(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質体膜からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される導体パターンとを備え、
前記多孔質体膜は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有することを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記多孔質体膜は、０．００１μｍ以上１０μｍ以下の平均孔径を有することを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
受光または発光を行なう素子をさらに備え、
前記素子は、前記導体パターンに電気的に接続されるように前記絶縁膜上に実装されたことを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記多孔質体膜は、赤、緑および青の光のうち少なくともいずれかの光の波長について５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記多孔質体膜は、赤、緑および青の光の波長について５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記多孔質体膜は、赤、緑および青の光の波長について８０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有する多孔質体膜からなる絶縁層を用意する工程と、
前記絶縁層上に導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体パターンに電気的に接続されるように前記絶縁膜上に受光または発光を行なう素子を実装する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の電子機器には、フレキシブル配線回路基板が用いられる。一般的なフレキシブル配線回路基板では、例えば、ベース絶縁層上に導体パターンが形成され、導体パターンを覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成されている。フレキシブル配線回路基板上には、種々の素子または電子回路が実装される。素子としては、例えば、光電変換素子（太陽電池）および発光ダイオード等がある。
【０００３】
光電変換素子の変換効率を向上させるためには、外部から入射した光を効率良く電気に変換することが重要である。発光ダイオードの発光効率を向上させるためには、内部で発生した光を効率良く外部に取り出すことが重要である。
【０００４】
光電変換素子の変換効率を向上させるために、光電変換素子内に反射層または散乱層を設けること（特許文献１参照）、光電変換素子内に光散乱反射層を設けること（特許文献２参照）等が提案されている。
【０００５】
また、発光ダイオードの発光効率を向上させるために、無機フィラーが添加された反射体を設けることが提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３４８７８４号公報
【特許文献２】特開２００５−１５８３７９号公報
【特許文献３】特開２００７−２１８７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、光電変換素子に反射層、散乱層または光散乱反射層を設けるためには、製造工程の数が増加する。それにより、光電変換素子の製造コストが増加する。また、発光ダイオードに反射体を設ける場合にも、製造コストが増加する。そのため、素子の製造コストを増加させることなく素子の効率を向上させることが望まれる。あるいは、素子が有する構造による効率の向上に加えてさらに素子の効率を向上させることが望まれる。
【０００８】
本発明の目的は、受光または発光を行なう素子の効率を向上させることが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、多孔質体膜からなる絶縁層と、絶縁層上に形成される導体パターンとを備え、多孔質体膜は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有するものである。
【００１０】
その配線回路基板においては、絶縁層の多孔質体膜が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長について５０％以上の反射率を有する。そのため、配線回路基板上に受光を行なう素子が実装された場合、素子に直接入射する光が素子の内部に取り込まれるとともに絶縁層で反射された光が素子の内部に取り込まれる。それにより、素子の光の収集効率が向上する。また、配線回路基板上に発光を行なう素子が実装された場合、素子の上面から光が取り出されるとともに、素子の下面から出る光が絶縁層で反射されて素子内を通って素子の上面から取り出される。それにより、素子の発光効率が向上する。このように、受光または発光を行なう素子の効率を向上させることが可能となる。
【００１１】
（２）多孔質体膜は、０．００１μｍ以上１０μｍ以下の平均孔径を有してもよい。この場合、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有する多孔質体膜が容易に得られる。
【００１２】
（３）配線回路基板は、受光または発光を行なう素子をさらに備え、素子は、導体パターンに電気的に接続されるように絶縁膜上に実装されてもよい。この場合、絶縁膜上に実装される素子の効率が向上する。
【００１３】
（４）多孔質体膜は、赤、緑および青の光のうち少なくともいずれかの光の波長について５０％以上の反射率を有してもよい。この場合、赤、緑または青の光を受ける素子または赤、緑または青の光を発する素子の効率が向上する。
【００１４】
（５）多孔質体膜は、赤、緑および青の光の波長について５０％以上の反射率を有してもよい。この場合、赤、緑および青の光のうちいずれの光を受ける素子または発する素子が絶縁膜に実装された場合でも、その素子の効率が向上する。
【００１５】
（６）多孔質体膜は、赤、緑および青の光の波長について８０％以上の反射率を有してもよい。この場合、赤、緑および青の光のうちいずれの光を受ける素子または発する素子が絶縁膜に実装された場合でも、その素子の効率が十分に向上する。
【００１６】
（７）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有する多孔質体膜からなる絶縁層を用意する工程と、絶縁層上に導体パターンを形成する工程とを含むものである。
【００１７】
その製造方法により製造された配線回路基板においては、絶縁層の多孔質体膜が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域の少なくとも一部の波長について５０％以上の反射率を有する。そのため、配線回路基板上に受光を行なう素子が実装された場合、素子に直接入射する光が素子の内部に取り込まれるとともに絶縁層で反射された光が素子の内部に取り込まれる。それにより、素子の光の収集効率が向上する。また、配線回路基板上に発光を行なう素子が実装された場合、素子の上面から光が取り出されるとともに、素子の下面から出る光が絶縁層で反射されて素子内を通って素子の上面から取り出される。それにより、素子の発光効率が向上する。このように、受光または発光を行なう素子の効率を向上させることが可能となる。
【００１８】
（８）製造方法は、導体パターンに電気的に接続されるように絶縁膜上に受光または発光を行なう素子を実装する工程をさらに含んでもよい。この場合、絶縁膜上に実装される素子の効率が向上する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、受光または発光を行なう素子の効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。
【図２】配線回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】配線回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】実施例１〜４、比較例１，２および参考例のサンプルの構成を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施の形態に係るフレキシブル配線回路基板について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、フレシキブル配線回路基板を配線回路基板と略記する。
【００２２】
（１）配線回路基板の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。図１に示す配線回路基板１０は、多孔質体膜からなるベース絶縁層１を備える。多孔質体膜からなるベース絶縁層１上に、複数の導体パターン２が形成されている。各導体パターン２は、配線パターンまたはグランドパターンである。各導体パターン２は、例えばクロムからなるシード層２ａおよび例えば銅からなる導体層２ｂの積層構造を有する。複数の導体パターン２を覆うように、ベース絶縁層１上にカバー絶縁層３が形成されている。
【００２３】
このような構造を有する配線回路基板１０上に受光または発光を行なう素子１００が実装される。素子１００は、例えば、光を電気に変換する光電変換素子（例えば太陽電池）、フォトダイオード等の受光素子、または発光ダイオード等の発光素子である。素子１００の端子は、導体パターン２のいずれかに電気的に接続される。
【００２４】
カバー絶縁層３は、導体パターン２の全体を覆うようにベース絶縁層１上に形成されてもよく、導体パターン２の一部を覆うようにベース絶縁層１上に形成されてもよい。カバー絶縁層３として多孔質体膜が用いられてもよい。
【００２５】
ベース絶縁層１の厚みは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下であり、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。ベース絶縁層１の厚みが５００μｍ以下であることにより、柔軟性が良好となる。ベース絶縁層１の厚みが１μｍ以上であることにより、絶縁性が良好となる。
【００２６】
シード層２ａの厚みは、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。導体パターン２の厚みは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
カバー絶縁層３の厚みは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下であり、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。カバー絶縁層３の厚みが５００μｍ以下であることにより、柔軟性が良好となる。ベース絶縁層１の厚みが１μｍ以上であることにより、絶縁性が良好となる。
【００２８】
多孔質体膜の材料としては、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルイミド、ポリオレフィン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトンまたはポリアミド等を単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
【００２９】
多孔質体膜は、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域内の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有するように作製される。ベース絶縁層１には、実装される素子１００が扱う光の波長に対して５０％以上の反射率を有する多孔質体膜が用いられる。
【００３０】
多孔質体膜の作製方法として、乾式法および湿式法を用いることができる。乾式法には物理的方法と化学的方法とがある。物理的方法では、例えば、クロロフルオロカーボン類または炭化水素類等の低沸点液体を発泡剤としてポリマーに分散させた後、加熱して発泡剤を揮発させることにより気泡（セル）を形成する。化学的方法では、例えば、ポリマーベースに発泡剤である化合物を添加し、発泡剤の熱分解により生じたガスにより気泡を形成する。
【００３１】
他の方法としては、窒素または二酸化炭素等の気体を高圧でポリマー中に溶解させた後、圧力を解放し、ポリマーのガラス転移温度または軟化点付近まで加熱することにより気泡を形成することができる。
【００３２】
湿式法には、例えば抽出法がある。ポリマーに添加剤を添加することにより特定のミクロ相分離構造を形成し、両成分の揮発性（沸点）または熱分解性および溶媒に対する溶解性の差を利用して、加熱と溶媒抽出とにより上記の添加剤を除去することにより気泡を形成する。
【００３３】
多孔質体膜の平均孔径は、例えば０．００１μｍ以上５０μｍ以下であり、０．０３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．０３μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。多孔質体膜の平均孔径が５０μｍ以下であることにより、ベース絶縁層１の強度が確保される。
【００３４】
多孔質体膜の空孔率は、例えば１０％以上９５％以下であり、３０％以上９５％以下であることが好ましい。多孔質体膜の空孔率が９５％以下であることにより、ベース絶縁層１の耐久性が確保される。また、多孔質体膜の空孔率が１０％以上であることにより、十分に高い光の反射率が得られる。
【００３５】
本実施の形態に係る配線回路基板１０においては、ベース絶縁層１として用いられる多孔質体膜が４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域内の少なくとも一部の波長の光に対して５０％以上の反射率を有する。そのため、配線回路基板１０上に素子１００として光電変換素子または受光素子が実装された場合、素子１００に直接入射する光が素子１００の内部に取り込まれるとともにベース絶縁層１で反射された光が素子１００の内部に取り込まれる。それにより、素子１００の光の収集効率が向上する。また、配線回路基板１０上に素子１００として発光素子が実装された場合、素子１００の上面から光が取り出されるとともに、素子１００の下面から出る光がベース絶縁層１で反射されて素子１００内を通って素子１００の上面から取り出される。それにより、素子１００の発光効率が向上する。このように、素子１００の効率が向上する。
【００３６】
多孔質体膜は、赤、緑および青の光のうち少なくともいずれか光の波長について５０％以上の反射率を有してもよい。ここで、赤の光は少なくとも波長７００ｎｍを含む。緑の光は少なくとも波長５４６ｎｍを含む。青の光は少なくとも波長４３５ｎｍを含む。この場合、赤、緑または青の光を受ける１００素子または赤、緑または青の光を発する素子１００の効率が向上する。
【００３７】
多孔質体膜は、赤、緑および青の光の波長について５０％以上の反射率を有することが好ましい。この場合、赤、緑および青の光のうちいずれの光を受ける素子１００または発する素子１００が配線回路基板１０に実装された場合でも、その素子１００の効率が向上する。
【００３８】
多孔質体膜は、赤、緑および青の光の波長について８０％以上の反射率を有することがさらに好ましい。この場合、赤、緑および青の光のうちいずれの光を受ける素子１００または発する素子１００が配線回路基板１０に実装された場合でも、その素子１００の効率が十分に向上する。
【００３９】
（２）配線回路基板１０の製造方法
図２および図３は、配線回路基板１０の製造方法を説明するための工程断面図である。図２の例は、セミアディティブ法による配線回路基板１０の製造方法を示す。
【００４０】
まず、図２（ａ）に示すように、上記の多孔質体膜からなるベース絶縁層１上に、例えばスパッタリング法によりクロムからなるシード層２ａを形成する。シード層２ａを無電解めっきにより形成してもよい。
【００４１】
次に、シード層２ａ上に、例えばドライフィルムレジスト等によりレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンを有するマスクを用いて露光した後、現像する。このようにして、図２（ｂ）に示すように、シード層２ａ上にめっきレジスト２１を形成する。
【００４２】
次に、図２（ｃ）に示すように、めっきレジスト２１の領域を除いて、シード層２ａ上に電解めっきにより例えば銅からなる導体層２ｂを形成する。
【００４３】
次に、図３（ａ）に示すように、めっきレジスト２１を化学エッチング（ウェットエッチング）または剥離によって除去する。次に、シード層２ａの露出する領域をエッチングにより除去する。これにより、図３（ｂ）に示すように、シード層２ａおよび導体層２ｂからなる複数の導体パターン２（図１参照）が形成される。導体パターン２は、例えば配線パターンまたはグランドパターンである。
【００４４】
さらに、図３（ｃ）に示すように、複数の導体パターン２を覆うようにベース絶縁層１上に、例えばポリイミドからなるカバー絶縁層３を形成する。これにより、図１に示した配線回路基板１０が完成する。
【００４５】
図２および図３に示した配線回路基板１０の製造方法においては、導体パターン２をセミアディティブ法により形成しているが、導体パターン２をサブトラクティブ法により形成してもよい。
【００４６】
（３）実施例
まず、以下の方法で複数の多孔質体膜および複数の非多孔質体膜を製造または用意した。
【００４７】
（３−１）多孔質体膜および非多孔質体膜の準備
（ａ）多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜
多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜を次の方法で製造した。攪拌機および温度計を備えた５００ｍｌのセパラブルフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）２７ｇを入れ、これにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３９２ｇを加えて攪拌し、ＰＤＡを溶解させた。
【００４８】
次いで、この容器に、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）７３．５ｇを徐々に加え、その後３０°Ｃ以下の温度で２時間攪拌を続け、濃度２０重量％のポリイミド樹脂前駆体溶液を得た。このポリイミド樹脂前駆体溶液の固有粘度（ＮＭＰ中０．５ｇ／１００ｍｌの濃度、および３０℃で測定）は１．５であり、３０℃での溶液粘度は８００Ｐａ・ｓであった。
【００４９】
得られたポリイミド樹脂前駆体溶液に重量平均分子量が１１００のウレタンアクリレートオリゴマをポリイミド樹脂前駆体１００重量部に対して３８重量部添加し、攪拌して透明な均一の溶液を得た。この溶液を厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上にスピンコータを用いて塗布し、９０℃で１５分間および１８０℃で１０分間熱風循環式オーブン中で溶媒を乾燥させた。それにより、ウレタンアクリレートオリゴマのミクロ相分離構造を有する厚さ１５μｍのポリイミド樹脂前駆体膜を得た。
【００５０】
その後、得られたポリイミド樹脂前駆体膜を０．０１ｔｏｒｒの真空下において３５０℃で加熱してウレタンアクリレートオリゴマが除去されたポリイミド多孔質体膜を作製した。このポリイミド多孔質体膜を直径８０ｍｍのシート状に切断し、５００ｃｃの耐圧容器に入れ、４０℃の雰囲気中において２５ＭＰａに加圧した後、圧力を保ったままガス量にして約３リットル／分の流量でＣＯ２を注入および排気してポリウレタンアクリレートオリゴマを抽出する操作を２時間行った。これにより、多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜を得た。
【００５１】
（ｂ）多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜
多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜を次の方法で製造した。攪拌機および温度計を備えた５００ｍｌのセパラブルフラスコに、ＰＥＩ（ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスティクスジャパン製ＵＬＴＥＭ）２７ｇを入れ、これにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３９２ｇを加えて撹拌し、ＰＥＩを溶解させた。
【００５２】
得られた溶液に重量平均分子量が１１００のウレタンアクリレートオリゴマを樹脂１００重量部に対して３８重量部添加し、撹拌して透明な均一の溶液を得た。この溶液を厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上にスピンコータを用いて塗布し、９０℃で１５分間および１８０℃で１０分間熱風循環式オーブン中で溶媒を乾燥させた。それにより、ウレタンアクリレートオリゴマのミクロ相分離構造を有する厚さ１５μｍの膜を得た。
【００５３】
その後、得られた膜を０．０１ｔｏｒｒの真空下において３５０℃で加熱してウレタンアクリレートオリゴマが除去された多孔質体膜を作製した。この多孔質体膜を直径８０ｍｍのシート状に切断し、５００ｃｃの耐圧容器に入れ、４０℃の雰囲気中で２５ＭＰａに加圧した後、圧力を保ったままガス量にして約３リットル／分の流量でＣＯ２を注入および排気してポリウレタンアクリレートオリゴマを抽出する操作を２時間行った。それにより、多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜を得た。
【００５４】
（ｃ）多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜
多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜を次の方法で製造した。攪拌機および温度計を備えた５００ｍｌのセパラブルフラスコに、ＣＯＰ（ＪＳＲ株式会社製アートン）２７ｇを入れ、これにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３９２ｇを加えて攪拌し、ＣＯＰを溶解させた。
【００５５】
得られた溶液に重量平均分子量が１１００のウレタンアクリレートオリゴマを樹脂１００重量部に対して３８重量部添加し、撹絆して透明な均一の溶液を得た。この溶液を厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上にスピンコータを用いて塗布し、９０℃で１５分間および１８０℃で１０分間熱風循環式オーブン中で溶媒を乾燥させた。それにより、ウレタンアクリレートオリゴマのミクロ相分離構造を有する厚さ１５μｍの膜を得た。
【００５６】
その後、得られた膜を０．０１ｔｏｒｒの真空下において３５０℃で加熱してウレタンアクリレートオリゴマが除去された多孔質体膜を作製した。この多孔質体膜を直径８０ｍｍのシート状に切断し、５００ｃｃの耐圧容器に入れ、４０℃の雰囲気中で２５ＭＰａに加圧した後、圧力を保ったままガス量にして約３リットル／分の流量でＣＯ２を注入および排気してポリウレタンアクリレートオリゴマを抽出する操作を２時間行った。それにより、多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜を得た。
【００５７】
（ｄ）多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜
多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜として、日東電工株式会社製ＮＴＦ−１１２２を用意した。
【００５８】
（ｅ）ポリイミド（ＰＩ）膜
ポリイミド（ＰＩ）膜を次の方法で製造した。攪拌機および温度計を備えた５００ｍｌのセパラブルフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）２７ｇを入れ、これにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３９２ｇを加えて撹絆し、ＰＤＡを溶解させた。
【００５９】
次いで、この容器に３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）７３．５ｇを徐々に加え、その後３０℃以下の温度で２時間攪拌を続け、濃度２０重量％のポリイミド樹脂前駆体溶液を得た。このポリイミド樹脂前駆体溶液の固有粘度（ＮＭＰ中０．５ｇ／１００ｍｌの濃度、および３０℃で測定）は１．５であり、３０℃での溶液粘度は８００Ｐａ・ｓであった。
【００６０】
この溶液を厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上にスピンコータを用いて塗布し、９０℃で１５分間および１８０℃で１０分間熱風循環式オーブン中で溶媒を乾燥させた。それにより、厚さ１５μｍのポリイミド（ＰＩ）膜を得た。
【００６１】
（ｆ）ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）膜
ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）膜として、帝人デュポンフィルム株式会社製テトロン（登録商標）を用意した。
【００６２】
（ｇ）液晶ポリマー（ＬＣＰ）膜
液晶ポリマー（ＬＣＰ）膜として、株式会社クラレ製ベクスターを用意した。
【００６３】
（３−２）孔径の測定
上記の多孔質体膜の孔径および空孔率を次の方法で測定した。多孔質体膜を液体窒素中で凍結して割断し、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（株式会社日立製Ｓ−５７０）を用い、加速電圧１０ｋＶにて観察し、画像処理により孔径（気泡の直径）を求めた。
【００６４】
多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜の平均孔径は１μｍであった。多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜の平均孔径は５μｍであった。多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜の平均孔径は３μｍであった。多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜の平均孔径は０．１μｍであった。
【００６５】
（３−３）空孔率の測定
ＪＩＳＫ６８８５の規定に準じて測定される多孔質体膜の見掛け密度ρ１（ｇ／ｃｍ３）と、その多孔質体膜を構成する樹脂の密度ρ０（ｇ／ｃｍ３）とから、下式を用いて空孔率を求めた。
【００６６】
空孔率（％）＝１００×（ρ０−ρ１）／ρ０
多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜の空孔率は５０％であった。多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜の空孔率は７５％であった。多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜の空孔率は６０％であった。多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜の空孔率は７１％であった。
【００６７】
（３−４）サンプルの作製
上記の多孔質体膜および非多孔質体膜をベース絶縁層１として用いて実施例１〜４、比較例１，２および参考例のサンプルを作製した。
【００６８】
図４は、実施例１〜４、比較例１，２および参考例のサンプルの構成を示す模式的断面図である。図４に示すように、ベース絶縁層１上にシード層２ａおよび導体層２ｂからなる導体パターン２が形成され、導体パターン２を覆うようにベース絶縁層１上にカバー絶縁層３が形成される。
【００６９】
（ａ）実施例１
実施例１では、上記の多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜をベース絶縁層１として用いて図２および図３に示したセミアディティブ法により図４に示すサンプルを作製した。
【００７０】
まず、多孔質ポリイミド膜からなるベース絶縁層１にプラズマ処理による窒化処理を行ない、ベース絶縁層１上に、スパッタリング法によりクロムからなる厚さ１００ｎｍのシード層２ａを形成した。次に、シード層２ａ上に、ドライフィルムレジストを積層し、所定のパターンを有するマスクを用いて露光した後、現像することによりめっきレジストを形成した。次に、めっきレジストの領域を除いて、シード層２ａ上に電解めっきにより銅からなる厚さ１８μｍの導体層２ｂを形成した。めっきレジストを除去した後、シード層２ａの露出する領域をエッチングにより除去した。これにより、図４に示すように、シード層２ａおよび導体層２ｂからなる導体パターン２が形成された。さらに、導体パターン２を覆うようにベース絶縁層１上にポリイミドからなるカバー絶縁層３を形成した。
【００７１】
（ｂ）実施例２
実施例２では、上記の多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜をベース絶縁層１として用いた点を除いて、実施例１と同様の方法で図４に示すサンプルを作製した。
【００７２】
（ｃ）実施例３
実施例３では、上記の多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜をベース絶縁層１として用いた点を除いて、実施例１と同様の方法で図４に示すサンプルを作製した。
【００７３】
（ｄ）実施例４
実施例４では、上記の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜をベース絶縁層１として用いた点を除いて、実施例１と同様の方法で図４に示すサンプルを作製した。
【００７４】
（ｅ）比較例１
比較例１では、上記のポリイミド（ＰＩ）膜をベース絶縁層１として用いた点を除いて、実施例１と同様の方法で図４に示すサンプルを作製した。
【００７５】
（ｆ）比較例２
比較例２では、上記のポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）膜をベース絶縁層１として用いた点を除いて、実施例１と同様の方法で図４に示すサンプルを作製した。
【００７６】
（ｇ）参考例
参考例では、上記の液晶ポリマー（ＬＣＰ）膜をベース絶縁層１として用いた点を除いて、実施例１と同様の方法で図４に示すサンプルを作製した。
【００７７】
（３−５）反射率の測定
実施例１〜４、比較例１，２および参考例のサンプルについて、図４のベース絶縁層１の光の反射率を分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−６７０）により測定した。
【００７８】
（３−６）評価
実施例１〜４、比較例１，２および参考例のサンプルについて、多孔質体膜の孔径、空孔率および光の反射率の測定結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
0005406800.tif 000002
表１に示すように、多孔質ポリイミド（ＰＩ）膜をベース絶縁層１として用いた実施例１のサンプルでは、赤の光に対する反射率が６７％となり、５０％よりも十分に高くなった。
【００８０】
多孔質ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）膜をベース絶縁層１として用いた実施例２のサンプルでは、赤、緑および青の光に対する反射率がそれぞれ９０％、９０％および８３％となり、いずれも８０％よりも高くなった。
【００８１】
多孔質シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）膜をベース絶縁層１として用いた実施例３のサンプルでは、赤、緑および青の光に対する反射率がそれぞれ８０％、８１％および８２％となり、いずれも８０％よりも高くなった。
【００８２】
多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜をベース絶縁層１として用いた実施例４のサンプルでは、赤、緑および青の光に対する反射率が８２％、８７％および９１％となり、いずれも８０％よりも高くなった。
【００８３】
これに対して、ポリイミド（ＰＩ）膜をベース絶縁層１として用いた比較例１のサンプルでは、赤、緑および青の光に対する反射率が１１％、２３％および３０％となり、いずれも５０％よりも低くなった。
【００８４】
ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）膜をベース絶縁層１として用いた比較例２のサンプルでは、赤、緑および青の光に対する反射率が１１％、１１％および１３％となり、いずれも５０％よりも低くなった。
【００８５】
なお、液晶ポリマー（ＬＣＰ）膜をベース絶縁層１として用いた参考例のサンプルでは、赤、緑および青の光に対する反射率が５９％、６１％および５９％となり、いずれも５０％よりも高くなった。
【００８６】
上記の結果から、多孔質体膜をベース絶縁層１として用いることにより、可視光領域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の少なくとも一部の波長の光の反射率を５０％以上にすることが可能であることがわかる。
【００８７】
多孔質体膜をベース絶縁層１として用いる場合には、液晶ポリマー（ＬＣＰ）膜をベース絶縁層１として用いる場合に比べて、ベース絶縁層１の誘電率を低くすることができる。それにより、配線回路基板１０の高周波特性が向上する。
【００８８】
（４）他の実施の形態
シード層２ａの材料は、クロムに限らず、クロムおよび銅の二層構造を有してもよい。
【００８９】
また、電解めっきにより導体層２ｂを形成する代わりに、他の方法により導体層２ｂを形成する場合には、シード層２ａは形成しなくてもよい。
【００９０】
導体層２ｂの材料としては、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。
【００９１】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９２】
上記実施の形態では、ベース絶縁層１が絶縁層の例であり、導体パターン２が導体パターンの例であり、素子１００が素子の例である。
【００９３】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、受光または発光を行なう素子が実装される配線回路基板に利用することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１  ベース絶縁層
２  導体パターン
２ａ  シード層
２ｂ  導体層
３  カバー絶縁層
１０  配線回路基板
２１  めっきレジスト
１００  素子
【図１】
0005406800.tif 000003
【図２】
0005406800.tif 000004
【図３】
0005406800.tif 000005
【図４】
0005406800.tif 000006