(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルのマルチドメイン画素構造を含む画像表示システムであって、
前記表示パネルのマルチドメイン構造は、
物理的に互いに隔絶され、画素内のドメインをそれぞれ定義する複数のドメイン電極、
前記複数のドメイン電極に電気接続したキャパシタンス素子、及び
前記複数のドメイン電極の１つに物理的に結合し、画像データ信号を前記複数のドメイン電極の１つに入力することで、前記複数のドメイン電極の他の電極も前記キャパシタンス素子との接続を経て前記画像データ信号を受信する画素スイッチング素子を含み、
前記キャパシタンス素子は、２つの端子と誘電体素子を含み、前記複数のドメイン電極は共通して前記端子の中の１つに接続される、画像表示システム。
【請求項２】
前記キャパシタンス素子は、画素の蓄積キャパシタからなり、前記画素スイッチング素子は、薄膜トランジスタからなり、前記蓄積キャパシタは、前記薄膜トランジスタに連動して作動する請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項３】
各ドメイン内の液晶素子を更に含み、前記ディスプレイパネルは、液晶ディスプレイパネルである請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項４】
電子装置を更に含み、前記電子装置は、
前記ディスプレイパネル、及び
前記ディスプレイパネルに接続され、入力を前記ディスプレイパネルに提供することで前記ディスプレイパネルが画像を表示する制御器を含む請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項５】
前記電子装置は、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ラップトップ型パソコン、デスクトップ型パソコン、ＴＶ、カーディスプレイ、またはポータブルＤＶＤプレーヤーを含む請求項４に記載の画像表示システム。
【請求項６】
前記マルチドメイン画素構造は、
前記ディスプレイパネルのドメイン電極として機能する複数の電極を含む画素電極に電気接続する前記画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、及び
前記ドメイン電極に電気接続する導電線を更に含む請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項７】
層間絶縁層の上方に配置された接続層は、前記ディスプレイパネルの前記薄膜トランジスタと前記キャパシタンス素子を被覆し、前記接続層は、前記キャパシタンス素子の上電極を電気接続する請求項６に記載の画像表示システム。
【請求項８】
前記ディスプレイパネルに情報信号を入力するデータラインを更に含み、前記データラインと前記接続層は同じ層である請求項７に記載の画像表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置に関し、特に、液晶ディスプレイ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、光が通過する経路を変えるための電場の適用により変わる液晶分子の配向状態に基づいた作動原理を有しており、広く用いられるようになっている。通常、ＬＣＤは、その間に液晶を受ける間隙を有する２つの相対した基板を含む。２つの基板は、電極で形成され、液晶の配向と配列を制御する。画像は、光が通過、または光が遮断される時に、明点、または暗点が発生する電界によって液晶の配向を制御することでＬＣＤパネルに表示される。
【０００３】
しかし、ＬＣＤは、狭視野角において、いくつかの欠点と限界を示す。現在、広視角のＬＣＤを製造する複数の提案が開発段階にある。最も広く適合される技術は、マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）と言われている技術である。これは、各画素の交互に配置されたスリット状間隙突出（ｓｌｉｔ−ｓｐａｃｉｎｇ−ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）構造が用いられ、単一の画素がいくつかのドメインに分割されることで、異なるドメインの液晶分子が異なる傾斜方向を有すため、ＬＣＤの視野角が増加されるものである。
【０００４】
図１Ａは、従来のマルチドメイン垂直配向液晶ディスプレイの画素構造の平面図を表している。図１Ｂは、図１ＡのラインＩ−Ｉ'に沿った断面図である。図１Ａと図１Ｂを参照下さい。画素１０２は、例えば、第１ドメイン１０４、第２ドメイン１０６と、第３ドメイン１０８の複数のドメインを含む。画素１０２は、複数のドメイン電極を含む画素電極を有する。画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ１１０とキャパシタンス素子としての蓄積キャパシタＣｓｔは、第１ドメイン１０４に配置される。第１ドメイン１０４では、ポリシリコン層１１４がアレイ基板１００上に形成される。ゲート絶縁層１１６は、ポリシリコン層１１４（図を簡易化するためにゲート絶縁層１１６は図１ａに表示されていない）の一部に形成され、第１ゲートライン１１８と第２ゲートライン１２０はゲート絶縁層１１６上を通過する。第１チャネル１５１は、第１ゲートライン１１８の下方にあり、ポリシリコン層１１４に配置される。第１ソース１５３と第１ドレイン１５５は、第１チャネル１５１の反対側に配置される。第２チャネル１５７は、第２ゲートライン１２０の下方にあり、ポリシリコン層１１４に配置される。第２ソース１５９と第２ドレイン１６１は、第２チャネル１５７の反対側に配置される。
【０００５】
ゲートライン１１８と１２０とポリシリコン層１１４は、層間絶縁層１２２によって被覆される。データライン１２４とドレイン電極１２８は、層間絶縁層１２２に形成される。データライン１２４とドレイン電極１２８は、ポリシリコン層１１４に電気接続する。データライン１２４とドレイン電極１２８は、平坦化層１３０によって被覆される。ドメイン電極（ｄｏｍａｉｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３２（画素電極の一部）は、平坦化層１３０上に形成され、ドメイン電極１３２は、薄膜トランジスタ１１０のドレイン電極１２８に電気接続する。蓄積キャパシタＣｓｔ１３４は、ポリシリコン層１１４、ゲート絶縁層１１６と、第１金属層１１９を含む。
【０００６】
半透過型液晶ディスプレイでは、反射層１１２は、ドメイン電極１３２上に形成され、実質的に蓄積キャパシタＣｓｔ１３４を被覆する。従来技術では、ドメイン１０４、１０６と１０８は、その間の細いインジウムスズ酸化物のネック（ａ ｔｈｉｎ ＩＴＯ ｎｅｃｋ）１４０によって接続される。ＩＴＯネック１４０は、液晶ディスプレイのパフォーマンスに影響を及ぼさないように広すぎてはならない。しかし、反射層１１２は、その条件下でドメイン電極１３２と反応する可能性があり、反応したＩＴＯネック１４０は、亀裂し易く、点（ｄｏｔ）を発生し、ドメインが同じ電圧レベルを有することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記問題点を解決した画像表示システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
画像表示システムは、物理的に互いに隔絶され、画素内のドメインをそれぞれ規定する電極、および前記電極に電気接続するキャパシタンス素子（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｅｌｅｍｅｎｔ）を含むマルチドメイン画素構造を有するディスプレイパネルを含む。
【０００９】
表示パネルのマルチドメイン画素構造を含む画像表示システムは、表示パネルの画素電極に電気接続した薄膜トランジスタを更に含む。画素電極は、互いに隔絶された複数のドメイン電極を含む。導電線（層）は、全てのドレイン電極を電気接続する。
【００１０】
また、他の実施例では、ディスプレイパネルは、第１基板を更に含む。薄膜トランジスタは、第１基板の上方に配置され、ディスプレイパネルの画素電極に電気接続する。画素電極は、複数のドメイン電極を含む。ドメイン電極は互いに隔絶される。蓄積キャパシタＣｓｔは、第１電極の上方に配置され、画素電極のドメイン電極に電気接続する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の液晶ディスプレイ装置によれば、ドメイン電極は、ほぼ同じ電圧レベルを有することができ、ＩＴＯネックが必要でなくなる。従ってＩＴＯネックの亀裂の問題がなくなり、ディスプレイ装置の画面の前面のパフォーマンスが最適化されることができる。また、ドメイン電極２４４、２４６と、２４８に接続した導電線２３６から延伸した導電線の一部が突出で重畳されため、ディスプレイ装置の口径比への影響を減少することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
【実施例】
【００１３】
画像表示システムの好ましい実施例を説明する。これに関し、図２Ａは、このようなシステムの実施例を表している。特に、このシステムは、本発明の実施例の液晶ディスプレイパネル２００を組み込んでいる。図２Ｂは、図２ＡのラインＩＩ−ＩＩ’に沿った断面図である。図２Ａと図２Ｂを参照下さい。画素２０２は、例えば、第１ドメイン２０４、第２ドメイン２０６と、または第３ドメイン２０８の互いに隔絶された複数のドメインを含む。画素２０２は、スリット領域２７０によって互いに隔絶されることができる複数のドメイン電極を含む画素電極２４２を有する。実施例では、３つのドメイン電極２４４、２４６と、２４８を含む画素電極を例にしているが、本発明は、これを限定するものではない。画素電極は、より多く、またはより少ないドメイン電極を含むことができる。
【００１４】
薄膜トランジスタ２１０は、第１ドメイン２０４に配置される。例えばポリシリコン層、またはアモルファスシリコン層の半導体層２１２は、アレイ基板２０１（または第１基板と言われる）上に形成される。アレイ基板２０１は、低アルカリガラス基板、または無アルカリガラス基板であることができる。例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物のゲート絶縁層２１４は、半導体層２１２の一部の上に形成される。例えば、アルミニウム、モリブデン、またはその組み合わせ、またはその堆積層の２つのゲートライン２１６と２１８は、ゲート絶縁層２１４を通過する。ゲートライン２１６と２１８と、半導体層２１２は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物の層間絶縁層２２０によって被覆される。ディスプレイパネル２００とドレイン電極２２６にデータ信号を入力するデータライン２２２は、層間絶縁層２２０上に形成され、半導体層２１２に電気接続する。データライン２２２、ドレイン電極２２６と、層間絶縁層２２０は、例えば有機層の平坦化層２２８によって被覆される。例えばＩＴＯの画素電極２４２は、平坦化層２２８上に形成され、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２２６に電気接続する。本発明の実施例では、ディスプレイは半透過型ディスプレイであり、例えばアルミニウムの反射層２３２が画素電極２０２の一部に配置される。
【００１５】
蓄積キャパシタＣｓｔ２３４は、第１ドメイン電極２４４の下方で薄膜トランジスタ２１０を越えて配置される。蓄積キャパシタＣｓｔ２３４は、アレイ基板２０１上の導電線（下電極として機能する）２３６、導電線２３６上の静電容量誘電体層（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）２３８と、静電容量誘電体層２３８上の上電極２４０を含む。本発明のいくつかの実施例では、蓄積キャパシタＣｓｔ２３４の導電線２３６と薄膜トランジスタ２１０の半導体層２１２が同じ層であり、Ｃｓｔ２３４の静電容量誘電体層２３８と、薄膜トランジスタ２１０のゲート絶縁層２１４が同じ層であり、Ｃｓｔ２３４の上電極２４０とゲートライン２１６と２１８が同じ層である。
【００１６】
続いて図２Ａと２Ｂを参照下さい。本発明のいくつかの実施例では、蓄積キャパシタＣｓｔ２３４の導電線２３６から延伸した導電線は、半導体層２１２と同じ層であり、画素電極２４２のドメイン電極２４４、２４６と、２４８の下方を通過する。導電線と半導体層２１２は、同じ層であり、導電線２３６は、ポリシリコン、またはアモルファスシリコンを含むことができる。
【００１７】
層間絶縁層２２０と平坦化層２２８によって覆われた導電線２３６は、第１ドメイン電極２４４に接続し、画素電極２４２の第２ドメイン電極２４６と第３ドメイン電極２４８は、ビアホール２７１を通過する。
【００１８】
本発明の実施例では、液晶ディスプレイは、広視角を得るマルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）である。液晶ディスプレイは、アレイ基板２０１に相対したカラーフィルター基板２５２を更に含み、液晶層２５４がアレイ基板２０１とカラーフィルター基板２５２との間に配置される。ドメイン電極２４４、２４６と、２４８にそれぞれ対応した複数の突出２５０は、カラーフィルター基板２５２の内側に配置される。例えば、第１突出２５１と第２突出２５３は、第２ドメイン電極２４６と第３ドメイン電極２４８にそれぞれ対応したカラーフィルター基板２５２に配置される。
【００１９】
半導体層２１２とドメイン電極２４４、２４６と、２４８を接続するビアホール２７１は、カラーフィルター基板２５２に配置された突出２５０でそれぞれ重畳されることができ、ディスプレイ装置の口径比への影響を減少する。
【００２０】
本発明の実施例に基づくと、画素電極２４２のドメイン電極２４４、２４６と、２４８は、スリット領域２７０によって互いに隔絶される。ドメイン電極２４４、２４６と、２４８は、蓄積キャパシタＣｓｔ２３４の導電線２３６から延伸した導電線によって接続される。よって、ドメイン電極は、ほぼ同じ電圧レベルを有することができ、ＩＴＯネックが必要でなくなる。従ってＩＴＯネックの亀裂の問題がなくなり、ディスプレイ装置の画面の前面のパフォーマンスが最適化されることができる。また、ドメイン電極２４４、２４６と、２４８に接続した導電線２３６から延伸した導電線の一部は、突出で重畳され、ディスプレイ装置の口径比への影響を減少する。
【００２１】
図２Ｃは、このようなシステムのもう１つの実施例を表している。図２Ｃを参照下さい。Ｃｓｔ２３４の上電極２４０は、第３ビアホールによって接続層２３１に電気接続される。データラインと同じ層の接続層２３１は、画素電極２４２のドメイン電極２４６と２４８の下方を延伸する導電線として機能することができる。層間絶縁層２２０によって被覆された導電線（接続層２３１）は、第４ビアホール２３２によって画素電極２４２の第１ドメイン電極２４４、第２ドメイン電極２４６と、第３ドメイン電極２４８を接続する。
【００２２】
図２Ｂに示される実施例のように、ドメイン電極は、導電線に直接接続し、互いに電気接続される。また、図２Ｃに示される実施例は、ドメイン電極が導電線に間接的に接続して、互いに電気接続できることも開示している。
【００２３】
導電線がデータラインの真下に配置されている画像表示システムのもう１つの実施例も開示される。これに関し、図３Ａは、このようなシステムの実施例を表している。特に、このシステムは、本発明の実施例の液晶ディスプレイパネル３００を組み込んでいる。図３Ｂは、図３ＡのラインＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿った断面図である。図３Ａと図３Ｂを参照下さい。画素３０２は、例えば、第１ドメイン３０４、第２ドメイン３０６と、または第３ドメイン３０８の複数のドメインを含む。いくつかの実施例では、画素３０２のドメイン３０４、３０６と、３０８は、スリット領域３７０によって互いに隔絶されることができる。実施例では、３つのドメインを含む画素を例にしているが、本発明は、これを限定するものではなく、画素は、より多くの、またはより少ないドメイン電極を含むことができる。
【００２４】
薄膜トランジスタ３１０は、第１ドメイン３０４に配置される。第１ドメイン３０４においては、例えばポリシリコン層、またはアモルファスシリコン層の半導体層３１２は、第１基板３０１上に形成される。いくつかの実施例では、第１基板３０１は、低アルカリガラス基板、または無アルカリガラス基板であることができる。例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物のゲート絶縁層３１４は、半導体層３１２の一部に形成される。例えば、アルミニウム、モリブデン、またはその組み合わせ、またはその堆積層の第１ゲートライン３１６と第２ゲートライン３１８は、ゲート絶縁層３１４を通過する。第１チャネル３５１は、第１ゲートライン３１６とポリシリコン層３１２の下方に配置される。第１ソース３５３と第１ドレイン３５５は、第１チャネル３５１の反対側に配置される。第２チャネル３５７は、第２ゲートライン３１８とポリシリコン層３１２の下方に配置される。第２ソース３５９と第２ドレイン３６１は、第２チャネル３５７の反対側に配置される。
【００２５】
ゲートライン３１６と３１８と、半導体層３１２は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物の層間絶縁層３２０によって被覆される。データライン３２２とドレイン電極３２６は、層間絶縁層３２０上に形成され、データライン３２２とドレイン電極３２６は、半導体層３１２に電気接続する。データライン３２２、ドレイン電極３２６は、例えば有機層の平坦化層３２８によって被覆される（図３Ａでは平坦化層３２８は、図を分かりにくくしないように省略される）。例えばＩＴＯの画素電極３４２は、平坦化層３２８上に形成され、画素電極３４２は、薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３２６に電気接続する。本発明の実施例では、ディスプレイは半透過型ディスプレイであり、例えばアルミニウムの反射層３３２が画素電極３４２の一部に配置される。
【００２６】
蓄積キャパシタＣｓｔ３３４は、薄膜トランジスタ３１０に近接して配置される。本発明の実施例では、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４は、従来技術の第１ドメインより小さい領域を占める。本発明のいくつかの実施例では、Ｃｓｔ３３４の下電極と薄膜トランジスタ３１０の半導体層３１２は、導電線として機能する同じ層である。Ｃｓｔ３３４の静電容量誘電体層３３８と、薄膜トランジスタ３１０のゲート絶縁層３１４は、同じ層であり、Ｃｓｔ２３４の上電極３４０とゲートライン３１６と３１８は、同じ層である。下電極（導電線）３１２は、ビアホールによって薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３２６に電気接続され、ドレイン電極３２６は、画素電極３４２に接続される。
【００２７】
また、例えばカラーフィルター基板の第２基板３５２は、第１基板３０１に相対して配置される。液晶層３５４は、第１基板３０１と第２基板３５２の間に配置される。
【００２８】
図３Ｃは、図３ＡのラインＩＶ−ＩＶ’に沿った断面図である。図３Ａと図３Ｂを参照下さい。画素電極３４２は、複数のドメイン電極３４４、３４６と、３４８を含み、スリット３７０によって物理的に互いに隔絶される。
【００２９】
本発明の実施例では、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４は、２つの部分３３５と３３７を含み、それぞれ異なる方向に延伸する。いくつかの実施例では、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４の第１部分３３７は、第１ドメイン３０４に配置され、行方向に延伸する。蓄積キャパシタＣｓｔ３３４の第２部分３３５は、列方向に延伸し、データラインの下方にあり、画素電極３４２のドメイン電極３４４、３４６と、３４８を接続する。いくつかの実施例では、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４は、Ｌ形状であり、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４の第１部分３３７と第２部分３３５は、互いに垂直である。
【００３０】
また、画素電極３４２のドメイン電極３４４、３４６と、３４８は、データライン３２２の下方にある蓄積キャパシタＣｓｔ３３４の部分３３５によって接続される。また、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４は、層間絶縁層３２０と、または平坦化層３２８のビアホールによって画素電極３４２のドメイン電極３４４、３４６と、３４８に接続する。注意するのは、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４は、データーラインから隔絶される必要がある。
【００３１】
図３Ａを参照下さい。本発明の実施例では、液晶ディスプレイを搭載した画像表示システムは、広視角を得るマルチドメイン垂直配向であり、ドメインにそれぞれ対応した複数の突出３５０がカラーフィルター基板３５２の内側に配置されている。突出３５０は、ディスプレイパネルの開口率に及ぼす影響を減少する。例えば、第１突出３５１と第２突出３５３がカラーフィルター基板３５２に配置され、第２ドメイン３０６と第３ドメイン３０８にそれぞれ対応する。
【００３２】
本発明の実施例に基づいて、画素電極３４２のドメイン電極３４４、３４６と、３４８は、スリット領域３７０で隔絶され、ディスプレイパネルの前面の画面が最適化される。また、ドメイン電極３４４、３４６と、３４８は、蓄積キャパシタＣｓｔ３３４によって接続され、同じ電圧レベルを有し、ＩＴＯのネックを必要としない。よって、ＩＴＯのネックの亀裂問題がなくなる。また、本発明の実施例の蓄積キャパシタＣｓｔがドメイン電極３４４のより小さい領域を占め、蓄積キャパシタＣｓｔ３３５の一部がデータライン３２２と重複されることから、ディスプレイの開口率が増加される。
【００３３】
図４は、ディスプレイパネル２００（または３００）を含む液晶ディスプレイ装置４００として、またはそのようなＬＣＤ装置４００を組み込んだ電子装置６００として実施される画像表示システムの実施例を概略的に表している。電子装置６００は、例えば、ポータブルＤＶＤプレーヤー、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型パソコン、ＴＶ、カーディスプレイ、またはラップトップ型パソコンなどの携帯用デバイスを含むことができる。図４に表されるように、ＬＣＤ装置４００は、図２Ａに表されるディスプレイパネル２００または図３Ａに表されるディスプレイパネル３００を含むことができる。いくつかの実施例では、ディスプレイ装置４００は、電子装置６００内に搭載されることができる。電子装置６００は、ディスプレイパネル２００を含むディスプレイ装置４００と、ディスプレイパネル２００に接続された制御器５００を含むことができる。制御器５００は、入力に応じて画像を表示するディスプレイパネル２００を制御するのに用いられる。
【００３４】
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】従来のマルチドメイン垂直配向の液晶ディスプレイの画素構造の平面図を表している。
【図１Ｂ】図１ＡのラインＩ−Ｉ’に沿った断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施例に基づいたマルチドメイン垂直配向液晶ディスプレイの画素の平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのラインＩＩ−ＩＩ’に沿った断面図である。
【図２Ｃ】図２ＡのラインＩＩ−ＩＩ’に沿った断面図である。
【図３Ａ】本発明のもう１つの実施例に基づいたマルチドメイン垂直配向液晶ディスプレイの画素の平面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのラインＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿った断面図である。
【図３Ｃ】図３ＡのラインＩＶ−ＩＶ’に沿った断面図である。
【図４】本発明のマルチドメイン垂直配向構造を組み込んだ画像表示システムの実施例を概略的に表している。
【符号の説明】
【００３６】
１０２ 画素
１０４ 第１ドメイン
１０６ 第２ドメイン
１０８ 第３ドメイン
１００ アレイ基板
１１０ 薄膜トランジスタ
１１２ 反射層
１１４ ポリシリコン層
１１６ ゲート絶縁層
１１８ 第１ゲートライン
１１９ 第１金属層
１２０ 第２ゲートライン
１２２ 層間絶縁層
１２４ データライン
１２８ ドレイン電極
１３０ 平坦化層
１３２ ドメイン電極
１３４ 蓄積キャパシタＣｓｔ
１４０ インジウムスズ酸化物ネック
１５１ 第１チャネル
１５３ 第１ソース
１５５ 第１ドレイン
１５７ 第２チャネル
１５９ 第２ソース
１６１ 第２ドレイン
２００ 液晶ディスプレイパネル
２０１ アレイ基板
２０２ 画素
２０４ 第１ドメイン
２０６ 第２ドメイン
２０８ 第３ドメイン
２１０ 薄膜トランジスタ
２１２ 半導体層
２１４ ゲート絶縁層
２１６、２１８ ゲートライン
２２０ 層間絶縁層
２２２ データライン
２２６ ドレイン電極
２２８ 平坦化層
２３２ 反射層
２３４ 蓄積キャパシタＣｓｔ
２３６ 導電線
２３８ 静電容量誘電体層
２４０ 上電極
２４２ 画素電極
２４４、２４６と、２４８ ドメイン電極
２５０ 突出
２５１ 第１突出
２５２ カラーフィルター基板
２５３ 第２突出
２５４ 液晶層
２７０ スリット領域
２７１ ビアホール
３００ 液晶ディスプレイパネル
３０１ 第１基板
３０２ 画素
３０４ 第１ドメイン
３０６ 第２ドメイン
３０８ 第３ドメイン
３１０ 薄膜トランジスタ
３１２ 半導体層
３１４ ゲート絶縁層
３１６ 第１ゲートライン
３１８ 第２ゲートライン
３２０ 層間絶縁層
３２２ データライン
３２６ ドレイン電極
３２８ 平坦化層
３３２ 反射層
３３４ 蓄積キャパシタＣｓｔ
３３５ 蓄積キャパシタＣｓｔの第２部分
３３７ 蓄積キャパシタＣｓｔの第１部分
３３８ 静電容量誘電体層
３４０ 上電極
３４２ 画素電極
３４４、３４６、３４８ ドメイン電極
３５０ 突出
３５１ 第１チャネル
３５２ カラーフィルター基板
３５３ 第１ソース
３５４ 液晶層
３５５ 第１ドレイン
３５７ 第２チャネル
３５９ 第２ソース
３６１ 第２ドレイン
３７０ スリット領域
４００ ＬＣＤ装置
５００ 制御器
６００ 電子装置
【図１Ａ】
0005422790.tif 000002
【図１Ｂ】
0005422790.tif 000003
【図２Ａ】
0005422790.tif 000004
【図２Ｂ】
0005422790.tif 000005
【図２Ｃ】
0005422790.tif 000006
【図３Ａ】
0005422790.tif 000007
【図３Ｂ】
0005422790.tif 000008
【図３Ｃ】
0005422790.tif 000009
【図４】
0005422790.tif 000010