(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の上面と、該第１の上面の反対側に位置する第１の下面と、前記第１の上面の中央部に形成された第１の接続パッドと、前記第１の上面の周縁部に形成された第２の接続パッドと、を有する第１の配線基板と、
第１の面と、該第１の面の反対側に位置する第２の面と、前記第１の面に形成された第１の電極パッドと、を有する第１の半導体チップであって、前記第１の面が前記第１の配線基板に面し、前記第１の電極パッドが前記第１の配線基板の前記第１の接続パッドに電気的に接続されるように、前記第１の配線基板の前記第１の上面に実装された第１の半導体チップと、
第３の面と、該第３の面の反対側に位置する第４の面と、前記第３の面に形成された第２の電極パッドと、を有する第２の半導体チップであって、前記第４の面が前記第１の半導体チップに面するように、前記第１の半導体チップの前記第２の面に実装された第２の半導体チップと、
第２の上面と、該第２の上面の反対側に位置する第２の下面と、前記第２の上面の周縁部に形成された第３の接続パッドと、前記第２の下面に形成された第４の接続パッドと、を有し、前記第３の接続パッドが前記第４の接続パッドに電気的に接続されている、第２の配線基板であって、前記第２の下面が前記第２の半導体チップに面し、前記第２の電極パッドが前記第４の接続パッドに電気的に接続されるように、前記第２の半導体チップの前記第３の面に実装された第２の配線基板と、
前記第１の配線基板の前記第２の接続パッドと前記第２の配線基板の前記第３の接続パッドとを電気的に接続している導線と、
を含む半導体装置。
【請求項２】
外部端子および前記第１の接続パッドが前記第１の配線基板の中央領域に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とは、素材および厚さが実質的に同一である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の配線基板はフィルムリードにより配線されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の半導体チップはバンプ電極を有し、前記第１の接続パッドは接続開口部を有し、前記バンプ電極の少なくとも一部が前記接続開口部に入り込んだ状態で、前記第１の接続パッドと前記バンプ電極とが電気的に接続されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接続開口部にはメッキ膜が形成されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項２に記載の半導体装置を複数有し、一つの前記半導体装置の前記第１の配線基板の前記第１の下面の中央領域以外の部分が、他の前記半導体装置の前記第２の半導体チップの前記第３の面側の外面に当接または近接して、少なくとも２段に配置された半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびこれを有する半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化および高性能化が盛んに検討されている。
【０００３】
特許文献１には、小型化が図られた半導体装置が開示されている。この半導体装置は、中央に開口部が形成されたフレキシブル配線基板の下面に外部端子が設けられ、上面に半導体チップが取り付けられており、半導体チップの下面の中央部に設けられた電極と配線基板とが、配線基板の開口部の内部を通されたワイヤによって電気的に接続されている。半導体チップと配線基板との間には弾性部材であるエラストマが配置されている。内部に半導体チップの電極とワイヤとが配置された配線基板の開口部は、絶縁性の樹脂により形成された封止体で覆われている。
【０００４】
また、特許文献２には、半導体装置の高性能化のために、２つの半導体チップが積層された半導体装置が開示されている。この半導体装置は、中央に開口部が形成されたフレキシブル配線基板の下面に外部端子が設けられ、上面に第１の半導体チップが取り付けられており、第１の半導体チップの上面に第２の半導体チップが積載されている。第１の半導体チップの下面の中央部に設けられた電極と配線基板とは、配線基板の開口部を通されたワイヤによって電気的に接続されている。また、第２の半導体チップの上面の中央部に設けられた電極と配線基板とが、半導体チップの外側を通されたワイヤによって電気的に接続されている。第１の半導体チップと配線基板との間には弾性部材であるエラストマが配置されている。内部に第１の半導体チップの電極とワイヤとが配置された配線基板の開口部は、絶縁性の樹脂により形成された封止体で覆われている。
【特許文献１】特開平９−２６０５３６号公報
【特許文献２】特開２００１−８５６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置は、細線であるワイヤを短縮させることにより配線の電気抵抗を小さくすることができるため、電気的特性が向上し、これによりノイズが低減され、また動作が高速化する。
【０００６】
特許文献１に記載された半導体装置では、配線基板の、半導体チップの電極が配置された位置の近傍は開口部とされており、最短でも半導体チップの電極と配線基板との間をつなぐのに必要な長さのワイヤを用いる必要がある。そのため、この半導体装置では、ワイヤをさらに短縮させることにより電気的特性を向上させることは困難である。
【０００７】
同様に、特許文献２に記載された半導体装置でも、配線基板の、第１の半導体チップの電極が配置された位置の近傍は開口部とされているため、第１の半導体チップの電極と配線基板との間をつなぐのに必要な長さよりワイヤをさらに短縮させることにより電気的特性を向上させることは困難である。
【０００８】
さらに、特許文献２に記載された半導体装置では、第２の半導体チップの電極は、第２の半導体チップの上面の中央部に配置されており、配線基板に電気的に接続されるためには、半導体チップの外側を通されたワイヤによってつながれる必要がある。そのため、この半導体装置は、長いワイヤを用いなければならないことにより、電気的特性が悪化する。
【０００９】
また、特許文献１に記載された半導体装置の配線基板および特許文献２に記載された半導体装置の第１の配線基板には開口部が形成されており、その開口部には外部端子を配置させることができない。したがって、配線基板に形成された開口部の面積の分だけ、配線基板の、外部端子が取り付けられる部分の面積は制限される。そのため、半導体装置は、必要な機能を達成するために十分な数の外部端子を設けることができないことが考えられる。したがって半導体装置は、配線基板に、外部端子を配置させることができない開口部が形成されていないことが望ましい。
【００１０】
また、特許文献２に記載された半導体装置のように、第２の半導体チップと配線基板とをつなぐワイヤが長いと、ワイヤ同士が接触したり、ワイヤと半導体チップの端部とが接触したりすることにより、半導体装置に不具合が生じることが考えられる。ワイヤと半導体チップとの接触を防止するために、ワイヤを配線基板へ接続させる位置を半導体チップの端部から離すことも考えられるが、そのためには大きな配線基板を用いる必要があり、その分、半導体装置が大型化する。したがって、この観点からも半導体装置のワイヤは短い方が望ましい。
【００１１】
また、特許文献２に記載された半導体装置は、内部に第１の半導体チップの電極とワイヤとが配置された配線基板の開口部が、絶縁性の樹脂により形成された封止体で覆われている。ワイヤは、半導体チップの電極から配線基板の開口部を通り抜けて配線基板の下面に接続されているが、ワイヤの、開口部から外に出た部分も封止体で覆われており、封止体は配線基板の下面から隆起している。そのため、外部端子の高さが、隆起した封止体の高さより低い場合には、封止体が、半導体装置が二次実装される際の妨げとなることがあるため、外部端子は封止体の高さより高く形成される必要がある。外部端子は、略球形の半田ボールであるため、外部端子の高さを高くすると、その分、配線基板の面内方向の径も大きくなるので、外部端子を高密度に配置させることが困難になる。よって、半導体装置は、外部端子が取り付けられる面から隆起した部材を有さないことが望ましい。
【００１２】
また、いずれの半導体装置でも、半導体チップと配線基板との間にエラストマが配置されることにより、半導体チップと配線基板との熱膨張率の差により生じる応力を緩和して半導体装置の信頼性の向上が図られている。しかし、エラストマは高価な材料であるため、エラストマを用いることにより半導体装置の製造コストが高くなるため、半導体装置にはエラストマを用いないことが望ましい。
【００１３】
上述の問題点に鑑み、本発明は、電気的特性の優れた半導体装置およびこれを用いた半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、一方の面に複数の外部端子を備えた第１の配線基板と、該第１の配線基板の他方の面に一方の面が実装された第１の半導体チップと、該第１の半導体チップの他方の面に一方の面が実装された第２の半導体チップと、を有する半導体装置において、前記第１の配線基板の前記他方の面には、前記第１の半導体チップの前記一方の面に電気的に接続された第１の接続部と、前記第１の半導体チップの端部に近接して配置された第２の接続部と、が設けられ、前記第１の接続部および前記第２の接続部は前記外部端子に電気的に接続されており、前記第２の半導体チップの他方の面の端部に当接または近接して配置され、前記第２の半導体チップの前記他方の面に電気的に接続された第３の接続部と、前記第２の接続部と前記第３の接続部とを電気的に接続している導線と、をさらに有している。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電気的特性の優れた半導体装置およびこれを用いた半導体モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の側断面図、図２はその半導体装置の上面図、図３はその半導体装置の下面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置１は、第１の配線基板５と、第１の配線基板５の上面にフリップチップ接続されて実装された第１の半導体チップ３と、第１の半導体チップ３の上面に実装された第２の半導体チップ１０と、第２の半導体チップ１０の上面にフリップチップ接続されて実装された第２の配線基板１１と、第１の配線基板５と第２の配線基板１１とを電気的に接続しているワイヤ１２と、第１の配線基板５の下面に取り付けられた外部端子９と、第１の配線基板５の上方を覆った封止部１３と、を有している。第１の配線基板５および第２の配線基板１１はポリイミド樹脂で形成されており、外部端子９は半田材料により略球形に形成されている。
【００１８】
第１の半導体チップ３の下面および第２の半導体チップ１０の上面の各々の中央部には、複数の電極パッド２がそれぞれ設けられており、第１の半導体チップ３の上面と第２の半導体チップ１０の下面とがＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  Ｆｉｌｍ）を介して接着されている。第１の半導体チップ３および第２の半導体チップ１０の電極パッド２上には、それぞれバンプ電極４が形成されている。
【００１９】
第１の配線基板５には、上側中央部に第１の接続部である複数の接続パッド６ａが設けられ、上側両端部に第２の接続部である複数の接続パッド６ｂが設けられ、下側中央領域に接続パッド６ａ，６ｂに配線１６ａを介して電気的に接続された複数のランド７が設けられている。第１の半導体チップ３の下面は、第１の配線基板５の上面にアンダーフィル材８を介して接着されている。第１の半導体チップ３の電極パッド２は、バンプ電極４を介して、第１の配線基板５の接続パッド６ａに電気的に接続されている。第１の配線基板５の両面には、接続パッド６ａ，６ｂおよびランド７以外の部分に、絶縁性のソルダレジストが設けられている。
【００２０】
第２の配線基板１１には、上側両端部に第３の接続部である複数の接続パッド６ｃが設けられ、下側中央部に第４の接続部である複数の接続パッド６ｄが設けられている。第２の配線基板１１の下面は、第２の半導体チップ１０の上面にアンダーフィル材８を介して接着されている。第２の半導体チップ１０の電極パッド２は、バンプ電極４を介して、第２の配線基板１１の接続パッド６ｄに電気的に接続されている。図２に示すように、第２の配線基板１１の下側中央部の接続パッド６ｄは、配線１６ｂを介して第２の配線基板１１の上側端部の接続パッド６ｃに電気的に接続されている。第２の配線基板１１の上側両端部の接続パッド６ｃはワイヤ１２を介して、第１の配線基板５の両端部の接続パッド６ｂにそれぞれ電気的に接続されている。第２の配線基板１１の両面には、接続パッド６ｃ，６ｄ以外の部分に、絶縁性のソルダレジストが設けられている。
【００２１】
第１の配線基板５の上方には、第１の半導体チップ３，第２の半導体チップ１０，ワイヤ１２等を覆うように封止部１３が形成されている。
【００２２】
また、図３に示すように、第１の配線基板５のランド７に設けられた外部端子９は格子状に配列されている。外部端子９は、直径約０．３５ｍｍの略球形に形成され、０．５ｍｍピッチで第１の配線基板５の中央領域に寄せて配置されている。
【００２３】
上述のように、本実施形態に係る半導体装置１では、第１の半導体チップ３の電極パッド２から、外部端子９が設けられた第１の配線基板５の下面まで、ワイヤを用いることなくバンプ電極４および接続パッド６ａを介して鉛直方向に直線的に電気的に接続されている。さらに、外部端子９が電極パッド２の直下近傍の中央領域に寄せて配置されているので、外部端子９と第１の半導体チップ３の電極パッド２とが短い距離で電気的に接続されている。このように、半導体装置１は、第１の半導体チップ３の電極パッド２と外部端子９とが短い距離で電気的に接続されることにより、電気的特性の向上が図られている。
【００２４】
また、半導体装置１は、第２の配線基板１１の接続パッド６ｃが上側両端部に配置されているため、第１の配線基板５の両端部の接続パッド６ｂと接続パッド６ｃとが近い位置にある。そのため、半導体装置１は、第１の配線基板５の接続パッド６ｂと第２の配線基板１１の接続パッド６ｃとを電気的に接続しているワイヤ１２は長さが短縮されている。このようにして、半導体装置１は電気的特性の向上が図られている。
【００２５】
なお、第１の配線基板５のランド７をさらに中央に寄せた位置に配置させることにより、外部端子９をさらに第１の配線基板５の中央部の接続パッド６ａに近い位置に配置させることができるため、半導体装置の電気的特性をさらに向上させることができる。また、外部端子９をさらに小さくすることにより、第１の配線基板５のランド７をさらに高密度に配置させることができるため、半導体装置の性能をさらに向上させることができる。
【００２６】
また、半導体装置１は、短いワイヤ１２が用いられているため、ワイヤ１２同士が接触することや、ワイヤ１２が半導体チップ３，１０の端部に接触することが抑制されており、信頼性の向上が図られている。さらに、半導体装置１では、ワイヤ１２が半導体チップ３，１０の端部に接触することが抑制されていることにより、第１の配線基板５の両端部の接続パッド６ｂは半導体チップ３，１０の端部に寄せた位置に配置させることができる。そのため、半導体装置１は、接続パッド６ｂを半導体チップ３，１０の端部に寄せた分だけ、第１の配線基板５が小型化されている。
【００２７】
また、半導体装置１には、外部端子９として直径約０．３５ｍｍの小さい半田ボールが用いられているため、外部端子９のランド７に対する接合面積が小さい。また外部端子９が第１の配線基板５の下面の中央領域に寄せて配置されているため、外部端子９が配置されている領域の面積が小さい。これにより、半導体装置１は、第１の半導体チップ３と第１の配線基板５との熱膨張係数の差などが原因で生じる第１の配線基板５の反りなどの影響によって、第１の配線基板５から外部端子９が外れるなどの不具合の発生が抑制されており、信頼性の向上が図られている。
【００２８】
また、半導体装置１は、第２の半導体チップ１０上に、第２の半導体チップ１０よりも封止部１３を形成している樹脂材料との密着性の良い第２の配線基板１１が設けられている。さらに、第２の配線基板１１は第１の配線基板５と同様の素材で同様の厚さに形成されていることにより、両基板の間には熱膨張量などの差が生じにくいため、半導体装置１の反りなどの発生が抑制されている。このようにして、半導体装置１は信頼性の向上が図られている。
【００２９】
また、半導体装置１では外部端子９が第１の配線基板５の下面の中央領域に寄せて配置されているため、半導体装置１は第１の配線基板５の下面に外部端子９が配置されていない広い空き領域を有している。そのため、半導体装置１が二次実装される際に、その空き領域にチップコン等の部品を取り付けることができ、そうすることにより半導体装置１が組み込まれた装置等の小型化を図ることができる。
【００３０】
次に、図４〜６を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、図４を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の第２の半導体チップ１０から上の部分を製造する工程について説明する。
【００３２】
図４は本実施形態に係る半導体装置の第２の半導体チップから上の部分の製造過程における側断面図である。図２に示すように、第２の配線基板１１には複数の接続パッド６ｃ，６ｄおよび所定の回路が設けられている。
【００３３】
まず、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ１４に設けられた電極パッド２上にワイヤバンプによりバンプ電極４が形成される。次に、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１４上に、バンプ電極４の近傍以外の部分をマスク処理した状態でアンダーフィル材８が塗布されることにより、バンプ電極４の近傍のみにアンダーフィル材８が選択的に配置される。次に、図４（ｃ）に示すように、第２の配線基板１１が半導体ウエハ１４上に、アンダーフィル材８を押しつぶすように押圧されることによりフリップチップ接続されて実装される。
【００３４】
図４（ｃ）に示す状態において、半導体ウエハ１４上のバンプ電極４と第２の配線基板１１の接続パッド６ｄとは電気的に接続されており、アンダーフィル材８は半導体ウエハ１４と第２の配線基板１１との間に延ばされて広がっている。また、図２に示すように、第２の配線基板１１には開口部１５が形成されていることにより、アンダーフィル材８が広がる際に内部にボイドが発生することが防止されている。
【００３５】
その後、図４（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１４はダイシングされることにより個々に分離される。半導体装置１は、このようにウエハレベルで製造されることにより、製造効率の向上および製造コストの低減が図られている。なお、第２の配線基板１１は、第２の半導体チップ１０よりも小さく形成されており、第２の配線基板１１の上面の、第２の半導体チップ１０のダイシングによる切断面から内側に５０μｍの距離にある位置より内側に収まるように配置されている。これにより、第２の半導体チップ１０がダイシングされる際に、ダイシングブレードが第２の配線基板１１に接触することを抑制できる。このようにして、半導体装置１は製造歩留りの向上が図られている。
【００３６】
次に、図５を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の第１の半導体チップ３から下の部分を製造する工程について説明する。
【００３７】
図５は本実施形態に係る半導体装置の第１の半導体チップから下の部分の製造過程における側断面図である。第１の配線基板５には、第２の配線基板１１と同様に、複数の接続パッド６ａ，６ｂおよび所定の回路が設けられている。
【００３８】
まず、図５（ａ）に示すように、半導体ウエハ１４に設けられた電極パッド２上にワイヤバンプによりバンプ電極４が形成される。次に、図５（ｂ）に示すように、第１の配線基板５の中央部の接続パッド６ａの近傍以外の部分をマスク処理した状態でアンダーフィル材８が塗布されることにより、第１の配線基板５の中央部の接続パッド６ａの近傍のみにアンダーフィル材８が選択的に配置される。その後、半導体ウエハ１４はダイシングされることにより個々に分離される。次に、図５（ｃ）に示すように、第１の半導体チップ３が、第１の配線基板５上に、アンダーフィル材８を押しつぶすように押圧されることによりフリップチップ接続されて実装される。
【００３９】
図５（ｃ）に示す状態において、第１の配線基板５の接続パッド６ａと第１の半導体チップ３のバンプ電極４とは電気的に接続されており、アンダーフィル材８は第１の配線基板５と第１の半導体チップ３との間に延ばされて広がっている。
【００４０】
次に、図６を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の第１の半導体チップ３と第２の半導体チップ１０とが接着されて、半導体装置１が完成するまでの工程について説明する。
【００４１】
図６は本実施形態に係る半導体装置の製造過程における側断面図である。
【００４２】
まず、図６（ａ）に示すように、第１の半導体チップ３に第２の半導体チップ１０がＤＡＦを介して接着されることにより、半導体装置１の第１の半導体チップ３から下の部分に、第２の半導体チップ１０から上の部分が取り付けられる。
【００４３】
その後、図６（ｂ）に示すように、第１の配線基板５の接続パッド６ｂと第２の配線基板１１の接続パッド６ｄとが、ワイヤ１２によって電気的に接続される。次に、図６（ｃ）に示すように、第１の配線基板５上に、半導体装置１の第１の配線基板５より上の部分を覆うように封止部１３が形成される。次に、図６（ｄ）に示すように、第１の配線基板５の下面の各ランド７にそれぞれ外部端子９が取り付けられる。その後、図６（ｅ）に示すように、第１の配線基板５および封止部１３がダイシングされることにより個々に分離され、半導体装置１が完成する。
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置のバンプ電極およびその周辺部分の拡大側断面図である。本実施形態に係る半導体装置１ａは、第１の配線基板５ａおよび第２の配線基板１１ａに接続開口部１７ａが形成されている。第１の半導体チップ３ａおよび第２の半導体チップ１０ａのバンプ電極４ａは、第１の配線基板５ａおよび第２の配線基板１１ａの各接続開口部１７ａに入り込んだ状態で、それぞれ接続パッド６ｅに電気的に接続されている。なお、本実施形態に係る半導体装置１ａは、バンプ電極およびその周辺部分以外の構成は第１の実施形態に係る半導体装置１と同様である。
【００４４】
半導体装置１ａは、第１の半導体チップ３ａのバンプ電極４ａが、第１の配線基板５ａの接続開口部１７ａに入り込んだ状態で接続パッド６ｅに接続されていることにより、第１の半導体チップ３ａの電極パッド２ａから、外部端子９ａが設けられた第１の配線基板５ａの下面まで、さらに短い距離で電気的に接続されている。このようにして、半導体装置１ａは電気的特性の向上が図られている。
【００４５】
また、半導体装置１ａは、接続開口部１７ａ内にメッキ膜１８が形成されることにより、バンプ電極４ａと接続パッド６ｅとの接触抵抗の低減が図られている。メッキ膜１８は、たとえば、銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），金（Ａｕ）の３層にメッキ処理が施されることにより形成される。
【００４６】
また、半導体装置１ａは、接続開口部１７ａにバンプ電極４ａが入り込んでいる分だけ薄型化されている。
（第３の実施形態）
図８は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の側断面図である。本実施形態の半導体装置１ｂでは、第２の配線基板１１ｂの配線に、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）実装などに用いられるフィルムリードを用いている。なお、本実施形態に係る半導体装置１ｂは、第２の配線基板１１ｂの配線以外の構成は第１の実施形態に係る半導体装置１と同様である。
【００４７】
半導体装置１ｂでは、フィルムリード１９が第２の半導体チップ１０ｂのバンプ電極４ｂにインナーリードボンディングされている。このインナーリードボンディングは、高精度に複数の半導体装置について一括して行うことが可能であり、半導体装置１ｂは、フィルムリードを用いることによって量産性の向上が図られている。なお、インナーリードボンディングされるために第２の配線基板１１ｂには接続開口部１７ｂが形成されているが、接続開口部１７ｂはインナーリードボンディングの際に溶剤が蒸発することなどにより発生するガスを半導体装置１ｂの外に逃がす働きもする。
（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の側断面図である。本実施形態に係る半導体装置１ｃは、第１の半導体チップ３ｃおよび第２の半導体チップ１０ｃを有している。また、半導体装置１ｃは上部に配線基板を備えていない。なお、本実施形態に係る半導体装置１ｃは、半導体チップ３ｃ，１０ｃの構成および上部に配線基板を備えていないこと以外の構成は第１の実施形態に係る半導体装置１と同様である。
【００４８】
半導体装置１ｃの第１の半導体チップ３ｃと第２の半導体チップ１０ｃとは種類および大きさの異なる半導体チップである。このように、半導体装置１ｃによれば、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様に電気的特性の向上が図れ、種類の異なる半導体チップを一体として機能させることができるため、高機能のシステムインパッケージを実現することができる。また、半導体チップの大きさをさまざまに変更することができるため、半導体装置の多様な設計が可能である。
【００４９】
また、半導体装置１ｃは、第２の半導体チップ１０ｃの封止部１３ｃへの密着性が十分に確保できているため、上部の配線基板を省くことにより、製造コストの低減が図られている。
（第５の実施形態）
図１０は、本発明の第４の実施形態に係る半導体モジュールの部分側断面図である。本実施形態に係る半導体モジュールは、上段および下段の２段に構成されており、上段および下段にそれぞれ本発明の第１の実施形態に係る少なくとも１つの半導体装置１を有している。この半導体モジュールは、下段の半導体装置１の上面に、上段の半導体装置１の下面の空き領域が近接するように配置されている。
【００５０】
この半導体モジュールは、半導体装置１を２段に構成し、２次元的に並べるよりも高密度に配置されることにより小型化が図られている。また、図１１に示すように、半導体モジュールの上段の半導体装置１は、下段の半導体装置１の上面に上段の半導体装置１の下面の空き領域が当接して積載されていてもよい。
【００５１】
なお、本実施形態の半導体モジュールは２段に構成されているが、半導体モジュールの許容される高さに応じて２段より多く配置させることにより、半導体モジュールの、同じ実装面積での高性能化を図ることができる。
【００５２】
以上述べたように、本実施形態に係る半導体モジュールによれば、電気的特性の向上が図られた半導体装置１が高密度に実装された半導体モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の側断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の上面図である。
【図３】図１等に示した半導体装置の下面図である。
【図４】図１等に示した半導体装置の第２の半導体チップから上の部分の製造過程における側断面図である。
【図５】図１等に示した半導体装置の第１の半導体チップから下の部分の製造過程における側断面図である。
【図６】図１等に示した半導体装置の製造過程における側断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置のバンプ電極およびその周辺の拡大側断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の側断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の側断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る半導体モジュールの部分側断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る半導体モジュールの部分側断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ    半導体装置
２，２ａ        電極パッド
３，３ａ，３ｃ  第１の半導体チップ
４，４ａ，４ｂ  バンプ電極
５，５ａ        第１の配線基板
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ    接続パッド
７      ランド
８      アンダーフィル材
９，９ａ        外部端子
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ    第２の半導体チップ
１１，１１ａ，１１ｂ    第２の配線基板
１２    ワイヤ
１３，１３ｃ    封止部
１４    半導体ウエハ
１５    開口部
１６ａ，１６ｂ  配線
１７ａ，１７ｂ  接続開口部
１８    メッキ膜
１９    フィルムリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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