(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
0005561077.tif 000014
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立して置換基を有してもよい炭素数６〜６０の芳香族基を表し、ｎは２以上の整数を表す。）
で表されるアリールアミンポリマー骨格と一般式（２）
【化２】
0005561077.tif 000015
（式中、Ａｒ３は炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基を表し、Ｒは一般式（１）で表されるアリールアミンポリマー骨格の結合部位を表す。）
で表される少なくとも１種の置換基を有してもよい芳香族ジアミンが繰り返し結合している構造であることを特徴とするアリールアミンデンドリマー状化合物。
【請求項２】
一般式（１）において、Ａｒ１が下記一般式（３）〜（６）のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のアリールアミンデンドリマー状化合物。
【化３】
0005561077.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は各々独立して炭素数１〜１８のアルキル基、または置換基を有してもよいフェニル基を表し、ｍは１〜３の整数を表す。）
【請求項３】
一般式（１）において、Ａｒ２が下記一般式（７）〜（１２）のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載のアリールアミンデンドリマー状化合物。
【化４】
0005561077.tif 000017
（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は各々独立して炭素数１〜１８のアルキル基、または置換基を有してもよいフェニル基を表し、ａは０〜５の整数を表す。）
【請求項４】
一般式（２）記載のＡｒ３が、置換基を有してもよいフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、チエニレン基、ピロリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナンスリレン基、フルオレニレン基、ピレニレン基もしくはＮ−置換カルバゾリレン基のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアリールアミンデンドリマー状化合物。
【請求項５】
重量平均分子量が、ポリスチレン換算で１，０００〜１，０００，０００の範囲であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のアリールアミンデンドリマー状化合物。
【請求項６】
下記一般式（１３）
【化５】
0005561077.tif 000018
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立して置換基を有してもよい炭素数６〜６０の芳香族基、Ｘはハロゲン原子をそれぞれ表し、ｎは２以上の整数を表す。）
で表されるアリールアミンポリマーと一般式（１４）
【化６】
0005561077.tif 000019
（式中、Ａｒ３は炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基を表す。）
で表される少なくとも１種の置換基を有してもよい芳香族ジアミンとを、パラジウム触媒および塩基の存在下に反応させることを特徴とする請求項１に記載のアリールアミンデンドリマー状化合物の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載のアリールアミンデンドリマー状化合物を用いることを特徴とする電子素子。
【請求項８】
電子素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項７に記載の電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なアリールアミンデンドリマー状化合物とその製造方法、およびそれを用いた電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、発光層を主体に、正孔または電子を輸送するキャリア輸送層、陰極および陽極の２つの電極、その他の材料に分けられる。
【０００３】
有機ＥＬ素子の材料としては、前記発光層やキャリア輸送層に種々の低分子系材料や高分子系材料が用いられており、特に低分子系材料においては素子の効率・寿命の面で優れていることから、数多くの材料が提案され、実用化がモバイル用途で始まっている。しかし、低分子系材料からなる有機ＥＬ素子の最大の課題は、その製造コストであり、その解決策として、高分子系材料のような塗布系材料の開発が望まれている。
【０００４】
高分子塗布系材料としては、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）やポリアルキルチオフェン（例えば、特許文献１参照）、ポリフルオレン系の導電性π共役ポリマーが知られている。
【０００５】
また、正孔注入（輸送）材料として、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ポリアリールアミン等が提案されている。ポリアリールアミンとして、側鎖にアリールアミノ基を有する非共役ポリマー（例えば、特許文献２〜６参照）、主鎖にアリールアミン構造を有する共役ポリマーが報告されている（例えば、特許文献７〜８参照）。
【０００６】
有機ＥＬ素子の効率・寿命の面で重要なファクターである正孔移動に関して、非共役アリールアミンポリマーの正孔移動は、分子間のホッピング輸送経由で進むのに対し、共役アリールアミンポリマーでは、分子間のホッピング輸送経由に加えて、正孔が主鎖構造に沿って移動できることから有利である。そのため、共役アリールアミンポリマーは、特に効率の面で好ましい。
【０００７】
さらに、特許文献７〜８によれば、ポリマー末端（例えば、ハロゲン原子、二級アミノ基等）を保護することにより、素子寿命が向上するとの報告がなされている。
【０００８】
高分子塗布系材料としては、上述したような各種ポリマーの他、デンドリマーを利用した新しい有機ＥＬ技術が開発されている（例えば、非特許文献１参照）。従来の高分子は直線状に連鎖するため、高分子量化すると溶媒に溶けにくくなるのが欠点であったが、デンドリマーは、高分子系発光材料を大量に混ぜて使用できるため、塗布特性が良好となる。アリールアミンを構成要素とするデンドリマーにおいても有機溶媒中で良好な溶解性を示すことが報告されている（例えば、特許文献９参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平３−２７３０８７号公報
【特許文献２】特開平８−５４８３３号公報
【特許文献３】特開平８−２５９９３５号公報
【特許文献４】特開平１１−３５６８７号公報
【特許文献５】特開平１１−２９２８２９号公報
【特許文献６】特開平１３−９８０２３号公報
【特許文献７】特開２００４−２９２７８２公報
【特許文献８】特表２００１−５２７１０２公報
【特許文献９】特表２００９−５１２６２８公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】デンドリック高分子／多分岐構造が拡げる高機能化の世界、２００５年、２４６頁〜２５９頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ポリマー末端を保護した共役アリールアミンポリマーであっても、アリールアミンデンドリマーであっても、現状では、低分子系材料からなる有機ＥＬ素子の性能を超えるまでには至らず、さらなる性能向上が望まれている。
【００１２】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、従来材料以上に耐久性および発光効率に優れた新規アリールアミンデンドリマー状化合物に関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の重合反応によって得られたアリールアミンデンドリマー状化合物が、発光効率および耐久性の面で従来の共役アリールアミンポリマーより優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）
【００１５】
【化１】
0005561077.tif 000002
【００１６】
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立して置換基を有してもよい炭素数６〜６０の芳香族基を表し、ｎは２以上の整数を表す。）
で表されるアリールアミンポリマー骨格と一般式（２）
【００１７】
【化２】
0005561077.tif 000003
【００１８】
（式中、Ａｒ３は炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基を表し、Ｒは一般式（１）で表されるアリールアミンポリマー骨格の結合部位を表す。）
で表される少なくとも１種の置換基を有してもよい芳香族ジアミンが繰り返し結合している構造であることを特徴とするアリールアミンデンドリマー状化合物、その製造方法およびその用途である。
【００１９】
上記一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ１としては、置換基を有してもよい炭素数６〜６０の芳香族基であれば特に限定するものではないが、下記一般式（３）〜（６）のいずれかであることが好ましい。
【００２０】
【化３】
0005561077.tif 000004
【００２１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は各々独立して炭素数１〜１８のアルキル基、または置換基を有してもよいフェニル基を表し、ｍは１〜３の整数を表す）。
【００２２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４として表される炭素数１〜１８のアルキル基、または置換基を有してもよいフェニル基としては特に限定するものではないが、炭素数１〜１８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、トリフルオロメチル基等が挙げられ、置換基を有してもよいフェニル基としては、フェニル基、トリル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、イソペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、シクロペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、メトキシフェニル基、アセチルフェニル基、シアノフェニル基、メチルチオフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【００２３】
上記一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ２としては、置換基を有してもよい炭素数６〜６０の芳香族基であれば特に限定するものではないが、下記一般式（７）〜（１２）のいずれかであることが好ましい。
【００２４】
【化４】
0005561077.tif 000005
【００２５】
（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は各々独立して炭素数１〜１８のアルキル基、または置換基を有してもよいフェニル基を表し、ａは０〜５の整数を表す。）
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３として表される炭素数１〜１８のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基としては、特に限定するものではないが、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４として表した例を挙げることができる。
【００２６】
本発明であるアリールアミンデンドリマー状化合物は、下記一般式（１３）
【００２７】
【化５】
0005561077.tif 000006
【００２８】
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立して置換基を有してもよい炭素数６〜６０の芳香族基、Ｘはハロゲン原子をそれぞれ表し、ｎは２以上の整数を表す。）
で表されるアリールアミンポリマーと一般式（１４）
【００２９】
【化６】
0005561077.tif 000007
【００３０】
（式中、Ａｒ３は炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基を表す。）
で表される少なくとも１種の置換基を有してもよい芳香族ジアミンとを、パラジウム触媒および塩基の存在下に反応させることにより製造することができる。
【００３１】
上記一般式（１３）で表されるアリールアミンポリマーにおいて、Ａｒ１、Ａｒ２は前記と同じである。
【００３２】
一般式（１４）で表されるポリハロゲン化芳香族化合物において、Ａｒ３としては、炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基であれば特に限定するものではないが、アリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナンスリレン基、フルオレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基等が挙げられ、ヘテロアリーレン基としては、チエニレン基、ピロリレン基、Ｎ−置換カルバゾリレン基等が挙げられる。
【００３３】
パラジウム触媒の触媒成分として使用できるパラジウム化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、４価のパラジウム化合物類（ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸カリウム等）、２価のパラジウム化合物類（塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）トリフルオロアセテート等）、および０価のパラジウム化合物類（トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）クロロホルム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等）を挙げることができる。
【００３４】
パラジウム化合物の使用量は特に限定されるものではないが、一般式（１）で表されるアリールアミンポリマーと芳香族ジアミンとの反応においては、原料のアリールアミンポリマーに対し（数平均分子量換算）、パラジウム換算で通常０．００００１〜２０モル％の範囲であり、高価なパラジウム化合物を使用することから、通常０．００１〜５モル％の範囲であることが好ましい。
【００３５】
本発明の方法において、パラジウム触媒の触媒成分として使用することができる配位子としては、特に限定するものではないが、パラジウムに配位可能なものであればよく、例えばトリアルキルホスフィン類、アリールホスフィン類、カルベン系配位子等が挙げられる。
【００３６】
本発明の方法において、触媒成分として使用することができるトリアルキルホスフィン類としては、特に限定するものではないが、例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン等が挙げられる。これらのうち触媒として特に高い反応活性を有することから、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを使用することが好ましい。
【００３７】
また、本発明の方法において、触媒成分として使用することができるアリールホスフィン類としては、特に限定するものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｍ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、トリメシチルホスフィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパン、ジフェニルホスフィノフェロセン等が挙げられる。
【００３８】
また、カルベン系配位子としては、例えば、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン塩酸塩等が挙げられる。
【００３９】
配位子の使用量は、特に限定するものではないが、パラジウム化合物に対して通常０．０１〜１００００倍モルの範囲で使用すればよく、高価なトリアルキルホスフィン、アリールホスフィン、カルベン系配位子を使用することから、好ましくはパラジウム化合物に対して０．１〜１０倍モルの範囲である。
【００４０】
パラジウム触媒の添加方法としては、特に限定するものではなく、反応系にそれぞれ触媒成分として単独に加えてもよいし、予めこれら触媒成分よりなる錯体の形に調製したものを添加してもよい。
【００４１】
塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、ナトリウム，カリウムの炭酸塩、アルカリ金属アルコキシド等の無機塩基、または３級アミン等の有機塩基が挙げられる。これらのうち、好ましくはナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドであり、それらは反応系にそのまま加えても、また、アルカリ金属、水素化アルカリ金属または水酸化アルカリ金属とアルコールとからその場で調製して反応系に供してもよい。より好ましくは、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等の３級アルコキシドを反応系にそのまま加える方法である。
【００４２】
塩基の使用量は、特に限定するものではないが、例えば、一般式（１）で表されるアリールアミンポリマーと芳香族ジアミンとの反応においては、好ましくは反応系に添加するアリールアミンポリマーのハロゲン原子に対して０．５倍モル以上であり、反応終了後の後処理操作を考慮すれば、１〜５倍モルの範囲がより好ましい。
【００４３】
本発明のアリールアミンデンドリマー状化合物の製造は、通常は不活性溶媒存在下で実施することが好ましい。使用する溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等を挙げることができる。これらのうち、好ましくはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒である。
【００４４】
本発明のアリールアミンデンドリマー状化合物の製造は、好ましくは常圧下、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で実施するが、例え加圧条件であっても実施することは可能である。
【００４５】
本発明の方法において反応温度は、アリールアミンデンドリマー状化合物を製造することが可能な反応温度であれば特に限定するものではないが、通常２０〜３００℃、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは１００〜１５０℃の範囲である。
【００４６】
本発明の方法において反応時間は、製造するアリールアミンデンドリマー状化合物により一定ではないため特に限定するものではないが、多くの場合、数分〜７２時間の範囲から選択すればよい。好ましくは２４時間未満である。
【００４７】
本発明におけるアリールアミンデンドリマー状化合物は、再沈殿により精製することができる。また、不純物の除去のためにシリカゲルや活性アルミナ等による吸着処理を行うことも可能である。
【００４８】
本発明のアリールアミンデンドリマー状化合物の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、ポリスチレン換算で１，０００〜１，０００，０００の範囲であり、より好ましくはポリスチレン換算で１０，０００〜５００，０００の範囲である。
【００４９】
本発明のアリールアミンデンドリマー状化合物は、電界効果トランジスタ、光機能素子、色素増感太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス素子等の電子素子における導電性高分子材料として使用される。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料、発光材料およびバッファー材料として極めて有用である。
【００５０】
本発明の有機ＥＬ素子は、前記高分子材料を含有する有機層を備えていれば、素子構造は特に限定されない。本発明のアリールアミンデンドリマー状化合物は、溶解性に優れることから、例えば、これら材料の溶液、混合液、または溶融液を使用して、スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法等の従来公知の塗布法によって、前記素子を簡便に作製することができる。また、インクジェット法、ラングミュア−ブロジェット法等によっても容易に作製することができる。
【発明の効果】
【００５１】
本発明は、従来材料以上に耐久性および発光効率に優れた新規アリールアミンデンドリマー状化合物と、その効率的な製造方法およびその用途を提供するものである。
【００５２】
本発明の新規アリールアミンデンドリマー状化合物は、溶解性に優れる他、有機ＥＬ素子とした場合の発光効率、電流効率にも優れる。さらに、極めて良好な成膜性と安定性を有する。用途としても有機ＥＬ素子の正孔輸送材料、発光材料、バッファー材料のみでなく、電界効果トランジスタ、光機能素子、色素増感太陽電池等の電子素子に使用される導電性高分子として極めて有用であり、本発明は工業的に極めて有意義である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】一般式（１５）で表されるトリアリールアミンポリマーの赤外分光分析の測定結果を示す。
【実施例】
【００５４】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５５】
反応例１
冷却管、温度計を装着した１００ｍｌ四つ口丸底フラスコに、室温下、４，４’−ジヨードビフェニル  １７．０５ｇ（４２ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ブチルアニリン  ５．９７ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ９．２３ｇ（９６ｍｍｏｌ；一級アミノ基に対して２．４当量）およびｏ−キシレン  ２００ｍｌを仕込んだ。この混合液に、予め窒素雰囲気下で調製したトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム  １８０ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ；一級アミノ基に対して０．５０ｍｏｌ％）およびトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ０．３３ｇ（１．６０ｍｍｏｌ；パラジウム原子に対して原子４当量）のｏ−キシレン（１０ｍｌ）溶液を添加した。その後、窒素雰囲気下、温度を１２０℃まで昇温し、１２０℃で加熱攪拌しながら３時間熟成した。
【００５６】
３時間後、この反応混合物を約８０℃まで冷却した後、９０％アセトン水溶液（１０００ｍｌ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。ろ過により固体を濾別回収し、アセトン、水、アセトンの順番で洗浄した後、減圧乾燥して淡黄色粉体を得た（収率９０％）。
【００５７】
得られた粉体を元素分析および赤外分光分析により測定したところ、下記一般式（１５）で表されるトリアリールアミンポリマーであることが確認された。赤外分光分析の測定結果を図１に示す。また、得られたポリマーをＴＨＦ系ＧＰＣ（東ソー製：ＨＬＣ−８２２０；カラム：ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨ３０００−ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨ２０００−ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨ１０００（いずれも東ソー製））にて分析した結果、ポリスチレン換算で重量平均分子量２８，０００および数平均分子量９，０００（分散度３．１）であった。
【００５８】
【表１】
0005561077.tif 000008
【００５９】
【化７】
0005561077.tif 000009
【００６０】
実施例１
冷却管、温度計を装着した３００ｍｌ四つ口丸底フラスコに、室温下、反応例１で合成した一般式（１５）で表されるアリールアミンポリマー  ４．００ｇ（数平均分子量換算：０．４４ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．２４ｇ（２．２２ｍｍｏｌ）、ｐ−フェニレンジアミン  １２．０ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）およびｏ−キシレン  １３６ｍｌを仕込んだ。この混合液に、予め窒素雰囲気下で調製したトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム  １１．０ｍｇ（０．０１２ｍｍｏｌ）およびトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ２０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ；パラジウム原子に対して原子４当量）のｏ−キシレン（５ｍｌ）溶液を添加した。その後、窒素雰囲気下、温度を１２０℃まで昇温し、１２０℃で加熱攪拌しながら３時間熟成した。
【００６１】
ジフェニルアミン  ７５．１ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）のｏ−キシレン（２ｍｌ）溶液を添加して、１２０℃でさらに３時間熟成した。次いで、ブロモベンゼン  ８３．７ｍｇ（０．５３ｍｍｏｌ）の  ｏ−キシレン（２ｍｌ）溶液を添加し、１２０℃でさらに３時間熟成した。
【００６２】
反応終了後、この反応混合物を約８０℃まで冷却した後、９０％アセトン水溶液（１０００ｍｌ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。ろ過により固体をろ別回収し、アセトン、水、アセトンの順番で洗浄した後、減圧乾燥して淡黄色粉体を得た（収率８４％）。得られたアリールアミンデンドリマー状化合物をＴＨＦ系ＧＰＣ（東ソー製：ＨＬＣ−８２２０）にて分析した結果、ポリスチレン換算で重量平均分子量１４５，３００および数平均分子量１９，０００であった。元素分析の測定結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
0005561077.tif 000010
【００６４】
実施例２
ｐ−フェニレンジアミンを２，７−ジアミノフルオレン  ２１．８ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）に変更した以外は、実施例１と同様にして反応を行った。
【００６５】
得られたアリールアミンデンドリマー状化合物をＴＨＦ系ＧＰＣ（東ソー製：ＨＬＣ−８２２０）にて分析した結果、ポリスチレン換算で重量平均分子量１２２，０００および数平均分子量１７，８００であった。元素分析の測定結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
0005561077.tif 000011
【００６７】
実施例３
ｐ−フェニレンジアミンを９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン  ３８．９ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）に変更した以外は、実施例１と同様にして反応を行った。
【００６８】
得られたアリールアミンデンドリマー状化合物をＴＨＦ系ＧＰＣ（東ソー製：ＨＬＣ−８２２０）にて分析した結果、ポリスチレン換算で重量平均分子量１３４，１００および数平均分子量１８，０００であった。元素分析の測定結果を表４に示す。
【００６９】
【表４】
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【００７０】
実施例４（素子の作製と評価）
厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極を有するガラス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで順次超音波洗浄し、次いで、イソプロピルアルコールで煮沸洗浄した後、乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン処理したものを透明導電性支持基板として使用した。
【００７１】
このＩＴＯガラス基板上へ、実施例１で合成したアリールアミンデンドリマー状化合物  １．０ｗｔ％クロロベンゼン溶液を用いてスピンコート法により３０ｎｍの厚みで成膜した。１６０℃で３時間乾燥した後、続けて４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ、３０ｎｍ）、その上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＢ、５０ｎｍ）、アルミニウムの８−キノリノール錯体（Ａｌｑ３、５０ｎｍ）の順に蒸着した。なお、上記有機化合物の蒸着条件は、真空度１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度０．３ｎｍ／秒の同一条件で成膜した。
【００７２】
次に、フッ化リチウム（０．８ｎｍ）、アルミニウム（１５０ｎｍ）の順に蒸着し、金属電極を形成した。
【００７３】
さらに、窒素雰囲気下、保護用ガラス基板を重ね、有機ＥＬ用シール剤を３時間、８０℃で加熱硬化させ、接着して封止した。
【００７４】
以上の様にして作製したＥＬ素子に、ＩＴＯ電極を正極、ＬｉＦ−Ａｌ電極を負極にして、電圧を印加した時の発光特性を表５に示す。
【００７５】
実施例５（素子の作製と評価）
実施例４において、実施例１で合成したアリールアミンデンドリマー状化合物の代わりに実施例２で合成したアリールアミンデンドリマー状化合物を用いた他は、実施例４と同様に素子を作製した。発光特性を表５に示す。
【００７６】
実施例６（素子の作製と評価）
実施例４において、実施例１で合成したアリールアミンデンドリマー状化合物の代わりに実施例３で合成したアリールアミンデンドリマー状化合物を用いた他は、実施例４と同様に素子を作製した。発光特性を表５に示す。
【００７７】
【表５】
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【００７８】
以上の結果から、本発明のアリールアミンデンドリマー状化合物を用いたＥＬ素子は、低電圧駆動が可能で、発光効率、電流効率が向上し、消費電力も少なくて済むものであった。
【図１】
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