(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子、及び駆動電圧に接続されている入力端子を有する駆動トランジスタと、
前記第２ノードに接続されている発光素子と、
前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている第１蓄電器と、
前記第３ノードとデータ電圧の間に接続されており、第１走査信号に応じてデータ電圧を前記第１蓄電器に伝達する第１スイッチングトランジスタと、
第２走査信号に応じて前記第１蓄電器の第３ノードと第２ノードとを接続する第３スイッチングトランジスタと、
を含み、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第２電圧を印加し、前記第１ノードに前記第２電圧より大きい第１電圧を印加する段階と、
前記第１電圧を前記第１ノードに印加し及び前記第２電圧を前記第２ノードに印加した後、前記第２電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第１電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
が実行され、
前記第２電圧と前記第１電圧との差は前記駆動電圧よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２走査信号に応じて前記第１電圧を前記第１ノードに接続する第２スイッチングトランジスタと、第３走査信号に応じて前記第２電圧を前記第２ノードに接続する第４スイッチングトランジスタと、前記第１電圧と前記第１蓄電器の第３ノードとの間に接続されている第２蓄電器とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１電圧は前記第２電圧より大きく、前記第１電圧と前記第２電圧の差は前記駆動トランジスタのしきい電圧より大きく、前記第２電圧は前記共通電圧と前記発光素子のしきい電圧の合計より小さく、前記共通電圧と前記発光素子のしきい電圧の合計は前記第１電圧と前記駆動トランジスタのしきい電圧の差より大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子、そして駆動電圧に接続されている入力端子を有する駆動トランジスタと、
前記第２ノードに接続されている発光素子と、
前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている第１蓄電器と、
前記第３ノードとデータ電圧の間に接続されている第１スイッチングトランジスタと、
前記第１ノードと第１電圧の間に接続されている第２スイッチングトランジスタと、
前記第２ノードと前記第３ノードの間に接続されている第３スイッチングトランジスタと、
前記第２ノードと第２電圧の間に接続されている第４スイッチングトランジスタと、
を含み、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第２電圧を印加し、前記第１ノードに前記第２電圧より大きい第１電圧を印加する段階と、
前記第１電圧を前記第１ノードに印加し及び前記第２電圧を前記第２ノードに印加した後、前記第２電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第１電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
が実行され、
前記第２電圧と前記第１電圧との差は前記駆動電圧よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記第１電圧と前記第３ノードの間に接続されている第２蓄電器をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１スイッチングトランジスタは第１走査信号に応じて動作し、前記第２及び第３スイッチングトランジスタは第２走査信号に応じて動作し、前記第４スイッチングトランジスタは第３走査信号に応じて動作し、前記第３走査信号は前段の第２走査信号であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子および駆動電圧に接続されている入力端子を有する駆動トランジスタと、前記第２ノードに接続されている発光素子と、前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている蓄電器と、第２走査信号に応じて前記蓄電器の第３ノードと第２ノードとを接続する第３スイッチングトランジスタと、を含む表示装置の駆動方法であって、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第２電圧を印加し、前記第１ノードに前記第２電圧より大きい第１電圧を印加する段階と、
前記第１電圧を前記第１ノードに印加し及び前記第２電圧を前記第２ノードに印加した後、前記第２電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第１電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
を含み、
前記第２電圧と前記第１電圧との差は前記駆動電圧よりも大きく、
前記第１ノードに前記第１電圧を印加する段階は、前記第２ノードと前記第３ノードを接続する段階を含み、
前記第１ノードから前記第１電圧を分離する段階は、前記第２ノードと前記第３ノードを分離する段階を含むことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記データ電圧を前記第３ノードに印加した後、前記データ電圧を前記第３ノードから分離する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に関し、特に有機発光表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、パーソナルコンピュータやテレビなどの軽量化及び薄型化によって、表示装置も軽量化及び薄型化が要求され、このような要求に応じて陰極線管（ＣＲＴ）が平板表示装置に代替されている。
一般に、能動型平板表示装置では、複数の画素が行列形態に配列され、受信された輝度情報に応じて各画素の光強度を制御することによって画像が表示される。
【０００３】
有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であり、自己発光型で消費電力が少なく、視野角が広くて画素の応答速度が速いため、高画質の動映像の表示が容易である。
有機発光表示装置は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とこれを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える。この薄膜トランジスタは、活性層の種類によって、多結晶シリコン薄膜トランジスタと非晶質シリコン薄膜トランジスタなどに区分される。多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、多様な長所があるため一般に広く使用されているが、薄膜トランジスタの製造工程が複雑であるため費用も増加する。また、このような有機発光表示装置では大画面の形成が難しい。
【０００４】
非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、大画面を得ることが容易であり、多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置より製造工程も単純である。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタが有機発光ダイオードに持続的に電流を供給することによって、非晶質シリコン薄膜トランジスタ自体のしきい電圧が変動して劣化することがある。これは同一データ電圧が印加されても不均一な電流が有機発光ダイオードに流れ、結局これによって有機発光表示装置の画質劣化が生じる。
【０００５】
一方、薄膜トランジスタを通して有機発光ダイオードに電流を供給する駆動電圧が高いほど、有機発光表示装置の発熱量が多くなり、高熱によって有機発光表示装置内の素子は劣化し易い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、非晶質シリコン薄膜トランジスタを備え、かつ非晶質シリコン薄膜トランジスタのしきい電圧の変動（ドリフトなどの変化）を補償することができ、相対的に低い駆動電圧で映像を表示することができる表示装置及びその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子、及び駆動電圧に接続されている入力端子を有する駆動トランジスタと、
前記第２ノードに接続されている発光素子と、
前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている第１蓄電器と、
前記第３ノードとデータ電圧の間に接続されており、第１走査信号に応じてデータ電圧を前記第１蓄電器に伝達する第１スイッチングトランジスタと、
を含み、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第１電圧を印加し、前記第１ノードに前記第１電圧より大きい第２電圧を印加する段階と、
前記第１電圧及び前記第２電圧をそれぞれ前記第２ノード及び前記第１ノードに印加した後、前記第１電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第２電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
が実行されることを特徴とする表示装置を提供する。
【０００８】
ここで、第２走査信号に応じて前記第１電圧を前記第１ノードに接続する第２スイッチングトランジスタと、前記第２走査信号に応じて前記第１蓄電器を前記第２ノードに接続する第３スイッチングトランジスタと、第３走査信号に応じて前記第２電圧を前記第２ノードに接続する第４スイッチングトランジスタと、前記第１電圧と前記第１蓄電器の間に接続されている第２蓄電器とをさらに含む。
ここで、前記第１電圧は前記第２電圧より大きく、前記第１電圧と前記第２電圧の差は前記駆動トランジスタのしきい電圧より大きく、前記第２電圧は前記共通電圧と前記発光素子のしきい電圧の合計より小さく、前記共通電圧と前記発光素子のしきい電圧の合計は前記第１電圧と前記駆動トランジスタのしきい電圧の差より大きい。
【０００９】
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子、そして駆動電圧に接続されている入力端子を有する駆動トランジスタと、
前記第２ノードに接続されている発光素子と、
前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている第１蓄電器と、
前記第３ノードとデータ電圧の間に接続されている第１スイッチングトランジスタと、
前記第１ノードと第１電圧の間に接続されている第２スイッチングトランジスタと、
前記第２ノードと前記第３ノードの間に接続されている第３スイッチングトランジスタと、
前記第２ノードと第２電圧の間に接続されている第４スイッチングトランジスタと、
を含み、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第１電圧を印加し、前記第１ノードに前記第１電圧より大きい第２電圧を印加する段階と、
前記第１電圧及び前記第２電圧をそれぞれ前記第２ノード及び前記第１ノードに印加した後、前記第１電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第２電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
が実行されることを特徴とする表示装置を提供する。
【００１０】
前記第１電圧と前記第３ノードの間に接続されている第２蓄電器をさらに含む。
前記第１スイッチングトランジスタは第１走査信号に応じて動作し、前記第２及び第３スイッチングトランジスタは第２走査信号に応じて動作し、前記第４スイッチングトランジスタは第３走査信号に応じて動作し、前記第３走査信号は前段の第２走査信号である。
【００１１】
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子および駆動電圧に接続されている入力端子を有する駆動トランジスタと、前記第２ノードに接続されている発光素子と、前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている蓄電器とを含む表示装置の駆動方法であって、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第１電圧を印加し、前記第１ノードに前記第１電圧より大きい第２電圧を印加する段階と、
前記第１電圧及び前記第２電圧をそれぞれ前記第２ノード及び前記第１ノードに印加した後、前記第１電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第２電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
を含むことを特徴とする表示装置の駆動方法を提供する。
【００１２】
前記第１ノードに前記第２電圧を印加する段階は、前記第２ノードと前記第３ノードを接続する段階を含み、前記第１ノードから前記第２電圧を分離する段階は、前記第２ノードと前記第３ノードを分離する段階を含む。
【００１３】
前記データ電圧を前記第３ノードに印加した後、前記データ電圧を前記第３ノードから分離する段階をさらに含む。
【００１４】
発光素子と、
第１ノードに接続されている制御端子、第２ノードに接続されている出力端子、及び駆動電圧が印加される入力端子を含む駆動トランジスタと、
前記第２ノードに接続されている発光素子と、
前記第１ノードと第３ノードの間に接続されている蓄電器と、
データ線と前記駆動トランジスタの出力端子の間に接続されており、ゲート線に接続されている制御端子を含むスイッチングトランジスタと、
を含み、
前記第２ノードに前記発光素子の発光を抑制する第１電圧を印加し、前記第１ノードに前記第１電圧より大きい第２電圧を印加する段階と、
前記第１電圧及び前記第２電圧をそれぞれ前記第２ノード及び前記第１ノードに印加した後、前記第１電圧を前記第２ノードから分離する段階と、
前記第１電圧を前記第２ノードから分離した後、前記第２電圧を前記第１ノードから分離する段階と、
前記第２電圧を前記第１ノードから分離した後、前記第３ノードにデータ電圧を印加する段階と、
が実行される
ことを特徴とする表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、４つのスイッチングトランジスタ、１つの駆動トランジスタ、有機発光ダイオード及び蓄電器を備えて、この蓄電器に駆動トランジスタのしきい電圧に依存する電圧を貯蔵することによって、駆動トランジスタのしきい電圧がドリフトなどの変動を生じてもこれを補償して画質劣化を防止することができる。
また、駆動電流を提供する駆動電圧と異なる別の２つの電圧を補償電圧として利用することによって、駆動電圧の大きさを小さくすることができ、それにより有機発光表示装置の発熱量を減らして、熱による有機発光表示装置の劣化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
添付図を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面において、多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その間に他の部分が存在する場合も含む。それとは別にある部分が他の部分の“直上”にあるという時にはその間に他の部分がないことを意味する。また、ある部分が他の部分と接続されているとする時、これは他の部分と“直接”接続されている場合だけでなく、他の部分を”通して”接続されている場合も含む。
【００１７】
本発明の実施例による表示装置及びその駆動方法について添付図を参照して詳細に説明する。
図１及び図２を参照して本発明の１つの実施例による有機発光表示装置について説明する。
図１は、本発明の１つの実施例による有機発光表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の１つの実施例による有機発光表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【００１８】
図１に示したように、本発明の１つの実施例による有機発光表示装置は、表示板３００及びこれに接続された走査駆動部４００とデータ駆動部５００、そしてこれらを制御する信号制御部６００を含む。
表示板３００は、等価回路で示したように、複数の信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn、Ｄ1−Ｄm）、複数の電圧線（図示せず）、そしてこれらに接続されて、ほぼ行列形態に配列された複数の画素（Ｐｘ）を含む。
【００１９】
信号線は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn）及びデータ信号を伝達するデータ線（Ｄ1−Ｄm）を含む。走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn）は、ほぼ行方向にのびて互いにほぼ平行に分離され、データ線（Ｄ1−Ｄm）は、ほぼ列方向にのびて互いにほぼ平行である。
各電圧線は、第１及び第２電圧（Ｖ１、Ｖ２）、そして駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する。
【００２０】
図２に示したように、各画素（Ｐｘ）、例えば、走査信号線（ＧＡi、ＧＢi、ＧＣi）とデータ線（Ｄj）に接続されている画素は、有機発光ダイオード（ＬＤ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、２つの蓄電器（Ｃ１、Ｃ２）及び４つのスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ４）を含む。
駆動トランジスタ（Ｑｄ）は制御端子、入力端子及び出力端子を有し、制御端子は蓄電器（Ｃ１）とスイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）が接続されているノード（Ｎａ）に接続されており、入力端子は駆動電圧（Ｖｄｄ）に接続されており、出力端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ３、Ｑｓ４）及び有機発光ダイオード（ＬＤ）が接続されているノード（Ｎｂ）に接続されている。なお、制御端子、入力端子、出力端子などの用語は、単なる名称であって、具体的には、電界効果トランジスタのゲート・ソース・ドレイン、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ・コレクタ、三極真空管のグリッド・カソード・プレートなどの各対応電極を共通的に記述するために用いている。
【００２１】
蓄電器（Ｃ１）は、ノード（Ｎａ）とスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ３）及び蓄電器（Ｃ２）が接続されているノード（Ｎｃ）の間に接続されており、蓄電器（Ｃ２）は、第１電圧（Ｖ１）とノード（Ｎｃ）の間に接続されている。蓄電器（Ｃ２）は必要に応じて設ければよい。
有機発光ダイオード（ＬＤ）のアノード（ａｎｏｄｅ）とカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は、各々ノード（Ｎｃ）と共通電圧（Ｖｃｏｍ）に接続されている。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が供給する電流（ＩLD）の大きさに応じて強さを異ならせて発光することによって画像を表示する。電流（ＩLD）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子の間の電圧（Ｖｇｓ）の大きさによって決まる。
【００２２】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は、走査信号線（ＧＡi）、データ線（Ｄj）及びノード（Ｎｃ）に接続されており、走査信号（ＶＡi）に応じて動作する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）は、走査信号線（ＧＢi）、第１電圧（Ｖ１）及びノード（Ｎａ）に接続されており、走査信号（ＶＢi）に応じて動作する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ３）は、走査信号線（ＧＢi）とノード（Ｎｂ、Ｎｃ）に接続されており、走査信号（ＶＢi）に応じて動作する。
【００２３】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）は、走査信号線（ＧＣi）、第２電圧（Ｖ２）及びノード（Ｎｂ）に接続されており、走査信号（ＶＣi）に応じて動作する。
このようなトランジスタ（Ｑｄ、Ｑｓ１〜Ｑｓ４）は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンで構成されるｎ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成することができる。しかし、トランジスタ（Ｑｄ、Ｑｓ１〜Ｑｓ４）は、ｐ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成することができ、この場合、ｐ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とｎ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は互いに相補型であるため、ｐ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作と電圧及び電流は、ｎ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のそれと反対となる。
【００２４】
以下、図２に示した有機発光表示装置の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と有機発光ダイオード（ＬＤ）の構造に対して図３及び図４を参照して詳細に説明する。
図３は、図２に示した有機発光表示装置の１つの画素の駆動トランジスタと有機発光ダイオードの断面の一例を示した断面図であり、図４は、本発明の１つの実施例による有機発光表示装置の有機発光ダイオードの概略図である。
【００２５】
ガラスなどの絶縁基板１１０上に制御端子電極１２４が形成されている。制御端子電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金などアルミニウム系の金属、銀（Ａｇ）と銀合金など銀系の金属、銅（Ｃｕ）と銅合金など銅系の金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金などモリブデン系の金属、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などで形成されるのが好ましい。しかし、制御端子電極１２４は、物理的性質が他の２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることができる。このうち１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように、低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、チタン、タンタルなどで形成することができる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、制御端子電極１２４は、多様な金属と導電体で形成することができる。制御端子電極１２４の側面は、基板１１０面に対し傾いて、その傾斜角は３０゜−８０゜である。
【００２６】
制御端子電極１２４上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などで形成された絶縁膜１４０が形成されている。
絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称ａ-Ｓｉ）または多結晶シリコンなどで構成される半導体１５４が形成されている。半導体１５４の上にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された一対の抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。半導体１５４と抵抗性接触部材１６３、１６５の側面は基板１１０面に対して傾いており、傾斜角は３０゜−８０゜である。
【００２７】
抵抗性接触部材１６３、１６５及び絶縁膜１４０上には、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５が形成されている。入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は、クロム、モリブデン系の金属、タンタル及びチタンなど耐火性高融点金属で形成されるのが好ましく、耐火性金属などの下部膜（図示せず）とその上に位置した低抵抗物質上部膜（図示せず）を含む多層膜構造を有することができる。多層膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜−アルミニウム（合金）中間膜−モリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５も入力端子電極１２４などと同様にその側面が約３０゜−８０゜の角度に各々傾いている。
【００２８】
入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は、互いに分離されて制御端子電極１２４を基準として両側に位置する。制御端子電極１２４、入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５は、半導体１５４と共に駆動トランジスタ（Ｑｄ）を構成し、そのチャンネルは入力端子電極１７３と出力端子電極１７５の間の半導体１５４に形成される。
抵抗性接触部材１６３、１６５は、その下部の半導体１５４とその上部の入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５の間にだけ存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。半導体１５４には、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５で覆われずに露出された部分があり、下側の制御端子電極１２４で制御される電流通路になっている。
【００２９】
入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５と露出された半導体１５４部分及び絶縁膜１４０上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などで形成される。低誘電率絶縁物の誘電定数は、４．０以下であるのが好ましく、例えば、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆなどがある。有機絶縁物のうち、感光性を有する物で保護膜１８０を形成することができ、保護膜１８０の表面は平坦化可能である。また、保護膜１８０は、半導体１５４の露出された部分を保護しながらも有機膜の長所を生かすことができるように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造で構成することができる。保護膜１８０には、出力端子電極１７５を露出する接触孔１８５が形成されている。
【００３０】
保護膜１８０上には、画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、接触孔１８５を通して出力端子電極１７５と物理的・電気的に接続されており、前記ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウムまたは銀合金の反射性が優れた金属で形成することができる。
保護膜１８０上には、また隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９０周縁を堤防のように囲んで開口部を定義し、有機絶縁物質または無機絶縁物質で形成される。
【００３１】
画素電極１９０上には、有機発光部材３７０が形成されており、有機発光部材３７０は隔壁３６１で囲まれた開口部に閉じられている。
有機発光部材３７０は、図４に示したように、発光層（ＥＭＬ）の他に発光層（ＥＭＬ）の発光効率を向上するための付随層を含む多層構造を有する。付帯層には電子と正孔の均衡をとるための電子輸送層（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）と電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（ＥＩＬ）と正孔注入層（ＨＩＬ）が形成されている。付随層は設けなくても良い。
【００３２】
隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には、共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを含む反射性金属、またはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で構成されている。
不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上部方向に画像を表示する前面発光方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に画像を表示する背面発光方式の有機発光表示装置に適用する。
【００３３】
画素電極１９０、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は、図２に示した有機発光ダイオード（ＬＤ）を成し、画素電極１９０がアノード、共通電極２７０はカソード、または画素電極１９０がカソード、共通電極２７０はアノードとなる。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、有機発光部材３７０の材料によって、基本色のうち、１つの色相の光を発光する。基本色の例としては、赤色、緑色、青色の三原色があり、これら三原色の空間的な合わせによって望む色相を表示する。
【００３４】
図１、図２を参照すると、走査駆動部４００は、表示板３００の走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn）に接続されて、ＮＭＯＳスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ４）を導通させることができる高電圧状態（Ｖｏｎ）と、遮断させることができる低電圧状態（Ｖｏｆｆ）の組み合わせで形成される走査信号（ＶＡ1−ＶＡn、ＶＢ1−ＶＢn、ＶＣ1−ＶＣn）を走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn）に各々印加する。
【００３５】
データ駆動部５００は、表示板３００のデータ線（Ｄ1−Ｄm）に接続されて、画像信号を示すデータ電圧（Ｖｄａｔ）をデータ線（Ｄ1−Ｄm）に印加する。
走査駆動部４００またはデータ駆動部５００は、複数の駆動集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されてＴＣＰの形態で表示板３００に付着することもできる。これとは異なって、走査駆動部４００またはデータ駆動部５００が、信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn、Ｄ1−Ｄm）及びトランジスタ（Ｑｄ、Ｑｓ１-Ｑｓ４）などと共に表示板３００に集積することもできる。
【００３６】
信号制御部６００は、走査駆動部４００及びデータ駆動部５００などの動作を制御する。
このような有機発光表示装置の動作について、図５〜図６Ａを参照して詳細に説明する。
図５は、本発明の１つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号の一例を示したタイミング図であり、図６Ａ〜図６Ｄは、図５に示した各区間での１つの画素に対する等価回路図である。
【００３７】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などの提供を受ける。信号制御部６００は、入力映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づいて、映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板３００の動作条件に合うように適切に処理し、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）及びデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）などを生成した後、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を走査駆動部４００に出力し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理した映像信号（ＤＡＴ）はデータ駆動部５００に出力する。
【００３８】
走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、高電圧状態（Ｖｏｎ）の走査開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）と高電圧状態（Ｖｏｎ）の出力を制御する少なくとも１つのクロック信号などを含む。走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、また高電圧状態（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）を含むことができる。
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、１つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）とデータ線（Ｄ1−Ｄm）に当該データ電圧を印加させるロード信号及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）などを含む。
【００３９】
第１及び第２電圧（Ｖ１、Ｖ２）は、次の数式を満足する適切値に設定し、一例として第１電圧（Ｖ１）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）と共にグラウンドレベルにし、第２電圧（Ｖ２）は、これら数式を満足する適切な負の電圧にすることができる。また、駆動電圧（Ｖｄｄ）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）より十分大きく設定する。下記の数式において、Ｖｔｈｄは駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧であり、Ｖｔｈｏは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のしきい電圧である。
（数式１）
Ｖ１−Ｖ２＞Ｖｔｈｄ
（数式２）
Ｖｃｏｍ＋Ｖｔｈｏ＞Ｖ２
（数式３）
Ｖｃｏｍ＋Ｖｔｈｏ＞Ｖ１−Ｖｔｈｄ
ここで特定画素行、例えば、ｉ番目行に焦点を合せて説明する。
【００４０】
まず、走査駆動部４００は、信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）に応じて走査信号線（ＧＢi、ＧＣi）に各々印加される走査信号（ＶＢi、ＶＣi）を高電圧状態（Ｖｏｎ）に変えて、走査信号線（ＧＢi）に接続されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ２、Ｑｓ３）及び走査信号線（ＧＣi）に接続されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）を導通させる。この時、ｉ番目の走査信号線（ＧＡｉ）が伝達する走査信号（ＶＡi）は、低電圧状態（Ｖｏｆｆ）であるため、ｉ番目の画素行の他のスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は遮断状態である。このような状態の画素の等価回路が図６Ａに示されて、この区間を初期化区間（Ｔ１）とする。
【００４１】
そうすることにより、ノード（Ｎａ）には第１電圧（Ｖ１）が印加され、ノード（Ｎｂ）には第２電圧（Ｖ２）が印加される。数式１のように、第１電圧（Ｖ１）と第２電圧（Ｖ２）の差が駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）より大きいため、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は導通して、差電圧（Ｖ１−Ｖ２）による電流を出力端子を通して流す。しかし、数式２のように、第２電圧（Ｖ２）が共通電圧（Ｖｃｏｍ）と有機発光ダイオード（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈｏ）の合計より小さいため、有機発光ダイオード（ＬＤ）は遮断状態になり、この電流は有機発光ダイオード（ＬＤ）に流れずにスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）を通して第２電圧（Ｖ２）側に流れる。
【００４２】
この区間（Ｔ１）で、蓄電器（Ｃ１）は差電圧（Ｖ１−Ｖ２）を充電して維持する。
次に、走査駆動部４００が走査信号（ＶＣi）を低電圧状態（Ｖｏｆｆ）に変えてスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）を遮断することによって、プログラミング区間（Ｔ２）が始まる。この区間で（Ｔ２）、走査信号（ＶＡi）は低電圧状態（Ｖｏｆｆ）を維持し続けるため、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は遮断状態を維持し、走査信号（ＶＢi）は高電圧状態（Ｖｏｎ）を維持し続けるため、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２、Ｑｓ３）は導通状態を維持する。また、蓄電器（Ｃ１）に充電された電圧によって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は導通状態を維持し、これによる電流を流す。
【００４３】
以下、図６Ｂに示したように、第２電圧（Ｖ２）はノード（Ｎｂ）から分離されるため、駆動トランジスタ（Ｑｄ）から流れる電流は経路がなくなる。従って、この電流による電荷は有機発光ダイオード（ＬＤ）のアノードに充電されてノード（Ｎｂ）の電圧が高まる。しかし、ノード（Ｎａ）には第１電圧（Ｖ１）が続けて印加されるので、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子の間の電圧（Ｖｇｓ）は小さくなり、この電圧（Ｖｇｓ）によって駆動トランジスタ（Ｑｄ）が出力する電流は小さくなる。ノード（Ｎｂ）の電圧上昇は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子の間の電圧（Ｖｇｓ）が駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）と同一になって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）がそれ以上の電流を流さなくなる時まで続く。この時のノード（Ｎｂ）での電圧は、（Ｖ１−Ｖｔｈｄ）に収斂するが、差電圧（Ｖ１−Ｖ２）が大きいほど、より安定的にこの値に収斂する。
【００４４】
一方、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子の間に蓄電器（Ｃ１）が連結されているため、この間の電圧（Ｖｇｓ）が蓄電器（Ｃ１）に充電される。従って、プログラミング区間（Ｔ２）の初期には、蓄電器（Ｃ１）に電圧（Ｖ１−Ｖ２）が充電され、この区間（Ｔ２）の後期には、蓄電器（Ｃ１）に駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）が充電される。
【００４５】
この区間（Ｔ２）において、ノード（Ｎｂ）での電圧のうち、最も大きい値は（Ｖ１−Ｖｔｈｄ）であり、この電圧は数式３のように共通電圧（Ｖｃｏｍ）と有機発光ダイオード（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈｏ）の合計より小さい。従って、有機発光ダイオード（ＬＤ）は、この区間（Ｔ２）で遮断状態を維持し、駆動トランジスタ（Ｑｄ）からの電流経路を形成しないため、蓄電器（Ｃ１）は効果的に駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）を貯蔵することができる。
【００４６】
蓄電器（Ｃ１）に駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）が充電されると、走査駆動部４００は走査信号（ＶＢi）を低電圧状態（Ｖｏｆｆ）に変えて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２、Ｑｓ３）を遮断する。それにより、蓄電器（Ｃ１）は駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）を充電したまま孤立状態となる。
その後、所定時間が経過すると、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）に応じてｉ番目行の画素に対する映像データ（ＤＡＴ）を受信し、アナログデータ電圧（Ｖｄａｔ）に変換してこれをデータ線（Ｄ1−Ｄm）に印加する。
【００４７】
走査駆動部４００は、データ電圧（Ｖｄａｔ）が印加されると同時、または印加された後に、走査信号線（ＧＡi）に印加される走査信号（ＶＡi）を高電圧状態（Ｖｏｎ）に変えて、走査信号線（ＧＡi）に接続されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を導通させることによって、データ入力区間（Ｔ３）が始まる。この区間（Ｔ３）で走査信号（ＶＢi、ＶＣi）は低電圧状態（Ｖｏｆｆ）を維持する。
【００４８】
図６Ｃに示したように、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）はデータ電圧（Ｖｄａｔ）をノード（Ｎｃ）に印加する。そのためにブートストラッピング効果によって、蓄電器（Ｃ１）は、データ電圧（Ｖｄａｔ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に伝達し、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧はＶｄａｔ＋Ｖｔｈｄになる。従って、有機発光表示装置が長時間駆動されて、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）がドリフトなどの変化を生じても変化したしきい電圧（Ｖｔｈｄ）がデータ入力区間（Ｔ３）で駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されるため、駆動トランジスタ（Ｑｄ）はデータ電圧（Ｖｄａｔ）に依存する一定の電流を有機発光ダイオード（ＬＤ）に供給することができる。
【００４９】
走査信号（ＶＡｉ）を高電圧状態（Ｖｏｎ）に変えた後、所定時間が経過すると、走査駆動部４００は走査信号（ＶＡi）を低電圧状態（Ｖｏｆｆ）に変えて、走査信号線（ＧＡi）に接続されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を遮断させることによって、発光区間（Ｔ４）が始まる。走査信号（ＶＢi、ＶＣi）は、この区間でも低電圧状態（Ｖｏｆｆ）を維持する。
【００５０】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子の間の電圧差（Ｖｇｓ）によって制御される駆動電流（ＩＬＤ）を、出力端子を通して有機発光ダイオード（ＬＤ）に供給する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動電流（ＩＬＤ）の大きさに応じて強さを異ならせて発光することによって当該画像を表示する。
発光区間の間に、駆動トランジスタ（Ｑｄ）によって有機発光ダイオード（ＬＤ）に流れる駆動電流（ＩＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）と関係なく次の通り決定される。
（数式４）
ＩＬＤ＝１/２×Ｋ×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈｄ）2
＝１/２×Ｋ×（Ｖｄａｔ＋Ｖｔｈｄ−Ｖｎｓ−Ｖｔｈｄ）2
＝１/２×Ｋ×（Ｖｄａｔ−Ｖｎｓ）2
ここで、Ｋは薄膜トランジスタの特性による定数であり、Ｋ＝μ・Ｃｉ・Ｗ/Ｌであり、μは電界効果移動度、Ｃｉは絶縁層の容量、Ｗは駆動トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネル幅、Ｌは駆動トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネル長さ、Ｖｎｓは駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子電圧を示す。
【００５１】
蓄電器（Ｃ２）は、発光区間（Ｔ４）の間に駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧を安定的に維持するため必要であり、必ずしも必要な物ではない。
発光区間（Ｔ４）は、次のフレームでｉ番目行の画素（Ｐｘ）に対する初期化区間（Ｔ１）が再び始まる時まで持続され、その次行の画素（Ｐｘ）に対しても先に説明した各区間での動作を同一に繰り返す。ただし、例えば、（ｉ+１）番目行のデータ入力区間（Ｔ３）は、ｉ番目行のデータ入力区間（Ｔ３）が終了した後に開始するようにする。このような方式で、全ての走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ1−ＧＢn、ＧＣ1−ＧＣn）に対して順次に区間制御を行って、全ての画素（Ｐｘ）に当該画像を表示する。
【００５２】
各区間（Ｔ１−Ｔ４）の長さは必要に応じて調整することができる。
このように本実施例によると、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）の変動を補償して画質劣化を防止することができる。
一方、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）変動を補償するため、初期化電圧として駆動電圧（Ｖｄｄ）を使用することもできるが、この場合にも安定な補償をするため、駆動電圧（Ｖｄｄ）は十分に高くするべきである。しかし、駆動電圧（Ｖｄｄ）が高い場合、前述したように、有機発光表示装置の発熱量が多くなり有機発光表示装置内の素子が劣化され易い。しかし、本発明の実施例のように、駆動電圧（Ｖｄｄ）と異なる別途の第１及び第２電圧（Ｖ１、Ｖ２）を用いることによって、差電圧（Ｖ１−Ｖ２）の大きさを十分大きくすることができ、駆動電圧（Ｖｄｄ）の電圧値は相対的に小さくすることができる。そのために有機発光表示装置の発熱量を少なくすることができ、熱による有機発光表示装置の劣化を防止することができる。
【００５３】
本発明の他の実施例による有機発光表示装置について図７〜図９を参照して説明する。本実施例による有機発光表示装置は、前記の実施例の有機発光表示装置と実質的に同一部分が多い。従って、同一な部分の説明を省略し、異なる部分にだけ詳細に説明する。
図７は、本発明の他の実施例による有機発光表示装置のブロック図であり、図８は、本発明の他の実施例による有機発光表示装置の１つの画素に対する等価回路図であり、図９は、本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の例である。
【００５４】
図７に示したように、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、表示板３０１及びこれに接続された走査駆動部４０１とデータ駆動部５０１、これらを制御する信号制御部６０１を含む。
表示板３０１は、等価回路で示したように、複数の信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ0−ＧＢn、Ｄ1−Ｄm）、複数の電圧線（図示せず）、そしてこれらに接続されていてほぼ行列形態に配列された複数の画素（Ｐｘ）を含む。
【００５５】
信号線は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ0−ＧＢn）及びデータ信号を伝達するデータ線（Ｄ1−Ｄm）を含む。走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ0−ＧＢn）は、ほぼ行方向にのびて互いにほぼ平行して分離されて、データ線（Ｄ1−Ｄm）は、ほぼ列方向にのびて互いにほぼ平行である。
各電圧線は、第１及び第２電圧（Ｖ１、Ｖ２）、そして駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する。
【００５６】
図８に図示したように、各画素（Ｐｘ）、例えば、ｉ番目の画素行とｊ番目の画素列の画素（Ｐｘ）は、ｉ番目行の走査信号線（ＧＡi、ＧＢi）と（ｉ−１）番目行の走査信号線（ＧＢi-1）（以下、“前段走査信号線”という）及びデータ線（Ｄj）に接続されており、有機発光ダイオード（ＬＤ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、２つの蓄電器（Ｃ１、Ｃ２）及び４つのスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ４）を含む。
【００５７】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）は、前段走査信号線（ＧＢi-1）、第２電圧（Ｖ２）及びノード（Ｎｂ）に接続されており、（ｉ-１）番目行の走査信号（ＶＢi-１）（以下、“前段走査信号”という）に応じて動作する。
走査駆動部４０１は、表示板３０１の走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ0−ＧＢn）に連結されてスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ４）を導通させることができる高電圧状態（Ｖｏｎ）と、遮断させることができる低電圧状態（Ｖｏｆｆ）の組み合わせで構成される走査信号（ＶＡ1−ＶＡn、ＶＢ0−ＶＢn）を走査信号線（ＧＡ1−ＧＡn、ＧＢ0−ＧＢn）に各々印加する。
【００５８】
図９を参照して特定画素行、例えば、ｉ番目行の画素（Ｐｘ）の区間制御について説明する。
前段走査信号（ＶＢi-1）が高電圧（Ｖｏｎ）状態で走査信号（ＶＢi）が高電圧状態（Ｖｏｎ）になると初期化区間（Ｔ１）が始まる。次に走査信号（ＶＢi）が高電圧状態（Ｖｏｎ）の状態で前段走査信号（ＶＢi-1）が低電圧状態（Ｖｏｆｆ）になるとプログラミング区間（Ｔ２）が始まる。その後、走査信号（ＶＢi）が低電圧状態（Ｖｏｆｆ）になり、データ電圧（Ｖｄａｔ）がデータ線（Ｄ1−Ｄm）に印加される。所定時間が経過した後、走査信号（ＶＡi）が高電圧状態（Ｖｏｎ）になるとデータ入力区間（Ｔ３）が始まって、再び所定時間が経過した後、走査信号（ＶＡi）が低電圧状態（Ｖｏｆｆ）になると発光区間（Ｔ４）が始まる。
【００５９】
各区間（Ｔ１−Ｔ４）での画素（Ｐｘ）の動作は、図６Ａ〜図６Ｄに示したのと実質的に同一であるため、これに対する詳細な説明は省略する。
ここで走査信号線（ＧＢ0）及び走査信号（ＶＢ0）は、各々第１行の画素（Ｐｘ）に対する前段走査信号線及び前段走査信号として役割を果たす。
前記の説明のように、図１〜図６Ｄの有機発光表示装置に対する多くの特徴が図７〜図９の有機発光表示装置にも適用できる。
【００６０】
本実施例によっても前記で説明したように、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈｄ）の変動を補償して画質劣化を防止することができ、相対的に低い駆動電圧（Ｖｄｄ）を印加することによって熱による有機発光表示装置の劣化を防止することができる。また、本実施例による有機発光表示装置は、走査信号線（ＧＣ1−ＧＣn）を省略することができるため、前記の実施例による有機発光表示装置の画素より開口率を高めることができる。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることなく、特許請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の１つの実施例による有機発光表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の１つの実施例による有機発光表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【図３】図２に示した有機発光表示装置の１つの画素の駆動トランジスタと有機発光ダイオードの断面の一例を示した断面図である。
【図４】本発明の１つの実施例による有機発光表示装置の有機発光ダイオードの概略図である。
【図５】本発明の１つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号の一例を示したタイミング図である。
【図６Ａ】図５に示した各区間での１つの画素に対する等価回路図である。
【図６Ｂ】図５に示した各区間での１つの画素に対する等価回路図である。
【図６Ｃ】図５に示した各区間での１つの画素に対する等価回路図である。
【図６Ｄ】図５に示した各区間での１つの画素に対する等価回路図である。
【図７】本発明の他の実施例による有機発光表示装置のブロック図である。
【図８】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【図９】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図である。
【符号の説明】
【００６３】
１１０      基板
１２４      制御端子電極
１４０      絶縁膜
１５４      半導体、
１６３、１６５      接触部材
１７３      入力端子電極
１７５      出力端子電極
１８０      保護膜
１８５      接触孔
１９０      画素電極
２７０      共通電極
３００、３０１      表示板
３６１      隔壁
３７０      有機発光部材
４００、４０１      走査駆動部
５００、５０１      データ駆動部
６００、６０１      信号制御部
【図１】
0005473186.tif 000002
【図２】
0005473186.tif 000003
【図３】
0005473186.tif 000004
【図４】
0005473186.tif 000005
【図５】
0005473186.tif 000006
【図６Ａ】
0005473186.tif 000007
【図６Ｂ】
0005473186.tif 000008
【図６Ｃ】
0005473186.tif 000009
【図６Ｄ】
0005473186.tif 000010
【図７】
0005473186.tif 000011
【図８】
0005473186.tif 000012
【図９】
0005473186.tif 000013