(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ構造および電気接続パッドをその上側の面に有する、少なくとも一つのチップと、
少なくとも２０ＧＰａの弾性モジュールを有する被覆プレートと、
ポリマーおよび最大で５ＧＰａの弾性モジュールを有する材料を含有し、前記ＭＥＭＳ構造を収容する閉鎖された中空室が形成されるように、チップと被覆プレートとの間に配置されるフレーム構造と、
前記チップから離れて向いている前記被覆プレートの外側の面に配置されており、はんだ付け可能または接合可能である、電気コンタクトと、
電気伝導的に、前記電気接続パッドを前記電気コンタクトに接続する、電気接続構造と、
を備え、
前記電気接続構造は、フリップチップ実装構造を含まず、前記チップおよび前記被覆プレートのいずれかの表面上と前記中空室の外側の前記フレーム構造との間を通っており、
前記中空室内部は、前記被覆プレートまたは前記チップを貫通し導電性材料によって満たされる穿孔がない構造において構成されることを特徴とするＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２】
前記被覆プレートは、ガラス、セラミック、結晶もしくは多結晶組成物、または、半導体から選択され、硬化している、電気的に絶縁している、または、半導体である材料の、少なくとも一つの層を備えることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項３】
前記被覆プレートは、前記チップと同様の材料で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項４】
前記フレーム構造は、フォトパターン可能である材料から構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項５】
前記電気接続構造は、前記被覆プレートの側面の端部を迂回して通ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項６】
前記電気接続構造は、前記被覆プレートを貫通して通ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項７】
前記電気コンタクトは、前記チップの下側の面に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項８】
前記電気接続構造は、前記フレーム構造を貫通して通る部分を含むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項９】
少なくとも前記ＭＥＭＳパッケージの一つの側面において、前記チップの端部が前記被覆プレートの端部に対して後退しており、
前記電気接続構造は、少なくとも一部において、前記チップに対向している前記被覆プレートの表面および前記チップの背面に位置している、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１０】
少なくとも前記ＭＥＭＳパッケージの一つの側面において、前記被覆プレートの端部が、前記チップの端部に対して後退しており、
前記電気接続構造は、少なくとも一部において、前記チップの上側の面、および、前記被覆プレートの外側の面に位置している、
ことを特徴とすることを特徴とする請求項５又は６に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１１】
前記電気接続構造は、少なくとも一部において、前記チップに対向している前記被覆プレートの表面に位置していることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１２】
さらなる構成要素構造が、前記中空室内における、前記チップに対向している前記被覆プレートの表面に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１３】
前記チップおよび前記被覆プレートは、タンタル酸リチウムから製造されていることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１４】
前記フレーム構造は、湾曲または屈曲の複合に対応する経路を有することを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１５】
前記電気接続構造は前記被覆プレートを貫通して通り、前記被覆プレートは前記フレーム構造の領域において導電性材料によって満たされる複数の貫通孔を有することを特徴とする請求項６ないし１４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１６】
前記フレーム構造の材料は、前記チップ表面に関して垂直に、好適な異方導電性を示す材料から構成されていることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１７】
前記異方導電性材料は、導電性粒子によって満たされている圧縮性材料を含有することを特徴とする請求項１６に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１８】
前記フレーム構造により取り囲まれている前記中空室内に支持構造が配置され、前記支持構造は前記被覆プレートおよび前記チップにおいて支持されていることを特徴とする請求項１ないし１７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項１９】
前記チップの上側の面に、導電性金属構成要素構造が配置されており、
前記構成要素構造は、不動態被膜によって覆われている、
ことを特徴とする請求項１ないし１８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２０】
前記不動態の厚さは、最大で１００ｎｍであることを特徴とする請求項１９に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２１】
前記電気接続構造は、前記チップの上側の面を通る部分と、前記中空室内において前記電気接続パッドに接続し、前記フレーム構造と前記チップの間を抜けて前記ＭＥＭＳパッケージの外側の表面へと通ずる部分と、を備えることを特徴とする請求項１ないし２０のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２２】
水分の拡散を阻害する無機コーティングを、内部および／または外部へ対向する前記フレーム構造の側面の領域に適用することを特徴とする請求項１ないし２１のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２３】
前記電気コンタクトを有する前記ＭＥＭＳパッケージの外側の領域上に、放熱に供する広領域の熱パッドをさらに適用することを特徴とする請求項１ないし２２のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２４】
前記熱パッドは、前記チップまたは前記被覆プレートを通過する熱バイアスと接続していることを特徴とする請求項２３に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２５】
前記電気接続構造は、前記中空室の中を通り、前記電気接続パッドを前記被覆プレートの内側の面の金属部に接続する部分を有することを特徴とする請求項１ないし２４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２６】
前記ＭＥＭＳ構造は、ＳＡＷ構成要素、ＦＢＡＲ構成要素、マイクロメカニカル加速度センサ、ジャイロセンサ、マイクロフォンおよび圧力センサから選択される構成要素に具現化されることを特徴とする請求項１ないし２５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２７】
個々のチップにシンギュレーションすることが可能であり、その上側の面に前記チップごとのＭＥＭＳ構造および電気接続パッドを有するチップウェーハのその上側の面においてフレーム構造が供給され、
前記フレーム構造は、前記フレーム構造によって取り囲まれた領域の外側に前記電気接続パッドの一部が残るような広さの環形状において、ＭＥＭＳ構造を前記チップごとに取り囲み、
前記フレーム構造上に位置し、機械的に前記フレーム構造に接続されるように、被覆ウェーハを前記チップウェーハの上に配置し、
シンギュレーションされうるそれぞれの前記チップが、自身のシンギュレーションされた被覆によって覆われたままの状態となるよう、前記被覆ウェーハを、ソーイングラインにそって上方から、実質上平行に、個々の前記チップに割り当てられた前記フレーム構造の間を切り離し、
前記チップごとにそれぞれの被覆の上側の面のコンタクトへ前記電気接続パッドを接続する、電気接続構造をつくる、
ことを特徴とする請求項１ないし２６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳパッケージを製造する方法。
【請求項２８】
凹部のパターンが生ずるよう、前記チップウェーハ上に配置される前の、前記チップウェーハに対向する表面の前記被覆ウェーハに、前記ソーイングラインにそって切り込みを入れ、
工程において、前記凹部が露出し、かつ前記被覆ウェーハの全ての材料が前記ソーイングラインの領域で取り除かれるまでに、前記被覆ウェーハを前記チップウェーハに接続した後、前記被覆ウェーハを離隔目的のために背面からグラインドする、
ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
機械的な可動構成要素機構がその活動性の点において妨げられないように、ＭＥＭＳ構成要素（Micro Electro Mechanical System）は一般的に中空室ハウジングを必要とする。ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）、ＦＢＡＲ（Thin Film Bulk Acoustic Resonator）およびその他のＭＥＭＳ構成要素では、この場合、バンプによってチップが基板に接続するフリップチップ実装を使用することがある。中空室は、基板とチップとの間に形成され、このようにして構成要素構造を守っている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
さらなる小型化の為には基板のない中空室ハウジングが必要とされ、当該ハウジングはハウジングの容積、および特に構成要素の高さのさらなる小型化を可能とする。
【０００３】
そのため、本発明の目的は、さらなる小型化を可能とし、かつ容易な方法において製造することができるＭＥＭＳパッケージを特定することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本目的は、請求項１の特徴において構成されるＭＥＭＳパッケージによって達成される。本発明の有利な構成は、さらなる請求項から具現化する。
【０００５】
従来の状態とは対照的に、主に中空室がチップと機械的に安定した基板との間に形成されるフリップチップ工程によって必要とされる中空室ハウジングを形成しないことを提案する。むしろ、上側の面にＭＥＭＳ構造を載せるチップの上に対応した被覆が製造され、当該被覆はチップと被覆との間の中空室を作りだし、ＭＥＭＳパッケージが製造される。
【０００６】
当該被覆は、少なくとも２０ＧＰａの弾性モジュールを有する相対的に硬化した被覆プレートと、フレーム構造とから実質上構成されている。当該フレーム構造は、ポリマーを含有し、ＭＥＭＳ構造を収容する閉鎖した中空室が形成されるよう、チップの上側の面と被覆プレートとの間に配置される。
【０００７】
ＭＥＭＳ構成要素の電気接続は、ＭＥＭＳパッケージの外側の面に供される。このように、はんだ付け可能または接合可能な電気コンタクトが、チップの背面、またはチップから離れて向いている被覆プレートの外側の面のいずれかに配置されうる。当該電気コンタクトは、一つまたは複数の電気接続構造によって、ＭＥＭＳ構成要素の少なくとも一つの接続パッドと電気伝導的に接続されている。
【０００８】
相対的に高い弾性モジュールを有する被覆プレートは、１００μｍより小さい相対的に薄い厚さの場合でさえも、例えば、組み立て段階におけるプラスチック構成物でパッケージに被包を行う造形工程、すなわちプリント回路基板または間のキャリア上への固定後でも充分な容積を確実にする。提供するパッケージは、前述の１００μｍより小さい被覆プレートの層の厚さの場合でさえ、例えば１５０ｂａｒまでの高圧と、摂氏２００度までの高温とを組み合わせても安定している。当該構成要素の機能、および、特にマイクロメカニクスの構成要素の平静な可動性は、このように妨げられることがない。より好適な有利な被覆プレートの層の厚さは、１０μｍから１５０μｍである。
【０００９】
提供する当該パッケージは、ウェーハの構成要素において、および実際のウェーハレベルのパッケージとして製造することが可能である。
【００１０】
フレーム構造の材料はポリマーを含有しており、最大で５ＧＰａという被覆プレートと比較してより低い弾性モジュールを有する。５ＧＰａは、適当な場合には、フレーム構造内でチップと被覆プレートとの間に生じる圧力を補う為に充分に低い。当該フレーム構造は依然としてわずかな変形をやわらげることが可能であるので、フレーム構造の残りの弾性は、チップ表面に対して垂直に、ある程度の圧力不感性をも確実にする。
【００１１】
被覆プレートは、硬化である材料で構成されているか、ガラス、セラミック、結晶もしくは多結晶組成物、または、半導体から選択される硬化な材料を含有している。被覆プレートとしての好適な材料の選択の基準は、熱的性質、価格、可用性、構造性能および過程性能、ならびにチップ材料との機械的な安定性および適合性であろう。
【００１２】
漏電を避けるため、被覆プレートは、少なくとも一つの電気的絶縁もしくは半導体の材料の層を備えているか、または主としてそのような材料から製造されている。
【００１３】
温度変化の間に熱的ひずみが蓄積するのを避ける為、被覆プレートおよびチップは同じ材料から製造されていることが好ましい。そのため、リチウムタンタレート、リチウムナイオベートまたは石英で構成されている基板の上にある音響波と作用するＭＥＭＳ構成要素は、同様の一致する材料によって構成された被覆プレートと共に、熱的負担に対して大いに非感受的である有利なＭＥＭＳパッケージを形成する。シリコン、ゲルマニウムまたはセラミックを基とするＭＥＭＳ構成要素も同様に、本発明に従ってＭＥＭＳパッケージを形成する材料と同じ材料から製造された被覆プレートに、好適に被包されうる。
【００１４】
ポリマーで構成されているフレーム構造は、過程性能、特に容易な適用およびパターニングの点において、好適に利用される。フレーム構造は、直接的な露光および現像によってパターンされうるフォトパターン可能な材料、好ましくはフォトレジストから構成されていると好適である。この場合、フレーム構造の材料は、液体状またはペースト状において適用されることが可能であり、適当な場合には、平面化されうる。しかし、特にラミネーションによって、フォトパターン可能な被膜を適用させることも可能である。パターニング目的の為には、全体の領域の上に適応されたフォトレジストは、例えばレーザーを使用した方法によって、スキャン様式において露光されうる。しかし、特にマスク手段による露光における、光学的イメージでの方法を使用することも可能である。
【００１５】
パッケージのコンタクトは、被覆プレートの外側の面に配置されうる。この場合、接続構造は、被覆プレートの側面の端部を迂回した金属部形状において通りうる。しかし、接続構造を被覆プレートを貫通させて通すことも可能である。この場合、あらかじめ被覆プレートにおいて対応する穴を供しておくか、または、中空室の製造後に穴を穿孔もしくはエッチングしておいて、その後導電材料によってそれらを満たすと好適である。
【００１６】
ＭＥＭＳ構造を有する中空室の耐久性の余計な欠陥を引き起こし、それ故、ＭＥＭＳ構造の腐食を促進しうる余計な湿潤の進行の元を引き起こさないよう、穴は、フレーム構造の領域において供されることが好適である。
【００１７】
しかし、コンタクトはチップの下側の面、すなわちＭＥＭＳ構造に対向して位置しているチップの外側の面にも配置されうる。その場合、好ましくは、電気接続構造はチップの側面の端部を迂回して通っている。チップを貫通している接続構造は実際には可能であるが、通常好適ではない。
【００１８】
中空室内のチップ上に配置された接続パッドと、ＭＥＭＳパッケージの外側の面に配置された電気接続との間の接続構造は、コンダクタートラックを構成しうる。電気接続は、チップの上側の面または被覆プレートの内側の面のいずれかに取り付けられ、従ってそれぞれの表面と中空室の外側のフレーム構造との間を通る。
【００１９】
被覆プレートの平面図において、チップの表面の細い通路が少なくとも一つの端部において可視的に残るように、もし、被覆プレートの端部がチップの端部に対して後退しているなら、接続構造がチップ表面の金属部と確実にコンタクトで接続する状況を助長する。そして、接続構造の一部は、このぎりぎりの領域および被覆プレートの両方に、容易な方法で取り付けることが可能である。この場合、接続構造の金属部からの被覆プレート上の電気コンタクトを、被覆プレートと共に製造することが可能である。
【００２０】
しかし、同様に、チップの端部を被覆プレートの端部に対して後退させることも可能である。チップの背面上にコンタクトが配置されている場合には、それに伴い接続構造は、チップの背面、および、被覆プレートの下側の面または内側の面の両方に取り付けられうる。当該下側の面または内側の面は、少なくとも一つの端部の領域において露出している。
【００２１】
端部を後退させた当該二つの場合において、二つの異なる平面上の接続構造の製造の為には、接続構造の垂直な部分をも同時に製造可能とする適用方法が、好ましく与えられる。これは、それぞれ、チップの上側の面から被覆プレートの外側の面、または被覆プレートの下側の面からチップの背面上へのレベルの差異を、導電的に橋絡する為である。
【００２２】
接続構造は、一つまたは複数の工程において製造することが可能である。特に、パッケージの製造前に、チップおよび／または被覆プレートの表面上の接続構造の部分を取り付け、続く工程において、さらに二つの平面の部分を接続する接続構造の部分を製造することが可能である。
【００２３】
接続構造の垂直な部分は、中空室の内部の部分にも配置することが可能であり、特にフレーム構造の内側へ向いている端部にそって通ることが可能である。これは、例えば、フレーム構造の好適な金属化およびそれに続くパターニングによって可能である。
【００２４】
被覆プレートの機械的安定性は、中空室に対向する被覆プレートの内側の表面の受動構成要素構造を形成し、かつそれらとチップ上のＭＥＭＳ構成要素または構成要素構造とを電気的に相互に接続するようパターニングされた金属部を製造することを可能にする。コンダクタートラック、レジスタ、キャパシタンスおよびインダクタンスは、これらの受動構成要素構造と共に具現化されうる。
【００２５】
特にチップおよび被覆プレートが同様の材料で構成されているパッケージの場合、中空室に対向する被覆プレートの表面上に、より複雑な構成要素構造を具現化することも可能である。もし、ＭＥＭＳ構成要素が、例えばピエゾ基板を有するエレクトロアコースティック構成要素である場合、ピエゾ材料で構成されている被覆プレートが使用され、同様にエレクトロアコースティック構造を有するよう供され、同様に中空室内において配置されているため保護することが可能となる。
【００２６】
もし、フレーム構造の外側の端部が、チップまたは被覆プレートの外側の端部の下に突出するよう、ＭＥＭＳパッケージのフレーム構造が被覆プレートとチップとの間にさらなる段差を形成する場合、好適である。そのような変形においては、接続構造の部分も、この突出したフレーム構造の端部上に取り付けられうる。
【００２７】
さらなる変形例においては、上述の端部の少なくとも一つが、実際に提供される端部にそった、または、前述した端部を迂回した、複数の湾曲したまたは屈曲した経路を有する。互いの点での二つの端部の相対的な側面配置では、より高い耐性を有することが可能なので、この方法においてより高い加工での確実性が得られる。たとえ二つの端部が一回または何回か区切った場合でも、突出した、または後退した端部の少なくとも一部分が平面図において露出し、接続構造の部分のコーティングに近づきやすい状況が作られうる。
【００２８】
さらなる変形例においては、正確にはチップの表面に対して垂直な場合にのみ、良好な異方導電性を示す材料からフレーム構造を製造することが可能である。この場合、側面に唯一低い導電性があるか、または全く導電性がないため、電流経路が互いに絶縁されることなく、接続構造の複数の電流経路がフレーム構造を並行の方向において通るよう、フレーム構造を通ったもっぱら垂直な電流伝導とすることを可能とする。
【００２９】
そのようなフレーム構造は、被覆プレートの下側の面の金属部に、チップ表面上の金属部と電気伝導的に接続させることを可能とする。外側の表面の電気コンタクトへの残った接続構造の垂直部分は、端部を迂回して、またはチップもしくは被覆プレートを貫通して実装されうる。後の方の選択肢は、被覆プレート中の穴は深さの点からより大きな耐性を生じうるため、電気伝導フレームの場合には、より容易な方法において可能である。被覆プレートの貫通と対応する穿孔は、フレーム構造内での任意の望む高さにおいて終わりうる。それでも、全ての場合において電気伝導的接続をつくることが可能である。
【００３０】
異方導電性フレーム構造は、好ましくは、圧縮性を有し、導電性粒子で満たされた電気的絶縁性のポリマーによって構成されうる。製造方法では、圧力をかけることにより圧力が働く軸にそって導電性粒子の間に電気的伝導がつくられるよう、この材料は一軸性に圧縮されうる。
【００３１】
さらなる構成においては、フレーム構造によって囲まれている領域内、すなわち中空室内に、支持構造が配置されうる。当該支持構造は、被覆プレートおよびチップにおいて、支えられている。当該支持構造は、柱状またはクモの巣状において実施でき、チップの機械的可動性または振動性の構成要素構造を持たない領域において支えられる。好ましくは、これらはフレーム構造と一緒に製造され、同様の材料から製造されうる。これにより、フレーム構造により囲まれた領域の中央における被覆プレートの破損がおきることがなく、これ故のＭＥＭＳ構成要素構造への接触または損害のない、機械的に安定した相対的に大きな領域を有するパッケージさえも可能となる。
【００３２】
提案するＭＥＭＳパッケージの場合、好ましくは例えば５μｍより小さい、特に１００ｎｍより小さい層の厚さの薄い不導態層によって、チップの上側の面の金属部構造、または一般的に中空室の内部を通っている金属部構造を覆うことが好適である。不動態層は、対応する層形成方法によって構成要素構造にさらに塗布された無機材料で構成しうる。しかし、工程において、金属構成要素構造の表面を化学反応で変化させ、電気的に絶縁した表面の層に変えることも可能である。このためには、酸化物および窒化物が特に好適であり、これらは例えば、金属構成要素構造上で作用する酸素または窒素を含有するプラズマにおいて製造されうる。しかし、イオン照射によって、金属構成要素構造を表面においてアノード極に、または反応的に変え、このようにして不動態層を製造することも可能である。
【００３３】
不動態層が供された構成要素構造は、腐食の点での安定性が増し、構成要素の供給寿命が長くなる。
【００３４】
水分の拡散を阻害する無機コーティングを有するフレーム構造を備えることによって、ＭＥＭＳ構成要素の腐食耐性を増すことも可能である。そのようなコーティングは、好ましくは、少なくともフレーム構造の外側または内側の面に適用される。方法の例としては、まず、表面上、特にチップ表面上にフレーム構造が製造され、続いてそのような水分阻害コーティングが備えられうる。もし、水分阻害コーティングが全体の領域にわたって適用されたなら、続くパターニング工程で、少なくとも構成要素構造の領域において再度取り除くことができる。しかし、構成要素構造とフレーム構造との両方に対する全体の領域に不動態層を適用し、ＭＥＭＳパッケージの水分耐性をさらに増加させるため、そのまま残しておくことも可能である。
【００３５】
もし、最大に可能な領域を有し放熱が働く熱パッドが、コンタクトを有する外側の領域上にさらに適用されたなら、ＭＥＭＳパッケージの機能性をさらに増すことが可能である。当該パッドは、もっぱら放熱のために作用しうる。好ましくは、基板、プリント回路基板または回路環境上へのＭＥＭＳパッケージの装着の間に、同様に当該パッドが金属部と接続される。熱パッドは、このための構成要素構造との電気的接続を何も必要としない。しかし、熱パッドを構成要素のグラウンド接続につなぐと、熱パッドによりＭＥＭＳパッケージのグラウンド接続を外側の回路環境へもたらすことが可能である。
【００３６】
もし、熱バイアスが備えられた場合、ＭＥＭＳパッケージからの放熱がさらに促進される。熱バイアスは、好ましくは被覆プレートを貫通している。そのようなバイアスは、束となって並行状にチップまたは被覆プレートを貫通して、ヒートジェネレーターを、ＭＥＭＳパッケージの外側に配置されたヒートシンク、例えば高い熱容量を有する金属部へ接続しうる。当該ヒートシンクは、例えば、プリント回路基板上に配置することが可能である。熱バイアスは、チップと被覆プレートとの間に囲まれた中空室内で終えることも可能であり、そこで蓄積された熱を放熱することも可能である。これらに導電性があり、電位、例えばグラウンド電位に接続されることも可能であり、またはＭＥＭＳ構造への電気的接続を全く有さないことも可能である。
【００３７】
以下、実施の形態および関連した図面に基づいて、より詳細に本発明について説明する。図面は本発明をもっぱら例証するために供しており、そのため単に模式的に、および実際のスケールとは異なって作成されている。従って、本図面からは、絶対的または相対的のいずれでもない次元の指標が推測されうる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】電気接続構造が、チップの表面から、被覆の端部の上の中空室の外側を通過して、被覆の背面上のコンタクトに通じている、ＭＥＭＳパッケージの模式的横断面を示す。
【図２】接続構造が、チップの端部を迂回して、チップの背面上のコンタクトに通じている、ＭＥＭＳパッケージの模式的横断面を示す。
【図３】接続構造が、チップから、フレーム構造および被覆プレートを貫通して、被覆プレートの背面上のコンタクトに通じている、ＭＥＭＳパッケージの模式的横断面を示す。
【図４】電気接続構造が、チップからフレーム構造を貫通して被覆の内側の面上へ通じており、かつチップ端部の上の中空室の外側を通過して、チップの下側の面のコンタクトに通じている、ＭＥＭＳパッケージの模式的横断面を示す。
【図５】接続構造は図１と同様の方法において配置されているが、チップ端部が被覆プレートを越えて突出している、ＭＥＭＳパッケージの模式的横断面を示す。
【図６】コンタクトがチップの下側の面に配置されており、被覆プレートの外側の端部がチップを超えて突出している、ＭＥＭＳパッケージの模式的横断面を示す。
【図７Ａ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｂ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｃ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｄ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｅ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｆ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｇ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｈ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｊ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図７Ｋ】第１の実施の形態に従った、ＭＥＭＳパッケージの製造における方法の個々の段階を示す。
【図８Ａ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｂ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｃ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｄ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｅ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｆ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｇ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｈ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｊ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図８Ｋ】模式的横断面における、第２の実施の形態の方法の個々の段階を示す。
【図９】斜視設計図における、ＭＥＭＳパッケージを示す。
【図１０】斜視設計図における、さらなるＭＥＭＳパッケージを示す。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
図１は、模式的横断面における、ＭＥＭＳパッケージ１を示している。ＭＥＭＳ構成要素は、所望する任意のタイプのもの、および、所望する任意の構造のものにおいて可能である。しかしながら、全ての実施の形態において共通するものは、好ましくは結晶材料から構成されているチップＣＨ、チップＣＨの表面に取り付けられるＭＥＭＳ構造ＭＳ、およびＭＥＭＳ構造ＭＳとコンタクトを作るための電気接続パッドである。当該電気接続パッドも同様にチップの表面に配置される。ＭＥＭＳパッケージは被覆プレートＡＰを備えている。該被覆プレートＡＰは、チップＣＨとその間に配置されているフレーム構造ＲＳと一緒に、サンドウイッチ状態において、固定され、組み立てられて製造される。フレーム構造は、チップまたは被覆プレートの端部に続いており、チップおよび被覆プレート上に位置している。該フレーム構造はＭＥＭＳ構造ＭＳを取り囲んでおり、この場合、ＭＥＭＳ構造ＭＳを収容した中空室ＨＲを形成する。
【００４０】
ＭＥＭＳパッケージ１は、被覆プレートＡＰの外側の面に電気コンタクトＫＯを有しており、当該電気コンタクトは接続構造ＶＳによってチップの接続パッドＡＦと接続している。図１による実施の形態で、接続パッドにおいて始まる接続構造は、フレーム構造および被覆プレートの外側の端部を上向きに迂回し、被覆プレートの上側の面へ通じている。被覆プレート、フレーム構造およびチップの外側の端部は、図面において太線で描かれている。しかし、このような接続構造の構成において、チップおよび／またはフレーム構造を、被覆プレートより下の側面に突出させることも可能である。
【００４１】
図２は、コンタクトＫＯがチップＣＨの背面に配置されている実施の形態について示す。電気接続構造は、ＭＥＭＳ構造ＭＳおよび接続パッドＡＦが位置しているチップの上側の面から、チップの外側の端部を迂回して、コンタクトＫＯに通じている。接続構造ＶＳおよびコンタクトＫＯは、一層の形状においても、特に、多層の形状においても構成しうる。コンタクトＫＯは、接続構造ＶＳとの関係において補強することができ、特に、接合可能またははんだ付け可能な層を有することができる。
【００４２】
図３は、模式的横断面における、ＭＥＭＳパッケージ１のさらなる実施の形態を示す。この場合では、被覆プレートＡＰの外側の面において、コンタクトＫＯがさらに配置される。被覆プレートＡＰおよびフレーム構造ＲＳを貫通し、フレーム構造の下方に配置されている接続パッドＡＦ（フレーム構造とチップとの間）へと通じているプレート貫通孔によって、コンタクトＫＯとチップＣＨの上側の面の接続パッドＡＦとの間における接続は作用している。プレート貫通孔の形状において実施される接続構造は、フレーム構造ＲＳを貫通しているので、中空室ＨＲは閉鎖されたままである。被覆プレート取り付け前またはサンドイッチの製造後に、被覆プレートを貫通するプレート貫通孔を製造することができ、導電性の材料において満たされうる。少なくともその完全な外側の端部にそったフレーム構造が、導電体の跡またはフレーム構造の下方を通る接続構造によって中空室ＨＲの封鎖が遮られることなく、平面状のチップＣＨの上側の面、および被覆ＡＰの内側の面の両方を堅固に支えうるということにおいて、この変形は好適である。もし、異方導電性であり、かつチップの表面に対してもっぱら垂直に電気伝導性を有するようにフレーム構造を設計した場合には、フレーム構造ＲＳを貫通しているプレート貫通孔、またはフレーム構造ＲＳを垂直に貫通している接続構造ＶＳの部分をなくすことも可能である。異方導電性は、例えば、中に導電性粒子が埋め込まれた絶縁性プラスチックマトリックスを有するフレーム構造によって具現化される。粒子の大きさは、フレーム構造の高さに適合した大きさである。代替としては、互い違いに配置された粒子の電気伝導的接続が、表面に対して垂直なフレーム構造の圧縮によって製造される。
【００４３】
図４は、チップＣＨの背面にコンタクトＫＯが配置されたＭＥＭＳパッケージの実施の形態について示す。しかし、接続構造ＶＳは、チップの上側の面、および接続パッドＡＦからのそこでの始まりから、まず、被覆プレートＡＰの内側の面上へ通ずる部分を備える。被覆プレートＡＰの内側の面において、接続構造はフレーム構造ＲＳの“下方”において外側に向かって通り抜け、フレームおよびチップＣＨの外側の端部の上を通り、コンタクトＫＯに通じている。図面における左側に描いているように、チップの上側の面から被覆プレート内側までの接続構造ＶＳの部分は、フレーム構造ＲＳ内のプレート貫通孔によって果たされうる。しかし、接続パッドＡＦの上方にコンタクト構造を製造し、このようなコンタクト構造により、中空室を通り抜けて横切った接続を可能にさせることもできる。そのようなコンタクト構造は、バンプ、または、パターニングされた金属部において、例えば図４の右側部分において描かれているように実施されうる。コンタクト構造は、例えば、柱状またはクモの巣状において実施されうる。
【００４４】
図５は、チップの上側の面の接続パッドＡＦの少なくとも一部がフレーム構造の外側に残るようにフレーム構造ＲＳがチップＣＨの上側の面に位置する、さらなる実施の形態を示す。接続構造ＶＳは、接続パッドを、被覆プレートＡＰの外側の端部を迂回して、被覆プレートの外側の面のコンタクトＫＯへと接続している。例えば、垂直の端部もまた金属化しパターニングすることが可能であるという金属化方法により、接続パッドと接続構造との間における電気伝導接続がより容易に製造されるという事実によって、この実施の形態は区別される。
【００４５】
図６は、被覆プレートＡＰの外側の端部がフレーム構造ＲＳを超えて突出し、フレーム構造がチップ端部を超えて突出し、その結果段差配置となっている、さらなる実施の形態を示す。コンタクトＫＯは、チップＣＨの背面に配置されている。この場合においては、接続構造ＶＳは、図面において下方へ向いている、フレーム構造ＲＳの表面において位置している部分を備えている。さらに、図６において示すよう、被覆プレートＡＰの内部へ向かっている表面に電気伝導構造を取り付け、フレーム構造と被覆プレートとの間を通り、被覆プレートＡＰの突出している端部に通ずるようにすることは、任意に可能である。このようにして、チップの接続パッドＡＦと、被覆プレートＡＰの内側の面の金属部との両方へ通ずる接続構造を導き、チップＣＨ背面の別々または共通のコンタクトＫＯに接続させることが可能である。
【００４６】
図７は、製造方法の異なる段階の間の横断面に基づいた、ＭＥＭＳパッケージの製造方法の例を示す。図７ａは、上にＭＥＭＳ構造が取り付けられている、ＭＥＭＳウェーハＣＷのＭＥＭＳチップを含む抜粋である。ＭＥＭＳ構造は、チップの表面の接続パッドＡＦによって、電気的に接続されている。当該方法は、各々のＭＥＭＳチップで実施することもできる。しかし、当該方法は、好適にはウェーハ単位において実施され、構成要素ウェーハＣＷにおいて互いに並行し、多数の同一または異なるＭＥＭＳ構成要素が製造される。図７ａには、例えば、一致するようパターニングされた金属部の形状でのすだれ状電極変換器またはリフレクターとして実施されるＭＥＭＳ構造ＭＳである、ＳＡＷ構成要素（Surface Acoustic Wave）が示されている。
【００４７】
それから、ＭＥＭＳ構成要素ごとに構成要素ウェーハＣＷの表面においてフレーム構造ＲＳが製造され、当該フレーム構造はそれぞれのＭＥＭＳ構成要素のＭＥＭＳ構造ＭＳを取り囲む。
【００４８】
フレーム構造は、好ましくは、電気的絶縁性または異方導電性であるポリマーである。ポリマーは、プリント処理、スタンプ処理またはジェットプリントの方法によるパターニングの型が、適用されうる。フォトテクノロジーによるパターニング手段またはレーザーを用いた直接のパターニングによって、全体の領域のポリマー層からフレーム構造を製造することも可能である。図７ｂは、フレーム構造ＲＳが取り付けられた個々の構成要素の領域における、構成要素ウェーハＣＷからの抜粋を示す。
【００４９】
被覆プレートによってＭＥＭＳ構造ＭＳを覆うため、構成要素ウェーハの大きさと対応する被覆ウェーハＡＷを供する。当該被覆ウェーハは、その構成要素ウェーハＣＷに向かう表面に、凹部のパターンＶＴをすでに有していてもよい。当該パターンは、個々のＭＥＭＳ構成要素の間における後の離隔線の領域において配置され、このようにして被覆プレートに割り当てられる部分をパターニングする。この場合、被覆ウェーハＡＷは、後の被覆プレートの厚さよりも大きい厚さを有する。被覆ウェーハＡＷは、充分に堅固な材料の少なくとも一つの層から構成されており、電気的に絶縁されている少なくとも一つの層を備えている。被覆ウェーハの下側がフレーム構造ＲＳ上のあたり一面に位置し、この場合において閉鎖された中空室ＨＲを形成するように、その後、図７ｃの被覆ウェーハＡＷは、図７ｄのようにチップウェーハＣＷと接続される。
【００５０】
被覆ウェーハＡＷおよびフレーム構造ＲＳは、接着剤を使用して接続することも可能である。当該接着剤は、被覆ウェーハＡＷの下側の面の後の接続コンタクト領域における選択的部分、被覆ウェーハの下側の面の全体の領域上、または、フレーム構造ＲＳの上側の面の選択的部分のいずれかにおいて、付着させることが可能である。紫外線の元で硬化する、または紫外線の元での初期に硬化する接着剤が、本目的のためには、好ましく使用される。これは、放射線に曝されることなく充分に長い過程時間を有すること、および、活性化の後のみにおいて紫外線による硬化が始まることに利点を有する。紫外線の元で硬化する接着剤を使用する際のさらなる利点は、室温において作業することが可能であるということである。そのため、変化する熱膨張係数はストレスに至らず、その結果の冷却後のウェーハの集合体の熱ひずみに繋がることはない。
【００５１】
もしチップウェーハおよび被覆ウェーハが同じ材料によって構成されている、または３ｐｐｍ／Ｋより小さい範囲において異なっている場合、接着剤の結合に熱的硬化接着剤の使用もまたもたらすことが可能である。接着層は、例えばスタンプ処理、スクリーン印刷またはスプレーによって、フレームまたは被覆ウェーハに適用することが可能である。フレーム構造のポリマー材料を、被覆ウェーハに熱的に接着して直接結合することもまた可能である。このためには、部分的にのみ重合する、または接着結合より前に硬化するポリマーが好適である。
【００５２】
図７ｅは、フレーム構造ＲＳ上へ被覆ウェーハＡＷが置かれた後の配置を示す。
【００５３】
次の工程では、構成要素ウェーハＣＷの上側の面の接続パッドＡＦが、被覆ウェーハを通り抜けて露出する。このためには、容易な方法では、離隔線ＴＬ（図７ｅ参照）よりも上から、被覆ウェーハが取り除かれ、特にグラインドで取り去られうる。この場合には、凹部のパターンが被覆ウェーハの背面から開かれ、接続パッドＡＦの少なくとも一つの部分が、それぞれの凹部において上方から近づくことが可能な状態になる。グラインド工程後に被覆ウェーハＡＷが個々の被覆プレートＡＰにシンギュレーションするよう、被覆ウェーハにおける凹部がフレーム構造ＲＳと一致するグリッドを有することも可能である。図７ｆは、シンギュレーション後の配置を示す。
【００５４】
グラインドによるシンギュレーションからの始まりにおいて、平面状の被覆ウェーハＡＷを使用し、チップウェーハのフレーム構造上に配置された後に、背面から被覆ウェーハＡＷをシンギュレーションすることも可能である。
【００５５】
これは、ソーイング、ウェットもしくはドライエッチング、またはサンドブラストによって成し得る。このような場合において、シンギュレーション工程の間の当該接続パッドを保護する為、チップウェーハおよび被覆ウェーハが接続される前に、パターニングされたポリマーの助力によって接続パッドＡＦを被覆すると好適である。
【００５６】
図７ｆは、個々の接続パッド上方の被覆ウェーハＡＷにおいて開口が開いていたか、または、（図示しているように）それぞれのＭＥＭＳ構成要素に配分された個々の被覆プレートＡＰへ、被覆ウェーハが既にシンギュレーションされていたかのいずれかのＭＥＭＳ構成要素を構成する領域からの抜粋を、それに従って例示しうる。
【００５７】
次の工程において、チップウェーハＣＷの露出している領域上および被覆プレートＡＰの背面上の全体の領域上、ならびに、フレーム構造ＲＳの露出している領域において、金属ベースＧＭが適用される。これは、例えば、スパッタリング法による薄膜を使用して成し得る。例えば、スッパタリングされたチタン／銅の金属ベースＧＭは特に適している。
【００５８】
次の工程においては、電気プレートレジストＧＲが、最終的な金属部の厚さの補強が予定されていない金属ベースの領域を覆うように適用され、パターニングされる。図７ｇは、この方法の段階での配置を示している。
【００５９】
金属ベースは、続いて、電気プレートレジストＧＲによって被覆されていない領域において、金属沈着によって補強される。これは、無電解の様式または電解の様式において、もたらされうる。銅およびニッケル層は特に適している；これらは好適な導電率を提供し、容易な方法において沈着させることが可能である。金の層は、最上の層として適用しうる。図７ｈは、金属部ＭＥを用いたこの方法の段階における配置を示し、当該金属部ＭＥの厚さは、少なくとも後の接続構造ＶＳにおいて望む厚さと一致する。
【００６０】
次の工程では、電気プレートレジストＧＲは取り去られ、露出した下部の金属ベースはエッチングによって取り去られる。図７ｊは、この方法の段階における配置を示す。電気プレートレジストでのパターニングの結果によって、例として、二つのコンタクト領域ＫＯおよびＫＯ’の互いがここで離隔される。
【００６１】
次の工程において、はんだが塗布されうる表面をパターニングすることができる。このためには、フォトレジストを用い、次の工程においてバンプまたははんだ玉が取り付けられる位置のみ残るよう、金属部ＭＥの容易に塗布可能な表面層（例えば、金層）をパターニングする。代替としては、金属部ＭＥ、特にはんだで塗布されうる表面層が露出している開口を、バンプが供される位置において有するパターニングされたレジスト層の助力によって、バンプを製造することも可能である。
【００６２】
図７ｋは、バンプＢＵ製造後の配置を示す。接続構造ＶＳを形作るようパターニングされた金属部ＭＥによって、コンタクトＫＯの上に取り付けられたバンプＢＵは、チップまたは構成要素ウェーハの上側の面の接続パッドＡＦと電気伝導的に接続される。このように、ＭＥＭＳ構造ＭＳも電気的に接続され、バンプによって回路環境とも接続されうる。
【００６３】
最後の段階においては、構成要素ウェーハは個々のＭＥＭＳ構成要素へとシンギュレーションされ、ソーイング、エッチングまたはサンドブラストが離隔工程として利用されうる。もし、構成要素ウェーハが機械的方法により離隔線の位置での厚さにおいて、すでに充分に減少していたのなら、レーザー放射線によって個々のＭＥＭＳ構成要素の間において離隔線にそって折割を誘発することも可能である。
【００６４】
図８は、ＭＥＭＳ構成要素を通る模式的横断面に基づく、第２の実施の形態に従った方法の種々の段階を示す。この例においては、ＭＥＭＳチップは被覆プレートＡＰに覆われており、当該被覆プレートＡＰも同じようにチップに対向する表面に構成要素構造を有している。当該構成要素構造は、ＭＥＭＳチップのＭＥＭＳ構造の型に一致しうる。しかし、被覆プレートの内側の面において、対応してパターニングされた金属部の形状において製造されうる受動構成要素構造、特にコイル、コンデンサまたはディレイラインの形成も可能である。
【００６５】
図８ａは、方法の例として、ＭＥＭＳ構成要素に供された構成要素構造ＢＥＳが、その中においてそれぞれ配置されている多数の構成要素の領域を有する、被覆ウェーハＡＷを通る模式的横断面を示す。構成要素構造ＢＥＳと接触するため、平面状の金属部の形状の接続パッドＡＦ’は、構成要素の領域ごとに被覆ウェーハＡＷの表面に形成される（図８ａ参照）。
【００６６】
次の工程において、構成要素構造ＢＥＳは保護膜ＳＦによって覆われ、当該保護膜は、好ましくは容易な方法においてパターニングが可能な有機材料で構成されている。しかし、その他の、特に無機性の再度取り除くことが可能な保護膜ＳＦもまた適している。
【００６７】
次の工程においては、構成要素構造が位置している下側の面から、構成要素の領域の間の境界にそって、好適には被覆ウェーハＡＷの半分の厚さまで、被覆ウェーハに切り込みを入れるかまたはソーイングを行う。図８ｂは、この方法の段階における配置を示す。
【００６８】
次の工程においては、金属部が被覆ウェーハの下側の面の全体の領域上に取り付けられ、リソグラフィーを用いてパターニングされる。このようにして、被覆ウェーハＡＷの下側の面の接続パッドＡＥ’から右の空隙ＡＮの中へ延びている接続線ＶＬ’が生ずる。当該空隙は、例えば構成要素の領域間の離隔線に続いている。図８ｃは、接続導線ＶＬ’のパターニング後の配置を示す。図８ｄは、構成要素ウェーハの構成要素の領域における、模式的横断面を示しており、当該領域は第１の実施の形態に従って準備されうる（その場合での図７ｂ参照）。次の工程においては、保護膜ＳＦが取り除かれ、被覆ウェーハが構成要素ウェーハ上に配置される。これは、被覆ウェーハの下側の平面が、構成要素の領域ごとにフレーム構造ＲＳ上のあたり一面に位置し、構成要素と被覆ウェーハとの間の中空室を囲むように配置される。続いて、フレーム構造への固定接続がつくられ、そのために適した結合方法が使用される。フレーム構造上に被覆ウェーハを接着して結合させることも可能である。さらに、フレーム構造を溶解させ、被覆ウェーハへの可溶性の接続をつくることも可能である。図８ｅは、この方法の段階における配置を示しており、構成要素構造ＢＥＳおよびＭＥＭＳ構造ＭＳの両方が、中空室内において囲まれている。
【００６９】
次の工程においては、構成要素の領域ごとに、被覆ウェーハＡＷが個々の被覆プレートにシンギュレーションされる。このために、第１の実施の形態のように、被覆ウェーハは再びグラインドされうる。この場合、被覆プレート間の離隔線にそって予めつくられた凹部、または空隙ＡＮは、上方から露出している。図８ｆは、シンギュレーションされた被覆プレートＡＰがその上に配置された構成要素を示す。
【００７０】
これに続き、金属部が製造およびパターニングされる。このために、第１の実施の形態のように、まず、被覆プレートの背面、ならびに、フレーム構造および構成要素ウェーハＣＷの露出している表面の全体の領域の上に、金属ベースが適用される。補強されない金属ベースＧＭの領域を覆う電気プレートレジストを使用し、再びパターニングをもたらす。金属ベースが最終の金属部ＭＥの層の厚さに厚くされた後、この領域において未だ存在している電気プレートレジストＧＲおよび金属ベースは取り除かれ、当該金属部はエッチングによって取り除かれる。図８ｊは、この方法の段階における配置を示す。当該図は、構成要素ウェーハ上における接続パッドＡＦおよび被覆プレートＡＰの下側の面における接続パッドＡＦ’に、それぞれが電気伝導的に接続している二つのパターニングされたコンタクトＫＯ、ＫＯ’を示している。
【００７１】
次に、バンプＢＵの選択的取り付けが行われる。このためには、重ねて第１の実施の形態のように、例えば、はんだにより塗布された金の層である金属部ＭＥの最上層を、バンプＢＵの取り付けを予定する位置から離隔して取り除く。はんだを塗布できないレジストを適用し、はんだを塗布することができる金属部ＭＥの表面が露出している開口が生ずるようにパターニングすることも可能である。バンプそれ自体は、プリント処理によって取り付ける、または電解的に取り付けることが可能である。バンプは既成のボールを適用し、溶解によってコンタクトに接続することもまた可能である。
【００７２】
最後の段階において、個々の構成要素の領域の間の離隔線にそってチップウェーハを通る対応した切断によって、ＭＥＭＳ構成要素がシンギュレーションされる。図８ｋは、模式的横断面における最終的な構成要素を示す。
【００７３】
図９は、被覆プレートＡＰの俯瞰図での代表的な構成要素を示す。描かれた実施の形態において、ＭＥＭＳパッケージには六つのコンタクトＫＯが備え付けられており、当該コンタクトは、全てＭＥＭＳ構造と電気伝導的に接続されているか、そうでなければ一部分において被覆プレート下側の面の構成要素構造ＢＥＳと電気伝導的に接続されているかのいずれかである。バンプＢＵに供しているコンタクトＫＯの数は、構成要素の種類による。最も簡易な場合においては、ＭＥＭＳパッケージにおいて被包されているＭＥＭＳ構成要素とコンタクトしている二つのコンタクトＫＯで足りる。特に、音響波と作用する構成要素の場合には、アース接続の為の複数のコンタクトを供すると好適である。
【００７４】
図９において描かれたＭＥＭＳパッケージは、ここでの図５における横断面に描かれた実施の形態に対応する。
【００７５】
図１０は、被覆プレートＡＰおよびチップＣＨの配置を置き換えることによって得られうる実施の形態を表す。この場合、コンタクトＫＯはチップの背面に配置され、被覆プレートの端部はチップの端部を越えて突出している。フレーム構造の外側の端部は、少なくとも二つの端部において、チップＣＨおよび被覆プレートの対応する端部と同一平面上にある。
【００７６】
フレーム構造の外側の端部が、チップの端部または被覆プレートの端部のどちらとも同一平面上にない実施の形態は、図９において示した場合と類似した構成要素となる。この場合、チップＣＨの表面から、フレーム構造ＲＳによって形成されたさらなる段差を経由して、被覆プレートＡＰの上側の面へ接続構造ＶＳが導かれるということにおいてのみ異なる。接続構造ＶＳが、被覆プレートの表面からフレーム構造の端部の上を通り、チップＣＨの表面に配置されたコンタクトＫＯに至る、という同様に対応した実施の形態も有効である。
【００７７】
本発明は、図において示された実施の形態に制限されない。特に、幾何学的な形状、および／または、チップおよび被覆プレートのベース領域において、任意の所望の変形が生ずる。長方形の変形は、単に、ウェーハのベース領域のよりよい利用という点において有益である。チップおよび／または被覆プレートの端部は、必ずしも直線形状である必要はなく、必ずしも互いに直角である必要もない。フレーム構造の外側の端部についても同様である；一つの実施の形態において、当該フレーム構造は複数において曲がった、または角度がついた経路を有しうる。
【符号の説明】
【００７８】
１      ＭＥＭＳパッケージ
ＡＦ    ＣＨの上側の面の電気接続パッド
ＡＮ    空隙
ＡＰ    被覆プレート
ＡＷ    被覆ウェーハ
ＢＥＳ  構成要素構造
ＢＵ    バンプ
ＣＨ    チップ
ＣＷ    チップウェーハ
ＧＭ    金属ベース
ＧＲ    電気プレートレジスト
ＨＲ    中空室
ＫＯ    電気コンタクト
ＭＥ    金属部
ＭＰ    ＭＥＭＳパッケージ
ＭＳ    ＭＥＭＳ構造
ＲＳ    フレーム構造
ＴＬ    離隔線
ＶＳ    接続構造
ＶＴ    凹部
【図１】
0005574970.tif 000002
【図２】
0005574970.tif 000003
【図３】
0005574970.tif 000004
【図４】
0005574970.tif 000005
【図５】
0005574970.tif 000006
【図６】
0005574970.tif 000007
【図７Ａ】
0005574970.tif 000008
【図７Ｂ】
0005574970.tif 000009
【図７Ｃ−７Ｄ】
0005574970.tif 000010
【図７Ｅ】
0005574970.tif 000011
【図７Ｆ】
0005574970.tif 000012
【図７Ｇ】
0005574970.tif 000013
【図７Ｈ】
0005574970.tif 000014
【図７Ｊ】
0005574970.tif 000015
【図７Ｋ】
0005574970.tif 000016
【図８Ａ】
0005574970.tif 000017
【図８Ｂ】
0005574970.tif 000018
【図８Ｃ】
0005574970.tif 000019
【図８Ｄ】
0005574970.tif 000020
【図８Ｅ】
0005574970.tif 000021
【図８Ｆ】
0005574970.tif 000022
【図８Ｇ】
0005574970.tif 000023
【図８Ｈ】
0005574970.tif 000024
【図８Ｊ】
0005574970.tif 000025
【図８Ｋ】
0005574970.tif 000026
【図９】
0005574970.tif 000027
【図１０】
0005574970.tif 000028