(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定ガス流路を有する真空環境における使用のためのガスゲージであって、
前記測定ガス流路内の測定ノズルであって、前記測定ガス流路に結合されたガス供給源から供給されるガスの音速チョーク流れ状態において動作する測定ノズルと、
圧力ポートと、
前記圧力ポートと前記ガスの前記音速チョーク流れ状態から下流の前記測定ノズルとの間に動作上結合されて、前記測定ノズルの遠位端とそれに近接するターゲット面との間のギャップの指示を与えるために、前記測定ノズル内の第１圧力と前記圧力ポートにおける第２真空圧力の差圧を測定する圧力センサと、
を含む、ガスゲージ。
【請求項２】
前記ガスゲージは２次ガス流路を有し、前記ガスゲージは、
前記２次ガス流路内の２次ノズルであって、前記圧力センサに動作上結合されて前記圧力センサが前記測定ノズルの第１圧力レベルと前記２次ノズルの第２圧力レベルとの間の前記ガスの前記差圧を測定することを可能にする、２次ノズルをさらに含む、請求項１に記載のガスゲージ。
【請求項３】
前記ガスゲージは、ウェーハのトポグラフィをマッピングすることによって焦点位置を決定するために、前記圧力センサからの前記差圧の信号に基づいて前記ギャップにおけるオフセット距離の尺度を与える、請求項１または２に記載のガスゲージ。
【請求項４】
前記ガスゲージの前記測定ガス流路は、
前記圧力センサの上流に位置付けられ、かつ前記測定ガス流路の入り口における圧力を下げる一方で前記測定ノズルが前記ガス供給源から実質的に一定流量で流れるガスに対して前記音速チョーク流れ状態に到達することを可能にする第１制限器をさらに含み、前記測定ガス流路の前記入り口は、前記ガス供給源から前記ガスを受ける、請求項１から３のいずれか一項に記載のガスゲージ。
【請求項５】
前記ターゲット面はウェーハであり、前記ガスゲージは、リソグラフィ装置によるウェーハ処理における露光ステップに最善な面を確立することを可能にする、請求項１から４のいずれか一項に記載のガスゲージ。
【請求項６】
前記真空環境内に汚染バリアを与えるために前記測定ガス流路および前記圧力センサを囲む密閉ハウジングをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のガスゲージ。
【請求項７】
ガス供給源によって供給されるガスの音速チョーク流れ状態において動作する測定ノズルと、圧力ポートとを有する真空環境における使用のためのガスゲージであって、前記圧力ポートと前記ガスの前記音速チョーク流れ状態から下流の前記測定ノズルとの間に動作上結合されて、前記測定ノズルの遠位端とそれに近接する基板との間のギャップの指示を与えるために、前記測定ノズル内の第１圧力と前記圧力ポートにおける第２真空圧力の差圧を測定する圧力センサを含む、ガスゲージと、
その断面にパターンを含む放射ビームに前記基板を露光させる露光ステーションと、
を含むリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記基板を露光させる前に前記ガスゲージを用いて前記基板の１つ以上の特徴を測定する測定ステーションをさらに含む、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記測定ノズルおよび前記基板は、前記測定ノズルから放出された前記ガスが前記基板上に衝突するように位置決めされる、請求項７または８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
パターン付き断面を有するビームを前記基板に照射する間に前記基板を支持する基板ステージを含む基板ステージコンパートメントをさらに含む、請求項７から９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記ガスゲージを含むリソグラフィ用の近接センサをさらに含む、請求項７から１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
真空環境においてウェーハのトポグラフィをマッピングすることによってフォトリソグラフィ露光ツールにおける焦点を設定するために焦点位置を決定する方法であって、
真空環境において、前記ガス供給源によって供給されるガスの音速チョーク流れ状態において動作する測定ノズルを有し、圧力ポートと前記ガスの前記音速チョーク流れ状態から下流の前記測定ノズルとの間に動作上結合されて、前記測定ノズルの遠位端とそれに近接する基板との間のギャップの指示を与えるために、前記測定ノズル内の第１圧力と前記圧力ポートにおける第２真空圧力の差圧を測定する圧力センサを含む、ガスゲージを使用することと、
その断面にパターンを含む放射ビームに前記基板を露光させることと、
を含む、方法。
【請求項１３】
その断面にパターンを含む放射ビームに前記基板を露光させることにおいて、
前記方法は、
前記測定ノズルおよび前記基板を、前記測定ノズルから放出された前記ガスが前記基板上に衝突するように位置決めすることをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板を露光させる前に前記ガスゲージを用いて前記基板の１つ以上の特徴を測定することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置の真空環境における使用に適したガスゲージの分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィは、基板の表面上にフィーチャを作成するように用いられるプロセスである。このような基板には、フラットパネルディスプレイ、回路基板、様々な集積回路（ＩＣ）等の製造に用いられるような基板が含まれうる。このような応用によく用いられる基板は、半導体ウェーハである。当業者であれば、本明細書における記載は、他のタイプの基板にも適用されることは認識するであろう。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ中、ウェーハステージ（ＷＳ）上に配置されたウェーハには、リソグラフィシステム内に位置付けられた露光システムによってウェーハの表面上に投影される像が露光される。露光システムは、像をウェーハ上に投影するためのレチクル（マスクとも呼ばれる）を含む。
【０００４】
[0004]  このレチクルは、通常、レチクルステージ（ＲＳ）上に取り付けられ、通常、ウェーハと光源との間に位置付けられる。フォトリソグラフィでは、レチクルは、例えば、ウェーハ上に回路をプリントするためのフォトマスクとして用いられる。リソグラフィ光は、マスクの後に像を縮小する一連の光学レンズを通る。この縮小された像は、次に、ウェーハ上に投影される。このプロセスは、カメラがフィルム上に像を形成するために光を曲げる様と類似する。光は、リソグラフィプロセスにおいて重要は役割を果たす。例えば、マイクロプロセッサ（コンピュータチップとも知られる）の製造において、よりパワフルなマイクロプロセッサを作るための鍵は、光の波長のサイズである。波長が短いほど、より多くのトランジスタをウェーハ上に形成することができる。多くのトランジスタを有するウェーハによってよりパワフルでより高速のマイクロプロセッサがもたらされる。
【０００５】
[0005]  半導体製造業者がより短波長の光を使用可能となるにつれて、光の焦点を合わせるためのガラスレンズによって短波長の光が吸収されてしまうという問題に直面することとなった。短波長光が吸収されてしまうことにより、光はシリコンウェーハに到達できなくなる。その結果、シリコンウェーハ上には回路パターンが作り出されない。この問題を解決する１つの試みとして、半導体製造業者は、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）と知られるリソグラフィプロセスを開発した。このプロセスではガラスのレンズをミラーによって置き換えることができる。
【０００６】
[0006]  フォトリソグラフィ露光ツールは、焦点を設定するためにウェーハのトポグラフィをマッピングする。これらのツールは、通常、互いに隣接して並べられた複数のセンサからなるアレイを用いる。トポグラフィデータが各センサから取り出されて記憶され、次に、アルゴリズムが用いられて露光ステップに最善の面を確立する。しかし、焦点の位置決めを決定する光学手段は、下部層からの干渉波面からの誤差の影響を受けやすい。
【０００７】
[0007]  光学手段に対する１つの代案としてはエアゲージが挙げられる。エアゲージは、焦点の位置決めを決定する光学手段に通常関連付けられる効果の影響を受けないからである。補助フォーカスセンサとしてのエアゲージは、（光学）レベルセンサより高い忠実度でウェーハのトポグラフィを検出可能でありうる。エアゲージの機能を、エアゲージがレベリングセンサの実行可能な代替品となるくらいに拡大する大きな潜在的可能性が存在する。特に加工済みウェーハの光学的にノイズの多い環境（optically noisy environment）において、より正確なメトロロジデバイスであることに加えて、エアゲージは、相当に安くまた占有する容積が相当に小さい。
【０００８】
[0008]  上述したような進歩がなされる前に解決されるべき開発上の問題のうち特に顕著な問題が２つあるように思われる。第一に、通常のエアゲージは比較的長い応答時間を有するので、このエアゲージは有用な帯域幅を約〜５０Ｈｚに制限してしまうことである。第二に、有限速度でウェーハのトポグラフィ上を移動するエアゲージの流体応答（fluidic response）が、様々な制御パラメータの適切な最適化を必要としうることである。例えば、エアゲージの応答時間を短くするには、より高速な質量流量センサ（エアゲージの内部コンポーネント）と、場合により空気路の容積の縮小が必要となる。
【０００９】
[0009]  さらに、次世代のリソグラフィマシンは、真空環境を用いて吸収損失および汚染を排除しうる。この状態におけるエアゲージの動作は、空気圧動作状態を、低速の粘性流から高速の、音速に到達する状態に変更する。高速度は、真空環境内で対応可能であるよりも相当多くのガス流量を生成し、また、単純な入り口絞りは、ブリッジ流量を測定不可能なレベルにまで下げる。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  リソグラフィ装置に適した真空環境における使用のためのエアゲージが必要である。
【００１１】
[0011]  本発明の一実施形態では、測定ガス流路を有する真空環境における使用のためのガスゲージが提供される。このガスゲージは、測定ガス流路内に測定ノズルを含みうる。この測定ノズルは、測定ガス流路に結合されたガス供給源から供給される体積流量の音速チョーク流れ状態において動作するように構成されうる。ガスゲージは、体積流量の音速チョーク流れ状態から下流で測定ガス流路に動作上結合されて、測定ノズルの遠位端とそれに近接するターゲット面との間のギャップの指示を与えるために体積流量の差圧を測定する圧力センサをさらに含みうる。
【００１２】
[0012]  本発明の別の実施形態では、ガス供給源と真空環境における使用のためのガスゲージとを含むリソグラフィ装置が提供される。このガスゲージは、ガス供給源によって供給される一定体積流量の音速チョーク流れ状態において動作するように構成されうる測定ノズルを有する。このガスゲージは、体積流量の音速チョーク流れ状態から下流の測定ノズルに動作上結合されて、測定ノズルの遠位端とそれに近接する基板との間のギャップの指示を与えるために体積流量の差圧を測定する圧力センサを含みうる。リソグラフィ装置は、その断面にパターンを含む放射ビームに基板を露光させるように構成された露光ステーションをさらに含みうる。
【００１３】
[0013]  本発明の更なる実施形態では、真空環境においてウェーハのトポグラフィをマッピングすることによってフォトリソグラフィ露光ツールにおける焦点を設定するために焦点位置を決定する方法が提供される。この方法は、ガス供給源を設けることと、真空環境において、ガス供給源によって供給される一定体積流量の音速チョーク流れ状態において動作するように構成される測定ノズルを有するガスゲージを使用することとを含みうる。このガスゲージは、体積流量の音速チョーク流れ状態から下流の測定ノズルに動作上結合されて、測定ノズルの遠位端とそれに近接する基板との間のギャップの指示を与えるために体積流量の差圧を測定する圧力センサを含みうる。この方法は、その断面にパターンを含む放射ビームに基板を露光させることをさらに含みうる。
【００１４】
[0014]  本発明の更なる実施形態、特徴、および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付図面は本発明の１つ以上の実施形態を例示し、以下の記載と共に本発明の原理をさらに説明しかつ当業者が本発明をなすおよび利用することを可能にする。
【図１】[0016]  図１は、本発明の一実施形態によるガスゲージの側面図を概略的に示す。
【図２】[0017]  図２は、本発明の一実施形態による真空環境における使用のためのエアゲージの側面図を概略的に示す。
【図３】[0018]  図３は、本発明の一実施形態による、体積流量の音速チョーク流れ状態を実現するために圧力の関数として空気の流量を示すグラフを概略的に示す。
【図４】[0019]  図４は、本発明の一実施形態による環形の形成を概略的に示す。
【図５】[0020]  図５は、本発明の一実施形態による、利得を示すためにギャップの関数として圧力を示すグラフを概略的に示す。
【図６】[0021]  図６は、本発明の一実施形態による、真空環境においてウェーハのトポグラフィをマッピングすることによってフォトリソグラフィ露光ツールにおける焦点を設定するために焦点位置を決定する方法のブロック図を概略的に示す。
【図７】[0022]  図７は、本発明の一実施形態によるＥＵＶフォトリソグラフィシステムといったリソグラフィ装置を示す。
【００１６】
[0023]  添付図面を参照して以下に本発明を説明する。さらに、参照番号の最も左側の数字はその参照番号が最初に登場した図面を特定している。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0024]  具体的な構成および配置を説明するが、これは例示のためになされたに過ぎないことは理解されるべきである。当業者であれば、他の構成および配置を本発明の精神および範囲から逸脱することなく用いうることは理解されよう。当業者であれば、本発明は様々な他の応用にも用いられうることは明らかであろう。
【００１８】
[0025]  本明細書は、リソグラフィ装置の真空環境における、例えば、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムにおける使用に適したガスゲージが関連する本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示された実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示された実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１９】
[0026]  記載する実施形態、および、本明細書における「１つの実施形態」、「一実施形態」、「例示的な実施形態」等への参照は、記載する実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含むことができるが、各実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、または特性を含む必要がないことを示す。さらに、このような表現は、必ずしも同じ実施形態を参照しているわけではない。また、特定の特徴、構造、または特性が一実施形態に関連して説明される場合、そのような特徴、構造、または特性を、明示的に記載されていようがいまいが他の実施形態に関連して実現させることは当業者の知識内であることは理解されよう。
【００２０】
[0027]  本発明の実施形態は、リソグラフィ装置の真空環境における、例えば、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムにおける使用に適したガスゲージを提供する。エアゲージといったガスゲージでは、入り口圧力を下げる一方で依然としてノズルが音速状態に到達することを可能にすることによって、低流量のための要件が得られうる。このことの１つの利点は、センサ全体に亘って発生する低レイノルズ（Reynolds）数において見られ、これは、乱流空気圧ノイズを最小限にする。この流れの状態は、従来のエアゲージセンサとは実質的に異なる。
【００２１】
[0028]  本発明の一実施形態では、ノズルがチョーキング点（choking point）より上流で動作することを可能にすることにより、システムは下流圧力の変化に反応しないようになる。この特徴は、システムの動作圧比をモニタリングする必要を本質的に排除する。
【００２２】
[0029]  低流量状態であるため、差圧センサを理想的に用いて、センサの動作高さの変化に対する圧力応答を測定しうる。センサが観察する圧力の範囲を制限するためには、２次センサを、センサによって観察される差圧を制限し、不安定な入力によって導入される誤差を最小限にするためだけに用いてよい。
【００２３】
[0030]  ガスゲージでは、通常は（しかし次に限定されないが）３５０ｕｍの小さい動作ギャップ（operating gap）においてノズルが用いられうる。ノズルの入り口は、所望の流量で固定のノズル入り口圧を生成するように設定された多孔質の制限器を用いて絞られうる。ノズルは、ノズル出口において音速状態に到達することが可能にされてよく、ノズル出口は、流れ、圧力、および環形の間に一意の関係を発生させる。流量を一定に保持することによって、圧力は、単に、ノズルが動作している高さを示す環形領域の関数でありうる。
【００２４】
[0031]  本発明の一実施形態に従って、エアゲージは、従来のエアゲージセンサより多数倍、例えば３〜４倍多くの空気圧利得を生成するように構成されてよい。本発明の別の実施形態では、密閉ハウジングが、汚染物質を生成するすべての要素を含んでよく、また、連続的にパージされて少量の漏れであってもその影響を制限しうる。
【００２５】
[0032]  プロセス誤差は、光トポグラフィシステムに固有である。プロセス誤差はさらに、所与のプロセスに用いられるレジストのタイプおよび厚さに強く依存する。ＥＵＶシステムでは、用いられるレジストは、他のプロセスにおいて用いられるものよりも薄い。これは、真空中で動作可能なプロセス独立型トポグラフィシステムがますます必要であることを意味する。エアゲージが殆ど空気がない状態で機能可能であることや、音速状態において動作するノズルが正確なギャップ測定のために十分に静かであることは直感的ではないが、本発明の一実施形態に従うエアゲージは概してそのような要件を満たしうる。このエアゲージは、表面トポグラフィを確立するためのキャリブレータまたは１次センサとして適用されうる。
【００２６】
[0033]  図１は、本発明の一実施形態による、真空環境に適合可能でありうるガスゲージ１００の側面図を概略的に示す。例えば、ガスゲージ１００は、測定ガス流路１０５を有する真空環境における使用に適しうる。しかし、別の実施形態では、ガスゲージ１００は周囲環境においても使用されてもよい。
【００２７】
[0034]  本発明の一実施形態に従って、ガスゲージ１００は、測定ガス流路１０５内に測定ノズル１１０を含みうる。測定ノズル１１０は、測定ガス流路１０５に結合されたガス供給源１２０から供給される体積流量の領域１１５において音速チョーク流れ状態（sonically choked flow condition）で動作するように構成されうる。ガス供給源１２０は、ガスゲージ１００内に一定の空気流量を維持するための流量コントローラ（図示せず）に空気を供給するエアポンプ（図示せず）を含みうる。空気は、測定ガス流路１０５内に入る前にフィルタ（図示せず）を通過してよく、測定ガス流路１０５は最終的には測定ノズル１１０につながる。測定ノズル１１０と２次圧力ポート１２２への共通した流量を確実にするために、第１流量制限器１２５が測定ガス流路１０５内に配置されうる。第１流量制限器１２５が音速チョーク流れ状態を生成し、また、上流圧力および流れの振動または外乱を減衰（damping out）する効果を有しうる。
【００２８】
[0035]  ガスゲージ１００はさらに、体積流量の音速チョーク流れ状態の領域１１５から下流で測定ガス流路１０５に動作上結合されて、測定ノズル１１０の遠位端１３５と、そこに近接するターゲット１４５のターゲット面１４０との間のギャップ１３０の指示を与えるために体積流量の差圧を測定する圧力センサ１２７を含みうる。
【００２９】
[0036]  本発明の一実施形態では、圧力センサ１２７は、差圧センサでありうる。差圧センサの一例は、１０００Ｈｚの帯域幅と２５ｍｍ３未満のサイズを有する容量圧力センサである。当業者であれば、このようなタイプの差圧センサは広く使用されており、また、マサチューセッツ州アンドーバーにあるＭＫＳ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓから入手できることは認識するであろう。本発明の一実施形態に従って、圧力センサ１２７は、導電層を有する受圧ダイアフラムと、ダイアフラムの反対に位置付けられかつキャパシタンス検出回路に接続された固定電極とを含みうる。キャパシタンス検出回路は、ダイアフラムと固定電極との間で生成されるキャパシタンスにおける変動を使用して、ダイアフラムの内側部分の移動を静電的に感知して差圧を検出しうる。
【００３０】
[0037]  測定ガス流路１０５は、差流量（differential flow）路１０５ａを介して接続されてよい。差流量路１０５ａは、測定ガス流路１０５と２次圧力ポート１２２との間に圧力センサ１２７を含みうる。測定ノズル１１０における圧力が、２次圧力ポート１２２における圧力と実質的に等しい場合、圧力センサ１２７を通る流れはない。しかし、測定ノズル１１０と、例えばウェーハといったターゲット１４５との間の距離が、測定ノズル１１０の遠位端１３５との間の距離に対して変化する場合、測定ノズル１１０における圧力も変化する。例えば２次圧力ポート１２２および測定ガス流路１０５へまたはからの空気の移動が、差流量路１０５ａに亘る差圧をもたらす。この圧力における差は圧力センサ１２７によって検出される。例えば、圧力センサ１２７は、測定ノズル１１０の第１圧力レベルと、２次圧力ポート１２２の第２圧力レベルとの間の体積流量の差圧を測定しうる。一旦検出されると、測定ノズル１１０とターゲット面１４０との間の距離が測定されうる。
【００３１】
[0038]  このように、ガスゲージ１００は、圧力センサ１２７からの差圧の信号に基づいてギャップ１３０におけるオフセット距離の尺度を与えうる。ウェーハのトポグラフィのマッピングすることによって焦点位置を決定するために、第１流量制限器１２５は、圧力センサ１２７の上流に位置付けられ、かつ測定ガス流路１０５の入り口１５０における圧力を下げる一方で測定ノズル１１０がガス供給源１２０から実質的に一定流量で流れるガスに対して音速チョーク流れ状態に到達することが可能となるように構成されうる。測定ガス流路１０５の入り口１５０はガス供給源１２０からガスを受けるように構成されうる。
【００３２】
[0039]  一実施形態では、ガス供給源１２０および第１流量制限器１２５は、測定ノズル１１０の出口（遠位端１３５）の直ぐ上流と、環形領域１５５における、測定ノズル１１０の出口の直ぐ下流とのガス圧間の比を、実質的に、測定ノズル１１０の出口の直ぐ下流の最大期待ガス圧に対応する閾値以上に維持するように構成されうる。
【００３３】
[0040]  ガスゲージ１００はさらに、真空環境内に汚染バリアを与えるために測定ガス流路１０５および圧力センサ１２７を囲む密閉ハウジング１６０を含んでよい。真空環境内のガスゲージ１００は、ガス供給源１２０が一定流量の空気または窒素を与えるように測定ノズル１１０の遠位端１３５において所望流量のガスで絞られて動作しうる。２次圧力ポート１２２は、ガス供給源１２０からのガスを真空環境内に放出するように構成されうる。ターゲット面１４０がウェーハの面である場合、ガスゲージ１００は、リソグラフィ装置によって行われるウェーハ処理手順における露光ステップに最善な面を確立することを可能にしうる。
【００３４】
[0041]  図２は、本発明の一実施形態による真空環境における使用のためのエアゲージ２００といったガスゲージの側面図を概略的に示す。エアゲージ２００は、２次ガス流路２０５を含みうる。２次ガス流路２０５は、２次ガス流路２０５内に２次ノズル２１０を含みうる。２次ノズル２１０は、圧力センサ１２７に動作上結合され、それにより、圧力センサ１２７が、測定ノズル１１０の第１圧力レベルと２次ノズル２１０の第２圧力レベルとの間の体積流量の差圧を測定することが可能にされうる。
【００３５】
[0042]  エアゲージ２００では、２次ノズル２１０は、圧力センサ１２７が得る差圧のための測定の範囲を制限するか、または、ガス供給源１２０から測定ノズル１１０への一定質量流量における変動に対抗しうる。エアゲージ２００は、ウェーハのトポグラフィをマッピングすることによって焦点位置を決定するために、圧力センサ１２７からの差圧の信号に基づいてギャップ１３０におけるオフセット距離の尺度を与えうる。
【００３６】
[0043]  本発明の一実施形態に従って、エアゲージ２００の２次ガス流路２０５はさらに、圧力センサ１２７の上流に位置付けられた第２流量制限器１２５ａを含む。第２流量制限器１２５ａは、ガス供給源１２０から実質的に一定流量で流れるガスに対して２次ガス流路２０５の入り口１５０ａにおける圧力を下げるように構成されうる。２次ガス流路２０５の入り口１５０ａはガス供給源１２０からガスを受けるように構成されうる。２次ノズル２１０はガス供給源１２０から真空環境内にガスを放出するように構成されうる。
【００３７】
[0044]  図３は、本発明の一実施形態による、体積流量の音速チョーク流れ状態３０５を実現するために圧力（Ｐｒ）の関数として空気の流量（Ｆｌｏｗ）を示すグラフ３００を概略的に示す。第１流量制限器１２５によって絞られる空気を供給しうるガス供給源１２０からの体積気流の音速チョーク流れ状態３０５は、ベンチュリ（Venturi）効果によって引き起こされる動的状態である。特定の圧力および温度の流動ガスが、質量を維持しつつ、第１流量制限器１２５（オリフィスプレートにおける孔やパイプにおけるバルブ等）を通って低圧環境内に流入する場合、流動ガスがより小さい断面積の第１流量制限器１２５を流れる際に、最初は亜音速である上流状態に対して流速は増加しなければならない。同時にベンチュリ効果は圧力を下げる。
【００３８】
[0045]  音速チョーク流れ状態３０５とは、下流圧力環境における更なる減少と共に質量流束が増加しない場合に生じる制限状態である。空気または窒素といった均一なガスでは、断熱状態に対してチョーキングが生じる物理点は、出口面の速度が音速状態にあるかまたは少なくともマッハ数１にあるときである。このような絞られたガス流は、質量流量が下流圧力とは無関係で、第１流量制限器１２５の上流側の温度および圧力のみに依存するので、多くの工学応用に有用である。音速チョーク流れ状態３０５下では較正された第１流量制限器１２５を用いて特定の質量流量を生成しうる。
【００３９】
[0046]  本発明の１つの実施形態では、エアゲージ２００に基づいたセンサが、測定ノズル１１０の遠位端１３５と、ターゲット面１４０といった近接面との間のギャップ１３０における「真の」オフセット距離を測定しうる。真空環境におけるエアゲージ２００は、絞られて動作しうる。例えば、ＥＵＶ真空環境は、リソグラフィ処理の１つの特定の応用において、＜０．１ｍｂａｒの「周囲」圧力を有する最大流量＝０．１ｌｐｍによって定義されうる。絞られた流れは、出口または遠位端１３５においてマッハ１であると定義されうる。チョーク境界（choke boundary）が測定ノズル１１０にあると予測されうる。
【００４０】
[0047]  音速チョーク流れ状態３０５を生成するために、上流圧力（Ｐｕｐｓｔｒｅａｍ）と下流圧力（Ｐｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ）との比は、Ｐｕｐｓｔｒｅａｍ／Ｐｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ＞１．８９３に維持されうる。音速チョーク流れ状態３０５のための他の支配方程式は、制限器（ΔＰ＝ｋＱ  Ｌ／Ａ）、摩擦（ΔＰ＝１／２ｆＬ／Ｄρ（Ｑ／Ａ）２）、領域変化（ΔＰ＝１／２ρ（Ｑ／Ａ）２  （Ａ２／Ａ１）２−１）、ノズル（ΔＰ＝Ｐｉｎ（１−（１＋（γ−１）／２  Ｍ２））（γ／（γ＋１））を含む。同様に、動作パラメータは、圧力：１００ｍｂａｒ〜０．１ｍｂａｒ、〜１００ｍｂａｒの正味の降下、流量：０．１ｎｌｐｍ、ギャップ１３０：１３５μｍのギャップ、空気圧利得：（圧力）１２６ｍＰａ／ｎｍ（流量）４．５×１０−７ｎｌｐｍ／ｎｍ（流量として測定不可能な場合もある）を含んでよい。このようにして、質量流量センサの代わりに圧力センサ１２７を用いることによって真空内に吹き込むエアゲージ２００が実現可能となる。
【００４１】
[0048]  図４は、本発明の一実施形態による環形（annulus）１５５ａの形成を概略的に示す。環形１５５ａとは、リング形状の幾何学的図形、より一般的にはリング形状の物体を指す。環形１５５ａは、測定ノズル１１０と、それを直ぐに取り囲み、空気または窒素といったガスがガス供給源１２０から、絞られた後に流れることが可能であるターゲット面１４０との間の空間であってよい。
【００４２】
[0049]  動作中、ガス供給源１２０と第１流量制限器１２５は、測定ノズル１１０の出口（遠位端１３５）の直ぐ上流のガス圧（Ｐｕｐｓｔｒｅａｍ）と、環形１５５ａの領域における、測定ノズル１１０の出口の直ぐ下流のガス圧（Ｐｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ）との間の比を維持するように構成されうる。この比は、実質的に、測定ノズル１１０の出口の直ぐ下流の最大期待ガス圧に対応する閾値以上に維持されうる。
【００４３】
[0050]  エアゲージ２００において、測定ノズル１１０は、小さい動作ギャップ１３０に配置されてよく、また、測定ノズル１１０の入り口１５０は、所望の流量で固定のノズル入り口圧を生成するように設定された第１流量制限器１２５といった多孔質の制限器を用いて絞られうる。測定ノズル１１０は、ノズル出口（遠位端１３５）において音速状態に到達するように動作されてよく、ノズル出口は、流れ４００、矢印４０５により示す圧力、および環形領域４１０の間に一意の関係を発生させる。流量を一定に保持することによって、圧力４０５は、単に、測定ノズル１１０が動作している高さまたはギャップ１３０を示す環形領域４１０の関数でありうる。
【００４４】
[0051]  したがって、真空内のエアゲージ２００は、絞られた流れのレジーム（choked flow regime）で動作してよく、圧力センサ１２７を用いながら機能する十分な空気圧利得を生成する。本発明の一実施形態に従って、エアゲージ２００は、従来のエアゲージセンサよりも３〜４倍多くの空気圧利得を生成するように構成されうる。
【００４５】
[0052]  図５は、本発明の一実施形態による、利得を示すためにギャップ１３０の関数として圧力４５０を示すグラフ５００を概略的に示す。本発明の一実施形態では、大気条件における動作に関する空気圧データは、流量４００＝５８Ｓｌｐｍ、圧力４０５＝３１２ｋＰａ、および利得＝２５０ｐａ／ｕｍを含みうる。
【００４６】
[0053]  図６は、本発明の一実施形態による、真空環境においてウェーハのトポグラフィをマッピングすることによってフォトリソグラフィ露光ツールにおける焦点を設定するために焦点位置を決定する方法６００のブロック図を概略的に示す。方法６００のステップは、例示に過ぎずまた図示する順番で行われる必要はない。図６に図示されない追加の中間ステップがあってもよい。ステップのうちの幾つかは任意選択であっても、および／または、特定の実施形態に特有であってもよい。すべての実施形態は、図６に示すステップすべてを用いるわけではない。さらに、図１および図２に示すコンポーネントは、図６に示す様々な機能ステップを実行するように構成される。しかし、方法６００は、図１および図２に示す実施形態に限定されるわけではなく、他のシステム実施形態によっても実行することができる。
【００４７】
[0054]  ブロック６０５に示すように、方法６００は、ガス供給源１２０から空気または窒素といったガスを供給することを含みうる。
【００４８】
[0055]  ブロック６１０に示すように、方法６００はさらに、真空環境において、測定ノズル１１０を有するガスゲージ１００を使用することを含みうる。測定ノズル１１０は、ガス供給源１２０によって供給される一定体積流量の音速チョーク流れ状態で動作するように構成されうる。ガスゲージ１００は、体積流量の差圧を測定するために体積流量の音速チョーク流れ状態から下流の測定ノズル１１０に動作上結合されてよい。差圧の尺度は、測定ノズル１１０の遠位端１３５と、測定ノズル１１０に近接する基板面といったターゲット１４５の面１４０との間のギャップ１３０の高さを示しうる。ブロック６１５に示すように、方法６００は、追加的に、その断面にパターンを含む放射ビームに基板を露光させることを含みうる。
【００４９】
[0056]  ブロック６２０に示すように、その断面にパターンを含む放射ビームに基板を露光させることはさらに、測定ノズル１１０から放出されたガスが基板に衝突するように測定ノズルと基板とを位置決めすることを含みうる。ブロック６２５に示すように、方法６００はさらに、基板を露光させる前にガスゲージ１００を使って基板の１つ以上の特徴（aspect）を測定することを含みうる。
【００５０】
[0057]  図７は、本発明の一実施形態による、真空環境において図２に示すエアゲージ２００を用いるためのリソグラフィ装置７００を概略的に示す。リソグラフィ装置７００は、図１に示すガス供給源１２０と、図１に示し、真空環境における使用のためであって、ガス供給源１２０から供給された一定体積流量の音速チョーク流れ状態において動作するように構成された測定ノズル１１０を有するガスゲージ１００とを含みうる。上述したように、ガスゲージ１００は、体積流量の差圧を測定するために体積流量の音速チョーク流れ状態から下流の測定ノズル１１０に動作上結合される圧力センサ１２７を含んでよい。この測定は、測定ノズル１１０の遠位端１３５と、そこに近接するターゲット１４５といった基板との間のギャップ１３０の指示を与えうる。
【００５１】
[0058]  リソグラフィ装置７００内では、従来の露光ステーションが、その断面にパターンを含む放射ビームに基板を露光させるように構成されうる。追加的に、リソグラフィ装置７００は、基板を露光させる前にガスゲージを用いて基板の１つ以上の特徴を測定するように構成された従来の測定ステーションを含みうる。測定ノズル１１０および基板は、測定ノズル１１０から放出されたガスがターゲット１４５といった基板上に衝突するように位置決めされうる。リソグラフィ装置７００はさらに、パターン付き断面を有するビームで基板を照射する間に基板を支持するように構成された基板ステージを含むように構成された従来の基板ステージコンパートメントを含みうる。
【００５２】
[0059]  一実施形態では、リソグラフィ装置７００はさらに、ガスゲージ１００を含む従来のリソグラフィレベリングシステムを含みうる。別の実施形態では、リソグラフィ装置７００はさらに、ガスゲージ１００を含む従来のリソグラフィトポグラフィマッピングデバイスを含みうる。別の実施形態では、リソグラフィ装置７００は、ガスゲージ１００を含むリソグラフィ用の従来の近接センサを含みうる。
【００５３】
[0060]  本発明の一実施形態に一貫して、リソグラフィ装置７００は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、且つ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めする第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、且つ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に結像するように構成された投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００５４】
[0061]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００５５】
[0062]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置７００の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書にて使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００５６】
[0063]  本明細書にて使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００５７】
[0064]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリクス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００５８】
[0065]  本明細書にて使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書にて使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００５９】
[0066]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置７００は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置７００は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００６０】
[0067]  リソグラフィ装置７００は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００６１】
[0068]  また、リソグラフィ装置７００は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置７００内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００６２】
[0069]  図７を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置７００は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置７００の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００６３】
[0070]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００６４】
[0071]  放射ビームＢは、サポート構造またはパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通過した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って位置合わせされうる。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００６５】
[0072]  例示の装置７００は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００６６】
[0073]  上述の記載は、光、光源、および光ビームについて言及している。言及される光は、可視波長を有する光に限定されず、上述したようにリソグラフィに適した紫外線または赤外線を含む他の波長を含みうることは理解されよう。
【００６７】
[0074]  例えばＥＵＶフォトリソグラフィシステムはＥＵＶ源を含みうる。ＥＵＶフォトリソグラフィシステムはさらに、ミラー、瞳、レチクルステージ（ＲＳ）上に取り付けられ、ウェーハ８０５上に結像されるべきパターンの像を有する反射型レチクル、および投影光学部品（ＰＯ）ミラーを含む結像光学部品を含みうる。ＥＵＶ放射は、次に、ウェーハステージ（ＷＳ、図示せず）上に取り付けられたウェーハ上に投影される。なお、深紫外線または可視といった長波長で動作しレチクルは通常透過型であるフォトリソグラフィシステムとは異なり、ＥＵＶシステムでは、レチクルは反射型であることは理解されよう。しかしながら、本発明の両方のタイプのレチクルに適用することができる。
【００６８】
[0075]  本明細書にて、特定のデバイス（例えば集積回路またはフラットパネルディスプレイ）の製造におけるリソグラフィ装置７００の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は他の用途を有しうることは理解すべきである。この用途には、次に限定されないが、集積回路、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、マイクロエレクトロメカニカルデバイス（ＭＥＭＳ）等の製造が含まれうる。さらに、例えばフラットパネルディスプレイでは、本装置は、例えば、薄膜トランジスタ層および／またはカラーフィルタ層である様々な層の作製を支援するために用いることができる。
【００６９】
[0076]  当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７０】
[0077]  フォトリソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、フォトリソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７１】
[0078]  フォトリソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、フォトリソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７２】
[0079]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００７３】
[0080]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００７４】
[0081]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
結論
【００７５】
[0082]  以上、本発明の様々な実施形態を説明したが、これらの実施形態は例示として提示したに過ぎず、限定ではないことを理解すべきである。当業者には明らかであるが、形態および詳細に、本発明の精神および範囲から逸脱することなく様々に変更を加えることができる。したがって、本発明の範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれの実施形態によっても限定されるべきではなく、特許請求の範囲およびその均等物によってのみ定義されるべきである。
【００７６】
[0083]  発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図７】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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