(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交互に重ねたときに半導体チップを収容する空間が形成される半導体チップトレイであって、
表面に前記半導体チップを収容するポケットが形成されていると共に、裏面に前記半導体チップを覆うキャビティが形成され、
前記複数の半導体チップトレイを重ねあわせたとき、前記ポケットの開口端の少なくとも１辺が、対向する位置の前記キャビティの開口端の１辺と交差する交差点が存在し、該交差点において、前記ポケットの前記開口端と前記キャビティの前記開口端とが接する
ことを特徴とする半導体チップトレイ。
【請求項２】
前記ポケットの前記開口端の平面形状は凸多角形であり、
前記キャビティの前記開口端の平面形状は凹多角形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップトレイ。
【請求項３】
前記キャビティの側面を、前記ポケットの底面に対して傾斜させたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体チップトレイ。
【請求項４】
半導体チップを収容するポケットが形成された下蓋と、
前記ポケットと協働して前記半導体チップを囲う空間を作るキャビティが形成された上蓋とを有し、
前記ポケットの開口端と前記キャビティの開口端とが平面視で交差する交差点が存在し、該交差点において、前記ポケットの前記開口端と前記キャビティの前記開口端とが接することを特徴とする半導体チップトレイ。
【請求項５】
表面に半導体チップを収容するポケットが形成され、裏面にキャビティが形成され、重ねあわせたとき、前記ポケットの開口端の少なくとも１辺が、対向する位置の前記キャビティの開口端の１辺と交差する交差点が存在し、該交差点において、前記ポケットの前記開口端と前記キャビティの前記開口端とが接する半導体チップトレイの前記ポケット内に半導体チップを収容して搬送することを特徴とする半導体チップの搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップトレイ及び半導体チップの搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに回路を形成した後、その半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チップに個片化する。個片化された各半導体チップは、半導体チップトレイと呼ばれる容器に収容された状態で出荷されることになる。このような半導体チップトレイを利用することで、搬送時の振動によって半導体チップに欠けが生じる危険性を低減できると共に、実装工程において半導体チップトレイから半導体チップを簡単に取り出すことができる。
【０００３】
図１は、一般的な半導体チップトレイの一例を示す斜視図である。
【０００４】
この半導体チップトレイ１の表面１ｘには、半導体チップ２を収容するための複数の矩形状のポケット１ａが形成される。
【０００５】
図２は、図１のI−I線に沿う断面図である。
【０００６】
図２に示されるように、半導体チップトレイ１の裏面１ｙには嵌合凹部１ｃが設けられ、その嵌合凹部１ｃの内側には複数のキャビティ１ｂが設けられる。そして、半導体チップトレイ１の表面１ｘには嵌合凸部１ｄが設けられる。
【０００７】
図３は、この半導体チップトレイ１の使用方法を示す斜視図である。
【０００８】
使用に際しては、図３に示すように、所定枚数の半導体チップトレイ１を互いに重ねて半導体チップトレイセットとして使用する。
【０００９】
図４は、上下に隣接する半導体チップトレイ１の断面図である。
【００１０】
図４に示されるように、使用時には複数の矩形状のポケット１ａ内に半導体チップ２を設置したのち、半導体チップトレイ１の嵌合凹部１ｃと嵌合凸部１ｄとを嵌合させる。これにより、ポケット１ａとキャビティ１ｂとで作られる空間Sの中に半導体チップ２が収容される。
【００１１】
このとき、嵌合凹部１ｃの内径D1と嵌合凸部１ｄの外径D2とが同一だと、各半導体チップトレイ１同士が固く嵌合してしまい、搬送終了後に各半導体チップトレイ１から半導体チップ２を取り出すのが困難となる。
【００１２】
そのような半導体チップトレイ１同士の嵌りこみを防止するために、嵌合凹部１ｃの内径D1は嵌合凸部１ｄの外径D2よりも大きくされる。内径D1と外形D2との差はスタックガタと呼ばれ、典型的には１mm程度の値となる。
【００１３】
図５は、ポケット１ａとキャビティ１ｂの拡大断面図である。この例では、ポケット１ａとキャビティ１ｂとが位置ずれしていない場合を図示してある。
【００１４】
しかし、上記のようにスタックガタを設けると、図６の断面図に示すように、搬送時の衝撃等により上下の半導体チップトレイ１同士が横方向にずれ、ポケット１ａの横に半導体チップトレイ１の平坦面１ｆが大きく露出することがある。
【００１５】
こうなると、例えば図７（ａ）の断面図に示すように、平坦面１ｆ上に半導体チップ２が乗り上げ、各半導体チップトレイ１のずれが解消したときに半導体チップ２が上下の半導体チップトレイ１の間に挟まってしまう。このような挟み込みは、半導体チップ２の外形に欠けが生じる原因となり、搬送途中で半導体チップ２を不良品にしてしまう。
【００１６】
このような不都合は、バックグラインド処理等により薄型化された半導体チップにおいて特に顕著に発生する。
【００１７】
また、平坦面１ｆ上に半導体チップ２が乗り上がるのを防止するために、図７（ｂ）のようにキャビティ１ｂの幅をポケット１ａの幅よりも狭くすることも考えられる。
【００１８】
しかし、これでは上側の半導体チップトレイ１の裏面１ｙに半導体チップ２が接触し、裏面１ｙとの接触で半導体チップ２が損傷するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開平１１−２２００１５号公報
【特許文献２】特開２００１−９７３４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
半導体チップトレイと半導体チップの搬送方法において、搬送時に半導体チップが不良品になるのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
以下の一観点によれば、交互に重ねたときに半導体チップを収容する空間が形成される半導体チップトレイであって、表面に前記半導体チップを収容するポケットが形成されていると共に、裏面に前記半導体チップを覆うキャビティが形成され、前記複数の半導体チップトレイを重ねあわせたとき、前記ポケットの開口端の少なくとも１辺が、対向する位置の前記キャビティの開口端の１辺と交差する交差点が存在し、該交差点において、前記ポケットの前記開口端と前記キャビティの前記開口端とが接する半導体チップトレイが提供される。
【００２２】
また、以下の別の一観点によれば、半導体チップを収容するポケットが形成された下蓋と、前記ポケットと協働して前記半導体チップを囲う空間を作るキャビティが形成された上蓋とを有し、前記ポケットの開口端と前記キャビティの開口端とが平面視で交差する交差点が存在し、該交差点において、前記ポケットの前記開口端と前記キャビティの前記開口端とが接する半導体チップトレイが提供される。
【００２３】
更に、以下の他の観点によれば、表面に半導体チップを収容するポケットが形成され、裏面にキャビティが形成され、重ねあわせたとき、前記ポケットの開口端の少なくとも１辺が、対向する位置の前記キャビティの開口端の１辺と交差する交差点が存在し、該交差点において、前記ポケットの前記開口端と前記キャビティの前記開口端とが接する半導体チップトレイの前記ポケット内に半導体チップを収容して搬送する半導体チップの搬送方法が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
以下の半導体チップトレイと半導体チップの搬送方法によれば、半導体チップが収容されるポケットとキャビティのそれぞれの各開口端を平面視で交差させる。これにより、上下のトレイ同士がずれたときにポケットの周囲に露出するトレイの平坦面を小さくでき、半導体チップがその平坦面に乗り上げて不良になる危険性を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、半導体チップトレイの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のI−I線に沿う断面図である。
【図３】図３は、半導体チップトレイの使用方法を示す斜視図である。
【図４】図４は、上下に隣接する半導体チップトレイの断面図である。
【図５】図５は、ポケットとキャビティが位置ずれしていない場合の各トレイの断面図である。
【図６】図６は、スタックガタを設けたことで横方向にずれた各トレイの断面図である。
【図７】図７（ａ）は、下側の半導体チップトレイの平坦面に半導体チップが乗り上げたときの断面図であり、図７（ｂ）は、上側の半導体チップトレイの裏面に半導体チップが接触したときの断面図である。
【図８】図８は、第１実施形態に係る半導体チップトレイの上面図である。
【図９】図９は、第１実施形態に係る半導体チップトレイのポケットの拡大平面図である。
【図１０】図１０は、第１実施形態に係る半導体チップトレイの裏面図である。
【図１１】図１１は、第１実施形態に係る半導体チップトレイのキャビティの拡大平面図である。
【図１２】図１２は、第１実施形態に係る半導体チップトレイの断面図である。
【図１３】図１３は、第１実施形態に係る半導体チップトレイを複数重ねたときの斜視図である。
【図１４】図１４は、第１実施形態に係る半導体チップトレイを二つ重ねたときの拡大平面図である。
【図１５】図１５（ａ）は図１４のIII−III線に沿う断面図であり、図１５（ｂ）は図１４のIV−IV線に沿う断面図である。
【図１６】図１６は、第１実施形態において、二つの半導体チップトレイがずれたときの拡大平面図である。
【図１７】図１７（ａ）は、図１６のV−V線に沿う断面図であり、図１７（ｂ）は図１６のVI−VI線に沿う断面図である。
【図１８】図１８（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態において、半導体チップの他の例について示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は、第２実施形態に係る半導体チップトレイの下蓋の上面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のVII−VII線に沿う断面図である。
【図２０】図２０（ａ）は、第２実施形態に係る上蓋の裏面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のVIII−VIII線に沿う断面図である。
【図２１】図２１は、第２実施形態に係る半導体チップトレイの上面図である。
【図２２】図２２（ａ）は、図２１のIX−IX線に沿う断面図であり、図２２（ｂ）は図２１のX−X線に沿う断面図である。
【図２３】図２３は、第２実施形態において、下蓋と上蓋とがずれたときの半導体チップトレイの拡大平面図である。
【図２４】図２４（ａ）は、図２３のXI−XI線に沿う断面図であり、図２４（ｂ）は図２３のXII−XII線に沿う断面図である。
【図２５】図２５は、第３実施形態の第１例に係るポケットの拡大平面図である。
【図２６】図２６は、第３実施形態の第１例に係るポケットの拡大平面図である。
【図２７】図２７は、第３実施形態の第１例に係る半導体チップトレイを重ねたときの拡大平面図である。
【図２８】図２８（ａ）は図２７のXIII−XIII線に沿う断面図であり、図２８（ｂ）は図２７のXIV−XIV線に沿う断面図である。
【図２９】図２９は、第３実施形態の第１例において、上下の半導体チップトレイがずれたときの拡大平面図である。
【図３０】図３０は、第３実施形態の第２例に係るポケットの拡大平面図である。
【図３１】図３１は、第３実施形態の第２例に係るキャビティの拡大平面図である。
【図３２】図３２は、第３実施形態の第２例の半導体チップトレイを重ねたときの拡大平面図である。
【図３３】図３３（ａ）は図３２のXIII−XIII線に沿う断面図であり、図３３（ｂ）は図３２のXIV−XIV線に沿う断面図である。
【図３４】図３４は、第３実施形態の第２例において、上下の半導体チップトレイがずれたときの拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（第１実施形態）
図８は、本実施形態に係る半導体チップトレイ２０の上面図である。
【００２７】
この半導体チップトレイ２０は、樹脂を射出成形して製造され、その表面２０ｘには半導体チップ２を収容するための複数のポケット２０ａが形成される。半導体チップトレイ２の材料となる樹脂は特に限定されないが、ABS樹脂、PP（ポリプロピレン）、PS（ポリスチレン）、PC（ポリカーボネイト）、アクリル樹脂、及びフッ素樹脂のいずれかの樹脂で半導体チップトレイ２を作製するのが好ましい。
【００２８】
図９は、各ポケット２０ａの拡大平面図である。
【００２９】
図９に示すように、ポケット２０ａの開口端２０ｅの平面形状は、凸八角形等の凸多角形である。
【００３０】
そのポケット２０ａの大きさは特に限定されないが、本実施形態では一辺の長さL1の仮想正方形E1に内接する大きさにポケット２０ａを形成する。
【００３１】
図１０は、半導体チップトレイ２０の裏面図である。
【００３２】
図１０に示すように、半導体チップトレイ２０の裏面２０ｙには、上記のポケット２０ａに対応した位置に複数のキャビティ２０ｂが形成される。
【００３３】
図１１は、各キャビティ２０ｂの拡大平面図である。
【００３４】
図１１に示すように、キャビティ２０ｂの開口端２０ｆの平面形状は、凹八角形等の凹多角形（凸と凹が交互にある多角形）である。
【００３５】
そのキャビティ２０ｂの大きさは特に限定されないが、本実施形態では一辺の長さL2の仮想正方形E2に内接する大きさにキャビティ２０ｂを形成する。
【００３６】
図１２は、この半導体チップトレイ２０の断面図であって、図８のII−II線に沿う断面図に相当するものである。
【００３７】
図１２に示されるように、半導体チップトレイ２０の表面２０ｘには嵌合凸部２０ｄが設けられ、半導体チップトレイ２０の裏面２０ｙには嵌合凹部２０ｃが設けられる。
【００３８】
半導体チップを搬送するときには、このような半導体チップトレイ２０を複数用意し、その各々の嵌合凸部２０ｄと嵌合凹部２０ｃ同士を嵌合させることで、複数の半導体チップトレイ２０を重ねて使用する。
【００３９】
このとき、各半導体チップトレイ２０同士が固く嵌合するのを防ぐため、嵌合凹部２０ｃの内径D1を嵌合凸部２０ｄの外径D2よりも１mm程度大きくすることにより、嵌合凹部２０ｃと嵌合凸部２０ｄにスタックガタを設けるのが好ましい。
【００４０】
図１３は、このようにして交互に重ねられた複数の半導体チップトレイ２０の斜視図である。
【００４１】
また、図１４は、重ねられた複数の半導体チップトレイ２０のうち上下に隣接する二つの半導体チップトレイ２０の拡大平面図である。
【００４２】
図１４に示すように、ポケット２０ａの開口端２０ｅを凸多角形とし、キャビティ２０ｂの開口端２０ｆを凹多角形としたので、平面視ではこれらの開口端２０ｅ、２０ｆは各交差点Pにおいて交差することになる。すなわち、ポケット２０ａの開口端２０ｅの一辺２０ｍと、当該一辺２０ｍと上下方向に対向するキャビティ２０ｂの開口端２０ｆの一辺２０ｎが点Pにおいて交錯する。このような辺同士の交錯は、以下の各実施形態でも生じる。
【００４３】
また、図１５（ａ）は図１４のIII−III線に沿う断面図であり、図１５（ｂ）は図１４のIV−IV線に沿う断面図である。
【００４４】
図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、ポケット２０ａとキャビティ２０ｆは協働して半導体チップ２を囲う空間Sを作る。
【００４５】
半導体チップ２は、このように空間Sに収容された状態で搬送されることになるが、既述のスタックガタが原因で搬送時に上下の半導体チップトレイ２０がずれることがある。
【００４６】
図１６は、そのようなずれが生じたときの半導体チップトレイ２０の拡大平面図である。
【００４７】
図１６に示すように、上下の半導体チップトレイ２０同士がずれると、開口端２０ｅの横に、ハッチングで示す下側の半導体チップトレイ２０の平坦面２０ｇが露出する。
【００４８】
但し、本実施形態では、各開口端２０ｅ、２０ｆを平面視で交差させるようにしたので、その平坦面２０ｇが開口端２０ｅの周囲に連続して露出することはなく、交差点Pによって各々の平坦面２０ｇが分断されるようになる。更に、このように分断された結果、各平坦面２０ｇの面積も、開口端２０ｅ、２０ｆが交差しない場合よりも小さくなる。
【００４９】
図１７（ａ）は、図１６のV−V線に沿う断面図であり、図１７（ｂ）は図１６のVI−VI線に沿う断面図である。
【００５０】
上記のような平坦面２０ｇの分断化とその面積の縮小化により、本実施形態では半導体チップ２が平坦面２０ｇに乗り上げる危険性が低減され、上下の半導体チップトレイ２０の間に半導体チップ２が挟まって半導体チップ２０の外形に欠けが生じるのを防止できる。
【００５１】
半導体チップトレイ２０に収容する半導体チップ２は特に限定されないが、バックグラインド処理による薄型化で上下の半導体チップトレイ２０の間に挟まり易い半導体チップ２０を収容する場合に本実施形態は特に効果がある。
【００５２】
また、図１８（ａ）、（ｂ）は、半導体チップ２の他の例について示す断面図であって、図１６のVI−VI線に沿う断面図に相当する。
【００５３】
図１８（ａ）に示すように、半導体チップトレイ２０には、一方の主面２ａにはんだバンプ等の突起電極９が形成された半導体チップ２も収容し得る。その場合、半導体チップ２は、突起電極９をキャビティ２０ｂ側に向けてポケット２０ａ内に収容される。
【００５４】
このように突起電極９が設けられた半導体チップ２を収容するときは、キャビティ２０ｂの側面２０ｋをポケット２０ａの底面２０ｈに対して傾斜させるのが好ましい。
【００５５】
このようにすると、図１８（ｂ）のように、上下の半導体チップトレイ２０同士がずれて僅かに露出した平坦面２０ｇに半導体チップ２が乗り上がろうとしても、側面２０ｋに突起電極９が当接して半導体チップ２の動きが規制される。
【００５６】
その結果、半導体チップ２が平坦面２０ｇに乗り上げる危険性をより一層低減することが可能となる。
【００５７】
（第２実施形態）
第１実施形態では、複数枚を交互に重ねて使用するタイプの半導体チップトレイ２０について説明したが、本実施形態では下蓋と上蓋とを有する半導体チップトレイについて説明する。
【００５８】
図１９（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップトレイの下蓋３０の上面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のVII−VII線に沿う断面図である。
【００５９】
図１９（ａ）、（ｂ）に示すように、下蓋３０の表面３０ｘには、半導体チップ２を収容すべくポケット３０ａが形成されており、その開口端３０ｅの形状は凸八角形等の凸多角形である。
【００６０】
また、図２０（ａ）は、上記の下蓋３０と合わせて使用される上蓋３１の裏面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のVIII−VIII線に沿う断面図である。
【００６１】
図２０（ａ）、（ｂ）に示されるように、上蓋３１の裏面３１ｙにはキャビティ３１ｂが形成される。そのキャビティ３１ｂの開口端３１ｅの形状は、凹八角形等の凹多角形である。
【００６２】
図２１は、これらの下蓋３０と上蓋３１とを重ね合わせてなる半導体チップトレイ３２の上面図である。
【００６３】
図２１に示すように、ポケット３０ａの開口端３０ｅを凸多角形とし、キャビティ３１ａの開口端３０ｅを凹多角形としたので、平面視でこれらの開口端３０ｅ、３１ｅは各交差点Pにおいて交差する。
【００６４】
図２２（ａ）は、図２１のIX−IX線に沿う断面図であり、図２２（ｂ）は図２１のX−X線に沿う断面図である。
【００６５】
図２２（ａ）、（ｂ）に示すように、ポケット３０ａとキャビティ３１ａは協働して半導体チップ２を囲う空間Sを作り、半導体チップ２はその空間Sに収容された状態で搬送されることになる。
【００６６】
そのように半導体チップ２を搬送する際、衝撃によって下蓋３０と上蓋３１とがずれることがある。
【００６７】
図２３は、そのようなずれが生じたときの半導体チップトレイ３２の拡大平面図である。図２３では、下蓋３０の平坦面３０ｇにハッチングを付してある。
【００６８】
下蓋３０と上蓋３１にずれが生じると、開口端３０ｅの横に下蓋３０の平坦面３０ｇが露出することになるが、各開口端３０ｅ、３１ｅを交差させたことで平坦面３０ｇは交差点Pで分断され、各平坦面３０ｇの面積が、各開口端３０ｅ、３１ｅを交差させない場合よりも小さくなる。
【００６９】
図２４（ａ）は、図２３のXI−XI線に沿う断面図であり、図２４（ｂ）は図２３のXII−XII線に沿う断面図である。
【００７０】
上記のような平坦面３０ｇの分断化と面積の縮小化とにより、図２４（ａ）、（ｂ）のように各蓋３０、３１がずれたとしても、ポケット３０ａの横に下蓋３０の平坦面３０ｇが大きく露出しない。したがって、半導体チップ２がその平坦面３０ｇに乗り上げる危険性が低減され、各蓋３０、３１の間に半導体チップ２が挟まって半導体チップ２の外形に欠けが生じるのを防止できる。
【００７１】
（第３実施形態）
第１実施形態では、図９のようにポケット２０ａの開口端２０ｅの形状を凸多角形とし、図１１のようにキャビティ２０ｂの開口端２０ｆの形状を凹多角形とした。各開口端２０ｅ、２０ｆの形状はこれらに限定されない。本実施形態では、各開口端２０ｅ、２０ｆの形状の他の例について説明する。
【００７２】
・第１例
本例では、第１実施形態と比較して、ポケット２０ａとキャビティ２０ｂの各開口端２０ｅ、２０ｆの凹凸を以下のように逆にする。
【００７３】
図２５は、本例に係るポケット２０ａの拡大平面図である。図２５に示すように、このポケット２０ａの開口端２０ｅの平面形状は、凹八角形等の凹多角形である。
【００７４】
そして、図２６は、本例に係るキャビティ２０ｂの拡大平面図である。図２６に示すように、本例に係るキャビティ２０ｂの開口端２０ｆの平面形状は、凸八角形等の凸多角形である。
【００７５】
図２７は、上下に隣接する各半導体チップトレイ２０の拡大平面図である。
【００７６】
図２７に示すように、ポケット２０ａの開口端２０ｅを凹多角形とし、キャビティ２０ｂの開口端２０ｆを凸多角形としたので、平面視ではこれらの開口端２０ｅ、２０ｆは各交差点Pにおいて交差する。
【００７７】
図２８（ａ）は図２７のXIII−XIII線に沿う断面図であり、図２８（ｂ）は図２７のXIV−XIV線に沿う断面図である。
【００７８】
図２８（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体チップ２は、ポケット２０ａとキャビティ２０ｆにより作られた空間S内に収容される。
【００７９】
ここで、本例では、第１実施形態と比較して各開口端２０ｅ、２０ｆの凹凸を逆にしたので、図２８（ａ）、（ｂ）に示すように上側の半導体チップトレイ２０の裏面２０ｙが空間S内に露出し難くなる。
【００８０】
そのため、半導体チップ２が裏面２０ｙに触れる機会が少なくなり、裏面２０ｙとの接触で半導体チップ２が損傷する危険性を低減できる。
【００８１】
図２９は、上下の半導体チップトレイ２０がずれたときの拡大平面図である。図２９では、半導体チップトレイ２０の平坦面２０ｇにハッチングを付してある。
【００８２】
本例においても、各開口端２０ｅ、２０ｆが平面視で交差するようにしたので、各半導体チップトレイ２０がずれた場合でも、第１実施形態と同じ理由によって半導体チップ２が平坦面２０ｇに乗り上げて不良品になるのを防止できる。
【００８３】
・第２例
図３０は本例に係るポケット２０ａの拡大平面図である。図３０に示すように、ポケット２０ａの開口端２０ｅの各辺は曲線よりなる。
【００８４】
本例に係るポケット２０ａの大きさは特に限定されないが、本例では一辺の長さL3の仮想正方形E3に内接する大きさにポケット２０ａを形成する。
【００８５】
また、図３１は、本例に係るキャビティ２０ｂの拡大平面図である。図３１に示すように、キャビティ２０ｂの開口端２０ｆの各辺も曲線よりなる。
【００８６】
そのキャビティ２０ｂは、例えば、一辺の長さL4の仮想正方形E4に内接する大きさを有する。
【００８７】
図３２は、上下に隣接する各半導体チップトレイ２０の拡大平面図である。
【００８８】
図３２に示すように、本例では各開口端２０ｅ、２０ｆを曲線状にしたので、平面視でこれらの開口端２０ｅ、２０ｆが各交差点Pにおいて交差するようになる。
【００８９】
図３３（ａ）は図３２のXIII−XIII線に沿う断面図であり、図３３（ｂ）は図３２のXIV−XIV線に沿う断面図である。
【００９０】
図３３（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体チップ２は、ポケット２０ａとキャビティ２０ｂにより作られた空間S内に収容される。
【００９１】
図３４は、上下の半導体チップトレイ２０がずれたときの拡大平面図である。図３４では、トレイ２０の平坦面２０ｇにハッチングを付してある。
【００９２】
図３４のように各トレイ２０がずれた場合でも、各開口端２０ｅ、２０ｆを平面視で交差するようにしたので、第１実施形態と同じ理由によって半導体チップ２が平坦面２０ｇに乗り上げて不良品になるのを防止できる。
【００９３】
しかも、本例では各開口端２０ｅ、２０ｆが曲線よりなるので、樹脂の射出成形によって半導体チップトレイ２０を作製するときに、金型から半導体チップトレイ２０を取り出しやすくなり、半導体チップトレイ２０の作製が容易となる。
【符号の説明】
【００９４】
１、２０…半導体チップトレイ、１ａ、２０ａ…ポケット、１ｂ、２０ｂ…キャビティ、１ｘ、２０ｘ…表面、１ｙ、２０ｙ…裏面、１ｃ、２０ｃ…嵌合凹部、１ｄ、２０ｄ…嵌合凸部、１ｆ、２０ｇ…平坦面、２…半導体チップ、２ａ…半導体チップ、２０ｅ、２０ｆ…開口端、２０ｋ…側面、２０ｈ…底面、３０…下蓋、３０ａ…ポケット、３０ｅ、３１ｅ…開口端、３０ｘ…表面、３１…上蓋、３１ｂ…キャビティ、３２…半導体チップトレイ、３０ｇ…平坦面、P…交差点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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