(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多気筒エンジンの各気筒に設けられた燃料噴射用電磁弁を順次駆動するために，当該電磁弁駆動用の複数の電磁コイルに対する電磁弁駆動制御回路部と，前記電磁コイルに対して急速励磁を行なうための昇圧高電圧Ｖhを生成する昇圧回路部と，マイクロプロセッサ
を主体とする演算制御回路部と，前記マイクロプロセッサと前記電磁弁駆動制御回路部とを中継する噴射制御回路部とを備えた車載エンジン制御装置であって，前記演算制御回路部は前記マイクロプロセッサと協働する低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器と，複数チ
ャンネルの高速Ａ/Ｄ変換器と，昇圧制御回路部とを備え，前記マイクロプロセッサは，
前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器に入力された低速アナログセンサに含まれるエアフローセ
ンサ，又はアクセルポジションセンサ，又は燃料圧センサの少なくとも一部の信号電圧と，開閉センサ群の中の一つであるクランク角センサ及びエンジン回転センサの動作に応動して，前記電磁コイルに対する開弁指令信号INJnの発生時期と開弁指令発生期間Ｔnとを
決定し，前記昇圧回路部は，車載バッテリから昇圧用開閉素子によって断続励磁される誘導素子と，当該誘導素子と直列接続された電流検出抵抗を備えるとともに，当該電流検出抵抗の両端電圧に比例した誘導素子電流Ｉxを前記演算制御回路部に入力し，前記昇圧制
御回路部が発生する昇圧制御信号Ｅxに応動して前記昇圧用開閉素子を開閉制御し，当該
昇圧用開閉素子が開路したときには充電ダイオードを介して前記誘導素子に蓄積された電磁エネルギーが放出して充電される高圧コンデンサを備え，当該高圧コンデンサの両端電圧の分圧電圧を検出昇圧電圧Ｖxとして前記演算制御回路部に入力し，前記高速Ａ/Ｄ変換器には，前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxに比例したアナログ信号電圧が入力され，当該高速Ａ／Ｄ変換器によるデジタル変換データは，それぞれが電流現在値レジスタ及び電圧現在値レジスタに格納され，前記昇圧制御回路部は前記マイクロプロセッサから送信設定される上方電流設定レジスタ及び上方電圧設定レジスタと，当該各設定レジスタの格納数値と前記電流現在値レジスタ及び電圧現在値レジスタの格納数値との大小比較を行う上方電流比較器及び上方電圧比較器と，論理回路部とを備え，前記論理回路部は前記上方電流設定レジスタに格納された目標上方電流Ｉx2の値と，前記昇圧回路部から送信された前記誘導素子電流Ｉxの値を，前記上方電流比較器で比較して，前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを活性化して前記昇圧用開閉素子を閉路駆動するとともに，前記上方電圧設定レジスタに格納された目標上方電圧Ｖx2の値と，前記昇圧回路部から送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記上方電圧比較器で比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖｘ2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子を閉路駆動を可能とし，前記演算制御回路部は，前記マイクロプロセッサによって前記昇圧回路部に対する前記目標上方電流Ｉx2と目標上方電圧Ｖx2の数値設定を行い，前記高速Ａ／Ｄ変換器によって前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxの数値変換を行うデータ処理機能と，前記昇圧制御回路部によって前記数値設定された目標値が前記数値変換された監視現在値と等しくなる関係に負帰還制御を行なうデジタル論理制御機能とに分割して構成されていることを特徴とする車載エンジン制御装置。
【請求項２】
前記昇圧回路部の前記電流検出抵抗は，前記昇圧用開閉素子が閉路されて前記誘導素子が励磁蓄勢されるときと，前記昇圧用開閉素子が開路されて前記高圧コンデンサに電磁エネルギーを放電するときとの充放電電流が流れる位置に接続されているとともに，前記昇圧制御回路部は，更に，下方電流設定レジスタと，当該下方電流設定レジスタの格納数値と前記電流現在値レジスタの格納数値との大小比較を行う下方電流比較器とを備え，前記論理回路部は，前記昇圧用開閉素子が閉路して前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方
電流Ｉx2の値以上となったことによって前記昇圧用開閉素子を開路し，前記誘導素子電流Ｉxの値が前記下方電流設定レジスタに格納された目標下方電流Ｉx1の値以下に下降通過するときに再び前記昇圧制御信号Ｅxを発生し，前記下方電流設定レジスタに格納される前記目標下方電流Ｉx1は，前記マイクロプロセッサから送信された個別設定データ
であるか，又は前記上方電流設定レジスタの設定データを所定倍率で除算して得られる連動設定データであることを特徴とする請求項１に記載の車載エンジン制御装置。
【請求項３】
前記昇圧回路部の前記電流検出抵抗は，少なくとも前記昇圧用開閉素子が閉路されて，前記誘導素子が励磁蓄勢されるときの蓄勢充電電流が流れる位置に接続されているとともに，前記昇圧制御回路部は，更に，加算計時用比較設定レジスタ又は減算計時用の現在値レジスタである時限設定レジスタを有する遮断時間設定タイマを備え，前記論理回路部は，前記昇圧用開閉素子が閉路して前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値
以上となったことによって前記昇圧用開閉素子を開路し，当該昇圧用開閉素子の開路時間が前記時限設定レジスタで設定された遮断時間Ｔoffを経過すると再び前記昇圧制御信号
Ｅxを発生し，前記時限設定レジスタには，前記マイクロプロセッサから送信された遮断
時間Ｔoff又は固定の定数値が格納されていることを特徴とする請求項１に記載の車載エ
ンジン制御装置。
【請求項４】
前記昇圧制御回路部は，更に，下方電圧設定レジスタと，当該下方電圧設定レジスタの格納数値と前記電圧現在値レジスタの格納数値との大小比較を行う下方電圧比較器とを備え，前記論理回路部は，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖx2の値以上であれば前記昇圧制御信号Ｅxを無効にして前記昇圧用開閉素子を開路するとともに，前記下方電圧設定レジスタに格納された目標下方電圧Ｖx1の値と，前記昇圧回路部から送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記下方電圧比較器で比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標下方電圧Ｖｘ1の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子の閉路駆動を可能とし，前記下方電圧設定レジスタには，前記マイクロプロセッサから送信された前記目標下方電圧Ｖｘ1の値である個別設定データが格納されるか，又は前記上方電圧設定レジスタに格納された目標上方電圧Ｖｘ2の値から，所定の差分値を減算した値である連動設定データが格納され，前記差分値は、前記誘導素子の１回の電流遮断によって，前記高圧コンデンサに充電される増分電圧よりも大きな値であるとともに，前記電磁コイルに対する１回の急速励磁にともなう前記高圧コンデンサの放電電圧Ｖx2−Ｖx0未満の値であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の車載エンジン制御装置。
【請求項５】
前記論理回路部は，第一及び第二のフリップフロップ回路と論理積素子とを備え，前記第一のフリップフロップ回路は，前記誘導素子電流Ｉxの値が所定の目標下方電流Ｉｘ1以下になるか，又は前記昇圧用開閉素子の開路時間が所定の遮断時間Ｔoff以上となったことによってセットされ，前記誘導素子電流Ｉxの値が所定の前記目標上方電流Ｉｘ2以上となったことによってリセットされ，前記第二のフリップフロップ回路は前記検出昇圧電圧Ｖxの値が所定の目標下方電圧Ｖｘ1以下になったことによってセットされ，所定の前記目標上方電圧Ｖｘ2以上になったことによってリセットされ，前記論理積素子は前記第一及び第二のフリップフロップ回路のセット出力が共に論理「１」であるときに前記昇圧制御信号Ｅxを有効にして，前記昇圧用開閉素子を閉路駆動することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の車載エンジン制御装置。
【請求項６】
前記電磁弁駆動制御回路部は，交互に燃料噴射が行われる第一グループの前記電磁コイルと第二グループの前記電磁コイルとを，ループ別に前記車載バッテリに接続する第一及び第二の低圧開閉素子と，前記昇圧回路部の出力に接続する第一及び第二の高圧開閉素子と，前記電磁コイルに対して個別に接続された複数の選択開閉素子とを含む給電制御用開閉素子，及び前記第一及び第二グループの電磁コイルに対して直列接続された第一及び第二の電流検出抵抗を備え，前記噴射制御回路部は、前記開弁指令信号INJnと，前記第一及び第二の電流検出抵抗による電流検出信号Ｖexに応動して，前記第一及び第二の高圧開閉素子に対する第一及び第二の高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32と，前記第一及び第二の低圧開閉素子に対する第一及び第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32と，前記選択開閉素
子に対する選択開閉指令信号ＣＣ1〜ＣＣ4によって構成された開閉指令信号Ｄrjを発生し，前記電流検出信号Ｖexは，前記高速Ａ/Ｄ変換器によってデジタル変換された電流検出信号Ｄexとして前記噴射制御回路部に入力され，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器は逐次変換型の低速動作のＡ/Ｄ変換器であるのに対し，前記高速Ａ/Ｄ変換器はデルタ・シグマ型Ａ/Ｄ変換器が使用されており，前記演算制御回路部は，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器と前記高速Ａ/Ｄ変換器と前記昇圧制御回路部と前記噴射制御回路部の全体を含む，１チップ又は２チップの集積回路素子として構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の車載エンジン制御装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の車載エンジン制御装置を用いた制御方法であって，前記昇圧制御回路部は，前記昇圧回路部の高圧コンデンサの充電電圧が、前記開弁指令信号INJnが発生してから，前記電磁コイルに対する急速励磁によって最小電圧Ｖx0に低下し，再充電によって目標上方電圧Ｖx2に達するまでの充電所要時間Ｔcを昇圧期間測定タイマで測定するか，又は，前記目標上方電圧Ｖx2に達してから，次回の開弁指令信号INJnが発生するまでの充電余裕時間Ｔbを待機時間測定タイマで測定し、前記マイクロプロセッサと協働するプログラムメモリは電流低減調整手段となる制御プログラムを包含し，前記電流低減調整手段は，前回測定された前記昇圧期間測定タイマで測定した充電所要時間Ｔcと，次回の開弁指令信号INJnが発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsとの偏差Ｔs−Ｔcによって今回の充電余裕時間Ｔbを算出するか，又は，前記待機時間測定タイマによって測定した前回の充電余裕時間Ｔbを読み出して，今回の燃料噴射間隔Ｔsに対応した今回の充電余裕時間Ｔbを算出し，今回の充電余裕時間Ｔbが所定値以上であれば，上方電流設定レジスタに送信する目標上方電流Ｉｘ2の値を低減補正し，今回の充電余裕時間Ｔbが所定値未満であれば目標上方電流Ｉｘ2の値を増量補正しながら，抑制目標上方電流Ｉx20によって前記高圧コンデンサの充電を行うことを特徴とする車載エンジン制御方法。
【請求項８】
前記昇圧期間測定タイマは，前記マイクロプロセッサが発生する開弁指令信号INJnの立上り信号を論理和したものであるリセット指令信号RSTによって計時現在値がリセットされ，前記充電所要時間Ｔcは，前記リセット完了直後から前記高圧コンデンサの充電電圧が目標上方電圧Ｖx2に到達するまでの時間が測定され、また、前記マイクロプロセッサにより、前回の開弁指令信号INJnが発生してから今回の開弁指令信号INJnが発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsを一つの開弁サイクルとしたときに，前記昇圧期間測定タイマによる前回の開弁サイクルにおける充電所要時間Ｔcが今回の開弁指令信号INJnを発生する前に読み出され，今回の開弁サイクルでは前記電流低減調整手段によって補正された目標上方電流Ｉｘ2に基づいて前記高圧コンデンサに対する充電が行われ，得られた昇圧高電圧Ｖhは次回の開弁サイクルにおける燃料噴射で活用されることを特徴とする請求項７に記載の車載エンジン制御方法。
【請求項９】
前記待機時間測定タイマは，前記高圧コンデンサの充電電圧が前記目標上方電圧Ｖｘ2
に上昇するまでの時点でリセットされ，前記目標上方電圧Ｖx2に到達してから，前記電磁コイルに対する急速給電によって充電電圧が所定閾値以下に低下して再充電を必要とする時点までの時間，又は前記マイクロプロセッサが次回の開弁指令信号INJnを発生するまでの時間である充電休止時間を測定するものであり，前記所定閾値は前記充電休止時間における前記高圧コンデンサの自然放電による電圧降下よりも大きな差分値を，前記目標上方電圧Ｖｘ2から減じた目標下方電圧Ｖx1となっており，前記マイクロプロセッサにより、前回の開弁指令信号INJnが発生してから今回の開弁指令信号が発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsを一つの開弁サイクルとしたときに，前記待機時間測定タイマによって測定された前回の開弁サイクルにおける充電余裕時間Ｔbを今回の開弁指令信号INJnを発生する前に読み出して，今回の開弁サイクルでは電流低減調整手段によって補正された目標上方電流Ｉｘ2に基づいて前記高圧コンデンサに対する充電が行われ，得られた昇圧高電圧Ｖhは次回の開弁サイクルにおける燃料噴射で活用されることを特徴とする請求項７に記載の車載エンジン制御方法。
【請求項１０】
前記マイクロプロセッサと協働するプログラムメモリは電流急増指令手段となる制御プログラムを包含し，前記電流急増指令手段は，低速アナログセンサ群の中の一つのアナログセンサであるアクセルポジションセンサによるアクセルペダルの踏込み度合と，開閉センサ群の中の一つの開閉センサであるエンジン回転センサの信号間隔とに応動して，エンジン回転速度が急増して燃料噴射間隔の急減が予測された場合，又は，一つの燃料噴射期間において複数回の分割噴射を行うために燃料噴射間隔の急減が予測された場合に実行されて，前記目標上方電流Ｉｘ2を急増設定する手段であり，前記急増設定される目標上方
電流の値は，少なくとも定格上方電流Ｉｘ3又は加増上方電流Ｉｘ4の２種類の設定値を選択することが可能であって，前記定格上方電流Ｉｘ3は前記車載バッテリの電圧が低くて高速エンジン回転である場合であっても，次回の急速励磁時期までには前記高圧コンデンサの充電が完了していることを目標とした設定電流であって，前記抑制目標上方電流Ｉｘ20は当該定格上方電流Ｉx3以下の値であるのに対し，前記加増上方電流Ｉｘ4は前記分割噴射が行われるときに適用され，前記定格上方電流Ｉｘ3よりも大きな短時間定格の設定電流であることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の車載エンジン制御方法。
【請求項１１】
前記噴射制御回路部は急速励磁期間測定タイマ又は急速励磁電流のピークホールド回路の少なくとも一方を備えるとともに，前記マイクロプロセッサと協働するプログラムメモリは昇圧高電圧補正指令手段となる制御プログラムを包含し，前記急速励磁期間測定タイマは前記昇圧回路部と第一又は第二の前記電磁コイルとの間に接続された第一又は第二の高圧開閉素子が閉路駆動されてから，前記電磁コイルに対する励磁電流Ｉexが目標とする設定遮断電流Ｉａに到達するまでの実測到達時間Ｔａを測定し，前記ピークホールド回路は前記励磁電流Ｉexが前記設定遮断電流Ｉａに到達したことによって前記第一又は第二の高圧開閉素子に開路指令が与えられ，当該第一又は第二の高圧開閉素子の開路応答遅れによって過渡的にオーバシュートしてから減衰開始する過程の実測ピーク電流Ｉpを測定記憶し，前記昇圧高電圧補正指令手段は，前記実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0よりも短いとき，又は前記実測ピーク電流Ｉpが所定の目標制限ピーク電流Ｉp0よりも大きいときに前記目標上方電圧Ｖx2の値を所定限度内で下方修正し，前記実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0よりも長いときに前記目標上方電圧Ｖx2の値を所定限度内で上方修正することを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の車載エンジン制御方法。
【請求項１２】
前記マイクロプロセッサと協働するプログラムメモリは，開弁期間調整手段となる制御プログラムを包含し，前記開弁期間調整手段は，前記昇圧高電圧補正指令手段による目標上方電圧Ｖｘ2の増減補正限度内において前記実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0となるように調整できない場合に適用され，前記急速励磁電流の立上りが遅いときには前記開弁指令信号INJnの発生期間である開弁指令発生期間Ｔnを延長補正し，前記急速励磁電流の立上りが早いときには前記開弁指令発生期間Ｔnを短縮補正して，目標とする開弁期間が得られる関係に補正することを特徴とする請求項１１に記載の車載エンジン制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は，内燃機関の燃料噴射用電磁弁を高速駆動するために，車載バッテリから昇圧された高電圧を発生する昇圧回路部を用いて電磁弁駆動用の電磁コイルを急速励磁し，その後，車載バッテリの電圧によって開弁保持制御を行なうようにした車載エンジン制御装置，特に，昇圧高電圧を得るための改良された昇圧回路部を有する車載エンジン制御装置及びその制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多気筒エンジンの各気筒に設けられて燃料噴射用電磁弁を駆動するための複数の電磁コイルに対し，クランク角センサに応動するマイクロプロセッサによって開弁指令信号を順次発生し，開弁時期と開弁期間を順次選択設定するとともに，電磁弁駆動制御回路部によって急速励磁制御と開弁保持制御を行なって，電磁弁の急速開弁と開弁保持を行う車載エンジン制御装置がある。この車載エンジン制御装置において，電磁弁の高速開弁能力を決定する昇圧回路部が発生する昇圧高電圧の値を燃料圧力に応動して可変調整したり，昇圧回路部に設けられた誘導素子に対する断続駆動電流の値をエンジン回転速度やバッテリ電圧に応動して可変調整したり，電磁コイルに印加される実際の電圧が所定の高電圧となるように昇圧回路部の出力電圧を自動調整したり，電磁コイルに流れるピーク電流が所定の目標電流となるように昇圧高電圧を自動調整したりすることは公知である。これ等の公知例においては，燃料噴射用電磁コイルに対する励磁電流の検出，昇圧回路部の昇圧電圧の検出，或いは昇圧用誘導素子の駆動電流の検出が行われて，目標とする急速励磁制御と開弁保持制御が行われるようになっている。
【０００３】
例えば，下記の特許文献１「燃料噴射弁制御装置」の図１によれば，マイクロコンピュータ12は燃料噴射用の電磁ソレノイドINJ1・INJnに流れる急速励磁期間におけるピーク電流Ｉpを電流検出抵抗Ｒ10によって検出し，目標のピーク電流Ｉp0との偏差に応じてＭＯＳトランジスタＭＮ1の通電デューティを調整し，昇圧用インダクタンスＬ1（昇圧用誘導素子）の電流を断続してコンデンサＣ1を充電するとともに，コンデンサＣ1の両端電圧の分圧電圧Ｖ1をマイクロコンピュータ12で監視して，目標ピーク電流Ｉp0を得るための所定の目標電圧が得られるように通電デューティを調整するようになっていて，低回転領域から高回転領域のエンジン回転速度において適切な燃料噴射を確実に行うことができるとしている。この事例においては，電磁ソレノイド（電磁コイル）の励磁電流は電流検出抵抗によって検出されてマイクロコンピュータに入力され，昇圧高電圧は分圧抵抗によって分圧されてマイクロコンピュータに入力されているが，昇圧用誘導素子に対する駆動電流は検出されていない。
【０００４】
また，下記の特許文献２「昇圧電源装置」の図１によれば，電源電圧ＶＢが供給されるコイル2とトランジスタ3と電流検出抵抗4との直列回路において，トランジスタ3には充電ダイオード6とコンデンサ5との直列回路が並列接続されていて，電流検出抵抗4にはトランジスタ3が閉路したときのコイル2に対する駆動電流Ｉsと，トランジスタ3が開路したときにコイル2からコンデンサ5に流れる充電電流Ｉcが流れるようになっており，昇圧電源装置１は駆動電流Ｉsが上側電流閾値ｉＨまで増加するとトランジスタ3を開路し，充電電流Ｉcが下側閾値電流ｉＬまで減少するとトランジスタを閉路するようになっているとともに，電源電圧又はエンジン回転速度が低下すると上側電流閾値ｉＨを下げ，下側閾値電流ｉＬを上げることによって駆動電流Ｉsの増加範囲を縮小して，昇圧電源装置の温度上昇を抑制するようになっている。この事例においては，電磁ソレノイド（電磁コイル）の励磁電流の検出については論及されていないが，昇圧用誘導素子であるコイル2の電流と昇圧高電圧の検出が行われていて，いずれもアナログ比較回路に対する入力信号として扱われていて，マイクロコンピュータ17は閾値切替回路15，51におけるレジスタ28・29，54・55（図２又は図１１参照）に対して設定閾値を数値書込みするようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１６３６２５号公報（図１，図２，要約，及び段落［００３４］，［００３５］）
【特許文献２】特開２０１０−０４１８００号公報（図１，図２，図１１，及び要約）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
（１）従来技術の課題
前記特許文献１による燃料噴射弁制御装置は，図２のタイムチャートと，これに対する説明記事を参照すると明らかなとおり，電磁ソレノイドに対する励磁電流は高電圧印加用のトランジスタＱ1が閉路している時刻ｔ0〜ｔ1の間でピーク値を通過して減衰を開始しており，励磁電流の変化が緩やかであって，特にピーク点近傍においては測定タイミングに誤差があっても，変化勾配が僅少であるためピーク電流の検出誤差が発生しにくい特性のものとなっている。これは，電磁ソレノイドの抵抗値が大きく，励磁電流の増大に伴ってコンデンサの残留電圧と電磁ソレノイドにおける電圧降下との差分電圧が減少しているためである。しかし，ピーク値が同じであってもピーク値の到達時間に誤差があれば燃料噴射特性は変動する問題がある。このため，電磁ソレノイドの抵抗値が小さくして，励磁電流をより急速上昇させ，励磁電流が所定の設定遮断電流に到達したことによって高電圧印加用のトランジスタＱ1を開路すれば，目標とする設定遮断電流に到達する時間が短縮され，その変動誤差も減少する利点があるが，急峻に変化する励磁電流は低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器によって検出することが困難となる背景がある。
【０００７】
一方，特許文献１では，昇圧用誘導素子を断続励磁するトランジスタＭＮ1はマイクロコンピュータ12が発生する可変デューティのＰＷＭ信号によって開閉駆動されており，昇圧用誘導素子に流れる電流は，同じオン・オフ比率であっても電源電圧の変動や温度による誘導素子抵抗の変動によって変化し，オン・オフ比率が一定であっても昇圧高電圧が変動して，燃料噴射特性が変動する問題がある。また，エンジン回転速度が低く十分な充電余裕時間がある場合には，オン・オフ比率を下げてＰＷＭ信号の周波数を増加させるのが有効であるが，特許文献１による燃料噴射弁制御装置では誘導素子の駆動電流が検出されていないので，これが困難となり，誘導素子の温度上昇を抑制することができない問題点がある。
【０００８】
次に，特許文献２による「昇圧電源装置」は，アナログ比較回路を用いたハードロジックで構成されており，このためマイクロコンピュータは高周波で増減変動する誘導素子2の電流を読取る必要がなく，単に上側電流閾値ｉＨと下側電流閾値ｉＬの数値設定を行えばよい利点がある。また，段落［００５０］の記載によれば，充電制御回路16はコンデンサ5の充電電圧ＶＣをモニタして，これが目標高電圧に達していないときにアンド回路13を介してトランジスタ3の開閉動作を許可するようになっている。従って，昇圧高電圧のモニタ信号をマイクロコンピュータ17に入力しない構成となっていて，昇圧高電圧の値は充電制御回路16で設定された所定の一定値に固定され，可変調整することはできない構成となっている。従って，電磁ソレノイドの温度変動に対応して燃料噴射特性が変動する問題がある。
【０００９】
一方，特許文献２では，電源電圧又はエンジン回転速度が低下すると上側電流閾値ｉＨを下げ，下側閾値電流ｉＬを上げることによって駆動電流Ｉsの増加範囲を縮小して，昇圧電源装置の温度上昇を抑制しようとしているが，駆動電流の大きさは電源電圧のみならず，誘導素子の温度による抵抗変化の影響も重要変動要素であり，単に電源電圧とエンジン回転速度による例えば二元マップを用いて，駆動電流Ｉsの増加範囲を設定することには問題がある。例えば低温始動時には誘導素子の抵抗が小さいので駆動電流の増加時間が短くなり，コンデンサに対する複数回の充電完了に要する時間が短縮されて，次回の燃料噴射までの余裕時間が長くなるが，長時間の高速運転中にあっては抵抗値の増大によって余裕時間が短くなる。従って，電源電圧とエンジン回転速度と誘導素子の温度（抵抗）に基づいて駆動電流の増加範囲を変更しなければ誘導素子の発熱を効果的に抑制することができない問題がある。また，図11で示されたように無段階で増加範囲の設定を行うとしても，どのようにして駆動電流Ｉsの増加範囲を決定するかが困難であり，もしも昇圧高電圧を可変設定しようとすると，その困難性はさらに増加することになる。
【００１０】
（２）発明の目的
この発明の第一の目的は，安定した燃料噴射特性が得られ，しかも昇圧用誘導素子の温度上昇を抑制することができるとともに，昇圧用誘導素子の駆動電流の目標値と高圧コンデンサの充電電圧である昇圧高電圧の目標値が容易に可変設定することができ，しかもマイクロプロセッサに高速制御負担を与えないようにした昇圧回路部を有する車載エンジン制御装置を提供することである。この発明の第二の目的は，実働運転環境に応動して昇圧用誘導素子の駆動電流をなるべく小さくして温度上昇を抑制し，しかも次回の燃料噴射を行うまでには確実に目標とする昇圧高電圧が得られるようにする車載エンジン制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明による車載エンジン制御装置は，多気筒エンジンの各気筒に設けられた燃料噴射用電磁弁を順次駆動するために，当該電磁弁駆動用の複数の電磁コイルに対する電磁弁駆動制御回路部と，前記電磁コイルに対して急速励磁を行なうための昇圧高電圧Ｖhを生成する昇圧回路部と，マイクロプロセッサを主体とする演算制御回路部と，前記マイクロプロセッサと前記電磁弁駆動制御回路部とを中継する噴射制御回路部とを備えた車載エンジン制御装置であって，前記演算制御回路部は前記マイクロプロセッサと協働する低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器と，複数チャンネルの高速Ａ/Ｄ変換器と，昇圧制御回路部とを備え，前記マイクロプロセッサは，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器に入力された低速アナログセンサに含まれるエアフローセンサ，又はアクセルポジションセンサ，又は燃料圧センサの少なくとも一部の信号電圧と，開閉センサ群の中の一つであるクランク角センサ及びエンジン回転センサの動作に応動して，前記電磁コイルに対する開弁指令信号INJnの発生時期と開弁指令発生期間Ｔnとを決定し，前記昇圧回路部は，車載バッテリから昇圧用開閉素子によって断続励磁される誘導素子と，当該誘導素子と直列接続された電流検出抵抗を備えるとともに，当該電流検出抵抗の両端電圧に比例した誘導素子電流Ｉxを前記演算制御回路部に入力し，前記昇圧制御回路部が発生する昇圧制御信号Ｅxに応動して前記昇圧用開閉素子を開閉制御し，当該昇圧用開閉素子が開路したときには充電ダイオードを介して前記誘導素子に蓄積された電磁エネルギーが放出して充電される高圧コンデンサを備え，当該高圧コンデンサの両端電圧の分圧電圧を検出昇圧電圧Ｖxとして前記演算制御回路部に入力し，前記高速Ａ/Ｄ変換器には，前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxに比例したアナログ信号電圧が入力され，当該高速Ａ／Ｄ変換器によるデジタル変換データは，それぞれが電流現在値レジスタ及び電圧現在値レジスタに格納され，前記昇圧制御回路部は前記マイクロプロセッサから送信設定される上方電流設定レジスタ及び上方電圧設定レジスタと，当該各設定レジスタの格納数値と前記電流現在値レジスタ及び電圧現在値レジスタの格納数値との大小比較を行う上方電流比較器及び上方電圧比較器と，論理回路部とを備え，前記論理回路部は前記上方電流設定レジスタに格納された目標上方電流Ｉx2の値と，前記昇圧回路部から送信された前記誘導素子電流Ｉxの値を，前記上方電流比較器で比較して，前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを活性化して前記昇圧用開閉素子を閉路駆動するとともに，前記上方電圧設定レジスタに格納された目標上方電圧Ｖx2の値と，前記昇圧回路部から送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記上方電圧比較器で比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖｘ2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子を閉路駆動を可能とし，前記演算制御回路部は，前記マイクロプロセッサによって前記昇圧回路部に対する前記目標上方電流Ｉx2と目標上方電圧Ｖx2の数値設定を行い，前記高速Ａ／Ｄ変換器によって前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxの数値変換を行��データ処理機能と，前記昇圧制御回路部によって前記数値設定された目標値が前記数値変換された監視現在値と等しくなる関係に負帰還制御を行なうデジタル論理制御機能とに分割して構成されている。
【００１２】
また，この発明による車載エンジン制御方法は、前項に記載の車載エンジン制御装置を用いた制御方法であって，前記昇圧制御回路部は，前記昇圧回路部の高圧コンデンサの充電電圧が、前記開弁指令信号INJnが発生してから，前記電磁コイルに対する急速励磁によって最小電圧Ｖx0に低下し，再充電によって目標上方電圧Ｖx2に達するまでの充電所要時間Ｔcを昇圧期間測定タイマで測定するか，又は，前記目標上方電圧Ｖx2に達してから，次回の開弁指令信号INJnが発生するまでの充電余裕時間Ｔbを待機時間測定タイマで測定し、前記マイクロプロセッサと協働するプログラムメモリは電流低減調整手段となる制御プログラムを包含し，前記電流低減調整手段は，前回測定された前記昇圧期間測定タイマで測定した充電所要時間Ｔcと，次回の開弁指令信号INJnが発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsとの偏差Ｔs−Ｔcによって今回の充電余裕時間Ｔbを算出するか，又は，前記待機時間測定タイマによって測定した前回の充電余裕時間Ｔbを読み出して，今回の燃料噴射間隔Ｔsに対応した今回の充電余裕時間Ｔbを算出し，今回の充電余裕時間Ｔbが所定値以上であれば，前記上方電流設定レジスタに送信する目標上方電流Ｉｘ2の値を低減補正し，今回の充電余裕時間Ｔbが所定値未満であれば目標上方電流Ｉｘ2の値を増量補正しながら，抑制目標上方電流Ｉx20によって前記高圧コンデンサの充電を行うものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明による車載エンジン制御装置は，複数の燃料噴射用の電磁コイルに対する電磁弁駆動制御回路部と噴射制御回路部と昇圧回路部と演算制御回路部とによって構成され，演算制御回路部はマイクロプロセッサと協働する低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器と複数チャンネルの高速Ａ/Ｄ変換器と，昇圧制御回路部とを備えるとともに，昇圧制御回路部は複数の数値比較器と，論理回路部とを備えていて，演算制御回路部は，昇圧回路部における昇圧用の誘導素子に対する目標給電電流と，昇圧充電される高圧コンデンサの目標昇圧電圧に対する数値設定と，誘導素子電流と検出昇圧電圧の数値変換を行うデータ処理機能と，数値設定された目標値が数値変換された監視現在値と等しくなるように負帰還制御を行なう論理制御機能とに分割して構成されている。従って，マイクロプロセッサは設定レジスタを用いて手軽に制御定数となる設定データを調整することができ，昇圧制御回路部は高頻度に開閉動作を行う昇圧用開閉素子の開閉制御を行なって，マイクロプロセッサの高速制御負担を軽減するとともに，昇圧高電圧を調整して燃料噴射制御の制御精度を向上し，目標とする昇圧高電圧に適した誘導素子電流の調整を行って，所定の期間内に可変一定の昇圧高電圧が得られるよう制御することができる効果がある。
【００１４】
また，この発明による車載エンジン制御方法は，燃料噴射用電磁コイルに対する急速励磁後に高圧コンデンサが再充電完了して，次回の急速励磁を行なうまでの充電余裕時間を測定し，今回の充電余裕時間の多寡に応動して誘導素子に対する目標上方電流を増減調整するようになっている。従って，エンジン回転速度が低くて前回の燃料噴射から次回の燃料噴射までの燃料噴射間隔Ｔsが長い場合には，高圧コンデンサを急いで充電する必要がないので，目標上方電流を抑制して昇圧回路部で発生する電力損失を抑制し，回路部品の温度上昇を低減することができる効果がある。なお，高圧コンデンサの充電所要時間Ｔcは車載バッテリの電源電圧に反比例して増減変動するとともに，誘導素子の温度によっても変動し，燃料噴射間隔Ｔsはエンジン回転速度に反比例して変動するので，充電所要時
間Ｔc又は充電余裕時間Ｔbを学習情報として測定することによって，正確な目標上方電流の設定が行えるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施の形態１に係る車載エンジン制御装置の全体回路ブロック図である。
【図２】図１のものの部分制御回路の詳細ブロック図である。
【図３】図１のものの昇圧制御回路部の詳細ブロック図である。
【図４】図１のものの動作説明用のタイムチャートである。
【図５】図１のもののマイクロプロセッサの動作説明用のフローチャートである。
【図６】図１のものの噴射制御回路部の動作説明用のフローチャートである。
【図７】この発明の実施の形態２に係る車載エンジン制御装置の全体回路ブロック図である。
【図８】図７のものの部分制御回路の詳細ブロック図である。
【図９】図７のものの昇圧制御回路部の詳細ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１．
（１）構成の詳細な説明
以下この発明の実施の形態１の装置の全体回路ブロック図を示す図１について説明する。図１において，車載エンジン制御装置100Aは後述の昇圧制御回路部210Aや噴射制御回路部170とともに，１チップ又は２チップの集積回路素子として構成された演算制御回路部110Aと，燃料噴射用電磁弁108に設けられた後述の電磁コイル81〜84に対する電磁弁駆動制御回路部180と，電磁コイル81〜84を急速励磁するための高圧電源となる昇圧回路部200Aを主体として構成されている。まず，車載エンジン制御装置100Aの外部に接続されているものとして，車載バッテリ101は車載エンジン制御装置100Aに対してバッテリ電圧Ｖbを直接供給するとともに，制御電源スイッチ102を介して車載エンジン制御装置100Aに対して主電源電圧Ｖbaを供給するようになっている。制御電源スイッチ102は図示しない電源スイッチが閉路したことによって閉路し，当該電源スイッチが開路したことによって所定の遅れ時間をおいて開路する主電源リレーの出力接点となっている。制御電源スイッチ102が開路しているときには，車載バッテリ101から直接給電されたバッテリ電圧Ｖbによって，後述のＲＡＭメモリ112の記憶状態を維持するようになっている。
【００１７】
車載バッテリ101はまた，負荷電源スイッチ107を介して車載エンジン制御装置100Aに対して負荷駆動電圧Ｖbbを供給するようになっており，負荷電源スイッチ107はマイクロプロセッサ111からの指令によって付勢される負荷電源リレーの出力接点となっている。開閉センサ群103は例えばエンジン回転速度を検出するための回転センサ，燃料噴射タイミングを決定するためのクランク角センサ，車速を検出するための車速センサなどの開閉センサであったり，アクセルペダルスイッチ，ブレーキペダルスイッチ，サイドブレーキスイッチ，変速機のシフトレバー位置を検出するシフトスイッチなどの手動操作スイッチを包含している。低速アナログセンサ群104はアクセルペダルの踏込み度合を検出するアクセルポジションセンサ，吸気スロットルの弁開度を検出するスロットルポジションセンサ，エンジンに対する吸気量を検出するエアフローセンサ，噴射用燃料の燃料圧力センサ，排気ガスの酸素濃度を検出する排気ガスセンサ，エンジンの冷却水温センサ
（水冷エンジンの場合）などのエンジンの駆動制御を行なうためのアナログセンサによって構成されていて，これ等のアナログセンサは変化速度が比較的緩慢な低速変化のアナログセンサとなっている。
【００１８】
アナログセンサ群105は例えばエンジンの圧縮・爆発振動を検出するためのノックセンサであり，このノックセンサは車載エンジンがガソリンエンジンである場合には点火時期の調整を行うためのセンサとして使用されるものである。車載エンジン制御装置100Aによって駆動される電気負荷群106は，例えば点火コイル（ガソリンエンジンの場合），吸気弁開度制御用モータなどの主機類や，排気ガスセンサ用のヒータ，負荷給電用の電源リレー，エアコン駆動用の電磁クラッチ，警報・表示機器などの補機類の電気負荷によって構成されている。また，電気負荷群の中の特定の電気負荷である電磁コイル81〜84は燃料噴射用電磁弁108を駆動するためのものであり，複数の電磁コイル81〜84は各気筒毎に設けられた後述の選択開閉素子によって順次切換接続されて多気筒エンジンの各気筒に対して燃料噴射を行うようになっている。
【００１９】
なお，直列４気筒エンジンの場合であれば，気筒配列順序１〜４に対応して設けられた電磁コイル81〜84は外側配置された気筒１・４に対する電磁コイル81・84が第一グループとなり，内側配置された気筒３・２に対する電磁コイル83・82が第二グループとなって，燃料噴射順序は例えば電磁コイル81→電磁コイル83→電磁コイル84→電磁コイル82→電磁コイル81の順で循環し，第一グループの電磁コイル81・84と第二グループの電磁コイル83・82は交互に燃料噴射を行って車体振動を軽減するようになっている。直列６気筒エンジンや直列８気筒エンジンの場合でも，分割された第一及び第二グループの電磁コイルは交互に燃料噴射を行うことによって，車体振動を軽減するとともに，同一グループ内の電磁コイルに対する開弁指令信号は時間的に重なり合わないようにすることができるようになっている。
【００２０】
次に，車載エンジン制御装置100Aの内部構成として，演算制御回路部110Aはマイクロプロセッサ111と演算処理用のＲＡＭメモリ112，例えばフラッシュメモリである不揮発性のプログラムメモリ113A，例えば逐次変換形で16チャンネルのアナログ入力信号をデジタル変換する低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器114a，当該多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aによるデジタル変換データが格納され，マイクロプロセッサ111とバス接続されているバッファメモリ114b，例えばデルタ・シグマ形で６チャンネルのアナログ入力信号をデジタル変換する高速Ａ/Ｄ変換器115，当該高速Ａ/Ｄ変換器115によるデジタル変換データが格納されマイクロプロセッサ111に接続された後述の昇圧制御回路部210Aによって構成されている。なお，プログラムメモリ113Aはブロック単位で電気的に一括消去が可能であって，一部のブロックは不揮発データメモリとして使用され，ＲＡＭメモリ112内の重要データが格納保存されるようになっている。
【００２１】
定電圧電源120は車載バッテリ101から制御電源スイッチ102を介して給電されて，例えばＤＣ５Ｖの制御電源電圧Ｖccを発生して演算制御回路部110Aに給電するとともに，車載バッテリ101から直接給電されてＲＡＭメモリ112内のデータを記憶保持するための例えばＤＣ２．８Ｖのバックアップ電源を生成するようになっている。開閉入力インタフェース回路130は開閉センサ群103と演算制御回路部110Aのデジタル入力ポートDINとの間に接続されて，電圧レベルの変換やノイズ抑制処理を行うものであり，開閉入力インタフェース回路130は主電源電圧Ｖbaから給電されて動作するようになっている。低速アナログ入力インタフェース回路140は低速アナログセンサ群104と演算制御回路部110Aのアナログ入力ポートAINLとの間に接続されて，電圧レベルの変換やノイズ抑制処理を行うものであり，低速アナログ入力インタフェース回路140は制御電源電圧Ｖccを電源として動作するようになっている。
【００２２】
高速アナログ入力インタフェース回路150はアナログセンサ群105と演算制御回路部110Aのアナログ入力ポートAINHとの間に接続されて，電圧レベルの変換やノイズ抑制処理を行うものであり，高速アナログ入力インタフェース回路150は制御電源電圧Ｖccを電源として動作するようになっている。なお，高速変化のアナログセンサ群105を使用しない用途にあっては，高速アナログ入力インタフェース回路150は不要であるが，高速Ａ/Ｄ変換器115は後述するとおり重要な役割を持っている。出力インタフェース回路160は，演算制御回路部110Aが発生する負荷駆動指令信号Ｄriに応動して，特定の電気負荷である電磁コイル81〜84を除外した電気負荷群106を駆動する複数のパワートランジスタであり,電気負荷群106は図示しない負荷電源リレーの出力接点を介して車載バッテリ101から給電されるようになっている。
【００２３】
車載バッテリ101から負荷電源スイッチ107を介して負荷駆動電圧Ｖbbが給電される昇圧回路部200Aは後述する構成によって例えばＤＣ７２Ｖの昇圧高電圧Ｖｈを発生するものである。複数の電磁コイル81〜84が接続される後述の電磁弁駆動制御回路部180には，昇圧高電圧Ｖhと負荷電源電圧Ｖbbとが印加され，噴射制御回路部170から開閉指令信号Ｄrjを受けて開閉動作する給電制御用開閉素子と，電磁コイル81〜84に対する電流検出抵抗を備え，励磁電流に比例した信号電圧である電流検出信号Ｖexを噴射制御回路部170又は高速Ａ/Ｄ変換器115に入力するようになっている。なお，後述する噴射制御回路部170がアナログ比較回路を用いた形式の場合には電流検出信号Ｖexは噴射制御回路部170へ入力され，デジタル比較回路を用いた形式の場合には電流検出信号Ｖexは高速Ａ/Ｄ変換器115を介してデジタル変換されてから，電流検出信号Ｄexとして噴射制御回路部170へ入力されるようになっている。
【００２４】
次に，図１のものの部分制御回路の詳細ブロック図である図２について説明する。図２において，昇圧回路部200Aは互いに直列接続されて負荷電源電圧Ｖbbが印加される電流検出抵抗201Aと誘導素子202と充電ダイオード203と高圧コンデンサ204，及び誘導素子202とグランド回路との間に接続された昇圧用開閉素子206とが主回路として構成されており，昇圧用開閉素子206が閉路して誘導素子202に流れる電流が所定値以上になると昇圧用開閉素子206が開路し，誘導素子206に蓄積されていた電磁エネルギーが充電ダイオード203を介して高圧コンデンサ204に放出され，昇圧用開閉素子206を複数回断続することによって高圧コンデンサ204の充電電圧である昇圧高電圧Ｖhが目標とする所定電圧まで上昇するように構成されている。
【００２５】
なお，電流検出抵抗201Aは昇圧用開閉素子206が閉路して誘導素子202が給電付勢されているときの駆動電流と，昇圧用開閉素子206が開路して誘導素子202から高圧コンデンサ204へ電磁エネルギーを放出しているときのコンデンサ充電電流の両方の電流が流れる位置に接続されていて，電流検出抵抗201Aの両端電圧は差動増幅器205によって増幅され，誘導素子電流Ｉxとして高速Ａ/Ｄ変換器115に入力されている。また，高圧コンデンサ204の両端電圧は分圧抵抗208・209によって分圧され，検出昇圧電圧Ｖxとして高速Ａ/Ｄ変換器115の他の入力チャンネルに入力されている。後述する昇圧制御回路部210Aは高速Ａ/Ｄ変換器115によってデジタル変換された誘導素子電流Ｉx及び検出昇圧電圧Ｖxの値に応動して昇圧制御信号Ｅxを発生し，駆動抵抗207を介して昇圧用開閉素子206を開閉駆動するようになっている。
【００２６】
電磁弁駆動制御回路部180は，第一グループの電磁コイル81・84の共通端子COM14に負荷電源電圧Ｖbbを印加するための第一の低圧開閉素子185aと第一の逆流阻止ダイオード187aとの直列回路と，昇圧高電圧Ｖhを印加するための第一の高圧開閉素子186aと，電磁コイル81・84の下流側にそれぞれ個別に設けられた選択開閉素子181・184と，選択開閉素子181・184の下流側に共通して設けられた第一の電流検出抵抗188aと，電磁コイル81・84と選択開閉素子181・184と第一の電流検出抵抗188aとの直列回路にして並列接続された転流ダイオード189aによって構成されている。また，第二グループの電磁コイル83・82に対しても同様に，第二の低圧開閉素子185bと第二の逆流阻止ダイオード187b，第二の高圧開閉素子186b，選択開閉素子182・183と第二の電流検出抵抗188b，第二の転流ダイオード189bとが接続されている。なお，選択開閉素子181〜184は電磁コイル81〜84の励磁電流を遮断したときに発生するサージ電圧を吸収するための電圧制限機能を包含するものとなっている。
【００２７】
演算制御回路部110Aと協働する噴射制御回路部170は，開閉指令信号Ｄrjとして第一の高圧開閉指令信号Ａ14を発生して第一の高圧開閉素子186aを閉路駆動し，第一の低圧開閉指令信号Ｂ14を発生して第一の低圧開閉素子185aを閉路駆動し，選択開閉指令信号CC1・CC4を発生して選択開閉素子181・184を閉路駆動するようになっている。同様に，第二の高圧開閉指令信号Ａ32を発生して第二の高圧開閉素子186bを閉路駆動し，第二の低圧開閉指令信号Ｂ32を発生して第二の低圧開閉素子185bを閉路駆動し，選択開閉指令信号CC3・CC2を発生して選択開閉素子183・182を閉路駆動するようになっている。また，第一及び第二の電流検出抵抗188a・188bの両端電圧である電流検出信号Ｄ14・Ｄ32は，図示しない入力フィルタ回路と第一及び第二の差動増幅器を介して２チャンネルの電流検出信号電圧Ｖexを発生し，噴射制御回路部170又は高速Ａ/Ｄ変換器115に入力されるようになっている。
【００２８】
次に，図１のものの昇圧制御回路部の詳細ブロック図である図３について説明する。図３において，昇圧制御回路部210Aは高速Ａ/Ｄ変換器115によってデジタル変換された誘導素子電流Ｉxの現在値が格納される電流現在値レジスタ211aと，検出昇圧電圧Ｖxの現在値が格納される電圧現在値レジスタ211bを備えるとともに，マイクロプロセッサ111によって目標下方電流Iｘ1が設定される下方電流設定レジスタ213aと，目標上方電流Iｘ2が設定される上方電流設定レジスタ215aと，下方電流設定レジスタ213aの格納数値と電流現在値レジスタ211aの現在値とを比較する下方電流比較器212aと，上方電流設定レジスタ215aの格納数値と電流現在値レジスタ211aの現在値とを比較する上方電流比較器214aを備えている。また，マイクロプロセッサ111によって目標下方電圧Ｖｘ1が設定される下方電圧設定レジスタ213bと，目標上方電圧Ｖｘ2が設定される上方電圧設定レジスタ215bと，下方電圧設定レジスタ213bの格納数値と電圧現在値レジスタ211bの現在値とを比較する下方電圧比較器212bと，上方電圧設定レジスタ215bの格納数値と電圧現在値レジスタ211bの現在値とを比較する上方電圧比較器214bとを備えている。
【００２９】
第一のフリップフロップ回路216aは，下方電流比較器212aの出力によってセットされ，上方電流比較器214aの出力によってリセットされるようになっており，第二のフリップフロップ回路216bは，下方電圧比較器212bの出力によってセットされ，上方電圧比較器214bによってリセットされるようになっている。論理積素子217aは第一のフリップフロップ回路216aのセット出力と，第二のフリップフロップ回路216bのセット出力とが共に論理レベル「Ｈ」であるときに昇圧制御信号Ｅxの論理レベルが「Ｈ」となり，図２の駆動抵抗207を介して昇圧用開閉素子206を閉路駆動するようになっている。従って，検出昇圧電圧Ｖxの値が一旦目標上方電圧Ｖｘ2以上の値になると，目標下方電圧Ｖｘ1以下になるまでは第二のフリップフロップ回路216bのセット出力は論理レベル「Ｌ」となって，昇圧制御信号Ｅxの発生を禁止し，検出昇圧電圧Ｖxの値が一旦目標下方電圧Ｖｘ1以下の値になると，目標上方電圧Ｖｘ2以上になるまでは第二のフリップフロップ回路216bのセット出力は論理レベル「Ｈ」となって，昇圧制御信号Ｅxの発生を許可するようになっている。
【００３０】
一方，誘導素子電流Ｉxの値が目標下方電流Iｘ1以下であれば，目標上方電流Iｘ2以上となるまでは第一のフリップフロップ回路216aの出力は論理レベル「Ｈ」となって，昇圧制御信号Ｅxの発生が可能となっており，実際に昇圧制御信号Ｅxの論理レベルが「Ｈ」になるかどうかは第二のフリップフロップ回路216bの状態によって決定される。また，誘導素子電流Ｉxの値が，目標上方電流Iｘ2以上になると，目標下方電流Iｘ1以下になるまでは第一のフリップフロップ回路216aの出力は論理レベル「Ｌ」となって昇圧制御信号Ｅxの発生は停止されるようになっている。なお，下方電流設定レジスタ213aに格納される目標下方電流Iｘ1の値は，マイクロプロセッサ111から直接設定する替わりに，例えば目標上方電流Iｘ2の１/４（又は１/２）の値を用いることにすれば，下方電流設定レジスタ213aは不要となる。この場合には，下方電流比較器212aは上方電流設定レジスタ215aに格納されているバイナリデータを下方へ２ビット（又は１ビット）だけシフトしたデータと電流現在値レジスタ211aの格納データとを比較するようにすればよい。
【００３１】
また，下方電圧設定レジスタ213bに格納される目標下方電圧Ｖｘ1の値は，マイクロプロセッサ111から直接設定する替わりに，例えば目標上方電圧ＶIｘ2から２ビット（又は１ビット）分の差分値を減算した値を用いることにすれば，下方電圧設定レジスタ213bは不要となる。この場合には上方電圧設定レジスタ215bの下位２ビット（又は下位１ビット）は常に論理「１」となる設定をしておけば，下方電圧比較器212bは上方電圧設定レジスタ215bの下位２ビット（又は下位１ビット）の論理を「０」に置き換えて電圧現在値レジスタ211bの格納データとを比較するようにすればよい。なお，目標上方電圧Ｖｘ2と目標下方電圧Ｖｘ1との適正な差分値は微小であるが，少なくとも誘導素子202の電磁エネルギーによる一回分の昇圧電圧よりは大きな値であるとともに，電磁コイル81〜84に対する１回の急速励磁によって，高圧コンデンサ204の充電電圧が最小電圧Ｖx0まで低下するとした場合に，目標下方電圧Ｖｘ1は最小電圧Ｖx0以上の値となっておればよい。
【００３２】
昇圧期間測定タイマ220Aは第二のフリップフロップ回路216bのセット出力の論理レベルが「Ｈ」となって，昇圧用開閉素子206の開閉制御によって高圧コンデンサ204に対する充電が行われている期間において論理レベル「Ｈ」となる計時指令信号STAに応動して高圧コンデンサ204に対する充電時間を測定するものであって，この昇圧期間測定タイマ220Aは，マイクロプロセッサが発生する開弁指令信号INJ81〜INJ84のそれぞれの立上り微分信号を論理和して得られるリセット指令信号RSTによって初期化されている。また，マイクロプロセッサ111には，計時指令信号STAと昇圧期間測定タイマ220Aの現在値が送信されていて，マイクロプロセッサ111は計時指令信号STAによって高圧コンデンサ204の充電が完了しているかどうかをモニタすることができるようになっている。但し，マイクロプロセッサ111は次回の開弁指令信号INJ81〜INJ84を発生する直前に昇圧期間測定タイマ220Aの現在値である充電所要時間Ｔcを読み出すようにすれば，計時指令信号STAをモニタする必要はない。
【００３３】
また，高圧コンデンサ204の充電電圧が目標上方電圧Ｖｘ2に達してから，次回の急速励磁が行われるまでの待機期間において，高圧コンデンサ204が内外の漏電抵抗によって自然放電して若干の電圧降下が発生しても，このときの残留充電電圧よりも目標下方電圧Ｖｘ1が小さくなるように設定しておけば，次回の急速励磁までに高圧コンデンサ204の再充電が開始することはない。従って，急速励磁の開始によって充電電圧が目標下方電圧Ｖｘ1以下になれば直ちに充電開始するようにしておいて，充電開始直後に昇圧期間測定タイマ220Aを一旦初期化しておくようにすればマイクロプロセッサ111によるリセット指令信号ＲＳＴを用いなくても，実質的には開弁指令信号INJ81〜INJ84の発生と同期して計時開始を行うことができることになる。
【００３４】
（２）作用・動作の詳細な説明
以下，図１のとおり構成されたこの発明の第一実施例装置において，図４で示す動作説明用のタイムチャートと図５・図６で示す動作説明用のフローチャートに基づいて作用・動作を詳細に説明する。まず，図１において，図示しない電源スイッチが閉路されると，主電源リレーの出力接点である制御電源スイッチ102が閉路して，車載エンジン制御装置100Aに主電源電圧Ｖbaが印加される。その結果，定電圧電源120が例えばＤＣ５Ｖの制御電源電圧Ｖccを発生してマイクロプロセッサ111が制御動作を開始する。マイクロプロセッサ111は開閉センサ群103と低速アナログセンサ群104と高速変化のアナログセンサ群105の動作状態と，不揮発性のプログラムメモリ113Aに格納された制御プログラムの内容に応動して負荷電源リレーを付勢して負荷電源スイッチ107を閉路すると共に，電気負荷群106に対する負荷駆動指令信号Ｄriを発生し，電気負荷群106の中の特定の電気負荷である電磁コイル81〜84に対しては噴射制御回路部170を介して開閉指令信号Ｄrjを発生する。一方，昇圧回路部200Aは図２で示す昇圧用開閉素子206が断続動作することによって高圧コンデンサ204を高圧充電する。
【００３５】
次に，図１のものの動作説明用のタイムチャートである図４について説明する。図４（Ａ）は，マイクロプロセッサ111が順次発生する開弁指令信号INJn（ｎ＝81〜84）の論理波形を示しており，この波形は燃料噴射の対象となった気筒の上死点前時刻ｔ0において論理レベル「Ｈ」となって開弁指令が発生し，開弁指令発生期間Ｔnが経過した時刻ｔ4において論理レベル「Ｌ」となって開弁指令が解除されるようになっているが，エンジン回転速度の逆数に対応した燃料噴射間隔Ｔsが経過すると，次回の開弁指令信号INJnが発生するようになっている。なお，開弁指令発生期間Ｔnはエアフローセンサによって検出された吸気管の吸気量（gr/sec）に比例し，エンジン回転速度（rps)と開弁時の供給燃料の平均流速（gr/sec)に反比例した値であって，供給燃料の燃料圧力が大きいほど平均流速は大きくなる。図４（Ｂ）は，高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32の論理波形であり，例えば開弁指令信号INJ81又はINJ84が発生すると，時刻ｔ0から後述の時刻ｔ1の期間において高圧開閉指令信号Ａ14が論理レベル「Ｈ」となって，第一の高圧開閉素子186aが閉路する。また，開弁指令信号INJ83・INJ82が発生した場合であれば高圧開閉指令信号Ａ32が論理レベル「Ｈ」となって，第二の高圧開閉素子186bが閉路する。
【００３６】
図４（Ｃ）は，低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32の論理波形であり，例えば開弁指令信号INJ81又はINJ84が発生すると，後述の時刻ｔ3から時刻ｔ4の期間において第一の低圧開閉指令信号Ｂ14の論理レベルは交互に「Ｈ」又は「Ｌ」となって，第一の低圧開閉素子185aが開閉動作を行う。また，開弁指令信号INJ83又はINJ82が発生した場合であれば，第二の低圧開閉指令信号Ｂ32の論理レベルは交互に「Ｈ」又は「Ｌ」となって，第二の低圧開閉素子185bが開閉動作を行う。なお，昇圧回路部200Aの異常によって昇圧高電圧Ｖhが得られない場合の異常事態においては，点線401で示したとおり低圧開閉指令信号B14・B32が発生して，第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bによって開弁動作が行われ，開弁所要時間が長くなった分だけ開弁指令発生期間Ｔnを延長するようになっている。昇圧回路部200Aが正常動作しているときには，点線401期間で低圧開閉素子185a・185bを閉路しておいてもよい。
【００３７】
図４（Ｄ）は，選択開閉指令信号ＣＣ1〜ＣＣ4の論理波形であり，開弁指令信号INJ81〜INJ84のいずれかが発生すると選択開閉指令信号ＣＣ1〜ＣＣ4のいずれかが論理レベル「Ｈ」となり，選択開閉素子181〜184のいずれかが閉路する。なお，後述する時刻ｔ2から時刻ｔ3において，点線波形402で示すとおり選択開閉指令信号ＣＣ1〜ＣＣ4の論理レベルを「Ｌ」にすることによって，励磁電流の急速減衰を行うことができる。図４（Ｅ）は，選択開閉素子181〜184によって電磁コイル81〜84の励磁電流が遮断されたときに発生するサージ電圧の波形であり，このサージ電圧の大きさは選択開閉素子181〜184内の電圧制限ダイオードによって制限されている。なお，点線波形403は点線波形402に対応したサージ電圧波形であり，実線波形404は時刻ｔ4において開弁指令信号INJnが解除されたときに発生するサージ電圧波形である。
【００３８】
図４（Ｆ）は，電磁コイル81〜84のいずれかの励磁電流Ｉexの波形を示したものであり，例えば開弁指令信号INJ81が発生して，図４（Ｂ）と図４（Ｄ）で説明したとおり第一の高圧開閉素子186aと選択開閉素子181とが閉路すると，電磁コイル81に対して昇圧高電圧Ｖhによる急速励磁が行われ，励磁電流Ｉexが急上昇して時刻ｔ1において設定遮断電流Ｉaに到達すると，高圧開閉指令信号Ａ14の論理レベルが「Ｌ」となって，第一の高圧開閉素子186aの駆動が停止される。しかし，開閉素子となるトランジスタには開路応答遅れ時間があり，特に高圧開閉素子が電界効果形トランジスタである場合には応答遅れ時間が大きく，しかも温度によって変化する特性がある。このため，高圧開閉素子を駆動停止しても励磁電流Ｉexは上昇を続け，オーバシュートによるピーク電流Ｉpに至ってから減衰を始めることになる。なお，励磁電流Ｉexの上昇特性は電磁コイルの温度変化による抵抗値の変動の影響を受け，励磁電流が急上昇していた場合であれば，同じ開路応答時間であってもオーバシュートによるピーク電流Ｉpは大きくなることになる。
【００３９】
このオーバシュート電流は噴射制御回路部170に設けられた後述のピークホールド回路172によって実測ピーク電流Ｉpとして監視記憶され，マイクロプロセッサ111はこの監視記憶値を読み出して，図５で後述する昇圧高電圧補正指令手段505によって昇圧高電圧Ｖhの値を調整し，実測ピーク電流Ｉpが所定の目標制限ピーク電流Ｉp0となるよう制御するようになっている。高圧開閉素子が開路したことによって励磁電流Ｉexは第一又は第二の転流ダイオード189a・189bに還流してが減衰し，やがて設定減衰電流Ｉb以下になると，時刻ｔ２から時刻ｔ3において点線402で示すとおり選択開閉素子が開路されて急速減衰するようになっている。時刻ｔ3から時刻ｔ4の間は開弁保持制御期間であり，励磁電流が設定上昇反転保持電流Ｉd以下に下降すると第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bが閉路して反転上昇し，励磁電流が設定下降反転保持電流Ｉc以上に上昇すると第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bが開路して反転下降し，設定下降反転保持電流Ｉcと設定上昇反転保持電流Ｉdとの中間平均電流が開弁保持電流Ｉhとなっている。
【００４０】
図４（Ｇ）は，噴射制御回路部170に設けられた後述の急速励磁期間測定タイマ171によって計測される実測到達時間Ｔaの計時期間帯を示しており，実測到達時間Ｔaは電磁コイル81〜84のいずれかに対する高圧給電が開始してから，励磁電流Ｉexが設定遮断電流Ｉaに到達するまでの時間である。マイクロプロセッサ111は実測到達時間Ｔaを読み出して，所定の目標到達時間Ｔa0との偏差を算出し，図５で後述する昇圧高電圧補正指令手段505によって昇圧高電圧Ｖhの値を調整し，実測到達時間Ｔaをが目標到達時間Ｔa0と等しくなるように制御するようになっている。なお，昇圧高電圧Ｖhの調整を行っただけでは，所定の目標制限ピーク電流Ｉp0や目標到達時間Ｔa0が得られない場合には，図５で後述する開弁期間調整手段504によって開弁指令発生期間Ｔnが調整されるようになっている。
【００４１】
図４（Ｈ）は，高圧コンデンサ204の充電電圧である昇圧高電圧Ｖhの変化特性を示したものであり，時刻ｔ0において高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32が発生して，電磁コイル81〜84に対する急速励磁が開始すると，昇圧高電圧Ｖhは目標下方電圧Ｖx1に接近した初期値状態から急速に減少し，高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32が解除される時刻ｔ1において，最小電圧Ｖx0の値まで下降することになる。その後，休止時間をおいて時刻ｔ2から高圧コンデンサ204に対する充電を再開した場合には，実線特性406で示すとおり充電電圧が上昇し，時刻ｔ5において目標上方電圧Ｖｘ2に到達するようになっている。但し，高圧コンデンサ204に対する充電開始は，時刻ｔ0において急速励磁が開始して，検出昇圧電圧Ｖxが目標下方電圧Ｖｘ1以下となったことによって再開することも可能であり，この場合には一点鎖線特性407で示されたように充電電圧が変遷し，時刻ｔ5よりは休止時間ｔ2−ｔ1だけ早く目標上方電圧Ｖｘ2に到達するようになっている。なお，充電開始時刻ｔ2から充電完了時刻ｔ5に至る時間は実際の充電所要時間Ｔcであり，時刻ｔ5から次回の開弁指令信号INJnが発生する時刻ｔ6までの時間は充電余裕時間Ｔbとなっている。
【００４２】
しかし，充電所要時間Ｔcは便宜上，時刻ｔ0から時刻ｔ5までの時間を測定するようにしてもよく，図３で示された昇圧期間測定タイマ220Aは時刻ｔ0から時刻ｔ5までの時間を測定するようになっている。また，図４（Ｈ）で示されたバッテリ電圧の最小値Ｖbminから最大値Ｖｂmaxの値は，昇圧高電圧Ｖhの最小値である最小電圧Ｖｘ0よりも小さな値であって，バッテリ電圧が変動しても目標上方電圧Ｖｘ2と目標下方電圧Ｖｘ1や最小電圧Ｖｘ0が変動することはないが，充電所要時間Ｔcはバッテリ電圧の大きさによって大幅に変動することになる。
【００４３】
次に，図１のものの動作説明用のフローチャートである図５について説明する。図５において，工程500はマイクロプロセッサ111が燃料噴射制御動作を開始するステップであり，マイクロプロセッサ111は当該開始ステップから後述の工程510である動作終了ステップまで移行して，他の制御プログラムを実行し，再び工程500へ復帰して以降の工程を繰返し実行するものであるが，その繰返し周期はエンジンの最大回転速度における燃料噴射間隔よりも速い周期となっている。続く工程501は開閉センサ群103の中の一つのセンサであるクランク角センサによって検出されたエンジンのピストン位置に応動して，開弁指令信号INJn（ｎ＝81〜84）を発生する時期であるかどうかを判定し，発生時期であればＹＥＳの判定を行って工程502aへ移行し，発生時期でなければＮＯの判定を行って工程504aへ移行する判定ステップである。工程502aでは図６で後述する急速励磁期間測定タイマ171によって測定された実測到達時間Ｔａ（図４・Ｇ参照）を読出し，続く工程502bでは図６で後述するピークホールド回路172によって測定された実測ピーク電流Ｉp（図４・Ｆ参照）を読み出して工程502cへ移行する。
【００４４】
工程502cでは図３の昇圧期間測定タイマ220A（又は図９の待機時間測定タイマ220B）で測定された，図４（Ｈ）の充電所要時間Ｔc（又は充電余裕時間Ｔb）を読み出して工程503aへ移行する。工程503aでは開閉センサ群103の中の一つのセンサであるエンジン回転センサによって検出されるエンジン回転速度と，低速アナログセンサ群104の中の一つのセンサであるエアフローセンサと燃料圧力センサによって検出される吸気量と燃料圧力とに応動して仮決定された開弁指令発生期間Ｔnにおいて開弁指令信号INJnを発生して工程504aへ移行する。なお，図３（又は図９）で示された昇圧制御回路部210A（又は昇圧制御回路部210B）は工程503aで発生した開弁指令信号INJnに応動して，昇圧期間測定タイマ220A（又は待機時間測定タイマ220B）を初期化するが，これを工程503bで表現している。また，噴射制御回路部170は工程503aで発生した開弁指令信号INJnに応動して，後述する図６の工程621・工程622において急速励磁期間測定タイマ171とピークホールド回路172を初期化するが，これを工程503cで表現している。
【００４５】
工程504aは工程503aで読み出された実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0よりも遅れているかどうかを判定し，遅れておればYESの判定を行って工程504bへ移行し，遅れていなければNOの判定を行って工程505aへ移行する判定ステップである。工程504bは工程503aで発生した開弁指令信号INJnの終了タイミングを延長補正してから工程505aへ移行し，工程504aと工程504bによって構成された工程ブロック504は開弁期間調整手段となっている。工程505aは工程502aと工程502bで読み出された実測到達時間Ｔａ・実測ピーク電流Ｉpの値と，所定の目標到達時間Ｔa0・目標制限ピーク電流Iｐ0との偏差に応動して，次回の昇圧高電圧Ｖhを増減補正するかどうかを判定するステップであり，増減要であればYESの判定を行って工程505bへ移行し，増減不要であればNOの判定を行って工程506aへ移行する。工程505bは図３の上方電圧設定レジスタ215bと下方電圧設定レジスタ213bに格納される目標上方電圧Ｖｘ2と目標下方電圧Ｖｘ1の値を補正設定してから工程506aへ移行し，工程505aと工程505bで構成された工程ブロック505は昇圧高電圧補正指令手段となっている。
【００４６】
工程506aは図２の誘導素子202に対する駆動電流を急増させるかどうかの判定ステップであり，例えば開閉センサ群103の中の一つであるギアシフトセンサが低段シフトされ，低速アナログセンサ群104の中の一つであるアクセルポジションセンサが急速踏込みされたような場合，又は分割噴射モードにおける先行噴射の直後の後続噴射が行われる場合などにYESの判定が行われるようになっていて，YESの判定が行われると工程506bへ移行し，NOの判定が行われると工程507aへ移行するようになっている。工程506bでは図３の上方電流設定レジスタ215aに格納される目標上方電流Ｉｘ2の値として，定格上方電流Ｉｘ3又は加増上方電流Ｉｘ4の値を選択設定して動作終了工程510へ移行するようになっている。なお，定格上方電流Ｉｘ3は車載バッテリ101の電圧が低くて高速エンジン回転である場合であっても，次回の急速励磁時期までには前記高圧コンデンサ204の充電が完了していることを目標とした所定の設定電流となっている。また，加増上方電流Ｉｘ4は分割後続噴射が行われるときに適用され，定格上方電流Ｉｘ3よりも大きな短時間定格の設定電流となっている。工程506aと工程506bによって構成された工程ブロック506は電流急増指令手段となっている。
【００４７】
工程507aは工程502cで読み出された前回の充電所要時間Ｔc（前回の開弁指令信号INJnが発生してから高圧コンデンサ204の充電が完了するまでの時間として測定）と，次回の開弁指令信号INJnで予定されている開弁指令発生期間Ｔnとの差分値ΔＴ＝Ｔn−Ｔcが，所定時間範囲であれば適正ＹＥＳ判定を行って動作終了工程510へ移行するが，差分値ΔＴが過大又は過小である場合にはＮＯの判定を行って工程507bへ移行する判定ステップである。なお，工程502cにおいて前回の開弁指令発生期間Ｔnの下で前回の充電余裕時間Ｔbが読み出された場合であれば，前回の充電所要時間はＴｃ＝Ｔn−Ｔbであったことになる。従って，今回予定されている開弁指令発生期間Ｔn’における今回の充電余裕時間Ｔｂ’はＴb’＝Ｔｎ’−Ｔc＝Ｔｂ＋（Ｔｎ’−Ｔｎ）によって算出されることになる。
【００４８】
工程507bは図３の上方電流設定レジスタ215aと下方電流設定レジスタ213aに格納される目標上方電流Ｉｘ2と目標下方電流Ｉｘ1の値を増減補正してから動作終了工程510へ移行するステップであるが，目標下方電流Ｉｘ1は例えば目標上方電流Ｉｘ2の１／４の値として連動設定されるようになっていて，充電余裕時間Ｔbが過小であれば目標上方電流Ｉｘ2を増大させ，充電余裕時間Ｔbが過大であれば目標上方電流Ｉｘ2を減少させるようになっており，工程507a・507bによって構成された工程ブロック507は電流低減調整手段となっている。従って，電流急増指令手段506と電流低減調整手段507によれば，エンジンンの急加速が行なわれたときには，誘導素子202の駆動電流は工程506bによって強制的に定格上方電流Ｉｘ3に設定され，やがて通常車速による巡航運転に移行すると，工程507bによって駆動電流が漸減し，エンジン回転速度とバッテリ電圧や誘導素子の温度条件に見合った学習値である抑制目標上方電流Ｉｘ20によって断続駆動が行われることになる。その結果，昇圧回路部200Aの温度上昇が抑制され，加増上方電流Ｉｘ4による短時間定格の分割噴射を行う余裕が生まれるようになっている。また，開弁期間調整手段504と昇圧高電圧補正指令手段505によれば，実測到達時間Ｔa又は実測ピーク電流Ｉpを監視して，急速励磁特性の変動に対応して開弁指令補正期間Ｔnと目標昇圧電圧の補正を行うようになっている。
【００４９】
次に，図１のものの噴射制御回路部の動作説明用のフローチャートである図６について説明する。なお，噴射制御回路部170はマイクロプロセッサを内蔵しない論理回路で構成されており，ここで説明するフローチャートは論理回路の動作を等価的に説明するものとなっていて，図２の電磁弁駆動制御回路部180が発生する電流検出信号Ｖexはアナログ信号として噴射制御回路部170に入力されている場合について説明する。工程600は噴射制御回路部170の動作開始工程であり，工程600から工程612に至る一連の工程は繰返し実行され，動作終了工程612に続いて直ちに動作開始工程600へ移行するものとなっている。続く工程601aはマイクロプロセッサ111が発生する開弁指令信号INJｎが論理レベル「Ｈ」であるかどうかを判定し，論理レベル「Ｈ」であればＹＥＳの判定を行って工程620へ移行し，論理レベル「Ｌ」であればＮＯの判定を行って工程603dへ移行する判定ステップである。工程620は開弁指令信号INJｎの論理レベルが「Ｌ」から「Ｈ」に変化した直後であるかどうかを判定し，直後であればＹＥＳの判定を行って工程621へ移行し，直後でない次のサイクルであればＮＯの判定を行って工程602へ移行する判定ステップである。工程621は後述の工程605aで起動された急速励磁期間測定タイマ171の現在値をリセットして初期化してから工程622へ移行するステップである。工程622は後述の工程606で起動されたピークホールド回路172の現在値をリセットして初期化してから工程602へ移行するステップである。
【００５０】
工程602は電流検出信号Ｖexによって検出された電磁コイル81〜84の励磁電流Ｉexが設定遮断電流Ｉaにまで上昇した経歴の有無を判定し，未達であればNOの判定を行って工程603aへ移行し，到達経歴があればYESの判定を行って工程605bへ移行する判定ステップである。工程603aは選択開閉指令信号CC1〜CC4のいずれかを発生して，選択開閉素子181〜184のいずれかを閉路駆動してから工程604aへ移行するステップである。工程604aは第一又は第二の高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32を発生して，第一又は第二の高圧開閉素子186a・186bを閉路駆動してから工程605aへ移行するステップである。工程605aは噴射制御回路部170に設けられた急速励磁期間測定タイマ171を起動して，実測到達時間Ｔaの測定を開始してから工程606へ移行するステップである。工程606は噴射制御回路部170に設けられたピークホールド回路172を起動して，励磁電流Ｉexの増加に伴って以前よりも大きな電流を順次記憶する動作を開始してから工程601aへ復帰するステップである。開弁指令信号INJｎの論理レベルが依然として「Ｈ」であって，励磁電流Iexが設定遮断電流Ｉaに到達していなければ，工程601a（判定YES）・工程620（判定NO）・工程602（判定NO）・工程603a〜工程606が繰返して実行され，やがて工程602の判定がYESとなればこの循環ループを脱出して工程605bへ移行し，この時点では励磁電流Iexは設定遮断電流Iaに上昇到達したことになる。
【００５１】
工程605bは工程605aで起動された急速励磁期間測定タイマ171の計時動作を停止するとともに，計時現在値はそのまま保持したままで工程607aへ移行するステップである。工程607aは第一又は第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32を発生して，第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bを閉路駆動してから工程604bへ移行するステップである。工程604bは工程604aで発生した第一又は第二の高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32を停止して，第一又は第二の高圧開閉素子186a・186bを開路指令にしてから工程608へ移行するステップである。工程608は励磁電流Iexが所定の設定減衰電流Ｉbを減少通過したかどうかを判定し，未通過であればNOの判定を行って工程601aへ復帰し，減少通過であればYESの判定を行って工程623へ移行する判定ステップである。開弁指令信号INJｎの論理レベルが依然として「Ｈ」であって，励磁電流Iexが設定減衰電流Ｉbを減少通過していなければ，工程601a（判定YES）・工程620（判定NO）・工程602（判定YES）・工程605b・工程607a・工程604b・工程608が繰返して実行され，やがて工程608の判定がYESとなればこの循環ループを脱出して工程623へ移行し，この時点では励磁電流Iexは設定減衰電流Ibを減少通過したことになる。
【００５２】
工程623はマイクロプロセッサ111に対して，急速励磁期間測定タイマ171によって測定された実測到達時間Ｔaと，ピークホールド回路172によって測定された実測ピーク電流Ipに対する読出し許可信号を発生してから工程603bへ移行するステップであり，マイクロプロセッサ111は低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aを介して実測到達時間Ｔaと実測ピーク電流Ipとを読出しすることになる。但し，これらのデータの読出しを次回の開弁指令信号INJnが発生する直前に行うようにすれば工程623は不要である。工程603bは工程603aで発生した選択開閉指令信号CC1〜CC4のいずれかを停止して，選択開閉素子181〜184の全てを開路してから工程601bへ移行するステップである。工程601bはマイクロプロセッサ111が発生する開弁指令信号INJｎが依然として論理レベル「Ｈ」になっているかどうかを判定し，論理レベル「Ｈ」であればＹＥＳの判定を行って工程607bへ移行し，論理レベル「Ｌ」であればＮＯの判定を行って工程603dへ移行する判定ステップである。工程607bは工程607aで発生した第一又は第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32を停止して，第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bを開路してから工程609へ移行するステップである。工程609は励磁電流Iexが所定の設定下降反転保持電流Ｉcを減少通過したかどうかを判定し，未通過であればNOの判定を行って工程601bへ復帰し，減少通過であればYESの判定を行って工程603cへ移行する判定ステップである。
【００５３】
工程603cは選択開閉指令信号CC1〜CC4のいずれかを発生して，選択開閉素子181〜184のいずれかを閉路駆動してから工程610へ移行するステップである。工程610は励磁電流Iexが所定の設定上昇反転保持電流Ｉdを減少通過したかどうかを判定し，未通過であればNOの判定を行って工程601bへ復帰し，減少通過であればYESの判定を行って工程607cへ移行する判定ステップである。工程607cは第一又は第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32を発生して，第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bを閉路駆動してから工程611へ移行するステップである。工程611は励磁電流Iexが所定の設定下降反転保持電流Ｉcを上昇通過したかどうかを判定し，通過であればYESの判定を行って工程601bへ復帰し，未通過であればNOの判定を行って工程601cへ移行する判定ステップである。工程601cはマイクロプロセッサ111が発生する開弁指令信号INJｎが依然として論理レベル「Ｈ」になっているかどうかを判定し，論理レベル「Ｈ」であればＹＥＳの判定を行って工程607cへ復帰移行し，論理レベル「Ｌ」であればＮＯの判定を行って工程603dへ移行する判定ステップである。
【００５４】
工程603dは工程603a又は工程603cで発生した選択開閉指令信号CC1〜CC4のいずれかを停止して，選択開閉素子181〜184のすべてを開路してから工程604cへ移行するステップである。工程604cは工程604aで発生した第一又は第二の高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32を停止して，第一又は第二の高圧開閉素子186a・186bを開路指令にしてから工程607dへ移行するステップである。工程607dは工程607a又は工程607cで発生した第一又は第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32を停止して，第一又は第二の低圧開閉素子185a・185bを開路してから動作終了工程612へ移行するステップである。以上のとおり構成されたフローチャートについて，図４のタイムチャートと照合しながら全体動作の概要を説明すると，工程603a・604a・605a・606・601a・620・602は時刻ｔ0から時刻ｔ1における急速励磁期間に相等している。また，工程607a・604b・608・601a・620・602・605bは時刻ｔ1から時刻ｔ2における転流減衰期間に相等している。また，工程603b・601b・607b・609は時刻ｔ2から時刻ｔ3における急速減衰期間に相等している。また，工程603c・610・607c・611・601b・607b・609・603cと，工程607c・611・601cは時刻ｔ3から時刻ｔ4における開弁保持期間に相等している。また，工程603d・604c・607dは時刻ｔ4直後の初期化処理期間に相等している。
【００５５】
以上の説明では，図２の電磁弁駆動制御回路部180が発生する電流検出信号Ｖexはアナログ信号として噴射制御回路部170に入力されているものとし，急速励磁期間測定タイマ171は計時開始に伴って漸増するアナログ信号電圧を発生し，ピークホールド回路172は検波整流されて最大値を記憶するコンデンサが使用されてものとして説明した。しかし，電流検出信号Ｖexを高速Ａ/Ｄ変換器115に入力し，そのデジタル変換値を噴射制御回路部170に入力するとともに，急速励磁期間測定タイマ171やピークホールド回路172をデジタル回路方式のものにすることもできる。この場合には，工程602・608・609・610・611における比較処理は，アナログ比較回路からデジタル比較回路に置き換えられ，設定遮断電流Ｉa・設定減衰電流Ib・設定下降反転保持電流Ｉc・設定上昇反転電流Idなどの設定値はマイクロプロセッサ111から送信される図示しない設定レジスタに格納されるようになっている。
【００５６】
（３）実施の形態１の要点と特徴  以上の説明で明らかなとおりこの発明の実施形態１による車載エンジン制御装置は，多気筒エンジンの各気筒に設けられた燃料噴射用電磁弁108を順次駆動するために，当該電磁弁駆動用の複数の電磁コイル81〜84に対する電磁弁駆動制御回路部180と，前記電磁コイル81〜84に対して急速励磁を行なうための昇圧高電圧Ｖhを生成する昇圧回路部200Aと，マイクロプロセッサ111を主体とする演算制御回路部110Aと，前記マイクロプロセッサ111と前記電磁弁駆動制御回路部180とを中継する噴射制御回路部170とを備えた車載エンジン制御装置100Aであって，前記演算制御回路部110Aは前記マイクロプロセッサ111と協働する低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aと，複数チャンネルの高速Ａ/Ｄ変換器115と，昇圧制御回路部210Aとを備え，前記マイクロプロセッサ111は，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aに入力された低速アナログセンサ群104に含まれるエアフローセンサ，又はアクセルポジションセンサ，又は燃料圧センサの少なくとも一部の信号電圧と，開閉センサ群103の中の一つであるクランク角センサ及びエンジン回転センサの動作に応動して，前記電磁コイル81〜84に対する開弁指令信号INJn（ｎ＝81〜84）の発生時期と開弁指令発生期間Ｔnとを決定するようになっている。
【００５７】
前記昇圧回路部200Aは，車載バッテリ101から昇圧用開閉素子206によって断続励磁される誘導素子202と，当該誘導素子と直列接続された電流検出抵抗201Aを備えるとともに，当該電流検出抵抗の両端電圧に比例した誘導素子電流Ｉxを前記演算制御回路部110Aに入力し，前記昇圧制御回路部210Aが発生する昇圧制御信号Ｅxに応動して前記昇圧用開閉素子206を開閉制御し，当該昇圧用開閉素子が開路したときには充電ダイオード203を介して前記誘導素子202に蓄積された電磁エネルギーが放出して充電される高圧コンデンサ204を備え，当該高圧コンデンサ204の両端電圧の分圧電圧を検出昇圧電圧Ｖxとして前記演算制御回路部110Aに入力し，前記高速Ａ/Ｄ変換器115には，前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxに比例したアナログ信号電圧が入力され，当該高速Ａ/Ｄ変換器によるデジタル変換データは，それぞれが電流現在値レジスタ211a及び電圧現在値レジスタ211bに格納される。
【００５８】
前記昇圧制御回路部210Aは前記マイクロプロセッサ111から送信設定される上方電流設定レジスタ215a及び上方電圧設定レジスタ215bと，当該各設定レジスタの格納数値と前記電流現在値レジスタ211a及び電圧現在値レジスタ211bの格納数値との大小比較を行う上方電流比較器214a及び上方電圧比較器214bと，論理回路部219Aとを備え，前記論理回路部219Aは前記上方電流設定レジスタ215aに格納された目標上方電流Ｉx2の値と，前記昇圧回路部200Aから送信された前記誘導素子電流Ｉxの値を，前記上方電流比較器214aで比較して，前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを活性化して前記昇圧用開閉素子206を閉路駆動するとともに，前記上方電圧設定レジスタ215bに格納された目標上方電圧Ｖx2の値と，前記昇圧回路部200Aから送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記上方電圧比較器214bで比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖｘ2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子206を閉路駆動を可能にする。
【００５９】
従って，前記演算制御回路部110Aは，前記マイクロプロセッサ111によって前記昇圧回路部200Aに対する前記目標上方電流Ｉx2と目標上方電圧Ｖx2の数値設定を行い，前記高速Ａ/Ｄ変換器115によって前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxの数値変換を行うデータ処理機能と，前記昇圧制御回路部210Aによって前記数値設定された目標値が前記数値変換された監視現在値と等しくなる関係に負帰還制御を行なうデジタル論理制御機能とに分割して構成されている。
【００６０】
前記昇圧回路部200Aの前記電流検出抵抗201Aは，前記昇圧用開閉素子206が閉路されて前記誘導素子202が励磁蓄勢されるときと，前記昇圧用開閉素子206が開路されて前記高圧コンデンサ204に電磁エネルギーを放電するときとの充放電電流が流れる位置に接続されているとともに，前記昇圧制御回路部210Aは更に，下方電流設定レジスタ213aと，当該設定レジスタの格納数値と前記電流現在値レジスタ211aの格納数値との大小比較を行う下方電流比較器212aとを備え，前記論理回路部219Aは，前記昇圧用開閉素子206が閉路して前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値以上となったことによって前記昇圧用開閉素子206を開路し，前記誘導素子電流Ｉxの値が前記下方電流設定レジスタ213aに格納された目標下方電流Ｉx1の値以下に下降通過するときに再び前記昇圧制御信号Ｅxを発生し，前記下方電流設定レジスタ213aに格納される前記目標下方電流Ｉx1は，前記マイクロプロセッサ111から送信された個別設定データであるか，又は前記上方電流設定レジスタ215aの設定データを所定倍率で除算して得られる連動設定データとなっている。
【００６１】
以上のとおり，この発明の請求項２に関連し，昇圧制御回路部は下方電流設定レジスタと下方電流比較器を備え，誘導素子電流Ｉxが目標上方電流Ｉｘ2を上昇通過すると昇圧用開閉素子が開路し，目標下方電流Ｉｘ1を下降通過すると昇圧用開閉素子を閉路駆動して，誘導素子電流Ｉxを目標下方電流Ｉｘ1から目標上方電流Ｉｘ2の間で制御するようになっている。従って，誘導素子に流れる電流がゼロに減衰するのを待たないで次回の励磁が行われるので，高頻度に誘導素子電流の断続による高圧コンデンサの充電が行えるとともに，誘導素子を構成する磁性材料のヒステリシス損を低減して昇圧制御効率を高めることができる特徴がある。また，目標下方電流Ｉｘ1は目標上方電流Ｉｘ2の１／２又は１／４の値を用いることにすれば，下方電流設定レジスタの値は上方電流設定レジスタの下位１ビット分，又は下位２ビット分を除去した値に相等するので，下方電流設定レジスタを省略して上方電流設定レジスタを兼用することが可能となる特徴がある。なお，目標下方電流Ｉｘ1として目標上方電流Ｉｘ2の１／２又は１／４の値を用いた場合に，高圧コンデンサに対する一回の放電で変換される電磁エネルギーの量は，目標下方電流Ｉｘ1をゼロとした場合に比べて75％又は94％となり，その代わりに高頻度な断続制御を行なうことができるものである。ただし，未変換の25％又は６％の電磁エネルギーが損失となるわけではなく，次回に蓄積される電磁エネルギーの一部として残留しているものである。
【００６２】
前記昇圧制御回路部210Aは更に，下方電圧設定レジスタ213bと，当該設定レジスタの格納数値と前記電圧現在値レジスタ211bの格納数値との大小比較を行う下方電圧比較器212bとを備え，前記論理回路部219Aは，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖx2の値以上であれば前記昇圧制御信号Ｅxを無効にして前記昇圧用開閉素子206を開路するとともに，前記下方電圧設定レジスタ213bに格納された目標下方電圧Ｖx1の値と，前記昇圧回路部200Aから送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記下方電圧比較器212bで比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標下方電圧Ｖｘ1の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子206の閉路駆動を可能とし，前記下方電圧設定レジスタ213bには，前記マイクロプロセッサ111から送信された前記目標下方電圧Ｖｘ1の値である個別設定データが格納されるか，又は前記上方電圧設定レジスタ215bに格納された目標上方電圧Ｖｘ2の値でから，所定の差分値を減算した値である連動設定データが格納され，前記差分値は前記誘導素子202の１回の電流遮断によって，前記高圧コンデンサ204に充電される増分電圧よりも大きな値であるとともに，前記電磁コイル81〜84に対する１回の急速励磁にともなう前記コンデンサ204の放電電圧Ｖx2−Ｖx0未満の値となっている。
【００６３】
以上のとおり，この発明の請求項４に関連し，昇圧制御回路部は下方電圧設定レジスタと下方電圧比較器を備え，検出昇圧電圧Ｖxが目標上方電圧Ｖｘ2を上昇通過すると昇圧用開閉素子が開路し，目標下方電圧Ｖｘ1を下降通過すると昇圧制御信号Ｅxを有効にして，誘導素子電流Ｉxの大きさによって昇圧用開閉素子が開閉制御されるようになっている。
従って，昇圧高電圧Ｖhが目標上方電圧Ｖx2に達すると直ちに昇圧素子の断続励磁を停止し，目標下方電圧Ｖx1以下になると昇圧素子の断続励磁を開始して，昇圧高電圧ＶhをＶｘ1〜Ｖｘ2の間の一定値に制御することができるとともに，電磁コイル81〜84への放電によって高圧コンデンサの充電電圧が低下すると直ちに昇圧素子の断続動作を開始することができる特徴がある。
【００６４】
前記論理回路部219Aは第一及び第二のフリップフロップ回路216a・216bと論理積素子217aとを備え，前記第一のフリップフロップ回路216aは前記誘導素子電流Ｉxの値が所定の目標下方電流Ｉｘ1以下となったことによってセットされ，前記誘導素子電流Ｉxの値が所定の前記目標上方電流Ｉｘ2以上となったことによってリセットされ，前記第二のフリップフロップ回路216bは前記検出昇圧電圧Ｖxの値が所定の目標下方電圧Ｖｘ1以下になったことによってセットされ，所定の前記目標上方電圧Ｖｘ2以上になったことによってリセットされ，前記論理積素子217aは前記第一及び第二のフリップフロップ回路216a・216bのセット出力が共に論理「１」であるときに前記昇圧制御信号Ｅxを有効にして，前記昇圧用開閉素子206を閉路駆動するようになっている。
【００６５】
以上のとおり，この発明の請求項５に関連し，昇圧制御回路部は誘導素子電流Ｉxの大小に応動する第一のフリップフロップ回路と，検出昇圧電圧Ｖxの大小に応動する第二のフリップフロップ回路を備え，目標とする昇圧高電圧Ｖhが得られるまで昇圧用開閉素子によって誘導素子を断続励磁するようになっている。従って，簡単な論理回路構成によって，誘導素子の電磁エネルギーを高圧コンデンサに放出するための必要時間を確保することができるとともに，高圧コンデンサの充電完了状態において，昇圧高電圧Ｖhのわずかな変動によって昇圧用開閉素子が妄りに開閉動作するのを防止することができる特徴がある。
【００６６】
前記電磁弁駆動制御回路部180は，交互に燃料噴射が行われる第一グループの前記電磁コイル81・84と第二グループの前記電磁コイル83・82とをグループ別に前記車載バッテリ101に接続する第一及び第二の低圧開閉素子185a・185bと，前記昇圧回路部200Aの出力に接続する第一及び第二の高圧開閉素子186a・186bと，前記電磁コイル81〜84に対して個別に接続された複数の選択開閉素子181〜184とを含む給電制御用開閉素子，及び前記第一及び第二グループの電磁コイル81・84，83・82に対して直列接続された第一及び第二の電流検出抵抗188a・188bを備えている。前記噴射制御回路部170は前記開弁指令信号INJnと，前記第一及び第二の電流検出抵抗188a・188bによる電流検出信号Ｖexに応動して，前記第一及び第二の高圧開閉素子186a・186bに対する第一及び第二の高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32と，前記第一及び第二の低圧開閉素子185a・185bに対する第一及び第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32と，前記選択開閉素子181〜184に対する選択開閉指令信号ＣＣ1〜ＣＣ4によって構成された開閉指令信号Ｄrjを発生し，前記電流検出信号Ｖexは，前記高速Ａ/Ｄ変換器115によってデジタル変換された電流検出信号Ｄexとして前記噴射制御回路部170に入力され，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aは逐次変換型の低速動作のＡ/Ｄ変換器であるのに対し，前記高速Ａ/Ｄ変換器115はデルタ・シグマ型Ａ/Ｄ変換器が使用されており，前記演算制御回路部110Aは，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aと前記高速Ａ/Ｄ変換器115と前記昇圧制御回路部210Aと前記噴射制御回路部170の全体を含む，１チップ又は２チップの集積回路素子として構成されている。
【００６７】
以上のとおり，この発明の請求項６に関連し，昇圧制御回路部と噴射制御回路部で扱うアナログ信号は，高速動作のデルタ・シグマ型Ａ/Ｄ変換器によってデジタル変換されており，昇圧制御回路部と噴射制御回路部をデジタル化することによって，マイクロプロセッサを含む演算制御回路部と一体化されるか，又は容易に相互接続が行える集積回路素子を構成するようになっている。従って，低速及び高速Ａ/Ｄ変換器の併用によって，多数のアナログ信号をデジタル変換するためのコストアップを抑制し，デジタル化による集積回路素子の活用を図って小型安価な車載エンジン制御装置を得ることができる特徴がある。
【００６８】
実施の形態２．
（１）構成の詳細な説明
以下，この発明の実施の形態２の装置における全体回路ブロック図である図７について，図１のもののとの相違点を中心にして説明する。なお，実施形態２にける車載エンジン制御装置100Bと実施形態１における車載エンジン制御装置100Aとの主な相違点は，図８・図９で後述する昇圧制御回路部210Bと，昇圧制御回路部210Aの相違によるものであり，その他の全体構成については図１と図７は全く同一の構成となっている。その結果，演算制御回路部110Aとプログラムメモリ113Aは，演算制御回路部110Bとプログラムメモリ113Bに置き換えられており，各図において同一符号は同一又は相当部分を示している。
【００６９】
次に，図７のものの部分制御回路の詳細ブロック図である図８について説明する。図８において，昇圧回路部200Bは図２における昇圧回路部200Aと同様に構成されているが，電流検出抵抗201Bは昇圧用開閉素子206のエミッタ回路に接続されている。従って，昇圧回路部200Bは互いに直列接続されて負荷電源電圧Ｖbbが印加される誘導素子202と充電ダイオード203と高圧コンデンサ204，及び誘導素子202とグランド回路との間に接続された昇圧用開閉素子206と電流検出抵抗201Bとの直列回路が主回路として構成されており，昇圧用開閉素子206が閉路して誘導素子202に流れる電流が所定値以上になると昇圧用開閉素子206が開路し，誘導素子206に蓄積されていた電磁エネルギーが充電ダイオード203を介して高圧コンデンサ204に放出され，昇圧用開閉素子206を複数回断続することによって高圧コンデンサ204の充電電圧である昇圧高電圧Ｖhが目標とする所定電圧まで上昇するように構成されている。
【００７０】
なお，昇圧用開閉素子206が閉路しているときだけ，誘導素子202に流れる駆動電流を検出することができる電流検出抵抗201Bの両端電圧は，誘導素子電流Ｉxとして演算制御回路部110Bに設けられた高速Ａ/Ｄ変換器115に入力されている。また，高圧コンデンサ204の両端電圧は分圧抵抗208・209によって分圧され，検出昇圧電圧Ｖxとして高速Ａ/Ｄ変換器115の他の入力チャンネルに入力されている。後述する昇圧制御回路部210Bは高速Ａ/Ｄ変換器115によってデジタル変換された誘導素子電流Ｉx及び検出昇圧電圧Ｖxの値に応動して昇圧制御信号Ｅxを発生し，駆動抵抗207を介して昇圧用開閉素子206を開閉駆動するようになっている。
【００７１】
次に，図７のものの昇圧制御回路部210Bの詳細ブロック図である図９について説明する。図９において，昇圧制御回路部210Bは図３における昇圧制御回路部210Aと同様に，高速Ａ/Ｄ変換器115によってデジタル変換された誘導素子電流Ｉxの現在値が格納される電流現在値レジスタ211aと，検出昇圧電圧Ｖxの現在値が格納される電圧現在値レジスタ211bを備えるとともに，マイクロプロセッサ111によって，目標上方電流Iｘ2が設定される上方電流設定レジスタ215aと，上方電流設定レジスタ215aの格納数値と電流現在値レジスタ211aの現在値とを比較する上方電流比較器214aを備えている。また，マイクロプロセッサ111によって遮断時間Ｔoffが設定される時限設定レジスタ218bは，後述のフリップフロップ回路216aのリセット出力が発生している時間を測定するための遮断時間設定タイマ218aと協働して，昇圧用開閉素子206の遮断時間を設定するものとなっている。
【００７２】
なお，遮断時間設定タイマ218aが例えば図示しないクロック信号を，初期値０から開始して加算計数するものである場合には，時限設定レジスタ218bの設定値と遮断時間設定タイマ218aの現在計数値が一致したときに遮断時間設定タイマ218aはタイムアップ信号を発生するようになっている。しかし，遮断時間設定タイマ218aが減算カウンタである場合には，減算カウンタの現在値レジスタは時限設定レジスタ218bを兼ねており，マイクロプロセッサ111は当該減算カウンタの現在値レジスタに遮断時間Ｔoffを送信設定し，現在値レジスタの現在値がゼロになったときに遮断時間設定タイマ218aがタイムアップ信号を発生するようにすればよい。遮断時間Ｔoffは所定の固定時間とすることもできるが，誘導素子202が高圧コンデンサ204に電磁エネルギーを放出するのに必要な時間は，高圧コンデンサ204の充電電圧に反比例するので，無駄な待ち時間が発生しないためには昇圧高電圧Ｖhの値が図４（Ｈ）の最小電圧Ｖｘ0に達するまでの運転開始時には長い時間とし，最小電圧Ｖx0を超過した通常運転状態では短い時間とし，少なくとも２種類の遮断時間Ｔoffを用いるのが望ましい。
【００７３】
昇圧制御回路部210Bは更に，昇圧制御回路部210Aと同様にマイクロプロセッサ111によって目標下方電圧Ｖｘ1が設定される下方電圧設定レジスタ213bと，目標上方電圧Ｖｘ2が設定される上方電圧設定レジスタ215bと，下方電圧設定レジスタ213bの格納数値と電圧現在値レジスタ211bの現在値とを比較する下方電圧比較器212bと，上方電圧設定レジスタ215bの格納数値と電圧現在値レジスタ211bの現在値とを比較する上方電圧比較器214bとを備えている。第一のフリップフロップ回路216aは，遮断時間設定タイマ218aのタイムアップ出力によってセットされ，上方電流比較器214aの出力によってリセットされるようになっており，第二のフリップフロップ回路216bは，下方電圧比較器212bの出力によってセットされ，上方電圧比較器214bによってリセットされるようになっている。論理積素子217aは第一のフリップフロップ回路216aのセット出力と，第二のフリップフロップ回路216bのセット出力とが共に論理レベル「Ｈ」であるときに昇圧制御信号Ｅxの論理レベルが「Ｈ」となり，図８の駆動抵抗207を介して昇圧用開閉素子206を閉路駆動するようになっている。
【００７４】
従って，検出昇圧電圧Ｖxの値が一旦目標上方電圧Ｖｘ2以上の値になると，目標下方電圧Ｖｘ1以下になるまでは第二のフリップフロップ回路216bのセット出力は論理レベル「Ｌ」となって，昇圧制御信号Ｅxの発生を禁止し，検出昇圧電圧Ｖxの値が一旦目標下方電圧Ｖｘ1以下の値になると，目標上方電圧Ｖｘ2以上になるまでは第二のフリップフロップ回路216bのセット出力は論理レベル「Ｈ」となって，昇圧制御信号Ｅxの発生を許可するようになっている。一方，昇圧用開閉素子206が開路してから遮断時間Ｔoffが過ぎると，誘導素子電流Ｉxの値が目標上方電流Iｘ2以上となるまでは第一のフリップフロップ回路216aの出力は論理レベル「Ｈ」となって，昇圧制御信号Ｅxの発生が可能となっており，実際に昇圧制御信号Ｅxの論理レベルが「Ｈ」になるかどうかは第二のフリップフロップ回路216bの状態によって決定される。また，誘導素子電流Ｉxの値が，目標上方電流Iｘ2以上になると，遮断時間設定タイマ218aで設定された遮断時間Ｔoffが経過するまでは第一のフリップフロップ回路216aの出力は論理レベル「Ｌ」となって昇圧制御信号Ｅxの発生は停止されるようになっている。
【００７５】
待機時間測定タイマ220Bは第二のフリップフロップ回路216bのリセット出力の論理レベルが「Ｈ」となって，昇圧用開閉素子206の開閉制御によって高圧コンデンサ204に対する充電が完了休止している期間において論理レベル「Ｈ」となる計時指令信号STAに応動して高圧コンデンサ204に対する充電待機時間を測定するものであって，この待機時間測定タイマ220Bは，計時開始時に第二のフリップフロップ回路216bのリセット出力に対する立上り微分回路217bによって予め初期化されるようになっている。また，マイクロプロセッサ111には，計時指令信号STAと待機時間測定タイマ220Bの現在値が送信されていて，マイクロプロセッサ111は計時指令信号STAによって高圧コンデンサ204の充電が完了しているかどうかをモニタすることができるようになっている。但し，マイクロプロセッサ111は次回の開弁指令信号INJ81〜INJ84を発生する直前に待機間測定タイマ220Bの現在値である充電余裕時間Ｔbを読み出すようにすれば，計時指令信号STAをモニタする必要はない。また，この待機時間測定タイマ220Bは，マイクロプロセッサが発生する開弁指令信号INJ81〜INJ84のそれぞれの立上り微分信号を論理和して得られるリセット指令信号RSTによって初期化するようにしてもよい。
【００７６】
（２）作用・動作の詳細な説明
以下，図７のとおり構成されたこの発明の実施の形態２の装置において，図１のものとの相違点を中心にして作用動作の概要を説明する。なお，図４で示す動作説明用のタイムチャートと図５・図６で示す動作説明用のフローチャートについては，一部の相違点を除いて実施形態２においてもそのまま適用されるものとなっている。まず，図７において，図示しない電源スイッチが閉路されると，主電源リレーの出力接点である制御電源スイッチ102が閉路して，車載エンジン制御装置100Bに主電源電圧Ｖbaが印加される。その結果，定電圧電源120が例えばＤＣ５Ｖの制御電源電圧Ｖccを発生してマイクロプロセッサ111が制御動作を開始する。マイクロプロセッサ111は開閉センサ群103と低速アナログセンサ群104と高速変化のアナログセンサ群105の動作状態と，不揮発性のプログラムメモリ113Bに格納された制御プログラムの内容に応動して負荷電源リレーを付勢して負荷電源スイッチ107を閉路すると共に，電気負荷群106に対する負荷駆動指令信号Ｄriを発生し，電気負荷群106の中の特定の電気負荷である電磁コイル81〜84に対しては噴射制御回路部170を介して開閉指令信号Ｄrjを発生する。
【００７７】
また，図８において，昇圧回路部200Bは昇圧用開閉素子206が断続動作することによって高圧コンデンサ204を高圧充電することにはかわりはないが，電流検出抵抗201Bは誘導素子202が高圧コンデンサ204を充電しているときの電流は測定されておらず，従って電流検出抵抗201Bの接続回路が単純化されている。また，図９において，昇圧制御回路部210Bは目標上方電流Ｉｘ2と遮断時間Ｔoffとに応動する第一のフリップフロップ回路216aと，目標上方電圧Ｖｘ2と目標下方電圧Ｖｘ1に応動する第二のフリップフロップ回路216bによって昇圧制御信号Ｅxを発生して昇圧用開閉素子206を開閉制御するようになっている。待機時間測定タイマ220Bは図４（Ｈ）で示す充電所要時間Ｔcに代わって充電余裕時間Ｔbを測定するようになっており，前回の燃料噴射間隔Ｔsから測定された充電余裕時間Ｔbを減算したものが，前回の充電所要時間Ｔcに相等することになる。
【００７８】
以上の説明では，４気筒エンジンについて述べてきたが，６気筒や８気筒エンジンの場合も同様であって，各気筒に設けられた燃料噴射用電磁弁を駆動する電磁コイルは，交互に燃料噴射を行う第一グループと第二グループに分割され，同一グループ内にあっては開弁指令信号INJnが時間的に重複しないようになっている。しかし，必要に応じて第三グループや第四グループを追加することも可能である。また，以上の説明では，開閉素子として接合形トランジスタの記号が使用されているが，パワートランジスタの場合には接合形トランジスタに代わって一般的に使用される電界効果形トランジスタに置き換えることも可能である。更に，以上の説明では，昇圧制御回路部210A・210Bの中に，下方電流設定レジスタ213a，下方電圧設定レジスタ213b，上方電流設定レジスタ215a，上方電圧設定レジスタ215b，時限設定レジスタ218bを設けているが，ダイレクト・メモリアクセス・コントローラを用いてＲＡＭメモリ112を設定レジスタとして使用することも
可能である。
【００７９】
（３）実施の形態２の要点と特徴
以上の説明で明らかなとおりこの発明の実施形態１による車載エンジン制御装置は，多気筒エンジンの各気筒に設けられた燃料噴射用電磁弁108を順次駆動するために，当該電磁弁駆動用の複数の電磁コイル81〜84に対する電磁弁駆動制御回路部180と，前記電磁コイル81〜84に対して急速励磁を行なうための昇圧高電圧Ｖhを生成する昇圧回路部200Bと，マイクロプロセッサ111を主体とする演算制御回路部110Bと，前記マイクロプロセッサ111と前記電磁弁駆動制御回路部180とを中継する噴射制御回路部170とを備えた車載エンジン制御装置100Bであって，前記演算制御回路部110Bは前記マイクロプロセッサ111と協働する低速動作の多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aと，複数チャンネルの高速Ａ/Ｄ変換器115と，昇圧制御回路部210Bとを備え，前記マイクロプロセッサ111は，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aに入力された低速アナログセンサ群104に含まれるエアフローセンサ，又はアクセルポジションセンサ，又は燃料圧センサの少なくとも一部の信号電圧と，開閉センサ群103の中の一つであるクランク角センサ及びエンジン回転センサの動作に応動して，前記電磁コイル81〜84に対する開弁指令信号INJn（ｎ＝81〜84）の発生時期と開弁指令発生期間Ｔnとを決定するようになっている。
【００８０】
前記昇圧回路部200Bは，車載バッテリ101から昇圧用開閉素子206によって断続励磁される誘導素子202と，当該誘導素子と直列接続された電流検出抵抗201Bを備えるとともに，当該電流検出抵抗の両端電圧に比例した誘導素子電流Ｉxを前記演算制御回路部110Bに入力し，前記昇圧制御回路部210Bが発生する昇圧制御信号Ｅxに応動して前記昇圧用開閉素子206を開閉制御し，当該昇圧用開閉素子が開路したときには充電ダイオード203を介して前記誘導素子202に蓄積された電磁エネルギーが放出して充電される高圧コンデンサ204を備え，当該高圧コンデンサ204の両端電圧の分圧電圧を検出昇圧電圧Ｖxとして前記演算制御回路部110Bに入力し，前記高速Ａ/Ｄ変換器115には，前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxに比例したアナログ信号電圧が入力され，当該高速Ａ/Ｄ変換器によるデジタル変換データは，それぞれが電流現在値レジスタ211a及び電圧現在値レジスタ211bに格納される。
【００８１】
前記昇圧制御回路部210Bは前記マイクロプロセッサ111から送信設定される上方電流設定レジスタ215a及び上方電圧設定レジスタ215bと，当該各設定レジスタの格納数値と前記電流現在値レジスタ211a及び電圧現在値レジスタ211bの格納数値との大小比較を行う上方電流比較器214a及び上方電圧比較器214bと，論理回路部219Bとを備え，前記論理回路部219Bは前記上方電流設定レジスタ215aに格納された目標上方電流Ｉx2の値と，前記昇圧回路部200Bから送信された前記誘導素子電流Ｉxの値を，前記上方電流比較器214aで比較して，前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを活性化して前記昇圧用開閉素子206を閉路駆動するとともに，前記上方電圧設定レジスタ215bに格納された目標上方電圧Ｖx2の値と，前記昇圧回路部200Bから送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記上方電圧比較器214bで比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖｘ2の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子206を閉路駆動を可能にする。
【００８２】
従って，前記演算制御回路部110Bは，前記マイクロプロセッサ111によって前記昇圧回路部200Bに対する前記目標上方電流Ｉx2と目標上方電圧Ｖx2の数値設定を行い，前記高速Ａ/Ｄ変換器115によって前記誘導素子電流Ｉxと前記検出昇圧電圧Ｖxの数値変換を行うデータ処理機能と，前記昇圧制御回路部210Bによって前記数値設定された目標値が前記数値変換された監視現在値と等しくなる関係に負帰還制御を行なうデジタル論理制御機能とに分割して構成されている。
【００８３】
前記昇圧回路部200Bの前記電流検出抵抗201Bは，少なくとも前記昇圧用開閉素子206が閉路されて，前記誘導素子202が励磁蓄勢されるときの蓄勢充電電流が流れる位置に接続されているとともに，前記昇圧制御回路部210Bは更に，加算計時用比較設定レジスタ又は減算計時用の現在値レジスタである時限設定レジスタ218bを有する遮断時間設定タイマ218aを備え，前記論理回路部219Bは，前記昇圧用開閉素子206が閉路して前記誘導素子電流Ｉxの値が前記目標上方電流Ｉx2の値以上となったことによって前記昇圧用開閉素子206を開路し，当該昇圧用開閉素子の開路時間が前記時限設定レジスタ218bで設定された遮断時間Ｔoffを経過すると再び前記昇圧制御信号Ｅxを発生し前記時限設定レジスタ218bには，前記マイクロプロセッサ111から送信された遮断時間Ｔoff又は固定の定数値が格納されている。
【００８４】
以上のとおり，この発明の請求項３に関連し，昇圧制御回路部は昇圧用開閉素子の遮断時間Ｔoffを決定するための遮断時間設定タイマを備えている。従って，誘導素子から高圧コンデンサに流れる電磁エネルギーの放出電流を検出しなくても，放出電流がほぼゼロとなる見込み時間を時限設定レジスタに格納しておくことによって手軽に昇圧用開閉素子の開閉制御を行なうことができる特徴がある。なお，遮断時間Ｔoffをマイクロプロセッサによって設定する場合には，昇圧開始時点における遮断時間Ｔoffを大きく設定し，高圧コンデンサの充電電圧が大きくなると遮断時間Ｔoffを小さく設定することにより，誘導素子に対する非通電無駄時間を削減することができる特徴がある。
【００８５】
前記昇圧制御回路部210Bは更に，下方電圧設定レジスタ213bと，当該設定レジスタの格納数値と前記電圧現在値レジスタ211bの格納数値との大小比較を行う下方電圧比較器212bとを備え，前記論理回路部219Bは，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標上方電圧Ｖx2の値以上であれば前記昇圧制御信号Ｅxを無効にして前記昇圧用開閉素子206を開路するとともに，前記下方電圧設定レジスタ213bに格納された目標下方電圧Ｖx1の値と，前記昇圧回路部200Bから送信された前記検出昇圧電圧Ｖxの値を，前記下方電圧比較器212bで比較して，前記検出昇圧電圧Ｖxの値が前記目標下方電圧Ｖｘ1の値に比べて小さいときには，前記昇圧制御信号Ｅxを有効化して前記昇圧用開閉素子206の閉路駆動を可能とし，前記下方電圧設定レジスタ213bには，前記マイクロプロセッサ111から送信された前記目標下方電圧Ｖｘ1の値である個別設定データが格納されるか，又は前記上方電圧設定レジスタ215bに格納された目標上方電圧Ｖｘ2の値でから，所定の差分値を減算した値である連動設定データが格納され，前記差分値は前記誘導素子202の１回の電流遮断によって，前記高圧コンデンサ204に充電される増分電圧よりも大きな値であるとともに，前記電磁コイル81〜84に対する１回の急速励磁にともなう前記コンデンサ204の放電電圧Ｖx2−Ｖx0未満の値となっている。
【００８６】
以上のとおり，この発明の請求項４に関連し，昇圧制御回路部は下方電圧設定レジスタと下方電圧比較器を備え，検出昇圧電圧Ｖxが目標上方電圧Ｖｘ2を上昇通過すると昇圧用開閉素子が開路し，目標下方電圧Ｖｘ1を下降通過すると昇圧制御信号Ｅxを有効にして，誘導素子電流Ｉxの大きさによって昇圧用開閉素子が開閉制御されるようになっている。
従って，実施形態１の場合と同様の特徴がある。
【００８７】
前記論理回路部219Bは第一及び第二のフリップフロップ回路216a・216bと論理積素子217aとを備え，前記第一のフリップフロップ回路216aは前記昇圧用開閉素子206の開路時間が所定の遮断時間Ｔoff以上となったことによってセットされ，前記誘導素子電流Ｉxの値が所定の前記目標上方電流Ｉｘ2以上となったことによってリセットされ，前記第二のフリップフロップ回路216bは前記検出昇圧電圧Ｖxの値が所定の目標下方電圧Ｖｘ1以下になったことによってセットされ，所定の前記目標上方電圧Ｖｘ2以上になったことによってリセットされ，前記論理積素子217aは前記第一及び第二のフリップフロップ回路216a・216bのセット出力が共に論理「１」であるときに前記昇圧制御信号Ｅxを有効にして，前記昇圧用開閉素子206を閉路駆動するようになっている。以上のとおり，この発明の請求項５に関連し，昇圧制御回路部は誘導素子電流Ｉxの大小に応動する第一のフリップフロップ回路と，検出昇圧電圧Ｖxの大小に応動する第二のフリップフロップ回路を備え，目標とする昇圧高電圧Ｖhが得られるまで昇圧用開閉素子によって誘導素子を断続励磁するようになっている。従って，実施形態１の場合と同様の特徴がある。
【００８８】
前記電磁弁駆動制御回路部180は，交互に燃料噴射が行われる第一グループの前記電磁コイル81・84と第二グループの前記電磁コイル83・82とをグループ別に前記車載バッテリ101に接続する第一及び第二の低圧開閉素子185a・185bと，前記昇圧回路部200Bの出力に接続する第一及び第二の高圧開閉素子186a・186bと，前記電磁コイル81〜84に対して個別に接続された複数の選択開閉素子181〜184とを含む給電制御用開閉素子，及び前記第一及び第二グループの電磁コイル81・84，83・82に対して直列接続された第一及び第二の電流検出抵抗188a・188bを備えている。前記噴射制御回路部170は前記開弁指令信号INJnと，前記第一及び第二の電流検出抵抗188a・188bによる電流検出信号Ｖexに応動して，前記第一及び第二の高圧開閉素子186a・186bに対する第一及び第二の高圧開閉指令信号Ａ14・Ａ32と，前記第一及び第二の低圧開閉素子185a・185bに対する第一及び第二の低圧開閉指令信号Ｂ14・Ｂ32と，前記選択開閉素子181〜184に対する選択開閉指令信号ＣＣ1〜ＣＣ4によって構成された開閉指令信号Ｄrjを発生し，前記電流検出信号Ｖexは，前記高速Ａ/Ｄ変換器115によってデジタル変換された電流検出信号Ｄexとして前記噴射制御回路170に入力され，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aは逐次変換型の低速動作のＡ/Ｄ変換器であるのに対し，前記高速Ａ/Ｄ変換器115はデルタ・シグマ型Ａ/Ｄ変換器が使用されており，前記演算制御回路部110Bは，前記多チャンネルＡ/Ｄ変換器114aと前記高速Ａ/Ｄ変換器115と前記昇圧制御回路部210A;210Bと前記噴射制御回路部170の全体を含む，１チップ又は２チップの集積回路素子として構成されている。
【００８９】
以上のとおり，この発明の請求項６に関連し，昇圧制御回路部と噴射制御回路部で扱うアナログ信号は，高速動作のデルタ・シグマ型Ａ/Ｄ変換器によってデジタル変換されており，昇圧制御回路部と噴射制御回路部をデジタル化することによって，マイクロプロセッサを含む演算制御回路部と一体化されるか，又は容易に相互接続が行える集積回路素子を構成するようになっている。従って，実施の形態１の場合と同様の特徴がある。
【００９０】
実施の形態１及び２の要点と特徴
以上の説明で明らかなとおりこの発明の実施形態１又は実施形態２による車載エンジン制御装置に使用される車載エンジン制御方法は，前記昇圧制御回路部210A;210Bは更に，前記高圧コンデンサ204の充電電圧が前記開弁指令信号INJn（ｎ＝81〜84）が発生してから，前記電磁コイル81〜84に対する急速励磁によって最小電圧Ｖx0に低下し，再充電によって前記目標上方電圧Ｖx2に達するまでの充電所要時間Ｔcを測定する昇圧期間測定タイマ220Aであるか，又は，前記目標上方電圧Ｖx2に達してから，次回の開弁指令信号INJnが発生するまでの充電余裕時間Ｔbを測定する待機時間測定タイマ220Bを備えるとともに，前記マイクロプロセッサ111と協働するプログラムメモリ113A；113Bは電流低減調整手段507となる制御プログラムを包含し，前記電流低減調整手段507は，前回測定された前記昇圧期間測定タイマ220Aによる充電所要時間Ｔcと，次回の開弁指令信号INJnが発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsとの偏差Ｔs−Ｔcによって今回の充電余裕時間Ｔbを算出するか，又は，前記待機時間測定タイマ220Bによって測定された前回の充電余裕時間Ｔbを読み出して，今回の燃料噴射間隔Ｔsに対応した今回の充電余裕時間Ｔbを算出し，今回の充電余裕時間Ｔbが所定値以上であれば，前記上方電流設定レジスタ215aに送信する目標上方電流Ｉｘ2の値を低減補正し，今回の充電余裕時間Ｔbが所定値未満であれば目標上方電流Ｉｘ2の値を増量補正しながら，抑制目標上方電流Ｉx20によって前記高圧コンデンサ204の充電を行うようになっている。
【００９１】
この発明の実施形態１による車載エンジン制御装置に使用される車載エンジン制御方法は，前記昇圧期間測定タイマ220Aは，前記マイクロプロセッサ111が発生する開弁指令信号INJnの立上り信号を論理和したものであるリセット指令信号RSTによって計時現在値がリセットされ，前記充電所要時間Ｔcは当該リセット完了直後から前記高圧コンデンサ204の充電電圧が目標上方電圧Ｖx2に到達するまでの時間を測定するものであり，前記マイクロプロセッサ111は前回の開弁指令信号INJｎが発生してから今回の開弁指令信号INJnが発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsを一つの開弁サイクルとしたときに，前記昇圧期間測定タイマ220Aによる前回の開弁サイクルにおける充電所要時間Ｔcを今回の開弁指令信号INJnを発生する前に読み出して，今回の開弁サイクルでは前記電流低減調整手段507によって補正された目標上方電流Ｉｘ2に基づいて前記高圧コンデンサ204に対する充電が行われ，得られた昇圧高電圧Ｖhは次回の開弁サイクルにおける燃料噴射で活用されるようになっている。
【００９２】
以上のとおり，この発明の請求項８に関連し，マイクロプロセッサは自らが発生する開弁指令信号と同期して昇圧期間測定タイマの測定値の読出しと，リセット処理を行い，昇圧期間測定タイマは開弁指令信号と同期して次回の充電所要時間の測定を行なうようになっている。従って，マイクロプロセッサは今回予定されている燃料噴射間隔Ｔsを充電可能時間とし，当該充電可能時間と前回の充電所要時間Ｔcとを対比して手軽に今回の目標上方電流Ｉx2の補正を行うことができる特徴がある。なお，ここでいう充電所要時間Ｔcは，電磁コイルに対する急速励磁を行なっている高圧給電期間と，電磁コイルの電流減衰期間を包含しており，この期間においては昇圧用開閉素子の断続を停止して，高圧コンデンサに対する充電は休止しておいてもよいし，充電を継続するようにしておいてもよく，いずれの場合であってもリセット信号と同期して計時開始しておけば，充電余裕時間Ｔb
は燃料噴射間隔Ｔsから充電所要時間Ｔcを減じたものとして手軽に算出することができるものである。
【００９３】
この発明の実施形態２による車載エンジン制御装置に使用される車載エンジン制御方法は，前記待機時間測定タイマ220Bは，前記高圧コンデンサ204の充電電圧が前記目標上方電圧Ｖｘ2に上昇するまでの時点でリセットされ，前記目標上方電圧Ｖx2に到達してから，前記電磁コイル81〜84に対する急速給電によって充電電圧が所定閾値以下に低下して再充電を必要とする時点までの時間，又はマイクロプロセッサ111が次回の開弁指令信号INJnを発生するまでの時間である充電休止時間を測定するタイマであり，前記所定閾値は前記充電休止時間帯における前記高圧コンデンサ204の自然放電による電圧降下よりも大きな差分値を，前記目標上方電圧Ｖｘ2から減じた目標下方電圧Ｖx1となっており，前記マイクロプロセッサ111は前回の開弁指令信号INJnが発生してから今回の開弁指令信号INJnが発生するまでの燃料噴射間隔Ｔsを一つの開弁サイクルとしたときに，前記待機時間測定タイマ220Bによって測定された前回の開弁サイクルにおける充電余裕時間Ｔbを今回の開弁指令信号INJnを発生する前に読み出して，今回の開弁サイクルでは前記電流低減調整手段507によって補正された目標上方電流Ｉｘ2に基づいて前記高圧コンデンサ204に対する充電が行われ，得られた昇圧高電圧Ｖhは次回の開弁サイクルにおける燃料噴射で活用されるようになっている。
【００９４】
以上のとおり，この発明の請求項９に関連し，マイクロプロセッサは自らが発生する開弁指令信号と同期して，前回の待機時間測定タイマの測定値の読出しを行ってから今回の目標上方電流Ｉｘ2の補正を行い，これによる昇圧高電圧Ｖhを次回の急速励磁に活用するようになっている。従って，マイクロプロセッサは前回の燃料噴射間隔Ｔsと今回予定されている燃料噴射間隔Ｔsとの変動時間と，待機時間測定タイマによって検出された前回の充電余裕時間Ｔbとを対比して手軽に今回の目標上方電流Ｉx2の補正を行うことができる特徴がある。
【００９５】
この発明の実施形態１又は実施形態２による車載エンジン制御装置に使用される車載エンジン制御方法は，前記マイクロプロセッサ111と協働するプログラムメモリ113A；113Bは電流急増指令手段506となる制御プログラムを包含し，前記電流急増指令手段506は低速アナログセンサ群104の中の一つのアナログセンサであるアクセルポジションセンサによるアクセルペダルの踏込み度合と，開閉センサ群103の中の一つの開閉センサであるエンジン回転センサの信号間隔とに応動して，エンジン回転速度が急増して燃料噴射間隔の急減が予測された場合，又は，一つの燃料噴射期間において複数回の分割噴射を行うために燃料噴射間隔の急減が予測された場合に実行されて，前記目標上方電流Ｉｘ2を急増設定する手段であり，前記急増設定される目標上方電流の値は，少なくとも定格上方電流Ｉｘ3又は加増上方電流Ｉｘ4の２種類の設定値を選択することが可能であって，前記定格上方電流Ｉｘ3は車載バッテリ101の電圧が低くて高速エンジン回転である場合であっても，次回の急速励磁時期までには前記高圧コンデンサ204の充電が完了していることを目標とした設定電流であって，前記抑制目標電流Ｉｘ20は当該定格上方電流Ｉx3以下の値であるのに対し，前記加増上方電流Ｉｘ4は前記分割噴射が行われるときに適用され，前記定格上方電流Ｉｘ3よりも大きな短時間定格の設定電流となっている。
【００９６】
以上のとおり，この発明の請求項１０によれば，燃料噴射間隔の急減が予測される場合には，目標上方電流を急増設定するようになっている。従って，燃料噴射間隔が急減するときには直ちに誘導素子に対する目標上方電流を定格上方電流Ｉｘ3に急増させることを条件にして，比較的安定した通常エンジン回転速度で巡航運転しているときには，燃料噴射間隔に応じた充電所要時間となるように誘導素子電流を漸減抑制することが可能となるとともに，分割噴射を行うときには，短期間の連続噴射を行うときだけ加増上方電流Ｉx4を適用し，常時は定格上方電流Ｉｘ3又は定格上方電流Ｉｘ3よりも小さな電流である前記抑制目標上方電流によって高圧コンデンサに対する充電を行い，昇圧回路部の温度上昇を抑制することができる特徴がある。なお，充電所要時間は適用された目標上方電流Ｉｘ2に反比例して減少するが，誘導素子に発生する消費電力は目標上方電流Ｉｘ2に比例して増加する関係にあり，巡航運転時に目標上方電流Ｉｘ2を抑制することは，昇圧回路部の消費電力と温度上昇を低減するために顕著な効果を発揮するものである。
【００９７】
この発明の実施形態１又は実施形態２による車載エンジン制御装置に使用される車載エンジン制御方法は，前記噴射制御回路部170は急速励磁期間測定タイマ171又は急速励磁電流のピークホールド回路172の少なくとも一方を備えるとともに，前記マイクロプロセッサ111と協働するプログラムメモリ113A；113Bは昇圧高電圧補正指令手段505となる制御プログラムを包含し，前記急速励磁期間測定タイマ171は前記昇圧回路部200A;200Bと第一又は第二の前記電磁コイル81・84，82・83との間に接続された第一又は第二の高圧開閉素子186a・186bが閉路駆動されてから，前記電磁コイル81〜84に対する励磁電流Ｉexが目標とする設定遮断電流Ｉａに到達するまでの実測到達時間Ｔａを測定し，前記ピークホールド回路172は前記励磁電流Ｉexが前記設定遮断電流Ｉａに到達したことによって前記第一又は第二の高圧開閉素子186a・186bに開路指令が与えられ，当該高圧開閉素子の開路応答遅れによって過渡的にオーバシュートしてから減衰開始する過程の実測ピーク電流Ｉpを測定記憶し，前記昇圧高電圧補正指令手段505は，前記実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0よりも短いとき，又は前記実測ピーク電流Ｉpが所定の目標制限ピーク電流Ｉp0よりも大きいときに前記目標上方電圧Ｖx2の値を所定限度内で下方修正し，前記実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0よりも長いときに前記目標上方電圧Ｖx2の値を所定限度内で上方修正するようになっている。
【００９８】
以上のとおり，この発明の請求項１１に関連し，急速励磁電流の立上り時間特性又はオーバシュート電流特性を監視して，昇圧高電圧Ｖhの目標値を調整するようになっている。従って，運転開始時にあって電磁コイルが低温・低抵抗であるときには，昇圧高電圧Ｖhを抑制して急速励磁電流の立上り特性を所定の基準特性に合致させ，重負荷運転の継続により電磁コイルが高温・高抵抗であるときには，昇圧高電圧Ｖhを高くして急速励磁電流の立上り特性を所定の基準特性に合致させ，その結果として均一な開弁期間を確保することができる特徴がある。
【００９９】
この発明の実施形態１又は実施形態２による車載エンジン制御装置に使用される車載エンジン制御方法は，前記マイクロプロセッサ111と協働するプログラムメモリ113A；113Bは開弁期間調整手段504となる制御プログラムを包含し，前記開弁期間調整手段504は，前記昇圧高電圧補正指令手段505による目標上方電圧Ｖｘ2の増減補正限度内において前記実測到達時間Ｔaが所定の目標到達時間Ｔa0となるように調整できない場合に適用され，前記急速励磁電流の立上りが遅いときには前記開弁指令信号INJnの発生期間である開弁指令発生期間Ｔnを延長補正し，前記急速励磁電流の立上りが早いときには前記開弁指令発生期間Ｔnを短縮補正して，目標とする開弁期間が得られる関係に補正するようになっている。
【０１００】
以上のとおり，この発明の請求項１２に関連し，急速励磁電流の立上り時間特性の変動が昇圧高電圧の調整可能範囲で補正できないときには，開弁指令発生期間の調整を行って目標とする開弁期間を得るように制御するようになっている。従って，バッテリ電圧が異常低下していたり，昇圧回路部の異常過熱によって目標とする昇圧高電圧が得られないときにおいて，開弁期間の制御精度を維持することができる特徴がある。
【０１０１】
以上、この発明を実施の形態により説明したが、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形又は省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１０２】
81〜84  電磁コイル，100A;100B  車載エンジン制御装置， 
101  車載バッテリ， 103  開閉センサ群，104  低速アナログセンサ群， 
108  燃料噴射用電磁弁，110A;110B  演算制御回路，111  マイクロプロセッサ，
113A;113B  プログラムメモリ，114a  多チャンネルＡ/Ｄ変換器，
115  高速Ａ/Ｄ変換器， 170  噴射制御回路部，171  急速励磁期間測定タイマ，
172  ピークホールド回路，
180  電磁弁駆動制御回路部，181〜184  選択開閉素子，185a  第一の低圧開閉素子，
185b  第二の低圧開閉素子，186a  第一の高圧開閉素子，186b  第二の高圧開閉素子，
188a  第一の電流検出抵抗，188b  第二の電流検出抵抗，200A;200B  昇圧回路部，
201A;201B  電流検出抵抗，202  誘導素子，203  充電ダイオード，
204  高圧コンデンサ，206  昇圧用開閉素子， 
210A;210B  昇圧制御回路部，211a・211b  電流・電圧現在値レジスタ，
212a・212b  下方電流・下方電圧比較器，
213a・213b  下方電流・下方電圧設定レジスタ，
214a・214b  上方電流・上方電圧比較器，
215a・215b  上方電流・上方電圧設定レジスタ，
216a・216b  第一・第二のフリップフロップ回路，217a  論理積素子，
218a  遮断時間設定タイマ，218b  時限設定レジスタ，219A・219B  論理回路部，
220A  昇圧期間測定タイマ，220B  待機時間測定タイマ，504  開弁期間調整手段，
505  昇圧高電圧補正指令手段，506  電流急増指令手段，507  電流低減調整手段。
【要約】
【課題】燃料噴射用電磁コイルの急速励磁用高電圧を生成する昇圧回路部において，制御定数の設定を容易化し，燃料噴射制御の精度の向上と，昇圧回路部の温度上昇の抑制を図る。
【解決手段】昇圧用開閉素子206によって断続励磁されて，高圧コンデンサ204を高圧充電する誘導素子202において，電流検出抵抗201Aの両端電圧に比例した誘導素子電流Ixと，高圧コンデンサ204の分圧電圧である検出昇圧電圧Ｖxは，演算制御回路部110A内に設けられた高速Ａ／Ｄ変換器を介して昇圧制御回路部210Aに入力され，昇圧制御回路部210Aは，今回の急速励磁から次回の急速励磁までに間に合うように誘導素子電流Ｉxを調整しながら，演算制御回路部110A内のマイクロプロセッサによって可変設定された目標とする昇圧高電圧Ｖhを得るよう昇圧用開閉素子206の開閉制御を行なう。
【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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