(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に形成された金属酸化物薄膜層と、
前記金属酸化物薄膜層上に形成されたガスバリア性を有し、水酸基含有性高分子化合物とケイ素アルコキシドを除く金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む、被膜層と、
前記被膜層上に形成された窒化層と、
前記窒化層上に形成された透明導電薄膜層とを有することを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
基材の一方の面に形成され水酸基含有性高分子化合物とケイ素アルコキシドを除く金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む被膜層を含むガスバリア層と、
前記被膜層上に前記被膜層をプラズマ処理することによって形成された窒化層と、
前記窒化層上に形成された透明導電性薄膜層とを有することを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記被膜層の膜厚は０．０１μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
前記プラズマ処理は、減圧下でのプラズマ処理又は大気圧プラズマ法を用い、ガス種には窒素混合ガスを用いることを特徴とする請求項２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】
前記水酸基含有高分子化合物は、ポリビニルアルコールまたはポリ（ビニルアルコール−ＣＯ−エチレン）、セルロース、デンプンの１種類以上を成分に持つことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項６】
前記透明導電性薄膜は、インジウム酸化物もしくは亜鉛酸化物を主原料とするものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項７】
基材を準備し、
前記基材上に金属酸化物薄膜層を形成し、
前記金属酸化物薄膜層上にガスバリア性を有し、水酸基含有性高分子化合物とケイ素アルコキシドを除く金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む、被膜層を形成し、
前記被膜層上にプラズマ処理によって窒化層を形成し、
前記窒化層上に透明導電薄膜層を形成することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記被膜層の膜厚は０．０１μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項７に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記プラズマ処理は、減圧下でのプラズマ処理又は大気圧プラズマ法を用い、ガス種には窒素混合ガスを用いることを特徴とする請求項７又は８のいずれかに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記水酸基含有高分子化合物は、ポリビニルアルコールまたはポリ（ビニルアルコール−ＣＯ−エチレン）、セルロース、デンプンの１種類以上を成分に持つことを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記透明導電性薄膜は、インジウム酸化物もしくは亜鉛酸化物を主原料とするものであることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性フィルム及びその製造方法に関し、特に、ＬＣＤや有機ＥＬ素子を用いたフィルムディスプレの電極として用いられる、ガスバリア性を有し、耐アルカリ性に優れた透明導電性フィルム及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイが広く普及してきた。またエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等次世代ディスプレイも市民権を得ており、フラットパネルディスプレイ分野は成長していくと考えられている。一つの方向性としては高精細化、もう一つの方向性は薄型化・軽量化であり、これらの特徴はディスプレイの携帯性向上に必要不可欠である。従来、フラットパネルディスプレイ用基板は、重く、厚く、割れやすいガラス基板が用いられて来たが、更なる携帯性向上を考えガラス基板に代えて、透明樹脂基板が提案され、開発が進んでいる。しかし、一般的に透明樹脂基板は、耐久性、耐溶剤性、ガスバリア性等の基本特性がガラス基板より劣っており、中でもガスバリア性の付与が必要不可欠である。
【０００３】
一方、食品や非食品及び医薬品等の包装に用いられる包装材料は、内容物の変質を抑制しそれらの機能や性質を保持するために、包装材料を透過する酸素、水蒸気、その他内容物を変質させる気体による影響を防止する必要があり、これらを遮断するガスバリア性等を備えることが求められている。そのため従来から、温度・湿度などの影響が少ないアルミ等の金属箔をガスバリア層として用いた包装材料が一般的に用いられてきた。
【０００４】
ところが、アルミ等の金属箔を用いた包装材料は、温度・湿度の影響がなく高度なガスバリア性に優れるが、使用後の廃棄の際は不燃物として処理しなければならないなどの欠点を有し問題があった。
【０００５】
そこで、これらの欠点を克服した包装材料として、従来からポリビニルアルコール（以下、「ＰＶＡ」という）、エチレンビニルアルコール共重合体（以下、「ＥＶＯＨ」という）、或いはポリ塩化ビニリデン樹脂（以下、「ＰＶＤＣ」という）など一般にガスバリア性が比較的高いと言われる高分子樹脂組成物をラミネート又はコーティングによりガスバリア性積層体として包装材料に用いた包装フィルムが一般的に使用されてきた。また、適当な高分子樹脂組成物（単独では、高いガスバリア性を有していない樹脂）にＡｌなどの金属又は金属化合物を形成した金属蒸着フィルムや最近では一酸化珪素（ＳｉＯ）などの珪素酸化物（ＳｉＯＸ）薄膜、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜が透明性を有する高分子材料からなる基材上に蒸着などの形成手段により形成された蒸着フィルムが開発されており、これらは高分子樹脂組成物からなるガスバリア材より優れたガスバリア特性を有しており、高湿度下での劣化も少なく、包装材料に用いた包装フィルムが一般的に使用され始めている。
【０００６】
ところが、上述のＰＶＡ、ＥＶＯＨ系の高分子樹脂組成物を用いてなるガスバリア性積層体は、温度依存性及び湿度依存性が大きいため、高温又は高湿下においてガスバリア性の低下が見られ、とくに水蒸気バリア性がなく、包装の用途によっては煮沸処理やレトルト処理を行うとガスバリア性が著しく低下することがある。またＰＶＤＣ系の高分子樹脂組成物を用いてなるガスバリア性積層体の湿度依存性は小さいが、酸素バリア性を１ｃｍ３／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下とする高ガスバリア材（ハイガスバリア材）を実現することは、困難であるという問題がある。また被膜中に塩素を多量に含むため、焼却処理やリサイクリングなど廃棄物処理の面で問題がある。
【０００７】
さらに上述の金属又は金属化合物を形成した金属蒸着フィルムや一酸化珪素（ＳｉＯ）などの珪素酸化物薄膜、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜を形成した蒸着フィルムは、ガスバリア層に用いられる無機化合物の薄膜が可撓性に欠けており、揉みや折り曲げ等物理的な衝撃に弱く、また基材との密着性が悪いため、取り扱いに注意を要し、とくに印刷、ラミネート、スリッター、製袋など包装材料の後加工の際に、クラックを発生しガスバリア性が著しく低下する問題があり、フィルムの取扱いに注意を要し、汎用性を低下させる問題を有している。
【０００８】
また、形成方法に真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ化学気相成長法などの真空プロセスを用いて形成するため、装置が高価であり、また形成工程において局部的に高温となり、基材に損傷を生じたり、低分子量部或いは可塑剤などの添加剤部などの分解、脱ガスなどを起因とする無機薄膜中に欠陥、ピンホール等を発生したりすることがあり、高いガスバリア性を達成できないこと、コスト的に高価となるという問題を有している。
【０００９】
そこで、上記問題に対して、特許文献１に記載されるように、基材に金属アルコキシドの被膜を形成してなるガスバリア材が提案されている。このガスバリア材は、ある程度の可撓性を有するとともに、液相コーティング法による製造ができるため、コスト的にも安価とすることができる。
【００１０】
上述の包装材料のガスバリア技術を用いることによりディスプレイ用のガスバリア基材の作製が可能となってきている。しかしながら、これらがディスプレイ用途として使用可能になるためには包装材料にはない耐性を有している必要がある。その一つが、耐アルカリ性である。ディスプレイには必要不可欠な透明導電薄膜のエッチング工程において、使用したレジストを剥離する際にアルカリ溶液を使用するためガスバリア層とアルカリ溶液との接触は不可避である。しかしながら、上記金属アルコキシド被膜は、特にテトラエトキシシランを用いた場合、その主成分が酸化珪素であるため、アルカリ溶液に浸漬すると剥離またはダメージを受けることが分かっている。
【特許文献１】特開昭６２−２９５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、金属酸化物薄膜層と透明導電性薄膜との間に、アルカリ耐性のある層を設けることにより、アルカリ浸漬後も良好なガスバリア性と導電性とを保持する透明導電性フィルム及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
また本発明は、基材／金属酸化物薄膜層／透明導電性薄膜層を有する積層体において、金属酸化物薄膜層と透明導電性薄膜層との間に窒化層を設け、透明電極のエッチング時におけるアルカリ溶液との接触においても金属酸化物薄膜層及び透明導電薄膜層の性能が劣化しない透明導電性フィルム及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
プラスチック材料を有する基材の一方の面に、ガスバリア層として金属酸化物薄膜層を真空プロセスで成膜した後、水酸基含有高分子化合物、金属アルコキシド及びまたはその加水分解物及びまたはその重合物の１種類以上を成分に持つ複合被膜である層を設け、その表面をプラズマ処理により窒化させた後に透明導電性薄膜層を積層することができる。
【００１４】
本発明の請求項１に記載の発明は、基材と、基材上に形成された金属酸化物薄膜層と、金属酸化物薄膜層上に形成されたガスバリア性を有し、水酸基含有性高分子化合物とケイ素アルコキシドを除く金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む、被膜層と、被膜層上に形成された窒化層と、窒化層上に形成された透明導電薄膜層とを有することを特徴とする透明導電性フィルムとしたものである。
【００１５】
本発明の請求項２に記載の発明は、基材の一方の面に形成された水酸基含有性高分子化合物とケイ素アルコキシドを除く金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む被膜層を含むガスバリア層と、被膜層上に被膜層をプラズマ処理することによって形成された窒化層と、窒化層上に形成された透明導電性薄膜層とを有することを特徴とする透明導電性フィルムとしたものである。
【００１６】
本発明の請求項３に記載の発明は、被膜層の膜厚は０．０１μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の透明導電性フィルムとしたものである。
【００１７】
本発明の請求項４に記載の発明は、プラズマ処理は又は減圧下でのプラズマ処理、大気圧プラズマ法を用い、ガス種には窒素混合ガスを用いることを特徴とする請求項２に記載の透明導電性フィルムとしたものである。
【００１９】
本発明の請求項５に記載の発明は、水酸基含有高分子化合物は、ポリビニルアルコールまたはポリ（ビニルアルコール−ＣＯ−エチレン）、セルロース、デンプンの１種類以上を成分に持つことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の透明導電性フィルムとしたものである。
【００２１】
本発明の請求項６に記載の発明は、透明導電性薄膜は、インジウム酸化物もしくは亜鉛酸化物を主原料とするものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の透明導電性フィルムとしたものである。
【００２２】
本発明の請求項７に記載の発明は、基材を準備し、基材上に金属酸化物薄膜層を形成し、金属酸化物薄膜層上にガスバリア性を有し、水酸基含有性高分子化合物とケイ素アルコキシドを除く金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む、被膜層を形成し、被膜層上にプラズマ処理によって窒化層を形成し、窒化層上に透明導電薄膜層を形成することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法としたものである。
【００２３】
本発明の請求項８に記載の発明は、被膜層の膜厚は０．０１μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項７に記載の透明導電性フィルムの製造方法としたものである。
【００２４】
本発明の請求項９に記載の発明は、プラズマ処理は、減圧下でのプラズマ処理又は大気圧プラズマ法を用い、ガス種には窒素混合ガスを用いることを特徴とする請求項７又は８のいずれかに記載の透明導電性フィルムの製造方法としたものである。
【００２６】
本発明の請求項１０に記載の発明は、水酸基含有高分子化合物は、ポリビニルアルコールまたはポリ（ビニルアルコール−ＣＯ−エチレン）、セルロース、デンプンの１種類以上を成分に持つことを特徴とする請求項７乃至９に記載の透明導電性フィルムの製造方法としたものである。
【００２８】
本発明の請求項１１に記載の発明は、透明導電性薄膜は、インジウム酸化物もしくは亜鉛酸化物を主原料とするものであることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の透明導電性フィルムの製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、金属酸化物薄膜層と透明導電性薄膜との間に、アルカリ耐性のある層を設けることにより、アルカリ浸漬後も良好なガスバリア性と導電性とを保持する透明導電性フィルム及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ、説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。
【００３１】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る透明導電性フィルム１０は、基材１の表面上に金属酸化物薄膜層２として蒸着層を設け、その上に複合被膜層３を設け、窒素含有ガスを用いたプラズマ処理にて窒化層４を形成したのち、透明導電薄膜層５が形成された構成である。
【００３２】
基材１はプラスチック材料からなり、金属酸化物薄膜層２の透明性を生かすために可能であれば透明なフィルム基材１であることが好ましい。基材１の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステルフィルム、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルニトリルフィルム及びポリイミドフィルム等が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００３３】
基材１は、延伸、未延伸のどちらでも良く、また機械的強度や寸法安定性を有するものが良い。液晶ディスプレイ用に基材１を使用する場合は、非晶質なものが特に良く、ポリカーボネートフィルムやポリエーテルサルフォンフィルム等が好ましく用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。またこの基材１の金属酸化物薄膜層２が設けられる面と反対側の面とに、種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤などを使用することができる。
【００３４】
基材１の厚みは特に制限を受けるものではないが、生産性と厚みを考慮すると実用的には５０μｍ〜５００μｍの範囲が好ましく、特に１００μｍ〜３００μｍとすることが好ましい。
【００３５】
また、基材１と金属酸化物薄膜層２との密着性を高めるために、成膜面に対して、コロナ処理やプラズマ処理が施されていてもよい。
【００３６】
金属酸化物薄膜層２は、透明でかつ所望のガスバリア性を有していれば特に制限はないが、特に酸化珪素や酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム薄膜を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００３７】
金属酸化物薄膜層２の膜厚は、一般的には３ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内が望ましく、その値は適宜選択される。ただし膜厚が３ｎｍ未満であると均一な層が得られないことや膜厚が十分ではないことがあり、ガスバリア材としての機能を十分に果たすことができない場合がある。また膜厚が３００ｎｍを越える場合はこの層にフレキシビリティを保持させることができず、成膜後に折り曲げ、引っ張りなどの外的要因により、層に亀裂を生じるおそれがあるので問題がある。より好ましくは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内である。
【００３８】
金属酸化物薄膜層２を基材１上に形成する方法は種々在り、通常の真空蒸着法や、スパッタリング法やイオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＣＶＤ）などを用いることができる。これらは生産性やガスバリア性の要求性能を考慮して適宜選択される。
【００３９】
次いで複合被膜層３を説明する。複合被膜層３はガスバリア性を持った被膜層であり、水酸基含有性高分子化合物と１種以上の金属アルコキシドまたはその加水分解物を含む水溶液或いは水／アルコール混合溶液を主剤とするコーティング剤を用いて形成される。例えば、水酸基含有性高分子化合物を水系（水或いは水／アルコール混合）溶媒で溶解させたものに金属アルコキシドを直接、或いは予め加水分解させるなど処理を行ったものを混合したものを溶液とする。この溶液を金属または無機化酸化物からなる金属酸化物薄膜層２にコーティング後、加熱乾燥し形成される。コーティング剤に含まれる各成分について更に詳細に説明する。
【００４０】
本発明の実施の形態でコーティング剤に用いられる水酸基含有性高分子化合物は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、デンプン、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウム等が挙げることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。特にポリビニルアルコール（以下、「ＰＶＡ」という）を本発明の実施の形態でコーティング剤に用いた場合にガスバリア性が最も優れるので好ましい。ここでいうＰＶＡは、一般にポリ酢酸ビニルをケン化して得られるものである。ＰＶＡとしては例えば、酢酸基が数十％残存している、いわゆる部分けん化ＰＶＡから酢酸基が数％しか残存していない完全ＰＶＡ等用いることができ、これ以外のものを用いても一向に構わない。
【００４１】
また金属アルコキシドは、一般式、Ｍ（ＯＲ）ｎ（Ｍ：Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｚｒ等の金属、Ｒ：ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５等のアルキル基）で表せる化合物である。中でも、金属（Ｍ）としてケイ素（Ｓｉ）を用いたケイ素アルコキシドを好適に用いることができる。ケイ素アルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラペンタエトキシシラン等を用いることができる。さらには、テトラエトキシシランは加水分解後、水系の溶媒中において比較的安定である等の理由から好適に用いることができる。また、金属アルコキシドとして、シランカップリング剤を用いることもできる。
【００４２】
この溶液中のガスバリア性を損なわない範囲で、イソシアネート化合物、或いは分散剤、安定化剤、粘度調整剤、着色剤などの添加剤を必要に応じて加えることができる。
【００４３】
本発明の実施の形態に係るコーティング剤の塗布方法としては、ディッピング法、ロールコーティング法、スクリーン印刷法、スプレー法、グラビア印刷法などを用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００４４】
複合被膜層３の膜厚は、コーティング剤の種類や加工機や加工条件によって最適条件が異なり特に限定しない。複合被膜層３の膜厚は、０．０１μｍ〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。但し乾燥後の複合被膜層３の膜厚が０．０１μｍ未満の場合は、均一の塗膜が得られなく十分なガスバリア性を得られない場合がある。また厚さが５０μｍを超える場合は層にクラックが生じ易くなるため問題となる場合がある。より好ましくは０．１〜１０μｍの範囲である。
【００４５】
また、この複合被膜層３上に透明導電性薄膜５を形成するため、より良い導電性を得るためにできるだけ表面が平坦であることが望ましい。
【００４６】
窒化層４は、アルカリ耐性層として用いられる。この層は複合被膜層３の主成分である酸化珪素を表面のみ窒素化珪素にプラズマ処理を用いて形成される。
【００４７】
プラズマ処理は、複合被膜層３を窒化できればどのような方法でも良い、例えば通常の減圧下でのプラズマ処理や、リアクティブイオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という）やイオン注入、減圧環境を作らなくても処理可能な大気圧プラズマ法が好んで用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００４８】
プラズマ処理に用いられるガス種としては、窒素混合ガスが用いられる。これは窒素を主成分として、希ガス、水素、アンモニアの少なくとも一種類が混合されたガスのことである。
【００４９】
透明導電性薄膜５は、インジウム酸化物や亜鉛酸化物を主成分とした酸化物が用いられる。所望の抵抗値が得られれば特に限定はしないが、安定的な物性と供給実績からインジウム錫混合酸化物（ＩＴＯ）が特に好んで用いることができる。
【００５０】
透明導電性薄膜５を形成する方法としては種々在り真空蒸着法により形成することができる。また、その他の薄膜形成方法であるスパッタリング法やイオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＣＶＤ）などを用いることができるが、安定生産のためにはＤＣマグネトロンスパッタ法を好んで用いることができる。
【００５１】
金属酸化物薄膜層２のアルカリ浸漬後の劣化を抑えるメカニズムとしては、複合被膜層３表面の酸化珪素成分が、プラズマ処理によって窒化されることにより窒化珪素に変化し、アルカリ耐性を持ったことに由来する。また導電性の劣化を保持するメカニズムもほぼ同様で、アルカリ浸漬後に金属酸化物薄膜層２と透明導電薄膜層５との界面がダメージを受けることで、透明導電性薄膜５が劣化してしまうことを食い止めることができる。
【実施例】
【００５２】
以下に本発明の透明導電性フィルムの実施例を具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５３】
［実施例１］
基材１として、帝人化成社製、商品名「パンライト」の厚さ１８８μｍであるポリカーボネートフィルムを用い、その表面に、金属酸化物薄膜層２としてシリコンターゲットを用いＲＦ反応性スパッタ法で酸化珪素を３０ｎｍの厚みで成膜した。
【００５４】
その後、下記に示す１液と２液とを配合比（ｗｔ％）で６／４に混合した溶液を作製した。１液には、テトラエトキシシラン１０．４ｇに塩酸（０．１Ｎ）８９．６ｇを加え、３０分間撹拌し加水分解させた固形分３ｗｔ％（ＳｉＯ２換算）の加水分解溶液を用いた。２液には、ポリビニルアルコールの３ｗｔ％、水／イソプロピルアルコール溶液、重量比で９０：１０を用いた。この溶液をグラビアコート印刷法により塗布乾燥し、厚さ０．４μｍの複合被膜層３を形成した。
【００５５】
その後、プラズマ処理を施した。その際使用したガスは、体積分率が窒素９７％、水素３％の混合ガスで、約２分間処理を行った。その際得られた表面をＪＥＯＬ社製、商品名「ＪＰＳ−９０ＭＸＶ」のＸＰＳで珪素の２ｐ軌道を測定し、酸化珪素と窒化珪素との元素比（窒化珪素／酸化珪素比）を計算したところ、０．６１であり、表面に窒化珪素が生成されていることを確認した。
【００５６】
［実施例２］
複合被膜層３までは、実施例１と同様であるが、プラズマ処理を減圧下において窒素ガスのみのプラズマを用いて行った結果、窒化珪素／酸化珪素比は０．５５となった。
【００５７】
［実施例３］
複合被膜層３までは、実施例１と同様であるが、プラズマ処理を減圧下において、ＲＩＥを用いて行った。この際使用したガスは窒素ガスである。このとき、窒化珪素／酸化珪素比は０．７４であった。
【００５８】
［比較例１］
複合被膜層３までは、実施例１と同様であるが、複合被膜層３形成後、窒化珪素／酸化珪素比は０であった。その上にプラズマ処理をせずにそのままＩＴＯを成膜した。
【００５９】
前記実施例及び比較例１のサンプル上に、インジウム錫混合酸化物（ＩＴＯ：Ｓｎ１０％）ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて、ＩＴＯ薄膜を１５０ｎｍ成膜した。
【００６０】
［評価１］水蒸気バリア性評価
前記実施例及び比較例１の透明導電薄膜５形成前の透明バリアフィルムのバリア性の測定は、水蒸気透過率測定装置、ＭＯＣＯＮ社製、製品名「ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３３」を用い、４０℃，相対湿度９０％の条件下で測定を行った。表１に測定結果を示す。
【００６１】
［評価２］表面抵抗値評価
前記実施例及び比較例の表面抵抗値を表面抵抗測定装置、三菱化学製、製品名「ロレスタＨＰ」を用いて測定した。表１に測定結果を示す。
【００６２】
［評価３］耐アルカリ性評価
前記実施例及び比較例のアルカリ溶液浸漬後のガスバリア性の変化を評価するために透明導電性薄膜層５形成前の積層体を、導電性の変化を評価するために透明導電性薄膜層５形成後の積層体を、４０℃に昇温した５重量％のＮａＯＨ水溶液中に１分間浸したのち、再び、水蒸気バリア性と表面抵抗値とを評価１及び評価２の方法で測定した。表１に測定結果を示す。
【００６３】
【表１】
0005493254.tif 000002
【００６４】
以上より、複合被膜層３上の窒化層４の効果で耐アルカリ性の良好な透明導電性フィルム１０が作製することができた。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態に係る透明導電性フィルムの断面構造図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  基材
２  金属酸化物薄膜層
３  複合被膜層
４  窒化膜
５  透明導電薄膜層
１０  透明導電性フィルム
【図１】
0005493254.tif 000003