(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生するための活性層と該活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上に反射電極を形成する方法であって、
クラッド層上に金属又は電気伝導性酸化物の導電材料の中間層を堆積させる段階と、
前記導電材料の少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階と、
前記中間層上に、導電性であり、かつ該中間層と電気的に接触した反射層を堆積させる段階と、
を含み、
前記反射層を堆積させる前に前記中間層の一部分を除去する段階を更に含み、
前記クラッド層は、ｐ型半導体材料を含み、
前記中間層を堆積させる段階は、前記ｐ型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和に等しい仕事関数を有する材料を堆積させる段階を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
光を発生するための活性層と該活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上に反射電極を形成する方法であって、
クラッド層上に金属又は電気伝導性酸化物の導電材料の中間層を堆積させる段階と、
前記導電材料の少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階と、
前記中間層上に、導電性であり、かつ該中間層と電気的に接触した反射層を堆積させる段階と、
を含み、
前記反射層を堆積させる前に前記中間層の一部分を除去する段階を更に含み、
前記クラッド層は、ｎ型半導体材料を含み、
前記中間層を堆積させる段階は、前記ｎ型半導体材料の電子親和力エネルギに等しいか又はそれよりも小さい仕事関数を有する金属を堆積させる段階を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
前記導電材料を前記クラッド層内に拡散させた後に、前記中間層は、該クラッド層内に拡散した第１の部分と該クラッド層上に残留する第２の部分とを含み、
前記除去する段階は、前記中間層の前記第２の部分の５０％より多くの部分を除去する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記導電材料の前記少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階は、前記発光装置をアニールする段階を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記アニールする段階は、前記導電材料を５０ｎｍの拡散深さまで前記クラッド層内に拡散させるのに十分な持続時間及び温度で前記発光装置をアニールする段階を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記材料を堆積させる段階は、ロジウム、パラジウム、ニッケル、白金、金、イリジウム、及びレニウムから成る群から選択された金属を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記材料を堆積させる段階は、電気伝導性酸化物を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属を堆積させる段階は、アルミニウム、チタン、クロム、バナジウム、及びタンタルから成る群から選択された金属を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記活性層は、第１の波長で光を放射するように作動可能に構成され、
前記反射層を堆積させる段階は、前記第１の波長で増大した反射率を有する材料を堆積させる段階を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
前記反射層を堆積させる段階は、アルミニウム、ロジウム、パラジウム、銀、金、マグネシウム、及びニッケルから成る群から選択された少なくとも１つの金属を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には半導体発光装置に関し、より詳細には、半導体発光装置のための反射電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置（ＬＥＤ）のような半導体発光装置は、効率的な光源を提供し、かつ白熱電球及び蛍光灯よりも頑強である。ＬＥＤ技術及び方法における進歩は、例えば、商業用及び住居用の照明用途での従来型の光源の置換としてこうした装置の使用を促進してきた。
【０００３】
照明用途のために使用されるＬＥＤは、一般的に、装置によって発生した光の一部分を反射し、かつ装置に駆動電流を提供するための接点としてもまた機能する反射電極を含む。この電極材料は、一般的に金属を含む。一部の半導体材料については、良好な電気的接触、良好な反射性、及び半導体材料に対する良好な接着性を提供する反射電極のための金属を見出すことが困難である。これらの半導体材料については、複数の層を使用して反射電極を構成することができる。例えば、反射電極は、良好な接着性及び良好な電気的接触を提供する第１の層と、高い反射率を提供する第２の層とを含むことができる。残念なことに、第１の層はまた、光が第２の反射層に到達する前にその光を顕著に減衰させ、従ってＬＥＤの効率を低下させる場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体発光装置のための改良された反射電極、及びそのような電極を形成するための改良された方法に対する必要性が依然として存在している。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの態様によれば、半導体発光装置上の反射電極を形成する方法が提供され、この発光装置は、光を発生する活性層と、その活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する。この方法は、クラッド層上に導電材料の中間層を堆積させる段階と、導電材料の少なくとも一部分をクラッド層内に拡散させる段階とを伴っている。この方法は、中間層上に反射層を堆積させる段階を更に伴い、反射層は導電性であり、かつ中間層と電気的に接触している。
この方法は、反射層を堆積させる前に中間層の一部分を除去する段階を伴う場合がある。
【０００６】
クラッド層内に導電材料を拡散させた後に、中間層は、クラッド層内に拡散した第１の部分とクラッド層上に残留する第２の部分とを含むことができ、除去する段階は、中間層の第２の部分の大部分を除去する段階を伴う場合がある。
【０００７】
クラッド層内に導電材料の少なくとも一部分を拡散させる段階は、発光装置をアニールする段階を伴う場合がある。
【０００８】
アニールする段階は、導電材料をクラッド層内に約５０ｎｍの拡散深さまで拡散させるのに十分な持続時間及び温度で発光装置をアニールする段階を伴う場合がある。
【０００９】
クラッド層は、ｐ型半導体材料を含むことができ、中間層を堆積させる段階は、ｐ型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和にできるだけ近い仕事関数を有する材料を堆積させる段階を伴う場合がある。
【００１０】
材料を堆積させる段階は、ロジウム、パラジウム、ニッケル、白金、金、イリジウム、及びレニウムから成る群から選択された金属を堆積させる段階を伴う場合がある。
材料を堆積させる段階は、伝導性酸化物を堆積させる段階を伴う場合がある。
【００１１】
クラッド層は、ｎ型半導体材料を含むことができ、中間層を堆積させる段階は、ｎ型半導体材料の電子親和力エネルギに近いか又はそれよりも小さい仕事関数を有する材料を堆積させる段階を伴う場合がある。
【００１２】
材料を堆積させる段階は、アルミニウム、チタン、クロム、バナジウム、及びタンタルから成る群から選択された金属を堆積させる段階を伴う場合がある。
【００１３】
活性層は、第１の波長で光を放射するように作動的に構成することができ、反射層を堆積させる段階は、第１の波長で増大した反射率を有する材料を堆積させる段階を伴う場合がある。
【００１４】
反射層を堆積させる段階は、アルミニウム、ロジウム、パラジウム、銀、金、マグネシウム、及びニッケルから成る群から選択された少なくとも１つの金属を堆積させる段階を伴う場合がある。
【００１５】
本発明の別の態様によれば、半導体発光機器で使用する構造体が提供される。この構造体は、第１のクラッド層と、第１のクラッド層と電気的に接触した活性層とを含み、活性層は、光を発生することができる。この機器はまた、活性層に電気的に接触した第２のクラッド層を含み、第２のクラッド層は、外面を有する。この機器は、更に、第２のクラッド層の外面上に反射電極を含み、反射電極は、導電材料の中間層を含み、導電材料は、少なくとも部分的に第２のクラッド層内に拡散している。反射電極はまた、中間層上に反射層を含み、反射層は、導電性であり、かつ中間層と電気的に接触し、反射層は、活性層で発生した光を第２のクラッド層、活性層、及び第１のクラッド層を通して反射して戻すように作動可能である。
【００１６】
この構造体は、第１のクラッド層に接触した基板を更に含むことができ、この基板は、基板を通して光を構造体から出射させるように作動的に構成される。
【００１７】
中間層は、第２のクラッド層内の導電材料の拡散部分と、第２のクラッド層上の導電材料の非拡散部分とを含むことができ、非拡散部分は、活性層で発生した光が有意な減衰なしに非拡散部分を透過することができるほど十分薄い。
【００１８】
中間層は、約５０ｎｍの拡散深さまで第２のクラッド層内に延びる導電材料の拡散層を含むことができる。
【００１９】
第２のクラッド層は、ｐ型半導体材料を含むことができ、中間層は、ｐ型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和にできるだけ近い仕事関数を有する材料を含むことができる。
【００２０】
この金属は、ロジウム、パラジウム、ニッケル、白金、金、イリジウム、及びレニウムから成る群から選択された金属を含むことができる。
この材料は、伝導性酸化物を含むことができる。
【００２１】
第２のクラッド層は、ｎ型半導体材料を含むことができ、中間層は、ｎ型半導体材料の電子親和力エネルギに近いか又はそれよりも小さい仕事関数を有する金属を含むことができる。
【００２２】
この金属は、アルミニウム、チタン、クロム、バナジウム、及びタンタルから成る群から選択された金属を含むことができる。
【００２３】
第１及び第２のクラッド層と、活性層とは、ＩＩＩ族窒化物半導体材料を含むことができる。
【００２４】
活性層は、第１の波長で発光するように作動的に構成することができ、反射層は、第１の波長で増大した反射率を有する材料を含むことができる。
【００２５】
反射層は、アルミニウム、ロジウム、パラジウム、銀、金、マグネシウム、及びニッケルから成る群から選択された少なくとも１つの金属を含むことができる。
【００２６】
本発明の別の態様によれば、上述の半導体発光構造体を含む半導体発光機器が提供される。半導体発光機器は、更に、第１のクラッド層と電気的に接触した電極を含む。順方向バイアス電流が活性層を通して流れるように、この電極と反射電極の間に電圧が印加された時、光が活性層に発生する。
【００２７】
本発明の他の態様及び特徴は、添付図面と共に本発明の特定的な実施形態の以下の説明を精査すれば、当業者には明らかになるであろう。
図面は、本発明の実施形態を例示するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１を参照すると、本発明の第１の実施形態による半導体発光機器で使用する半導体発光構造体は、全体的に１０で示されている。
【００２９】
構造体１０は、基板１２とその基板上の第１のクラッド層１４とを含む。構造体１０は、第１のクラッド層１４に電気的に接触した活性層１６もまた含む。活性層１６は、光を発生することができる。構造体１０は、活性層１６に電気的に接触した第２のクラッド層１８を更に含む。構造体１０は、第２のクラッド層１８の外面２２上に反射電極２０もまた含む。
【００３０】
反射電極２０は、導電材料の中間層２４を含む。中間層２４は、第２のクラッド層１８内に少なくとも部分的に拡散している。反射電極２０は、中間層２４上に反射層２６を更に含み、反射層は、導電性であり、かつ中間層と電気的に接触している。反射層２６は、活性層１６内で発生した光を第２のクラッド層１８、活性層１６、及び第１のクラッド層１４を通して反射して戻し、基板１２を通じて構造体１０から出射させる。
【００３１】
中間層２４は、反射層２６と第２のクラッド層１８の間の良好な抵抗接点及び良好な接着性を提供することができる伝導性材料を含むことができる。
【００３２】
反射電極２０は、より詳細に図２に示されている。図２を参照すると、一実施形態において、中間層２４は、第２のクラッド層１８内の拡散部分３０と第２のクラッド層上の非拡散部分３２とを含む。
【００３３】
基板上のｎ型材料の成長
ここで図１を参照すると、一実施形態において、クラッド層１４は、ｎ型半導体材料を含み、第２のクラッド層１８は、ｐ型半導体材料を含む。この実施形態では、反射電極２０とｐ型の第２のクラッド層１８の間の良好な抵抗接点を提供するためには、この伝導性材料は、ｐ型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和に近いか又はそれよりも大きい仕事関数を有するべきである。半導体発光装置に使用される半導体材料は、通常は大きいバンドギャップエネルギを有する（例えば、ＩＩＩ族窒化物材料については、バンドギャップエネルギは、０．７ｅＶから６ｅＶ（電子ボルト）の範囲にあり、これは、材料のインジウム及びアルミニウム組成による）。ｐ型材料に関する標準的な電子親和力は、４ｅＶ付近であり、従って、多くのＩＩＩ族窒化物材料に関する電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和は、４．７ｅＶから１０ｅＶの範囲にある。最も適切な金属は、４．９ｅＶから５．６ｅＶの範囲の仕事関数を有し、従って、ｐ型材料と伝導性電極の間に真の抵抗接点を提供する適切な材料を見出すことが困難な場合がある。その結果、Ｐ型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和にできるだけ近い仕事関数を有する材料が、中間層２４のために一般的に選択されるべきである。
【００３４】
この実施形態では、反射電極２０がｐ型半導体材料上に形成される場合、中間層２４のための適切な材料としては、以下に限定されるものではないが、ロジウム（約５ｅＶの仕事関数）、パラジウム（５．１ｅＶ）、ニッケル（５．２ｅＶ）、白金（５．６ｅＶ）、金（５．１ｅＶ）、イリジウム（５．３ｅＶ）、及びレニウム（４．９５ｅＶ）、又はその組合せが挙げられる。代替的に、中間層２４は、例えば、酸化インジウム錫又はドープされた亜酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）のような伝導性酸化物を含むことができる。
【００３５】
この実施形態では、構造体１０は、第１のクラッド層１４の一部分に電気的に接触した電極２８を更に含む。半導体発光構造体１０に順方向バイアス電圧が印加されると（すなわち、反射性電圧２０が電極２８よりもより正にされる）、順方向バイアス電流がｐ型の第２のクラッド層１８、活性層１６、及びｎ型の第１のクラッド層１４を通過して流れ、光子が活性層に発生する。活性層１６に発生した光子は、全ての方向に投射され、反射電極２０上に入射した光子は、第２のクラッド層１８、活性層１６、及び第１のクラッド層１４を通して反射して戻され、基板１２から光として放射される。第１のクラッド層１４上に直接入射する活性層１６からの他の光子は、第１のクラッド層を通過して基板１２から光として放射される。
【００３６】
一般的に、構造体１０は、望ましい波長帯域の範囲内で発光するように構成されることになり、反射層２６は、その構成された波長帯域で増大した反射率を有する材料を用いて形成される。例えば、クラッド層１４及び１８及び活性層１６がＩＩＩ族窒化物半導体材料である時、構造体１０は、半導体材料の合金化組成に基づいて、赤外線波長から深紫外（ＵＶ）波長の範囲の波長で発光することができる。例えば、半導体材料がＵＶ波長で発光するように構成されている時、反射層は、アルミニウムを含むことができ、これは、ＵＶ及び可視波長帯域内で増大した反射率を有する。
【００３７】
しかし、アルミニウムは、約４．３ｅＶの仕事関数を有するので、アルミニウムは、ｐ型クラッド層１８とは良好な抵抗接点を形成できず、この接点にわたって大きい電圧低下が生じ、そのために構造体１０に関する効率の低下が発生することになる。一実施形態では、中間層２４はロジウムを含み、これは、約５ｅＶの仕事関数を有し、アルミニウムを含む反射層２６と組み合わせて使用される時、得られる反射電極は、第２のクラッド層１８との良好な抵抗接点を有し、かつＵＶ波長帯域での増大した反射率もまた有することになる。反射層２６は、例えば、ロジウム、パラジウム、マグネシウム、金、又はニッケルのような材料もまた含むことができる。代替的に、反射層２６は、これら及び／又は他の金属の組合せを含むことができる。
【００３８】
代替的に、反射層２６は、銀を含むことができ、これは、近ＵＶ及び可視波長帯域での良好な反射率を有する。銀は、約４．３ｅＶの仕事関数を有し、ｐ型クラッド層１８と良好な抵抗接点を形成しない。更に、銀材料は、窒化物半導体材料に対し劣った接着性を欠点として有する場合がある。本発明により堆積した中間層２４を含むことにより、良好な抵抗接点と近ＵＶ及び可視波長帯域での増大した反射率とを有する反射性銀電極を形成することができる。
【００３９】
フリップチップ式装着
図１に示す実施形態では、構造体１０は、半導体発光機器を形成するためにサブマウント４０へのフリップチップ装着に対して構成される。サブマウント４０は、電極２８及び２０にそれぞれ対応する電気接触領域４２及び４４を含む。フリップチップ装着は、半導体発光構造体１０が基板（基板１２のような）上に製造され、次にその構造体が反転され、導電材料ビード４６（例えば、金と錫との合金）を用いて電極２０及び２８がサブマウント４０の電気接触領域４２及び４４に接合される装着技術を称する。接合する段階は、導電材料ビード４６の融点を超える温度に構造体１０を加熱する段階を伴い、ビードが溶融又はリフローされ、それによって電極２８及び２０が電気接触領域４２及び４４に接合される。代替的に、一部の実施形態では、接合する段階は、例えば、熱圧着、摩擦接合、又は拡散接合を伴う場合がある。反射層２６は、フリップチップ装着に対して約１００ｎｍから約１μｍの厚みを有することができる。
【００４０】
一部の実施形態では、構造体がフリップチップ装着される前又はその後に基板１２を除去することができる。基板１２は、レーザ誘起剥離法又は化学エッチングによって除去することができ、この場合には、活性層１６内で発生した光は、第１のクラッド層１４を通過して構造体１０から出射する。
【００４１】
基板上のｐ型材料の成長
図１を再び参照すると、別の実施形態において、第１のクラッド層１４は、ｐ型半導体材料を含み、第２のクラッド層１８は、ｎ型半導体材料を含む。この場合、反射電極２０とｎ型の第２のクラッド層１８の間の良好な抵抗接点を提供するためには、中間層２４として用いられる伝導性材料は、ｎ型半導体材料の電子親和力エネルギに近いか又はそれよりも小さい仕事関数を有するべきである。ｎ型材料に関する標準的な電子親和力は、４ｅＶ付近であり、従って、良好な抵抗接点のためには、中間層２４に用いる適切な金属は、例えば、アルミニウム（４．３ｅＶ）、チタン（４．３ｅＶ）、クロム（４．５ｅＶ）、バナジウム（４．３ｅＶ）、及びタンタル（４．２ｅＶ）のような小さい仕事関数を有するものでなければならない。
【００４２】
方法
第２のクラッド層１８上に反射電極２０を形成する方法を図３に関連して説明する。
図３Ａを参照すると、半導体発光機器の一部分が６０で示されている。機器６０は、基板（図３には示されない）上にエピタキシャル成長した第１のクラッド層６２を含む。機器６０はまた、第１のクラッド層６２上にエピタキシャル成長した活性層６４と、活性層６４上にエピタキシャル成長した第２のクラッド層６６とを含む。
【００４３】
図３Ｂを参照すると、この方法は、第２のクラッド層６６上に中間層６８を堆積させることによって開始される。一実施形態において、中間層６８は、ロジウムのような金属を含み、これは、上述のように第２のクラッド層６６との良好な抵抗接点を提供する。この金属は、熱蒸着装置（図示せず）を用いて第２のクラッド層６６上に堆積させることができる。代替的に、この金属は、電子ビーム蒸着により又はスパッタリングにより、第２のクラッド層６６上に堆積させることができる。
【００４４】
図３Ｃを参照すると、中間層を堆積させた後、機器６０は、高温でアニールされて、中間層６８内の材料の第２のクラッド層６６内への少なくとも部分的な拡散が引き起こされ、中間層６８の拡散部分７０と非拡散部分７２が形成される。一実施形態では、アニール処理は、約５００℃の温度で約３０分の拡散時間にわたって行われ、約５０ｎｍの拡散部分７０の拡散層厚みｄがもたらされる。代替的に、アニール処理温度は、４００℃から６００℃の範囲とすることができ、拡散時間は、５０ｎｍ未満又はそれを超える拡散層厚みｄが得られるように変化させることができる。
【００４５】
第２のクラッド層６６内への中間層６８の拡散は、伝導性材料原子を第２のクラッド層の結晶格子内に溶け込ませ、そのために比較的増大した反射率を有する伝導性材料でも、中間層６８の拡散部分７０を通過する大幅な光の減衰を受けることなく使用することができると考えられている。
【００４６】
図３Ｄを参照すると、この実施形態では、機器６０は、次にエッチングされて大部分の非拡散部分７２が除去され、薄い非拡散層７４のみが残される。拡散部分７０及び薄い非拡散層７４は、修正中間層７６になる。この実施形態では、光の減衰も僅かであるほど十分に非拡散層７４は薄い。一般的に、反射電極８０に向って導かれた光は、反射層７８によって反射される前及びその後に中間層７６を通過するので、中間層７６内の光のいかなる減衰の影響も倍加される。中間層７６に対して選択される材料の反射性は、その抵抗接点特性及び第２のクラッド層６６へのその接着性よりも重要ではないので、拡散部分７０と組み合わされた薄い非拡散層７４は、中間層６８のためのより広範囲の伝導性材料の使用を容易にする。
【００４７】
図３Ｅを参照すると、反射性材料の堆積によってこの方法が継続され、中間層７６上に反射層７８が形成される。一実施形態では、反射層７８は、熱蒸着装置を用いて堆積させた金属を含む。代替的に、この金属は、電子ビーム蒸着により又はスパッタリングにより堆積させることができる。中間層７６と反射層７８は、一緒に反射電極８０を形成する。
【００４８】
図示の実施形態では、薄い非拡散層７４は、第２のクラッド層６６内への反射層７８の拡散を低減及び／又は回避するための拡散障壁としてもまた機能する。反射層７８に使用される材料の一部は、機器６０の高温及び／又は高電流作動の下で第２のクラッド層６６内に拡散する傾向を有する場合がある。時間が経過した時に、こうした拡散は、機器６０の低効率及び／又は早期故障を生じさせるであろう。
【００４９】
有利な態様においては、良好な抵抗接点は、反射電極８０に起因する順方向電圧低下を抑え、良好な反射率は、反射電極での光の減衰を最小にし、それら両方は、機器６０の効率を改善する。
【００５０】
この方法は、サンプルが本発明の態様に従って調製され、従来技術に従って製造されたサンプルと比較された、以下の非限定的な実施例に関連して更に説明される。
【実施例１】
【００５１】
第１の実施例においては、反射特性が以下のように調製されたサンプルの間で比較された。
【００５２】
サンプル１：第１の従来技術のサンプルは、第２のクラッド層上に５０ｎｍ厚のロジウム反射電極を備えて調製された（すなわち、中間層がない）。
サンプル２：第２の従来技術のサンプルは、第２のクラッド層上に堆積した２．５ｎｍのロジウム層と、ロジウム層の上に堆積した２００ｎｍのアルミニウムの反射層とを備えて調製された（すなわち、アニール処理が行われない）。
サンプル３：サンプルは、図３に示されている本発明の態様に従って調製された。このサンプルは、第２のクラッド層上に２．５ｎｍのロジウム層を有し、約５００℃の温度で約３０分にわたってアニールされ、次に、湿式エッチングされて０．５ｎｍの非拡散ロジウムのみが残された。次に、そのロジウム層の上に２００ｎｍのアルミニウムの反射層を堆積させた。
【００５３】
３サンプル全てに関する反射率の測定は、中間層を含まなかったサンプル１が、２５０ｎｍの波長での約５２％から４５０ｎｍの波長での約６３％まで変化した入射光反射率を有したことを示している。
【００５４】
アニールされなかったサンプル２は、２５０ｎｍの波長での約６０％から４５０ｎｍの波長での約７６％まで変化した入射光反射率を有していた。
【００５５】
サンプル３は、２５０ｎｍの波長での約７２％から４５０ｎｍの波長での約８９％まで変化した入射光反射率を有し、従来技術のサンプルを少なくとも１２％超える反射率での改善が示された。
【実施例２】
【００５６】
第２の実施形態では、以下のように従来技術のサンプル４と本発明の態様に従って調製されたサンプル５−７との間で順方向電圧特性が比較された。
【００５７】
サンプル４：第２のクラッド層上に５０ｎｍのニッケルドット電極を備える従来技術のサンプル（すなわち、中間層がない）、
サンプル５：アルミニウム反射層（１５０ｎｍ）を有する拡散ニッケル中間層、
サンプル６：アルミニウム反射層（１５０ｎｍ）を有する拡散パラジウム中間層、及び
サンプル７：アルミニウム反射層（１５０ｎｍ）を有する拡散ロジウム中間層。
【００５８】
サンプル４−７の各々に関する順方向電極電圧は、４００Ａｃｍ-2の過電流条件で電流印加の５分後に測定された。
【００５９】
従来技術のサンプル４は、約５．２Ｖの順方向電極電圧を有していた。
本発明の態様に従って調製されたサンプルは、以下のような順方向電圧を有していた。
サンプル５：約４．８Ｖ、
サンプル６：約５．７Ｖ、及び
サンプル７：約４．７Ｖ。
すなわち、本発明により調製されたサンプル５及び７は、少なくとも０．４Ｖの順方向電圧の低下を示している。
【００６０】
本発明の実施形態を発光構造体１０のフリップチップ装着に関連して説明したが、他の技術もまたこの構造体を装着するのに使用することができる。例えば、縦型注入発光構造体においては、基板が除去されて反射性のｐ及びｎ電極接点が堆積され、この構造体は、ｐ電極を下にして装着することができる。
【００６１】
本発明の特定的な実施形態を説明して示したが、そのような実施形態は、単に本発明を例証するのみであり、特許請求の範囲に従って解釈される本発明を限定しないと考えるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体発光構造体の概略断面図である。
【図２】図１に示されている発光構造体の一部分の概略断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による発光構造体の方法を説明する一連の断面図の１つである。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による発光構造体の方法を説明する一連の断面図の１つである。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態による発光構造体の方法を説明する一連の断面図の１つである。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態による発光構造体の方法を説明する一連の断面図の１つである。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態による発光構造体の方法を説明する一連の断面図の１つである。
【符号の説明】
【００６３】
１０  半導体発光構造体
１２  基板
１４  第１のクラッド層
１６  活性層
２０  反射電極
４０  サブマウント
【図１】
0005406436.tif 000002
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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