(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面方向に電界を印加する電極を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して設けられた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された多孔質膜と、
前記多孔質膜の空孔内に充填された、液晶成分及び前記液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む液晶組成物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記多孔質膜の空孔率が７０〜９８体積％であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記多孔質膜の空孔径が４５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶組成物中の前記デンドリマー及び／又はデンドロンの含有量が２質量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記デンドリマーは、アルキル基、アルコキシ基及びフッ素からなる群より選択される少なくとも１つを末端に有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記デンドリマーは、以下の式（Ｉ）：
【化１】
0005421891.tif 000019
（式中、Ｒ1は式（ＩＩ）：
【化２】
0005421891.tif 000020
であり、Ａ1は
【化３】
0005421891.tif 000021
（式中、Ｙは炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアルコキシ基、又はフッ素である）であり、Ｘは直接結合、−ＣＯＯ−基又は−Ｎ＝Ｎ−基であり、Ａ2は
【化４】
0005421891.tif 000022
であり、ｎは３〜１２の整数である）により表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記デンドロンは、アルキル基、アルコキシ基及びフッ素からなる群より選択される少なくとも１つを非フォーカルポイント末端に有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記デンドロンは、アミノ基をフォーカルポイントに有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記デンドロンは、メソゲン基を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記デンドロンは、以下の一般式（ＩＩＩ）：
【化５】
0005421891.tif 000023
（式中、Ｒは、水素、脂環式基、芳香族基、又はＨＯ−（ＣＨ2）m−基（式中、ｍは２〜６の整数である）であり；Ａ1は、
【化６】
0005421891.tif 000024
（式中、Ｙは、炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアルコキシ基、又はフッ素である）であり；Ａ2は、
【化７】
0005421891.tif 000025
であり；Ｘは、直接結合、−ＣＯＯ−基又は−Ｎ＝Ｎ−基であり；ｎは、３〜１２の整数である）により表されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶成分は、２種以上の液晶成分を含む混合液晶であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記液晶成分は、フッ素系混合液晶であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。詳細には、本発明は、時計の表示板、携帯電話のディスプレイ、コンピュータやテレビのディスプレイなどに用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、低駆動電圧、低消費電力及び軽量などの特性を有していることから、時計の表示板、携帯電話のディスプレイ、コンピュータやテレビのディスプレイなどにおける用途が拡がっている。この液晶表示装置では、液晶分子の配向を制御する手段が必要であり、ポリイミドなどから成る配向膜を形成する手段が一般的に使用されている。
しかしながら、配向膜によって液晶分子の配向制御を行う場合、一般的に、配向膜の形成に起因する様々な問題がある。例えば、配向膜を形成する際にゴミやピンホールによって印刷上の製造歩留まりが低下したり、基板の大型化に伴って配向膜の形成工程に要するコストが増大したりするなどの問題がある。
【０００３】
また、ＩＰＳ（in-plane switching）モードの液晶表示装置では、この配向膜にラビング処理をさらに施すことよって液晶分子を配向させている。ここで、ラビング処理は、レーヨンや綿などの布を巻いたローラーを、回転数及びローラーと基板との距離を一定に保った状態で回転させ、配向膜の表面を一方向に擦ることにより行われる。
【０００４】
しかしながら、配向膜のラビング処理には、以下に挙げるように様々な問題がある。
（１）ラビング処理は、配向膜に大きなキズを生じさせることがあり、そのキズが液晶表示装置の黒表示時において光漏れの原因となり、液晶表示装置のコントラストを低下させる。
（２）ラビング処理によって、配向膜が剥がれたり、ローラーに巻いた布から毛が脱落したりする結果、均一なセル厚が得られず、液晶表示装置の表示ムラが発生する。
（３）基板上に形成したＴＦＴ素子などによる段差により、ラビングされない部分が生じたり、配向膜が剥がれたりすることがある。
（４）ラビング処理は、ラビングの定量化が難しく、管理が難しい。
【０００５】
（５）液晶セルを形成する際に基板の貼合わせ位置がずれると、上下基板の配向方向がずれてしまい（すなわち、配向軸のずれが生じ）、液晶表示装置のコントラストが低下する。
（６）基板とローラーとの間の摩擦によって生じる静電気により、基板上に形成したＴＦＴ素子が壊れる。
（７）基板サイズが大きくなると、基板やローラーのたわみの影響が大きくなり、均一なラビング処理が困難になって歩留まりが低下すると共に、ラビング処理のための装置を大きくする必要があるため、投資コストが増大する。
【０００６】
ところで、液晶表示装置の駆動方式には、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＶＡ（vertical alignment）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モードなどがある。その中でも、ＩＰＳモード液晶表示装置は、一対の電極を同一基板上に配置し、液晶分子を基板に平行な方向でスイッチングするものであり、横電界方式の液晶表示装置とも言われている。このＩＰＳモード液晶表示装置は、ＴＮモードやＶＡモードなどの縦電界方式の液晶表示装置に比べて視野角が広いなどの利点がある。
ＩＰＳモード液晶表示装置においては、原理上、基板上に数μｍ程度の幅を持つ細長い電極（櫛歯電極）を多数配設する必要があり、基板上に微細な段差構造が形成される。そのため、ＩＰＳモード液晶表示装置においては、この段差構造に伴い、上記のようなラビング処理に起因した問題が数多く見られる。
【０００７】
配向膜の形成及びラビング処理を必要としない配向技術としては、例えば、液晶層中にポリマーを含有させることにより、液晶分子を配向させる技術が知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３５２０３７６号公報
【特許文献２】特許第４１７５８２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記文献に記載の配向技術は、縦電界方式の液晶表示装置を主な対象とし、液晶分子にプレチルト角を与えることで液晶分子の配向を制御しており、プレチルト角を与えることが要求されない（すなわち、プレチルト角が０度である）横電界方式の液晶表示装置において、配向膜の形成及びラビング処理を行わずに液晶分子の良好な配向制御を達成したものは依然としてない。
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、配向膜の形成及びラビング処理に起因する問題を防止し、配向膜の形成及びラビング処理を行わなくても優れた配向制御性を有するＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記のような問題を解決すべく鋭意研究した結果、ＩＰＳモードの液晶表示装置において、アレイ基板と対向基板との間に多孔質膜を配置し、その多孔質膜の空孔内に、液晶成分及び液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む液晶組成物を充填することで、配向膜の形成及びラビング処理を行わなくても液晶の配向制御が可能になることを見出した。
【００１１】
すなわち、本発明は、基板の面方向に電界を印加する電極を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して設けられた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された多孔質膜と、前記多孔質膜の空孔内に充填された、液晶成分及び前記液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む液晶組成物とを有することを特徴とする液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、配向膜の形成及びラビング処理に起因する問題を防止し、配向膜の形成及びラビング処理を行わなくても優れた配向制御性を有するＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の液晶表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の液晶表示装置の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。
図１は、本発明の液晶表示装置の断面図である。
図１において、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板１と、アレイ基板に対向して設けられた対向基板２と、アレイ基板１と対向基板２との間に挟持された多孔質膜３と、多孔質膜３の空孔内に充填された液晶組成物４とを備えている。
【００１５】
アレイ基板１は、図示していないが、基板の面方向に電界を印加する電極を備えている。ここで、基板の面方向に電界を印加する電極としては、特に限定されず、横電界方式の液晶表示装置（ＩＰＳモード液晶表示装置）で一般的に公知のものを使用することができる。この電極の例としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる櫛歯電極が挙げられる。また、本明細書において「アレイ基板１」とは、ＴＦＴなどのアクティブ素子や電極が配列された基板のことを意味する。アレイ基板１としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。例えば、アレイ基板１として、アクティブマトリックスアレイ基板を用いることができる。このアクティブマトリックスアレイ基板は、一般的に、ガラス基板上にゲート配線及びソース配線がマトリックス状に配置されており、その交点部分に、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）などのアクティブ素子が形成され、このアクティブ素子に画素電極が接続されている。
【００１６】
対向基板２としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。例えば、対向基板２として、カラーフィルタ基板を用いることができる。このカラーフィルタ基板は、一般的に、ガラス基板上に、不要な光の漏れを防止するためにブラックマトリックスを形成した後、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層をパターン形成し、必要に応じて保護膜が形成されている。
【００１７】
多孔質膜３は、その空孔内に充填される液晶組成物４中の液晶分子を、空孔ごとに特定の方向に配向させる作用を有する。ここで、本明細書において「多孔質膜３」とは、内部に無数の微細な穴が開いている膜を意味する。
多孔質膜３としては、光透過性及び耐液晶性があれば特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。好ましい多孔質膜３としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルホルマール、ポリエステル、エポキシ樹脂などのポリマーから形成される多孔質樹脂フィルムが挙げられる。このような多孔質樹脂フィルムは、一般的に公知であり、当該技術分野において公知の方法（例えば、相分離法）によって製造することができる。具体的には、ポリマーに溶解しない添加物質とポリマーとを溶媒中で攪拌し、この溶液から溶媒を蒸発させることによってポリマー層及び添加物質層に分離した膜を得た後、この膜から添加物質を分離すればよい。多孔質樹脂フィルムの構造は、溶媒の種類や溶媒の蒸発方法、添加物質の量などによって制御することができる。また、多孔質樹脂フィルムとして、ハイポア１０００、ハイポア２０００、ハイポア３０００、ハイポア４０００（いずれも旭化成工業株式会社製）、ＫＴ−５０、ＬＥ−８５、デュラカード、エクセポール（いずれも三菱化成工業株式会社製）、セルポア（積水化学工業株式会社製）などの市販品を用いてもよい。
【００１８】
多孔質膜３の空孔率は、好ましくは７０％〜９８％である。ここで、多孔質膜３の空孔率は、特に限定されないが、多孔質膜３を電子顕微鏡で観察した領域の空孔の面積率から画像解析装置（例えば、ニレコ株式会社製：型式ルーゼックスＩＩＤ）により求めることができる。多孔質膜３の空孔率が７０％未満であると、透明性が十分でなかったり、駆動電圧が高くなったりすることがある。一方、多孔質膜３の空孔率が９８％を超えると、多孔質膜３の製造が困難であることが多いと共に、多孔質膜３が劣化し易くなることがある。
【００１９】
多孔質膜３の空孔径は、好ましくは４５０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下である。ここで、多孔質膜３の空孔径は、特に限定されないが、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて多孔質膜３の破断面を観察することにより求めることができる。多孔質膜３の空孔径が４５０ｎｍを超えると、光散乱が起こり易くなることがある。
【００２０】
多孔質膜３の厚さは、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好ましくは２〜５μｍである。この多孔質膜３の厚さは、アレイ基板１と対向基板２とのセルギャップ（セル厚）となる。従って、本発明の液晶表示装置では、アレイ基板１と対向基板２とのセルギャップを保持するために一般的に設けられるスペーサを設ける必要がない。多孔質膜３の厚さが０．５μｍ未満であると、コントラストが十分でないことがある。一方、多孔質膜３の厚さが１００μｍを超えると駆動電圧が大きくなることがある。
【００２１】
多孔質膜３の空孔内に充填される液晶組成物４は、液晶成分及び液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む。ここで、本明細書において「デンドリマー」とは、中心から規則的に分岐した構造を持つ樹状高分子であり、コアと呼ばれる中心部分と、デンドロンと呼ばれる側鎖部分とから構成されるものを意味する。また、本明細書において「デンドロン」とは、デンドリマーと同様に中心から規則的に分岐した構造を持つ樹状高分子であるが、中心（フォーカルポイント）から一方向へのみ広がっている（伸びている）ものを意味する。
【００２２】
多孔質膜３は、その空孔内に充填される液晶組成物４中の液晶分子を、空孔ごとに特定の方向に配向させる作用を有するが、多孔質膜３を設けただけでは、基板に対して水平方向以外にも液晶分子が配向する。特に、液晶滴下注入法（ＯＤＦ）によって液晶組成物４を多孔質膜３の空孔内に充填した場合、液晶組成物４が多孔質膜３の空孔内に広がった方向に液晶分子が配向し易い。これは、多孔質膜３の空孔内の界面における液晶分子の相互作用が大きいことに起因している。そこで、液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを配合することによって、多孔質膜３の空孔内の界面における液晶分子の相互作用を弱め、基板に対して水平方向に液晶分子を配向させる。
【００２３】
多孔質膜３の空孔内における液晶組成物中の液晶分子は、基板に対して水平方向に配向し、空孔間ではその配向がランダムであるため、液晶表示装置の黒表示における光漏れを少なくし、コントラストを高めることが可能である。また、多孔質膜３の空孔によって仕切られているため、液晶組成物中の液晶分子が各空孔内で動き易い。そのため、液晶表示装置の応答速度を高めることが可能である。
【００２４】
デンドリマー及び／又はデンドロンとしては、液晶成分と相溶性があれば特に限定されない。液晶成分と相溶性がないデンドリマー及び／又はデンドロンであると、液晶組成物４中で溶解せずに沈殿してしまい、液晶表示装置のコントラストなどの特性が低下してしまう。ここで、本明細書において「液晶成分と相溶性があるデンドリマー及び／又はデンドロン」とは、液晶成分にデンドリマー及び／又はデンドロンを配合し、これをオーブンで液晶成分の相転移温度以上の温度まで上昇させて等方相にした際にデンドリマー及び／又はデンドロンが溶解しており（すなわち、液晶成分とデンドリマー及び／又はデンドロンとの混合物が透明であり）、室温（例えば、２５℃）まで戻してもデンドリマー及び／又はデンドロンの沈殿が確認されないものを意味する。
【００２５】
液晶成分と相溶性のあるデンドリマーとしては、アルキル基、アルコキシ基及びフッ素からなる群より選択される少なくとも１つを末端に有するものが好ましい。その理由としては、このような構造を有するデンドリマーが、単成分のシアノ系液晶だけでなく、２種以上の液晶成分を含む混合液晶との相溶性に優れているためである。特に、実用的な液晶表示装置に一般的に使用されているフッ素系混合液晶は、液晶表示装置の信頼性を確保する観点から不純物が溶解し難いように設計してあるために添加物が溶解し難いものの、このような基を末端に有するデンドリマーは、フッ素系混合液晶に対しても良好な相溶性を示す。
アルキル基、アルコキシ基及びフッ素からなる群より選択される少なくとも１つを末端に有するデンドリマーは、例えば、下記の式（Ｉ）により表すことができる。
【００２６】
【化１】
0005421891.tif 000002
【００２７】
上記式（Ｉ）中、Ｒ1は式（ＩＩ）で表される。
【００２８】
【化２】
0005421891.tif 000003
【００２９】
上記式（ＩＩ）中、Ａ1は
【００３０】
【化３】
0005421891.tif 000004
【００３１】
（式中、Ｙは炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアルコキシ基、又はフッ素である）であり、Ｘは直接結合、−ＣＯＯ−基又は−Ｎ＝Ｎ−基であり、Ａ2は
【００３２】
【化４】
0005421891.tif 000005
【００３３】
であり、ｎは３〜１２の整数である。
【００３４】
このような構造を有するデンドリマーは、コア部分を与える多官能性アミン化合物と、側鎖部分を与えるアクリル酸エステル誘導体とを有機溶剤中で反応させることによって得ることができる。
多官能性アミン化合物としては、ポリプロピレンテトラミンデンドリマー第１世代（Polypropylene tetramine Dendrimer, Generation 1.0）、ポリプロピレンオクタミンデンドリマー第２世代（Polypropylene octaamine Dendrimer, Generation 2.0）などであり、アルドリッチ社製のＤＡＢ−Ａｍ−４やＤＡＢ−Ａｍ−８などの市販品を使用することもできる。また、この多官能性アミン化合物は、エチレンジアミン及びアクリロニトリルを出発原料として合成することもできる。
アクリル酸エステル誘導体としては、合成するデンドリマーに応じて適宜選択すればよく、例えば、上記の式（Ｉ）により表されるデンドリマーを合成する場合は、下記の式（ＩＶ）で表される化合物を原料として用いることができる。
【００３５】
【化５】
0005421891.tif 000006
【００３６】
上記の式（ＩＶ）中、Ｘ、Ａ1、Ａ2及びｎは、上記で定義した通りである。
多官能性アミン化合物とアクリル酸エステル誘導体との反応比は、多官能性アミン化合物１モルに対して、アクリル酸エステル誘導体を１．０〜３．０モル、好ましくは１．１〜１．５モルである。
【００３７】
有機溶剤としては、従来公知のものを用いることができ、例えば、１，２−ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系溶剤；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの非プロトン性極性溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独又は２種以上を混合して用いることができる。
また、有機溶剤の量は、多官能性アミン化合物やアクリル酸エステル誘導体の量などに応じて適宜調整すればよく、特に限定されない。
【００３８】
反応温度としては、−５０〜１５０℃、好ましくは２５〜８０℃である。反応温度が−５０℃未満であると、反応速度が著しく低下することがある。また、反応温度が１５０℃を超えると、多官能性アミン化合物やアクリル酸エステル誘導体の安定性が低下することがある。
反応時間としては、２〜２００時間、好ましくは４８〜１００時間である。反応時間が２時間未満であると、反応が十分に進行しないことがある。反応時間が２００時間を超えると、時間がかかりすぎて実用的でない。
反応終了後は溶剤を除去することにより、目的とするデンドリマーを得ることができる。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、トルエンなどの貧溶剤を加えて加熱し、上澄みを除去することによって精製してもよい。
【００３９】
液晶成分と相溶性のあるデンドロンとしては、アルキル基、アルコキシ基及びフッ素からなる群より選択される少なくとも１つを非フォーカルポイント末端に有するものが好ましい。当該デンドロンはまた、アミノ基をフォーカルポイントに有するものが好ましい。これらの理由は、このような構造を有するデンドロンが、単成分のシアノ系液晶だけでなく、２種以上の液晶成分を含む混合液晶との相溶性に優れているためである。特に、実用的な液晶表示装置に一般的に使用されているフッ素系混合液晶は、液晶表示装置の信頼性を確保する観点から不純物が溶解し難いように設計してあるために添加物が溶解し難いものの、このような構造を有するデンドロンは、フッ素系混合液晶に対しても良好な相溶性を示す。
【００４０】
また、本発明に用いられるデンドロンは、メソゲン基を有することが好ましい。その理由は、このデンドロンが、液晶成分の特性を阻害し難く、且つ液晶配向制御に優れているためである。ここで、メソゲン基とは、液晶性を発現するために必要な剛直構造を有する有機基を意味する。メソゲン基としては、特に限定されないが、例えば、安息香酸フェニル、ビフェニル、シアノビフェニル、ターフェニル、シアノターフェニル、フェニルベンゾエート、アゾベンゼン、ジアゾベンゼン、アニリンベンジリデン、アゾメチン、アゾキシベンゼン、スチルベン、フェニルシクロヘキシル、ビフェニルシクロヘキシル、フェノキシフェニル、ベンジリデンアニリン、ベンジルベンゾエート、フェニルピリミジン、フェニルジオキサン、ベンゾイルアニリン、トラン及びこれらの誘導体などが挙げられる。
【００４１】
本発明に用いられるデンドロンの世代（分岐の次数）は、特に限定されないが、一般的に第１〜第６世代のものが用いられる。ここで、本明細書において分岐の数が１つのものを第１世代という。
【００４２】
本発明に用いるのに好ましいデンドロンは、以下の一般式（ＩＩＩ）を有する。
【００４３】
【化６】
0005421891.tif 000007
【００４４】
式（ＩＩＩ）中、Ｒは、水素、脂環式基、芳香族基、又はＨＯ−（ＣＨ2）m−基（式中、ｍは２〜６の整数である）である。ここで、脂環式基としては、特に限定されないが、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基などが挙げられる。また、芳香族基としては、特に限定されないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、トリフェニル基、ビナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基などが挙げられる。また、式（ＩＩＩ）中、Ａ1は、
【００４５】
【化７】
0005421891.tif 000008
【００４６】
（式中、Ｙは、炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアルコキシ基、又はフッ素である）であり、Ａ2は、
【００４７】
【化８】
0005421891.tif 000009
【００４８】
であり、Ｘは、直接結合、−ＣＯＯ−基又は−Ｎ＝Ｎ−基であり、ｎは、３〜１２の整数である。
【００４９】
本発明に用いられるデンドロンは、各種文献に記載の公知の方法を用いて合成することができる。一般的には、フォーカルポイントを与えるアミノ基を有する化合物と、この化合物と結合してデンドロンの枝部分を与える化合物とを反応させればよい。例えば、デンドロンの枝部分を与えるアクリル酸エステル誘導体と、このアクリル酸エステル誘導体と反応する末端アミノ基及びフォーカルポイントを与えるアミノ基を有する化合物とを有機溶剤中で反応させればよい。
【００５０】
フォーカルポイントを与えるアミノ基を有する化合物としては、特に限定されず、合成するデンドロンに応じて適宜選択すればよい。また、デンドロンの世代（分岐の次数）を調整する場合、フォーカルポイントを与えるアミノ基を有する化合物をアクリロニトリルなどと反応させることによって分岐構造とした後、水素化リチウムアルミニウムなどの還元剤を用いてニトリルをアミンに変換すればよい。
例えば、上記の一般式（ＩＩＩ）を有するデンドロンを合成する場合、以下の一般式（Ｖ）を有する化合物を用いることができる。
Ｒ−Ｎ−（（ＣＨ2）3−ＮＨ2）2    （Ｖ）
式中、Ｒは上記で定義した通りである。
ここで、上記（Ｖ）の化合物は、Ｒ−ＮＨ2とアクリロニトリルと（ＣＨ2＝ＣＨＣＮ）を反応させた後、水素化リチウムアルミニウムなどの還元剤を用いてニトリルをアミンに変換することによって合成することができる。
【００５１】
デンドロンの枝部分を与えるアクリル酸エステル誘導体としては、特に限定されず、合成するデンドロンに応じて適宜選択すればよい。例えば、上記の一般式（ＩＩＩ）を有するデンドロンを合成する場合、以下の一般式（ＶＩ）を有するアクリル酸エステル誘導体を原料として用いることができる。
【００５２】
【化９】
0005421891.tif 000010
【００５３】
式中、Ａ1、Ａ2、Ｘ及びｎは、上記で定義した通りである。
【００５４】
フォーカルポイントを与えるアミノ基を有する化合物（例えば、一般式（Ｖ）の化合物）と、アクリル酸エステル誘導体（例えば、一般式（ＶＩ）の化合物）との反応比は、使用する原料の種類に応じて適宜調整する必要があるが、一般的に、フォーカルポイントを与えるアミノ基を有する化合物１モルに対して、アクリル酸エステル誘導体を１〜１０モル用いればよい。
【００５５】
上記の反応に用いられる有機溶剤としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。有機溶剤の例としては、１，２−ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系溶剤；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの非プロトン性極性溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独又は２種以上を混合して用いることができる。
また、有機溶剤の量は、使用する原料の種類及び量などに応じて適宜調整すればよく、特に限定されない。
【００５６】
反応温度としては、−５０〜１５０℃、好ましくは２５〜８０℃である。反応温度が−５０℃未満であると、反応速度が著しく低下することがある。また、反応温度が１５０℃を超えると、原料の安定性が低下することがある。
反応時間としては、２〜２００時間、好ましくは４８〜１００時間である。反応時間が２時間未満であると、反応が十分に進行しないことがある。反応時間が２００時間を超えると、時間がかかりすぎて実用的でない。
反応終了後は溶剤を除去することにより、目的とするデンドロンを得ることができる。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、トルエンなどの貧溶剤を加えて加熱し、上澄みを除去することによってデンドロンを精製してもよい。
【００５７】
液晶組成物４中のデンドリマー及び／又はデンドロンの含有量は、好ましくは２質量％以下、より好ましくは０．０１〜２質量％である。デンドリマー及び／又はデンドロンの含有量が２質量％を超えても、含有量の増加に見合った効果が得られない。逆に、デンドリマー及びデンドロンは合成コストがかかるため、液晶表示装置の製造コストの増大に繋がる。
【００５８】
液晶成分としては、特に限定されないが、２種以上の液晶成分を含む混合液晶であることが好ましい。この混合液晶は、使用用途にあわせて所望の物性（例えば、屈折率異方性、誘電率異方性、粘度、相転位温度など）を満たすように幾つかの液晶成分を混合することによって調製されるため、一義的に定義することは難しいが、フッ素系混合液晶やシアノ系混合液晶などと一般的に称される混合液晶であり得る。これらの中でも、現在、液晶表示装置に一般的に使用されているフッ素系混合液晶を用いることが好ましい。ここで、本明細書において「フッ素系混合液晶」とは、１種以上のフッ素系液晶を含む混合液晶を意味し、「シアノ系混合液晶」とは、１種以上のシアノ系液晶を含む混合液晶を意味する。
上記の混合液晶は、一般的に公知であると共に商業的に利用可能であり、例えば、フッ素系混合液晶は、ＺＬＩ−４７９２（ｐ型）やＭＬＣ−６６０８（ｎ型）という商品名でメルク株式会社によって販売されている。また、シアノ系混合液晶は、ＪＣ−５０６６ＸＸ（ｐ型）という商品名でチッソ石油化学株式会社によって販売されている。
【００５９】
デンドリマー及び／又はデンドロンを液晶成分に配合する方法としては、特に限定されず、公知の方法に準じて行うことができる。例えば、デンドリマー又はデンドロンを液晶成分に加えた後、周知の混合手段を用いて混合すればよい。
【００６０】
上記のような構成を有する本発明の液晶表示装置は、従来の液晶表示装置の製造方法に準じて行うことができる。例えば、本発明の液晶表示装置は、以下のようにして製造することができる。
まず、アレイ基板１及び対向基板２を用意する。アレイ基板１及び対向基板２の作製方法は、特に限定されず、当該技術分野において公知の方法により作製するか、市販品を用いればよい。次に、アレイ基板１上に多孔質膜３を配置し、液晶組成物４を液晶滴下注入法（ＯＤＦ）によって多孔質膜３の空孔内に充填する。その後、多孔質膜３上に対向基板２を配置すればよい。
或いは、アレイ基板１と対向基板２との間に多孔質膜３を挟み込んだ後、毛細管現象を利用して液晶組成物４を多孔質膜３の空孔に充填させてもよい。
【００６１】
このようにして得られる本発明の液晶表示装置は、配向膜の形成及びラビング処理を行わずに製造することができるため、配向膜の形成及びラビング処理に起因する様々な問題を防止することができる。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例により本発明の詳細を説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
＜デンドリマーＡの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ１）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００６３】
【化１０】
0005421891.tif 000011
【００６４】
６−［４−(４−ヘキシルフェニルジアゼジル)フェノキシ］ヘキサノールの合成
２００ｍｌの三口フラスコに、４−（４−ヘキシルフェニルジアゼニル）フェノール（５．０ｇ、１７．７ｍｍｏｌ）、６−ブロモヘキサノール（４．９ｇ、１８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．４５ｇ、１７．７ｍｍｏｌ）及びエタノール（２０ｍｌ）を入れて溶解し、４８時間加熱還流した。加熱還流が終了した後、減圧下でエタノールを除去して得られた残渣をジエチルエーテルに溶解し、この溶液を水で３回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した後、ジエチルエーテルを減圧下で留去し、得られた残渣をｎ−ヘキサンで再結晶させることで、橙色の針状結晶を収量３．９ｇ（収率５８％）で得た。この針状結晶は、ＩＲにより、３２８９ｃｍ-1（ＯＨ）、２９１９ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１４７３ｃｍ-1（Ｎ＝Ｎ）、１２５３ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００６５】
６−［４−(４−ヘキシルフェニルジアゼジル)フェノキシ］ヘキシルアクリレートの合成
１００ｍｌの三口フラスコに、６−［４−(４−ヘキシルフェニルジアゼジル)フェノキシ］ヘキサノール（３．５ｇ、９．２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．９２ｇ、９．２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（３０ｍｌ）を入れて溶解し、氷で０℃に冷却した。この溶液に塩化アクリロイル（１．２ｇ、１４ｍｍｏｌ）を注射器を用いて加え、室温で２４時間撹拌した。生じた白色固体をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した後、得られた残渣をカラムクロマトグラフィー（固定相：シリカゲル、移動相：クロロホルム）により精製し、黄色固体を収量３．４ｇ（収率８５％）で得た。この黄色固体は、ＩＲにより、２９３５ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７１６ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１４７３ｃｍ-1（Ｎ＝Ｎ）、１２６１ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。また、この黄色固体の元素分析値は、Ｃ27Ｈ36Ｎ2Ｏ3として計算した値と０．５％の範囲内で一致した。（計算値〜Ｃ：７４．２８％、Ｈ：８．３１％、Ｎ：６．４２％、実測値〜Ｃ：７４．４８％、Ｈ：８．６１％、Ｎ：６．３５％）
【００６６】
デンドリマーＡの合成
１００ｍｌのナスフラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．３９ｇ、０．５１ｍｍｏｌ）、６−［４−(４−ヘキシルフェニルジアゼジル)フェノキシ］ヘキシルアクリレート（４．９ｇ、１１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（２０ｍｌ）を入れ、５０℃で７２時間加熱した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のＴＨＦに溶解して４００ｍｌのヘキサンに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を２回繰り返すことによって精製し、ペースト状の橙色固体を収量３．９ｇ（収率９８％）で得た。この橙色固体は、ＩＲにより、２９３１ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３５ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１４５７ｃｍ-1（Ｎ＝Ｎ）、１２５３ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。また、この橙色固体の元素分析値は、Ｃ472Ｈ672Ｎ46Ｏ48として計算した値と０．５％の範囲内で一致した。（計算値〜Ｃ：７３．０７％、Ｈ：８．７３％、Ｎ：８．３０％、実測値〜Ｃ：７２．８６％、Ｈ：８．４９％、Ｎ：８．４０％）さらに、この橙色固体のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては−１３℃にＴｇ、３３℃及び８３℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては８１℃及び２８℃に発熱ピーク、−２９℃にＴｇが観測された。
【００６７】
＜デンドリマーＢの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ２）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００６８】
【化１１】
0005421891.tif 000012
【００６９】
６−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］ヘキサノールの合成
２００ｍｌのナスフラスコに、４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシフェノール（１０ｇ、４１ｍｍｏｌ）、６−ブロモヘキサノール（８．８ｇ、４９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１１ｇ、８０ｍｍｏｌ）及び２−ブタノン（５０ｍｌ）を入れて溶解し、６０時間加熱還流した。加熱還流が終了した後、減圧下で２−ブタノンを除去して得られた残渣を酢酸エチルに溶解し、この溶液を水で３回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した後、酢酸エチルを減圧下で留去し、得られた残渣をｎ−ヘキサンで再結晶させることで、白色結晶を収量６．２ｇ（収率４４％）で得た。この白色結晶は、ＩＲにより、３３４０ｃｍ-1（ＯＨ）、２９２２ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１２４５ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００７０】
６−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］ヘキシルアクリレートの合成
２００ｍｌの三口フラスコに、６−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］ヘキサノール（６．０ｇ、１７ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２．２ｇ、２２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（５０ｍｌ）を入れて溶解し、氷で０℃に冷却した。この溶液に塩化アクリロイル（１．９ｇ、２１ｍｍｏｌ）を注射器を用いてゆっくり加え、室温で１２時間撹拌した。生じた白色固体をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した後、得られた残渣を酢酸エチルに溶解し、１００ｍｌの水で３回洗浄した。次に、有機相に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧下で濃縮した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（固定相：シリカゲル、移動相：ヘキサン／クロロホルム（容積比率５０：１））により精製し、無色透明な液体を収量６．４ｇ（収率９３％）で得た。この液体は、ＩＲにより、２９２０ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７１６ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４５ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００７１】
デンドリマーＢの合成
２０ｍｌのナスフラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．１６ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）、６−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］ヘキシルアクリレート（４．０ｇ、１０ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（５ｍｌ）を入れ、５０℃で７２時間加熱した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解して１００ｍｌのメタノールに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を２回繰り返すことによって精製し、ペースト状の淡黄色固体を収量０．４５ｇ（収率３０％）で得た。この淡黄色固体は、ＩＲにより、２９２１ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３６ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４７ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。また、この淡黄色固体の元素分析値は、Ｃ456Ｈ736Ｎ14Ｏ48として計算した値と０．５％の範囲内で一致した。（計算値〜Ｃ：７６．２５％、Ｈ：１０．３３％、Ｎ：２．７３％、実測値〜Ｃ：７６．０９％、Ｈ：１０．５２％、Ｎ：２．８０％）また、この淡黄色固体のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳによる分子量を測定したところ、理論値ｍ／Ｚ＝７１８３（Ｍ＋Ｈ）に対して、実測値ｍ／Ｚ＝７１８１．２（Ｍ＋Ｈ）であった。さらに、この淡黄色固体のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては−２４℃にＴｇ、１４℃及び７３℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては６９℃及び１５℃に発熱ピーク、−２６℃にＴｇが観測された。
【００７２】
＜デンドリマーＣの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ３）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００７３】
【化１２】
0005421891.tif 000013
【００７４】
３−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］プロパノールの合成
３００ｍｌのナスフラスコに、４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノール（１５ｇ、６１ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−１−プロパノール（１０ｇ、７３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１７ｇ、１２２ｍｍｏｌ）及び２−ブタノン（８０ｍｌ）を入れて溶解し、６０時間加熱還流した。加熱還流が終了した後、減圧下で２−ブタノンを除去して得られた残渣を３００ｍＬの酢酸エチルに溶解し、この溶液を１００ｍＬの水で３回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した後、酢酸エチルを減圧下で留去し、得られた残渣をヘキサンで再結晶させることで、白色結晶を収量１２．２ｇ（収率６６％）で得た。この白色結晶は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．２〜７．０ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９〜６．８ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、４．１ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2）、３．８５ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，ＰｈＣＨ2）、２．４ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ，ＡｒＣＨ）、１．９〜１．２ｐｐｍ（ｍ，２０Ｈ，ＣＨ2）、０．８５ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ，ＣＨ3）のδが観測された。また、ＩＲにより、３３４０ｃｍ-1（ＯＨ）、２９２２ｃｍ-1（ＣＨ）、１２４５ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００７５】
３−［４−(ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ］プロピルアクリレートの合成
３００ｍｌのナスフラスコに、３−［４−(ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ］プロパノール（１０ｇ、３３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（３．４ｇ、３３ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１００ｍｌ）を入れて溶解し、氷で０℃に冷却した。この溶液に塩化アクリロイル（４．４ｇ、４９ｍｍｏｌ）を注射器を用いて加え、室温で２４時間撹拌した。溶媒を減圧除去して得られた残渣を３００ｍＬの酢酸エチルに溶解し、この溶液を１００ｍＬの水で３回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧下で濃縮させた。そして、残渣をカラムクロマトグラフィー（固定相：シリカゲル、移動相：クロロホルム）により精製し、白色固体を収量８．６ｇ（収率７３％）で得た。この白色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．２〜７．０ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９〜６．８ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、６．４〜５．８ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ，ＯＣＨＣＨ2）、４．３ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2）、４．０ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，ＰｈＣＨ2）、２．４ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ，ＡｒＣＨ）、１．９〜１．２ｐｐｍ（ｍ，２０Ｈ，ＣＨ2）、０．８５ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ，ＣＨ3）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９２０ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７１５ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４５ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００７６】
デンドリマーＣの合成
２００ｍｌの二口フラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．４８ｇ、０．５７ｍｍｏｌ）、３−［４−(ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ］プロピルアクリレート（６．５ｇ、１８ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１０ｍｌ）を入れ、窒素雰囲気下、５０℃で７日間攪拌した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解してメタノールに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を３回繰り返すことによって精製し、淡黄色固体を収量２．１ｇ（収率５７％）で得た。この淡黄色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．２〜６．７ｐｐｍ（ｍ，６４Ｈ，ＡｒＨ）、４．２ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＯＣＨ2）、３．９５ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＰｈＯＣＨ2）、２．７４ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2）、２．６〜２．２ｐｐｍ（ｔ，１００Ｈ，Ｎ−ＣＨ2，ＣＨ2Ｃ＝Ｏ，ＡｒＣＨ）、１．９〜０．９ｐｐｍ（ｍ，３３２Ｈ，ＣＨ2）、０．８５ｐｐｍ（ｔ，４８Ｈ，ＣＨ3）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９２３ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３５ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４３ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。また、この淡黄色固体のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳによる分子量を測定したところ、理論値ｍ／Ｚ＝６５３１．８２（Ｍ＋Ｎａ）に対して、実測値ｍ／Ｚ＝６５３１．６９（Ｍ＋Ｎａ）であった。さらに、この淡黄色固体の元素分析値は、Ｃ408Ｈ640Ｎ14Ｏ48として計算した値と０．５％の範囲内で一致した。（計算値〜Ｃ：７５．２８％、Ｈ：９．９１％、Ｎ：３．０１％、実測値〜Ｃ：７５．２６％、Ｈ：１０．１０％、Ｎ：２．８５％）また、この淡黄色固体のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては１７℃及び７８℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては７４℃及び１５℃に発熱ピークが観測された。
【００７７】
＜デンドリマーＤの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ４）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００７８】
【化１３】
0005421891.tif 000014
【００７９】
１２−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］ドデカノールの合成
３００ｍｌのナスフラスコに、４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノール（１５ｇ、６１ｍｍｏｌ）、１２−ブロモ−１−ドデカノール（１９ｇ、７３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１７ｇ、１２２ｍｍｏｌ）及び２−ブタノン（１００ｍｌ）を入れて溶解し、６０時間加熱還流した。加熱還流が終了した後、減圧下で２−ブタノンを除去して得られた残渣を３００ｍＬの酢酸エチルに溶解し、この溶液を１００ｍＬの水で３回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した後、酢酸エチルを減圧下で留去し、得られた残渣をヘキサンで再結晶させることで、白色結晶を収量２１．５ｇ（収率８２％）で得た。この白色結晶は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．２〜７．０ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９〜６．８ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、３．９ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2）、３．６ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，ＰｈＣＨ2）、２．４ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ，ＡｒＣＨ）、１．９〜１．２ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ，ＣＨ2）、０．８６ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ，ＣＨ3）のδが観測された。また、ＩＲにより、３３４０ｃｍ-1（ＯＨ）、２９２２ｃｍ-1（ＣＨ）、１２４５ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００８０】
１２−［４−(ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ］ドデシルアクリレートの合成
３００ｍｌのナスフラスコに、１２−［４−(ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ］ドデカノール（１５ｇ、３５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（３．５ｇ、３５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１５０ｍｌ）を入れて溶解し、氷で０℃に冷却した。この溶液に塩化アクリロイル（４．７ｇ、５２ｍｍｏｌ）を注射器を用いて加え、室温で２４時間撹拌した。溶媒を減圧除去して得られた残渣を４００ｍＬの酢酸エチルに溶解し、この溶液を２００ｍＬの水で３回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧下で濃縮させた。そして、残渣をカラムクロマトグラフィー（固定相：シリカゲル、移動相：クロロホルム）により精製し、白色固体を収量９．２ｇ（収率５５％）で得た。この白色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．２〜７．０ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９〜６．８ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，ＡｒＨ）、６．４〜５．８ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ，ＯＣＨＣＨ2）、４．３ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2）、４．０ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，ＰｈＣＨ2）、２．４ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ，ＡｒＣＨ）、１．９〜１．２ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ，ＣＨ2）、０．８５ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ，ＣＨ3）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９２３ｃｍ-1（ＣＨ）、１７１７ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４４ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。
【００８１】
デンドリマーＤの合成
２００ｍｌの二口フラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．２６ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）、１２−［４−(ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ］ドデシルアクリレート（８．０ｇ、１７ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１５ｍｌ）を入れ、窒素雰囲気下、５０℃で７日間攪拌した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解してメタノールに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を３回繰り返すことによって精製し、淡黄色固体を収量１．１ｇ（収率３８％）で得た。この淡黄色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．２〜６．７ｐｐｍ（ｍ，６４Ｈ，ＡｒＨ）、４．０５ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＯＣＨ2）、３．９ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＰｈＯＣＨ2）、２．７５ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2）、２．６〜２．２ｐｐｍ（ｔ，１００Ｈ，Ｎ−ＣＨ2，ＣＨ2Ｃ＝Ｏ，ＡｒＣＨ）、１．９〜０．９ｐｐｍ（ｍ，６４０Ｈ，ＣＨ2）、０．８５ｐｐｍ（ｔ，４８Ｈ，ＣＨ3）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９２１ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３３ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４５ｃｍ-1（ＰｈＯ−）の特性吸収が観測された。また、この淡黄色固体のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳによる分子量を測定したところ、理論値ｍ／Ｚ＝８５５２．０８（Ｍ＋Ｎａ）に対して、実測値ｍ／Ｚ＝８５５２．１２（Ｍ＋Ｎａ）であった。さらに、この淡黄色固体の元素分析値は、Ｃ552Ｈ928Ｎ14Ｏ48として計算した値と０．５％の範囲内で一致した。（計算値〜Ｃ：７７．７３％、Ｈ：１０．９７％、Ｎ：２．３０％、実測値〜Ｃ：７７．４８％、Ｈ：１１．０２％、Ｎ：２．２９％）また、この淡黄色固体のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては７４℃及び８２℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては７９℃及び７２℃に発熱ピークが観測された。
【００８２】
＜デンドリマーＥの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ５）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００８３】
【化１４】
0005421891.tif 000015
【００８４】
３００ｍｌのナスフラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．２８ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）、甲陽化学工業株式会社製４−メトキシフェニル−６−ヘキシロキシアクリルベンゾエート（６．０ｇ、１５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１０ｍｌ）を入れ、窒素雰囲気下、５０℃で７日間攪拌した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解してヘキサンに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を３回繰り返すことによって精製し、ペースト状の淡黄色固体を収量１．７ｇ（収率７６％）で得た。この淡黄色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、８．２〜８．１ｐｐｍ（ｄ，３２Ｈ，ＡｒＨ）、７．１ｐｐｍ（ｄ，３２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９ｐｐｍ（ｔ，６４Ｈ，ＡｒＣＨ）、４．１ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＯＣＨ2）、４．０ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＰｈＯＣＨ2）、３．８ｐｐｍ（ｓ，４８Ｈ，ＯＣＨ3）、２．７４ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2）、２．６〜２．２ｐｐｍ（ｔ，８４Ｈ，Ｎ−ＣＨ2，ＣＨ2Ｃ＝Ｏ）、１．９〜０．９ｐｐｍ（ｍ，２８４Ｈ，ＣＨ2）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９４４ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３２ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２５０ｃｍ-1（Ｃ−Ｏ−Ｃ）、１１９８ｃｍ-1及び１１６９ｃｍ-1（Ｃ（Ｃ＝Ｏ）ＯＣ）の特性吸収が観測された。また、この淡黄色固体のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳによる分子量を測定したところ、理論値ｍ／Ｚ＝７１７０．５７（Ｍ＋Ｎａ）に対して、実測値ｍ／Ｚ＝７１７２．４８（Ｍ＋Ｎａ）であった。
【００８５】
＜デンドリマーＦの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ６）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００８６】
【化１５】
0005421891.tif 000016
【００８７】
３００ｍｌのナスフラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．３３ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）、甲陽化学工業株式会社製６−（４−（４−フルオロフェニル）フェニロキシ）ヘキシルアクリレート（７．０ｇ、２０ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１０ｍｌ）を入れ、窒素雰囲気下、５０℃で７日間攪拌した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解してメタノールに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を３回繰り返すことによって精製し、淡黄色固体を収量１．９ｇ（収率７２％）で得た。この淡黄色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．５〜７．２ｐｐｍ（ｍ，６４Ｈ，ＡｒＨ）、７．１ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９ｐｐｍ（ｄ，３２Ｈ，ＡｒＣＨ）、４．１ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＯＣＨ2）、３．９ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＰｈＯＣＨ2）、２．７４ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2）、２．６〜２．２ｐｐｍ（ｔ，８４Ｈ，Ｎ−ＣＨ2，ＣＨ2Ｃ＝Ｏ）、１．９〜０．９ｐｐｍ（ｍ，２８４Ｈ，ＣＨ2）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９４０ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３２ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２３５ｃｍ-1（Ｃ−Ｏ−Ｃ）、１１８２ｃｍ-1（Ｃ−Ｆ）、１１６０ｃｍ-1（Ｃ（Ｃ＝Ｏ）ＯＣ）の特性吸収が観測された。さらに、この淡黄色固体のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては５６．９０℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては４９．５１℃に発熱ピークが観測された。
【００８８】
＜デンドリマーＧの合成＞
上記の式（Ｉ）におけるＲ1が、下記の式（Ｅ７）で表されるデンドリマーを次のようにして合成した。
【００８９】
【化１６】
0005421891.tif 000017
【００９０】
３００ｍｌのナスフラスコに、アルドリッチ社製ＤＡＢ−Ａｍ−８（０．２５ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）、甲陽化学工業株式会社製６−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）フェニロキシ）ヘキシルアクリレート（６．０ｇ、１５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１０ｍｌ）を入れ、窒素雰囲気下、５０℃で７日間攪拌した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解してヘキサンに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を３回繰り返すことによって精製し、淡黄色固体を収量１．３ｇ（収率５９％）で得た。この淡黄色固体は、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）により、７．５〜７．２ｐｐｍ（ｄ，３２Ｈ，ＡｒＨ）、７．１ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＡｒＨ）、６．９ｐｐｍ（ｄ，３２Ｈ，ＡｒＣＨ）、４．１ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＯＣＨ2）、３．９ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，ＰｈＯＣＨ2）、２．７４ｐｐｍ（ｔ，３２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2）、２．６〜２．２ｐｐｍ（ｔ，８４Ｈ，Ｎ−ＣＨ2，ＣＨ2Ｃ＝Ｏ）、１．９〜０．９ｐｐｍ（ｍ，２８４Ｈ，ＣＨ2）のδが観測された。また、ＩＲにより、２９４３ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ）、１７３２ｃｍ-1（Ｃ＝Ｏ）、１２４３ｃｍ-1（Ｃ−Ｏ−Ｃ）、１１８２ｃｍ-1（Ｃ−Ｆ）、１１１８ｃｍ-1（Ｃ（Ｃ＝Ｏ）ＯＣ）の特性吸収が観測された。さらに、この淡黄色固体のＤＳＣ測定を行ったが、昇温過程及び降温過程のいずれにおいてもピークが観測されなかった。
【００９１】
＜デンドロンの合成＞
下記の式（Ｅ８）で表されるデンドロンを次のようにして合成した。
【００９２】
【化１７】
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【００９３】
２−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−シアノエチル）アミノ］エタノールの合成
２００ｍＬのナスフラスコに、水（６０ｍＬ）、２−アミノエタノール（１０ｇ、０．１７ｍｍｏｌ）及びアクリロニトリル（２２ｇ、０．４２ｍｏｌ）を入れ、８０℃で１時間攪拌した後、減圧下でアクリロニトリル及び水を留去した。次に、残渣をクロロホルムに溶解し、この溶液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、クロロホルムを減圧下で除去することによって無色透明な液体を収量２７ｇ（収率９７％）で得た。この液体のＩＲを測定したところ、３４９２ｃｍ-1（ＯＨ）、２２４８ｃｍ-1（ＣＮ）の特性吸収が観測された。
【００９４】
２−［Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノプロピル）アミノ］エタノールの合成
３００ｍＬの三口フラスコに、水素化リチウムアルミニウム（６．９ｇ、０.１８ｍｏｌ）及びＴＨＦ（１６０ｍＬ）を入れ、室温で３０分攪拌した。次に、この溶液に−５℃で濃硫酸(３．６ｍＬ、０．０６８ｍｏｌ)を加え、さらに１時間攪拌した。次に、この溶液に２−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−シアノエチル）アミノ］エタノール（５．０ｇ、０．０３ｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３０ｍＬ）を加え、さらに室温で８時間攪拌した。次に、氷浴中で、この混合溶液に注射器を用いて水（９．７ｍＬ）を加えた。生成した固体をろ過することによって分離した後、固体をメタノールで２４時間ソックスレー抽出した。次に、抽出液と、ろ過によって分離したろ液とを混合した後、この溶液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した。次に、減圧下で溶媒を除去することによって、黄色の液体を収量２．９ｇ（収率５４％）で得た。この液体のＩＲを測定したところ、３２８５ｃｍ-1（ＯＨ）の特性吸収が観測された。
【００９５】
デンドロンの合成
５０ｍＬのナスフラスコに、２−［Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノプロピル）アミノ］エタノール（０．１８ｇ、１．０ｍｍｏｌ）、６−［４−（ｔｒａｎｓ−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシ］ヘキシルアクリレート（２．１ｇ、５．１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（１．０ｍＬ）を入れ、窒素雰囲気下で３日間攪拌した。次に、減圧下でＴＨＦを除去した後、残渣をクロロホルムに溶解し、この溶液を水で三回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧下でクロロホルムを除去した。次に、残渣を少量のクロロホルムに溶解した後、この溶液を１００ｍＬのメタノールに加え、上澄みをデカンテーションによって除去することによって沈殿物を回収した。この操作を６回繰り返すことによって精製を行い、淡黄色固体を収量０．８５ｇ（収率４９％）で得た。
【００９６】
この淡黄色固体の1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）を測定したところ、７．１２〜６．７９ｐｐｍ（ｍ，ＡｒＨ，１６Ｈ）、４．０７ｐｐｍ（ｔ，ＣＯＯＣＨ2，８Ｈ）、３．９１ｐｐｍ（ｔ，ＰｈＯＣＨ2，２Ｈ）、３．５３ｐｐｍ（ｔ，ＨＯＣＨ2，２Ｈ）の特性吸収が観測された。また、この淡黄色固体のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳによる分子量を測定したところ、理論値ｍ／Ｚ＝１７７７．３７（Ｍ＋Ｈ）に対して実測値ｍ／Ｚ＝１７７８.２７（Ｍ＋Ｈ）であった。また、この淡黄色固体のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては１４℃及び６３℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては１９℃及び５８℃に発熱ピークが観測された。
【００９７】
（実施例）
上記で調製した各デンドリマー又はデンドロンとフッ素系混合液晶ＺＬＩ−４７９２（Ｐ型、メルク株式会社）とを混合することによって液晶組成物を調製した。ここで、液晶組成物中の各デンドリマー又はデンドロンの含有量は１〜２質量％とした。
次に、ＩＴＯからなる櫛歯電極を形成したガラス基板上に厚さ２〜５μｍの多孔質膜（エクセポール）を配置し、液晶滴下法によって多孔質膜の空孔内に上記の液晶組成物を充填させた後、対向基板としてのガラス基板を重ねて貼り合わせることによって液晶セルを作製した。
【００９８】
（比較例）
液晶組成物にデンドリマー又はデンドロンを配合しないこと以外は、上記の実施例と同様にして液晶セルを作製した。
【００９９】
実施例及び比較例で得られた各液晶セルについて、輝度計（株式会社トプコン製、ＢＭ−５）を用いて黒輝度を測定したところ、実施例の液晶セルはいずれも、比較例の液晶セルに比べて黒輝度の値が小さく、コントラストが高かった。
【０１００】
以上の結果からわかるように、本発明によれば、配向膜の形成及びラビング処理に起因する問題を防止し、配向膜の形成及びラビング処理を行わなくても優れた配向制御性を有するＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１  アレイ基板、２  対向基板、３  多孔質膜、４  液晶組成物。
【図１】
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