(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、外周が面取りされたボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせ、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、貼り合わせウェーハを製造する方法において、
前記ボンドウェーハの薄膜化は、前記ボンドウェーハを第１の所定の厚さまで平面研削する第１の工程と、前記平面研削したボンドウェーハの外周部を除去する第２の工程と、前記ボンドウェーハを第２の所定の厚さまで平面研削して薄膜化する第３の工程とを有し、前記第１の工程において、第１の所定の厚さを、前記研削後のボンドウェーハの外周の残角が４０度以上となるような厚さとし、前記第２の工程において、前記ベースウェーハの面取り形状に合わせた形状の面取りホイールを用いて、前記ベースウェーハの形状を変化させることなく、前記ボンドウェーハの外周部を除去することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第３の工程において、第１の工程の平面研削で用いる研削ホイールの平均砥粒径より小さい平均砥粒径の研削ホイールを用いて平面研削することを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程の後に、化学的エッチングを行わずに、前記ボンドウェーハの面取り部及び表面の鏡面研磨処理を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを貼り合わせてＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハ等を製造する方法に関し、特にＳＯＩ層膜厚が５０μｍ以上の厚膜ＳＯＩウェーハの製造において、貼り合わせ後のボンドウェーハの外周部のカケを抑制するＳＯＩウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高性能デバイス用のウェーハとして、ボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせたＳＯＩウェーハが使用されている。これは、例えば、次のようにして製造することができる。すなわち、鏡面研磨された２枚のシリコンウェーハ（ボンドウェーハとベースウェーハ）を用意し、少なくとも一方のウェーハに酸化膜を形成させる。そして、これらのウェーハを貼り合わせた後、２００〜１２００℃の温度で熱処理して結合強度を高める。その後、素子作製側ウェーハ（ボンドウェーハ）を研削及び研磨して所望の厚さまで薄膜化することにより、ＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハを製造することができる。
【０００３】
尚、この他にも、貼り合わせウェーハを製造する場合、酸化膜を介さずに直接シリコン
ウェーハ同士を貼り合わせる場合がある。また、ベースウェーハとして、石英、炭化珪素
、アルミナ等の絶縁性ウェーハを用いる場合もある。
【０００４】
一般的に、ボンドウェーハとベースウェーハの貼り合わせ後、ボンドウェーハの薄膜化加工として、平面研削加工と表面鏡面研磨加工が行われる。例えば、ボンドウェーハの最終厚さが５０μｍの場合、表面鏡面研磨は１０〜２０μｍの研磨量で行われるので、研削加工後のボンドウェーハの厚さは６０〜７０μｍとなる。
通常、ボンドウェーハとベースウェーハの外周は面取りされており、例えば、一般的な面幅３５０μｍ、面取り角度１８度、断面先端円Ｒ２８０μｍの厚さ７７５μｍの直径３００ｍｍウェーハの面取り形状の場合、薄膜化後のボンドウェーハの外周部の断面形状は、ベースウェーハと未接合の状態で先端の角度（残角）が約２０度程度と非常に鋭利な形状となる。そのため、平面研削工程中やその後工程において、ボンドウェーハの外周部にカケが頻発し、更にカケを起点にボンドウェーハが剥離するという問題があった。
【０００５】
このようなボンドウェーハの外周部のカケを抑制するために、ボンドウェーハの外周部の研削を、研削する外周部の所定幅のうち外周側について、貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウェーハを研削する工程と、研削する外周部の所定幅のうち残りの内周側について、ベースウェーハにダメージを与えない厚さでボンドウェーハを研削する工程により行う方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、ベースウェーハの面取り部周辺上の点と、ボンドウェーハとベースウェーハの接合面上の点とを結ぶ直線の外側部分を研削により取り除いてからボンドウェーハの薄膜化加工を行う方法が提案されている（特許文献２参照）。
また、貼り合わせ後に平面研削により薄膜化し、その外周部を３０度〜６０度の範囲の面取り角度で面取り加工する方法が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２５３５９５号公報
【特許文献２】特開平３―８３３２０号公報
【特許文献３】特開２００７−２１４２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記した特許文献１では、ボンドウェーハの外周部が除去されるため、カケは発生しなくなるものの、テラスと呼ばれるベースウェーハの露出が現れ、デバイス素子領域の面積が縮小すること、またテラス段差部が研磨できず、デバイス工程中で発塵等の要因となり得ることなどの問題がある。
また、特許文献２では、ベースウェーハの直径が減ることなく、ボンドウェーハの直径減少は僅かであるため、素子形成面積の増大を図ることができ、また加工時のカケの発生は抑制し易いものの、ボンドウェーハの研削除去量が非常に大きく、加工に多大な時間を要し、非現実的な製造方法であった。
また、特許文献３では、面取り加工によるウェーハ直径の縮小が避けられないこと、通常の面取り角度１８度程度の面取り形状と大きくかけ離れた形状となり、デバイス工程中の面取り部からの発塵が大きな課題となる。
【０００９】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ベースウェーハの形状を変化させることなく、ボンドウェーハの直径減少を極力抑制しつつ、ＳＯＩ層等の薄膜化したボンドウェーハ外周部にカケ、更にカケを起点に剥離のない貼り合わせウェーハを短時間で製造できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明によれば、少なくとも、外周が面取りされたボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせ、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、貼り合わせウェーハを製造する方法において、前記ボンドウェーハの薄膜化は、前記ボンドウェーハを第１の所定の厚さまで平面研削する第１の工程と、前記平面研削したボンドウェーハの外周部を除去する第２の工程と、前記ボンドウェーハを第２の所定の厚さまで平面研削して薄膜化する第３の工程とを有することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。
【００１１】
このように、前記ボンドウェーハの薄膜化が、前記ボンドウェーハを第１の所定の厚さまで平面研削する第１の工程と、前記平面研削したボンドウェーハの外周部を除去する第２の工程と、前記ボンドウェーハを第２の所定の厚さまで平面研削して薄膜化する第３の工程とを有する貼り合わせウェーハの製造方法であれば、第１の工程でボンドウェーハのカケの発生が抑制される第１の所定の厚さにした後、第２の工程でベースウェーハの形状を変化させず、ボンドウェーハの直径減少を極力抑制しつつ、ボンドウェーハの外周部を容易に短時間で除去できる。その結果、ＳＯＩ層等の薄膜化したボンドウェーハ外周部にカケ、更にカケを起点に剥離がなく、デバイス素子領域の縮小が極力抑制された貼り合わせウェーハを短時間で製造することができる。
【００１２】
このとき、前記第１の工程において、第１の所定の厚さを、前記研削後のボンドウェーハの外周の残角が４０度以上となるような厚さとすることが好ましい。
このように、前記第１の工程において、第１の所定の厚さを、前記研削後のボンドウェーハの外周の残角が４０度以上となるような厚さとすれば、ボンドウェーハの外周部のカケの発生をより確実に抑制することができる。
【００１３】
またこのとき、前記第２の工程において、前記ベースウェーハの面取り形状に合わせた形状の面取りホイールを用いて、前記ベースウェーハの形状を変化させることなく、前記ボンドウェーハの外周部を除去することが好ましい。
このように、前記第２の工程において、前記ベースウェーハの面取り形状に合わせた形状の面取りホイールを用いて、前記ベースウェーハの形状を変化させることなく、前記ボンドウェーハの外周部を除去すれば、確実にベースウェーハの形状を変化させず、ボンドウェーハの直径減少を極力抑制しつつ、ボンドウェーハの外周部のみを除去できる。
【００１４】
またこのとき、前記第３の工程において、第１の工程の平面研削で用いる研削ホイールの平均砥粒径より小さい平均砥粒径の研削ホイールを用いて平面研削することができる。
このように、前記第３の工程において、第１の工程の平面研削で用いる研削ホイールの平均砥粒径より小さい平均砥粒径の研削ホイールを用いて平面研削すれば、第１の工程で粗研削し、第３の工程で精研削して研削時間を削減しつつ精度良くボンドウェーハの薄膜化を行うことができる。
【００１５】
またこのとき、前記第３の工程の後に、化学的エッチングを行わずに、前記ボンドウェーハの面取り部及び表面の鏡面研磨処理を行うことができる。
このように、前記第３の工程の後に、化学的エッチングを行わずに、前記ボンドウェーハの面取り部及び表面の鏡面研磨処理を行えば、エッチング工程を省略することで製造コストを削減することができ、一般的な鏡面研磨処理によって、デバイス素子製造工程における発塵を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハの薄膜化が、ボンドウェーハを第１の所定の厚さまで平面研削する第１の工程と、前記平面研削したボンドウェーハの外周部を除去する第２の工程と、前記ボンドウェーハを第２の所定の厚さまで平面研削して薄膜化する第３の工程とを有するので、第１の工程でボンドウェーハのカケの発生が抑制される厚い第１の所定の厚さにした後、第２の工程でベースウェーハの形状を変化させず、ボンドウェーハの直径減少を極力抑制しつつ、ボンドウェーハの外周部を容易に短時間で除去できる。その結果、ＳＯＩ層等の薄膜化したボンドウェーハ外周部にカケ、更にカケを起点に剥離がなく、デバイス素子領域の縮小が極力抑制された貼り合わせウェーハを短時間で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】ボンドウェーハ及びベースウェーハの面取り部の一例を説明する説明図である。
【図３】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法で用いることができる研削装置の一例を示す概略図である。
【図４】ＳＯＩ層の厚さ、残角Φ及び角度θの関係を示す図である。
【図５】残角Φとカケ・チップの発生率の関係を調査する実験の結果を示す図である。
【図６】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法で用いることができるボンドウェーハの外周部を除去するための研削ホイールの一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明について貼り合わせウェーハとしてＳＯＩウェーハを例として実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
一般的に、厚膜のＳＯＩウェーハの製造においては、ボンドウェーハとベースウェーハの貼り合わせ後のボンドウェーハの薄膜化加工として、平面研削加工と表面鏡面研磨加工が行われる。
このボンドウェーハとベースウェーハの外周は通常面取りされており、薄膜化後のボンドウェーハの外周部の断面形状はベースウェーハと非接合の状態で先端が尖った形状となる。そのため、平面研削加工中やその後工程において、ボンドウェーハの外周部にカケが頻発し、更にそのカケを起点にボンドウェーハが剥離するという問題があった。特にＳＯＩ層が５０μｍ以上の厚膜のＳＯＩウェーハの製造においてカケが発生しやすい状況にあった。
【００１９】
従来、このようなボンドウェーハの外周部のカケを抑制するための方法が提案されているが、ベースウェーハの形状の変化や、ＳＯＩ層の直径の減少を伴ったり、加工に多大な時間を要してしまったりというような問題があった。
【００２０】
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、ＳＯＩウェーハ等の貼り合わせウェーハの貼り合わせ後の薄膜化加工において、平面研削による加工工程を２回に分け、その中間にボンドウェーハの外周部の非接合部分を除去する工程を設けることで、従来困難であった上記したような薄膜化時のボンドウェーハの外周部のカケやカケ起点の膜剥がれの問題を簡便な方法で解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００２１】
図１は本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例を示すフローチャートである。
まず、ベースウェーハとボンドウェーハを準備し、両者を貼り合わせ、接合熱処理を行い、貼り合わせウェーハを作製する（工程Ａ）。この際、ベースウェーハとボンドウェーハの少なくとも１方に酸化膜を形成して貼り合わせを行うことでＳＯＩ構造を形成できる。また、接合熱処理は、例えば２００〜１２００℃の温度で行うことができる。
【００２２】
このようにして作製した貼り合わせウェーハの一例を図２に示す。図２に示すように、貼り合わせウェーハ１に用いられるベースウェーハ２とボンドウェーハ３の外周は面取りが施されている。これらウェーハは標準的な直径３００ｍｍウェーハの面取り形状を有するもので、ウェーハ表面の外周部が外側に向かってテーパ状に形成され、このテーパ部と側面との間にＲ部が形成されている。また、ウェーハの厚さは７７５μｍ、テーパ角は１８度、Ｒ部の半径は２８０μｍ、面幅が３５０μｍとなっている。もちろん、これらの数値は一例であって、ウェーハの仕様等により決定されるべきものであり、本発明においてこれらに限定されることはない。
【００２３】
次に、ボンドウェーハ３を第１の所定の厚さＴ１まで平面研削する（第１の工程）。この平面研削は図３に示すような研削装置４を用い、貼り合わせウェーハのベースウェーハ側裏面を回転可能な吸着テーブル５に固定し、表面より自転する研削ホイール６を、ウェーハの厚さ方向に切り込み、図示しない厚みセンサーにより所望の厚さで研削することができる。このとき、研削時間を考慮し、粗研削用の研削ホイールを用いることができ、例えば平均砥粒径が２０〜３０μｍ（＃３００〜＃６００番手）のものを用いることができる。
【００２４】
ここで、図２に示すように、ボンドウェーハ３を第１の所定の厚さＴ１まで平面研削すると、ボンドウェーハ３の外周部の断面形状は、ベースウェーハ２と未接合の状態で先端が残角Φの尖った形状となる。ここで、残角とは、図２に示すような上記したウェーハの場合、ボンドウェーハの厚さがＴ１のときのボンドウェーハ表面（研削面）の最外周点ＱにおけるＲ部の接線とボンドウェーハ表面（研削面）との交差角である。ここで、Ｒ部が始まる点をＰ、ＰとＱとのなす角をθとする。
【００２５】
この残角Φは、ボンドウェーハ３の第１の所定の厚さを薄くするほど鋭角になり、残角Φが鋭角になるほど外周部にカケが発生し易くなる。そこで、第１の工程では、平面研削後にボンドウェーハの外周部のカケが抑制できる残角となるように第１の所定の厚さを決定して平面研削を行う。
このようにすれば、第１の工程のみならず、後工程である第２の工程のボンドウェーハの外周部の除去や第３工程のボンドウェーハの薄膜化においてもカケの発生を抑制でき、ＳＯＩ層の剥離を防ぐことができる。尚、ベースウェーハ及び／又はボンドウェーハに形成した酸化膜は非常に薄いので、第１の所定の厚さを決定する際にはこの酸化膜に関して考慮に入れなくても良い。
【００２６】
図４は、図２に示すような貼り合わせウェーハ１のボンドウェーハ３を研削した場合のＳＯＩ層の厚さ（Ｔ１）、残角Φ及び上記したＰ点とＱ点とのなす角θとの関係を示した図である。
図４に示すように、θが大きくなるほどＳＯＩ層の厚さは薄くなり、ＳＯＩ層の厚さが薄くなるに従って残角Φも小さくなっている。
【００２７】
本発明者は、このような貼り合わせウェーハ１のボンドウェーハ３を平面研削した際の、残角Φとボンドウェーハの外周部のカケ、チップの発生率との関係を調査するための実験を以下のようにして行った。
すなわち、表１に示すような残角Φ、ボンドウェーハの厚さとなるように平面研削を行い、その研削中のボンドウェーハの外周部のカケ、チップの発生率を調査した。
図５に残角Φとボンドウェーハの外周部のカケ、チップの発生率との関係の結果を示す。図５に示すように、残角Φが４０度以上であればカケが発生しないことが分かった。
【００２８】
すなわち、第１の工程における第１の所定の厚さを４０度以上となるような厚さとして平面研削を行うようにすれば、平面研削時、更には後工程においてカケの発生をより確実に抑制できる。なお、残角Φの上限は特に限定されないが、第１の所定の厚さが厚くなるほど第２、第３の工程での加工時間が増加してしまい、６０度程度が好ましい。
【表１】
0005521582.tif 000002
【００２９】
次に、第１の工程で第１の所定の厚さに平面研削したボンドウェーハの外周部を除去する（第２の工程）。上記したように、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、第１の工程において、ボンドウェーハのカケの発生が抑制される第１の所定の厚さまで研削しているので、第２の工程においてもボンドウェーハのカケの発生を抑制でき、ベースウェーハの形状を変化させず、ボンドウェーハの直径減少を極力抑制しつつ、ボンドウェーハの未結合で残っている外周部の除去を容易に行うことができる。また、ボンドウェーハの外周部の除去量も少なくなるので、加工時間を低減でき、貼り合わせウェーハを短時間で製造することができる。
【００３０】
このボンドウェーハ３の外周部の除去は、例えば図６に示すように、ベースウェーハ２の面取り形状に合わせた形状の面取りホイール６を用いて、貼り合わせウェーハ１のベースウェーハ側裏面を回転可能な吸着テーブル５に固定し、ボンドウェーハ３の外周部のみを研削して除去することができる。
このように、ベースウェーハ２の面取り形状に合わせた形状の面取りホイール６を用いて、確実にベースウェーハ２の形状を変化させず、ボンドウェーハ３の直径減少を極力抑制しつつ、ボンドウェーハ３の外周部のみを除去できる。
【００３１】
また、第２の工程におけるボンドウェーハ３の外周部の除去は、加工時間を考慮し、粗研削と精研削の２段階の研削によって行うことができる。例えば、粗研削では、平均砥粒径が８〜１５μｍ（＃８００〜＃１５００番手）の研削ホイールを用い、精研削では、平均砥粒径が５μｍ以下（＃３０００番手以上）の研削ホイールを用いることができる。
【００３２】
次に、外周部の未結合の角部を除去したボンドウェーハを第２の所定の厚さまで平面研削して薄膜化する（第３の工程）。
第３の工程では、例えば第２の所定の厚さを鏡面研磨前のＳＯＩ層の厚さとして平面研削して薄膜化することができる。この平面研削は、第１の工程の平面研削と同様に図３に示すような研削装置を用い、貼り合わせウェーハ１のベースウェーハ側裏面を回転可能な吸着テーブル５に固定し、表面より自転する研削ホイール６を、ウェーハの厚さ方向に切り込み、図示しない厚みセンサーにより所望の厚さで研削することができる。
【００３３】
このとき、第１の工程の平面研削で用いる研削ホイール６の平均砥粒径より小さい平均砥粒径の研削ホイール６を用いて平面研削することが好ましい。
ここで、研削ホイール６の平均砥粒径はダメージ深さが小さいほどよく、例えば平均粒径を１μｍ以下（＃８０００番手以上）とすることが望ましい。
このようにして、ＳＯＩ層の厚さを所望の厚さに薄膜化してＳＯＩウェーハを得ることができる。
【００３４】
また第３の工程の後、図１に示すように、薄膜化後のボンドウェーハの外周の面取り部を鏡面研磨することができる（工程Ｂ）。
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、薄膜化後のボンドウェーハの外周の面取り部の断面形状は段差のない、例えば図６に示すようなテーパ形状とすることができるため、一般的な面取り部の鏡面研磨処理が可能である。この際、ベースウェーハの面取り部も同時に研磨しても良い。
また同様に、薄膜化後のボンドウェーハの表面を鏡面研磨することができる（工程Ｃ）。
【００３５】
このように、ボンドウェーハの面取り部及び表面の鏡面研磨処理を行えば、デバイス素子製造工程における発塵を防ぐことが可能となる。また、図６に示すような研削ホイールを用いることでダメージ深さを十分に小さくできるので、エッチングを省略することが可能となる。
【００３６】
以上説明したように、本発明では、貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハを第１の所定の厚さまで平面研削する第１の工程と、前記平面研削したボンドウェーハの外周部（未結合の面取り部）を除去する第２の工程と、前記ボンドウェーハを第２の所定の厚さまで平面研削して薄膜化する第３の工程とを有するので、第１の工程でボンドウェーハのカケの発生が抑制される第１の所定の厚さにした後、第２の工程でベースウェーハの形状を変化させず、ボンドウェーハの直径減少を極力抑制しつつ、ボンドウェーハの外周部を容易に短時間で除去できる。その結果、ＳＯＩ層等の薄膜化したボンドウェーハ外周部にカケ、更にカケを起点に剥離がなく、デバイス素子領域の縮小が極力抑制された貼り合わせウェーハを短時間で製造することができる。
尚、上記では貼り合わせウェーハとしてＳＯＩウェーハを例として説明したが、直接接合した貼り合わせウェーハにおいても本発明を適用できるし、同様の効果を奏することができる。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
（実施例）
図１に示すような本発明の貼り合わせウェーハの製造方法に従ってＳＯＩウェーハを製造した。
製造するＳＯＩウェーハの最終仕上げ厚さを５０μｍとした。
まず、図２に示すような、直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍ、面取り部の形状が面幅３５０μｍ、面取り角１８度、Ｒ部の半径２８０μｍのシリコンウェーハをボンドウェーハ及びベースウェーハとして準備し、両者を貼り合わせて結合熱処理を行い、２枚の貼り合わせウェーハを作製した。
【００３９】
次に、第１の工程において、２枚の貼り合わせウェーハのボンドウェーハを第１の所定の厚さ１６０μｍ、１０２μｍまでそれぞれ平面研削した。この第１の所定の厚さは表１に示すように、平面研削後のボンドウェーハの外周部の残角Φが４０度以上（５６度、４０度）となる厚さである。
この際、平面研削加工は図３に示すような研削装置を用い、ダイヤモンド＃３２０砥粒の研削ホイールを用いた。このとき、ボンドウェーハの外周部のカケの発生は認められなかった。
【００４０】
次に、第２の工程において、ボンドウェーハの外周部の未接合部分を除去した。ボンドウェーハの外周部の除去は、図６に示すような、ベースウェーハの面取り形状に合わせた形状の面取りホイールを用いて、ベースウェーハの形状を変化させることなく行った。この際、＃１５００番手の研削ホイールによる粗研削と、その後の＃３０００番手の研削ホイールによる精研削により外周部を除去した。
このとき、第１の工程と同様に、ボンドウェーハの外周部のカケは発生せず、そのためカケによるボンドウェーハの剥離も発生しなかった。
【００４１】
次に、第３の工程において、ボンドウェーハを第２の所定の厚さ（６０μｍ）まで平面研削した。平面研削加工は図３に示すような研削装置を用い、ダイヤモンド＃８０００砥粒の研削ホイールを用いた。
この結果、ＳＯＩ層にカケ、カケ起点の剥離がなく、ベースウェーハの形状の変化がなく、直径減少が極力抑制されたＳＯＩウェーハを得ることができた。
【００４２】
その後、更に、ボンドウェーハの外周の面取り部及び表面の鏡面研磨加工を行いＳＯＩ層の厚さを５０μｍとした。鏡面研磨加工は通常のシリコンウェーハの加工工程で用いられる鏡面研磨加工により、エッチング液を用いた化学的エッチングなしに行った。このように、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、段差のない外周部の断面形状が得られるため、容易に鏡面研磨加工を行うことができる。
【００４３】
（比較例）
ボンドウェーハの薄膜化後に外周部を除去する従来のＳＯＩウェーハの製造方法によってＳＯＩウェーハを製造した。
実施例と同様、製造するＳＯＩウェーハの最終仕上げ厚さを５０μｍとした。
まず、実施例と同様の貼り合わせウェーハを作製した。
【００４４】
次に、ダイヤモンド＃３２０砥粒の研削ホイールを用いて、ボンドウェーハを厚さ９０μｍまで平面研削し、更にダイヤモンド＃８０００砥粒の研削ホイールを用いて、ボンドウェーハを厚さ６０μｍまで平面研削して薄膜化した。この際、ボンドウェーハの外周部の残角は約２３度であった。
その後、ボンドウェーハの外周部の未接合部分を実施例と同様にして除去した。そして、ボンドウェーハの外周の面取り部及び表面の鏡面研磨加工を行いＳＯＩ層の厚さを５０μｍとし、ＳＯＩウェーハを得た。
【００４５】
その結果、上記のような方法で製造したＳＯＩウェーハには以下の不具合が発生することが確認できた。
まず、＃３２０の研削ホイールを用いて、ボンドウェーハを厚さ９０μｍまで平面研削した際に、ボンドウェーハの外周部に０．１〜１ｍｍのカケが多数発生した。
更に、＃８０００砥粒の研削ホイールを用いて、ボンドウェーハを厚さ６０μｍまで平面研削した際に、上記のカケの残留以外に０．１〜０．５ｍｍの新たなカケが発生した。
【００４６】
また、ボンドウェーハの外周部の除去の際、上記で発生したカケを起点にＳＯＩ層膜が剥がれるという問題が発生した。
このように、比較例の方法では、ボンドウェーハの外周部にカケやカケ起点のＳＯＩ層膜剥がれが生じ易いという問題があることが確認できた。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４８】
１…貼り合わせウェーハ、  ２…ベースウェーハ、  ３…ボンドウェーハ、
４…研削装置、  ５…吸着テーブル、  ６…研削ホイール。
【図１】
0005521582.tif 000003
【図２】
0005521582.tif 000004
【図３】
0005521582.tif 000005
【図４】
0005521582.tif 000006
【図５】
0005521582.tif 000007
【図６】
0005521582.tif 000008