(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体部、該基体部の上に設けられた枠体部、および該枠体部の上に設けられた蓋体部を含んでいるセラミック構造体と、
該セラミック構造体との同時焼成によって前記基体部の上面に形成されたＷ，ＭｏまたはＭｎを含む第１の導体層を含んでいる第１の電流ヒューズ素子用導体パターンと、
前記セラミック構造体との同時焼成によって前記基体部の前記上面に形成されたＷ，ＭｏまたはＭｎを含む第２の導体層を含んでいるとともに、前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンから離間して設けられた第２の電流ヒューズ素子用導体パターンと、
前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面から前記第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面にかけて前記基体部の前記上面から離間させて設けられ、前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンおよび前記第２の電流ヒューズ素子用導体パターンを電気的に接続している電流ヒューズ素子用めっきパターンとを備えた電流ヒューズ装置。
【請求項２】
前記電流ヒューズ素子用めっきパターンが、前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの前記上面および前記第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの前記上面に形成された第１のめっき層と、該第１のめっき層の上面に形成された第２のめっき層とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の電流ヒューズ装置。
【請求項３】
前記基体部、前記枠体部、および前記蓋体部によって囲まれた空間が、減圧状態であることを特徴とする請求項１記載の電流ヒューズ装置。
【請求項４】
絶縁基体に回路導体および電流ヒューズ部を備えており、
該電流ヒューズ部が、
セラミック層と、
該セラミック層との同時焼成によって該セラミック層の上面に形成されたＷ，ＭｏまたはＭｎを含む第１の電流ヒューズ素子用導体パターンと、
前記セラミック層との同時焼成によって前記セラミック層の前記上面に形成された、前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンから離間して設けられたＷ，ＭｏまたはＭｎを含む第２の電流ヒューズ素子用導体パターンと、
前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面から前記第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面にかけて前記基体部の前記上面から離間させて設けられ、前記第１の電流ヒューズ素子用導体パターンおよび前記第２の電流ヒューズ素子用導体パターンを電気的に接続している電流ヒューズ素子用めっきパターンとを含んでいることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電流状態において電子回路等を保護するために用いられる電流ヒューズ装置および電流ヒューズ部を備えた回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電流ヒューズ装置には、焼成によってセラミック基体の上面に形成された電流ヒューズ素子を有するものがあった。電流ヒューズ素子は、セラミック基体用のグリーンシートの上面に導体ペーストを塗布して、その後、焼成することによって得られる。従来の電流ヒューズ装置において、電流ヒューズ素子は、全長にわたって焼成によって形成されているものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１５１４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の電流ヒューズ装置において、電流ヒューズ素子が、全長にわたって焼成によって形成されていることによって、セラミック基体に対する電流ヒューズ素子の付着強度が比較的高いため、従来の電流ヒューズ装置は、仕様要求によっては、過電流状態における電流ヒューズ素子の溶断特性に関してさらなる改善が求められるものであった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、電流ヒューズ装置は、セラミック構造体と、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンと、第２の電流ヒューズ素子用導体パターンと、電流ヒューズ素子用めっきパターンとを含んでいる。セラミック構造体は、基体部と、基体部の上に設けられた枠体部と、枠体部の上に設けられた蓋体部とを含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターンは、セラミック構造体との同時焼成によって基体部の上面に形成されたＷ，ＭｏまたはＭｎを含む第１の導体層を含んでいる。第２の電流ヒューズ素子用導体パターンは、セラミック構造体との同時焼成によって基体部の上面に形成されたＷ，ＭｏまたはＭｎを含む第２の導体層を含んでいるとともに、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンから離間して設けられている。電流ヒューズ素子用めっきパターンは、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面にかけて基体部の上面から離間させて設けられ、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンおよび第２の電流ヒューズ素子用導体パターンを電気的に接続している。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、回路基板は、絶縁基体に回路導体および電流ヒューズ部を含んでいる。電流ヒューズ部は、セラミック層と、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンと、第２の電流ヒューズ素子用導体パターンと、電流ヒューズ素子用めっきパターンとを含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターンは、Ｗ，ＭｏまたはＭｎを含み、セラミック層との同時焼成によってセラミック層の上面に形成されている。第２の電流ヒューズ素子用導体パターンは、Ｗ，ＭｏまたはＭｎを含み、セラミック層との同時焼成によってセラミック層の上面に形成されているとともに、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンから離間して設けられている。電流ヒューズ素子用めっきパターンは、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面にかけて基体部の上面から離間させて設けられ、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンおよび第２の電流ヒューズ素子用導体パターンを電気的に接続している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、電流ヒューズ装置は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面にかけて設けられた電流ヒューズ素子用めっきパターンを含んでいる。電流ヒューズ素子用めっきパターンは、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンおよび第２の電流ヒューズ素子用導体パターンを電気的に接続している。本発明の一つの態様における電流ヒューズ装置は、このような構成を含んでいることによって、過電流状態において電流ヒューズ素子用めっきパターンの一部分が溶融されて第１の電流ヒューズ素子用導体パターンのおよび第２の電流ヒューズ素子用導体パターンに引き寄せられるため、電流ヒューズ素子の溶断特性に関して向上されている。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、回路基板は、電流ヒューズ部を含んでいる。電流ヒューズ部は、電流ヒューズ素子用めっきパターンを含んでおり、電流ヒューズ素子用めっきパターンは、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターンの上面にかけて設けられている。電流ヒューズ素子用めっきパターンは、第１の電流ヒューズ素子用導体パターンおよび第２の電流ヒューズ素子用導体パターンを電気的に接続している。本発明の他の態様における回路基板は、このような構成を含んでいることによって、過電流状態において電流ヒューズ素子用めっきパターンの一部分が溶融されて第１の電流ヒューズ素子用導体パターンのおよび第２の電流ヒューズ素子用導体パターンに引き寄せられるため、電流ヒューズ素子の溶断特性に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態における電流ヒューズ装置の斜視図を示している。
【図２】図１に示された電流ヒューズ装置の分解図を示している。
【図３】図１に示された電流ヒューズ装置のＡ−Ａにおける縦断面図を示している。
【図４】図２に示された第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の他の例を示している。
【図５】図２に示された電流ヒューズ装置における部分平面透視図を示している。
【図６】図２に示された電流ヒューズ素子用めっきパターン２３の他の例を示している。
【図７】本発明の第１の実施形態の電流ヒューズ装置における電流ヒューズ素子用めっきパターン２３の溶断に関する説明図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の電流ヒューズ装置における電流ヒューズ素子用めっきパターンを示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の電流ヒューズ装置における電流ヒューズ素子用めっきパターン２４の溶断に関する説明図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態における回路基板の斜視図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１から図３までに示されているように、本発明の第１の実施形態における電流ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、セラミック構造体１に形成された電流ヒューズ素子２と、セラミック構造体１の下面１１４に設けられた端子３，４とを含んでいる。図１において、ヒューズ装置は、仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。図１において、セラミック構造体１は、内部構造を示すことを目的に、部分的に透視された状態で示されている。図１において、内部構造の一部が、破線によって示されている。
【００１２】
セラミック構造体１は、基体部１１と、基体部１１の上に設けられた枠体部１２と、枠体部１２の上に設けられた蓋体部１３とを含んでいる。セラミック構造体１は、基体部１１と蓋体部１３との間に設けられているとともに枠体部１２の内側に位置している空洞部１４を有している。
【００１３】
基体部１１は、セラミック材料を含んでいるとともに、平板状の形状を有している。例示的な基体部１１は、実質的にアルミナからなる。枠体部１２は、セラミック材料を含んでいるとともに、環状の形状を有している。例示的な枠体部１２は、実質的にアルミナからなる。枠体部１２の内側の空間が、セラミック構造体１の空洞部１４に相当する。蓋体部１３は、セラミック材料を含んでいるとともに、平板状の形状を有している。例示的な蓋体部１３は、実質的にアルミナからなる。蓋体部１３は、空洞部１４を覆っている。
【００１４】
セラミック構造体１の第１の例は、基体部１１および枠体部１２が焼成によって一体化されている構造を有する。セラミック構造体１の第１の例において、蓋体部１３は、枠体部１２に接合されている。セラミック構造体１の第２の例は、枠体部１２および蓋体部１３が焼成によって一体化されている構造である。セラミック構造体１の第２の例において、枠体部１２の下端は、基体部１１に接合されている。
【００１５】
空洞部１４は、真空状態を含む減圧状態であることが好ましい。空洞部１４が減圧状態であることにより、電流ヒューズ素子２において発生されるジュール熱の損失が低減される。空洞部１４は、不活性ガス雰囲気、還元ガス雰囲気、または不活性ガスと還元ガスとの混合ガス雰囲気であることが好ましい。
【００１６】
電流ヒューズ素子２は、基体部１１の上面１１１における枠体部１２によって規定される領域に設けられている。図２において、枠体部１２によって規定される領域とは、基体部１１の上面１１１において二点鎖線によって囲まれた領域のことである。基体部１１の上面１１１における二点鎖線によって示された位置は、枠部１２の内周縁に対応する位置である。
【００１７】
電流ヒューズ素子２は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１、第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２、および電流ヒューズ素子用めっきパターン２３を含んでいる。
【００１８】
第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１は、接続導体パターン５に電気的に接続されているとともに、焼成によって基体部１１の上面１１１に形成された第１の導体層２１１を含んでいる。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２は、接続導体パターン６に電気的に接続されているとともに、焼成によって基体部１１の上面１１１に形成された第２の導体層２２１を含んでいる。第１の導体層２１１および第２の導体層２２１は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいる。
【００１９】
図４に示されているように、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１の他の例は、焼成によって基体部１１の上面１１１に形成された第１の導体層２１１と、第１の導体層２１１の上面に形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき層２１２とを含んでいる。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の他の例は、焼成によって基体部１１の上面１１１に形成された第２の導体層２２１と、第２の導体層２２１の上面に形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき層２２２とを含んでいる。第１の導体層２１１および第２の導体層２２１は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１がニッケル（Ｎｉ）めっき層２１２を含んでいることによって、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１と電流ヒューズ素子用めっきパターン２３との付着強度が向上されている。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２がニッケル（Ｎｉ）めっき層２２２を含んでいることによって、第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２と電流ヒューズ素子用めっきパターン２３との付着強度が向上されている。
【００２０】
再び図１から図３までを参照して、電流ヒューズ素子２の幅は、接続導体パターン５および６のパターン幅に比べて狭い。図２において、電流ヒューズ素子２の幅とは、電流ヒューズ素子２におけるｙ軸方向の幅のことをいう。接続導体パターン５および６のパターン幅とは、接続導体パターン５および６の各々におけるｙ軸方向の幅のことをいう。
【００２１】
電流ヒューズ素子用めっきパターン２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１の上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の上面にかけて設けられているとともに、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２を電気的に接続している。
【００２２】
電流ヒューズ素子用めっきパターン２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の間の領域において、基体部１１の上面１１１から離間している。第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の間の領域とは、図２に示された電流ヒューズ装置の平面透視において、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２に挟まれた領域のことであり、図５において二点鎖線によって示された領域のことをいう。電流ヒューズ装置の平面透視とは、図１に示された電流ヒューズを仮想のｚ軸の負方向の視線によって透視することをいう。図５において、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２を覆っている電流ヒューズ素子用めっきパターン２３および蓋部１３は、透視された状態であり、図示されていない。
【００２３】
電流ヒューズ素子用めっきパターン２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１の上面および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の上面に設けられた第１のめっき層２３１と、第１のめっき層２３１の上面に設けられた第２のめっき層２３２とを含んでいる。第１のめっき層２３１は、第１の合金用材料を含んでおり、第２のめっき層２３２は、第２の合金用材料を含んでいる。合金用材料とは、第１のめっき層２３１および第２のめっき層２３２が溶融された場合に、合金になる材料のことをいう。例示的な第１の合金用材料は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、または鉛（Ｐｂ）である。例示的な第２の合金用材料は、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、または鉛（Ｐｂ）である。第１のめっき層２３１および第２のめっき層２３２が溶融された場合、第１の合金用材料および第２の合金用材料を含む合金が生成される。
【００２４】
図６に示されているように、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３の他の例は、第１のめっき層２３１、第２のめっき層２３２、および第３のめっき層２３３を含んでいる。第１のめっき層２３１は、第１の合金用材料を含んでおり、第２のめっき層２３２は、第２の合金用材料を含んでおり、第３のめっき層２３３は、第３の合金用材料を含んでいる。
【００２５】
端子３および４は、基体部１１の下面１１４に設けられているとともに、電流ヒューズ素子２に電気的に接続されている。端子３および４は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいるとともに、焼成によって基体部１１の下面１１４に形成されている。本実施形態におけるヒューズ装置は、表面実装型の装置である。端子３は、キャスタレーション導体７によって接続導体パターン５に電気的に接続されている。端子４は、キャスタレーション導体８によって接続導体パターン６に電気的に接続されている。キャスタレーション導体７および８は、焼成によって基体部１１の側面１１５に形成されている。
【００２６】
端子３，４の表面およびキャスタレーション導体７，８の表面には、例えば半田接合によって回路基板に実装するために、例えばニッケル（Ｎｉ）めっき膜および金（Ａｕ）めっき膜等が形成されている。
【００２７】
図７を参照して、本実施形態の電流ヒューズ装置における電流ヒューズ素子２の溶断に関して説明する。図７の上段に示されているように、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２は、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３によって電気的に接続されている。
【００２８】
図７の下段に示されているように、過電流状態において、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３が溶断される。電流ヒューズ素子用めっきパターン２３が溶断される時、合金部分２３５が形成される。合金部分２３５は、第１のめっき層２３１に含まれている第１の合金用材料と、第２のめっき層２３２に含まれている第２の合金用材料とを含んでいる。
【００２９】
本実施形態における電流ヒューズ装置は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２を電気的に接続している電流ヒューズ素子用めっきパターン２３を含んでいることによって、過電流状態において電流ヒューズ素子用めっきパターン２３が溶融されて第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２に引き寄せられるため、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００３０】
本実施形態の電流ヒューズ装置において、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３が、第１のめっき層２３１および第２のめっき層２３２を含んでおり、第１のめっき層２３１および第２のめっき層２３２が、合金用材料を含んでいることによって、過電流状態において電流ヒューズ素子用めっきパターン２３が溶断される時に、合金部分２３５が形成されるため、本実施形態における電流ヒューズ装置は、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００３１】
本実施形態の電流ヒューズ装置において、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３が、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の間の領域において、基体部１１の上面１１１から離間していることによって、電流ヒューズ素子２の溶断箇所におけるジュール熱の損失が低減されるため、本実施形態における電流ヒューズ装置は、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００３２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態における電流ヒューズ装置について図８を参照して説明する。第２の実施形態の電流ヒューズ装置において、第１の実施形態の電流ヒューズ装置と異なる構成は、電流ヒューズ素子用めっきパターン２４の構造である。その他の構成は、第１の実施形態における電流ヒューズ装置と同様である。
【００３３】
電流ヒューズ素子用めっきパターン２４は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の間の領域において、基体部１１の１１１上面に形成されている。
【００３４】
図９を参照して、本実施形態の電流ヒューズ装置における電流ヒューズ素子２の溶断に関して説明する。図９の上段に示されているように、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２は、電流ヒューズ素子用めっきパターン２４によって電気的に接続されている。
【００３５】
図９の下段に示されているように、過電流状態において、電流ヒューズ素子用めっきパターン２４が溶断される。電流ヒューズ素子用めっきパターン２４が溶断される時、合金部分２４５が形成される。合金部分２４５は、第１のめっき層２４１に含まれている第１の合金用材料と、第２のめっき層２４２に含まれている第２の合金用材料とを含んでいる。
【００３６】
本実施形態の電流ヒューズ装置において、電流ヒューズ素子用めっきパターン２４が、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の間の領域において、基体部１１の１１１上面に形成されていることによって、電流ヒューズ素子用めっきパターン２４が溶断される時、溶融された電流ヒューズ素子用めっきパターン２４の一部分は、基体部１１の上面１１１に比べて濡れ性の高い第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２に引き寄せられるため、本実施形態における電流ヒューズ装置は、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００３７】
本実施形態の電流ヒューズ装置において、図４を参照して説明した第１の実施形態の電流ヒューズ装置におけるニッケル（Ｎｉ）めっき層２１２に関する技術を適用することも可能である。
【００３８】
本実施形態の電流ヒューズ装置において、図６を参照して説明した第１の実施形態の電流ヒューズ装置における第３のめっき層２３３に関する技術を適用することも可能である。
【００３９】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態における回路基板について図１０を参照して説明する。本実施形態における回路基板は、電子部品８１および８２を含む電子モジュールに用いられるものである。
【００４０】
回路基板は、絶縁基体８３に設けられた回路導体と、絶縁基体８３に埋設された電流ヒューズ部８４とを有している。例示的な絶縁基体８３は、実質的にセラミックスからなる。回路導体は、電子部品８１および８２を電気的に接続している。電流ヒューズ部８４は、回路導体を介して電子部品８１および８２を含む電子回路に電気的に接続されている。図１０において、電流ヒューズ部８４を示すことを目的に、絶縁基体８３の一部が省略されている。
【００４１】
電流ヒューズ部８４は、セラミック層８５と、電流ヒューズ素子８６とを含んでいる。電流ヒューズ素子８６は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１、第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２、および電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３を含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１は、焼成によってセラミック層８５の上面に形成されている。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２は、焼成によってセラミック層８５の上面に形成されているとともに、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１から離間して設けられている。電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１の上面および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２の上面に設けられているとともに、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２を電気的に接続している。
【００４２】
電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１の上面および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２の上面に形成された第１のめっき層８２４と、第１のめっき層８２４の上面に形成された第２のめっき層８２５とを含んでいる。第１のめっき層８２４および第２のめっき層８２５は、合金用材料を含んでいる。
【００４３】
電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３が、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２の間の領域において、セラミック層８５の上面から離間している。
【００４４】
本実施形態における回路基板は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２を電気的に接続している電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３を含んでいることによって、過電流状態において電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３が溶融されて、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２に引き寄せられるため、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００４５】
本実施形態の回路基板において、電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３が、第１のめっき層８２４および第２のめっき層８２５を含んでおり、第１のめっき層８２４および第２のめっき層８２５が、合金用材料を含んでいることによって、過電流状態において電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３が溶断される時に、合金部分が形成されるため、本実施形態における電流ヒューズ装置は、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００４６】
本実施形態の電流ヒューズ装置において、電流ヒューズ素子用めっきパターン８２３が、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン８２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン８２２の間の領域において、セラミック層８５の上面から離間していることによって、電流ヒューズ素子８６の溶断箇所におけるジュール熱の損失が低減されるため、本実施形態における回路基板は、過電流状態における溶断特性に関して改善されている。
【００４７】
本実施形態の回路基板において、図４を参照して説明した第１の実施形態の電流ヒューズ装置におけるニッケル（Ｎｉ）めっき層２１２に関する技術を適用することも可能である。
【００４８】
本実施形態の回路基板において、図６を参照して説明した第１の実施形態の電流ヒューズ装置における第３のめっき層２３３に関する技術を適用することも可能である。
【００４９】
本実施形態の回路基板において、図８を参照して説明した第２の実施形態の電流ヒューズ装置における技術を適用することも可能である。
【００５０】
本実施形態の回路基板において、複数の電流ヒューズ部を埋設させることも可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１  セラミック構造体
１１  基体部
１２  枠体部
１３  蓋体部
２  電流ヒューズ素子
２１  第１の電流ヒューズ素子用導体パターン
２２  第２の電流ヒューズ素子用導体パターン
２３  電流ヒューズ素子用めっきパターン
【図１】
0005627291.tif 000002
【図２】
0005627291.tif 000003
【図３】
0005627291.tif 000004
【図４】
0005627291.tif 000005
【図５】
0005627291.tif 000006
【図６】
0005627291.tif 000007
【図７】
0005627291.tif 000008
【図８】
0005627291.tif 000009
【図９】
0005627291.tif 000010
【図１０】
0005627291.tif 000011