(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置された液晶層と、
前記第１基板の外側に配置された第１傾斜Ｃプレートと、
前記第１傾斜Ｃプレートを挟んで前記第１基板の外側に配置されたＣプレートと、
前記第２基板の外側に配置された第２傾斜Ｃプレートと、
前記第２傾斜Ｃプレートを挟んで前記第２基板の外側に配置された二軸プレートと、
を含み、
前記第１傾斜Ｃプレート及び前記第２傾斜Ｃプレートは、各々のプレート面法線に対して５°〜２０°の範囲で光軸が傾いており、
前記液晶層は、電圧が印加されてない状態における液晶分子に対して前記第１基板の基板面法線及び前記第２基板の基板面法線を基準としてそれぞれ５°〜３０°の範囲のプレティルト角が与えられ、且つ、前記第１基板と前記第２基板の間で１８０°〜２７０°の範囲のねじれ角が与えられ、且つ、前記液晶分子の有する自然ねじれピッチをｐとし、前記第１基板と前記第２基板の相互間隔をｄとしたときに、０≦ｄ／ｐ≦０．７の関係を満たすようにカイラル剤が添加されており、且つ、リターデーションが０．７μｍ〜１．３μｍの範囲に設定された、
液晶表示素子。
【請求項２】
前記第２傾斜Ｃプレートの光軸の傾き方位が、前記二軸プレートの面内遅相軸方位と直交する方位のうち前記液晶層の中央の液晶分子の傾き方位と近い方位を中心に±１５°の範囲に設定された、
請求項１に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向型の液晶表示素子における視角補償技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
２０００−２９２８１５号公報（特許文献１）には、電気光学特性における急峻性に優れ、高デューティ比での単純マトリクス駆動が可能な垂直配向型の液晶表示素子が開示されている。この特許文献１に開示される液晶表示素子は、(a)液晶層に電圧が印加されてない状態で液晶分子が基板面に対して略垂直に配向する性質を有する垂直配向型液晶表示素子であって、(b)基板面法線に対して５°〜３０°の範囲で界面に存在する液晶分子にプレティルト角が与えられており、(c)両界面間で液晶分子に与えた基板と平行な面内の配向方向の上下基板間でのねじれ角が１８０°〜２７０°の範囲であり、(d)液晶層のリターデーションが０．７〜１．３μｍ（７００〜１３００ｎｍ）に設定されており、(e)液晶材料の自然ねじれピッチをｐとし、一対の基板間隔（セル厚）の値をｄとしたときに、０≦ｄ／ｐ≦０．７の関係を満たすように液晶層にカイラル剤が添加されている、という条件を満たす垂直配向型の液晶表示素子である。
【０００３】
また、特開２００７−３０４１５５号公報（特許文献２）には、６００ｎｍ以上のリターデーションを有する垂直配向型の液晶表示素子の視角特性改善に適する視角補償手段が提案されている。この視角補償手段は、視角補償板としてノルボルネン系の樹脂材を用いる場合において特に有効な手段である。現在の作製技術で達成可能な視角補償板の厚さ方向のリターデーションの最大値は、二軸プレート、Ｃプレートともに安定的な量産を考えれば２５０ｎｍ程度であり、歩留まり低下を無視したとしても２７０ｎｍ程度である。つまり、現状では視角補償板の厚さ方向のリターデーションを大きくすることが困難である。これに対し、特許文献２には、液晶セルの両側に配設された直交ニコルの第１、第２の偏光板を有し、液晶セルと第１の偏光板との間には屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚとしてｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの特性を有する二軸プレートを設け、液晶セルと第２の偏光板との間にはｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの特性を有するＣプレートを設け、さらに、液晶セルのリターデーションに対して視角補償板の厚さ方向のリターデーションが足りない場合にはＣプレートを２枚以上積層する、という先行例が開示されている。
【０００４】
上記の各先行例に基づいて本願発明者は、特許文献１に開示された垂直配向型液晶表示素子に、特許文献２に開示された方法で視角補償板を配設した。この結果、電圧無印加部分の透過率は広い視角範囲に渡って低く抑えることができたが、オフ電圧印加部分の透過率は視角方向が傾くにつれて大きくなった。コントラスト比はオン電圧印加部分とオフ電圧印加部分の透過率比で表されるが、オフ電圧印加部分の透過率が大きくなったことにより、視角が傾くにつれてコントラスト比も低下してしまい、視角特性が低下したといえる。さらに、オフ電圧印加時の透過率が電圧無印加時（黒下地）の透過率より高い場合は、本来は明表示をしていない領域に対応する電極がうっすらと視認される現象（いわゆるクロストーク）が観察される。
【０００５】
これは、特許文献１に開示された垂直配向型の液晶表示素子ではプレティルト角が基板面法線に対して５°〜３０°付与されているため、オフ電圧印加時においても液晶分子が初期配向状態から変化しており、視角を傾けた方向では透過率が大きくなることに起因すると考えられる。ただし、視角を傾けず液晶表示素子法線方向から観察した場合は、オフ電圧印加時において液晶分子が初期配向状態から変化していても、液晶分子がねじれた状態で配向しているため両界面付近の液晶分子のリターデーションが補償し合い透過率が低い状態が保たれているものと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２９２８１５号公報
【特許文献２】特開２００７−３０４１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明に係る具体的態様は、視角を傾けた場合にも、クロストークが少なく、かつコントラスト比が高く、高デューティ駆動可能な垂直配向型の液晶表示素子を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る一態様の液晶素子は、（ａ）対向配置された第１基板及び第２基板と、（ｂ）第１基板と第２基板の間に配置された液晶層と、（ｃ）第１基板の外側に配置された第１傾斜Ｃプレートと、（ｄ）第１傾斜Ｃプレートを挟んで第１基板の外側に配置されたＣプレートと、（ｅ）第２基板の外側に配置された第２傾斜Ｃプレートと、（ｆ）第２傾斜Ｃプレートを挟んで第２基板の外側に配置された二軸プレートと、を含む。第１傾斜Ｃプレート及び第２傾斜Ｃプレートは、各々のプレート面法線に対して５°〜２０°の範囲で光軸が傾いている。そして、上記の液晶層は、電圧が印加されてない状態における液晶分子に対して第１基板の基板面法線及び第２基板の基板面法線を基準としてそれぞれ５°〜３０°の範囲のプレティルト角が与えられ、且つ、第１基板と第２基板の間で１８０°〜２７０°の範囲のねじれ角が与えられ、且つ、液晶分子の有する自然ねじれピッチをｐとし、第１基板と第２基板の相互間隔をｄとしたときに、０≦ｄ／ｐ≦０．７の関係を満たすようにカイラル剤が添加されており、且つ、リターデーションが０．７μｍ〜１．３μｍの範囲に設定されている。
【０００９】
本発明に係る他の態様の液晶素子は、（ａ）対向配置された第１基板及び第２基板と、（ｂ）第１基板と第２基板の間に配置された液晶層と、（ｃ）第１基板の外側に配置された第１傾斜Ｃプレートと、（ｄ）第１傾斜Ｃプレートを挟んで第１基板の外側に配置されたＣプレートと、（ｅ）第２基板の外側に配置された第２傾斜Ｃプレートと、（ｆ）第２傾斜Ｃプレートを挟んで第２基板の外側に配置された二軸プレートと、を含む。第１傾斜Ｃプレート及び第２傾斜Ｃプレートは、各々のプレート面法線に対して光軸が傾いている。そして、上記の液晶層は、電圧が印加されてない状態における液晶分子に対して第１基板の基板面法線及び第２基板の基板面法線を基準としてそれぞれ５°〜３０°の範囲のプレティルト角が与えられ、且つ、第１基板と第２基板の間で１８０°〜２７０°の範囲のねじれ角が与えられ、且つ、液晶分子の有する自然ねじれピッチをｐとし、第１基板と第２基板の相互間隔をｄとしたときに、０≦ｄ／ｐ≦０．７の関係を満たすようにカイラル剤が添加されており、且つ、リターデーションが０．７μｍ〜１．３μｍの範囲に設定されている。
【００１０】
好ましくは、第２傾斜Ｃプレートの光軸の傾き方位が、二軸プレートの面内遅相軸方位と直交する方位のうち液晶層の中央の液晶分子の傾き方位と近い方位を中心に±１５°の範囲に設定される。
【００１１】
上記構成によれば、視角を傾けた場合にも、クロストークが少なく、かつコントラスト比が高く、高デューティ駆動可能な垂直配向型の液晶表示素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態の液晶表示素子の構造を示す模式的な断面図である。
【図２】プレティルト角とラビング方向の関係を説明するための図である。
【図３】光軸が傾斜したＣプレートの光軸傾き方位を説明するための図である。
【図４】一実施形態の液晶表示素子の光学軸の配置を説明するための図である。
【図５】実施形態の液晶表示素子の左右方向の視角特性の測定結果である。
【図６】比較例の液晶表示素子の光学軸の配置を説明するための図である。
【図７】比較例の液晶表示素子の左右方向の視角特性の測定結果である。
【図８】傾斜Ｃプレートの光軸傾き方位を様々な角度にしたときの液晶表示素子の透過率の差（クロストークの大きさ）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は、一実施形態の液晶表示素子の構造を示す模式的な断面図である。図１に示す本実施形態の液晶表示装置は、対向配置された第１基板（上側基板）１および第２基板（下側基板）２と、両基板の間に配置された液晶層３と、を主に備える。第１基板１の外側には第１偏光板４が配置され、第２基板２の外側には第２偏光板５が配置されている。第１基板１と第１偏光板４の間には、第１傾斜Ｃプレート６およびＣプレート７が配置されている。第２基板２と第２偏光板５の間には、第２傾斜Ｃプレート８および二軸プレート９が配置されている。液晶層３の周囲は、第１基板１と第２基板２の相互間に介在するシール材１０によって封止されている。以下、さらに詳細に液晶表示装置の構造を説明する。
【００１５】
第１基板１および第２基板２は、それぞれ、例えばガラス基板、プラスチック基板等の透明基板である。第１基板１と第２基板２との相互間には、スペーサー（粒状体）が分散して配置されている。これらのスペーサーにより、第１基板１と第２基板２との間隙が所定距離（本実施形態では６μｍ程度）に保たれる。
【００１６】
液晶層３は、第１基板１の第１電極１１と第２基板２の第２電極１２との相互間に設けられている。本実施形態においては、誘電率異方性Δεが負（Δε＜０）の液晶材料（ネマティック液晶材料）を用いて液晶層３が構成されている。液晶層３に図示された太線は、電圧無印加時における液晶分子の配向方向（ダイレクタ）を模式的に示したものである。本実施形態における液晶層３のプレティルト角は概ね基板面に対して基板法線から６°程度（すなわち基板面を基準にすると８４°程度）に設定されている。また、液晶層３の液晶材料の複屈折率Δｎは、０．２１５であり、液晶層３のリターデーションは１２９０ｎｍである。また、液晶層３の液晶材料には、右巻きのカイラル剤がｄ／ｐ値で０．６になるように添加されており、ねじれ角は２４０°である。これらの条件は特許文献１で開示された条件を全て満足している。
【００１７】
第１電極１１は、第１基板１の一面上に設けられている。また、第２電極１２は、第２基板２の一面上に設けられている。第１電極１１および第２電極１２は、それぞれ、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。第１電極１１と第２電極１２とが平面視において重なる箇所が液晶表示素子における表示部となる。
【００１８】
なお、図示を省略するが、第１基板１の一面側には第１電極１１を覆うようにして配向膜が設けられ、第２基板２の一面側には第２電極１２を覆うようにして配向膜が設けられている。本実施形態においては、各配向膜として、液晶層３の初期状態（電圧無印加時）における配向状態を略垂直配向状態に規制するもの（垂直配向膜）が用いられている。各配向膜にはラビング処理が施されている。図２は、プレティルト角とラビング方向の関係を説明するための図である。第１基板１、第２基板２のそれぞれへのラビング処理は、ラビング布（例えばレーヨン製）を使用して、図２に示すように基板面の一方向に向けて配向膜を擦ることによって実行される。図中にラビング方向を示す。配向膜にラビング処理を行うことにより、液晶層３の液晶分子を一様な配向状態に制御することができ、かつ図示のようにプレティルト角を付与することができる。図示の例では、液晶分子はラビング方向に沿って傾斜して配向する。なお、本明細書においては基板法線を基準として液晶分子のプレティルト角を定義しているが、基板面を基準として定義されてもよい。
【００１９】
第１傾斜Ｃプレート６は、第１基板１と第１偏光板４の間であって、Ｃプレート７よりも第１基板１に近い側に配置されている。この第１傾斜Ｃプレート６は、光軸が法線方向から所定角度（例えば１０°程度）傾いている。光軸の傾きについては後ほどさらに詳述する。
【００２０】
Ｃプレート７は、第１基板１と第１偏光板４の間であって、第１傾斜Ｃプレート６よりも第１偏光板４に近い側に配置されている。このＣプレート７は、屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚの間にｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係を有する位相差板である。本実施形態のＣプレート７は、例えば厚さ方向のリターデーションが２２０ｎｍである。
【００２１】
第２傾斜Ｃプレート８は、第２基板２と第２偏光板５の間であって、二軸プレート９よりも第２基板２に近い側に配置されている。この第２傾斜Ｃプレート８は、光軸が法線方向から所定角度（例えば１０°程度）傾いている。光軸の傾きについては後ほどさらに詳述する。
【００２２】
二軸プレート９は、第２基板２と第２偏光板５の間であって、第２傾斜Ｃプレート８よりも第２偏光板５に近い側に配置されている。この二軸プレート９は、屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚの間にｎｚ＞ｎｙ＞ｎｘの関係を有する位相差板である。本実施形態の二軸プレート９は、例えば、面内リターデーションが５０ｎｍであり、厚さ方向のリターデーションが２２０ｎｍである。
【００２３】
なお、Ｃプレート７の厚さ方向のリターデーションは、（ｎｘ−ｎｚ）ｄの計算式で規定される。ここでいうｎｘ、ｎｙはｘ方向、ｙ方向のそれぞれの屈折率であり、ｄは各プレートの厚さである。また、二軸プレート９の厚さ方向のリターデーションは、（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）ｄの計算式で規定され、二軸プレート９の面内リターデーションは、（ｎｘ−ｎｙ）ｄの計算式で規定される。ここでいうｎｘ、ｎｙ、ｎｚはｘ方向、ｙ方向、ｚ方向のそれぞれの屈折率であり、ｄはプレートの厚さである。また、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれについては、光軸方向（屈折率異方性の生じない軸方向）でリターデーションを評価する。本実施形態では、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれについて、光軸方向でのリターデーションは、例えば２２０ｎｍ程度である。
【００２４】
次に、上記した第１傾斜Ｃプレート６および第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれにおける「光軸の傾き」について図３を用いて説明する。図３に示すように、第１傾斜Ｃプレート６および第２傾斜Ｃプレートのそれぞれは、その光軸が観測者側からみて傾いている。すなわち、光軸がプレート表面６ａ（または８ａ）に対して一定の角度で傾いている。光軸の傾き角θは、例えばプレート表面６ａ（または８ａ）の法線方向から１０°くらいである。光軸傾き角θの好適な数値については後述する。また、図中においては光軸の傾いている方位を矢印で示している。この矢印で示される方位を以下では「光軸傾き方位」と呼ぶ。
【００２５】
次に、本実施形態の液晶表示素子における光学軸の配置状態について図４に基づいて詳細に説明する。上記図１でも示したように、本実施形態の液晶表示素子は、観測者に対して奥側から、第２偏光板（背面偏光板）５、二軸プレート９、第２傾斜Ｃプレート８、第２基板（下側基板）２、液晶層３、第１基板（上側基板）１、第１傾斜Ｃプレート６、Ｃプレート７、第１偏光板（前面偏光板）４の順に配置されている。各光学軸の方位の基準(０°)は図中に示された通りである。
【００２６】
第２偏光板（背面偏光板）５の吸収軸は、例えば図示のように４５°の方向に設定される。これに対応し、第１偏光板（前面偏光板）４の吸収軸は、例えば図示のように−４５°の方向に設定される。すなわち、本実施形態では、第１偏光板４と第２偏光板８とは直交ニコル配置とされている。
【００２７】
二軸プレート９の面内遅相軸は、例えば図示のように−４５°の方向に設定される。別言すると、二軸プレート９の面内遅相軸は、隣接する第２偏光板（背面偏光板）８の吸収軸と略直交するように設定される。
【００２８】
二軸プレート９の手前の第２傾斜Ｃプレート８は、例えば図示のように上記した図３において説明した「光軸傾き方位」が４５°の方向に設定される。
【００２９】
第２基板（下側基板）２のラビング方向は、例えば図示のように−３０°の方向に設定される。また、この第２基板（下側基板）２と対向配置された第１基板（上側基板）１のラビング方向は、例えば図示のように３０°の方向に設定される。これにより、液晶層３の液晶分子のねじれ方向（ねじれ角）は２４０°となる。
【００３０】
第１基板１の手前の第１傾斜Ｃプレート６は、例えば図示のように上記した図３において説明した「光軸傾き方位」が４５°の方向に設定される。
【００３１】
第１傾斜Ｃプレート６の手前のＣプレート７の光軸は、図示のように面法線方向に設定される。
【００３２】
図５は、本実施形態の液晶表示素子の1/128duty駆動時の左右方向の視角特性を示す図である。この図５は、液晶層３への電圧印加によって液晶分子が倒れる方向を時計盤の１２時方向とした場合に、この液晶表示素子の左右方向に、つまり、時計盤の９時と３時の方向に視角を変化させたときの、オン電圧印加時、オフ電圧印加時、電圧無印加時（黒下地）の透過率変化を示したものである。図示のように、法線方向（視角０°）のみではなく、視角を左右に傾けた場合にも、オフ電圧印加時と電圧無印加時の透過率がほぼ等しく、広い視角範囲に渡って前述のクロストークが抑制されていることがわかる。後述する比較例（図６、図７参照）との間で電圧無印加時の透過率を比べた場合、本実施形態の液晶表示素子の方が深い視角での透過率が大きくなるが、クロストーク抑制の効果が大きいため、実際に目視で比較した場合には、本実施形態の液晶表示素子の方がより良好な表示品位を得られる。
【００３３】
次に、本実施形態の液晶表示素子に対する比較例について説明する。比較例の液晶表示素子は、基本的に上記した実施形態の液晶表示素子と共通の構成（図１参照）を有しており、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８が用いられず、代わりに通常のＣプレートが用いられている点のみが構成上異なっている。比較例の液晶表示素子における光学軸の配置状態について図６に示す。光学軸の配置状態も図示のように上記実施形態の液晶表示素子と基本的には共通である。
【００３４】
図７は、比較例の液晶表示素子の1/128duty駆動時の左右方向の視角特性を示す図である。この図７は、電圧印加によって液晶分子が倒れる方向を時計盤の１２時方向とした場合に、この液晶表示素子の左右方向に、つまり、時計盤の９時と３時の方向に視角を変化させたときの、オン電圧印加時、オフ電圧印加時、電圧無印加時（黒下地）の透過率変化を示したものである。図示のように、法線方向（視角０°）ではオフ電圧印加時と電圧無印加時の透過率がほぼ等しいが、視角を左右に傾けた時に両透過率が異なってしまうことがわかる。電圧無印加時の透過率は表示電極が無い部分の透過率と等しいので上記実施形態のように黒下地に白表示をする、ネガ表示の液晶表示素子における黒下地の透過率に相当する。従って、オフ電圧印加時の透過率が電圧無印加時（黒下地）の透過率より高い場合は、本来は表示をしていない電極がうっすらと表示してしまう、いわゆるクロストークとして観察されてしまう。特に両透過率の差が１％以上ある本比較例の場合はクロストークが目立つ見難い液晶表示素子となる。
【００３５】
次に、上記実施形態に示した第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれにおける光軸傾き方位を決める手法について説明する。まず、上記実施形態の液晶表示素子の構成のうち、第１傾斜Ｃプレート６および第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれについて光軸傾き方位を様々な角度にしたときにおける、法線から左右に４０°傾いた視角方向からのオフ電圧印加時と電圧無印加時（黒下地）の透過率を測定した。次にその測定データを解析して、各角度の組合せにおける電圧無印加時（黒下地）の透過率と、オフ電圧印加時の透過率と電圧無印加時（黒下地）の透過率の差、つまりクロストークの大きさを示すグラフを作成した。このグラフを図８に示す。詳細には、図８（ａ）は左視角４０°からの電圧無印加時（黒下地）の透過率特性を示し、図８（ｂ）は右視角４０°からの電圧無印加時（黒下地）の透過率特性を示す。また、図８（ｃ）は左視角４０°からのオフ電圧印加時の透過率と電圧無印加時（黒下地）の透過率の差を示し、図８（ｄ）は右視角４０°からのオフ電圧印加時の透過率と電圧無印加時（黒下地）の透過率の差を示す。
【００３６】
図８（ａ）〜図８（ｄ）を用いて、電圧無印加時（黒下地）の透過率がなるべく低くなること、およびクロストークの大きさが小さくなることを観点として、傾斜Ｃプレートの光軸傾き方位（図４参照）として適する角度を検討した。この時、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれの光軸傾き方位が隣接する偏光板の吸収軸と平行もしくは直交からずれるほど、傾斜Ｃプレートの影響により法線方向の電圧無印加時（黒下地）の透過率が上昇するのでその条件は選定しないように注意した。ただし、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８の光軸傾き方位が直交する場合はお互いに打ち消しあうことができるので。その条件は選定する候補に入れた。
【００３７】
これらの結果から、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８ともに、その光軸の傾き方位を３０°から６０°方位に設定することが好ましい。さらに、上述した法線方向の電圧無印加時（黒下地）の透過率の上昇を防止するためには、それらの角度を４５°方位に設定することが好ましい。従って、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８のそれぞれの光軸の傾き方位は、４５°方位を中心に±１５°の範囲で設定されることが好ましい。これらの配置方位を隣接して配置される二軸プレート９の面内遅相軸方位や液晶分子の配列方向との関係で規定すると、第２傾斜Ｃプレート８の光軸の傾き方位を隣接する二軸プレートの面内遅相軸方位と直交する方位のうち、液晶セル中央の液晶分子の傾き（ティルト）方位に近い方位を中心に±１５°の範囲に設定する、ということになる。また、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８の光軸傾き角については、様々な傾きのものを試したところ、法線方向を基準として５°から２０°の範囲が好ましいことがわかった。
【００３８】
なお、第１傾斜Ｃプレート６、第２傾斜Ｃプレート８は、例えばフィルムを上下から挟み込むローラー回転によるフィルム延伸工程における延伸ローラーの上下各ローラーの回転速度に差を持たせることにより作製することができる。ただし、製造方法はこれに限定されず、他にも例えば、可視波長より短いツイストピッチを有するコレステリック液晶やディスコティック液晶をティルト配向させる方法等が利用可能である。
【００３９】
以上の本実施形態によれば、視角を傾けた場合にも、クロストークが少なく、かつコントラスト比が高く、高デューティ駆動可能な垂直配向型の液晶表示素子を実現できる。
【００４０】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１…第１基板（上側基板）、２…第２基板（下側基板）、３…液晶層、４…第１偏光板、５…第２偏光板、６…第１傾斜Ｃプレート、７…Ｃプレート、８…第２傾斜Ｃプレート、９…二軸プレート、１０…シール材、１１…第１電極、１２…第２電極
【図１】
0005416606.tif 000002
【図２】
0005416606.tif 000003
【図３】
0005416606.tif 000004
【図４】
0005416606.tif 000005
【図５】
0005416606.tif 000006
【図６】
0005416606.tif 000007
【図７】
0005416606.tif 000008
【図８】
0005416606.tif 000009