(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層を挟持し、１つの画素内に、透過表示を行う透過表示部と、反射表示を行う反射表示部とを有し、前記液晶層の液晶分子を配向制御する第１電極及び第２電極を前記第１基板に備えた液晶表示装置であって、
前記第１電極は、前記第２電極とともに前記透過表示部に設けられている一方で、前記第２基板に形成された第３電極とともに反射表示部にも設けられ、
前記第２電極と前記第３電極は独立に電位を印加され、少なくとも前記第１電極又は前記第２電極の一方に、前記透過表示部及び前記反射表示部の境界線と直交する直交軸に対して−１５°から＋１５°の角度範囲で前記直交軸と平行又は傾斜して延長するスリットが形成され、
前記液晶分子の初期配向は、前記スリットの延長方向に対して−１５°から＋１５°の角度範囲で平行又は傾斜して設定されるとともに、前記液晶分子の長軸が前記直交軸に対して傾斜角θ１＝５°〜１５°だけ傾斜している液晶表示装置。
【請求項２】
前記透過表示部及び前記反射表示部の前記第２電極及び前記第３電極は、互いに逆相の電位が印加される共通電極である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１電極及び前記第２電極は絶縁膜を介して積層され、前記スリットは前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側に配置された電極に形成されている請求項１または請求項２に記載の液層表示装置。
【請求項４】
前記スリットは前記第１電極及び前記第２電極の両方に形成されている請求項１または請求項２に記載の液層表示装置。
【請求項５】
前記スリットは前記透過表示部のみに設けられている請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示部を構成する画素内に、透過表示を行う透過表示部と、反射表示を行う
反射表示部とを有し、前記透過表示部及び反射表示部は、内部に含まれる液晶層の液晶分
子を配向制御する第１電極及び第２電極とを第１の基板に備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ディジタルスチルカメラ、ディジ
タルビデオカメラ等に代表される携帯機器用の液晶表示装置には、屋外から室内まで、多
様な環境下において高い視認性が要求される。そのような背景の中で、近年、サブピクセ
ル内に透過表示部と反射表示部とを兼ね備えた、いわゆる半透過型液晶表示装置が注目さ
れている。
【０００３】
従来、半透過型液晶表示装置としては、素子基板の画素電極と対向基板の対向電極との
間の電界で液晶分子を駆動するいわゆる縦電界駆動方式を用いるものが一般的であった。
サブピクセル内に透過表示部と反射表示部とを設ける半透過型液晶表示装置においては、
反射表示部の光路が透過表示部の光路の倍になることから、透過型表示モードでは半波長
（λ／２）光変調を、反射型表示モードでは四分の一波長（λ／４）光変調を用いる必要
があり、例えば、サブピクセル内に異なる液晶層厚さ（セルギャップ）を設けることで対
応している。
【０００４】
高視野角、高コントラストの透過表示で知られるＦＦＳ（Fringe Field Switching）、
ＩＰＳ（In Plane Switching）等の、いわゆる横電界駆動方式の半透過型液晶表示装置は
、従来に比べて良好な視認性が期待できる。しかし、従来のようなセルギャップを調整す
る構成を用いて横電界駆動方式を適用すると、透過表示部がノーマリブラック、反射表示
部がノーマリホワイトとなる課題が指摘されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、液晶層に横電界を印加する半透過型ＩＰＳ方式において、そ
のままでは、反射表示部が明表示のとき透過表示部では暗表示となり、またはその逆の関
係となり、反射表示部と透過表示部とは互いに異なる印加電圧依存性になることを指摘し
ている。そして、これを解決するため、反射表示部に、リタデーションが２分の１波長と
なる内蔵位相板を形成し、かつ反射表示部の液晶層のリタデーションを４分の１波長とす
ることが開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、半透過型液晶表示装置を横電界で駆動すると、反射領域はノー
マリホワイト、透過領域はノーマリブラックとなることを指摘している。そして、これを
解決するため、下部側基板と下部側基板の側に設置した偏光板との間に２分の１波長板を
配置することが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【特許文献２】特開２００３−３４４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、いわゆる横電界駆動方式の半透過型液晶表示装置には、透過表示部がノ
ーマリブラック、反射表示部がノーマリホワイトとなる課題がある。これを正常表示、す
なわち、透過表示部も反射表示部も共にノーマリブラック、あるいはノーマリホワイトに
するために、特許文献１、特許文献２に示される技術を採用した場合、透過表示では十分
な表示特性が得られるものの、反射表示においては十分な反射率が得られない等の課題が
あるとともに、パネルの構成が複雑となる。これに対して、透過表示部と反射表示部とで
液晶分子の駆動方式を異ならせて透過表示部も反射表示部も共にノーマリブラック、ある
いはノーマリホワイトにとすることが可能であるが、この場合には反射表示部との境界部
近傍の透過表示部で光漏れが生じてコントラストが低下するという課題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記従来例の課題に着目しなされたものであり、特に透過表示部に
生じる光漏れを確実に防止してコントラストを向上させるようにした液晶表示装置を提供
することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、第１の形態に係る液晶表示装置は、第１基板と第２基板との間に液晶層を挟持し、１つの画素内に、透過表示を行う透過表示部と、反射表示を行う反射表示部とを有し、前記液晶層の液晶分子を配向制御する第１電極及び第２電極を前記第１基板に備えた液晶表示装置であって、前記第１電極は、前記第２電極とともに前記透過表示部に設けられている一方で、前記第２基板に形成された第３電極とともに反射表示部にも設けられ、前記第２電極と前記第３電極は独立に電位を印加され、少なくとも前記第１電極又は前記第２電極の一方に、前記透過表示部及び前記反射表示部の境界線と直交する直交軸に対して−１５°から＋１５°の角度範囲で前記直交軸と平行又は傾斜して延長するスリットが形成され、前記液晶分子の初期配向は、前記スリットの延長方向に対して−１５°から＋１５°の角度範囲で平行又は傾斜して設定されるとともに、前記液晶分子の長軸が前記直交軸に対して傾斜角θ１＝５°〜１５°だけ傾斜している。
【００１１】
この第１の形態では、第１電極及び第２電極のいずれか一方に形成した複数のスリットが透過表示部及び反射表示部の境界線と直交する直交軸に沿って、直交軸と平行に又は所定角度傾斜して形成され、透過表示部における液晶分子の初期配向をスリットの延長方向と略平行とし、第１基板または第２基板に第３電極を備え、第１電極は第２電極とともに透過表示部に設けられている一方で、第３電極とともに反射表示部にも設けられ、第２電極と第３電極は独立に電位を印加されるので、透過表示部の第１電極及び第２電極間に電圧を印加して電界を発生し、反射表示部の第１電極及び第３電極間には電圧を印加しないブラック表示状態で、反射表示部近傍の透過表示部の液晶層の液晶分子の初期配向が反射表示部で発生する電界で変化することはなく、光漏れを確実に防止してコントラストを向上させることができる。
また、反射表示部からの漏れ電界が作用したとしても、液晶分子の配向方向は殆ど変化せず、従来例のように透過表示部の反射表示部との境界部で液晶分子の配向方向が変化して光漏れが生じることを確実に防止することができ、光漏れによるコントラストの低下を確実に防止することができる。
【００１２】
また、第１の形態に係る液晶表示装置では、前記スリットは、前記直交軸に対して−１５°から＋１５°の角度範囲で前記直交軸と平行又は傾斜延長されている。
この第１の形態では、スリットの傾斜角を直交軸に対して−１５°から＋１５°の範囲で平行又は傾斜させているので、このスリットに沿う液晶層の液晶分子の回転方向を安定させることができる。
【００１３】
さらに、第１の形態に係る液晶表示装置では、前記液晶分子の初期配向は前記スリットの延長方向に対して時計方向及び反時計方向のいずれか一方に−１５°から＋１５°の範囲の傾斜角に設定されている。
この第１の形態では、液晶分子の初期配向をスリットの延長方向に対して−１５°から＋１５°の範囲の傾斜角に設定したので、液晶層の液晶分子の回転方向を安定させることができ、スリットＳ１の延長方向に対する液晶分子の初期配向方向を５°に設定することが、より確実に液晶分子の回転方向を安定させることができる意味で好ましい。また、スリットの延長方向と液晶分子の初期配向とが近づくほど、ラビング時に生じるラビング布の接触不十分や、それに伴う乱れなどによる表示異常を抑制することができる。
さらにまた、第１の形態に係る液晶表示装置において、前記第３電極は、第２基板に形成されている。
この第１の形態では、前記第３電極は第２基板に形成されているので、第１基板に形成された第２電極との間で、反射表示部において第１基板の表面に略垂直な方向に縦電界を形成できる。
【００１４】
また、第２の形態に係る液晶表示装置は、第１の形態において、前記透過表示部及び前記反射表示部の前記第２電極及び前記第３電極は、互いに逆相の電位が印加される共通電極である。
この第２の形態では、前記透過表示部及び前記反射表示部の前記第２電極及び前記第３電極は、互いに逆相の電位が印加される共通電極であるので、透過表示部も反射表示部も共にノーマリブラック、あるいはノーマリホワイトに容易に行うことができる。
また、第３の形態に係る液晶表示装置は、第１の形態または第２の形態に係る液晶表示装置において、前記第１電極及び前記第２電極は絶縁膜を介して積層され、前記スリットは前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側に配置された電極に形成されている。この第３の形態では、前記第１電極及び前記第２電極は絶縁膜を介して積層され、前記スリットは前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側に配置された電極に形成されているので、液晶層の液晶分子を配向制御できる領域が増大し、透過率を向上させることができる。
また、第４の形態に係る液晶表示装置は、第１の形態乃至第３の形態のいずれか１つに係る液晶表示装置において、前記スリットは前記第１電極及び前記第２電極の両方に形成されている。
この第４の形態では、前記スリットは前記第１電極及び前記第２電極の両方に形成されているので、より簡単な構造で液晶層の液晶分子に第１基板の表面に略平行な横電界を印加できる。
【００１６】
また、第５の形態に係る液晶表示装置は、第１の形態乃至第４の形態のいずれか１つに係る液晶表示装置において、前記スリットは前記透過表示部のみに設けられている。
この第５の形態では、第３電極は、スリットは透過表示部のみに設けられているので、透過表示部では視野角の広い横電界表示モードを適用し、反射表示部では反射表示に適した表示モードが適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態を示す液晶表示装置の断面図であって、図中、１は半透過
型液晶表示装置を示し、この半透過型液晶表示装置１は、表示部２を構成する多数の画素
３を備えており、その１つの画素３がＦＦＳ方式によって透過表示を行う透過表示部１２
と、ＥＣＢ（Electrically Controled Birefringence）方式によって反射表示を行う反射
表示部１４とを含んで構成されている。
【００１８】
図１の例では、半透過型液晶表示装置１は、バックライト１６と、第１の基板としての
透光性を有する素子基板２０と、この素子基板２０に対して液晶層５０を介して対向する
第２の基板としての透光性を有する対向基板６０と、バックライト１６と素子基板２０と
の間に配置された素子基板側偏光板１８と、対向基板６０の外側に配置された対向基板側
偏光板１９とを含んで構成されている。
【００１９】
対向基板６０は、半透過型液晶表示装置１において、ユーザに対面する側とされている
。つまり、ユーザは、対向基板６０の側から、液晶層５０の光学的特性による明暗を視認
することができる。
そして、透過表示部１２では、バックライト１６からの光が、素子基板側偏光板１８、
素子基板２０、液晶層５０、対向基板６０、対向基板側偏光板１９を経て、ユーザの目に
達する。
【００２０】
また、反射表示部１４では、外光が、対向基板側偏光板１９、対向基板６０を経て液晶
層５０に達し、素子基板２０の上面に形成された反射板３８で反射され、再び液晶層５０
、対向基板６０、対向基板側偏光板１９を経て、ユーザの目に達する。
対向基板６０は、いくつかの膜が積層されて構成されている。図１の例では、対向基板
側偏光板１９の側から素子基板２０の側に向かって、ガラス基板６２、ブラックマトリク
ス６４、カラーフィルタ６６、反射領域ギャップ調整層６８、反射表示部１４における共
通電極である反射表示用共通電極７０、スペーサ７２を含んで構成される。これらの材料
寸法、形成方法等は一般的なアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法として周知
のものを適用することができるので、詳細な説明は省略する。
【００２１】
ここで、反射領域ギャップ調整層６８は、反射表示部１４の光路の倍になることから、
透過型表示モードでは半波長（λ／２）光変調を、反射側表示モードでは、四分の一波長
（λ／４）光変調を用いるために設けられている。このように、反射領域ギャップ調整層
６８を設けることで、反射表示部１４の液晶層５０の厚さと透過表示部１２の液晶層５０
の厚さとに差が生じる。その液晶層５０の厚さは、反射表示部１４の位相差が略Δｎｄ＝
λ／４、透過表示部１２の位相差が略Δｄ＝λ／２、となるように、反射領域ギャップ調
整層６８の厚さで調整が行われている。反射領域ギャップ調整層６８は、１／４波長板の
機能をもたせてもよく、いわゆる、内蔵位相差層として機能してもよい。
【００２２】
素子基板２０は、素子側基板とも、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とも呼ばれ、
スイッチング素子が配置される側の基板で、対向基板６０に対向する基板である。素子基
板２０の上面には周知の膜形成技術と、パターン形成技術によって、多層構造にパターン
化された複数の膜が積層されている。
図１の例では、バックライト１６の側から液晶層５０の側に向かって、ガラス基板２２
、半導体層２４、ゲート絶縁膜２６、ゲート電極２８、層間絶縁膜３０、ソース・ドレイ
ン電極３２，３３、平坦化膜３４、共通電極４２、ＦＦＳ絶縁膜４０、反射板３８、画素
電極３６が順次積層形成されている。これらの材料、寸法、形成方法等は、一般的なアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法として周知のものを用いることができるので
、その詳細な説明はこれを省略する。
【００２３】
ここで、透過表示部１２におけるＦＦＳ方式に関連する構成は、平坦化膜３４の上面に
形成される共通電極４２と、共通電極４２の上面にＦＦＳ絶縁膜４０を介して配置される
画素電極３６である。これら共通電極４２及び画素電極３６は例えばＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透光性導電材料で構成されている。
液晶層５０に近い画素電極３６には、図２で模式的に示すように、透過表示部１２及び
反射表示部１４の境界線に対して直交する直交軸に対して−１５°〜＋１５°の角度範囲
で平行又は僅かに傾斜して延長する複数のスリットＳ１が形成されている。
【００２４】
また、液晶層５０の液晶分子はラビング軸Ｒが画素電極３６のスリットＳ１と同様に透過表示部１２及び反射表示部１４の境界線と直交する直交軸に対して−１５°〜＋１５°の角度範囲で平行又は僅かに傾斜する方向となるように設定されて、液晶分子の初期配向が直交軸に平行又は僅かな傾斜角を持って沿うように設定されている。
ここで、スリットＳ１の延長方向に対する液晶分子の初期配向方向は、−１５°〜１５°の範囲の傾斜角に設定することにより、液晶層５０の液晶分子の回転方向を安定させることができ、スリットＳ１の延長方向に対する液晶分子の初期配向方向を５°に設定することが、より確実に液晶分子の回転方向を安定させることができる意味で好ましい。
【００２５】
図３（ａ）は、スリットＳ１が境界線の直交軸に対して平行な場合、図３（ｂ）は、スリットＳ１が境界線の直交軸に対して５°傾斜した場合、図３（ｃ）は、スリットＳ１が透過表示部の中央で折れ曲がっており境界線の直交軸に対して±５°傾斜した２つの部分からなる場合を示している。液晶分子の初期配向方向であるラビング軸Ｒは、図３（ａ）では境界線の直交軸に対して−５°、図３（ｂ）と図３（ｃ）では境界線の直交軸に対して平行に設定されている。また、図２と図３（ｃ）は境界線と離れた側のスリットＳ１の短辺が閉じた形状を示しているが、図３（ａ）と図３（ｂ）は、境界線と離れた側のスリットＳ１の短辺が開放された形状を示している。スリットＳ１が画素電極３６に形成される場合、図３（ａ）の形状の方が図２の形状より開口率が向上する。
【００２６】
そして、画素電極３６の各スリットＳ１によって、共通電極４２と画素電極３６との間
に電界がかけられ、その電界によって液晶層５０が横電界駆動方式で駆動される。
一方、反射表示部１４は縦電界駆動方式で駆動され、そのための構成は、平坦化膜３４
の上面に形成される共通電極４２と、共通電極４２の上面にＦＦＳ絶縁膜４０を介して配
置される画素電極３６とを備えているものであるが、画素電極３６はスリットが不要な点
、素子基板２０に反射板３８が配置されている点、対向基板６０に反射領域ギャップ調整
層６８及び反射表示用共通電極７０が配置されている点で透過表示部１２と異なっている
。
【００２７】
ここで、反射板３８は、対向基板６０の側からの光を再び対向基板６０側に反射して戻
す機能を有する反射膜であり、画素電極と電気的に接続する導電膜であってもよい。また
、共通電極４２と画素電極３６とは、その間のＦＦＳ絶縁膜４０を介して液晶層５０の駆
動のための保持容量を形成する機能を有する。反射表示部のＦＳＳ絶縁膜の下の共通電極
は形成してもしなくてもよい。
【００２８】
なお、図１には図示しないが、素子基板２０及び対向基板６０の液晶層５０と接する面
には配向膜が設けられる。
次に、上記実施形態における動作を説明する。ここで、偏光板の偏光軸と液晶分子の配
向軸との関係は、通常、以下のように設定されている。
つまり、ガラス基板２２，６２の外側の２つの偏光板、すなわち素子基板側偏光板１８
と対向基板側偏光板１９とは、偏光軸が互いに直交するように、且つ、どちらかの偏光板
の偏光軸は、液晶層５０へ印加される駆動電圧がオフした状態で液晶分子の配向軸と略平
行をなすように設定されている。
【００２９】
一方、反射表示部１４における液晶分子は、駆動電圧がオンした状態で、ガラス基板２
２，６２の表面に対し垂直に立ち上がるように構成される。
この構成で、透過表示部１２において、駆動電圧がオフの状態では、バックライト１６
から入射した光は、素子基板側偏光板１８を通って直線偏光となり、液晶層５０を通過し
、対向基板側偏光板１９を通過することができず吸収されて、黒表示となる（ノーマリブ
ラック）。ここで、上記のように、透過表示部１２においては、液晶層５０の厚さが、位
相差Δｎｄが略λ／２となるように調整されているので、駆動電圧がオンの状態では、液
晶層５０を通過して位相差が生じ、入射した直線偏光は対向基板側偏光板１９を透過して
、白表示となる。
【００３０】
これに対して、液晶層５０の厚さが、位相差Δｎｄが略λ／４となるように調整されて
いる反射表示部１４では以下のようになる。入射した光が対向基板側偏光板１９を通って
直線偏光となった光は、駆動電圧がオフの状態では、液晶層５０を通過する際に、λ／４
の位相差を生じ、右回りの円偏光となる。そして、反射板３８で反射されて左回りの円偏
光となり、再び液晶層５０を通過して９０度回転した直線偏光となり、対向基板側偏光板
１９を透過して白表示となる（ノーマリホワイト）。
【００３１】
このため、図４（ａ）で模式的に示すように、透過表示部１２に印加する駆動電圧をオ
フ状態とし、反射表示部１４に印加する駆動電圧をオン状態とすることにより、画素３で
黒表示することができる。逆に、図４（ｂ）で模式的に示すように、透過表示部１２に印
加する駆動電圧をオン状態とし、反射表示部１４に印加する駆動電圧をオフ状態とするこ
とにより、画素３で白表示を行うことができる。例えば、画素電極３６の透過表示部１２
と反射表示部１４に同じ表示信号電圧を印加し、共通電極４２と反射表示用共通電極７０
に互いに逆相となる電圧を印加することにより、透過表示部１２と反射表示部１４とで共
にノーマリブラック、あるいはノーマリホワイトにとすることができる。
【００３２】
このような表示制御状態では、透過表示部１２と反射表示部１４とが隣接しており、両
者に印加される駆動電圧が、一方がオン状態であるときに他方がオフ状態となる。このた
め、画素３で黒表示を行うために、透過表示部１２に印加する駆動電圧をオフ状態とし、
反射表示部１４に印加する駆動電圧をオン状態としたときに、反射表示部１４の反射表示
用共通電極７０に印加された駆動電圧により発生する電界が反射表示部１４と透過表示部
１２との境界部から透過表示部１２側に漏れ電界として影響を与える。
【００３３】
このとき、透過表示部１２では、図２に示すように、液晶層５０の液晶分子の初期配向
が液晶分子の長軸が透過表示部１２と反射表示部１４との境界線に対して直交する直交軸
に対して僅かな傾斜角θ１（５°〜１５°）だけ傾斜する方向とされているので、反射表
示部１４からの漏れ電界が作用したとしても、液晶分子の配向方向は殆ど変化せず、従来
例のように透過表示部１２の反射表示部１４との境界部で液晶分子の配向方向が変化して
光漏れが生じることを確実に防止することができ、光漏れによるコントラストの低下を確
実に防止することができる。
【００３４】
因みに、従来例においては、図５に示すように、透過表示部１２の画素電極３６のスリ
ットＳ１が透過表示部１２及び反射表示部１４間の境界線と平行な方向に形成され、この
スリットＳ１に対して僅かに傾斜する液晶層５０の液晶分子の配向方向となるようにラビ
ング軸が設定されている。
このため、画素３で黒表示を行う場合に、透過表示部１２に印加する駆動電圧をオフ状
態とし、反射表示部１４に印加する駆動電圧をオン状態としたときに、反射表示部１４の
反射表示用共通電極７０に印加された駆動電圧により発生する電界が透過表示部１２側に
漏れる。
【００３５】
この漏れ電界によって、透過表示部１２の反射表示部１４近傍の液晶分子が、図５に示
すように、初期配向状態である液晶分子の長軸をスリット方向とした状態から長軸がスリ
ットＳ１と直交する方向に回転されてしまう。
この液晶分子の長軸の回転によって、反射表示部１４の光が透過表示部１２の反射表示
部１４側で漏れる光漏れ現象が生じる。この光漏れ現象によって画素３のコントラストが
低下してしまうことになる。
【００３６】
実際に、従来例の構成でシミュレーションを行った結果を図６に示す。この図６から明
らかなように、透過表示部１２の反射表示部１４近傍の液晶分子が初期配向状態から回転
している。この結果、図７に示すように、透過表示部１２の反射表示部１４との境界位置
で光漏れ部８０が発生しており、画素３のコントラストが低下している。
これに対して、本実施形態の構成によれば、前述したように、画素電極３６のスリット
Ｓ１を透過表示部１２及び反射表示部１４の境界線と直交する直交軸に沿う方向とし、こ
れに応じて液晶層５０の液晶分子の初期配向方向もスリットＳ１に沿う方向すなわち直交
軸に沿う方向としている。
【００３７】
このため、画素３を黒表示状態とする同様のシミュレーションした結果では、図７に示
すように、透過表示部１２の反射表示部１４の近傍領域の液晶分子に、反射表示部１４に
印加される駆動電圧によって発生した漏れ電界が作用しても、液晶分子の配向方向は図８
に示すように殆ど変化せず、透過光を吸収する状態を維持することにより、図９に示すよ
うに、透過表示部１２及び反射表示部１４の境界部で光漏れを生じることがなく、コント
ラストの高い黒表示を行うことができる。
【００３８】
また、画素３は透過表示部１２及び反射表示部１４の配列方向に順次配列されて表示部
２が形成されているので、１つの画素の透過表示部１２と隣接する画素の反射表示部１４
とも近接配置されるので、透過表示部１２の隣接する画素の反射表示部１４の漏れ電界に
よる影響も受けることになるが、上述したように本実施形態では、初期配向状態で、隣接
する反射表示部１４に対しても液晶分子の長軸が向いているので、隣接する画素の反射表
示部１４の漏れ電界による影響も受けることなく、光漏れの発生を確実に防止することが
できる。
【００３９】
なお、上記実施形態では、画素電極３６のスリットＳ１の延長方向に対して液晶層５０
の液晶分子の配向方向が５°〜１５°となるようにラビング軸を設定した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、スリットＳ１の延長方向とラビング軸とを一
致させるようにしてもよい。この場合には、スリットＳ１の延長方向と液晶分子の初期配
向とが一致するので、ラビング時に生じるラビング布の接触不十分や、それに伴う乱れな
どによる表示異常を抑制することができる。
【００４０】
また、上記実施形態では、画素電極３６にスリットＳ１を形成した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、透過表示部の共通電極４２を液晶分子側に配置し
た場合には、画素電極３６に代えて、共通電極４２にスリットＳ１を形成すればよい。
さらに、上記実施形態では、透過表示部１２において、ＦＦＳ絶縁膜４０を介して画素
電極３６及び共通電極４２を配置し、液晶層５０側の電極にスリットＳ１を有した場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく、透過表示部１２をスリットＳ１と直
交する方向の断面図である図１０に示すように、透過表示部１２における画素電極３６及
び共通電極４２の両方の電極がスリットＳ１を有し、これら画素電極３６及び共通電極４
２を、ＦＦＳ絶縁膜４０を介さず、平坦化膜３４上に同層に形成し、一方のスリットＳ１
に他方の電極を配置するようにしてもよい。また、上記実施形態では、反射表示用共通電
極７０が対向基板６０に形成された場合について説明したが、素子基板２０に形成しても
よい。
【００４１】
なおさらに、上記実施形態では、画素３がノーマリブラック型のＦＦＳモードにより動
作する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ノーマリホワイト型の
ＦＦＳモードにより動作する液晶表示装置についても本発明を適用することができる。こ
の場合、素子基板側偏光板１８及び対向基板側偏光板１９の透過軸、配向膜（図示せず）
のラビング方向の関係をノーマリホワイト型に対応して変更すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明を半透過型液晶装置に適用した場合の一実施形態を示す断面図。
【図２】画素を模式的に示す平面図。
【図３】画素を模式的に示す平面図であって、（ａ）はスリットが透過表示部と反射表示部の境界線の直交軸に対して平行な場合の平面図、（ｂ）と（ｃ）はスリットが境界線の直交軸に対して傾斜した場合の平面図。
【図４】画素の駆動状態を模式的に示す図であって、（ａ）は黒表示状態、（ｂ）は白表示状態を夫々示す模式図。
【図５】従来例の画素を模式的に示す平面図。
【図６】従来例の画素の黒表示状態のシミュレーション結果を示す説明図。
【図７】従来例の画素の光漏れ状態のシミュレーション結果を示す説明図。
【図８】本発明の画素の黒表示状態のシミュレーション結果を示す説明図。
【図９】本発明の画素の光漏れ状態のシミュレーション結果を示す説明図。
【図１０】本発明の透過表示部の他の実施形態を示すスリットと直交する方向の断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１…半透過型液晶表示装置、２…表示部、３…画素、１２…透過表示部、１４…反射表
示部、１６…バックライト、１８…素子基板側偏光板、１９…対向基板側偏光板、２０…
素子基板、２２…ガラス基板、２４…半導体層、２６…ゲート絶縁膜、２８…ゲート電極
、３０…層間絶縁膜、３２，３３…ソース・ドレイン電極、３４…平坦化膜、３６…画素
電極、３８…反射板、４０…ＦＦＳ絶縁膜、４２…共通電極、５０…液晶層、６０…対向
基板、６２…ガラス基板、６４…ブラックマトリクス、６６…カラーフィルタ、６８…反
射領域ギャップ調整層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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