(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するための発光ユニットを、複数、備え、
各発光ユニットは、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードから構成されており、
第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれは、
（Ａ）第１導電型を有し、下から第１ＧａＡｓ層と第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層とが積層された第１化合物半導体層、ＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る活性層、及び、第２導電型を有し、下から第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層と第２ＧａＡｓ層とが積層された第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１ＧａＡｓ層に接して形成された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２ＧａＡｓ層上に形成された第２電極、
を備えており、
活性層には不純物がドーピングされており、
第２ＧａＡｓ層の大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の大きさよりも小さく、且つ、第２電極と実質的に同じ大きさであり、
積層構造体からの光が第１電極側から射出される画像表示装置であって、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、及び、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、
を更に備えており、
発光ユニットを構成する第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は、１つの副共通電極を介して第１の配線に電気的に接続されており、
発光ユニットを構成する第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第２電極は、個別に、第２の配線に電気的に接続されている画像表示装置。
【請求項２】
副共通電極は、積層構造体からの光を通過させる請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型であり、活性層にはｎ型不純物がドーピングされている請求項１又は請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
活性層におけるｎ型不純物のドーピング濃度は、５×１０15／ｃｍ3乃至１×１０18／ｃｍ3である請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
活性層の面積は１×１０-9ｍ2以下である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
発光ユニットを、複数、備え、
各発光ユニットは、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードから構成されており、
第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれは、
（Ａ）第１導電型を有し、下から第１ＧａＡｓ層と第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層とが積層された第１化合物半導体層、ＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る活性層、及び、第２導電型を有し、下から第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層と第２ＧａＡｓ層とが積層された第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１ＧａＡｓ層に接して形成された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２ＧａＡｓ層上に形成された第２電極、
を備えており、
活性層には不純物がドーピングされており、
第２ＧａＡｓ層の大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の大きさよりも小さく、且つ、第２電極と実質的に同じ大きさであり、
積層構造体からの光が第１電極側から射出される電子機器であって、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、及び、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、
を更に備えており、
発光ユニットを構成する第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は、１つの副共通電極を介して第１の配線に電気的に接続されており、
発光ユニットを構成する第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第２電極は、個別に、第２の配線に電気的に接続されている電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は光を発生する活性層を備えており、この活性層にて発生した光が出射される。このような半導体発光素子は、表示装置等の様々な技術分野や用途において広く利用されている。例えば、広いエネルギーバンドを有するＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る活性層を備えた半導体発光素子から、活性層における混晶比を変えることで、５６０ｎｍ乃至６８０ｎｍ程度の波長の光を発生する発光ダイオード（ＬＥＤ，Light Emitting Diode）を得ることができるが故に、発光ダイオード表示装置等の表示装置に広く利用されている。
【０００３】
このようなＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る活性層を有する半導体発光素子は、通常、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、アンドープ活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層が積層された構造を有し、アンドープ活性層に電流を注入することで光を発生させている。尚、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層へ電子を注入するための金属電極（ｎ側電極）を形成し、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層へホールを注入するための金属電極（ｐ側電極）を形成する必要がある。更には、電極とＡｌＧａＩｎＰ層との間の障壁を小さくし、良好な電気特性を得るために、ＧａＡｓ層を形成する技術が知られている。しかしながら、ＧａＡｓ層におけるバンドギャップは、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層から構成されたアンドープ活性層におけるバンドギャップよりも小さいため、活性層で発生した光をＧａＡｓ層が吸収してしまい、発光効率を低下させてしまうといった問題がある。
【０００４】
このような問題を解決し、高い発光効率を実現するために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層とｐ側電極との間に、ｐ型ＧａＡｓ層を形成する代わりに、ｐ型ＧａＰ層を形成する技術が公知である（例えば、特開２００８−１７７３９３参照）。ＧａＰ層は、活性層で発生した光を吸収することが無く、効率的に光を取り出すことが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１７７３９３
【特許文献２】特開２００２−３３５０４８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ｐ型ＧａＰ層に対してｐ型不純物を高濃度にて導入することは困難である。それ故、シート抵抗を下げるために、ｐ型ＧａＰ層の厚さを、ｐ型ＧａＡｓ層の厚さの１０倍以上にする必要がある。然るに、微小サイズ、とりわけ１０００μｍ2を切るような大きさを有する半導体発光素子を製造するために、このような厚さの厚いｐ型ＧａＰ層をウエットエッチングすることは、極めて困難である。
【０００７】
一方、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層とｐ側電極との間にｐ型ＧａＡｓ層を形成する場合にあっても、微小サイズ、とりわけ１０００μｍ2を切るような大きさを有する半導体発光素子を製造するとき、必然的にｐ型ＧａＡｓ層の大きさも小さくなる。そして、その結果、ｐ型ＧａＡｓ層の電気抵抗値が高くなり、駆動電圧が上昇してしまうといった問題がある。
【０００８】
窒化物系半導体レーザ素子の製造方法において、第２コンタクト層の頂面（第２電極とのコンタクト面）が汚染して電気抵抗が大きくなり、その結果、動作電圧が上昇するといった問題の発生を回避するために、第２コンタクト層を形成した後、直ちに第２電極を第２コンタクト層上に形成し、第２コンタクト層と第２電極の界面において、第２電極が第２コンタクト層と実質的に同じ幅を有する窒化物系半導体レーザ素子を得る技術が、特開２００２−３３５０４８から周知である。しかしながら、この特許公開公報に開示された半導体レーザ素子は、窒化物系半導体レーザ素子であり、しかも、コンタクト層としての厚さの厚いｐ型ＧａＰ層をウエットエッチングするときの問題や、ｐ型ＧａＡｓ層における電気抵抗値の増加に伴う駆動電圧の上昇といった問題を解決するための方策については、何ら言及されていない。
【０００９】
従って、本発明の目的は、半導体発光素子をウエットエッチング法にて加工するときに問題が生じることがなく、しかも、駆動電圧が上昇することのない半導体発光素子及びその製造方法、並びに、係る半導体発光素子を用いた画像表示装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有し、下から第１ＧａＡｓ層と第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層とが積層された第１化合物半導体層、ＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る活性層、及び、第２導電型を有し、下から第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層と第２ＧａＡｓ層とが積層された第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１ＧａＡｓ層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２ＧａＡｓ層上に形成された第２電極、
を備えており、
活性層には不純物がドーピングされており、
第２ＧａＡｓ層の大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の大きさよりも小さく、且つ、第２電極と実質的に同じ大きさである。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の画像表示装置は、画像を表示するための半導体発光素子を備えた画像表示装置であって、この半導体発光素子は、上記の本発明の半導体発光素子から構成されている。
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明の電子機器は、半導体発光素子を備えた電子機器であって、この半導体発光素子は、上記の本発明の半導体発光素子から構成されている。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子の製造方法は、
（Ａ）第１導電型を有し、下から第１ＧａＡｓ層と第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層とが積層された第１化合物半導体層、ＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る活性層、及び、第２導電型を有し、下から第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層と第２ＧａＡｓ層とが積層された第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１ＧａＡｓ層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２ＧａＡｓ層上に形成された第２電極、
を備えており、
活性層には不純物がドーピングされており、
活性層の面積は１×１０-9ｍ2以下である半導体発光素子の製造方法であって、
第２ＧａＡｓ層の大きさが、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の大きさよりも小さく、且つ、第２電極と実質的に同じ大きさとなるように、第２ＧａＡｓ層をウエットエッチング法にてパターニングする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、画像表示装置、電子機器において、第２ＧａＡｓ層の大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の大きさよりも小さく、且つ、第２電極と実質的に同じ大きさである。それ故、活性層からの光の第２ＧａＡｓ層における吸収量が少なくなり、発光効率の向上を図ることができる。また、活性層に不純物がドーピングされている結果、駆動電圧の低下、電力効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び、概念図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図３】図３は、実施例１及び比較例１〜比較例３の半導体発光素子における電流−発光効率の測定結果を示すグラフである。
【図４】図４は、実施例１及び及び比較例１〜比較例３の半導体発光素子における電流―駆動電圧の測定結果を示すグラフである。
【図５】図５は、実施例１及び比較例１〜比較例３の半導体発光素子における電流−電力効率を示すグラフである。
【図６】図６は、実施例１の半導体発光素子等の評価方法の概要を示す図である。
【図７】図７は、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。
【図８】図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図７の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿った模式的な一部断面図である。
【図９】図９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図７の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）、（Ｂ）は、図１０の（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）〜（Ｃ）は、図１１の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２の（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１３の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１８】図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２２】図２２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２３】図２３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２４】図２４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２５】図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図７の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図２６】図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図７の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図２７】図２７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２８】図２８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２９】図２９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図７の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図３０】図３０は、実施例２の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。
【図３１】図３１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
【図３２】図３２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本発明の半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の半導体発光素子及びその製造方法）
３．実施例２（本発明の画像表示装置並びに電子機器）
４．実施例３（実施例２の別の変形、その他）
【００１７】
［本発明の半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器、全般に関する説明］
本発明の半導体発光素子、本発明の発光素子の製造方法、本発明の画像表示装置あるいは本発明の電子機器において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型であり、活性層にはｎ型不純物がドーピングされている形態とすることができる。そして、この場合、活性層におけるｎ型不純物のドーピング濃度を、５×１０15／ｃｍ3乃至１×１０18／ｃｍ3、好ましくは、１×１０16／ｃｍ3乃至１×１０18／ｃｍ3とすることが望ましい。尚、第１導電型、第２導電型及び活性層の導電型はこれに限定されるものでなく、その他、（第１導電型，第２導電型，活性層の導電型）の組合せとして、（ｎ型，ｐ型，ｐ型）、（ｐ型，ｎ型，ｎ型）、（ｐ型，ｎ型，ｐ型）を挙げることができる。
【００１８】
上記の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子、本発明の画像表示装置あるいは本発明の電子機器において、限定するものでないが、活性層の面積は、１×１０-9ｍ2（１×１０3μｍ2）以下であることが望ましく、更には、上記の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子、本発明の発光素子の製造方法、本発明の画像表示装置、本発明の電子機器あるいは本発明の発光素子の製造方法にあっては、活性層の面積は、好ましくは、１×１０-11ｍ2以上、５×１０-10ｍ2以下、より好ましくは、３×１０-11ｍ2以上、３×１０-10ｍ2以下であることが望ましい。
【００１９】
上記の各種の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、第２ＧａＡｓ層をウエットエッチングするときのエッチングレートをＥＲU、第２ＧａＡｓ層をウエットエッチングするときの第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層のエッチングレートをＥＲLとしたとき、
ＥＲU／ＥＲL≧１×１０2、
好ましくは、
ＥＲU／ＥＲL≧３×１０2、
を満足することが望ましい。また、パターニングされた第２電極をエッチング用マスクとして用いて第２ＧａＡｓ層をウエットエッチングすることが好ましい。
【００２０】
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子、本発明の発光素子の製造方法、本発明の画像表示装置あるいは本発明の電子機器（以下、これらを総称して、以下、単に『本発明』と呼ぶ場合がある）において、第２ＧａＡｓ層の大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の大きさよりも小さく、且つ、第２電極と実質的に同じ大きさであるが、ここで、「実質的に同じ大きさである」とは、第２ＧａＡｓ層の面積平均値をＳ1、第２電極の面積平均値をＳ2としたとき、
１／２≦Ｓ2／Ｓ1≦２
を満足していることを意味する。また、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の面積平均値をＳ3としたとき、
１／２００≦Ｓ2／Ｓ3≦１／３
好ましくは、
１／５０≦Ｓ2／Ｓ3≦１／５
を満足することが望ましい。本発明の半導体発光素子の発光波長として、５６０ｎｍ乃至６８０ｎｍを挙げることができる。
【００２１】
本発明において、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザを挙げることができる。電子機器として、例えば、発光ダイオード表示装置、発光ダイオードを用いたバックライト、発光ダイオード照明装置、広告媒体を挙げることができる。電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよく、携帯型のものと据え置き型のものとの双方を含み、具体例を挙げると、携帯電話、モバイル機器、ロボット、パーソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品等である。電子機器あるいは画像表示装置を構成する半導体発光素子は複数であり、電子機器の用途や機能、電子機器や画像表示装置に要求される仕様等に応じて、半導体発光素子の数、種類、実装（配置）、間隔等が決められる。赤色発光ダイオードとして、本発明の半導体発光素子を用いればよい。一方、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードは、例えば、ＧａＮ系化合物半導体層から構成されたＧａＮ系半導体発光素子から構成すればよい。
【００２２】
本発明の画像表示装置あるいは電子機器は、具体的には、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１電極が第１の配線に電気的に接続され、第２電極が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成されている。
【００２３】
本発明の画像表示装置において、複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。尚、全体として帯状である配線は、帯状に延びる幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。
【００２４】
一方、本発明の電子機器において、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として第１の方向に延びており、第２の配線も、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びており、第２の配線は、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。尚、配線は、例えば、幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。
【００２５】
第１の配線、第２の配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）錫（Ｓｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；これらの金属から成る導電性粒子；これらの金属を含む合金の導電性粒子；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。第１の配線、第２の配線の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザ・アブレーション法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スピンコート法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、メタルマスク印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スタンプ法；リフト・オフ法；シャドウマスク法；電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法；及び、スプレー法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。第１の配線を構成する材料と、第２の配線を構成する材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた第１の配線、第２の配線を形成することも可能である。
【００２６】
本発明における第１化合物半導体層の上層及び第２化合物半導体層の下層を構成する化合物半導体は、上述したとおり、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、具体的には、ＡｌXＧａYＩｎ(1-X-Y)Ｐ系化合物半導体であり、活性層を構成する化合物半導体は、上述したとおり、ＧａZＩｎ(1-Z)Ｐ系化合物半導体である。ここで、Ｘ，Ｙ，Ｚは、例えば、
０．１≦  Ｘ  ≦０．４
０．１≦  Ｙ  ≦０．４
０．４≦Ｘ＋Ｙ≦０．６
０．４＜  Ｚ  ≦０．６
を満足することが好ましい。
【００２７】
第１導電型をｎ型とする場合、ｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができる。また、第２導電型をｐ型とする場合、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）を採用してもよいし、有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。
【００２８】
ここで、化合物半導体層の形成（結晶成長）をＭＯＣＶＤ法に基づき行う場合、化合物半導体層の形成におけるガリウム（Ｇａ）源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスやトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを挙げることができるし、ヒ素（Ａｓ）源としてターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）ガスあるいはアルシン（ＡｓＨ3）ガスを挙げることができるし、燐（Ｐ）源としてターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）ガスあるいはホスフィン（ＰＨ3）ガスを挙げることができる。また、アルミニウム（Ａｌ）源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用いればよいし、インジウム（Ｉｎ）源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用いればよい。また、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としてケイ素（Ｓｉ）を用いる場合、Ｓｉ源としてモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを用いればよいし、セレン（Ｓｅ）を用いる場合、Ｓｅ源としてセレン化水素（ＳｅＨ4）ガスを用いればよいし、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としてマグネシウム（Ｍｇ）を用いる場合Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を用いればよいし、亜鉛（Ｚｎ）を用いる場合、Ｚｎ源としてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）ガスを用いればよい。
【００２９】
第１化合物半導体層へ第１電極を電気的に接続するためには、例えば、第１電極を第１化合物半導体層（具体的には、第１ＧａＡｓ層）に接するように形成すればよい。場合によっては、第１化合物半導体層が形成された発光素子製造用基板上に第１電極を形成してもよい。第２電極は第２ＧａＡｓ層上に形成されている。尚、便宜上、ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体層に電気的に接続された電極を『ｐ側電極』と呼び、ｎ型不純物がドーピングされた化合物半導体層に電気的に接続された電極を『ｎ側電極』と呼ぶ場合がある。ここで、ｐ側電極として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｇ／Ｎｉ、Ｇｅを挙げることができる。また、ｎ側電極として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。あるいは又、ｎ側電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。透明導電材料から成る層を電流拡散層として用いる場合、ｎ側電極を、ｐ側電極として挙げた金属積層構造と電流拡散層とを組み合わせた構造としてもよい。
【００３０】
発光素子製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。
【実施例１】
【００３１】
実施例１は、本発明の半導体発光素子、及び、本発明の半導体発光素子の製造方法に関する。実施例１の半導体発光素子（具体的には、実施例１にあっては、発光ダイオード，ＬＥＤ）の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）に示し、概念図を図１の（Ｂ）に示す。
【００３２】
実施例１の半導体発光素子であるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子（発光ダイオード１０）は、
（Ａ）第１導電型（具体的には、ｎ型）を有し、下から第１ＧａＡｓ層（第１コンタクト層）１１Ａと第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第１クラッド層）１１Ｂとが積層された第１化合物半導体層１１、ＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る活性層１３、及び、第１導電型とは導電型が異なる第２導電型（具体的には、ｐ型）を有し、下から第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第２クラッド層）１２Ｂと第２ＧａＡｓ層（第２コンタクト層）１２Ａとが積層された第２化合物半導体層１２から構成された積層構造体１０Ｂ、
（Ｂ）第１ＧａＡｓ層１１Ａに電気的に接続された第１電極１４、並びに、
（Ｃ）第２ＧａＡｓ層１２Ａ上に形成された第２電極１５、
を備えている。そして、活性層１３には不純物がドーピングされており、第２ＧａＡｓ層１２Ａの大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂの大きさよりも小さく、且つ、第２電極１５と実質的に同じ大きさである。
【００３３】
より具体的には、積層構造体１０Ｂを構成する各化合物半導体層は、以下の組成を有する。
【００３４】
即ち、第１ＧａＡｓ層（第１コンタクト層）１１Ａは、厚さが５０ｎｍであり、Ｓｅがドーピングされており、ドーピング濃度は１×１０18／ｃｍ3である。また、第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第１ＡｌXＧａYＩｎ(1-X-Y)Ｐ化合物半導体層，第１クラッド層）１１Ｂは、厚さが１μｍであり、Ｓｅがドーピングされており、ドーピング濃度は５×１０17／ｃｍ3である。ここで、
Ｘ＝０．３５
Ｙ＝０．１６
である。
【００３５】
更には、活性層１３は、ＧａZＩｎ(1-Z)Ｐから成る井戸層と、ＡｌX'ＧａY'Ｉｎ(1-X'-Y')Ｐから成る障壁層とから構成された多重量子井戸構造を有する。ここで、
Ｚ  ＝０．５１
Ｘ’＝０．３０
Ｙ’＝０．２１
であり、
井戸層の層数は１５層、障壁層の層数は１４層である。そして、活性層１３を構成する井戸層及び障壁層には、Ｓｅがドーピングされており、ドーピング濃度は５×１０16／ｃｍ3である。ここで、活性層１３の発光波長λは、λ＝６３５ｎｍである。井戸層におけるＩｎ組成割合は、所望とする発光波長に基づき決定すればよい。
【００３６】
また、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第２ＡｌXＧａYＩｎ(1-X-Y)Ｐ化合物半導体層，第２クラッド層）１２Ｂは、厚さが１μｍであり、Ｍｇがドーピングされており、ドーピング濃度は１×１０18／ｃｍ3である。更には、第２ＧａＡｓ層（第２コンタクト層）１２Ａは、厚さが５０ｎｍであり、Ｚｎがドーピングされており、ドーピング濃度は１×１０20／ｃｍ3である。ここで、
Ｘ＝０．３５
Ｙ＝０．１６
である。
【００３７】
更には、第２ＧａＡｓ層１２Ｂの面積平均値をＳ1、第２電極１５の面積平均値をＳ2としたとき、
Ｓ2／Ｓ1＝１．０５
である。
【００３８】
以下、基板等の模式的な一部端面図である図２の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明する。
【００３９】
（工程−１００）
先ず、積層構造体１０Ｂを形成する。
【００４０】
［工程−１００Ａ］
具体的には、先ず、（００１）面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板（ドーピング濃度：１×１０18／ｃｍ3）を発光素子製造用基板１６（以下、単に『基板１６』と呼ぶ場合がある）として用いて、水素から成るキャリアガス中、基板温度８００゜Ｃで１０分間の基板クリーニングを行った後、基板温度を７２０゜Ｃまで低下させる。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、ヒ素源であるアルシン（ＡｓＨ3）ガス、Ｓｉ源であるモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを供給しながら、Ｇａ源であるトリメチルガリウム（Trimethygallium, ＴＭＧ）ガスの供給を行い、厚さ０．５μｍのＧａＡｓ層から成るバッファ層１７を、基板１６上に結晶成長させる。尚、バッファ層１７におけるｎ型不純物（Ｓｉ）のドーピング濃度を５×１０17／ｃｍ3とした。尚、ｎ型不純物をＳｅとすることもできる。
【００４１】
［工程−１００Ｂ］
次いで、ＡｓＨ3ガスの供給を中止し、燐源であるホスフィン（ＰＨ3）ガスを供給しながらＧａ原料であるＴＭＧガス、Ａｌ源であるトリメチルアルミニウム（Trimethylaluminium, ＴＭＡ）ガス、Ｉｎ源であるトリメチルインジウム（Trimethylindium, ＴＭＩ）ガス、ＳｉＨ4ガスの供給を行い、厚さ０．５μｍのＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成るエッチングストップ層１８を、バッファ層１７上に結晶成長させる。尚、エッチングストップ層１８におけるｎ型不純物（Ｓｉ）のドーピング濃度を５×１０17／ｃｍ3とした。尚、ｎ型不純物をＳｅとすることもできる。
【００４２】
［工程−１００Ｃ］
その後、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＴＭＩガス、ＰＨ3ガス、ＳｉＨ4ガスの供給を中断し、ＴＭＧガス、ＡｓＨ3ガス、Ｓｅ源であるセレン化水素（ＳｅＨ2）ガスを供給することで、ｎ型不純物（Ｓｅ）がドーピングされた、厚さ５０ｎｍの第１ＧａＡｓ層（第１コンタクト層）１１Ａを結晶成長させる。尚、ドーピング濃度を１×１０18／ｃｍ3とした。
【００４３】
［工程−１００Ｄ］
次に、ＴＭＧガス、ＡｓＨ3ガス、ＳｅＨ2ガスの供給を中止し、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＴＭＩガス、ＰＨ3ガス、ＳｅＨ2ガスを供給することで、厚さ１μｍの第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第１クラッド層）１１Ｂを結晶成長させる。尚、ドーピング濃度を５×１０17／ｃｍ3とした。
【００４４】
［工程−１００Ｅ］
その後、ＰＨ3ガス、ＳｅＨ2ガスの供給を継続させながら、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＴＭＩガスを使用し、バルブ切り替えによりこれらのガスの供給を行うことで、ＡｌＧａＩｎＰから成る障壁層とＧａＩｎＰから成る井戸層とから構成された多重量子井戸構造を有する活性層１３を形成する。尚、ドーピング濃度を５×１０16／ｃｍ3とした。
【００４５】
［工程−１００Ｆ］
次いで、ＰＨ3ガスの供給を継続させながら、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＴＭＩガスを供給し続け、更に、Ｍｇ源としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Biscyclopentadienyl Magnesium, Ｃｐ2Ｍｇ）ガスの供給を開始することで、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第２クラッド層）１２Ｂを結晶成長させる。尚、Ｍｇのドーピング濃度を１×１０18／ｃｍ3とした。
【００４６】
［工程−１００Ｇ］
その後、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＴＭＩガス、ＰＨ3ガス、ＳｅＨ2ガスの供給を中断し、ＡｓＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｚｎ源であるジメチルジンク（Dimethylzinc，ＤＭＺ）ガスを供給することで、厚さ５０ｎｍの第２ＧａＡｓ層（第２コンタクト層）１２Ａを結晶成長させる。尚、ドーピング濃度を１×１０20／ｃｍ3とした。次いで、ＴＭＧガス、ＤＭＺガスの供給中止と共に基板温度を下げ、基板温度３００゜Ｃとなった時点でＡｓＨ3ガスの供給を中止し、室温まで基板温度を下げて結晶成長を完了させた。
【００４７】
［工程−１１０］
こうして結晶成長が完了した後、４５０゜Ｃ、窒素ガス雰囲気中でアニール処理を行ってｐ型不純物（ｐ型ドーパント）の活性化を行う。
【００４８】
［工程−１２０］
その後、積層構造体１１Ｂ上に、フォトリソグラフィー技術を用いてエッチングマスクを形成し、燐酸、過酸化水素、水の混合溶液を用いることでエッチングマスクに覆われていない第２ＧａＡｓ層１２Ａの部分をエッチングする。燐酸、過酸化水素、水の混合溶液では第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂは実質的にはエッチングされず、第２ＧａＡｓ層１２Ａが選択的にエッチングされ、除去される。
【００４９】
［工程−１３０］
次いで、塩酸を用いて、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂ、活性層１３、第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１１Ａをウエットエッチングすることで、素子分離する。この際、第１ＧａＡｓ層１１Ａは塩酸でエッチングされないため、第１ＧａＡｓ層１１Ａが露出した段階でエッチングを停止させることができる。使用するエッチングマスクのサイズ、及び、エッチング時間を制御することで、素子分離された半導体発光素子の大きさを制御することができる。エッチング終了後、エッチングマスクを除去する。素子分離された半導体発光素子の大きさ（活性層１３の面積）を、１×１０3μｍ2以下、具体的には、２００μｍ2とした。こうして、図２の（Ａ）に示す状態を得ることができる。尚、第２ＧａＡｓ層１２ＡをウエットエッチングするときのエッチングレートをＥＲU、第２ＧａＡｓ層１２Ａをウエットエッチングするときの第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂのエッチングレート（即ち、第２ＧａＡｓ層１２Ａをウエットエッチングするときに、このウエットエッチングの後半（終盤）においては第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂもウエットエッチングされ得るが、このときの第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂのエッチングレート）をＥＲLとしたとき、
ＥＲU／ＥＲL＝５００
である。
【００５０】
［工程−１４０］
次に、露出した第２ＧａＡｓ層１２Ａ上に第２電極１５を形成する。具体的には、リフトオフ法にて第２電極１５を形成する。即ち、フォトリソグラフィー技術を用いて蒸着用マスクを形成した後、全面に、活性層側から、Ｔｉ層（１００ｎｍ）／Ｐｔ層（１００ｎｍ）／Ａｕ層（４００ｎｍ）を、順次、蒸着装置を用いて成膜し、その後、蒸着用マスクを除去する。こうして、直径３μｍの第２電極（ｐ側電極）１５を得ることができる（図２の（Ｂ）参照）。
【００５１】
［工程−１５０］
その後、第２電極（ｐ側電極）１５をエッチング用マスクとして用いて、第２ＧａＡｓ層１２Ｂを燐酸、過酸化水素、水の混合溶液でウエットエッチングする。こうして、第２電極１５で覆われていない部分の第２ＧａＡｓ層１２Ｂを除去することができる（図１の（Ａ）参照）。尚、燐酸、過酸化水素、水の混合溶液では第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂ、活性層１３、第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１１Ｂは実質的にはエッチングされない。尚、予め、第１ＧａＡｓ層１１Ａが露出した部分にフォトリソグラフィー技術を用いてエッチングマスクを形成し、第１ＧａＡｓ層１１Ａがエッチングされないようにしておく。
【００５２】
［工程−１６０］
次いで、露出した第１ＧａＡｓ層１１Ａ上に第１電極（ｎ側電極）１４を形成する。具体的には、フォトリソグラフィー技術を用いて蒸着用マスクを形成した後、全面に、Ｐｄ層（１０ｎｍ）／ＡｕＧｅ合金層（８５ｎｍ）／Ａｕ層（２５０ｎｍ）を順次、蒸着装置を用いて成膜し、その後、蒸着用マスクを除去する。こうして、直径１０μｍのリング状の第１電極１４を得ることができる。更に、窒素ガス中２００゜Ｃで熱処理を行うことで、第１電極１４と第１ＧａＡｓ層１１Ａとの間の合金化処理を行う。以上の工程により、基板上に微小発光ダイオードを作製することができる。
【００５３】
［比較例１］
比較のために、［工程−１００Ｅ］と同様の工程において、ＳｅＨ2ガスの供給を停止して活性層を成膜することで、半導体発光素子を得た。この半導体発光素子を、『比較例１』の半導体発光素子と呼ぶ。即ち、比較例１の半導体発光素子にあっては、活性層にはｎ型不純物がドーピングされていない。
【００５４】
［比較例２］
また、［工程−１５０］を省略し、第２ＧａＡｓ層１２Ａが素子分離された第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂの頂面、全面に亙り残っている半導体発光素子を得た。この半導体発光素子を、『比較例２』の半導体発光素子と呼ぶ。
【００５５】
［比較例３］
［工程−１００Ｅ］と同様の工程において、ＳｅＨ2ガスの供給を停止して活性層を成膜し、且つ、［工程−１５０］を省略して、第２ＧａＡｓ層１２Ａが素子分離された第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂの頂面、全面に亙り残っている半導体発光素子を得た。この半導体発光素子を、『比較例３』の半導体発光素子と呼ぶ。
【００５６】
実施例１、比較例１、比較例２、比較例３の状態を、以下の表１に纏めた。尚、半導体発光素子の評価にあっては、簡略化のために、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１ＧａＡｓ層１１Ａを露出させ、第２ＧａＡｓ層１２Ａ上に第２電極１５を形成し、第１ＧａＡｓ層１１Ａ上に第１電極１４を形成し、プローバで針立てを行って、発光素子製造用基板１６から放射される光を検出した。図６に概略図を示す。
【００５７】
［表１］
活性層へのＳｅドーピング    第２ＧａＡｓ層の一部除去
実施例１        有り                        有り
比較例１        無し                        有り
比較例２        有り                        無し
比較例３        無し                        無し
【００５８】
実施例１及び比較例１〜比較例３の電流−発光効率（ワット／アンペア）特性の測定結果を図３に示す。比較例２（白抜き菱形印及びカーブ「Ｃ」で示す。以下の図４及び図５においても同じ）及び比較例３（白抜き四角印及びカーブ「Ｄ」で示す。以下の図４及び図５においても同じ）に比べて、実施例１（白抜き三角印及びカーブ「Ａ」で示す。以下の図４及び図５においても同じ）及び比較例１（「×」印及びカーブ「Ｂ」で示す。以下の図４及び図５においても同じ）では、発光効率が向上していることが判る。これは、第２ＧａＡｓ層の一部を除去した結果、活性層からの光が第２ＧａＡｓ層に吸収されなくなったためである。
【００５９】
次に、実施例１及び及び比較例１〜比較例３の電流―駆動電圧特性の測定結果を図４に示す。比較例２及び比較例３に比べて、実施例１及び比較例１では同一電流値での駆動電圧が上昇している。これは、第２ＧａＡｓ層の一部を除去した結果、半導体発光素子内で電流集中が生じたためと考えられる。活性層へのＳｅドーピング有り／無しの同一電流値での駆動電圧を、実施例１と比較例１とを比較すると、活性層にＳｅをドーピングした実施例１の方が、同一電流値での駆動電圧が低いことが判る。即ち、活性層への不純物のドーピングは、駆動電圧を下げる効果がある。
【００６０】
このように、第２電極１５の直下以外の第２ＧａＡｓ層１２Ａの部分を除去することで発光効率を向上させることができ、更に、活性層１３へ不純物をドーピングすることで駆動電圧の低下を図ることができる。
【００６１】
また、実施例１及び比較例１〜比較例３の電流−電力効率（ワット／ワット）の結果を図５に示す。尚、電力効率は、図３に示した発光効率（ワット／アンペア）を電圧（ボルト）で除すことで得ることができる。図５から、実施例１（カーブ「Ａ」で示す）は、比較例１〜比較例３（カーブ「Ｂ」〜「Ｄ」で示す）に比べて、電力効率が高いことが判る。
【実施例２】
【００６２】
実施例２は、本発明の画像表示装置及び電子機器に関する。実施例２の画像表示装置にあっては、画像を表示するための半導体発光素子を備えている。また、実施例２の電子機器にあっても、半導体発光素子を備えている。そして、これらの半導体発光素子は、実施例１で説明した半導体発光素子から成る。
【００６３】
実施例２の画像表示装置あるいは電子機器は、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１電極１４が第１の配線に電気的に接続され、第２電極１５が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成されている。
【００６４】
実施例２の画像表示装置は、より具体的には、発光ダイオード表示装置から構成されている。ここで、発光ダイオード表示装置における１画素（１ピクセル）は、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０の組（発光ユニット）から構成されている。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０の内の、例えば第１発光ダイオード１１０が、実施例１にて説明した半導体発光素子から構成されている。そして、複数の発光ユニットが、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されている。また、各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０の第１電極１１４、第２発光ダイオード２１０の第１電極２１４及び第３発光ダイオード３１０の第１電極３１４は、第１接続部（以下、『副共通電極４３』と呼ぶ場合がある）に接続されている。一方、第２の方向に沿って配列された各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０に設けられた取出し電極１１６は、第２の方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第１の共通電極』あるいは『第１の共通配線』４０１と呼ぶ）に接続されている。また、第２発光ダイオード２１０に設けられた取出し電極２１６は、第２の方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第２の共通電極』あるいは『第２の共通配線』４０２と呼ぶ）に接続されている。更には、第３発光ダイオード３１０に設けられた取出し電極３１６は、第２の方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第３の共通電極』あるいは『第３の共通配線』４０３と呼ぶ）に接続されている。尚、第２の方向に沿って配列された各発光ユニットにおける副共通電極４３は、第１の方向に沿って延びる第１の配線（以下、『第４の共通電極』あるいは『第４の共通配線』４０４と呼ぶ）に接続されている。
【００６５】
発光ユニットを構成する第１発光ダイオードの所望の数をＮ1、発光ユニットを構成する第２発光ダイオードの所望の数をＮ2、発光ユニットを構成する第３発光ダイオードの所望の数をＮ3としたとき、Ｎ1として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ2として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ3として１又は２以上の整数を挙げることができる。Ｎ1とＮ2とＮ3の値は、等しくともよいし、異なっていてもよい。Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3の値が２以上の整数である場合、１つの発光ユニット内において、発光ダイオードは直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せとして、限定するものではないが、（１，１，１）、（１，２，１）、（２，２，２）、（２，４，２）を例示することができる。尚、実施例２にあっては、具体的には、（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せを、（１，１，１）とした。そして、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器は、赤色を発光する所望の数の第１発光ダイオード１１０、緑色を発光する所望の数の第２発光ダイオード２１０、並びに、青色を発光する所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成された発光ユニットの複数が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されて成る。
【００６６】
１つの発光ユニットの模式的な平面図を図７に示し、図７の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図を、それぞれ、図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。尚、図７においては、１つの発光ユニットを一点鎖線で囲み、発光ダイオードを点線で示し、３本の第２の配線（第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３）の縁部にクロスハッチングを付し、第２接続部（第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４）、第３接続部４２４、第１の配線（第４の共通電極４０４）の縁部を実線で示した。
【００６７】
ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、表示装置用基板６１の上に形成されており、副共通電極４３は、表示装置用基板６１の上に固定された固定層３４に形成されている。更には、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、固定層３４に固定されており、固定層３４は、第２絶縁材料層７１によって囲まれている。ここで、第２絶縁材料層７１は、表示装置用基板６１の上に形成された第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３を覆っている。
【００６８】
実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０からの光は、第１電極側から射出される。そして、副共通電極４３は、光を透過させる構造を有する。副共通電極４３は、金属層又は合金層から成る構成とすることができる。あるいは又、副共通電極４３は、光透過電極４２、及び、光透過電極４２から延在する金属層４１から成る。そして、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、それぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された状態で、副共通電極４３上に配置されている。具体的には、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４は光透過電極４２と接している。より具体的には、光透過電極４２は、第１電極１１４，２１４，３１４の上、及び、第１電極１１４，２１４，３１４の周辺に形成されている。一方、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１と接している。具体的には、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１の上に形成されている。ここで、光透過電極４２はＩＴＯやＩＺＯといった透明導電材料から構成されている。一方、金属層４１を構成する材料を、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌといった一般的な金属配線材料とした。
【００６９】
副共通電極４３は、例えば、金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、副共通電極４３をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。あるいは又、副共通電極４３は、例えば、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、光透過電極をＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料から構成したり、光透過電極をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。尚、光を透過させる構造を有する限りにおいて、メッシュ状電極や櫛型電極それ自体は光透過性を有していなくともよい。また、金属層又は合金層を構成する材料として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ等の単体金属あるいはこれらの合金を挙げることができるし、副共通電極４３を２層以上の多層構成とすることもできる。第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は光透過電極と接しているが、具体的には、光透過電極を、第１電極上、あるいは、第１電極上及び第１電極の周辺に形成すればよい。また、第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している構成とすることが好ましいが、具体的には、金属層又は合金層上に第４コンタクトホール部を形成すればよい。
【００７０】
第１発光ダイオード１１０に設けられた取出し電極１１６は、固定層３４に形成された第１コンタクトホール部１２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ａ接続部１２４及びコンタクト部１２３）を介して、第１の共通電極４０１に接続されている。第２発光ダイオード２１０に設けられた取出し電極２１６は、固定層３４に形成された第２コンタクトホール部２２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ｂ接続部２２４及びコンタクト部２２３）を介して、第２の共通電極４０２に接続されている。第３発光ダイオード３１０に設けられた取出し電極３１６は、固定層３４に形成された第３コンタクトホール部３２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ｃ接続部３２４及びコンタクト部３２３）を介して、第３の共通電極４０３に接続されている。第１接続部（副共通電極４３）は、固定層３４に形成された第４コンタクトホール部４２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１上に亙り形成された第３接続部４２４を介して、第２絶縁材料層７１上に形成された第１の配線（第４の共通電極４０４）に接続されている。尚、実施例２にあっては、第１コンタクトホール部１２１と第２Ａ接続部１２４との間には、固定層３４に形成された第１パッド部１２２が備えられている。第２コンタクトホール部２２１と第２Ｂ接続部２２４との間には、固定層３４に形成された第２パッド部２２２が備えられている。第３コンタクトホール部３２１と第２Ｃ接続部３２４との間には、固定層３４に形成された第３パッド部３２２が備えられている。第４コンタクトホール部４２１と第３接続部４２４との間には、固定層３４に形成された第４パッド部４２２が備えられている。
【００７１】
取出し電極１１６，２１６，３１６を構成する材料として、第１の配線、第２の配線を構成する上述した各種材料を挙げることができる。取出し電極１１６，２１６，３１６の形成方法として、各種のＰＶＤ法を挙げることができる。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた取出し電極を形成することも可能である。
【００７２】
第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されており、第１パッド部１２２、第２パッド部２２２、第３パッド部３２２、第４パッド部４２２は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。また、第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４、第３接続部４２４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。
【００７３】
第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１は、リソグラフィ技術に基づく固定層３４における開口領域の形成、及び、上述した電極材料に基づく電極の形成方法と同様の方法で形成することができる。また、第１コンタクトホール部１２１から固定層３４上を延びる第１パッド部１２２の形成方法、第２コンタクトホール部２２１から固定層３４上を延びる第２パッド部２２２の形成方法、第３コンタクトホール部３２１から固定層３４上を延びる第３パッド部３２２の形成方法、第４コンタクトホール部４２１から固定層３４上を延びる第４パッド部４２２の形成方法も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。更には、第２接続部（第２Ａ接続部１２４、コンタクト部１２３、第２Ｂ接続部２２４、コンタクト部２２３、第２Ｃ接続部３２４、コンタクト部３２３）の固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙る形成、第３接続部４２４の固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙る形成も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。
【００７４】
第１化合物半導体層１１は第１電極１１４，２１４，３１４に電気的に接続されているが、具体的には、第１電極１１４，２１４，３１４は第１化合物半導体層１１上（より具体的には、第１ＧａＡｓ層１１Ａ上）に形成されている。第２電極は第２化合物半導体層１２上（より具体的には、第２ＧａＡｓ層１２Ａ上）に形成されている。また、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、第４の共通電極４０４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。固定層３４は、例えば、第１転写基板側から、絶縁材料層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁材料層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、紫外線硬化型樹脂から成る。また、第２絶縁材料層７１は、ポリイミド系樹脂から成る。第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０の固定層３４への固定方法として、予め、埋込み材料層３３の一部を硬化させておき、残部を未硬化とした状態で、未硬化の埋込み材料層３３の部分に第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込み、その後、未硬化の埋込み材料層３３の部分を硬化させる方法を例示することができる。
【００７５】
埋込み材料層３３は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって硬化や固化し得る材料、熱や圧力等を加えることによって硬化や固化し得る材料等、何らかの方法に基づき硬化や固化させ得る材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよく、具体的には、接着層（第２絶縁層）を構成する接着剤にて説明する各種材料を挙げることができる。
【００７６】
以下、図１２の（Ａ）〜（Ｃ）、図１３の（Ａ）、（Ｂ）、図１４の（Ａ）、（Ｂ）、図１５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法を説明する。尚、図１５の（Ａ）、図１６の（Ａ）、図１７の（Ａ）、図１８の（Ａ）、図１９の（Ａ）、図２０の（Ａ）、図２１の（Ａ）、図２２の（Ａ）、図２３の（Ａ）、図２４の（Ａ）は、図７の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図１５の（Ｂ）、図１６の（Ｂ）、図１７の（Ｂ）、図１８の（Ｂ）、図１９の（Ｂ）、図２０の（Ｂ）、図２１の（Ｂ）、図２２の（Ｂ）、図２３の（Ｂ）、図２４の（Ｂ）は、図７の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図１５の（Ｃ）、図１６の（Ｃ）、図１７の（Ｃ）、図１８の（Ｃ）、図１９の（Ｃ）、図２０の（Ｃ）、図２１の（Ｃ）、図２２の（Ｃ）、図２３の（Ｃ）、図２４の（Ｃ）は、図７の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【００７７】
［工程−２００］
具体的には、先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１５０］と同様の工程を実行することで、第２電極１５が形成され、相互に分離された複数の発光素子部１０Ａを得る(図１０の（Ａ）参照）。
【００７８】
その後、各発光素子部１０Ａの第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部２１Ａを有する絶縁層２１を全面に形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、全面に、感光性ポリイミド系樹脂を塗布する。その後、図示しないマスクを用いて、感光性ポリイミド系樹脂の露光を行い、更に、感光性ポリイミド系樹脂の現像、硬化を行うことで、各発光素子部１０Ａの第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部２１Ａを有する絶縁層２１を得ることができる（図１０の（Ｂ）参照）。
【００７９】
絶縁層を構成する材料として、その他、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料や、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組合せを用いることもできる。また、他の感光性の絶縁材料（例えば、ポリアミド系樹脂）を用いることもできる。尚、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯX系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。絶縁層の形成方法として、スピンコート法以外にも、各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；上述した各種印刷法；上述した各種コーティング法；浸漬法；キャスティング法；及び、スプレー法の内のいずれかを挙げることができる。
【００８０】
次に、各発光素子部１０Ａに、開口部２１Ａの底部に露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層２１上に亙りパターニングされた取出し電極２２を設ける（図１０の（Ｃ）参照）。具体的には、開口部２１Ａの底部に露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層２１上に亙り、スパッタリング法といった物理的気相成長法（ＰＶＤ法）に基づき、チタン層（下層）／銅層（上層）の積層構造から成る取出し電極層を形成した後、取出し電極層を周知の方法でパターニングすることで、取出し電極２２を得ることができる。
【００８１】
その後、全面を覆う接着層（第２絶縁層）２３を形成した後、この接着層（第２絶縁層）２３を用いて支持基板２４を接着する。具体的には、先ず、取出し電極２２の一部分が露出した接着層２３を取出し電極２２上に形成する（図１１の（Ａ）参照）。より具体的には、エポキシ系熱硬化性樹脂から成る接着層２３を、スピンコート法に基づき全面に形成し、接着層２３を乾燥させる。接着層２３の粘度等の物性の調整、スピンコート条件の最適化等によって、取出し電極２２の一部分が露出した接着層２３を取出し電極２２上に形成することができる。その後、熱プレス装置を使用し、接着層２３によって、支持基板２４を接着する（図１１の（Ｂ）参照）。
【００８２】
接着層（第２絶縁層）２３を構成する接着剤は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等のエネルギー線や、熱、圧力等を加えることによって接着機能を発揮する材料等、何らかの方法に基づき接着機能を発揮する材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。ここで、容易に形成することができ、しかも、接着機能を発揮する材料として、樹脂系の接着剤材料、特に、感光性接着剤、熱硬化性接着剤、又は、熱可塑性接着剤を挙げることができる。感光性接着剤としては従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリケイ皮酸ビニルやポリビニルアジドベンザル等の光架橋反応により露光部が難溶性となり、あるいは、アクリルアミド等の光重合反応により露光部が難溶性となるネガ型のもの、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂のようなキノンジアジド基が光分解によりカルボン酸を生じて易溶性となるポジ型のものなどを用いることができる。また、熱硬化性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド系樹脂等を用いることができる。更には、熱可塑性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド系樹脂等を用いることができる。例えば、感光性接着剤を用いる場合、感光性接着剤に光や紫外線を照射することによって、感光性接着剤に接着機能を発揮させることができる。また、熱硬化性接着剤を用いる場合、熱プレス装置等により加熱することによって、熱硬化性接着剤に接着機能を発揮させることができる。更には、熱可塑性接着剤を用いる場合、光の照射等により熱可塑性接着剤の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせた後、冷却することで、熱可塑性接着剤に接着機能を発揮させることができる。接着層や接着剤を構成する材料として、その他、例えば、感圧性接着剤（例えば、アクリル系樹脂等から成る）等や、形成しただけで接着機能を有するものを挙げることもできる。
【００８３】
（工程−２１０）
その後、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０を発光ユニット製造用基板５３に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード１１０、所望の数の第２発光ダイオード２１０及び所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成され、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットを得る。
【００８４】
［工程−２１０Ａ］
具体的には、第１の支持基板上の第１発光ダイオード１１０を固定層３４に転写し、第２の支持基板上の第２発光ダイオード２１０を固定層３４に転写し、第３の支持基板上の第３発光ダイオード３１０を固定層３４に転写する。尚、これらの転写の順序は、本質的に任意である。そのために、固定層３４が設けられた第１転写基板３１を準備しておく。固定層３４は、前述したとおり、第１転写基板側から、絶縁材料層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁材料層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、感光性樹脂から成る。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込むべき埋込み材料層３３の部分を未硬化とし、埋込み材料層３３の他の部分を硬化させておく。
【００８５】
支持基板や、各種の製造工程にて用いられる各種の基板を構成する材料として、上述した発光素子製造用基板を構成する材料の他、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。また、各種の基板の貼り合わせ方法、固定方法として、接着材料を用いる方法、金属接合法、半導体接合法、金属・半導体接合法を例示することができる。一方、各種基板を剥離する方法、基板の除去方法として、例えば、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法といった方法を挙げることができる。また、半導体発光素子あるいは発光素子部を支持基板等から分離方法として、レーザ照射法、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、ダイシング法を例示することができる。
【００８６】
［工程−２１０Ａ−（１）］
そして、先ず、前述したように、支持基板（仮固定用基板）２４に取出し電極２２が接するように支持基板２４に貼り合わせる（図１１の（Ｂ）参照）。次いで、発光素子製造用基板１６を発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から除去する。その後、露出した第１化合物半導体層１１に第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を形成する。具体的には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）（より具体的には、第１化合物半導体層１１）と発光素子製造用基板１６との界面に、発光素子製造用基板１６を介してエキシマレーザを照射する。すると、レーザ・アブレーションが生じる結果、発光素子製造用基板１６を発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から剥離することができる（図１２の（Ａ）参照）。尚、発光素子製造用基板１６を裏面からラッピングにより薄くし、更に、アンモニア水、過酸化水素水の混合溶液にてエッチングすることで、発光素子製造用基板１６を除去してもよい。そして、更に、アンモニア水、過酸化水素水の混合溶液にてエッチングすることでバッファ層１７を除去し、塩酸にてエッチングすることでエッチングストップ層１８を除去し、第１化合物半導体層１１（より具体的には、第１ＧａＡｓ層１１Ａ）を露出させる。次いで、実施例１の［工程−１６０］と実質的に同様に、リフトオフ法と真空蒸着法にて第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を第１化合物半導体層１１上（より具体的には、第１ＧａＡｓ層１１Ａ上）に形成する。こうして、図１２の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。その後、エッチングを行うことで、発光ダイオード１０を分離する。こうして、図１２の（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００８７】
［工程−２１０Ａ−（２）］
次に、所望の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を支持基板２４から中継基板２５に転写する。即ち、支持基板２４に貼り合わされた発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、中継基板２５に付着させる。具体的には、先ず、図３１の（Ａ）に模式的に図示するように、発光ダイオード１０がアレイ状（２次元マトリクス状）に残された支持基板２４上の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に、ガラス板から成る中継基板２５の表面に形成された微粘着層２６を押し当てる（図１３の（Ａ）及び図１３の（Ｂ）参照）。尚、図３１の（Ａ）、（Ｂ）及び図３２の（Ａ）、（Ｂ）において、中心に「Ｇ」が記載された丸印は、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０を示し、図３２の（Ｂ）において、中心に「Ｒ」が記載された丸印は、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０を示し、中心に「Ｂ」が記載された丸印は、青色を発光する第３発光ダイオード３１０を示す。微粘着層２６は、例えば、シリコーンゴムから成る。中継基板２５は、図示しない位置決め装置に保持されている。そして、位置決め装置の作動によって、中継基板２５と支持基板２４との位置関係を調整することができる。次いで、実装すべき発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に対して、支持基板２４の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図１４の（Ａ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、支持基板２４から剥離する。その後、中継基板２５と発光ダイオード１０との接触を解くと、支持基板２４から剥離した発光ダイオード１０は、微粘着層２６に付着した状態となる（図１４の（Ｂ）参照）。支持基板２４の状態を図３１の（Ｂ）に模式的に図示するが、第２の方向にあっては６個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、また、第１の方向にあっては３個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、微粘着層２６に付着した状態となる。
【００８８】
そして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３の上に配置（移動あるいは転写）する。具体的には、第１転写基板３１上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を中継基板２５から第１転写基板３１の埋込み材料層３３の上に配置する。発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は微粘着層２６に弱く付着しているだけなので、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３と接触させた（押し付けた）状態で中継基板２５を第１転写基板３１から離れる方向に移動させると、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、未硬化状態の埋込み材料層３３の上に残される。更には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）をローラー等で埋込み材料層３３に深く埋入することで、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を固定層３４に固定（配置）することができる。第１転写基板３１の状態を図３２の（Ａ）に模式的に図示する。
【００８９】
このような中継基板２５を用いた方式を、便宜上、ステップ転写法と呼ぶ。そして、このようなステップ転写法を所望の回数、繰り返すことで、所望の個数の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が、微粘着層２６に２次元マトリクス状に付着し、第１転写基板３１上に転写される。具体的には、実施例２にあっては、１回のステップ転写において、１２０×９０＝１０８００個の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、微粘着層２６に２次元マトリクス状に付着させ、第１転写基板３１上に転写する。これを４×３回繰り返す。更には、発光ダイオード１１０、発光ダイオード２１０、発光ダイオード３１０のそれぞれについて、第１転写基板３１上への転写を行うので、合計４×３×３回＝３６回の転写を行う。こうして、所定の数の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで第１転写基板３１に実装することができる。第１転写基板３１の状態を図３２の（Ｂ）に模式的に図示する。図３２の（Ｂ）において、発光ユニットを一点鎖線で囲って示した。また、最終的には、発光ユニットを表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得るが、このときには、４８０×２７０＝１２９６００個の発光ユニットを一度に表示装置用基板６１に転写するとすれば、１６回の転写を行うことで、１９２０×１０８０の発光ユニットから構成された発光ダイオード表示装置を得ることができる。
【００９０】
その後、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が配置された状態の、感光性樹脂から成る未硬化状態の埋込み材料層３３に紫外線を照射することで、埋込み材料層３３を構成する感光性樹脂を硬化させる。こうして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が埋込み材料層３３に固定された状態となる（図１５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。この状態にあっては、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）の第１電極１４（１１４，２１４，３１４）は露出した状態にある。
【００９１】
［工程−２１０Ｂ］
次に、発光ユニットを形成すべき所望の数（実施例２にあっては、Ｎ1＝１）の第１発光ダイオード１１０、所望の数（実施例２にあっては、Ｎ2＝１）の第２発光ダイオード２１０及び所望の数（実施例２にあっては、Ｎ3＝１）の第３発光ダイオード３１０から成る発光ダイオード群１１０，２１０，３１０におけるそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４上から固定層３４上に亙り、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、副共通電極４３を形成する。
【００９２】
具体的には、先ず、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、第１電極１１４，２１４，３１４から離れた位置に位置する固定層３４の部分の上に、金属層４１を形成する（図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００９３】
次いで、金属層４１上から第１電極１１４，２１４，３１４上に亙り、固定層３４の上に、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、光透過電極４２を形成する（図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００９４】
［工程−２１０Ｃ］
その後、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板３１を除去する。具体的には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂といったレーザ・アブレーション性を有する樹脂層から成るレーザ剥離層５２、及び、エポキシ系樹脂等から成り、接着層としても機能する第３絶縁層５１が形成された発光ユニット製造用基板５３を準備し、固定層３４及び副共通電極４３を、第３絶縁層５１に貼り合わせて仮固定する（図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。その後、第１転写基板３１の側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、第１転写基板３１は絶縁材料層３２から剥離する（図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００９５】
［工程−２１０Ｄ］
次に、第１発光ダイオード１１０の取出し電極１１６に接続された第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、この第１コンタクトホール部１２１から固定層３４上を延びる第１パッド部１２２を形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の取出し電極２１６に接続された第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、この第２コンタクトホール部２２１から固定層３４上を延びる第２パッド部２２２を形成する。更には、第３発光ダイオード３１０の取出し電極３１６に接続された第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、この第３コンタクトホール部３２１から固定層３４上を延びる第３パッド部３２２を形成する。併せて、副共通電極４３に接続された第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、この第４コンタクトホール部４２１から固定層３４上を延びる第４パッド部４２２を形成する。こうして、発光ユニットを得ることができる。具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、取出し電極１１６，２１６，３１６並びに金属層４１の上方の絶縁材料層３２に開口領域５０１，５０２，５０３，５０４を設ける。そして、係る開口領域５０１，５０２，５０３，５０４内を含む絶縁材料層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第１パッド部１２２、第２コンタクトホール部２２１、第２パッド部２２２、第３コンタクトホール部３２１、第３パッド部３２２、第４コンタクトホール部４２１、第４パッド部４２２を得ることができる（図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照、並びに、図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００９６】
［工程−２１０Ｅ］
次いで、発光ダイオード群１１０，２１０，３１０から構成された発光ユニットを、固定層３４においてレーザ照射法に基づき分離する。尚、図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）において、レーザを照射する部分を、白抜きの矢印で示す。
【００９７】
実施例２にあっては、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０の配置ピッチは、第１の支持基板における第１発光ダイオード１１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第２発光ダイオード２１０の配置ピッチは、第２の支持基板における第２発光ダイオード２１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第３発光ダイオード３１０の配置ピッチは、第３の支持基板における第３発光ダイオード３１０の製造ピッチの整数倍である。具体的には、第２の方向に沿った発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、支持基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの６倍とし、第１の方向に沿った発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、支持基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの３倍とした。
【００９８】
（工程−２２０）
具体的には、先ず、発光ユニットを発光ユニット製造用基板５３から表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置あるいは電子機器を得る。
【００９９】
具体的には、第２絶縁材料層７１、並びに、第２の方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、第２絶縁材料層７１によって覆われている。表示装置用基板６１は第４絶縁層６２で覆われており、第４絶縁層６２上に第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成されている。また、第４絶縁層６２、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、接着層としても機能する第５絶縁層６３で覆われている。更には、第２絶縁材料層７１は、より具体的には、第５絶縁層６３の上に形成されている。発光ユニットを固定すべき表示装置用基板６１の部分には、第２絶縁材料層７１は形成されていない。また、発光ユニットを固定すべき第５絶縁層６３の部分は未硬化状態であり、第５絶縁層６３のその他の部分は硬化状態にある。このような構成、構造を有する表示装置用基板６１は、周知の方法で作製することができる。
【０１００】
［工程−２２０Ａ］
具体的には、先ず、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。より具体的には、［工程−２１０Ａ−（２）］と実質的に同じ工程を実行すればよい。即ち、発光ユニット製造用基板５３の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、発光ユニット製造用基板５３がレーザ剥離層５２から剥離する。
【０１０１】
［工程−２２０Ｂ］
次いで、第２絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する。具体的には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を、第２絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第５絶縁層６３の上に配置（移動あるいは転写）する（図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。より具体的には、第２転写基板上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第２転写基板３１から第２絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第５絶縁層６３の上に配置する。発光ユニット及びその周囲の固定層３４は、第２転写基板に設けられた微粘着層（図示せず）に弱く付着しているだけなので、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第５絶縁層６３と接触させた（押し付けた）状態で第２転写基板を表示装置用基板６１から離れる方向に移動させると、発光ユニット及びその周囲の固定層３４は第５絶縁層６３の上に残される。更には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４をローラー等で第５絶縁層６３に深く埋入することで、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第５絶縁層６３に固定（配置）することができる。全ての発光ユニットの配置が完了した後、第５絶縁層６３を硬化させる。
【０１０２】
［工程−２２０Ｃ］
その後、絶縁性樹脂から成る平坦化層７２をスピンコーティング法にて全面に形成することで、平滑化された平坦化層７２を得る。こうして、図２３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【０１０３】
［工程−２２０Ｄ］
次いで、第１パッド部１２２と第１の共通電極４０１とを電気的に接続する第２Ａ接続部１２４及びコンタクト部１２３を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第２パッド部２２２と第２の共通電極４０２とを電気的に接続する第２Ｂ接続部２２４及びコンタクト部２２３を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第３パッド部３２２と第３の共通電極４０３とを電気的に接続する第２Ｃ接続部３２４及びコンタクト部３２３を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第４の共通電極４０４を第２絶縁材料層７１上に形成し、更には、第４パッド部４２２と第４の共通電極４０４とを電気的に接続する第３接続部４２４を、固定層３４から第２絶縁材料層７１上に亙り形成する（図２４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【０１０４】
具体的には、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び第５絶縁層６３に開口領域（図２４に図示した例では、開口領域５１２）を形成し、次いで、スパッタリング法、リソグラフィ技術及びエッチング法に基づき、第２Ａ接続部１２４、コンタクト部１２３、第２Ｂ接続部２２４、コンタクト部２２３、第２Ｃ接続部３２４、コンタクト部３２３、第３接続部４２４を形成する。こうして、図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示した構造を得ることができる。
【０１０５】
実施例２、あるいは、後述する実施例３にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットの複数を表示装置用基板６１に転写するので、更には、第２電極が上を向いた状態で表示装置用基板６１に固定されるので、その後の第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第２電極の共通電極（共通配線）４０１，４０２，４０３への引き回し、第１電極１１４，２１４，３１４の第１の配線（第４の共通電極４０４）への引き回しが容易となる。その結果、微細加工プロセスの低減を図ることができ、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造プロセスの簡素化を図ることができる。また、１画素中を占める発光ダイオード１１０，２１０，３１０の面積の割合が小さいので、また、発光ダイオード１１０，２１０，３１０が近接して配置されているので、所謂色割れが生じ難くなる。
【実施例３】
【０１０６】
実施例３は、実施例２の変形である。図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に模式的な一部断面図を示す実施例３の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の構成、構造は、第１パッド部、第２パッド部、第３パッド部及び第４パッド部が形成されていない点を除き、実質的に、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の構成、構造と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図７の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【０１０７】
以下、図２７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例３の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法を説明する。尚、図２７の（Ａ）、図２８の（Ａ）、図２９の（Ａ）は、図７の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２７の（Ｂ）、図２８の（Ｂ）、図２９の（Ｂ）は、図７の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２７の（Ｃ）、図２８の（Ｃ）、図２９の（Ｃ）は、図７の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【０１０８】
［工程−３００］
先ず、実施例２の［工程−２００］と同様の方法で、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。次いで、実施例２の［工程−２１０Ａ］、［工程−２１０Ｂ］を実行し、更に、実施例２の［工程−２１０Ｃ］である、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板３１を除去する。その後、実施例２の［工程−２１０Ｅ］と同様の工程を実行することで、発光ユニットを固定層３４において分離する。
【０１０９】
（工程−３１０）
一方、実施例２と同様に、第２絶縁材料層７１、並びに、第２絶縁材料層７１によって覆われた、第１の方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。
【０１１０】
［工程−３１０Ａ］
そして、実施例２の［工程−２２０Ａ］と同様にして、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。
【０１１１】
［工程−３１０Ｂ］
次いで、実施例２の［工程−２２０Ｂ］及び［工程−２２０Ｃ］と同様にして、第２絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する（図２７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【０１１２】
［工程−３１０Ｃ］
その後、第１発光ダイオード１１０の取出し電極１１６と第１の共通電極４０１とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、且つ、第１接続部１２４及びコンタクト部１２３を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の取出し電極２１６と第２の共通電極４０２とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、且つ、第２接続部２２４及びコンタクト部２２３を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第３発光ダイオード３１０の取出し電極３１６と第３の共通電極４０３とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、且つ、第３接続部３２４及びコンタクト部３２３を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第４の共通電極４０４を第２絶縁材料層７１上に形成し、副共通電極４３と第４の共通電極４０４とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、且つ、第４接続部４２４を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。
【０１１３】
具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、取出し電極１１６，２１６，３１６並びに金属層４１の上方の平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び絶縁材料層３２に開口領域５２１，５２２，５２３，５２４を設ける。併せて、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、及び、第４の共通電極４０４の上方の平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び絶縁材料層３２に開口領域を設ける（図２９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。尚、図２９の（Ａ）には、開口領域５２６のみを図示した。そして、係る開口領域５２１，５２２，５２３，５２４，５２６内を含む絶縁材料層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１、第２Ａ接続部１２４、コンタクト部１２３、第２Ｂ接続部２２４、コンタクト部２２３、第２Ｃ接続部３２４、コンタクト部３２３、第３接続部４２４を得ることができる（図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【０１１４】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した半導体発光素子（発光ダイオード）、並びに、係る発光ダイオードが組み込まれた発光ダイオード表示装置、電子機器の構成、構造は例示であるし、これらを構成する部材、材料等も例示であり、適宜、変更することができる。実施例において挙げた数値、材料、構成、構造、形状、各種基板、原料、プロセス等はあくまでも例示に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構成、構造、形状、基板、原料、プロセス等を用いることができる。
【０１１５】
実施例においては、副共通電極４３を金属層４１及び光透過電極４２から構成したが、代替的に、発光ダイオードからの光の出射を妨げない限り、金属層や合金層のみで構成してもよい。また、場合によっては、第１電極１１４，２１４，３１４を、例えば、実施例２の［工程−２１０Ａ−（２）］の後に、あるいは又、［工程−２１０Ｂ］において、形成してもよい。
【０１１６】
発光ユニットを構成する発光ダイオードとして、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードに、更に、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を加えてもよい。このような例として、例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた発光ユニットを挙げることができる。そして、これらの場合、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を構成する第１電極を副共通電極に接続すればよい。
【０１１７】
画像表示装置（発光ダイオード表示装置）は、テレビジョン受像機やコンピュータ端末に代表されるカラー表示の平面型・直視型の画像表示装置だけでなく、人の網膜に画像を投影する形式の画像表示装置、プロジェクション型の画像表示装置とすることもできる。尚、これらの画像表示装置においては、限定するものではないが、例えば、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの発光／非発光状態を時分割制御することで画像を表示する、フィールドシーケンシャル方式の駆動方式を採用すればよい。
【０１１８】
実施例２の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図を図３０に示す。この変形例においては、第１コンタクトホール部１２１（図３０では点線で示す）を塞いでいる第１パッド部１２２（図３０では細い実線で示す）の中心は、第１コンタクトホール部１２１の中心と一致しておらず、第１パッド部１２２の中心は、第１の共通配線４０１側にずれている。また、第２コンタクトホール部２２１（図３０では点線で示す）を塞いでいる第２パッド部２２２（図３０では細い実線で示す）の中心は、第２コンタクトホール部２２１の中心と一致しておらず、第２パッド部２２２の中心は、第２の共通配線４０２側にずれている。更には、第３コンタクトホール部３２１（図３０では点線で示す）を塞いでいる第３パッド部３２２（図３０では細い実線で示す）の中心は、第３コンタクトホール部３２１の中心と一致しておらず、第３パッド部３２２の中心は、第３の共通配線４０３側にずれている。このような構成を採用すれば、たとえ、第１接続部１２４、第２接続部２２４及び第３接続部３２４の形成時、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に距離的なゆとりを得ることができ、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に短絡が生じることを確実に防止することができる。
【０１１９】
電子機器の構造に依っては、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線に、実施例２において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用してもよいし、あるいは又、第１の配線に、実施例２において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用し、第２の配線を、共通の配線（コモン電極）から成る構成してもよいし、あるいは又、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から構成してもよい。尚、共通の配線は、電子機器の構造に依存して、１枚のシート状であってもよいし、複数のシート状あるいは帯状であってもよい。半導体発光素子（発光ダイオード）を交流駆動する場合には、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）、及び、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）が混在してもよい。尚、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）にあっては、第１の配線と接触している第２接続部を「第１接続部」と読み替え、第２の配線と接触している第１接続部を「第２接続部」と読み替えればよい。
【符号の説明】
【０１２０】
１０・・・半導体発光素子（発光ダイオード）、１０Ａ・・・発光素子部、１０Ｂ・・・積層構造体、１１・・・第１化合物半導体層、１１Ａ・・・第１ＧａＡｓ層（第１コンタクト層）、１１Ｂ・・・第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第１クラッド層）、１２・・・第２化合物半導体層、１２Ａ・・・第２ＧａＡｓ層（第２コンタクト層）、１２Ｂ・・・第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層（第２クラッド層）、１３・・・活性層、１４・・・第１電極、１５・・・第２電極、１６・・・発光素子製造用基板（基板）、１７・・・バッファ層、１８・・・エッチングストップ層、２１・・・絶縁層、２１Ａ・・・開口部、２２，１１６，２１６，３１６・・・取出し電極、２３・・・第２絶縁層（接着層）、２４・・・支持基板（仮固定用基板）、２５・・・中継基板、２６・・・微粘着層、３１・・・第１転写基板、３２・・・絶縁材料層、３３・・・埋込み材料層、３４・・・固定層、４１・・・金属層、４２・・・光透過電極、４３・・・副共通電極、５１・・・第３絶縁層、５２・・・レーザ剥離層、５３・・・発光ユニット製造用基板、５０１，５０２，５０３，５０４，５１２、５２１，５２２，５２３，５２４，５２６・・・開口領域、６１・・・表示装置用基板、６２・・・第４絶縁層、６３・・・第５絶縁層、７１，１７１・・・第２絶縁材料層、７２・・・平坦化層、１１０・・・第１発光ダイオード、２１０・・・第２発光ダイオード、３１０・・・第３発光ダイオード、１２１・・・第１コンタクトホール部、２２１・・・第２コンタクトホール部、３２１・・・第３コンタクトホール部、４２１・・・第４コンタクトホール部、１２２・・・第１パッド部、２２２・・・第２パッド部、３２２・・・第３パッド部、４２２・・・第４パッド部、１２３，２２３，３２３・・・コンタクト部、１２４・・・第２接続部（第２Ａ接続部）、２２４・・・第２接続部（第２Ｂ接続部）、３２４・・・第２接続部（第２Ｃ接続部）、４２４・・・第３接続部、４０１・・・第２の配線（第１の共通電極，第１の共通配線）、４０２・・・第２の配線（第２の共通電極，第２の共通配線）、４０３・・・第２の配線（第３の共通電極，第３の共通配線）、４０４・・・第１の配線（第４の共通電極，第４の共通配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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