細回路パタ−ンを形成するか、或いはイオンを注入する工程でマスクとして使用される。フォトレジストは、マスクに使用された後、アッシング工程を通じて基板から除去される。
【０００３】
アッシング工程は、プラズマを利用してフォトレジストを除去する。最近、アッシング率（Ａｓｈｉｎｇ  Ｒａｔｅ）を高くするためにアッシング工程に高い密度のプラズマが使用される。プラズマ密度の増加によってバッフルは高い熱に曝露される。バッフルが高い熱に持続的に曝露される場合、バッフルには熱応力が発生する。特に、プラズマが直接的に供給されるバッフルの中心領域は上部面と下部面との温度差異によって、上部面には引張応力（Ｔｅｎｓｉｌｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）が発生し、下部面には圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ  ｓｔｒｅｓｓ）が発生してバッフルの中心領域がプラズマソースの方に膨らむように曲がる変形が発生する。このようなバッフルの変形は工程不良を発生させ、変形過程で発生したクラックはパーティクル（粒子）を生成しうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００２−００６３２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、熱変形を防止できるバッフルを提供することにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、処理過程でパーティクル発生を最小化できるバッフルを提供することにある。
【０００７】
また、本発明のその他の目的は、基板を均一に処理できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジングと、前記ハウジングの内部に位置し、基板を支持するサセプタと、前記プラズマ生成部から供給されたプラズマを前記基板へ噴射する複数の噴射ホールが形成されたバッフルと、を含み、前記バッフルは前記複数の噴射ホールが形成され、中心領域の厚さが縁領域よりも厚いベースと、当該ベースの上面縁領域から上向きに突出し、その上端が前記ベースの上面中心領域よりも高い位置に設けられるリング形状の締結部と、を含む。
【０００９】
また、前記ハウジングの開放された上部を密閉し、前記プラズマ生成部からプラズマが流入する流入口が形成された密閉カバーをさらに含み、前記ベースの中心領域は前記流入口に対向して位置し得る。
【００１０】
また、前記ベースは、中心領域から縁領域に向かって徐々に厚さが薄くなり得る。
【００１１】
また、前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、前記ベースの底面は、平面であり得る。
【００１２】
また、前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、前記ベースの底面は、下向きに膨らんでいる曲面であり得る。
【００１３】
また、前記複数の噴射ホールは、前記ベースの中心領域に形成された複数の第１噴射ホールと、前記ベースの縁領域に形成され、前記第１噴射ホールよりも大きい半径を有する複数の第２噴射ホールと、を包含できる。
【００１４】
また、前記第２噴射ホールの間の間隔は、前記第１噴射ホールの間の間隔よりも大きくなり得る。
【００１５】
また、前記バッフルは、前記ベースの上面縁領域から上向きに突出し、その上端が前記ベースの上面中心領域よりも高い位置に設けられるリング形状の締結部をさらに包含できる。
【００１６】
また、前記バッフルは、前記締結部の上端から前記ベースの中心領域に向かって突出し、前記ベースの上面と離隔したリブ部をさらに包含できる。
【００１７】
また、前記リブ部の底面と前記締結部の内側面とが連結される領域、ならびに前記締結部の内側面と前記ベースの上面が連結される領域はラウンドになり得る。
【００１８】
また、前記ベース部の縁領域と前記締結部が連結される連結領域には、排気ホールが形成され、前記排気ホールは、前記締結部の内側面から外側面に下方に向って傾斜して設けられた貫通ホールとして提供され得る。
【００１９】
また、前記排気ホールは、前記締結部に沿って互に離隔して複数個形成され、スリット形状を有することができる。
【００２０】
本発明の一側面によれば、バッフルにはプラズマを噴射する複数の噴射ホールが形成され、前記バッフルは前記複数の噴射ホールが形成され、中心領域の厚さが縁領域よりも厚いベースと、当該ベースの上面縁領域から上向きに突出し、その上端が前記ベースの上面中心領域よりも高い位置に設けられるリング形状の締結部と、を含む。
【００２１】
また、前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、前記ベースの底面は、平面であり得る。
【００２２】
また、前記ベースの上面は、上向きに膨らんでいる曲面であり、前記ベースの底面は、下幹に膨らんでいる曲面であり得る。
【００２３】
また、前記ベースの上面縁領域から上向きに突出し、その上端が前記ベースの上面中心領域より高い位置に設けられるリング形状の締結部をさらに包含できる。
【００２４】
また、前記締結部の上端から前記ベースの中心領域に向かって突出し、前記ベースの上面と離隔したリブ部をさらに包含できる。
【００２５】
また、前記ベース部の縁領域と前記締結部が連結される連結領域には複数個の排気ホールが前記締結部に沿って互に離隔して形成され、前記排気ホールは前記締結部の内側面から外側面に下方に向って傾斜して設けられた貫通ホールとして提供され得る。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のバッフルによれば、バッフルに発生される熱応力が分散されるので、バッフルの熱変形が防止され得る。
【００２７】
また、本発明のバッフルによれば、バッフルの変形によるパーティクル発生が最小化になり得る。
【００２８】
また、本発明の基板処理装置によれば、工程過程で発生するパーティクルが基板に供給されることが最小化されるので、パーティクルによる基板汚染を予防できる。
【００２９】
また、本発明の基板処理装置によれば、バッフルの中心領域と縁領域とへのプラズマが均一に供給されるので、基板処理が均一に遂行される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面である。
【図２】図２は図１のバッフルを示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４Ａ】リブ部の有無によって渦流が発生する形態を示す図面である。
【図４Ｂ】リブ部の有無によって渦流が発生する形態を示す図面である。
【図５Ａ】図１の基板処理装置でプラズマがバッフルに供給される形態を示す図面である。
【図５Ｂ】上面が平らに提供されたバッフルにプラズマが供給される形態を示す図面である。
【図６】本発明の他の実施形態によるバッフルを示す断面図である。
【図７】本発明のその他の実施形態によるバッフルを示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態によるバッフルの一部を示す斜視図である。
【図９】図８のバッフルを利用してプラズマを供給する形態を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態によるバッフル及び基板処理装置を詳細に説明する。本発明を説明するにあたり、関連された公知構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を分かり難くすると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。
【００３２】
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置１０００を示す図面である。
【００３３】
図１を参照すれば、基板処理装置１０００は、工程処理部１００（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｐａｒｔ）、排気部２００（ｅｘｈａｕｓｔｉｎｇ  ｐａｒｔ）、及びプラズマ生成部３００（ｐｌａｓｍａ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｐａｒｔ）を含む。工程処理部１００は、アッシング工程（ａｓｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）のような基板に対する工程処理を実施する。排気部２００は、工程処理部１００内部に留まる工程ガス及び基板処理過程で発生する反応副産物等を外部へ排出する。そして、プラズマ生成部３００は、基板Ｗの処理工程に必要になるプラズマ（ｐｌａｓｍａ）を生成して工程処理部１００へ供給する。
【００３４】
工程処理部１００は、ハウジング１１０、基板支持部材１２０、密閉カバー１３０、及びバッフル１４０を含む。
【００３５】
ハウジング１１０は、内部にアッシング工程を実施する空間１１１が形成される。ハウジング１１０の上部壁は開放され、側壁には開口が形成され得る。基板は、開口を通じてハウジング１１０内部へ出し入れされる。開口は、ドア（図示せず）のような開閉部材によって開閉され得る。ハウジング１１０の底面には、排気ホール１１２が形成される。排気ホール１１２は、排気部２００と連結され、ハウジング１１０の内部に留まるガス及びアッシング過程で発生される反応副産物が外部へ排出される通路を提供する。
【００３６】
基板支持部材１２０は、ハウジング１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持する。基板支持部材１２０は、サセプタ１２１と支持軸１２２とを含む。サセプタ１２１は、円板形状に提供され、上面に基板Ｗが置かれる。サセプタ１２１の内部には、電極（図示せず）が提供され得る。電極は、外部電源に連結され、印加された電力によって静電気を発生させる。発生された静電気は、基板Ｗをサセプタ１２１に固定させる。サセプタ１２１の内部には、ヒーティングコイル（図示せず）と冷却コイル（図示せず）とが提供され得る。ヒーティングコイルは、基板Ｗを予め設定された温度に加熱する。アッシング工程では、基板温度が約２００℃に加熱できる。サセプタ１２１は、基板Ｗへ温度が効果的に伝達されるようにアルミニウム又はセラミック材質で提供され得る。冷却コイルは、加熱された基板Ｗを強制的に冷却させる。工程処理が完了された基板Ｗは、常温状態又は次の工程を進行する上で要求される温度に冷却される。支持軸２２は、円筒形状に提供され、サセプタ１２１の下部でサセプタ１２１を支持する。
【００３７】
密閉カバー１３０は、ハウジング１１０の上部に位置し、ハウジング１１０の開放された上部を密閉する。密閉カバー１３０の上端には、プラズマ生成部３００が結合する。密閉カバー１３０には、流入口１３１と誘導空間１３２とが設けられている。流入口１３１は、密閉カバー１３０の上端に形成され、プラズマ生成部３００で生成されたプラズマが流入する通路を提供する。誘導空間１３２は、流入口１３１の下部に位置し、流入口１３１から流入したプラズマがバッフル１４０へ提供される通路を提供する。誘導空間１３２は、逆さにした漏斗（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｆｕｎｎｅｌ）形状に提供され得る。プラズマは、誘導空間１３２を通過し、拡散される。
【００３８】
バッフル１４０は、密閉カバー１３０とサセプタ１２１との間に位置する。バッフル１４０は、誘導空間１３２から供給されたプラズマを濾過（フィルタリング）する。プラズマは、自由ラジカル（ｆｒｅｅ  ｒａｄｉｃａｌｓ）とイオン（ｉｏｎｓ）とを含む。自由ラジカルは、不十分な結合（ｉｎｃｏｍｐｌｅｔｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）を有し、電気的に中性を示す。自由ラジカルは、反応性が非常に大きくて基板Ｗ上の物質と主に化学作用を通じて処理を実施する。反面、イオンは電荷を帯びるので、電位差にしたがって一定な方向に加速される。加速されたイオンは、基板Ｗ上の物質と物理的に衝突して基板処理を実施する。そのため、アッシング工程でイオンは、フォトレジスト膜のみでなく、基板パターンと衝突しうる。イオンの衝突は、基板パターンを損傷させ得る。また、イオンの衝突は、パターンの電荷量を変動させ得る。パターンの電荷量変動は、後続工程に影響を及ぼす。このように、イオンが基板Ｗへ直接供給される場合、イオンは工程処理に影響を及ぼす。バッフル１４０は、上述したイオンによる問題を解決するために接地される。バッフル１４０の接地は、プラズマの中で自由ラジカルを基板Ｗへ移動させ、イオンの移動を遮断する。
【００３９】
図２は図１のバッフルを示す平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【００４０】
図１乃至図３を参照すれば、バッフル１４０は、ベース１４１、締結部１４５、及びリブ部１４８を含む。ベース１４１は、薄い円板形状に提供される。ベース１４１は、中心領域の厚さが縁領域よりも厚く提供される。ベース１４１は、中心領域から縁領域に向かって徐々に厚さが薄くなる。ベース１４１の中心領域は、流入口１３１に対向して流入口１３１の下部に位置される。ベース１４１の上面１４１ａは曲面として提供される。ベースの上面１４１ａは、中心領域が上向きに膨らむように突出し得る。ベースの上面１４１ａは、縁領域から中心領域に向かって徐々に高さが高くなる。ベースの上面１４１ａは、ベース１４１の中心を基準として点対称に設けられる。ベースの底面１４１ｂは、上面１４１ａとは異なり、平面状に提供される。これによって、ベースの上面１４１ａは底面１４１ｂより広い面積を有する。ベース１４１は、プラズマの温度によって加熱される。ベース１４１は、領域において不均一に加熱される。ベース１４１の上面１４１ａは誘導空間１３２に対向するので、ベースの底面１４１ｂよりも高い温度に加熱される。そして、ベース１４１の中心領域は、流入口１３１の直下に位置するので、ベース１４１の縁領域よりも多い量のプラズマが供給される。これによって、ベース１４１の中心領域は縁領域よりも高い温度に加熱される。このように、ベースの上面１４１ａ中心領域は他の領域に比べて高い温度に加熱されるので、熱応力による変形を受け易い。しかし、本実施形態のベース１４１は、中心領域が縁領域よりも厚さが厚いので、熱応力による中心領域の変形が緩和され得る。具体的には、ベース１４１の中心領域は、縁領域に比べて上面と底面との温度偏差が大きく発生するが、中心領域の厚さは縁領域よりも厚いので、単位厚さ当たりの温度偏差が小さい。そして、ベースの上面１４１ａは中心領域から縁領域に向かってその高さが徐々に低くなるので、温度偏差による熱応力が緩く発生する。また、ベースの上面１４１ａは膨らんでいる曲面で、平面に比べて面積が広いので、プラズマから伝達された熱が広い面積に分散される。上述した要因によって、ベース１４１で発生する熱応力は分散されてベース１４１の熱変形が緩和され得る。
【００４１】
ベース１４１には噴射ホール１４２が形成される。噴射ホール１４２は、ベース１４１の上面１４１ａから底面１４１ｂへ延長される貫通ホールとして提供される。噴射ホール１４２は、自由ラジカルが移動する通路として提供される。噴射ホール１４２は、ベース１４１の全体領域に複数個形成される。噴射ホール１４２は、複数の第１噴射ホール１４２ａと複数の第２噴射ホール１４２ｂとに区分され得る。第１噴射ホール１４２ａは、ベース１４１の中心領域に形成され、第２噴射ホール１４２ｂはベース１４１の縁領域に形成される。第２噴射ホール１４２ｂは、第１噴射ホール１４２ａよりも大きい半径を有することができる。そして、第２噴射ホール１４２ｂ間の間隔は、第１噴射ホール１４２ａ間の間隔よりも大きくなり得る。第１噴射ホール１４２ａの流路は、第２噴射ホール１４２ｂの流路より長い。
【００４２】
ベース１４１の上面には締結部１４５が形成される。締結部１４５は、ベース１４１の縁領域から上向きに突出する。締結部１４５は、リング形状に提供される。締結部１４５の上端は、ベースの上面１４１ａの中心領域より高い位置にある。締結部１４５には締結ホール１４６が形成される。締結ホール１４６にはボルト（図示せず）が挿入される。上記ボルトは、締結部１４５と密閉カバー１３０とを結合させる。締結部１４５の上面は、密閉カバー１３０の底面に接触する。締結部１４５は、プラズマ生成部３００とベース１４１との間の距離を離隔させる。ベース１４１が密閉カバー１３０に直接に結合される場合、上向きに膨らんでいるベース１４１の上面はプラズマ生成部３００との距離が近くなるので、熱源による影響を大きく受ける。これによって、ベース１４１は熱変形を受け易くなり得る。締結部１４５は、ベース１４１が密閉カバー１３０に直接結合される場合よりも、ベース１４１とプラズマ生成部３００との間の距離を所定間隔だけさらに離隔させるので、ベース１４１の熱による影響を減少できる。
【００４３】
締結部１４５の上端にはリブ部１４８が形成される。リブ部１４８は、締結部１４５の上端からベース１４１の中心領域に向かって突出する。リブ部１４８は、ベース１４１の底面に対して略平行に突出する。図２に示すように、ベース１４１を上部から見る時、リブ部１４８はベース１４１の縁領域の一部と重畳する。リブ部１４８と重畳するベース１４１領域には噴射ホール１４２は形成されない。リブ部１４８の底面とベースの上面１４１ａとは所定間隔に離隔される。リブ部１４８の底面と締結部１４５の内側面とは互に連結され、連結される領域はラウンド（丸みを帯びた形状）になる。そして、締結部１４５の内側面とベース１４２の上面とは互に連結され、連結される領域はラウンドになる。リブ部１４８とベース１４１との間の空間１４９は、プラズマの渦流を発生させる空間として提供される。図４Ａに示すように、ベース１４１の上面１４１ａに沿って縁領域へ流れるプラズマＰは締結部１４５の内側面とリブ部１４８の底面とに沿って回転される。プラズマＰが回転される過程で、プラズマＰに含有されたパーティクル等は噴射ホール１４２が形成されないベース１４１領域に落ちる。図４Ｂに示すようにバッフル１４０にリブ部１４８が形成されない場合、ベースの上面１４１ａに沿って流れるプラズマＰは、ベース１４１と密閉カバー１３０との間の空間で渦流を発生させる。締結部１４５と密閉カバー１３０の内側面、そして密閉カバー１３０の底面に沿って発生する渦流は、図４Ａの渦流よりも相対的に大きく発生し、噴射ホール１４２が形成されたベース１４１領域の上部で形成する。これによって、プラズマＰに含有されたパーティクルは、プラズマＰの下降気流と共に下に落ち、噴射ホール１４２を通過して基板Ｗに提供され得る。一方、本実施形態では、プラズマＰの渦流が発生する空間１４９が別に提供され、渦流が形成される空間１４９の下部には噴射ホール１４２形成されないので、渦流によって基板にパーティクルが供給されることを予防できる。また、ベース１４１の上面と締結部１４５の内側面が連結される領域及び締結部１４５の内側面とリブ部１４８の底面が連結される領域がラウンドになるので、リブ部１４８とベース１４１との間の空間１４９で渦流が容易に発生され得る。
【００４４】
リブ部１４８の先端部は、ラウンドになった曲面として提供される。プラズマに直接曝露されるリブ部１４８の先端部が角をなすように提供される場合、プラズマに含まれたイオンが先端部に集中されてアークを発生させうる。発生したアークは、リブ部１４８を損傷させ、パーティクルを発生させうる。本実施形態のリブ部１４８は、先端部が曲面として提供されることによってアーク発生を最小化できる。
【００４５】
再び図１を参照すれば、プラズマ生成部３００は、密閉カバー１３０の上部に位置する。プラズマ生成部３００は、プラズマを生成して密閉カバー１３０の流入口１３１へプラズマを供給する。プラズマ生成部３００は、プラズマソース部３１０、ガス供給管３２０、マグネトロン３３０、及び導波管３４０を含む。
【００４６】
プラズマソース部３１０は、密閉カバー１３０と結合する。プラズマソース部３１０の内部では、ガス供給管３２０から供給された反応ガスとマグネトロン３３０から供給されたマイクロ波とによってプラズマが生成される。プラズマソース部３１０で生成されたプラズマは、密閉カバー１３０の流入口１３１へ提供される。ガス供給管３２０は、ガス貯蔵部（図示せず）とプラズマソース部３１０とを連結し、ガス貯蔵部に貯蔵された反応ガスをプラズマソース部３１０へ供給する。マグネトロン３３０は、プラズマソース部３１０に設置され、プラズマを生成するためのマイクロ波（ｍｉｃｒｏｗａｖｅ）を発生させる。導波管３４０は、マグネトロン３３０とプラズマソース部３１０とを連結し、マグネトロン３３０で生成されたマイクロ波をプラズマソース部３１０へ誘導する。
【００４７】
図５Ａは図１の基板処理装置でプラズマがバッフルに供給される形態を示す図面である。
【００４８】
図５Ａを参照すれば、流入口１３１へ流入したプラズマＰは、ベース１４１へ供給される。流入口１３１は、ベース１４１の中心領域上部に位置するので、大部分のプラズマＰはベース１４１の中心領域へ供給される。供給されたプラズマＰは、ベース１４１の上面１４１ａに沿ってベース１４１の中心領域から縁領域に移動する。ベース１４１の上面１４１ａは、中心領域が膨らむように形成されるので、プラズマＰは容易にベース１４１の上面１４１ａに沿って移動し得る。また、ベース１４１の上面１４１ａは、流線型の曲面として提供されるので、プラズマＰはベース１４１との衝突による跳ね返り（ｂｏｕｎｃｉｎｇ）が大きく発生しない。これによって、ベース１４１と密閉カバー１３１との間の空間でプラズマＰの渦流発生が最小化になり得る。また、プラズマＰは、ベース１４１の上面１４１ａに沿ってベース１４１の縁領域に移動されるので、プラズマＰがベース１４１の上部の全体領域へ均一に供給され得る。供給されたプラズマＰは、噴射ホール１４２を通過して均一に基板へ供給される。
【００４９】
図５Ｂは上面が平らに提供されたバッフルにプラズマが供給される形態を示す図面である。
【００５０】
図５Ｂを参照すれば、上述した図５Ａと異なり、ベース１４１の上面１４１ａはプラズマＰの下降気流に対して概ね垂直に配置される。これによって、ベース１４１の上面１４１ａと衝突するプラズマＰは、跳ね返りが大きく発生し、跳ね返えされたプラズマの大部分は、ベース１４１の中心領域の上部で渦流を形成する。生成された渦流は、プラズマＰがベース１４１の縁領域に移動することを制限する。これによって、ベース１４１の縁領域に形成された噴射ホール１４２ｂを通過するプラズマＰの流量とベース１４１の中心領域に形成された噴射ホール１４２ａを通過するプラズマＰ流量とに差異が発生し、基板の各領域においてプラズマＰが不均一に供給される。
【００５１】
図６は、本発明の他の実施形態によるバッフルを示す断面図である。図６を参照すれば、ベース１４１は、中心領域が縁領域よりも厚く提供される。ベース１４１の上面は、中心領域１４１ａが上向きに膨らむように提供される。ベース１４１の上面の中心領域１４１ａは、曲面として提供される。曲面で提供される中心領域１４１ａは、概ね密閉カバー（図１の１３０）の流入口（図１の１３１）に対応し得る。ベース１４１の上面縁領域１４１ｂは、平面状に提供される。流入口１３１を通じて流入されたプラズマは、ベース１４１の上面に沿って中心領域から縁領域に移動する。
【００５２】
図７は、本発明の他の実施形態によるバッフルを示す断面図である。図７を参照すれば、ベース１４１は中心領域が縁領域よりも厚く提供される。ベース１４１の厚さは、中心領域から縁領域に向かって徐々に薄くなる。ベース１４１の上面１４１ａは、上向きに膨らむように提供される。ベース１４１の底面１４１ｂは、下向きに膨らむように提供される。ベースの上面１４１ａと底面１４１ｂとは、流線型の曲面に提供され得る。ベース１４１に供給されたプラズマは、ベースの上面１４１ａに沿って中心領域から縁領域へ移動する。
【００５３】
図８は本発明の他の実施形態によるバッフルの一部を示す斜視図であり、図９は図８のバッフルを利用してプラズマを供給する形態を示す図面である。図８及び図９を参照すれば、ベース１４１と締結部１４５が連結される連結領域には、排気ホール１５１が形成されている。排気ホール１５１は、締結部１４５の内側面から外側面へ下方に向って傾斜して設けられた貫通ホールとして提供される。排気ホール１５１は、ベース１４１の中心領域から縁領域へベースの上面１４１ａが傾いた方向に傾斜になり得る。また、排気ホール１５１の傾斜角とベース上面１４１ａの傾斜角とは、所定角度を成し得る。排気ホール１５１は、ベースの上面１４１ａと締結部１４５の内側面とによって形成されるバッフル１４０の内部空間とバッフル１４０の下部空間とを連結する。排気ホール１５１は、連結領域の円周方向に沿って互に離隔して複数個形成され、所定の長さを有するスリット形状を有する。排気ホール１５１は、バッフル１４０に提供されたプラズマに含まれたパーティクルがバッフル１４０の外側の下部領域へ排出される通路として提供される。バッフル１４０へ供給されたプラズマは、ベースの上面１４１ａに沿って下方に向う傾斜をベース１４１の縁領域に移動し、ベース１４１の縁領域の上部で渦流を形成する。渦流は、プラズマをベース１４１の中心領域の上部へ再供給する。渦流が形成される過程でプラズマの一部及びそれに含まれたパーティクルは排気ホール１５１に沿ってバッフル１４０の外側の下部領域へ排出される。これによって、ベース１４１の中心領域に再供給されるプラズマに含まれたパーティクル量が減少され得る。また、バッフル１４０の外側の下部領域はサセプタ１２１の外側領域に位置しているので、排気ホール１５１を通じて排出されたパーティクルは基板Ｗに直接落ちることはなく、チャンバー１１０の内側面とサセプタ１１２の外側面との間の空間に落ちる。したがって、パーティクルが基板Ｗに直接提供されることを防止できる。また、図示していないが、締結部１４５の上端には図３に図示されたリブ部１４８が形成され得る。
【００５４】
上述した実施形態ではプラズマを利用するアッシング処理を例示して説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、プラズマを利用する多様な工程処理、例えばエッチング工程と蒸着工程等にも適用され得る。
【００５５】
以上の説明では、本発明の技術思想を例示的に説明したに過ぎない。したがって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特徴で逸脱しない範囲内で多様な修正及び変形ができる。したがって、本発明に開示された実施形態は、本発明の技術思想を限定するのではなく単なる説明するためのものであり、このような実施形態によって本発明の技術思想の範囲は限定されない。本発明の保護範囲は下の請求の範囲によって解釈されなければならないし、それと同等な範囲内にある全て技術思想は本発明の権利範囲に含まれることとして解釈されなければならない。
【符号の説明】
【００５６】
１０００  基板処理装置、
１００  工程処理部、
１１０  ハウジング、
１２０  基板支持部材、
１３０  密閉カバー、
１４０  バッフル、
２００  排気部、
３００  プラズマ発生部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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