(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動配線層の上方を平坦化する平坦化膜と、
前記平坦化膜の上方に形成され、列状に配された複数の画素部の各々の側面を規定する一組の隔壁と、
前記一組の隔壁間に存する前記複数の画素部に形成される有機発光層と、を具備し、
前記平坦化膜は、前記複数の画素部の各々の境界となる領域を前記一組の隔壁と交差する方向に横断して形成された窪み部を有し、
前記一組の隔壁と同一材料からなり、前記一組の隔壁と連結され、前記平坦化膜の窪み部の上方にその内部形状に追従して形成されており、前記一組の隔壁より低い所定の隔壁を有する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記平坦化膜に形成された前記窪み部の底面は、前記一組の隔壁の底面より低い、
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記平坦化膜と前記有機発光層との間には、前記複数の画素部の各々に対応して画素電極層が介在し、
前記画素電極層の端部の一部は、前記平坦化膜に形成された窪み部に配置され、
前記所定の隔壁は、前記平坦化膜に形成された窪み部に配置された前記画素電極層の端部の一部を被覆している、
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記平坦化膜に形成された窪み部は、前記一組の隔壁の下には形成されていない、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記平坦化膜に形成された窪み部は、
その縁部が、前記一組の隔壁の各々の側面位置の下に進入した状態で形成されている、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記一組の隔壁はライン状に形成される、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記複数の画素部に形成される有機発光層は、同一色の発光材料からなる有機発光層である、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記平坦化膜は、前記画素電極層と前記駆動配線層とを接続するコンタクトホールを有し、
前記窪み部は、前記コンタクトホールが形成された領域と上下方向において重なる領域に形成された、
請求項３記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記窪み部の内部には、前記平坦化膜が除去されている領域が存在し、
前記コンタクトホールは、少なくとも前記平坦化膜が除去されている領域に設けられ、
前記画素電極層と前記駆動配線層とは前記コンタクトホールを介して接触している、
請求項８記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記駆動配線層の上面と前記平坦化膜の下面との間に絶縁保護層を有し、
前記絶縁保護層は、前記コンタクトホールが形成された領域において開口部を有し、
前記絶縁保護層の開口部の面積は、前記窪み部の面積よりも小さい、
請求項８又は請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記窪み部は、
平坦化膜の上面側に開口する上側開口部と、下面側に開口する下側開口部とを有し、
前記上側開口部から前記下側開口部に近づくに従い連続的または段階的に縮径する形状である、
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記窪み部の上側開口部が形成された平面領域は、前記コンタクトホールが形成された平面領域よりも大きく、かつ、前記コンタクトホールが形成された平面領域の全てと重なっている、
請求項８記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記一組の隔壁は、少なくとも三組存在し、
前記少なくとも三組のうち三組の隔壁は、赤色、緑色、青色の色ごとに一組の隔壁が対応しており、
各組の隔壁間に、前記有機発光層と前記窪み部と前記所定の隔壁とが設けられている、
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１４】
前記平坦化膜に形成された窪み部を第１の窪み部とし、
前記所定の隔壁は、前記第１の窪み部の内部形状に追従して窪むことで上部に第２の窪み部が形成されており、
その第２の窪み部には、前記有機発光層と同一の有機発光材料が堆積しており、
前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された第１および第２の窪み部は、他の二組の隔壁間に形成された第１および第２の窪み部と容積が異なる、
請求項１３記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１５】
前記所定の隔壁は、前記平坦化膜に形成された窪み部を第１の窪み部とし、その第１の窪み部の内部形状に追従して窪むことで上部に第２の窪み部が形成されており、
その第２の窪み部には、前記有機発光層と同一の有機発光材料が堆積しており、
前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された前記第２の窪み部は、他の二組の隔壁間に形成された前記第２の窪み部と広さが異なる、
請求項１３記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１６】
前記平坦化膜に形成された窪み部を第１の窪み部とし、
前記所定の隔壁は、前記第１の窪み部の内部形状に追従して窪むことで上部に第２の窪み部が形成されており、
その第２の窪み部には、前記有機発光層と同一の有機発光材料が堆積しており、
前記第１の窪み部及び前記第２の窪み部は、各々、
平坦化膜の上面側に開口する上側開口部から、下面側に開口する下側開口部に近づくに従い連続的に縮径する形状の上部窪み部と、
前記下側開口部から前記上側開口部に近づくに従い連続的に拡径する形状の下部窪み部と、
を有し、かつ、
前記上部窪み部と前記下部窪み部との間に段差が存在するものであり、
前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された前記第１の窪み部および前記第２の窪み部の各々の上部窪み部は、他の二組の隔壁間に形成された前記第１の窪み部および前記第２の窪み部の各々の上部窪み部とそれぞれ深さ又は広さが異なり、かつ、
前記三組の隔壁間に形成された前記第１窪み部の前記下部窪み部の前記下側開口部は、互いに同じ形状をしている、
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１７】
前記所定の隔壁が、前記三組の隔壁の延設方向において、前記有機発光層の側面を規定する傾斜面を有し、
前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された所定の隔壁の傾斜面の傾斜角度は、他の二組の隔壁間に形成された所定の隔壁の傾斜面の傾斜角度と異なる、
請求項１３記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１８】
前記画素電極層は、前記窪み部の開口縁に配された部分が屈曲しており、
前記所定の隔壁は、前記窪み部よりも広い領域に形成され、前記一組の隔壁の延設方向において、前記画素電極層が屈曲した部分を被覆している、
請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１９】
前記駆動配線層は薄膜トランジスタ層である、
請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項２０】
前記画素電極層は、金属、半導体、もしくは、金属および半導体からなる、
請求項３記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを備えた、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２２】
薄膜トランジスタ層の上方に平坦化膜を形成し、前記薄膜トランジスタ層の上方を平坦化する第１工程と、
前記平坦化膜の上方に、列状に配された複数の画素領域の各々の側面を規定する一組の隔壁を形成する第２工程と、
前記一組の隔壁間に存する前記複数の画素領域に有機発光層を形成する第３工程と、を具備し、
前記第１工程において、前記平坦化膜には、前記複数の画素部の各々の境界となる領域を前記一組の隔壁と交差する方向に横断して形成された窪み部を形成し、
前記第２工程において、前記一組の隔壁と同一材料からなり、前記一組の隔壁と連結された所定の隔壁を、前記平坦化膜の窪み部の内部形状に追従させ、前記一組の隔壁より低い形状に形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２３】
前記第２工程において、
前記平坦化膜上に前記一組の隔壁及び前記所定の隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、
前記一組の隔壁及び前記所定の隔壁を残すマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光し、
前記所定の隔壁は、前記平坦化膜の窪み部の内部形状に追従して前記窪み部の内部に入り込むことにより、前記一組の隔壁より低い高さとなる、
請求項２２記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２４】
前記第２工程において、
前記所定の隔壁を残すマスクパターンは、前記所定の隔壁の平面領域を前記平坦化膜に形成された窪み部の平面領域より広く残すマスクパターンである、
請求項２３記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２５】
前記第１工程において、
前記平坦化膜に前記窪み部を形成するマスクパターンを介して前記平坦化膜を露光し、
前記平坦化膜に前記窪み部を形成するマスクパターンは、光の透過率が互いに異なる複数の透光領域を有するマルチトーンのマスクパターンである、
請求項２２記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２６】
前記第１工程において、
前記マルチトーンのマスクパターンにより、前記窪み部が形成される領域において、コンタクトホールが形成される領域と、その周囲の領域とに照射される光の透過率を異ならせて露光し、前記平坦化膜に段差を有する窪み部を形成する、
請求項２５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２７】
前記第２工程において、
前記一組の隔壁が形成される領域及び前記所定の隔壁が形成される領域に照射される光の透過率が等しくされたマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する、
請求項２２又は請求項２３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２８】
さらに、前記第２工程の前に、前記平坦化膜上に前記複数の画素領域の各々に対応して画素電極層を形成する第４工程を具備し、
その第４工程において、
前記画素電極層の端部の一部は、前記窪み部の内部に配置されており、
前記第２工程において、
前記所定の隔壁によって前記画素電極層の端部の一部を被覆している、
請求項２２乃至請求項２７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２９】
前記第４工程において、
前記画素電極層は、前記画素領域から前記窪み部の内部に延び、前記窪み部の開口縁において屈曲した形状に形成されており、
前記第２工程において、
前記所定の隔壁を残すマスクパターンは、前記平坦化膜に形成された窪み部の平面領域より広く前記所定の隔壁の平面領域を残すマスクパターンであり、
前記所定の隔壁によって前記画素電極層の屈曲した部分が被覆されている、
請求項２８記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルおよびそれを備えた有機ＥＬ表示装置並びに有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネル（以下、表示パネルと略記する）の研究・開発が進められている。この表示パネルでは、各画素部が、アノード電極およびカソード電極と、その間に介挿された有機発光層とを有している。そして、表示パネルの駆動においては、アノード電極からホール注入し、カソード電極から電子注入し、有機発光層内でホールと電子とが再結合することにより発光する。
【０００３】
上記有機発光層の製法の例として蒸着法と印刷法とが存在する。特に印刷法の一つであるインクジェット法によって発光層およびその他の層が形成される場合は、インク滴下により隣接する他の色の材料と混ざる（混色）ことを防ぐために、隣接する他の画素との間を絶縁材料などから構成された隔壁（バンク）によって区画する必要がある。その隔壁を形成する方式には、複数のライン状の隔壁を並設し、有機発光層をストライプ状に区画する方式（ラインバンク方式）と、井桁状(格子状)に形成された隔壁によって各画素の周囲を囲繞する方式（ピクセルバンク方式）とが存在する。
【０００４】
ラインバンク方式の場合、有機発光層を形成する材料をインクジェット等の印刷方式にて塗布すると、複数の画素部に有機発光層を形成する材料が移動するので、複数の画素部において有機発光層の膜厚を均一にできる。しかし、ラインバンク方式の場合、ライン状に配置した複数の画素部の各々を区画するために、画素部の端部での発光を制御するための画素規定層という別の層を、ライン状の隔壁に直交させて配置することが必要となる。そのため、この画素規定層という別の層の形成のために有機ＥＬ素子を形成するプロセスが一つ増え、コスト増になるという問題がある。
【０００５】
一方、ピクセルバンク方式の場合、前記画素規定層という別の層は不要となって、コスト上の問題は解消される。しかし、有機発光層を形成する材料をインクジェット等の印刷方式にて塗布した場合、複数の画素部の一つ一つは個々に規制されているため、複数の画素部にわたって有機発光層を形成する材料が移動せず、複数の画素部において有機発光層の膜厚を均一化することが難しい。
【０００６】
上記ラインバンク方式を採用した一例として特許文献１がある。この特許文献１は、ライン状の隔壁に沿って並ぶ複数の画素部間に、画素部間での発光を規定する画素規定層という絶縁材料からなる層を形成している。上記画素規定層は、隔壁材料によって形成することもできる。この隔壁材料からなる画素規定層を「補助隔壁」と称する。画素規定層は、ライン状の隔壁よりも低く形成され、ライン状の隔壁の延設方向にインクが流動できるように形成されている。よって、複数の画素部のインク量が平均化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２０００４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術では以下のような問題が生ずる。
すなわち、上記特許文献１には、隔壁材料の露光時にハーフトーンマスク等を用いて、第１隔壁と第２隔壁との露光量を異ならせることで、高さの異なる第１隔壁と第２隔壁とを同時に形成する方法が記載されている。
【０００９】
しかし、ハーフトーンマスク等を用いた隔壁の形成に適合する隔壁材料を作ることは現実には困難であり、上記方法は実用性に乏しいという問題がある。隔壁材料は、隔壁形成時の露光に対する感光性、焼成（ベーク）処理等に対する耐性、撥水性（フッ素処理後の撥水性も含む）、絶縁性等の種々の特性を備えていることが求められており、それらに加えてハーフトーンマスク等を用いた隔壁の形成に適合させることが難しいためである。したがって、隔壁材料の制約に縛られずに、高さの異なる第１隔壁と第２隔壁とを同時に形成し得る構造の表示パネル等が求められている。
【００１０】
本発明は、上記課題の解決を図るためになされたものであって、上記ラインバンク方式の隔壁を形成する場合において、隔壁材料の制約が少なく、高さの異なる２種類の隔壁を同じ工程で同時に形成し得る構造の有機ＥＬ表示パネルおよびそれを備えた有機ＥＬ表示装置並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、薄膜トランジスタ層の上方を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜の上方に形成され、列状に配された複数の画素部の各々の側面を規定する一組の隔壁と、前記一組の隔壁間に存する前記複数の画素部に形成される有機発光層と、を具備し、前記平坦化膜は、前記複数の画素部の各々の境界となる領域を前記一組の隔壁と交差する方向に横断して形成された窪み部を有し、前記一組の隔壁と同一材料からなり、前記一組の隔壁と連結され、前記平坦化膜の窪み部の上方にその内部形状に追従して形成されており、前記一組の隔壁より低い所定の隔壁を有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、平坦化膜に、複数の画素部の各々の境界となる領域を一組の隔壁（以下、一組の第１隔壁という）と交差する方向に横断して形成された窪み部が形成されている。その窪み部の上方に所定の隔壁（以下、第２隔壁という）が形成されているので、第２隔壁が窪み部の内部形状に追従する形状となり、第２隔壁の高さを第１隔壁よりも低くできる。
【００１３】
これにより、窪み部によって第２隔壁を低くすることが可能である。例えば、第１隔壁と第２隔壁との露光量を同じにしても、それらを同時に形成することが可能である。その結果、隔壁材料に要求される種々の特性からハーフトーンマスクを用いた形成に適合しているという特性を除くことができるので、隔壁材料の選択肢を広げることができる。すなわち、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、ラインバンク方式において、隔壁材料の制約によらず、実現性の高い手法により、高さの異なる２種類の隔壁を同じ工程で同時に形成できる。
【００１４】
それと共に、ラインバンク方式を採用した場合であっても、前記第２隔壁が、前記一組の隔壁によって共通に規制された複数の画素部の各々を区画し、画像規定層と同一の機能を果たす。その結果、ラインバンク方式を採用した場合であっても、前記画素規定層を不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示すブロック図である。
【図２】画像表示部１０における画素部１００を示すＡ−Ａ’模式断面図である。
【図３】画像表示部１０における画素部１００を示すＢ−Ｂ’模式断面図である。
【図４】画像表示部１０におけるバンク１１１，１２１の構造を示す模式平面図および模式断面図である。
【図５】平坦化膜に形成された窪み部１２３を示す模式平面図である。
【図６】第２バンク１２１が形成されていない画像表示部１３０を示す模式断面図である。
【図７】画像表示部１０の製造方法における平坦化膜形成工程を示す模式断面図である。
【図８】画像表示部１０の製造方法におけるアノード電極形成工程を示す模式断面図である。
【図９】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程を示す模式断面図である。
【図１０】画像表示部１０の製造方法における有機発光層形成工程を示す模式断面図である。
【図１１】画像表示部１０の製造方法における平坦化膜形成工程およびアノード電極形成工程を示す模式断面図である。
【図１２】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程および有機発光層形成工程を示す模式断面図である。
【図１３】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程の一部を詳細に示す模式断面図である。
【図１４】変形例１に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１５】変形例１に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１６】変形例２に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１７】変形例３に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図１８】変形例４に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図１９】変形例５に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図２０】有機ＥＬ表示パネル１を含む有機ＥＬ表示装置５００を示す外観斜視図である。
【図２１】有機ＥＬ表示装置５００の要部構成を模式的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[本発明の一態様の概要]
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、薄膜トランジスタ層の上方を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜の上方に形成され、列状に配された複数の画素部の各々の側面を規定する一組の隔壁と、前記一組の隔壁間に存する前記複数の画素部に形成される有機発光層と、を具備し、前記平坦化膜は、前記複数の画素部の各々の境界となる領域を前記一組の隔壁と交差する方向に横断して形成された窪み部を有し、前記一組の隔壁と同一材料からなり、前記一組の隔壁と連結され、前記平坦化膜の窪み部の上方にその内部形状に追従して形成されており、前記一組の隔壁より低い所定の隔壁を有する。
【００１７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、平坦化膜に、複数の画素部の各々の境界となる領域を一組の隔壁（以下、一組の第１隔壁という）と交差する方向に横断して形成された窪み部が形成されている。その窪み部の上方に所定の隔壁（以下、第２隔壁という）が形成されていることで、第２隔壁が窪み部の内部形状に追従する形状となり、第２隔壁の高さを第１隔壁よりも低くすることができる。
【００１８】
これにより、窪み部によって第２隔壁を低くすることが可能である。例えば、第１隔壁と第２隔壁との露光量を同じにしても、それらを同時に形成することが可能である。その結果、隔壁材料に要求される種々の特性からハーフトーンマスクを用いた形成に適合しているという特性を除くことができるので、隔壁材料の選択肢を広げることができる。すなわち、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、ラインバンク方式において、隔壁材料の制約によらず、実現性の高い手法により、高さの異なる２種類の隔壁を同じ工程で同時に形成できる。
【００１９】
それと共に、ラインバンク方式を採用した場合であっても、前記第２隔壁が、前記一組の隔壁によって共通に規制された複数の画素部の各々を区画し、画素規定層と同一の機能を果たす。その結果、ラインバンク方式を採用した場合であっても、前記画素規定層を不要とすることができる。
【００２０】
さらに、上記のように本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、ラインバンク方式を採用しており、第２隔壁の高さが第１隔壁よりも低くされている。そのため、有機発光層の形成時に、インクジェット法等の印刷法によって塗布された有機発光材料を含むインクが、一組の第１隔壁間を流動でき、複数の画素部において有機発光層の膜厚が均一になる。
【００２１】
窪み部は、平坦化膜の上面（有機発光層側の面）側において開口し下面（駆動配線層側の面）側において開口していないものであってもよいし、平坦化膜の上面側および下面側の両方で開口しているものであってもよい。
【００２２】
窪み部が下面側で開口していない場合、窪み部とは別の領域にコンタクトホールが形成されるのであるが、例えば、マルチトーンマスクを用いた露光処理により、コンタクトホールと、それぞれ異なる高さを有する窪み部と平坦部とを同時に形成することは容易である。
【００２３】
また、窪み部が、平坦化膜の上面側および下面側の両方で開口している場合、例えば、窪み部に段差を設けて、窪み部の下部にコンタクトホール状の孔を形成することができる。そして、例えば、上述のようにマルチトーンマスクを用いて、段差を有する窪み部と平坦部とを同時に形成することは容易である。
【００２４】
平坦化膜は、隔壁材料のように多機能でなくともよいため、ハーフトーンマスク等のマルチトーンマスクと適合性の良い感光性材料が存在する。すなわち、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、製造プロセスを増加させずに、互いに高さの異なる２種類の隔壁を形成することができる構造とされているのである。
【００２５】
なお、窪み部が、平坦化膜の上面側および下面側の両方で開口している場合、後述するように、画素電極層を窪み部内に配置し、下面側の開口を通して画素電極層と駆動電極層とを電気的に接続することが可能である。その態様では、窪み部がコンタクトホールとしての機能を兼ね備えていると考えることができる。この場合、窪み部とコンタクトホールとを異なる領域に形成せずに済み、画素部をより広くすることができる。
【００２６】
第２隔壁は、全ての部分において第１隔壁より低くされていることを要しない。インクの流動性を確保するために、例えば、一組の第１隔壁と直交する方向において、第１隔壁より低くされている部分の長さが、一組の第１隔壁間の距離の５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。
【００２７】
なお、窪み部が、平坦化膜の上面側および下面側の両方で開口している場合、下面側の開口の上方には平坦化膜が存在しないことから、下面側の開口の上方の領域を、「平坦化膜が除去された領域」と称することができる。
【００２８】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、さらに、前記平坦化膜に形成された前記窪み部の底面は、前記一組の隔壁の底面より低い、という構成を採用することができる。
【００２９】
本態様によると、一組の第１隔壁の底面が、例えば、画素部下の平坦部よりも低い場合であっても、第２隔壁の高さを第１隔壁よりも低くすることができる。その結果、ラインバンクで擬似ピクセルバンクにできる。つまり、一組の第１隔壁において滴下されたインクの流動を許容しつつ、第２隔壁を画素規定層として機能させることができる。
【００３０】
なお、窪み部の底面は、平面視において、少なくとも前記一組の隔壁の一方の側面下端位置から他方の側面下端位置まで連続した領域における高さが、一組の第１隔壁の底面よりも低くされていることが好ましい。平面視とは、例えば、平坦化膜等の各層が積層される方向の上方から下方を眺める視点とすることができる。また、第１隔壁の下にホール注入輸送層等が介挿されている場合は、窪み部の底面は、ホール注入輸送層等の底面よりも低くされる。さらに、窪み部に段差が形成されている場合は、例えば、最上段の段差面を底面とすることができる。
【００３１】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記平坦化膜と前記有機発光層との間には、前記複数の画素部の各々に対応して画素電極層が介在し、前記画素電極層の端部の一部は、前記平坦化膜に形成された窪み部に配置され、前記所定の隔壁は、前記平坦化膜に形成された窪み部に配置された前記画素電極層の端部の一部を被覆している、という構成を採用することができる。
【００３２】
本態様によると、第２隔壁によって画素電極層の端部の一部を被覆することで、上記端部に電界が集中して輝度ムラが生じることを防止することができる。なお、画素電極層の端部の一部は、例えば、画素電極層の平面形状が矩形であった場合に、その矩形の四辺のうち、第１隔壁と交差する二辺のうちの少なくとも一辺に相当する部分とすることができる。つまり、画素電極層の端部の一部は、第１隔壁の延設方向における画素電極層の２つの端部のうちの少なくとも一方の端部とすることができる。
【００３３】
上記輝度ムラの発生について説明する。有機発光層を発光させる際に画素電極層に電圧が印加されるが、画素電極層の端部の一部に電界が集中して、有機発光層に局部的な電流が流れる場合がある。有機発光層に局部的な電流が流れた場合、局部的に輝度が高くなるなど、輝度ムラが発生し得る。そこで、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、第２隔壁によって画素電極層の端部の一部を被覆することで、上記端部の一部に電界が集中して輝度ムラが生じることを防止している。
【００３４】
さらには、本態様によると、第２隔壁によって画素電極層の端部の一部を被覆することで、画素電極層の端部の一部で発生する、画素電極層と共通電極（有機発光層の上方に形成され、画素電極層とは逆の極性を有する電極であり、上部電極と称することもできる）との間のショートを防止することができる。上記ショートの発生について説明する。画素電極層はある膜厚を有している。画素電極層の端部の一部を絶縁膜によって被覆しない場合、特に発光層の膜厚が画素電極層の膜厚よりも発光層の膜厚が薄いと、製膜された発光層は画素電極層の端部の一部において不連続的段差を発生する可能性が高くなり、時に画素電極層の端部の一部が露出し、発光層製膜後に形成される共通電極と直接若しくは非常に低抵抗で接する場合が発生する。このような画素電極層の端部の一部と共通電極との接触により、上記ショートが発生する。そこで本発明の一態様に係る有機EL表示パネルでは、第２隔壁によって画素電極層の端部の一部を被覆することで、上記画素電極層と共通電極との間のショートの発生を防止することができる。なお、画素電極層の端部のうち、例えば、第１隔壁に隣接する部分は、第２隔壁によって被覆されなくとも、第１隔壁によって被覆することができる。
【００３５】
また、このような構成を採用する場合には、画素電極層の端部の一部が窪み部に配置されていることで、画素部の大きさを可及的に大きくすることができる。仮に、端部の一部が窪み部外に配置されていた場合、画素電極層が配置されていない部分は発光に寄与しないため、画素部が比較的小さくなってしまう。つまり、一組の第１隔壁間の画素部を形成し得る領域を有効に利用できないのである。それに対して、本態様によれば、画素部を形成し得る領域を有効に利用できる。
【００３６】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記平坦化膜に形成された窪み部は、前記一組の隔壁の下には形成されていない、という構成を採用することができる。
【００３７】
本態様によると、一組の第１隔壁の高さを、その延設方向において均一にすることができる。極端な例として、窪み部が、一組の第１隔壁と交差する方向に第１隔壁の下を横断するように形成されていたとすると、第１隔壁のうちの窪み部上に位置する部分の高さが他の部分よりも低くなり、例えば、第２隔壁と同じ高さになってしまう。それは、本態様の隔壁材料が、窪み部の内部形状に追従して堆積するためである。その結果、有機発光層の形成時に、有機発光材料を含むインクが、第２隔壁だけでなく、第１隔壁をも超えて流動する虞がある。ラインバンク方式では、第１隔壁によって区画される画素部には異なる色の有機発光材料が堆積させられることが多いため、有機発光層の形成時には、インクが第１隔壁を超えないことが好ましい。それに対して、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、第１隔壁が第２隔壁よりも高く保たれるため、有機発光層の形成時にインクが第１隔壁を超えないようにすることができる。
【００３８】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記平坦化膜に形成された窪み部は、その縁部が、前記一組の隔壁の側面の下に進入した状態で形成されている、という構成を採用することができる。
【００３９】
本態様によると、第２隔壁を全体的に第１隔壁よりも低くすることができるため、インクの流動性が向上する。それは、例えば、後述するように、窪み部の側面が第１隔壁に進入していない場合には、第２隔壁のうちの第１隔壁と連なる部分の高さが第１隔壁と同じ高さになり、インクの流動に寄与しないからである。なお、本態様では、第１隔壁の頂部の下に窪み部が形成されていないことが好ましく、その場合は第１隔壁の頂部の高さを第２隔壁よりも高く保つことが容易になる。
【００４０】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記一組の隔壁はライン状に形成される、という構成を採用することができる。
本態様によると、複数の画素部が連続的に並べられており、表示パネルに含まれる全画素部を行列状に配列することが容易になる。なお、連続的とは言っても、互いに隣り合う画素部同士は所定の隔壁によって区画されており、実際につながっているわけではない。また、複数の画素部が直線的に並べられていてもよいし、ジグザグに並べられていてもよい。
【００４１】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記複数の画素部に形成される有機発光層は、同一色の発光材料からなる有機発光層である、という構成を採用することができる。
【００４２】
本態様によると、一組の第１隔壁間に並ぶ複数の画素部に形成された有機発光層が同一色であることにより、有機発光材料を含むインクを一組の第１隔壁間で流動させることができ、複数の画素部の有機発光層の膜厚を均一にすることができる。
【００４３】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記窪み部の下部は、前記画素電極層と前記薄膜トランジスタ層とを接続するコンタクトホールを形成しており、前記窪み部の上側開口は、前記コンタクトホールが形成された領域と上下方向において重なる領域に形成された、という構成を採用することができる。
【００４４】
本態様によると、平坦化膜の窪み部の上側開口は、コンタクトホールが形成された領域と上下方向において重なる領域に形成されている。言い換えると、コンタクトホールが形成される領域に重ねて窪み部を形成することで、窪み部を形成したことにより無駄に画素部を狭めることを防止できる。
【００４５】
なお、上下方向において重なる領域は、平面視において、コンタクトホールが形成された領域と重複する領域を有している。そのため、窪み部は、平坦化膜の上面側および下面側の両側に開口することとなり、例えば、画素電極層の一部を窪み部を通じて駆動配線層と接触させることができる。この場合、窪み部がコンタクトホールの機能を有しており、コンタクトホールが窪み部の一部となっていると考えることができる。例えば、窪み部の形状が、上部が箱形状を成し、下部が比較的小径の孔形状をしているような場合がある。
【００４６】
なお、画素電極層と薄膜トランジスタ層とを接続するとは、例えば、コンタクトホールが画素電極層側と前記駆動配線層側との両側に開口し、画素電極層がコンタクトホールに入り込んで駆動配線層と接触することを可能にしていることをいう。
【００４７】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記窪み部は、前記上側開口部から前記下側開口部に近づくに従い連続的または段階的に縮径する形状である、という構成を採用することができる。
【００４８】
本態様によると、窪み部の形状を、例えば、平坦化膜の上面側において、第２隔壁を低くするのに適した形状とし、平坦化膜の下面側において、コンタクトホールとしての機能を優先した形状とすることができる。
【００４９】
また、本態様の窪み部が上側開口部から下側開口部に近づくに従い連続的に縮径する形状である場合は、窪み部が平坦化膜を貫通した状態で形成され、かつ、窪み部に段差が形成されていない。そのため、平坦化膜を形成する際に、マルチトーンマスクを用いなくとも、モノトーンマスクによって、窪み部とコンタクトホールとを同時に形成することが可能である。また、窪み部をコンタクトホールとして機能させることもできる。なお、窪み部の縮径の度合いは、例えば、平坦化膜を形成する際に、露光および現像処理の特性によって必然的に形成されるものとすることができる。
【００５０】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記窪み部の内部には、前記平坦化膜が除去されている領域が存在し、前記コンタクトホールは、少なくとも前記平坦化膜が除去されている領域に設けられ、前記画素電極層と前記駆動配線層とは前記コンタクトホールを介して接触している、という構成を採用することができる。
【００５１】
本態様は、画素電極層と駆動配線層とがコンタクトホールを介して接触していることを明確にしたものである。なお、平坦化膜が除去されている領域は、例えば、平坦化膜を貫通する孔が形成されている領域等である。また、窪み部の形状は、上部と下部との間に段差が形成されているものであってもよいし、段差が形成されていないものであってもよい。
【００５２】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記駆動配線層の上面と前記平坦化膜の下面との間に絶縁保護層を有し、前記絶縁保護層は、前記コンタクトホールが形成された領域において開口部を有し、前記絶縁保護層の開口部の面積は、前記窪み部の面積よりも小さい、という構成を採用することができる。
【００５３】
本態様によると、窪み部の面積を絶縁保護膜の開口部の面積よりも大きくすることで、画素電極層と駆動配線層との接触面積を確保することができる。なお、本態様では、平面視において、窪み部が形成された領域内に開口部が形成された領域全てが含まれていることが好ましい。本態様に、前記画素電極層は、前記下側開口部および前記保護層開口部を通じて前記駆動電極層と電気的に接続されている、という構成を加えることができる。
【００５４】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記窪み部の上側開口部が形成された平面領域は、前記コンタクトホールが形成された平面領域よりも大きく、かつ、前記コンタクトホールが形成された平面領域の全てと重なっている、という構成を採用することができる。
【００５５】
本態様によると、窪み部が形成された領域が、コンタクトホールが形成された領域よりも大きく設定されているが、コンタクトホールが形成された領域の全てと重ねることで、可及的に画素部を広くすることができる。
【００５６】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記一組の隔壁は、例えば三組存在し、前記三組のうち三組の隔壁は、赤色、緑色、青色の色ごとに一組の隔壁が対応しており、各組の隔壁間に、前記有機発光層と前記窪み部と前記所定の隔壁とが設けられている、という構成を採用することができる。
【００５７】
本態様では、カラー画像を表示することができる。なお、カラー画像を表示する場合、対応色は３色に限定されず、４色以上であってもよい。例えば、一組の隔壁が四組存在し、赤色、緑色、青色、白色の色ごとに一組の隔壁が対応していてもよい。
【００５８】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記平坦化膜に形成された窪み部を第１の窪み部とし、前記所定の隔壁は、前記第１の窪み部の内部形状に追従して窪むことで上部に第２の窪み部が形成されており、その第２の窪み部には、前記有機発光層と同一の有機発光材料が堆積しており、前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された第２の窪み部は、他の二組の隔壁間に形成された第２の窪み部と容積が異なる、という構成を採用することができる。
【００５９】
本態様のように、ラインバンク方式では、有機発光材料を含むインクが第２隔壁上にも塗布される。つまり、有機発光材料が、有機発光層だけでなく、第２の窪み部にも堆積する。そして、第１の窪み部の容積を変えることで、第２の窪み部の容積を変え、その第２の窪み部に堆積する有機発光材料の量を変えることができる。そして、例えば、インクの塗布量を変えずに、第２の窪み部の容積を大きくして有機発光材料の堆積量を増加させれば、有機発光層の膜厚は逆に減少する。
【００６０】
三組の隔壁間には互いに異なる色のインクが塗布されるのであるが、各色のインクの塗布量を同じにした場合でも、例えば、色ごとに窪み部の容積を異ならせることで、色ごとに有機発光層の膜厚を調整することができる。よって、有機発光層の最適な膜厚が、３色中の１色でも他と異なる場合に適している。なお、インクの塗布量と窪み部の容積との両方を異ならせてもよい。
【００６１】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記所定の隔壁は、前記平坦化膜に形成された窪み部を第１の窪み部とし、その第１の窪み部の内部形状に追従して窪むことで上部に第２の窪み部が形成されており、その第２の窪み部には、前記有機発光層と同一の有機発光材料が堆積しており、前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された前記第２の窪み部は、他の二組の隔壁間に形成された前記第２の窪み部と広さが異なる、という構成を採用することができる。
【００６２】
本態様では、第１の窪み部の広さを変えることで第２の窪み部の広さを変え、その第２の窪み部に堆積する有機発光材料の量を変えることができる。そのため、各色のインクの塗布量を同じにした場合でも、例えば、色ごとに第１の窪み部の広さを異ならせることで、色ごとに有機発光層の膜厚を調整することができ、前項と同様の作用効果を奏する。
【００６３】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記平坦化膜に形成された窪み部を第１の窪み部とし、前記所定の隔壁は、前記第１の窪み部の内部形状に追従して窪むことで上部に第２の窪み部が形成されており、その第２の窪み部には、前記有機発光層と同一の有機発光材料が堆積しており、前記第１の窪み部及び前記第２の窪み部は、各々、平坦化膜の上面側に開口する上側開口部から、下面側に開口する下側開口部に近づくに従い連続的に縮径する形状の上部窪み部と、前記下側開口部から前記上側開口部に近づくに従い連続的に拡径する形状の下部窪み部と、を有し、かつ、前記上部窪み部と前記下部窪み部との間に段差が存在するものであり、前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された前記第１の窪み部および前記第２の窪み部の各々の上部窪み部は、他の二組の隔壁間に形成された前記第１の窪み部および前記第２の窪み部の各々の上部窪み部とそれぞれ深さ又は広さが異なり、かつ、前記三組の隔壁間に形成された前記第１窪み部の前記下部窪み部の前記下側開口部は、互いに同じ形状をしている、という構成を採用することができる。
【００６４】
本態様によると、いずれか一組の第１隔壁間の上部窪み部の深さ又は広さを変え、その第２の窪み部に堆積する有機発光材料の量を変えることができる。そのため、各色のインクの塗布量を同じにした場合でも、例えば、色ごとに第１の窪み部の広さを異ならせることで、色ごとに有機発光層の膜厚を調整することができ、前項と同様の作用効果を奏する。
【００６５】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記所定の隔壁が、前記三組の隔壁の延設方向において、前記有機発光層の側面を規定する傾斜面を有し、前記三組の隔壁のうちの一組の隔壁間に形成された所定の隔壁の傾斜面の傾斜角度は、他の二組の隔壁間に形成された所定の隔壁の傾斜面の傾斜角度と異なる、という構成を採用することができる。
【００６６】
本態様によると、有機発光層の形成時において、各組の隔壁間に塗布された有機発光材料を含むインクが乾燥する際に、その表面形状が適切な形状を保つようにすることができる。これは、後に説明するが、所定の隔壁の傾斜面の傾斜角度によって、インクの表面形状が変わるためである。また、インクの特性（表面張力、粘度等）によって適切な傾斜角度が異なるため、対応色が異なれば傾斜角度を異ならせることが好ましい。さらには、傾斜角度が異なることにより、第２の窪み部に流動する有機発光材料の量を調整することが可能となるので、第２の窪み部に堆積する有機発光材料の量を調節することが可能となる。なお、３色全ての傾斜角度が互いに異なることは必須ではない。
【００６７】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記画素電極層は、前記窪み部の開口縁に配された部分が屈曲しており、前記所定の隔壁は、前記窪み部よりも広い領域に形成され、前記一組の隔壁の延設方向において、前記画素電極層が屈曲した部分を被覆している、という構成を採用することができる。
【００６８】
本態様では、窪み部の開口縁において画素電極層が屈曲しており、電圧が印加された場合に電界が集中し易い形状になっている。その画素電極層が屈曲した部分を所定の隔壁で被覆することで、その屈曲部分に電界が集中して有機発光層に局部的な電流が流れることを防止することができる。さらには、本態様によると、第２隔壁によって画素電極層の屈曲部を被覆することで、画素電極層の屈曲部で発生する、画素電極層と共通電極との間のショートを防止することができる。
【００６９】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、前記駆動配線層は薄膜トランジスタ層である、という構成を採用することができる。本態様によると、複数の画素部をアクティブマトリクス方式で駆動することができる。
【００７０】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、前記画素電極層は、金属、半導体、もしくは、金属および半導体からなる、という構成を採用することができる。
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置では、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを備えた、という構成を採用することができる。本態様は、前述の有機ＥＬ表示パネルを備えており、前述の態様と同様の作用効果を得ることができる。
【００７１】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、薄膜トランジスタ層の上方に平坦化膜を形成し、前記薄膜トランジスタ層の上方を平坦化する第１工程と、前記平坦化膜の上方に、列状に配された複数の画素領域の各々の側面を規定する一組の隔壁を形成する第２工程と、前記一組の隔壁間に存する前記複数の画素領域に有機発光層を形成する第３工程と、を具備し、前記第１工程において、前記平坦化膜には、前記複数の画素部の各々の境界となる領域を前記一組の隔壁と交差する方向に横断して形成された窪み部を形成し、前記第２工程において、前記一組の隔壁と同一材料からなり、前記一組の隔壁と連結された所定の隔壁を、前記平坦化膜の窪み部の内部形状に追従させ、前記一組の隔壁より低い形状に形成する、という構成を採用することができる。
【００７２】
本態様によると、ラインバンク方式の隔壁を形成する場合において、第１隔壁と第２隔壁との露光量を同じにしても、それらを同時に形成することが可能である。その結果、隔壁材料の選択肢が広がり、よりよい隔壁材料を使用することができる。すなわち、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、ラインバンク方式において、隔壁材料の制約が少なく、高さの異なる２種類の隔壁を同じ工程で同時に形成し得る。
【００７３】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第２工程において、前記平坦化膜上に前記一組の隔壁及び前記所定の隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、前記一組の隔壁及び前記所定の隔壁を残すマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光し、前記所定の隔壁は、前記平坦化膜の窪み部の内部形状に追従して前記窪み部の内部に入り込むことにより、前記一組の隔壁より低い高さとなる、という構成を採用することができる。
【００７４】
本態様は、第２工程を具体的に規定するものである。平坦化膜に塗布された隔壁材料は、窪み部が形成された領域において、窪み部の内部に入り込んで、高さが低くなっている。その窪み部上方の高さが低い部分を残すことにより、例えば、露光量を同じにした場合でも、第２隔壁の高さを第１隔壁よりも低くすることができる。
【００７５】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第２工程において、前記所定の隔壁を残すマスクパターンは、前記平坦化膜に形成された窪み部の平面領域より広く前記所定の隔壁の平面領域を残すマスクパターンである、という構成を採用することができる。
【００７６】
本態様によると、第２隔壁の平面領域（平面視における領域）が、第１隔壁の延設方向において、窪み部の平面領域の外に食み出すこととなる。そのため、平坦化膜に塗布された隔壁材料の厚さ寸法が窪み部の深さ寸法よりも小さい場合でも、第２隔壁のうちの窪み部の側面に乗り上げて窪み部の平面領域外に食み出した部分は、発光時に有機発光層に局所的な電界集中等を生じさせること無く安定した発光領域を規定するための画素規定層として機能することができる。
【００７７】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第１工程において、前記平坦化膜に前記窪み部を形成するマスクパターンを介して前記平坦化膜を露光し、前記平坦化膜に前記窪み部を形成するマスクパターンは、光の透過率が互いに異なる複数の透光領域を有するマルチトーンのマスクパターンである、という構成を採用することができる。
【００７８】
本態様によると、いわゆるマルチトーンマスクを用いて、例えば、平坦化膜の平坦部の高さと窪み部の高さとを異ならせつつ、平坦化膜に窪み部とコンタクトホールとを同時に形成することが可能である。コンタクトホールは、画素電極層とＴＦＴ層とを接続するために必然的に形成されるため、コンタクトホールと同時に形成すれば、製造プロセスを増加させずに窪み部を形成することができる。なお、マルチトーンマスクには、グレートーンマスク、スリットマスク、スタックドレイヤーマスク、ハーフトーンマスクが含まれる。なお、窪み部とコンタクトホールとを異なる領域に形成してもよいし、窪み部内にコンタクトホールを形成してもよい。
【００７９】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第１工程において、前記マルチトーンのマスクパターンにより、前記窪み部が形成される領域において、コンタクトホールが形成される領域と、その周囲の領域とに照射される光の透過率を異ならせて露光し、前記平坦化膜に段差を有する窪み部を形成する、という構成を採用することができる。
【００８０】
本態様によると、コンタクトホールが形成される領域の露光量と、その周囲の領域の露光量とを異ならせて、段差を有する窪み部を形成することができる。よって、製造プロセスを増加させずにコンタクトホールを有する窪み部を形成することができる。なお、段差を有する窪み部は、例えば、上部が一組の第１隔壁の一方から他方まで連続する広く浅い形状にされ、下部が平坦化膜の下面側に開口する比較的小径の孔形状にされたものとすることができる。
【００８１】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第２工程において、前記一組の隔壁が形成される領域及び前記所定の隔壁が形成される領域に照射される光の透過率が等しくされたマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する、という構成を採用することができる。
【００８２】
本態様によると、例えば、モノトーンマスクを用いて、高さの異なる第１隔壁と第２隔壁とを同時に形成することができる。そのため、隔壁材料の制約を少なくすることができる。
【００８３】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第２工程の前に、前記平坦化膜上に前記複数の画素領域の各々に対応して画素電極層を形成する第４工程を具備し、その第４工程において、前記画素電極層の端部の一部は、前記窪み部の内部に配置されており、前記第２工程において、前記所定の隔壁によって前記画素電極層の端部の一部を被覆している、という構成を採用することができる。
【００８４】
本態様によると、画素電極層の端部の一部を窪み部に配置することで、画素領域を可及的に大きくした表示パネルが得られる。また、画素電極層の端部の一部を所定の隔壁によって被覆して、その端部に電界が集中して有機発光層に局部的な電流が流れることを防止し得る表示パネルが得られる。さらには、本態様によると、第２隔壁によって画素電極層の屈曲部を被覆することで、画素電極層の屈曲部で発生する、画素電極層と共通電極との間のショートを防止することができる。
【００８５】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、前記第４工程において、前記画素電極層は、前記画素領域から前記窪み部の内部に延び、前記窪み部の開口縁において屈曲した形状に形成されており、前記第２工程において、前記所定の隔壁を残すマスクパターンは、前記平坦化膜に形成された窪み部の平面領域より広く前記所定の隔壁の平面領域を残すマスクパターンであり、前記所定の隔壁によって前記画素電極層の屈曲した部分が被覆されている、という構成を採用することができる。
【００８６】
本態様によると、画素電極層の屈曲した部分を所定の隔壁によって被覆することで、発光時にその屈曲部分に電界が集中して有機発光層に局部的な電流が流れることを防止し得る表示パネルが得られる。
【００８７】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、さらに、前記一組の隔壁の各々は、その延設方向に連続して形成された頂部と、前記頂部から前記平坦化膜に近づくに従い前記一組の隔壁間の距離が減少する向きに傾斜した側面とを具備し、前記窪み部は、平面視において、少なくとも前記一組の隔壁の一方の側面下端位置から他方の側面下端位置まで連続した領域に形成され、前記領域における前記平坦化膜の高さは、前記一組の隔壁の頂部の下に位置する前記平坦化膜の高さよりも低い、という構成を採用することができる。
【００８８】
本態様は、第１隔壁と窪み部との構成を、より具体的に規定したものである。本態様によると、例えば、平坦化膜のうち、第１隔壁下に位置する部分の高さが、画素部が形成される部分（平坦部）の高さよりも低い場合であっても、平坦化膜の高さを、前記連続した領域において第１隔壁下に位置する部分よりも低くすることで、第２隔壁の高さを第１隔壁よりも低くすることができる。
【００８９】
なお、連続した領域は、第１隔壁の延設方向において、ある程度の幅を有している。この領域の幅寸法は、第２隔壁を第１隔壁よりも低くできる寸法とすることができる。例えば、上記領域の幅寸法を、第１隔壁の高さ寸法以上や一組の隔壁間の距離の半分以上にすることができる。また、連続した領域は、第１隔壁の頂部の下に位置する前記平坦化膜の高さを基準として、第１隔壁の頂部の高さの２０％以上低くされていることが好ましく、４０％以上低くされていると、インクの流動性をさらに向上させやすくなる。なお、上記連続した領域のうち、第１隔壁近傍の領域は、第１隔壁の頂部の高さの２０％以上等低くされていることを要しない。
【００９０】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記窪み部は、平坦化膜の上面側に開口する上側開口部と、下面側に開口する下側開口部とを有しており、前記画素電極層は、前記画素部から前記窪み部内に延びて形成されており、前記下側開口部を通じて前記駆動電極層と電気的に接続されている、という構成を採用することができる。
【００９１】
本態様によると、窪み部にコンタクトホールの機能を持たせることができる。そのため、平面視において、窪み部以外の領域に別途コンタクトホールを形成する必要がなくなり、窪み部を形成したことによって無駄に画素部を狭めることを防止できる。
【００９２】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記窪み部は、前記上側開口部から前記下側開口部に近づくに従い連続的に縮径する形状の上部窪み部と、前記下側開口部から前記上側開口部に近づくに従い連続的に拡径する形状の下部窪み部とを有し、上部窪み部と下部窪み部との間に段差が存在する、という構成を採用することができる。
【００９３】
本態様によると、窪み部の形状を、平坦化膜の上面側において、第２隔壁を低くするのに適した形状とし、平坦化膜の下面側において、コンタクトホールとしての機能を優先した形状とすることができる。
【００９４】
さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記画素電極層は、前記下側開口部および前記絶縁保護層の開口部を通じて前記駆動電極層と電気的に接続されている、という構成を採用することができる。
【００９５】
本態様によると、窪み部にコンタクトホールの機能を持たせることができる。そのため、平面視において、窪み部以外の領域に別途コンタクトホールを形成する必要がなくなり、窪み部を形成したことによって無駄に画素部を狭めることを防止できる。
【００９６】
[実施の形態]
以下では、本発明を実施するための形態の一例について、図面を参酌しながら説明する。
【００９７】
なお、以下の説明で用いる形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の実施形態に限定を受けるものではない。
【００９８】
１．有機ＥＬ表示パネル１の概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１（以下、「表示パネル１」と略記する）の全体構成について、図１を用い説明する。
【００９９】
表示パネル１は、画像表示部１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。画像表示部１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示器であり、複数の有機ＥＬ素子が配列され構成されている。
【０１００】
また、駆動制御部２０は、信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３と制御回路２５とから構成されている。信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３には、後述する薄膜トランジスタ層に薄膜トランジスタからなる画素回路を制御する制御配線が接続されている。信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３は、電源供給部（図２１参照）から電力が供給される。なお、実際の表示パネル１では、画像表示部１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
【０１０１】
２．画像表示部１０の構成
画像表示部１０の構成について図２および図３を用いて説明する。なお、本実施の形態に係る画像表示部１０は、一例として、トップエミッション型の有機ＥＬ表示器を採用している。また、画像表示部１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色の発光材料を有する有機発光層を備える複数の画素部１００がマトリクス状に配置され構成されている。なお、図1において、「円C」の内側に、複数の画素部１００の配列の一部を拡大して模式的に示した。
【０１０２】
図２は、一部の画素部１００について、図1におけるA-A’断面を模式的に示した図である。また、図３は、１つの画素部１００について、図２に示すB-B’断面を模式的に示した図である。なお、図２および図３の上側（Ｚ軸方向）を、画像表示部１０の上方として説明する。
【０１０３】
画像表示部１０には、基板１０１上に薄膜トランジスタ層（ＴＦＴ層）１０２が形成され、その上方に平坦化膜１０３が形成されている。
ＴＦＴ層１０２は、基板１０１上に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０５や配線パターンが形成されてなる。そのＴＦＴ層１０２と平坦化膜１０３との間には、絶縁保護膜たるパッシベーション膜１０７が介挿されている。なお、図において、ＴＦＴ層１０２を簡略化して図示しており、一部の構成の図示を省略している。
【０１０４】
ＴＦＴ１０５は、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３によって作動させられ、各画素部１００に電力を供給する。ＴＦＴ１０５は、図３に示すように、ソース１０５ａ、ドレイン１０５ｂ、チャネル層１０５ｃ、ゲート絶縁膜１０５ｄ、ゲート電極１０５ｅが積層されてなる。なお、一方のＴＦＴ１０５のソース１０５ａもしくはドレイン１０５ｂが延長され、画素部１００と電気的に接続されるＳＤ電極（ソースドレイン電極）１０６が形成されている。パッシベーション膜１０７は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（SiO）等の無機系誘電材料や、アクリル系、ポリイミド系等の有機系誘電材料によって形成されている。
【０１０５】
平坦化膜１０３は、凹凸が存在するＴＦＴ層１０２上に堆積させられ、ＴＦＴ層１０２の上方に平坦面１０３ａを形成している。なお、平坦化膜１０３は、少なくとも画素部１００が形成される領域を平坦にできればよく、後述するコンタクトホールや窪み部等が形成されている等、全ての領域が平坦化されている必要はない。
【０１０６】
また、平坦化膜１０３は、パッシベーション膜１０７と同等の機能を持たせることが可能であるので、その場合にはパッシベーション膜１０７は必須ではない。
本実施形態において、行列上に配された複数の画素部１００をストライプ状に区画するラインバンク方式が採用されている。そのため、画像表示部１０には、画素部１００をストライプ状に区画する複数の第１バンク１１１（図２）が、平坦化膜１０３上に並設されている。第１バンク１１１は、Ｙ軸方向に直線的に延設されている。また、第１バンク１１１の断面形状は、略台形状が望ましく、Ｘ軸方向の両側面１１１ａの各々が傾斜面となっており、頂部は概ね平坦な頂面１１１ｂとなっている。そして、２つの側面１１１ａが、それぞれ、画素部１００の有機発光層１１３の１側面を規定する隔壁として機能している。なお、図３において、Ｚ軸方向の最上部に、切断面の奥側にある第１バンク１１１の側面１１１ａが白塗りで図示されている。
【０１０７】
互いに隣り合う第１バンク１１１間の領域には、平坦化膜１０３上にアノード電極１１２が形成され、そのアノード電極１１２上に有機発光層１１３が形成されている。なお、アノード電極１１２および有機発光層１１３は、画素部１００毎に分離された状態で形成されている。また、少なくとも発光領域において、アノード電極１１２と有機発光層１１３との間には、例えば正孔注入層（図示省略）や正孔輸送層（図示省略）等が挿入されていても良い。さらに、有機発光層１１３とカソード電極１１４との間には電子輸送層（図示省略）や電子注入層（図示省略）が、発光素子特性に応じて挿入されていても良い。
【０１０８】
そして、第１バンク１１１および有機発光層１１３上に、カソード電極１１４、および封止層（図示省略）が、順に積層形成されている。
また、画像表示部１０には、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間において、列状に配された複数の画素部１００間の領域を横断する複数の第２バンク１２１（図３）が形成されている。各第２バンク１２１は、一組の第１バンク１１１とそれぞれ連結されている。それら第２バンク１２１によって、第１バンク１１１の延設方向（Ｙ軸方向）における画素部１００の境界が形成されている。なお、第２バンク１２１の断面形状は、第１バンク１１１と大きく異なっている。第２バンク１２１の断面形状は、あたかも、第１バンク１１１と同様な断面形状のバンクが、平坦化膜１０３の窪みに陥没して形成されたような形状をしている。これは、後述するように第２バンク１２１の形成方法に起因するものである。
【０１０９】
第１バンク１１１，第２バンク１２１（以下、「バンク１１１，１２１」と略記する）および平坦化膜１０３は絶縁性を有している。
本実施形態において、画素部１００は、平坦化膜１０３上に積層されたアノード電極１１２、有機発光層１１３、およびカソード電極１１４からなり、その平面視における領域（以下、平面領域と記載する）が、第１バンク１１１と第２バンク１２１とによって規定されている。
【０１１０】
なお、画素部１００の平面領域は、主に有機発光層１１３の平面領域によって定まり、有機発光層１１３はＸ軸方向において一組の第１バンク１１１によって挟まれ、その平面領域が制限されている。すなわち、一組の第１バンク１１１間に並ぶ各画素部１００の両側面は、一組の第１バンク１１１によって規定されているのである。具体的には、各画素部１００の両側面は、一組の第１バンク１１１の対向する２つの側面１１１ａによって規定されている。
【０１１１】
以下に、画像表示部１０の主要な構成の材料を示す。
ａ）基板１０１
基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
【０１１２】
ｂ）平坦化膜１０３
平坦化膜１０３には、ポジ型の感光性樹脂材料であるポリイミド系、アクリル系、シクロテン系、ノボラック系が用いられている。なお、平坦化膜１０３の材料として、例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサン等の感光性樹脂材料を用いることもできる。また、ネガ型の感光性樹脂材料を用いてもよい。
【０１１３】
ｃ）アノード電極１１２
アノード電極１１２は、金属性材料からなる単層、あるいは複数の層が積層されてなる積層体から構成されており、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などを用い形成されている。また、ITO（Indium Tin Oxide）、IZO（In2O3-ZnO）、ZnO、InO、SnO等の半導体材料を用いてアノード電極１１２を形成することもできる。ここで、金属性材料は、温度が上昇すると抵抗が大きくなるものを指し、半導体材料は、温度が上昇すると抵抗が小さくなるものを指す。なお、本実施の形態のように、トップエミッション型の場合には、高反射性の材料で形成されていることが好ましい。
【０１１４】
ｄ）バンク１１１，１２１
バンク１１１，１２１は、樹脂等の有機材料で形成されており、ポジ型の感光性および絶縁性を有する。バンク１１１，１２１の形成に用いる有機材料の例としては、（シクロテン系樹脂）があげられる。そして、バンク１１１，１２１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。なお、ネガ型の感光性材料を用いることもできる。
【０１１５】
さらに、バンク１１１，１２１の形成においては、塗布処理、露光・現像処理、ベーク処理などが施されるので、それらの処理の後にインク塗布工程での良好なインク撥水性や、パネルの駆動・保管時における分解ガス量が微量であること等、所望の機能を有する材料で形成されることが好ましい。
【０１１６】
なお、バンク１１１，１２１の形成に用いる絶縁材料については、上記の各材料をはじめ、特に抵抗率が１０５［Ω・ｃｍ］以上の材料を用いることができる。これは、抵抗率が１０５［Ω・ｃｍ］以下の材料を用いた場合には、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間でのリーク電流、あるいは隣接画素部１００間でのリーク電流の発生の原因となり、消費電力の増加などの種々の問題を生じることになるためである。
【０１１７】
また、第１バンク１１１に撥液性をもたせるために、フッ素樹脂等の撥水性を有する材料を用いるか、あるいは表面をフッ素ガスでプラズマ処理することもできる。もし、バンク１１１を親液性の材料を用いて形成した場合には、画像表示部１０の製造時に、有機発光材料を含むインクがバンク１１１の表面を伝ってＸ軸方向に隣り合う画素部１００間を移動し、互いに異なる色のインクが混ざってしまう虞がある。
【０１１８】
さらに、バンク１１１，１２１の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【０１１９】
ｅ）有機発光層１１３
有機発光層１１３は、アノード電極１１２から注入されたホールと、カソード電極１１４から注入された電子とが再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１１３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【０１２０】
具体的には、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【０１２１】
ｆ）カソード電極１１４
カソード電極１１４は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の画像表示部１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【０１２２】
カソード電極１１４の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
【０１２３】
ｇ）封止層
封止層は、有機発光層１１３などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。トップエミッション型の画像表示部１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
【０１２４】
３．バンク１１１，１２１、アノード電極１１２および平坦化膜等の詳細な構成
以下、図２〜図４を参照して、第１のバンク１１１，第２のバンク１２１、および平坦化膜１０３等について説明する。図４（ａ）は、画像表示部１０の一部について、第１，第２バンク１１１，１２１の平面図を模式的に示した図である。また、図４（ｂ），（ｃ）はＸ−Ｘ’断面を、図４（ｄ），（ｅ）はＹ−Ｙ’断面を模式的に示した図である。なお、これらの図に、有機発光層１１３やカソード電極１１４は図示されていない。
【０１２５】
図４（ａ）に示すように、画素部１００が形成される画素領域１００ａが、第１バンク１１１と第２バンク１２１とによって囲繞されている。各画素領域１００ａは、Ｙ軸方向に長尺の矩形状とされている。なお、図４（ｂ），（ｃ）において、Ｚ軸方向の上側に、切断面の奥側にある第２バンク１２１が白塗りで図示されている。
【０１２６】
各画素領域１００ａ（および画素部１００）は、図中の記号Ｒ，Ｇ，Ｂで示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色に対応している。また、画素領域１００ａは、Ｙ軸方向に並ぶものが互いに同じ色に対応している。一方、Ｘ軸方向の並びに着目すると、画素領域１００ａの対応する色がＲＧＢの順に変化する。つまり、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間に存する複数の画素領域１００ａは、互いに同じ色に対応している。一方、任意の画素領域１００ａは、一組の第１バンク１１１によってＸ軸方向において区画された両隣の画素領域１００ａのそれぞれと異なる色に対応している。
【０１２７】
図５に、平坦化膜１０３の上面を示す。平坦化膜１０３の上面は、大部分が平坦面１０３ａとされているが、第２バンク１２１下の領域に、窪み部１２２が形成されている。その窪み部１２２は、上部が箱形状の箱形部１２３（上部窪み部）とされ、下部が略円柱形状のコンタクトホール部１２５（下部窪み部）とされている（図３および図４参照）。箱形部１２３の内部形状は底面および上面が長方形にされた角錐台形状とされ、コンタクトホール部１２５の内部形状は円錐台形状とされており、それら箱形部１２３とコンタクトホール部１２５とは連通している。
【０１２８】
図５に示すように、箱形部１２３は、Ｙ軸方向において互いに隣り合う画素領域１００ａ間に、Ｘ軸方向において互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間の領域を横断して形成されている。また、箱形部１２３は、複数の画素領域１００ａの境界を形成する領域を、第１バンク１１１と交差する方向に横断して形成されている。
【０１２９】
具体的には、箱形部１２３は、Ｘ軸方向において、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１のうち、一方の第１バンク１１１の側面１１１ａの下端位置から、他方の第１バンク１１１の側面１１１ａの下端位置まで連続した領域に形成されている。なお、本実施形態において、箱形部１２３は、Ｘ軸方向と交差する辺部（縁部）が、第１バンク１１１の側面１１１ａの下に進入した状態で形成されている。
【０１３０】
また、箱形部１２３は、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域１０３ｂには進入しておらず、頂面１１１ｂの下に位置する平坦化膜１０３の高さは、画素領域１００ａにおける平坦化膜１０３の高さと同じにされている。一方、箱形部１２３が形成された領域では、平坦化膜１０３の高さは、頂面１１１ｂの下に位置する平坦化膜１０３の高さよりも低くなっている。なお、領域１０３ｂは、頂面１１１ｂに沿って延びており、Ｙ軸方向において、高さが均一にされている。
【０１３１】
箱形部１２３は、四角形の底面１２３ａと、上方が拡径する向きに傾斜した４つの側面１２３ｂ，ｃとを有する。この箱形部１２３内に、アノード電極１１２の電極端部１１２ａ，ｂが配置されている（図３参照）。
【０１３２】
コンタクトホール部１２５は、平坦化膜１０３を貫通する穴であり、箱形部１２３の底面１２３ａに形成されている。そして、箱形部１２３の底面１２３ａ側と、ＴＦＴ１０５のＳＤ電極１０６側とにそれぞれ開口を有している。このコンタクトホール部１２５内に、アノード電極１１２の一部が凹入してコンタクトプラグ１１２ｃが形成され、そのコンタクトプラグ１１２ｃはＳＤ電極１０６に電気的に接続されている。アノード電極１１２は画素部１００ごとに設けられており、互いに隣り合う画素部１００のアノード電極１１２間には、絶縁のために所定の離間距離が確保されている。なお、コンタクトプラグ１１２ｃの円板形状の下端部によって、前記「コンタクト部」が構成されている。
【０１３３】
なお、図面から分かるように、平面視において、コンタクト部の領域は、箱形部１２３の底面１２３ａの領域よりも小さくされている。つまり、窪み部１２２の平面上の面積が、コンタクトホール部１２５の平面上の面積よりも大きくされている。また、Ｚ軸方向において、コンタクトホール部１２５の領域全てが、箱形部１２３の領域と重なっている。
【０１３４】
また箱形部１２３は、平面視において四角形の形状をしているが、円形でも良く、多角形でも良い。さらには、コンタクトホール部１２５は、平面視において円形の形状をしているが、四角でも良く、多角形でも良い。
【０１３５】
本実施形態において、箱形部１２３の底面１２３ａが、前記「段差」の一例である。また、窪み部１２２は、段差が形成された箇所において段階的に縮径しており、箱形部１２３の４つの側面１２３ｂ，ｃや、コンタクトホール部１２５において連続的に縮径している。さらに、窪み部１２２は、段差が一段にされているが、複数段の段差を形成することができる。また、各段差において、図３に示すように、コンタクトホール部１２５の開口縁は、角を有する形状であってもよいし、図３とは異なり、角がなく湾曲している形状であってもよい。さらにまた、箱形部１２３の側面１２３ｂ，ｃと底面１２３ａとが交わる部分についても同様に、角を有する形状であってもよいし、角がなく湾曲している形状であってもよい。
【０１３６】
また、本実施形態において、箱形部１２３は、平坦化膜の上面（平坦面１０３ａ）に開口する上側開口部を有している。コンタクトホール部１２５は、平坦化膜の下面（パッシベーション膜１０７側の面）に開口する下側開口部を有している。
【０１３７】
さらにまた、本実施形態において、コンタクトホール部１２５は平坦化膜１０３を貫通しており、コンタクトホール部１２５が形成された領域は、前記「平坦化膜が除去された領域」とされている。
【０１３８】
図４（ｃ）のＸ２−Ｘ２’断面に示すように、Ｘ軸方向において、互いに隣り合う窪み部１２２間には所定の離間距離が確保されている。具体的には、箱形部１２３は第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下には形成されていない。これは、平坦化膜１０３の第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域の高さを画素領域１００ａと同じにしておくためである。これにより、第１バンク１１１の頂面１１１ｂの高さがＹ軸方向において略均一になる。このように、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域に窪み部１２２を形成しないことで、第１バンク１１１の形状や頂面１１１ｂの高さを良好に保つことができる。なお、前述のように、箱形部１２３は第１バンク１１１の側面１１１ａ下の領域に形成されているが、これは第２バンク１２１を全体的に低くし、有機発光材料を含むインクを塗布した場合に、Ｙ軸方向に並ぶ画素領域１００ａ間でインクの流動性を向上させるためである。
【０１３９】
第２バンク１２１は、上記窪み部１２２の上方に形成され、窪み部１２２の内部形状に追従する形状になる。具体的には、第２バンク１２１は、図５に示す箱形部１２３の底面１２３ａと、４つの側面１２３ｂ，ｃとに沿う形状とされ、第２バンク１２１上部に窪み部１２２と略相似形の小さな窪みである窪み部１２７が形成されている。また、製造条件等によるが、コンタクトホール部１２５の上方に小さな窪みが形成される。この窪み部１２７内には、製造上の都合により、有機発光材料１２９が堆積させられているが（図３）、第２バンク１２１によって絶縁されているため発光しない。
【０１４０】
また、第２バンク１２１には、図５に示す平坦面１０３ａよりも高い位置に突出させられた突出部１２１ａが形成されている。その突出部１２１ａによって、Ｙ軸方向における画素部１００の境界が形成されている。具体的には、突出部１２１ａの有機発光層１１３側の傾斜面１２１ｂによって、有機発光層１１３のＹ軸方向における側面が規定されているのである。このことから、箱形部１２３は、複数の画素部１００の各々の境界となる領域に形成されていることが分かる。
【０１４１】
なお、正確には、突出部１２１ａは、アノード電極１１２の上面よりも高くされている。しかしながら、本実施形態において、突出部１２１ａの平坦面１０３ａからの突出量に比して、アノード電極１１２の厚さは、例えば、１０分の１前後と非常に薄くされているため、上述のように簡明に表現した。
【０１４２】
上記突出部１２１ａは、第１バンク１１１よりも低くされている。これにより、後述するように、有機発光材料を含むインク滴下時に、第１バンク１１１の延設方向へのインクの流動が許容される。また、画素領域１００ａに塗布されたインクは、第１バンク１１１により、異なる色に対応する隣の画素領域１００ａに流入することが防止される。
【０１４３】
また、突出部１２１ａの端部は、Ｙ軸方向において、窪み部１２２外へ食み出し、平坦面１０３ａの上方に位置している（図３）。すなわち、平面視において、第２バンク１２１の領域が、窪み部１２２の領域よりも僅かに大きくされているのである。その結果、後述するように電界が集中し易いアノード電極１１２の屈曲部１１２ｄが、第２バンク１２１によって覆われることとなる。具体的には、第２バンク１２１の突出部１２１ａと側壁１２１ｃとによって屈曲部１１２ｄが覆われている。なお、図において、屈曲部１１２ｄは、角張った形状に描かれているが、比較的小さい曲率半径で折れ曲がっているような形状でもよい。その場合は、曲率半径の小さい部分を第２バンク１２１によって被覆することができる。
【０１４４】
また、第２バンク１２１によって、電極端部１１２ａ，ｂが被覆されている。さらに、第２バンク１２１下に位置しているコンタクトプラグ１１２ｃが第２バンク１２１によって被覆されている。なお、後述するが、電極端部１１２ａ，ｂやコンタクトプラグ１１２ｃの上側開口縁も電界が集中し易い部分である。
【０１４５】
本実施形態において、互いに隣り合う２つの第１バンク１１１のうち、互いに対向する部分によって、前記「一組の隔壁」が構成されている。具体的には、例えば、Ｙ軸およびＺ軸と平行な仮想平面によって各第１バンク１１１を２つの部分に分けた場合、２つの第１バンク１１１のうち、有機発光層１１３を挟んで互いに対向する２つの側面１１１ａが形成された２つの部分によって、前記「一組の隔壁」が構成されている。また、第２バンク１２１によって前記「所定の隔壁」が構成されている。
【０１４６】
４．表示パネルの作動
上記画像表示部１０に画像を表示する場合、アクティブマトリクス方式により、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３によって、ＴＦＴ１０５を介して所定の画素部１００に電圧が印加される。その結果、所定の画素部１００のアノード電極１１２とカソード電極１１４との間に電流が流れて有機発光層１１３が発光させられる。また、画素部１００が対応する色（赤、緑、青）に応じて有機発光層１１３を形成する有機発光材料が異なり、各画素部１００は赤、緑、青のいずれかの色の光を放射する。
【０１４７】
上記画像表示部１０は、ラインバンク方式を採用しており、Ｙ軸方向に並ぶ複数の有機発光層１１３の膜厚が均一にされているため、輝度や色度も均一になり、良質な画像を表示することができる。
【０１４８】
なお、前述のように、第２バンク１２１の窪み部１２７内に堆積した有機発光材料１２９は、第２バンク１２１によってアノード電極１１２と電気的に絶縁されているため、有機発光材料１２９に電流が流れず、発光しない。
【０１４９】
ここで、第２バンク１２１の機能について説明する。
まず、比較のため、第２バンク１２１が形成されていない場合に、どのような現象が起こるかについて説明する。
【０１５０】
図６に、第２バンク１２１が形成されていない場合の画像表示部１３０の断面を模式的に示す（図３に対応）。なお、この図において、Ｚ軸方向の最上部に、切断面の奥側にある第１バンク１１１の側面１１１ａが白塗りで図示されている。第２バンク１２１がない場合には、画素領域１００ａのアノード電極１１２上に有機発光材料１３１が堆積させられるだけでなく、窪み部１２２に配置されたアノード電極１１２上にも、有機発光材料１３３が直接堆積させられる。そのため、アノード電極１１２に電圧が印加された場合、有機発光材料１３１だけでなく、窪み部１２２内の有機発光材料１３３にも電流が流れ、両者が発光することとなる。
【０１５１】
しかしながら、アノード電極１１２の電極端部１１２ａ，ｂ、屈曲部１１２ｄ、およびコンタクトプラグ１１２ｃの開口縁部１１２ｅは、角張った形状をしているために電界が集中し易く、輝度ムラを生じさせる場合がある。具体的には、アノード電極１１２に電圧が印加されると、曲率半径の小さい電極端部１１２ａ，ｂ等に電界が集中して、有機発光材料１３３に局部的に電流が流れてしまう場合がある。局部的な電流は発光面内の輝度ムラや局部的な劣化による短寿命化という問題を招く。
【０１５２】
特に、電極端部１１２ａ，ｂは、屈曲部１１２ｄおよび開口縁部１１２ｅよりも電界が集中し易いため、第２バンク１２１によって被覆する必要性が高い。また、電極端部１１２ａ，ｂは、有機発光材料を堆積させる領域に段差を生じさせるため、その段差部分において有機発光材料１３３の膜が途切れ、電極端部１１２ａ，ｂ等とカソード電極１１４とが接触してショートが発生する場合がある。
【０１５３】
また、屈曲部１１２ｄおよび開口縁部１１２ｅにおいても、有機発光材料１３３の膜厚を制御することが困難であるため、電極端部１１２ａ，ｂと同様に、電極端部１１２ａ，ｂとカソード電極１１４とが接触してショートが発生する場合がある。
【０１５４】
よって電極端部１１２ａ，ｂおよび屈曲部１１２ｄおよび開口縁部１１２ｅを被覆する重要性は高い。
それに対して、本実施形態の画像表示部１０では、図３に示すように、絶縁性の第２バンク１２１によって、アノード電極１１２の電界が集中し易い部分およびショートが発生し易い部分を被覆している。これにより、有機発光材料１２９に電流が流れないようにし、局部的に電流が流れて輝度ムラ等が発生すること、およびショートが発生することを防止している。
【０１５５】
以上のように、第２バンク１２１によって、Ｙ軸方向に並ぶ複数の画素部１００間において、輝度ムラおよびショートが生じ得る領域の電流経路を遮断することで、それら複数の画素部１００の各々のＹ軸方向における境界が形成されている。
【０１５６】
なお、上述の電界集中による輝度ムラおよびショートの発生は、窪み部１２２が形成されていない場合であっても同様である。窪み部１２２の有無にかかわらず、電極端部１１２ａ，ｂ、およびコンタクトプラグ１１２ｃの開口縁部１１２ｅは、曲率半径が小さく、有機発光層１３３の膜厚分布が安定ではないため電界が集中し易いからである。しかしながら、本実施形態の表示パネル１では、窪み部１２２が形成され、その窪み部１２２内に電極端部１１２ａ，ｂを配置していることから、屈曲部１１２ｄが形成されている。この屈曲部１１２ｄにおける電界集中は箱形部１２３を形成することによって生じた課題であるが、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄを被覆することで、電界集中によって電流が局部的に流れることを防止している。
【０１５７】
また、上記の事情はアノード電極１１２のＸ軸方向における電極側部１１２ｆにも当てはまり、その電極側部１１２ｆは絶縁性の第１バンク１１１によって被覆されている。また、第１バンク１１１によって電極側部１１２ｆを被覆することにより、有機発光層１１３と第１バンク１１１との界面を通じてカソード電極１１４との間でリーク電流が流れることも防止されている。
【０１５８】
本実施形態において、電極端部１１２ａ，ｂの少なくとも一方によって、前記「画素電極層の端部の一部」が形成されている。
５．製造方法
上記表示パネル１の製造方法を、以下に説明する。
【０１５９】
図７〜図１０に、画像表示部１０の製造時におけるＸ１−Ｘ１’断面およびＸ２−Ｘ２’断面を左右に並べて模式的に示す。また、図１１、図１２に、表示パネル１の製造時におけるＹ２−Ｙ２’断面を模式的に示す。
【０１６０】
図７〜図１０において、Ｘ１−Ｘ１’断面を（ａ１）等に示し、Ｘ２−Ｘ２’断面を（ａ２）等に示している。なお、（ａ１）等および（ａ２）等を、単に（ａ）等と略記する場合がある。図７〜図１２において、基板１０１の図示を省略し、ＴＦＴ層１０２はＳＤ電極１０６以外の図示を省略する。また、Ｙ１−Ｙ１’断面については、他の図面および本実施形態の説明から容易に推測できるため、図示を省略する。なお、上記図において、切断面の奥側にあるバンク１１１、１２１の側面や、窪み部１２２の側面等が白塗りで図示されている場合がある。これは、第１バンク１１１と第２バンク１２１との高さの違いを分かり易く示すためである。
【０１６１】
（１）平坦化膜形成工程
図７（ａ），（ｂ）に示すように、ＴＦＴ層１０２上にポジ型の感光性材料からなるレジスト膜１３７が塗布された後に、マルチトーンマスク１４０を用いて露光が行われる。その後、現像処理において、光が照射された部分（露光部分）が取り除かれて、窪み部１２３およびコンタクトホール部１２５が形成される。その後、焼成処理（ベーク処理）が行われる。
【０１６２】
レジスト膜１３７は、スピンコート法等の液層製膜法によって塗布され、ＴＦＴ層１０２上の凹凸が埋まることで表面が平坦化される。なお、スリットコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法等の液層製膜法によって塗布することもできる。
【０１６３】
露光処理に用いられるマルチトーンマスク１４０は、光を透過させる透光部１４１と、透過光を弱める半透光部１４２と、光を遮る遮光部１４３とからなる。半透光部１４２は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調整して透過率を調整したものや、任意の透過率を持った膜をさらに積層して透過率を調整したもの等があり、このような半透光部１４２によって中間露光を実現している。特に、ＲＧＢ毎に窪み部１２３の深さを異ならせる場合のマルチトーンマスク１４０は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調整して透過率を調整したものが、好適である。
【０１６４】
Ｘ１−Ｘ１’断面は、画素領域１００ａに対応しており、窪み部１２２が形成されないため、遮光部１４３によって遮光されている。その結果、図７（ｂ１）に示すように、平坦面１０３ａが維持される。一方、Ｘ２−Ｘ２’断面、Ｙ２−Ｙ２’断面では、それぞれ図７（ａ２），（ｂ２）、図１１（ａ），（ｂ）を対比すると分かるように、透光部１４１は、コンタクトホール部１２５の形成領域に対応し、半透光部１４２は箱形部１２３の形成領域（コンタクトホール部１２５の形成領域以外の領域）に対応している。なお、本実施形態において、コンタクトホール部１２５の形成領域と箱形部１２３の形成領域とが重なっているため、上記半透光部１４２は、箱形部１２３の形成領域のうち、コンタクトホール部１２５の形成領域以外の領域に対応している。
【０１６５】
現像処理において、透光部１４１を通過した強い光が照射された部分が取り除かれて、平坦化膜１０３を貫通する穴、つまり、コンタクトホール部１２５が形成される。また、半透光部１４２を通過した弱い光が照射された部分（コンタクトホール部１２５の形成領域を除く）が取り除かれて、平坦化膜１０３の上面が凹み、箱形部１２３が形成される。なお、パッシベーション膜１０７（図３参照）には、レジスト膜１３７が塗布される前に、リソグラフィ処理（露光、現像、エッチング処理等）により、コンタクトホール部１２５と連通する開口部が形成されている。もしくはパッシベーション膜１０７が形成されていない。
【０１６６】
焼成処理により、例えば、レジスト膜１３７に残留していた溶媒等が取り除かれて形成された形状が安定するとともにＴＦＴ層１０２との密着性が向上する。
ここで、露光処理と窪み部１２２の形状との関係について簡単に説明する。箱形部１２３およびコンタクトホール部１２５は、上方に向かって拡径する形状とされている。これは、透光部１４１および半透光部１４２を通過した光が、回折によって広がることに起因する。
【０１６７】
具体的に説明する。例えば、透光部１４１を直進する光は比較的強く、レジスト膜１３７の最深部まで到達するが、回折した光は比較的弱いため、レジスト膜１３７の中間あるいは表面までしか到達しない。特に、直進光との角度差が大きいほど光の強度が弱まる。その結果、透光部１４１に対応する部分はレジスト膜１３７の下面側に開口し、その周囲は徐々にレジスト膜１３７の厚さが増加するため傾斜面となるのである。
【０１６８】
上記事情は、箱形部１２３についても同様である。
なお、絶縁保護膜たるパッシベーション膜１０７に形成された開口部がコンタクトホールの一部であると考えることもできる。その場合には、窪み部１２２は、コンタクトホールのうちの上記開口部を除いた部分の機能を有していると考えることができる。
【０１６９】
（２）アノード電極形成工程
アノード電極１１２を形成する処理を、図８（ａ）〜（ｅ）、図１１（ｃ）〜（ｇ）に示す。
【０１７０】
まず、平坦化膜１０３上に、例えばスパッタリング、真空蒸着等によりＡｇおよびＩＴＯ等の薄膜１４９を形成する（図８（ａ）、図１１（ｃ））。
次に、薄膜１４９上にポジ型のレジスト１５０を塗布し、モノトーンマスク１５１を用いて露光する（図８（ｂ）、図１１（ｄ））。モノトーンマスク１５１は、光を透過させる透光部１５２と、光を遮る遮光膜部１５３とからなる。このモノトーンマスク１５１によって、レジスト１５０の露光部分は格子形状になる。
【０１７１】
そして、現像、焼成処理によって、レジスト１５０を所定のパターンに形成する（図８（ｃ）、図１１（ｅ））。このとき、レジスト１５０は、平面視において、格子形状の溝１５５によって区画され、複数の矩形状部分が行列状に並べられた形状にされる。
【０１７２】
その後、ドライエッチング処理（あるいはウェットエッチング処理）により、薄膜１４９のレジスト１５０に被覆されていない格子形状の部分が取り除かれて平面視矩形状のアノード電極１１２が形成される（図８（ｄ）、図１１（ｆ））。その後、レジスト１５０が取り除かれる（図８（ｅ）、図１１（ｇ））。
【０１７３】
（３）バンク形成工程
平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上にバンクを形成するバンク形成工程について説明する。
【０１７４】
アノード電極１１２が形成された平坦化膜１０３上に、ポジ型の感光性樹脂材料からなるバンク材料を塗布し、モノトーンマスク１６１を用いて露光する（図９（ａ）、図１２（ａ））。
【０１７５】
バンク材料の塗布では、例えば、スピンコート法などを用い、平坦化膜１０３上にバンク材料層１６０を概ね均一な厚さで堆積させる。そして、バンク材料層１６０は、画素領域１００ａにおける厚さと、窪み部１２３内での厚さが同程度であり、バンク材料層１６０の上面形状が概ね平坦化膜１０３の上面形状と類似形状になる。なお、窪み部１２２等が形成されて凹凸のある部分では多少厚さが変化してもよい。バンク材料の塗布において、例えば、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法、スリットコート法などを用いることもできる。
【０１７６】
モノトーンマスク１６１は、光を透過させる透光部１６２と、光を遮る遮光部１６３とからなる。本実施形態では、バンク材料層１６０はポジ型の感光性材料からなるため、第１バンク１１１、第２バンク１２１が形成される部分が遮光され、バンク１１１、１２１以外の部分に光が照射される。
【０１７７】
次に、現像処理によって画素領域１００ａ上のバンク材料層１６０が取り除かれ、残存部分が焼成処理される（図９（ｂ）、図１２（ｂ））。このように、第１バンク１１１および第２バンク１２１が同時に形成される。
【０１７８】
上記第２バンク１２１に対する露光および焼成について、図１３（ａ），（ｂ）に模式的に示して説明する。これらは、それぞれ図１２（ａ），（ｂ）に対応している。
図１３（ａ）に示すように、遮光部１６３は、箱形部１２３よりも若干広い領域に対応している。これは、第２バンク１２１を箱形部１２３よりも若干広い領域に形成して、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄを被覆するためである。
【０１７９】
なお、前述した図７（ａ２），（ｂ２）の露光処理と窪み部１２２の形状との関係と同様に、透光部１６２を通過した光が回折によって広がり（図１３（ａ）中Ｐ，Ｑの矢印）、バンク材料層１６０のうちの遮光部１６２の下に位置する部分を弱く照らすからである。なお、凹部側面１６０ａの上端１６０ｂに回折光を照射することで、より確実に第２バンク１２１の高さを第１バンク１１１より低くすることができる。
【０１８０】
上記露光後の現像処理により、図１３（ｂ）に示す第２バンク１２１の未焼成体１６６が得られる。その後、焼成処理において、未焼成体１６６が変形し、画素領域１００ａ側の傾斜面１６６ａの傾斜角度が小さくなり（直線Ｒ）、第２バンク１２１が形成される。なお、この焼成処理において、未焼成体１６６の表面部分が溶融して、その溶融部分が画素電極１１２と密着し順テーパー形状となる。また焼成処理により、さらに画素領域１００ａ側（箱形部１２３の外側）に僅かに流動し、未焼成体１６６（あるいは第２バンク１２１）がＹ軸方向に広がる場合がある。
【０１８１】
上述の露光、現像処理において、窪み部１２２の上方に第２バンク１２１が形成されることで、第２バンク１２１が第１バンク１１１よりも低くされる。また、第２バンク１２１を箱形部１２３よりも広くすることで、第２バンク１２１によってアノード電極１１２の屈曲部１１２ｄが被覆される。なお、露光処理において、直線Ｐ，Ｑをバンク材料層１６０の凹部開口縁１６０ｂよりも下側に位置させれば、ほぼ確実に第２バンク１２１を第１バンク１１１よりも低くすることができる。第２バンク１２１が第１バンク１１１よりも低くされていることで、後述する印刷処理において、有機発光材料を含むインクが第２バンク１２１を越えて流動することが可能になる。
【０１８２】
なお、第１バンク１１１の高さが一様でない場合、第２バンク１２１の高さが、第１バンク１１１の最小の高さよりも低ければよい。また、滴下された直後において、インク１７２の流動をよりスムーズにするために、第２バンク１２１の高さを、第１バンク１１１の高さの８０％以下にすることが好ましい。バンク１１１，１２１の高さは、平坦化膜１０３の平坦面１０３ａを基準とした高さとする。なお、本実施形態において、第２バンク１２１の高さは、第１バンク１１１の高さの３０％以上かつ６０％以下にされている。
【０１８３】
バンク１１１，１２１の形成においては、有機発光層１１３の形成に用いるインクが隣接する画素部１００に漏れ出さないようにするため、少なくとも表面の一部が撥液性にされている。
【０１８４】
（４）有機発光層形成工程
有機発光層１１３の形成工程について説明する。
有機発光層１１３の形成には、インクジェット法が用いられる。図１０（ａ）、図１２（ｃ）に、印刷装置のインクジェットヘッド１７０を示す。インクジェットヘッド１７０は、Ｘ軸方向に延設され、Ｙ軸方向に移動しつつ、複数のノズル１７１から有機発光材料を含むインク１７２を第１バンク１１１間に滴下する。各ノズル１７１からは、対応する色のインク１７２が射出される。
【０１８５】
塗布されたインク１７２は、その表面張力によって第１バンク１１１間で盛り上がり、上面が湾曲した状態となる（図１０（ｂ））。第１バンク１１１は撥液性にされており、塗布されたインク１７２がはじかれて第１バンク１１１を超えにくくされている。それは、Ｘ軸方向に隣り合う画素領域１００ａには、互いに異なる色のインク１７２が塗布されているため、第１バンク１１１を超えて異色のインク１７２が混ざらないようにするためである。
【０１８６】
また、塗布されたインク１７２は、第２バンク１２１を超えて、Ｙ軸方向に連なった状態で貯留される（図１２（ｄ））。そして、インク１７２がＹ軸方向に流動できるため、Ｙ軸方向に並ぶ複数の画素領域１００ａ上に塗布されたインク量が平均化される。
【０１８７】
塗布されたインク１７２を乾燥させると、所定の厚さの有機発光層１１３が形成される（図１０（ｃ）、図１２（ｅ））。また、第２バンク１２１の窪み部１２７内に、有機発光材料１２９が堆積するが、前述のように発光しないようにされている。
【０１８８】
（５）カソード電極形成工程等
カソード電極１１４を形成する工程について説明する。
スパッタリング法、真空蒸着法等によって陰極材料を有機発光層１１３等上に堆積させ、カソード電極１１４を形成する（図１０（ｃ）、図１２（ｅ））。なお、カソード電極１１４の層上には、真空蒸着法によって封止膜が製膜されても良いし、カソード電極１１４の層上に配置される封止基板との間に樹脂を封入して封止膜としても良いし、カソード電極１１４の層上に配置される封止基板との間に不活性ガスを封入しても良い（図示省略）。
【０１８９】
本実施形態において、平坦化膜形成工程が、前記「第１工程」に相当する。また、バンク形成工程が、前記「第２工程」に相当する。
６．作用効果
本実施形態の表示パネル１は、複数の画素部１００をライン状の第１バンク１１１によってストライプ状に区画するラインバンク方式とされている。なお、複数の画素部１００を区画する第２バンク１２１が形成されているが、その高さが第１バンク１１１よりも低くされている。よって、有機発光層１１３を形成する場合に、塗布されたインク１７２が第２バンク１２１を超えて流動でき、Ｙ軸方向に並ぶ複数の画素領域１００ａにおいて、インク１７２の塗布量が均一になる（図１２（ｄ））。なお、インク１７２が第２バンク１２１を超えられない場合、各画素領域１００ａでインク１７２の塗布量を調節する必要があるが、各画素領域１００ａの塗布量がばらつく場合がある。
【０１９０】
また、インク１７２が第２バンク１２１を超えて流動できるため、乾燥後の有機発光層１１３の膜厚を調節しやすくなる。例えば、インク１７２が第２バンク１２１を超えられない場合、各画素領域１００ａに滴下するインク１７２の液滴数を１つでも増減させると有機発光層１１３の膜厚が比較的大きく変化して、目標の厚さにすることが困難な場合がある。それに対して、本実施形態の表示パネル１では、窪み部１２２の容積を調節し、第２バンク１２１の窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の体積を調節することで、有機発光層１１３の膜厚を微調整することが可能である。
【０１９１】
また、本実施形態の表示パネル１では、平坦化膜１０３に窪み部１２３が形成されており、その窪み部１２３上に第２バンク１２１を形成することで、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで露光量を変えなくとも、高さの異なる第１バンク１１１と第２バンク１２１とを同時に形成することができる。そのため、バンク１１１，１２１を露光する際には、マルチトーンマスク１４０の使用が必須ではなくなり、マルチトーンマスク１４０に適合したバンク材料を選択する必要はない。よって、バンク材料の選択肢が増加し、バンク材料の制約が少なくなる。なお、マルチトーンマスク１４０を使用し、かつ、窪み部１２３上に第２バンク１２１を形成してもよい。
【０１９２】
なお、マルチトーンマスクを用いて、平坦化膜１０３に深さの異なる穴を形成することは一般的に行われていることから、平坦化膜１０３に必然的に形成されるコンタクトホールと窪み部とを同時に形成することは容易である。すなわち、製造工程数を増加させずに、互いに高さの異なる２つのバンク１１１，１２１を同時に形成することができるのである。なお、本実施形態において、窪み部１２２がコンタクトホール部１２５を有しており、窪み部１２２がコンタクトホールの機能を備えている。
【０１９３】
また、本実施形態の表示パネル１では、アノード電極１１２は、画素領域１００ａだけでなく、窪み部１２３内に延びている。アノード電極１１２の窪み部１２３内に配置された部分は、第２バンク１２１に覆われているため、有機発光層１１３を発光させるために寄与しない。しかしながら、仮に画素領域１００ａに電極端部１１２ｂが位置していると、局部的な電流（あるいはショート）を防止するために第２バンク１２１によって電極端部１１２ｂを被覆した場合に、アノード電極１１２の露出面積が減少してしまう可能性がある。その結果、有効に発光し得る面積が減少する。
【０１９４】
それに対して、本実施形態において、電極端部１１２ａ，ｂが窪み部１２３に配置されることで、アノード電極１１２の露出面積が減少しにくくなり、有効に発光し得る面積が大きくなる。
【０１９５】
なお、電極端部１１２ａ，ｂが窪み部１２３に配置されることで、アノード電極１１２に窪み部１２３の開口縁に沿う屈曲部１１２ｄが形成されることとなるが、第２バンク１２１は窪み部１２３より広くされているため、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄが覆われ、発光層に局部的に電流が流れることが防止されている。
【０１９６】
また、本実施形態の表示パネル１では、平面視において、窪み部１２２が形成される領域内に、コンタクトホール部１２５が形成されている。窪み部とコンタクトホールとを異なる領域に形成すると、画素領域１００ａが狭くなってしまうが、窪み部１２２内にコンタクトホール部１２５が形成されていることにより、画素領域１００ａの減少を抑制することができる。
【０１９７】
＜変形例１＞
第２バンク１２１の窪み部１２７の形状は、箱形部１２３の形状を変えることで容易に変化させることができる。図１４、図１５には、それぞれ、箱形部１２３の深さ、広さを変化させることにより、第２バンク１２１の窪み部１２７の深さＤ、広さＷを変えた例を示す。窪み部１２７の深さ、広さを変えることで、窪み部１２７の容積（内部空間の体積）を変化させ、窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の量を増減させることができる。
【０１９８】
なお、窪み部１２７には、有機発光材料１２９が堆積するが電流が供給されないため、発光に寄与しない。しかしながら、窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の量を変化させることで、有機発光層１１３の膜厚を調節することが可能である。例えば、赤、緑、青の色ごとに有機発光層１１３の膜厚を調節する場合に、各色のインク１７２の滴下量を変えなくとも、予め窪み部１２７の体積を色ごとに異ならせておくことで、有機発光層１１３の膜厚を色ごとに調節することができる。そして、有機発光層１１３の膜厚を色ごとに調節することにより、発光色に応じた輝度、色度調整が容易になる。なお、３色全ての有機発光層１１３の膜厚を色ごとに異ならせることは必須ではなく、例えば、３色中の２色の有機発光層１１３の膜厚が等しくてもよい。
【０１９９】
箱形部１２３の深さを異ならせるためには、例えば、マルチトーンマスク１４０に、互いに透過率の異なる複数の半透光部１４２を設けることができる。そして、マルチトーンマスクを、深い窪み部を形成する部分に透過率の高い半透光部が対応し、浅い窪み部を形成する部分に透過率の低い半透光部が対応するように形成する。そのマルチトーンマスクを用いて露光、現像処理を行うことによって、深さの異なる窪み部を同時に形成することができる。なお、窪み部を深くする場合、平坦化膜１０３を貫通させてもよい。
【０２００】
箱形部１２３の広さを異ならせるためには、例えば、マルチトーンマスク１４０の半透光部１４２の広さを変えることができる。
なお、色ごとに箱形部１２３の深さと広さとの両方を異ならせることもできる。
【０２０１】
本変形例において、箱形部１２３の深さや広さは変化するが、コンタクトホール部１２５の下側開口部の大きさや形状は変化しない。これにより、アノード電極とＴＦＴ層１０２との導電性を変化させずに済む。
【０２０２】
＜変形例２＞
第２バンク１２１は、Ｙ軸方向の端部の画素領域１００ａ側の傾斜面１２１ｂにおいて、有機発光層１１３のＹ軸方向における側面を規定している。その傾斜面１２１ｂの傾斜角度を、赤、緑、青の色ごとに異ならせることができる。
【０２０３】
図１６（ａ），（ｂ），（ｃ）に、それぞれ傾斜面１２１ｂの傾斜角度をθ１〜θ３と、異ならせた例を示す。
傾斜面１２１ｂの傾斜角度を調整するには、箱形部１２３に対する第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを調節することでなされる。例えば、図１６（ａ）に示すように、第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを短くし、平面視Ｙ軸方向において箱形部１２３から食み出す量を小さくした場合、バンクの焼成処理（図１３（ｂ）参照）で説明した変形の度合いが大きくなり、焼成後の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が小さくなる。逆に、図１６（ｃ）に示すように、第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを長くし、平面視Ｙ軸方向において箱形部１２３から食み出す量を大きくした場合、焼成処理による変形の度合いが小さくなり、焼成後の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が小さくなる。図１６（ｂ）では、箱形部１２３からの食み出し量が（ａ）と（ｃ）との中間的な大きさにされており、傾斜面１２１ｂの傾斜角度も（ａ）と（ｃ）との中間的な大きさになる。
【０２０４】
なお、図中の直線Ｍ１，Ｍ３によって、（ａ）と（ｃ）とにおける箱形部１２３からの食み出し量の違いを視覚的に表している。
傾斜面１２１ｂの傾斜角度を各色のインク１７２に適した角度とすることで、例えば、乾燥後に形成される有機発光層１１３の膜厚が不均一になることを防止する等、有機発光層１１３の形状を適切なものとすることができる。
【０２０５】
具体的に説明する。複数の画素領域１００ａ上等に滴下された直後のインク１７２は、Ｙ軸方向に連なった状態で貯留されている（図１２（ｄ）参照）。しかし、乾燥が進み、貯留されたインク１７２の上面高さが第２バンク１２１以下になった場合、各画素領域１００ａ上のインク１７２は、第２バンク１２１の窪み部１２７上のインク１７２と分離される。そして、第２バンク１２１の傾斜面１２１ｂが撥液性にされ、かつ、乾燥途中のインク１７２に流動性が残っている場合は、各画素領域１００ａ上のインク１７２の上面は、その表面張力によって湾曲する。その湾曲の度合いを、傾斜面１２１ｂの傾斜角度を適切にすることで、乾燥後の有機発光層１１３の形状を適切なものとすることができる。傾斜面１２１ｂの傾斜角度は、例えば、各色のインク１７２の粘性や表面張力に基づいて決定することができる。なお、３色全ての有機発光層１１３に対応する傾斜面１２１ｂの傾斜角度が互いに異なっている必要はなく、２色分の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が同じであってもよい。すなわち、各色で使用するインク１７２の特性に合わせて適切な傾斜角度を設定できるので、使用できるインクの選択肢が増える。
【０２０６】
なお、特開２００７−３１１２３５号公報には、バンク表面に親液性の突状部を形成することで、インクのピンニング位置を制御し、有機発光層の膜厚が不均一になることを防止している。それに対して、本変形例の表示パネル１では、傾斜面１２１ｂの傾斜角度を変えることで、インクのピンニング位置を制御し、有機発光層の膜厚が不均一になることを防止することができる。
【０２０７】
＜変形例３＞
上記実施形態において、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間に有機発光層１１３が挟まれていた。さらに、アノード電極１１２と有機発光層１１３との間にホール注入輸送層を介挿し、有機発光層１１３とカソード電極１１４との間に電子注入層を介挿することができる。
【０２０８】
図１７に、図１におけるＡ−Ａ’断面を模式的に示す。本変形例の画像表示部２００は、アノード電極１１２上にホール注入輸送層２０１が積層形成され、有機発光層１１３上に電子注入層２０２が積層形成されている。
【０２０９】
ホール注入輸送層２０１は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１１３に対しホールを注入および輸送する機能を有し、大きな仕事関数を有する。そのホール注入輸送層２０１は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化金属によって形成することができる。ここで、ホール注入輸送層２０１を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。なお、ホール注入輸送層２０１については、上記のような金属酸化物を以って形成する他に、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）や、フタロシアニン系、トリアリールアミン系、トリフェニルアミン系、などを用い形成することもできる。
【０２１０】
ホール注入輸送層２０１の形成は、前記アノード電極形成工程の後、バンク形成工程の前に行われる。そして、スパッタリング法、真空蒸着法等によって平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上に、ホール注入輸送層２０１が形成される。なお、ホール注入輸送層２０１を酸化金属によって形成する場合には、平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上に、金属膜を製膜し、その金属膜を酸化することによってホール注入輸送層２０１を形成することができる。
【０２１１】
電子注入層２０２は、カソード電極１１２から注入された電子を有機発光層１１３へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フッ化リチウム、などで形成されることが好ましい。
【０２１２】
電子注入層２０２の形成は、有機発光層形成工程の後、カソード電極形成工程の前に行われる。そして、真空蒸着法等によって上記材料が有機発光層１１３およびバンク１１１，１２１上に製膜される。
【０２１３】
本変形例の画像表示部２００でも、バンク形成工程において、窪み部１２２の上方に第２バンク１２１を形成することで、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで露光量を変えなくとも、高さの異なる第１バンク１１１と第２バンク１２１とを同時に形成することができる。よって、前記実施形態に記載の作用効果を奏することができる。また、本変形例の画像表示部２００は、ホール注入輸送層２０１と電子注入層２０２とを備えており、有機発光層１１３への電荷（ホール、電子）の供給バランスを制御でき、より発光効率が高くなる。
【０２１４】
なお、本変形例において、ホール注入輸送層２０１が平坦化膜１０３の全面を覆うように形成されているが、アノード電極１１２上だけに形成してもよい。また、アノード電極１１２が反射電極である場合、アノード電極１１２とホール注入輸送層２０１との間に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜等からなる電極被覆層を介挿してもよい。また、本変形例において、電子注入層２０２を省略してもよい。なお、本変形例において、箱型部の底面は、第１バンク１１１の底面より低くされ、さらに、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下におけるホール注入輸送層２０１の下面よりも低くされている。
【０２１５】
＜変形例４＞
前記実施形態および変形例において、窪み部１２２は、箱形部１２３とコンタクトホール部１２５とを有していた。その箱形部１２３を、平坦化膜の下面側に開口するまで深くして、窪み部１２２の容積を最大にすることもできる。
【０２１６】
図１８は、本変形例における表示パネルの断面（図２のＢ−Ｂ'断面に相当する）を示す図である。本変形例において、平坦化膜や第２隔壁の形状以外は、前記実施形態と大部分が同じであるため、同じ構成部分には前記実施形態と同じ符号を付し、異なる構成部分について説明する。
【０２１７】
平坦化膜２５３には、略四角錐台形状の窪み部２７２が形成されている。この窪み部２７２は、上側開口部の形状は前記実施形態の窪み部１２２と同じにされている。窪み部２７２の底面２７２ａは、パッシベーション膜１０７の上面によって形成されている。また、窪み部２７２の４つの側面２７２ｂ，ｃ（図１８には側面２７２ｂだけ、代表的に示す）には、いずれも段差は形成されておらず、窪み部２７２は、上側開口部から下側開口部に向かって連続的に縮径する形状とされている。底面２７２ａが形成された領域は、前記「平坦化膜が除去された領域」とされている。
【０２１８】
上記窪み部２７２は、前記図７（ａ２），（ｂ２）、および図１１（ａ），（ｂ）の工程において、概ね底面２７２ａに相当する領域に、透光部１４１の光を照射した後、現像することで形成することができる。つまり、マルチトーンマスクを用いなくとも、モノトーンマスクを用いた露光処理によって窪み部２７２を形成することができる。なお、前記図７（ａ２），（ｂ２）の工程において説明したように、露光処理における光の回折に起因して、側面２７２ｂ，ｃが傾斜し、窪み部２７２が下方に向かって縮径する形状となっている。
【０２１９】
また、窪み部２７２内に配置されたアノード電極２６２は、パッシベーション膜１０７の開口１０７ａを通り抜け、コンタクト部２６２ｇにおいてＳＤ電極１０６に接続されている。このように、本変形例の窪み部２７２は、平面視において、コンタクト部２６２ｇと重なる領域に形成されており、コンタクトホールとしての機能を兼ね備えている。
【０２２０】
なお、本変形例は、窪み部２７２が箱形部２７３によって構成され、箱形部２７３がコンタクトホールとしての機能を兼ね備えていることから、箱形部とコンタクトホール部とが一体化された態様と考えることができる。そして、本変形例において、前記「コンタクトホールが形成された領域」は、平面視において、コンタクト部２６２ｇが形成された領域に相当する。
【０２２１】
第２バンク２７１は、窪み部２７２の底面２７２ａおよび側面２７２に沿った形状とされている。また、前記実施形態の第２バンク１２１と同様に突出部２７１ａ、および、傾斜面２７１ｂが形成されている。窪み部２７２が深くなっていることで、第２バンク２７１の上部の窪み部２７７の容積は、前記実施形態の窪み部１２７よりも大きくなっている。その結果、窪み部２７７に堆積する有機発光材料２７９の体積は、前記実施形態の有機発光材料１２９の体積よりも大きくなっている。なお、図において、有機発光層１１３の膜厚は前記実施形態と同じにされているが、インクの塗布量を等しくした場合、本変形例の有機発光層の膜厚は、前記実施形態のものより薄くなる。
【０２２２】
第２バンク２７１の形成、および、有機発光層１１３の形成は、前記実施形態と同様である。
本変形例では、窪み部２７２を有する平坦化膜２５３を、モノトーンマスクを用いて露光することができ、平坦化膜２５３の形成が容易である。また、窪み部２７２の容積を可及的に大きくできるため、窪み部２７７に堆積する有機発光材料２７９の体積を大きくしたい場合に好適である。なお、本変形例では、図１８に示すように、窪み部２７２の４つの側面２７２ｂ，ｃ（図において、側面２７２ｂを代表的に示す）は、それぞれ平面とされているが、これに限られない。即ち、窪み部２７２の側面は、少なくとも一部が曲面であってもよい。なお、窪み部２７２の側面全てが曲面であってもよく、例えば、窪み部をお椀状の形状にしてもよい。
【０２２３】
＜変形例５＞
前記実施形態および変形例では、窪み部１２２等は、Ｘ軸方向において、第１バンク１１１の側面１１１ａ下に進入していたが、第１バンク１１１下に進入しない態様とすることもできる。
【０２２４】
図１９（ａ），（ｂ）は、本変形例における表示パネルの断面（それぞれ、図４のＸ１−Ｘ１’断面、Ｘ２−Ｘ２'断面に相当する）を示す図である。この図において、有機発光層やカソード電極の図示が省略されている。
【０２２５】
本変形例において、平坦化膜や第２隔壁の形状以外は、前記実施形態と大部分が同じであるため、同じ構成部分には前記実施形態と同じ符号を付し、異なる構成部分について説明する。
【０２２６】
本変形例では、Ｘ軸方向において、窪み部４２２の縁部（側面４２３ｃの上端）は、第１バンク４１１の側面４１１ａの下端位置でとどまっており、第１バンク４１１下に進入していない。そのため、第２バンク４２１には、中央に第１バンク４１１より低い低部４５１が形成され、Ｘ軸方向における端部に第１バンク４１１と同じ高さの高部４５２が形成されている。その結果、低部４５１のＸ軸方向における長さが、前記実施形態の第２バンク１２１より小さくなっている。この点では、インクの流動性を向上させるという観点で、前記実施形態の第２バンク１２１よりも劣っている。しかしながら、第１バンク４１１の頂面４１１ｂの高さをより安定的に確保するという点で、前記実施形態よりも優れている。
【０２２７】
また、本変形例では、窪み部４２２の容積が小さくなっているが、コンタクトホール部４２５の大きさは前記実施形態と同じであり、箱形部４２３の容積が減少している。また、箱形部４２３の容積が減少したのに伴い、第２バンク４２１の上部の窪み部４２７の容積も小さくなっている。
【０２２８】
なお、第１バンク４１１と第２バンク４２１との境界は明確ではないが、第１バンク４１１のうちの画素領域１００ａに隣接する部分を延長した部分が第１バンク４１１であり、図１９（ｂ）において、第１バンク４１１の側面４１１ａを破線で示す。また、図１９（ｂ）において、第１バンク４１１を除いた部分が第２バンク４２１となる。
【０２２９】
なお、上記高部４５２を第１バンク４１１の構成要素と考えることもできる。その場合には、本変形例では、第１バンク４１１の幅（Ｘ軸方向における長さ）が一定ではなく、第２バンク４２１と隣接する部分において広くなっていると考えることができる。そのように考えた場合、窪み部４２２の縁部が、第１バンク４１１の側面４１１ａの下に進入している態様となる。
【０２３０】
［その他］
１．上記実施形態およびその変形例において説明した表示パネル１は、例えば、テレビジョン受像機等の表示装置に用いられる。図２０に、表示パネル１を備えた有機ＥＬ表示装置５００（以下、単に表示装置５００と記載する）を示す。また、図２１に、表示装置５００の主要構成を示すブロック図を示す。表示装置５００は、表示パネル１の他に、チューナ５１０チューナ５１０と、外部信号入力部５１１と、映像処理部５１２と、音声処理部５１３と、制御部５１４と、表示パネル１に電力を供給する電源線供給部５１５とを備えている。また、表示装置５００には、内部もしくは外部にスピーカ５１６が接続されている。
【０２３１】
表示装置５００において、チューナ５１０によって受信された信号が、図示を省略する復調・分離回路によって映像信号と音声信号に分離され、それぞれ映像処理部５１２と音声処理部５１３に伝送される。映像処理部５１２では、映像信号を複合してフレーム画像信号を生成し、表示パネル１に所定周期で順次伝送する。表示パネル１の制御回路２５は、フレーム画像信号に基づいて少なくとも信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３を制御し、画像表示部１０に１フレーム分の画像を順次表示させる。音声処理部５１３は、音声信号を複合および増幅し、スピーカ５１６に出力する。
【０２３２】
外部信号入力部５１１には、例えば、ＤＶＤレコーダ５２０等の外部の映像再生機器が接続され、その映像再生機器の映像信号、音声信号が入力される。映像処理部５１２、音声処理部５１３は、制御部５１４の指令に応じてチューナ５１０または外部信号入力部５１１のいずれかの信号を選択し、表示パネル１等に出力する。
【０２３３】
制御部５１４は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備え、図示を省略するリモートコントローラや操作スイッチ等によって入力される動作指令に応じて、各構成を制御し、表示装置５００の各種の動作を実現する。
【０２３４】
上記表示装置５００は、前記実施形態およびその変形例に記載の表示パネル１を備えることで、前記実施形態等と同様の作用効果を奏することができる。
２．上記実施の形態および変形例１〜３では、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために一例としての各構成を採用するものであり、本発明は、本質的な部分を除き、上記形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、図２に示すように、有機発光層１１３に対し、そのＺ軸方向下側にアノード電極１１２が配されている構成を一例として採用したが、本発明は、これに限らず有機発光層１１３に対し、そのＺ軸方向下側にカソード電極１１４が配されているような構成を採用することもできる。
【０２３５】
３．上記実施の形態および変形例１〜５では、アノード電極１１２を反射金属とし、カソード電極１１４を透明もしくは半透明金属としたトップエミッション構造としても良いし、アノード電極１１２を透明もしくは半透明金属とし、カソード電極１１４を反射金属としたボトムエミッション構造としても良い。
【０２３６】
４．上記の実施の形態および変形例１〜５では、基板上にＴＦＴ層１０２を有するアクティブマトリックス駆動を前提に説明したが、本願はパッシブマトリックス駆動にも適用できる。この場合、ＴＦＴ層は必要なく、有機発光層を駆動するための駆動配線によって有機発光層に電流を供給することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２３７】
本発明は、輝度ムラが少なく、高い画質性能を有する表示装置を実現するに有用である。
【符号の説明】
【０２３８】
１  有機ＥＬ表示パネル
１０，２００  画像表示部
１００  画素部
１００ａ  画素領域
１０１    基板
１０２    ＴＦＴ層
１０３    平坦化膜
１０３ａ  平坦面
１１１    第１バンク
１１２    アノード電極
１１２ａ，ｂ  電極端部
１１２ｃ  コンタクトプラグ
１１２ｄ  屈曲部
１１２ｅ  開口縁部
１１３    有機発光層
１１４    カソード電極
１２１    第２バンク
１２１ａ  突出部
１２１ｂ  傾斜面
１２２    窪み部
１２３    箱形部
１２５    コンタクトホール
１２７    窪み部
１２９    有機発光材料
１４０    マルチトーンマスク
１７２    インク
３００    有機ＥＬ表示装置
【図１】
0005519532.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005519532.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005519532.tif 000014
【図１４】
0005519532.tif 000015
【図１５】
0005519532.tif 000016
【図１６】
0005519532.tif 000017
【図１７】
0005519532.tif 000018
【図１８】
0005519532.tif 000019
【図１９】
0005519532.tif 000020
【図２０】
0005519532.tif 000021
【図２１】
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