(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属フレームと、
半導体チップと、
第１主面、前記第１主面とは反対側の第２主面、ならびに前記第１主面および第２主面に連なる側面を有し、前記金属フレームおよび前記半導体チップを封止する封止樹脂とを含み、
前記封止樹脂が、前記第１主面および側面において前記金属フレームの表面が露出する状態で前記金属フレームを封止しており、
前記封止樹脂の側面が、前記第１主面寄りに配置された第１側面部と、前記第２主面寄りに配置された第２側面部とを有し、前記第２側面部が前記第１側面部よりも外方に張り出して、前記第１側面部と前記第２側面部との間に段差が生じており、前記第１主面から前記段差において前記第１側面部と前記第２側面部とをつなぐ連結部までの距離が、前記第１主面に直交する方向における前記金属フレームの厚さよりも大きい、半導体装置。
【請求項２】
前記段差が、前記第１主面よりも前記第２主面の近くに位置している、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１主面から前記段差までの距離が、前記第１主面に直交する方向における前記金属フレームの厚さの２倍以上である、請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１主面に直交する方向における前記第２側面部の幅が３０μｍ〜２００μｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２側面部の前記第１側面部に対する張出量が、１０μｍ〜１００μｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
金属フレームと、半導体チップと、前記金属フレームおよび半導体チップを封止した封止樹脂とを含む半製品を切断して半導体装置を製造する方法であって、
前記封止樹脂は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面を含み、前記第１主面において前記金属フレームの表面が露出する状態で前記金属フレームを封止しており、
前記方法は、
基材部の表面に粘着層を形成した支持テープに前記封止樹脂の前記第２主面を貼り付ける工程と、
第１幅のダイシングブレードによって、前記第１主面側から前記封止樹脂の厚さ方向途中位置に至り、前記金属フレームの厚さよりも深い位置に底を有する第１溝部を形成する工程と、
前記第１幅よりも小さい第２幅のダイシングブレードによって、前記第１溝部の底部から前記第２主面を超えて前記支持テープに達する深さの第２溝部を形成することにより、前記半製品を切断する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１溝部が、前記封止樹脂の厚さの半分よりも深く形成される、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１溝部が前記金属フレームの厚さの２倍以上の深さに形成される、請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金属フレーム、半導体チップ、およびこれらを樹脂封止した半導体装置に関する。また、この発明は、そのような半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を配線基板上に高密度に実装するために、配線基板上への表面実装を可能とした表面実装型パッケージが用いられている。表面実装型パッケージの一つの例は、ＭＡＰ（Mold Array Package）タイプのＳＯＮ（Small Outlined Non-leaded Package）やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）である。
ＭＡＰタイプのＳＯＮが適用された半導体装置は、リードフレームと、半導体チップと、これらを封止する封止樹脂とを含む。リードフレームは、封止樹脂の下面および側面において露出するように封止樹脂に封止されている。このような半導体装置の製造工程では、複数の半導体装置のパッケージ構造が一括して作製される。すなわち、複数の半導体装置にそれぞれ対応した複数の領域を有するリードフレームと、複数の半導体装置にそれぞれ対応した複数の半導体チップとが、一括して樹脂封止される。こうして、複数の半導体装置を含む半製品が作製される。この半製品をダイシングブレードで切断することにより、個別の半導体装置が切り出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１２９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ダイシングブレードを用いた切断工程では、半製品が支持テープに貼り付けられる。支持テープは、基材層と、基材層の表面に形成された粘着層とを有している。粘着層に、半製品が貼り付けられる。半製品は、一対の主面を有しており、一方の主面が半導体装置の下面（実装時に配線基板に対向する表面）に対応する。この下面に対応する主面において、リードフレームが露出している。この下面とは反対の上面側に対応する主面が粘着層と貼り合わせられる。
【０００５】
この状態で、ダイシングブレードによって、リードフレームおよび封止樹脂が切断される。このとき、ダイシングブレードは、たとえば、支持テープの粘着層を貫通して、基材層の厚さ方向途中位置に達するように配置される。
ダイシングブレードは、リードフレーム、封止樹脂および粘着層に同時に接した状態で半製品を切断していく。このとき、リードフレームの切断時に生じる金属粉が、粘着層を構成する糊と混ざり合い、切断位置付近の半導体装置（パッケージ）の表面に付着する。このような金属粉は、回路短絡の原因となるおそれがある。
【０００６】
ダイシング後に有機溶剤を用いて糊を溶解させれば金属粉を除去できるかもしれないが、工程数が増えるので好ましくない。しかも、支持テープの粘着層も同時に溶解するから、ダイシング後の半導体装置が支持テープから分離してしまう。したがって、その後の半導体装置の取り扱いに支障が生じるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、製造時に生じる金属粉が表面に残留しにくい構造の半導体装置を提供することである。
【０００７】
また、この発明の他の目的は、半導体装置の表面への金属粉の残留を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の半導体装置は、金属フレームと、半導体チップと、第１主面、前記第１主面とは反対側の第２主面、ならびに前記第１主面および第２主面に連なる側面を有し、前記金属フレームおよび前記半導体チップを封止する封止樹脂とを含む。前記封止樹脂は、前記第１主面および側面において前記金属フレームの表面が露出する状態で前記金属フレームを封止している。前記封止樹脂の側面は、前記第１主面寄りに配置された第１側面部と、前記第２主面寄りに配置された第２側面部とを有している。前記第２側面部は前記第１側面部よりも外方に張り出しており、前記第１側面部と前記第２側面部との間に段差が生じている。さらに、前記第１主面から前記段差において前記第１側面部と前記第２側面部とをつなぐ連結部までの距離が、前記第１主面に直交する方向における前記金属フレームの厚さよりも大きい（請求項１）。前記第１側面部は第１主面に連なっていてもよい。前記第２側面部は第２主面に連なっていてもよい。前記第１側面部および第２側面部は、半導体装置の全周（側面の全域）に渡って形成されていてもよい。
【０００９】
この発明の半導体装置によれば、封止樹脂の第１主面および側面において金属フレームが露出している。よって、この半導体装置は、第１主面を配線基板に対向させて金属フレームを配線基板の回路に接続する表面実装パッケージ型に構成されている。封止樹脂の側面において、金属フレームが露出している第１主面寄りに配置された第１側面部は、第２主面寄りに配置された第２側面部よりも封止樹脂の内方に後退している。また、第１主面から前記段差までの距離は、金属フレームの厚さよりも大きいから、金属フレームは第２側面部では露出していない。
【００１０】
製造工程において半製品から金属フレームおよび封止樹脂を切断して個別の半導体装置を切り出すときに、第１側面部に相当する部分は幅広のダイシングブレードで切断でき、第２側面部に相当する部分は幅狭のダイシングブレードで切断できる。幅狭のダイシングブレードは、第１側面部に接しないので、金属フレームと接しない。
より具体的には、幅広のダイシングブレードで第１側面部に対応する溝部を形成しておき、その後に、幅狭のダイシングブレードで前記溝の底部から封止樹脂が切断される。この切断の際、たとえば、封止樹脂の第２主面は支持テープに貼り付けられる。したがって、幅狭のダイシングブレードは、支持テープの粘着層に接することになる。しかし、前述の通り、幅狭のダイシングブレードは金属フレームに接触しないから、金属フレームの切断に伴って生じる金属粉と粘着層を構成する糊との混合を最小限に抑制できる。したがって、切り出された半導体装置の表面に金属粉が残留しにくくなる。
【００１１】
前記段差は、前記第１主面よりも前記第２主面の近くに位置していることが好ましい（請求項２）。これにより、第２側面部に対応する領域を幅狭のダイシングブレードで切断するときに、このダイシングブレードと金属フレームとの接触をより確実に抑制できる。これにより、金属粉の残留をより確実に抑制できる。
前記第１主面から前記段差までの距離は、前記第１主面に直交する方向における前記金属フレームの厚さの２倍以上であることが好ましい（請求項３）。これにより、第２側面部に対応する領域を幅狭のダイシングブレードで切断するときに、このダイシングブレードと金属フレームとの接触を確実に回避できる。これにより、金属粉の残留を一層抑制できる。さらに、第１側面部に対応する領域を幅広のダイシングブレードで切断するときに、金属フレームの切断によりダイシングブレードの切断歯部が目詰まりする場合がある。この目詰まりは、封止樹脂を切断することによって、改善または解消される。したがって、幅広のダイシングブレードによって金属フレームと同程度の厚さに渡って封止樹脂が切断されるように第１側面部の領域を設定しておくことにより、ダイシングブレードの目詰まりを改善または解消できる。したがって、半導体装置の側面は良好な切断面となり、エッジ部の欠け等の少ない良品が得られる。
【００１２】
より具体的には、前記第１主面に直交する方向における前記第２側面部の幅が３０μｍ〜２００μｍであることが好ましい（請求項４）。また、前記第２側面部の前記第１側面部に対する張出量が、１０μｍ〜１００μｍであることが好ましい（請求項５）。
この発明の半導体装置の製造方法は、金属フレームと、半導体チップと、前記金属フレームおよび半導体チップを封止した封止樹脂とを含む半製品を切断して半導体装置を製造する方法を提供する。前記封止樹脂は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面を含み、前記第１主面において前記金属フレームの表面が露出する状態で前記金属フレームを封止している。この発明の製造方法は、基材部の表面に粘着層を形成した支持テープに前記封止樹脂の前記第２主面を貼り付ける工程と、第１幅のダイシングブレードによって、前記第１主面側から前記封止樹脂の厚さ方向途中位置に至り、前記金属フレームの厚さよりも深い位置に底を有する第１溝部を形成する工程と、前記第１幅よりも小さい第２幅のダイシングブレードによって、前記第１溝部の底部から前記第２主面を超えて前記支持テープに達する深さの第２溝部を形成することにより、前記半製品を切断する工程とを含む（請求項６）。
【００１３】
この方法により、前述の半導体装置を製造できる。第１幅のダイシングブレード（幅広のダイシングブレード）は、金属フレームに接するけれども、封止樹脂の厚さ方向途中位置に達するに過ぎず、支持テープには達しない。したがって、第１幅のダイシングブレードによる切断によって生じる金属粉は、粘着層を構成する糊と混合しない。また、第２幅のダイシングブレード（幅狭のダイシングブレード）は、第１幅のダイシングブレードによって形成された第１溝部の底部から封止樹脂を切断するので、金属フレームとの接触を回避できる。したがって、第２幅のダイシングブレードは粘着層に接するけれども、粘着層を構成する糊と金属粉との混合は最小限に抑制できる。これにより、半導体装置の表面への金属粉の付着を抑制できる。
【００１４】
なお、前記第１幅のダイシングブレードによる第１溝部の形成工程、および前記第２幅のダイシングブレードによる第２溝部の形成工程と並行して、ダイシングブレードと半製品との接触部の近傍に流水を供給する工程を実行することが好ましい。これにより、切断により生じる金属粉および樹脂粉を速やかに除去できるから、半導体装置の表面への異物の残留を一層効果的に抑制できる。
【００１５】
前記第１溝部は、前記封止樹脂の厚さの半分よりも深く形成されることが好ましい（請求項７）。これにより、第２幅のダイシングブレードによる切断の際に、このダイシングブレードと金属フレームとの接触をより確実に抑制できる。これにより、金属粉の残留をより確実に抑制できる。
前記第１溝部は、前記金属フレームの厚さの２倍以上の深さに形成されることが好ましい（請求項８）。これにより、第２幅のダイシングブレードによる切断の際に、このダイシングブレードと金属フレームとの接触を確実に回避できる。これにより、金属粉の残留を一層抑制できる。さらに、第１幅のダイシングブレードでの切断の際に、金属フレームの切断によりダイシングブレードの切断歯部が目詰まりする場合がある。この目詰まりは、封止樹脂を切断することによって、改善または解消される。したがって、第１幅のダイシングブレードによって金属フレームと同程度の厚さに渡って封止樹脂が切断されるように第１溝部の深さを設定しておくことにより、ダイシングブレードの目詰まりを改善または解消できる。したがって、半導体装置の側面は良好な切断面となり、エッジ部の欠け等の少ない良品が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を斜め上方から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、半導体装置を斜め下方から見た斜視図であり、図１（ｃ）は、上下が逆になった半導体装置を横方向から見た側面図である。
【図２】図２は、図１（ｃ）の切断面線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図３】図３は、図１に示す半導体装置の製造に用いられるリードフレームが支持テープに貼り付けられた状態におけるリードフレームの平面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、比較例に係る半導体装置の製造方法を示す図解的な断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａの次の工程を示す図解的な断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図４Ｂの次の工程を示す図解的な断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す図解的な断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す図解的な断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す図解的な断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ｃの次の工程を示す図解的な断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、図５Ｄの次の工程を示す図解的な断面図である。
【図６】図６は、図５Ｅの溝部周辺の拡大図である。
【図７】図７（ａ）は、エンボスキャリアテープの要部の斜視図であり、図７（ｂ）は、エンボスキャリアテープのポケットに半導体装置が収容された状態における図解的な断面図である。
【図８】図８（ａ）は、本発明の変形例に係る半導体装置を斜め上方から見た斜視図であり、図８（ｂ）は、本発明の変形例に係る半導体装置を斜め下方から見た斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を斜め上方から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、半導体装置を斜め下方から見た斜視図であり、図１（ｃ）は、上下が逆になった半導体装置を横方向から見た側面図である。図２は、図１（ｃ）の切断面線Ａ−Ａにおける断面図である。ただし、上下方向は、説明の都合のために、便宜的に定めた方向に過ぎない。たとえば、実装面を上方に向けた配線基板の上面に半導体装置を表面実装する場合の姿勢が図１(a)に示されている。
【００１８】
この半導体装置１は、図１に示すように、ＭＡＰタイプのＳＯＮが適用された半導体装置である。図２に示すように、半導体装置１は、半導体チップ２と、ダイパッド３と、複数のリード４（金属フレーム）と、封止樹脂５とを備えている。ダイパッド３は、半導体チップ２を支持するためのものである。複数のリード４は、半導体チップ２と電気的に接続されている。封止樹脂５は、半導体チップ２、ダイパッド３および複数のリード４を封止している。
【００１９】
半導体チップ２は、図１（ａ）に示すように、その機能素子が形成されている側の表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で、ダイパッド３上にダイボンディングされている。また、半導体チップ２の表面（デバイス形成面）には、複数個のパッド（図示せず）が形成されている。パッドは、半導体チップ２の最表面に形成された表面保護膜から配線層の一部を露出させることによって形成されている。各パッドは、ボンディングワイヤ２０によってリード４に接続されている。
【００２０】
封止樹脂５は、たとえば、エポキシ樹脂からなる。封止樹脂５は、図１に示すように、たとえば上下方向に扁平な略直方体形状に形成されている。上下方向は、半導体装置１の厚さ方向と同義である。略直方体形状の封止樹脂５は、底面をなす第１主面６と、天面をなす第２主面７と、第１および第２主面６，７に対して略垂直な方向に延びる側面８とを有している。第１主面６および第２主面７は、いずれも平坦面である。
【００２１】
第１主面６および第２主面７は、平面視において、たとえば略矩形状に形成されている。平面視において、第２主面７は、第１主面６よりも大きく、第１主面６全体が第２主面７の内側に収まっている。第２主面７は、第１主面６とは反対側に位置している。
側面８は、第１主面６および第２主面７に連なっている。詳しくは、側面８は、半導体装置１において第１主面６および第２主面７を除いた全周に形成されている。換言すれば、半導体装置１は、第１主面６および第２主面７のそれぞれの４辺に連なる４つの側面８を有している。
【００２２】
各側面８は、第１側面部９と、第２側面部１０と、連結部１１とを有している。４つの側面８が半導体装置１の全周に渡っているので、それに応じて、４つの側面８にそれぞれ形成された各４つの第１側面部９および第２側面部１０は、半導体装置１の全周（側面８の全域）に渡って形成されている。
第１側面部９は、第１主面６に連なっており、第２主面７へ向かって略垂直に延びている。第２側面部１０は、第２主面７に連なっており、第１主面６へ向かって略垂直に延びている。つまり、第１側面部９は、第１主面６寄りに配置されており、第２側面部１０は、第２主面７寄りに配置されている。各側面８において、第２側面部１０は、第１側面部９よりも横方向（第１および第２主面６，７に平行な方向）における外方に張り出している。第２側面部１０の第１側面部９に対する張出量Ｑ（図２参照）は、１０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。また、第１主面６に直交する方向（上下方向）における第２側面部１０の幅Ｐ（図２参照）は、３０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。
【００２３】
各側面８において、連結部１１は、第１および第２主面６，７に略平行に延びて、第１側面部９と第２側面部１０とをつないでいる。そのため、各側面８では、第１側面部９と第２側面部１０との間に段差１２が生じている。段差１２は、第１主面６よりも第２主面７の近くに位置している。詳しくは、側面８の上下方向中央よりも第２主面７側に段差１２が位置している。
【００２４】
このような段差１２によって、封止樹脂５には、第２主面７の外周縁の全域に渡って横方向に沿って外方へ張り出すフランジ部１３が形成されている。図１（ｂ）に示すように、フランジ部１３は、底面視で、略矩形の環状をなしている。フランジ部１３の天面は、第２主面７の外側周縁部によって構成されている（図１（ａ）参照）。フランジ部１３の底面は、各側面８の連結部１１によって構成されている。フランジ部１３の外側端面は、各側面８の第２側面部１０によって構成されている。フランジ部１３の強度を確保するために、フランジ部１３の厚みは、約５０μｍ以上であることが好ましい。
【００２５】
ダイパッド３は、たとえば、導電性を有する金属薄板（たとえば、微量の鉄やシリコンが含有された銅合金など）からなり、底面視矩形状に形成されている。ダイパッド３は、封止樹脂５に埋め込まれている。ダイパッド３の下面１４は、封止樹脂５の第１主面６から露出している。図２に示すように、ダイパッド３の下面１４は、封止樹脂５の第１主面６と面一になっている。
【００２６】
封止樹脂５の第１主面６から露出したダイパッド３の下面１４には、下面１４の略全面を覆うように、ダイパッドめっき層１５が形成されている。ダイパッドめっき層１５は、半田濡れ性を有する金属を用いためっきにより形成される層である。半田濡れ性を有する金属としては、たとえば、パラジウム（Ｐｄ）、半田（たとえば、錫（Ｓｎ）、錫−銅合金（Ｓｎ−Ｃｕ）、錫−銀合金（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）など）などが挙げられる。
【００２７】
複数のリード４は、たとえば、ダイパッド３と同材料の金属（たとえば、微量の鉄やシリコンが含有された銅合金など）からなり、ダイパッド３を挟む両側に、たとえば、４個ずつ設けられている（図１（ｂ）参照）。ダイパッド３の一辺に対向するように配置された複数のリード４は、互いに適当な間隔を空けて整列して配置されている（図１（ｂ）参照）。各リード４は、略直方体のブロック形状に形成されている。この実施形態では、各リード４の厚さＴ（上下方向寸法）は、たとえば、約１００〜２００μｍである。各リード４は、封止樹脂５に埋め込まれている。各リード４では、下面１６が、封止樹脂５の第１主面６の端部から露出している。リード４の下面１６は、封止樹脂５の第１主面６と面一になっている。各リード４では、下面１６に連続して略垂直に延びる一側面１７が、封止樹脂５の側面８の第１側面部９の下端部から露出している。一側面１７は、第１側面部９と面一になっている。
【００２８】
このように、封止樹脂５の第１主面６および側面８においてリード４が露出している。よって、半導体装置１は、第１主面６を配線基板（図示せず）に対向させてリード４を配線基板の回路に接続する表面実装パッケージ型に構成されている。
この実施形態では、上下方向において、第１主面６から段差１２までの距離Ｘは、約５００μｍ〜８００μｍであり、リード４の厚さＴ（ここでは、約１００〜２００μｍ）よりも大きい。距離Ｘは、厚さＴの２倍以上であることが望ましい。
【００２９】
各リード４において、封止樹脂５の第１主面６から露出する下面１６には、下面１６の略全面を覆うように、リードめっき層１８が形成されている。リードめっき層１８は、ダイパッドめっき層１５と同様に、半田濡れ性を有する金属を用いためっきにより形成される層である。各リード４の下面１６は、リードめっき層１８を介して、図示しない配線基板上のランドと半田接合されるアウターリードとして機能する。
【００３０】
図３は、図１に示す半導体装置の製造に用いられるリードフレームが支持テープに貼り付けられた状態におけるリードフレームの平面図である。ただし、正確には、リードフレームが支持テープに接するわけではなく、リードフレームを封止する封止樹脂３６（５）が支持テープに貼り付けられることにより、支持テープ上にリードフレームが支持される。
【００３１】
半導体装置１の製造に用いられるリードフレーム３０は、ＭＡＰタイプパッケージに使用されるリードフレームである。リードフレーム３０は、金属薄板（たとえば、前述した銅合金などからなる薄板）で形成されている。リードフレーム３０は、略長方形状に形成されている。図３では、平行に並んで配置された２枚のリードフレーム３０が円形状の支持テープ３１上に支持された状態を示している。
【００３２】
リードフレーム３０は、複数のダイパッド３と、複数のダイパッド３を取り囲むフレーム部３２（リード構成部材）とを備えている。各リードフレーム３０において、ダイパッド３は、この実施形態では、横方向３列、縦方向２列からなるグループを横並びに３つ構成するように、間隔を隔てて設けられている。ダイパッド３は、たとえば、金属薄板に対して精密プレス加工を施すことによって矩形状に形成され、吊りリード部３３を介してフレーム部３２に結合されている。
【００３３】
フレーム部３２は、隙間を隔てて各ダイパッド３を取り囲む枠体形状である。フレーム部３２は、遊端部が各ダイパッド３に向けて延びる複数のリード３４（金属フレーム）を有している。複数のリード３４は、基端部がフレーム部３２に接続されることで、フレーム部３２と一体的に形成されている。各リード３４は、ダイパッド３に向けて延びる長尺形状に形成されている。また、複数のリード３４は、ダイパッド３を挟む両側に、たとえば、４個ずつ設けられている。ダイパッド３の各側において、各リード３４は、互いに適当な間隔を空けて並列に整列して配置されている。各ダイパッド３およびそれを取り囲む複数のリード３４が、１つの半導体装置１に対応している。たとえば、横方向３列、縦方向２列からなるグループごとに封止樹脂３６（５）による樹脂封止が行われてもよい。
【００３４】
半導体装置１の製造の際、リードフレーム３０および封止樹脂３６（５）を切断して個別の半導体装置１を切り出すためのダイシングライン（切断予定線）５０Ａ，５０Ｂ（総称するときには「ダイシングライン５０」という。）が設定される。ダイシングライン５０Ａは、ダイパッド３へ向かって延びる各リード３４の基端部を通って直線状に延びている。ダイシングライン５０Ｂは、ダイシングライン５０Ａに直交しており、ダイパッド３において吊りリード部３３が結合された辺に平行に設定されている。この実施形態では、ダイシングライン５０Ａは、リードフレーム３０の長手方向に直交する方向に沿って延びており、ダイシングライン５０Ｂはリードフレーム３０の長手方向に沿って延びている。ダイシングライン５０Ａは、各リード３４の基端部の位置に応じて複数本（この実施形態では、１２本）設定され、リードフレーム３０の長手方向に並んでいる。ダイシングライン５０Ｂは、各ダイパッド３の吊りリード部３３を切断できるように設定されており、リードフレーム３０の短手方向に並んでいる。
【００３５】
次に、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、比較例に係る製造方法を説明する。この製造方法は、本願発明者が本件発明に至る考察過程で開発した方法である。図４Ａ〜図４Ｃにおいて、前述の図１および図２に示された各部に対応する部分には、便宜的に、図１および図２の場合と同一の参照符号を付して示す。
リードフレーム３０のダイパッド３上に、たとえば、高融点はんだ（融点が２６０℃以上のはんだ）や銀ペーストなどからなる接合材（図示せず）を介して半導体チップ２（図２参照）がダイボンディングされる。
【００３６】
次に、半導体チップ２のパッド（図示省略）とリード３４の上面とが、たとえば、金、銅またはアルミニウムの細線からなるボンディングワイヤ２０で接続される（ボンディング工程）。
その後、リードフレーム３０が、封止用の金型に入れられ、図４Ａに示すように、ダイパッド３の下面１４、リード３４（フレーム部３２）の下面３５が露出するように、リードフレーム３０および半導体チップ２が封止樹脂３６によって封止される（樹脂封止工程）。封止樹脂３６は、たとえば、エポキシ樹脂からなる。
【００３７】
封止樹脂３６による封止方法としては、たとえば、トランスファーモールド法などの方法が採用される。トランスファーモールド法では、封止樹脂３６を形成するためのキャビティを有する一対の金型が用いられ、この一対の金型間にリードフレーム３０を挟み込む。そして、キャビティ内に、溶融した樹脂を充填し、この樹脂を冷却・固化することによって封止することができる。
【００３８】
前述したように、ダイパッド３が吊りリード部３３を介してフレーム部３２に結合されているため（図３参照）、樹脂封止工程の際、ダイパッド３の位置ずれを抑制することができる。
樹脂封止工程が完了すると、半製品３７が完成する。図４Ａは、完成した半製品３７を示している。半製品３７は、リードフレーム３０と、半導体チップ２と、これらを封止した封止樹脂３６とを含んでいる。封止樹脂３６は、リードフレーム３０を覆う板状をなしている。封止樹脂３６は、その底面をなす第１主面２６と、その天面をなす第２主面２７とを含んでいる。第２主面２７は、第１主面２６の反対側である。第１主面２６から、ダイパッド３の下面１４、リード３４（フレーム部３２）の下面３５が露出される。半製品３７では、第１主面２６側が表面である。
【００３９】
その後、半製品３７を切断して半導体装置１を個別に切り出す工程が行われる。この工程が完了すると、封止樹脂３６は、個々の半導体装置１の封止樹脂５となる（図４Ｃ参照）。同時に、各リード３４は、対応する半導体装置１のリード４となる（図４Ｃ参照）。
まず、図３に示すように、半製品３７が支持テープ３１に貼り付けられる（貼り付け工程）。この際、たとえば２つの半製品３７が、平行に並んで配置された状態で、円形状の支持テープ３１に貼り付けられる。なお、図３では、各半製品３７において、半導体チップ２（図４Ａ参照）などの図示が省略されている。
【００４０】
図４Ａを参照して、半製品３７が貼り付けられた支持テープ３１は、所定の厚みを有する円板状の基材部３８と、基材部３８の表面に形成された粘着層３９とを有している。貼り付け工程では、半製品３７における封止樹脂３６の第２主面２７が、支持テープ３１の粘着層３９に貼り付けられる。これにより、半製品３７の位置が固定される。
次いで、ダイパッド３の下面１４、リード３４の下面３５に、半田濡れ性を有する金属材料を用いためっきにより、めっき層４９が形成される（めっき工程）。なお、めっき層４９を形成するには、電解めっき法により行なってもよいし、無電解めっき法などの方法で行なってもよい。
【００４１】
次いで、図４Ｂに示すように、各ダイシングライン５０（図３参照）に沿って、ダイシングブレード５１を移動させる。ダイシングブレード５１は、円板形状の砥石であって、その周端面に切断歯部が形成されている。
ダイシングブレード５１は、その円板形状の中心軸線まわりに回転しながら、ダイシングライン５０（図３参照）上を移動する。その際、ダイシングブレード５１は、フレーム部３２の下面側（半製品３７の表面側）から入れられる。
【００４２】
これにより、ダイシングブレード５１によって、フレーム部３２、リード３４（図３および図４Ａ参照）の基端部、および、リード３４の基端部上の封止樹脂３６が除去される（ダイシング工程）。詳しくは、ダイシングブレード５１をダイシングライン５０Ａに沿って移動させた場合には、図３に示す、点線で挟まれた帯状領域Ｙに存在するリードフレーム３０および封止樹脂３６が除去される。そして、ダイシング工程の結果、ダイシングブレード５１が通った跡（ダイシングライン５０に一致する位置）には、図４Ｃに示すように、ダイシングブレード５１とほぼ同じ幅の溝部５２が形成される。
【００４３】
溝部５２は、粘着層３９を貫通して、基材部３８の厚さ方向途中に至る深さを有する。つまり、ダイシングブレード５１をダイシングライン５０（図３参照）に沿って移動することで半製品３７が一度に切断される。
そして、各ダイシングライン５０（図３参照）に沿ってダイシングブレード５１を移動させると、同様の溝部５２が、各ダイシングライン５０に一致する位置に形成される。これにより、各リード３４（図４Ａ参照）がフレーム部３２から切り離されてリード４となり、封止樹脂３６（図４Ａ参照）が溝部５２の両側で切り分けられて封止樹脂５となる。そして、各ダイパッド３とフレーム部３２とをつなぐ吊りリード部３３（図３参照）を切断すると、半導体装置１の個片が得られる。各半導体装置１において、ダイパッド３の下面１４のめっき層４９（図４Ａ参照）は、ダイパッドめっき層１５となり、リード３４の下面３５のめっき層４９（図４Ａ参照）は、リードめっき層１８となる。
【００４４】
前述したように、各溝部５２は、粘着層３９を貫通して、基材部３８の厚さ方向途中にまで至っている。このような溝部５２を形成するために、図４Ｂに示すダイシング工程の際、ダイシングブレード５１は、リード３４と封止樹脂３６と粘着層３９とに同時に接触しながら半製品３７を切削する。これにより、ダイシングブレード５１がリード３４を切削することで生じる金属粉５４と、ダイシングブレード５１が封止樹脂３６を切削することで生じる樹脂粉５５と、ダイシングブレード５１が粘着層３９を切削することで生じる糊屑５６とが発生する。さらに、金属粉と糊とが混ざった粘着金属粉５７と、樹脂粉と糊とが混ざった粘着樹脂粉５８とが発生する。
【００４５】
特に、リード３４の切削の際において、摩擦熱によって高温になった金属粉が生じる。この高温の金属粉は、糊屑５６を溶融させながら、その糊屑５６と混ざり合って、強固に結合する。封止樹脂３６を切削することで生じる樹脂粉は、切削の際にあまり熱くならないうえに、切削の際に方々へ砕け散るので、糊屑５６と混ざりにくい。そのため、粘着金属粉５７は、比較的多く発生しやすく、逆に、粘着樹脂粉５８は、粘着金属粉５７ほど多くは発生しない。
【００４６】
金属粉５４、樹脂粉５５、糊屑５６、粘着金属粉５７および粘着樹脂粉５８は、溝部５２から出て、半製品３７の表面（下面）に至る。
ダイシング工程の際、図示しない水源につながった給水ノズル５９から半製品３７の表面に流水が供給される。これにより、半製品３７の表面上の金属粉５４、樹脂粉５５、糊屑５６、粘着金属粉５７および粘着樹脂粉５８のうち、金属粉５４および樹脂粉５５は、流水によって容易に洗い流されて半製品３７の表面上から排除される。しかし、糊屑５６、粘着金属粉５７および粘着樹脂粉５８は、糊の粘着力によって半製品３７の表面に付着しているので、流水に洗い落とされにくく、半製品３７の表面上に残る。これらのうち、図４Ｃに示す粘着金属粉５７は、半導体装置１が配線基板（図示せず）上へ実装されたときに、回路の短絡故障の原因となる虞がある。
【００４７】
給水ノズル５９から流水を供給する代わりにアルコール等の有機溶剤を供給すれば、粘着金属粉５７の糊が溶解するので、粘着金属粉５７（粘着樹脂粉５８や糊屑５６も含む）を半導体装置１の表面から除去できる。しかし、この場合には、供給後の有機溶剤を回収して処理する設備が必要であるから、生産コストが高くなる。また、有機溶剤によって支持テープ３１の粘着層３９が溶解してしまうから、半導体装置１を製造する途中において、半製品３７や切り出された各半導体装置１が支持テープ３１から剥がれてしまう虞がある。
【００４８】
図５Ａ〜図５Ｄは、この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図解的な断面図である。
この実施形態の製造方法では、前述しためっき工程までの工程は、前述した比較例に係る製造方法と同様に行われる。
つまり、まず、図３に示すリードフレーム３０のダイパッド３上に、たとえば、前述した高融点はんだや銀ペーストなどからなる接合材（図示せず）を介して半導体チップ２（図２参照）がダイボンディングされる。
【００４９】
次に、半導体チップ２のパッドとリード３４の上面とが、ボンディングワイヤ２０で接続される（ボンディング工程）。
その後、リードフレーム３０が、封止用の金型に入れられ、図５Ａに示すように、ダイパッド３の下面１４、リード３４（フレーム部３２）の下面３５が露出するように、リードフレーム３０および半導体チップ２が封止樹脂３６によって封止される（樹脂封止工程）。封止樹脂３６による封止方法としては、前述したトランスファーモールド法などの方法が採用される。
【００５０】
樹脂封止工程が完了すると、半製品３７が完成する。
その後、半製品３７を切断して半導体装置１を個別に切り出す工程が行われる。
まず、図５Ａに示すように、半製品３７が支持テープ３１に貼り付けられる（貼り付け工程）。貼り付け工程では、半製品３７において封止樹脂３６の第２主面２７が、支持テープ３１の粘着層３９に貼り付けられる。
【００５１】
次いで、ダイパッド３の下面１４、リード３４の下面３５に、半田濡れ性を有する金属材料を用いためっきにより、めっき層４９が形成される（めっき工程）。
以降の工程は、前記比較例に係る製造方法におけるダイシング工程とは異なる。この実施形態では、第１幅Ｗを有する第１のダイシングブレード６５と、第１のダイシングブレード６５よりも狭い第２幅Ｎを有する第２のダイシングブレード６６とが用いられる（図３参照）。本実施形態では、第１幅Ｗは、たとえば、約３００μｍであり、第２幅Ｎは、第１幅Ｗよりも小さく、たとえば、約２４０μｍである。第１のダイシングブレード６５および第２のダイシングブレード６６は、ともに、円板形状の砥石であって、それぞれの周端面に切断歯部が形成されている。
【００５２】
まず、図５Ｂに示すように、各ダイシングライン５０（図３参照）に沿って、第１のダイシングブレード６５を移動させる。そして、第１のダイシングブレード６５を追いかけるように、同じダイシングライン５０に沿って、第２のダイシングブレード６６を移動させる（図３参照）。なお、図５Ｂでは、２つの第１のダイシングブレード６５を図示しているが、複数のダイシングライン５０（図３参照）において複数の第１のダイシングブレード６５および第２のダイシングブレード６６を同時に移動させてもよい。また、１本のダイシングライン５０で第１のダイシングブレード６５および第２のダイシングブレード６６を移動させた後に別のダイシングライン５０で第１のダイシングブレード６５および第２のダイシングブレード６６を移動させるようにしてもよい。また、同じダイシングライン５０に沿って、第１および第２のダイシングブレード６５，６６を同時に移動させる必要はない。たとえば、第１のダイシングブレード６５によってダイシングライン５０に沿うダイシングを行った後、第２のダイシングブレード６６による当該ダイシングライン５０に沿うダイシングを開始してもよい。
【００５３】
第１のダイシングブレード６５は、その円板形状の中心軸線まわりに回転しながら、ダイシングライン５０（図３参照）上を移動する。その際、第１のダイシングブレード６５は、フレーム部３２の下面側（封止樹脂３６の第１主面２６側）から入れられる。これにより、第１のダイシングブレード６５によって、フレーム部３２、リード３４の基端部、およびリード３４の基端部上の封止樹脂３６が除去される（第１ダイシング工程）。詳しくは、第１のダイシングブレード６５をダイシングライン５０Ａに沿って移動させた場合には、図３に示す、点線で挟まれた帯状領域Ｙに存在するリードフレーム３０および封止樹脂３６が除去される。第１ダイシング工程の結果、第１のダイシングブレード６５が通った跡（ダイシングライン５０に一致する位置）には、図５Ｃに示すように、第１のダイシングブレード６５とほぼ同じ幅の第１溝部６７が形成される。第１溝部６７は、封止樹脂３６の第１主面２６側から第２主面２７側へ窪む溝である。
【００５４】
第１溝部６７の底は、封止樹脂３６の上下方向（厚さ方向）途中位置にあり、第１溝部６７は、封止樹脂３６を貫通していない。第１溝部６７の深さＤは、リード３４の厚さＳよりも深い。また、第１溝部６７は、封止樹脂３６の厚さＲの半分よりも深く形成される。さらに、第１溝部６７は、リード３４の厚さＳの２倍以上の深さに形成される。
つまり、第１溝部６７は、前記比較例の製造方法におけるダイシング工程で形成される溝部５２（図４Ｃ参照）よりも浅く形成され、半製品３７を切断しない。第１溝部６７が形成される際、リード３４（図５Ａ参照）および封止樹脂３６が切削されるので、半製品３７の表面には、金属粉５４と樹脂粉５５とが発生する（図５Ｂ参照）。しかし、このとき、第１のダイシングブレード６５によって粘着層３９は切削されないので、糊屑５６、粘着金属粉５７および粘着樹脂粉５８（図４Ｂ参照）は発生しない。金属粉５４および樹脂粉５５は、第１ダイシング工程中に給水ノズル５９（図５Ｂ参照）からの流水によって洗い流され、第１ダイシング工程後、図５Ｃに示すように、半製品３７の表面上から排除される。
【００５５】
第１ダイシング工程において第１溝部６７が形成されることにより、各リード３４（図５Ａ参照）がフレーム部３２（図３参照）から切り離されてリード４となる。各リード４では、一側面１７が、第１溝部６７の側壁の壁面と面一になった状態で、この壁面から露出される。
次いで、図５Ｄに示すように、第１のダイシングブレード６５の後に続く第２のダイシングブレード６６が、その円板形状の中心軸線まわりに回転しながら、第１のダイシングブレード６５が通ったダイシングライン５０（図３参照）上を移動する。この際、第２のダイシングブレード６６は、第１溝部６７に入れられる。
【００５６】
第２のダイシングブレード６６は、第１溝部６７の側壁に接触することなく、第１溝部６７の底の幅方向中央部を通る。その際、第２のダイシングブレード６６は、第１溝部６７の底よりも支持テープ３１側にある封止樹脂３６を切削する。第２のダイシングブレード６６の切断歯部は、支持テープ３１の粘着層３９を貫通して、基材部３８の上下方向（厚さ方向）途中にまで到達する。これにより、第１溝部６７の底よりも深い位置に存在する封止樹脂３６、粘着層３９、および一部の基材部３８が除去される（第２ダイシング工程）。そして、第２ダイシング工程の結果、第２のダイシングブレード６６が通った跡（第１溝部６７の底の中央部）には、図５Ｅに示すように、第２のダイシングブレード６６とほぼ同じ幅の第２溝部６８が形成される。第２溝部６８の溝幅は、第１溝部６７の溝幅よりも狭い。第１溝部６７と第２溝部６８とは、一体となって、段付きの溝をなしている。
【００５７】
第２溝部６８が形成されることにより、半製品３７が各ダイシングライン５０（図３参照）において完全に切断される。これにより、封止樹脂３６（図５Ｃ参照）が第１溝部６７および第２溝部６８の両側で切り分けられて封止樹脂５となる。こうして、半導体装置１の個片が得られる。各半導体装置１において、ダイパッド３の下面１４のめっき層４９（図５Ａ参照）は、ダイパッドめっき層１５となり、リード３４の下面３５のめっき層４９（図５Ａ参照）は、リードめっき層１８となる。
【００５８】
第２溝部６８は、封止樹脂３６および粘着層３９を貫通して、基材部３８の上下方向途中まで至る（図５Ｄ参照）。言い換えれば、第２溝部６８は、第１溝部６７の底部から封止樹脂３６の第２主面２７を超えて支持テープ３１に達する深さを有している。
第２溝部６８が形成される際、封止樹脂３６および粘着層３９が切削されるので、樹脂粉５５と、糊屑５６と、粘着樹脂粉５８とが発生する（図５Ｄ参照）。しかし、第２のダイシングブレード６６は、第１溝部６７の側壁の壁面に露出されたリード４に接触しないので、リード４を切削することはない（図５Ｄ参照）。そのため、粘着金属粉５７（図４Ｃ参照）は、発生しない。樹脂粉５５および粘着樹脂粉５８は、給水ノズル５９（図５Ｄ参照）からの流水によって洗い流され、図５Ｅに示すように、各半導体装置１の表面上から無くなる。なお、微量の糊屑５６が半導体装置１の表面上に残ることがあるが、特に問題はない。
【００５９】
第２ダイシング工程で第２溝部６８が形成されることにより、半製品３７が切断される（図５Ｄ参照）。つまり、前記比較例の製造方法では、ダイシング工程で半製品３７が一度に切断されるが（図４Ｂ参照）、本実施形態の製造方法では、粘着金属粉５７（図４Ｃ参照）を発生させないように、第１ダイシング工程および第２ダイシング工程を含む２段階の工程を経て半製品３７が切断される。つまり、第１ダイシング工程において第１のダイシングブレード６５によってリード３４と封止樹脂３６の一部をカットしてから（図５Ｂ参照）、第２ダイシング工程において第２のダイシングブレード６６によって残りの封止樹脂３６と支持テープ３１の粘着層３９をカットすることによって（図５Ｄ参照）、半製品３７を切断する。
【００６０】
そして、半製品３７が切断されると、封止樹脂３６が切り分けられて封止樹脂５となり、半導体装置１の個片が得られる。第１溝部６７の側壁の壁面が、半導体装置１では、側面８の第１側面部９となる。第２溝部６８の側壁の壁面が、半導体装置１では、側面８の第２側面部１０となる。第１溝部６７の底面が、半導体装置１では、側面８の連結部１１となる。
【００６１】
第２ダイシング工程の後、たとえば、各半導体装置１は、吸引ノズル（図示せず）によって吸着されて支持テープ３１から剥がされ、後述するエンボスキャリアテープ８０のポケット８１に収容される（図７参照）。
以上の方法により、半導体装置１を製造できる。図５Ｂに示すように、第１のダイシングブレード６５（幅広のダイシングブレード）は、第１側面部９に相当する部分を切断する際にリード４に接するけれども、封止樹脂３６の厚さ方向途中位置に達するに過ぎず、支持テープ３１には達しない。したがって、第１のダイシングブレード６５による切断によって生じる金属粉５４は、粘着層３９を構成する糊と混合しない。また、図５Ｄに示すように、第２のダイシングブレード６６（幅狭のダイシングブレード）は、第１のダイシングブレード６５によって形成された第１溝部６７の底部から、第１側面部９に非接触状態で、封止樹脂３６（第２側面部１０に相当する部分）を切断する。そのため、第２のダイシングブレード６６とリード４との接触を回避できる。したがって、第２のダイシングブレード６６は粘着層３９に接するけれども、粘着層３９を構成する糊と金属粉との混合は最小限に抑制できる。これにより、図５Ｅに示すように、切り出された半導体装置１の表面への金属粉の付着を抑制できる。
【００６２】
さらに、図５Ｃに示すように、第１溝部６７は、リード３４の厚さＳよりも深く形成される。この場合、図２に示すように、完成した半導体装置１では、第１主面６から段差１２までの距離Ｘが、リード４の厚さＴよりも大きくなり、リード４は、第２側面部１０では露出していない。
これにより、図５Ｄに示すように第２側面部１０に対応する領域を第２のダイシングブレード６６で切断する際に、第２のダイシングブレード６６とリード４との接触を回避できる。これにより、金属粉の残留を一層確実に抑制できる。
【００６３】
また、第１のダイシングブレード６５による第１溝部６７の形成工程（第１ダイシング工程）、および、第２のダイシングブレード６６による第２溝部６８の形成工程（第２ダイシング工程）と並行して、各ダイシングブレードと半製品３７との接触部の近傍に流水を供給する工程を実行している（図５Ｂおよび図５Ｄ参照）。これにより、切断により生じる金属粉５４および樹脂粉（樹脂粉５５や粘着樹脂粉５８）を速やかに除去できるから、半導体装置１の表面への異物の残留を一層効果的に抑制できる。
【００６４】
図５Ｃに示すように、第１溝部６７は、封止樹脂３６の厚さＲの半分よりも深く形成されることが好ましい。この場合、図２に示すように、完成した半導体装置１では、段差１２が、第１主面６よりも第２主面７の近くに位置する。
これにより、図５Ｄに示すように、第２側面部１０に対応する領域を第２のダイシングブレード６６で切断するときに、第２のダイシングブレード６６とリード４との接触をより確実に抑制できる。これにより、金属粉の残留をより確実に抑制できる。
【００６５】
図５Ｃに示すように、第１溝部６７は、リード３４の厚さＳの２倍以上の深さに形成されることが好ましい。この場合、図２に示すように、完成した半導体装置１では、第１主面６から段差１２までの距離Ｘが、リード４の厚さＴの２倍以上になる。
これにより、図５Ｄに示すように、第２側面部１０に対応する領域を第２のダイシングブレード６６で切断するときに、第２のダイシングブレード６６とリード４との接触を確実に回避できる。これにより、金属粉の残留を一層抑制できる。
【００６６】
図５Ｂを参照して、リード３４を構成する銅は、第１のダイシングブレード６５を構成する砥石の目を詰まらせる。そのため、第１側面部９に対応する領域を幅広の第１のダイシングブレード６５で切断するときに、リード３４の切断により第１のダイシングブレード６５の切断歯部が目詰まりする場合がある。一方、封止樹脂３６には、第１のダイシングブレード６５に切断される際に、第１のダイシングブレード６５の砥石の新しい目を出す性質がある。よって、リード３４の切断により第１のダイシングブレード６に生じた目詰まりは、封止樹脂３６を切断することによって、改善または解消される。したがって、第１のダイシングブレード６５によってリード３４と同程度の厚さに渡って封止樹脂３６が切断されるように第１溝部６７の深さを設定しておくことにより、第１のダイシングブレード６５の目詰まりを改善または解消できる。したがって、図５Ｅに示すように完成した半導体装置１の側面８は良好な切断面となり、エッジ部の欠け等の少ない良品が得られる。
【００６７】
図５Ｃでは、第１溝部６７の底は、横方向に平坦に描いてあるが、第１のダイシングブレード６５（図５Ｂ参照）の刃先の実際の断面形状は、外側へ膨出する半円形状であることもある。この場合、図６に示すように、第１溝部６７の底面は、支持テープ３１へ向けて膨出する円弧状断面を有する溝形状に形成される。この場合、完成した各半導体装置１の側面８において、第１側面部９と第２側面部１０とを連結する連結部１１は、横方向に平坦な面でなく、凹湾曲面となる。この湾曲した連結部１１によって、第１側面部９と第２側面部１０との間に段差１２が形成されることになる。
【００６８】
各側面８において、横方向における第１側面部９と第２側面部１０との間隔Ｕは、たとえば、約３０μｍである。また、フランジ部１３の厚さは、たとえば、約１００μｍである。
図７（ａ）は、エンボスキャリアテープの要部の斜視図であり、図７（ｂ）は、エンボスキャリアテープのポケットに半導体装置が収容された状態を示す図解的な断面図である。
【００６９】
エンボスキャリアテープ８０は、たとえば、ポリカーボネート樹脂等で形成されたテープ（帯状体）である。エンボスキャリアテープ８０には、多数のポケット８１が、エンボスキャリアテープ８０の長手方向に並ぶように形成されている。各ポケット８１は、エンボスキャリアテープ８０の一方の面（裏面）へ窪む凹状の空間として区画されている。未使用状態のエンボスキャリアテープ８０の表面には、剥離カバー８２が貼り付けられており、各ポケット８１の内部は、剥離カバー８２によって密閉されている。これにより、未使用状態のエンボスキャリアテープ８０の各ポケット８１内に異物が侵入することが防止されている。エンボスキャリアテープ８０を使用する場合には、剥離カバー８２がエンボスキャリアテープ８０から取り外される。
【００７０】
各ポケット８１の底面の略中央部には、ポケット８１の開口（エンボスキャリアテープ８０の表面）側へ隆起する載置部８３が形成されている。
半製品３７から切り分けられた各半導体装置１は、たとえば、図７（ｂ）に示すように、エンボスキャリアテープ８０の各ポケット８１内に収容される。この状態で、半導体装置１では、ダイパッド３の下面１４だけが載置部８３に接する。したがって、半導体装置１の底面の周縁部の各リード４は、ポケット８１の底面から離間している。また、半導体装置１のフランジ部１３が、ポケット８１の側壁面に対向している。フランジ部１３は、リード４よりも外方に張り出しているから、半導体装置１の底面の周縁部の各リード４は、ポケット８１の側壁面から離間した状態に保たれる。つまり、各リード４は、ポケット８１の内壁面（側壁面および底面）に対して非接触の状態に保持される。
【００７１】
前述した第１ダイシング工程において、第１のダイシングブレード６５の側面は、リード３４（リード４）に接触する（図５Ｂ参照）。そのため、リード３４が第１のダイシングブレード６５の側面につられて部分的に延びることにより、リード４の端部に、ばり９０を生じることがある。エンボスキャリアテープ８０の各ポケット８１内に収容された半導体装置１において、リード４がポケット８１の内壁面に接触すると、リード４の端部のばり９０が、リード４からポケット８１内に剥がれ落ちる虞がある。このばり９０は、ポケット８１に収容された半導体装置１の樹脂表面等に付着したり、実装回路基板上に落下したりして、回路短絡の原因となる虞がある。このような不具合は、この実施形態の半導体装置１では回避できる。すなわち、この実施形態の半導体装置１では、エンボスキャリアテープ８０のポケット８１の内部において、リード４がポケット８１の内壁面と非接触に保持されるから、ばり９０が剥がれ落ちることを抑制できる。
【００７２】
以上、この発明の実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ＭＡＰタイプのＳＯＮが適用された半導体装置を例に取り上げたが、この発明は、ＳＯＮに限らず、たとえば、ＱＦＮが適用された半導体装置に適用することもできる。
また、この発明は、ダイパッド３が無い構成の半導体装置１にも適用することができる。
【００７３】
図８（ａ）は、本発明の変形例に係る半導体装置を斜め上方から見た斜視図であり、図８（ｂ）は、本発明の変形例に係る半導体装置を斜め下方から見た斜視図である。
前述した実施形態では、リード４が、封止樹脂５の第１主面６においてダイパッド３を挟んで対向する２辺に設けられているが（図１（ｂ）参照）、図８に示すように、第１主面６における残りの２辺にも設けられていても構わない。この場合、第１主面６の４辺にリード４が設けられている。各リード４では、下面１６が、封止樹脂５の第１主面６の端部から露出している。各リード４の下面１６は、封止樹脂５の第１主面６と面一になっている。また、各リード４では、下面１６に連続して略垂直に延びる一側面１７が、封止樹脂５の側面８の第１側面部９の下端部から露出している。一側面１７は、第１側面部９と面一になっている。
【００７４】
また、リード４は、封止樹脂５の第１主面６の１辺のみに設けられていてもよいし、第１主面６の３辺に設けられていてもよい。
ここで、第１主面６においてリード４が設けられない辺がある場合、この辺に連続する側面８を形成する際に、リード４が切断されないので、前述した粘着金属粉５７（図４Ｃ参照）が発生する虞はない。そのため、この側面８は、段差１２が生じるように形成される必要はなく、この側面８において第１側面部９と第２側面部１０とは面一であってもよい。そのため、この側面８を形成する場合、封止樹脂３６（図３参照）を１種類のダイシングブレードで一度に切断すればよい。
【００７５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１    半導体装置
２    半導体チップ
４    リード
５    封止樹脂
６    第１主面
７    第２主面
８    側面
９    第１側面部
１０  第２側面部
１２  段差
２６  第１主面
２７  第２主面
３１  支持テープ
３４  リード
３６  封止樹脂
３７  半製品
３８  基材部
３９  粘着層
６５  第１のダイシングブレード
６６  第２のダイシングブレード
６７  第１溝部
６８  第２溝部
Ｎ    第２幅
Ｐ    幅
Ｑ    張出量
Ｒ    厚さ
Ｓ    厚さ
Ｔ    厚さ
Ｗ    第１幅
Ｘ    距離
【図１】
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【図２】
0005555065.tif 000003
【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005555065.tif 000015