(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定用フランジ（１１）と、自由端及び固定用フランジ（１１）と連結された接続端を有する少なくとも一つの支持輪郭部（１２）とを備えた支持機器（１）、並びにこの支持機器（１）に支持輪郭部（１２）に対して平行に取り付けられた、自由端（２１）及び接続端（２２）を有する少なくとも一つのスパッタリング用マグネトロン（２）を配備したスパッタリング成膜装置であって、この接続端（２２）が、固定用フランジ（１１）のスパッタリング用マグネトロン（２）と逆側に配置された供給機器（２３）と連結されているスパッタリング成膜装置において、
この支持輪郭部（１２）が、固定用フランジ（１１）の第一の吸引開口部（１５）に繋がっており、第一の吸引開口部（１５）には、固定用フランジ（１１）の支持輪郭部（１２）と逆側に真空ポンプ（４）が配置されているスパッタリング成膜装置。
【請求項２】
支持輪郭部（１２）が、少なくとも一つの壁面破断部（１６）を有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項３】
支持輪郭部（１２）が、均等な間隔を開けた壁面破断部（１６）の少なくとも一つの直線的な配列を有することを特徴とする請求項２に記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項４】
支持輪郭部（１２）が、その自由端に、スパッタリング用マグネトロン（２）の自由端（２１）と連結された補強機器（１４）を備えていることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一つに記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項５】
支持機器（１）には、少なくとも一つのアノード（１７）が、スパッタリング用マグネトロン（２）に対して平行に配置されていることを特徴とする請求項１から４までのいずれか一つに記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項６】
支持機器（１）には、少なくとも二つのスパッタリング用マグネトロン（２）が、互いに平行に、かつ支持輪郭部（１２）に対して平行に配置されていることを特徴とする請求項１から５までのいずれか一つに記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項７】
平面内に配置された二つの隣接するスパッタリング用マグネトロン（２）の間に、その平面に対して垂直な方向を向いたブラインド（１９）が配置されていることを特徴とする請求項６に記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項８】
当該のブラインド（１９）が、少なくとも一つのアノード（１７）と電気を通すように接続されていることを特徴とする請求項７に記載のスパッタリング成膜装置。
【請求項９】
基板処理機器を備えた、チェンバー壁（５）により境界を画定されている真空化可能な少なくとも一つのプロセスチャンバーを有する真空成膜設備において、
この基板処理機器が、固定用フランジ（１１）をチェンバー壁（５）の固定用開口部と固定している請求項１から５までのいずれか一つに記載の少なくとも一つのスパッタリング成膜装置を備えていることを特徴とする真空成膜設備。
【請求項１０】
当該の固定用開口部と逆側のチェンバー壁（５）には、第二の吸引開口部（３１）が配置されており、その第二の吸引開口部（３１）には、プロセスチャンバーの外に、真空ポンプ（４）が配置されるとともに、支持輪郭部（１２）の自由端が第二の吸引開口部（３１）の方向に向けられていることを特徴とする請求項９に記載の真空成膜設備。
【請求項１１】
支持輪郭部（１２）の自由端が、プロセスチャンバーの外で第二の吸引開口部（３１）と連結することが可能であることを特徴とする請求項１０に記載の真空成膜設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念に基づくスパッタリング成膜装置及び請求項９の上位概念に基づく真空成膜設備に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のスパッタリング成膜装置は、通常成膜材料から成るターゲットと、ターゲットに対する磁界を発生させるマグネット機器を備えた一つ以上のスパッタリング用マグネトロンとを備えている。このマグネットシステムは、ターゲットの剥離させる表面に渡ってプラズマを集束させて、そのターゲットの剥離させる表面上のイオン発生確率を増大させ、それによりスパッタ率を向上させている。この場合、マグネット機器は、通常ターゲットの剥離させる表面と逆側に配置されている、即ち、マグネット機器が発生した磁界がターゲットを貫通する。
【０００３】
全体がターゲット材料から構成されるか、或いはターゲットプレート上にターゲット材料を取り付けたプレーナ形ターゲット、即ち、平坦なターゲットが知られている。そのターゲットの裏側には、マグネット機器が静止形態又は可動形態で配置されており、マグネット機器の動きが、ターゲットの剥離させる表面全体に渡ってのターゲット材料の均一な剥離を実現する役割を果たしている。
【０００４】
更に、ターゲットがチューブ形状であり、ターゲットチューブの全体をターゲット材料から構成するか、或いはターゲット支持チューブの外側表面にターゲット材料を取り付けたチューブ形マグネトロンが知られている。そのようなマグネトロンでは、マグネット機器がターゲットチューブの内部に取り付けられている。その場合、マグネット機器を静止形態又は可動形態で配置することができる。同様に、ターゲットチューブを静止形態又は可動形態で、大抵は回転可能な形態で配置することができ、ターゲットチューブとマグネット機器の間の相対運動が、プレーナ形マグネトロンと同様に、ターゲットの剥離させる表面全体に渡ってのターゲット材料の均一な剥離を実現する役割を果たしている。
【０００５】
これらのスパッタリング用マグネトロンは、真空成膜設備のプロセスチャンバー内に配置されている。成膜する基板は、スパッタリング用マグネトロンの近傍に配置されるか、或いはスパッタリング用マグネトロンを通過するように動かされて、その結果、ターゲットから剥離したターゲット材料が基板の表面に蒸着することができ、それによって、使用する一つ以上のターゲット材料に応じて異なる層又は層体系を作り出すことができる。
【０００６】
プロセスチャンバー内にスパッタリング用マグネトロンを設置するために、様々な形態の支持機器が使用されている。それは、最も簡単な固定手段とすることができる。それ以外の場合、特に、チューブ形マグネトロンでは、所謂エンドブロックが使用されており、その場合、チューブ形ターゲットの両端の一方だけが、そのような一つのエンドブロックで支持されている（所謂カンチレバー構成）か、或いは両端の各々が一つのエンドブロックで支持されている。チューブ形マグネトロンのこれらの支持機器、例えば、エンドブロックは、大抵スパッタリング用マグネトロンに電圧及び／又は冷却剤を供給する手段、ターゲットを駆動する手段及びマグネット機器の中の一つ以上を備えている。これらの支持機器は、スパッタリング用マグネトロンと共にプロセスチャンバーの内部又はプロセスチャンバーの外側に配置することができ、後者の場合、支持機器は、例えば、プロセスチャンバーのチェンバー壁に固定する、例えば、フランジにより固定することができる。
【０００７】
そのような真空成膜設備では、高い品質の成膜結果を保証するために、スパッタリング用マグネトロンの周囲を非常に低い残留圧力にまで真空化して、その低い残留圧力を成膜方法の間維持することが特に重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−１２６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、スパッタリング用マグネトロンの周囲の持続的な真空化を効果的に、かつ低い設備負担で実現可能とするスパッタリング成膜装置を提示することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下において、本課題を解決するために、支持機器が、カンチレバー構成によりスパッタリング用マグネトロンを支持する機能の外に、それと同時にスパッタリング用マグネトロンの周囲の効果的に持続される真空化を可能とするスパッタリング成膜装置及び真空成膜設備の実施形態を提案し、説明する。ここで提案するスパッタリング成膜装置は、プレーナ形マグネトロンとチューブ形マグネトロンに対して同様に機能し、同じ支持機器に互いに平行に配置された複数のスパッタリング用マグネトロンに対しても同様に機能する。
【００１１】
先ずは、固定用フランジと、自由端及び固定用フランジと連結された接続端を有する少なくとも一つの支持輪郭部とを備えた支持機器、並びにこの支持機器に支持輪郭部に対して平行に取り付けられた、自由端と接続端を有する少なくとも一つのスパッタリング用マグネトロンを配備したスパッタリング成膜装置であって、この接続端が、固定用フランジのスパッタリング用マグネトロンと逆側に配置された供給機器と連結され、この支持輪郭部が固定用フランジの第一の吸引開口部に繋がっており、第一の吸引開口部には、固定用フランジのスパッタリング用マグネトロンと逆側に真空ポンプが配置されているスパッタリング成膜装置を提案する。
【００１２】
従って、本発明の基本的な考えは、カンチレバー構成による一つ以上のスパッタリング用マグネトロンを備えたスパッタリング成膜装置において、固定用フランジの支持輪郭部が固定された領域に第一の吸引開口部を配備することである。このような第一の吸引開口部によって、真空ポンプを固定用フランジに直接取り付けることが可能となり、その結果、一つ以上のスパッタリング用マグネトロンの領域を成膜方法の間持続して効果的に真空化することができる。この場合、支持輪郭部は、真空ポンプの効果的な機能形態のためのフロー誘導部材を構成する。
【００１３】
この固定用フランジは、スパッタリング用マグネトロンに電気エネルギー及び／又は冷却剤を供給できる供給機器を取り付ける機能を同時に果たす。更に、この供給機器は、ターゲット及び／又はマグネット機器を動かす役割を果たすことができる。そのために、この供給機器は、例えば、チューブ形ターゲットを回転駆動するための電気モーター及び伝動機器を備えることができる。ここで提案するスパッタリング成膜装置では、プレーナ形マグネトロンもチューブ形マグネトロンも使用することができ、支持機器には、単一のスパッタリング用マグネトロンを配備するか、或いは二つ以上のスパッタリング用マグネトロンを配置することができる。この場合、支持輪郭部は、様々な形態で構成することができる。例えば、支持輪郭部は、Ｕ字形の輪郭とするか、さもなければ閉じたチューブとして構成することができる。
【００１４】
一つの実施形態では、支持輪郭部が少なくとも一つの壁面破断部を有するものと規定する。
【００１５】
この実施形態は、特に、閉じた中空輪郭部を提供する。閉じた中空輪郭部、例えば、長方形の中空輪郭部又は横断面が円環形状のチューブは、重量と強度の特に良好な比率関係を有する。そのような閉じた中空輪郭部を使用した場合、その輪郭部は、先ずは、スパッタリング用マグネトロンの自由端の領域を真空化する役割を果たすことができる。
【００１６】
更に、ここで提案した、支持輪郭部が少なくとも一つの壁面破断部を有する実施形態では、支持輪郭部の周囲における壁面破断部の領域を真空化することが可能である。この場合、壁面破断部とは、閉じた中空輪郭部の壁面における任意形態の破断部であると理解する。そのような壁面破断部は、例えば、貫通孔とすることができる。それに代わって、より大きな壁面破断部は、例えば、フライス加工によって作り出すことができる。
【００１７】
この場合、更に、支持輪郭部が、均等な間隔を開けた壁面破断部の少なくとも一つの直線的な配列を有するものと規定できる。
【００１８】
そのような実施形態によって、スパッタリング用マグネトロンの周囲における自由端から接続端までの全長に渡っての効果的な真空化が実現できる。それと同時に、一つ以上のスパッタリング用マグネトロンの周囲に、並びに確かにその縦方向の拡がり全体に渡って、非常に均等なプロセスガス分布と非常に均一な圧力状況が実現される。この場合、支持輪郭部は、又もやフロー誘導部材として作用する。壁面破断部の直線的な配列を備えた閉じた支持輪郭部は、開いた支持輪郭部と比べて、重量と強度、特に、曲げ強度との有利な比率関係を有する。
【００１９】
更に別の実施形態では、支持輪郭部は、その自由端にスパッタリング用マグネトロンの自由端と連結された補強機器を有するものと規定する。
【００２０】
スパッタリング成膜装置が一つ以上のプレーナ形マグネトロンを備えている場合、それらは、支持機器の支持輪郭部と直接的に、或いは支持台又はその同等物により間接的に固く連結することができる。それに対して、スパッタリング成膜装置が一つ以上のチューブ形マグネトロンを備えている場合、チューブ形ターゲットの回転可能形態を維持するためには、チューブ形ターゲットと支持機器の支持輪郭部の間の固い連結を回避することが必須となる。
【００２１】
しかし、特に、長いチューブ形ターゲットでは、自重を受け止めるとともに、自重により起こる変形を防止するために、ターゲットを支持機器で支えることが有効である。それは、スパッタリング用マグネトロンの自由端と連結可能な補強機器を支持輪郭部の自由端に配置することによって実現できる。そのような補強機器は、例えば、滑り軸受け又は転がり軸受けとして実現することができ、特に、高い温度の下で進行するプロセスでは、滑り軸受けが有利である。
【００２２】
更に別の実施形態では、支持機器において、少なくとも一つのアノードをスパッタリング用マグネトロンに対して平行に配置するものと規定する。
【００２３】
そのためには、スパッタリング用マグネトロンの自由端から接続端までの全長に渡って延びる棒形状のアノードが好適である。これらのアノードには、固定用フランジから電気を供給することができる。複数の平行なスパッタリング用マグネトロンがスパッタリング成膜装置に配置されている場合、二つの隣接するターゲットの間に、それぞれアノードを配置することができる。
【００２４】
更に別の実施形態では、支持機器において、少なくとも二つのスパッタリング用マグネトロンが互いに平行に、かつ支持輪郭部に対して平行に配置されるものと規定する。
【００２５】
それによって、一つの同じ支持機器に、そのため、単一の構成に対して、複数の被膜源を明らかに小さい設備負担で同時に配置することが可能となり、それによって、同じターゲット材料を使用する場合に、明らかに向上されたスパッタ率を実現できるか、或いは異なるターゲット材料を使用する場合に、混合層又は層体系を作り出すことができる。
【００２６】
更に、それによって、二つの平行に配置されたマグネトロンは、両方のマグネトロンを逆の交流電圧で動作させるデュアル・マグネトロン・スパッタリングモードで動作させることが可能となり、その結果、各マグネトロンが交互にカソード及びアノードとなり、常に両方のマグネトロンの中の一方がアノードとなる一方、他方のマグネトロンがカソードとなる。それによって、特に、非導電層の蒸着反応では、マグネトロンの自浄効果が実現される。
【００２７】
更に別の実施形態では、平面内に配置された二つの隣接するスパッタリング用マグネトロンの間に、その平面に対して垂直な方向を向いたブラインドを配置するものと規定する。
【００２８】
特に、異なるターゲット材料を有する二つ以上のスパッタリング用マグネトロンが配備されている場合には、二つの隣接するスパッタリング用マグネトロンの間にブラインドを配置することによって、異なるターゲット材料の混合が防止される。
【００２９】
更に別の実施形態では、ブラインドが少なくとも一つのアノードと電気を通すように接続されるものと規定する。
【００３０】
それによって、ブラインド自体がアノードとして作用することを実現している。
【００３１】
更に、本課題を解決するために、基板処理機器を備えた、チェンバー壁によって境界を画定された真空化可能な少なくとも一つのプロセスチェンバーを有する真空成膜設備であって、この基板処理機器が、固定用フランジがチェンバー壁の固定開口部に固定されている前述した形態の少なくとも一つのスパッタリング成膜装置を有する真空成膜設備を提案する。
【００３２】
例えば、前述した複数のスパッタリング成膜装置の固定用フランジの各々をチェンバー壁に固定して、スパッタリング成膜装置のスパッタリング用マグネトロンが、プロセスチェンバー内に配置された回転可能に軸支された冷却ローラの表面に対して小さい間隔を開けて配置される、即ち、複数のスパッタリング成膜装置が冷却ローラの外殻面に渡って分散配置されるように配置することができる。
【００３３】
そのような構成は、特に、帯形状の基板、例えば、プラスチック箔又は金属ベルトをアンコイラに準備しておき、冷却ローラとスパッタリング成膜装置のスパッタリング用マグネトロンの間の隙間を通して冷却ローラの周りに通過させて、その際に成膜した後、コイラに巻き取るバンド成膜設備に適している。この場合、コイラとアンコイラは、プロセスチェンバー、共通のコイラ用チェンバー又は二つの別個のコイラ用チェンバー内に配置することができ、この又はこれらのコイラ用チェンバーは、コイラ用チェンバーからプロセスチェンバーに、或いはプロセスチェンバーからコイラ用チェンバーに基板を搬送できるように、プロセスチェンバーと連絡する形で繋がっている。そのために、プロセスチェンバー内に、或いはコイラ用チェンバーが存在すれば、コイラ用チェンバー内に、帯形状の基板をアンコイラから冷却ローラに、並びに冷却ローラからコイラに誘導するための方向転換ローラを配置することができる。
【００３４】
この場合、スパッタリング成膜装置が支持機器の固定用フランジにより固定されているチェンバー壁は、例えば、プロセスチェンバーから取り外して、平行にスライドさせることが可能な所謂チェンバードアとして実現することができ、その結果、スパッタリング成膜装置を保守のためにプロセスチェンバーから取り出すことができる。
【００３５】
前述した形態のバンド成膜設備では、チェンバードアを平行にスライドさせることによって、スパッタリング用マグネトロンを冷却ローラと接触させること無く、スパッタリング成膜装置を保守のためにプロセスチェンバーから取り出すことが可能である。冷却ローラは、プロセスチェンバー内において、スライド可能なチェンバードアと逆側のチェンバー壁に固定されて、その回転軸が、スパッタリング成膜装置を固定したスライド可能なチェンバー壁に対して直角の方向を向くように、そのため、チェンバー壁のスライド方向に対して平行な方向を向くように配置されている。スパッタリング成膜装置をプロセスチェンバーから取り出すために、チェンバー壁をスライドさせた場合、冷却ローラは、プロセスチェンバー内に留まる、即ち、スパッタリング成膜装置だけが取り出されて、その結果、その装置は保守のために良好にアクセス可能となる。
【００３６】
一つの実施形態では、固定用開口部と逆側のチェンバー壁に第二の吸引開口部を配置し、その第二の吸引開口部におけるプロセスチェンバーの外に真空ポンプを配置するとともに、支持輪郭部の自由端を第二の吸引開口部の方向に向けるものと規定する。
【００３７】
このようにして、第一の真空ポンプと逆側に配置された第二の真空ポンプによって、吸引作用が高められる。スパッタリング成膜装置が、例えば、前述した通り、スライド可能なチェンバードアに固定されている場合、プロセスチェンバーを閉じると、支持輪郭部の自由端が第二の吸引開口部の近傍に移動する。それによって、この第二の真空ポンプも一つ以上のスパッタリング用マグネトロンの周囲の真空化に寄与する。ここで提案したスパッタリング成膜装置が一つ又は複数のスパッタリング用マグネトロンのカンチレバー構成を有する場合、第二の吸引開口部又はそこのチェンバー壁に物理的に接触させること無く、支持輪郭部の自由端を非接触形態で第二の吸引開口部の方向に向けるだけで充分である。
【００３８】
更に別の実施形態では、支持輪郭部の自由端がプロセスチェンバー内で第二の吸引開口部と連結可能であるものと規定する。
【００３９】
それによって、一方では、一つ以上のスパッタリング用マグネトロンの重量をそれと逆側のチェンバー壁でも部分的に支えるとともに、他方では、第二の真空ポンプの吸引作用を改善することが可能となる。
【００４０】
以下において、実施例と添付図面に基づき本発明を詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】ここで提案した形態のスパッタリング成膜装置の支持機器の斜視図
【図２】スパッタリング成膜装置全体の斜視図
【図３】図２のスパッタリング成膜装置の別の斜視図
【図４】二つのスパッタリング用マグネトロンを備え、それらの間にブラインドを配置したスパッタリング成膜装置の横断面図
【図５】調整可能なジョイント部を備えたスパッタリング成膜装置の縦断面図
【発明を実施するための形態】
【００４２】
図１には、先ずは、ここで提案したスパッタリング成膜装置の実施例の支持機器１だけを図示している。この支持機器１は、固定用フランジ１１を有し、そのフランジには、支持輪郭部１２が配置されている。この支持輪郭部１２は、実施例では、全長に渡って壁面破断部の直線的な配列を有するチューブとして実現されている。支持輪郭部１２の、この配列と逆側には、同様の壁面破断部１６の直線的な配列が配置されている。壁面破断部１６の両方の直線的な配列によって、スパッタリング用マグネトロン２の縦方向の延び全体に渡っての非常に均一なプロセスガスの分布と非常に均等な圧力状況が実現されている。
【００４３】
支持輪郭部１２の上側には、実施例では、（図示されていない）アノード１７を固定する役割を果たす三つの支持台１３が配置されている。固定用フランジ１１には、そのフランジと平行に、ターゲット材料の剥離と発生させたターゲット材料の蒸気の基板表面への蒸着とが行なわれるプロセス空間の境界を画定する役割を果たすブラインド１８が配置されている。
【００４４】
支持輪郭部１２は、固定用フランジ１１における（ここでは図示されていない）真空ポンプ４を取り付けることが可能な第一の吸引開口部１５に繋がっている。この第一の吸引開口部１５の上には、固定用フランジ１１とブラインド１８の両方において、それぞれ二つの別の開口部が配置されており、それらの開口部は、（ここでは図示されていない）二つのスパッタリング用マグネトロン２のチューブ形ターゲットを貫通させる役割を果たしている。
【００４５】
図２と３には、スパッタリング成膜装置全体の二つの異なる斜視図が図示されている。それらから明らかな通り、支持輪郭部１２の自由端に配置された支持台１３の上には、滑り軸受けの形の二つの補強機器１４が配置されている。これらの補強機器１４内には、ここでは、チューブ形マグネトロンとして実現された二つのスパッタリング用マグネトロン２の自由端２１が配置されている。
【００４６】
二つのスパッタリング用マグネトロン２の逆側の接続端２２は、ブラインド１８及び固定用フランジ１１の開口部を通って延びている。固定用フランジ１１の逆側には、スパッタリング用マグネトロン２に一方では電気エネルギーを供給し、他方では冷却媒体を供給すると同時に、スパッタリング用マグネトロン２を回転駆動する役割を果たす二つの供給機器２３が配置されている。
【００４７】
二つのスパッタリング用マグネトロン２の下には、それらに対して側方にずらした形で、複数のアノード１７が支持台１３の上に固定されている。必要に応じて、これらのアノード１７には、（ここでは図示されていない）ブラインド１９を垂直に配置して、そのブラインドが二つのスパッタリング用マグネトロン２の間を延びるようにすることができ、その結果、二つのスパッタリング用マグネトロン２によって生成された蒸気の雲が互いに分離される。
【００４８】
図４には、そのようなブラインド１９が二つのスパッタリング用マグネトロン２の間に配置されたスパッタリング成膜装置の横断面が図示されている。これらのスパッタリング用マグネトロン２は、図１〜３の実施例と同様に、支持機器の支持輪郭部１２の上に配置されている。二つのスパッタリング用マグネトロン２の各々の左側と右側には、それぞれ一つの棒形状のアノード１７が配置されている。それによって、二つのスパッタリング用マグネトロン２の間には、二つのアノード１７が配置されている。このブラインド１９は、反転したＴ字形状の横断面を有し、互いに直角に連結された二枚の薄板から構成されている。それに代わって、薄板の代わりに、非導電性のプレート材料を使用することもできる。ここで図示した実施例では、ブラインド１９の反転したＴ字形状の輪郭部は、スパッタリング用マグネトロン２の間に配置された二つのアノード１７と電気を通すように接続されている。
【００４９】
特に、図２から分かる通り、第一の吸引開口部１５には、第一の真空ポンプ４がフランジにより連結されている。図２と図３の両方では、支持機器１と、二つのスパッタリング用マグネトロン２の自由端に対向して、（ここでは図示されていない）真空成膜設備のプロセスチェンバーのチェンバー壁と固定されたポンプ用フランジ３とが配置されている。このポンプ用フランジ３は、プロセスチェンバーの外で第二の真空ポンプ４と固定された第二の吸引開口部３１を有する。
【００５０】
支持輪郭部１２の自由端とポンプ用フランジ３の間は、物理的に連結されていない。しかし、支持輪郭部１２の自由端は、正確にポンプ用フランジ３の第二の吸引開口部と整合しており、その結果、第二の真空ポンプ４は、第一の真空ポンプ４の吸引作用を増強している。
【００５１】
図５による実施例では、支持機器１の支持輪郭部１２は、真空成膜設備のチェンバー壁５に固定された固定用フランジ１１の近傍に、調整可能なジョイント部２０を有し、そのジョイント部は、それと逆側のチェンバー壁５のポンプ用フランジ３内の第二の吸引開口部３１の方向に支持輪郭部１２を向ける役割を果たす。この実施例では、調整可能なジョイント部２０は、それぞれ互いに接する球面の接触面を有する二つのフランジを備えている。それによって、支持輪郭部１２を如何なる方向に向けることも可能となり、その結果、支持輪郭部１２の自由端を正確に第二の吸引開口部３１の方向を向ける最適な調整を行なうことができる。その位置は、好適な固定手段、例えば、ここでは図示されていない捻子、クリップ止め金又はその同等物により固定することができる。
【００５２】
当業者には、前述した基本的な考えから逸脱すること無く、固定用フランジ１１に対する角度に関して支持輪郭部を調整可能とする形態を実現するために、ここで図示されている実施形態以外のジョイント部２０の具体的な実施形態が実現可能であることを自ずから分かっている。
【符号の説明】
【００５３】
１    支持機器
１１  固定用フランジ
１２  支持輪郭部
１３  支持台
１４  補強機器
１５  第一の吸引開口部
１６  壁面破断部
１７  アノード
１８  ブラインド
１９  ブラインド
２０  調整可能なジョイント部
２    スパッタリング用マグネトロン
２１  自由端
２２  接続端
２３  供給機器
３    ポンプ用フランジ
３１  第二の吸引開口部
４    真空ポンプ
５    チェンバー壁
【要約】
【課題】
本発明は、固定用フランジと、自由端及び固定用フランジと連結された接続端を有する少なくとも一つの支持輪郭部とを備えた支持機器、並びにこの支持機器に支持輪郭部に対して平行に取り付けられた、自由端及び接続端を有する少なくとも一つのスパッタリング用マグネトロンを配備したスパッタリング成膜装置であって、この接続端が、固定用フランジのスパッタリング用マグネトロンと逆側に配置された供給機器と連結されているスパッタリング成膜装置に関する。
【解決手段】この支持輪郭部は、固定用フランジの第一の吸引開口部に繋がっており、第一の吸引開口部には、固定用フランジの支持輪郭部と逆側に真空ポンプが配置されている。
【選択図】図２【図１】
0005467173.tif 000002
【図２】
0005467173.tif 000003
【図３】
0005467173.tif 000004
【図４】
0005467173.tif 000005
【図５】
0005467173.tif 000006