(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線形成部と、外部回路に接続するための端子形成部と、前記配線形成部および前記端子形成部の間に連続的に形成された中間部とを有し、
前記配線形成部は、第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、前記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に、前記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層とを有し、
前記端子形成部は、前記第一導体層を有し、
前記端子形成部において、前記第一導体層上に、第三導体層が形成され、前記第三導体層が、前記中間部における前記第二絶縁層の表面に接触するように形成されていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記端子形成部における前記第三導体層に、半田との接着面積を増加させる処理がなされていることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記配線形成部は、前記第一絶縁層上に前記第二導体層と厚さ方向において重複しないように形成された一または二以上の下部導体層を有し、
前記端子形成部は、前記下部導体層を有し、
前記端子形成部において、前記下部導体上に前記第三導体層が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
配線形成部と、外部回路に接続するための端子形成部と、前記配線形成部および前記端子形成部の間に連続的に形成された中間部とを有し、
前記配線形成部は、第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、前記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に、前記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層とを有し、
前記端子形成部は、前記第一導体層を有し、
前記端子形成部において、前記第一導体層上に、第三導体層が形成され、前記端子形成部における前記第三導体層に、半田との接着面積を増加させる処理がなされていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項５】
配線形成部と、外部回路に接続するための端子形成部と、前記配線形成部および前記端子形成部の間に連続的に形成された中間部とを有し、
前記配線形成部は、第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、前記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に、前記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層とを有し、
前記端子形成部は、前記第一導体層を有し、
前記端子形成部において、前記第一導体層上に、第三導体層が形成され、
前記配線形成部は、前記第一絶縁層上に前記第二導体層と厚さ方向において重複しないように形成された一または二以上の下部導体層を有し、
前記端子形成部は、前記下部導体層を有し、
前記端子形成部において、前記下部導体上に前記第三導体層が形成されていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項６】
サスペンション用基板であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の配線回路基板。
【請求項７】
請求項６に記載の配線回路基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダと、を有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項９】
請求項８に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関し、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）のサスペンション用基板に用いることができる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）にも高機能化が求められている。
【０００３】
サスペンション用基板は、通常、一対の配線からなるリード配線と、同じく一対の配線からなるライト配線を有する。このような一対の配線は、従来、絶縁層の同一表面上に形成されていた。これに対して、配線の高密度化やインピーダンスの低下を目的として、一対の配線における一方の配線と他方の配線とを、絶縁層を介して積層したサスペンション用基板が知られている（特許文献１の図９）。
【０００４】
このようなサスペンション用基板は、一方の配線と、他方の配線とが、絶縁層を介して積層されているが、外部回路との接続を行う端子形成部においては、接続容易性の観点から、両配線が同一平面上に形成されていることが好ましい。そのため、端子形成部の近傍において、上部配線の高さを、下部配線の高さに揃えることが行われている。例えば、特許文献２においては、第二導体層（上部配線）を、端子形成部の直前で傾斜させ、第二導体層（上部配線）の高さと、第一導体層（下部配線）の高さを揃えた配線回路基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【特許文献２】特開２００９−１２９４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
端子形成部における導体層は、通常、その表面および裏面が露出した形状を有するため、機械的強度が弱いという問題がある。特に、上記のような配線を有する配線回路基板は、配線を積層するため全体が厚くなることから、配線を薄く形成する傾向がある。そのため、製造工程中に、露出した導体層が変形したり、超音波接合時に露出した導体層が破損したりするという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、端子形成部における導体層の機械的強度に優れた配線回路基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、配線形成部と、外部回路に接続するための端子形成部と、上記配線形成部および上記端子形成部の間に連続的に形成された中間部とを有し、上記配線形成部は、第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、上記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に、上記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層とを有し、上記端子形成部は、上記第一導体層を有し、上記端子形成部において、上記第一導体層上に、第三導体層が形成されていることを特徴とする配線回路基板を提供する。
【０００９】
本発明によれば、第三導体層を、第一導体層上に形成することから、端子形成部における導体層（特に第一導体層）の機械的強度に優れた配線回路基板とすることができる。
【００１０】
上記発明においては、上記第三導体層が、上記第二導体層と同一の材料からなる層であることが好ましい。第一導体層の機械的強度を容易に向上させることができるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記第一導体層および上記第三導体層の間に、金属めっきからなる密着性向上層が形成されていることが好ましい。両者の密着性を向上させることで、接続信頼性に優れた端子形成部とすることができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記密着性向上層が、Ｎｉめっき層であることが好ましい。安価であり、充分な密着性を発揮することができるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記第三導体層が、上記中間部における上記第二絶縁層の表面に接触するように形成されていることが好ましい。端子形成部における第一導体層の機械的強度をさらに向上させることができるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記端子形成部における上記第三導体層に、半田との接着面積を増加させる処理がなされていることが好ましい。接続信頼性の向上を図ることができるからである。
【００１５】
上記発明において、上記配線形成部は、上記第一絶縁層上に形成された一または二以上の下部導体層を有し、上記端子形成部は、上記下部導体層を有し、上記端子形成部において、上記下部導体上に上記第三導体層が形成されていることが好ましい。下部導体層の機械的強度を容易に向上させることができるからである。
【００１６】
上記発明においては、上記配線回路基板がサスペンション用基板であることが好ましい。ハードディスクドライブの部品として有用だからである。
【００１７】
また、本発明においては、上述した配線回路基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１８】
本発明によれば、上述した配線回路基板を用いることで、耐久性に優れたサスペンションとすることができる。
【００１９】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダと、を有することを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。
【００２０】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、耐久性に優れたヘッド付サスペンションとすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２２】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、耐久性に優れたハードディスクドライブとすることができる。
【００２３】
また、本発明においては、配線形成部と、外部回路に接続するための端子形成部と、上記配線形成部および上記端子形成部の間に連続的に形成された中間部とを有し、上記配線形成部は、第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、上記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に、上記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層とを有し、上記端子形成部は、上記第一導体層を有し、上記端子形成部において、上記第一導体層上に、第三導体層が形成されている配線回路基板の製造方法であって、上記端子形成部が形成される位置に、少なくとも上記第一導体層を有する処理用部材を準備する準備工程と、上記処理用部材に対して、めっき法により、上記第三導体層を形成する第三導体層形成工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法を提供する。
【００２４】
本発明によれば、上記処理用部材の第一導体層上に、第三導体層を形成することにより、端子形成部における導体層（特に第一導体層）の機械的強度に優れた配線回路基板を得ることができる。
【００２５】
上記発明においては、上記処理用部材が、上記端子形成部が形成される位置の上記第一導体層の表面上に、金属めっきからなる密着性向上層を有することが好ましい。第一導体層および第三導体層の密着性が向上し、接続信頼性に優れた端子形成部を得ることができるからである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明においては、端子形成部における導体層の機械的強度および接続信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の配線回路基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明における端子形成部およびその近傍を示す概略斜視図である。
【図３】図２における第一導体層の長手方向に沿った断面の概略図である。
【図４】本発明の配線回路基板を説明する概略断面図である。
【図５】本発明における配線形成部の一例を示す概略断面図である。
【図６】本発明における端子形成部の一例を示す概略断面図である。
【図７】端子形成部の形状の一例を説明する説明図である。
【図８】本発明における端子形成部およびその近傍を示す概略斜視図である。
【図９】本発明における端子形成部およびその近傍を示す概略斜視図である。
【図１０】本発明における端子形成部およびその近傍を示す概略斜視図である。
【図１１】本発明における端子形成部を例示する概略断面図である。
【図１２】本発明における端子形成部を例示する概略断面図である。
【図１３】本発明におけるジンバル部の一例を説明する説明図である。
【図１４】本発明の配線回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の配線回路基板の製造方法のさらに他の例を示す概略断面図である。
【図１７】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１８】本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１９】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の配線回路基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよび配線回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
Ａ．配線回路基板
まず、本発明の配線回路基板について説明する。本発明の配線回路基板は、配線形成部と、外部回路に接続するための端子形成部と、上記配線形成部および上記端子形成部の間に連続的に形成された中間部とを有し、上記配線形成部は、第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、上記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に、上記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層とを有し、上記端子形成部は、上記第一導体層を有し、上記端子形成部において、上記第一導体層上に、第三導体層が形成されていることを特徴とするものである。
【００３０】
図１は、本発明の配線回路基板の一例を示す概略平面図である。より具体的には、ハードディスクドライブに用いられるサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１に示される配線回路基板２０は、一方の先端部分に形成されたジンバル部１１と、他方の先端部分に形成され、外部回路に接続するための端子形成部１２と、ジンバル部１１および端子形成部１２を接続する一対の配線３（ライト配線３ｘおよびリード配線３ｙ）とを有するものである。
【００３１】
図２は、本発明における端子形成部およびその近傍を示す概略斜視図である。より具体的には、ライト配線３ｘ側の端子形成部１２およびその近傍を示す概略斜視図である。なお、図２では、便宜上、ライト配線側の端子形成部を示しているが、リード配線側の端子形成部においても同様である。図２において、ライト配線３ｘは、第一絶縁層２ａ上に形成された第一導体層３ａと、第二絶縁層２ｂ上に形成された第二導体層３ｂとから構成される一対の配線であり、図２の図面左側では、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂは、第二絶縁層２ｂを介して、互いに厚さ方向に重複するように配置されている。また、第一導体層３ａは直進的に端子形成部１２に向かい、端子形成部１２において、第三導体層１０３を有している。一方、第二導体層３ｂは端子形成部１２の手前で、進行方向に対して直角に曲がり、再度直角に曲がることで、第二導体層３ｂと平面視上平行になり、端子形成部１２の直前で下方向に折れ曲がり、端子形成部１２に至っている。
【００３２】
なお、本発明においては、厚さ方向に重複している第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂが端子形成部１２の手前で分岐する際、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂの一方が、他方に対して、平面視上、略直角に分岐していることが好ましい。目的とするインピーダンスが得やすいからである。上記の図２においては、第二導体層３ｂが、第一導体層３ａに対して、平面視上、直角に分岐している。これに対して、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂの一方が、平面視上、斜めに（例えば４５°で）分岐していると、分岐地点において、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂが、一部では重複し、一部では重複しない状態となる。その結果、目的とするインピーダンスからずれが生じる場合がある。そのため、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂの一方は、他方に対して、平面視上、略直角に分岐していることが好ましい。
【００３３】
図３は、図２における第一導体層の長手方向に沿った断面の概略図である。図３における配線回路基板は、配線形成部１３と、外部回路に接続するための端子形成部１２と、配線形成部１３および端子形成部１２の間に連続的に形成された中間部１４と有する。さらに、配線形成部１３は、第一絶縁層２ａと、第一絶縁層２ａ上に形成された第一導体層３ａと、第一導体層３ａ上に形成された第二絶縁層２ｂと、第二絶縁層２ｂ上に、第一導体層３ａと厚さ方向において重複するように形成された第二導体層３ｂとを有する。一方、端子形成部１２は第一導体層３ａを有し、端子形成部１２において、第一導体層３ａ上に第三導体層１０３が形成されている。なお、図３では、端子形成部１２において、第一導体層３ａおよび第三導体層１０３からなるフライングリードが形成されている。
【００３４】
本発明の配線回路基板は、図３に示すように、第一導体層３ａが形成されていない側の第一絶縁層２ａの表面に、金属基板１を有していても良い。例えば、本発明の回路基板がサスペンション用基板である場合に、金属基板１を設けることで、所望のバネ性を付与することができる。一方、本発明の配線回路基板は、金属基板１を有しないものであっても良い。本発明の配線回路基板を、例えば、サスペンション用基板に接続する中継基板として用いる場合には、金属基板１を有しない場合もある。
【００３５】
また、本発明の配線回路基板は、図４に示すように、第一導体層３ａと、第三導体層１０３との間に、シード層４および拡散防止層５を有していても良い。また、本発明の配線回路基板は、第二導体層３ｂ上に形成されたカバー層６を有していても良く、端子形成部１２において露出する第一導体層３ａおよび第三導体層１０３の表面上に、配線めっき層７を有していても良い。
【００３６】
このように、本発明によれば、第三導体層を、第一導体層上に形成することから、端子形成部における導体層（特に第一導体層）の機械的強度に優れた配線回路基板とすることができる。また、第三導体層は、例えば第二導体層の形成と同時に形成することができるので、他の工程を追加することなく、容易に第一導体層の機械的強度を向上させることができる。さらに、第一導体層および第二導体層の高さが略同じになることから、端子形成部における接続容易性が確保されることになる。
以下、本発明の配線回路基板について、さらに詳細に説明する。
【００３７】
１．配線形成部
本発明における配線形成部は、第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一導体層と、上記第一導体層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に、上記第一導体層と厚さ方向において重複するように形成された第二導体層と、を少なくとも有するものである。また、上述した図３に示すように、配線形成部１３は、中間部１４と連続的に形成された部分である。本発明においては、配線形成部１３が、中間部１４に隣接する部分に、少なくとも形成されていれば良い。
【００３８】
図５は、本発明における配線形成部の一例を示す概略断面図である。図５に示される配線形成部１３は、第一絶縁層２ａと、第一絶縁層２ａ上に形成された第一導体層３ａと、第一導体層３ａ上に形成された第二絶縁層２ｂと、第二絶縁層２ｂ上に、第一導体層３ａと厚さ方向において重複するように形成された第二導体層３ｂと、を有する。さらに、図５に示される配線形成部１３は、第二導体層３ｂを覆うように形成されたカバー層６を有し、第一導体層３ａが形成されていない側の第一絶縁層２ａの表面に、金属基板１を有する。また、図示しないが、第二導体層３ｂと第二絶縁層２ｂとの間、および第一導体層３ａと第一絶縁層２ａとの間の少なくとも一方に、後述するシード層、拡散防止層および密着性向上層の少なくとも一つを有していても良い。
【００３９】
第一絶縁層２ａの材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、第一絶縁層２ａの材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一絶縁層２ａの厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１０μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４０】
第一導体層３ａは、第一絶縁層２ａ上に形成される層である。第一導体層３ａの材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。第一導体層３ａの厚さとしては、例えば４μｍ〜１８μｍの範囲内、中でも５μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。第一導体層３ａの厚さが小さすぎると、所望の導電性を得ることができない可能性があり、第一導体層３ａの厚さが大きすぎると、配線回路基板の剛性が高くなる可能性があるからである。一方、第一導体層３ａの線幅としては、例えば１０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。第一導体層３ａの線幅が小さすぎると、充分な低インピーダンス化を図ることができない可能性があり、第一導体層３ａの線幅が大きすぎると、配線回路基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。また、第一導体層３ａは、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）による配線めっき層が形成されていても良い。
【００４１】
第二絶縁層２ｂは、第一導体層３ａ上に形成される層である。通常は、第一導体層３ａを覆うように第二絶縁層２ｂが形成される。第二絶縁層２ｂの材料および厚さについては、上述した第一絶縁層２ａと同様である。また、第一導体層３ａ上に形成された第二絶縁層２ｂの厚さ（第一導体層３ａの頂部から第二絶縁層２ｂの頂部までの距離）は、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましい。上記厚さが小さすぎると、伝送特性の悪化およびピンホールによるショートの可能性があり、上記厚さが大きすぎると、配線回路基板全体の厚さが大きくなる可能性があるからである。
【００４２】
第二導体層３ｂは、第二絶縁層２ｂ上に形成される層である。また、第二導体層３ｂは、通常、第一導体層３ａと厚さ方向において重複するように形成される。この際、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂは、厚さ方向において、少なくとも一部で重複していれば良い。また、第二導体層３ｂの材料および寸法（厚さおよび線幅）は、上述した第一導体層３ａと同様である。また、第二導体層３ｂは、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）による配線めっき層が形成されていても良い。
【００４３】
また、本発明においては、第二導体層３ｂを覆うように、カバー層６が形成されていることが好ましい。電気信号の減衰や第二導体層３ｂの劣化を抑制することができるからである。カバー層６の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。なお、カバー層６の材料は、上述した第一絶縁層２ａおよび第二絶縁層２ｂと同じであっても良く、異なっていても良い。カバー層６の厚さは、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４４】
また、本発明においては、第一導体層３ａが形成されていない側の第一絶縁層２ａの表面に、金属基板１を有していても良い。例えばサスペンション用基板として有用な配線回路基板を得ることができるからである。金属基板１の材料としては、所望の導電性およびばね性を有することが好ましく、例えばステンレススティール等を挙げることができる。金属基板１の厚さは、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。また、本発明においては、図５に示すように、金属基板１が、第一導体層３ａと厚さ方向において重複しないように形成されていることが好ましい。金属基板１が第一導体層３ａの電気特性に悪影響を与えることを抑制できるからである。第一導体層３ａの端部と、金属基板１の端部とは、厚さ方向と直交する水平方向において、例えば１０μｍ以上離れていることが好ましい。
【００４５】
また、本発明においては、上述した図４に示すように、配線形成領域１３において、第二導体層３ｂと第二絶縁層２ｂとの間に、シード層４が形成されていることが好ましい。電解めっき法により、容易に第二導体層３ｂを形成することができるからである。シード層４は、通常、金属薄膜層であり、例えばＣｕを含む金属薄膜層であることが好ましい。シード層４の厚さは、例えば０．０５μｍ〜２．０μｍの範囲内であり、０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが好ましい。また、シード層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法等を挙げることができる。
【００４６】
また、本発明においては、シード層４および第二絶縁層２ｂの間に、第二導体層３ｂの材料が第二絶縁層２ｂに拡散することを抑制する拡散防止層５が形成されていても良い。拡散防止層５は、通常、金属薄膜層であり、例えばＣｒを含む金属薄膜層であることが好ましい。拡散防止層５の厚さは、例えば１．０ｎｍ〜５．０μｍの範囲内であり、５．０ｎｍ〜２．０μｍの範囲内であることが好ましい。また、拡散防止層５の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法等を挙げることができる。なお、本発明においては、第一絶縁層２ａおよび第一導体層３ａの間に、シード層および拡散防止層の少なくとも一方が形成されていても良い。
【００４７】
本発明においては、後述する図９、図１０に示すように、配線形成部１３が、第一絶縁層２ａ上に形成された一または二以上の下部導体層１０３ｂを有することが好ましい。下部導体層１０３ｂは、通常、第一導体層３ａと同一平面上に形成される層である。また、下部導体層１０３ｂの材料および寸法（厚さおよび線幅）は、上述した第一導体層３ａと同様である。さらに、下部導体層は、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）による配線めっき層が形成されていても良い。
【００４８】
２．端子形成部
次に、本発明における端子形成部について説明する。本発明における端子形成部は第一導体層を有する。さらに、端子形成部において、第一導体層上に第三導体層が形成される。
【００４９】
本発明において、第三導体層は、通常、第一導体層を補強する層である。中でも、本発明においては、第三導体層が、第二導体層と同一の材料からなる層であることが好ましい。この場合、さらに、第三導体層は第二導体層と同時に形成されたものであることが好ましい。第二導体層の形成と同時に、第三導体層を形成することで、端子形成部における第一導体層の機械的強度を容易に向上させることができるからである。なお、この場合の第三導体層は、通常、第二導体層とは断線しており、電気的に接続されていない層である。
【００５０】
図６は、本発明における端子形成部の一例を示す概略断面図である。図６に示される端子形成部１２は第一導体層３ａを有し、さらに、第一導体層３ａ上に第三導体層１０３が形成されている。さらに、図６に示される端子形成部１２は、第一導体層３ａおよび第三導体層１０３の間に、シード層４、拡散防止層５および密着性向上層８を有する。また、第一導体層３ａおよび第三導体層１０３の露出表面には、それぞれ配線めっき層７が形成されている。
【００５１】
なお、第三導体層１０３の厚さは、特に限定されるものではないが、第二導体層３ｂを形成する工程で、同時に第三導体層１０３を形成する場合は、通常、第二導体層３ｂの厚さと同じになる。
【００５２】
密着性向上層８は、主に、第一導体層３ａおよび第三導体層１０３の密着性を向上させる層である。両者の密着性を向上させることで、接続信頼性に優れた端子形成部とすることができる。また、密着性向上層８を構成する金属として、第一導体層３ａを構成する金属よりも硬度および／または引張り強度の高いものを用いることで、端子形成部１２の機械的強度をさらに向上させることができる。さらに、後述するように、密着性向上層８は、エッチング液による第一導体層３ａの劣化を防止することもできる。密着性向上層８は、通常、金属めっき層であり、具体的には、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｕからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含む金属めっき層を挙げることができ、中でもＮｉめっき層であることが好ましい。安価であり、充分な密着性を発揮することができるからである。密着性向上層８の形成方法としては、例えば電解めっき法および無電解めっき法等を挙げることができ、中でも電解めっき法が好ましい。また、密着性向上層８の厚さとしては、例えば、０．０５μｍ〜５．０μｍの範囲内、中でも０．１μｍ〜２．０μｍの範囲内であることが好ましい。密着性向上層８の厚さが小さすぎると、充分な密着性を発揮できない可能性があり、密着性向上層８の厚さが大きすぎると、電気特性が悪くなる可能性があるからである。なお、電気特性が悪くなる理由は、密着性向上層８は、通常、第一導体層３ａよりも導電性が劣るためである。
【００５３】
また、端子形成部１２における第一導体層３ａおよび第三導体層１０３の形状は特に限定されるものではない。その形状の一例としては、上述した図２に示すように、リード状を挙げることができる。また、本発明においては、例えば図７（ａ）、（ｂ）に示すように、開口部１５の端部に、第一導体層３ａおよび第三導体層１０３が形成されていても良い。なお、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ｂ）の端子形成部１２における第一導体層３ａの長さＸは、特に限定されるものではないが、例えば１０μｍ〜１.５ｍｍの範囲内、中でも３０μｍ〜１．０ｍｍの範囲内である。また、開口部１５の平面視形状は、例えば、鍵穴状、円状、楕円状、矩形状等を挙げることができる。なお、図７に示される端子形成部１２は、第一導体層３ａ用の端子形成部であるため、通常は、第二導体層３ｂ用の端子形成部を別途設ける必要がある。一方、上述した図２に示される端子形成部１２は、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂの共同の端子形成部である。本発明においては、第一導体層３ａを有する端子形成部１２において、第三導体層１０３が形成される。
【００５４】
本発明においては、端子形成部１２の第一導体層３ａ上に第三導体層１０３を形成するが、上述したように、第二導体層３ｂを形成すると同時に第三導体層１０３を形成することが好ましい。さらにこの場合、端子形成部１２における第二導体層３ｂを形成する部分に、第一導体層と同一の材料からなり、上記第一導体層とは電気的に接続されていない第四導体層を設けておくことが好ましい。端子形成部１２における第一導体層３ａのみならず、端子形成部１２における第二導体層３ｂの機械的強度も容易に向上させることができるからである。具体的には、図８に示すように、端子形成部１２における第二導体層３ｂを形成する部分に、第四導体層１０３ａを設けておくことが好ましい。なお、第四導体層１０３ａは、例えば第一導体層の形成と同時に形成することができる。
【００５５】
さらに、端子形成部１２を形成する際、通常は、端子形成部１２の下に位置する第一絶縁層２ａの除去を行う。第一絶縁層２ａの除去により、図８においては、第一導体層３ａおよび第四導体層１０３ａの裏面が露出し、これらの露出面には、拡散防止層やシード層が残留する場合がある。例えば第一導体層３ａおよび第四導体層１０３ａの形成を同時に行う場合、第一導体層３ａおよび第四導体層１０３ａには、同一の拡散防止層やシード層が残留する場合がある。これらの層は、配線めっき層（図示せず）の密着性を低下させる要因となることから、エッチングにより除去することが好ましい。一方、図２においては、端子形成部１２の下に位置する第一絶縁層２ａを除去すると、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂの裏面が露出する。この場合、第一導体層３ａ側のみならず、第二導体層３ｂ側の拡散防止層等についても、配線めっき層（図示せず）の密着性を低下させる要因となることから、エッチングにより除去することが好ましい。
【００５６】
また、本発明においては、図９に示すように、端子形成部１２が下部導体層１０３ｂを有し、端子形成部１２において、下部導体層１０３ｂ上に第三導体層１０３が形成されていることが好ましい。下部導体層１０３ｂの機械的強度を容易に向上させることができるからである。なお、図９は、下部導体層１０３ｂをグランド配線として用いた場合を示している。また、本発明においては、下部導体層１０３ｂをライト配線またはリード配線として用いることもできる。図１０に示される端子形成部１２では、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂからなるライト配線３ｘと、２つの下部導体層１０３ｂからなるリード配線３ｙとが形成されている。また、下部導体層１０３ｂおよび第三導体層１０３の間には、上述したシード層、拡散防止層および密着性向上層の少なくとも一つが形成されていても良い。
【００５７】
本発明においては、上述した図３に示すように、第三導体層１０３が、中間部１４における第二絶縁層２ｂの表面に接触するように形成されていることが好ましい。端子形成部１２における第一導体層３ａの機械的強度をさらに向上させることができるからである。なお、本発明においては、図１１（ａ）に示すように、端子形成部１２のみに第三導体層１０３が形成されていても良い。また、図１１（ｂ）に示すように、第三導体層１０３は、第二絶縁層２ｂ（およびカバー層６）に対して、落ち込み部Ａを形成するように設けられていても良い。例えば、半田ボールにより接続を行う場合、溶融した半田が落ち込み部Ａに流れることによって固定化され、接続信頼性の向上を図ることができるからである。
【００５８】
さらに、本発明においては、端子形成部１２における第三導体層１０３に、半田との接着面積を増加させる処理がなされていることが好ましい。接続信頼性の向上を図ることができるからである。このような処理を行った第三導体層１０３としては、例えば、表面に凹凸部を有するもの、第三導体層を貫通する貫通部を有するもの等を挙げることができる。貫通部を有する第三導体層としては、例えば図１２に記載するように、貫通部Ａを有し、柱状に加工された第三導体層１０３を挙げることができる。なお、柱状の第三導体層１０３の平面視形状は特に限定されるものではなく、例えば円状、楕円状、矩形状等を挙げることができる。また、貫通部を有する第三導体層の他の例として、半田が流れる流路となる貫通部を有するもの等を挙げることができる。
【００５９】
３．中間部
次に、本発明における中間部について説明する。本発明における中間部は、上述した配線形成部および端子形成部の間に、連続的に形成される部分である。また、本発明における中間部では、通常、第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂが、それぞれ端子形成部に向かうために分岐している。
【００６０】
４．配線回路基板
本発明の配線回路基板は、可撓性を有するフレキシブルプリント基板であることが好ましい。さらに、フレキシブルプリント基板の中でも、本発明の配線回路基板は、サスペンション用基板、またはサスペンション用基板に接続される中継基板であることが好ましい。ハードディスクドライブの部品として有用だからである。
【００６１】
また、本発明の配線回路基板は、端子形成部において、第一導体層上に、第三導体層が形成されていることを特徴の一つとする。例えば本発明の配線回路基板がサスペンション用基板である場合、リード配線およびライト配線の少なくとも一方で、上記第三導体層が形成されていれば良く、リード配線およびライト配線の両方で、上記第三導体層が形成されていることが好ましい。より接続信頼性に優れたサスペンション用基板とすることができるからである。
【００６２】
また、本発明の配線回路基板がサスペンション用基板である場合、上述した図１に示すように、一方の先端部分に、磁気ヘッドスライダ等を搭載するジンバル部１１を有する。図１３は、本発明におけるジンバル部の一例を説明する説明図である。図１３（ａ）はジンバル部の概略平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図１３（ａ）に示すように、ジンバル部１１の端部には、ライト配線３ｘを構成する第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂと、リード配線３ｙを構成する第一導体層３ａおよび第二導体層３ｂとが配置されている。また、図１３（ｂ）に示すように、第二導体層３ｂは、ジンバル１１の手前で、第一絶縁層２ａの形成面に向かって折れ曲がる折れ曲がり部１６を有し、第一絶縁層２ａの表面に沿って、ジンバル部１１に至る。一方、図１３（ｃ）に示すように、第一導体層３ａは折れ曲がり部を有さず、そのまま第一絶縁層２ａの表面に沿って、ジンバル部に至る。
【００６３】
５．配線回路基板の製造方法
次に、本発明の配線回路基板の製造方法について説明する。本発明の配線回路基板の製造方法は、上述した配線回路基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。
【００６４】
図１４は、本発明の配線回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１４に示される配線回路基板の製造方法においては、まず、金属基板１Ａ（例えばステンレススティール）、第一絶縁層２Ａ（例えばポリイミド）および第一導体層３Ａ（例えば銅）がこの順に積層された積層体を用意する（図１４（ａ））。次に、第一導体層３Ａの表面にドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、レジストパターンを形成し、同様に、金属基板１Ａの表面にもレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する第一導体層３Ａおよび金属基板１Ａをウェットエッチングし、エッチング後にレジストパターンを剥離することにより、第一導体層３ａおよび金属基板１を形成する（図１４（ｂ））。なお、図１４（ｂ）には、第一導体層３Ａのエッチングされる状況が示されていないが、図示しない箇所の加工を行っている。
【００６５】
その後、第一導体層３ａの表面上に、ポリイミドを塗布、加工することによって第二絶縁層２ｂを形成する（図１４（ｃ））。次に、第二絶縁層２ｂおよび第一導体層３ａの表面上に、スパッタリング法により拡散防止層５（例えばＣｒ薄膜層）を全面形成する（図１４（ｄ））。次に、拡散防止層５の表面上に、スパッタリング法によりシード層４（例えばＣｕ薄膜層）を全面形成する（図１４（ｅ））。
【００６６】
その後、シード層４の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、レジストパターンを形成し、電解めっきを行うことにより、第三導体層１０３（例えば電解Ｃｕ層）を形成する（図１４（ｆ））。この際、第二導体層３ｂを同時に形成しても良い。次に、レジストパターンを剥離し、第三導体層１０３および第二導体層３ｂが形成されていない部分の不要なシード層４および拡散防止層５を、ウェットエッチングにより除去する（図１４（ｇ））。次に、第三導体層１０３および第二導体層３ｂが形成されている側の基板表面に、ポリイミドを塗布、加工することによってカバー層６を形成する（図１４（ｈ））。次に、端子形成部１２を形成する部分の第一絶縁層２Ａをウェットエッチングにより除去し、第一絶縁層２ａを得る（図１４（ｉ））。最後に、端子形成部１２において露出する第一導体層３ａおよび第三導体層１０３の表面に、ＮｉめっきおよびＡｕめっきを行うことにより、配線めっき層７を形成し、本発明の配線回路基板を得る。
【００６７】
図１５は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。具体的には、上述した密着性向上層を有する配線回路基板を製造する方法を示すものである。図１５に示される配線回路基板の製造方法においては、図１５（ｄ）において、第二絶縁層２ｂから露出する第一導体層３ａの表面上に、密着性向上層８を設けたこと以外は、図１４に記載した配線回路基板の製造方法と同様である。具体的には、第一導体層３ａを給電層として電解めっきを行うことにより、密着性向上層８（例えばＮｉめっき層）を形成することができる。このような密着性向上層８を設けることにより、第一導体層３ａと第三導体層１０３との密着性を向上でき、機械的強度の向上を図ることができる。
【００６８】
また、このような密着性向上層８を設けることにより、以下のような利点もある。すなわち、図１５（ｇ）に示すように、電解めっきにより第三導体層１０３を形成する際に、レジストパターンの位置精度の関係で、第一導体層３ａの表面上に、第三導体層１０３が形成されない領域Ａが生じる場合がある。その後、不要なシード層４および拡散防止層５をウェットエッチングにより除去する際に、密着性向上層８が存在しないと、上述した図１４（ｇ）のように、第一導体層３ａの一部が露出し、その露出部分が、ウェットエッチングに用いられるエッチング液によって劣化してしまうという可能性がある。これに対して、図１５（ｈ）に示すように、密着性向上層８が第一導体層３ａの表面上に存在していれば、エッチング液による劣化を防止することができる。
【００６９】
図１６は、本発明の配線回路基板の製造方法のさらに他の例を示す概略断面図である。具体的には、密着性向上層の形成方法の他の例を示すものである。上述した図１５では、図１５（ｄ）に示すように、第二絶縁層２ｂを形成した後に密着性向上層８を形成したが、図１６では、図１６（ｃ）に示すように、第一導体層３ａの形成後であって、第二絶縁層２ｂの形成前に、密着性向上層８を形成することができる。図１６における密着性向上層８の形成方法は、図１５における密着性向上層８の形成方法に比べて、端子形成部以外の領域にも金属めっき層（密着性向上層）を形成するため、端子形成部以外の領域に、第一導体層３ａから第二絶縁層２ｂへの金属粒子の拡散を防止するバリア性を付与でき、密着力の低下を防げるという利点を有する。なお、この場合は、端子形成部１２のみならず、上述した配線形成部１３および中間部１４においても、密着性向上層８が形成されることになる。
【００７０】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述した配線回路基板を含むことを特徴とするものである。
【００７１】
図１７は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１７に示されるサスペンション４０は、上述した配線回路基板２０と、ジンバル部１１が形成されている表面とは反対側の配線回路基板２０の表面に備え付けられたロードビーム３０とを有するものである。
【００７２】
本発明によれば、上述した配線回路基板を用いることで、耐久性に優れたサスペンションとすることができる。
【００７３】
本発明のサスペンションは、少なくとも配線回路基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。配線回路基板については、上記「Ａ．配線回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【００７４】
Ｃ．ヘッド付サスペンション
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
【００７５】
図１８は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１８に示されるヘッド付サスペンション５０は、上述したサスペンション４０と、サスペンション４０のジンバル部１１に実装された磁気ヘッドスライダ４１とを有するものである。
【００７６】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、耐久性に優れたヘッド付サスペンションとすることができる。
【００７７】
本発明のヘッド付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび磁気ヘッドスライダを有するものである。サスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダは、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。
【００７８】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００７９】
図１９は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１９に示されるハードディスクドライブ６０は、上述したヘッド付サスペンション５０と、ヘッド付サスペンション５０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク６１と、ディスク６１を回転させるスピンドルモータ６２と、ヘッド付サスペンション５０に接続されたアーム６３と、ヘッド付サスペンション５０の磁気ヘッドスライダを移動させるボイスコイルモータ６４と、上記の部材を密閉するケース６５とを有するものである。
【００８０】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、耐久性に優れたハードディスクドライブとすることができる。
【００８１】
本発明のハードディスクドライブは、少なくともヘッド付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。ヘッド付サスペンションについては、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００８２】
Ｅ．配線回路基板の製造方法
次に、本発明の配線回路基板の製造方法について説明する。本発明の配線回路基板の製造方法は、上述した配線回路基板の製造方法であって、上記端子形成部が形成される位置に、少なくとも上記第一導体層を有する処理用部材を準備する準備工程と、上記処理用部材に対して、めっき法により、上記第三導体層を形成する第三導体層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００８３】
本発明によれば、上記処理用部材の第一導体層上に、第三導体層を形成することにより、端子形成部における導体層（特に第一導体層）の機械的強度に優れた配線回路基板を得ることができる。
【００８４】
本発明における準備工程は、上記処理用部材を準備する工程である。処理用部材は、通常、第三導体層を形成する前の部材である。このような処理用部材としては、例えば、上述した図１４（ｅ）に示す部材、および図１５（ｆ）に示す部材などを挙げることができる。中でも、本発明においては、図１５（ｆ）に示すように、処理用部材が、端子形成部が形成される位置の第一導体層３ａの表面上に、金属めっきからなる密着性向上層８を有することが好ましい。第一導体層および第三導体層の密着性が向上し、接続信頼性に優れた端子形成部を得ることができるからである。なお、処理用部材の製造方法は、所望の処理用部材を得ることができる方法であれば特に限定されるものではなく、図１４（ａ）のような積層体（三層材）を出発材料として用いる方法であっても良く、その他の方法であっても良い。
【００８５】
また、本発明における第三導体層形成工程は、上記処理用部材に対して、めっき法により、上記第三導体層を形成する工程である。第三導体層の形成方法については、上述した「Ａ．配線回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００８６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８７】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００８８】
［実施例１］
まず、図１４（ａ）に示す積層材を用意した。ここで、金属基板１Ａは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、第一絶縁層２Ａは厚さ１０μｍのポリイミドであり、第一導体層３Ａは厚さ５μｍの電解Ｃｕであった。次に、図１４（ｂ）に示すように、積層材のエッチングを行い、図１４（ｃ）に示すように、第二絶縁層２ｂ（ポリイミド、厚さ１０μｍ）を形成した。次に、図１４（ｄ）、（ｅ）に示すように、スパッタリング法により、拡散防止層５（Ｃｒ薄膜層、厚さ０．０６μｍ）およびシード層４（Ｃｕ薄膜層、厚さ０．３μｍ）を全面形成した。
【００８９】
その後、シード層４の表面に所定のレジストパターンを作製し、図１４（ｆ）に示すように、電解銅めっきにより、第三導体層１０３（厚さ５μｍ）を形成した。次に、レジストパターンを剥離し、図１４（ｇ）に示すように、不要なシード層４および拡散防止層５をウェットエッチングにより除去し、図１４（ｈ）に示すように、カバー層６（ポリイミド、厚さ５μｍ）を形成し、図１４（ｉ）に示すように、端子形成部１２を形成する位置の第一絶縁層２Ａをウェットエッチングにより除去した。次に、ウェットエッチングにより露出した第一導体層３ａの表面に残留するシード層や拡散層防止層をエッチングにより除去した。最後に、図１４（ｊ）に示すように、端子形成部１２において露出する第一導体層３ａ、および第一導体層３ａを給電層とした第三導体層１０３の表面に、Ｎｉめっき（厚さ０．２μｍ）およびＡｕめっき（厚さ２．５μｍ）を行うことにより、配線めっき層７を形成し、配線回路基板を得た。
【００９０】
［実施例２］
図１５（ｄ）に示すように、第二絶縁層２ｂの形成後であって、拡散防止層５の形成前に、電解Ｎｉめっきにより第一導体層３ａの表面上に、密着性向上層８（厚さ０．２μｍ）を形成したこと以外は実施例１と同様にして、配線回路基板を得た。
【００９１】
［評価］
実施例１、２で得られた配線回路基板２０の端子形成部１２に対して、テープピール試験を実施した。使用したテープ（寺岡製作所製）は、厚さ０．０８５ｍｍ、粘着力１７．１６Ｎ（ｇｆ）／２５ｍｍであった。このテープを、端子形成部１２の第三導体層１０３側の表面に貼着し、その後テープを剥離した。この際、剥離したテープの表面に、第三導体層１０３が残留していない場合を密着性良好と判断し、第三導体層１０３が残留している場合を密着性不良と判断した。
【００９２】
その結果、実施例１では、１００個のサンプルに対して９５個が密着性良好であり、実施例２では、１００個のサンプルに対して、１００個が密着性良好であった。以上のことから、密着性向上層を設けることにより、第一導体層および第三導体層の密着性を向上させることができることが確認された。
【符号の説明】
【００９３】
１…金属基板、１Ａ…（加工前の）金属基板、２ａ…第一絶縁層、２ｂ…第二絶縁層、２Ａ…（加工前の）第一絶縁層、３ｘ…ライト配線、３ｙ…リード配線、３ａ…第一導体層、３ｂ…第二導体層、３Ａ…（加工前の）第一導体層、４…シード層、５…拡散防止層、６…カバー層、７…配線めっき層、８…密着性向上層、１１…ジンバル部、１２…端子形成部、１３…配線形成部、１４…中間部、１５…開口部、１６…折れ曲がり部、２０…配線回路基板、３０…ロードビーム、４０…サスペンション、４１…磁気ヘッドスライダ、５０…ヘッド付サスペンション、６０…ハードディスクドライブ、６１…ディスク、６２…スピンドルモータ、６３…アーム、６４…ボイスコイルモータ、６５…ケース、１０３…第三導体層、１０３ａ…第四導体層、１０３ｂ…下部導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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