(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状ガラスがその表面および裏面の両面側からエッチング処理されることによって切断されることにより所定の平面形状に形成され、表面と、裏面と、前記板状ガラスがエッチング処理されたことにより形成された端面とを有する携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板であって、
前記表面及び前記裏面のそれぞれには、前記表面及び前記裏面における面方向の中心部と、前記表面及び前記裏面における面方向の端部とで、層の厚みが互いに等しくなるようにイオン交換法による圧縮応力層が形成され、
前記端面のガラス基板の厚さ方向中心側の領域が、化学的研磨処理により形成された平坦面を成す領域であり、
前記端面が、前記化学的研磨処理により形成された平坦面を成す領域と、前記端面のガラス基板の厚さ方向の表面側及び裏面側にそれぞれ設けられ、表面粗さＲａが１０ｎｍ以下の曲面を成す領域と、からなる
ことを特徴とする携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板。
【請求項２】
表面又は裏面と、端面と、当該端面と交叉する他の端面との３面間の境界部分として形成される３面角部分が、等方的エッチングにより形成されて丸みを帯びている
ことを特徴とする請求項１に記載の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板において、
前記端面が鏡面であることを特徴とする携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板において、
前記表面および前記裏面から選択される少なくとも一方の面に、一層以上の加飾層が設けられていることを特徴とする携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板において、
ディスプレイパネル保護用カバーガラス、および、タッチパネルから選択される少なく
とも一方の態様で利用されることを特徴とする携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板。
【請求項６】
方形の画像表示エリアを有する画像表示パネルと、
該画像表示パネルの画像表示面側に設けられ、かつ、上記画像表示エリアの平面方向の
輪郭形状に略一致する平面形状を有する、請求項１〜５のいずれか１つに記載の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板から構成される携帯型電子機器用カバーガラスと、
を少なくとも備えることを特徴とする携帯型電子機器用画像表示装置。
【請求項７】
画像表示パネルと、
該画像表示パネルの画像表示面側に設けられた、請求項１〜６のいずれか１つに記載の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板から構成される携帯型電子機器用カバーガラスと、
を少なくとも備えることを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項８】
請求項７に記載の携帯型電子機器において、  
携帯電話であることを特徴とする携帯型電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板、携帯型電子機器用画像表示装置、携帯型電子機器、および携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法に関するものである。 
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などのように、液晶パネル、有機ＥＬパネル等の画像表示パネルを備えた携帯型電子機器では、画像表示パネルを保護するために、カバーガラスが設けられる。このような携帯型電子機器用カバーガラスは、たとえば、次のように作製される。まず、板状ガラスを所定形状に切断して、小片化された板状ガラスを作製する。そして、次に、この、小片化された板状ガラスを溶融塩に浸漬して化学強化する。その後、化学強化された板状ガラスの表面に、必要に応じて、反射防止膜等の各種の機能膜を成膜する（特許文献１）。すなわち、特許文献１に記載の技術では、切断工程を経た後に化学強化工程を実施する。また、特許文献１に記載の技術と同様の順で、切断工程と化学強化工程とを実施する場合において、切断工程をエッチングにより実施する技術も提案されている（特許文献２）。
【０００３】
特許文献２に記載の技術では、板状ガラスの切断は、ウエットエッチング（ケミカルエ
ッチング）により行われているが、ドライエッチングによる切断も知られている（特許文献３）。また、特許文献３に記載の技術では、板状ガラスに対して各種機能膜を成膜後に、エッチングで切断することも提案されている。しかしながら、板状ガラスの切断方法としては、通常、エッチングよりもスクライブ切断が広く利用されている。一方、スクライブ切断を、風冷強化ガラスや、化学強化ガラスに対して行おうとした場合、風冷強化ガラスでは粉々に粉砕してしまい、化学強化ガラスでは、スクライブ線に沿って分割できなかったり、あるいは、スクライブ切断により得られたガラス基板が想定荷重よりも小さな荷重で破壊することが指摘されている（特許文献４）。このため、特許文献４に記載の技術では、化学強化ガラスをスクライブ線に沿って的確に切断するために、圧縮応力層の厚みを１０μｍ〜３０μｍの範囲内とし、かつ、圧縮応力の値を３０ｋｇｆ／ｍｍ２〜６０ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲内とした化学強化ガラスを用いることが提案されている。
【０００４】
これらの他に、この発明に関連する先行技術として、例えば特許文献５に示すように、大判の化学強化ガラスをレーザ切断やスクライブ割断等の物理的加工により切断する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−９９５５７号公報（段落番号００４２、００４３、００５６、００５７等）
【特許文献２】ＷＯ２００９／０７８４０６（請求の範囲等）
【特許文献３】特開昭６３−２４８７３０号公報（特許請求の範囲、３項右下欄等）
【特許文献４】特開２００４−８３３７８号公報（請求項１、段落番号０００７、実施例等）
【特許文献５】特開２００８−２４７７３２号公報（請求の範囲等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２等に例示されるように、化学強化され、必要に応じて機能膜が表面に形成された方形かつ板状のガラス製品（ガラス基板）を製造する場合、スクライブ加工やエッチング処理により切断した後に、イオン交換処理が行われている。それゆえ、ガラス基板は、その表面側、裏面側および端面側からイオン交換されたものとなる。すなわち、ガラス基板の角部分には、三方向側（表面側または裏面側、および、２つの端面側）からイオン交換により圧縮応力層が形成されることになる。それゆえ、ガラス基板の角部分に形成される圧縮応力層の厚みは、角部分以外に形成される圧縮応力層の厚みと比べて、厚みが大幅に増大するため、歪応力が集中しやすい。このため、角部分の耐衝撃性に劣る。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、角部分の耐衝撃性に優れた携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板、これを用いた携帯型電子機器用画像表示装置および携帯型電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、
第一の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板は、表面と裏面と端面とを有し、前記端面の少なくとも一部の領域が、エッチング処理によって形成された携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板であって、前記表面及び前記裏面のそれぞれには、前記表面及び前記裏面における面方向の中心部と、前記表面及び前記裏面における面方向の端部とで、層の厚みが互いに等しくなるようにイオン交換法による圧縮応力層が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
第一の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の一実施態様は、端面のガラス基板の厚さ方向中心側の領域が、研磨処理により形成された平坦面を成す領域であることが好ましい。
【００１０】
第一の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の他の実施態様は、前記端面が、前記研磨処理により形成された平坦面を成す領域と、表面粗さＲａが１０ｎｍ以下の曲面を成す領域と、からなることが好ましい。
【００１１】
第一の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の他の実施態様は、前記端面が鏡面であることが好ましい。
【００１２】
第一の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の他の実施態様は、表面および裏面から選択される少なくとも一方の面に、一層以上の加飾層が設けられていることが好ましい。
【００１３】
第一の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の他の実施態様は、ディスプレイパネル保護用カバーガラス、および、タッチパネルから選択される少なくとも一方の態様で利用されることが好ましい。
【００１４】
第二の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板は、イオン交換法により形成された圧縮応力層が、表面側と裏面側とのみに設けられ、端面が、凸を成す曲面であり、端面の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
第三の本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板は、イオン交換法により形成された圧縮応力層が、表面側と裏面側とのみに設けられ、端面の少なくとも一部の領域が、研磨処理により形成された平坦面を成す領域であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の携帯型電子機器用画像表示装置は、方形の画像表示エリアを有する画像表示パネルと、該画像表示パネルの画像表示面側に設けられ、かつ、画像表示エリアの平面方向の輪郭形状に略一致する平面形状を有する、第一、第二または第三のいずれかの本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板から構成される携帯型電子機器用カバーガラスと、を少なくとも備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明の携帯型電子機器は、画像表示パネルと、該画像表示パネルの画像表示面側に設けられた、第一、第二または第三のいずれかの本発明の携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板から構成される携帯型電子機器用カバーガラスと、を少なくとも備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の携帯型電子機器の一実施態様は、携帯電話であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、角部分の耐衝撃性に優れた携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板、これを用いた携帯型電子機器用画像表示装置および携帯型電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態のガラス基板の一例を示す模式断面図である。
【図２】第一の比較例であり、所定形状に切断加工された板状ガラスの全面をイオン交換処理して作製されたガラス基板の一例を示す模式断面図である。
【図３】第二の比較例であり、所定形状に切断加工された板状ガラスの全面をイオン交換処理して作製されたガラス基板の他の例を示す模式断面図である。
【図４】本実施形態のガラス基板の他の第一例を示す模式断面図である。
【図５】本実施形態のガラス基板の他の第二例を示す模式断面図である。
【図６】本実施形態のガラス基板を用いたタッチパネルの一例を示す模式断面図である。
【図７】本実施形態の画像表示装置の一例を示す模式断面図である。
【図８】本実施形態の携帯型電子機器の一例を示す側面図である。
【図９】本実施形態のガラス基板製造方法の一例を説明する模式断面図で、図９（Ａ）は、切断工程実施前の状態を示す図であり、図９（Ｂ）は、切断工程実施中の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下の説明では、携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板を適宜、単に「ガラス基板」と略記する。携帯型電子機器用画像表示装置を適宜、単に「画像表示装置」と略記する。携帯型電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法を適宜、単に「ガラス基板の製造方法」と略記する。
（ガラス基板、画像表示装置および携帯型電子機器）
本実施形態のガラス基板は、イオン交換法により形成された圧縮応力層が、表面側と裏面側とのみに設けられ、端面が、凸を成す曲面であり、端面の表面粗さＲａが例えば１０ｎｍ以下である。
【００２６】
図１は、本実施形態のガラス基板の一例を示す模式断面図であり、具体的には端面近傍の断面について示したものである。図１に示すガラス基板１０Ａ（他の例と合わせ、総称するときは符号「１０」で示す）は、表面２０Ｕ側および裏面２０Ｂ側に、一定の厚みを有するイオン交換法により形成された圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂが設けられている。これらの圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂは、表面３０Ｕ側および裏面３０Ｂ側を溶融塩に接触させてイオン交換処理を行うことで形成されるものである。
【００２７】
一方、端面４０Ａ（４０）は、凸を成す曲面から成り、その表面粗さＲａは例えば１０ｎｍ以下である。ここで、「端面が、凸を成す曲面」であるとは、より具体的には、端面が、ガラス基板の平面方向の最も外方側に位置する頂部と、この頂部から、表面側および裏面側から選択される少なくとも一方の主表面側へと伸びるように形成される傾斜面とを有し、かつ、この傾斜面がガラス基板の内側へと凹む曲面（凹曲面）から構成されることを意味する。また、この曲面とは、ガラス基板１０Ａの作製に際して、表面側および／または裏面側からウエットエッチングを利用した等方的エッチングにより形成されたエッチング面であれば、その曲率は特に限定されない。
【００２８】
ここで、図１に示す例では、端面４０Ａは、ガラス基板１０Ａの厚み方向の中央部近傍が、ガラス基板１０Ａの平面方向の最も外側に位置するように突出した頂部４２を形成している。そして、その頂部４２から、表面２０Ｕ側および裏面２０Ｂ側に向かって、穏やかに湾曲した傾斜面４４Ｕ、４４Ｂが形成されている。この傾斜面４４Ｕ、４４Ｂは、ガラス基板１０Ａの内側へと凹みを成す凹面である。すなわち、傾斜面４４Ｕは、図１に示す頂部４２と、表面２０Ｕの端部とを結ぶ直線（図中、一点鎖線で示される直線Ｌ１）に対して凹みを成すように形成され、傾斜面４４Ｂは、図１に示す頂部４２と、裏面２０Ｂの端部とを結ぶ直線（図中、一点鎖線で示される直線Ｌ２）に対して凹みを成すように形成されている。このような曲面形状を有する端面４０Ａは、表面２０Ｕ側および裏面２０Ｂ側に圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂを形成した後に、表面２０Ｕ側および裏面２０Ｂ側から、等方的エッチングであるウエットエッチングを行うことで形成される。すなわち、端面４０Ａは、その全面がウエットエッチングにより形成された面である。なお、端面４０Ａの形状は、ウエットエッチングにより形成された曲面を有し、表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であれば、その形状は図１に示す例に限定されない。たとえば、ウエットエッチングが、表面２０Ｕ側のみから実施された場合、端面４０Ａには、傾斜面４４Ｕと、裏面２０Ｂ側に位置する頂部４２とから構成される。
【００２９】
また、端面４０Ａには、表面２０Ｕ側、裏面２０Ｂ側に、圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂが存在する以外は、イオン交換処理により形成された圧縮応力層が存在しない。それゆえ、表面２０Ｕと端面４０Ａとの境界部分である角部分５０Ｕ、および、裏面２０Ｂと端面４０Ａとの境界部分である角部分５０Ｂにおける圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂの厚み（即ち、表面２０Ｕにおける面方向の端部の厚み）は、ガラス基板１０Ａの中央部近傍における圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂの厚みと実質的に同一である。このため、角部分５０Ｕおよび角部分５０Ｂに歪応力が集中することがない。なお、図１に示す角部分５０Ｕ、５０Ｂは、主表面２０（２０Ｕ、２０Ｂ）と、端面４０Ａとの境界部分、すなわち２面間の境界部分である。しかしながら、圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂの厚みは、主表面２０と、端面４０Ａと、端面４０Ａと交叉する他の端面（図中、不図示。）との境界部分、すなわち、３面間の境界部分として形成される角部分においても、ガラス基板１０Ａの中央部近傍における圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂの厚みと実質的に同一である。それゆえ、２面間の境界部分として形成される角部分（以下、「２面角部分」と称す場合がある。）と同様に、３面間の境界部分として形成される角部分（以下、「３面角部分」と称す場合がある。）においても歪応力が集中することが無い。よって、いずれの角部分においても歪応力の集中に起因する耐衝撃性の劣化が生じない。なお、３面角部とは、六方体で言えば、８つの頂角部分に相当する。
【００３０】
一方、図１に示すガラス基板１０Ａと同様の断面形状を有する板状ガラス（イオン交換処理前のガラス）、または、スクライブ切断により小片化された板状ガラス（イオン交換処理前のガラス）に対して、イオン交換処理を行うことで、図１に示すガラス基板１０Ａと、類似した構造を有するガラス基板を得ることもできる。図２および図３は、所定形状に切断加工された板状ガラスの全面をイオン交換処理して作製されたガラス基板の一例であり、第一および第二の比較例を示す模式断面図である。ここで、図２に示すガラス基板は、図１に示すガラス基板１０Ａと同様のウエットエッチングを利用して切断された板状ガラスを用いて作製されたものであり、図３に示すガラス基板は、スクライブ切断により得られた板状ガラスを用いて作製されたものである。ここで、図２および図３中、図１に示すものと同一の形状を有するものには同じ符号が付してある。
【００３１】
図２に示すガラス基板２００では、主表面２０（表面２０Ｕ、裏面２０Ｓ）側から端面４０Ａ側へと連続する圧縮応力層３２が形成されており、図３に示すガラス基板２１０では、主表面２０（表面２０Ｕ、裏面２０Ｓ）側から端面４６側へと連続する圧縮応力層３４が形成されている。なお、図３に示す端面４６は、スクライブ切断により形成された平坦面である。そして、ガラス基板２００を作製する場合、角部分５０Ｕ、５０Ｂ近傍部分におけるイオン交換は、主表面２０および端面４０Ａの２面を介して行われることになる。この点は、ガラス基板２１０を作製する場合において、表面２０Ｕと端面４６との境界部分である角部分５２Ｕ、裏面２０Ｂと端面４６との境界部分である角部分５２Ｂの各近傍部分におけるイオン交換でも同様である。このため、角部分５０Ｕ、５０Ｂの各近傍部分の圧縮応力層３２の厚み、および、角部分５２Ｕ、５２Ｂの各近傍部分の圧縮応力層３４の厚みは、その他の部分と比べて厚くなり、歪応力が集中しやすくなる。そして、このような圧縮応力層の厚みの増大と歪応力の集中は、３面からイオン交換される３面角部分においてより顕著となる。すなわち、角部分、特に３面角部分における耐衝撃性という点では、図２、図３に示すガラス基板２００、２１０よりも図１に示す本実施形態のガラス基板１０Ａの方が非常に優れている。
【００３２】
一方、ガラスの表面に微小なクラック（マイクロクラック）が存在する場合、このマイクロクラックを起点として応力の集中が生じ易く、このような応力集中によりガラスが破壊されやすくなる。ここで、ウエットエッチングにより形成された切断面は、化学反応を利用したウエットエッチングによって、上述したようなマイクロクラックが除去されるため、マイクロクラックを起点とする応力集中も生じにくい。しかしながら、スクライブ切断などの機械加工により形成された切断面は、物理的な外力を加えることで形成される。このため、切断面にマイクロクラックが発生することは避けがたい。以上に説明した事情を考慮すれば、図３に示すガラス基板２１０と比較して、図１に示す本実施形態のガラス基板１０Ａの方が、端面における耐衝撃性がより優れるものと考えられる。
【００３３】
ここで、ガラス基板２００の端面４０Ａは、機械的強度及び外観の観点から、鏡面であることが好ましい。この鏡面とは、無数の微細凹凸を有する梨地面に対して、鏡のように物が映るほどよく仕上げられた面のことである。例えば、ある面上で互いに直交する２方向における表面粗さ（算術平均粗さRa）が０．１μｍ以下である場合に、その面が鏡面であると定義してもよい。
【００３４】
なお、端面４０Ａの表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は、１０ｎｍ以下であればよいが、５ｎｍ以下であることが好ましい。また、表面粗さＲａの下限は特に限定されるものではないが、実用上は０．１ｎｍ以上である。１０ｎｍ以下の表面粗さＲａは、端面４０Ａを形成する際のウエットエッチングによって容易に実現できる。なお、表面粗さＲａは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定することができる。
【００３５】
また、圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂの厚みは、ガラス基板の用途に応じて適宜選択されるが、主表面２０の耐傷性や、ガラス基板１０Ａの耐衝撃性を確保する観点からは、１０μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがより好ましく、４０μｍ以上であることがさらに好ましい。一方、圧縮応力層３０Ｕ、３０Ｂの厚みの上限は特に限定されるものではないが、イオン交換処理に要する時間の増大や、ウエットエッチングによる切断時の表面２０Ｕ側および裏面２０Ｂ側の応力バランスの悪化によるガラス基板１０Ａ製造中の自発的粉砕（自爆）を防ぐなどの実用上の観点から、１００μｍ以下とすることが好ましく、７０μｍ以下とすることがより好ましい。また、圧縮応力層３０Ｕの厚みと、圧縮応力層３０Ｂの厚みとは、異なっていてもよい。しかし、この場合、ガラス基板１０Ａの表裏面での応力バランスが崩れて、ガラス基板１０Ａが反りやすくなる。それゆえ、通常は、圧縮応力層３０Ｕの厚みと、圧縮応力層３０Ｂの厚みとは、略同一であることが好ましい。
【００３６】
ガラス基板１０Ａの板厚としては特に限定されないが、ガラス基板１０Ａを利用する各種機器の重量増大の抑制や、機器の薄型化の観点から、通常は、１ｍｍ以下であることが好ましく、０．７ｍｍ以下であることがより好ましい。なお、板厚の下限値は、ガラス基板１０Ａの機械的強度を確保する観点から、０．２ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００３７】
なお、本実施形態のガラス基板１０は、図１に示すように、ガラス基板１０Ａの本体のみから構成されていてもよいが、ガラス基板１０の利用用途に応じて、表面２０Ｕおよび裏面２０Ｂから選択される少なくとも一方の面に、一層以上の加飾層を設けたガラス基板（膜付きガラス基板）としてもよい。図４は、本実施形態のガラス基板の他の第一例を示す模式断面図であり、具体的には、図１に示すガラス基板１０Ａの表面２０Ｕ側に加飾層が設けられた構成について示したものである。図４に示すガラス基板１０Ｂは、ガラス基板１０Ａの本体の表面２０Ｕに１層の加飾層６０が設けられている。加飾層６０としては、（１）ＡＲコート（アンチリフレクションコート）、アンチグレアコート、ハーフミラーコート、偏光膜などの光学的機能を有する層、（２）ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜に代表される透明電極膜などの電気的機能を有する層、（３）印刷層などの審美性を向上させる機能を有する層などが一例として挙げられる。また、複数の加飾層６０を積層、パターニング加工等することで、タッチパネルなどの各種のデバイスをガラス基板本体１０Ａ上に形成することもできる。
【００３８】
また、本実施形態のガラス基板１０は、図１に例示したような凸を成す曲面からなる端面４０Ａを有するガラス基板１０Ａの端面４０Ａの少なくとも一部の領域が、研磨処理により平坦面を成す領域に研磨加工されたものであってもよい。この場合、研磨処理された後の端面は、全面が研磨処理により形成された平坦面を成すものであってもよく、研磨処理により形成された平坦面を成す領域と、表面粗さＲａが１０ｎｍ以下の曲面を成す領域と、から構成されるものであってもよい。また、研磨処理により形成された平坦面を成す領域は、少なくとも頂部４２およびその近傍を研磨によって除去する形で形成され、かつ、研磨処理により形成された平坦面は、表面２０Ｕおよび裏面２０Ｂに対して略直交する面であることが好ましい。この場合、例えば、端面４０Ａのガラス基板１０Ａの厚さ方向中心側の領域が、研磨処理により形成された平坦面を成す領域となる。これにより研磨処理後の端面には、頂部４２に起因する顕著な突出部が存在しなくなるので、図１に示すガラス基板１０Ａに対して、端面部分の平坦性や、縦横の寸法精度をより向上させることができる。
【００３９】
ここで、研磨処理としては、ブラシ研磨等の公知の機械的研磨処理を採用することができる。この他に、研磨処理としては、エッチング処理等の公知の化学的研磨処理を採用してもよい。
【００４０】
図５は、本実施形態のガラス基板の他の第二例を示す模式断面図であり、具体的には図１に示すガラス基板１０Ａの頂部４２およびその近傍を研磨処理により除去して、端面の一部に平坦面を形成した態様について示したものである。なお、図５中、図１と同様のものについては同じ符号が付してある。図５に示すガラス基板１０Ｃにおいては、端面４０Ｂ（４０）が、表面２０Ｕ側に位置する傾斜面４４Ｕ１と、裏面２０Ｂ側に位置する傾斜面４４Ｂ１と、傾斜面４４Ｕ１と傾斜面４４Ｂ１との間に位置し、頂部４２およびその近傍を研磨処理によって除去することで形成された平坦面（研磨面）４８とから構成される。ここで、平坦面４８は、表面２０Ｕおよび裏面２０Ｂに対して略直交する面である。なお、以上の点を除けば、図５に示すガラス基板１０Ｃは、図１に示すガラス基板１０Ａと同様の構成を有する。また、ガラス基板１０Ｃの表面２０Ｕおよび／または裏面２０Ｂには、図４に例示したように、加飾層６０を更に設けてもよい。
【００４１】
本実施形態のガラス基板１０の利用用途は特に限定されるものではないが、主表面２０の耐衝撃性、耐傷性に優れることを考慮すれば、表面の耐衝撃性および／または耐傷性が要求される用途に利用することが好ましい。このような用途としては、代表的には、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル等の各種のディスプレイパネル保護用カバーガラス（以下、「カバーガラス」と略す場合がある。）や、タッチパネルが挙げられる。
【００４２】
図６は、本実施形態のガラス基板を用いたタッチパネルの一例を示す模式断面図である。なお、図６に示すガラス基板１０の具体的な断面構成については記載を省略してある。図６に示すタッチパネル１００は、ガラス基板１０の表面２０Ｕに、第１の透明導電膜１０２と、この第１の透明導電膜１０２に対して、スペーサー１０４を介して対向配置された第２の透明導電膜１０６と、第２の透明導電膜１０６のガラス基板１０が設けられた側と反対側に設けられた樹脂フィルム層１０８と、から構成される。このタッチパネル１００は、樹脂フィルム１０８の表面１０８Ａの押圧により、第１の透明導電膜１０２と第２の透明導電膜１０６とが接触して、第１の透明導電膜１０２と第２の透明導電膜１０６との間に電流が流れ、押圧の解除により第１の透明導電膜１０２と第２の透明導電膜１０６との導通が遮断される。そして、この際の電流のＯＮ／ＯＦＦを、入力情報として、タッチパネル１００に接続された制御回路（図中、不図示）に伝達し、制御回路がガラス基板１０の裏面２０Ｂ側に配置されたディスプレイ（図中、不図示）に、入力情報に応じた表示情報を伝達することで、タッチパネル操作を実現する。
【００４３】
図７は、本実施形態の画像表示装置の一例を示す模式断面図である。なお、図７は、画像表示装置の主要部の構成について示したものであり、その他の構成については記載を省略してある。また、図７に示す本実施形態のガラス基板１０の具体的な断面構成については記載を省略してある。図７に示す画像表示装置１１０は、パネルフレーム１１２と、このパネルフレーム１１２に保持される液晶パネル等の画像表示パネル１１４と、画像表示パネル１１４の画像表示面１１４Ａの略全面を覆うように画像表示面１１４Ａ上に配置されたガラス基板１０と、を少なくとも備えたものである。なお、図７に示す例において、画像表示面１１４Ａとガラス基板１０とは、密着していてもよいし、微小な隙間が設けられていてもよいし、両者の間に、樹脂フィルム等のその他の層が配置されていてもよい。また、画像表示装置１１０は、これ単体で独立して機能するものであってもよく、携帯電話等の携帯型電子機器の表示パネル部分などのように、他の電子機器の一部を構成するものであってもよい。
【００４４】
また、ガラス基板１０の端面４０は、図７に示した例では、完全に露出すると共に、パネルフレーム１１２の側面１１２Ｓと略面一を成している。しかし、ガラス基板１０は、画像表示パネル１１４と共に、パネルフレーム１１２に埋め込まれるように配置されることで、端面４０が露出していない状態であってもよい。但し、デザイン性の観点からは、図７に例示したように、端面４０が完全に露出している場合が望ましい場合が多い。それゆえ、デザイン性向上の観点からは、端面４０は露出した状態とすることも好適である。この場合、画像表示装置１１０が、床面や壁などに衝突した際に、ガラス基板１０の角部５０が機械的衝撃に直接曝されることになる。しかしながら、本実施形態のガラス基板１０は、角部５０の耐衝撃性に優れるため、図２および図３に例示したガラス基板２００、２１０を用いた場合と比べて、カバーガラスの破損が生じる可能性が小さい。それゆえ、耐衝撃性という観点で、本実施形態のガラス基板１０は、カバーガラスを備えた画像表示装置の外観デザインの自由度をより高くすることができる。
【００４５】
なお、画像表示パネル１１４は、通常、画像表示面１１４Ａ側に、方形の画像表示エリアを有する。この場合、画像表示パネル１１４の画像表示面１１４Ａ側に設けられるカバーガラスとして、画像表示エリアの平面方向の輪郭形状に略一致する平面形状を有する本実施形態のガラス基板１０を用いることも好ましい。この場合、画面の四隅の画質低下を招くことがないためである。この理由は、以下の通りである。まず、図２および図３に例示したガラス基板２００、２１０では、３面角部分近傍の圧縮応力層３２、３４の厚みは、３面角部分近傍を除く圧縮応力層３２、３４の厚みよりも非常に厚い。そして、圧縮応力層３２、３４は、圧縮応力層３２、３４が形成されていない部分と、屈折率が異なる。それゆえ、３面角部分近傍と、そうでない部分とにおける圧縮応力層３２、３４の厚みの違いは、カバーガラス表面の３面角部近傍と、そうでない部分との光の偏光や散乱具合の違いを招くことになる。このため、画像表示エリアの平面方向の輪郭形状に略一致する平面形状を有するガラス基板２００、２１０をカバーガラスとして用いた場合、画面の四隅における画像の見え方が、画面の四隅以外のその他の部分と異なって見えることになる。しかしながら、本実施形態のガラス基板１０では、３面角部分近傍の圧縮応力層２０の厚みと、３面角部分近傍を除く圧縮応力層２０の厚みとは略同一であるため、上述したような問題の発生を回避できる。なお、「画像表示エリアの平面方向の輪郭形状に略一致する平面形状」とは、画像表示エリアの平面方向の輪郭形状を構成する輪郭線に対して、外側又は内側に±１０ｍｍの範囲内ではみ出した大きさを有する平面形状を意味する。
【００４６】
また、画像表示エリア全体に占める四隅部分の占有面積の割合が、画像表示エリアの面積が小さくなる程、相対的に大きくなる。このことは、四隅部分の画質の低下が生じた場合、画像表示エリアの大きさが小さくなる程、画像を見る者にとって四隅部分の画像の見え方の違和感が大きくなることを意味する。この点を考慮すれば、画像表示エリアの大きさは、対角線の長さで、１．５インチ以上が好ましく、２．０インチ以上がより好ましい。なお、画像表示エリアの大きさの下限は特に限定されないが、実用上は、対角線長さで５．０インチ以下であることが好ましい。
【００４７】
本実施形態のガラス基板１０のより好ましい利用態様としては、画像表示パネルと、画
像表示パネルの画像表示面側に設けられたカバーガラスと、を少なくとも備えた携帯型電子機器、特に携帯電話のカバーガラスとして用いられることが好ましい。携帯型電子機器、特に携帯電話は、その利用態様から、カバーガラスの角面部分が機械的衝撃に曝されることが多い上に、多様なデザイン性も求められることが多い。しかしながら、本実施形態のガラス基板１０は、上述したように、双方のニーズに応えることが容易である。
【００４８】
図８は、本実施形態の携帯型電子機器の一例を示す側面図であり、具体的には、画像表示パネルの画像表示面側にカバーガラスとして、本実施形態のガラス基板１０を備えた携帯電話について示した図である。図８に示す携帯電話１２０は、本体部１２２と、画像表示パネルを備えたディスプレイ部１２４と、本体部１２２およびディスプレイ部１２４を折り畳み可能に接続するヒンジ部１２６と、ディスプレイ部の画像表示面１２４Ａの略全面を覆うように配置されたガラス基板１０と、を有する。
【００４９】
本実施形態のガラス基板１０を構成するガラス材料としては、イオン交換処理が可能なアルカリ金属酸化物を含むガラス材料であれば如何様なガラス材料でも利用できるが、（１）ダウンドロー法等を利用した板状ガラスの作製に用いられるＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３と、Ｌｉ２ＯおよびＮａ２Ｏから選択される少なくとも１種のアルカリ金属酸化物と、を含むアルミノシリケートガラス、（２）フロート法等を利用した板状ガラスの作製に用いられるソーダライムガラスなど、公知のガラス材料を用いることが好適である。なお、ダウンドロー法を利用した板状ガラスからガラス基板１０を作製した場合、フロート法などと比較して、板状ガラス表面の傷を極めて少なく、板状ガラス表面の平滑性もナノメータオーダの粗さとなる。このため、ガラス基板１０の作製時に主表面２０を形成するための鏡面研磨加工を省略することができる上に、主表面２０に存在するマイクロクラックの発生も極めて小さくできる。
【００５０】
なお、アルミノシリケートガラスとしては、板状ガラスの製造性、機械的強度、化学的耐久性等の実用上の観点等から、６２重量％〜７５重量％のＳｉＯ２と、５重量％〜１５重量％のＡｌ２Ｏ３と、０〜８重量％のＬｉ２Ｏと、４重量％〜１６重量％のＮａ２Ｏと、０〜６重量％のＫ２Ｏと、０重量％〜１２重量％のＺｒＯ２と、０〜６重量％のＭｇＯを含むものであることがより好ましい。
【００５１】
また、圧縮応力層２０は、ガラス基板１０を構成するガラス材料に元々含まれるアルカリ金属の一部を、よりイオン半径の大きなアルカリ金属に置換した変質層である。たとえば、ガラス基板１０を構成するガラス材料に元々含まれるアルカリ金属がＬｉであれば、Ｎａ、Ｋ等に置換され、ガラス基板１０を構成するガラス材料に元々含まれるアルカリ金属がＮａであれば、Ｋ等に置換される。
【００５２】
（ガラス基板の製造方法）
次に、本実施形態のガラス基板１０の製造方法について説明する。まず、図１に例示したガラス基板１０Ａは、１種以上のアルカリ金属を含む板状ガラスを、１種以上のアルカリ金属を含む溶融塩と接触させてイオン交換処理するイオン交換処理工程と、イオン交換処理済みの板状ガラスの少なくとも一方の面上に、耐エッチング膜を形成する耐エッチング膜形成工程と、少なくとも耐エッチング膜を、パターニングするパターニング工程と、イオン交換処理済みの板状ガラスの、パターニングされた耐エッチング膜が設けられた面を、エッチング溶液に接触させてエッチングすることで、イオン交換処理済みの板状ガラスを小片に切断する切断工程と、を少なくとも経ることにより作製することができる。以下に、各工程についてより詳細に説明する。
【００５３】
−イオン交換処理工程−
イオン交換処理工程では、１種以上のアルカリ金属を含む板状ガラスを、１種以上のアルカリ金属を含む溶融塩と接触させてイオン交換処理する。このイオン交換処理工程では、通常、板状ガラスを溶融塩中に浸漬することで、板状ガラスの両面をイオン交換処理する。溶融塩の組成および温度、ならびに、浸漬時間は、板状ガラスのガラス組成や、板状ガラスの表層部分に形成する圧縮応力層２０の厚み等に応じて適宜選択できる。たとえば、板状ガラスのガラス組成が、上述したアルミノシリケートガラスやソーダライムガラスであれば、溶融塩の組成および温度、ならびに、浸漬時間としては、一般的には、下記に例示する範囲から選択することが好ましい。
（１）溶融塩の組成：硝酸カリウム、または、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムとの混塩
（２）溶融塩の温度：３２０℃〜４７０℃
（３）浸漬時間：３分〜６００分
【００５４】
−耐エッチング膜形成工程−
耐エッチング膜形成工程では、イオン交換処理済みの板状ガラスの少なくとも一方の面上に、耐エッチング膜を形成する。この耐エッチング膜は、通常、イオン交換処理済みの板状ガラスの両面に形成されるが、切断工程において、片面のみをエッチング溶液に接触させる場合には、当該片面にのみ耐エッチング膜が形成されていればよい。なお、以下の説明においては、耐エッチング膜が、イオン交換処理済みの板状ガラスの両面に形成されることを前提として説明する。耐エッチング膜としては、パターニング工程において、パターニング処理により部分的に除去可能であり、かつ、切断工程において用いるエッチング溶液に対しては溶解・除去されない性質を有するものであれば、適宜選択できる。このような耐エッチング膜としては、少なくとも弗酸水溶液に対して難溶性または不溶性を示すレジスト膜を用いることが好ましい。この場合、パターニング工程においては、レジスト膜をフォトマスクを用いた露光処理と現像液による現像処理とによってパターニング処理し、切断工程においてエッチング溶液を利用して切断を行うことができる。
【００５５】
−パターニング工程−
パターニング工程では、少なくとも耐エッチング膜を、パターニングする。これにより、イオン交換処理済みの板状ガラスの表面全面を覆う耐エッチング膜のうち、最終的に作製されるガラス基板１０の平面方向の形状に対応する領域以外の耐エッチング膜を除去する。耐エッチング膜のパターニング方法としては、代表的には、上述した露光・現像を組み合わせて実施するフォトリソグラフィが利用できる。なお、パターニング工程は、両面に耐エッチング膜が形成されたイオン交換処理済みの板状ガラスの少なくとも片面に対して実施すればよく、両面に対して実施してもよい。なお、後者の場合は、切断工程の実施後に、図１に例示したように、断面形状が、頂部４２と２つの傾斜面４４Ｕ、４４Ｂとを有する端面４０Ａが形成される。
【００５６】
−切断工程−
切断工程では、イオン交換処理済みの板状ガラスの、パターニングされた耐エッチング膜が設けられた面を、エッチング溶液に接触させてエッチングすることで、イオン交換処理済みの板状ガラスを小片に切断する。エッチング処理は、通常、板状ガラスをエッチング溶液に浸漬させて行う。エッチング溶液としては、少なくとも弗酸を含むものであれば特に限定されないが、必要に応じて、塩酸等のその他の酸や、界面活性剤等の各種の添加剤が添加されていてもよい。
【００５７】
図９は、本実施形態のガラス基板製造方法の一例を説明する模式断面図であり、具体的には、図１に示すガラス基板１０Ａを作製する場合における切断工程の一例を説明する図である。ここで、図９（Ａ）は、切断工程実施前の状態を示す図であり、言い換えれば、イオン交換処理済みの板状ガラスに形成された耐エッチング膜が、パターニング処理された後の状態を示したものである。また、図９（Ｂ）は、切断工程実施中の状態を示す図である。また、図９中、板状ガラスに形成された圧縮応力層２０については記載を省略してある。
【００５８】
図９（Ａ）に示す切断工程実施前の状態においては、板状ガラス１２の両面には耐エッチング膜７０（７０Ｕ、７０Ｂ）が形成されている。そして、耐エッチング膜７０（７０Ｕ、７０Ｂ）には、パターニング工程によって、板状ガラス１２の表面が露出するように形成された開口部７２（７２Ｕ、７２Ｂ）が設けられている。なお、板状ガラス１２の、一方の面に設けられた開口部７２Ｕと、他方の面に設けられた開口部７２Ｂとは、板状ガラス１２の平面方向において同じ位置に設けられており、開口部７２Ｕおよび開口部７２Ｂの幅は同一である。また、開口部７２は、図９中、紙面の手前側から奥側へと伸びるように帯状に形成されている。
【００５９】
次に、図９（Ａ）に示す開口部７０が設けられた耐エッチング膜７０付きの板状ガラス１２を、エッチング溶液（図９中、不図示）に浸漬する。この場合、開口部７０内へと侵入したエッチング溶液は、開口部７０の底部に露出している板状ガラス１２のみを選択的にエッチングする。そして、図９（Ｂ）中の矢印方向に示されるように、開口部７０の底部側を始発点として、板状ガラス１２の両面から、略等方的に板状カラス１２のエッチングが進行する。このため、切断工程を経て得られたガラス基板１０Ａは、図１に示したように凸を成す曲面から成る端面４０Ａを有することになる。また、エッチング溶液を用いたウエットエッチングでは、エッチング面が平滑化されるため、端面４０Ａの表面粗さＲａを、互いに直交する２方向において容易に１０ｎｍ以下とすることができる。つまり、端面４０Ａを鏡面に仕上げることができる。
【００６０】
−加飾層形成工程−
なお、図１に示すガラス基板１０Ａではなく、図４に示す加飾層６０が形成されたガラス基板１０Ｂを作製する場合には、イオン交換処理工程を経た後、かつ、耐エッチング膜形成工程の実施前に、イオン交換された板状ガラスの少なくとも一方の表面に、一層以上の加飾層６０を形成する加飾層形成工程を実施する。この場合、耐エッチング膜形成工程において、加飾層６０の表面に耐エッチング膜を形成する。
【００６１】
ここで、パターニング工程において、耐エッチング膜のみをパターニングする場合には、切断工程において、耐エッチング膜が除去された領域の加飾層６０および板状ガラスをエッチングして切断を行う。この場合、切断工程で用いられるエッチング溶液の組成としては、耐エッチング膜を侵食せず、かつ、加飾層６０および板状ガラスの双方を侵食する組成が選択される。
【００６２】
一方、パターニング工程において、耐エッチング膜と加飾層６０とを同時にパターニングする場合には、切断工程において、耐エッチング膜および加飾層６０が除去された領域の板状ガラスをエッチングして切断を行う。この場合、切断工程で用いられるエッチング溶液の組成としては、耐エッチング膜および加飾層６０の双方を侵食せず、かつ、板状ガラスを侵食する組成が選択される。
【００６３】
加飾層６０の成膜方法としては、加飾層６０を構成する材料、膜厚等に応じて公知の成膜方法が適宜利用でき、たとえば、スクリーン印刷等の各種印刷方法、ディッピング法、スプレーコート法、ゾルゲルコート法、メッキ法等の公知の液相成膜法や、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の公知の気相成膜法などが利用できる。
【００６４】
以上に説明した本実施形態のガラス基板製造方法では、ガラス基板１０を作製するために、大きいサイズの板状ガラス１２の状態で、イオン交換処理工程と、必要に応じて実施される加飾層形成工程とを実施した後に、板状ガラス１２を小片化するために切断工程を実施する。このため、板状ガラス１２が予めガラス基板１０と同サイズに小片化された状態で、イオン交換処理と、必要に応じて加飾層の形成とを実施することで、図２、図３に例示するガラス基板２００、２１０またはこれらガラス基板２００、２１０に加飾層６０が形成されたガラス基板を製造する場合と比べて、本実施形態のガラス基板製造方法は、（１）生産性・コストに優れ、かつ、（２）作製されるガラス基板の寸法精度にも優れる。
【００６５】
（１）生産性・コストに優れる理由としては、イオン交換処理や加飾層の形成を実施する場合、使用する板状ガラス１２が小片化される前の大きいサイズであるときに対して、使用する板状ガラス１２が小片化された小さいサイズのときは、多数枚の板状ガラス１２をハンドリングしなければならなくならないことが挙げられる。たとえば、イオン交換処理の実施に際して、溶融塩中に、多数枚の小片化された板状ガラス１２を浸漬処理しようとした場合、溶融塩中で板状ガラス１２を保持するホルダーに対して、小片化された板状ガラス１２を多数枚セットしなければならない。このため、大きいサイズの板状ガラス１２を用いる場合と比べて、小片化された板状ガラス１２を用いる場合には、ホルダーへ板状ガラス１２をセットする際の作業効率が極めて悪い。
【００６６】
（２）また、作製されるガラス基板の寸法精度に優れる理由としては、本実施形態のガラス基板製造方法では、板状ガラス１２の寸法変化を伴うイオン交換処理を経た後に、ウエットエッチングを用いた切断を実施することが挙げられる。すなわち、ウエットエッチングやスクライブ切断などを利用した切断処理を経た後に、小片化された板状ガラス１２を用いてイオン交換処理を実施した場合、所望の寸法のガラス基板を得るためには、イオン交換処理の実施に伴う寸法変化を予測した上で、切断処理を実施しなければならない。しかしながら、イオン交換処理の実施に伴い発生する寸法変化の度合いにはばらつきがある。このため、切断処理で、如何に精度良く切断しても、得られるガラス基板の寸法にはばらつきが生じ易い。これに対して、本実施形態のガラス基板製造方法では、イオン交換処理において如何様な寸法変化が生じても、その後に実施されるウエットエッチングを利用した切断処理により、ガラス基板１０の寸法が決定される。このため、ガラス基板１０の寸法を、所望の値となるように制御することが極めて容易である。
【００６７】
−端面研磨工程−
なお、本実施形態のガラス基板製造方法では、切断工程を経て形成された切断面の少なくとも一部を研磨する端面研磨工程を、さらに有していてもよい。ここで、切断面とは、たとえば、図１、図４等に例示したような端面４０Ａのように、ウエットエッチングにより形成された凸を成す曲面からなる端面を意味する。この端面研磨工程を実施することにより、図５に例示したガラス基板１０Ｃのように、端面の少なくとも一部の領域が、研磨処理により形成された平坦面を成す領域からなるガラス基板を得ることができる。ここで、図４に示すガラス基板１０Ｂの端面４０Ａについて、その頂部４２およびその近傍を研磨処理により除去して、図５に示すような端面４０Ｂとなるように加工する場合、研磨処理による加飾層６０の端面４０Ｂ側の磨滅、破損、あるいは、剥離を防ぐことができる。
【実施例】
【００６８】
以下に本発明を実施例を挙げてより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
【００６９】
（実施例１）
ダウンドロー法により作製されたアルミノシリケートガラス製の板状ガラス（厚み０．５ｍｍ、縦横４００ｍｍ×３２０ｍｍ）を溶融塩中に浸漬して、両面に厚みが約４０μｍの圧縮応力層２０Ｕ、２０Ｂを形成した。ここで、板状ガラスのガラス組成は、ＳｉＯ２を６３．５重量％、Ａｌ２Ｏ３を８．２重量％、Ｌｉ２Ｏを８．０重量％、Ｎａ２Ｏを１０．４重量％、ＺｒＯ２を１１．９重量％含むものである。また、イオン交換処理に際しては、溶融塩として、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムとの混塩（混合比は、重量％で、硝酸カリウム：硝酸ナトリウム＝６０：４０）を用い、圧縮応力層２０Ｕ、２０Ｂの厚みが上記厚みとなるように、溶融塩の温度を３２０℃〜３６０℃の範囲内に保った状態で、浸漬時間を適宜調整した。
【００７０】
次に、イオン交換処理された板状ガラスの両面に、ロールコーターにより耐弗酸性を有するネガ型のレジスト膜（厚み３０μｍ）を形成し、さらにレジスト膜を１５０℃で３０分間ベーク処理した。次に、フォトマスクを用いて、レジスト膜を露光した後、現像液（Ｎａ２ＣＯ３溶液）を用いて現像し、レジスト膜の一部を除去して開口部を形成するパターニング処理を行った。
【００７１】
次に、パターニング処理されたレジスト膜が形成された板状ガラスを、弗酸と、塩酸とを含むエッチング溶液中に浸漬して、板状ガラスを両面からウエットエッチングすることで切断した。その後、レジスト膜を有機溶媒により溶解・除去し、さらに洗浄を行うことで、図１に示す断面構造を有するガラス基板１０Ａ（縦横：９０ｍｍ×４５ｍｍ）を得た。得られたガラス基板１０Ａの端面４０ＡをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察したところ、マイクロクラックや、スクライブ切断により成形された切断面あるいは研磨処理により形成された研磨面のような特有の面性状は全く観察されず、全面が極めて平滑な面であることが確認された。また、端面４０Ａの傾斜面４４ＵをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定（コンタクトモード、測定エリア：５μｍ×５μｍ）したところ、表面粗さＲａは約２ｎｍであった。
【００７２】
（比較例１）
実施例１で用いた板状ガラスを、イオン交換処理することなく、実施例１と同様にしてレジスト膜の形成、パターニング処理、ウエットエッチングによる切断処理をこの順に実施し、実施例１で作製したガラス基板１０Ａと同じサイズの板状ガラスを得た。次に、この板状ガラスを、角部近傍を除く圧縮応力層の厚みが実施例１で作製したガラス基板１０Ａとほぼ同程度となるように、実施例１と略同様の条件でイオン交換処理した。これにより図２に示す断面構造を有するガラス基板２００を得た。
【００７３】
（比較例２）
実施例１で用いた板状ガラスを、イオン交換処理することなく、スクライブ切断し、実施例１で作製したガラス基板１０Ａと同じサイズの板状ガラスを得た。次に、この板状ガラスを、角部近傍を除く圧縮応力層の厚みが実施例１で作製したガラス基板１０Ａとほぼ同程度となるように、実施例１と略同様の条件でイオン交換処理した。これにより図３に示す断面構造を有するガラス基板２１０を得た。
【００７４】
＜評価＞
各実施例および比較例で得られたガラス基板を用いて、耐衝撃性評価と、四隅部分の目視評価とを実施した。結果を表１に示す。
【００７５】
【表１】
0005437351.tif 000002
【００７６】
なお、表１に示す耐衝撃性評価および四隅部分の目視評価の評価方法および評価基準は以下の通りである。
【００７７】
−耐衝撃性評価−
３０枚のガラス基板について、ガラス基板の３面角部分が真下となる状態で、高さ１００ｃｍの位置から、硬質のタイルが敷き詰められた床面上に落下させる落下試験を行い、この際のガラス基板の破損率を評価した。評価基準は以下の通りである。
Ａ：破損率は５％以下である。
Ｂ：破損率は５％を超え、２０％以下である。
Ｃ：破損率は２０％を超える。
【００７８】
−四隅部分の目視評価−
カバーガラスを取り外した状態の携帯電話用液晶モニターの表面に、ガラス基板を配置して、ガラス基板の四隅部分における画像の見え方を、ガラス基板の中央部分における画像の見え方と比較する目視評価を行った。評価基準は以下の通りである。
Ａ：四隅部分と中央部分とで見え方に殆ど差異は無い。
Ｂ：中央部分の見え方に対して、四隅部分の見え方がやや歪んで見える。
Ｃ：中央部分の見え方に対して、四隅部分の見え方が顕著に歪んで見える。
【符号の説明】
【００７９】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  ガラス基板
１２  板状ガラス
２０  主表面
２０Ｕ  表面
２０Ｂ  裏面
３０Ｕ、３０Ｂ、３２、３４  圧縮応力層
４０、４０Ａ、４０Ｂ  端面
４２  頂部
４４Ｕ、４４Ｂ、４４Ｕ１、４４Ｂ１  傾斜面
４６  端面
４８  平坦面（研磨面）
５０、５０Ｕ、５０Ｂ、５２Ｕ、５２Ｂ  角部分
６０  加飾層
７０、７０Ｕ、７０Ｂ  耐エッチング膜
７２、７２Ｕ、７２Ｂ  開口部
１００  タッチパネル
１０２  第１の透明導電膜
１０４  スペーサー
１０６  第２の透明導電膜
１０８  樹脂フィルム層
１０８Ａ  表面
１１０  画像表示装置
１１２  パネルフレーム
１１２Ｓ  側面
１１４  画像表示パネル
１１４Ａ  画像表示面
１２０  携帯電話
１２２  本体部
１２４  ディスプレイ部
１２４Ａ  画像表示面
１２６  ヒンジ部
２００、２１０  ガラス基板
【図１】
0005437351.tif 000003
【図２】
0005437351.tif 000004
【図３】
0005437351.tif 000005
【図４】
0005437351.tif 000006
【図５】
0005437351.tif 000007
【図６】
0005437351.tif 000008
【図７】
0005437351.tif 000009
【図８】
0005437351.tif 000010
【図９】
0005437351.tif 000011