(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力ピン、インダクタンスピン及びフィードバックピンを有する直流／直流コンバータチップを有する、電力増幅器の電力供給回路であって、前記入力ピンは電源に接続され、前記インダクタンスピンはＬＣストレージ回路を介して前記電力増幅器の電圧入力端子に接続され、前記電力増幅器の前記電圧入力端子と前記フィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、
前記制御回路は制御電圧を有し、前記制御回路を介して、前記制御電圧により前記電力増幅器の前記電圧入力端子における電圧を調整し、前記制御電圧は可変であり、
前記制御電圧、前記電力増幅器の電力レーティング及び前記電力増幅器のワーキング周波数ポイントの間に対応関係が存在し、
前記制御電圧は可変であり、
前記制御電圧は前記電力増幅器の前記電力レーティング及びワーキング周波数ポイントの変化に応じて変化する、電力増幅器の電力供給回路。
【請求項２】
前記制御回路が差動増幅回路を有し、前記差動増幅回路が演算増幅器を有し、
前記演算増幅器の非反転入力端子が第１の抵抗器を介して前記電力増幅器の前記電圧入力端子に接続され、前記非反転入力端子が第２の抵抗器を介して接地され、
前記制御電圧が第３の抵抗器を介して前記演算増幅器の反転入力端子に印加され、前記反転入力端子が第４の抵抗器を介して前記演算増幅器の出力端子にフィードバックループを形成するように接続され、
前記演算増幅器の前記出力端子は前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続される、請求項１に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項３】
前記演算増幅器の前記出力端子が抵抗器を介して前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、前記フィードバックピンが抵抗器を介して接地されている、請求項２に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項４】
前記第１の抵抗器の抵抗値が前記第３の抵抗器の抵抗値に等しく、前記第２の抵抗器の抵抗値が前記第４の抵抗器の抵抗値に等しい、請求項２又は３に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項５】
前記制御回路がｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタを有し、
前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのソース電極が前記電力増幅器の前記電圧入力端子に接続され、
前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのドレイン電極が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタの前記ドレイン電極が抵抗器を介して接地され、
前記制御電圧が、前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのゲート電極に印加される、請求項１に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項６】
前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタの前記ソース電極が抵抗器を介して前記電力増幅器の前記電圧入力端子に接続され、前記電圧入力端子が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続される、請求項５に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項７】
前記制御回路がｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタを有し、
前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのソース電極が接地され、
前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのドレイン電極が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、
前記制御電圧が、前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのゲート電極に印加され、
前記電力増幅器の前記電圧入力端子が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続される、請求項１に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項８】
前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタの前記ドレイン電極が抵抗器を介して前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、前記フィードバックピンが抵抗器を介して接地される、請求項７に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項９】
前記ＬＣストレージ回路がインダクタンス及びキャパシタを有し、
前記インダクタンスは前記直流／直流コンバータチップの前記インダクタンスピンと前記電力増幅器の前記電圧入力端子とに接続され、前記電力増幅器の前記電圧入力端子は前記キャパシタを介して接地される、請求項１−８の何れか１項に記載の電力増幅器の電力供給回路。
【請求項１０】
ベースバンド処理部と、電力増幅器と、前記電力増幅器の電力供給回路とを有する端末であって、
前記電力増幅器の電力供給回路は直流／直流コンバータチップを有し、前記直流／直流コンバータチップは、入力ピン、インダクタンスピン及びフィードバックピンを有し、前記入力ピンは電源に接続され、前記インダクタンスピンはＬＣストレージ回路を介して前記電力増幅器の電圧入力端子に接続され、前記電力増幅器の前記電圧入力端子と前記フィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、前記制御回路は制御電圧を有し、
前記ベースバンド処理部は前記制御電圧を調整し、前記制御回路を介して前記制御電圧により前記電力増幅器の前記電圧入力端子における電圧を調整し、
前記制御電圧、前記電力増幅器の電力レーティング及び前記電力増幅器のワーキング周波数ポイントの間に対応関係が存在し、
前記制御電圧を調整する際に、前記電力増幅器の前記電力レーティング及びワーキング周波数ポイントの変化に応じて前記制御電圧を調整する、端末。
【請求項１１】
前記ベースバンド処理部がベースバンドプロセッサチップ及びディジタルアナログ変換器を有し、前記ベースバンド処理部が前記制御電圧を調整する際に、前記ベースバンドプロセッサチップは前記ディジタルアナログ変換器を介して前記制御電圧を調整する、又は
前記ベースバンド処理部がベースバンドプロセッサチップ及び電力管理集積回路を有し、前記ベースバンド処理部が前記制御電圧を調整する際に、前記ベースバンド処理部が前記電力管理集積回路の低ドロップアウト線形レギュレータを介して前記制御電圧を調整する、請求項１０に記載の端末。
【請求項１２】
前記制御回路が差動増幅回路を有し、前記差動増幅回路が演算増幅器を有し、
前記演算増幅器の非反転入力端子が第１の抵抗器を介して前記電力増幅器の前記電圧入力端子に接続され、前記非反転入力端子が第２の抵抗器を介して接地され、
前記制御電圧が第３の抵抗器を介して前記演算増幅器の反転入力端子に印加され、前記反転入力端子が第４の抵抗器を介して前記演算増幅器の出力端子にフィードバックループを形成するように接続され、
前記演算増幅器の前記出力端子は前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続される、請求項１０又は１１に記載の端末。
【請求項１３】
前記演算増幅器の前記出力端子が抵抗器を介して前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、前記フィードバックピンが抵抗器を介して接地されている、請求項１２に記載の端末。
【請求項１４】
前記制御回路がｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタを有し、
前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのソース電極が前記電力増幅器の前記電圧入力端子に接続され、
前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのドレイン電極が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタの前記ドレイン電極が抵抗器を介して接地され、
前記制御電圧が、前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのゲート電極に印加される、請求項１０又は１１に記載の端末。
【請求項１５】
前記ｐチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタの前記ソース電極が抵抗器を介して前記電力増幅器の前記電圧入力端子に接続され、前記電圧入力端子が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続される、請求項１４に記載の端末。
【請求項１６】
前記制御回路がｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタを有し、
前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのソース電極が接地され、
前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのドレイン電極が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、
前記制御電圧が、前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタのゲート電極に印加され、
前記電力増幅器の前記電圧入力端子が前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続される、請求項１０又は１１に記載の端末。
【請求項１７】
前記ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタの前記ドレイン電極が抵抗器を介して前記直流／直流コンバータチップの前記フィードバックピンに接続され、前記フィードバックピンが抵抗器を介して接地される、請求項１６に記載の端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に通信の技術分野に関連し、特に電力増幅器の電力供給回路及び端末等に関連する。
【背景技術】
【０００２】
移動通信技術の急速な進歩と共に、益々多くのユーザが通信に無線データサービスを利用している。現時点において無線データサービスを利用できる(サポートする)端末は、無線データカード及び移動電話機を主に含んでいる。
【０００３】
端末が送信する信号のアップリンク送信プロセスにおいて、無線周波数信号は電力増幅器(Power  Amplifier：PA)により増幅され、増幅された無線周波数信号がアンテナから空中に送信される。PAは、端末のアップリンク送信プロセスにおいて主に電力を消費する要素である。PAの効率が低かった場合、装置全体による消費電力は大きくなる。以下に説明するように、従来、2種類の端末の電力供給回路が導入されている。
【０００４】
図1に示されているように、移動電話機のようなバッテリにより給電される端末のPAの電力供給回路では、VBATが出力電圧であり、その電圧は3.7V〜4.2Vの範囲内で安定しており、その電圧はPAの電源電圧として使用される。
【０００５】
図2に示されているように、無線データカード内のPAに一般的に使用されている電力供給回路の場合、U1は直流/直流コンバータチップ(すなわち、DC/DC切替電源チップ)である。VINは無線データカードのワーキング電源であり、その電源は一般的に使用される周辺インターフェースを通じてポータブルコンピュータによって供給され、周辺インターフェースは、例えば、ユニバーサルシリアルバス(USB)インターフェース、パーソナルコンピュータメモリカード国際協会(PCMCIA)インターフェース又はエクスプレスカード(ExpressCard)インターフェース等である。VOUT＝(1＋R1/R2)・VFBはPAの電源電圧であり、VFBはDC/DC切替電源チップのフィードバックリファレンス値であり、その値は固定値である。明らかに、R1及びR2が固定されていれば、PAの電源電圧VOUTも固定値になる。
【０００６】
従来技術の場合、PAの電源電圧は一定である。しかしながら、実際のアプリケーションでは、PAに必要な出力電力は端末のネットワーク状態の変動と共に変化する。装置全体が無線周波数インデックス(index)を満足するという条件の下で、PAに必要な出力電力が減少した場合、PAの電源電圧も減少してしまうことが、PAの性質から分かる。この場合、PAの実際の電源供給電圧がPAに必要な出力電圧に近づけば近づくほど、PAの効率は高くなる。更に、PAは所定の分散した素子(discreteness)を有し、装置全体が無線周波数インデックスを満たすという条件の場合、PAに必要な電源電圧は一定していない。しかしながら、従来技術の場合、PAの電源電圧は一定値であり、必要な電源電圧の変動に従って変化することはできず、従ってPAの効率が低くなり、装置全体の電力消費量が増えてしまうという問題を招いてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
開示される発明の課題は、装置全体の電力消費量が増えてしまうという従来の問題を少なくとも緩和することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示される発明による電力供給回路は、
入力ピン、インダクタンスピン及びフィードバックピンを有する直流/直流コンバータチップを有する、電力増幅器の電力供給回路であって、前記入力ピンは電源に接続され、前記インダクタンスピンはLCストレージ回路を介して前記電力増幅器の電圧入力端子に接続され、前記電力増幅器の前記電圧入力端子と前記フィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、
前記制御回路は制御電圧を有し、前記制御回路を介して、前記制御電圧により前記電力増幅器の前記電圧入力端子における電圧を調整し、前記制御電圧は可変である、電力供給回路である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来技術による電力増幅器の電力供給回路を示す回路図。
【図２】従来技術による電力増幅器の別の電力供給回路を示す回路図。
【図３】本発明の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路を示す概略的な回路図。
【図４】制御電圧を調整する方法を示すフローチャート。
【図５】本発明の第1の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路の回路図。
【図６】本発明の第1の実施の形態による電力増幅器の別の電力供給回路の回路図。
【図７】本発明の第2の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路の回路図。
【図８】本発明の第2の実施の形態による電力増幅器の別の電力供給回路の回路図。
【図９】本発明の第3の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路の回路図。
【図１０】本発明の第3の実施の形態による電力増幅器の別の電力供給回路の回路図。
【図１１】本発明の実施の形態による端末の概略的な構造を示す図。
【図１２】図11に示すベースバンド処理部の概略的な構造を示す図。
【図１３】図11に示すベースバンド処理部の概略的な構造を示す図。
【図１４】図4に示す方法を使用する調整システムの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜発明の概要＞
本発明の実施の形態は、電力増幅器の電力供給回路を提供しかつ端末を提供し、端末の電力増幅器の効率を改善し、端末の電力消費量を減らす。
【００１１】
上記の課題を達成するため、本発明の実施の形態により以下の技術的な解決手段が使用される。
【００１２】
実施の形態による電力供給回路は、
入力ピン、インダクタンスピン及びフィードバックピンを有する直流/直流コンバータチップを有する、電力増幅器の電力供給回路であって、前記入力ピンは電源に接続され、前記インダクタンスピンはLCストレージ回路を介して前記電力増幅器の電圧入力端子に接続され、前記電力増幅器の前記電圧入力端子と前記フィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、
前記制御回路は、前記電力増幅器の前記電圧入力端子における電圧を該制御回路により調整する制御電圧を有し、前記制御電圧は可変である、電力供給回路である。
【００１３】
実施の形態による端末は、
ベースバンド処理部と、電力増幅器と、前記電力増幅器の電力供給回路とを有する端末であって、
前記電力増幅器の電力供給回路は直流/直流コンバータチップを有し、前記直流/直流コンバータチップは、入力ピン、インダクタンスピン及びフィードバックピンを有し、前記入力ピンは電源に接続され、前記インダクタンスピンはLCストレージ回路を介して前記電力増幅器の電圧入力端子に接続され、前記電力増幅器の前記電圧入力端子と前記フィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、前記制御回路は制御電圧を有し、
前記ベースバンド処理部は前記制御電圧を調整し、前記制御回路を介して前記制御電圧により前記電力増幅器の前記電圧入力端子における電圧を調整する、端末である。
【００１４】
本発明の実施の形態により提供される端末及び電力増幅器の電力供給回路によれば、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が追加され、可変制御電圧が制御回路に導入される。制御電圧は、電力増幅器の電圧入力端子の電圧を制御回路を通じて調整し、電力増幅器の電圧入力端子における電圧が実際の状態に応じて変化するようにする。これにより、電力増幅器の効率が改善され、端末の電力損失も減少する。
【００１５】
＜詳細な説明＞
本発明の実施の形態又は従来技術における技術的な手段をよりいっそう明らかにするため、本発明の実施の形態又は従来技術を説明するために使用される添付図面の簡単な説明が、「図面の簡単な説明」の欄に記載されている。明らかに、添付図面は本発明の実施の形態の一部を示しているにすぎず、当業者はそれらの添付図面から創作能力を発揮することなく他の図面の形態を導出できる。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を示す添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態による技術的な解決手段を明確かつ十分に説明する。明らかに、実施の形態は本発明の全ての実施の形態の内の一部を示すにすぎない。如何なる創作能力も発揮することなく当業者が導出できる他の実施の形態も本発明の保護範囲内に含まれる。
【００１７】
電力増幅器の効率を改善するため、本発明の実施の形態は電力増幅器の電源供給回路を使用する。図3に示されているように、電力供給回路は直流/直流コンバータチップ(すなわち、DC/DC切替電源チップ)を含む。直流/直流コンバータチップは、入力ピンIN、インダクタンスピンLX及びフィードバックピンFBを有する。入力ピンINは電力供給部VINに接続され、インダクタンスピンLXはLCストレージ回路を介して電力増幅器PAの電源入力端子に接続されている。電力増幅器PAの電圧入力端子及びフィードバックピンFBの間に制御回路が接続されている。
【００１８】
制御回路は制御電圧Vcを有し、制御電圧Vcは、制御回路を通じて、電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧VOUTを調整し、制御電圧Vcは可変である。
【００１９】
本発明の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路は、電力増幅器の電圧入力端子とDC/DC切替電源チップのフィードバックピンとの間に追加され、可変制御電圧が制御回路に与えられる。制御電圧は、制御回路を通じて、電力増幅器の電圧入力端子における電圧を調整し、PAの電圧入力端子における電圧が実際の状況に応じて変化するようにする。すなわち、電力増幅器が、通常的に動作するために電圧入力端子に比較的小さな値の電圧しか必要としない場合、制御電圧は、制御回路により、電力増幅器の電圧入力端子における電圧を比較的小さな値に調整する。このようにしてPAの効率が改善される。
【００２０】
電力増幅器の上記の電力供給回路は端末に設けられてもよい。
【００２１】
更に、電力増幅器の電源供給回路において、制御電圧Vcと、電力増幅器PAの電力レーティング(Power  Rating)(等級付け又は格付けされた電力値)と、電力増幅器PAのワーキング周波数点との間に或る対応関係が存在する。具体的には、それは以下の表1に示されている。
【表１】
0005519031.tif 000002
【００２２】
電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントは、電力増幅器に入力される無線周波数を分割することで得られるn個の周波数ポイント(n個の周波数)であり(n≧1)、m個の電力レーティングがワーキング周波数ポイント各々に対して設定される。電力レーティングは電力増幅器の出力電力値に従って分けられてもよい。電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントの所定の電力レーティングは、電力増幅器PAの状態として言及される。PAの上記の電力供給回路を含む端末が通常的に動作している場合、PAのワーキング周波数ポイント及び/又はPAの電力レーティングは実際の時間と共に変化する。表1は、各々の状態について、電力増幅器PAに対応する制御電圧Vcの値を記録している。すなわち、電力増幅器PAの電力レーティングの変化及び/又は電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントの変化に応じて、制御電圧Vcが変化する。更に、制御電圧Vcは、制御回路により、電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧VOUTを調整し、PAの電圧入力端子における電圧VOUTが、電力増幅器PAの電力レーティングの変化及び/又は電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントの変化に応じて変化するようにする。この形態において、端末(装置全体)が無線周波数インデックスを満たす状況の場合、電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧VOUTが小さいほど好ましい。このように電力増幅器の効率が改善される。
【００２３】
ワイドバンド符号分割多重接続(WCDMA)方式の標準仕様の場合、無線周波数インデックスは、隣接チャネル漏洩比率(Adjacent  Channel  Leakage  Ratio：ACLR)、電力増幅器PAの出力電力、及び電力増幅器PAの感度を含むことに留意を要する。符号分割多重接続2000(CDMA2000)方式の標準仕様の場合、無線周波数インデックスは、隣接チャネル電力比率(Adjacent  Channel  Power  Ratio：ACPR)、電力増幅器PAの出力電力、及び電力増幅器PAの感度を含む。
【００２４】
以下、表1に列挙されている各々の状態における制御電圧Vcを如何にして決定するかを説明する。製造工程の際に、図4に示す方法がVcの値を調整するために使用されてもよく、この調整により得られたVcが表1に記録される。
【００２５】
401：PAの電力レーティングを設定する(例えば、表1におけるP1)。
【００２６】
402：その電力レーティング(P1)におけるワーキング周波数ポイントを選択する(例えば、表1におけるF1)。
【００２７】
403：その状態においてPAを動作可能にする最小のVOUTに対応するVcを選択する(例えば、表1におけるP1及びF1の状態)。
【００２８】
404：装置全体が無線周波数インデックスを満すか否かを判定する。
【００２９】
具体的には、ステップ403において、端末のPAの電力供給回路がVcを用いてVOUTの値を調整する。PAがVOUTにより給電される状態において、装置全体の無線周波数インデックスが検査され、装置がその無線周波数インデックスを満たすか否かが判定される。
【００３０】
装置が無線周波数インデックスを満たす場合、ステップ405が実行される。装置が無線周波数インデックスを満たさなかった場合、ステップ403におけるVcの値が増やされ、ステップ404が繰り返される。
【００３１】
405：条件に合致するVcの値を保存する(例えば、表1におけるV11)。
【００３２】
この段階において、その電力レーティング(P1)におけるワーキング周波数ポイント(例えば、F1)のスキャンが完了し、ステップ406が実行される。
【００３３】
406：電力レーティング(P1)における全てのワーキング周波数ポイントのスキャンは完了したか否かが判定される。
【００３４】
スキャンが完了していた場合、ステップ407が実行される。スキャンが完了していなかった場合、プロセスフローはステップ403に戻り、次の周波数ポイント(例えば、F2)に対応するVcが調整される。
【００３５】
407：電力レーティング(P1)は最後の電力レーティングであったか否か、すなわち全ての電力レーティングのスキャンは完了したか否かが判定される。
【００３６】
スキャンが完了していなかった場合、プロセスフローはステップ402に戻る。表1におけるVcの全ての値が調整されるまで、次の電力レーティング(P2)におけるワーキング周波数ポイントに対応するVcが選択され調整される。
【００３７】
Vcに関する上記の調整方法は、インストールされた調整ソフトウェアを有するコンピュータにより実行されてもよい。
【００３８】
調整時間を短くするために、調整時間が短縮されてもよい。すなわち、或る状態のみについて電力増幅器PAの対応するVcが調整され、他の状態のPAの対応するVc値については、所定の補間アルゴリズムにより、他の状態のPAのVcの最適値が取得されてもよい。
【００３９】
Vcを調整する上記の方法は様々な状態の電力増幅器PAのVcの調整を実行する特定の方法であることに留意を要する。実施の形態による調整方法は、同じ目的を達成できる限り、それに限定されない。
【００４０】
＜＜第1の実施の形態＞＞
図5に示されているように、電力増幅器の電源供給回路の具体的な実施の形態が示されている。
【００４１】
電力増幅器の電源供給回路は直流/直流コンバータチップU1を含む。DC/DCコンバータチップU1は入力ピンIN、インダクタンスピンLX及びフィードバックピンFBを含む。入力ピンINは電源VINに接続され、インダクタンスピンLXはLCストレージ回路を介して電力増幅器PAの電圧入力端子に接続されている。電力増幅器PAの電圧入力端子とフィードバックピンFBとの間に制御回路が接続されている。
【００４２】
図5において制御回路は破線枠で示されている。制御回路は制御電圧Vcを有し、制御電圧Vcは、電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧VOUTを制御回路により調整し、制御電圧Vcは可変である。具体的には、制御電圧Vcと、電力増幅器PAの電力レーティングと、電力増幅器のワーキング周波数ポイントとの間の対応関係に従って、制御電圧Vcが調整される。対応関係は表1のように記録される。
【００４３】
更に、LCストレージ回路はインダクタンスL及びキャパシタC2を有する。インダクタンスLは、直流/直流コンバータチップU1のインダクタンスピンLXと電力増幅器PAの電圧入力端子とに接続され、電力増幅器PAの電圧入力端子はキャパシタC2を介して接地されている。
【００４４】
この形態の場合、制御回路は差動増幅回路を含み、差動増幅回路は演算増幅器U2を含む。
【００４５】
演算増幅器U2の非反転入力端子は第1の抵抗器R11を介して電力増幅器PAの電圧入力端子に接続され、かつその非反転入力端子は第2の抵抗器R12を介して接地される。
【００４６】
制御電圧Vcは、第3の抵抗器R13を介して演算増幅器U2の反転入力端子に印加され、その反転入力端子は第4の抵抗器R14を介して演算増幅器U2の出力端子に接続され、フィードバックループを形成する。
【００４７】
演算増幅器U2の出力端子は直流/直流コンバータチップU1のフィードバックピンFBに接続される。
【００４８】
電力増幅器の電力供給回路に関する上記の設計の場合、以下の数式の関係が得られる。数式において、V_は演算増幅器U2の反転入力端子における電圧を示し、V+は演算増幅器U2の非反転入力端子における電圧を示し、Voは演算増幅器U2の出力端子における電圧を示す。
【数１】
0005519031.tif 000003
【００４９】
上記の数式から、VOUT及びVcの間の関係が最終的に得られる。
【数２】
0005519031.tif 000004
【００５０】
数式(1)において、VFBは固定値である。従ってVOUTがVcに関して線形な関係を有することが容易に分かる。
【００５１】
更に図6を参照するに、図5に示す電力増幅器の電力供給回路における差動増幅回路が改善されている。演算増幅器U2の出力端子は、抵抗器R15を介してDC/DCコンバータチップU1のフィードバックピンFBに接続され、フィードバックピンFBは抵抗器R16を介して接地されている。
【００５２】
この場合、以下の数式の関係が得られる。
【数３】
0005519031.tif 000005
【００５３】
上記の数式から、VOUT及びVcの間の関係が最終的に得られる。
【数４】
0005519031.tif 000006
【００５４】
数式(2)において、VFBは固定値である。従ってVOUTがVcに関して線形な関係を有することが容易に分かる。
【００５５】
更に、差動増幅回路の設計において、一般に、第1の抵抗器R11の抵抗値は第3の抵抗器R13の値に等しく、第2の抵抗器R12の抵抗値は第4の抵抗器R14の値に等しい。
【００５６】
この場合、図6に示す電力増幅器の電力供給回路に関し、VOUT及びVcの間の関係が次のように得られる。
【数５】
0005519031.tif 000007
【００５７】
数式(3)において、VFBは固定値である。従ってVOUTがVcに関して線形な関係を有することが容易に分かる。更に、電力増幅器の電圧入力端子における電圧VOUTはVcを調整することで調整される。更に、制御電圧Vcと、電力増幅器PAの電力レーティングと、電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントとの間の対応関係(表1に記録されている)は、電力増幅器の電力供給回路を含む端末の基板に保存され、具体的には端末のストレージチップに保存され、Vcが電力増幅器PAの状態に依存して調整されるようにする。VOUT及びVcの間には関数関係が存在するので、VOUTはPAの電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変化に応じて変化する。電力増幅器PAが或る状態であった場合、装置が無線周波数インデックスを満足する条件の下で、或る状態に対応しかつ表1に含まれているVcの値に従って、VOUTはその状態における最小値に調整される。従ってPAの効率が改善される。
【００５８】
本発明の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路によれば、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が接続され、その制御回路は差動増幅回路である。電力増幅器の電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変化に応じて制御電圧が変化し、PAの電圧入力端子における電圧波制御電圧と線形な関係を有する。従って、電力増幅器が或る状態であった場合、装置がその状態の無線周波数インデックスを充足できる最小値に達するように、制御電圧はPAの電圧入力端子の電圧を制御する。このようにして、PAの効率は改善され、端末の電力損失が減少する。
【００５９】
＜＜第2の実施の形態＞＞
電力増幅器の別の電力供給回路の具体的な実現手段が実施の形態により提供される。図7に示されているように、本実施の形態による技術的解決手段は、第1の実施の形態と制御回路の設計についてのみ異なっている。他の部分は同様であるのでここでは繰り返し説明されない。
【００６０】
本実施の形態における制御回路は図7の破線枠で示されている。制御回路は、pチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタQ1(P-MOSFET)を含む。図7におけるQ1は、例えばエンハンスメントモードP-MOSFETを用いて説明され、デプレッションモードP-MOSFETの回路接続の場合、リファレンスが図7に付加される。Q1のソース電極Sは電力増幅器の電圧入力端子に接続され、ドレイン電極Dは直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続され、かつ抵抗器R22を介して設定されている。制御電圧VcはQ1のグリッド電極Gに印加されている。
【００６１】
Q1のオン抵抗がRONであったとする。増幅領域でQ1が動作するように制御するためにVcが使用される。従って、Vc及びRONの間の関数関係は単調(monotone)である。具体的には、増幅領域におけるエンハスメントモードP-MOSFETの場合、Vc及びRONの間の関数関係は単調増加であり、従ってVcが小さいほどRONも小さい。
【００６２】
PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・R22/(R22＋RON)
であること、関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【００６３】
更に、制御回路は図8に示すように改善され、Vcの精度に関する条件を緩和し、Vcの調整を促進するようにしてもよい。Q1のソースSは抵抗器R23を介してPAの電圧入力端子に接続され、電圧入力端子は抵抗器R21を介して直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続されている。
【００６４】
この場合、PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・R22/(R22＋R21//(R23＋RON))
であること、同様に関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【００６５】
更に、第1の実施の形態と同様に、表1に記録されるデータ間の対応関係が端末の基板に保存され(具体的には、ストレージチップに保存され)、或る状態に対応するVcが、電力増幅器PAの電力レーティング及びワーキング周波数ポイントにより探索され、そして、VOUTが調整される。
【００６６】
本発明の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路では、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、その制御回路はP-MOSFETを含む。制御電圧は、電力増幅器の電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変動に応じて変化し、P-MOSFETを導通させ、P-MOSFETのオン抵抗は電力増幅器の電圧入力端子における電圧と或る関数関係を有する。従って、電力増幅器が或る状態であった場合に、制御電圧は、装置がその状態での無線周波数インデックスを充足できるようにする最小値に達するように、電力増幅器の電圧入力端子の電圧を制御する。これにより、電力増幅器の効率が改善され、端末の電力損失が減少する。
【００６７】
＜＜第3の実施の形態＞＞
電力増幅器の電力供給回路の具体的な実現手段が実施の形態により提供される。図9に示されているように、本実施の形態による技術的解決手段は、第1の実施の形態と制御回路の設計についてのみ異なっている。他の部分は同様であるのでここでは繰り返し説明されない。
【００６８】
本実施の形態における制御回路は図9の破線枠で示されている。制御回路は、nチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタQ2(N-MOSFET)を含む。図9におけるQ2は、例えばエンハンスメントモードN-MOSFETを用いて説明され、デプレッションモードP-MOSFETの回路接続の場合、リファレンスが図9に付加される。Q2のソース電極Sは接地され、ドレイン電極Dは直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続され、制御電圧VcはQ2のグリッド電極Gに印加されている。更に、電力増幅器PAの電圧入力端子が抵抗器R31を介して直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続されている。
【００６９】
Q2のオン抵抗がRONであったとする。この場合、増幅領域でQ2が動作するように制御するためにVcが使用される。従って、Vc及びRONの間の関数関係は単調である。具体的には、増幅領域におけるエンハスメントモードN-MOSFETの場合、Vc及びRONの間の関数関係は単調減少であり、従ってVcが大きいほどRONが小さい。
【００７０】
PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・(R31＋RON)/RON
であること、関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【００７１】
更に、制御回路は図10に示すように改善され、Vcの精度に関する条件を緩和し、Vcの調整を促進するようにしてもよい。Q2のドレインDは抵抗器R33を介して直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続され、フィードバックピンFBは抵抗器R32を介して接地されている。
【００７２】
この場合、PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・［1＋R31/(R32//(R33＋RON))］
であること、同様に関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【００７３】
更に、第1の実施の形態と同様に、表1に記録されるデータ間の対応関係が端末の基板に保存され(具体的には、ストレージチップに保存され)、或る状態に対応するVcが、電力増幅器PAの電力レーティング及びワーキング周波数ポイントにより探索され、そして、VOUTが調整される。
【００７４】
本発明の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路では、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、その制御回路はN-MOSFETを含む。制御電圧は、電力増幅器の電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変動に応じて変化し、N-MOSFETを導通させ、N-MOSFETのオン抵抗は電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧と或る関数関係を有する。従って、電力増幅器が或る状態であった場合に、制御電圧は、装置がその状態での無線周波数インデックスを充足できるようにする最小値に達するように、電力増幅器の電圧入力端子の電圧を制御する。これにより、電力増幅器の効率が改善され、端末の電力損失が減少する。
【００７５】
本発明の実施の形態は端末も提供する。図11に示されているように、端末は、ベースバンド処理部、電力増幅器PA及び電力増幅器の電力供給回路を含む。電力増幅器の電力供給回路は直流/直流コンバータチップ(すなわち、DC/DC切替電源チップ)を含む。直流/直流コンバータチップは、入力ピンIN、インダクタンスピンLX及びフィードバックピンFBを含む。入力ピンINは電源に接続され、インダクタンスピンLXはLCストレージ回路を介して電力増幅器PAの電圧入力端子に接続される。電力増幅器PAの電圧入力端子とフィードバックピンFBとの間に制御回路が接続され、制御回路は制御電圧Vcを有する。
【００７６】
ベースバンド処理部は制御電圧Vcを調整し、制御電圧Vcは制御回路を介してPAの電圧入力端子の電圧VOUTを調整する。
【００７７】
本発明の実施の形態により提供される端末の場合、ベースバンド処理部は制御電圧を制御し、制御電圧は、制御回路を介して、電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧を制御し、PAの電圧入力端子における電圧が実際の状況に応じて変化するようにする。これにより、電力増幅器PAの効率が改善され、端末の電力消費量も減少する。
【００７８】
更に、図12に示されているように、ベースバンド処理部はベースバンドプロセッサチップ及びDAC(ディジタルアナログ変換器)を含む。ベースバンドプロセッサチップは制御電圧を調整するためにDACを制御する。特定の形態では、DACはベースバンドプロセッサチップに統合されてもよい。
【００７９】
代替的に、図13に示されているように、ベースバンド処理部はベースバンドプロセッサチップ及びPMIC(電力管理集積回路)を含んでもよい。ベースバンドプロセッサチップは制御電圧Vcを調整するためにPMICの低ドロップアウトレギュレータ(Low  Dropout  Regulator：LDO)を制御する。
【００８０】
更に、制御電圧Vc、電力増幅器PAの電力レーティング、及び電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントの間に或る対応関係が存在する。具体的には、表1のようなリファレンスが使用されてもよい。
【００８１】
更に、製造工程において、制御電圧Vcを調整するために図14に示すようなシステムが構築されてもよい。Aの部分は、調整に使用されるRF(無線周波数)テスタ及び装置調整プラットフォームを示し、それら2つの間には通信バスがあり、通信バスは例えば汎用インターフェースバス(General-Purpose  Interface  Bus：GPIB)又はイーサーネット(登録商標)等である。装置調整プラットフォームは調整ソフトウェアがインストールされたコンピュータであってもよい。Bの部分は本発明の実施の形態による端末を示す。更に、RFテスタがRFテストケーブルを介して端末のRFテストコネクタに接続されている。RFテスタは、電力増幅器PAにより増幅された無線周波数が無線周波数インデックスを満たすか否かを検査する。装置調整プラットフォームは、端末を制御し、或いは非同期バスUART(ユニバーサル非同期受信機/送信機)又はUSBを介して端末の情報を読み取る。
【００８２】
装置調整プラットフォームは調整ソフトウェアを用いて図4に示すようなVcを調整する方法を実行し、様々な電力レーティングにおけるPAのワーキング周波数ポイント各々に対応するVcを決定し、表1のVcの全ての値の調整を完了してもよい。制御電圧Vc、電力増幅器PAの電力レーティング、及び電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントの間の表1に記録された対応関係は、端末の基板(具体的には、ストレージチップ)に保存され、Vcを電力増幅器PAの状態に応じて調整できるようにする。
【００８３】
本発明の実施の形態による端末の場合、ベースバンド処理部は制御電圧を制御し、制御電圧波、制御回路を介して、電力増幅器PAの電圧入力端子の電圧を調整する。従って、電力増幅器PAが或る状態であった場合に、PAの電圧入力端子の電圧は、装置がその状態における無線周波数インデックスを満足できる最小値に調整される。これにより、電力増幅器PAの効率が改善され、端末の電力損失が減少する。
【００８４】
＜＜第4の実施の形態＞＞
本実施の形態は端末の具体的な手段を提供する。
【００８５】
端末はベースバンド処理部、電力増幅器PA及び電力増幅器の電力供給回路を含む。電力増幅器の電力供給回路は直流/直流コンバータチップ(すなわち、DC/DC切替電源チップ)を含む。直流/直流コンバータチップは、入力ピンIN、インダクタンスピンLX及びフィードバックピンFBを有する。入力ピンINは電源に接続され、インダクタンスピンLXはLCストレージ回路を介して電力増幅器PAの電圧入力端子に接続される。電力増幅器PAの電圧入力端子とフィードバックピンFBとの間に制御回路が接続され、制御回路は制御電圧Vcを有する。
【００８６】
ベースバンド処理部は制御電圧Vcを制御し、制御電圧Vcは、制御回路を介して、電力増幅器PAの電圧入力端子の電圧VOUTを調整する。
【００８７】
図12に示されているように、ベースバンド処理部はベースバンドプロセッサチップ及びDAC(ディジタルアナログ変換器)を含む。ベースバンドプロセッサチップは制御電圧Vcを調整するためにDACを制御する。特定の形態では、DACはベースバンドプロセッサチップに統合されてもよい。
【００８８】
代替的に、図13に示されているように、ベースバンド処理部はベースバンドプロセッサチップ及びPMIC(電力管理IC)を含んでもよい。ベースバンドプロセッサチップは制御電圧Vcを調整するためにPMICの低ドロップアウトレギュレータ(Low  Dropout  Regulator：LDO)を制御する。
【００８９】
この特定の形態における端末の電力増幅器の電力供給回路に関し、図5に示す例が使用され、制御回路が破線枠で示されている。制御回路は差動増幅回路を含み、差動増幅回路は演算増幅器U2を含む。
【００９０】
演算増幅器U2の非反転入力端子は第1の抵抗器R11を介して電力増幅器PAの電圧入力端子に接続され、かつその非反転入力端子は第2の抵抗器R12を介して接地される。
【００９１】
制御電圧Vcは、第3の抵抗器R13を介して演算増幅器U2の反転入力端子に印加され、その反転入力端子は第4の抵抗器R14を介して演算増幅器U2の出力端子に接続され、フィードバックループを形成する。
【００９２】
演算増幅器U2の出力端子は直流/直流コンバータチップU1のフィードバックピンFBに接続される。
【００９３】
電力増幅器の電力供給回路に関する上記の設計の場合、以下の数式の関係が得られる。数式において、V_は演算増幅器U2の反転入力端子における電圧を示し、V+は演算増幅器U2の非反転入力端子における電圧を示し、Voは演算増幅器U2の出力端子における電圧を示す。
【数６】
0005519031.tif 000008
【００９４】
上記の数式から、VOUT及びVcの間の関係が最終的に得られる。
【数７】
0005519031.tif 000009
【００９５】
この数式において、VFBは固定値である。従ってVOUTがVcに関して線形な関係を有することが容易に分かる。
【００９６】
更に図6を参照するに、図5に示す電力増幅器の電力供給回路における差動増幅回路が改善されている。演算増幅器U2の出力端子は、抵抗器R15を介してDC/DCコンバータチップU1のフィードバックピンFBに接続され、フィードバックピンFBは抵抗器R16を介して接地されている。
【００９７】
この場合、以下の数式の関係が得られる。
【数８】
0005519031.tif 000010
【００９８】
上記の数式から、VOUT及びVcの間の関係が最終的に得られる。
【数９】
0005519031.tif 000011
【００９９】
この数式において、VFBは固定値である。従ってVOUTがVcに関して線形な関係を有することが容易に分かる。
【０１００】
更に、差動増幅回路の設計において、一般に、第1の抵抗器R11の抵抗値は第3の抵抗器R13の値に等しく、第2の抵抗器R12の抵抗値は第4の抵抗器R14の値に等しい。
【０１０１】
この場合、図6に示す電力増幅器の電力供給回路に関し、VOUT及びVcの間の関係が次のように得られる。
【数１０】
0005519031.tif 000012
【０１０２】
この数式において、VFBは固定値である。従ってVOUTがVcに関して線形な関係を有することが容易に分かる。従って、PAの電圧入力端子における電圧VOUTはVcを調整することで調整できる。
【０１０３】
更に、制御電圧Vcと、電力増幅器PAの電力レーティングと、電力増幅器PAのワーキング周波数ポイントとの間の対応関係(表1に記録されている)は、端末の基板に保存され、具体的にはストレージチップに保存され、Vcが電力増幅器PAの状態に依存して調整されるようにする。VOUT及びVcの間には関数関係が存在するので、VOUTはPAの電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変化に応じて変化する。電力増幅器PAが或る状態であった場合、装置が無線周波数インデックスを満足する条件の下で、或る状態に対応しかつ表1に含まれているVcの値に従って、その状態におけるVOUTは最小値に調整される。従ってPAの効率が改善される。
【０１０４】
本発明の実施の形態による端末によれば、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が接続され、その制御回路は差動増幅回路である。電力増幅器の電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変化に応じて制御電圧が変化し、PAの電圧入力端子における電圧波制御電圧と線形な関係を有する。従って、電力増幅器が或る状態であった場合、装置がその状態の無線周波数インデックスを充足できる最小値に達するように、制御電圧はPAの電圧入力端子の電圧を制御する。このようにして、PAの効率は改善され、端末の電力損失が減少する。
【０１０５】
＜＜第5の実施の形態＞＞
別の端末の具体的な実現手段が実施の形態により提供される。この特定の形態による技術的解決手段における電力増幅器の電力供給回路については、図7に示される例が使用され、本実施の形態による技術的解決手段は、第4の実施の形態と制御回路の設計についてのみ異なっている。他の部分は第4の実施の形態と同様であるのでここでは繰り返し説明されない。
【０１０６】
本実施の形態における制御回路は、pチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタQ1(P-MOSFET)を含む。図7におけるQ1は、例えばエンハンスメントモードP-MOSFETを用いて説明され、デプレッションモードP-MOSFETの回路接続の場合、リファレンスが図7に付加される。Q1のソース電極Sは電力増幅器の電圧入力端子に接続され、ドレイン電極Dは直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続され、かつ抵抗器R22を介して設定されている。制御電圧VcはQ1のグリッド電極Gに印加されている。
【０１０７】
Q1のオン抵抗がRONであったとする。増幅領域でQ1が動作するように制御するためにVcが使用される。従って、Vc及びRONの間の関数関係は単調(monotone)である。具体的には、増幅領域におけるエンハスメントモードP-MOSFETの場合、Vc及びRONの間の関数関係は単調増加であり、従ってVcが小さいほどRONも小さい。
【０１０８】
PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・R22/(R22＋RON)
であること、関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【０１０９】
更に、制御回路は図8に示すように改善され、Vcの精度に関する条件を緩和し、Vcの調整を促進するようにしてもよい。Q1のソースSは抵抗器R23を介してPAの電圧入力端子に接続され、電圧入力端子は抵抗器R21を介して直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続されている。
【０１１０】
この場合、PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・R22/(R22＋R21//(R23＋RON))
であること、同様に関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【０１１１】
更に、第1の実施の形態と同様に、表1に記録されるデータ間の対応関係が端末の基板に保存され(具体的には、ストレージチップに保存され)、或る状態に対応するVcが、電力増幅器PAの電力レーティング及びワーキング周波数ポイントにより探索され、そして、VOUTが調整される。
【０１１２】
本発明の実施の形態による電力増幅器の電力供給回路では、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、その制御回路はP-MOSFETを含む。制御電圧は、電力増幅器の電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変動に応じて変化し、P-MOSFETを導通させ、P-MOSFETのオン抵抗は電力増幅器の電圧入力端子における電圧と或る関数関係を有する。従って、制御電圧は、装置がその状態での無線周波数インデックスを充足できるようにする最小値に達するように、PAの電圧入力端子の電圧を制御する。これにより、電力増幅器の効率が改善され、端末の電力損失が減少する。
【０１１３】
＜＜第6の実施の形態＞＞
端末の具体的な実現手段が実施の形態により提供される。本発明による技術的解決手段における電力増幅器の電力供給回路に関し、図9に示す例が使用される。図7に示されているように、本実施の形態による技術的解決手段は、第4の実施の形態と制御回路の設計についてのみ異なっている。他の部分は第4の実施の形態と同様であるのでここでは繰り返し説明されない。
【０１１４】
本実施の形態における制御回路は、nチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタQ2(N-MOSFET)を含む。図9におけるQ2は、例えばエンハンスメントモードN-MOSFETを用いて説明され、デプレッションモードP-MOSFETの回路接続の場合、リファレンスが図9に付加される。Q2のソース電極Sは接地され、Q2のドレイン電極Dは直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続され、制御電圧VcはQ2のグリッド電極Gに印加されている。更に、電力増幅器PAの電圧入力端子が抵抗器R31を介して直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続されている。
【０１１５】
Q2のオン抵抗がRONであったとする。この場合、増幅領域でQ2が動作するように制御するためにVcが使用される。従って、Vc及びRONの間の関数関係は単調である。具体的には、増幅領域におけるエンハスメントモードN-MOSFETの場合、Vc及びRONの間の関数関係は単調減少であり、従ってVcが大きいほどRONが小さい。
【０１１６】
PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・(R31＋RON)/RON
であること、関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【０１１７】
更に、制御回路は図10に示すように改善され、Vcの精度に関する条件を緩和し、Vcの調整を促進するようにしてもよい。Q2のドレインDは抵抗器R33を介して直流/直流コンバータチップのフィードバックピンFBに接続され、フィードバックピンFBは抵抗器R32を介して接地されている。
【０１１８】
この場合、PAの電圧入力端子の電圧VOUTとオン抵抗RONとの間の関数関係は、
VOUT＝VFB・［1＋R31/(R32//(R33＋RON))］
であること、同様に関数関係はVc及びRONの間に存在すること、及びその関数関係は単調増加であることが容易に分かる。従って、VOUTを調整するには、Vcを適応的に調整することで達成できる。
【０１１９】
更に、第1の実施の形態と同様に、表1に記録されるデータ間の対応関係が端末の基板に保存され(具体的には、ストレージチップに保存され)、或る状態に対応するVcが、電力増幅器PAの電力レーティング及びワーキング周波数ポイントにより探索され、そして、VOUTが調整される。
【０１２０】
本発明の実施の形態による端末では、電力増幅器の電圧入力端子と直流/直流コンバータチップのフィードバックピンとの間に制御回路が接続されており、その制御回路はN-MOSFETを含む。制御電圧は、電力増幅器の電力レーティング及び/又はワーキング周波数ポイントの変動に応じて変化し、N-MOSFETを導通させ、N-MOSFETのオン抵抗は電力増幅器PAの電圧入力端子における電圧と或る関数関係を有する。従って、電力増幅器が或る状態であった場合に、制御電圧は、装置がその状態での無線周波数インデックスを充足できるようにする最小値に達するように、電力増幅器の電圧入力端子の電圧を制御する。これにより、電力増幅器の効率が改善され、端末の電力損失が減少する。
【０１２１】
以上、実施の形態に関する説明を通じて、当業者は、本発明が必要なハードウェアとの組み合わせによりソフトウェアを用いて実現されてもよいし、或いはハードウェアのみを用いて実現されてもよいことを明確に理解できるであろう。しかしながら、多くの場合、前者の形態が好ましい実現形態である。そのような認識と共に、本発明による技術的解決手段又は従来技術に寄与する部分は、ソフトウェアプロダクト(ソフトウェア又はそれに関連する製品)の形態で実現されてもよい。ソフトウェアプロダクトは、フロッピディスク、ハードディスク又は光ディスク等のコンピュータのための読み取り可能なストレージ媒体に保存され、コンピュータ装置(パーソナルコンピュータ、サーバ又はネットワーク装置等)が、本発明の実施の形態で説明した方法を実行できるようにする複数の命令を含む。
【０１２２】
上記の説明は本発明に関する具体的な実現形態の一例であるにすぎない。本発明の保護範囲はその例に限定されない。本願により開示された技術的範囲において当業者が容易に見出す変形例又は置換例は、本発明の保護範囲内に含まれる。本発明の範囲は特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
0005519031.tif 000013
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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