(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されてなる積層体を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体の積層方向における最外層位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ１であり、
前記積層体の積層方向における中央位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ２であり、
前記積層体の積層方向における前記最外層位置と前記中央位置との間を等分した中間位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ３であるとした場合において、
前記平均粒径Ｄ１、Ｄ２及びＤ３の関係が、
１．５×Ｄ１＜Ｄ３、かつ、
１．２×Ｄ２＜Ｄ３
の条件を満たし、
前記誘電体層の１層の厚さが０．８μｍであるのに対し前記平均粒径Ｄ１が０．４μｍ以下である積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
さらに前記平均粒径Ｄ２及びＤ３の関係が、
１．５×Ｄ２＜Ｄ３
の条件を満たす請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記積層体の積層方向に直交する方向における最外縁位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ４であるとした場合において、
前記平均粒径Ｄ３及びＤ４の関係が、
１．５×Ｄ４＜Ｄ３
の条件を更に満たす請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。特に静電容量と絶縁抵抗の積であるＣＲ積の改善が図られた積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などのデジタル電子機器の小型化及び薄型化に伴い、電子回路基板に実装される積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Multi-Layer ceramic capacitor）において求められるチップサイズの小型化及び大容量化のニーズが年々増している。小型の積層セラミックコンデンサにおいてその静電容量を上げるためには、誘電体層を薄層化して高密度かつ多層に積層する必要がある。しかし、誘電体層の厚さをミクロンオーダ及びそれ以下にした場合、誘電体層の層厚と粒子径とがほぼ等しくなる、いわゆる一層一粒子の微細構造に近づくこととなる。
【０００３】
一層一粒子構造を有する誘電体層では、誘電体粒子間の粒界が減少するため、これによる絶縁抵抗の低下や耐電圧の低下などの積層セラミックコンデンサの信頼性悪化が懸念される。また、セラミックコンデンサの焼成時に誘電体粒子が過剰に粒成長するような場合にも、誘電体層における粒界が減少し、絶縁抵抗が低下する等の同様の問題が生じる。このように、積層セラミックコンデンサの高密度化による静電容量の確保と絶縁抵抗とはトレードオフの関係にあり、ＣＲ積（静電容量と絶縁抵抗値との積）が積層セラミックコンデンサの品質特性を比較するための１つの指標として用いられている。
【０００４】
薄層化によるＣＲ積の低下を改善する先行技術として、例えば特許文献１には、誘電体層が粒径０．４μｍ以上の大径結晶粒子を１０〜３０体積％の割合で含有するとともに、粒径０．２５μｍ以下の小径粒子を５０〜７０体積％の割合で含有する、誘電体の積層構造が開示されている。
【０００５】
また、誘電体粒子の粒成長により静電容量の獲得と良好な絶縁特性もしくは信頼性とを両立させる手法としては、誘電体粒子のアスペクト比を制御する手法（例えば特許文献２）、一層一粒子比率を制御する方法（例えば特許文献３）、誘電体組成を絶縁性の高いものにする手法（例えば特許文献４）などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３３８８２８号公報
【特許文献２】特開２０１０−２１２５０３号公報
【特許文献３】特開平１１−３１７３２２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１８０１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、これら何れの従来技術を用いたとしても積層セラミックコンデンサのＣＲ積には上限があり、すなわち、ある一定の層厚以下にして静電容量を増加させた場合に絶縁抵抗が急激に低下する（例えば図１０参照）という課題を解決することができなかった。
【０００８】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、焼成による粒成長の進行が比較的速い部分の粒成長を抑制することにより、従来よりもＣＲ積の改善を図ることができ、１μｍ以下の誘電体厚みでも十分なＣＲ積が得られる積層セラミックコンデンサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明は、誘電体層と内部電極層とが交互に積層されてなる積層体を備える積層セラミックコンデンサであって、前記積層体の積層方向における最外層位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ１であり、前記積層体の積層方向における中央位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ２であり、前記積層体の積層方向における前記最外層位置と前記中央位置との間を等分した中間位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ３であるとした場合において、前記平均粒径Ｄ１、Ｄ２及びＤ３の関係が、１．５×Ｄ１＜Ｄ３、かつ、１．２×Ｄ２＜Ｄ３の条件を満たす積層セラミックコンデンサである。
【００１０】
前記積層セラミックコンデンサは、さらに１．５×Ｄ２＜Ｄ３の条件を満たすことが好ましい。また更に前記積層体の積層方向に直交する方向における最外縁位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ４であるとした場合において、前記平均粒径Ｄ３及びＤ４の関係が、１．５×Ｄ４＜Ｄ３の条件を更に満たすことが好ましい。
【００１１】
前記積層セラミックコンデンサは、前記誘電体層の１層の厚さが０．８μｍであるのに対し前記平均粒径Ｄ１が０．４μｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
前記積層セラミックコンデンサは、前記積層体の外側を覆うセラミックスのマージン部が形成され、前記誘電体層の粒成長を抑制する粒成長抑制剤が前記マージン部に添加されていることが好ましい。
【００１３】
前記積層セラミックコンデンサは、前記誘電体層と前記内部電極層との間に生じる段差を補填する逆パターンシートに、前記誘電体層の粒成長を抑制する粒成長抑制剤が添加されていることが好ましい。
【００１４】
前記積層セラミックコンデンサは、前記粒成長抑制剤がＭｎ、Ｍｇ、希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、小型及び大容量が要求されるハイエンド向けの積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体厚が１μｍ以下でも十分なＣＲ積を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施形態による積層セラミックコンデンサの内部を一部切断して模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、誘電体粒子の粒径の相違を積層体の断面の領域に別けて模式的に示す図である。
【図３】図３は、焼成前のグリーンシート及び導電性ペースト膜の各１層を示す断面図である。
【図４】図４は、焼成前のグリーンシート及び導電性ペースト膜に逆パターンシートが形成された各１層を示す断面図である。
【図５】図５は、積層体の最外層部分の模式図である。
【図６】図６は、積層体の５０％侵入部分の模式図である。
【図７】図７は、積層体の２５％侵入部分の模式図である。
【図８】図８は、平均粒径を説明するために積層体の内部を拡大して示す模式断面図である。
【図９】図９は、平均粒径を説明するために積層体の電極側端部を拡大して示す模式断面図である。
【図１０】図１０は、比較例と対比させた本発明の積層セラミックコンデンサのＣＲ積の特性を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態による積層セラミックコンデンサを説明する。図１は、積層セラミックコンデンサ１の内部を一部切断して模式的に示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１は、規格で定められたチップ寸法及び形状（例えば１．０×０．５×０．５ｍｍの直方体）を有するセラミック焼結体１０と、セラミック焼結体１０の両側に形成される一対の外部電極２０とから概ね構成される。図１には直方体の積層セラミックコンデンサ１の一角が切断された断面が示されている。また、図１の円内には積層体１１の断面が拡大して示される。
【００１８】
セラミック焼結体１０は、例えばＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）を主成分として焼成され、内部に誘電体層１２と内部電極層１３とが交互に積層されてなる積層体（内電アクティブ層ともいう）１１を有している。内電アクティブ層は、積層セラミックコンデンサ１の蓄電動作に寄与する、概ね直方体状の積層体１１の部分をいう。
【００１９】
その積層体１１は、積層セラミックコンデンサ１に要求される静電容量や耐久電圧等の仕様に応じて、２枚の内部電極層１３で挟まれる誘電体層１２の１層あたりの厚さが例えば０．８μｍ以下である高密度多層構造を有している。また、積層体１１の外側を覆うようにマージン部１４が形成されている。
【００２０】
マージン部１４は、詳細には図１に示されるように、積層体１１の積層方向における最外層の上下を覆うカバー部１５と、積層体１１の積層方向に直交する方向における最外縁の両側を覆うサイドマージン部１６とを含む。マージン部１４は、誘電体層１２と同様に例えばＢａＴｉＯ３を主成分として焼成されるセラミックスからなる。積層体１１を覆うセラミックスのマージン部１４は、誘電体層１２及び内部電極層１３などを外部からの湿気やコンタミ等の汚染から保護し、積層体１１の経時的な劣化を防ぐために形成される。
【００２１】
図２は、積層体１１を積層方向に沿って切断し、誘電体粒子の粒径の相違を積層体１１の断面の領域に別けて模式的に示す図である。
【００２２】
本発明の１つの特徴によれば、積層体１１の積層方向における最外層位置Ｐ１に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ１であり、積層体１１の積層方向における中央位置Ｐ２に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ２であり、積層体１１の積層方向における最外層位置Ｐ１と中央位置Ｐ２との間を等分した中間位置Ｐ３に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ３であるときに、これらの平均粒径において、少なくとも、
１．５×Ｄ１＜Ｄ３              ・・・数式（１）
の条件を満たす。
加えて、これらの平均粒径において、
１．２×Ｄ２＜Ｄ３              ・・・数式（２）
の条件を満たすことが好ましい。
また、上記数式（２）においては、さらに
１．５×Ｄ２＜Ｄ３              ・・・数式（２）’
の条件を満たすことが好ましい。
ここで、中央位置Ｐ２は、積層体（内電アクティブ層）１１の内部へのその積層方向における５０％侵入位置であり、中間位置Ｐ３は、積層体（内電アクティブ層）１１の内部へのその積層方向における２５％侵入位置に相当する。また、平均粒径Ｄ１が測定される最外層位置Ｐ１は、積層体（内電アクティブ層）１１の上側及び下側の両方の位置であってもよいし、一方のみの位置であってもよい。
【００２３】
上記の数式（１）、（２）及び（２）’によれば、積層セラミックコンデンサ１の積層体１１の積層方向に沿う両側部及び／又は中央部（図２の領域Ａ）における誘電体粒子の平均粒径が、他の部分（図２の領域Ｂ）における平均粒径よりも小さいことが理解される。このような誘電体粒子の粒径分布となるように部分的に粒成長を抑制し積層体を焼成することにより、積層セラミックコンデンサ１の大容量化に伴うＣＲ積の低下を軽減することができる。
【００２４】
また、実施形態による積層セラミックコンデンサ１は、積層体１１の積層方向に直交する方向における最外縁位置Ｐ４に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ４であるときに、中間位置Ｐ３に存在する誘電体粒子の平均粒径Ｄ３に対して、
１．５×Ｄ４＜Ｄ３              ・・・数式（３）
の条件を満たすことがより好ましい。なお、平均粒径Ｄ４については、静電容量への寄与は小さいので、本発明の必須の構成ではないが、絶縁抵抗への寄与は大きいので、より高いＣＲ積を得ることができる。また、少なくとも
１．２×Ｄ４＜Ｄ３              ・・・数式（３）’
の条件を満たしていればよい。
【００２５】
焼成により誘電体粒子の粒成長が過剰になると誘電体層における粒界数が減少し、これが絶縁抵抗の低下や耐電圧の低下を引き起こす。還元性雰囲気中での焼成される従来の積層セラミックコンデンサにおいて、積層体の積層方向における両端部近傍及びその中央部近傍が他の部分よりも比較的粒成長の比率が高いことが判明した。発明者らは、焼成の際に積層体の両端部近傍又は中央部近傍で最初に一層一粒子構造に至り、それが結果的にコンデンサ全体の絶縁抵抗の低下ひいてはＣＲ積の低下を招く要因であることに着目し、これら粒成長の比率（速度）が高い箇所の粒成長を抑制することによりＣＲ積の低下を軽減させるという着想を得た。
【００２６】
上述した数式（１）で表される誘電体粒子の粒径分布を得るために、一つの実施形態では、積層体１１の外側を覆うカバー部１５に粒成長抑制元素が添加される。これにより、最外層位置Ｐ１である両端部近傍（図２の領域Ａ）に存在する誘電体粒子の粒成長が他の領域（図２の領域Ｂ）のそれよりも抑制される。
【００２７】
また、上述した数式（２）及び（２）’で表される誘電体粒子の粒径分布を得るために、もう一つの他の実施形態では、還元性雰囲気中での焼成温度と最高温度での保持時間を調整することにより、積層方向における中央位置Ｐ２を貫く中央部近傍（図２の領域Ａ）に存在する誘電体粒子の粒成長が他の領域（図２の領域Ｂ）のそれよりも抑制される。また、有効な昇温速度は５０００〜１００００℃／ｈｒ程度である。
【００２８】
また、上述した数式（３）及び（３）’で表される誘電体粒子の粒径分布を得るために、もう一つの他の実施形態では、積層体１１の外側を覆うサイドマージン部１６に粒成長抑制元素が添加される。サイドマージン部１６に粒成長抑制元素が添加されること及び／又は逆パターンシート２４に粒成長抑制元素が添加されるものでもよい。これにより、最外縁位置Ｐ４近傍（図２の領域Ａ）に存在する誘電体粒子の粒成長が他の領域（図２の領域Ｂ）のそれよりも抑制される。
【００２９】
ここで、図３は、焼成後に誘電体層１２になるグリーンシート２２及び内部電極層１３になる導電性ペースト膜２３の各１層を示す断面図である。また、図４は、グリーンシート２２及び導電性ペースト膜２３に逆パターンシート２４が形成された各１層を示す断面図である。図４において参照される逆パターンシート２４は、グリーンシート２２及び導電性ペースト膜２３との間の段差を補填するために、導電性ペースト膜２３とは逆のパターンを有している。逆パターンシート２４はグリーンシート２２と同様の例えばＢａＴｉＯ３を主成分とする。逆パターンシート２４は、グリーンシート２２にスクリーン印刷により形成してもよいし、内部電極層１３に対応する開口を有するシートがグリーンシート２２に積層されてなるものでもよい。
【００３０】
カバー部１５、マージン部１４及び／又は逆パターンシート２４に添加される粒成長抑制元素は、例えばＭｎ、Ｍｇ、希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。また、粒成長抑制元素は積層体（内電アクティブ層）１１にも含まれていてもよいが、その場合、カバー部１５、マージン部１４及び／又は逆パターンシート２４に含まれる量よりも少ない量が含まれる。好ましくはＢａＴｉＯ３が１００ｍｏｌに対し０．５ｍｏｌ以上の添加量の差があればよい。
【００３１】
本実施形態によれば、積層体１１において、上述した数式（１）および（２）を満たし、好ましくは数式（２）’、（３）又は（３）’を満たす、誘電体粒子の粒径分布となるように粒成長を抑制することにより、積層セラミックコンデンサ１の大容量化に伴うＣＲ積の低下を従来よりも軽減することができる。
【実施例】
【００３２】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサ（以下「ＭＬＣＣ」という）の実施例を説明する。
【００３３】
＜ＭＬＣＣの作製＞
（１）ＭＬＣＣ成型体の作製
まず、誘電体のグリーンシート、逆パターンシート、カバー部及びサイドマージン部の原料粉末として平均粒径が４０ｎｍ〜４００ｎｍ以下のＢａＴｉＯ３粉末を調製した。本実施例では逆パターンシート、カバー部となるカバーシート及びサイドマージン部となるサイドシートの原料スラリーに、粒成長抑制剤としてＭｇおよびＭｎをＢａＴｉＯ３が１００ｍｏｌに対しそれぞれ１．０ｍｏｌずつ添加した。調製した誘電体原料粉末を有機溶剤で湿式混合し、ドクターブレード法により１．０μｍ厚の誘電体のグリーンシートを塗工して乾燥させた。同様に逆パターンシート、カバーシート及びサイドシートもシート状に成形した。
【００３４】
グリーンシート上にＮｉを含む導電性ペースト膜を所定パターンでスクリーン印刷した。また、グリーンシートと導電性ペースト膜との間の段差を埋めるため当該導電性ペースト膜と相補的なパターンを有する逆パターンシートをグリーンシート上にスクリーン印刷して形成した。逆パターンシートの厚さは導電性ペースト膜と同じ厚さである。なお上述したように、この逆パターンシートには焼成による誘電体層の粒成長を抑制するための上述の粒成長抑制剤が所定量添加されている（表１参照）。
【００３５】
導電性ペースト膜及び逆パターンシートを配置したグリーンシートを、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように１０１枚積層し、これにより積層数ｎが１００の積層体シートを得た。その後、積層体シートの上下面にカバー部の総厚が２０μｍとなるようにカバーシートを複数枚圧着した。なお上述したように、このカバーシートには焼成による誘電体層の粒成長を抑制するための粒成長抑制剤が所定量添加されている。
【００３６】
積層体シートを所定寸法にカットした直方積層体の両側面にサイドマージン部の総厚が４０μｍとなるようにサイドシートを複数枚圧着した。なお上述したように、このサイドシートには焼成による誘電体層の粒成長を抑制するための粒成長抑制剤が表１に示す所定量添加されている。これにより、縦１．０ｍｍ、横０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍの寸法のＭＬＣＣ成型体を得た。
【００３７】
（２）ＭＬＣＣ成型体の焼成
ＭＬＣＣ成型体の試料をＮ２雰囲気中にて３００℃の温度で脱バインダした。その後、Ｈ２を含む還元性雰囲気中にて１１５０℃から１２５０℃の温度範囲まで昇温速度６０００℃／ｈｒで昇温し、１０分から２時間その温度を保持して焼成した。降温後、Ｎ２雰囲気中にて８００℃から１０５０℃の温度範囲まで昇温し、その温度を保持して再酸化処理を行った。こうして得たＭＬＣＣの焼結体において外部電極を形成するために、内部電極が露出する両側の端面にガラスフリットを含有するＮｉペーストを塗布し、Ｎ２雰囲気中にて焼き付け処理を行った。
これにより、ＭＬＣＣの試料を得た。
【００３８】
表１に今回の実験で用いたＭＬＣＣ試料の製造条件を示す。
【表１】
0005462962.tif 000002
【００３９】
＜ＭＬＣＣの評価方法＞
（１）誘電体粒子の平均粒径の評価方法
ＭＬＣＣの外部電極が形成されている端面に対し平行に切断して断面を露出させ、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した誘電体層の断面写真に基づいて誘電体粒子の粒径を測定した。粒径を測定した位置は、平均粒径Ｄ１を評価するため積層方向における最外層位置Ｐ１と、平均粒径Ｄ２を評価するため積層方向における中央位置Ｐ２と、平均粒径Ｄ３を評価するため最外層位置Ｐ１と中央位置Ｐ２との間を等分した中間位置Ｐ３と、平均粒径Ｄ４を評価するため積層方向に直交する方向における最外縁位置Ｐ４の４箇所である。
【００４０】
ここで、最外層位置Ｐ１では、図５に示されるように、第１層（最外層）から第３層までの誘電体層１２の、中心線を基準に１５μｍの範囲内の領域で観察される誘電体粒子のグレイン径を測定した。積層体の５０％侵入部分である中央位置Ｐ２では、図６に示されるように、第ｎ／２層から第ｎ／２＋２層（ｎ＝１００の場合、第５０層から第５２層）までの誘電体層１２の、中心線を基準に１５μｍの範囲内の領域で観察される誘電体粒子のグレイン径を測定した。積層体の２５％侵入部分である中間位置Ｐ３では、図７に示されるように、第ｎ／４層から第ｎ／４＋２層（ｎ＝１００の場合、第２５層から第２７層）までの誘電体層１２の、中心線を基準に１５μｍの範囲内の領域で観察される誘電体粒子のグレイン径を測定した。最外縁位置Ｐ４では、内部電極層の端部から中心方向に２μｍの範囲内の領域で観察される誘電体粒子のグレイン径を測定した（図９参照）。
【００４１】
ＳＥＭ画像に基づいて誘電体粒子の積層方向の最大長と積層方向に直交する方向の最大長とを測定し、それらの単純算術平均値をその誘電体粒子のグレイン径として評価した。そして、位置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４の各領域において、当該領域に存在する全ての誘電体粒子のグレイン径を測定し、それらの単純算術平均値を求めた。同一条件で製造した２０個のＭＬＣＣチップについて測定した最終的な平均値を、本実施例における平均粒径Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３及びＤ４として評価した。なお、図８及び図９に示されるように、領域の外に見切れている粒子についても、その領域外の部分を含めた粒径を測定対象とした。
【００４２】
なお、平均粒径Ｄ１は、積層体の上側及び下側の両方の最外層位置で測定されてもよいし、一方のみの最外層位置で測定されてもよい。平均粒径Ｄ３は、積層体の上側から及び下側からの両方の２５％侵入位置で測定されてもよいし、一方のみの２５％侵入位置で測定されてもよい。平均粒径Ｄ４は、積層体の左右両方の最外縁位置で測定されてもよいし、一方のみの最外縁位置で測定されてもよい。
【００４３】
＜ＭＬＣＣの評価結果＞
作製したＭＬＣＣの誘電体層に対する評価結果を表２に示す。作成した試料においてＣＲ積が２０００Ｆ・Ωを規定値とし、それ以上のＣＲ積を示す試料を合格として評価した。
【００４４】
【表２】
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【００４５】
表２において、＊が付された番号の試料（Ｎｏ．１、５、９、１２及び１５〜１８）は、ＣＲ積が２０００Ｆ・Ωよりも小さい比較例として挙げられている。ＣＲ積が２０００Ｆ・Ωよりも大きい試料では、第１の平均粒径比Ｄ３／Ｄ１が１．５よりも大きく、第２の平均粒径比Ｄ３／Ｄ２が１．２よりも大きかった。また、第２の平均粒径比Ｄ３／Ｄ２が１．５よりも大きくかつ第３の平均粒径比Ｄ３／Ｄ４が１．５よりも大きい試料は２５００Ｆ・Ωよりも大きいＣＲ積が得られた。
【００４６】
また、最も粒成長が小さく抑制された最外層位置Ｐ１の平均粒径Ｄ１が４００ｎｍよりも大きい試料Ｎｏ．１５〜１８では、何れも規定値よりも大幅に小さいＣＲ積を示した。このことから、誘電体層の１層の厚さが０．８μｍであるのに対し平均粒径Ｄ１が０．４μｍ以下であることが好ましいといえる。
【００４７】
図１０は、比較例と対比させた本発明の積層セラミックコンデンサのＣＲ積の特性を定性的に示すグラフ図である。本発明の実施例による積層セラミックコンデンサは、従来技術による比較例に比べ高いＣＲ積を有している。このことは、高い焼成温度であっても、積層体における粒成長の速度が高い箇所（例えば図２に示した領域Ａ）の粒成長が抑制され、結果的に高い絶縁抵抗が維持されていることを意味している。また、本発明の実施例による積層セラミックコンデンサでは、図１０に示されるように、焼成温度の高い範囲で従来技術のようにＣＲ積が急激に落ち込むような不利な特性は見られなかった。
【符号の説明】
【００４８】
１  積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）
１０  セラミック焼結体
１１  積層体（内電アクティブ層）
１２  誘電体層
１３  内部電極層
１４  マージン部
１５  カバー部
１６  サイドマージン部
２０  外部電極
２２  グリーンシート
２３  導電性ペースト膜
２４  逆パターンシート
【要約】
【課題】小型大容量の積層セラミックコンデンサにおいてＣＲ積の改善を図る。
【解決手段】積層体の最外層位置Ｐ１に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ１であり、積層体の中央位置Ｐ２に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ２であり、積層体の２５％侵入位置Ｐ３に存在する誘電体粒子の平均粒径がＤ３であるとした積層セラミックコンデンサにおいて、平均粒径Ｄ１、Ｄ２及びＤ３の関係が、１．５×Ｄ１＜Ｄ３、かつ、１．２×Ｄ２＜Ｄ３の条件を満たすように、焼成による誘電体粒子の粒成長を部分的に抑制する。これにより、１μｍ以下の誘電体厚みでも十分なＣＲ積が得られる。
【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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