(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハにサポート性を付与するサポート部材を貼合して前記半導体ウエハの裏面を研磨した後に、前記サポート部材の剥離に先んじて前記半導体ウエハの研磨面に貼合され、前記サポート部材を機械的に剥離した後に、前記半導体ウエハのダイシングに用いられる半導体加工用粘着テープであって、
基材樹脂フィルムの少なくとも一方の面に放射線硬化性の粘着剤層が形成され、
前記粘着剤層が、下記の（ａ）〜（ｃ）の化合物のすべてを含有し、
（ａ）下記の化合物（ａ１）〜（ａ３）からなる不飽和二重結合を有するアクリル系化合物であって、重量平均分子量が１０００００以上２００００００以下を満たすもの
（ａ１）ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレートまたはこれらと同様のメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、ヒドロキシアルキルアクリレート類、ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、ビニルアルコールから選択される１種もしくは複数種の重合体、または、数種の重合体の混合物
（ａ２）前記化合物（ａ１）に共重合される官能基を有するアクリル系化合物として、ヒドロキシアルキルアクリレート類、又はヒドロキシアルキルアクリルアミド類であって、分子量が１００以上を満たすもの
（ａ３）前記化合物（ａ１）に付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物として、付加反応の対象となる側鎖がカルボキシル基または酸無水物である場合には、グリシジル（メタ）アクリレート、付加反応の対象となる側鎖がエポキシ基である場合には、（メタ）アクリル酸、付加反応の対象となる側鎖が水酸基である場合には、２一イソシアネートアルキル（メタ）アクリレート
（ｂ）光重合開始剤
（ｃ）前記化合物（ａ）１００質量部に対して０．１〜１５質量部のポリイソシアネート類
前記粘着剤層の紫外線照射前における前記サポート部材の貼合に使用した接着剤の残渣を洗浄する洗浄液であるメチルイソブチルケトンに対するゲル分率が６５％以上１００％以下となり、
且つ、前記粘着剤層の紫外線照射前における２３℃での、直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度、１００ｇｆの接触荷重で１秒間接触させた後、前記プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がすのに要する力を測定するプローブタック試験のピーク値が２００〜６００ｋＰａとなるように、前記粘着剤層の化合物（ａ）〜（ｃ）が調整されていることを特徴とする半導体加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記粘着剤層が、さらにポリプロピレンオキシドを含有してなり、
前記ポリプロピレンオキシドが、前記粘着剤層の全固形分に対して０．１重量％以上２．０重量％以下含まれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記ポリプロピレンオキシドは、数平均分子量が３０００よりも大きく１００００以下であることを特徴とする請求項２に記載の半導体加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスを製造する工程における半導体ウエハのダイシングに用いる半導体加工用粘着テープに関する。さらに詳しくは、サポート部材を用いた半導体素子の製造に用いる半導体加工用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンが形成された半導体ウエハの裏面を薄型加工するにあたっては、半導体ウエハのパターン面の保護と半導体ウエハ自体の固定を行うために、パターン面に保護シートを貼り付けた後に、裏面に研磨、研削等の薄型加工を施すのが一般的である。このような保護シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等が塗布されてなるものが一般的に用いられている。しかし、近年、ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化により、半導体チップの厚さも５０μｍ以下のレベルが要求されてきており、従来の保護テープを用いた工程では、保護テープのみでは半導体ウエハを支えることができず、研削後における半導体ウエハの反りや、ウエハカセットへの収納時おける撓み等により、半導体ウエハの取り扱いが難しくなりハンドリングや搬送の自動化を困難にしていた。
【０００３】
この問題に対し、半導体ウエハにガラス基板、セラミック基板やシリコンウエハ基板等を、接着剤を介して貼り合わせ、半導体ウエハにサポート性を付与する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このように保護シートに代わりガラス基板、セラミック基板やシリコンウエハ基板等のサポート部材を用いることにより、半導体ウエハのハンドリング性は大きく向上し、搬送の自動化が可能となる。
【０００４】
サポート部材を用いて半導体ウエハをハンドリングした場合、半導体ウエハの裏面研削の後に、半導体ウエハからサポート部材を剥離する工程が必要となる。サポート部材の剥離は、（１）サポート部材と半導体ウエハとの間の接着剤を化学薬品にて溶解または分解する、（２）サポート部材と半導体ウエハとの間の接着剤にレーザー光を照射し光分解する等の方法で行われることが一般的である。しかしながら、（１）の方法では、接着剤中に化学薬品を拡散させるのに長時間の処理が必要とされ、また（２）の方法では、レーザーのスキャンに長時間の処理が必要であるという問題があった。また、いずれの方法も、サポート部材として特殊な基板を用意する必要があるといった問題があった。
【０００５】
このため、サポート部材の剥離に際し、剥離の切っ掛けを形成した後、物理的・機械的に剥離させる方法が提案されている（例えば、特許文献２、３参照）。この方法は、従来の接着剤の化学薬品による溶解または分解やレーザースキャンによる光分解で必要とされていた長時間の処理が不要となり、短時間での処理が可能となる。半導体ウエハからサポート部材を剥離した後、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウエハ上の接着剤の残渣は、その後、化学薬品にて洗浄される。
【０００６】
裏面が研削された半導体ウエハは、その後、ダイシング工程に移され、個々のチップに切断されるが、上述のように、半導体チップの厚さが５０μｍ以下となると、半導体ウエハ単独では、研削後における半導体ウエハの反りや、ウエハカセットへの収納時おける撓み等により、半導体ウエハの取り扱いが非常に困難となることから、半導体ウエハの裏面研削直後にサポート部材の剥離に先んじて、半導体ウエハの研削面にダイシングテープが貼り合わされ、リングフレームに支持固定されるのが通例である。従って、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウエハ上の接着剤残渣の化学薬品よる洗浄は、ダイシングテープに半導体ウエハが貼られた状態で行われることとなり、ダイシングテープには高い耐溶剤性が求められる。
【０００７】
高い耐溶剤性を有するダイシングテープとしては、粘着剤層にエネルギー線硬化型アクリル樹脂組成物を含み、かつゲル分率を７０％以上とすることが提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１３５２７２号公報
【特許文献２】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１１／０２７２０９２号明細書
【特許文献４】特開２００９−２２４６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献４に記載の半導体加工用粘着テープは、前述した特許文献２，３に示されるようなサポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備しておらず、半導体ウエハからサポート部材が剥離される代わりに、半導体加工用粘着テープから半導体ウエハが剥離してしまうという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、サポート部材を半導体ウエハに貼合していた接着剤残渣を洗浄するための洗浄液が粘着剤にかかった場合においても、粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備する半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材樹脂フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体加工用粘着テープであって、そのゲル分率を特定の値とし、且つ、そのプローブタックを特定の値とすることで、サポート部材の物理的・機械的剥離工程を含む半導体素子の製造工程において、粘着剤に洗浄液がかかった場合にも粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備し得ることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
【００１２】
すなわち、本願発明による半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルムの少なくとも一方の面に放射線硬化性の粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープであって、前記粘着剤層の紫外線照射前におけるゲル分率が６５％以上１００％以下であり、且つ、前記粘着剤層の紫外線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が２００〜６００ｋＰａであることを特徴とする。
【００１３】
上記半導体加工用粘着テープは、前記粘着剤層が、少なくとも、分子内に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリルポリマーと、光重合開始剤と、ポリプロピレンオキシドとを含有してなり、前記ポリプロピレンオキシドが、前記粘着剤層の全固形分に対して０．１重量％以上２．０重量％以下含まれていることが好ましい。
【００１４】
また、上記半導体加工用粘着テープは、前記ポリプロピレンオキシドは、数平均分子量が３０００よりも大きく１００００以下であることが好ましい。
【００１５】
また、上記半導体加工用粘着テープは、前記ゲル分率は、メチルイソブチルケトンに対するゲル分率であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、サポート部材を半導体ウエハに貼合していた接着剤残渣を洗浄するための洗浄液が粘着剤にかかった場合においても、粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
本発明の実施形態に係る半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に、少なくとも1層の粘着剤層が形成されている。
【００１９】
本発明の実施形態に係る半導体加工用粘着テープは、粘着剤層のゲル分率が、６５％以上、好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上である。ゲル分率は、半導体ウエハの裏面研削時に半導体ウエハにサポート部材を貼合するのに使用された接着剤を溶解または分解するための薬品に対するゲル分率であり、好ましくはメチルイソブチルケトンに対するゲル分率である。ゲル分率が小さすぎると、粘着剤層の耐薬品性が低く、半導体加工用粘着テープがメチルイソブチルケトンおよびその誘導体などの薬品にさらされる可能性のある半導体素子の製造工程においては、上記薬品によって溶融した粘着剤が半導体チップを汚染してしまう。
【００２０】
なお、本発明においてゲル分率とは、粘着剤層中の被架橋成分を除く架橋した粘着剤成分の比率を意味する。ゲル分率の算出には、以下に説明する手法を用いた。なお、本発明において、ゲル分率は、粘着剤層形成直後に、セパレータ等で粘着剤層表面を保護した状態であって、エネルギー線照射前の粘着剤層について測定されたものとする。
【００２１】
（ゲル分率の算出）
５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさにカットした半導体加工用粘着テープから、セパレータを除去し、その質量Ａを秤量した。次にこの秤量した半導体加工用粘着テープのサンプルを例えばメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１００ｇ中に浸漬した状態で４８時間放置した後、５０℃の恒温層で乾燥し、その質量Ｂを秤量した。更に１００ｇの酢酸エチルを用いてサンプルの粘着剤層を拭き取り除去した後、サンプルの質量Ｃを秤量し、下記式（１）によりゲル分率を算出した。
ゲル分率（％）＝（Ｂ−Ｃ）／（Ａ−Ｃ）          （１）
【００２２】
また、粘着剤層の放射線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が２００〜６００ｋＰａである。プローブタック試験のピーク値が小さすぎると、粘着剤層の被着体に対する密着性が不十分であり、サポート部材の剥離が困難となる。プローブタック試験のピーク値が大きすぎると、糊残りやチッピングが発生し易くとなる。プローブタックの測定には以下に説明する手法を用いる。
【００２３】
（プローブタックの測定）
プローブタックの測定は、例えば株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩを用いて行う。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｏａｄを用いる。セパレータを剥離した後、粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させる。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは３０ｍｍ／ｍｉｎであり、接触荷重は１００ｇｆであり、接触時間は１秒である。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定する。プローブ温度は２３℃であり、プレート温度は２３℃とする。
【００２４】
以下、本実施形態の半導体加工用粘着テープの各構成要素について詳細に説明する。
【００２５】
（基材樹脂フィルム）
基材樹脂フィルムとしては、粘着剤層を硬化させる放射線としてＵＶを用いる場合には基材樹脂フィルムは光透過性であることが必要であるが、放射線として電子線を用いる場合には基材樹脂フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。基材樹脂フィルムを構成する材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。またこれらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層との接着性によって任意に選択することができる。基材樹脂フィルムとしては、エチレン−アクリル酸共重合体のアイオノマーを用いてなるフィルムであることがさらに好ましい。  
【００２６】
基材樹脂フィルムの厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは１０〜５００μｍであり、より好ましくは４０〜４００μｍ、特に好ましくは７０〜２５０μｍである。
【００２７】
基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する面には密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。
【００２８】
（粘着剤層）
粘着剤層は、分子内に不飽和二重結合を有するアクリル系化合物を主成分とし、副成分として光重合開始剤、硬化剤などを含むアクリル系粘着剤のエネルギー線硬化型アクリル樹脂組成物を用いて形成されている。
【００２９】
上記の分子内に不飽和二重結合を有するアクリル系化合物としては、例えば、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレートまたはこれらと同様のメタクリレートや、官能基を有する、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、ヒドロキシアルキルアクリレート類、ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、ビニルアルコールから選択される１種もしくは複数種の重合体、または、数種の重合体の混合物（以下、「（化合物１）」という）に、光重合性炭素−炭素二重結合を導入したものが挙げられる。
【００３０】
ここで、粘着剤層のゲル分率を高める為に、特許文献４で提案されるように、アクリル樹脂組成物としては高分子量のものを選定し、それらを架橋剤によって架橋させる一般的な方法を用いた場合、これにより半導体加工用テープの接着性は低下する傾向にあり、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性が損なわれる結果となる。
【００３１】
そこで、（化合物１）に共重合される、官能基を有するアクリル系化合物としては特に制限されないが、後述する架橋剤と反応させることで得られる架橋構造形成の際、アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤の分子量の増大（即ち架橋点数の増大）と、粘着剤の柔軟性（タック力）を両立させる為、官能基を有するアクリル系化合物は大きな分子量を有することが好ましく、その分子量は１００以上であることが好ましく、より好ましくは１１５以上であることが望ましい。例えば、官能基を有するアクリル系化合物としてヒドロキシアルキルアクリレート類を用いる場合、２−ヒドロキシエチルアクリレート（分子量１１６）よりは２−ヒドロキシプロピルアクリレート（分子量１３０）、４−ヒドロキシブチルアクリレート（分子量１４４）、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート（分子量１９８）が好ましい。また、官能基を有するアクリル系化合物としてヒドロキシアルキルアクリルアミド類を用いる場合、Ｎ−(ヒドロキシメチル)アクリルアミド（分子量１０１）よりはＮ−（２−ヒドロキシエチル)アクリルアミド（分子量１１５）、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル)アクリルアミド（分子量１２９）が好ましい。官能基を有するアクリル系化合物として分子量の大きいモノマーを用いることにより、架橋点の分子運動が容易となり、粘着剤層により柔軟性を持たせることが可能となる。
【００３２】
（化合物１）に、光重合性炭素−炭素二重結合を導入する方法としては、（化合物１）の側鎖に官能基を有し、これと付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を（化合物１）に付加させる方法が挙げられる。（化合物１）に付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、付加反応の対象となる側鎖がカルボキシル基または酸無水物である場合には、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、付加反応の対象となる側鎖がエポキシ基である場合には、（メタ）アクリル酸等が挙げられ、付加反応の対象となる側鎖が水酸基である場合には、２一イソシアネートアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３３】
分子内に不飽和二重結合を有するアクリル系化合物は、耐薬品性の点より重量平均分子量１０００００以上２００００００以下であることが好ましく、更に好ましくは重量平均分子量３０００００以上１５０００００以下である。重量平均分子量１０００００以下では樹脂の耐薬品性が低い為に、サポート部材を取り外す際に用いられる洗浄液によって粘着剤層が溶解し、半導体基板を汚染してしまうことがある。一方、重量平均分子量１００００００以上の高分子量体は非常に高粘度となる為、粘着剤としての利用に適した状態での製造が困難である。
【００３４】
本発明に用いることのできる光重合開始剤は特に制限なく、従来知られている任意のものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等が挙げられ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
光重合開始剤の添加量としては、光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル系化合物１００質量部に対して０．１〜１５質量部とすることが好ましく、０．５〜１２質量部とすることがより好ましい。
【００３６】
硬化剤は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。アクリル系化合物と反応した結果できる架橋構造により、アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤の分子量を増加せしめ、耐溶剤性を粘着剤塗布後に向上させることができる。
【００３７】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）等を用いることができる。
【００３８】
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業社製）等を用いることができる。
【００３９】
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００４０】
架橋剤の種類としては特に制限されないが、前述した通り、（化合物１）の官能基と反応させることで得られる架橋構造形成の際、アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤の分子量の増大（即ち架橋点数の増大）と、同粘着剤の柔軟性（タック力）を両立させる為、１官能基当りの分子量が大きいものが好ましく、架橋剤の１官能基当りの分子量は、好ましくは１５０以上、より好ましくは２００以上であることが望ましい。例えば、架橋剤としてポリイソシアネート類を用いる場合、イソシアネート基１つ当りの分子量が大きいものが好ましい。ビウレット型、イソシアヌレート型よりはアロファネート型、アダクト型が好ましい。アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤が同じ架橋点数を有する、即ち、アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤の架橋構造形成後の分子量がほぼ同等であれば、アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤の耐溶剤性は同等であり、この際、イソシアネート基１つ当りの分子量が大きいものを用いた方が、架橋点の分子運動がより容易となる為、アクリル系化合物と硬化剤を含むアクリル系粘着剤はより柔軟となり、タック力を大きくすることができる。
【００４１】
硬化剤の添加量としては特に限定されることはないが、分子内に不飽和二重結合を有するアクリル系化合物１００質量部に対して０．１〜１５質量部とすることが好ましく、１〜１０質量部とすることがより好ましい。その量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１５質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行して架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれることがある。
【００４２】
また、分子内に不飽和二重結合を有するアクリル系化合物と前記アクリル系化合物と反応し得る架橋剤の、粘着剤層の全固形分に占める割合が８５ｗｔ％以上であることが好ましい。
【００４３】
また、半導体ウエハの裏面研削直後にサポート部材の剥離に先んじて、半導体ウエハの研削面に半導体加工用粘着テープが貼り合わされるわけであるが、特許文献４に示される半導体加工用粘着テープでは、裏面研削直後における酸化膜形成前のウエハ面に貼り合わされた場合、その後の剥離が困難になるという問題があった。そこで、裏面研削直後における酸化膜形成前のウエハ面に貼り合わされた場合でも、その後の剥離が容易になるようにするために、ポリプロピレンオキシドを添加することが好ましい。
【００４４】
ポリプロピレンオキシドとしては、特に制限されず、従来のポリプロピレンオキシドの中から適宜選択することができる。ポリプロピレンオキシドの数平均分子量は、好ましくは３０００よりも大きく１００００以下、さらに好ましくは、４０００〜１００００、である。ポリプロピレンオキシドの数平均分子量が大きすぎると、ポリプロピレンオキシドと前記アクリルポリマー（Ｘ）との親和性が悪く、被着体の汚染が生じる。ポリプロピレンオキシドの数平均分子量が小さすぎると、粘着剤層の耐水性が不十分となり、切削水により粘着剤層が膨潤し、ダイシングラインの蛇行が生じる。
【００４５】
被着体に対する汚染の観点から、数平均分子量が３０００よりも大きく１００００以下、さらに好ましくは、４０００〜１００００のポリオキシプロピレン−グリセリルエーテルが好ましい。数平均分子量がこの範囲のポリオキシプロピレン−グリセリルエーテルを用いることで、ポリプロピレンオキシド分子内の水酸基数が２から３に増えるため、ポリイソシアネート等の架橋剤との反応により、ポリプロピレンオキシドを架橋構造中に取り込まれる確率が増し、ポリプロピレンオキシドが被着体界面へ移行し、被着体表面の汚染を低減することができる。
【００４６】
数平均分子量が３０００よりも大きく１００００以下であるポリプロピレンオキシドとしては、ユニオールＤ−４０００（数平均分子量４０００）（（商品名）、日油株式会社製）、プレミノールＳ４００７（数平均分子量５０００）（（商品名）、旭硝子株式会社製）、プレミノールＳ４０１１（数平均分子量１００００）（（商品名）、旭硝子株式会社製）等を挙げることができる。数平均分子量が３０００よりも大きく１００００以下であるポリオキシプロピレン−グリセリルエーテルとしては、ユニオールＴＧ−４０００（数平均分子量４０００）（（商品名）、日油株式会社製））、プレミノールＳ３００６（数平均分子量５０００）（（商品名）、旭硝子株式会社製）、プレミノールＳ３０１１（数平均分子量１００００）（（商品名）、旭硝子株式会社製）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４７】
数平均分子量が３０００よりも大きく１００００以下のポリプロピレンオキシドの配合量としては、分子内に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリルポリマー（Ｘ）及び／又はアクリルポリマー（Ｙ）１００質量部に対して０．１〜３.０質量部、好ましくは０．５〜２．０質量部の範囲から適宜選択することができる。ポリプロピレンオキシドの配合量が少なすぎると、自然酸化膜が全面的に形成されていない状態の不安定なウエハ研削面に、ダイシング用粘着テープ又はシートが貼り合わせた場合に大口径の半導体ウエハから薄型の半導体チップを効率よくピックアップすることができない。ポリプロピレンオキシドの配合量が多すぎると、放射線硬化前における粘着性が不十分となり、ダイシング時にチップの端部が剥離し、チップ裏面に切削ダストが付着する。
【００４８】
粘着剤層を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤などが含まれていてもよい。
【００４９】
さらに本発明に用いられる粘着剤層を形成するアクリル系樹脂組成物には、必要に応じて紫外線硬化性モノマー、紫外線硬化性オリゴマー、粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができるが、これら材料の添加は粘着剤のゲル分率を低下させ、耐薬品性を損なう場合がある為、分子内に不飽和二重結合を有するアクリル系化合物１００質量部に対して２０質量部以下とすることが好ましく、より好ましくは１０質量部以下、更に好ましくは５質量部以下とすることがより好ましい。
【００５０】
粘着剤層の厚さは好ましくは５μｍ以上７０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以上５０μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。粘着剤層が薄すぎると電極の凹凸に追従できず、ダイシング加工の際に切削水や切削屑が浸入してしまうという問題が生じ、逆に厚すぎるとダイシング加工時においてチッピングが大きくなり、半導体素子の品質が低下する。
【００５１】
本発明において、粘着剤層を硬化させるエネルギー線としては、放射線が好ましく、放射線としては、紫外線（ＵＶ）などの光線、電子線などが挙げられる。
【００５２】
基材樹脂フィルム上に粘着剤層を形成する方法は特に限定はなく、例えば、上記のアクリル樹脂組成物を通常用いられる塗布方法によって基材樹脂フィルム上に塗布、乾燥させて形成す他、セパレータ上に塗布した粘着剤層を基材樹脂フィルムと貼り合わせることで基材樹脂フィルムに転写することで作製することができる。
【００５３】
また、必要に応じて、実用に供するまでの間、粘着剤層を保護するため通常セパレータとして用いられる合成樹脂フィルムを粘着剤層側に貼付しておいても良い。合成樹脂フィルムの構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。合成樹脂フィルムの表面には、粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。合成樹脂フィルムの厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００５４】
次いで、サポート部材について説明する。
【００５５】
（サポート部材）
サポート部材は、ケイ素、サファイヤ、水晶、金属（例えば、アルミニウム、銅、鋼）、種々のガラスおよびセラミックスから成る群から選択された素材から構成される。このサポート部材の接着剤を貼り付ける面には堆積された他の素材を含むこともできる。例えば、シリコンウエハ上に窒化ケイ素を蒸着することも可能で、これにより接合特性を変えることができる。
【００５６】
（サポート部材の貼り付け）
前記サポート部材を貼り付けるにあたっては、半導体ウエハの回路形成面に後述する接着剤の接着剤液を塗布した後、塗布した接着剤をオーブンまたはホットプレートで乾燥させる。また、接着剤（接着剤層）の必要な厚さを得るために、接着剤液の塗布と予備乾燥を複数回繰り返してもよい。
【００５７】
また、半導体ウエハの回路形成面に接着剤の接着剤液を塗布するにあたっては、接着剤の接着剤液の塗布を行う前に、特表２００９−５２８６８８号公報で示されるように、半導体ウエハの回路面にプラズマポリマー分離層を堆積させることで、サポート部材の剥離の際に、半導体ウエハの回路形成面とプラズマポリマー分離層の間で剥離せしめる場合がある。
【００５８】
また、半導体ウエハの回路形成面に接着剤液をスピンコータで塗布すると周縁部に一段高くなったビード部ができる場合がある。この場合には、当該接着剤液を予備乾燥する前に、ビード部を溶剤によって除去することが好ましい。
【００５９】
（接着剤）
接着剤としては、本発明においては市販のものを使用することができる。例えば、ブリューワーサイエンス社（ミズーリ州ローラ）から販売されているＷａｆｅｒＢＯＮＤＴＭ材料（スライドボンディングプロセス用のＷａｆｅｒＢＯＮＤＴＭ  ＨＴ  １０．１０、ケミカルボンディングプロセス用のＷａｆｅｒＢＯＮＤＴＭ  ＣＲ２００）や、ＷＡＣＫＥＲ製のバーグハウゼンの材料であるＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ  ３０７０等が挙げられる。
【００６０】
また、半導体素材、ガラスまたは金属に対し高い接着力を示す樹脂もしくはポリマー類も好ましく、特に好ましくは、例えば、（イ）高固形分で、反応性エポキシ類およびアクリル類のようなＵＶ硬化樹脂、（ロ）２液性エポキシまたはシリコン接着剤のような同族の熱硬化樹脂、（ハ）熱可塑性のアクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ハロゲン化ビニル（フッ素系不含）樹脂またはビニルエステルのポリマー類やコポリマー類を、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリスルホン類、ポリエーテルスルホン類またはポリウレタン類で、溶融状態または溶液塗膜として塗布し、塗工の後で焼くことにより乾燥してサポート部材と半導体ウエハを一層緻密にする、さらに、（ニ）環状オレフィン類、ポリオレフィンゴム類（例えばポリイソブチレン）または（ホ）炭化水素をベースとした粘着付与樹脂類が挙げられる。
【００６１】
接着剤としては、研磨時に水を使用するので非水溶性の高分子化合物が好ましく、また軟化点が高いことが望ましい。このような高分子化合物としては、ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アミド樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリスチレン、ポリビニルエーテル、ポリ酢酸ビニルおよびその変性物またはそれらの混合物を溶剤に溶解したものが挙げられる。中でもアクリル系樹脂材料は２００℃以上の耐熱性があり、発生するガスも少なく、クラックが発生し難いので好ましい。またノボラック樹脂もスカムがなく、耐熱性、発生ガス量及びクラックの発生についてはアクリル系樹脂材料に劣るが、軟化点が高く、接着後の剥離についても溶剤剥離が容易な点で好ましい。これに加えて成膜時のクラック防止に可塑剤を混合してもよい。
【００６２】
また、溶剤としては上記の樹脂を溶解でき、また均一にウエハに成膜できるものが望ましく、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等）、多価アルコール類もしくはその誘導体（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテートあるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等）、環式エーテル類（例えば、ジオキサン）、エステル類（例えば、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等）または芳香族炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等）を挙げることができる。これらのなかでも、特に上記のケトン類もしくはその誘導体が好ましい。
【００６３】
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。また膜厚の均一性を向上させるためにこれらに活性剤を添加してもよい。
【００６４】
（接着剤残渣の洗浄液）
半導体ウエハから接着剤とサポート部材を剥離した後に、半導体ウエハ１上に残存する接着剤残渣を取り除くための洗浄液としては、上記の接着剤に使用される有機溶剤に加え、一価アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等）、ラクトン類（例えば、γ−ブチロラクトン等）、ラクタム類（例えば、γ−ブチロラクタム等）、エーテル類（例えば、ジエチルエーテルやアニソール等）、アルデヒド類（例えば、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアルデヒド等）を使用してもよい。これらのなかでも、特に前述のケトン類もしくはその誘導体が好ましい。
【００６５】
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。また接着剤残渣の洗浄を効率よく行うために、これらに活性剤を添加してもよい。
【００６６】
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００６７】
（実施例１）
２−エチルヘキシルアクリレート（７０ｍｏｌ％）、メタクリル酸（１ｍｏｌ％）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート（２９ｍｏｌ％）の共重合体の２−ヒドロキシプロピルアクリレート側鎖末端ＯＨ基に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートのＮＣＯ基を付加反応させた光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系化合物（Ａ１：分子量７０００００）を得た。この化合物（Ａ１）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを１質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を５．０質量部加えて合し、放射線硬化性粘着剤である樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物を、予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、予め表面にコロナ処理が施された低密度ポリエチレンのコロナ処理面と貼り合わせて基材樹脂フィルムに粘着剤を転写させることで半導体加工用粘着テープを作製した。
【００６８】
（実施例２）
エチルアクリレート（７０ｍｏｌ％）、メタクリル酸（１ｍｏｌ％）、４−ヒドロキシブチルアクリレート（２９ｍｏｌ％）の共重合体の４−ヒドロキシブチルアクリレート側鎖末端ＯＨ基に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートのＮＣＯ基を付加反応させることにより光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系化合物（Ａ２：分子量１８００００）を得た。この化合物（Ａ２）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを１質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を５質量部加えて合し、放射線硬化性粘着剤である樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物を、予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、予め表面にコロナ処理が施された低密度ポリエチレンのコロナ処理面と貼り合わせて基材樹脂フィルムに粘着剤を転写させることで半導体加工用粘着テープを作製した。
【００６９】
（実施例３）
ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを３質量部配合した以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７０】
（実施例４）
ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを０．１質量部配合した以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７１】
（実施例５）
実施例１の放射線硬化性粘着剤に、更に紫外線硬化性樹脂としてペンタエリスリトールテトラアクリレートを２０．０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７２】
（実施例６）
実施例１の放射線硬化性粘着剤に、更にポリプロピレンオキシドとしてＡＧＣ株式会社製プレミノールＳ３０１１（数平均分子量１００００）を０．１質量部配合した以外は実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７３】
（実施例７）
実施例１の放射線硬化性粘着剤に、更にポリプロピレンオキシドとしてＡＧＣ株式会社製プレミノールＳ３００６（数平均分子量５０００）を１．０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７４】
（実施例８）
実施例１の放射線硬化性粘着剤に、更にポリプロピレンオキシドとして日油株式会社製ユニオールＴＧ−４０００（数平均分子量４０００）を２．０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７５】
（実施例９）
実施例１の放射線硬化性粘着剤に、更にポリプロピレンオキシドとしてＡＧＣ株式会社製プレミノールＳ３００６（数平均分子量５０００）を２．５質量部配合した以外は実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７６】
（比較例１）
実施例１の放射線硬化性粘着剤に、更に紫外線硬化性樹脂としてペンタエリスリトールテトラアクリレートを３０．０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７７】
（比較例２）
２−エチルヘキシルアクリレート（７５ｍｏｌ％）、メタクリル酸（１ｍｏｌ％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２４ｍｏｌ％）の共重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート側鎖末端ＯＨ基に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートのＮＣＯ基を付加反応させた光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系化合物（Ａ１：分子量８０００００）を得た。この化合物（Ａ１）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製：コロネートＬを１質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を５．０質量部加えて合し、放射線硬化性粘着剤である樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物をこの予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、予め表面にコロナ処理が施された１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムのコロナ処理面と貼り合わせて基材樹脂フィルムに粘着剤を転写させることで半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７８】
（比較例３）
ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを５質量部配合した以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
【００７９】
（比較例４）
ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製：トリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを０．０５質量部配合した以外は、実施例１と同様にして、半半導体加工用粘着テープを作製した。
【００８０】
実施例１〜９および比較例１〜４の各サンプルについてゲル分率、プローブタック、耐溶剤性、サポート部材の剥離性、ピックアップ性、半導体チップの裏面への粘着剤の残渣の付着（糊残り）、切削ダストの浸入について、評価試験を以下のように行った。得られた結果をまとめて下記表１および２に示す。
【００８１】
＜ゲル分率＞
５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさにカットした半導体加工用粘着テープから、セパレータを除去し、その質量Ａを秤量した。次にこの秤量した半導体加工用ダイシングテープのサンプルを１００ｇのメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）中に浸漬した状態で４８時間放置した後、５０℃の恒温層で乾燥し、その
質量Ｂを秤量した。更に１００ｇの酢酸エチルを用いてサンプルの粘着剤層を拭き取り除去した後、サンプルの質量Ｃを秤量し、下記式（１）によりゲル分率を算出した。
ゲル分率（％）＝（Ｂ−Ｃ）／（Ａ−Ｃ）        （１）
【００８２】
＜プローブタック＞
株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ?ＩＩを用いて行った。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｏａｄを用いた。セパレータを剥離した後、半導体加工用粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させた。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは３０ｍｍ／ｍｉｎであり、接触荷重は１００ｇｆであり、接触時間は１秒である。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、そのピーク値を読み取った。プローブ温度は２３℃であり、プレート温度は２３℃とした。
【００８３】
＜耐溶剤性＞
８インチの半導体ウエハに、実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープを貼り合せ、リングフレームに固定した後、半導体ウエハ側から有機溶剤としてメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を吹きつけながら、２０ｒｐｍで回転させスピン洗浄を施した。洗浄・乾燥終了後に半導体加工用ダイシングテープの半導体ウエハが貼られていない領域の粘着剤層を観察し、粘着剤の溶解または膨潤が見られなかったものを○とし合格と判定、粘着剤の溶解または膨潤が見られたものを×とし不合格とした。
【００８４】
＜サポート部材剥離性＞
米国特許出願公開第２０１１／０２７２０９２号明細書に開示される方法を用いることにより、厚さ約７００μｍの６インチのシリコンウエハ上に、プラズマポリマー分離層、シリコーンゴム接着剤層、サポート部材として厚さ２.５ｍｍのガラス板が、順に積層された構造体１を得た。上記のようにして得られた構造体１のウエハ背面（プラズマポリマー分離層等が積層されていない面）に実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープを貼り合せ、リングフレーム上に固定した後、Ｓｕｓｓ社製Ｄｅ-Ｂｏｎｄｅｒ  ＤＢ１２Ｔに供することにより、サポート部材の剥離性を評価した。サポート部材のプラズマポリマー分離層とウエハ表面の間で剥離したものを○とし合格と判定、サポート部材のプラズマポリマー分離層とウエハ表面の間で剥離せず、ウエハ背面と半導体加工用粘着テープの間で剥離したものを×とし不合格とした。
【００８５】
＜ピックアップ性＞
以下の手順に従って、ピックアップ性の評価を行った。
【００８６】
（１）８インチの半導体ウエハを下記の条件で厚さ５０μｍまで研削した。
（グラインド条件）
グラインダー：ＤＩＳＣＯ社製の「ＤＦＧ−８４０」
１軸：♯６００砥石（回転数：４８００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：３．０μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：２．０μｍ／ｓｅｃ）
２軸：♯２０００砥石（回転数：５５００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：０．８μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：０．６μｍ／ｓｅｃ）
シリコンウエハの裏面を２軸にて３０μｍ研削後、シリコンウエハの最終厚みが５０μｍとなるように研削した。
【００８７】
（２）（１）の研削終了後、５分以内（以下、条件(ii)という）もしくは２４時間放置後（以下、条件(i)という）に、各例のダイシングテープを、前記（１）で得られた半導体ウエハの研削面に貼着すると共に、リングフレームに固定した。
【００８８】
（３）（２）でリングフレームに固定された半導体ウエハを、ダイシング装置（ディスコ社製ＤＡＤ３４０）を用いて、下記の条件で、設定した分割予定ラインに沿って１５×１０ｍｍ角にフルカットした。
（ダイシング条件）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製の「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製の「２７ＨＥＣＣ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：１０．０×１０．０ｍｍ
【００８９】
（４）半導体加工用粘着テープを貼着してから７日間経過した後、半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルム側から、紫外線を１００ｍＪ／ｍｍ２照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化した半導体チップを、ダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製ＣＡＰ−３００ＩＩ）を用いてピックアップした。任意の半導体チップ５０個を、下記のピックアップ条件でピックアップし、ピックアップが成功した半導体チップ数をカウントし、上記条件（i）, (ii)共に５０個全ての半導体チップのピックアップが成功した場合を◎、条件（i）において５０個全ての半導体チップのピックアップが成功したものの、条件(ii)においてはピックアップミスが発生したものを○とし、条件（i）でピックアップミスが発生したものは×とし、◎および○を合格、×を不合格と判定した。
（ピックアップ条件）
ダイボンダー：ＮＥＣ社製「ＣＰＳ−１００」
ピン数：４本
ピンの間隔：７．８×７．８ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５ｍｍ
ピン突き上げ量：０．４０ｍｍ
【００９０】
＜糊残り＞
ピックアップ性の評価によって得られた半導体チップの裏面を顕微鏡観察し、糊残りが全くなかったものを○とし合格と判定、糊残りが発生したものを×とし不合格とした。
【００９１】
＜切削ダスト浸入＞
ピックアップ性の評価によって得られた半導体チップの裏面を顕微鏡観察し、切削ダスト浸入が全くなかったものを○、一部切削ダスト浸入が発生したものの実使用上問題のないレベルのものを△とし合格と判定、切削ダスト浸入が酷く実使用上問題が発生する恐れのあるものを×とし不合格とした。
【００９２】
【表１】
0005460809.tif 000002
【００９３】
【表２】
0005460809.tif 000003
【００９４】
表１、２に示されるように、粘着剤層のゲル分率が６５％以上で、且つ、粘着剤層の紫外線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が２００〜６００ｋＰａである実施例１〜９の半導体加工用粘着テープは、全ての評価項目において合格判定であり、ガラスサポート工程を含む半導体素子の製造において実用上問題なく用いることができる。特に、粘着剤層が、少なくとも、分子内に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリルポリマーと、光重合開始剤と、ポリプロピレンオキシドを用いてなり、前記ポリプロピレンオキシドが放射線硬化性粘着剤層の全固形分に対して０．１重量％以上であり２．０重量％以下である実施例６〜８ではピックアップ性において更に優れており、また、切削ダスト浸入の発生もなく、特に優れたものであった。前記ポリプロピレンオキシドが放射線硬化性粘着剤層の全固形分に対して２．０重量％を超える実施例９では、ピックアップ性は実施例１〜５よりも優れていたが、切削ダストの侵入が一部に発生したものの実使用上問題のないレベルであった。
【００９５】
一方、粘着剤層のゲル分率が６５％未満である比較例１では耐溶剤性試験において粘着剤の溶解または膨潤が見られ、タック力が２００ｋＰａ未満である比較例２、３ではサポート部材の剥離に失敗、タック力が６００ｋＰａよりも大きい比較例３ではチップ裏面に糊残りが発生し、何れもガラスサポート工程を含む半導体素子の製造には適さないことが示された。
【要約】
【課題】サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、サポート部材を半導体ウエハに貼合していた接着剤残渣を洗浄するための洗浄液が粘着剤にかかった場合においても、粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備する半導体加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】本発明の半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルムの少なくとも一方の面に放射線硬化性の粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープであって、前記粘着剤層の紫外線照射前におけるゲル分率が６５％以上１００％以下であり、且つ、前記粘着剤層の紫外線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が１００〜６００ｋＰａであることを特徴とする。
【選択図】なし