(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行で反対側に位置する第１の面及び第２の面、該第１の面と第２の面との間にある互いに平行で反対側に位置する第１側壁面及び第２側壁面、及び前記第１の面と第２の面との間及び前記第１側壁面と第２側壁面との間にある互いに平行で反対側に位置する第１端壁面及び第２端壁面を有し、更に、それぞれ前記第１の面から第２の面にかけて形成された互いに平行な複数の貫通孔を有する誘電体ブロック；前記貫通孔のそれぞれの内壁面に形成され各共振器の共振導体を構成する内導体；前記第２の面、第１側壁面、第２側壁面、第１端壁面及び第２端壁面にわたって形成された外導体；前記第１の面において前記内導体のそれぞれに接続されるように形成され前記共振器同士を結合させる結合用電極；前記第１側壁面において前記外導体から離隔して形成され前記共振器の少なくとも１つと結合する入出力電極；及び、前記第２側壁面に形成された外導体と接続され、前記第１の面を被うように延出する金属カバー；を備える誘電体共振部品と、
該誘電体共振部品を搭載する実装基板と、
を有する誘電体共振器装置であって、
前記金属カバーは、前記誘電体ブロックの第２側壁面と略平行な第１部分とこれに略直交し前記誘電体ブロックの第１の面と略平行な第２部分とを有しており、前記第１部分と第２部分とにわたって同一幅をもって延出しており、
前記実装基板は、前記第１側壁面が当接するように前記誘電体共振部品が載置される表面とその反対側の裏面とを有し、前記表面には前記誘電体共振部品の入出力電極と接続される入出力信号取出しラインパターンと該入出力信号取出しラインパターンから離隔せるグランドパターンとが形成され、前記裏面には前記入出力信号取出しラインパターンと接続された外部入出力電極パターンが形成されており、
前記入出力信号取出しラインパターンは、前記誘電体共振部品の入出力電極に対応する部分から前記第１の面よりその法線方向と略平行に延出する第１パターン部と、該第１パターン部に連なり前記第１の面の法線方向と略直交する方向に延在する第２パターン部とを含んでおり、前記第１の面と前記金属カバーと前記実装基板の表面とにより囲まれる空間に面して位置する部分の長さの全長に対する割合は５０％以上であり、
前記金属カバーの第２部分の先端縁の全体が前記実装基板の表面に形成されたグランドパターンと電気的に接続されていることを特徴とする誘電体共振器装置。
【請求項２】
前記入出力信号取出しラインパターンの第２パターン部の幅寸法が０．１５〜０．５ｍｍであり、該第２パターン部と前記グランドパターンとの間隔寸法が０．１５〜０．５ｍｍであり、前記誘電体ブロックと前記金属カバーの第２部分との間隔寸法が０．５〜１．５ｍｍであることを特徴とする、請求項１に記載の誘電体共振器装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体ブロックに複数の共振器を形成してなる誘電体フィルタや誘電体送受共用器などの誘電体共振部品を実装基板に搭載してなる誘電体共振器装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動通信機器において、誘電体フィルタや誘電体送受共用器などの誘電体共振部品が用いられる。誘電体共振部品に対しては、適宜の周波数特性が要求されることの他に、形状及び入出力電極位置をニーズに合わせることがしばしば要求される。これに対応し入出力電極のレイアウトの自由度を高める目的で、たとえば特許文献１〜特許文献３に記載されているように、誘電体共振部品は回路基板などの実装基板に実装される。誘電体共振部品を実装基板に実装してなるものを誘電体共振器装置ということにする。
【０００３】
ニーズに合う形状の実装基板の上面に、誘電体共振部品を構成する誘電体ブロックが取り付けられる。誘電体ブロックには、互いに平行な第１の面及び第２の面の間でこれらの面の法線方向の貫通孔が形成され、該貫通孔の内面に内導体が付与されて、共振器が構成される。実装基板の上面には、誘電体共振部品の入出力電極と接続される入出力信号取出しラインパターンが形成される。実装基板の下面には、ニーズに合う位置に、上記入出力信号取出しラインパターンと接続された外部入出力電極パターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平３−４０９６２号公報
【特許文献２】特開平６−１６４２０６号公報
【特許文献３】特開平６−１３２７０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、実装基板上面の入出力信号取出しラインパターンの引き回し形態によっては、ライン引き回しに起因する電磁界放射によるパスで、周波数特性の減衰特性が悪化するという問題があった。
【０００６】
そこで、以上のような電磁界放射によるパスを抑制するために、誘電体共振部品の入出力信号の取出し位置を、特許文献２に記載されるように、誘電体ブロックの第１の面と第２の面との中間であって２つの壁面に跨った位置とすることが考えられる。しかしながら、この手法では、加工面が増えコストアップし、更に誘電体ブロックの第１の面から第２の面にかけて形成される貫通孔の形状及び配置を変える必要があり、大幅設計変更を余儀なくされるという技術的課題がある。
【０００７】
本発明の目的は、誘電体ブロックの大幅設計変更の必要がなく、製造コストを抑え、周波数特性の減衰特性を改善できる、誘電体共振器装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以上の如き目的を達成するものとして、
互いに平行で反対側に位置する第１の面及び第２の面、該第１の面と第２の面との間にある互いに平行で反対側に位置する第１側壁面及び第２側壁面、及び前記第１の面と第２の面との間及び前記第１側壁面と第２側壁面との間にある互いに平行で反対側に位置する第１端壁面及び第２端壁面を有し、更に、それぞれ前記第１の面から第２の面にかけて形成された互いに平行な複数の貫通孔を有する誘電体ブロック；前記貫通孔のそれぞれの内壁面に形成され各共振器の共振導体を構成する内導体；前記第２の面、第１側壁面、第２側壁面、第１端壁面及び第２端壁面にわたって形成された外導体；前記第１の面において前記内導体のそれぞれに接続されるように形成され前記共振器同士を結合させる結合用電極；前記第１側壁面において前記外導体から離隔して形成され前記共振器の少なくとも１つと結合する入出力電極；及び、前記第２側壁面に形成された外導体と接続され、前記第１の面を被うように延出する金属カバー；を備える誘電体共振部品と、
該誘電体共振部品を搭載する実装基板と、
を有する誘電体共振器装置であって、
前記金属カバーは、前記誘電体ブロックの第２側壁面と略平行な第１部分とこれに略直交し前記誘電体ブロックの第１の面と略平行な第２部分とを有しており、前記第１部分と第２部分とにわたって同一幅をもって延出しており、
前記実装基板は、前記第１側壁面が当接するように前記誘電体共振部品が載置される表面とその反対側の裏面とを有し、前記表面には前記誘電体共振部品の入出力電極と接続される入出力信号取出しラインパターンと該入出力信号取出しラインパターンから離隔せるグランドパターンとが形成され、前記裏面には前記入出力信号取出しラインパターンと接続された外部入出力電極パターンが形成されており、
前記入出力信号取出しラインパターンは、前記誘電体共振部品の入出力電極に対応する部分から前記第１の面よりその法線方向と略平行に延出する第１パターン部と、該第１パターン部に連なり前記第１の面の法線方向と略直交する方向に延在する第２パターン部とを含んでおり、前記第１の面と前記金属カバーと前記実装基板の表面とにより囲まれる空間に面して位置する部分の長さの全長に対する割合は５０％以上であり、
前記金属カバーの第２部分の先端縁の全体が前記実装基板の表面に形成されたグランドパターンと電気的に接続されていることを特徴とする誘電体共振器装置、
が提供される。
【０００９】
本発明の一態様においては、前記入出力信号取出しラインパターンの第２パターン部の幅寸法が０．１５〜０．５ｍｍであり、該第２パターン部と前記グランドパターンとの間隔寸法が０．１５〜０．５ｍｍであり、前記誘電体ブロックと前記金属カバーの第２部分との間隔寸法が０．５〜１．５ｍｍである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シールド効果を高め、周波数特性において減衰特性が改善された誘電体共振器装置を、誘電体ブロックの設計を大幅変更することなく低コストで、得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明による誘電体共振器装置の一実施形態を示す模式的斜視図である。
【図２】図１の実施形態の模式的分解斜視図である。
【図３】図１の実施形態の実装基板の上面図及び側面図である。
【図４】比較例１の誘電体共振器装置を示す模式的斜視図である。
【図５】図４の誘電体共振器装置の模式的分解斜視図である。
【図６】図４の誘電体共振器装置の実装基板の上面図及び側面図である。
【図７】比較例２の誘電体共振器装置を示す模式的斜視図である。
【図８】図７の誘電体共振器装置の模式的分解斜視図である。
【図９】図７の誘電体共振器装置を示す模式的斜視図である。
【図１０】入出力信号取出しラインパターンの被われ率と減衰量との関係を示す図である。
【図１１】実装基板表面のライン／スペースと減衰量との関係を示す図である。
【図１２】誘電体ブロックと金属カバーの第２部分との間隔と減衰量との関係を示す図である。
【図１３】誘電体共振部品の周波数特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施形態を説明する。
【００１３】
図１は本発明による誘電体共振器装置の一実施形態を示す模式的斜視図であり、図２はその模式的分解斜視図である。図２は、右側部及び左側部において互いに異なる角度からみた本実施形態の誘電体共振器装置の２つの模式的分解斜視図を示している。また、図３は、本実施形態の誘電体共振器装置を構成する実装基板の上面図（右側部）及び側面図（左側部）であり、上面図で誘電体共振部品の搭載位置も合わせて示している。図１及び図２に示されているように、誘電体共振器装置１は誘電体共振部品２と実装基板５とを含んでなり、誘電体共振部品２は誘電体フィルタ部３と金属カバー４とを含んで構成される。誘電体フィルタ部３は、誘電体ブロックとその表面に形成された各種機能を有する導体膜とからなる。
【００１４】
誘電体ブロックは、比誘電率εｒが１０〜１００程度の誘電体セラミックスを使用したものであり、直方体の基本形状を持つ。誘電体ブロックは、互いに平行で反対側に位置する第１の面（図２の左側部における左手前面及び図２の右側部における上面）及び第２の面（図２の左側部における右奥面［図に表れていない］及び図２の右側部における下面［図に表れていない］）、該第１の面と第２の面との間にある互いに平行で反対側に位置する第１側壁面（図２の左側部における下面［図に表れていない］及び図２の右側部における手前面）及び第２側壁面（図２の左側部における上面及び図２の右側部における奥面［図に表れていない］）、及び前記第１の面と第２の面との間及び前記第１側壁面と第２側壁面との間にある互いに平行で反対側に位置する第１端壁面（図２の左側部における左奥面［図に表れていない］及び図２の右側部における左面［図に表れていない］）及び第２端壁面（図２の左側部における右手前面及び図２の右側部における右面）を有する。
【００１５】
誘電体ブロックは、更に、それぞれ第１の面から第２の面にかけて形成された互いに平行な複数の貫通孔６を有する。複数の貫通孔６は、全体として幅方向（横方向：図２の右側部における左右方向）に配列される。
【００１６】
誘電体ブロックの表面に形成された各種機能を有する導体膜としては、貫通孔６のそれぞれの内壁面に形成され各共振器の共振導体を構成する内導体；第２の面、第１側壁面、第２側壁面、第１端壁面及び第２端壁面にわたって形成された外導体１２；第１の面において内導体のそれぞれに接続されるように形成され共振器同士を結合させる結合用電極７；及び、第１側壁面において外導体１２から離隔して形成され共振器の少なくとも１つと結合する入出力電極１０，１１がある。入出力電極１０，１１は、それぞれ第１の面にまで延出して延出部８，９を形成している。該入出力電極延出部８，９は、両端の共振器の結合用電極７と結合する。
【００１７】
金属カバー４は、導電性の良好な材料を使用したもので、図１及び図２に示すように、誘電体ブロックの第２側壁面の一部分と重なるように設置される。金属カバー４は、誘電体ブロックの第２側壁面に形成された外導体１２と接続されている。金属カバー４は、誘電体ブロックの第２側壁面と略平行な第１部分４１とこれに略直交し誘電体ブロックの第１の面と略平行な第２部分４２とからなり、第１部分４１と第２部分４２との境界において略直角に、くの字形状に屈曲している。かくして、金属カバー４は、誘電体ブロックの第１の面を被うように延出している。ここで、「略平行」、「略直交」および「略直角」とは、それぞれ厳密に平行、直交および直角である場合の他、本発明の目的達成に支障のない限りにおいて、それらに対して適度に傾いている場合をも含むものとする。以下の説明では、主として、厳密に平行、直交および直角である場合を例にとって説明するが、これらには、それぞれ上記「略平行」、「略直交」および「略直角」である場合も含まれる。
【００１８】
金属カバー４と誘電体ブロックの第２側壁面との重なりの部分は誘電体ブロックの第１の面に近い領域であり、この領域において金属カバー４と外導体１２とが電気的に接続される。この重なり部分の縦方向寸法（誘電体ブロックの第１の面及び第２の面の法線方向の寸法）は、接合強度の確保と電磁界漏れによる減衰特性悪化を防ぐ目的から、１ｍｍ以上であるのが好ましい。金属カバー４の幅（図２の右側部における左右方向の寸法）は、第１部分及び第２部分の全体にわたって一定である。金属カバー４の第１部分は、誘電体ブロックの第２側壁面との重なりの部分から誘電体ブロックの第１の面を越えて延び出しており、金属カバー４の第２部分は、誘電体ブロックの第１の面と平行に該第１の面から一定の距離を隔てて位置している。
【００１９】
実装基板５は、一般的な樹脂基板やセラミックス基板であり、誘電体共振部品２が搭載される表面（図２の左側部における上面及び図２の右側部における奥面［図に表れていない］）とその反対側の裏面（図２の左側部における下面［図に表れていない］及び図２の右側部における手前面）とを有する。
【００２０】
実装基板５の裏面には、ニーズにより指定された位置にある外部入出力電極パターン１７，１８と、グランドパターン１９とが形成される。実装基板５の表面には、誘電体フィルタ部３の入出力電極１０，１１と位置関係が対応する入出力信号取出しラインパターン１３，１４と、グランドパターン１９とが形成される。入出力信号取出しラインパターン１３，１４は、誘電体共振部品２の誘電体フィルタ部３の入出力電極１０，１１に対応する部分（すなわち、入出力電極１０，１１と接続される接続部）１３’，１４’を有する。入出力信号取出しラインパターン１３，１４は、入出力電極１０，１１との接続部１３’，１４’から誘電体ブロックの第１の面よりその法線方向と略平行に延出する第１パターン部と、該第１パターン部に連なり誘電体ブロックの第１の面の法線方向と略直交する方向に延在する第２パターン部とを含んでいる。ここで、「略平行」および「略直交」とは、それぞれ厳密に平行、直交および直角である場合の他、本発明の目的達成に支障のない限りにおいて、それらに対して適度に傾いている場合をも含むものとする。例えば、互いに略平行に延出する第１パターン部については、部分１３’，１４’から金属カバー４の第２の部分に向かって、換言すれば、図２の左側部における実装基板５の左手前（南西向き）の側端面及び図２の右側部における頂側端面に向かって延出する。他方、略直交する方向に延在する一方の第２パターン部については、一方の第１パターン部から屈曲して実装基板５の外方向に向かって、換言すれば、図２の左側部における実装基板５の右手前（南東向き）の側端面及び図２の右側部における右側端面に向かって延出する。また、略直交する方向に延在する他方の第２パターン部については、他方の第１パターン部から屈曲して実装基板５の外方向に向かって、換言すれば、図２の左側部における実装基板５の左奥（北西向き）の側端面及び図２の右側部における左側端面に向かって延出する。以下の説明では、特にことわらない限り便宜上、厳密に平行、直交および直角である場合を例にとって説明するが、これらには、それぞれ上記「略平行」および「略直交」である場合も含まれる。
【００２１】
信号取出しラインパターン１３，１４は、実装基板５の側端面に形成された電極１５，１６を通じて裏面の外部入出力電極パターン１７，１８と接続されている。グランドパターン１９は、入出力信号取出しラインパターン１３，１４及び外部入出力電極パターン１７、１８とは離隔しており、電気的に絶縁されている。表面のグランドパターン１９と裏面のグランドパターン１９とは、側端面に形成された電極もしくは、図示していないが、内部形成スルーホール電極を通じて、互いに接続されている。
【００２２】
上記金属カバー４の第２部分の先端縁の全体が実装基板５の表面グランドパターン１９と電気的に接続される。すなわち、金属カバー４の延出部の先端縁の全体が実装基板５の表面に形成されたグランドパターン１９と電気的に接続されている。後述のように、入出力信号取出しラインパターン１３，１４は、誘電体ブロックの第１の面と金属カバー４の延出部と実装基板５の表面とにより囲まれる空間に面して位置する部分の長さが、全長に対して５０％以上（被われ率）であるのが好ましい。ここで、全長とは、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の中心線で、誘電体ブロックの第１の面から実装基板５の左右両側端面に形成される電極１５，１６までの長さＬ１をいう（図１０における上面図参照）。また、部分の長さとは、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の中心線で、誘電体ブロックの第１の面から金属カバー４に被われなくなる位置までの長さＬ２をいう（図１０における上面図参照）。
【００２３】
図３により、実装基板５の表面パターン（入出力信号取出しラインパターン１３，１４及びグランドパターン１９）と搭載される誘電体共振部品２との位置関係を示す。信号周波数が３ＧＨｚを超すと実装基板５の入出力信号取出しラインパターン１３，１４から発生する電磁界放射により入出力間で信号のパスが発生し、周波数特性において減衰特性が悪化しやすくなる傾向がある。そこで、本実施形態では、電磁界放射によるパスを抑制するため、誘電体フィルタ部３の入出力電極１０，１１から第１の面の法線方向に引出す入出力信号取出しラインパターン１３，１４の引出量を最小限たとえば０．１５〜０．５ｍｍとし、直ちに入出力信号取出しラインパターン１３，１４を互いに離反する方向に直角に曲げ、誘電体ブロックの幅方向（図３の上面図における左右方向）に実装基板５の左右両側端面に向かってそれぞれ延ばした。直角曲げ部はライン間のパス抑制と電磁界集中による挿入損出悪化を抑制する目的で、Ｃ面加工（Ｃ面取り）を施している。
【００２４】
更に、電磁界の漏れを封じるため、信号取出しラインパターン１３，１４を誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分の先端縁との間に配置し、金属カバー４の第２部分の先端縁全体を実装基板５の表面のグランドパターン１９と電気的に接続させた。
【００２５】
また、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の第２パターン部の幅寸法２０が０．１５〜０．５ｍｍであることが好ましい。また、第２パターン部とグランドパターン１９との間隔寸法２１（ギャップ寸法）が０．１５〜０．５ｍｍであることが好ましい。さらに、誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分４２との間隔寸法が０．５〜１．５ｍｍであることが好ましい。このように、実装基板表面に形成される入出力信号取出しラインパターン及びグランドパターンの形状及び寸法、並びに金属カバーの形状及び寸法を特定のものに設定することで、よりシールド効果を高め、周波数特性において減衰特性が改善された誘電体共振器装置を、誘電体ブロックの設計を大幅変更することなく低コストで、得ることができる。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例及び比較例により、更に本発明を説明する。
【００２７】
［実施例１］
以上のような本実施形態の誘電体共振器装置において、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の第１の面に対する引出し量を０．５ｍｍとし、金属カバー４の第２部分の横方向寸法を変えた時の、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の誘電体ブロックの第１の面から実装基板５の左右両側端面に形成される電極１５，１６までの長さＬ１（図１０における上面図参照）に対する、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の誘電体ブロックの第１の面から金属カバー４に被われなくなる位置までの長さＬ２（図１０における上面図参照）の百分率比を変化させたときの減衰量の変化を調べた。（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比を被われ率ということにする。図１０の実線に、その結果を示す。
【００２８】
また、参考のために、金属カバー４の第２部分の先端縁の一部分（長さ固定）のみがグランドパターン１９と接続するように、金属カバー４の第２部分の先端部を形成した場合についても、（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比である被われ率の変化と減衰量の変化との関係を調べた。図１０の破線に、その結果を示す。
【００２９】
以上の結果、上面図から見て、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比である被われ率が高くなるほど減衰量が大きくなり、被われ率５０％以上でより一層大きな効果が発揮される。又、金属カバー４の第２部分の先端縁の全体を実装基板５のグランドパターン１９に接続させた方が、より大きな効果が得られることがわかる。よって、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比である被われ率を５０％以上とし、金属カバー４の第２部分４２の先端縁の全体を実装基板５のグランドパターン１９に接続させるのが好ましい。
【００３０】
［実施例２］
次に、以上のような本実施形態の誘電体共振器装置において、放射源である入出力信号取出しラインパターン１３，１４自身を細くし、放射した電磁波を即グランドに短絡させるため、入出力信号取出しラインパターン１３，１４とグランドパターン１９とのギャップを狭くした。
【００３１】
入出力信号取出しラインパターン１３，１４の第１の面に対する引出し量を０．８ｍｍとし、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比である被われ率を８０％に設定した構造において、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の幅寸法２０及び入出力信号取出しラインパターン１３，１４とグランドパターン１９との間隔寸法２１を変化させた時の、減衰量及び挿入損失の変化を調べた。図１１に、その結果を示す。
【００３２】
以上の結果、図１１から、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の幅寸法２０と、入出力信号取出しラインパターン１３，１４とグランドパターン１９との間隔寸法２１を０．５ｍｍ以下にすると減衰特性が改善する方向にあることがわかる。しかし、０．１ｍｍでは電磁界の集中により損失が増し周波数特性の挿入損失が増加することがわかる。よって、基板エッチング加工の設計ルールであるライン／スペースの下限値については０．１５／０．１５ｍｍが一般的であることを考慮し、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の幅寸法２０は０．１５〜０．５ｍｍ、入出力信号取出しラインパターン１３，１４とグランドパターン１９との間隔寸法２１は０．１５〜０．５ｍｍに設定するのが最良と考えられる。
【００３３】
［実施例３］
次に、以上のような本実施形態の誘電体共振器装置において、共振器の開放端である誘電体ブロックの第１の面から発生する電磁界放射を即グランドに短絡させる目的で誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔を狭くした。
【００３４】
入出力信号取出しラインパターン１３，１４の第１の面に対する引出し量を０．２ｍｍとし、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比である被われ率を８０％に設定し、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の幅寸法２０を０．２ｍｍ、入出力信号取出しラインパターン１３，１４とグランドパターン１９との間隔寸法２１を０．２ｍｍに設定した構造において、誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔寸法２２の変化と減衰量の変化との関係を調べた。図１２に、その結果を示す。
【００３５】
以上の結果、図１２から、誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔は、２ｍｍ以上と広いと減衰量の向上にさほど効果が見られないが、１．５ｍｍ以下で傾きが大きくなり効果が得られることが分かる。尚、図には記してないが、誘電体ブロックとして比誘電率の小さい材料からなるものを使用した場合、より大きな効果が発揮される。これは、第１の面から発生する電磁界放射で発生するパスや漏れが抑制できるためである。
【００３６】
一方、誘電体ブロックの第１の面と金属カバー４の第２部分との間隔を狭くしすぎると、誘電体ブロックの第１の面と金属ケース４の第２部分との間で発生する浮遊容量が増し、製造バラツキで周波数が変動することが考えられるので、誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔は０．５ｍｍ以上が必要と考えられる。
【００３７】
よって、誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔は０．５〜１．５ｍｍに設定するのが最良と考えられる。
【００３８】
上記の「略平行」、「略直交」および「略直角」についての、厳密に平行、直交および直角である場合に対する適度の傾きの許容範囲を示す基準の１つとして、この誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔０．５〜１．５ｍｍの条件が維持されることを用いることができる。
【００３９】
［実施例４］
本発明の誘電体共振器装置の周波数特性を評価した。本発明の誘電体共振器装置では、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の第１の面に対する引出し量を０．２ｍｍとし、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の（Ｌ２／Ｌ１）の百分率比である被われ率を８０％に設定し、入出力信号取出しラインパターン１３，１４の幅寸法２０を０．２ｍｍとし、入出力信号取出しラインパターン１３，１４とグランドパターン１９との間隔寸法２１を０．２ｍｍとし、誘電体ブロックと金属カバー４の第２部分との間隔寸法２２を０．８ｍｍに設定した。図１３（実線）に、本発明の誘電体共振器装置の周波数特性を示す。
【００４０】
［比較例１］
本比較例では、図４〜図６に示される誘電体共振器装置を作製した。図４は本比較例を示す模式的斜視図であり、図５はその模式的分解斜視図であり、図６は本比較例の実装基板の上面図及び側面図である。これらの図４〜図６は、それぞれ上記図１〜図３に対応する部分を示す。
【００４１】
誘電体ブロックの基本構成は本発明の誘電体共振器装置の誘電体ブロックと変わりないが、特に図６に示すように、実装基板の表面の入出力信号取出しラインパターン１３ａ，１４ａが誘電体ブロックの第１の面の法線方向に金属カバーを潜りぬけ引出されて実装基板の両側端面へ向かって曲がりそれぞれ延びている。また金属カバーには入出力信号取出しラインパターンと短絡させないように切り欠け加工４ａを施してある。更に、入出力信号取出しラインパターン１３ａ，１４ａの幅寸法２０ａは０．８ｍｍであり、入出力信号取出しラインパターン１３ａ，１４ａとグランドパターンとの間隔寸法２１ａも０．８ｍｍとなっている。誘電体ブロックと金属カバーの第２部分との間隔寸法２２ａを０．８ｍｍとした。図１３（破線）に、本比較例の誘電体共振器装置の周波数特性を示す。
【００４２】
双方とも、中心周波数は３．１６ＧＨｚで帯域幅は０．０６ＧＨｚのバンドパスフィルタが得られている。図１３によると、本発明の周波数特性の方が、電磁界放射が抑制されているので、２．２ＧＨｚ〜２．９ＧＨｚの周波数における減衰量が従来の周波数特性より６ｄＢ改善できている。
【００４３】
［比較例２］
本比較例では、図７〜図９に示される誘電体共振器装置を作製した。図７は本比較例を示す模式的斜視図であり、図８はその模式的分解斜視図であり、図９は本比較例の実装基板の上面図及び側面図である。これらの図７〜図９は、それぞれ上記図１〜図３に対応する部分を示す。
【００４４】
本比較例では、誘電体ブロックの入出力電極１０ｂ，１１ｂの位置及び実装基板表面における入出力信号取出しラインパターン１３ｂ，１４ｂの引出し方向が、本発明のものとは異なる。誘電体ブロックの端壁面には入出力電極１０ｂ，１１ｂの延出部８ｂ，９ｂが形成されている。入出力電極延出部８ｂ，９ｂは、両端貫通孔との結合を促進する。
【００４５】
図８に示すように誘電体ブロックの貫通孔６ｂの形状及び配置を大きく変える必要があることがわかった。又、誘電体ブロックの端壁面に入出力電極延出部８ｂ，９ｂを形成する必要があり、加工面が２つ追加されることにより製造コストが増えるという欠点があることがわかった。
【００４６】
以上の本発明実施例においては誘電体共振部品が誘電体バンドパスフィルタであるが、本発明は、誘電体共振部品が誘電体が送受共用器である場合についても適用できる。本発明によれば、送受共用器において、送信通過特性、受信通過特性、及びアイソレーション特性の減衰特性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１  誘電体共振器装置
２  誘電体共振部品
３  誘電体フィルタ部
４  金属カバー
４１  金属カバー第１部分
４２  金属カバー第２部分
４ａ  金属カバーの切り欠け加工部
５  実装基板
６  貫通孔
７  結合用電極
８，９  入出力電極延出部
８ｂ，９ｂ  入出力電極延出部
１０，１１  入出力電極
１０ｂ，１１ｂ  入出力電極
１２  外導体
１３，１４  入出力信号取出しラインパターン
１３’，１４’  入出力電極との接続部
１３ａ，１４ａ  入出力信号取出しラインパターン
１３ｂ，１４ｂ  入出力信号取出しラインパターン
１５，１６  実装基板の側端面電極
１７，１８  外部入出力電極パターン
１９  グランドパターン
２０  入出力信号取出しラインパターンの幅寸法
２０ａ  入出力信号取出しラインパターンの幅寸法
２１  入出力信号取出しラインパターンとグランドパターンとのギャップ寸法
２１ａ  入出力信号取出しラインパターンとグランドパターンとのギャップ寸法
２２  誘電体ブロックと金属カバーの第２部分とのギャップ寸法
２２ａ  誘電体ブロックと金属カバーの第２部分とのギャップ寸法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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