(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットをプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させるＥＵＶ光源において、
溶融したターゲット材料に加圧された状態のガスを混入させるガス混入部と、
前記ガスが混入された状態の前記溶融したターゲット材料を噴出して前記ターゲットを生成するノズル部と、
を備え、
前記ガス混入部は、前記ターゲット材料が溶融した液体に、加圧された前記ガスを注入することにより前記ガスを混入させることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＵＶ光源において、
前記ガス混入部は、前記ターゲットの材料が溶融した液体と前記ガスとを撹拌する機構を備えることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のＥＵＶ光源において、
前記ノズル部と前記ガス混入部とをつなぐ配管を備えることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項４】
請求項３に記載のＥＵＶ光源において、
前記配管は、該配管の内部を加熱又は加圧する機構を備えることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源において、
前記ノズル部と前記ガス混入部との間に、前記ガスを加圧状態で前記ターゲットに混入させる第２ガス混入部をさらに備えることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源において、
前記ターゲットは、少なくとも１つの気泡又は孔を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源において、
前記ガスには、窒素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオン、酸素、二酸化炭素の少なくとも１つが含まれることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源において、
前記ターゲットには、錫、タングステン、タンタル、金、リチウムの少なくとも１つが含まれることを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源と、
前記ＥＵＶ光源から放射されるＥＵＶ光を被照射面に照射する照明光学系と、
前記被照射面を介したＥＵＶ光を感光性基板に露光転写する投影光学系と、を備えることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項１０】
ターゲットをプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させるＥＵＶ光放射方法において、
溶融したターゲット材料に加圧された状態のガスを混入させることと、
前記ガスが混入された状態の前記溶融したターゲット材料を噴出して前記ターゲットを生成することと、
を含み、
前記ガスを混入させることは、前記ターゲットの材料が溶融した液体に加圧された前記ガスを注入することにより前記ガスを混入させることを含むことを特徴とするＥＵＶ光放射方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法によって放射されるＥＵＶ光を被照射面に照射することと、
前記被照射面を介したＥＵＶ光を感光性基板に露光転写することと、
を備えることを特徴とするＥＵＶ露光方法。
【請求項１２】
リソグラフィー工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記リソグラフィー工程において、請求項１１に記載のＥＵＶ露光方法を用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ光源、ＥＵＶ露光装置、ＥＵＶ光放射方法、ＥＵＶ露光方法および電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、５〜５０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を使用したＥＵＶ露光装置が提案されている。
【０００３】
かかるＥＵＶ露光装置では、高いスループットを実現するために、ＥＵＶ光を高出力で供給できるＥＵＶ光源が要望されている。特に、高出力のＥＵＶ光源としては、Ｓｎを含むターゲット材料をプラズマ化してＥＵＶ光を放射させるものが注目を集めている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、Ｓｎなどの金属をターゲット材料とする場合には、高密度の固体ターゲットから発生するプラズマのイオン密度も高くなり、ＥＵＶ光の自己吸収が大きくなって出力が低下する。一方、固体のターゲットを低密度化させると、発光スペクトルのピーク以外の波長域での発光成分が減少し、目的とするＥＵＶ光の波長への変換効率が向上することも知られている。
【非特許文献１】「レーザー生成プラズマ光源」富江敏尚，プラズマ・核融合学会誌，Ｖｏｌ．７９，Ｎｏ．３（２００３）２３４頁−２３９頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、Ｓｎなどの金属をＥＵＶ光源のターゲット材料とする場合、高出力なＥＵＶ光を供給するために、ターゲットは低密度化して供給されることが好ましい。しかしながら、実際には、このようなＥＵＶ光源に適した低密度のターゲットを連続的に供給することが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一の形態は、ターゲットをプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させるＥＵＶ光源である。ＥＵＶ光源は、溶融したターゲット材料に加圧された状態のガスを混入させるガス混入部と、ガスが混入された状態の溶融したターゲット材料を噴出してターゲットを生成するノズル部と、を備え、ガス混入部は、ターゲット材料が溶融した液体に、加圧されたガスを注入することによりガスを混入させる。
また、本発明の別の形態は、ターゲットをプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させるＥＵＶ光放射方法である。ＥＵＶ光放射方法は、溶融したターゲット材料に加圧された状態のガスを混入させることと、ガスが混入された状態の溶融したターゲット材料を噴出してターゲットを生成することと、を含む。そして、ガスを混入させることは、ターゲットの材料が溶融した液体に、加圧されたガスを注入することによりガスを混入させることを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、低密度のターゲットを供給することができるので、高出力なＥＵＶ光を供給可能なＥＵＶ光源を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１実施形態の説明）
図１は、第１実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図である。この第１実施形態では、ドロプレットターゲット(droplet target)を用いたレーザープラズマ（ＬＰＰ：Laser Produced Plasma）光源の例を説明する。
【００１２】
図１のＥＵＶ光源ユニット１１は、真空チャンバ１２と、ターゲット供給部（１７〜２４）と、例えば炭酸ガスレーザー光源のようなレーザー光源１３と、制御部１４と、集光ミラー１５とを有している。また、真空チャンバ１２には、レーザー光源１３からレーザー光を導入するレーザー導入窓１２ａと、ＥＵＶ光を照明光学系に導くＥＵＶ光出射窓とが形成されている（図１において照明光学系、ＥＵＶ光出射窓の図示は省略する）。なお、ＥＵＶ光源ユニット１１の動作時には、真空チャンバ１２の内部はターボポンプ（不図示）によって真空に維持される。ここで、真空とは、大気圧より低い状態であって、温度は常温（概ね２５℃）で、圧力は概ね１Ｐａ（パスカル）以下をいう。
【００１３】
ターゲット供給部は、真空チャンバ１２内にターゲット材料を供給する。このターゲット供給部は、タンク１７と、加圧ガス供給部１８と、ノズル１９および加振機構２０と、ガス注入部２１と、ターゲット回収機構２２とを有している。ノズル１９、加振機構２０およびターゲット回収機構２２は、それぞれ真空チャンバ１２内に配置されている。
【００１４】
タンク１７には、溶融して液化したターゲット材料が貯留されている。第１実施形態でのターゲット材料には、ＥＵＶリソグラフィに適した波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を発生させるために、錫（Ｓｎ）を含む合金が用いられる。なお、Ｓｎ合金が固化しないように、タンク１７は加熱機構（不図示）により加熱されている。
【００１５】
また、タンク１７は加圧ガス供給部１８と接続されている。そして、加圧ガス供給部１８からは、ターゲット材料の加圧用ガスとして加圧されたキセノンガスがタンク１７に吹き込まれるようになっている。また、タンク１７内には、液体中で回転する羽根を備えた撹拌機構１７ａが設けられている。この撹拌機構１７ａは、溶融したターゲット材料を羽根で撹拌することで、キセノンガスの一部をターゲット材料に均一に溶解させる。なお、第１実施形態では、ターゲット材料の加圧によって、ターゲット材料には大気圧下と比べてより多くのガスを溶解させることができる。
【００１６】
また、タンク１７と接続された第１の配管２３は、加振機構２０を介してノズル１９と接続されている。そして、溶融されたターゲット材料は、第１の配管２３によってタンク１７からノズル１９へ送出される。また、第１の配管２３は、溶融されたターゲット材料が固化しない程度に配管類を加熱又は加圧する固化防止機構２６を備えていることが望ましい。なお、ターゲット材料の融点が十分低い場合には、固化防止機構２６は不要である。また、この第１の配管２３の途中には、ターゲット材料に加圧したキセノンガスを注入するガス注入部２１（第２ガス混入部）が接続されている。このガス注入部２１によって、第１の配管２３を流れるターゲット材料には、より多くの加圧ガスが混入されることとなる。なお、上記ガス注入部２１は、加圧ガス供給部１８において、加圧したキセノンガスをターゲット材料に十分に溶解させることが可能であれば、省略してもよい。
【００１７】
ノズル１９の先端からは、溶融したターゲット材料が、キセノンガスを混入した状態で真空チャンバ１２内に離散的に噴出される。また、加振機構２０は、ノズル１９の液体噴出方向に振動を与えることで液体状のＳｎ合金の噴射のタイミングを制御する。なお、ノズル１９は、後述のレーザー光の集光点位置に向けてターゲット材料を噴出するように配置されている（図２参照）。
【００１８】
ノズル１９から噴出された液体状のターゲット材料（Ｓｎ合金）は表面張力によりほぼ球形状となり、真空中の冷却で概ね固化してドロプレットターゲット１６となる。一方、ターゲット材料に混入されている加圧状態のキセノンガスは、ノズル１９から噴出されると圧力が開放されて概ね気化する。そのため、上記のドロプレットターゲット１６には、キセノンガスの圧力開放で表面又は内部に多数の気泡又は孔が生成される。したがって、第１実施形態のターゲット供給部では、例えば軽石状の低密度化されたドロプレットターゲット１６を連続的に供給できる。
【００１９】
上記のドロプレットターゲット１６の量は、後述の１パルスのレーザー照射でプラズマ化して消費しきれる最大の量に調整することが好ましい。ターゲットが大き過ぎるとプラズマ化されなかったターゲット材料の残りがdebrisの原因となってしまう。一方で、ターゲットが小さすぎるとＥＵＶ光への変換効率が低下するためである。また、ターゲット供給部での加圧圧力、ノズル１９の直径、ターゲット材料の温度は、一定寸法のドロプレットターゲット１６を一定間隔で供給できるように調整される。なお、第１実施形態では、ドロプレットターゲット１６の直径が概ね５０μｍとなるように上記の調整が行われる。
【００２０】
また、ターゲットのうちでプラズマ化されずに残った残留物は、ターゲット回収機構２２で回収される。ターゲット回収機構２２は第２の配管２４でタンク１７と接続されており、回収されたターゲット残留物はタンク１７に戻され、再び加熱溶融されて再利用される。なお、第２の配管２４には逆止弁２４ａが設けられており、タンク１７内の蒸気が真空チャンバ１２内に逆流することはない。
【００２１】
なお、上記の第２の配管２４は、液状のＳｎ合金が途中で固化しないように加熱機構（不図示）で加熱されていることが望ましい。もっとも、Ｓｎ合金の融点が十分低い場合には、配管類に加熱機構を用いなくともよい。
【００２２】
レーザー光源１３は、パルスレーザー光（波長１．０６μｍ）を照射する。このレーザー光は、集光レンズ２５を介してレーザー導入窓１２ａから真空チャンバ１２内に入射する。
【００２３】
制御部１４は、ターゲット供給部およびレーザー光源１３を統括的に制御する。具体的には、制御部１４は、ターゲット供給部のノズル１９から上記のドロプレットターゲット１６を供給させる。また、制御部１４は、モニタ機構（不図示）によってドロプレットターゲット１６の位置を監視するとともに、レーザー光の集光点位置にドロプレットターゲット１６が達するときに同期して、レーザー光源１３にレーザー光を照射させる。これにより、レーザー光を照射されたドロプレットターゲット１６がプラズマ化し、生成されたプラズマからはＥＵＶ光を含む光が放射される。
【００２４】
集光ミラー１５は真空チャンバ１２内に配置され、プラズマから発生したＥＵＶ光を集光して照明光学系へ導く役目を果たす。集光ミラー１５は、回転楕円面形状の反射面を有し、その反射面にはＭｏ／Ｓｉ多層膜がコーティングされている。また、集光ミラー１５は、回転楕円面の一つの焦点位置がレーザー光の集光点位置（ＥＵＶ光の発生位置）と対応するように配置されている。したがって、集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光は、他の焦点位置に集光されて照明光学系へ導かれる。
【００２５】
図２は、第１実施形態におけるノズル１９、レーザー光、集光ミラー１５の位置関係を示す図である。図１では集光ミラー１５で反射したＥＵＶ光がレーザー導入窓１２ａ等と干渉するように見えるが、実際には、図２に示すように、ノズル１９の中心軸と、レーザー光の中心軸と、集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光の主光線の軸とは互いに直交するように配置されている。そのため、ＥＵＶ光がレーザー導入窓１２ａ等と干渉することはない。
【００２６】
また、本実施形態においては、ターゲットの低密度化によって、ＥＵＶ光への変換効率を向上させている。そのため、本実施形態では、ターゲットに凹凸形状又は気泡や孔を形成させて変換効率を向上しているが、特に、ターゲットの表面積は、そのターゲットと同一材質かつ同一質量の球形における表面積の１．５倍以上であるとよい。上述の１．５倍を下回ると、十分な変換効率を得られない可能性がある。なお、さらにより好適な変換効率を得るには、ターゲットの表面積は、そのターゲットと同一材質かつ同一質量の球形における表面積の２．５倍以上であるとよい。また、本実施形態における表面積とは、例えばターゲットのような、ある物体の表面の面積だけでなく、内部に形成される気泡や孔などの表面の面積を含むものとする。
【００２７】
また、本実施形態におけるターゲットは、例えば、フレーク状、棒状や軽石状などのターゲットを用いてもよい。
【００２８】
以下、第１実施形態の作用効果を述べる。第１実施形態では、キセノンガスを加圧状態でターゲット材料のＳｎ合金に混入させる。ターゲット材料がノズル１９から噴出されると、概ね固化したターゲットにはキセノンガスの圧力開放によって多数の気泡又は孔が形成される。そのため、第１実施形態によれば、低密度のドロプレットターゲット１６を容易に連続供給することができ、より変換効率の高いＥＵＶ光源を実現できる。
【００２９】
特に、第１実施形態で用いるキセノンガスは不活性ガスであるので反応性に乏しく、集光ミラー１５などの汚染原因となるおそれも低い。また、キセノンガスはターゲット材料としてＥＵＶ波長域での発光に寄与するため、ＥＵＶ光源の一層の出力向上も期待しうる。
【００３０】
（第２実施形態の説明）
図３は、第２実施形態のＥＵＶ光源ユニット（１１ａ）の構成を示す概要図である。なお、第２実施形態の説明では、第１実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３１】
第２実施形態は、第１実施形態と同様のドロプレットターゲット１６を用いた放電プラズマ（ＤＰＰ：Discharge Produced Plasma）光源の例である。図３のＥＵＶ光源ユニット１１ａは、真空チャンバ１２と、ターゲット供給部（１７〜２４）と、放電プラズマ光源３１と、高圧電源３２と、制御部３３と、集光光学系３４とを有している。ここで、ターゲット供給部のノズル１９およびターゲット回収機構２２と、放電プラズマ光源３１と、集光光学系３４とは真空チャンバ１２内に配置される。なお、第２実施形態では、ターゲット材料に混入するガスとしてＣＯ２ガスを用い、ドロプレットターゲット１６の直径は概ね１００μｍに設定している。
【００３２】
第２実施形態でのターゲット供給部のノズル１９は、ドロプレットターゲット１６が放電プラズマ光源３１の放電空間を通過するように、その噴出口の向きが設定されている。また、ターゲット回収機構２２は、ノズル１９から放電プラズマ光源３１を隔てて配置されている。
【００３３】
放電プラズマ光源３１は、穴の開いた円盤状の電極（陽極）３１ａと、同様の形状の電極（陰極）３１ｂと、両者をつなぐ筒状の絶縁体３１ｃから構成されるＺピンチ型放電プラズマ光源である。各々の電極３１ａ，３１ｂは、それぞれ高圧電源３２と接続されている。上記の電極３１ａ，３１ｂの間に高電圧パルスが印加されると、放電によりその間の空間にある物質（ドロプレットターゲット１６）がプラズマ化し、ＥＵＶ光を含む光が輻射されることとなる。
【００３４】
制御部３３は、ドロプレットターゲット１６が放電空間の中心位置に来たときに電極３１ａ，３１ｂに高電圧パルスが印加されるように、ターゲット供給部および高圧電源３２を同期制御する。
【００３５】
集光光学系３４は、プラズマから発生したＥＵＶ光を集光して照明光学系へ導く役目を果たす。この集光光学系３４は、２枚の同心球面形状の反射面３４ａ，３４ｂから構成されるシュバルツシルド光学系であり、各々の反射面３４ａ，３４ｂにはＭｏ／Ｓｉ多層膜がコーティングされている。
【００３６】
図４は、ターゲット供給部のターゲット回収機構２２と放電プラズマ光源３１との位置関係を示す図である。第２実施形態では、電極３１ｂの穴の中心軸と、ターゲット回収機構２２の開口部の中心軸がほぼ一致するように配置されている。
【００３７】
ターゲット回収機構２２は、放電プラズマ光源３１から発生したＥＵＶ光の一部を遮蔽するが、集光光学系３４のシュバルツシルド光学系は中心遮蔽のある光学系なので、元々光軸付近の光線を集光することができない。第２実施形態では、できるだけシュバルツシルド光学系の中心遮蔽内にターゲット回収機構２２を配置することで、ケラレによるＥＵＶ光の損失を最小限に防いでいる。なお、第２実施形態の集光光学系には、シュバルツシルド光学系以外にヴォルター型光学系を使用することもできるが、この場合も中心遮蔽のある光学系なので、同様の配置にしてケラレによるＥＵＶ光の損失を最小限に抑えることができる。
【００３８】
上記の第２実施形態の構成においても、上記の第１実施形態と同様に低密度化されたドロプレットターゲット１６を用いることで、第１実施形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
【００３９】
（ＥＵＶ露光装置の説明）
以下、本発明に係るＥＵＶ露光装置の実施形態を説明する。図５は、ＥＵＶ露光装置の構成を示す概要図である。このＥＵＶ露光装置は、上記した第１実施形態または第２実施形態のＥＵＶ光源ユニット４０（１１，１１ａ）と、露光部４１と、コントローラ４２とを有している。
【００４０】
露光部４１は、照明光学系４３と、被照射面に配置される反射型マスク４４を吊り下げ支持するマスクステージ４５と、投影光学系４６と、ウェハ４７が載置されるウェハステージ４８と、これらを収容する真空チャンバ４９とを有している。
【００４１】
ここで、照明光学系４３はフライアイ光学系の反射鏡などを含み、ＥＵＶ光源ユニット４０からのＥＵＶ光を成形して反射型マスク４４に導く。反射型マスク４４の反射面には、多層膜からなる反射膜が形成されている。この反射膜には、ウェハ４７に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。投影光学系４６は複数の反射鏡を含み、反射型マスク４４で反射されたＥＵＶ光を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小してウェハ４７に投影する。なお、ＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いため、ＥＵＶ光が通過する光経路はいずれも真空に保たれる。
【００４２】
露光動作の際には、ＥＵＶ光源ユニット４０からのＥＵＶ光は、照明光学系４３を介して反射型マスク４４に入射する。そして、反射型マスク４４からの反射光は、投影光学系４６を介してウェハ４７上に投影される。これにより、レジストが塗布されたウェハ４７上にはパターンが露光されることとなる。また、本実施形態では、反射型マスク４４とウェハ４５とを移動させつつ、パターンをウェハ４５上に露光する走査型露光装置に本発明を適用している。なお、ＥＵＶ光源ユニット４０、マスクステージ４５およびウェハステージ４８の動作は、いずれもコントローラ４２により制御される。
【００４３】
本実施形態の露光装置では、本発明の実施形態に係るＥＵＶ光源を使用し、高出力なＥＵＶ光を供給可能なため、露光装置のスループットを向上させることができる。
【００４４】
（半導体デバイスの製造方法の説明）
以下、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。図６は、本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。図６の例の製造工程は、以下の各主工程を含む。
（１）ウェハを製造するウェハ製造工程（またはウェハを準備するウェハ準備工程）
（２）露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（またはマスクを準備するマスク準備工程）
（３）ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
（４）ウェハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
（５）チップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程は、さらにいくつかのサブ工程からなっている。
【００４５】
これらの主工程のなかで、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウェハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は以下の各工程を含む。
（１）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
（２）この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
（３）薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
（４）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
（５）イオン・不純物注入拡散工程
（６）レジスト剥離工程
（７）さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要とされる層数だけ繰り返して行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００４６】
本実施形態の半導体デバイスの製造方法では、上記のリソグラフィー工程に本発明の実施形態に係るＥＵＶ露光装置が使用される。そのため、本実施形態の半導体デバイスの製造方法では、微細な線幅のパターンの露光を高いスループットで行うことができ、効率よく半導体デバイスを製造することができる。
【００４７】
（実施形態の補足事項）
（１）上記実施形態では、ターゲット材料として錫（Ｓｎ）を含む合金を選択したが、本発明では、錫、タングステン、タンタル、金、リチウム、あるいはこれらを成分に含む合金をターゲット材料として用いることができる。
【００４８】
（２）上記実施形態では、ターゲット材料に混入させるガスとしてキセノンや二酸化炭素を選択したが、他のガスをターゲット材料に混入してもよい。なお、本発明においてターゲット材料に混入させるガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオンなどの不活性ガスや、発光スペクトルが１３ｎｍ付近にあるガス（酸素、二酸化炭素、キセノンなど）が好ましい。
【００４９】
（３）上記の実施形態では、ウェハ上に回路パターンを露光して半導体デバイスを製造する露光装置の例を説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、液晶方式やプラズマ方式のフラット表示デバイス等に使われるガラス基板に回路パターン（画素、透明電極、薄膜トランジスタ等）を形成する露光装置や、上記デバイスの製造方法にも当然に本発明を応用できる。
【００５０】
なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の様々な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図
【図２】第１実施形態におけるノズル、レーザー光、集光ミラーの位置関係を示す図
【図３】第２実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図
【図４】ターゲット回収機構と放電プラズマ光源との位置関係を示す図
【図５】本発明のＥＵＶ露光装置の構成を示す概要図
【図６】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャート
【符号の説明】
【００５２】
１１，１１ａ，４０…ＥＵＶ光源ユニット、１３…炭酸ガスレーザー光源、１６…ドロプレットターゲット、１７ａ…撹拌機構、１８…加圧ガス供給部、１９…ノズル、２１…ガス注入部、３１…放電プラズマ光源、４３…照明光学系、４４…反射型マスク、４６…投影光学系、４７…ウェハ
【図１】
0005386799.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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