(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（ＩＶ）で示される繰返し単位、下記式（Ｖ）で示される繰返し単位および下記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位を含む高分子化合物。
0005407122.tif 000073
〔上記式（ＩＶ）中、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、Ｒ7とＲ8は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ9およびＲ10がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0005407122.tif 000074
〔上記式（Ｖ）中、ＲN2はアルキル基を表し、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ11およびＲ12がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0005407122.tif 000075
〔上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒは下記式（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）、（ＩＩＩ−Ｃ）、（ＩＩＩ−Ｄ）、（ＩＩＩ−Ｅ）、（ＩＩＩ−Ｆ）、（ＩＩＩ−Ｇ）、（ＩＩＩ−Ｈ）、（ＩＩＩ−Ｉ）、（ＩＩＩ−Ｊ）、（ＩＩＩ−Ｋ）、（ＩＩＩ−Ｌ）、（ＩＩＩ−Ｍ）、（ＩＩＩ−Ｎ）、（ＩＩＩ−Ｏ）、（ＩＩＩ−Ｐ）もしくは（ＩＩＩ−Ｑ）で示される２価の縮合多環式炭化水素基、下記式（ＶＩＩ）で示される基または下記式（Ｘ）で示される基を表す。〕
0005407122.tif 000076
0005407122.tif 000077
0005407122.tif 000078
0005407122.tif 000079
〔上記式（ＶＩＩ）中、Ａｒ6は、アリーレン基を表し、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｉおよびｊはそれぞれ独立に０〜４から選ばれる整数を表し、ｋおよびｌはそれぞれ独立に０〜５から選ばれる整数を表す。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0005407122.tif 000080
〔上記式（Ｘ）中、Ａｒ7およびＡｒ8はそれぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ｒ22は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｎは０〜２から選ばれる整数を表し、ｙおよびｚはそれぞれ独立に０〜２から選ばれる整数を表す。Ｒ22、Ａｒ7およびＡｒ8がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項２】
上記式（ＩＶ）においてｅおよびｆが０であることを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【請求項３】
上記式（Ｖ）においてｇおよびｈが０である請求項１または２記載の高分子化合物。
【請求項４】
上記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位が、上記式（ＶＩＩ）で示される繰返し単位である請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項５】
上記式（ＶＩＩ）においてＡｒ6が下記式（ＶＩＩＩ）で示される２価の基である請求項４記載の高分子化合物。
0005407122.tif 000081
〔上記式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19およびＲ20はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、Ｒ17とＲ18、Ｒ19とＲ20は互いに結合し環を形成していてもよい。〕
【請求項６】
上記式（ＶＩＩＩ）で示される２価の基が、下記式（ＩＸ）で示される２価の基である請求項５記載の高分子化合物。
0005407122.tif 000082
〔上記式（ＩＸ）中、Ｒ21は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜８から選ばれる整数を表す。Ｒ21が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項７】
上記式（ＶＩＩＩ）で示される２価の基が、下記式（ＸＩＩＩ）で示される２価の基である請求項５記載の高分子化合物。
0005407122.tif 000083
〔上記式（ＸＩＩＩ）中、Ｒ24は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｐは０〜４から選ばれる整数を表す。Ｒ24が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項８】
上記式（ＶＩＩ）においてＡｒ6が下記式（ＸＩＶ）で示される２価の基である請求項４記載の高分子化合物。
0005407122.tif 000084
〔上記式（ＸＩＶ）中、Ｒ25およびＲ26はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４から選ばれる整数を表す。Ｒ25およびＲ26がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項９】
上記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位が、上記式（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）、（ＩＩＩ−Ｃ）、（ＩＩＩ−Ｄ）、（ＩＩＩ−Ｅ）、（ＩＩＩ−Ｆ）、（ＩＩＩ−Ｇ）、（ＩＩＩ−Ｈ）、（ＩＩＩ−Ｉ）、（ＩＩＩ−Ｊ）、（ＩＩＩ−Ｋ）、（ＩＩＩ−Ｌ）、（ＩＩＩ−Ｍ）、（ＩＩＩ−Ｎ）、（ＩＩＩ−Ｏ）、（ＩＩＩ−Ｐ）または（ＩＩＩ−Ｑ）で示される２価の縮合多環式炭化水素基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１０】
上記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位が、上記式（Ｘ）で示される繰返し単位である請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１１】
上記式（Ｘ）においてＡｒ7およびＡｒ8が、下記式（ＸＩ）で示される２価の基であることを特徴とする請求項１０記載の高分子化合物。
0005407122.tif 000085
〔上記式（ＸＩ）中、Ｒ23は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｏは０〜２から選ばれる整数を表す。Ｒ23が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項１２】
上記式（Ｘ）においてｎが０である請求項１０または１１に記載の高分子化合物。
【請求項１３】
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物の少なくとも１種類とを含有する組成物。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物を少なくとも２種類含有することを特徴とする組成物。
【請求項１５】
陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項１３もしくは１４に記載の組成物を含む発光層とを有する高分子発光素子。
【請求項１６】
請求項１５に記載の高分子発光素子を含む面状光源。
【請求項１７】
請求項１５に記載の高分子発光素子を含む表示装置。
【請求項１８】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物。
【請求項１９】
請求項１３または１４に記載の組成物と溶媒とを含む液状組成物。
【請求項２０】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項１３もしくは１４に記載の組成物を含む薄膜。
【請求項２１】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項１３もしくは１４に記載の組成物を含む有機トランジスタ。
【請求項２２】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項１３もしくは１４に記載の組成物を含む太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は発光素子における有機層に用いる材料等として有用であることから種々検討されており、その例として、フルオレンジイル基と、Ｎ位にアルキル基を有するフェノキサジンジイル基とからなる共重合体である高分子化合物が報告されている（例えば非特許文献１参照）。
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ；２００５，３８，７９８３−７９９１．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記の高分子化合物を発光素子用の材料として用いたとき、その輝度半減寿命は、未だ十分なものではなかった。
本発明の目的は、発光素子用の材料として用いたとき、輝度半減寿命が長い素子を与えることができる高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
即ち本発明は、下記式（Ｉ）で示される繰返し単位、下記式（ＩＩ）で示される繰返し単位および下記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位を含む高分子化合物を提供するものである。
0005407122.tif 000002
〔上記式（Ｉ）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、Ｒ1とＲ2はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ａおよびｂはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ3およびＲ4がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0005407122.tif 000003
〔上記式（ＩＩ）中、ＲN1はアルキル基を表し、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ5およびＲ6がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0005407122.tif 000004
〔上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒは２価の縮合多環式炭化水素基、下記式（ＶＩ）で示される基または下記式（Ｘ）で示される基を表す。〕
0005407122.tif 000005
〔上記式（ＶＩ）中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3はそれぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ａｒ4およびＡｒ5はそれぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、ｘは０または１を表す。〕
0005407122.tif 000006
〔上記式（Ｘ）中、Ａｒ7およびＡｒ8はそれぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ｒ22は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｎは０〜２から選ばれる整数を表し、ｙおよびｚはそれぞれ独立に０〜２から選ばれる整数を表す。Ｒ22、Ａｒ7およびＡｒ8がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【発明の効果】
【０００５】
本発明の高分子化合物を発光素子に用いたとき、輝度半減寿命が長い高分子発光素子（高分子ＬＥＤ）を与える。
【０００６】
したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の高分子化合物は、下記式（Ｉ）で示される繰返し単位を含む。
0005407122.tif 000007
〔上記式（Ｉ）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、Ｒ1とＲ2はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ａおよびｂはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ3およびＲ4がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０００８】
ここにアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが例示される。
【０００９】
アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが例示される。
【００１０】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが例示される。
【００１１】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（Ｃ
1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12
アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ1〜
Ｃ12アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基などが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基
、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００１２】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ1
2アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ1
2アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基などが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェ
ノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００１３】
アリールチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペン
タフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示される。
【００１４】
アリールアルキル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェ
ニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル
基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基な
どが例示される。
【００１５】
アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニ
ル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキ
シ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキ
シ基などが例示される。
【００１６】
アリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコ
キシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ
12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1
〜Ｃ12アルキルチオ基などが例示される。
【００１７】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12ア
ルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル
−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基などが例示され
、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキル
フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００１８】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12ア
ルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル
−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基などが例示され
、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキル
フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００１９】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示される。
【００２０】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル
基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ
1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル
−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリル
シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００２１】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。
【００２２】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００２３】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００２４】
イミン残基としては、イミン化合物（  分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。
0005407122.tif 000008
【００２５】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。
【００２６】
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。
0005407122.tif 000009
【００２７】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。１価の複素環基の中では、１価の芳香族複素環基が好ましい。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキル
チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピ
ペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12ア
ルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００２８】
置換カルボキシル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、炭素数が通常２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。上記置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００２９】
上記式（Ｉ）中、Ｒ1とＲ2が互いに結合して環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルキル環、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の複素環が例示される。
【００３０】
シクロアルキル環としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカンなどが例示される。
【００３１】
シクロアルケニル環としては、二重結合を１つまたは２つ以上有するものを含み、その具体例としては、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、シクロオクタトリエン環などが例示される。
【００３２】
芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が例示される。
【００３３】
複素環としてはフラン環、テトラヒドロフラン環、チオフェン環、テトラヒドロチオフェン環、インドール環、テトラヒドロインドール環、イソキノリン環、ピリジン環、チアゾール環、オキサゾール環が例示される。
【００３４】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（Ｉ）で示される繰返し単位の中では、下記式（ＩＶ）で示される繰返し単位が好ましい。
0005407122.tif 000010
〔上記式（ＩＶ）中、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、Ｒ7とＲ8は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ9およびＲ10がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００３５】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【００３６】
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが、最も好ましい。
【００３７】
上記式（ＩＶ）中、Ｒ7とＲ8が互いに結合して環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルキル環、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の複素環が例示される。
【００３８】
シクロアルキル環、シクロアルケニル環、芳香族炭化水素環および複素環としては前記（Ｉ）の場合と同様の環が例示される
【００３９】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、ｅおよびｆは０または１であることが好ましく、ｅおよびｆが０であることが最も好ましい。
【００４０】
上記式（Ｉ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（Ｉ−１）〜（Ｉ−１０）で示される繰返し単位があげられる。
【００４１】
0005407122.tif 000011
【００４２】
また本発明の高分子化合物は、上記式（Ｉ）で示される繰返し単位に加え、下記式（ＩＩ）で示される繰返し単位を有する。
0005407122.tif 000012
〔上記式（ＩＩ）中、ＲN1はアルキル基を表し、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ5およびＲ6がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００４３】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【００４４】
次に、原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位は、下記式（Ｖ）で示される繰返し単位であることが好ましい。
0005407122.tif 000013
〔上記式（Ｖ）中、ＲN2はアルキル基を表し、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ11およびＲ12がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００４５】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【００４６】
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（Ｖ）中、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが、最も好ましい。
【００４７】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（Ｖ）中、ｇおよびｈは０または１であることが好ましく、ｇおよびｈが０であることが最も好ましい。
【００４８】
上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−８）で示される繰返し単位があげられる。
【００４９】
0005407122.tif 000014
【００５０】
さらに本発明の高分子化合物は、上記（Ｉ）、（ＩＩ）に加え、下記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位を有する。
0005407122.tif 000015
〔上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒは２価の縮合多環式炭化水素基、下記式（ＶＩ）で示される基または下記式（Ｘ）で示される基を表す。〕
0005407122.tif 000016
〔上記式（ＶＩ）中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3はそれぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ａｒ4およびＡｒ5はそれぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、ｘは０または１を表す。〕
0005407122.tif 000017
〔上記式（Ｘ）中、Ａｒ7およびＡｒ8はそれぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ｒ22は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｎは０〜２から選ばれる整数を表し、ｙおよびｚはそれぞれ独立に０〜２から選ばれる整数を表す。Ｒ22、Ａｒ7およびＡｒ8がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００５１】
式(ＩＩＩ)における２価の縮合多環式炭化水素基とは、縮合多環式炭化水素から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基が挙げられる。
２価の縮合多環式炭化水素基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常１０〜５０程度であり、２価の縮合多環式炭化水素基の置換基を含めた全炭素数は、通常１０〜１５０程度である。
【００５２】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基としては前記と同様の基があげられる。
【００５３】
ここに２価の縮合多環式炭化水素基としては、直線的にオルト縮合した２価の基（下式（ＩＩＩ−Ａ）〜（ＩＩＩ−Ｄ））、直線的なオルト縮合以外のオルト縮合を含む２価の基（下式（ＩＩＩ−Ｅ）〜（ＩＩＩ−Ｋ））、オルトぺリ縮合を含む２価の基（下式（ＩＩＩ−Ｌ）〜（ＩＩＩ−Ｑ））及び４員環、７員環及び８員環を含む２価の基（下式（ＩＩＩ−Ｒ）〜（ＩＩＩ−Ｕ））があげられる。
【００５４】
0005407122.tif 000018
【００５５】
0005407122.tif 000019
【００５６】
0005407122.tif 000020
【００５７】
0005407122.tif 000021
【００５８】
２価の縮合多環式芳香族炭化水素基としては、下記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−８）で示される基があげられる。
【００５９】
0005407122.tif 000022
【００６０】
式(ＩＩＩ)における、上記式（ＶＩ）および（Ｘ）においてアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基が好ましい。
アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下式１〜３）、ナフタレンジイル基（下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下式２６〜２８）、縮合環化合物基（下式２９〜３５）、フルオレン−ジイル基（下式３６〜３８）、ベンゾフルオレン−ジイル（下式３９〜４６）などが例示される。
【００６１】
0005407122.tif 000023
【００６２】
0005407122.tif 000024
【００６３】
0005407122.tif 000025
【００６４】
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【００６５】
0005407122.tif 000027
【００６６】
0005407122.tif 000028
【００６７】
0005407122.tif 000029
【００６８】
0005407122.tif 000030
【００６９】
また、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基の中では、２価の芳香族複素環基が好ましい。置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基が好ましい。
２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。
【００７０】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基：ピリジンージイル基（下式１０１〜１０６）、ジアザフェニレン基（下式１０７〜１１０）、キノリンジイル基（下式１１１〜１２５）、キノキサリンジイル基（下式１２６〜１３０）、アクリジンジイル基（下式１３１〜１３４）、ビピリジルジイル基（下式１３５〜１３７）、フェナントロリンジイル基（下式１３８〜１４０）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下式１４１〜１５５）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレン、ホウ素、リンなどを含む５員環複素環基（下式１５６〜１７５）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基（下式１７６〜１８７）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下式１８８〜１８９）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下式１９０〜１９６）。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（下式１９７〜２０２）。
ヘテロ原子として酸素、窒素などを含む６員環複素環基（下式２０３〜２０６）。
【００７１】
0005407122.tif 000031
【００７２】
0005407122.tif 000032
【００７３】
0005407122.tif 000033
【００７４】
0005407122.tif 000034
【００７５】
0005407122.tif 000035
【００７６】
0005407122.tif 000036
【００７７】
0005407122.tif 000037
【００７８】
0005407122.tif 000038
【００７９】
0005407122.tif 000039
【００８０】
0005407122.tif 000040
【００８１】
0005407122.tif 000041
【００８２】
0005407122.tif 000042
【００８３】
0005407122.tif 000043
【００８４】
0005407122.tif 000044
【００８５】
0005407122.tif 000045
【００８６】
0005407122.tif 000046
【００８７】
0005407122.tif 000047
【００８８】
上記式（１〜４６、１０１〜２０６）中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。
【００８９】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【００９０】
発光効率を向上させる観点から、上記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位は、上記式（ＶＩ）で示される繰返し単位であることが好ましい。
【００９１】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩ）中、Ａｒ2およびＡｒ3は、アリーレン基であることが好ましく、フェニレン基（例えば、上記式（１〜３））、ナフタレンジイル基（例えば、上記式（４〜１３））またはアントラセンジイル基（例えば、上記式（１４〜１９））で示される基であることがより好ましく、フェニレン基またはナフタレンジイル基であることがさらに好ましく、フェニレン基であることが最も好ましい。
【００９２】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、Ａｒ4およびＡｒ5はアリール基であることが好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基または９−アントラセニル基であることがより好ましく、フェニル基、１−ナフチル基または２−ナフチル基であることがさらに好ましい
【００９３】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩ）で示される繰返し単位は、下記式（ＶＩＩ）で示される繰返し単位であることが好ましい。
0005407122.tif 000048
〔上記式（ＶＩＩ）中、Ａｒ6は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｉおよびｊはそれぞれ独立に０〜４から選ばれる整数を表し、ｋおよびｌはそれぞれ独立に０〜５から選ばれる整数を表す。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００９４】
アリーレン基、２価の複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【００９５】
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（ＶＩＩ）中、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが、最も好ましい。
【００９６】
さらに原料モノマーの合成の容易さの観点から、Ｒ15およびＲ16はアルキル基であることが好ましい。
【００９７】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩＩ）中、ｉおよびｊは０または１であることが好ましく、０であることが最も好ましい。
【００９８】
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（ＶＩＩ）中、ｋおよびｌは０〜３から選ばれる整数であることが好ましく、１〜３から選ばれる正の整数であることがより好ましい。
【００９９】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩＩ）中、Ａｒ6はアリーレン基であることが好ましく、上記式（１、２、４、１２、１３、１４、１６、１７、１９、２０、２３、２６、２７、２９〜３３、３６，３９、４３または４５）で示される基であることがさらに好ましい。
【０１００】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩＩ）中、Ａｒ6が下記式（ＶＩＩＩ）で示される２価の基であることが好ましい。
0005407122.tif 000049
〔上記式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19およびＲ20はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、Ｒ17とＲ18、Ｒ19とＲ20は互いに結合し環を形成していてもよい。〕
【０１０１】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【０１０２】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19およびＲ20はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、水素原子またはアルキル基であることが最も好ましい。
【０１０３】
また発光効率を向上させる観点から、Ｒ17とＲ18、Ｒ19とＲ20は互いに結合し環を形成していることが好ましい。
【０１０４】
上記式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ17とＲ18、Ｒ19とＲ20が環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルキル環、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の複素環が例示される。
【０１０５】
なかでも原料モノマーの合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の複素環が好ましく、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の芳香族炭化水素環であることがより好ましい。
【０１０６】
シクロアルキル環、シクロアルケニル環、芳香族炭化水素環および複素環としては前記（Ｉ）の場合と同様の環が例示される
【０１０７】
発光効率を向上させる観点から、上記式（ＶＩＩＩ）で示される２価の基が下記式
（ＩＸ）で示される２価の基であることが好ましい。
0005407122.tif 000050
〔上記式（ＩＸ）中、Ｒ21は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜８から選ばれる整数を表す。Ｒ21が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１０８】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【０１０９】
さらに原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＶＩＩ）中、Ａｒ6が下記式（ＸＩＶ）で示される２価の基であることが好ましい。
0005407122.tif 000051
〔上記式（ＸＩＶ）中、Ｒ25およびＲ26はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４から選ばれる整数を表す。Ｒ25およびＲ26がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１１０】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【０１１１】
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（ＩＸ）中、Ｒ21はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが最も好ましい。
【０１１２】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＸ）中、ｍは０〜４から選ばれる整数であることが好ましく、０〜２から選ばれる整数であることがより好ましく、０であることがさらに好ましい。
【０１１３】
上記式（ＶＩ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（ＩＩＩ−９）〜（ＩＩＩ−２０）で示される繰返し単位があげられる。
【０１１４】
0005407122.tif 000052
【０１１５】
0005407122.tif 000053
【０１１６】
また、発光効率を向上させる観点から、上記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位は、上記式（Ｘ）で示される繰返し単位であることが好ましい。
【０１１７】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（Ｘ）中、ｎは０であることが好ましい。
【０１１８】
原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（Ｘ）中、ｙおよびｚはそれぞれ独立に、０または１であることが好ましい。
【０１１９】
発光効率を向上させる観点から、上記式（Ｘ）中、Ａｒ7およびＡｒ8は２価の複素環基であることが好ましい。
【０１２０】
発光効率を向上させる観点から、Ａｒ7およびＡｒ8は、下記式（ＸＩ）で示される２価の基であることが好ましい。
0005407122.tif 000054
〔上記式（ＸＩ）中、Ｒ23は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｏは０〜２から選ばれる整数を表す。Ｒ23が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１２１】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ1、Ｒ2におけるそれらの定義、具体例等と同じである。
【０１２２】
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（ＸＩ）中、Ｒ23は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが最も好ましい。
【０１２３】
原料モノマーの合成の容易さの観点から上記式（ＸＩ）中、ｏは０または１であることが好ましい。
【０１２４】
上記式（Ｘ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（ＩＩＩ−２１）〜（ＩＩＩ−３１）で示される繰返し単位があげられる。
【０１２５】
0005407122.tif 000055
【０１２６】
本発明の高分子化合物は、上記式（Ｉ）で示される繰返し単位、上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位および上記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位をそれぞれ２種以上含んでいてもよい。
【０１２７】
本発明の高分子化合物は、全繰返し単位中の｛（Ｉ）＋（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）｝の含有量は、通常  ５０モル％〜１００モル％の範囲である。
また（Ｉ）／｛（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）｝は通常１〜２０の範囲の値で表され、さらに（ＩＩ）／（ＩＩＩ）は通常０．０５〜２０の範囲の値で表される。
【０１２８】
本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の繰り返し単位に加え、それ以外の繰り返し単位を１種類以上含む共重合体であることが好ましい。（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）以外の繰り返し単位としては、下記式（Ａ）で示される繰り返し単位を含んでいてもよい。
−Ａｒa−      （Ａ）
（式中、Ａｒaはそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。）
【０１２９】
アリーレン基および２価の複素環基としては上記と同様の基を表す。
【０１３０】
ここに金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には以下の３０１〜３０７が例示される。
0005407122.tif 000056
【０１３１】
上記式（３０１〜３０７）中、Ｒは前記式（１〜４６、１０１〜２０６）における例示と同様である。
【０１３２】
上記式（Ａ）で示される繰り返し単位の中では、下記式（Ｂ）、式（Ｃ）、式（Ｄ）または式（Ｅ）で示される繰り返し単位が好ましい。
0005407122.tif 000057
（式中、Ｒaは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を示す。αは０〜４から選ばれる整数を示す。Ｒaが複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
0005407122.tif 000058
（式中、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を示す。βおよびχはそれぞれ独立に０〜３から選ばれる整数を示す。ＲbおよびＲcがそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
0005407122.tif 000059
（式中、Ｒdは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を示す。δは０〜２の整数を示す。ＡｒbおよびＡｒcはそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。εおよびφはそれぞれ独立に０または１を示す。Ｚ1は、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｅ、またはＴｅを示す。Ｒdが複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
0005407122.tif 000060
（式中、ＲeおよびＲfは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を示す。γおよびηはそれぞれ独立に０〜４から選ばれる整数を示す。Ｚ2は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ−ＲgまたはＳｉＲhＲiを示す。Ｚ3およびＺ4は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒjを示す。Ｒg、Ｒh、ＲiおよびＲjはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。ＲeおよびＲfがそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていても
よい。）
式（Ｅ）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。
【０１３３】
本発明の高分子化合物として具体的には、下記式（ＸＩＩ）で示される高分子化合物があげられる。
0005407122.tif 000061
〔上記式（ＸＩＩ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、ＲN1、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘの定義および好ましい例については前記と同様である。ｕは５０〜９５の範囲の値、ｖは１〜２０の範囲の値、ｗは１〜２０の範囲の値であり、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１００であり、ｕ／（ｖ＋ｗ）は１〜２０の範囲の値であり、
ｖ／ｗは０．０５〜２０の範囲の値である
上記式（ＸＩＩ）で示される高分子化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。〕
【０１３４】
また本発明の高分子化合物は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8であることが好ましく、１０3〜１０7であることがより好まし
く、１０4〜１０7であることがさらに好ましい。
【０１３５】
ここで、数平均分子量及び重量平均分子量については、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０１３６】
また、本発明の高分子化合物は、交互、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１３７】
また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１３８】
本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に高分子化合物を０．１重量％以上溶解させることができる。
【０１３９】
次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
例えば、Ｙ1−Ａ−Ｙ2で示される化合物を原料の一つとして用い、これを縮合重合さ
せることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。
式中、−Ａ−は上記式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される繰返し単位を表す。
Ｙ1及びＹ2はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。
【０１４０】
また、本発明の高分子化合物が、−Ａ−以外の繰り返し単位を有する場合には、−Ａ−以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を共存させて縮合重合させればよい。
【０１４１】
−Ａ−で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、Ｙ3−Ａｒa−Ｙ4の化合物が例示される（式中、Ａｒaは前記と同じである。Ｙ3及びＹ4はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。）。
Ｙ1−Ａ−Ｙ2で示される化合物に加えて、Ｙ3−Ａｒa−Ｙ4で示される化合物を縮合重合させることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。
【０１４２】
また、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される繰返し単位以外の繰り返し単位となる上記式（Ｄ）に対応する２個の重合縮合に関与する置換基を有する化合物としては、下記式（Ｈ）で示される化合物が挙げられる。
0005407122.tif 000062
（式中、Ａｒb、Ａｒc、Ｚ1、Ｒd、δ、εおよびφの定義については前記と同じ。
Ｙ5およびＹ6はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。）
【０１４３】
本発明の製造方法において、縮合重合に関与する置換基（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6）としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）2、ホルミル基、シアノ基またはビニル基等が挙げられる。
【０１４４】
ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。
【０１４５】
アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
【０１４６】
ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。
0005407122.tif 000063
（式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。）
【０１４７】
スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2Ｓ+Ｍｅ2Ｘ-、−ＣＨ2Ｓ+Ｐｈ2Ｘ-
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
【０１４８】
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2Ｐ+Ｐｈ3Ｘ-
（Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０１４９】
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2ＰＯ（ＯＲ’）2
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１５０】
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基またはヨウ化メチル基が例示される。
【０１５１】
縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、−Ｂ（ＯＨ）2などが挙げられる。
【０１５２】
本発明の製造は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１５３】
本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることができる。
【０１５４】
例えば該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、または適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１５５】
これらのうち、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０１５６】
本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5
およびＹ6）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、およびアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１５７】
この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、又はアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１５８】
また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、  Ｙ5およびＹ6）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）2）及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常  Ｋ／Ｊ  は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。
【０１５９】
この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１６０】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１６１】
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示される。これらの溶媒は単一で、又は混合して用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。
【０１６２】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１６３】
本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１６４】
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を含む組成物であり、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と、本発明の高分子化合物の少なくとも１種類とを含有することを特徴とする組成物、本発明の高分子化合物を少なくとも２種類含有することを特徴とする組成物等があげられる。
【０１６５】
本発明の液状組成物は、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、前記高分子化合物と溶媒とを含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。
【０１６６】
本発明の液状組成物は、前記高分子化合物以外に、低分発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１６７】
本発明の液状組成物が含有してもよい低分子蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられる。
【０１６８】
本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。
【０１６９】
本発明の液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。
【０１７０】
本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。
【０１７１】
本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。
【０１７２】
前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は50万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。
【０１７３】
本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。
【０１７４】
本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。
【０１７５】
高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、50〜150℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。
【０１７６】
液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０１７７】
液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜99．9重量％であり、好ましくは60重量％〜99.9重量％であり、さらに好ましく90重量％〜99.8重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。
【０１７８】
液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が100℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。
【０１７９】
溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０１８０】
液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０１８１】
液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶解することが好ましい。
【０１８２】
液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。
【０１８３】
液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量％であることが好ましく、50〜90重量％であることがより好ましく、65〜85重量％であることがさらに好ましい。
【０１８４】
＜用途＞
本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、薄膜、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、太陽電池又はドーピングにより導電性材料として用いることもできる。
【０１８５】
本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記高分子化合物を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。
【０１８６】
発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50％以上であることが好ましく、60％以上であることがより好ましく、70％以上であることがさらに好ましい。
【０１８７】
導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω／□以下であることがより好ましく、10Ω／□以下であることがさらに好ましい。
【０１８８】
有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは10-5ｃｍ2／Ｖ／秒以上であり、より好ましくは10-3ｃｍ2／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは10-1ｃｍ2／Ｖ／秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ2等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０１８９】
次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。
【０１９０】
本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
【０１９１】
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０１９２】
高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平5-110069号公報に記載の方法により製造することができる。
【０１９３】
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０１９４】
高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
【０１９５】
封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。
【０１９６】
次に、有機太陽電池について説明する。有機太陽電池の一態様である有機光電変換素子で、光起電力効果を利用する固体光電変換素子を説明する。
【０１９７】
本発明の高分子化合物は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。
【０１９８】
さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。
【０１９９】
有機光電変換素子の構造としては、例えば、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。
【０２００】
有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０２０１】
有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記載の方法やScience,270,1789(1995)に記載の方法により製造することができる。
【０２０２】
次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
【０２０３】
本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記高分子化合物を含む発光層とを有するものである。
【０２０４】
また、本発明の高分子発光素子としては、(1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、(2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、(3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
【０２０５】
より具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０２０６】
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合もある。
【０２０７】
発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２０８】
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０２０９】
高分子発光素子作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。
【０２１０】
発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０２１１】
本発明の高分子発光素子においては、発光層に上記高分子化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本願発明の高分子発光素子においては、上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
【０２１２】
前記高分子化合物以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号、同59-194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０２１３】
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が例示される。具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２１４】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２１５】
ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【０２１６】
ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２１７】
ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
【０２１８】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２１９】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２２０】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０２２１】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２２２】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０２２３】
本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。具体的には、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２２４】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２２５】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【０２２６】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２２７】
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０２２８】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２２９】
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０２３０】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２３１】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０２３２】
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。
【０２３３】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
【０２３４】
例えば、具体的には、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０２３５】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が例示される。
【０２３６】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm以上103S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm以上102S/cm以下がより好ましく、10-5S/cm以上101S/cm以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を10-5S/cm以上103S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２３７】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。
【０２３８】
電荷注入層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜100ｎｍであり、２ｎｍ〜50ｎｍが好ましい。
【０２３９】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。
【０２４０】
絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、0.1〜20ｎｍであり、好ましくは0.5〜10ｎｍ、より好ましくは１〜５ｎｍである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
【０２４１】
具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ)陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ)陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ab）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
【０２４２】
本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２４３】
本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２４４】
陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ITO）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２４５】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。
【０２４６】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。
【０２４７】
陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０２４８】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。
【０２４９】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０２５０】
該保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２５１】
本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置等に用いることができる。
【０２５２】
本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
【０２５３】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。例えば照明用光源には白色発光、赤色発光、緑色発光または青色発光などの発光色があげられる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２５４】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２５５】
（合成例１）
Ｎ−オクチルフェノキサジンの合成
不活性雰囲気下、フェノキサジン（１０．０ｇ）、水酸化ナトリウム（２１．９ｇ）、テトラエチルアンモニウムブロマイド（０．３７ｇ）、ジメチルスルホキシド（３４ｍＬ）を混合し、８０℃まで昇温した後、水１８ｍＬを加え、１−ブロモオクタン（１２．９ｇ）を５０分で滴下した。ついで、９０℃ まで昇温して 1 時間攪拌した後、室温へ冷却した。ついで、析出した固体をトルエン１６０ｍＬに溶解し、水（１００ｍＬ）で２回洗浄し、１Ｎ塩酸（１００ｍＬ）で１回洗浄し、水（１００ｍＬ）で３回洗浄し、シリカゲルカラムに通液させ、減圧濃縮、真空乾燥を行い、目的物とするＮ−オクチルフェノキサジン１６．０ｇ（純度９９．４％）を得た。
【０２５６】
1Ｈ−ＮＭＲ（２９９．４ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）；δ  ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．１５−１．４７（ｍ，１０Ｈ），１．６５（ｂｒ，２Ｈ），３．４５（ｂｒ，２Ｈ），６．３１−６．８８（ｂｒ，８Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：２９６［Ｍ＋Ｈ］+
【０２５７】
（合成例２）
３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジンの合成
不活性雰囲気下Ｎ−オクチルフェノキサジン（１５．０ｇ）にジクロロメタン（５５ｍL）を加えて調整した溶液に、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（１５．１ｇ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５．８ｍＬからなる溶液を室温にて３０分で滴下し１時間攪拌した後、室温にて６時間攪拌を行った。得られた沈澱を濾過、メタノールで洗浄、ついで減圧乾燥することにより、目的とする３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジンを１６．６ｇ得た（純度９９．７%）。
【０２５８】
1Ｈ−ＮＭＲ（２９９．４ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）；δ  ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．１８−１．４６（ｍ，１０Ｈ），１．５９（ｂｒ，２Ｈ），３．３８（ｂｒ，２Ｈ），６．２９（ｄ，２Ｈ），６．７３（ｓ，２Ｈ），６．８８（ｄ，２Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：４５２［Ｍ＋Ｈ］+
【０２５９】
（合成例３）
高分子化合物＜Ｐ−１＞の合成
0005407122.tif 000064
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１．３７ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１．２２ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．１８ｇ）、酢酸パラジウム（０．５ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（４．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．２４ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２２ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（３．６ｍｌ）を滴下し、２．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（２６．０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（２５ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（２５ｍｌ）で３回、水（２５ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞の収量は１．８６ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−１＞のポリスチレン換算数平均分子量は、９．１×１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．１×１０5であった。
【０２６０】
（実施例１）
高分子化合物＜Ｐ−２＞の合成
0005407122.tif 000065
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１．５９ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１．２４ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．２０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トルイル−アントラセン−９，１０−ジアミン（０．２１ｇ）、酢酸パラジウム（２．６ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（２２．９ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．４０ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４２ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（５．８ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（４２ｍｇ）を加え、さらに１時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（４０ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（４０ｍｌ）で３回、水（４０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞の収量は２．２３ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−２＞のポリスチレン換算数平均分子量は、８．９×１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．９×１０5であった。
【０２６１】
なお、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トルイル−アントラセン−９，１０−ジアミンはＷＯ２００５／０４９５４６号パンフレットに記載の方法で合成した。
【０２６２】
（実施例２）
高分子化合物＜Ｐ−３＞の合成
0005407122.tif 000066
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（０．４９ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．２９ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（２．１ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．１３ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（１０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（１４ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた。反応溶液を室温まで冷却後、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（２．１６ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．５７ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４−ヘキシルオキシフェニル）フルオレン（１．８６ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（８．４ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５２ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（１１ｍｌ）を滴下し、１．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後、水（７０ｍｌ）で３回、３質量％の酢酸水溶液（７０ｍｌ）で３回、水（７０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−３＞の収量は３．０９ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−３＞のポリスチレン換算数平均分子量は、８．０×１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．７×１０5であった。
【０２６３】
なお、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＵＳ３５７７４２７号公報に記載の方法で合成し、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４−ヘキシルオキシフェニル）フルオレンはＷＯ２００４／０４１９０２号パンフレットに記載の方法で合成した。
【０２６４】
（実施例３）
高分子化合物＜Ｐ−４＞の合成
0005407122.tif 000067
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（２．６５ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（２．２２ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．３４ｇ）、９，１０−ジブロモアントラセン（０．０７ｇ）、酢酸パラジウム（３．４ｍｇ）、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン（１３．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．６５ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（５０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（１４ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後、水（７０ｍｌ）で３回、３質量％の酢酸水溶液（７０ｍｌ）で３回、水（７０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−４＞の収量は２．７１ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−４＞のポリスチレン換算数平均分子量は、１．０×１０5であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．１×１０5であった。
【０２６５】
（実施例４）
高分子化合物＜Ｐ−５＞の合成
0005407122.tif 000068
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（２．３８ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．６２ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．７９ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．５１ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１２ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（１０．５ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．６５ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（５０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（１４ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後、水（７０ｍｌ）で３回、３質量％の酢酸水溶液（７０ｍｌ）で３回、水（７０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−５＞の収量は１．７８ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−５＞のポリスチレン換算数平均分子量は、５．１×１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は８．７×１０4であった。
【０２６６】
なお、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２０００／０４６３２１号パンフレットに記載の方法で合成した。
【０２６７】
（実施例５）
高分子化合物＜Ｐ−６＞の合成
0005407122.tif 000069
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（２．６５ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（２．０６ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．３４ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．２３ｇ）、酢酸パラジウム（３．４ｍｇ）、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン（１３．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．６５ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（５０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（１４ｍｌ）を滴下し、２．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後、水（７０ｍｌ）で３回、３質量％の酢酸水溶液（７０ｍｌ）で３回、水（７０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−６＞の収量は２．２２ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−６＞のポリスチレン換算数平均分子量は、１．１×１０5であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．４×１０5であった。
【０２６８】
なお、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２０００／０４６３２１号パンフレットに記載の方法で合成した。
【０２６９】
（実施例６）
高分子化合物＜Ｐ−７＞の合成
0005407122.tif 000070
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（２．６５ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（２．４１ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．０９ｇ）、
Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ターシャリブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．３０ｇ）、酢酸パラジウム（３．４ｍｇ）、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン（１３．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．６５ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（５０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（１４ｍｌ）を滴下し、２．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）を加え８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後、水（７０ｍｌ）で３回、３質量％の酢酸水溶液（７０ｍｌ）で３回、水（７０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−７＞の収量は３．１４ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−７＞のポリスチレン換算数平均分子量は、１．２×１０5であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．０×１０5であった。
【０２７０】
なお、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ターシャリブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンはＪＰ２００４／１４３４１９号公報に記載の方法で合成した。
【０２７１】
（実施例７）
高分子化合物＜Ｐ−８＞の合成
0005407122.tif 000071
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（２．６５ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（２．１９ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．０９ｇ）、
Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ターシャリブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン（０．６５ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（１０．５ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．６５ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（５０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（７ｍｌ）を滴下し、１．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６０ｍｇ）を加え、さらに５時間還流させた。次いで１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）を加え８０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却後、水（７０ｍｌ）で３回、３質量％の酢酸水溶液（７０ｍｌ）で３回、水（７０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−８＞の収量は２．９９ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−８＞のポリスチレン換算数平均分子量は、１．３×１０5であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．２×１０5であった。
【０２７２】
なお、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ターシャリブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジンはＷＯ２００５／０５６６３３号パンフレットに記載の方法で合成した。
【０２７３】
（実施例８）
高分子化合物＜Ｐ−９＞溶液の調製
高分子化合物＜Ｐ−９＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度０．５重量％のキシレン溶液を作製した。
高分子化合物＜Ｐ−９＞
0005407122.tif 000072
高分子化合物＜Ｐ−９＞は、ＷＯ９９／５４３８５に記載の方法で合成した。
高分子化合物＜Ｐ−２＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−２＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−２＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１４００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約８８ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から５３０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。初期輝度を２０００ｃｄ／ｍ2とし定電流で素子を駆動させたとき、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となる輝度半減寿命は６．３時間であった。また５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、５５時間であった。さらに発光パワーを２０．０μＷとして駆動した時の輝度半減寿命は４３時間であった。
【０２７４】
（実施例９）
高分子化合物＜Ｐ−３＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−２＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−３＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、４６０時間であった。また発光パワーを２０．０μＷとして駆動した時の輝度半減寿命は１７０時間であった。
【０２７５】
（実施例１０）
高分子化合物＜Ｐ−４＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−３＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−４＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、４．３時間であった。
【０２７６】
（実施例１１）
高分子化合物＜Ｐ−５＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−３＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−５＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から６５５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、７００時間であった。
【０２７７】
（実施例１２）
高分子化合物＜Ｐ−６＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−６＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−６＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から６６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、３２０時間であった。
【０２７８】
（実施例１３）
高分子化合物＜Ｐ−７＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−３＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−７＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。発光パワーを２０．０μＷとして駆動した時の輝度半減寿命は６５時間であった。
【０２７９】
（実施例１４）
高分子化合物＜Ｐ−８＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−８＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−８＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、５．３時間であった。
【０２８０】
（比較例１）
高分子化合物＜Ｐ−１＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−１＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−９＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−１＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１０７ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。初期輝度を２０００ｃｄ／ｍ2とし定電流で素子を駆動させたとき、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となる輝度半減寿命は２．４時間であった。また５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、２．１時間であった。さらに発光パワーを２０．０μＷとして駆動した時の輝度半減寿命は２５時間であった。