(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に走査線及び前記走査線に電気的に接続されるゲートを形成するステップと；
ピクセル電極と、第一金属接触部及び第一半導体接触部を有する第一補助パターンを含む酸化物導体層を前記基板に形成するステップと；
酸化物導体層の前記基板から遠い一側に、データ線、ソース及びドレインを含む金属導体層を前記基板に形成するステップと；
前記ソースと前記ドレインの間に接続され、前記金属導体層が露出する前記第一半導体接触部に接触する酸化物半導体層を形成するステップと；
前記ゲートと前記金属導体層の間に絶縁層を形成するステップと
を備え、
前記第一補助パターンは、一部が前記ゲートの面積に重畳し、
前記ソースは前記データ線に接続され、前記ソースと前記ドレインは互いに分離され、前記ドレインは前記第一金属接触部に接触するとともに、前記第一半導体接触部を露出し、前記ドレインは前記ピクセル電極に電気的に接続され、露出する前記第一半導体接触部は前記ソースと前記ドレインの間に位置し、
前記酸化物導体層を形成するステップは、第二金属接触部及び第二半導体接触部を含む第二補助パターンを形成するステップをさらに含み、
前記酸化物半導体層を形成するステップは、前記酸化物半導体層を前記第二半導体接触部に接触させるステップをさらに含むピクセル構造の製造方法。
【請求項２】
前記第一補助パターンと前記第二補助パターンは互いに分離され、それぞれ前記ゲートに重畳し、前記第二半導体接触部と前記第一補助パターンの間の距離は前記第二金属接触部と前記第一補助パターンの間の距離よりも小さい請求項１に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項３】
前記金属導体層を形成するステップは、前記ソースを前記第二金属接触部に接触させ、前記第二半導体接触部を露出させるステップをさらに含む請求項２に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項４】
前記酸化物導体層を形成するステップは、前記第一補助パターンと前記ピクセル電極を直接接続させるステップを含む請求項１に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項５】
前記酸化物導体層を形成するステップは、前記第一補助パターンと前記ピクセル電極をそれぞれ分離させるステップを含み、前記金属導体層を形成する方法は、前記ピクセル電極と前記第一補助パターンの間に前記ドレインを接続させることをさらに含む請求項１に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項６】
保護層を形成することをさらに含み、前記走査線、前記ゲート、前記酸化物導体層、前記金属導体層、前記酸化物半導体層及び前記絶縁層をいずれも前記保護層と前記基板の間に位置させる請求項１に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成するステップは、前記酸化物導体層、前記金属導体層及び前記酸化物半導体層を形成するステップの後に行われ、前記走査線及び前記ゲートを形成するステップは、前記絶縁層を形成するステップの後に行われ、前記絶縁層を前記ゲートと前記基板の間に位置させる請求項１に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層を形成するステップは、前記酸化物導体層、前記金属導体層及び前記酸化物半導体層を形成するステップの前に行われ、前記走査線及び前記ゲートを形成するステップは、前記絶縁層を形成するステップの前に行われ、前記ゲートを前記絶縁層と前記基板の間に位置させる請求項１に記載のピクセル構造の製造方法。
【請求項９】
基板上に配置された走査線と；
前記基板上に配置され、前記走査線に電気的に接続されたゲートと；
前記基板上に配置され、ピクセル電極と、第一金属接触部及び第一半導体接触部を有する第一補助パターンを含む酸化物導体層と；
前記酸化物導体層上の基板から遠い一側に位置し、データ線、ソース及びドレインを含む金属導体層と；
前記ソースと前記ドレインの間に接続され、前記金属導体層が露出する前記第一半導体接触部に接触する酸化物半導体層と；
前記ゲートと前記金属導体層の間に配置される絶縁層と
を備え、
前記第一補助パターンは、一部が前記ゲートの面積に重畳し、
前記ソースは前記データ線に接続され、前記ソースと前記ドレインは互いに分離され、前記ドレインは前記第一金属接触部に接触するとともに、前記第一半導体接触部を露出し、前記ドレインは前記ピクセル電極に電気的に接続され、露出する前記第一半導体接触部は前記ソースと前記ドレインの間に位置し、
前記酸化物導体層は、第二金属接触部及び第二半導体接触部を含む第二補助パターンをさらに含み、
前記酸化物半導体層は前記第二半導体接触部に接触するピクセル構造。
【請求項１０】
前記第一補助パターンと前記第二補助パターンは互いに分離され、それぞれ前記ゲートに重畳し、前記第二半導体接触部と前記第一補助パターンの間の距離は、前記第二金属接触部と前記第一補助パターンの間の距離よりも小さい請求項９に記載のピクセル構造。
【請求項１１】
前記ソースは前記第二金属接触部に接触し、前記第二半導体接触部を露出する請求項１０に記載のピクセル構造。
【請求項１２】
前記第一補助パターンと前記ピクセル電極は直接接続される請求項９に記載のピクセル構造。
【請求項１３】
前記第一補助パターンと前記ピクセル電極は互いに分離され、前記ドレインは前記ピクセル電極と前記第一補助パターンの間に接続される請求項９に記載のピクセル構造。
【請求項１４】
保護層をさらに含み、前記走査線、前記ゲート、前記酸化物導体層、前記金属導体層、前記酸化物半導体層及び前記絶縁層はいずれも前記保護層と前記基板の間に位置する請求項９に記載のピクセル構造。
【請求項１５】
前記絶縁層は前記ゲートと前記基板の間に位置する請求項９に記載のピクセル構造。
【請求項１６】
前記ゲートは前記絶縁層と前記基板の間に位置する請求項９に記載のピクセル構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ピクセル構造及びその製造方法に関する。特に、酸化物半導体層を有するピクセル構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
良く見かける平面表示器には、液晶表示器(liquid crystal displays)、プラズマ表示器(plasma displays)、有機発光ダイオード表示器(organic light emitting diode displays)等が含まれる。現在、最も普及している液晶表示器を例にとると、それは主に薄膜トランジスタアレイ基板、カラーフィルター基板及び両者間に挟まれる液晶層により構成されている。薄膜トランジスタアレイ基板において、多くはアモルファスシリコン(a-Si)薄膜トランジスタ又は低温ポリシリコン薄膜トランジスタを採用し、各サブピクセルの切替部材としている。近年、多くの研究によれば、酸化物半導体(oxide semiconductor)薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタよりも高いキャリア移動率(mobility)を有し、即ち、好ましい臨界電圧(Vth)均一性を具えることが報告されている。したがって、酸化物半導体薄膜トランジスタは、次世代の平面表示器の重要部材となる可能性を秘めている。
【０００３】
酸化物半導体薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体と接触するソースとドレインの多くは金属材料を利用して製造されている。現行の製造方法で述べると、金属材料のパターン化において採用するエッチング剤は、酸化物半導体及び金属材料のエッチング選択比が好ましくない。したがって、ソースとドレインが酸化物半導体の上方に形成されると、金属材料のパターン化過程において、酸化物半導体もエッチング剤により侵蝕されてしまうことがよくあり、酸化物半導体のチャネル特性を好ましくないものとしてしまう。このほか、酸化物半導体がソースとドレインの上方に形成されると、酸化物半導体を形成する際に使用する酸素がソースとドレインの表面を酸化させ、ソースとドレインが酸化物半導体に接触する接触抵抗を増加させ、部材特性にとって好ましくない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明は、部材特性を向上させ、余分なパターン化製造工程又は余分なマスクの使用の必要ないピクセル構造の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、理想的な部材特性を具えるピクセル構造を提供する。
【０００６】
この発明は、以下のステップを含む、ピクセル構造の製造方法を提供する。まず、基板上に走査線及び走査線に電気的に接続されるゲートを形成する。続いて、基板上に酸化物導体層を形成する。酸化物導体層は、ピクセル電極及び第一補助パターンを含む。第一補助パターンの一部はゲートの面積に重畳し、第一補助パターンは第一金属接触部及び第一半導体接触部を含む。続いて、基板上において、酸化物導体層上の基板から遠い一側に位置する金属導体層を形成する。金属導体層はデータ線、ソースとドレインを含む。ソースはデータ線に接続され、ソースとドレインは互いに分離され、ドレインは第一金属接触部に接触して第一半導体接触部を露出し、ドレインはピクセル電極に電気的に接続されている。露出する第一半導体の接触部はソースとドレインの間に位置する。その後、ソースとドレインの間に接続され、金属導体層が露出する第一半導体接触部に接続される酸化物半導体層を形成する。続いて、ゲートと金属導体層の間に絶縁層を形成する。
【０００７】
また、この発明は、走査線、ゲート、酸化物導体層、金属導体層、酸化物半導体層及び絶縁層を含むピクセル構造を提供する。走査線は基板上に配置される。ゲートは基板上に配置されるとともに、走査線に電気的に接続されている、酸化物導体層は基板上に配置されるとともに、ピクセル電極及び第一補助パターンを含み、第一補助パターンの一部はゲートの面積に重畳し、第一補助パターンは第一金属接触部及び第一半導体接触部を含む。金属導体層は酸化物導体層上の基板から遠い一側に位置する。金属導体層はデータ線、ソースとドレインを含み、ソースはデータ線に接続され、ソースとドレインは互いに分離され、ドレインは第一金属接触部に接触するとともに、第一半導体接触部を露出する。一方、ドレインはピクセル電極に電気的に接続され、露出する第一半導体接触部はソースとドレインの間に位置する。酸化物半導体層はソースとドレインの間に接続されるとともに、金属導体層が露出する第一半導体接触部に接触している。絶縁層はゲートと金属導体層の間に配置される。
【０００８】
この発明の実施形態において、前記酸化物導体層を形成するステップはさらに第二補助パターンを形成するステップを含む。第一補助パターンと第二補助パターンは互いに分離され、それぞれゲートに重畳し、第二補助パターンは第二金属接触部と第二半導体接触部を含む。第二半導体接触部と第一補助パターンの間の距離は、第二金属接触部と第一補助パターンの間の距離よりも小さい。このほか、金属導体層を形成するステップは、ソースを第二金属接触部に接触させ、第二半導体接触部を露出するステップをさらに含む。さらに詳しく述べると、酸化物半導体層を形成するステップは酸化物半導体層を第二半導体接触部に接触させるステップをさらに含む。
【０００９】
この発明の実施形態において、前記酸化物導体層を形成するステップは、第一補助パターンとピクセル電極を直接接続するステップをさらに含む。
【００１０】
この発明の実施形態において、前記酸化物導体層を形成するステップは、第一補助パターンとピクセル電極を互いに分離させるステップを含み、金属導体層を形成する方法は、ドレインをピクセル電極と第一補助パターンの間に接続することをさらに含む。
【００１１】
この発明の実施形態において、前記ピクセル構造の製造方法は、保護層を形成し、走査線、ゲート、酸化物導体層、金属導体層、酸化物半導体層及び絶縁層をいずれも保護層と基板の間に位置させることをさらに含む。
【００１２】
この発明の実施形態において、前記絶縁層を形成するステップは、酸化物導体層、金属導体層及び酸化物半導体層を形成するステップの後に行われ、また、走査線とゲートを形成するステップは、絶縁層を形成するステップの後に行われ、絶縁層をゲートと基板の間に位置させる。
【００１３】
この発明の実施形態において、前記絶縁層を形成するステップは、酸化物導体層、金属導体層及び酸化物半導体層を形成するステップの前に行われ、また、走査線とゲートを形成するステップは、絶縁層を形成するステップの前に行われ、ゲートを絶縁層と基板の間に位置させる。
【発明の効果】
【００１４】
前記に基づき、この発明では、ピクセル電極を形成するのと同時に補助パターンを形成し、ソースとドレインを補助パターンに接触させ、補助パターンの一部を露出させる。これによって、ソースとドレイン上方に形成する酸化物半導体層と補助パターンの間の接触が良好となり、理想的な電気的接続を有する。言い換えれば、この発明のピクセル構造は理想的な部材特性を具える。このほか、補助パターンは余分な製造工程により形成する必要はなく、ピクセル電極と同時に形成するため、この発明のピクセル構造の製造方法は、補助電極の形成により複雑になることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】この発明の実施形態のピクセル構造の製造工程を示す図面である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態のピクセル構造の製造工程を示す図面である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態のピクセル構造の製造工程を示す図面である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態のピクセル構造の製造工程を示す図面である。
【図２】この発明の別の実施形態のピクセル構造を示す図面である。
【図３】この発明の別の実施形態のピクセル構造を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
この発明の前記の特徴及び長所を更に明確で分かりやすくするため、以下、実施形態を挙げるとともに、図面を添付して詳細に説明する。
【００１７】
図１Ａから図１Ｄが示すのは、この発明の実施形態におけるピクセル構造の製造工程を示す図面であり、図１Ａから図１Ｄ各図面の右側部分は上面図であり、左側部分はＡ-Ａ’断面線に沿った断面図である。まず、図１Ａを参照すると、基板１０上には走査線１１２及び走査線１１２に電気的に接続されるゲート１１４が形成されている。このほか、この実施形態ではさらに走査線１１２とゲート１１４上に絶縁層１２０を形成している。
【００１８】
走査線１１２とゲート１１４の形成方法は、実質上、基板１０上に導体材料層１１０を形成し、導体材料層１１０をパターン化して走査線１１２とゲート１１４を形成することを含んでいる（図１Ａの左側部分を参照）。導体材料層１１０は金属層、金属酸化物層、金屬積層等の膜層であることができ、それを基板１０上に形成する方法は、スパッタリング、物理気相成長、化学気相成長等の成膜方法を含むが、これに限られない。パターン化導体材料層１１０の方法は、リソグラフィエッチングプロセスを含み、つまり、このステップはマスクにより導体材料層１１０をパターン化できる。しかしながら、この発明はこれに限られず、その他の実施形態においては、走査線１１２とゲート１１４は印刷法により基板上に形成することができ、前記の成膜及びパターン化製造工程を採用する必要はない。即ち、走査線１１２とゲート１１４の形成方法は、実質上、マスクを使用しないことも選択できる。
【００１９】
次に、図１Ｂを参照すると、基板１０上に酸化物導体層１３０を形成している。酸化物導体層１３０は、ピクセル電極１３２、第一補助パターン１３４及び第二補助パターン１３６を含む。酸化物導体層１３０の形成方法は、例えば、まず、絶縁層１２０上に酸化物導体材料層１３０'を形成し、その後、酸化物導体材料層１３０'を酸化物導体層１３０にパターン化する方法であり（図１Ｂの左側部分に示されるとおり）、酸化物導体材料層１３０'を形成する方法は、スパッタリング、物理気相成長、化学気相成長等の成膜方法を含み、ここでのパターン化方法は、例えば、リソグラフィエッチングプロセスである。したがって、酸化物導体層１３０の形成方法においては一枚のマスクを使用することができる。
【００２０】
第一補助パターン１３４と第二補助パターン１３６は互いに分離され、それぞれゲート１１４に重畳している。つまり、第一補助パターン１３４の面積とゲート１１４の面積は重畳し、第二補助パターン１３６の面積とゲート１１４の面積も重畳している。このほか、この実施形態では、ゲート１１４は走査線１１２のブランチにより構成されることを説明しているので、第一補助パターン１３４と第二補助パターン１３６は走査線１１２から分岐するブランチに重畳している（つまりゲート１１４）。しかしながら、その他の実施形態において、走査線１１２はブランチを具えなくてもよく、ゲート１１４の輪郭は、第一補助パターン１３４と第二補助パターン１３６が走査線１１４に重畳する部分により定義できる。
【００２１】
具体的に言えば、第一補助パターン１３４は、第一金属接触部１３４Ａ及び第一半導体接触部１３４Ｂを含み、第二補助パターン１３６は、第二金属接触部１３６Ａ及び第二半導体接触部１３６Ｂを含む。第一半導体接触部１３４Ｂと第二補助パターン１３６の間の距離は第一金属接触部１３４Ａと第二補助パターン１３６の距離よりも小さい。同様に、第二半導体接触部１３６Ｂと第一補助パターン１３４の距離は第二金属接触部１３６Ａと第一補助パターン１３４の距離よりも小さい。つまり、第一補助パターン１３４と第二補助パターン１３６が互いに接近する部分は、この実施形態において半導体接触部であると定義することができ、互いに離れる部分は、この実施形態において金属接触部であると定義することができる。
【００２２】
このほか、この実施形態の設計は、第一補助パターン１３４をピクセル電極１３２に直接接続させるものであるが、その他の実施形態において、第一補助パターン１３４とピクセル電極１３２は互いに分離することができる。したがって、この実施形態における酸化物導体層１３０のパターン設計は、例を挙げて説明するためのものにすぎず、この発明を限定するものではない。ここで取り上げるに値するのは、この実施形態では同一の酸化物導体材料層１３０'を採用してピクセル電極１３２、第一補助パターン１３４及び第二補助パターン１３６を形成している。したがって、ピクセル電極１３２、第一補助パターン１３４及び第二補助パターン１３６は同一のマスクにより形成することができ、余分にマスクの使用数量を増加させる必要がない。
【００２３】
続いて、図１Ｃを参照すると、絶縁層１２０と酸化物導体層１３０上には、酸化物導体層１３０の基板１０から遠い一側に位置する金属導体層１４０が形成されている。金属導体層１４０の形成方法は、例えば、まず、絶縁層１２０と酸化物導体層１３０上に金属材料層１４０'を形成し、その後、金属材料層１４０'を金属導体層１４０にパターン化する方法であり（図１Ｃの左側部分に示されるとおり）、金属材料層１４０'を形成する方法は、スパッタリング、物理気相成長、化学気相成長等の成膜方法を含み、ここでのパターン化方法は、例えば、リソグラフィエッチングプロセスである。したがって、酸化物導体層１４０の形成方法においては一枚のマスクを使用することができる。
【００２４】
具体的に言えば、金属導体層１４０はデータ線１４２、ドレイン１４４及びソース１４６を含む。ソース１４６はデータ線１４２に接続され、ソース１４６とドレイン１４４は互いに分離され、且つ、ドレイン１４４はピクセル電極１３２に電気的に接続されている。このほか、ドレイン１１４は第一金属接触部１３４Ａに接触するとともに、第一半導体接触部１３４Ｂを露出し、ソース１４６は第二金属接触部１３６Ａに接触するとともに、第二半導体接触部１３６Ｂを露出している。つまり、第一補助パターン１３４と第二補助パターン１３６において、いわゆる金属接触部とは、酸化物導体層１３０において金属部材と接触する部分を指し、また、金属部材は、実質上、半導体接触部を露出する。
【００２５】
ここで、第一金属接触部１３４Ａと第二金属接触部１３６Ａはドレイン１４４及びソース１４６によって直接覆われていて露出することはなく、図１Ｃにおいて、第一金属接触部１３４Ａと第二金属接触部１３６Ａの位置を矢印で表示している。同時に、金属導体層１４０が露出する第一半導体接触部１３４Ｂと第二半導体接触部１３６Ｂはソース１４６とドレイン１４４の間に位置している。ここで取り上げるに値するのは、ドレイン１４４は第一金属接触部１３４Ａに接触し、ソース１４６は第二金属接触部１３６Ａに接触している。したがって、ドレイン１４４と第一金属接触部１３４Ａは電気的に接続され、複合ドレインと見なすことができ、且つ、ソース１４６と第二金属接触部１３６Ａは電気的に接続され、複合ソースと見なすことができる。
【００２６】
この実施形態において、ピクセル電極１３２と第一補助パターン１３２は直接接続されているため、金属材料で構成されるドレイン１４４は、第一補助パターン１３４を介してピクセル電極１３２に電気的に接続することができる。これによって、ピクセル電極１３２とドレイン１４４の間に絶縁層は設置されず、ピクセル電極１３２とドレイン１４４を絶縁層の接触開口部を貫通することなく互いに電気的に接続させることができる。したがって、ピクセル電極１３２とドレイン１４４の間に絶縁層を設置する設計と比べて、この実施形態は、絶縁層中に接触開口部を形成する必要がなく、少なくとも一枚のマスクを節約することができる。さらに、ピクセル電極１３２とドレイン１４４の間の接触抵抗も接触開口部の面積によって制限されることがなく、ピクセル電極１３２とドレイン１４４は互いに良好に導通することができる。
【００２７】
続いて、図１Ｄを参照すると、酸化物半導体層１５０を形成しており、それはソース１４６とドレイン１４４の間に接続されるとともに、金属半導体層１４０が露出する第一半導体接触部１３４Ｂ及び第二半導体接触部１３６Ｂに接触している。つまり、第一補助パターン１３４と第二補助パターン１３６において、いわゆる半導体接触部とは酸化物半導体層１３０において半導体部材と接触する部分を指す。
【００２８】
酸化物半導体層１５０の形成方法は、例えば、まず、絶縁層１２０、酸化物導体層１３０及び金属導体層１４０上に酸化物半導体材料層１５０'を形成し、その後酸化物半導体材料層１５０'を酸化物半導体層１５０にパターン化する方法であり（図１Ｄの左側部分に示されるとおり）、酸化物半導体材料層１５０'を形成する方法は、スパッタリング、物理気相成長、化学気相成長等の成膜方法を含み、ここでのパターン化方法は、例えば、リソグラフィエッチングプロセスである。したがって、酸化物半導体層１５０の形成方法においては一枚のマスクを使用することができる。このほか、酸化物半導体材料層１５０'を形成する過程において、ドーピングステップを行って、酸化物半導体層１５０に必要な導電又は半導体特性を具えさせることができる。つまり、酸化物半導体材料層１５０'の材質はドーピングしていない酸化物半導体材料、又はドーピングした酸化物半導体材料であることができ、酸化物半導体材料としては、アモルファス酸化物（IGZO）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム−ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化カドミウム・酸化ゲルマニウム（2CdO・GeO2）又はコバルト‐ニッケル混合酸化物（NiCo2O4）等が含まれる。
【００２９】
このほか、この実施形態では、酸化物半導体層１５０を形成した後で、基板１０上に保護層１６０を形成することも選択できる。このとき、走査線１１２、ゲート１１４、絶縁層１２０、酸化物導体層１３０、金属導体層１４０及び酸化物半導体層１５０はいずれも保護層１６０と基板１０の間に位置して、ピクセル構造１００を構成する。ゲート１１４、酸化物導体層１３０、金属導体層１４０、酸化物半導体層１５０は、例えば、共同で薄膜トランジスタＴＦＴを構成する。実施形態において、保護層１６０が特定のパターン設計を具える必要があるとき、リソグラフィエッチングプロセスによってパターン化を行うことを選択でき、つまり、保護層１６０は一枚のマスクを使用して形成し特定のパターンを具えさせることができる。もちろん、この発明はこれに限られない。
【００３０】
この実施形態において、酸化物半導体層１５０を形成する過程において、酸素の存在により金属導体層１４０の表面が酸化される可能性がある。これによって、金属導体層１４０と酸化物半導体層１５０の間の接触抵抗が高まり、薄膜トランジスタＴＦＴの部材特性にとって不利になる恐れがある。しかしながら、この実施形態の酸化物半導体層１５０は金属導体層１４０が露出する第一半導体接触部１３４Ｂと第二半導体接触部１３６Ｂに接触している。第一半導体接触部１３４Ｂと第二半導体接触部１３６Ｂは複合ドレインと複合ソースの一部とすることができ、即ち、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル幅は、例えば、第一半導体接触部１３４Ｂと第二半導体接触部１３６Ｂの間の距離Ｄである。このとき、第一半導体接触部１３４Ｂと第二半導体接触部１３６Ｂ自体は酸化物導体材料により構成され、酸素の存在により変異を起こしにくいため、複合ドレインと複合ソースは酸化物半導体層１５０に良好に接触する。つまり、この実施形態における設計は薄膜トランジスタＴＦＴに理想的な部材特性を具えさせるのを助ける。
【００３１】
このほか、この実施形態では、酸化物半導体層１５０を金属導体層１４０の基板１０から遠い一側に形成しており、つまり、酸化物半導体層１５０よりも先に金属導体層１４０を形成している。したがって、金属導体層１４０のパターン化過程で酸化物半導体層１５０の表面はエッチングされず、酸化物半導体層１５０の部材特性を劣らせることなく、薄膜トランジスタＴＦＴに理想的な部材特性を具えさせるのを助ける。
【００３２】
全体から言えば、この実施形態において、ゲート１１４及び走査線１１２を形成する過程、酸化物導体層１３０を形成する過程、金属導体層１４０を形成する過程、酸化物半導体層１５０を形成する過程及び保護層１６０を形成する過程においてはそれぞれ一枚のマスクを使用することができる。したがって、マスク五枚を使用してピクセル構造１００を製造することができる。しかしながら、その他の実施形態において、ゲート１１４及び走査線１１２は印刷により形成することを選択して、一枚のマスクを節約することができる。このほか、保護層１６０はパターン化をしないことを選択して、さらに一枚のマスクを節約することができる。したがって、ピクセル構造１００の製造方法は、酸化物導体層１３０を形成する過程、金属導体層１４０を形成する過程及び酸化物半導体層１５０を形成する過程においてのみマスクを使用することができ、つまり、マスク三枚のみを使用してピクセル構造１００を完成することができる。したがって、この実施形態における設計は、酸化物半導体薄膜トランジスタに理想的な部材特性を具えさせることができるだけでなく、使用するマスク数の減少により、容易な製造工程及び廉価な製造コストを得ることができる。
【００３３】
以上の実施形態から述べると、絶縁層１２０を形成するステップは、酸化物導体層１３０、金属導体層１４０及び酸化物半導体層１５０のステップの前に行い、走査線１１２及びゲート１１４を形成するステップは、絶縁層１２０を形成する前に行う。したがって、前記の実施形態は、ゲート１１４を絶縁層１２０と基板１０の間に位置させるボトムゲート型ＴＦＴである。しかしながら、前記の製造ステップの順序はこの発明の精神を限定するものではない。
【００３４】
図２はこの発明の別の実施形態のピクセル構造を示す図面であり、図２の右側部分は上面図であり、左側部分はＢ-Ｂ’断面線に沿った断面図である。図２を参照すると、ピクセル構造２００と前記実施形態のピクセル構造は類似しており、両者の組成部材も同一であるため、両実施形態における同一の部材符号は同一の部材を示す。ピクセル構造２００における各部材の形成ステップについては前記図１Ａから図１Ｄの説明を参照することができるが、この実施形態の走査線１１２、ゲート１１４及び絶縁層１２０は、酸化物半導体層１５０の基板１０から遠い一側に形成される。つまり、この実施形態において、絶縁層１２０を形成するステップは、酸化物導体層１３０、金属導体層１４０及び酸化物半導体層１５０を形成するステップの後に行われ、走査線１２２とゲート１１４を形成するステップは、絶縁層１２０を形成するステップの後に行われる。これによって、絶縁層１２０はゲート１１４と基板１０の間に位置して、トップゲート型薄膜トランジスタを構成する。
【００３５】
前記の実施形態と同様に、ピクセル構造２００は五枚のマスク又は更に少ない数量のマスクを採用して製造することができる。このほか、酸化物導体層１３０における第一補助パターン１３４及び第二補助パターン１３６は複合ドレイン及び複合ソースの一部をなすことができ、第一補助パターン１３４及び第二補助パターン１３６は、いずれも酸化物半導体層１５０に接触して両者の間に部材のチャネルを定義するため、薄膜トランジスタＴＦＴは理想的な部材特性を具えることができる。
【００３６】
更に詳しく述べると、前記実施形態では第一補助パターン１３４はピクセル電極１３２に直接接続されることを説明を行っているが、この発明はこれに限られない。例を挙げて述べると、図３はこの発明の別の実施形態のピクセル構造を示す図面であり、図３の右側部分は上面図であり、左側部分はＣ-Ｃ’断面線に沿った断面図である。図３を参照すると、ピクセル構造３００とピクセル構造１００は類似しており、両実施形態の主な差異点は酸化物導体層３３０のパターン設計にある。したがって、この実施形態では、酸化物導体層３３０の部材符号を除き、その他の部材符号はいずれもピクセル構造１００と同一であり、同一の部材を示す。このほか、ピクセル構造３００の製造方法については図１Ａから図１Ｄの説明を参照することができるので、ここで特に述べることはしない。
【００３７】
詳細に述べると、この実施形態の酸化物導体層３３０は、ピクセル電極３３２、第一補助パターン３３４及び第二補助パターン３３６を含む。ピクセル構造１００と異なり、第一補助パターン３３４とピクセル電極３３２は直接接続されず、互いに分離されている。したがって、この実施形態において、金属導体パターン１４０を形成するとき、ドレイン１４４をピクセル電極３３２と第一補助パターン３３４の間に接続して、ドレイン１４４をピクセル電極３３２に電気的に接続させることができる。このとき、第一補助パターン３３４は、例えば、ドレイン１４４を介してピクセル電極３３２に電気的に接続されている。
【００３８】
第一補助パターン３３４と第二補助パターン３３６も同様に局部がドレイン１４４とソース１４６により露出されることができるので、酸化物半導体層１５０は、露出する第一補助パターン３３４及び第二補助パターン３３６に直接接触することができる。つまり、この実施形態のピクセル構造３００において、薄膜トランジスタのチャネルは第一補助パターン３３４及び第二補助パターン３３６の間に定義される。これによって、酸化物半導体層１５０を形成する過程で、たとえ酸素の存在によって金属導体層１４０の表面が酸化したとしても、薄膜トランジスタの電気的特性には影響をもたらさない。このほか、金属導体層１４０のパターン化過程も酸化物半導体層１５０の特性には影響せず、ピクセル構造３００に理想的な品質を具えさせることができる。
【００３９】
前記の複数の実施形態では、ピクセル電極１３２、３３２を形成する過程において、第一補助パターン１３４、３３４及び第二補助パターン１３６、３３６を同時に形成しているが、その他の実施形態では、ピクセル電極１３２、３３２を形成する過程において、第一補助パターン１３４、３３４及び第二補助パターン１３６、３３６のいずれか一方のみを形成することを選択できる。つまり、その他の実施形態において、酸化物導体層１３０、３３０は、ピクセル電極１３２、３３２を含むほか、ソースに対応する補助パターン又はドレインに対応する補助パターンのみを含むことができる。したがって、第一補助パターン１３４、３３４及び第二補助パターン１３６、３３６は、同一のピクセル構造中に同時に形成すると限定する必要はない。むろん、酸化物導体層１３０、３３０がドレインに対応する補助パターンを含むとき、前記ドレインに対応する補助パターンは、ピクセル電極に直接接続するか、金属により形成されたドレインを介してピクセル電極に接続するかを選択できる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
前記をまとめ、この発明は、酸化物半導体層を形成する前に、ピクセル電極及びソース又はドレインに対応する補助パターンを形成する。加えて、連続して金属材料によりソース及びドレインを形成する過程において、ソース及びドレインに補助パターンを露出させる。これによって、補助パターン上に酸化物半導体層を形成し、金属ソース及び金属ドレインが露出する補助パターンを利用して薄膜トランジスタのチャネルを定義することができ、補助パターンは酸化物半導体層の形成による変質を受けにくく、この発明のピクセル構造に理想的な部材特性を具えさせることができる。このほか、この発明においては、余分な製造工程ステップ又はマスクにより補助パターンを形成すること必要がなく、製造コストを増加させることがない。
【００４１】
この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、この発明の保護の範囲は、実用新案請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００４２】
１０  基板
１００、２００、３００  ピクセル構造
１１０  導体材料層
１１２  走査線
１１４  ゲート
１２０  絶縁層
１３０、３３０  酸化物導体層
１３０’  酸化物導体材料層
１３２、３３２  ピクセル電極
１３４、３３４  第一補助パターン
１３４Ａ  第一金属接触部
１３４Ｂ  第一半導体接触部
１３６、３３６  第二補助パターン
１３６Ａ  第二金属接触部
１３６Ｂ  第二半導体接触部
１４０  金属導体層
１４２  データ線
１４４  ドレイン
１４６  ソース
１５０  酸化物半導体層
１５０’酸化物半導体材料層
１６０  保護層
Ａ-Ａ’、Ｂ-Ｂ’、Ｃ-Ｃ’断面線
Ｄ  距離
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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