(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１点で交差する第１及び第２の割断線に沿って脆性材料基板にレーザ光を集光照射して脆性材料基板を割断する方法であって、
前記脆性材料基板の表面にスクライブ線を前記第１及び第２の割断線に沿って形成する第１工程と、
前記脆性材料基板の表面におけるレーザ光の照射位置を前記スクライブ線に沿って相対的に移動させて前記脆性材料基板を前記照射位置より移動方向前方で割断する第２工程とを有し、
前記第１及び第２の割断線が交差する交点近傍の領域の内側において、前記レーザ光の照射を制限することを特徴とする脆性材料基板の割断方法。
【請求項２】
第１のスクライブ線を前記第１の割断線に沿って形成し、第２のスクライブ線を前記交点の近傍を除いて、前記第２の割断線に沿って形成する請求項１に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項３】
前記交点近傍において、前記照射位置が前記第１又は第２の割断線の前記領域の一端に達したときに、前記脆性材料基板は前記第１又は第２の割断線に沿って少なくとも前記領域の移動方向前方の他端まで割断される請求項１又は２に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項４】
前記交点近傍において、前記脆性材料基板を前記第１の割断線に沿って割断した後、前記第２の割断線に沿って割断する際に、前記領域の内側における前記脆性材料基板の最高温度と最低温度との温度差を１５℃以下とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項５】
前記交点近傍において、前記脆性材料基板を前記第１の割断線に沿って割断した後であって前記第２の割断線に沿って割断する前に、前記交点近傍を加熱又は冷却する請求項１〜４のいずれか一項に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の割断線は、連続する一の割断線である請求項１〜５のいずれか一項に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項７】
前記脆性材料基板は、少なくとも互いに独立した前記第１及び第２の割断線を有し、
前記第１の割断線は、前記第１の割断線の先端で前記第２の割断線と交差する第１の交点と、少なくとも１つの他の交点とを有し、
前記第２工程は、
前記第１の割断線に沿って前記他の交点を超えて前記第１の交点の途中まで割断する工程と、
前記第１の割断線に沿って残りの前記第１の交点まで割断する工程とを有する請求項１に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項８】
前記第１及び第２の割断線は、独立した割断線であり、前記第１の割断線の先端で前記第２の割断線と交差する第１の交点と、前記第２の割断線の先端で前記第１の割断線と交差する第２の交点とを有し、
前記第２工程は、
前記第１の割断線に沿って前記第２の交点を超えて前記第１の交点の途中まで割断する工程と、
前記第２の割断線に沿って前記第１の交点を超えて前記第２の交点の途中まで割断する工程と、
前記第１の割断線に沿って残りの前記第１の交点まで割断する工程と、
前記第２の割断線に沿って残りの前記第２の交点まで割断する工程とを有する請求項１に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項９】
第１のスクライブ線を前記第１の交点近傍を除いて前記第１の割断線に沿って形成し、
第２のスクライブ線を前記第２の交点近傍を除いて前記第２の割断線に沿って形成する請求項８に記載の脆性材料基板の割断方法。
【請求項１０】
ガラス板を請求項１〜９のいずれか一項に記載の脆性材料基板の割断方法により割断して得られる車両用窓ガラス
【請求項１１】
脆性材料基板にレーザ光を照射して該脆性材料基板を割断する割断装置であって、
少なくとも１点で交差する第１及び第２の割断線に沿って脆性材料基板を割断するため、あらかじめ前記第１及び第２の割断線に沿ってスクライブ線が形成された前記脆性材料基板の表面におけるレーザ光の照射位置を前記スクライブ線に沿って相対的に移動させて、前記脆性材料基板を前記照射位置より移動方向前方で割断する脆性材料基板の割断装置であって、
前記脆性材料基板を支持するステージと、
前記レーザ光を発振する発振器と、
前記発振器から発振された前記レーザ光を前記脆性材料基板に向けて集光する光学系と、
前記ステージと前記発振器及び前記光学系とを相対的に移動させる第１の駆動機構と、
前記発振器の出力及び前記第１の駆動機構の出力を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、第１及び第２の割断線が交差する交点近傍の領域の内側において、前記レーザ光の照射を制限することを特徴とする脆性材料基板の割断装置。
【請求項１２】
前記脆性材料基板の少なくとも一部を加熱又は冷却する熱処理手段と、
前記ステージと前記熱処理手段とを相対的に移動させる第２の駆動機構とを更に備え、
前記制御手段は、前記熱処理手段の出力及び前記第２の駆動機構の出力を制御して、前記交点近傍において、前記脆性材料基板を前記第１の割断線に沿って割断した後であって前記第２の割断線に沿って割断する前に、前記交点近傍を加熱又は冷却する請求項１１に記載の脆性材料基板の割断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を照射して該脆性材料基板を割断するものであって、脆性材料基板の表面におけるレーザ光の照射位置をスクライブ線に沿って相対的に移動させて脆性材料基板を割断する脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスに代表される脆性材料基板の割断方法として、該脆性材料基板の表面にスクライブ線を形成し、曲げ応力を加えて割断する方法が広く用いられている。しかし、この方法では脆性材料基板の外周が内側へえぐれるように曲がっている形状（所謂インカーブ形状）を割断によりトリミングしようとすると、そのインカーブ形状の曲率、深さ、幅などにより、工場の自動機械による生産工程（所謂オンライン工程）に組み込んで連続して生産することができない場合があった。このため、これらの加工の難しいインカーブ形状を得るためには、工場の自動機械から抜き出して行う生産工程（所謂オフライン工程）で熟練技能者が手作業で割断するしかなく、大量生産はできないとされていた。【０００３】
一方で、割断線に沿って脆性材料基板を割断する方法として、脆性材料基板の表面にスクライブ線を割断線に沿って形成し、レーザ光を照射して加熱した後に冷却する方法が知られている。この割断方法においては、脆性材料基板の表面におけるレーザ光の照射位置をスクライブ線に沿って相対的に移動させた後、レーザ光により加熱された領域をエアなどで冷却して脆性材料基板を割断する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本特許第３０２７７６８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法では、レーザ光により加熱された領域を冷却するので、冷却装置が必要になり、割断装置が複雑化する。尚、該方法ではレーザ光により加熱された領域を加熱後にレーザ照射装置の後方におかれた冷却手段により冷却して脆性材料基板を割断するので、脆性材料基板をレーザ光の照射位置より移動方向後方で割断することになる。照射位置よりも後方で脆性材料基板が割断する方法では、応力を発生させるための加熱−冷却にタイムラグが発生し、加熱される領域が広くなり応力の発生する範囲も広範になる。その結果、脆性材料基板表面側の割断（予定）線に対する実際の割断面の精度（以下割断面の位置精度ともいう）が低くなってしまったり、欠けが発生したり、割断面の脆性材料基板表面に対する垂直性、脆性材料基板の面内方向での割断線の直線性（以下これらを合わせて割断面の安定性ともいう）が損なわれるなど、割断面の品質が低下してしまい所望の形状を得ることは難しかった。【０００６】
また、前述の加熱−冷却のタイムラグを小さくするためには、加熱装置と冷却装置の位置を近付け、同時に加熱−冷却範囲をできるだけ小さく限定することが望ましい。しかし、割断面の品質を高めるために加熱−冷却装置が相対移動の過程で同一軌跡を通るような装置を作製しようとした場合、装置同士の空間的な干渉などで割断装置のヘッド部の小型化が難しくなる。その結果、タイムラグが一定以上小さくならない、曲率の小さい割断へ対応が難しいなど、従来のレーザ光による割断方法においても曲げ応力による加工で難易度の高い形状を割断することは容易ではなかった。【０００７】
また、少なくとも１点で交差する第１及び第２の割断線に沿って脆性材料基板を割断する場合、例えばレーザ光の照射位置を第１の割断線に対応する第１のスクライブ線に沿って移動させると、第２の割断線に対応する第２のスクライブ線上の点を起点として亀裂が伸展する場合があり、割断面の品質に悪影響を及ぼす。【０００８】
このように、スクライブ線が曲線である場合や複数本である場合には、割断位置精度を向上させることが難しいばかりでなく、欠けが発生したり、断面の安定性が損なわれたりして所望の品質の割断面を得ることはさらに難しくなる。これは、割断の各工程における脆性材料基板の温度の影響や、残留応力、割断位置の端部からの距離などそれぞれの制御因子が割断に与える影響が複雑になり、制御がより難しくなるためと考えられる。【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、装置を複雑化することなく自動機械生産で所望の形状の脆性材料基板を精度よく割断することができる割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラスを提供することを目的とする。また、割断面の品質を向上することができる脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を解決するため、本発明の脆性材料基板の割断方法は、少なくとも１点で交差する第１及び第２の割断線に沿って脆性材料基板にレーザ光を集光照射して脆性材料基板を割断する方法であって、
前記脆性材料基板の表面にスクライブ線を前記第１及び第２の割断線に沿って形成する第１工程と、
前記脆性材料基板の表面におけるレーザ光の照射位置を前記スクライブ線に沿って相対的に移動させて前記脆性材料基板を前記照射位置より移動方向前方で割断する第２工程とを有し、
前記第１及び第２の割断線が交差する交点近傍の領域の内側において、前記レーザ光の照射を制限することを特徴とする。【００１１】
また、本発明の車両用窓ガラスは、本発明の脆性材料基板の割断方法により割断して得られる車両用窓ガラスである。【００１２】
また、本発明の脆性材料基板の割断装置は、脆性材料基板にレーザ光を照射して該脆性材料基板を割断する割断装置であって、
少なくとも１点で交差する第１及び第２の割断線に沿って脆性材料基板を割断するため、あらかじめ前記第１及び第２の割断線に沿ってスクライブ線が形成された前記脆性材料基板の表面におけるレーザ光の照射位置を前記スクライブ線に沿って相対的に移動させて、前記脆性材料基板を前記照射位置より移動方向前方で割断する脆性材料基板の割断装置であって、
前記脆性材料基板を支持するステージと、
前記レーザ光を発振する発振器と、
前記発振器から発振された前記レーザ光を前記脆性材料基板に向けて集光する光学系と、
前記ステージと前記発振器及び前記光学系とを相対的に移動させる第１の駆動機構と、
前記発振器の出力及び前記第１の駆動機構の出力を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、第１及び第２の割断線が交差する交点近傍の領域の内側において、前記レーザ光の照射を制限することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、装置を複雑化することなく自動機械生産で所望の形状の脆性材料基板を割断することができる脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラスを提供することができる。また、割断されたガラス板の割断面の品質の優れた脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による脆性材料基板の割断装置の第１の実施形態を示す概略図である。
【図２】レーザ光が基板表面Ｇ１に照射される様子の一例を示す図である。
【図３】レーザ光が基板表面Ｇ１に照射される様子の別の例を示す図である。
【図４】割断線Ｌ１及びスクライブ線Ｌ２の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示す脆性材料基板Ｇの割断工程の一部を示す図である。
【図６】図５に続く、脆性材料基板Ｇの割断工程の一部を示す図である。
【図７】図６に続く、脆性材料基板Ｇの割断工程の一部を示す図である。
【図８】図７に続く、脆性材料基板Ｇの割断工程の一部を示す図である。
【図９】図５の要部を示す拡大図である。
【図１０】図４に示す脆性材料基板Ｇの割断工程におけるレーザ光の照射順を示した模式図である。
【図１１】図１０の変形例を示した模式図である。
【図１２】スクライブ線Ｌ２の別の例を示す平面図である。
【図１３】スクライブ線Ｌ２のさらに別の例を示す平面図である。
【図１４】本発明による脆性材料基板の割断装置の第２の実施形態を示す概略図である。
【図１５】図７と、図８との間に行われる工程を示す図である。
【図１６】例１〜４における、割断面の基板表面Ｇ１側と基板裏面Ｇ２側との位置ずれを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。尚、各図において、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向は、それぞれ、脆性材料基板Ｇの幅方向、長さ方向、厚さ方向を示す。また、自動機械による生産とは、完全に自動化されて工場などの生産工程に組み込まれた生産方法のみでなく、主として自動機械を用いて工業的に生産が可能であればよい。例えば、工程の一部を作業者が補完しながら行う半自動機械による生産や連続的にコンベアなどで自動機械のラインから一部を抜き出して行う機械生産なども含むものとする。
【００１６】
尚、以下の説明において、割断線とは、割断によって得られる所望の脆性材料基板の形状を示す仮想線（割断予定線）である。一方でスクライブ線は、脆性材料基板の表面に形成した浅い溝である。その形状は割断線と完全に一致している必要はなく、亀裂の進展を制御するなどの目的で適宜割断線からずらして形成してもよいし、前述のように不連続に形成してもよい。
【００１７】
また、割断線及びスクライブ線の始点と終点との間を1本の独立した線と呼ぶこととする。これはつまり、ひと筆で形成される線ということもできる。１本の線の始点と終点との間には、自らの線又は独立した他の線と交わる単数又は複数の交点があってよい。
【００１８】
図１は、本発明による脆性材料基板の割断装置１０の一実施形態を示す概略図である。図１（Ａ）は、割断装置１０により実現される割断方法の第１工程を示し、図１（Ｂ）は割断装置１０により実現される割断方法の第２工程を示す。図１において、Ａは脆性材料基板Ｇの表面Ｇ１におけるレーザ光の照射位置を示し、Ｂは脆性材料基板Ｇ（以下、「基板Ｇ」ともいう）の表面Ｇ１（以下、「基板表面Ｇ１」ともいう）における割断の先端位置を示す。また、本実施形態におけるレーザ光は集光された光束である。よって照射位置Ａは、一点に集光させた場合の焦点以外では面積を持つ一定の範囲を表す。
【００１９】
図１に示すように、割断装置１０は、脆性材料基板Ｇを支持するステージ２０と、脆性材料基板Ｇを加工する加工ヘッド３０と、ステージ２０と加工ヘッド３０とを相対的に移動させる第１の駆動機構４０と、制御手段５０とを備える。
【００２０】
割断装置１０は、割断線Ｌ１に沿って基板Ｇを割断するため、先ず、図１（Ａ）に示すように、基板表面Ｇ１にスクライブ線Ｌ２を割断線Ｌ１に沿って形成する。次いで、図１（Ｂ）に示すように、基板表面Ｇ１におけるレーザ光の照射位置Ａをスクライブ線Ｌ２に沿って移動させて基板Ｇを割断する。
【００２１】
割断装置１０の割断対象となる脆性材料基板Ｇは、レーザ光を吸収する性質を有する板状部材であり、例えば、ソーダライムガラスや無アルカリガラス等のガラス板、金属シリコン等の金属板、アルミナ等のセラミックス板である。基板Ｇの厚さは、通常のガラス板であれば、１〜６ｍｍであることが望ましい。厚さが１ｍｍ未満であると、車両用窓ガラスとして十分な強度が得られない。また、６ｍｍ以上であると重量が重くなり車両用窓ガラスに適さない。特に１．５〜４．０ｍｍであれば強度と重量のバランスから車両用窓ガラスに好適である。
【００２２】
ステージ２０は、脆性材料基板Ｇの裏面Ｇ２（以下、「基板裏面Ｇ２」ともいう）を支持する支持面２２を備える。ステージ２０は、基板裏面Ｇ２の全面を支持してもよいし、基板裏面Ｇ２の一部を支持していてもよい。基板Ｇは、支持面２２に吸着固定されてもよいし、支持面２２に粘着固定されてもよい。
【００２３】
加工ヘッド３０は、ステージ２０の上方に待機しており、ステージ２０（即ち、基板Ｇ）に対してＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動可能に取り付けられている。この加工ヘッド３０には、スクライブカッター３２、発振器３４及び光学系３６が組み込まれている。
【００２４】
前述のように加工ヘッド３０にスクライブカッター３２、発振器３４及び光学系３６を一体化して搭載することにより、装置１０が簡素化、小型化できコスト的にも有利になる。一方で、スクライブカッター３２、発振器３４及び光学系３６をそれぞれ分離して搭載することも可能である。複数の加工ヘッドに分離して各装置を搭載した場合、各装置の移動パターンの自由度が高まる。また、同一軌跡を通る制御が容易になり、加熱―冷却のタイムラグを小さくできるとともに、スクライブ線Ｌ２とレーザ照射位置Ａの意図的なずらし(オフセット)制御が容易になる。その結果、割断条件設定の自由度と生産性の高い割断装置を実現できる。
【００２５】
スクライブカッター３２は、脆性材料基板Ｇにスクライブ線Ｌ２を形成するものである。スクライブ線Ｌ２は、スクライブカッター３２の先端を基板表面Ｇ１に押し付けて移動することにより形成される。尚、第１の実施形態のスクライブ線Ｌ２はスクライブカッター３２を用いて形成されるが、レーザ光を用いてスクライブ線Ｌ２を形成してもよく、スクライブ線Ｌ２を形成する手段に制限はない。
【００２６】
スクライブカッター３２の先端は、例えば、ダイヤモンドや超鋼合金で形成される。スクライブカッター３２は、基板表面Ｇ１を誤って傷つけないように、加工ヘッド３０の外筒の内部に収容され、必要に応じて加工ヘッド３０の外筒の外に突き出されてもよい。
【００２７】
割断装置１０は、レーザ光を照射して、スクライブ線Ｌ２上の点を起点として亀裂を伸展させて基板Ｇを割断する。
【００２８】
発振器３４は、レーザ光を発振するものである。発振器３４には、基板Ｇとしてソーダライムガラス板を割断する場合、７９５〜１０３０ｎｍの波長のレーザ光を発振する高出力で高効率な半導体レーザが好適に用いられる。例えば、ＩｎＧａＡｓＰ系半導体レーザ（波長：８０８ｎｍ又は９４０ｎｍ）は、Ａｌフリーで長寿命であり好適に用いることができる。
【００２９】
７９５〜１０３０ｎｍの波長のレーザ光は、一部がガラス板Ｇを透過し、他の一部がガラス板Ｇに熱として吸収され、残部がガラス板Ｇによって反射される。即ち、７９５〜１０３０ｎｍの波長のレーザ光は、レーザ光の透過率及び吸収率が十分であるので、熱応力分布を最適化することができる。前述よりレーザ光の波長が長いと半導体レーザの例えば１００Ｗ以上の高出力レーザ発振器の作製が困難になり、さらに長い波長においては（例えば波長１０６００ｎｍ（ＣＯ２レーザ））でソーダライムガラス板Ｇの表面Ｇ１での吸収が増加し、ガラス表面から厚さ方向（Ｚ方向）で５μｍ以内では、ほぼ１００％表面吸収されてしまう。その結果、ガラス板の内部をレーザ光により直接加熱することができなくなる。レーザ光の大部分がソーダライムガラス板Ｇの表面Ｇ１近傍で熱として吸収されると、ガラスは一般に熱伝導率が低いので、基板表面Ｇ１、即ち、スクライブ線Ｌ２が過熱されることになる。これにより、スクライブ線Ｌ２形成時に導入された微細なチッピング（潜在亀裂）を起点として亀裂が面内方向（Ｘ方向、Ｙ方向）にも伸展する。その結果、割断時のガラス屑の量が多くなったり、割断面の品質が低下したりする。
【００３０】
一方、レーザ光の波長が短いと、レーザ光の透過率が高くなるので、割断に十分な応力を得ることが困難になる。
【００３１】
また、レーザ光の出力は、単位体積×時間当たりの照射エネルギー量とガラスの厚さや物性によって適宜設定可能である。ソーダライムガラスを割断する場合、割断対象物の照射部分の温度は、歪点以下の温度である必要があるため、好ましくは５００℃以下、さらには５０〜３００℃が好適である。レーザ光の出力が低いと割断に十分な応力を得ることが困難になる。
【００３２】
発振器３４から発振されたレーザ光は、集光レンズ等の光学系３６によって基板Ｇに向けて集光され、基板表面Ｇ１に照射される。
【００３３】
図２は、レーザ光が基板表面Ｇ１に照射される様子の一例を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は照射位置Ａの移動方向と直交する断面図である。図３は、レーザ光が基板表面Ｇ１に照射される様子の別の例を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は照射位置Ａの移動方向と直交する断面図である。図２及び図３において、Ｆはレーザ光の集光位置を示す。
【００３４】
図２に示す例では、レーザ光は、断面円形状であり同心円状に集光され、図３に示す例では、レーザ光は、断面矩形状に集光される。矩形断面のレーザ光は、照射位置Ａの移動方向と直交する方向の寸法Ｗが集光位置Ｆに向けて変化し、照射位置Ａの移動方向と平行な方向の寸法Ｖがレーザ光の光軸に略並行に照射される。
【００３５】
レーザ光の集光角α（図２、図３参照）は、照射位置Ａの移動方向と直交する断面において、１０〜３４°が好ましい。
【００３６】
このとき、レーザ光の集光位置Ｆは、割断対象物の熱伝導率、強度などによって適宜設定可能であり、例えば図２及び図３に示すように基板表面Ｇ１を基準として基板裏面Ｇ２と同じ側にあってもよいし、基板表面Ｇ１を基準として基板裏面Ｇ２と反対側にあってもよい。
【００３７】
集光角αが３４°を超えると、レーザ光の断面形状が光軸に沿って大きく変化するので、基板表面Ｇ１と基板裏面Ｇ２とにおける熱応力差が拡大して割断面の品質が低下する。また、レーザ光の断面形状が光軸に沿って大きく変化するので、集光位置Ｆの誤差が不均一な熱応力分布を発生やすくなり、割断面の品質が不安定になる。
【００３８】
一方、集光角αが１０°未満になると、基板表面Ｇ１と基板裏面Ｇ２とにおける熱応力差が制御し難くなり、割断面の品質が低下する。
【００３９】
また、レーザ光は、基板表面Ｇ１において、照射位置Ａの移動方向と直交する方向の寸法Ｗ（図２、図３参照）が２〜１０ｍｍであることが好ましく、３〜７ｍｍがより好ましい。
【００４０】
基板表面Ｇ１における寸法Ｗが２ｍｍ未満になると、スクライブ線Ｌ２が加熱されるので、亀裂がスクライブ線Ｌ２と直交する面内方向（Ｘ方向、Ｙ方向）にも伸展し、割断面精度が低下する。また、照射位置Ａの誤差が不均一な熱応力分布を発生やすくなり、割断面の品質が不安定になる。
【００４１】
一方、基板表面Ｇ１における寸法Ｗが１０ｍｍを超えると、不要な部分が加熱され温度差をつけにくくなるため、スクライブ線Ｌ２において発生する引張応力が小さくなる。その結果、割断に十分な熱応力を得ることが困難になり、割断面の品質が不安定になる。
【００４２】
加工ヘッド３０は、第１の駆動機構４０によってステージ２０に対してＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に相対的に移動される。上記機能を実現するためには、基板Ｇを支持するステージ２０を固定しておき加工ヘッド３０を第１の駆動機構４０により移動させてもよい。第１の駆動機構４０は、周知の構成であってよく、例えば、加工ヘッド３０をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に案内するＸＹＺガイドレールと、加工ヘッド３０を駆動するアクチュエータとを含み構成される。また、加工ヘッド３０を固定しておき基板Ｇを支持するステージ２０を移動させてもよく、２０及び３０の双方を同時に移動する制御を行うことも可能である。
【００４３】
このようにして、第１の実施形態では、基板表面Ｇ１にスクライブ線Ｌ２を形成し、基板表面Ｇ１におけるレーザ光の照射位置Ａをスクライブ線Ｌ２に沿って移動させる。発振器３４の出力制御や、第１の駆動機構４０の出力制御は、マイクロコンピュータからなる制御手段５０により実現される。
【００４４】
制御手段５０には、加工ヘッド３０の位置座標を計測する位置センサ（図示せず）等が接続されている。制御手段５０は、位置センサ等からの制御信号に基づいて、以下で説明する割断装置１０の各種動作を制御する。なお、上述した図２及び図３では、レーザ光は断面円形状又は断面矩形状であるとしたが、断面楕円形状であってもよい。また、レーザ光の種類は割断する脆性材料基板の物性によって適宜変更することができ、ガラス以外の割断対象であれば、例えば、ＣＯ２レーザ（波長：１０６００ｎｍ）、ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）、半導体レーザ等を用いることもできる。
【００４５】
次に、第１の実施形態の脆性材料基板の割断方法について、図１を参照にして説明する。
【００４６】
先ず、基板Ｇがステージ２０上に載置され、加工ヘッド３０が基板Ｇの割断線Ｌ１の始端（始点）に対向する位置まで移動されると、加工ヘッド３０が下降し始める。その後、加工ヘッド３０のスクライブカッター３２が下降し、基板表面Ｇ１に所定条件で押し当てられ、図１（Ａ）に示すように、スクライブ線Ｌ２が所定速度で引かれる。
【００４７】
スクライブ線Ｌ２の形成が終了すると、次いで、加工ヘッド３０が上昇し、加工ヘッド３０がスクライブ線Ｌ２の始端に対向する位置まで再移動すると、加工ヘッド３０が下降する。加工ヘッド３０が基板表面Ｇ１に対して所定距離まで近づくと、レーザ光が発振器３４から発振される。発振器３４から発振されたレーザ光は、光学系３６によって集光され、スクライブ線Ｌ２の始端に照射される。
【００４８】
次に、図１の（Ｂ）に示すように、基板表面Ｇ１におけるレーザ光の照射位置Ａをスクライブ線Ｌ２に沿って移動させると、基板Ｇが照射位置Ａより移動方向前方で割断される。
【００４９】
このとき、割断の先端位置Ｂはレーザ光の照射位置Ａより移動方向前方にある。図２（Ａ）及び図３（Ａ）に示すように、レーザ光の照射領域では、レーザ光の一部が熱として吸収されるので、照射領域の周囲と比較して高温になり、基板Ｇの熱膨張により圧縮応力（矢印Ｐ）が発生する。一方、照射領域の周囲では、反作用により引張応力（矢印Ｑ）が発生する。この引張応力により、スクライブ線Ｌ２上の点を起点として亀裂を伸展させて割断を開始する。尚、スクライブ線Ｌ２上の点を起点として亀裂を伸展させて割断するので、割断面の基板表面Ｇ１側はスクライブ線Ｌ２に略一致する。
【００５０】
図４の（Ａ）及び（Ｂ）に２本の割断線により所望の形状の脆性材料基板Ｇをトリミングするときの割断線及びスクライブ線の一例を示す。（Ａ）は割断線Ｌ１−１，Ｌ１−２を示す斜視図、（Ｂ）はスクライブ線Ｌ２−１，Ｌ２−２を示す斜視図である。図４に示す例では、第１及び第２の割断線Ｌ１−１、Ｌ１−２は、独立した割断線であり、且つ、第１の割断線Ｌ１−１の先端で第２の割断線Ｌ１−２と交差する第１の交点Ｃと、第２の割断線Ｌ１−２の先端で第１の割断線Ｌ１−１と交差する第２の交点Ｄとを有する。
【００５１】
また、図４に示す例では、第１のスクライブ線Ｌ２−１は第１の交点Ｃ近傍を除いて第１の割断線Ｌ１−１に沿って形成し、第２のスクライブ線Ｌ２−２は第２の交点Ｄ近傍を除いて第２の割断線Ｌ１−２に沿って形成する。即ち、第１のスクライブＬ２−１は先端で第２のスクライブ線Ｌ２−２から離れており、第２のスクライブ線Ｌ２−２は先端で第１のスクライブ線Ｌ２−１から離れている。言い換えると、第１及び第２のスクライブ線Ｌ２−１、Ｌ２−２は、互いに独立し離間している。
【００５２】
仮に、第１及び第２のスクライブ線Ｌ２−１、Ｌ２−２を交差して形成すると、第１及び第２の交点Ｃ、Ｄにおいて基板表面Ｇ１に欠けやチッピングが発生するので、割断面の品質が低下する。一方、第１の実施形態では、第１及び第２のスクライブ線Ｌ２−１、Ｌ２−２を離間して形成するので、割断面の品質の向上が可能になる。
【００５３】
第１及び第２のスクライブ線Ｌ２−１、Ｌ２−２の離間距離Ｅは、０．３〜３ｍｍが好ましく、０．３〜１ｍｍがより好ましい。離間距離Ｅが０．３ｍｍ未満になると、スクライブカッター３２の位置を厳密に制御する必要があり、一方、離間距離Ｅが３ｍｍを超えると、亀裂の起点として離れすぎてしまい、亀裂を割断線Ｌ１に沿って伸展させることが困難になる。
【００５４】
ところで、上述の如く、第１の交点Ｃ近傍において照射位置Ａを第２の割断線Ｌ１−２に沿って移動させると、熱応力により第１のスクライブ線Ｌ２−１上の点を起点として亀裂が伸展する。この熱応力は第１のスクライブ線Ｌ２−１に対して左右非対称に発生するので、割断面の品質に悪影響を及ぼす。また、第２の交点Ｄ近傍において照射位置Ａを第１の割断線Ｌ１−１に沿って移動させると、熱応力により第２のスクライブ線Ｌ２−２上の点を起点として亀裂が伸展する。この熱応力は第２のスクライブ線Ｌ２−２に対して左右非対称に発生するので、割断面の品質に悪影響を及ぼす。
【００５５】
この影響は、スクライブ線のない領域で特に顕著になる。第１及び第２の交点Ｃ、Ｄ近傍において第１のスクライブ線Ｌ２−１と第２のスクライブ線Ｌ２−２とを離間して形成するため亀裂の起点となる点がなく、割断面を形成する亀裂が割断線から外れたり、蛇行したりするためである。
【００５６】
そこで、本実施形態では以下のごとく、前述の割断面の品質が向上した割断方法を実現した。図５〜図８は、図４に示す基板Ｇの割断工程の一例を時系列的に示す図である。図９は図５の要部を拡大した図である。図に示す第１の実施形態では、第１の割断線Ｌ１−１と第２の割断線Ｌ１−２とが交差する第１及び第２の交点Ｃ、Ｄ近傍の第１及び第２の領域Ｊ及びＫ（図５、図６参照）の内側において、レーザ光の照射を制限する。この制限は、前述の領域Ｊ、Ｋの内側における最高温度と最低温度との温度差ΔＴｊ、ΔＴｋを小さくすることができればよく、レーザ光の出力自体を制限してもよいし、照射位置Ａの移動速度を高速にしてもよく、上記機能の実現方法に制限はない。尚、第１の実施形態では、上記機能を実現するため、レーザ光の出力を中断し、レーザ光の照射を中断する。
【００５７】
図６に示した第１の領域Ｊは、第２の割断線Ｌ１−２の一部を含む一定範囲であって、例えば第１の交点Ｃを中心とする一定範囲であってもよいし、或いは第１のスクライブ線Ｌ２−１の先端と近接する近接点（図示せず）を中心とする一定範囲であってもよい。同様に図５に示した第２の領域Ｋは、第１の割断線Ｌ１−１の一部を含む一定範囲であって、例えば第２の交点Ｄを中心とする一定範囲であってもよいし、或いは第２のスクライブ線Ｌ２−２の先端と近接する近接点（図示せず）を中心とする一定範囲であってもよい。
【００５８】
第１及び第２の領域Ｊ、Ｋの割断線に沿った長さは、５〜５０ｍｍが好ましく、１０〜３０ｍｍがより好ましい。５ｍｍ未満になると、レーザ光の照射を制限する領域が狭すぎるため、割断面の品質が低下する。一方、５０ｍｍを超えると、照射位置Ａが第１及び第２の領域Ｊ、Ｋの一端Ｊ１、Ｋ１に達したとき熱応力により基板Ｇが第１及び第２の領域Ｊ、Ｋの他端Ｊ２、Ｋ２まで割断されることが難しくなる。
【００５９】
本実施形態の割断工程においては、先ず、図４に示した第１の割断線Ｌ１−１上の基板Ｇの外縁に照射位置Ａを位置合わせする。このとき、図５及び図９に示したように照射位置Ａの移動方向前端は、第２の領域Ｋの一端Ｋ１を含むように位置決めされている。この状態で、レーザ光を所定時間（例えば、０．５ｓ）照射し、基板Ｇを第１のスクライブ線Ｌ２−１に沿って基板Ｇの外縁から少なくとも第２の領域Ｋの移動方向前方の他端Ｋ２まで割断する。即ち、割断の先端位置Ｂが第１の割断線Ｌ１−１に沿って第２の交点Ｄを超えて第１の交点Ｃの途中まで達する。その後、レーザ光の照射を中断する。
【００６０】
次いで、第１の割断線Ｌ１−２上の基板Ｇの外縁に照射位置Ａを位置合わせする。このとき、図６に示したように照射位置Ａの移動方向前端は、第１の領域Ｊの一端Ｊ１を含むように位置決めされている。この状態で、レーザ光を所定時間（例えば、０．５ｓ）照射し、熱応力により基板Ｇを第２の割断線Ｌ１−２に沿って基板Ｇの外縁から少なくとも第１の領域Ｊの移動方向前方の他端Ｊ２まで割断する。即ち、割断の先端位置Ｂが第１のスクライブ線Ｌ２−２に沿って第１の交点Ｃを超えて第２の交点Ｄの途中まで達する。その後、レーザ光の照射を中断する。
【００６１】
次いで、照射位置Ａの移動方向後端を、図７に示すように、図５の工程で割断された第２の領域Ｋの他端Ｋ２を含むように位置決めする。その後、レーザ光の照射を再開し、照射位置Ａを第１のスクライブ線Ｌ２−１に沿って第１の交点Ｃに向けて移動させて、基板Ｇを第１のスクライブ線Ｌ２−１に沿って残りの第１の交点Ｃまで割断する。その後、レーザ光の照射を中断する。
【００６２】
ここで、第１の交点Ｃ近傍において、図４に示した基板Ｇを第１の割断線Ｌ１−１に沿って割断するために、第１の領域Ｊの内側における最高温度と最低温度との温度差ΔＴｊを１５℃以下とすることが好ましく、１０℃以下とすることがより好ましい。仮に、温度差ΔＴｊが１５℃を超える状態で割断すると、図６に示す工程の影響により第１の領域Ｊの内側における温度分布が第１の割断線Ｌ１−１に対して左右で不均一になっているので、割断面の品質に悪影響を及ぼす。一方、第１の実施形態では、温度差ΔＴｊを１５℃以下とするので、温度差ΔＴｊの影響を抑制することができ、割断面の品質が向上する。
【００６３】
最後に、図８に示すように、照射位置Ａの移動方向後端を、図６の工程で割断された第１の領域Ｊの他端Ｊ２を含むように位置決めする。その後、レーザ光の照射を再開し、照射位置Ａを第２の割断線Ｌ１−２に沿って第２の交点Ｄに向けて移動させて、基板Ｇを第２の割断線Ｌ１−２に沿って残りの第２の交点Ｄまで割断して割断工程を終了する。
【００６４】
ここで、第２の交点Ｄ近傍において、図４に示した基板Ｇを第２の割断線Ｌ１−２に沿って割断するために、第２の領域Ｋの内側における最高温度と最低温度との温度差ΔＴｋを１５℃以下とすることが好ましく、１０℃以下とすることがより好ましい。これにより図８を用いて前述したと同様に割断面の品質を向上することができる。また、第２の交点Ｄ近傍におけるレーザ照射についても前述の第１の交点Ｃ近傍で得られた効果と同様の効果を奏する。
【００６５】
以上の照射順を模式的に表したのが図１０であり、図１０の矢印（１）〜（４）の順に照射を行う際に第２の交点Ｄの近傍における温度差ΔＴｋを制御することにより、本発明の目的が達成される。
【００６６】
図１０に示したレーザ光の照射順で割断する場合は、第２の交点Ｄ近傍の基板Ｇを第２の割断線Ｌ１−２に沿って割断する際に、レーザ光の照射を制限しても良いし、制限しなくても良い。いずれの場合であっても、基板Ｇを照射位置Ａの移動方向前方で割断するので、照射位置Ａが第２の交点Ｄ近傍に達する前に割断が終了するからである。
【００６７】
以上のように第１の実施形態では、先の工程で割断線の交点近傍の領域において基板Ｇの外縁から少なくとも第２の領域Ｋの移動方向前方の他端Ｋ２まで割断するので、他端Ｋ２にレーザ光を照射したとき、他端Ｋ２から一端Ｋ１に向けて亀裂が伸展せず、良好な割断面が得られる。
【００６８】
割断の先端位置Ｂが、移動方向前方の他端Ｋ２の手前までしか達していない場合、後工程で他端Ｋ２にレーザ光を照射すると（図７参照）、他端Ｋ２から一端Ｋ１に向けて亀裂が伸展する。このような場合、第２の領域Ｋにおける割断面が段状になり、割断線の精度や割断面の垂直性などの割断面の品質が低下する。
【００６９】
一方、図１１に図１０の変形例を示した。図１１に示した順にレーザ光の照射を行う場合は、事前に交点Ｃ近傍において割断の先端位置Ｂを、割断線Ｌ１−２上の移動方向前方の他端Ｊ２まで伸展させている。このため、他端Ｊ２にレーザ光を照射したとき、他端Ｊ２から一端Ｊ１に向けて亀裂が伸展せず、割断面の品質が向上する。割断の先端位置Ｂが、移動方向前方の他端Ｊ２の手前までしか達していない場合は、後工程で他端Ｊ２にレーザ光を照射すると（図８参照）、前述のように、照射位置Ａの進行方向と逆向きに亀裂が伸展し割断面の品質が低下する。
【００７０】
尚、図１１に示すレーザ光の照射順で割断する場合は、第１の交点Ｃ近傍の基板Ｇを第１の割断線Ｌ１−１に沿って割断する際に、レーザ光の照射を制限しても良いし、制限しなくても良い。第１の交点Ｃ近傍の第１の割断線Ｌ１−１に沿った割断を行う際の基板Ｇの温度条件は、非対称性による悪影響が少ないからである。
【００７１】
また、図９では照射位置Ａを第１の割断線Ｌ１−１上の基板Ｇの外縁に位置合わせする例を示したが、照射開始の位置合わせは、レーザの照射位置Ａにスクライブ線の端部Ｋ１が含まれ、かつ、レーザ照射後に領域Ｋの移動方向前方の他端Ｋ２まで割断可能な点であればよく、照射位置Ａの中心点は基板Ｇの外縁に限定されない。また、これは図６で示した領域Ｊの近傍についても同様である。
【００７２】
以上のように、第１の実施形態によれば、基板表面Ｇ１におけるレーザ光の照射位置Ａをスクライブ線Ｌ２に沿って相対的に移動させて脆性材料基板Ｇを照射位置Ａより移動方向前方で割断する。このとき、レーザ光の照射によりスクライブ線上の点を起点にレーザ加熱とほぼ同時に割断が進行するため、レーザ加熱後に割断を進展させるために用いられる冷却装置が不要となる。これにより、装置１０を複雑化することなく脆性材料基板Ｇを割断することができる。
【００７３】
また、第１の実施形態によれば、第１及び第２の割断線Ｌ１−１、Ｌ１−２が交差する第１及び第２の交点Ｃ、Ｄ近傍の第１及び第２の領域Ｊ、Ｋの内側において、レーザ光の照射を制限する。その結果、意図しない亀裂の伸展を防止することができ、割断面の品質が向上する。これは、第１及び第２のスクライブ線Ｌ２−１、Ｌ２−２を離間して形成する場合に、特に顕著になる。
【００７４】
更に、第１の実施形態によれば、照射位置Ａが第２の領域Ｋの一端Ｋ１に達したとき、基板Ｇが第１の割断線Ｌ１−１に沿って少なくとも第２の領域Ｋの他端Ｋ２まで割断される。また、照射位置Ａが第１の領域Ｊの一端Ｊ１に達したとき、基板Ｇが第２の割断線Ｌ１−２に沿って少なくとも第１の領域Ｊの他端Ｊ２まで割断される。これにより、他端Ｊ２、Ｋ２にレーザ光を照射しても、他端Ｊ２、Ｋ２から一端Ｊ１、Ｋ１に向けて亀裂が伸展せず、割断面が段状になることを防止することができ、割断面の品質が向上する。
【００７５】
更にまた、第１の実施形態によれば、第１の交点Ｃ近傍において、基板Ｇを第２の割断線Ｌ１−２に沿って割断した後、第１の割断線Ｌ１−１に沿って割断する際に、第１の領域Ｊの内側における最高温度と最低温度との温度差ΔＴｊを１５℃以下とする。また、第２の交点Ｄ近傍において、基板Ｇを第１の割断線Ｌ１−１に沿って割断した後、第２の割断線Ｌ１−２に沿って割断する際に、第２の領域Ｋの内側における最高温度と最低温度との温度差ΔＴｋを１５℃以下とする。これにより、温度の影響を抑制することができ、割断面の品質が向上する。
【００７６】
図１２及び図１３は、スクライブ線の別の例を示す斜視図である。図４では独立した２本のスクライブ線によって基板Ｇを割断する例を示したが、スクライブ線は必ずしも独立している必要はなく、図１２のように連続した一のスクライブ線の一部でスクライブ線Ｌ２−１、Ｌ２−２を形成し、割断線の交点Ｄを形成してもよい。また、図１３は、３本以上のスクライブ線によってインカーブ形状を含む所望の形状の基板Ｇをトリミングする例である。図１３に示すようにインカーブ形状を切り出すために、複数本のスクライブ線Ｌ２−１〜Ｌ２−６により３点以上の割断線の交点を形成して基板Ｇを割断することも可能である。
【００７７】
また、本実施形態のレーザ割断を用いると、従来の曲げ応力による割断方法と異なり板内部の応力で割れる。このため割断された基板Ｇの対向する割断面が接近、接触する方向に移動しないで割断することができ、割断面同士がこすれることがない。その結果、割断時の切断屑（カレット）の発生量を低減することができるとともに、不要な欠けなどの割断面の品質低下を防止することができる。以上の結果、製品の歩留まりを向上させるのみではなく、カレットが減少することにより、切断屑汚れによる品質不良の低減、洗浄工程の簡素化、製造装置の摩耗低減による寿命の延長などの効果も期待できる。
【００７８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図１４は、本発明による脆性材料基板の割断装置の第２の実施形態を示す概略図である。割断装置１００は、図１に示す割断装置１０と比較して、熱処理手段６０と、ステージ２０と熱処理手段６０とを相対的に移動させる第２の駆動機構７０とを更に備える。その他の構成は、図１と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００７９】
熱処理手段６０は、脆性材料基板Ｇの少なくとも一部を能動的に加熱又は冷却する。熱処理手段６０は、周知の構成であってよく、例えば、空気を吹き付ける空冷ノズル機構を備えてもよく、冷媒を貯蔵する冷媒タンクと冷媒を基板表面Ｇ１に向けて吹き付ける冷媒スプレーノズルとを含み構成されてもよい。また、制御手段５０に加熱冷却条件を制御できる機構を設けることがさらに好ましい。
【００８０】
この熱処理手段６０は、ステージ２０の上方に待機しており、第２の駆動機構７０によってステージ２０に対してＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動される。上記機能を実現するためには、基板Ｇを支持するステージ２０を固定しておき熱処理手段６０を第２の駆動機構７０により移動させてもよいし、熱処理手段６０を固定しておき基板Ｇを支持するステージ２０を第２の駆動機構７０により移動させてもよい。第２の駆動機構７０は、周知の構成であってよく、熱処理手段６０をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に案内するＸＹＺガイドレールと、熱処理手段６０を駆動するアクチュエータとを含み構成される。
【００８１】
このようにして、第２の実施形態では、脆性材料基板Ｇの所定領域は、選択的に加熱又は冷却される。このときの熱処理手段６０の出力制御や、第２の駆動機構７０の出力制御は、マイクロコンピュータからなる制御手段５０により実現される。制御手段５０には、熱処理手段６０の位置座標を計測する位置センサ（図示せず）等が接続されている。制御手段５０は、位置センサ等からの出力信号に基づいて、以下で説明する割断装置１００の動作を制御する。
【００８２】
次に、第２の実施形態の脆性材料基板の割断方法について、図１５を参照して説明する。図１５は、図７及び図８で示した工程の間に行われる工程を示す図である。その他の工程は、図５〜図８と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００８３】
図１５に示すように、第２の交点Ｄ近傍において、第１のスクライブ線Ｌ２−１に沿って割断した（図５参照）後であって、第２のスクライブ線Ｌ２−２に沿って割断する（図８参照）前に、第２の交点Ｄ近傍を熱処理手段６０で加熱又は冷却する。これにより、第２の交点Ｄ近傍の第２の領域Ｋの内側における温度分布を均一にすることができ、割断面の品質が向上する。
【００８４】
仮に、第２の交点Ｄ近傍を加熱又は冷却しない場合、第２の領域Ｋの内側における温度差ΔＴｋが１５℃以下になるまで待機する必要がある。一方、第２の実施形態では、第２の交点Ｄ近傍を熱処理手段６０により能動的に加熱又は冷却するので、図５及び図７に示す工程の影響を積極的に抑制することができる。
【００８５】
尚、加熱又は冷却する領域Ｍは、第２の領域Ｋの内側における温度分布を均一にするため、第２の領域Ｋを含む広範囲に亘ることが好ましい。
【００８６】
以上のように、第２の実施形態によれば、第２の交点Ｄ近傍において、第２の交点Ｄ近傍を加熱又は冷却することにより、図５及び図７に示す工程の影響を積極的に抑制することができ、割断面の品質が向上する。
【００８７】
なお、レーザ照射及び熱処理の順序は前述に限定されず、第２の交点Ｄ近傍において、例えば図６に示す工程後であって図７に示す工程前に第２の交点Ｄ近傍を加熱又は冷却してもよく、この場合、図５に示す工程の影響を積極的に抑制することができる。加えて、第１の交点Ｃ近傍において、第２の割断線Ｌ１−２に沿って割断した（図６参照）後であって第１の割断線Ｌ１−１に沿って割断する（図７参照）前に、第１の交点Ｃ近傍を加熱又は冷却してもよい。
【実施例】
【００８８】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
（例１〜４）
フロート法によって製造された幅３０５ｍｍ、長さ３０５ｍｍ、厚さ３．５ｍｍの緑系ソーダライムガラス板 （旭硝子社製：自動車用ガラス板）を用意し、このガラス板Ｇを図１に示すステージ２０上に載置した。次に、ダイヤモンドカッター３２をガラス基板表面Ｇ１に６０Ｎの力で押し当て、図４に示すスクライブ線Ｌ２−１，Ｌ２−２を速度２００ｍｍ／ｓで引いた。【００８９】
各例１〜４において、離間距離Ｅは０．５ｍｍとした。
次いで、図３に示すレーザ光をガラス板Ｇの表面Ｇ１に照射し、図５〜図８に示したように、照射位置Ａをスクライブ線Ｌ２−１，Ｌ２−２に沿って速度１００ｍｍ／ｓで移動させガラス板Ｇを割断した。【００９０】
各例１〜４において、レーザ光の照射条件は、波長：８０８ｎｍ、集光角α：３２°、集光位置Ｆ：基板表面Ｇ１を基準として基板裏面Ｇ２とは反対側、出力：６００Ｗ、基板表面Ｇ１における照射形状（寸法Ｗ×寸法Ｖ）：５×１０ｍｍとした。また、第１の領域Ｊは、第２の割断線Ｌ１−２上の第１の交点Ｃを中心とする前後２０ｍｍ（全長４０ｍｍ）の範囲とした。また、第２の領域Ｋは、第１の割断線Ｌ１−１上の第２の交点Ｄを中心とする前後２０ｍｍ（全長４０ｍｍ）の範囲とした。【００９１】
また、各例１〜４において、図７及び図８に示す工程において第２の交点Ｄ近傍にレーザ光をそれぞれ照射する間での待機時間Ｔ（放冷時間）で変えて経時的な温度差ΔＴｋを測定した。温度差ΔＴｋの測定には、赤外線サーモグラフィを用いた。各例１〜４における、温度差ΔＴｋを表１示す。なお、ここで待機時間Ｔは、レーザ光を照射する際の装置とガラス板の相対移動に必要な最低限の制御時間を含まず、加工ヘッド３０の駆動を一時停止して加工ヘッド３０を積極的に待機させた時間を指すものとする。【００９２】
（例５）
例５では、レーザ光の照射を制限することなく、照射位置Ａを第１の割断線Ｌ１−１に沿って始点から終点まで（即ち、第２の交点Ｄを超えて第１の交点Ｃまで）移動させ、次いで、照射位置Ａを第２の割断線Ｌ１−２に沿って始点から終点まで（即ち、第１の交点Ｃを超えて第２の交点Ｄまで）移動させた。これ以外の条件は、例１〜４と同様にして、ガラス板Ｇを割断した。【００９３】
【表１】
0005609870.tif 000002
例１〜４では、第１及び第２の領域Ｊ、Ｋの内側において、レーザ光の照射を中断したので、割断面の基板表面Ｇ１側は第１及び第２の割断線Ｌ１−１、Ｌ１−２と略一致した形状のガラスを割断することができた。【００９４】
例１〜４の割断面の基板裏面Ｇ２側の位置ずれを測定した結果を図１６に示す。図１６において、横軸は割断面の基板表面Ｇ１側の第２の交点Ｄからの距離（単位：ｍｍ）であり、縦軸は割断面の基板表面Ｇ１側と基板裏面Ｇ２側との平面視での位置のずれ（単位：ｍｍ）であって割断面の基板表面Ｇ１に対する垂直性を表す。この第２の交点Ｄからの距離は、第２の割断線Ｌ１−２に沿って測定し、第１の交点Ｃに向かう方向を正とした。また、位置のずれは、基板裏面Ｇ２側が基板表面Ｇ１側に比較して第２のスクライブ線Ｌ２−２と直交する矢印Ｎ方向（図８参照）を負とした。【００９５】
図１６によれば例１〜２では、基板表面Ｇ１側の割断線に対しても位置ずれが小さく、基板裏面Ｇ２側の割断位置の位置ずれも減少して割断面が直角に近い形状で割断されていることが分かる。その結果、割断後の割断面品質により優れるガラス板が得られた。【００９６】
割断面を観察した結果、例５では、第１及び第２の領域Ｊ、Ｋの内側において６００Ｗの出力のレーザ光を照射したので、意図しない方向に亀裂が進展し割断面の基板表面Ｇ１側と割断線との位置ズレにより割断面の精度が低下し、所望の形状のガラス板が得られなかった。【００９７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明は、自動車に代表される車両用窓ガラス、その他の車両、航空機、船舶又は建築物等の窓ガラス、薄型ディスプレイパネル用ガラス基板、ハードディスク用基板、その他セラミックスの加工や製造に適用できる。
なお、２００９年７月３日に出願された日本特許出願２００９−１５９０１６号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【００９９】
１０  脆性材料基板の割断装置
２０  ステージ
３０  加工ヘッド
３２  スクライブカッター
３４  発振器
３６  光学系（集光レンズ）
４０  第１の駆動機構
５０  制御手段
６０  熱処理手段
７０  第２の駆動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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