(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のマスクに複数の評価パターンを配置し、露光装置の投影光学系を介して結像する空間像の特性を計測し、第２のマスクに設ける実露光パターンの補正データを作成するマスクパターン評価方法であって、
前記投影光学系のミラーの特性から、被露光基板上に散乱される点像分布関数を算出する工程と、
前記点像分布関数と前記第１のマスク上に配置してある前記評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンにおけるフレア光強度を算出する工程と、
前記複数の評価パターンのパターン配置およびパターン領域を前記算出したフレア光強度が等しくなるよう設定し、前記設定に基づき前記第１のマスクを作製する工程と、
作製した前記第１のマスクに設けたパターンを前記被露光基板上に投影する工程と、
前記空間像の特性を計測する工程と、
前記計測結果を参照して補正データを作成する工程を
有することを特徴とするマスクパターン評価方法。
【請求項２】
第１のマスクに複数の評価パターンおよび複数のダミーパターンを配置し、露光装置の投影光学系を介して結像する空間像の特性を計測し、第２のマスクに設ける実露光パターンの補正データを作成するマスクパターン評価方法であって、
前記投影光学系のミラーの特性から、被露光基板上に散乱される点像分布関数を算出する工程と、
前記点像分布関数と前記第１のマスク上に配置してある前記評価パターンおよび前記ダミーパターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンおよび前記ダミーパターンにおけるフレア光強度を算出する工程と、
前記複数の評価パターンおよび前記複数のダミーパターンのパターン配置およびパターン領域を、前記算出したフレア光強度が等しくなるよう設定し、前記設定に基づき前記第１のマスクを作製する工程と、
作製した前記第１のマスクに設けたパターンを前記被露光基板上に投影する工程と、
前記空間像の特性を計測する工程と、
前記計測結果を参照して補正データを作成する工程を
有することを特徴とするマスクパターン評価方法。
【請求項３】
前記複数の評価パターンを、互いに１５０ｎｍ以上離れた位置に配置する工程と、
前記評価パターンにおけるフレア光強度が、前記評価パターンのパターン配置およびパターン領域が変化しても、複数の前記評価パターンにおけるフレア強度の差分が２％以下となるように前記パターン配置を設定する工程と
を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスクパターン評価方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のマスクパターン評価方法より補正されたマスクパターンを検査用マスクに形成する工程と、
前記検査用マスクに形成したマスクパターンを被露光基板上に投影して投影光強度分布を測定し、前記マスクパターンにおける散乱光強度分布を算出する工程と、
設計マスクパターンを複数の領域に分割し、算出した前記投影光強度分布と前記散乱光強度分布に基づき、前記マスクパターンを前記被露光基板上に設けた転写レジストパターンの寸法が予め定めた値の範囲内となるよう補正する工程と
を有することを特徴とするマスクパターン補正方法。
【請求項５】
第１のマスクに複数の評価パターンを配置する手段と、
点像分布関数と前記第１のマスク上に配置した評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンにおけるフレア光強度を算出する手段と、
前記算出したフレア光強度が等しくなるように複数の前記評価パターンのパターン領域を設定およびパターン配置を行う手段と
を有することを特徴とするマスクパターン発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマスクパターン評価方法、マスクパターン補正方法及びマスクパターン発生装置に関するものであり、例えば、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）等の波長の短い光源を用いた場合に発生するフレア光強度の影響を低減させて光近接効果を抽出するための構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い、リソグラフィ工程におけるレジストパターン寸法精度を向上させる技術が必要である。ＥＵＶを光源とするリソグラフィ技術においては、波長が１３．５ｎｍと、従来の光リソグラフィで用いられているＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）に比べて短いため、露光装置の縮小光学系における散乱が波長の２乗に反比例して大きくなる（例えば、特許文献１或いは非特許文献１参照）。
【０００３】
この散乱光は、フレアと呼ばれ、マスクパターンが開口している部分から光が漏れ、ウェーハ基板上に形成されるレジストパターンの寸法を変化させる問題がある。また、露光波長が短波長ながら、半導体回路パターンサイズが小さいため、近接光干渉効果による影響も無視できない。そのため、半導体装置の回路パターンを設計どおりの寸法に形成するように、フレア量や光近接効果の補正を行うため、マスクパターンサイズを変化させる手法が用いられている。
【０００４】
特に、ＥＶＵにおけるフレア量は、露光装置の縮小光学系のミラーのラフネスをもとに、距離とフレア量の関数であるＰＳＦ（Ｐｏｉｎｔ  Ｓｐｒｅａｄ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）で表現でき、計算上の予測が可能とされている。この算出したＰＳＦとマスクパターン被覆率を任意領域におけるフレア量を定義し、寸法とフレア量の相関を算出することでフレアの補正が可能となる（例えば、特許文献２或いは特許文献４参照）。また、光近接効果は、マスクパターンや露光装置の照明条件を考慮し空間像計算で予測することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９４７６４号公報
【特許文献２】特表２００７−５２４２５５号公報
【特許文献３】特開２００５−３３８２６７号公報
【特許文献４】特開２００５−１２８５５８号公報
【特許文献５】特開２００６−１００３０４号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｌａｓｍａ  ａｎｄ  Ｆｕｓｉｏｎ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｖｏｌ．７９，Ｎｏ．３，ｐｐ．２２１−２２５，Ｍａｒｃｈ  ２００３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、光近接効果のように数百ｎｍ以下の近距離では、レジストの光化学反応過程に伴うウェーハ上寸法の変化が発生するため、空間像計算だけでは所望の精度が得られない問題がある。
【０００８】
そのため、ウェーハ上に露光したレジストパターンの寸法計測結果と、空間像ならびにレジスト等の影響を関数で近似し、光近接効果補正を行う必要が発生する。この際、例えば、マスクパターンのピッチを変えて、レジストパターンを露光および現像によりパターン評価を行うのであるが、マスクパターンのピッチを変えると、マスクパターンの被覆率が変化する。つまり、光近接効果を評価する際、フレア量変化に伴うレジスト寸法変化が発生し、光近接効果とフレアの影響が混在する問題がある。
【０００９】
したがって、本発明は、回路パターン寸法を劣化させるフレア量変化を考慮して近接効果を精密に評価することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点からは、第１のマスクに複数の評価パターンを配置し、露光装置の投影光学系を介して結像する空間像の特性を計測し、第２のマスクに設ける実露光パターンの補正データを作成するマスクパターン評価方法であって、前記投影光学系のミラーの特性から、被露光基板上に散乱される点像分布関数を算出する工程と、前記点像分布関数と前記第１のマスク上に配置してある前記評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンにおけるフレア光強度を算出する工程と、前記複数の評価パターンのパターン配置およびパターン領域を前記算出したフレア光強度が等しくなるよう設定し、前記設定に基づき前記第１のマスクを作製する工程と、作製した前記第１のマスクに設けたパターンを前記被露光基板上に投影する工程と、前記空間像の特性を計測する工程と、前記計測結果を参照して補正データを作成する工程を
有することを特徴とするマスクパターン評価方法が提供される。
【００１１】
また、本発明の別の観点からは、上述のマスクパターン評価方法より補正されたマスクパターンを検査用マスクに形成する工程と、前記検査用マスクに形成したマスクパターンを被露光基板上に投影して投影光強度分布を測定し、前記マスクパターンにおける散乱光強度分布を算出する工程と、設計マスクパターンを複数の領域に分割し、算出した前記投影光強度分布と前記散乱光強度分布に基づき、前記マスクパターンを前記被露光基板上に設けた転写レジストパターンの寸法が予め定めた値の範囲内となるよう補正する工程とを有することを特徴とするマスクパターン補正方法が提供される。
【００１２】
また、本発明のさらに別の観点からは、第１のマスクに複数の評価パターンを配置する手段と、点像分布関数と前記第１のマスク上に配置した評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンにおけるフレア光強度を算出する手段と、前記算出したフレア光強度が等しくなるように複数の前記評価パターンのパターン領域を設定およびパターン配置を行う手段とを有するマスクパターン発生装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
開示のマスクパターン評価方法、マスクパターン補正方法及びマスクパターン発生装置によれば、光近接効果の影響を精密に算出することが可能となり、この影響をマスクパターンに補正をかけることで高精度な半導体装置の作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に用いる極端紫外露光装置の概念的構成図である。
【図２】本発明の実施の形態のマスクパターン評価方法及び補正方法を行うためのフロー図である。
【図３】フレア強度の散乱距離依存性の説明図である。
【図４】光近接効果評価用のマスクパターンの一例を示す平面図である。
【図５】ＣＤ及びＮＩＬＳのピッチ依存性の説明図である。
【図６】フレアの評価用のパターン領域サイズ依存性の説明図である。
【図７】ＣＤのフレア量依存性の説明図である。
【図８】フレアのパターン領域長さ依存性の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
ここで、図１を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の実施の形態に用いる極端紫外露光装置の概念的構成図であり、光源１、光源１からのＥＵＶ光をレチクルに導く照明光学系２、レチクルを搭載するレチクルステージ３、レチクルからの反射光を被露光基板５上に投影する投影光学系４、被露光基板５を搭載するウェーハステージ６を備えている。
【００１６】
光源１は、中心波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ光を発生するもので、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を利用したＥＵＶ光源或いは放電生成プラズマ（ＤＰＰ）を利用したＥＵＶ光源を用いる（例えば、非特許文献１参照）。
【００１７】
照明光学系２及び投影光学系４は、ＥＵＶ光はあらゆる物質に対する吸収係数が大きく透過光学系は使用できないため、多層反射膜を備えた複数枚のミラーから構成されており、多層反射膜は例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜で構成されている。
【００１８】
また、レチクルも反射型であり、多層反射膜上に所定の開口部を有する吸収体パターンを形成することによって構成されている。レチクルステージ３とウェーハステージ６とは縮小倍率に応じた速度比で同期走査される。
【００１９】
このようなＥＵＶ光を用いたリソグラフィ技術における光近接効果の影響範囲は、１００ｎｍ程度の距離である。一方でフレア量は、投影光学系４を構成するミラーの粗さにより、即ち、ミラーラフネスの周波数帯により影響する距離が変化し、マスクパターンの被覆率によっても変化する。なお、ミラーラフネスの周波数帯とは、ミラー表面の凹凸をフーリエ級数展開しフィッティングにより離散した周波数帯としたものであり、周波数が低い場合にはフレアは遠くまで散乱し、周波数が低い場合には近傍のみに影響を与える。  
【００２０】
つまり、光近接効果を評価する場合、上述のように１００ｎｍ程度以上の領域でかつ、ＰＳＦから算出したフレア量が、マスクパターンの被覆率を変えても変化しない領域以下を設定することで、精度よく評価することが可能となる。なお、マスクパターンの被覆率はマスク全体の面積に対する開口部の面積の比である。
【００２１】
また、近接効果評価用の各々のマスクパターンの領域またはマスクパターンの被覆率を変化させ、パターンにおいて計算したフレア量が一定となるように、評価パターンを発生させ、露光および現像によりレジストパターンを形成し、精度よく光近接効果を評価することも可能となる。
【００２２】
図２は本発明の実施の形態のマスクパターン評価方法及び補正方法を行うためのフロー図である。図２に示すように、光近接効果計算手段１１、パターン領域設定手段１２、ダミーパターン発生手段１３及び光散乱計算手段１４を備えたレイアウト発生ユニット１０に、露光装置のＰＳＦデータ１５と近接効果を評価するマスクパターンデータ１６を入力する。この場合の評価用のマスクパターンとしては、主に光近接効果を評価するものと、フレアの影響を評価するものが挙げられる。
【００２３】
また、露光装置のＰＳＦデータ１５は、図３に示すように縮小光学系のミラーラフネスとミラーの焦点距離等の幾何学的設計値から算出し、距離と散乱量の関係を離散的な数値により表現する。なお、露光装置のＰＳＦデータ１５を簡易化させ、例えば、ガウシアン関数、フラクタル関数、線形近似関数、さらには、これら複数の関数の組み合わせで近似させることも可能である。
【００２４】
入力されたマスクパターンデータ１６をもとに、被露光基板、即ち、ウェーハ上に形成される光近接効果の空間像およびレジスト特性を光近接効果計算手段１１により形成する。次いで、光近接効果の計算結果を考慮しパターン領域設定手段１２によりマスクパターンデータ１６をもとに評価用のマスクパターンを配置するパターン領域を設定する。さらに、ダミーパターン発生手段１３により評価用のマスクパターンの周辺にマスクパターン被覆率を調整するダミーマスクパターンを発生させる。
【００２５】
次いで、光散乱計算手段１４により、露光装置のＰＳＦデータ１５、マスクパターン領域内に配置された評価用のマスクパターン及びダミーマスクパターンを基に、ウェーハ上の任意の点における散乱光を計算する。この場合、散乱光の強度が所望の値、つまり、前記評価用のマスクパターンにおける散乱光が、任意の評価用のマスクパターンにおいて等しくなるように、フィードバックしながらパターン領域の設定をするとともにダミーマスクパターンを発生させて、評価用のマスクパターンを最適化させる。
【００２６】
次いで、最適化させたマスクパターンを用いて検査用マスクを作成する。この検査用マスクを用いた露光結果を評価する。この時、検査用マスクに形成したマスクパターンをウェーハ上に投影して投影光強度分布を測定し、マスクパターンにおける散乱光強度分布を算出する。
【００２７】
次いで、算出した投影光強度分布と散乱光強度分布に基づき設計マスクパターンを複数の域に分割し、設計マスクパターンをウェーハ上に設けた転写レジストパターンの寸法が予め定めた値の範囲内となるよう補正する。
【実施例１】
【００２８】
以上を前提として、次に、図４乃至図８を参照して、本発明の実施例１のマスクパターン評価方法及び補正方法を説明する。まず、光近接効果を評価するマスクパターンの作成手法を説明する。図４は、光近接効果評価用のマスクパターンの一例を示す平面図である。
【００２９】
図４に示すように、光が透過する開口部パターン２１ａの寸法は一定とし、未開口マスクパターン２１ｂの寸法を変化させたＬ＆Ｓパターンからなるマスクパターンを複数作成する。例えば、一例を挙げるとピッチが６０ｎｍ〜２００ｎｍの間で所定間隔で変化するマスクパターンを１０通り程度作成する。
【００３０】
次いで、ウェーハ上に作成したマスクパターンをパターン転写することで、ピッチ依存性と呼ばれる評価を行う。なお、光近接効果評価用のマスクパターンは、ピッチ依存性評価以外に、マスク開口部寸法を変化させるパターンリニアリティや、2 次元パターンにおけるパターンコーナーの丸まり等がある。なお、矩形パターンでも短いパターンは先端部のコーナーの丸まりが問題となるので２次元パターンとなる。
【００３１】
これらは、露光波長ならびに露光装置の開口率やシグマ値等の光学条件により主に決定される回折効果の影響でウェーハ上寸法変化が予想されるものがある。つまり、近接効果評価用のパターン領域２０のサイズ２０ａ, ２０ｂ は、少なくとも、上述の光近接効果の計算において、光の回折の影響を受けなくなる領域より広くマスクパターン領域を設定することが必要となる。
【００３２】
例えば、露光波長１３．５ｎｍ、開口率０．２５、シグマ値０．７の露光条件において、Ｌ＆Ｓパターンからなるマスクパターンを、開口部パターン２１ａの寸法を３２ｎｍで固定して、未開口部マスクパターン２１ｂを変化させ、光リソグラフィシミュレーションにより空間像を求める。
【００３３】
図５は、予め設定した閾値におけるウェーハ上寸法ＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）及びＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ  Ｉｍａｇｅ  Ｌｏｇ  Ｓｌｏｐｅ）の算出結果である。なお、ＮＩＬＳとは露光余裕度を示す指標であり、投影光強度分布の立ち上がり部及び立ち下がり部の傾斜を光強度の対数と位置の対数の比で表したＩＬＳを規格化したものである。
【００３４】
図５に示すように、１５０ｎｍ程度のピッチで寸法変化がなくなるため、光近接効果の影響をなくすためには開口部パターン２１ａは互いに１５０ｎｍ以上離す必要がある。したがって、図４に示したマスクパターン領域２０のサイズ２０ａ，２０ｂは少なくとも、２倍の３００ｎｍ程度必要となることがわかる。当然ながら、マスクパターン寸法や露光波長ならびに露光装置の光学条件により、光近接効果が与える距離は異なるので、所望するパターンサイズや利用する露光装置および光学条件に応じて、もっとも小さくできるマスクパターン領域を判定することになる。
【００３５】
一方で、評価用のマスクパターン領域２０のサイズ２０ａ，２０ｂを広げていくと、実質マスクパターンの開口部が増加し、ウェーハ上における散乱光の強度が増加する問題がある。図６は、フレア量のマスクパターン領域サイズ依存性の説明図である。ここでは、パターン開口率が０．１，０．５，０．９の正方形の評価用のマスクパターンにおいて、マスクパターン領域２０のサイズ２０ａ，２０ｂを変化させた場合の、ウェーハ上に散乱してくる光強度を予め計算した露光装置のＰＳＦデータを基に計算した結果を示した。
【００３６】
図６から明らかなように、パターンの開口率が大きくなるに従いフレア量は増加する傾向にあることがわかる。例えば、評価用のマスクパターン領域２０が５０μｍ角の場合、パターンの開口率が０．９（＝９０％）のときフレア量は９％以上となる。したがって、パターンの開口率によらずに精度の高い評価を行うためには、フレア量がほぼ等しい評価用のマスクパターン領域２０で行う必要がある。例えば、評価用のマスクパターン領域２０のサイズ２０ａ，２０ｂを１μｍ角以下として光近接効果の評価を行う。
【００３７】
次に、フレア量による寸法変化を、１３．５ｎｍ、開口率０．２５、シグマ値０．７の露光条件を用い空間像を計算し、また、レジストの影響を空間像に対しガウシアン関数で畳み込み計算により予測を行った。
【００３８】
図７は寸法ＣＤのフレア量依存性の説明図であり、ガウシアン関数の標準偏差（σ）を変数とした場合の計算結果を示したものである。ここでは、σ＝０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍの４つの場合を示している。
【００３９】
この標準偏差の値σは、レジストの特性により変化するが、現在、使用しているレジストの特性は、ガウシアンの標準偏差（σ）で９ｎｍ程度であることがわかっている。つまり、フレアが１０％程度存在し、標準偏差の値σを１０ｎｍとすると、ウェーハ上寸法はフレアが０％の時の３２ｎｍから右端の１９ｎｍに変化し、寸法変化量としては１３ｎｍ（＝３２ｎｍ−１９ｎｍ）程度であることがわかる。
【００４０】
そこで、フレアによる寸法変動の影響がない状態で光近接効果の評価を行うためには、例えば、フレアによる影響を半導体装置に要求される最小寸法の１０％以下に制御する評価用のマスクパターンを作成することが望まれる。例えば、ウェーハ上に形成するパターン寸法が３２ｎｍを目標とする場合、フレアの影響による寸法変化量は１０％の３．２ｎｍ以下に制御する必要がある。
【００４１】
前述のようにフレアが１０％であると、転写パターンの寸法ＣＤは１３ｎｍ変化することから、寸法変化を３．２ｎｍに制御するには、フレアの変化量は、２．５％以下にすることが望まれ、フレア許容値と定義できる。
【００４２】
このように散乱光計算において許容フレア量を定義すると、開口率が０．９の場合においても、図６から明らかなように評価用のマスクパターン領域２０は０．７μｍ以下に設定することで寸法変動を所望の値とすることができる。なお、許容フレア量を超えた場合は、マスクパターン領域２０を再設定するともに、ダミーマスクパターンを発生させてマスクパターンの被覆率が変化しないように調整して、所望の散乱光強度にすることも可能である。
【００４３】
また、評価用のマスクパターン領域２０の設定は、正方形の領域に限るものではない。例えば、図３に示した光近接効果が影響する最小の距離をマスクパターン領域２０のサイズ２０ａに設定し、評価マスクパターンの長さを長くし、評価用のマスクパターン領域２０のサイズ２１ｂを変数として取り扱うことも可能である。
【００４４】
図８は、フレアのマスクパターン領域長さ依存性の説明図であり、ここでは評価用のマスクパターン領域２０が正方形と同様の仮定において、マスクパターン領域のサイズ２０ａを０．３μｍに固定し、マスクパターン領域２０のサイズ２０ｂを変化させた場合の散乱光から計算したフレア量を示している。この場合では、マスクパターン領域２０のサイズ２０ｂを１００μｍ以上の領域としても、評価マスクパターンの開口率が０．１から０．９まで変化した場合にも、散乱光によるフレアの影響を低減した状態で光近接効果を評価するパターン作成が可能であることがわかる。
【００４５】
これは、特に、ＬＥＲ（Ｌｉｎｅ  Ｅｄｇｅ  Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）と呼ばれるレジストパターンの局所的な寸法変化がある場合、例えば、パターンの長さ方向に数μｍの長さで平均化することで、前記ＬＥＲの影響を低減することが可能になり、光近接効果による影響を抽出するのに有効となる。
【００４６】
また、露光対象となる半導体装置を構成する層、例えば、ゲート、コンタクト、配線層によって、典型的なパターン被覆率が存在している。例えば、配線層のパターン被覆率は０．１〜０．６であり、一方、ゲートのパターン被覆率は０．３〜０．７である。したがって、このような近接効果の評価では、それら各層の典型的なパターン開口率と同等な状態で光近接効果を評価するようにマスクパターン領域の周辺にダミーパターンを発生させてマスクパターンの開口率（被覆率）を最適に調整することも可能である。
【００４７】
一方で、評価用のマスクパターンとして、フレア評価用のマスクパターンを用いる場合も、上述の手法と同様に、評価用のマスクパターンによる光近接効果の影響を受けないようにマスクパターン領域の設定を行う。また、レイアウト発生ユニットによりパターン設定領域外の周辺のパターン開口率を変化させることで評価用のマスクパターンの作成が可能となる。
【００４８】
この場合、パターン設定領域外の周辺のパターン開口率を変化させる手段としては、周辺にダミーパターンを発生させる以外に、評価用のマスクパターン領域２０を広くすることで、図６に示すようにフレア変化の影響を評価することも可能である。
【００４９】
本発明の実施例１においては、光近接効果評価用のマスクパターンに必要な最低限の領域（３００ｎｍ×３００ｎｍ）の設定、および、許容寸法内となる許容フレア量の定義は、レイアウト発生ユニット内で計算している。しかし、レイアウト発生ユニット内で計算する他に、外部計算機において計算し、ＬＡＮや記憶媒体を通じてレイアウト発生ユニットに取り込む手法、或いは、外部計算機の結果を入力する機構としても良い。
【００５０】
このようなレイアウト発生ユニットを用いることで、半導体装置等の電子デバイス製造工程における寸法精度を向上させる補正テーブルの作成が容易となり、半導体装置の性能向上を図ることができる。
【００５１】
また、上記の実施の形態及び実施例の説明においては、ＥＵＶ光の波長を１３．５ｎｍとしているが、１３．５ｎｍに限られるものではなく、任意の波長を用いても良いものです。
【００５２】
ここで、実施例１を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を開示する。
（付記１）
第１のマスクに複数の評価パターンを配置し、露光装置の投影光学系を介して結像する空間像の特性を計測し、第２のマスクに設ける実露光パターンの補正データを作成するマスクパターン評価方法であって、
前記投影光学系のミラーの特性から、被露光基板上に散乱される点像分布関数を算出する工程と、
前記点像分布関数と前記第１のマスク上に配置してある前記評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンにおけるフレア光強度を算出する工程と、
前記複数の評価パターンのパターン配置およびパターン領域を前記算出したフレア光強度が等しくなるよう設定し、前記設定に基づき前記第１のマスクを作製する工程と、
作製した前記第１のマスクに設けたパターンを前記被露光基板上に投影する工程と、
前記空間像の特性を計測する工程と、
前記計測結果を参照して補正データを作成する工程を
有することを特徴とするマスクパターン評価方法。
（付記２）
第１のマスクに複数の評価パターンおよび複数のダミーパターンを配置し、露光装置の投影光学系を介して結像する空間像の特性を計測し、第２のマスクに設ける実露光パターンの補正データを作成するマスクパターン評価方法であって、
前記投影光学系のミラーの特性から、被露光基板上に散乱される点像分布関数を算出する工程と、
前記点像分布関数と前記第１のマスク上に配置してある前記評価パターンおよび前記ダミーパターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンおよび前記ダミーパターンにおけるフレア光強度を算出する工程と、
前記複数の評価パターンおよび前記複数のダミーパターンのパターン配置およびパターン領域を、前記算出したフレア光強度が等しくなるよう設定し、前記設定に基づき前記第１のマスクを作製する工程と、
作製した前記第１のマスクに設けたパターンを前記被露光基板上に投影する工程と、
前記空間像の特性を計測する工程と、
前記計測結果を参照して補正データを作成する工程を
有することを特徴とするマスクパターン評価方法。
（付記３）
前記複数の評価パターンを、互いに１５０ｎｍ以上離れた位置に配置する工程と、
前記評価パターンにおけるフレア光強度が、前記評価パターンのパターン配置およびパターン領域が変化しても、複数の前記評価パターンにおけるフレア強度の差分が２％以下となるように前記パターン配置を設定する工程と
を有することを特徴とする付記１または付記２に記載のマスクパターン評価方法。
（付記４）
前記フレア光強度が露光対象に応じて前記点像分布関数から算出した中心値となるように、前記評価用のパターン領域のサイズを設定するか或いは前記被覆率の異なるダミーパターンを配置することを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１に記載のマスクパターン評価方法。
（付記５）
前記散乱される点像分布関数を、ガウシアン関数、フラクタル関数、線形近似関数または前記各関数の組み合わせで近似することを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか１に記載のマスクパターン評価方法。
（付記６）
付記１乃至付記５のいずれか１に記載のマスクパターン評価方法より補正されたマスクパターンを検査用マスクに形成する工程と、
前記検査用マスクに形成したマスクパターンを被露光基板上に投影して投影光強度分布を測定し、前記マスクパターンにおける散乱光強度分布を算出する工程と、
設計マスクパターンを複数の領域に分割し、算出した前記投影光強度分布と前記散乱光強度分布に基づき、前記マスクパターンを前記被露光基板上に設けた転写レジストパターンの寸法が予め定めた値の範囲内となるよう補正する工程と
を有することを特徴とするマスクパターン補正方法。
（付記７）
第１のマスクに複数の評価パターンを配置する手段と、
点像分布関数と前記第１のマスク上に配置した評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の前記評価パターンにおけるフレア光強度を算出する手段と、
前記算出したフレア光強度が等しくなるように複数の前記評価パターンのパターン領域を設定およびパターン配置を行う手段と
を有することを特徴とするマスクパターン発生装置。
【符号の説明】
【００５３】
１  光源
２  照明光学系
３  レチクルステージ
４  投影光学系
５  被露光基板
６  ウェーハステージ
１０  レイアウト発生ユニット
１１  光近接効果計算手段
１２  パターン領域設定手段
１３  ダミーパターン発生手段
１４  光散乱計算手段
１５  露光装置のＰＳＦデータ
１６  マスクパターンデータ
２０  マスクパターン領域
２０ａ，２０ｂ  マスクパターン領域のサイズ
２１ａ  開口部パターン
２１ｂ  未開口マスクパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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