(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、
前記温度可変減衰器に並列に設けられる第１の可変抵抗器と、
一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第２の可変抵抗器と、
一端が前記温度可変減衰器の他方の入出力端に接続され、他端が他方の信号入出力端を構成する第３の可変抵抗器と
を備えることを特徴とする温度可変減衰回路。
【請求項２】
温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、
前記温度可変減衰器に並列に設けられる第１の可変抵抗器と、
一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第２の可変抵抗器と
を備え、
前記温度可変減衰器の他方の入出力端が他方の信号入出力端を構成する
ことを特徴とする温度可変減衰回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路において増幅器等の温度特性を補償する温度可変減衰回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波回路においては、増幅器等の温度特性を補償する回路として、温度可変減衰回路が用いられている（例えば、特許文献１，２等）。
【０００３】
特許文献１では、複数の抵抗器とサーミスタとでπ型減衰器を構成し、抵抗器の抵抗値及びサーミスタの温度特性を調整することにより、補償する増幅器等と逆特性の温度特性を持たせる温度可変減衰回路が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２では、このような温度可変減衰回路を一つの部品で構成することにより、部品を基板に表面実装するだけで容易に温度補償を実現できる例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１４４５６８号公報
【特許文献２】実用新案登録第２５４４４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、増幅器等の温度特性は、個体毎にばらつきがあり、また製造ロットによっても差が生じる。そのため、温度補償の精度を上げる場合、増幅器等の温度特性に合わせて個別に温度補償回路の温度特性を調整する必要がある。この調整を比較的容易に実現する手段としては、温度補償回路としてチップ型の温度可変減衰器を用いる方法がある。この場合、異なる温度特性を有したチップ型温度可変減衰器を複数用意し、増幅器等の温度特性に合わせてチップ型温度可変減衰器を選択すれば良い。具体的には、増幅器等の温度特性を予め測定し、その特性に合わせてチップ型温度可変減衰器を選択して実装する方法がある。
【０００７】
しかし、この方法では、回路全体の温度特性の他に増幅器等の単体温度特性を測定する必要があるため、試験コストの増大となる。これを避ける方法としては、設計中心の温度特性を有するチップ型可変減衰器を、増幅器等の温度補償が必要な回路に予め組み込んでおき、回路全体の温度特性を測定した上で、必要に応じて最適な温度特性を持つチップ型温度可変減衰器に交換する方法がある。この場合、増幅器等の単体温度測定を実施する必要はないが、部品交換が発生した場合は組立コストが増大することとなる。また、どちらの場合でも異なる温度特性を有したチップを複数用意する必要があり、部品コストの増大となる。このように温度補償の精度を上げる場合、従来の方法ではそれに応じてコストも増大するという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、コスト増大を招来することなく高い精度の温度補償を可能にする温度可変減衰回路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、前記温度可変減衰器に並列に設けられる第１の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第２の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の他方の入出力端に接続され、他端が他方の信号入出力端を構成する第３の可変抵抗器とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、３つの可変抵抗器の各抵抗値を変化させることにより、回路全体の基準温度での減衰量を一定に保ったまま、減衰量の温度特性を任意に変化させることができる。そして、補償対象回路の温度特性に合わせて温度可変減衰回路の温度特性を容易に調整することができる。このとき、温度特性の変更は、温度特性の異なる温度可変減衰器を複数用意することなく実現できる。したがって、コスト増大を招来することなく高い精度の温度補償を可能にする温度可変減衰回路を実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１による温度可変減衰回路の構成を示す回路図である。
【図２】図２は、図１に示す温度可変減衰器の構成例を示す回路図である。
【図３】図３は、図１に示す温度可変減衰回路における減衰量の温度特性例を示す特性図である。
【図４】図４は、図３に示す３つの温度特性を得る図１に示す３つの可変抵抗器の設定内容を説明する図である。
【図５】図５は、図３に示す３つの温度特性を実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。
【図６】図６は、図５に示す構成を用いて図３に示す設定１での温度特性を実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。
【図７】図７は、図５に示す構成を用いて図３に示す設定２での温度特性を実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。
【図８】図８は、図５に示す構成を用いて図３に示す設定３での温度特性を実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態２による温度可変減衰回路の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかる温度可変減衰回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による温度可変減衰回路の構成を示す回路図である。図１において、本実施の形態１による温度可変減衰回路１ａは、温度により減衰量が変化する温度可変減衰器２と、温度可変減衰器２に並列に接続された可変抵抗器Ｒ１と、温度可変減衰器２の一方の入出力端に一端が接続され他端が一方の入出力端子３ａとなる可変抵抗器Ｒ２と、温度可変減衰器２の他方の入出力端に一端が接続され他端が他方の入出力端子３ｂとなる可変抵抗器Ｒ３とで構成される。
【００１４】
ここで、図２は、図１に示す温度可変減衰器の構成例を示す回路図である。図１に示す温度可変減衰器２は、例えば図２に示すように、抵抗器５，６，７からなるπ型減衰器において抵抗器６に並列に温度可変抵抗器（例えばサーミスタ）８を接続した構成である。
【００１５】
さて、本実施の形態１による温度可変減衰回路１ａの回路構成では、温度可変減衰器２と並列に可変抵抗器Ｒ１を接続することにより、温度可変減衰器２と可変抵抗器Ｒ１とで構成される回路の温度による減衰量の変化量を、温度可変減衰器２単体の変化量と比較し小さくすることができる。このとき、可変抵抗器Ｒ１の抵抗値を変化させることにより、温度による減衰量の変化量を、温度可変減衰器２単体の変化量よりも小さな値で任意に設定することができる。
【００１６】
そして、可変抵抗器Ｒ１の抵抗値により温度可変減衰器２と可変抵抗器Ｒ１とで構成される回路の基準温度における減衰量は変化するが、温度可変減衰器２の両端に直列に可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３を接続し、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３の抵抗値を可変抵抗器Ｒ１の抵抗値に対応させて変化させることにより、基準温度での回路全体の減衰量を一定に保ったまま、温度による減衰量の変化を任意に設定することができる。
【００１７】
次に、図３は、図１に示す温度可変減衰回路における減衰量の温度特性例を示す特性図である。図４は、図３に示す３つの温度特性を得る図１に示す３つの可変抵抗器の設定内容を説明する図である。
【００１８】
図３では、常温（２５℃）を基準温度とし、その常温における減衰量を６ｄＢとした場合の、設定１での温度特性１１と、設定２での温度特性１２と、設定３での温度特性１３とが示されている。設定１での温度特性１１は、−０．００７ｄＢ／ｄＢ／℃である。設定２での温度特性１２は、−０．００６ｄＢ／ｄＢ／℃である。設定３での温度特性１３は、−０．００５ｄＢ／ｄＢ／℃である。
【００１９】
図４において、設定１では、可変抵抗器Ｒ１はｏｐｅｎ（開放）設定であり、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３はそれぞれｓｈｏｒｔ（短絡）設定である。つまり、図１に示す温度可変減衰回路１ａは、温度可変減衰器２で構成される。したがって、温度特性１１は、温度可変減衰器２での減衰量の温度特性を示している。設定２では、可変抵抗器Ｒ１は９０Ω設定であり、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ５Ω設定である。設定２では、可変抵抗器Ｒ１は５Ω設定であり、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ１６Ω設定である。
【００２０】
このように、可変抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の各抵抗値を設定１、設定２、設定３と選択することにより、常温における減衰量を６ｄＢに保ったまま、減衰量の温度特性を、温度特性１１『−０．００７ｄＢ／ｄＢ／℃』、温度特性１２『−０．００６ｄＢ／ｄＢ／℃』、温度特性１３『−０．００５ｄＢ／ｄＢ／℃』と変化させることができる。
【００２１】
次に、図５〜図８を参照して、図３に示す３つの温度特性を実現する温度可変減衰回路の実現方法について説明する。図５は、図３に示す３つの温度特性を実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。図６〜図８は、図５に示す構成を用いて図３に示す設定１，設定２，設定３での温度特性をそれぞれ実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。
【００２２】
図５では、温度可変減衰器２としてチップ型温度可変減衰器１５を用い、可変抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３として薄膜抵抗器Ｒ８〜Ｒ１４を用いる場合が示されている。図５において、ＲＦ（無線周波）信号パターン１６〜２２は、薄膜基板上に形成されている。ＲＦ信号パターン１６は、スルーホール２３により回路グランドに接続されてグランドパターンになっている。このＲＦ信号パターン１６に、チップ型温度可変減衰器１５のグランド面が接続されている。
【００２３】
ＲＦ信号パターン１７の一端は、ＲＦ信号パターン１８の一端と共にチップ型温度可変減衰器１５の一方の入出力端に接続され、ＲＦ信号パターン１９の一端は、ＲＦ信号パターン２０の一端と共にチップ型温度可変減衰器１５の他方の入出力端に接続されている。ＲＦ信号パターン１７には、可変抵抗器Ｒ２を構成する薄膜抵抗器Ｒ１１，Ｒ１２が形成され、また、ＲＦ信号パターン１９には、可変抵抗器Ｒ３を構成する薄膜抵抗器Ｒ１３，Ｒ１４が形成されている。薄膜抵抗器Ｒ１１，Ｒ１４の各抵抗値は１１Ωであり、薄膜抵抗器Ｒ１２，Ｒ１３の各抵抗値は５Ωである。
【００２４】
ＲＦ信号パターン１８は、一端がＲＦ信号パターン１７の一端側部に鋭角に突き当たる形で形成され、他端はＲＦ信号パターン１９と並行するように折れ曲がったＲＦ信号パターン２１となっている。
【００２５】
また、ＲＦ信号パターン２０は、一端がＲＦ信号パターン１９の一端側部に鋭角に突き当たる形で形成され、他端はＲＦ信号パターン１７と並行するように折れ曲がったＲＦ信号パターン２２となっている。
【００２６】
ＲＦ信号パターン１８の他端側に薄膜抵抗器Ｒ８が形成され、ＲＦ信号パターン２０の他端側に薄膜抵抗器Ｒ１０が形成され、また、ＲＦ信号パターン２２に薄膜抵抗器Ｒ９が形成されている。薄膜抵抗器Ｒ８，Ｒ１０の各抵抗値は４２．５Ωであり、薄膜抵抗器Ｒ９の抵抗値は５Ωである。薄膜抵抗器Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０は可変抵抗器Ｒ１を構成しているが、ＲＦ信号パターン２１とＲＦ信号パターン２２とは繋がっておらず、それぞれの他端は或る隙間２４だけ離れている。
【００２７】
以上の構成において、図３に示す設定１での温度特性１１を有する温度可変減衰回路を実現する場合は、図６に示すように、薄膜抵抗器Ｒ１１，Ｒ１２を金リボン２５ａでショートさせ、薄膜抵抗器Ｒ１３，Ｒ１４を金リボン２５ｂでショートさせる。そうすると、図１において、可変抵抗器Ｒ１はｏｐｅｎ（開放）設定となり、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３はそれぞれｓｈｏｒｔ（短絡）設定となり、図４に示す設定１となり、図３に示す温度特性１１を有する温度可変減衰回路が得られる。
【００２８】
また、図３に示す設定２での温度特性１２を有する温度可変減衰回路を実現する場合には、図７に示すように、薄膜抵抗器Ｒ１１を金リボン２６ａでショートさせ、薄膜抵抗器Ｒ１４を金リボン２６ｂでショートさせ、隙間２４を金リボン２６ｃでショートさせる。そうすると、図１において、可変抵抗器Ｒ１の抵抗値はＲ８＋Ｒ９＋Ｒ１０＝９０Ω設定となり、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３の各抵抗値はＲ１２＝Ｒ１３＝５Ω設定となり、図４に示す設定２となり、図３に示す温度特性１２を有する温度可変減衰回路が得られる。
【００２９】
そして、図３に示す設定３での温度特性１３を有する温度可変減衰回路を実現する場合には、図８に示すように、薄膜抵抗器Ｒ８を金リボン２７ａでショートさせ、隙間２４を金リボン２７ｂでショートさせ、薄膜抵抗器Ｒ１０を金リボン２７ｃでショートさせる。そうすると、図１において、可変抵抗器Ｒ１の抵抗値はＲ９＝５Ω設定となり、可変抵抗器Ｒ２，Ｒ３の各抵抗値はＲ１１＋Ｒ１２＝Ｒ１３＋Ｒ１４＝１６Ω設定となり、図４に示す設定３となり、図３に示す温度特性１３を有する温度可変減衰回路が得られる。
【００３０】
このように、本実施の形態１によれば、減衰量の温度特性は、可変抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の抵抗値を変化させるだけで、簡単に任意の温度特性へ変更することができる。したがって、減衰量の温度特性が異なる複数の温度可変減衰回路を形成する場合に、従来のように異なる温度特性を有した複数の温度可変減衰器を用意する必要がなく、部品の削減が可能となる。
【００３１】
また、本実施の形態１によれば、減衰量の温度特性が異なる複数の温度可変減衰回路を形成する場合に、図５の実装例に示したように、可変抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のそれぞれを複数の固定抵抗器（例えば薄膜抵抗器）で構成しておき、目的とする温度特性に応じて不要な固定抵抗器を金リボン、金ワイヤ等でショートさせることにより容易に実現することができる。したがって、部品コストの削減、組立コストの削減が実現できる。また、コストの増大を伴わずに、補償する対象回路の温度特性に合わせて温度可変減衰回路の温度特性を容易に調整することができるので、精度の高い温度補償を実現することができる。
【００３２】
実施の形態２．
図９は、本発明の実施の形態２による温度可変減衰回路の構成を示す回路図である。なお、図９では、図１（実施の形態１）に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、本実施の形態２に関わる部分を中心に説明する。
【００３３】
図９に示すように、本実施の形態２による温度可変減衰回路１ｂは、図１（実施の形態１）に示した構成において、可変抵抗器Ｒ２と可変抵抗器Ｒ３との一方を削除（図９では可変抵抗器Ｒ３を削除）した構成になっている。
【００３４】
実施の形態１と比較すると、入出力端子３ａ側と入出力端子３ｂ側とで異なる反射特性を有することになるが、基本的な動作は実施の形態１と同様である。
【００３５】
本実施の形態１によれば、可変抵抗器を一つ削減できることにより、コストの削減および回路面積の削減が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
以上のように、本発明にかかる温度可変減衰回路は、コスト増大を招来することなく高い精度の温度補償を可能にする温度可変減衰回路として有用である。
【符号の説明】
【００３７】
１ａ，１ｂ  温度可変減衰回路
２  温度可変減衰器
３ａ，３ｂ  入出力端子
５，６，７  π型減衰器を構成する抵抗器
８  温度可変抵抗器（サーミスタ）
１１  設定１での温度特性
１２  設定２での温度特性
１３  設定３での温度特性
１５  チップ型温度可変減衰器
１６〜２２  ＲＦ信号パターン
２３  スルーホール
２４  隙間
２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２７ａ，２７ｂ，２７ｃ  金リボン
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３  可変抵抗器
Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０  可変抵抗器Ｒ１を構成する薄膜抵抗器
Ｒ１１，Ｒ１２  可変抵抗器Ｒ２を構成する薄膜抵抗器
Ｒ１３，Ｒ１４  可変抵抗器Ｒ３を構成する薄膜抵抗器
【図１】
0005627514.tif 000002
【図２】
0005627514.tif 000003
【図３】
0005627514.tif 000004
【図４】
0005627514.tif 000005
【図５】
0005627514.tif 000006
【図６】
0005627514.tif 000007
【図７】
0005627514.tif 000008
【図８】
0005627514.tif 000009
【図９】
0005627514.tif 000010