(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
1000℃以下の温度で共焼結してなる磁性体と誘電体を含む複合電子部品であって、
磁性体が、46〜48mol% のFe2O3、0.1〜36mol%のZnO、10〜14mol% のCuOおよび残部がNiOからなるフェライト組成を100重量部としたとき、0.8重量部以下のBi2O3、0.9重量部以下のTiO2、および0．５２重量部以下のBaOを副成分として含有しており、前記誘電体の比誘電率が1000以上であり、前記誘電体は、チタン酸バリウム系誘電体100重量部に対して、0.5重量部以上、4.0重量部以下のCuOと4.0重量部以上、9.0重量部以下のBi2O3が添加されていることを特徴とする、複合電子部品。
【請求項２】
前記磁性体及び前記誘電体が、それぞれ、単体での絶縁抵抗が1.0×1010Ω以上であることを特徴とする、請求項１記載の複合電子部品。
【請求項３】
前記磁性体と誘電体の界面に、BaO-TiO2-ZnO材100重量部に対して、8重量部以下のCuOが添加された磁器の中間層が接合されていることを特徴とする、請求項１または２記載の複合電子部品。
【請求項４】
前記誘電体および前記磁性体に、Ag、CuおよびAg-Pd合金の少なくとも1種からなる導体パターンが設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の複合電子部品。
【請求項５】
ノイズ対策部品であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複合電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック基板表面に実装されていたキャパシタやインダクタ等の受動部品をセラミック多層基板に内蔵することで電子機器の小型化および高密度化が図られている。このようなセラミック多層基板を作製するにはドクターブレード法によって誘電体磁器組成物と有機溶剤の混合スラリーによってグリーンシートを作製し、乾燥させた後、そのシートの上面に配線導体を印刷する。そして、前記と同様の誘電体磁器組成物のグリーンシートを積み重ね、積層物とし、同時焼成する。
【０００３】
このようなセラミック多層基板は高速で高性能な信号処理を行うため、比抵抗の小さいＡｇやＣｕを配線導体として使用している。そのため、Ａｇの融点である962℃およびＣｕの融点である1084℃より低い温度で、これらと同時焼成できる種々のセラミックス材料が開発されている。
【０００４】
例えば、Fe2O3、ZnO、CuOおよびNiO系のフェライトは、特開２００１−１０８２０、特開２００３−２７２９１２に記載されている。
【０００５】
現在、Ag導体を有する磁性体と誘電体を接合してなる電子部品においては、前記誘電体の誘電率が100以下のものがほとんどである。また、誘電率が100以上の誘電体部を備える磁性体/誘電体の複合電子部品において、誘電体の主成分にPbが含有されていないものは、誘電率が僅かに100を超えるレベルのものである（特開２００３−３７０２２、ＷＯ２００６／０８５６２５参照）。
【０００６】
また、本出願人は、特開２００７−２９０９４０において、チタン酸バリウムに対して所定量のＣｕＯおよびＢｉ２Ｏ３を添加することによって、鉛を含有せず、低温焼成可能でかつ高い誘電率を有する誘電体組成物を開示した。
【０００７】
また、積層インダクタ等のフェライト材料をコア部として使用するコイル部品は、直流電圧をかけるに従いインダクタンスが低下する。そのため、直流電流を重畳して用いる電子部品においては、インダクタンスの低下が定格電流を決定する主要因子となる。このことから、コイル部品のコア部に使用されるフェライト材料として、定格電流を上昇させるために、優れた直流重畳特性を有する材料が望まれる。
【０００８】
例えば特開２００６−１５１７４２号では、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料に対して酸化ビスマスと酸化チタンとを添加することで直流重畳特性を向上させるようにしている。
【０００９】
また、本出願人は、特願２００９−８２２１１号において、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料に対して酸化ビスマス、酸化チタン、酸化バリウムを所定量添加することで直流重畳特性を向上させることを開示した。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
Ag導体を用いたフェライトおよびLTCC製品においては、高容量の受動部品を組み合わせることで新たなニーズに対応できるようになる。たとえば、電源系で生じる低周波のノイズ対策部品の小型化および省スペース化を実現するために、より高い容量を備えた磁性体/誘電体の複合電子部品が必要である。即ち、コンデンサないしキャパシタなどを構成する高誘電率セラミック層と、コイルないしインダクタなどを構成するフェライト層とを積層し、一体化することが必要である。また、高誘電率セラミック層とフェライト層とを１０００℃以下の低温領域で緻密に焼成可能であることが必要であり，かつ両者をデラミネーションやクラックなしで接合することが必要である。
【００１１】
しかも、高誘電率セラミック層とフェライト層との間では、共焼結時に成分拡散が生じ、この結果として誘電特性が劣化する傾向がある。これらの問題点を解決した複合電子部品は知られていない。
【００１２】
なお、本出願人は、特願２００７−２５３５２８において、低温焼成可能で誘電損失の小さい高誘電率チタン酸バリウム系誘電体と、低誘電率セラミック層とを、共焼結によって、デラミネーションやクラックなしで接合することを開示した。
【００１３】
しかし、低温焼成可能で誘電損失の小さい高誘電率チタン酸バリウム系誘電体と、フェライトとを、共焼結によって、デラミネーションやクラックなしで接合することは未だ開示されていない。
【００１４】
本発明の課題は、チタン酸バリウム系の高誘電率体とフェライトとを、低温焼成によってデラミネーションやクラックを抑制しつつ接合することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、1000℃以下の温度で共焼結してなる磁性体と誘電体を含む複合電子部品であって、
磁性体が、46〜48mol% のFe2O3、0.1〜36mol%のZnO、10〜14mol% のCuOおよび残部がNiOからなるフェライト組成を100重量部としたとき、0.8重量部以下のBi2O3、0.9重量部以下のTiO2、および0．５２重量部以下のBaOを副成分として含有しており、前記誘電体の比誘電率が1000以上であり、誘電体は、チタン酸バリウム系誘電体100重量部に対して、0.5重量部以上、4.0重量部以下のCuOと4.0重量部以上、9.0重量部以下のBi2O3が添加されていることを特徴とする。
【００１６】
参考形態では、1000℃以下の温度で共焼結してなる磁性体と誘電体を含む複合電子部品であって、
磁性体が、46〜48mol% のFe2O3、0.1〜36mol%のZnO、10〜14mol% のCuOおよび残部がNiOからなるフェライトであり、誘電体の比誘電率が1000以上であり、誘電体は、チタン酸バリウム系誘電体100重量部に対して、0.5重量部以上、4.0重量部以下のCuOと4.0重量部以上、9.0重量部以下のBi2O3が添加されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明者は、1000℃以下の焼成温度で比誘電率が1000以上のBaTiO3系誘電体材料および高透磁率のNiCuZnフェライトのそれぞれの組成改良により、異種材接合を可能にした。これによって、高誘電率体とフェライトとを低温焼成によってデラミネーションやクラックを抑制しつつ接合できるようになった。
本発明によって、高透磁率のNiCuZnフェライトと高誘電率の誘電体とを低温焼結で強固に一体化した電子部品を提供できるので、これまで利用されてこなった種々の製品、例えばノイズ対策部品の小型化および省スペース化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）は、誘電体１と磁性体２との共焼結体を示し、図１（ｂ）、図１（ｃ）および図１（ｄ）は、それぞれ、誘電体１、中間層３および磁性体２の共焼結体を示す。
【図２】図２は、ノイズ対策部品の等価回路例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［誘電体］
本発明で用いる誘電体は、チタン酸バリウム系誘電体100重量部に対して、0.5重量部以上、4.0重量部以下のCuOと4.0重量部以上、9.0重量部以下のBi2O3が添加されているものである。誘電体の誘電率は、誘電体コンデンサのように高い誘電率を必要とする用途においては、誘電率を1000 以上とすることが好ましい。また、誘電体の絶縁抵抗は、単体として1.0×1010Ω以上であることが好ましい。
【００２０】
チタン酸バリウム系誘電体は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体を指す。具体的には、原料段階では、チタン酸バリウムの仮焼物であってよく、あるいは、焼結後にチタン酸バリウムを生成する酸化チタンと酸化バリウムとの混合物であってよい。また、チタン酸バリウム系誘電体全体を１００モル％とすると、１００モル％の全体がチタン酸バリウムからなっていてよい。あるいは、誘電体のバリウム部位のうち、３０モル％以下は、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウムによって置換することができる。また、誘電体のチタン部位のうち、３０モル％以下は、ジルコニウムによって置換することができる。
【００２１】
本発明で用いる誘電体においては、チタン酸バリウム系誘電体に対してＣｕＯおよびＢｉ２Ｏ３を添加する。これによって特定のフェライト磁性体との接合強度を向上させることができる。
【００２２】
添加の方法は例えば以下のとおりである。
（１）  ＣｕＯおよびＢｉ２Ｏ３を別々の酸化物の形で添加する。
（２）  ＣｕＯとＢｉ２Ｏ３との複合酸化物を添加する。
（３）  （１）の複数種類の酸化物と、（２）の複合酸化物とを両方とも添加する。
（２）（３）の複合酸化物は、仮焼によって生成させることができる。また、複合酸化物としては、ＣｕＢｉ２Ｏ４を例示できる。
【００２３】
本発明の観点からは、チタン酸バリウム系誘電体１００重量部に対して、０．５重量部以上、４．０重量部以下のＣｕＯおよび４．０重量部以上、９．０重量部以下のＢｉ２Ｏ３を添加する。
【００２４】
チタン酸バリウム系誘電体１００重量部に対するＣｕＯの添加量を０．５重量部以上とすること、およびＢｉ２Ｏ３の添加量を４．０重量部以上とすることによって、低温での焼結性の向上およびフェライトとの接合性を向上させることが可能になる。
【００２５】
また、チタン酸バリウム系誘電体１００重量部に対するＣｕＯの添加量を４．０重量部以下とすること、およびＢｉ２Ｏ３の添加量を９．０重量部以下とすることによって、絶縁抵抗の向上およびフェライトとの接合性を向上させることが可能になる。
【００２６】
Pbの酸化物は、本発明のチタン酸バリウム系誘電体中に実質的に含有していないことが好ましい。ただし微量の不可避的不純物は除く。
【００２７】
本発明の誘電体中には実質的にガラス成分は含有されていない。また、各金属成分の原料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩を例示できる。
【００２８】
［磁性体］
本発明で用いる磁性体は、46〜48mol% のFe2O3、0.1〜36mol%のZnO、10〜14mol% のCuOおよび残部がNiOからなるフェライト組成を有している。
【００２９】
ここで、46〜48mol% のFe2O3、0.1〜36mol%のZnO、10〜14mol% のCuOおよび残部がNiOからなるフェライト組成を有するとは、磁性体フェライトの主成分がこれらの四成分からなることを意味する。これらの四成分の合計量は１００ｍｏｌ％として計算する。
【００３０】
また、磁性体の絶縁抵抗は、単体として１．０×１０１０Ω以上であることが好ましい。
【００３１】
Ｆｅ２Ｏ３の含有量を４８ｍｏｌ％以下とすることで、絶縁抵抗が向上する。Ｆｅ２Ｏ３の含有量を４６ｍｏｌ％以上とすることで、透磁率が向上する。この観点からは、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を４７ｍｏｌ％以上とすることが更に好ましい。
【００３２】
ＺｎＯの含有量を０．１ｍｏｌ％以上とすることによって、低温での焼結性が向上する。この観点からは、ＺｎＯの含有量を４．０ｍｏｌ％以上とすることが更に好ましく、１５ｍｏｌ％以上とすることが一層好ましい。また、ＺｎＯの含有量を３６ｍｏｌ％以下とすることによって、透磁率を確保する。この観点からは、ＺｎＯの含有量を３０ｍｏｌ％以下とすることが更に好ましい。
【００３３】
ＣｕＯの含有量を１０ｍｏｌ％以上とすることによって、低温での焼結性が向上する。この観点からは、ＣｕＯの含有量を１１ｍｏｌ％以上とすることが更に好ましい。また、ＣｕＯの含有量を１４ｍｏｌ％以下とすることによって、過焼結を防ぐ。この観点からは、ＣｕＯの含有量を１２ｍｏｌ％以下とすることが更に好ましい。
【００３４】
また、前記フェライト組成１００重量部に対して、０．８重量部以下のＢｉ２Ｏ３、０．９重量部以下のＴｉＯ２および０．５２重量部以下のＢａＯを副成分として含有させる。これによって磁性体の直流重畳特性が向上する。
【００３５】
この観点からは、Ｂｉ２Ｏ３の量は、０．２重量部以上であることが更に好ましく、また、０．７重量部以下が更に好ましい。
【００３６】
また、ＴｉＯ２の量は、０．４重量部以上であることが更に好ましく、また、０．６重量部以下が更に好ましい。
【００３７】
また、ＢａＯの量は、０．２重量部以上であることが更に好ましく、また、０．４重量部以下が更に好ましい。
【００３８】
（共焼結温度）
本発明の部品の共焼結は、900〜1000℃で行うことが好ましい。共焼結温度が９００℃未満では、焼結が困難である。また焼結温度を１０００℃以下とすることによって、広範囲な用途展開が可能となり、産業上の利点が大きい。焼結温度は９８０℃以下が更に好ましい。また、導体としてＡｇ、Ａｇ合金などを使うときは、焼結温度を950℃以下とすることが好ましい。
【００３９】
［磁性体と誘電体との一体化の形態］
本発明では、図１（ａ）に示すように、誘電体１と磁性体２とを直接接触させた状態で接合してもよい。しかし、誘電体と磁性体２との間に中間層を介在させた状態で一体化することも可能である。即ち、図１（ｂ）に示すように、誘電体１と磁性体２との間に中間層３を設けることができる。更に、図１（ｃ）、（ｄ）に示すように、磁性体の両側および誘電体の両側にも中間層３を設けることができる。
【００４０】
［中間層の材質］
中間層の材質としては、BaO-TiO2-ZnO材100重量部に対して、8重量部以下のCuOが添加されることが好ましい。特に好ましくは、中間層の材質が、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＺｎＯ（ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ、モル比率を示し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．０９≦ｘ≦０．２０；０．４９≦ｙ≦０．６１；０．１９≦ｚ≦０．４２）の組成を有する磁器である。この範囲内の組成によって、共焼結時に、誘電体および磁性体との接合性が特に良好となる。
【００４１】
前記中間層用磁器におけるＢａＯの比率ｘは、０．１１以上とすることが更に好ましく、また、０．１５以下とすることが更に好ましい。また，前記磁器におけるＴｉＯ２の比率ｙは、０．５以上とすることが更に好ましく、また０．６以下とすることが更に好ましい。また，前記磁器におけるＺｎＯの比率ｚは、０．３以上とすることが更に好ましく、また０．４以下とすることが更に好ましい。
【００４２】
前記磁器１００重量部に対して、１．０重量部以上、５．０重量部以下の酸化ホウ素含有ガラス成分を添加することによって、中間層の焼結温度を効果的に低下させることが可能となる。
【００４３】
この酸化ホウ素含有ガラス成分とは、少なくとも酸化ホウ素を含有するガラス成分を意味する。このガラス成分は、酸化ホウ素のみであってよいが、酸化ホウ素以外の金属酸化物を含有していることが好ましい。酸化ホウ素以外の金属酸化物成分としては、BaO、Al2O3、ZnO、SiO2およびアルカリ金属酸化物を例示できる。
【００４４】
［製造］
本発明において、前記した各金属酸化物成分の比率は、原料混合物における各金属の酸化物への換算値である。原料混合物における各金属の酸化物への換算値は、各金属原料の混合比率によって定まる。本発明においては、各金属原料の混合比率を精密天秤によって秤量し、この秤量値に基づいて前記換算値を算出する。
【００４５】
本発明の電子部品は、Ａｇ、ＣｕおよびＡｇ−Ｐｄ合金からなる群より選ばれた材質からなる導体パターンを備えていることが好ましい。
【００４６】
また、本発明の電子部品は、一対の電極層を備えており、これら一対の電極層間に前記高誘電率セラミック層が配置されており、この一対の電極層によって所定の静電容量が引き出されていることが好ましい。
【００４７】
本発明の電子部品を製造する際には、好ましくは、所望の組成となるように各酸化物粉末を秤量し、湿式混合して、誘電体、磁性体の各混合粉末を得る。その後、誘電体の混合粉末を900〜1200℃の範囲(好ましくは1000〜1100℃)で仮焼し、磁性体の混合粉末を740〜840℃で仮焼する。仮焼体を粉砕し、各セラミック粉末を得る。そして、好ましくは、各セラミック粉末と有機バインダ、可塑剤、分散剤および有機溶剤とを混合し、ドクターブレード法によってシート成形し、これを積層して積層体を得る。この積層体を９００〜１０００℃で共焼結し、電子部品を得る。
【００４８】
［複合電子部品の用途］
本発明の複合電子部品とは、フェライトの高透磁率と誘電体の高誘電率とを利用するような電子部品であれば限定されない。この電子部品の種類としては、LとCの受動素子を備えたフィルタ、ノイズ対策部品などを例示できる。
【００４９】
ノイズ対策部品とは、電子機器から漏れる電磁気雑音の放射や伝搬して、他の機器の妨害となるノイズを排除する電子部品である。図２は、ノイズ対策部品の等価回路例を示すものである。
【実施例】
【００５０】
［実験Ａ］
（誘電体の原料の作製）
所望の組成となるように各酸化物粉末を秤量し、湿式混合して、各混合粉末を得る。その後、混合粉末を１０００〜１１００℃で仮焼した。得られた仮焼物に対して所定量のＣｕＯおよびＢｉ２Ｏ３を添加し、粉砕して高誘電体の原料粉末を得た。
【００５１】
（磁性体の原料の調製）
所望の組成となるように各酸化物粉末を秤量し、湿式混合して混合粉末を得る。その後、740〜840℃の範囲で仮焼する。その後粉砕してセラミック原料粉末を得た。
【００５２】
（テープ成形）
調整した各原料粉末に有機バインダ、可塑剤、分散剤および有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、スラリーを得た。このスラリーを用いてドクターブレード装置によって厚さ0.02〜0.1mmのグリーンシートを成形した。
【００５３】
（接合性、抗折強度試験）
磁性体セラミックグリーンシート(40μm)と高誘電率セラミックグリーンシート(40μm)を1:1になるように積層し、焼成して、約3mm×30mm×2mmの試験片を取り出して3点曲げ試験を行った。接合性は同様の構造物に対し、鏡面研磨を行って接合界面部のクラック、空隙、相互拡散を電子顕微鏡で観察した。
【００５４】
（比誘電率測定）
磁性体セラミックグリーンシート(40μm)と高誘電率セラミックグリーンシート(40μm)を1:1になるように積層し、焼成して、あらかじめ高誘電率層の一部が容量層となるようにスクリーン印刷によって電極パターン(電極の重なりの面積は焼成後2mm２)を形成し、端子電極形成する。その後端子電極を用いて容量を測定した。
【００５５】
（絶縁抵抗）
磁性体セラミックグリーンシート(40μm)と高誘電率セラミックグリーンシート(40μm)をそれぞれ焼成後、約10mm×10mm×1.5mmとなる様に焼結体を作成し、対抗電極を形成し、絶縁抵抗計にて50V印加による測定を行った。
【００５６】
（焼結性確認）
磁性体および高誘電体の焼結体を10000倍にて観察し、空孔の占有率を計算し、判定した。
これらの測定結果を表１、２、３に示す。
【００５７】
【表１】
0005386496.tif 000002
【００５８】
表１では、誘電体のＣｕＯの比率およびＢｉ２Ｏ３の比率を種々変更した。この結果、試料４〜８、１０では、磁性体、誘電体の焼結性が良く、共焼結品の抗折強度が高い。試料１、２では、誘電体におけるＣｕＯの比率が低く、Ｂｉ２Ｏ３の比率も低く、抗折強度が低い。試料３では、誘電体におけるＢｉ２Ｏ３の比率が低く、抗折強度が低い。試料９では、Ｂｉ２Ｏ３の比率が高く、抗折強度が低い。
【００５９】
【表２】
0005386496.tif 000003
【００６０】
表２では、誘電体のＣｕＯの比率およびＢｉ２Ｏ３の比率を種々変更した。この結果、試料１１〜１５、１８では、磁性体、誘電体の焼結性が良く、共焼結品の抗折強度が高い。試料１６、１７では、誘電体におけるＣｕＯの比率が高く、誘電体の絶縁抵抗が低い。試料１９では、誘電体におけるＢｉ２Ｏ３の比率が高く、接合性が悪い。
【００６１】
【表３】
0005386496.tif 000004
【００６２】
表３では、磁性体における各成分の比率を種々変更した。この結果、試料２０〜２３では、Ｆｅ２Ｏ３の比率が高く、磁性体の絶縁抵抗が低い。試料３２では、Ｆｅ２Ｏ３の比率が低く、磁性体の絶縁抵抗が低い。試料３４では、ＺｎＯが添加されておらず、磁性体の焼結性が悪い。
【００６３】
［実験Ｂ］
実験Ａと同様にして積層体を製造した。ただし、誘電体層と磁性体層との間に，次のようにして中間層を形成した。
【００６４】
所望の組成となるように各酸化物粉末を秤量し、湿式混合して、低誘電率磁器の各混合粉末を得る。その後、低誘電率材を１０５０−１３００℃で仮焼した。その後粉砕して各セラミック原料粉末を得た。
【００６５】
（ガラス作製）
まず、B2O3-SiO2-Al2O3-BaOの組成からなるガラスを作製した。各ガラス成分を構成する各酸化物を秤量し、乾式混合によって混合物を得た。その後、白金ルツボ中で溶融させ、溶融物を水中で急速冷却して塊状のガラスを得た。このガラスを湿式粉砕して、ガラス粉末を得た。
【００６６】
（中間層材質の調製）
得られた仮焼物と前記ガラス、必要に応じて所定量のＣｕＯを添加し、粉砕して低誘電率セラミック原料粉末を得た。表４、５に記載の中間層組成の誘電率は、すべて20〜30、Q値(3GHｚ)は3000以上である。
【００６７】
そして、前述した積層グリーンシート作製のときに、磁性体用グリーンシートと誘電体用グリーンシートとの間に中間層用グリーンシートを介在させ、積層体を得た。中間層の厚さは４０μｍとした。そして、表４、５に示す各温度で焼結させた。得られた焼結体について、前述のような試験を行い、試験結果を表４、表５に示す。
【００６８】
【表４】
0005386496.tif 000005
【００６９】
【表５】
0005386496.tif 000006
【００７０】
表４では、中間層の有無を種々変更した。この結果、試料１３と３５および試料１４と３６をそれぞれ比較すると、中間層の有る試料３５、３６の方が、抗折強度が高い。
【００７１】
表５では、中間層における各成分の比率を種々変更した。この結果、試料４０では、中間層におけるＣｕＯの比率が高く、接合性が良くない。試料４１では、誘電体におけるＢｉ２Ｏ３の比率が高く、接合性が悪い。そのほかの試料３７〜３９、４２〜４５では、良好な結果が得られた。
【００７２】
［実験Ｃ］
（誘電体の原料の作製）
表６に示す所望の組成となるように各酸化物粉末を秤量し、湿式混合して、各混合粉末を得る。その後、混合粉末を１０００〜１１００℃で仮焼した。得られた仮焼物に対して所定量のＣｕＯおよびＢｉ２Ｏ３を添加し、粉砕して高誘電体の原料粉末を得た。
【００７３】
（磁性体の原料の調製）
表６に示す所望の組成となるように各酸化物粉末を秤量し、湿式混合して混合粉末を得る。その後、740〜840℃の範囲で仮焼する。その後粉砕してセラミック原料粉末を得た。
【００７４】
（試験）
得られた各原料を使用し、実験Ａに記載の方法によって、テープ成形を行い、接合性、抗折強度、比誘電率、絶縁抵抗、焼結性を確認した。
【００７５】
更に、以下の試験を行った。
（透磁率測定試料の作製）
磁性体セラミックグリーンシート（40μm)を、焼成後約18mm×18mm×1.6mmとなる様に焼結体を作製し、外形16mm×内径10mmのリング状に切り出し加工し、トロイダルコアを作成する。そして、得られたトロイダルコアにコード（巻線）を17回だけ巻きつけて試料とした。
【００７６】
（直流重畳特性の測定）
試料に直流電流を流したときの透磁率の変化を測定し、透磁率と直流電流の関係をグラフにする。得られたグラフを用いて、直流電流０（ｍＡ）時の初期透磁率μｉが１０％低下したときの磁界の強さ、すなわち、直流重畳特性を計算にて求めた。
【００７７】
（直流重畳係数の取得）
計算によって求めた直流重畳特性に初期透磁率を乗算して直流重畳係数を求めた。結果を表７に示す。
【００７８】
【表６】
0005386496.tif 000007
【００７９】
【表７】
0005386496.tif 000008
【００８０】
表６、７では、磁性体副成分の添加量を種々変更した。この結果、副成分の添加がある試料Ａ１〜Ａ９のすべてにおいて、試料２７よりも直流重畳係数が高く（４３０００以上）、良好な結果が得られた。
【００８１】
本発明の特定の実施形態を説明してきたけれども、本発明はこれら特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲の範囲から離れることなく、種々の変更や改変を行いながら実施できる。
【図１】
0005386496.tif 000009
【図２】
0005386496.tif 000010