(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピンドルによって回転されるウェハー（１２０）の表面（１２２）上に放射光を指向させる放射光標的アセンブリと、
前記表面（１２２）からの反射光を収集する反射光収集アセンブリと、
該反射光からの表面パラメタ・データを生成する信号プロセシング・モジュールと、
表面パラメタ・データを解析し、前記表面の欠陥を検知する欠陥検知モジュールと、
を備えた表面分析計を有したシステムであって、
前記反射光収集アセンブリは集光レンズ（１３６）、収束レンズであるウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）、ウォラストン・プリズム（１３８）及び二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）を備え、さらに前記ウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）は前記二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）との焦点距離が該ウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）と当該二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）の間の距離に等しい時に前記システムが前記スピンドルによって回転されるウェハーの振れに最も耐性を有するものである、システムにおいて、
前記二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）を前記ウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）の焦点距離よりも僅かに長いか短い位置に設置して前記ウェハーの振れと表面傾斜の両者に対して感度を有するようにしたことを特徴とする表面分析計を有したシステム。
【請求項２】
表面分析計と第一表面（１２２）の間で線形運動を伝達する第一駆動アセンブリと、
表面分析計と第一表面（１２２）に平行な軸の周りの第一表面の間で回転運動を伝達する第二駆動アセンブリと、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
反射光収集アセンブリが、反射光を収集する曲面収束鏡（４３６）を備えたことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
パラボラ収束鏡、楕円収束鏡、球面収束鏡（５３６）の少なくとも一つをさらに備えたことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項５】
反射光の単一または複数の反射率と、表面上の単一または複数の位置を相関づける反射率データ・セットを、信号プロセシング・モジュールが生成することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
入射光がＳ偏光、Ｐ偏光の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項７】
入射偏光が直線偏光、または楕円偏光の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項８】
欠陥検知モジュールが、
反射率データ・セットからの反射率のバックグランド・ノイズ・レベルを設定し、
バックグランド・ノイズ・レベルより単一または複数の閾値の幅を設定し、
単一または複数の閾値の範囲外にある反射率を有するデータ・セット内の単一または複数の点を欠陥として指定することを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項９】
信号プロセシング・モジュールが、
反射光の単一または複数の反射率と、表面上の単一または複数の位置を相関づける２次元ヒストグラムを生成することを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項１０】
欠陥検知モジュールが、２次元ヒストグラムを分析し、表面上の単一または複数の欠陥を位置づけることを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
ユーザー・インターフェイスにより、ユーザーへ欠陥を表示する表示モジュールを備えたことを特徴とする請求項１記載の表面分析計システム。
【請求項１２】
表面からの散乱光を収集する少なくとも一つの検出器を備えた、表面からの散乱光を収集する散乱光集束アセンブリをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の表面分析計システム。
【請求項１３】
スピンドルによって回転されるウエハー（１２０）の表面（１２２）上に放射光を指向させる放射光標的アセンブリと、
前記ウエハー表面（１２２）からの反射光を収集する反射光収集アセンブリと、
ウエハー（１２０）の端部表面（１２６）の周囲で表面分析計アセンブリを回転させる手段と、
前記ウエハー（１２０）の端部領域で単一または複数の欠陥を検出する手段と、
を備えた表面分析計アセンブリを有したウェハ端部検査システムであって、
前記反射光収集アセンブリは集光レンズ（１３６）、収束レンズであるウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）、ウォラストン・プリズム（１３８）及び二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）を備え、さらに前記ウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）は前記二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）との焦点距離が該ウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）と当該二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）の間の距離に等しい時に前記システムが前記スピンドルによって回転されるウェハーの振れに最も耐性を有するものである、システムにおいて、
前記二つの四象限光検出素子（１４０、１４２）を前記ウオッブル・リダクション・レンズ（１３７）の焦点距離よりも僅かに長いか短い位置に設置して前記ウェハーの振れと表面傾斜の両者に対して感度を有するようにしたことを特徴とするウエハー端部検査システム（１１０）。
【請求項１４】
表面分析計アセンブリが
ウエハーを回転させる前記スピンドル（３２８）と、
ウエハー（３２０）の中心軸を位置づけ、ウエハーの中心軸を前記スピンドル（３２８）に軸合わせするセンタリング・アセンブリをさらに備えたことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
ウエハー（１２０）の端部領域で単一または複数の欠陥を検出する手段が、
反射光の単一または複数の反射率と、表面上の単一または複数の位置を相関づける反射率データ・セットを生成する信号プロセシング・モジュールを備えたことを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
入射偏光がＳ偏光、Ｐ偏光、または円偏光成分の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
ウエハー（１２０）の端部領域で単一または複数の欠陥を検出する手段が、
反射率データ・セットからの反射率のバックグランド・ノイズ・レベルを設定し、
バックグランド・ノイズ・レベルより単一または複数の閾値の幅を設定し、
単一または複数の閾値の範囲外にある反射率を有するデータ・セット内の単一または複数の点を欠陥として指定することを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項１８】
ウエハー（１２０）の端部領域で単一または複数の欠陥を検出する手段が、反射光の単一または複数の反射率と、表面上の単一または複数の位置を相関づける２次元ヒストグラムを生成する信号プロセシング・モジュールとを備えたことを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項１９】
ウエハー（１２０）の端部領域で単一または複数の欠陥を検出する手段が、
２次元ヒストグラムを分析し、表面上の単一または複数の欠陥を位置づける欠陥検知モジュールを備えたことを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項２０】
ユーザー・インターフェイスにより、ユーザーへ欠陥を表示する表示モジュールを備えたことを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は表面検査法に係るものであり、より詳しくは、ウエハー端部検査に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料は、表面の不整合性、粒子、薄膜コーティングの不均一な厚みなど半導体材料の動作の障害となる欠陥に対しての検査が行なわれる場合がある。先行検査システムのいくつかは、放射光ビームを半導体材料の表面に照射し、表面からの反射光、及び／または散乱光を集積し、分析することにより表面の特性を定量化するものであり、更なる検査システムが所望されている。特に、半導体ウエハー、化合物半導体ウエハー、透明なウエハー、または薄膜ディスクの欠陥に対し、端部または端部近傍を検査することが望まれている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００３】
ここでは、ウエハー端部検査に関する典型的システムと方法についての詳述がなされる。しかしながら、本技術関連分野に精通した者には、特定の詳細な記述無しに様々な実施形態を実施できることは明らかであろう。ある場合においては、特定の実施形態の理解を妨げないことを目的として、良く知られた方法、手順、要素、そして回路は詳細に記載されない。
【０００４】
ここで記載される様々な方法はコンピュータで読み込みが可能な媒体上の論理命令として具現化なされる。プロセッサで命令が実行されると、プロセッサは、記載された方法を実行する特定の装置としてプログラムされる。プロセッサは、ここで記載された方法を実行する論理命令により構成されると、記載された方法を実行するための構造を有する。
【０００５】
図１はウエハーまたはディスク端部検査用装置の一実施形態の概略図である。一実施形態は光学スペクトルの放射光を用いたものであり、膜圧測定、表面粗さ測定、反射率測定、磁気イメージング、光学プロファイリングを実行するように適用される。他の実施形態においては、可視光スペクトルが使用可能である。より詳細には、図１は反射率計、散乱計、位相シフト顕微鏡、磁気光学カー効果顕微鏡、光学表面形状測定装置の組み合わせを含む測定が可能な光学アセンブリを示す。この実施形態はウエハーまたはディスクの端部または端部近傍の多様な欠陥を検出し、分類することが可能である。
【０００６】
ウエハー１２０は上部表面１２２、下部表面１２４、端部表面１２６を含む。端部表面１２６は断面形状は、実質的に平坦か曲線状である。図１に示された実施形態において、端部表面１２６の断面形状は曲線状である。
【０００７】
表面検査アセンブリ１１０はウエハー１２０の表面に放射光を向けるように配置されている。図1に示された実施形態において、表面検査アセンブリ１１０は、レーザーダイオード１１２、偏光子１１４、２分の１の波長板１１６、ウエハー１２０の表面上に放射光を指向させる集束レンズ１１８を備える。これらの構成要素はレーザーダイオードからの放射をウエハー１２０の表面上に誘導しており、それ故、放射光標的アセンブリと見なされる。他の実施形態において、偏光子１１４と２分の１の波長板１１６を省略可能である。
【０００８】
表面検査アセンブリ１１０は更に集光レンズ１３０と光電子増倍管（ＰＭＴ）１３２を備える。これらの構成要素はウエハー１２０の表面により散乱された放射光を収集するため散乱放射光アセンブリと見なされる。他の実施形態において、光電子増倍管（ＰＭＴ）１３２と集光レンズ１３０を、積分球鏡または楕円面鏡をＰＩＮフォトダイオードまたはアバランシェ・フォトダイオードとの組み合わせで置換可能である。
【０００９】
表面検査アセンブリ１１０は更に集光レンズ１３６、ウオッブル・リダクション・レンズ(wobble reduction lens)１３７、４分の１の波長板１３４、入射面に対し４５度回転されたウォラストン・プリズム１３８、そして浜松ホトニクス社より購入可能である二つの四象眼光検出素子１４０、１４２を備える。他の実施形態において、検出器１４０、１４２をＰＩＮフォトダイオードとすることも可能であり、これらはまた浜松ホトニクス社より購入可能である。図１に示された実施形態では四象眼光検出素子が使用されており、表面の傾斜が測定可能である。表面の傾斜は統合化され、表面形状を作成する。これらの構成要素はウエハー１２０の表面からの反射された放射光を収集するため、反射光アセンブリと見なされる。ウオッブル・リダクション・レンズ１３７は収束レンズである。他の実施形態において、ウオッブル・リダクション・レンズ１３７と集光レンズ１３６を組み合わせて単一のレンズとすることが可能である。ウオッブル・リダクション・レンズ１３７は、焦点距離がウオッブル・リダクション・レンズ１３７と四象眼光検出素子１４０、１４２の間の距離に実質的に等しいように選択されている。この場合、四象眼光検出素子において測定される表面の傾斜は最小となる。即ち、システムはウエハーのウオッブルに対し最も耐性がある。他の実施形態において、検出器１４０、１４２はウオッブル・リダクション・レンズ１３７の焦点距離よりも僅かに長いか短い位置に設置される。この場合、システムはウエハーのウオッブルと表面傾斜の両者に対しある程度の感度を有することになる。
【００１０】
一実施形態において、表面検査アセンブリ１１０は、例えば、Ｒｏｈｍ  Ｃｏ，  ＬＴＤ  京都、日本よりモデル番号ＲＬＤ−７８ＭＶとして購入可能である多モード、多波長レーザーダイオード１１２、Ｐ偏光向けに調節され、レーザーの消光比を改善する偏光子を使用する。放射光は任意の波長とすることができる。一実施形態において、Ｃｏｈｅｒｅｎｔ，  Ｉｎｃ．社より購入可能な４０５ｎｍの紫色光源を使用可能である。他の実施形態において、６０５ｎｍの光源を使用可能である。機械的に回転可能な２分の１の波長板１１６はＣＶＩ  Ｌａｓｅｒ  Ｃｏｒｐ．より購入可能であり４５度、Ｐ偏光、またはＳ偏光の間で偏光を回転できる。２分の１の波長板は入射偏光に対し４５度回転された４分の１の波長板により置換可能である。これはウエハー上への回転偏光入射となる。入射偏光に対し４分の１の波長板が４５度以外に回転された場合には、ウエハー上への楕円偏光入射となる。偏光を回転させる他の方法として、レーザーダイオード１１２を回転させるか、またはＭｅａｄｏｗｌａｒｋ  Ｏｐｔｉｃｓ、Ｆｒｅｄｅｒｉｃｋ、コロラド州より購入可能なモデルＬＰＲ−１００液晶偏光回転子などを使用できる。後者の実施形態には偏光の回転が完全に電子的手段であるという利点があり、結果として偏光が回転された場合、ビーム変動の恐れがが全くない。
【００１１】
収束レンズ１１８はウエハー１２０の表面上に小さな点を形成する。ＰＭＴ１３２と集光レンズ１３０は、ディスクまたはウエハー１２０の表面、端部１２６、または端部近傍の表面粗さの計算、破片の測定、汚点、ひび、引っ掻き傷、剥がれ、膨れ、または腐食の検出、を目的とした散乱光の測定に使用される。
【００１２】
ビームはディスクより反射された後、集光レンズ１３６、ウオッブル・リダクション・レンズ１３７、４分の１の波長板１３４を通過する。そしてビームは、例えば、ＣＶＩ  Ｌａｓｅｒ  Ｃｏｒｐ．より購入可能なウォラストン・プリズムにより偏光分割され、個々の偏光成分は個々の光検出器により検出される。ウォラストン・プリズムの面（Ｓ成分とＰ成分の面）は入射面に対し実質的に４５度となるように調節可能である。ビームの第一混合成分（入射面に対しＳ成分とＰ成分の両者を含む）は検出器１４０へ指向され、第二混合成分（入射面に対しＳ成分とＰ成分の両者を含む）は検出器１４２へ向けられる。一実施形態において、光検出器１４０，１４２の前方に散光器を設置し、フォトダイオードの残留位置感度を低減可能である。二つの光検出器により測定される強度の差はウォラストン・プリズムより出てくる第一と第二の混合成分間での位相差の余弦に比例する。結果として、この装置は、異なるモードで使用された場合、異なる種類の情報を得ることができる。
【００１３】
偏光がＰに調節された場合、Ｐ反射光とＰ散乱光は炭素の厚み（または単純な層の厚さ）そして炭素の磨耗の測定に敏感となる。Ｐ反射信号は２分の１の波長板から出てくる偏光出力がＰ偏光となるように２分の１の波長板を回転させることで得られる。Ｐ反射信号は検出器１４０、１４２からの信号の和で与えられる。偏光が４５度に調節された場合（Ｐ偏光とＳ偏光のちょうど中間）ディスクまたはウエハー表面の薄膜の厚さの変化による位相変化に対し、装置は最も敏感である。位相シフトモードにおいて、装置は潤滑剤、炭素、またはディスクまたはウエハー表面の他の薄膜の厚さの変化を測定する。位相シフトは検出器１４０，１４２ので測定される信号間の差をとることで測定される。これは、波の第一と第二の混合成分間での位相差の余弦に比例する出力を提供する。４分の１の波長板１３４は潤滑剤、炭素、他の膜厚変化または欠陥による位相の変化に対する感度を最適にするように調節される。個々の成分もまた測定可能である。即ち、４５度偏光した光の第一と第二の混合成分を測定可能である。これらは位相シフトと散乱光を同時に測定することで実現される。
【００１４】
２分の１の波長板が、Ｓ偏光になるように回転された場合、装置はＳ反射光とＳ散乱光を測定可能であり、結果として試料の表面粗さ、そして他の特性を測定可能である。Ｓ反射信号は検出器１４０、１４２からの信号の和で与えられる。図１に示す入射角は５８度であるが、それ以外であっても差し支えない。縦カー効果は装置をＰ、Ｓ、または４５度の直線偏光で装置を作動することで測定可能である。磁気パターンへの感度を最大とするように４分の１の波長板１３４を回転することでカー効果信号に対する感度が最適化される。カー効果を最適化する４分の１の波長板の向きは、潤滑剤または炭素に対する感度と異なる場合がある。結果として、例えば、４分の１の波長板は着脱可能であり、目的に応じて最適な異なる板を別々に使用できる。異なる実施形態は、４分の１の波長板の方向を回転させる小型のモータを使用するものであり、カー効果、潤滑剤、炭素、または欠陥検出モードむけに４分の１の波長板の方向を最適化できる。最適化に際し、異なる偏光に対し、４分の１の波長板の異なる調節が必要となる場合がある。このモードにおいて、装置はカー効果顕微鏡として機能する。一実施形態において、縦カー効果をイメージするためにＳ偏光が使用される。表面が光スペクトル検出器のＳ直線偏光によりイメージされる場合、反射光は、その変更が楕円偏光に変換されたものであり、楕円偏光の主軸は薄膜ディスク上の磁化の方向に依存し回転する。カー効果信号は、偏光ビーム分割器からの二つの信号を測定し、それらを差し引くことで検知される。これは、符号が磁化の方向に関連し、振幅が磁化に比例した信号を提供する。
【００１５】
散乱放射光収集アセンブリと反射光収集アセンブリにより集められたデータはプロセッサ１６０、メモリ・モジュール１６２、Ｉ／Ｏモジュール１６４を備える処理モジュールに供給される。プロセッサ・モジュールは図１で記載された装置を駆動する論理命令を有し、表面形状（高さと深さ）、反射のＳとＰ成分、Ｐ波、Ｓ波間での位相シフト、散乱光を同時に測定する。これは、また、磁気光学カー効果を測定可能である。
【００１６】
光波のＳ成分とＰ成分の間の位相シフトの測定には、ダイオードレーザーの長期位相ドリフトを安定化する手段が必要となる。これは標準鏡の使用により実現される。標準鏡は金の鏡、薄膜ディスクの一部、シリコンウエハーの一部などの安定な表面により具現化される。標準鏡は、装置が始めて設置される際に標準鏡の位相シフトを測定、記録することで較正される。装置の初の較正後、時折、試料の測定前に、標準鏡の測定がなされる。標準鏡に関し、初期の記録から異なる値が記録され、試料の読み込みから差し引かれる。これは、測定に係る表面からの位相シフトの読み込みが長期に亘り安定であることを保証する。同様の手順が、Ｓ反射信号とＰ反射信号に適用される。この場合、装置が較正されるにあたり、標準鏡によるＰ反射信号とＳ反射信号の値が記録され、それらの値からのずれが反射データを補正するのに用いられる。これはＰ反射信号とＳ反射信号のドリフトを取り除く。
【００１７】
上での議論は、垂直方向に対し入射角が凡そ６０度である装置に関連している。同様の議論が６０度よりも少ないか、大きいかの角度で作動される装置に適用される。入射角が変わると、様々な象限のヒストグラムも変化する。
【００１８】
図２はウエハー端部検査用装置の一実施形態の概略図である。検査工程においてスピンドル２２８の中心軸周りに回転させられる。このスピンドル２２８は、スピンドルへの回転運動を誘起するモータまたは他の駆動装置に連結されている。ヘッドを水平方向に動かすためのモータ２５０を備える第一の駆動アセンブリは表面分析アセンブリ２１０をここで記載されたように、或いは、米国特許６，６６５，０７８、６，７１７，６７１、６，７５７，０５６、６，２６８，９１９、６，２２９，６１０、６，１３０，７４９に記載されたようにウエハー表面上で動かし、表面の様々な特性に関するデータを生成する。適切な連結２５４により表面分析アセンブリ２１０に接続された回転モータを備える第二の駆動アセンブリが、回転運動を提供し、図２の破線矢印に沿った軌道で、ウエハーの端部表面２２６の周辺で表面分析アセンブリ２１０を移動させる。
【００１９】
一実施形態において、線形運動を生じるモータ２５０と回転モータ２５２が協調し、ウエハーの端部表面２２６の周りに表面分析アセンブリ２１０が回転するに伴い、表面分析アセンブリ２１０とウエハーの個々の表面２２２、２２４、２２６の間に実質的に一定の距離を保つ。ウエハー端部２２６は必ずしも半円形ではなく、一般に任意の形状とすることができる。モータ２５０と２５２が整合するように作動された場合、ヘッド２１０は端部の形状に拘らず一定の距離が保たれる。別の態様として、線形運動をおこなうモータ２５０は、表面分析アセンブリ２１０がウエハー２２０の上部２２２及び／または下部２２４を横切るように動作し、欠陥に対し表面２２４または２２２が走査されることを可能としている。
【００２０】
一実施形態において、スピンドル上にあるウエハーをセンタリングするアセンブリを装置は備える。このアセンブリは、ウエハー端部が中心軸廻りに回転するに伴い、水平方向に振動（またはウオッブル）するのを低減させる。図３はウエハー端部検査システムの概略図であり、ウエハー３２０のセンタリングをおこなうアセンブリを示している。図３において、ウエハー３２０はスピンドル３２８の中心軸廻りに回転する。双頭の矢印で示された如く、ウエハー３２０はどちらの方向にも回転可能である。上述の如く、表面分析アセンブリ３１０はウエハー３２０の端部３２６を走査する。
【００２１】
三つの位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃはウエハー３２０の端部３２６上の三つの点の近傍にある。一実施形態において、三つの位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃは、ウエハー３２０の端部により外接される正三角形の個々の頂点に位置づけられている。しかしながら、三つの位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃを他の位置とすることも可能である。
【００２２】
三つの位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃにより示される三角形の中心はスピンドル３２８の中心に対応する。一実施形態において、位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃはそれらの自身の（ｘ，ｙ）座標をプロセシング・モジュール（図１を参照）へ転送するように設定できる。プロセシング・モジュールはウエハー３２０の中心の（ｘ，ｙ）座標を算出する。そして、ウエハー３２０の中心がスピンドル３２８の中心に対応するように、ウエハー３２０が移動される。一実施形態において、単一または複数の位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃがサーボ機構プランジャなどの押し出し機構を有し、ウエハー３２０をスピンドルに対して位置づける。
【００２３】
一実施形態において、位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃは個々の（ｘ，ｙ）座標をプロセッサ１６０と交信するように設定されている。プロセッサ１６０は位置決めヘッドの位置からウエハーの中心の（ｘ，ｙ）座標を算出する。プロセッサはスピンドルの中心上にウエハーの中心がくるように必要な移動量を算出し、指示を位置決めヘッドに送り、ウエハー３２０を移動させる。他の実施形態において、ウエハー３２０と位置決めヘッド３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃは固定されたままで、スピンドル３２８が移動する。
【００２４】
他の実施形態において、複数のウエハー表面の周辺で単一の表面分析計を回転させるのではなく、複数の表面分析計を使用可能である。例えば、第一の表面分析計はウエハーの上部表面を走査し、第二の表面分析計はウエハーの端部表面を走査し、第三の表面分析計はウエハーの下部表面を走査することが可能である。
【００２５】
図４はウエハー端部検査装置に係る一実施形態における様々な光学部品の概略図である。ウエハー１２０は上部表面１２２、下部表面１２４、端部表面１２６を含む。端部表面１２６は断面形状は、実質的に平坦か曲線状のものである。図１に示された実施形態において、端部表面１２６の断面形状は、曲線状である。
【００２６】
表面検査アセンブリ４１０はウエハー４２０の表面に放射光を向ける。図４に示された実施形態において、表面分析アセンブリ４１０は、レーザーダイオード４１２、オプションの偏光子４１４、オプションの２分の１の波長板４１６、ウエハー４２０の表面上に放射光を指向させる集束レンズ４１８を備える。これらの構成要素はレーザーダイオードからの放射光をウエハー４２０の表面上に誘導しており、それ故、放射光標的アセンブリと見なされる。他の実施形態において、偏光子４１４と２分の１の波長板４１６を省略可能である。
【００２７】
表面検査アセンブリ４１０は更に集光レンズ４３０と光電子増倍管（ＰＭＴ）４３２を備える。これらの構成要素はウエハー４２０の表面により散乱された放射光を収集するため散乱放射光アセンブリと見なされる。他の実施形態において、光電子増倍管（ＰＭＴ）４３２と集光レンズ４３０を、積分球鏡または楕円面鏡をＰＩＮフォトダイオードまたはアバランシェ・フォトダイオードとの組み合わせで置換可能である。
【００２８】
表面分析アセンブリ４１０は更に反射鏡４３６を備え、ウエハー４２０の表面４２２からの反射光を収集する。一実施形態において、反射鏡４３６は、パラボラ反射体、即ち回転放物面として実装可能である。パラボラ反射体４３６は焦点が凡そレーザーの焦点と一致するように配置され、パラボラの軸は、光学部品の追加が可能なように僅かに傾けられている。パラボラ反射体４３６からの放射光はコリメート（光束の発散は取り除かれる）される。  
【００２９】
パラボラ反射体４３６から出たコリメートされたビームは、端部の形状に起因して、上下または横方向（紙面に対し出入りするように）に伝播可能である。従って、反射鏡４３６により収集された光は、ウオッブル・リダクション・レンズ４３７へ向けられる。ウオッブル・リダクション・レンズ１３７はコリメートされたビームをレンズの固定焦点へ向ける。
【００３０】
ウオッブル・リダクション・レンズ４３７を通過した放射光は４分の１の波長板４３４、偏光ビーム分割器４３８、二つの四象眼光検出素子１４０、１４２へ向けられる。偏光ビーム分割器４３８は偏光ビーム分割キューブ、ウォラストン・プリズム、または他の適切な偏光ビーム分割器を使用できる。他の実施形態において、検出器４４０、４４２をＰＩＮフォトダイオードとすることも可能であり、これらはまた浜松ホトニクス社より購入可能である。これらの構成要素はウエハー４２０の表面からの反射された放射光を収集するため、反射光収集アセンブリと見なされる。
【００３１】
検出器４４０、４４２がウオッブル・リダクション・レンズ４３７の固定焦点あるいは、それよりも僅かに後方に設置される。検出器がウオッブル・リダクション・レンズ４３７の固定焦点よりも後方、或いは、前方に設置された場合、形状（トポグラフィー）信号は四象眼光検出素子により検出できる。
【００３２】
一実施形態において、反射鏡４３６の一部を焦点の左側に移動し、ＰＭＴ（またはアバランシェ・フォトダイオードまたはＰＩＮフォトダイオード）を入射光の焦点上に設置することにより、散乱光を収集できる。オプションとして、集光レンズ４３０も使用できる。
【００３３】
上で詳述したように、出力を処理するために、図１で詳述したように、検出器４４０、４４２とＰＭＴ４３２の出力をプロセシング・モジュールに接続することが可能である。
【００３４】
表面検査アセンブリ５１０はウエハー５２０の表面に放射光を向ける。図５に示された実施形態において、表面分析アセンブリ５１０は、レーザーダイオード５１２、オプションの偏光子５１４、オプションの２分の１の波長板５１６、ウエハー５２０の表面上に放射光を指向させる集束レンズ５１８を備える。これらの構成要素は、レーザーダイオードからの放射光をウエハー５２０の表面上に誘導しており、それ故、放射光標的アセンブリと見なされる。他の実施形態において、偏光子５１４と２分の１の波長板５１６を省略可能である。
【００３５】
表面検査アセンブリ５１０は更に集光レンズ５３０と光電子増倍管（ＰＭＴ）５３２を備える。これらの構成要素はウエハー５２０の表面により散乱された放射光を収集するため散乱放射光アセンブリと見なされる。他の実施形態において、光電子増倍管（ＰＭＴ）５３２と集光レンズ５３０を、積分球鏡または楕円面鏡をＰＩＮフォトダイオードまたはアバランシェ・フォトダイオードとの組み合わせで置換可能である。
【００３６】
表面分析アセンブリ５１０は更に反射鏡５３６を有し、ウエハー５２０の表面５２２、５２６、または５２４からの反射光を収集する。一実施形態において、反射鏡５３６は、パラボラ反射体（即ち回転放物面）として実装可能である。パラボラ反射体４３６は焦点が凡そレーザーの焦点と一致するように配置され、パラボラの軸は、光学部品の追加が可能なように僅かに傾けられている。パラボラ反射体５３６からの反射光は、反射体５３６とコリメート・レンズ５３７の間にある第二の焦点へ向けられる。コリメート・レンズ５３７は楕円面鏡５３６の第二焦点より一焦点距離分だけ離れた位置に設置される。このようにして、コリメート・レンズ５３７から出てくる光がコリメートされる。
【００３７】
コリメート・レンズ５３７を通過した放射光は４分の１の波長板５３４、偏光ビーム分割器５３８、二つの四象眼光検出素子５４０、５４２へ向けられる。偏光ビーム分割器５３８は偏光ビーム分割キューブ、ウォラストン・プリズム、または他の適切な偏光ビーム分割器を使用できる。他の実施形態において、検出器５４０、５４２をＰＩＮフォトダイオードとすることも可能であり、これらはまた浜松ホトニクス社より購入可能である。これらの構成要素はウエハー４２０の表面からの反射された放射光を収集するため、反射光収集アセンブリと見なされる。
【００３８】
上で詳述したように、出力を処理するために、図１で詳述したように、検出器４４０、４４２とＰＭＴ４３２の出力をプロセシング・モジュールに接続することが可能である。
【００３９】
図６はウエハー端部検査用装置に係る一実施形態における様々な光学部品の概略図である。ウエハー６２０は上部表面６２２、下部表面６２４、端部表面６２６を含む。端部表面６２６は断面形状は、実質的に平坦か曲線状のものである。図６に示された実施形態において、端部表面６２６の断面形状は曲線状である。
【００４０】
表面検査アセンブリ６１０はウエハー４２０の表面に放射光を向ける。図６に示された実施形態において、表面分析アセンブリ６１０は、レーザーダイオード６１２、反射鏡６１６Ａの表面上に放射光を向ける集束レンズ６１４を有する。鏡６１６Ａは球面または半球鏡６３２の表面へ光を反射する。一実施形態において、鏡６１６Ａから反射された放射光はシュミット補正板６１８Ａを通過するように設定される。
【００４１】
球面鏡６３２より反射された放射光は表面６２２で反射され、表面６２２への入射光の一部は球面鏡６３２へ反射されて戻る、そしてこの光は反射鏡６１６Ｂへと反射される。一実施形態において、球面鏡６３２から鏡６１６Ｂへと反射された放射光はシュミット補正板６１８Ｂを通過するように設定される。
【００４２】
反射鏡６１６Ｂより反射された光は、コリメート・レンズ６３４、４分の１の波長板６３６を通過し、分割された光を検出素子６４０、６４２へ向ける光ビーム分割器６３８（入射面に対し４５度回転されている）へ進む。偏光ビーム分割器６３８は偏光ビーム分割キューブ、ウォラストン・プリズム、または他の適切な偏光ビーム分割器を使用できる。他の実施形態において、検出器６４０、６４２をＰＩＮフォトダイオードとすることも可能であり、これらはまた浜松ホトニクス社より購入可能である。これらの構成要素はウエハー６２０の表面からの反射された放射光を収集するため、反射光収集アセンブリと見なされる。
【００４３】
一実施形態において、球面鏡６３２の一部、即ち、球面鏡の中心部を取り除き、ＰＭＴ（またはアバランシェ・フォトダイオードまたはＰＩＮフォトダイオード）を入射光の焦点上に設置することにより、散乱した光を収集できる。オプションとして、集光レンズも使用できる。
【００４４】
図７はウエハー７１０の端部検査領域の概略図である。端部検査領域は五つの固有の領域に分割でき、それらは上部‐近端部領域７１２、上部‐面取り部領域７１４、先端部領域７１６、下部‐面取り部領域７１８、下部‐近端部領域７２０である。単一または複数の導体、半導体、または不導体７３２、７３４、７３６がウエハー７１０の表面上に堆積させられる。
【００４５】
更に図７は、ウエハー７１０の端部またはその近傍で生じる一般的な欠陥を記載している。一般的な欠陥としては、ウエハー７１０の端部上の破片粒子７２２Ａ、７２２Ｂ、ウエハー７１０上の層７３２、７３４、７３６の望ましくない剥がれ、端部７１４、７１６、７１８内、またはウエハー７１０の表面７１２、７２０上の欠け、引っ掻き傷、またはウエハー７１０の表面７１２、７２０上の残渣などがある。。
【００４６】
一実施形態において、ウエハー端部検査のシステムと方法は、ウエハー端部を走査し、ウエハー端部の表面上の点より反射された放射光からの単一または複数の信号を表すデータを含む単一または複数のファイルを生成する。反射された放射光のデータが分析され、表面より反射されるバックグランド・「ノイズ」・レベルの決定に使用され、バックグランド・ノイズ・レベルに対する単一または複数の閾値が設定される。閾値外のデータは欠陥とみなされる。欠陥領域は更に、分析、分類、報告される。
【００４７】
図８、９、１１はウエハー端部検査法の第一実施形態における手順を示す流れ図である。図８はウエハー端部検査法の第一実施形態における、より複雑な手順を示す流れ図である。一実施形態において、図８、９、１１で示された手順は、図１に記載されたメモリー・モジュールなどのコンピュータで読み込み可能な媒体に論理命令として保管可能である。論理命令は、プロセッサ１６０によって実行されると、図８、９、１１に記載された手順を実行するようにプロセッサを設定する。
【００４８】
図８では、手順８１０で欠陥データが取得される。図９は欠陥データ取得（８１０）法の一実施形態における手順を示す流れ図である。図９では、手順９１０において、ウエハー７１０の表面が走査される。図１、４−６で記載された表面走査アセンブリを用いたウエハー７１０の表面走査により欠陥データが取得される。一実施形態において、図２に記載された如く、ウエハー７１０の端部周辺で表面走査アセンブリは回転させられる。一実施形態において、例えば、表面走査は、端部７１２、７１４、７１６、７１８、７２０などのウエハーの端部の走査を含む。
【００４９】
手順９１５でイメージ・ファイルが生成される。一実施形態において、データ・ファイルなどの適切なメモリに、ウエハー７１０の表面上の点から反射された光の特性が記録される。一実施形態において、ウエハー７１０の表面上の点にそれぞれ対応する画素アレイのフォーマットで、データ・ファイルはデータを記録する。画素に関連して、表面からの反射光の単一または複数の特徴が記録される。一実施形態において、その特徴は、強度測定、反射率、位相に関する情報などである。手順９１５で、イメージ・ファイルはデータ列へ変換可能である。
【００５０】
手順９２５において、表面から反射された放射光の特性に関する単一または複数の閾値が決定され、ウエハー７１０の欠陥を示すイメージ・ファイル内のデータを探し出すのに用いられる。一実施形態において、ウエハー７１０の表面上の点から反射された光の特性の平均（または中央値）を計算することにより、閾値が決定される。一実施形態において、データ・ファイルのから全てのデータを用いることにより、平均（または中央値）が算出される。他の一実施形態において、データ・ファイルのからサブセットを用いることにより、平均（または中央値）が算出される。平均（または中央値）は反射光における「ノイズ」レベルを意味する。
【００５１】
一実施形態において、反射光特性の平均（または中央値）からの固定されたパーセントとして閾値が決定される。他の一実施形態において、反射光特性の範囲からの固定されたパーセントとして閾値が決定される。他の方法で閾値を定めることも可能である。一実施形態において、閾値の上限値と下限値を定めることが可能である。
【００５２】
ウエハー７１０の表面上の欠陥を検出する技術の一部として、反射光の特性が閾値の上限値または下限値と比較される。一実施形態において、個々の画素に係る反射率データは閾値と比較されうる。
【００５３】
他の一実施形態において、誤った結果を与えうるデータのウオッブルを滑らかにするためにデータの平均化法を用いることができる。例えば、手順において、データ・セットにおいてｎ個の近接したデータの組がカーネルと呼ばれる。ウエハー７１０の表面上の物理的距離を示すカーネルの長さが、予期される最大の欠陥の大きさを超えるように、個数ｎを設定可能である。例えば、予期される最大の欠陥の大きさが１００マイクロメータの場合、ウエハー７１０の全域で、カーネルのサイズが１００マイクロメータを越えるように画素数を設定できる。
【００５４】
カーネル内の点に関連した反射率データの平均（または中央値）が計算可能である。一実施形態において、画素に関連した反射率データが、閾値とカーネル内の点に関連した反射率データの平均（または中央値）の和を超過した場合、一つの画素は欠陥であるとみなされる。一方、画素に関連した反射率データが、閾値とカーネル内の点に関連した反射率データの平均（または中央値）の和以下である場合、一つの画素は欠陥でないとみなされる。一実施形態において、カーネルの中心を示す画素が比較される。
【００５５】
従って、手順９４０において、画素に関連した反射率データが、閾値とカーネル内の点に関連した反射率データの平均（または中央値）の和を超過した場合、コントロールは手順９４５に移行し、データ点は欠陥と記録され、イメージ・ファイル内に欠陥状態の旨が書き込まれる。次に、コントロールは手順９５０に移行し、カーネルはインクリメントされる。即ち、データ・セットに沿って、カーネルは移動窓として移行する。
【００５６】
手順９５５において、手順９２０で生成されたデータ列の終端にカーネルが達していない場合、コントロールは手順９３５へ戻り、新しいカーネルの平均が定められる。手順９３５−９５０はループを構成し、カーネルをデータ・セットに対して効果的に「移動」させる。手順９５５において、データ列の終端にカーネルが達した場合、コントロールは手順９５０へ移動し、欠陥マップが作成される。一実施形態において、ウエハー７１０の表面上で検出された欠陥の単一または複数のパラメタを記録するデータ・ファイルとして、欠陥マップが具現化される。
【００５７】
図１０は図９の工程で記述されたデータセットを示すグラフの上に並置されたウエハー７１０の表面の一部の概略図である。図１０に記載されたグラフは、ウエハー７１０の表面上の特定のデータ点での反射より集められたエネルギー量を表示したものである。図１０を手短に参照すると、ウエハー７１０の表面より反射された光の「バックグランド・ノイズ」として平均（または中央値）１０１０が確立される。そして上限閾値１０１５と下限閾値１０２０を定めるためにデータ・セットが用いられる。そして、表面の特定点の反射より集められたエネルギー量のパーセントが分析され、データの表示１０２５が生成される。データ点１０３０、１０３５、１０４０、１０４５は閾値１０１５と１０２０の範囲外にあり欠陥とみなされる。
【００５８】
図８に戻ると、手順８１５で、欠陥データより、欠陥の形状パラメタが決定される。一実施形態において、欠陥の形状パラメタは、面積、長さ、欠陥領域の縦横比などである。手順８５０で単一または複数のパラメタが決定される。一実施形態において、個々の画素に関連した光学的特性のデータより反射光の強度が決定される。他の実施形態において、個々の画素に関連した光学的特性のデータより反射光のパーセントが決定される。
【００５９】
手順８２５で、単一または複数のクロス・イメージ・パラメタが決定される。一実施形態において、クロス・イメージ・パラメタは同時になされた測定、即ち、同じ走査、しかし異なる偏光より決定される。例えば、Ｐ偏光とＳ偏光の両者を有する単一の走査により集められたデータから、クロス‐イメージ・パラメタが決定される。他の一実施形態において、クロス・イメージ・パラメタは、時間の移行に伴い異なる点で集められたデータ間から決定される。この場合、放射光は同じ偏光または異なる偏光を有することが可能である。クロス・イメージ・パラメタは、欠陥に関連した振幅の比、欠陥に関連した個別の面積、欠陥に関連した個別の寸法などを含む。
【００６０】
図１１はクロス・イメージ・パラメタを決定する方法の一実施形態における手順を示す流れ図である。手順１１１０で、第一欠陥マップが読み出される。一実施形態において、手順８１０−８２０で記載されたように発生されたデータ・ファイルとして第一欠陥マップが具現化される。手順１１１５で、データ・ファイル内の第一欠陥が見出される。手順１１２０で、第一欠陥のパラメタが、典型的欠陥の単一または複数のパラメタと比較される。例えば、第一欠陥に関連した単一または複数の欠陥形状パラメタが、引っ掻き傷、粒子、欠けなどの形状パラメタ特性に比較される。予め定められた許容範囲内にパラメタが入らない場合、コントロールは手順１１２５へ移行し、次の欠陥を求めて第一欠陥マップが検索される。手順１１３０で、他の欠陥が見出された場合、コントロールは手順１１２０へ戻る。他の欠陥が見出されれない場合、プロセスは終了する。
【００６１】
手順１１２０で、引っ掻き傷、粒子、欠けなどの形状パラメタ特性に対し、予め定められた許容範囲内に第一欠陥ファイル内の欠陥変数がある場合、コントロールは手順１１４０に移行し、第二のデータ・セット・マップが読み出される。手順１１４５で、欠陥を求めて第二欠陥マップに対応する領域が検索される。一実施形態において、第一欠陥が検知された位置に近接した領域内で第二欠陥マップが探される。手順１１５０で、合致する欠陥が無い場合、コントロールは手順１１６５へ移行し、さらなる欠陥マップが存在する場合、コントロールは手順１１４０へ移行し、次の欠陥マップが読み出される。さらなる欠陥マップが無い場合、コントロールは手順１１２５に戻り、次の欠陥を求めて第一欠陥マップが検索される。
【００６２】
一方で、手順１１４５で、第二欠陥マップの領域に対応する欠陥が見出された場合、コントロールは手順１１６０へ移行し、単一または複数のクロス・イメージ・パラメタが計算される。一実施形態において、手順１１６０で計算されたクロス・イメージ・パラメタは、単一または複数の欠陥に関連した振幅の比、欠陥面積の比、欠陥に関連した寸法比などである。クロス・イメージ・パラメタはデータ・ファイルとして保管でき、欠陥に関連している。
【００６３】
従って、図１１の手順は入れ子ループを形成しており、第一欠陥マップは対応する第二（または追加の）欠陥マップの欠陥と比較される。これらの手順を用いて、クロス・イメージ・パラメタのセットが構築される。
【００６４】
図８に戻ると、クロス‐イメージ・パラメタが決定された後に欠陥が分類される。一実施形態において、システム１００が、欠陥クラスのライブラリを作成する分類システムを実装し、単一または複数の、手順８１５で生成された形状パラメタ、手順８２０で生成された信号パラメタ、手順８２５で生成されたクロス・イメージ・パラメタをライブラリ内のパラメタと比較し、欠陥を分類する。
【００６５】
手順８３０で、ウエハー７１０表面の単一または複数の欠陥が、単一または複数の、形状パラメタ、信号パラメタ、クロス・イメージ・パラメタに基づいて分類される。手順８３５で、ディスプレー、プリンタなどの適切なユーザー・インターフェイスにより、単一または複数の欠陥に関する情報が報告される。一実施形態において、ウエハー７１０表面のマップを表示するユーザー・インターフェイスの形態で欠陥情報が報告され、表面上の単一または複数の欠陥が位置づけられる。
【００６６】
他の一実施形態において、ウエハー端部検査のためのシステムと方法は、少なくとも二つの異なる偏光状態を含む放射光を用いてウエハー端部を走査可能である。ウエハー端部表面の点からの反射光の少なくとも二つの異なる偏光状態からの信号を示すデータより、単一または複数の多次元的ヒストグラムが生成される。ヒストグラムの不規則性が潜在的な欠陥として分類され、潜在的な欠陥に関連した単一または複数のパラメタが決定される。欠陥領域はさらに分析、分類、報告される。
【００６７】
図１２はウエハー端部検査法の一実施形態における手順を示す流れ図である。一実施形態において、図１で記載されたメモリ・モジュール１６２などのコンピュータで読み取り可能な媒体内に論理命令として、図１２で示された手順を保管可能である。プロセッサ１６０により実行されると、論理命令によって、図１２で記載された手順をおこなうようにプロセッサが設定される。
【００６８】
図１２では、手順１２１０で、反射光データが集められる。一実施形態において、図１、図４−６で記載された表面走査アセンブリを用いたウエハー７１０表面の走査を手順１２１０は含む。一実施形態において、図２に記載された如くウエハー７００端部の周りで、表面走査アセンブリは回転させられる。一実施形態において、端部７１２、７１４、７１６、７１８、７２０などのウエハーの走査端部部分などについて表面走査がおこなわれる。
【００６９】
手順１２１５で、反射光信号にフィルターをかけることが可能である。一実施形態において、長い波長の（即ち、低い振動数）反射率情報を取り除くために、ローパス・フィルターを用いて、反射光信号にフィルターをかけることが可能である。フィルターをかけることはオプションである。
【００７０】
手順１２２０で、反射光データよりヒストグラムが生成される。一実施形態において、手順１２１０−１２１５で得られたデータは離散したデータ点（あるいは画素）として保管され、それぞれの点は、ウエハー７１０の表面上の特定の点より反射された光に対応する。一実施形態において、二つのイメージ（反射光のＳ成分とＰ成分）が収集され、保管される。
【００７１】
次に、ここのＳ成分画素が対応するＰ成分の画素と比較され、反射率を組み合わせたヒストグラムが表示される。一実施形態において、一イメージからの反射率の値がヒストグラムのＸ軸となり、他のイメージからの反射率の値がヒストグラムのＹ軸となる。個々の組み合わせに対する回数（頻度）が記録され、ヒストグラムは図１３のように図示される。
【００７２】
均一なバックグランドを有し、被覆膜が無い基板は、図１３の左側に示されるように極めて緻密な二次元ヒストグラムを有する。直線偏光された入射光は楕円偏光へ変換される。反射光のＰまたはＳ成分より反射率の平均を差し引いたものは、中心軸の周囲に実質的に均一に分布する。
【００７３】
一方、表面上に汚れの膜（または異なる屈折率を有する材料）が存在する場合、汚れまたは欠陥により露出された材料の屈折率に基づき異なる強度と偏光を有する反射光として、入射光が反射される。反射光のＰ成分とＳ成分は、汚れがない基板からの反射光と比較した場合、異なる振幅と位相を有する。
【００７４】
二次元ヒストグラムとして表示した場合、反射率の変化は、背景の緻密な通常の分布１３１０からのずれとして表れる。通常の分布からはずれたデータ点は、ローブ１３１５と呼ばれる。任意の軸に対するローブの角度（Φ）と特定の象限位置が基板上にある材料の屈折率の関数である。「ｘ」軸方向に対する寸法は膜厚の変化に依存した関数である。
【００７５】
手順１２２５で、欠陥ローブがヒストグラム内に見出された場合、コントロールは１２３０へ移行し、単一または複数の欠陥パラメタが記録される。一実施形態において、欠陥パラメタは欠陥の位置を有することが可能であり、これは、ローブよりウエハー７１０の表面座標をたどり戻ることで決定できる。上で記載されたように、他の欠陥パラメタとして、形状パラメタと信号パラメタがある。手順１２３５において、他のローブが有る場合、コントロールは手順１２３０へ移行し、追加の欠陥パラメタが記録される。手順１２３５で分析するローブが無くなるまで手順１２３０−１２３５は繰り返される。追加ローブが無くなると、コントロールは手順１２４０へ移行し、欠陥が報告される。一実施形態において、ディスプレー、プリンタなどの適切なユーザー・インターフェイスにより、単一または複数の欠陥に関する情報は報告される。一実施形態において、ウエハー７１０表面のマップを表示するユーザー・インターフェイスの形態で欠陥情報は報告され、表面上の単一または複数の欠陥が位置づけられる。
【００７６】
明細書で用いられた「一実施形態」は少なくとも１つの実装に含まれる様態に関連して記載された特定の特性、構成、特徴を意味する。明細の複数箇所で用いられた表現「一実施形態」の使用は同一の実施形態を示す場合もあれば、そうでない場合もある。
【００７７】
従って、此処に記載された実施形態は構成特性、及び／または、方法論に特定の言語により記載されたが、請求に係る主題は此処に記載された特定の特性または行為に制約を受けないことと理解される。むしろ、特定の特性または行為は、請求に係る主題を実装する例の形態として開示されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】ウエハー端部検査用装置の一実施形態における様々な光学的部品の概略図である。
【図２】ウエハー端部検査用装置の一実施形態の概略図である。
【図３】ウエハー端部検査用装置の一実施形態の概略図である。
【図４】ウエハー端部検査用装置の一実施形態における様々な光学的部品の概略図である。
【図５】ウエハー端部検査用装置の一実施形態における様々な光学的部品の概略図である。
【図６】ウエハー端部検査用装置の一実施形態における様々な光学的部品の概略図である。
【図７】ウエハー欠陥の例を示す概略図である。
【図８】ウエハー端部検査法の一実施形態における工程を示す流れ図である。
【図９】ウエハー端部検査法の一実施形態における工程を示す流れ図である。
【図１０】図９の工程で記述されたデータセットを示すグラフの上に並置されたウエハー表面の一部の概略図である。
【図１１】クロスイメージ変数を決定する方法の一実施形態における工程を示す流れ図である。
【図１２】クロスイメージ変数を決定する方法の一実施形態における工程を示す流れ図である。
【図１３】検査環境の概略図である。
【符号の説明】
【００７９】
１１０：表面検査アセンブリ、１１２：レーザー・ダイオード、１１４：偏光子、１１６：２分の１の波長板、１１８：集束レンズ、１２０：ウエハー、１２２：上部表面、１２４：下部表面、１２６：端部表面、１２８：スピンドル、１３０：集光レンズ、１３２：光電子増倍管（ＰＭＴ）、１３４ ４：分の１の波長板、１３６：集光レンズ、１３７：ウオッブル・リダクション・レンズ、１３８：ウォラストン・プリズム、１４０：四象眼光検出素子、１４２：四象眼光検出素子、１６０：メモリ、１６２：Ｉ／Ｏ、１６４：プロセッサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005390853.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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