(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
正イオン及び負イオンの異なるイオンを発生する２つのイオン発生素子と、
前記２つのイオン発生素子からそれぞれ発生するイオンによって流れる放電電流信号をそれぞれ検出する２つの放電電流検出手段と、
前記２つの放電電流検出手段によってそれぞれ検出された２つの信号値に基づいて、前記２つのイオン発生素子にそれぞれ印加する２つの駆動電圧を決定する駆動電圧決定手段と、
前記駆動電圧決定手段によって決定した２つの駆動電圧を、前記２つのイオン発生素子にそれぞれ印加する２つの駆動電圧印加手段と、を備えており、
前記駆動電圧決定手段は、前記２つの放電電流検出手段によってそれぞれ検出された２つの信号値の特定の組み合わせ領域において、前記駆動電圧決定手段による前記駆動電圧の加算、または、減算の一方を抑制し、
前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から所定のイオン発生量に対応する第１信号値を減算した値が０よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０以下の領域であることを特徴とするイオン発生装置。
【請求項２】
前記駆動電圧決定手段は、０より上に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を減算し、０以下に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を保持することを特徴とする請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
前記駆動電圧決定手段は、０より上に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を保持し、０以下に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を加算することを特徴とする請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項４】
前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも小さな閾値よりも小さい領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン発生装置。
【請求項５】
前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも大きな閾値よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも小さい領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン発生装置。
【請求項６】
前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも大きな第１閾値よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも小さな第２閾値よりも小さい領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン発生装置。
【請求項７】
前記特定の組み合わせ領域は、
前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値を、０よりも小さな第２閾値よりも小さい第１段階と、前記第２閾値以上０以下の第２段階と、０より大きく０よりも大きな第１閾値以下の第３段階と、前記第１閾値よりも大きい第４段階に区分し、
前記２つの放電電流検出手段によって検出された信号値によって区分された２つの段階の差が２段階以上である領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン発生装置。
【請求項８】
前記駆動電圧決定手段は、前記２つの放電電流検出手段によってそれぞれ検出された２つの信号値がともに前記第１閾値以下前記第２閾値以上の領域にあるとき、前記２つのイオン発生素子に印加する駆動電圧を保持することを特徴とする請求項６または７に記載のイオン発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正イオンと負イオンを発生するイオン発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、正イオンと負イオンを交互に発生するイオン発生装置が知られている。特許文献１に記載のイオン発生装置においては、２つの放電針（イオン発生素子）にプラスの電圧とマイナスの電圧のいずれか一方の互いに異なる電圧を交互にそれぞれ印加して、正イオンと負イオンを交互に発生させている。このイオン発生装置は、発生したイオンによって流れる放電電流を検出して、この放電電流値に応じて２つの放電針に印加する電圧を制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２７３２９４号公報（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、本発明者らは、イオン発生素子がヒステリシスを有しており、印加する電圧を所定値だけ大きくしたときと小さくしたときでイオンの増減量が異なることを知見した。
【０００５】
ここで、例えば、イオン発生装置の２つのイオン発生素子からそれぞれ発生する正イオンと負イオンのイオン発生量を所定量近傍で均等にしようとする。すると、例えば、一方のイオン発生量が所定量よりも多くて、他方のイオン発生量が所定量よりも少なく、一方のイオン極性にイオンバランスが傾いている場合には、一方のイオン発生素子のイオン発生量を減らして、他方のイオン発生素子のイオン発生量を多くしようとする。
【０００６】
このような場合において、一方のイオン発生素子のイオン発生量を減らして、他方のイオン発生素子のイオン発生量を多くしようとすると、ヒステリシスにより、どちらかのイオン発生素子のイオン発生量が過剰に増減してしまう。すると、イオンバランスが安定することなく、２つのイオン発生素子から均等にイオンを発生することが困難となる。さらに、イオン発生素子のヒステリシスのみならず、イオン発生装置の構造がイオン発生量の過剰な増減に関与することがある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、イオンバランスを安定させ、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にしたイオン発生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のイオン発生装置は、正イオン及び負イオンの異なるイオンを発生する２つのイオン発生素子と、前記２つのイオン発生素子からそれぞれ発生するイオンによって流れる放電電流信号をそれぞれ検出する２つの放電電流検出手段と、前記２つの放電電流検出手段によってそれぞれ検出された２つの信号値に基づいて、前記２つのイオン発生素子にそれぞれ印加する２つの駆動電圧を決定する駆動電圧決定手段と、前記駆動電圧決定手段によって決定した２つの駆動電圧を、前記２つのイオン発生素子にそれぞれ印加する２つの駆動電圧印加手段と、を備えており、前記駆動電圧決定手段は、前記２つの放電電流検出手段によってそれぞれ検出された２つの信号値の特定の組み合わせ領域において、前記駆動電圧決定手段による前記駆動電圧の加算、または、減算の一方を抑制する。そして、前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から所定のイオン発生量に対応する第１信号値を減算した値が０よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０以下の領域である。
【０００９】
本発明のイオン発生装置によると、２つの信号値の特定の組み合わせ領域において、駆動電圧決定手段による駆動電圧の加算、または、減算の一方を抑制することで、ヒステリシスによる一方のイオン発生素子から発生する過剰なイオンの増減を抑制し、イオンバランスを安定させ、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【００１３】
このとき、前記駆動電圧決定手段は、０より上に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を減算し、０以下に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を保持することが好ましい。これによると、ヒステリシスにより駆動電圧を加算したときのイオンの増加量が、駆動電圧を減算したときのイオンの減少量よりも大きい場合に、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【００１４】
また、前記駆動電圧決定手段は、０より上に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を保持し、０以下に検出される側の前記イオン発生素子に印加する駆動電圧を加算してもよい。これによると、ヒステリシスにより駆動電圧を加算したときのイオンの増加量が、駆動電圧を減算したときのイオンの減少量よりも少ない場合に、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【００１５】
また、前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも大きな第１閾値よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも小さな第２閾値よりも小さい領域であることが好ましい。これによると、一方のイオン発生素子からのイオン発生量が所定のイオン発生量よりも多く、さらに第１閾値に対応するイオン発生量よりも多く、他方のイオン発生素子からのイオン発生量が所定のイオン発生量よりも少なく、さらに第２閾値に対応するイオン発生量よりも少ない場合に、２つのイオン発生素子から発生するイオンによるイオンバランスを安定させ、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【００１６】
また、前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも小さな閾値よりも小さい領域であってもよい。これによると、一方のイオン発生素子からのイオン発生量が所定のイオン発生量よりも多く、他方のイオン発生素子からのイオン発生量が所定のイオン発生量よりも少なく、さらに０よりも小さな閾値に対応するイオン発生量よりも少ない場合に、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【００１７】
また、前記特定の組み合わせ領域は、一方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも大きな閾値よりも大きく、他方の前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値が０よりも小さい領域であってもよい。これによると、一方のイオン発生素子からのイオン発生量が所定のイオン発生量よりも多く、さらに０よりも大きな閾値に対応するイオン発生量よりも多く、他方のイオン発生素子からのイオン発生量が所定のイオン発生量よりも少ない場合に、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【００１８】
また、前記特定の組み合わせ領域は、前記放電電流検出手段によって検出された信号値から前記第１信号値を減算した値を、０よりも小さな第２閾値よりも小さい第１段階と、前記第２閾値以上０以下の第２段階と、０より大きく０よりも大きな第１閾値以下の第３段階と、前記第１閾値よりも大きい第４段階に区分し、前記２つの放電電流検出手段によって検出された信号値によって区分された２つの段階の差が２段階以上である領域であることが好ましい。これによると、放電電流検出手段によって検出された信号値から第１信号値を減算した値を４段階に区分することで、駆動電圧の決定が容易となる。
また、前記駆動電圧決定手段は、前記２つの放電電流検出手段によってそれぞれ検出された２つの信号値がともに前記第１閾値以下前記第２閾値以上の領域にあるとき、前記２つのイオン発生素子に印加する駆動電圧を保持することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
２つの信号値の特定の組み合わせ領域において、駆動電圧決定手段による駆動電圧の加算、または、減算の一方を抑制することで、ヒステリシスによる一方のイオン発生素子から発生する過剰なイオンの増減を抑制し、イオンバランスを安定させ、２つのイオン発生素子から発生するイオン量を均等にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る除電装置の縦断面図である。
【図２】筐体へガスタンク及び素子ユニットを取り付ける前の斜視図である。
【図３】筐体へ素子ユニットを取り付ける前の斜視図である。
【図４】除電装置の模式平面図である。
【図５】素子ユニットを下方から見たときの斜視図である。
【図６】素子ユニットを上方から見たときの斜視図である。
【図７】イオン発生素子の平面図である。
【図８】図７の一点鎖線領域の拡大図である。
【図９】図１の概略部分拡大図である。
【図１０】除電装置の電気的接続を示す概略図である。
【図１１】除電装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１２】電圧発生回路の内部回路図である。
【図１３】２つのイオン発生素子にそれぞれ印加される電圧波形を示す図である。
【図１４】除電時について説明する概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態に係る除電装置は、搬送面上を一方向に搬送される、帯電した被除電対象物に対して正イオン及び負イオンを発生させて、除電対象物の除電を行う装置である。図１は、本発明の一実施形態に係る除電装置の縦断面図である。図２は、筐体へガスタンク及び素子ユニットを取り付ける前の斜視図である。図３は、筐体へ素子ユニットを取り付ける前の斜視図である。図４は、除電装置の模式平面図である。図５は、素子ユニットを下方から見たときの斜視図である。図６は、素子ユニットを上方から見たときの斜視図である。
【００２２】
図１に示すように、除電装置１（イオン発生装置）は、図示しない支持部材によって支持されており、その下方において図示しない搬送装置の搬送面３０ａ上をＹ方向（図１の左から右に向かう搬送方向）に搬送される除電対象物３０と所定の間隔を空けて対向している。
【００２３】
また、除電装置１は、後述する各種基板を収容する筐体２を有している。図１〜図４に示すように、筐体２は、Ｘ方向（搬送面３０ａ内においてＹ方向と直交する方向）に長尺であり、Ｙ方向に分離可能な左方筐体２ａと右方筐体２ｂとから構成されている。また、筐体２は、その内部にＹ方向と平行に配置された平板であり、内部空間をＺ方向（図１の上から下に向かう方向）に関して２つに仕切る仕切り板７を有している。
【００２４】
仕切り板７は、一端が右方筐体２ｂの下端に接続されて、Ｙ方向と平行に左方筐体２ａの下端と重なる位置まで延在している。右方筐体２ｂには、仕切り板７のＸ方向に沿った両端部から搬送面３０ａ（Ｚ方向）に向かって延び、互いに近づく方向（Ｙ方向に関する中央）に向かって折れ曲がったＬ字状の２つの溝２ｃが形成されている。こうして、筐体２内における仕切り板７より上方の空間が上部空間となり、下方の空間が溝２ｃにより形成された開口部２ｅを有する下部空間となっている。この溝２ｃには後述するガスタンク６の突起６ｂが係合する。また、右方筐体２ｂの２つの溝２ｃよりもＹ方向に関する内側には、Ｘ方向に離間して配置された複数の嵌め込み孔２ｄの列がＹ方向に２列に並んで形成されている。
【００２５】
また、筐体２の上部空間には、Ｘ方向一端部から順に制御基板４及び複数の電源基板５が配置されている。筐体２の下部空間には、上方から順に複数のガスタンク６及び複数の素子ユニット３が配置されている。複数の素子ユニット３及び複数のガスタンク６はＸ方向に沿って隙間なくそれぞれ配置されている。また、Ｘ方向に沿って配置された複数のガスタンク６は連通している。そして、複数の素子ユニット３、複数のガスタンク６及び複数の電源基板５は、Ｚ方向に沿ってそれぞれ重なっている。
【００２６】
制御基板４及び複数の電源基板５は、左方筐体２ａと右方筐体２ｂとを分離した状態で、右方筐体２ｂの内壁面に固定され、左方筐体２ａと右方筐体２ｂとを嵌合することで、筐体２の上部空間に収容される。このように、制御基板４及び複数の電源基板５は、筐体２内に容易にＸ方向に沿って配置可能となっている。
【００２７】
また、筐体２内には、複数の電源基板５とＺ方向に沿ってそれぞれ重なる位置に配置され、対応する電源基板５と電気的に接続された複数のコネクタ４２が設けられている。複数のコネクタ４２は、後述する素子ユニット３の複数のコネクタ４１と電気的に接続される。１つの電源基板５に対応する複数のコネクタ４２は、Ｘ方向に並べて配置されており、電源基板５に対応したガスタンク６の中央近傍に形成された後述する２つの開口６ｃから下方に突出している。
【００２８】
また、図２に示すように、右方筐体２ｂの表面には、７セグメントＬＥＤ８５が配置されている。７セグメントＬＥＤ８５は、イオンを発生させていることが分かるような表示をするなどユーザに対して除電装置１の状態を表示する。
【００２９】
次に、素子ユニット３について説明する。図１に示すように、素子ユニット３は、樹脂により成型された支持体３ａを有し、Ｘ方向に長尺な形状となっており、Ｘ方向から見たときに底面の一部を形成する逆ハの字状の２つの斜面３ｃ、３ｄを有している。２つの斜面３ｃ、３ｄには、安定化電極２６ａ、２６ｂ（図９参照）をそれぞれ挟んで、Ｘ方向に長尺な板状のイオン発生素子１１、１２がそれぞれ配置されている。
【００３０】
また、図６に示すように、支持体３ａのＹ方向に関する中央には、複数のコネクタ４１がＸ方向に沿って配置されている。コネクタ４１は、イオン発生素子１１、１２の後述する給電端子６２、６４、安定化電極２６ａ、２６ｂ及び電流検出電極２７ａ、２７ｂと配線を介してそれぞれ電気的に接続される。そして、素子ユニット３が筐体２に取り付けられることで、複数のコネクタ４１は、ガスタンク６の開口６ｃを介して複数のコネクタ４２と嵌合して電気的に接続される。
【００３１】
また、図２〜図６に示すように、支持体３ａのＸ方向に沿った両端には、Ｘ方向に離間し、Ｚ方向に延出した２つの突起３ｅがそれぞれ形成されている。支持体３ａの突起３ｅが筐体２の嵌め込み孔２ｄに嵌合することで、素子ユニット３は筐体２に着脱自在に取り付けられる。この支持体３ａの突起３ｅは、Ｙ方向に関する外側に付勢されて嵌め込み孔２ｄに嵌合されており、Ｙ方向に関する内側に押圧することで、容易に筐体２の嵌め込み孔２ｄから取り外すことができる。この構成により、イオン発生素子１１、１２を触らず、素子ユニット３を筐体２に着脱することができる。また、Ｘ方向に並べて配置された複数の素子ユニット３のうち、交換したい素子ユニット３のみを容易に筐体２に着脱することができる。
【００３２】
図１〜図６に示すように、２つのイオン発生素子１１、１２は、長手方向をＸ方向と平行にして、Ｙ方向に関して近接配置されており、支持体３ａの２つの斜面３ｃ、３ｄと対向している面と反対側の２つのイオン発生面１１ａ、１２ａ（図９参照）から正イオン及び負イオンのいずれか一方の互いに異なるイオンを発生する。本実施形態においては、搬送方向下流側に位置するイオン発生素子１１のイオン発生面１１ａから負イオンを発生し、搬送方向上流側に位置するイオン発生素子１２のイオン発生面１２ａから正イオンを発生する。
【００３３】
支持体３ａの斜面３ｃは、除電対象物３０の搬送される搬送面３０ａとの間で搬送方向下流側に４５度開いた鋭角を形成している。したがって、斜面３ｃに配置されたイオン発生素子１１のイオン発生面１１ａは、搬送面３０ａとの間で搬送方向下流側に４５度開いた鋭角を形成している。また、支持体３ａの斜面３ｄは、搬送面３０ａとの間で搬送方向上流側に４５度開いた鋭角を形成している。したがって、斜面３ｄに配置されたイオン発生素子１２のイオン発生面１２ａは、搬送面３０ａとの間で搬送方向上流側に４５度開いた鋭角を形成している。つまり、２つのイオン発生面１１ａ、１２ａは、搬送面３０ａに対して互いに反対方向に同じ角度で傾斜している。
【００３４】
また、素子ユニット３は、支持体３ａの外面を覆うカバー９を有している。このカバー９により、２つのイオン発生素子１１、１２の周縁部を覆って、２つのイオン発生素子１１、１２を支持体３ａにそれぞれ固定している。また、カバー９には、２つのイオン発生素子１１、１２のイオン発生面１１ａ、１２ａの一部のイオン発生部を露出させるように開口が形成されているとともに、後述する複数のガス噴出口６ａと対向する位置に複数の孔９ａがそれぞれ形成されている。
【００３５】
また、カバー９のイオン発生素子１１、１２を搬送方向に関して挟んだ両側の表面には、電流検出電極２７ａ、２７ｂがそれぞれ配置されている。２つの電流検出電極２７ａ、２７ｂは、２つのイオン発生素子１１、１２からそれぞれ発生したイオンの電荷によって流れる放電電流をそれぞれ検出するためのものであり、２つのイオン発生素子１１、１２から除電対象物３０へ向かって発生するイオン分布に影響が少ない箇所に配置されている。具体的には、イオン発生素子１１、１２よりも搬送面３０ａから離れた位置であって、イオン発生素子１１、１２よりも上方に配置されている。電流検出電極２７ａ、２７ｂには、カバー９の孔９ａに対応した位置に孔が形成されている。なお、電極がイオン発生素子１１、１２から発生したイオンに接触して電荷を受け取ることで、この電極に流れる放電電流値をもってイオン発生量とみなす技術は、従来から知られている技術である。
【００３６】
次に、イオン発生素子１１、１２について説明する。図７は、イオン発生素子の平面図である。図８は、図７の一点鎖線領域の部分拡大図である。図９は、図１を概略化した部分拡大図である。なお、イオン発生素子１１、１２は、印加されるパルス電圧が異なることで、互いに極性の異なるイオンを発生するだけで、構成は同様であるため、イオン発生素子１１についてのみ説明し、イオン発生素子１２についての説明は省略する。
【００３７】
図５に示すように、イオン発生素子１１は、複数の素子ユニット３がＸ方向に並べて配置されることにより、Ｘ方向に並んで配置される。図７〜９に示すように、イオン発生素子１１は、誘電体１５の表面１５ａ及び裏面１５ｂにイオン発生電極１６及び誘導電極１７ａ、１７ｂをそれぞれ配置して構成されている。誘電体１５の表面１５ａとは支持体３ａの斜面３ｃと反対側の面であり、裏面１５ｂとは斜面３ｃと対向する面である。
【００３８】
誘電体１５は、マイカを接着剤により多数積層させた長尺な矩形状の板である。誘電体１５は、本実施形態においては７０μｍ厚となっている。なお、誘電体１５は、マイカの積層体に限らず、セラミックス、ガラス、ポリマーなどであってもよい。また、誘電体１５の表面１５ａには、電源基板５と電気的に接続されて、電源基板５から印加される電圧が給電される給電端子６２、６４がそれぞれ形成されている。給電端子６２、６４は、Ｘ方向に沿って重なり、且つ、イオン発生電極１６の両端よりもＸ方向に関して内側に配置されている。給電端子６２、６４は、対応するコネクタ４１と図示しない配線を介して電気的に接続されている。
【００３９】
イオン発生電極１６は、誘電体１５の表面１５ａにステンレスで形成されており、線状電極１６ａと線状電極１６ａから長手方向と直交する短手方向に突出した複数の微細な三角形状の突起電極１６ｂとを有している。複数の突起電極１６ｂは、Ｘ方向に沿って等間隔に線状電極１６ａを挟んで２列の千鳥状に配置されている。本実施形態においては、線状電極１６ａの幅Ｘ、突起電極１６ｂの底辺の長さＹ及び突起電極１６ｂの高さＺは０．１ｍｍとなっている。また、突起電極１６ｂを形成する２つの辺から形成される角度αは、５３．１３度となっており、隣接する２つの突起電極１６ｂの頂点１６ｃ間の距離Ｌは、０．３ｍｍとなっている。
【００４０】
また、イオン発生電極１６の一方端部（図７の下端部）は、イオン発生電極１６の両端よりもＸ方向に関して内側に折れ曲がった配線６１を介して給電端子６２に電気的に接続されている。
【００４１】
誘導電極１７ａ、１７ｂは、誘電体１５の裏面１５ｂにイオン発生電極１６と同様にステンレスで形成されており、イオン発生電極１６と平行になっている。また、２本の線状電極１７ａ、１７ｂは、イオン発生電極１６から誘導電極１７ａ、１７ｂを見たときに、イオン発生電極１６の両側に配置されている。本実施形態において、突起電極１６ｂから誘導電極１７ｂまでの短手方向に関する距離Ｋは、０．０５ｍｍとなっている。なお、イオン発生電極１６及び誘導電極１７ａ、１７ｂの材料は、ステンレスに限らず、カーボン、タングステン、アルミニウム、銅、金、タンタル、タングステンまたはニッケル等の単独金属、もしくは、これらの合金、さらには導電性セラミックスなどであってもよい。
【００４２】
また、誘導電極１７ａ、１７ｂの一方端部（図７の上端部）は、誘導電極１７ａ、１７ｂの両端よりもＸ方向に関して内側に折れ曲がった配線６３及び図示しないスルーホールを介して給電端子６４に電気的に接続されている。
【００４３】
また、誘電体１５の表面１５ａ全体には、誘電体１５の表面１５ａ及びイオン発生電極１６を被覆する表面保護層１８が形成されている。表面保護層１８は、誘電体１５の剥離防止や耐湿性向上を目的として形成されており、例えば、シリカ系コート材やアクリル系コート材からなる。
【００４４】
また、誘電体１５の裏面１５ｂ全体には、誘電体１５の裏面１５ｂ及び誘導電極１７ａ、１７ｂを被覆する裏面保護層１９が形成されている。裏面保護層１９は、例えば、シリコン系コート材やエポキシ系コート材からなる。
【００４５】
図９に示すように、イオン発生素子１１の裏面保護層１９と支持体３ａの斜面３ｃとの間には、安定化電極２６ａが配置されている。この安定化電極２６ａには、イオン発生電極１６から発生するイオンと同極性のバイアス電圧が印加されている。つまり、イオン発生素子１１のイオン発生電極１６からは負イオンを発生するため、イオン発生素子１１に対応する安定化電極２６ａには、マイナスのバイアス電圧が印加されている。また、イオン発生素子１２のイオン発生電極１６からは正イオンを発生するため、イオン発生素子１２に対応する安定化電極２６ｂには、プラスのバイアス電圧が印加されている。本実施形態ではそれぞれマイナス１２Ｖ、プラス１２Ｖのバイアス電圧を印加している。
【００４６】
イオン発生素子１１は、イオン発生電極１６と誘導電極１７ａ、１７ｂとの間に、誘導電極１７ａ、１７ｂを基準電位としてマイナスのパルス電圧を印加することで、イオン発生電極１６から負イオンを発生する。また、イオン発生素子１２は、イオン発生電極１６と誘導電極１７ａ、１７ｂとの間に、誘導電極１７ａ、１７ｂを基準電位としてプラスのパルス電圧を印加することで、イオン発生電極１６から正イオンを発生する。
【００４７】
ここで、仮に、安定化電極２６ａが設けられておらず、イオン発生素子１１のイオン発生電極１６から負イオンの発生を継続すると、イオン発生電極１６から発生するイオン量が減少する。これは、裏面保護層１９がイオン発生電極１６から発生するイオンと逆極性に帯電し、発生したイオンが引き寄せられるためと考えられる。支持体３ａが特に樹脂製の場合はこの裏面保護層１９に加えて支持体３ａも帯電する。マイナスイオンを発生するイオン発生素子１１に対して、本実施形態のように、マイナスのバイアス電圧を印加した安定化電極２６ａを設けることにより、裏面保護層１９またはこれに追加して支持体３ａが帯電することを防止する。これにより、イオン発生電極１６から発生するイオン量は減少せず安定する。
【００４８】
図１〜図４に戻って、ガスタンク６は中空であり、Ｘ方向の両端部にガス入口６ｅ及びガス出口６ｆを有している。そして、隣接する２つのガスタンク６において、一方のガスタンク６のガス入口６ｅと他方のガスタンク６のガス出口６ｆが連結されることで、その内部が連通している。ガスタンク６の中央には、Ｘ方向に並び、Ｚ方向に貫通した２つの開口６ｃが形成されている。上述したように、ガスタンク６の開口６ｃから複数のコネクタ４２が突出し、この開口６ｃを介して複数のコネクタ４２と複数のコネクタ４１は嵌合して電気的に接続される。
【００４９】
仮に、コネクタ４２が、ガスタンク６の開口６ｃを介さず、ガスタンク６の周囲の空間からコネクタ４１と嵌合されて電気的に接続されると、装置が大型化してしまう。そこで、ガスタンク６の開口６ｃを介してコネクタ４２とコネクタ４１とを嵌合して電気的に接続することで、装置を小型化することができる。特に、素子ユニット３が安定化電極２６ａ、２６ｂや放電電流検出電極２７ａ、２７ｂを備えて多機能化している場合は、接続部が増大し、コネクタが大型化するため、その効果はさらに大きい。
【００５０】
また、ガスタンク６の開口６ｃにコネクタ４２が挿通されることで、ガスタンク６の位置を固定することができ、たとえガスタンク６が熱膨張したとしても、ガスタンク６の位置がずれにくい。また、コネクタ４２のＺ方向の長さ分だけガスタンク６の厚み（Ｚ方向の長さ）を長くすることが可能であり、ガスタンク６の容積を大きくすることができる。さらに、ガスタンク６のＺ方向に関して支持体３ａの突起３ｅ及び筐体２の嵌め込み孔２ｄと重なる位置には、Ｙ方向に関して中央に凹んだ切り欠き６ｄが形成されている（図３参照）。これにより、支持体３ａの突起３ｅを筐体２の嵌め込み孔２ｄに嵌合することで、ガスタンク６のＸＹ平面に関する位置を固定することができる。
【００５１】
また、ガスタンク６の素子ユニット３と対向する面には、内部空間と外部空間とを連通させるようにＺ方向に貫通し、内部空間がＺ方向に向かってガスを送出する複数のガス噴出口６ａをＸ方向に沿って離間して形成したガス送出列が、Ｙ方向に関して素子ユニット３を挟んで２列配列されている。ガスタンク６のガス送出列が形成された面領域は、Ｚ方向に突出した突出部６ｇとなっている。この突出部６ｇによりガスフローに所定の方向性を与え、安定したガスフローを行うことができる。そして、この２列の突出部６ｇ間に素子ユニット３の一部が嵌合して、２つのイオン発生素子１１、１２は、Ｙ方向に関して２列の突出部６ｇ間に位置することとなる。
【００５２】
ガスタンク６は、図示しないガス供給源に接続されている。ガス供給源から供給されるガスとしては、エアガスまたは窒素などの不活性ガスが適当である。ガス供給源から供給されたガスは、ガスタンク６のガス噴出口６ａから搬送面３０ａと直交する方向に向かってカバー９の孔９ａ及び電流検出電極２７ａ、２７ｂの孔を介して送出される。つまり、ガスタンク６の複数のガス噴出口６ａから送出されたガスは、搬送方向に関して２つのイオン発生素子１１、１２を挟んで、搬送面３０ａと直交する方向に向かった状態でＸ方向に延在したガスカーテンを形成する。
【００５３】
ここで、２つのイオン発生素子１１、１２はイオンを発生するため、静電気によりゴミが付着しやすくなっている。そこで、２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ対応してガスカーテンを形成することで、２つのイオン発生素子１１、１２のイオン発生面１１ａ、１２ａから搬送面３０ａへ向かってそれぞれ発生するイオンの分布領域をガスカーテンによって周囲から遮断するため、周囲のゴミが２つのイオン発生面１１ａ、１２ａに付着しづらくなる。また、２つのイオン発生面１１ａ、１２ａからそれぞれ発生したイオンがより効率よく搬送面３０ａに流れ、一層効果的に除電対象物３０の除電を行うことができる。また、ガスカーテンは２つのイオン発生素子１１、１２を挟んで形成されるので、２つのイオン発生面１１ａ、１２ａから発生したイオンが分散するのを防止することができる。また、ガスカーテンは、搬送面３０ａと直交する方向に向かって形成されているため、２つのイオン発生面１１ａ、１２ａから発生した正イオン及び負イオンが混在しにくくなり、中和しにくくなる。
【００５４】
次に、筐体２へのガスタンク６及び素子ユニット３の取り付けについて説明する。筐体２へのガスタンク６の取り付けは、図２に示すように、筐体２の溝２ｃにガスタンク６の突起６ｂを係合させて、ガスタンク６をＸ方向に沿ってスライドさせることで行われる。そして、筐体２にスライドして配置されたガスタンク６同士はガス入口６ｅ及びガス出口６ｆによって連結され、筐体２の嵌め込み孔２ｄとガスタンク６の切り欠き６ｄがＺ方向に沿って重なる位置に配置される。そして、筐体２内の各ガスタンク６とＺ方向に沿って重なる位置に電源基板５及びコネクタ４２を配置すると、図３に示すように、ガスタンク６の開口６ｃからコネクタ４２が突出する。この状態で、素子ユニット３をＺ方向に移動させて、支持体３ａの突起３ｅをガスタンク６の切り欠き６ｄを介して筐体２の嵌め込み孔２ｄに嵌合することで、素子ユニット３は筐体２に確実に取り付けられるとともに、コネクタ４２とコネクタ４１とが嵌合して電気的に接続される。このようにして、素子ユニット３を筐体２に取り付けることで、コネクタ４２とコネクタ４１を確実に電気的に接続することができ、コネクタ４２とコネクタ４１を電気的に接続する作業を低減することができる。
【００５５】
このように、ガスタンク６を利用することでガスを噴出させる構成が簡単である。また、イオン発生素子１１、１２がそれぞれ設けられた複数の素子ユニット３は、筐体２にＺ方向に沿って着脱自在に取り付けられている。したがって、例えば、長期使用により摩耗したり、損傷したりしたイオン発生素子１１、１２を交換やメンテナンスする場合において、他の素子ユニット３を取り付けたまま当該イオン発生素子１１、１２が設けられた素子ユニット３のみをＺ方向に沿って容易に取り外すことができ、当該イオン発生素子１１、１２を容易に交換やメンテナンスすることができる。また、Ｘ方向に長い除電装置１を形成することができる。
【００５６】
次に、除電装置１の電気系統について図面を参照しつつ説明する。図１０は、除電装置の電気的接続を示す概略図である。なお、図１０においては、グランド線の図示を省略している。図１１は、除電装置の電気的構成を示すブロック図である。図１２は、電圧発生回路の内部回路図である。図１３は、２つのイオン発生素子にそれぞれ印加される電圧波形を示す図である。図１４は、除電時について説明する概略平面図である。
【００５７】
まず、除電装置１の電気的接続について説明する。図１０に示すように、制御基板４と電源基板５は、プラス側とマイナス側の各駆動電圧信号線、放電電流信号線、電圧制御信号線及びＰＷＭ信号線を介して電気的に接続されている。電源基板５と素子ユニット３は、プラス側の誘導電極１７とイオン発生電極１６への駆動電圧供給線、マイナス側の誘導電極１７とイオン発生電極１６への駆動電圧供給線、プラス側とマイナス側の各放電電流検知線及び安定化電極バイアス線を介して電気的に接続されている。電源基板５と素子ユニット３の接続には、図３及び図６に示す電源基板５のコネクタ４２と素子ユニット３のコネクタ４１が使用される。
【００５８】
次に、制御基板４の内部構成について、図１１を参照しつつ説明する。制御基板４には、各種動作を制御するプログラムやデータなどが格納されたＲＯＭ（Read Only Memory）、各種動作を制御する信号を生成するために各種演算を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＣＰＵでの演算結果などのデータを一時保管するＲＡＭ（Random Access Memory）などが含まれている。あるいは、制御基板４は、ロジックＩＣ、ＡＳＩＣまたはＦＰＧＡなどで構成してもよい。また、制御基板４は、発振制御部８１、電圧制御部８２及び判断部８３として機能する。なお、図３〜５に示すように、除電装置１が複数の電源基板５及び素子ユニット３の対をＸ方向に連結して構成されている場合、制御基板４は共用して使用することができる。制御基板４のＣＰＵから各対への信号授受及び各対に対する制御処理は、周知のタイムシーケンシャル作用などによって十分迅速に行うことができる。
【００５９】
次に、電源基板５の内部構成について説明する。図１１に示すように、電源基板５は、プラス側の電圧発生回路７１と、マイナス側の電圧発生回路７２と、プラス側の電流／電圧変換回路７３と、マイナス側の電流／電圧変換回路７４と、プラス側の安定化電極用電源７５と、マイナス側の安定化電極用電源７６と、を有している。
【００６０】
図１２に示すように、２つの電圧発生回路７１、７２は、共通の電源５１を有しており、駆動回路５２と、トランス５３と、２次回路５４とをそれぞれ有している。電源５１から出力された電圧は、対応する駆動回路５２、トランス５３、２次回路５４を介して２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加される。このとき、イオン発生素子１１にはマイナスのパルス電圧が印加されるため、負イオンを発生し、イオン発生素子１２にはプラスのパルス電圧が印加されるため、正イオンを発生する。
【００６１】
プラス側の電流／電圧変換回路７３は、プラス側の電流検出電極２７ｂに流れる放電電流を放電電圧に変換して放電電流信号として、放電電流信号線を介して、制御基板４に送る。マイナス側の電流／電圧変換回路７４は、マイナス側の電流検出電極２７ａに流れる放電電流を放電電圧に変換して放電電流信号として、放電電流信号線を介して、制御基板４に送る。
【００６２】
プラス側の安定化電極用電源７５は、イオン発生素子１２のイオン発生電極１６から発生するイオンと同極性のプラスのバイアス電圧を、安定化電極バイアス線を介して、安定化電極２６ｂに印加する。マイナス側の安定化電極用電源７６は、イオン発生素子１１のイオン発生電極１６から発生するイオンと同極性のマイナスのバイアス電圧を、安定化電極バイアス線を介して、安定化電極２６ａに印加する。
【００６３】
制御基板４の電圧制御部８２は、駆動電圧決定部８６と放電電流検出部８７とを有している。放電電流検出部８７には、２つの電流検出電極２７ａ、２７ｂによってそれぞれ検出された放電電流を電流／電圧変換回路７３、７４によって放電電圧に変換した放電電流信号が入力される。駆動電圧決定部８６は、放電電流検出部８７によって検出された２つの放電電流信号をデジタル値に変換して比較して、この比較結果に基づいて、電流検出電極２７ａ、２７ｂにより検出される放電電流信号が所望のイオン量に対応した目標信号値と一致するように、つまり２つのイオン発生素子１１、１２から目標とするイオン量をそれぞれ発生させるように電圧制御信号値（デジタル値）を生成する。電圧制御信号値から電圧値に変換された電圧制御信号は、電圧制御信号線を介して、制御基板４から電源基板５の２つの電圧発生回路７１、７２にそれぞれ送られる。２つの電圧発生回路７１、７２は各電圧制御信号を受けて、所望のイオン量に対応した目標電圧値と一致するように２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加する駆動電圧を変化させる。すなわち、電圧制御部８２は、電圧制御信号値の生成に際して、放電電流信号値と目標電圧値とが一致するようにフィードバック制御を行っている。
【００６４】
【表１】
0005493188.tif 000002
【００６５】
具体的には、放電電流検出部８７によってプラス側及びマイナス側の電流／電圧変換回路７３、７４からそれぞれ検出した放電電流信号値から所望のイオン量に対応した目標信号値を減算した値をΔとする。そして、駆動電圧決定部８６は、Δの値に応じたイオン発生素子からのイオン発生状態を４つの状態に区分する。表１に示すように、Δが閾値よりも大きい、すなわち対応するイオン発生素子から閾値に対応したイオン量よりも多くのイオンが発生している場合には上とする。また、Δが０よりも大きく閾値よりも小さい、すなわち対応するイオン発生素子から所望のイオン量よりも多く、閾値に対応したイオン量よりも少ないイオンが発生している場合には中上とする。さらに、Δが０以下であり、（０−閾値）以上である、すなわち対応するイオン発生素子から所望のイオン量よりも少なく、（０−閾値）に対応したイオン量よりも多いイオンが発生している場合には中下とする。また、Δが（０−閾値）よりも小さい、すなわち対応するイオン発生素子から（０−閾値）に対応したイオン量よりも少ないイオンが発生している場合には下とする。なお、閾値は、使用環境やイオン発生状況に応じて適宜定められている。
【００６６】
そして、駆動電圧決定部８６は、表１に示すマトリクス表に基づいて、プラス側のイオン発生素子からのイオン発生状態とマイナス側のイオン発生素子からのイオン発生状態を比較して、２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加する駆動電圧を決定する。例えば、プラス側及びマイナス側のイオン発生状態がどちらも上であった場合、２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加する駆動電圧を所定値だけ減少させる。
【００６７】
ここで、本発明者らは、イオン発生素子１１、１２がヒステリシスを有しており、印加する駆動電圧を所定値だけ加算したときと所定値だけ減算したときでイオンの増減量が異なることを知見した。より具体的には、本実施形態におけるイオン発生素子１１、１２においては、所定値だけ駆動電圧を加算したときのイオンの増量は、所定値だけ駆動電圧を減算したときのイオンの減量よりも大きいことを知見した。これからわかるように、イオン発生素子１１、１２には、駆動電圧を変化させたときに、イオン発生量が減りにくく増えやすいという特性があるため、イオン発生量を増やす制御を抑制して、減らす制御を積極的に行うことでイオンバランスを安定させることができると考えられる。
【００６８】
そこで、２つの放電電流信号が特定の組み合わせ領域である、すなわち、２つのイオン発生素子１１、１２からそれぞれ発生したイオン発生状態が、上と下のように基準値との差異が逆極性となり、且つ、差異の大きさが２段階以上であり、所定量の差を有している場合には、駆動電圧決定部８６は、大きな状態に区分されたイオン発生素子に印加する駆動電圧を減少させ、小さな状態に区分されたイオン発生素子に印加する駆動電圧を保持するよう電圧発生回路７１、７２を制御する。
【００６９】
表１に示すように、２つのイオン発生素子１１、１２からのイオン発生状態の差が、２段階以上になる場合は６通りあり、そのうちプラス側が大きな状態となる場合が３通りあり、マイナス側が大きな状態となる場合が３通りある。例えば、プラス側が大きな状態となる３通りの場合は、プラス側が上、マイナス側が下の状態、プラス側が上、マイナス側が中下の状態、及び、プラス側が中上、マイナス側が下の状態の場合である。これらの場合には、駆動電圧決定部８６は、プラス側のイオン発生素子１２に印加する駆動電圧を所定値だけ減少させ、マイナス側のイオン発生素子１１に印加する駆動電圧を保持するよう電圧発生回路７１、７２を制御する。
【００７０】
すると、マイナス側のイオン発生素子１１からのイオン発生量は変わらず、プラス側のイオン発生素子１２からのイオン発生量は減少し、マイナス側のイオン発生素子１１からのイオン発生量に近づく。このように、イオン発生量が少ないマイナス側のイオン発生素子１１からのイオン発生量の増大を抑制することで、２つのイオン発生素子１１、１２から発生するイオンによるイオンバランスを安定させ、２つのイオン発生素子１１、１２から発生するイオン量を均等にして、除電対象物に対して安定した除電を行うことができる。また、Δを４段階のイオン発生状態に区分することで、マトリクス表を参照するだけで、容易に駆動電圧を決定することができる。
【００７１】
また、マイナス側が大きな状態となる３通りの場合は、マイナス側が上、プラス側が下の状態、マイナス側が上、プラス側が中下の状態、及び、マイナス側が中上、プラス側が下の状態の場合であるが、同様にして駆動電圧が決定される。すなわち、駆動電圧決定部86において、マイナス側のイオン発生素子１１に印加する駆動電圧を所定値だけ減少させ、プラス側のイオン発生素子１２に印加する駆動電圧を保持するよう電圧発生回路７１、７２を制御する。
【００７２】
制御基板４の発振制御部８１は、ＰＷＭ信号線を介して、連結した電源基板５及び素子ユニット３の対をタイムシーケンシャルに選択するとともに、各対の２つのイオン発生素子１１、１２に対し駆動電圧を印加するタイミングに関するトリガー信号を、電源基板５の２つの電圧発生回路７１、７２にそれぞれ出力する。そして、２つの電圧発生回路７１、７２は、プラス側及びマイナス側駆動電圧供給線を介して、電圧制御信号値に基づいた駆動電圧をトリガー信号に合わせて、素子ユニット３のイオン発生素子１１、１２の給電端子６２、６４に印加する。
【００７３】
ここで、１つの素子ユニット３の２つのイオン発生素子１１、１２に印加される駆動電圧について詳細に説明する。図１３に示すように、プラス側の電圧発生回路７１は、プラスのバイアス電圧を印加するとともに、発振制御部８１により制御されて、イオン発生素子１２に対して１周期（例えば、１０〜５００Ｈｚ）の間に例えば２度連続してプラスのパルス電圧を印加する。また、マイナス側の電圧発生回路７２は、マイナスのバイアス電圧を印加するとともに、発振制御部８１により制御されて、イオン発生素子１１に対して１周期の間に例えば２度連続してマイナスのパルス電圧を印加する。本実施形態において、パルス幅Ｂは５μｓ、パルス間隔Ｃは３００μｓ、出力電圧Ｖは２．４ｋＶｐｋとなっている。なお、この1周期におけるパルス電圧の数は発生させたいイオン発生量によって種々に変化させることができる。
【００７４】
また、電源基板５は、駆動電圧信号線を介して、２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加する駆動電圧の一部を分圧して、駆動電圧信号として制御基板４の判断部８３に送る。
【００７５】
判断部８３は、電圧制御部８２から放電電流信号及び電圧制御信号を受け、さらに電源基板５から駆動電圧信号を受けて、各ユニット３のイオン発生素子１１、１２のそれぞれの交換時期に関する判断などを行い、７セグメントＬＥＤ８５にその旨を表示させる。また、判断部８３は、イオン発生素子１１、１２の交換時期が経過していると判断した場合に、イオンの発生を停止させるために、発振制御部８１に対してトリガー信号を送信するのを停止させる信号を送信する。
【００７６】
次に、除電装置１による除電対象物３０の除電工程について説明する。図１４（ａ）に示すように、イオン発生素子１１、１２のＹ方向に沿った縦断面においては、イオン発生中心部であるイオン発生電極１６部分からイオンが発生している。搬送面３０ａと直交する方向に関する、イオン発生素子１１、１２から搬送面３０ａまでの距離Ｍは、この２つのイオン発生素子１１、１２の２つのイオン発生電極１６間の距離Ｎ以上となっている。本実施形態においては、距離Ｎは１０ｍｍとなっており、距離Ｍは１０〜５００ｍｍが好ましい。この距離関係において、除電装置１は効果的に除電対象物３０の除電を行うことができる。距離Ｍが距離Ｎ以下では、各イオン発生素子１１、１２から発生するイオン分布が搬送面３０ａ上で独立した分布となり、除電対象物３０に過帯電をもたらす恐れがある。距離Ｍを距離Ｎ以上とすることにより、搬送面３０ａ上に各イオン発生素子１１、１２から発生するイオン分布の共存部分を形成し、除電対象物３０の過帯電を防止することができる。また、距離Ｍがあまり大きすぎると、各イオン発生素子１１、１２から発生するイオンが搬送面３０ａまで運ばれてくるまでに外方向に拡散し、またイオンに過度な中和を生じさせる。距離Ｍは所定距離内に設定することが望ましい。
【００７７】
除電対象物３０が搬送面３０ａに沿って搬送方向に搬送され、除電装置１と除電対象物３０とが対向するとき、この発生した正イオン及び負イオンのうち、除電対象物３０の帯電極性と逆極性のイオンは除電対象物３０に引き寄せられることとなり、除電対象物３０は除電される。このとき、上述したように各イオン発生素子１１、１２から発生する負イオン及び正イオンの分布に共存領域が存在することによって、除電対象物３０の過帯電が防止される。
【００７８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能なものである。例えば、本実施形態においては、２つのイオン発生素子１１、１２からのイオン発生状態が２段階以上離れている場合に、イオンの増大を抑制する制御を行ったが、３段階以上離れている場合にだけ、同様の制御を行うものであってもよい。
【００７９】
また、本実施形態においては、２つのイオン発生素子１１、１２のイオン発生状態領域を上下２段（マトリックスで４×４）に区分していたが、単に基準値に対して上下だけ（マトリックスで２×２）に区分してもよいし、上下２段以上の任意の段数に区分してもよい。
【００８０】
さらに、本実施形態においては、イオン発生状態における上と中上の閾値と下と中下の閾値は正負の符号が異なるだけで０を挟んで対称な値であったが、それぞれ任意の値でよく、対称な値でなくてもよい。
【００８１】
また、本実施形態におけるイオン発生素子１１、１２においては、所定値だけ駆動電圧を加算したときのイオンの増量は、所定値だけ駆動電圧を減算したときのイオンの減量よりも大きくなるという特性であったが、イオン発生素子の構成によっては、所定値だけ駆動電圧を大きくしたときのイオンの増量は、所定値だけ駆動電圧を小さくしたときのイオンの減量よりも小さくなるという特性もありえる。この場合、本実施形態とは逆に、駆動電圧の減算を抑制してもよい。具体的には、イオン発生量が多いイオン発生素子に印加する駆動電圧を保持し、イオン発生量が少ないイオン発生素子に印加する駆動電圧を加算する。これにより、イオン発生量が多いイオン発生素子からのイオン発生量の減少を抑制することで、２つのイオン発生素子１１、１２から発生するイオンによるイオンバランスを安定させ、２つのイオン発生素子１１、１２から発生するイオン量を均等にして、除電対象物に対して安定した除電を行うことができる。このように、駆動電圧決定部８６は、ヒステリシスに合わせて、駆動電圧の加算、または、減算の一方を抑制すればよい。
【００８２】
なお、図１や図１４に図示のように、例えばイオン発生素子１１、１２の逆ハの字状の２つの斜面を持つように配置された構造では、一方のイオン発生素子のイオン発生量を減らして、他方のイオン発生素子のイオン発生量を多くしようとすると、他方のイオン発生素子から必要以上にイオンが発生してしまう傾向がある。すなわち、必要以上に発生したイオンが逆極性のイオンと中和してしまい、他方のイオン極性にイオンバランスが傾いてしまう。さらに、逆極性のイオンは中和して、イオン量が所定量よりも少なくなってしまう。このようにして、イオン発生装置の構造上、イオン発生素子のヒステリシス特性が、イオン発生素子の構造によるイオン発生量の過剰な増減を助長することがあるが、本実施形態の駆動電圧の決定によりイオン発生量が過剰に増減することを防止できる。
【００８３】
加えて、イオン発生電極１６の突起電極１６ｂの形状は、三角形状に限らず、波状、円状、格子状などいかなる形状であってもよい。
【００８４】
さらに、イオン発生素子１１、１２に対する印加電圧は、図１３の例では常時バイアス電圧を印加する方法を利用しているが、イオン発生のため、アース電圧（０ボルト）より所定のピークのパルス電圧を印加するような駆動方法でもよく、公知、周知の駆動方法が利用できる。
【符号の説明】
【００８５】
１  除電装置
１１、１２  イオン発生素子
２７ａ、２７ｂ  電流検出電極
７１、７２  電圧発生回路
８２  電圧制御部
８６  駆動電圧決定部
８７  放電電流検出部
【図１】
0005493188.tif 000003
【図２】
0005493188.tif 000004
【図３】
0005493188.tif 000005
【図４】
0005493188.tif 000006
【図５】
0005493188.tif 000007
【図６】
0005493188.tif 000008
【図７】
0005493188.tif 000009
【図８】
0005493188.tif 000010
【図９】
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【図１０】
0005493188.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
0005493188.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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