(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン性パラジウム活性剤を用いた活性化後に、銅でパターン形成された表面を有する基板上の異常ニッケルめっきを抑制する、無電解ニッケルの堆積方法であって、以下の段階
ｉ．  銅表面を含有する基板とパラジウムイオン含有組成物とを接触させる段階；  その後、
ｉｉ．  銅含有表面と、パラジウムイオンおよびそれらから形成された沈殿物を濯ぐための、有機アミノカルボン酸、および硫酸、塩酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸および酢酸からなる群から選択されるさらなる酸を含む組成物とを接触させる段階；  前記有機アミノカルボン酸は、式１または式２：
【化１】
0005570585.tif 000003
［式中、
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１およびＲ２２は、独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル（直鎖または分枝鎖）からなる群から選択され；
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４およびＲ３５は、独立して、Ｈ、フェニル、ベンジル、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル（直鎖または分枝鎖、置換または非置換）からなる群から選択され、その際、置換基は−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2、−ＣＯＯＨからなる群から選択され；
Ｒ４１およびＲ４２は、独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル（直鎖または分枝鎖）、またはＮａ+、Ｋ+、ＮＨ4+からなる群から選択される、対イオンからなる群から選択される］
によって表される；  および
ｉｉｉ．  前記処理された銅含有表面上に、ニッケルの無電解めっきをする段階
を含む方法。
【請求項２】
前記さらなる酸の濃度が、２５ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌにわたる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
適した対イオンが、Ｎａ+、Ｋ+、ＮＨ4+からなる群から選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１およびＲ２２が、独立して、Ｈ、メチルおよびエチルから選択される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４およびＲ３５は、独立して、Ｈ、メチル、エチル、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＮＨ2、−ＣＨ2ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＳＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＳＨおよび−ＣＨ2ＣＯＮＨ2からなる群から選択される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
有機アミノカルボン酸が、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グリシン、イソロイシン、ロイシン、リシン、セリン、フェニルアラニン、メチオニン、スレオニン、バリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシンからなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
有機アミノカルボン酸が、β−アラニン、β−ロイシン、β−イソロイシン、β−グルタミン、β−グルタミン酸、β−メチオニン、β−アスパラギン酸からなる群から選択される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つのアミノカルボン酸の濃度が、０．１ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌの範囲である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
銅表面が、プリント配線板基板上にある、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の属する分野
本発明は、プリント配線板（ＰＣＢ）の製造における表面仕上げ方法に関する。本発明の方法は、イオン性パラジウム活性剤を用いた活性化後に、銅でパターン形成された表面を有する基板上の異常ニッケルめっきを抑制する。
【０００２】
発明の背景
プリント配線板の製造における表面仕上げ方法は、プリント配線板に、能動素子および受動素子が機械的且つ電気的にＰＣＢと接触できる、結合可能な表面領域を付加する。頻繁に適用される表面仕上げ方法は、ＥＮＩＧ法（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ、無電解ニッケル浸漬金）およびＮｉ／Ｐｄ（／Ａｕ）法である。両方の種類の方法において、プリント配線板の銅表面は、貴金属イオンを含有する活性化組成物を用いて活性化され、ニッケルの無電解堆積が続く。
【０００３】
無電解ニッケルめっきに先立ち、銅表面の活性化が必要とされ、なぜなら、銅は例えば電解質を含有する次亜リン酸塩から堆積されたニッケルの無電解堆積について、非触媒金属として分類されるからである  （Ｗ．Ｒｉｅｄｅｌ，  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｐｌａｔｉｎｇ，  ＡＳＭ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，  ｒｅｐｒｉｎｔ  １９９８，  ｐ．１８９）。活性化段階の目的は、銅表面上に触媒の浸漬被覆物を堆積させることである。該触媒は、活性化エネルギーを低下させ、且つ、銅表面上にニッケルを堆積させることを可能にする。触媒の例は、パラジウムおよびルテニウムである  （Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ，  Ｅｄ．：  Ｃ．Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ，Ｊｒ．，ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，  ２００１，  ｐ．３２．３）。通常、パラジウムのシード層が、銅表面上に浸漬めっきされ、その際、パラジウムイオンが銅表面上に堆積され、銅によって金属状態のパラジウムへと還元され、且つ、銅イオンが浸漬めっき浴内に放出される。そのとき、基板表面領域は金属パラジウムで構成され、且つ、次の無電解ニッケルめっきのためのシードとしてはたらく。
【０００４】
基板を、銅表面の活性化と無電解ニッケルめっきとの間に、入念に濯いで全ての過剰な貴金属イオンを除去することが重要である。そうでなければ、貴金属水酸化物から形成される沈殿物が、基板表面上およびプラスチック材料製の表面上で、個々の銅の造形周辺での異常（制御できない）ニッケル堆積をみちびくことがある。「プラスチック材料」の語句は、ベアＰＣＢラミネート、はんだマスク、および現像型（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）レジスト、例えばドライフィルムレジストを含む。貴金属水酸化物の沈殿物は、ニッケルの制御できない堆積物のためのシードとしてはたらく。異常ニッケルめっきの典型的な現象は、ニッケルブリッジおよびニッケルフィートである。異常ニッケルめっきは、例えば、特にラインアンドスペースが７５μｍ以下の高密度回路において短絡をみちびくことがある。異常ニッケル堆積物は、ラミネートおよびはんだマスク表面上での付着が弱く、且つ、ＰＢＣを破砕し、且つ、ＰＣＢの他の位置で短絡を引き起こすこともある。個々の銅のボンドパッドまたは銅トレンチの間のニッケルブリッジは、直接的に短絡を生じることがある。細線回路における銅のボンドパッド周辺のニッケルフィートも、個々の銅のボンドパッドを橋渡しすることによって短絡を引き起こすことがある。さらには、銅のボンドパッド上に吸着した、パラジウムイオンまたはそれらから形成される沈殿物は、めっきのスキップを防ぐために、無電解ニッケルめっきの前の活性化前処理の間に除去されるべきではない。めっきのスキップは、不完全なニッケルめっきが銅ボンドパッド上で起きる現象であり、それはボンディングの間の不全をもたらす。
【０００５】
ニッケルの異常めっきの問題は、先行技術においては、種々のアプローチによって解決されている：
Ｗａｔａｎａｂｅらは、塩化アンモニウムを錯化剤として含有し、且つ、硫酸ドデシルを界面活性剤として含有するイオン性パラジウム活性剤について調査した。彼らは、負に帯電されたパラジウム−クロロ錯体を、彼らの活性剤組成物中の活性成分として特許請求し、それは、銅のボンドパッドを取り囲む、好ましくは誘電体表面領域上に吸着した、負に帯電された界面活性剤によって反発される  （Ｋ．  Ｗａｔａｎａｂｅ，  Ｔ．  Ｎｉｓｈｉｗａｋｉ，  Ｈ．  Ｈｏｎｍａ，  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  −  ５５ｔｈ  Ａｎｎｕａｌ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，  Ｔｈｅｓｓａｌｏｎｉｋｉ，  １９−２４  ２００４年９月）。
【０００６】
ＵＳ２００１／００４００４７号は、めっきの間に生じることがある橋渡しを減少させる方法を教示している。前記の方法は以下の段階：  回路形成された基板と膨潤剤とを接触させる段階、基板をアルカリ性の過マンガン酸塩、クロム酸塩、または亜塩素酸塩の組成物で処理する段階、次に、処理された基板の回路形成部分に金属層を適用する段階を含む。該方法は、パラジウムイオン活性化が適用されない際の本発明による方法の代替である。
【０００７】
特許ＥＰ０７０７０９３号は、無電解ニッケルめっきのために銅表面を選択的に活性化し、それによって異常めっきを最小化する、または無くす、活性剤が開示されている。前記活性剤組成物は、イミダゾール化合物を含み、さらにパラジウムイオンを含有してもよい。
【０００８】
銅表面の活性化の間の過剰なパラジウムイオンは、ニッケルの無電解めっき前に適用される濯ぎ段階において、加水分解し、且つ、パラジウムを含有する沈殿物を形成する傾向がある。前記の沈殿物は、ポリマー材料製のＰＣＢの表面領域上に吸着されるか、または銅およびポリマー材料製の構造の造形、例えばＰＣＢ材料上の積層物、フォトレジストおよび／またははんだマスクの間に形成された空隙内にトラップされることがある（図１参照）。前記の沈殿物は、引き続く無電解ニッケルめっき浴中に存在する還元剤によって金属状態のパラジウムへと還元され得る。ニッケルめっきは、そのような還元されたパラジウム沈殿物上で生じる。還元されたパラジウムが、銅表面以外のＰＣＢ基板の表面領域上に存在すると、不所望の異常ニッケルめっきが生じ、且つ、短絡をみちびくことがある。
【０００９】
活性化後の濯ぎ段階は、基板と無電解ニッケルめっき組成物との接触前に、全ての過剰なパラジウムイオンを除去するために必要である。他方で、イオン性パラジウムの加水分解および沈殿は、好ましくはかかる濯ぎ段階の間に生じる。従って、少なくとも１つの濯ぎ段階は、希硫酸からなる濯ぎ溶液中で行われる。しかし、高密度回路の場合、硫酸による濯ぎは不所望のパラジウムイオンおよび水酸化パラジウム沈殿物を除去するために充分ではない。異常ニッケルめっきは、引き続く無電解ニッケルめっきの間に生じ、短絡をみちびく。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１はＰＣＢの模式的な断面を示す。銅のボンドパッド１はＰＣＢ基板２上に堆積され、そしてはんだマスク３は、銅のボンドパッド１とはんだマスク３との間の空隙４を形成する。パラジウムイオンおよび／またはそれらから形成される沈殿物は、空隙４内にトラップされることがあり、且つ、活性化と無電解ニッケルめっきとの間の濯ぎ段階の間に除去され得ない。前記のトラップされたパラジウムイオンおよび／またはそれらから形成される沈殿物は、異常ニッケルめっきのためのシードとしてはたらき、且つ、銅のボンドパッド１周辺のニッケルフットをみちびくことがある。
【図２】図２は、ＰＣＢ基板２上のニッケル堆積物５を有し、ニッケル被覆された銅のボンドパッド５の周辺の異常ニッケルめっき６を有する、銅のボンドパッドの上面図を示す（実施例１）。
【図３】図３は、ＰＣＢ基板２上にニッケル堆積物５を有し、異常ニッケルめっきのない、銅のボンドパッドの上面図を示す。基板２は、無電解ニッケルめっきに先立ち、本発明の前処理組成物と接触された（実施例２）。
【図４】図４は、比較例３から導かれるニッケル被覆６および金被覆７を有するＰＣＢ基板２上の銅のボンドパッド１を示す。ニッケルフット８は、所望のニッケル被覆６のものと比べてほぼ２倍の幅を有する。
【図５】図５は、実施例４から導かれる、ニッケル被覆６および金被覆７を有する、ＰＣＢ基板２上の銅のボンドパッド１を示す。ニッケルフット８の幅は、実施例３と比較して２／３だけ低減される。
【００１１】
発明の詳細な説明
本発明の課題は、異常ニッケルめっきを抑制する、ＰＣＢ基板の銅表面上へのニッケルの無電解堆積方法を提供することである。
【００１２】
イオン性パラジウムまたはそれらから形成される沈殿物の堆積は、ニッケルめっきのために決められているＰＣＢ基板の表面領域上でのみ生じるべきである。これを、無電解ニッケルめっきのための本発明の前処理組成物を適用することによって達成できる。前記の前処理組成物は、少なくとも２つの異なる種類の酸を含み、その際、酸の種類の１つはアミノカルボン酸である。パラジウムイオンおよびそれらから形成される沈殿物を、活性化後のＰＣＢ基板を本発明による前処理組成物と接触させることによって、ＰＣＢ基板のプラスチック材料表面から容易に濯ぎ落とすことができる。その際、ＰＣＢ基板表面のニッケルめっきを必要としていない領域内での異常ニッケルめっきが抑制される。
【００１３】
本発明による無電解ニッケルの堆積方法は、以下の段階を含む：
ｉ．  銅表面を含有する基板を、貴金属イオン含有組成物と接触させる段階；  その後、
ｉｉ．  銅含有表面と、有機アミノカルボン酸を含む組成物とを接触させる段階；  および
ｉｉｉ．  前記処理された銅含有表面上にニッケルの無電解めっきをする段階。
【００１４】
無電解ニッケルめっき用の銅表面の活性化のための組成物は、当該技術分野でよく知られている  （Ｋ．  Ｊｏｈａｌ，  ＳＭＴＡ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，  Ｃｈｉｃａｇｏ，  Ｏｃｔｏｂｅｒ  ２００１，  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐｒｏｇｒａｍ，  ６１２〜６２０）。パラジウムイオンの酸性溶液は、しばしば、前記目的のために利用される。かかる溶液は、少なくとも１つの酸、少なくとも１つのパラジウムイオン源および随意に界面活性剤を含む。少なくとも１つの酸は、塩酸、硫酸、トルエンスルホン酸、およびメタンスルホン酸を含む群から選択される。少なくとも１つの酸の濃度は、好ましくは２５ｇ〜１５０ｇ／ｌ、より好ましくは５０ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌにわたる。少なくとも１つのパラジウムイオン源は、好ましくは塩化パラジウム、硫酸パラジウムおよび酢酸パラジウムを含む群から選択される。少なくとも１つのパラジウム源の濃度は、１０ｍｇ／ｌ〜１００ｍｇ／ｌ、より好ましくは３０ｍｇ／ｌ〜７０ｍｇ／ｌにわたる。ＰＣＢ基板を、１０℃〜４０℃、より好ましくは２０℃〜３０℃の範囲の温度で、３０秒〜３００秒、より好ましくは６０秒〜２４０秒の間、かかる活性剤溶液と接触させる。
【００１５】
無電解ニッケルめっきのための前処理組成物は、少なくとも２つの異なる種類の酸の混合物を含み、その際、酸の種類の１つは有機アミノカルボン酸である。
【００１６】
本発明の１つの実施態様において、少なくとも１つのアミノカルボン酸は、式１または式２によって表される化合物から選択される：
【化１】
0005570585.tif 000002
［式中、
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１およびＲ２２は、独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル（直鎖または分枝鎖）からなる群から選択され；
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４およびＲ３５は、独立して、Ｈ、フェニル、ベンジル、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル（直鎖または分枝鎖、置換または非置換）からなる群から選択され、その際、置換基は−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2、−ＣＯＯＨからなる群から選択され；
Ｒ４１およびＲ４２は、独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル（直鎖または分枝鎖）、または適した対イオン、例えばＮａ+、Ｋ+、ＮＨ4からなる群から選択される］。
【００１７】
好ましくはＲ１１、Ｒ２１、Ｒ２１およびＲ２２はＨ、メチルおよびエチルから選択される。好ましくは、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４およびＲ３５は、独立して、Ｈ、メチル、エチル、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＮＨ2、−ＣＨ2ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＳＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＳＨおよび−ＣＨ2ＣＯＮＨ2からなる群から選択される。
【００１８】
好ましい有機アミノカルボン酸は、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グリシン、イソロイシン、ロイシン、リシン、セリン、メチオニン、スレオニン、バリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、β−アラニン、β−ロイシン、β−イソロイシン、β−グルタミン、β−グルタミン酸、β−メチオニン、β−アスパラギン酸からなる群から選択される。
【００１９】
少なくとも１つのアミノカルボン酸は、前処理組成物中で、濃度０．１ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌ、より好ましくは０．５ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌ、および最も好ましくは１ｇ／ｌ〜１５ｇ／ｌで存在する。
【００２０】
アミノカルボン酸ではない、前処理組成物中に存在する少なくとも１つの酸を好ましくは、硫酸、塩酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸および酢酸からなる群から選択できる。有機アミノカルボン酸ではない酸の総量は、２５ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌ、より好ましくは５０ｇ／ｌから１００ｇ／ｌにわたる。前処理組成物中の最も好ましい酸混合物は、硫酸および有機アミノカルボン酸からなる。
【００２１】
本発明による前処理組成物は、さらに界面活性剤を含有できる。
【００２２】
前処理組成物のｐＨ値は、好ましくは＜１である。
【００２３】
本質的に水を使用する、工程段階ｉとｉｉとの間の少なくとも１つの追加的な濯ぎ段階は、随意である。本質的に水を使用して適用される、工程段階ｉｉとｉｉｉとの間の少なくとも１つの追加的な濯ぎ段階は、必須である。
【００２４】
活性化された銅表面を有する基板を、本発明の前処理組成物と、１０℃〜５０℃、より好ましくは１５℃〜４０℃の温度で接触させる。接触時間は、３０秒〜１０分、より好ましくは１分〜６分にわたる。
【００２５】
ＰＣＢ基板と本発明の前処理組成物とが接触する場合、銅表面からのパラジウムの再溶解が起きないので、ニッケルのスキップめっきの危険はない。スキップめっきは、銅が充分に活性化されていない銅表面領域上での無電解ニッケルめっきの欠損を意味する。さらには、該前処理組成物は、活性剤槽からの薬剤に対して非常に耐性がある。
【００２６】
実施例
本発明をここで、以下の限定されない実施例を参照して例証する。
【００２７】
実施例１（比較例）
電気めっきされた銅のボンドパッドを有するＰＣＢ基板２を、５０ｍｇ／ｌのＰｄ2+イオンと９０ｇ／ｌの硫酸とを含む活性剤組成物と、温度２３℃で３分間、接触させた。次の段階において、前記基板を、６０ｇ／ｌの硫酸からなる前処理溶液を用いて、２０℃で５分間濯ぎ、その後、水を用いて濯いだ。最終段階として、ニッケルを無電解ニッケル電解質（（Ａｕｒｏｔｅｃｈ（登録商標）  ＣＮＮ、Ａｔｏｔｅｃｈ  Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ  ＧｍｂＨの製品）から堆積させた。その後、基板表面を、光学顕微鏡を用いて調査した（図２）。異常ニッケルめっき６が、ニッケル被覆された銅のボンドパッド５周辺で起きた。
【００２８】
実施例２
電気めっきされた銅およびはんだマスク表面領域を有するＰＣＢ基板を、５０ｍｇ／ｌのＰｄ2+イオンと９０ｇ／ｌの硫酸とを含む活性剤組成物と、温度２３℃で３分間、接触させた。次の段階において、前記基板を、６０ｇ／ｌの硫酸と３ｇ／ｌのアラニンとからなる前処理溶液を用いて、２０℃で５分間濯ぎ、その後、水を用いて濯いだ。最終段階として、ニッケルを無電解ニッケル電解質（（Ａｕｒｏｔｅｃｈ（登録商標）  ＣＮＮ、Ａｔｏｔｅｃｈ  Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ  ＧｍｂＨの製品）から堆積させた。その後、基板表面を、光学顕微鏡を用いて調査した（図３）。ニッケル被覆された銅のボンドパッド周辺のＰＣＢ基板２上で、異常ニッケルめっきは起きなかった。
【００２９】
実施例３（比較例）
ＰＣＢ基板２表面上の銅のボンドパッド１を、５０ｍｇ／ｌのＰｄ2+と９０ｇ／ｌの硫酸とを含むパラジウムイオン溶液を用いて、温度２３℃で３分間、活性化させた。次の段階において、前記基板を、６０ｇ／ｌの硫酸からなる前処理溶液を用いて、２０℃で５分間濯ぎ、その後、水を用いて濯いだ。最終段階として、ニッケルを無電解ニッケル電解質（Ａｕｒｏｔｅｃｈ（登録商標）  ＣＮＮ、Ａｔｏｔｅｃｈ  Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ  ＧｍｂＨの製品）から堆積させ、浸漬金電解質（Ａｕｒｏｔｅｃｈ（登録商標）  ＳＦ  Ｐｌｕｓ、Ａｔｏｔｅｃｈ  Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ  ＧｍｂＨの製品）からの薄い金の層で被覆した。ニッケル６および金７を被覆された銅のボンドパッド１の断面を作製し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて調査して、銅のボンドパッド１周辺のニッケルフット８を測定した。観察された１つの典型的なニッケルフット８を、図４に示す。ニッケルフット８は、銅のボンドパッド１上に堆積されたニッケル被覆６の約２００％の幅を有する。
【００３０】
実施例４
ＰＣＢ基板２表面上の銅のボンドパッド１を、実施例３に記載されたパラジウムイオンの溶液を用いて活性化し、水で濯ぎ、その後、６０ｇ／ｌの硫酸と３ｇ／ｌのアラニンとからなる本発明の前処理組成物と接触させ、水で濯ぎ、その後、実施例３に記載された通り、ニッケルおよび金を用いて被覆した。ニッケル６および金７を被覆された銅のボンドパッド１の断面を作製し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて調査して、銅のボンドパッド１周辺のニッケルフット８を測定した。観察された１つの典型的なニッケルフット８を図５に示し、且つ、それは銅のボンドパッド１上に堆積されたニッケル被覆６の約１３３％である幅を有している。
【図１】
0005570585.tif 000004
【図２】
0005570585.tif 000005
【図３】
0005570585.tif 000006
【図４】
0005570585.tif 000007
【図５】
0005570585.tif 000008