(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ、２つ又は３つのエステル官能基、又はラクトン官能基を含有するＣ３−Ｃ７０基質の、分子状Ｈ２を使用する、対応するアルコール、又はジオールへの水素化による還元方法であって、前記方法は、塩基の存在下で及び一般式
【化１】
0005460328.tif 000024
［式中、ｎは０、１又は２を表し；
Ｓは中性Ｃ１−Ｃ２６の中性一座配位子を表し；
ＰＰは、式
【化２】
0005460328.tif 000025
［式中、Ｒ１０及びＲ１１は、別々に解釈する場合に、同時に又は独立して、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ５アルキル基、場合により置換されたＣ６〜Ｃ１０芳香族基を表し；
Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、別々に解釈する場合に、同時に又は独立して、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ５アルキル又はアルコキシ基、場合により置換されたフェニル基を表し；
２つのＲ１３、又はＲ１２及びＲ１３は、同じフェニル基に結合され、一緒になって場合により置換された環を形成することができ、該環は５個、６個又は７個の原子を有し且つ上記Ｒ１３及び／又はＲ１２基が結合された炭素原子を含み；Ｒ１０〜Ｒ１４の可能な置換基は、１種又は２種のハロゲン、ＣＦ３基又はＣ１〜Ｃ５アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ＣＯＯＲｄ、ＮＲｄ２又はＲｄ基であり、その際、ＲｄはＣ１〜Ｃ４アルキル、又はＣ５−６シクロアルキル、アラルキル又は芳香族基であり、これらの基もまた場合により上で定義された通りに置換される］
によって表され；
ＮＮは、式
【化３】
0005460328.tif 000026
［式中、Ｒ２９は、場合により置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基又はフェニル基を表し、且つＲ３０は水素原子又はＲ２９基を表す］
の化合物の１つであり、；且つ
Ｙはそれぞれ、同時に又は独立して、水素もしくはハロゲン原子、ＢＨ４もしくはＡｌＨ４基、ヒドロキシル基、又はＣ１−Ｃ６アルコキシもしくはカルボン酸基を表す］
の少なくとも１種の触媒又は前駆触媒の存在下で実施することを特徴とする、水素化による還元方法。
【請求項２】
一般式
【化４】
0005460328.tif 000027
［式中、ＰＰ、ＮＮ及びＹは請求項１に規定されている］
の触媒又は前駆触媒を特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ＰＰ配位子が以下の部分−  以下の式のα，α’−ビス（ナフタレン）−β，β’−ジホスフィン
【化５】
0005460328.tif 000028
−  又は以下の式のα，α’−ビス（ベンゼン）−β，β’−ジホスフィン
【化６】
0005460328.tif 000029
［式中、Ａｒはそれぞれ場合により１種又は２種のハロゲンによって置換されたＣ６〜Ｃ１０芳香族基、ＣＦ３基又はＣ１〜Ｃ５アルコキシ又はポリアルキレングリコール基、ＣＯＯＲｄ、ＮＲｄ２又はＲｄ基を表し、その際、ＲｄはＣ１〜Ｃ４アルキル、又はＣ５−６シクロアルキル、アラルキル又は芳香族基である］
の１つを含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記配位子ＰＰ又はＮＮのいずれか１つ又は２つが光学的に活性な形であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記塩基がアルカリ金属又はアルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属又はアルカリ土類金属水酸化物、Ｃ１−１０アミド化物、Ｃ１０−２６ホスファゼン、及び式（Ｒ３１Ｏ）２Ｍ又はＲ３１ＯＭ’のアルコラートからなる群で選択され、その際、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｍ’はアルカリ金属又はアンモニウムＮＲ３２４＋であり、Ｒ３１は水素又はＣ１〜Ｃ６の線状又は分枝鎖状アルキル基を表し、Ｒ３２はＣ１〜Ｃ１０の線状又は分枝鎖状アルキル基を表すことを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本発明は接触水素化の分野に関し、更に詳細には、エステル又はラクトンを対応するアルコール又はジオールへそれぞれ還元するための水素化方法における、二座のＰＰ及びＮＮ配位子を有する特定のキラルＲｕ錯体の使用に関する。
【０００２】
従来技術
エステル官能基の対応するアルコールへの還元は、有機化学における基本的な反応の１つであり、多くの化学的方法で使用される。一般的に、２つの主なタイプの方法は係る変換を達成することで知られている。係るタイプの方法は以下の：
ａ）シリル又は金属水素化物塩、例えば、ＬｉＡｌＨ４を使用する、水素化物方法；
ｂ）分子状の水素を使用する、水素化方法
である。
【０００３】
実用的な観点から、水素化方法は、少量の触媒（典型的には基質に対して１０〜１０００ｐｐｍ）を用いて且つ少量の溶媒の存在下で又は溶媒のない下で実施することができるため、より魅力的である。更に、水素化方法は、高反応性の且つ高価な水素化物の使用を必要とせず、大量の廃液を生じさせない。
【０００４】
水素化方法の必須の且つ特徴的な要素の１つは、還元の観点で分子状水素を活性化するために使用される、触媒又は触媒的システムである。エステル官能基の水素化のための有用な触媒又は触媒システムの開発は、未だに化学では重要な、困難なそして予測不能な課題である。
【０００５】
このような還元を実施することで知られた数少ない触媒又は触媒システムの中で、酸化ルテニウム又はカルボキシレート前駆体とモノ−、ジ−又はトリ−ホスフィン配位子（この例はElsevierらによってChem. Commun., 1998, 1367に記載された）との反応によって得られた、ルテニウム／ホスフィン錯体が挙げられる。この型の錯体において、ルテニウム金属は「acac」配位子とホスフィン原子だけで配位結合され、従って、配位子構造と金属中心周りの配位圏の多様性を制限する。このような多様性がほとんどない結果、活性の調整と水素化方法の実施の調整は簡単ではない。更に、実験条件は非常に高い圧力（少なくとも７０〜１３０バール）と温度（１２０〜１８０℃）を必要する。
【０００６】
しかしながら、水素化方法のために、代替の触媒又は前駆触媒を使用して、従って配位子構造及び金属中心周りの配位圏においてより高度な多様性を有することが未だ要求され、また実験条件及び実施可能な反応のタイプにおいて多様性をより高度にし且つできる限り簡単にすることが要求されている。
【０００７】
発明の説明
前述の問題を克服するために、本発明は、１つ、２つ又は３つのエステル官能基、又はラクトン官能基を含有するＣ３−Ｃ７０置換基の、分子状Ｈ２を使用する、対応するアルコール、又はジオールへの水素化による還元方法であって、上記方法は、塩基の存在下で及びルテニウム錯体の形の少なくとも１種の触媒又は前駆触媒の存在下で実施され、その際、該ルテニウムは（配位している窒素原子に対して）少なくとも１つの置換されたα−炭素を含むジホスフィン二座配位子（ＰＰ配位子）及びジアミノ二座配位子（ＮＮ配位子）によって配位されていることを特徴とする、水素化による還元方法に関する。
【０００８】
本発明の特定の実施態様によれば、基質は式（Ｉ）
【化１】
0005460328.tif 000002
（式中、Ｒａ及びＲｂは、同時に又は独立して、線状、分枝鎖状又は環状のＣ１−Ｃ３０芳香族、アルキル又はアルケニル基を表し、場合により置換され；又は
Ｒａ及びＲｂは一緒に結合されてＣ３−Ｃ２０、有利にはＣ４−Ｃ２０の、飽和又は不飽和基を形成し、場合により置換される）
の化合物であってよい。
【０００９】
上記基質（Ｉ）の、対応するアルコール（即ち（ＩＩ−ａ）及び（ＩＩ−ｂ））、又は対応するジオール（ＩＩ’）は、式
【化２】
0005460328.tif 000003
（式中、Ｒａ及びＲｂは式（Ｉ）で定義されている）
のものである。
【００１０】
式（ＩＩ）の化合物（即ち、ＩＩ−ａ又はＩＩ−ｂ）は、Ｒａ及びＲｂが一緒に結合されていない場合に得られるが、式（ＩＩ’）の化合物は、Ｒａ及びＲｂが一緒に結合される場合に得られる。
【００１１】
「線状、分枝鎖状又は環状の芳香族、アルキル又はアルケニル基」とは、上記Ｒａ又はＲｂが、例えば、線状アルキル基の形であってよいか又は上記型の基の混合物の形であってもよく、例えば、１つの型のみに対する特定の制限が記載されていない限り、特定のＲａが線状アルキル、分枝鎖状アルケニル、（ポリ）環状アルキル及びアリール部を含み得ることを意味すると解される。同様に、本発明の以下の全ての実施態様において、ある基が２以上の型のトポロジー（例えば、線状、環状又は分枝鎖状）及び／又は不飽和（例えば、アルキル、芳香族又はアルケニル）の形であると記載されている場合、上で説明されたように、ある基は上記トポロジー又は不飽和のいずれか１つを有する部を含み得ることをも意味する。
【００１２】
本発明の方法の特定の実施態様はスキーム１に示される：
【化３】
0005460328.tif 000004
【００１３】
本発明の更なる実施態様によれば、基質はエステル、又はラクトンであり、これらはアルコール、又はジオールを与え、これは最終生成物又は中間体として製薬産業、農薬産業又は香水産業において有用である。特に有利な基質はエステル、又はラクトンであり、これらはアルコール、又はジオールを与え、これは最終生成物又は中間体として香水産業において有用である。
【００１４】
本発明の別の実施態様によれば、基質は式（Ｉ）のＣ５−Ｃ３０化合物であり、特に、Ｒａ及びＲｂが同時に又は独立して、場合により置換された、線状、分枝鎖状又は環状のＣ１−Ｃ３０芳香族又はアルキル基を表す化合物；又はＲａ及びＲｂが一緒に結合されて、場合により置換された、Ｃ４−Ｃ２０飽和又は不飽和の線状、分枝鎖状、モノ−、ジ−又はトリ−環状基を形成する化合物が挙げられる。
【００１５】
本発明の更なる実施態様によれば、基質は式（Ｉ）のＣ５−Ｃ２０化合物であり、その際、Ｒａ及びＲｂは同時に又は独立して、場合により置換された、線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ５−Ｃ１８芳香族もしくはアルキル基、又は場合により置換された、環状のＣ５−Ｃ１８アルケニル基を表すか；又はＲａ及びＲｂは一緒に結合されて、場合により置換された、Ｃ４−Ｃ２０飽和又は不飽和の線状、分枝鎖状、モノ−、ジ−又はトリ−環状基を形成する。
【００１６】
Ｒａ及びＲｂの可能な置換基は、１個、２個又は３個のハロゲン、ＯＲｃ、ＮＲｃ２又はＲｃ基であり、ここでＲｃは水素原子、ハロゲン化Ｃ１〜Ｃ２基又はＣ１〜Ｃ１０の環状、線状又は分枝鎖状のアルキルもしくはアルケニル基、有利にはＣ１〜Ｃ４の線状又は分枝鎖状のアルキルもしくはアルケニル基である。他の可能な置換基として、基ＣＯＯＲｃも挙げられ、該基もまた、当業者に公知である通り、使用されるＨ２のモル量に従って、本発明の方法の間に対応するアルコールに還元することができる。
【００１７】
基質の非制限の例は、アルキルシンナメート、ソルビン酸塩又はサリチル酸塩、天然の酸（脂肪酸又は非脂肪酸）のアルキルエステル、スクラレオリド、スピロラクトン、アリルエステル、ジアルキルジエステル、（不）飽和安息香酸エステル、及びβ−γ不飽和エステルである。特に、基質は、スクラレオリド、Ｃ９−Ｃ１５スピロラクトン及び４−メチル−６−（２，６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−ヘキセン酸のＣ１−Ｃ４アルキルエステルからなる群から選択することができる。また１，４−ジカルボン酸−シクロヘキサンのジアルキルエステル、Ｃ２−１０アルカンジイル−ジカルボキシレートのジＣ１−５アルキルエステル、Ｃ１−５アルキルシクロプロパンカルボキシレート、モノ−、ジ−又はトリ−メトキシ安息香酸エステルが挙げられる。
【００１８】
本発明の特定の実施態様によれば、基質（Ｉ）はラセミ化合物又は場合により活性化合物である。実際、このような場合、本発明の錯体が、場合により活性形である少なくとも１つの配位子を含み得るという事実のために、係る基質の１つの特定のエナンチオマーを選択的に又は優先的に水素化することが可能である（基質の速度論的分割）。
【００１９】
本発明の方法は、上述のルテニウム錯体の、触媒又は前駆触媒（以下、特段の記載のない限り錯体と称する）としての使用によって特徴付けられる。この錯体は、イオン又は中性種の形で存在できる。
【００２０】
本発明の実施態様によれば、ルテニウム錯体は一般式
【化４】
0005460328.tif 000005
［式中、ｎは０、１又は２を表し；
Ｓは中性Ｃ１−Ｃ２６の中性一座配位子を表し；
ＰＰはＣ６−Ｃ６０二座配位子を表し、その際、配位している基は２つのホスフィノ基であり；
ＮＮはＣ３−Ｃ４０二座配位子を表し、その際、配位している基は２つのアミノ基であり、少なくとも１つの上記アミノ基は第一級アミン（即ち、ＮＨ２）であり、上記配位子は少なくとも１つの置換されたα−炭素を含み；且つ
Ｙはそれぞれ、同時に又は独立して、水素又はハロゲン原子、ＢＨ４又はＡｌＨ４基、ヒドロキシル基、又はＣ１−Ｃ６アルコキシ又はカルボン酸基を表す］
のものである。
【００２１】
「少なくとも１つの置換されたα−炭素を含む上記配位子」という表現は、配位子ＮＮについて述べており、これは上記アミノ基の１つが結合された少なくとも１つの炭素原子（α−炭素）がＣＨ３−又は−ＣＨ２−基ではない配位子を意味する。優先的に、上記α−炭素は、配位しているＮＨ２基が結合されたものである。
【００２２】
触媒又は前駆触媒はまた、例えば、ポリマーに結合された、担持された形であってもよい。
【００２３】
一座配位子は、ＰＰｈ３のようなホスフィン、ＣＯ又は更に溶媒であってよい。「溶媒」という用語は、当技術分野における通常の意味であり、特に、錯体の調製中に又は本発明の方法の間に希釈剤として使用される化合物であると解されなければならない。係る溶媒の非制限の例は、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、アルコール（例えば、Ｃ１−Ｃ４アルコール）、又は更にＴＨＦ、アセトン、ピリジン又はＣ３−Ｃ８エステル又は本発明の方法の基質である。
【００２４】
本発明の特定の実施態様において、上記ＮＮ又はＰＰ配位子はＣ３−Ｃ４０化合物であってよい。
【００２５】
本発明の特定の実施態様において、式（１）において、Ｙはそれぞれ、同時に又は独立して、水素又は塩素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ又はイソプロポキシ基、又はＣ１〜Ｃ６アシルオキシ基、例えば、ＣＦ３ＣＯＯ又はＣＨ３ＣＯＯ又はＣＨ３ＣＨ２ＣＯＯ基を表す。更に有利には、Ｙはそれぞれ、同時に又は独立して、水素又は塩素原子、メトキシ、エトキシ又はイソプロポキシ基、又はＣＨ３ＣＯＯ又はＣＨ３ＣＨ２ＣＯＯ基を表す。
【００２６】
本発明の特定の実施態様によれば、式
【化５】
0005460328.tif 000006
［式中、ＰＰ、ＮＮ及びＹは上述の意味を有する］
の化合物は錯体として使用できる。
【００２７】
上述のいずれか１つの実施態様によれば、二座ＰＰ配位子は場合により式
【化６】
0005460328.tif 000007
［式中、Ｒ１及びＲ２は、別々である場合に、同時に又は独立して、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１−Ｃ８アルキル又はアルケニル基、場合により置換されたＣ６〜Ｃ１０芳香族基、又はＯＲ３もしくはＮＲ３Ｒ４基を表し、Ｒ３及びＲ４はＣ１〜Ｃ８アルキル又はアルケニル基であり；基Ｒ１及びＲ２は、同じＰ原子に結合され、一緒になる場合に、５〜１０個の原子を有し且つ上記Ｒ２及びＲ１が結合されたリン原子を含む、場合により置換された飽和又は不飽和の環を形成してよく；且つ
Ｑは：
−  式
【化７】
0005460328.tif 000008
（式中、ｍは１から５までの整数であり、そして
Ｒ５及びＲ６は、同時に又は独立して、水素原子、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ１０アルキルもしくはアルケニル基、場合により置換されたＣ６〜Ｃ１０芳香族基、又はＯＲ７もしくはＮＲ７Ｒ８基を表し、Ｒ７及びＲ８は線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ１０アルキルもしくはアルケニル基であり；２つの別個のＲ６及び／又はＲ５基は、一緒になって、上記Ｒ６又はＲ５基がそれぞれ結合された炭素原子を含む、場合により置換されたＣ５〜Ｃ８、又は更にＣ１０までの飽和環を形成してよい）の基；又は
−  式
【化８】
0005460328.tif 000009
（式中、ｍは２から４までの整数であり、そして
２つの別個の隣接したＲ９基は、一緒になって、上記Ｒ９基がそれぞれ結合された炭素原子を含む、場合により置換されたＣ５〜Ｃ８、又は更にＣ１０までの芳香環、又は場合により置換されたＣ５〜Ｃ１２メタロセンジイルを形成し；又は
３つの別個の隣接したＲ９基は、一緒になって、上記Ｒ９基がそれぞれ結合された炭素原子を含む、場合により置換されたナフタレン環を形成する）の基
を表す］の活性化合物である。
【００２８】
ある実施態様によれば、「芳香族基又は環」とは、フェニル又はナフチル誘導体を意味する。
【００２９】
本発明の別の実施態様によれば、Ｑは、場合により置換された線状Ｃ２−Ｃ５アルカンジイル基、場合により置換されたフェロセンジイル又は場合により置換されたビフェニルジイルもしくはビナフチルジイル基を表す。
【００３０】
Ｒ１〜Ｒ９及びＱの可能な置換基は、１種又は２種のハロゲン、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ハロ−又はパーハロ−炭化水素、ＣＯＯＲｄ、ＮＲｄ２、第四級アミン又はＲｄ基であり、その際、ＲｄはＣ１〜Ｃ６アルキル、又はＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル、アラルキル（例えば、ベンジル、フェネチル等）又は芳香族基であり、これらの基もまた場合により、１種、２種又は３種のハロゲン、スルホネート基又はＣ１〜Ｃ８アルキル、アルコキシ、アミノ、ニトロ、スルホネート、ハロ−又はパーハロ−炭化水素もしくはエステル基によって置換される。「ハロ−又はパーハロ−炭化水素」とは、例えば、ＣＦ３又はＣＣｌＨ２などの基を意味する。
【００３１】
式（３）の特定の実施態様において、ＰＰは二座配位子であり、その際、Ｒ１及びＲ２は、同時に又は独立して、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル基、場合により置換されたフェニル又はナフチル基を表し；基Ｒ１及びＲ２は、同じＰ原子に結合され、一緒になって、場合により置換された飽和又は不飽和環を形成し、これらの環は５個、６個又は７個の原子を有し且つ上記Ｒ１及びＲ２基が結合されたリン原子を含み；且つ
Ｑは：
−  式
【化９】
0005460328.tif 000010
（式中、ｍは１から３までの整数であり、そして
２つの別個の隣接したＲ９基は、一緒になって、場合により置換されたＣ５〜Ｃ１０芳香環又は場合により置換されたＣ５〜Ｃ１２フェロセンジイルを形成し、これらは上記Ｒ９基がそれぞれ結合された炭素原子を含み；又は
３つの別個の隣接したＲ９基は、一緒になって、場合により置換されたナフタレン環を形成し、該環は上記Ｒ９基がそれぞれ結合された炭素原子を含む）
の基を表す。
【００３２】
Ｒ１〜Ｒ９及びＱの可能な置換基は、特に上記基がフェニル基又は部であるか又はこれらを含む場合、１種又は２種のハロゲン、ＣＦ３基又はＣ１〜Ｃ５アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ＣＯＯＲｄ、ＮＲｄ２又はＲｄ基であり、その際、ＲｄはＣ１〜Ｃ４アルキル、又はＣ５−６シクロアルキル、アラルキル又は芳香族基であり、これらの基もまた場合により上で定義された通りに置換される。
【００３３】
更に、全ての上述の実施態様において、特に評価された実現の形態は、上記Ｒ１及びＲ２基が場合により置換された芳香族基である形態である。
【００３４】
化合物（１）は支持された形であってよい。典型的な支持体として、Advanced Synth.Catal. 2001, 343, 369のTakeshi Ohkumaらが挙げられる。例えば、上述の実施態様のＰＰ配位子において、Ｑ基は以下で定義される置換基ＯＲ１５を含んでよい。
【００３５】
式（３）の特定の実施態様は、式
【化１０】
0005460328.tif 000011
［式中、Ｒ１０及びＲ１１は、別々に解釈する場合に、同時に又は独立して、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ５アルキル基、場合により置換されたＣ６〜Ｃ１０芳香族基を表し；基Ｒ１０及びＲ１１は、同じＰ原子に結合され、一緒に解釈する場合に、場合により置換された飽和又は不飽和環を形成し、これらの環は５〜１０個の原子を有し且つ上記Ｒ１０及びＲ１１基が結合されたリン原子を含み；
Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、別々に解釈する場合に、同時に又は独立して、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ５アルキル又はアルコキシ基、場合により置換されたフェニル基を表し；上記Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４の１つは場合によりＯＲ１５基であり、Ｒ１５はＺ−Ｂ’−型の単位を表し、Ｂ’はポリマーＺと配位子を結合する基であり、該基は、有利には−（ＣＨ２）２−（Ｏ−Ｃ２Ｈ４）ｘ−又は−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ２）２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−（ＣＨ２）２−（Ｏ−Ｃ２Ｈ４）ｘ−（式中、ｘは約６０の整数である）、−Ｃ（Ｏ）−、−（ＣＨ２）Ｖ−又は−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ２）Ｖ−Ｃ（Ｏ）−（ｖは１から４までの整数である）の群の中から選択され、Ｚはシリカ、ポリスチレン、ポリアミド、Ｔｅｎｔａｇｅｌ(登録商標)型のポリスチレンの及びポリオキシエチレンのグラフトコポリマー、メリフィールド樹脂型の官能化ポリスチレン、アミノメチル化されたポリスチレン、又は［４−（ヒドロキシメチル）フェノキシメチル］ポリスチレン（"ワング樹脂"）の中から選択されるポリマー又はコポリマーであり；
２つのＲ１３、又はＲ１２及びＲ１３は、同じフェニル基に結合され、一緒になって場合により置換された環を形成することができ、該環は５個、６個又は７個の原子を有し且つ上記Ｒ１３及び／又はＲ１２基が結合された炭素原子を含み；少なくとも１つの上記環は場合により上で定義されたようにＯＲ１５基によって置換される］
によって表される。
【００３６】
Ｒ１０〜Ｒ１４の可能な置換基は、特に上記基がフェニル基又は部であるか又はこれらを含む場合、１種又は２種のハロゲン、ＣＦ３基又はＣ１〜Ｃ５アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ＣＯＯＲｄ、ＮＲｄ２又はＲｄ基であり、その際、ＲｄはＣ１〜Ｃ４アルキル、又はＣ５−６シクロアルキル、アラルキル又は芳香族基であり、これらの基もまた場合により上で定義された通りに置換される。
【００３７】
Ｚポリマー又はコポリマーは最先端の水準である。有利なものは「ワング」型の樹脂、いわゆる「Ｔｅｎｔａｇｅｌ」型のポリスチレン又は樹脂である。
【００３８】
本発明の更なる実施態様によれば、式（４）の錯体は式（５）（ＢＩＮＡＰ誘導体）
【化１１】
0005460328.tif 000012
［式中、Ａｒ’は場合により置換されたフェニル基を表し、Ｒ１６は水素原子又は上で定義されたＯＲ１５を表す］
のものである。任意の置換基はＲ１０について上で定義されたものであってよい。特に評価されたものは、Ｒ１６が水素原子を表す配位子（５）である。
【００３９】
本発明の特定の実施態様によれば、特に評価された配位子ＰＰは、式（３）のＣ１４−Ｃ４４誘導体であり且つ以下の部分：
−  以下の式のメタロセン−１，１’−ジホスフィン
【化１２】
0005460328.tif 000013
−  以下の式のα，α’−ビス（ナフタレン）−β，β’−ジホスフィン
【化１３】
0005460328.tif 000014
−  又は以下の式のα，α’−ビス（ベンゼン）−β，β’−ジホスフィン
【化１４】
0005460328.tif 000015
［式中、Ａｒはそれぞれ上でＲ１０について定義されたようにＣ６〜Ｃ１０芳香族基を表す］
の１つを含んでいる。
【００４０】
上述の実施態様のいずれか１つに従って、上記ＰＰ配位子は、配位原子として少なくとも１つのトリアリール−ホスフィノ基（即ち、ＰＡｒ３、その際、Ａｒは芳香族基を意味する）、アルキル−ジアリール−ホスフィノ基（即ち、Ｐ（ａｌｋ）Ａｒ２、その際、Ａｒは芳香族基を意味し、Ａｌｋは非芳香族基を意味する）又はジアルキル−アリール−ホスフィノ基（即ち、Ｐ（ａｌｋ）２Ａｒ、その際、Ａｒは芳香族基を意味し、Ａｌｋは非芳香族基を意味する）を更に含む。上記実施態様の更なる展開によれば、ＰＰ配位子の２つの配位しているホスフィノ基はトリアリール−ホスフィノ基である。
【００４１】
上述の実施態様のいずれか１つによれば、ＮＮ二座配位子は、少なくとも１つの置換されたα−炭素を含むラセミ化合物又は光学活性化合物である。上記ＮＮ配位子は、式
【化１５】
0005460328.tif 000016
［式中、点線は単結合又は二重結合を示すが、但しただ１つの点線が二重結合を示して良く；
ｂは０、１又は２を表し；
Ｒ２１は水素原子又はＲ２１’Ｒ２２ＣＨ基を表し、又は、点線が単結合を示す場合はＲ２１’Ｒ２２Ｃ＝基をも表し；
点線を有する炭素−窒素結合がそれぞれ単結合又は二重結合を表す時、ｃは０又は１であり；且つ
Ｒ２１’、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＲ２５は、同時に又は独立して、水素原子、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ１０アルキル基又はアルケニル基、場合により置換されたＣ６〜Ｃ１０芳香族基を表し；Ｒ２１’及びＲ２４は一緒になって、場合により置換され且つ場合により１つ又は２つの追加の窒素又は酸素原子を含有する、飽和又は不飽和複素環を形成して良く、これらの環は５〜１０個の原子を含有し且つ上記Ｒ２１’又はＲ２４が結合された炭素原子及びＮ原子（例えば、ピリジン環又は２−ピロリジン、２−ピペリジン又は２−モルホリン）を含み；Ｒ２３及びＲ２４、又はＲ２４及びＲ２５は、一緒になる場合に、場合により置換された飽和又は不飽和環を形成し、これらの環は５〜１２個の原子を有し且つ上記Ｒ２３、Ｒ２４、又はＲ２５基が結合された炭素原子を含むが；但し少なくとも１つの上記Ｒ２３又はＲ２４基が水素原子ではないことを条件とし；
但し少なくとも１つのＲ２４又はＲ２２は水素原子ではなく、且つ少なくとも１つの配位しているアミノ基は第一級アミンである（即ち、ＮＨ２基又は少なくとも１つのＲ２１は水素原子である）］
のものであってよい。
【００４２】
ある実施態様によれば、「芳香族基又は環」とは、フェニル又はナフチル誘導体を意味する。
【００４３】
Ｒ２１’、Ｒ２１〜Ｒ２５の可能な置換基は、１種又は２種のハロゲン、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ハロ−又はパーハロ−炭化水素、ＣＯＯＲｅ、ＮＲｅ２、第四級アミン又はＲｅ基であり、その際、ＲｅはＣ１〜Ｃ６アルキル、又はＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル、アラルキル（例えば、ベンジル、フェネチル等）又は芳香族基であり、これらの基もまた、場合により１種、２種又は３種のハロゲン、スルホネート基又はＣ１〜Ｃ８アルキル、アルコキシ、アミノ、ニトロ、スルホネート、ハロ−又はパーハロ−炭化水素もしくはエステル基によって置換される。「ハロ−又はパーハロ−炭化水素」とは、例えば、ＣＦ３又はＣＣｌＨ２などの基を意味する。
【００４４】
上述の実施態様のいずれか１つによれば、Ｒ２１’、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４及びＲ２５は、同時に又は独立して、水素原子、場合により置換された線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１〜Ｃ５アルキル基又はアルケニル基、場合により置換されたフェニル基を表し；Ｒ２１’及びＲ２４は、一緒になって、場合により置換され且つ場合により１つ又は２つの追加の窒素又は酸素原子を含有する、飽和又は不飽和複素環を形成し、これらの環は５個又は６個の原子を含有し且つ上記Ｒ２１’又はＲ２４が結合された炭素原子及びＮ原子を含み；Ｒ２３及びＲ２４、又はＲ２４及びＲ２５は、一緒に解釈する場合に、場合により置換された飽和又は不飽和環を形成し、これらの環は５個又は６個の原子を有し且つ上記Ｒ２３、Ｒ２４又はＲ２５基が結合された炭素原子を含み；但し少なくとも１つの上記Ｒ２３又はＲ２４基が水素原子ではないことを条件とする。
【００４５】
あるいは、Ｒ２１’〜Ｒ２５の可能な置換基は、特に上記基がフェニル基又はフェニル部であるか又はこれらを含む場合、１種又は２種のハロゲン、ＣＦ３基又はＣ１〜Ｃ５アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ＣＯＯＲｅ、ＮＲｅ２又はＲｅ基であり、その際、ＲｅはＣ１〜Ｃ４アルキル、又はＣ５−６シクロアルキル、アラルキル又は芳香族基であり、これらの基もまた場合により上で定義された通りに置換される。
【００４６】
式（９）の更なる実施態様によれば、点線は単結合を表す。
【００４７】
上述の実施態様又はそれらの組み合わせのいずれか１つによれば、式（９）の特定の実施態様は、式
【化１６】
0005460328.tif 000017
［式中、ｄは０又は１を表し；且つ
Ｒ２６又はＲ２７はそれぞれ水素原子又は場合により置換された、線状、分枝鎖状もしくは環状のＣ１−Ｃ６アルキル基又はフェニル基を表し；２つのＲ２６、又は１つのＲ２６及び１つの隣接のＲ２７は、一緒になって、Ｃ３−Ｃ５アルカンジイル又はアルケンジイルを形成して良いが；
但し少なくとも１つのＲ２６は水素原子ではない］
によって表される。
【００４８】
Ｒ２７又はＲ２６の可能な置換基は、１種又は２種のハロゲン、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシもしくはポリアルキレングリコール基、ＣＯＯＲｅ、ＮＲｅ２又はＲｅ基であり、その際、ＲｅはＣ１〜Ｃ４アルキル、又はＣ５−６シクロアルキル、アラルキル又は芳香族基であり、これらの基もまた場合により上で定義された通りに置換される。
【００４９】
上述の実施態様又はそれらの組み合わせのいずれか１つによれば、式（１２）の特定の実施態様において、ＮＮ配位子は式
【化１７】
0005460328.tif 000018
［式中、Ｒ２９は、Ｒ２８について上で定義された通りに、場合により置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基又はフェニル基を表し、そしてＲ３０は水素原子又はＲ２９基を表す］
の１つであってよい。
【００５０】
上述の実施態様のいずれか１つによれば、ＮＮ配位子の２つの配位しているアミノ基は第一級アミノ基（即ち、ＮＨ２）であるか又は換言すれば式（９）の両方の点線は単結合を表し、両方のＲ２１はそれぞれ水素原子を表す。
【００５１】
更に、更なる実施態様によれば、ＮＮ配位子の２つの配位しているアミノ基は第一級アミノ基であり、２つのα−炭素は置換されている（例えば、式（９）において２つのＲ２４又は２つのＲ２３は水素原子ではない）。
【００５２】
本発明のいずれか１つの実施態様によれば、少なくとも１つの配位子は光学的に活性な形である。更なる実施態様によれば、ＮＮ配位子は光学的に活性な形である。別の実施態様によれば、ＰＰ配位子及びＮＮ配位子は共に光学的な形であってよい。
【００５３】
本発明において、「光学的に活性な形」とは、本明細書では純粋なエナンチオマー又は特定のエナンチオマーで富化されたエナンチオマーの混合物を意味し、言い換えれば、光学的に活性な形の基質、錯体又は配位子は、０を超えるｅ．ｅ．（エナンチオマー過剰）によって特徴付けられ、典型的には１０〜１００％又は更に５０〜１００％又は９０〜９９．９％含まれる。
【００５４】
上述の配位子は標準的な一般の方法を適用することによって得られ、この方法は現状水準において当業者に公知である。上記配位子ＮＮ又はＰＰの多くは更に商業的に入手可能である。
【００５５】
一般的に、式（１）の錯体は、文献（例えば、H . Doucetら、Angew.Chem.Int.Ed., 1998, 37, 1703.を参照のこと）に記載された一般的な方法による方法において、それらを使用する前に調製及び単離できる。
【００５６】
式（Ｉ）の錯体はまた、同様の式を有するか又はカチオンもしくはアニオンである錯体、例えば、Ｙが別の意味を有する錯体（１）からインサイチュで得られることも理解される。あるいは、式［Ｒｕ（ＰＰ）（アニオン）２］の錯体を使用することができ、これはＮＮ配位子の存在下で式（１）の化合物に転化される。式［Ｒｕ（ＮＮ）（アニオン）２］又は［Ｒｕ（ＮＮ）（アニオン）（アレーン）］（アニオン）の錯体を使用することも可能であり、これは配位子ＰＰの存在下で式（１）の化合物に転化される。
【００５７】
本発明の方法を実施するためには塩基の使用も必要である。上記塩基は、これが塩基性である場合、それ自体が基質になり得る。対応するアルコラート又は任意の塩基は優先的に１１を超えるｐＫａを有する。本発明の特定の実施態様によれば、上記塩基は１４を超えるｐＫａを有し得る。有利には上記塩基は式（Ｉ）の基質をそれ自体で還元しないことも理解される。非制限の例として以下の型の塩基が挙げられる：アルコラート、水酸化物、アルカリ性又はアルカリ土類炭酸塩、ホスファゼン、アミド、塩基性アロックス（ａｌｏｘ）、シリコネート（ｓｉｌｉｃｏｎａｔｅｓ）（即ち、ＳｉＯ−又はＳｉＲＯ−基を有するケイ素誘導体）、ＮａＢＨ４、ＮａＨ又はＫＨなどの水素化物。
【００５８】
非制限の例として、アルカリ金属又はアルカリ土類金属炭酸塩、例えば、炭酸セシウム、アルカリ金属又はアルカリ土類金属水酸化物、Ｃ１−１０アミド化物(amidure)、Ｃ１０−２６ホスファゼン又は式（Ｒ３１Ｏ）２Ｍ又はＲ３１ＯＭ’のアルコラートが挙げられ、その際、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｍ’はアルカリ金属又はアンモニウムＮＲ３２４＋であり、Ｒ３１は水素又はＣ１〜Ｃ６の線状又は分枝鎖状アルキル基を表し、Ｒ３２はＣ１〜Ｃ１０の線状又は分枝鎖状アルキル基、例えば、ナトリウムアルコラート又はカリウムアルコラートを表す。もちろん、他の好適な塩基は使用できる。
【００５９】
本発明の実施態様によれば、上記塩基は式Ｒ３１ＯＭ’のアルカリ性アルコラートである。
【００６０】
前述のように、本発明の方法は、ルテニウム錯体及び塩基を使用する基質の水素化で構成される。典型的な方法は、基質とルテニウム錯体、塩基及び場合により溶媒とを混合し、次いで選択された圧力及び温度で分子状水素により係る混合物を処理することを示唆する。
【００６１】
本発明の錯体、本方法の本質的なパラメーターは、広い範囲の濃度において反応媒体に添加することができる。非制限の例として、基質の量に対して、５０ｐｐｍから５００００ｐｐｍまでの範囲の値が錯体濃度値として挙げられる。有利には、錯体濃度は１００〜２００００ｐｐｍの間に含まれる。錯体の最適濃度は、当業者に公知のように、錯体の性質、基質の性質及び本方法の間に使用されるＨ２の圧力、並びに所望の反応時間に依存することは言うまでもない。
【００６２】
反応混合物に添加された、有用な量の塩基は、比較的広範囲で含まれてよい。非制限の例として、錯体に対して５〜５００００モル当量（例えば、塩基／錯体＝５〜５００００）、有利には２０〜２０００、更に一層有利には５０〜１０００モル当量の範囲が挙げられる。
【００６３】
水素化反応は溶媒の存在下で又は溶媒のない下で実施することができる。溶媒が実用上の理由のために必要とされる又は使用される時、任意の溶媒を現行の水素化反応において本発明の目的のために使用できる。非制限の例として、芳香族溶媒、例えば、トルエン又はキシレン、炭化水素溶媒、例えば、ヘキサン又はシクロヘキサン、エーテル、例えば、テトラヒドロフラン又はＭＴＢＥ、極性溶媒、例えば、第一級又は第二級アルコール、例えば、イソプロパノール又はエタノール、又はそれらの混合物が挙げられる。溶媒は錯体の性質に応じて選択し、当業者であれば、それぞれの場合に水素化反応を最適化するために最も都合の良い溶媒を選択することが十分に可能である。
【００６４】
本発明の水素化方法において、この反応は１０５Ｐａと８０×１０５Ｐａ（１〜８０バール）の間に含まれるＨ２圧力又は所望であれば更に高いＨ２圧力で実施することができる。更にまた、当業者であれば、触媒負荷に応じて、及び溶媒中の基質の希釈度に応じて圧力を調整することが十分に可能である。例として、典型的な圧力の１〜５０×１０５Ｐａ（１〜５０バール）が挙げられる。
【００６５】
水素化が実施できる温度は、０℃〜１２０℃、更に有利には２０℃〜１００℃の範囲に含まれる。もちろん、当業者であれば、出発物質及び最終生成物の融点及び沸点並びに所望の反応又は転化時間に応じて有利な温度を選択することも可能である。
【００６６】
実施例
本発明をここで以下の実施例を用いて更に詳細に説明する。その際、温度は摂氏温度で表し、また略記は当業者に慣用の意味を有する。
【００６７】
以下に記載された全ての手順は、特に記載のない限り、不活性雰囲気下で実施された。水素化はステンレス鋼製のオートクレーブ中で実施された。Ｈ２ガス（９９．９９９９０％）は受け取られるように使用された。全ての基質及び溶媒はＡｒ下で適切な乾燥剤から蒸留された。ＮＭＲスペクトルはＢｒｕｋｅｒ  ＡＭ−４００（４００．１ＭＨｚで１Ｈ、１００．６ＭＨｚで１３Ｃ、及び１６１．９ＭＨｚで３１Ｐ）スペクトロメータで記録され、特に記載のない限り、通常は３００Ｋで、ＣＤＣｌ３中で測定された。化学シフトはｐｐｍで示される。
【００６８】
本明細書中で以降使用される次の略記は以下の意味を有する：
ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル；
ＤＰＥＮ：１，２−ジフェニル−１，２−エチレンジアミン
ＰＣｙｍ：パラシメン
ＴＦＡ：トリフルオロアセテート
ｄｍｆ：ジメチルホルムアミド
ｃｏｄ：シクロオクタジエン
【００６９】
実施例１
形成された錯体［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（Ｓ，Ｓ−ＤＰＥＮ）］をインサイチュで使用するエステルの接触水素化
基質としてのメチルベンゾアートの接触水素化の一般的な手順：
アルゴン下で、Ｋｅｉｍオートクレーブに、ルテニウムＲ−ＢＩＮＡＰ錯体前駆体（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）及びＳ，Ｓ−ＤＰＥＮ（０．０１ｍｍｏｌ，０．０５ｍｏｌ％）次いでＴＨＦ（２ｍｌ）を装入し、この溶液を５分間撹拌した。次にＴＨＦ（２ｍｌ）中のメチルベンゾアート（２０ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）、及び内部標準としてのＴＨＦ中（２ｍｌ）中のトリデカン（１ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）を、オートクレーブに連続的に添加した。最後に、固形のＮａＯＭｅ（１ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）を添加し、このオートクレーブを５０バールで水素ガスにより加圧し、１００℃に設定されたサーモスタット付き油浴に置いた。１時間後、オートクレーブを油浴から取り出し、冷水浴中で冷却させた。次に、アリコート（０．４ｍｌ）を取って、ＭＴＢＥ（５ｍｌ）で希釈し、水性飽和ＮＨ４Ｃｌ（５ｍｌ）で洗い、そしてセライトのプラグにより濾過してＧＣによって分析した。
【００７０】
【表１】
0005460328.tif 000019
錯体／塩基：錯体及び塩基の基質に対するｐｐｍでのモル比
１時間後のベンジルアルコールの内部標準（％、ＧＣによって分析された）に対するＧＣ収率。
反応条件：Ｈ２ガス（５０バール）、１００℃、１時間、塩基としてのＮａＯＭｅ及びＴＨＦ（２Ｍ）。
１）触媒は、［Ｒｕ（ＴＦＡ）２（ｃｏｄ）］の溶液及びＭＴＢＥ／ＴＨＦ（１０／１）中のＲ−ＢＩＮＡＰを１００℃で１時間予熱することによってインサイチュで生成し、この溶液をそのまま反応に使用した。
【００７１】
実施例２
種々の温度で形成された錯体［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（Ｓ，Ｓ−ＤＰＥＮ）］をインサイチュで使用するエステルの接触水素化
基質としてのメチルベンゾアートの接触水素化の一般的な手順：
アルゴン下で、Ｋｅｉｍオートクレーブに、［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）２］（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）及びＳ，Ｓ−ＤＰＥＮ（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）次いでＴＨＦ（２ｍｌ）を装入し、この溶液を５分間撹拌した。次に、ＴＨＦ（２ｍｌ）中のメチルベンゾアート（２０ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）、及び内部標準としてのＴＨＦ（２ｍｌ）中のトリデカン（１ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）を、オートクレーブに連続的に添加した。最後に、固形のＮａＯＭｅ（１ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）を添加し、このオートクレーブを５０バールで水素ガスにより加圧し、所望の温度に設定されたサーモスタット付き油浴に置いた。上述の時間後、オートクレーブを油浴から取り出し、冷水浴中で冷却させた。次に、アリコート（０．４ｍｌ）を取って、ＭＴＢＥ（５ｍｌ）で希釈し、水性飽和ＮＨ４Ｃｌ（５ｍｌ）で洗い、そしてセライトのプラグにより濾過してＧＣによって分析した。
【００７２】
【表２】
0005460328.tif 000020
錯体／塩基：錯体及び塩基の基質に対するｐｐｍでのモル比
ベンジルアルコールの内部標準（％、ＧＣによって分析された）に対するＧＣ収率。反応条件：Ｈ２ガス（５０バール）、塩基としてのＮａＯＭｅ及びＴＨＦ（２Ｍ）。
１）触媒は、［ＲｕＣｌ（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（ｐＣｙｍ）］Ｃｌの溶液をＴＨＦ中のＳ，Ｓ−ＤＰＥＮと共に１４０℃で１時間予熱することによってインサイチュで生成し、この溶液をそのまま反応に使用した。
２）触媒は、［ＲｕＣｌ（Ｓ，Ｓ−ＤＰＥＮ）（ｐＣｙｍ）］Ｃｌの溶液をＴＨＦ中のＲ−ＢＩＮＡＰと共に１４０℃で１時間予熱することによってインサイチュで生成し、この溶液をそのまま反応に使用した。
【００７３】
実施例３
錯体［ＲｕＣｌ２（ＰＰ）（Ｓ，Ｓ−ＤＰＥＮ）］を使用するエステルの接触水素化
基質としてのメチルベンゾアートの接触水素化の一般的な手順：
アルゴン下で、Ｋｅｉｍオートクレーブに、［ＲｕＣｌ２（ＰＰ）（ｄｍｆ）２］（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）及びＳ，Ｓ−ＤＰＥＮ（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）次いでＴＨＦ（２ｍｌ）を装入し、この溶液を５分間撹拌した。次に、ＴＨＦ（２ｍｌ）中のメチルベンゾアート（２０ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）、及び内部標準としてのＴＨＦ（２ｍｌ）中のトリデカン（１ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）を、オートクレーブに連続的に添加した。最後に、固形のＮａＯＭｅ（１ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）を添加し、このオートクレーブを５０バールで水素ガスにより加圧し、６０℃に設定されたサーモスタット付き油浴に置いた。２時間後、オートクレーブを油浴から取り出し、冷水浴中で冷却させた。次に、アリコート（０．４ｍｌ）を取って、ＭＴＢＥ（５ｍｌ）で希釈し、水性飽和ＮＨ４Ｃｌ（５ｍｌ）で洗い、そしてセライトのプラグにより濾過してＧＣによって分析した。
【００７４】
【表３】
0005460328.tif 000021
錯体／塩基：錯体及び塩基の基質に対するｐｐｍでのモル比。
ベンジルアルコールの内部標準（％、ＧＣによって分析された）に対するＧＣ収率。反応条件：Ｈ２ガス（５０バール）、６０℃、２時間、塩基としてのＮａＯＭｅ及びＴＨＦ（２Ｍ）。
１）触媒は、［Ｒｕ（ＴＦＡ）２（ｃｏｄ）］の溶液及びＭＴＢＥ／ＴＨＦ（１０／１）中のジホスフィンを１００℃で１時間予熱することによってインサイチュで生成し、この溶液をそのまま反応に使用した。
２）予め形成された錯体をここで使用した。
３）触媒は、［ＲｕＣｌ２（ｐＣｙｍ）］２の溶液をＥｔＯＨ／ＣＨ２Ｃｌ２（４／１）中のジホスフィンと共に５０℃で３０分間予熱することによってインサイチュで生成した。溶媒の蒸発後に、残留物をＴＨＦ中のＳ，Ｓ−ＤＰＥＮと共に１４０℃で１時間加熱し、この溶液をそのまま反応に使用した。
【００７５】
実施例４
錯体［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（ＮＮ）］を使用するエステルの接触水素化
基質としてのメチルベンゾアートの接触水素化の一般的な手順：
アルゴン下で、Ｋｅｉｍオートクレーブに、［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）２］（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）及びジアミン（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）次いでＴＨＦ（２ｍｌ）を装入し、この溶液を５分間撹拌した。次に、ＴＨＦ（２ｍｌ）中のメチルベンゾアート（２０ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）、及び内部標準としてのＴＨＦ（２ｍｌ）中のトリデカン（１ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）を、オートクレーブに連続的に添加した。最後に、固形のＮａＯＭｅ（１ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）を添加し、このオートクレーブを５０バールで水素ガスにより加圧し、所望の温度に設定されたサーモスタット付き油浴に置いた。上述の時間後、オートクレーブを油浴から取り出し、冷水浴中で冷却させた。次に、アリコート（０．４ｍｌ）を取って、ＭＴＢＥ（５ｍｌ）で希釈し、水性飽和ＮＨ４Ｃｌ（５ｍｌ）で洗い、そしてセライトのプラグにより濾過してＧＣによって分析した。
【００７６】
【表４】
0005460328.tif 000022
錯体／塩基：錯体及び塩基の基質に対するｐｐｍでのモル比。
ベンジルアルコールの内部標準（％、ＧＣによって分析された）に対するＧＣ収率。反応条件：Ｈ２ガス（５０バール）、塩基としてのＮａＯＭｅ及びＴＨＦ（２Ｍ）。
＊比較材料としてのみ含まれる
【００７７】
実施例５
錯体［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（Ｓ，Ｓ−ＤＰＥＮ）］を使用する種々のエステルの接触水素化
基質としてのメチルベンゾアートの接触水素化の一般的な手順：
アルゴン下で、Ｋｅｉｍオートクレーブに、［ＲｕＣｌ２（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）２］（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）及びＳ，Ｓ−ＤＰＥＮ（０．０１ｍｍｏｌ、０．０５ｍｏｌ％）次いでＴＨＦ（２ｍｌ）を装入し、この溶液を５分間撹拌した。次に、ＴＨＦ（２ｍｌ）中の所望のエステル（２０ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）、及び内部標準としてのＴＨＦ（２ｍｌ）中のトリデカン（１ｍｍｏｌ）の溶液、次いで更なるＴＨＦ（２×１ｍｌ）を、オートクレーブに連続的に添加した。最後に、固形のＮａＯＭｅ（１ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）を添加し、このオートクレーブを５０バールで水素ガスにより加圧し、６０℃に設定されたサーモスタット付き油浴に置いた。上述の時間後、オートクレーブを油浴から取り出し、冷水浴中で冷却させた。次に、アリコート（０．４ｍｌ）を取って、ＭＴＢＥ（５ｍｌ）で希釈し、水性飽和ＮＨ４Ｃｌ（５ｍｌ）で洗い、そしてセライトのプラグにより濾過してＧＣによって分析した。
【００７８】
【表５】
0005460328.tif 000023
錯体／塩基：錯体及び塩基の基質に対するｐｐｍでのモル比。
ＧＣ：粗反応混合物中のＧＣによって分析された生成物のパーセント。反応条件：Ｈ２ガス（５０バール）、６０℃、塩基としてのＮａＯＭｅ及びＴＨＦ（２Ｍ）。