(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間にサポート部が介在され、そのサポート部上を通って前記分断予定線に沿って分断できるように、前記分断予定線を刃物でなぞりながら前記分断予定線に沿った分断誘導溝を前記液晶マザーパネル表面に形成するようにしたことを特徴とする液晶マザーパネルの分断誘導溝形成方法。  
【請求項２】
前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、サポート部を介在させる請求項１に記載の分断誘導溝形成方法。
【請求項３】
前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置される請求項１又は２に記載の分断誘導溝形成方法。
【請求項４】
前記液晶マザーパネルを、エッチング液中に浸漬して前記マザー基板を薄板化しつつ、前記分断誘導溝の幅及び深さを拡大する請求項１〜３の何れか１項に記載の分断誘導溝形成方法。
【請求項５】
互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備え、表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって区切られる複数個の液晶パネル片を有する液晶マザーパネルであって、
少なくとも一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線が引かれ、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、更に、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備えることを特徴とする液晶マザーパネル。
【請求項６】
前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備える請求項５に記載の液晶マザーパネル。
【請求項７】
前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置される請求項５又は６に記載の液晶マザーパネル。
【請求項８】
互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備える液晶マザーパネルを前記分断予定線に沿って分断する分断方法であって、
前記液晶マザーパネルにおける一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第１スクライブ溝を形成する工程と、
前記第１スクライブ溝が形成された前記液晶マザーパネルをエッチング液に浸漬して前記液晶マザーパネルを薄型化しつつ前記第１スクライブ溝を成長させる工程と、
前記液晶マザーパネルにおける他方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第２スクライブ溝を形成する工程と、
前記第１スクライブ溝及び前記第２スクライブ溝を利用して前記液晶マザーパネルを分断する工程と、を備えることを特徴とする液晶マザーパネルの分断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって区切られる複数個の液晶パネル片を有する液晶マザーパネル、前記液晶マザーパネルの表面上に前記分断予定線に沿って分断誘導溝を形成する分断誘導溝形成方法、前記液晶マザーパネルの分断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ、テレビ、携帯電話等の表示部として、液晶パネルが広く用いられている。液晶パネルは、一般的に、互いに間隔をおいて向かい合う一対の透明基板と、これらの基板間で挟まれる液晶層と、前記一対の透明基板間で挟まれつつ前記液晶層を取り囲む枠状のシール部とを備える。【０００３】
前記一対の透明基板のうち、一方の透明基板は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板からなり、他方の透明基板は、カラーフィルタ（ＣＦ）基板からなる。通常、ＴＦＴ基板には、スイッチング素子としての複数個のＴＦＴと、各ＴＦＴに接続された複数個の画素電極とが、マトリックス状に形成されている。これに対し、ＣＦ基板には、カラーフィルタがマトリックス状に形成されると共に、共通電極が全面的に形成されている。液晶パネルは、前記電極間において、印加される電圧を変化させて、液晶層中の液晶分子の配向を制御している。【０００４】
この種の液晶パネルは、例えば、特許文献１に示されるように、１枚の大きなマザーパネル（液晶マザーパネル）中に複数個の液晶パネル（液晶パネル片）が割り当てられるように、まとめて製造される。前記マザーパネルとしてまとめて製造された後、液晶パネルは、個々に分割される。特許文献１に示されるように、前記マザーパネルを分割する際、その表面に、先ず、刃物（ガラスカッター）で溝（切り込み）が形成される。次いで、その溝に沿って前記マザーパネルが加圧分割されて、個々の液晶パネルが得られる。【０００５】
なお、特許文献１に示されるように、前記溝は、各液晶パネルにおける枠状のシール部に沿って重なるように（シール部上を通るように）設けられている。そして、前記マザーパネルが加圧分割される際に、前記溝に沿って前記シール部が割れるように液晶パネルが構成されている。つまり、液晶パネルの外縁（輪郭）に沿うように枠状のシール部が配置されている。このような構成の液晶パネルは、表示領域を広くし、かつその表示領域を囲む額縁領域を狭くしたい場合（所謂、狭額縁化）に用いられる。このような狭額縁の液晶パネルは、例えば、携帯電話、デジタルカメラ等に利用されている。【０００６】
図１６は、従来の液晶マザーパネル１Ｐの平面図である。図１６に示されるように、１枚の液晶マザーパネル１Ｐ中に、４個の液晶パネル（液晶パネル片）２Ｐ（２１Ｐ，２２Ｐ，２３Ｐ，２４Ｐ）が割り当てられている。各液晶パネル２Ｐは、液晶マザーパネル１Ｐの表面上において、仮想的に引かれた分断予定線３Ｐ（３１Ｐ，３２Ｐ，３３Ｐ，３４Ｐ）及び４Ｐ（４１Ｐ，４２Ｐ，４３Ｐ，４４Ｐ）によって区切られ、囲まれている。例えば、液晶パネル２１Ｐは、分断予定線３１Ｐ，３２Ｐ，４１Ｐ及び４２Ｐによって区切られ、囲まれている。なお、前記分断予定線３Ｐ，４Ｐは、各液晶パネル２ＰのＣＦ基板５Ｐ（５１Ｐ，５２Ｐ，５３Ｐ，５４Ｐ）が余白６Ｐを介して繋がったマザー基板７Ｐの表面上に仮想的に設けられている。【０００７】
各液晶パネル２Ｐには、それぞれの表示領域８Ｐ（８１Ｐ，８２Ｐ，８３Ｐ，８４Ｐ）を囲むように、枠状のシール部９Ｐ（９１Ｐ，９２Ｐ，９３Ｐ，９４Ｐ）が設けられている。各シール部９Ｐは、前記マザー基板７Ｐと、図示されていない他方のマザー基板との間で挟まれている。例えば、液晶パネル２１Ｐにおけるシール部９１Ｐは、分断予定線３１Ｐ，３２Ｐ及び４１Ｐに沿って重なるように配置されている。なお、シール部９１Ｐの一部は、分断予定線４２Ｐよりも内側（表示領域８１Ｐ側）を通るように設けられている。そして、その部分のシール部９１Ｐの外縁側には、端子（外部接続端子）１０Ｐ（１０１Ｐ）が設けられている。【０００８】
図１６に示される液晶マザーパネル１Ｐを、液晶パネル２Ｐ毎に分割する際、各分断予定線３Ｐ，４Ｐを刃物（例えば、スクライバ）でなぞり、前記液晶マザーパネル１Ｐの表面上に、溝（スクライブ溝）が形成される。そして、この溝を利用して、液晶マザーパネル１Ｐが分割され、各液晶パネル２Ｐに分けられる。この溝は、液晶マザーパネル１Ｐの分割（分断）の際に利用されるため、分断誘導溝と称される場合がある。なお、液晶マザーパネル１Ｐの裏面側にも、前記分断予定線３Ｐ，４Ｐと同様な、仮想的な分断予定線が引かれており、その分断予定線に沿って溝（スクライブ溝）が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２５５３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１６に示されるように、各液晶パネル２Ｐを囲む分断予定線３Ｐ，４Ｐの一部は、シール部９Ｐ上を通過していない。その為、スクライバを押し当てつつ、シール部９Ｐ上を通過している分断予定線に引き続いて、シール部９Ｐ上を通過していない分断予定線に沿って溝を形成すると、液晶マザーパネル１Ｐの表面に形成される溝の深さ（浸透量）が不均一となる場合がある。【００１１】
図１７は、液晶マザーパネル１Ｐの表面に、スクライバ１１Ｐで溝（スクライブ溝）１２Ｐを形成する工程を模式的に表した説明図である。図１７には、液晶マザーパネル１Ｐの断面構造が模式的に示されている。液晶マザーパネル１Ｐの表面には、分断予定線３Ｐ（３２Ｐ）が引かれている。この分断予定線３２Ｐは、液晶パネル２１Ｐにおけるシール部９１Ｐの上方と、液晶パネル２３Ｐにおけるシール部９３Ｐの上方とを、通過している。シール部９Ｐ（９１Ｐ，９３Ｐ）は、マザー基板７Ｐと、他方のマザー基板１３Ｐとの間で挟まれており、マザー基板７Ｐと、他方のマザー基板１３Ｐとの間隔を一定に保持している。しかしながら、分断予定線３２Ｐは、シール部９Ｐ（９１Ｐ，９３Ｐ）が介在していない個所も通過している。この個所における基板７Ｐと、この個所における他方の基板１３Ｐとの間には、間隔を一定に保持できる部材が介在されていない。したがって、このような分断予定線３Ｐ（３２Ｐ）に沿ってスクライバ（カッターホイール）１１Ｐを一定の力で押し当てつつ移動させると、シール部９Ｐ（９１Ｐ，９３Ｐ）が介在していない個所において、シール部９Ｐが介在されている個所よりも深い溝１２１Ｐ，１２２Ｐが形成されてしまう。スクライバ１１Ｐが強く押し付けられ、マザー基板７Ｐが下方に撓んでしまうため、このような深い溝１２１Ｐ，１２２Ｐが形成される。【００１２】
以上のように、不均一な深さの溝（スクライブ溝）が液晶マザーパネル１Ｐに形成されると、その溝１２Ｐに沿って液晶マザーパネル１Ｐを分断し難くなる。例えば、その分断予定線３Ｐ（３２Ｐ）に不均一な力が加わる等の理由により、その分断予定線３Ｐ（３２Ｐ）から大きく逸れて液晶パネル２Ｐが欠けるように、液晶マザーパネル１Ｐが分断されてしまうことがある。【００１３】
ところで、液晶マザーパネル１Ｐの表面に溝１２Ｐを形成した後、液晶マザーパネル１Ｐを、エッチング液中に浸漬し、液晶マザーパネル１Ｐを薄型化しつつ、溝１２Ｐを成長させることがある。液晶マザーパネル１Ｐの表面に、均一な深さの溝（スクライブ溝）が形成されていれば、エッチング液中に浸漬することによって、均等に前記溝の幅（溝幅）及び深さ（溝深さ）を拡大することできる。このように、液晶マザーパネル１Ｐを薄型化しつつ溝を成長させた場合、液晶マザーパネル１Ｐを分断予定線に沿って分割し易くなる。【００１４】
しかしながら、上述したように、液晶マザーパネル１Ｐに予定（目標値）よりも深い溝１２１Ｐ，１２２Ｐが形成されると、その溝１２１Ｐ，１２２Ｐの底が抜けるように、液晶マザーパネル１Ｐ（マザー基板７Ｐ）に穴が空き、その穴から、エッチング液が液晶マザーパネル１Ｐ中に入り込んでしまう。例えば、図１７に示されるように、溝１２１Ｐの所に穴が空くと、その穴からエッチング液が侵入し、液晶パネル２１Ｐの端子１０１Ｐにエッチング液が接触し、端子１０１Ｐが腐食する虞がある。【００１５】
本発明が解決しようとする課題は、液晶マザーパネルから複数個の液晶パネルを分割製造するに際し、その液晶マザーパネルの表面上において、少なくとも液晶パネル片を区切る分断予定線上に不均一な分断誘導溝が形成されることを抑制した分断誘導溝形成方法およびそのような分断誘導溝が形成された液晶マザーパネル、さらにはその液晶マザーパネルから液晶パネルを分割製造するための分断方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る分断誘導溝形成方法の要旨とするところは、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間にサポート部が介在され、そのサポート部上を通って前記分断予定線に沿って分断できるように、前記分断予定線を刃物でなぞりながら前記分断予定線に沿った分断誘導溝を前記液晶マザーパネル表面に形成するようにしたことにある。【００１７】
この場合に、前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、サポート部を介在させるのも良い。【００１８】
また、前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置されるようにすると良い。【００１９】
さらに、前記液晶マザーパネルを、エッチング液中に浸漬して前記マザー基板を薄板化しつつ、前記分断誘導溝の幅及び深さを拡大するようにすると良い。【００２０】
また、本発明に係る液晶マザーパネルの要旨とするところは、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備え、表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって区切られる複数個の液晶パネル片を有する液晶マザーパネルであって、少なくとも一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線が引かれ、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、更に、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備えることにある。【００２１】
この場合、前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備えると良い。【００２２】
また、前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置されるようにすると良い。【００２３】
さらに、本発明に係る液晶マザーパネルの分断方法の要旨とするところは、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備える液晶マザーパネルを前記分断予定線に沿って分断する分断方法であって、前記液晶マザーパネルにおける一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第１スクライブ溝を形成する工程と、前記第１スクライブ溝が形成された前記液晶マザーパネルをエッチング液に浸漬して前記液晶マザーパネルを薄型化しつつ前記第１スクライブ溝を成長させる工程と、前記液晶マザーパネルにおける他方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第２スクライブ溝を形成する工程と、前記第１スクライブ溝及び前記第２スクライブ溝を利用して前記液晶マザーパネルを分断する工程と、を備えることにある。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の分断誘導溝形成方法によれば、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルの表面上において、複数の液晶パネル片を区画する前記枠状シール部のうち分断予定線からなる囲み線と重ならない部分においては一対のマザー基板間に介在されるサポート部上に分断予定線が通過するようにして少なくとも液晶パネル片を区切る分断予定線上に不均一な分断誘導溝が形成されることが回避される。そのために、その分断予定線に沿って液晶マザーパネルを分断し個々の液晶パネルを分割製造する際に、スムーズにかつ液晶パネルが欠ける等のトラブルもなく良好な生産が行える。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶マザーパネルの平面図である。
【図２】図１に示されるＡ−Ａ’線における液晶マザーパネルの断面図である。
【図３】図１に示されるＢ−Ｂ’線における液晶パネルの断面図である。
【図４】液晶マザーパネルを分断して液晶パネルを得る液晶マザーパネルの分断方法の手順を示すフローチャートである。
【図５】液晶マザーパネルをエッチング処理により薄型化する工程を模式的に表した説明図である。
【図６】エッチング処理後の液晶マザーパネルの構成を模式的に表した説明図である。
【図７】液晶パネルにおけるマザー基板の表面に、スクライバで溝（第１スクライブ溝）を形成する工程を模式的に表した説明図である。
【図８】マザー基板の表面上にスクライブ溝が形成された液晶マザーパネルを模式的に表した説明図である。
【図９】２回目のエッチング処理後の液晶マザーパネルの構成を模式的に表した説明図である。
【図１０】マザー基板の表面上に、第２スクライブ溝が形成された液晶マザーパネルの構成を模式的に表した説明図である。
【図１１】液晶マザーパネルを、第１スクライブ溝及び第２スクライブ溝に沿って分割して液晶パネルを得る工程を模式的に表した説明図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る液晶マザーパネルの平面図である。
【図１３】他の実施形態に係る液晶マザーパネルの平面図である。
【図１４】他の実施形態に係る液晶マザーパネルの一部の平面図である。
【図１５】他の実施形態に係る液晶マザーパネルの一部の平面図である。
【図１６】従来の液晶マザーパネルの平面図である。
【図１７】従来の液晶マザーパネルの表面に、スクライバで溝（スクライブ溝）を形成する工程を模式的に表した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る液晶マザーパネルの実施形態、前記液晶マザーパネルの表面上に分断誘導溝を形成する分断誘導溝形成方法の実施形態、及び前記液晶マザーパネルの分断方法の実施形態を説明する。ただし、本発明は、本明細書に例示する実施形態に限定されるものではない。
【００２７】
図１は、一実施形態に係る液晶マザーパネル１の平面図である。図２は、図１に示されるＡ−Ａ’線における液晶マザーパネル１の断面図である。図１には、液晶マザーパネル１の平面図が模式的に示されている。液晶マザーパネル１は、複数個の液晶パネル（液晶パネル片）２をまとめて製造するために利用され、図１に示されるように、１枚の液晶マザーパネル１中に、４個の液晶パネル（液晶パネル片）２（２１，２２，２３，２４）が割り当てられている。図２に示されるように、液晶マザーパネル１は、間隔をおいて互いに向かい合う一対のマザー基板７，１３と、これらのマザー基板７，１３間で挟まれる枠状シール部９とを備える。
【００２８】
図３は、図１に示されるＢ−Ｂ’線における液晶パネル２の断面図である。ここで、図３を参照しつつ、液晶パネル２（２３）について説明する。図３に示されるように、液晶パネル２は、ＴＦＴ基板１３０と、このＴＦＴ基板１３０と向かい合うＣＦ基板７０と、これらの基板１３０，７０間で挟まれる液晶層１４と、この液晶層１４を取り囲む枠状シール部９（９３）とを備える。枠状シール部９は、前記基板１３０，７０間で挟まれつつ、液晶層１４を取り囲んで封止している。前記枠状シール部９は、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の公知の材料からなる。
【００２９】
ＴＦＴ基板１３０は、透明なガラス板１３０ａ上に、複数個の画素電極１３１がマトリックス状に形成されたものからなる。各画素電極１３１はコンタクトホール部１３１ａを有し、そして、各画素電極１３１の周囲には、走査電極線であるゲート電極線１３２と、画像信号電極線であるソース電極線１３３とが互いに直交（交差）するように形成されている。
【００３０】
ゲート電極線１３２と、ソース電極線１３３とは、それらの交差部において、ソース電極線１３３が上側に配置し、ゲート電極線１３２が下側に配置している。その交差部において、ゲート電極線１３２とソース電極線１３３とは、ゲート絶縁膜１３４を介して電気的に絶縁されている。また、ゲート電極線１３２とソース電極線１３３との交差部には、ゲート電極線１３２の一部であるゲート電極１３２ａに接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３５が形成されている。
【００３１】
ＴＦＴ１３５が形成されている領域のゲート絶縁膜１３４の上側には、半導体膜１３６が、ゲート電極１３２ａに重畳するように形成されている。また、その半導体膜１３６の上側には、ソース電極線１３３の一部であるソース電極１３３ａと、ドレイン電極１３３ｂとが形成されている。
【００３２】
この場合、ソース電極１３３ａと、ドレイン電極１３３ｂとは、ゲート電極１３２ａ上の半導体膜１３６の両側において互いに離隔して形成されている。そして、ドレイン電極１３３ｂがコンタクトホール部１３１ａを介して画素電極１３１に接続されている。
【００３３】
ＴＦＴ１３５は、ゲート電極線１３２のゲート電極１３２ａより供給される走査信号電圧によって、オン・オフされる。また、ソース電極線１３３のソース電極１３３ａより供給される画像信号電圧は、ＴＦＴ１３５がオンの状態において、ドレイン電極１３３ｂとコンタクトホール部１３１ａを介して画素電極１３１に供給される。
【００３４】
このようなＴＦＴ１３５は、ゲート絶縁膜１３４の上側に形成された層間絶縁膜１３７で覆われている。この層間絶縁膜１３７の上に、画素電極１３１が形成されている。画素電極１３１は、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜により形成されている。この画素電極１３１の上側には、表面にラビング処理が施された配向膜１３８が形成されている。
【００３５】
このようなＴＦＴ基板１３０と向かい合うように配置されるＣＦ基板７０は、上述したゲート電極線１３２とソース電極線１３３が形成された領域を遮光するように、透明なガラス板７０ａ上に、格子状のブラックマトリックス（ＢＭ）７１が形成されている。また、隣り合うＢＭ７１で囲まれたガラス板７０ａ上の領域には、赤、青、緑等の着色層７２が形成されている。
【００３６】
また、着色層７２の下側（図３において下側）には、着色層７２を覆うように、ＴＦＴ基板１３０の各画素電極１３１に対して向かい合う共通電極７３が形成されている。この共通電極７３も、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。また、共通電極７３の下側（図３において下側）には、共通電極７３を覆うように、表面がラビング処理された配向膜７４が形成されている。
【００３７】
このような液晶パネル２が、複数個まとめて、図１及び図２に示される１枚の液晶マザーパネル１として製造される。マザー基板７は、各液晶パネル２のＣＦ基板（ＣＦ基板片）５（５１，５２，５３，５４）が、１枚の板状にまとめて製造されたものからなり、他方のマザー基板１３は、各液晶パネル２のＴＦＴ基板（ＴＦＴ基板片）が、１枚の板状にまとめて製造されたものからなる。なお、図１に示されるように各液晶パネル２の周囲には、余白６があり、この余白６を介して各液晶パネル２は、液晶マザーパネル１中で互いに繋がっている。この余白６は、液晶パネル２に含まれない部分であり、最終的に廃棄等される部分である。
【００３８】
図１に示されるように、各液晶パネル２は、液晶マザーパネル１の表面上において、仮想的に引かれた分断予定線３（３１，３２，３３）及び４（４１，４２，４３，４４）によって区切られている。分断予定線３（３１，３２，３３）と、分断予定線４（４１，４２，４３，４４）とは、互いに直交し、格子状をなしている。各液晶パネル２は、これらの分断予定線３，４によって囲まれている。なお、これらの分断予定線３，４は、液晶マザーパネル１の表面上に、実際に引かれている可視的な線ではなく、各液晶パネル２を液晶マザーパネル１から切り出すための仮想的な線である。なお、図１に示される分断予定線３，４は、マザー基板７の表面上に形成されている。
【００３９】
例えば、液晶パネル２１は、分断予定線３１，３２と、これらと交差する分断予定線４１，４２とによって囲まれている。このように液晶パネル２（２１）の外縁に沿うように、液晶パネル２（２１）を囲む分断予定線３，４の部分を、特に、本明細書では、囲み線３０と称する。なお、説明の便宜上、図１には、液晶パネル２１においてのみ、囲み線３０が図示されている。他の液晶パネル２２，２３，２４においても、液晶パネル２１と同様に、各液晶パネル２の外縁に沿うような、囲み線が分断予定線３，４によって形成されている。
【００４０】
本実施形態において、液晶パネル２１の周りを囲む囲み線３０は、その一部が、隣接する液晶パネル２２の周りを囲む他の囲み線の一部と、共通している。つまり、囲み線３０のうち、分断予定線３２からなる部分が、隣接する液晶パネル２２の囲み線の一部ともなっている。
【００４１】
図１に示されるように、前記囲み線３０の下側には、枠状シール部９（９１）が配置している。枠状シール部９は、各液晶パネル２に対応するように、それぞれ割り当てられている。各枠状シール部９は、各液晶パネル２におけるそれぞれの表示領域８（８１，８２，８３，８４）を囲むように配置している。本実施形態においては、隣り合う液晶パネル２の枠状シール部９同士が、一部繋がっている。図１に示されるように、液晶パネル２１の枠状シール部９１と、液晶パネル２２の枠状シール部９２とが、互いに隙間無く配置し、一体的に繋がっている。また、液晶パネル２３の枠状シール部９３と、液晶パネル２４の枠状シール部９４とが、互いに隙間無く配置し、一体的に繋がっている。
【００４２】
ここで、液晶パネル２１の枠状シール部９１を例に挙げて、更に、枠状シール部９について説明する。枠状シール部９１は、矩形状の表示領域８１を囲むような４辺からなる矩形状を有している。枠状シール部９１は、囲み線３０に沿うように重なった３辺からなる部分（重なり部分）９１１，９１２，９１３と、囲み線３０と重ならないように前記囲み線３０よりも内側（表示領域８側）を通る非重なり部分９１４とからなる。
【００４３】
前記重なり部分９１１，９１２の線幅は、囲み線３０が略中央を通過するように設定されている。つまり、前記重なり部分９１１，９１２は、囲み線３０よりも外側にはみ出している。なお、枠状シール部９１の重なり部分９１３は、隣接する他の枠状シール部９２の一部と繋がっている。つまり、囲み線３０（分断予定線３２に相当する部分）は、枠状シール部９１（９１３）と枠状シール部９２とが繋がって一体となった部分の略中央を通過している。
【００４４】
枠状シール部９１の非重なり部分９１４の外縁側には、端子（外部接続端子）１０（１０１）が配置されている。この端子１０（１０１）は、液晶パネル２（２１）のＴＦＴ基板上に形成されており、ゲート電極線等と接続している。
【００４５】
以上、枠状シール部９１を例に挙げて説明したように、各枠状シール部９は、部分的に、各囲み線３０よりも内側に配置している。つまり、各囲み線３０には、枠状シール部９の上方を通過しない区間がある。
【００４６】
上記のような、各囲み線３０における各枠状シール部９の上方を通過しない区間に、それぞれサポート部１５（１５１，１５２，１５３，１５４）が配置されている。このサポート部１５は、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の樹脂材料からなる。
【００４７】
ここで、液晶パネル２１に設置されるサポート部１５１を例に挙げて、更に、サポート部１５について説明する。このサポート部１５１は、マザー基板７，１３間で挟まれており、囲み線３０に沿って重なるように配置されている。このサポート部１５１は、端子１０１を囲むように、非重なり部９１４の外縁側に配置されている。囲み線３０は、サポート部１５１の略中央を通るように設定されている。このようにサポート部１５１を、枠状シール部９１と重なっていない区間の囲み線３０に沿って配置することによって、囲み線３０のすべての部分が、マザー基板７の下側から支えられることになる。
【００４８】
なお、液晶パネル２１におけるサポート部１５１の一部は、隣り合う液晶パネル２２のサポート部１５２と部分的に繋がっている。囲み線３０の一部が、この繋がった部分の略中央を通るようにサポート部１５１，１５２が設定されている。
【００４９】
以上、サポート部１５１を例に挙げて説明したように、各サポート部１５は、枠状シール部９と重なっていない区間の各囲み線３０に沿って重なるように、配置される。そして、各液晶パネル２に対応した各囲み線３０は、それぞれマザー基板７の下側から、枠状シール部９及びサポート部１５によって支えられることになる。
【００５０】
なお、サポート部１５は、予めマザー基板７側に設けておいて、その後、前記マザー基板７と他方のマザー基板１３との間で挟まれるように構成しても良いし、反対に、予めマザー基板１３側に設けておいて、その後、前記マザー基板１３と他方のマザー基板７との間で挟まれるように構成してもよい。ただし、後述するように、液晶マザーパネルにおける一方のマザー基板上に第１スクライブ溝（分断誘導溝）を形成した後、その第１スクライブ溝をエッチング液で処理（エッチング処理）して成長させる場合は、第１スクライブ溝が形成される側のマザー基板に、サポート部を予め設けておくことが好ましい。サポート部１５は、予め設けられた側のマザー基板に対する密着度（密閉度）の方が、他方のマザー基板に対する密着度（密閉度）よりも高くなる場合がある。その場合、第１スクライブ溝がエッチング処理されて第１スクライブ溝の底に穴が形成されても、その穴はサポート部１５によって効率よく密閉される（塞がれる）。
【００５１】
図４は、液晶マザーパネルを分断して液晶パネルを得る液晶マザーパネルの分断方法の手順を示すフローチャートである。以下、図４等を参照しつつ、液晶マザーパネルの分断方法を説明する。
【００５２】
先ず、図４のＳ１工程について説明する。この工程は、マザー基板１３（図３等参照）を製造する工程である。つまり、複数枚のＴＦＴ基板を１枚のマザー基板１３にまとめて製造する工程である。この工程では、ガラス基板（マザーガラス基板）１３０ａ表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロム等からなる単層又は多層の導電膜が形成される。この導電膜の形成方法としては、スパッタリング法等の公知の方法を適用できる。そして、形成した導電膜を、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定のパターンに形成する。これによって、所定のパターンのゲート電極線１３２及びゲート電極１３２ａが得られる（図３参照）。
【００５３】
次いで、ゲート絶縁膜１３４が前記ガラス基板１３０ａ上に形成される。このゲート絶縁膜１３４は、例えば、窒化シリコン等からなり、プラズマＣＶＤ法等を用いて形成される。そして、半導体膜１３６、ソース電極線１３３、ソース電極１３３ａ、ドレイン電極１３３ｂが形成される。半導体膜１３６は、例えば、ｎ＋型のアモルファスシリコン等からなり、プラズマＣＶＤ法等を用いて形成される。そして、ソース電極線１３３、ソース電極１３３ａ、ドレイン電極１３３ｂは、前記ゲート電極線１３２と同様の方法で形成される。
【００５４】
次いで、感光性樹脂からなる層間絶縁膜１３７がガラス基板１３０ａ上に形成される。そして、形成された層間絶縁膜１３７に、コンタクトホール部１３１ａ形成のための開口部が形成される。この開口部は、フォトリソグラフィ法等を用いて形成される。そして、この層間絶縁膜１３７の表面に、ＩＴＯからなる透明導電膜がスパッタリング法等を用いて形成される。その後、形成された透明導電膜を、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定のパターンに形成される。これによって、所定のパターンの画素電極１３１及びそのコンタクトホール１３１ａが得られる。
【００５５】
画素電極１３１が形成された後、配向膜１３８が形成される。円圧式印刷装置、インクジェット式印刷装置等を用いて、ポリイミド等からなる配向膜１３８の原料となる液状の配向材が塗布される。その後、配向膜焼成装置等を用いてガラス基板１３０ａ上の前記配向材からなる塗膜が焼成され、次いで、その塗膜表面がラビング処理される。このようにして、画素電極１３１上に配向膜１３８が形成される。以上のようにして、複数のＴＦＴ基板１３０が配列するように割り当てられたマザー基板１３が作製される。
【００５６】
次いで、図４に示されるＳ２工程について説明する。この工程は、Ｓ１工程で製造されたマザー基板１３中の各ＴＦＴ基板１３０において、それぞれサポート部１５を形成する工程である。このサポート部１５は、例えば、感光性樹脂からなり、フォトリソグラフィ法等を利用して、各ＴＦＴ基板１３０において、それぞれ所定パターンのサポート部１５を形成する。このサポート部１５は、分断予定線に沿って重なるように形成される。このサポート部１５の高さは、液晶パネル２のセルギャップ（ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間隔）と同等に設定される。例えば、サポート部１５の高さは３．０μｍ〜５．０μｍ程度に設定される。また、サポート部１５の線幅は、例えば、４００μｍ〜２０００μｍ程度に設定される。なお、サポート部１５は、液晶マザーパネル１を分断する際に半分に分割されるため、液晶パネル２に残るサポート部１５の実質的な線幅は、上記の半分程度（２００μｍ〜１０００μｍ）となる。
【００５７】
なお、本実施形態においては、ＴＦＴ基板側のマザー基板１３に、サポート部１５を形成しているが、他の実施形態においては、ＣＦ基板側のマザー基板７に形成してもよい。
【００５８】
次いで、図４に示されるＳ３工程について説明する。この工程は、マザー基板７（図３等参照）を製造する工程である。つまり、複数枚のＣＦ基板７０を１枚のマザー基板７にまとめて製造する工程である。この工程では、先ず、ガラス基板（マザーガラス基板）７０ａの表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物）等が塗布される。次いで、塗布されたＢＭレジストを、フォトリソグラフィ法等を用いて所定のパターンに形成される。このようにして、所定のパターンのブラックマトリックス（ＢＭ）７１が得られる。
【００５９】
続いて、赤色、緑色、青色の各色の着色感材（感光性樹脂に所定の顔料を分散させた溶液）からなる着色インクを塗布し、この塗布物を、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定のパターンの着色層７２に形成する。そして、着色層７２の表面に、ＩＴＯからなる透明導電膜を、スパッタリング法等を用いて形成し、共通電極７３を得る。
【００６０】
次いで、共通電極７３の表面に、円圧式印刷装置、インクジェット式印刷装置等を用いて、ポリイミド等からなる配向膜７４の原料となる液状の配向材が塗布される。その後、配向膜焼成装置等を用いてガラス基板７０ａ上の前記配向材からなる塗膜が焼成され、次いで、その塗膜表面がラビング処理される。このようにして共通電極７３上に配向膜７４が形成される。以上のようにして、複数のＣＦ基板７０が配列するように割り当てられたマザー基板７が作製される。
【００６１】
次いで、図４に示されるＳ４工程について説明する。この工程は、Ｓ３工程で製造されたマザー基板７中の各ＣＦ基板７０において、それぞれ枠状シール部９を形成する工程である。各枠状シール部９は、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂（感光性樹脂）からなり、スクリーン印刷方式等を利用して、マザー基板７中の各ＣＦ基板７０において配向膜７４を囲むように形成される。そして、各枠状シール部９で囲まれた領域に、インクジェット方式等を利用して液晶材が滴下され、充填される。
【００６２】
図４に示されるＳ５工程において、サポート部１５が形成されたマザー基板１３と、枠状シール部９が形成され液晶材が滴下されたマザー基板７とが、貼り合わせられる。この工程では、前記マザー基板１３と、前記マザー基板７とが、図示されない真空チャンバ内において互いに向かい合うように配置される。そして、真空チャンバ内が、大気圧以下の減圧状態にされる。その後、真空チャンバ内を大気圧状態に戻すと、前記マザー基板１３，７は、外側から常時加圧された状態となる。
【００６３】
その後、枠状シール部９を硬化させることによって、前記マザー基板１３と、前記マザー基板７との貼り合わせが完了する。なお、この枠状シール部９の硬化時に、前記サポート部１５の硬化が行われてもよい。
【００６４】
以上のように、Ｓ１〜Ｓ５工程を経ると、図１等に示されるような、液晶マザーパネル１が得られる。なお、他の実施形態においては、サポート部１５をマザー基板７側に予め設けてもよい。
【００６５】
次いで、図４に示されるＳ６工程について説明する。この工程は、液晶マザーパネル１をエッチング処理し、その厚みを薄くする工程である。具体的には、液晶マザーパネル１のマザー基板７（ガラス基板７０ａ）の厚み（板厚）と、マザー基板１３（ガラス基板１３０ａ）の厚み（板厚）とが、それぞれ目標とする板厚Ｔ（例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ）＋α（例えば、５０μｍ〜１００μｍ）となるまで、エッチング処理されて、それぞれ薄板化される。
【００６６】
図５は、液晶マザーパネルをエッチング処理により薄型化する工程を模式的に表した説明図である。図５に示されるように、エッチング処理は、エッチング槽２００内のエッチング液２０１に、液晶マザーパネル１を浸漬することによって行われる。この場合、液晶マザーパネル１を包囲するように収容するトレイ２０２を用いて、液晶マザーパネル１はエッチング液２０１中に浸漬される。液晶マザーパネル１を収容するトレイ２０２の上面部及び下面部には、多数の孔２０２ａが設けられている。この孔２０２ａを介してトレイ２０２内部にエッチング液２０１が浸入し、この浸入したエッチング液２０１が接触することによって、液晶マザーパネル１の各マザー基板７，１３が薄板化される。
【００６７】
なお、エッチング槽２００の下方には、図示されない供給ポンプに接続された給気管２０３が配設されている。この給気管２０３には、多数の小孔２０３ａが開口形成されており、給気ポンプから供給された窒素ガス等の気体を、この小孔２０３ａから噴出させて、気泡２０４を発生させている。この気泡２０４によって、エッチング槽２００内のエッチング液２０１が撹拌される。エッチング液２０１としては、例えば、フッ化水素酸、フッ化ソーダ、フッ化カリウム、酸性フッ化アンモニウム等のフッ素化合物、又はこれらと塩酸等の他の酸化合物との混合物等を含む溶液、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等を含む溶液等が利用される。
【００６８】
図６は、エッチング処理後の液晶マザーパネル１の構成を模式的に表した説明図である。図６において、エッチング処理前の液晶マザーパネル１の各マザー基板７，１３の厚み（板厚）が、破線で示されている。図６に示されるように、エッチング処理後の各マザー基板７，１３の厚み（板厚）が薄板（薄型）化された後、次のＳ７工程へ移行する。
【００６９】
＜分断誘導溝形成方法＞
図４に示されるＳ７工程は、液晶マザーパネル１の表面に分断誘導溝としてのスクライブ溝（第１スクライブ溝）を形成する工程である。この工程では、ＣＦ基板側のマザー基板７の表面に、分断予定線に沿ってスクライブ溝が形成される。
【００７０】
図１に示されるように、マザー基板７の表面には、仮想的な分断予定線３，４が引かれており、これらは各液晶パネル（液晶パネル片）を区画するように、格子状に配置している。スクライブ溝は、各分断予定線３，４に沿って、直線状に設けられる。
【００７１】
図７は、液晶パネル１におけるマザー基板７の表面に、スクライバ１１で溝（第１スクライブ溝）１２を形成する工程を模式的に表した説明図である。図７には、液晶マザーパネル１の断面構造が模式的に示されている。このスクライブ溝１２は、図７に示されるような、回転刃１１ａを備えたスクライバ（カッターホイール）１１を、用いて形成される。前記スクライバ１１の回転刃１１ａは、人工ダイヤモンドの単結晶体を備えており、この回転刃１１ａの外周近傍が先細り形状となっている。この回転刃１１ａの外周部の断面は、Ｖ字形状となっている。
【００７２】
このスクライバ（刃物）１１を、マザー基板７の表面に押し当てながら分断予定線３等をなぞるように移動させることによって、マザー基板７の表面上に、スクライブ溝１２が形成される。このスクライブ溝１２の断面（幅方向の断面）は、Ｖ字形状（不図示）となっている。スクライブ溝１２を形成する際、スクライバ１１は、マザー基板７に対して、通常、一定の力で押さえ付けられている。なお、図７には、分断予定線３１に沿ってスクライブ溝１２が形成される工程が示されている。
【００７３】
スクライブ溝１２の深さ（浸透量）は、例えば、マザー基板７の厚み（エッチング処理後のマザー基板７の厚み）の半分程度に設定される。図７に示されるように、液晶マザーパネル１のマザー基板７と、マザー基板１３との間には、枠状シール部９（９１，９３）と共に、サポート部１５（１５１，１５３）が介在されている。つまり、隣接する液晶パネル２１と、液晶パネル２３との間に、マザー基板７がスクライバ１１によって下方へ押し下げられる程の大きな隙間がない。その為、スクライバ１１を用いて、マザー基板７の表面に一定の深さを有するスクライブ溝１２を形成できる。
【００７４】
なお、図７に示されるように、液晶パネル２１と液晶パネル２２との間の余白６部分に、サポート部１５等が前記マザー基板７，１３間で介在していない僅かな隙間がある。この余白６部分にも、図１等に示されるように、分断予定線３（３１）が存在している。本実施形態においては、この余白６部分の分断予定線３（３１）に沿って重なるように、サポート部は設けていないが、他の実施形態においては、この部分にも、サポート部を設けてもよい。
【００７５】
スクライブ溝１２は、各分断予定線３，４に沿うように、それぞれマザー基板７の表面上にスクライバ１１を用いて形成される。図８は、マザー基板７の表面上にスクライブ溝１２が形成された液晶マザーパネル１を模式的に表した説明図である。図８に示されるように、スクライブ溝（第１スクライブ溝）１２が形成された後、次のＳ８工程へ移行する。
【００７６】
図４に示されるＳ８工程は、液晶マザーパネル１を再びエッチング処理する工程である。この工程において、液晶マザーパネル１の各マザー基板７，１３の更なる薄型化と、第１スクライブ溝１２の拡大化とが行われる。
【００７７】
この工程において、各マザー基板７，１３の厚み（板厚）は、それぞれ上述した目標の板厚Ｔとなるようにエッチング処理される。このＳ８工程のエッチング処理は、前記Ｓ６工程と同様の装置（図５参照）を用いて行われる。
【００７８】
なお、このＳ８工程では、上述したように、各マザー基板７，１３の更なる薄型化と共に、第１スクライブ溝１２の拡大化も行われる。液晶マザーパネル１がエッチング液中に浸漬されると、スクライブ溝１２もエッチング処理されて、幅（溝幅）及び深さ（溝深さ）が大きくなる。スクライブ溝１２がエッチング処理されて成長すると、場所によっては、その底部が枠状シール部９又はサポート部１５まで到達し、枠状シール部９等が部分的に露出することがある。なお、通常、枠状シール部９及びサポート部１５がある場所において、スクライブ溝１２の底部が抜けても、枠状シール部９及びサポート部１５がスクライブ溝１２の底部の穴を塞ぐように密着しているため、その穴からエッチング液が液晶パネル２内に浸入することが抑制される。なお、枠状シール部９等がない場所において、スクライブ溝１２の底部がぬけて穴が空き、その穴からエッチング液が浸入しても、その場所は、通常、液晶パネル２の周囲の余白６部分であり、エッチング液が例えば、端子１０と接触して端子１０が腐食してしまうことはない。枠状シール部９及びサポート部１５は、エッチング液に対する耐久性を備えており、エッチング液と接触しても腐食しない。
【００７９】
図９は、２回目のエッチング処理後の液晶マザーパネル１の構成を模式的に表した説明図である。液晶マザーパネル１は、マザー基板７が下側であり、マザー基板１３が上側になるように配置されている。図９に示されるように、マザー基板７の表面には、エッチング処理によって、溝幅及び溝深さが拡大された第１スクライブ溝１２ａが形成されている。また、このエッチング処理によって、各マザー基板７，１３の厚み（板厚）は、目標の板厚Ｔとされる。なお、図９において、このエッチング処理を行う前の厚みが、破線で示されている。
【００８０】
＜分断誘導溝形成方法＞
次いで、図４に示されるＳ９工程について説明する。この工程は、液晶マザーパネル１の表面に分断誘導溝としてのスクライブ溝（第２スクライブ溝）を形成する工程である。この工程では、ＴＦＴ基板側のマザー基板１３の表面に、分断予定線に沿ってスクライブ溝が形成される。
【００８１】
液晶マザーパネル１は、マザー基板１３の表面上にも、仮想的な分断予定線（不図示）が設定されている。このマザー基板１３の表面上の分断予定線も、図１に示されるマザー基板７側の分断予定線３，４と同様、各液晶パネル（液晶パネル片）２を区画するように格子状に配置されている。また、マザー基板１３側の分断予定線は、マザー基板７側の分断予定線３，４と、向かい合うように設定されている。スクライブ溝（第２スクライブ溝）は、マザー基板１３の表面上に仮想的に引かれている分断予定線に沿って、直線状に設けられる。
【００８２】
第２スクライブ溝は、第１スクライブ溝１２と同様、スクライバ１１を利用してマザー基板１３の表面上に形成される。スクライバ１１をマザー基板１３の表面上の分断予定線に沿って押し当てつつ、移動させることによって、第２スクライブ溝が形成される。図１０は、マザー基板１３の表面上に、第２スクライブ溝１２１が形成された液晶マザーパネル１の構成を模式的に表した説明図である。図１０に示されるように、第２スクライブ溝１２１は、枠状シール部９の線幅方向において、その略中央を通過している。なお、本実施形態の第２スクライブ溝１２１の溝幅及び溝深さは、第１スクライブ溝１２のものと同じに設定されている。なお、第２スクライブ溝の溝深さ（浸透量）は、枠状シール部９まで到達するように設定されてもよい。また、図１０に示されるように、マザー基板１３上の第２スクライブ溝１２１と、マザー基板７上の第１スクライブ溝１２ａとは、枠状シール部９等を介して互いに向かい合っている。
【００８３】
マザー基板１３の分断予定線も、枠状シール部９及びサポート部１５の上方を通過している。その為、スクライバ１１を用いて、マザー基板１３の表面に一定の深さを有する第２スクライブ溝１２１を形成できる。
【００８４】
次いで、図４に示されるＳ１０工程について説明する。この工程は、液晶マザーパネル１を、第１スクライブ溝１２ａ及び第２スクライブ溝１２１に沿って加圧分割して、液晶パネル２を得る工程である。図１１は、液晶マザーパネル１を、第１スクライブ溝１２ａ及び第２スクライブ溝１２１に沿って分割して液晶パネル２を得る工程を模式的に表した説明図である。液晶マザーパネル１は、第１スクライブ溝１２ａ及び第２スクライブ溝１２１に誘導されて、分断される。図１１に示されるように、液晶マザーパネル１の両面に形成されている第１スクライブ溝１２ａ及び第２スクライブ溝１２１を利用すれば、液晶マザーパネル１を容易に精度よく分断することができる。そして、所定の外形寸法を有する液晶パネル２を得ることができる。
【００８５】
なお、液晶マザーパネル１が分割される際、枠状シール部９も略半分の線幅となるように分割される。例えば、図１０に示される液晶パネル２４の枠状シール部９４は、液晶マザーパネル１が分割されると、図１１に示されるように液晶パネル２４側に枠状シール部９ａ（９４ａ）として残る部分と、余白６側に残る部分９ｂ（９４ｂ）とに分かれる。また、図１０に示される液晶パネル２４と液晶パネル２３との境界部分にある枠状シール部９（９４、９３）は、液晶マザーパネル１が分割されると、図１１に示されるように液晶パネル２４側の枠状シール部９ａ（９４ａ）として残る部分と、液晶パネル２３の枠状シール部９ａ（９３ａ）として残る部分とに分かれる。そして、図１０に示される液晶パネル２３の枠状シール部９３は、液晶マザーパネル１が分割されると、図１１に示されるように液晶パネル２３側に残る枠状シール部９ａ（９３ａ）として残る部分と、余白６側に残る部分９ｂ（９３ｂ）とに分かれる。
【００８６】
液晶マザーパネル１が各液晶パネル２に分割されると、サポート部１５も第１スクライブ溝１２ａ及び第２スクライブ溝１２１に沿って分割される。サポート部１５もその線幅の略中央で分かれるように、分断される。液晶パネル２に残ったサポート部１５は、そのまま残してもよいし、必要に応じて除去してもよい。
【００８７】
なお、分割後の液晶パネル２の端面は、適宜、研磨等されて整えられる。
【００８８】
以上のようにして、Ｓ６工程〜Ｓ１０工程を経て、液晶マザーパネル１から複数個（本実施形態では４個）の液晶パネル２が得られる。なお、これらの工程のうち、Ｓ７工程と、Ｓ９工程とにおいて、本発明の分断誘導溝形成方法が利用されている。
【００８９】
本実施形態の液晶マザーパネル１は、図１に示されるように、サポート部１５は、各囲み線３０に沿って重なるように配置されている。このようにサポート部１５を配置することによって、少なくとも各液晶パネル２を囲む分断予定線３，４の下側に、サポート部１５又は枠状シール部９が配置され、これらによってマザー基板７が支えられる。その為、本実施形態の液晶マザーパネル１は、少なくとも各液晶パネル２を囲う各囲み線３０に沿って、溝幅及び溝深さが一定なスクライブ溝（分断誘導溝）を形成できる。したがって、部分的に欠けることなく、所定の外形寸法を有する液晶パネル２を得ることができる。
【００９０】
図１２は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル１Ａの平面図である。この液晶マザーパネル１Ａの基本的な構成は、図１等に示される液晶マザーパネル１のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル１Ａは、各々の液晶パネル２における枠状シール部９及びサポート部１５が互いに離れており、独立している。その為、液晶マザーパネル１Ａの表面上に仮想的に形成される分断予定線３，４が、液晶マザーパネル１のものとは異なっている。液晶マザーパネル１Ａには、分断予定線３（３１，３２，３３，３４）と、分断予定線４（４１，４２，４３，４４）とが、互いに直交するように、格子状に配置されている。そして、液晶パネル２１及び液晶パネル２２の間と、液晶パネル２３及び液晶パネル２４の間とには、分断予定線３２及び３３で挟まれた余白６が存在している。なお、図１２に示されていない他方のマザー基板においても、前記分断予定線３，４と向かい合うような分断予定線が設定されている。
【００９１】
このように、液晶マザーパネル１Ａ中において、互いに離れるように各液晶パネル２が割り当てられてもよい。このような液晶マザーパネル１Ａも、液晶マザーパネル１の分断と同様、各分断予定線３，４に沿って液晶マザーパネル１Ａの表裏面に、分断誘導溝が形成され、そしてその分断誘導溝を利用して各液晶パネル２に分断される。
【００９２】
図１３は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル１Ｂの平面図である。この液晶マザーパネル１Ｂの基本的な構成は、上述した液晶マザーパネル１（１Ａ）のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル１Ｂは、囲み線３０以外の分断予定線４（４１，４２，４３，４４）に沿って重なるように、サポート部１５ａが設けられている。このサポート部１５ａは、液晶マザーパネル１のサポート部１５と同種の材料からなる。このサポート部１５ａも、サポート部１５と同様、分断予定線がその略中央を通過するように、設定されている。このように、囲み線３０以外の分断予定線３にサポート部１５ａを設けたことによって、余白６の有無に拘わらず、溝幅及び溝深さが一定な分断誘導溝（スクライブ溝）を、その分断予定線３に形成できる。そして、その分断誘導溝を利用して、余白６の部分も含めて、精度良く液晶マザーパネル１Ｂを分断することができる。
【００９３】
なお、他の実施形態においては、図１３における囲み線３０以外の分断予定線４（４１，４２，４３，４４）に沿って重なるように、サポート部を設けてもよい。
【００９４】
ここで、図１を参照しつつ、サポート部１５の他の機能について説明する。図１に示されるように、各液晶パネル２の各サポート部１５は、それぞれの端子１０を囲むように配置している。サポート部１５は、枠状シール部９と隙間無く繋がっている。このように、液晶パネル２の端子１０が、サポート部１５で囲まれていると、上述したＳ６工程及びＳ８工程におけるエッチング処理によって、腐食されない。何故ならば、エッチング処理によって、囲み線３０に沿って形成されたスクライブ溝が成長して、スクライブ溝の底に穴が形成されても、その穴はサポート部１５によって塞がれているため、その穴からエッチング液が浸入できないからである。つまり、サポート部１５はスクライブ溝に形成された穴を、エッチング液が浸入できないように塞ぐ機能も有している。
【００９５】
図１に示される液晶マザーパネル１におけるサポート部１５は、枠状シール部９と重なっていない区間の囲み線３０に対して全て重なっているが、他の実施形態においては、サポート部１５は、前記囲み線３０の区間において、全て重なっている必要はない。
【００９６】
図１４は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル１Ｃの一部の平面図である。図１４には、液晶マザーパネル１Ｃ中に割り当てられている複数個の液晶パネル２のうち、１つの液晶パネル２（２１）のみが説明の便宜上、示されている。この液晶マザーパネル１Ｃの基本的な構成は、図１等に示される液晶マザーパネル１等のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル１Ｃの液晶パネル２（２１）は、そのサポート部１５ｂが、液晶マザーパネル１のサポート部１５と比べて、部分的に形成されている。このサポート部１５ｂは囲み線３０のうち、分断予定線３（３１）及び３（３２）のみに沿って重なるように設けられている。その為、囲み線３０上には、枠状シール部９（９１）及びサポート部１５ｂの何れも存在していない隙間がある。サポート部１５ｂを設けたことによって、前記隙間に相当する区間におけるマザー基板７の撓みが十分抑制されるのであれば、このような液晶マザーパネル１Ｃが利用されてもよい。
【００９７】
図１５は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル１Ｄの一部の平面図である。図１５には、液晶マザーパネル１Ｄ中に割り当てられている複数個の液晶パネル２のうち、１つの液晶パネル２（２１）のみが説明の便宜上、示されている。この液晶マザーパネル１Ｅの基本的な構成は、図１等に示される液晶マザーパネル１等のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル１Ｄの液晶パネル２（２１）も、図１４に示されるものと同様、そのサポート部１５ｃが、液晶マザーパネル１のサポート部１５と比べて、部分的に形成されている。このサポート部１５ｃは囲み線３０のうち、分断予定線４（４２）のみに沿って重なるように設けられている。その為、枠状シール部９（９１）と、サポート部１５ｃとの間には、枠状シール部９（９１）及びサポート部１５ｃが存在していない隙間がある。サポート部１５ｃを設けたことによって、前記隙間に相当する区間におけるマザー基板７の撓みが十分抑制されるのであれば、このような液晶マザーパネル１Ｄが利用されてもよい。
【００９８】
本発明の分断誘導溝形成方法は、上記のように、液晶マザーパネルの分割の際に、エッチング処理を伴うもののみに利用されるものではない。つまり、エッチング処理を伴わずに、液晶マザーパネルが分断される場合においても、本発明の分断誘導溝形成方法は利用できる。
【００９９】
各実施形態において、液晶マザーパネルには４個の液晶パネルが割り当てられていたが、他の実施形態においては、これよりも多くの液晶パネルが１枚の液晶マザーパネルに割り当てられていてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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