(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールド材中に電子部品が封止され前記電子部品と電気的に接続されたリードが底面の端部に設けられた構造を具備する複数のモールドパッケージを、単一の金属パターンを用いて構成した後に切断することによって得る、モールドパッケージの製造方法であって、前記金属パターンにおいて、隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間に、２つに分離されることによってそれぞれ前記２つのモールドパッケージの前記リードとなる共通リードとダミーリードを設け、前記金属パターン上に前記電子部品を搭載した後に、前記金属パターンにおける前記電子部品が搭載された側と反対側の面が裏面に露出するように、前記モールド材を前記金属パターン上に形成するモールド工程と、前記裏面側から、前記ダミーリード中に、前記ダミーリードと略平行かつ前記ダミーリードよりも細く、前記ダミーリードの厚さを超えて深くハーフカット加工した裏面溝を形成する裏面溝形成工程と、前記裏面と反対側から、前記隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間において、前記裏面溝と略垂直に、前記モールド材を、前記裏面溝に達しかつ前記共通リード及び前記ダミーリードには達しない深さまでハーフカット加工したモールド溝を形成するモールド分離工程と、前記モールド溝の底面を、前記モールド溝よりも狭い幅で、前記モールド溝と略平行に切断して前記共通リードを分断する切断工程と、を具備することを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記金属パターンは、前記共通リード及び前記ダミーリードと略直交し前記共通リード及び前記ダミーリードと一体に形成されたセクションバーを具備し、前記切断工程において、前記セクションバーを除去するように切断を行うことを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記金属パターンにおいて、複数の前記共通リードと複数の前記ダミーリードが並列して形成され、該複数の共通リードと該複数のダミーリードは、共通の前記セクションバーで接続されることを特徴とする請求項２に記載のモールドパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド材中に電子部品が封入され、底面にリードが設けられた形態のモールドパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、複数の半導体チップ（電子部品）で構成される半導体モジュールは、基板上にこれらの半導体チップが搭載された構造が、樹脂等で構成されたモールド材中に封入されたモールドパッケージの形態とされる場合が多い。モールドパッケージにおける電気端子となるリードは、モールド材の表面に形成され、内部の半導体素子等に接続される。こうしたモールドパッケージの形態は様々であるが、その中に、ノンリード型、例えばＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）型として知られるパッケージがある。図１は、その一例となるＳＯＮ型パッケージ９０の外観を示す図である。図１において、（ａ）はその上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は下面図である。このパッケージの特徴は、矩形体形状とされ、半導体チップが内蔵されたモールド材９１の底面の左右端部に、電気端子となる複数のリード９２が設けられている点である。各リード９２は、モールド材９１中に封止されている半導体チップの端子と電気的に接続され、はんだ付けが可能な金属、例えば銅で構成される。この構成においては、底面のリード９２のそれぞれを基板上にはんだで接合することにより、このＳＯＮ型パッケージ９０を基板上に固定し、かつ基板と半導体チップとの電気的接合をとることができる。こうしたノンリード型パッケージの特徴は、この接続を底面と基板との間のみを用いて行うことができるため、電気的接続のためにＳＯＮ型パッケージ９０の底面積よりも大幅に広い面積を必要とすることがなく、高密度に実装することができる点である。このＳＯＮ型パッケージ９０の典型的な大きさは例えば１０ｍｍ×２０ｍｍ程度である。
【０００３】
ただし、このＳＯＮ型パッケージ９０を基板上に実装する際には、各リード９２に充分にはんだが乗っている（付着している）かどうかを作業者が目視、あるいは外観検査装置で確認することが必要になる。このため、実際には、図１に示されるように、各リード９２をわずかにモールド材９１の側面から突き出した形態とし、この突き出た部分を観察することによって、はんだの有無の確認を行っている。すなわち、実際のＳＯＮ型パッケージ９０においては、各リード９２はモールド材９１の側面からわずかに突き出した形態をとる。なお、この突き出した部分で電気接続をとるのではなく、この部分ははんだの有無の確認のみに用いられるため、この突き出し量は１ｍｍ未満である。従って、この構造はこのＳＯＮ型パッケージ９０を高密度で実装する際の障害とはならない。
【０００４】
一方、ＳＯＮ型パッケージ以外においても、はんだによってリードを基板に固定する構成のパッケージであれば、リードに充分にはんだが乗っているか否かの確認は同様に重要である。こうした構造の一例として、特許文献１には、屈曲させたリードの先端にスリットを設けた構造のパッケージが記載されている。この構造においては、屈曲したリードの先端部分で基板との接合を行い、このリード先端のスリットからリード裏面のはんだを確認することができる。従って、はんだ付けを確実に行うことができる。
【０００５】
このように、はんだを用いて基板にリードを接合する構成のパッケージにおいては、リードに充分にはんだが乗っていることが確認しやすい構造が用いられている。
【０００６】
また、溶接構造の一例として、特許文献２には、ＱＦＰ型パッケージにおいては、リード接続のために、アウターリードを樹脂から露出させた構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平２−２９５０７６号公報
【特許文献２】特開２００８−２８２９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１の構造のＳＯＮ型パッケージ９０をはんだで基板に接合する際には、リード９２の側面のはんだの有無を目視や外観検査装置で確認する。しかしながら、リード９２を突き出させる構造は製造工程が複雑となるために、容易に製造することは困難であった。また、特許文献２に記載の構造では、下面が見えないため、上方からの確認で、裏面のはんだを確認することは困難であった。
【０００９】
こうした点においては、特許文献１に記載の構造は極めて有効であり、リード裏面のはんだをスリットを通して確認することができる。しかしながら、この構造を製造するに際しては、各リードの先端にスリットを形成し、かつ各リードを屈曲させる作業が必要になる。スリットを形成するためには、一般には回転するブレード（刃）が用いられるが、この作業を各リードにおいて行うことは、リードの本数が多い場合には、特に生産性を大きく低下させる。特許文献１に記載のパッケージは、リードの数が少ないディスクリート素子のパッケージであり、こうしたパッケージにおいてはこうした形状のリードを用いることは比較的容易である。これに対して、ＳＯＮ型パッケージのような大規模なモールドパッケージにこの技術を用いる場合には、特にその製造工程が複雑となるために、生産性が大きく低下した。
【００１０】
すなわち、リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得ることは困難であった。
【００１１】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。  本発明のモールドパッケージの製造方法は、モールド材中に電子部品が封止され前記電子部品と電気的に接続されたリードが底面の端部に設けられた構造を具備する複数のモールドパッケージを、単一の金属パターンを用いて構成した後に切断することによって得る、モールドパッケージの製造方法であって、前記金属パターンにおいて、隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間に、２つに分離されることによってそれぞれ前記２つのモールドパッケージの前記リードとなる共通リードとダミーリードを設け、  前記金属パターン上に前記電子部品を搭載した後に、前記金属パターンにおける前記電子部品が搭載された側と反対側の面が裏面に露出するように、前記モールド材を前記金属パターン上に形成するモールド工程と、前記裏面側から、前記ダミーリード中に、前記ダミーリードと略平行かつ前記ダミーリードよりも細く、前記ダミーリードの厚さを超えて深くハーフカット加工した裏面溝を形成する裏面溝形成工程と、前記裏面と反対側から、前記隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間において、前記裏面溝と略垂直に、前記モールド材を、前記裏面溝に達しかつ前記共通リード及び前記ダミーリードには達しない深さまでハーフカット加工したモールド溝を形成するモールド分離工程と、前記モールド溝の底面を、前記モールド溝よりも狭い幅で、前記モールド溝と略平行に切断して前記共通リードを分断する切断工程と、を具備することを特徴とする。  本発明のモールドパッケージの製造方法において、前記金属パターンは、前記共通リード及び前記ダミーリードと略直交し前記共通リード及び前記ダミーリードと一体に形成されたセクションバーを具備し、前記切断工程において、前記セクションバーを除去するように切断を行うことを特徴とする。  本発明のモールドパッケージの製造方法は、前記金属パターンにおいて、複数の前記共通リードと複数の前記ダミーリードが並列して形成され、該複数の共通リードと該複数のダミーリードは、共通の前記セクションバーで接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は以上のように構成されているので、リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来のモールドパッケージの一例の上面図（ａ）、正面図（ｂ）、下面図（ｃ）である。
【図２】本発明の実施の形態に係るモールドパッケージの製造方法によって製造されたモールドパッケージの上面図（ａ）、正面図（ｂ）、下面図（ｃ）である。
【図３】本発明の実施の形態に係るモールドパッケージの製造方法におけるモールド工程後の構造の平面図（ａ）、断面図（ｂ）である。
【図４】本発明の実施の形態に係るモールドパッケージの製造方法における工程中の構造を上面、正面、下面から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態となるモールドパッケージの製造方法につき説明する。この製造方法は、ノンリード型のモールドパッケージ、例えばＳＯＮ型パッケージを製造するのに適している。この製造方法において、リードフレーム１００に配設された多数２次元配列された構成の金属パターンを用いて、多数のＳＯＮ型パッケージが配列された構造を製造し、その後でこれらを分断し、個々のＳＯＮ型パッケージを得る。
【００１６】
図３のリードフレーム１００には、半導体チップ（電子部品）を搭載するダイパッド１１があり、その左右両側に共通リード１２が平行に複数存在し、これらはそれぞれ左右で横セクションバー（セクションバー）１３に接続される。ダイパッド１１も、上下方向でリードフレーム固定バー１４を用いて縦セクションバー（セクションバー）１５と一体化され、全体が一体化されている。ここで用いられるリードフレーム１００は、金属パターンが多数配列した形態となり、全体が一体化されている。左右に隣接する共通リード１２は、これに直交する横セクションバー１３で接続された形態となる。横セクションバー１３、リードフレーム固定バー１４、縦セクションバー１５は、製造された個々のＳＯＮ型パッケージにおいては不要であるが、これらをリードフレーム１００として一体化するために用いられている。また、このリードフレーム１００は、はんだ付けの可能な金属、例えば銅合金で構成され、平板を例えばプレス加工することによって図３の形状とされる。従って、図３において、ダイパッド１１、共通リード１２、横セクションバー１３、リードフレーム固定バー１４、縦セクションバー１５は同一平面を構成する。この際の平板の厚さは、例えば０．４ｍｍ程度とされる。横セクションバー１３、リードフレーム固定バー１４、縦セクションバー１５の幅は、図３の構造が強固に保たれるように適宜設定される。ただし、後述するように、横セクションバー１３及び縦セクションバー１５の幅は、フルカット加工の際にこれらが完全に除去されるような幅に設定される。
【００１７】
また、共通リード１２とリードフレーム固定バー１４は切断され、共通リード１２が切断されて分断された後にリード５０、５１となる。ダイパッド１１上には半導体チップ２２が搭載され、半導体チップ２２と各リード５０、５１との接続はボンディングワイヤ２３で行われる。その後、ダイパッド１１周辺がモールド材２４で封入される。リード５０、５１は矩形体のモールド材２４端部から突出し、図１と同様のＳＯＮ型パッケージとなっている。この矩形体を上面から見た大きさは、例えば７．０ｍｍ×５．２ｍｍ程度である。
【００１８】
このモールドパッケージの製造方法においては、簡易な工程で、各リード６１（ダミーリード１６）にスリット４０が形成された構成のＳＯＮ型パッケージを得ることができる。ただし、リード６１には、スリット４９が形成されている。これにより、リード６１をはんだで接合する際には、このスリット４０から裏面のはんだを上側から確認することができる。以下では、この製造方法について説明する。
【００１９】
まず、上記のリードフレーム１００において、共通リード１２に並び、端部にはダミーリード１６を有する構造とする。各ダイパッド１１上に半導体チップ２２を搭載し、半導体チップ２２と共通リード１２とを、ボンディングワイヤ２３で接続する。この作業は、周知の方法により行われる。すなわち、各半導体チップ２２の裏面ははんだ等で各ダイパッド１１に接続され、各ボンディングワイヤ２３は、各半導体チップ２２上にあるパッド（電極）と共通リード１２とを接続するように、超音波接合等によって接続される。ダミーリード１６にはボンディングワイヤ２３は接続しない。その後、この構造全体は、モールド材２４中に封入される（モールド工程）。この状態での上面からのモールド材２４を通した透視図を図３（ａ）に、この構造のＡ−Ａ方向の断面図を図３（ｂ）に示す。モールド材２４としては、例えば１ｍｍ程度の厚さのシート状のモールド樹脂材料を用いることができる。これを加熱して上側（半導体チップ２２がある側）から加圧することにより、図３（ｂ）のような断面構造とすることができる。この構造においては、リードフレーム１００の裏面（半導体チップ２２が搭載された側と反対側の面）がその裏面に露出した形態となっている。
【００２０】
以上で用いられるリードフレーム１００の構成やモールド工程の内容については、図１に示された従来のＳＯＮ型パッケージを製造する場合、すなわち、リードにスリットが設けられていない場合と同様である。
【００２１】
このモールドパッケージの製造方法におけるその後の製造工程について、以下に、図３（ａ）中の点線で囲まれた領域（対象領域Ｋ）についてのみ示す。この領域は、左右に隣接して製造される２つのＳＯＮ型パッケージとなる部分の間であり、その左右に形成されるＳＯＮ型パッケージのリードが形成される箇所に対応する。この領域における共通リード１２は、２つに分断されることによって各ＳＯＮ型モールドパッケージのリードとなる。ただし、図３の状態（モールド工程後）においては、リード中のスリットに対応する構造は形成されていない。
【００２２】
図４（ａ）〜（ｇ）は、このモールドパッケージの製造方法の各工程におけるこの対象領域Ｋの上面、正面、下面から見た形状をそれぞれ示す。
【００２３】
図４（ａ）においては、図３の状態（モールド封止後）の形態が示されている。すなわち、モールド材２４中に、リードフレーム１００の一部（ダミーリード１６と横セクションバー１３からなる十字型の構造）が埋め込まれており、下面（裏面）ではこの十字型の構造が露出している。
【００２４】
次に、図４（ｂ）に示されるように、この構造に対して、裏面側（モールド材２４のある側と反対側）から回転するブレード（切断刃）１０１を当接させ、ダミーリード１６の中心軸付近を、その長さ方向と平行にハーフカット加工を行う（裏面溝形成工程）。ここで、ハーフカット加工とは、この構造を切断によって分離するのではなく、ある決まった深さまでの切断加工を行うことを意味する。ブレード１０１は、その切断深さが一定となるように図３の構造の裏面をその刃面の方向（回転軸と垂直な方向）に走査される。この切断深さは、ダミーリード１６の厚さよりも充分に深くする。例えば、ダミーリード１６（リードフレーム１００）の厚さが０．４ｍｍである場合には、０．５ｍｍ程度とする。また、切断する幅（ブレード１０１の厚さ）は、後述するスリットの幅に対応し、ダミーリード１６の幅よりも狭い。この幅は、ＳＯＮ型パッケージをはんだで接合する際にはんだが確認できる程度の幅となるように設定される。ダミーリード１６の幅を０．４ｍｍ程度とした場合には、ブレード１０１の厚さは、例えば０．２ｍｍ程度とする。また、ハーフカット加工はダミーリード１６だけであり、共通リード１２は加工しない。
【００２５】
この工程により、図４（ｃ）に示されるように、裏面においてダミーリード１６の中心付近に裏面溝３０が形成される。この工程では、モールド材２４は全く影響を受けない。
【００２６】
次に、図４（ｄ）に示されるように、上方のモールド材２４側（裏面と反対側）から、横セクションバー１３のある箇所（隣接して製造される２つのＳＯＮ型パッケージとなる部分の間）を、横セクションバー１３と平行（前記の裏面溝３０と垂直）に、ブレード１０２を用いたハーフカット加工を行う（モールド分離工程）。その切断深さは、裏面溝３０に達する程度とし、かつ横セクションバー１３には達しない深さとする。例えば、シート状のモールド材２４の厚さが１ｍｍ、ダミーリード１６（リードフレーム１００）の厚さが０．４ｍｍである場合には、この切断深さは０．５５ｍｍ程度とする。その幅（ブレード１０２の厚さ）は、横セクションバー１３の幅よりも広くし、例えば３．２ｍｍ程度とする。
【００２７】
この工程により、図４（ｅ）に示されるように、中心付近でモールド材２４が大きく除去されたモールド溝３１が形成される。このモールド溝３１の底面には、薄くなった樹脂部と裏面溝３０の貫通孔が露出する。例えば、モールド材２４の厚さが１ｍｍ、モールド溝３１の切断深さが０．５５ｍｍであった場合には、この領域での樹脂部の厚さは０．４５ｍｍ程度となる。その中央部にある裏面溝３０が形成されていた領域は、モールド分離工程で裏面溝３０と反対側からハーフカット加工されたために、貫通した状態となり、スリット２５が形成される。スリット２５の幅は、裏面溝３０の幅と等しい。
【００２８】
次に、図４（ｆ）に示されるように、モールド溝３１の底面を、横セクションバー１３あるいはモールド溝３１と平行（裏面溝３０と垂直）に、ブレード１０３でフルカット加工する（切断工程）。この加工は、裏面溝形成工程、モールド分離工程とは異なり、共通リード１２及びダミーリード１６あるいは図４（ｅ）に示された構造が左右で完全に分断されるように行う。その切断幅（ブレード１０３の厚さ）は、モールド溝３１の幅（ブレード１０２の厚さ）よりも狭く、かつ横セクションバー１３の幅よりも広くする。従って、モールド溝３１の中で、この構造は左右に分離される。例えば、モールド溝３１の幅（ブレード１０２の厚さ）を３．２ｍｍとした場合には、ブレード１０３の厚さは２．２ｍｍ程度とする。また、この工程により横セクションバー１３は除去される。なお、ここではフルカット加工を行うため、ブレード１０３は、図４中の上側、下側どちらから当接させてもよい。
【００２９】
従って、切断工程後には、図４（ｇ）に示される形態が実現される。この構造においては、左右がそれぞれ独立したＳＯＮ型パッケージの端部となり、それぞれにおいて、共通リード１２（図示なし）及びダミーリード１６が左右に分割されてリード５０、５１、６０、６１となる。また、横セクションバー１３は除去されたため、隣接するリード５０、５１（図示なし）は電気的に独立した構成となる。なお、これらは左右対称構造である。リード６０、６１の中央には、スリット４０が形成されている。
【００３０】
リード６０、６１の長さＬは、モールド分離工程で用いられたブレード１０２の厚さと、切断工程で用いられたブレード１０３の厚さの差分の１／２となる。すなわち、リード６０、６１の長さＬは、ブレード１０２、１０３の厚さによって設定できる。スリット４０の幅Ｄは、ブレード１０１の厚さと等しいため、これによって設定できる。リード６０、６１の厚さｔは、裏面溝形成工程における切断深さとモールド分離工程における切断深さで設定できる。リード６０、６１の幅Ｗは初めのリードフレーム１００中のダミーリード１６の幅と等しい。従って、スリット４０が形成されたリード６０、６１の構造は、これらの調整によって設定することが可能である。具体的には、各パラメータを前記の値とした場合には、Ｌ＝０．５ｍｍ、Ｄ＝０．２ｍｍ、ｔ＝０．５ｍｍ、Ｗ＝０．４ｍｍ程度となる。
【００３１】
上記の工程において用いられるブレード１０１、１０２、１０３は、図３における対象領域Ｋ以外の領域にも当接され、切断加工が行われる。このうち、裏面溝形成工程において、ブレード１０１は対象領域Ｋの左右に隣接するリーダイパッド１１の裏面や共通リード１２には当接させない。これにより、ダミーリード１６部のみ裏面溝３０が形成される。一方、ブレード１０２、１０３は、隣接するＳＯＮ型パッケージ間においてのみ図４の構造に当接する。従って、これらは前記の構造のリード６０（６１）を形成するためにのみ寄与し、これらは、ダイパッド１１やその上の半導体チップ２２及び共通リード１２やその上のボンディングワイヤ２３等には全く影響を及ぼさない。このため、上記の工程においては、少なくとも半導体チップ２２が搭載された側の面は上記の工程によって全く影響を受けない。
【００３２】
裏面溝３０の深さはリードフレーム１００の厚さに応じ適宜設定される。一方、裏面溝３０が浅い場合には、モールド分離工程における切断深さを大きく設定しなければならない。この場合には、リード表面が露出してしまい、金属バリや樹脂と金属間の剥離が発生する懸念がある。これらを考慮して、裏面溝形成工程における切断深さ及びモールド分離工程における切断深さは適宜設定される。
【００３３】
なお、上記の工程においては、図３の構造中において隣接するＳＯＮ型パッケージが切断工程で左右方向に分離される。独立した個々のＳＯＮ型パッケージを得るためには、図３中における上下方向の分離を行うことも必要である。上下方向に隣接するＳＯＮ型パッケージを分離するためには、図３の構造における縦セクションバー１５と平行に、縦セクションバー１５の存在する箇所においてフルカット加工を別途行う。この際、上記の切断工程と同様に、その幅よりも厚いブレードを用いてこのフルカット加工を行うことにより、縦セクションバー１５を除去することができる。この工程においては、図３に示された構造は全く影響を受けない。
【００３４】
以上の工程により、リードフレーム１００を用いて、図２に示す形態のＳＯＮ型パッケージ７０が複数製造される。その内部構造は、図３に示した通りである。図２において，（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は下面図である。側面の底面側で突出して形成されたリード５０（共通リード１２）間にはモールド材２４が図４（ｇ）と同じ厚さ（ｔ）だけ残っているが、リード５０をはんだ付けする際の障害となることはない。よって、除去する必要はない。
【００３５】
このＳＯＮ型パッケージ７０においては、特許文献１に記載の構造と同様に、各リード６０、６１にスリット４０が形成されている。従って、このＳＯＮ型パッケージ７０を基板上にはんだで接続する際に、上側から目視あるいは外観検査装置でリード６０、６１下部のはんだを確認することができる。従って、この接続作業を確実に行うことができる。
【００３６】
また、スリット４０が存在することにより、接合時にスリット４０中にはんだが入り込むことによって特に強固な接合が得られる。いわゆるアンカー効果が発生する。
【００３７】
このＳＯＮ型パッケージ７０を製造するに際しては、図３の状態とした後（モールド工程後）に、裏面溝形成工程、モールド分離工程、切断工程において計３回の切断作業（ハーフカット加工、フルカット加工）を行う。ここで、モールド分離工程、切断工程については、図１に示されるようなリードにスリットのない構造の従来のＳＯＮ型パッケージを製造する際にも、類似の工程が必要であることが明らかである。従って、上記の製造方法において最も特徴的なのは、裏面溝形成工程である。上記の製造方法においては、この裏面溝形成工程における１回のハーフカット加工を追加するだけで、リードにスリットが形成されたＳＯＮ型パッケージを得ることができる。また、前記の通り、リードフレーム１００やモールド工程は、従来のＳＯＮ型パッケージを製造する場合と同様とすることができる。すなわち、簡易な製造工程で、リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを得ることができる。
【００３８】
なお、上記の例では、切断後に同一構成のＳＯＮ型パッケージが複数得られるものとしたが、本発明はこれに限定されない。上記の裏面溝形成工程、モールド分離工程、切断工程が行える限りにおいて、例えば隣接するＳＯＮ型パッケージの構成（リードフレーム形状、構成等）を異なるものとすることもできる。
【００３９】
また、上記の例において、ＳＯＮ型パッケージの構造としたが、他の構造でも同様に上記の製造方法を適用できることは明らかである。例えば、一つのパッケージ中で複数のリードフレームや複数の半導体チップが設けられた構成としても同様である。また、リードフレームに半導体チップ以外の電子部品を搭載する場合でも同様である。
【００４０】
また、セクションバー（横セクションバー、縦セクションバー）やリードフレーム固定バー等の、製造後のＳＯＮ型パッケージにおいては存在しない、あるいは存在しても機能を有しない構成要素についても同様である。例えば、上記の例では、横セクションバー１３が用いられていたが、横セクションバーが用いられなくとも、金属パターンとして一体化された構成であれば、同様に上記の製造方法を適用できる。この場合においても、モールド分離工程におけるハーフカット加工と切断工程におけるフルカット加工は、隣接して製造される２つのＳＯＮ型パッケージとなる部分の間において行うことには変わりがない。切断工程における切断はモールド溝の中で行い、切断工程における切断幅（ブレード１０３の厚さ）を、モールド分離工程におけるハーフカット幅（ブレード１０２の厚さ）よりも狭く（薄く）することにより、リードの長さＬを確保することができる。
【００４１】
また、裏面溝（ブレード１０１）はダミーリードと平行であるとしたが、上記の構造が形成できる限りにおいて、厳密に平行である必要はない。モールド溝（ブレード１０２）と裏面溝、及び切断工程における切断方向と裏面溝が共に垂直である点についても同様であり、上記の構造が形成できる限りにおいて、厳密に垂直である必要はない。また、共通リード及びダミーリードと横セクションバーとは直交する設定としたが、上記の構造が製造できる限りにおいて、厳密に直交する必要はない。同様に、各共通リード及びダミーリードが厳密に平行である必要もない。
【００４２】
また、モールド材で構成された底面端部にリードが形成された他の構成のモールドパッケージ、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）型パッケージも同様に製造できる。ＱＦＮ型パッケージの場合には、裏面溝やモールド溝を上記の例と直交方向にも形成することが必要になるが、同様に、スリットが形成されたリードが形成されることは明らかである。また、モールドパッケージに用いられているリードの数に依存せずにこの製造方法が適用できることも明らかである。
【符号の説明】
【００４３】
１１  ダイパッド
１２  共通リード
１３  横セクションバー（セクションバー）
１４  リードフレーム固定バー
１５  縦セクションバー（セクションバー）
１６  ダミーリード
２２  半導体チップ
２３  ボンディングワイヤ
２４、９１  モールド材
２５、４０  スリット
３０  裏面溝
３１  モールド溝
５０、５１、６０、６１、９２  リード
７０、９０  ＳＯＮ型パッケージ
１００  リードフレーム
１０１、１０２、１０３  ブレード
【図１】
0005534559.tif 000002
【図２】
0005534559.tif 000003
【図３】
0005534559.tif 000004
【図４】
0005534559.tif 000005