(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物半導体よりなるキャリア走行層と、前記キャリア走行層の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなるキャリア供給層と、前記キャリア供給層の上に形成されたアノード電極と、前記キャリア供給層の上に前記アノード電極に対して距離を隔てて対向するように配置されたカソード電極と、を備えた半導体装置であって、
前記アノード電極は、前記カソード電極に対向するように配置されかつ前記キャリア供給層にショットキー接触するショットキー電極部と、前記カソード電極に対向するように配置されかつ前記キャリア供給層にＰ型の高濃度不純物領域を介して接触するオーミック電極部と、が電気的に接続するように平面的に連続して形成されてなり、
前記Ｐ型の高濃度不純物領域は、前記キャリア供給層を貫通して前記キャリア走行層と接するように形成され、
前記カソード電極は、前記キャリア供給層にＮ型の高濃度不純物領域を介して設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記カソード電極は互いに距離を隔てた平行をなす２列でなり、
前記アノード電極は、前記カソード電極の２列の間に挟まれるように配置され、
前記ショットキー電極部は２列の前記カソード電極の一方に対向する位置に配置され、前記オーミック電極部は２列の前記カソード電極の他方に対向するように前記ショットキー電極部と背中合わせに配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
III族窒化物半導体よりなるキャリア走行層と、前記キャリア走行層の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなるキャリア供給層と、前記キャリア供給層の上に形成されたアノード電極と、前記キャリア供給層の上に前記アノード電極に対して距離を隔てて対向するように配置されたカソード電極と、を備えた半導体装置であって、
前記アノード電極は、前記カソード電極に対向するように配置されかつ前記キャリア供給層にショットキー接触するショットキー電極部と、前記カソード電極に対向するように配置されかつ前記キャリア供給層にＰ型の高濃度不純物領域を介して接触するオーミック電極部と、が電気的に接続するように平面的に連続して形成されてなり、
前記アノード電極は、前記カソード電極と平行をなす方向に向けて、前記ショットキー電極部と前記オーミック電極部とが交互に配置され、
前記カソード電極は、前記キャリア供給層にＮ型の高濃度不純物領域を介して設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記Ｐ型の高濃度不純物領域は、前記キャリア供給層の上に積層されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記キャリア走行層はＧａＮで形成され、前記キャリア供給層はＡｌＧａＮで形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記Ｎ型の高濃度不純物領域は、前記キャリア供給層を貫通して前記キャリア走行層と接するように形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、さらに詳しくは、III族窒化物半導体を用いた整流作用を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化アルミニウムガリウム(ＡｌＧａＮ)／窒化ガリウム(ＧａＮ)界面に生じる２次元電子ガス（２ＤＥＧ）を用いたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）は高い耐圧と低いオン抵抗を同時に備えるため、パワー半導体デバイスとして高い可能性を秘めている。図１２は、従来構造のＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に生じる２次元電子ガスを用いたショットキーバリアダイオード１００を示す。このショットキーバリアダイオード１００の構成は、ＧａＮ層１０１の上にＡｌＧａＮ層１０２が形成され、ＡｌＧａＮ層１０２の上にアノード電極１０３とカソード電極１０４が形成されてなる。このショットキーバリアダイオード１００において、順方向電圧印加時には電流はアノード電極１０３であるショットキー接触からＧａＮ層１０１側の２次元電子ガス１０１Ａを介してカソード電極１０４に流れる。このとき、電流は高移動度かつ高キャリア密度の２次元電子ガス１０１Ａを流れるため抵抗が非常に低い。一方、逆方向電圧印加時には２次元電子ガス１０１Ａは空乏化するため高い電圧をアノード・カソード電極間にかけることができる。この他に、ＧａＮ系のショットキーバリアダイオードとしては、特許文献１に開示されたものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記したショットキーバリアダイオード１００には、以下に説明するような問題がある。すなわち、ショットキーバリアダイオード１００においては、順方向電流が電圧を上げるに従い飽和するという問題がある。このときのＩＶ特性を図１３に示す。このように順方向電流が飽和する原因としては、電界による影響、自己発熱による影響、表面電荷の影響などが考えられる。
【０００５】
上記のショットキーバリアダイオード１００においては、順方向電流が飽和すると順方向のサージ電流に対して弱くなるため好ましくない。つまり、飽和電流値を超えるサージ電流が印加された場合その電流を流すために素子にかかる電圧が大幅に高くなるため、自己発熱により素子が破壊に到る可能性があるためである。このような自己発熱を抑えるためには、理想的には電流が高くなっても電圧が変わらない特性が望ましい。
【０００６】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、順方向サージ電流に対して強くするために、電圧を上げても順方向電流が飽和しないようにした半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、III族窒化物半導体よりなるキャリア走行層と、前記キャリア走行層の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなるキャリア供給層と、前記キャリア供給層の上に形成されたアノード電極と、前記キャリア供給層の上に前記アノード電極に対して距離を隔てて対向するように配置されたカソード電極と、を備えた半導体装置であって、前記アノード電極は、前記カソード電極に対向するように配置されかつ前記キャリア供給層にショットキー接触するショットキー電極部と、前記カソード電極に対向するように配置されかつ前記キャリア供給層にＰ型の高濃度不純物領域を介して接触するオーミック電極部と、が電気的に接続するように平面的に連続して形成されてなり、前記カソード電極は、前記キャリア供給層にＮ型の高濃度不純物領域を介して設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、この発明にかかる半導体装置は、上記の発明において、前記キャリア走行層はＧａＮで形成され、前記キャリア供給層はＡｌＧａＮで形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、この発明にかかる半導体装置は、上記の発明において、前記Ｎ型の高濃度不純物領域は、前記キャリア供給層を貫通して前記キャリア走行層と接するように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、この発明にかかる半導体装置は、上記の発明において、前記Ｐ型の高濃度不純物領域は、前記キャリア供給層を貫通して前記キャリア走行層と接するように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、この発明にかかる半導体装置は、上記の発明において、前記Ｐ型の高濃度不純物領域は、前記キャリア供給層の上に積層されていることを特徴とする。
【００１２】
また、この発明にかかる半導体装置は、上記の発明において、前記アノード電極は、前記カソード電極と平行をなす方向に向けて、前記ショットキー電極部と前記オーミック電極部とが交互に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
また、この発明にかかる半導体装置は、上記の発明において、前記カソード電極は互いに距離を隔てた平行をなす２列でなり、前記アノード電極は、前記カソード電極の２列の間に挟まれるように配置され、前記ショットキー電極部は２列の前記カソード電極の一方に対向する位置に配置され、前記オーミック電極部は２列の前記カソード電極の他方に対向するように前記ショットキー電極部と背中合わせに配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、電圧を上げても順方向電流が飽和せず、順方向サージ電流によって破壊されない半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の平面図である。
【図２】図２は、図１のII−II断面図である。
【図３】図３は、図１のIII−III断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置に順方向電流を印加したときのＩＶ特性を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１の変形例にかかる半導体装置の平面図である。
【図６】図６は、図５のVI−VI断面図である。
【図７】図７は、図５のVII−VII断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の平面図である。
【図９】図９は、図８のIX−IX断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態２の変形例にかかる半導体装置の平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のXI−XI断面図である。
【図１２】図１２は、従来のショットキーバリアダイオードを示す断面図である。
【図１３】図１３は、従来のショットキーバリアダイオードに順方向電流を印加したときのＩＶ特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明を実施するための形態である半導体装置について図面を参照して説明する。但し、図面は模式的なものであり、各層の厚みや厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００１７】
（実施の形態１）
図１〜３は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置１０を示している。図１は半導体装置１０の平面図、図２は図１のII−II断面図であり、ショットキー電極部５Ｂとカソード電極７とに亘る部分の断面図であり、図３は図１のIII−III断面図であり、オーミック電極部５Ａとカソード電極７とに亘る部分（付加素子領域）の断面図である。
【００１８】
図２および図３に示すように、半導体装置１０は、III族窒化物半導体である窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるキャリア走行層１と、このキャリア走行層１の上に形成されたIII族窒化物半導体である窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるキャリア供給層２と、このキャリア供給層２の上に形成されたアノード電極５（後述するオーミック電極部５Ａとショットキー電極部５Ｂとでなる）と、このキャリア供給層２の上にアノード電極５に対して距離を隔てて対向するように（平行をなすように）配置されたカソード電極７と、キャリア走行層１の裏面に形成された裏面電極８と、を備えている。なお、図２および図３において、キャリア走行層１におけるキャリア供給層２との界面近傍には、２次元電子ガス１Ａが存在する。
【００１９】
この実施の形態１にかかる半導体装置１０おいて、アノード電極５は、キャリア供給層２にショットキー接触するショットキー電極部５Ｂと、キャリア供給層２にＰ型の高濃度不純物領域４を介して接触するオーミック電極部５Ａと、が電気的に接続するように平面的に連続して１列をなすように形成されている。
【００２０】
図２および図３に示すように、カソード電極７は、キャリア供給層２にＮ型の高濃度不純物領域３を介して設けられている。このＮ型の高濃度不純物領域３は、キャリア供給層２を貫通してキャリア走行層１に到るような領域に、Ｎ型不純物（例えば、Ｓｉ）をドーピングして形成されている。
【００２１】
図２に示すように、ショットキー電極部５Ｂは、キャリア供給層２の上にショットキー接触する、例えばＴｉを最下層とする複数層の金属層などで形成されている。また、図３に示すように、オーミック電極部５Ａは、キャリア供給層にＰ型の高濃度不純物領域４を介して設けられている。このＰ型の高濃度不純物領域４は、キャリア供給層２を貫通してキャリア走行層１に到るような領域に、Ｐ型不純物をイオン注入、熱拡散などによりドーピングされて形成されている。
【００２２】
図２に示すように、本実施の形態では、ショットキー電極部５Ｂからカソード電極７に亘る領域がショットキーバリアダイオードを構成しており、図１２に示した従来のショットキーバリアダイオード１００と同様のＩＶ特性を有する。また、図３に示すように、本実施の形態では、オーミック電極部５Ａからカソード電極７に亘る領域が、Ｐ型の高濃度不純物領域４、ＡｌＧａＮでなるキャリア供給層２、Ｎ型の高濃度不純物領域３の接合により付加素子領域を構成している。
【００２３】
次に、図４を用いて、本実施の形態にかかる半導体装置１０の動作について説明する。図４において、「●」は、ショットキー電極部５Ｂからカソード電極７に亘る領域のショットキーバリアダイオードの順方向ＩＶ特性、「黒塗り三角」は、オーミック電極部５Ａからカソード電極７に亘る付加素子領域の順方向ＩＶ特性、実線は、本実施の形態にかかる半導体装置１０の順方向ＩＶ特性を示している。
【００２４】
ショットキー電極部５Ｂからカソード電極７に亘る領域のショットキーバリアダイオードの順方向ＩＶ特性では、電圧の低い方ではショットキー障壁があるため電流は流れないが、印加電圧がショットキー障壁の高さよりも高くなると電流は流れ始める。その後、図４に示すように、電流は飽和する傾向を示す。
【００２５】
一方、オーミック電極部５Ａからカソード電極７に亘る付加素子領域の順方向ＩＶ特性では、電圧の低い方では内蔵電位のため電流は流れず、印加電圧が内蔵電位以上になると電流は流れ始める。さらに電圧を上げていくと、キャリア供給層２を流れるホールが本来のキャリア濃度よりも多数になり電荷中性の法則を満たすために、カソードからの電子の注入が促進されることにより抵抗が低くなる。
【００２６】
本実施の形態の半導体装置１０の構造はショットキーバリアダイオードと付加素子領域を並列に接続した構成を有するため、その順方向ＩＶ特性は図４に実線で示すような特性となる。また、この実施の形態では、ショットキーバリアダイオードのショットキー障壁の高さは付加素子領域の内蔵電位よりも低く設計されている。このため電圧を上げていくとショットキー障壁の高さを超えたところで、まずショットキーバリアダイオードに電流が流れ始め、さらに電圧を上げていくと内蔵電位を超えたところで付加素子領域に電流が流れ始める。このときショットキーバリアダイオード自体に流れる電流は飽和するが付加素子領域にも電流が流れているため素子全体としての電流は飽和することなく増加していく。なお、通常の動作では低い印加電圧で高い電流を流したいのでショットキーダイオードが主に使用される。
【００２７】
本実施の形態にかかる半導体装置１０の動作を更に詳しく説明すると、ショットキーバリアダイオードに印加される電圧が低いうちは、主に２次元電子ガス１Ａを介して順方向電流は流れる。電圧がＰＮ接合の内蔵電位(built-in potential)を超えるとＰ型の高濃度不純物領域４からキャリア供給層（ＡｌＧａＮ）２への少数キャリアの注入が始まり、これによりキャリア供給層２のキャリア密度が増大し抵抗が低下する、いわゆる伝導度変調が生じる。このようにして印加電圧を上げてゆき２次元電子ガス１Ａを介した順方向電流が飽和しても伝導度変調を起こし抵抗の低くなったキャリア供給層２を介して電流が流れるので、図４に実線で示すように、全体でみた電流は飽和することなく増大する。
【００２８】
このため、本実施の形態にかかる半導体装置１０によれば、順方向サージ電流に対して強くするために、電圧を上げても順方向電流が飽和しないという効果を有し、パワーデバイスとして用いた場合に良好な特性となる。
【００２９】
本実施の形態では、アノード電極５に占めるオーミック電極部５Ａとショットキー電極部５Ｂの割合を調整することにより、求める素子性能を得ることが可能となる。すなわち、オン抵抗を低くしたいのであればショットキー電極部５Ｂの割合を増やし、順方向サージ電流に対して強くしたいのであればオーミック電極部５Ａの割合を増やせばよい。
【００３０】
（実施の形態１の変形例）
次に、図５〜７を用いて上記の実施の形態１の変形例にかかる半導体装置１０Ａについて説明する。なお、図５は、半導体装置１０Ａの平面図、図６は図５VI−VI断面図、図７は図５のVII−VII断面図である。
【００３１】
図５に示すように、この変形例にかかる半導体装置１０Ａでは、上記の実施の形態１と同様にアノード電極５と、カソード電極７が距離を置いて対向して配置されている。そして、オーミック電極部５Ａとショットキー電極部５Ｂは、電気的に接続するように平面的に連続して１列のアノード電極５をなすように形成されている。
【００３２】
この変形例において上記の実施の形態１と異なる点は、図７に示すように、Ｐ型の高濃度不純物領域４Ａが、ＡｌＧａＮでなるキャリア供給層２の上に積層されている点である。上記の実施の形態のようなドーピングによりＰ型の高濃度不純物領域４を形成することが困難な場合には、このようにＰ型の高濃度不純物領域４Ａを積層することが望ましい。
【００３３】
このようなＰ型の高濃度不純物領域４Ａは、ＣＶＤ法、エピタキシー法を用いて不純物を導入しながら成膜することができる。また、この変形例では、Ｐ型の高濃度不純物領域４Ａとして、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，Ｓｉ，ＳｉＣなど任意の材料を用いることができるという利点もある。この変形例における他の構成は、図６に示すように、上記の実施の形態１と同様であり、その他の作用・効果も同様である。
【００３４】
（実施の形態２）
次に、図８および図９を用いて本発明の実施の形態２にかかる半導体装置２０について説明する。図８は、半導体装置２０の平面図、図９は、図８のIX−IX断面図である。この実施の形態２において上記の実施の形態１と異なる点は、互いに距離を隔てて平行をなすカソード電極１６，１８の間に、ショットキー電極部１５Ａと、オーミック電極部１５Ｂとが背中合わせに配置されてなるアノード電極１５が設けられていることである。
【００３５】
図８および図９に示すように、この実施の形態にかかる半導体装置２０は、III族窒化物半導体である窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるキャリア走行層１１と、このキャリア走行層１１の上に形成されたIII族窒化物半導体である窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるキャリア供給層１２と、このキャリア供給層１２の上に形成されたアノード電極（ショットキー電極部１５Ａとオーミック電極部１５Ｂとでなる）１５と、このキャリア供給層１２の上にアノード電極１５を挟むようにアノード電極１５に対して距離を隔てて対向するように（平行をなすように）配置されたカソード電極１６，１８と、キャリア走行層１１の裏面に形成された裏面電極１９と、を備えている。なお、図９に示すように、キャリア走行層１１におけるキャリア供給層１２との界面近傍には、２次元電子ガス１１Ａが存在する。
【００３６】
図８および図９に示すように、この実施の形態２にかかる半導体装置２０おいて、アノード電極１５は、キャリア供給層１２にショットキー接触するショットキー電極部１５Ａと、オーミック電極部と１５Ｂと、が電気的に接続するように背中合わせに平面的に連続して１列をなすように形成されている。
【００３７】
図９に示すように、カソード電極１６，１８は、キャリア供給層１２にＮ型の高濃度不純物領域１３を介して設けられている。このＮ型の高濃度不純物領域１３は、キャリア供給層１２を貫通してキャリア走行層１１に到るような領域に、Ｎ型不純物（例えば、Ｓｉ）をドーピングして形成されている。
【００３８】
図９に示すように、ショットキー電極部１５Ａは、キャリア供給層１２の上にショットキー接触する、例えばチタン（Ｔｉ）を最下層とする複数層の金属層などで形成されている。また、オーミック電極部１５Ｂは、キャリア供給層１２にＰ型の高濃度不純物領域１４を介して設けられている。このＰ型の高濃度不純物領域１４は、キャリア供給層１２を貫通してキャリア走行層１１に到るような領域に、Ｐ型不純物をドーピングして形成されている。
【００３９】
図８に示すように、この実施の形態においては、カソード電極１６，１８は、互いに距離を隔てた平行をなす２列でなり、アノード電極１５を構成するショットキー電極部１５Ａとオーミック電極部１５Ｂは、カソード電極１６，１８の２列の間に挟まれるように配置されている。ショットキー電極部１５Ａは、２列のうちの一方のカソード電極１６対向し、オーミック電極部１５Ｂは２列のうちの他方のカソード電極１８に対向するように配置されている。
【００４０】
このような構成の半導体装置２０では、ショットキー電極部１５Ａからカソード電極１６に亘ってショットキーバリアダイオードが構成され、ショットキー電極部１５Ａと背中合わせに連続して形成されたオーミック電極部１５Ｂからカソード電極１８に亘って付加素子領域が構成されるため、上記の実施の形態１と同様の作用・効果を奏する。
【００４１】
具体的には、ショットキーバリアダイオードに印加される電圧が低いうちは、主に２次元電子ガス１１Ａを介して順方向電流は流れる。電圧がＰＮ接合の内蔵電位(built-in potential)を超えるとＰ型の高濃度不純物領域１４からキャリア供給層（ＡｌＧａＮ）１２への少数キャリアの注入が始まり、これによりキャリア供給層１２のキャリア密度が増大し抵抗が低下する、いわゆる伝導度変調が生じる。このようにして印加電圧を上げてゆき２次元電子ガス１１Ａを介した順方向電流が飽和しても伝導度変調を起こし抵抗の低くなったキャリア供給層１２を介して電流が流れるので、図４に実線で示した半導体装置１０と同様に、全体でみた電流は飽和することなく増大する。
【００４２】
このため、本実施の形態にかかる半導体装置２０によっても、順方向サージ電流に対して強くするために、電圧を上げても順方向電流が飽和しないという効果を有し、パワーデバイスとして用いた場合に良好な特性となる。
【００４３】
また、本実施の形態にかかる半導体装置２０は、製造過程において、各部材や各領域をストライプ状に形成すればよいため、パターニングが容易となる利点がある。
【００４４】
（実施の形態２の変形例）
図１０および図１１を用いてこの発明の実施の形態２の変形例にかかる半導体装置２０Ａについて説明する。この変形例にかかる半導体装置２０Ａでは、上記の実施の形態２の半導体装置２０と同様に、図１０に示すように、ショットキー電極部１５Ａとオーミック電極部１７とが背中合わせに隣接して配置されており、それぞれが対向するカソード電極１６，１８と対向している。ただし、この変形例において、上記の実施の形態２の半導体装置２０と異なる点は、図１１に示すように、Ｐ型の高濃度不純物領域１４Ａがキャリア供給層１２上に積層されているという点である。
【００４５】
この変形例にかかる半導体装置２０Ａでは、ドーピングによりＰ型の高濃度不純物領域１４を形成することが困難な場合には、このようにＰ型の高濃度不純物領域１４Ａを積層することが望ましい。なお、Ｐ型の高濃度不純物領域１４Ａは、ＣＶＤ法、エピタキシー法を用いて不純物を導入しながら成膜して形成することができる。また、この変形例では、Ｐ型の高濃度不純物領域１４Ａとして、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，Ｓｉ，ＳｉＣなど任意の材料を用いることができるという利点もある。この変形例における他の構成は、上記の実施の形態２と同様であり、その他の作用・効果も同様である。
【００４６】
（その他の実施の形態）
以上、この発明の実施の形態について説明したが、上記の実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者に様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００４７】
また、上記の実施の形態１および実施の形態２では、III族窒化物半導体として、ＧａＮおよびＡｌＧａＮを用いたが、その組成がＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０≦ｘ≦１）であることが好ましい。また、ＡｌＧａＮに代えてＩｎＡｌＮを用いてもよい。この場合、ＩｎｙＡｌ（１−ｙ）Ｎ（０≦ｙ≦１）であることが好ましい。
【００４８】
また、上記の実施の形態１およびその変形例においては、アノード電極５を構成するオーミック電極部５Ａとショットキー電極部５Ｂをそれぞれ２つずつ備える構成としたが、それぞれ１つずつ備える構成としてもよいし、それぞれ３つ以上備えオーミック電極部５Ａとショットキー電極部５Ｂとが交互に配置される構成としても勿論よい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明にかかる半導体装置は、整流作用を有する半導体装置として有用であり、特に、パワーデバイスに適している。
【符号の説明】
【００５０】
１  キャリア走行層
１Ａ  ２次元電子ガス
２  キャリア供給層
３  Ｎ型の高濃度不純物領域
４、４Ａ  Ｐ型の高濃度不純物領域
５  アノード電極
５Ａ  オーミック電極部
５Ｂ  ショットキー電極部
７  カソード電極
１０、１０Ａ  半導体装置
１１  キャリア走行層
１１Ａ  ２次元電子ガス
１２  キャリア供給層
１３  Ｎ型の高濃度不純物領域
１４、１４Ａ  Ｐ型の高濃度不純物領域
１５  アノード電極
１５Ａ  ショットキー電極部
１５Ｂ  オーミック電極部
１６、１８  カソード電極
２０、２０Ａ  半導体装置
【図１】
0005460504.tif 000002
【図２】
0005460504.tif 000003
【図３】
0005460504.tif 000004
【図４】
0005460504.tif 000005
【図５】
0005460504.tif 000006
【図６】
0005460504.tif 000007
【図７】
0005460504.tif 000008
【図８】
0005460504.tif 000009
【図９】
0005460504.tif 000010
【図１０】
0005460504.tif 000011
【図１１】
0005460504.tif 000012
【図１２】
0005460504.tif 000013
【図１３】
0005460504.tif 000014