(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、
前記素子基板の一方の主面に設けられた機能素子と、
前記一方の主面にはんだにより形成されて設けられて前記機能素子に電気的に接続された接続用電極と、
前記一方の主面に前記機能素子および前記接続用電極を囲繞して設けられた絶縁層とを備え、
前記絶縁層は、前記接続用電極が前記一方の主面から剥離しないように前記接続用電極の表面の少なくとも一部を覆って前記一方の主面に設けられ、前記接続用電極がモジュール基板の実装面の実装用電極に接続され前記絶縁層が前記実装面に圧着されて、前記一方の主面および前記実装面と前記絶縁層とに囲まれた空間が形成されるように、前記絶縁層は、前記実装面に圧着される際に前記はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、前記接続用電極が前記実装用電極に接続される際の前記はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されていることを特徴とするベアチップ実装構造の電子部品。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記一方の主面からの高さが、前記接続用電極の前記一方の主面からの高さと同じかそれ以上の高さに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のベアチップ実装構造の電子部品。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記接続用電極の全表面を覆って前記一方の主面に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のベアチップ実装構造の電子部品。
【請求項４】
前記素子基板は圧電体により形成されており、
前記機能素子は、前記一方の主面にくし歯電極が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のベアチップ実装構造の電子部品。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のベアチップ実装構造の電子部品が実装される前記モジュール基板を備え、
前記電子部品は、前記一方の主面側から前記モジュール基板の前記実装面に実装され、前記接続用電極が前記実装面の前記実装用電極に接続され前記絶縁層が前記実装面に圧着されて、前記素子基板の前記一方の主面と前記モジュール基板の前記実装面との間に前記絶縁層により囲繞された空間が形成されていることを特徴とする複合モジュール。
【請求項６】
ウェハの一方の主面に複数の機能素子を形成する工程と、
前記ウェハの一方の主面に前記各機能素子ごとに設けられ、それぞれ前記各機能素子に電気的に接続される複数の接続用電極をはんだにより形成する工程と、
前記ウェハの一方の主面に感光性樹脂による樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層をフォトリソグラフィにより加工して、前記機能素子および当該機能素子に電気的に接続される前記接続用電極を、前記機能素子および前記接続用電極の組ごとに囲繞すると共に、前記接続用電極が前記一方の主面から剥離しないように前記接続用電極の表面の少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記ウェハをダイシングして、前記機能素子および前記接続用電極の組およびこれを囲繞する前記絶縁層が前記ウェハの一方の主面に設けられた素子基板ごとに個片化する工程とを備え、
前記接続用電極がモジュール基板の実装面の実装用電極に接続され前記絶縁層が前記実装面に圧着されて、前記一方の主面および前記実装面と前記絶縁層とに囲まれた空間が形成されるように、前記絶縁層は、前記実装面に圧着される際に前記はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、前記接続用電極が前記実装用電極に接続される際の前記はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されることを特徴とするベアチップ実装構造の電子部品の製造方法。
【請求項７】
機能素子および前記機能素子に電気的に接続される複数の接続用電極が一方の主面に設けられた素子基板を用意する工程と、
前記素子基板の一方の主面に、前記機能素子および前記接続用電極を囲繞する樹脂から成る絶縁層を形成する工程と、
モジュール基板の実装面に前記素子基板を一方の主面側から搭載する工程と、
前記素子基板を前記モジュール基板に対して加圧しながら加熱して、前記絶縁層を軟化させて前記実装面に圧着すると共に、前記接続用電極を前記実装面の実装用電極に圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程よりも高い温度で加熱して前記絶縁層を硬化させる硬化工程と
を備えることを特徴とする複合モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記各接続用電極の周囲をそれぞれ囲んで形成されることを特徴とする請求項７に記載の複合モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記接続用電極ははんだにより形成され、
前記絶縁層は、前記はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、前記はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されており、
前記圧着工程よりも高い前記はんだの溶融温度で加熱して前記接続用電極を溶融させる溶融工程をさらに備え、
前記溶融工程は、前記圧着工程に続いて実行されると共に、前記硬化工程における加熱温度は、前記はんだの溶融温度よりも低い温度であることを特徴とする請求項７または８に記載の複合モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記圧着工程において、前記接続用電極に対して超音波振動が印加されることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載の複合モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記素子基板は圧電体により形成されており、
前記機能素子は、前記素子基板の一方の主面にくし歯電極が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であり、前記素子基板と前記モジュール基板との間に形成される前記絶縁層により囲繞された空間に配置されることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれかに記載の複合モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記素子基板の一方の主面からの高さが、前記接続用電極の前記素子基板の一方の主面からの高さと同等もしくはそれ以上の高さに形成されることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれかに記載の複合モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層は、前記接続用電極の全表面を覆って前記素子基板の一方の主面に形成されることを特徴とする請求項７ないし１２のいずれかに記載の複合モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板の一方の主面にＳＡＷフィルタ素子やＢＡＷフィルタ素子、ＭＥＭＳ素子、スイッチＩＣなどの機能素子が設けられた電子部品およびその製造方法並びに電子部品を備える複合モジュール並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ素子やＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタ素子、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子、スイッチＩＣなどの機能素子が素子基板の一方の主面に設けられた電子部品が広く普及している。これらの電子部品では、圧電体から成る素子基板の表面弾性波を利用するＳＡＷフィルタ素子や圧電膜自体の共振振動であるバルク弾性波を利用するＢＡＷフィルタ素子が適正に励振し、機械的な動作部分を有するＭＥＭＳ素子やスイッチＩＣが正常に動作することができるように、各機能素子が所定の気密空間内に封入されている。また、各機能素子が所定の気密空間内に封入されることで、各機能素子の特性が劣化することが防止される。【０００３】
例えば、図１０に示す従来の電子部品５００の一例では、圧電体から成る素子基板５０１の一方の主面に、くし歯電極５０２が形成されることによりＳＡＷフィルタ素子から成る機能素子が設けられており、素子基板５０１は、一方の主面に設けられたＳＡＷフィルタ素子がベース基板５０６に対向するように配置されている（例えば、特許文献１参照）。また、素子基板５０１の一方の主面には、くし歯電極５０２に電気的に接続された端子電極５０３および金属バンプ５０４から成る接続用電極と、ＳＡＷフィルタ素子および接続用電極を囲繞して設けられた絶縁層５０５とが設けられている。【０００４】
また、ベース基板５０６の実装面には接続端子５０７が設けられ、その裏面には外部接続用の実装用電極５０８が設けられており、接続端子５０７および実装用電極５０８はビア導体５０９により電気的に接続されている。そして、素子基板５０１の金属バンプ５０４がベース基板５０６の接続端子５０７に接続されて、素子基板５０１がベース基板５０６に実装されることにより、素子基板５０１とベース基板５０６との間に絶縁層５０５に囲繞された気密空間が形成され、ＳＡＷフィルタ素子が当該気密空間内に封入される。【０００５】
また、ベース基板５０６の実装面にモールド樹脂が充填されることにより、素子基板５０１はモールド層５１０によりモールドされて保護される。このように構成すると、気密空間内に配置されたくし歯電極５０２（圧電体）が適正に励振することができるため、信号が入力されることにより発生する表面弾性波が素子基板５０１の表面を正常に伝達すると共に、気密空間内に配置されたくし歯電極５０２の劣化が防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１５８４３６号公報（段落００１０〜００１２、図１など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、通信携帯端末の小型化が急速に進み、通信携帯端末に搭載される複合モジュールの更なる低背化および小型化が要求されている。したがって、複合モジュールに搭載される上記した電子部品の低背化および小型化を図るために、ベアチップ実装構造を有する電子部品が提供されている。ベアチップ実装構造の電子部品は、機能素子が設けられた素子基板の一方の主面の所定領域を囲繞して配置された絶縁層にカバー層が積層配置されて形成される。そして、素子基板とカバー層との間に絶縁層により囲繞されて形成された空間内に機能素子が封入される。【０００８】
ところで、ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level-Chip Size Package）構造の電子部品を更に低背化および小型化するために、カバー層を取り除いた構成も考えられる。ところが、この場合、電子部品が備える素子基板の一方の主面に設けられ、機能素子に電気的に接続された接続用電極が露出した状態であるため、電子部品の製造後、電子部品を移送する際などに接続用電極が剥離するおそれがある。【０００９】
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、電子部品において、機能素子に電気的に接続された接続用電極が、素子基板の一方の主面から剥離するのを防止することができる技術を提供することを第１の目的とする。【００１０】
また、素子基板の絶縁層とモジュール基板の実装面とを隙間無く密着した状態で接合することができると共に、素子基板に設けられた機能素子とモジュール基板とを確実に電気的に接続することができる技術を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した第１の目的を達成するために、本発明の電子部品は、素子基板と、前記素子基板の一方の主面に設けられた機能素子と、前記一方の主面にはんだにより形成されて設けられて前記機能素子に電気的に接続された接続用電極と、前記一方の主面に前記機能素子および前記接続用電極を囲繞して設けられた絶縁層とを備え、前記絶縁層は、前記接続用電極が前記一方の主面から剥離しないように前記接続用電極の表面の少なくとも一部を覆って前記一方の主面に設けられ、前記接続用電極がモジュール基板の実装面の実装用電極に接続され前記絶縁層が前記実装面に圧着されて、前記一方の主面および前記実装面と前記絶縁層とに囲まれた空間が形成されるように、前記絶縁層は、前記実装面に圧着される際に前記はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、前記接続用電極が前記実装用電極に接続される際の前記はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されていることを特徴としている。
【００１２】
また、前記絶縁層は、前記一方の主面からの高さが、前記接続用電極の前記一方の主面からの高さよりも高く形成されているとよい。このような構成によれば、絶縁層は、素子基板の一方の主面からの高さが、接続用電極の高さと同等もしくはそれ以上の高さに形成されているため、例えば、複合モジュールのモジュール基板に電子部品が実装される際に、モジュール基板や素子基板に反りやうねりがある場合でも、絶縁層が必ず接続用電極よりも先にモジュール基板の実装面に接触するため、絶縁層とモジュール基板の実装面とを確実に接続することができる。
【００１３】
また、接続用電極ははんだにより形成されており、絶縁層は、はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されている。したがって、例えば、複合モジュールのモジュール基板に電子部品が実装される際に、はんだの溶融温度よりも低い温度で加熱することにより、はんだを溶融させずに絶縁層を軟化させて絶縁層とモジュール基板の実装面とを隙間無く密着させて接合することができる。また、絶縁層とモジュール基板の実装面とが密着して接合された後、はんだの溶融温度で加熱することにより、はんだを溶融させてモジュール基板の実装面に設けられた実装用電極と接合することができる。このとき、はんだの溶融温度では絶縁層が硬化するため、硬化した絶縁層により溶融したはんだが濡れ広がるのを防止することができる。
【００１４】
また、前記絶縁層は、前記接続用電極の全表面を覆って前記一方の主面に設けられていてもよい。このような構成によれば、絶縁層は、接続用電極の全表面を覆って素子基板の一方の主面に設けられているため、例えば、電子部品の移送中など、複合モジュールのモジュール基板に電子部品が実装される前に、素子基板の一方の主面に設けられた接続用電極に異物が付着するのを防止することができる。
【００１５】
また、前記素子基板は圧電体により形成されており、前記機能素子は、前記一方の主面にくし歯電極が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であるとよい。このような構成によれば、素子基板は圧電体により形成されており、機能素子は、素子基板の一方の主面にくし歯電極が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であり、実用的な構成の電子部品を提供することができる。
【００１６】
また、本発明の複合モジュールは、請求項１ないし４のいずれかに記載のベアチップ実装構造の電子部品が実装される前記モジュール基板を備え、前記電子部品は、前記一方の主面側から前記モジュール基板の前記実装面に実装され、前記接続用電極が前記実装面の前記実装用電極に接続され前記絶縁層が前記実装面に圧着されて、前記素子基板の前記一方の主面と前記モジュール基板の前記実装面との間に前記絶縁層により囲繞された空間が形成されていることを特徴としている。このような構成によれば、電子部品は、素子基板の一方の主面側からモジュール基板の実装面に実装され、素子基板とモジュール基板との間に絶縁層により囲繞された空間が形成されて、当該空間に機能素子が封入されるが、従来のように素子基板の絶縁層にカバー層が積層されていない分、電子部品を備える複合モジュールの更なる低背化および小型化を図ることができる。
【００１７】
また、本発明の電子部品の製造方法は、ウェハの一方の主面に複数の機能素子を形成する工程と、前記ウェハの一方の主面に前記各機能素子ごとに設けられ、それぞれ前記各機能素子に電気的に接続される複数の接続用電極をはんだにより形成する工程と、前記ウェハの一方の主面に感光性樹脂による樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層をフォトリソグラフィにより加工して、前記機能素子および当該機能素子に電気的に接続される前記接続用電極を、前記機能素子および前記接続用電極の組ごとに囲繞すると共に、前記接続用電極が前記一方の主面から剥離しないように前記接続用電極の表面の少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する工程と、前記ウェハをダイシングして、前記機能素子および前記接続用電極の組およびこれを囲繞する前記絶縁層が前記ウェハの一方の主面に設けられた素子基板ごとに個片化する工程とを備え、前記接続用電極がモジュール基板の実装面の実装用電極に接続され前記絶縁層が前記実装面に圧着されて、前記一方の主面および前記実装面と前記絶縁層とに囲まれた空間が形成されるように、前記絶縁層は、前記実装面に圧着される際に前記はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、前記接続用電極が前記実装用電極に接続される際の前記はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されることを特徴としている。
【００１８】
このような構成によれば、ウェハの一方の主面に複数の機能素子が形成され、各機能素子ごとに、それぞれ各機能素子に電気的に接続される複数の接続用電極が形成される。そして、ウェハの一方の主面に感光性樹脂による樹脂層が形成され、形成された樹脂層がフォトリソグラフィにより加工されることで、機能素子および当該機能素子に電気的に接続される接続用電極を、機能素子および接続用電極の組ごとに囲繞すると共に、接続用電極の表面の少なくとも一部を覆う絶縁層が形成される。続いて、一方の主面に絶縁層が形成されたウェハがダイシングされて、機能素子および接続用電極の組およびこれを囲繞する絶縁層がウェハの一方の主面に設けられた素子基板ごとに個片化されることにより電子部品が製造される。したがって、従来のように絶縁層に積層されるカバー層を備えていない分、低背化および小型化された電子部品を提供することができる。また、露出した状態の接続用電極の表面の一部が絶縁層により覆われているため、機能素子に電気的に接続された接続用電極が、素子基板の一方の主面から剥離するのが防止された電子部品を提供することができる。【００１９】
上記した第２の目的を達成するために、本発明の複合モジュールの製造方法は、機能素子および前記機能素子に電気的に接続される複数の接続用電極が一方の主面に設けられた素子基板を用意する工程と、前記素子基板の一方の主面に、前記機能素子および前記接続用電極を囲繞する樹脂から成る絶縁層を形成する工程と、モジュール基板の実装面に前記素子基板を一方の主面側から搭載する工程と、前記素子基板を前記モジュール基板に対して加圧しながら加熱して、前記絶縁層を軟化させて前記実装面に圧着すると共に、前記接続用電極を前記実装面の実装用電極に圧着させる圧着工程と、前記圧着工程よりも高い温度で加熱して前記絶縁層を硬化させる硬化工程とを備えることを特徴としている。
【００２０】
このような構成によれば、機能素子および機能素子に電気的に接続される複数の接続用電極が一方の主面に設けられた素子基板が用意され、素子基板の一方の主面に、機能素子および接続用電極を囲繞する樹脂から成る絶縁層が形成される。そして、モジュール基板の実装面に素子基板が一方の主面側から搭載された後に、圧着工程において、素子基板がモジュール基板に対して加圧されながら加熱されることで、絶縁層が軟化して押し潰されるため、軟化した絶縁層が実装面に隙間無く密着して圧着される共に、接続用電極が実装面の実装用電極に確実に圧着される。したがって、素子基板の絶縁層がモジュール基板の実装面に隙間無く密着し、素子基板の接続用電極がモジュール基板の実装面の実装用電極に確実に圧着された状態で、硬化工程において、圧着工程よりも高い温度で加熱して絶縁層を硬化することにより、素子基板の絶縁層とモジュール基板の実装面とを隙間無く密着した状態で接合することができると共に、素子基板に設けられた機能素子とモジュール基板とを確実に電気的に接続することができる。【００２１】
また、絶縁層を軟化させる圧着工程および絶縁層を硬化させる硬化工程を、温度条件のみ異ならせた１回の加熱処理により連続して実行することができるため、加熱時間を短縮することができ、加熱により絶縁層が損傷したり、絶縁層とモジュール基板の実装面との間の接合強度が劣化したり、機能素子が劣化したりするのを防止することができる。さらに、素子基板が一方の主面側からモジュール基板の実装面に実装されることで、素子基板とモジュール基板との間に絶縁層により囲繞された空間が形成されて、当該空間に機能素子が封入されるが、従来のように素子基板の絶縁層にカバー層が積層されていない分、複合モジュールの更なる低背化および小型化を図ることができる。【００２２】
また、前記絶縁層は、前記各接続用電極の周囲をそれぞれ囲んで形成されていてもよい。このような構成によれば、絶縁層は、各接続用電極の周囲をそれぞれ囲んで形成されているため、はんだやろう材、金属ナノペースト、導電性接着剤などの種々の接合材により接続用電極および実装用電極が接合される際に、溶融した接合材が濡れ広がったり、接合材が加熱されることにより生じるガスなどが、素子基板とモジュール基板との間に絶縁層により囲繞されて形成された空間に充満したりするおそれがないため、絶縁層により囲繞された空間に配置された機能素子の特性が劣化するのを防止することができる。
【００２３】
また、前記接続用電極ははんだにより形成され、前記絶縁層は、前記はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、前記はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されており、前記圧着工程よりも高い前記はんだの溶融温度で加熱して前記接続用電極を溶融させる溶融工程をさらに備え、前記溶融工程は、前記圧着工程に続いて実行されると共に、前記硬化工程における加熱温度は、前記はんだの溶融温度よりも低い温度であってもよい。このような構成によれば、接続用電極ははんだにより形成されており、絶縁層は、はんだの溶融温度よりも低い温度で軟化し、はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されている。したがって、圧着工程において、はんだの溶融温度よりも低い温度で加熱することにより、はんだを溶融させずに絶縁層を軟化させて絶縁層とモジュール基板の実装面とを密着させることができる。また、圧着工程における加熱温度よりも高いはんだの溶融温度で加熱して接続用電極を溶融させる溶融工程が圧着工程に続いて実行されることにより、はんだを溶融させてモジュール基板の実装面に設けられた実装用電極と接続することができる。このとき、はんだの溶融温度では絶縁層が硬化するため、硬化した絶縁層により溶融したはんだが濡れ広がるのを防止することができる。また、硬化工程における加熱温度を、はんだの溶融温度よりも低い温度とすることにより、硬化工程の間にはんだが再溶融するのを防止することができる。
【００２４】
また、前記圧着工程において、前記接続用電極に対して超音波振動が印加されるのが望ましい。このような構成によれば、圧着工程において、接続用電極に対して超音波振動が印加されるため、接続用電極と実装用電極とをより確実に接続することができる。
【００２５】
また、前記素子基板は圧電体により形成されており、前記機能素子は、前記素子基板の一方の主面にくし歯電極が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であり、前記素子基板と前記モジュール基板との間に形成される前記絶縁層により囲繞された空間に配置されるとよい。このような構成によれば、素子基板は圧電体により形成されており、機能素子は、素子基板の一方の主面にくし歯電極が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であるため、実用的な構成の複合モジュールを提供することができる。また、素子基板とモジュール基板との間に絶縁層により囲繞されて形成される空間にＳＡＷフィルタ素子が配置されることにより、ＳＡＷフィルタ素子が劣化するのを防止することができる。
【００２６】
また、前記絶縁層は、前記素子基板の一方の主面からの高さが、前記接続用電極の前記素子基板の一方の主面からの高さと同等もしくはそれ以上の高さに形成されるとよい。このような構成によれば、絶縁層は、素子基板の一方の主面からの高さが、接続用電極の高さと同等もしくはそれ以上の高さに形成されているため、モジュール基板に素子基板が実装される際に、モジュール基板や素子基板に反りやうねりがある場合でも、絶縁層が必ず接続用電極よりも先にモジュール基板の実装面に接触するため、絶縁層とモジュール基板の実装面とを確実に密着させることができる。
【００２７】
また、前記絶縁層は、前記接続用電極の全表面を覆って前記素子基板の一方の主面に形成されるとよい。このような構成によれば、絶縁層は、接続用電極の全表面を覆って素子基板の一方の主面に形成されているため、複合モジュールの製造過程において、素子基板がモジュール基板に実装される前に、素子基板の一方の主面に設けられた接続用電極に異物などが付着することを防止することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、従来のように絶縁層に積層されるカバー層を備えていない分、電子部品の更なる低背化および小型化を図ることができると共に、露出した状態の接続用電極の表面の一部が絶縁層により覆われているため、電子部品において、機能素子に電気的に接続された接続用電極が、素子基板の一方の主面から剥離するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の電子部品を備える複合モジュールの第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の電子部品の製造方法の一例を示す図である。
【図３】図１の複合モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【図４】図１の複合モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【図５】本発明の電子部品を備える複合モジュールの第２実施形態を示す図である。
【図６】図５の複合モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【図７】図５の複合モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【図８】本発明の複合モジュールの第３実施形態における電子部品を示す図である。
【図９】本発明の複合モジュールの第４実施形態における電子部品を示す図である。
【図１０】従来の電子部品の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜第１実施形態＞
本発明の電子部品（分波器）を備える複合モジュールの第１実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。図１は本発明の電子部品を備える複合モジュールの第１実施形態を示す図であって、（ａ）は電子部品の断面図、（ｂ）は電子部品の底面図、（ｃ）は複合モジュールの断面図である。図２は図１の電子部品の製造方法の一例を示す図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる状態を示す。図３および図４は図１の複合モジュールの製造方法の一例を示す図であって、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる状態を示す。なお、図４は図３に続く図である。また、図１〜図４では、本発明にかかる主要な構成のみ図示されており、その他の構成は図示省略されている。また、後で説明する第２〜第４実施形態を示す図５〜図８についても、図１〜図４と同様に図示されているため、以下ではその説明は省略する。
【００３１】
（分波器）
分波器１０（本発明の「電子部品」に相当）は、ベアチップ実装構造を有し、素子基板１１と、素子基板１１の一方の主面に設けられた送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と電気的に接続された端子電極１５および金属バンプ１６により形成される接続用電極１７と、絶縁層１８とを備えている。
【００３２】
素子基板１１は、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、水晶などの圧電体により形成されている。また、図１（ｂ）に示すように、素子基板１１の一方の主面の所定領域に、高周波信号の通過帯域が異なる送信フィルタ素子１３（本発明の「機能素子」に相当）および受信フィルタ素子１４（本発明の「機能素子」に相当）が設けられている。
【００３３】
送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４は、素子基板１１の一方の主面に形成されたＳＡＷ（表面弾性波）フィルタ素子により構成される。ＳＡＷフィルタ素子は、素子基板１１の一方の主面に、ＡｌやＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔなどにより形成されたくし歯電極１２（ＩＤＴ電極）および配線電極１２ａにより形成される。また、この実施形態では、受信フィルタ素子１４は、平衡出力型の受信フィルタを有している。
【００３４】
接続用電極１７は、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と、配線電極１２ａを介して電気的に接続された端子電極１５および金属バンプ１６により形成される。また、接続用電極１７は、送信フィルタ素子１３の入力側に接続される送信端子１７ａと、受信フィルタ素子１４の出力側に接続される受信端子１７ｂと、送信フィルタ素子１３の出力側および受信フィルタ素子１４の入力側に接続される共通端子１７ｃ（アンテナ端子）と、接地端子１７ｄとを備えている。
【００３５】
なお、端子電極１５は、くし歯電極１２と同様に、ＡｌやＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔなどにより素子基板１１の一方の主面に形成される。また、金属バンプ１６は、溶融温度が約２２０℃のはんだにより端子電極１５上に形成される。金属バンプ１６を形成するはんだは、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕにより構成される。
【００３６】
絶縁層１８は、くし歯電極１２および接続用電極１７を囲繞して素子基板１１の一方の主面に設けられている。また、図１（ａ）に示すように、絶縁層１８は、各接続用電極１７の端縁部分の全周を覆って形成されると共に、素子基板１１の一方の主面からの高さが、接続用電極１７の高さよりも高く形成される。
【００３７】
また、絶縁層１８は、感光性のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂により形成される。この実施形態では、絶縁層１８を形成する樹脂は、金属バンプ１６を形成するはんだの溶融温度（約２２０℃）よりも低い温度（約１００℃）で軟化し、約１８０℃以上の温度で継続して加熱されることにより硬化する特性を有するものが採用される。
【００３８】
なお、図１（ｂ）では、素子基板１１の一方の主面に設けられた絶縁層１８の形成位置のみが点線により示されており、絶縁層１８は図示省略されている。
【００３９】
（複合モジュール）
複合モジュール１は、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるマザー基板に搭載されるものであり、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４を有する分波器１０と、モジュール基板２と、スイッチＩＣやフィルタ、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイルなどの各種の部品３と、モールド層４とを備え、高周波アンテナスイッチモジュールとして形成される。
【００４０】
また、分波器１０および各種の部品３は、モジュール基板２の実装面２ａに設けられた実装用電極２ｂに実装されて、モジュール基板２に設けられた内部配線パターン（図示省略）を介してモジュール基板２の裏面に形成された複数の外部接続用電極（図示省略）に電気的に接続される。そして、複合モジュール１がマザー基板に実装されることにより、マザー基板が備えるアンテナラインＡＮＴやグランドラインＧＮＤ、送信信号ラインＴｘ、受信信号ラインＲｘなどの各種信号ラインおよび電源ラインと複合モジュール１とが接続されて、マザー基板と複合モジュール１との間で送受信信号の入出力が行われる。
【００４１】
モジュール基板２は、この実施形態では、セラミックグリーンシートにより形成された複数の誘電体層が積層されて焼成されることで一体的にセラミック積層体として形成される。すなわち、各誘電体層を形成するセラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーが成膜装置によりシート化されたものであり、約１０００℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成できるように形成されている。そして、所定形状に切り取られたセラミックグリーンシートに、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の電極パターンが形成されて、各誘電体層が形成される。
【００４２】
また、各誘電体層に、ビア導体および電極パターンが適宜形成されることで、モジュール基板２に、モジュール基板２に実装された分波器１０および各種の部品３を電気的に接続する内部配線パターンや、実装用電極２ｂ、外部接続用電極などが形成される。すなわち、各誘電体層に電極パターンおよびビア導体が適宜設けられて、内部配線パターンや実装用電極２ｂなどが形成されることで、モジュール基板２に実装される分波器１０および各種の部品３と、外部接続用電極とが相互に電気的に接続される。このとき、各誘電体層に形成される電極パターンおよびビア導体によりコンデンサやコイルなどの回路素子を形成してもよく、形成されたコンデンサやコイルなどの回路素子および各種の部品３を組合わせて、分波器１０に接続されるフィルタ回路や整合回路などを形成してもよい。
【００４３】
また、分波器１０が、素子基板１１の一方の主面側からモジュール基板２の実装面２ａに実装されることで、素子基板１１とモジュール基板２との間に絶縁層１８により囲繞された空間ＳＰが形成され、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４は、形成された空間ＳＰ内に配置される。
【００４４】
モールド層４は、エポキシ系樹脂などの一般的なモールド樹脂により形成されており、モールド層４により、モジュール基板２の実装面２ａに実装された分波器１０および各種の部品３は外部環境から保護される。
【００４５】
（分波器の製造方法）
次に、分波器１０の製造方法の一例についてその概略を説明する。
【００４６】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電体から成るウェハ１１ａの一方の主面に、フォトリソグラフィによりくし歯電極１２および配線電極１２ａが形成されることにより、複数の送信フィルタ素子１３素子および受信フィルタ素子１４が形成されると共に、各送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４にそれぞれ電気的に接続される端子電極１５が形成される。
【００４７】
次に、図２（ｂ）に示すように、端子電極１５上に金属バンプ１６がはんだにより形成されて、各送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４ごとに接続用電極１７が形成される。そして、図２（ｃ）に示すように、例えば感光性のポリイミド樹脂により、ウェハ１１ａの一方の主面に樹脂層１８ａが形成される。
【００４８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィにより樹脂層１８ａが加工されて、各送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と接続用電極１７を覆う部分が樹脂層１８ａから取り除かれる。そして、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と、当該送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４に電気的に接続される接続用電極１７とを、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７の組ごとに囲繞すると共に、接続用電極１７の端縁部分を全周に渡って覆う絶縁層１８が形成される。
【００４９】
最後に、図２（ｅ）に示すように、ウェハ１１ａがダイシングされることにより、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７の組およびこれを囲繞する絶縁層１８が一方の主面に設けられた素子基板１１ごとに個片化されて分波器１０が完成する。なお、図２（ａ）〜（ｄ）に示された破線は、ウェハ１１ａがダイシングされる際の切断位置を示す。
【００５０】
（複合モジュールの製造方法）
次に、複合モジュール１の製造方法の一例についてその概略を説明する。
【００５１】
まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１１の一方の主面に、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７と、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７を囲繞する絶縁層１８とが設けられた分波器１０が用意され、実装面２ａに分波器１０を除く各種の部品３が実装されたモジュール基板２が用意される。
【００５２】
次に、図３（ｂ）に示すように、ステージ５上に載置されたモジュール基板２の実装面２ａに分波器１０が一方の主面側から搭載される。そして、吸着保持機構を有するフリップチップボンダー（ＦＣＢ）のヘッド６により、分波器１０がモジュール基板２に対して加圧されると共に、少なくともステージ５およびヘッド６のいずれか一方に設けられたヒータ（図示省略）による加熱が開始される。
【００５３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、分波器１０（素子基板１１）がモジュール基板２に対して加圧されながら約１００℃で加熱されることにより、絶縁層１８が軟化してモジュール基板２の実装面２ａに圧着すると共に、接続用電極１７（金属バンプ１６）がモジュール基板２の実装面２ａの実装用電極２ｂに圧着する（圧着工程）。なお、圧着工程において、接続用電極１７に対して図示省略されたホーンおよび振動子などにより構成される超音波振動印加手段により超音波振動が印加されるようにしてもよい。
【００５４】
次に、図４（ａ）に示すように、分波器１０が圧着工程における加熱温度よりも高温の約２５０℃で加熱されることにより金属バンプ１６が溶融すると共に、絶縁層１８の硬化が開始する（溶融工程）。そして、図４（ｂ）に示すように、分波器１０が搭載されたモジュール基板２がオーブンなどの加熱手段により、金属バンプ１６の溶融温度よりも低温であって絶縁層１８の硬化温度よりも高温の約１８０℃の加熱雰囲気中で約１時間加熱されることで、絶縁層１８の硬化が完了する。
【００５５】
最後に、分波器１０および各種の部品３が実装されたモジュール基板２の実装面２ａにモールド樹脂が充填されて、これが加熱硬化されることによりモールド層４がモジュール基板２に設けられて複合モジュール１が完成する。
【００５６】
このように形成された複合モジュール１では、マザー基板の送信信号ラインＴｘから、外部接続用電極および内部配線パターンを介して分波器１０の送信端子１７ａに出力された送信信号は、送信フィルタ素子１３に入力されて所定のフィルタ処理が施されて、共通端子１７ｃからモジュール基板２側に出力され、内部配線パターンおよび外部接続用電極を介してマザー基板のアンテナラインＡＮＴに出力される。また、マザー基板のアンテナラインＡＮＴから、外部接続用電極および内部配線パターンを介して分波器１０の共通端子１７ｃに入力された受信信号は、受信フィルタ素子１４に入力されて所定のフィルタ処理が施されて、受信端子１７ｂからモジュール基板２側に出力され、内部配線パターンおよび外部接続用電極を介してマザー基板の受信信号ラインＲｘに出力される。
【００５７】
なお、内部配線パターン、実装用電極２ｂおよび外部接続用電極などの種々の電極パターンが設けられたモジュール基板２は、樹脂やセラミック、ポリマー材料などを用いた、プリント基板、ＬＴＣＣ、アルミナ系基板、ガラス基板、複合材料基板、単層基板、多層基板などで形成することができ、複合モジュール１の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択してモジュール基板２を形成すればよい。
【００５８】
また、上記した分波器１０の製造方法と同様に、まず、複合モジュール１の集合体を形成した後に、複合モジュール１の集合体を個々に分割することで複合モジュール１を形成してもよい。
【００５９】
以上のように、この実施形態では、素子基板１１の一方の主面に、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４に電気的に接続された接続用電極１７と、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７を囲繞する絶縁層１８とが設けられており、絶縁層１８は、接続用電極１７の表面の少なくとも一部を覆って形成されている。
【００６０】
したがって、従来のように絶縁層１８に積層されるカバー層を備えていない分、分波器１０の更なる低背化および小型化を図ることができる。また、露出した状態の接続用電極１７の表面の一部が絶縁層１８により覆われているため、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４に電気的に接続された接続用電極１７が、素子基板１１の一方の主面から剥離するのを防止することができる。
【００６１】
すなわち、ウェハ１１ａの一方の主面に複数の送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４が形成され、各送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４ごとに、それぞれ各送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４に電気的に接続される複数の接続用電極１７が形成される。そして、ウェハ１１ａの一方の主面に感光性のポリイミド樹脂による樹脂層１８ａが形成され、形成された樹脂層１８ａがフォトリソグラフィにより加工されることで、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに当該送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４に電気的に接続される接続用電極１７を、送信フィルタ素子１３、受信フィルタ素子１４および接続用電極１７の組ごとに囲繞すると共に、接続用電極１７の表面の少なくとも一部を覆う絶縁層１８が形成される。
【００６２】
そして、一方の主面に絶縁層１８が形成されたウェハ１１ａがダイシングされて、送信フィルタ素子１３、受信フィルタ素子１４および接続用電極１７の組並びにこれを囲繞する絶縁層１８が、一方の主面に設けられた素子基板１１ごとに個片化されることにより分波器１０が製造される。したがって、従来のように、分波器１０の絶縁層１８に積層されるカバー層を備えていない分、低背化および小型化された分波器１０を提供することができる。また、露出した状態の接続用電極１７の表面の一部が絶縁層１８により覆われているため、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４に電気的に接続された接続用電極１７が、素子基板１１の一方の主面から剥離するのが防止された分波器１０を提供することができる。
【００６３】
また、絶縁層１８が、接続用電極１７の表面の少なくとも一部を覆うように素子基板１１の一方の主面に配置されているため、絶縁層１８が接続用電極１７と離間して配置された従来の構成と比較すると、分波器１０の小型化を図ることができる。
【００６４】
また、素子基板１１は圧電体により形成されており、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４は、素子基板１の一方の主面にくし歯電極１２が設けられることにより形成されたＳＡＷフィルタ素子であり、実用的な構成の複合モジュール１を提供することができる。また、素子基板１１とモジュール基板２との間に絶縁層１８により囲繞されて形成される空間ＳＰ内に送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４が配置されることにより、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４が劣化するのを防止することができる。
【００６５】
また、分波器１０が、素子基板１１の一方の主面側からモジュール基板２の実装面２ａに実装されることで、素子基板１１とモジュール基板２との間に形成される絶縁層１８により囲繞された空間ＳＰに送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４が封入されるが、従来のように、分波器１０の素子基板１１の絶縁層１８にカバー層が積層されていない分、複合モジュール１の更なる低背化および小型化を図ることができる。
【００６６】
また、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と複数の接続用電極１７とが一方の主面に設けられた素子基板１１を備える分波器１０が用意され、素子基板１１の一方の主面には、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４と接続用電極１７とを囲繞する絶縁層１８が形成されている。そして、モジュール基板２の実装面２ａに分波器１０（素子基板１１）が一方の主面側から搭載された後に、圧着工程において、素子基板１１がモジュール基板２に対して加圧されながら加熱されることで、絶縁層１８が軟化して押し潰されるため、軟化した絶縁層１８が実装面２ａに隙間無く密着して圧着されると共に、接続用電極１７が実装用電極２ｂに確実に圧着される。
【００６７】
したがって、素子基板１１の絶縁層１８がモジュール基板２の実装面２ａに隙間無く密着し、素子基板１１の接続用電極１７がモジュール基板２の実装面２ａの実装用電極２ｂに確実に圧着された状態で、硬化工程において、圧着工程よりも高温で加熱されて絶縁層１８が硬化することにより、素子基板１１の絶縁層１８とモジュール基板２の実装面２ａとを隙間無く密着した状態で接合することができる。また、分波器１０の素子基板１１に設けられた送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４とモジュール基板２とを確実に電気的に接続することができる。
【００６８】
また、絶縁層１８とモジュール基板２の実装面２ａとが隙間無く密着した状態であるため、実装面２ａにモールド樹脂が充填される際に、モールド樹脂が、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４が配置された空間ＳＰに流れ込むおそれがない。
【００６９】
また、絶縁層１８は、素子基板１１の一方の主面からの高さが、接続用電極１７の高さよりも高く形成されているため、モジュール基板２に分波器１０が実装される際に、モジュール基板２や素子基板１１に反りやうねりがある場合でも、絶縁層１８が必ず接続用電極１７よりも先にモジュール基板２の実装面２ａに接触するため、絶縁層１８とモジュール基板２の実装面２ａとを確実に密着させることができる。
【００７０】
また、絶縁層１８は、各接続用電極１７の周囲をそれぞれ囲んで形成されているため、溶融した金属バンプ１６が濡れ広がったり、金属バンプ１６が加熱されることにより生じるフラックスの蒸発成分などが、素子基板１１とモジュール基板２との間に形成された絶縁層１８により囲繞された空間ＳＰに充満したりするおそれがないため、絶縁層１８により囲繞された空間ＳＰに配置された送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４の特性が劣化するのを防止することができる。
【００７１】
また、接続用電極１７を形成する金属バンプ１６ははんだにより形成されており、絶縁層１８は、はんだの溶融温度（約２２０℃）よりも低い温度（約１００℃）で軟化し、はんだの溶融温度では硬化する樹脂により形成されている。したがって、圧着工程において、はんだの溶融温度よりも低い温度で加熱することにより、はんだを溶融させずに絶縁層１８を軟化させて絶縁層１８とモジュール基板２の実装面２ａとを密着させることができる。
【００７２】
また、圧着工程における加熱温度よりも高温の溶融温度で加熱して接続用電極１７（金属バンプ１６）を溶融させる溶融工程が圧着工程に続いて実行されることにより、はんだを溶融させてモジュール基板２の実装面２ａに設けられた実装用電極２ｂと確実に接続することができる。このとき、はんだの溶融温度では絶縁層１８が硬化するため、硬化を開始した絶縁層１８により溶融したはんだが濡れ広がるのを確実に防止することができる。また、硬化工程における加熱温度を、はんだの溶融温度よりも低い温度とすることにより、硬化工程の間にはんだが再溶融するのを防止することができる。
【００７３】
また、絶縁層を軟化させると共にはんだを接合する圧着工程、はんだを溶融させる溶融工程および絶縁層を硬化させる硬化工程を、温度条件のみ異ならせた１回の加熱処理により連続して実行することができるため、複合モジュール１の製造工程全体の加熱時間を短縮することができ、過剰に加熱されることにより絶縁層１８が損傷したり、絶縁層１８とモジュール基板２の実装面２ａとの間の接合強度が劣化したり、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４が劣化したりするのを防止することができる。また、複合モジュール１の製造工程において実行される加熱に関する工程を簡略化することができるので、複合モジュール１の製造コストの低減を図ることができる。
【００７４】
また、圧着工程において、接続用電極１７に対して超音波振動を印加することにより、接続用電極１７と実装用電極２ｂとをより確実に接続することができる。
【００７５】
なお、溶融工程により必ずしもはんだを溶融する必要は無く、圧着工程において、金属バンプ１６と実装用電極２ｂとを圧着するのみでもよい。
【００７６】
＜第２実施形態＞
本発明の電子部品（分波器）を備える複合モジュールの第２実施形態について、図５〜図７を参照して説明する。図５は本発明の電子部品を備える複合モジュールの第２実施形態を示す図であって、（ａ）は電子部品の断面図、（ｂ）は電子部品の底面図、（ｃ）は複合モジュールの断面図である。図６および図７は図５の複合モジュールの製造方法の一例を示す図であって、図５の（ａ）〜（ｃ）および図７（ａ），（ｂ）はそれぞれ異なる状態を示す。なお、図７は図６に続く図である。
【００７７】
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図５（ａ）に示すように、接続用電極１７を形成する金属バンプ１１６がＡｕにより形成されている点であり、その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００７８】
（複合モジュールの製造方法の他の例）
金属バンプ１１６を備える分波器１０をモジュール基板２に実装することによる複合モジュール１の製造方法の他の例についてその概略を説明する。
【００７９】
まず、図６（ａ）に示すように、素子基板１１の一方の主面に、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７と、送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４並びに接続用電極１７を囲繞する絶縁層１８とが設けられた分波器１０が用意され、実装面２ａに分波器１０を除く各種の部品３が実装されたモジュール基板２が用意される。
【００８０】
次に、図６（ｂ）に示すように、ステージ５上に載置されたモジュール基板２の実装面２ａに分波器１０が一方の主面側から搭載される。そして、吸着保持機構を有するフリップチップボンダー（ＦＣＢ）のヘッド６により、分波器１０がモジュール基板２に対して加圧されると共に、少なくともステージ５およびヘッド６のいずれか一方に設けられたヒータ（図示省略）による加熱が開始されると共に、図示省略された超音波振動印加手段による超音波振動の印加が開始される。
【００８１】
続いて、図６（ｃ）に示すように、分波器１０（素子基板１１）がモジュール基板２に対して加圧されながら約１２０〜１８０℃で加熱されると共に超音波振動が印加されることにより、絶縁層１８が軟化してモジュール基板２の実装面２ａに圧着し、接続用電極１７（金属バンプ１１６）がモジュール基板２の実装面２ａの実装用電極２ｂに圧着する（圧着工程）。
【００８２】
次に、図７（ａ）に示すように、分波器１０が搭載されたモジュール基板２がオーブンなどの加熱手段により、絶縁層１８の硬化温度よりも高温の約１８０℃の加熱雰囲気中で約１時間加熱されることで、絶縁層１８の硬化が完了する。最後に、分波器１０および各種の部品３が実装されたモジュール基板２の実装面２ａにモールド樹脂が充填されて、これが加熱硬化されることによりモールド層４がモジュール基板２に設けられて複合モジュール１が完成する。
【００８３】
以上のように、この実施形態でも、上記した第１実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、この実施形態では、Ａｕにより金属バンプ１１６が形成されているが、金属バンプ１１６の材質としてはＡｕに限るものではなく、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄなどの金属や、ＳｎＡｕなどのろう材により金属バンプ１１６を形成してもよい。なお、金属バンプ１１６の表面は、絶縁層１８の表面と同等の高さかそれ以下の高さであるため、金属バンプ１１６の表面が汚れたり傷ついたりすることを防ぐことができる。
【００８４】
＜第３実施形態＞
本発明の電子部品（分波器）を備える複合モジュールの第３実施形態について図８を参照して説明する。図８は本発明の複合モジュールの第３実施形態における電子部品を示す図である。
【００８５】
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図８に示すように、分波器１０が備える絶縁層１８が、接続用電極１７の全表面を覆って素子基板１１の一方の主面に形成されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００８６】
このように構成すると、圧着工程において、分波器１０（素子基板１１）がモジュール基板２に対して加圧されながら約１００℃で加熱されることにより、絶縁層１８が軟化してモジュール基板２の実装面２ａに圧着する。また、軟化した絶縁層１８が、接続用電極１７（金属バンプ１６）により押し破られることにより、接続用電極１７がモジュール基板２の実装面２ａの実装用電極２ｂに接触して圧着する。
【００８７】
以上のように、この実施形態でも、上記した第１実施形態と同様の効果を奏することができると共に、以下の効果を奏することができる。すなわち、絶縁層１８は、接続用電極１７の全表面を覆って素子基板１１の一方の主面に形成されているため、複合モジュール１の製造過程において、素子基板１１がモジュール基板２に実装される前に、素子基板１１の一方の主面に設けられた接続用電極１７に異物などが付着するのを防止することができる。
【００８８】
＜第４実施形態＞
本発明の電子部品（分波器）を備える複合モジュールの第４実施形態について図９を参照して説明する。図９は本発明の複合モジュールの第４実施形態における電子部品を示す図である。
【００８９】
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図９に示すように、くし歯電極１２および端子電極１５が形成された素子基板１１の一方の主面に、くし歯電極１２および端子電極１５を囲繞すると共に、端子電極１５の端縁部分を全周に渡って覆う絶縁層１８が設けられた後に、端子電極１５上に導体ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより金属バンプ１６が形成される点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００９０】
以上のように、この実施形態でも、上記した第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００９１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した実施形態では、本発明の機能素子がＳＡＷフィルタ素子から成る送信フィルタ素子１３および受信フィルタ素子１４により構成されているが、素子基板をＳｉ基板などにより形成し、ＢＡＷフィルタ素子やＭＥＭＳフィルタ素子などの機能素子を素子基板の一方の主面に設けることにより電子部品を形成してもよい。また、素子基板の一方の主面に機械的な動作部分を有するスイッチ素子が設けられたスイッチＩＣにより本発明の電子部品を形成してもよく、素子基板の一方の主面に機能素子が設けられた構成であれば、電子部品の種類は上記した例に限定されるものではない。また、前記の実施形態においては、同一の圧電基板上に送信フィルタと受信フィルタとを形成しているが、各フィルタを別の基板上に形成しても構わない。
【００９２】
また、複合モジュールは、上記した例に限られるものではなく、種々の電子部品をモジュール基板に搭載することにより、種々の機能を有する複合モジュールを構成することができる。
【００９３】
また、上記した実施形態では、はんだを溶融したり、超音波振動を印加することにより、電子部品の接続用電極とモジュール基板の実装用電極とを接続したが、金属ナノペーストや導電性接着剤などにより、電子部品の接続用電極とモジュール基板の実装用電極とを接続してもよい。
【００９４】
また、上記した実施形態において、部品３をモジュール基板２の実装面２ａに実装する際に、接続用電極１７を形成するはんだの溶融温度や絶縁層１８の硬化温度よりも高い溶融温度を有するはんだを使用するとよい。このようにすると、電子部品をモジュール基板２に搭載する際に、部品３をモジュール基板２の実装面２ａに実装するはんだが再溶融することにより、部品３のモジュール基板２への実装状態が劣化するなど、はんだが再溶融することによる種々の問題が生じるのを防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、一方の主面に機能素子が設けられた素子基板を有する電子部品およびこの電子部品を備える複合モジュールに本発明を広く適用することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１    複合モジュール
２    モジュール基板
２ａ    実装面
２ｂ    実装用電極
１０    分波器（電子部品）
１１    素子基板
１１ａ    ウェハ
１２    くし歯電極
１３    送信フィルタ素子（機能素子）
１４    受信フィルタ素子（機能素子）
１７    接続用電極
１８    絶縁層
１８ａ    樹脂層
ＳＰ    空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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