(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で矩形を呈する複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域と、
上記同様に絶縁層を積層してなり、上記製品領域の外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状である耳部と、
上記耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、
上記耳部に形成され、上記メッキ用電極と、上記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通するメッキ用タイバーとを含み、
上記メッキ用タイバーの厚みは、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚くなっている、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に厚くなっているか、または段階的に厚くなっている、
ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記メッキ用電極は、前記耳部の外側面に複数個が形成され、隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの厚みは、各メッキ用電極に近接する位置で最も薄く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も厚い、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線基板が縦横に配列されており、該配線基板ごとの表面、裏面、あるいはキャビティの底面に形成された導体部分に金属メッキが比較的均一に被覆された多数個取り配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
多数個取り配線基板は、複数の配線基板を縦横に配列してなる製品領域と、該製品領域の周囲に位置する矩形枠状の耳部とからなり、該耳部において対向する一対の耳辺の外側面には、上記配線基板ごとの表面に露出して形成されたパッドなどの導体部分に、例えば、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを順次被覆するためのメッキ用電極が複数個ずつ形成されている。該メッキ用電極と、製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分との間は、上記耳部の表面あるいは内部に形成された平面視が矩形枠状のメッキ用タイバーを介して、導通可能とされている。そして、上記メッキ用電極ごとの凹溝内にメッキ用の棒状電極を挿入して接触させた状態で、所定のメッキ液槽に順次浸漬することによって、上記Ａｕメッキなどを各導体部分の表面に被覆している。
【０００３】
ところで、前記メッキ用電極が形成された耳部の耳辺と、前記製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分ごとから接続配線が延びた耳辺とが互いに直交して隣接する形態の場合、該２つの耳辺が直角に連接するコーナ部に位置する前記メッキ用タイバーには、メッキ用電流が過剰に流れ易くなる。
そのため、前記コーナ部付近のメッキ用タイバーの表面には、Ａｕなどのメッキ被膜が比較的厚めに被覆される反面、製品領域内の特に中心部付近に位置する配線基板の導体部分には、メッキ被膜が比較的薄く被覆され易くなるので、製品領域内の位置に配線基板によって、メッキ被膜の厚みが不均一になる、という問題があった。かかる問題を解決するため、矩形枠状を呈する耳部のうち、該耳部のコーナ部ごとの領域に位置するメッキ用タイバーの幅を、他の直線部に位置するメッキ用タイバーの幅よりも広くした多数個取り配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、特許文献１の多数個取り配線基板では、メッキ用電極が形成された耳部の耳辺と、製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分ごとから接続配線が延びた耳辺とが共通している形態の多数個取り配線基板には、適用し難い。しかも、メッキ用電極の比較的近くに位置する製品領域の最外側の配線基板に比べて、比較的離れた製品領域の中央側に位置する配線基板までの導通抵抗が大きくならざるを得ない。その結果、製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分に被覆される金属メッキ被膜の厚みが、中央側の配線基板の導体部分に被覆される金属メッキ被膜の厚みよりも厚くなって、メッキ被膜に大きなバラツキが生じ、引いては、個片化された複数の配線基板の間において、品質が不安定になる、という問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１００５４６号公報（第１〜１１頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、縦横に複数の配線基板が配列された製品領域と、メッキ用電極が外側面に形成された耳部とを併有し、上記製品領域内のどの位置における配線基板であっても、その表面などに位置する導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するため、前記形態の多数個取り配線基板において、メッキ用タイバーの厚みをメッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚くする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取り配線基板（請求項１）は、複数の絶縁層を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で矩形を呈する複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域と、上記同様に絶縁層を積層してなり、上記製品領域の外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状である耳部と、該耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、前記耳部に形成され、上記メッキ用電極と、上記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通するメッキ用タイバーとを含み、該メッキ用タイバーの厚みは、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚くなっている、ことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、前記メッキ用電極と、前記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通する前記メッキ用タイバーは、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚みが厚くなるように前記耳部に形成されている。その結果、メッキ用電極からの電流が直ちに該電極に近接する配線基板に過剰に流れにくくなるため、メッキ用電極の比較的近くに位置する製品領域の最外側の配線基板と、メッキ用電極から比較的離れた製品領域の中央側に位置する配線基板との間において、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差を抑制ないし低減できる。
従って、メッキ用電極、メッキ用タイバー、および接続配線を介してメッキ電流が、製品領域のどの位置における配線基板に対しても、比較的均一に流されているので、該配線基板ごとの表面などに位置する導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。
しかも、メッキ用タイバーは、厚みが変化する反面、平面視の幅が一定であるため、該メッキ用タイバーを形成する耳部の幅寸法を抑制することも可能となる。
【０００９】
尚、前記絶縁層は、アルミナなどの高温焼成セラミックの層、またはガラス−セラミック層を含む低温焼成セラミックの層、あるいはエポキシなどの樹脂層である。
また、前記製品領域は、複数の配線基板を縦横に直接隣接させた形態と、複数の配線基板を絶縁層を介して縦横に配列させた形態との双方を含んでいる。
更に、前記メッキ用タイバーは、複数の絶縁層が積層されてなる前記耳部の表面、裏面、あるいは複数の絶縁層の層間に形成されている。
また、前記メッキ用タイバーと、前記製品領域内の最外側に位置する配線基板ごとの導体部分との間は、専用の前記接続配線によって、個別に接続されていると共に、前記製品領域内で隣接する配線基板ごとの導体部同士の間も、同様な接続線で接続されている。
更に、配線基板の導体部分とは、内部配線層、表面または裏面の接続端子（パッド）、キャビティの底面に位置するパッド、スルーホール導体、あるいはキャビティを囲む表面に位置する封止用の導体枠などである。
また、前記製品領域と耳部との間、および製品領域内で隣接する配線基板同士の間には、仮想の切断予定面が位置しているか、あるいは該切断予定面に沿った断面ほぼＶ字形の分割溝が表面および裏面の少なくとも一方に形成されている。
加えて、前記メッキ用タイバーで厚みが大となる部分は、耳部の表面または裏面から外側に突出する形態、あるいは該耳部の内部に進入する形態が含まれる。
【００１０】
また、本発明には、前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に厚くなっているか、または段階的に厚くなっている、多数個取り配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記メッキ用タイバーの厚みが、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的または段階的に厚くなるように前記耳部に形成されている。その結果、製品領域のどの位置における配線基板に対しても、比較的均一なメッキ電流が流れるため、配線基板ごとの導体部分に同等な厚みの金属メッキ被膜が被覆された多数個取り配線基板となっている。しかも、セラミック層などからなる複数の絶縁層を積層してなる前記耳部の表面、裏面、あるいは内部の絶縁層間に、製造工程において導電性ペーストを、例えば、テーパ状のように漸次的に厚みが変化するか、例えば、階段状のように段階的に厚みが変化するように印刷・形成することで、工数を大幅に増やしたり、複雑にすることなく、前記メッキ用タイバーを形成することができる。
尚、前記「漸次的」とは、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、例えば、テーパ状あるいはカーブ状のパターンで厚みが厚くなることを指している。また、前記「段階的」とは、例えば、複数段の階段形状のパターンで厚みが厚くなることを指している。
【００１１】
更に、本発明には、前記メッキ用電極は、前記耳部の外側面に複数個が形成され、隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの厚みは、各メッキ用電極に近接する位置で最も薄く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も厚い、多数個取り配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、製品領域において、耳部のうち同じ耳辺にて隣接する前記２つのメッキ用電極の何れかに比較的接近する最外側の配線基板と、何れのメッキ用電極からも比較的離れているで中央側の配線基板とのどちらであっても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が小さいので、該配線基板ごとの導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。
【００１２】
尚、本発明には、前記耳部のうち、少なくとも平面視で対向する一対の耳辺ごとに複数のメッキ用電極が形成され、耳辺ごとで隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も薄く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も厚い、多数個取り配線基板も含まれ得る。
これによる場合、耳部のうち、製品領域を挟んで対向する一対の耳辺ごとに複数のメッキ用電極が形成され、各耳辺で隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの厚みが、各メッキ用電極に近接する位置で最も薄くされ、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も厚くなっている。その結果、製品領域におけるどの位置の配線基板に対しても、比較的均一なメッキ電流が流されているので、配線基板ごとの導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板とすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図３】図２中で左側の部分を拡大した拡大断面図。
【図４】図１中のＹ−Ｙの矢視に沿った垂直断面図。
【図５】異なる形態のメッキ用タイバーを示す図４と同様な垂直断面図。
【図６】更に異なる形態のメッキ用タイバーを示す図４と同様な垂直断面図。
【図７】別なる形態のメッキ用タイバーを示す図４と同様な垂直断面図。
【図８】更に別なる形態のメッキ用タイバーを示す図４と同様な垂直断面図。
【図９】別異な形態のメッキ用タイバーを示す図４と同様な垂直断面図。
【図１０】図１の多数個取り配線基板の応用形態を示す部分平面図。
【図１１】図１０中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図１２】異なる形態の接続用タイバーを示す図１１と同様な垂直断面図。
【図１３】異なる形態の多数個取り配線基板を示す垂直断面図。
【図１４】図１３中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った部分平面図。
【図１５】図１４中のＶ−Ｖ線の矢視に沿った概略の垂直断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の多数個取り配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図２中で左側の部分を拡大した拡大断面図、図４は、図１中のＹ−Ｙの矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板１ａは、図１〜図３に示すように、表面２および裏面３を有し且つ３層のセラミック層ｓ１〜ｓ３を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で長方形を呈する複数の配線基板ｐを互いに離隔しつつ縦横に沿って配列した製品領域Ｐａと、上記と同じセラミック層ｓ１〜ｓ３を積層してなり、上記製品領域Ｐａの外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部５と、該耳部５のうち、図１で左右一対の耳辺５の外側面４に一対ずつ形成した前記同様のメッキ用電極６と、を含んでいる。該メッキ用電極６は、耳部５の外側面４に設けた平面視がほぼ半円形の凹溝７の内壁面に沿ったほぼ半円筒体である。
尚、前記セラミック層ｓ１〜ｓ３は、例えば、アルミナを主成分としている。
また、図２，図３中の破線は、仮想の切断予定面ｃｆを示している。
更に、前記表面２および裏面３は、製品領域Ｐａおよび耳部５で共通している。
【００１５】
図１に示すように、前記セラミック層ｓ１の表面２の耳部５のうち、左右一対の長辺の耳辺５には、一対のメッキ用タイバー１５が対向して形成され、上下一対の短辺の耳辺５には、一対の接続用タイバー１８が対向して形成されている。
上記メッキ用タイバー１５は、図４に示すように、接続線１４を介してメッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に最近接する位置１６から、当該メッキ用電極６より最も離れた位置１７に向かって、厚みが外側向きにテーパ状（漸次的）１５ｔに厚くなるように形成されている。同じ耳辺５で隣接するメッキ用電極６，６間に位置するメッキ用タイバー１５においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かってテーパ状に厚くなっている。一方、上記メッキ用タイバー１５の上・下端の位置１７，１７間を接続する上下の各接続用タイバー１８は、幅および厚みが一定の帯状を呈している。
【００１６】
図１〜図３に示すように、製品領域Ｐａ内において、互いに離れて縦横に配列された複数の配線基板ｐは、表面２に開口し且つ平面視が長方形を呈するキャビティ１０をそれぞれ有し、該キャビティ１０の周囲を囲むセラミック層ｓ１の表面２に沿って平面視が長方形で封止用の導体枠（導体部分）８が個別に形成されている。左右に隣接する配線基板ｐ，ｐの導体枠８，８間は、接続線９を介して接続され、製品領域Ｐａの最外側に沿って位置する配線基板ｐごとの導体枠８は、接続配線９ｉを介して左右のメッキ用タイバー１５と個別に接続されている。
個々の配線基板ｐにおいて、キャビティ１０の底面に露出する最下層のセラミック層ｓ３の表面には、一対の接続端子１１が形成され、該接続端子１１は、図３に示すように、セラミック層ｓ３の裏面３に形成された一対の裏面導体１２と、該セラミック層ｓ３を貫通するスルーホール導体１３を介して個別に導通可能とされている。更に、配線基板ｐごとにおける一対の裏面導体１２は、セラミック層ｓ１〜ｓ３を貫通するスルーホール導体ｔｄを介して、表面２側の導体枠８と個別に導通可能とされている。
【００１７】
即ち、図１〜図３に示すように、耳部５における左右の耳辺５に位置する各メッキ用電極６は、接続線１４、メッキ用タイバー１５、接続配線９ｉ、および接続線９を介して、配線基板ｐごとの導体枠８と導通可能され、個々の配線基板ｐでは、長短２種類のスルーホール導体ｔｄ，１３を介して、導体枠８と一対の接続端子１１とが個別に導通可能とされている。
尚、図２，図３中の破線で示す切断予定面ｃｆは、平面視で配線基板ｐごとの導体枠８における四辺の外側辺に沿っている。
また、前記導体枠８、接続線９、接続配線９ｉ、接続端子１１、メッキ用タイバー１５、接続用タイバー１８、裏面導体１２、スルーホール導体１３，ｔｄは、例えば、主にＷあるいはＭｏからなる。
更に、前記メッキ用タイバー１５は、追って前記セラミック層ｓ１となるグリーンシートの表面に、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストを、前記断面形状に倣って複数回印刷した後、常法により積層・焼成することで、容易に形成されている。
加えて、切断予定面ｃｆに沿って個片化された後の配線基板ｐにおいて、導体枠８は、キャビティ１０の開口部を閉塞する金属製の蓋板とのロウ付けに活用され、且つ一対の接続端子１１を含む回路におけるアースを兼ねるものでもある。
【００１８】
以上のような多数個取り配線基板１ａによれば、セラミック層ｓ１の表面２における左右一対の耳辺（耳部）５に対向して形成された一対のメッキ用タイバー１５の厚みは、前記一対のメッキ用電極６に近接する位置１６から該メッキ用電極６から離れた位置１７に向かって、テーパ状（漸次的）１５ｔに厚くなっている。その結果、メッキ用電極６の比較的近くに位置する製品領域Ｐａの外周側の配線基板ｐと、メッキ用電極６から比較的離れた製品領域Ｐａの中央側に位置する配線基板ｐとの間においても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が抑制されている。従って、メッキ用電極６、メッキ用タイバー１５、接続配線９ｉ、および接続線９を介してメッキ電流が、製品領域Ｐａ内のどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板ｐごとの導体枠８、接続端子１１、裏面導体１２の表面に対し、Ｎｉメッキ被膜やＡｕメッキ被膜が近似した厚みで被覆した多数個取り配線基板１ａとされている。
【００１９】
尚、メッキ用タイバー１５は、図５に示すように、接続線１４を介してメッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置１６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって、厚みを外側向きに階段状（段階的）１５ｓに厚くし、隣接するメッキ用電極６，６間においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって階段状に厚くなるようにした形態としても良い。
また、メッキ用タイバー１５は、図６に示すように、メッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置１６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって、厚みを外側向きにカーブ状（漸次的）１５ｒに厚くし、隣接するメッキ用電極６，６間においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かってカーブ状１５ｒに厚くなる形態としても良い。
更に、図７に示すように、メッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置１６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって、厚みが内側向きにテーパ状（漸次的）１５ｔに厚くし、隣接するメッキ用電極６，６間においても、各メッキ用電極６の付近から最も離れた位置１７に向かってテーパ状１５ｔに厚くなる形態のメッキ用タイバー１５ｃとしても良い。
【００２０】
また、図８に示すように、メッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置１６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって、厚みが内側向きに階段状（段階的）１５ｓに厚くし、隣接するメッキ用電極６，６間においても、各メッキ用電極６の付近から最も離れた位置１７に向かって階段状に厚くなるようにしたメッキ用タイバー１５ｃとしても良い。
加えて、図９に示すように、メッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置１６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって、厚みが内側向きにカーブ状（漸次的）１５ｒに厚くし、隣接するメッキ用電極６，６間においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かってカーブ状１５ｒに厚くなる形態のメッキ用タイバー１５ｃとしても良い。
以上の図６〜図９に示すように、メッキ用電極６に近接する位置１６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって、厚みが漸次的または段階的に変化するメッキ用タイバー１５，１５ｃを用いても、前記多数個取り配線基板１ａと同様な効果を奏する多数個取り配線基板を構成することが可能である。
【００２１】
図１０は、前記配線基板１ａの応用形態の多数個取り配線基板１ｂを示す部分平面図、図１１は、図１０中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板１ｂは、図１０に示すように、前記導体枠８、接続端子１１、キャビティ１０などを有する複数の配線基板ｐを縦横に配列した前記同様の製品領域Ｐａと、その外側に位置する前記同様の耳部５とを備えている。
該多数個取り配線基板１ｂが前記配線基板１ａと相違するのは、図１１に示すように、上下の耳辺５の表面２において、前記メッキ用タイバー１５における左右のメッキ用電極６から最も離れた位置１７に隣接する位置２２の厚みが最も薄く、且つ各耳辺５の中央部２１に向かって厚みがテーパ状（漸次的）２３に外側向きに厚くなった接続（メッキ）用タイバー２０が形成されていることである。
更に、図１０の縦方向に沿って、上記接続用タイバー２０と、製品領域Ｐａ内の最外側に位置する配線基板ｐごとの導体枠２０との間を接続する接続配線９ｊ、および縦方向に隣接する配線基板ｐごとの導体枠８，８間を接続する接続線９ｆと、を更に追加して形成したことも、前記配線基板１ａとの相違点である。
【００２２】
以上のような多数個取り配線基板１ｂによれば、左右一対のメッキ用タイバー１５によって、前記配線基板１ａと同様な効果が得られるのに加え、上下一対の接続用タイバー２０、縦方向に沿った接続配線９ｊ、および接続線９ｆが更に併設されることで、表面２における複数の配線基板ｐの導体枠８を縦方向に沿った導通経路においても、各メッキ用電極６との距離の差を、製品領域Ｐａ内のどの位置であっても、一層低減ないし抑制して均一化することができる。従って、各メッキ用電極６に給電されたメッキ電流が、製品領域Ｐａのどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板ｐごとの導体枠８などの表面にＮｉメッキ皮膜およびＡｕメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板１ｂとすることができる。
尚、前記多数個取り配線基板１ｂの接続（メッキ）用タイバー２０は、図１２に示すように、階段状（段階的）２５に厚みが変化する形態としたり、あるいはカーブ状に厚みが変化する形態としても良い。また、前記接続用タイバー２０は、セラミック層ｓ１の内部に向かってテーパ状２３、階段状２５、あるいはカーブ状に厚くなる形態としても良い。
【００２３】
図１３は、前記配線基板１ａ，１ｂとは異なる形態の多数個取り配線基板１ｃを示す垂直断面図、図１４は、図１３中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った部分平面図、図１５は、図１４中のＶ−Ｖ線の矢視に沿った概略の垂直断面図である。
多数個取り配線基板１ｃは、図１３，１４に示すように、表面２および裏面３を有し且つ上下２層（複数）のセラミック層（絶縁層）ｓ１，ｓ２を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で長方形（矩形）を呈する複数の配線基板ｐを縦横に沿って配列した製品領域Ｐａと、上記と同じセラミック層ｓ１，ｓ２を積層してなり、上記製品領域Ｐａの外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部５と、該耳部５のうち、図１３で左右一対の耳辺５の外側面４に一対（複数）ずつ形成したメッキ用電極６と、を含んでいる。
【００２４】
尚、前記セラミック層ｓ１，ｓ２も、アルミナを主成分としている。
また、図１４中の破線は、個々の配線基板ｐの外側縁を隣接させつつ囲み、且つ製品領域Ｐａと耳部５とを区分する仮想の切断予定面ｃｆを示している。
図１３，１４に示すように、製品領域Ｐａの表面２には、縦横に隣接する４個の配線基板ｐの各隅部に跨る表面導体２６、および製品領域Ｐａの最外側に沿って隣接する２個の配線基板ｐの各隅部に跨る表面導体２６などが形成されている。即ち、追って切断予定面ｃｆに沿って個片化された際に、得られる配線基板ｐごとの表面２の四隅には、４個のパッドが個別に形成される。
【００２５】
図１４に示すように、前記セラミック層ｓ１，ｓ２間の耳部５のうち、左右一対の長辺の耳辺５には、メッキ用タイバー３５が対向して形成され、上下一対の短辺の耳辺５には、接続用タイバー３９が形成されている。上記メッキ用タイバー３５は、図１５に示すように、メッキ用電極６の中央部と直に接続し且つ該メッキ用電極６に最近接する位置３６から、当該メッキ用電極６から最も離れた位置３７に向かって、厚みがテーパ状（漸次的）３８に厚くなるように形成されている。左右の耳辺５で隣接するメッキ用電極６，６間においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置３７に向かってテーパ状（漸次的）３８に厚くなっている。尚、上記メッキ用タイバー３５の厚みは、上記位置３６，３７間において、カーブ状（漸次的）、あるいは階段状（段階状）に変化する形態としても良い。
一方、左右の上記メッキ用タイバー３５の上・下端の位置３７，３７間を接続する上下の各接続用タイバー３９は、幅および厚みが一定であるか、あるいは前記同様に厚みのみが漸次的または段階的に変化している。
【００２６】
図１３，図１４に示すように、前記セラミック層ｓ１，ｓ２間には、耳部５の内周側と製品領域Ｐａの最外側に沿って配列された複数の配線基板ｐの外隅、あるいは、製品領域Ｐａ内で隣接する４個の配線基板ｐの各隅部に跨って形成された平面視がほぼ正方形の配線部（導体部分）３０と、該配線部３０，３０間を水平に接続する平面視がクランク形状の連絡配線３２と、外周側の配線部３０と前記メッキ用タイバー３５とを接続する接続配線３４とが形成されている。
上記配線部３０ごとの中心部には、前記セラミック層ｓ１，ｓ２を厚み方向に貫通するスルーホールｈが位置しており、該スルーホールｈの内壁面に沿ってほぼ円筒形のスルーホール導体２９が形成されている。該スルーホール導体２９を介して、各配線部３０と前記表面導体２６とが導通可能されている。図１３に示すように、セラミック層ｓ２側の裏面３には、前記表面導体２６と同様な複数の裏面導体２８が配線基板ｐごとの四隅部に形成され、上記スルーホール導体２９を介して、各配線部３０および表面導体２６と個別に導通可能されている。
【００２７】
即ち、追って切断予定面ｃｆに沿って個片化した際の配線基板ｐごとのセラミック層ｓ１，ｓ２間には、四隅付近に電気的に独立した４個の配線部が配設され、該配線部は、配線基板ｐごとの四隅の外側面に露出する凹溝導体を介して、表面２側のパッドや裏面３側の裏面導体（接続端子）と導通される。
尚、前記メッキ用電極６、配線部３０、連絡配線３２、接続配線３４、表面導体２６、メッキ用タイバー３５、接続用タイバー３９、裏面導体２８、スルーホール導体２９は、例えば、主にＷあるいはＭｏからなる。
また、前記メッキ用タイバー３５は、追って前記セラミック層ｓ２となるグリーンシートの表面に、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストを、複数回に渉って印刷した後、常法により積層・焼成することで、容易に形成されたものである。
【００２８】
以上のような多数個取り配線基板１ｃによれば、セラミック層ｓ１，ｓ２間の耳部５において、左右一対の耳辺５に対向して形成された一対のメッキ用タイバー３５の厚みは、前記一対のメッキ用電極６に近接する位置３６から該メッキ用電極６から最も離れた位置３７に向かって、テーパ状（漸次的）３８、あるいは段階状に厚くなっている。その結果、メッキ用電極６の比較的近くに位置する製品領域Ｐａの外周側の配線基板ｐと、メッキ用電極６から比較的離れた製品領域Ｐａの中央側に位置する配線基板ｐとの間においも、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が小さくされている。従って、メッキ用電極６、メッキ用タイバー３５、接続配線３４、および連絡配線３２を介したメッキ電流が、製品領域Ｐａのどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板ｐごとの表・裏面導体２６，２８の表面に、Ｎｉメッキ被膜やＡｕメッキ被膜を近似した厚みで被覆した多数個取り配線基板１ｃとされている。
【００２９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、絶縁層は、前記アルミナ以外の高温焼成セラミック、あるいは低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック、更には、エポキシなどの樹脂からなるものとしても良い。このうち、ガラス−セラミックやエポキシ系樹脂を用いた場合、前記メッキ用電極６、導体枠８、メッキ用タイバー１５，３５、配線部３０などの導体は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｕ合金、あるいはＡｇ合金が適用される。
また、前記メッキ用電極６は、耳部５の同じ耳辺５に１個のみを設けたり、あるいは３個以上を併設した形態としても良い。
更に、前記メッキ用電極６は、耳部５における四辺の耳辺５ごとに、１個以上を同数あるいは異なる数にして形成しても良い。かかる形態では、耳部５を構成する四辺の耳辺５ごとに、前記メッキ用タイバー１５，３５が配設される。
また、前記メッキ用タイバー３５は、複数のセラミック層（絶縁層）のうち、最上層のセラミック層の表面あるいは裏面に配設しても良く、前記メッキ用タイバー１５は、複数のセラミック層（絶縁層）の間に配設しても良い。
【００３０】
更に、前記「漸次的」には、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、曲線状に（カーブして）厚くなる形態も含まれる。
また、前記「段階的」には、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、傾斜した複数の斜辺を介して厚みが段階的に順次厚くなる形態も含まれる。
更に、前記多数個取り配線基板１ａ〜１ｃにおいて、製品領域Ｐａと耳部５との境界や、配線基板ｐ，ｐ間の境界に破線で示す仮想の切断予定面ｃｆを配置した形態では、かかる切断予定面ｃｆに沿ってシンター（剪断）加工することで、各配線基板ｐが個片化される。
加えて、前記多数個取り配線基板１ａ〜１ｃにおいて、前記切断予定面ｃｆに替えて、表面２に開口する断面ほぼＶ字形の分割溝を形成したり、表面２と裏面３との双方に断面ほぼＶ字形の分割溝を対称に一対形成しておき、該分割溝に沿って曲げ加工することで、各配線基板ｐを個片化するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
縦横に複数の配線基板が配列された製品領域と、メッキ用電極が外側面に形成された耳部とを併有し、上記製品領域内のどの位置における配線基板でも、その導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を確実に提供することができる。
【符号の説明】
【００３２】
１ａ〜１ｃ………………多数個取り配線基板
５…………………………耳部／耳辺
６…………………………メッキ用電極
８…………………………導体枠（導体部分）
９ｊ，３４………………接続配線
１５，１５ｃ，３５……メッキ用タイバー
１６，３６………………メッキ用電極に近接する位置
１７，３７………………メッキ用電極から離れた位置
３０………………………配線部（導体部分）
Ｐａ………………………製品領域
ｐ…………………………配線基板
ｓ１〜ｓ３………………セラミック層（絶縁層）
１５ｔ，１５ｒ，２３…テーパ状／カーブ状（漸次的）
１５ｓ，２５……………階段状（段階的）
【図１】
0005458029.tif 000002
【図２】
0005458029.tif 000003
【図３】
0005458029.tif 000004
【図４】
0005458029.tif 000005
【図５】
0005458029.tif 000006
【図６】
0005458029.tif 000007
【図７】
0005458029.tif 000008
【図８】
0005458029.tif 000009
【図９】
0005458029.tif 000010
【図１０】
0005458029.tif 000011
【図１１】
0005458029.tif 000012
【図１２】
0005458029.tif 000013
【図１３】
0005458029.tif 000014
【図１４】
0005458029.tif 000015
【図１５】
0005458029.tif 000016