(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを生成するよう構成された放射源と、
パターニングデバイスを支持するよう構成された支持構造であって、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与する働きをする支持構造と、
基板を支持するよう構成された基板テーブルと、
パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、
前記目標部分の露光の間に前記パターニングデバイスと前記基板との間の相対的振動を測定するよう構成された振動測定装置と、
前記放射ビームのパワーを調整する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、測定された相対的振動が前記基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう、放射ビームのパワーを調整することで基板に供給される放射線量を変化させることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記振動測定装置は、前記パターニングデバイスの支持構造の振動および前記基板テーブルの振動を測定することにより、相対的振動を測定するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記制御装置は、以前に測定された相対的振動と基板における放射コントラストとの間の関係に従って前記放射ビームのパワーを調整するよう構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記放射源は、放射パルスを生成するよう構成されたレーザであり、
前記制御装置は、前記レーザにより生成されたパルスのエネルギーを調整することにより放射ビームのパワーを調整するよう構成される、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記放射ビームのパワーの調整は、測定された振動に対するリアルタイムの補償を提供することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記放射ビームのパワーの調整は、以前の目標部分の露光の間に測定された振動に対する補償を提供することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記放射ビームのパワーの調整は、以前の基板の露光の間に測定された振動に対する補償を提供することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記制御装置は、測定された振動に対して最もクリティカルな投影パターンのフィーチャを補償するよう前記放射ビームのパワーを調整することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
当該リソグラフィ装置は、走査リソグラフィ装置であり、前記振動測定装置は、パターニングデバイス支持構造の振動を測定するよう構成された位置センサと、前記基板テーブルの振動を測定するよう構成された位置センサとを備えることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記パターニングデバイスは、個別に制御可能な素子のアレイを備え、
前記振動測定装置は、前記基板テーブルの振動を測定するよう構成された位置センサを備えることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
放射源を用いて放射ビームを生成し、パターニングデバイスを用いて前記放射ビームの断面にパターンを付与するステップと、
基板の目標部分にパターン付与された放射ビームを投影するステップと、
前記目標部分の露光の間に前記パターニングデバイスと前記基板との間の相対的振動を測定するステップと、
測定された相対的振動が前記基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう、前記放射ビームのパワーを調整することで基板に供給される放射線量を変化させるステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記放射ビームのパワーは、以前に測定された相対的振動と基板における放射コントラストとの間の関係に従って調整されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
レーザを用いて放射パルスにより生成される放射ビームを生成するステップをさらに備え、前記放射ビームのパワーは、前記レーザにより生成されるパルスのエネルギーを調整することにより調整されることを特徴とする請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記放射ビームのパワーの調整は、基板の以前の目標部分または以前の基板の目標部分の露光の間に測定された振動に対する補償を提供することを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の個々の層に対応する回路パターンを形成するために使用され、そしてこのパターンが放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えばシリコンウェハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイを含む）目標部分に結像される。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。
【０００３】
周知のリソグラフィ装置にはいわゆるスキャナがある。スキャナにおいては、マスクを放射ビームにより所与の方向（「走査」方向）に走査するとともに、基板をこの方向に平行または逆平行に同期して走査することにより、各目標部分は照射を受ける。各走査の後、マスクの走査動作の方向および基板の走査動作の方向が逆にされる。基板はまた、走査方向に対し直角にも動かされる。これらの動作は時間がかかるので、リソグラフィ装置のスループット（すなわち、１時間当たりにリソグラフィ装置により露光される基板の数）に対し不利な影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本明細書において認識されていようと他のところで認識されていようと、従来技術の問題の１つまたは複数を取り除くまたは軽減する例えばリソグラフィ装置およびデバイス製造方法を提供することが望ましい。
【０００５】
本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームを生成するよう構成された放射源と、パターニングデバイスを支持する支持構造であって、パターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与する働きをする支持構造と、基板を支持するよう構成された基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系とを備える。リソグラフィ装置はさらに、目標部分の露光の間にパターニングデバイスと基板との間の相対的振動を測定するよう構成された振動測定装置と、測定された相対的振動が基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう放射ビームのパワーを調整する制御装置とを備える。
【０００６】
本発明の更なる態様によれば、放射源を用いて放射ビームを生成し、パターニングデバイスを用いて放射ビームの断面にパターンを付与するステップと、投影系を用いて基板の目標部分にパターン付与された放射ビームを投影するステップとを備える方法が提供される。この方法はさらに、目標部分の露光の間にパターニングデバイスと基板との間の相対的振動を測定するステップと、測定された相対的振動が基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう放射ビームのパワーを調整するステップとを備える。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のさらなる特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。これらの実施形態は、単に説明のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる技術に基づくさらなる実施形態は、当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
添付の図面は、ここに組み込まれ、本明細書の一部を構成しているが、明細書と共に本発明を説明し、さらに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を利用するのに役立つものである。
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【００１０】
【図２】振動がない場合におけるリソグラフィ装置による基板の一部の露光を概略的に示す図である。
【００１１】
【図３】振動がある場合におけるリソグラフィ装置による基板の一部の露光を概略的に示す図である。
【００１２】
【図４】振動がある場合における、本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置による基板の一部の露光を概略的に示す図である。
【００１３】
本発明の特徴および効果は、図面とともに以下の詳細な説明から明らかになる。図面では、類似の参照文字は、明細書全体を通して対応する構成要素を特定する。図面において、類似の参照番号は、通常、同一の、機能的に類似、および／または構造的に類似の構成要素を示す。構成要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の一番左の数字により特定される。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００１５】
本明細書において「一実施形態」、「実施形態の一実施例」等は、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。
【００１６】
本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせで実現されてもよい。本発明の実施形態は、また、一つ以上のプロセッサにより読み込まれ、実行されるコンピュータ読み取り可能媒体に記憶されたインストラクションとして実現されてもよい。コンピュータ読み取り可能媒体は、機械により読み取り可能な形式の情報を記憶または伝送するメカニズムを含んでもよい（例えば、コンピュータデバイス）。例えば、コンピュータ読み取り可能媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号）などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションは、特定の動作を実行できるものとして、ここで説明されてもよい。しかしながら、このような説明は、単に便宜上のためだけであり、このような動作は、実際は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションなどを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、その他のデバイスによって生じるものであると理解すべきである。
【００１７】
しかしながら、このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実装可能である例示的な環境を提示することが有益である。
【００１８】
ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン（guidance and detection pattern）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、「ウェハ」または「ダイ」という用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である「基板」または「目標部分」とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具）または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。
【００１９】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、さらにイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。
【００２０】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈される。放射ビームに与えられるパターンが、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。
【００２１】
パターニングデバイスの例には、マスク（レチクルとも称される）および個別に制御可能な素子のアレイがある。マスクは透過型であってもよいし、反射型であってもよい。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフト（alternating phase-shift）マスク、ハーフトーン型位相シフト（attenuated phase-shift）マスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。個別に制御可能な素子のアレイの例では、プログラマブル・ミラー・アレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。
【００２２】
支持構造（マスクテーブルとも称される）は、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、バキューム、または真空条件下での静電気クランプなどの他の固定技術を使用することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニングデバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書における「マスクテーブル」という用語は、より一般的な用語である「支持構造」と同義であるとみなしてよい。
【００２３】
本明細書で使用される「投影系」という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
【００２４】
照明系は、放射ビームの進行方向を決め、成形し、または制御するための屈折光学部品、反射光学部品、または反射屈折光学部品を含む様々な種類の光学部品で構成されており、このような部品は、以下において集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ばれることもある。
【００２５】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプ（デュアルステージ）であっても、より多数の基板テーブル（および／または二つ以上の支持構造）を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。
【００２６】
リソグラフィ装置は、投影系の最終構成要素と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体（例えば、水）の中に基板が浸されているタイプの装置であってもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増大する技術として周知である。
【００２７】
図１は、本発明の特定の実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＰＢ（例えば、ＤＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整する照明系（照明器）ＩＬと、マスクＭＡを支持し、要素ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするよう第１位置決め装置ＰＭに接続されるマスクテーブルＭＴと、基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持し、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするよう第２位置決め装置ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイからなる）に、マスクＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを結像するよう構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬとを備える。
【００２８】
図示されるように、リソグラフィ装置は透過型（例えば、透過型マスクを使用）である。代替的に、リソグラフィ装置は反射型（例えば、上述したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用）であってもよい。
【００２９】
照明器ＩＬは、レーザＬＡ（または他の放射源）から放射ビームを受け取る。レーザは、例えばエキシマレーザであってよい。レーザＬＡおよび照明器ＩＬは、必要であればビーム伝送系ＢＤを合わせて、放射系と称してもよい。
【００３０】
照明器ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節する調節手段ＡＭを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および／または内径範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよび集光器ＣＯ等の様々な他の構成要素を通常備えている。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有する調節された放射ビームＰＢを提供する。
【００３１】
放射ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを横切ると、ビームＰＢはレンズＰＬを通過し、そこでビームが基板Ｗの目標部分Ｃに合焦される。第２位置決め装置ＰＷおよび第２位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例えば異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置することができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび第１位置センサＩＦ１（例えば干渉計デバイス）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に配置することができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭおよびＰＷの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）と短ストロークモジュール（微細な位置決め）を用いて達成することができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを用いて、マスクＭＡと基板Ｗを位置合わせしてもよい。
【００３２】
図示する装置は、以下の好適なモードで使用することができる。
【００３３】
１．走査モードでは、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとが同期して走査される一方、ビームＰＢに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの減衰ファクターおよび像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
【００３４】
２．別のモードでは、マスクテーブルＭＴは、プログラマブル・パターニングデバイスを基本的に静止状態で保持し続け、基板テーブルＷＴは移動または走査される一方、ビームＰＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される。このモードでは、通常、パルス放射レーザが採用され、プログラマブル・パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラマブル・ミラーアレイのタイプなどのプログラマブル・パターニングデバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用可能である。プログラマブル・パターニングデバイスは、例えば、個別に制御可能な素子のアレイであってよい。
【００３５】
上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。
【００３６】
リソグラフィ装置はさらに、第１および第２位置センサＩＦ１，ＩＦ２に接続され、それらからの出力信号を受信する制御装置ＣＡを備える。制御装置ＣＡは、レーザＬＡに接続されており、レーザにより生成された放射ビームのパワーを制御する。制御装置ＣＡは、基板Ｗに供給される放射線量を変化させ、それによりマスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの振動に起因するコントラスト損失を補償するために、レーザＬＡにより生成された放射ビームのパワーを調整してもよい。
【００３７】
リソグラフィ装置が走査モードで動作するとき、上述したように、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、同期して走査される。リソグラフィ装置のスループットは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが移動する速度にかなりの程度依存する。従って、マスクテーブルおよび／または基板テーブルの振動の発生を引き起こすほど十分に速い速度で、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが走査される可能性がある。振動が小さい場合、振動は基板に露光される像にごくわずかな影響しか及ぼさないかもしれない（または、基板に露光されるパターンを損なわないような十分に小さい影響しか及ぼさないかもしれない）。しかしながら、振動が大きい場合、振動は基板に露光されたパターンにかなり有害な影響を及ぼす可能性がある。振動は、例えば基板に露光される機能デバイス（例えば、集積回路）が正確に動作するのを妨げる可能性がある。
【００３８】
望ましくない大きな振動は、基板テーブルＷＴの走査移動および／またはマスクテーブルＭＴの走査移動の特定の一部の間に生じる可能性がある。例えば、望ましくない振動は、各走査移動の最後に生じる可能性がある。本実施例においては、この振動により、基板上の各目標部分の端部にストライプが形成される可能性がある。このストライプは、不正確な寸法を有する、および／または誤って形成されているパターン・フィーチャを含んでいる。望まれていない振動が走査移動のある別の一部で生じていた場合、目標部分の対応部分にストライプが位置するであろう。走査露光において望まれていない振動が生じる位置にかかわりなく、ストライプは常に走査移動の方向に対して直角に走る。
【００３９】
図２は、基板Ｗ上に設けられたレジストＲへのラインの露光を概略的に示す。概して正弦波状の線量プロファイルＤを有する放射が、閾値Ｔ（点線で示す）を有するレジストＲ上に入射している。放射線量Ｄが閾値Ｔを超えている位置において、レジストＲ放射により露光される（レジストに化学変化が起こる）。現像液に対するレジストの露光は、現像液に対するレジストの化学的耐性を減少させる。レジストの露光の後に、現像液を用いて露光されたレジストが除去され、その結果、露光されていないレジストからパターンＰが残される（この場合、一対のライン）。レジストに形成されたパターンを永久的構造に変化させるために、エッチングおよび／または材料の堆積が用いられてもよい。この構造は、例えば、露光されていないレジストのラインＰの間に位置するラインを含んでもよい。
【００４０】
図３は、振動がレジストの露光に及ぼす影響を概略的に示す。図３において、振動は、放射線量プロファイルＤが相対的に浅くなっていることで概略的に示されるように、レジストに入射する放射のコントラストを低下させる。コントラストが低減した結果、放射により露光されるレジストの一部が広くなり、露光されない部分がそれに応じて狭くなる。従って、露光されていないレジストに形成されるラインＰは、所望のものよりも狭くなる。本発明の実施形態は、この望ましくない効果を低減する。
【００４１】
図１に図示された本発明の実施形態は、第１および第２位置センサＩＦ１，ＩＦ２を用いてマスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの振動を測定する。マスクＭＡは、マスクテーブルＭＴによりしっかりと保持されており、基板Ｗは基板テーブルＷＴによりしっかりと保持されている。従って、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの振動を測定することで、マスクＭおよび基板Ｗの振動が測定される。測定された振動は、制御装置ＣＡに送られる。制御装置ＣＡは、基板テーブルＷＴおよび／またはマスクテーブルＭＴの振動に起因するコントラストの低下を補償するために、レーザＬＡにより生成された放射のパワーを低下させる。
【００４２】
レーザＬＡにより生成された放射のパワーを低下させる効果が図４に概略的に示されている。図４は、振動が図３に適用された振動と同じである状態を表すことを意図している。従って、放射線量Ｄは、図３に見られるのと同じコントラストの低下を有する。図３では、コントラストの低下は、放射により露光されたレジストの部分を広げ、それに応じてレジストの露光されていない部分の幅を狭くしていた。しかしながら、図４に見られるように、放射線量を低下させることにより、露光されるレジストの割合が低下する。閾値Ｔを超える放射線量を受けるレジストの割合が小さくなるからである。従って、放射により露光されるレジストの部分の幅は、図２に見られるそれと一致している（すなわち、レジストに形成されるラインは、所望の幅を有する）。現像液を用いて録されたレジストを取り除く際、所望の寸法を有する露光されていないレジストから形成されたパターンＰが残される。その後、エッチングおよび／または材料の堆積により、所望の寸法を有する露光されていないレジストのラインＰ間に位置するラインが形成されてもよい。振動の影響は、それ故、（レジストＲに入射する放射線量を低下させることを通じて）レーザＬＡにより生成された放射のパワーを低下させることにより補償される。
【００４３】
測定されたマスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの相対的な振動の効果に対する補償は、基板上へ投影されるパターンが、相対的な振動がない場合に投影されるであろうパターン（ここでは所望のパターンと称する）と一致しているという状態を含む。この実施例が図４に図示されている。測定された相対的な振動の効果に対する補償はまた、基板上へ投影されるパターンが、補償が適用されていないが所望のパターンに一致していないという場合よりも所望のパターンに近いという状態を含む。（例えば、フィーチャが図２と図３の間の寸法を有するパターン）。言い換えると、補償は、（補償がない場合の投影パターンと比較して）投影パターンの改善を含む。
【００４４】
制御装置は、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの相対的な振動を監視してもよい。あまり起こりそうにないことであるが、基板テーブルＷＴの振動がマスクテーブルＭＴの振動と振幅および方向の両方に関して同期する状態を考慮することは有益である。このような場合、基板テーブルＷＴとマスクテーブルＭＴ間の相対的な振動はなく、基板Ｗに入射する放射の線量プロファイルにはコントラストの損失は見られないであろう。その結果、振動に起因するストライプは露光パターンに存在しないであろう。従って、レーザＬＡにより生成された放射のパワーを制御する（および基板に適用されるべき線量を決定する）際に、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとの間の相対的な振動が制御装置ＣＡにより考慮されてもよい。投影系ＰＬが減衰ファクター（例えば、４の減衰ファクター）を有する場合、相対的な振動測定はこれを考慮に入れてもよい。
【００４５】
相対的な振動は、移動平均として測定されてもよい。例えば基板上の所定位置が露光走査の間に放射を受ける時間帯を考慮する。相対的な振動の特性を示すために用いられる測定は、例えば移動標準偏差（標準偏差の平均）であってもよい。移動標準偏差は、基板上の所定位置が走査露光の間に放射を受ける時間帯に対応するタイムウィンドウを用いて測定されてもよい。
【００４６】
レーザＬＡにより生成された放射のパワーの調整は、制御装置ＣＡによりリアルタイムに行われてもよい。リソグラフィ装置は、レーザＬＡにより生成された放射の強度を測定するよう構成された強度センサ（図示せず）を含んでもよい。制御装置ＣＡは、強度センサの出力を考慮に入れてもよい。
【００４７】
パワー調整は、本リソグラフィ装置（または類似のリソグラフィ装置）で実行されるキャリブレーション測定に基づいてもよい。キャリブレーション測定は、基板における放射コントラストと、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとの相対的な振動との関係を測定してもよい。キャリブレーション測定は、相対的な振動に起因するコントラスト低下を補償するために、レーザＬＡのパワーをどれだけ低下させるべきか決定してもよい。キャリブレーション測定の結果は、制御装置内にある（または制御装置に接続された）メモリに格納されてもよい。キャリブレーション測定の結果は、ルックアップテーブルの形式で（またはある別の形式で）格納されてもよい。キャリブレーション測定値間の補間が制御装置により行われてもよい。
【００４８】
レーザＬＡは、例えば放射のパルスを生成してもよい。この場合、複数の放射パルス（例えば３０パルス）を用いて、所望の放射線量を基板上の所定位置に供給することができる。制御装置ＣＡは、レーザにより生成されたパルスのエネルギーを合計して露光位置における所望の総放射線量を供給するよう、レーザＬＡを制御してもよい。所望の総放射線量は、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴの相対的な振動を考慮に入れている。レーザＬＡから供給されたパワーの調整は、例えば、パルスベースによりパルスに行われてもよい。例えば、露光位置に届けられた第１パルスが過剰なエネルギーを有している場合、第２パルスのエネルギーはこれを補償するよう低下されてもよい。第２パルスのエネルギーが低すぎる場合、第３パルスはこれを補償するために高いエネルギー有していてもよい。このようにレーザパルスのエネルギーを制御することにより、露光位置に届けられる放射線量の反復制御がもたらされる。
【００４９】
レーザ放射パルスのエネルギーは、パルスのピークパワーを変化させることにより、および／またはパルスの持続時間を変化させることにより変更されてもよい。一実施形態においては、基板の所定位置に届けられる放射線量は、レーザパルスが生成される周波数（レーザの繰り返し率と呼ばれることもある）を制御することにより変更されてもよい。
【００５０】
レーザＬＡは、例えば連続的な放射ビームを生成してもよい。この場合、制御装置は、レーザにより生成される放射ビームのパワーを制御してもよい。
【００５１】
レーザ以外の放射源を用いて放射ビームを生成する場合、制御装置は、放射源により生成された放射ビームのパワーを制御してもよい。
【００５２】
異なるパターンフィーチャに対し、振動に起因するコントラスト損失の影響が異なる可能性がある。例えば、密度の高いラインは、孤立したラインよりも振動の影響を受ける可能性がある（または違うように影響を受ける可能性もある）。基板上に投影されたパターンが複数の異なるフィーチャを含む場合、振動を補償するための放射の調整は、パターンの最もクリティカルなフィーチャ向けに最適化されてもよい（すなわち、放射を用いた補償は、フィーチャのコントラスト損失による影響の受け方を考慮に入れてもよい）。
【００５３】
一実施形態において、以前の走査露光の間に測定された振動を用いて、それに続く走査露光の間にレーザＬＡにより生成される放射のパワーを前もって決定してもよい。これは、例えば、別の走査露光がマスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴ間の同じまたは類似の相対的振動に苦しんでいる場合に用いられてもよい。これは、例えば基板の特定領域に位置する目標部分を走査露光する場合であってもよい。
【００５４】
一実施形態において、以前の基板露光の間に測定された振動を用いて、それに続く基板露光の間にレーザＬＡにより生成される放射のパワーを前もって決定してもよい。これは、例えばマスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴ間の相対的振動が連続する基板露光の間において一貫していると分かっている場合に用いられてもよい。
【００５５】
説明した実施形態は、干渉計デバイスＩＦ１，ＩＦ２を用いてマスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの位置を監視しているが、任意の適切な位置監視装置が用いられてもよい。例えば、エンコーダを用いてもよい。位置監視装置は、例えばマスクテーブルＭＴまたは基板テーブルＷＴの位置の所望の位置からの偏差を測定してもよい。
【００５６】
説明した本発明の実施形態は、走査リソグラフィ露光に関するが、本発明は他の形態のリソグラフィ装置に用いられてもよい。例えば、本発明は、静止状態で基板を走査する（例えば上述のモード２）個別に制御可能な素子のアレイを用いるリソグラフィ装置に用いられてもよい。この場合、個別に制御可能な素子のアレイは、基板の走査移動の間に振動しないと仮定してよく、プログラマブル・パターニングデバイスと基板間の相対的振動は、測定された基板テーブルの振動にのみ基づいて決定され得る。
【００５７】
本発明の実施形態の説明は、ほとんどマスクテーブルＭＴにより保持されたマスクＭＡに言及している。これらは、パターニングデバイスおよびパターニングデバイスを支持するための支持構造の具体例であると考えられる。パターニングデバイスは、例えば個別制御可能な素子のアレイであってもよく、支持構造は、例えば個別制御可能な素子のアレイを支持してもよい。
【００５８】
本発明の実施形態は、ポジティブ・レジストに関連して説明されているが、本発明は、ネガティブ・レジストに用いられてもよい。ネガティブ・レジストを用いる場合、振動を補償するために、放射源のパワーを低下させる代わりに放射源のパワーを増大させる。
【００５９】
説明した本発明の実施形態は、基板テーブルＷＴの位置を監視することにより基板Ｗの振動を測定しているが、基板の振動は任意の適切な構成要素の位置を監視することにより測定されてもよい。例えば、基板の振動は、基板の位置を直接監視することにより測定されてもよい。
【００６０】
説明した本発明の実施形態は、マスクテーブルＭＴの位置を監視することによりマスクＭＡの振動を測定しているが、マスクの振動は任意の適切な構成要素の位置を監視することにより測定されてもよい。例えば、マスクの振動は、マスクの位置を直接監視することにより測定されてもよい。
【００６１】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。本説明は、本発明を限定することを意図していない。
【００６２】
「発明を実施するための形態」が特許請求の範囲を解釈するために用いられることが意図されており、「発明の概要」および「要約」の部分は特許請求の範囲を解釈するために用いられることが意図されていないことが認められるべきである。「発明の概要」および「要約」の部分は、発明者によって考案された本発明の実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べている訳ではない。したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。
【００６３】
特定の機能および関係の実現を例証する機能的な構成要素の助けを用いて本発明を説明してきた。これらの機能的な構成要素の境界は、説明の便宜上、適宜定義されている。それらの特別な機能および関係が適切に実行される限り、別の境界も定義することができる。
【００６４】
特定の実施形態についての上記説明は発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当分野の能力に含まれる知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、種々の応用に対してそのような特定の実施形態を直ちに修正しおよび／または適応させることができる。したがって、そのような適応および修正は、本書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内であると意図されている。本書の言葉遣いおよび専門用語は説明を目的としており限定のためではなく、本明細書の専門用語または言葉遣いは教示および助言を考慮して当業者によって解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００６５】
本発明の広がりおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物にしたがってのみ規定されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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