(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜の露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記多層反射膜の層数は、１０周期以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記レジスト膜が化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記吸収体膜上に、コントラスト値γが３０以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記吸収体膜上に、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする請求項８又は９に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１１】
前記電子線描画において、電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上で露光することを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から７のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記吸収体膜をパターニングして製造されたことを特徴とする反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。この微細パターンの形成には通常何枚もの転写用マスクと呼ばれている基板が使用される。転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においては電子線描画装置が用いられている。転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料などからなる遮光膜パターンを有するバイナリマスクのほかに、ハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。
電子線描画装置を用いて高精度の露光を行う場合、レジスト膜に入射した電子線の一部がレジスト膜を構成する原子と衝突して前方散乱されると共に、レジスト膜を透過した電子線の一部が基板を構成する原子と衝突して後方散乱されて再びレジスト膜に入射する。さらに、後方散乱された電子はレジストを突き抜け、装置内部で反射し、再びレジストへ入射する。この前方散乱と後方散乱などによる影響で、パターンの開口率による線幅変動が生じ、これを近接効果現象と呼ぶ。この問題を解決する方法として、パターンレイアウト（露光パターン密度、配置）に応じて、近接効果補正（以下、ＰＥＣ：Proximity Effect Correction）を行うことが知られている。
また、近年、微細パターンを形成するために、γ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジスト膜が用いられている。例えば、図１の上側に示すように、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜上のＣｒ系遮光膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合においては、高コントラストでシャープ（パターンエッジが垂直）なレジストパターンが得られ、例えば、１：１のラインアンドスペースパターンの設計寸法が５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティも良好である。図１においてＥｔｈはレジストの解像が始まる最低露光量を表す。
【０００３】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、フォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このため、より波長の短い極端紫外（Extreme Ultra Violet：以下、EUVと呼称する）光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。なお、ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このEUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、たとえば下記特許文献１に記載された露光用反射型マスクが提案されている。
このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上にバッファ膜、さらにその上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。バッファ膜は、吸収体膜のパターン形成工程及び修正工程における多層反射膜の保護を目的として多層反射膜と吸収体膜との間に設けられている。露光機（パターン転写装置）に搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２１３３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合においては、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクやバイナリマスクブランクにおけるＣｒ系遮光膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合と比較して、後方散乱が多く生じるため、レジスト膜中に蓄積するエネルギーが減少してしまい、特にパターンエッジ部分での蓄積エネルギーのコントラストが悪化する（パターンの断面がぼやけて台形になり、エッジ部分の傾きが大きくなる）ことを突き止めた（図１の下側の図参照）。本発明者らは、レジスト膜の下層側にある多層反射膜の膜厚が厚く、この多層反射膜によって後方散乱されて再びレジスト膜に入射する影響が大きいことが主原因の一つであり、また、レジスト膜下層の吸収体膜が原子量の大きいタンタル（Ｔａ）であることも原因の一つであることを突き止めた。
上記の後方散乱により、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上のγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジスト膜に対して電子線描画する際、パターンサイズの違いによって、レジスト膜中への蓄積エネルギーが大きく異なり、パターンサイズによって最低露光量Ｅｔｈが異なることとなる（図１の下側の図参照）。したがって、高コントラストのレジストを用いてパターニングすると、ＣＤリニアリティが低下してしまう（図１の下側の図の左から２番目のホールのサイズが、図１の上側の図の左から２番目のホールのサイズに比べ小さくなっていること参照）。また、図１の上側に示す、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおけるＣｒ系遮光膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストのパターンを形成する場合に比べ、解像性能（最小解像線幅）が低下する（図１の下側の図の左から３〜５番目のホールが解像していないこと参照）。
【０００６】
本発明は、上述した背景の下なされたものであり、その目的とするところは、反射型マスクを作製する際に、一般的に使用される高コントラストのレジストを用いると、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下し、ＣＤリニアリティが低下する課題を解決できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
（構成２）
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜の露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
（構成３）
前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする構成１又は２記載の反射型マスクブランク。
（構成４）
前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであることを特徴とする構成１〜３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成５）
前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなることを特徴とする構成１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成６）
前記多層反射膜の層数は、１０周期以上であることを特徴とする構成１〜５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成７）
前記レジスト膜が化学増幅型レジストからなることを特徴とする構成１〜６のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成８）
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記吸収体膜上に、コントラスト値γが３０以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
（構成９）
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記吸収体膜上に、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
（構成１０）
前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする構成８又は９に記載の反射型マスクの製造方法。
（構成１１）
前記電子線描画において、電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上で露光することを特徴とする構成８〜１０のいずれかに８記載の反射型マスクの製造方法。
（構成１２）
構成１から７のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記吸収体膜をパターニングして製造されたことを特徴とする反射型マスク。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、反射型マスクを作製する際に、一般的に使用される高コントラストのレジストを用いると、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下し、ＣＤリニアリティが低下する課題を解決できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】相対的に高コントラストの化学増幅型レジストを用い、バイナリマスクブランク及び反射型マスクブランク上にサイズの異なるレジストパターンを形成した様子を示す模式的断面図である。
【図２】低コントラストに設計された化学増幅型レジストを用い、バイナリマスクブランク及び反射型マスクブランク上にサイズの異なるレジストパターンを形成した様子を示す模式的断面図である。
【図３】反射型マスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥのＣＤリニアリティを示す図である。
【図４】反射型マスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティを示す図である。
【図５】各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの露光許容度ＥＬを示す図である。
【図６】バイナリマスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｅの５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティを示す図である。
【図７】反射型マスクブランク上及びバイナリマスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、ＥのＣＤリニアリティを示す図である。
【図８】反射型マスクブランクから反射型マスクを作製する工程を示す模式的断面図である。
【００１０】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１１】
本発明の反射型マスクブランクは、
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする（構成１）。
このように、一般的なハーフトーン型位相シフトマスクブランクやバイナリマスクブランクに用いられる電子線描画用レジストよりも低コントラストの電子線描画用レジストを採用すると、露光感度に幅を持たせることできるため、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下しても、ＣＤリニアリティを良好にすることが可能となる。
詳しくは、図１の下側に示す図の場合、即ち反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、高コントラスト及び高解像性を意図して一般的に用いられるγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合に比べ、本願発明の如く、図２の下側に示す図の場合、即ち反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、意図的にγ値が小さく低コントラストとなるように設計し作製した化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合は、ＣＤリニアリティが良好となる（図１の下側の図の左から２番目のホールのサイズが、図１の上側の図の左から２番目のホールのサイズに比べ小さくなっているのに対し、図２の下側の図の左から２〜４番目のホールのサイズが、図２の上側の図の左から２〜４番目のホールのサイズ（設計寸法にほぼ対応する）に等しく、ＣＤリニアリティが良好となること参照）。
また、図１の下側に示す図の場合、即ち反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、高コントラスト及び高解像性を意図して一般的に用いられるγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合に比べ、本願発明では、解像性能（最小解像線幅）が向上する（図２の下側の図の左から３〜４番目のホールが解像していること参照）。
【００１２】
一般に、感度曲線は、照射エネルギー量Ｅと膜厚との関係から作成される。膜厚は現像後の膜厚ｄを塗布膜厚ｄ０で規格化し残膜率ｄ／ｄ０で表示し、Ｅは通常単位面積当たりのエネルギー量Ｅで表示する。横軸にはｌｏｇ１０Ｅを取る。
感度曲線は、ポジ型レジストの場合、未露光部の現像後の膜厚を１００％とした規格化膜厚としてグラフにしたものである。感度曲線は、ネガ型レジストの場合、パターン形成に最適な露光量よりも十分に大きい露光量で露光した部分の膜厚を１００％とする。
感度曲線の傾きからγ値を算出できる。
ポジ型レジストの場合、γ値は、規格化膜厚が０（Ｄ０）から８０％（Ｄ８０）の間の傾きとする。
ポジ型レジストの場合、γ＝０．８／ｌｏｇ１０（Ｄ０／Ｄ８０）で表される。
γ値が大きいほど感度曲線の傾きが垂直に近づき、コントラストが高い。
γ値が低すぎると、レジストパターンのエッジのラフネスやＣＤ分布に悪影響を与える。これを回避する観点から、γ値は１０以上であることが好ましい。
ネガ型レジストの場合、γ＝０．２／ｌｏｇ１０（Ｄ７０／Ｄ5０）で表される。
なお、γ値は感度に影響しない。
【００１３】
本発明においては、反射型マスクを作製する際に、１：１のラインアンドスペースパターンの設計寸法が５００ｎｍ〜１００ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティが、デザインルールにおいてＤＲＡＭ  ｈｐ（ハーフピッチ）３２ｎｍ世代で要求される４．８ｎｍ以下を達成できるようなγ値が３０以下のレジストを意図的に設計し作製して使用することを特徴とする。さらに、１：１のラインアンドスペースパターンの設計寸法が５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティが、デザインルールにおいてＤＲＡＭ  ｈｐ２３ｎｍ世代で要求される３．４ｎｍ以下を達成できるγ値が２５以下のレジストがより好ましい（構成３）。γ値が２０以下であるとさらに望ましい。
詳しくは、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、高コントラスト及び高解像性を意図して一般的に用いられるγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合においては、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクやバイナリマスクブランクにおけるＣｒ系遮光膜上のレジスト膜に対する場合と比較して、後方散乱が多く生じるため、レジスト膜中に蓄積するエネルギーが減少してしまい、特にパターンエッジ部分での蓄積エネルギーのコントラストが悪化し、これに基づきレジストパターンのＣＤリニアリティが低下してしまう。このような課題に対し、本願発明は、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、このような課題を解決できるように、意図的にγ値が小さく低コントラストとなるように設計し作製した化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成することを特徴とする。
化学増幅型レジストは、γ値が大きい高コントラスト（感度曲線が垂直に近く、露光感度の幅が非常に小さい）ことが特徴であるが、本発明では、あえてγ値が小さく低コントラスト（感度曲線の傾きをゆるくし、露光感度に幅を持たせる）となるように設計し作製した化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成することによって、上記課題を解決することを特徴とする。
【００１４】
本発明の反射型マスクブランクは、
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜の露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることを特徴とする（構成２）。
ここで、露光許容度ＥＬ（Exposure Latitude）は、正規の設計ＣＤが得られるドーズ量に対して、そのドーズ量を１％変動させたときに何ｎｍＣＤが変化するかで表す。横軸にドーズ量をとり、縦軸にＣＤをとったドーズ量−ＣＤのグラフにおいて、ポジ型レジストにホールパターンを形成する場合では、ドーズ量を高くするとＣＤが大きくなり、ドーズ量を小さくするとＣＤが小さくなる、右肩上がりの曲線が得られる。露光許容度ＥＬは、この曲線の傾きで表わされる。
露光許容度ＥＬは、０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることが好ましい。また、露光許容度ＥＬは、近接効果補正のため、０．５ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以上であることが好ましい。
後述するように、電子線描画用レジストのコントラスト値γが小さくなるに従い、露光許容度ＥＬの値も小さくなる傾向がみられる。したがって、露光許容度ＥＬが上記範囲であると、構成１と同様に、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下しても、ＣＤリニアリティを良好にすることが可能となる。
本発明では、電子線描画用レジストは、コントラスト値γが３０以下であり、かつ、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である場合が含まれる。
なお、露光許容度ＥＬは感度に影響しない。
【００１５】
本発明において、前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクである場合が含まれる（構成４）。
上述したように、ＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクにおいては、多層反射膜によって後方散乱されて再びレジスト膜に入射する光の影響が大きいため、本願課題が特に問題となる。
なお、本発明の反射型マスクブランクを用いて製造される反射型マスクは、ＥＵＶ光（波長０．２〜１００ｎｍ程度）を露光光として用いるＥＵＶリソグラフィに特に好適であるが、他の短波長の露光光に対しても適宜用いることは可能である。
【００１６】
本発明において、前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなる場合が含まれる（構成５）。
上述したように、ＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクにおいては、レジスト膜下層の吸収体膜がＣｒやＭｏよりも原子量の大きいタンタル（Ｔａ）であることによって後方散乱されて再びレジスト膜に入射する光の影響も原因の一つであると考えられ、本願課題が問題となる。
吸収体膜の材料等に関しては後述する。
【００１７】
本発明において、前記多層反射膜の層数は、１０周期以上である場合が含まれる（構成６）。
前記多層反射膜の層数が１０周期（１０ペア）以上であると、本願課題が特に問題となる。
前記多層反射膜の層数は、反射率の観点から、４０〜６０周期（ペア）であることが好ましい。前記多層反射膜の膜厚は、例えば、２８０〜４２０nmであることがより好ましい。
多層反射膜の材料等に関しては後述する。
【００１８】
本発明において、前記電子線描画用レジスト膜が化学増幅型レジストからなる場合が含まれる（構成７）。
上述したように、微細パターンを形成するために、γ値が大きい高コントラストの電子線描画用の化学増幅型レジスト膜が用いられている。また、この場合に本願課題が特に問題となる。
前記レジスト膜の膜厚は、５０〜２００nmであることが好ましく、１００〜１５０nmであることがより好ましい。
なお、非化学増幅型レジストでは、５０ｋｅＶ以上で露光（適正なドーズ量で描画）でき、高コントラストなレジストは得られ難い。これは、化学増幅型レジストでないと、高コントラストは得られ難いからである。なお、フォトレジストでは、電子線の後方散乱の課題が生じない。
【００１９】
本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記吸収体膜上に、コントラスト値γが３０以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする（構成８）。
このような構成によると、上記と同様の効果が得られる。
【００２０】
本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記吸収体膜上に、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする（構成９）。
このような構成によると、上記と同様の効果が得られる。
【００２１】
本発明において、前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下である場合が含まれる（構成１０）。
レジスト膜をより低コントラストにすることによって、ＣＤリニアリティをさらに良好にすることが可能となる。
本発明において、前記電子線描画において、電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上で露光する場合が含まれる（構成１１）。
加速電圧が大きいほど後方散乱が大きくなる。電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上であると、本願課題が特に問題となる。
【００２２】
本発明の反射型マスクは、
上記構成１から７のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記吸収体膜をパターニングして製造されたことを特徴とする（構成１２）。
本発明の反射型マスクとしては、以下のような態様が挙げられる。
（１）基板上に形成された多層反射膜上にバッファ膜が形成され、このバッファ膜上に所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスク（バッファ膜がパターニングされていないタイプの反射型マスク）。
（２）基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有するバッファ膜と吸収体膜のパターンが形成された反射型マスク（バッファ膜がパターニングされているタイプの反射型マスク）。
（３）基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスク（バッファ膜がないタイプの反射型マスク）。
【００２３】
本発明において、多層反射膜は、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
【００２４】
本発明において、多層反射膜は、ＤＣマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＳｉ膜を成膜し、その後Ｍｏターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＭｏ膜を成膜し、これを一周期として、４０〜６０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜する。
なお、本発明では、多層反射膜とバッファ膜との間、あるいは、多層反射膜と吸収体膜との間（バッファ膜を有していない場合）に、例えばルテニウム（Ｒｕ）又はその化合物等の材料からなる保護膜を設けてもよい。この保護膜を有することにより、バッファ膜や吸収体膜のパターン形成時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止され、露光光反射率の低下を防止できる。なお、上記ルテニウム化合物としては、例えば、RuNb、RuZr等が挙げられる。
【００２５】
本発明においては、上記多層反射膜と吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファ膜を形成してもよい。かかるバッファ膜を形成することにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止される。とりわけ、クロムを含有するクロム系材料からなるバッファ膜は高い平滑性が得られるため、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られ、パターンぼけを減少できる。
本発明においては、クロム系バッファ膜の材料としては、特にクロム（Ｃｒ）の窒化物を含む材料が好ましく挙げられる。また、バッファ膜の膜密度が５．０〜９．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。クロムの窒化物を含むバッファ膜の膜密度が５．０〜９．０ｇ／ｃｍ３であることにより、バッファ膜のＥＵＶ光に対する吸収効果を高められ、吸収体膜の薄膜化を図ることができ、Shadowing効果による転写対象物に転写したときのパターン線幅の太りを低減できるという効果を奏する。
【００２６】
本発明において、バッファ膜は、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ法以外に、イオンビームスパッタ等のスパッタ法で上記多層反射膜上に形成することができる。
なお、バッファ膜の膜厚は、たとえば集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、２０〜６０ｎｍ程度とするのが好ましいが、ＦＩＢを用いない場合には、５〜１５ｎｍ程度とすることができる。
【００２７】
本発明において、吸収体膜は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するものであれば良い。
上述したように、本発明において、前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなる場合が含まれる。
タンタルを含む材料としては、特にＴａの単体またはＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。Ｔａを主成分とする材料は、たとえばＴａの合金である。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
Ｔａを主成分とする材料としては、例えばＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、等を好適に用いることができる。Ｔａに例えばＢを加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、ＴａにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。
【００２８】
上記吸収体膜の膜厚については、露光光であるＥＵＶ光に対する遮光性が十分に得られる厚みであればよいが、通常３０〜１００ｎｍ程度である。
【００２９】
また、本発明の反射型マスクブランクのより好ましい実施の形態は、前記吸収体膜が、最上層と、それ以外の下層とからなる積層構造となっており、前記最上層は、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度が６．０〜１１．０ｇ／ｃｍ３であり、前記下層は、タンタル（Ｔａ）を含む材料で形成され、膜密度が１１．０〜１６．０ｇ／ｃｍ３である反射型マスクブランクである。
このような本発明のより好ましい実施の形態に係る反射型マスクブランクによれば、以下の効果を有する反射型マスクブランクおよびそれを用いて製造される反射型マスクが得られる。
【００３０】
（１）すなわち、吸収体膜は、最上層と、それ以外の下層とからなる積層構造とし、前記最上層は、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度の低い、ＥＵＶ露光光が透過しやすい材料を選定し、前記下層は、タンタル（Ｔａ）を含む材料で形成され、特に膜密度の高い材料を選定したことにより、主として下層でＥＵＶ露光光に対する充分な遮光性能を確保しつつ、最上層ではＥＵＶ露光光に対する表面反射を抑制することができ、ＥＵＶ露光光に対するマスクコントラストを向上させた反射型マスクを得ることができる。
つまり、最上層におけるマスク使用時の露光光透過率を高めて表面反射を抑制するとともに、露光光であるＥＵＶ光に対するマスクコントラストを向上させることができ、微細パターンを高精度でパターン転写を行える。
【００３１】
（２）最上層の膜密度を下層の膜密度より低くし、最上層でのＥＵＶ露光光の透過率を高めることにより、最上層を通過し、下層で反射された露光光と、多層反射膜で反射された露光光との間で干渉効果を高めることができ、吸収体膜のパターンエッジ部分での位相シフト効果を生じさせて、パターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させることができる。その結果、高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクを得ることができる。
【００３２】
本発明における上記吸収体膜の最上層は、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度が６．０〜１１．０ｇ／ｃｍ３である。特に好ましくは、膜密度が７．０〜９．０ｇ／ｃｍ３の範囲である。なお、膜密度が６．０ｇ／ｃｍ３未満であると、下層との界面の反射が強くなることと、ＥＵＶ光の吸収が殆ど出来なくなるためコントラストが稼げなくなるという問題を生じる。一方、膜密度が１１．０ｇ／ｃｍ３より高いと、ＥＵＶ露光光の透過率が低くなり、最上層での露光光に対する表面反射を抑制する効果が低減するという問題を生じる。
【００３３】
Ｔａの酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物の代表的な化合物例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＮ、ＴａＣＮ、ＴａＣ等が挙げられる。また、上記吸収体膜の最上層を形成する材料は、さらにホウ素（Ｂ）を含有していてもよい。Ｂを含有することにより、膜のアモルファス性、表面平滑性をより向上することができる。代表的な化合物例としては、例えば、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣ、ＴａＢＣＮ等が挙げられる。
【００３４】
なお、前述の単層の吸収体膜、上述の積層構造の吸収体膜の最上層、下層はいずれも、必ずしも全体が均一な組成でなくてもよく、例えば膜厚方向で組成が異なるように組成傾斜させてもよい。組成傾斜させる場合、含有する元素の組成が連続的に異なるようにしてもよいし、或いは組成が段階的に異なるようにしてもよい。
【００３５】
本発明において、基板としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、アモルファスガラス、セラミック、金属の何れでも使用できる。例えばアモルファスガラスであれば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、石英ガラス、結晶化ガラスであれば、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等を用いることが出来る。金属基板の例としては、インバー合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）などが挙げられる。また、単結晶シリコン基板を使用することもできる。
【００３６】
本発明において、基板は、高反射率及び高転写精度を得るために、高い平滑性と平坦度を備えた基板が好ましい。特に、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑な表面（１０μｍ角エリアでの平滑性）と、１００ｎｍ以下の平坦度（１４２ｍｍ角エリアでの平坦度）を有することが好ましい。また、基板は、その上に形成される膜の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。
なお、平滑性を示す単位Ｒｍｓは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。また平坦度は、ＴＩＲ（Total Indicated Reading）で示される表面の反り（変形量）を表す値で、基板表面を基準として最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
【００３７】
次に、実施の形態について説明する。
図８は本発明の反射型マスクブランクの一実施の形態及びこのマスクブランクを用いて反射型マスクを製造する工程を示す概略断面図である。
本発明の反射型マスクブランクの一実施の形態としては、図８（ａ）に示すように、基板１上に多層反射膜２が形成され、その上にバッファ膜３及び、下層４ａと最上層４ｂの積層構造からなる吸収体膜４の各層が形成された構造をしている。また、吸収体膜４の上面にレジスト膜５を有している。
なお、図８に示す実施の形態では、反射型マスクブランク１０は以上の如く構成され、バッファ膜を有しているが、吸収体膜４へのパターン形成の方法や形成したパターンの修正方法によっては、このバッファ膜を設けない構成としてもよい。
【００３８】
次に、この反射型マスクブランク１０を用いた反射型マスクの製造工程を説明する。
反射型マスクブランク１０（図８（ａ）参照）の各層の材料及び形成方法については上述した通りである。
そして、この反射型マスクブランク１０の吸収体膜４に所定の転写パターンを形成する。まず、吸収体膜４上のレジスト膜５に対して、電子線描画機を用いて所定のパターン描画を行い、これを現像して、所定のレジストパターン５１を形成する（同図（ｂ）参照）。
【００３９】
形成されたレジストパターン５１をマスクとして、吸収体膜４の最上層４ｂ及び下層４ａをドライエッチングして、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターン（最上層パターン４１ｂと下層パターン４１ａの積層パターン）を形成する（同図（ｃ）参照）。吸収体膜４の最上層４ｂ及び下層４ａはいずれもＴａを主成分とする材料からなる場合、塩素ガスまたはフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
なお、最上層パターン４１ｂ上に残ったレジストパターン５１は酸素プラズマアッシングやオゾン水等を用いて除去する。
【００４０】
通常はここで、吸収体膜パターン（下層パターン４１ａと最上層パターン４１ｂの積層パターン）が設計通りに形成されているかどうかの検査を行う。パターン検査に用いる検査光が吸収体膜パターンが形成されたマスク上に入射され、最上層パターン４１ｂ上で反射される検査光と、吸収体膜４が除去されて露出したバッファ膜３で反射される検査光とを検出し、そのコントラストを観察することによって、検査を行う。
【００４１】
このようにして、例えば、除去されるべきでない吸収体膜４が除去されたピンホール欠陥（白欠陥）や、エッチング不足により一部が除去されずに残っているエッチング不足欠陥（黒欠陥）が検出された場合には、これを修正する。
ピンホール欠陥の修正には、例えば、ＦＩＢアシストデポジション法により炭素膜等をピンホールに堆積させるなどの方法がある。また、エッチング不足による欠陥の修正には、ＦＩＢ照射による不要部分の除去を行うなどの方法がある。このとき、バッファ膜３は、ＦＩＢ照射に対して、多層反射膜２を保護する保護膜となる。
【００４２】
こうして、パターン検査及び修正が終えた後、露出したバッファ膜３を吸収体膜パターンに従って除去し、バッファ膜にパターン３１を形成して、反射型マスク２０を作製する（同図（ｄ）参照）。ここで、例えばＣｒ系材料からなるバッファ膜の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることができる。バッファ膜を除去した部分では、露光光の反射領域である多層反射膜２が露出する。
【００４３】
なお、上述のバッファ膜を除去しなくても必要な反射率が得られる場合には、バッファ膜を吸収体膜と同様のパターン状に加工せず、多層反射膜上に残すことも可能である。
最後に、仕様通りの寸法精度で吸収体膜パターンが形成されているかどうかの最終的な確認の検査を行う。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例に基づき、本発明をさらに具体的に説明する。
（反射型マスクブランクの作製）
使用する基板は、SiO2-TiO2系のガラス基板（６インチ角、厚さが６．３ｍｍ）である。この基板の熱膨張係数は０．２×１０−７／℃、ヤング率は６７ＧＰａである。そして、このガラス基板は機械研磨により、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑な表面と、１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
基板上に形成される多層反射膜は、１３〜１４ｎｍの露光光波長帯域に適した多層反射膜とするために、Ｍｏ膜／Ｓｉ膜周期多層反射膜を採用した。即ち、多層反射膜は、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。Ｓｉ膜を４．２ｎｍ、Ｍｏ膜を２．８ｎｍ、これを一周期として、４０周期積層した後、Ｓｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、その上にさらに保護膜としてＲｕ膜を２．５ｎｍに成膜した。
このようにして多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で反射率を測定したところ、反射率は６３％であった。
【００４５】
次に、上述のように得られた多層反射膜付き基板の保護膜上に、バッファ膜を形成した。バッファ膜は、窒化クロム膜を２０ｎｍの厚さに形成した。Ｃｒターゲットを用いて、スパッタガスとしてアルゴン（Ar）と窒素（N2）の混合ガスを用いてDCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。成膜されたCrNx膜において、窒素（N）は10at%（ｘ＝０．１）とした。なお、成膜されたCrNx膜の膜密度は、７．０ｇ／ｃｍ３であった。膜密度の測定は、低角ＥＵＶ反射光強度測定によって行った。
【００４６】
次に、このバッファ膜上に、吸収体膜の下層として、TaとBとNを含む材料を５０ｎｍの厚さで形成した。即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン（Ar）に窒素（N2）を１０％添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。なお、成膜したTaBN膜の組成比は、Taが５９at%、Bが２１at%、Nが２０at%であった。
続いて、吸収体膜の最上層として、TaとBとOを含む材料を２０ｎｍの厚さで形成した。即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン（Ar）に酸素（O2）を１０％添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。なお、成膜したTaBO膜の組成比は、Taが４３at%、Bが８at%、Oが４９at%であった。
なお、成膜したTaBN膜（下層）の膜密度は、１３．５ｇ／ｃｍ３であり、成膜したTaBO膜（最上層）の膜密度は、９．２ｇ／ｃｍ３であった。膜密度の測定は、上記の方法によって行った。
また、上記最上層のTaBO膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で透過率を測定したところ、０．８％であった。
以上のようにして反射型マスクブランクを複数作製した。
【００４７】
次に、上記で得られた反射型マスクブランク上に、下記に示す電子線描画用レジスト膜Ａ〜Ｅを各々形成した。レジスト膜Ａ〜Ｅの膜厚は、１００ｎｍとした。このようにして得られたレジスト膜付きの反射型マスクブランクに対して、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。電子線の加速電圧は５０ｋｅＶとした。
【００４８】
化学増幅型レジストＡ：コントラスト値γ＝８０
化学増幅型レジストＢ：コントラスト値γ＝３３
化学増幅型レジストＣ：コントラスト値γ＝２７
化学増幅型レジストＤ：コントラスト値γ＝１２
化学増幅型レジストＥ：コントラスト値γ＝１１
【００４９】
（評価）
ラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）のレジストパターンのＣＤリニアリティを図３に示す。
図３において、各レジストに関し左側の棒線（左肩上がりの斜線を施した棒線）は、限界解像の影響を受けにくい大きなパターン（５００ｎｍ〜１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターン）で比較した場合であり、この条件によると、反射型マスクブランク上では、コントラスト値γが小さくなることにより、ＣＤリニアリティが良くなる傾向があることがわかる。コントラスト値γが３０以下であるレジストＣ，Ｄ，Ｅでは、デザインルールがＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍで要求される４．８ｎｍ以下のＣＤリニアリティを満たすことがわかる。
図３において、各レジストに関し右側の棒線は、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンで比較した場合である。この条件によると、反射型マスクブランク上では、コントラスト値γが２５以下であるレジストＤ、Ｅでは、デザインルールがＤＲＡＭ  ｈｐ２３ｎｍで要求される３．４ｎｍ以下のＣＤリニアリティを十分に満たすことがわかる。
化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅに関し、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンのパターンサイズ（ｎｍ）と、ＣＤリニアリティ（ｎｍ）との関係を、図４に示す。
図５に、化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅと、露光許容度ＥＬ（ｎｍ／％Ｄｏｓｅ）との関係を示す。このとき５００ｎｍの設計パターンで比較した。
図５に示すように、化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅのコントラスト値γが小さくなるに従い、露光許容度ＥＬの値も小さくなる傾向がみられる。これによると、レジストＣ，Ｄ，Ｅでは、露光許容度ＥＬが０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下を満たしていることがわかる。
【００５０】
化学増幅型レジストＡは、５００ｎｍのホールパターンを解像し、３００ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＡは、７０ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）パターンを解像し、６０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＡは、５００〜１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは１０．５ｎｍであり、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは１７．７ｎｍである。
化学増幅型レジストＢは、１２５ｎｍのホールパターンを解像し、１００ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＢは、６０ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、５０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＢは、５００〜１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは５．０ｎｍであり、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは７．７ｎｍである。
化学増幅型レジストＣは、１００ｎｍのホールパターンを解像し、８０ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＣは、６０ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、５０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＣは、５００〜１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは３．９ｎｍであり、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは６．６ｎｍである。
化学増幅型レジストＤは、６０ｎｍのホールパターンを解像し、５０ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＤは、５０ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、４５ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＤは、５００〜１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは１．１ｎｍであり、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは１．５ｎｍである。
化学増幅型レジストＥは、８０ｎｍのホールパターンを解像し、７０ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＥは、４５ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、４０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＥは、５００〜１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは０．７ｎｍであり、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは０．７ｎｍである。
上記のように、コントラスト値γが小さくなることにより、解像性能（最小解像寸法）が向上し、ＣＤリニアリティが向上することがわかる。
【００５１】
（反射型マスクの作製）
上記で得られた複数の反射型マスクブランク上に、上記に示す電子線描画用レジスト膜Ａ〜Ｅを各々形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを、上記と同様にして形成した。
【００５２】
次に、このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いて吸収体膜の最上層及び下層をドライエッチングし、吸収体膜に下層と最上層の積層パターンからなる転写パターンを形成した。
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上（吸収体膜のパターンのない部分）に残存しているバッファ膜を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、表面にRu保護膜を備えた多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。
【００５３】
得られた反射型マスクの最終確認検査を行ったところ、化学増幅型レジストＤ、Ｅを用いた場合では、デザインルールがＤＲＡＭ  ｈｐ２３ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できていることが確認できた。化学増幅型レジストＣを用いた場合では、デザインルールがＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できていることが確認できた。化学増幅型レジストＡ、Ｂを用いた場合では、デザインルールがＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できなかった。
【００５４】
（参考例）
膜厚が６９ｎｍのＭｏＳｉ系位相シフト膜上に膜厚が４８ｎｍのＣｒ系遮光膜を有する複数のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記Ｃｒ系遮光膜上に、上記に示す電子線描画用レジスト膜Ａ、Ｂを各々形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。電子線の加速電圧は５０ｋｅＶとした。
膜厚が６０ｎｍのＭｏＳｉ系遮光膜を有するバイナリマスクブランクの前記ＭｏＳｉ系遮光膜上に、上記に示す電子線描画用レジスト膜Ｅを形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。電子線の加速電圧は５０ｋｅＶとした。
化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｅに関し、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンのパターンサイズ（ｎｍ）と、ＣＤリニアリティ（ｎｍ）との関係を、図６に示す。いずれのレジストにおいても、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲でＣＤリニアリティ（ｎｍ）は良好である。
図７において、各レジストに関し右側の棒線（右肩上がりの斜線を施した棒線）は、図６の結果、即ちハーフトーン型位相シフトマスク又はバイナリマスクブランク上に形成されたレジストパターンに関し、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティ（ｎｍ）の範囲を示す。レジストＡ、Ｂ、ＥのＣＤリニアリティは、各々２．８ｎｍ、３．６ｎｍ、１．８ｎｍで良好である。
図７において、各レジストに関し左側の棒線は、図３の右側の棒線、即ち反射型マスクブランク上に形成されたレジストパターンに関し、５００ｎｍ〜７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティ（ｎｍ）の範囲を示す。
図７から、ハーフトーン型位相シフトマスク又はバイナリマスクブランク上であれば、言い換えると反射型マスクブランク上でなければ、化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｅはいずれも良好なＣＤリニアリティが得られることを示している。ＣＤリニアリティの低下は反射型マスクブランク上に特有な現象である。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板
２  多層反射膜
３  バッファ膜
４  吸収体膜
４ａ  下層
４ｂ  最上層
５  レジスト膜
１０  反射型マスクブランク
２０  反射型マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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