(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサからの、タンタルの回収方法であって、
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサを、酸化雰囲気下、４００〜５００℃の温度で加熱処理して第１の加熱処理物を得る第１の加熱処理工程と、
前記得られた第１の加熱処理物を、当該第１の加熱処理物の長軸長さにより、当該長軸長さが一定値を超えるものとそれ以下のものとに選別する第１の選別工程と、
前記選別された長軸長さが一定値を超える成分を５５０℃以上の温度で加熱処理して第２の加熱処理物を得る第２の加熱処理工程と、
前記得られた第２の加熱処理物を、当該第２の加熱処理物の長軸長さにより選別する第２の選別工程と、を有することを特徴とするタンタルの回収方法。
【請求項２】
第１および第２の選別工程での選別基準を、第１および第２の加熱処理物の０．１ｍｍ〜１ｍｍの長軸長さとすることを特徴とする請求項１に記載のタンタルの回収方法。
【請求項３】
前記基板が貴金属を含み、第２の加熱処理物の長軸長さによる選別により、タンタルと貴金属を選別することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のタンタルの回収方法。
【請求項４】
貴金属が、金、銀、銅及びパラジウムから選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のタンタルの回収方法。
【請求項５】
タンタルコンデンサが実装された基板を破砕した後、加熱処理することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のタンタルの回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スクラップの電子基板に実装されているコンデンサ、または、スクラップのコンデンサから、タンタルを回収する回収方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス機器に使用されている電子基板には、多くの有価金属が使用されている。そこで、当該電子基板がスクラップとなったときには、例えば、銅精錬所において銅精錬工程に投入され、金、銀、銅等の有価金属が回収されている。
ところが、当該電子基板には従来の銅精錬工程では回収できない有価金属が含有されている。具体的には、当該電子基板においてコンデンサとして使用されているタンタル（Ｔａ）がある。当該有価金属を含むコンデンサは、他種のコンデンサに比べて小型で、漏れ電流が少なく、その上、安定性が高い。その為、タンタルコンデンサは、パソコン、携帯電話等の小型のエレクトロニクス製品の電子基板には多数が実装されている。
【０００３】
本出願人は、特許文献１において、タンタルコンデンサが実装された電子基板を５５０℃以上に加熱し、得られた加熱処理物を粉体と、それ以外とに選別することで、タンタルと他の有価金属とを選別し、回収する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２２１５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１に開示の方法により、スクラップの電子基板に実装されたタンタルコンデンサから、粉体の加熱処理物としてタンタルの回収が可能となった。しかしながら、当該粉体の加熱処理物中のタンタル品位はせいぜい１０％に留まっていた。
そして、当該状況は、スクラップの電子基板から分別されたタンタルコンデンサや不良品のタンタルコンデンサといったスクラップのタンタルコンデンサを集めてタンタルの回収を行う場合も同様であった。
本発明は、上述の状況の下でなされたものであり、その解決しようとする課題は、タンタルコンデンサを実装したスクラップの電子基板、または、スクラップのタンタルコンデンサから、高い効率をもってタンタルを回収できる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決する為、本発明者等は研究を行った。
当該研究の結果、回収された粉体の加熱処理物中のタンタル品位が１０％程度に留まるのは、スクラップの電子基板またはスクラップのタンタルコンデンサを、５５０℃以上に加熱すると、タンタル焼結体のみならず、当該コンデンサを構成するシリコン製のモールド部も共に粉化して、粉体の加熱処理物となる為であることに想到した。
ここで、本発明者らは、さらに研究を継続し、タンタルコンデンサを構成するシリコン製のモールド部の粉化温度と、タンタル焼結体の粉化温度とが異なることに想到した。具体的には、スクラップのタンタルコンデンサを４００〜５００℃で加熱処理すると、シリコン製のモールド部分は粉化するが、タンタル焼結体は粉化しないことに想到したものである。
以上のことから、本発明者らは、タンタルコンデンサを実装したスクラップの電子基板またはスクラップのコンデンサを、まず４００〜５００℃で加熱処理してシリコン製のモールド部を粉化することで除去し、次に、５５０℃以上で加熱することで、タンタル焼結体を粉化して貴金属から分離することで、タンタルを高効率で回収出来るという構成に想到し、本発明を完成した。
【０００７】
即ち、上述の課題を解決する為の、第１の発明は、
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサからの、タンタルの回収方法であって、
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサを、酸化雰囲気下、４００〜５００℃の温度で加熱処理して第１の加熱処理物を得る第１の加熱処理工程と、
前記得られた第１の加熱処理物を、当該第１の加熱処理物の長軸長さにより、当該長軸長さが一定値を超えるものとそれ以下のものとに選別する第１の選別工程と、
前記選別された長軸長さが一定値を超える成分を５５０℃以上の温度で加熱処理して第２の加熱処理物を得る第２の加熱処理工程と、
前記得られた第２の加熱処理物を、当該第２の加熱処理物の長軸長さにより選別する第２の選別工程と、を有することを特徴とするタンタルの回収方法である。
【０００８】
第２の発明は、
第１および第２の選別工程での選別基準を、第１および第２の加熱処理物の０．１ｍｍ〜１ｍｍの長軸長さとすることを特徴とする第１の発明に記載のタンタルの回収方法である。
【０００９】
第３の発明は、
前記基板が貴金属を含み、第２の加熱処理物の長軸長さによる選別により、タンタルと貴金属を選別することを特徴とする第１または第２の発明のいずれかに記載のタンタルの回収方法である。
【００１０】
第４の発明は、
貴金属が、金、銀、銅及びパラジウムから選択される少なくとも１種であることを特徴とする第３の発明に記載のタンタルの回収方法である。
【００１１】
第５の発明は、
タンタルコンデンサが実装された基板を破砕した後、加熱処理することを特徴とする第１から第４の発明のいずれかに記載のタンタルの回収方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、スクラップの電子基板に実装されたタンタルコンデンサまたはスクラップのタンタルコンデンサから、高効率でタンタルの回収が可能となった。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係るタンタルの回収方法は、まず、タンタルコンデンサが実装されたスクラップの電子基板またはスクラップのタンタルコンデンサを、酸化雰囲気下、４００〜５００℃の温度で加熱処理して、タンタルコンデンサを構成していたシリコン製のモールド部を粉化して除去する。そして、当該４００〜５００℃の加熱処理で粉化しなかった部分を、今度は、５５０℃以上に加熱することで、タンタルコンデンサを構成していたタンタルを粉化して、当該温度でも粉化しない貴金属と分離することで、スクラップの電子基板に実装されたタンタルコンデンサまたはスクラップのタンタルコンデンサから、高効率でタンタルを回収するものである。
具体的には、第１（４００〜５００℃）の加熱処理工程、第１の選別（篩い分け等）工程、第２（５５０℃以上）の加熱処理工程、第２の選別（篩い分け等）工程、とを有し、必要に応じて、さらに破砕工程、分離精製工程、などを有してなる。
【００１４】
＜電子基板＞
本発明に用いられるスクラップの電子基板としては、タンタルコンデンサが実装されたものが用いられる。当該電子基板は、使用されなくなった通信機器、音響機器、ＯＡ機器、家電製品の廃棄物から回収される。回収される電子基板としては、タンタルコンデンサが実装されていれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、パソコンの制御基板（マザーボード、ドーターボード）、携帯電話の制御基板、などが挙げられる。
前記タンタルコンデンサには、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばチップコンデンサであることが好ましい。
一方、前記電子基板は、通常、金、銀、銅、パラジウム等の貴金属を含有しており、後述するように、加熱処理物の長軸長さによりタンタルと貴金属を選別することができる。
【００１５】
＜スクラップのコンデンサ＞
本発明に用いられるスクラップのコンデンサとしては、上記電子基板から剥がされて集められたタンタルコンデンサや、タンタルコンデンサの製造工程で発生した不良品のタンタルコンデンサなどが挙げられる。
【００１６】
＜破砕工程＞
前記タンタルが実装されたスクラップの電子基板は、必要に応じ前処理として、適当な大きさに破砕を行うことが好ましい。当該破砕の処理方法は、特に制限がなく、目的に応じて適宜選択することが出来る。例えば、一軸又は二軸の破砕機やシュレッダー、などを用いて処理を行うことが出来る。なお、電子基板を細かく粉砕せず、破砕の水準に留めることで、貴金属が微細画分へ混入することを回避出来る。従って、粉砕処理は、二軸破砕機等による粗砕程度に留めることが好ましい。
スクラップのタンタルコンデンサのみ処理する場合は、当該破砕工程を省略することもできる。
【００１７】
＜第１の加熱処理（焼却）工程＞
破砕後の破砕物を、４００〜５００℃で加熱（焼却）処理して第１の加熱処理物を得る。当該第１の加熱処理に用いる装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば電気炉、ロータリーキルン、などを用いて行うことができる。
当該第１の加熱処理は酸化雰囲気下で行う。これは、タンタルコンデンサを構成していたシリコン製のモールド部の粉化に酸素が必要だからである。ここで「酸化雰囲気」とは、大気雰囲気（酸素２１％含有）、または、大気以上の酸素濃度を有した雰囲気のことをいう。
当該第１の加熱処理の温度を４００〜５００℃とすることで、タンタルコンデンサを構成していたシリコン製のモールド部は粉化するが、タンタルコンデンサを構成していたタンタル焼結体は粉化しない。
当該第１の加熱処理の時間は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５分間〜６０分間が好ましい。また、当該第１の加熱処理の際の圧力は、コストの面から特に制御が必要ない大気圧下であることが好ましい。
【００１８】
＜第１の選別（篩い分け）工程＞
前記第１の加熱処理後、得られた第１の加熱処理物から、粉化した第１の加熱処理物（粉化されたモールド部であるシリコン化合物）を、当該第１の加熱処理物の他の部分から選別し除去する。当該選別方法としては、長軸長さにより選別することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば篩い、サイクロン、機械分級機等の物理的選別が好ましい。これらの中でも、篩いによる選別が特に好ましい。物理的選別は水分が存在しないので、乾式精錬には適するからである。
選別基準は、長軸長さが一定値を超えるものとそれ以下のものとで分けることを意味し、好ましくは長軸長さ０．１ｍｍ〜１ｍｍを基準に選別することがよい。特に０．１ｍｍ〜０．５ｍｍがより好ましい。
当該選別により、長軸長さが１ｍｍ以下の部分である粉化した第１の加熱処理物を分離除去することで、粉化したモールド部であるシリコン化合物を除去することが出来る。これにより、後工程におけるタンタル品位が高まる。そこで、上述した第１の加熱処理工程の温度を調整して、当該長軸長を有する粉化した第１の加熱処理物が得られる条件を求めれば良い。
ここで、粉化した第１の加熱処理物の長軸長さとは、当該粉化した第１の加熱処理物を上方から平面視した際における最大の長さを意味する。
粉化した第１の加熱処理物の長軸長さは、例えば篩目が異なる篩を複数用意して、各篩の通過量、残存量により質量平均長さを求める方法、拡大写真を撮影し、スケール等により実測する方法などにより測定することができる。
【００１９】
＜第２の加熱処理（焼却）工程＞
第１の選別工程により得られた第１の加熱処理物の他の部分を、５５０℃以上で加熱（焼却）処理する。当該加熱処理装置も、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば電気炉、ロータリーキルン、などを用いて行うことができる。
当該第２の加熱（焼却）処理も酸化雰囲気下で行う。これは、タンタルコンデンサ内部のタンタル焼結体の粉化に酸素が必要だからである。
当該第２の加熱処理の温度は、５５０℃以上であり、６００℃以上が好ましく、上限は基板等の銅が溶融しない１１００℃以下が好ましい。当該加熱温度が５５０℃以上あれば、タンタルの酸化反応速度が確保でき、短時間でタンタルコンデンサ内部のタンタル焼結体が十分に粉化する。
タンタルコンデンサ内部のタンタル焼結体は、酸化マンガン（ＭｎＯ２）及び酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）層に覆われた金属タンタル粒子により形成されており、低温ではこの酸化物層が保護層となり粒子内部まで酸化しないが、５００℃〜６００℃にかけて酸化速度が急激に上昇し、酸化物層の亀裂を伴う酸化が始まるため、焼結体の破壊が進む。
当該第２の加熱処理の時間は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５分間〜６０分間が好ましい。当該第２の加熱処理の際の圧力は、コストの面から、特に制御が必要ない大気圧下であることが好ましい。
【００２０】
＜第２の選別（篩い分け）工程＞
前記第２の加熱処理後、得られた第２の加熱処理物の長軸長さによりタンタルを貴金属と選別する。当該選別方法としても、長軸長さにより選別することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば篩い、サイクロン、機械分級機等の物理的選別が好ましい。これらの中でも、篩いによる選別が特に好ましい。選別基準は、前記第１の選別工程と同様である。
当該選別により、長軸長さが１ｍｍ以下の部分である粉化した第２の加熱処理物を分離し、これからタンタルの回収を行う。長軸長さが１ｍｍを超える第２の加熱処理物の他の部分には、実質的にタンタルは含まれておらず、金、銀、銅、パラジウム等の貴金属が含有されているので、貴金属を効率よく回収するのに有利である。
これによりタンタル品位が高まる。そこで、上述した第２加熱処理の温度を調整して、当該長軸長を有する粉化した第２の加熱処理物が得られる条件を求めれば良い。
【００２１】
＜タンタルの分離精製工程＞
得られた粉化した第２の加熱処理物から、タンタルを分離精製する方法しては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばフッ酸溶解及び溶媒抽出による湿式法や、塩化揮発による乾式法、などが挙げられる。
【００２２】
本発明に係る電子基板からのタンタルの回収方法によれば、簡便な処理によって、金、銀、銅、等の貴金属、および、シリコン随伴の少ないタンタルが、濃集物として効率よく回収することが出来る上、後工程における分別の負荷が削減される。この結果、タンタルの有効利用が図れる。
【実施例】
【００２３】
（実施例１）
（１）第１の加熱処理工程
タンタルコンデンサー５ｇをるつぼに入れ、４００℃に保持した電気炉内に挿入し、第１の加熱処理を１時間実施した。電気炉内には大気を流通させることで、酸素濃度２１％の雰囲気を維持した。
【００２４】
（２）第１の選別工程
当該第１の加熱熱処理後、得られた第１の加熱処理物（コンデンサー残渣）を炉から取り出し、空冷した。そして、当該第１の加熱処理物の外観によって、第１の加熱処理物の粉化部分（モールド部）、および、第１の加熱処理物の粉化部分以外の部分（焼結体）の状態を確認した。すると、タンタルコンデンサーにおけるシリコンモールド部の一部のみが粉化していることが確認出来た。
次に、当該第１の加熱処理物を目開き０．５ｍｍの篩にて篩分けした。このときの第１の篩上は４．１４ｇであり、当初のタンタルコンデンサー５ｇに対する第１の篩上の比率は：４．１４ｇ／５ｇ＝０．８３ｇ／ｇであった。同様に、第１の篩下は０．４５ｇであり、当初のタンタルコンデンサー５ｇに対する第１の篩下の比率は：０．４５ｇ／５ｇ＝０．０９ｇ／ｇであった。
【００２５】
（３）第２の加熱処理工程
第１の篩上４．１４ｇをるつぼに入れ、６００℃に保持した電気炉内に挿入し、第２の熱処理を１時間実施した。電気炉内には大気を流通させることで、酸素濃度２１％の雰囲気を維持した。
【００２６】
（４）第２の選別工程
当該第２の加熱処理後、得られた第２の加熱処理物を炉から取り出し空冷した。当該第２の加熱処理物をその外観によって、第２の加熱処理物の粉化部分、および、第２の加熱処理物の粉化部分以外の部分の状態を確認した。次に、当該第２の加熱処理物を目開き０．５ｍｍの篩にて篩分けした。このときの第２の篩上は０．７０ｇであり、当初のタンタルコンデンサー量５ｇに対する第２の篩上の比率は：０．７０ｇ／５ｇ＝０．１４ｇ／ｇであった。同様に、第２の篩下は３．４５ｇであり、当初のタンタルコンデンサー量５ｇに対する第２の篩下の比率は：３．４５ｇ／５ｇ＝０．６９ｇ／ｇであった。
得られた第２の篩下から、湿式法にてタンタル分を分離精製して採取した。一方、得られた第２の篩上から金、銀、銅、パラジウム等の貴金属を分離精製して採取した。
【００２７】
（５）第１および第２の篩下の分析結果
ここで、第１の篩下におけるシリコン濃度を蛍光Ｘ線分析装置で測定したところ２８．８質量％であった。
第２の篩下におけるタンタル濃度、シリコン濃度を蛍光Ｘ線分析装置で測定したところタンタル濃度は４９．４質量％、シリコン濃度は１０．２質量％であった。
以上の結果を表１に示す。
【００２８】
（実施例２）
第１の加熱処理温度を４５０℃とした以外は、実施例１と同様の操作、および観察を行って、実施例２に係る第１の篩下、第２の篩上、および、第２の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表１に示す。
【００２９】
（実施例３）
第１の加熱処理温度を５００℃とした以外は、実施例１と同様の操作および観察を行って、実施例３に係る第１の篩下、第２の篩上、および、第２の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表１に示す。
【００３０】
（比較例１）
第１の加熱処理温度を３５０℃とした以外は、実施例１と同様の操作および観察を行って、比較例１に係る第１の篩下、第２の篩上、および、第２の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表１に示す。
【００３１】
（比較例２）
第１の加熱処理温度を４５０℃とし、大気と窒素とを混合して雰囲気の酸素濃度を８．４％とした以外は、実施例１と同様の操作および観察を行って、比較例２に係る第１の篩下、第２の篩上、および、第２の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表１に示す。
【００３２】
（比較例３）
第１の加熱処理温度を５００℃とし、大気と窒素とを混合して雰囲気の酸素濃度を８．４％とした以外は、実施例１と同様の操作および観察を行って、比較例３に係る第１の篩下、第２の篩上、および、第２の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表１に示す。
【００３３】
（比較例４）
第１の加熱処理温度を６００℃とし、大気と窒素とを混合して雰囲気の酸素濃度を２．５％とした以外は、実施例１と同様の操作および観察を行って、比較例４に係る第１の篩下、第２の篩上、および、第２の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
0005570334.tif 000002
【００３５】
（評価）
表１の結果から明らかなように実施例１〜３に係る第２の篩下においては、タンタルの濃度が高く、シリコンの濃度は低いことが判明した。従って、当該第２の篩下からタンタルを抽出することで、タンタルコンデンサを実装したスクラップの電子基板、または、スクラップのタンタルコンデンサから、高い効率をもってタンタルを回収できることが判明した。