(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を収納するための処理容器と、
この処理容器内に設けられ、前記被処理体の裏面側周縁部が周方向に亘って前記処理容器の床面を臨むように、当該被処理体の裏面側中央部を支持する載置台と、
前記処理容器の外部に設けられたレーザ発振器から当該処理容器の壁部を貫通して前記処理容器の内部に伸びるように設けられ、被処理体の周縁部にレーザ光を照射して付着物を除去するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
前記処理容器内における前記光ファイバの先端部と、前記光ファイバが前記処理容器の壁部を貫通する部位とにおいて当該光ファイバを囲むように設けられ、前記光ファイバの屈曲を抑制する保護管と、
前記光ファイバの前記先端部を保持すると共に、レーザ光の照射位置及び照射角度の少なくとも一方を変えるための光ファイバ移動部の一部である保持部と、
前記光ファイバの長さ方向に沿って配線され、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線と、
前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位における前記断線検知線に設けられ、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズと、
前記断線検知線の通電の遮断を検知する断線検知部と、を備え、
前記光ファイバの前記先端部は、前記載置台に載置される被処理体の高さレベルよりも下方側に位置していることを特徴とする被処理体周縁部の付着物除去装置。
【請求項２】
前記保持部は、前記載置台に載置される被処理体の裏面側周縁部から裏面側中央部に向かってレーザ光を照射するように移動自在に構成され、
前記載置台は、レーザ光が被処理体の裏面側周縁部を周方向に亘って走査できるように、鉛直軸周りに回転自在に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の被処理体周縁部の付着物除去装置。
【請求項３】
前記処理容器内を排気するための排気口と、
前記載置台に載置される被処理体の周縁部に向かって処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記排気口とは別に設けられ、前記処理ガス供給路から供給される処理ガスを局所的に排気するための吸引口と、を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の被処理体周縁部の付着物除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理体の周縁部に付着した付着物を除去する被処理体周縁部の付着物除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程において、例えば半導体ウエハ（以下ウエハと言う）の側端面や裏面の周縁部に付着した有機物、無機物またはこれらの積層体からなる付着物（ポリマー）をレーザ光を用いて加熱により除去する場合がある。このレーザ光は、例えばウエハを収納する処理容器の外部より引き回された光ファイバの先端部からウエハに照射される。そして、処理容器内において例えばウエハを鉛直軸回りに回転させると共に、光ファイバの先端部を水平方向に移動あるいは揺動させることにより、例えばウエハの側面側から裏面側に亘ってレーザ光をスキャンさせてウエハＷの全周に亘って既述の付着物を除去している。このような付着物は、例えばウエハに対して行った処理の種別によって膜厚や構成物質などの付着状態が様々であるため、その付着状態に応じて、例えばレーザ光の出力やウエハの回転数などがウエハ毎（処理された処理種別毎）に個別に調整されることになる。
【０００３】
ところで、光ファイバが断線してレーザ光が外部に漏れ出した場合には、各部材や機器などに損傷を与えるおそれがあることから、光ファイバの断線を検知するようにしている。具体的には、特許文献１及び２に示すように、例えば銀などの金属からなる線材を光ファイバの長さ方向に沿って当該光ファイバの周囲に巻回して、この線材に通電する手法が知られている。この手法では、光ファイバが断線して断線部からレーザ光が外部に漏れ出すと、レーザ光により線材が数百℃以上例えば１０００℃程度に加熱されて溶断するので、電流の遮断によって光ファイバの断線を検知できる。
【０００４】
しかし、光ファイバの破断面の形状によっては、光ファイバが断線してもレーザ光が外部にほとんど漏れ出さずに断線を検知できず、レーザ光が光ファイバ内を概略反転して当該光ファイバを溶かしながらレーザ発振器側に戻ってしまうおそれがある。また、光ファイバが物理的に断線していない場合であっても、例えばウエハの裏面においてレーザ光が反射して光ファイバ内をレーザ発振器側に戻りながら、光ファイバを溶かしてしまう場合もある。更に、レーザ光の出力が付着物の付着状況に応じて調整されるため、光ファイバの断線により当該光ファイバからレーザ光が漏れ出しても、レーザ光の出力が小さい場合には例えば線材が百数十℃程度までしか加熱されずに、線材が溶断しない場合もある。
【０００５】
特許文献２には、光ファイバの断線を検知するための線材として既述の銀などの金属に代えて低融点はんだを用いる技術について記載されているが、このような低融点はんだは脆いため、既述のように光ファイバを移動させる時あるいは装置に光ファイバを実装する時に破断してしまうおそれがある。また、はんだが脆いため、光ファイバの長さ方向に沿って巻回するようにはんだを設置（加工）するのも困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２０５７６４
【特許文献２】特開昭５６−１７３０３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザ光を伝送する光ファイバの断線を検知できる被処理体周縁部の付着物除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の被処理体周縁部の付着物除去装置は、
被処理体を収納するための処理容器と、
この処理容器内に設けられ、前記被処理体の裏面側周縁部が周方向に亘って前記処理容器の床面を臨むように、当該被処理体の裏面側中央部を支持する載置台と、
前記処理容器の外部に設けられたレーザ発振器から当該処理容器の壁部を貫通して前記処理容器の内部に伸びるように設けられ、被処理体の周縁部にレーザ光を照射して付着物を除去するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
前記処理容器内における前記光ファイバの先端部と、前記光ファイバが前記処理容器の壁部を貫通する部位とにおいて当該光ファイバを囲むように設けられ、前記光ファイバの屈曲を抑制する保護管と、
前記光ファイバの前記先端部を保持すると共に、レーザ光の照射位置及び照射角度の少なくとも一方を変えるための光ファイバ移動部の一部である保持部と、
前記光ファイバの長さ方向に沿って配線され、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線と、
前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位における前記断線検知線に設けられ、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズと、
前記断線検知線の通電の遮断を検知する断線検知部と、を備え、
前記光ファイバの前記先端部は、前記載置台に載置される被処理体の高さレベルよりも下方側に位置していることを特徴とする。
【０００９】
前記保持部は、前記載置台に載置される被処理体の裏面側周縁部から裏面側中央部に向かってレーザ光を照射するように移動自在に構成され、
前記載置台は、レーザ光が被処理体の裏面側周縁部を周方向に亘って走査できるように、鉛直軸周りに回転自在に構成されていても良い。
前記処理容器内を排気するための排気口と、
前記載置台に載置される被処理体の周縁部に向かって処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記排気口とは別に設けられ、前記処理ガス供給路から供給される処理ガスを局所的に排気するための吸引口と、を備えていても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、レーザ光を伝送する光ファイバの長さ方向に沿って、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線を配線すると共に、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズを断線検知線に設けている。そのため、光ファイバが昇温すると温度ヒューズにおいて通電が遮断されるので、光ファイバの断線を検知できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のレーザ照射装置を備えたレーザ照射装置の一例であるポリマー除去装置を示す縦断面である。
【図２】前記ポリマー除去装置の一部を拡大して示す平面図である。
【図３】前記ポリマー除去装置におけるレーザ照射装置の一例を示す概略図である。
【図４】前記レーザ照射装置におけるレンズ部を示す斜視図である。
【図５】前記レーザ照射装置の光ファイバを長さ方向に沿って切断した断面図である。
【図６】前記レーザ照射装置の光ファイバを周方向に沿って切断した断面図である。
【図７】前記レーザ照射装置の他の例を示す概略図である。
【図８】前記レーザ照射装置の他の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の光ファイバの断線検知装置を含むレーザ加熱装置の実施の形態の一例として、被処理体である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗの例えば側端面や裏面周縁部に付着した付着物（ポリマー）を除去するポリマー除去装置について、図１〜図６を参照して説明する。先ず、レーザ加熱装置の全体構成について簡単に説明する。  
このポリマー除去装置は、ウエハＷを内部に収納して付着物の除去処理を行うための処理容器１と、この処理容器１内に設けられ、ウエハＷの中央部を裏面側から吸着支持すると共に当該ウエハＷを鉛直軸回りに回転させる載置台であるスピンチャック２と、このスピンチャック２上のウエハＷの例えば側端面から裏面周縁部に亘ってレーザ光を照射して当該ウエハＷに付着した付着物を加熱除去するレーザ照射装置３と、を備えている。図１中４はゲートバルブＧにより気密に開閉されるウエハＷの搬送口、５は処理容器１の上方側に設けられ、当該処理容器１内に外部の雰囲気を取り込むための吸気装置、６は吸気装置５により吸引した外部の雰囲気中のパーティクルを除去するためのフィルタ部であり、処理容器１の底面の排気口７から伸びる排気管８に接続された排気装置９と吸気装置５とにより、処理容器１内にダウンフローが形成されるように構成されている。尚、処理容器１の天井面におけるフィルタ部６の下方位置には、吸気装置５により取り込まれる外部の雰囲気を当該処理容器１内に通流させるための開口部１ａが形成されている。
【００１４】
前記スピンチャック２は、処理容器１の下方に設けられた駆動部２ａから上方側に向かって処理容器１の床面を気密に貫通して伸びる昇降軸２ｂを備えており、この駆動部２ａにより鉛直軸回りに所定の回転数で回転可能なように構成される。また、このスピンチャック２は、搬送口４を介して処理容器１内に進入する図示しない搬送アームとの間においてウエハＷの受け渡しを行えるように昇降自在に構成されている。また、この昇降軸２ｂ内には、ウエハＷを裏面側から吸着保持するために、図示しない吸引路が設けられている。図１中２ｃは軸受け部、２ｄはベローズである。
【００１５】
処理容器１内には、前記スピンチャック２上において吸着保持されるウエハＷの周縁部の上方側、側方側及び下方側を臨むように高さ方向における中央部が矩形に窪む支持部（本体）１１が設けられている。この支持部１１には、付着物を除去するための処理ガス例えばＯ3ガスをウエハＷの側端面及び裏面側の周縁部に向かって供給する処理ガス供給ノズル１２と、既述のレーザ照射装置３と、処理ガス供給ノズル１２からウエハＷに向けて吐出される処理ガスを吸引して局所排気するために開口端（吸引口）がウエハＷの裏面側に近接するように配置された局所排気管１３と、レーザ光が照射された部位におけるウエハＷの温度を測定するための例えば放射温度計からなる測定部１４と、が設けられている。この局所排気管１３の他端側は、既述の排気管８に接続されている。支持部１１の側面側には、図１に示すように、ウエハＷの半径方向に後述のレンズ部２３を水平方向に移動させるためのレール１１ａが配置されている。
【００１６】
レーザ照射装置３は、図３にも示すように、処理容器１の外部において例えば２００Ｗ以下の出力でレーザ光を発振させるレーザ発振器２１と、このレーザ発振器２１に一端側（基端側）が接続されると共に、他端側（先端側）が処理容器１の壁面この例では床面を気密に貫通してスピンチャック２上のウエハＷの裏面に近接する位置に向かって屈曲自在に伸びる例えば石英からなる光ファイバ２２と、当該光ファイバ２２の他端側に接続され、レーザ発振器２１から伝送されるレーザ光を集光してウエハＷに照射するためのレンズ部２３と、を備えている。このレンズ部２３は、クランプ部材２４により保持部であるベース板２５に固定されており、図２及び図４にも示すように、ベース板２５に接続された移動部２６によって既述の支持部１１に水平方向に設けられたレール１１ａに沿ってスピンチャック２上のウエハＷの半径方向に移動自在に設けられると共に、ベース板２５と移動部２６との間に設けられた回転軸２６ａによってウエハＷに対するレーザ光の照射角度を変えられるように揺動自在に支持されている。尚、図２においては、支持部１１の上方側を一部切り欠いて描画している。  
レンズ部２３に近接する部位における光ファイバ２２は、固定バンド２７によってベース板２５に固定されている。
【００１７】
光ファイバ２２は、図示しないファイバ固定用部材を介してＬ字型のファイバ固定ブラケット２８により処理容器１の床面に固定されている。レンズ部２３と固定バンド２７との間及び処理容器１の底面を貫通する部位における光ファイバ２２の周囲には、当該光ファイバ２２の屈曲を抑えるために、後述の保護管３０、４０が設けられている。
【００１８】
続いて、光ファイバ２２の具体的な構成について説明する。この光ファイバ２２は、図５及び図６に示すように、内管(コア)２２ａ及びこの内管２２ａを覆う外管（クラッド）２２ｂの２重管として構成されており、レーザ発振器２１側及びレンズ部２３側に夫々設けられた基端部３１ａ、３１ｂ間には、光ファイバ２２が切断される角度以上に屈曲することを抑えるために、例えばステンレスからなる蛇腹状のシース管３２が光ファイバ２２の外側を覆うように当該光ファイバ２２の長さ方向に沿って配置されている。このシース管３２の外側には、例えば樹脂からなる被覆層３３が設けられており、この被覆層３３は、例えば処理容器１の外部のレーザ発振器２１側においてはＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）などにより構成され、処理容器１内においては光ファイバ２２及びシース管３２が容易に屈曲できるようにシリコーンゴムなどにより構成されている。また、処理容器１の外部におけるシース管３２と被覆層３３との間には、ＰＶＣからなる保護材３４が設けられている。既述のレンズ部２３と固定バンド２７との間には、光ファイバ２２の屈曲を抑えるための例えばステンレスからなる既述の保護管３０が設けられ、また処理容器１の床面を貫通する部位における光ファイバ２２（被覆層３３）にも同様の保護管４０が設けられている。
【００１９】
基端部３１ａ、３１ｂ間におけるシース管３２の内部には、光ファイバ２２を長さ方向に沿って覆うように例えばナイロン製の網状体３５が設けられており、この網状体３５は、熱収縮性の覆い部材３６により長さ方向における両側の先端部及び保護管４０の内側領域が覆われている。この網状体３５の内部には、処理容器１の外側におけるシース管３２の管壁を介して例えば銅（Ｃｕ）からなる導電性の断線検知線４１が挿入され、この断線検知線４１は、光ファイバ２２に沿って先端に向かって巻回するように螺旋状に配線されている。更に、この断線検知線４１は、光ファイバ２２の先端側で折り返されて光ファイバ２２に沿って基端側に配線され、当該断線検知線４１の一端側の挿入部位の近傍からシース管３２の管壁を介して外部に引き出されて、光ファイバ２２の断線を検知するためのモニタリングユニット４３に接続されている。このモニタリングユニット４３は、図５に示すように、断線検知線４１に光ファイバ２２の断線を検知する電流を通流させるための電源４３ａと、断線検知線４１に介設され、当該断線検知線４１を通流する電流が遮断されたか否かを検知する例えばリレーからなる検知部４３ｂと、を備えている。
【００２０】
また、光ファイバ２２の長さ方向において保護管３０、４０が設けられた部位の内側領域には、例えば松下電器株式会社製の温度ヒューズ（サーマルヒューズ）４２が断線検知線４１に直列に介設されており、この温度ヒューズ４２は、当該温度ヒューズ４２を通流する電流を遮断する設定温度（溶融温度）が断線検知線４１の溶融する温度よりも低く、光ファイバ２２の断線時において、使用レーザ出力に応じて光ファイバ２２が昇温する温度例えば１４１℃（１４１℃±２℃）となるように設定されている。尚、図６は、図５におけるＡ−Ａ線で光ファイバ２２を切断した断面を示している。また、図示を省略しているが、断線検知線４１の表面は例えばエナメルにより被覆されている。
【００２１】
このポリマー除去装置は、図１に示すように、例えばコンピュータからなる制御部５０を備えており、この制御部５０は、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えている。プログラムは、スピンチャック２の回転数、レーザ発振器２１の出力及びＯ3ガスの供給量などの処理条件を調整することによって、ウエハＷの側面側や裏面側の周縁部に付着した付着物を除去するように装置の各部に制御信号を送るように構成されている。また、メモリには、例えばウエハＷに対して行われた処理の種別と、この処理の種別に応じて当該ウエハＷに付着する付着物の種類（有機物、無機物あるいはこれらの積層体）や膜厚と、当該付着物を除去するための処理条件とが書き込まれる領域が設けられている。そして、ＣＰＵによりこのメモリから処理条件が読み出されて、プログラムにより付着物の除去処理が行われるように構成されている。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）などの記憶部５１に格納されて制御部５０にインストールされる。既述の光ファイバ２２、断線検知線４１、温度ヒューズ４２及び制御部５０などにより、レーザ照射装置が構成される。
【００２２】
続いて、このポリマー除去装置における作用について説明する。先ず、レシピから処理条件を読み出すと共に、図示しない搬送アームによりウエハＷを搬送口４から処理容器１内に搬入し、スピンチャック２上に載置する。このウエハＷの例えば裏面の周縁部には、例えば有機物からなる付着物Ｐが付着している。そして、このウエハＷを吸引保持すると共に、例えば所定の回転数で鉛直軸回りに回転させると共に、排気装置９と吸気装置５とにより処理容器１内にダウンフローを形成する。また、ウエハＷの周縁部に向かってＯ3ガスを吐出すると共に、局所排気管１３によりこのＯ3ガスを局所排気する。
【００２３】
次いで、モニタリングユニット４３により断線検知線４１を通電する。また、レーザ発振器２１において例えば２００Ｗの出力で例えば波長が８０８ｎｍの半導体レーザ光を発振させ、当該レーザ光をレンズ部２３を介してウエハＷに照射することにより、ウエハＷを所定の加熱温度例えば５００℃程度に加熱する。そして、測定部１４によりウエハＷの温度を測定して、ウエハＷが前記温度に保たれるようにウエハＷの回転数やレーザ光の出力を調整すると共に、移動部２６を介してレンズ部２３を移動あるいは揺動させ、ウエハＷの側面側から裏面側の周縁部に亘ってレーザ光を照射してウエハＷに付着した付着物Ｐを周方向に亘って加熱除去する。
【００２４】
この時、レンズ部２３を移動あるいは揺動させることにより、レンズ部２３側及びレーザ発振器２１側における保護管３０、４０間において光ファイバ２２が屈曲する。そして、この屈曲によって光ファイバ２２が例えばレンズ部２３に近接する領域において断線したとする。この場合には、光ファイバ２２からレーザ光が例えば処理容器１内に漏れ出し、断線部位の周囲がレーザ光により例えば１０００℃程度に加熱されていく。この熱により例えば光ファイバ２２が溶融すると、例えば光ファイバ２２におけるレーザ光の透過領域（内管２２ａ）が塞がるので、その後レーザ発振器２１から伝送されるレーザ光は当該断線部位を通過することができなくなる。そのため、光ファイバ２２の温度が更に上昇して、例えば光ファイバ２２の溶融部位が次第にレーザ発振器２１側にまで広がってくる。また、光ファイバ２２から外部に漏れ出すレーザ光の熱により、当該光ファイバ２２の周囲の例えば断線検知線４１についても加熱されるが、既述のようにレーザ光の出力が４５Ｗ程度の場合には、この断線検知線４１は２００℃程度までにしか加熱されず、従って当該断線検知線４１は溶融しない。
【００２５】
その後、光ファイバ２２の溶融部位が処理容器１の床面（温度ヒューズ４２）にまで到達すると、既述のようにこの温度ヒューズ４２の溶融温度が設定されているので、光ファイバ２２から漏れ出すレーザ光の熱により当該温度ヒューズ４２が溶融し、断線検知線４１を通流する電流が遮断される（開路する）。そして、モニタリングユニット４３によりこの電流の遮断が検知され、その検知信号が制御部５０に送られて、この制御部５０からレーザ発振器２１に停止信号が出力されてレーザ光の発振が瞬時に停止されることになる。尚、光ファイバ２２が断線してから温度ヒューズ４２が溶融するまでの時間は、例えば数秒〜数十秒程度となる。
【００２６】
上述の実施の形態によれば、レーザ光を伝送する光ファイバ２２の長さ方向に沿って配線した断線検知線４１に通電し、この通電の遮断により光ファイバ２２の断線を検知するにあたり、温度ヒューズ４２を断線検知線４１に設けているので、光ファイバ２２の断線部から外部に漏れ出すレーザ光の熱によって断線検知線４１が溶断しない程度にレーザ光の出力が低い場合であっても、温度ヒューズ４２において電流が遮断されるので、光ファイバ２２の断線を確実に検知できる。そのため、レーザ光による例えばレーザ発振器２１への損傷を抑えることができる。また、光ファイバ２２を囲むように光ファイバ２２の屈曲を抑制する保護管３０、４０を配置した場合には、光ファイバ２２の長さ方向において保護管３０、４０と同じ部位に温度ヒューズ４２を設けることによって、光ファイバ２２の取り回し（水平移動、揺動あるいは装置への光ファイバ２２の取り付け）による断線検知線４１の破断を抑えることができる。
【００２７】
また、光ファイバ２２の長さ方向に沿って断線検知線４１に温度ヒューズ４２を介設しているので、断線検知線４１に代えて低融点金属例えばはんだなどを設ける場合と比べて容易に断線検知線４１（温度ヒューズ４２）を設置できる。更に、温度ヒューズ４２は溶融する温度が既述のように厳密に設定されており、またこの溶融温度の個体差が小さいので、即ち予め設定した温度において電流を遮断できるため、更にまた温度ヒューズ４２は溶融して電流を遮断した後、再融着などにより再接続されないので、光ファイバ２２の断線を正確に検知することができる。
【００２８】
既述の例においては、光ファイバ２２が断線してレーザ光が外部に漏れ出す場合について説明したが、例えば光ファイバ２２の断線部位の形状によっては、レーザ光が外部にほとんど漏れ出さずに、光ファイバ２２を溶融させながら断線検知線４１を溶断せずに当該光ファイバ２２内をレーザ発振器２１側に戻る場合もあるが、このような場合であっても温度ヒューズ４２を用いることによって光ファイバ２２の断線を確実に検知できる。また、光ファイバ２２が断線しない場合であっても、例えばウエハＷの表面が鏡面となっているため、レーザ光が当該ウエハＷにおいて反射して光ファイバ２２内に入り込み、光ファイバ２２を例えば１０００℃程度に加熱して溶融させながらレーザ発振器２１側に戻っていく場合もある。この時においても、同様に光ファイバ２２の昇温を検知できる。この場合には、レンズ部２３に近接する温度ヒューズ４２にて電流が遮断される。従って、本発明で説明した光ファイバ２２の「断線」とは、光ファイバ２２が屈曲を繰り返すことにより物理的に断線する場合に加えて、レーザ光がウエハＷの表面において反射してレーザ発振器２１側に光ファイバ２２を溶かしながら戻ることによって当該光ファイバ２２が途中部位で溶断する場合も含まれる。
【００２９】
この例では、温度ヒューズ４２をレンズ部２３及び処理容器１の床面の貫通部の２箇所に設けたが、３箇所以上に設けても良い。その場合には、例えば図７に示すように、光ファイバ２２の屈曲箇所に保護管３０を設けて、この保護管３０の内部に温度ヒューズ４２が設けられる。また、レンズ部２３を水平方向に移動させたり揺動させたりしない場合には、保護管３０を設けずに温度ヒューズ４２を断線検知線４１に介設しても良い。  
【００３０】
更に、図８に示すように、温度ヒューズ４２に代えて、光ファイバ２２の温度を測定する熱電対６１を配置して、温度検知部であるモニタリングユニット４３において光ファイバ２２の温度を測定するようにしても良い。この例では、既述の保護管３０の内部領域（レンズ部２３に近接する領域及び処理容器１の床面の貫通部）に熱電対６１の温度測定部を配置している。この場合には、例えば光ファイバ２２の温度が予め設定した所定の温度（しきい値）以上になると、当該光ファイバ２２が断線したと判断されることになる。このように熱電対６１を設ける場合には、レーザ光の出力に応じてしきい値が調整される。
【符号の説明】
【００３１】
Ｗ  ウエハ
１  処理容器
２  スピンチャック
２ａ  駆動部
３  レーザ照射装置
２１  レーザ発振器
２２  光ファイバ
２３  レンズ部
２６  移動部
３０  保護管
４１  断線検知線
４２  温度ヒューズ
４３  モニタリングユニット
Ｐ  付着物
【図１】
0005604885.tif 000002
【図２】
0005604885.tif 000003
【図３】
0005604885.tif 000004
【図４】
0005604885.tif 000005
【図５】
0005604885.tif 000006
【図６】
0005604885.tif 000007
【図７】
0005604885.tif 000008
【図８】
0005604885.tif 000009