(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面に形成された金属メッキ膜と、前記第１の主面及び前記金属メッキ膜を封止する樹脂層とを備え、前記金属メッキ膜と前記樹脂層とが備えられた側を被削面とする半導体ウエハを、テーブルに保持するウエハ保持工程と、
研削砥石を前記半導体ウエハの前記被削面に接触させ、前記被削面に対して前記研削砥石を相対的に摺動させながら前記研削砥石と前記テーブルとの間隔を狭めることにより、前記半導体ウエハの前記金属メッキ膜と前記樹脂層とに研削加工を施す研削工程と、
前記研削工程の途中で、前記研削砥石を前記半導体ウエハから離間させて前記半導体ウエハの当該被削面と前記研削砥石との間に間隙を形成し、前記間隙に研削液を流通させる研削面洗浄工程と、
を含むことを特徴とする研削方法。
【請求項２】
請求項１に記載の研削方法であって、前記研削砥石を前記半導体ウエハに向けて相対移動させて前記間隙を流通する研削液の液圧を上昇させる工程をさらに含むことを特徴とする研削方法。
【請求項３】
請求項２に記載の研削方法であって、前記研削砥石を前記半導体ウエハの前記被削面に再び接触させて前記研削加工を続行させる工程をさらに含むことを特徴とする研削方法。
【請求項４】
請求項３に記載の研削方法であって、前記間隙は、前記半導体ウエハの厚さが仕上げ厚さに到達する前に形成されることを特徴とする研削方法。
【請求項５】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の研削方法であって、前記研削液の主成分は水であることを特徴とする研削方法。
【請求項６】
研削砥石と、
第１の主面に形成された金属メッキ膜と、前記第１の主面及び前記金属メッキ膜を封止する樹脂層とを備え、前記金属メッキ膜と前記樹脂層とが備えられた側を被削面とする半導体ウエハが載置されるテーブルと、
前記半導体ウエハに対して近接または離間する方向に前記研削砥石を相対移動させる第１の駆動部と、
前記半導体ウエハの被削面に前記研削砥石が接触した状態で前記被削面に対して前記研削砥石を相対的に摺動させる第２の駆動部と、
前記第１の駆動部及び前記第２の駆動部の各々を制御する駆動制御部と、
前記半導体ウエハの当該被削面に研削液を供給する研削液供給部と、
を備え、
前記駆動制御部は、
前記第１の駆動部を制御して前記研削砥石を前記半導体ウエハの前記被削面に接触させ、前記第２の駆動部を制御して前記被削面に対して前記研削砥石を相対的に摺動させながら前記研削砥石と前記テーブルとの間隔を狭めることにより、前記半導体ウエハの前記金属メッキ膜と前記樹脂層とに研削加工を施す研削工程と、
前記研削工程の途中で、前記第１の駆動部を制御して前記研削砥石を前記半導体ウエハから離間させて前記被削面と前記研削砥石との間に間隙を形成し、前記間隙に前記研削液を流通させる研削面洗浄工程と、
を順次実行することを特徴とする研削装置。
【請求項７】
請求項６に記載の研削装置であって、前記研削面洗浄工程は、前記第１の駆動部を制御して前記研削砥石を前記半導体ウエハの当該被削面に向けて相対移動させて前記間隙を流通する研削液の液圧を上昇させる工程を含むことを特徴とする研削装置。
【請求項８】
請求項７に記載の研削装置であって、前記駆動制御部は、前記研削面洗浄工程の後に、前記第１の駆動部を制御して前記研削砥石を前記半導体ウエハの前記被削面に再び接触させ、前記第２の駆動部を制御して前記研削加工を続行させることを特徴とする研削装置。
【請求項９】
請求項８に記載の研削装置であって、前記間隙は、前記半導体ウエハの厚さが仕上げ厚さに到達する前に形成されることを特徴とする研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの被加工物の表面を研削加工する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハの裏面研削（バックグライド）や、半導体ウエハのおもて面側に形成された絶縁膜やメタル配線の研削（研磨を含む。）を行うことがある。一般にこのような研削加工は、研削砥石を被加工物の表面に接触させた状態で研削砥石と被加工物とを互いに摺動させることにより行われる。
【０００３】
この種の研削加工に関する先行技術文献としては、たとえば、特開２００６−５９８３７号公報（特許文献１）が挙げられる。特許文献１には、半導体装置（半導体ウエハ）に対する研削砥石の下降速度を変化させつつ研削を行う研削方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−５９８３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示される研削方法は、半導体装置の厚さが所望の仕上げ厚さに達するまで、半導体装置に対して連続的に研削加工を施し、研削砥石を半導体装置に長時間接触させ続けるものである。しかしながら、この研削方法では、研削砥石に研削屑が固着して研削砥石の研削能力が低下しやすいという問題がある。研削砥石の研削能力が低下すれば、被加工物表面にキズなどの異常が発生し、加工精度が低下する。この問題に対しては、ダイアモンド砥石などを有する目立て用冶具を用いて、研削砥石の表面に固着した研削屑を除去することにより、研削砥石の研削能力を再生させることができる。しかしながら、この作業は手間と時間を必要とし、製造コストを上昇させ、生産能力を低下させる一因となっていた。
【０００６】
上記に鑑みて本発明の目的は、研削砥石の研削能力を効率良く再生あるいは維持することができる研削方法及び研削装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による研削方法は、第１の主面に形成された金属メッキ膜と、前記第１の主面及び前記金属メッキ膜を封止する樹脂層とを備え、前記金属メッキ膜と前記樹脂層とが備えられた側を被削面とする半導体ウエハを、テーブルに保持するウエハ保持工程と、研削砥石を前記半導体ウエハの前記被削面に接触させ、前記被削面に対して前記研削砥石を相対的に摺動させながら前記研削砥石と前記テーブルとの間隔を狭めることにより、前記半導体ウエハの前記金属メッキ膜と前記樹脂層とに研削加工を施す研削工程と、前記研削工程の途中で、前記研削砥石を前記半導体ウエハから離間させて前記半導体ウエハの当該被削面と前記研削砥石との間に間隙を形成し、前記間隙に研削液を流通させる研削面洗浄工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明による研削装置は、研削砥石と、第１の主面に形成された金属メッキ膜と、前記第１の主面及び前記金属メッキ膜を封止する樹脂層とを備え、前記金属メッキ膜と前記樹脂層とが備えられた側を被削面とする半導体ウエハ半導体ウエハが載置されるテーブルと、前記半導体ウエハに対して近接または離間する方向に前記研削砥石を相対移動させる第１の駆動部と、前記半導体ウエハの被削面に前記研削砥石が接触した状態で前記被削面に対して前記研削砥石を相対的に摺動させる第２の駆動部と、前記第１の駆動部及び前記第２の駆動部の各々を制御する駆動制御部と、前記半導体ウエハの当該被削面に研削液を供給する研削液供給部と、を備え、前記駆動制御部は、前記第１の駆動部を制御して前記研削砥石を前記半導体ウエハの前記被削面に接触させ、前記第２の駆動部を制御して前記被削面に対して前記研削砥石を相対的に摺動させながら前記研削砥石と前記テーブルとの間隔を狭めることにより、前記半導体ウエハの前記金属メッキ膜と前記樹脂層とに研削加工を施す研削工程と、前記研削工程の途中で、前記第１の駆動部を制御して前記研削砥石を前記半導体ウエハから離間させて前記被削面と前記研削砥石との間に間隙を形成し、前記間隙に前記研削液を流通させる研削面洗浄工程と、を順次実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、研削砥石の研削能力を効率良く再生あるいは維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態の研削装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】研削ヘッドと被加工物とを概略的に示す上面視図である。
【図３】研削パッドが被加工物の表面（被削面）を研削加工する状態を概略的に示す図である。
【図４】本実施形態に係る加工シーケンスの一例を示すグラフである。
【図５】比較例の加工シーケンスを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態の研削装置１の構成を概略的に示す図である。図１に示されるように、研削装置１は、被加工物（ワーク）である半導体ウエハ２が載置される真空吸着テーブル１１と、研削パッド（研削砥石）２２，…，２２を有する研削ヘッド２０と、真空吸着テーブル１１を中心軸線Ｘ１の回りに回転させる回転駆動部（図示せず）を有するテーブル駆動機構１０と、研削ヘッド２０を中心軸線Ｘ２の回りに回転させる回転駆動部（図示せず）を有するヘッド駆動機構２５と、半導体ウエハ２の表面（被削面）２ａに研削液を供給する研削液供給部２７とを備える。
【００１３】
ヘッド駆動機構２５は、中心軸線Ｘ２に沿って半導体ウエハ２に対して離間または近接する方向に研削ヘッド２０を移動（上昇または下降）させる駆動部（図示せず）をも有し、テーブル駆動機構１０は、中心軸線Ｘ１に垂直な水平方向に真空吸着テーブル１１を移動させる送り駆動部（図示せず）をも有している。
【００１４】
また、研削装置１は、研削制御部３０と、この研削制御部３０に指示情報を与える操作パネル３５とを有する。研削制御部３０は、テーブル駆動機構１０及びヘッド駆動機構２５の各動作を制御する駆動制御部３１と、研削液供給部２７の動作を制御する配液制御部３２とを有している。ユーザが操作パネル３５を操作して研削加工制御に関する指示情報を入力すると、駆動制御部３１及び配液制御部３２は、入力された指示情報に応じた研削加工制御を実行する。
【００１５】
なお、研削制御部３０は、たとえば、ＣＰＵなどのマイクロプロセッサ，ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ），ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）及び入出力インタフェースを含む制御回路で構成することができる。また、駆動制御部３１及び配液制御部３２の機能の全部または一部を、マイクロプロセッサにより実行される制御用コンピュータプログラムで実現することも可能である。
【００１６】
半導体ウエハ２は、たとえば、シリコンなどの単結晶半導体、多結晶半導体あるいは化合物半導体からなる構造を含むバルク基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板といった半導体基板を有している。
【００１７】
半導体ウエハ２の被削面２ａは、半導体ウエハ２のおもて面（集積回路が形成される側の面）をなす樹脂層、あるいは、半導体ウエハ２の裏面（集積回路が形成されない側の面）である。銅などの金属配線を含む樹脂層の研削加工を行うと、研削砥石に金属配線の研削屑が固着しやすい。ＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ−ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）の製造工程の場合、ウエハプロセス完了後、半導体ウエハの電極パッド上に銅などの金属メッキ膜の配線パターンを形成し、その後、この半導体ウエハの表面を樹脂膜で封止する。次に、この樹脂膜の表面を研削して配線パターンの一部を露出させ、その露出した部分に外部接続用の電極端子（はんだボールなど）を形成することが行われる。配線パターンの研削屑は、研削パッド２２の表面に固着しやすく、研削パッド２２の研削能力を低下させやすい。後述するように、本実施形態に係る研削方法を使用すれば、研削パッド２２に金属配線の研削屑が強固に固着する前に、目立て用治具を用いずに、研削パッド２２に付着した研削屑を効率良く除去することができる。
【００１８】
研削ヘッド２０は、図１に示されるように、ヘッド駆動機構２５の回転軸２５ａに固定された回転盤２１と、この回転盤２１の表面に形成された多数の研削パッド２２，…，２２とを有する。図２は、この研削ヘッド２０と半導体ウエハ２とを概略的に示す上面視図である。図２に示されるように、研削ヘッド２０の表面には、環状に配列された多数の研削パッド２２，…，２２が形成されているが、これら研削パッド２２，…，２２の形状や配列に限定されるものではない。
【００１９】
研削パッド２２は、切れ刃として機能する粒度の低い微少な砥粒（図示せず）を含有する研削砥石である。砥粒の材料としては、たとえば、ダイアモンドや立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ：Ｃｕｂｉｃ  Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主体とするものが挙げられる。研削パッド２２は、公知のレジノイド結合剤（Ｒｅｓｉｎｏｉｄ  ｂｏｎｄ）といった結合剤を用いて多数の砥粒を互いに結合することにより成形される。
【００２０】
このような研削パッド２２を用いて銅やアルミニウムなどの軟らかく粘りのある被削材を長時間連続的に研削すると、研削パッド２２の表面部の砥粒の間に研削屑が固着し、砥粒が研削屑の中に埋もれてしまうという現象（目詰まり）が起こる。目詰まりが生じると、研削パッド２２の研削能力が低下して、研削速度の制御が困難になったり、被削面２ａの全体に亘って仕上げ厚さを均一にすることができなかったりするという問題がある。この種の目詰まりを解消するためにダイアモンド砥石などの目立て用冶具を用いて研削パッド２２の表面に付着した研削屑を除去することにより、研削パッド２２の研削能力を再生させることができるが、この作業には多大な手間と時間を要する。後述するように、本実施形態に係る研削方法を使用すれば、研削パッド２２に研削屑が強固に固着する前に、目立て用治具を用いることなく、研削パッド２２に付着した研削屑を効率良く除去することができる。
【００２１】
図３は、研削パッド２２，…，２２が半導体ウエハ２の表面（被削面）２ａを研削加工する状態を概略的に示す図である。図３及び図２に示されるように、被削面２ａに研削パッド２２が接触した状態で、テーブル駆動機構１０は、半導体ウエハ２を中心軸線Ｘ１の回りに時計回り方向Ｒ１へ回転させ、ヘッド駆動機構２５は、研削ヘッド２０を中心軸線Ｘ２の回りに反時計回り方向Ｒ２へ回転させる。なお、研削ヘッド２０を中心軸線Ｘ２の回りに時計回り方向へ回転させることも可能である。これにより、半導体ウエハ２の被削面２ａに対して研削パッド２２，…，２２が相対的に摺動し、被削面２ａの全体を均一に研削加工することができる。
【００２２】
上記研削加工の工程中、研削液供給部２７は、配液制御部３２からの指令に応じて、ノズル２７ａの先端から研削液を吐出して被削面２ａに研削液を供給する。ノズル２７ａから吐出された研削液は、研削ヘッド２０の回転方向に沿って被削面２ａ上に供給される。この研削液は、半導体ウエハ２と研削パッド２２との摺動により発生した熱の除去や潤滑のために与えられるものである。本実施形態では、研削液として、たとえば純水を使用することができる。
【００２３】
上記構成を有する研削装置１を用いた研削方法を図４を参照しつつ以下に説明する。図４は、本実施形態に係る加工シーケンスの一例を説明するためのグラフである。図４のグラフにおいて、横軸は、研削加工制御の実行時間すなわち加工時間ｔを示し、縦軸は、真空吸着テーブル１１の上面からの研削パッド２２の高さＨｐを示す。グラフの曲線の傾きは、ヘッド駆動機構２５が中心軸線Ｘ２に沿って研削ヘッド２０を送り込む速度であり、研削パッド２２が被削面２ａに接触しているときは、研削パッド２２が半導体ウエハ２を研削する速度（研削速度）を意味する。
【００２４】
操作パネル３５にユーザ操作による加工開始指示が入力されると、駆動制御部３１は、この加工開始指示に応じて、ヘッド駆動機構２５及びテーブル駆動機構１０に対する制御を開始する。これにより、まず、テーブル駆動機構１０は、真空吸着テーブル１１を水平方向に移動させて研削ヘッド２０の中心軸線Ｘ２に対して半導体ウエハ２の中心軸線Ｘ１を所定距離だけオフセットする。その後、テーブル駆動機構１０は、半導体ウエハ２を中心軸線Ｘ１の回りに一定の角速度Ｖθ１で回転させ、ヘッド駆動機構２５は、研削ヘッド２０を中心軸線Ｘ２の回りに一定の角速度Ｖθ２（Ｖθ２＞Ｖθ１）で回転させる。一方、配液制御部３２は、研削液供給部２７にそのノズル２７ａの先端から被削面２ａに向けて研削液を吐出させる。
【００２５】
そして、ヘッド駆動機構２５は、図４のグラフに示されるように研削ヘッド２０を一定の速度Ｖ０で下降させる（時刻ｔ０以後）。研削パッド２２，…，２２が半導体ウエハ２の被削面２ａに接触すると（時刻ｔ１）、半導体ウエハ２に対する予備研削加工が開始される。予備研削加工では、ヘッド駆動機構２５は、研削ヘッド２０を研削速度Ｖ１で送り込む。
【００２６】
その後の時刻ｔＡ１で、駆動制御部３１は、ヘッド駆動機構２５を制御して被削面２ａから研削ヘッド２０を離間させて予備研削加工を中断させる。駆動制御部３１は、時刻ｔＡ１〜ｔＡ２の間、ヘッド駆動機構２５を制御して研削ヘッド２０を上昇させることにより被削面２ａと研削パッド２２との間に間隙を形成する。ノズル２７ａから供給されている研削液は、その間隙を満たしつつ研削ヘッド２０の相対回転に伴い間隙を流通することとなる。間隙の大きさは、研削液が間隙を完全に流通することができる大きさであればよく、たとえば、５００μｍ程度にすればよい。
【００２７】
時刻ｔＡ２で、駆動制御部３１は、ヘッド駆動機構２５を制御して研削ヘッド２０の速度を上昇速度から下降速度に切り替える。この結果、研削ヘッド２０は、被削面２ａの方向に移動して間隙を流通する研削液に圧力を加えるので、間隙を流通する研削液の液圧が上昇することとなる。その後の時刻ｔＡ３で、研削パッド２２，…，２２が再び被削面２ａに接触すると、半導体ウエハ２に対する予備研削加工が再開される。その後、予備研削加工は研削速度Ｖ１で続行される。
【００２８】
上記したように駆動制御部３１は、予備研削加工を中断し、研削ヘッド２０の動作を下降動作から上昇動作に切り替えて研削パッド２２と被削面２ａとの間に間隙を形成し、この間隙に液圧の高い研削液を流通させる（時刻ｔＡ１〜ｔＡ３）。これにより、研削パッド２２を洗浄して研削パッド２２に付着している研削屑をすることができ、研削パッド２２の高い研削能力を再生あるいは維持することができる。
【００２９】
次に、図４に示されるように、現在時刻が時刻ｔ２に達すると、駆動制御部３１は、ヘッド駆動機構２５を制御して研削ヘッド２０の送り込み速度（下降速度）Ｖ１を、より低い速度Ｖ２に切り替えて、予備研削加工を終了させ、仕上げ研削加工を開始させる。その後、仕上げ研削加工は研削速度Ｖ２で進行する。
【００３０】
その後の時刻ｔＢ１で、駆動制御部３１は、ヘッド駆動機構２５を制御して被削面２ａから研削ヘッド２０を離間させて仕上げ研削加工を中断させる。駆動制御部３１は、時刻ｔＢ１〜ｔＢ２の間、ヘッド駆動機構２５を制御して研削ヘッド２０を上昇させることにより被削面２ａと研削パッド２２との間に間隙を形成する。ノズル２７ａから供給されている研削液は、その間隙を満たしつつ研削ヘッド２０の相対回転に伴い間隙を流通することとなる。上記した予備研削加工の場合と同様に、間隙の大きさは、研削液が間隙を完全に流通することができる大きさであればよく、たとえば、５００μｍ程度にすればよい。
【００３１】
時刻ｔＢ２で、駆動制御部３１は、ヘッド駆動機構２５を制御して研削ヘッド２０の速度を上昇速度から下降速度に切り替える。この結果、研削ヘッド２０は、被削面２ａの方向に移動して間隙を流通する研削液に圧力を加えるので、間隙を流通する研削液の液圧が上昇することとなる。その後の時刻ｔＢ３で、研削パッド２２，…，２２が再び被削面２ａに接触すると、半導体ウエハ２に対する仕上げ研削加工が再開される。その後、仕上げ研削加工は研削速度Ｖ２で続行される。
【００３２】
上記したように駆動制御部３１は、半導体ウエハ２の厚さが仕上げ厚さに到達する前に、仕上げ研削加工を中断し、研削ヘッド２０の動作を下降動作から上昇動作に切り替えて研削パッド２２と被削面２ａとの間に間隙を形成し、この間隙に液圧の高い研削液を流通させる（時刻ｔＢ１〜ｔＢ３）。これにより、研削パッド２２を洗浄して研削パッド２２に付着している研削屑を除去することができ、研削パッド２２の高い研削能力を再生あるいは維持することができる。したがって、半導体ウエハ２の仕上げ厚さの精度や被削面２ａの加工精度（平坦性など）を向上させることができる。
【００３３】
その後、図４に示されるように、現在時刻が時刻ｔ３に達すると、駆動制御部３１は、ヘッド駆動機構２５を制御して研削ヘッド２０の下降速度Ｖ１を上昇速度Ｖ３に切り替えて、仕上げ研削加工を終了させる。
【００３４】
以上に説明したように本実施形態に係る研削方法は、研削加工の途中で、半導体ウエハ２の被削面２ａと研削パッド２２との間に間隙を形成し、この間隙に液圧の高い研削液を流通させるので、研削パッド２２の表面に付着した研削屑を除去し、研削パッド２２の高い研削能力を再生あるいは維持することができる。
【００３５】
図５は、図４に示した加工シーケンスと対比するための比較例の加工シーケンスを示すグラフである。図５に示されるように時刻ｔ１〜ｔ３の間に予備研削加工及び仕上げ研削加工を連続的に実行すると、研削パッド２２に研削屑が固着することがある。研削パッド２２に研削屑が固着すれば、被削面２ａの加工精度が低下し、研削パッド２２から強固に固着した研削屑を除去する作業が必要となる。これに対し、本実施形態に係る研削方法は、研削加工を一時的に中断して半導体ウエハ２の被削面２ａと研削パッド２２との間に研削液が流通する間隙を形成し、その後、研削加工を続行するので、研削パッド２２に研削屑が強固に固着する前にその研削屑を容易に除去することができる。また、研削加工の工程中、研削パッド２２は高い研削能力を発揮し続けることができる。たとえば、金属配線を含む樹脂層の研削加工を行う場合でも、研削加工の工程において研削パッド２２は高い研削能力を発揮し続けることができる。
【００３６】
上記した本実施形態に係る研削方法を使用することにより、半導体ウエハ２に形成される半導体装置の生産能力の向上と歩留まりの向上とを実現することができる。
【００３７】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な形態を採用することができる。たとえば、図４に示した加工シーケンスでは、研削速度がＶ１からＶ２に１回変速しているが、これに限定されるものではない。研削速度を２回以上変速させてもよい。
【００３８】
また、駆動制御部３１は、測距センサを用いて半導体ウエハ２の被削面２ａの高さをリアルタイムに計測し、その計測結果に基づいて半導体ウエハ２の厚さを測定し、その測定結果に基づいて研削速度（送り込み速度）を制御する機能を有していてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１  研削装置、  ２  半導体ウエハ（ワーク）、  ２ａ  被削面、  １０  テーブル駆動機構、  １１  真空吸着テーブル、  ２０  研削ヘッド、  ２１  回転盤、  ２２  研削パッド（研削砥石）、  ２５  ヘッド駆動機構、  ２７  研削液供給部、  ２７ａ  ノズル、  ３０  研削制御部、  ３１  駆動制御部、  ３２  配液制御部、  ３５  操作パネル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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