(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体組織の細胞または神経に接触するか、あるいは、電気刺激を与える導体トラックであって、移植物の電気的接触のための導体トラックを含む導体トラック面を少なくとも１つ備えた、複数の相互接続した多層移植構造体の製造方法において、
基板（４）に犠牲層として機能する第１金属層（１）を形成するステップと、
上記第１金属層（１）上に第２金属層（２）を形成するステップと、
上記第２金属層（２）上に、複数の相互接続した個々の多層移植構造体（６）であって、当該移植構造体（６）の面に形成されている接続繊維（１０）によって互いに接続されている多層移植構造体（６）を含む多層構造（５）を形成するステップと、
上記基板（４）と上記第２金属層（２）との間の上記第１金属層（１）を、湿式化学アンダーエッチング加工によって除去するステップと、
上記複数の相互接続した多層移植構造体（６）を、相互接続した状態で上記基板（４）から分離するステップと、
上記第１金属層（１）を除去した後、上記多層移植構造体（６）の下面に残存している上記第２金属層（２）であって、上記第１金属層（１）と上記第２金属層（２）との間に電気化学的な電圧を生じさせるために、イオン化系列において占める位置の違いによって、上記第１金属層（１）との間に電位差をもたらす材料により形成されている上記第２金属層（２）を除去するステップと、を含む製造方法。
【請求項２】
上記第１金属層（１）を形成するステップと、上記第２金属層（２）を形成するステップとの間に、上記第１金属層（１）と上記第２金属層（２）とに挟持され、上記第１金属層（１）と上記第２金属層（２）との間の拡散障壁として機能する第３金属層（３）を形成するステップを更に含む、
請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記多層移植構造体（６）の形成後に、上記第１金属層（１）を湿式化学アンダーエッチング加工によって除去することによって、上記基板（４）に形成された相互接続した上記多層移植構造体（６）を上記基板（４）から分離する、
請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
上記多層構造（５）の形成後に、個々の上記多層移植構造体（６）を実質的に隔てる少なくとも１つの間隙（７）を形成する、
請求項１から３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
上記多層構造（５）において個々の上記多層移植構造体（６）の間に形成された上記間隙（７）は、垂直方向に形成されており、上記第２金属層（２）に至る、
請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
上記多層移植構造体（６）は、上記間隙（７）によって実質的に隔てられている、
請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
上記接続繊維（１０）は、上記多層構造（５）の上記多層移植構造体（６）とともに形成される、
請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
上記多層構造（５）の上記多層移植構造体（６）を少なくとも部分的に囲む固定されたフレームは、上記多層構造（５）の周囲に形成または配置される、
請求項１から７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
上記間隙（７）を形成した後、１回または複数回の湿式化学エッチング加工を用いて上記第２金属層（２）および上記第３金属層（３）の露出部分を除去することによって、個々の上記多層移植構造体（６）の間に形成された上記間隙（７）を上記第１金属層（１）まで延伸する、
請求項４、または請求項４を引用する請求項５から８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
上記間隙（７）が形成された領域において上記第２金属層（２）および上記第３金属層（３）を除去した後に、上記第１金属層（１）を除去することによって、上記基板（４）に形成された上記多層移植構造体（６）を上記基板（４）から分離する、
請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
上記第１金属層（１）を除去した後、上記多層移植構造体（６）の下面に残存している上記第２金属層（２）および上記第３金属層（３）を、少なくとも１回のエッチング加工によって除去する、
請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
上記第１金属層（１）は、クロムまたはニクロムから形成されている、
請求項１から１１の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
上記第１金属層（１）は、７０から２００ナノメートルの層厚を有する、
請求項１から１２の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
上記第２金属層（２）は、金から形成される、
請求項１から１３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
上記第２金属層（２）は、５０から３００ナノメートルの層厚を有する、
請求項１から１４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
上記第３金属層（３）は、チタニウムまたはタングステンチタニウムから形成される、請求項２、または請求項２を引用する請求項３から１５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
上記第３金属層（３）は、５０から２００ナノメートルの層厚を有する、
請求項２、または請求項２を引用する請求項３から１６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
上記金属層（１，２，３）は、薄層を積層するか、スパッタリングによって形成される、
請求項１から１７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１９】
上記多層構造（５）を上記第２金属層（２）上に形成するために、上記多層移植構造体（６）を積層および／または組織する複数のプロセスを含む、
請求項１から１８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項２０】
上記多層移植構造体（６）は、リソグラフィー技術を利用して形成される、
請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
上記多層移植構造体（６）を製造する過程において、少なくとも１つの絶縁層が形成され、該絶縁層上に少なくとも１つの導体トラックを備えた導体トラック層が配置される、請求項１から２０の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項２２】
複数の相互接続した多層移植構造体（６）を製造するための中間生成物であって、
基板（４）と、
上記基板（４）上の犠牲層として機能する第１金属層（１）と、
上記第１金属層（１）上の第２金属層（２）と、
上記第２金属層（２）上に、生体組織の細胞または神経に電気的に接触するか、あるいは、電気刺激を与える電気導体トラックを持つ複数の相互接続した個々の多層移植構造体（６）を有する少なくとも１つの多層構造（５）であって、当該移植構造体（６）の面に形成され、当該移植構造体（６）を互いに接続する複数の接続繊維（１０）を含む少なくとも１つの多層構造（５）と、を少なくとも備え、
上記第２金属層（２）は、上記第１金属層（１）と上記第２金属層（２）との間に電気化学的な電圧を生じさせるために、イオン化系列において占める位置の違いによって、上記第１金属層（１）との間に電位差をもたらす材料により形成されていることを特徴とする中間生成物。
【請求項２３】
請求項２２に記載の、複数の相互接続した多層移植構造体（６）を製造するための中間生成物であって、
基板に第１金属層を形成するステップと、
上記第１金属層上に第２金属層を形成するステップと、
上記第２金属層上に複数の多層移植構造体を備えた多層構造を形成するステップと、により製造されたか、または、製造され得る中間生成物。
【請求項２４】
請求項２２または請求項２３に記載の、複数の相互接続した多層移植構造体（６）を製造するための中間生成物であって、上記第１金属層（１）と、上記第２金属層（２）との間に入るように、第３金属層が上記第１金属層（１）に形成されている、中間生成物。
【請求項２５】
請求項２２から請求項２４の何れか１項に記載の、複数の相互接続した多層移植構造体（６）を製造するための中間生成物であって、犠牲層として機能する上記第１金属層（１）が、湿式化学アンダーエッチング加工によって除去されることによって、上記基板（４）から上記多層構造（５）が分離された、中間生成物。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、生体の組織または神経との接触に供される移植構造体およびシステム一般に関するものである。また、本発明は、特に、生体組織の細胞または神経に接触するか、あるいは、これらに電気刺激を与える導体トラックであって、移植物の電気的接触のための導体トラックを含む導体トラック面を少なくとも１つ備えた多層移植構造体（多層系移植構造体または多層構造）の製造方法に関するものである。
【０００２】
例えば、人間の目の網膜または人間の内耳へのインプラントといった、生体組織に刺激を与えるインプラント（移植物）を構成する装置は公知である。概して、このようなインプラントは、複数の刺激電極を備えている。刺激電極は、神経線維を刺激するために、電気的刺激パルスを周囲の組織または細胞に出力することによって、その機能を再構築または改善する。
【０００３】
公知のインプラントは、検査または診断（例えば、血圧、血糖値、体温などの電気的計測）を目的とした、電気部品または電子部品を含むシステムにおいて、しばしば重要な役目を果たす。刺激システムは、例えば電気刺激、除細動、音波の放出、または超音波の放出といった他の追加的な目的のための部品を含んでもよい。概して、このようなシステムは、プリント回路基板として構成された基板を備えている。この基板には、神経組織、筋肉組織、または、体液などの生体組織と直接的または間接的に接触する電気的接点とともに、電子装置が配置される。
【０００４】
電気部品または電子部品の大きさを出来る限り縮小する目的のため、セラミック基板に加えて、プラスチックから製造されたフレキシブルプリント基板の使用が増加している。このようなフレキシブルプリント基板は、非常に細かい寸法のマイクロチップを製造するために確立されたプロセスを利用して製造され得る。上記の寸法は、導体トラック１つの層厚が２〜３百ナノメートル以下であり、導体トラックそのものの厚さが例えば２〜３ミクロンである。
【０００５】
このようなフレキシブルプリント基板は、概して１つまたは複数の絶縁層を備えている。上記絶縁層は、例えばポリイミド、パリレン、他のプラスチック、または絶縁体である。導体トラック、接触領域、または適切であれば金属を貫通する穴が、いくつかの導体トラック面の間である上記絶縁層上に形成される。導体トラックとの電気的接触のために、ここに対応する接触点が与えられ、例えば、プリント基板上の電子部品と、刺激システム外部の構成部品とを接続するために、上記接触点を経由して、外部の電線および／または電気装置が接続され得る。
【０００６】
フレキシブルプリント基板を製造する目的のために、概していくつかの層からなる多層構造系、いわゆる多層構造が形成される。多層構造であるこれらの層は、導体トラック面、または導電性の導体トラックを備えた導体トラック層を含んでもよい。また、多層構造系、いわゆる多層構造は、複数の絶縁層を有していてもよい。絶縁層は、２つの導体トラック層を電気的に互いに絶縁するために、例えばその間に配置される。
【０００７】
このような多層構造は、共通の基板上において同時に形成および積層された比較的多くの個々の層をしばしば含んでいる。多層構造は形成後に、さらなる処理のために基板から分離される。この形成された多層構造システムを基板から分離するための多様な技術が文献に記載されている。上記技術には、分離層を利用する技術、および多層構造の形成後に適した手段を用いて分離層を除去する技術がある。分離層は、例えばフォトレジスト、二酸化ケイ素、ポリマー、および金属等からなる。
【０００８】
しかしながら、基板から分離する過程において、個々の組織が凝集された状態で損なわれない技術は開示されていない。すなわち、多層構造を形成および分離する開示されている方法においては、個々の組織は別々に分離され得るのみである。しかしながら、多層構造の形成後における分離された別々の組織のさらなる処理は、多層構造が凝集された状態で存在する場合より多大な労力を要し、かつそれ故にコスト高にもなる。
【０００９】
それ故、本発明の目的は、形成された個々の組織を基板から容易に分離できる多層構造を製造する製造方法を提供することにある。本発明のさらなる目的は、基板に形成された個々の組織が基板から凝集された状態で分離され得るとともに、その結果個々の組織が、凝集された状態で損なわれない方法を提供することにある。
【００１０】
この目的は、本発明の請求項１に記載の製造方法によって達成される。また、本発明のさらなる有利な進歩は、従属項各々によって明確になる。
【００１１】
上記の目的は、電気的接触のための電気導体トラックを含む導体トラック面を少なくとも１つ備えた多層移植構造体を製造する方法によって達成される。この電気的接触は、例えば生体組織細胞または神経線維に接触するか、電気刺激を与える役目を果たす例えばインプラントによるものである。本発明に記載の上記の方法は以下のステップを含む。すなわち、
基板に第１金属層を形成するステップ、
上記第１金属層上に、第２金属層を形成するステップ、
上記第２金属層上に、複数の多層移植構造体からなる多層構造を形成するステップ、
上記基板と、上記第２金属層の間の第１金属層を除去するステップ、
上記多層移植構造体を、凝集された状態で上記基板から分離するステップとを含む。
【００１２】
本発明に記載したこの方法において、上記多層構造と上記基板との間に２つの金属層からなる分離層が形成される。上記２つの金属層を、完成した多層構造を分離する過程において、湿式化学アンダーエッチング加工を用いて除去する。この結果、完成した多層構造を、均一および確実に基板から分離することが達成される。したがって、本発明に記載の方法は、基板に形成された全ての個々の多層移植構造体を別々にではなく、基板から凝集された状態で分離するという利点がある。これにより、自動化および製法に関する多層構造のさらなる処理の過程における組立および相互接続を目的とした後の技術が容易になる。
【００１３】
本発明に記載の方法の有利な効果は、多層構造が形成された後に、形成された多層構造の分離を、１回または複数回の適するエッチング加工を用いて金属からなる第１金属層および第２金属層である分離層を凝集された状態で除去することによって達成するという事実に基づいている。この分離方法は、適する金属層を選択することが好ましい。これにより、形成された多層構造を、基板から容易に分離することが可能となる。基板は、例えばシリコン、ガラス、またはセラミックで構成されてもよい。
【００１４】
第１金属層（犠牲層）は、クロムから形成されることが好ましい。一方で、第２金属層の材料は、イオン化系列において占める位置の違いによって、第１金属層との間に電位差をもたらす材料から選択されることが好ましい。これにより、アンダーエッチング加工の過程において犠牲層を腐食することによって基板から多層移植構造体を分離することに適した、第１金属層（犠牲層）と第２金属層との間の電気化学的な電位差を生じさせる。第２金属層の材料としては、例えば金、銀、パラジウム、または他の貴金属が使用される。
【００１５】
しかしながら、高い処理温度においては、第１金属層と第２金属層との間において、拡散処理が起こり得る。拡散処理は、高温下において、第２金属層の金が第１金属層に拡散し得ること、および／または第１金属層のクロムが第２金属層に拡散し得ることである。これが起こることによって、犠牲層のアンダーエッチングによって基板から形成された多層構造を分離することが妨げられる。したがって、拡散処理を防止するため、エッチング加工によっても拡散しない合金を、第１金属層と第２金属層との境界に形成する。第１金属層と第２金属層との間に第３金属層が挿入される場合には、これが第１金属層と第２金属層との間の拡散障壁となるため特に有利となる。
【００１６】
第１金属層と第２金属層との間に配置された第３金属層である拡散障壁によって、第２金属層から第１金属層への金の拡散が防止される。これにより、多層構造は２５０度以上の温度においても製造され得る。拡散障壁としての機能が大きくなるため、第３金属層はチタニウムまたはタングステンチタニウムから形成されることが特に好ましい。また、第３金属層の挿入は、第１金属層を分離する処理にマイナス影響は与えない。
【００１７】
本発明に記載の方法における金属層の除去は、通常はエッチング加工によって達成される。通常はエッチング加工のために、金属層の金属各々をエッチングする特質を持つエッチング液が使用される。また、選択できる範囲内で、各々の場合において通常はただ１つの金属層を（部分的に）除去するエッチング液が用いられる。好ましい実施形態においては、クロムからなる犠牲層（金属層１）をエッチングする場合には酸性化の目的のため、通常は酢酸からなる、硝酸アンモニウムセリウムの酸性の水溶液を特に用いる。金属層３がチタニウムから形成される場合には、例えば通常は極度に薄められたフッ化水素酸を用いてエッチング加工する。一方で、金属層３がタングステンチタニウムから形成される場合には、過酸化水素を用いてエッチング加工する。各々の場合における特定の金属に対するエッチング媒体の選択は当業者に公知である。
【００１８】
好ましい実施形態において、いくつかの多層移植構造体からなる多層構造は、その周囲に形成または適用された、例えば固定された輪の形状等の固定されたフレームによって囲まれる。上記固定されたフレームは、多層構造の外縁に形成または適用されることが好ましい。この場合に、個々の多層移植構造体は基板から分離する過程において細線の繊維によって互いに接続されており、かつ、固定された輪に固定されているため、容易に取り扱いできる。これにより、自動化および製法に関する多層構造のさらなる処理の過程における組立および相互接続を目的とした後の技術が容易になる。さらなる処理の過程において、完成した個々の組織を得るために繊維は分離され得る。
【００１９】
本発明に記載の方法においての好ましい実施形態における多層構造の製造の過程において、電気的に絶縁する絶縁体の層が少なくとも１つ形成される。絶縁体の層には、導体トラックを備えた導体トラック層が少なくとも１つ形成されている。
【００２０】
本発明における他の好ましい実施形態において、インプラントのフレキシブルプリント基板は、絶縁層の間、下、または上に配置された導体トラックを備えたいくつかの絶縁層からなる。
【００２１】
本発明のさらなる目的は、優れたハンドリングクオリティおよび簡単なさらなる処理によって特徴づけられる中間生産物であって、多層移植構造体を製造する中間生産物を提供することにある。この目的は、以下の層から構成される中間生産物であって、多層移植構造体を製造する中間生産物によって達成される。すなわち、
基板と、
上記基板上の第１金属層と、
上記第１金属層上の第２金属層と、
生体組織細胞または神経線維に接触するか、電気刺激を与えるインプラントの電気的接触のための電気導体トラックを備えた少なくとも１つの多層構造とを含む。
【００２２】
このような多層移植構造体は、本発明に記載の上記方法の上記第１部分を適用することによって形成され得る。また、以下のステップのみを実行することによって得られる。すなわち、
基板に第１金属層を形成するステップと、
上記第１金属層上に第２金属層を形成するステップと、
上記第２金属層上に多層構造の複数の多層移植構造体からなる多層構造を形成するステップとを含む。
【００２３】
中間生産物が存在する場合には、多層移植構造体を安定した基板の層に静止させて配置することによって、多層移植構造体を機械的負荷に対して十分に保護する。このように、中間生産物が存在する場合には、多層移植構造体はさらなる処理のための他の位置に安全に移動される。多層移植構造体を製造する中間生産物は、以下のステップを含む本発明に記載の上記方法を適用することによって形成され得る。すなわち、
上記基板と上記第２金属層との間から上記第１金属層を除去するステップと、
上記多層移植構造体を、凝集された状態で上記基板から分離するステップとを含む。
【００２４】
中間生産物における本発明に記載の上記方法の上記第２部分を適用することによって、多層移植構造体は、凝集された状態で基板から分離され得る。また、多層移植構造体は、上記方法の第１部分および第２部分を含む本発明に記載の方法の終了後に、ただ１つのプロセスによって形成されたかのように、結果的に同じ形状において存在する。
【００２５】
好ましい実施形態に従った本発明に記載の多層移植構造体において、第１金属層と第２金属層とに挟持されるように、第３金属層を１金属層に形成する。この場合に、犠牲層として機能する第１金属層を、特に湿式化学アンダーエッチング加工によって除去することによって、基板から多層構造を分離する。
【００２６】
本発明のさらなる特徴点、好ましい実施形態、および有利点は、添付の図面を参照した以下の詳細な記述によって明らかになる。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態に記載の方法の第１ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００２８】
図２は、本発明の一実施形態に記載の方法の第２ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００２９】
図３は、本発明の一実施形態に記載の方法の第３ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００３０】
図４は、本発明の一実施形態に記載の方法の第４ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００３１】
図５は、本発明の一実施形態に記載の方法の第５ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００３２】
図６は、本発明の一実施形態に記載の方法の第６ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００３３】
図７は、本発明の一実施形態に記載の方法の第７ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００３４】
図８は、本発明の一実施形態に記載の方法の第８ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【００３５】
図９は、本発明に記載の方法に従って形成された、基板から複合組織として分離された多層移植構造体の上面図である。
【００３６】
多層移植構造体を製造および凝集された状態で分離するという本発明の方法を以下に記載する。図１は、本発明の好ましい実施形態の第１ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。本発明に記載の方法は、例えばシリコン、ガラス、またはセラミックからなる基板４に層を形成する。第１ステップにおいてまず、後に分離層または犠牲層となる第１金属層１を形成する。犠牲層１は、例えばクロムまたはニクロムから形成される。第１金属層１は、７０から２００ナノメートルの層厚を有することが好ましい。
【００３７】
図２は、本発明の好ましい実施形態の第２ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第２ステップにおいて、第３金属層３を第１金属層１上に形成する。第３金属層３は、例えばチタニウムまたはタングステンチタニウムから形成されており、後に第１金属層１と第２金属層２との間の拡散障壁として機能する。第３金属層３は、５０から２００ナノメートルの層厚を有することが好ましい。
【００３８】
図３は、本発明の好ましい実施形態の第３ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第３ステップにおいて、第２金属層２を第３金属層３上に形成する。これにより、第３金属層３は、第１金属層１と第２金属層２とに挟持される。なお、第２金属層２が金から形成される場合には、特に有利であることが証明されている。第２金属層２は、５０から３００ナノメートルの層厚を有することが好ましい。金属層１，２，３は、例えばスパッタリングまたは他の適した処理といった、薄層を積層することに適した処理によって形成される。
【００３９】
図４は、本発明の好ましい実施形態の第４ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第４ステップにおいて、導体トラック面および電極を備えたフレキシブルな多層構造システムまたは多層構造５を、第２金属層２に形成する。多層構造５のフレキシブルな層は、例えばポリイミドから形成される。本発明に記載の方法の第４ステップはいくつかのサブプロセスを含み、この過程において、実際の多層移植構造体６を形成する。このように、いくつかの個別の多層移植構造体６となる多層構造５を、第２金属層２上に形成する。多層構造５は、マイクロテクノロジーの分野において既に確立されているリソグラフィー技術を用いて形成する。
【００４０】
図５は、本発明の好ましい実施形態の第５ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第５ステップにおいて、外部のジオメトリーによって、多層移植構造体６を加工する。すなわち、適する構造プロセスを用いて、個々の多層移植構造体６を隔てる間隙７を、第２金属層２に形成する。間隙７は垂直方向に形成されており、第２金属層２に至る。この結果、多層移植構造体または多層構造６は、実質的に隔てられる。しかしながら、多層移植構造体または多層構造６は、細線の接続繊維１０によって互いに接続されている（図９参照）。接続繊維１０は、多層構造６の面に、多層構造５とともに形成されることが好ましい。
【００４１】
図６は、本発明の好ましい実施形態の第６ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第６ステップにおいて、湿式化学エッチング加工を用いて２つの上部の金属層２および３における間隙７によって露出した部分を除去する。これにより、個々の多層移植構造体６を隔てる間隙７を第１金属層１まで延伸する。なお、最下部の金属層または第１金属層１（犠牲層）は、この時点では元のままである。
【００４２】
図７は、本発明の好ましい実施形態の第７ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第７ステップにおいて、犠牲層または第１金属層１を、湿式化学アンダーエッチング加工を用いて完全に除去する。この結果、基板４と複合組織である多層移植構造体６との間を水平方向に隔てる間隙８を形成する。このステップにおいて、多層移植構造体６を隔てる間隙７の上部からエッチング溶液を通り抜けさせることによって、多層移植構造体６における露出した部分から水平方向にアンダーエッチする。これにより、水平方向に隔てる間隙８を形成する。水平方向に隔てる間隙８によって、多層移植構造体６は、基板４から凝集された状態で完全に分離される。
【００４３】
図８は、本発明の好ましい実施形態の第８ステップにおける多層移植構造体の構成を示す概略図である。第８ステップおよび最後のステップにおいて、多層移植構造体６の底面に留まっていた２つの金属層２および３を、適したエッチング加工等を用いて除去することによって、多層移植構造体６のみを残す。
【００４４】
図９は、本発明に記載の方法によって形成された多層移植構造体６の上面図である。図９に示す多層移植構造体６は、凝集された状態で基板から分離されている。多層移植構造体６は、垂直方向に形成された間隙７によって、実質的に互いに隔てられている。しかしながら、細線の接続繊維１０によってなおも互いに接続されている。この結果、本発明に記載の方法において、移植システム６を複合組織として基板４から分離することによって、移植システム６をさらに処理し得る。これにより、薄いフレキシブルの多層構造６の加工が容易となる。また、組立および自動化に関する移植システム６の相互接続を目的とした後の技術、並びにさらなる処理の工程が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に記載の方法の第１ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に記載の方法の第２ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の一実施形態に記載の方法の第３ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の一実施形態に記載の方法の第４ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図５】本発明の一実施形態に記載の方法の第５ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図６】本発明の一実施形態に記載の方法の第６ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図７】本発明の一実施形態に記載の方法の第７ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図８】本発明の一実施形態に記載の方法の第８ステップにおける、多層移植構造体の構成を示す概略図である。
【図９】本発明に記載の方法に従って形成された、多層構造において基板から分離された多層移植構造体の上面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１      第１金属層または犠牲層
２      第２金属層
３      第３金属層または拡散障壁
４      基板
５      多層構造
６      多層移植構造体
７      多層移植構造体６を隔てる垂直方向に形成された間隙
８      多層移植構造体６と基板４とを隔てる間隙
９      多層移植構造体６の多層構造
１０    多層移植構造体６を接続する接続繊維
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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