(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟んで互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、
液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿って前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように形成されるシール材と、
前記液晶注入口を封止するための封口材と、
前記第１基板の前記液晶層側の表面上に形成されるフォトスペーサーと、
前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一方の表面上の前記シール材と前記封口材との間に対応する領域で、かつ、前記封口材の端部よりも前記液晶注入口側で、かつ、前記シール材の前記一方端部および前記他方端部よりも前記液晶注入口とは反対側に形成され、前記封口材と前記シール材との間からの空気の進入を抑制するための構造体とを備え、
前記構造体は、前記フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を含む、
液晶表示装置。
【請求項２】
前記シール材の前記一方端部および前記他方端部には、屈曲部が形成されずに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿った前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように前記シール材が形成されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記封口材は、平面的に見て、前記構造体の前記シール材とは反対側の外側面を完全に覆うように形成されている、
請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記構造体は、前記シール材の前記一方端部側と前記他方端部側とにそれぞれ少なくとも１つずつ形成されており、
前記構造体の前記封口材側の外側面は、前記封口材に接するとともに、前記構造体の前記封口材とは反対側の外側面は、前記シール材に接するように構成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記構造体の前記封口材側の外側面は、前記第１基板または前記第２基板のうち少なくとも一方の端面近傍に配置されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２基板の前記液晶層側の表面上に形成される平坦化膜をさらに備え、
前記構造体は、前記平坦化膜と同一層からなる平坦化膜側構造体を含む、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
【請求項８】
液晶層を挟むように配置される第１母基板および第２母基板のうち少なくとも一方の表面上の液晶注入口が設けられる位置に対応する位置に設けられる一対の構造体を形成する工程と、
前記第１母基板および前記第２母基板のうち一方の前記液晶層側の表面上に前記液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿った前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材をディスペンサ方式により形成する工程と、
前記一対の構造体のうち一方の前記液晶注入口側に前記シール材の一方端部が配置されるとともに、前記一対の構造体のうち他方の前記液晶注入口側に前記シール材の他方端部が配置されるように前記第１母基板と前記第２母基板とを貼り合わせる工程と、
前記液晶注入口を封口材により封止する工程と
を備え、
前記一対の構造体を形成する工程は、前記第１母基板の前記液晶層側の表面上にフォトスペーサーを形成する工程において、前記フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を形成する工程を含む、
液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記シール材を形成する工程は、前記一方端部および前記他方端部には屈曲部を形成せずに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿った前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように前記シール材を形成する工程を含む、請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器に関し、特に、シール材を備える液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シール材を備える液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、液晶層を挟むように互いに対向するように配置された対向基板およびＴＦＴ基板と、対向基板の液晶層側の表面上に形成された封入孔柱状スペーサーと、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせるための封着材（シール材）とを備えた液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、封着材は、ディスペンサ方式により、ＴＦＴ基板または対向基板のうち一方の液晶層側の表面上の外周に沿って形成されている。そして、封着材は、基板の辺の近傍から始まって、辺から遠ざかるように形成された後、略９０°方向を変えて辺に沿うように形成された屈曲部を有する一方端部から開始するように塗布（形成）されている。また、封着材は、辺に沿うように形成された後、略９０°方向を変えて基板の辺に近づくように形成された屈曲部を有する他方端部で終了するように塗布（形成）されている。また、封着材の屈曲部は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる際に、ＴＦＴ基板と対向基板とによって隣接するパネル領域側に押し広げられ、押し広げられた封着材は、封入孔柱状スペーサーによって堰き止められるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４５６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、封着材の一方端部と他方端部とに屈曲部が形成されているため、封着材（屈曲部）の基板の辺側の部分と基板の辺との間の距離が短くなるという不都合がある。このため、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる際に、封入孔柱状スペーサーが封着材を堰き止めきれずに、封着材が隣接するパネル領域側にはみ出す場合があるという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、シール材が隣接するパネルにはみ出るのを抑制することが可能な液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿って液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように形成されるシール材と、液晶注入口を封止するための封口材と、第１基板の液晶層側の表面上に形成されるフォトスペーサーと、第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の表面上のシール材と封口材との間に対応する領域で、かつ、封口材の端部よりも液晶注入口側で、かつ、シール材の一方端部および他方端部よりも液晶注入口とは反対側に形成され、封口材とシール材との間からの空気の進入を抑制するための構造体とを備え、構造体は、フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を含む。
【０００８】
この第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、シール材を液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿って液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように形成することによって、たとえば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第１基板および第２基板の辺との間の距離が長くなるので、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。また、構造体を第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の表面上のシール材と封口材との間に対応する領域で、かつ、封口材の端部よりも液晶注入口側で、かつ、シール材の一方端部および他方端部よりも液晶注入口とは反対側に形成することによって、封口材とシール材との間からの空気の進入を抑制することができるので、液晶注入口から液晶層内に空気が進入しにくくなる。これにより、液晶層内に空気が進入するのを抑制することができる。
【０００９】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、シール材の一方端部および他方端部には、屈曲部が形成されずに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材が形成されている。このように構成すれば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第１基板および第２基板の辺との間の距離が長くなるので、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。
【００１０】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、封口材は、平面的に見て、構造体のシール材とは反対側の外側面を完全に覆うように形成されている。このように構成すれば、封口材が構造体のシール材とは反対側の外側面を完全に覆っていない場合と比べて、封口材と構造体との間から空気が進入するのをより抑制することができる。
【００１１】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、構造体は、シール材の一方端部側と他方端部側とにそれぞれ少なくとも１つずつ形成されており、構造体の封口材側の外側面は、封口材に接するとともに、構造体の封口材とは反対側の外側面は、シール材に接するように構成されている。このように構成すれば、構造体と封口材との間から空気が進入するのを抑制するとともに、構造体とシール材との間から空気が進入するのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、構造体の封口材側の外側面は、第１基板または第２基板のうち少なくとも一方の端面近傍に配置されている。このように構成すれば、構造体の封口材側の外側面と、第１基板または第２基板のうち少なくとも一方の端面とが面一の状態になるので、封口材を形成する際に、封口材と構造体、および、封口材と第１基板または第２基板のうち少なくとも一方とを密着させ易くすることができる。これにより、封口材と構造体との間から空気が進入するのを抑制するとともに、封口材と第１基板または第２基板のうち少なくとも一方との間から空気が進入するのを抑制することができる。
【００１４】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第２基板の液晶層側の表面上に形成される平坦化膜をさらに備え、構造体は、平坦化膜と同一層からなる平坦化膜側構造体を含む。このように構成すれば、平坦化膜と平坦化膜側構造体とを同一の工程によって形成することができる。
【００１５】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、シール材が隣接するパネルにはみ出るのを抑制することが可能な液晶表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
【００１６】
この発明の第３の局面における液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟むように配置される第１母基板および第２母基板のうち少なくとも一方の表面上の液晶注入口が設けられる位置に対応する位置に設けられる一対の構造体を形成する工程と、第１母基板および第２母基板のうち一方の液晶層側の表面上に液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材をディスペンサ方式により形成する工程と、一対の構造体のうち一方の液晶注入口側にシール材の一方端部が配置されるとともに、一対の構造体のうち他方の液晶注入口側にシール材の他方端部が配置されるように第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる工程と、液晶注入口を封口材により封止する工程とを備え、一対の構造体を形成する工程は、第１母基板の液晶層側の表面上にフォトスペーサーを形成する工程において、フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を形成する工程を含む。
【００１７】
この第３の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、第１母基板および第２母基板のうち一方の液晶層側の表面上に液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材を形成することによって、たとえば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部を形成する場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第１基板および第２基板の辺との間の距離が長くなるので、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。また、液晶層を挟むように配置される第１母基板および第２母基板のうち少なくとも一方の表面上の液晶注入口が設けられる位置に対応する位置に設けられる一対の構造体を形成することによって、第１母基板および第２母基板のうち少なくとも一方の表面上のシール材と封口材との間に対応する領域で、かつ、封口材の端部よりも液晶注入口側で、かつ、シール材の一方端部および他方端部よりも液晶注入口とは反対側に形成することによって、封口材とシール材との間からの空気の進入を抑制することができるので、液晶注入口から液晶層内に空気が進入しにくくなる。これにより、液晶層内に空気が進入するのを抑制することができる。
【００１８】
上記第３の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、シール材を形成する工程は、一方端部および他方端部には屈曲部を形成せずに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材を形成する工程を含む。このように構成すれば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部を形成する場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第１基板および第２基板の辺との間の距離が長くなるので、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。
【図３】図２の２００−２００線に沿った断面図である。
【図４】図２の３００−３００線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板の表面上に素子および層を形成する工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、対向基板の表面上にＢＭ（ブラックマトリクス）、ＣＦ（カラーフィルター）およびオーバーコート（ＯＶＣ）層を形成する工程を説明するための図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、オーバーコート層の表面上に構造体およびフォトスペーサー（ＰＳ）を形成する工程を説明するための図である。
【図８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ基板にシール材を塗布する工程を説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の断面図である。
【図１１】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。
【図１３】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置の第１変形例を説明するための図である。
【図１５】本発明の第１および第２実施形態による液晶表示装置の第２変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、横電界モードの液晶表示装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２３】
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１および図２に示すように、略矩形形状を有するＴＦＴ基板１と、略矩形形状を有する対向基板２とを備えている。なお、ＴＦＴ基板１は、本発明の「第２基板」の一例であり、対向基板２は、本発明の「第１基板」の一例である。また、ＴＦＴ基板１と対向基板２とは、シール材３によって貼り合わされている。シール材３は、ＴＦＴ基板１および対向基板２の外周に沿ってディスペンサ方式により塗布（形成）されている。シール材３は、始点（一方端部）３ａから塗布を開始して、終点（他方端部）３ｂで塗布を終了するようにＴＦＴ基板１の表面上に塗布されている。なお、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂには、Ｙ方向に屈曲するような屈曲部は形成されずに、始点３ａおよび終点３ｂからそれぞれＸ１方向およびＸ２方向に直線状に延びるようにシール材３が塗布（形成）されている。また、シール材３の始点３ａと終点３ｂとの間の隙間は、液晶を注入するための液晶注入口４として機能する。また、ＴＦＴ基板１の表面上には、液晶表示装置１００を駆動させるための駆動ＩＣ５が設けられている。また、液晶表示装置１００は、複数の副画素６を有している。
【００２４】
副画素６の断面構造としては、図３に示すように、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極７が形成されている。ゲート電極７およびＴＦＴ基板１の表面上には、ＳｉＮなどからなるゲート絶縁膜８ａを含む絶縁膜８が形成されている。ゲート電極７と絶縁膜８とを介して対向するように、半導体層９が形成されている。なお、半導体層９は、ａ−Ｓｉとｎ＋ａ−Ｓｉとからなる。半導体層９の上部には、ソース電極１０およびドレイン電極１１が形成されている。そして、ゲート電極７、絶縁膜８、半導体層９、ソース電極１０およびドレイン電極１１により薄膜トランジスタ１２が構成されている。
【００２５】
また、ソース電極１０およびドレイン電極１１を覆うように、ＳｉＮなどからなるパッシベーション膜１３が形成されている。パッシベーション膜１３には、コンタクトホール１３ａが形成されている。また、パッシベーション膜１３の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜（ＯＶＬ）１４が形成されている。
【００２６】
ここで、第１実施形態では、平坦化膜１４は、後述する封口材４０とシール材３との間からの空気の進入を抑制するための構造体１４ａを含んでいる。なお、構造体１４ａは、本発明の「平坦化膜側構造体」の一例である。構造体１４ａは、平坦化膜１４と同一層からなる。また、構造体１４ａは、平坦化膜１４の外縁部のうち後述する構造体２３ｂに対応する領域（構造体２３ｂが配向膜２４を介してＴＦＴ基板１側に接する領域）に設けられている。なお、図４に示すように、平坦化膜１４の外縁部のうち構造体２３ｂが形成されていない領域に対応する領域には、構造体１４ａは設けられていない。また、図３に示すように、平坦化膜１４には、コンタクトホール１４ｂが形成されている。
【００２７】
また、平坦化膜１４の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極１５が形成されている。また、パッシベーション膜１３のコンタクトホール１３ａと平坦化膜１４のコンタクトホール１４ｂとを介して、コンタクト部１１ａにおいて画素電極１５とドレイン電極１１とが接続されている。
【００２８】
また、画素電極１５の表面上には、ＳｉＮなどからなる低温パッシベーション膜１６が形成されている。低温パッシベーション膜１６の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる共通電極１７が形成されている。共通電極１７は、複数のスリット１７ａを有している。また、共通電極１７の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１８が形成されている。
【００２９】
また、対向基板２は、ＴＦＴ基板１と対向するように設けられている。この対向基板２のＺ２方向側の表面上には、樹脂などからなるブラックマトリクス（ＢＭ）２０が形成されている。
【００３０】
また、ブラックマトリクス２０の表面上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）などのカラーフィルター（ＣＦ）２１が形成されている。カラーフィルター２１の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなるとともに保護膜としてのオーバーコート層（ＯＶＣ）２２が形成されている。
【００３１】
また、オーバーコート層２２の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなるフォトスペーサー（ＰＳ）２３ａが形成されている。フォトスペーサー２３ａは、セルギャップ（ＴＦＴ基板１と対向基板２との間の距離）を調整する機能を有する。また、第１実施形態では、オーバーコート層２２のＹ１方向側の表面上には、フォトスペーサー２３ａと同一層からなる柱状の構造体２３ｂが形成されている。なお、構造体２３ｂは、本発明の「フォトスペーサー側構造体」の一例である。この構造体２３ｂは、アクリル系の感光性樹脂からなり、封口材４０とシール材３との間からの空気の進入を抑制するために形成されている。
【００３２】
また、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面は、封口材４０に接するように形成され、構造体２３ｂのＹ２方向側の外側面は、配向膜２４を介してシール材３に接するように形成されている。また、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面は、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の端面近傍に配置されており、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面と、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の端面とは、面一になるように形成されている。
【００３３】
また、図２に示すように、構造体２３ｂは、平面的に見て、Ｙ方向に延びるように形成されており、シール材３の始点（一方端部）３ａ側と終点（他方端部）３ｂ側とにそれぞれ１つずつ（一対）形成されている。この一対の構造体２３ｂは、シール材３と封口材４０との間に対応する領域に設けられている。
【００３４】
また、構造体２３ｂは、封口材４０のＸ方向の両端部よりも内側（液晶注入口４側）で、かつ、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂよりも外側（液晶注入口４とは反対側）に形成されている。具体的には、構造体２３ｂの一方は、シール材３の始点３ａから封口材４０のＸ１方向の端部までの間に位置するシール形状安定部３ｃに形成されている。なお、シール形状安定部３ｃとは、シール材３の幅が略一定の部分を意味する。つまり、シール材３が円形形状になっている以外の部分を意味する。
【００３５】
また、構造体２３ｂの他方は、シール材３の終点３ｂから封口材４０のＸ２方向の端部までの間に位置するシール形状安定部３ｃに形成されている。つまり、構造体２３ｂは、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂを避けた位置に形成されている。また、構造体２３ｂのＸ方向の幅Ｗ１は、シール材３の幅Ｗ２よりも小さい。
【００３６】
また、図３に示すように、フォトスペーサー２３ａ、構造体２３ｂおよびオーバーコート層２２の表面上には、ポリイミドなどからなる配向膜２４が形成されている。また、配向膜１８と配向膜２４との間に塗布されたシール材３は、エポキシ系の光硬化型樹脂からなる。また、配向膜１８と配向膜２４との間には、液晶層３０が封入されている。
【００３７】
また、第１実施形態では、封口材４０は、構造体２３ｂのＹ１方向側に形成され、光硬化性樹脂などからなる。この封口材４０は、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面に接するとともに、封口材４０と構造体２３ｂとによって、液晶注入口４を塞ぐように形成されている。また、封口材４０は、図２に示すように、平面的に見て、一対の構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面を完全に覆うように形成されている。また、封口材４０のＸ方向の両端部は、一対の構造体２３ｂのＸ方向の外側面を越えてＸ方向に延びるように形成されている。
【００３８】
また、図３に示すように、ＴＦＴ基板１の矢印Ｚ１方向側には、バックライト５０が設けられている。バックライト５０は、ＴＦＴ基板１側から対向基板２側（矢印Ｚ２方向側）に向かって光が出射されるように構成されている。
【００３９】
次に、図１、図３および図５〜図９を参照して、本発明の第１実施形態における液晶表示装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００４０】
まず、図５に示すように、大板状態のＴＦＴ基板１０１の表面上に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、下層から上層の順にＡｌ／Ｍｏ層からなるゲート電極７を形成する。なお、ＴＦＴ基板１０１は、本発明の「第２母基板」の一例である。ゲート電極７上とＴＦＴ基板１０１上とに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＮ膜などからなるゲート絶縁膜８ａを含む絶縁膜８を形成する。そして、ゲート絶縁膜８ａを介してゲート電極７と平面的に見て重なるようにフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、ａ−Ｓｉ層とｎ型の導電性を有するｎ＋ａ−Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層９を形成する。
【００４１】
次に、半導体層９上に、ゲート電極７および半導体層９と平面的に見て重なるとともに、半導体層９に電気的に接続される、下層から上層の順にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ層からなるソース電極１０およびドレイン電極１１を形成する。これにより、薄膜トランジスタ１２が形成される。次に、ソース電極１０、ドレイン電極１１および絶縁膜８を覆うように、ＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜などからなる保護膜としてのパッシベーション膜１３を形成する。
【００４２】
次に、パッシベーション膜１３の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての平坦化膜１４を形成する。そして、平坦化膜１４の外縁部のうち構造体２３ｂ（図３参照）に対応する領域以外の領域をフォトリソグラフィー技術により除去する。これにより、平坦化膜１４の外縁部のうち構造体２３ｂに対応する領域に構造体１４ａが形成される。また、構造体１４ａの形成と同時に、ＴＦＴ４のドレイン電極１１の表面上に形成された平坦化膜１４をフォトリソグラフィー技術により、除去する（取り除く）ことによって、コンタクトホール１４ｂを形成する。
【００４３】
次に、薄膜トランジスタ１２のドレイン電極１１の表面上に形成されたパッシベーション膜１３にコンタクトホール１３ａを形成する。これにより、ドレイン電極１１の表面が露出される。
【００４４】
次に、平坦化膜１４の表面上に、スパッタ法により、ＩＴＯやＩＺＯなどからなる画素電極１５を形成する。このとき、画素電極１５の一部は、コンタクトホール１３ａおよび１４ｂを介して、コンタクト部１１ａにおいて、ドレイン電極１１と電気的に接続される。
【００４５】
次に、画素電極１５の表面上に、ＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜などからなる低温パッシベーション膜１６を形成する。そして、低温パッシベーション膜１６の表面上に、スパッタ法により、ＩＴＯやＩＺＯなどからなり、複数のスリット１７ａを有する共通電極１７を形成する。なお、低温パッシベーション膜１６を挟んで画素電極１５と共通電極１７との間に発生する電界により液晶が配向されることにより、液晶表示装置１００が駆動される。次に、共通電極１７の表面上に、塗布法により、ポリイミドなどからなる配向膜１８を形成する。これにより、液晶表示装置１００のＴＦＴ基板１０１側が形成される。
【００４６】
次に、図６に示すように、大板状態の対向基板１０２の表面上に、たとえば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、ブラックマトリクス（ＢＭ）２０を形成する。なお、対向基板１０２は、本発明の「第１母基板」の一例である。その後、フォトリソグラフィー技術により、副画素６（図１参照）毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のカラーフィルター（ＣＦ）２１を形成する。
【００４７】
次に、ブラックマトリクス２０およびカラーフィルター２１の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート層（ＯＶＣ）２２を形成する。オーバーコート層２２は、ブラックマトリクス２０およびカラーフィルター２１の表面上の略全面を覆うように形成される。
【００４８】
次に、図７に示すように、オーバーコート層２２の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる樹脂層（図示せず）を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術により、同一の樹脂層からなるフォトスペーサー２３ａと構造体２３ｂとを形成する。その後、オーバーコート層２２、フォトスペーサー２３ａおよび構造体２３ｂの表面上にポリイミドなどからなる配向膜２４を形成する。これにより、液晶表示装置１００の対向基板１０２側が形成される。
【００４９】
次に、図８に示すように、ディスペンサ方式により、個々のパネル毎に、ＴＦＴ基板１の表面上に、液晶注入口４を構成する隙間を形成するように始点（一方端部）３ａから塗布を開始して終点（他方端部）３ｂで塗布を終了するように、シール材３を塗布する。具体的には、シール材３は、始点３ａからＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の辺（液晶注入口４が設けられる側の辺）に沿ったＸ１方向（液晶注入口４とは反対側）と、終点３ｂからＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の辺（液晶注入口４が設けられる側の辺）に沿ったＸ２方向（液晶注入口４とは反対側）とに直線状に延びるように塗布される。また、シール材３は、平面的に見て、略矩形形状を有するように塗布される。
【００５０】
そして、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との貼り合わせを行う。その後、フォトスペーサー２３ａ上の配向膜２４が、ＴＦＴ基板１０１側の配向膜１８に接触して、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とのセルギャップが調整される。
【００５１】
次に、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２を個々のパネル毎に分断する。そして、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に液晶を注入する。その後、図９に示すように、光硬化性樹脂などの封口材４０によって液晶注入口４を封止する。このとき、封口材４０は、ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、構造体１４ａおよび構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面に接するように形成される。これにより、封口材４０とシール材３との間から液晶注入口４に空気が進入するのが抑制される。そして、駆動ＩＣ５およびバックライト５０を取り付けることによって、横電界モードの液晶表示装置１００（図３参照）が完成する。
【００５２】
第１実施形態では、上記のように、シール材３を液晶注入口４を構成する隙間を形成するように始点３ａおよび終点３ｂを有するとともに、始点３ａおよび終点３ｂからそれぞれＸ１方向およびＸ２方向に直線状に延びるように形成することによって、たとえば、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂに屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂと、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の辺との間の距離が長くなるので、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる際に、始点３ａおよび終点３ｂからシール材３が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。また、構造体２３ｂを対向基板２の表面上のシール材３と封口材４０との間に対応する領域で、かつ、封口材４０のＸ方向の外側面よりも液晶注入口４側で、かつ、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂよりも液晶注入口４とは反対側に形成することによって、封口材４０とシール材３との間からの空気の進入を抑制することができるので、液晶注入口４から液晶層３０内に空気が進入しにくくなる。これにより、液晶層３０内に空気が進入するのを抑制することができる。
【００５３】
また、第１実施形態では、上記のように、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂに、屈曲部が形成されずに、始点３ａおよび終点３ｂからそれぞれＸ１方向およびＸ２方向に直線状に延びるようにシール材３が形成することによって、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂに屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材３の始点３ａおよび終点３ｂと、ＴＦＴ基板１および対向基板２のＹ１方向側の辺との間の距離が長くなるので、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる際に、始点３ａおよび終点３ｂからシール材３が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。
【００５４】
また、第１実施形態では、上記のように、封口材４０を、平面的に見て、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面を完全に覆うように形成することによって、封口材４０が構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面を完全に覆っていない場合と比べて、封口材４０と構造体２３ｂとの間から空気が進入するのをより抑制することができる。
【００５５】
また、第１実施形態では、上記のように、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面が、封口材４０に接するとともに、構造体２３ｂのＹ２方向側の外側面が、シール材３に接するように構成することによって、構造体２３ｂと封口材４０との間から空気が進入するのを抑制するとともに、構造体２３ｂとシール材３との間から空気が進入するのを抑制することができる。
【００５６】
また、第１実施形態では、上記のように、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面を、ＴＦＴ基板１および対向基板２の端面近傍に配置することによって、構造体２３ｂのＹ１方向側の外側面と、ＴＦＴ基板１および対向基板２の端面とが面一の状態になるので、封口材４０を形成する際に、封口材４０と構造体２３ｂ、および、封口材４０とＴＦＴ基板１および対向基板２とを密着させ易くすることができる。これにより、封口材４０と構造体２３ｂとの間から空気が進入するのを抑制するとともに、封口材４０とＴＦＴ基板１および対向基板２との間から空気が進入するのを抑制することができる。
【００５７】
また、第１実施形態では、上記のように、フォトスペーサー２３ａと同一層からなる構造体２３ｂを含むことによって、フォトスペーサー２３ａと構造体２３ｂとを同一の工程によって形成することができる。
【００５８】
また、第１実施形態では、上記のように、平坦化膜１４と同一層からなる構造体１４ａを含むことによって、平坦化膜１４と構造体１４ａとを同一の工程によって形成することができる。
【００５９】
（第２実施形態）
次に、図１０を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態による液晶表示装置１００ａでは、ＴＦＴ基板側の表面上に構造体を有する平坦化膜１４が形成された上記第１実施形態とは異なり、ＴＦＴ基板の表面上に平坦化膜（構造体）が形成されていない例について説明する。
【００６０】
この第２実施形態による液晶表示装置１００ａでは、図１０に示すように、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極７およびＩＴＯなどからなる共通電極１７１が形成されている。共通電極１７１の表面上には、絶縁膜８を介して、パッシベーション膜１３が形成されている。また、第２実施形態では、パッシベーション膜１３の表面上には、上記第１実施形態とは異なり、平坦化膜１４を介さずに、画素電極１５１が直接形成されている。つまり、パッシベーション膜１３の表面上には、平坦化膜１４が形成されておらず、ＴＦＴ基板１側には、構造体は形成されていない。
【００６１】
また、画素電極１５１は、ＩＴＯなどの透明電極からなり、複数のスリット１５１ａが形成されている。また、パッシベーション膜１３および画素電極１５１の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１８が形成されている。また、ＴＦＴ基板１のＹ１方向側の端部には、構造体２３ｂが形成されている。なお、構造体２３ｂは、フォトスペーサー２３ａと同一の樹脂層から形成されている。また、構造体２３ｂは、対向基板２側の表面上に形成されている。そして、構造体２３ｂは、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせた際に、構造体２３ｂの表面上に形成される配向膜２４とＴＦＴ基板１側に形成される配向膜１８とが接するように高さが調整されている。なお、第２実施形態のその他の構成および効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６２】
（応用例）
図１１〜図１３は、それぞれ、上記した第１および第２実施形態による液晶表示装置１００および１００ａを用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図１１〜図１３を参照して、第１および第２実施形態による液晶表示装置１００および１００ａを用いた電子機器について説明する。
【００６３】
第１および第２実施形態による液晶表示装置１００および１００ａは、図１１〜図１３に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）４００、第２の例としての携帯電話５００、および、第３の例としての情報携帯端末６００（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。
【００６４】
図１１の第１の例によるＰＣ４００においては、キーボードなどの入力部４１０および表示画面４２０などに第１および第２実施形態による液晶表示装置１００および１００ａを用いることが可能である。図１２の第２の例による携帯電話５００においては、表示画面５１０に第１および第２実施形態による液晶表示装置１００および１００ａが用いられる。図１３の第３の例による情報携帯端末６００においては、表示画面６１０に第１および第２実施形態による液晶表示装置１００および１００ａが用いられる。
【００６５】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６６】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、横電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、横電界モード以外の方式の縦電界モードの液晶表示装置を用いてもよい。
【００６７】
また、上記第１および第２実施形態では、構造体２３ｂを対向基板２の表面上に形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、構造体２３ｂをＴＦＴ基板１の表面上に形成してもよい。
【００６８】
また、上記第１および第２実施形態では、構造体２３ｂをフォトスペーサーと同一層から形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、構造体２３ｂとフォトスペーサーと別個に形成してもよい。
【００６９】
また、上記第１および第２実施形態では、シール材の始点と終点とにそれぞれ設けられる一対の構造体２３ｂを形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１４に示す第１変形例のように、構造体２３ｂを始点と終点とにそれぞれ２つずつ設けて二対形成してもよい。この場合、平坦化膜１４の外縁部のうち構造体２３ｂに対応するオーバーコート層２２のＺ１方向側の表面上の領域に構造体１４ａが二対形成される。なお、構造体２３ｂを３対以上形成してもよい。
【００７０】
また、上記第１および第２実施形態では、ディスペンサ方式により、シール材を塗布する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１５に示す第２変形例のように、スクリーン印刷方式により、シール材を形成してもよい。なお、スクリーン印刷方式を用いる場合には、シール材の始点および終点は、円形状に形成されずに矩形形状に形成される。
【符号の説明】
【００７１】
１  ＴＦＴ基板（第２基板）      ２  対向基板（第１基板）      ３  シール材      ３ａ  始点（一方端部）      ３ｂ  終点（他方端部）      ４  液晶注入口      １００、１００ａ  液晶表示装置      １０１  ＴＦＴ基板（第２母基板）      １０２  対向基板（第１母基板）      ５００  ＰＣ（電子機器）      ６００  携帯電話（電子機器）      ６００  情報携帯端末（電子機器）
【図１】
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【図２】
0005462031.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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