(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に設けられた一対の電極と、
前記基板の上面に設けられ、前記一対の電極間に配置された発熱抵抗体と、
前記基板内に設けられ、前記一対の電極の一方および前記発熱抵抗体の一端に電気的に接続され、且つ前記一対の電極の他方および前記発熱抵抗体の他端に電気的に接続された一対の内部電極と、
前記発熱抵抗体の上面から前記一対の電極の両方の上面にかけて設けられた温度ヒューズエレメントと
を備えたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記温度ヒューズエレメントの電気抵抗は、前記発熱抵抗体の電気抵抗よりも小さいことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基板の下面には、上面の前記発熱抵抗体に対応する領域に凹部が設けられていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基板の上面には、前記一対の電極と前記発熱抵抗体との間に溝部が設けられていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記温度ヒューズエレメントは、フラックスで被覆されていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項６】
基板と、
前記基板の上面に設けられた一対の電極と、
前記基板の上面に設けられ、前記一対の電極間に配置された発熱抵抗体と、
前記基板内に設けられ、前記一対の電極の一方および前記発熱抵抗体の一端に電気的に接続され、且つ前記一対の電極の他方および前記発熱抵抗体の他端に電気的に接続された一対の内部電極と、
前記発熱抵抗体の上面から前記一対の電極の両方の上面にかけて設けられる温度ヒューズエレメントを実装する実装領域と
を備えたことを特徴とする抵抗温度ヒューズパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗温度ヒューズ、ならびに抵抗温度ヒューズパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
抵抗温度ヒューズは、外部機器に組み込んで用いるものであって、外部機器の誤作動を防止するのに用いられる（例えば、特許文献１を参照）。近年、外部機器が正常な状態では抵抗温度ヒューズが作動せず、外部機器が異常な状態でのみ抵抗温度ヒューズを正確に作動させる技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１４２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズ、ならびに抵抗温度ヒューズパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る抵抗温度ヒューズは、基板と、前記基板の上面に設けられた一対の電極と、前記基板の上面に設けられ、前記一対の電極間に配置された発熱抵抗体と、前記基板内に設けられ、前記一対の電極の一方および前記発熱抵抗体の一端に電気的に接続され、且つ前記一対の電極の他方および前記発熱抵抗体の他端に電気的に接続された一対の内部電極と、前記発熱抵抗体の上面から前記一対の電極の両方の上面にかけて設けられた温度ヒューズエレメントとを備えたことを特徴とする。
【０００６】
本発明の一実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージは、基板と、前記基板の上面に設けられた一対の電極と、前記基板の上面に設けられ、前記一対の電極間に配置された発熱抵抗体と、前記基板内に設けられ、前記一対の電極の一方および前記発熱抵抗体の一端に電気的に接続され、且つ前記一対の電極の他方および前記発熱抵抗体の他端に電気的に接続された一対の内部電極と、前記発熱抵抗体の上面から前記一対の電極の両方の上面にかけて設けられた温度ヒューズエレメントを実装する実装領域とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズ、ならびに抵抗温度ヒューズパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。
【図２】図１の抵抗温度ヒューズからフラックスを取り除いた状態を示す斜視図である。
【図３】図１の抵抗温度ヒューズからフラックスおよび温度ヒューズエレメントを取り除いた状態を示す斜視図であって、抵抗温度ヒューズパッケージの斜視図である。
【図４】図２のＸ−Ｘ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図５】一変形例に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、フラックスを取り除いた状態を示している。
【図６】図５のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図７】一変形例に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、フラックスを取り除いた状態を示している。
【図８】図７のＺ−Ｚ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明の抵抗温度ヒューズの実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
【００１０】
＜抵抗温度ヒューズの構成＞
本実施形態の抵抗温度ヒューズは、回路保護素子として用いるものであって、外部機器内に異常検出器とともに組み込むものである。そして、回路の異常発生時に、抵抗温度ヒューズに過電流が流れ、その熱に起因して抵抗温度ヒューズの温度ヒューズエレメントが溶断し、更に、発熱抵抗体を溶断することで、回路の動作を緊急停止させるものである。
【００１１】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージ１Ｘは、基板２と、基板２の上面に設けられる一対の電極３と、基板２の上面に設けられ、一対の電極３間に配置される発熱抵抗体４と、基板２内に設けられ、一対の電極３の一方および発熱抵抗体４の一端に電気的に接続され、且つ一対の電極３の他方および発熱抵抗体４の他端に電気的に接続される一対の内部電極５と、発熱抵抗体４の上面から一対の電極３の両方の上面にかけて設けられる温度ヒューズエレメント６を実装する実装領域Ｒと、を備えている。なお、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１は、抵抗温度ヒューズパッケージ１Ｘの実装領域Ｒに温度ヒューズエレメント６を実装したものである。
【００１２】
基板２は、平面視したときに矩形状に設定されており、複数の層からなる積層体である。基板２は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基板２の上面から基板２の下面までの厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。さらに、基板２の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１３】
基板２の上面には、温度ヒューズエレメント６を実装したときに、温度ヒューズエレメントに電気的に接続される一対の電極３が形成されている。一対の電極３のそれぞれの一部は、基板２の上面から基板２の側面を介して基板２の下面にわたって形成されている。
【００１４】
電極３は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。
【００１５】
基板２上には、発熱抵抗体４が設けられている。発熱抵抗体４は、一対の電極３間に設けられ、一対の電極３とは間を空けて配置されている。発熱抵抗体４は、温度ヒューズエレメント６に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント６を溶断するものである。発熱抵抗体４は、平面透視して温度ヒューズエレメント６に対応する領域であって、温度ヒューズエレメント６と基板２の上面との間に設けられている。
【００１６】
また、発熱抵抗体４は、発熱抵抗体４それ自体が所定温度以上に発熱することによって、発熱抵抗体４が焼き切られる機能を備えている。発熱抵抗体４は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有している。その抵抗値確保方法の例として、そのパターン形状は平面視して何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体４の幅は、電極３の幅
よりも小さく設定されている。発熱抵抗体４の幅を電極３の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体４の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体４部分にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。なお、発熱抵抗体４の一部に、周囲の発熱抵抗体４の幅よりもさらに幅狭の幅狭部を設けておき、当該幅狭部での電気抵抗を大きくすることによって、当該幅狭部にて効果的に発熱抵抗体４を焼き切ることができる。
【００１７】
発熱抵抗体４には、抵抗温度ヒューズ１とともに外部機器に組み込まれた異常検出器による外部機器の異常検出を検出し、電極３を介して通電する。そして、発熱抵抗体４の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体４の温度が上昇する。さらに、その温度が、温度ヒューズエレメント６に伝わり、温度ヒューズエレメント６が所定温度以上になると温度ヒューズエレメント６が溶断する。発熱抵抗体４は、例えば、タングステンまたはプラチナ等の金属材料から成る。発熱抵抗体４の電気抵抗は温度ヒューズエレメント６の電気抵抗よりも大きく設定されている。なお、発熱抵抗体４は、例えば２００℃以上になると、発熱抵抗体４自体が焼き切られる。
【００１８】
基板２内には、内部電極５が設けられている。内部電極５は、基板２の内部の層の上面に形成される電極層５ａと、基板２内に形成されるビア導体５ｂとから構成されている。ビア導体５ｂは、一対の電極３と重なる領域に形成されるとともに、発熱抵抗体４の両端と重なる領域に形成される。内部電極５は、一対の電極３の一方および発熱抵抗体４の一端に電気的に接続し、且つ一対の電極３の他方および発熱抵抗体４の他端に電気的に接続するものである。
【００１９】
内部電極５は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。
【００２０】
内部電極５の電極層５ａは、基板２が複数の層からなるため、基板２内の層の上面に形成することができる。また、内部電極５のビア導体５ｂは、基板２は複数の層からなるため、ビア導体５ｂを設ける層に対して、例えばレーザー光を照射してビア孔を設け、そのビア孔に導電材料を充填することで形成することができる。
【００２１】
内部電極５は、それ自体が発熱し難いように、内部電極５の幅を発熱抵抗体４の幅よりも大きく設定されており、発熱抵抗体４よりも発熱し難く設定されている。また、内部電極５は、基板２内に設けられており、内部電極５にて発生する熱が温度ヒューズエレメント６に伝わり難く設定されている。
【００２２】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１は、基板２の上面であって、一対の電極３と発熱抵抗体４との間に電極を設けず、基板２内に一対の電極３と発熱抵抗体４とを電気的に接続する内部電極５を設けることで、温度ヒューズエレメント６が溶断した後に、温度ヒューズエレメント６の溶断した一部が、基板２の露出する上面に被着し難くすることができる。基板２は、セラミック材料等からなり、基板２の上面に形成される一対の電極３および発熱抵抗体４は、金属材料からなるため、溶融した金属に対する両者の濡れ性が異なる。温度ヒューズエレメント６が溶断して液状化している状態では、基板２の上面に位置する液化した温度ヒューズエレメント６の接触角は、一対の電極３または発熱抵抗体４上に位置する液化した温度ヒューズエレメント６の接触角よりも大きくなる。そのため、溶断した温度ヒューズエレメント６は、液状化しており、撥水性が金属材料よりも優れたセラミック材料からなる基板２の上面からはじかれて、一対の電極３または発熱抵抗体４の直上に移動する。そして、発熱抵抗体４の熱を受け難くい箇所にまで移動することによって、液状化している温度ヒューズエレメント６の温度が低くなって、液状化している温度ヒューズエレメント６が固体化する。その結果、一対の電極３の間に位置する温度ヒューズ
エレメント６を電気的にオープンにすることができる。
【００２３】
温度ヒューズエレメント６は、発熱抵抗体４上から一対の電極３上の両方にかけて設けられている。温度ヒューズエレメント６は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント６は、例えば、インジウム、ビスマスまたは錫等の低融点導電材料、あるいはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント６の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。
【００２４】
温度ヒューズエレメント６は、一対の電極３間に、発熱抵抗体４に電気的に並列に接続される。また、温度ヒューズエレメント６の一部は、発熱抵抗体４の上部に直接接続される。温度ヒューズエレメント６は、平面視して矩形状に形成される。なお、温度ヒューズエレメント６の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下に設定される。また、温度ヒューズエレメント６の幅は、例えば０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下に設定される。
【００２５】
温度ヒューズエレメント６の形状を矩形状に設定することにより、温度ヒューズエレメント６の単位面積当たりの熱容量を一定値に近付けて、単位面積当たりの熱容量のばらつきを低減することができる。その結果、温度ヒューズエレメント６に電流が流れ、その電流に基づいて発生する熱が温度ヒューズエレメント６に一様に伝わるようにすることができる。
【００２６】
仮に、温度ヒューズエレメント６の単位面積当たりの熱容量が温度ヒューズエレメント６内で大きく異なる場合は、熱容量の小さい箇所では温度上昇が大きくなるため、温度ヒューズエレメント６の特定箇所に熱が集中しやすくなる。温度ヒューズエレメント６は、熱が集中する箇所では温度ヒューズエレメント６が溶け出し、その箇所を中心に温度ヒューズエレメント６が溶断する。そのため、温度ヒューズ１を組み込んだ外部回路が正常に動作している状態であっても、温度ヒューズエレメント６が溶断し、外部回路が誤って誤動作を起こす虞がある。
【００２７】
そこで、温度ヒューズエレメント６内に電流集中が起き難いように、温度ヒューズエレメント６の形状を矩形状にする。そして、温度ヒューズエレメント６の単位面積当たりの熱容量を一定にし、温度ヒューズエレメント６の特定箇所に熱が集中するのを抑制することができる。
【００２８】
温度ヒューズエレメント６は、フラックス７で被覆されている。フラックス７は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、あるいは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス７は、温度ヒューズエレメント６に発熱抵抗体４の温度を伝えやすくするものである。そして、発熱抵抗体４の温度と温度ヒューズエレメント６の温度差を小さくすることができる。また、温度ヒューズエレメント６を発熱抵抗体４の直上に直接接続するように設けることで、温度ヒューズエレメント６と発熱抵抗体４との温度差を効果的に小さくすることができる。
【００２９】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１によれば、一対の電極３の間に温度ヒューズエレメント６および発熱抵抗体４を電気的に並列に接続し、一対の電極３の間に流れる電流量を発熱抵抗体４と温度ヒューズエレメント６とに分散させることができる。そして、発熱抵抗体４の発熱量を小さくし、発熱抵抗体４に多くの電流量が流れたときに、温度ヒューズエレメント６を溶断するように設定することができる。そして、温度ヒューズエレメント６が溶断すると、温度ヒューズエレメント６に流れていた電流量が全て、発熱抵抗体４に流れるようになる。その結果、急速に発熱抵抗体４の発熱量を多くすることができ、温度ヒューズエレメント６が溶断した後に、すぐに発熱抵抗体４を焼き切ることができる。そのため、一対の電極３の間に流れる電流量が所定以上にならないと温度ヒューズエレメ
ント６が溶断しないので、発熱抵抗体４に多くの電流量が流れない。そして、温度ヒューズエレメント６が溶断した途端に、発熱抵抗体４に多くの電流量が流れ始め、急速に発熱抵抗体４の発熱量を上昇させることができる。
【００３０】
仮に、抵抗温度ヒューズにおいて、一対の電極の間に温度ヒューズエレメントと発熱抵抗体とが電気的に直列に接続されていたとすると、このような抵抗温度ヒューズを外部機器に組み込んだ場合には、外部機器が正常に動作していても、過電流が抵抗温度ヒューズに流れて、温度ヒューズエレメントが溶断するので、発熱抵抗体が溶断していなくても、抵抗温度ヒューズが電気的にオープンになり、抵抗温度ヒューズに電流が流れなくなる虞がある。その結果、外部機器が正常な状態であっても、誤って外部機器を緊急停止させることになる。そのため、抵抗温度ヒューズが誤作動を起こし、外部機器に対して緊急停止させるため、再度、外部機器を動作させる必要が生じ、時間および手間が必要以上にかかってしまうことになる。
【００３１】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１を外部機器に組み込んだ場合には、仮に、外部機器が正常に動作していて、過電流が一時的に抵抗温度ヒューズ１に流れたとしても、過電流を温度ヒューズエレメント６と発熱抵抗体４との両方に分散して流すことができるので、温度ヒューズエレメント６が溶断するのを抑制することができる。そして、外部機器が異常に動作して、過電流が定常的に抵抗温度ヒューズ１に流れる状態になったときは、温度ヒューズエレメント６の溶断が溶断し、次いで発熱抵抗体４を焼き切ることができるので、外部機器を緊急停止させることができる。本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１によれば、外部機器が正常な状態では、仮に外部機器内に過電流が一時的に発生したとしても、外部機器を緊急停止させることがなく、外部機器が異常な状態では、外部機器を緊急停止させることができ、作動特性を向上させることができる。
【００３２】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本発明の実施形態の変形例について説明する。なお、本発明の実施形態の変形例に係る電流ヒューズのうち、本発明の実施形態に係る抵抗温度ヒューズと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００３３】
＜変形例＞
図５は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、抵抗温度ヒューズからフラックスを取り除いた状態を示している。図６は、図５のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【００３４】
上述した実施形態では、基板２の下面は平坦に形成していたが、これに限られない。一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１は、基板２の下面に、発熱抵抗体４と重なる領域に凹部Ｐ１が設けられている。また、凹部Ｐ１は、基板２の側面の一方から他方までを貫通している。凹部Ｐ１が貫通している箇所は、一対の電極３が基板２の側面に延在されていない箇所になる。
【００３５】
一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１は、外部機器に組み込んだ状態は、基板２の下面にまで延在されている電極３が、外部機器の実装箇所に接続されている。そのため、外部機器から抵抗温度ヒューズ１に伝わる熱が、基板２に伝わろうとする。このとき、基板２の下面には凹部Ｐ１が形成されているため、外部機器と基板２との接続面積を小さくすることができ、発熱抵抗体４の温度が上昇するのを抑制することができる。
【００３６】
凹部Ｐ１は、基板２の下面に設けられており、矩形状に設定されている。そして、凹部Ｐ１の一方の内壁面から他方の内壁面までの長さが、例えば２．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以
下に設定されている。また、凹部Ｐ１の深さは、例えば０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下に設定されている。
【００３７】
一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１は、発熱抵抗体４に対応する領域に凹部Ｐ１が設けられているため、当該重なる領域においては基板２の下面と外部機器との間に凹部Ｐ１の深さ分の空隙が発生する。その結果、外部機器から基板２に伝わろうとする熱は、凹部Ｐ１が設けられている領域においては外部機器から直接基板２に伝わり難くなり、発熱抵抗体４の温度が上昇するのを有効に抑制することができる。
【００３８】
また、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１は、凹部Ｐ１が基板２の側面を貫通しているため、凹部Ｐ１に熱がこもるのを抑制することができ、基板２の温度が上昇するのを効果的に抑えることができる。
【００３９】
図７は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、抵抗温度ヒューズからフラックスを取り除いた状態を示している。図８は、図７のＺ−Ｚ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【００４０】
上述した実施形態では、基板２の上面は平坦に形成されていたが、これに限られない。一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１は、基板２の上面において、一対の電極３と発熱抵抗体４との間には溝部Ｐ２が設けられている。溝部Ｐ２は、一対の電極３の一方と発熱抵抗体４との間および一対の電極３の他方と発熱抵抗体４との間の両方に設けられている。なお、溝部Ｐ２は、平面視して基板２内に収まる大きさに設定されている。
【００４１】
溝部Ｐ２は、基板２の上面に設けられており、矩形状に設定されている。そして、溝部Ｐ２の一方の内壁面から他方の内壁面までの長さが、例えば１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定されている。また、溝部Ｐ２の深さは、例えば１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定されている。
【００４２】
本変形例に係る抵抗温度ヒューズ１は、溝部Ｐ２が設けられていることにより、温度ヒューズエレメント６が溶断した後に、その溶断した温度ヒューズエレメント６の一部が溝部Ｐ２に溜まるようにすることができる。溶断した温度ヒューズエレメント６が溝部Ｐ２に溜まることで、一対の電極３間に設けられる温度ヒューズエレメント６を効果的に電気的にオープンにすることができる。溝部Ｐ２に溜まった温度ヒューズエレメント６が固体化しても、溝部Ｐ２内に収まるため、発熱抵抗体４と一対の電極３とを電気的にオープンにした状態を維持することができる。
【００４３】
＜抵抗温度ヒューズの製造方法＞
ここで、図１に示す抵抗温度ヒューズ１の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、基板２を準備する。基板２を構成する材料が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤および溶剤等を添加混合して得た混合物を得る。そして、当該混合物をシートに成形して、グリーンシートを得る。
【００４５】
また、ニッケルまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して高融点金属ペーストを得る。
【００４６】
次に、基板２を構成するグリーンシートを複数層準備し、基板２内に位置する一層の上面に対して、高融点金属ペーストを塗って、内部電極５の電極層５ａをパターニングする。さらに、基板２となるグリーンシートの複数層のうちの一層に対して、例えばレーザー
光を照射してビア孔を形成し、そのビア孔に高融点金属ペーストを充填することによって、ビア導体５ｂを形成する。そして、グリーンシートを複数層積層して、未焼結の状態の基板２を準備することができる。
【００４７】
また、未焼結の状態の基板２の上面に対して、高融点金属ペーストを塗って、一対の電極３をパターニングする。さらに、基板２の側面および基板２の下面に対して、金属ペーストを塗って、電極３をパターニングしてもよい。
【００４８】
また、タングステンまたはプラチナ等の高抵抗金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して高抵抗金属ペーストを得る。基板２の一対の電極３の間の所定箇所に、この高抵抗金属ペーストを塗って、発熱抵抗体４をパターニングする。このようにして、抵抗温度ヒューズパッケージ１Ｘを作製することができる。
【００４９】
次に、電極３および発熱抵抗体４をパターニングした基板２を、約１６００℃の温度で焼成する。さらに、焼成後の基板２の上面であって、一対の電極３で挟まれる領域に、例えばスクリーン印刷法を用いて、半田ペーストからなる温度ヒューズエレメント６を形成する。ここで、半田ペーストは、低融点導電材料から構成される。また、温度ヒューズエレメント６は、プリフォーム成形された薄膜を、一対の電極３の間に実装してもよい。
【００５０】
そして、温度ヒューズエレメント６と電極３とを電気的に接続する。また、基板２上に、温度ヒューズエレメント６を被覆するようにフラックス７を形成する。このようにして、抵抗温度ヒューズ１を作製することができる。なお、一変形例に係る抵抗温度ヒューズについても、本製造方法を用いて作製することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１  抵抗温度ヒューズ
１Ｘ  抵抗温度ヒューズパッケージ
２  基板
３  電極
４  発熱抵抗体
５  内部電極
５ａ  電極層
５ｂ  ビア導体
６  温度ヒューズエレメント
７  フラックス
Ｒ  実装領域
Ｐ１  凹部
Ｐ２  溝部
【図１】
0005511501.tif 000002
【図２】
0005511501.tif 000003
【図３】
0005511501.tif 000004
【図４】
0005511501.tif 000005
【図５】
0005511501.tif 000006
【図６】
0005511501.tif 000007
【図７】
0005511501.tif 000008
【図８】
0005511501.tif 000009