(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック組成物からなる直方体状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の内部に、互いに対向するように設けられている第１及び第２の内部電極とを備え、
前記セラミック焼結体は、前記第１及び第２の内部電極の少なくとも一方が設けられている第１の部分と、前記第１の部分の外側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられていない第２の部分とを含み、
前記第２の部分は、前記第１及び第２の内部電極の対向方向において前記第１の部分よりも外側に設けられている、第１及び第２の外層部と、前記対向方向から視た際に前記第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられておらず、かつ前記第１及び第２の内部電極の延びる方向において前記第１の部分の両側に位置する第１及び第２のギャップ部とを含み、
前記第１及び第２のギャップ部の組成と前記第１及び第２の外層部との組成とが異なり、
前記第１の部分の組成と前記第２の部分の組成とが等しい場合と比べて、焼成によりセラミック焼結体を得る際における前記第１の部分の収縮率と、前記第２の部分の収縮率との差が小さくなるように、前記第１の部分に含有されている焼結助剤と、前記第１及び第２のギャップ部に含有されている焼結助剤とが異なっている、セラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１の部分の組成と、前記第２の部分のうちの前記第１及び第２の外層部の組成とが異なる、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記焼結助剤は、Ｓｉとガラス成分とのうちの少なくとも一方を含む、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記第１の部分と前記第２の部分とでは、セラミックの組成が互いに異なる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。特には、本発明は、セラミック組成物からなる直方体状のセラミック焼結体と、セラミック焼結体の内部に、互いに対向するように設けられている第１及び第２の内部電極とを備えるセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話やノート型パソコンなどの電子機器において、積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品が多用されている。このようなセラミック電子部品の製造方法としては、例えば、下記の特許文献１に記載の積層型セラミック電子部品の製造方法などが知られている。
【０００３】
具体的には、特許文献１には、内部に内部電極が形成されている内層積層体を形成するセラミックグリーンシートの厚みに対する、内部電極の厚みの比が０．３以上であり、内層積層体の焼成収縮率と、内層積層体の外層に設けられている外層体の焼成収縮率との差を１％以下とすることが記載されている。このようにすることによって、内層積層体及び外層体の焼成工程において生じる内部応力を緩和でき、焼成後にデラミネーションやクラックが発生することを効果的に抑制できる旨が特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１８０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年、小型化及び高性能化への要望が益々高まるなか、誘電体層の厚みがさらに薄くなり、内層積層体における内部電極の体積比率がさらに高くなってきている。このような内部電極の体積比率が非常に高いセラミック電子部品に対しては、特許文献１に記載の方法を適用したとしても、焼成工程において生じる内部応力を十分に緩和することは困難であった。従って、高い良品率でセラミック電子部品を製造することができない場合があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い良品率で製造可能なセラミック電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るセラミック電子部品は、直方体状のセラミック焼結体と、第１及び第２の内部電極とを備えている。セラミック焼結体は、セラミック組成物からなる。第１及び第２の内部電極は、セラミック焼結体の内部に、互いに対向するように設けられている。セラミック焼結体は、第１の部分と、第２の部分とを含む。第１の部分は、第１及び第２の内部電極の少なくとも一方が設けられている部分である。第２の部分は、第１の部分の外側に位置しており、第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられていない部分である。第２の部分は、第１及び第２の内部電極の対向方向において第１の部分よりも外側に設けられている、第１及び第２の外層部と、対向方向から視た際に第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられておらず、かつ前記第１，第２の内部電極の延びる方向において第１の部分の両側に位置する第１及び第２のギャップ部とを含む。本発明に係るセラミック電子部品では、第１及び第２のギャップ部の組成と第１及び第２の外層部との組成とが異なり、前記第１の部分の組成と前記第２の部分の組成とが等しい場合と比べて、焼成によりセラミック焼結体を得る際における前記第１の部分の収縮率と、前記第２の部分の収縮率との差が小さくなるように、前記第１の部分に含有されている焼結助剤と、前記第１及び第２のギャップ部に含有されている焼結助剤とが異なっている。
【０００８】
本発明に係るセラミック電子部品のある特定の局面では、第１の部分の組成と、第２の部分のうち第１及び第２の外層部の組成とが異なる。
【００１３】
本発明に係るセラミック電子部品のまた他の特定の局面では、焼結助剤は、Ｓｉとガラス成分とのうちの少なくとも一方を含む。
【００１４】
本発明に係るセラミック電子部品のまた別の特定の局面では、第１の部分と第２の部分とでは、セラミックの組成が互いに異なる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、第１の部分の組成と第２の部分の組成とが異なるため、焼成工程において生じる内部応力を効果的に低減し得る。従って、本発明のセラミック電子部品は、高い良品率で製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【図３】図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。
【図４】導体パターンが印刷されたセラミックグリーンシートの略図的斜視図である。
【図５】積層体を形成する工程を説明するための略図的正面図である。
【図６】セラミック部材の略図的斜視図である。
【図７】両端面上にセラミック層を形成する工程を表す略図的斜視図である。
【図８】セラミック焼結体の略図的斜視図である。
【図９】第１の変形例に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
【図１０】図９の線Ｘ−Ｘにおける略図的断面図である。
【図１１】図９の線ＸＩ−ＸＩにおける略図的断面図である。
【図１２】第２の変形例に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。
【図１３】図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示すセラミック電子部品１について説明する。但し、本発明のセラミック電子部品は、セラミック電子部品１に何ら限定されるものではない。
【００１８】
図１は、本実施形態のセラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態のセラミック電子部品１は、直方体状のセラミック焼結体１０を備えている。セラミック焼結体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。
【００２０】
なお、本発明において、「直方体」には、角部や稜線部の少なくとも一部が面取りやＲ面取りされているものも含まれるものとする。
【００２１】
セラミック焼結体１０は、セラミックを含むセラミック組成物からなる。本実施形態では、セラミック組成物には、セラミックの他に、Ｓｉやガラス成分などの焼成助剤などが含まれている。焼成助剤としてのガラス成分の具体例としては、アルカリ金属成分やアルカリ土類金属成分を含む珪酸塩ガラス、硼酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、リン酸塩ガラス等が挙げられる。
【００２２】
セラミック組成物に主として含まれるセラミックの種類は、セラミック電子部品１に要求される機能等に応じて適宜選択することができる。
【００２３】
例えば、製造しようとするセラミック電子部品１がコンデンサである場合は、誘電体セラミックによりセラミック焼結体１０を形成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。誘電体セラミックには、例えば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
【００２４】
例えば、製造しようとするセラミック電子部品１がセラミック圧電素子である場合は、圧電セラミックによりセラミック焼結体１０を形成することができる。圧電セラミックの具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックなどが挙げられる。
【００２５】
例えば、製造しようとするセラミック電子部品１がサーミスタ素子である場合は、半導体セラミックによりセラミック焼結体１０を形成することができる。半導体セラミックの具体例としては、例えば、スピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２６】
例えば、製造しようとするセラミック電子部品１がインダクタ素子である場合は、磁性体セラミックによりセラミック焼結体１０を形成することができる。磁性体セラミックの具体例としては、例えば、フェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２７】
図２及び図３に示すように、セラミック焼結体１０の内部には、複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている。複数の第１及び第２の内部電極１１，１２は、幅方向Ｗにおいて互いに対向するように、交互に配置されている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに対して平行に設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの平面形状は、矩形である。
【００２８】
第１の内部電極１１は、第１の主面１０ａに露出している一方、第２の主面１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。一方、第２の内部電極１２は、第２の主面１０ｂに露出している一方、第１の主面１０ａ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。
【００２９】
第１の主面１０ａ上には、第１の外部電極１３が設けられている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１に接続されている。一方、第２の主面１０ｂ上には、第２の外部電極１４が設けられている。第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２に接続されている。
【００３０】
なお、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の形成材料は、導電材料である限りにおいて特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、Ａｇ，Ａｕ、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕなどの金属や、それらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成することができる。また、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、複数の導電膜の積層体により構成されていてもよい。
【００３１】
図２及び図３に示すように、セラミック焼結体１０には、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂと、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄと、内層部１０Ｅとが設けられている。これらの部分のうち、内層部１０Ｅが第１の部分を構成している。第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂと、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄとが、第２の部分１０Ｆ（図３を参照）を構成している。
【００３２】
第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂは、第１及び第２の内部電極の対向方向（＝幅方向Ｗ）において、第１及び第２の内部電極が設けられている部分よりも外側に位置する部分である。具体的には本実施形態では、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂは、セラミック焼結体１０の幅方向Ｗにおける両端部に設けられている。
【００３３】
第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、対向方向（＝幅方向Ｗ）から視た際に第１及び第２の内部電極１１，１２のいずれもが設けられていない部分である。具体的には本実施形態では、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、セラミック焼結体１０の長さ方向Ｌにおける両端部に設けられている。
【００３４】
内層部１０Ｅは、セラミック焼結体１０の第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂ並びに第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを除いた部分である。具体的には本実施形態では、セラミック焼結体１０の長さ方向Ｌの両端部と幅方向Ｗの両端部を除いた領域に設けられている。内層部１０Ｅには、幅方向Ｗにおいて第１及び第２の内部電極１１，１２が互いに対向している部分と、幅方向Ｗから視たときに第１または第２の内部電極１１，１２のみが設けられている部分とを含んでいる。
【００３５】
本実施形態では、内層部１０Ｅ（第１の部分）の組成と、第２の部分１０Ｆの組成とが異なっている。詳細には、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とは、後述する焼成によりセラミック焼結体１０を得る際における内層部１０Ｅの収縮率と、第２の部分１０Ｆの収縮率との差が、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とが等しい場合よりも小さくなるように異ならされている。より詳細には、本実施形態では、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とを、焼成によりセラミック焼結体１０を得る際における内層部１０Ｅの収縮率と、第２の部分１０Ｆの収縮率とが等しくなるように異ならせている。
【００３６】
なお、本実施形態において、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの組成と、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂの組成とは、異なっていてもよいし、等しくてもよい。
【００３７】
例えば、後述する本実施形態の製造方法の場合、内層部１０Ｅと第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂとを形成するセラミックグリーンシート２０は、焼成前にプレスされるものの、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂを形成するセラミック層２４，２５は、焼成時には収縮状態が異なる。また、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄが形成される際の収縮挙動と、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂが形成される際の収縮挙動とが異なっている場合もある。このため、例えば、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの組成と、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂの組成とが同じである場合は、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄと第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂとで緻密性が異なる場合がある。従って、このような場合には、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの組成と、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂの組成とが異なっていることが好ましい。
【００３８】
本実施形態では、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とは、焼成助剤として含まれるＳｉの添加量により異ならせられている。より具体的には、内層部１０Ｅにおけるセラミックに対するＳｉの含有量は、例えば、０．５ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％程度とすることができる。第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄにおけるセラミックに対するＳｉの含有量は、例えば、０．６ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％程度とすることができる。第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂにおけるセラミックに対するＳｉの含有量は、例えば、０．６ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％程度とすることができる。
【００３９】
なお、セラミック焼結体１０の組成の分析は、例えば、下記の（１）〜（３）の方法により行うことができる。なお、（３）の方法は、内層部１０Ｅと、他の部分とで大きく組成が異なる場合に有効である。
【００４０】
（１）セラミック焼結体１０を粉砕して得られる粉末をＸ線回折法（好ましくはＸＲＦ）により分析する。
【００４１】
（２）セラミック焼結体１０を塩酸等の酸に溶解させて得られる液体を質量分析法（好ましくは、ＩＣＰ−ＭＳ）を用いて分析する。
【００４２】
（３）セラミック焼結体１０の断面をＥＤＸやＷＤＸで分析する。
【００４３】
次に、本実施形態のセラミック電子部品１の製造方法の一例について、図４〜図８を参照しながら詳細に説明する。
【００４４】
まず、図４に示すセラミックグリーンシート２０を成形する。セラミックグリーンシート２０の成形方法は特に限定されない。セラミックグリーンシート２０の成形は、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、マイクログラビアコーター等により行うことができる。
【００４５】
次に、セラミックグリーンシート２０の上に、第１の方向ｘに沿って互いに平行に延びる複数の線状の導体パターン２１を形成する。この導体パターン２１は、第１及び第２の内部電極１１，１２を形成するためのものである。導体パターン２１の形成方法は、特に限定されない。導体パターン２１は、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法、グラビア印刷法などにより形成することができる。
【００４６】
次に、図５に示すように、積層体２２を形成する。具体的には、具体的には、まず、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０を複数枚積層した後に、導体パターン２１が形成されているセラミックグリーンシート２０を、第１の方向ｘと直交する第２の方向ｙの一方側ｙ１と他方側ｙ２とに交互にずらして複数枚積層する。さらに、その上に、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０を複数枚積層し積層体２２を完成させる。
【００４７】
ここで、最初と最後に積層する、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０は、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂを形成するためのものである。このため、最初と最後に積層する、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０は、他のセラミックグリーンシート２０の組成とは異なる組成を有するものである。
【００４８】
次に、得られた積層体２２を静水圧プレス法などにより積層方向ｚにプレスする。
【００４９】
次に、プレス後の積層体２２を第１の方向ｘ及び第２の方向ｙに沿って切断することにより、図６に示す直方体状のセラミック部材２３を複数形成する。なお、積層体２２の切断は、ダイシングや押切りにより行うことができる。また、レーザーを用いて積層体２２を切断してもよい。
【００５０】
次に、図７に示すように、セラミック部材２３の端面２３ｅ、２３ｆの上に、端面２３ｅ、２３ｆを覆うように、セラミック層２４，２５を形成する。このセラミック層２４，２５は、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを形成するためのものである。このため、セラミック層２４，２５は、上記の導体パターン２１が形成されているセラミックグリーンシート２０の組成とは異なる組成を有するものである。
【００５１】
なお、セラミック層２４，２５の形成方法は特に限定されず、スクリーン印刷法等の印刷法、インクジェット法、グラビアコート法等のコート法、噴霧法等により行うことができる。
【００５２】
次に、セラミック層２４，２５を形成したセラミック部材２３を焼結する。これにより、図８に示すセラミック焼結体１０を完成させる。
【００５３】
そして、最後に、第１及び第２の外部電極１３，１４を形成することにより、図１〜３に示すセラミック電子部品１を完成させる。なお、第１及び第２の外部電極１３，１４の形成方法は、特に限定されない。第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、導電性ペーストを塗布した後に焼き付けることにより形成してもよい。その場合、上記セラミック部材２３の焼成前に導電性ペーストを塗布し、焼成と同時に第１及び第２の外部電極１３，１４を形成してもよい。また、第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、めっき等により形成してもよい。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態では、内層部１０Ｅ（第１の部分）の組成と、第２の部分１０Ｆの組成とが異ならされている。具体的には、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とは、後述する焼成によりセラミック焼結体１０を得る際における内層部１０Ｅの収縮率と、第２の部分１０Ｆの収縮率との差が、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とが等しい場合よりも小さくなるように異ならされている。より具体的には、焼成によりセラミック焼結体１０を得る際の内層部１０Ｅの収縮率（セラミックグリーンシート２０から内層部１０Ｅが形成される際の収縮率）と、第２の部分１０Ｆの収縮率（セラミック層２４，２５から第２の部分１０Ｆが形成される際の収縮率）とが等しくなるように、内層部１０Ｅの組成と、第２の部分１０Ｆの組成とが異ならされている。このため、焼成工程において、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとの境界近傍において生じる内部応力を効果的に低減することができる。従って、セラミック電子部品１を高い良品率で製造することができる。また、第２の部分１０Ｆの焼結性を高めることができるため、緻密なセラミック焼結体１０を得ることができる。
【００５５】
また、上述のように、本実施形態においては、緻密なセラミック焼結体１０を得ることができるため、第１及び第２の内部電極１１，１２のシール性をより高くすることができる。
【００５６】
また、本実施形態では、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、セラミックグリーンシート２０とは異なるセラミック層２４，２５から形成されるため、例えば、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの色と、セラミックグリーンシート２０から形成される部分の色とを異ならせることができる。また、第１及び第２のギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの色を相互に異ならせることができる。従って、セラミック電子部品１の方向の識別性を高めることができる。
【００５７】
以下、上記実施形態の変形例について説明する。なお、以下の変形例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を挙通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５８】
上記実施形態では、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとで焼成助剤の一種であるＳｉの添加量を異ならせることによって、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせる例について説明した。但し、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせる方法は、これに限定されない。
【００５９】
例えば、Ｓｉ以外の種類の焼成助剤の添加量や種類を異ならせることによって、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせてもよい。具体的には、例えば、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとで焼成助剤として添加されているガラス成分の種類を異ならせることによって、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせてもよい。また、例えば、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとで焼成助剤として添加されているガラス成分の添加量を異ならせることによって、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせてもよい。
【００６０】
詳細には、例えば、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとでガラス成分におけるアルカリ金属成分（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋなど）やアルカリ土類金属成分（Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒなど）の含有量を異ならせることによって、内層部１０Ｅの軟化温度と第２の部分１０Ｆの軟化温度とを異ならせることができる。その結果、焼成工程における内層部１０Ｅの収縮率と第２の部分１０Ｆの収縮率とを等しくすることができる。なお、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとにおける、セラミックに対するアルカリ金属成分またはアルカリ土類金属成分のモル比の差は、例えば、０．１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％とすることができる。なお、セラミックに対するアルカリ金属成分またはアルカリ土類金属成分のモル比とは、モル百分率で、セラミックに対するアルカリ金属成分またはアルカリ土類金属成分の存在割合をいう。
【００６１】
なお、例えば、外層部１０Ａ，１０Ｂにおけるガラス成分の軟化温度を低くした場合は、第１及び第２の外部電極１３，１４とセラミック焼結体１０との固着力を高めることができる。
【００６２】
また、例えば、セラミックの組成を異ならせることによって、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせてもよい。例えば、セラミックに含まれる成分比を内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとで異ならせてもよい。具体的には、例えばセラミックがＢａＴｉＯ３である場合、Ｔｉに対するＢａのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとで異ならせてもよい。また、例えば、セラミックの平均粒子径を内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとで異ならせてもよい。なお、内層部１０Ｅにおける平均粒子径に対する第２の部分１０Ｆにおける平均粒子径の比は、１．１〜１００程度とすることができる。
【００６３】
なお、セラミックの平均粒子径の測定は、サンプルの断面を熱エッチングまたはケミカルエッチングした後に、セラミック粒界をＳＥＭなどの高倍率顕微鏡で観察することにより行うことができる。
【００６４】
また、例えば、内層部１０Ｅと第２の部分１０Ｆとのうちの一方に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｏ及びＷなどの他の元素を添加することによって、内層部１０Ｅの組成と第２の部分１０Ｆの組成とを異ならせてもよい。この場合の他の元素の添加量は、例えば、０．０５ｍｏｌ％〜１ｍｏｌ％程度とすることができる。
【００６５】
上記実施形態では、第１及び第２の内部電極１１，１２が第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに平行であり、かつ、第１の内部電極１１が第１の主面１０ａに引き出されている一方、第２の内部電極１２が第２の主面１０ｂに引き出されている例について説明した。但し、本発明では、セラミック焼結体にギャップ層が形成される限りにおいて、第１及び第２の内部電極の配置は特に限定されない。
【００６６】
例えば、第１及び第２の内部電極は、第１及び第２の主面もしくは第１及び第２の端面に平行に形成されていてもよい。
【００６７】
また、図１０，図１１に示すように、第１及び第２の内部電極１１，１２の両方が第２の主面１０ｂに引き出されていてもよい。図１０〜図１２に示すこの変形例では、第１の内部電極１１は、第２の主面１０ｂの長さ方向ＬにおけるＬ１側の部分に引き出されている。一方、第２の内部電極１２は、第２の主面１０ｂの長さ方向ＬにおけるＬ２側の部分に引き出されている。この変形例によれば、残留インダクタンス（ＥＳＬ）をより減少することができる。
【００６８】
図１２は、第２の変形例に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。図１３は、第２の変形例に係るセラミック電子部品の図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける略図的断面図である。
【００６９】
図１２に示すように、本変形例では、第１及び第２の内部電極１１，１２に、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂに平行に形成されている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されており、第１の端面１０ｅ上に形成されている第１の外部電極１３に接続されている。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されており、第２の端面１０ｆ上に形成されている第２の外部電極１４に接続されている。本変形例においては、ギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、セラミック焼結体１０の第１，第２の側面１０ｃ，１０ｄ側の端部に位置している。
【符号の説明】
【００７０】
１…セラミック電子部品
１０…セラミック焼結体
１０Ａ，１０Ｂ…外層部
１０Ｃ，１０Ｄ…ギャップ部
１０Ｅ…内層部
１０Ｆ…第２の部分
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１４…第２の外部電極
２０…セラミックグリーンシート
２１…導体パターン
２２…積層体
２３…セラミック部材
２３ｅ、２３ｆ…セラミック部材の端面
２４，２５…セラミック層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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