(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とするキャビティ内に電子部品が実装される配線基板の製造方法：
（ａ）支持基板上に、第１配線パターンとキャビティパターンとを形成する工程；
（ｂ）前記第１配線パターンおよび前記キャビティパターンを覆うように前記支持基板上に絶縁樹脂層を形成する工程；
（ｃ）前記絶縁樹脂層上に第２配線パターンを形成する工程；
（ｄ）前記支持基板を取り除き、前記第１配線パターンと、前記キャビティパターンと、前記絶縁樹脂層と、前記第２配線パターンと、を備える分離基板を形成する工程；
（ｅ）前記キャビティパターンをエッチングで除去して、前記分離基板に前記キャビティを形成する工程。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程では、
前記第１配線パターンより前記キャビティパターンを厚くする場合に、前記キャビティパターン上に前記キャビティパターンと同じ材質のめっきを施し、
前記第１配線パターンより前記キャビティパターンを薄くする場合に、前記キャビティパターンの一部をエッチングすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程後、前記（ｂ）工程前に、
前記キャビティパターン上に前記キャビティパターンとエッチング選択比の異なる材質のめっきを施すことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記絶縁樹脂層の厚さ方向で前記キャビティパターンと重なる前記第２配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００６−１９４４１号公報（以下、「特許文献１」という。）には、電子部品を内蔵するためのキャビティを基板に形成する技術が記載されている。この特許文献１に記載の技術によれば、コア基板上に積層されたビルドアップ層（絶縁層）の一部をレーザ加工、エッチング、ルータ加工などで除去することで、キャビティを形成することができる（特に、その請求項１、明細書段落［００４９］〜［００５３］参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
軽薄短小化および高性能化される電子製品の分野では、電子部品が実装される配線基板に対しては薄型化を要求の一つとしている。この点、コア基板を備えていない配線基板である、いわゆるコアレス基板が有効であると考えられている。
【０００５】
ところで、配線基板には、種々の電子部品（例えば、半導体チップ、コンデンサ、抵抗、水晶発振子など）が実装されるが、それらの大きさは互いに異なる場合が多い。このため、例えば、比較的背の高い（厚みが厚い）電子部品と、比較的背の低い（厚みが薄い）電子部品とが基板の同じ部品実装面上に実装されたとすると、電子製品の高さ（厚み）が、背の高い電子部品に規制され、製品全体として高くなり、薄型化への要求に応えることができなくなってしまう。
【０００６】
そこで、例えば、基板の部品実装面にキャビティ（凹部）を形成し、比較的背の高い電子部品をそのキャビティ内に実装（収納）し、比較的背の低い電子部品を基板の部品実装面上に実装することで、製品の薄型化を図ることができる。
【０００７】
基板にキャビティを形成するにあたり、特許文献１に記載の技術を用いることができると考えられる。特許文献１に記載の技術を用いる場合、基板を構成する樹脂よりなる絶縁層にレーザ加工でキャビティを形成する上で、その深さを制御するために銅よりなるストッパ層を形成する必要がある。このストッパ層は配線の形成（パターニング）とともに同じ層で形成されるものであり、言い換えると、ストッパ層を形成するには、配線層を形成する必要がある。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、ストッパ層（配線層）上に形成された絶縁層の厚みがキャビティの深さに起因するため、絶縁層の厚みよりも薄い、すなわち深さが浅いキャビティを形成することができない。また、所定深さのキャビティを形成するのであれば、あえてそのキャビティ底部の位置にストッパ層、すなわち配線層を形成することも考えられるが、例えば、コアレス基板のような薄型化されて配線層数の少ない基板には採用することができない。
【０００９】
本発明の目的は、配線基板に寸法精度の高いキャビティを形成することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明の一実施形態におけるキャビティ内に電子部品が実装される配線基板の製造方法は以下の工程を含む。（ａ）支持基板上に、第１配線パターンとキャビティパターンとを形成する工程；（ｂ）前記第１配線パターンおよび前記キャビティパターンを覆うように前記支持基板上に絶縁樹脂層を形成する工程；（ｃ）前記絶縁樹脂層上に第２配線パターンを形成する工程；（ｄ）前記支持基板を取り除き、前記第１配線パターンと、前記キャビティパターンと、前記絶縁樹脂層と、前記第２配線パターンと、を備える分離基板を形成する工程；（ｅ）前記キャビティパターンをエッチングで除去して、前記分離基板に前記キャビティを形成する工程。
【００１２】
このように、キャビティパターンをエッチングで除去した絶縁樹脂層の箇所がキャビティとなるため、配線基板に寸法精度の高いキャビティを形成することができる。
【００１３】
また、前記一実施形態における配線基板の製造方法において、前記（ａ）工程では、前記第１配線パターンより前記キャビティパターンを厚くする場合に、前記キャビティパターン上に前記キャビティパターンと同じ材質のめっきを施し、前記第１配線パターンより前記キャビティパターンを薄くする場合に、前記キャビティパターンの一部をエッチングすることが好ましい。
【００１４】
これによれば、所定深さのキャビティを形成することができる。すなわち、キャビティに収納（実装）される電子部品の大きさによってキャビティの大きさを調整することができる。
【００１５】
また、前記一実施形態における配線基板の製造方法において、前記（ａ）工程後、前記（ｂ）工程前に、前記キャビティパターン上に前記キャビティパターンとエッチング選択比の異なる材質のめっきを施すことが好ましい。
【００１６】
これによれば、キャビティ底部にめっき膜を形成することができ、キャビティ内に電子部品を実装する際にめっき膜に電子部品を固定することができる。
【００１７】
また、前記一実施形態における配線基板の製造方法において、前記（ｃ）工程では、前記絶縁樹脂層の厚さ方向で前記キャビティパターンと重なる前記第２配線パターンを形成することが好ましい。
【００１８】
これによれば、配線基板（絶縁樹脂層）の厚み方向において、キャビティと第２配線パターンとが重なって設けられ、キャビティ底部側の絶縁樹脂層で亀裂などのダメージが発生するのを防止することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば次のとおりである。本発明の一実施形態によれば、配線基板に寸法精度の高いキャビティを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態１における製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図２】図１に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図３】図２に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図４】図３に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図５】図４に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図６】図５に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図７】図６に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図８】図７に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図９】図８に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１０】図９に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１１】図１０に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１２】本発明の実施形態１における電子製品の要部断面を模式的に示す図である。
【図１３】本発明の実施形態２における製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１４】図１３に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１５】図１４に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１６】本発明の実施形態３における製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１７】図１６に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１８】図１７に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図１９】本発明の実施形態４における製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図２０】図１９に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【図２１】図２０に続く製造工程中の配線基板の要部断面を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の本発明における実施形態では、必要な場合に複数のセクションなどに分けて説明するが、原則、それらはお互いに無関係ではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細などの関係にある。このため、全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
また、構成要素の数（個数、数値、量、範囲などを含む）については、特に明示した場合や原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。また、構成要素などの形状に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。
【００２３】
（実施形態１）
本発明の実施形態１では、配線層が２層構造の配線基板の製造方法について図１〜図１１を参照して説明する。なお、本実施形態における製造方法は、いわゆるコア基板を備えていない配線基板（「コアレス基板」という。）を製造するものである。
【００２４】
まず、図１に示すように、プリプレグ１０と、金属箔２１およびキャリア２２を有するキャリア付金属箔２０、２０とを準備する。また、絶縁樹脂層３０、３０と、金属箔３１、３１とを準備する（図４参照）。なお、本実施形態では、プリプレグ１０の厚みを４０〜１００μｍ程度とし、金属箔２１の厚みを８〜１２μｍ程度とし、キャリア２２の厚みを１２μｍ程度とし、絶縁樹脂層３０の厚みを２０μｍ程度とし、金属箔３１の厚みを１２μｍ程度として説明する。
【００２５】
プリプレグ１０は、基材１１（図１などにおいて破線で示す。）とこれを内包する熱硬化性樹脂１２とを有して構成されるものであり、準備段階においてはＢステージ（半硬化）状態のものである。基材１１としては、例えば、ガラス繊維布を用いることができるが、他の材質、形状であってもよい。基材１１としてガラス繊維布を用いた場合には、これに熱硬化性樹脂１２を含浸させてプリプレグ１０が構成される。また、熱硬化性樹脂１２としては、耐熱性、耐薬品性、電気特性（絶縁性）に優れたものであり、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂などを用いることができる。
【００２６】
キャリア付金属箔２０は、キャリア２２上に剥離層（図示せず）を介して金属箔２１が形成されたものである。金属箔２１、キャリア２２としては、例えば、銅箔やニッケル箔などを用いることができる。
【００２７】
絶縁樹脂層３０は、熱硬化性樹脂を有して構成されるものであり、準備段階においてはＢステージ（半硬化）状態のものである。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂などを用いることができる。また、金属箔３１としては、例えば、銅箔やニッケル箔などを用いることができる。
【００２８】
絶縁樹脂層３０は、配線基板の層間絶縁層を構成するものであるため、配線層よりも厚くなるように構成されている。絶縁樹脂層３０には、プリプレグ１０を構成する同じ基材（例えば、ガラス繊維布）が内包されていてもよいし（すなわち、プリプレグとなる。）、内包されていなくともよい。ガラス繊維布を内包する絶縁樹脂層３０を用いた場合、配線基板やその製造過程中の基板の反りを防止することができる。また、ガラス繊維布を内包しない絶縁樹脂層３０を用いた場合、ガラス繊維布を内包したものに対してガラス繊維布の厚み分だけ配線基板がより薄型化される。
【００２９】
また、絶縁樹脂層３０を構成する熱硬化性樹脂には、プリプレグ１０を構成する同じもの（例えば、エポキシ樹脂）であってもよいし、別のもの（例えば、フェノール樹脂）であってもよい。プリプレグ１０を構成する熱硬化性樹脂と、絶縁樹脂層３０を構成する熱硬化性樹脂とが同じ材料である場合、別の材料である場合より製造過程中の基板の反りを防止することができると考えられる。
【００３０】
続いて、図１、２に示すように、プリプレグ１０の上面および下面のそれぞれに、キャリア２２をプリプレグ１０側に向けたキャリア付金属箔２０を重ねる（レイアップ）。次いで、プリプレグ１０を完全に硬化させるように、プリプレグ１０、キャリア付金属箔２０、２０を両面側（金属箔２１、２１側）から挟んで一括して加熱・加圧（積層プレス）し、この状態を所定時間保持する。加熱温度は、例えば、１７５℃程度であり、圧力は、例えば、２．５ＭＰａ程度である。これにより、金属箔２１、２１の２層を含んで構成される支持基板１０１が形成される。
【００３１】
続いて、図３に示すように、支持基板１０１上に、配線パターンＰ１とキャビティパターンＣＰとを有する導体層Ｍ１を形成する。
【００３２】
具体的には、まず、支持基板１０１（図２参照）の上面側において、金属箔２１の表面にレジスト（図示せず）をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターンを形成する。また、支持基板１０１（図２参照）の下面側において、金属箔２１の表面にレジスト（図示せず）をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターンを形成する。
【００３３】
このようにして形成されたレジストパターンからは、配線パターンＰ１およびキャビティパターンＣＰが形成される箇所において銅箔２１が露出している。次いで、金属箔２１をめっき給電層とし、このめっき給電層を用いた電解銅めっきによって配線パターンＰ１とキャビティパターンＣＰとを有する導体層Ｍ１を支持基板１０１の上面側および下面側に形成する。その後、レジストパターンを除去する。なお、本実施形態では、配線パターンＰ１とキャビティパターンＣＰとは、同層（導体層Ｍ１）であり、厚みが同じものである。
【００３４】
続いて、図４、５に示すように、配線パターンＰ１およびキャビティパターンＣＰを覆うように支持基板１０１上に絶縁樹脂層３０、金属箔３１を形成する。
【００３５】
具体的には、まず、プリプレグ１０の上面側において、絶縁樹脂層３０と金属箔３１とをこの順で重ねる（レイアップ）。また、プリプレグ１０の下面側において、絶縁樹脂層３０と金属箔３１とをこの順で重ねる（レイアップ）。次いで、絶縁樹脂層３０を完全に硬化させるように、支持基板１０１、絶縁樹脂層３０、３０、金属箔３１、３１を両面側から挟んで一括して加熱・加圧（積層プレス）し、この状態を所定時間保持する。加熱温度は、例えば、１７５℃程度であり、圧力は、例えば、２．５ＭＰａ程度である。これにより、金属箔２１、２１、３１、３１の４層を含んで構成される仮基板１０２が形成される。
【００３６】
続いて、図５に示すように、金属箔３１をパターニングしてコンフォーマルマスクを形成する。
【００３７】
具体的には、まず、仮基板１０２の上面側において、金属箔３１の表面にレジスト（図示せず）をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストマスクを形成した後、エッチング液により金属箔３１の一部をエッチングして、金属箔３１をパターニングする。また、仮基板１０２の下面側においても同様にして、金属箔３１をパターニングする。その後、レジストマスクを除去する。
【００３８】
続いて、図５に示すように、仮基板１０２の上面側から金属箔２１に達してその一部を露出するビアホール４０を形成する。また、仮基板１０２の下面側から金属箔２１に達してその一部を露出するビアホール４０を形成する。
【００３９】
具体的には、まず、仮基板１０２の上面側において、パターニングされた金属箔３１をコンフォーマルマスクとしてレーザ（例えば、炭酸ガスレーザ）を照射し、絶縁樹脂層３０に金属箔２１に達するビアホール４０を形成する。また、仮基板１０２の下面側においても同様にして、パターニングされた金属箔３１をコンフォーマルマスクにしてレーザ（例えば、炭酸ガスレーザ）を照射し、絶縁樹脂層３０に金属箔２１に達するビアホール４０を形成する。その後、コンフォーマルマスク（金属箔３１、３１）を除去する。
【００４０】
続いて、図６に示すように、絶縁樹脂層３０上に配線パターンＰ２を有する導体層Ｍ２を形成する。
【００４１】
具体的には、まず、ビアホール４０、４０の内面を含む仮基板１０２の全表面に、無電解銅めっきによってめっき給電層（図示せず）を形成する。次いで、仮基板１０２の上面側および下面側のそれぞれにおいて、めっき給電層の表面にレジスト（図示せず）をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターンを形成する。このレジストパターンからは、配線パターンＰ２が形成される箇所においてめっき給電層が露出している。
【００４２】
次いで、このめっき給電層を用いた電解銅めっき（ビアフィル銅めっき）によって配線パターンＰ１と電気的に接続される配線パターンＰ２を有する導体層Ｍ２を仮基板１０２の両面側に形成する。この際、ビアホール４０内では電解銅めっきが充填され、配線パターンＰ１と配線パターンＰ２とを電気的に接続するビア４１が形成される。その後、レジストマスクを除去する。
【００４３】
続いて、図７に示すように、支持基板１０１を取り除き、配線パターンＰ１と、キャビティパターンＣＰと、絶縁樹脂層３０と、配線パターンＰ２と、を備える分離基板１０３を形成する。
【００４４】
具体的には、まず、仮基板１０２の上面側および下面側のそれぞれにおいて、金属箔２１とキャリア２２とを分離（剥離）する。これにより、導体層Ｍ１、Ｍ２の２層と、それらを電気的に分離する層間絶縁層である絶縁樹脂層３０とを含んで構成される分離基板１０３が２枚形成される。２枚の分離基板１０３は、同じものとなるように形成されるため、以降の工程は、１枚の分離基板１０３について説明する。
【００４５】
続いて、図８に示すように、分離基板１０３から金属箔２１をエッチングによって除去する。
【００４６】
具体的には、金属箔２１が銅箔の場合、塩化第二銅溶液などのエッチング液により金属箔２１をエッチングする。この際、電解銅めっきから構成される配線パターンＰ１は、エッチング液により僅かにエッチングされてしまうが、問題ない程度である。また、銅箔２１がニッケル箔の場合、硝酸と過酸化水素水を含むエッチング液により金属箔２１をエッチングする。この際、電解銅めっきから構成される配線パターンＰ１は、ニッケルとエッチング比が異なるため、エッチングされるのが防止される。
【００４７】
続いて、図９に示すように、分離基板１０３の上面側において、配線パターンＰ１の一部を露出する開口部と、キャビティパターンＣＰの全部を露出する開口部とを有するソルダレジスト５０を形成する。また、分離基板１０３の下面側において、配線パターンＰ２の一部を露出する開口部を有するソルダレジスト５１を形成する。
【００４８】
続いて、図１０、図１１に示すように、分離基板１０３からキャビティパターンＣＰをエッチングで除去して、絶縁樹脂層３０にキャビティＣを形成する。
【００４９】
具体的には、まず、分離基板１０３の上面側および下面側のそれぞれにおいて、レジスト５２、５３をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターンを形成する。このようにして形成されたレジストパターン（レジスト５２）からは、ソルダレジスト５０の開口部を介してキャビティパターンＣＰが露出している。次いで、キャビティパターンＣＰが電解銅めっきから構成されているため、塩化第二銅溶液などのエッチング液によりキャビティパターンＣＰをエッチングする。その後、レジスト５２、５３を除去する。
【００５０】
これにより、絶縁樹脂層３０に形成されたキャビティＣを備えた配線基板１００が略完成する。キャビティパターンＣＰをエッチングで除去した絶縁樹脂層３０の箇所がキャビティＣとなるため、配線基板１００に寸法精度の高いキャビティＣを形成することができる。このキャビティＣの底部では絶縁樹脂層３０が露出しており、配線基板１００の厚み方向においてキャビティＣと導体層Ｍ２との間に絶縁樹脂層３０が存在していることとなる。また、配線基板１００（絶縁樹脂層３０）の厚み方向において、キャビティＣの底部（底面）の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置と同じにある。
【００５１】
また、本実施形態では、配線基板１００（絶縁樹脂層３０）の厚み方向において、キャビティＣと配線パターンＰ２（図１１では、配線パターンＰ２’と示す。）とが重なるように設けられている。基板厚み方向においてキャビティＣと配線パターンＰ２とが重ならないような構成とすることもできるが、重なる構成とすることで、キャビティＣ底部側の絶縁樹脂層３０で亀裂などのダメージが発生するのを防止することができる。したがって、配線基板１００の製造歩留まりが低下するのを防止することができる。また、配線基板１００の信頼性を向上することができる。
【００５２】
続いて、配線基板１００を備えた電子製品２００の製造方法について図１２を参照して説明する。図１２に示すように、キャビティＣ内に、例えば接着剤を介して電子部品２０１を収納（実装）する。次いで、電子部品２０１から配線パターンＰ１から構成される接続パッドに対してボンディングワイヤ２０２を接続する。
【００５３】
これにより、配線基板１００に実装された電子部品２０１を備えた電子製品２００が略完成する。この配線基板１００の上面（部品実装面）には、電子部品２０１の他に図示しない他の電子部品も実装される。例えば、電子部品２０１が他の電子部品よりも比較的背の高いものの場合、電子部品２０１をそのキャビティＣ内に実装（収納）し、他の電子部品を配線基板１００の部品実装面上に実装することで、電子製品の薄型化を図ることができる。
【００５４】
（実施形態２）
前記実施形態１では、配線基板１００の厚み方向において、キャビティＣの底面の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置と同じである場合について説明した（図１１参照）。これに対して、本発明の実施形態２では、キャビティＣ１の底面の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置よりも部品実装面から深くなる場合の、配線基板１００Ａの製造方法について図１３〜図１５を参照して説明する。以下では、前記実施形態１と相違する事項を中心に説明する。
【００５５】
前記実施形態１で図３を参照して説明した工程の後、図１３に示すように、キャビティパターンＣＰ上にキャビティパターンＣＰと同じ材質の銅めっきを施し、めっき膜６０を形成する。これにより、配線パターンＰ１よりめっき膜６０分だけキャビティパターンＣＰが厚くなるとみなすことができる。
【００５６】
具体的には、まず、支持基板１０１の上面側および下面側のそれぞれにおいて、導電層Ｍ１を覆うように金属箔２１上にレジスト５４をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターン５４を形成する。このようにして形成されたレジストパターン５４からは、キャビティパターンＣＰが露出している。次いで、金属箔２１をめっき給電層とし、このめっき給電層を用いた電解銅めっきによってキャビティパターンＣＰ上にめっき膜６０を支持基板１０１の上面側および下面側に形成する。その後、レジストパターン５４を除去する。
【００５７】
続いて、前記実施形態１で図４〜図８を参照して説明した工程を行うことで、図１４に示すような分離基板１０３Ａを得ることができる。続いて、前記実施形態１で図９〜図１１を参照して説明した工程を行う。この際、キャビティパターンＣＰとめっき膜６０とは同じ材質である銅から構成されているため、塩化第二銅溶液などのエッチング液により、めっき膜６０を含むキャビティパターンＣＰをエッチングし、絶縁樹脂層３０にキャビティＣ１を形成する。
【００５８】
このようにして、図１５に示すように、キャビティＣ１を備えた配線基板１００Ａが略完成する。めっき膜６０を含むキャビティパターンＣＰをエッチングで除去した絶縁樹脂層３０の箇所がキャビティＣ１となるため、配線基板１００Ａに寸法精度の高いキャビティＣ１を形成することができる。このキャビティＣ１の底部では絶縁樹脂層３０が露出しており、配線基板１００Ａの厚み方向においてキャビティＣ１と導体層Ｍ２との間に絶縁樹脂層３０が存在していることとなる。また、配線基板１００Ａ（絶縁樹脂層３０）の厚み方向において、キャビティＣ１の底面の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置よりも部品実装面から深くなる。
【００５９】
本実施形態によれば、所定深さのキャビティＣ１を形成することができる。すなわち、キャビティＣ１に収納（実装）される電子部品２０１（図１２参照）の大きさによってキャビティＣ１の大きさを調整することができる。
【００６０】
（実施形態３）
前記実施形態１では、配線基板１００の厚み方向において、キャビティＣの底面の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置と同じである場合について説明した（図１１参照）。これに対して、本発明の実施形態３では、キャビティＣ１の底面の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置よりも部品実装面から浅くなる場合の、配線基板１００Ｂの製造方法について図１６〜図１８を参照して説明する。以下では、前記実施形態１と相違する事項を中心に説明する。
【００６１】
前記実施形態１で図３を参照して説明した工程の後、図１６に示すように、キャビティパターンＣＰの一部をエッチングする。これにより、配線パターンＰ１よりキャビティパターンＣＰが薄くなる（キャビティパターンＣＰ’と示す。）とみなすことができる。
【００６２】
具体的には、まず、支持基板１０１の上面側および下面側のそれぞれにおいて、導電層Ｍ１を覆うように金属箔２１上にレジスト５４をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターン５４を形成する。このようにして形成されたレジストパターン５４からは、キャビティパターンＣＰが露出している。次いで、電解銅めっきから構成されるキャビティパターンＣＰの一部を塩化第二銅溶液などのエッチング液によりエッチングして、キャビティパターンＣＰ’を形成する。
【００６３】
続いて、前記実施形態１で図４〜図８を参照して説明した工程を行うことで、図１７に示すような分離基板１０３Ｂを得ることができる。続いて、前記実施形態１で図９〜図１１を参照して説明した工程を行う。この際、キャビティパターンＣＰ’は銅から構成されているため、塩化第二銅溶液などのエッチング液により、キャビティパターンＣＰ’をエッチングし、絶縁樹脂層３０にキャビティＣ２を形成する。
【００６４】
このようにして、図１８に示すように、キャビティＣ２を備えた配線基板１００Ｂが略完成する。キャビティパターンＣＰ’をエッチングで除去した絶縁樹脂層３０の箇所がキャビティＣ２となるため、配線基板１００Ｂに寸法精度の高いキャビティＣ２を形成することができる。このキャビティＣ２の底部では絶縁樹脂層３０が露出しており、配線基板１００Ｂの厚み方向においてキャビティＣ２と導体層Ｍ２との間に絶縁樹脂層３０が存在していることとなる。また、配線基板１００Ｂ（絶縁樹脂層３０）の厚み方向において、キャビティＣ２の底面の位置が、配線パターンＰ１とビア４１との境界面の位置よりも部品実装面から浅くなる。
【００６５】
本実施形態によれば、所定深さのキャビティＣ２を形成することができる。すなわち、キャビティＣ２に収納（実装）される電子部品２０１（図１２参照）の大きさによってキャビティＣ２の大きさを調整することができる。
（実施形態４）
前記実施形態１では、配線基板１００の厚み方向において、キャビティＣの底面で絶縁樹脂層３０が露出している場合について説明した（図１１参照）。これに対して、本発明の実施形態４では、キャビティＣの底面でめっき膜６１が露出している場合の、配線基板１００Ｃの製造方法について図１９〜図２１を参照して説明する。以下では、前記実施形態１と相違する事項を中心に説明する。
【００６６】
前記実施形態１で図３を参照して説明した工程の後、図１９に示すように、キャビティパターンＣＰ上にキャビティパターンＣＰとエッチング選択比の異なる材質のニッケルめっきを施し、めっき膜６１を形成する。
【００６７】
具体的には、まず、支持基板１０１の上面側および下面側のそれぞれにおいて、導電層Ｍ１を覆うように金属箔２１上にレジスト５４をラミネートして、これに所定のパターンの露光・現像を行ってレジストパターン５４を形成する。このようにして形成されたレジストパターン５４からは、キャビティパターンＣＰが露出している。次いで、金属箔２１をめっき給電層とし、このめっき給電層を用いた電解銅めっきによってキャビティパターンＣＰ上にめっき膜６１を支持基板１０１の上面側および下面側に形成する。その後、レジストパターン５４を除去する。
【００６８】
続いて、前記実施形態１で図４〜図８を参照して説明した工程を行うことで、図２０に示すような分離基板１０３Ｃを得ることができる。続いて、前記実施形態１で図９〜図１１を参照して説明した工程を行う。この際、キャビティパターンＣＰ（銅）とめっき膜６１（ニッケル）とはエッチング選択比の異なる材質から構成されているため、塩化第二銅溶液などのエッチング液により、キャビティパターンＣＰをエッチングし、絶縁樹脂層３０にキャビティＣを形成しても、めっき膜６１は残存する。
【００６９】
このようにして、図２１に示すように、キャビティＣとその底部で露出するめっき膜６１とを備えた配線基板１００Ｃが略完成する。キャビティパターンＣＰをエッチングで除去した絶縁樹脂層３０の箇所がキャビティＣとなるため、配線基板１００Ｃに寸法精度の高いキャビティＣを形成することができる。このキャビティＣの底部では絶縁樹脂層３０が露出せずに、めっき膜６１が露出することとなる。
【００７０】
本実施形態によれば、キャビティＣの底部にめっき膜６１を形成することができ、キャビティＣ内に電子部品２０１（図１２参照）を実装する際にめっき膜６１に電子部品２０１を固定することができる。
【００７１】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７２】
前記実施形態１〜４では、配線層が２層構造の配線基板に適用した場合について説明した。これに限らず、配線層が３層以上の構造の多層配線基板にも適用することができる。例えば、３層構造の配線基板の製造について説明すると、図６を参照して説明した工程の後、図４〜図６で説明した工程を行い、６層の仮基板を形成する。その後、図７、図８を参照して説明した工程のように支持基板を取り除き、３層の分離基板を２枚形成する。その後、図９〜図１１を参照して説明した工程を行うことで、キャビティを備えた３層の配線基板を得ることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０  プリプレグ
１１  基材
１２  熱硬化性樹脂
２０  キャリア付銅箔
２１  金属箔
２２  キャリア
３０  絶縁樹脂層
３１  金属箔
４０  ビアホール
４１  ビア
５０、５１  ソルダレジスト
５２、５３、５４  レジスト
６０、６１  めっき膜
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ  配線基板
１０１  支持基板
１０２  仮基板
１０３  分離基板
２００  電子製品
２０１  電子部品
２０２  ボンディングワイヤ
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２  キャビティ
ＣＰ、ＣＰ’  キャビティパターン
Ｍ１、Ｍ２  導体層
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ２’  配線パターン
【要約】
【課題】配線基板に寸法精度の高いキャビティを形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】支持基板上に、配線パターンＰ１とキャビティパターンとを形成する。次いで、配線パターンＰ１および前記キャビティパターンを覆うように前記支持基板上に絶縁樹脂層３０を形成する。次いで、絶縁樹脂層３０上に配線パターンＰ２を形成する。次いで、前記支持基板を取り除き、配線パターンＰ１と、前記キャビティパターンと、絶縁樹脂層３０と、配線パターンＰ２と、を備える分離基板１０３を形成する。次いで、前記キャビティパターンをエッチングで除去して、分離基板１０３にキャビティＣを形成する。
【選択図】図１１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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