(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、
前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、
前記チャンバの一端部に形成された排気口と、
前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記チャンバに形成され、前記排気口と対向する位置に形成された給気口と、
前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、
前記被処理基板の上方に設けられ、複数のエリアに分割された第１の熱処理部と、
前記第１の熱処理部のエリア毎に温度制御する第１の制御部と、
を備え、
前記減圧乾燥処理する際、前記排気手段によりチャンバ内に前記排気口に向かう気流が形成されると共に、
前記第１の制御部によって、前記第１の熱処理部の前記排気口付近のエリアが室温よりも低い温度に制御され、かつ、前記第１の熱処理部の前記給気口付近のエリアが室温よりも高い温度に制御されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、
前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、
前記チャンバの一端部に形成された排気口と、
前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記チャンバに形成され、前記排気口と対向する位置に形成された給気口と、
前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、
前記保持部に設けられ、複数のエリアに分割された第２の熱処理部と、
前記第２の熱処理部のエリア毎に温度制御する第２の制御部と、
を備え、
前記減圧乾燥処理する際、前記排気手段によりチャンバ内に前記排気口に向かう気流が形成されると共に、
前記第２の制御部によって、前記第２の熱処理部の前記排気口付近のエリアが室温よりも低い温度に制御され、かつ、前記第２の熱処理部の前記給気口付近のエリアが室温よりも高い温度に制御されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項３】
前記第１、第２の熱処理部は、加熱または冷却手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の減圧乾燥装置。
【請求項４】
前記加熱手段は赤外線ヒータあるいはペルチェ素子であり、冷却手段はペルチェ素子であること特徴とする請求項３に記載の減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は減圧乾燥装置に関し、特に塗布液が塗布された被処理基板に対して、減圧環境下で乾燥処理を施す減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、塗布液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成している。
そして前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、塗布膜としての前記レジスト膜を減圧により乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば、特許文献１に示される減圧乾燥処理ユニットが知られている。
【０００３】
この減圧乾燥処理ユニットを、図１２に基づいて説明する。
この減圧乾燥処理ユニット３０は、下部チャンバ３１に対して、上部チャンバ３２を閉じることにより、内部に処理空間が形成されるように構成されている。その処理空間には、被処理基板を載置するためのステージ３３が設けられている。このステージ３３には基板Ｇを載置するための複数の固定ピン３４が設けられている。
【０００４】
この減圧乾燥処理ユニット３０においては、被処理面にレジスト塗布された基板Ｇが搬入されると、基板Ｇはステージ３３上に固定ピン３４を介して載置される。
その後、下部チャンバ３１に対して上部チャンバ３２を閉じることにより、基板Ｇは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
次いで、処理空間内の雰囲気が排気口３５から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８１０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで近年にあっては、例えばＦＰＤ等に用いられるガラス基板が大型化し、減圧乾燥処理ユニットにおいても、ガラス基板を収容するチャンバが大型化している。
このようなチャンバを用いてレジスト膜が形成された基板を減圧乾燥した場合には、減圧時に基板表面を伝って排気口に向うように気流が形成され、その基板表面の気流が一定方向ではく、気流方向にバラツキが生じている。
また、大きな容積を有するチャンバから断面積の小さな排気口に、気流が流入するため、排気口周辺の流速が最も早くなり、基板表面の流速にもバラツキが生じている。
この基板表面の気流方向のバラツキ、流速のバラツキによって、基板全面における乾燥度合が異なり、それが乾燥ムラとなり、減圧乾燥後に行われる加熱処理（以下、プリベーク処理という）後の残膜（ハーフ露光時の現像残膜も含む）に差ができるという技術的課題があった。
即ち、前記した乾燥ムラの発生が、基板の品質を低下させ、また歩留まりを低下させるという解決すべき課題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、塗布液が塗布された被処理基板の塗布膜に対して、チャンバ内の気流方向のバラツキや流速のバラツキがあった場合でも、基板の温度をエリア毎に補正することで、塗布膜の乾燥状態のバラツキを抑制し、塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布膜を均一に乾燥させることで乾燥ムラの発生を抑制し、且つ良好な残膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバの一端部に形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記チャンバに形成され、前記排気口と対向する位置に形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記被処理基板の上方に設けられ、複数のエリアに分割された第１の熱処理部と、前記第１の熱処理部のエリア毎に温度制御する第１の制御部と、を備え、前記減圧乾燥処理する際、前記排気手段によりチャンバ内に前記排気口に向かう気流が形成されると共に、前記第１の制御部によって、前記第１の熱処理部の前記排気口付近のエリアが室温よりも低い温度に制御され、かつ、前記第１の熱処理部の前記給気口付近のエリアが室温よりも高い温度に制御されることに特徴を有する。
【０００９】
このような減圧乾燥装置によれば、基板表面を流れる気流の流速や気流方向のバラツキが生じても、第１の熱処理部によってエリア毎に基板表面の温度を制御することができるため、塗布膜の乾燥度合を制御することが可能となり、基板表面の塗布膜の乾燥均一性を図ることができる。
特に、第１の熱処理部を、複数のエリアに分割し、エリア毎に温度制御することにより、基板表面をより細かな領域で温度を制御することができ、基板表面の塗布膜の乾燥の均一性の精度をより向上させることができる。
【００１０】
また上記目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバの一端部に形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記チャンバに形成され、前記排気口と対向する位置に形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記保持部に設けられ、複数のエリアに分割された第２の熱処理部と、前記第２の熱処理部のエリア毎に温度制御する第２の制御部と、を備え、前記減圧乾燥処理する際、前記排気手段によりチャンバ内に前記排気口に向かう気流が形成されると共に、前記第２の制御部によって、前記第２の熱処理部の前記排気口付近のエリアが室温よりも低い温度に制御され、かつ、前記第２の熱処理部の前記給気口付近のエリアが室温よりも高い温度に制御されることに特徴を有している。
【００１１】
このような減圧乾燥装置によれば、基板表面を流れる気流の流速や気流方向のバラツキが生じても、第２の熱処理部によってエリア毎に基板表面の温度を制御することができるため、塗布膜の乾燥度合を制御することが可能となり、基板表面の塗布膜の乾燥均一性を図ることができる。
特に、第２の熱処理部を、複数のエリアに分割し、エリア毎に温度制御することにより、基板表面をより細かな領域で温度を制御することができ、基板表面の塗布膜の乾燥の均一性の精度をより向上させることができる。
【００１２】
ここで、前記第１、第２の熱処理部は、加熱または冷却手段を備えることが望ましく、前記加熱手段は赤外線ヒータあるいはペルチェ素子であり、冷却手段はペルチェ素子であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、塗布液が塗布された被処理基板の塗布膜に対して、チャンバ内の気流方向のバラツキや流速のバラツキがあった場合でも、基板の温度をエリア毎に補正することで、塗布膜の乾燥状態のバラツキを抑制し、塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布膜を均一に乾燥させることで乾燥ムラの発生を抑制し、且つ良好な残膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る減圧乾燥装置の一実施形態の塗布プロセス部（上部チャンバ側を除く）全体構成を示す平面図である。
【図２】図１の塗布プロセス部（上部チャンバ側を含む）全体構成を示す一部断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる下部チャンバの平面図である。
【図４】図２に示された減圧乾燥装置の断面図である。
【図５】本発明に係る一実施形態の減圧時の気流の流れを示す断面図である。
【図６】本発明に係る一実施形態の減圧時の気流の流れを示す平面図である。
【図７】本発明に係る一実施形態の動作の流れを示すフローチャート図である。
【図８】本発明に係る一実施形態の減圧時の気流の流れを示す平面図である。
【図９】本発明に係る一実施形態の第１の熱処理部の斜視図である。
【図１０】本発明に係る一実施形態の第１の熱処理部の制御部を示す概略構成図である。
【図１１】本発明に係る基板保持部に設けられた第２の熱処理部を示す斜視図である。
【図１２】従来の減圧乾燥ユニットの概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明にかかる一実施の形態につき、図１乃至図６に基づいて説明する。尚、図１では、図２に示された蓋状の上部チャンバ１０側の構成を省略して図示している。
本発明の減圧乾燥装置は、例えば、フォトリソグラフィ工程において被処理基板にレジスト膜を形成する塗布プロセス部１内の減圧乾燥ユニット５に適用することができる。
【００１６】
図１、図２に示すように、塗布プロセス部１は、支持台２の上に、ノズル３を有するレジスト塗布ユニット４と、減圧乾燥ユニット５とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。
この支持台２の両側には一対のガイドレール６が敷設され、このガイドレール６に沿って平行移動する一組の搬送アーム７により、基板Ｇがレジスト塗布ユニット４から減圧乾燥ユニット５へ搬送できるようになされている。
【００１７】
前記レジスト塗布ユニット４は、前記したようにノズル３を有し、このノズル３は支持台２上に固定されたゲート８に懸垂状態で固定されている。このノズル３にはレジスト液供給手段（図示せず）から塗布液であるレジスト液Ｒが供給され、搬送アーム７によってゲート８の下を通過移動する基板Ｇの一端から他端にわたりレジスト液Ｒを塗布するようになされている。
また、減圧乾燥ユニット５は、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ９と、この下部チャンバ９の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ１０とを有している。
【００１８】
また、図１乃至図３に示すように、下部チャンバ９は略四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ１１（保持部）が配置されている。
一方、前記上部チャンバ１０は、上部チャンバ移動手段１２によって前記ステージ１１の上方に昇降自在に配置されている。そして、減圧乾燥処理の際には、上部チャンバ１０が下降して下部チャンバ９と密着して閉じ、ステージ１１上に載置された基板Ｇを処理空間に収容した状態とする。
尚、図４，５に示すように、前記ステージ１１は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置２５（昇降手段）によって昇降移動可能となされている
【００１９】
また、下部チャンバ９における基板Ｇの搬送方向下流側（基板の流れ方向）端部には、所定の間隔をおいて一対の排気口１３が設けられている。この排気管１３には、真空ポンプ１５が接続された排気管１４が接続されている。これにより、前記チャンバ内の雰囲気は、前記排気口１３から排気される。
そして、前記下部チャンバ９に前記上部チャンバ１０を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ１５により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
【００２０】
また、下部チャンバ９における、基板Ｇの搬送方向の上流側には、下部チャンバ９の幅方向に延設され、一対の排気口１３と対向する位置まで設けられた給気口１６が設けられている。
前記給気口１６には、図４，５に示すように給気管１７が接続され、更に給気管１７には、不活性ガス供給部１８（給気手段）が接続されている。
そして、前記不活性ガス供給部１８（給気手段）から給気管１７を介して給気口１６には不活性ガス（例えば窒素ガス）が供給され、チャンバ内雰囲気がパージされる。
【００２１】
ここで、前記給気口１６からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。この給気口１６からの不活性ガスの供給の制御は、図示しない制御装置によってなされる。
【００２２】
また、図４、図５に示すように、上部チャンバ１０の直下には、熱処理部としての熱処理板２０が設けられている。この熱処理板２０は、上部チャンバ１０の下面に懸垂状態で固定されている。
この熱処理板２０は、図９に示すように、複数のエリア２０ａに分割して温度制御することが可能となっている。即ち、図９に示す熱処理板２０は、６×６の３６個のエリア２０ａに分割されている。
そして、例えば、複数のエリア２０ａを夫々、個別に温度制御できるように構成されている。例えば、この熱処理板２０の領域２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃを加熱状態にする必要がある場合には、それら領域に対応するエリア２０ａを制御し、加熱状態になすように構成されている。
【００２３】
この各エリア２０ａを制御する制御部の構成を図１０に基づいて説明する。
図１０に示すように、熱処理板２０の各エリア２０ａに加熱冷却ユニット２０ａ１が設けられ、また温度センサー２０ｂも配置されている。加熱冷却ユニット２０ａ１の加熱手段としては、赤外線ヒータやペルチェ素子を用いることができ、また冷却手段としてはペルチェ素子を用いることができる。
前記加熱冷却ユニット２０ａ１は、加熱冷却制御部４０に接続され、加熱冷却制御部４０と温度センサー２０ｂは共に温度制御部４１へ接続されている。
【００２４】
そして、前記温度センサー２０ｂから得られた温度情報を基に、温度制御部４１は加熱冷却制御部４０に対して温度の指示を行い、加熱冷却制御部４０は所定の温度になるように、加熱冷却ユニット２０ａ１の加熱または冷却手段の制御を行う。
この温度制御を、熱処理板２０のエリア２０ａ毎に行うことができるため、精度の高い温度制御を行うことができる。
【００２５】
このように、この実施形態の減圧乾燥装置にあっては、被処理基板Ｇの上部に熱処理板２０が設けられ、基板表面の温度を制御することができ、残膜を制御することができる。
即ち、被処理基板Ｇの表面を流れる気流方向、流速のバラツキにより、基板表面のレジスト膜の乾燥速度にバラツキが生じ、その状態にてプリベークを行い、露光し、現像処理を行うと、残膜にもバラツキが生じる。
より具体的には、基板表面のレジスト膜の上を流れる気流が早い場合は、レジスト膜の乾燥も速くなり、現像処理後の残膜も厚くなる。一方、基板表面のレジスト膜の上を流れる気流が遅い場合は、レジスト膜の乾燥も遅くなり、現像処理後の残膜も薄くなる。
したがって、予め基板の各エリアの残膜状態を計測することで、残膜が厚いエリアについては、レジスト膜の乾燥速度を抑制するために、基板温度を常温より低くし、また、残膜が薄いエリアについては、レジスト膜の乾燥速度を促進するために、基板温度を常温より高くする。このように、基板の各エリアの温度を制御することで、残膜を制御することが可能となる。
【００２６】
続いて、このように形成された塗布プロセス部１の動作について図１から図１０に基づき説明する。
先ず、基板Ｇが搬入され搬送アーム７上に載置されると、搬送アーム７はガイドレール６上を移動し、レジスト塗布ユニット４のゲート８下を通過移動する。その際、ゲート８に固定されたノズル３からは、その下を移動する基板Ｇに対しレジスト液Ｒが吐出され、基板Ｇの一辺から他辺に向かってレジスト液Ｒが塗布される（図７のステップＳ１）。
尚、レジスト液Ｒが基板Ｇの全面にわたり塗布された時点（塗布終了位置）では、基板Ｇは減圧乾燥ユニット５の上部チャンバ１０の下に位置する状態となる。
【００２７】
次いで、基板Ｇは減圧乾燥ユニット５のステージ１１に載置され（図７のステップＳ２）、ステージ１１は、昇降装置２５の駆動によりチャンバ内の下方位置まで下降移動し、基板Ｇが下部チャンバ９の底部に近接した状態で停止する（図７のステップＳ３）。
【００２８】
その後、基板Ｇは、その上方から上部チャンバ移動手段１２により下降移動する上部チャンバ１０によって覆われる。そして基板Ｇは、下部チャンバ９に対して上部チャンバ１０を閉じることにより形成された処理空間内に収容される（図７のステップＳ４）。
【００２９】
前記上部チャンバ１０によって下部チャンバ９が閉じられると、この状態から真空ポンプ１５が作動され（図７のステップＳ５）、排気口１３から処理空間内の気体が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。
ここで、基板Ｇの上面は熱処理板２０に近接しており、基板Ｇの上面にある気体は、熱処理板２０の下面を通って排気口１３へ流れる。このとき、前記排気口１３は例えば２箇所に配置されており、チャンバ内のガスは、２箇所の排気口１３に分かれて排気されることになる。
そのため、図６に示すように、基板上に形成される気流方向は一定方向ではなく、バラツキが生じる。また基板上に形成される気流の流速も一定方向ではなく、排気口１３の近くが最も流速が早くなり、流速にもバラツキが生じる。
【００３０】
具体的には、基板表面を流れる気流の流速が早ければ早いほど、そのエリアの基板表面の塗布膜の乾燥も早くなり、逆に流速が遅いエリアは、基板表面の塗布膜の乾燥が遅くなる。また、気流方向が一定でない場合は、基板表面の塗布膜の乾燥の度合も一定でなくなる。こうして、基板表面の塗布膜の乾燥均一性にバラツキが発生することとなる。
【００３１】
例えば、基板表面の温度を室温より低くすると、塗布膜に含まれる溶剤が飛びにくくなり乾燥が遅れることとなる。また、基板表面の温度を室温より高くすると塗布膜に含まれる溶剤が飛びやすくなり乾燥が促進されることとなる。
この熱処理板２０により、基板表面の塗布膜の温度をエリア毎に制御することで、気流方向のバラツキや気流の流速にバラツキがあっても、塗布膜の乾燥速度の補正を行うことができ、乾燥ムラを抑制することが可能となる。
【００３２】
そのため、熱処理板２０のエリア２０ａ毎に、温度センサー２０ｂから得られた温度情報を基に、温度制御部４１は加熱冷却制御部４０に対して温度の指示を行い、加熱冷却制御部４０は所定の温度になるように、加熱冷却ユニット２０ａ１の加熱または冷却動作の制御を行う。
【００３３】
ここで、各エリア２０ａの温度は、事前に被処理基板Ｇを乾燥、プリベーク、露光、現像処理し、各エリアに対応する被処理基板Ｇ上の残膜状態を計測し、その残膜が均一になる温度が求められ、その温度に設定される。
【００３４】
更に、図８および図９を参照し、具体的に説明すると、基板Ｇ上の塗布膜における排気口１３付近の高速気流エリア２２については、気流が早く塗布膜の乾燥速度も速くなるため、熱処理板２０の低温制御エリア２０Ｂ，２０Ｃの制御温度を室温よりも低く設定することで、塗布膜の乾燥速度を抑制することができる。
また、給気口１６付近の低速気流エリア２３については、気流が遅く塗布膜の乾燥速度が遅くなる為に、熱処理板２０の高温制御エリア２０Ａの制御温度を室温よりも高く設定することで、塗布膜の乾燥速度を促進することができる。
このようにして、例えば、予め塗布膜の露光後の現像膜減り量を基板のエリア毎に計測し、その計測データを下に、熱処理板２０の加熱または冷却の温度を決定し、加熱冷却ユニット２０ａ１毎に温度制御を行うことで、塗布膜の乾燥度合を制御することが可能となる。
【００３５】
このように、温度制御をエリア２０ａ毎に行いながら乾燥工程を行うため、全体として精度の高い温度制御を行うことができる。即ち、基板Ｇの上面に熱処理板２０を配置することにより、チャンバ内に形成される気流の流速や気流方向にバラツキが発生したとしても、基板に塗布された塗布膜を熱処理するときに、乾燥ムラが抑制され良好な膜形成を行うことができる。
【００３６】
そして、更に基板Ｇの上面に熱処理板２０を配置して減圧乾燥処理を行い、チャンバ内の気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると（図７のステップＳ６）、給気口１６から不活性ガスが供給される（図７のステップ７）。
チャンバ内が常気圧に達した（図７のステップ８）ところで、上部チャンバ移動手段１２により上部チャンバ１０が上昇移動され（図７のステップＳ９）、ステージ１１が基板搬送位置まで上昇し（図７のステップＳ１０）、基板Ｇは減圧乾燥ユニット５から次の処理工程に向け搬出される。
【００３７】
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、減圧乾燥処理の間に、基板Ｇの上面に熱処理板２０を配置して基板表面の塗布膜の温度をエリア毎に制御可能とすることで、チャンバ内に形成される気流方向のバラツキや流速のバラツキが発生しても、塗布膜の乾燥速度を制御することが可能となる。これにより、良好な塗布膜乾燥均一性を得ることができる。
【００３８】
尚、前記実施の形態においては、基板Ｇを保持する保持部として板状のステージ１１を設けたが、その形態に限らず、チャンバ内で基板Ｇを水平に保持可能な構成であればよい。例えば、保持部として支持ピン（リフトピン）により基板Ｇを保持する構成としてもよい
【００３９】
また、前記実施の形態において、図９に示すように、熱処理板２０は、３６エリア（６×６）に分割配置にて示したが、その数や配列（レイアウト）は限定されるものではない。更に、エリア毎の形状は、正方形を示したが、それに限定されず、長方形、方形等、他の形状であってもよい。また一体的になっておらず、いくつかに分割して配置してもよい。
【００４０】
また、上記実施の形態においては、熱処理板２０を、基板Ｇの上方に配置したが、図１１に示すように、被処理基板を保持するステージ１１に熱処理機能を設けた温調ステージ２６を配置してもよい。温調ステージ２６についても熱処理板２０と同様の制御構成や制御方法を用いることができる。
その場合、温調ステージ２６の大きさを可能な限り大きく製作することが好ましい。また、熱処理板２０と温調ステージ２６の両方を使用してもよい。
【００４１】
更に、温調ステージ２６に熱処理機能を持たせる場合は、四角形状に記載したが、これも限定されるものではなく、基板と同様の形状で、円形であってもよい。
また、前記実施の形態において、基板Ｇは、減圧乾燥ユニット５に対し、搬送アーム７により搬入出がなされる例を示したが、それに限定されず、コロ搬送により基板搬入出を行う構造にも本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。
【符号の説明】
【００４２】
Ｇ        被処理基板
５        減圧乾燥ユニット（減圧乾燥装置）
９        下部チャンバ
１０      上部チャンバ
１１      ステージ
１２      上部チャンバ移動手段
１３      排気口
１４      排気管
１５      真空ポンプ
１６      給気口
１７      給気管
１８      不活性ガス供給部
２０      熱処理板（熱処理手段）
２０ａ    エリア
２０ａ１  加熱冷却ユニット
２０ｂ    温度センサー
２５      昇降装置
４０      加熱冷却制御部
４１      温度制御部
【図１】
0005622701.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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