(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランド線である導体を含む複数本の平角導体を所定の並列ピッチで平面上に配列する配列工程と、
前記平角導体の配列面の両面から前記平角導体に絶縁フィルムを貼着し、かつ前記平角導体の両端部で前記平角導体の少なくとも一面を露出してフラットケーブルを形成する絶縁フィルム貼着工程と、
前記絶縁フィルムの両端部以外の箇所で前記絶縁フィルムの一部を除去して穴部を形成し前記グランド線を露出させるグランド線露出工程と、
前記グランド線露出工程後に、前記穴部における前記絶縁フィルムの残渣を除去する残渣除去工程と、
前記穴部へ導電性銀ペーストを充填する銀ペースト充填工程と、
前記絶縁フィルムの外側にシールド層を貼着し、前記導電性銀ペーストを介して前記グランド線と前記シールド層とを電気的に接続する接続工程と、を有し、
前記導電性銀ペーストは、平均粒子径が０．５μｍ以上２０μｍ以下の銀粒子からなる銀粉末とポリエステル樹脂からなるバインダー樹脂との混合物からなり、銀粉末の重量比は、８２％以上９１％以下とされている、シールドフラットケーブルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシールドフラットケーブルの製造方法であって、
前記残渣除去工程は、前記穴部を揮発性液体によって洗浄して前記残渣を除去することを特徴とするシールドフラットケーブルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のシールドフラットケーブルの製造方法であって、
前記残渣除去工程は、前記穴部に付着した前記残渣をグリーンレーザによって焼き飛ばして除去することを特徴とするシールドフラットケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器などに用いられるシールドフラットケーブルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
限られたスペースで高密度の配線が可能な配線部材としては、可撓性の回路基板や平角導体を用いたフラットケーブルがある。ノイズ対策を必要とする電子機器の機器内配線には、シールド機能を備えたシールドフラットケーブルが使用されている。
【０００３】
フラットケーブルは、複数本の平角導体を一平面上に配列し、その配列面の両側からそれぞれ絶縁フィルムをラミネートしたものである。シールドフラットケーブルの場合、ラミネートした絶縁フィルムの外側に金属箔等のシールド層が設けられる。複数本の平角導体のうち一部はグランド線であり、グランド線とシールド層が電気的に接続された構造を有している。
【０００４】
シールドフラットケーブルとしては、ケーブル本体にシールド部材が接着されたものが知られている。例えば、特許文献１に開示されたように、ケーブル本体は少なくとも１本のグランド線を含む複数の導体を、上記グランド線の少なくとも一部を除いて、絶縁性の部材で被覆したものである。シールド部材は絶縁性の基材の片面に設けられた導電性材料から成るシールド層を有し、シールド層の上に導電性粒子を分散した導電性接着材層がある。導電性接着剤がシールド部材とケーブル本体を接着し、シールド層の一部が上記グランド線の一部に導電性接着材を介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０２／０５２９７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のシールドフラットケーブルのように、導電性粒子を分散した接着剤を塗ったシールド層を絶縁部材へ貼り合わせても、グランド線の被覆されていない部分（非被覆部分）は絶縁性の部材の厚みからなる深さを有しているため、貼り付けたシールド層の接着剤が非被覆部分へ円滑に入らず、グランド線とシールド層とが接着剤を介して良好に導通されないおそれがある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、グランド線とシールド層との電気的な接触が良好でシールド層の接地が確実なシールドフラットケーブルおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決することのできる本発明に係るシールドフラットケーブルは、グランド線である導体を含む複数本の平角導体が所定の並列ピッチで平面上に配列され、前記平角導体の配列面の両面から前記平角導体に絶縁フィルムが貼着され、前記平角導体の長手方向の両端部では一面を露出した状態で前記絶縁フィルムの外側にシールド層が貼着されたシールドフラットケーブルであって、
長手方向端部以外の前記グランド線上に前記絶縁フィルムが除去された穴部があり、前記穴部には、導電性銀ペーストが充填され、前記グランド線と前記シールド層とが前記導電性銀ペーストによって電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明のシールドフラットケーブルにおいて、前記導電性銀ペーストは、平均粒子径が０．５μｍ以上２０μｍ以下の銀粒子からなる銀粉末とポリエステル樹脂からなるバインダー樹脂との混合物からなり、銀粉末の重量比は、８２％以上９１％以下とされていることが好ましい。
【００１０】
また、本発明のシールドフラットケーブルにおいて、前記銀粉末は、銅粒子の表面に銀銅合金膜を有する銀コート銅粒子を含むことが好ましい。
【００１１】
本発明のシールドフラットケーブルの製造方法は、グランド線である導体を含む複数本の平角導体を所定の並列ピッチで平面上に配列する配列工程と、
前記平角導体の配列面の両面から前記平角導体に絶縁フィルムを貼着し、かつ前記平角導体の両端部で前記平角導体の少なくとも一面を露出してフラットケーブルを形成する絶縁フィルム貼着工程と、
前記絶縁フィルムの両端部以外の箇所で前記グランド線を露出させるグランド線露出工程と、
前記絶縁フィルムを除去した穴部へ導電性銀ペーストを充填する銀ペースト充填工程と、
前記絶縁フィルムの外側にシールド層を貼着し、前記導電性銀ペーストを介して前記グランド線と前記シールド層とを電気的に接続する接続工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明のシールドフラットケーブルの製造方法において、前記グランド線露出工程後に、前記穴部における前記絶縁フィルムの残渣を除去する残渣除去工程を含むことが好ましい。
【００１３】
また、本発明のシールドフラットケーブルの製造方法において、前記残渣除去工程は、前記穴部を揮発性液体によって洗浄して前記残渣を除去することが好ましい。
【００１４】
また、本発明のシールドフラットケーブルの製造方法において、前記残渣除去工程は、前記穴部に付着した前記残渣をグリーンレーザによって焼き飛ばして除去することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のシールドフラットケーブルによれば、絶縁フィルムが除去された穴部に充填された導電性銀ペーストによって、グランド線とシールド層とを良好に電気的に接続させることができ、確実にシールド層をグランド線を介して接地することができる。
また、本発明のシールドフラットケーブルの製造方法によれば、グランド線とシールド層とが導電性銀ペーストによって良好に電気的に接続されたシールドフラットケーブルを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態のシールドフラットケーブルの一方の面を示す平面図である。
【図２】本実施形態のシールドフラットケーブルの他方の面を示す平面図である。
【図３】図１および図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図４】図１および図２の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
【図５】本実施形態の製造方法において絶縁フィルム貼着工程を示す模式的な斜視図である。
【図６】本実施形態の製造方法における絶縁フィルム貼着工程後の長尺フラットケーブルを示す平面図である。
【図７】本実施形態の製造方法における絶縁フィルム貼着工程後の長尺フラットケーブルの他の例を示す平面図である。
【図８】本実施形態の製造方法におけるメッキ工程を示す模式図である。
【図９】本実施形態の製造方法における切断工程後のフラットケーブルを示す平面図である。
【図１０】図９のフラットケーブルの端部の側面図である。
【図１１】導体露出部の両方の面で絶縁フィルムが貼られない場合のフラットケーブルの端部の側面図である。
【図１２】本実施形態の製造方法における導体露出工程後の図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
【図１３】本実施形態の製造方法における銀ペースト充填工程後の図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ断面図である。
【図１４】実施例での抵抗の測定の仕方を示すシールドフラットケーブルの平面図である。
【図１５】比較例３のシールドフラットケーブルの構造を示す図であって、（ａ）はフラットケーブルの断面図、（ｂ）はフラットケーブルの平面図、（ｃ）はシールドフラットケーブルの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係るシールドフラットケーブルおよびその製造方法の実施形態の例について図面を参照して説明する。
図１から図４に示すように、シールドフラットケーブル１は、複数本（本実施形態では１０本）の平角導体２を備え、これら平角導体２が所定の並列ピッチで平面上に配列され、平角導体２の配列面の両面にそれぞれ絶縁フィルム３が貼着（ラミネート）されている。絶縁フィルム３の外側には、シールド層９を有するシールドフィルム７が貼着されている。シールドフラットケーブル１の長手方向の両端部は、一方の面（図１に示す面）で複数本の全ての平角導体２が露出した導体露出部１５とされ、他方の面（図２に示す面）にのみ絶縁フィルム３が貼着されており、導体露出部１５は電気コネクタの弾性コンタクト片等に接続可能な接続端末として機能する。また、導体露出部１５の平角導体２が露出していない側の面（他方の面）には、図２および図１０に示すようにポリエステル等の絶縁樹脂からなる端末補強テープ１４が絶縁フィルム３の上から貼着されており、露出した平角導体２を支持して変形を防止している。
平角導体２は、１０本のうち、並列幅方向の両端から２番目がそれぞれグランド線２ａとされている。
【００１８】
平角導体２は、断面長方形に形成された銅基材上に錫メッキ層が積層されている。本実施形態では、銅基材の外周全域に錫メッキ層が形成されている。銅基材としては、銅または銅合金が用いられる。また、接続端末となる導体露出部１５では、電気接触のための圧縮応力を受けることに起因して平角導体２の表面に針状結晶体（ウィスカ）が発生することがあるため、ウィスカの発生を抑制するために平角導体２に金メッキが施されていることが好ましい。金メッキを施すことにより、ウィスカが発生せず、狭いピッチで並べられた各平角導体２が短絡することなく、平角導体２と電気コネクタとの電気接続の信頼性が向上する。
本実施形態において、平角導体２の厚さは０．０３５ｍｍであり、平角導体２の幅Ｗ１は０．３ｍｍであり、１０本の平角導体２の並列ピッチＰは０．５ｍｍである。
【００１９】
絶縁フィルム３は、絶縁体である絶縁樹脂層５と絶縁性接着層４からなり、例えば、絶縁樹脂層５はポリエステルまたはポリイミドあるいはＰＰＳ等の樹脂であり、絶縁性接着層４はポリエステル系接着剤もしくは難燃ＰＶＣである。平角導体２に対して、絶縁性接着層４の面を対向させて２枚の絶縁フィルム３が貼り合わされている。これにより、平角導体２同士の電気的絶縁を図っている。
【００２０】
シールドフィルム７は、導電性接着層８とシールド層９と樹脂層１０からなり、例えば、導電性接着層８は導電フィラー含有接着剤であり、シールド層９はアルミまたは銅であり、樹脂層１０はＰＥＴ等のポリエステルである。導電性接着層８はシールド層９とグランド線２ａを良好に導電させ、シールド層９によりシールドフラットケーブル１のシールド効果を発生させている。樹脂層１０はシールド層９の剥離や腐食を防止して、シールドフラットケーブル１の機械的強度を維持する。
【００２１】
シールドフィルム７は、図３及び図４に示すようにシールドフラットケーブル１の全周を覆うように１枚を巻きつけて貼着する他（巻き付けると重なり代ができる）、絶縁フィルム３と同様に２枚を対向させて貼り合わせても良い。
【００２２】
図３に示すように、シールドフラットケーブル１の長手方向の大部分では全ての平角導体２に対して絶縁フィルム３が貼着されているが、図１および図４に示すように、グランド線２ａ上の一部の部分では、一方の面の絶縁フィルム３が除去された穴部６が設けられている。この穴部６には、導電性銀ペースト１１が充填されている。そして、この導電性銀ペースト１１によってグランド線２ａとシールドフィルム７のシールド層９とが導通されて導電性接続が図られている。
【００２３】
この導電性銀ペースト１１は、銀粉末とバインダー樹脂との混合物である。銀粉末は、平均粒子径が０．５μｍ以上２０μｍ以下の銀粒子及び一次粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下であるナノ銀粒子であることが好ましい。バインダー樹脂としては、ポリエステル樹脂が用いられる。また、銀粉末の重量比は、８２％以上９１％以下とされている。なお、銀粉末としては、ナノ銀粒子が含まれていなくても良い。
【００２４】
ここで、導電性銀ペースト１１における銀粉末の重量比が８２％未満であると、急激にグランド線間の抵抗が大きくなり、また、９１％より大きいと、抵抗は変わらずコストが高くなってしまう。
【００２５】
また、銀粉末は、銀粒子または銅粒子の表面に銀銅合金膜を有する銀コート銅粒子が用いられている。銀コート銅粒子としては、１０％の銀を銅粉末にメッキした平板状（フレーク状）のものが好ましく、この銀コート銅粒子を用いることにより、比抵抗を良好にすることができ、また、コストを低減させることができる。なお、平板状とは、粒子の最大長さＬと厚みＤの比Ｌ／Ｄが３以上であるものをいう。
【００２６】
次に、上記構造のシールドフラットケーブル１を製造する製造方法について、その手順に沿って説明する。
【００２７】
まず、銅基材の表面に錫メッキ層が形成された断面長方形の平角導体２（グランド線２ａを含む）を複数本（本実施形態では１０本）用意する。
【００２８】
次いで、図５に示すように、それぞれ長尺の平角導体２が巻き取られている複数のリール３０から平角導体２を送り出して所定の並列ピッチＰで同一平面上に配列する（配列工程）。そして、これら平角導体２の上下に、リール３１から長尺の絶縁フィルム３を送り出してヒータローラ３２間に通し、巻き取りローラ３３に巻き取る（絶縁フィルム貼着工程）。
【００２９】
絶縁フィルム貼着工程の際、絶縁フィルム３の互いの対向面は絶縁性接着層４側とする。つまり、ヒータローラ３２の間を通過することにより、絶縁フィルム３の絶縁性接着層４が溶融し、平面上に配列された複数本の平角導体２には、表裏から絶縁フィルム３が絶縁性接着層４によって貼り合わされ、これら平角導体２が平面上に配列されて絶縁樹脂（絶縁樹脂層５と絶縁性接着層４）で被覆された一連長の長尺フラットケーブルが形成される。
【００３０】
ここで、長尺フラットケーブル１Ａの一部を図６に示す。長尺フラットケーブル１Ａは、図１に示した導体露出部１５を設けるために、一方の絶縁フィルム３の長手方向の一部に開口した導体露出窓部１５ａが形成されている。導体露出窓部１５ａはシールドフラットケーブル１の長手方向の端部となる箇所に設けられている。導体露出窓部１５ａの幅Ｗ２は、全ての平角導体２が露出するように平角導体２の並列幅より大きくされている。
【００３１】
このように、上記絶縁フィルム貼着工程では、導体露出窓部１５ａを有する絶縁フィルム３を平角導体２の長手方向に沿って連続的に貼着することで、導体露出窓部１５ａを形成しているが、図７に示すように、短尺の絶縁フィルム３を平角導体２の長手方向に沿って間欠的に貼着することで、導体露出窓部１５ａを形成しても良い。
【００３２】
絶縁フィルム貼着工程の後、絶縁フィルム３の幅方向の余剰部分（耳と呼ばれる部分）を除去するために、図６および図７に示した破線Ｃ１で示す位置で切断される。これにより、導体露出窓部１５ａの幅方向両端部で絶縁フィルム３が長手方向に繋がった箇所が除去される。
【００３３】
導体露出部１５の平角導体２に金メッキ等のメッキを行う場合、長尺フラットケーブルのままでメッキ工程を行う。
このメッキ工程では、図８に示すように、メッキ液槽２０に、長尺フラットケーブル１Ａを間欠的に送り込んで浸漬させ、長尺フラットケーブル１Ａの導体露出部１５の部分に露出する平角導体２に電気メッキを施している。少なくとも１箇所の導体露出部１５で、全ての平角導体２と交差する導電部材２３で全ての平角導体２を接続一体化して電気的に接続する。長尺フラットケーブル１Ａをメッキ液に漬けたときに導電部材２３をメッキ液の外で電気クリップ等でメッキ電源２１の負電位側に接続し、メッキ液に浸したメッキ金属材２２をメッキ電源２１の正電位側に接続する。
【００３４】
長尺フラットケーブル１Ａは、メッキ液槽２０内に連続的に送り込んでメッキ液に浸漬させる（連続メッキ）他に、メッキ液槽２０に収まる程度の長さに分断してメッキ液に浸漬させるようにしても良い。
【００３５】
導体露出部１５に施すメッキは、この端末部分でのウィスカの発生を抑制することと、あるいは端末部分と電気コネクタとの電気接続の信頼性を高めるためのもので、好ましくは金メッキが施される。但し、錫メッキ上に直接金メッキを施すと、異種金属接触による電食が生じ、長期の使用に耐えられないおそれがある。このため、下地金属としてニッケルメッキを施してから金メッキを施すようにするのが良い。
【００３６】
このように形成された長尺フラットケーブル１Ａは、図６および図７に示した導体露出部１５の破線Ｃ２で示す位置で切断され、図９に示すように所定の長さのフラットケーブル１Ｂとされる（切断工程）。
【００３７】
長尺フラットケーブル１Ａを切断した図９のフラットケーブル１Ｂには、図１０に示すように導体露出部１５の一方の面に平角導体２を支持するように端末補強テープ１４を貼着する。この例では、導体露出部１５の一方の面に絶縁フィルム３が貼着され、その外側に端末補強テープ１４が貼着されている。
なお、導体露出部１５の両方の面で絶縁フィルム３が貼られずに平角導体２の両面が露出されている場合には、図１１に示すように、その一方の面を覆うように端末補強テープ１４を貼着する。
【００３８】
次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれのグランド線２ａの配設位置における一方の面の絶縁フィルム３の一部を除去して穴部６を形成し、各グランド線２ａの表面の一部を露出させる（導体露出工程）。なお、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）におけるＤ−Ｄ断面を示す。
具体的には、穴部６の形成位置における絶縁フィルム３の一部を、ＣＯ２レーザによって切断して除去して穴部６を形成する。
【００３９】
次に、この絶縁フィルム３の一部を除去した穴部６内を、揮発性液体によって洗浄し、絶縁フィルム３の残渣を除去する（残渣除去工程）。具体的には、アルコールなどの揮発性液体を含ませた綿棒や布によって拭き取り、グランド線２ａの表面に付着していた絶縁フィルム３の残渣を除去する。
なお、ＣＯ２レーザによって穴部６を形成した後に、例えば、波長５３２ｎｍのグリーンレーザ（ＹＡＧレーザ）によってグランド線２ａの表面に付着していた絶縁フィルム３の残渣を焼き飛ばして除去しても良い。
【００４０】
穴部６を形成してグランド線２ａの一部を露出させたら、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、穴部６内へ導電性銀ペースト１１を、例えば、エア式ディスペンサによって充填し、穴部６内を導電性銀ペースト１１によって埋める（銀ペースト充填工程）。なお、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）におけるＥ−Ｅ断面を示す。
【００４１】
このとき、揮発性液体による洗浄あるいはグリーンレーザによる焼き飛ばしによって絶縁フィルム３の残渣を除去しているので、穴部６におけるグランド線２ａの接触面積が十分に確保され、穴部６内に充填した導電性銀ペースト１１とグランド線２ａとが良好に導通接触される。
【００４２】
充填する際の導電性銀ペースト１１は、銀粉末及びバインダー樹脂に対して、溶剤を含有させたもので、硬化剤であるブロックイソシアネートが含有されている。
この充填する硬化前の導電性銀ペースト１１としては、例えば、銀が１２０ｇである場合、ポリエステル樹脂１３ｇ、硬化剤０．７ｇ、溶剤２０ｇの割合で配合される。なお、導電性銀ペースト１１は、充填後に溶剤が揮発してなくなり、銀及びバインダー樹脂だけとなる。したがって、導電性銀ペースト１１の銀及びバインダー樹脂の重量比は、硬化した状態の割合で決定される。
【００４３】
導電性銀ペースト１１の充填量は、絶縁フィルム３の厚みからなる深さ寸法を有する除去部６を完全に埋めることが可能な量、つまり、溶剤が揮発した後に残る銀粉末およびバインダー樹脂の体積が穴部６の容量以上となるようにするのが好ましい。
【００４４】
溶剤は、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ＢＣＡ）が用いられ、バインダー樹脂に対して重量比で１．４倍以上２．４倍以下の量が含有されている。
また、導電性銀ペースト１１の粘度は、溶剤の混合量によって調整される。導電性銀ペーストの粘度が６０±２０Ｐａ・ｓ程度となるように溶剤を混合すると、ディスペンサの塗布圧力を０．３ＭＰａ、塗布速度を０．５ｍ／ｓｅｃとしてディスペンサからたれることなく塗布でき、塗布後に導電性銀ペーストが速やかに穴部６に行き渡るので好ましい。
【００４５】
ここで、充填する硬化前の導電性銀ペースト１１を作成するには、まず、銀粒子及びナノ銀粒子からなる銀粉末、溶剤によって溶解させたバインダー樹脂であるポリエステル樹脂及び硬化剤であるブロックイソシアネートを振動撹拌によって予備混合し、続いて混練する。次いで、硬化剤をさらに混合させて振動撹拌し、さらに溶剤を添加して粘度を調整し、脱泡させる。
【００４６】
穴部６へ充填した導電性銀ペースト１１が硬化したら、図１から図４に示したように、導体露出部１５およびその近傍を除く部分にシールドフィルム７を貼着する（シールド層貼着工程）。シールドフィルム７の貼着は、１枚を両面に巻きつけても良いし、１枚ずつを両面に貼り合わせても良い。
シールドフィルム７を貼着すると、穴部６へ充填した導電性銀ペースト１１がシールドフィルム７のシールド層９と電気的に接続される（接続工程）。また、グランド線２ａ以外の平角導体２は、両端の導体露出部１５を除いて絶縁フィルム３により覆われており、シールド層９とは絶縁されている。
【００４７】
以上説明したように、本発明に係る上記実施形態のシールドフラットケーブルによれば、絶縁フィルム３が除去された穴部６に充填された導電性銀ペースト１１によって、グランド線２ａとシールド層９とを良好に電気的に接続させることができ、確実にシールド層９を接地することができる。
【００４８】
また、導電性銀ペースト１１は、平均粒子径が０．５μｍ以上２０μｍ以下の銀粒子からなる銀粉末とポリエステル樹脂からなるバインダー樹脂との混合物からなり、銀粉末の重量比は、８２％以上９１％以下とされているので、コストを抑えつつ抵抗を極力低減させることができる。
銀粉末の重量比が８２％以下であると急激にグランド間の抵抗値が大きくなる。グランド間の抵抗値を１Ω以下とするには銀粉末の重量比を８２％以上とする必要がある。一方、銀粉末の重量比が８２％であってもグランド間の抵抗値はそれほど小さくならず、銀粉末の重量比が９１％でほぼ一定値となりそれより銀を多く含有させる意味がない。
特に、導電性銀ペースト１１の銀粉末として銅粒子の表面に銀銅合金膜を有する銀コート銅粒子を用いると、銀粉末の重量比が８５％以下であれば比抵抗（μΩ・ｃｍ）を一桁程度良好にすることができる。
【００４９】
本発明のシールドフラットケーブルの製造方法によれば、絶縁フィルム３を除去した穴部６へ導電性銀ペースト１１を充填するので、グランド線２ａと導電性銀ペースト１１とを確実に導通させることができる。
【００５０】
特に、導体露出工程後に、穴部６内における絶縁フィルム３の残渣を除去する残渣除去工程を行うことにより、残渣による不具合なく、グランド線２ａと穴部６内へ充填する導電性銀ペースト１１との接触面積を十分に確保することができ、これらグランド線２ａと導電性銀ペースト１１との良好な導通状態を確保することができる。
残渣除去工程では、穴部６内をアルコールなどの揮発性液体で洗浄することにより、穴部６内の絶縁フィルム３の残渣を確実に払拭することができる。また、残渣除去工程として、穴部６内に付着した残渣をグリーンレーザによって焼き飛ばして除去する場合も、残渣を確実に除去することができる。
【００５１】
なお、導電性銀ペースト１１を充填してシールド層９と導通させる穴部６はどちらの面に設けても良く、両方の面に設けても良い。また、穴部６を片面のみに設ける場合には、穴部６を設ける側のみにシールド層９を設けても良い。
また、導体露出部１５を設ける面も適宜変更でき、穴部６と同じ側の面でも反対側の面でも良い。また、シールドフラットケーブル１の両端で導体露出部１５を設ける面を逆にすることもできる。また、導体露出部１５の裏側の端末補強テープ１４は、設けなくても良い。
【００５２】
また、上記実施形態では、シールド層貼着工程前に長尺フラットケーブル１Ａを切断して個々のフラットケーブル１Ｂとする切断工程を行っているが、シールド層貼着工程後に切断工程を行っても良い。
【００５３】
上記実施形態では、各グランド線２ａの配設位置に、２つの穴部６をそれぞれ形成して導電性銀ペースト１１を充填したが、穴部６を形成して導電性銀ペースト１１を充填する箇所は２箇所に限定されず、各グランド線２ａの配設位置に、１つまたは３つ以上の穴部６をそれぞれ形成して導電性銀ペースト１１を充填しても良い。
【実施例】
【００５４】
グランド線２ａとシールド層９とを導通させた各種のシールドフラットケーブルの導体露出部において、図１４に示すように、グランド線２ａ同士の間（間隔２０ｍｍ）の抵抗を測定した。
【００５５】
（１）測定対象のシールドフラットケーブル
（実施例１）
一方の面において、２本のグランド線２ａ上における絶縁フィルム３に、それぞれ１つずつ１６ｍｍ×６ｍｍの穴部６を形成し、導電性銀ペースト１１を穴部６へ充填してシールド層９を貼り付けた。
（比較例１）
一方の面において、２本のグランド線２ａの配設位置における絶縁フィルム３に、それぞれ１つずつ１６ｍｍ×６ｍｍの穴部６を形成し、シールド層９を貼り付けた。
（比較例２）
一方の面において、２本のグランド線２ａの配設位置における絶縁フィルム３に、それぞれ１つずつ１６ｍｍ×６ｍｍの穴部６を形成し、シールド層９を貼り付けた。穴部６よりも一回り小さい突起で穴部６にシールド層９を押しつけた。
（比較例３）
図１５（ａ）に示すように、２本の平角導体２を重ねたグランド線２ａを有するフラットケーブル１Ｂにおいて、図１５（ｂ）に示すように、その両端の導体露出部１５でグランド線２ａの１本の平角導体２を８ｍｍ程度折り返し、図１５（ｃ）に示すように、グランド線２ａの折り返した平角導体２を覆うようにシールド層９を貼り付けた。
【００５６】
上記の実施例１、比較例１〜３のシールドフラットケーブルをそれぞれ５つ作製し、それぞれのグランド線２ａ間の抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
表１に示すように、穴部６を形成して導電性銀ペースト１１を充填した実施例１では、グランド線２ａ間の抵抗の平均値が０．２４１Ωであり、抵抗が低いことがわかった。これは、穴部６におけるグランド線２ａの露出面積を十分広く確保することができ、さらに、このグランド線２ａとシールド層９とが、穴部６に充填した導電性銀ペースト１１によって確実に導通されたからであると考えられる。
【００５９】
これに対して、穴部６を形成しただけで導電性銀ペースト１１を充填していない比較例１では、グランド線２ａ間の抵抗の平均値が１．７５Ωであり、抵抗が高いことがわかった。これは、穴部６におけるグランド線２ａの露出面積を十分広く確保することができるものの、グランド線２ａとシールド層９とが良好に接触されず、導通状態が不十分であるからと考えられる。
【００６０】
また、穴部６の形成位置をプレスして押圧した比較例２の場合も、導電性銀ペースト１１を充填していないためグランド線２ａ間の抵抗の平均値が０．８５６Ωであり、抵抗が高いことがわかった。これは、穴部６の形成位置を押圧したとしても、やはりグランド線２ａとシールド層９とが十分に接触されず、導通状態が不十分であるからと考えられる。
【００６１】
また、導体露出部１５で１本の平角導体２を折り返してシールド層９と導通させた比較例３では、グランド線２ａ間の抵抗の平均値が０．３２５Ωであり、実施例１よりも抵抗が高いことがわかった。これは、平角導体２の折り返し寸法に制限があり、シールド層９との接触面積が十分に確保できず、導通状態が不十分であるからと考えられる。
【符号の説明】
【００６２】
１：シールドフラットケーブル、１Ｂ：フラットケーブル、２：平角導体、２ａ：グランド線、３：絶縁フィルム、６：穴部（除去部）、９：シールド層、１１：導電性銀ペースト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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