(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを提供する照明系と、
放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、
を備えるリソグラフィ装置であって、
穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備え、
前記拡散部材が前記穴部内に位置しており、
前記拡散部材が前記穴部から突出しておらず、
前記穴部がテーパ状エッジを有し、
放射ビームが前記テーパ状エッジに入射する前に前記拡散部材を通過するよう、前記拡散部材が前記テーパ状エッジの上流に位置しており、
前記穴部は、前記マスキングブレードが移動不可能な方向よりも、前記マスキングブレードが移動可能な方向の方が短いことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記マスキングブレードは、当該リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが前記投影系を通過する開口部を閉じることができる寸法を有することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記マスキングブレードが第１の位置にあるときに放射が前記開口部を通過して前記投影系に入射せず、前記マスキングブレードが第２の位置にあるときに放射が前記穴部および前記開口部を通過して前記投影系に入射するよう、前記穴部が前記マスキングブレードにおいて位置付けられることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記穴部が複数の穴部の一つであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記マスキングブレードが一対のマスキングブレードの一方であり、該一対のマスキングブレードは、異なるサイズおよび／または異なる数の穴部が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
一方のマスキングブレードは、アライメント測定用に拡散放射を提供するために用いられる一つ以上の穴部が備えており、他方のマスキングブレードは、放射ビームの特性測定用の拡散放射を提供するために用いられる一つ以上の穴部を備えていることを特徴とする請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
少なくとも一つの穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とを備えるパターニングデバイスマスキングブレードであって、
前記穴部は、前記マスキングブレードが移動不可能な方向よりも、前記マスキングブレードが移動可能な方向の方が短いことを特徴とするパターニングデバイスマスキングブレード。
【請求項８】
リソグラフィ装置のパターニングデバイスマスキングブレードを、パターニング手段からのパターンを基板上に投影するために用いられる、前記マスキングブレードがエッジを放射ビームに当てる第１の位置から、前記マスキングブレードが放射ビームの大部分を遮断するが、放射ビームの一部が拡散部材を備える穴部を通過することを可能とする第２の位置に移動するステップと、それから前記リソグラフィ装置の投影系を超えて位置するセンサを用いて放射ビームを測定するステップとを備え、
前記穴部は、前記マスキングブレードが移動不可能な方向よりも、前記マスキングブレードが移動可能な方向の方が短いことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記センサは、放射ビームの特性を測定するため、または、基板テーブルに対する前記パターニング手段のアライメントを測定するために用いられることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記リソグラフィ装置を用いて前記パターニング手段からのパターンを基板上に投影するステップをさらに備えることを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
放射ビームを提供する照明系と、
放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、
を備えるリソグラフィ装置であって、
穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備え、
前記穴部は、前記マスキングブレードが移動不可能な方向よりも、前記マスキングブレードが移動可能な方向の方が短いことを特徴とするリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の個々の層に対応する回路パターンを形成するために使用され、そしてこのパターンが放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えばシリコンウエハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイを含む）目標部分に結像される。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。周知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（「走査」方向）にビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向に平行または逆平行に同期して走査するようにして各目標部分は照射を受ける。
【０００３】
マスクまたはレチクルのパターンを基板上に投影するために（例えば、パターンを投影するために用いられる投影系の特性を測定するために）、リソグラフィ装置により用いられる放射ビームの特性をモニタすることが望ましい。また、マスクまたはレチクルと基板（または基板テーブル）とのアライメントをモニタできることが望ましい。放射ビームの特性の測定およびアライメントのモニタに用いられるセンサは、ビーム特性の検出を可能としたり、要求精度でのアライメントのモニタを可能とするために、放射ビームが拡散することを要求する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、従来とは異なる方法で拡散放射が生成されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、放射ビームを提供する照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を支持する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系とを備えるリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、穴部と、穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備える。
【０００６】
本発明の第２の態様によれば、少なくとも一つの穴部と、穴部に位置する拡散部材とを備えるパターニングデバイスマスキングブレードが提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様によれば、リソグラフィ装置において測定を実施する方法が提供される。この方法は、パターニングデバイスマスキングブレードを、パターニング手段からのパターンを基板上に投影するために用いられる、マスキングブレードがエッジを放射ビームに当てる第１の位置から、マスキングブレードが放射ビームの大部分を遮断するが、放射ビームの一部が拡散部材を備える穴部を通過することを可能とする第２の位置に移動するステップと、それからリソグラフィ装置の投影系を超えて位置するセンサを用いて放射ビームを測定するステップとを備える。
【０００８】
本発明のさらなる特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。これらの実施形態は、単に説明のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる技術に基づくさらなる実施形態は、当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
添付の図面は、ここに組み込まれ、本明細書の一部を構成しているが、明細書と共に本発明を説明し、さらに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を利用するのに役立つものである。
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１１】
【図２】本発明の実施形態に係るパターニングデバイスマスキング装置の第１の配置を示す図である。
【００１２】
【図３】パターニングデバイスマスキング装置の別の配置を示す図である。
【００１３】
【図４】パターニングデバイスマスキング装置の第１マスキングブレードを示す図である。
【００１４】
【図５】パターニングデバイスマスキング装置のさらに別の配置を示す図である。
【００１５】
【図６】パターニングデバイスマスキング装置の第２マスキングブレードを示す図である。
【００１６】
【図７】パターニングデバイスマスキング装置のさらに別の配置を示す図である。
【００１７】
本発明の特徴および効果は、図面とともに以下の詳細な説明から明らかになる。図面では、類似の参照文字は、明細書全体を通して対応する構成要素を特定する。図面において、類似の参照番号は、通常、同一の、機能的に類似、および／または構造的に類似の構成要素を示す。構成要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の一番左の数字により特定される。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００１９】
本明細書において「一実施形態」、「実施形態の一実施例」とは、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。
【００２０】
ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン（guidance and detection pattern）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、「ウェハ」または「ダイ」という用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である「基板」または「目標部分」とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具）または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。
【００２１】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、さらにイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。
【００２２】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンが、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。
【００２３】
パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフト（alternating phase-shift）マスク、ハーフトーン型位相シフト（attenuated phase-shift）マスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。プログラム可能なミラーアレイの例では、小型ミラーがそれぞれ個別に傾斜して入射する放射ビームを異なる方向に反射させることが可能な、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。このようにして、反射されたビームにパターンが付与される。
【００２４】
支持構造は、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、バキューム、または真空条件下での静電気クランプなどの他の固定技術を使用することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニングデバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなしてよい。
【００２５】
本明細書で使用される「投影系」という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
【００２６】
照明系は、放射ビームの進行方向を決め、成形し、または制御するための屈折光学部品、反射光学部品、または反射屈折光学部品を含む様々な種類の光学部品で構成されており、このような部品は、以下において集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ばれることもある。
【００２７】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプ（デュアルステージ）であっても、より多数の基板テーブル（および／または二つ以上の支持構造）を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。
【００２８】
リソグラフィ装置は、投影系の最終構成要素と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体（例えば、水）の中に基板が浸されているタイプの装置であってもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増大する技術として周知である。
【００２９】
図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、以下の要素を含む。
−放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整する照明系（照明器）ＩＬ。
−パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、要素ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするよう第１位置決め装置ＰＭに接続される支持構造（例えば、支持構造）ＭＴ。
−基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するための基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴ。基板テーブルWTは、ＰＬに対して基板を正確に位置決めするために第２位置決め装置ＰＷに接続される。
−基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイからなる）に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンをイメージングするように構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬ。
【００３０】
図示するように、リソグラフィ装置は透過型（例えば、透過型マスクを使用）である。代替的に、リソグラフィ装置は反射型（例えば、上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを使用）であってもよい。
【００３１】
照明器ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラー（directing mirror）および／またはビーム・エキスパンダを備えるビーム伝送系ＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明器ＩＬに放射ビームが渡される。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。放射源ＳＯと照明器ＩＬ、必要であればビーム伝送系ＢＤを合わせて、放射系と称してもよい。
【００３２】
照明器ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節する調節手段ＡＭを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および／または内径範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよび集光器ＣＯ等の様々な他の構成要素を通常備えている。照明器は、パターニングデバイスマスキング装置ＲＭを含む。パターニングデバイスマスキング装置ＲＭは、放射ビームのエッジを調整するために用いることのできるマスキングブレードが設けられている（下記においてさらに説明する）。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有する調節された放射ビームＰＢを提供する。放射ビームの特性（例えば、収差）は、基板テーブルＷＴに位置するセンサＢＳを用いて測定されてもよい。
【００３３】
放射ビームＰＢは、支持構造上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを横切ると、ビームＰＢはレンズＰＬを通過し、そこでビームが基板Ｗの目標部分Ｃに合焦される。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例えば異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置することができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示せず）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に配置することができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭおよびＰＷの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）と短ストロークモジュール（微細な位置決め）を用いて達成することができる。しかしながら、ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、支持構造ＭＴが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを用いて、パターニングデバイスＭＡと基板Ｗを位置合わせしてもよい。パターニングデバイスＭＡは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板テーブル上に設けられたアライメントセンサＡＳを用いて、基板テーブルＷＴに位置あわせしてもよい。
【００３４】
図示する装置は、以下の好適なモードで使用することができる。
【００３５】
１．ステップモードでは、支持構造ＭＴと、基板テーブルＷＴとが本質的に静止状態を保つ一方、ビームＰＢに与えられたパターン全体が目標部分Ｃ上に一度に投影される（つまり、単一の静的露光）。続いて、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Ｃのサイズが制限される。
【００３６】
２．走査モードでは、支持構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期して走査される一方、ビームＰＢに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
【００３７】
別のモードでは、支持構造ＭＴは、プログラム可能なパターニングデバイスを基本的に静止状態で保持し続け、基板テーブルＷＴは移動または走査される一方、ビームＰＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、プログラム可能なパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラム可能なミラーアレイのタイプなどのプログラム可能なパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００３８】
上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。
【００３９】
図２は、下方から見たパターニングデバイスマスキング装置ＲＭを概略的に示す。パターニングデバイスマスキング装置ＲＭは、支持構造２と、第１マスキングブレード４と、第２マスキングブレード６とを備える。マスキングブレード４，６は、アクチュエータ８に接続されている。アクチュエータ８は、マスキングブレードをｙ方向に移動するよう構成されている。支持構造２は、リソグラフィ装置の動作の間に放射ビーム（図示せず）が通過する開口部１０が設けられている。放射ビームのｙ方向のエッジは、マスキングブレード４，６を用いて調整される。これは、図３に説明されている。図３は、マスキングブレード４，６のエッジが、放射ビームのｙ方向のエッジを規定するように開口部１０にオーバーラップしている様子を示す。放射ビームのｙ方向のサイズは、照明系ＩＬ内のフィールド規定素子（図示せず）により決定される。しかしながら、放射ビームのｙ方向のエッジはシャープでなくてよく、マスキングブレード４，６がこれらのエッジにシャープさ（sharpness）を与えることができる。マスキングブレード４，６により与えられるエッジの位置は、マスキングブレード４，６のｙ方向の移動により調整可能である。
【００４０】
第１マスキングブレード４には、２つの穴部１２が設けられており、第２マスキングブレード６には５つの穴部１４が設けられている。図４は、第１マスキングブレード４の断面を示す。穴部１２の一つを図４に見ることができる。穴部１２には水晶板１６が設けられている（例えば、穴部内に接着されている）。水晶板１６は、拡散性の上面を含む（例えば、サンドブラストやその他の技術を用いた粗い表面が設けられている）。水晶板１６は、凹部１８内に保持されている。凹部１８は、第１マスキングブレード４内に途中まで延びている。凹部１８は、十分に深く、水晶板１６が第１マスキングブレード４から突き出ることはない。水晶板１６の下方に位置する穴部１２の部分は、テーパ状エッジ２０が設けられている。テーパ状エッジ２０は、穴部１２を通過する放射にシャープなエッジを与えるよう機能する。これにより、投影系ＰＬ（図１参照）における半影（penumbra）の発生が最小限に抑えられる。第１マスキングブレードはまた、同じ理由により、その最内部にテーパ状エッジ２２を備える。
【００４１】
使用の際、レチクルからのパターンを基板上に投影する間に、マスキングブレード４，６は、放射ビームのｙ方向のエッジを規定するように図３に示すように位置することができる。しかしながら、マスキングブレードの位置は、アライメント測定や放射ビームの特性の測定のときに変化する。図５に示すように、アライメント測定が行われるとき、マスキングブレード４は、それが開口部１０に完全にオーバーラップし、且つ第１マスキングブレード４の穴部１２が開口部１０の真下に位置するように、ｙ方向に移動する。マスキングブレード４は、従って、放射ビームの大部分を遮断するが、放射が穴部１２から投影系１２（図１参照）に通過するのは許可する。開口部１０は、第１マスキングブレード４で隠されているが、その位置を特定するために図５において点線を用いて図示されている。
【００４２】
再度図４を参照すると、放射ビームＰＢが水晶板１６に入射するとき、水晶板の拡散表面は、放射ビームの散乱を引き起こす。散乱は、図４において、水晶板１６から生じる光線として図示されている。３本の光線が放射ビームＰＢの各入射光により生成されている。穴部１２のテーパ状エッジ２０は、散乱放射の一部を遮断する（これは点線により図示されている）。しかしながら、散乱放射のある割合は、穴部１４を通過し、従ってリソグラフィ装置の投影系ＰＬに入り（図１参照）、その結果アライメント測定に用いることができる拡散放射をもたらす。
【００４３】
第１マスキングブレード４は、水晶板１６とともに２つの拡散放射をもたらす２つの穴部１２が設けられている。拡散放射は、例えばレチクルＭＡに設けられたアライメントマークを照射するために用いられ、レチクルアライメントマークと基板テーブルＷＴに設けられたアライメントマークとの位置合わせを容易にする。拡散放射の利用により、非拡散放射の場合（すなわち、拡散水晶板１６が穴部１２に設けられていない場合）と比べてアライメント測定が改善される。
【００４４】
図６は、第２マスキングブレード６の断面を示す。穴部１４の一つを図６に見ることができる。穴部１４は、拡散水晶板３０を保持する凹部２８を含んでいる。穴部１４は、開口部を通過する放射にシャープなエッジをもたらすテーパ状エッジ３２が設けられており、その結果、半影（penumbra）の発生が最小限に抑えられる。また、第２マスキングブレードは、同じ理由により、その最内部にテーパ状エッジ３４を備える。
【００４５】
図７に示すように、第２マスキングブレード６は、開口部１０を覆って、穴部１４を通過する放射のみが投影系ＰＬに入射するように位置することができる（図１参照）。第２マスキングブレード６の５つの穴部１４は、投影系ＰＬに５つの拡散放射源をもたらす。この拡散放射により、基板テーブルＷＴ上に設けられたセンサＢＳは、放射ビームに存在する収差などの放射ビームの特性を測定することができる。
【００４６】
アクチュエータ８は、マスキングブレード４，６を速やかに移動するために用いられる。アクチュエータ８は、例えば、マスキングブレード４，６を図３に示す配置から図５または図７に示す配置に急速に移動させることができる。従って、アクチュエータ８により、穴部１２，１４は放射ビームに急速に導かれ、その後放射ビームから急速に取り除かれる。マスキングブレード４，６は、図５または図７に示す配置に例えば１秒未満以内、場合により１００ｍｓ未満以内で移動することができる。これにより、放射ビームの特性の測定またはアライメント測定を迅速に実行でき、その結果、測定に帰因して生じるリソグラフィ装置のスループットの低下を最小限に抑えることができる。測定は、例えば新たな基板Ｗが投影系ＰＬの真下に導かれるたびに実行されてよい（図１参照）。
【００４７】
測定の実行が可能な配置へのマスキングブレード４，６の移動は、少なくとも一部の従来技術の構成よりも迅速に実行できる。例えば、別々になった拡散器の放射ビーム中への移動は、マスキングブレード４，６の測定用の配置への移動よりも遅い可能性がある。これは、例えば別々になった拡散器がマスキングブレードよりも大きな質量を有するため、および／または、アクチュエータ８が急速な移動をもたらすよう構成されているためである。本発明の実施形態により、例えば放射ビームの特性の測定をパターニングレチクルＭＡをその運用位置（すなわち、図１に示す位置）から移動させることなく行うことができる。
【００４８】
迅速な測定を促進するのに加えて、本発明の実施形態はまた、照明系ＩＬ内に余分な空間を必要としないという利点をもたらす。マスキングブレードは、放射ビームのｙ方向のエッジ調整を可能とするために、既に従来より照明系内に設けられている。それ故、本発明の実施形態は、追加的な体積を占めることはなく、アクチュエータの追加も必要ない。これは、例えば収差またはアライメントを測定するのに、別々になった拡散器を照明系内の別の位置にある放射ビームに導く必要のある構成と比較して有利である。
【００４９】
説明した本発明の実施形態は、第１マスキングブレード４に２つの穴部１２が設けられ、第２マスキングブレード６に５つの穴部１４が設けられているが、任意の数に穴部がどちらのマスキングブレードに設けられてもよい。穴部の形状および／または穴部の数は、穴部からもたらされる拡散放射を用いて行われる測定により定められてもよい。例えば、穴部は、測定を実施するために用いられるセンサＢＡ、ＡＳ上に入射する放射をもたらすよう位置付けられてもよい。穴部１２，１４は、（例えば図に示すように）ｙ方向よりもｘ方向に長くてもよい。マスキングブレード４，６のｙ方向の位置は、アクチュエータ８を用いて制御可能であるが、マスキングブレードのｙ方向の位置は固定されていてもよい。穴部１２，１４をｙ方向よりもｘ方向を長くすることにより、穴部およびセンサのｘ方向の相対的な位置決めにある程度のトレランスがもたらされ、その結果、測定の実行を可能とするために確実にセンサ上に十分な放射を入射させることが容易となる。図示されている穴部１２，１４は長方形であるが、これらは任意の形状であってよい。一般的に、穴部１２，１４は、マスキングブレード４，６が移動可能な方向よりも、マスキングブレード４，６が移動不可能な方向が長くてもよい。
【００５０】
穴部１２，１４は、ｙ方向（すなわち、マスキングブレード４，６が移動可能な方向）に長さを有してもよい。これは、センサＢＳ，ＡＳのｙ方向の長さ以上の基板テーブルにおける領域を照射できるほど十分に大きい。穴部は、例えば１０ｍｍ未満のｙ方向長さであってよく、５ｍｍ未満のｙ方向長さであってよい。放射線照射に帰因して劣化する部位を最小限にするために、照射されるセンサＢＳ，ＡＳの周囲部位を最小化する寸法を穴部１２，１４に与えることが望ましい。例えば、疎水性コーティングがセンサＢＳ，ＡＳ上及びそれらの周囲に設けられてもよい。このコーティングは、放射線照射により時間とともに劣化する可能性がある。照射されるセンサＢＳ，ＡＳの周囲部位を最小化することにより、放射線照射に帰因して劣化するコーティング部位を最小限にすることができる。穴部１２，１４の寸法は、穴部およびセンサの相対的位置決めのトレランスを考慮してもよい。
【００５１】
水晶板１６，３０が穴部１２，１４内のテーパ状エッジ２０，３２の上流に（すなわち、放射がテーパ状エッジを通過する前に水晶板を通過するように）設けられているので、テーパ状エッジによりシャープなエッジが放射に与えられる前に、放射は拡散される。仮に水晶板がテーパ状エッジの下流に設けられた場合、放射が拡散される際に、水晶板は、放射のエッジのシャープさも低下させるであろう。これは、センサＢＳ，ＡＳの近傍の基板テーブルのコーティングに入射する放射の量を増加させ、それらのコーティングの損傷につながるおそれがあるため望ましくない。
【００５２】
穴部１２，１４は、マスキングブレード４，６の少なくとも一方が開口部１０を完全に閉じるのに十分な（すなわち、開口部とオーバーラップする穴部がないような）表面領域を含むよう位置付けられる。
【００５３】
穴部１２，１４は、レチクルＭＡから基板ＷＴ上へパターンを投影できるようマスキングブレード４，６が位置付けられたとき（例えば、図３に示す配置）、開口部１０とオーバーラップしないよう位置付けられてもよい。
【００５４】
図示された水晶板１６，３０は、マスキングブレード４，６から突出していないが、これは本質的な特徴ではなく、水晶板はマスキングブレードから突出してもよい（但し、照明系にこれを収容するスペースが存在する場合）。
【００５５】
穴部１２，１４は、テーパ状エッジ２０，３２が設けられているが、これらは本質的な特徴ではない。穴部１２，１４の内側エッジは、例えばステップ状の終端処理がなされてもよい。これは、穴部により与えられる放射のエッジのシャープさを減らす可能性がある。
【００５６】
説明した実施形態ではマスキングブレード４，６を移動するために１つのアクチュエータ８が用いられているが、２つ以上のアクチュエータが用いられてもよい。
【００５７】
水晶拡散板１６，３０は、拡散性の上面を有するものとして図示されているが、水晶拡散板１６，３０は、加えてまたは代えて、拡散性の下面してもよい。水晶拡散板１６，３０は、放射ビームＰＢを拡散放射に変換する拡散部材として用いられているが、拡散部材は任意の適切な物質であってよい。拡散部材は、拡散部材を通過した放射を用いて測定を行うことができるほど十分な透過性を有していてもよい。拡散部材は、放射の散乱をもたらすを備えてもよい。この粗面は、例えば、サンドブラスティングなどの研磨処理を用いて形成される。拡散部材は、拡散照射をもたらすために、放射を散乱する内部構造をを含んでもよい。拡散部材は、ホログラフィック拡散器を備えてもよい。
【００５８】
２つのマスキングブレード４，６が説明した本発明の実施形態に図示されているが、任意の適切な数のマスキングブレードが設けられてもよい。
【００５９】
説明した本発明の実施形態は、走査式リソグラフィ装置に関するが、本発明は、ステップ式リソグラフィ装置にも適用できる。
【００６０】
図面には、単に本発明の実施形態の説明を容易にするだけのために、直交座標が図示されている。それらは、本発明の特徴が特定の幾何学的配置を有していなければならないことを暗示するものではない。
【００６１】
以上、本発明の具体的な実施形態について説明したが、本発明は上述の説明とは違った方法でも実施できることを理解されたい。上述の説明は、発明を限定することを意図するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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