(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合相に砥粒を分散してなる薄肉円板状の砥粒層を有する切断ブレードを切断装置の回転軸に取り付けて回転させつつ、該切断装置に設置された被切断物に対して相対的に送りと切り込みとを与えて該被切断物を切断するとともに、この被切断物を切断した上記切断ブレードを上記回転軸に取り付けたまま、上記切断装置において上記被切断物と間隔をあけて設置されたドレッサに対して相対的に送りと切り込みとを与えて上記切断ブレードをドレッシングし、
被切断物の切断は、上記切断ブレード及び上記回転軸と、被切断物とを相対的に往復動させて行い、この往復動のストローク端では、上記切断ブレードを被切断物から抜けきらせ、
上記往復動のストローク端では、往・復のそれぞれで上記回転軸をその軸線方向に所定のピッチで移動させ、
上記切断ブレードによる被切断物の切断総距離が所定の距離に達したときに、上記切断ブレード及び上記回転軸と、被切断物とを上記ストロークを越えて相対的に移動させて、上記ドレッサに上記切断ブレードを切り込ませてドレッシングを行い、
上記切断ブレードをドレッシングする際の上記切断ブレードの回転数を、振れを取り除く場合には、上記被切断物を切断する際の上記切断ブレードの回転数よりも小さくし、真円が得られた後は、上記被切断物を切断する際の上記切断ブレードの回転数よりも小さくもしくは同じとすることを特徴とする切断ブレードのドレッシング方法。
【請求項２】
上記被切断物がＧＭＲ基盤であることを特徴とする請求項１に記載の切断ブレードのドレッシング方法。
【請求項３】
上記切断ブレードをドレッシングする際の上記ドレッサに対する該切断ブレードの送り速度を、上記被切断物を切断する際の該被切断物に対する上記切断ブレードの送り速度よりも小さくもしくは同じとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の切断ブレードのドレッシング方法。
【請求項４】
上記切断ブレードをドレッシングする際の上記ドレッサに対する該切断ブレードの切り込み量を、上記被切断物を切断する際の該被切断物に対する上記切断ブレードの切り込み量よりも小さくすることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の切断ブレードのドレッシング方法。
【請求項５】
上記切断ブレードをドレッシングする際の上記ドレッサに対する該切断ブレードの切り込み量を、上記被切断物を切断する際の該被切断物に対する上記切断ブレードの切り込み量よりも大きくすることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の切断ブレードのドレッシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に硬脆材料を被切断物として、結合相に砥粒を分散してなる薄肉円板状の砥粒層を有する切断ブレードにより切断する切断装置において、この切断ブレードにドレッシングを行うための切断ブレードのドレッシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
硬脆材料であるセラミックを基盤とした電子部品は数多くある。一例として、音響機器やハードディスクドライブレコーダー、ゲーム機などの各種機器、装置に使用されるＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）ヘッド基盤素材として知られるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックは非常に硬質であり、このような基盤の切断加工にはダイヤモンド砥粒を金属結合相に分散した薄肉円板状の砥粒層を有する切断ブレード（ダイヤモンドブレード）が使用されているが、近年、特にこれら各種機器、装置の小型化が進むなか、このようなヘッド基盤の切断には高い精度が要求されるようになってきている。
【０００３】
ここで、このような切断加工に用いられる切断ブレードは、上記砥粒層の厚さが０．０４ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の極薄であって、ダイヤモンド砥粒を保持する金属結合相としては焼結法によるメタルボンド相や電鋳法による金属めっき相が用いられる。切断加工においては、このように極薄の切断ブレードが金属製のフランジに締め付けられて固定され、このフランジが、スライサーと称される切断装置の回転軸（スピンドル）に取り付けられて、この回転軸の軸線回りに切断ブレードが回転させられる。
【０００４】
一方、被切断物であるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック基盤は、切断装置の往復動可能なテーブル上に真空吸引方式により設置され、あるいは該テーブルに配置された捨て板と呼ばれる比較的切断が容易な軟質セラミックス板上にワックス（樹脂系接着剤）で固定されて設置される。そして、通常はこのテーブルを切断ブレードに対して往復動させて被切断物に送りを与えるとともに、捨て板に達する程度に切断ブレードを切り込ませて被切断物を切断しつつ、往復動のストローク端でテーブルごと被切断物を回転軸の軸線方向に所定のピッチでずらし、あるいは回転軸を切断ブレードごと軸線方向にずらして、被切断物を短冊状のチップに切断してゆく。
【０００５】
ところで、このような切断加工の後のチップは、その直進性や平行度、表裏面でのチッピングの大きさが所定の数値範囲に収まるように管理されなければならない。ここで、ダイヤモンドブレードは通常、上述のようにフランジに固定されて回転軸に取り付けられた後に、径方向に生じる振れをスライサー上で取り除くツルーイングが施され、その後にドレッシングと呼ばれるダイヤモンド砥粒の目出しが行われて、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック基盤等の切断加工に使用される。
【０００６】
ところが、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック基盤のような硬質セラミックスの切断加工では被切断物自体の切断によるダイヤモンド砥粒の摩耗が顕著なのは勿論、被切断物を捨て板上に固定する場合には捨て板との張り合わせに用いられる上記ワックスや捨て板自体の素材などが切断ブレードに付着し、切断抵抗が高まることで切れ味が低下し、切断加工後のチップの直進性や平行度の低下を招くおそれがある。とりわけ、チップの平行度が低下すると、切断工程後に行われるダイヤモンドホイールを用いた切断面への研磨加工での研磨代が増えて、製品に必要な寸法が得られなくなったり、加工時間が増えることでコストアップにつながったりするという問題が生じる。
【０００７】
そこで、例えば特許文献１、２には、切断ブレードの切れ味を常に最適条件に維持するために、テーブル上に設置された被切断物の表面にドレッシング用砥石板を接着したり、あるいは上記捨て板に代えてドレッシング用砥石板を切断装置のテーブル上に配置してこのドレッシング用砥石板上に被切断物をガラス層を介して接着したりして、このドレッシング用砥石に切断ブレードを切り込ませつつ被切断物を切断する方法が提案されている。このような方法によれば、切断ブレードが被切断物を切断している間は、常にドレッシング用砥石板にも切断ブレードの砥粒層が切り込まれてドレッシングが行われることになるため、切れ味の低下を防いで切断加工後のチップの直進性や平行度を維持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１−２７８５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１５２４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、これら特許文献１、２に記載の切断方法では、切断ブレードは被切断物の切断中は常にドレッシング用砥石に切り込まれてドレッシングを施される状態となるため、このドレッシングによる切断ブレードの半径方向の摩耗量と厚さ方向の摩耗量が著しく増大してしまい、切断ブレードの切れ味は確保できても、その寿命が大幅に短縮されてしまうという問題が生じる。また、特に被切断物の表面にドレッシング用砥石板を接着した場合には、切断後のチップからこのドレッシング用砥石板を剥離しなければならず、後処理作業が繁雑となるとともに、この剥離の際にチップに損傷を招いたりするおそれもある。
【００１０】
本発明は、このような背景の下になされたもので、ドレッシングによる切断ブレードの摩耗を抑制してブレード寿命が短縮されるのを防ぐとともに、切断後のチップの後処理作業も容易とすることができ、しかしながら切断ブレードの切れ味は維持して高精度の切断加工が可能な切断ブレードのドレッシング方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明の切断ブレードのドレッシング方法は、結合相に砥粒を分散してなる薄肉円板状の砥粒層を有する切断ブレードを切断装置の回転軸に取り付けて回転させつつ、該切断装置に設置された被切断物に対して相対的に送りと切り込みとを与えて該被切断物を切断するとともに、この被切断物を切断した上記切断ブレードを上記回転軸に取り付けたまま、上記切断装置において上記被切断物と間隔をあけて設置されたドレッサに対して相対的に送りと切り込みとを与えて上記切断ブレードをドレッシングし、被切断物の切断は、上記切断ブレード及び上記回転軸と、被切断物とを相対的に往復動させて行い、この往復動のストローク端では、上記切断ブレードを被切断物から抜けきらせ、上記往復動のストローク端では、往・復のそれぞれで上記回転軸をその軸線方向に所定のピッチで移動させ、上記切断ブレードによる被切断物の切断総距離が所定の距離に達したときに、上記切断ブレード及び上記回転軸と、被切断物とを上記ストロークを越えて相対的に移動させて、上記ドレッサに上記切断ブレードを切り込ませてドレッシングを行い、上記切断ブレードをドレッシングする際の上記切断ブレードの回転数を、振れを取り除く場合には、上記被切断物を切断する際の上記切断ブレードの回転数よりも小さくし、真円が得られた後は、上記被切断物を切断する際の上記切断ブレードの回転数よりも小さくもしくは同じとすることを特徴とする。
【００１３】
このようなドレッシング方法においては、切断装置の回転軸に上記フランジ等を介して切断ブレードを取り付け、被切断物に対して相対的に送りと切り込みを与えることにより該被切断物を切断するとともに、所定の切断総距離を超えたときには、被切断物の切断加工を一旦中断して、回転軸に取り付けた状態のまま切断ブレードを回転させて上記ドレッサに対して送りと切り込みを与えることにより、切断装置の機上において該切断ブレードにドレッシングが施される。そして、こうしてドレッシングされた切断ブレードは再び被切断物に対して送りと切り込みとが与えられて切断加工に使用される。
【００１４】
すなわち、切断ブレードは、特許文献１、２に記載のように切断中は常にドレッシングされた状態となることがなく、所定の総切断距離を切断したりして切れ味が低下したところで間欠的にドレッシングが施されて切れ味の回復を図ることができるため、切断加工の精度は維持しつつも、切断ブレードの摩耗が著しく促進されるのを防ぐことができる。また、ドレッサは被切断物と間隔をあけて配置されているので、切断後のチップに接着されたドレッシング用砥石板を剥離するような後処理作業も不要であり、さらに切断ブレードは回転軸に取り付けられたままドレッシングされるため、切断加工前にツルーイングによって取り除かれた径方向の振れが大きくなるようなこともない。
さらに、上記切断ブレードをドレッシングする際の該切断ブレードの回転数を、上記被切断物を切断する際の該切断ブレードの切断加工前の振れを取り除く場合には回転数を小さくし、真円が得られた後は切断加工時よりも小さくもしくは同じ回転数でドレスすることにより、砥粒層の摩耗量は必要以上に増大させずに、切断加工前のツルーイングに近い条件で切断ブレードの径方向の振れを取り除くことができ、より高精度の切断加工を図ることができる。
【００１５】
このため、被切断物が、上述したＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックなどのような硬脆材料よりなるＧＭＲ基盤であったとしても、このような鋭い切れ味によって切断加工後のチップの直進性や平行度を高精度に維持し、またチッピングの発生を抑えながらも、切断ブレードの寿命を延長することができる。
【００１６】
また、本発明の切断ブレードのドレッシング方法において、上記切断ブレードをドレッシングする際は使用開始前の取り付け時の振れを取り除くような場合、ブレードへのダメージを与えないため送り速度を下げて行うことがあり、振れが取れた後のドレッシングでは切断加工時よりも小さくもしくは同じ送り速度でドレスすることで、切断ブレードの砥粒層に過大な負荷を与えずにドレッシングを行うことができる。
【００１７】
さらに、上記切断ブレードをドレッシングする際の上記ドレッサに対する該切断ブレードの切り込み量を、上記被切断物を切断する際の該被切断物に対する上記切断ブレードの切り込み量よりも小さくすることにより、砥粒層の摩耗量は必要以上に増大させずに、切断加工前のツルーイングに近い条件で切断ブレードの径方向の振れを取り除くことができ、より高精度の切断加工を図ることができる。
【００１８】
一方、逆に上記切断ブレードをドレッシングする際の上記ドレッサに対する該切断ブレードの切り込み量を、上記被切断物を切断する際の該被切断物に対する上記切断ブレードの切り込み量よりも大きくすることにより、切断ブレード側面を含めて被切断物に切り込まれる部分の砥粒層全体をドレッシングして鋭い切れ味を確保することができるので、切断抵抗の低減を図って切断後のチップの直進性や平行度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明の切断ブレードのドレッシング方法によれば、切断ブレードの鋭い切れ味を維持することができて、切断後の被切断物の直進性や平行度などの精度を向上させることができるとともに、被切断物の切断加工後における後処理作業を簡略化することによりコストダウンを図ることができ、その一方で切断ブレードを長寿命化することができて、長期に亙って安定した切断加工を促すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の切断ブレードのドレッシング装置の一実施形態を備えた切断装置を示す概略図である。
【図２】図１に示したドレッシング装置を用いた本発明の切断ブレードのドレッシング方法による切断ブレードの半径方向摩耗量を示す図である。
【図３】従来の切断ブレードのドレッシング方法による切断ブレードの半径方向摩耗量を示す図である。
【図４】ドレッシングの際の送り速度とチッピングとの関係を示す図である。
【図５】ドレッシングの際のブレード回転数と被切断物の切断面の倒れとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１に示す切断装置において、切断ブレード１は、ダイヤモンド砥粒等の超砥粒をニッケルめっき相等の金属めっき相に均一に分散した砥粒層よりなる電鋳ブレード、または同超砥粒を金属粉末に均一に分散して焼結した金属結合相を有する砥粒層よりなるメタルボンドブレードであり、例えば外径３〜４インチ（７６．２ｍｍ〜１０１．６ｍｍ）程度、厚さ０．０６ｍｍ〜０．１ｍｍ前後の円環薄肉板状に形成されている。
【００２２】
このような切断ブレード１は、その両円環面の内周側が図示されない一対の金属製のフランジによって挟み込まれて締め付けられることにより該フランジと一体化され、このフランジごと切断装置の回転軸２に略同軸に取り付けられる。そして、この回転軸２の回転に伴い該回転軸２の軸線回りに矢線Ｒで示すように周方向に回転させられて、その外周縁部の砥粒層により被切断物Ｗを切断する。
【００２３】
この切断装置には、本実施形態のドレッシング装置における駆動手段として、水平な上面を有するテーブル３が、やはり水平な往復動方向（図１において左右方向）Ｔに所定のストロークで往復動可能に設けられている。なお、上記回転軸２の軸線は水平かつこのテーブル３の往復動方向Ｔに垂直に配設されている。
【００２４】
ここで、本実施形態における被切断物Ｗは、上述したＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックのような硬脆材料よりなるＧＭＲ基盤であり、該被切断物Ｗよりは軟質なセラミックス板や鉄板よりなる捨て板４上に、樹脂系接着剤よりなるワックスによって固定されていて、この捨て板４がテーブル３の上面に真空吸引や電磁吸着等によって取り付けられることにより、該テーブル３上に設置される。
【００２５】
そして、このテーブル３上にはさらに、こうしてテーブル３上に設置された被切断物Ｗに対して該テーブル３の往復動方向Ｔにおける延長上（図１では左側）に、この被切断物Ｗと該往復動方向Ｔに間隔をあけてドレッサ５が設置されていて、本実施形態のドレッシング装置を構成している。
【００２６】
このドレッサ５は、例えば砥粒径が＃１０００〜＃３０００の範囲のＷＡ系、ＧＣ系、Ｃ系のうちいずれか一種または複数種の砥粒を、結合度ＧまたはＨグレード程度のガラス質系のビトリファイドボンドで結合したスティック状のものである。また、その厚さ（図１における上下方向の寸法）は被切断物Ｗより厚くされている。このようなドレッサ５は、固定台６を介してテーブル３上面から被切断物Ｗと略同程度の高さに設置される。
【００２７】
なお、図１において符号７で示すのは切断装置の制御盤やモニター類であり、また切断ブレード１の上側はカバー８によって覆われている。さらに、回転軸２は、このカバー８や切断ブレード１ごと、その軸線方向（図１の図面に垂直な方向）と上下方向とに移動可能とされている。また、切断ブレード１による切り込み時には、切り込み部分にクーラントが供給可能とされる。
【００２８】
次に、このようなドレッシング装置を備えた切断装置により、被切断物Ｗである上記ＧＭＲ基盤を切断し、さらにこうして被切断物Ｗを切断した後に切断ブレード１をドレッシングする場合の本発明のドレッシング方法の一実施形態について説明するが、本実施形態ではまずこの被切断物Ｗの切断工程に先立って、切断ブレード１にツルーイングと予めドレッシングを施す。
【００２９】
すなわち、被切断物Ｗの切断加工を行う前に、切断ブレード１は、上述のようにフランジを介して回転軸２に取り付けられてその軸線回りに回転させられつつテーブル３上面から所定の高さに位置決めされ、テーブル３を移動させることによってまず最初に小さな切り込み量で上記ドレッサ５に外周縁部が切り込まれることにより、回転軸２の軸線に対する径方向の振れ量が取り除かれて、この外周縁が回転軸２の軸線を中心とした円周となるように真円出しと呼ばれるツルーイングが施される。
【００３０】
次いで、こうしてツルーイングされた切断ブレード１は、さらに大きな切り込み量でドレッサ５に切り込まれることにより、その側面（円環面）において砥粒層表面の金属めっき相または金属結合相が除去されて砥粒（ダイヤモンド超砥粒）が目出しされ、切断加工前のドレッシングが施される。なお、本実施形態のように被切断物ＷがＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックのような硬脆材料よりなるＧＭＲ基盤である場合には、切断後に生じるチッピング（マイクロクラック）を極力少なくすることが望まれており、このためこのドレッシングの際の切り込み量は、被切断物Ｗへの切断ブレード１の切り込み量よりも大きくされるのが望ましい。
【００３１】
そして、このようにツルーイングとドレッシングが施された切断ブレード１は、その外周縁の下端縁が捨て板４の上面よりも僅かに下側に位置するように位置決めされて回転されつつ、テーブル３を往復動方向Ｔに上記所定のストロークで往復動させて被切断物Ｗに対して相対的に送りが与えられることにより、上記ワックスを越えて捨て板４の上面に達するように該被切断物Ｗに切り込まれ、これにより被切断物Ｗはその厚さの全体に亙って切断ブレード１によって切断される。
【００３２】
ここで、この被切断物Ｗの切断工程におけるテーブル３の往復動のストロークは、被切断物Ｗの往復動方向Ｔの長さよりは勿論、捨て板４の往復動方向Ｔの長さよりも大きくされ、切断ブレード１がこれら被切断物Ｗおよび捨て板４から抜けきったところで、テーブル３の往・復が逆になる。さらに、この往・復が逆転する往復動のストローク端では、往・復のそれぞれで回転軸２がその軸線方向に所定のピッチで移動させられ、これにより被切断物Ｗは、このピッチと略等しい幅を有して往復動方向Ｔに延びる短冊状のチップに切断されてゆく。
【００３３】
なお、本実施形態の被切断物ＷであるＧＭＲ基盤は、特にＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックのような硬脆材料である場合には上述のようなドレッサ５と比べて硬度が高くて結晶組織も緻密である一方、切断工程前のツルーイングおよびドレッシングが施された直後の切断ブレード１では、目出しされたそのダイヤモンド超砥粒が鋭利になっていて被切断物Ｗのチッピングが大きくなるおそれがある。このため、被切断物Ｗを最初に切断するときには、その後の連続した被切断物Ｗの往復動および回転軸２の移動による切断よりも送り速度を低くして被切断物Ｗを切断することにより、切断ブレード１のいわゆる目慣らしをするのが望ましい。
【００３４】
そして、このように切断ブレード１が被切断物Ｗを順次切断してゆくことにより、被切断物Ｗとの接触による砥粒（ダイヤモンド超砥粒）の摩耗や上記ワックス等の接着剤および捨て板４の素材の付着などにより切断抵抗が高まって切断ブレード１の切れ味が低下したときに、上記構成のドレッシング装置による本実施形態のドレッシング方法により、切断ブレード１に対してドレッシングを施す。
【００３５】
ここで、この切断ブレード１に対してドレッシングを施すタイミングは、例えば上記回転軸２の回転駆動力を測定しておいて、切断抵抗の高まりによりこの回転駆動力が所定の値を超えたときとしたりしてもよいが、本実施形態のドレッシング方法では、切断ブレード１による切断総距離が所定の距離に達したときとしている。なお、切断ブレード１による被切断物Ｗの切断工程と切断ブレード１のドレッシング工程との移行は、切断装置またはドレッシング装置に備えられたコンピュータのプログラミングにより自動的に行われるようにしてもよい。
【００３６】
すなわち、本実施形態では、このように切断ブレード１による被切断物Ｗの切断総距離が所定の距離に達したときには、被切断物Ｗの切断が一旦中断され、切断ブレード１がフランジを介して回転軸２に取り付けられて回転させられた状態のまま、テーブル３が切断時の上記ストロークを越えて移動させられて、上記往復動方向Ｔにおいて切断ブレード１に対向する位置に配置され、さらに回転軸２の上下動により切断ブレード１の外周縁の下端縁が固定台６の上面より上側でドレッサ５に切り込まれる高さになるように位置決めされる。
【００３７】
次いで、こうして位置決めされた切断ブレード１に、ドレッサ５に対して相対的に送りと切り込みが与えられるように、本実施形態ではテーブル３を切断ブレード１に向けて移動させて、ドレッサ５に溝が形成されるように切断ブレード１を切り込ませてドレッシングを行う。そして、このドレッシングが終了したなら、切断ブレード１が次に被切断物Ｗを切断する位置に位置決めされるように回転軸２およびテーブル３を移動させて、上記と同様に次の切断総距離が所定の距離に達するまで被切断物Ｗの切断を行ってゆく。
【００３８】
従って、このようなドレッシング装置、およびこれを用いたドレッシング方法では、特許文献１、２のように被切断物Ｗの切断中に常に切断ブレード１がドレッサにも切り込まれてドレッシングされた状態となることがなく、所定の切断総距離を切断して切れ味が鈍ったところで切断ブレード１がドレッシングされて切れ味が回復させられるので、切断加工精度は維持しつつ、切断ブレード１がドレッシングにより必要以上に摩耗してしまうのを防ぐことができる。
【００３９】
例えば、図２および図３は、本実施形態のように被切断物の切断中に定期的に切断ブレードにドレッシングを施した場合（図２）と、特許文献１、２のように切断ブレードを常時ドレッシングしながら被切断物の切断加工を行った場合（図３）とで、ドレッシング毎の切断ブレードの半径方向の摩耗量とその累積の摩耗量とを測定したものであるが、これらの図に示されるように、累積の摩耗量すなわち実際の切断ブレードの摩耗は、常時ドレッシングを実施した場合の方が定期ドレッシングを実施した場合に比べ、カットライン数が増えるに従い著しく大きくなっている。
【００４０】
なお、このときの条件は、被切断物がＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックよりなる幅８０ｍｍ、長さ８０ｍｍ、厚さ１ｍｍのＧＭＲ基盤、切断ブレードは８／２０μｍのダイヤモンド砥粒をＮｉめっき相中に集中度１００で分散した外径１００ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍの電鋳ブレード、ドレッサは砥粒径＃１０００のＷＡ系砥粒を結合度Ｇのビトリファイド系ガラス質ボンド材に集中度１５０で結合した、本実施形態では長さ３０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ１０ｍｍのスティック状のものであり、また常時ドレッシングの場合は被切断物と同じ幅および長さで厚さを５ｍｍとしたものを被切断物上面に接着した。さらにブレード回転数は６０００ｒｐｍ、送り速度は１００ｍｍ／ｍｉｎであって、本実施形態のドレッサへの切り込み量は被切断物への切り込み量よりも大きくした。
【００４１】
また、本実施形態のドレッシング方法およびドレッシング装置では、ドレッサ５は被切断物Ｗに対して間隔をあけて配置されていて、被切断物Ｗにドレッサ５を接合するような必要もないため、接合のための接着剤がドレッシングされた切断ブレード１に付着して却って切れ味が鈍ったりすることもなく、さらに被切断物Ｗの切断されたチップから接着されたドレッサを剥離するような後処理作業が必要となることもない。しかも、切断ブレード１は、被切断物Ｗの切断加工時と同じ回転軸２に取り付けられたままドレッサ５に切り込まれてドレッシングされるため、切断加工前にツルーイングで取り除かれた径方向の振れがドレッシング後に大きくなるようなこともない。
【００４２】
このため、被切断物Ｗが上述したＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックのような硬脆材料よりなるＧＭＲ基盤であっても、切断ブレード１の鋭い切れ味は維持して精度の高い切断を施すことにより、切断加工後の被切断物Ｗのチップにおいて高い直進性や平行度を確保することができるとともにチッピングの発生を抑えることができて、チップの高精度化、高品位化を図ることができる。その一方で、切断ブレード１においては長寿命化により安定した切断加工が可能となり、後処理作業等も簡略化されることから、効率的な被切断物Ｗの切断加工を促して基盤製造のコストダウンを図ることが可能となる。
【００４３】
ここで、切断ブレード１をドレッシングする際のドレッサ５に対する切断ブレード１の相対的な送りの速度は、被切断物Ｗの切断の際の相対的送り速度（本実施形態では、いずれもテーブル３の移動速度）と同じであったり、場合によっては大きかったりしてもよいが、例えば被切断物Ｗの切断の際の相対的送り速度が１５０ｍｍ／分である場合に図４に示すようにドレッシングの際の送り速度が２００ｍｍ／分と大きすぎると、ドレッシングの際の送り速度が１００ｍｍ／分の場合と比べて、被切断物Ｗに発生する大きなチッピングの個数が多くなってしまう（なお、この図４の結果は、送り速度以外は上記と同じ条件による。）。このため、このドレッシングの際のドレッサ５に対する切断ブレード１の送り速度は、振れ取りが行われていない場合は被切断物Ｗの切断の際の被切断物Ｗに対する切断ブレード１の送り速度よりも小さくするのが望ましい。ただし、真円が得られた後は切断加工時よりも小さくもしくは同じ送り速度で行う。
【００４４】
ただし、このドレッシングの際のドレッサ５に対する切断ブレード１の送り速度が、被切断物Ｗの切断の際の送り速度に対して小さすぎると、切断ブレード１が確実にドレッシングされずに切れ味を十分に回復することができなくなるおそれが生じる。このため、このドレッシングの際の送り速度は切断時の送り速度の３０％以上とされるのが望ましい。
【００４５】
また、このドレッシングの際の切断ブレード１の回転数（回転軸２の回転数）についても、被切断物Ｗの切断加工時と同じであったり、場合によっては（本発明の参考例の場合には）大きかったりしてもよいが、この切断ブレード１の回転数は使用開始前に振れがある場合、切断加工時よりも小さくすることにより切断ブレードへの必要以上の負荷を与えずに振れを取り除くことができ、真円が得られた後は必要以上に砥粒層が摩耗するのを防ぐことによりさらに確実に切断ブレード１の長寿命化を図ることができる。
【００４６】
ただし、この回転数も、ドレッシングの際の切断ブレード１の回転数が被切断物Ｗの切断加工時の切断ブレード１の回転数より小さすぎると、やはり十分なドレッシングを施すことができなくなるおそれが生じる。例えば、上記条件と同じ条件でブレード回転数を変えてドレッシングを行った場合に、図５に示すようにドレッシングの際のブレード回転数（６０００ｒｐｍ）が被切断物Ｗの切断加工時のブレード回転数と同じの１００％である場合に比べて、ドレッシングの際のブレード回転数が切断加工時の５０％の回転数（３０００ｒｐｍ）であると、十分なドレッシングが行われずに、被切断物Ｗの切断面の倒れ、すなわち切断面の切り込み方向の一端部に対する他端部の後退量または突出量が大きくなって、被切断物Ｗが斜めに切断される傾向が高くなる。このため、ドレッシングの際の回転数は切断時の回転数の５０％以上とされるのが望ましい。
【００４７】
さらに、このドレッシングの際のドレッサ５への切断ブレード１の切り込み量については、これを被切断物Ｗの切断加工時の切り込み量よりも小さくして、切断ブレード１の外周縁部の最外周縁だけがドレッサ５に切り込まれるようにすることにより、例えば切断加工によって切断ブレード１に径方向の振れが生じてしまったりした場合でも、切断加工前のツルーイングと近い条件でドレッシングを施して、振れを取り除くことができる。
【００４８】
一方、これとは逆に、ドレッシングの際のドレッサ５に対する切断ブレード１の切り込み量を、切断の被切断物Ｗに対する切断ブレード１の切り込み量よりも大きくした場合には、上述した切断加工前のドレッシングと同様に被切断物Ｗに切り込まれる部分の砥粒層全体を、切断ブレード１の円環状の側面にも亙ってダイヤモンド超砥粒を目立てして鋭い切れ味を確保することができる。
【００４９】
なお、本実施形態では被切断物Ｗおよびドレッサ５を設置したテーブル３を往復動させてこれら被切断物Ｗおよびドレッサ５に対して切断ブレード１に相対的な送りと切り込みを与えるようにしているが、回転軸２を上記往復動方向Ｔに往復動させて被切断物Ｗおよびドレッサ５に対して送りと切り込みとを与えるようにしてもよく、これら双方を移動させるようにしてもよい。また、ドレッシングを施す際の切断総距離は、例えば１つの被切断物Ｗの全てを所定の大きさの短冊状チップに切断し終えたときの距離に設定されるようにしておけば、その後に切断ブレード１をドレッシングしている間に被切断物Ｗを交換して速やかに次の切断工程に移行することができ、より効率的である。
【符号の説明】
【００５０】
１  切断ブレード
２  回転軸
３  テーブル
４  捨て板
５  ドレッサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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