(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被処理基板に対し、各基板の表面に形成された被処理膜を連続して研磨する研磨装置であって、
前記各基板における被処理膜の初期膜厚を測定する初期膜厚測定手段と、
前記初期膜厚の測定結果に基づき、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えるソート手段と、
前記並べ替えられた前記複数の基板の被処理膜を、予め定められた研磨時間により前記初期膜厚の厚さ順に１次研磨する第１研磨手段と、
前記１次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する研磨後膜厚測定手段と、
前記測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記１次研磨における研磨レートを算出し、更に前記算出した研磨レートと前記測定した次に１次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき研磨時間を算出し、該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を前記初期膜厚の厚さ順に逐次行う制御手段と、
を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記ソート手段は、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が０．２μｍ以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えることを特徴とする請求項１に記載された研磨装置。
【請求項３】
複数の被処理基板に対し、各基板の表面に形成された被処理膜を連続して研磨する研磨方法であって、
前記各基板における被処理膜の初期膜厚を測定する第１ステップと、
前記初期膜厚の測定結果に基づき、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替える第２ステップと、
前記並べ替えられた前記複数の基板の被処理膜を、予め定められた研磨時間により前記初期膜厚の厚さ順に１次研磨する第３ステップと、
前記１次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する第４ステップと、
前記測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記１次研磨における研磨レートを算出し、更に前記算出した研磨レートと前記測定した次に１次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき研磨時間を算出し、該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を前記初期膜厚の厚さ順に逐次行う第５ステップと、
を含むことを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
前記第２ステップは、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が０．２μｍ以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えることを特徴とする請求項３に記載された研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨装置及び研磨方法に関し、例えばＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）ウエハに形成された活性層等の被処理膜を有する基板表面を研磨する研磨装置及び研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩウエハは、高耐性、低消費電力といった特性を得ることができ、パワーデバイスやＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）等に幅広く採用されている。図５に示すように、ＳＯＩウエハ５０は、単結晶シリコンからなる支持体用ウエハ５１上に絶縁膜５２が形成され、その上に単結晶シリコンからなる薄膜状の活性層（ＳＯＩ層）５３が形成された構造を有する。
【０００３】
従来、このＳＯＩウエハ５０の製造においては、例えば、図６（ａ）に示すように、先ず、支持体用ウエハ５１に、例えば熱酸化により形成したシリコン酸化膜（絶縁膜５２）を介し、活性層用ウエハ５３を貼り合わせて接着させる。
そして、この活性層用ウエハ５３を研削・研磨して薄膜化し、図６（ｂ）に示すように活性層５３とすることにより得ることができる。
【０００４】
ところで、このＳＯＩウエハの研磨にあっては、被処理基板である複数のウエハを連続的に研磨する場合、研磨布の表面状況（目詰まり等）や研磨液の成分等の条件が変化すると、研磨レート（所定時間当たりの研磨量）が大きく変動し、研磨する研磨量のばらつきが大きくなるという課題があった。
このような課題に対し、半導体ウエハの研磨後に該研磨における研磨時間、目標膜厚値、半導体ウエハの研磨前の測定膜厚値及び研磨後の測定膜厚値から最適研磨時間を半導体ウエハの研磨毎に算出し、該研磨毎に算出した最適研磨時間を次回以降の半導体ウエハの研磨に適用し、前記１ロットの半導体ウエハの全枚数が終了するまで継続する研磨方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１０６９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示の研磨方法にあっては、連続して研磨される各ウエハ間の研磨前の膜厚に差（研磨する膜厚の研磨量に差）がある場合には、連続して研磨する各ウエハ間の研磨時間が異なることになるため、ウエハ毎に研磨レートが変化する場合があり、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量が大きくなるという課題があった。
一方、研磨精度を向上させるには、各ウエハに対し複数回の研磨や測定作業を実施することが好ましいが、その場合にはロット単位での処理時間が長くなり、生産性が低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、複数の被処理基板に対し連続的に研磨を行う研磨装置及び研磨方法において、生産性を低下することなく、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくすることができ、高精度な研磨を行うことができる研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記した課題を解決するために、本発明に係る研磨装置は、複数の被処理基板に対し、各基板の表面に形成された被処理膜を連続して研磨する研磨装置であって、前記各基板における被処理膜の初期膜厚を測定する初期膜厚測定手段と、前記初期膜厚の測定結果に基づき、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えるソート手段と、前記並べ替えられた前記複数の基板の被処理膜を、予め定められた研磨時間により前記初期膜厚の厚さ順に１次研磨する第１研磨手段と、前記１次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する研磨後膜厚測定手段と、前記測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記１次研磨における研磨レートを算出し、更に前記算出した研磨レートと前記測定した次に１次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき研磨時間を算出し、該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を前記初期膜厚の厚さ順に逐次行う制御手段と、を備えることを特徴とする。
尚、前記ソート手段は、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が０．２μｍ以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えることが望ましい。
【０００９】
このような構成によれば、連続して研磨される基板間において、被処理膜の初期膜厚のずれ量が小さいため、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくすることができる。したがって、生産性を低下することなく、研磨精度を向上することができる。
【００１０】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る研磨方法は、複数の被処理基板に対し、各基板の表面に形成された被処理膜を連続して研磨する研磨方法であって、前記各基板における被処理膜の初期膜厚を測定する第１ステップと、前記初期膜厚の測定結果に基づき、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替える第２ステップと、前記並べ替えられた前記複数の基板の被処理膜を、予め定められた研磨時間により前記初期膜厚の厚さ順に１次研磨する第３ステップと、前記１次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する第４ステップと、前記測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記１次研磨における研磨レートを算出し、更に前記算出した研磨レートと前記測定した次に１次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき研磨時間を算出し、該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を前記初期膜厚の厚さ順に逐次行う第５ステップと、を含むことを特徴とする。
尚、前記第２ステップは、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が０．２μｍ以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えることが望ましい。
【００１１】
このような方法によれば、連続して研磨される基板間において、被処理膜の初期膜厚のずれ量が小さいため、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくすることができる。したがって、生産性を低下することなく、研磨精度を向上することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数の被処理基板に対し連続的に研磨を行う研磨装置及び研磨方法において、生産性を低下することなく、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくすることができ、高精度な研磨を行うことができる研磨装置及び研磨方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の研磨装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】図２は、図１の研磨装置において、被処理基板である各ウエハの活性層に対する研磨加工の流れを示すフロー図である。
【図３】図３は、本発明の実施例の結果を示すグラフである。
【図４】図４は、比較例の結果を示すグラフである。
【図５】図５は、ＳＯＩウエハの構造を説明するための断面図である。
【図６】図６は、ＳＯＩウエハの製造工程を説明するための断面図である。
【図７】図７は、ＳＯＩウエハの活性層の測定ポイント（９点）の一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の研磨装置及び研磨方法に係る実施の形態について、図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明の研磨装置の構成を模式的に示すブロック図である。
図示する研磨装置１は、例えば、ロット単位で処理される複数枚のＳＯＩウエハＷ（以下、単にウエハＷと呼ぶ）を被処理基板とし、この被処理基板を研磨する装置である。より具体的には、各ウエハＷの表面に形成された被処理膜である活性層（ＳＯＩ層）を連続して研磨し、所定の膜厚とするための装置である。
【００１５】
この研磨装置１は、例えばカセット収容された複数枚のウエハＷを所定の基準に沿って並べ替えるソータ部２と、このソータ部２において並べ替えられた複数のウエハＷの活性層を順に研磨する研磨部３とで構成される。
【００１６】
前記ソータ部２は、被処理基板である複数のウエハＷを収容したカセット５と、カセット５に収容された各ウエハＷに対して、その活性層の初期膜厚（研磨前膜厚）を測定する膜厚測定部６（初期膜厚測定手段）とを有する。さらにソータ部２は、前記膜厚測定されたウエハＷをそれぞれロット単位で収容する例えば２つのカセット７、８を有する。
尚、膜厚測定部６において膜厚測定されたウエハＷは、全て一旦カセット５に戻される。そして、全てのウエハＷについて測定終了後、コンピュータからなる制御部２０（制御手段）の制御により搬送ロボット１０が駆動され、各ウエハＷは、カセット７、或いはカセット８に所定の並び順で収容されるようになされている。このように制御部２０と搬送ロボット１０とによりソート手段が構成されている。
また、ソータ部２は、ウエハＷが収容されたカセット７、８を研磨部３に搬送するための搬送ロボット１２を備えている。
【００１７】
また、研磨部３は、前記ソータ部２から搬送ロボット１２により搬送されたカセット７又はカセット８が設置されてなる搬入部カセット１３と、搬入部カセット１３から順に取り出されたウエハＷに対し１次研磨を施す第１研磨部１４（第１研磨手段）を有する。また、第１研磨部１４により研磨された活性層の膜厚測定を行う膜厚測定部１５（研磨後膜厚測定手段）と、各ウエハＷに対し仕上げ研磨を施す第２研磨部１６（第２研磨手段）と、第２研磨部１６により研磨されたウエハＷを収容する搬出部カセット１７とを有する。
この研磨部３は、前記ソータ部２と同様に、制御部２０によって、その動作が制御されるように構成されている。
【００１８】
次に、前述した各部（各手段）について、より詳しく説明する。
ソータ部２における膜厚測定部６は、カセット５に収容された各ウエハＷに対し、例えば反射分光膜厚計（近赤外光（波長９００ｎｍ〜１６００ｎｍ））を用いて、その活性層の初期膜厚（研磨前膜厚）を測定するものである。
尚、ウエハ面内においては、活性層の厚さに微少なばらつきがあるため、例えば、９つの測定ポイント（例えば、ウエハ中心、Ｒ／２（半径）、外周部（外周から３ｍｍ）：図７参照）が設定されて各ポイントの膜厚測定が行われ、その測定結果が制御部２０に出力される。
制御部２０では、それら測定値の平均値又は測定した９点における（最大値＋最小値）／２で得られる値が、活性層の初期膜厚値となされる。また、測定が終了したウエハＷは一旦、カセット５に戻される。
【００１９】
また、搬送ロボット１０は、カセット５内の全てのウエハＷに対し、初期膜厚の測定が終了すると、前記測定結果に基づき、制御部２０の制御により駆動してカセット５内のウエハＷを取り出し、カセット７或いはカセット８内に新たな並び順（研磨順）で収容するようになされている。この並び順は、連続して研磨される各ウエハ間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数のウエハＷを前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えて収容される。
【００２０】
また、研磨部３において、第１研磨部１４は、所定回転数で回転可能な定盤１４ａと、ウエハＷを下端に保持可能な研磨ヘッド１４ｂとを有する。
定盤１４ａには研磨布が設けられ、この定盤１４ａに対向して研磨ヘッド１４ｂが回転可能に配置されている。
この第１研磨部１４においてウエハＷを研磨する際には、制御部２０により予め定められた研磨時間により、定盤１４ａ及び研磨ヘッド１４ｂがそれぞれ所定回転数で回転され、１次研磨用の研磨剤（図示せず）が供給される。そして、ウエハＷを保持する研磨ヘッド１４ｂが定盤１４ａの研磨布に対して所定圧で押圧され、並べ替えられた前記複数のウエハＷの被処理膜に対し、前記初期膜厚の厚さ順に１次研磨が行われる。
【００２１】
また、膜厚測定部１５では、近赤外光（波長９００ｎｍ〜１６００ｎｍ）を用いた反射分光膜厚計を用いて、所定の雰囲気内或いは水中環境で前記１次研磨された研磨後のウエハＷの活性層の膜厚測定がなされる。
尚、ウエハ面内においては、活性層の厚さに微少なばらつきがあるため、例えば、ソータ部２の膜厚測定部６と同じ９つの測定ポイント（例えば、図７参照）が設定されて各ポイントの膜厚測定が行われ、その測定結果が制御部２０に出力される。
制御部２０では、それら測定値の平均値、または測定した９点における（最大値＋最小値）／２で得られる値が、１次研磨後の活性層の膜厚となされる。
また、膜厚測定部１５は、研磨部３上に設けられた搬送路１８に沿って移動自在となされており、後段の第２研磨部１６に対し、膜厚測定後のウエハＷを受け渡し可能に構成されている。
【００２２】
また、仕上げ研磨を行う第２研磨部１６は、第１研磨部１４と同様に、所定回転数で回転可能な定盤１６ａと、ウエハＷを下端に保持可能な研磨ヘッド１６ｂとを有する。
この第２研磨部１６においてウエハＷを研磨する際には、制御部２０により予め設定された研磨時間に基づいて、定盤１６ａ及び研磨ヘッド１６ｂがそれぞれ所定回転数で回転され、仕上げ研磨用の研磨剤（図示せず）が供給される。そして、ウエハＷを保持する研磨ヘッド１６ｂが定盤１６ａに対して所定圧力で押圧され、仕上げ研磨が行われる構成となっている。
【００２３】
制御部２０は、膜厚測定部６により測定した初期膜厚と、膜厚測定部１５により測定した研磨後の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき、第１研磨部１４での１次研磨における研磨レートを算出する。更に、前記算出した研磨レートと、膜厚測定部６により測定した次に１次研磨するウエハＷの初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき、新たな研磨時間を算出する。そして、該算出した研磨時間を前記次に１次研磨するウエハＷの研磨時間としてフィードバックする制御を、前記初期膜厚の厚さ順に逐次行うようになされている。
【００２４】
続いて、このように構成された研磨装置１における各ウエハＷの活性層に対する研磨の流れについて図２に基づき更に具体的に説明する。
先ず、ソータ部２において、カセット５に収容された各ウエハＷに対し、その活性層の初期膜厚（研磨前膜厚）が、例えば、ウエハ面内の９箇所を測定ポイント（図７参照）として、膜厚測定部６により測定される。そして、有効な各測定ポイントの測定データ（膜厚）の平均値、又は測定した９点における（最大値＋最小値）／２で得られる値が算出され、その活性層の初期膜厚とされる（図２のステップＳ１）。尚、測定終了したウエハＷは、再びカセット５の同じ収容位置に戻される。
【００２５】
膜厚測定部６による測定結果は、制御部２０により取得される。制御部２０では、測定したウエハＷの活性層の厚さによって、新たな処理順（並び順）が決定される。
制御部２０は、搬送ロボット１０を駆動し、前記決定した処理順となるようカセット５内の各ウエハＷをカセット７又はカセット８に搬送し、連続して研磨される各ウエハ間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように、測定した複数のウエハＷを初期膜厚の厚さ順に並べ替えて収容する（図２のステップＳ２）。
並べ替えられた複数のウエハＷを収容するカセット７又はカセット８は、搬送ロボット１２により研磨部３に搬送され、搬入部カセット１３として設置される。
【００２６】
次いで、制御部２０では、１次研磨が施されるウエハＷに対し、予め研磨時間を設定する（図２のステップＳ３）。この研磨時間の設定においては、前述したように、基本的には、１つ前に１次研磨されたウエハＷの研磨レートに基づき設定される。
但し、搬入部カセット１３から取り出される１枚目のウエハＷに関しては、測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚の目標値との差分より目標研磨量を算出し、既知の研磨レートで除することで研磨時間を設定して１次研磨が行われる。
カセット１３から順に取り出されるウエハＷは、それぞれに設定された研磨時間に基づき、第１研磨部１４において、活性層の１次研磨が施される（図２のステップＳ４）。
【００２７】
１次研磨が施されたウエハＷは、膜厚測定部１５において活性層の膜厚が測定される。この膜厚測定においては、例えば、初期膜厚の測定と同じく、ウエハ面内の９箇所が測定ポイント（図７参照）となされる。そして、各測定ポイントの活性層膜厚が測定され、その測定結果が制御部２０に出力される（図２のステップＳ５）。
【００２８】
研磨後の活性層の膜厚測定が終了すると、制御部２０では、有効な各測定ポイントの測定データ（膜厚）の平均値、又は測定した９点における（最大値＋最小値）／２で得られる値を算出して、研磨後の活性層の膜厚とする（図２のステップＳ６）。
【００２９】
次いで、制御部２０は、ステップ１で求められた初期膜厚と、ステップＳ６で求められた研磨後の活性層の膜厚との差分（取り代）を、ステップ３で行った研磨時間で除することにより、新たな研磨レートを算出する（図２のステップＳ７）。
算出された研磨レートは、その値が有効な範囲内にあるか（異常値ではないか）否かがチェックされる（図２のステップＳ８）。
【００３０】
ここで、算出された研磨レートが有効なもの（Ｙｅｓ）であれば、研磨レートが更新され（図２のステップＳ９）、次に１次研磨するウエハＷのステップ１で測定した初期膜厚と研磨後の膜厚の目標値の差分（研磨代）を前記更新された研磨レートで除することで、次のウエハＷの１次研磨時間が算出され、ステップＳ３にフィードバックされる。（ステップＳ１０）。
一方、算出された研磨レートが有効範囲内ではなく無効なもの（Ｎｏ）であれば、研磨レートは更新されず、次に１次研磨するウエハＷに対しても、ステップ３において同じ研磨レートが引用される（ステップＳ１１）。
【００３１】
尚、研磨レートが有効なものとは、その値が予め設定された被処理膜の研磨を行う上で有効な研磨レートの範囲内に入っていることをいう。この有効な研磨レートの範囲は、研磨装置や研磨条件、使用する研磨布、研磨剤等により適時設定される。
また、研磨レートが無効なものとは、人為的ミスによるウエハＷと制御部２０に取得されたデータの入れ違いがある場合や、研磨布の表面状況が変化した場合などがこれにあたる。
【００３２】
前記算出された研磨レートのチェック（図２のステップＳ８）において、隣接するウエハの研磨レート差の比較を行い、研磨レート差が０．１μｍ／ｍｉｎ以内である場合には、算出された研磨レートが有効なもの（Ｙｅｓ）として、研磨レートを更新し（図２のステップＳ９）、前記研磨レート差が０．１μｍ／ｍｉｎを超える場合には、当該研磨レートは更新されず、次に１次研磨するウエハＷに対しても、ステップ３において同じ研磨レートが引用される（ステップＳ１１）ことが好ましい。
このような構成とすることで、より高精度な研磨を行うことができる。
【００３３】
さらに本発明に係る実施形態にあっては、活性層表面をより平滑に且つ１次研磨面のパーティクル除去等を目的として、仕上げ研磨が行われる（図２のステップＳ１２）。
この仕上げ研磨では、先ず、研磨後測定部１５での活性層の膜厚測定が終了したウエハＷが、搬送路１８を経由して第２研磨部１６に搬送される。
この第２研磨部１６による仕上げ研磨における研磨時間は、一定時間（例えば、２分以上１５分以下）に設定されている。
仕上げ研磨が終了すると、ウエハＷは搬出部カセット１７に順次収容される。
【００３４】
以上のように本発明に係る研磨装置及び研磨方法にあっては、連続して研磨される各ウエハ間の活性層の初期膜厚差が所定値以下となるように、前記複数のウエハＷを前記初期膜厚の厚さ順に予め並べ替えること、及び各ウエハＷに対する１次研磨後に活性層の膜厚を測定し、その研磨量及び研磨時間に基づきその１次研磨したウエハＷの研磨レートを算出後、次の１次研磨するウエハＷの研磨時間を算出し、１次研磨の研磨時間としてフィードバックさせることを特徴とする。
即ち、連続して研磨される各ウエハ間において、活性層の初期膜厚のずれ量が小さくなるため、連続して研磨される各ウエハ間の研磨時間及び研磨レートの変動を少なくすることができる。更に、測定結果のフィードバックにより設定された研磨時間の変動も少なくすることができる。
従って、生産性を低下することなく、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくすることができ、高精度な研磨を行うことができる
【００３５】
尚、前記研磨装置及び研磨方法における複数のウエハＷの並べ替えは、連続して研磨される各ウエハ間の被処理膜の初期膜厚差が０．２μｍ以下となるように並べ替えることが好ましい。
このような構成とすることで、確実に研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくすることができ、高精度な研磨を行うことができる
また、前記初期膜厚差が０．２μｍ以下となるように並べ替える場合において、連続して研磨される各ウエハ間の被処理膜の初期膜厚差が０．２μｍを超えるウエハＷが存在する場合は、初期膜厚が次に最も近い順に並べ替えを行なうことが好ましい。
【００３６】
また、前記実施の形態においては、ソータ部２で膜厚測定後に並べ替えられ、ロット毎に収容されるカセットを２基（カセット７，８）の構成としたが、それ以上のカセットを有してもよい。即ち、研磨加工部３での処理前に、処理順を並び替えたウエハＷをロット単位で予め多数用意しておくことにより、より効率的に研磨部３での処理を行うことができる。
【実施例】
【００３７】
本発明に係る研磨装置及び研磨方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に従いＳＯＩウエハの活性層の研磨を行い、本発明の効果を検証した。
【００３８】
〔実施例〕
実施例では、図２に示すフロー図に基づき、サンプルとして１０枚のＳＯＩウエハの活性層の研磨を連続して行い、研磨レートの変動量、目標値からの膜厚ずれ量を測定した。
図３に、実施例における連続するウエハ間での初期膜厚さのずれ量、研磨レートの変動量及び目標値からの膜厚ずれ量をプロットした図を示す。
【００３９】
尚、図３のグラフは、横軸がＳＯＩウエハのサンプル番号（処理順）、左側縦軸が研磨レートの変動量（μｍ／ｍｉｎ）、右側縦軸が目標値からの活性層の膜厚ずれ量（μｍ）及び連続するウエハ間での初期膜厚さのずれ量（μｍ）である。
図３に示すように、連続して研磨されるウエハ間において、その活性層の初期膜厚（研磨前の膜厚）の差（ずれ量）は、全て０．２μｍ以下としている。
この場合、研磨レートは略一定となり、また、活性層膜厚の目標値からのずれ量も全てのウエハについて±０．１μｍ未満の範囲となることが認められた。
【００４０】
〔比較例〕
比較例では、前記実施例１と同様の構成において、連続して研磨されるウエハ間での研磨前の活性層膜厚の差分が大きくなるように９枚のサンプルのウエハ並び順を設定した。
そして、９枚のサンプル（ＳＯＩウエハ）に対して活性層研磨加工を連続して行い、研磨レートの変動量、目標値からの膜厚ずれ量を測定した。
図４に、比較例における連続するウエハ間での初期膜厚さのずれ量、研磨レートの変動量及び目標値からの膜厚ずれ量をプロットした図を示す。
【００４１】
尚、図４のグラフは、図３と同様に、横軸がＳＯＩウエハのサンプル番号（処理順）、左側縦軸が研磨レートの変動量（μｍ／ｍｉｎ）、右側縦軸が目標値からの活性層の膜厚ずれ量（μｍ）及び連続するウエハ間での初期膜厚さのずれ量（μｍ）である。
図４に示すように、連続して研磨されるウエハ間において、その活性層の初期膜厚（研磨前の膜厚）の差（ずれ量）が大きい場合、研磨レートの変動も大きくなり、更に、研磨レートの変動が大きい場合には、研磨後膜厚と目標値とのずれ量も大きくなることが認められた。
【符号の説明】
【００４２】
１      研磨装置
２      ソータ部
３      研磨加工部
５      カセット
６      膜厚測定部（初期膜厚測定手段）
７      カセット
８      カセット
１０    搬送ロボット（ソート手段）
１３    搬入部カセット
１４    第１研磨部（第１研磨手段）
１５    膜厚測定部（研磨後膜厚測定手段）
１６    第２研磨部（第２研磨手段）
１７    搬出部カセット
２０    制御部（制御手段、ソート手段）
Ｗ      ＳＯＩウエハ（被処理基板）
【図１】
0005473818.tif 000002
【図２】
0005473818.tif 000003
【図３】
0005473818.tif 000004
【図４】
0005473818.tif 000005
【図５】
0005473818.tif 000006
【図６】
0005473818.tif 000007
【図７】
0005473818.tif 000008