(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上の５０〜９９質量％と、
（Ｂ）炭酸グリセロールの１〜５０質量％とからなることを特徴とするレジスト剥離剤。
【請求項２】
前記（Ａ）が炭酸エチレン及び炭酸プロピレンから選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離剤。
【請求項３】
（Ａ）炭酸エチレンの２０〜８０質量％と、炭酸プロピレンの５〜３０質量％と、  （Ｂ）炭酸グリセロールの５〜５０質量％とからなることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離剤。
【請求項４】
（Ａ）炭酸エチレンの５５〜７５質量％と、炭酸プロピレンの５〜２５質量％と、  （Ｂ）炭酸グリセロールの１０〜３０質量％とからなることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離剤。
【請求項５】
請求項１記載のレジスト剥離剤全体の１００質量部に対し、水を３０質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。
【請求項６】
請求項２記載のレジスト剥離剤全体の１００質量部に対し、水を３０質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。
【請求項７】
請求項３記載のレジスト剥離剤全体の１００質量部に対し、水を３０質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。
【請求項８】
請求項４記載のレジスト剥離剤全体の１００質量部に対し、水を３０質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。
【請求項９】
６０℃における粘度が１０ｃＰ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載のレジスト剥離剤。
【請求項１０】
引火点が１００℃以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載のレジスト剥離剤。
【請求項１１】
引火点が１００℃以上であることを特徴とする請求項９記載のレジスト剥離剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板やガラス基板に金属配線パターンを形成するフォトリソグラフィ工程において、エッチング操作後のレジスト被膜を剥離するために用いられるレジスト剥離剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ノボラック樹脂からなるレジスト被膜の剥離剤として、アミン系のレジスト剥離剤が用いられている。このアミン系のレジスト剥離剤としては、例えばモノエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミン類に、ジメチルスルホキシドのような水溶性有機溶媒と水を添加した多成分のレジスト剥離剤が知られている。（例えば、特許文献１参照。）【０００３】
これらのアミン系のレジスト剥離剤は、ノボラック樹脂と感光剤との架橋点を切断するとともに感光剤や樹脂と塩を形成する。その結果、レジスト被膜が可溶化して基板から剥離する。
しかし、これらの多成分のアミン系のレジスト剥離剤の成分には、低沸点成分が多く、かつ各成分の蒸気圧がそれぞれ異なる。そのため使用中の各成分の蒸発量が異なることで、使用中に組成が変動し、剥離性能が低下するという問題がある。また、繰り返し使用しているとレジスト剥離剤中のレジスト剥離物の溶解量が増加するためこのレジスト剥離物の影響により剥離性能が低下するという問題がある。さらに、アミン系のレジスト剥離剤は、銅配線に対する腐食性が大きく、配線パターンのファイン化がさらに進んだ場合に断線等の原因となるおそれもある。【０００４】
アミン系のレジスト剥離剤以外のレジスト剥離剤としては、例えば、炭酸エチレンと炭酸プロピレンを主成分とするレジスト剥離剤や炭酸エチレンとγ-ブチロラクトンを主成分とするレジスト剥離剤が知られている。これらのレジスト剥離剤においては、レジスト剥離後のレジスト剥離物が溶解した液にオゾン含有ガスを吹き込んでレジスト剥離物のみを分解した後、レジスト剥離剤をリユースすることも知られている。（例えば、特許文献２、特許文献３参照。）
また、シクロヘキサノンと酢酸ブチルとを混合したレジスト剥離剤も知られている。（例えば、特許文献４参照。）【０００５】
一般にレジスト剥離剤には、優れた剥離性能、金属配線、特に銅配線に対する腐食性のないこと、加温下での作業を考慮して引火点が高く安全性の高いこと、などが求められる。
また、フォトリソグラフィ工程では、エッチング後のレジスト剥離工程に続いてリンス工程が行われる。リンス工程では、基板に付着したレジスト剥離剤を純水で洗浄除去する。この純水によるリンス工程で、レジスト剥離剤中に溶解しているレジスト剥離物が基板表面に析出したり、レジスト剥離剤中に分散しているレジスト剥離物の微粒子が基板表面に再付着したりするという問題がある。
このようなレジスト剥離物の基板表面への析出や再付着を防ぐには、高圧の純水シャワーなどにより基板に物理的な力を加えながら長時間リンスを行う方法や、純水によるリンス工程に先立って水溶性の有機溶剤によるリンスを行う方法などの方法がとられる。しかし、いずれの方法も生産性や作業性を損なうという問題がある。特に、後者の方法では、リンスに用いた純水の処理のほかにリンスに用いた水溶性の有機溶剤の処理の問題も生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２９１１７９２号明細書
【特許文献２】特許第３９１４８４２号明細書
【特許文献３】特許第４８８３９７５号明細書
【特許文献４】特許第４４７５６６４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる問題を解消するためになされたもので、優れたレジスト剥離性能を有するとともに、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤の提供を目的とする。
本発明の他の目的は、このレジスト剥離剤において、金属配線、特に銅配線に対する腐食性がないレジスト剥離剤の提供を目的とする。さらに、リユースが可能なレジスト剥離剤の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、従来のレジスト剥離剤における上記問題を解消すべく鋭意研究を進めた結果、従来からレジスト剥離剤として用いられている炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上に、炭酸グリセロールを添加することにより、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着がなくなることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上に、炭酸グリセロールを添加してなる、純水リンスの際に、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤を提供しようとするものである。【０００９】
本発明のレジスト剥離剤の第１の実施形態は、（Ａ）炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上の５０〜９９質量％と、（Ｂ）炭酸グリセロールの１〜５０質量％とからなることを特徴とする。
なお、本明細書において、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上の化合物を、「（Ａ）成分」、炭酸グリセロールを「（Ｂ）成分」ということがある。
本発明のレジスト剥離剤の第２の実施形態は、第１の実施形態において、（Ａ）成分が炭酸エチレン及び炭酸プロピレンから選ばれる１種以上であることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第３の実施形態は、第１の実施形態において、炭酸エチレンの２０〜８０質量％と、炭酸プロピレンの５〜３０質量％と、（Ｂ）炭酸グリセロールの５〜５０質量％とからなることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第４の実施形態は、第１の実施形態において、炭酸エチレンの５５〜７５質量％と、炭酸プロピレンの５〜２５質量％と、（Ｂ）炭酸グリセロールの１０〜３０質量％とからなることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第５乃至第８の実施形態は、第１乃至第４のいずれかの実施形態の１００質量部に対して水を３０質量部以下含むことを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第９及び第１０の実施形態は、第１乃至第８の実施形態において６０℃における粘度が１０ｃＰ以下であることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第１１の実施形態は、第１乃至第１０の実施形態において引火点が１００℃以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のレジスト剥離剤は、剥離性能に優れる。また、レジスト剥離後に直接純水でリンスしても、基板表面にレジスト剥離物が析出することがなく、再付着することがない。
さらに、銅配線やアルミ配線に対する腐食作用がない。また、低沸点成分を含まないので使用中に成分組成が変化することがないので、レジスト剥離剤を加熱してレジスト被膜の剥離を行う場合でも安全である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例の基板にレジスト剥離物の析出又は付着がない状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図２】比較例の基板にレジスト剥離物の析出又は付着がある状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図３Ａ】本発明の実施例に用いた試料を模式的に示した平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示した試料を模式的に示した側面図である。
【図４Ａ】本発明の実施例に用いた試料を模式的に示した平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示した試料を模式的に示した側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態は、（Ａ）炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上の５０〜９９質量％と、（Ｂ）炭酸グリセロールの１〜５０質量％とからなる。
【００１３】
この実施形態に用いられる化合物は以下の表１のようなものである。
なお、例えば工場のクリーンルームにおける通常の作業環境温度は２２〜２７℃であるので、以下の説明における「室温」は、この温度範囲をいう。
【表１】
0005437541.tif 000002
【００１４】
本実施形態のレジスト剥離剤は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分ともに、分子構造に五員環構造を有している。そして、この五員環を構成する炭素原子の一つがカルボニル基を構成する共通の分子構造を有している。そのため相溶性がよく、容易に混合することができる。また、レジスト被膜、特にノボラック樹脂からなるレジスト被膜に対する溶解性が高く、レジスト剥離性能に優れている。
（Ａ）成分は、それぞれレジスト剥離剤として知られているものである。しかし、（Ａ）成分だけでは、基板のレジスト被膜を剥離した後、直接純水でリンスしたときに溶解しているレジスト剥離物が基板表面に析出したり、再付着したりするおそれがある。
（Ｂ）成分は、このレジスト剥離物の析出や再付着を防止する作用をする。
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の配合割合は、（Ａ）成分５０〜９９質量％、（Ｂ）成分１〜５０質量％であるが、好ましくは（Ａ）成分５０〜９５質量％、（Ｂ）成分５〜５０質量％、より好ましくは、（Ａ）成分７０〜９０質量％、（Ｂ）成分１０〜３０質量％、である。
表１に示されるように、（Ｂ）成分は（Ａ）成分と比較して粘度が高い。そのため、作業上低粘度のレジスト剥離剤を必要とする場合には、（Ａ）成分の割合を適宜多くすることが望ましい。
【００１５】
第１の実施形態において、（Ａ）成分の割合が５０質量％未満だと、レジスト被膜に対する剥離作用が低くなるとともに、（Ｂ）成分の割合が過大となって粘度が高くなる。その結果、処理温度が高くなるなど作業性に問題が生じるようになる。また、（Ａ）成分の割合が９９質量％を超えると（Ｂ）成分の割合が過小になって、基板のレジスト被膜を剥離した後に直接純水でリンスしたときに基板表面にレジスト剥離物が析出したり、再付着したりする可能性が生じる。
【００１６】
炭酸グリセロールの添加により、リンス工程におけるレジスト剥離物の微粒子の析出やレジスト剥離物の再付着が抑制される理由は必ずしも明らかではない。しかし、（Ａ）成分に（Ｂ）成分を添加したレジスト剥離剤は、（Ａ）成分単独のレジスト剥離剤と比較して基板に対する接触角が小さくなっていることから、レジストに対する親和性が高くなっていることが推測されている。このことが、純水でリンスされたときにレジスト剥離物を析出しにくくなっている原因であると考えられる。
【００１７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態のレジスト剥離剤は、（Ａ）成分として炭酸エチレンを用いるものである。この実施形態は、第１の実施形態の（Ａ）成分が炭酸エチレンとされているだけで、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の好ましい割合、より好ましい割合は第１の実施形態と同じである。
【００１８】
なお、この実施形態では、炭酸エチレンが８０質量％以上になると、常温では、炭酸エチレンが溶解しきれずに析出するようになる。したがって、この場合には、炭酸エチレンが溶解する温度まで加温して使用する必要がある。
【００１９】
（第３及び第４の実施形態）
第３及び第４の実施形態は、第１の実施形態において、(Ａ)成分として炭酸エチレン及び炭酸プロピレンを所定の割合で用いるものである。
この実施形態のレジスト剥離剤の炭酸エチレンの含有割合は、２０〜８０質量％、より好ましくは５５〜７５質量％であり、炭酸プロピレンの含有割合は、５〜３０質量％、より好ましくは５〜２５質量％である。（Ａ）成分としての炭酸エチレンと炭酸プロピレンの合計量と（Ｂ）成分との割合は、第１の実施形態と同じである。
【００２０】
炭酸エチレンの含有割合が７５質量％以下であると融点が１５℃以下となり、室温で液体となって計量が容易になる等、作業性を向上させることができる。
【００２１】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の好ましい割合やその理由は第１の実施形態について説明したところと同じである。
【００２２】
（第５乃至第８の実施形態）
第５乃至第８の実施形態は、第１乃至第４のいずれかの実施形態のレジスト剥離剤１００質量部に対して水を３０質量部以下添加したものである。
第１乃至第４の実施形態のレジスト剥離剤は、低沸点成分を含まないため、常温や比較的低い温度に加温しての作業には、格別の、火災に対する配慮は不要である。しかし、より高い温度での剥離作業の際には、蒸気の発生に対する配慮が必要である。
第５乃至第８の実施形態は、第１乃至第４の実施形態のレジスト剥離剤に、さらに水を添加することにより引火点を高くし、加熱作業の際の安全性をより高くしたものである。
【００２３】
この実施形態のレジスト剥離剤の水の添加量は、レジスト剥離剤全体の１００質量部に対して、３０質量部以下、より好ましくは１０〜２５質量部である。
水の添加量が３０質量部を超えると、十分なレジスト剥離性能を得られないおそれがあり、１０質量部より少ないと、引火点の上昇の程度が小さいものとなる。
【００２４】
（第９及び第１０の実施形態）
第９及び第１０の実施形態は、レジスト剥離剤の６０℃における粘度が、１０ｃＰ以下であることを特徴としており、好ましくは５ｃＰである。
本発明の（Ｂ）成分は粘度が高いので、（Ｂ）成分の配合量が多い場合には、粘度が高くなり、作業に支障をきたす場合が考えられる。このような場合には、加熱して粘度を上記範囲にまで低くして剥離作業を行うことが望ましい。
【００２５】
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではない。、本発明の効果を損なわない範囲で、他の添加物、例えば少量の水溶性の有機溶媒を添加することなども可能である。
【００２６】
また、本発明の各成分は、五員環の基本構造を有するため、オゾン酸化に対して耐性が強い。そのため、レジストを溶解した使用済みの剥離剤にオゾン含有ガスを吹き込んで、不純物を分解除去し清浄化した上でリユースすることも可能である。
【００２７】
また本発明のレジスト剥離剤はアミン系の化合物を使用しないため、銅配線やアルミ配線に対する腐食性もない。
【００２８】
なお、第２乃至第４の実施形態では、炭酸エチレン及び/又は炭酸プロピレンを（Ａ）成分として用いた例について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。（Ａ）成分として、γ−ブチロラクトンやシクロペンタノンを用いた場合にも同様の効果を得ることができる。
【実施例】
【００２９】
次に本発明の実施例について説明する。
なお、以下の記号は次の物質を示している。
ＥＣ：炭酸エチレン
ＰＣ：炭酸プロピレン
ＧＣ：炭酸グリセロール
ＧＢＬ：γ−ブチロラクトン
ＣＰ：シクロペンタノン
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＰＦＡ:四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体【００３０】
（レジスト剥離剤の評価１）
模擬実験１（レジスト許容濃度の評価）
表２の混合割合で調整した試料（レジスト剥離剤）について、以下のように剥離レジスト溶解剥離剤(以下、「レジスト溶解液」という。)を調整したのち、レジスト許容濃度の評価を行った。レジスト許容濃度の評価において、リンス後の基板表面に図１に示す光学顕微鏡写真のように析出物又は付着物が生じない最大の濃度を測定し、この濃度をレジスト許容濃度とした。析出物又は付着物が生じた場合の光学顕微鏡写真を図２に示す。【００３１】
[レジスト溶解液の調整]
ガラスシャーレ（商品名／フラットシャーレ（アズワン（株）社製））にノボラック樹脂系ポジ型レジスト（商品名／ＺＰＰ−１８００−１５（日本ゼオン（株）社製））を１ｍＬ滴下し、薄膜としたものをプリベーク１１０℃で５分、ポストベーク１３０℃で５分行い硬化させた。
評価対象の試料（レジスト剥離剤）に、硬化させたノボラック樹脂系ポジ型レジストを溶解させ、各種濃度のレジスト溶解液を調整した。
[レジスト許容濃度の評価]
ホットスターラーで６０℃に加温した評価対象の各種濃度のレジスト溶解液１００ｍＬにガラス基板（ＣＯＲＮＩＮＧ社製、商品名：イーグル２０００、１０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）を６０秒間浸漬し、次いで常温の純水(静水)中に６０秒間浸漬してリンスし、リンス後窒素ガスで乾燥させた。１０倍の光学顕微鏡（オリンパス社製、商品名：工業用検査顕微鏡ＭＸ５１）で基板表面を観察し、基板表面の析出物又は付着物の有無を確認した。
試料（レジスト剥離剤）１〜３３について、以下のようにレジスト許容濃度を評価した。【００３２】
［評価］
レジスト許容濃度：
１．０質量％以上                  …Ａ
０．３質量％以上１．０質量％未満  …Ｂ
０．１質量％以上０．３質量％未満  …Ｃ
０．１質量％未満                  …Ｄ
なお、工業的には、レジスト許容濃度が０．１質量％程度以上のレジスト剥離剤であれば純水リンスの際に残渣物が発生することがなく実用的である。【００３３】
また、試料（レジスト剥離剤）１〜３３について、以下のように粘度を評価した。
［粘度の評価］
評価対象の試料（レジスト剥離剤）を６０℃に加温し、回転式粘度計（ＣＢＣ社製、商品名：Ｖｉｓｃｏｍａｔｅ  Ｍｏｄｅｌ  ＶＭ−１０Ａ［円柱直径３．５ｍｍ］）を用いて粘度を測定した。
粘度：
５ｃＰ未満            …Ａ
５ｃＰ〜１０ｃＰ未満  …Ｂ
１０ｃＰ以上          …Ｃ【００３４】
以上の結果を、試料（レジスト剥離剤）の組成とともに表２に示す。
なお、試料２〜２９は実施例であり、試料１及び試料３０〜３３は比較例である。【００３５】
【表２】
0005437541.tif 000003
（レジスト剥離剤の評価２）
ＥＣ：ＰＣ：ＧＣ＝６５：１５：２０の混合物１００質量部に、表３に示す割合で水を添加した試料（レジスト剥離剤）３４〜３８を調整し、上記したものと同じようにレジスト許容濃度、粘度を評価し、次のように引火性を評価した。【００３６】
［引火性の評価］
評価対象の試料（レジスト剥離剤）について、クリーブランド開放式を採用し、消防法危険物確認試験マニュアルに準拠して引火点の測定及び引火性の評価を行った。
引火性なし        …Ａ
引火点１００℃以上…Ｂ
結果を表３に示す。
なお、試料３４〜３８は実施例である。【００３７】
【表３】
0005437541.tif 000004
【００３８】
表２、３より、実施形態のレジスト剥離剤は、レジスト許容濃度が高いことが分かる。したがって、実施形態のレジスト剥離剤では、純水リンスの際の残渣物の発生が極めて抑制される。表３より、水を添加した実施形態のレジスト剥離剤は、引火点が高く、特に、水を所定の割合以上含有した試料３７及び試料３８は引火性がないことが分かる。したがって、水を添加した実施形態のレジスト剥離剤は、より安全性に優れるものとできる。
また、実施形態のレジスト剥離剤では、本発明の割合でＥＣ、ＰＣ及びＧＣを含有するため、６０℃における粘度も低く作業性に優れることが分かる。【００３９】
（レジスト剥離剤の評価３）
模擬実験２(レジスト剥離性能の評価)
[試料の作製]
図３Ａは模擬試験２に用いた試料の平面図である。図３Ｂは同側面図である。
図３Ａにおいて、３０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板１（商品名／イーグル２０００  （ＣＯＲＮＩＮＧ社製））にノボラック樹脂系ポジ型レジスト（商品名／ＺＰＰ−１８００−１５（日本ゼオン（株）社製））を２μｍの膜厚でスリット塗布し、これをプリベーク(１１０℃で５分)、ポストベーク(１３０℃で５分)して硬化させた。
次に、このガラス基板１のレジスト塗布部２のほぼ中央に幅  １９．０ｍｍ、厚さ  ０．０６ｍｍのポリイミドテープ３（商品名／ＡＰＩ−１１４（チューコーフロー社製））を長さ方向に貼り付けて試料とした。
貼り付けたポリイミドテープ３の幅方向の片側寄りに長さ方向にガラス基板１表面に到達する深さで切り込みを入れて外側部分のテープを除去し、図３Ａ、図３Ｂに示すように、テープの切断線（符号３と２の境界線)を浸入距離のスタートラインとした。【００４０】
１．５Ｌ石英ビーカーに試料の３００ｍＬを入れ、ホットスターラーを用いて２００ｒｐｍで攪拌しながら、液温を５０℃に保持した。ＰＦＡで作製した冶具に評価サンプルを３枚セットし、評価対象の試料中に１分間浸漬した。次に浸漬後の評価サンプルを、１８ＭΩ・ｃｍの純水にて洗浄し、窒素ガスで乾燥した。
図４Ａは浸漬後の評価サンプルの平面図であり、図４Ｂは同側面図である。
乾燥処理後、図４Ａ、図４Ｂに示されるような評価サンプルの、ポリイミドテープ３を剥がし、ポリイミドテープの表面を光学顕微鏡で１０倍の倍率にて観察し、レジスト剥離剤の侵入距離Ｓを測定して剥離性能の指標とした。浸入距離Ｓは、評価サンプル１枚あたり５箇所、計１５箇所で測定し、その平均値を浸入距離とした。
実験の結果を表４に示す。
なお、試料３９、４０は実施例であり、試料４１〜４３は比較例である。【００４１】
【表４】
0005437541.tif 000005
【００４２】
表４より、ＧＣを含む試料（試料３９及び試料４０）が、ＥＣのみ（試料４１）やアミン（試料４３）と同等のレジスト剥離性能を有することが分かる。
なお、表４において、試料３９は試料３４と同じ組成であり、試料２は試料３８と同じ組成である。【００４３】
（レジスト剥離剤の評価４）
［金属配線に対する腐食性評価］
ガラス基板にＣｕ及びＡｌをスパッタリングした模擬金属配線試料を６０〜８０℃に加温した評価対象の試料（レジスト剥離剤）２００ｇ中に撹拌下で１００分間浸漬させた。浸漬後、試料（レジスト剥離剤）中に溶出した金属量をＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置）で測定し、その結果からＣｕ、Ａｌの１分間あたりのエッチングレートを求めた。
結果を表５に示す。
なお試料４４、４５は実施例であり、試料４６は比較例である。【００４４】
【表５】
0005437541.tif 000006
【００４５】
表５よりＥＣ：ＰＣ：ＧＣを６５：１５：２０で含有した試料（レジスト剥離剤）４４及びＥＣ：ＰＣ：ＧＣ：水を５０：１５：１５：２０の割合で含有した試料（レジスト剥離剤）４５は一般的なアミン系剥離剤に比べＣｕ、Ａｌに対する腐食性がそれぞれ低いことが分かる。
【符号の説明】
【００４６】
１…ガラス基板、２…レジスト塗布部、３…ポリイミドテープ、４…レジスト塗布部、Ｓ…浸入距離。
【要約】
レジスト剥離剤としての優れたレジスト剥離性能を有するとともに、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤を提供すること。さらに、金属配線、特に銅配線に対する腐食性がなく、リユースが可能なレジスト剥離剤を提供すること。（Ａ）炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる１種以上の５０〜９９質量％と、（Ｂ）炭酸グリセロールの１〜５０質量％とからなることを特徴とするレジスト剥離剤。【図１】
0005437541.tif 000007
【図２】
0005437541.tif 000008
【図３Ａ】
0005437541.tif 000009
【図３Ｂ】
0005437541.tif 000010
【図４Ａ】
0005437541.tif 000011
【図４Ｂ】
0005437541.tif 000012