(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる、固定磁性層を含まずバイアスのかかっていない積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる、固定磁性層を含まずバイアスのかかっていない積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられており、前記第１磁気抵抗効果素子と前記第２磁気抵抗効果素子は直列に接続され、その間から中点電位が取り出されるブリッジ回路を構成し、前記第１磁気抵抗効果素子および前記第２磁気抵抗効果素子ではそれぞれ、前記感度軸方向の外部磁界が作用すると、前記一対のフリー磁性層の磁化方向が前記外部磁界の方向に向き、平行に近づいて抵抗値が低下することを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記第１の方向と前記第２の方向とが直交することを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記磁気センサは、回転中心に対して回転可能である磁束発生源から間隔をおいて配置され、前記回転中心についての回転方向及び半径方向が前記第１の方向及び前記第２の方向であることを特徴とする請求項２記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記間隔が７ｍｍ以上であることを特徴とする請求項３記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記軟磁性膜を構成する材料が、ＣｏＺｒＮｂ、ＮｉＦｅ、Ｃｏ合金、及びＮｉ，Ｆｅを含む合金からなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用した磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）が磁気エンコーダに使用されている（特許文献１）。そして、この磁気エンコーダを応用した流量検知用の磁気センサが開発されている。この磁気センサは、磁束発生源である磁石に所定の間隔をおいて配置され、磁石から発生する磁束が印加されることにより磁気検知する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５１７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような磁気センサは、原理的に磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）が広がると、磁束が発散して磁束密度が小さくなる。その結果、磁気センサに十分な磁束密度が印加されず動作できなくなることが考えられる。一方で、磁束発生源及び磁気センサを収容するユニットには小型化の要求があり、ユニット設計の自由度を向上させるために、磁気センサには、低磁束密度検知、すなわち広いＧａｐでも磁気検知できることが強く求められている。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）が広くても磁気検知することができる、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の磁気センサは、第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる、固定磁性層を含まずバイアスのかかっていない積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる、固定磁性層を含まずバイアスのかかっていない積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられており、前記第１磁気抵抗効果素子と前記第２磁気抵抗効果素子は直列に接続され、その間から中点電位が取り出されるブリッジ回路を構成し、前記第１磁気抵抗効果素子および前記第２磁気抵抗効果素子ではそれぞれ、前記感度軸方向の外部磁界が作用すると、前記一対のフリー磁性層の磁化方向が前記外部磁界の方向に向き、平行に近づいて抵抗値が低下することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、特定の方向の外部磁界に対してはヨーク効果を発揮し、特定の方向と異なる方向の外部磁界に対してはシールド効果を発揮する。これにより、磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）が広くても磁気検知することができる。また、この構成によれば、感度軸方向が異なる磁気検知素子（第１磁気検知素子、第２磁気検知素子）を配置するので、異なる方向の外部磁界が混在する環境において微弱な外部磁界でも個々の感度軸方向の外部磁界を感度良く磁気検知することが可能となる。これにより、複雑な形状の磁束発生源（磁石）の磁気検知を正確に行うことができる。
【０００８】
本発明の磁気センサにおいては、前記第１の方向と前記第２の方向とが直交することが好ましい。
【０００９】
本発明の磁気センサにおいては、回転中心に対して回転可能である磁束発生源から間隔をおいて配置され、前記回転中心についての回転方向及び半径方向が前記第１の方向及び前記第２の方向であることが好ましい。この場合において、前記間隔が７ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１０】
本発明の磁気センサにおいては、前記軟磁性膜を構成する材料が、ＣｏＺｒＮｂ、ＮｉＦｅ、Ｃｏ合金、及びＮｉ，Ｆｅを含む合金からなる群より選ばれたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の磁気センサは、第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられており、ブリッジ回路を構成するので、磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）が広くても磁気検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気センサにおける磁気抵抗効果素子を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る磁気センサと磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）を説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る磁気センサにおける回路を説明するための図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の磁場−抵抗値特性を示す図である。
【図６】本発明の構成を有しない一つの磁気検出素子による磁気検知出力を示す図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサによるθ成分を検知した際の磁気検知出力を示す図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサによるＲ成分を検知した際の磁気検知出力を示す図である。
【図８】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサにおいて、θ成分検知素子とＲ成分検知素子の中点電圧の出力を示す図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサの磁気検知出力を示す図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサについての効果を説明するための図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る磁気センサについての効果を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る磁気センサと磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）を説明するための図である。
【図１１】本発明の構成を有しない一つの磁気検出素子による磁気検知出力を示す図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る磁気センサによるθ成分を検知した際の磁気検知出力を示す図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る磁気センサによるＲ成分を検知した際の磁気検知出力を示す図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る磁気センサにおいて、θ成分検知素子とＲ成分検知素子の中点電圧の出力を示す図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る磁気センサの磁気検知出力を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る磁気センサに用いる磁気抵抗効果素子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。図２は、本発明の実施の形態に係る磁気センサにおける磁気抵抗効果素子を説明するための図である。
【００１４】
図１に示すように、基板１上（同一基板上）には、磁気検出素子である第１素子２と、磁気検出素子である第２素子３とが設けられている。第１素子２は、外部磁界の印加により抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子２１と、平面視において磁気抵抗効果素子２１を挟持するように配置された一対の軟磁性膜２２とから構成されている。また、第２素子３は、外部磁界の印加により抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子３１と、平面視において磁気抵抗効果素子３１を挟持するように配置された一対の軟磁性膜３２とから構成されている。基板１には、通常のプリント配線板に用いられる基板を用いることができる。また、図中の参照符号４は電極パッドを示す。
【００１５】
磁気抵抗効果素子２１，３１は、それぞれ特定の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有している。磁気抵抗効果素子２１は、図１に示す矢印Ｘ方向に感度軸を持つミアンダ形状を有する。すなわち、図２に示すように、磁気抵抗効果素子２１は、略平行して形成された直線部２１ａと、直線部２１ａ同士を連接する連接部２１ｂとを有する。この直線部２１ａの延在方向に対して直交する方向（矢印Ｘ方向）が感度軸方向である。また、磁気抵抗効果素子３１は、図１に示す矢印Ｙ方向に感度軸を持つミアンダ形状を有する。同様に、磁気抵抗効果素子３１は、略平行して形成された直線部と、直線部同士を連接する連接部とを有する。この直線部の延在方向に対して直交する方向（図２における矢印Ｙ方向）が感度軸方向である。なお、図１においては、磁気抵抗効果素子２１の感度軸方向（矢印Ｘ方向）と磁気抵抗効果素子３１の感度軸方向（矢印Ｙ方向）とが直交している。
【００１６】
ここで、本発明者らは、磁気抵抗効果素子２１，３１のパターン幅（Ｄ１）と検知磁界シフト量との間の関係を調べた。その結果、感度軸方向の磁場に対しては、素子パターン幅が相対的に大きいほど感度が良く、比較的小さい磁場でセンサが動作することが分かった。このような観点から、磁気抵抗効果素子の２１，３１の幅（素子パターン幅）は、２μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００１７】
磁気抵抗効果素子２１，３１としては、ＴＭＲ素子（トンネル型磁気抵抗効果素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）などを用いることができる。例えば、ＧＭＲ素子として、それぞれ外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる多層膜積層構造を有するＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を用いることができる。すなわち、図１４に示すように、磁気抵抗効果素子２１，３１は、フリー磁性層／非磁性層／フリー磁性層の積層構造を有する。ここで、非磁性層を構成する材料としては、Ｃｕ、などが挙げられる。また、フリー磁性層を構成する材料としては、Ｎｉ−Ｆｅ合金などの軟磁性材料が挙げられる。なお、磁気抵抗効果素子２１，３１は、フリー磁性層／非磁性層／フリー磁性層の積層構造を少なくとも有していれば良く、他の層が設けられていても良い。また、フリー磁性層の厚さとしては、１ｎｍ〜６ｎｍであることが好ましく、非磁性層の厚さとしては、１．８ｎｍ〜２．６ｎｍであることが好ましい。
【００１８】
ここで使用する磁気抵抗効果素子２１，３１は、装置内のセンサ設置の関係から特定の方向からの磁界を検知する必要がなく、極性も判別する必要がないので、固定磁性層（ピンド層）が不要であり、フリー磁性層／非磁性層／フリー磁性層の積層構造を採用している。このため、製造工程において、加熱下で磁場を印加して固定磁性層（ピンド層）を形成する必要がない。これにより、基板上にフォトリソグラフィ及びエッチングにより磁気抵抗効果素子をパターニングすることができ、製造工程を簡略化することができる。また、フォトリソグラフィでパターニングすることができるので、微細な領域にも磁気抵抗効果素子をパターニングすることができる。
【００１９】
例えば、フリー磁性層や非磁性層を形成する場合、基板上にフリー磁性層材料を被着し、その上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングしてフリー磁性層を形成した後にレジスト層を除去する。
【００２０】
磁気抵抗効果素子２１，３１を挟持するように配置された一対の軟磁性膜２２，３２は、特定の方向の外部磁界を増幅すると共に、特定の方向と異なる方向の外部磁界を減衰させる。すなわち、軟磁性膜２２，３２は、特定の方向の外部磁界に対してはヨーク効果を発揮し、特定の方向と異なる方向（特定の方向と直交する方向）の外部磁界に対してはシールド効果を発揮する。軟磁性膜２２は、感度軸方向（矢印Ｘ方向）の外部磁界を増幅すると共に、感度軸方向に直交する方向（矢印Ｙ方向）の外部磁界をシールドする。一方、軟磁性膜３２は、感度軸方向（矢印Ｙ方向）の外部磁界を増幅すると共に、感度軸方向に直交する方向（矢印Ｘ方向）の外部磁界をシールドする。なお、軟磁性膜を構成する材料が、ＣｏＺｒＮｂ、ＮｉＦｅ、Ｃｏ合金、及びＮｉ，Ｆｅを含む合金からなる群より選ばれたものであることが好ましい。
【００２１】
ここで、本発明者らは、軟磁性膜２２，３２のパターン幅（Ｄ２，Ｄ３）とセンサ検知外部磁束密度（Ｇ）との間の関係を調べた。その結果、軟磁性膜のパターン幅が広くなるほどセンサの検知磁界が小さくなる（センサの高感度化）ことが分かった。このため、センサの高感度化の観点からは、軟磁性膜２２，３２のパターン幅（Ｄ２，Ｄ３）は、５０μｍ〜１５０μｍであることが好ましい。
【００２２】
また、本発明者らは、軟磁性膜２２，３２のパターン幅（Ｄ２，Ｄ３）と磁束密度増幅率との間の関係を調べた。その結果、軟磁性膜のパターン幅が広くなるほど磁束密度の増幅率が高くなることが分かった。このため、磁束密度の増幅率の観点からは、軟磁性膜２２，３２のパターン幅（Ｄ２，Ｄ３）は、５０μｍ以上とし、各磁気検知システムで必要とするセンサ感度に合わせた設定にすることができる。
【００２３】
上記の結果から、センサの高感度化の観点、磁束密度の増幅率の観点を考慮すると、軟磁性膜の幅は５０μｍ以上であることが好ましい。また、軟磁性膜の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。
【００２４】
本発明の磁気センサの個々の磁気検知素子（第１素子２、第２素子３）においては、感度軸方向（第１素子２では矢印Ｘ方向、第２素子３では矢印Ｙ方向）の外部磁界が作用すると、一対のフリー磁性層の磁化方向が外部磁界方向に向く。これにより、両フリー磁性層の磁化方向が平行に近づいて抵抗値が低下する。この抵抗値の変化を出力とすることにより磁気検知することができる。このとき、磁気抵抗効果素子を挟持する一対の軟磁性膜により特定の方向の外部磁界を感度良く検知することができる。すなわち、一対の軟磁性膜が、特定の方向の外部磁界に対してヨーク効果を発揮し、特定の方向と異なる方向（ここでは特定の方向と直交する方向）の外部磁界に対してシールド効果を発揮する。これにより、磁束発生源（磁石）との間の間隔（Ｇａｐ）が広くても磁気検知することができる。
【００２５】
図１に示すように、感度軸方向が直交するように磁気検知素子（第１素子２、第２素子３）を配置することにより、異なる方向の外部磁界が混在する環境において微弱な外部磁界でも個々の感度軸方向の外部磁界を感度良く磁気検知することが可能となる。
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態においては、図３に示すような磁束発生源（磁石）４１の磁気検知について説明する。図３において、磁石４１と磁気センサ４２との間の距離（磁石表面とセンサ中心との間の距離）をＧａｐとする。磁石４１（４極磁極）は、歯車状（断面略十字状）であり、回転軸４１ａを中心に回転する。すなわち、磁気センサ４２は、回転中心（回転軸４１ａ）に対して回転可能である磁石４１からＧａｐをおいて配置される。
【００２７】
また、磁気センサ４２は、図１に示す構成を有しており、磁石４１のそれぞれの先端部が近接した際に磁気を検知するようになっている。すなわち、磁気センサ４２は、回転する磁石４１を回転角９０°毎に磁気検知するようになっている。なお、図１における矢印Ｘ方向が回転中心についての磁石回転方向（θ方向）であり、図１における矢印Ｙ方向が回転中心についての磁石半径方向（Ｒ方向）である。したがって、磁気センサ４２における第１素子２は、θ方向の成分（θ成分）を増幅して、Ｒ方向の成分（Ｒ成分）を減衰させるθ成分検知素子であり、磁気センサ４２における第２素子３は、Ｒ方向の成分（Ｒ成分）を増幅して、θ方向の成分（θ成分）を減衰させるＲ成分検知素子である。
【００２８】
また、磁気センサ４２において、第１素子２と第２素子３とは、図４に示すように電気的に接続されており、ブリッジ回路を構成している。そして、磁気センサ４２の出力は、図４に示すように、Ｒ成分検知素子とθ成分検知素子の中点電位としている。このような回路とすることにより、図３に示す４つの歯を持つ磁石４１に対して回転角９０°毎に磁気検知することができる。
【００２９】
ここでは、図３に示す磁石４１と磁気センサ４２との間の距離をそれぞれ５．１ｍｍ、６．１ｍｍ、７．１ｍｍと変えたときの磁気センサ４２の出力を調べた。なお、磁気センサ４２の磁気抵抗効果素子としては、図５（ａ），（ｂ）に示す特性を持つものを用いた。すなわち、磁気センサ４２の磁気抵抗効果素子は、感度軸方向に直交する方向の磁場−抵抗値の関係が図５（ａ）に示す曲線であり、感度軸方向の磁場−抵抗値の特性曲線が図５（ｂ）に示す曲線である。
【００３０】
図６は、本発明の構成を有しない一つの磁気検知素子で磁石４１の磁気検知をした場合を示す図である。図６から分かるように、Ｒ成分とθ成分とが混在した状態である。このような出力では、特に、Ｇａｐが７．１ｍｍの場合には、４つの歯を正確に磁気検知することは難しい（周期的なパルスとして出力することができない）。
【００３１】
一方、本発明の磁気センサ４２を用いた場合においては、θ成分検知素子である第１素子２のみの出力は図７（ａ）に示すようになる。すなわち、θ成分が増幅され、Ｒ成分が減衰されている。また、Ｒ成分検知素子である第２素子３のみの出力は図７（ｂ）に示すようになる。すなわち、Ｒ成分が増幅され、θ成分が減衰されている。そして、θ成分検知素子とＲ成分検知素子の中点電位は、図８（ａ）に示すようになる。図８（ａ）では、Ｇａｐが５．１ｍｍのものとＧａｐが７．１ｍｍのものを示している。この中点電位をパルス出力とすると、図８（ｂ）に示すようになる。図８（ｂ）から分かるように、Ｇａｐが５．１ｍｍでもＧａｐが７．１ｍｍでも、４つの歯を正確に磁気検知することができた（周期的なパルスとして出力することができた）。
【００３２】
ここで、図３に示す磁石４１と、図１に示す構成の双極１出力である磁気センサ４２とを準備し、両者の間の距離（磁石表面とセンサ中心との間の距離：Ｇａｐ）を５．１ｍｍ、７．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（実施例１）。その結果を図９（ａ）に示す。また、図１に示す構成の双極１出力である磁気センサ４２を用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、７．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（実施例２）。その結果を図９（ａ）に併記する。さらに、図１に示す構成の双極１出力であり、一対の軟磁性膜２２，３２を設けない磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、５．５ｍｍ、６．０ｍｍ、６．１ｍｍ、７．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（比較例１）。その結果を図９（ａ）に併記する。さらに、図１に示す構成の双極１出力であり、一対の軟磁性膜２２，３２を設けない磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、５．５ｍｍ、５．８ｍｍ、６．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（比較例２）。その結果を図９（ａ）に併記する。さらに、図１に示す構成の双極１出力であり、一対の軟磁性膜２２，３２を設けない磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、５．５ｍｍ、６．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（比較例３）。その結果を図９（ａ）に併記する。
【００３３】
図９（ａ）から分かるように、実施例１、実施例２の磁気センサを用いた場合においては、Ｇａｐが７．１ｍｍまで目標デューティ（５０％±２０％）を満足し、磁石４１の磁気検知が可能である（Ｇａｐ依存が軽微）。一方、比較例１〜比較例３の磁気センサを用いた場合においては、Ｇａｐが６．１ｍｍで目標デューティ（５０％±２０％）を満足できなかった（Ｇａｐ依存が大）。
【００３４】
このように、本発明の磁気センサによれば、感度軸方向が異なる磁気検知素子（第１素子２、第２素子３）を配置するので、異なる方向の外部磁界が混在する環境において微弱な外部磁界でも個々の感度軸方向の外部磁界を感度良く磁気検知することが可能となる。これにより、磁石との間のＧａｐが広くても、図３に示すような複雑な形状の磁束発生源（磁石）の磁気検知を正確に行うことができる。
【００３５】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、図１０に示すような磁束発生源（磁石）４３の磁気検知について説明する。図１０において、磁石４３と磁気センサ４２との間の距離（磁石表面とセンサ中心との間の距離）をＧａｐとする。磁石４３（６極磁極）は、６つの突出部４３ａを持つリング状であり、回転軸（破線）を中心に回転する。すなわち、磁気センサ４２は、回転中心（破線）に対して回転可能である磁石４３からＧａｐをおいて配置される。
【００３６】
また、磁気センサ４２は、図１に示す構成を有しており、磁石４３のそれぞれの先端部が近接した際に磁気を検知するようになっている。すなわち、磁気センサ４２は、回転する磁石４３を回転角６０°毎に磁気検知するようになっている。なお、図１における矢印Ｘ方向が回転中心についての磁石回転方向（θ方向）であり、図１における矢印Ｙ方向が回転中心についての磁石半径方向（Ｒ方向）である。したがって、磁気センサ４２における第１素子２は、θ方向の成分（θ成分）を増幅して、Ｒ方向の成分（Ｒ成分）を減衰させるθ成分検知素子であり、磁気センサ４２における第２素子３は、Ｒ方向の成分（Ｒ成分）を増幅して、θ方向の成分（θ成分）を減衰させるＲ成分検知素子である。
【００３７】
また、磁気センサ４２において、第１素子２と第２素子３とは、上記図４に示すように電気的に接続されており、ブリッジ回路を構成している。そして、磁気センサ４２の出力は、図４に示すように、Ｒ成分検知素子とθ成分検知素子の中点電位としている。このような回路とすることにより、図１０に示す６つの歯を持つ磁石４３に対して回転角６０°毎に磁気検知することができる。
【００３８】
ここでは、図１０に示す磁石４３と磁気センサ４２との間の距離をそれぞれ５．１ｍｍ、７．１ｍｍと変えたときの磁気センサ４２の出力を調べた。なお、磁気センサ４２の磁気抵抗効果素子としては、図５（ａ），（ｂ）に示す特性を持つものを用いた。すなわち、磁気センサ４２の磁気抵抗効果素子は、感度軸方向に直交する方向の磁場−抵抗値の関係が図５（ａ）に示す曲線であり、感度軸方向の磁場−抵抗値の特性曲線が図５（ｂ）に示す曲線である。
【００３９】
図１１は、本発明の構成を有しない一つの磁気検知素子で磁石４３の磁気検知をした場合を示す図である。図１１から分かるように、Ｒ成分とθ成分とが混在した状態である。このような出力では、特に、Ｇａｐが７．１ｍｍの場合には、６つの突出部を正確に磁気検知することは難しい（周期的なパルスとして出力することができない）。
【００４０】
一方、本発明の磁気センサ４２を用いた場合においては、θ成分検知素子である第１素子２のみの出力は図１２（ａ）に示すようになる。すなわち、θ成分が増幅され、Ｒ成分が減衰されている。また、Ｒ成分検知素子である第２素子３のみの出力は図１２（ｂ）に示すようになる。すなわち、Ｒ成分が増幅され、θ成分が減衰されている。そして、θ成分検知素子とＲ成分検知素子の中点電位は、図１３（ａ）に示すようになる。この中点電位をパルス出力とすると、図１３（ｂ）に示すようになる。図１３（ｂ）から分かるように、Ｇａｐが５．１ｍｍでもＧａｐが７．１ｍｍでも、６つの突出部を正確に磁気検知することができた（周期的なパルスとして出力することができた）。
【００４１】
ここで、図１０に示す磁石４３と、図１に示す構成の双極１出力である磁気センサ４２とを準備し、両者の間の距離（磁石表面とセンサ中心との間の距離：Ｇａｐ）を５．１ｍｍ、７．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（実施例３）。その結果を図９（ｂ）に示す。また、図１に示す構成の双極１出力である磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、７．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（実施例４）。その結果を図９（ｂ）に併記する。さらに、図１に示す構成の双極１出力であり、一対の軟磁性膜２２，３２を設けない磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、５．５ｍｍ、６．０ｍｍ、７．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（比較例４）。その結果を図９（ｂ）に併記する。さらに、図１に示す構成の双極１出力であり、一対の軟磁性膜２２，３２を設けない磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、５．５ｍｍ、６．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（比較例５）。その結果を図９（ｂ）に併記する。さらに、図１に示す構成の双極１出力であり、一対の軟磁性膜２２，３２を設けない磁気センサを用いて、Ｇａｐを５．１ｍｍ、５．５ｍｍ、６．１ｍｍとしたときのセンサ出力パルスのデューティを調べた（比較例６）。その結果を図９（ｂ）に併記する。
【００４２】
図９（ｂ）から分かるように、実施例３、実施例４の磁気センサを用いた場合においては、Ｇａｐが７．１ｍｍまで目標デューティ（５０％±２０％）を満足し、磁石４１の磁気検知が可能である（Ｇａｐ依存が軽微）。一方、比較例４〜比較例６の磁気センサを用いた場合においては、Ｇａｐが６．１ｍｍで目標デューティ（５０％±２０％）を満足できなかった（Ｇａｐ依存が大）。
【００４３】
このように、本発明の磁気センサによれば、感度軸方向が異なる磁気検知素子（第１素子２、第２素子３）を配置するので、異なる方向の外部磁界が混在する環境において微弱な外部磁界でも個々の感度軸方向の外部磁界を感度良く磁気検知することが可能となる。これにより、磁石との間のＧａｐが広くても、図１０に示すような複雑な形状の磁束発生源（磁石）の磁気検知を正確に行うことができる。
【００４４】
本発明は上記実施の形態１，２に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態１，２における材料、各素子の接続関係、厚さ、大きさ、製法などは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、流量検知用の磁気センサに適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１  基板
２  第１素子
３  第２素子
４  電極パッド
２１，３１  磁気抵抗効果素子
２１ａ  直線部
２１ｂ  連接部
２２，３２  軟磁性膜
４１，４３  磁石
４１ａ  回転軸
４２  磁気センサ
４３ａ  突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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