(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を用いてパターニングデバイスを照光する制御可能な照明システムと、パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして基板上に投影する制御可能な投影システムとを有するリソグラフィ装置を使用して、複数のフィーチャを含むパターンを前記基板上に結像するリソグラフィプロセスを最適化する方法であって、
前記複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択する工程と、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために前記照明システムに対する照明設定を求める工程と、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために、前記照明設定を考慮に入れて前記投影システムに対する投影設定を求める工程と、
前記パターンの、前記選択工程で選択されていないフィーチャを含む部分の前記結像に対する前記照明設定および前記投影設定の影響を確認する工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記照明設定が、前記パターニングデバイスの照明の方向にわたって強度分布を確定する照明モードを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記照明システムが、前記照明モードに影響を及ぼすプログラマブルデバイスを含み、前記照明モードが、特化された照明モードを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
照明設定を求める工程が照射源マスクの最適化プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記投影設定が、位相および／または偏光を調節するフィルタの設定である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記フィルタがプログラマブルフィルタである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記フィルタが、前記投影システムの瞳面における前記パターン付きビームの位相および／または偏光の制御可能な局所的変化に影響を及ぼすように構成される、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記確認の結果が不適当である場合、改善措置をとる工程をさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記改善措置が、
前記フィーチャの前記選択を変更する工程、
前記照明設定を変更する工程、および／または
前記投影設定を変更する工程を含む群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記照明設定を求める工程および前記投影設定を求める工程を繰り返す工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記確認する工程が、前記部分の結像をシミュレートする工程または前記部分を基板上に露光する工程を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
基板上に複数のフィーチャを含むパターンを結像するリソグラフィ装置であって、
放射を用いてパターニングデバイスを照光する制御可能な照明システムと、
前記パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして前記基板上に投影する制御可能な投影システムと、
複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択して、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために前記照明システムに対する照明設定を求め、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために、前記照明設定を考慮に入れて前記投影システムに対する投影設定を求め、
前記パターンの、前記選択されたフィーチャ以外のフィーチャを含む部分の前記結像に対する前記照明設定および前記投影設定の影響を確認するように構成されたコントロールシステムと、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１３】
リソグラフィ装置を使用して複数のフィーチャを含むパターンを基板上に結像するリソグラフィプロセスを最適化する方法を実施するための命令を前記リソグラフィ装置に実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記方法が、
前記複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択する工程と、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために前記リソグラフィ装置の照明システムに対する照明設定を求める工程と、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために前記照明設定を考慮に入れて前記リソグラフィ装置の投影システムに対する投影設定を求める工程と、
前記パターンの、前記選択工程で選択されていないフィーチャを含む部分の前記結像に対する前記照明設定および前記投影設定の影響を確認する工程と、を含むコンピュータプログラム。
【請求項１４】
パターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、前記パターニングデバイスのイメージを基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムとを有するリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法をシミュレートするためのシミュレーション装置であって、
複数のフィーチャを含むパターンの表現を記憶するメモリと、
前記複数のフィーチャのうち１つのフィーチャを選択するセレクタと、
前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために前記照明システムに対する照明設定を求め、また、前記選択されたフィーチャの結像を最適化するために前記照明設定を考慮に入れて前記投影システムに対する投影設定を求めるプロセッサと、
前記照明設定および前記投影設定を用いて前記基板上への前記パターンの、前記セレクタで選択されていないフィーチャを含む部分の結像をシミュレートするシミュレータと、を備えるシミュレーション装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィプロセス、デバイス製造方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置を制御するためのコンピュータプログラム製品およびシミュレーション装置を最適化する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造に使用することができる。その例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行なわれる。一般に、単一の基板は、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになり、これらのターゲット部分が次々とパターニングされる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、一方、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填するために、リソグラフィ投影装置内の基板を屈折率が比較的大きい液体、例えば水に浸すことが提案されている。一実施形態では、この液体は、他の液体を使用することも可能であるが蒸留水である。本発明の一実施形態について、液体を参照して説明する。しかしながら、他の流体も場合によっては適切であり、特に湿潤流体、非圧縮性流体および／または屈折率が空気より大きい流体、望ましくは屈折率が水より大きい流体も場合によっては適切である。ガスを排除する流体は特に望ましい。これの要点は、露光放射は液体中では波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像させることができることである。（液体の効果は、システムの実効開口数（NA）を大きくすることであり、また、同じく焦点深度を深くすることであると見なすことも可能である。）固体粒子（例えば石英）が懸濁した水、あるいは微小粒子サスペンション（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）が懸濁した液体を始めとする他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、それらが懸濁している液体の屈折率と同様の屈折率または同じ屈折率を有していても、あるいは有していなくてもよい。場合によっては適切である他の液体には、芳香族系などの炭化水素、フッ化炭化水素および／または水溶液が含まれている。
【０００４】
[0004]  リソグラフィでは、パターニングデバイスの照明のやり方、具体的には露光放射がパターニングデバイス上に入射する角度が、基板上にプリントされる結像に影響を及ぼす。照明モードは、一般に、最も好都合には、パターニングデバイス面のフーリエ変換である照明システムの瞳面における放射の分布を記述することにより記述される。したがって、瞳面の位置は、パターニングデバイス面における角度に対応する。いわゆる従来型の照明は、原点に中心のある瞳面に放射のディスクを有し、結果として、パターニングデバイスが法線を中心とする角度の範囲に到着する放射を用いて照光される。環状の照明は、瞳面に環状の放射を有する。軸外の多極機構は、一般に、Ｘ軸およびＹ軸上に、またはＸ軸およびＹ軸上でなく、原点のまわりで対称に配置された２つまたは４つの極を有する。これらの別々のモードは、別々のタイプのパターンを結像するのに適切であることが知られている。パターンが複雑であると、最適の結像のために複雑な照明モードが必要とされることがある。
【０００５】
[0005]  瞳面に所望の照明分布を画定するために、パターニングデバイスと対をなすが放射源に、瞳面より近い面において照明システムに配置された特注の回折光学エレメント（DOE）が使用され得る。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  回折光学エレメントの設計および製造は、高くつき時間がかかる。解決策として、個々に調整可能なマイクロミラーのプログラマブル配列を使用して任意の所望の照明モードを発生することができるように機構が使用され得る。所与のパターンを照光するために、パターニングデバイスのパターンに対して最適の照明モードを求めるのに、照射源マスク最適化（SMO）として知られているプロセスを用いることができる。
【０００７】
[0007]  光学リソグラフィに使用される投影システムは、収差および／または他の結像誤差を低減するかまたは最小限にするために、非常に高い耐性で製造され、かつ非常に安定した状態に保たれる。誤差の補正を可能にするために、様々な可調整エレメントが投影システムに含まれ得る。このような可調整エレメントの１つは、プログラマブルデバイスを使用して投影システムの瞳面におけるパターン付き投影ビームの位相を調節するデバイスでよい。
【０００８】
[0008]  高度な光学リソグラフィ装置を使用するリソグラフィでは、装置の照明を最適化するために調節可能なパラメータの数が、特にプログラマブル照明およびプログラマブル位相補正が利用可能な場合には非常に大きい。結像パラメータを最適化するためには所望パターンの結像の完全なシミュレーションが望ましいが、必要とされる計算上の負荷により、現在実現可能ではない。複数のパラメータの最適化を別個に行なうと、プロセスに対する設定の部分最適な組がもたらされることになる。１組のパラメータを用いて１つの結像メトリックを最適化すると、別の結像メトリックに対して望ましくない影響を及ぼす可能性がある。それぞれのメトリックを対象とする互いに直交した物理的マニピュレータまたは論理的マニピュレータを配置することは必ずしも可能ではない。
【０００９】
[0009]  例えば、全体的に改善された、すなわち全体的に最適な設定の組をもたらす、リソグラフィ装置の複数のパラメータを改善するかまたは最適化する方法を提供するのが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、放射を用いてパターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムとを有するリソグラフィ装置を使用して、複数のフィーチャを含むパターンを基板上に結像するリソグラフィプロセスを最適化する方法が提供され、この方法は、
複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択する工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明システムに対する照明設定を求める工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明設定を考慮に入れて投影システムに対する投影設定を求める工程とを含む。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様によれば、放射を用いてパターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムとを有するリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供され、この方法は、
パターンの複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択する工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明システムに対する照明設定を求める工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明設定を考慮に入れて投影システムに対する投影設定を求める工程と、
照明設定および投影設定を用いて基板上にパターンを結像する工程とを含む。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様によれば、複数のフィーチャを含むパターンを基板上へ結像するように構成されたリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、
放射を用いてパターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、
パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムと、
複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択して、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明システムに対する照明設定を求め、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために、照明設定を考慮に入れて投影システムに対する投影設定を求めるように構成されたコントロールシステムとを備える。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用して複数のフィーチャを含むパターンを基板上に結像するリソグラフィプロセスを最適化する方法を実施するための命令を記憶したコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品が提供され、この方法は、
複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択する工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するためにリソグラフィ装置の照明システムに対する照明設定を求める工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明設定を考慮に入れてリソグラフィ装置の投影システムに対する投影設定を求める工程とを含む。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によれば、パターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、パターニングデバイスのイメージを基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムとを有するリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法をシミュレートするためのシミュレーション装置が提供され、このシミュレーション装置は、
複数のフィーチャを含むパターンの表現を記憶するように構成されたメモリと、
複数のフィーチャのうち１つのフィーチャを選択するように構成されたセレクタと、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明システムに対する照明設定を求め、また、選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明設定を考慮に入れて投影システムに対する投影設定を求めるように構成されたプロセッサと、
照明設定および投影設定を用いて基板上へのパターンの結像をシミュレートするように構成されたシミュレータとを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。
【図１】[0016]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0017]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図４】[0018]リソグラフィ投影装置で使用するさらなる液体供給システムを示す図である。
【図５】[0019]本発明の一実施形態で液浸液供給システムとして使用することができる障壁部材を示す断面図である。
【図６】[0020]本発明の一実施形態による、デバイス製造方法を最適化する流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
[0022]  −  放射ビームＢ（例えばUV放射、DUV放射またはEUV放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0023]  −  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスをあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0024]  −  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0025]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えている。
【００１７】
[0026]  この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
【００１８】
[0027]  サポート構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を用いることがあれば、それは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００１９】
[0028]  本明細書に用いられる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作製するなど、その横断面内にパターンを備えた放射ビームを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されたい。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意されたい。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に相当することになる。
【００２０】
[0029]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さなミラーの行列構成を使用し、ミラーのそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式ミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００２１】
[0030]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用する露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする、任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
【００２２】
[0031]  本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でよい。
【００２３】
[0032]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有したタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用するか、あるいは１つまたは複数のテーブル上で予備工程を実行しながら１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用することができる。
【００２４】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別体でよい。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ渡される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
【００２５】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＭを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、σ-outer、σ-innerとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性および強度分布を有するように調節するのに使用されてよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部分を形成するものと、見なされても見なさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部品でよく、もしくはリソグラフィ装置から別個の構成要素でもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータＩＬは取り外し可能であって、（例えばリソグラフィ装置製造業者または別の製造業者によって）別個に設けることができる。
【００２６】
[0035]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示された基板アライメントマーク（スクライブラインアライメントマークとして既知である）は、専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。
【００２７】
[0036]  図示される装置は、以下のモードの少なくとも１つにおいて使用することが可能である。
【００２８】
[0037]  １．ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像するターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２９】
[0038]  ２．スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限されるが、スキャン移動の長さによって、ターゲット部分の（スキャン方向の）縦幅が決定される。
【００３０】
[0039]  ３．別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。
【００３１】
[0040]  前述の使用モードまたはまったく異なる使用モードの組合せおよび／または変形形態も用いられてよい。
【００３２】
[0041]  リソグラフィ装置では、より小さなフィーチャの結像を可能にする、かつ／または装置の有効なＮＡを増加するために投影システムの最終エレメントの間に流体、具体的には液体が設けられてよい。本発明の一実施形態が、このような液浸装置を参照しながら本明細書で説明されるが、非液浸装置でも同様に実施され得る。投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を供給するための機構は、少なくとも２つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは槽タイプの機構であり、いわゆる局所的液浸システムである。槽タイプの機構では、基板の実質的に全体および任意選択により基板テーブルの一部分が、液体の槽の中に沈んでいる。いわゆる局所的液浸システムは、液体が基板の局所的領域へのみ供給される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体で満たされた空間が、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板が移動している間中、投影システムに対して実質的に静止したままである。本発明の一実施形態が対象とするさらなる機構に、液体が閉じ込められないオールウェットの解決策がある。この機構では、基板上面の実質的な全体および基板テーブルの全体または一部分が液浸液で覆われている。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜でよい。図２〜図５の給液デバイスＩＨのうちの任意のものが、このようなシステムで使用され得るが、しかし、シーリング機構が存在しないもの、作動しないもの、液体を局所的領域だけに封止するのに通常ほど効率的でないもの、またはその他、液体を局所領域だけ封止するのに効果的でないものである。図２〜図５に、４つの別々のタイプの局所液体供給システムが示されている。
【００３３】
[0042]  提案されている機構の１つに、液体閉じ込めシステムを使用して、液体を、基板の局所領域だけに供給し、かつ投影システムの最終エレメントと基板との間に供給するための液体供給システムに関するものがある（一般に、基板は投影システムの最終エレメントより大きな表面積を有する）。ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に、このために構造に対して提案されている方法の１つが開示されている。図２および図３に示されるように、液体は、少なくとも１つの入口により、基板に対して、望ましくは基板の最終エレメントに対する移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通った後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板がエレメントの下を−Ｘ方向にスキャンされるとき、液体はエレメントの＋Ｘ側に供給されて−Ｘ側に吸収される。
【００３４】
[0043]  図２は、液体が、入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によってエレメントのもう一方の側に吸収される機構を概略的に示す。基板Ｗの上の矢印は液体の流れ方向を示し、基板Ｗの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図２の説明では、液体は最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもこの通りでなくてよい。最終エレメントのまわりに配置される入口および出口の様々な方向および数が可能であり、図３に示された一例では、入口の両側に出口がある組の４つが最終エレメントのまわりに規則的パターンで設けられている。液体の供給および回収のデバイスにおける矢印は、液体の流れの方向を示している。
【００３５】
[0044]  図４は、局所液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の外側に半径方向に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口および出口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレートの中に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口によって供給されて、投影システムＰＳのもう一方の側の複数の個別の出口によって除去され、したがって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Ｗが移動する方向によって決定することができる（入口と出口の他の組合せは使用されない）。図４の断面図において、矢印は、入口に入って出口から出る液体の流れの方向を示している。
【００３６】
[0045]  提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って広がる液体閉じ込め構造体を、液体供給システムに設けるものがある。そのような機構が図５に示されている。液体閉じ込め部材は、Ｚ方向（光学軸の方向）のいくらかの相対運動はあり得るが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部材と基板の面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００３７】
[0046]  図５は、液体ハンドリング構造体１２を備えた局所液体供給システムを概略的に示したものである。液体ハンドリング構造体は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下のテキストにおける基板Ｗの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルの表面を同じく意味していることにどうか留意されたい。）液体ハンドリング構造体１２は、Ｚ方向（光学軸の方向）のいくらかの相対運動はあり得るが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止している。一実施形態では、障壁部材と基板Ｗの表面との間に、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよいシールが形成される。
【００３８】
[0047]  液体ハンドリング構造体１２の少なくとも一部は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１に液体を含有している。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められるよう、投影システムのイメージフィールドの周りに基板Ｗに対する非接触シール１６を形成することができる。この空間は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終エレメント下方に、投影システムＰＳの最終エレメントを取り囲んで配置された液体ハンドリング構造体１２によって形成されている。液体は、液体入口１３によって投影システムの下の液体ハンドリング構造体１２内の空間に導かれる。この液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体ハンドリング構造体１２は、投影システムの最終エレメントの少し上に広がってよい。液体のレベルが最終エレメントの上まで上昇しており、その結果、液体のバッファが設けられる。一実施形態では、液体ハンドリング構造体１２は内周部を有し、その頂部端は、投影システムまたはその最終エレメントの形状に精密に一致して例えば円形でよい。例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、イメージフィールドの形状と緊密に合致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。
【００３９】
[0048]  一実施形態では、液体は、使用中、液体ハンドリング構造体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１の中に含有される。このガスシールは、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではＮ２または他の不活性ガスである。ガスシール内のガスは、圧力をかけられ、入口１５を通って液体ハンドリング構造体１２と基板Ｗとの間の間隙へ供給される。このガスは、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５部分の超過圧力、出口１４部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流１６が存在するようになされている。液体ハンドリング構造体１２と基板Ｗとの間の液体に対するガスの力が、液体を空間１１内に封じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ１６は、液体を空間１１の中に含有するのに有効である。米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００４０】
[0049]  図５の実例は、いつでも基板Ｗの頂面の局所領域にのみ液体が供給される、いわゆる局所領域の機構である。例えば米国特許出願公開第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているような単相抽出器または２相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含めて他の機構が可能である。
【００４１】
[0050]  可能な別の機構に、気体抵抗の原理に基づいて作用するものがある。いわゆる気体抵抗の原理は、例えば米国特許出願公開第ＵＳ２００８−０２１２０４６号、米国特許出願公開第ＵＳ２００９−０２７９０６０号、および米国特許出願公開第ＵＳ２００９−０２７９０６２号に説明されている。そのシステムでは、抽出孔は、望ましくは隅部を有する形状に構成される。隅部は、ステップまたはスキャンの方向に整列されてよい。これによって、２つの出口がスキャン方向に対して垂直に整列している場合と比較して、ステップまたはスキャンの方向における所与の速度で液体ハンドリング構造体の面の２つの開口間のメニスカスに対する力が低減する。
【００４２】
[0051]  また、主液体抽出フィーチャの外部で半径方向に配置されたガスナイフが、米国特許出願公開第ＵＳ２００８−０２１２０４６号に開示されている。ガスナイフは、主液体抽出フィーチャを通過する液体を捕える。このようなガスナイフは、（米国特許出願公開第ＵＳ２００９−０２６２３１８号に開示されているような）単相または２相の抽出器機構における、（米国特許出願公開第ＵＳ２００８−０２１２０４６号に開示されている）いわゆる気体抵抗の原理の機構または他の機構に存在し得る。
【００４３】
[0052]  多くの他のタイプの液体供給システムが可能である。本発明は、いかなる特定のタイプの液体供給システムにも液浸リソグラフィにも限定されない。本発明は、いかなるリソグラフィにも同様に適用され得る。
【００４４】
[0053]  コントロールシステム５００は、リソグラフィ装置の全体的動作を制御し、具体的には本明細書でさらに説明される最適化プロセスを実施する。コントロールシステム５００は、中央処理装置ならびに揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置を備える適切にプログラムされたコンピュータとして実施されてよい。コントロールシステム５００は、キーボードおよび／またはスクリーンなどの入力装置および／または出力装置、ネットワークへの接続、および／またはリソグラフィ装置の様々な部分へのインターフェイスを含んでよい。コントロールコンピュータとリソグラフィ装置との１対１の関係が必要とはされないことが理解されよう。本発明の一実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明の別の実施形態では、ネットワーク接続された複数のコンピュータが、１つのリソグラフィ装置を制御するのに使用され得る。コントロールシステム５００は、リソグラフィ装置が一部分を形成するリソセルもしくはクラスタの１つまたは複数の関連するプロセスデバイスおよび／または基板ハンドリングデバイスを制御するようにも構成され得る。コントロールシステム５００は、リソセルもしくはクラスタの監視用コントロールシステムおよび／または製造工場の全体的コントロールシステムに従属するように構成することができる。
【００４５】
[0054]  パターニングデバイス（例えばレチクルまたはマスク）が３次元構造を有し、リソグラフィプロシージャのシミュレーションに関してしばしば想定されるような理想化された平面構造ではないという事実に起因する３次元（3D）パターニングデバイスの影響は、フィーチャの結像および配置に対して顕著な影響があり得る。これらの影響は、２２ｎｍ以下のノードで１９３ｎｍの露光放射を使用するリソグラフィで問題になることがある。しかし、これらの影響は、他のノードおよび他の波長（極端紫外線（EUV）放射の波長など）でも生じることがあり、クリティカルディメンションの不断の縮小に伴ってますます深刻になると予期され得る。４５ｎｍのフラッシュメモリのようなパターンに関する実験およびシミュレーションの結果に基づくと、パターニングデバイスの３Ｄの影響が、顕著な結像配置誤差ならびに／あるいは最善の焦点および頂部と底部の非対称性の変動をもたらす恐れがある。これらの問題のすべてに対する補正は、不可能でないにしても、既知の結像最適化方法では困難である。
【００４６】
[0055]  本発明の一実施形態によって結像プロセスを最適化する方法が図６に示されている。一実施形態では、この方法の工程は自動化されているが、特定の選択工程では手動操作が可能にされてよい。本発明の一実施形態では、最適化されたプロセス方法および最適化工程の出力は、全体的最適解である必要がない。むしろ、最適化という用語は、本明細書では、それらのパラメータに関する初期の１組の値と比較して、少なくとも１つの適切なメトリックにおいて、改善（例えば局所的最適点）をもたらす結像パラメータに関する値を識別するプロセスを指すのに使用される。「最適」および他の関連語は、それに応じて解釈されたい。本発明の一実施形態では、１つまたは複数のメトリックのさらなる改善をもたらすために、最適化工程を繰り返し適用することができる。一例として、最適化は、フィーチャの配置精度、最善の焦点差、Ｂｏｓｓｓｕｎｇ傾斜、パターンの非対称性、焦点を通るパターンの非対称性、ＣＤ、ＣＤの均一性、焦点を通るＣＤの均一性、頂部と底部の差異といった群から選択された１つまたは複数のメトリックの改善をもたらすことができる。
【００４７】
[0056]  結像されるべきパターンが与えられると、最初の工程は、Ｓ１で、最適化プロセスに使用されるパターンから特定のフィーチャおよび／またはフィーチャ群を選択することである。選択されるフィーチャまたはフィーチャの群は、望ましくはパターンに含まれているフィーチャの代表的なものである。それらは、別々のタイプ（稠密、半稠密、分離）のフィーチャ、および／または配向を含んでよい。一実施形態では、選択されるフィーチャまたはフィーチャの群は、デバイスの機能性に対して最も重要なフィーチャまたはフィーチャの群に限定されてよい。本発明の一実施形態の目的に関して、「フィーチャ」は、最終デバイスの層に出現するフィーチャの全体もしくは一部分に対応する投影されたパターンの一部分および／またはアシストフィーチャもしくはセリフなどの非結像フィーチャの全体もしくは一部分であり得る。パターン（一般にOASIS、GDSIIなどの標準的なデジタル形式におけるレイアウトを備える）は、メモリフィーチャ、テストフィーチャおよび論理フィーチャを含んでよく、このパターンに対してリソグラフィプロセスが最適化されることになる。このパターンから、初期の複数のフィーチャ（しばしばクリップとも称される）が識別される。一実施形態では、フィーチャまたはクリップのフルセットは、パターンから抽出されるか、あるいは投影されることになるパターンとともに与えられる。このフィーチャまたはクリップのフルセットは、パターンのなかのすべての複雑なパターン（一般にあらゆるクリップ数が使用され得るが、約５０〜１０００個のクリップ）を表す。これらのフィーチャまたはクリップは、設計の小部分（すなわち回路、セルまたはサブパターン）を表し、クリップは、特定の注目および／または確認を必要とする可能性がある小部分を表す。一実施形態では、Ｓ１で、選択されたフィーチャまたはフィーチャ群に対する位相割り当てが行なわれてよい。
【００４８】
[0057]  次に、Ｓ２で、選択されたフィーチャまたはフィーチャ群を結像するために、１つまたは複数の最適な照明設定、すなわち最適な照明モードおよび／または他の照明パラメータを識別するようにＳＭＯプロセスが実施される。既知のＳＭＯ方法およびソフトウェアを使用することができる。照明システムの瞳面における照明形状を生成する回折光学エレメントまたは反射エレメントの使用に関するさらなる情報は、米国特許第ＵＳ７，０１５，４９１号、米国特許第ＵＳ６，３３７，６６２号、米国特許第ＵＳ７，５２５，６４２号および米国特許出願公開第ＵＳ２００９−０１７４８７７号から収集することができ、それぞれの内容の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【００４９】
[0058]  次に、Ｓ３で、３Ｄパターニングデバイスの影響が受忍限度内にあるかどうか判断される。これは、既知のリソグラフィシミュレータにより、あるいは１つまたは複数の試行基板を露光することにより、実施することができる。３Ｄパターニングデバイスの影響が許容できない場合、この方法は、３Ｄパターニングデバイスの影響を考慮に入れて新規の最適化を実施するためにＳ２におけるＳＭＯへ戻る。
【００５０】
[0059]  一旦、３Ｄパターニングデバイスの影響が許容できる最適化された照明設定が求められると、最適化プロシージャの第２ステージは、Ｓ４で、収差および／または他の望ましくない結像の影響を最小限にするために、適切な位相フィルタおよび／または偏光フィルタを計算することになる。パターン付きビームの偏光は、結像品質に影響を及ぼす重要なパラメータであり得る。しかし、偏光に対する感度は、パターン次第であり、したがって、偏光制御は、一実施形態では省略され得るが、別の実施形態では位相制御より重要であり得る。投影システムの瞳面におけるプログラマブルフィルタの使用に関するさらなる情報は、米国特許第ＵＳ７，５２５，６４０号、米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／０１２３８８７号および米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／０１２９７４２号、ならびに２０１０年４月１４日出願の「Dｅｖｉｃｅ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ」という名称の米国特許出願第ＵＳ１２／７６０，２４７号から収集することができ、それぞれの内容は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる。
【００５１】
[0060]  これにて照明設定ならびに位相フィルタおよび／または偏光フィルタが選択されたので、次の工程は、Ｓ５で、結像されるべき全部のパターンに対するこれらの影響を計算することになる。一実施形態では、選択されたフィーチャに対する全体的プロセスウィンドウも計算される。一実施形態では、照明設定ならびに位相フィルタおよび／または偏光フィルタの影響は、基板の試行露光によって求めることができる。
【００５２】
[0061]  全パターンおよび全体的プロセスウィンドウに対する影響に基づいて、Ｓ６で、結像プロセスが、適切で十分に大きなプロセスウィンドウを有するかどうか判断される。上記が肯定されると、プロセスは、Ｓ７で、最適化された照明設定ならびに位相フィルタおよび／または偏光フィルタを使用して実施される。これらは、望ましくは、照明設定ならびにプログラマブル位相フィルタおよび／またはプログラマブル偏光フィルタの照明モードを確定するためにプログラマブルデバイスを使用して実施される。一実施形態では、照明設定の照明モードを確定するために、カスタム化された回折光学エレメントを使用することができ、投影システム向けにカスタム化された瞳面フィルタを構築することができる。このように達せられたプロセスは、１つまたは複数のリソグラフィ装置で必要とされる度に用いられ得る。必要に応じて、マシン毎の変化に対して調節することができる。
【００５３】
[0062]  Ｓ６における判断工程で、結像プロセスが成功しそうもない、かつ／または結像プロセスの全体的プロセスウィンドウが不十分であると判断された場合、調節が行なわれ、最適化プロセスのいくつかまたは全体が繰り返される。予測されたプロセスの欠陥に従って、位相フィルタおよび／または偏光フィルタがＳ８で調節されてよく、照明設定がＳ９で調節されてよく、かつ／または、最適化のベースとなるフィーチャの選択がＳ１０で変更されてよい。一実施形態では、選択されたフィーチャまたはフィーチャ群に対する位相割り当てを調節することができる。一実施形態では、照射源の帯域幅を最適化することができる。
【００５４】
[0063]  本明細書の２工程の最適化プロセスにより、４５ｎｍのフラッシュメモリパターンを結像する既知の方法における３０〜４０ｎｍの焦点誤差が約１０ｎｍまで縮小され得ると推定された。これは、約９０ｎｍの全体としての焦点収支における顕著な改善である。本発明の一実施形態が、より広いプロセスウィンドウをもたらすと予期される。
【００５５】
[0064]  理解されるように、上記で説明された機構のあらゆるものが、任意の他の機構とともに使用することができ、それは本出願でカバーされる明確に説明された組合せのみではない。
【００５６】
[0065]  本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケール、さらにはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造における他の応用分野があり得ることを理解されたい。それらのような代替の用途において、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という語は、いずれも、より一般的な語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると見なしてよいことが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作製するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理済の層を含む基板も意味してよい。
【００５７】
[0066]  本明細書で用いられる用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの、またはそのくらいの波長を有するもの）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００５８】
[0067]  用語「レンズ」は、文脈によって可能な場合、屈折光学コンポーネントおよび反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか１つまたは組合せを意味することができる。
【００５９】
[0068]  上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施され得ることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。
【００６０】
[0069]  本明細書で説明された諸コントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有している。例えば、コントローラの各々は、前述の方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体、および／またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアも含むことができる。
【００６１】
[0070]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局所表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板および／または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび／または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。
【００６２】
[0071]  本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができ、この空間に液体を供給する。一実施形態では、この空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および／または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択で、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。
【００６３】
[0001]  本発明は、以下の条項を用いてさらに説明され得る。
条項１．  放射を用いてパターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムとを有するリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
パターンの複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択する工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明システムに対する照明設定を求める工程と、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明設定を考慮に入れて投影システムに対する投影設定を求める工程と、
照明設定および投影設定を用いて基板上にパターンを結像する工程とを含む方法。
条項２．  照明設定が、パターニングデバイスの照明の方向にわたって強度分布を確定する照明モードを含む条項１に記載の方法。
条項３．  照明システムが照明モードに影響を及ぼすように構成されたプログラマブルデバイスを含み、照明モードが特化された照明モードを含む条項２に記載の方法。
条項４．  照明設定を求める工程が照射源マスクの最適化プロセスを含む条項３に記載の方法。
条項５．  投影設定が、位相および／または偏光を調節するフィルタの設定である条項１から４のいずれか一項に記載の方法。
条項６．  フィルタがプログラマブルフィルタである条項５に記載の方法。
条項７．  フィルタが、投影システムの瞳面におけるパターン付きビームの位相および／または偏光の制御可能な局所的変化に影響を及ぼすように構成される条項５または６に記載の方法。
条項８．  パターンの、選択工程で選択されていないフィーチャを含む部分の結像に対する照明設定および投影設定の影響を確認する工程をさらに含む条項１から７のいずれか一項に記載の方法。
条項９．  確認の結果が不適当である場合、改善措置をとる工程をさらに含む条項８に記載の方法。
条項１０．  改善措置が、
フィーチャの選択を変更する工程、
照明設定を変更する工程、および／または
投影設定を変更する工程を含む群から選択される条項９に記載の方法。
条項１１．  照明設定を求める工程および投影設定を求める工程を繰り返す工程をさらに含む条項１０に記載の方法。
条項１２．  確認する工程が、その部分の結像をシミュレートする工程またはその部分を基板上に露光する工程を含む条項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
条項１３．  基板上に複数のフィーチャを含むパターンを結像するように構成されたリソグラフィ装置であって、
放射を用いてパターニングデバイスを照光するように構成された制御可能な照明システムと、
パターニングデバイスのイメージをパターン付き放射ビームとして基板上に投影するように構成された制御可能な投影システムと、
複数のフィーチャから１つのフィーチャを選択して、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明システムに対する照明設定を求め、
選択されたフィーチャの結像を最適化するために照明設定を考慮に入れて投影システムに対する投影設定を求めるように構成されたコントロールシステムとを備えるリソグラフィ装置。
条項１４．  照明設定が、パターニングデバイスの照明の方向にわたって強度分布を確定する照明モードを含む条項１３に記載の装置。
条項１５．  照明システムが照明モードに影響を及ぼすように構成されたプログラマブルデバイスを含み、照明モードが特化された照明モードを含む条項１４に記載の装置。
条項１６．  投影設定が、位相および／または偏光を調節するフィルタの設定である条項１３から１５のいずれか一項に記載の装置。
条項１７．  フィルタがプログラマブルフィルタである条項１６に記載の装置。
条項１８．  フィルタが、投影システムの瞳面におけるパターン付きビームの位相および／または偏光の制御可能な局所的変化に影響を及ぼすように構成される条項１６または１７に記載の装置。
【００６４】
[0072]  上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものである。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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