(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動可能であり、光の反射または受光が可能な光照射台と、
前記光照射台上において固定されており、被処理体を保持する保持上面を有する被処理体保持部と、
上方から、前記被処理体にレーザビームを照射することにより、前記被処理体をアニールするレーザ部とを、
備えており、
前記レーザ部は、
前記被処理体の端部から外側へと、オーバランした前記照射を行い、
Ｗ＞Ｌ＋２（ｄ＋Ｈｔａｎθ）、を満たしている、
ここで、
前記Ｗは、
前記光照射台の水平方向の寸法であり、
前記Ｌは、
前記保持上面の前記水平方向の寸法であり、
前記ｄは、
前記レーザ部のオーバラン幅であり、
前記Ｈは、
前記レーザビームの焦点位置から、前記光照射台の上面までの高さであり、
前記θは、
前記レーザビームの広がり角である、
ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項２】
前記被処理体保持部は、
前記光照射台上に存する保持台と、
水平方向において前記保持台の幅よりも広い幅を有し、前記保持台上に存し、前記保持上面を有する保持部と、
から構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザアニール装置。
【請求項３】
前記光照射台の上面部分は、
耐熱材料から成る耐熱板で構成されている、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーザアニール装置。
【請求項４】
前記光照射台の露出している上面部分は、
耐熱材料から成る耐熱板で構成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザアニール装置。
【請求項５】
前記被処理体保持部は、
光透過材から構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザアニール装置。
【請求項６】
前記保持部は、
光透過材から構成されており、
前記保持台は、
金属から構成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザアニール装置。
【請求項７】
駆動可能であり、光の反射または受光が可能な光照射台と、前記光照射台上において固定されており、被処理体を保持する保持上面を有する被処理体保持部と、上方から、前記被処理体にレーザビームを照射することにより、前記被処理体をアニールするレーザ部とを有する、レーザアニール装置によるレーザアニール方法であって、
Ｗ＞Ｒ＋２（ｄ＋Ｈｔａｎθ）、の照射条件により、前記被処理体に前記レーザビームを照射する、
ここで、
前記Ｗは、
前記光照射台の水平方向の寸法であり、
前記Ｒは、
前記被処理体の前記水平方向の寸法であり、
前記ｄは、
前記被処理体の端部から前記水平方向に外側へと、前記レーザビームをオーバランさせるオーバラン幅であり、
前記Ｈは、
前記レーザビームの焦点位置から、前記光照射台の上面までの高さであり、
前記θは、
前記レーザビームの広がり角である、
ことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項８】
前記被処理体保持部は、
前記光照射台上に存する保持台と、
水平方向において前記保持台の幅よりも広い幅を有し、前記保持台上に存し、前記被処理体を保持する前記保持上面を有する保持部と、
から構成されており、
Ｗ１＜Ｒ−２Ｈｔａｎθ、の照射条件をも満たす、前記被処理体に対する前記レーザビームの照射を行う、
ここで、
前記Ｗ１は、
前記保持台の前記水平方向の寸法である、
ことを特徴とする請求項７に記載のレーザアニール方法。
【請求項９】
前記レーザ部は、
平面視において、前記保持上面の表面内に納まるように保持されている、前記被処理体に対して、前記照射を行う、
ことを特徴とする請求項７に記載のレーザアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザアニール装置およびレーザアニール方法に関すものであり、たとえば、不純物が注入された半導体基板の不純物層をレーザを用いて活性化させる場合等に、適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
電力用スイッチングデバイス素子として使用されているＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造方法において、近年、ウエハ内に形成された不純物層を活性化させる手法として、レーザアニールが用いられている。
【０００３】
当該レーザアニールでは、形成される活性化領域の深さ位置に応じて、レーザビームの波長は選択される。また、当該レーザアニールでは、当該ウエハを保持するステージを所望の方向に移動させることにより、当該レーザビームをウエハ面に対して走査させることができる。なお、ウエハの照射位置におけるレーザビーム形状は、たとえば矩形または長楕円である。
【０００４】
ところで、スイッチング特性向上および耐圧特性向上の観点から、ＩＧＢＴにおいて、深いバッファ層を形成することが必要である。当該深さの深いバッファ層を十分に活性化させるためには、当該バッファ層に対して高エネルギー密度のレーザビームを照射することが必要である。なお、高エネルギー密度のレーザビームは、集光レンズによりレーザビームを絞ることにより作成できる。
【０００５】
当該高エネルギー密度のレーザビームをウエハに照射する際、ウエハ全体へのレーザ照射を考慮して、ウエハ外の領域へとレーザビームをオーバランさせる。これにより、ステージの動作制御を高精度に行うことなく、ウエハ全面にレーザビームを照射させることができる。
【０００６】
なお、レーザアニール装置等に関する従来技術として、たとえば、特許文献１，２，３が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１３６２７２号公報
【特許文献２】特開２００４−２５２８１号公報
【特許文献３】特開２００７−３２４５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
たとえば、ＩＧＢＴの作成では、主にシリコンウエハが使用される。また、当該シリコンウエハ内に形成された不純物層を高温加熱で活性化させるために、レーザアニールにおいて、波長が４００〜６００ｎｍであり、高エネルギー密度であるパルスレーザビームが用いられることが、主流である。
【０００９】
当該レーザビームをウエハの上方から照射したとき、平面視において当該ウエハの下方に存する物体は、当該レーザビーム照射による影響をほとんど受けない。これは、ウエハ内をレーザビームが照射されることにより、ウエハのレーザビーム非照射側において、当該レーザビームの強度が十分減衰されるからである。
【００１０】
しかしながら、ウエハをオーバランしたレーザビームは、当該オーバラン領域の下方に存するステージユニットや駆動部に、直接照射される。上記のように、照射されるレーザビームは高エネルギー密度であるため、直接照射されたステージユニットや駆動部には、損傷が生じる。
【００１１】
上記各特許文献に係る技術では、被処理体を保持する保持部と、当該保持部の下に存する受光台との構成が開示されている。しかし、当該各特許文献に係る技術では、オーバランしたレーザビームを受光台で受光しきれず、当該受光仕切れないオーバランしたレーザビームは、駆動部に照射されてしまう。このように、駆動部に、高エネルギーのレーザビームが照射されると、駆動部内の配線にダメージ与えるなどの問題が生じる。
【００１２】
そこで、本発明は、低コストにて、オーバランしたレーザビームによる悪影響を排除することができる、レーザアニール装置、またはレーザアニール方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載のレーザアニール装置は、駆動可能であり、光の反射または受光が可能な光照射台と、前記光照射台上において固定されており、被処理体を保持する保持上面を有する被処理体保持部と、上方から、前記被処理体にレーザビームを照射することにより、前記被処理体をアニールするレーザ部とを、備えており、前記レーザ部は、前記被処理体の端部から外側へと、オーバランした前記照射を行い、Ｗ＞Ｌ＋２（ｄ＋Ｈｔａｎθ）、を満たしている。ここで、前記Ｗは、前記光照射台の水平方向の寸法である。前記Ｌは、前記保持上面の前記水平方向の寸法である。前記ｄは、前記レーザ部のオーバラン幅である。前記Ｈは、前記レーザビームの焦点位置から、前記光照射台の上面までの高さである。前記θは、前記レーザビームの広がり角である。
【００１４】
また、本発明に係る請求項７に記載のレーザアニール方法は、駆動可能であり、光の反射または受光が可能な光照射台と、前記光照射台上において固定されており、被処理体を保持する上面を有する被処理体保持部と、上方から、前記被処理体にレーザビームを照射することにより、前記被処理体をアニールするレーザ部とを有する、レーザアニール装置によるレーザアニール方法であって、Ｗ＞Ｒ＋２（ｄ＋Ｈｔａｎθ）、の照射条件により、前記被処理体に前記レーザビームを照射する。ここで、前記Ｗは、前記光照射台の水平方向の寸法である。前記Ｒは、前記被処理体の前記水平方向の寸法である。前記ｄは、前記被処理体の端部から前記水平方向に外側へと、前記レーザビームをオーバランさせるオーバラン幅である。前記Ｈは、前記レーザビームの焦点位置から、前記光照射台の上面までの高さである。前記θは、前記レーザビームの広がり角である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るレーザアニール装置およびレーザアニール方法では、オーバラン走査されたレーザビームは全て、光照射台の上面において反射または受光される。したがって、オーバランしたレーザビームが、光照射台の下方に存する駆動部等に照射されることを、防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１に係るレーザアニール装置１００の概略構成を示す断面図である。
【図２】被処理体５０に対するレーザビームのオーバラン走査を説明するための平面図である。
【図３】実施の形態２に係るレーザアニール装置１５０の概略構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態３に係るレーザアニール装置２００の概略構成を示す断面図である。
【図５】実施の形態４に係るレーザアニール装置２５０の概略構成を示す断面図である。
【図６】実施の形態４に係るレーザアニール装置３００の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１８】
＜実施の形態１＞
図１に、本発明の実施の形態１に係るレーザアニール装置１００の概略断面図を示す。
【００１９】
図１に示すように、レーザアニール装置１００は、光照射台１、被処理体保持部２およびレーザ部３から構成されている。
【００２０】
所定の厚さを有し、平板状の光照射台１の上面１ａには、被処理体保持部２が固定されている。当該光照射台１は、上方から照射される光（レーザビームＬＢ）を反射または受光を行うことができる。当該光照射台１として、たとえばアルミニウム製のものが適用される。
【００２１】
当該被処理体保持部２は、本実施の形態では例えば、所定の高さの円柱形状を有している。被処理体保持部２として、たとえば石英やガラス製などの、光を透過することのできる光透過材が適用される。また、被処理体保持部２は、レーザ照射加工の対象となる被処理体５０が載置・固定される保持上面２Ｈを有している。
【００２２】
レーザ部３は、ビームホモジナイザ３ａと集光レンズ３ｂとに、構成されている。レーザ部３は、上方から、被処理体保持部２により保持されている被処理体５０に対して、高エネルギーのレーザビームＬＢを照射する。当該照射により、被処理体５０に対して、アニール処理（アニール加工）が施される。ビームホモジナイザ３ａで矩形または長楕円形に造形されたレーザビームＬＢは、集光レンズ３ｂにより、被処理体５０において集光され、照射される。
【００２３】
光照射台１と被処理体保持部２とにより、ステージが構成される。当該ステージには、図示を省略している駆動部が連結されている。当該駆動部は、ステージの下方に存する。当該駆動部により、ステージは、３次元（Ｘ，Ｙ，Ｚ）的に移動する。具体的に、レーザ部３の位置は固定されており、当該レーザ部３に対して相対的に、ステージは３次元的に移動する。
【００２４】
なお、図１において、上下方向をＺ方向とし、左右方向をＸ方向とし、表裏方向をＹ方向とする。
【００２５】
また、被処理体５０として、ＩＧＢＴ等で用いられる、円盤状のシリコンウエハなどが適用される。また、レーザアニール処理により、たとえばシリコンウエハ内に形成された不純物領域を、高エネルギー密度のレーザビーム照射により過熱し、活性化させることができる。また、レーザビーム３は、被処理体５０に対するどのようなアニール処理を施すかに応じて、所望の波長のレーザビームＬＢを出射する。
【００２６】
さらに、レーザアニール処理を被処理体５０に施す場合には、レーザビームＬＢは、被処理体５０から外側に、図１のＸ方向およびＹ方向にオーバランする。つまり、被処理体５０および当該被処理体５０の端部から被処理体非存在側へ、所望の距離だけ、レーザビームＬＢを走査させる。これにより、高精度のステージの駆動制御を行うことなく、被処理体５０全面に対するレーザアニール処理が可能となる。
【００２７】
図２は、レーザビームＬＢのオーバラン走査の様子を示す、平面図である。なお、以下の説明では、被処理体５０は、円盤形状であるとする。
【００２８】
図２に示すように、保持上面２Ｈに保持されている円盤状の被処理体５０に、レーザビームＬＢが走査しており、被処理体５０が存在しない領域においても、レーザビームＬＢがオーバラン走査されている。当該レーザビームＬＢの走査は、固定されたレーザ部３に対してステージ（照射台１および被処理体保持部２）を移動させることにより、実現される。レーザビームＬＢは、円盤状の被処理体５０の外周縁から、外側に、オーバラン幅ｄだけ、オーバランさせられる。
【００２９】
図２に示すように、レーザビームＬＢは、Ｘ軸に平行に図面右方向に走査された後、Ｙ軸方向に少し移動され、Ｘ軸に平行に図面左方向に走査され、その後、再度Ｙ軸方向に少し移動される。当該動作を繰り返すことにより、被処理体５０の全面を対象に、所定の領域のレーザアニール処理が実現される。
【００３０】
当該被処理体５０の径がＲとする。本願発明では、様々な径Ｒを有する被処理体５０のレーザアニール処理が可能であるが、円柱形状の被処理体保持部２の保持上面２Ｈの水平方向（Ｘ，Ｙ方向）の寸法Ｌを超えない、径Ｒｍａｘの被処理体５０が当該レーザアニール処理の対象となる。換言すれば、円柱形状の被処理体保持部２の保持上面の水平方向寸法Ｌは、想定される被処理体５０の最大径Ｒｍａｘより大きくなるように、設計される（寸法Ｌ＞径Ｒｍａｘ）。
【００３１】
さて、本実施の形態に係るレーザアニール装置１００は、式（１）の条件を満たすように設計されている。
【００３２】
Ｗ＞Ｌ＋２（ｄ＋Ｈｔａｎθ）  ・・・（１）
ここで、Ｗは、光照射台１の水平方向（Ｘ、Ｙ方向）の寸法である。また、Ｌは、保持上面２Ｈの当該水平方向の寸法である。また、ｄは、レーザ部３のオーバラン幅である。また、Ｈは、レーザビームＬＢの焦点位置ｆｏから、光照射台１の上面１ａ（つまり、被処理体保持部２の底面）までの高さである。さらに、θは、レーザビームＬＢの広がり角である。
【００３３】
なお、本実施の形態では、平面視において、光照射台１の中心、被処理体保持部２の中心、および被処理体５０の中心は、一致するように、固定・保持されている。また、式（１）の条件を満たすレーザアニール装置１００で処理対象となるのは、径Ｒが寸法Ｌ未満である被処理体５０である。
【００３４】
上記式（１）を満たすように、レーザアニール装置１００を構成する。これにより、径Ｒが寸法Ｌより小さい全ての被処理体５０に対してレーザアニール処理を施す際に、次の効果が奏される。
【００３５】
つまり、オーバラン走査されたレーザビームＬＢは全て、デフォーカス状態にて、光照射台１の上面１ａにおいて反射または受光される。したがって、径Ｒが寸法Ｌより小さい全ての被処理体５０に対してレーザアニール処理が施されたとき、オーバランしたレーザビームＬＢが、光照射台１の下方に存する駆動部等に照射されることを、防止できる。
【００３６】
また、上記のように、被処理体保持部２は、光透過材から構成される。したがって、レーザビームＬＢがオーバランすることにより、露出している被処理体保持部２の保持上面２Ｈに高エネルギーのレーザビームが照射されたとしても、当該照射により被処理体保持部２が加熱損傷を受けることを防止できる。また、当該加熱損傷が防止されることにより、加熱損傷の際に発生する飛散物が被処理体５０に付着することも、当然防止することができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、図１に示すレーザアニール装置１００において、下式（２）に示す照射条件を満たす、レーザビーム照射を行っても良い。
【００３８】
Ｗ＞Ｒ＋２（ｄ＋Ｈｔａｎθ）  ・・・（２）
ここで、Ｗは、光照射台１の水平方向（Ｘ，Ｙ方向）の寸法である。また、Ｒは、被処理体５０の前記水平方向の寸法である。また、ｄは、レーザビームＬＢをオーバランさせるオーバラン幅である。また、Ｈは、レーザビームＬＢの焦点位置ｆｏから、光照射台１の上面１ａ（換言すれば、被処理体保持部２の底面）までの高さである。さらに、θは、レーザビームＬＢの広がり角である。
【００３９】
なお、被処理体５０の径Ｒは、レーザアニール処理毎に変動することもある。したがって、当該径Ｒの変更に伴い、式（２）の照射条件を満たすように、他の値を変更することが必要となり得る。また、本実施の形態では、平面視において、光照射台１の中心、被処理体保持部２の中心、および被処理体５０の中心は、一致するように、固定・保持されている。
【００４０】
上記式（２）の照射条件を満たすレーザビーム照射を行うことにより、径Ｒの被処理体５０に対してレーザアニール処理を施す際に、次の効果が奏される。つまり、オーバラン走査されたレーザビームＬＢは全て、デフォーカス状態にて、光照射台１の上面１ａにおいて反射または受光される。したがって、径Ｒが寸法Ｌより小さい全ての被処理体５０に対してレーザアニール処理が施されたとき、オーバランしたレーザビームＬＢが、光照射台１の下方に存する駆動部等に照射されることを、防止できる。
【００４１】
なお、上記式（２）の照射条件を満たすレーザビーム照射では、被処理体５０の径Ｒは、最大でも、円柱状の被処理保持部２の水平方向の幅Ｌより小さいものであることが、望まれる。つまり、レーザ部３は、平面視において、保持上面２Ｈの表面内に納まるように保持されている、被処理体５０に対して照射を行う。
【００４２】
これにより、ステージの交換・調整作業を行う事無く、径の異なる被処理体５０を被処理保持部２の保持上面２Ｈにおいて、水平保持することができる。
【００４３】
なお、上記の通り、本実施の形態では、レーザビームＬＢをオーバラン走査させている。したがって、被処理体５０の全面を対象にレーザアニール処理施す際に、ステージの移動を高精度に制御する必要がない。よって、レーザアニール装置１００のコストダウンを図ることができる。
【００４４】
＜実施の形態２＞
図３に、本発明の実施の形態２に係るレーザアニール装置１５０の概略断面図を示す。
【００４５】
図１と図３との比較から分かるように、本実施の形態に係るレーザアニール装置１５０では、高耐熱板１０が、光照射台１と被処理体保持部２との間に配設されている。具体的に、本実施の形態では、光照射台１の上面部分は、所定の厚さの高耐熱板１０により構成されている。当該高耐熱板１０は、アルミナやセラミックスなどの高耐熱材料から構成されている。
【００４６】
なお、レーザアニール装置１５０の上記高耐熱板１０以外の構成は、レーザアニール装置１００と同じである。
【００４７】
上記のように、本実施の形態に係るレーザアニール装置１５０では、光照射台１の上面部分は高耐熱板１０で構成されている。
【００４８】
したがって、光照射台１のみからなる受光体よりも、上面が高耐熱板１０で構成されている光照射台１からなる受光体の方が、耐熱性が向上する。したがって、レーザビームＬＢの焦点位置ｆｏから被処理体保持部２の底面まで（換言すれば、高耐熱板１０の上面まで）の高さＨを小さく設定できる。当該高さＨの削減により、図１の構成と比較して、図３の構成では、式（１）、（２）を満たす範囲で寸法Ｗも小さくできる。このように、高さＨを小さくなるので、図１の構成と比較して、被処理体保持部２の厚さも薄くでき、光照射体１の幅Ｗも小さくできる。よって、レーザアニール装置１５０の製造コストを、レーザアニール装置１００の製造コストよりも、削減することができる。
【００４９】
＜実施の形態３＞
図４に、本発明の実施の形態３に係るレーザアニール装置２００の概略断面図を示す。
【００５０】
図４に示すように、本実施の形態に係るレーザアニール装置２００では、被処理体保持部２は、保持部２Ａと保持台２Ｂとから構成されている。
【００５１】
保持台２Ｂは、たとえば円柱形状を有し、光照射台１上に固定される。当該保持台２Ｂとして、たとえばアルミニウムなどの金属材料が適用できる。
【００５２】
また、保持部２Ａは、たとえば円盤形状であり、保持台２Ｂの上面に固定されている。また、保持部２Ａの水平方向（Ｘ，Ｙ方向）の幅Ｌは、保持台２Ｂの当該水平方向の幅Ｗ１よりも広い。また、保持台２Ｂには、被処理体５０を載置・固定する保持上面２Ｈを有する。当該保持部２Ｂとして、たとえば石英やガラスなどの光透過材を適用できる。
【００５３】
さて、本実施の形態に係るレーザアニール装置２００は、式（３）の条件を満たすように設計されている。
【００５４】
Ｗ１＜Ｒｍｉｎ−２Ｈｔａｎθ  ・・・（３）
ここで、Ｗ１は、保持台２Ｂの水平方向の寸法である。また、Ｒｍｉｎは、被処理体５０の前記水平方向の寸法であり、当該装置２００で処理されることが想定される被処理体５０の最低径である。保持部２Ａ（保持上面２Ｈ）の当該水平方向の寸法である。また、Ｈは、レーザビームＬＢの焦点位置ｆｏから、光照射台１の上面１ａ（つまり、保持台２Ｂの底面）までの高さである。さらに、θは、レーザビームＬＢの広がり角である。
【００５５】
なお、本実施の形態では、平面視において、光照射台１の中心、保持台２Ｂの中心、保持部２Ａの中心、および被処理体５０の中心は、一致するように、固定・保持されている。また、式（３）の条件を満たすレーザアニール装置２００で処理対象となるのは、径Ｒが、寸法Ｌ未満、上記Ｒｍｉｎ以上である被処理体５０である。
【００５６】
上記被処理体保持部２以外の構成は、レーザアニール装置２００とレーザアニール装置１００とで、同じである。
【００５７】
上記式（３）を満たすように、レーザアニール装置２００を構成する。これにより、径Ｒが寸法Ｌより小さく、Ｒｍｉｎ以上である、全ての被処理体５０に対してレーザアニール処理を施す際に、次の効果が奏される。
【００５８】
つまり、オーバラン走査されたレーザビームＬＢが、保持台２Ｂの側面部に照射されることを防止できる。したがって、保持台２Ｂとして光透過性材料を採用する必要がなくなり、より安価で加工しやすい金属材料を採用できる。さらに、保持台２Ｂの存在により、保持部２Ａの厚さを薄くできる。これにより、保持部２Ａのコスト削減を図ることができる。つまり、レーザアニール装置１００よりも、レーザアニール装置２００の方が、製造コストを抑えることができる。
【００５９】
また、本実施の形態では、図４に示すレーザアニール装置２００において、下式（４）に示す照射条件を満たす、レーザビーム照射を行っても良い。
【００６０】
Ｗ１＜Ｒ−２Ｈｔａｎθ  ・・・（４）
ここで、Ｗ１は、保持台２Ｂの水平方向（Ｘ，Ｙ方向）の寸法である。また、Ｒは、被処理体５０の前記水平方向の寸法である。また、Ｈは、レーザビームＬＢの焦点位置ｆｏから、光照射台１の上面１ａ（換言すれば、保持台２Ｂの底面）までの高さである。さらに、θは、レーザビームＬＢの広がり角である。
【００６１】
なお、被処理体５０の径Ｒは、レーザアニール処理毎に変動することもある。したがって、当該径Ｒの変更に伴い、式（４）の照射条件を満たすように、他の値を変更することが必要となり得る。また、本実施の形態では、平面視において、光照射台１の中心、保持台２Ｂの中心、保持部２Ａの中心、および被処理体５０の中心は、一致するように、固定・保持されている。
【００６２】
上記式（４）の照射条件を満たすレーザビーム照射を行うことにより、径Ｒの被処理体５０に対してレーザアニール処理を施す際に、次の効果が奏される。つまり、オーバラン走査されたレーザビームＬＢが、保持台２Ｂの側面に照射されることを防止できる。したがって、保持台２Ｂとして光透過性材料を採用する必要がなくなり、より安価で加工しやすい金属材料を採用できる。さらに、保持台２Ｂの存在により、保持部２Ａの厚さを薄くできる。これにより、保持部２Ａのコスト削減を図ることができる。つまり、レーザアニール装置１００よりも、レーザアニール装置２００の方が、製造コストを抑えることができる。
【００６３】
なお、上記式（４）の照射条件を満たすレーザビーム照射では、被処理体５０の径Ｒは、最大でも、円盤状の保持部２Ａの水平方向の幅Ｌより小さいものであることが、望まれる。つまり、レーザ部３は、平面視において、保持上面２Ｈの表面内に納まるように保持されている、被処理体５０に対して照射を行う。
【００６４】
これにより、ステージの交換・調整作業を行う事無く、径の異なる被処理体５０を被処理保持部２の保持上面２Ｈにおいて、水平保持することができる。
【００６５】
なお、上記の通り、本実施の形態では、レーザビームＬＢをオーバラン走査させている。したがって、被処理体５０の全面を対象にレーザアニール処理施す際に、ステージの移動を高精度に制御する必要がない。よって、レーザアニール装置２００のコストダウンを図ることができる。
【００６６】
＜実施の形態４＞
図５に、本発明の実施の形態４に係るレーザアニール装置２５０の概略断面図を示す。
【００６７】
図４と図５との比較から分かるように、本実施の形態に係るレーザアニール装置２５０では、高耐熱板２０が、光照射台１と保持台２Ｂとの間に配設されている。具体的に、光照射台１の上面部分は、所定の厚さの高耐熱板２０で構成されている。当該高耐熱板２０は、アルミナやセラミックスなどの高耐熱材料から構成されている。
【００６８】
なお、レーザアニール装置２５０の上記高耐熱板２０以外の構成は、レーザアニール装置２００と同じである。
【００６９】
上記のように、本実施の形態に係るレーザアニール装置２５０では、光照射台１の上面部分が高耐熱板２０により構成されている。
【００７０】
したがって、光照射台１のみからなる受光体よりも、と光照射台１の上面部分が高耐熱板２０で構成されている受光体の方が、耐熱性が向上する。したがって、レーザビームＬＢの焦点位置ｆｏから保持台２Ｂの底面まで（換言すれば、高耐熱板２０の上面まで）の高さＨを小さく設定できる。当該高さＨの削減により、図４の構成と比較して、図５の構成では、式（３）、（４）を満たす範囲で寸法Ｗも小さくできる。このように、高さＨを小さくなるので、図４の構成と比較して、保持台２Ｂの厚さも薄くでき、光照射体１の幅Ｗも小さくできる。よって、レーザアニール装置２５０の製造コストを、レーザアニール装置２００の製造コストよりも、削減することができる。
【００７１】
なお、図５の構成（つまり、光照射台１の上面全面に渡って、高耐熱板２０が形成されている構成）と異なり、図６の構成を採用しても良い。図６に示すレーザアニール装置３００では、光照射台１の上面において、保持台２Ｂと接触していない露出領域のみに、イ所定の厚さの高耐熱板２０が形成されている。
【００７２】
当該図６の構成を採用することにより、図５に示す構成と比較して、高耐熱板２０を削減できる。
【符号の説明】
【００７３】
１  光照射台、２  被処理体保持部、２Ａ  保持部、２Ｂ  保持台、２Ｈ  保持上面、３  レーザ部、３ａ  ビームホモジナイザ、３ｂ  集光レンズ、１０，２０  高耐熱板、５０  被処理体、１００，１５０，２００，２５０，３００  レーザアニール装置、ＬＢ  レーザビーム、ｆｏ  焦点位置、Ｗ  光照射台の水平方向の寸法、Ｌ  保持上面（被処理体保持部または保持部）の水平方向の寸法、ｄ  オーバラン幅、Ｈ  焦点位置から光照射台の上面までの高さ、θ  レーザビームの広がり角、Ｗ１  保持台の水平方向の寸法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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