(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニックモジュール（１０）を試験するための装置であって、
ａ．電磁ビーム又は粒子ビーム（１５）を生成するための第１の源（１１）と、
ｂ．前記オプトエレクトロニックモジュールに照射するための第２の源（１２）と、
ｃ．検出器（１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ）と、
ｄ．前記電磁ビーム又は粒子ビームを指向する前に前記オプトエレクトロニックモジュールへの照射を完了する手段であって、欠陥測定の前に１００μｓ〜０．５ｓの照射時間間隔で前記オプトエレクトロニックモジュールに照射するように用いられる手段を含む装置。
【請求項２】
前記第１の源を用いて、試験結果を生成し、前記第２の源を用いて、欠陥（１０７）を測定可能とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記オプトエレクトロニックモジュールに入射した照射光が、前記オプトエレクトロニックモジュールの複数の画素を含む領域内で実質的に均一の強度を有するように、前記第２の源が形成され、配置されている請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記第２の源が、少なくとも１つのＬＥＤ（１２０）を含む請求項１〜３のいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記オプトエレクトロニックモジュールが、シリコン及び／又はアモルファスシリコンを含む請求項１〜４のいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記オプトエレクトロニックモジュールが、スクリーンのベースプレートであり、前記ベースプレートが、複数の薄膜トランジスタ（１０３）、複数の電極（１０４）及び複数のキャパシタ（１０５）を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記第２の源が、前記オプトエレクトロニックモジュールの上又は前記オプトエレクトロニックモジュールの下のいずれかに配置されている請求項１〜６のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記オプトエレクトロニックモジュールに適用された接触要素により、前記装置と電気的に接触するための接触部を備えた試験ユニット（１８）、及び前記試験ユニットで電気信号を生成するための電気回路を含む請求項１〜７のいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記第２の源をスイッチオン及びスイッチオフし、且つ／又は前記第２の源を、前記試験ユニットに印加された電気信号と同期させるための前記第２の源の制御ユニットを含む請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の源が、粒子ビームを生成するための粒子ビーム源であり、前記第１の源からの前記ビームを用いて、前記検出器により測定される２次粒子を生成する請求項１〜９のいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記オプトエレクトロニックモジュールを保持するためのプラットフォーム（９）を含み、前記第２の源が、前記オプトエレクトロニックモジュールを搬送するためのプラットフォーム（９）下に配置されている請求項１〜１０のいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記第２の源が、可視スペクトルの光を提供する請求項１〜１１のいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記第２の源が、赤色光を提供する請求項１〜１１のいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニックモジュールの画素にストアされた電圧を測定するための電気測定回路を含み、前記電気測定回路が、前記オプトエレクトロニックモジュールの接触要素に接続されている請求項１〜１３のいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
オプトエレクトロニックモジュールを試験する方法であって、
ａ．前記オプトエレクトロニックモジュールを１００μｓ〜０．５ｓの照射時間間隔で照射する工程と、
ｂ．電磁ビーム又は粒子ビームを、前記オプトエレクトロニックモジュールに指向する工程であって、前記電磁ビーム又は粒子ビームを指向する前に、前記オプトエレクトロニックモジュールへの照射を完了する工程と、
ｃ．前記オプトエレクトロニックモジュールに電圧を印加する工程と、
ｄ．前記オプトエレクトロニックモジュールの欠陥を検出する工程とを含む方法。
【請求項１６】
前記電磁ビーム又は粒子ビームが、第１の源により生成され、前記照射が、第２の源を用いて実施される請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記オプトエレクトロニックモジュールが、薄膜トランジスタを含み、前記検出が時間の間隔をおいてのみなされ、前記オプトエレクトロニックモジュールの欠陥のない薄膜トランジスタの電圧が、前に印加された電圧の４０％以下降下している請求項１５又は１６記載の方法。
【請求項１８】
前記オプトエレクトロニックモジュールの複数の画素の電圧を測定する工程を含み、平均電圧が、前記複数の画素での電圧の測定結果に基づいて計算され、各画素の前記電圧の測定値が、前記平均電圧と比較され、前記測定された電圧が、前記平均電圧から限定パーセンテージを超えて変位している場合、画素は、検出可能と分類される請求項１５〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
前記照射が、前記ビームのアライメント前及び最中、且つ／又は前記検出の前及び最中になされる請求項１５〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
前記照射が、１００μｓ〜０．５ｓの時間の間隔でなされる請求項１５〜１９のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
前記照射が、時間の間隔をおいてのみなされ、前記オプトエレクトロニックモジュールの欠陥のない薄膜トランジスタの電圧が、前に印加された電圧の２０％以下降下している請求項１７記載の方法。
【請求項２２】
前記オプトエレクトロニックモジュールの照射の前に、前記ビームを指向し、前記ビームを指向する前に、前記照射を完了する請求項１５〜２１のいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
前記オプトエレクトロニックモジュールの複数の画素を含む領域内に入射した照射が、実質的に均一であるように、前記照射を実施する請求項１５〜２２のいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
電圧を前記オプトエレクトロニックモジュールに印加することにより、駆動が実行され、前記駆動と前記検出の間に待機時間がある請求項１５〜２３のいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
前記オプトエレクトロニックモジュールの照射強度が、約５００〜１，５００  ｌｘとなるように、前記照射を実施する請求項１５〜２４のいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
前記検出が、前記オプトエレクトロニックモジュールで、電子ビームにより生成された２次電子を測定する工程を含み、前記試験が、真空チャンバでなされる請求項１５〜２５のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニックモジュールを試験する方法及びオプトエレクトロニックモジュールを試験する装置に関する。本発明は、特に、オプトエレクトロニックモジュールの欠陥のある要素を検出する方法及びオプトエレクトロニックモジュールの欠陥のある要素を検出する装置に関する。この場合、オプトエレクトロニックモジュールは、特に、ディスプレイ要素の形態を有する。
【０００２】
陰極線管のないスクリーン要素に対する要望の増大に伴い、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ)及び切り替え要素、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いるその他ディスプレイ要素に対する要望が増大している。これらのディプレイ要素において、像点は、マトリックス形態で配列されている。「像点」とは、本出願の範囲においては、典型的に、３つの画素で構成された完全ＲＧＢ画素と考えるものとする。この場合、３つの画素のそれぞれが、三原色の１つ、即ち、赤色、緑色及び青色となる。画素は、本出願の範囲においては、薄膜トランジスタ、電極対及びキャパシタを含むオプトエレクトロニックモジュールのユニットと考えられる。
【０００３】
各画素の切り替え要素は、通常、制御ライン、即ち、ゲートライン及びデータラインを介して駆動される。ディスプレイ要素の良好な画像品質を確保するには、数百万の画素のいずれも、又は僅かしか欠陥がないものとする。従って、費用効率の高い製造を確保するためには、主に、益々大きくなっていくディスプレイ要素のために、高性能のオンライン試験方法を提供することが重要である。これらの試験方法では、個々の画素が、粒子線ビームにより頻繁に試験される。粒子線ビームは、供給ラインを介して印加された電荷を検出する、且つ／又は画素電極に電荷を印加するのに用いられる。
【０００４】
オプトエレクトロニックモジュールの試験は、ゲート及びデータラインを介して全ての画素に、特定の電圧パターンが印加されるようにして、なされることが多い。個々の画素は、例えば、電子ビームにより照射されて、生成された２次電子が測定される。測定は、試験される表面と検出器の間にあるカウンタ電位により補助される。これによって、低エネルギー２次電子がフィルタリングされて、２次電子のエネルギー分布についての情報が得られる。画素に印加された電圧に応じて、２次電子の典型的なエネルギー範囲がある。変位が大きい、例えば、駆動画素に欠陥があると、検出器の前に印加されたカウンタフィールドを克服するには、２次電子は、この画素から放出されるのが遅くなりすぎる。欠陥及び欠陥の位置は、記録システムの範囲内でストアされる。オプトエレクトロニックモジュールによっては、この情報に基づいて、検出を整流することができる。
【０００５】
あるタイプの欠陥は、例えば、前段に記載した試験方法のような先行技術の試験方法では検出できないことが分かっている。かかる欠陥の一例としては、リソグラフィー工程において、領域から完全に除去されなかったアモルファスシリコンであり、実際、エッチング中に完全にマスクされなくなってしまう。リソグラフィー工程で形成されたアモルファスシリコンの欠陥により、試験されるオプトエレクトロニックモジュールの通常の操作中、対応の画素が短絡し、ゲート及びデータラインに印加された信号によっては、同じ偏光を常に生成してしまうこととなる。従って、画素は欠陥となり、修理しなければならない。あまりにも多くの画素が欠陥になると、試験されるオプトエレクトロニックモジュールを修理するのは経済的ではなくなる。従って、本発明の目的は、先行技術における問題を克服するオプトエレクトロニックモジュールの試験方法及び装置を提供することである。特に、本発明の目的は、先行技術では突き止められなかった、又は完全には突き止められなかった試験されるオプトエレクトロニックモジュールの欠陥を突き止めるのに好適なオプトエレクトロニックモジュールを試験する方法及び装置を提供することである。
【０００６】
この目的は、請求項１による装置及び請求項３１による方法により、少なくとも部分的に達成される。本発明の利点、構成、態様及び詳細は、従属請求項、説明及び添付の図面から分かるであろう。
【０００７】
本発明によれば、電磁ビーム又は粒子ビームを生成する第１の源と、オプトエレクトロニックモジュールを照射するための第２の源と、検出器とを含むオプトエレクトロニックモジュールを試験する装置が提供される。
【０００８】
典型的に、第１の源を用いて、試験結果が得られ、第２の源を用いて、欠陥が測定可能となる。即ち、このような測定は、放射線又は第１の源の粒子によりなされ、第２の源によって、材料の変化が測定されて、第２の源を放射せずに、欠陥のない画素から区別されない欠陥のある画素を測定することができることとなる。典型的に、オプトエレクトロニックモジュールに入射した照射光が、オプトエレクトロニックモジュールの複数の画素を含む領域内で実質的に均一の強度を有するように、第２の源は形成され、配置される。ここで、「実質的」とは、１５％未満、典型的には、１０％未満の変位が生じることを意味している。複数の画素は、典型的に、５０ｘ５０〜１０００ｘ１０００、例えば、５００ｘ５００である。均一な照射がなされる領域は、典型的に、第１の源のビームを偏向することにより、全ての画素が検査できる試験領域である。領域は、例えば、２００ｍｍｘ２００ｍｍ〜６００ｍｍｘ６００ｍｍの領域を含むことができる。
【０００９】
第２の源は、典型的に、少なくとも１つのＬＥＤを含む。ＬＥＤは、発光ダイオードである。ＬＥＤは、互いに等距離とすることができる。
【００１０】
オプトエレクトロニックモジュールは、典型的に、（カラー）スクリーンの要素であるモジュールを含み、パーソナルコンピュータ、ポータブルコンピュータ、テレビ装置等のスクリーンとして用いることができる。液晶及びカラーフィルタは、通常、オプトエレクトロニックモジュールには含まれない。トランジスタは、典型的に、いわゆる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。１つ以上の薄膜トランジスタ及び１つ以上の電極対が、典型的に、最終スクリーンの画素毎に提供される。更に、１つ以上のキャパシタを画素毎に提供することができる。一般的に、キャパシタを用いて、対応のトランジスタがスイッチオフされると直ちに、液晶の電圧が下がらないようにする。典型的に、全ての画素と液晶が一緒になってＬＣＤを形成する。ＬＣＤの他の要素は、カラーフィルタ及びスクリーンカバープレートとすることができる。典型的な実施形態において、オプトエレクトロニックモジュールは、スクリーンのベースプレートであり、べースプレートは、複数の薄膜トランジスタ、複数の電極及び複数のキャパシタを含んでいる。液晶は、典型的に、本発明により試験されるオプトエレクトロニックモジュールには含まれていない。
【００１１】
第２の源は、典型的に、試験されるオプトエレクトロニックモジュールと第１の源の間に配置されている。更に、第１の源が、オプトエレクトロニックモジュールと第２の源の間に配置された、或いは、２つの源が１つの高さで配置された実施形態も可能である。２つの源が、共通のホルダに装着されたものも可能である。
【００１２】
典型的に、試験のための装置が、少なくとも２つの第１の源と、少なくとも２つの第２の源と、少なくとも２つの検出器とを含むようにして、大きなオプトエレクトロニックモジュールは、試験される。即ち、平行な試験が可能であるということである。少なくとも１０，０００の画素がオプトエレクトロニックモジュールに含まれる用途も見出されている。典型的に、本発明により試験されるオプトエレクトロニックモジュールは、少なくとも１００万の画素を含む。
【００１３】
典型的に、第２の源は、最大で８００ｎｍの波長の光を与える。他の典型的な実施形態において、第２の源は、少なくとも４００ｎｍ、典型的に、少なくとも５５０ｎｍの波長の光を与える。
【００１４】
本発明の更なる態様によれば、オプトエレクトロニックモジュールを試験する方法であって、
ａ．オプトエレクトロニックモジュールを照射する工程と、
ｂ．電磁ビーム又は粒子ビームを検出する工程と、
ｃ．オプトエレクトロニックモジュールの欠陥を検出する工程とを含む方法が提供される。
【００１５】
電磁ビーム又は粒子ビームを指向するのに加えて、照射によって、照射なしには検出されない欠陥が目視できるようになる。
【００１６】
検出は、オプトエレクトロニックモジュールの欠陥のない薄膜トランジスタに印加された電圧が、最大で８０％又は６０％まで降下した時間の間隔でのみなされる。電磁ビーム又は粒子ビームは、典型的に、オプトエレクトロニックモジュール又は検出器ユニットに指向される。典型的に、電圧は、オプトエレクトロニックモジュールの少なくとも１つの画素で測定される。平均電圧は、複数の画素の電圧にも基づいて計算され、各画素の電圧の測定値が、平均電圧と比較される。測定された電圧が、平均電圧より２以上の限界パーセンテージ変位している場合には、画素は欠陥があるものと分類される。典型的な限定パーセンテージは、２０％〜４０％、特に、２５％〜３５％、例えば、３０％である。測定終了前の照射は、オプトエレクトロニックモジュールの欠陥のない薄膜トランジスタの電圧が、２０％又は３０％以下、最大で５０％降下する時間の間隔でのみなされなければならない。照射は測定開始時に完了できるか、或いは、照射は測定中継続できるかのいずれかである。
【００１７】
試験は、真空チャンバで行われる。本発明による装置は、１つ又は複数の真空チャンバを含むことができる。複数の真空チャンバの真空チャンバは、典型的に、異なるレベルの真空を与える。少なくとも、第１の源のビームが、真空チャンバに導かれるということとなる。検出器もまた、真空チャンバに配置される。或いは、開放された環境で試験を行うこともできる。特に、第２の源の光は、室内用照明を含むことができる。
【００１８】
本発明の一例を、添付の図面を参照して以下に説明する。
【００１９】
図１に、オプトエレクトロニックモジュールの例示の画素を示す。電極１０４は、データライン１０１及びゲートライン１０２を介したロジック（図示せず）により駆動される。即ち、信号がゲートライン１０２に印加され、薄膜トランジスタ１０３を通電に切り替え、データ信号もデータライン１０１に存在すると、電圧が画素の電極１０４に印加され、分子が、典型的に、電圧なしで並ぶ以外の方向に並んで、該分子により伝達される光の偏光方向がある角度、回転する。液晶及びカラーフィルタは、典型的に、本発明により試験されるオプトエレクトロニックモジュールに含まれない。図１の構造は、キャパシタ１０５を更に含む。液晶の電極に接続されたキャパシタが、典型的に用いられ、図示した電池をトリガーすることにより印加された電圧が、ゲートラインとデータラインに同時に電圧が存在しなくなったら、直ちに降下しないようにする。キャパシタ１０５は、例えば、隣接する画素のゲートライン、又は、図１に図示するように、アースに接続することができる。アースとは、ここでは、全ての画素のキャパシタが接続される共通位置（「共通層」）と理解される。これを接地することができる。しかしながら、接地せずに、定義された一般的な調整値に設定する実施形態もある。
【００２０】
図２に、本発明により検出できるアモルファスシリコンの例示の欠陥を示す。オプトエレクトロニックモジュールは、典型的に、シリコン及び／又はアモルファスシリコンを含む。アモルファスシリコンは、典型的に、分離されてＴＦＴを生成する。この場合は、トランジスタ外の領域は、マスキング工程、及び、例えば、後のエッチング工程により除去される。例えば、不純物によりマスクが損傷されたり、そのようなエッチングプロセスがエラーなしには実施されずに、アモルファスシリコンの残渣がＴＦＴ外に残る可能性がある。これらの残渣は、画素の欠陥挙動となり得る。例えば、照射されると、短絡したりする。オプトエレクトロニックモジュール、特に、ＬＣＤスクリーンは、通常の操作において、光源を含むことが多く、これは、全ての画素に、背面から、即ち、ユーザーに向かない側から、例えば、白色偏光により、照射する。偏光方向は、画素の個々の電極に印加された電圧に応じて回転する。この場合、光が、液晶とユーザーの間に位置するスクリーンカバープレートを通過できないように、偏光方向が回転して、偏光フィルタとなる。この場合、対応する画素は暗いままである。しかしながら、アモルファスシリコン残渣の結果、画素に欠陥がある場合には、入射光により短絡が生じ、対応の像点が、印加された信号に関わらず、常に光るか、常に暗くなるという影響がある。
【００２１】
トランジスタ１０３の製造には、何よりも、アモルファスシリコンの分離とエッチングが含まれる。アモルファスシリコンが提供される領域、特に、薄膜トランジスタの内側は、マスクされ、それ以外の領域はマスクされない。典型的なドライケミカルエッチング工程を実施する。図２に示す実施例において、エッチング工程後の状況が生じ、アモルファスシリコンの残渣１０７がＴＦＴ外に残った。このアモルファスシリコンは、光が入射しない限りは、非導電性である。図２に示す画素を、先行技術の方法を用いて暗くして試験する場合、欠陥は検出できず、アモルファスシリコンは、絶縁体として挙動する。しかしながら、オプトエレクトロニックモジュールに電池を用いると、光は電池を通過する。光の強度が増すにつれて、アモルファスシリコンは、その絶縁体の特性を失っていき、導電性となる。このように、オプトエレクトロニックモジュールの動作中、図２に示す欠陥１０７によって、電極１０４とアース１０６の間に短絡がトリガーされ、図示された全画素が欠陥となる。本発明による画素の試験は、画素を特定の光量で照射する工程を含む。アモルファスシリコン１０７は、このように導電性となり、図示した実施例において、試験中、データライン１０１及びゲートライン１０２を介して印加された画素の電極１０４に存在する電荷が、アース１０６に直接流れる。欠陥１０７は、このようにして検出できる（試験方法の詳細については後述する）。
【００２２】
図３に、本発明による試験のための装置１の第１の実施形態を示す。装置は、電磁又は粒子線ビーム１５を生成するための第１の源１１を含む。典型的に、生成されたビームは、電子ビームである。イオンビームでもよい。或いは、特に、可視スペクトルの電磁ビームを試験に用いることができる。本出願において、一例として電子ビーム源を備えた装置を常に参照しているが、これに限定されるものではない。生成されたビーム１５は、光軸１４に沿って動く。通常、源と、試験されるオプトエレクトロニックモジュール間でビームを集中させることができ、特に、焦点を集める、視準を合わせる、位置を合わせる、フィルタをかける、加速する、制動する、偏向する、且つ／又は非点収差のために補正する等ができる。この目的のために、試験のための装置は、次の要素の１つ以上を有することができる。光学レンズ、磁気レンズ、静電レンズ、組み合わせた静電−磁気レンズ、ウィーンフィルタ、キャパシタ、イコライザー、コリメータ、偏向器、加速器、制動要素、アパーチャ、非点収差補正装置等。粒子ビームの場合には、粒子は、源の後、例えば、加速電極に通過させることにより高速とし、オプトエレクトロニックモジュールに衝突する直前にそれらを再び制動することができる。これには、ビームを広げる、粒子間の相互作用を減らすことができるという利点がある。
【００２３】
一例として、図３に、偏向器１６を示す。ビームを偏向して、オプトエレクトロニックモジュール１０の様々な点をビームによりトリガーすることができる。粒子ビームの場合には、偏向器は、通常、１つ以上の電極又は磁気偏向コイルを含む。電磁ビームの場合には、例えば、１つ以上の鏡又はプリズムを用いることができる。オプトエレクトロニックモジュールの様々な点を、プラットフォーム６の正確な動作のシステムを介してトリガーすることによって、移動システムが、オプトエレクトロニックモジュール１０を、典型的には、ｘ−ｙ面で移動することができる場合には、偏向器は必ずしも必要ではない。ｘ−ｙ面は、試験のための装置の光軸に実質的に垂直な面である。光軸は、典型的に、第１の源からのビームの方向により定義される。オプトエレクトロニックモジュールの電池は全て、通常、試験される表面をまず、複数の試験領域に分割して試験される。１つ以上の偏向器を用いて、試験領域内の電池全てに照射し、順番に試験する。プラットフォームの移動システムは、この時間の間隔では移動されない。試験領域が完全に試験され、結果がストアされたら、移動システムをオプトエレクトロニックモジュールと入れ替え、新たな試験領域の電池を全て照射し、試験することができる。このようにして、完全なオプトエレクトロニックモジュールを試験することができる。これに関して、オプトエレクトロニックモジュールのサイズが大きくなることから、オプトエレクトロニックモジュールを試験するための本発明による複数の装置は、平行して用いられる。即ち、オプトエレクトロニックモジュールを試験するための本発明による装置は、少なくとも２つの第１の源と、少なくとも２つの第２の源と、少なくとも２つの検出ユニットとを含む。平行して操作される試験のための少なくとも２つの装置が、異なる、典型的には近接する試験領域を、試験モードでチェックする。平行して操作される試験のためのｎ個の装置の場合の、１つのオプトエレクトロニックモジュールを試験するための合計試験期間は、１つのみの装置を試験に用いた場合に必要な時間の約１／ｎまで減じる。試験領域の典型的なサイズは、２０ｘ２０〜４０ｘ４０ｃｍ２、特に、約３０ｘ３０ｃｍ２である。典型的に、用いる偏向器の少なくとも１つは、＋／−１０−２０ｃｍ、特に、＋／−１５ｃｍ任意の方向にビームを偏向することができる。
【００２４】
図３のビーム１５は、試験されるオプトエレクトロニックモジュール１０の電池に指向される。オプトエレクトロニックモジュールに衝突するビーム１５によって、２次粒子１７が生成され、オプトエレクトロニックモジュールから出る。２次粒子の数及びそれらのエネルギーの大きさによって、オプトエレクトロニックモジュールの照射された電池内の欠陥についての情報が与えられる。２次粒子は、検出器１３を用いて測定される。検出器は、典型的に、シンチレータ、光電子増倍管及び得られた情報を読み出し、評価する他のユニットを含む。更に、カウンタ電位を、典型的に、検出器の前に、短く印加することができる。この目的のために、例えば、電位が印加されるグリッド又は電極リングが、典型的に、検出器１３の前に配置される。印加電圧に応じて、印加電位を回避できない全２次粒子は全てフィルタリングされる。検出器には偏向は生じない。或いは、エネルギーフィルタリングはまた、磁場又は磁場と電界の組み合わせを用いて実施することもできる。参照番号１２は、典型的に、オプトエレクトロニックモジュール１０を赤色又は緑色の光で照射する環形の第２の源を表している。源は、オプトエレクトロニックモジュールに対する光の強度が、完全な試験領域内で一定又は略一定となるような形状及び配置とするのが一般的に好ましい。その結果、試験領域内の全ての画素について同一試験条件となる。特に、ＴＦＴ及び欠陥、特に、アモルファスシリコンの欠陥は、同じ光の強度で照射される。ＴＦＴの導電性は、全画素と同じ、又は略同じように増大し、アモルファスシリコンの欠陥の導電性は、全画素と同じ、又は略同じように増大する。第２の源の位置は、通常、オプトエレクトロニックモジュールの上、又はオプトエレクトロニックモジュールの下とすることができ、即ち、ビーム源の側、又は該源の反対のオプトエレクトロニックモジュールの側とすることができる。後者の場合、ディスプレイは、典型的に、第２の源の波長を透過するプラットフォームにある。更に、第２の源はまた、周囲からの散乱光も含むことができる。
【００２５】
第２の源は、典型的に、赤色光を与える。光は、例えば、５５０〜８００ｎｍ、例えば、６３０ｎｍの波長を有する。或いは、又は、これに加えて、緑色の光も第２の源から与えることもできる。赤色と青色の光は両方とも、アモルファスシリコンの導電性を実質的に改善するのに好適である。２次粒子は、典型的に、シンチレータと光電子増倍管を含む検出器ユニットを用いて検出される。光電子増倍管の検出器に達する散乱光と反射光の影響は、赤色光が第２の源で生成されれば、減じることができる。
【００２６】
オプトエレクトロニックモジュールは、典型的に、試験装置に電気的接触がなされる接触要素（いわゆる接触パッド）を含む。典型的には、本発明による装置によって、第１の源からのビームが、オプトエレクトロニックモジュールの個々の画素に指向できる。ビームの僅かな部分のみが、隣接する画素に入射することとなる。僅かとは、ここでは、僅か２０％以下と考えられる。
【００２７】
図４は、本発明による試験のための装置の第２の例示の実施形態の図である。図３から既に公知の要素に加え、例えば、数多くのその他の要素も本実施形態に示されている。しかしながら、これは、単なる例示の図にすぎず、図４の要素は、本発明を実施するのに絶対不可欠なものではないことを強調しておく。本出願の独立請求項に指定された構成のみが、本発明を実施するのに必要である。
【００２８】
図４は、図３と同様に、第１の源が粒子ビーム源である試験のための装置を示す。カソード１１ａとアノード１１ｂとを含む第１の源１１は、粒子、例えば、電子のビーム１５を生成する。アノードは、同時に、ダイアフラムとしても機能する。特定の電位にあるグリッド１１ｃは、カソード１１ａの前に配置できる。ビームは、まず、チャネル２７、いわゆる「ライナ管」で、オプトエレクトロニックモジュール１０に向って移動する。アノードとオプトエレクトロニックモジュールの間の一例として示されているのは集光レンズ２１、投影及び集束レンズを含む２つの他のレンズ２２及び２３、非点収差補正装置２４、静電偏向器２８及び磁気偏向器１６である。非点収差補正装置を用いて、ビームの非点誤差を排除する。一方の偏向器は、典型的に、詳細な偏向に用いられ、他方の偏向器は、粗い偏向に用いられる。この例では、静電偏向を詳細な偏向に用い、磁気偏向は、主偏向に係る。詳細な偏向は、静電偏向器を用いる結果、非常に迅速に実施することができる。第２の光源１２は、ＬＥＤ（発光ダイオード）のリングとして示されており、リングは、通常、本実施形態のように配置されるが、これに限定されてはおらず、光軸が、リングの中心点を形成するようなものとする。検出器の直前に配置されているのは、電圧が印加できる導電性グリッド２５である。通常、任意のタイプのスペクトロメータ又はエネルギーフィルタを、グリッドの代わりにすることができる。即ち、オプトエレクトロニックモジュールを試験するための本発明による装置は、２次粒子をエネルギーフィルタリングする手段を含むことができる。図４ａの検出器は、シンチレータ１３ａ、光電子倍増管１３ｂ及び光検出器１３ｃからなる。図４に図示されていないのは、検出器から受信した信号を評価するためのロジックである。かかるロジックは、典型的に、特定の電圧パターンを、オプトエレクトロニックモジュールに印加する試験ユニット（図示せず）、及び、２次粒子をエネルギーフィルタリングする手段、例えば、図４のグリッド２５に接続されている。
【００２９】
図４に、更に、カソードと、試験のための装置の内側に真空を生成するための真空ポンプシステム２０との機械的な配置のためのステッピングモータ２６を示す。ポンプシステムは、本発明による試験のための装置に取り付けられた複数の吸引接続部を含むことができる。図４の例では、ポンプシステムは、２つの吸引接続部を含んでいる。更に、本発明による装置の異なるチャンバに異なるレベルの真空を生成することもできる。オプトエレクトロニックモジュールは、試験ユニット１８に接続されていて、用いる試験パターンによって、オプトエレクトロニックモジュールのデータ及びゲートラインに電圧を印加する。プラットフォームは図４には示されていない。
【００３０】
八重極プレート２９ａ及び２９ｂが、更に、図４に示されている。八重極プレート２９ｂには、抽出場を生成する静電位がある。それによって、２次電子は、上方に加速される。これはまた、２次粒子の「収集」という用語でも知られている。電圧が印加された場合の収集を補助するように、第２の源１２を形成及び装着することができる。八重極プレート２９ａは、１次ビームに応じて動的に駆動される。それらを用いて、２次要素を検出器１３ａ−ｃへ加速する。しかしながら、これらの八重極プレートは、本発明による試験を実施するのに絶対に必要なものではないことを強調しておく。八重極プレート２９ｂは、静的検出ユニットの例示の実施形態であり、八重極プレート２９ａは、動的検出ユニットの例示の実施形態である。かかる検出ユニットは、通常、本発明による装置の実施形態に含まれる。
【００３１】
図５に、本発明の他の実施形態を示す。図５による実施形態では、試験されるオプトエレクトロニックモジュール１０は、第２の源１２からの光により下から照射されている。上から、源１１から発する電磁放射線が、下の検出器１３ｄに指向され、プリズム１９を用いたビーム方向の変更が一例として示されている。第１の源からの放射線は、例えば、可視スペクトルの光である。検出器１３ｄ、１３ｅは、オプトエレクトロニックモジュールに欠陥がないか試験する。下の検出器１３ｄは、作用する電界強度に対して、例えば、異なる強度で反応する結晶を含むことができる。この場合は、試験のための検出器は、オプトエレクトロニックモジュールに近接配置される。オプトエレクトロニックモジュールと検出器の間の距離は、典型的に、約１０１μｍ、例えば、３０μｍである。結晶は、印加された圧力によって、異なる反応をする。異なる反応は、下の検出器１３ｄから戻った第１の源からの光により、上の検出器１３ｅで読み取ることができる。源１２からの光はまた、室内光を含むこともできる。
【００３２】
図６及び７に、第２の源１２の２つの例示の実施形態を示す。図６に、リング１２１の形態を有するＬＥＤ１２０の構成を示す。図７に、内側リング１２１と外側リング１２２の形態を有するＬＥＤ１２０の構成を示す。第２の源は、典型的に、複数の別個の点の光源を含む。更に、点の光源は、典型的に、共通の光源に接続されたガラス繊維の末端部を含む。典型的に、平面光源、例えば、従来の白熱灯又はネオン等第２の光源として用いられる。更に、フィルタ、特に、カラーフィルタ又は拡散器を更に取り付けることができる。
【００３３】
ＬＥＤを用いると、既知の光及び実質的に均一な波長が生成されるという利点がある。しかしながら、ＬＥＤの光もまた指向性である。従って、できる限り均一な強度を有する光度が、試験されるオプトエレクトロニックモジュールの領域に生成されるように、複数のＬＥＤを配置するのが、典型的である。典型的に、２０、２５又は５０を超えるＬＥＤを配置する。例えば、８０又は１００のＬＥＤをリングに配置することができる。ＬＥＤの配向は、オプトエレクトロニックモジュールに向けて実質的に垂直である。この場合、２０°〜３０°までのその領域における変位が可能であることを実質的に意味している。実験によれば、やや指向性の配置によって、試験されるオプトエレクトロニックモジュールの領域において非常に均一な強度分布が得られることが分かっている。ＬＥＤは、図６又は図７によるリングで配置されており、その配置は、本発明による装置の光軸に対して１４°の角度をなしている。通常、０°〜２５°の配置の角度、特に、１０°〜２０°の角度で、良好な結果が得られる。図８に、第２の源の一部を一例として示す。複数のＬＥＤの環形構成の片側を通した断面が示されている。図示されたＬＥＤ１２０は、窪み３１でリングに固定されている。窪みは、ＬＥＤの根元３２から定義された角度で延びる壁３４を有している。その結果、ＬＥＤ１２０のビーム領域３３が、定義された角度範囲に既に限定されることとなる。典型的に、壁３４により定められるビーム領域３３は、２０°〜９０°、多くは、３０°〜６０°、例えば、４５°の開口角を有している。ＬＥＤは、通常、窪みに配置されているが、本実施形態に限定されるものではなく、ＬＥＤヘッドの先端が、窪みの内側に配置されていて、見えないようになっている。典型的に、ＬＥＤヘッドの先端と、第２の源の端部の間の距離３５は、数ミリメートル、例えば、１／４ｍｍ〜４ｍｍ、特に、１ｍｍである。更に、ＬＥＤは、本発明により試験するための装置の光軸１４に対して１４°の角度で配置されている。配置は、参照番号３０により線で示されている。環形の第２の源１２の中心点に配置された光軸１４も図８に示されている。１４と３０で示される線の角度は約１４°である。２°、５°、１０°、１３°及び１７°の角度でも同様に、強度分布に良好な均一性が得られる。環形で、等距離の配置の約８０のＬＥＤ、直径約４０ｃｍのリング、光軸に対して約１４°の配置、及び環形の第２の源と試験されるオプトエレクトロニックモジュールの表面間の距離２３ｃｍだと、良好な略均一な光強度がオプトエレクトロニックモジュールに生成される。しかしながら、これは、例示の値でしかなく、試験されるオプトエレクトロニックモジュールの領域に高度の強度均一性を生成する数多くの他の可能性があることを強調しておく。
【００３４】
用いるＬＥＤの外側材料は、典型的に絶縁体である。特に、後方散乱電子が、ＬＥＤに堆積して、場を乱さないようにするために、電荷を除去する手段をＬＥＤの前に装着することができる。特に、導電性ネットワークとする。ＬＥＤが機械的に固定される材料は、典型的に導体である。その結果、帯電した２次粒子及びオプトエレクトロニックモジュールにより後方散乱した粒子が飛ぶばかりでなく、第２の源を特定の電位に設定して、２次粒子の収集を補助することもできる（図４についての説明を参照のこと）。第２の源の典型的な電位は、０〜−１００Ｖである。
【００３５】
図９及び１１に、本発明による試験の２つの実施形態の時間プロフィールを示す。図９に示した実施形態によれば、短い光パルスが先になされており、図１１に示した実施形態によれば、連続照射がなされている。図１０及び１２に、図９及び１１の実施形態について、アモルファスシリコンの欠陥及び欠陥のない夫々の薄膜トランジスタでの電圧プロフィールを示す。用いた第２の源からの光は、特に、前述した全ての光源を含むことができる。試験ユニットは、先行技術で知られた回路であり、その出力で、複数の異なる大きさの信号が、異なる時間に出される。試験ユニットは、例えば、コンピュータであり、入力ユニット、例えば、マウス及び／又はキーパッド、ディスプレイユニット、例えば、スクリーン、コンピューティングユニット、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置）、メモリユニット、例えば、不揮発性メモリ、例えば、ハードディスク及び／又は揮発性メモリ、例えば、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）が含まれる。
【００３６】
図９に、試験プロセスの時間プロフィールを示す。電圧は、時間ｔ０で、試験ユニットにより、データラインに印加される。これは、通常、ゲートが時間ｔ１で開く直前である。ｔ１とｔ２間に、ゲートが開き、信号がデータラインに存在する。このプロセスはまた、「駆動」としても知られている。時間ｔ２で、再び、ゼロ電位に設定される、又は、例えば、図９に示すように、負の電位となると、ゲートが再び閉まる。後者の場合、ゲート内の欠陥、例えば、ゲートとデータライン間の短絡も検出できるため有利である。通常、印加された電圧が、データラインの電圧を超えると、ゲートは閉じる。データラインの信号は、典型的に、その後、即ち、時間ｔ３で変化する。駆動が完了する。時間ｔ３で、データ信号は、０に設定されるか、ｔ０とｔ３の間に存在したのとは異なる値に設定される。後者の場合、トランジスタにおいて、トランジスタが実際にブロックされているにも関わらず、修正された信号が通過してしまうというトランジスタの欠陥を検出できるため、有利である。ｔ３とｔ４の間の短い待機時間後、図９の実施形態において、オプトエレクトロニックモジュールは、長さｔ５〜ｔ４の制御された短い光パルスにより照射される。かかる光パルスの典型的な光量は、５  ｌｘｓ（ルクス＊秒）〜３０  ｌｘｓ、特に、１０  ｌｘｓ〜２０  ｌｘｓ、例えば、１３  ｌｘｓである。用いる光量は、典型的に、５００  ｌｘ〜２，５００  ｌｘ、特に、１０００  ｌｘ〜１５００  ｌｘ、例えば、１３００  ｌｘの照度（１  ｌｘ＝１ｌｍ／ｍ２）を有する光で得られた。「照度」という表現は、オプトエレクトロニックモジュールの面の照度に関係するものであり、第２の源での照度には関係ない。照射時間は、例えば、０．００１ｓ〜０．１ｓ、例えば、０．０１ｓに選択できる。第２の源が、照度１３００  ｌｘで０．０１ｓの時間の間隔で駆動される場合、光量１３  ｌｘｓが得られる。典型的に、欠陥のアモルファスシリコンが、十分な時間の間隔について導電性となるように、照射時間間隔は選択される。画素に前に印加された電位が、電圧降下が次の測定で検出できる強度で、欠陥に流れれば、時間の間隔は十分である。これは、測定において、欠陥のある画素の少なくとも２０％又は３０％の電荷が既に消失したことを意味する。同時に、図９に示した実施形態による測定の前の照射時間の間隔は、長くなりすぎないように選択しなければならない。電荷が、欠陥のないトランジスタのアモルファスシリコンからかなり消失し、欠陥のある画素が、欠陥のないトランジスタから見分けがつかないからである。ｔ４〜ｔ３の待機時間は、通常、省かれ、ｔ３＝ｔ４となる。しかしながら、待機時間には、照射を時間ｔ４でスイッチオンする前に、時間ｔ３でデータラインを切り替えた後、電圧がやや安定する、という利点がある。駆動（ｔ３）と照射（ｔ４）の完了間の時間の間隔についての典型的な待機時間は、５０〜１００μｓである。図９に示すように、光源を測定中にスイッチオフすると、測定は、先行技術からの既知の時間の制限を超える時間の制約を受けない。欠陥のない画素の電圧も、特定の時間ｔ＊＞ｔ６で、照射なしで徐々に減少するため、大量の電荷が全ての画素から流れ、有意な測定��果は得られない。時間ｔ＊−ｔ６は、典型的に、約１００ｓの桁、例えば、０．５ｓ〜５ｓである。オプトエレクトロニックモジュールの試験を継続するために、いわゆる「リフレッシュ」を行わなければならない。試験のための方法がまだ完了していない限りは、例えば、図９に示す説明及び照射手順を新たに開始することとなる。即ち、まず、データ信号を再び開放し（時間ｔ０）、ゲート電圧（ｔ１）を印加等する。試験されるオプトエレクトロニックモジュールの領域の全ての画素、又は完全なオプトエレクトロニックモジュールに欠陥があるか調べるまで、全体の手順を繰り返す。
【００３７】
図１０に、照射中及び照射後の欠陥のない薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」）の電圧降下とアモルファスシリコンの欠陥（「ａ−Ｓｉ欠陥」）を示す。最初、ＴＦＴ及びａ−Ｓｉの欠陥の電圧はＶ０である。これは、駆動後に確立された電圧に対応する。光なしだと、電圧は極めて緩慢にしか減少せず、図１０の目盛りで、どうにか識別できる程度である。時間ｔ４で照射をスイッチオンすると、時間ｔ５、即ち、照射がオプトエレクトロニックモジュールに指向されている限りは、ａ−Ｓｉ欠陥において大きな電圧降下が生じる。電圧降下はまた、トランジスタでも識別されるが、これは、アモルファスシリコンの欠陥における電圧降下よりもかなり小さい。照射をスイッチオフした後、即ち、ｔ５の後、ＴＦＴ及びａ−Ｓｉ欠陥の電圧は極めて緩慢に減少する。電圧降下は、常に存在する漏れ電流により生じる。
【００３８】
測定について、これは、ａ−Ｓｉの欠陥を有する１つの画素における電圧が、欠陥のない画素の電圧と、時間ｔ５において、明らかに区別でき、電圧降下が、欠陥のないトランジスタにより生じただけであるということを意味している。ｔ５又はｔ６後数秒後に、防ぐことのできないＴＦＴの既知の漏れ電流の結果として、ＴＦＴの電圧が、アモルファスシリコン欠陥の画素の電圧差が、もう十分に分からなくなる低い値まで降下した。この場合、必ずリフレッシュをとってから、測定を続ける。測定ｔ６の時間は、照射ｔ５の終わりの時間と同時である。或いは、照射の終わりと測定の開始の間に短い時間待つこともできる。更に、照明の終わる前に、測定を開始ることもできる。しかしながら、これに関しては、典型的なａ−Ｓｉ欠陥の測定開始時の電圧は、欠陥のないＴＦＴの電圧に比べて、既に十分に降下していることを注記しておく。
【００３９】
図１１に、図９に示した方法を僅かに修正したものを示す。短い光パルスの代わりに、第２の源により連続照射されている。駆動プロセスについては、図９の方法と比べて、違いはない、又は実質的な違いはない。時間ｔ３で、画素を駆動し、ある電圧となる。第２の源からの光が画素を照射して、アモルファスシリコンが通電し、電圧が消失する。既述の通り、アモルファスシリコンの欠陥が通電し、電圧降下となる。更に、それほどではないが、光により生じたトランジスタ中のアモルファスシリコンの増大した導電性によって、トランジスタの電圧降下となる。時間ｔ６とｔ７の選択においては、これらの２つの因子を考慮しなければならない。これは、十分に長い時間の間隔が、ｔ３とｔ７の間にあって、アモルファスシリコン欠陥を介して電圧が減少するからである。測定は、駆動直後に開始できないということになる。この場合は、電圧が減少するまである程度時間を要するため、アモルファスシリコンの欠陥のいくつかはまだ目視できないからである。同時に、駆動（ｔ３）の最後と、測定（ｔ６）の開始の時間の間隔は、長すぎないように選択しなければならない。この場合は、電圧は、欠陥のある画素においてだけでなく、欠陥のない画素でも、特に、薄膜トランジスタのアモルファスシリコンを介して、減少するからである。通常、測定プロセスの終わりには、欠陥のないピクセルは、最大１０％を超える、又は元々印加された電圧の最大２０〜３０％喪失されてはならない。
【００４０】
更に、図１１の実施形態における測定時間間隔は、時間ｔ７により制限されるものとして示されている。従って、これは、測定中ずっと、第２の源の光をスイッチオンしたままにすることにより得られる。アモルファスシリコンは、測定中、導電性であり、画素の電圧は、（欠陥のない）トランジスタを介して連続的に流れる。時間ｔ７から、又はその後直ぐ、測定において、測定された電圧降下が、実際は、欠陥か、欠陥のないトランジスタにより生じたのかは、もう識別不可能となる。リフレッシュは、この時になされなければならず、例えば、図１１の全手順を繰り返されなければならない。第２の源を連続的に照射する場合に、測定を行う時間の間隔は、通常、測定の時間の間隔で照射をスイッチオフすると、測定で利用可能な時間の間隔より実質的に短い。実質的に短いとは、少なくとも一桁の時間の違いと考えられる。図１１に示した実施形態による測定で利用可能な時間の間隔は、例えば、最大で５０〜８０ｍｓである。測定をその後継続する場合には、欠陥のある画素を欠陥のないものと区別するのは殆どできない。測定前の短い光量で、オプトエレクトロニックモジュールを単に照射する図９の例に示された試験方法だと、通常、一定の照射を行う試験方法よりもリフレッシュサイクルが少ない。更に、長い待機時間を、駆動（ｔ３）と測定（ｔ６）の間で選択することができる。これには、遅い電圧降下となるだけの欠陥も検出できるという利点がある。
【００４１】
図１２に、図１１の実施形態におけるＴＦＴ及びａ−Ｓｉ欠陥の電圧降下を示す。照射は、測定前、中及び後にスイッチオンする。駆動後のＴＦＴ及びａ−Ｓｉ欠陥に存在する電圧Ｖ０は、照射の結果としてａ−Ｓｉ欠陥において、比較的短時間で大幅に降下するが、ＴＦＴでは、これは、緩慢に進行する。しかしながら、持続した照射の結果、ＴＦＴの電圧降下は、短時間後に照射を再びスイッチオフする状況に比べ、より顕著である。測定を行う時間窓は、［ｔ６；ｔ７］で定義できる。この時間間隔において、欠陥のない画素の電圧は、アモルファス欠陥のある画素の電圧から、まだ十分に明らかに区別できる。しかしながら、ｔ７後、欠陥のない画素における電圧降下は、ＴＦＴの漏れ電流の結果、強すぎ、未照射のＴＦＴを通る漏れ電流よりも照射の結果として、実質的により明らかであり、欠陥と欠陥のない画素を十分確実に区別することはできない。試験を続ける前に、リフレッシュを行わなければならない。
【００４２】
測定については、一例として電子ビーム顕微鏡を用いて後述する。まず、画素を、図９及び１１に示す方法を用いて、特定の電圧に設定する。典型的に、画素は全て、同じ電圧、例えば、＋／−５Ｖ又は＋／−１５Ｖに設定する。この代わりに、画素を、正負の電圧に交互に設定することもできる。この場合、２つの隣接する画素間に漏れ電流が現れる結果として、欠陥の位置を特定することも可能である。例えば、一列の偶数の画素全てを＋１０Ｖで駆動し、一列の奇数の画素全てを−１０Ｖで駆動する。この場合、当然、隣接する列の−１０Ｖの奇数の画素全てと、＋１０Ｖの偶数の画素全てが配置される。これによって、４つの最も隣接する各画素が、画素自身とは反対の電圧を有するようになる。
【００４３】
オプトエレクトロニックモジュールは、電子ビーム顕微鏡のサイズ及び内側の偏向の可能性によって、試験される複数の試験領域に分割される。プラットフォームの移動システムによって、オプトエレクトロニックモジュールが移動し、移動システムによって、異なる試験領域にアクセスできるようになる。試験領域の試験中、移動システムは静止していて、画素は、電子ビーム顕微鏡に内蔵された偏向器により駆動される。典型的に、ビームは、ｘ方向そしてｙ方向の両方に偏向できる。ｘ−ｙ面は、電子ビーム顕微鏡の光軸に垂直な面と定義される。電子ビームは、この画素での特定の時間の間隔について画素単位で導かれる。第２の粒子、典型的に、２次電子が測定され、この場合は、分光手段又はエネルギーフィルタ、例えば、電位に設定されたグリッドが、検出器の前に、通常提供される。２次粒子は、典型的に、オプトエレクトロニックモジュールに、２つの成分から構成されたエネルギーを残す。第１の成分は、試験される材料に対して、放出された２次電子の典型的なエネルギー分布から得られる。第２の成分は、画素の電圧から得られる。これが負の場合には、２次粒子のエネルギーが増大する。これが正の場合には、２次粒子のエネルギーは、試験される材料の２次電子の典型的なエネルギー分布によるものよりも低い。例えば、欠陥の結果としての電圧が０又は０に近い場合には、合計エネルギーは、第１の成分からのエネルギーに実質的に対応する。
【００４４】
測定されたデータは、典型的に、全画素について、比較アルゴリズムで評価される。例えば、全画素が、駆動中、−１５Ｖに設定されて、電圧の最大１０％が、欠陥のない画素において、既に降下してしまうまで、測定を行う場合には、欠陥のない画素により放出された２次電子は、少なくとも１３．５ｅＶとなる。典型的に、約２５ｅＶまでのエネルギーを有しており、このエネルギーは、２つの上述した成分から構成されている。この例において、これらの２次電子について典型的な１０ｅＶまでのエネルギーでのエネルギー分布に加えて、これらの２次電子は、印加された負の電圧により生じる欠陥のない画素での１３．５ｅＶ＝１５ｅＶの追加のエネルギーを得る。アモルファスシリコン欠陥の結果として、元の電圧の例えば、６０％まで、電圧が降下した画素は、欠陥のあるものであり、それ自体検出できなければならない。６０％のこの例においては、欠陥のある画素の結果としての電圧は、−９Ｖである。検出器の前に装着されたグリッドは、例えば、−１５Ｖの電圧に設定される。欠陥のない画素により放出された略全ての２次粒子が検出器に達し、そこで検出されたこととなる。しかしながら、大半の部分について、欠陥のある画素により放出される、−９Ｖの電圧を尚有する２次粒子は、−１５Ｖの逆電位を回避できない。より正確には、少なくとも６ｅＶの欠陥のある画素からの２次粒子のみが、第１のエネルギー成分の結果として、検出器に達する。この結果、欠陥のない画素と欠陥のある画素間の検出器の結果は大きく異なる。
【００４５】
画素毎に測定された２次要素の数は目視で表わされる。大きな数は、明るい点を表し、比較的小さな数は、暗い点を表す。比較的小さな、とは、試験される領域の直ぐ隣又は全領域の画素で測定された数に比べてである。図１３に、かかる目視の図を示す。参照番号４１〜４５は、オプトエレクトロニックモジュールの同じ試験領域での測定結果と異なる測定結果に関わり、測定前のオプトエレクトロニックモジュールに指向された光量は異なる。４１で示される測定結果では、輝度が僅かに異なるのが識別できる。測定前に放出された光量は、０  ｌｘｓ、即ち、試験前は照射されていなかった。そのため、アモルファスシリコン欠陥は導電性ではなく、検出できない。第２の測定における光量では、番号４２で示される結果は、６．５  ｌｘｓであった。アモルファスシリコン欠陥１０７は既に目視されている。少ないが、２次電子がここで測定できたからである。１３  ｌｘｓで測定された測定結果４３の差はより明らかである。しかしながら、欠陥のない画素と欠陥のある画素の間のコントラストは、光量の更なる増大と共に降下し始める。このように、測定結果４４の測定は、前の光量である３２．５  ｌｘｓで実施され、測定結果４５の測定は、前の光量である６５  ｌｘｓで実施された。比較的多い光量だと、欠陥のない画素により放出される２次電子の数も降下する。欠陥のない画素と欠陥のある画素間の対照は、光量が増えるにつれて減じる。
【００４６】
典型的に、画素により放出される２次電子の数は、隣接する画素により放出される２次電子の対応する数から構成された平均値に関係している。小さな領域、例えば、４ｘ４、８ｘ８又は１０ｘ１０の画素を、典型的に、平均値を計算するための最初の基準として用いる。このように、隣接する画素により、局所的な比較を常に行うことができる。この場合は、画素の測定数でなく、正規化された検出器値を比較するのが通常である。一例の実施形態において、正規化された平均検出器値は、例えば、１２０である。画素の正規化された検出器値が、これから変位して、予め定義した制限値を超える場合には、この画素は欠陥と考えられる。典型的な制限値は、２０％〜４０％、特に３０％である。このように、＋／−３０％を超える変位を、この例において１つの画素で求めることができる、即ち、この画素の正規化された検出器値が、１２０＊０．７＝８４未満、又は１２０＊１．３＝１５６を超える場合には、この画素は欠陥と分類される。言い換えると、画素の正規化された検出器値対正規化された平均検出器値の比が、０．７〜１．３の場合には、対応の画素は欠陥がないと分類される。比が、０．７より少ない、又は１．３より多い場合には、画素は欠陥と分類される。この情報は夫々の場合においてストアされる。
【００４７】
オプトエレクトロニックモジュールを測定前に長く照射しすぎると、大きな電圧降下が至る所、即ち、欠陥のない画素で既に生じてしまう。正規化された平均検出器値は、例えば、７０である。欠陥のある画素の正規化された検出器値は、例えば、６０である。欠陥のある画素は、このようにもはや欠陥と分類できなくなる。欠陥のない画素との違いが小さくなりすぎるからである。測定は、新たなリフレッシュ後にのみ継続することができる。
【００４８】
示した測定方法は、本出願を明らかにするための例に過ぎず、決して限定されるものではない。原則として、可能な大きさの全ての電圧が利用でき、画素及び検出器の前に装着された分光手段に印加される。上述した測定例において、電圧の桁を変えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】オプトエレクトロニックモジュールの例示の画素を示す図である。
【図２】オプトエレクトロニックモジュールの例示の欠陥のある画素を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態を示す図である。
【図６】〜
【図７】第２の源の２つの可能な実施形態を示す図である。
【図８】図６の一部の断面を示す図である。
【図９】本発明による試験の２つの実施形態の時間−信号図である。
【図１０】短期又は持続照射によるアモルファスシリコン及び薄膜トランジスタの欠陥における電圧降下の図である。
【図１１】本発明による試験の２つの実施形態の時間−信号図である。
【図１２】短期又は持続照射によるアモルファスシリコン及び薄膜トランジスタの欠陥における電圧降下の図である。
【図１３】測定前の照射時間の関数としての測定の結果である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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