(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット材料にプレパルスレーザービームを照射してプラズマを発生させた後、メインパルスレーザービームを照射してＥＵＶ光を放射させるダブルパルス照射法によるＥＵＶ光の放射方法であって、
前記ターゲット材料が錫および錫化合物の少なくとも一方からなり、
前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマは、イオン密度が１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３、スケール長が１００〜５００μｍ、温度が３０〜５０ｅＶであり、
且つ前記メインパルスレーザービームが赤外域のレーザービームであることを特徴とするＥＵＶ光の放射方法。
【請求項２】
前記錫化合物が錫酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光の放射方法。
【請求項３】
前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマのイオン密度が１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＥＵＶ光の放射方法。
【請求項４】
前記赤外域のレーザービームが炭酸ガスレーザービームであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＥＵＶ光の放射方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶ光の放射方法により放射されるＥＵＶ光を集光し、マスクに当てる照明光学系と、該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系を通して感応基板を露光することを特徴とする感応基板の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ光の放射方法に関する。より詳しくは、メインパルスを赤外域のレーザービームとするダブルパルス照射法により高変換効率でＥＵＶ光を放射させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
極端紫外（extreme ultraviolet：ＥＵＶ）光は次世代半導体リソグラフィーに用いられる光として注目されている。現在レーザービームによるＥＵＶ光への変換効率は３％程度であるが、実用光源とするにはさらに高い変換効率のＥＵＶ光を放射させる必要があり、変換効率を向上する多くの研究がなされている。
ＥＵＶ光への変換効率を上げる技術として、たとえばダブルパルス法があり、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーからの高電力レーザービームを先行パルスとしてキセノンなどのターゲット材料に照射し弱くイオン化されたプラズマを生成させ、その後メインパルスレーザービームをそのプラズマに照射してＥＵＶ光を放射させるＥＵＶ光放射源が提案されている（たとえば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−１７２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の方法では、高電力レーザービームを用いるのでデブリ（ｄｅｂｒｉｓ、ターゲットから飛散する粒子）が多く発生し、コスト高であり、ＥＵＶ光への変換効率も充分には高くはならないという問題点がある。
【０００４】
本発明の目的は、レーザービームを用いて従来よりもＥＵＶ光への高い変換効率を得ることができ、従来よりもデブリの発生量を少なくすることができ、低コストでＥＵＶ光を放射させる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、上記の課題に鑑み、鋭意研究の結果、錫および錫化合物の少なくとも一方をターゲット材料とし、プレパルスレーザービームを照射してプラズマの低イオン密度状態を作りだし、そこに赤外域のメインパルスレーザービームを照射する方法により高変換効率でＥＵＶ光が放射することを見出し、本発明を完成するに至った。
以下、各請求項の発明について説明する。
【０００６】
請求項１に記載の発明は、
ターゲット材料にプレパルスレーザービームを照射してプラズマを発生させた後、メインパルスレーザービームを照射してＥＵＶ光を放射させるダブルパルス照射法によるＥＵＶ光の放射方法であって、
前記ターゲット材料が錫および錫化合物の少なくとも一方からなり、
前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマは、イオン密度が１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３、スケール長が１００〜５００μｍ、温度が３０〜５０ｅＶであり、
且つ前記メインパルスレーザービームが赤外域のレーザービームであることを特徴とするＥＵＶ光の放射方法である。
【０００７】
本請求項１に記載の発明によれば、錫および錫化合物の少なくとも一方からなるターゲット材料にプレパルスレーザービームを照射して発生させた特定のイオン密度を有するプラズマに赤外域のメインパルスレーザービームを照射するというダブルパルス照射により、ＥＵＶ光を従来よりも高い変換効率で放射させることができる。ＥＵＶ光への変換効率は従来３％程度であるが、６〜８％またはそれ以上の高い変換効率とすることができる。また、同じ量のＥＵＶ光を得る際に発生するデブリを従来よりも少なくすることができる。さらに、低コストでＥＵＶ光を放射させることができる。
【０００８】
なお、本発明において、ＥＵＶ光とは、波長が１３．５ｎｍを中心として２％バンド幅（±１％バンド幅）の光をいい、変換効率は、プレパルスレーザービームとメインパルスレーザービームの合計エネルギーに対するレーザー照射方向を中心軸とする立体角２π内へのＥＵＶ光の放射エネルギーの百分率である。立体角２πとは全球を４πとしたときの半分で半球に相当する。またＥＵＶ光の放射量は、光ダイオードで測定する。
【０００９】
本発明においては、課題とする高いＥＵＶ光への変換効率を達成するために、前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマのイオン密度を１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３とすることが必要であるが、その理由は以下の通りである。
先行するプレパルスレーザーを用いるプラズマ発生技術は、レーザーの吸収および発生するプラズマサイズを増加させるが、それらはいずれもＥＵＶ光の放射効率を高める一因になることは知られている。本発明は、これに加えてさらにＥＵＶ光が全波長の発光に比べてどのくらい効率よく放射するかという点に着目した。
【００１０】
ＥＵＶ光の変換効率は次の式（１）で表される。
ＥＵＶ光の変換効率＝ＥＵＶ光の発光エネルギー（またはパワー）／投入したレーザーエネルギー（またはパワー）                      （１）
【００１１】
鋭意検討した結果、本発明者らは、前記式（１）を別の形に書き直した下記の式（１’）の第３項に着目した。
ＥＵＶ光の変換効率＝レーザー吸収率×全波長積分した光の変換率×（ＥＵＶ光の放射パワー／全波長積分発光パワー）                    （１’）
即ち、上記式（１’）において、第１項のレーザー吸収率はプラズマを発生させると、中性状態にくらべ、電離度の上昇とスケール長の増大によって、レーザー吸収率は増加し、第２項の全波長積分した光の変換率はプラズマサイズが大きくなると一般に上昇するので、先行プレパルスでプラズマを生成することにより両項とも大きくなることが知られている。
しかし、本発明者らは、従来着目されていなかった全波長で発光する光の総量の中のＥＵＶ光の発光の割合を示す第３項目の値を高くすることができれば、ＥＵＶ光への変換効率が向上できると考えた。
【００１２】
そして、前記第３項の値を高くするには、プレパルスレーザービームで生成するプラズマのイオン密度を１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３の低イオン密度状態とすること、およびこの低イオン密度状態において、レーザーがプラズマ中を伝搬できる最高の密度である臨界密度がより低い、赤外域に波長を持つレーザービームを照射することが有効であることを見出した。
即ち、この低イオン密度状態で赤外域に波長を持つレーザービームを照射すると、全波長で発光する光の総量の中のＥＵＶ光の発光の割合が向上するので、全体でＥＵＶ光への変換効率が著しく向上することになる。イオン密度が１×１０１６ｃｍ−３未満、または１×１０１９ｃｍ−３を超えると、全波長で発光する光の総量の中のＥＵＶ光の発光の割合が向上せずＥＵＶ光への変換効率は不十分であることが分かった。一方、上記範囲内でも、特にイオン密度が１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であると全波長で発光する光の総量の中のＥＵＶ光の発光の割合がさらに向上してＥＵＶ光への変換効率がさらに高くなることが分かった。
【００１３】
そして、従来ＥＵＶ発生用のターゲット材料として用いられているキセノンなどはプラズマのイオン密度が１×１０２０ｃｍ−３程度という高い状態でメインパルスレーザービームを照射しないとＥＵＶ光への変換効率は高くならず、その変換効率にも限界があるのに対して、錫はイオン密度が低いプラズマであってもメインパルスレーザービームを照射することにより、ＥＵＶ光を発光させることが可能であり、むしろイオン密度が低いプラズマを適用した場合に、従来得られていない高い変換効率を達成できること見出した。
【００１４】
錫や錫化合物の中でも錫は、より高いＥＵＶ光変換効率が得られるので特に好ましい。錫は金属であり、錫の純分が高いほどＥＵＶ光への変換効率を高めることができるため、純分の高い錫金属が最も好ましい。また、形状としては溶融させた液状や、気体状のものの他、固体状のものも用いることができる。また、固体状平板そのものをターゲットにすることも可能である。
錫化合物としては、錫酸化物（ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＳｎＯ３など）、硫化錫（ＳｎＳ、ＳｎＳ２など）、塩化錫（ＳｎＣｌ２、ＳｎＣｌ４など）、スタナン（ＳｎＨ４）、臭化錫（ＳｎＢｒ２など）が好ましい。錫化合物の中では、化学的に扱い易く、初期イオン密度の低密度化が可能なＳｎＯなどの錫酸化物がより好ましい。
【００１５】
さらに、プレパルスレーザービームにより生成した上記の低イオン密度状態のプラズマに照射するメインパルスレーザービームとして、前記赤外域に波長を持つレーザービームを用いると低イオン密度状態での吸収がよく、ＥＵＶ光への変換効率が高くなることがわかった。赤外域のレーザービームであれば特に限定はないが、中でも汎用される安価な炭酸ガスレーザービームが好ましい。
なお、メインパルスレーザービームのパルス持続時間は好ましくは２〜２０ｎｓである。パルス持続時間が２〜２０ｎｓであるとより高い変換効率が得られる。パルス強度は好ましくは５×１０８〜１×１０１０Ｗ／ｃｍ２である。パルス強度が５×１０８〜１×１０１０Ｗ／ｃｍ２であるとプラズマが最適な温度（３０−５０ｅＶ）に加熱されるため好ましい。
【００１６】
また、レーザーを効率良く吸収するためにはある程度の大きさのプラズマサイズが必要であるが、プラズマを作りすぎてサイズが大きくなると逆に放射するＥＵＶ光がプラズマに吸収されてしまい、変換効率が下がることにつながる。このため、プラズマのスケール長も特定の幅が有効であり、好ましくは１００〜５００μｍであり、より好ましくは１００〜２００μｍである。プラズマのスケール長が１００μｍ以上であるとＥＵＶ光への変換効率が向上し、５００μｍ以下であると、ＥＵＶ光への変換効率が向上すると共に、放射したＥＵＶ光の集光も効率的にできる。２００μｍ以下であると、ＥＵＶ光への変換効率がさらに高くなると共に、放射したＥＵＶ光の集光もさらに効率的となる。なお、ここでプラズマのスケール長とは、イオン密度が１／ｅに減少する距離をいう。
すなわち、本発明におけるＥＵＶ光放射のための最適のプラズマの状態は、イオン密度が１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であり、好ましくはスケール長は１００〜２００μｍである。
【００１７】
なお、上記プラズマの低イオン密度状態およびスケール長は、プレパルスレーザービームのパルス強度とパルス持続時間、およびプレパルスレーザービームの照射からメインパルスレーザービームの照射までの時間、プレパルスレーザービームの波長により制御できる。ここで、プレパルスレーザービームの波長については特に限定しない。
上記低イオン密度状態のプラズマを発生させるプレパルスのパルス持続時間は、好ましくは１〜５０ｎｓであり、より好ましくは２〜４０ｎｓである。パルス持続時間が２〜４０ｎｓであると特に高い変換効率が得られる。パルス強度は、好ましくは５×１０７〜５×１０１１Ｗ／ｃｍ２であり、より好ましくは１×１０８〜１×１０１０Ｗ／ｃｍ２である。パルス強度が１×１０８〜１×１０１０Ｗ／ｃｍ２であると特に高い変換効率が得られる。
【００１８】
また、プレパルスレーザービームがターゲットエリアに到達してから、メインパルスレーザービームがターゲットエリアに到達するまでの時間は、好ましくは２０〜５００ｎｓであり、より好ましくは２０〜３００ｎｓである。２０〜５００ｎｓであるとプラズマの上記低イオン密度状態でメインパルスレーザービーム照射でき、ＥＵＶ光への高い変換効率が得られる。
【００１９】
請求項１の発明においては、ＥＵＶ光への高い変換効率が達成できるため、必要な入力レーザーエネルギーが少なく、デブリの発生量を低減することができ、且つレーザーパワーの低い赤外域に波長を持つレーザーを用いるので、低コストでＥＵＶ光を放射させることができる。
【００２０】
上記のことから、請求項２として、
前記錫化合物が錫酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光の放射方法を提供する。
【００２１】
請求項２に記載の発明によれば、ターゲットとして、前記錫化合物の中でも化学的に扱い易く、初期イオン密度の低密度化が可能な錫酸化物を用いるため、ＥＵＶ光をより高い変換効率で放射させることができる。また、同じ量のＥＵＶ光を得る際に発生するデブリをより少なくすることができる。
【００２２】
また、上記のことから、請求項３として、
前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマのイオン密度が１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＥＵＶ光の放射方法を提供する。
【００２３】
請求項３に記載の発明によれば、プレパルスにより発生するプラズマのイオン密度が最適であるため、ＥＵＶ光をより高い変換効率で放射させることができ、また、同じ量のＥＵＶ光を得る際に発生するデブリをさらに少なくすることができる。
【００２４】
また、請求項４として、
前記赤外域のレーザービームが炭酸ガスレーザービームであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＥＵＶ光の放射方法を提供する。
【００２５】
請求項４に記載の発明によれば、メインパルスレーザービームが汎用で安価なレーザーを用いるので、ＥＵＶ光放射の低コスト化になる。また、デブリを従来よりも少なくすることができる。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶ光の放射方法により放射されるＥＵＶ光を集光し、マスクに当てる照明光学系と、該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系を通して感応基板を露光することを特徴とする感応基板の露光方法である。
【００２７】
本発明の感応基板の露光方法は、錫および錫化合物の少なくとも一方からなるターゲット材料をターゲットエリアに供給し、そこにプレパルスレーザービームを照射して前記の低イオン密度状態のプラズマを発生させ、そこにメインパルスレーザービームを照射してＥＵＶ光を放射させることにより感応基板の露光を行なう露光方法であり、放射したＥＵＶ光は集光して射出され利用される。
【００２８】
請求項５に記載の発明によれば、ＥＵＶ光が高効率で放射されるので、露光に必要なレーザー出力が従来よりも少なくてすむ。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のＥＵＶ光の放射方法は、レーザービームを用いて従来よりもＥＵＶ光への高い変換効率ができ、従来よりもデブリの発生量が少なくでき、低コストでＥＵＶ光を放射させることができる。したがって、本発明のＥＵＶ光の放射方法は、従来よりも高効率、低デブリ、低コストの露光用光源をつくることを可能とし、半導体製造の関連産業への経済的効果が大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明の方法は、ダブルパルス照射が可能な公知のＥＵＶ光源を用いて行うことができる。
ターゲット材料をターゲットエリアに供給する装置は、従来公知の供給装置が適用できる。錫または錫化合物は通常常温で固体であり、加熱して液体や気体にして供給することにより、供給量の調整が容易にできるため好ましいが、固体状のものを用いてもよい。液体や気体状態のターゲット材料は通常ターゲットエリアまでノズルにより導かれ、ノズルから噴出されターゲットとなる。ノズルは公知のものが適用されるが、好ましくは超音速ノズルを用いてもよい。したがって、この供給装置は加熱装置やタンクを備え、ターゲット材料の供給量は加熱装置の加熱温度によっても制御できる。ＥＵＶ光の発生が減圧または真空チャンバ内で行われれば、錫または錫化合物の加熱温度は常圧の沸点まで加熱されなくてすむ。
【００３１】
次に、このターゲットにレーザービームが照射される。レーザービームはレーザー発生装置により発生し、集光レンズによりターゲット上に集光される。本発明においては、赤外域のレーザーがメインパルスレーザービームとなるので、これとは別のレーザーである必要がなくプレパルスもメインパルスも赤外域のレーザービームであることが好ましい。プレパルスレーザービームが先行照射され、上記の低イオン密度状態のプラズマが発生した後メインパルスレーザービームが照射される。プレパルスがターゲットエリアに到達してから、メインパルスがターゲットエリアに到達するまでの時間は、好ましくは２０〜５００ｎｓであり、より好ましくは２０〜３００ｎｓである。この時間は、通常、レーザー発生装置が制御装置に連結して制御される。制御装置は、たとえば予め決められたプログラムが格納されたメモリと時計を備える中央処理装置（ＣＰＵ）である。この装置により、プレパルスがターゲットエリアに到達してから、一定の時間後メインパルスがターゲットエリアに到達するように制御される。
【００３２】
メインパルスとプレパルスのターゲットエリアに導かれる経路には、たとえば、同一のレーザー発生装置により発生され、同一の経路を経由してターゲットエリアに到達する経路、途中でスプリットして別々の経路を経由してある角度をもってターゲットエリアに到達する経路、メインパルスとプレパルスが別々のレーザー発生装置により発生され、別々の経路を経由してターゲットエリアに到達する経路などがあるが、特に限定はない。
プレパルスはターゲット材料を励起しプラズマを生成するだけの十分なエネルギーを与えるために、ターゲットエリアにおいてある一定の強度が一定時間照射されなければならない。プレパルスのパルス持続時間は好ましくは１〜５０ｎｓであり、より好ましくは２〜４０ｎｓである。パルス強度は好ましくは５×１０７〜５×１０１１Ｗ／ｃｍ２であり、より好ましくは１×１０８〜１×１０１０Ｗ／ｃｍ２である。メインパルスのパルス持続時間は好ましくは１０〜２０ｎｓである。パルス強度は好ましくは５×１０９〜１×１０１０Ｗ／ｃｍ２である。
【００３３】
また、前記デブリは、ノズルの先端に付着して、ターゲットが正常に噴出されるのを妨げたり、集光ミラーやフィルタ等の光学素子に付着・堆積して、それらの反射率や透過率等の性能を低下させたりする。特に、プラズマから輻射されるＥＵＶ光を集光する集光ミラーの汚染は著しく、頻繁にミラーを交換する必要があるので、大きな手間とコストを要していた。
本発明においては、レーザーパワーの低い、赤外域に波長を持つレーザーを用いること、およびＥＵＶ光への変換効率が高いので、同じ量のＥＵＶ光を得る際に発生するデブリを従来よりも少なくすることができるという利点もある。
【００３４】
赤外域のメインパルスレーザービームがプレパルスレーザービーム照射により発生した低イオン密度状態のプラズマに前記のパルス条件で照射されると、ＥＵＶ光が放射する。放射されるＥＵＶ光は外部に向けて射出され利用される。たとえば、集光器光学系（たとえば、集光ミラー）により収集され、パターニングされる回路やＥＵＶ光照射を用いる他のシステムに指向される。たとえば、マスクに当てる照明光学系と、該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系とを備える露光機に連結される。
【００３５】
以下、本発明の実施の形態につき、図を用いて説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、以下の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
なお、以下に示す各実施の形態および比較の形態は、特に断りの無い限り、シミュレーションによる実施の形態あるいは比較の形態である。
【００３６】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態におけるＥＵＶ光の放射方法を説明するＥＵＶ光源の模式図である。
図１に示すように、ＥＵＶ光源１は、ターゲットエリア２、ターゲット材料供給装置５、ターゲット材料供給装置５に接続されてターゲットエリア２に向けて伸びるノズル６、プレパルスレーザービーム３およびメインパルスレーザービーム４を生成する赤外レーザー発生装置７、プレパルスレーザービーム３とメインパルスレーザービーム４のパルス強度、持続時間、両ビームの照射間隔の時間を制御する制御装置７ａ、レンズ８および９、ミラー１０により構成されている。
【００３７】
まず、ターゲット材料（錫）が、ターゲット材料供給装置５により加熱されドロプレットとなり、ノズル６を通ってターゲットエリア２に放出される。
【００３８】
一方、赤外レーザー発生装置７より生成されるプレパルスレーザービーム３は、レンズ８によってターゲットエリア２上に集束される。
本実施の形態においては、プレパルスレーザービーム３のパルス強度を５×１０８Ｗ／ｃｍ２に、パルス持続時間を１０ｎｓに設定した。
集束されたプレパルスレーザービーム３により、低イオン密度状態の錫プラズマが発生する。
シミュレーションの結果、この時発生するプラズマのイオン濃度は５×１０１７ｃｍ−３となり、プラズマスケール長は１５０μｍとなった。
【００３９】
次いで、プレパルスレーザービーム３がターゲットエリア２に到達した１５０ｎｓ後に、同じく赤外レーザー発生装置７により生成されるメインパルスレーザービーム４を、ターゲットエリア２に照射して、ＥＵＶ光を放射させる。
この際、メインパルスレーザービーム４は、プレパルスレーザービーム３とは別の経路で進み、具体的には、レンズ９により集光された後、ミラー１０を用いて、プレパルスレーザービーム３に対して４５°の角度でターゲットエリア２に照射される。
本実施の形態においては、この時照射されるメインパルスレーザービーム４のパルス強度を２×１０９Ｗ／ｃｍ２に、パルス持続時間を２０ｎｓに設定した。
シミュレーションの結果、本実施の形態におけるＥＵＶ光への変換効率は７．２％となった。
【００４０】
（実施の形態２〜４、比較の形態１〜３）
次いで、上記実施の形態１におけるプレパルスレーザービーム３のパルス強度、持続時間、プレパルスとメインパルスの照射間隔の時間の設定を、表１の実施の形態２〜４、比較の形態１〜２に示すように変えて、ＥＵＶ放射をシミュレーションし、発生するプラズマのイオン密度、プラズマスケール長、および変換効率を求めた。
その結果を、表１に併せて示す。
【００４１】
また、メインパルスレーザービーム４のみ照射するシングルパルス法によるＥＵＶ光放射を、実験（比較の形態３）で行い、プラズマスケール長、および変換効率を求めた。なお、比較の形態３におけるプラズマスケール長は、実験値ではなく、計算値で求めた。
その結果を、表１に併せて示す。
【００４２】
【表１】
0005458243.tif 000002
【００４３】
表１から明らかなように、ダブルパルス法で、かつ発生するプラズマのイオン密度が１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３である場合（実施の形態１〜４）には、高い変換効率でＥＵＶ光が得られている。これに対して、ダブルパルス法ではあっても、発生するプラズマのイオン密度が１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３の範囲を外れる場合（比較の形態１〜２）や、シングルパルス法による場合（比較の形態３）には、高い変換効率が得られない。
【００４４】
（実施の形態５）
図２は、本実施の形態におけるＥＵＶ光の放射方法を説明するＥＵＶ光源の模式図である。
図２に示すように、ＥＵＶ光源１１は、ターゲットエリア１２、ターゲット材料供給装置１５、ターゲット材料供給装置１５に接続されてターゲットエリア１２に向けて伸びるノズル１６、プレパルスレーザービーム１３およびメインパルスレーザービーム１４を生成する赤外レーザー発生装置１７、プレパルスレーザービーム１３とメインパルスレーザービーム１４のパルス強度、持続時間、両ビームの照射間隔の時間を制御する制御装置１７ａ、波長変換素子１８、波長選択型ミラー１９、レンズ２０および２１、ミラー２２により構成されている。
【００４５】
まず、ターゲット材料（錫）が、ターゲット材料供給装置１５により加熱されドロプレットとなり、ノズル１６を通ってターゲットエリア１２に放出される。
【００４６】
一方、赤外レーザー発生装置１７より生成されるプレパルスレーザービーム１３は、波長変換素子１８を経て波長変換された後、波長選択型ミラー１９で反射されて、ミラー２２、およびレンズ２１によってターゲットエリア１２上に集束される。
本実施の形態においては、プレパルスレーザービーム１３のパルス強度を５×１０８Ｗ／ｃｍ２に、パルス持続時間を１０ｎｓに設定した。
集束されたプレパルスレーザービーム１３により、低イオン密度状態の錫プラズマが発生する。
シミュレーションの結果、この時発生するプラズマのイオン濃度は５×１０１７ｃｍ−３となり、スケール長は１５０μｍとなった。
【００４７】
次いで、プレパルスレーザービーム１３がターゲットエリア１２に到達した１５０ｎｓ後に、同じく赤外レーザー発生装置１７により生成されるメインパルスレーザービーム１４を、ターゲットエリア１２に照射して、ＥＵＶ光を放射させる。
この際、メインパルスレーザービーム１４は、プレパルスレーザービーム１３と同じように波長変換素子１８を通る（同軸状にして、同じ素子を通りながらも、空間的に波長が異なるなど）が、空間的には別の経路で進む。即ち、波長変換素子１８を経由する際、メインパルスレーザービーム１４は、プレパルスレーザービーム１３とは異なる波長に波長変換されるか、もしくは波長変換されないようになっているため、メインパルスレーザービーム１４は、波長選択型ミラー１９では反射されず、空間的に別の経路で進む。そして、波長選択型ミラー１９を経由したメインパルスレーザービーム１４は、レンズ２０により集光された後、プレパルスレーザービーム１３に対して４５°の角度でターゲットエリア１２に照射される。
本実施の形態においては、この時照射されるメインパルスレーザービーム１４のパルス強度を２×１０９Ｗ／ｃｍ２に、パルス持続時間を２０ｎｓに設定した。
シミュレーションの結果、本実施の形態におけるＥＵＶ光への変換効率は７．２％となった。
このように、本実施の形態においても、高い変換効率でＥＵＶ光を得ることができる。
【００４８】
（実施の形態１〜５の補足）
なお、上記実施の形態１〜５においては、２つのレーザービームを異なる角度で照射しているが、メインパルスとプレパルス、２つのレーザービームが、同軸上にありながらも、軸の中心部、周辺部のそれぞれの空間に分かれて進むことにより、ターゲットエリアに、２つのレーザービームを同一角度で照射させることも可能である。
【００４９】
（実施の形態６）
図３は、本実施の形態におけるＥＵＶ光の放射方法を概念的に示す斜視図である。
図３において、波長が１μｍのプレパルスレーザービーム３１は、ミラー３３によって反射され、錫がコーテイングされたデイスク３４に照射される。そして、プレパルスレーザービーム３１の照射によって噴出した低イオン密度状態の錫のプラズマ３５に、赤外レーザー発射装置（図示せず）で生成されたメインパルスレーザービーム３２が照射されることにより、ＥＵＶ光３６が放射される。放射されたＥＵＶ光３６は、凹面鏡３７によって反射され、集光される。
このように、メインパルスレーザービーム３２を、プレパルスレーザービーム３１に対して９０度の角度で、ターゲットエリアに照射させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態におけるＥＵＶ光の放射方法を説明する模式図である。
【図２】本発明の別の実施の形態におけるＥＵＶ光の放射方法を説明する模式図である。
【図３】本発明の別の実施の形態におけるＥＵＶ光の放射方法を概念的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１、１１            ＥＵＶ光源
２、１２            ターゲットエリア
３、１３、３１      プレパルスレーザービーム
４、１４、３２      メインパルスレーザービーム
５、１５            ターゲット材料供給装置
６、１６            ノズル
７、１７            赤外レーザー発生装置
７ａ、１７ａ        制御装置
８、９、２０、２１  レンズ
１０、２２、３３    ミラー
１８                波長変換素子
１９                波長選択型ミラー
３４                デイスク
３５                プラズマ
３６                ＥＵＶ光
３７                凹面鏡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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