(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を含む電気泳動素子とを備えた複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、
走査線と、
データ線と、
第１の制御線と、
第２の制御線と、
前記走査線及び前記データ線に接続された画素スイッチング素子と、
前記画素スイッチング素子に接続され、前記データ線及び前記画素スイッチング素子を介して入力される１ビットデータを記憶し、当該１ビットデータを示す出力信号を出力するメモリ回路と、
前記メモリ回路と前記第１の電極との間に設けられ、前記メモリ回路からの出力信号に基づいて前記第１の制御線または前記第２の制御線のいずれか一方を前記第１の電極と電気的に接続するスイッチ回路と、
を有する電気泳動表示装置の検査方法であって、
隣接する前記画素間に生じる画素間リーク電流を計測し、当該計測した画素間リーク電流に基づいて前記電気泳動表示装置の表示品質に関する検査を行う、
ことを特徴とする電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項２】
前記電気泳動表示装置における前記複数の画素の各々は、
正極側電源線と負極側電源線とを有し、
前記メモリ回路は、正極側電源端子が前記正極側電源線に接続され、負極側電源端子が前記負極側電源線に接続された、１入力２出力のＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）であり、
前記スイッチ回路は、前記ＳＲＡＭの一方の出力信号に基づいて前記第１の電極と前記第１の制御線とを接続させる第１のトランスミッションゲートと、前記ＳＲＡＭの他方の出力信号に基づいて前記第１の電極と前記第２の制御線とを接続させる第２のトランスミッションゲートとを有する、
ことを特徴とする請求項１記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項３】
前記電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気と接触可能な状態において、
前記画素間リーク電流を計測する第１の工程と、
予め用意していた、前記画素間リーク電流と前記電気泳動表示装置のコントラストとの相関関係を基に、前記第１の工程で計測した前記画素間リーク電流に対応する前記コントラストを求める第２の工程と、
前記第２の工程で求めたコントラストに基づいて当該電気泳動表示装置における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する第３の工程と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項４】
前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の全領域における画素について計測し、
前記第３の工程では、前記１画面の全領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する、
ことを特徴とする請求項３記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、
前記１画面の全領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させ、
前記第１の制御線に白階調を規定する白階調信号または黒階調を規定する黒階調信号の一方を、前記第２の制御線に前記白階調信号または前記黒階調信号の他方を供給し、
前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にして、
前記第１の制御線と前記第２の制御線との間に流れる電流を前記画素間リーク電流として計測する、
ことを特徴とする請求項４記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項６】
前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返す、
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項７】
前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の一領域における画素について計測し、
前記第３の工程では、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する、
ことを特徴とする請求項３記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項８】
前記第１の工程では、
前記１画面の一領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させ、前記一領域以外の領域における画素のメモリ回路には同値の１ビットデータを記憶させ、
前記第１の制御線に白階調信号または黒階調信号の一方を、前記第２の制御線に前記白階調信号または前記黒階調信号の他方を供給し、
前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にして、
前記第１の制御線と前記第２の制御線との間に流れる電流を前記画素間リーク電流として計測する、
ことを特徴とする請求項７記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項９】
前記第３の工程において、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置の前記一領域に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返す、
ことを特徴とする請求項７または８に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１０】
前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適であると判定された場合、当該最適であると判定された電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気に接触するのを防止するための封止処理を行った後、後工程に送る、
ことを特徴とする請求項３〜９のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１１】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を含む電気泳動素子と、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記第１の電極との間に設けられたメモリ回路と、当該メモリ回路用の正極側電源線及び負極側電源線とを備えた複数の画素を有する電気泳動表示装置の検査方法であって、
前記電気泳動表示装置において隣接する画素間に生じる画素間リーク電流を計測し、当該計測した画素間リーク電流に基づいて前記電気泳動表示装置の表示品質に関する検査を行う、
ことを特徴とする電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１２】
前記電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気と接触可能な状態において、
前記画素間リーク電流を計測する第１の工程と、
予め用意していた、前記画素間リーク電流と前記電気泳動表示装置のコントラストとの相関関係を基に、前記第１の工程で計測した前記画素間リーク電流に対応する前記コントラストを求める第２の工程と、
前記第２の工程で求めたコントラストに基づいて当該電気泳動表示装置における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する第３の工程と、
を有することを特徴とする請求項１１記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１３】
前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の全領域における画素について計測し、
前記第３の工程では、前記１画面の全領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１２記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１４】
前記第１の工程では、
前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の全領域における画素のメモリ回路に同値の１ビットデータを記憶させた場合の前記全領域におけるメモリ回路の貫通リーク電流を計測して記録し、
前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の全領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させた場合に、前記正極側電源線と負極側電源線との間に流れる電流の値から前記貫通リーク電流の値を差し引いた値を前記画素間リーク電流の計測結果とする、
ことを特徴とする請求項１３記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１５】
前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返す、
ことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１６】
前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の一領域における画素について計測し、
前記第３の工程では、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１２記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１７】
前記第１の工程では、
前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の一領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させた場合の前記一領域におけるメモリ回路の貫通リーク電流を計測して記録し、
前記一領域以外の領域における画素のメモリ回路には同値の１ビットデータを記憶させた場合に、前記正極側電源線と負極側電源線との間に流れる電流の値から前記貫通リーク電流の値を差し引いた値を前記画素間リーク電流の計測結果とする、
ことを特徴とする請求項１６記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１８】
前記第３の工程において、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置の前記一領域に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返す、
ことを特徴とする請求項１６または１７に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項１９】
前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適であると判定された場合、当該最適であると判定された電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気に接触するのを防止するための封止処理を行った後、後工程に送る、
ことを特徴とする請求項１２〜１８のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項２０】
前記画素間リーク電流を計測する第１の工程と、
前記第１の工程で計測した前記画素間リーク電流と所定の閾値とを比較することにより、前記隣接する画素間に短絡不良が発生しているか否かを判定する第４の工程を有することを特徴とする請求項１、２または１１のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【請求項２１】
前記第１の工程によって１画面の全領域における画素について前記画素間リーク電流を計測し、前記第４の工程よって前記１画面の全領域において短絡不良が発生していると判定された場合、前記１画面を複数の領域に分割し、当該分割した各領域毎に前記第１の工程の画素間リーク電流計測処理と前記第４の工程の短絡不良判定処理とを行い、
前記各領域毎の第４の工程によって当該領域において短絡不良が発生していると判定された場合、当該短絡不良が発生していると判定された領域をさらに複数の領域に分割し、前記さらに分割した各領域毎に再度前記第１の工程の画素間リーク電流計測処理と前記第４の工程の短絡不良判定処理とを行う、という工程を繰り返すことにより短絡不良箇所を探索する、
ことを特徴とする請求項２０記載の電気泳動表示装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の一形態として、電気泳動材料を用いた電気泳動表示装置が注目されている。この電気泳動表示装置は、スイッチング素子やデータ線、走査線、画素電極等から構成される画素回路が形成された回路基板と、当該回路基板に対向する共通電極が形成された対向基板との間に、正または負に帯電した電気泳動粒子を内包するマイクロカプセルを複数含んだ電気泳動素子が狭持された構成となっている。このような構成の電気泳動表示装置では、画素電極と共通電極間に電位差を与えると、正または負に帯電した電気泳動粒子の一方は画素電極側に、他方は対向電極側に移動するので、共通電極側（表示面側）に移動した電気泳動粒子の色（黒または白）によって画像を形成することができる。
【０００３】
例えば、下記特許文献１には、回路基板側の画素回路において、スイッチング素子と画素電極との間に１ビットのデータを記憶可能なメモリ回路を設けることにより、従来必要とされる周期的なリフレッシュ動作を省略することのできる電気泳動表示装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−８４３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような電気泳動表示装置において、電気泳動素子の内部の水分量が極端に少ないとコントラストが低くなり、適切な水分量だとコントラストが高くなり（最適なコントラストが得られる）、極端に水分量が多くなるとコントラストが低くなるということが一般的に認識されている。ところが、この電気泳動素子は非常に厚さの薄いシート状のものであるので、水分量を調べることが極めて困難である。
【０００５】
そこで、従来では、製造工程において、電気泳動素子が外気と接触可能な状態（具体的には、回路基板と対向基板との間に電気泳動素子を狭持させた状態で、且つ両基板の外周部を封止樹脂などで封止処理する前の状態）で高温高湿槽に投入し、所定の条件（温度、湿度、時間）で電気泳動素子に対する吸湿処理を行い、その後、両基板の外周部を封止樹脂などで封止処理して後工程に送り、実際に点灯させてコントラストを計測して、製造された電気泳動表示装置が適切な水分量を含んでいるか否かを判断していた。
【０００６】
このように、従来では水分量が適切か否かをコントラストを計測して判断するしかなく、
仮にコントラストを計測して適切な水分量を含んでいない（つまり不良品）と判断された場合、既に封止処理がなされた後なので吸湿処理または乾燥処理を行うことができず、完全に不良品として扱われリペアすることができなかった。その結果、製造工程の歩留まり低下につながるという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、製造工程の歩留まりを向上することのできる電気泳動表示装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明にかかるひとつの電気泳動表示装置の検査方法は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を含む電気泳動素子とを備えた複数の画素を有し、前記複数の画素の各々は、走査線と、データ線と、第１の制御線と、第２の制御線と、前記走査線及び前記データ線に接続された画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子に接続され、前記データ線及び前記画素スイッチング素子を介して入力される１ビットデータを記憶し、当該１ビットデータを示す出力信号を出力するメモリ回路と、前記メモリ回路と前記第１の電極との間に設けられ、前記メモリ回路からの出力信号に基づいて前記第１の制御線または前記第２の制御線のいずれか一方を前記第１の電極と電気的に接続するスイッチ回路と、を有する電気泳動表示装置の検査方法であって、隣接する前記画素間に生じる画素間リーク電流を計測し、当該計測した画素間リーク電流に基づいて前記電気泳動表示装置の表示品質に関する検査を行う、ことを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明にかかるひとつの電気泳動表示装置の検査方法は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を含む電気泳動素子と、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記第１の電極との間に設けられたメモリ回路と、当該メモリ回路用の正極側電源線及び負極側電源線とを備えた複数の画素を有する電気泳動表示装置の検査方法であって、前記電気泳動表示装置において隣接する画素間に生じる画素間リーク電流を計測し、当該計測した画素間リーク電流に基づいて前記電気泳動表示装置の表示品質に関する検査を行う、ことを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る電気泳動表示装置は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を含む電気泳動素子とを備えた複数の画素を有する電気泳動表示装置であって、前記複数の画素の各々は、走査線と、データ線と、第１の制御線と、第２の制御線と、前記走査線及び前記データ線に接続された画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子に接続され、前記データ線及び前記画素スイッチング素子を介して入力される１ビットデータを記憶し、当該１ビットデータを示す出力信号を出力するメモリ回路と、前記メモリ回路と前記第１の電極との間に設けられ、前記メモリ回路からの出力信号に基づいて前記第１の制御線または前記第２の制御線のいずれか一方を前記第１の電極と電気的に接続するスイッチ回路とを有することを特徴とする。
このような特徴を有する電気泳動表示装置によれば、第２の電極への給電線を開放状態（高インピーダンス状態）にし、隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させ、前記第１の制御線に白階調を規定する白階調信号または黒階調を規定する黒階調信号の一方を、前記第２の制御線に前記白階調信号または前記黒階調信号の他方を供給する（つまり隣接する画素間に大きな電界が発生する）だけで、隣接する画素間に生じる画素間リーク電流を簡単に計測することができる。すなわち、前記第１の制御線と前記第２の制御線との間に流れる電流が前記画素間リーク電流に相当するので、これら第１の制御線と第２の制御線との間に流れる電流を計測すれば良い。
【０００９】
一般的に、画素間リーク電流と電気泳動素子内部の水分量とはほぼ比例関係にあると考えられている。従って、水分量の計測は困難なので、予め画素間リーク電流とコントラストとの相関関係を調査しておくことにより、当該相関関係からどれくらいの画素間リーク電流値の場合に、最適なコントラスト、つまり最適な水分量が含まれているのかを判定（検査）することができる。例えば、製造工程において、電気泳動素子が外気と接触可能な状態（具体的には、回路基板と対向基板との間に電気泳動素子を狭持させた状態で、且つ両基板の外周部を封止樹脂などで封止処理する前の状態）の内に画素間リーク電流を計測し、予め用意しておいた画素間リーク電流とコントラストとの相関関係を基に、計測した画素間リーク電流に対応するコントラストを求めることにより、電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することができる。仮に、水分量が最適ではないと判定された場合は、まだ封止処理する前の状態なので、高温高湿槽などに投入して吸湿処理または乾燥処理を行うことにより、少なくとも水分量に起因する不良品を後工程に送ることはなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００１０】
また、画素間リーク電流は隣接する画素間において短絡不良が発生すると、大きく増大することが知られている。すなわち、画素間リーク電流を計測することにより、電気泳動表示装置に短絡不良が発生しているか否かを判定（検査）することができる。従来では、一般的に短絡不良の検査を点灯検査工程で行っていたので、仮にリペアが可能であっても例えば上記のような水分量に起因する不良品があった場合は結局不良品として扱うことになっていた。一方、画素間リーク電流を計測することにより早い段階で短絡不良の検査を行うことができれば、短絡不良が発見された場合はその場でリペアし、その後で上記のような水分量の検査を行うことにより、最終的に点灯検査工程で不良となる品を減らすことができ、その結果、歩留まり向上を図ることができる。
【００１１】
以上のように、画素間リーク電流を計測することにより、様々な表示品質に関する検査を行うことができ、製造工程の歩留まり向上を図ることができる。すなわち、このような画素間リーク電流を簡単に計測することのできる、本発明に係る電気泳動表示装置によれば、製造工程の歩留まり向上に寄与することができる。
【００１２】
また、本発明に係る電気泳動表示装置において、前記複数の画素の各々は、正極側電源線と負極側電源線とを有し、前記メモリ回路は、正極側電源端子が前記正極側電源線に接続され、負極側電源端子が前記負極側電源線に接続された、１入力２出力のＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）であり、前記スイッチ回路は、前記ＳＲＡＭの一方の出力信号に基づいて前記第１の電極と前記第１の制御線とを接続させる第１のトランスミッションゲートと、前記ＳＲＡＭの他方の出力信号に基づいて前記第１の電極と前記第２の制御線とを接続させる第２のトランスミッションゲートとを有することが望ましい。
このように、メモリ回路としてＳＲＡＭを使用することにより、リフレッシュ動作が不要となるため回路構成が簡単となり、低消費電力化及び高速動作の向上に寄与する。また、スイッチ回路を第１のトランスミッションゲート及び第２のトランスミッションゲートから構成することにより、簡単な回路構成でスイッチ回路を実現することができる。
【００１３】
一方、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法は、上述した構成を備える電気泳動表示装置において隣接する画素間に生じる画素間リーク電流を計測し、当該計測した画素間リーク電流に基づいて前記電気泳動表示装置の表示品質に関する検査を行うことを特徴とする。
このような特徴を有する検査方法によれば、上記で説明したように、画素間リーク電流を計測することにより、様々な表示品質に関する検査を行うことができ、製造工程の歩留まり向上を図ることができる。
【００１４】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気と接触可能な状態において、前記画素間リーク電流を計測する第１の工程と、予め用意していた、前記画素間リーク電流と前記電気泳動表示装置のコントラストとの相関関係を基に、前記第１の工程で計測した前記画素間リーク電流に対応する前記コントラストを求める第２の工程と、前記第２の工程で求めたコントラストに基づいて当該電気泳動表示装置における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する第３の工程とを有することが望ましい。
これにより、仮に、水分量が最適ではないと判定された場合は、まだ封止処理する前の状態（電気泳動素子が外気と接触可能な状態）なので、高温高湿槽などに投入して吸湿処理または乾燥処理を行うことにより、少なくとも水分量に起因する不良品を後工程に送ることはなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００１５】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の全領域における画素について計測し、前記第３の工程では、前記１画面の全領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することが望ましい。
このように１画面の全領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することにより、１つの電気泳動表示装置に対する水分量検査時間が短縮され、製造工程全体の時間を短縮することができる。
【００１６】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記１画面の全領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させ、前記第１の制御線に白階調を規定する白階調信号または黒階調を規定する黒階調信号の一方を、前記第２の制御線に前記白階調信号または前記黒階調信号の他方を供給し、前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にして、前記第１の制御線と前記第２の制御線との間に流れる電流を前記画素間リーク電流として計測することが望ましい。
これにより、１画面の全領域において隣接する画素の第１の電極間に最大の電界が生じることになり、第１の制御線と第２の制御線との間に流れる電流は、１画面の全領域における画素間リーク電流の総和となる。つまり、１画面全体の画素間リーク電流を簡単に計測することができる。
【００１７】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返すことが望ましい。
つまり、１度の吸湿処理または乾燥処理で最適な水分量を得ることができなくても、第１の工程から前記第３の工程までを繰り返すことにより、最終的に最適な水分量（コントラスト）を有する電気泳動表示装置を作製することができ、後工程に水分量に起因する不良品を送ることがなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００１８】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の一領域における画素について計測し、前記第３の工程では、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することが望ましい。
このように１画面の一領域における水分量が最適か否かを判定することにより、１画面における水分量の面内分布を検査することができる。水分量の面内分布がわかれば、どの部分を集中的に吸湿処理または乾燥処理をすれば良いかを判断できるので、効率良く且つ効果的に吸湿処理または乾燥処理を行うことができる。また、水分量の面内分布から例えば高温高湿槽内の温度分布や湿度分布を推定することもできるので、水分量の面内分布が一定となるように高温高湿槽の調整をすることにより、より高品質な電気泳動表示装置を得ることができるようになる。
【００１９】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記１画面の一領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させ、前記一領域以外の領域における画素のメモリ回路には同値の１ビットデータを記憶させ、前記第１の制御線に前記白階調信号または前記黒階調信号の一方を、前記第２の制御線に前記白階調信号または前記黒階調信号の他方を供給し、前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にして、前記第１の制御線と前記第２の制御線との間に流れる電流を前記画素間リーク電流として計測することが望ましい。
これにより、１画面の一領域において隣接する画素の第１の電極間に最大の電界が生じ、一領域以外の領域において隣接する画素の第１の電極間には電界が生じないので、第１の制御線と第２の制御線との間に流れる電流は、１画面の一領域における画素間リーク電流の総和となる。つまり、１画面の一領域における画素間リーク電流を簡単且つ確実に計測することができる。
【００２０】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第３の工程において、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置の前記一領域に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返すことが望ましい。
このように、水分量が最適ではないと判定された一領域を集中的に吸湿処理または乾燥処理をすることにより、効率良く且つ効果的に最適な水分量を有する電気泳動表示装置を作製することができ、後工程に水分量に起因する不良品を送ることがなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００２１】
また、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法において、前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適であると判定された場合、当該最適であると判定された電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気に接触するのを防止するための封止処理を行った後、後工程に送ることが望ましい。
このように、水分量が最適だと判定された場合は、封止処理を行ってから後工程に送ることにより、後工程で水分量が変化してしまうことを防止することができ、その結果、歩留まり向上に寄与する。
【００２２】
さらに、本発明に係る電気泳動表示装置の検査方法は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を含む電気泳動素子と、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記第１の電極との間に設けられたメモリ回路と、当該メモリ回路用の正極側電源線及び負極側電源線とを備えた複数の画素を有する電気泳動表示装置の検査方法であって、前記電気泳動表示装置において隣接する画素間に生じる画素間リーク電流を計測し、当該計測した画素間リーク電流に基づいて前記電気泳動表示装置の表示品質に関する検査を行うことを特徴とする。
ここでいう電気泳動表示装置は、上述した特許文献１（特開２００３−８４３１４号公報）に開示されているものと同様の構成要素を備えるものである。このような従来の構成の電気泳動表示装置であっても画素間リーク電流を計測することにより、様々な表示品質に関する検査を行うことができ、製造工程の歩留まり向上を図ることができる。
【００２３】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法としても、前記電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気と接触可能な状態において、前記画素間リーク電流を計測する第１の工程と、予め用意していた、前記画素間リーク電流と前記電気泳動表示装置のコントラストとの相関関係を基に、前記第１の工程で計測した前記画素間リーク電流に対応する前記コントラストを求める第２の工程と、前記第２の工程で求めたコントラストに基づいて当該電気泳動表示装置における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定する第３の工程とを有する検査方法を採用することが望ましい。
すなわち、仮に、水分量が最適ではないと判定された場合は、まだ封止処理する前の状態（電気泳動素子が外気と接触可能な状態）なので、高温高湿槽などに投入して吸湿処理または乾燥処理を行うことにより、少なくとも水分量に起因する不良品を後工程に送ることはなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００２４】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の全領域における画素について計測し、前記第３の工程では、前記１画面の全領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することが望ましい。
このように１画面の全領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することにより、１つの電気泳動表示装置に対する水分量検査時間が短縮され、製造工程全体の時間を短縮することができる。
【００２５】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の全領域における画素のメモリ回路に同値の１ビットデータを記憶させた場合の前記全領域におけるメモリ回路の貫通リーク電流を計測して記録し、前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の全領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させた場合に、前記正極側電源線と負極側電源線との間に流れる電流の値から前記貫通リーク電流の値を差し引いた値を前記画素間リーク電流の計測結果とすることが望ましい。
このような従来の構成の電気泳動表示装置では、上述したような第１の制御線や第２の制御線、スイッチ回路を備えていないため、第１の制御線と第２の制御線との間の電流を計測することで簡単に画素間リーク電流を知ることはできない。そのため、従来の構成の電気泳動表示装置では、メモリ回路の貫通リーク電流を計測する必要がある。画素電源に流れる電流には、第１の電極と第２の電極との間に流れるリーク電流、メモリ回路の貫通リーク電流、隣接する画素の第１の電極間に流れる画素間リーク電流の３成分が含まれている。その内、第１の電極と第２の電極との間に流れるリーク電流は、第２の電極への給電線を電気的に開放状態にすることで消すことができる。また、画素間リーク電流は、隣接する画素のメモリ回路に同値の１ビットデータを記憶させて、隣接する画素の第１の電極間に電界が生じないようにすることで消すことができる。この時に、メモリ回路の正極側電源線と負極側電源線との間に流れる電流の値が貫通リーク電流である。その貫通リーク電流を記録しておく。そして、第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の全領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させることにより、隣接する画素の第１の電極間に最大の電界が生じる。この時の正極側電源線と負極側電源線との間に流れる電流の値は、貫通リーク電流と画素間リーク電流との和であるため、この電流値から記録しておいた貫通リーク電流を差し引くことにより画素間リーク電流を得ることができる。
【００２６】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返すことが望ましい。
つまり、１度の吸湿処理または乾燥処理で最適な水分量を得ることができなくても、第１の工程から前記第３の工程までを繰り返すことにより、最終的に最適な水分量（コントラスト）を有する電気泳動表示装置を作製することができ、後工程に水分量に起因する不良品を送ることがなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００２７】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記画素間リーク電流を１画面の一領域における画素について計測し、前記第３の工程では、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適か否かを判定することが望ましい。
このように１画面の一領域における水分量が最適か否かを判定することにより、１画面における水分量の面内分布を検査することができる。
【００２８】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程では、前記第２の電極への給電線を電気的に開放状態にした状態で、前記１画面の一領域において隣接する画素の一方の画素のメモリ回路に１ビットデータの一方の値を記憶させると共に、他方の画素のメモリ回路に１ビットデータの他方の値を記憶させ、前記一領域以外の領域における画素のメモリ回路には同値の１ビットデータを記憶させた場合に、前記正極側電源線と負極側電源線との間に流れる電流の値から前記貫通リーク電流の値を差し引いた値を前記画素間リーク電流の計測結果とすることが望ましい。
これにより、１画面の一領域において隣接する画素の第１の電極間に最大の電界が生じ、一領域以外の領域において隣接する画素の第１の電極間には電界が生じないので、画素間リーク電流の計測結果は、１画面の一領域における画素間リーク電流の総和となる。つまり、１画面の一領域における画素間リーク電流を確実に計測することができる。
【００２９】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第３の工程において、前記１画面の一領域における前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適ではないと判定された場合、当該最適ではないと判定された電気泳動表示装置の前記一領域に対して吸湿処理または乾燥処理を行った後、前記第１の工程から前記第３の工程までを再度繰り返すことが望ましい。
このように、水分量が最適ではないと判定された一領域を集中的に吸湿処理または乾燥処理をすることにより、効率良く且つ効果的に最適な水分量を有する電気泳動表示装置を作製することができ、後工程に水分量に起因する不良品を送ることがなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００３０】
また、このような従来の構成の電気泳動表示装置の検査方法において、前記第３の工程において、前記電気泳動素子に含まれる水分量が最適であると判定された場合、当該最適であると判定された電気泳動表示装置における前記電気泳動素子が外気に接触するのを防止するための封止処理を行った後、後工程に送ることが望ましい。
このように、水分量が最適だと判定された場合は、封止処理を行ってから後工程に送ることにより、後工程で水分量が変化してしまうことを防止することができ、その結果、歩留まり向上に寄与する。
【００３１】
さらに、上述した電気泳動表示装置の検査方法において、前記画素間リーク電流を計測する第１の工程と、前記第１の工程で計測した前記画素間リーク電流と所定の閾値とを比較することにより、前記隣接する画素間に短絡不良が発生しているか否かを判定する第４の工程を有することが望ましい。
上述したように、画素間リーク電流を計測することにより、電気泳動表示装置に短絡不良が発生しているか否かを判定（検査）することができるので、画素間リーク電流を計測することにより点灯検査前の早い段階で短絡不良の検査を行うことができれば、短絡不良が発見された場合はその場でリペアし、その後で上記のような水分量の検査を行うことにより、最終的に点灯検査工程で不良となる品を減らすことができ、その結果、歩留まり向上を図ることができる。
【００３２】
また、この電気泳動表示装置の検査方法において、前記第１の工程によって１画面の全領域における画素について前記画素間リーク電流を計測し、前記第４の工程よって前記１画面の全領域において短絡不良が発生していると判定された場合、前記１画面を複数の領域に分割し、当該分割した各領域毎に前記第１の工程の画素間リーク電流計測処理と前記第４の工程の短絡不良判定処理とを行い、前記各領域毎の第４の工程によって当該領域において短絡不良が発生していると判定された場合、当該短絡不良が発生していると判定された領域をさらに複数の領域に分割し、前記さらに分割した各領域毎に再度前記第１の工程の画素間リーク電流計測処理と前記第４の工程の短絡不良判定処理とを行う、という工程を繰り返すことにより短絡不良箇所を探索することが望ましい。
これにより、１画面分のどの部分に短絡不良が発生しているかを特定することができるので、その後のリペア作業を効率良く行うことができる。また、点灯検査前の早い段階で、短絡不良箇所を前工程にフィードバックすることにより、歩留まり向上に寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明に係る電気泳動表示装置及び電気泳動表示装置の検査方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
〔電気泳動表示装置〕
図１は、本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置１の構成概略図である。この図１に示すように、本電気泳動表示装置１は、Ｙ軸方向に沿ってｍ個、Ｘ軸方向に沿ってｎ個のマトリクス状に複数の画素２と、ｍ本の走査線４と、ｎ本のデータ線５と、全画素２に共通の、第１の制御線１１、第２の制御線１２、第１の電源線（正極側電源線）１３、第２の電源線（負極側電源線）１４及び共通電極電源配線（第２の電極への給電線）１５とが形成された表示部３と、当該表示部３から上記の走査線４、データ線５、第１の制御線１１、第２の制御線１２、第１の電源線１３、第２の電源線１４及び共通電極電源配線１５を引き出して外部接続パッドと接続するための領域である引き出し部６とを備えている。なお、符号４ａは走査線４の外部接続パッド、符号５ａはデータ線５の外部接続パッド、符号１１ａは第１の制御線１１の外部接続パッド、符号１２ａは第２の制御線１２の外部接続パッド、符号１３ａは第１の電源線１３の外部接続パッド、符号１４ａは第２の電源線１４の外部接続パッド、符号１５ａは共通電極電源配線１５の外部接続パッドである。
【００３４】
走査線４は、表示部３をＸ軸方向に沿って延在して各画素２に接続されており、後述する画素２に形成された駆動用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２４のオンタイミングを規定する選択信号を各画素２に供給するための配線である。データ線５は、表示部３をＹ軸方向に沿って延在して各画素２に接続されており、各画素２の各々に対応する１ビットの画像データ（１ビットデータ）を規定する画像信号を各画素２（詳細には駆動用ＴＦＴ２４のソース電極）に供給するための配線である。なお、本実施形態では、画像データ「０」を規定する場合はローレベルの画像信号を供給し、また、画像データ「１」を規定する場合はハイレベルの画像信号を供給するものとする。
【００３５】
第１の制御線１１は、後述する画素電極２１が第１の制御線１１と接続された画素２の階調を規定する第１の駆動信号を供給するための配線である。第２の制御線１２は、後述する画素電極２１が第２の制御線１２と接続された画素２の階調を規定する第２の駆動信号を供給するための配線である。第１の電源線１３は、後述する画素２に形成されたＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）２５に正極側電源電圧信号を供給するための配線である。第２の電源線１４は、上記のＳＲＡＭ２５に負極側電源電圧信号を供給するための配線である。本実施形態では、この第２の電源線１４はグランドラインと接続する。共通電極電源配線１５は、後述する画素２に設けられた共通電極２２にコモン電圧信号を供給するための配線である。
【００３６】
続いて、図２を参照して画素２の詳細な構成について説明する。図２は、画素２の回路構成図である。この図２に示すように、画素２は、駆動用ＴＦＴ（画素スイッチング素子）２４と、ＳＲＡＭ（メモリ回路）２５と、スイッチ回路３５と、画素電極（第１の電極）２１と、共通電極（第２の電極）２２と、電気泳動素子２３とで構成される。
【００３７】
駆動用ＴＦＴ２４は、例えばＮ−ＭＯＳ（Negative Metal Oxide Semiconductor）トランジスタであり、ゲート電極が走査線４に接続され、ソース電極がデータ線５に接続され、またドレイン電極がＳＲＡＭ２５のデータ入力端子Ｐ１に接続されている。
【００３８】
ＳＲＡＭ２５は、Ｃ−ＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型ＳＲＡＭであり、２つのＰ−ＭＯＳ（Positive Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ２５a及び２５bと、２つのＮ−ＭＯＳトランジスタ２５c及び２５dから構成されている。Ｐ−ＭＯＳトランジスタ２５aのソース電極は正極側電源端子ＰＨに接続され、ドレイン電極はデータ入力端子Ｐ１、ゲート電極はＮ−ＭＯＳトランジスタ２５cのゲート電極及び第１のデータ出力端子Ｐ２に接続されている。また、正極側電源端子ＰＨは、第１の電源線１３に接続されている。
【００３９】
Ｐ−ＭＯＳトランジスタ２５bのソース電極は正極側電源端子ＰＨに接続され、ドレイン電極は第１のデータ出力端子Ｐ２、ゲート電極は第２のデータ出力端子Ｐ３に接続されている。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ２５cのソース電極はデータ入力端子Ｐ１に接続され、ドレイン電極は負極側電源端子ＰＬに接続され、ゲート電極はＰ−ＭＯＳトランジスタ２５aのゲート電極及び第１のデータ出力端子Ｐ２に接続されている。また、負極側電源端子ＰＬは第２の電源線１４に接続されている。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ２５dのソース電極は第１のデータ出力端子Ｐ２に接続され、ドレイン電極は負極側電源端子ＰＬに接続され、ゲート電極は第２のデータ出力端子Ｐ３に接続されている。また、データ入力端子Ｐ１と第２のデータ出力端子Ｐ３は接続されている。
【００４０】
このようにＳＲＡＭ２５は、１ビットの画像データを記憶可能な１入力２出力のメモリ回路であり、データ入力端子Ｐ１に画像データ「１」を規定する画像信号、つまりハイレベルの画像信号が入力された場合、第１のデータ出力端子Ｐ２からはローレベルの信号が出力され、第２のデータ出力端子Ｐ３からはハイレベルの信号が出力される。
【００４１】
スイッチ回路３５は、第１のトランスミッションゲート３６及び第２のトランスミッションゲート３７から構成されている。第１のトランスミッションゲート３６は、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３６aとＰ−ＭＯＳトランジスタ３６bとから構成されており、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３６a及びＰ−ＭＯＳトランジスタ３６bのソース電極は、信号入力端子Ｐ４を介して第１の制御線１１と接続され、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３６a及びＰ−ＭＯＳトランジスタ３６bのドレイン電極は、信号出力端子Ｐ５を介して画素電極２１に接続されている。また、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３６aのゲート電極は、ＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３に接続されており、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ３６bのゲート電極は、ＳＲＡＭ２５の第１のデータ出力端子Ｐ２に接続されている。
【００４２】
第２のトランスミッションゲート３７は、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３７aとＰ−ＭＯＳトランジスタ３７bとから構成されており、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３７a及びＰ−ＭＯＳトランジスタ３７bのソース電極は、信号入力端子Ｐ６を介して第２の制御線１２と接続され、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３７a及びＰ−ＭＯＳトランジスタ３７bのドレイン電極は、信号出力端子Ｐ７を介して画素電極２１に接続されている。また、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ３７aのゲート電極は、ＳＲＡＭ２５の第１のデータ出力端子Ｐ２に接続されており、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ３７bのゲート電極は、ＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３に接続されている。
【００４３】
つまり、ＳＲＡＭ２５に画像データ「１」が記憶され、第１のデータ出力端子Ｐ２からローレベルの信号が出力され、第２のデータ出力端子Ｐ３からハイレベルの信号が出力された場合、第１のトランスミッションゲート３６がオン状態となり、第１の制御線１１を介して信号入力端子Ｐ４に供給された第１の駆動信号は、信号出力端子Ｐ５から画素電極２１に供給される。一方、ＳＲＡＭ２５に画像データ「０」が記憶され、第１のデータ出力端子Ｐ２からハイレベルの信号が出力され、第２のデータ出力端子Ｐ３からローレベルの信号が出力された場合、第２のトランスミッションゲート３７がオン状態となり、第２の制御線１２を介して信号入力端子Ｐ６に供給された第２の駆動信号は、信号出力端子Ｐ７から画素電極２１に供給される。
【００４４】
画素電極２１は、Ａｌ（アルミニウム）などから形成された、電気泳動素子２３への電圧印加用の電極であり、第１のトランスミッションゲート３６の信号出力端子Ｐ５及び第２のトランスミッションゲート３７の信号出力端子Ｐ７と電気的に接続されている。共通電極２２は、画素電極２１の対向電極としての機能を有し、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）や、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などから形成された透明電極であり、共通電極電源配線１５と電気的に接続されている。電気泳動素子２３は、画素電極２１と共通電極２２との間に狭持されており、これら画素電極２１と共通電極２２間の電位差によって生じる電界によって画像を表示させるものである。
【００４５】
図３は電気泳動表示装置１の表示部３の部分断面図である。表示部３は画素電極２１を備えた回路基板２８及び共通電極２２が形成された対向基板２９で、電気泳動素子２３を挟持する構成となっている。電気泳動素子２３は、複数のマイクロカプセル４０により構成されている。電気泳動素子２３は、接着剤層３０によって両基板２８、２９の間で固定されている。
【００４６】
回路基板２８は、例えばガラスやプラスティックなどの材料を矩形に成型した基板である。回路基板２８上に画素電極２１が形成され、画素電極２１はそれぞれの画素２ごとに矩形に形成されている。図示は省略しているが、各画素電極２１の間の領域や画素電極２１の下面には、図１、２で示した走査線４、データ線５、第１の制御線１１、第２の制御線１２、第１の電源線１３、第２の電源線１４、共通電極電源配線１５、駆動用ＴＦＴ２４、ＳＲＡＭ２５、スイッチ回路３５などが形成されている。対向基板２９は、画像を表示する側となるため、例えば、ガラス等の透光性を持つ材質を矩形状に形成させたものである。
【００４７】
図４は、マイクロカプセル４０の構成図である。マイクロカプセル４０は、例えば５０μｍ程度の粒径を有すると共にポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル等のアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴム等の透光性を持つ高分子樹脂によって形成されている。このマイクロカプセル４０は、共通電極２２と上述の画素電極２１との間に挟持されており、一つの画素内に複数のマイクロカプセル４０が縦横に配列された構成になっている。マイクロカプセル４０の周囲を埋めるように、当該マイクロカプセル４０を固定するバインダ（図示は省略）が設けられている。マイクロカプセル４０の内部には、分散媒４１と、電気泳動粒子として複数の白色粒子４２、複数の黒色粒子４３の帯電粒子が封入されている。
【００４８】
分散媒４１としては、例えば水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ぺンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロへキサン、メチルシクロへキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼン等の長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独又はこれらの混合物に界面活性剤等を配合したものからなり、白色粒子４２と黒色粒子４３とをマイクロカプセル４０内に分散させる液体である。
【００４９】
白色粒子４２は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されている。
黒色粒子４３は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されている。
このため、白色粒子４２及び黒色粒子４３は、分散媒４１中で画素電極２１と共通電極２２との間の電位差によって発生する電界中を移動することができる。
【００５０】
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。
【００５１】
白色粒子４２及び黒色粒子４３は溶媒中のイオンによって覆われており、これらの粒子の表面にはイオン層４４が形成されている。帯電している白色粒子４２及び黒色粒子４３とイオン層４４との間には、電気二重層が形成されている。一般的に、白色粒子４２や黒色粒子４３などの帯電粒子は、１０ｋＨｚ以上の周波数の電界を印加しても、電界にほとんど反応せず、ほとんど移動しないことが知られている。帯電粒子の周りのイオンは、帯電粒子に比べて粒子径がはるかに小さいので、電界の周波数が１０ｋＨｚ以上の電界を印加すると電界に応じて移動することが知られている。
【００５２】
図５はマイクロカプセル４０の動作を説明した図である。ここでは、イオン層４４が形成されない理想的な場合を例に挙げて説明する。画素電極２１と共通電極２２との間で相対的に共通電極２２の電圧が高くなるように電圧を印加すると、図５（ａ）に示すように、正に帯電された黒色粒子４３はクーロン力によってマイクロカプセル４０内で画素電極２１側に引き寄せられる。一方、負に帯電された白色粒子４２はクーロン力によってマイクロカプセル４０内で共通電極２２側に引き寄せられる。この結果、マイクロカプセル４０内の表示面側には白色粒子４２が集まることになり、表示面にはこの白色粒子４２の色（白色）が表示されることとなる。
【００５３】
一方、画素電極２１と共通電極２２との間に相対的に画素電極２１の電位が高くなるように電圧を印加すると、図５（ｂ）に示すように、負に帯電された白色粒子４２がクーロン力によって画素電極２１側に引き寄せられる。逆に、正に帯電された黒色粒子４３はクーロン力によって共通電極２２側に引き寄せられる。この結果、マイクロカプセル４０の表示面側には黒色粒子４３が集まることになり、表示面にはこの黒色粒子４３の色（黒色）が表示されることとなる。
なお、白色粒子４２、黒色粒子４３に用いる顔料を、例えば赤色、緑色、青色等の顔料に代えることによって、赤色、緑色、青色等を表示する電気泳動表示装置１とすることができる。
【００５４】
〔電気泳動表示装置の検査方法〕
次に、本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法について説明する。なお、この第１実施形態では、上述した構成の電気泳動表示装置１の検査方法について説明する。
【００５５】
図６は、第１実施形態に係る電気泳動表示装置１の検査方法の手順を示すフローチャートである。まず、電気泳動表示装置１の製造工程において、電気泳動素子２３が外気と接触可能な状態、具体的には、図３に示すように、回路基板２８と対向基板２９との間に電気泳動素子２３を狭持させた状態で、且つ両基板の外周部を封止樹脂などで封止処理する前の状態の内に画素間リーク電流を計測する（ステップＳ１：第１の工程）
【００５６】
以下、このステップＳ１について具体的に説明する。まず、各画素２のＳＲＡＭ２５に画像データを書き込む必要がある。ＳＲＡＭ２５に画像データを書き込む場合、第１の電源線１３を介して各画素２のＳＲＡＭ２５に、直流５（Ｖ）の電源電圧信号を供給すると共に、第２の電源線１４とグランドラインとを接続する。この時、第１の制御線１１、第２の制御線１２及び共通電極電源配線１５は電気的に開放状態（つまり高インピーダンス状態）にしておく。第１の電源線１３に電源電圧信号を供給するには、外部接続パッド１３ａに電源供給用プローブを接触させ、第２の電源線１４とグランドラインとを接続するには、外部接続パッド１４ａにグランド接続用プローブを接触させて、これらプローブを介して外部の信号生成装置（テスターなど）から電源電圧信号を供給する。第１の制御線１１、第２の制御線１２及び共通電極電源配線１５を開放状態にする場合には、各配線の外部接続パッド１１ａ、１２ａ及び１５ａに何も接続しなければ良い。
【００５７】
そして、１列目からｎ列目までのデータ線５を介して、白表示用の画像データ「０」を規定するローレベル信号及び黒色表示用の画像データ「１」を規定するハイレベル信号からなるパルス状の画像信号を各画素２に供給する。一方、１行目からｍ行目までの走査線４を順次選択して、駆動用ＴＦＴ２４のオンタイミングを規定する選択信号を各画素２に供給する。これにより、１画面の全領域において隣接する画素２の一方の画素２のＳＲＡＭ２５に画像データ「０」を記憶させると共に、他方の画素２のＳＲＡＭ２５に画像データ「１」を記憶させる。画像信号を供給するには、各データ線５の各々に設けられた外部接続パッド５ａに画像信号供給用プローブを接触させ、このプローブを介して上記の信号生成装置から画像信号を供給する。また、選択信号を供給するには、各走査線４の各々に設けられた外部接続パッド４ａに選択信号供給用プローブを接触させ、このプローブを介して上記の信号生成装置から選択信号を供給する。
【００５８】
この時点で、画像データ「０」が記憶されたＳＲＡＭ２５の第１のデータ出力端子Ｐ２からは５（Ｖ）のハイレベル信号が出力され、第２のデータ出力端Ｐ３からはグランドレベルのローレベル信号が出力されるため、第２のトランスミッションゲート３７はオン状態となるが、第２の制御線１２が高インピーダンス状態であるため、画素電極２１も高インピーダンス状態となる。また、画像データ「１」が記憶されたＳＲＡＭ２５の第１のデータ出力端子Ｐ２からはローレベル信号が出力され、第２のデータ出力端子Ｐ３からはハイレベル信号が出力されるため、第１のトランスミッションゲート３６はオン状態となるが、第１の制御線１１が高インピーダンス状態であるため、画素電極２１も高インピーダンス状態となる。つまり、この時点では、全画素２の画素電極２１と共通電極２２には電圧が印加されないので、電気泳動素子２３は動作しない。
【００５９】
続いて、第１の電源線１３を介して各画素２のＳＲＡＭ２５に、直流１５（Ｖ）の電源電圧信号を供給する。この時、第１の制御線１１に黒階調を規定する１５（Ｖ）のハイレベルの第１の駆動信号を供給し、第２の制御線１２に白階調を規定するローレベル（グランドレベル）の第２の駆動信号を供給する。第１の制御線１１に第１の駆動信号を供給するには、外部接続パッド１１ａに第１の駆動信号供給用プローブを接触させ、このプローブを介して上記の信号生成装置から第１の駆動信号を供給する。第２の制御線１２に第２の駆動信号を供給するには、外部接続パッド１２ａに第２の駆動信号供給用プローブを接触させ、このプローブを介して上記の信号生成装置から第２の駆動信号を供給する。
【００６０】
これにより、画像データ「０」が記憶されたＳＲＡＭ２５の第１のデータ出力端Ｐ子２からは１５（Ｖ）のハイレベル信号が出力され、第２のデータ出力端Ｐ３からはローレベル信号が出力されるため、第２のトランスミッションゲート３７はオン状態となる。つまり、画素電極２１には、第２のトランスミッションゲート３７を介して白階調を規定するグランドレベルの第２の駆動信号が供給される。一方、画像データ「１」が記憶されたＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３からは１５（Ｖ）のハイレベル信号が出力され、第１のデータ出力端子Ｐ２からはローレベル信号が出力されるため、第１のトランスミッションゲート３６はオン状態となる。つまり、画素電極２１には、第１のトランスミッションゲート３６を介して黒階調を規定する１５（Ｖ）の第１の駆動信号が供給される。
【００６１】
すなわち、図７に示すように、１画面の全領域において隣接する画素２の一方が黒色、他方が白色になる１ドット白黒反転パターンが形成されることになる。なお、図７では１ドット白黒反転パターンを視覚的に表現しているが、実際には共通電極電源配線１５（共通電極２２）が開放状態になっているので、１ドット白黒反転パターンは表示部３には表示されない。しかしながら、図８に示すように、隣接する画素２の画素電極２１間には、最大の電位差（１５Ｖ）によって最大の電界が発生しているため、電気泳動素子２３を介して黒階調側の画素電極２１から白階調側の画素電極２１へ画素間リーク電流が生じる。ここで、第１の制御線１１と第２の制御線１２との間に流れる電流が、１画面の全領域における画素間リーク電流の総和となる。従って、外部接続パッド１１ａと外部接続パッド１２ａとの間に電流計を接続することにより、１画面全体の画素間リーク電流を簡単に計測することができる。
【００６２】
次に、予め用意していた、画素間リーク電流と電気泳動表示装置１のコントラストとの相関関係を基に、上記のステップＳ１で計測した画素間リーク電流に対応するコントラストを求める（ステップＳ２：第２の工程）。一般的に、図９（ａ）に示すように、画素間リーク電流と電気泳動素子２３内部の水分量とはほぼ比例関係にあり、一方、図９（ｂ）に示すように、水分量が極端に少ないとコントラストが低くなり、適切な水分量だとコントラストが高くなり（最適なコントラストが得られる）、極端に水分量が多くなるとコントラストが低くなると認識されている。従って、水分量の計測は困難なので、予め画素間リーク電流とコントラストとの相関関係を調査（用意）しておくことにより、当該相関関係からどれくらいの画素間リーク電流値の場合に、最適なコントラスト、つまり最適な水分量が含まれているのかを判定（検査）することができる。図９（ｃ）に、このような画素間リーク電流とコントラストとの相関関係の一例を示す。つまり、図９（ｃ）に示すような、画素間リーク電流とコントラストとの相関関係を基に、上記のステップＳ１で計測した画素間リーク電流に対応するコントラストを求める。なお、この相関関係を調査する場合、相関関係の信頼度を高くするために、サンプル数は可能な限り多くし、その平均値を採用することが好ましい。また、この相関関係は、電気泳動表示装置１の製造条件が異なる場合や、電気泳動素子２３の特性が異なる場合などに合わせて、それぞれのケース毎に用意しておくことが好ましい。
【００６３】
次に、上記のステップＳ２で求めたコントラストに基づいて当該電気泳動表示装置１における電気泳動素子２３に含まれる水分量が最適か否かを判定する（ステップＳ３：第３の工程）。例えば、図９（c）に示すように、コントラストの最大値Ｃmaxから数％小さい値Ｃsを閾値とし、ステップＳ２で求めたコントラストがこの閾値Ｃsより大きい場合に、水分量（つまりステップＳ１で計測した画素間リーク電流）は最適であると判定するものとする。仮に、図９（c）に示すように、ステップＳ１で計測した画素間リーク電流をＩ０とすると、その時のコントラストは閾値Ｃsより大きいので水分量（画素間リーク電流）は最適であると判定することができる。一方、仮に、ステップＳ１で計測した画素間リーク電流をＩ１とすると、その時のコントラストは閾値Ｃsより小さいので水分量（画素間リーク電流）は最適ではないと判定することができる。
【００６４】
このステップＳ３において、水分量が最適ではないと判定された場合（NO）、その電気泳動表示装置１は、まだ封止処理する前の状態（電気泳動素子２３が外気と接触可能な状態）なので、高温高湿槽などに投入して吸湿処理または乾燥処理を行う（ステップＳ４）。例えば、水分量が少ない、つまり画素間リーク電流が小さい場合は吸湿処理を行い、また、水分量が多い、つまり画素間リーク電流が大きい場合は乾燥処理を行えば良い。その後は、ステップＳ１の工程に戻り、ステップＳ１〜Ｓ３を再度繰り返すことにより、少なくとも水分量に起因する不良品を後工程に送ることはなくなり、歩留まり向上を図ることができる。
【００６５】
一方、ステップＳ３において、水分量が最適だと判定された場合（YES）、当該最適であると判定された電気泳動表示装置１における電気泳動素子２３が外気に接触するのを防止するための封止処理を行う（ステップＳ５）。この封止処理では、回路基板２８と対向基板２９との外周部に沿って電気泳動素子２３を覆うように、感光性（紫外線などで硬化する）の封止樹脂などを塗布する。そして、封止処理を行った後、電気泳動表示装置１を後工程に送る（ステップＳ６）。このように、水分量が最適だと判定された場合は、封止処理を行ってから後工程に送ることにより、後工程で水分量が変化してしまうことを防止することができ、その結果、歩留まり向上に寄与する。
【００６６】
上記のステップＳ１では、１画面の全領域についての画素間リーク電流を計測した。これは、１画面の全領域における電気泳動素子２３に含まれる水分量が最適か否かを判定することにより、１つの電気泳動表示装置１に対する水分量検査時間が短縮され、製造工程全体の時間を短縮することができるからである。一方、このステップＳ１において、１画面の一領域において隣接する画素２について画素間リーク電流を計測し、ステップＳ３では、その一領域における電気泳動素子２３に含まれる水分量が最適か否かを判定するようにしても良い。
【００６７】
具体的には、例えば図１０に示すように、１画面の一領域Ｗについては、上述したステップＳ１と同様に１ドット白黒反転パターンを形成させ、一領域Ｗ以外の他の領域は全黒パターンを形成させる。一領域Ｗに１ドット白黒反転パターンを形成する方法は、上記のステップＳ１と同様なので説明を省略するが、一領域Ｗ以外の他の領域に全黒パターンを形成するには、一領域Ｗ以外の他の領域の全画素２のＳＲＡＭ２５には同値「１」の画像データを記憶させる。これにより、一領域Ｗ以外の他の領域の全画素２の画素電極２１は、第１の制御線１１と接続され、黒階調を規定する１５（Ｖ）の第１の駆動信号が供給されることになる。つまり、１画面の一領域Ｗにおいて隣接する画素２の画素電極２１間に最大の電界が生じ、一領域Ｗ以外の他の領域において隣接する画素２の画素電極２１間には電界が生じないので、第１の制御線１１と第２の制御線１２との間に流れる電流は、１画面の一領域Ｗにおける画素間リーク電流の総和となる。つまり、１画面の一領域Ｗにおける画素間リーク電流を簡単且つ確実に計測することができる。なお、図１０では、一領域Ｗ以外の他の領域は全黒パターンを形成させたが、これに限らず、全白パターンを形成しても良い（ＳＲＡＭ２５には同値「０」の画像データを記憶させる）。また、図１０では、１画面全体に形成されるパターンを視覚的に表現したが、実際には共通電極電源配線１５（共通電極２２）が開放状態になっているので、表示部３には表示されない。
【００６８】
上記のように、ステップＳ１で１画面の一領域Ｗについての画素間リーク電流を計測し、ステップＳ３でその一領域Ｗの水分量が最適ではないと判定された場合、水分量が最適ではないと判定された一領域Ｗを集中的に吸湿処理または乾燥処理をすることにより、効率良く且つ効果的に最適な水分量を有する電気泳動表示装置を作製することができ、後工程に水分量に起因する不良品を送ることがなくなり、製造工程の歩留まり向上を図ることができる。
【００６９】
このように１画面の一領域Ｗにおける水分量が最適か否かを判定することにより、１画面における水分量の面内分布を検査することができる。水分量の面内分布がわかれば、どの部分を集中的に吸湿処理または乾燥処理をすれば良いかを判断できるので、効率良く且つ効果的に吸湿処理または乾燥処理を行うことができる。また、水分量の面内分布から例えば高温高湿槽内の温度分布や湿度分布を推定することもできるので、水分量の面内分布が一定となるように高温高湿槽の調整をすることにより、より高品質な電気泳動表示装置１を得ることができるようになる。
【００７０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法について説明する。なお、この第２実施形態では、上述した構成の電気泳動表示装置１ではなく、特許文献１（特開２００３−８４３１４号公報）に開示されているものと同様の構成の電気泳動表示装置１０に関する検査方法について説明する。
【００７１】
始めに、この特許文献１に開示されている電気泳動表示装置１０について簡単に説明する（詳細については特許文献１を参照されたい）。図１１は、電気泳動表示装置１０の構成概略図である。なお、図１１において、説明の便宜上、図１と同様の構成要素には同一符号を付し説明を省略する。図１１に示すように、電気泳動表示装置１０が上記の電気泳動表示装置１と異なる点は、第１の制御線１１、外部接続パッド１１a、第２の制御線１２、外部接続パッド１２aが設けられていない点である。
【００７２】
一方、図１２は、電気泳動表示装置１０の表示部３に形成された画素２’の回路構成図である。なお、図１２において、説明の便宜上、図２と同様の構成要素には同一符号を付し説明を省略する。この図１２に示すように、電気泳動表示装置１０の画素２’が電気泳動表示装置１の画素２と異なる点は、スイッチ回路３５、第１の制御線１１、第２の制御線１２が設けられておらず、ＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３が直接画素電極２１と接続されている点である。つまり、電気泳動表示装置１０の画素２’では、ＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３から出力される信号の電圧値（詳細にはＳＲＡＭ２５の電源電圧値）によって黒階調または白階調が規定されることになる。
【００７３】
以下、上記のような構成である電気泳動表示装置１０の検査方法について説明する。なお、基本的な手順については第１実施形態の図６と同様なので、電気泳動表示装置１の検査方法とは異なる点について説明する。
【００７４】
ステップＳ１において、従来の構成である電気泳動表示装置１０では、電気泳動表示装置１のような第１の制御線１１や第２の制御線１２、スイッチ回路３５を備えていないため、第１の制御線１１と第２の制御線１２との間の電流を計測することで簡単に画素間リーク電流を知ることはできない。そのため、従来の構成の電気泳動表示装置１０では、ＳＲＡＭ２５の貫通リーク電流を計測する必要がある。画素２’の電源回路に流れる電流には、画素電極２１と共通電極２２との間に流れるリーク電流、ＳＲＡＭ２５の正極側電源端子ＰＨから負極側電源端子ＰＬに向かって流れる貫通リーク電流、隣接する画素２’の画素電極２１間に流れる画素間リーク電流の３成分が含まれている。
【００７５】
その内、画素電極２１と共通電極２２との間に流れるリーク電流は、共通電極電源配線１５を電気的に開放状態にすることで消すことができる。また、画素間リーク電流は、隣接する画素２’のＳＲＡＭ２５に同値の画像データを記憶させて、隣接する画素２’の画素電極２１間に電界が生じないようにすることで消すことができる。この時に、ＳＲＡＭ２５の第１の電源線１３と第２の電源線１４との間に流れる電流の値が貫通リーク電流である。ステップＳ１では、まずその貫通リーク電流を計測して記録しておく。なお、この時の第１の電源線１３に供給する電源電圧信号は１５（Ｖ）とする。
【００７６】
そして、共通電極電源配線１５を電気的に開放状態にした状態で、１画面の全領域において隣接する画素２’の一方の画素２’のＳＲＡＭ２５に画像データ「０」を記憶させると共に、他方の画素２’のＳＲＡＭ２５に画像データ「１」を記憶させることにより、１ドット白黒反転パターンを形成させ、隣接する画素２’の画素電極２１間に最大の電界を発生させる。なお、この時も第１の電源線１３に供給する電源電圧信号は１５（Ｖ）とする。つまり、画像データ「１」が記憶されたＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３からは１５（Ｖ）の電圧値を有する信号（つまり黒階調を規定する信号）が出力され、画像データ「０」が記憶されたＳＲＡＭ２５の第２のデータ出力端子Ｐ３からはグランドレベルの電圧値を有する信号（つまり白階調を規定する信号）が出力される。この時の第１の電源線１３と第２の電源線１４との間に流れる電流の値は、貫通リーク電流と画素間リーク電流との和であるため、この電流値から記録しておいた貫通リーク電流を差し引くことにより、１画面の全領域についての画素間リーク電流を得ることができる。
以降のステップ２〜６については第１実施形態と同様なので説明を省略する。
【００７７】
また、ステップＳ１において、第１実施形態と同様に、１画面の一領域Ｗにおいて隣接する画素２’について画素間リーク電流を計測し、ステップＳ３では、その一領域Ｗにおける電気泳動素子２３に含まれる水分量が最適か否かを判定するようにしても良い。
【００７８】
具体的には、１画面の一領域Ｗについては、一領域Ｗにおいて隣接する画素２’の一方の画素２’のＳＲＡＭ２５に画像データ「０」を記憶させると共に、他方の画素２’のＳＲＡＭ２５に画像データ「１」を記憶させることにより、１ドット白黒反転パターンを形成させる。そして、一領域Ｗ以外の他の領域の全画素２のＳＲＡＭ２５には同値「１」の画像データを記憶させて、全黒パターンを形成させる。この時に、第１の電源線１３と第２の電源線１４との間に流れる電流の値から、記録しておいた貫通リーク電流を差し引くことにより、１画面の一領域Ｗについての画素間リーク電流を求めることができる。なお、第１実施形態と同様に、一領域Ｗ以外の他の領域は全白パターンを形成しても良い（ＳＲＡＭ２５には同値「０」の画像データを記憶させる）。
【００７９】
以上のように、従来の構成である電気泳動表示装置１０であっても、第２実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法を用いることにより、第１実施形態と同様、後工程に水分量に起因する不良品を送ることがなくなり、製造工程の歩留まり向上を図ることができる。
【００８０】
＜第３実施形態＞
上記第１実施形態及び第２実施形態では、画素間リーク電流に基づいて電気泳動素子２３内に含まれる水分量が最適か否かを検査する場合の検査方法について説明した。その一方で、画素間リーク電流は隣接する画素２（２’）間において短絡不良が発生すると、大きく増大することが知られている。すなわち、画素間リーク電流を計測することにより、電気泳動表示装置１（１０）に短絡不良が発生しているか否かを判定（検査）することができる。
【００８１】
具体的には、図６に示すステップＳ１によって１画面の全領域または一領域の画素間リーク電流を計測し、ステップＳ１で計測した画素間リーク電流と所定の閾値とを比較することにより、１画面の全領域または一領域において隣接する画素２（２’）間に短絡不良が発生しているか否かを判定する工程（第４の工程）を設ければ良い。また、画素間リーク電流の計測方法は、電気泳動表示装置１または電気泳動表示装置１０に合わせて、第１実施形態で説明した方法と第２実施形態で説明した方法とを使い分ければ良い。
【００８２】
このような短絡不良検査は、上述した水分量検査と一緒に行うことが望ましい。点灯検査前の早い段階で短絡不良の検査を行うことができれば、短絡不良が発見された場合はその場でリペアし、その後で水分量検査を行うことにより、最終的に点灯検査工程で不良となる品を減らすことができ、その結果、歩留まり向上を図ることができる。
【００８３】
さらに、１画面分のどの部分に短絡不良が発生しているかを特定することもできる。具体的には、まず、ステップＳ１によって１画面の全領域における画素２（２’）について画素間リーク電流を計測し、第４の工程よって１画面の全領域において短絡不良が発生していると判定された場合、１画面を複数の領域に分割する。そして、分割した各領域毎にステップＳ１の画素間リーク電流計測処理と第４の工程の短絡不良判定処理とを行い、各領域毎の第４の工程によって当該領域において短絡不良が発生していると判定された場合、当該短絡不良が発生していると判定された領域をさらに複数の領域に分割する。そして、このように、さらに分割した各領域毎に再度ステップＳ１の画素間リーク電流計測処理と第４の工程の短絡不良判定処理とを行う、という工程を繰り返す。これによって、短絡不良箇所をピンポイントで探索することができる。このように、１画面分のどの部分に短絡不良が発生しているかを特定することができるので、その後のリペア作業を効率良く行うことができる。また、点灯検査前の早い段階で、短絡不良箇所を前工程にフィードバックすることにより、歩留まり向上に寄与する。
【００８４】
以上のように、画素間リーク電流を計測することにより、様々な表示品質に関する検査を行うことができ、製造工程の歩留まり向上を図ることができる。すなわち、このような画素間リーク電流を簡単に計測することのできる電気泳動表示装置１や第１〜第３実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法によれば、製造工程の歩留まり向上に寄与することができる。
【００８５】
なお、上記第１実施形態では、「１」の画像データをＳＲＡＭ２５に記憶した場合に、黒階調を規定する第１の駆動信号を第１の制御線１１に供給し、「０」の画像データをＳＲＡＭ２５に記憶した場合に、白階調を規定する第２の駆動信号を第２の制御線１２に供給する場合を例示して説明したが、これに限定されず、「０」の画像データをＳＲＡＭ２５に記憶した場合に、黒階調を規定する第２の駆動信号を第２の制御線１２に供給し、「１」の画像データをＳＲＡＭ２５に記憶した場合に、白階調を規定する第１の駆動信号を第１の制御線１１に供給しても良い。
【００８６】
また、上記第１〜第３実施形態では、画素間リーク電流に基づいて水分量が最適か否か、または短絡不良が発生しているか否かを検査したが、検査項目はこれらに限定されず、画素間リーク電流を計測することによって検査可能な項目は全て含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置１の構成概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置１における画素２の回路構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置１における表示部３の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置１におけるマイクロカプセル４０の構成図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置１におけるマイクロカプセル４０の動作説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第１実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法に関する第１説明図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法に関する第２説明図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法に関する第３説明図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る電気泳動表示装置の検査方法に関する第４説明図である。
【図１１】従来の電気泳動表示装置１０の構成概略図である。
【図１２】従来の電気泳動表示装置１０における画素２’の回路構成図である。
【符号の説明】
【００８８】
１、１０…電気泳動表示装置、２、２’…画素、３…表示部、４…走査線、５…データ線、６…引き出し部、１１…第１の制御線、１２…第２の制御線、１３…第１の電源線、１４…第２の電源線、１５…共通電極電源配線、３５…スイッチ回路、３６…第１のトランスミッションゲート、３７…第２のトランスミッションゲート、２１…画素電極、２２…共通電極、２３…電気泳動素子、２４…駆動用ＴＦＴ、２５…ＳＲＡＭ、３０…接着剤層、４０…マイクロカプセル、４１…分散媒、４２…白色粒子、４３…黒色粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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