(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気素子を内蔵したレンズをメガネフレームにセットした電子メガネであって、
前記レンズのレンズ外周部には、前記電気素子に電圧を印加する電極パターンの端部が露出しており、
前記電極パターンの端部に形成されたレンズ部電極パッドと、
一端が前記電気素子を制御する制御部に接続され、前記メガネフレームのリムロックの間を通過し、他端が前記レンズ部電極パッドに対向したリムの内側に敷設された電気接続手段と、を有している
電子メガネ。
【請求項２】
前記電極パターンはライン状である
請求項１記載の電子メガネ。
【請求項３】
前記電極パターンは、膜厚が１０ｎｍ〜４０ｎｍである
請求項１または２に記載の電子メガネ。
【請求項４】
前記リムロックに前記電気接続手段を位置決めするための位置決め手段を設けた
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子メガネ。
【請求項５】
前記電極パターンは蒸着法で形成されている
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子メガネ。
【請求項６】
前記レンズ部電極パッドと前記電気接続手段との間に導電性ゴムが介在している
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子メガネ。
【請求項７】
前記レンズの側面にはレンズ側ザグリが形成されており、
前記レンズ部電極パッドは前記レンズ側ザグリに配置されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子メガネ。
【請求項８】
前記レンズ外周部には逆V型に成形したヤゲンが形成されており、
前記レンズ部電極パッドは前記ヤゲンにて露出されている
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子メガネ。
【請求項９】
前記レンズ部電極パッドと前記電気接続手段との間に導電性ゴムが介在し、
前記レンズ側ザグリの底面は前記導電性ゴムからの荷重を垂直に受けるように形成されている
請求項７記載の電子メガネ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子メガネにおけるレンズ部の電気素子の電気配線に関するものであり、特に電気接続の信頼性を向上させることのできる構造を提案するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子メガネは、レンズ表面若しくはレンズ内部にエレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子等の電気素子を形成し、これらの電気素子に電気エネルギーを供給することによりレンズの機能を変化させる電子メガネが提案されている。
【０００３】
一例としてはＥＣ素子を用いたものがある。
この例においては、ＥＣ素子を駆動させるための電極配線方法として、図４３のレンズ断面に示す様に、基板レンズ６０１の上に下部ＩＴＯ透明電極６０２、Ｉｒ２Ｏ３／ＳｎＯ２層６０３、Ｔａ２Ｏ５層６０４、ＷＯ３層６０５、上部ＩＴＯ透明電極層６０６からなるＥＣ素子６０７が形成されており、各電極層からの取り出し電極として２層構造のメッキ層６０８ａ，６０８ｂがレンズ外周部（ヤゲン（薬研）の斜面）に形成されており、それぞれ上部ＩＴＯ透明電極層６０６、下部ＩＴＯ透明電極層６０２と電気的に接触している。一方、メガネのフレームは図４４に示されるよう電流通路を兼用する金属製の上部リム６０９ａ、下部リム６０９ｂから構成されている。上部リム６０９ａ、下部リム６０９ｂを結合する場合には薄いプラスティックシートなどの絶縁体を介して結合する。
【０００４】
前記レンズとリムの結合及び制御部とＥＣ素子６０７の結線においては、前記レンズ外周部に形成される電極６０８ａ，６０８ｂと、上部リム６０９ａ、下部リム６０９ｂがそれぞれ接触した状態とし、さらに上部リム６０９ａ、下部リム６０９ｂ末端にて制御部からの端子を挟み込む形にてリムロック６０９ａ１によって締め込む方法が示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実開平２−１３８７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の構成では、レンズ外周部の電極である下部ＩＴＯ透明電極６０２，上部ＩＴＯ透明電極層６０６が、リムである上部リム６０９ａ、下部リム６０９ｂとの接触によってのみ導通を得ているため、例えばリムロック６０９ａ１を締め込むねじ（図示せず）が緩んだりした場合に導通不良が起こる。
【０００７】
この導通不良を改善するには、ＩＴＯ透明電極層の膜厚を厚くする必要があるが、蒸着などのドライプロセスでは膜厚を厚くすることが出来ない。そのため、ウェットプロセスを用いてＩＴＯ透明電極層の形成を行う。ところが、ウェットプロセスでは、ＩＴＯ粒子をインク溶媒に分散して塗布するため、ＩＴＯ透明電極層の電気抵抗値が高くなり、レンズ内部の素子の動作特性を損なうという課題を有している。
【０００８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、電子メガネにおけるレンズ内部の素子の動作特性を損なうことなく、レンズ外部の電子回路との電気接続信頼性を高めた電子メガネを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子メガネは、電気素子を内蔵したレンズをメガネフレームにセットした電子メガネであって、前記レンズのレンズ外周部には、前記電気素子に電圧パターンの端部が露出しており、前記電極パターンの端部に形成されたレンズ部電極パッドと、一端が前記電気素子を制御する制御部に接続され、前記メガネフレームのリムロックの間を通過し、他端が前記レンズ部電極パッドに対向したリムの内側に敷設された電気接続手段と、を有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この構成によると、電子メガネ用レンズは、レンズ端部において露出たレンズ部電極パッドが、ＩＴＯインクで形成された補助電極層とＩＴＯをスパッタリングした下部電極パターンとの積層によって形成された電極が形成されているため、電極パターンの電極としての体積抵抗率を比較的小さくでき、しかも光透過率が良好で目障りになるような事態を回避できる。
【００１１】
また、メガネフレームは、配線部電極パッドがレンズのレンズ部電極パッドに対応した位置に配置された電気接続手段を有しており、前記配線部電極パッドと前記レンズのレンズ部電極パッドとの間に異方導電性ゴムが介在しているため、レンズ締結部の緩みや電気配線のずれによる断線と、漏電によるショート等電気的トラブルを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１における電子メガネ要部の拡大図
【図２】同実施の形態における電子メガネ要部の拡大図
【図３】本発明の実施の形態２におけるザグリを形成した電子メガネ要部の拡大図
【図４】同実施の形態におけるザグリを形成した電子メガネ要部の拡大図
【図５】電子メガネの上面図と利用者の側から見た拡大図
【図６】本発明の実施の形態３における完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図
【図７】同実施の形態における下基板の加工の工程を示す斜視図
【図８】同実施の形態における下基板の加工の工程を示す断面図
【図９】同実施の形態における上基板の加工の工程を示す斜視図
【図１０】同実施の形態における上基板の加工の工程を示す断面図
【図１１】同実施の形態におけるレンズを第１の補助電極層１０４を通る位置で切り欠いた拡大斜視図
【図１２】同実施の形態におけるレンズを第１の補助電極層１０４を通る位置で切断した断面図
【図１３】同実施の形態におけるレンズを第２の補助電極層２０４を通る位置で切り欠いた拡大斜視図
【図１４】同実施の形態におけるレンズを第２の補助電極層２０４を通る位置で切断した断面図
【図１５】同実施の形態におけるレンズをカットする位置を示す平面図
【図１６】同実施の形態におけるカットしたレンズのレンズ端面を示す拡大斜視図
【図１７】同実施の形態における要部の拡大図
【図１８】同実施の形態におけるメガネフレームの概略図とその智の部分の拡大斜視図と構成図
【図１９】同実施の形態におけるレンズがメガネフレームにセットされた状態の構成図
【図２０】同実施の形態におけるレンズのレンズ端面に銀ペーストを付けた別の実施例の拡大斜視図
【図２１】同実施の形態におけるレンズがメガネフレームにセットされた状態の別の実施例の構成図
【図２２】本発明の実施の形態４における完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図
【図２３】同実施の形態における下基板の加工の工程を示す断面図
【図２４】同実施の形態におけるレンズを第１の補助電極層１０４を通る位置で切り欠いた拡大斜視図
【図２５】同実施の形態におけるレンズを第２の補助電極層２０４を通る位置で切断した断面図
【図２６】本発明の実施の形態５における完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図
【図２７】同実施の形態における下基板の加工の工程を示す斜視図
【図２８】同実施の形態における下基板の加工の工程を示す断面図
【図２９】同実施の形態における上基板の加工の工程を示す斜視図
【図３０】同実施の形態における上基板の加工の工程を示す断面図
【図３１】同実施の形態におけるレンズを第１の凹部１０２を通る位置で切り欠いた拡大斜視図
【図３２】同実施の形態におけるレンズを第１の凹部１０２を通る位置で切断した断面図
【図３３】同実施の形態におけるレンズを第２の凹部２０２を通る位置で切り欠いた拡大斜視図
【図３４】同実施の形態におけるレンズを第２の凹部２０２を通る位置で切断した断面図
【図３５】同実施の形態におけるレンズをカットする位置を示す平面図
【図３６】同実施の形態におけるカットしたレンズのレンズ端面を示す拡大斜視図
【図３７】本発明の実施の形態６における完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図
【図３８】同実施の形態における下基板の加工の工程を示す断面図
【図３９】同実施の形態におけるレンズを第１の凹部１０２を通る位置で切り欠いた拡大斜視図
【図４０】同実施の形態におけるレンズを第２の凹部２０２を通る位置で切断した断面図
【図４１】本発明の実施の形態７における完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図
【図４２】本発明の実施の形態８における完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図
【図４３】従来の電子メガネを示す図
【図４４】従来の電子メガネを示す図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の電子メガネの実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
（実施の形態１）
図５（ａ）（ｂ）に電子メガネを示す。
【００１４】
図１は図５（ａ）のＡ−Ａ断面図で、本発明の第１の実施の形態におけるレンズ部電極パッドと配線部電極パッドの接続部断面を示す。
同様に図２は図５（ｂ）のＢ−Ｂ断面図で、レンズ部電極パッドと配線部電極パッドの接続部のイメージ図を示す。
【００１５】
本発明の電子メガネは、メガネフレーム１１と、液晶やエレクトロクロミックなどの電気素子（図示せず）を有し前記メガネフレーム１１のリム８にセットされたレンズ１と、メガネフレーム１１の側に設けられレンズ１の前記電気素子を駆動するために電気信号を発生する制御部５と、メガネフレーム１１の側に設けられ制御部５からの信号を伝達する電気接続手段４と、レンズ１とリム８の間に挟まれた異方導電性ゴム７と、リム８の上下のリムロック９，９を締め込むネジ１０などから構成されている。
【００１６】
なお、レンズ１はリム８の内側に形成されている溝８ａに嵌め込まれており、レンズ１には、前記電気素子に電気信号を送る電極パターン２ａ，２ｂと、電極パターン２ａ，２ｂの端部で電極パターン２ａ，２ｂの接触面積を向上させるためのレンズ部電極パッド３ａ，３ｂがヤゲン（薬研）１ａに形成されている。
【００１７】
メガネフレーム１１の側の電気接続手段４の一端部には、電極パッド６ａ，６ｂが形成されており、異方導電性ゴム７によってレンズ部電極パッド３ａ，３ｂと電極パッド６ａと６ｂとの間が電気接続されている。
【００１８】
電極パターン２ａ，２ｂはＩＴＯに代表される非常に薄い透明電極により形成されており、その電極パターン２ａ，２ｂはレンズ１の外周側壁部のヤゲン１ａにて外部に露出されている。ここで電極パターン２ａ，２ｂの膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度しかなく、外部へ露出した電極パターン２ａ，２ｂは非常に細い１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度の線幅のライン状である。そのために異方導電性ゴム７との電気接触がうまく行かない場合が有る。そのためこの実施の形態１では、レンズ１の外部に露出した電極パターン２ａ，２ｂに対して、銀ペーストやナノ粒子などを用い電極部を拡大するためにレンズ部電極パッド３ａ，３ｂをヤゲン１ａの１つの平面上に形成している。
【００１９】
このとき、電極パターン２ａ，２ｂは、レンズ厚み方向における間隔が前記電気素子の厚さにほぼ等しい数μｍ程度しかなく、レンズ部電極パッド３ａ，３ｂを電極パターン２ａ，２ｂに対し個別に形成するためには、レンズ端部において電極パターン２ａ，２ｂがレンズ厚み方向に重ならないようにしておく必要がある。
【００２０】
電源やＩＣ（集積回路）などから構成される制御部５から発生した電気信号は、フレキシブル基板などの電気接続手段４を介してレンズ部電極パッド３ａ，３ｂに対応した形状の配線部電極パッド６ａ，６ｂに伝達され、異方導電性ゴム７を挟んでレンズ部電極パッド３ａ，３ｂに伝達される。
【００２１】
レンズ部電極パッド３ａ，３ｂと配線部電極パッド６ａ，６ｂ間に設置される異方導電性ゴム７は、側壁面をシリコーンなどのゴム材料にてコートされた一般的な異方導電性ゴムを用いる。異方導電性ゴム７は、リムロック９をねじ１０で締め込みレンズを取り付ける際、弾性体である異方導電性ゴム７が十分に圧縮（変形）し、導通部の露出する面が浮いた状態にならないようにその形状を設定する。
【００２２】
このように電子メガネを構成することにより、リムロック９のネジ１０による締め込みが多少緩んでも、異方導電性ゴム７の弾性変形があるため電気接続が完全に断線することも無く使用することが可能となる。
【００２３】
また、レンズ部電極パッド３ａ，３ｂと配線部電極パッド６ａ，６ｂを異方導電性ゴム７の圧縮変形によりシールすることが可能となり、雨などに濡れてもショートすることなく使用することが可能となる。
【００２４】
（実施の形態２）
レンズ１の外周部は、図２に示す様レンズ外周部にヤゲン１ａといわれる山型の突起が形成され、メガネフレーム１１の側のリム８の内周部には図２にも示した谷状の溝８ａが形成されている。
【００２５】
レンズ１のメガネフレームへの取り付けは、ヤゲン１ａと溝８ａを係合させて固定する方法が最も一般的で有る。しかしながらこの構造では、リムロック９をねじ１０で締め込む際に異方導電性ゴム７と電気接続手段４に対し斜めに力が加わってしまうこととなり、それぞれが所定位置からずれてしまい組み立て（レンズ嵌め込み）や電気接続がうまく出来ないことがある。
【００２６】
そこで、この実施の形態２では図３と図４に示すように構成することによって、組み立て時に異方導電性ゴム７と電気接続手段４に対し斜め方向の力が作用しないように改善されている。
【００２７】
図３は、電子メガネのレンズ部電極パッドと配線部電極パッドの接続部断面のイメージ図で、図５（ａ）に示す上部から見た電子メガネのＡ−Ａ断面に相当するものである。同様に図４は、電子メガネのレンズ部電極パッドと配線部電極パッドの接続部のイメージ図で、図５（ｂ）に示す正面から見た電子メガネのＢ−Ｂ断面に相当するものである。
【００２８】
図３と図４に示すように、レンズ１の側のレンズ部電極パッド３ａ，３ｂの周辺部には、異方導電性ゴム７用のレンズ側ザグリ１ｂが形成されている。さらに、メガネフレーム１１の側には、リム８の内側の電気接続手段４が設置される部分にリム側ザグリ８ｂが形成されている。
【００２９】
このように異方導電性ゴム７と電気接続手段４をそれぞれザグリ部１ｂ，８ｂに設置することによって、リムロック９をネジ１０で締め込んでも異方導電性ゴム７、電気接続手段４がずれにくく、安定して組み立てることが出来るようになり、電気配線のずれによる断線を防ぐことできる。
【００３０】
さらに具体的には、レンズ側ザグリ１ｂとリム側ザグリ８ｂの形状を、リムロック９，９をネジ１０で締め込む際にレンズ側ザグリ１ｂ、リム側のザグリ８ｂそれぞれの底面に対し垂直方向に荷重がかかるように形成されており、この構成によると安定して組み立てることができ、電気配線のずれによる断線を防ぐことができる。
【００３１】
上記の各実施の形態において、電気接続手段４は一端が制御部５に接続され、他端部の配線部電極パッド６ａ，６ｂがリム８の溝８ａにおいてレンズ部電極パッド３ａ，３ｂに対向する部分に設置されるよう取り回しすればよく、例えばリムロック９やリム８の外周に電気接続手段４を設置するように構成することもできる。
【００３２】
ここではさらに安定的に電気接続を達成するために、図１，図２，図３，図４に示すように電気接続手段４をリムロック９の間を通し、リム８の内側の溝８ａまたはザグリ８ｂに設置することを例として挙げる。このように電気接続手段４をリムロック間に設置することにより、組み立て時の電気接続手段４の位置ずれを防ぎ、さらに電気接続手段４が外れにくい形とすることが可能である。
【００３３】
具体的なリムロック９間への電気接続手段４の取り回しは、リムロック９自身で挟み込んで固定しても良いし、リムロック９に電気接続手段４の溝を形成しても良い。さらにはリムロック９に電気接続手段４の位置決めピンを設ける、またはねじ１０を位置決めピンとして用いたり、溝を形成するものであれば、溝パターン自体を位置決め手段として用いれば電気接続手段４が位置ずれしにくく外れにくい構成とすることができる。
【００３４】
さらに電気接続手段４をリムロック９の間に通すことによる付加的な効果としては、電気接続手段４が外部に露出しないため見た目にもすっきりしており、メガネ自体のデザイン性を乱すことが無い。
【００３５】
なお、本実施の形態においては、制御部５の設置位置は限定しないが、メガネを構成するテンプルの内側や、よろいの部分に固定されるようにすれば良く、リムロックの近くであれば電気接続手段４を短くすることができる。
【００３６】
（実施の形態３）
図６〜図１９は電子メガネ用レンズ１の製造方法を示す。
図６は製造工程がわかりやすくするために、完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図で、下基板１００と上基板２００の間に電気素子としての液晶３００を内蔵している。４００は下基板１００と上基板２００を張り合わせしている接着層である。
【００３７】
図７と図８は下基板１００の加工の工程を示している。
図７（ａ）では、図８（ａ）に示すように下基板１００の上基板２００との対向面１０１に、後に前記液晶４００が配置される電気素子形成部１０３を形成する。
【００３８】
図７（ｂ）では、図８（ｂ）に示すように表面が平滑な下基板１００に導電性インクで部分的にコーティングして第１の補助電極層１０４を形成する。具体的には、導電性インクとしてのＩＴＯインクを使用する。ＩＴＯインクの物性は導電性粒子が分散しており、ＩＴＯスパッタリングで形成した導電膜の体積抵抗率６〜２×１０−４Ω・ｃｍ程度に比べて体積抵抗率が２．４×１００Ω・ｃｍ程度と大きい反面、ＩＴＯインクによる１μｍの膜厚の分光透過率とスパッタによる膜厚３０ｎｍのＩＴＯの分光透過率はほぼ同じ値を示している。従って同じ膜厚における透明度はスパッタリングで形成したＩＴＯ導電膜に比べＩＴＯインクで形成した導電膜のほうが優れている。ＩＴＯインクは１μｍの膜厚であっても８０％程度の透過率を得ることができる。ＩＴＯインクのコーティング方法は、インクジェット、ディスペンサーを用いれば良い。また、テープなどによりマスキングした状態にて必要な場所にスピンコートやディッピングすることによっても可能である。ＩＴＯインクで形成する第１の補助電極層１０４の膜厚は１μｍ以上あればよい。
【００３９】
図７（ｃ）では、図８（ｃ）に示すように電気素子形成部１０３と第１の補助電極層１０４ならびに電気素子形成部１０３と第１の補助電極層１０４を接続する下部電極パターン１０５を形成する。具体的には、電気素子形成部１０３と第１の補助電極層１０４をつなぐマスクパターンを用いてＩＴＯスパッタリングを行う。下部電極パターン１０５の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度である。
【００４０】
図７（ｄ）では、図８（ｄ）に示すように電気素子形成部１０３と下部電極パターン１０５の上に下部絶縁層パターン１０６を形成する。具体的には、図７（ｃ）でのＩＴＯスパッタ後、チャンバから下基板１００を取り出すことなく（大気開放することなく）ＳｉＯ２を連続的にスパッタする。一つのチャンバ内に複数のターゲットがあるスパッタ装置であれば実施が可能で、特殊な装置ではない。
【００４１】
図７（ｅ）では、液晶３００を注入する部分に配向膜１０７を塗布し、ラビング処理を行う。
図９と図１０は上基板２００の加工の工程を示している。
【００４２】
図９（ａ）のように表面が平滑な上基板２００に、図９（ｂ）では、図１０（ｂ）に示すように導電性インクでコーティングして第２の補助電極層２０４を形成する。コーティング方法は、インクジェット、ディスペンサーを用いれば良い。また、テープなどによりマスキングした状態にて必要な場所にスピンコートやディッピングすることによっても可能である。第２の補助電極層２０４の膜厚は１μｍ以上あればよい。
【００４３】
図９（ｃ）では、図１０（ｃ）に示すように下基板１００の側の電気素子形成部１０３に対応する部分２０３と第２の補助電極層２０４ならびに前記部分２０３と第２の補助電極層２０４を接続する上部電極パターン２０５を形成する。具体的には、前記部分２０３と第２の補助電極層２０４をつなぐマスクパターンを用いてＩＴＯスパッタリングを行う。上部電極パターン２０５の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度である。
【００４４】
図９（ｄ）では、図１０（ｄ）に示すように上部電極パターン２０５の上に上部絶縁層パターン２０６を形成する。具体的には、図９（ｃ）でのＩＴＯスパッタ後、チャンバ装置から上基板２００を取り出すことなく（大気開放することなく）ＳｉＯ２を連続的にスパッタする。一つのチャンバ内に複数のターゲットがあるスパッタ装置であれば実施が可能で、特殊な装置ではない。
【００４５】
図９（ｅ）では、上部電極パターン２０５のうちの前記部分２０３の上の個所に配向膜２０７を塗布し、ラビング処理を行う。このようにして作製した下基板１００の電気素子形成部１０３と前記上基板２００との間に前記電気素子としての液晶３００を挟んで下基板１００と上基板２００を接着層４００によって貼り合わせる。具体的には、ディスペンサーやインクジェットなどにより液晶３００を注入する。この液晶３００の注入後、外周部分に接着剤（封止剤）を充填し、下基板１００と上基板２００を接着層４００によって貼り合わせる。
【００４６】
図１１は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第１の補助電極層１０４の端部と第２の補助電極層２０４を通る位置で切り欠いた拡大斜視図を示す。図１２は図１１の要部の拡大図である。図１３は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第２の補助電極層２０４を通る位置で切り欠いた拡大斜視図を示す。図１４は図１３の要部の拡大図である。
【００４７】
このように張り合わせが完了した下基板１００と上基板２００を、前記メガネフレーム１１のリムの形状に応じて図１５に示すように第１の補助電極層１０４の端部と第２の補助電極層２０４の端部を通る切断線３０１でカットする。このカットによって、レンズ端部３０２に図１６に示すように、第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５との重ね合わせ部分の端面と、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５との重ね合わせ部分の端面とを露出させる。図１７に示すように、下基板１００の側では、第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５の端面が露出している。上基板２００の側では、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５の端面が露出している。
【００４８】
この図１６のレンズを用いて、図１８と図１９に示すようにしてメガネフレーム１１にレンズ１がセットされた電子メガネを構成できる。
図１８（ａ）に示すメガネフレーム１１の智３０４の部分には、電気接続手段４としてのフレキシブル配線３０５ａ，３０５ｂが敷設されている。フレキシブル配線３０５ａ，３０５ｂの一端は前記制御部５に接続され、フレキシブル配線３０５ａ，３０５ｂの他端には配線部電極パッド３０６ａ，３０６ｂが形成されている。この配線部電極パッド３０６ａ，３０６ｂは図１８（ｂ）に示すようにメガネフレーム１１のリム３０７の内部にセットされている。
【００４９】
このリム３０７にレンズ１をセットする際には、配線部電極パッド３０６ａ，３０６ｂとレンズ１の側の第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５との間に、図１９に示すように異方導電性ゴム３０８を介装した状態にして、ネジ１０を締めてレンズ１をリム３０７で支持することによって、配線部電極パッド３０６ａは異方導電性ゴム３０８を介してレンズ側の下部電極パターン１０５と確実に導通する。また、配線部電極パッド３０６ｂは異方導電性ゴム３０８を介してレンズ側の上部電極パターン２０５と確実に導通する。これは、第１の補助電極層１０４を下部電極パターン１０５上に形成しているため、異方導電性ゴム３０８との間の接触面積が増え、電気的導通が良くなるからである。第２の補助電極層２０４も同様の効果を与える。このようにして、前記制御部５から液晶３００を駆動するに必要な電圧をレンズ１の下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５の間に印加することができる。
【００５０】
下部電極パターン１０５の膜厚を厚くして第１の補助電極層１０４を設けない場合、上部電極パターン２０５の膜厚を厚くして第２の補助電極層２０４を設けない場合を、この実施の形態と比較すると、第１，第２の補助電極層１０４，２０４を設けなかった場合には、電極としての抵抗値は小さくできるけれども、電子メガネで重要である光の透過が低下するため、下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５を目視で容易に確認できるようになって目障りになる。これに対して実施の形態３のように下部電極パターン１０５の膜厚を薄くして第１の補助電極層１０４を重ね合わせて膜厚を厚くし、上部電極パターン２０５の膜厚を薄くして第２の補助電極層２０４を重ね合わせて膜厚を厚くすることによって、電極としての抵抗値を比較的小さくでき、しかも下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５が目障りになるような事態を回避することができるので、第１，第２の補助電極層１０４，２０４の重ね合わせ構造は非常に有効である。
【００５１】
また、下基板１００と上基板２００に第１，第２の補助電極層１０４，２０４をコーティングしてから下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５を形成する工程を採用した場合には、下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５の上に、下部絶縁層パターン１０６，上部絶縁層パターン２０６を形成する工程を、前述のように、チャンバを大気開放して下基板１００，上基板２００を取り出すことなく連続的にスパッタして実施することができる。
【００５２】
具体的には、下基板１００と上基板２００に下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５を形成してから第１，第２の補助電極層１０４，２０４をコーティングする後付け処理工程を採用した場合には、下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５をスパッタ形成して、スパッタ装置を大気開放して下基板１００と上基板２００を取り出しマスクパターンを変更してから下部絶縁層パターン１０６，上部絶縁層パターン２０６を形成することが必要になって、スパッタ装置の真空引きを二度も行うことになって加工プロセスが複雑になる。
【００５３】
これに対してこの実施の形態３のように第１，第２の補助電極層１０４，２０４を下基板１００と上基板２００に先付け処理で形成した場合は、下基板１００への下部電極パターン１０５の形成と下部絶縁層パターン１０６の形成をスパッタ装置を大気開放することなく実施でき、上基板２００への上部電極パターン２０５の形成と上部絶縁層パターン２０６の形成をスパッタ装置を大気開放することなく実施できるため、加工プロセスの簡略化が可能である。
【００５４】
さらに、図２０と図２１に示すように導電ペーストを第１の補助電極層１０４と第２の補助電極層２０４の上に付けると、接触面積が増えるので、さらに良い。つまり、図２０に示すように露出した第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５との重ね合わせ部分の端面と、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５との重ね合わせ部分の端面とにそれぞれ導電性ペーストとしての銀ペースト３０３ａ，３０３ｂを付着させる。レンズ端部３０２に形成された銀ペースト３０３ａは、理想的には下部電極パターン１０５だけでなく第１の補助電極層１０４とも電気的に導通している。この実施の形態では、レンズ端部３０２に薄肉の下部電極パターン１０５が露出しているだけではなく、下部電極パターン１０５に比べて厚肉の第１の補助電極層１０４が露出しているため、レンズ端部３０２での下部電極パターン１０５の露出が不十分であっても、銀ペースト３０３ａは厚肉の第１の補助電極層１０４を介して確実に下部電極パターン１０５と導通することができる。
【００５５】
同様に、レンズ端部３０２に形成された銀ペースト３０３ｂは、理想的には上部電極パターン２０５だけでなく第２の補助電極層２０４とも電気的に導通している。この実施の形態では、レンズ端部３０２に薄肉の上部電極パターン２０５が露出しているだけではなく、上部電極パターン２０５に比べて厚肉の第２の補助電極層２０４が露出しているため、レンズ端部３０２での上部電極パターン２０５の露出が不十分であっても、銀ペースト３０３ｂは厚肉の第２の補助電極層２０４を介して確実に上部電極パターン２０５と導通することができる。
【００５６】
（実施の形態４）
図２２〜図２５は本発明の実施の形態４を示す。
実施の形態３では、下基板１００に第１の補助電極層１０４をコーティングしてから下部電極パターン１０５を形成し、また、上基板２００に第２の補助電極層２０４をコーティングしてから上部電極パターン２０５を形成したが、この実施の形態４では、第１，第２の補助電極層１０４，２０４を後付けする点だけが異なっている。その他は実施の形態３と同じである。
【００５７】
図２２は製造工程がわかりやすくするために、完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図である。
図２３（ａ）では、下基板１００の電気素子形成部１０３から下基板１００の外周部の近傍の一部分に掛けて下部電極パターン１０５を形成する。
【００５８】
図２３（ｂ）では、下部電極パターン１０５の端部の上にだけ導電性インクでコーティングして第１の補助電極層１０４を形成し、次に、電気素子形成部１０３の上と、下部電極パターン１０５から第１の補助電極層１０４の上に下部絶縁層パターン１０６を形成する。更に、図２２に示すように下部絶縁層パターン１０６の上には電気素子形成部１０３の位置に対応して配向膜１０７を形成する。
【００５９】
この場合の上基板２００も図２３（ａ）（ｂ）と同様に形成する。つまり図２２に示すように、下基板１００の側の電気素子形成部１０３に対応する部分と、上基板２００の外周部の近傍の一部分とに掛けて上部電極パターン２０５を形成し、上基板２００の外周部の近傍の上部電極パターン２０５の上にだけ導電性インクでコーティングして第２の補助電極層２０４を形成する。そして上部絶縁層パターン２０６を形成する。さらに、配向膜２０７を形成する。
【００６０】
そして、下部電極パターン１０５に第１の補助電極層１０４を後付けした下基板１００と、上部電極パターン２０５に第２の補助電極層２０４を後付けした上基板２００との間に、液晶３００を挟んで接着層４００によって図２３（ｃ）のように貼り合わせる。図２４は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第１の補助電極層１０４を通る位置で切り欠いた拡大斜視図を示す。図２５は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、上部電極パターン２０５を通る位置で切り欠いた拡大断面図を示す。
【００６１】
このように第１，第２の補助電極層１０４，２０４を後付けした場合であっても、図１５に示したように切断線３０１でカットすることによって、実施の形態３と同様にレンズ１のレンズ端部３０２に、下基板１００の側では、第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５の端面が露出し、上基板２００の側では、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５の端面が露出する。その他は実施の形態３と同じである。
【００６２】
また、下部絶縁パターン１０６と上部絶縁パターン２０６は、全面に形成すれば良いため、マスクを用いずにスパッタにより下部絶縁パターン１０６と上部絶縁パターン２０６を形成できる。
【００６３】
（実施の形態５）
実施の形態３では下基板１００の平滑な表面に第１の補助電極層１０４を形成し、上基板２００の平滑な表面に第２の補助電極層２０４を形成したが、この実施の形態５では、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても正確に所定位置に第１，第２の補助電極層１０４，２０４をパターニングできるよう、図２６に示すように下基板１００の表面１０１に第１の凹部１０２を形成し、上基板２００の表面２０１に第２の凹部２０２を形成している。
【００６４】
図２６〜図３６は電子メガネ用レンズ１の製造方法を示す。
図２６は製造工程がわかりやすくするために、完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図で、下基板１００と上基板２００の間に電気素子としての液晶３００を内蔵して
いる。４００は下基板１００と上基板２００を張り合わせしている接着層である。
【００６５】
図２７と図２８は下基板１００の加工の工程を示している。
図２７（ａ）では、図２８（ａ）に示すように下基板１００の上基板２００との対向面１０１に第１の凹部１０２と後に前記液晶４００が配置される電気素子形成部１０３を形成する。第１の凹部１０２は、下基板１００を樹脂成形する型に凸部を形成しておき、この凸部を転写することによって形成する。成型後に加工しても形成できる。おおよその寸法は幅０．５ｍｍ〜２ｍｍ×長さ１０ｍｍ〜２０ｍｍ程度であればよい。第１の凹部１０２の深さは数１０μｍ〜数１００μｍ程度である。
【００６６】
図２７（ｂ）では、図２８（ｂ）に示すように第１の凹部１０２に導電性インクでコーティングして第１の補助電極層１０４を形成する。第１の補助電極層１０４の膜厚は１μｍ以上あればよい。具体的には、第１の凹部１０２に導電性インクとしてのＩＴＯインクを充填する。コーティング方法は、インクジェット、ディスペンサーを用いれば良い。下基板１００の表面１０１に形成された第１の凹部１０２の表面をＩＴＯインクでコーティングして第１の補助電極層１０４としているので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても下基板１００の所定位置に第１の補助電極層１０４を正確にパターニングできる。
【００６７】
また、第１の凹部１０２以外をテープなどによりマスキングした状態にてスピンコートやディッピングすることにより第１補助電極層１０４を形成することもできる。
図２７（ｃ）では、図２８（ｃ）に示すように電気素子形成部１０３と第１の補助電極層１０４ならびに、第１の補助電極層１０４の上を覆うように電気素子形成部１０３と第１の補助電極層１０４を接続する下部電極パターン１０５を形成する。具体的には、電気素子形成部１０３と第１の凹部１０２をつなぐマスクパターンを用いてＩＴＯスパッタリングを行う。下部電極パターン１０５の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度である。
【００６８】
図２７（ｄ）では、図２８（ｄ）に示すように電気素子形成部１０３と下部電極パターン１０５の上に下部絶縁層パターン１０６を形成する。具体的には、図２７（ｃ）でのＩＴＯスパッタ後、チャンバから下基板１００を取り出すことなく（大気開放することなく）ＳｉＯ２を連続的にスパッタする。一つのチャンバ内に複数のターゲットがあるスパッタ装置であれば実施が可能で、特殊な装置ではない。
【００６９】
図２７（ｅ）では、液晶３００を注入する部分に配向膜１０７を塗布し、ラビング処理を行う。
図２９と図３０は上基板２００の加工の工程を示している。
【００７０】
図２９（ａ）では、図３０（ａ）に示すように上基板２００の下基板１００との対向面２０１に第２の凹部２０２を形成する。第２の凹部２０２は、上基板２００を樹脂成形する型に凸部を形成しておき、この凸部を転写することによって形成する。成型後に加工しても形成できる。おおよその寸法は幅０．５ｍｍ〜２ｍｍ×長さ１０ｍｍ〜２０ｍｍ程度であればよい。第２の凹部２０２の深さは数１０μｍ〜数１００μｍ程度である。
【００７１】
図２９（ｂ）では、図３０（ｂ）に示すように第２の凹部２０２に導電性インクでコーティングして第２の補助電極層２０４を形成する。第２の補助電極層２０４の膜厚は１μｍ以上あればよい。具体的には、第２の凹部２０２に導電性インクとしてのＩＴＯインクを充填する。コーティング方法は、インクジェット、ディスペンサーを用いれば良い。上基板２００の表面２０１に形成された第２の凹部２０２の表面をＩＴＯインクでコーティングして第２の補助電極層２０４としているので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても上基板２００の所定位置に第２の補助電極層２０４を正確にパターニングできる。
【００７２】
また、第２の凹部２０２以外をテープなどによりマスキングした状態にてスピンコートやディッピングすることにより第２の補助電極層２０４を形成することによっても第２の補助電極層２０４を形成できる。
【００７３】
図２９（ｃ）では、図３０（ｃ）に示すように下基板１００の側の電気素子形成部１０３に対応する部分２０３と第２の補助電極層２０４ならびに、第２の補助電極層２０４の上を覆うように前記部分２０３と第２の補助電極層２０４を接続する上部電極パターン２０５を形成する。具体的には、前記部分２０３と第２の凹部２０２をつなぐマスクパターンを用いてＩＴＯスパッタリングを行う。上部電極パターン２０５の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度である。
【００７４】
図２９（ｄ）では、図３０（ｄ）に示すように上部電極パターン２０５の上に上部絶縁層パターン２０６を形成する。具体的には、図２９（ｃ）でのＩＴＯスパッタ後、チャンバ装置から上基板２００を取り出すことなく（大気開放することなく）ＳｉＯ２を連続的にスパッタする。一つのチャンバ内に複数のターゲットがあるスパッタ装置であれば実施が可能で、特殊な装置ではない。
【００７５】
図２９（ｅ）では、上部電極パターン２０５のうちの前記部分２０３の上の個所に配向膜２０７を塗布し、ラビング処理を行う。
このようにして作製した下基板１００の電気素子形成部１０３と前記上基板２００との間に前記電気素子としての液晶３００を挟んで下基板１００と上基板２００を接着層４００によって貼り合わせる。具体的には、ディスペンサーやインクジェットなどにより液晶３００を注入する。この液晶３００の注入後、外周部分に接着剤（封止剤）を充填し、下基板１００と上基板２００を接着層４００によって貼り合わせる。
【００７６】
図３１は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第１の凹部１０２を通る位置で切り欠いた拡大斜視図を示す。図３２は図３１の要部の拡大図である。図３３は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第２の凹部２０２を通る位置で切り欠いた拡大斜視図を示す。図３４は図３３の要部の拡大図である。
【００７７】
このように張り合わせが完了した下基板１００と上基板２００を、前記メガネフレーム１１のリム８の形状に応じて図１５と同様に切断線３０１で下基板１００と上基板２００をカットする。このときには、第１，第２の凹部１０２，２０２に掛かる位置でカットして、レンズ端部３０２に図３５に示すように第１，第２の凹部１０２，２０２の切断面を露出させる。この露出した第１，第２の凹部１０２，２０２の切断面には、図３６に示すように、下基板１００の側では、第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５の端面が露出している。上基板２００の側では、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５の端面が露出している。
【００７８】
この図３５のレンズを用いて、図１８と図１９に示すようにメガネフレーム１１にレンズ１をセットすることで、電子メガネを構成することが出来る。
このようにして、前記制御部５から液晶３００を駆動するに必要な電圧をレンズ１の下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５の間に印加することができる。
【００７９】
また、第１，第２の凹部１０２，２０２に第１，第２の補助電極層１０４，２０４をコーティングしてから下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５を形成する工程を採用した場合には、下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５の上に、下部絶縁層パターン１０６，上部絶縁層パターン２０６を形成する工程を、前述のように、チャンバを大気開放して下基板１００，上基板２００を取り出すことなく連続的にスパッタして実施することができる。
【００８０】
具体的には、第１，第２の凹部１０２，２０２に下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５を形成してから第１，第２の補助電極層１０４，２０４をコーティングする後付け処理工程を採用した場合には、第１，第２の凹部１０２，２０２に下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５をスパッタ形成して、スパッタ装置を大気開放して下基板１００、上基板２００を取り出しマスクパターンを変更してから下部絶縁層パターン１０６，上部絶縁層パターン２０６を形成する工法と、第１、第２の凹部１０２，２０２に下部電極パターン１０５上部電極パターン２０５をスパッタにより形成して、スパッタ装置を大気開放して下基板１００、上基板２００を取り出し第１の補助電極１０４、第２の補助電極２０４を形成した後に再びスパッタする工法がある。しかしながらいずれの工法においてもスパッタ装置の真空引きを二度行うことになって加工プロセスが複雑になる。
【００８１】
これに対してこの実施の形態の第１，第２の補助電極層１０４，２０４の先付け処理では、下基板１００への下部電極パターン１０５の形成と下部絶縁層パターン１０６の形成をスパッタ装置を大気開放することなく実施でき、上基板２００への上部電極パターン２０５の形成と上部絶縁層パターン２０６の形成をスパッタ装置を大気開放することなく実施できるため、加工プロセスの簡略化が可能である。
【００８２】
さらに、図２０と図２１に示した場合と同様に、導電ペーストとしての銀ペースト３０３ａ，３０３ｂを第１の補助電極層１０４と第２の補助電極層２０４の上に付着させると、接触面積が増えるので、さらに良い点については、先の各実施の形態と同じである。
【００８３】
（実施の形態６）
実施の形態４では下基板１００の平滑な表面に第１の補助電極層１０４を形成し、上基板２００の平滑な表面に第２の補助電極層２０４を形成したが、この実施の形態６では、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても正確に所定位置に第１，第２の補助電極層１０４，２０４をパターニングできるよう、図３７に示すように下基板１００の表面１０１に第１の凹部１０２を形成し、上基板２００の表面２０１に第２の凹部２０２を形成している。
【００８４】
図３７〜図４０は本発明の実施の形態６を示す。
実施の形態５では、第１の凹部１０２に第１の補助電極層１０４をコーティングしてから下部電極パターン１０５を形成し、また、第２の凹部２０２に第２の補助電極層２０４をコーティングしてから上部電極パターン２０５を形成したが、この実施の形態６では、第１，第２の補助電極層１０４，２０４を後付けする点だけが異なっている。その他は実施の形態５と同じである。
【００８５】
図３７は製造工程がわかりやすくするために、完成したレンズ１を分解して図示したイメージ図である。
図３８（ａ）では、下基板１００の電気素子形成部１０３から第１の凹部１０２に掛けて下部電極パターン１０５を形成する。
【００８６】
図３８（ｂ）では、第１の凹部１０２をコーティングしている下部電極パターン１０５の上にだけ導電性インクでコーティングして第１の補助電極層１０４を形成し、さらに第１の補助電極層１０４の上と下部電極パターン１０５と電気素子形成部１０３とを覆うように下部絶縁層パターン１０６を形成する。下部絶縁層パターン１０６の上には電気素子形成部１０３の位置に対応して図３７に示すように配向膜１０７を形成する。
【００８７】
この場合の上基板２００も図３８（ａ）（ｂ）と同様に形成する。つまり図３７に示すように、下基板１００の側の電気素子形成部１０３に対応する部分と第２の凹部２０２ならびにこの両者をつなぐ部分に上部電極パターン２０５を形成し、その後に、第２の凹部２０２をコーティングしている上部電極パターン２０５の上にだけ導電性インクでコーティングして第２の補助電極層２０４を形成し、さらに第２の補助電極層２０４の上と上部電極パターン２０５とを覆うように上部絶縁層パターン２０６を形成する。さらに、配向膜２０７を形成する。
【００８８】
そして、第１の凹部１０２に下部電極パターン１０５に第１の補助電極層１０４を後付けした下基板１００と、第２の凹部２０２に上部電極パターン２０５に第２の補助電極層２０４を後付けした上基板２００との間に、液晶３００を挟んで接着層４００によって図３８（ｃ）のように貼り合わせる。図３９は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第１の凹部１０２を通る位置で切り欠いた拡大斜視図を示す。図４０は貼り合わせた下基板１００と上基板２００を、第２の凹部２０２を通る位置で切り欠いた拡大断面図を示す。
【００８９】
このように第１，第２の凹部１０２，２０２に第１，第２の補助電極層１０４，２０４を後付けした場合であっても、図３５と同じように前記切断線３０１でカットすることによって、実施の形態５と同様にレンズ１のレンズ端部３０２に、下基板１００の側では、第１の補助電極層１０４と下部電極パターン１０５の端面が露出し、上基板２００の側では、第２の補助電極層２０４と上部電極パターン２０５の端面が露出する。その他は実施の形態５と同じである。
【００９０】
この実施の形態６の場合には、第１の凹部１０２に設けた下部電極パターン１０５の窪みに第１の補助電極層１０４を形成し、第２の凹部２０２に設けた上部電極パターン２０５の窪みに第２の補助電極層２０４を形成しているので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても下基板１００と上基板２００の所定位置に第１，第２の補助電極層１０４，２０４を正確にパターニングできる。
【００９１】
また、下部絶縁パターン１０６と上部絶縁パターン２０６は全面に形成すれば良いため、マスクを用いずにスパッタにより絶縁層を形成できる。
（実施の形態７）
実施の形態４では下基板１００に第１の補助電極層１０４を形成してから下部絶縁層パターン１０６を形成し、上基板２００に第２の補助電極層２０４を形成してから上部絶縁層パターン２０６を形成したが、下部絶縁層パターン１０６には孔１０６ｂ（図４１を参照）を形成し、上部絶縁層パターン２０６には孔２０６ｂ（図４１を参照）を形成するとともに、第１の補助電極層１０４よりも下部絶縁層パターン１０６を先に形成し、第２の補助電極層２０４よりも上部絶縁層パターン２０６を先に形成する点だけが異なっている。
【００９２】
この実施の形態７では、下部電極パターン１０５の上に形成された下部絶縁層パターン１０６の孔１０６ｂに導電性インクを入れて下部電極パターン１０５の一部をコーティングするので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても正確に所定位置に第１の補助電極層１０４をパターニングできる。同様に、上部電極パターン２０５の上に形成された上部絶縁層パターン２０６の孔２０６ｂに導電性インクを入れて上部電極パターン２０５の一部をコーティングするので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても正確に所定位置に第２の補助電極層２０４をパターニングできる。その他は実施の形態４と同じである。
【００９３】
（実施の形態８）
実施の形態６では下基板１００に第１の補助電極層１０４を形成してから下部絶縁層パターン１０６を形成し、上基板２００に第２の補助電極層２０４を形成してから上部絶縁層パターン２０６を形成したが、下部絶縁層パターン１０６には孔１０６ｂ（図４２を参照）を形成し、上部絶縁層パターン２０６には孔２０６ｂ（図４２を参照）を形成するとともに、第１の補助電極層１０４よりも下部絶縁層パターン１０６を先に形成し、第２の補助電極層２０４よりも上部絶縁層パターン２０６を先に形成する点だけが異なっている。
【００９４】
この実施の形態８では、下部電極パターン１０５の上に形成された下部絶縁層パターン１０６の孔１０６ｂに導電性インクを入れて下部電極パターン１０５の一部をコーティングするので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても正確に所定位置に第１の補助電極層１０４をパターニングできる。同様に、上部電極パターン２０５の上に形成された上部絶縁層パターン２０６の孔２０６ｂに導電性インクを入れて上部電極パターン２０５の一部をコーティングするので、濡れ性の高いＩＴＯインクを使用した場合であっても正確に所定位置に第２の補助電極層２０４をパターニングできる。その他は実施の形態６と同じである。
【００９５】
上記の実施の形態５，実施の形態６，実施の形態８では、第１，第２の凹部１０２，２０２を設けたため、濡れ性の高いインクを所定位置にパターニングすることができ、上下基板の貼り合わせ面へ導電性インクとしてのＩＴＯインクがはみ出さないようにできる。
【００９６】
さらに、実施の形態３，実施の形態４，実施の形態７のように第１，第２の凹部１０２，２０２を設けずに下基板１００，上基板２００の面に直接にパターニングを行った場合には、導電性インクとしてのＩＴＯインクの膜厚のために上下基板の貼り合わせにおいてギャップが発生しレンズ１の歪みを発生させてしまうが、実施の形態５，実施の形態６，実施の形態８ではより歪みの少ない良好なレンズ１を作製できる。
【００９７】
実施の形態５，実施の形態６，実施の形態８において、第１，第２の凹部１０２，２０２の断面形状が平面により構成される場合は、面と面の交わる直線部にインクが溜まりやすく、平面部分よりインク膜厚が厚い部分が形成されてしまう。このような液の溜まり易い部分においては、乾燥状態の相違からか導電性インクとしてのＩＴＯインク膜の表面に割れ（クラック）が発生しやすく、ＩＴＯインクにより形成される透明導電膜の抵抗値を増加させる要因となる。この問題を解決するために、実施の形態５，実施の形態６，実施の形態８の第１，第２の凹部１０２，２０２の断面形状を曲面に形成している。第１，第２の凹部１０２，２０２の断面形状を曲面に形成せずに面と面の接合で形成する場合には、面と面の交わる部分にはＲ加工を行うことによって、ほぼ同様の効果を期待できる。
【００９８】
上記の実施の形態３〜実施の形態８では、透明の第１，第２の補助電極層１０４，２０４を導電性インクとしてのＩＴＯインクのコーティングによって形成し、透明の下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５をスパッタリングで形成したが、下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５の形成方法は、スパッタリング以外の蒸着方法であっても同様に実施できる。スパッタリング以外の蒸着方法としては、抵抗加熱蒸着，電子ビーム蒸着，分子線エピタキシー法（Molecular Beam Epitaxy ），イオンメッキ（ion plating），イオンビームデポジションなどのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）や、熱ＣＶＤ（thermal Chemical Vapor Deposition），プラズマＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition），光ＣＶＤ，エピタキシャルＣＶＤ，アトミックレイヤーＣＶＤなどのＣＶＤを挙げることができる。
【００９９】
また、透明な第１，第２の補助電極層１０４，２０４、下部電極パターン１０５，上部電極パターン２０５の材料として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の場合を例に挙げて説明したが、チタンを主成分としてインジウムを含まないニオブ添加二酸化チタン（Ｔｉ１−ｘＮｂｘＯ２：ＴＮＯ）、ＺｎＯなどをＩＴＯ代替透明電極材料として使用することもできる。
【０１００】
上記の実施の形態３〜実施の形態８では、下部絶縁層パターン１０６と上部絶縁層パターン２０６が設けられていたが、接着層４００の単独によって下部電極パターン１０５と上部電極パターン２０５との電気絶縁を維持することができる場合には、下部絶縁層パターン１０６と上部絶縁層パターン２０６の少なくとも一方を省くことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明にかかる電子メガネは、電気回路の接続を確実に行い、その信頼性を向上するものであり、液晶素子、エレクトロクロミック素子などの電気素子が用いられるメガネ、サングラスなどに有用である。
【符号の説明】
【０１０２】
１    レンズ
１ａ    ヤゲン
１ｂ    レンズ側ザグリ
２ａ，２ｂ    電極パターン
３ａ，３ｂ    レンズ部電極パッド
４    電気接続手段
５    制御部
６ａ，６ｂ    配線部電極パッド
７    異方導電性ゴム
８    リム
８ａ    溝
８ｂ    リム側ザグリ
９    リムロック
１０    ねじ
１１    メガネフレーム
１００    下基板
１０１    下基板の上基板２００との対向面
１０２    第１の凹部
１０３    電気素子形成部
１０４    第１の補助電極層
１０５    下部電極パターン
１０６    下部絶縁層パターン
１０６ｂ    孔
１０７    配向膜
２００    上基板
２０１    上基板の下基板１００との対向面
２０２    第２の凹部
２０３    電気素子形成部に対応する部分
２０４    第２の補助電極層
２０５    上部電極パターン
２０６    上部絶縁層パターン
２０６ｂ    孔
２０７    配向膜
３００    液晶
３０１    切断線
３０２    レンズ端部
３０３ａ，３０３ｂ    銀ペースト
３０４    メガネフレームの智
３０５ａ，３０５ｂ    フレキシブル配線
３０６ａ，３０６ｂ    配線部電極パッド
３０７    リム
３０８    異方導電性ゴム
４００    接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図２０】
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