(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号用の信号リードフレーム及びアース用のＧＮＤリードフレームを有する電子部品を電磁シールド状に閉じ込める電子部品の電磁シールド構造において、
前記ＧＮＤリードフレームの先端部は、面状に形成された拡がり部を有し、
前記拡がり部は、折り曲げられることにより、前記電子部品の全周を覆うとともに、前記信号リードフレームが外部へ突出するための開口部を形成し、且つ互いに平行に対向する平行面を少なくとも３つ以上有するラビリンス構造を形成し、
前記電子部品及び前記信号リードフレームは、前記拡がり部と当接せず、
前記ＧＮＤリードフレームの外表面は、絶縁性の樹脂でモールド封止されている部分を有することを特徴とする電子部品の電磁シールド構造。
【請求項２】
前記拡がり部は、箱型に組み立て可能な箱型展開形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の電磁シールド構造。
【請求項３】
前記ラビリンス構造は、前記拡がり部が前記電子部品を少なくとも２回以上周回して形成する４つ以上の前記平行面を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の電磁シールド構造。
【請求項４】
前記ラビリンス構造は、波型、ジグザグ又は湾曲の各形状のいずれかを含む変形形状を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品の電磁シールド構造。
【請求項５】
前記信号リードフレームは、波型、ジグザグ又は湾曲の各形状のいずれかを含む変形形状を有することを特徴とする請求項４に記載の電子部品の電磁シールド構造。
【請求項６】
前記ラビリンス構造は、周回方向と反対方向へ折り返す、折り返し部を有し、
前記折り返し部で折り返された前記拡がり部は、前記拡がり部を覆う形状を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品の電磁シールド構造。
【請求項７】
前記ラビリンス構造における前記ＧＮＤリードフレームの対向する前記平行面の間に、絶縁部材を嵌合したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の電磁シールド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品自体から発生する電波ノイズや他の電子部品からの電波ノイズをシールドする電子部品の電磁シールド構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品自体から発生する電波ノイズや他の電子部品からの電波ノイズは、電子部品が搭載された各電子機器の相互で種々の機能を阻害する原因となっている。その電波ノイズをシールドする構造として例えば特許文献１に記載の光素子組立体の構造が有る。
【０００３】
この構造は、外部接続端子を具えたリードフレームのデバイス搭載域に少なくとも光素子とその近傍に配置されるＩＣチップとを実装した状態で、該デバイス搭載域の周囲を外部接続端子域を除いて樹脂封止してなる光素子組立体であって、樹脂封止される前のＩＣチップの表面が光不透過性樹脂で被覆されていると共に、樹脂封止後の上記のデバイス搭載域の光信号入出路を除く全周囲をリードフレームの接地用の外部接続端子に繋がるシールド片で被覆して構成してある。この構成によって、光素子組立体としてのノイズ発生の抑制と、確実な電磁シールドとを同時に効率よく実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２８８３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献１の構造は、デバイス搭載域を透明樹脂体で被覆して封止した後に、この封止透明樹脂体を接地用の外部接続端子に繋がるシールド片で被覆して電磁シールド効果を得ている。しかし、デバイス搭載域を透明樹脂体で被覆する際に、そのデバイス搭載域に実装された電子部品が直接、透明樹脂体での被覆成形圧を受け、これによって電子部品が悪影響を受ける懸念がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電子部品を電磁シールドする構造を実現する際に当該電子部品が破損しないように実現することができる電子部品の電磁シールド構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた請求項１に記載の発明は、信号用の信号リードフレーム及びアース用のＧＮＤリードフレームを有する電子部品を電磁シールド状に閉じ込める電子部品の電磁シールド構造において、前記ＧＮＤリードフレームの先端部は、面状に形成された拡がり部を有し、前記拡がり部は、折り曲げられることにより、前記電子部品の全周を覆うとともに、前記信号リードフレームが外部へ突出するための開口部を形成し、且つ互いに平行に対向する平行面を少なくとも３つ以上有するラビリンス構造を形成し、前記電子部品及び前記信号リードフレームは、前記拡がり部と当接せず、前記ＧＮＤリードフレームの外表面は、絶縁性の樹脂でモールド封止されている部分を有することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、電子部品が、このＧＮＤリードフレームの先端部の拡がり部で中空状態に包み込まれて被覆されているので、電子部品を電磁シールド被覆することができる。また、その電磁シールド被覆する全面をその上から樹脂でモールド封止するので、電磁シールド被覆状態を固定化することができ、機械的な強度を高めることが出来る。更に、樹脂モールド封止を行う際に、樹脂を射出して行うが、この際、電子部品を包み込んで被覆する先端部分がラビリンス構造となっているので、被覆内部へ樹脂が流れ込まない。これによって、被覆内部の電子部品へ樹脂が流れ着くことがないので、従来のように、電子部品が樹脂の被覆成形圧を受けて破損するといったことを抑制できる。従って、電子部品を電磁シールドする構造を実現する際に当該電子部品が破損しないように実現することができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記拡がり部は、箱型に組み立て可能な箱型展開形状を有していることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、上記請求項１と同様の作用効果を得ることが出来る。更に、電子部品を電磁シールド被覆する際に、箱型展開部を折り曲げて箱型とすればよいので、被覆を容易に行うことができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記ラビリンス構造は、前記拡がり部が前記電子部品を少なくとも２回以上周回して形成する４つ以上の前記平行面を有することを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、電子部品を被覆する際の拡がり部又は箱型展開部、即ちＧＮＤリードフレームの周回数を増やすことによって、被覆部分における面の並列距離及び並列数が増えるので、その分、樹脂モールド封止を行う際の樹脂の被覆内部への浸入をより抑制することができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記ラビリンス構造は、波型、ジグザグ又は湾曲の各形状のいずれかを含む変形形状を有することを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、ＧＮＤリードフレームの各平行面と、信号リードフレームとの対向部位を変形形状とすることによって、樹脂モールド封止時の樹脂がその変形部位を通り難くなるので、被覆内部への樹脂の浸入をより防止することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記信号リードフレームは、波型、ジグザグ又は湾曲の各形状のいずれかを含む変形形状を有することを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、ＧＮＤリードフレームの拡がり部の前記先端部分と、信号リードフレームとの対向部位を変形形状とすることによって、樹脂モールド封止時の樹脂がその変形部位を通り難くなるので、被覆内部への樹脂の浸入をより防止することができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、前記ラビリンス構造は、周回方向と反対方向へ折り返す、折り返し部を有し、前記折り返し部で折り返された前記拡がり部は、前記拡がり部を覆う形状を有することを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、ＧＮＤリードフレームと信号リードフレームとの対向部位が複数層に並列する構成となるので、樹脂モールド封止時の樹脂が通り難くなり、これによって被覆内部への樹脂の浸入をより防止することができる。
【００１９】
請求項７に記載の発明は、前記ラビリンス構造における前記ＧＮＤリードフレームの対向する前記平行面の間に、絶縁部材を嵌合したことを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、電子部品を被覆するＧＮＤリードフレームの拡がり部又は箱型展開部の先端部分の対向する平行面の間に絶縁部材が嵌合されるので、樹脂モールド封止を行う際に樹脂が被覆内部へ浸入することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）本発明の実施形態に係る電子部品の電磁シールド構造の構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造を作製する際の展開状態を示す図である。
【図３】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造の作製時における第１の状態を示す図である。
【図４】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造の作製時における第２の状態を示す図である。
【図５】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造の作製時における第３の状態を示す図である。
【図６】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造の作製時における第４の状態を示す図である。
【図７】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造における第２のラビリンス構造を示す図である。
【図８】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造における第３のラビリンス構造を示す図である。
【図９】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造における第４のラビリンス構造を示す図である。
【図１０】本実施形態の電子部品の電磁シールド構造におけるラビリンス構造の対向する平行面の間に絶縁部材を嵌合した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本明細書中の全図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適時省略する。
【００２３】
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る電子部品の電磁シールド構造の構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００２４】
図１に示す電子部品５１の電磁シールド構造５０は、信号用のリードフレームである信号リードフレーム５１ａ（５２ａ，５３ａ，５４ａ）及びアース用のリードフレームであるＧＮＤリードフレーム５１ｂを有する電子部品５１の全周を、そのＧＮＤリードフレーム５１ｂの先端部に面状に形成された箱型展開部５１ｂ１（拡がり部）を箱型に折り畳んで被覆し、この被覆状態となった箱型形状部５１ｂ２の内部空間に電子部品５１が配置されると共に、箱型形状部５１ｂ２に形成された開口部５１ｂ３から信号リードフレーム５１ａ（５２ａ〜５４ａ）が外部へ突き出た状態とする。更に、その箱型形状部５１ｂ２の表面を絶縁性の樹脂を射出して被覆するインサート樹脂モールド６０によって封止する。但し、箱型展開部５１ｂ１を箱型に折り曲げる際に、この折り曲げ部分が信号リードフレーム５１ａ（５２ａ〜５４ａ）に接触しない状態とすると共に、少なくとも１周を超える状態に折り曲げ、この１周を越えた部分の面が、互いに平行に対向する平行面を少なくとも３つ以上有するラビリンス構造としてある。
【００２５】
このような電子部品５１の電磁シールド構造５０の作製方法を説明する。図２に示すように、電子部品５１の他に各種の電子部品５２，５３，５４，５５がリードフレームで接続されており、所定の電子部品５１〜５４の一列に配列された面から同一方向に信号リードフレーム５１ａ〜５４ａが突き出ている。また、電子部品５１からは、その信号リードフレーム５１ａと水平で直交する方向にＧＮＤリードフレーム５１ｂが突き出ており、このＧＮＤリードフレーム５１ｂの先端部が箱型展開部５１ｂ１となっている。
【００２６】
この箱型展開部５１ｂ１は、各電子部品５１〜５５が内部空間に配置される状態に箱形に折り曲げられて当該電子部品５１〜５５を被覆し、この被覆時の折り曲げられた先端部分がラビリンス構造となる箱型を展開した形状を成す。従って、箱型展開部５１ｂ１は、箱型に折り曲げるための各折り曲げ線ｋ１、ｋ２、ｋ３，ｋ４，ｋ５，ｋ６，ｋ７，ｋ８を有する。
【００２７】
この形状の箱型展開部５１ｂ１を、まず、図３に示すように、電子部品５１のＧＮＤリードフレーム５１ｂの付根近傍の折り曲げ線ｋ１で、当該箱型展開部５１ｂ１が各電子部品５１〜５５の上面に対して垂直状態となるように直角に折り曲げる。次に、図４に示すように、その折り曲げ線ｋ１と平行に隣り合わせる折り曲げ線ｋ２で、箱型展開部５１ｂ１を直角に折り曲げる。更に、折り曲げ線ｋ２と平行に対向する折り曲げ線ｋ３で側面部分を直角に折り曲げる。更には、折り曲げ線ｋ２，ｋ３に直交な折り曲げ線ｋ４で、図１の斜視図で正面側となる部分を直角に折り曲げる。この正面部分は、各信号リードフレーム５１ａ〜５４ａに触れない状態となっている。
【００２８】
次に、図５に示すように、箱型展開部５１ｂ１を折り曲げ線ｋ５で折り曲げ、また、各信号リードフレーム５１ａ〜５４ａを箱型展開部５１ｂ１に触れないように、上方に直角に折り曲げ、この折り曲げ部分を更に箱型展開部５１ｂ１の方向へ直角に折り曲げる。
【００２９】
次に、図６に示すように、箱型展開部５１ｂ１を折り曲げ線ｋ５で下方側へ直角に折り曲げる。この折り曲げた折り曲げ線ｋ５と平行な折り曲げ線ｋ６との間の面は、図１の斜視図で背面側となる。この背面の折り曲げ線ｋ６で更に直角に折り曲げて箱型展開部５１ｂ１の折り曲げ線ｋ６よりも先端部分が、各電子部品５１〜５５の底面側に配置される状態とする。そして、その先端部分の折り曲げ線ｋ７を各信号リードフレーム５１ａ〜５４ａに触れないように直角に折り曲げ、更に折り曲げ線ｋ８を直角に折り曲げ、これによって箱型展開部５１ｂ１を図１に示した箱型とする。
【００３０】
但し、図２に示す箱型展開部５１ｂ１の互いに対向に位置する折り曲げ線ｋ４側の一辺ＳＤ１と、折り曲げ線ｋ８側の他辺ＳＤ２との間の面を、図１に示すように、各電子部品５１〜５５の周囲に少なくとも１周を超える状態に折り曲げるので、この１周を越えた部分の面が、互いに平行に対向する平行面を少なくとも３つ以上有するラビリンス構造と成る。
【００３１】
最後に、このようなラビリンス構造を有する箱型で各電子部品５１〜５５を被覆した箱型形状部５１ｂ２の全表面を絶縁性樹脂を射出して被覆する。言い換えれば箱型形状部５１ｂ２をインサート樹脂モールド６０によって封止する。この際、箱型形状部５１ｂ２の１周を超える状態に折れ曲がった先端部分はラビリンス構造となっているので、噴射された樹脂がラビリンス構造の途中までしか入り込まない。従って、箱型形状部５１ｂ２の内部の各電子部品５１〜５５に樹脂が付着することは無い。
【００３２】
このように本実施形態の電子部品の電磁シールド構造５０は、信号リードフレーム５１ａ及びＧＮＤリードフレーム５１ｂを有する各電子部品５１〜５５を電磁シールド状に閉じ込めるものである。本実施形態の特徴は、ＧＮＤリードフレーム５１ｂの先端部が箱型に組み立て可能な形状の箱型展開部（箱型展開形状）５１ｂ１となっており、この箱型展開部５１ｂ１によって各電子部品５１〜５５が、中空配置状態で尚且つ信号リードフレーム５１ａが外部へ絶縁状態で突き出す様に折り曲げられて被覆され、この被覆時に当該折り曲げられた先端部分の面が、互いに平行に対向する平行面を少なくとも３つ以上有するラビリンス構造となるように被覆され、この被覆全面が絶縁性の樹脂６０でモールド封止されている構造としたことにある。
【００３３】
この構造によれば、各電子部品５１〜５５が、これらのＧＮＤリードフレーム５１ｂの先端部の箱型展開部５１ｂ１で中空状態に箱形（箱型形状部５１ｂ２）に包み込まれて被覆されているので、各電子部品５１〜５５を電磁シールド被覆することができる。この電磁シールド被覆を行う際に、箱型展開部５１ｂ１を折り曲げればよいので、被覆を容易に行うことができる。また、その電磁シールド被覆する箱型形状部５１ｂ２の全面をその上からインサート樹脂モールド６０で封止するので、電磁シールド被覆状態を固定化することができ、機械的な強度を高めることが出来る。
【００３４】
更に、インサート樹脂モールド６０を行う際に、樹脂を射出して行うが、この際、箱型形状部５１ｂ２の折り曲げられた先端部分がラビリンス構造となっているので、箱型内部へ樹脂が流れ込まない。これによって、内部の各電子部品５１〜５５へ樹脂が流れ着くことがないので、従来のように、各電子部品５１〜５５が樹脂の被覆成形圧を受けて破損するといったことを抑制できる。従って、各電子部品５１〜５５を電磁シールドする構造を実現する際に当該各電子部品５１〜５５が破損しないように実現することができる。
【００３５】
（他の実施形態）
この他、ラビリンス構造を次のように実現しても良い。まず、図７に示す電子部品の電磁シールド構造５０−１としても良い。この電磁シールド構造５０−１は、ＧＮＤリードフレーム５１ｂ先端部の箱型展開部５１ｂ１による各電子部品５１〜５５被覆のための周回数を、少なくとも２回以上としたものである。
【００３６】
このように各電子部品５１〜５５を被覆する際の箱型展開部５１ｂ１、即ちＧＮＤリードフレーム５１ｂの周回数を増やすことによって、被覆部分における平行面間の距離及び平行面の数が増えるので、その分、インサート樹脂モールド６０を行う際の樹脂の被覆内部への浸入をより抑制することができる。
【００３７】
次に、図８に示す電子部品の電磁シールド構造５０−２としても良い。この電磁シールド構造５０−２は、ＧＮＤリードフレーム５１ｂの箱型展開部５１ｂ１の周回先端部分における対向する平行面と、この対向する平行面の間に所定間隔開けて配置される信号リードフレーム５１ａとの各対向部位を、各々が接触しない状態で波型に成形したものである。なお、各対向部位の各々が接触しなければ波型以外の複雑な湾曲やジグザグ等の変形形状としても良い。
【００３８】
このようにＧＮＤリードフレーム５１ｂの平行面と、信号リードフレーム５１ａとの対向部位を変形形状とすることによって、インサート樹脂モールド６０封止時の樹脂がその変形部位を通り難くなるので、被覆内部への樹脂の浸入をより防止することができる。
【００３９】
次に、図９に示す電子部品の電磁シールド構造５０−３としても良い。この電磁シールド構造５０−３は、ＧＮＤリードフレーム５１ｂ先端部の箱型展開部５１ｂ１で各電子部品５１〜５５を周回して被覆する際に、信号リードフレーム５１ａと対向する位置で当該箱型展開部５１ｂ１をその周回方向と反対方向へ折り返して折り返し部５１ｂ４を形成した後、この周回する先端部分が信号リードフレーム５１ａと対向する位置まで到達するようにしたものである。
【００４０】
この構造においても、ＧＮＤリードフレーム５１ｂと信号リードフレーム５１ａとの対向部位が複数層に並列する構成となるので、インサート樹脂モールド６０封止時の樹脂が通り難くなり、これによって被覆内部への樹脂の浸入をより防止することができる。
【００４１】
更に、この他、ラビリンス構造におけるＧＮＤリードフレーム５１ｂの対向する平行面の間に図１０に示すように絶縁部材６２ａ，６２ｂを嵌合した構造としても良い。この電子部品の電磁シールド構造５０−４は、ＧＮＤリードフレーム５１ｂの箱型展開部５１ｂ１の周回先端部分における対向する平行面の間に所定間隔開けて配置される信号リードフレーム５１ａと、それら対向する平行面との間に、絶縁部材６２ａ，６２ｂを挟み込んだものである。その絶縁部材６２ａ，６２ｂの挟み込みは密閉状態に行うのが好ましい。
【００４２】
この構造によれば、各電子部品５１〜５５を被覆する箱型展開部５１ｂ１の先端部分の対向する平行面の間に絶縁部材６２ａ，６２ｂが挟みこまれているので、インサート樹脂モールド６０を行う際に樹脂が被覆内部へ浸入することを防止することができる。なお、この絶縁部材６２ａ，６２ｂを嵌合する構成は、図７〜図９に示す構造に施しても良い。
【符号の説明】
【００４３】
５０，５０−１〜５０−４  電磁シールド構造
５１〜５５  電子部品
５１ａ〜５４ａ  信号リードフレーム
５１ｂ  ＧＮＤリードフレーム
５１ｂ１  箱型展開部（拡がり部）
５１ｂ２  箱型形状部
５１ｂ３ 開口部
５１ｂ４ 折り返し部
６０  インサート樹脂モールド（樹脂）
６２ａ，６２ｂ  絶縁部材
ｋ１〜ｋ８  折り曲げ線
【図１】
0005534335.tif 000002
【図２】
0005534335.tif 000003
【図３】
0005534335.tif 000004
【図４】
0005534335.tif 000005
【図５】
0005534335.tif 000006
【図６】
0005534335.tif 000007
【図７】
0005534335.tif 000008
【図８】
0005534335.tif 000009
【図９】
0005534335.tif 000010
【図１０】
0005534335.tif 000011