(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）と、
下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）と、
を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。

【化１】
0005386836.tif 000022
（ただし、上記一般式（１）において、−Ａｒ１−はフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、オキシビフェニレン基及びビフェニレン基から選ばれる基である。−Ａｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基及びナフチレン基から選ばれる基である。但し、−Ａｒ１−、−Ａｒ２−がともにフェニレン基である場合を除く。Ｘは水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、その有機基にヒドロキシル基を有していてもよい。−Ａｒ１−に導入される置換基Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。−Ａｒ２−に導入される置換基Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｋは０〜７の整数であり、ｌは０〜８の整数である。ｍ及びｎの平均値はいずれも０を超え、１０に満たない正数である。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の−Ａｒ１−がフェニレン基であり、−Ａｒ２−がビフェニレン基であり、Ｘが水素原子又は炭素数６〜２０の芳香族基であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
前記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）が、ｍ≠０、ｎ≠０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が５％以上、５５％以下であり、かつｍ＝０、ｎ＝０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が０．１％以上、４０％以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
前記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．１０ｄＰａ・ｓ以上、０．６５ｄＰａ・ｓ以下であり、軟化点が５０℃以上、６５℃以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】
誘電分析装置にて測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件にて測定した際の、最低イオン粘度が測定開始から５秒以上、４０秒以内にあり、且つその値が４．０以上、７．０以下であり、さらに最大スロープが測定開始から１０秒以上、６０秒以内にあり、且つその値が２．０以上、６．０以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】
ハロゲン系難燃剤、重金属系難燃剤を含まず、かつ硬化物のＵＬ−９４垂直法による耐燃性がＶ−０規格に適合することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項７】
更に前記化合物（Ｂ）以外のフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）を含み、該化合物（Ｃ）がノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂及びジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂から選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項８】
グリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）が、ビフェノールのエポキシ化樹脂、ビスフェノールＦのエポキシ化樹脂、チオビスフェノールのエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂及びジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項９】
更に硬化促進剤（Ｄ）を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１０】
前記硬化促進剤（Ｄ）が、下記一般式（２）で表される化合物、下記一般式（３）で表される化合物、下記一般式（４）で表される化合物及び下記一般式（５）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項９に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【化２】
0005386836.tif 000023
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子である。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は芳香族基、又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンである。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸である。ａ、ｂは１〜３の整数、ｃは０〜３の整数であり、かつａ＝ｂである
。）
【化３】
0005386836.tif 000024
（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子である。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基である。ｄ、ｅは０〜３の整数。）
【化４】
0005386836.tif 000025
（ただし、上記一般式（４）において、Ｐはリン原子である。Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１０とＲ１１が結合して環状構造となっていてもよい。）
【化５】
0005386836.tif 000026
（ただし、上記一般式（５）において、Ａ１は窒素原子又はリン原子である。Ｓｉは珪素原子である。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、或いは脂肪族基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ２、及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基である。）
【請求項１１】
更にシランカップリング剤（Ｅ）と、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１２】
前記化合物（Ｆ）が、芳香環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１３】
前記化合物（Ｆ）が、ナフタレン環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１４】
前記化合物（Ｆ）が、ナフタレン環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１５】
前記化合物（Ｆ）を当該樹脂組成物全体の０．０１重量％以上、１重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１１ないし請求項１４のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１６】
前記シランカップリング剤（Ｅ）を当該樹脂組成物全体の０．０１重量％以上、１重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１７】
更に無機充填剤（Ｇ）を当該樹脂組成物全体の８０重量％以上、９２重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１８】
前記化合物（Ｂ）の水酸基当量が１９０以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項１７のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１９】
請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子（以下、「素子」、「チップ」ともいう。）の高集積化が年々進み、また半導体装置（以下、「パッケージ」ともいう。）の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用樹脂組成物（以下、「封止材」又は「封止材料」ともいう。）への要求は益々厳しいものとなってきている。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきている現状では、吸湿した半導体装置が半田処理時に高温にさらされ、気化した水蒸気の爆発的応力により半導体装置にクラックが発生したり、或いは半導体素子やリードフレームと半導体封止用樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生したりすることにより、半導体装置の電気的信頼性を大きく損なう不良が生じ、これらの不良の防止、即ち耐半田性の向上が大きな課題となっている。さらに鉛の使用撤廃の機運から、従来よりも融点の高い無鉛半田の使用が高まってきている。この無鉛半田の適用により実装温度を従来に比べ約２０℃高くする必要があり、実装後の半導体装置の信頼性が従来に比べ著しく低下する不具合が生じてきている。また、環境問題からＢｒ化合物や酸化アンチモン等の難燃剤を使わずに耐燃性を付与する要求も増えてきている。耐半田性、耐燃性向上については、無機充填剤を高充填化することにより、前者は低吸水化、後者は燃えやすい樹脂分の低減ができ、両方の改良手法としては有効とされている。このような背景から、最近の半導体封止用樹脂組成物の動向は、成形時に低粘度で高流動性を維持するために、より低粘度の結晶性エポキシ樹脂を適用し、より多くの無機充填剤を配合する傾向が強くなっている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。しかし、これらの方法だけでは実装時の耐半田性、難燃化が両立できる手法は未だ見出されていない。
【０００３】
そこで本出願人は、耐半田性、耐燃性に優れたビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型硬化剤を用いたエポキシ樹脂組成物を提案している（例えば、特許文献３参照）。このエポキシ樹脂組成物は分子骨格に芳香族環を多く含むことから燃焼時、成形物表層に炭化層を形成することにより、さらなる燃焼を抑え、優れた耐燃性を示す。また、芳香族環構造含有による疎水性の向上、架橋点間距離増大による高温下における低弾性率化が耐半田性向上に寄与している。
しかしながら、上述した要求が高度化し、さらなる耐半田性、耐燃性の向上が望まれている。その対策としては無機充填剤の配合量を高めることで解決できると考えられるが、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型硬化剤は溶融粘度が低くなく、流動性が低下する。近年の半導体装置のＩ／Ｏ数が格段の上昇により、シリコンチップと基板の回路を電気的接合させているボンディングワイヤーのピッチ間が狭まる傾向にあり、従来以上の流動性を要求されるようになってきており、その点で上記樹脂系は不利である。
そこで樹脂の分子量を小さくすることで溶融粘度を下げる手法がよく使用されるが、それにより硬化性が損なわれる可能性が高い。
以上から、半導体装置においては、流動性と硬化性を損なうことなく、高度化した耐半田性、耐燃性の要求を満たすことができる技術が求められていた。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１３０９１９号公報
【特許文献２】特開平８−２０６７３号公報
【特許文献３】特開平１１−１４０２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、耐半田性、耐燃性に優れ、かつ流動性に優れながら、硬化性も高い半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
［１］  グリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）と、下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
【化１】
0005386836.tif 000002
（ただし、上記一般式（１）において、−Ａｒ１−はフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、オキシビフェニレン基及びビフェニレン基から選ばれる基である。−Ａｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基及びナフチレン基から選ばれる基である。但し、−Ａｒ１−、−Ａｒ２−がともにフェニレン基である場合を除く。Ｘは水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、その有機基にヒドロキシル基を有していてもよい。−Ａｒ１−に導入される置換基Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。−Ａｒ２−に導入される置換基Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｋは０〜７の整数であり、ｌは０〜８の整数である。ｍ及びｎの平均値はいずれも０を超え、１０に満たない正数である。）
【０００７】
［２］  前記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の−Ａｒ１−がフェニレン基であり、−Ａｒ２−がビフェニレン基であり、Ｘが水素原子又は炭素数６〜２０の芳香族基であることを特徴とする第［１］項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
［３］  前記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）が、ｍ≠０、ｎ≠０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が５％以上、５５％以下であり、かつｍ＝０、ｎ＝０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が０．１％以上、４０％以下であることを特徴とする第［１］項又は第［２］項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
［４］  前記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．１０ｄＰａ・ｓ以上、０．６５ｄＰａ・ｓ以下であり、軟化点が５０℃以上、６５℃以下であることを特徴とする第［１］項ないし第［３］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［５］  誘電分析装置にて測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件にて測定した際の、最低イオン粘度が測定開始から５秒以上、４０秒以内にあり、且つその値が４．０以上、７．０以下であり、さらに最大スロープが測定開始から１０秒以上、６０秒以内にあり、且つその値が２．０以上、６．０以下であることを特徴とする第［１］項ないし第［４］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［６］  ハロゲン系難燃剤、重金属系難燃剤を含まず、かつ硬化物のＵＬ−９４垂直法による耐燃性がＶ−０規格に適合することを特徴とする第［１］項ないし第［５］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［７］  更に前記化合物（Ｂ）以外のフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）を含み、該化合物（Ｃ）がノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂及びジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂から選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする第［１］項ないし第［６］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［８］  グリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）が、ビフェノールのエポキシ化樹脂、ビスフェノールＦのエポキシ化樹脂、チオビスフェノールのエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂及びジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする第［１］項ないし第［７］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［９］  更に硬化促進剤（Ｄ）を含むことを特徴とする第［１］項ないし第［８］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
【０００８】
［１０］  前記硬化促進剤（Ｄ）が、下記一般式（２）で表される化合物、下記一般式（３）で表される化合物、下記一般式（４）で表される化合物及び下記一般式（５）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする第［９］項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
【０００９】
【化２】
0005386836.tif 000003
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子である。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は芳香族基、又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンである。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸である。ａ、ｂは１〜３の整数、ｃは０〜３の整数であり、かつａ＝ｂである。）
【００１０】
【化３】
0005386836.tif 000004
（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子である。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基である。ｄ、ｅは０〜３の整数。）
【００１１】
【化４】
0005386836.tif 000005
（ただし、上記一般式（４）において、Ｐはリン原子である。Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１０とＲ１１が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００１２】
【化５】
0005386836.tif 000006
（ただし、上記一般式（５）において、Ａ１は窒素原子又はリン原子である。Ｓｉは珪素原子である。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、或いは脂肪族基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ２、及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基である。）
【００１３】
［１１］  更にシランカップリング剤（Ｅ）と、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）を含むことを特徴とする第［１］項ないし第［１０］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１２］  前記化合物（Ｆ）が、芳香環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする第［１１］項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１３］  前記化合物（Ｆ）が、ナフタレン環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする第［１１］項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１４］  前記化合物（Ｆ）が、ナフタレン環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする第［１１］項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１５］  前記化合物（Ｆ）を当該樹脂組成物全体の０．０１重量％以上、１重量％以下の割合で含むことを特徴とする第［１１］項ないし第［１４］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１６］  前記シランカップリング剤（Ｅ）を当該樹脂組成物全体の０．０１重量％以上、１重量％以下の割合で含むことを特徴とする第［１１］項ないし第［１５］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１７］  更に無機充填剤（Ｇ）を当該樹脂組成物全体の８０重量％以上、９２重量％以下の割合で含むことを特徴とする第［１］項ないし第［１６］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
［１８］  前記第［１］項ないし第［１７］項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に従うと、耐半田性、耐燃性に優れ、かつ流動性に優れながら、硬化性も高い半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、グリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）と、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とを含むことにより、耐半田性、耐燃性に優れ、かつ流動性に優れながら、硬化性も高い半導体封止用樹脂組成物が得られるものである。
以下、各成分について詳細に説明する。
【００１６】
本発明で用いられるグリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）としては従来使用されている１分子中に２個以上のグリシジルエーテル基を有するエポキシ樹脂が挙げられるが、特に制限はない。例えばフェノール、クレゾール、１−ナフトール、２−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のフェノール類、ナフトール類と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物と、を酸触媒下において反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、オキシジフェノール、チオビスフェノール、ビフェノール等のエポキシ化樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂；フェニレン骨格やビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂；フェニレン骨格やビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂；アルキル変性トリフェノールメタン型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂；ジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、ビフェノールのエポキシ化樹脂、ビスフェノールＦのエポキシ化樹脂、チオビスフェノールのエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂及びジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１７】
更にその中でも、ビフェノールのエポキシ化樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）やビスフェノールＡのエポキシ化樹脂（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＦ
のエポキシ化樹脂（ジフェニルメタン型エポキシ樹脂）を適用すると流動性に優れる半導体封止用樹脂組成物となり、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂（フェノールアラルキル型エポキシ樹脂）、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂（フェノールアラルキル型エポキシ樹脂）を適用すると耐半田性に優れた半導体封止用樹脂組成物となる。また、トリフェノールメタン型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂（トリフェノールメタン型エポキシ樹脂）、ナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂（ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂）、ジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂等を適用すると低反り性に優れた半導体封止用樹脂組成物となる。
半導体封止用樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるＮａイオンやＣｌイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量としては１００ｇ／ｅｑ以上、５００ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。
【００１８】
本発明で用いられるグリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中に、２重量％以上であることが好ましく、４重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、化合物（Ａ）の配合割合の上限値については、１２重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、耐半田性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００１９】
本発明で用いられる下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）は、フェノールアラルキル樹脂の特徴である耐半田性、耐燃性を損なわずに、溶融粘度の低減による流動性の向上と、架橋密度上昇による硬化性の向上とを図れるものである。下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）は、ＯＨ基が結合した−Ａｒ１−で表されるフェノール性骨格部分、ＯＨ基が結合した−Ａｒ１−で表されるフェノール性骨格と置換基Ｘを含むメチレン系骨格とからなる部分（ｍ個の繰り返し単位１）、−Ａｒ２−で表される芳香族系骨格とメチレン基とからなる部分（ｎ個の繰り返し単位２）から構成される化合物であり、それぞれの繰り返し単位が交互になっているもの、ランダムになっているもの、連なっているものなどが挙げられ、それらは混合物として存在していてもよい。下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）は、ｍ個の繰り返し単位１とｎ個の繰り返し単位２との構成比率が異なる複数の成分の集合体となるが、原料成分の仕込みモル比を変えることで、特定の繰り返し単位１の個数ｍと繰り返し単位２の個数ｎである成分の含有比率を調整することができ、これにより、流動性と硬化性のバランスに優れた半導体封止用樹脂組成物を得ることができる。下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）としては、特に限定するものではないが、例えば、下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
【００２０】
【化１】
0005386836.tif 000007
（ただし、上記一般式（１）において、−Ａｒ１−はフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、オキシビフェニレン基及びビフェニレン基から選ばれる基である。−Ａｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基及びナフチレン基から選ばれる基である。但し
、−Ａｒ１−、−Ａｒ２−がともにフェニレン基である場合を除く。Ｘは水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、その有機基にヒドロキシル基を有していてもよい。−Ａｒ１−に導入される置換基Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。−Ａｒ２−に導入される置換基Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｋは０〜７の整数であり、ｌは０〜８の整数である。ｍ及びｎの平均値はいずれも０を超え、１０に満たない正数である。）
【００２１】
【化６】
0005386836.tif 000008
（ただし、上記一般式（６）において、−Ａｒ１−はフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、オキシビフェニレン基及びビフェニレン基から選ばれる基である。−Ａｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基及びナフチレン基から選ばれる基である。但し、−Ａｒ１−、−Ａｒ２−がともにフェニレン基である場合を除く。Ｘは水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、その有機基にヒドロキシル基を有していてもよい。−Ａｒ１−に導入される置換基Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。−Ａｒ２−に導入される置換基Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｋは０〜７の整数であり、ｌは０〜８の整数である。ｐ、ｑの平均値は０を超え、１０に満たない正数である。）
【００２２】
一般式（１）の−Ａｒ１−はフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、オキシビフェニレン基及びビフェニレン基から選ばれる基であり、−Ａｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基及びナフチレン基から選ばれる基であるが、−Ａｒ１−、−Ａｒ２−がともにフェニレン基であるものを除く。−Ａｒ１−がナフチレン基類の場合にはこれを用いた半導体封止用樹脂組成物の硬化物の線膨張係数が小さくなり、−Ａｒ１−がビフェニレン基類の場合にはこれを用いた半導体封止用樹脂組成物の耐燃性が良好となり、また、−Ａｒ１−がフェニレン基の場合にはこれを用いた半導体封止用樹脂組成物の成形時における溶融粘度、硬化性が良好となる。これらの中でも溶融粘度、硬化性のバランスの観点からフェニレン基がより好ましい。−Ａｒ２−がナフチレン基の場合はこれを用いた半導体封止用樹脂組成物の硬化物の線膨張係数が小さくなる。また、−Ａｒ２−がフェニレン基、ビフェニレン基の場合にはこれを用いた半導体封止用樹脂組成物の成形時における溶融粘度、硬化性、及び硬化物の耐半田性、耐燃性が良好となる。これらの中でも溶融粘度、硬化性、耐半田性、耐燃性のバランスの観点からフェニレン基、ビフェニレン基がより好ましい。
【００２３】
−Ａｒ１−に導入される置換基Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよいが、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等から選ばれるアルキル基、あるいは、フェニル基；メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、メチルエチルフェニル基等のアルキル基導入フェニル基；ヒドロキシ基導入フェニル基、アルキル基導入もしくは非導入のナフチル基；アルキル基導入もしくは非導入のビフェニル基；アルキル基導入もしくは非導入のアントラセニル基等から選ばれる芳香族骨格基が好ましい。中でも溶融粘度、硬化性等のバランスから置換基Ｒ１がフェニル基、アルキル基導入フェ
ニル基であること、あるいは置換基Ｒ１が導入されないことがより好ましい。
−Ａｒ２−に導入される置換基Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよいが、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等から選ばれる炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。中でも溶融粘度、硬化性等のバランスの観点から置換基Ｒ２がメチル基であること、あるいは置換基Ｒ２が導入されないことがより好ましい。
一般式（１）の−Ａｒ１−に導入される置換基Ｒ１の個数であるｋは０〜７の整数であり、−Ａｒ２−に導入される置換基Ｒ２の個数であるｌは０〜８の整数である。中でも溶融粘度、硬化性等のバランスの観点から、ｋ、ｌともに０〜３が好ましく、０〜１がより好ましい。
【００２４】
一般式（１）のｍ及びｎは０〜１０の整数であり、それぞれの平均値はいずれも０を越え、１０に満たない正数である。中でも溶融粘度、硬化性のバランスからｍ及びｎは０〜８が好ましく、０〜５がより好ましい。また、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）は、溶融粘度、硬化性等のバランスの観点から、ｍ≠０、ｎ≠０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が５％以上、５５％以下であることが好ましく、１０％以上、４０％以下であることがより好ましい。また、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）中に、ｍ＝０、ｎ＝０である成分が含まれることで更に低粘度化が促進される。特に溶融粘度、硬化性等のバランスの観点から、ｍ＝０、ｎ＝０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が０．１％以上、４０％以下であることが好ましく、１０％以上、３０％以下であることがより好ましい。尚、ＧＰＣの測定については、例えば、測定装置としてＷａｔｅｒｓ社製Ｗ２６９５、カラムとして昭和電工製ＴＳＫ−ＧＥＬを用いることができ、カラム温度４０℃、移動相ＴＨＦ、流速１．０ｍｌ／ｍｉｎとすることで、各成分の分離がし易くなる。
【００２５】
一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の製造方法としては、特に制限はなく、例えば、フェノール、クレゾール、１−ナフトール、２−ナフトール、フェニルフェノール、ビフェノール等のフェノール性水酸基含有芳香族化合物と、ジメトキシパラキシリレン、ジクロロパラキシリレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル、ビス（クロロメチル）ビフェニル、ビス（メトキシメチル）ナフタレン等の２官能性アルコキシアルキル基含有芳香族化合物又は２官能性ハロゲノアルキル基含有芳香族化合物と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物と、を酸性触媒下で反応させて得ることが出来る。また、フェノール、クレゾール、１−ナフトール、２−ナフトール、フェニルフェノール、ビフェノール等のフェノール性水酸基含有芳香族化合物と、ジメトキシパラキシリレン、ジクロロパラキシリレン、ビス（メトキシメチルメチル）ビフェニル、ビス（クロロメチル）ビフェニル、ビス（メトキシメチル）ナフタレン等の２官能性アルコキシアルキル基含有芳香族化合物又は２官能性ハロゲノアルキル基含有芳香族化合物と、を予め酸性触媒下で反応させて反応生成物を得たのち、更に、フェノール、クレゾール、１−ナフトール、２−ナフトール、フェニルフェノール、ビフェノール等のフェノール性水酸基含有芳香族化合物と、得られた反応生成物と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物と、を酸性触媒下で反応させることによっても得ることが出来る。一般式（１）で表される化合物（Ｂ）において、ｍ個の繰り返し単位１の素となるアルデヒド化合物の仕込みモル比を増加させ、その分ｎ個の繰り返し単位２の素となる２官能性アルコキシアルキル基含有芳香族化合物又は２官能性ハロゲノアルキル基含有芳香族化合物の仕込みモル比を減少させることにより、ｍ≠０、ｎ≠０である成分の含有比率及びｍ＝０、ｎ＝０である成分の含有比率を高めることができる。
【００２６】
上記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）は選択されるＡｒ１、Ａｒ２によって、性状が異なるが、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．１０ｄＰａ・ｓ以上、０．６５ｄＰａ・ｓ以下であることが好ましく、０．２０ｄＰａ・ｓ以
上、０．５５ｄＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。ＩＣＩ粘度が上記下限値を下回ると半導体封止用樹脂組成物としたときにブロッキングが生じやすくなり、上記上限値を超えると流動性に悪影響を及ぼす可能性がある。
また、上記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の軟化点が５０℃以上、６５℃以下であることが好ましく、５２℃以上、６５℃以下であることがより好ましい。軟化点が上記下限値を下回ると樹脂としての保管時にブロッキングが生じやすくなり、上記上限値を超えると流動性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００２７】
本発明では、硬化剤として、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）以外のフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）を併用することができる。併用できるフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）は、半導体封止用樹脂組成物で従来使用されている１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノール、クレゾール、カテコール、フェニルフェノール、ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類、１−ナフトール、２−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物とを酸性触媒下で反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、ノボラック型ナフトール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂；フェノール類、又はナフトール類とジメトキシパラキシリレン、ジクロロパラキシリレンやビス（メトキシメチル）ビフェニル、ビス（クロロメチル）ビフェニル等を酸性触媒下で反応させて得られるフェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂；テルペン変性フェノール樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂；ビスフェノール化合物、等が挙げられ、これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、３００ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。
これらのうち、粘度や硬化性の観点からはノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましく、反り性の観点からフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂が好ましく、耐半田性の観点からはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂が好ましく、耐燃性の観点からはフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましい。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００２８】
本発明において、化合物（Ｂ）の配合割合としては、特に限定するものではないが、溶融粘度、硬化性等のバランスの観点からは、化合物（Ｂ）と化合物（Ｃ）の合計全量に対して、２５重量％であることが好ましく、５０重量％以上であることがより好ましく、７０重量％以上であることが特に好ましい。
【００２９】
本発明で用いられる一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）の合計の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中に、２重量％以上であることが好ましく、３重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、化合物（Ｂ）と化合物（Ｃ）の合計の配合割合の上限値については、１０重量％以下であることが好ましく、８重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、耐半田性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００３０】
本発明で用いられるグリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）の配合量と、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）及びフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）の合計の配合量と、の割合については、化合物（Ａ）中のグリシジルエーテル基数（ＥＰ）と、化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）中のフェノール性水酸基数（ＯＨ）との比（ＥＰ
／ＯＨ）が、０．６以上、１．５以下であることが好ましく、０．８以上、１．３以下であることがより好ましい。当量比が上記範囲内であると、半導体封止用樹脂組成物の硬化性の低下が生じる可能性が少ない。また、当量比が上記範囲内であると、半導体封止用樹脂組成物の硬化物において、ガラス転移温度の低下や耐湿信頼性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００３１】
半導体封止用樹脂組成物の粘度特性、流動性を評価する方法としては、従来、スパイラルフロー、高化式フロー、ブラベンダー、ラボプラストミル等が用いられてきたが、いずれも、半導体封止用樹脂組成物中の充填剤の配合割合に大きく左右される特性であるため、主剤、硬化剤、硬化促進剤等からなる樹脂系自体の粘度特性、流動性を正しく評価することは困難であった。また、半導体封止用樹脂組成物の硬化挙動を評価する方法としては、従来、キュラストメータ等が用いられてきたが、いずれも、半導体封止用樹脂組成物中の充填剤の配合割合に少なからず左右される特性であるため、主剤、硬化剤、硬化促進剤等からなる樹脂系自体の硬化挙動を正しく評価することは困難であった。半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定した際の最低イオン粘度及びその微分値であるスロープは、それぞれ、半導体封止用樹脂組成物の粘度特性及び硬化挙動を表す特性であり、かつ、その値は、樹脂系の誘電特性変化に基づいて得られる特性であるため、樹脂系自体の粘度特性、硬化挙動を評価するのに適したものである。
図１は、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定した際のイオン粘度及びスロープのプロファイルを示した図である。樹脂全体が溶けた状態になった段階でイオン粘度が最低値となり、硬化が進行していくのに伴ってイオン粘度は上昇していく。スロープはイオン粘度の微分値であり、イオン粘度の上昇スピードが速くなるのに伴って上昇していき、イオン粘度の上昇スピードが最も速くなるポイントで最大スロープ値を示す。最低イオン粘度の出現時間は樹脂系としての溶け易さを表すものであり、最低イオン粘度の値は樹脂系として最低粘度を表すものである。また、最大スロープの出現時間は樹脂系として硬化の立ち上がりのタイミングを表すものであり、最大スロープの値は樹脂系としての硬化の立ち上がり速度を表すものである。
【００３２】
本発明の半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件にて測定した際の最低イオン粘度は、測定開始から５秒以上、４０秒以内に現れ、且つその値が４．０以上、７．０以下であることが好ましく、測定開始から７秒以上、３０秒以内に現れ、且つその値が４．５以上、６．４以下であることがより好ましく、測定開始から９秒以上、２０秒以内に現れ、且つその値が５．０以上、６．３以下であることが特に好ましい。最低イオン粘度の出現時間が上記下限値を下回ると半導体封止用樹脂組成物の成形時においてエアベンド部等にウスバリが発生する恐れがあり、最低イオン粘度の出現時間が上記上限値を超えると半導体封止用樹脂組成物の成形時における充填性が悪化する恐れがある。また、最低イオン粘度の値が上記下限値を下回ると半導体封止用樹脂組成物の成形時においてエアベンド部等にウスバリが発生する恐れがあり、上記上限値を超えると半導体封止用樹脂組成物の成形時において半導体素子に接続された金線ワイヤーの流れ性を悪化させる恐れがある。
また、本発明の半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件にて測定した際の最大スロープは、測定開始から１０秒以上、６０秒以内に現れ、且つその値が２．０以上、６．０以下であることが好ましく、測定開始から１５以上、５５秒以内に現れ、且つその値が２．３以上、５．５以下であることがより好ましく、測定開始から２０秒以上、５０秒以内に現れ、且つその値が２．５以上、５．０以下であることが特に好ましい。最大スロープの出現時間が上記下限値を下回ると硬化が速過ぎるために粘度上昇が早期に進むことで半導体封止用樹脂組成物の成形時において半導体素子に接続された金線ワイヤーの流れ性を悪化させる恐れがあり、最大スロープの出現時間が上記上限値を超えると半導体封止用樹脂組成物の成形時における硬化性が悪化する恐れがある。また、最大スロープの値が上記下限値を下回ると硬化性が不充分となり
半導体装置の連続生産性が低下する恐れがあり、最大スロープの値が上記上限値を超えると粘度上昇が早期に進むことで半導体封止用樹脂組成物の成形時において半導体素子に接続された金線ワイヤーの流れ性を悪化させる恐れがある。
尚、誘電分析装置本体としてはＮＥＴＺＳＣＨ社製のＤＥＡ２３１／１  ｃｕｒｅ  ａｎａｌｙｚｅｒを、プレスとしてはＮＥＴＺＳＣＨ社製のＭＰ２３５  Ｍｉｎｉ−Ｐｒｅｓｓを使用することができる。また、測定方法としては、ＡＳＴＭ  Ｅ２０３９に準拠して測定することができる。
【００３３】
一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を用いることで、Ｂｒ化エポキシ樹脂等に代表されるハロゲン系難燃剤、酸化アンチモン等に代表される重金属系難燃剤を含まずに、本発明の半導体封止用樹脂組成物の硬化物はＵＬ−９４垂直法による耐燃性がＶ−０規格を満足することが容易となる。尚、本発明では、耐燃性の向上を目的として、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合してもよい。
【００３４】
本発明では、更に硬化促進剤（Ｄ）を用いることができる。硬化促進剤（Ｄ）は、グリシジルエーテル基を２個以上含む化合物（Ａ）のグリシジルエーテル基と一般式（１）で表される化合物（Ｂ）及びフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）のフェノール性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般の半導体封止用樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物等が挙げられる。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、特に流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、また半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱時低弾性率という点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が好ましい。
【００３５】
有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
【００３６】
テトラ置換ホスホニウム化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物等が挙げられる。
【００３７】
【化２】
0005386836.tif 000009
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子である。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は芳香族基、又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に
少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンである。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸である。ａ、ｂは１〜３の整数、ｃは０〜３の整数であり、かつａ＝ｂである。）
【００３８】
一般式（２）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（２）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（２）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。
【００３９】
ホスホベタイン化合物としては、下記一般式（３）で表される化合物等が挙げられる。
【化３】
0005386836.tif 000010
（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子である。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基である。ｄ、ｅは０〜３の整数。）
【００４０】
一般式（３）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００４１】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、下記一般式（４）で表される化合物等が挙げられる。
【化４】
0005386836.tif 000011
（ただし、上記一般式（４）において、Ｐはリン原子である。Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１０とＲ１１が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００４２】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、トリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換のもの又はアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基の有機基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式（４）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ７、Ｒ８及びＲ９がフェニル基であり、かつＲ１０、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が半導体封止用樹脂組成物の硬化物熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
【００４３】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、下記一般式（５）で表される化合物等が挙げられる。
【化５】
0005386836.tif 000012
（ただし、上記一般式（５）において、Ａ１は窒素原子又はリン原子である。Ｓｉは珪素原子である。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ、芳香環もしくは複素環を有する有機基、又は脂肪族基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ２、及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基である。）
【００４４】
一般式（５）において、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等の置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
また、一般式（５）において、Ｘ２は、Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３はプロトン供与性置換
基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４及びＹ５はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ２及びＸ３は互いに同一でも異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。
このような一般式（５）中の−Ｙ２−Ｘ２−Ｙ３−、及び−Ｙ４−Ｘ３−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【００４５】
また、一般式（５）中のＺ１は、芳香環又は複素環を有する有機基又は脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等の脂肪族基；フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族基；グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基等の反応性置換基を有する有機基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面からより好ましい。
【００４６】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
【００４７】
本発明に用いることができる硬化促進剤（Ｄ）の配合量は、全半導体封止用樹脂組成物中０．１重量％以上、１重量％以下が好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の配合量の下限値が上記範囲内であると、硬化性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、硬化促進剤（Ｄ）の配合量の上限値が上記範囲内であると、流動性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００４８】
本発明では、更にシランカップリング剤（Ｅ）を用いることができる。シランカップリング剤（Ｅ）は、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等が好ましいが、特にこれらに限定されず、エポキシ樹脂と無機充填剤との間で反応し、エポキシ樹脂と無機充填剤の界面強度を向上させるものであればよい。また、後述する芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）（以下、「化合物（Ｆ）」とも称する。）は、当該シランカップリング剤（Ｅ）との相乗効果により、半導体封止用樹脂組成物の粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するため、シランカップリング剤（Ｅ）は化合物（Ｆ）の効果を充分に得るためにも有効である。エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられ、アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニ
ルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン等が挙げられ、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられ、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのシランカップリング剤（Ｅ）は１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００４９】
本発明に用いることができるシランカップリング剤（Ｅ）の配合量は、全半導体封止用樹脂組成物中０．０１重量％以上、１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．０５重量％以上、０．８重量％以下、特に好ましくは０．１重量％以上、０．６重量％以下である。シランカップリング剤（Ｅ）の配合量の下限値が上記範囲内であると、化合物（Ｆ）との相乗効果により、半導体封止用樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、シランカップリング剤（Ｅ）の配合量の下限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂と無機充填剤との界面強度が低下することによる半導体装置における耐半田性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、シランカップリング剤（Ｅ）の配合量の上限値が上記範囲内であれば、半導体封止用樹脂組成物の硬化物の吸水性が増大することによる耐半田性の低下も引き起こす恐れが少ない。
【００５０】
本発明では、更に芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）を用いることができる。芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）（以下、「化合物（Ｆ）」とも称する。）は、これを用いることにより、半導体封止用樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するものである。化合物（Ｆ）としては、下記一般式（７）で表される単環式化合物又は下記一般式（８）で表される多環式化合物等を用いることができ、これらの化合物は水酸基以外の置換基を有していてもよい。
【００５１】
【化７】
0005386836.tif 000013
（ただし、上記一般式（７）において、Ｒ１７、Ｒ２１はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ１８、Ｒ１９、及びＲ２０は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
【００５２】
【化８】
0005386836.tif 000014
（ただし、上記一般式（８）において、Ｒ２２、Ｒ２８はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
【００５３】
一般式（７）で表される単環式化合物の具体例としては、例えば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル又はこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式（８）で表される多環式化合物の具体例としては、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体が挙げられる。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさから、芳香環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が好ましい。また、混練工程での揮発を考慮した場合、母核は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることがより好ましい。この場合、化合物（Ｆ）を、具体的には、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びその誘導体等のナフタレン環を有する化合物とすることができる。これらの化合物（Ｆ）は１種類を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００５４】
かかる化合物（Ｆ）の配合量は、全半導体封止用樹脂組成物中に０．０１重量％以上、１重量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．０３重量％以上、０．８重量％以下、特に好ましくは０．０５重量％以上、０．５重量％以下である。化合物（Ｆ）の配合量の下限値が上記範囲内であると、シランカップリング剤（Ｅ）との相乗効果により、半導体封止用樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、化合物（Ｆ）の配合量の上限値が上記範囲内であると、半導体封止用樹脂組成物の硬化性の低下や硬化物物性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００５５】
本発明では、更に無機充填剤（Ｇ）を用いることができる。無機充填剤（Ｇ）としては、一般に半導体封止用樹脂組成物に用いられているものを使用することができ、例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機充填剤（Ｇ）の粒径としては、金型への充填性を考慮すると０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが望ましい。
【００５６】
また、無機充填剤（Ｇ）の含有量としては、半導体封止用樹脂組成物全体の８０重量％以上、９２重量％以下が好ましく、より好ましくは８２重量％以上、９１重量％以下、特に好ましくは８４重量％以上、９０重量％以下である。無機充填剤（Ｇ）の含有量の下限値が上記範囲内であると、半導体封止用樹脂組成物の硬化物の吸水量が増加して強度が低下することによる耐半田性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、無機充填剤（Ｇ）の含有量の上限値が上記範囲内であると、流動性が損なわれることによる成形面での不具合の発生を引き起こす恐れが少ない。
【００５７】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分を主成分とするが、更にこれ以外に必要に応じて、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくは
パラフィン等の離型剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力添加剤；酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤；等の添加剤を適宜配合してもよい。
【００５８】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分及びその他の添加剤等を、例えば、ミキサー等を用いて常温で均一に混合したもの、更にその後、加熱ロール、ニーダー又は押出機等の混練機を用いて溶融混練し、続いて冷却、粉砕したものなど、必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したものを用いることができる。
【００５９】
本発明の半導体封止用樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止し半導体装置を製造するには、例えば、該半導体素子を搭載したリードフレーム等を金型キャビティ内に設置した後、該エポキシ樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。
【００６０】
本発明で封止を行う半導体素子としては、特に限定されるものではなく、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等が挙げられる。
上記トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは１２０℃から２００℃程度の温度で、１０分から１０時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
【００６１】
図２は、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、封止用樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
本発明で使用する一般式（１）で表される化合物（Ｂ）の合成法の例として、化合物Ｂ２及び化合物Ｂ６の合成法を以下に示すが、他の一般式（１）で表される化合物（Ｂ）も同様にして製造することができる。
【００６３】
化合物Ｂ２の合成
撹拌機、温度計、冷却器を備えた反応器に、フェノール９４０ｇ（１０モル）とビス（メトキシメチル）ビフェニル５８１ｇ（２．４モル）を仕込み、ジエチル硫酸０．９ｇを加えた後、反応温度を１７５℃に保ちながら２時間反応させた。その間、生成するメタノールを留去した。その後、蓚酸を０．９ｇ加えた後ホルムアルデヒド３０％水溶液を６０ｇ（ホルムアルデヒドとして０．６モル）加え更に１．５時間還流反応を行った。反応終了後冷却し、水洗を３回行った。油層を分離し、減圧蒸留により未反応のフェノールを留去することにより化合物Ｂ２を５５０ｇ得た。ＧＰＣ及びＮＭＲにより分析した結果、得
られた化合物Ｂ２は、一般式（１）において−Ａｒ１−：フェニレン基、−Ａｒ２−：ビフェニレン基、Ｘ：水素原子、ｋ：０、ｌ：０の化合物であり、ｍ≠０、ｎ≠０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が１０％であり、ｍ＝０、ｎ＝０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が４％の化合物であった。また、得られた化合物Ｂ２の水酸基当量は１９０ｇ／ｅｑ、軟化点は６２℃、１５０℃でのＩＣＩ粘度は０．５ｄＰａ・ｓであった。
【００６４】
化合物Ｂ６の合成
撹拌機、温度計、冷却器を備えた反応器に、ｐ−フェニルフェノール１７００ｇ（１０モル）とパラキシリレングリコールジメチルエーテル３９８ｇ（２．３４モル）を仕込み、ジエチル硫酸１．７ｇを加えた後、反応温度を１７５℃に保ちながら２時間反応させた。その間、生成するメタノールを留去した。その後、蓚酸を１．７ｇ加えた後ホルムアルデヒド３０％水溶液を６０ｇ（ホルムアルデヒドとして０．６モル）加え更に１．５時間還流反応を行った。反応終了後冷却し、水洗を３回行った。油層を分離し、減圧蒸留により未反応のｐ−フェニルフェノールを留去することにより化合物Ｂ６を１０００ｇ得た。ＧＰＣ及びＮＭＲにより分析した結果、得られた化合物Ｂ６は、一般式（１）において−Ａｒ１−：フェニルフェニレン基、−Ａｒ２−：フェニレン基、Ｘ：水素原子、ｋ：０、ｌ：０の化合物であり、ｍ≠０、ｎ≠０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が３０％であり、ｍ＝０、ｎ＝０である成分の化合物（Ｂ）全体に対するＧＰＣチャートでの面積比率が１０％の化合物であった。また、得られた化合物Ｂ６の水酸基当量は２５０ｇ／ｅｑ、軟化点は８５℃、１５０℃でのＩＣＩ粘度は２．０ｄＰａ・ｓであった。
【００６５】
また、実施例、比較例に用いた一般式（１）で表される化合物（Ｂ）及びフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）の骨格組成、樹脂特性等の情報をまとめて表１に記す。
また、下記方法により評価した化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）のブロッキング性についても、併せて表１に示す。
・化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）のブロッキング性：口径７．５ｃｍ、高さ８．０ｃｍのポリプロピレン製カップに顆粒状の化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）を１００ｇ入れ、２５℃１時間放置する。その後に化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）を取り出し、もとの顆粒状に戻れば◎、カップの形状を残すが手で容易にほぐれる場合は○、カップの形状のままほぐれない場合は×とした。
【００６６】
【表１】
0005386836.tif 000015
【００６７】
実施例１
エポキシ樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ−３０００。エポキシ当量２７４、軟化点５８℃。）
７．５７重量部
【００６８】
化合物Ｂ１                                                    ４．２３重量部
硬化促進剤１：トリフェニルホスフィン                          ０．２０重量部
シランカップリング剤１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
０．３０重量部
２，３−ジヒドロキシナフタレン                                ０．２０重量部
溶融球状シリカ（平均粒径３０μｍ）                          ８７．００重量部
カルナバワックス                                              ０．２０重量部
カーボンブラック                                              ０．３０重量部
をミキサーにて常温混合し、８０℃以上、１００℃以下の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を用いて以下の方法で評価した。評価結果を表２に示す。
【００６９】
・スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。単位はｃｍ。
【００７０】
・最低イオン粘度：誘電分析装置本体はＮＥＴＺＳＣＨ社製のＤＥＡ２３１／１  ｃｕｒｅ  ａｎａｌｙｚｅｒ、プレスはＮＥＴＺＳＣＨ社製のＭＰ２３５  Ｍｉｎｉ−Ｐｒｅｓｓを使用した。
測定方法としてはＡＳＴＭ  Ｅ２０３９に準拠し、測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚにて粉末状の半導体封止用樹脂組成物約３ｇをプレス内の電極部上面に導入し、プレスし、測定した。その際の最低イオン粘度値を表した。最低イオン粘度は、流動性に係るパラメータであり、数値が小さい方が、流動性が良好となる。単位は無し。
【００７１】
・最大スロープ：誘電分析装置本体はＮＥＴＺＳＣＨ社製のＤＥＡ２３１／１  ｃｕｒｅ
ａｎａｌｙｚｅｒ、プレスはＮＥＴＺＳＣＨ社製のＭＰ２３５  Ｍｉｎｉ−Ｐｒｅｓｓを使用した。
測定方法としてはＡＳＴＭ  Ｅ２０３９に準拠し、測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚにて粉末状の半導体封止用樹脂組成物約３ｇをプレス内の電極部上面に導入し、プレスし、測定した。その際の最大スロープ値を表した。最大スロープは、硬化性に係るパラメータであり、数値が大きい方が、硬化性が良好となる。単位は無し。
【００７２】
・金線流れ率：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入時間１０ｓｅｃ、硬化時間９０ｓｅｃ、注入圧力９．８ＭＰａの条件でエポキシ樹脂組成物を注入してシリコンチップが搭載されたリードフレーム等を封止成形して、ボディーサイズ２８×２８×３．２ｍｍの２０８ピンＱＦＰ（Ｃｕフレームに１０×１０×０．３５ｍｍのＳｉチップを接着し、金線ワイヤーボンディングしたフレーム。平均金線長は４ｍｍ）を作製した。得られたパッケージを軟Ｘ線透視装置（ソフテックス株式会社製  ＰＲＯ−ＴＥＳＴ  １００）で観察し、金線の流れ率を（流れ量）／（金線長）の比率で表した。単位は％。
【００７３】
・耐燃性：低圧トランスファー成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＴＳ−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒の条
件で、エポキシ樹脂組成物を注入成形して、３．２ｍｍ厚及び１．６ｍｍ厚の耐燃試験片を作製した。作製した試験片を１７５℃、８時間、後硬化した後、ＵＬ９４垂直法の規格に則り耐燃試験を行い、耐燃性を判断した。表には、判定後の耐燃ランクを示した。
【００７４】
・耐半田性１：低圧トランスファー成形機（第一精工株式会社製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１８０℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入してシリコンチップが搭載されたリードフレーム等を封止成形し、８０ｐＱＦＰ（Ｃｕ製リードフレーム、パッケージサイズは１４×２０ｍｍ×厚さ２．００ｍｍ、シリコンチップサイズは７×７ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとは２５μｍ径の金線でボンディングされている。）を作製した。ポストキュアとして１７５℃で４時間加熱処理したパッケージ６個を、８５℃、相対湿度６０％で１６８時間加湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅ１ｅｌ２条件に従う）を行った。処理後のパッケージ内部の剥離、及びクラックの有無を超音波探傷機（日立建機ファインテック製、ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０）で観察し、剥離又はクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／６と表示した。
【００７５】
・耐半田性２：低圧トランスファー成形機（第一精工株式会社製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．６ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入してシリコンチップが搭載されたリードフレーム等を封止成形し、１７６ｐＬＱＦＰ（Ｃｕ製フレーム、パッケージサイズは２４ｍｍ×２４ｍｍ×厚さ１．４ｍｍ、パッドサイズ：９．５ｍｍ×９．５ｍｍ、シリコンチップサイズ：７ｍｍ×７ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとは２５μｍ径の金線でボンディングされている。）を作製した。１７５℃、４時間、後硬化し、各１６個のサンプルを８５℃、相対湿度８５％で１６８時間加湿処理した後、ＩＲリフロー（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅ１ｅｌ２条件に従う）を行った。処理後のパッケージ内部の剥離、及びクラックの有無を超音波探傷機（日立建機ファインテック製、ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０）で観察し、剥離又はクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／１６と表示した。
【００７６】
実施例２〜２４、比較例１〜２
表２、表３の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表２、表３に示す。
実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂２：ビフェニル型結晶性エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ４０００Ｋ。エポキシ当量１８５、融点１０５℃。）
エポキシ樹脂３：ジヒドロアントラキノン型結晶性エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、ＹＸ８８００。エポキシ当量１８１、融点１０９℃。）
硬化促進剤２：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
【００７７】
硬化促進剤３：下記式（９）で表される硬化促進剤
【化９】
0005386836.tif 000016
【００７８】
硬化促進剤４：下記式（１０）で表される硬化促進剤
【化１０】
0005386836.tif 000017
【００７９】
硬化促進剤５：下記式（１１）で表される硬化促進剤
【化１１】
0005386836.tif 000018
【００８０】
硬化促進剤６：下記式（１２）で表される硬化促進剤
【化１２】
0005386836.tif 000019
【００８１】
シランカップリング剤２：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
１，２−ジヒドロキシナフタレン
カテコール
ピロガロール
【００８２】
【表２】
0005386836.tif 000020
【００８３】
【表３】
0005386836.tif 000021
【００８４】
実施例１〜２４は、硬化剤として一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を用いたもので
あり、化合物（Ａ）の種類と配合割合、化合物（Ｂ）の種類と配合割合、化合物（Ｃ）の種類と配合割合、硬化促進剤（Ｄ）の種類、シランカップリング剤（Ｅ）の種類と配合割合、化合物（Ｆ）の種類と配合割合、並びに無機充填剤（Ｇ）の配合割合を変えたものを含むものであるが、いずれも、流動性（スパイラルフロー、最低イオン粘度）と硬化性（最大スロープ）とのバランスに優れ、良好な金線流れ率が得られた。また、良好な耐燃性と耐半田性が得られた。
一方、化合物（Ｂ）の代わりに化合物Ｃ３又は化合物Ｃ４を用いた比較例１、２では、流動性（スパイラルフロー、最低イオン粘度）が低く、金線流れ率が劣る結果となった。
【００８５】
本発明に従うと、耐半田性、耐燃性に優れ、かつ流動性に優れながら、硬化性も高いという相反する特性の両立を実現する半導体封止用樹脂組成物を得ることができるため、表面実装型半導体装置用として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明に係る半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定した際のイオン粘度及びスロープのプロファイルを示した図である。
【図２】本発明に係る半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。
【００８７】
１  半導体素子
２  ダイボンド材硬化体
３  ダイパッド
４  金線
５  リードフレーム
６  封止用樹脂組成物の硬化体
【図１】
0005386836.tif 000027
【図２】
0005386836.tif 000028