(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）被加工基板上に、レジスト下層膜形成用組成物によってレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
（１’）前記レジスト下層膜上に中間層を形成する中間層形成工程と、
（２）前記中間層が形成されたレジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成するレジスト被膜形成工程と、
（３）前記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射して、該レジスト被膜を露光する露光工程と、
（４）露光された前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
（５）前記レジストパターンをマスクとして用い、前記中間層、前記レジスト下層膜及び前記被加工基板をドライエッチングして、該被加工基板に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、を備えるパターン形成方法であって、
前記レジスト下層膜形成用組成物は、（Ａ）基材成分と、（Ｂ）下記一般式（ｉ）で表される部分構造を有する架橋剤と、を含み、
前記レジスト下層膜の水素含量が０〜５０ａｔｏｍ％であることを特徴とするパターン形成方法。
【化１】
0005609882.tif 000031
〔一般式（ｉ）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ１は１〜６の整数を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項２】
前記（Ｂ）架橋剤が、下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物、及び下記一般式（ｂ２）で表される化合物のうちの少なくとも一方である請求項１に記載のパターン形成方法。
【化２】
0005609882.tif 000032
〔一般式（ｂ１−１）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ２は１〜５の整数を示す。ｎ３はそれぞれ独立に１〜４の整数を示す。ｍはそれぞれ独立に０又は１を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜２２のアリール基を示し、Ｒ２が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ３は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子、若しくはこれらを組み合わせた（ｎ２＋１）価の基を表す。〕
【化３】
0005609882.tif 000033
〔一般式（ｂ２）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ４は１〜５の整数を示す。ｍは０又は１を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基を示す。〕
【請求項３】
前記（Ｂ）架橋剤が、下記一般式（ｂ１−２）で表される化合物である請求項１に記載のパターン形成方法。
【化４】
0005609882.tif 000034
〔一般式（ｂ１−２）において、ｎ５は１〜５の整数を示す。Ｒ５は、相互に独立して、水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ６は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子、若しくはこれらを組み合わせた（ｎ５＋１）価の基を示す。〕
【請求項４】
前記（Ｂ）架橋剤が、下記一般式（ｂ１−３）で表される化合物である請求項１に記載のパターン形成方法。
【化５】
0005609882.tif 000035
〔一般式（ｂ１−３）において、Ｒ８は、相互に独立して、水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ９は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、硫黄原子、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）、若しくはこれらを組み合わせた２価の基を示す。〕
【請求項５】
前記（Ａ）基材成分が、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン系樹脂、又はフラーレン骨格を有する樹脂である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
更に、（Ｃ）溶剤を含む請求項１乃至５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物に関する。更に詳しくは、レジスト用下層膜の形成工程において、脱水素反応による酸化架橋を伴うことを特徴とし、各種の放射線を用いるリソグラフィープロセスにおける微細加工、特に高集積回路素子の製造に好適なパターン形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路素子の製造方法においては、より高い集積度を得るために、多層レジストプロセスを用いる加工サイズの微細化が進んでいる。このプロセスにおいては、まず液状のレジスト下層膜形成用組成物を基板上に塗布した後、液状のフォトレジスト組成物を更に塗布する。次いで、縮小投影露光装置（ステッパー）によってマスクパターンを転写し、適当な現像液で現像することによりフォトレジストパターンを得る。引き続きドライエッチングによりこのパターンをレジスト下層膜に転写する。最後にドライエッチングによりレジスト下層膜パターンを基板に転写することにより所望のパターン付き基板を得ることができる。この際、レジスト下層膜を１種類用いる多層プロセスを２層レジストプロセスと呼び、２種類用いる場合を３層レジストプロセスと呼ぶことがある。【０００３】
一般にレジスト下層膜は、基板から反射した放射線を吸収する反射防止膜としての機能を有する。また、一般に基板直上のレジスト下層膜は炭素含有量の多い材料が用いられる。炭素含有量が多いと基板加工時のエッチング選択性が向上し、より正確なパターン転写が可能となる。このような下層膜としては、特に熱硬化フェノールノボラックがよく知られている。また、アセナフチレン系の重合体を含有する組成物が下層膜として良好な特性を示すことが知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１４３９３７号公報
【特許文献２】特開２００１−４０２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、エッチングパターンの更なる微細化に伴い、レジスト下層膜のオーバーエッチングが大きな問題となり、精密なパターン転写性能及びエッチング耐性の向上が求められているのが現状である。特に、微細なパターン転写時においては、レジスト下層膜をフォトマスクとして基板加工する際に、レジスト下層膜のパターンが曲がらないことが求められている。【０００６】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有する架橋剤を用いたレジスト下層膜形成用組成物により上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
本発明は以下の通りである。
［１］（１）被加工基板上に、レジスト下層膜形成用組成物によってレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
（１’）前記レジスト下層膜上に中間層を形成する中間層形成工程と、
（２）前記中間層が形成されたレジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成するレジスト被膜形成工程と、
（３）前記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射して、該レジスト被膜を露光する露光工程と、
（４）露光された前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
（５）前記レジストパターンをマスクとして用い、前記中間層、前記レジスト下層膜及び前記被加工基板をドライエッチングして、該被加工基板に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、を備えるパターン形成方法であって、
前記レジスト下層膜形成用組成物は、（Ａ）基材成分と、（Ｂ）下記一般式（ｉ）で表される部分構造を有する架橋剤と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【化１】
0005609882.tif 000002
〔一般式（ｉ）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ１は１〜６の整数を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
［２］前記（Ｂ）架橋剤が、下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物、及び下記一般式（ｂ２）で表される化合物のうちの少なくとも一方である前記［１］に記載のパターン形成方法。
【化２】
0005609882.tif 000003
〔一般式（ｂ１−１）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ２は１〜５の整数を示す。ｎ３はそれぞれ独立に１〜４の整数を示す。ｍはそれぞれ独立に０又は１を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜２２のアリール基を示し、Ｒ２が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ３は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子、若しくはこれらを組み合わせた（ｎ２＋１）価の基を表す。〕
【化３】
0005609882.tif 000004
〔一般式（ｂ２）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ４は１〜５の整数を示す。ｍは０又は１を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基を示す。〕
［３］前記（Ｂ）架橋剤が、下記一般式（ｂ１−２）で表される化合物である前記［１］に記載のパターン形成方法。
【化４】
0005609882.tif 000005
〔一般式（ｂ１−２）において、ｎ５は１〜５の整数を示す。Ｒ５は、相互に独立して、水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ６は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子、若しくはこれらを組み合わせた（ｎ５＋１）価の基を示す。〕
［４］前記（Ｂ）架橋剤が、下記一般式（ｂ１−３）で表される化合物である前記［１］に記載のパターン形成方法。
【化５】
0005609882.tif 000006
〔一般式（ｂ１−３）において、Ｒ８は、相互に独立して、水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ９は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、硫黄原子、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）、若しくはこれらを組み合わせた２価の基を示す。〕
［５］前記（Ａ）基材成分が、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン系樹脂、又はフラーレン骨格を有する樹脂である前記［１］乃至［４］のいずれかに記載のパターン形成方法。
［６］更に、（Ｃ）溶剤を含む前記［１］乃至［５］のいずれかに記載のパターン形成方法。
［７］（１）被加工基板上に、レジスト下層膜形成用組成物によってレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
（１’）前記レジスト下層膜上に中間層を形成する中間層形成工程と、
（２）前記中間層が形成されたレジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成するレジスト被膜形成工程と、
（３）前記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射して、該レジスト被膜を露光する露光工程と、
（４）露光された前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
（５）前記レジストパターンをマスクとして用い、前記中間層、前記レジスト下層膜及び前記被加工基板をドライエッチングして、該被加工基板に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、を備えるパターン形成方法において用いられる前記レジスト下層膜形成用組成物であって、
（Ａ）基材成分と、（Ｂ）下記一般式（ｉ）で表される部分構造を有する架橋剤と、を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。
【化６】
0005609882.tif 000007
〔一般式（ｉ）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ１は１〜６の整数を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
【発明の効果】
【０００９】
本発明のパターン形成方法によれば、特定のレジスト下層膜形成用組成物を用いることにより、被加工基板上に、エッチング耐性に優れ、且つ被加工基板をエッチングする際に転写するパターンが微細であっても下層膜パターンが折れ曲がり難いレジスト下層膜を容易に形成することができる。そして、被加工基板にレジストパターンを再現性よく忠実に転写することができる。また、被加工基板をエッチングする際に下層膜パターンが折れ曲がらないため、リソグラフィープロセスにおける微細加工、特に高集積回路素子の製造において歩留りの向上が期待できる。
また、本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができる。更には、被加工基板をエッチングする際に下層膜パターンが折れ曲がらないレジスト下層膜を容易に形成することができる。そして、本組成物により得られるレジスト下層膜は、ドライエッチングプロセスにおいて、精密なパターン転写性能及び良好なエッチング選択性を有することになり、レジスト下層膜のオーバーエッチングが少なく、被加工基板にレジストパターンを再現性よく忠実に転写することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
［１］レジスト下層膜形成用組成物
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、後述のパターン形成方法におけるレジスト下層膜形成工程において用いられるものであり、（Ａ）基材成分と、（Ｂ）特定の構造を有する架橋剤と、を含むものである。
【００１１】
［（Ａ）基材成分］
本発明の組成物においては、レジスト下層膜用の基材成分として有機化合物が用いられる。この有機化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。尚、基材成分（以下、「基材成分（Ａ）」ともいう。）とは、膜形成能を有する有機化合物である。
このような基材成分としては、具体的には、（Ａ１）芳香環を含む樹脂や、（Ａ２）フラーレン骨格を有する化合物を挙げることができる。
【００１２】
（Ａ１）芳香環を含む樹脂
前記芳香環を含む樹脂（以下、「樹脂（Ａ１）」ともいう。）としては、例えば、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン系樹脂、フラーレン骨格を有する樹脂、及びこれらの誘導体等が挙げられる。
ノボラック樹脂の具体例としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールＡ、パラターシャリーブチルフェノール、パラオクチルフェノール等のフェノール類、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類からなる群より選ばれる１種又は２種以上のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、及びトリオキサン等のアルデヒド源のうちの１種又は２種以上のアルデヒド類と、を酸性触媒を用いて反応させて得られる樹脂が挙げられる。
このような樹脂としては、例えば、下記一般式（ａ１）や一般式（ａ２）で表されるもの等が挙げられる。
【００１３】
【化７】
0005609882.tif 000008
〔一般式（ａ１）及び（ａ２）において、Ｒ２１及びＲ２２は、相互に独立に、ヒドロキシル基、置換若しくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは非置換の炭素数１〜６のアルコキシル基、置換若しくは非置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、置換若しくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基、置換若しくは非置換のグリシジルエーテル基、又は、置換若しくは非置換のアルキルグリシジルエーテル基（但し、アルキル部位の炭素数は１〜６である。）を示す。ｍ２は０〜６の整数である。但し、ｍ２が２〜６の整数である場合には、複数のＲ２１は同一でも異なっていてもよい。ｍ３は０〜４の整数である。但し、ｍ３が２〜４の整数である場合には、複数のＲ２２は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、メチレン基、置換若しくは非置換の炭素数２〜２０のアルキレン基、置換若しくは非置換の炭素数６〜１４のアリーレン基、又は置換若しくは非置換のアルキレンエーテル基を示す。ｍ１は１〜８の整数である。ｍ１が２〜８の整数である場合には、複数のＺは同一でも異なっていてもよい。また、ｍ１〜ｍ３は、１≦ｍ１＋ｍ２≦８、１≦ｍ１＋ｍ３≦８を満たす。〕
【００１４】
一般式（ａ１）及び（ａ２）のＲ２１及びＲ２２における非置換の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００１５】
Ｒ２１及びＲ２２における非置換の炭素数１〜６のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−プロピニルオキシ基等が挙げられる。
【００１６】
Ｒ２１及びＲ２２における非置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ２１及びＲ２２における非置換の炭素数６〜１４のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ２１及びＲ２２における非置換のアルキルグリシジルエーテル基としては、例えば、メチルグリシジルエーテル基、エチルグリシジルエーテル基、プロピルグリシジルエーテル基、ブチルグリシジルエーテル基等が挙げられる。
【００１９】
また、一般式（ａ１）及び（ａ２）のＺにおける非置換の炭素数２〜２０のアルキレン基としては、例えば、エチレン基；１，３−プロピレン基、１，２−プロピレン基等のプロピレン基；テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、１−メチル−１，３−プロピレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、２−メチル−１，２−プロピレン基、１−メチル−１，４−ブチレン基、２−メチル−１，４−ブチレン基等が挙げられる。
【００２０】
Ｚにおける非置換の炭素数６〜１４のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基等が挙げられる。
【００２１】
Ｚにおけるアルキレンエーテル基のアルキレン部位の炭素数は２〜２０であることが好ましい。具体的なアルキレンエーテル基としては、例えば、エチレンエーテル基；１，３−プロピレンエーテル基、１，２−プロピレンエーテル基等のプロピレンエーテル基；テトラメチレンエーテル基、ペンタメチレンエーテル基、ヘキサメチレンエーテル基等が挙げられる。
【００２２】
また、一般式（ａ１）及び（ａ２）における、Ｒ２１、Ｒ２２及びＺは、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。等が挙げられる。
また、前記炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
更に、前記炭素数６〜２２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００２３】
レゾール樹脂の具体例としては、上述のフェノール性化合物と、上述のアルデヒド類とをアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂が挙げられる。
【００２４】
アセナフチレン系樹脂としては、例えば、下記一般式（ａ３）で表される繰り返し単位や、下記一般式（ａ４）で表される繰り返し単位を含むもの等が挙げられる。
【００２５】
【化８】
0005609882.tif 000009
〔一般式（ａ３）及び（ａ４）において、Ｒ２３及びＲ２４は、相互に独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは非置換の炭素数１〜６のアルコキシル基、置換若しくは非置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、又は、置換若しくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基を示す。Ｒ２５は水素原子、置換若しくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは非置換の炭素数１〜６のアルコキシル基、置換若しくは非置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、又は、置換若しくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基を示す。〕
【００２６】
一般式（ａ３）及び（ａ４）のＲ２３〜Ｒ２５における非置換の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ２３〜Ｒ２５における非置換の炭素数１〜６のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００２８】
Ｒ２３〜Ｒ２５における非置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００２９】
Ｒ２３〜Ｒ２５における非置換の炭素数６〜１４のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００３０】
また、一般式（ａ３）及び（ａ４）のＲ２３及びＲ２４におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３１】
また、一般式（ａ３）及び（ａ４）における、Ｒ２３〜Ｒ２５は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。等が挙げられる。
また、前記炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
更に、前記炭素数６〜２２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００３２】
このような樹脂は、アセナフチレン骨格を有する化合物の重合体に、酸性条件下でパラホルムアルデヒドを反応させる等して得ることができる。
【００３３】
スチレン樹脂又はこの誘導体としては、例えば、下記一般式（ａ５）で表される構成のものが挙げられる。
【００３４】
【化９】
0005609882.tif 000010
〔一般式（ａ５）において、Ｍはラジカル重合性の単量体を示す。ｍは正の数であり、ｎは０又は正の数であり、５≦ｍ＋ｎ≦２００、ｍ／（ｍ＋ｎ）≧０．５を満たす。Ｒ３１及びＲ３２は、相互に独立に、水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、酸素原子、アリール基、又はエステル基を示す。〕
【００３５】
一般式（ａ５）におけるラジカル重合性の単量体は特に限定されず、種々の重合性不飽和結合を有する化合物が挙げられる。具体的には、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸メチル等の（メタ）アクリル酸エステル、アクリルアミド等のアクリル系単量体、エチルビニルエーテル等のビニルエーテル類、無水マレイン酸、酢酸ビニル、ビニルピリジン等が挙げられる。尚、本明細書中における「（メタ）アクリル」は、「アクリル」又は「メタクリル」を意味する。
【００３６】
一般式（ａ５）におけるＲ３１及びＲ３２におけるアルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
また、Ｒ３１及びＲ３２におけるアリール基としては、炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
尚、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ、主鎖に対してパラ位、オルソ位又はメタ位をとる。
【００３７】
また、一般式（ａ５）における共重合成分であるＭ（ラジカル重合性の単量体）に由来する構成単位は、重合体を構成する構成単位の合計を１００モル％とした場合に、５０モル％未満であることが好ましい。
【００３８】
このようなスチレン樹脂又はこの誘導体（特にポリビニルフェノール系の重合体）としては、市販品を用いることもでき、例えば、丸善石油化学製の「マルカリンカーＭ」（ポリ−ｐ−ビニルフェノール）、「リンカーＭＢ」（臭素化ポリ−ｐ−ビニルフェノール）、「リンカーＣＭＭ」（ｐ−ビニルフェノール／メタクリル酸メチル共重合体）、「リンカーＣＨＭ」（ｐ−ビニルフェノール／メタクリル酸２−ヒドロキシエチル共重合体）、「リンカーＣＳＴ」（ｐ−ビニルフェノール／スチレン共重合体）等が挙げられる。
【００３９】
また、樹脂（Ａ１）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」ともいう）は、５００〜１００，０００であることが好ましく、より好ましくは１，０００〜５０，０００、更に好ましくは１，２００〜４０，０００である。
更に、樹脂（Ａ１）のＭｗと、ＧＰＣで測定したポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」ともいう）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常１〜５であり、より好ましくは１〜３である。
【００４０】
また、本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、樹脂（Ａ１）を１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。
【００４１】
（Ａ２）フラーレン骨格を有する化合物
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、前記基材成分として、フラーレン骨格を有する化合物（以下、「化合物（Ａ２）」ともいう。）を用いることもできる。この化合物（Ａ２）としては、フラーレン及びフラーレン誘導体を挙げることができる。
【００４２】
前記フラーレンとしては、例えば、Ｃ３６、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ９０、Ｃ９６及び一分子中の炭素数が９６を超え且つ最大凝集塊径が３０ｎｍ以下の高次フラーレン等を挙げることができる。これらのなかでも、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ８２等が好ましく用いられる。
【００４３】
これらフラーレンは、公知の方法によって合成することができる。例えば、Ｃ３６の製造方法はＮｅｗ  Ｄａｉａｍｏｎｄ．ｖｏｌ．１６，ｎｏ．２，２０００，ｐ．３０−３１に開示されている。Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ９０及びＣ９６の製造方法としては、Ｊ．Ｐｈｙ．Ｃｈｅｍ．，９４，８６３４（１９９０）にアーク放電法による製造方法が、またＺ．Ｐｈｙｓ．Ｄ，４０，４１４（１９９７）にオーブン・レーザー法による製造方法がそれぞれ開示されている。また、一分子中の炭素数が９６を超え且つ最大凝集塊径が３０ｎｍ以下の高次フラーレンは前記アーク放電法の副成物として得ることができる。これらフラーレンの市販品は、Ｃ６０及びＣ７０としてフロンティアカーボン（株）製、ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＭＴＲ  ＬＩＭＩＴＥＤ社製等が挙げられ、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４としてＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＭＴＲ  ＬＩＭＩＴＥＤ社製等が挙げられる。前記フラーレンは、炭素数の異なるフラーレンの混合物でも本発明の目的を達成することができる。その市販品としては、フロンティアカーボン（株）製又はＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＭＴＲ  ＬＩＭＩＴＥＤ社製のＣ６０／Ｃ７０の混合物が挙げられる。
【００４４】
また、前記フラーレン誘導体としては、官能基含有フラーレン誘導体やヘテロ環含有フラーレン誘導体が挙げられる。このうち、官能基含有フラーレン誘導体は、前記フラーレンの表面に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基等の官能基を有するものである。このうち、前記アミノ基は式−ＮＲ１２で表され、ここで、Ｒ１としては、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基又は分子量３０〜５０，０００のポリエーテル鎖であることができる。前記アミノ基において置換基Ｒ１がポリエーテル鎖である場合には、その末端は水酸基又は炭素数１〜６のアルコキシル基であることができる。
【００４５】
前記フラーレン誘導体は、例えば、Ｓｃｉｅｎｃｅ，５４８（１９９１）及びＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，１１０３（１９９２）に開示されているエポキシ化反応、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．，１３０９（１９９１）に開示されている１級又は２級アミンの付加反応、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，７３０１（１９９２）に開示されているＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、或いはＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９１（１９９２）に開示されているポリ水酸化反応等の公知の方法により合成することができる。
【００４６】
一方、ヘテロ環含有フラーレン誘導体は、フラーレンにヘテロ環を有する基が結合したフラーレン誘導体である。ここで、ヘテロ環を有する基としては、ヘテロ環としてフラン環及び／又はチオフェン環を有する基が好ましい。ヘテロ環を有するフラーレンの誘導体は、フラーレンとフラン環等のヘテロ環を有する化合物とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応によって得ることができる。具体的には、フラーレンと、フルフリルアルコール、塩化フロイル、カルボキシルフラン、フルフリルアミン等のヘテロ環を有する化合物とを、両者が溶解する溶剤中で撹拌することで反応を進行させることができる。この場合、フラーレンとヘテロ環のモル比が、フラーレン／ヘテロ環＜１を充たす量でフラーレンとヘテロ環を有する化合物とを用い、３０〜１００℃の温度条件で反応を行うのが好ましい。
【００４７】
前記フラーレン誘導体の具体例としては、特開２００４−２６４７１０号公報［００４４］〜［００４６］段落に記載のもの、特開２００８−１６４８０６号に記載のもの、国際公開０８／０６２８８８号パンフレットに記載のもの、特開２００８−１２９４２３号公報に記載のもの、特開２００６−２２７３９１号公報に記載のものを挙げることができる。
【００４８】
また、本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、化合物（Ａ２）を１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。
【００４９】
［（Ｂ）架橋剤］
前記架橋剤（以下、「架橋剤（Ｂ）」ともいう。）は、下記一般式（ｉ）で表される部分構造を有するものである。即ち、架橋剤（Ｂ）を構成する化合物の構造式中には、一般式（ｉ）で表される構造が少なくとも含まれている。尚、この架橋剤（Ｂ）は、一般式（ｉ）で表される構造からなる化合物であってもよい。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物においては、この架橋剤（Ｂ）と基材成分（Ａ）とが反応した結果、芳香環に挟まれたメチレン部位を生じる。このメチレン部位が有する水素原子は酸化されやすいために新たな架橋点を生じ、その新たに生じた架橋点が更に架橋を生じることで材料全体の水素原子含有量が低下する。このため、形成されたレジスト下層膜の曲がり耐性が向上するものと考えられる。
【００５０】
【化１０】
0005609882.tif 000011
〔一般式（ｉ）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ１は１〜６の整数を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
【００５１】
一般式（ｉ）におけるＸの、−ＮＲ−のＲにおける炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
また、Ｒにおける炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
【００５２】
一般式（ｉ）のＲ１における炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
また、Ｒ１における炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
更に、一般式（ｉ）のｎ１は１〜６の整数であり、１〜３の整数であることがより好ましい。
【００５３】
上述の構造を有する架橋剤（Ｂ）としては、例えば、下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物や、下記一般式（ｂ−２）で表される化合物等を挙げることができる。
【００５４】
【化１１】
0005609882.tif 000012
〔一般式（ｂ１−１）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ２は１〜５の整数を示す。ｎ３はそれぞれ独立に１〜４の整数を示す。ｍはそれぞれ独立に０又は１を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜２２のアリール基を示し、Ｒ２が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ３は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子、若しくはこれらを組み合わせた（ｎ２＋１）価の基を表す。〕
【００５５】
【化１２】
0005609882.tif 000013
〔一般式（ｂ２）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）を示し、Ｘが複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ４は１〜５の整数を示す。ｍは０又は１を示す。Ｒ１は水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基を示す。〕
【００５６】
一般式（ｂ１−１）におけるＲ１及びＸは、それぞれ、上述の一般式（ｉ）におけるＲ１及びＸと同義である。
一般式（ｂ１−１）のＲ２における炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
また、Ｒ２における炭素数６〜２２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
【００５７】
一般式（ｂ１−１）のｎ２は１〜５の整数であり、１〜２の整数であることがより好ましい。
また、ｎ３は１〜４の整数であり、１〜３の整数であることがより好ましい。
【００５８】
一般式（ｂ１−１）のＲ３における（ｎ２＋１）価（ｎ２；１〜５）の炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ビニル基、エチニル基等に由来する（ｎ２＋１）価の基が挙げられる。
【００５９】
一般式（ｂ１−１）のＲ３における（ｎ２＋１）価の炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基等に由来する（ｎ２＋１）価の基が挙げられる。
【００６０】
一般式（ｂ１−１）のＲ３における（ｎ２＋１）価の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレン基、コロネン基等に由来する（ｎ２＋１）価の基が挙げられる。
【００６１】
尚、これらの一般式（ｂ１−１）におけるＲ３は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基を挙げることができる。
前記炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
前記炭素数６〜２２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
【００６２】
また、一般式（ｂ１−１）のＲ３における、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子を組み合わせた（ｎ２＋１）価の基としては、下記一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）で表される構造に由来する（ｎ２＋１）価の有機基が挙げられる。
【００６３】
【化１３】
0005609882.tif 000014
〔一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）において、Ｒ４０、Ｒ４２及びＲ４３は、相互に独立に、置換若しくは非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基を示し、各々が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ４１は、相互に独立に、単結合、又は、置換若しくは非置換の炭素数１〜１０の２価の炭化水素基を示し、複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎ６は１〜６の整数を示し、ｎ７は０〜５の整数を示し、ｎ８は１〜４の整数を示す。ｎ９は０〜５の整数を示し、ｎ１０は１〜６の整数を示す。Ｙは酸素原子、エステル基、又はカルボニル基を示す。〕
【００６４】
一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）のＲ４０、Ｒ４２及びＲ４３における非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００６５】
一般式（Ｒ−２）〜（Ｒ−３）のＲ４１における非置換の炭素数１〜１０の２価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基等が挙げられる。
【００６６】
また、一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）における、Ｒ４０〜Ｒ４３は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２２のアリール基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。等が挙げられる。
また、前記炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
更に、前記炭素数６〜２２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００６７】
一般式（ｂ２）におけるＲ１、Ｒ２及びＸは、それぞれ、上述の一般式（ｂ１−１）におけるＲ１、Ｒ２及びＸと同義である。
また、一般式（ｂ２）のｎ４は１〜５の整数であり、１〜３の整数であることがより好ましい。
【００６８】
また、架橋剤（Ｂ）は、下記一般式（ｂ１−２）で表される化合物であることが好ましい。
【００６９】
【化１４】
0005609882.tif 000015
〔一般式（ｂ１−２）において、ｎ５は１〜５の整数を示す。Ｒ５は、相互に独立して、水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ６は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子、若しくはこれらを組み合わせた（ｎ５＋１）価の基を示す。〕
【００７０】
一般式（ｂ１−２）のＲ５における炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
また、Ｒ５における炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
【００７１】
一般式（ｂ１−２）のＲ６における（ｎ５＋１）価（ｎ５；１〜５）の炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ビニル基、エチニル基等に由来する（ｎ５＋１）価の基が挙げられる。
【００７２】
一般式（ｂ１−２）のＲ６における（ｎ５＋１）価の炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基等に由来する（ｎ５＋１）価の基が挙げられる。
【００７３】
一般式（ｂ１−２）のＲ６における（ｎ５＋１）価の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレン基、コロネン基等に由来する（ｎ５＋１）価の基が挙げられる。
【００７４】
一般式（ｂ１−２）のｎ５は１〜５の整数であり、１〜２の整数であることがより好ましい。
【００７５】
また、一般式（ｂ１−２）のＲ６における、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子を組み合わせた（ｎ４＋１）価の基としては、上述の一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）で表される構造に由来する（ｎ４＋１）価の有機基が挙げられる。
【００７６】
特に、架橋剤（Ｂ）は、下記一般式（ｂ１−３）で表される化合物であることが好ましい。
【００７７】
【化１５】
0005609882.tif 000016
〔一般式（ｂ１−３）において、Ｒ８は、相互に独立して、水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ９は、単結合、又は、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、硫黄原子、−ＮＲ−（但し、Ｒは水素原子、炭素数１〜９のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を示す。）、若しくはこれらを組み合わせた２価の基を示す。〕
【００７８】
一般式（ｂ１−３）のＲ８における炭素数１〜９のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
また、Ｒ８における炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
【００７９】
一般式（ｂ１−３）のＲ９における炭素数１〜３０の２価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、イコサレン基等の直鎖状アルキレン基；１−メチル−１，３−プロピレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、２−メチル−１，２−プロピレン基、１−メチル−１，４−ブチレン基、２−メチル−１，４−ブチレン基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、２−プロピリデン基等の分岐状アルキレン基等を挙げることができる。
【００８０】
一般式（ｂ１−３）のＲ９における炭素数３〜３０の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、１，３−シクロブチレン基、１，３−シクロペンチレン基等、１，４−シクロヘキシレン基、１，５−シクロオクチレン基等の炭素数３〜３０の単環型シクロアルキレン基；１，４−ノルボルニレン基、２，５−ノルボルニレン基、１，５−アダマンチレン基、２，６−アダマンチレン基等の多環型シクロアルキレン基等を挙げることができる。
【００８１】
一般式（ｂ１−３）のＲ９における炭素数６〜３０の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基、アントリレン基等のアリーレン基等を挙げることができる。
【００８２】
また、一般式（ｂ１−３）のＲ９における、酸素原子、エステル基、カルボニル基、炭素数１〜３０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、窒素原子、硫黄原子を組み合わせた２価の基としては、上述の一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）で表される構造に由来する２価の有機基が挙げられる。
【００８３】
ここで、具体的な架橋剤（Ｂ）としては、例えば、ベンゼンジメタノール、ベンゼントリメタノール、ベンゼンテトラメタノール、ベンゼンペンタメタノール、ベンゼンヘキサメタノール、ビフェニルジメタノール、ビフェニルトリメタノール、ビフェニルテトラメタノール、ビフェニルペンタメタノール、ビフェニルへキサメタノール、ヒドロキシビフェニルジメタノール、ヒドロキシビフェニルトリメタノール、ヒドロキシビフェニルテトラメタノール、ヒドロキシビフェニルペンタメタノール、ヒドロキシビフェニルへキサメタノール、ジヒドロキシビフェニルジメタノール、ジヒドロキシビフェニルトリメタノール、ジヒドロキシビフェニルテトラメタノール、ジヒドロキシビフェニルペンタメタノール、ジヒドロキシビフェニルへキサメタノールや、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ２２）で表される化合物等が挙げられる。
【００８４】
【化１６】
0005609882.tif 000017
【００８５】
【化１７】
0005609882.tif 000018
【００８６】
【化１８】
0005609882.tif 000019
【００８７】
【化１９】
0005609882.tif 000020
【００８８】
【化２０】
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【００８９】
【化２１】
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【００９０】
これらの架橋剤（Ｂ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９１】
架橋剤（Ｂ）の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物の基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、５００質量部以下、好ましくは１００質量部以下である。
【００９２】
［他の架橋剤］
本発明のレジスト下層膜形成用組成物には、上述の架橋剤（Ｂ）以外の他の架橋剤が配合されていてもよい。
他の架橋剤としては、例えば、多核フェノール類や、種々の市販の硬化剤等が挙げられる。このような他の架橋剤としては、例えば、特開２００４−１６８７４８号公報における段落［００８５］〜［００８６］に記載のもの等を用いることができる。
これらの他の架橋剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよく、多核フェノール類と硬化剤とを併用することもできる。
【００９３】
他の架橋剤の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物の基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、５００質量部以下、好ましくは１００質量部以下である。
【００９４】
［（Ｃ）溶剤］
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、上述の基材成分（Ａ）及び架橋剤（Ｂ）を含むものであるが、この組成物は、通常、基材成分（Ａ）を溶解する溶剤（以下、「溶剤（Ｃ）」ともいう）を含む液状の組成物である。
溶剤（Ｃ）としては、基材成分（Ａ）を溶解しうるものであれば特に限定されないが、例えば、特開２００４−１６８７４８号公報における段落［００７０］〜［００７３］に記載のもの等を用いることができる。
【００９５】
これらの溶剤（Ｃ）のなかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル；２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等が好ましい。
尚、溶剤（Ｃ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９６】
溶剤（Ｃ）の使用量は、得られる組成物の固形分濃度が、通常１〜８０質量％、好ましくは３〜４０質量％、更に好ましくは５〜３０質量％となる範囲である。
【００９７】
本発明のレジスト下層膜形成用組成物には、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、酸発生剤（Ｄ）、促進剤（Ｅ）、添加剤（Ｆ）を配合することができる。これらのなかでも、促進剤（Ｅ）が配合されていることが好ましい。
【００９８】
［酸発生剤（Ｄ）］
前記酸発生剤（Ｄ）は、露光或いは加熱により酸を発生する成分である。本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、この酸発生剤（Ｄ）を含有することにより、常温を含む比較的低温で樹脂の分子鎖間により有効に架橋反応を生起させることが可能となる。
露光により酸を発生する酸発生剤（以下、「光酸発生剤」という。）としては、例えば、特開２００４−１６８７４８号公報における段落［００７７］〜［００８１］に記載のもの等を用いることができる。
【００９９】
これらの光酸発生剤のなかでも、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネート等が好ましい。
尚、これらの光酸発生剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１００】
また、加熱により酸を発生する酸発生剤（以下、「熱酸発生剤」という。）としては、例えば、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジルトシレート、アルキルスルホネート類等を挙げることができる。
尚、これらの熱酸発生剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸発生剤（Ｄ）として、光酸発生剤と熱酸発生剤とを併用してもよい。
【０１０１】
酸発生剤（Ｄ）の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物の基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、５０００質量部以下、好ましくは０．１〜１０００質量部、更に好ましくは０．１〜１００質量部である。
【０１０２】
［促進剤（Ｅ）］
前記促進剤（Ｅ）は、酸化架橋に必要な脱水素反応を十分に引き起こすための一電子酸化剤等を示す。一電子酸化剤とは、それ自身が１電子移動を受ける酸化剤を意味する。例えば、硝酸セリウム（ＩＶ）アンモニウムの場合では、セリウムイオン（ＩＶ）が一電子を得てセリウムイオン（ＩＩＩ）へと変化する。また、ハロゲン等のラジカル性の酸化剤は、一電子を得てアニオンへと転化する。このように、一電子を被酸化物（基質や触媒等）から奪うことにより、被酸化物を酸化する現象を一電子酸化と称し、この時一電子を受け取る成分を一電子酸化剤とよぶ。
一電子酸化剤の代表的な例として、（ａ）金属化合物、（ｂ）過酸化物、（ｃ）ジアゾ化合物、（ｄ）ハロゲン又はハロゲン酸等が挙げられる。
【０１０３】
前記（ａ）金属化合物としては、例えば、セリウム、鉛、銀、マンガン、オスミウム、ルテニウム、バナジウム、タリウム、銅、鉄、ビスマス、ニッケルを含む金属化合物が挙げられる。具体的には、（ａ１）硝酸セリウム（ＩＶ）アンモニウム（ＣＡＮ；ヘキサニトラトセリウム（ＩＶ）酸アンモニウム）、酢酸セリウム（ＩＶ）、硝酸セリウム（ＩＶ）、硫酸セリウム（ＩＶ）等のセリウム塩（例えば、四価のセリウム塩）、（ａ２）四酢酸鉛、酸化鉛（ＩＶ）等の鉛化合物（例えば、四価の鉛化合物）、（ａ３）酸化銀（Ｉ）、酸化銀（ＩＩ）、炭酸銀（Ｆｅｔｉｚｏｎ試薬）、硝酸銀等の銀化合物、（ａ４）過マンガン酸塩、活性二酸化マンガン、マンガン（ＩＩＩ）塩等のマンガン化合物、（ａ５）四酸化オスミウム等のオスミウム化合物、（ａ６）四酸化ルテニウム等のルテニウム化合物、（ａ７）ＶＯＣｌ３、ＶＯＦ３、Ｖ２Ｏ５、ＮＨ４ＶＯ３、ＮａＶＯ３等のバナジウム化合物、（ａ８）酢酸タリウム（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸タリウム（ＩＩＩ）、硝酸タリウム（ＩＩＩ）等のタリウム化合物、（ａ９）酢酸銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）トリフルオロメタンスルホネート、銅（ＩＩ）トリフルオロボレート、塩化銅（ＩＩ）、酢酸銅（Ｉ）等の銅化合物、（ａ１０）塩化鉄（ＩＩＩ）、ヘキサシアノ鉄（ＩＩＩ）酸カリウム等の鉄化合物、（ａ１１）ビスマス酸ナトリウム等のビスマス化合物、（ａ１２）過酸化ニッケル等のニッケル化合物等が挙げられる。
【０１０４】
前記（ｂ）過酸化物としては、例えば、過酢酸、ｍ−クロロ過安息香酸等の過酸；過酸化水素や、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド等のアルキルヒドロキシペルオキシド等のヒドロキシペルオキシド類；過酸化ジアシル、過酸エステル、過酸ケタール、ペルオキシ二炭酸塩、過酸化ジアルキル、過酸ケトン等が挙げられる。
前記（ｃ）ジアゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
前記（ｄ）ハロゲン又はハロゲン酸としては、例えば、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲンや、過ハロゲン酸、ハロゲン酸、亜ハロゲン酸、次亜ハロゲン酸及びこれらの塩等が挙げられる。尚、ハロゲン酸におけるハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、ハロゲン酸若しくはその塩となる具体的な化合物としては、過塩素酸ナトリウム、臭素酸ナトリム等が挙げられる。
【０１０５】
これらの一電子酸化剤のなかでも、（ｂ）過酸化物、（ｃ）ジアゾ化合物が好ましく、特に、ｍ−クロロ過安息香酸、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルが好ましい。これらを用いた場合には、基板上に金属残留物等が付着するおそれがないので好ましい。
尚、これらの一電子酸化剤等の促進剤（Ｅ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０６】
促進剤（Ｅ）の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物の基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、１０００質量部以下、好ましくは０．０１〜５００質量部、更に好ましくは０．１〜１００質量部である。
【０１０７】
［添加剤（Ｆ）］
前記添加剤（Ｆ）としては、バインダー樹脂、放射線吸収剤、界面活性剤等が挙げられる。
これらの添加剤（Ｆ）としては、例えば、特開２００４−１６８７４８号公報における段落［００８８］〜［００９３］に記載のもの等を用いることができる。
バインダー樹脂としては、種々の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂（上述の樹脂（Ａ１）を除く）を使用することができる。熱可塑性樹脂は、添加した熱可塑性樹脂の流動性や機械的特性等を下層膜に付与する作用を有する成分である。また、熱硬化性樹脂は、加熱により硬化して溶剤に不溶となり、得られるレジスト下層膜と、その上に形成されるレジスト被膜との間のインターミキシングを防止する作用を有する成分であり、バインダー樹脂として好ましく使用することができる。これらのなかでも、尿素樹脂類、メラミン樹脂類、芳香族炭化水素樹脂類等の熱硬化性樹脂が好ましい。
尚、これらのバインダー樹脂は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０８】
バインダー樹脂の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物における基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、２０質量部以下、好ましくは１０質量部以下である。
【０１０９】
前記放射線吸収剤の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物の基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、１００質量部以下、好ましくは５０質量部以下である。
【０１１０】
前記界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、ぬれ性、現像性等を改良する作用を有する成分である。
これらの界面活性剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１１】
界面活性剤の配合量は、レジスト下層膜形成用組成物の基材成分（Ａ）１００質量部当たり、通常、１５質量部以下、好ましくは１０質量部以下である。
【０１１２】
また、本発明におけるレジスト下層膜形成用組成物には、上述の添加剤以外にも、例えば、保存安定剤、消泡剤、接着助剤等の他の添加剤を配合することができる。
【０１１３】
本発明におけるレジスト下層膜形成用組成物によれば、被加工基板上に、エッチング耐性に優れ、且つ被加工基板をエッチングする際に下層膜パターンが折れ曲がり難いレジスト下層膜を容易に形成することができる。
また、このレジスト下層膜形成用組成物を用いて得られるレジスト下層膜は、エッチング耐性に優れており、且つ被加工基板をエッチングする際、転写するパターンが微細であっても下層膜パターンが折れ曲がり難い。そのため、このレジスト下層膜は、ドライエッチングプロセスにおいて、精密なパターン転写性能及び良好なエッチング選択性を有することになり、レジスト下層膜のオーバーエッチングが少なく、被加工基板にレジストパターンを再現性よく忠実に転写することができる。更に、被加工基板をエッチングする際に、下層膜パターンが折れ曲がらないため、リソグラフィープロセスにおける微細加工、特に高集積回路素子の製造において歩留りの向上が期待できる。
【０１１４】
［２］パターン形成方法
本発明のパターン形成方法は、（１）被加工基板上に、特定のレジスト下層膜形成用組成物によってレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程（以下、「工程（１）」ともいう。）と、（１’）レジスト下層膜上に中間層を形成する中間層形成工程（以下、「工程（１’）」ともいう。）と、（２）前記中間層が形成されたレジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成するレジスト被膜形成工程（以下、「工程（２）」ともいう。）と、（３）前記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射して、該レジスト被膜を露光する露光工程（以下、「工程（３）」ともいう。）と、（４）露光された前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程（以下、「工程（４）」ともいう。）と、（５）前記レジストパターンをマスクとして用い、前記中間層、前記レジスト下層膜及び前記被加工基板をドライエッチングして、該被加工基板に所定のパターンを形成するパターン形成工程（以下、「工程（５）」ともいう。）と、を備える。
【０１１５】
前記工程（１）では、被加工基板上にレジスト下層膜が形成される。
具体的には、レジスト下層膜形成用組成物を被加工基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、得られた塗膜を前記被加工基板と共に加熱して、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程とにより、レジスト下層膜を形成することができる。尚、レジスト下層膜形成用組成物については、前述の本発明のレジスト下層膜形成用組成物の説明をそのまま適用することができる。
【０１１６】
前記被加工基板としては、例えば、シリコンウェハー、アルミニウムで被覆したウェハー等を使用することができる。
また、被加工基板へのレジスト下層膜形成用組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の方法で実施することができる。
【０１１７】
また、前記塗膜の加熱は、通常、大気下で行われる。
この際の加熱温度は、通常、３００〜５００℃であり、好ましくは３５０〜４５０℃程度である。この加熱温度が３００℃未満である場合、酸化架橋が十分に進行せず、下層膜として必要な特性が発現しないおそれがある。
この際の加熱時間は３０〜１２００秒であり、好ましくは６０〜６００秒である。
【０１１８】
更に、塗膜硬化時の酸素濃度は５容量％以上であることが望ましい。塗膜形成時の酸素濃度が低い場合、下層膜の酸化架橋が十分に進行せず、下層膜として必要な特性が発現できないおそれがある。
【０１１９】
また、塗膜を３００〜５００℃の温度で加熱する前に、６０〜２５０℃の温度で予備加熱しておいてもよい。
予備加熱における加熱時間は特に限定されないが、１０〜３００秒であることが好ましく、より好ましくは３０〜１８０秒である。
この予備加熱を行うことにより、溶剤を予め気化させて、膜を緻密にしておくことで、脱水素反応を効率良く進めることができる。
【０１２０】
また、この工程（１）においては、通常、前記塗膜の加熱により塗膜が硬化され、レジスト下層膜が形成されるが、レジスト下層膜形成用組成物に所定の光硬化剤（架橋剤）を含有させることにより、加熱された塗膜に対する露光工程を設けて、光硬化させ、レジスト下層膜を形成することもできる。この際に露光される放射線は、レジスト下層膜形成用組成物に配合されている酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択される。
【０１２１】
この工程（１）で形成されるレジスト下層膜の膜厚は、通常、０．１〜５μｍである。
また、レジスト下層膜の水素含量は０〜５０ａｔｏｍ％であり、０〜３５ａｔｏｍ％であることが好ましい。尚、レジスト下層膜における水素含量の測定方法は、後述する実施例と同様である。
【０１２２】
前記工程（１’）では、レジスト下層膜上に中間層（中間被膜）が形成される。
この中間層は、レジストパターン形成において、レジスト下層膜及び／又はレジスト被膜が有する機能を更に補ったり、これらが有していない機能を得るために、これらの機能が付与された層のことである。例えば、反射防止膜を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能を更に補うことができる。
【０１２３】
この中間層は、有機化合物や無機酸化物により形成することができる。有機化合物としては、例えば、Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ社製の「ＤＵＶ−４２」、「ＤＵＶ−４４」、「ＡＲＣ−２８」、「ＡＲＣ−２９」等の商品名で市販されている材料や、ローム  アンド  ハース社製の「ＡＲ−３」、「ＡＲ―１９」等の商品名で市販されている材料等を用いることができる。また、無機酸化物としては、例えば、ＪＳＲ社製の「ＮＦＣ  ＳＯＧ０１」、「ＮＦＣ  ＳＯＧ０４」、「ＮＦＣ  ＳＯＧ０８０」等の商品名で市販されている材料やＣＶＤ法により形成されるポリシロキサン、酸化チタン、酸化アルミナ、酸化タングステン等を用いることができる。
【０１２４】
中間層を形成するための方法は特に限定されないが、例えば、塗布法やＣＶＤ法等を用いることができる。これらのなかでも、塗布法が好ましい。塗布法を用いた場合、レジスト下層膜を形成後、中間層を連続して形成することができる。
また、中間層の膜厚は特に限定されず、中間層に求められる機能に応じて適宜選択されるが、１０〜３０００ｎｍの範囲が好ましく、更に好ましくは２０〜３００ｎｍである。  
【０１２５】
前記工程（２）では、レジスト組成物を用いて、中間層が形成されたレジスト下層膜上にレジスト被膜が形成される。具体的には、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるようにレジスト組成物を塗布した後、プレベークすることによって塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト被膜が形成される。
レジスト組成物としては、例えば、光酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物等が挙げられる。
レジスト被膜を中間層が形成されたレジスト下層膜上に形成させる際に使用されるレジスト組成物は、固形分濃度が、通常、５〜５０質量％程度であり、一般に、例えば、孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過して、レジスト被膜の形成に供される。尚、この工程では、市販のレジスト組成物をそのまま使用することもできる。
【０１２６】
レジスト組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法等により実施することができる。
また、プレベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、通常、３０〜２００℃程度、好ましくは５０〜１５０℃である。
【０１２７】
前記工程（３）では、得られたレジスト被膜の所定領域に放射線が照射され、選択的に露光が行われる。
露光に用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用される光酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択されるが、遠紫外線であることが好ましく、特にＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２エキシマレーザー（波長１４７ｎｍ）、ＡｒＫｒエキシマレーザー（波長１３４ｎｍ）、極紫外線（波長１３ｎｍ等）等が好ましい。
尚、本発明におけるレジストパターン形成方法は、ナノインプリント法等の現像工程を経ないものであってもよい。
【０１２８】
前記工程（４）では、露光後のレジスト被膜を現像液で現像することで、レジストパターンが形成される。
この工程で用いられる現像液は、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択される。具体的には、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性水溶液が挙げられる。
また、これらのアルカリ性水溶液には、水溶性有機溶剤、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類や、界面活性剤を適量添加することもできる。
【０１２９】
また、前記現像液での現像後、洗浄し、乾燥することによって、所定のレジストパターンが形成される。
尚、この工程では、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、現像前の前記露光後に、ポストベークを行うことができる。このポストベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、通常、５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃である。
【０１３０】
前記工程（５）では、得られたレジストパターンをマスクとし、例えば、酸素プラズマ等のガスプラズマを用いて、中間層及びレジスト下層膜のドライエッチングを行うことにより、所定の基板加工用のレジストパターンが得られる。
【０１３１】
更に、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いたパターン形成方法としては、上述のパターン形成方法以外にも、ナノインプリント法等を用いたパターン形成方法を挙げることができる。
【実施例】
【０１３２】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、「部」及び「％」は、特記しない限り質量基準である。【０１３３】
［１］基材成分（芳香環を含む樹脂）の合成
＜合成例１＞
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素下で、アセナフチレン１００部、トルエン７８部、ジオキサン５２部、アゾビスイソブチロニトリル３部を仕込み、７０℃で５時間攪拌した。ここで得られた分子量１０，０００の樹脂に、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物５．２部、パラホルムアルデヒド４０部を添加して、１２０℃に昇温し、更に６時間攪拌した。その後、反応溶液を多量のイソプロパノール中に投入し、沈殿した樹脂をろ過して、樹脂（Ａ−１）を得た。
また、得られた樹脂（Ａ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。【０１３４】
尚、本実施例における重量平均分子量（Ｍｗ）の測定は、東ソー社製「ＧＰＣカラム」（Ｇ２０００ＨＸＬ：２本、Ｇ３０００ＨＸＬ：１本）を用い、流量：１．０ｍｌ／分、溶出溶剤：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ（検出器：示差屈折計）により測定した。【０１３５】
＜合成例２＞
コンデンサー、温度計、拡販装置を備えた反応装置にフェノール１００部とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００部、パラホルムアルデヒド５０部を仕込み、蓚酸２部を添加し、脱水しながら１２０℃に昇温して、５時間反応させた後、下記構成単位を有する樹脂（Ａ−２）を得た。
また、得られた樹脂（Ａ−２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は７，０００であった。【０１３６】
【化２２】
0005609882.tif 000023
【０１３７】
＜合成例３＞
コンデンサー、温度計、拡販装置を備えた反応装置にα−ナフトール１００部とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００部、パラホルムアルデヒド５０部を仕込み、蓚酸２部を添加し、脱水しながら１２０℃に昇温して、５時間反応させた後、下記構成単位を有する樹脂（Ａ−３）を得た。
また、得られた樹脂（Ａ−３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３，０００であった。【０１３８】
【化２３】
0005609882.tif 000024
【０１３９】
＜合成例４＞
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素下で、スチレン１００部、トルエン７８部、アゾビスイソブチロニトリル３部を仕込み、７０℃で５時間攪拌した。その後、反応溶液を多量のイソプロパノール中に投入し、沈殿した樹脂をろ過して、下記構成単位を有する樹脂（Ａ−４）を得た。
また、得られた樹脂（Ａ−４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。【０１４０】
【化２４】
0005609882.tif 000025
【０１４１】
［２］レジスト下層膜形成用組成物の調製
（２−１）実施例１〜１４
＜実施例１＞
表１に示すように、上述の樹脂（Ａ−１）１０部を、架橋剤［ジヒドロキシビフェニルテトラメタノール（下記化合物（Ｂ−１））］１部、熱酸発生剤［ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート（Ｃ−１）］０．１部、溶剤［プロピレングリコールモノメチルアセテート（Ｄ−１）］９０部に溶解した。この溶液を孔径０．１μｍのメンブランフィルターでろ過して、実施例１のレジスト下層膜形成用組成物を調製した。【０１４２】
＜実施例２〜１４＞
表１に示す組成及び配合量としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜１４の各レジスト下層膜形成用組成物を調製した。【０１４３】
尚、表１における実施例２〜４で用いられている樹脂（Ａ−２）〜（Ａ−４）は、上述の合成例２〜４で得られた樹脂である。また、表１における架橋剤（Ｂ−１）〜（Ｂ−１０）の詳細は以下の通りである。【０１４４】
【化２５】
0005609882.tif 000026
【０１４５】
【化２６】
0005609882.tif 000027
【０１４６】
（２−２）比較例１〜３
＜比較例１＞
表１に示すように、上述の樹脂（Ａ−１）１０部を、架橋剤［１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル（下記化合物（ｂ−１））］１部、熱酸発生剤［ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート（Ｃ−１）］０．１部、溶剤［プロピレングリコールモノメチルアセテート（Ｄ−１）］９０部に溶解した。この溶液を孔径０．１μｍのメンブランフィルターでろ過して、比較例１のレジスト下層膜形成用組成物を調製した。【０１４７】
＜比較例２〜３＞
表１に示す組成及び配合量としたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２及び３の各レジスト下層膜形成用組成物を調製した。【０１４８】
尚、表１における架橋剤（ｂ−１）〜（ｂ−３）の詳細は以下の通りである。【０１４９】
【化２７】
0005609882.tif 000028
【０１５０】
【表１】
0005609882.tif 000029
【０１５１】
［３］レジスト下層膜形成用組成物の評価
実施例１〜１４及び比較例１〜３の各レジスト下層膜形成用組成物について、下記の評価を行った。その結果を表２に示す。【０１５２】
＜基板加工後のパターン形状＞
直径８インチのシリコンウェハー上に、実施例及び比較例の各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、酸素濃度２０容量％のホットプレート内にて１８０℃で６０秒間加熱し、引き続き、３５０℃で１２０秒間加熱して、膜厚０．３μｍのレジスト下層膜を形成した。
その後、得られたレジスト下層膜上に３層レジストプロセス用スピンオングラス組成物溶液（ＪＳＲ（株）製）をスピンコートし、２００℃及び３００℃のホットプレート上でそれぞれ６０秒間加熱して、膜厚０．０５μｍの中間層被膜を形成した。次いで、得られた中間層被膜上に、ＡｒＦ用レジスト組成物溶液［アクリル系ＡｒＦ用フォトレジスト、ＪＳＲ（株）製］をスピンコートし、１３０℃のホットプレート上で９０秒間プレベークして、膜厚０．２μｍのレジスト被膜を形成した。その後、ＮＩＫＯＮ社製ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（レンズ開口数０．７８、露光波長１９３ｎｍ）を用い、マスクパターンを介して、最適露光時間だけ露光した。次いで、１３０℃のホットプレート上で９０秒間ポストベークしたのち、２．３８％濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２５℃で１分間現像し、水洗し、乾燥して、ＡｒＦ用ポジ型レジストパターンを得た。その後、このレジストパターンをマスクとし、中間被膜を加工し、続いて、加工した中間被膜をマスクとして、レジスト下層膜の加工を行った。次いで、加工したレジスト下層膜をマスクとして、被加工基板の加工を行った。
そして、基板加工後のパターン形状を走査型電子顕微鏡により観察し、下記の基準で評価した。
「○」；下層膜のパターンが立っている状態
「×」；下層膜のパターンが倒れたり曲がったりしている状態【０１５３】
＜エッチング耐性＞
直径８インチのシリコンウェハー上に、実施例及び比較例の各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、酸素濃度２０容量％のホットプレート内にて１８０℃で６０秒間加熱し、引き続き、３５０℃で１２０秒間加熱して、膜厚０．３μｍのレジスト下層膜を形成し、このレジスト下層膜をエッチング装置「ＥＸＡＭ」（神鋼精機社製）を用いて、ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２（ＣＦ４：４０ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒ：２０ｍＬ／ｍｉｎ、Ｏ２：５ｍＬ／ｍｉｎ；圧力：２０Ｐａ；ＲＦパワー：２００Ｗ；処理時間：４０秒；温度：１５℃）でエッチング処理した。
そして、エッチング処理前後の膜厚を測定して、エッチングレートを算出し、下記の基準でエッチング耐性を評価した。
「○」：エッチングレートが１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下の場合
「△」：エッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎの場合
「×」：エッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎ以上の場合【０１５４】
＜元素組成＞
直径８インチのシリコンウェハー上に、実施例及び比較例の各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、酸素濃度２０容量％のホットプレート内にて１８０℃で６０秒間加熱し、引き続き、３５０℃で１２０秒間加熱して、膜厚０．３μｍのレジスト下層膜を形成し、このレジスト下層膜について、炭素・水素・窒素同時定量装置「ＪＭ１０」（ジェイ・サイエンス・ラボ社製）を用いて、各元素の重量換算値を算出した。
そして、膜中に含まれる各元素の原子数を、［各元素の重量換算値（重量％）／各元素の質量（ｇ）］により算出し、次いで、［膜中の水素原子数／膜中の全原子数］により、脱水素反応後の水素含有量（ａｔｏｍ％）を求めた。
尚、脱水素反応前の水素含有量は、直径８インチのシリコンウェハー上に、実施例及び比較例の各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、酸素濃度２０容量％のホットプレート内にて２００℃で６０秒間加熱して形成したレジスト下層膜を使用して測定した。【０１５５】
【表２】
0005609882.tif 000030
【０１５６】
表２によれば、実施例１〜１４の各レジスト下層膜形成用組成物によれば、パターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、エッチング耐性に優れ、被加工基板をエッチングする際に下層膜パターンが折れ曲がらないレジスト下層膜を形成することができる。そのため、リソグラフィープロセスにおける微細加工に極めて好適に使用することができる。特に、ドライエッチングプロセスにおいて、精密なパターン転写性能及び良好なエッチング選択性を有することになり、レジスト下層膜のオーバーエッチングが少なく、被加工基板にレジストパターンを再現性よく忠実に転写することができる。また、被加工基板をエッチングする際に下層膜パターンが折れ曲がらないため、リソグラフィープロセスにおける微細加工、特に高集積回路素子の製造において歩留りの向上が期待できる。
そして、このようなレジスト下層膜形成用組成物を用いる本発明のパターン形成方法は、リソグラフィープロセス、特に、高集積回路素子の製造用プロセスとして極めて有用である。