(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ及びガイドピンを整列・収容するための複数のＶ溝を有するＶ溝基板と、前記Ｖ溝基板を保持するステージと、前記光ファイバを押さえつけて前記Ｖ溝に固定するための押さえ板と、前記押さえ板を保持するアームと、前記アームを前記ステージに対して開閉させるためのヒンジ機構回転軸と、前記ステージにおいて前記ヒンジ機構回転軸と近接した側に設けられた第１の磁石と、前記ステージにおいて前記ヒンジ機構回転軸から離れた側に設けられた第２の磁石と、前記ヒンジ機構回転軸により前記アームを閉じたときに前記第１の磁石と近接するように前記アームに設けられた第１の磁力調整ねじと、前記ヒンジ機構回転軸により前記アームを閉じたときに前記第２の磁石と近接するように前記アームに設けられた第２の磁力調整ねじとを備え、前記ヒンジ機構回転軸により前記アームを閉じることよって、前記Ｖ溝に収容された前記ガイドピンと前記押さえ板とが接触し、前記Ｖ溝に収容された前記光ファイバが前記押さえ板の底面と前記光ファイバが配置されたＶ溝との間に保持され、前記第１の磁力調整ねじの押し込み量を調整することにより前記第１の磁力調整ねじと第１の磁石との間で発生する磁力を調整可能であり、前記第２の磁力調整ねじの押し込み量を調整することにより前記第２の磁力調整ねじと第２の磁石との間で発生する磁力を調整可能であるレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具であって、
前記ガイドピンは、前記光ファイバが配置されたＶ溝を挟んで両側のＶ溝に配置され、
前記アームは、前記ヒンジ機構回転軸を収容可能に構成された孔を有し、
前記孔と前記ヒンジ機構回転軸との間には、前記第１の磁力調整ねじ又は前記第２の磁力調整ねじの押し込み量を調整することにより前記アームを傾斜させるようにすきま公差が設定されていることを特徴とするレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具。
【請求項２】
前記孔及び前記ヒンジ機構回転軸は、すきまばめとなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１を用いて、従来技術に係るＣＯ2レーザ照射によるレーザ融着治具の構成を説明する。図１（ａ）は、ヒンジ機構が閉じられた状態の従来技術に係るレーザ融着治具の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）で示されるａ−ａ’断面を示す斜視図であり、図１（ｃ）は、ヒンジ機構が開かれた状態の従来技術に係るレーザ融着治具の斜視図である。以下で示される各図において、図中のｘ軸方向は光ファイバのアレイ方向を示し、ｙ軸方向は光ファイバの長尺方向を示し、ｚ軸方向は高さ方向を示す。
【０００３】
図１（ａ）−（ｃ）に示されるように、従来技術に係るレーザ融着治具は、ステージ１と、ステージ１に設けられた磁石２−Ｌ及び２−Ｒと、ねじ面を扁平にした扁平部７−Ｌ及び７−Ｒがそれぞれ端部に設けられた磁力調整ねじ３−Ｌ及び３−Ｒと、ステージ１上に設置されたＶ溝基板４と、光ファイバ５−ａ及び５−ｂをそれぞれ位置決めするための押さえ板６−ａ及び６−ｂと、ガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒと、押さえ板６−ａ及び６−ｂをそれぞれ保持するアーム１０−ａ及び１０−ｂと、ステージ１に対してアーム１０−ａ及び１０−ｂを開閉するためのヒンジ機構回転軸１１とで構成される。ここで、図１においては、簡略化のため、光ファイバ５−ａ及び５−ｂを１対だけＶ溝９に配置する構成を示しているが、複数対の光ファイバ５−ａ及び５−ｂをＶ溝９に配置する構成とすることができる。以下で示される各図においても、簡略化のため、１対の光ファイバ５−ａ及び５−ｂのみを示すこととする。
【０００４】
磁石２−Ｌは、ステージ１においてヒンジ機構回転軸１１と近接する側に埋設され、またアーム１０−ａ側及びアーム１０−ｂ側にそれぞれ埋設されている。磁石２−Ｒは、ステージ１においてヒンジ機構回転軸１１から離れた側に埋設され、またアーム１０−ａ側及びアーム１０−ｂ側にそれぞれ埋設されている。磁力調整ねじ３−Ｌ及び３−Ｒは、アーム１０−ａ及び１０−ｂにそれぞれ内蔵されている。アーム１０−ａ及び１０−ｂの磁力調整ねじ３−Ｌはそれぞれ、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じると、扁平部７−Ｌを介して磁石２−Ｌと近接して磁石２−Ｌとの間で磁力を発生するように設置されている。アーム１０−ａ及び１０−ｂの磁力調整ねじ３−Ｒはそれぞれ、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じると、扁平部７−Ｒを介して磁石２−Ｒと近接して磁石２−Ｒとの間で磁力を発生するように設置されている。磁力調整ねじ３−Ｌの押し込み量を調整することにより、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じた場合に、扁平部７−Ｌと磁石２−Ｌとの間で発生する磁力を調整することができる。また、磁力調整ねじ３−Ｒの押し込み量を調整することにより、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じた場合に、扁平部７−Ｒと磁石２−Ｒとの間で発生する磁力を調整することができる。扁平部７−Ｌは、磁石２−Ｌに対する磁力を高めるために磁力調整ねじ３−Ｌの磁石２−Ｌと近接する側の端部に設けられ、扁平部７−Ｒは、磁石２−Ｒに対する磁力を高めるために磁力調整ねじ３−Ｒの磁石２−Ｒと近接する側の端部に設けられている。Ｖ溝基板４は、光ファイバ５−ａ及び５−ｂとガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒとを整列・収容するための複数のＶ溝９を有する。押さえ板６−ａは、アーム１０−ａを閉じた場合に光ファイバ５−ａをＶ溝基板４に押さえつけて一定のクリアランス内で収まるように収容するために用いられ、押さえ板６−ｂは、アーム１０−ｂを閉じた場合に光ファイバ５−ｂをＶ溝基板４に押さえつけて一定のクリアランス内で収まるように収容するために用いられる。ガイドピン８−Ｒ及び８−Ｌは、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じた場合にＶ溝基板４と押さえ板６−ａ及び６−ｂとの間の間隔を一定に保つために、Ｖ溝基板４のＶ溝９に配置される。アーム１０−ａ及び１０−ｂは、ヒンジ機構回転軸１１を中心として回転可能に構成されている。アーム１０−ａ及び１０−ｂの開閉動作は、ヒンジ機構回転軸１１により可能となる。図１（ａ）では、光ファイバ５−ａ及び５−ｂがＶ溝９に収容され、ヒンジ機構回転軸１１によりアーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じることよって光ファイバ５−ａ及び５−ｂがｘ軸方向及びｚ軸方向に関して位置決めされる。
【０００５】
また、押さえ板６−ａ及び６−ｂは、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じた場合にＶ溝９に収容されたガイドピン８−Ｒ及び／又は８−Ｌと接触する構成となっており、ガイドピン８−Ｒ及び８−Ｌの径は、光ファイバ５−ａ及び５−ｂの径に比べてサブミクロンオーダーで僅かに大きく設定されている。この構成をとることによって、互いに対向してＶ溝９に収容された光ファイバ５−ａ及び５−ｂ同士をサブミクロン精度で位置決め可能となる。
【０００６】
従来のレーザ融着治具を用いた光ファイバのレーザ融着方法においては、図１（ａ）で示されるように光ファイバ５−ａ及び５−ｂをＶ溝９に配置して、アーム１０−ａ及び１０−ｂを閉じて光ファイバ５−ａ及び５−ｂ同士のｘ軸方向及びｚ軸方向の位置合わせを行った後に光ファイバ５−ａ及び５−ｂ同士を突き合わせ、一方の光ファイバを他方の光ファイバに向けてｙ軸方向に突き進める結果、一方の光ファイバに座屈が発生する。この座屈による光ファイバ間押圧力下で、アーム１０−ａ及び１０−ｂの間を通して光ファイバ５−ａ及び５−ｂの接続部に向けて上部からＣＯ2レーザを照射することによって、融着が完了する。レーザ照射完了後に、図１（ｃ）で示されるようにヒンジ機構回転軸１１によりアーム１０−ａ及び１０−ｂを開くことで、融着された光ファイバを取り出して融着工程は終了となる。
【０００７】
このような従来のレーザ融着治具を用いて光ファイバ５−ａ及び５−ｂの融着を行ったとしても、融着した光ファイバに関して十分な接続損失分布は得られていなかった。その原因を調べるために、Ｖ溝基板４に設置したガイドピン８−Ｒ及び８−Ｌの設置高さを調べた。その結果、一方のガイドピンの設置高さと他方のガイドピンの設置高さとで差異が生じているという結果が得られた。両端のガイドピンの設置高さの差異の原因として、ガイドピンの外径のばらつきに加えて、Ｖ溝基板４のＶ溝９の深さ精度や反り変形などが考えられる。
【０００８】
図２を用いて従来技術の問題点を説明する。図２は、レーザ融着治具の断面の模式図を示す。以下、簡略化のため、光ファイバ５−ａ及び５−ｂを光ファイバ５、押さえ板６−ａ及び６−ｂを押さえ板６、アーム１０−ａ及び１０−ｂをアーム１０と総称して説明する場合がある。図２（ａ）は、両端のガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒが同一の外径を有する場合のレーザ融着治具の模式図である。図２（ｂ）は、両端のガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒが互いに異なる外径を有する場合のレーザ融着治具の模式図である。なお、図２においては、ガイドピンの設置高さの差異の原因をガイドピンの外径差に集約して説明するが、実際にはガイドピンの外径差に限らず、基板偏差、Ｖ溝９内のごみなどの様々な原因によりガイドピンの設置高さに差異が生じる場合があることに留意されたい。また、現実的には、ガイドピンの外径約１２５μｍに対して１μｍ程度の偏差が生じるものの、図２（ｂ）では理解しやすいように偏差を大きくするように記載した。
【０００９】
図２には、Ｖ溝基板４と、光ファイバ５と、押さえ板６と、ヒンジ機構回転軸１１から離れた側に設置されたガイドピン８−Ｌと、ヒンジ機構回転軸１１側に設置したガイドピン８−Ｒと、回転中心１２を有するヒンジ機構回転軸１１とが示されている。以下、Ｖ溝基板４の底面からのガイドピン上面までのガイドピンの設定高さをＨとし、Ｖ溝基板４の底面からガイドピン８−Ｌ上面までの設置高さをＨ１とし、Ｖ溝基板４の底面からガイドピン８−Ｒ上面までの設置高さをＨ２とし、Ｖ溝基板４の底面から光ファイバ５上面までの設置高さをＨｆとし、Ｖ溝基板４の底面から光ファイバ５の上面位置の直上に対応する押さえ板６の底面位置までの高さをＨｆplateとし、ヒンジ機構回転軸１１の回転中心１２からガイドピン８−Ｒまでのｘ軸方向の距離をＬとし、特に、光ファイバ５が収容されるＶ溝の位置からガイドピン８−Ｌ又はガイドピン８−Ｒが収容されるＶ溝の位置までのそれぞれのｘ軸方向の距離は同一になるように構成されているものとし、それぞれの距離をＰとした。ここで、上面とは、ガイドピン又は光ファイバの面上において、水平面と接する押さえ板側の部位を示す。なお、実際には、設定高さＨは、光ファイバ５の設置高さＨｆよりわずかに高く設定するが、簡略化のため、以下、Ｈｆ＝Ｈとする。
【００１０】
図２（ａ）では、ガイドピン８−Ｌ及びガイドピン８−Ｒの外径がともに同一であり、ガイドピン８−Ｌの設置高さＨ１とガイドピン８−Ｒの設置高さＨ２とで差異が生じていないことが示されている。さらに、光ファイバ５の外径もガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒの外径と同一であり、理想的な設定高さＨを設定、すなわち、Ｈ１＝Ｈ２＝Ｈｆ＝Ｈと設定することができることが理解されよう。
【００１１】
図２（ｂ）では、ガイドピン８−Ｒの外径がガイドピン８−Ｌの外径よりも大きい場合のレーザ融着治具の状態が示されている。図２（ｂ）に示されるように、ガイドピン８−Ｒの外径がガイドピン８−Ｌの外径よりも大きい場合には、ガイドピン８−Ｒとガイドピン８−Ｌとの外径差により、光ファイバ５上面と押さえ板６とのクリアランス（Ｈｆplate−Ｈｆ）が押し広げられる。
【００１２】
図２（ｂ）に示されるような、ガイドピン８−Ｒの外径がガイドピン８−Ｌの外径よりも大きい場合における、光ファイバ５上面と押さえ板６とのクリアランスＨｆplate−Ｈは、押さえ板６の傾斜角度すなわち水平面と押さえ板６の底面とのなす角度をθとすると、以下の（式１）で表される。
Ｈｆplate−Ｈ＝（Ｐ＋Ｌ）ｔａｎθ
＝（Ｐ＋Ｌ）（Ｈ２−Ｈ）／Ｌ              （式１）
上記の（式１）で示されるクリアランスのため、光ファイバ５−ａ及び５−ｂ間の位置決め精度が大きくなる。そのため、光ファイバ５−ａ及び５−ｂ同士の位置関係を調節することが困難になり、光ファイバ５−ａ及び５−ｂ同士の位置ずれが生じる。その結果、光ファイバ５−ａ及び５−ｂ同士が適切な位置関係でないままレーザ融着をすることになり、融着接続損失の劣化を招くことが理解されよう。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Shinji Koike, Shuichiro Asakawa, Masaru Kobayashi, Ryo Nagase, Junya Kobayashi, Kentaro Uesugi, Kentaro Kajiwara, Akihisa Takeuchi, Yoshio Suzuki, Ichiro Hirosawa, and Yoshio Watanabe, “SPring-8 X-Ray Micro-Tomography Observations of Zirconium Inclusions in CO2 Laser Fusion Splice for Single Mode Optical Fibers”, IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology, vol. 1, no. 1, pp. 100-110, January 2011.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、ＣＯ2レーザ照射による光ファイバのレーザ融着接続治具において、ガイドピンの設置高さの偏差を吸収することができ、それにより良好な光ファイバの融着接続損失分布を安定的に得ることができるレーザ融着接続治具を実現することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、光ファイバ及びガイドピンを整列・収容するための複数のＶ溝を有するＶ溝基板と、前記Ｖ溝基板を保持するステージと、前記光ファイバを押さえつけて前記Ｖ溝に固定するための押さえ板と、前記押さえ板を保持するアームと、前記アームを前記ステージに対して開閉させるためのヒンジ機構回転軸と、前記ステージにおいて前記ヒンジ機構回転軸と近接した側に設けられた第１の磁石と、前記ステージにおいて前記ヒンジ機構回転軸から離れた側に設けられた第２の磁石と、前記ヒンジ機構回転軸により前記アームを閉じたときに前記第１の磁石と近接するように前記アームに設けられた第１の磁力調整ねじと、前記ヒンジ機構回転軸により前記アームを閉じたときに前記第２の磁石と近接するように前記アームに設けられた第２の磁力調整ねじとを備え、前記ヒンジ機構回転軸により前記アームを閉じることよって、前記Ｖ溝に収容された前記ガイドピンと前記押さえ板とが接触し、前記Ｖ溝に収容された前記光ファイバが前記押さえ板の底面と前記光ファイバが配置されたＶ溝との間に保持され、前記第１の磁力調整ねじの押し込み量を調整することにより前記第１の磁力調整ねじと第１の磁石との間で発生する磁力を調整可能であり、前記第２の磁力調整ねじの押し込み量を調整することにより前記第２の磁力調整ねじと第２の磁石との間で発生する磁力を調整可能であるレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具であって、前記ガイドピンは、前記光ファイバが配置されたＶ溝を挟んで両側のＶ溝に配置され、前記アームは、前記ヒンジ機構回転軸を収容可能に構成された孔を有し、前記孔と前記ヒンジ機構回転軸との間には、前記第１の磁力調整ねじ又は前記第２の磁力調整ねじの押し込み量を調整することにより前記アームを傾斜させるようにすきま公差が設定されていることを特徴とするレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具である。
【００１６】
請求項２に記載のレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具は、請求項１に記載のレーザ融着接続用光ファイバ整列収容治具において、前記孔及び前記ヒンジ機構回転軸は、すきまばめとなるように構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るレーザ融着治具によれば、ガイドピンの外径差などに起因するガイドピンの設置高さの偏差を吸収することができるため、光ファイバ同士のアライメント誤差を低減させることが可能となり、良好な融着接続損失分布を得ることができる。
【００１８】
本発明に係るレーザ融着治具によれば、従来技術に係るレーザ融着治具に比べ、光ファイバ間のアライメント精度の向上を図ることができるため、良好な融着接続損失を有する光ファイバを安定して得ることが期待でき、高品質な融着光ファイバを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来技術に係るレーザ融着治具の構成を示す図である。
【図２】従来技術の問題点を説明するためのレーザ融着治具の断面の模式図である。
【図３】本発明の原理を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係るレーザ融着治具を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係るレーザ融着治具を示す図である。
【図６】従来技術及び本発明の構成の効果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明は、押さえ板を自由に傾斜可能な構成とすることにより、２本のガイドピン間の設置高さの偏差を解消することを実現する。図３は、レーザ融着治具の断面の模式図を示す。図３を用いて本発明の原理を説明する。図３には、Ｖ溝基板４と、ガイドピン８−Ｌ及びガイドピン８−Ｒと、光ファイバ５と、押さえ板６とが示されている。図３においては、Ｈ２＞Ｈ１＝Ｈｆ＝Ｈとし、水平面と押さえ板６の底面とのなす角度をαとした。図３に示されるような、ガイドピン８−Ｒの設置高さがガイドピン８−Ｌの設置高さよりも高い場合には、光ファイバの上面と押さえ板とのクリアランスＨｆplate−Ｈは、以下の（式２）で表される。
Ｈｆplate−Ｈ＝Ｐｔａｎα
＝（Ｈ２−Ｈ）／２            （式２）
【００２１】
図３で示される場合とは逆に、ガイドピン８−Ｌの設置高さがガイドピン８−Ｒの設置高さよりも高い場合にも、光ファイバの上面と押さえ板とのクリアランスＨｆplate−Ｈは、上記の（式２）を用いて算出される。以下、押さえ板を自由に傾斜可能にするための構成を説明する。
【実施例】
【００２２】
図４及び図５は、本発明に係るレーザ融着治具の構成を示す。図４及び図５を用いて、上述のような両端のガイドピンの設置高さの偏差に起因する光ファイバ同士の位置ずれを解消するための本発明に係る調整方法を説明する。図４及び図５には、ステージ１と、ステージ１と、ステージ１に埋設された磁石２−Ｌ及び２−Ｒと、扁平部７−Ｌ及び７−Ｒがそれぞれ端部に設けられた磁力調整ねじ３−Ｌ及び３−Ｒと、Ｖ溝基板４と、光ファイバ５と、押さえ板６と、ガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒと、アーム１０と、回転中心１２を有するヒンジ機構回転軸１１と、アーム１０に設けられた孔１３とが示されている。ここで、図４及び図５においては、図１に示される従来のレーザ融着治具と同様な構成要素には同一の参照番号を付して説明し、図１に示される従来のレーザ融着治具と同様の機能についての詳細は省略する。
【００２３】
本発明に係る調整方法では、孔１３を利用することにより、アーム１０にガイドピンの設置高さの偏差に応じた傾斜をかけることを可能である。孔１３は、アーム１０、すなわちアーム１０−ａ及び１０−ｂにそれぞれ設けられている。孔１３は、アーム１０においてヒンジ機構回転軸１１を収容可能に構成され、ヒンジ機構回転軸１１をｘ軸方向及びｚ軸方向に移動することを許容するように構成されている。ヒンジ機構回転軸１１のｘ軸方向及びｚ軸方向への移動を許容するために、ヒンジ機構回転軸１１及び孔１３は、すきまばめとなるように構成され、ヒンジ機構回転軸１１の外径と孔１３の孔径との間にはすきま公差Δ１が設定されている。すきま公差Δ１は、ガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒの設置高さの偏差以上に設定することが好ましい。
【００２４】
図４は、ガイドピンの設置高さがヒンジ機構回転軸１１側で高い場合、すなわちガイドピン８−Ｒの設置高さがガイドピン８−Ｌの設置高さよりも高い場合の本発明に係るレーザ融着治具を示し、図４（ａ）は、ガイドピン偏差を調整する前の本発明に係るレーザ融着治具の状態を示し、図４（ｂ）は、ガイドピン偏差を調整した後の本発明に係るレーザ融着治具の状態を示す。図４（ａ）に示すように、アーム１０を閉じこむのみの通常操作では、光ファイバ５と押さえ板６と間のクリアランスは大きいままである。そこで、孔１３の中心の位置を回転中心１２に対し、概して＋ｚ軸方向にずらすことによって、ガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒの外径差を押さえ板６が吸収する形態となることが図４（ｂ）から理解されよう。具体的には、ガイドピン８−Ｌ側の磁力調整ねじ３−Ｌの押し込み量を増加させて、扁平部７−Ｌをステージ１内の磁石２−Ｌに向けて近接させることにより、磁力による吸引力が増してガイドピン８−Ｒ上面を回転軸とした回転モーメントが高まる。これによって、わずかながらヒンジ機構回転軸１１の回転中心１２から孔１３の中心位置を概して＋ｚ軸方向にずらすことができ、ガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒの設置高さの偏差に応じて押さえ板６及びアーム１０を傾斜させることができるため、ガイドピン外径差等による光ファイバ５と押さえ板６との間のクリアランスを小さくすることができる。
【００２５】
図５は、ガイドピン高さがヒンジ機構回転軸１１から離れた側で高い場合、すなわちガイドピン８−Ｌの設置高さがガイドピン８−Ｒの設置高さよりも高い場合の本発明に係るレーザ融着治具の状態を示し、図５（ａ）は、ガイドピン偏差を調整する前の本発明に係るレーザ融着治具の状態を示し、図５（ｂ）は、ガイドピン偏差を調整した後の本発明に係るレーザ融着治具の状態を示す。図５では、図４で示される場合とは逆に、外径の大きいガイドピンがヒンジ機構回転軸１１から離れた位置にある場合のレーザ融着治具が示されている。図５（ａ）では、光ファイバ５と押さえ板６と間のクリアランスは大きいままであるが、図５（ｂ）に示されるように、孔１３の中心の位置を回転中心１２に対し、概して−ｚ軸方向にずらすことで、ガイドピンの外径偏差を押さえ板６が吸収する形態となる。具体的には、ヒンジ機構回転軸１１に近い側の磁力調整ねじ３−Ｒの押し込み量を増加させて、扁平部７−Ｒをステージ１内の磁石２−Ｒに近接させることにより、磁力による吸引力が増してガイドピン８−Ｌ上面を回転軸とした回転モーメントが高まる。これによって、わずかながらヒンジ機構回転軸１１の回転中心１２から孔１３の中心位置を概して−ｚ軸方向にずらすことができ、ガイドピン８−Ｌ及び８−Ｒの設置高さの偏差に応じて押さえ板６及びアーム１０を傾斜させることができるため、ガイドピン外径差等による光ファイバ５と押さえ板６との間のクリアランスを小さくすることができる。
【００２６】
図６は、本発明に係るレーザ融着治具及び図２で示される従来のレーザ融着治具に関する、光ファイバ直上のクリアランスと片側ガイドピンの設定高さからの偏差との関係を示す図である。図６において、横軸は設定高さＨから寸法ずれが生じたガイドピン８−Ｒの設置高さの偏差Ｈ２−Ｈを示し、縦軸は光ファイバ上面と押さえ板底面とのクリアランスＨｆplate−Ｈを示す。Ｐ＝３ｍｍ、Ｌ＝１３ｍｍ、Ｈ＝３．０１ｍｍとして上記の（式１）及び（式２）を基に計算を行った。
【００２７】
図６に示すように、本発明に係るレーザ融着治具では、ヒンジ機構回転軸１１の回転中心１２をｘ軸方向及びｚ軸方向に自由に移動させることができるため、図２で示される従来のレーザ融着治具に比べて、クリアランスを約半分に低減することができる。そのため、融着する光ファイバ間のアライメント誤差を低減することができ、精度よく光ファイバ間の位置あわせを実現できることが期待できるため、光ファイバ挿入損失分布における損失の均一化が可能となる。
【００２８】
以上のように、本構成をとることによって、押さえ板６をガイドピンの外径差等に応じて自由に傾斜をつけることができ、これまで解消できなかった、ガイドピン外径差から生じる光ファイバ５の位置決めクリアランスを低減することができ、光ファイバ同士を高精度に位置合わせすることが可能となる。
【符号の説明】
【００２９】
１  ステージ
２−Ｌ、２−Ｒ  磁石
３−Ｌ、３−Ｒ  磁力調整ねじ
４  Ｖ溝基板
５、５−ａ、５−ｂ  光ファイバ
６、２０、２１  押さえ板
７−Ｌ、７−Ｒ  扁平部
８−Ｌ、８−Ｒ  ガイドピン
９  Ｖ溝
１０、１０−ａ、１０−ｂ  アーム
１１  ヒンジ機構回転軸
１２  回転中心
１３  孔
【図１】
0005627011.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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