(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ拡大倍率を有して並設された複数の投影光学系の各々に対し、所定方向に前記投影光学系の露光幅を前記拡大倍率で除して得られる幅より大きく該投影光学系の配置間隔より小さい領域幅を有するパターン領域を配置するパターン配置工程と、
前記パターン領域ごとの第１部分パターン領域に設けられた第１パターンの前記投影光学系による投影像、および前記パターン領域内で前記第１部分パターン領域に対して一部領域が重複し且つ他の領域が前記所定方向の異なる位置にある第２部分パターン領域に設けられた第２パターンの前記投影光学系による投影像を、基板上に順次転写する露光工程と、を含み、
前記一部領域内で互いに重複した前記第１パターンの一部と前記第２パターンの一部とは、前記基板上に重複して転写されることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記露光工程は、
前記パターン領域ごとの前記第１パターンの前記投影像を前記基板上のそれぞれ対応する第１部分転写領域に転写する第１露光工程と、
前記パターン領域ごとの前記第２パターンの前記投影像を、前記基板上のそれぞれ対応する転写領域であって前記第１部分転写領域に対して少なくとも一部領域が前記所定方向に異なる第２部分転写領域に転写する第２露光工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１部分パターン領域と前記第２部分パターン領域とは、前記所定方向の領域境界部を重ね合わせて設けられ、
前記露光工程は、前記第１パターンの前記投影像と前記第２パターンの前記投影像との前記所定方向の像境界部を重ね合わせて転写することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記配置間隔は、前記露光幅の整数倍であり、
前記露光工程は、前記第２パターンの前記投影像の前記所定方向における像端部を、該第２パターンが設けられた前記第２部分パターン領域を含む前記パターン領域と隣り合う前記パターン領域に設けられたパターンの前記投影光学系による投影像に重ね合わせて転写することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記露光工程は、前記パターン領域および前記基板を前記所定方向と直交する走査方向へ同期移動させながら前記第１パターンの前記投影像と前記第２パターンの前記投影像とを転写することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記露光工程は、前記パターン領域および前記基板を前記走査方向の第１の向きへ同期移動させながら前記第１パターンの前記投影像を転写し、前記パターン領域および前記基板を前記走査方向の第２の向きへ同期移動させながら前記第２パターンの前記投影像を転写することを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記投影光学系は、前記所定方向に倒立の前記投影像を形成し、
前記露光工程は、前記第１パターンの前記投影像を転写後、前記第２パターンの前記投影像を転写するまでに、前記パターン領域と前記基板とを前記所定方向の互いに逆側へ移動させることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項８】
前記パターン領域に隣り合わせて設けられる付加領域であって前記所定方向に前記露光幅を前記拡大倍率で除して得られる幅より大きく前記配置間隔より小さい領域幅を有する付加パターン領域を、複数の前記投影光学系のそれぞれに対して配置する付加パターン配置工程と、
前記付加パターン領域ごとの第１部分付加パターン領域に設けられた第１付加パターンの前記投影光学系による投影像、および該第１部分付加パターン領域に対して少なくとも一部領域が前記付加パターン領域内で前記所定方向に異なる第２部分付加パターン領域に設けられた第２付加パターンの前記投影光学系による投影像を、前記基板上に順次転写する付加パターン露光工程と、
を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
複数の前記パターン領域および前記付加パターン領域は、マスク基板上で前記所定方向に交互に設けられ、
前記パターン配置工程は、複数の前記投影光学系に対して前記マスク基板を配置し、
前記付加パターン配置工程は、複数の前記投影光学系に対して前記マスク基板を前記所定方向に移動させることを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記拡大倍率は少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】
複数の前記投影光学系は、前記所定方向に一列に配置されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１２】
それぞれ拡大倍率を有して並設された複数の投影光学系と、
複数の前記投影光学系のそれぞれに対し、所定方向に前記投影光学系の露光幅を前記拡大倍率で除して得られる幅より大きく該投影光学系の配置間隔より小さい領域幅を有するパターン領域を配置するとともに、該パターン領域を前記所定方向へ移動させるパターン配置機構と、
基板を保持し、該基板を前記所定方向へ移動させる基板保持機構と、
前記パターン領域ごとの第１部分パターン領域に設けられた第１パターンの前記投影光学系による投影像、および前記パターン領域内で前記第１部分パターン領域に対して一部領域が重複し且つ他の領域が前記所定方向の異なる位置にある第２部分パターン領域に設けられた第２パターンの前記投影光学系による投影像を、前記基板上に順次転写する制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、前記一部領域内で互いに重複した前記第１パターンの一部と前記第２パターンの一部とを前記基板上に重複して転写するように制御を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
前記パターン配置機構は、前記パターン領域が形成された物体を保持するパターン保持機構を有することを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第１部分パターン領域と前記第２部分パターン領域とは、前記所定方向の領域境界部を重ね合わせて設けられ、
前記制御部は、前記第１パターンの前記投影像と前記第２パターンの前記投影像との前記所定方向の一方の像境界部を重ね合わせて転写する制御を行うことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記配置間隔は、前記露光幅の整数倍であることを特徴とする請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記制御部は、前記第２パターンの前記投影像の前記所定方向における像端部を、該第２パターンが設けられた前記第２部分パターン領域を含む前記パターン領域と隣り合う前記パターン領域に設けられたパターンの前記投影光学系による投影像に重ね合わせて転写する制御を行うことを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記パターン配置機構は、前記パターン領域を前記所定方向と直交する走査方向へ移動させ、
前記基板保持機構は、前記基板を前記走査方向へ移動させ、
前記制御部は、前記パターン領域および前記基板を前記走査方向へ同期移動させながら前記第１パターンの前記投影像と前記第２パターンの前記投影像とを転写する制御を行うことを特徴とする請求項１２から請求項１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記投影光学系は、前記所定方向に倒立の前記投影像を形成し、
前記制御部は、前記第１パターンの前記投影像を転写後、前記第２パターンの前記投影像を転写するまでに、前記パターン領域と前記基板とを前記所定方向の互いに逆側へ移動させることを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記パターン配置機構は、前記パターン領域に隣り合わせて設けられる付加領域であって前記所定方向に前記露光幅を前記拡大倍率で除して得られる幅より大きく前記配置間隔より小さい領域幅を有する付加パターン領域を、複数の前記投影光学系のそれぞれに対して配置するとともに、該付加パターン領域を前記所定方向へ移動させ、
前記制御部は、前記付加パターン領域ごとの第１部分付加パターン領域に設けられた第１付加パターンの前記投影光学系による投影像、および該第１部分付加パターン領域に対して少なくとも一部領域が前記付加パターン領域内で前記所定方向に異なる第２部分付加パターン領域に設けられた第２付加パターンの前記投影光学系による投影像を、前記基板上に順次転写する制御を行うことを特徴とする請求項１２から請求項１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記パターン配置機構は、前記付加パターン領域が形成された物体を保持する付加パターン保持機構を有することを特徴とする請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記パターン領域および前記付加パターン領域は、マスク部材上に一体に形成され、
前記パターン配置機構は、前記マスク部材を保持するマスク保持機構を有することを特徴とする請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記マスク保持機構は、前記パターン領域と前記付加パターン領域との領域間における前記マスク部材を支持する支持部を有することを特徴とする請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記パターン領域は、マスク部材上に一体に形成され、
前記パターン保持機構は、隣り合う前記パターン領域間における前記マスク部材を支持する支持部を有することを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記露光幅と等しい間隔で前記所定方向に配列され、前記パターン配置機構の前記走査方向への移動量を計測する複数のレーザ干渉計を備えたことを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記露光幅を前記所定方向へ可変に設定する絞り機構を備えたことを特徴とする請求項１２から請求項２４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記拡大倍率は少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１２から請求項２５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２７】
複数の前記投影光学系は、前記所定方向に一列に配置されることを特徴とする請求項１２から請求項２６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２８】
請求項１２から請求項２７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記パターン領域に設けられたパターンの前記投影光学系による投影像を感光基板に転写する露光工程と、
前記投影像が転写された前記感光基板を現像し、前記投影像に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に形成する現像工程と、
前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２９】
請求項８または請求項９に記載の露光方法によって、前記パターン領域に設けられたパターンの前記投影像と前記付加パターン領域に設けられた付加パターンの前記投影像とを感光基板に順次転写する露光工程と、
前記パターンの前記投影像と前記付加パターンの前記投影像との少なくとも一方が転写された前記感光基板を現像し、前記パターンの前記投影像と前記付加パターンの前記投影像との少なくとも一方に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に形成する現像工程と、
前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンの投影像を基板上に形成する露光技術、及びその露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体素子又は液晶表示素子等のデバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）を製造する際に、マスク（レチクル、フォトマスク等）のパターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたプレート（ガラスプレート又は半導体ウエハ等）上に投影する投影露光装置が使用されている。例えば液晶表示素子製造用のプレートは益々大型化し、近年では、２ｍ角を越えるプレートが使用されるようになってきている。このようなプレートに対して例えば等倍の投影光学系を使用するものとすると、マスクも大型化する。マスクのコストは、マスク基板の平面度を維持する必要もあり、また、大面積になるほど製造工程が複雑化するため、大型化するほど高くなる。さらに、例えば液晶表示素子の薄膜トランジスタ部を形成するためには、通常４〜５層分のマスクが必要とされており多大なコストを要していた。
【０００３】
そこで、例えば走査方向に２列に分けて配置され、走査方向と直交する方向（以下、非走査方向と呼ぶ。）に隣接して配置された拡大倍率を有する複数の部分投影光学系よりなる拡大系マルチレンズを用いることによって、プレートに比してマスクのパターンを小さくした走査型の投影露光装置（走査型露光装置）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この従来の拡大系マルチレンズを備えた走査型露光装置では、マスクのパターンが各部分投影光学系に対応して複数のパターン領域に短冊状（条片状）に分割され、各パターン領域内のパターンの投影像が１回の走査露光によってプレート上に非走査方向に継ぎ合わされて転写される。なお、継ぎ合わせて転写されるとは、隣り合うパターン投影像の非走査方向における境界部が互いに重ね合わされて転写されることを意味する。
【特許文献１】特開平１１−２６５８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上述のような拡大系マルチレンズを備えた走査型露光装置では、プレート上に継ぎ合わせて転写される各投影像間に、マスク上の各パターン領域間で生じるパターンの描画誤差等に起因する継ぎ合わせの誤差（以下、継ぎ誤差と呼ぶ。）が発生する恐れがあった。
本発明はこのような事情に鑑み、複数の投影光学系（部分投影光学系）を用いてパターンの拡大像をプレート（基板）上に形成する場合に、継ぎ誤差の発生を抑制できる露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、それぞれ拡大倍率を有して並設された複数の投影光学系の各々に対し、所定方向に前記投影光学系の露光幅を前記拡大倍率で除して得られる幅より大きく該投影光学系の配置間隔より小さい領域幅を有するパターン領域を配置するパターン配置工程と、前記パターン領域ごとの第１部分パターン領域に設けられた第１パターンの前記投影光学系による投影像、および前記パターン領域内で前記第１部分パターン領域に対して一部領域が重複し且つ他の領域が前記所定方向の異なる位置にある第２部分パターン領域に設けられた第２パターンの前記投影光学系による投影像を、基板上に順次転写する露光工程と、を含み、前記一部領域内で互いに重複した前記第１パターンの一部と前記第２パターンの一部とは、前記基板上に重複して転写される露光方法が提供される。
【０００６】
また、本発明の第２の態様に従えば、それぞれ拡大倍率を有して並設された複数の投影光学系と、複数の前記投影光学系のそれぞれに対し、所定方向に前記投影光学系の露光幅を前記拡大倍率で除して得られる幅より大きく該投影光学系の配置間隔より小さい領域幅を有するパターン領域を配置するとともに、該パターン領域を前記所定方向へ移動させるパターン配置機構と、基板を保持し、該基板を前記所定方向へ移動させる基板保持機構と、前記パターン領域ごとの第１部分パターン領域に設けられた第１パターンの前記投影光学系による投影像、および前記パターン領域内で前記第１部分パターン領域に対して一部領域が重複し且つ他の領域が前記所定方向の異なる位置にある第２部分パターン領域に設けられた第２パターンの前記投影光学系による投影像を、前記基板上に順次転写する制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記一部領域内で互いに重複した前記第１パターンの一部と前記第２パターンの一部とを前記基板上に重複して転写するように制御を行う露光装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の第３の態様に従えば、上記の露光装置を用いて、前記パターン領域に設けられたパターンの前記投影光学系による投影像を感光基板に転写する露光工程と、前記投影像が転写された前記感光基板を現像し、前記投影像に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に形成する現像工程と、前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法によれば、複数の投影光学系（部分投影光学系）を用いてパターンの拡大像をプレート（基板）上に形成する場合に継ぎ誤差の発生を抑制することができ、パターン全体の投影像の転写精度を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図１〜図１２を参照して説明する。
図２は、本実施形態のステップ・アンド・スキャン方式の走査型の投影露光装置よりなる露光装置１００の概略構成を示す斜視図、図１は、その露光装置１００の照明装置及びマスクステージの概略構成を示す斜視図である。図１及び図２において、露光装置１００は、光源からの照明光でマスクＭＡのパターンを照明する照明装置ＩＵと、マスクＭＡを保持して移動するマスクステージＭＳＴと、マスクＭＡのパターンの拡大像をプレート（基板）ＰＴ上に投影する投影光学装置ＰＬと、プレートＰＴを保持して移動する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを駆動するリニアモータ等を含む駆動機構（不図示）と、この駆動機構等の動作を統括的に制御する主制御系２３等とを備えている。照明装置ＩＵ、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴのベース部材（不図示）、並びに投影光学装置ＰＬ等は不図示のフレーム機構に支持されている。
【００１０】
本実施形態のプレートＰＴは、一例として液晶表示素子製造用のフォトレジスト（感光材料）が塗布された１．９×２．２ｍ角、２．２×２．４ｍ角、２．４×２．８ｍ角、又は２．８×３．２ｍ角程度の矩形の平板状のガラスプレートである。また、一例として、図２に示すように、プレートＰＴの表面は、それぞれマスクＭＡのパターンが転写される２つのパターン転写領域ＥＰ１，ＥＰ２に区分して主制御系２３に認識される。
【００１１】
以下、図１及び図２において、マスクステージＭＳＴのガイド面（不図示）に垂直にＺ軸を取り、そのガイド面に平行な面内で走査露光時のマスクＭＡの走査方向に沿ってＸ軸を取り、Ｘ軸に直交する非走査方向に沿ってＹ軸を取って説明する。本実施形態では、基板ステージＰＳＴのガイド面（不図示）は、マスクステージＭＳＴのガイド面に平行であり、走査露光時のプレートＰＴの走査方向はＸ軸に平行である。また、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転方向をθＺ方向とも呼ぶ。
【００１２】
図１の照明装置ＩＵにおいて、光源部１０の４つの送光部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄから射出された露光用の照明光（露光光）は、マスクＭＡを部分的に照明する４つの同一構成の部分照明光学系ＩＬＳ１，ＩＬＳ２，ＩＬＳ３，ＩＬＳ４にそれぞれ入射する。露光用の照明光としては、ＹＡＧレーザの３倍高調波（波長３５５ｎｍ）よりなるパルス光が使用されている。なお、露光用の照明光としては、例えば超高圧水銀ランプから射出されるｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）の光を含む波長域から選択された波長の光、又はＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）若しくはＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）等のエキシマレーザ光等も使用可能である。
【００１３】
送光部１０ａ〜１０ｄから射出された照明光は、それぞれ部分照明光学系ＩＬＳ１〜ＩＬＳ４に入射し、コリメータレンズ４により平行光束にされて、オプティカルインテグレータであるフライアイレンズ６に入射する。部分照明光学系ＩＬＳ１〜ＩＬＳ４のフライアイレンズ６の後側焦点面に形成された多数の二次光源からの照明光は、それぞれ集光レンズ７を介して可変視野絞り８を照明する。可変視野絞り８からの光束はリレー光学系９を介し、マスクＭＡ上においてＸ方向に平行な２辺を有する台形状（Ｙ方向の２辺はＸ方向に対して平行もしくは傾斜した台形状）の照明領域（照野領域）ＩＦ１，ＩＦ２，ＩＦ３，ＩＦ４をほぼ均一に照明する。照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４は、Ｙ方向に沿って一列に配置されている。なお、部分照明光学系ＩＬＳ１〜ＩＬＳ４の可変視野絞り８を共通の視野絞り部材として、この視野絞り部材に部分照明光学系ＩＬＳ１〜ＩＬＳ４用の４つの視野絞り用の開口を形成してもよい。
【００１４】
マスクＭＡの照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４からの光は、図２に示すように、それぞれ対応する第１、第２、第３、及び第４の投影光学系ＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３，ＰＬ４を介して、プレートＰＴ上の露光領域（像野領域又はイメージフィールド）ＥＦ１，ＥＦ２，ＥＦ３，ＥＦ４を露光する。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４は、それぞれマスクＭＡ側及びプレートＰＴ側にテレセントリックであり、マスクＭＡ側からプレートＰＴ側へ拡大倍率を有している。露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の形状は、照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の形状を投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の投影倍率で拡大した形状である。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４及びこれらに対応する露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４はＹ方向に一列に配置されている。Ｙ方向における照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の配列周期と露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の配列周期とは等しい。なお、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の形状は、可変視野絞り８が照明光の一部を遮光することによって設定される。可変視野絞り８は、照明光を通過させる開口部の大きさが変更可能（拡縮可能）に構成されており、これによってＹ方向における露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の幅である露光幅は、適宜拡大および縮小可能とされている。
【００１５】
本実施形態ではその４つの投影光学系（部分投影光学系）ＰＬ１〜ＰＬ４を含んで投影光学装置ＰＬが構成され、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４は、それぞれマスクＭＡ（第１面）上の照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４内のパターンを共通の拡大倍率Ｍ（絶対値）で拡大した投影像をプレートＰＴの表面（第２面）上の露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４に形成する。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４は、マスクＭＡのパターンのＸ方向（走査方向）に正立でＹ方向（非走査方向）に倒立の像をプレートＰＴ上に形成する。その拡大倍率Ｍは、好ましくは２倍以上であり、本実施形態では一例として２．５倍である。
【００１６】
図１において、マスクＭＡはマスクホルダ（不図示）を介してマスクステージＭＳＴ上に吸着保持されている。マスクステージＭＳＴ上にＸ軸、Ｙ軸の移動鏡５０Ｘ及び５０Ｙが固定され、これらに対向するようにＸ軸のレーザ干渉計２２ＸＡ，２２ＸＢ及びＹ軸のレーザ干渉計２２Ｙよりなるマスク側レーザ干渉計が配置されている。マスク側レーザ干渉計は、マスクステージＭＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置、及びマスクステージＭＳＴのθＺ方向の回転角を計測し、計測結果を主制御系２３に供給する。主制御系２３はその計測値に基づいてリニアモータ等のステージ駆動系（不図示）を介してマスクステージＭＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置及び速度、並びにθＺ方向の回転角を制御する。
【００１７】
また、図２において、プレートＰＴは基板ホルダ（不図示）を介して基板ステージＰＳＴ上に吸着保持されている。基板ステージＰＳＴにはＸ軸、Ｙ軸の移動鏡５１Ｘ及び５１Ｙが固定され、Ｘ軸の移動鏡５１Ｘに対向するようにＹ方向に所定間隔で計測用のレーザビームをＸ軸に平行に照射するレーザ干渉計２１ＸＡ，２１ＸＢ，２１ＸＣ及び補助レーザ干渉計２１ＸＤが配置されている。また、Ｙ軸の移動鏡５１Ｙに対向するようにＸ方向に所定間隔で計測用のレーザビームをＹ軸に平行に照射するレーザ干渉計２１ＹＡ及び補助レーザ干渉計２１ＹＢが配置されている。
【００１８】
Ｘ軸のレーザ干渉計２１ＸＣ及びＹ軸のレーザ干渉計２１ＹＡによって、基板ステージＰＳＴのＸ方向及びＹ方向の位置が計測され、Ｘ軸の両側のレーザ干渉計２１ＸＡ，２１ＸＢによって走査露光時の基板ステージＰＳＴのθＺ方向の回転角が計測される。また、Ｙ軸のレーザ干渉計２１ＹＡ及び補助レーザ干渉計２１ＹＢによって基板ステージＰＳＴがＹ方向にステップ移動する際の、基板ステージＰＳＴのθＺ方向の回転角が計測される。Ｘ軸の補助レーザ干渉計２１ＸＤの用途については後述する。なお、例えば移動鏡５１Ｘ，５１Ｙの真直度が良好である場合等には、Ｘ軸のレーザ干渉計２１ＸＡ〜２１ＸＤは、そのうちの２軸のレーザ干渉計（例えば２１ＸＡ，２１ＸＢ）を設けるのみでもよく、Ｙ軸の補助レーザ干渉計２１ＹＢは省略可能である。
【００１９】
これらのレーザ干渉計２１ＸＡ〜２１ＸＤ，２１ＹＡ，２１ＹＢよりなるプレート側レーザ干渉計の計測値は図１の主制御系２３に供給され、主制御系２３はその計測値に基づいてリニアモータ等のステージ駆動系（不図示）を介して基板ステージＰＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置及び速度を制御する。走査露光時には、マスクステージＭＳＴがＸ方向に速度Ｖ／Ｍ（Ｍは拡大倍率）で駆動されるのに同期して、基板ステージＰＳＴはＸ方向に速度Ｖで駆動される。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の像はＸ方向に正立像であるため、マスクステージＭＳＴの走査方向と基板ステージＰＳＴの走査方向とはＸ軸に沿った同じ向きとなる。
【００２０】
図２において、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の近傍には、プレートＰＴの位置合わせを行うための例えば画像処理方式のオフアクシス型のアライメント系ＡＬＧ、並びにマスクＭＡ及びプレートＰＴのＺ方向の位置（フォーカス位置）を計測するオートフォーカス系（不図示）が配置されている。そのため、プレートＰＴ上のパターン転写領域ＥＰ１及びＥＰ２の近傍にはそれぞれ複数のアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２が形成されている。また、そのオートフォーカス系の計測結果に基づいて、不図示のＺ駆動機構を用いて例えばマスクステージＭＳＴのＺ方向の位置を制御すること、及び／又は後述の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の個別のフォーカス機構を駆動することによって、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５の像面とプレートＰＴの表面とが合焦される。
【００２１】
また、基板ステージＰＳＴには、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４を介して投影されるマスクＭＡ上の位置計測用マークの像の位置を計測するためのアライメント系としての空間像計測系５３が設置されている。アライメント系ＡＬＧ及び空間像計測系５３の検出信号はアライメント信号処理系（不図示）で処理され、この処理によって得られた被検マークの位置情報が主制御系２３に供給される。
【００２２】
次に、本実施形態の部分照明光学系ＩＬＳ１〜ＩＬＳ４及び投影光学装置ＰＬを構成する投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の構成につき説明する。代表的に図３を参照して、部分照明光学系ＩＬＳ１及び投影光学系ＰＬ１の構成につき説明する。
図３は、図１の光源部１０の一部、部分照明光学系ＩＬＳ１、及び投影光学系ＰＬ１の構成を示す。図３において、レーザ光を発生するレーザ光源１と、そのレーザ光を集光するレンズ系２と、集光されたレーザ光を伝送する光ガイド３とが、図１の光源部１０内に収納されている。そして、光ガイド３から射出されるレーザ光よりなる照明光が、部分照明光学系ＩＬＳ１内のコリメータレンズ４、ミラー５、及びフライアイレンズ６からリレー光学系９までの光学部材を介してマスクＭＡを照明する。なお、図３のミラー５は図１では省略されている。
【００２３】
なお、レーザ光源１からのレーザ光を分岐して４つの部分照明光学系ＩＬＳ１〜ＩＬＳ４に供給してもよく、光ガイド３を用いることなく、ミラー系を介してレーザ光を伝送してもよい。
図３において、リレー光学系９は、一例として、光路を折り曲げるプリズム型ミラー部材９ａと、折り曲げられた照明光を集光する集光レンズ９ｂと、集光された照明光を反射集光する凹面鏡９ｃとを含んで構成されている。リレー光学系９は、可変視野絞り８の開口部の走査方向に倒立した像（照明領域）をマスクＭＡ上に形成する。
【００２４】
また、投影光学系ＰＬ１は、マスクＭＡとプレートＰＴとの間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭｃと、マスクＭＡと凹面反射鏡ＣＣＭｃとの間の光路中に配置されるＺ軸に平行な光軸ＡＸ２１を持つ第１レンズ群Ｇ１ｃと、第１レンズ群Ｇ１ｃと凹面反射鏡ＣＣＭｃとの間の光路中に配置される第２レンズ群Ｇ２ｃと、第２レンズ群Ｇ２ｃとプレートＰＴとの間の光路中に配置されて、第２レンズ群Ｇ２ｃから＋Ｚ方向に進行する光を＋Ｘ方向に光軸ＡＸ２１を横切るように光軸ＡＸ２２に沿って偏向する第１偏向部材ＦＭ１ｃと、第１偏向部材ＦＭ１ｃとプレートＰＴとの間の光路中に配置され、第１偏向部材ＦＭ１ｃから＋Ｘ方向に進行する光を−Ｚ方向に偏向する第２偏向部材ＦＭ２ｃと、第２偏向部材ＦＭ２ｃとプレートＰＴとの間の光路中に配置されて、第１レンズ群Ｇ１ｃの光軸ＡＸ２１と平行な光軸ＡＸ２３を有する第３レンズ群Ｇ３ｃとを備えている。
【００２５】
また、第１レンズ群Ｇ１ｃとマスクＭＡとの間に相互間隔が変更可能な複数のレンズを含む倍率補正機構ＡＤ１１が配置され、第３レンズ群Ｇ３ｃとプレートＰＴとの間に２枚の傾斜角可変の平行平板を含むＸ方向、Ｙ方向の像シフト補正機構ＡＤ１２、及び例えば２枚の楔型プリズムを含むフォーカス補正機構ＡＤ１３が配置されている。
他の投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ４も同様に構成され、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の倍率補正機構ＡＤ１１、像シフト補正機構ＡＤ１２、及びフォーカス補正機構ＡＤ１３（結像特性補正機構）はそれぞれ駆動部（不図示）によって互いに独立に制御可能である。なお、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の構成は、図３には限定されるものではない。
【００２６】
次に、図１に示すように、本実施形態のマスクＭＡのパターン面には、Ｙ方向に沿って所定間隔（所定周期）でＸ方向に細長い矩形のパターン領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４が形成されている。なお、パターン領域Ａ１〜Ａ４の個数は、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の個数に対応して設定される。
図４（Ａ）は図１のマスクＭＡの平面図であり、図４（Ｂ）は図１のプレートＰＴの各パターン転写領域ＥＰ１，ＥＰ２に形成すべきデバイスパターン３０（説明の便宜上、文字”Ｆ”で表している）を示す。この場合、マスクＭＡの４つのパターン領域Ａ１〜Ａ４に形成するパターンは、それぞれ図４（Ｂ）のデバイスパターン３０をＹ方向に所定幅の重複部３０ＱＡ，３０ＱＢ，３０ＱＣを境界部として４等分した部分デバイスパターンＱＡ１〜ＱＡ４を、１／Ｍ倍（Ｍは投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の拡大倍率）に縮小し、個別にＹ方向（非走査方向）に倒立させたパターンである。図４（Ａ）において、パターン領域Ａ１の＋Ｙ方向及びパターン領域Ａ２の−Ｙ方向の重複部３３Ａが図４（Ｂ）の重複部３０ＱＡに対応し、同様に図４（Ａ）の２箇所の重複部３３Ｂ及び２箇所の重複部３３Ｃがそれぞれ図４（Ｂ）の重複部３０ＱＢ及び３０ＱＣに対応している。
【００２７】
また、図１の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の拡大倍率Ｍは２．５であるため、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の間のパターン間領域３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの幅はパターン領域Ａ１〜Ａ４の幅よりも広い。
さらに、図４（Ａ）において、パターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の幅は、ほぼ図１の照明装置ＩＵによる照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４のＹ方向の幅、ひいては投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の物体面側の視野のＹ方向の幅のほぼ２倍に設定されている。また、本実施形態では、マスクＭＡの各パターン領域Ａ１〜Ａ４は、それぞれＹ方向に所定幅の重複部３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄを挟んで−Ｙ方向側の第１の部分パターン領域Ａ１１，Ａ２１，Ａ３１，Ａ４１と、＋Ｙ方向側の第２の部分パターン領域Ａ１２，Ａ２２，Ａ３２，Ａ４２とに分割される。そして、−Ｙ方向側の第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１のパターンが１回の走査露光でプレートＰＴ上に露光され、＋Ｙ方向側の第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２のパターンが１回の走査露光でプレートＰＴ上に露光される。
【００２８】
この場合、パターン領域Ａ１の＋Ｙ方向側の近傍に、パターン領域Ａ１（部分パターン領域Ａ１２）と所定の位置関係でＸ方向に所定周期で２次元の位置計測用マーク３２Ａ１が複数形成されている。同様に、部分パターン領域Ａ２１及びＡ２２の近傍に、これらの領域と所定の位置関係で複数の位置計測用マーク３２Ｂ２，３２Ｂ１が形成され、部分パターン領域Ａ３１及びＡ３２の近傍に、これらの領域と所定の位置関係で複数の位置計測用マーク３２Ｃ２，３２Ｃ１が形成され、パターン領域Ａ４の近傍に、パターン領域Ａ４（部分パターン領域Ａ４１）と所定の位置関係で複数の位置計測用マーク３２Ｄ２が形成されている。位置計測用マーク３２Ｂ１、位置計測用マーク３２Ｂ２，３２Ｃ１、位置計測用マーク３２Ｃ２はそれぞれパターン間領域３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ内に形成されている。
【００２９】
図５は、図１のマスクステージＭＳＴを示す断面図であり、図５において、マスクステージＭＳＴのマスクＭＡの載置面には、マスクＭＡのパターン間領域３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの中央部を支持するように支持部３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃが架設されている。このように、パターン間領域３１Ａ〜３１Ｃを支持することによって、マスクＭＡが大型であってもマスクＭＡの撓みが小さくなり、マスクＭＡのパターンを高精度にプレートＰＴ上に転写できる。
【００３０】
支持部３５Ａ〜３５Ｃの上部にはそれぞれ真空ポンプ（不図示）に接続される吸着孔３５Ａａ等が形成され、マスクステージＭＳＴのマスクＭＡの周辺部にも真空ポンプ（不図示）に接続される吸着孔３８ａ，３８ｂ等が形成され、これらの吸着孔によってマスクＭＡが安定に吸着保持される。なお、マスクＭＡを静電吸着してもよい。
また、図５において、マスクＭＡのパターン面に、各パターン領域Ａ１〜Ａ４及び位置計測用マークを覆うように、枠状のペリクルフレーム３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃ，３６Ｄを介して、例えば厚さ１μｍ程度の照明光を透過する有機材料の薄膜よりなる防塵用のペリクル（保護膜）３７Ａ，３７Ｂ，３７Ｃ，３７Ｄが張設されている。これによって、各パターン領域Ａ１〜Ａ４に塵等の異物が付着することが防止される。また、マスクＭＡのパターン面の全面を１枚のペリクルで覆う場合に比べて、各パターン領域Ａ１〜Ａ４に個別にペリクルを設ける方が、ペリクルの損傷が少ない。さらに、個々のペリクルが小型になることで、ペリクル製造時の歩留まりを向上させることができ、そのコストを低減させることができる。
【００３１】
次に、図２のマスクＭＡとプレートＰＴとの関係につき説明する。先ず、マスクＭＡのＸ方向の幅をＭｘ、Ｙ方向の幅をＭｙとして、プレートＰＴのＸ方向の幅をＰｘ、Ｙ方向の幅をＰｙとする。このとき、これらの幅Ｍｘ，Ｍｙ，Ｐｘ，Ｐｙの間には次の関係が成立するように、プレート寸法、マスク寸法、拡大倍率Ｍが選択される。
Ｍｘ＞Ｐｘ／Ｍ  …（１）
Ｍｙ＞Ｐｙ／２  …（２）
なお、基板ステージＰＳＴ上にプレートＰＴを縦置き又は横置き（９０°回転した状態）して載置することが可能であり、式（１）、式（２）におけるＰｘ及びＰｙはそれぞれプレートＰＴの縦及び横寸法の内の大きい方とする。
【００３２】
次に、図６（Ａ）は図４（Ａ）のマスクＭＡのパターンを示し、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のマスクＭＡのパターンの拡大像（図４（Ｂ）のデバイスパターン３０）が転写される図２のプレートＰＴを示す。図６（Ｂ）において、プレートＰＴの表面は、Ｙ方向に２面のパターン転写領域ＥＰ１，ＥＰ２に分割されている。また、第１のパターン転写領域ＥＰ１は、Ｙ方向にそれぞれ図６（Ａ）のマスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４のパターンの拡大像が継ぎ部３３ＰＡ，３３ＰＢ，３３ＰＣを挟んで継ぎ合わせてＹ方向に倒立して露光される幅Ｐｐの転写領域ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４に分割されている。継ぎ部３３ＰＡ〜３３ＰＣにはそれぞれ図６（Ａ）のマスクＭＡの重複部３３Ａ〜３３Ｃのパターンの像が重ねて露光される。
【００３３】
さらに、転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４は、それぞれマスクＭＡの第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１の拡大像が露光される＋Ｙ方向側の幅Ｗｐの第１の分割転写領域ＰＡ１１，ＰＡ２１，ＰＡ３１，ＰＡ４１と、それぞれマスクＭＡの第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２の拡大像が露光される−Ｙ方向側の幅Ｗｐの第２の分割転写領域ＰＡ１２，ＰＡ２２，ＰＡ３２，ＰＡ４２とに分割されている。また、転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４内の第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１と第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２との間には、それぞれ図６（Ａ）のパターン領域Ａ１〜Ａ４内の重複部３４Ａ〜３４Ｄの像が重複して露光される継ぎ部３４ＰＡ，３４ＰＢ，３４ＰＣ，３４ＰＤが形成される。
【００３４】
同様に、プレートＰＴの第２のパターン転写領域ＥＰ２もそれぞれ分割転写領域ＰＡｉ１，ＰＡｉ２（ｉ＝１〜４）からなり、マスクＭＡのパターン領域Ａｉのパターンの拡大像が露光される４つの転写領域ＰＡｉに分割される。
このとき、マスクＭＡ側のパターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の配列周期をＰｍ、パターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の幅をＷｍとすると、拡大倍率Ｍ、プレートＰＴの分割転写領域ＰＡ１１，ＰＡ１２等のＹ方向の幅Ｗｐ、及び転写領域ＰＡ１等のＹ方向の幅（投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の配置間隔と等しい）Ｐｐを用いて次の関係が成立する。
【００３５】
Ｐｍ＞Ｗｍ≧（Ｗｐ×２）／Ｍ  …（３）
Ｐｍ＝Ｐｐ＝Ｗｐ×２          …（４）
ここで、プレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ１の各転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１，ＰＡ１２〜ＰＡ４２のＹ方向の幅Ｗｐは、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４のＹ方向の幅、つまり露光幅と同じである。この露光幅は、一例として、可変視野絞り８によって設定される台形状の露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４におけるＸ方向の中央部でのＹ方向の幅として規定される。あるいは、マスクＭＡのパターンを介さずに露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４によってプレートＰＴを走査露光する場合に、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４ごとに走査中のプレートＰＴ上の積算露光量を、走査完了時の所定の積算露光量に対して半分とする幅として規定される。
【００３６】
さらに、図２のＸ軸のレーザ干渉計２１ＸＣ及び補助レーザ干渉計２１ＸＤからのレーザビームのＹ方向の間隔は、そのプレートＰＴの分割転写領域ＰＡ１１，ＰＡ１２等のＹ方向の幅（露光幅）Ｗｐに等しい。
露光時には、アライメントの結果より、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４（マスクＭＡのパターンの像）がプレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ１（ＥＰ２）に対して正確に重ね合わされるように、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の図３の像シフト補正機構ＡＤ１２による像シフト量、倍率補正機構ＡＤ１１による倍率の補正量、及び偏向部材ＦＭ１ｃ，ＦＭ２ｃの回転角が補正される。
【００３７】
以下、図９のフローチャートを参照して、露光装置１００の露光動作の一例につき説明する。以下の露光動作は主制御系２３によって制御される。
先ず、マスクステージＭＳＴ上にマスクＭＡが載置されているものとして、マスクＭＡのアライメントを行うために、一例として投影光学系ＰＬ２の露光領域ＥＦ２に基板ステージＰＳＴ上の空間像計測系５３の受光面を移動する。なお、その受光面の実際のＺ方向の位置はプレートＰＴの表面と同じ高さである。そして、マスクステージＭＳＴをＸ方向、Ｙ方向に移動して、図４（Ａ）に示すように、照明領域ＩＦ２を軌跡ＴＲ１に沿ってマスクＭＡに対して相対的に移動して、照明領域ＩＦ２で複数の位置計測用マーク３２Ｂ１，３２Ｂ２を順次照明し、これらのマークの投影光学系ＰＬ２による像の位置を空間像計測系５３で計測する。同様に、マスクＭＡ上の他の複数の位置計測用マーク３２Ａ１，３２Ｃ１，３２Ｃ２，３２Ｄ２の像の位置も空間像計測系５３によって計測する。これによって、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４（部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１，Ａ１２〜Ａ４２）の像の位置を計測でき、この結果に基づいて、部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１，Ａ１２〜Ａ４２の像をプレートＰＴ上にＸ方向、Ｙ方向に正確に継ぎ合わせて露光できる。
【００３８】
次に図９のステップ１０１において、図２の基板ステージＰＳＴ上のプレートを露光対象のフォトレジストが塗布されたプレートＰＴと交換する。次のステップ１０２において、プレートＰＴの第１のパターン転写領域ＥＰ１のアライメントを行うために、基板ステージＰＳＴを駆動してプレートＰＴをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動しながら、アライメント系ＡＬＧによって、パターン転写領域ＥＰ１の複数のアライメントマークＡＭ１の位置を計測する。次のステップ１０３において、プレートＰＴの第２のパターン転写領域ＥＰ２のアライメントを行うために、プレートＰＴをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動しながら、アライメント系ＡＬＧによって、パターン転写領域ＥＰ２の複数のアライメントマークＡＭ２の位置を計測する。なお、アライメント系ＡＬＧは、１つに限らず複数備えてもよく、この場合、ステップ１０２，１０３では、それぞれアライメントマークＡＭ１，ＡＭ２が有する複数のマークを同時に計測することができる。また、ステップ１０２，１０３では、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２を順次計測することとしたが、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２を同時に計測するようにしてもよい。
【００３９】
次のステップ１０４において、まず、上記のアライメント結果に基づいて、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４の像とプレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ１の転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４とがそれぞれ重なり合う状態とする。そして、図６（Ａ）に示すように、マスクＭＡを＋Ｘ方向に速度Ｖ／Ｍで移動して、照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４をマスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４の第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１に対してＸ方向に相対走査するとともに、これに同期して、図６（Ｂ）に示すように、プレートＰＴを＋Ｘ方向に速度Ｖで移動して、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４をパターン転写領域ＥＰ１の転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４の＋Ｙ方向側に半分の第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１に対してＸ方向に相対走査する。これによって、パターン転写領域ＥＰ１の第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１にそれぞれマスクＭＡの第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１のパターンの像（Ｙ方向に倒立した像）が走査露光される。
【００４０】
この際に、マスクＭＡの重複部３３Ａ〜３３Ｃ，３４Ａ〜３４Ｄは、台形状の照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の斜辺部で走査される。なお、部分パターン領域Ａ１１の−Ｙ方向のエッジ部は継ぎ部ではないため、そのエッジ部に接する照明領域ＩＦ１の端部ＩＦ１ａはＸ軸に平行である。このような照明領域ＩＦ１及びＩＦ４（後述）の形状の変更は、例えば可変視野絞り８の開口部の切り換え又は固定された開口部の端部の開閉によって実行できる。
【００４１】
また、図６（Ｂ）の露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４のＸ方向の幅（スリット幅）をＷ、プレート面での照明光の照度をＰ、フォトレジストの感度（露光量）をＥとすると、フォトレジストを適正露光量で露光するために、基板ステージＰＳＴの走査速度Ｖは次のように設定される。
Ｖ＝（Ｐ×Ｗ）／Ｅ  …（５）
次のステップ１０５において、図７（Ａ）に示すように、マスクステージＭＳＴを介してマスクＭＡを−Ｙ方向（図７（Ａ）における方向ＳＴＭ）に距離Ｗｐ／Ｍだけステップ移動し、これとほぼ並行に基板ステージＰＳＴを介してプレートＰＴを逆方向である＋Ｙ方向（図７（Ｂ）における方向ＳＴＰ）に露光幅Ｗｐに等しい距離だけステップ移動する。次のステップ１０６において、図７（Ａ）のマスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４の像と図７（Ｂ）のプレートＰＴの第１のパターン転写領域ＥＰ１の転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４とが重なり合う状態で、マスクＭＡを−Ｘ方向に速度Ｖ／Ｍで移動して、軌跡ＴＲＭに沿って照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４でマスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４の第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２をＸ方向に相対走査するのに同期して、図７（Ｂ）に示すように、プレートＰＴを−Ｘ方向に速度Ｖで移動して、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４で軌跡ＴＲＰに沿ってパターン転写領域ＥＰ１の転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４の−Ｙ方向に半分の第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２をＸ方向に相対走査する。
【００４２】
これによって、パターン転写領域ＥＰ１の第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２にそれぞれマスクＭＡの第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２のパターンの像（Ｙ方向に倒立した像）が走査露光される。従って、パターン転写領域ＥＰ１の全面に、図４（Ｂ）のデバイスパターン３０と同じ像が露光される。また、プレートＰＴの継ぎ部３３ＰＡ〜３３ＰＣ及び３４ＰＡ〜３４ＰＤにはそれぞれマスクＭＡの重複部３３Ａ〜３３Ｃ及び３４Ａ〜３４Ｄの像が重ねて露光される。
【００４３】
この際に、図７（Ａ）のマスクＭＡの重複部３３Ａ〜３３Ｃ，３４Ａ〜３４Ｄは照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の斜辺部で走査される。なお、部分パターン領域Ａ４２の＋Ｙ方向のエッジ部は継ぎ部ではないため、そのエッジ部に接する照明領域ＩＦ４の端部ＩＦ４ａはＸ軸に平行である。このように重複部３３Ａ〜３３Ｃ，３４Ａ〜３４Ｄを照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の斜辺部で走査することによって、２回の走査露光によって重複して露光されるプレートＰＴの継ぎ部３３ＰＡ〜３３ＰＣ及び３４ＰＡ〜３４ＰＤの露光量が、その他の部分の露光量と等しくなる。
【００４４】
また、図２において、予め露光開始前にＸ軸のレーザ干渉計２１ＸＣと補助レーザ干渉計２１ＸＤとは、レーザビームの照射点のＸ方向の位置が等しい状態で同じ計測値を示すようにリセットを行うとともに、転写像が正しく整列するように投影像のキャリブレーションを行う。そして、図９のステップ１０４からステップ１０６に移行する際に、ステップ１０４で計測されるレーザ干渉計２１ＸＣと補助レーザ干渉計２１ＸＤとの計測値の差分をΔＸとする。この場合、基板ステージＰＳＴのＸ方向の位置はレーザ干渉計２１ＸＣの計測値に基づいて制御するとともに、ステップ１０６では、基板ステージＰＳＴのＸ方向の位置をその差分ΔＸだけ補正する。これによって、仮に図２のＸ軸の移動鏡５１Ｘに曲がりが生じていても、図７（Ｂ）のパターン転写領域ＥＰ１の第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１と第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２とのＸ方向の位置を合わせて露光することができ、継ぎ誤差が低減する。
【００４５】
次のステップ１０７において、ステップ１０３のアライメント結果に基づいて、図８（Ｂ）に示すように、基板ステージＰＳＴを介してプレートＰＴを−Ｙ方向にパターン転写領域ＥＰ１，ＥＰ２の中心間隔分だけステップ移動して、パターン転写領域ＥＰ２の転写領域ＰＡ１〜ＰＡ４の第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１を軌跡ＴＲＰ１に沿って露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の手前に移動する。この動作とほぼ並行して、図８（Ａ）に示すように、マスクＭＡを＋Ｙ方向にステップ移動して、軌跡ＴＲＭ１に沿ってパターン領域Ａ１〜Ａ４の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１を照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の手前に移動する。
【００４６】
次のステップ１０８において、ステップ１０４と同様に、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、マスクＭＡを＋Ｘ方向に移動するのに同期してプレートＰＴを＋Ｘ方向に移動して、プレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ２の第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１にそれぞれマスクＭＡの第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１のパターンの像（Ｙ方向に倒立した像）を走査露光する。次のステップ１０９において、ステップ１０５と同様に、マスクＭＡを−Ｙ方向に距離Ｗｐ／Ｍ（図７（Ａ）参照）だけステップ移動し、これとほぼ並行してプレートＰＴを逆方向である＋Ｙ方向に距離Ｗｐだけステップ移動する。次のステップ１１０において、ステップ１０６と同様に、図８（Ａ）の軌跡ＴＲＭ２に対応して、マスクＭＡを＋Ｘ方向に移動するのに同期して、図８（Ｂ）の軌跡ＴＲＰ２に対応して、プレートＰＴを＋Ｙ方向に移動して、プレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ２の残りの第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２にそれぞれマスクＭＡの第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２のパターンの像（Ｙ方向に倒立した像）を走査露光する。従って、パターン転写領域ＥＰ２の全面に、図４（Ｂ）のデバイスパターン３０と同じ像が継ぎ合わされて均一な露光量分布で露光される。
【００４７】
次のステップ１１１において、露光すべきプレートがある場合には、ステップ１１２に移行して、基板ステージＰＳＴをプレートＰＴの交換位置に移動して、ステップ１０１に移行する。ステップ１１１において、露光すべきプレートが尽きた場合には、プレートＰＴを基板ステージＰＳＴ上から排出（アンロード）して露光工程を終了する。
本実施形態の露光方法をまとめると、図１０（Ａ）のようになる。即ち、図１０（Ａ）のプレートＰＴのＸ方向の幅Ｌ２及びＹ方向の幅Ｌ１はそれぞれ例えば３．２ｍ及び２．８ｍである。本実施形態では、プレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ１及びＥＰ２がそれぞれ基板ステージＰＳＴを＋Ｘ方向と−Ｘ方向とに走査する２回の走査露光ＳＣ１，ＳＣ２及びＳＣ３，ＳＣ４によって露光され、その間に基板ステージＰＳＴは３回のステップ移動ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３を行う。各走査露光ＳＣ１等は、それぞれ一定速度の露光時間ＥＸｔと加減速時間ＡＤｔとを含んでいる。このように、本実施形態では、２面取りのプレートＰＴの全面を４回の走査露光で高いスループットで露光できる。
【００４８】
また、図１０（Ｂ）に示すように、１枚のプレートＰＴに同一のデバイスパターンが露光される６面のパターン転写領域ＥＰＡを設ける場合、及び図１０（Ｃ）に示すように、１枚のプレートＰＴに同一のデバイスパターンが露光される８面のパターン転写領域ＥＰＢを設ける場合にも、本実施形態の露光方法によれば、それぞれ４回の走査露光でプレートＰＴの全面を高いスループットで露光できる。なお、図１０（Ｂ）の場合には、マスクＭＡには３個分のデバイスパターンに対応するパターンが形成され、図１０（Ｃ）の場合には、マスクＭＡには４個分のデバイスパターンに対応するパターンが形成される。
【００４９】
また、上記の実施形態において、走査露光中に基板ステージＰＳＴ（プレートＰＴ）とマスクステージＭＳＴ（マスクＭＡ）との間に位置ずれが生じた場合の、位置合わせ方法の一例につき図１１及び図１２を参照して説明する。
先ず、図１１（Ａ）に示すように、基板ステージＰＳＴの位置が目標とする位置からＸ方向、Ｙ方向にΔＸ，ΔＹだけシフトした場合には、図１１（Ｂ）で示すように、マスクステージＭＳＴをＸ方向にΔＸ１／Ｍ（Ｍは投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の拡大倍率）だけ移動し、Ｙ方向に−ΔＹ１／Ｍだけ移動して大まかな補正を行う。なお、Ｙ方向の補正量の符号が逆であるのは、図２の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の像がＹ方向に倒立しているからである。また、基板ステージＰＳＴの位置及び回転角は、例えばレーザビームＬＰｘ１，ＬＰｘ２をＸ軸に平行に照射するＸ軸のレーザ干渉計２１ＸＡ，２１ＸＢ、及びレーザビームＬＰｙをＹ軸に平行に照射するＹ軸のレーザ干渉計２１ＹＡによって計測されている。同様に、マスクテージＭＳＴの位置及び回転角は、例えばレーザビームＬＭｘ１，ＬＭｘ２をＸ軸に平行に照射するＸ軸のレーザ干渉計２２ＸＡ，２２ＸＢ、及びレーザビームＬＭｙをＹ軸に平行に照射するＹ軸のレーザ干渉計２２Ｙによって計測されている。
【００５０】
さらに、マスクステージＭＳＴのシフト量を基板ステージＰＳＴ上のシフト量に換算した値はΔＸ１，−ΔＹ１である。そこで、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の図３の像シフト補正機構ＡＤ１２を用いて、それらのシフト量の残差分（ΔＸ−ΔＸ１，ΔＹ＋ΔＹ１）だけマスクＭＡのパターンの像をシフトさせる。これによって、基板ステージＰＳＴのシフトが高精度に、かつ高い追従速度で補正できる。
【００５１】
次に、図１２（Ａ）に示すように、基板ステージＰＳＴのθＺ方向の回転角（例えば矢印２４Ｐで示すプレートの中心での分割転写領域の配列方向）が目標値から反時計周りにΔθだけずれた場合には、図１２（Ｂ）で示すように、マスクステージＭＳＴ（矢印２４Ｍで示すマスクの中心での部分パターン領域の配列方向）を時計周りに角度Δθだけ回転する。この場合、図２の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の像はＸ方向に正立で、Ｙ方向に倒立であるため、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４によるマスクＭＡの部分パターン領域の像の配列方向は、矢印２４ＭＰで示すように、プレート上の矢印２４Ｐの配列方向と平行になるが、その位置は基板ステージＰＳＴ（プレートの分割転写領域）に対してＸ方向にΔＸ１，ΔＸ２，ΔＸ３，ΔＸ４だけシフトする。シフト量ΔＸ１〜ΔＸ４は、マスクステージＭＳＴの回転中心と投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４とのＹ方向の間隔をＬとすると、ほぼ−２・Δθ・Ｌとなる。そこで、このようにマスクステージＭＳＴの回転によって発生したＸ方向のシフト量は、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の図３の像シフト補正機構ＡＤ１２を用いて補正する。これによって、基板ステージＰＳＴの回転角が高精度に、かつ高い追従速度で補正できる。
【００５２】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）上記の実施形態の露光装置１００は、それぞれ拡大倍率を有して並設された複数の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４と、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４のそれぞれに対し、Ｙ方向（所定方向）に照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の幅（投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の露光幅を拡大倍率Ｍで除して得られる幅）より大きく投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の配置の周期（配置間隔）より小さい幅（領域幅）を有するパターン領域Ａ１〜Ａ４を配置するとともに、パターン領域Ａ１〜Ａ４をＹ方向へ移動させるマスクステージＭＳＴ（パターン配置機構）と、プレートＰＴを保持し、プレートＰＴをＹ方向へ移動させる基板ステージＰＳＴ（基板保持機構）と、パターン領域Ａ１〜Ａ４ごとの第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１に設けられたパターン（第１パターン）の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４による投影像、および第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１に対して少なくとも重複部３４Ａ〜３４Ｄ（一部領域）以外の領域がパターン領域Ａ１〜Ａ４内でＹ方向に異なる位置にある第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２に設けられたパターン（第２パターン）の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４による投影像を、プレートＰＴ上に順次転写する制御を行う主制御系２３（制御部）と、を備えている。
【００５３】
また、露光装置１００の主制御系２３に制御される露光方法は、それぞれ拡大倍率を有して並設された各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４に対し、Ｙ方向に照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の幅より大きく投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の配置の周期（配置間隔）より小さい幅を有するパターン領域Ａ１〜Ａ４を配置するステップ１０４の一部及びステップ１０５の移動動作（パターン配置工程）と、パターン領域Ａ１〜Ａ４ごとの第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１に設けられたパターン（第１パターン）の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４による投影像、および第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１に対して少なくとも重複部３４Ａ〜３４Ｄ（一部領域）以外の領域がパターン領域Ａ１〜Ａ４内でＹ方向に異なる位置にある第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２に設けられたパターン（第２パターン）の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４による投影像を、プレートＰＴ上に順次転写するステップ１０４，１０６（露光工程）と、を含むものである。
【００５４】
本実施形態によれば、マスクＭＡの複数のパターン領域Ａ１〜Ａ４内の第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１及び第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２の間ではマスクパターンの描画誤差は生じないため、それらの部分パターン領域のパターンの像をプレートＰＴ上に露光する際の継ぎ部３４ＰＡ〜３４ＰＤにおける継ぎ誤差の発生を抑制することができ、マスクパターン全体の投影像の転写精度を向上できる。
【００５５】
また、第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１及び第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２がＹ方向に離れて形成されている場合に比べて、そのステップ１０５におけるマスクＭＡ及びプレートＰＴのＹ方向の移動量（移動ストローク）を短くできるため、マスクステージＭＳＴのベース部（ステージ機構）を小型化できる。また、マスクＭＡ自体も小型化できる。
【００５６】
なお、上記の実施形態では、マスクＭＡの各パターン領域Ａ１〜Ａ４のパターンを２回の走査露光でプレートＰＴ上に転写している。しかしながら、各パターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の幅を照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４の幅の３倍以上に設定して、各パターン領域Ａ１〜Ａ４のパターンを３回以上の走査露光でプレートＰＴ上に転写してもよい。
このように、各パターン領域Ａ１〜Ａ４のパターンをｋ回（ｋは３以上の整数）の走査露光でプレートＰＴ上に転写する場合には、上記の式（３）、式（４）の代わりに次式が成立する。
Ｐｍ＞Ｗｍ≧（Ｗｐ×ｋ）／Ｍ  …（３Ａ）
Ｐｍ＝Ｐｐ＝Ｗｐ×ｋ          …（４Ａ）
これらの場合に、２回目以降の走査露光で、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４のＹ方向の幅を１回目の走査露光時の幅である露光幅Ｗｐ（最大幅）より狭くすることも可能である。この場合には、式（３）、式（４）の代わりに次式が成立すればよい。
Ｐｍ＞Ｗｍ＞Ｗｐ／Ｍ    …（３Ｂ）
また、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４の個数（パターンのＹ方向の分割数）は４個には限られず、投影光学系の配置数に対応して適宜定めることができる。
【００５７】
（２）また、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４はそれぞれＹ方向に倒立の像を像面に形成し、ステップ１０５におけるＹ方向に沿ったマスクＭＡの移動方向とプレートＰＴの移動方向とは逆方向（逆側）である。これによって、マスクＭＡの各パターン領域Ａ１〜Ａ４の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１及びＡ１２〜Ａ４２の像を正確に継ぎ合わせてプレートＰＴ上に露光できる。
【００５８】
なお、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４としては、Ｘ方向に正立でＹ方向に倒立の像を投影する光学系に限定されず、Ｘ方向に正立でＹ方向にも正立の像を投影する光学系、又はＸ方向に倒立でＹ方向に正立若しくは倒立の像を投影する光学系も使用できる。
（３）また、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４はＹ方向に沿って一列に配置され、ステップ１０４におけるマスクＭＡ及びプレートＰＴの移動方向と、ステップ１０６におけるマスクＭＡ及びプレートＰＴの移動方向とは逆方向である。これによって、マスクＭＡ及びプレートＰＴを往復走査できるため、露光時間が短縮できる。さらに、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４がＹ方向に一列に配置されているため、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４をＹ方向に並列に配置でき、マスクＭＡを小型化できる。
【００５９】
なお、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４は必ずしもＹ方向に一列に配置する必要はない。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４のＸ方向の位置が異なる場合には、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４のＸ方向の位置を調整すればよい。
（４）また、マスクＭＡの第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１と第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２とはＹ方向の端部が重複部３４Ａ〜３４Ｄで重なっている。これによって、それらの像を継ぎ合わせて露光する際の継ぎ誤差を低減できる。なお、第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１と第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２とのそれぞれについて十分なパターン転写精度が得られる場合には、必ずしも重複部３４Ａ〜３４Ｄを設ける必要はなく、第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１と第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２とを隣接させて設けてもよい。また、これに対応して、第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１と第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２とを、継ぎ部３４ＰＡ〜３４ＰＤを設けることなく隣接させて転写するようにしてもよい。
【００６０】
（５）また、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４のＹ方向の配置の周期（配置間隔）は、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４のＹ方向の幅の２倍であり、ステップ１０４，１０６は、マスクＭＡの第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ３２のパターン（第２パターン）の投影像のＹ方向における継ぎ部３３ＰＡ〜３３ＰＣ（像端部）を、第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ３２を含むパターン領域Ａ１〜Ａ３と隣り合うパターン領域Ａ２〜Ａ４に設けられた第１の部分パターン領域Ａ２１〜Ａ４１のパターンの像に重ね合わせて転写する工程を含んでいる。従って、マスクＭＡの複数のパターン領域Ａ１〜Ａ４の像をＹ方向に継ぎ合わせながらプレートＰＴ上に露光できる。
【００６１】
なお、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４のＹ方向の配置の周期は、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４のＹ方向の幅の３倍以上の整数倍でもよい。例えば３倍であれば、３回の走査露光によって、マスクＭＡの複数のパターン領域の像をＹ方向に継ぎ合わせながらプレートＰＴ上に露光できる。
（６）また、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の拡大倍率は少なくとも２倍であることが好ましい。これによって、マスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の間の領域（パターン間領域３１Ａ〜３１Ｃ）が広くでき、これらの領域に別のマスクパターンを形成することも可能になる。
【００６２】
（７）すなわち、上述の実施形態では、マスクＭＡのパターン間領域３１Ａ〜３１Ｃに位置計測用マーク３２Ｂ１等を設けているのみであるが、例えば図１３（Ａ）のマスクＭＡ１で示すように、パターン間領域３１Ａ〜３１Ｃに別のパターン領域Ｂ１〜Ｂ３（付加パターン領域）を設け、パターン領域Ａ４の−Ｙ方向側にパターン領域Ｂ４を設けてもよい。パターン領域Ｂ１〜Ｂ４には、図１３（Ｂ）の符号“Ｋ”で表す別のデバイスパターン３０Ｂの部分デバイスパターンＱＢ１〜ＱＢ４を縮小したパターンが形成される。また、マスクＭＡ１のパターン面において、マスクＭＡ１のパターン領域Ａ１〜Ａ４とパターン領域Ｂ１〜Ｂ４との間のＸ方向（走査方向）に細長い領域、及びパターン領域Ａ１，Ｂ４の外側のＸ方向に細長い領域が、それぞれマスクステージに保持される保持領域３９となる。
【００６３】
そして、マスクＭＡ１のパターン領域Ｂ１〜Ｂ４のパターンも、第１の部分パターン領域Ｂ１１〜Ｂ４１と第２の部分パターン領域Ｂ１２〜Ｂ４２とに分けてプレートＰＴ上に露光される。このようにして、１枚のマスクＭＡ１を用いて２つのデバイスパターン用のパターンの像を順次プレート上に転写できる。これによって、マスクの交換をすることなく、２つのデバイスパターン用のパターンの転写を迅速に行うことができ、デバイス製造におけるスループットを向上させることができる。
なお、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の倍率は１倍と２倍との間でも本発明は適用可能である。
【００６４】
（８）また、基板ステージＰＳＴ側には、ステップ１０５でプレートＰＴをＹ方向に移動する際の移動量の間隔（計測用レーザビームの間隔）で配置されて、プレートＰＴのＸ方向の移動量を計測する図２の２つのレーザ干渉計２１ＸＣ、２１ＸＤを有する。これらのレーザ干渉計を用いることで、移動鏡５１Ｘに曲がりが生じていても、プレートＰＴの第１の分割転写領域ＰＡ１１〜ＰＡ４１と第２の分割転写領域ＰＡ１２〜ＰＡ４２とのＸ方向の位置を正確に合わせることができる。
【００６５】
（９）また、上記の実施形態の図４のマスクＭＡは、それぞれ拡大倍率を有する複数の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４を介してプレートＰＴ上に投影露光されるパターンが形成されたマスクであって、Ｘ方向に所定長さで、Ｘ方向に直交するＹ方向に複数の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４の物体面側の視野（照明領域ＩＦ１〜ＩＦ４）の幅よりもそれぞれ広い幅の複数のパターン領域Ａ１〜Ａ４が配置されたものである。
【００６６】
このマスクＭＡのパターン領域Ａ１〜Ａ４のパターンの像を第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１と第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２とに分けてプレートＰＴ上に走査露光することで、上記の実施形態の露光方法を使用でき、マスクパターンの描画誤差に起因する継ぎ誤差の発生を抑制することができ、マスクパターン全体の投影像の転写精度を向上できる。
【００６７】
（１０）また、複数のパターン領域Ａ１〜Ａ４のＹ方向の間の領域（パターン間領域３１Ａ〜３１Ｃ）に位置計測用マーク３２Ｂ１〜３２Ｃ２（位置合わせ用マーク）が形成されているため、パターン領域Ａ１〜Ａ４のパターンの像を高精度に継ぎ合わせて露光できる。
（１１）また、図５に示すように、パターン領域Ａ１〜Ａ４を覆うように個別にペリクル３７Ａ〜３７Ｄ（保護部材）が設けられているため、パターン領域Ａ１〜Ａ４に対する異物の付着を防止できる。
【００６８】
なお、上述した実施形態では、マスクＭＡおよびプレートＰＴのそれぞれの走査方向および非走査方向がＸＹＺ座標系において一致するものとして説明したが、マスクＭＡのパターンの投影像をプレートＰＴ上に形成する投影光学系の構成に対応して、マスクＭＡおよびプレートＰＴごとの走査方向および非走査方向をＸＹＺ座標系において異なる方向に設定することもできる。ただし、マスクＭＡとプレートＰＴとの走査方向および非走査方向は、投影光学系内の光路の折り曲げ等を考慮した上で光学的には一致させるものであって、この意味においてマスクＭＡとプレートＰＴとを走査方向または非走査方向に同期して移動させるとは、マスクＭＡとプレートＰＴとを投影光学系に対して光学的に対応する方向（光学的に同じ方向）へ移動させることを意味するものである。
【００６９】
また、上述した実施形態では、パターン領域Ａ１〜Ａ４がマスクＭＡ上に一体に設けられるものとして説明したが、パターン領域Ａ１〜Ａ４を個別のマスク上に形成し、その各マスクをマスクステージ上に一括して搭載するようにしてもよい。個別のマスクとしては、例えばマスクＭＡをパターン領域Ａ１〜Ａ４に対応して４分割した小型マスクを用いることができる。なお、パターン領域Ａ１〜Ａ４に対応する複数のマスクをマスクステージ上に一括して搭載する場合、各マスク間の相対的な位置合わせをする機構を設けることが好ましい。
【００７０】
また、上述した実施形態では、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の露光幅が所定の大きさに設定されたまま、図９に例示した一連の処理を行うものとして説明したが、処理ごとに露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の露光幅を変更するようにしてもよい。例えば、第１の部分パターン領域Ａ１１〜Ａ４１に設けられたパターンを転写する場合と、第２の部分パターン領域Ａ１２〜Ａ４２に設けられたパターンを転写する場合とで、露光幅を変更してもよい。これによって、各パターン領域Ａ１〜Ａ４およびパターン転写領域ＥＰ１，ＥＰ２の非走査方向の幅を、投影光学系の配置間隔の範囲内で自在に設定することができる。なお、露光領域ＥＦ１〜ＥＦ４の露光幅は、上述したように、例えば可変視野絞り８を用いて変更することができる。
【００７１】
次に、上記の実施形態の図２の露光装置１００を用いて、感光基板（ガラスプレート）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、液晶表示素子等のデバイスを製造することができる。以下、図１４のフローチャートを参照して、この製造方法の一例につき説明する。
図１４のステップＳ４０１（パターン形成工程）では、先ず、露光対象の基板上にフォトレジストを塗布して感光基板を準備する塗布工程、上記の走査型の投影露光装置を用いて液晶表示素子用のマスクのパターンをその感光基板上に転写露光する露光工程、及びその感光基板を現像する現像工程が実行される。この塗布工程、露光工程、及び現像工程を含むリソグラフィ工程によって、その基板上に所定のレジストパターン（転写パターン層）が形成される。このリソグラフィ工程に続いて、そのレジストパターンをマスクとしたエッチング工程、及びレジスト剥離工程等を経て、その基板上に多数の電極等を含む所定パターンが形成される。そのリソグラフィ工程等は、その基板上のレイヤ数に応じて複数回実行される。
【００７２】
その次のステップＳ４０２（カラーフィルタ形成工程）では、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂに対応した３つの微細なフィルタの組をマトリックス状に多数配列するか、又は赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３本のストライプ状の複数のフィルタの組を水平走査線方向に配列することによってカラーフィルタを形成する。その次のステップＳ４０３（セル組立工程）では、例えばステップＳ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とステップＳ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００７３】
その後のステップＳ４０４（モジュール組立工程）では、そのようにして組み立てられた液晶パネル（液晶セル）に表示動作を行わせるための電気回路、及びバックライト等の部品を取り付けて、液晶表示素子として完成させる。
このように上記の液晶表示素子の製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いて、マスクに設けられたパターンの投影像をプレート（感光基板）に転写する露光工程と、その投影像が転写されたプレートを現像し、その投影像に対応する形状の転写パターン層をプレート上に形成する現像工程と、その転写パターン層を介してプレートＰＴを加工する加工工程と、を含む。
【００７４】
上述の液晶表示素子の製造方法によれば、マスクパターンの描画誤差の影響が軽減されているため、高精度に液晶表示素子の製造を行うことができる。
また、本発明は、走査型露光装置に限らず一括型露光装置（ステッパ型露光装置）で露光を行う場合にも適用可能である。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施形態の一例の露光装置の照明装置及びマスクステージを示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図３】図２中の投影光学系ＰＬ１及び部分照明光学系ＩＬＳ１の構成を示す図である。
【図４】（Ａ）は図２のマスクＭＡを示す平面図、（Ｂ）はマスクＭＡに形成されるパターンの元のデバイスパターンを示す図である。
【図５】図１のマスクステージＭＳＴを示す断面図である。
【図６】（Ａ）は１回目の走査露光中のマスクＭＡを示す平面図、（Ｂ）は図６（Ａ）に対応するプレートＰＴを示す平面図である。
【図７】（Ａ）は２回目の走査露光中のマスクＭＡを示す平面図、（Ｂ）は図７（Ａ）に対応するプレートＰＴを示す平面図である。
【図８】（Ａ）はプレートＰＴのパターン転写領域ＥＰ２に走査露光中のマスクＭＡを示す平面図、（Ｂ）は対応するプレートＰＴを示す平面図である。
【図９】実施形態の露光装置の露光動作の一例を示すフローチャートである。
【図１０】（Ａ）は２面取りのマスクに対する露光動作の説明図、（Ｂ）は６面取りのマスクに対する露光動作の説明図、（Ｃ）は４面取りのマスクに対する露光動作の説明図である。
【図１１】基板ステージＰＳＴのシフトに対する補正方法の説明図である。
【図１２】基板ステージＰＳＴの回転に対する補正方法の説明図である。
【図１３】（Ａ）は実施形態の他の例のマスクを示す平面図、（Ｂ）は図１３（Ａ）のマスクパターンの一部の元のデバイスパターンを示す図である。
【図１４】実施形態の一例の露光装置を用いる液晶表示素子の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
ＭＡ…マスク、ＭＳＴ…マスクステージ，ＰＬ１〜ＰＬ４…投影光学系、ＰＴ…プレート、ＰＳＴ…基板ステージ、ＩＵ…照明装置、ＩＦ１〜ＩＦ４…照明領域（イメージフィールド）、ＥＦ１〜ＥＦ４…露光領域、Ａ１〜Ａ４…パターン領域、Ａ１１〜Ａ４１…第１の部分パターン領域、Ａ１２〜Ａ４２…第２の部分パターン領域、ＥＰ１，ＥＰ２…パターン転写領域、ＰＡ１〜ＰＡ４…転写領域、ＰＡ１１〜ＰＡ４１…第１の分割転写領域、ＰＡ１２〜ＰＡ４２…第２の分割転写領域、２１ＸＡ〜２１ＸＤ…レーザ干渉計、ＡＬＧ…アライメント系
【図１】
0005412814.tif 000002
【図２】
0005412814.tif 000003
【図３】
0005412814.tif 000004
【図４】
0005412814.tif 000005
【図５】
0005412814.tif 000006
【図６】
0005412814.tif 000007
【図７】
0005412814.tif 000008
【図８】
0005412814.tif 000009
【図９】
0005412814.tif 000010
【図１０】
0005412814.tif 000011
【図１１】
0005412814.tif 000012
【図１２】
0005412814.tif 000013
【図１３】
0005412814.tif 000014
【図１４】
0005412814.tif 000015