(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号光が入力される入力ポートと、
信号光を出力する出力ポートと、
少なくとも第１の軸回りに回動可能に支持されたミラーと、このミラーと対向配置された電極とを有し、この電極に印加される電圧により生じる静電引力によって前記ミラーを回動させるミラー装置と、
前記入力ポートから入射した信号光を前記ミラーに照射し、前記ミラーにより反射される光信号を前記出力ポート側に出力するレンズと
を備え、
前記出力ポートに入射する信号光の割合を示す光透過率は、前記電極に電圧を印加して前記ミラーを回動させたときに極大となり、
前記入力ポートおよび前記出力ポートの少なくとも一方は、前記レンズの焦点を結ぶ第２の軸および前記第１の軸に対して垂直な第３の軸方向において、当該第２の軸の延長線上に配設されず、
前記入力ポートおよび前記出力ポートは、前記電極に印加する電圧Ｖと前記ミラーの回動角θとの関係における二次微分係数ｄ2θ／ｄＶ2の符号と、前記光透過率Ｔと前記回動角θとの関係における二次微分係数ｄ2Ｔ／ｄθ2との符号とが互いに逆になるように配置される
ことを特徴とする空間光デバイス。
【請求項２】
前記入力ポートおよび前記出力ポートは、前記第３の軸方向において、前記第２の軸を挟んで配設されるとともに、当該第２の軸に対して線対称に配設されない
ことを特徴とする請求項１記載の空間光デバイス。
【請求項３】
前記入力ポートおよび前記出力ポートが接続されるサーキュレータをさらに備え、
前記サーキュレータの入出力端は、前記第３の軸方向において、前記第２の軸の延長線上に配設されない
ことを特徴とする請求項１記載の空間光デバイス。
【請求項４】
少なくとも１つの前記入力ポートおよび少なくとも１つの前記出力ポートを前記第３の軸方向に配列した入出力ポートアレイと、
複数の前記ミラー装置を少なくとも前記第１の軸方向に配列したミラーアレイと、
前記入出力ポートアレイと前記レンズとの間に配設され、入射した信号光を所定の波長毎に分散する分散素子と
をさらに備え、
前記ミラーは、前記第１の軸および前記第３の軸回りに回動可能に支持され、
前記ミラーアレイは、前記第１の軸方向において、前記ミラーの法線が前記入力ポートおよび前記出力ポートの光軸と一致しない位置に配設される
ことを特徴とする請求項１記載の空間光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、空間光デバイスに関し、特に静電引力により駆動するＭＥＭＳミラー装置を備えた空間光デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信分野では、様々な種類の空間光デバイスが用いられている。例えば、信号光の強度レベルを任意に調整可能な可変減衰器（ＶＯＡ：Variable Optical Attenuator）、信号光の経路を切り替えるための光スイッチなどが挙げられる。この光スイッチとしては、１本の光ファイバに複数の信号光チャネルを波長多重（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplexing）して効率的に伝送する波長多重伝送方式が主流になっており、ＷＤＭ信号に対して波長チャネルごとにレベル調整や経路切り替えを行うことができる波長選択スイッチ（ＷＳＳ：Wavelength-Selective Switch）が脚光を浴びている。このような光空間デバイスの具体例について以下に説明する。
【０００３】
＜従来のＶＯＡの構成＞
まず、図１３に可変光減衰器（ＶＯＡ）の一構成例を示す（例えば、非特許文献１を参照）。図１３に示すＶＯＡ２００は、光軸がＺ軸方向に沿って配設された入力ポート２０１および出力ポート２０２と、マイクロレンズ２０３と、集光レンズ２０４と、後述するＭＥＭＳ（Micro-Electro Mechanical Systems）ミラー装置１００とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。
【０００４】
ＶＯＡ２００において、入力ポート２０１から入力された信号光は、マイクロレンズ２０３で平行光とされ、集光レンズ２０４により収束され、ＭＥＭＳミラー装置１００の後述するミラー１０３に入射する。このミラー１０３はＸ軸回りに回動可能とされており、ミラー１０３に到達した信号光は、ミラー１０３により反射され、集光レンズ２０４を通過し、出力ポート２０２から出力される。図１３の場合、ミラー１０３の平面をＹ軸方向に沿った状態としたとき、ミラー１０３により反射された信号光は、符号ａに示すように光軸が出力ポート２０２の光軸と一致するので、そのほとんどが出力ポート２０２に到達して出力されることとなる。一方、符号ｂに示す方向にミラー１０３をＸ軸回りに回動させると、ミラー１０３により反射された信号光は、符号ｃに示すように、光軸が出力ポート２０２の光軸とＹ軸方向にずれてしまうので、そのほとんどが出力ポート２０２に到達せず、出力されないこととなる。
【０００５】
このように、ＭＥＭＳミラー装置を用いたＶＯＡ２００では、ミラー１０３の回動角を変えて、出力ポート２０２の光軸と信号光の光軸の位置関係を調整して出力ポート２０２に到達する信号光の光量を調整することにより、信号光の透過率を変化させている。一般に、ミラー１０３の平面がＹ軸方向に沿った状態のとき、透過率が最大となり、ミラー１０３の回動角が大きくなるほど、透過率が下がるように設定されている。
【０００６】
＜従来のＤＣＥの構成＞
次に、図１４にダイナミックチャネルイコライザ（ＤＣＥ：Dynamic Channel Equalizer）の一構成例を示す（例えば、非特許文献２を参照）。
【０００７】
図１４に示すＤＣＥ３００は、３つのポートを有するサーキュレータ３０３と、マイクロレンズ３０４と、回折格子３０５と、集光レンズ３０６と、信号のチャネル数ｍ（波長数ｍ）と等しい数だけＭＥＭＳミラー装置１００をＸ軸方向に沿って配列したＭＥＭＳミラーアレイ３０７とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。
【０００８】
このようなＤＣＥ３００において、サーキュレータ３０３の入力ポート３０１に入力された信号光は、サーキュレータ３０３のマイクロレンズ側の出射ポート３０３から出射され、マイクロレンズ３０４で平行光とされる。この平行光とされた信号光は、回折格子３０５に到達し、この回折格子３０５を通過する際に信号波長に応じてＸ軸方向に分散され、集光レンズ３０６により互いに平行な光軸を有する信号光群となり、各信号波長に対応してＸ軸方向にアレイ化されている別々のＭＥＭＳミラー装置１００のミラー１０３に入射する。なお、ＤＣＥ３００においては、ミラー１０３はＹ軸回りに回動可能に支持されている。したがって、ミラー１０３に到達した信号光は、そのミラーのＹ軸回りの角度に応じて反射される。
【０００９】
図１４の場合、ミラー１０３の平面をＸ軸方向に沿った状態としたとき、ミラー１０３により反射された信号光は、ミラー１０３に入射したときと同じ光路を逆向きに伝搬することとなる。すなわち、その信号光は、集光レンズ３０６により収束され、回折格子３０５により合波され、マイクロレンズ３０４により収束され、サーキュレータ３０３の出力ポート３０８に到達し、第２の出力ポート３０２より出力される。
【００１０】
ところが、ミラー１０３をＹ軸回りに回動させた場合、ミラー１０３により反射された信号光は、符号ｄ，ｅに示すように、ミラー１０３に入射したときと異なる光路を経て伝搬することとなる。まず、ミラー１０３により反射された信号光は、集光レンズ３０６に照射されるが、このときＸ軸方向において入射したときと異なる位置に照射される。したがって、集光レンズ３０６により収束された信号光は、回折格子３０５においても、Ｘ軸方向において入射したときと異なる位置に照射される。すると、回折格子３０５により合波された信号光は、その光軸がマイクロレンズ３０６の光軸と一致しないので、マイクロレンズ３０４に到達しないまたは一部のみしか到達せず、結果として、出力ポート３０２から出力されないまたは一部のみしか出力されないこととなる。
【００１１】
このように、ＤＣＥ３００においては、各ＭＥＭＳミラー装置１００のミラー１０３のＹ軸回りの回動角を変化させることで、各チャネルの信号光の出力ポート３０２への結合効率（光透過率）を調整する。
【００１２】
＜従来のＷＳＳの構成＞
最後に、図１５，図１６に波長選択スイッチ（ＷＳＳ）の一構成例を示す（例えば、特許文献１を参照）。ここで、図１５はＸＺ面、図１６はＹＺ面を示すものである。
【００１３】
図１５，図１６に示すＷＳＳ４００は、光軸がＺ軸方向に沿って配設された光ファイバアレイ４１０と、マイクロレンズアレイ４２０と、回折格子４３０と、集光レンズ４４０と、ＭＥＭＳミラーアレイ４５０とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。
【００１４】
ここで、光ファイバアレイ４１０は、各々の光軸をＺ軸方向に沿わせたＮ＋１本の光ファイバをＺ軸と直交するＹ軸方向に並設し、そのうちの１本を入力ポート、他のＮ本を出力ポートとする。または、１本を出力ポート、他のＮ本を入力ポートとする。これにより、１ｘＮのＤｒｏｐ型ＷＳＳまたはＮｘ１のＡｄｄ型ＷＳＳとして使用することができる。なお、図１５，図１６においては、光ファイバアレイ４１０は、入力ポート４１１と出力ポート４１２〜４１５とを備えたＤｒｏｐ形ＷＳＳの場合を例に説明する。
【００１５】
マイクロレンズアレイ４２０は、複数のマイクロレンズ４２１〜４２５をＹ軸方向に並設したものである。このようなマイクロレンズアレイ４２０は、図１６に示すように入出力ポート４１１〜４１５に対してＺ軸方向の正の側に、各マイクロレンズ４２１〜４２５が対応する光入出力ポートと対向するように配設される。
【００１６】
ＭＥＭＳミラーアレイ４５０は、Ｘ軸方向に並設され、Ｘ軸回りおよびＹ軸回りに回動可能に支持されたミラー１０３を備える複数のＭＥＭＳミラー装置から構成されている。このＭＥＭＳミラー装置のミラー１０３は、Ｘ軸に対して、ｎ本の出力ポートのうちの何れか１つのポートと１本の入力ポートとが結合する、すなわち、Ｘ軸回りの回動方向に関して何れかの出力ポートと１本の入力ポートの間が最小損失になるように回動する。これは、ちょうど、出力ポートが並んだ方向に信号光の向きを動かすように回動する。一方、Ｙ軸に対して、ミラー１０３は、Ｘ軸に直交するＹ軸回りに回動するので、入力ポートが並んだ方向と直交する方向に信号光の向きを動かすように回動する。したがって、入力ポートから出力ポートへの結合率、すなわち損失を制御するには、Ｘ軸およびＹ軸のどちらを回動させても可能であるが、ポートの並び方向の動きを司るＸ軸回りの回動は、主にポートの選択、ポートの並び方向と直交する方向の動きを司るＹ軸回りの回動は、主に損失の制御に用いられる。
【００１７】
このようなＷＳＳ４００において、入力ポート４１１から入力された信号光は、入力ポート４１１に対向配置されたマイクロレンズ４２１で平行光とされる。この平行光とされた信号光は、回折格子４３０に到達し、この回折格子４３０を通過する際に信号波長に応じてＸ軸方向に分散され、集光レンズ４４０により互いに平行な光軸を有する信号光群となり、各信号波長に対応してＸ軸方向にアレイ化されている別々のＭＥＭＳミラー装置１００のミラー１０３に入射する。このミラー１０３はＸ軸回りおよびＹ軸回りに回動可能に支持されている。したがって、ミラー１０３に到達した信号光は、そのミラーのＸ軸回りおよびＹ軸回りの角度に応じて反射される。
【００１８】
Ｙ軸回りの回動について説明すると、図１５の場合、ミラー１０３の平面をＸ軸方向に沿った状態としたとき、ミラー１０３により反射された信号光はＸＺ平面では、ミラー１０３に入射したときと同じ光路を逆向きに伝搬することとなる。すなわち、その信号光は、集光レンズ４４０により収束され、回折格子４３０により合波され、マイクロレンズアレイ４２０により収束され、光ファイバアレイ４１０より出力される。
【００１９】
一方、ミラー１０３をＹ軸回りに回動させると、図１５の符号ｆ，ｇに示すように、ミラー１０３に入射したときと異なる光路を経て伝搬することとなる。まず、ミラー１０３により反射された信号光は、集光レンズ４４０に照射されるが、このときＸ軸方向において入射したときと異なる位置に照射される。したがって、集光レンズ４４０により収束された信号光は、回折格子４３０においても、Ｘ軸方向において入射したときと異なる位置に照射される。すると、回折格子４３０により合波された信号光は、その光軸がマイクロレンズアレイ４２０の光軸と一致しないので、マイクロレンズ４２１〜４２５に到達しないまたは一部のみしか到達せず、結果として、光ファイバアレイ４１０から出力されないまたは一部のみしか出力されないこととなる。
【００２０】
Ｘ軸回りの回動について説明すると、図１６に示すように、入力ポート４１１および出力ポート４１２〜４１５がＹ軸方向に沿って並設されているので、ＭＥＭＳミラー装置４５０のミラー１０３をＸ軸回りに回動させると、ミラー１０３により反射された光信号は、Ｙ軸方向に移動する。これにより、ミラー１０３により反射された信号光は、集光レンズ４４０により収束され、回折格子４３０により合波されのち、マイクロレンズ４２１，４２２〜４２５のいずれかに到達し、このマイクロレンズに対応する出力ポート４１２〜４１５から出力されることとなる。
【００２１】
図１３〜図１６を参照して説明した空間光デバイスはいずれも、同じ原理に基づいて光透過率（Ｔ）を制御している。すなわち、ＭＥＭＳミラー装置のミラー１０３を回動させることによって、このミラー１０３により反射された信号光の光軸をずらすことにより、ポート（光ファイバ）への光結合損失を発生させるものである。そして、光学系の構成については、図１３のＶＯＡの場合はＹ軸方向、図１４〜図１６のＤＣＥおよびＷＳＳの場合はＸ軸方向に、ミラー１０３の平面が沿った状態のときに光透過率が最大となり、ミラー１０３をＸ軸回りまたはＹ軸回りに回動させるにつれて光透過率が低下するように設定されている。この空間光デバイスにおける光透過率とミラー１０３の回動角との関係（Ｔ−θ特性）を図１７に示す。なお、図１７において、透過率（Ｔ）は対数表示としている。
【００２２】
このように、各種空間光デバイスの主要な構成要素であるＭＥＭＳミラー装置の一構成例を図１８に示す（例えば、特許文献２参照。）。
【００２３】
図１８に示す平行平板型のＭＥＭＳミラー装置１００は、一対のばね部材１０１，１０２によりこのばね部材１０１，１０２の延在方向（以下、Ｘ軸方向という）回りに回動可能に支持されるとともにグランドに接地されたミラー１０３と、このミラー１０３の平面に対して垂直な方向にミラー１０３と所定間隔離間した状態で対向配置され、Ｘ軸に対して線対称に設けられた一対の電極１０４，１０５とを備えている。このようなＭＥＭＳミラー装置は、電極１０４，１０５に電圧を印加し、電極１０４，１０５とミラー１０３との間の電位差により生じる静電引力によってミラー１０３を回動軸回りに回動させる装置である。このような平行平板電極構造を有する静電駆動型のＭＥＭＳミラー装置におけるミラー１０３の回動角度（θ）は、静電引力とばね部材１０１，１０２の復元力とのつりあいによって決定され、電極１０４，１０５への印加電圧（Ｖ）の２／３乗の関数となる。典型的な印加電圧と回動角度の特性（Ｖ−θ特性）を図１９に示す。
【００２４】
図１９からわかるように、印加電圧が小さい領域ではミラー１０３の回動角変化は鈍く、印加電圧が高くなるほど、ミラー１０３の回動角が急峻に大きくなる。これは、ミラーが傾くにつれて、ミラー１０３の端部と電極１０４または電極１０５との距離が近くなり、静電引力も大きくなるためである。一般に、その間隔が、ミラー１０３と電極１０４，１０５とが互いに平行な初期状態の１／３以下となると、ミラー１０３が電極１０４，１０５に一気に引き寄せられるため、ミラー１０３の可動角を制御できなくなる「プルイン」と呼ばれる状態となる。このプルインが生じると、ミラー１０３は、電極１０４，１０５またはこの電極の周囲に予め形成されたストッパに衝突して静止する。このとき、電気的な短絡が発生すると、ミラー１０３が電極１０４，１０５などと固着してしまい、ミラー１０３は再び回動することはできなくなる。したがって、平行平板型のＭＥＭＳミラー装置は、プルインが生じない範囲内で使用しなければならない。
【００２５】
ところで、光スイッチのポート数や光減衰量範囲を大きくするためには、ミラーにより反射する光ビームの偏向角を大きくしなければならないので、ミラーの回動角をプルインが生じる領域の近傍まで最大限利用した設計が行われる。ところが、ＭＥＭＳミラー装置のＶ−θ特性や光学系の特性には温度依存性や経時変化があり、印加電圧にもノイズや設定分解能起因の誤差がある。また、ＭＥＭＳミラー装置は、光学系の組立誤差、光学部品の製造精度、振動時の変動の影響も受ける。これらの要因によって、ＭＥＭＳミラー装置では、実用時においてミラーの回動角がプルインが生じる領域を侵してしまう懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２６】
【特許文献１】米国特許第６６６１９４８号明細書
【特許文献２】国際公開公報  ＷＯ０６／０７３１１１
【非特許文献】
【００２７】
【非特許文献１】MEMS variable optical attenuator for DWDM optical amplifiers、OSA Technical Digest Series（Optical Society of America, 2000）、paper WM17
【非特許文献２】Ming C. Wu, Olav Solgaard and Joseph E. Ford、"Optical MEMS for Lightwave Communication"、J. Lightwave Technol. 24、4433-4454、2006
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
ここで、図１７に示したＴ−θ特性と、図１９に示したＭＥＭＳミラー装置のＶ−θ特性とからＭＥＭＳミラー装置への印加電圧（Ｖ）と光学系の光透過率（Ｔ）の関係（Ｔ−Ｖ特性）を表すと、図２０に示すように、印加電圧が小さいときは光透過率の変化（低下）も小さいが、印加電圧が高くなると光透過率が急激に低下するという傾向を示す。このような非線形特性を示すのは、Ｔ−θ特性とＶ−θ特性とがともに非線形であり、これらの特性が相乗されるためである。したがって、光透過率の低い領域ほど、設定可能な光減衰量分解能が大きくなってしまうとともに、わずかな電圧変動によって光透過率が敏感に変化してしまう。このように、ＭＥＭＳミラー装置を用いた従来の空間光デバイスでは、可変減衰器としての精度（ＶＯＡ精度）を向上させることが困難であった。
【００２９】
また、高い電圧を印加することにより実現する低透過率域は、ミラーが大きく回動している状態なので、プルインや角度ドリフトが発生しやすい。このため、温度変化や経時変化による角度ドリフトが発生すると、たとえその変化量がわずかであっても、Ｔ−Ｖ特性の急峻性によって光透過率が敏感に変動してしまうので、ＶＯＡ精度や動作の安定性が低下してしまう。
【００３０】
さらに、特にＷＳＳにおいては、接続ポートを切り替える際に、他のポートへのクロストークを避けるためにミラーをＹ軸回りに大きく回動させる「ヒットレス」と呼ばれる動作が行われるが、このヒットレス動作時に印加電圧が高くなるので、プルインが発生しやすくなり、結果として、安定性が低下してしまう。
【００３１】
そこで、本発明は、可変減衰精度および動作の安定性の向上を実現することができる空間光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
上述したような課題を解決するために、本発明に係る空間光デバイスは、信号光が入力される入力ポートと、信号光を出力する出力ポートと、少なくとも第１の軸回りに回動可能に支持されたミラーと、このミラーと対向配置された電極とを有し、この電極に印加される電圧により生じる静電引力によってミラーを回動させるミラー装置と、入力ポートから入射した信号光をミラーに照射し、ミラーにより反射される光信号を出力ポート側に出力するレンズとを備え、出力ポートに入射する信号光の割合を示す光透過率は、電極に電圧を印加してミラーを回動させたときに極大となることを特徴とするものである。
【００３３】
上記空間光デバイスにおいて、入力ポートおよび出力ポートの少なくとも一方は、レンズの焦点を通る第２の軸および第１の軸に対して垂直な第３の軸方向において、当該第２の軸の延長線上に配設されないようにしてもよい。
【００３４】
また、上記空間光デバイスにおいて、入力ポートおよび出力ポートは、第３の軸方向において、第２の軸を挟んで配設されるとともに、当該第２の軸に対して線対称に配設されないようにしてもよい。
【００３５】
また、上記空間光デバイスにおいて、入力ポートおよび出力ポートが接続されるサーキュレータをさらに備え、サーキュレータの入出力端は、第２の軸方向において、光軸の延長線上に配設されないようにしてもよい。
【００３６】
また、上記空間光デバイスにおいて、少なくとも１つの入力ポートおよび少なくとも１つの出力ポートを第３の軸方向に配列した入出力ポートアレイと、 複数のミラー装置を少なくとも第１の軸方向に配列したミラーアレイと、入出力ポートアレイとレンズとの間に配設され、入射した信号光を所定の波長毎に分散する分散素子とをさらに備え、ミラーは、第１の軸および第３の軸回りに回動可能に支持され、ミラーアレイは、第１の軸方向において、ミラーの法線が入力ポートおよび出力ポートの光軸と一致しない位置に配設されるようにしてもよい。
【００３７】
また、上記空間光デバイスにおいて、入力ポートおよび出力ポートは、電極に印加する電圧Ｖとミラーの回動角θとの関係における二次微分係数ｄ2θ／ｄＶ2の符号と、光透過率Ｔと回動角θとの関係における二次微分係数ｄ2Ｔ／ｄθ2との符号とが互いに逆になるように配置されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、出力ポートに入射する信号光の割合を示す光透過率が、電極に電圧を印加してミラーを回動させたときに極大となるようにすることにより、電極に印加する電圧の全電圧範囲に亘って光透過率の変化が線形に近くなるので、可変減衰精度および動作の安定性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係るＶＯＡをＹＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図２】図２は、図１のＶＯＡのＴ−θ特性を示す図である。
【図３】図３は、図１のＶＯＡのＴ−Ｖ特性を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係るＶＯＡをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図５】図５は、図４は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係るＤＣＥをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態に係るＷＳＳをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係るＷＳＳをＹＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図８】図８は、２つの軸回りに回動するＭＥＭＳミラー装置の構成を模式的に示す図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態に係るＷＳＳのＴ−θ特性を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係るＷＳＳのＴ−Ｖ特性を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係るプリズムを備えたＷＳＳをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る反射ミラーを備えたＷＳＳをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、従来のＶＯＡをＹＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図１４】図１４は、従来のＤＣＥをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図１５】図１５は、従来のＷＳＳをＸＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図１６】図１６は、従来のＷＳＳをＹＺ平面から見たときの構成を模式的に示す図である。
【図１７】図１７は、従来の空間光デバイスのＴ−θ特性を示す図である。
【図１８】図１８は、１つの軸回りに回動するＭＥＭＳミラー装置の構成を模式的に示す図である。
【図１９】図１９は、図１８のＭＥＭＳミラー装置におけるθ−Ｖ特性を示す図である。
【図２０】図２０は、従来の空間光デバイスのＴ−Ｖ特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００４１】
［第１の実施の形態］
まず、本発明の第１の実施の形態に係る可変光減衰器（ＶＯＡ）１について説明する。
【００４２】
＜ＶＯＡの構成＞
図１に示すように、本実施の形態に係るＶＯＡ１は、光軸がＺ軸方向に沿って配設された入力ポート１１および出力ポート１２と、マイクロレンズ１３と、集光レンズ１４と、ＭＥＭＳミラー装置１００とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。
【００４３】
入力ポート１１および出力ポート１２は、公知の光ファイバからなり、各々の光軸をＺ軸方向に沿わせた状態で、Ｚ軸と直交するＹ軸方向に並設した構成を有する。その光ファイバにおいて、マイクロレンズ１３側の端部から光信号を出射するものが、入力ポート１１であり、光信号を受光するものが出力ポート１２となる。
【００４４】
ここで、入力ポート１１は、Ｙ軸方向において、集光レンズ１４の光軸から負の方向にＹ1の距離だけ離れた位置に配設される。一方、出力ポート１２は、集光レンズ１４の光軸から正の方向にＹ2（≠Ｙ1）の距離だけ離れた位置に配設される。したがって、入力ポート１１と出力ポート１２とは、Ｙ軸方向に（Ｙ1＋Ｙ2）の距離だけ離間していることとなる。このような入力ポート１１および出力ポート１２のＹ軸方向の配置の原理については後述する。
【００４５】
マイクロレンズ１３は、公知のマイクロレンズからなり、入力ポート１１および出力ポート１２に対してＺ軸方向の正の側に配設される。
【００４６】
集光レンズ１４は、公知の凸レンズなどの集光レンズから構成され、マイクロレンズ１３に対してＺ軸方向の正の側に設けられている。
【００４７】
ＭＥＭＳミラー装置１００は、図１８で示した平行平板型のＭＥＭＳミラー装置からなり、集光レンズ１４に対してＺ軸方向の正の側で、かつ、ミラー１０３の回動軸が集光レンズ１４の焦点面に位置するように設けられる。このようなＭＥＭＳミラー装置１００は、Ｘ軸方向に延在する一対のばね部材１０１，１０２によりＸ軸方向回りに回動可能に支持されるとともにグランドに接地されたミラー１０３と、このミラー１０３の平面に対して垂直な方向にミラー１０３と所定間隔離間した状態で対向配置され、Ｘ軸に対して線対称に設けられた一対の電極１０４，１０５とを備えている。このようなＭＥＭＳミラー装置は、電極１０４，１０５に電圧を印加し、電極１０４，１０５とミラー１０３との間の電位差により生じる静電引力によってミラー１０３を回動軸回りに回動させる装置である。このような平行平板電極構造を有する静電駆動型のＭＥＭＳミラー装置におけるミラー１０３の回動角度θは、静電引力とばね部材１０１，１０２の復元力とのつりあいによって決定され、電極１０４，１０５への印加電圧（Ｖ）の２／３乗の関数となる。典型的な印加電圧と回動角度の特性（Ｖ−θ特性）は図１９に示した通りである。
【００４８】
＜入出力ポートの配置原理＞
次に、本実施の形態において、入力ポート１１および出力ポート１２の配置原理について説明する。
【００４９】
ミラー１０３の回動角度θは、ミラー１０３の平面がＹ軸方向に沿った状態（初期状態）をゼロとし、Ｙ軸の正の側に配置された電極１０４への電圧印加によってミラー１０３がＸ軸に対して時計回りに回動する方向を正（θ＞０）とする。また、ミラー１０３のＹ軸方向の長さを２Ｌとすると、ミラー１０３の回動によるミラー１０３先端部の変位量Ｘは、下式（１）で表される。
【００５０】
Ｘ＝Ｌ・ｔａｎθ≒Ｌθ  ・・・（１）
【００５１】
また、ミラー１０３と電極１０４，１０５との間隔をｄ、誘電率をεとする。また、ミラー１０３と電極１０４または電極１０５との間で発生する静電引力の分布荷重を、ミラー端に作用する集中荷重として換算するため、静電引力が発生する仮想的なミラーおよび電極の面積をＳとする。さらに、ばね部材１０１，１０２のばね定数をｋとすると、ミラー１０３と電極１０４，１０５との間に働く静電引力とばね部材１０１，１０２によるばね復元力との平衡条件から、下式（２）が成立する。ここで、Ｖは電極１０４または電極１０５に印加する電圧である。
【００５２】
ｋ・θ＝εＳＶ2Ｌ／｛２（ｄ−Ｘ）2｝  ・・・（２）
【００５３】
上式（１），（２）から以下に示すようにミラー１０３の回動角θと電極１０４，１０５への印加電圧Ｖとの関係を導出することができ、Ｖ−θ特性は最終的に下式（３）で近似することができる。ここで、θmaxは、ミラー１０３が電極１０４，１０５に接触した状態におけるミラー１０３の回動角である。
【００５４】
（ｄ−Ｘ）2・θ＝εＳＶ2Ｌ／２ｋ
θ（ｄ／Ｌ−θ）2＝εＳＶ2／２ｋＬ
θ（θmax−θ）2＝εＳＶ2／２ｋＬ    ・・・（３）
【００５５】
上式（３）のＶ−θ特性を図示したものが図１９である。この図１９からもわかるように、印加電圧が小さい領域ではミラー１０３の回動角変化は小さく、印加電圧を高くするほどミラー１０３の回動角が急激に大きくなる。これは、ミラー１０３が傾くにつれて、ミラー１０３と電極１０４，１０５とのギャップが小さくなり、より大きな静電引力が働くためである。
【００５６】
ここで、上式（３）を微分すると、下式（４）が得られる。
【００５７】
ｄＶ／ｄθ＝（ｋＬ／εＳＶ）・（θmax−θ）・（θmax−３θ）  ・・・（４）
【００５８】
したがって、上式（４）は、θ＝（１／３）θmaxを変局点として有することがわかる。これにより、ミラー１０３は、θ＝１／３・θmax以上に回動させるとプルインが発生するので、θ＝０〜（１／３）θmaxの範囲で使用することになる。
【００５９】
さらに、上式（３）を２回微分すると下式（５）が得られる。
【００６０】
ｄ2Ｖ／ｄθ2＝−（４ｋＬ／εＳ）・（θmax−３θ／２）  ・・・（５）
【００６１】
上述したように、θ＝０〜（１／３）θmaxであるから、上式（５）は常に負の値となる。
【００６２】
以上の計算では、簡略化のため、分布的に作用する静電力をミラー端に集中的に作用する作用力に換算する近似を行っている。厳密解では、プルインが発生する角度は（１／３）θmaxとは一致しないが、プルインしない範囲において、二回微分値が常に負になることは変わらない。
【００６３】
また、ミラー１０３は、集光レンズ１４の焦点面に配置され、初期状態（無電圧印加時）におけるミラー１０３中心の法線は、集光レンズ１４の焦点を結ぶ光軸と一致している。この初期状態において、集光レンズ１４の光軸からＹ軸方向の負の方向にＹ1だけ離間して配設された入力ポート１１から出力され、マイクロレンズ１３および集光レンズ１４を介してミラー１０３に到達してこのミラー１０３で反射された光ビームは、図１の点線αで示すように進み、出力ポート１２の出力ポートとは結合しない。ここで、ミラー１０３を符号βで示すようにＸ軸に対して時計回りに回動させると、出力ポート１２への結合効率（光透過率）が大きくなる。このようなＶＯＡ１は、入出力ポートの配列面における信号光の位置Ｙとミラー１０３の回動角θとについて、位置−角度変換光学系をなしている。したがって、集光レンズ１４の焦点距離をｆとすれば、出力ポート面における信号光の位置Ｙは、概ね下式（６）で表すことができる。
【００６４】
Ｙ＝−Ｙ1＋ｆ・２θ  ・・・（６）
【００６５】
ミラー１０３の回動角がθ＝θ0のときに、信号光が出力ポート１２に最も結合する、すなわち光透過率が最大（極大）となるとすると、下式（７）が成り立つ。
【００６６】
Ｙ2＝−Ｙ1＋ｆ・２θ0  ・・・（７）
【００６７】
ここで、マイクロレンズ１３で形成されるコリメートされた信号光のビームウェスト半径をωとすると、本実施の形態に係るＶＯＡ１における光透過率Ｔ［ｄＢ］とミラー１０３の回動角θ［ｄｅｇ］との関係は、上式（６）、（７）を用いて、下式（８）で表すことができる。
【００６８】
Ｔ＝１０・ｌｏｇ（ｅｘｐ（−２（（Ｙ−Ｙ2）／ω）2））
＝１０・ｌｏｇ（ｅｘｐ（−２（（ｆ・２θ0−ｆ・２θ）／ω）2））
＝１０・ｌｏｇ（ｅｘｐ（（−８ｆ2／ω2）（θ0−θ）2））  ・・・（８）
【００６９】
上式（８）を用いて、ミラー１０３の最大回動角を１度（θ0＝１［ｄｅｇ］）としたときの光透過率Ｔとミラー１０３の回動角θとの関係（Ｔ−θ特性）を図２に示す。この図２に示されるように、Ｔ−θ特性は、θ＝１［ｄｅｇ］に頂点をもつ二次関数で表され、図１７に示した従来のＴ−θ特性をθ0だけ横軸方向にオフセットしたものとなる。図２によく示されるように、本実施の形態におけるＴ−θ特性は、ミラー１０３が初期状態のときには光透過率が非常に低く、ミラー１０３の回動角が大きくなるにつれて光透過率が大きくなる。そして、ミラー１０３の回動角が最大（図２の場合は１度）のときに、光透過率は最大（０［ｄＢ］）となる。このときのＴ−θ特性の一次微分の符号は正、二次微分の符号は負となる。したがって、上式（７）に基づいて、出力ポートのオフセット量Ｙ2を設定すればよい。
【００７０】
図２に示したＴ−θ特性、および、図１９に示したＶ−θ特性から、電極１０４，１０５への印加電圧Ｖと光透過率Ｔとの関係（Ｔ−Ｖ特性）は、図３で表すことができる。なお、図３には、比較のため、図２０に示した従来のＴ−Ｖ特性も点線で示している。
【００７１】
図３に示すように、従来では、印加電圧が高くなるほど光透過率の変化が急になっていたが、本実施の形態では、全電圧範囲に亘って光透過率の変化が線形に近くなっており、急峻な変化を生じる領域がほとんど存在していない。すなわち、本実施の形態では、必要となるＶＯＡ範囲のすべてに亘って、ＶＯＡ精度を向上させることができる。
【００７２】
以上説明したように、本実施の形態によれば、出力ポート１２に入射する信号光の割合を示す光透過率が、電極１０４，１０５に電圧を印加してミラー１０３を回動させたときに極大となるようにすることにより、電極１０４，１０５に印加する電圧の全電圧範囲に亘って光透過率の変化が線形に近くなるので、可変減衰精度および動作の安定性の向上を実現することができる。
【００７３】
このような特性は、特に減衰量を大きくとる場合に顕著な効果をもたらす。電圧分解能が十分に高くない場合、または、角度ドリフトが発生する場合、従来では、高減衰時のＶ−θ特性が急峻であるために、わずかな電圧変化が発生してもすぐにプルインが生じる恐れがあった。このプルインによって固着が発生すると、ＭＥＭＳミラーは再び回動動作をすることができなくなってしまう。しかしながら、本実施の形態によれば、Ｔ−Ｖ特性に急峻な箇所がなくなり、特に、回動角が大きい状態におけるＴ−Ｖ特性が緩やかになるので、精密な電圧制御が不要になり、プルインが発生する可能性を著しく減少させる。さらに、回動角が大きい場合における角度変動が透過率変化に及ぼす影響を小さくできるため、ＭＥＭＳミラーにおいて常に懸念されていた角度ドリフトの影響も小さくなる。また、ＭＥＭＳミラー特性の温度依存性や耐衝撃性、および、光学系の耐環境特性に関してもロバストとなり、空間光デバイスの長期安定性や信頼性をも向上させることができる。
【００７４】
本実施の形態は、ＭＥＭＳミラー装置のＶ−θ特性の非線形性をＴ−θ特性をオフセットさせた光学系と組み合わせることによって、空間光デバイスとしてのＴ−Ｖ特性の線形性を改善させるものである。したがって、図１８に示したＭＥＭＳミラー装置に限定されるものではなく、対向した電極間に働く静電引力を利用したＭＥＭＳミラー装置であれば、いかなる電極構造、電極配置、ミラー構造、ミラー形状などに係わらず、上述したような作用効果を実現することができる。特に、例えば電極１０４または電極１０３のうちどちらか一方の電極しか有しない単電極構造のＭＥＭＳミラー装置においては、二組の対向電極を有するＭＥＭＳミラー装置を制御する際によく用いられるバイアス駆動方式を利用できないため、Ｖ−θ特性の非線形性を改善させることが困難であるので、上述した作用効果が特に顕著に現れる。
【００７５】
なお、本実施の形態では、入力ポート１１および出力ポート１２のモードフィールド半径を拡大するためにマイクロレンズ１３を用いているが、このマイクロレンズ１３の替わりに、レンズを一体化した光ファイバコリメータを用いたり、モードフィールド径を拡大したＴＥＣ（Thermal Expanded Core）を用いたりするようにしてもよい。また、そのマイクロレンズ１３を用いないようにしてもよい。
【００７６】
また、本実施の形態は、可変光減衰器（ＶＯＡ）に適用した場合を例に説明したが、図４に示すようなサーキュレータを備えたＶＯＡや図５に示すようなダイナミックチャネルイコライザにも適用できることは言うまでもない。それぞれについて、以下に説明する。なお、以下において、上述したＶＯＡ１と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７７】
＜サーキュレータを備えたＶＯＡ＞
図４に示すＶＯＡ２は、入力ポート１１および出力ポート１２が接続され、入力ポート１１からの入射光が出力される出射ポート１５を備えたサーキュレータ２１と、マイクロレンズ１３と、集光レンズ１４と、ＭＥＭＳミラー装置１００とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。なお、ＭＥＭＳミラー装置１００は、図１に示すＶＯＡ１の場合と異なり、Ｙ軸回りに回動するものである。
【００７８】
サーキュレータ２１は、公知のサーキュレータから構成される。このようなサーキュレータ２１は、Ｘ軸方向において、出射ポート１５が集光レンズ１４の光軸からΔＸだけずれるように配設されている。
【００７９】
マイクロレンズ１３は、公知のマイクロレンズからなり、サーキュレータ２１の出射ポート１５に対してＺ軸方向の正の側に配設される。
【００８０】
このように、サーキュレータ２１の出力ポートの配置を、集光レンズ１４の光軸からΔＸだけ離間させることにより、透過率が最大となるミラー傾斜角度を、電圧印加しないときのミラー角度からオフセットさせるよう、ＭＥＭＳミラー装置への入射角をオフセットさせることができる。このような構成を採ることにより、上述したＶＯＡ１の場合と同等の作用効果を実現することができる。
【００８１】
＜ダイナミックチャネルイコライザ＞
図５に示すダイナミックチャネルイコライザ（ＤＣＥ）３は、入力ポート１１および出力ポート１２が接続され、入力ポート１１からの入力光が出射する出射ポート１５を備えたサーキュレータ２１と、マイクロレンズ１３と、回折格子３１と、集光レンズ１４と、信号のチャネル数ｍ（波長数ｍ）と等しい数だけＭＥＭＳミラー装置１００をＸ軸方向に沿って配列したＭＥＭＳミラーアレイ３２とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。なお、ＭＥＭＳミラー装置１００は、図１に示すＶＯＡ１の場合と異なり、Ｙ軸回りに回動するものである。
【００８２】
ここで、サーキュレータ２１は、出射ポート１５の延在方向が、集光レンズ１４の光軸からＸ軸方向にΔＸだけずれるように配設されている。
【００８３】
このようなＤＣＥ３において、入力ポート１１から入力された信号光は、サーキュレータ２１の出射ポート１５から出射され、マイクロレンズ１３で平行光とされる。この平行光とされた信号光は、回折格子３１に到達し、この回折格子３１を通過する際に信号波長に応じてＸ軸方向に分散され、集光レンズ１４により互いに平行な光軸を有する信号光群となり、各信号波長に対応してＸ軸方向にアレイ化されている別々のＭＥＭＳミラー装置１００のミラー１０３に入射する。このミラー１０３はＹ軸回りに回動可能に支持されている。したがって、ミラー１０３に到達した信号光は、そのミラーのＹ軸回りの角度に応じて反射される。したがって、ミラー１０３の回動角を変化させることで、出力ポート１２への結合効率（光透過率）を調整する。すなわち、ミラー１０３により反射された信号光は、集光レンズ１４により収束され、回折格子３１により合波され、マイクロレンズ１３により収束され、ミラー１０３の回動角に応じて、少なくとも一部がサーキュレータ２１の出射ポート１５に到達して出力ポート１２より出力されるか、または、サーキュレータ２１に到達しない。
【００８４】
このように、サーキュレータ２１の出射ポート１５の配置を、集光レンズ１４の光軸からΔＸだけ離間させることにより、予めＭＥＭＳミラー装置への入射角の最適値からのオフセットを生じさせる。このような構成を採ることにより、上述したＶＯＡ１の場合と同等の作用効果を実現することができる。
【００８５】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態において、上述した第１の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
【００８６】
図６，図７に示すように、本実施の形態に係るＷＳＳ４は、光軸がＺ軸方向に沿って配設された光ファイバアレイ４１と、マイクロレンズアレイ４２と、回折格子３１と、集光レンズ１４と、ＭＥＭＳミラーアレイ４３とを備えており、これらをこの順番でＺ軸方向に沿って配列した構成を有する。
【００８７】
ここで、光ファイバアレイ４１は、各々の光軸をＺ軸方向に沿わせたＮ＋１本の光ファイバをＺ軸と直交するＹ軸方向に並設し、そのうちの１本を入力ポート、他を出力ポート、または、１本を出力ポート、他を入力ポートとする。これにより、１ｘＮのＤｒｏｐ型ＷＳＳまたはＮｘ１のＡｄｄ型ＷＳＳとして使用することができる。なお、図６，図７においては、光ファイバアレイ４１は、入力ポート４１ａと、出力ポート４１ｂ〜４１ｅとを備えたＤｒｏｐ形ＷＳＳの場合を例に説明する。
【００８８】
このような光ファイバアレイ４１において、入力ポート４１ａおよび出力ポート４１ｂ〜４１ｅのＸ軸方向の位置は、集光レンズ１４の光軸からΔＸだけずれるように設定されている。
【００８９】
マイクロレンズアレイ４２は、複数のマイクロレンズ４２ａ〜４２ｅをＹ軸方向に並設したものである。このようなマイクロレンズアレイ４２は、図７に示すように光ファイバアレイ４１に対してＺ軸方向の正の側に、各マイクロレンズ４２ａ〜４２ｅが対応する光入出力ポートと対向するように配設される。
【００９０】
ＭＥＭＳミラーアレイ４３は、Ｘ軸方向に並設され、Ｘ軸回りおよびＹ軸回りに回動可能に支持されかつ、回動軸が集光レンズ１４の焦点面に位置するように設けられたミラー１０３を備える複数のＭＥＭＳミラー装置５０ａ〜５０ｃから構成されている。ここで、ＭＥＭＳミラー装置５０ａ〜５０ｃのうち、Ｘ軸方向における中央に配設されたＭＥＭＳミラー装置５０ｂは、その回動軸の交点に集光レンズ１４の光軸が通るように配設されている。
【００９１】
ＭＥＭＳミラー装置５０ａ〜５０ｃは、それぞれ図８に示すＭＥＭＳミラー装置５０から構成される。このＭＥＭＳミラー装置５０は、Ｘ軸方向に延在する一対のばね部材５１，５２によりＸ軸回りに回動可能に支持され、かつ、Ｙ軸方向に延在する一対のばね部材５３，５４によりＹ軸回りに回動可能に支持されるとともにグランドに接地されたミラー１０３と、このミラー１０３の平面に対して垂直な方向にミラー１０３と所定間隔離間した状態で対向配置された複数の電極５５〜５８とを備えている。例えば、電極５５および電極５６に同時に電圧を印加することによってミラー１０３をＸ軸周りに回動させ、電極５６及び電極５７に同時に電圧を印加することによってミラー１０３をＹ軸周りに回動させる装置である。
【００９２】
このＭＥＭＳミラー装置５０ａ〜５０ｃのミラー１０３は、Ｘ軸に対して、ｎ本の出力ポートのうちの何れか１つのポートと１本の入力ポートとが結合する、すなわち、Ｘ軸回りの回動方向に関して何れかの出力ポートと１本の入力ポートの間が最小損失になるように回動する。これは、ちょうど、出力ポートが並んだ方向に信号光の向きを動かすように回動する。一方、Ｙ軸に対して、ミラー１０３は、Ｘ軸に直交するＹ軸回りに回動するので、出力ポートが並んだ方向と直交する方向に信号光の向きを動かすように回動する。したがって、入力ポートから出力ポートへの結合率、すなわち損失を制御するには、Ｘ軸およびＹ軸のどちらを回動させても可能であるが、ポートの並び方向の動きを司るＸ軸回りの回動は、主にポートの選択、ポートの並び方向と直交する方向の動きを司るＹ軸回りの回動は、主に損失の制御に用いられる。
【００９３】
このようなＷＳＳ４において、入力ポート４１ａから入力された信号光は、入力ポート４１ａに対向配置されたマイクロレンズ４２ａで平行光とされる。この平行光とされた信号光は、回折格子３１に到達し、この回折格子３１を通過する際に信号波長に応じてＸ軸方向に分散され、集光レンズ１４により互いに平行な光軸を有する信号光群となり、各信号波長に対応してＸ軸方向にアレイ化されている別々のＭＥＭＳミラー装置５０ａ〜５０ｃのミラー１０３に入射する。このミラー１０３に到達した信号光は、そのミラーのＸ軸回りおよびＹ軸回りの角度に応じて反射され、集光レンズ１４により収束され、回折格子３１により合波され、その少なくとも一部がマイクロレンズ４２ｂ〜４２ｅにより収束されて出力ポート４１ｂ〜４１ｅより出力されるか、または、マイクロレンズ４２ｂ〜４２ｅに到達しない。
【００９４】
このようなＷＳＳ４におけるＭＥＭＳミラー装置５０ａ〜５０ｃも、第１の実施の形態で示したＭＥＭＳミラー装置１００と同様、平行平板型のＭＥＭＳミラー装置であるので、そのＶ−θ特性は図１９に示すような非線形性を示す。
【００９５】
また、図６によく示されるように、本実施の形態では、入力ポート４１ａおよび出力ポート４１ｂ〜４１ｅの光軸が、Ｘ軸方向において、集光レンズ１４の光軸およびＭＥＭＳミラー装置５０ｂの回動軸の交点からΔＸだけずれるように設定されている。これにより、入力ポート４１ａから入射された信号光は、ミラー１０３の法線に対して斜め（無電圧印加時）に入射され、ミラー１０３で反射された光は、図６の点線で示す方向に進み、出力ポート出力ポート４１ｂ〜４１ｅには結合されない。ミラー１０３をＹ軸に対して反時計回りに回動させてゆくことによって、ミラー１０３で反射された光は、出力ポート４１ｂ〜４１ｅに結合してゆき、光透過率は増大してゆく。極大となる光透過率が得られるときのＹ軸回りの回動角をθ0とすると、このθ0は、下式（９）から求めることができる。なお、下式（９）において、ｆは集光レンズ１４の焦点距離である。
【００９６】
ΔＸ＝ｆ・ｔａｎθ0  ・・・（９）
【００９７】
このようなＷＳＳ４における、光透過率Ｔとミラー１０３の回動角θとの関係（Ｔ−θ特性）は、下式（１０）で表される。なお、下式（１０）において、ｋは正の定数である。
【００９８】
Ｔ＝１０・ｌｏｇ（ｅｘｐ（（−ｋ）（θ0−θ）2））  ・・・（１０）
【００９９】
上式（１０）を用いて、ミラー１０３の最大回動角を１度（θ0＝１［ｄｅｇ］）としたときの光透過率Ｔとミラー１０３の回動角θとの関係（Ｔ−θ特性）を図９に示す。この図９に示されるように、Ｔ−θ特性は、θ＝１［ｄｅｇ］に頂点をもつ二次関数で表され、図１７に示した従来のＴ−θ特性をθ0だけ横軸方向にオフセットしたものとなる。図９によく示されるように、本実施の形態におけるＴ−θ特性は、ミラー１０３が初期状態のときには光透過率が非常に低く、ミラー１０３の回動角が大きくなるにつれて光透過率が大きくなる。そして、ミラー１０３の回動角が最大（図９の場合は１度）のときに、光透過率は最大（０［ｄＢ］）となる。集光レンズ１４の焦点距離ｆが、１００ｍｍであれば上式（９）より、ΔＸ＝１．７５ｍｍと算出されるので、集光レンズ１４の光軸とＭＥＭＳミラー装置５０ｂのＹ軸方向周りの回動軸を、Ｘ軸方向に１．７５ｍｍだけずらせばよいことがわかる。
【０１００】
このようなＴ−θ特性を有する光学系と組み合わせることによって、Ｔ−Ｖ特性は、図１０に示すような特性になる。上述した第１の実施の形態と同様、ＭＥＭＳミラー装置のＶ−θ特性の非線形性を、Ｔ−θ特性をオフセットさせた光学系と組み合わせることによって、ＷＳＳとしてのＴ−Ｖ特性の線形性を改善させることができる。なお、図１０における点線は、Ｘ軸方向にオフセットを行わない場合のＴ−Ｖ特性である。
【０１０１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、入力ポート４１ａおよび出力ポート４１ｂ〜４１ｅを、電極５５〜５８に電圧を印加してミラー１０３を回動させたときに、当該入力ポート４１ａから出射され当該ミラー１０３により反射された信号光が当該出力ポート４１ｂ〜４１ｅに結合する位置に配設することにより、電極に印加する電圧の全電圧範囲に亘って光透過率の変化が線形に近くなるので、可変減衰精度および動作の安定性の向上を実現することができる。
【０１０２】
このような構成を採ることによって、本実施の形態では、ＶＯＡ精度を向上させることができる。ＶＯＡ精度向上の効果は、特に減衰量を大きくとる場合に顕著な効果をもたらす。すなわち、電圧分解能が十分に高くない場合、または、角度ドリフトが発生する場合、従来では、高減衰時のＴ−Ｖ特性が急峻であるために、わずかな電圧変化が発生しても透過率が大きく変動してしまう恐れがあった。しかしながら、本実施の形態によれば、Ｔ−Ｖ特性に急峻な箇所がなくなり、特に、高回動角の状態におけるＴ−Ｖ特性が緩やかになるため、精密な電圧制御が不要になり、透過率の制御精度を上げることができる。また、回動角度が大きい場合における角度変動が透過率変化に及ぼす影響が小さくなるので、ＭＥＭＳミラー装置において常に懸念されていた角度ドリフトの影響も小さくすることができる。また、ＭＥＭＳミラー装置の特性である温度依存性や耐衝撃性、および、光学系の耐環境特性に関してもロバストとなり、空間光デバイスの長期安定性や信頼性をも向上させることができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態では、光学系のＴ−θ特性にθ方向のオフセットを与える手法として、集光レンズ１４およびＭＥＭＳミラーアレイ４３をＸ軸方向にシフトさせたが、そのオフセットを実現する手法はこれに限定されず各種手法を適用することができる。
【０１０４】
例えば、図１１に示すＷＳＳ４’のように、集光レンズ１４とＭＥＭＳミラーアレイ４３との間にプリズム６０を配置することによって、光信号の進行方向を変化させ、ミラー１０３への入射角をオフセットさせるようにしてもよい。
また、図１２に示すＷＳＳ４”のように、集光レンズ１４とＭＥＭＳミラーアレイ４３との間に反射ミラー７０を配置し、この反射ミラー７０の配置角をＹ軸に対してＺ軸に沿った状態から反時計方向にθｍ度だけ回動させた状態とすることにより、ミラー１０３への入射角をオフセットさせるようにしてもよい。このとき、例えば、集光レンズ１４の光軸方向とミラー１０３の法線方向が互いに直交している場合であっても、θｍを４５度としないことで、ミラー１０３への入射角にオフセットを与えることができる。
さらに、上述したような反射ミラー７０を用いずに、ＭＥＭＳミラーアレイ４３を集光レンズ１４の光軸に対して予めＹ軸回りに回動させるようにしてもよい。
これらの何れの場合であっても、本実施の形態と同等の作用効果を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、ＶＯＡ、ＤＣＥ、ＷＳＳなど、電極との間の電位差により生じる静電引力によって駆動するミラーを備えた各種空間光デバイスに適用することができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１，２…ＶＯＡ、３…ＤＣＥ、４…ＷＳＳ、１１…入力ポート、１２…出力ポート、１３…マイクロレンズ、１４…集光レンズ、２１…サーキュレータ、３１…回折格子、３２…ＭＥＭＳミラーアレイ、４１…光ファイバアレイ、４１ａ…入力ポート、４１ｂ〜４１ｅ…出力ポート、４２…マイクロレンズアレイ、４２ａ〜４２ｅ…マイクロレンズ、４３…ＭＥＭＳミラーアレイ、５０ａ〜５０ｃ…ＭＥＭＳミラー装置、５１〜５４…ばね部材、６０…プリズム、７０…反射ミラー、１００…ＭＥＭＳミラー装置、１０１，１０２…ばね部材、１０３…ミラー、１０４，１０５…電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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