(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の金属表面を有する基材微粒子の表面に絶縁微粒子が付着している被覆導電性微粒子であって、
前記基材微粒子は、表面に突起を有し、前記絶縁微粒子の直径が２００〜５００ｎｍであり、前記突起の高さは、５０ｎｍ以上であり、かつ、前記絶縁微粒子の直径より１００ｎｍ以上小さいものであり、
前記絶縁微粒子は、金属表面に結合性を有する官能基（Ａ）を介して、金属表面に化学結合することにより単層の被覆層を形成している
ことを特徴とする被覆導電性微粒子。
【請求項２】
基材微粒子の導電性の金属表面が、ニッケル層又はパラジウム層により形成されていることを特徴とする請求項１記載の被覆導電性微粒子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の被覆導電性微粒子がバインダー樹脂に分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
【請求項４】
請求項１又は２記載の被覆導電性微粒子を用いて導電接続されていることを特徴とする導電接続構造体。
【請求項５】
請求項３記載の異方性導電材料を用いて導電接続されていることを特徴とする導電接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、異方性導電材料、及び、導電接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属表面を有する粒子はバインダー樹脂に混合され、異方性導電材料として使用されている。異方性導電材料は、半導体素子等の小型電機部品を基板に電気的に接続するために用いられる。
【０００３】
近年、電子機器や電子部品が小型化しており、基板等の電極が微細になってきた。一方で、高い接続信頼性を確保するために、異方性導電材料中の導電性微粒子の配合量を増加する必要があった。しかし、このような微細な配線を有する基板等は、隣接する導電性微粒子同士の横方向の導通が起こり、隣接する電極間で短絡が生じるという問題があった。この問題を解決するため、導電性微粒子の表面を絶縁体で被覆した被覆導電性微粒子が提案されている。
【０００４】
導電性微粒子の表面を絶縁体で被覆する方法として、例えば、特許文献１には導電性微粒子の存在下で界面重合、懸濁重合、乳化重合等を行い、導電性微粒子を樹脂によりマイクロカプセル化する方法が記載されている。特許文献２には樹脂溶液に分散させた導電性微粒子を乾燥させるディッピング法により導電性微粒子をマイクロカプセル化する方法が記載されている。特許文献３にはスプレードライ法、ハイブリダイゼーション法により導電性微粒子の表面に絶縁被覆層を形成する方法が記載されている。
【０００５】
しかしながら、このような方法では絶縁層の厚さを一定にすることが困難であった。また、複数の導電性微粒子を同時に被覆してしまうことがあった。絶縁被覆層の厚みが均一ではない被覆導電性微粒子を含有する異方性導電材料を用いて電極間を接続すると、接続抵抗値が高くなることがあった。例えば、ハイブリダイゼーション法による絶縁被覆の形成方法とは、導電性微粒子の表面に被覆層となる絶縁微粒子を物理的な力で付着させる方法である。ハイブリダイゼーション法では、導電性微粒子の表面に単層の絶縁被覆層を形成させることができなかった。また、絶縁被覆層の厚みの制御が困難であった。加熱、摩擦熱等の熱や衝撃が加わって、絶縁微粒子が溶融するため、導電性微粒子の表面に、均一な絶縁被覆層を形成することは困難であった。また、絶縁微粒子が導電性微粒子に接触している接触面積が大きくなるため、絶縁被覆層が除去されにくく、接続抵抗値が高くなるといった問題があった。
【０００６】
特許文献４及び特許文献５には、絶縁微粒子を静電相互作用やハイブリダイゼーション法により導電性微粒子の表面に付着させた被覆導電性微粒子が記載されている。しかしながら、この被覆導電性微粒子は、絶縁微粒子と導電性微粒子との結合力が非常に弱かった。この被覆導電性微粒子をバインダー樹脂中に分散させると、導電性微粒子の表面から絶縁微粒子が剥がれ、充分な絶縁性が確保できないといった問題があった。
【０００７】
また、導電性微粒子は、絶縁性のバインダー樹脂中に分散されて異方性導電材料として用いられる。このような異方性導電材料を用いて導電接続すると、接続抵抗値が高くなってしまうという問題もあった。これは、電極と導電性微粒子との間のバインダー樹脂を充分に排除できず、電極と導電性微粒子との間にバインダー樹脂が残留してしまうためと考えられた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平４−３６２１０４号公報
【特許文献２】特開昭６２−４０１８３号公報
【特許文献３】特開平７−１０５７１６号公報
【特許文献４】特開平４−２５９７６６号公報
【特許文献５】特開平３−１１２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、導電性の金属表面を有する基材微粒子の表面に絶縁微粒子が付着している被覆導電性微粒子であって、前記基材微粒子は、表面に突起を有し、前記絶縁微粒子の直径が２００〜５００ｎｍであり、前記突起の高さは、５０ｎｍ以上であり、かつ、前記絶縁微粒子の直径より１００ｎｍ以上小さい被覆導電性微粒子である。
以下に本発明を詳述する。
【００１１】
本発明の被覆導電性微粒子は、導電性の金属表面を有する基材微粒子の表面に絶縁微粒子が付着している。このように、導電性の金属表面を有する基材微粒子の表面に絶縁微粒子が付着している被覆導電性微粒子を用いて基板等の導電接続を行うと、微細な配線を有する基板等であっても、隣接する導電性微粒子同士の横方向の導通等が起こりにくくなる。また、被覆導電性微粒子が熱圧着されると、金属表面が露出するため、対向する電極間を導通させることができる。
【００１２】
上記基材微粒子は、基材微粒子の最表面に、導電性の金属表面を有し、かつ、金属表面に突起が形成されている。上記基材微粒子は特に限定されず、例えば、実質的に金属で形成された基材微粒子、コア粒子の表面に金属層が形成された基材微粒子、コア粒子の表面に金属の微細粒子が付着した基材微粒子等が挙げられる。
上記コア粒子は特に限定されず、有機微粒子、無機微粒子、有機無機ハイブリッド微粒子等が挙げられる。
なかでも、有機微粒子の表面に金属層が形成された基材微粒子は、電極間に挟み込んで圧着すると、基材微粒子が変形して電極との接触面積を増やすことができる。
【００１３】
上記有機微粒子は特に限定されず、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリアルキレンテレフタレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等で構成される有機微粒子が挙げられる。
上記ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等が挙げられる。上記アクリル樹脂は特に限定されず、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリメチルアクリレート樹脂等が挙げられる。
【００１４】
上記コア粒子の平均粒子径は特に限定されず、好ましい下限は０．５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記コア粒子の平均粒子径が０．５μｍ未満であると、コア粒子が凝集しやすいため、凝集したコア粒子の表面に金属層が形成された基材微粒子が隣接する電極間を短絡させることがある。上記コア粒子の平均粒子径が１００μｍを超えると、被覆導電性微粒子の金属層が剥がれやすくなることがある。上記コア粒子の平均粒子径のより好ましい下限は１μｍ、より好ましい上限は２０μｍである。
なお、上記コア粒子の平均粒子径は、光学顕微鏡、又は、電子顕微鏡を用いて無作為に選んだ５０個のコア粒子を観察して得られた直径の平均値を意味する。
【００１５】
また、上記コア粒子は、ＣＶ値の好ましい上限が１５％である。ＣＶ値が１５％を超えると、被覆導電性微粒子の接続信頼性が低下することがある。ＣＶ値のより好ましい上限は１０％である。なお、ＣＶ値は、標準偏差を平均粒子径で割った値を百分率（％）で示した数値である。
【００１６】
上記コア粒子の１０％Ｋ値の好ましい下限は１０００Ｎ／ｍｍ２、好ましい上限は１５０００Ｎ／ｍｍ２である。上記１０％Ｋ値が１０００Ｎ／ｍｍ２未満であると、被覆導電性微粒子を大きく圧縮変形させると、コア粒子が破壊されることがある。上記１０％Ｋ値が１５０００Ｎ／ｍｍ２を超えると、被覆導電性微粒子が電極を傷つけることがある。上記１０％Ｋ値のより好ましい下限は２０００Ｎ／ｍｍ２、より好ましい上限は１００００Ｎ／ｍｍ２である。
なお、上記１０％Ｋ値は、微小圧縮試験器（例えば、島津製作所社製「ＰＣＴ−２００」）を用い、コア粒子を直径５０μｍのダイアモンド製円柱の平滑圧子端面で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、最大試験荷重１０ｇの条件下で圧縮した場合の圧縮変位（ｍｍ）を測定し、下記式により求めることができる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：コア粒子の１０％圧縮変形における荷重値（Ｎ）
Ｓ：コア粒子の１０％圧縮変形における圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：コア粒子の半径（ｍｍ）
【００１７】
上記金属は、導電性を有している金属であれば特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、パラジウム、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム、珪素等の金属や、ＩＴＯ、ハンダ等の金属化合物が挙げられる。
【００１８】
上記金属層は、単層構造であってもよいし、複数の層が積層された積層構造であってもよい。上記金属層が積層構造である場合、積層構造の最外層は金層であることが好ましく、ニッケル層又はパラジウム層であることがより好ましい。積層構造の最外層が金層であると、電極間の接続抵抗値が低くなり、積層構造の最外層がニッケル層又はパラジウム層であると、上記金属層がより硬くなるため、導電性がより向上する。
【００１９】
上記金属層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は０．００５μｍ、好ましい上限は１μｍである。上記金属層の厚みが０．００５μｍ未満であると、電極間の接続抵抗値が高くなることがある。上記金属層の厚みが１μｍを超えると、被覆導電性微粒子の比重が高くなるため、被覆導電性微粒子がバインダー樹脂に均一に分散しないことがある。上記金属層の厚みのより好ましい下限は０．０１μｍ、より好ましい上限は０．３μｍである。
【００２０】
上記金属層を形成する方法は特に限定されず、例えば、金属蒸着法、無電解メッキ法等の方法が挙げられる。上記コア粒子の表面に上記金属層を容易に形成できるため、無電解メッキ法が好ましい。
上記金属層は、例えば、金、銀、銅、プラチナ、パラジウム、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、コバルト、錫等を含有する金属層が挙げられる。
上記金属層が積層構造である場合、上記コア粒子の表面に、ニッケル層と、金層とが順次形成されていてもよく、上記コア粒子の表面に、ニッケル層と、パラジウム層とが順次形成されていてもよい。
【００２１】
上記基材微粒子の表面の突起は、少なくとも突起の表面が導電性の金属で被覆されていれば特に限定されない。
【００２２】
上記突起の高さの下限は５０ｎｍである。上記突起の高さが５０ｎｍ未満であると、電極間に被覆導電性微粒子を挟み込んで電極間を接続しても、上記突起が電極に接触できない。上記突起の高さの好ましい下限は１００ｎｍであり、より好ましい下限は１５０ｎｍである。
また、上記突起の高さは、上記基材微粒子の直径の４０％以下であることが好ましい。上記突起の高さが上記基材微粒子の直径の４０％を超えると、上記突起が電極を破損させることがある。上記突起の高さは、上記基材微粒子の直径の２０％以下であることがより好ましい。
【００２３】
また、上記突起の高さは、後述する絶縁微粒子の直径より１００ｎｍ以上小さい。上記突起の高さが、上記絶縁微粒子の直径より１００ｎｍ以上小さくないと、被覆導電性微粒子の突起が、隣接する被覆導電性微粒子に接触することがある。その結果、隣接する電極間が短絡する。上記突起の高さは、上記絶縁微粒子の直径より１５０ｎｍ以上小さいことが好ましく、２００ｎｍ以上小さいことがより好ましく、さらに２５０ｎｍ以上小さいことがより好ましい。
【００２４】
上記突起の高さは、以下の方法で算出できる。本発明の被覆導電性微粒子５０個を走査型電子顕微鏡で観察し、観察された被覆導電性微粒子の周縁部の突起すべての高さを測定する。突起が形成されていない金属表面を基準表面として、突起の高さを測定し、測定値を算術平均することにより、上記突起の高さを算出した。
【００２５】
上記突起の数は特に限定されないが、被覆導電性微粒子１個当たりの平均突起数は８以上であることが好ましい。上記平均突起数が８未満であると、電極間の接続抵抗値が高くなることがある。
【００２６】
上記突起を有する基材微粒子を製造する方法は特に限定されない。例えば、以下の方法が挙げられる。
１）無機材料又は有機材料等で構成される粒子を上記金属層に取り込ませながら、上記コア粒子の表面に上記金属層を形成する方法。
２）上記金属層を構成する金属に対して親和性が高い物質を、上記コア粒子の表面に付着させ、上記金属に対して親和性が高い物質が付着した箇所に導電性の突起を成長させながら、上記コア粒子の表面に上記金属層を形成する方法。
３）無機材料又は有機材料等で構成される粒子をコア粒子に付着させた突起粒子の表面に上記金属層を形成する方法。
【００２７】
上記１）法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記コア粒子をイオン交換水に分散させた懸濁液を、ニッケル塩、還元剤、錯化剤等を含有する無電解メッキ浴に添加し、無電解ニッケルメッキを行う。上記コア粒子の表面に、ニッケル層を形成させると同時に、無電解メッキ浴の自己分解を起こす。自己分解物が突起の核になるため、上記コア粒子の表面に、ニッケル層と突起とが同時に形成される。
【００２８】
上記２）法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記コア粒子の表面にパラジウム塩を付着させる。上記コア粒子の表面に付着したパラジウム塩を極めて穏やかに還元させ、無電解ニッケルメッキの起点となるパラジウム触媒をコア粒子の表面に担持させる。パラジウム触媒が担持されたコア粒子を、ニッケル塩、還元剤、錯化剤等を含有する無電解メッキ浴に添加し、無電解ニッケルメッキを行う。
この方法では、パラジウムが多く担持されている箇所は、パラジウムの担持が少ない箇所と比較して、ニッケルの析出速度が速くなるため、上記コア粒子の表面に、ニッケル層と突起とが同時に形成される。
【００２９】
上記３）法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記コア粒子の表面に、ハイブリダイゼーション法等により、無機材料又は有機材料等で構成される粒子が付着した突起粒子を作製する。突起粒子を無電解ニッケルメッキし、ニッケル層と突起とが同時に形成される。
また、上記コア粒子の表面に、ニッケル粒子等の金属粒子を付着した突起粒子を作製し、突起粒子を無電解ニッケルメッキし、ニッケル層と突起とを同時に形成してもよい。
また、重合性不飽和単量体と媒体とを含有する重合性液滴、又は、媒体中でシード粒子を重合性単量体で膨潤させた重合性液滴の表面に、無機材料又は有機材料等で構成される粒子を付着させる。粒子が付着した重合性液滴を重合し、突起粒子を作製する。突起粒子を無電解ニッケルメッキし、ニッケル層と突起とが同時に形成される。
【００３０】
無機材料又は有機材料等で構成される粒子を付着させたコア粒子の表面に上記金属層を形成する方法は、特に限定されない。例えば、重合性不飽和単量体と媒体とを含有する重合性液滴が媒体中に分散した分散液を調製する工程と、上記分散液に上記粒子を添加し、上記粒子を重合性液滴の表面に付着させる工程と、上記粒子が付着した重合性液滴を重合させて突起粒子を作製する工程と、突起粒子を金属メッキする工程とを有する方法が好ましい。
【００３１】
また、他の方法として、例えば、シード粒子と、重合性不飽和単量体を含有する媒体とを混合してシード粒子が媒体中に分散した分散液を調製する工程と、上記シード粒子に重合性不飽和単量体を吸収させ重合性液滴を調製する工程と、分散液に上記粒子を添加し、上記粒子を重合性液滴の表面に付着させる工程と、上記粒子が付着した重合性液滴を重合させ突起粒子を作製する工程と、突起粒子を金属メッキする工程とを有する方法が挙げられる。
【００３２】
上記絶縁微粒子は、絶縁性の粒子であれば特に限定されず、例えば、絶縁性樹脂で構成される絶縁微粒子、シリカ等の絶縁微粒子等が挙げられる。なかでも絶縁性樹脂で構成される絶縁微粒子が好ましい。上記絶縁性樹脂は特に限定されず、例えば、上記有機微粒子に用いられる樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００３３】
上記絶縁微粒子の直径の下限は２００ｎｍ、上限は５００ｎｍである。上記絶縁微粒子の直径が２００〜５００ｎｍの範囲内であると、隣接する電極間の短絡を防止し、対向する電極間の接続抵抗値を低下させる効果に優れる。上記絶縁微粒子の直径の好ましい下限は２４０ｎｍ、より好ましい下限は２５０ｎｍである。上記絶縁微粒子の直径の好ましい上限は４５０ｎｍであり、より好ましい上限は４２０ｎｍである。
なお、上記絶縁微粒子の直径は、電子顕微鏡を用いて無作為に選んだ５０個の絶縁微粒子を観察して得られた直径の平均値を意味する。
【００３４】
上記絶縁微粒子は、粒子径のＣＶ値が２０％以下であることが好ましい。ＣＶ値が２０％を超えると、被覆導電性微粒子の接続信頼性が低下することがある。
【００３５】
上記絶縁微粒子は、正電荷を有する絶縁微粒子であることが好ましい。上記絶縁微粒子が正電荷を有することにより、後述するヘテロ凝集法を用いて、上記絶縁微粒子が基材微粒子に付着する。また、上記絶縁微粒子同士が静電反発するため、絶縁微粒子同士の凝集が抑制される。その結果、上記基材微粒子の表面に、単層の被覆層が形成される。
また、上記絶縁微粒子がアンモニウム基又はスルホニウム基を有すると、上記絶縁微粒子は正電荷を有する。上記アンモニウム基又はスルホニウム基は、後述する金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）としても作用する。その結果、絶縁微粒子が基材微粒子の表面の金属と化学結合を形成しやすくなる。従って、上記絶縁微粒子はアンモニウム基又はスルホニウム基を有する樹脂で構成されていることが好ましい。なかでも、上記絶縁微粒子はスルホニウム基を有する樹脂で構成されていることがより好ましい。
【００３６】
上記正電荷を有する絶縁微粒子は特に限定されないが、正電荷を有する重合性単量体を重合させた絶縁微粒子、正電荷を有するラジカル開始剤を用いて重合した絶縁微粒子、正電荷を有する分散安定剤又は乳化剤を用いて製造された絶縁微粒子等が挙げられる。
上記正電荷を有する重合性単量体は、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド等のアンモニウム基含有モノマー、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩等のスルホニウム基を有するモノマー等が挙げられる。上記正電荷を有するラジカル開始剤は、例えば、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシ−ブチル）］−プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］、２，２’−アゾビス（２−アミノジプロパン）及びこれらの塩等が挙げられる。
【００３７】
上記導電性の金属表面を有する基材微粒子は、導電性の金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）を介して、上記絶縁微粒子と化学結合していることが好ましい。
上記絶縁微粒子は、上記基材微粒子に化学結合しているため、ファンデルワールス力や静電気力による結合に比べて結合力が強い。そのため、本発明の被覆導電性微粒子をバインダー樹脂等に混合しても、絶縁微粒子が剥がれ落ちにくくなる。従って、本発明の被覆導電性微粒子を異方性導電材料として用いると、絶縁微粒子が剥がれ落ちにくいため、隣接する被覆導電性微粒子同士の短絡が防止できる。
上記基材微粒子は表面に突起を有するため、絶縁微粒子が基材微粒子に強固に化学結合していたとしても、熱圧着により突起が絶縁微粒子を押し退ける。その結果、電極間を確実に導電接続できる。更に、この化学結合は基材微粒子と絶縁微粒子との間にのみ形成されるため、絶縁微粒子同士が化学結合しない。従って、絶縁微粒子による被覆層は単層となる。このことから、基材微粒子及び絶縁微粒子の粒子径を揃えれば、本発明の被覆導電性微粒子の粒子径を制御できる。
【００３８】
上記官能基（Ａ）は、上記導電性の金属とイオン結合、共有結合、配位結合できる官能基であれば特に限定されず、例えば、シラン基、シラノール基、カルボキシル基、アミノ基、アンモニウム基、ニトロ基、水酸基、カルボニル基、チオール基、スルホン酸基、スルホニウム基、ホウ酸基、オキサゾリン基、ピロリドン基、燐酸基、ニトリル基等が挙げられる。なかでも、配位結合できる官能基が好ましく、Ｓ、Ｎ、Ｐ原子を有する官能基がより好ましい。例えば、金属が金である場合は、上記官能基（Ａ）は、金に対して配位結合を形成するＳ原子を有する官能基であることが好ましく、特にチオール基、スルフィド基であることがより好ましい。
【００３９】
このような官能基（Ａ）を用いて上記基材微粒子と上記絶縁微粒子とを化学結合させる方法は特に限定されない。例えば、１）官能基（Ａ）を表面に有する絶縁微粒子を基材微粒子の表面に導入する方法、２）官能基（Ａ）と反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物を基材微粒子の金属表面に導入し、一段階又は多段階の反応により反応性官能基（Ｂ）と絶縁微粒子とを反応させて結合する方法等が挙げられる。
上記１）の方法では、官能基（Ａ）を表面に有する絶縁微粒子を作製する方法は特に限定されず、例えば、官能基（Ａ）を有するモノマーを絶縁微粒子の重合時に混入させる方法、絶縁微粒子の表面に化学結合により官能基（Ａ）を導入する方法、絶縁微粒子の表面を化学処理し官能基（Ａ）に改質する方法、絶縁微粒子の表面をプラズマ等で官能基（Ａ）に改質する方法等が挙げられる。
【００４０】
上記２）の方法では、例えば、同一分子内に官能基（Ａ）と、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、シリル基、シラノール基、イソシアネート基等の反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物を基材微粒子と反応させる。次いで、反応性官能基（Ｂ）に共有結合できる官能基を表面に有する絶縁微粒子を反応させる方法等が挙げられる。このような同一分子内に官能基（Ａ）と反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物は、例えば、２−アミノエタンチオール、ｐ−アミノチオフェノール等が挙げられる。例えば、基材微粒子の表面にチオール基を介して２−アミノエタンチオールを結合させ、一方のアミノ基に対して例えば表面にエポキシ基やカルボキシル基等を有する絶縁微粒子を反応させることにより、上記基材微粒子と上記絶縁微粒子とを結合することができる。
【００４１】
本発明の被覆導電性微粒子を用いて電極間の接合を行う場合、熱及び圧力を加えて熱圧着することにより上記基材微粒子の金属表面を露出させて導通させる。ここで金属表面が露出するとは、上記基材微粒子の金属表面の少なくとも一部が絶縁微粒子に妨げられずに直接電極と接することができる状態である。なお、上記熱圧着の条件は、異方性導電材料中の被覆導電性微粒子の密度や接続する電子部品の種類等により必ずしも限定されないが、上記熱圧着は、１２０〜２２０℃の温度で、９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａの圧力により行う。
【００４２】
上記基材微粒子の金属表面が露出する態様は、以下の３つの態様が挙げられる。
第１の態様は、熱圧着することにより、絶縁微粒子が溶融して、基材微粒子の金属表面が露出する態様である。第２の態様は、熱圧着することにより、絶縁微粒子が変形して、基材微粒子の金属表面が露出する態様である。第３の態様は、熱圧着することにより、基材微粒子と絶縁微粒子とが解離して、基材微粒子の金属表面が露出する態様である。
なかでも、第２の態様により基材微粒子の金属表面が露出して導電接続されることが好ましい。
第１の態様による場合は、溶融した絶縁微粒子がブリードアウトして、バインダー樹脂や基板を汚染することがある。また、隣接する被覆導電性微粒子間を絶縁する被覆層が溶融して充分な絶縁性が得られないことがある。
第３の態様による場合は、熱圧着時に基材微粒子と絶縁微粒子とが対向する電極間に並んでいると、接続信頼性が低くなることがある。なお、基材微粒子が表面に突起を有することにより、第２の態様及び第３の態様であっても、基材微粒子の金属表面が露出し易くなる。
【００４３】
基材微粒子の金属表面が露出して導電接続が行われる態様は、熱圧着条件等に影響されることがある。通常は、この態様は、基材微粒子の硬さと絶縁微粒子の硬さとの相対関係により制御ができる。ここで粒子の硬さとは、熱圧着条件下における相対的な硬さをいう。例えば、基材微粒子と比較して絶縁微粒子の軟化温度が低く、熱圧着条件下では絶縁微粒子のみが軟化する場合は、絶縁微粒子が軟らかいといえる。
【００４４】
なお、上記基材微粒子の金属表面を露出させるために、絶縁微粒子の被覆率が５〜５０％であることが好ましい。絶縁微粒子の被覆率とは、基材微粒子の表面積全体に占める絶縁微粒子により被覆されている部分の面積の割合を意味する。絶縁微粒子の被覆率が５％未満であると隣接する被覆導電性微粒子同士の絶縁が充分ではないことがある。絶縁微粒子の被覆率が５０％を超えると、第１の態様の場合では、隣接する被覆導電性微粒子間を絶縁する被覆層が溶融して充分な絶縁性を示さないことがある。第２の態様の場合では、絶縁微粒子が変形しても、基材微粒子の金属表面が充分に露出しないことがある。第３の態様の場合では、被覆導電性微粒子と電極との間に存在する絶縁微粒子を押し退ける必要がある。
【００４５】
本発明の被覆導電性微粒子を作製する方法として、上記突起を有する基材微粒子の表面に上記絶縁微粒子を接触させ化学結合させる方法が好ましい。例えば、有機溶剤又は水中において、導電性の金属表面を有する基材微粒子に絶縁微粒子をファンデルワールス力又は静電相互作用により凝集させる工程１と、導電性の金属表面を有する基材微粒子と絶縁微粒子とを化学結合させる工程２とを有する方法が好ましい。工程１の凝集法はヘテロ凝集法と呼ばれる方法である。ヘテロ凝集法を用いれば、溶媒効果により基材微粒子と絶縁微粒子との間の化学反応が迅速かつ確実に起こる。従来の高速攪拌機やハイブリダイザー等の乾式方法により、基材微粒子の表面に絶縁微粒子を導入すると、基材微粒子に圧力や摩擦熱等の負荷がかかりやすい。絶縁微粒子が基材微粒子より硬いと、基材微粒子に傷がついたり、金属層が剥離したりすることがある。また、絶縁微粒子が基材微粒子より柔らかいと、基材微粒子との衝突や摩擦熱により絶縁微粒子が変形することがある。
上記有機溶剤は、絶縁微粒子を溶解しない有機溶剤であれば特に限定されない。
【００４６】
本発明の被覆導電性微粒子は、基材微粒子の表面に絶縁微粒子が付着していることから、異方性導電材料として用いても、隣接する被覆導電性微粒子間で短絡が発生しにくい。更に、上記基材微粒子の表面に突起があることから、接続時に基材微粒子の金属表面が露出して確実に導通が得られる。また、基材微粒子と絶縁微粒子とが化学結合している場合、バインダー樹脂に混合しても、絶縁微粒子が剥がれ落ちにくい。
【００４７】
本発明の被覆導電性微粒子は、異方性導電材料、熱線反射材料、電磁波シールド材料等の用途に用いることができる。なかでも、本発明の被覆導電性微粒子は、絶縁性のバインダー樹脂中に分散させることにより異方性導電材料として好適に用いることができる。
本発明の被覆導電性微粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されてなる異方性導電材料もまた、本発明の１つである。
なお、本明細書において、異方性導電材料には、異方性導電膜、異方性導電ペースト、異
方性導電接着剤、異方性導電インク等が含まれる。
【００４８】
上記絶縁性のバインダー樹脂は、絶縁性であれば特に限定されないが、例えば、アクリル酸エステル、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体の水添物、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体の水添物、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
【００４９】
本発明の異方性導電材料は、必須成分であるバインダー樹脂及び本発明の被覆導電性微粒子以外に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤、難燃剤等の各種添加剤が添加されてもよい。
【００５０】
本発明の異方性導電材料は、絶縁微粒子に含まれる官能基と、バインダー樹脂中の官能基とが化学結合することが好ましい。上記絶縁微粒子とバインダー樹脂とが化学結合することにより、バインダー樹脂中に分散された本発明の被覆導電性微粒子の安定性が優れる。また、熱溶融した絶縁微粒子がブリードアウトして電極や液晶を汚染することがない。その結果、長期的な接続の安定性や信頼性に優れる異方性導電材料が得られる。  
【００５１】
上記バインダー樹脂中に本発明の被覆導電性微粒子を分散させる方法は特に限定されず、従来公知の分散方法を用いることができる。例えば、バインダー樹脂中に被覆導電性微粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、被覆導電性微粒子を水や有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、バインダー樹脂中へ添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、バインダー樹脂を水や有機溶剤等で希釈した後、被覆導電性微粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等の機械的剪断力を付与する分散方法等が挙げられる。これらの分散方法は、単独で用いられてもよいし、併用されてもよい。
【００５２】
上記異方性導電膜を作製する方法は特に限定されない。例えば、バインダー樹脂に溶媒を加え、更に本発明の被覆導電性微粒子を懸濁させ、懸濁液を作製する。この懸濁液を離型フィルム上に塗布して被膜を作り、被膜から溶媒を揮発させ、異方性導電膜を作製する方法等が挙げられる。
【００５３】
上記異方性導電ペーストは、例えば、異方性導電接着剤をペースト状にすることにより作製できる。異方性導電ペーストを、接続すべき電極上に所望の厚みに塗り、この上に対向電極を重ね合わせ、熱圧着して樹脂を硬化させる。
【００５４】
上記異方性導電インクは、例えば、異方性導電接着剤に溶媒を加えて印刷に適した粘度に調整することにより、作製できる。異方性導電インクを電極上にスクリーン印刷し、その後溶媒を揮発させ、対向する電極を重ねて熱圧着することにより接続できる。
【００５５】
本発明の被覆導電性微粒子又は本発明の異方性導電材料によりＩＣチップや基板等の電子部品が導電接続されている導電接続構造体もまた、本発明の１つである。
【発明の効果】
【００５６】
本発明によれば、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００５８】
（実施例１）
（無電解メッキ前処理工程）
テトラメチロールメタンテトラアクリレート５０重量部とジビニルベンゼン５０重量部とを共重合させ、樹脂微粒子（平均粒子径３μｍ）を作製した。樹脂微粒子１０ｇの表面にパラジウム触媒を付与した。
【００５９】
（芯物質複合化工程）
パラジウム触媒が付与された樹脂微粒子１０ｇをイオン交換水３００ｍＬに分散させ、水溶液を作製した。水溶液に金属ニッケル粒子（平均粒子径５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて添加し、金属ニッケル粒子が付着した樹脂微粒子を作製した。
【００６０】
（無電解ニッケルメッキ工程）
金属ニッケル粒子が付着した樹脂微粒子を、イオン交換水１２００ｍＬに分散させ、メッキ安定剤４ｍＬを添加し、懸濁液を作製した。懸濁液に、硫酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１１６ｇ／Ｌ、メッキ安定剤６ｍＬの混合溶液１２０ｍＬを、８１ｍＬ／分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、メッキ液のｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、無電解メッキ前期工程を行った。
【００６１】
次いで、メッキ液に、硫酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１１６ｇ／Ｌ、メッキ安定剤３５ｍＬの混合溶液６５０ｍＬを２７ｍＬ／分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、メッキ液のｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、無電解メッキ後期工程を行った。
次いで、メッキ液を濾過し、得られた粒子を水で洗浄した後、真空乾燥機で乾燥して、０．１μｍのニッケル層が形成された導電性微粒子を作製した。
【００６２】
（金メッキ工程）
ニッケル層が形成された導電性微粒子を置換金メッキし、ニッケル層の表面に０．０３μｍの金層が形成された導電性微粒子を作製した。なお、置換金メッキ後のニッケル層の厚さは０．０７μｍであった。
【００６３】
（絶縁微粒子の作製）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管、温度プローブを取り付けた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸グリシジル２０ｍｍｏｌ、メタクリル酸メチル１８０ｍｍｏｌ、ジメタクリル酸エチレングリコール６ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩１ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミノ］ジプロパン｝１ｍｍｏｌを含有するモノマー組成物を作製した。モノマー組成物の固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に分散させた後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合した。反応終了後、凍結乾燥して、表面にスルホニウム基及びエポキシ基を有する平均直径２４０ｎｍ、粒子径のＣＶ値７％の絶縁微粒子を作製した。
【００６４】
（被覆導電性微粒子の製造）
絶縁微粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液を作製した。
ニッケル層の表面に金層が形成された導電性微粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。分散液を３μｍのメッシュフィルターで濾過し、得られた粒子を水で洗浄した後、真空乾燥機で乾燥して、被覆導電性微粒子を作製した。
【００６５】
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、被覆導電性微粒子は、突起を有する基材微粒子の表面に、絶縁微粒子の被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により被覆導電性微粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁微粒子の被覆面積（即ち絶縁微粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。
【００６６】
また、得られた被覆導電性微粒子の表面に形成された突起の高さは、５５ｎｍであった。
上記突起の高さは、以下の方法で算出できる。被覆導電性微粒子５０個を走査型電子顕微鏡で観察し、観察された被覆導電性微粒子の周縁部の突起すべての高さを測定する。突起が形成されていない金属表面を基準表面として、突起の高さを測定し、測定値を算術平均することにより、上記突起の高さを算出した。
【００６７】
得られた被覆導電性微粒子をｔ−ブチルアルコールに分散し、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウエハ上に乾燥後の被覆導電性微粒子の重量が０．００００４ｇ（約２４万個）となるように塗布した。ｔ−ブチルアルコールを揮発させた後、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウエハをかぶせ、１００Ｎの加圧下、２００℃で３０秒間加熱した。その後、シリコンウエハを剥がし、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により被覆導電性微粒子の表面の絶縁微粒子を観察した。溶融した絶縁微粒子を押し退けて基材微粒子の突起が露出していたことが確認された。
【００６８】
（実施例２〜６）
突起の高さ、及び、絶縁微粒子の直径を表１の値に調整したこと以外は、実施例１と同様にして被覆導電性微粒子を作製した。
【００６９】
（実施例７）
（被覆導電性微粒子の製造）
実施例１と同様にして得られた絶縁微粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液を作製した。
実施例１と同様にして得られた０．１μｍのニッケル層が形成された導電性微粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。分散液を３μｍのメッシュフィルターで濾過し、得られた粒子を水で洗浄した後、真空乾燥機で乾燥して、被覆導電性微粒子を作製した。
得られた被覆導電性微粒子について、実施例１と同様にして測定した結果、被覆率は３０％、表面に形成された突起の高さは５５ｎｍであった。
【００７０】
得られた被覆導電性微粒子をｔ−ブチルアルコールに分散し、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウエハ上に乾燥後の被覆導電性微粒子の重量が０．００００４ｇ（約２４万個）となるように塗布した。ｔ−ブチルアルコールを揮発させた後、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウエハをかぶせ、１００Ｎの加圧下、２００℃で３０秒間加熱した。その後、シリコンウエハを剥がし、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により被覆導電性微粒子の表面の絶縁微粒子を観察した。溶融した絶縁微粒子を押し退けて基材微粒子の突起が露出していたことが確認された。
【００７１】
（実施例８〜１２）
突起の高さ、及び、絶縁微粒子の直径を表１の値に調整したこと以外は、実施例７と同様にして被覆導電性微粒子を作製した。
【００７２】
（実施例１３）
（無電解パラジウムメッキ工程）
実施例１と同様にして得られた０．０７μｍのニッケル層が形成された導電性微粒子１０ｇを、超音波処理機により、イオン交換水５００ｍＬに分散させ、粒子懸濁液を得た。この懸濁液を５０℃で攪拌しながら、硫酸パラジウム０．０２ｍｏｌ／Ｌ、錯化剤としてエチレンジアミン０．０４ｍｏｌ／Ｌ、還元剤として蟻酸ナトリウム０．０６ｍｏｌ／Ｌ及び結晶調整剤を含むｐＨ１０．０の無電解メッキ液を徐々に添加し、無電解パラジウムメッキを行った。パラジウム層の厚みが０．０３μｍになった時点で無電解パラジウムメッキを終了した。次に、洗浄し、真空乾燥することにより、ニッケル層の表面にパラジウム層が形成された導電性微粒子を得た。
【００７３】
（被覆導電性微粒子の製造）
実施例１と同様にして得られた絶縁微粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液を作製した。
ニッケル層の表面にパラジウム層が形成された導電性微粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。分散液を３μｍのメッシュフィルターで濾過し、得られた粒子を水で洗浄した後、真空乾燥機で乾燥して、被覆導電性微粒子を作製した。
【００７４】
得られた被覆導電性微粒子について、実施例１と同様にして測定した結果、被覆率は３０％、表面に形成された突起の高さは５５ｎｍであった。
【００７５】
得られた被覆導電性微粒子をｔ−ブチルアルコールに分散し、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウエハ上に乾燥後の被覆導電性微粒子の重量が０．００００４ｇ（約２４万個）となるように塗布した。ｔ−ブチルアルコールを揮発させた後、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウエハをかぶせ、１００Ｎの加圧下、２００℃で３０秒間加熱した。その後、シリコンウエハを剥がし、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により被覆導電性微粒子の表面の絶縁微粒子を観察した。溶融した絶縁微粒子を押し退けて基材微粒子の突起が露出していたことが確認された。
【００７６】
（実施例１４〜１８）
突起の高さ、及び、絶縁微粒子の直径を表１の値に調整したこと以外は、実施例１３と同様にして被覆導電性微粒子を作製した。
【００７７】
（比較例１〜７、１１）
突起の高さ、及び、絶縁微粒子の直径を表２の値に調整したこと以外は、実施例１と同様にして被覆導電性微粒子を作製した。
【００７８】
（比較例８）
（無電解メッキ前処理工程）
テトラメチロールメタンテトラアクリレート５０重量部とジビニルベンゼン５０重量部とを共重合させ、樹脂微粒子（平均粒子径３μｍ）を作製した。
【００７９】
（無電解ニッケルメッキ工程）
得られた樹脂微粒子を、イオン交換水１２００ｍＬに分散させ、メッキ安定剤４ｍＬを添加し、懸濁液を作製した。懸濁液に、硫酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１１６ｇ／Ｌ、メッキ安定剤６ｍＬの混合溶液１２０ｍＬを、８１ｍＬ／分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、メッキ液のｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、無電解メッキ前期工程を行った。
【００８０】
次いで、メッキ液に、硫酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１１６ｇ／Ｌ、メッキ安定剤３５ｍＬの混合溶液６５０ｍＬを２７ｍＬ／分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、メッキ液のｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、無電解メッキ後期工程を行った。
次いで、メッキ液を濾過し、得られた粒子を水で洗浄した後、真空乾燥機で乾燥して、０．１μｍのニッケル層が形成された導電性微粒子（突起無し）を作製した。
【００８１】
（金メッキ工程）
ニッケル層が形成された導電性微粒子（突起無し）を置換金メッキし、ニッケル層の表面に０．０３μｍの金層が形成された導電性微粒子（突起無し）を作製した。なお、置換金メッキ後のニッケル層の厚さは０．０７μｍであった。
【００８２】
（被覆導電性微粒子の製造）
実施例１と同様にして得られた絶縁微粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液を作製した。
ニッケル層の表面に金層が形成された導電性微粒子（突起無し）１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、１０重量％の絶縁微粒子分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。分散液を３μｍのメッシュフィルターで濾過し、得られた粒子を水で洗浄した後、真空乾燥機で乾燥して、被覆導電性微粒子（突起無し）を作製した。
【００８３】
（比較例９、１０）
絶縁微粒子の直径を表２の値に調整したこと以外は、比較例８と同様にして被覆導電性微粒子（突起無し）を作製した。
【００８４】
（比較例１２〜１５）
突起の高さ、及び、絶縁微粒子の直径を表２の値に調整したこと以外は、実施例７と同様にして被覆導電性微粒子を作製した。
【００８５】
（比較例１６〜１８）
突起の高さ、及び、絶縁微粒子の直径を表２の値に調整したこと以外は、実施例１３と同様にして被覆導電性微粒子を作製した。
【００８６】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた被覆導電性微粒子について以下の評価を行った。結果を表１、２に示した。
【００８７】
（１）異方性導電膜の作製
バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製「エピコート８２８」）１００重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール２重量部、及び、トルエン１００重量部を、遊星式攪拌機を用いて充分に混合し、混合物を得た。得られた混合物を、離型フィルム上に乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、トルエンを揮発させて接着性フィルム１を得た。
次いで、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製「エピコート８２８」）１００重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール２重量部、及び、トルエン１００重量部に、被覆導電性微粒子を添加し、遊星式攪拌機を用いて充分に混合し、混合物を得た。得られた混合物を、離型フィルム上に乾燥後の厚さが７μｍとなるように塗布し、トルエンを揮発させて導電性微粒子を含有する接着性フィルム２をそれぞれ得た。なお、接着性フィルム２における導電性微粒子の含有量は２０万個／ｃｍ２となるように調整した。
得られた接着性フィルム１と接着性フィルム２とを常温でラミネートし、２層構造を有する厚さ１７μｍの異方性導電膜を得た。
なお、被覆導電性微粒子を含有した混合物の一部をトルエンで洗浄し、被覆導電性微粒子を取り出した。次いで、被覆導電性微粒子をＳＥＭにより観察したところ、絶縁微粒子は、被覆導電性微粒子から剥離していなかった。
【００８８】
（２）導電性評価
得られた異方性導電膜を３ｃｍ×４ｃｍの大きさに切断した。切断した異方性導電膜を、一方に抵抗測定用の引き回し線を有したアルミニウム電極（高さ０．２μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）を有するガラス基板（幅３ｃｍ、長さ４ｃｍ）のアルミニウム電極側のほぼ中央に貼り付けた。次いで、同じアルミニウム電極を有するガラス基板（幅３ｃｍ、長さ４ｃｍ）を、電極同士が重なるように位置合わせをしてから貼り合わせた。このガラス基板の積層体を、１０Ｎ、１００℃の圧着条件で熱圧着し、導電接続構造体を得た。得られた導電接続構造体の対向する電極間の接続抵抗値を４端子法により測定した。導電性評価は以下の基準で行った。
◎：接続抵抗値が５Ω未満であった
○：接続抵抗値が１０Ω未満５Ω以上であった
×：接続抵抗値が１０Ω以上であった
【００８９】
（３）絶縁性評価
得られた導電接続構造体の隣接する電極間の絶縁性を評価した。絶縁性評価は以下の基準で行った。
○：隣接する電極間に短絡が確認されなかった
×：隣接する電極間に短絡が確認された
【００９０】
【表１】
0005395482.tif 000002
【００９１】
【表２】
0005395482.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明によれば、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供できる。