(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
通風路に間隔を設けて配置され、前記通風路を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、
前記複数のハニカム構造体のうち一端に配置されるハニカム構造体の外側に配置される第１の電極と、
前記複数のハニカム構造体のうち他端に配置されるハニカム構造体の外側に配置される第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高電圧を印加し前記ハニカム構造体の貫通孔および前記ハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを備え、前記通風路の入口から出口へ向かう方向を前記処理対象ガスの通過方向としたガス処理装置において、
前記ハニカム構造体の少なくとも１つを水分補給のための対象ハニカム構造体とし、この対象ハニカム構造体の前記処理対象ガスの通過方向への流れに対向する上流側のガス流対向面に接して、その対象ハニカム構造体の内部に水分を補給する水分補給手段
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項２】
通風路に間隔を設けて配置され、前記通風路を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、
前記複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を１群のハニカム構造体群とし、このハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第１および第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高電圧を印加し前記ハニカム構造体の貫通孔および前記ハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを備え、前記通風路の入口から出口へ向かう方向を前記処理対象ガスの通過方向としたガス処理装置において、
前記ハニカム構造体の少なくとも１つを水分補給のための対象ハニカム構造体とし、この対象ハニカム構造体の前記処理対象ガスの通過方向への流れに対向する上流側のガス流対向面に接して、その対象ハニカム構造体の内部に水分を補給する水分補給手段
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載されたガス処理装置において、
前記ハニカム構造体は、前記処理対象ガスの通過方向に対し直交する方向に間隔を設けて配置されている
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項４】
請求項１−３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記水分補給手段は、
貯水槽と、該貯水槽と前記対象ハニカム構造体のガス流対向面との間に配置される細管とからなる
ことを特徴とするガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象ガスに含まれる有害ガスを浄化するガス処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、排気ガス中で高電圧放電を行ってプラズマ状態を作ることで、排気ガスに含まれる有害ガスの浄化を行う技術が知られている。近年、この技術は、脱臭を目的として、工場の排気を浄化する浄化装置や室内の空気を浄化する空気清浄機に応用されつつある。
【０００３】
熱的に非平衡な状態、つまり気体の温度やイオン温度に比べ、電子温度が非常に高い状態のプラズマ（非平衡プラズマ（以下、単にプラズマと言う））は、電子衝突でつくられるイオンやラジカルが常温では起こらない化学反応を促進させるので、有害ガスを効率的に除去あるいは分解することが可能な媒体として有害ガス処理において有用であると考えられている。実用化で肝心なことは、処理時のエネルギーの効率の向上と、プラズマで処理した後に完全に安全な生成物質へと変換されることである。
【０００４】
一般に、大気圧でのプラズマは気体放電や電子ビームなどによって生成される。現在において、適用が考えられているものに、窒素酸化物（ＮＯｘ）、硫黄酸化物（ＳＯｘ）、フロン、ＣＯ2 ，揮発性有機溶剤（ＶＯＣ）などがある。中でもＮＯｘは車の排ガスなどに含まれているので早急な実用化が必要となっている。
【０００５】
ＮＯｘ除去における放電プラズマ（気体放電によって生成されたプラズマ）内の現象は、電子衝突によって１次的に生成されたイオンやラジカルが最初の反応を起こし、その後の反応を通してＮ2 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＨ4 ＮＯ3 などの各粒子に変換されて行くものと考えられている。
【０００６】
また、有害ガスを例えばアセトアルデヒドやホルムアルデヒドとした場合、この有害ガスをプラズマを通すことによって、ＣＯ2 とＨ2 Ｏに変換される。この場合、副生成物として、オゾン（Ｏ3 ）が発生する。
【０００７】
図４に放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する（例えば、特許文献１参照）。同図において、１は処理対象ガス（有害ガスを含む空気）ＧＳが流れるダクト（通風路）であり、ダクト１内には、処理対象ガスＧＳの通過方向に沿って放電電極２とグランド電極３とが交互に配置され、これら電極２，３間にセルと呼ばれる多数の貫通孔４ａを有するハニカム構造体４が配設されている。５は高電圧電源である。なお、ハニカム構造体４はセラミックス等の絶縁体で形成されており、特許文献２にもその使用例がある。
【０００８】
放電電極２は、金属製メッシュ、極細ワイヤ、または針状体等で形成されている。各放電電極２は、導線６によって高電圧電源５の＋極に接続されている。グランド電極３は、金属性メッシュ等で形成されている。各グランド電極３は、導線７によって高電圧電源５の−極に接続されている。
【０００９】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳをダクト１に流し、放電電極２とグランド電極３との間に高電圧電源５からの高電圧（数ｋＶ〜数１０ｋＶ）を印加する。これにより、各ハニカム構造体４の貫通孔４ａ内にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００１０】
しかしながら、このような構成のガス処理装置では、次のような問題点を有する。
(１)多数のハニカム構造体４を有するが、ばらつきなく均一なプラズマを発生させる技術が確立されておらず、ハニカム構造体４の性能にばらつきが出てしまう。例えば、同じハニカム構造体４同士でもインピータンス値が異なることがあり、また１つのハニカム構造体４内でも例えばその上下でインピーダンス値が異なるというようなこともあり、全体として均一なプラズマが発生せず、ガス処理能力が不安定となる。また、貫通孔４ａだけでのプラズマ発生なので、プラズマの発生量が少なく、ガス処理能力が低い。
【００１１】
(２)ハニカム構造体４は吸湿すると低インピーダンスに、乾燥すると高インピーダンスになる特性を持っており、ハニカム構造体４が低インピーダンスになると、流れる電流が増大し放電電極２とグランド電極３との間に印加される高電圧値が低下し、ハニカム構造体４が高インピーダンスになると、流れる電流が減少し放電電極２とグランド電極３との間に印加される高電圧値が上昇する。このような高電圧値の変化に対し、所望のプラズマの発生量を確保し得る高電圧値を得ることのできる高電圧電源５は、その設計に要する工数も含めて非常に高価となる。
【００１２】
(３)ハニカム構造体４のそれぞれに対して放電電極２とグランド電極３を設けているため、部品点数が多く、構造も複雑となり、高価となる。
(４)処理対象ガスＧＳの通過方向（ダクト１の入口から出口への方向）に沿ってハニカム構造体４がダクト１内に配置されているため、ハニカム構造体４のガス流と直交する方向の寸法が長く、これに対してガス流と平行な方向の寸法が短くなっている。このため、ガス流の流速が速いと、処理対象ガスＧＳがハニカム構造体４の内部でプラズマに晒される時間が短く、ガス処理能力が落ちる。
【００１３】
（５）ハニカム構造体４でプラズマ放電が発生する際にはハニカム構造体４内の水分が消費されるので、更にプラズマ放電が活発に行われるにはダクト１内の処理対象ガスＧＳ内の水分がハニカム構造体４内に供給される構造であることが望ましい。しかしながら、電極間に位置するハニカム構造体４の放電面では放電により直ぐに水分が消費されてしまうので、ハニカム構造体４の放電の起こらない面であるハニカム構造体４の側面から水分が供給されねばならないが、ハニカム構造体４の側面は処理対象ガスＧＳの流れ方向と平行であるので、この側面からは処理対象ガスＧＳの水分が吸入しずらく、結果としてハニカム構造体４に水分を補給し難く、ガス処理能力を高められない。
【００１４】
そこで、本出願人は、上述した従来のガス処理装置の問題点を解決するものとして、図５に示すような構造のガス処理装置を提案した（特許文献３参照）。このガス処理装置では、ダクト１の入口から出口への処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向に沿って間隔Ｇ（Ｇ１〜Ｇ３）を設けて、多数の貫通孔（丸孔）４ａを有する複数のハニカム構造体４（４−１〜４−４）を配置している。
【００１５】
なお、８はハニカム構造体４−１〜４−４のうち処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向の一端に位置するハニカム構造体４−１の外側に配置された第１の電極、９はハニカム構造体４−１〜４−４のうち処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向の他端に位置するハニカム構造体４−４の外側に配置された第２の電極であり、第１の電極８と第２の電極９との間には高電圧電源（高電圧源）５からの高電圧が印加される。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間１０（１０−１〜１０−３）にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００１６】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳが各ハニカム構造体４の貫通孔４ａやハニカム構造体４間の空間１０でプラズマに晒される時間を長くでき、ガス分解が行われる機会が多くなる。また、各ハニカム構造体４の処理対象ガスＧＳの通過方向に面する上流側の面（最上流の面）４ｂでは、プラズマが発生せず、処理対象ガスＧＳの流れに接すると共に、処理対象ガスＧＳの通過方向への流体圧を受けることから、この面（以下、この面をガス流対向面と呼ぶ）４ｂより処理対象ガスＧＳ中の水分がハニカム構造体４内に入り込み、ハニカム構造体４でのプラズマ発生を活性化させる。これにより、処理能力が向上し、高速流におけるガス処理能力の低下を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２０００−１４０５６２号公報
【特許文献２】特開２００１−２７６５６１号公報
【特許文献３】特開２００８−１９４６６９号公報
【特許文献４】特開２００４−０８９７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、この特許文献３に示されたガス処理装置は、上述したような優れた効果を有してはいるが、ハニカム構造体４には処理対象ガスＧＳの水分をハニカム構造体４内に補給するガス流対向面４ｂが一面しかなく、このガス流対向面４ｂの面積は限られているので、それ以上のガス流対向面４ｂからの水分の補給はできず、更なるガス処理能力の向上が望めない。
【００１９】
なお、特許文献４には、金属電極とハニカム電極との間の空間へ加湿装置によって水分を送り込むことにより、処理対象ガス中の水分濃度を高め、プラズマ放電を活性化させてガス浄化能力を高めるようにしたガス浄化装置が示されている。しかしながら、この特許文献４に示された技術を図５に示したガス処理装置に適用した場合、ハニカム構造体４間の空間１０ではプラズマ放電によって水分が消費されてしまうので、連続して水分を送り込む必要があり、加湿装置を稼働し続けるために多くの電力を消費してしまう。
【００２０】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ハニカム構造体に直接水分を補給して、更なるガス処理能力の向上を図ることができるガス処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
このような目的を達成するために本発明は、ハニカム構造体の少なくとも１つを水分補給のための対象ハニカム構造体とし、この対象ハニカム構造体の処理対象ガスの通過方向（通風路の入口から出口へ向かう方向）への流れに対向する上流側のガス流対向面に接して、その対象ハニカム構造体の内部に水分を補給する水分補給手段を設けたものである。
【００２２】
例えば、本発明では、水分補給手段を、貯水槽と、該貯水槽と対象ハニカム構造体のガス流対向面との間に配置される細管とから構成する。この場合、細管は毛細管現象又は送風ファンの負圧現象により貯水槽内の水分を対象ハニカム構造体の内部に補給する。このような細管を用いると、加湿器のように電力を供給しなくても水分を補給することができ、省エネルギーとなる。また、プラズマ放電によって水分が消費されると、その消費分に応じて水分が補給されるものとなる。
【００２３】
本発明において、ハニカム構造体が処理対象ガスの通過方向に対し直交する方向に間隔を設けて配置されているものとすれば、全てのハニカム構造体に対して、プラズマ放電の生じない通風路の上流側からガス流対向面に向けて安定して水分を補給でき、ガスの流れにのってハニカム構造体内を伝わって、ハニカム構造体の下流側まで水分が補給されるものとなる。
【００２４】
本発明では、ハニカム構造体に直接水分が補給され、そこからハニカム構造体の内部を水分が伝達されるので、ハニカム構造体間の空間のプラズマ放電によって水分が簡単に消費され難くなる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ハニカム構造体の少なくとも１つを水分補給のための対象ハニカム構造体とし、この対象ハニカム構造体の処理対象ガスの流れに対向するガス流対向面に接して、その対象ハニカム構造体の内部に水分を補給する水分補給手段を設けるようにしたので、ハニカム構造体に直接水分が補給されるものとなり、ハニカム構造体間の空間のプラズマ放電によって水分が簡単に消費され難くなり、更なるガス処理能力の向上を図ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。
【図２】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態２）の要部を示す図である。
【図３】本発明に係るガス処理装置の別の実施の形態（実施の形態３）の要部を示す図である。
【図４】放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する図である。
【図５】特許文献３に示されたガス処理装置の要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
〔実施の形態１〕
図１はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。同図において、図５と同一符号は図５を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。
【００２９】
この実施の形態においても、図５に示したガス処理装置と同様に、処理対象ガスＧＳの通過方向（ダクト１の入口から出口へ向かう方向）に対し直交する方向に沿って、複数のハニカム構造体４を間隔を設けてダクト１内に配置している。
【００３０】
この例では、ハニカム構造体４−１と４−２との間に間隔Ｇ１を設けて、ハニカム構造体４−３と４−４との間に間隔Ｇ２を設けて、ハニカム構造体４−１〜４−４をダクト１内に配置している。
【００３１】
また、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群とし、この第１のハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体４−１および４−２の外側に、第１の電極として電極８を、第２の電極として電極９を配置している。
【００３２】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群とし、この第２のハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体４−３および４−４の外側に、第１の電極として電極９を、第２の電極として電極１１を配置している。
【００３３】
なお、本実施の形態において、電極９は第１のハニカム構造体群の第２の電極と第２のハニカム構造体群の第１の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第１のハニカム構造体群の第２の電極と第２のハニカム構造体群の第１の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。
【００３４】
また、本実施の形態において、高電圧電源（高電圧源）５は、第１のハニカム構造体群の電極８と９との間および第２のハニカム構造体群の電極９と１１との間に個別に高電圧を印加する単一の電源とされ、電極８および１１が導線１２によって高電圧電源５の＋極に接続され、電極９が導線１３によって高電圧電源５の−極に接続されている。
【００３５】
ハニカム構造体４は、セラミックス等の絶縁体で形成されており、処理対象ガスＧＳが通過する多数の貫通孔（セル）４ａを有している。各ハニカム構造体４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数は等しくされている。また、各ハニカム構造体４の形状は等しくされており、電極８，９，１１は処理対象ガスＧＳが通過するように金属メッシュとされている。
【００３６】
また、本実施の形態において、ハニカム構造体４−１〜４−４は全て水分補給のための対象ハニカム構造体とされ、ハニカム構造体４−１および４−４のガス流対向面（上流側のガス流対向面）４ｂに細管１４の給水口１４−１および１４−２が接して設けられ、ハニカム構造体４−２および４−３のガス流対向面（上流側のガス流対向面）４ｂに細管１５の給水口１５−１および１５−２が接して設けられている。細管１４の導水口１４−３は第１のタンク（貯水槽）１６内に貯えられた水に浸されている。細管１５の導水口１５−３は第２のタンク（貯水槽）１７内に貯えられた水に浸されている。
【００３７】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳをダクト１内に流し、電極８と９との間および電極９と１１との間に高電圧電源５からの高電圧を印加する。これにより、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間１０（１０−１，１０−２）にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００３８】
本実施の形態において、プラズマはハニカム構造体４の貫通孔４ａだけではなく、ハニカム構造体４間の空間１０にも発生する。このため、貫通孔４ａ内での有害ガスの分子分解効果に加え、ハニカム構造体４間の空間１０での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔４ａ内での分子分解効果とハニカム構造体４間の空間１０での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進され、ガス処理能力が高まる。また、ハニカム構造体４間の空間１０には、対向する貫通孔４ａの縁面から電界が広がって、均一なプラズマが大量に発生する。
【００３９】
また、この実施の形態では、各ハニカム構造体４が処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けて配置されているので、処理対象ガスＧＳの通過方向に沿って配置される場合よりも、処理対象ガスＧＳが各ハニカム構造体４の貫通孔４ａやハニカム構造体４間の空間１０でプラズマに晒される時間が長くなる。これにより、ガス分解が行われる機会が多くなり、ガス処理能力が向上し、高速流におけるガス処理能力の低下を防ぐことが可能となる。
【００４０】
また、この実施の形態では、第１のハニカム構造体群の電極８と９との間および第２のハニカム構造体群の電極９と１１との間に高電圧電源５からの高電圧を個別に印加しているので、空間１０−１，１０−２での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【００４１】
さらに、この実施の形態では、処理対象ガスＧＳをダクト１内に流してのガス処理中、タンク１６およびタンク１７内の水分がハニカム構造体４−１〜４−４の内部に直接補給される。すなわち、毛細管現象又は処理対象ガスＧＳを送り込む送風ファン（図示せず）の負圧現象により、細管１４を通してタンク１６内の水分が吸い上げられ、ハニカム構造体４−１および４−４のガス流対向面４ｂへ至り、このガス流対向面４ｂよりハニカム構造体４−１および４−４の内部に補給される。また、細管１５を通してタンク１７内の水分が吸い上げられ、ハニカム構造体４−２および４−３のガス流対向面４ｂへ至り、このガス流対向面４ｂよりハニカム構造体４−２および４−３の内部に補給される。
【００４２】
この場合、ハニカム構造体４−１〜４−４は処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向に間隔を設けて配置されているので、ハニカム構造体４−１〜４−４の内部に補給された水分がガスの流れにのってハニカム構造体４−１〜４−４内を伝わって、ハニカム構造体４−１〜４−４の下流側まで水分が補給されるものとなる。また、ハニカム構造体４−１〜４−４に直接水分が補給され、そこからハニカム構造体４−１〜４−４の内部を水分が伝達されるので、ハニカム構造体４間の空間１０のプラズマ放電によって水分が簡単に消費され難くなる。これにより、ガス処理能力の向上が図られる。
【００４３】
また、本実施の形態では、毛細管現象又は送風ファンの負圧現象により、ハニカム構造体４−１〜４−４の内部への水分の補給が細管１４および１５を通して行われるので、加湿器のように電力を供給しなくても水分を補給することができ、省エネルギーとなる。また、プラズマ放電によって水分が消費されると、その消費分に応じて水分が補給されるものとなり、プラズマ放電の安定化に必要な水分を効率よく供給することができる。また、風量が大きくなるにつれて、ガス処理装置内が負圧になるため、タンク１６および１７からの水分供給量も多くなり、ガス処理の効率の向上に寄与する。
【００４４】
〔実施の形態２〕
実施の形態１では、処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けて配置された複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群とし、隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群とし、この第１および第２のハニカム構造体群に個別に高電圧を印加するようにしたが、図２に示すように、ダクト１内にハニカム構造体群を１群のみ配置した構成としてもよい。
【００４５】
図２に示した例では、処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けてハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４をダクト１内に配置し、このハニカム構造体４−１〜４−４のうち一端に配置されるハニカム構造体４−１の外側に第１の電極８を配置し、他端に配置されるハニカム構造体４−４の外側に第２の電極９を配置し、この第１の電極８と第２の電極９との間に高電圧電源５からの高電圧を印加するようにしている。
【００４６】
〔実施の形態３〕
また、図３に示すように、処理対象ガスＧＳの通過方向に対し沿って間隔を設けてハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４をダクト１内に配置し、このハニカム構造体４−１〜４−４のうち一端に配置されるハニカム構造体４−１の外側に第１の電極８を配置し、他端に配置されるハニカム構造体４−４の外側に第２の電極９を配置し、この第１の電極８と第２の電極９との間に高電圧電源５からの高電圧を印加するようにしてもよい。
【００４７】
この場合、例えば、ハニカム構造体４−１を水分補給のための対象ハニカム構造体とし、ハニカム構造体４−１のガス流対向面４ｂに細管１４の給水口１４−１を接して設け、タンク１６内の水分をハニカム構造体４−１の内部に補給するようにする。なお、ハニカム構造体４−１だけではなく、ハニカム構造体４−２も水分補給のための対象ハニカム構造体とし、同様にしてタンク１６内の水分を補給するようにしてもよく、ハニカム構造体４−１〜４−４の全てを水分補給のための対象ハニカム構造体としてもよい。
【００４８】
なお、上述した実施の形態１〜３において、ハニカム構造体４はオゾンを分解する触媒機能を備えたものとしてもよく、処理対象ガスＧＳの通過方向の下流位置にオゾンを分解する触媒を設けるようにしてもよい。
【００４９】
また、上述した実施の形態１では、１つのハニカム構造体群中のハニカム構造体４の数を２つとしたが、さらにその数を増やすようにしてもよい。また、ハニカム構造体群の数も２つに限られるものではなく、さらにその数を増やしてもよい。実施の形態２，３でも、同様であり、ハニカム構造体の数は２つ以上あればよい。
【００５０】
また、上述した実施の形態１では、第１のハニカム構造体群と第２のハニカム構造体群とに単一の高電圧電源５からの高電圧を個別に印加するようにしたが、異なる高電圧電源からの高電圧を個別に印加するようにしてもよい。例えば、印加する高電圧の値を変えたり、印加する高電圧の種類（交流、直流など）を変えたり、印加する高電圧の周波数を変えたりすることにより、第１のハニカム構造体群と第２のハニカム構造体群とでプラズマの発生量を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異ならせたりすることが可能となる。
【００５１】
また、上述した実施の形態１〜３において、副生成物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発生器として転用するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のガス処理装置は、燃料電池等に用いられる水素を効率的に生成する目的で、炭化水素類等から水素含有ガスを生成する、いわゆる改質にも適用することができる。例えばオクタン（ガソリンの平均分子量に比較的近い物質）Ｃ8Ｈ18の場合は、本ガス処理装置に供給すると下記（１）式で示される化学反応が促進され、その結果水素ガスを効率よく生成することができる。
Ｃ8Ｈ18＋８Ｈ2Ｏ＋４（Ｏ2＋４Ｎ2）→８ＣＯ2＋１７Ｈ2＋１６Ｎ2・・・・（１）
【符号の説明】
【００５３】
１…ダクト（通風路）、４（４−１〜４−４）…ハニカム構造体、４ａ…貫通孔（セル）、４ｂ…ガス流対向面、５…高電圧電源、８，９，１１…電極、１０（１０−１，１０−２，１０−３）…空間、Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３）…間隔、ＧＳ…処理対象ガス、１４，１５…細管、１４−１，１４−２，１５−１，１５−２…給水口、１４−３，１５−３…導水口、１６，１７…タンク（貯水槽）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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