(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に、対向する接続パッドを備えた配線基板を用意し、前記配線基板上の接続パッドの間の領域に、前記接続パッドの厚みと同一の厚みの第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層の上にコア層を形成すると共に、前記コア層の両端側に前記コア層と分離された状態でそれぞれ配置され、前記コア層側に傾斜面を備え、かつ前記接続パッドの上にホールが設けられた周辺樹脂部を前記コア層と同一層から形成する工程と、
前記周辺樹脂部の傾斜面に光路変換ミラーを形成する工程と、
前記コア層を被覆する第２クラッド層を形成して、前記コア層が前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層で囲まれた構造の光導波路を得ると共に、前記周辺樹脂部のホールに連通する開口部を前記第２クラッド層に形成して前記接続パッドに到達するビアホールを形成する工程と、
前記接続パッドに接続される接続電極を前記ビアホールに形成する工程とを有し、
前記第１クラッド層、前記コア層及び第２クラッド層は、感光性樹脂層がフォトリソグラフィに基づいてパターン化されて形成されることを特徴とする光電気複合基板の製造方法。
【請求項２】
前記光導波路の一端側に前記光路変換ミラーによって光結合され、前記一端側の前記接続電極に接続される発光素子と、前記光導波路の他端側に前記光路変換ミラーによって光結合され、前記他端側の前記接続電極に接続される受光素子とを実装する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の光電気複合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光を伝播する光導波路を備えた光電気複合基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ファイバ通信技術を中心に基幹系の通信回線の整備が着々と進行する中でボトルネックとなりつつあるのが情報端末内の電気的配線である。このような背景から、すべての信号伝達を電気信号によって行う従来の電気回路基板に代わって、電気信号の伝達速度の限界を補うために、高速部分を光信号で伝達するタイプの光電気複合基板が提案されている。
【０００３】
表面実装型の発光素子及び受光素子を光導波路に接続する場合は、光導波路の両端に光伝播方向に対して角度：４５°で交差して傾斜する光路変換傾斜面を形成し、光路変換傾斜面に接するように光路変換ミラーを構成することにより、光路変換が行われる。
【０００４】
特許文献１には、光導波路本体が光信号を伝送する第１の領域と光信号の伝送に寄与しない両側の第２の領域を有し、光導波路本体の第２の領域に貫通ビアを設けると共に、第１の領域の光導波路本体を、第２の領域の光導波路本体よりも突出させることが記載されている。
【０００５】
特許文献２には、支持基板上に、プリント配線基板と、光導波路と、光路変換部と、光路変換部を覆う第二のクラッドを形成した後に、支持基板を剥離することにより、光回路基板を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２８１８１６号公報
【特許文献２】特開２０１０−３９０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
後述する関連技術で説明するように、配線基板の上に光導波路を形成する際に、コア層は感光性樹脂層をコンタクト露光方式に基づいてパターニングすることにより得られる。
【０００８】
しかしながら、コア層を得るための感光性樹脂層は配線基板の接続パッドの影響で段差が生じるため、フォトマスクの全体を感光性樹脂層に接触させることが困難になる。
【０００９】
従って、コンタクト露光の本来の性能を十分に引き出すことができなくなるため、コア層のパターン幅が設計スペック以上にばらついたり、ひいては解像不良が発生することがあり、歩留りよく光導波路を形成できない問題がある。
【００１０】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、接続パッドを備えた配線基板の上にコア層を十分なパターン精度で形成して光導波路を構成できる光電気複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は光電気複合基板の製造方法に係り、上面に、対向する接続パッドを備えた配線基板を用意し、前記配線基板上の接続パッドの間の領域に、前記接続パッドの厚みと同一の厚みの第１クラッド層を形成する工程と、前記第１クラッド層の上にコア層を形成すると共に、前記コア層の両端側に前記コア層と分離された状態でそれぞれ配置され、前記コア層側に傾斜面を備え、かつ前記接続パッドの上にホールが設けられた周辺樹脂部を前記コア層と同一層から形成する工程と、前記周辺樹脂部の傾斜面に光路変換ミラーを形成する工程と、前記コア層を被覆する第２クラッド層を形成して、前記コア層が前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層で囲まれた構造の光導波路を得ると共に、前記周辺樹脂部のホールに連通する開口部を前記第２クラッド層に形成して前記接続パッドに到達するビアホールを形成する工程と、前記接続パッドに接続される接続電極を前記ビアホールに形成する工程とを有し、前記第１クラッド層、前記コア層及び第２クラッド層は、感光性樹脂層がフォトリソグラフィに基づいてパターン化されて形成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、まず、上面側に接続パッドを備えた配線基板上の接続パッドＰを除く領域にパターン化された第１クラッド層が形成される。第１クラッド層は接続パッドＰの段差を解消する段差解消パターンとして機能する。
【００１３】
次いで、第１クラッド層の上に横方向に延在する帯状のコア層を形成する。好適には、コア層は感光性樹脂層がパターニングされて得られる。このとき、第１クラッド層によって接続パッドの段差が解消されるため、感光性樹脂層はその上面が平坦な状態で形成される。このため、コンタクト露光に基づいて感光性樹脂層を高精度でパターニングしてコア層を形成することができる。その後に、コア層を被覆する第２クラッド層を形成して光導波路が構成される。
【００１４】
このようにして、十分なパターン精度で形成されたコア層を含む所望の光導波路を歩留りよく形成することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明では、接続パッドを備えた配線基板の上にコア層を十分なパターン精度で形成して光導波路を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は関連技術の光電気複合基板の製造方法の問題点を説明する断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す断面図及び平面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す断面図及び平面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図５】図５は本発明の実施形態の光電気複合基板を示す断面図及び平面図である。
【図６】図６は図５の光電気複合基板に発光素子及び受光素子が実装された様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
（関連技術）
本発明の実施形態を説明する前に、本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図１は関連技術の光電気複合基板の製造方法の問題点を説明する断面図である。
【００２１】
関連技術の光電気複合基板の製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、上面に接続パッドＰを備えた配線基板１００を用意する。配線基板１００には接続パッドＰに接続される所要の多層配線（不図示）が内蔵されている。接続パッドＰの厚みは１０〜２０μｍであり、配線基板１００の上面に１０〜２０μｍの段差が生じている。
【００２２】
次いで、図１（ｂ）に示すように、配線基板１００の上面全体に第１クラッド層２００を形成する。配線基板１００の上面には接続パッドＰの段差が生じているので、第１クラッド層２００は接続パッドＰ上で盛り上がった状態となり、段差が生じた状態で形成される。
【００２３】
続いて、図１（ｃ）に示すように、第１クラッド層２００の上にコア層を得るための感光性樹脂層３００ａを形成する。感光性樹脂層３００ａにおいても、接続パッドＰ上に段差が生じた状態で形成される。
【００２４】
次いで、感光性樹脂層３００ａがフォトリソグラフィによってパターニングされる。このとき、図１（ｃ）に示すように、フォトマスク１２０を感光性樹脂層３００ａに接触させて露光するコンタクト露光方式が採用される。コンタクト露光を使用することにより、十分なパターニング精度を得ることができる。
【００２５】
しかしながら、感光性樹脂層３００ａの上面は接続パッドＰ上で盛り上がって段差が生じているので、フォトマスク１２０と感光性樹脂層３００ａとの間に隙間ｄが発生し、フォトマスク１２０の全体を感光性樹脂層３００ａに接触（密着）させることは困難である。そのような状態では、コンタクト露光の本来の性能を十分に引き出すことができなくなる。
【００２６】
従って、感光性樹脂層３００ａに対して露光／現像を行ってコア層３００（図１（ｃ）の部分断面図）を形成すると、正常なコンタクト露光を遂行できる場合に比べてコア層３００のパターン幅のばらつきがかなり大きくなり、設計スペックから外れてしまう。
【００２７】
しかも、フォトマスク１２０の一端側に接続パッドＰが存在しない場合は、接続パッドＰの段差分だけフォトマスク１２０が傾いて配置されるので、コア層３００のパターン精度がさらに悪くなってしまう。ひいては、解像不良が発生してパターン同士が繋がって形成されることがある。
【００２８】
図１（ｃ）の部分断面図に示すように、帯状にパターン化されたコア層３００を形成した後に、コア層３００の上に第２クラッド層４００が形成されることによって光導波路が構成される。しかしながら、コア層３００を形成する際に設計スペックから外れるため、所望の特性を有する光導波路を形成することは困難である。
【００２９】
以下に説明する本発明の実施形態では上記した不具合を解消することができる。
【００３０】
（実施の形態）
図２〜図４は本発明の実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す断面図及び平面図、図５は同じく実施形態の光電気複合基板を示す断面図及び平面図である。
【００３１】
本発明の実施形態の光電気複合基板の製造方法では、まず、図２（ａ）に示すような配線基板１０を用意する。配線基板１０では、厚み方向の中央部にコア基板１２が配置されている。コア基板１２には貫通電極Ｔが設けられており、コア基板１２の両面側には貫通電極Ｔを介して相互接続される配線層２０がそれぞれ形成されている。
【００３２】
コア基板１２の上面側には配線層２０を被覆する層間絶縁層３０が形成されている。また、コア基板１２の下面側には配線層２０を被覆するソルダレジスト３２が形成されている。層間絶縁層３０には配線層２０に到達する深さのビアホールＶＨが形成されている。
【００３３】
層間絶縁層３０の上にはビアホールＶＨ（埋込ビア導体）を介して配線層２０に接続される接続パッドＰが形成されている。配線基板１０の配線層２０及びそれに接続された接続パッドＰは電気配線として機能する。
【００３４】
次いで、図２（ｂ）に示すように、配線基板１０の上面側に感光性樹脂層を形成し、フォトリソグラフィに基づいて露光／現像を行った後に、感光性樹脂層を１５０℃程度の加熱処理によって硬化させる。これにより、パターン化された第１クラッド層４０が形成される。本実施形態では、第１クラッド層４０は、接続パッドＰ上で段差が生じないように接続パッドＰを除く領域に形成される。
【００３５】
第１クラッド層４０を得るための感光性樹脂層の形成方法としては、液状の感光性樹脂を塗布してもよいし、あるいは、半硬化状態の感光性樹脂シートを貼付してもよい。
【００３６】
図２（ｂ）の部分平面図に示すように、縦方向に並んで配置された複数の接続パッドＰの群が左右対称に対向して配置されており、第１クラッド層４０は、対向する複数の接続パッドＰの間の領域と、接続パッドＰの外側の領域にそれぞれ配置される。
【００３７】
このようにして、接続パッドＰを除く領域に第１クラッド層４０をパターン化して配置することにより、第１クラッド層４０を接続パッドＰの段差を解消する段差解消パターンとして機能させることができる。
【００３８】
接続パッドＰと第１クラッド層４０の厚みは任意に設定できるが、接続パッドＰの段差を十分に解消するためには、第１クラッド層４０の厚みは接続パッドＰの厚みと同一に設定することが好ましい。例えば、接続パッドＰと第１クラッド層４０の厚みは、１０〜２０μｍに設定される。
【００３９】
なお、図２（ｂ）の例では、接続パッドＰの外側領域にも第１クラッド層４０を配置しているが、接続パッドＰの外側領域には第１クラッド層４０を必ずしも配置しなくてもよい。
【００４０】
次いで、図３（ａ）に示すように、配線基板１０の上面側の第１クラッド層４０及び接続パッドＰの上にコア層を得るための感光性樹脂層５０ａを形成する。このとき、第１クラッド層４０が接続パッドＰの段差解消パターンとして機能するので、感光性樹脂層５０ａは上面全体にわたって平坦な状態で形成される。
【００４１】
感光性樹脂層５０ａの形成方法としては、液状の感光性樹脂を塗布してもよいし、あるいは、半硬化状態の感光性樹脂シートを貼付してもよい。
【００４２】
さらに、図３（ｂ）に示すように、感光性樹脂層５０ａの上にフォトマスク１４を接触（密着）させて配置する。このとき、感光性樹脂層５０ａの上面に段差が生じていないので、フォトマスク１４の全体を感光性樹脂層５０ａに接触（密着）させることができる。
【００４３】
続いて、この状態で、フォトマスク１４を介して感光性樹脂層５０ａを露光する。さらに、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク１４を取り外し、感光性樹脂層５０ａを現像した後に、１５０℃程度で加熱処理して硬化させることにより、パターン化されたコア層５０を得る。
【００４４】
図３（ｃ）の部分平面図に示すように、対向する各接続パッドＰの間の第１クラッド層４０上の領域に横方向に延在する帯状のコア層５０がそれぞれ配置される。コア層５０はその屈折率が第１クラッド層４０及び後述する第２クラッド層の屈折率よりも高くなるように設定される。コア層５０の厚みは４０μｍ程度であり、コア層５０のパターン幅は４００μｍ程度である。
【００４５】
このとき同時に、コア層５０の両端側に、所定間隔を開けてコア層５０から分離された周辺樹脂部５２がそれぞれ配置され、接続パッドＰ上の周辺樹脂部５２の部分にホール５２ｘが形成される。そして、コア層５０の両端と周辺樹脂部５２との間隔がそれぞれ光路変換領域５０ｘとなる。
【００４６】
このように、感光性樹脂層５０ａはその上面全体が平坦な状態で形成されるため、フォトマスク１４の全体を感光性樹脂層５０ａに接触（密着）させてコンタクト露光を行うことができる。
【００４７】
従って、コンタクト露光の本来の性能を十分に引き出せるため、感光性樹脂層５０ａがパターン化されて得られるコア層５０のパターン幅のばらつきを抑えることができ、設計スペックに対応するコア層５０を形成することができる。また、本来の解像性能が得られるので、コア層５０同士が繋がって形成されたりする不具合が発生しなくなり、歩留りよくコア層５０を形成することができる。
【００４８】
さらには、コア層５０及び周辺樹脂部５２を得るための感光性樹脂層５０ａとして解像度が比較的高いものを使用できるので、コア層５０をパターン精度よく形成できるばかりではなく、光路変換ミラーが配置される光路変換領域５０ｘと接続パッドＰを露出させるホール５２ｘをパターン精度よく配置することができる。
【００４９】
次いで、図４（ａ）に示すように、両側の周辺樹脂部５２において、光路変換領域５０ｘのコア層５０側の側面を切削装置の回転ブレード（切削刃）で傾斜面になるようにそれぞれ切削する（べベルカット）。これにより、コア層５０の両端側に、コア層５０の延在方向（光伝播方向）と角度：４５°で交差して傾斜する光路変換傾斜面Ｓがそれぞれ形成される。
【００５０】
なお、回転ブレードを使用する代わりに、周辺樹脂部５２のコア層５０側の側面をレーザで加工して光路変換傾斜面Ｓを形成してもよい。あるいは、感光性樹脂層５０ａをフォトリソグラフィでパターン化する際に光路変換領域５０ｘを形成せずに、後の工程で回転ブレードやレーザによって光路変換傾斜面Ｓを備えた光路変換領域５０ｘを形成してもよい。
【００５１】
このようにして、コア層５０の両端側に、コア層５０と同一層から形成されてコア層５０側の側面に光路変換傾斜面Ｓを備えた周辺樹脂部５２がそれぞれ形成される。
【００５２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、光路変換傾斜面Ｓに対応する部分に開口部が設けられたマスク（不図示）を配線基板１０の上方に配置した状態で、蒸着法又はスパッタ法により光反射性の金属層を光路変換傾斜面Ｓに選択的に成膜することにより光路変換ミラーＭを得る。光反射性の金属層としては、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）などが好適に使用される。
【００５３】
次いで、図４（ｃ）に示すように、コア層５０及び周辺樹脂部５２の上に、周辺樹脂部５２のホール５２ｘ及び光路変換領域５０ｘを埋め込むようにして感光性樹脂層６０ａを形成する。感光性樹脂層６０ａの形成方法としては、液状の感光性樹脂を塗布してもよいし、あるいは、半硬化状態の感光性樹脂シートを貼付してもよい。
【００５４】
さらに、図４（ｄ）に示すように、感光性樹脂層６０ａをフォトリソグラフィに基づいて露光／現像した後に、１５０℃程度で加熱処理して硬化させる。これにより、コア層５０を被覆する第２クラッド層６０が形成される。
【００５５】
第２クラッド層６０はコア層５０の上から周辺樹脂部５２の上に形成され、周辺樹脂部５２のホール５２ｘの上にそれに連通する開口部６０ｘが設けられる。第２クラッド層６０の厚みは１０〜２０μｍである。
【００５６】
このようにして、第１、第２クラッド層４０，６０によってコア層５０が取り囲まれた構造の光導波路Ｌが得られる。コア層５０及び第１、第２クラッド層４０，６０を形成するための感光性樹脂としては、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂などが好適に使用される。
【００５７】
そして、周辺樹脂部５２のホール５２ｘと第２クラッド層６０の開口部６０ｘとによって接続パッドＰに到達するビアホールＶＨが構成される。
【００５８】
その後に、図５に示すように、接続パッドＰに電気接続される接続電極７０をビアホールＶＨ内に埋め込んで形成する。例えば、ビアホールＶＨに搭載したはんだボールをリフロー加熱することにより接続電極７０を形成することができる。
【００５９】
これにより、本実施形態の光電気複合基板１が得られる。
【００６０】
図５に示すように、本実施形態の光電気複合基板１では、前述した図２（ａ）で説明した配線基板１０上の接続パッドＰを除く領域にパターン化された第１クラッド層４０が形成されている。対向する接続パッドＰの間の領域及び接続パッドＰの外側領域に第１クラッド層４０が配置されている。
【００６１】
接続パッドＰの間の領域に配置された第１クラッド層４０の上に帯状にパターン化されたコア層５０が形成されている。図５の部分平面図に示すように、横方向に延在する帯状のコア層５０が縦方向に並んで配置されている。
【００６２】
コア層５０の両端側にはコア層５０と同一層から形成されてコア層５０と分離された周辺樹脂部５２がそれぞれ配置されている。そして、コア層５０の両端と周辺樹脂部５２との間隔が光路変換領域５０ｘとなっている。両側の周辺樹脂部５２において、コア層５０側の側面がコア層５０の延在方向（光伝播方向）に対して角度：４５°で交差して傾斜する光路変換傾斜面Ｓとなっている。光路変換傾斜面Ｓには光反射性の金属層からなる光路変換ミラーＭが形成されている。
【００６３】
さらに、周辺樹脂部５２には、接続パッドＰに到達するホール５２ｘが設けられている。コア層５０及び周辺樹脂部５２の上には第２クラッド層６０が形成されている。図５の部分平面図では、第２クラッド層６０は透視的に描かれている。
【００６４】
第２クラッド層６０には周辺樹脂部５２のホール５２ｘに連通する開口部６０ｘが形成されている。周辺樹脂部５２のホール５２ｘと第２クラッド層６０の開口部６０ｘとによって接続パッドＰに到達するビアホールＶＨが構成される。
【００６５】
そして、コア層５０とそれを取り囲む第１、第２クラッド層４０，６０とにより光導波路Ｌが構成される。コア層５０両端側に配置された光路変換ミラーＭによって光路が９０°変換される。
【００６６】
ビアホールＶＨには接続パッドＰに電気接続されるはんだなどから形成された接続電極７０が充填されている。接続電極７０は第２クラッド層６０から上側に突出するバンプ電極であってもよい。
【００６７】
前述したように、本実施形態の光電気複合基板の製造方法では、上面側に接続パッドＰを備えた配線基板１０上の接続パッドＰを除く領域に第１クラッド層４０が形成される。第１クラッド層４０は接続パッドＰの段差を解消する段差解消パターンとして機能する。
【００６８】
次いで、第１クラッド層４０及び接続パッドＰの上にコア層５０を得るための感光性樹脂層５０ａを形成する。このとき、第１クラッド層４０によって接続パッドＰの段差が解消されるため、感光性樹脂層５０ａはその上面が平坦な状態で形成される。このため、正常なコンタクト露光に基づいて感光性樹脂層５０ａを高精度でパターン化してコア層５０及び周辺樹脂部５２を形成することができる。
【００６９】
これにより、コア層５０のパターン幅のばらつきなどを抑制することができ、設計スペックに対応するコア層５０を歩留りよく形成することができる。
【００７０】
また、コア層５０を形成する工程で、コア層５０と分離された周辺樹脂部５２がコア層５０の両側に同時に形成され、光路変換ミラーＭを配置するための光路変換領域５０ｘと接続パッドＰを露出させるためのホール５２ｘが位置精度よく配置される。
【００７１】
このように、本実施形態の光電気複合基板１では、配線基板１０の接続パッドＰ上に第１クラッド層４０を形成しない構造を採用している。これにより、平坦な感光性樹脂層５０ａをコンタクト露光に基づいて精度よくパターン化してコア層５０及び周辺樹脂部５２を形成できるので、光路変換ミラーＭに精度よく光結合される所望の光導波路Ｌを歩留りよく構成することができる。
【００７２】
次に、図５の光電気複合基板１に発光素子及び受光素子を実装する方法について説明する、図６に示すように、発光素子８０及び受光素子８２を用意する。発光素子８０としては、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が好適に使用される。また、受光素子８２としては、フォトダイオードが好適に使用される。
【００７３】
発光素子８０はその下面側に発光部８０ａと接続端子８０ｂとを備えている。そして、発光素子８０の発光部８０ａを下側に向けた状態で、発光素子８０の接続端子８０ｂを光電気複合基板１の一端側の接続電極７０に接続して実装する。
【００７４】
このとき、発光素子８０の発光部８０ａが光路変換ミラーＭの真上に配置される。これにより、発光素子８０が光路変換ミラーＭによって光導波路Ｌ（コア層５０）の一端側に光結合される。
【００７５】
また、受光素子８２はその下面側に受光部８２ａと接続端子８２ｂとを備えている。そして、受光素子８２の受光部８２ａを下側に向けた状態で、受光素子８２の接続端子８２ｂを光電気複合基板１の他端側の接続電極７０に接続して実装する。
【００７６】
このとき、受光素子８２の受光部８２ａが光路変換ミラーＭの真上に配置される。これにより、受光素子８２が光路変換ミラーＭによって光導波路Ｌ（コア層５０）の他端側に光結合される。
【００７７】
続いて、発光素子８０の下側の隙間にアンダーフィル樹脂８４を充填する。さらに、受光素子８２の下側の隙間にアンダーフィル樹脂８４を充填する。アンダーフィル樹脂８４としては、前述したコア層５０又は第１、第２クラッド層４０，６０と同一樹脂が使用される。
【００７８】
本実施形態の光電気複合基板１では、光電気複合基板１に実装された不図示の第１ＬＳＩチップ（ＣＰＵなど）から出力される電気信号が発光素子８０に供給され、発光素子８０の発光部８０ａから下側に光が出射される。
【００７９】
発光素子８０から出射された光は、発光素子８０の下のアンダーフィル樹脂８４を透過して光導波路Ｌの一端側の光路変換ミラーＭに到達する。さらに、光路変換ミラーＭで光が反射され、光路が９０°変換されてコア層５０に入射する。
【００８０】
次いで、コア層５０に入射した光は、コア層５０内で全反射を繰り返して伝播し、他端側の光路変換ミラーＭに到達する。そして、他端側の光路変換ミラーＭで光が反射されて光路が９０°変換され、アンダーフィル樹脂８４を透過して受光素子８２の受光部８２ａに光が入射される。
【００８１】
受光素子８２は光信号を電気信号に変換し、光電気複合基板１に実装された不図示の第２ＬＳＩチップ（メモリなど）に電気信号が供給される。
【００８２】
このように、本実施形態の光電気複合基板１では、所望の特性の光導波路Ｌを備えているので、高性能な発光素子８０及び受光素子８２の実装基板として使用することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１…光電気複合基板、１０…配線基板、１２…コア基板、１４…フォトマスク、２０…配線層、３０…層間絶縁層、３２…ソルダレジスト、４０…第１クラッド層、５０…コア層、５０ａ，６０ａ…感光性樹脂層、５０ｘ…光路変換領域、５２…周辺樹脂部、５２ｘ…ホール、６０…第２クラッド層、６０ｘ…開口部、７０…接続電極、８０…発光素子、８０ａ…発光部、８０ｂ，８２ｂ…接続端子、８２…受光素子、８２ａ…受光部、８４…アンダーフィル樹脂、Ｌ…光導波路、Ｍ…光路変換ミラー、Ｓ…光路変換傾斜面、Ｔ…貫通電極、Ｐ…接続パッド、ＶＨ…ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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