(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置され、
ソースドライバと、
光センサとアンプとコントローラと、
前記光センサの出力が前記アンプを介して前記コントローラに送られ、前記コントローラからの信号とアナログのビデオ信号が入力される表示モード別ビデオ信号生成回路とを有する表示装置であって、
前記表示モード別ビデオ信号生成回路は、表示モード制御回路と２値化用回路とを有し、
前記コントローラからの入力により前記表示モード制御回路は、
第１の表示モードにおいて、前記ビデオ信号をそのまま前記ソースドライバに出力し、
第２の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記２値化用回路で処理して前記ソースドライバに出力し、
前記表示モード制御回路は、前記光センサの出力が一定の値に満たない場合に前記第１の表示モードを選択することで階調数を変えず、前記光センサの出力が一定の値以上の場合に前記第２の表示モードを選択することで階調数を低くする機能を有し、
前記複数の画素は、発光素子と、駆動トランジスタとを有し、
前記表示装置は、
前記画素に前記アナログのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが飽和領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、
前記画素に前記デジタルのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが線形領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
複数の画素がマトリクス状に配置され、
ソースドライバと、
光センサとアンプとコントローラと、
前記光センサの出力が前記アンプを介して前記コントローラに送られ、前記コントローラからの信号とデジタルのビデオ信号が入力される表示モード別ビデオ信号生成回路とを有する表示装置であって、
前記表示モード別ビデオ信号生成回路は、表示モード制御回路とＤＡ変換回路とレベル変換回路とを有し、
前記コントローラからの入力により前記表示モード制御回路は、
第１の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記ＤＡ変換回路を通して、前記ソースドライバに出力し、
第２の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記レベル変換回路を通して、前記ソースドライバに出力し、
前記表示モード制御回路は、前記光センサの出力が一定の値に満たない場合に前記第１の表示モードを選択することで階調数を変えず、前記光センサの出力が一定の値以上の場合に前記第２の表示モードを選択することで階調数を低くする機能を有し、
前記複数の画素は、発光素子と、駆動トランジスタとを有し、
前記表示装置は、
前記画素に前記アナログのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが飽和領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、
前記画素に前記デジタルのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが線形領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
複数の画素がマトリクス状に配置され、
ソースドライバと、
光センサとアンプとコントローラと、
前記光センサの出力が前記アンプを介して前記コントローラに送られ、前記コントローラからの信号とアナログのビデオ信号が入力される表示モード別ビデオ信号生成回路とを有する表示装置であって、
前記表示モード別ビデオ信号生成回路は、表示モード制御回路と２値化用回路と多値化用回路とを有し、
前記コントローラからの入力により前記表示モード制御回路は、
第１の表示モードにおいて、前記ビデオ信号をそのまま前記ソースドライバに出力し、
第２の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記２値化用回路で処理して前記ソースドライバに出力し、
第３の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記多値化用回路で処理して前記ソースドライバに出力し、
前記表示モード制御回路は、前記光センサの出力が一定の値に満たない場合に前記第１の表示モードを選択することで階調数を変えず、前記光センサの出力が一定の値以上の場合に前記第２の表示モード又は前記第３の表示モードを選択することで階調数を低くする機能を有し、
前記複数の画素は、発光素子と、駆動トランジスタとを有し、
前記表示装置は、
前記画素に前記アナログのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが飽和領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、
前記画素に前記デジタルのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが線形領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
複数の画素がマトリクス状に配置され、
ソースドライバと、
光センサとアンプとコントローラと、
前記光センサの出力が前記アンプを介して前記コントローラに送られ、前記コントローラからの信号とデジタルのビデオ信号が入力される表示モード別ビデオ信号生成回路とを有する表示装置であって、
前記表示モード別ビデオ信号生成回路は、表示モード制御回路とＤＡ変換回路とレベル変換回路と下位ビットデータ除去回路とを有し、
前記コントローラからの入力により前記表示モード制御回路は、
第１の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記下位ビットデータ除去回路と前記ＤＡ変換回路を通して、前記ソースドライバに出力し、
第２の表示モードにおいて、前記ビデオ信号を前記下位ビットデータ除去回路と前記レベル変換回路を通して、前記ソースドライバに出力し、
前記表示モード制御回路は、前記光センサの出力が一定の値に満たない場合に前記第１の表示モードを選択することで階調数を変えず、前記光センサの出力が一定の値以上の場合に前記第２の表示モードを選択することで階調数を低くする機能を有し、
前記複数の画素は、発光素子と、駆動トランジスタとを有し、
前記表示装置は、
前記画素に前記アナログのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが飽和領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、
前記画素に前記デジタルのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタが線形領域で動作するときに前記発光素子に電流を供給する機能と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記画素に前記アナログのビデオ信号が供給される場合、前記駆動トランジスタを飽和領域にする前に、前記駆動トランジスタにしきい値電圧に満たない電圧を印加することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、文字、静止画若しくは動画などを表示する画面を備えた表示装置に関するものであり、さまざまな使用環境下において、表示画面の視認性を改善するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、ＥＬディスプレイ（例えば、有機ＥＬディスプレイなど）に用いられるようになってきている。ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。また発光素子の輝度は、そこを流れる電流値によって制御される。
【０００３】
このような表示装置の発光階調を制御する駆動方式として、デジタル階調方式とアナログ階調方式とがある。デジタル階調方式はデジタル制御で発光素子をオンオフさせ、階調を表現している。一方、アナログ階調方式には、発光素子の発光強度をアナログ制御する方式と発光素子の発光時間をアナログ制御する方式がある。
【０００４】
デジタル階調方式の場合、発光・非発光の２状態しかないため、このままでは、２階調しか表現できない。そこで、別の手法を組み合わせて、多階調化を図ることが行われている。多階調化のための手法としては、時間階調法を用いられることが多い（特許文献１〜特許文献２参照）。
【０００５】
デジタル制御で画素の表示状態を制御して、時間階調を組み合わせて階調を表現するディスプレイとしては、デジタル階調方式を用いた有機ＥＬディスプレイの他にも、いくつか存在する。例としては、プラズマディスプレイなどがある。
【０００６】
時間階調法とは、発光している期間の長さや、発光した回数を制御して、階調を表現する方法である。つまり、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、各サブフレームに、発光回数や発光時間などの重み付けを行い、重み付けの総量（発光回数の総和や、発光時間の総和）を階調ごとに差を付けることによって、階調を表現している。
【０００７】
ところで、このような表示用パネルも、見た目の画質が重要視されるようになり、明るさやコントラストを自動または手動で調整する機能が備えられているものが多く普及している。例えば、液晶パネルのバックライトの輝度を上げずに、液晶の透過率を変化させて階調視認性を高める調整機能を備えた液晶表示装置が知られている（特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開２００１−３２４９５８号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３９３３号公報
【特許文献３】特開２００３−１８６４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、液晶パネルは、３００〜７００ルクスの室内環境下では良好な視認性を示すが、１，０００ルクス以上の屋外環境下では視認性が著しく悪化してしまうという問題があった。反射型液晶パネルと呼ばれ、画素電極で外光を反射する構成にしたものあるが、屋内の蛍光灯下ではむしろ画質が低下してしまい、本質的な解決には至っていなかった。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保することが解決されていなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、暗所から強い外光下においてもその表示が認識できる表示装置を提供することを目的する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、前記表示装置は、ソースドライバとゲートドライバと、少なくとも２つの表示モードを有し、第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴としている。
【００１１】
また本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、前記表示装置は、ソースドライバとゲートドライバと、少なくとも２つの表示モードを有し、第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にアナログ信号が供給され、第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴としている。
【００１２】
本発明は、ソースドライバとゲートドライバとを有し、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置の駆動方法であって、外光強度に応じて第１の表示モードと第２の表示モードとの切り替えが行われ、前記第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、前記第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給されることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、ソースドライバとゲートドライバとを有し、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置の駆動方法であって、外光強度に応じて第１の表示モードと第２の表示モードとの切り替えが行われ、前記第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にアナログ信号が供給され、前記第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にデジタル信号が供給されることを特徴とする。
【００１４】
なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。
【００１５】
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されない。例えば、ゲート本数が２本以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくしたり、空乏層ができやすくなってＳ値をよくしたりすることができる。また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なってい構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
【００１６】
なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよい。あるいは、間に他の素子を挟まずに、直接接続されて、配置されていてもよい。なお、電気的な接続を可能とする他の素子を間に介さずに接続されていて、直接接続されている場合のみを含む場合であって、電気的に接続されている場合を含まない場合には、直接接続されている、と記載するものとする。なお、電気的に接続されている、と記載する場合は、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。
【００１７】
なお、本発明においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンダを追加したものなどがある。また、別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調を行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画素において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
【００１８】
なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでいる。ここで、画素がマトリクス状に配置（配列）されているとは、縦縞と横縞を組み合わせたいわゆる格子状に配置され、色要素のドット毎にストライプ配置されている場合を含んでいる。そして、三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。また、色要素のドット毎にその発光領域の大きさが異なっていてもよい。
【００１９】
なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域やＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域などを形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線とは、各画素のゲート電極の間を接続したり、ゲート電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。
【００２０】
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００２１】
また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながっている領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなかったりする場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
【００２２】
また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのトランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００２３】
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。
【００２４】
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続したり、ソース電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。
【００２５】
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、その領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００２６】
また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすることがない場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い。
【００２７】
また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００２８】
なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。
【００２９】
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
【００３０】
なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されている、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、外光強度に応じて表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
【００３３】
図１に、表示装置の全体の構成図を示す。画素配列１０１を駆動するために、ソースドライバ１０２、ゲートドライバ１０３が配置されている。ソースドライバ１０２には、ビデオ信号が入力される。なお、ソースドライバ１０２、ゲートドライバ１０３は、各々複数個配置されていてもよい。
【００３４】
光センサ１１３は外光（表示装置が受ける外部の光）を検出する。その出力は、アンプ１１４に供給される。アンプ１１４は光センサ１１３が出力する電気信号を増幅し、増幅した電気信号をコントローラ１０７に供給する。なお、光センサ１１３が出力する電気信号が十分大きければ、アンプ１１４を設けなくてもよい。
【００３５】
なお、ソースドライバやその一部は、画素配列１０１と同一基板上に存在せず、例えば、外付けのＩＣチップを用いて構成されることもある。
【００３６】
なお、アンプ１１４や光センサ１１３は、画素配列１０１と同一基板上に存在してもよい。その場合、画素配列１０１と同一基板上で作成してもよい。あるいは、画素配列１０１と同一基板上に、ＣＯＧ（チップオングラス）やバンプなどを用いて、アンプ１１４や光センサ１１３を配置してもよい。
【００３７】
なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトランジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、図１で示したような回路が、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、図１などにおける回路の一部が、ある基板に形成されており、図１などにおける回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、図１などにおける回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図１などにおいて、画素配列１０１とゲートドライバ１０３とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ１０２（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。
【００３８】
同様に、本発明における光センサは、どのようなタイプの光センサでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。光センサの例としては、ＰＩＮ型ダイオード、ＰＮ型ダイオード、ショットキー型ダイオードなどがあげられる。また、光センサは、どのような材質で形成されていてもよい。アモルファスシリコンやポリシリコン、単結晶シリコン、ＳＯＩなどで形成されていてもよい。アモルファスシリコンやポリシリコンで光センサを作成すると、画素配列と同じ基板で、同じプロセス工程で同時に作成できるため、コストを低減できる。
【００３９】
したがって、光センサやアンプが、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、光センサやアンプの一部が、ある基板に形成されており、光センサやアンプの別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、光センサやアンプの全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図１などにおいて、光センサ１１３と画素配列１０１とゲートドライバ１０３とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ１０２（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。
【００４０】
ソースドライバ１０２に入力されるビデオ信号は、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６（以後、ビデオ信号生成回路１０６と略記する）において、各表示モードに合わせて生成される。表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、コントローラ１０７を用いて制御される。また、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６には、オリジナルのビデオ信号が入力される。そして、オリジナルのビデオ信号を用いて、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６において、各表示モードに応じたビデオ信号が生成され、ソースドライバ１０２の方に出力される。
【００４１】
光センサ１１３からの信号を元にして、コントローラ１０７が表示モード別ビデオ信号生成回路１０６を制御する。そして、光センサ１１３からの信号により、つまり、周辺の輝度に応じて、ソースドライバ１０２などに供給するビデオ信号の階調数を制御する。階調数を制御するとき、周辺の輝度に応じて、階調数を徐々に変化させてもよいし、幾つかの表示モードを持たせて、どの表示モードで表示させるかを切り替えるようにしてもよい。
【００４２】
表示モードとしては、大きく分けて、アナログモードとデジタルモードとがある。アナログモードは、画素に入力するビデオ信号がアナログ値となる。一方、デジタルモードでは、画素に入力するビデオ信号がデジタル値となる。
【００４３】
光センサ１１３の出力に基づき、表示モード、つまり、表示するときの階調数を変える。具体的には、表示装置が強い外光を受けて、光センサ１１３の出力がある一定の値以上になると、表示画面に表示する画像の総階調数を低くする。表示装置が強い外光を受けると、ある階調目とある階調目との区別がはっきりせず、表示画面に表示する画像がぼやけてしまう。しかしながら、上記のように、表示装置が受ける外光に応じて、総階調数を低くすることにより、ある階調目とある階調目との区別を明確にして、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。
【００４４】
また、光センサ１１３の出力により、表示画面に表示する画像の総階調を２階調とする場合、通常では、白地の背景画像に黒地の表示画像を表示すが、それを反転させて黒地の背景画像に白地の表示画像を表示してもよい。そうすると、表示画面の視認性をさらに向上させることができる。また、白地の表示画像の輝度を高くすることにより、表示画面の視認性をさらに向上させることができる。この背景画像と表示画像の組み合わせは黒地に白表示に限定されず、コントラストのとりやすい（明暗比がはっきりする）組み合わせであれば任意の色の組み合わせをすることができる。
【００４５】
光センサ１１３の出力は、アンプ１１４を介して、コントローラ１０７に送られる。コントローラ１０７は、光センサ１１３の出力がある一定の値以上であるかどうかを検出する。光センサ１１３の出力がある一定の値以上ではない場合、表示パネルに出力する映像信号の総階調数は変えない。一方、光センサ１１３の出力がある一定の値以上の場合、表示パネルに出力する映像信号の総階調数を低くなるように補正する。
【００４６】
表１に示すように、室内及び屋外の明るさは、照明の具合や天候などの気象条件、時刻などによりさまざまに変化する。例えば、照明のある室内における照度は８００〜１，０００ルクス前後であり、昼間の曇天下における照度は３２，０００ルクス程度であり、昼間の晴天下の照度は１００，０００ルクスに達する。
【表１】
0005386060.tif 000002
【００４７】
このようなさまざまな明るさの状況下において、エレクトロルミネセンスを利用した表示パネル（ＥＬパネル）、透過型液晶パネル（透過型ＬＣＤパネル）、半透過型液晶パネル（半透過型ＬＣＤパネル）、反射型液晶パネル（反射型ＬＣＤ）の視認性を比較した結果を表２に示す。
【表２】
0005386060.tif 000003
【００４８】
結果として、１，５００ルクス程度までの明るさ（主に室内、照明付きホールなど）の環境下では、ＥＬパネル、反射型液晶パネルを除く各種液晶パネルで表示パターン（自然画、テキスト（文字、記号）など）によらず良好な視認性が得られた。これに対して、１０，０００ルクス下（昼間の曇天時）においては、ＥＬパネル、透過型液晶パネルでは、自然画を表示した場合、中間調部分などの、コントラストが低い部分の視認度が大きく低下する傾向が見られた。しかしながら、この場合においても、ＥＬパネルの方が透過型液晶パネルよりも視認性は良好であった。また、ＥＬパネルにおいて、階調数を低下させた場合（２〜８階調）視認性は回復し、特にテキスト表示においては実用上支障のない視認性が得られている。一方、半透過型液晶パネルでは、室内から屋外の環境下において、全体的にコントラストがやや低いものの、１０，０００ルクスの環境下で良好な視認性が得られた。消費電力に関しては、反射型液晶パネルが優れているが、室内などの比較的照度が低い環境下において視認性が低下する傾向が現れている。透過型液晶パネルでは、バックライトが電力を消費するので、反射型液晶パネルよりも消費電力が高くなっている。これに対し、ＥＬパネルにおいては、階調数を低くした表示モードでは低消費電力化が図られている。
【００４９】
表２から明らかなように、ＥＬパネルを用い、外光強度に応じて階調数を調節した表示モードとすることにより、室内から屋外までの環境下において視認性を確保しつつ、低消費電力化を図った表示装置を提供することができる。
【００５０】
例えば、図１に示す表示装置において、光センサ１１３の出力により、表示装置が１０〜１００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数は６４〜１０２４として変化させない。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１００〜１，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を１６〜６４に補正する。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１，０００〜１０，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を４〜１６に補正する。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１０，０００〜１００，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を２〜４に補正する。
【００５１】
なお、表示装置に利用者が表示モードを選択する選択スイッチを設けてもよい。そして、利用者が選択スイッチを操作することにより、上記のモードを選択してもよい。また、選択スイッチにより表示モードを選択した場合であっても、光センサ１１３の信号によって（外光強度）に応じて、選択されている表示モードの階調を自動的に増減しても良い。
【００５２】
次に、回路の詳細を述べる。図２に、ソースドライバ１０２の構成について示す。シフトレジスタ２３１は、順次サンプリングスイッチを選択していくような信号（いわゆるサンプリングパルス）を出力する回路である。よって、同様な機能を果たす回路であれば、シフトレジスタに限定されない。例えば、デコーダ回路でもよい。
【００５３】
シフトレジスタが出力するサンプリングパルスは、サンプリングスイッチ２０１〜２０３に入力される。そして、ビデオ信号線２２１にビデオ信号が順次入力され、サンプリングパルスに応じて、順次サンプリングスイッチ２０１〜２０３がオンし、画素配列１０１にビデオ信号が入力されていく。画素配列１０１は、画素２１１がマトリクス状に配置されている。
【００５４】
なお、図２では、画素２１１が２行３列分配置されている場合について示したが、これに限定されない。任意の数だけ配置することが可能となる。
【００５５】
１画素分の画素２１１の例を図１５に示す。ゲート信号線１７０１を用いて、選択用トランジスタ１７０４を制御する。選択用トランジスタ１７０４がオンすると、ソース信号線１７０２から、保持容量１７０５にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ１７０６がオンオフし、電源線１７０３から発光素子１７０７を通って、対向電極１７０８へ電流が流れる。
【００５６】
なお、画素構成は、図１５に限定されない。例えば、駆動トランジスタのバラツキを補正するような構成でもよい。
【００５７】
バラツキを補正する画素構成としては、大きく分けて、しきい値電圧のバラツキを補正するタイプと、ビデオ信号として電流を入力するタイプとがある。
【００５８】
図３１に、しきい値電圧のバラツキを補正する画素構成を示す。スイッチ３１０７を制御することにより、駆動トランジスタ３１０１のしきい値電圧を容量素子３１０４に保存する。スイッチ３１０３は、駆動トランジスタ３１０１のゲート電位を初期化する機能を果たす。そして、ソース信号線３１１１からスイッチ３１０２を通ってビデオ信号を入力する。
【００５９】
図３１では、駆動トランジスタ３１０１のゲート電位を初期化するための配線３１１２が必要であったが、それを削除したものを図３２に示す。駆動トランジスタ３１０１のゲートは、スイッチ３２０３を介して、駆動トランジスタ３１０１のドレインに接続されている。
【００６０】
なお、しきい値電圧のバラツキを補正する画素構成には、さまざまなものがあり、図３１，図３２の構成に限定されない。このように、しきい値電圧のバラツキを補正する画素構成を用いると、発光素子に流れる電流のバラツキを低減することができる。特に、アナログモードにおいて、輝度を均一にできる。よって、より好適である。
【００６１】
次に、ビデオ信号として電流を入力するタイプの画素構成を図３３に示す。ソース信号線にビデオ信号に応じた電流が供給される。すると、駆動トランジスタ３３０１にその電流が流れ、それに応じて、ゲート・ソース間電圧が発生する。そのゲート・ソース間電圧は、容量素子３３０５に保存され、その後、発光素子に電流が供給される。図３３は、信号電流を供給されるトランジスタと、発光素子に電流を供給するトランジスタとは同一であるが、異なっていても良い。その場合を図３４に示す。信号電流を供給されるトランジスタ３４０１と、発光素子に電流を供給するトランジスタ３４２１とは、別である。
【００６２】
なお、電流を入力してバラツキを補正する画素構成には、さまざまなものがあり、図３３，図３４の構成に限定されない。このように、電流を入力してバラツキを補正する画素構成を用いると、発光素子に流れる電流のバラツキを低減することができる。特に、アナログモードにおいて、輝度を均一にできる。よって、より好適である。
【００６３】
なお、画素に配置するのは、特定の表示素子に限定されない。画素に配置する表示素子の例としては、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物材料び無機材料を含むＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、光回折素子、放電素子、微少鏡面素子（ＤＭＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）、圧電素子、カーボンナノチューブなど、電気磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパー、光回折素子を用いた表示装置としてはグレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）方式のディスプレイ、放電素子を用いたディスプレイとしてはプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、微少鏡面素子を用いた表示装置としてはデジタル・ライト・プロセッシング（ＤＬＰ）方式の表示装置、圧電素子を用いた表示装置としては圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示装置としてはナノ放射ディスプレイ（ＮＥＤ：Ｎａｎｏ  Ｅｍｉｓｓｉｖｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、などがある。
【００６４】
なお、保持容量１７０５は、駆動トランジスタ１７０６のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ１７０６のゲートと電源線１７０３の間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ１７０６のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ１７０６のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ１７０６のゲート電位を保持できる場合は、保持容量１７０５を省いても良い。
【００６５】
表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、画素配列１０１と同じ基板上にあってもよいし、ソースドライバ１０２と同じ基板上にあってもよいし、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）の上にあってもよいし、ＰＣＢ（プリントサーキットボード）の上にあってもよい。
【００６６】
また、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、画素配列１０１を構成しているトランジスタと同様なトランジスタで形成されていても良い。あるいは、別のトランジスタで形成されていてもよい。例えば、画素配列１０１は、薄膜トランジスタで構成され、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、バルク基板上、もしくは、ＳＯＩ基板上で形成されたＭＯＳトランジスタやバイポーラトランジスタでもよい。
【００６７】
次に、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６の詳細を図３に示す。コントローラ１０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路３０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。例えば、デジタルモードの場合は、スイッチ３０３、３０４をオンにする。そして、入力されたビデオ信号を２値化用回路３０２で処理して、ソースドライバ１０２の方へ出力する。その場合、スイッチ３０５はオフしている。一方、アナログモードの場合は、スイッチ３０５をオンにして、入ってきたビデオ信号をそのままソースドライバ１０２の方へ出力する。表示モード別ビデオ信号生成回路１０６に入力されるビデオ信号がアナログ値の場合、そのまま出力されるため、ソースドライバ１０２の方へも、アナログ値で出力される。
【００６８】
なお、図３では、表示モードがアナログモードとデジタルモードの場合について述べたが、これに限定されない。離散値ではあるが、２値ではない、という表示モードを多値モードと呼ぶことにする。ビデオ信号と輝度との関係の例を図４に示す。
【００６９】
図４（Ａ）は、アナログモードの場合を示す。本実施形態ではビデオ信号がアナログ的に変化して、それに応じて輝度もアナログ的に変化する。
【００７０】
図４（Ｂ）は、デジタルモードの場合を示す。ビデオ信号が２値であり、一方のとき発光し、他方のときは発光しない。
【００７１】
図４（Ｃ）は、多値モードの場合を示す。本実施形態ではビデオ信号は、離散値をとるが、２値ではない。
【００７２】
そこで、多値モードの場合にも対応した表示モード別ビデオ信号生成回路１０６の詳細を図５に示す。コントローラ１０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路５０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。例えば、デジタルモードの場合は、スイッチ３０３、３０４をオンにする。そして、入力されたビデオ信号を２値化用回路３０２で処理して、ソースドライバ１０２の方へ出力する。その場合、スイッチ４０３，４０４，３０５はオフしている。一方、アナログモードの場合は、スイッチ３０５をオンにして、入ってきたビデオ信号をそのままソースドライバ１０２の方へ出力する。表示モード別ビデオ信号生成回路１０６に入力されるビデオ信号がアナログ値の場合、そのまま出力されるため、ソースドライバ１０２の方へも、アナログ値で出力される。多値モードの場合、スイッチ４０３、４０４をオンにする。そして、入力されたビデオ信号を多値化用回路４０２で処理して、ソースドライバ１０２の方へ出力する。その場合、スイッチ３０３，３０４，３０５はオフしている。なお、多値化用回路とは、アナログ信号を２値以上の離散値の信号に変換する回路をいう。
【００７３】
次に、２値化用回路３０２の詳細を図６に示す。図６（Ａ）の回路図に示すように、オペアンプを用いて、コンパレータ（比較）回路を構成している。リファレンス電位Ｖｒｅｆよりも、入力電圧が大きいか小さいかによって、ＨかＬかどちらかの信号を出力し、２値化を行う。なお、オペアンプを用いてコンパレータ（比較）回路を構成したが、これに限定されない。チョッパーインバータコンパレータ回路を用いても良いし、それ以外の回路を用いて、コンパレータ（比較）回路を構成してもよい。
【００７４】
図６（Ｂ）には、リファレンス電位Ｖｒｅｆを生成するための回路を示す。リファレンス電位Ｖｒｅｆの大きさは、電圧Ｖ１とＶ２の間の電圧となり、抵抗Ｒ１、Ｒ２によって分圧された値となる。２値化回路を動作させるときのみ、スイッチ６０２、６０３をオンすればよい。その結果、抵抗Ｒ１、Ｒ２に電流が流れる期間を短くできるため、消費電力を低減できる。
【００７５】
なお、リファレンス電位Ｖｒｅｆを状況に応じて変化させたい場合は、図７に示すように、抵抗をたくさん接続し、どの接点から出力するかを切り替えるようにすればよい。
【００７６】
次に、多値化用回路４０２の詳細を図８に示す。入力信号は、判定回路８１１に入力される。また、判定回路８１１には、リファレンス電位に相当する電圧が２つ入力される。そして、判定回路８１１は、入力信号の電位が、２つのリファレンス電位の間に入っている場合は、Ｈ信号を出力する。その結果、スイッチ８２１〜８２４のいずれか１つがオンし、アナログの信号を標本化して得られた電圧を出力する。なお、多値化用回路４０２を動作させるときのみ、スイッチ８０１〜８０４をオンすればよい。その結果、ＶａとＶｂの間に電流が流れる期間を短くできるため、消費電力を低減できる。
【００７７】
図９に、判定回路８１１の詳細を示す。オペアンプ９０１、９０２を用いて、コンパレータ（比較）回路を構成している。オペアンプ９０１と９０２は、入力信号の電位Ｖｉｎが、リファレンス電位Ｖｘ以上でリファレンス電位Ｖｙ以下であるとき、各々Ｈ信号を出力する。すると、ＡＮＤ回路９０３にその信号が入力される。そして、ＡＮＤ回路９０３への入力信号が両方ともＨ信号のとき、Ｈ信号を出力する。
【００７８】
なお、図９は、ＡＮＤ回路を用いて構成したが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。
【００７９】
このように、デジタルモードや多値モードで表示を行うと、しきい値処理が行われ、画像情報の標本化（サンプリング）が行われる。その結果、画像にノイズが入っていたとしても、実際に表示するときには、そのノイズを除去して表示することが出来る。また、１階調分の輝度変化が大きくなるため、くっきりと見えるようになり、コントラストが向上する。
【００８０】
また、このような表示モードの選択を、外光強度に応じて制御することができる。このように、周辺の照度に応じて、表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。
【００８１】
なお、図２、図３、図５などに示すスイッチ、例えば、サンプリングスイッチ２０１等は、様々な形態のものを用いることができ、一例として、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード（ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作しやすいからである。なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、スイッチを介して出力する電圧（つまりスイッチへの入力電圧）が、出力電圧に対して、高かったり、低かったりして、状況が変化する場合においても、適切に動作させることが出来る。
【００８２】
スイッチの例を図１４に示す。図１４（Ａ）は、模式的に記載したスイッチである。図１４（Ｂ）は、ＡＮＤ回路を用いたスイッチである。制御線１５０２を使って、入力１５０１の信号を出力１５０３に伝えるかどうかを制御する。ただし、図１４（Ｂ）の場合は、出力１５０３は、入力信号にかかわらず、Ｌ信号なる、というような制御は可能である。しかし、出力１５０３がフローティング状態になることはない。したがって、出力１５０３が、デジタル回路の入力に接続されている場合などに、図１４（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。もし、出力１５０３をフローティング状態にしたい場合は、図１４（Ｂ）を用いることができない。なぜなら、デジタル回路の場合、入力をフローティング状態にしても、出力はフローティング状態にならないからである。また、仮に、入力をフローティング状態にすると、出力が不安定になり、望ましくない。よって、出力１５０３をフローティング状態にする必要がないようなデジタル回路の入力に接続されている場合などには、図１４（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。
【００８３】
なお、図１４（Ｂ）は、ＡＮＤ回路を用いて構成したが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。
【００８４】
一方、入力をフローティング状態にしたい場合は、図１４（Ｃ）や図１４（Ｄ）のスイッチを用いればよい。図１４（Ｃ）は、トランスミッションゲートもしくはアナログスイッチなどと呼ばれている回路である。図１４（Ｃ）は、入力１５１１の電位を、ほぼそのまま出力１５１３に伝達する。よって、アナログ信号の伝達に好適である。図１４（Ｄ）は、クロックドインバータなどと呼ばれている回路である。図１４（Ｄ）は、入力１５２１の信号を反転させて出力１５２３に伝達する。よって、デジタル信号の伝達に好適である。
【００８５】
以上のことから、サンプリングスイッチ２０１やスイッチ３０５やスイッチ６０２やスイッチ８０１などは、図１４（Ｃ）のスイッチを用いることが好適である。スイッチ３０４などは、出力をフローティング状態にする必要があるので、図１４（Ｃ）や図１４（Ｄ）が好適である。ただし、スイッチ３０４への入力はデジタル信号なので、図１４（Ｄ）の方がより好適である。
（実施の形態２）
【００８６】
実施の形態１では、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６に入力されるビデオ信号がアナログ値の場合について述べた。つぎに、デジタル値が入力される場合について述べる。
【００８７】
図２４に、表示装置の全体の構成図を示す。ソースドライバ１０２に入力されるビデオ信号は、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６（以後、ビデオ信号生成回路２３０６と略記する）において、各表示モードに合わせて生成される。表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６は、コントローラ２３０７を用いて制御される。また、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６には、オリジナルのデジタルのビデオ信号が入力される。そして、オリジナルのビデオ信号を用いて、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６において、各表示モードに応じたビデオ信号が生成され、ソースドライバ１０２の方に出力される。
【００８８】
光センサ２３１３は外光（表示装置が受ける外部の光）を検出する。その出力は、アンプ２３１４に供給される。アンプ２３１４は光センサ２３１３が出力する電気信号を増幅し、増幅した電気信号をコントローラ２３０７に供給する。なお、光センサ２３１３が出力する電気信号が十分大きければ、アンプ２３１４を設けなくてもよい。
【００８９】
光センサ２３１３からの信号を元にして、コントローラ２３０７が表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６を制御する。そして、光センサ２３１３からの信号により、つまり、周辺の輝度に応じて、ソースドライバ１０２などに供給するビデオ信号の階調数を制御する。階調数を制御するとき、周辺の輝度に応じて、階調数を徐々に変化させてもよいし、幾つかの表示モードを持たせて、どの表示モードで表示させるかを切り替えるようにしてもよい。
【００９０】
光センサ２３１３の出力に基づき、表示モード、つまり、表示するときの階調数を変える。具体的には、表示装置が強い外光を受けて、光センサ２３１３の出力がある一定の値以上になると、表示画面に表示する画像の総階調数を低くする。表示装置が強い外光を受けると、ある階調目とある階調目との区別がはっきりせず、表示画面に表示する画像がぼやけてしまう。しかしながら、上記のように、表示装置が受ける外光に応じて、総階調数を低くすることにより、ある階調目とある階調目との区別を明確にして、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。
【００９１】
なお、アンプ２３１４や光センサ２３１３は、画素配列１０１と同一基板上に存在してもよい。その場合、画素配列１０１と同一基板上で作成してもよい。あるいは、画素配列１０１と同一基板上に、ＣＯＧ（チップオングラス）やバンプなどを用いて、アンプ２３１４や光センサ２３１３を配置してもよい。
【００９２】
表示モードとしては、大きく分けて、アナログモードとデジタルモードとがある。アナログモードは、画素に入力するビデオ信号がアナログ値となる。一方、デジタルモードでは、画素に入力するビデオ信号がデジタル値となる。
【００９３】
次に、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６の詳細を図２５に示す。コントローラ２３０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路２５０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。例えば、デジタルモードの場合は、スイッチ２５１３，２５１４がオンして、最上位ビットのビデオ信号のみがソースドライバ１０２の方へ出力される。ただし、アナログモードの最上位ビットのビデオ信号とデジタルモードのビデオ信号との電位のレベルが合致しない場合がある。その場合は、電位のレベルを必要な大きさに変換する必要がある。そこで、そのようなことが必要な場合は、レベル変換回路２５０４を配置する。一方、アナログモードの場合は、ＤＡ変換回路２５０２に入り、適切なアナログ値を、スイッチ２５１１を介して、ソースドライバ１０２に出力する。
【００９４】
なお、図２５では、表示モードがアナログモードとデジタルモードの場合について述べたが、これに限定されない。
【００９５】
そこで、多値モードの場合にも対応した表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６の詳細を図２６に示す。コントローラ２３０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路２５０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。アナログモードとデジタルモードの場合は、図２５と同様である。多値モードの場合、ＤＡ変換回路２５０３に、上位ビットのビデオ信号のみ入力される。下位ビットは入力されない。したがって、滑らかな表示ではなく、粗い表示となる。
【００９６】
なお、多値モードでは、下位ビットを用いずにサンプリングすればよいので、図２６の構成に限定されない。例えば、図２７に示すように、下位ビットデータ除去回路２４０１をＤＡ変換回路２５０２の入力部に配置してもよい。その結果、表示モード制御回路の信号に応じて、下位ビットの値を強制的に０（もしくはＬ信号）にする。したがって、滑らかな表示ではなく、粗い表示となる。
【００９７】
そこで、下位ビットデータ除去回路２４０１の例を図２８に示す。ＡＮＤ回路を用いて、下位３ビット分のデータを強制的に０（もしくはＬ信号）にできる。
【００９８】
なお、図２８では、ＡＮＤ回路を用いたが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。また、図２８では、６ビットのビデオ信号を入力し、その内の下位３ビット分のデータを強制的に０（もしくはＬ信号）にできるようにしたが、これに限定されない。適宜、変更してもよい。
【００９９】
そこで、実際に動作させながら、何ビット分のデータを強制的に０（もしくはＬ信号）にするかを変えるようにしてもよい。その場合の回路図を図２９に示す。ＡＮＤ回路に入力される信号を別々にしたため、個別に制御できる。
【０１００】
次に、図２５〜図２７に記載したＤＡ変換回路の詳細を図３０に示す。デコーダ回路３０２１で、入力されたデジタル信号がいくつなのかを解読し、それに応じて、スイッチ３０１１〜スイッチ３０１６のいずれかをオンし、アナログ電圧を出力する。そして、ＤＡ変換回路を動作させるときのみ、スイッチ３００１、３００２をオンすればよい。その結果、抵抗に電流が流れる期間を短くできるため、消費電力を低減できる。
【０１０１】
このように、デジタルモードや多値モードで表示を行うと、しきい値処理が行われ、画像情報の標本化（サンプリング）が行われる。その結果、画像にノイズが入っていたとしても、実際に表示するときには、そのノイズを除去して表示することが出来る。また、１階調分の輝度変化が大きくなるため、くっきりと見えるようになり、コントラストが向上する。
【０１０２】
また、このような表示モードの選択を、外光強度に応じて制御することができる。このように、周辺の照度に応じて、表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。
【０１０３】
本実施の形態で述べた内容は、他の実施の形態で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。
（実施の形態３）
【０１０４】
本実施の形態では、アナログモードにおける画素の駆動方法について述べる。
【０１０５】
図１６に、駆動トランジスタと発光素子とに加わる電圧と電流の関係を示す。図１６（Ａ）は、駆動トランジスタ６３１と発光素子６３２の回路を示す。配線６３３と配線６３４の間に、駆動トランジスタ６３１と発光素子６３２とが直列に接続されている。配線６３３の方が配線６３４よりも電位が高いため、駆動トランジスタ６３１から発光素子６３２の方へ電流が流れる。
【０１０６】
図１５における駆動トランジスタ１７０６が、図１６（Ａ）における駆動トランジスタ６３１に相当し、図１５における発光素子１７０７が、図１６（Ａ）における発光素子６３２に相当する。
【０１０７】
図１６（Ｂ）に、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）と、駆動トランジスタ６３１と発光素子６３２とに流れる電流の関係を示す。ゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしていくと、それに応じて、電流値も大きくなっていく。これは、駆動トランジスタ６３１が飽和領域で動作しているためである。飽和領域では、トランジスタのゲート・ソース電圧の２乗に比例して電流値が増えていく。さらにゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしていくと、発光素子６３２に加わる電圧が大きくなるため、ドレイン・ソース電圧が小さくなり、駆動トランジスタ６３１が線形領域で動作するようになる。すると、ドレイン・ソース電圧が小さくなるにしたがって、電流値の上昇率も小さくなっていく。そして、ある電流値以上の電流は流れなくなる。
【０１０８】
アナログモードでは、アナログ階調方式を用いて階調を表現する。したがって、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）をアナログ的に変化させることによって、駆動トランジスタ６３１と発光素子６３２とに流れる電流もアナログ的に変化するような状態で動作させることが望ましい。
【０１０９】
例えば、６２０のように、電流が殆どながれないようなところから、飽和領域内で動作するような状態で、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を制御してもよい。電流が殆どながれないような状態とは、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）が、駆動トランジスタ６３１のしきい値電圧とほぼ等しい場合に相当する。
【０１１０】
あるいは、６２１のように、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）が、駆動トランジスタ６３１のしきい値電圧よりも確実に低い状態から、ゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしていって制御し、飽和領域内で動作するような状態で、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を制御してもよい。このように、黒表示のときの、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を、駆動トランジスタ６３１のしきい値電圧よりも確実に低い電圧にすることにより、確実に黒表示にすることができる。例えば、駆動トランジスタ６３１の電流特性がばらついたとき、しきい値電圧もばらつく。よって、ある画素では黒状態になっていても、別の画素では、僅かに発光してしまうこともある。その結果、コントラストの低下を招いてしまう。そこで、それを防止するため、６２１のような電圧範囲で動作させることは、好適である。
【０１１１】
なお、６２０や６２１では、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしても、飽和領域で動作するとしたが、これに限定されない。６２２や６２３のように、飽和領域だけでなく、線形領域も使って動作させてもよい。駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）をアナログ的に変化させることによって、駆動トランジスタ６３１と発光素子６３２とに流れる電流もアナログ的に変化するような範囲であれば、線形領域でも動作させてもよい。
【０１１２】
次に、発光素子６３２の色によって、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧を最適化して色バランスを合わせた場合について述べる。発光素子６３２は、色によって、輝度が異なったり、必要な電流値が異なったりしている。そこで、色バランスを合わせる必要がある。そのためには、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、駆動トランジスタ６３１の電流供給能力（たとえば、トランジスタ幅など）を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、発光素子６３２の発光面積を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、これらの幾つかを組み合わせることが望ましい。これにより、色バランスを合わせることが可能となる。
【０１１３】
なお、配線６３３の電位を色ごとに変えることも可能である。ただし、駆動トランジスタ６３１をオフにするときの電圧も色ごとに変わってしまうという欠点がある。よって、配線６３３の電位は、全ての色で同じにしてもよい。
【０１１４】
なお、駆動トランジスタ６３１は、Ｐチャネル型の場合について述べたが、これに限定されない。Ｎチャネル型にして、電流が流れる向きを逆にすることは、当業者であれば、容易に実現できる。その場合は、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧の大きさは、発光素子６３２の電圧電流特性の影響を受けることとなる。
【０１１５】
なお、本実施の形態では、アナログモードの場合について述べたが、多値モードの場合にも、同様に適用できる。
【０１１６】
なお、本実施の形態は、実施の形態１の画素について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態２で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。
（実施の形態４）
【０１１７】
本実施の形態では、デジタルモードにおける画素の駆動方法について述べる。
【０１１８】
図１６（Ｂ）の、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）と、駆動トランジスタ６３１と発光素子６３２とに流れる電流の関係を参照する。デジタルモードでは、オンとオフや、ＨとＬのように、２値で制御する。つまり、発光素子６３２に電流が流れるか、流れないかを制御する。したがって、まず、電流が流れない場合について考える。その場合は、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）は、６２４、６２５、６２６に示すように、０Ｖ以上で、かつ、電流が流れない場合、つまり、駆動トランジスタ６３１のしきい値電圧以下であればよい。
【０１１９】
次に、電流が流れる場合について考える。その場合は、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）は、６２４、６２５、６２６に示すように、飽和領域内か、線形領域か、さらに電圧を大きくして、電流値が増えなくなっている領域などで動作させればよい。
【０１２０】
例えば、飽和領域で動作させる場合は、発光素子６３２の電圧電流特性が劣化しても、そこを流れる電流値が変化しない、という利点がある。そのため、焼き付きの影響を受けにくい。ただし、駆動トランジスタ６３１の電流特性がばらつくと、そこを流れる電流もばらついてしまう。そのため、表示ムラを生じてしまう場合がある。
【０１２１】
それに対して、線形領域で動作させると、駆動トランジスタ６３１の電流特性がばらついても、そこを流れる電流値は影響を受けにくい。そのため、表示ムラが生じにくい。また、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）が大きくなりすぎないことと、配線６３３と配線６３４との間の電圧を大きくしておく必要がないため、消費電力も小さくできる。
【０１２２】
さらに、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくすると、駆動トランジスタ６３１の電流特性がばらついても、そこを流れる電流値は影響をほとんど受けなくなる。ただし、発光素子６３２の電圧電流特性が劣化すると、そこを流れる電流値が変化してしまう場合がある。そのため、焼き付きの影響を受けやすくなる。
【０１２３】
このように、駆動トランジスタ６３１を飽和領域で動作させると、発光素子６３２の特性が変化しても、電流値が変化しない。よって、その場合、駆動トランジスタ６３１は、電流源として動作していると見なせる。したがって、このような駆動を定電流駆動と呼ぶことにする。
【０１２４】
また、駆動トランジスタ６３１を線形領域で動作させると、駆動トランジスタ６３１の電流特性がばらついても、電流値が変化しない。よって、その場合、駆動トランジスタ６３１は、スイッチとして動作していると見なせる。よって、発光素子６３２には、配線６３３の電圧がそのまま加わっているように見なせる。したがって、このような駆動を定電圧駆動と呼ぶことにする。
【０１２５】
デジタルモードにおいては、定電圧駆動を用いても良いし、定電流駆動を用いても良い。ただし、定電圧駆動を用いると、トランジスタのバラツキの影響を受けず、消費電力も小さくなるため、好適である。
【０１２６】
次に、発光素子６３２の色によって、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧を最適化して色バランスを合わせた場合について述べる。定電流駆動の場合は、アナログモードと同様である。
【０１２７】
定電圧駆動の場合は、駆動トランジスタ６３１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）や、駆動トランジスタ６３１の電流供給能力（たとえば、トランジスタ幅など）を色ごとに異なるようにしても、そこを流れる電流値は、あまり変わらない。なぜなら、スイッチとして動作しているからである。
【０１２８】
そのため、発光素子６３２の発光面積を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、配線６３３の電位を色ごとに変えることも可能である。あるいは、これらを組み合わせることが望ましい。これにより、色バランスを合わせることが可能となる。
【０１２９】
なお、デジタルモードでカラー表示を行う場合は、ＲＧＢごとに２値で表示するため、合計で８色を表示することが出来る。
【０１３０】
なお、本実施の形態は、実施の形態１の画素などについて詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態３で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。
（実施の形態５）
【０１３１】
次に、本発明の表示装置における画素のレイアウトについて述べる。例としては、図１５に示した回路図について、そのレイアウト図を図１７に示す。なお、回路図やレイアウト図は、図１５や図１７に限定されない。
【０１３２】
選択用トランジスタ１７０４、駆動トランジスタ１７０６、発光素子１７０７の電極１７０７Ａが配置されている。選択用トランジスタ１７０４のソースとドレインは各々、ソース信号線１７０２と駆動トランジスタ１７０６のゲートに接続されている。選択用トランジスタ１７０４のゲートは、ゲート信号線１７０１に接続されている。駆動トランジスタ１７０６のソースとドレインは各々、電源線１７０３と発光素子１７０７の電極１７０７Ａに接続されている。保持容量１７０５は、駆動トランジスタ１７０６のゲートと電源線１７０３の間に接続されている。
【０１３３】
ソース信号線１７０２、電源線１７０３は、第２配線によって形成され、ゲート信号線１７０１は、第１配線によって形成されている。
【０１３４】
トップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、第１配線、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、第１配線、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。
【０１３５】
次に、図１０に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とそれに接続する発光素子で構成される画素の断面図を示す。
【０１３６】
図１０において、基板７００上に、下地層７０１、ＴＦＴ７５０を構成する半導体層７０２、容量素子７５１の一方の電極を構成する半導体層７５２が形成されている。その上層には第１絶縁層７０３が形成され、ＴＦＴ７５０にあってはゲート絶縁層として、容量素子７５１にあっては容量を形成するための誘電体層として機能する。
【０１３７】
第１絶縁層７０３上にはゲート電極７０４と容量素子７５１の他方の電極を形成する導電層７５４が形成されている。ＴＦＴ７５０に接続する配線７０７は、発光素子７１２の第１電極７０８と接続している。この第１電極７０８は、第３絶縁層７０６上に形成されている。第１絶縁層７０３と第３絶縁層７０６との間には、第２絶縁層７０５が形成されていてもよい。発光素子７１２は、第１電極７０８、ＥＬ層７０９、第２電極７１０で構成されている。また、第１電極７０８の周辺端部及び、第１電極７０８と配線７０７との接続部を覆うように第４絶縁層７１１が形成されている。
【０１３８】
次に、上記に示す構成の詳細を説明する。基板７００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いても良い。基板７００の表面を、科学的機械研磨（ＣＭＰ）法などの研磨により平坦化しておいても良い。
【０１３９】
下地層７０１としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地層７０１によって、基板７００に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層７０２に拡散しＴＦＴ７５０の特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図１０では、下地層７０１を単層の構造としているが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地層７０１を必ずしも設ける必要はない。
【０１４０】
また、マイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０１１〜１０１３／ｃｍ３程度である高密度プラズマで、ガラス基板の表面を直接処理しても良い。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いたマイクロ波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。このとき、窒素（Ｎ２）、またはアンモニア（ＮＨ３）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）などの窒化物気体を導入すると、ガラス基板の表面を窒化することができる。このガラス基板の表面に形成された窒化物層は、窒化珪素を主成分とするので、ガラス基板側から拡散してくる不純物のブロッキング層として利用することができる。この窒化物層の上に酸化珪素膜または酸窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成して下地層７０１としても良い。
【０１４１】
他にも、酸化珪素や、酸窒化珪素などによる下地層７０１の表面に対し同様なプラズマ処理を行うことにより、その表面及び表面から１〜１０ｎｍの深さを窒化処理をすることができる。このきわめて薄い窒化珪素の層により、その上に形成する半導体層へ応力の影響を与えることなくブロッキング層とすることができる。
【０１４２】
半導体層７０２及び半導体層７５２としては、パターニングされた結晶性半導体膜を用いることが好ましい。なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラフィー技術によって膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクトホールを形成することや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含む）や、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッチング加工を行うことなどをいう。結晶性半導体膜は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層７０２は、チャネル形成領域と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域とを有する。なお、チャネル形成領域と一対の不純物領域との間に、前記不純物元素が低濃度で添加された不純物領域を有していてもよい。半導体層７５２には、全体に一導電型若しくはそれと逆の導電型を付与する不純物元素が添加された構成とすることができる。
【０１４３】
第１の絶縁層７０３としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。この場合において、当該絶縁膜の表面を、前述と同様に、マイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０１１〜１０１３／ｃｍ３程度である高密度プラズマ処理によって酸化又は窒化処理して緻密化しても良い。この処理は第１絶縁層７０３の成膜に先立って行っても良い。すなわち、半導体層７０２の表面に対してプラズマ処理を行う。このとき、基板温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気（Ｏ２、Ｎ２Ｏなど）又は窒化雰囲気（Ｎ２、ＮＨ３など）で処理することにより、その上に堆積するゲート絶縁層と良好な界面を形成することができる。
【０１４４】
ゲート電極７０４及び導電層７５４としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金若しくは化合物からなる単層または積層構造を用いることができる。
【０１４５】
ＴＦＴ７５０は、半導体層７０２と、ゲート電極７０４と、半導体層７０２とゲート電極７０４との間の第１絶縁層７０３とによって構成される。図１０では、画素を構成するＴＦＴ７５０として、発光素子７１２の第１電極７０８に接続されるものを示している。このＴＦＴ７５０は、ゲート電極７０４を半導体層７０２上に複数配置したマルチゲート型の構成を示している。すなわち、複数のＴＦＴが直列に接続された構成を有している。このような構成により、不用意なオフ電流の増加を抑制することができる。なお、また、図１０では、ＴＦＴ７５０をトップゲート型のＴＦＴとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のＴＦＴであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のＴＦＴであっても良い。
【０１４６】
容量素子７５１は、第１絶縁層７０３を誘電体とし、第１絶縁層７０３を挟んで対向する半導体層７５２と導電層７５４とを一対の電極として構成される。なお、図１０では、画素に設ける容量素子として、一対の電極の一方をＴＦＴ７５０の半導体層７０２と同時に形成される半導体層７５２とし、他方の導電層７５４をゲート電極７０４と同時に形成される層とする例を示したが、この構成に限定されない。
【０１４７】
第２絶縁層７０５は窒化珪素膜などイオン性不純物をブロッキングするバリア性の絶縁膜であることが望ましい。この第２絶縁層７０５は窒化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成する。この第２絶縁層７０５は、半導体層７０２の汚染を防ぐ保護膜としての機能を含んでいる。この第２絶縁層７０５を堆積した後に、水素ガスを導入して前述のようにマイクロ波で励起された高密度プラズマ処理をすることで、第２絶縁層７０５の水素化を行っても良い。または、アンモニアガスを導入して、第２絶縁層７０５の窒化と水素化を行っても良い。または、酸素、Ｎ２Ｏガスなどと水素ガスを導入して、酸化窒化処理と水素化処理を行っても良い。この方法により、窒化処理、酸化処置若しくは酸化窒化処理を行うことにより第２絶縁層７０５の表面を緻密化することができる。それにより保護膜としての機能を強化することができる。この第２絶縁層７０５に導入された水素は、その後４００〜４５０℃の熱処理をすることにより、第２絶縁層７０５を形成する窒化シリコンから水素を放出させて、半導体層７０２の水素化をすることができる。
【０１４８】
第３絶縁層７０６としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜（塗布酸化珪素膜）などを用いることができる。有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、第２絶縁層７０５として、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることができる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１４９】
配線７０７としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。
【０１５０】
第１電極７０８及び第２電極７１０の一方もしくは両方を透明電極とすることができる。透明電極としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物（ＩＷＯ）、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウム（ＩＷＺＯ）、酸化チタンを含むインジウム酸化物（ＩＴｉＯ）、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＴｉＯ）、モリブデン含む酸化インジウムスズ（ＩＴＭＯ）などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。
【０１５１】
第１電極７０８及び第２電極７１０の少なくとも一方は、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。例えば、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ２、Ｃａ３Ｎ２）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。
【０１５２】
第４絶縁層７１１としては、第３絶縁層７０６と同様の材料を用いて形成することができる。
【０１５３】
発光素子７１２は、ＥＬ層７０９と、それを挟む第１電極７０８及び第２電極７１０とによって構成される。第１電極７０８及び第２電極７１０の一方が陽極に相当し、他方が陰極に相当する。発光素子７１２は、陽極と陰極の間にしきい値電圧より大きい電圧が順バイアスで印加されると、陽極から陰極に電流が流れて発光する。
【０１５４】
ＥＬ層７０９は、単数または複数の層で構成されている。複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。
【０１５５】
ＥＬ層７０９は、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層など、機能の異なる複数の層を用いて構成することが好ましい。正孔注入輸送層は、ホール輸送性の有機化合物材料と、その有機化合物材料に対して電子受容性を示す無機化合物材料とを含む複合材料で形成することが好ましい。このような構成とすることで、本来内在的なキャリアをほとんど有さない有機化合物に多くのホールキャリアが発生し、極めて優れたホール注入性・輸送性が得られる。この効果により、従来よりも駆動電圧を低くすることができる。また、駆動電圧の上昇を招くことなく正孔注入輸送層を厚くすることができるため、ゴミ等に起因する発光素子の短絡も抑制することができる。
【０１５６】
ホール輸送性の有機化合物材料としては、例えば、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−ジ（ｍ−トリル）アミノ］フェニル−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
【０１５７】
電子受容性を示す無機化合物材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。特に酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。
【０１５８】
電子注入輸送層は、電子輸送性の有機化合物材料を用いて形成する。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
【０１５９】
ＥＬ層は、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、クマリン３０、クマリン６、クマリン５４５、クマリン５４５Ｔ、ルブレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、５，１２−ジフェニルテトラセン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）などが挙げられる。また、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ピコリナート）（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、などの燐光を放出できる化合物用いることもできる。
【０１６０】
また、ＥＬ層は一重項励起発光材料と金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。
【０１６１】
ＥＬ層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、従来必要であるとされていた円偏光板などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。
【０１６２】
図１０で示す構成の画素と外光強度検出手段とを組み合わせることで、発光素子の発光時間を変化させ表示画面の輝度を制御することができる。また、外光強度検出手段により発光素子の発光を制御することにより、無用に点灯時間が増大することがないので、表示パネルの消費電力の低減と、寿命時間を延ばすことができる。
【０１６３】
なお、トランジスタとして、半導体層にポリシリコンを用いたものだけでなく、アモルファスシリコンを用いたものでもよい。
【０１６４】
そこで、次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合について説明する。図１２にはトップゲートのトランジスタ、図１３及び図３５にはボトムゲートのトランジスタの場合について示す。
【０１６５】
アモルファスシリコンを半導体層に用いたトップゲート構造のトランジスタの断面を図１２（ａ）に示す。図１２（ａ）に示すように、基板２８０１上に下地膜２８０２が形成されている。さらに下地膜２８０２上に画素電極２８０３が形成されている。また、画素電極２８０３と同層に同じ材料からなる第１の電極２８０４が形成されている。
【０１６６】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２８０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０１６７】
また、下地膜２８０２上に配線２８０５及び配線２８０６が形成され、画素電極２８０３の端部が配線２８０５で覆われている。配線２８０５及び配線２８０６の上部にＮ型の導電型を有するＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８が形成されている。また、配線２８０６と配線２８０５の間であって、下地膜２８０２上に半導体層２８０９が形成されている。そして、半導体層２８０９の一部はＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されている。また、半導体層２８０９上にゲート絶縁膜２８１０が形成されている。また、ゲート絶縁膜２８１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜２８１１が第１の電極２８０４上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜２８１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。
【０１６８】
また、ゲート絶縁膜２８１０上に、ゲート電極２８１２が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料でなる第２の電極２８１３が第１の電極２８２０上に絶縁膜２８１１を介して形成されている。第１の電極２８０４及び第２の電極２８１３で絶縁膜２８１１を挟まれた容量素子２８１９が形成されている。また、画素電極２８０３の端部、駆動トランジスタ２８１８及び容量素子２８１９を覆い、層間絶縁膜２８１４が形成されている。
【０１６９】
層間絶縁膜２８１４及びその開口部に位置する画素電極２８０３上に有機化合物を含む層２８１５及び対向電極２８１６が形成され、画素電極２８０３と対向電極２８１６とで有機化合物を含む層２８１５が挟まれた領域では発光素子２８１７が形成されている。
【０１７０】
また、図１２（ａ）に示す第１の電極２８０４を図１２（ｂ）に示すように第１の電極２８２０で形成してもよい。第１の電極２８２０は配線２８０５及び２８０６と同層の同一材料で形成されている。
【０１７１】
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用いた表示装置のパネルの部分断面を図１３に示す。
【０１７２】
基板２９０１上に下地膜２９０２が形成されている。さらに下地膜２９０２上にゲート電極２９０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極２９０４が形成されている。ゲート電極２９０３の材料にはリンが添加された多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリサイドでもよい。
【０１７３】
また、ゲート電極２９０３及び第１の電極２９０４を覆うようにゲート絶縁膜２９０５が形成されている。ゲート絶縁膜２９０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。
【０１７４】
また、ゲート絶縁膜２９０５上に、半導体層２９０６が形成されている。また、半導体層２９０６と同層に同じ材料からなる半導体層２９０７が形成されている。
【０１７５】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２８０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０１７６】
半導体層２９０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層２９０８、２９０９が形成され、半導体層２９０７上にはＮ型半導体層２９１０が形成されている。
【０１７７】
Ｎ型半導体層２９０８、２９０９、２９１０上にはそれぞれ配線２９１１、２９１２、２９１３が形成され、Ｎ型半導体層２９１０上には配線２９１１及び２９１２と同層の同一材料からなる導電層２９１３が形成されている。
【０１７８】
半導体層２９０７、Ｎ型半導体層２９１０及び導電層２９１３からなる第２の電極が構成される。なお、この第２の電極と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５を挟み込んだ構造の容量素子２９２０が形成されている。
【０１７９】
また、配線２９１１の一方の端部は延在し、その延在した配線２９１１上部に接して画素電極２９１４が形成されている。
【０１８０】
また、画素電極２９１４の端部、駆動トランジスタ２９１９及び容量素子２９２０を覆うように絶縁物２９１５が形成されている。
【０１８１】
画素電極２９１４及び絶縁物２９１５上には有機化合物を含む層２９１６及び対向電極２９１７が形成され、画素電極２９１４と対向電極２９１７とで有機化合物を含む層２９１６が挟まれた領域では発光素子２９１８が形成されている。
【０１８２】
容量素子の第２の電極の一部となる半導体層２９０７及びＮ型半導体層２９１０は設けなくても良い。つまり第２の電極は導電層２９１３とし、第１の電極２９０４と導電層２９１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の容量素子としてもよい。
【０１８３】
なお、図１３（ａ）において、配線２９１１を形成する前に画素電極２９１４を形成することで、図１３（ｂ）に示すような、画素電極２９１４と同じ材料からなる第２の電極２９２１と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５が挟まれた構造の容量素子２９２０を形成することができる。
【０１８４】
なお、図１３では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの場合について、図３５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０１８５】
図３５（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図１３（ａ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物３５０１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０１８６】
また、同様に、図３５（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図１３（ｂ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物３５０１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０１８７】
本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。例えば、図１０に示す画素構成を用いることで非晶質半導体膜を適用することが可能である。
【０１８８】
なお、本発明の画素構成の適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造のものを用いることができる。
【０１８９】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜４で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態６）
【０１９０】
外光の強度を検出する光センサは表示装置の一部に組み込まれていても良い。この光センサは部品として表示装置に実装されていても良いし、表示パネルに一体形成されていても良い。表示パネルに一体形成されている場合には、表示面を光センサの受光面として併用することができ、意匠上すぐれた効果を発揮する。すなわち表示装置に光センサが付属していることを意識させることなく、その外光強度に基づく階調制御を行うことができる。
【０１９１】
図１１は表示パネル上に光センサを一体形成する一態様を示す図である。なお、図１１では、エレクトロルミネセンスによる発光をする発光素子とその動作を制御するＴＦＴで画素を構成する場合を示している。
【０１９２】
図１１は、透光性を有する基板８８００上に形成された駆動用ＴＦＴ８８０１、透光性材料により形成された第１の電極（画素電極）８８０２、ＥＬ層８８０３及び透光性材料により形成された第２の電極（対向電極）８８０４が設けられている。第１の電極（画素電極）８８０２は、絶縁膜８８４１の上に形成されている。発光素子８８２５は上方（矢印方向）に発光する。そして、第２の電極８８０４上に形成された絶縁膜８８１２上に、ｐ型層８８３１、実質的に真性なｉ型層８８３２及びｎ型層８８３３の積層体からなる光電変換素子８８３８と、ｐ型層８８３１に接続された電極８８３０、ｎ型層８８３３に接続された電極８８３４が設けられる。なお、光電変換素子８８３８は、絶縁膜８８４１の上に形成されていてもよい。
【０１９３】
本実施例では光センサ素子として光電変換素子８８３８を用いる。発光素子８８２５及び光電変換素子８８３８は同一の基板８８００上に形成されており、発光素子８８２５から発せられる光は、映像を構成し、ユーザーが視認する。一方、光電変換素子は外光を検出し、検出信号をコントローラに送る役割を持つ。このようにして、発光素子と光センサ（光電変換素子）を同一基板上に形成でき、セットの小型化に貢献できる。
【０１９４】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜５で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態７）
【０１９５】
本実施の形態では、実施の形態１から実施の形態５までで述べた表示装置を制御するハードウェアについて述べる。
【０１９６】
大まかな構成図を図１８に示す。基板２７０１の上に、画素配列２７０４が配置されている。ソースドライバ２７０６やゲートドライバ２７０５が配置されている場合が多い。それ以外にも、電源回路やプリチャージ回路やタイミング生成回路などが配置されていることもある。また、ソースドライバ２７０６やゲートドライバ２７０５が配置されていない場合もある。その場合は、基板２７０１に配置されていないものは、ＩＣに形成されることが多い。そのＩＣは、基板２７０１の上に、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）によって配置されている場合も多い。あるいは、周辺回路基板２７０２と基板２７０１とを接続する接続基板２７０７の上に、ＩＣが配置される場合もある。
【０１９７】
周辺回路基板２７０２には、信号２７０３が入力される。そして、コントローラ２７０８が制御して、メモリ２７０９やメモリ２７１０などに信号が保存される。信号２７０３がアナログ信号の場合は、アナログ・デジタル変換を行った後、そして、メモリ２７０９やメモリ２７１０などに保存されることが多い。そして、コントローラ２７０８がメモリ２７０９やメモリ２７１０などに保存された信号を用いて、基板２７０１に信号を出力する。
【０１９８】
実施の形態１から実施の形態５までで述べた駆動方法を実現するために、コントローラ２７０８が、各種のパルス信号などを制御して、基板２７０１に信号を出力する。
【０１９９】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜６で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
【０２００】
（実施の形態８）
【０２０１】
本発明の表示装置を表示部に有する携帯電話の構成例について図１９を用いて説明する。
【０２０２】
表示パネル５４１０はハウジング５４００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５４００は表示パネル５４１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５４１０を固定したハウジング５４００はプリント基板５４０１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。
【０２０３】
表示パネル５４１０はＦＰＣ５４１１を介してプリント基板５４０１に接続される。プリント基板５４０１には、スピーカ５４０２、マイクロフォン５４０３、送受信回路５４０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５４０５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５４０６、バッテリ５４０７を組み合わせ、筐体５４０９、５４１２に収納する。表示パネル５４１０の画素部は筐体５４１２に形成された開口窓から視認できように配置する。
【０２０４】
表示パネル５４１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で表示パネル５４１０に実装しても良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネルの構成は図２０（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。
【０２０５】
また、走査線や信号線に設定する信号をバッファによりインピーダンス変換することで、１行毎の画素の書き込み時間を短くすることができる。よって高精細な表示装置を提供することができる。
【０２０６】
また、さらに消費電力の低減を図るため、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などで表示パネルに実装しても良い。
【０２０７】
そして、本発明の表示装置を用いることにより、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが出来る。
【０２０８】
また、本実施の形態に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのような構成の携帯電話に限られす様々な構成の携帯電話に適用することができる。
【０２０９】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜７で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態９）
【０２１０】
図２１は表示パネル５７０１と、回路基板５７０２を組み合わせたＥＬモジュールを示している。表示パネル５７０１は画素部５７０３、走査線駆動回路５７０４及び信号線駆動回路５７０５を有している。回路基板５７０２には、例えば、コントロール回路５７０６や信号分割回路５７０７などが形成されている。表示パネル５７０１と回路基板５７０２は接続配線５７０８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。
【０２１１】
コントロール回路５７０６が、実施の形態７における、コントローラ２７０８やメモリ２７０９やメモリ２７１０などに相当する。主に、コントロール回路５７０６において、サブフレームの出現順序などを制御している。
【０２１２】
表示パネル５７０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル５７０１に実装するとよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて表示パネル５７０１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図２０（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。
【０２１３】
また、走査線や信号線に設定する信号をバッファによりインピーダンス変換することで、１行毎の画素の書き込み時間を短くすることができる。よって高精細な表示装置を提供することができる。
【０２１４】
また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての信号線駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）表示パネルに実装してもよい。
【０２１５】
なお、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で表示パネルに実装するとよい。なお、基板上に画素部を形成し、その基板上に周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図２０（ｂ）に一例を示してある。
【０２１６】
このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図２２は、ＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５８０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５８０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５８０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路５７０６により処理される。コントロール回路５７０６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５７０７を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。
【０２１７】
チューナ５８０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５８０４に送られ、その出力は音声信号処理回路５８０５を経てスピーカー５８０６に供給される。制御回路５８０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５８０８から受け、チューナ５８０１や音声信号処理回路５８０５に信号を送出する。
【０２１８】
ＥＬモジュールを筐体に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモジュールにより、表示部が形成される。また、スピーカー、ビデオ入力端子などが適宜備えられている。
【０２１９】
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
【０２２０】
このように、本発明の表示装置を用いることにより、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが出来る。
【０２２１】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜８で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１０）
【０２２２】
本実施の形態では、光センサやアンプの例を示す。
【０２２３】
図３９に、基本的な構成図を示す。光電変換素子３６０１に光が照射され、照度に応じて電流が流れる。その電流を電流電圧変換回路３９０２で電圧信号に変換する。このように、光電変換素子３６０１と電流電圧変換回路３９０２とで光センサ１１３が構成される。そして、光センサ１１３から出力された信号は、アンプ１１４へ入力される。図３９では、オペアンプを用いた電圧フォロワ回路を示した。ただし、これに限定されない。
【０２２４】
電流電圧変換回路３９０２の例としては、図３６に示すように、抵抗素子３６０２を用いればよい。ただし、これに限定されない。オペアンプを用いて、回路を構成してもよい。
【０２２５】
図３９、図３６では、光電変換素子３６０１に流れる電流を用いていたが、この電流を増幅してもよい。例えば、図３７に示すように、カレントミラー回路３７０３を用いて、電流電圧変換回路である抵抗素子３７０２に流れる電流を大きくしてもよい。その結果、光に対する感度が向上したり、ノイズに対する耐性が向上したりさせることができる。
【０２２６】
また、図３８のように、光電変換素子３６０１とカレントミラー回路３８０３とに流れる電流をすべて電流電圧変換回路３８０２に流すようにして、さらに、光に対する感度が向上したり、ノイズに対する耐性が向上したりしてもよい。また、このようにすることにより、光電変換素子３６０１に接続される配線とカレントミラー回路の出力とを１つにすることが出来るため、接続端子を減らすことが出来る。
【０２２７】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜９で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１１）
【０２２８】
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる発光装置を備えた装置）などが挙げられる。
【０２２９】
図２３（Ａ）は発光装置であり、筐体３５００１、支持台３５００２、表示部３５００３、スピーカー部３５００４、ビデオ入力端子３５００５等を含む。本発明の表示装置を表示部３５００３に用いることができる。なお、発光装置は、パーソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用発光装置が含まれる。本発明の表示装置を表示部３５００３に用いた発光装置は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３０】
図２３（Ｂ）はカメラであり、本体３５１０１、表示部３５１０２、受像部３５１０３、操作キー３５１０４、外部接続ポート３５１０５、シャッター３５１０６等を含む。
【０２３１】
本発明を表示部３５１０２に用いたデジタルカメラは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３２】
図２３（Ｃ）はコンピュータであり、本体３５２０１、筐体３５２０２、表示部３５２０３、キーボード３５２０４、外部接続ポート３５２０５、ポインティングマウス３５２０６等を含む。本発明を表示部３５２０３に用いたコンピュータは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３３】
図２３（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体３５３０１、表示部３５３０２、スイッチ３５３０３、操作キー３５３０４、赤外線ポート３５３０５等を含む。本発明を表示部３５３０２に用いたモバイルコンピュータは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３４】
図２３（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体３５４０１、筐体３５４０２、表示部Ａ３５４０３、表示部Ｂ３５４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部３５４０５、操作キー３５４０６、スピーカー部３５４０７等を含む。表示部Ａ３５４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ３５４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ３５４０３や表示部Ｂ３５４０４に用いた画像再生装置は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３５】
図２３（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体３５５０１、表示部３５５０２、アーム部３５５０３を含む。本発明を表示部３５５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３６】
図２３（Ｇ）はビデオカメラであり、本体３５６０１、表示部３５６０２、筐体３５６０３、外部接続ポート３５６０４、リモコン受信部３５６０５、受像部３５６０６、バッテリー３５６０７、音声入力部３５６０８、操作キー３５６０９等を含む。本発明を表示部３５６０２に用いたビデオカメラは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３７】
図２３（Ｈ）は携帯電話機であり、本体３５７０１、筐体３５７０２、表示部３５７０３、音声入力部３５７０４、音声出力部３５７０５、操作キー３５７０６、外部接続ポート３５７０７、アンテナ３５７０８等を含む。本発明を表示部３５７０３に用いた携帯電話機は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。
【０２３８】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また本実施の形態の電子機器は、実施の形態１〜１０に示したいずれの構成の表示装置を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【０２３９】
【図１】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図４】本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。
【図５】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図６】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図７】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図８】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図９】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１０】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１１】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１２】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１３】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１４】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１５】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１６】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１７】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１８】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１９】本発明が適用される電子機器を説明する図。
【図２０】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２１】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２２】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２３】本発明が適用される電子機器を説明する図。
【図２４】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２５】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２６】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２７】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２８】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２９】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３０】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３１】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３２】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３３】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３４】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３５】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３６】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３７】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３８】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図３９】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【符号の説明】
【０２４０】
１０１    画素配列
１０２    ソースドライバ
１０３    ゲートドライバ
１０６    表示モード別ビデオ信号生成回路
１０７    コントローラ
１１３    光センサ
１１４    アンプ
１１６    光センサ
２０１    サンプリングスイッチ
２０７    半導体層
２１１    画素
２２０    画素
２２１    ビデオ信号線
２３１    シフトレジスタ
３０１    表示モード制御回路
３０２    値化用回路
３０３    スイッチ
３０４    スイッチ
３０５    スイッチ
４０２    多値化用回路
４０３    スイッチ
５０１    表示モード制御回路
５４５    クマリン
６０２    スイッチ
６３１    駆動トランジスタ
６３２    発光素子
６３３    配線
６３４    配線
７００    基板
７０１    下地層
７０２    半導体層
７０３    絶縁層
７０４    ゲート電極
７０５    絶縁層
７０６    絶縁層
７０７    配線
７０８    電極
７０９    ＥＬ層
７１０    第２電極
７１１    絶縁層
７１２    発光素子
７４９    絶縁層
７５０    ＴＦＴ
７５１    容量素子
７５２    半導体層
７５４    導電層
８０１    スイッチ
８１１    判定回路
８２１    スイッチ
９０１    オペアンプ
９０３    ＡＮＤ回路
１０１２    発光素子
１５０１    入力
１５０２    制御線
１５０３    出力
１５１１    入力
１５１３    出力
１５２１    入力
１５２３    出力
１７０１    ゲート信号線
１７０２    ソース信号線
１７０３    電源線
１７０４    選択用トランジスタ
１７０５    保持容量
１７０６    駆動トランジスタ
１７０７    発光素子
１７０７Ａ    画素電極
１７０８  対向電極
２３０６    表示モード別ビデオ信号生成回路
２３０７    コントローラ
２３１３    光センサ
２３１４    アンプ
２４０１    下位ビットデータ除去回路
２５０１    表示モード制御回路
２５０２    ＤＡ変換回路
２５０３    ＤＡ変換回路
２５０４    レベル変換回路
２５１１    スイッチ
２５１３    スイッチ
２７０１    基板
２７０２    周辺回路基板
２７０３    信号
２７０４    画素配列
２７０５    ゲートドライバ
２７０６    ソースドライバ
２７０７    接続基板
２７０８    コントローラ
２７０９    メモリ
２７１０    メモリ
２８０１    基板
２８０２    下地膜
２８０３    画素電極
２８０４    電極
２８０５    配線
２８０６    配線
２８０７    Ｎ型半導体層
２８０８    Ｎ型半導体層
２８０９    半導体層
２８１０    ゲート絶縁膜
２８１１    絶縁膜
２８１２    ゲート電極
２８１３    電極
２８１４    層間絶縁膜
２８１５    層
２８１６    対向電極
２８１７  発光素子
２８１８    駆動トランジスタ
２８１９    容量素子
２８２０    電極
２９０１      基板
２９０２    下地膜
２９０３    ゲート電極
２９０４    電極
２９０５    ゲート絶縁膜
２９０６    半導体層
２９０７    半導体層
２９０８    Ｎ型半導体層
２９１０    Ｎ型半導体層
２９１１    配線
２９１３    導電層
２９１４    画素電極
２９１５    絶縁物
２９１６    層
２９１７    対向電極
２９１８  発光素子
２９１９    駆動トランジスタ
２９２０    容量素子
２９２１    電極
２９２２    容量素子
３００１    スイッチ
３００２    スイッチ
３０１１    スイッチ
３０１６    〜スイッチ
３０２１    デコーダ回路
３１０１    駆動トランジスタ
３１０２    スイッチ
３１０３    スイッチ
３１０４    容量素子
３１０７    スイッチ
３１１１    ソース信号線
３１１２    配線
３２０３    スイッチ
３３０１    駆動トランジスタ
３３０５    容量素子
３４０１    トランジスタ
３４２１    トランジスタ
３５０１    絶縁物
３６０１    光電変換素子
３６０２    抵抗素子
３７０２    抵抗素子
３７０３    カレントミラー回路
３８０２    電流電圧変換回路
３８０３    カレントミラー回路
３９０２    電流電圧変換回路
５４００    ハウジング
５４０１    プリント基板
５４０２    スピーカ
５４０３    マイクロフォン
５４０４    送受信回路
５４０５    信号処理回路
５４０６    入力手段
５４０７    バッテリ
５４０９    筐体
５４１０    表示パネル
５４１１    ＦＰＣ
５７０１    表示パネル
５７０２    回路基板
５７０３    画素部
５７０４    走査線駆動回路
５７０５    信号線駆動回路
５７０６    コントロール回路
５７０７    信号分割回路
５７０８    接続配線
５８０１    チューナ
５８０２    映像信号増幅回路
５８０３    映像信号処理回路
５８０４    音声信号増幅回路
５８０５    音声信号処理回路
５８０６    スピーカー
５８０７    制御回路
５８０８    入力部
８８００    基板
８８０１    駆動用ＴＦＴ
８８０２    電極（画素電極）
８８０３    ＥＬ層
８８０４    電極
８８１２    絶縁膜
８８２５    発光素子
８８３０    電極
８８３１    ｐ型層
８８３２    ｉ型層
８８３３    ｎ型層
８８３４    電極
８８３８    光電変換素子
８８４１    絶縁膜
３５００１    筐体
３５００２    支持台
３５００３    表示部
３５００４    スピーカー部
３５００５    ビデオ入力端子
３５１０１    本体
３５１０２    表示部
３５１０３    受像部
３５１０４    操作キー
３５１０５    外部接続ポート
３５１０６    シャッター
３５２０１    本体
３５２０２    筐体
３５２０３    表示部
３５２０４    キーボード
３５２０５    外部接続ポート
３５２０６    ポインティングマウス
３５３０１    本体
３５３０２    表示部
３５３０３    スイッチ
３５３０４    操作キー
３５３０５    赤外線ポート
３５４０１    本体
３５４０２    筐体
３５４０３    表示部Ａ
３５４０４    表示部Ｂ
３５４０５    部
３５４０６    操作キー
３５４０７    スピーカー部
３５５０１    本体
３５５０２    表示部
３５５０３    アーム部
３５６０１    本体
３５６０２    表示部
３５６０３    筐体
３５６０４    外部接続ポート
３５６０５    リモコン受信部
３５６０６    受像部
３５６０７    バッテリー
３５６０８    音声入力部
３５６０９    操作キー
３５６１０    接眼部
３５７０１    本体
３５７０２    筐体
３５７０３    表示部
３５７０４    音声入力部
３５７０５    音声出力部
３５７０６    操作キー
３５７０７    外部接続ポート
３５７０８    アンテナ
【図１】
0005386060.tif 000004
【図２】
0005386060.tif 000005
【図３】
0005386060.tif 000006
【図４】
0005386060.tif 000007
【図５】
0005386060.tif 000008
【図６】
0005386060.tif 000009
【図７】
0005386060.tif 000010
【図８】
0005386060.tif 000011
【図９】
0005386060.tif 000012
【図１０】
0005386060.tif 000013
【図１１】
0005386060.tif 000014
【図１２】
0005386060.tif 000015
【図１３】
0005386060.tif 000016
【図１４】
0005386060.tif 000017
【図１５】
0005386060.tif 000018
【図１６】
0005386060.tif 000019
【図１７】
0005386060.tif 000020
【図１８】
0005386060.tif 000021
【図１９】
0005386060.tif 000022
【図２０】
0005386060.tif 000023
【図２１】
0005386060.tif 000024
【図２２】
0005386060.tif 000025
【図２３】
0005386060.tif 000026
【図２４】
0005386060.tif 000027
【図２５】
0005386060.tif 000028
【図２６】
0005386060.tif 000029
【図２７】
0005386060.tif 000030
【図２８】
0005386060.tif 000031
【図２９】
0005386060.tif 000032
【図３０】
0005386060.tif 000033
【図３１】
0005386060.tif 000034
【図３２】
0005386060.tif 000035
【図３３】
0005386060.tif 000036
【図３４】
0005386060.tif 000037
【図３５】
0005386060.tif 000038
【図３６】
0005386060.tif 000039
【図３７】
0005386060.tif 000040
【図３８】
0005386060.tif 000041
【図３９】
0005386060.tif 000042