(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカ粒子分散液と、酸及び／又はその塩とを含む、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液キットであって、
前記シリカ粒子分散液と、前記酸及び／又はその塩とは相互に混合されていない状態で保存されており、
前記シリカ粒子分散液は、シリカ粒子と、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸とアルクリル酸の共重合体及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種と、水とを含有し、
前記共重合体及びその塩の重量平均分子量は５００〜７０００であり、かつ、前記共重合体及びその塩を構成する全構成単位中に占める２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率が１５〜９０モル％であるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液キット。
【請求項２】
前記シリカ粒子が、コロイダルシリカである請求項１に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液キット。
【請求項３】
前記シリカ粒子分散液１ｍＬ中における粒径０．５６μｍ以上の粗大粒子数が、５００００個未満である請求項１又は２に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液キット。
【請求項４】
前記シリカ粒子分散液におけるシリカ粒子の含有量が、５〜４０重量％であり、
前記シリカ粒子分散液における前記共重合体及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種の含有量が、０．００５〜１重量％である請求項１〜３のいずれか１項に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液キット。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液キットを用いて調製されるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物。
【請求項６】
前記共重合体及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種の含有量が、０．００１〜０．１重量％である、請求項５に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物。
【請求項７】
前記研磨液組成物は、さらに酸化剤を含有する請求項５または６に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物。
【請求項８】
ｐＨが１〜４である請求項５〜７のいずれか１項に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項に記載のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物を用いてＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を含む基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨液キット、該研磨液キットを用いて調製される研磨液組成物、及び該研磨液組成物を用いた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のメモリーハードディスクドライブには、高容量・小径化を目的として、記録密度を上げるために磁気ヘッドの浮上量を低下させて、単位記録面積を小さくすることが求められている。それに伴い、磁気ディスク基板の製造工程においても研磨後に要求される表面品質は年々厳しくなってきている。即ち、ヘッドの低浮上化に応じて、表面粗さ、微小うねり、ロールオフ及び突起を低減する必要があり、単位記録面積の減少に応じて、許容される基板片面当たりのスクラッチ数は少なく、その大きさと深さはますます小さくなってきている。
【０００３】
また、半導体分野においても、高集積化と高速化が進んでおり、特に高集積化では配線の微細化が要求されている。その結果、半導体基板の製造プロセスにおいては、フォトレジストを露光する際の焦点深度が浅くなり、より一層の表面平滑性が望まれている。
【０００４】
しかしながら、基板製造に用いられるシリカ粒子分散液は、容器内で長期間保管すると、該容器の内壁部に付着したシリカ分散液滴からの水分蒸発、乾燥により、粗大粒子等が生成する場合があった。この粗大粒子等は、被研磨物を研磨した際に生じるスクラッチ等の研磨傷の原因となっていた。
【０００５】
かかる研磨傷の問題を解決するため、脂肪族アルコール類等の両親媒性化合物を用いて、上記粗大粒子の発生を抑制する化学機械研磨用水系分散体が提案されている（特許文献１）。また、研磨速度と表面平滑性さらには基板汚れを改善する観点から、スルホン酸基を有する重合体を用いた研磨液組成物が提案されている（特許文献２及び３）。
【特許文献１】特開２００１−１０２３３４号公報
【特許文献２】特開２００１−６４６３１号公報
【特許文献３】特開２００６−１６７８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、シリカ粒子分散液の輸送条件や保存条件等によって、シリカ粒子の凝集または成長等が起こって粗大粒子が形成され、基板研磨の際スクラッチが発生していた。
【０００７】
そこで、本発明は、シリカ粒子分散液の輸送条件や保存条件等に依らず、シリカ粗大粒子の発生を抑え、被研磨物のスクラッチを低減できる研磨液キット、この研磨液キットを用いて調整される研磨液組成物、及び研磨液組成物を用いた基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の研磨液キットは、シリカ粒子分散液と、  酸及び／又はその塩とを含む研磨液キットであって、前記シリカ粒子分散液と、前記酸及び／又はその塩とは相互に混合されていない状態で保存されており、前記シリカ粒子分散液は、シリカ粒子と、スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種と、水とを含有し、前記スルホン酸基含有単量体は、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸及びイソアミレンスルホン酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記（共）重合体及びその塩の重量平均分子量は５００〜７０００であり、かつ、前記（共）重合体及びその塩を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率が１５〜１００モル％である。
【０００９】
本発明の研磨液組成物は、上記本発明の研磨液キットを用いて調製される。
【００１０】
また、本発明の研磨液組成物は、シリカ粒子と、酸及び／又はその塩と、スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種と、水と、を含有し、前記スルホン酸基含有単量体は、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸及びイソアミレンスルホン酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記（共）重合体及びその塩の重量平均分子量が５００〜７０００であり、かつ、前記（共）重合体及びその塩を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率が１５〜１００モル％である。
【００１１】
本発明の基板の製造方法は、上記本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の研磨液キットによれば、シリカ粒子の凝集または成長等を効果的に抑制できるため、長期間シリカ粒子分散液を保存することが可能となる。また、本発明の研磨液組成物を、例えば、高密度化又は高集積化用の精密部品用基板の研磨工程で用いることによりスクラッチを低減でき、表面性状に優れた高品質の磁気ディスク基板、半導体素子用基板等の精密部品用基板を製造することができる。また、本発明の基板の製造方法によれば、本発明の研磨液組成物を用いるため、表面性状に優れた高品質の基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の研磨液キットは、シリカ粒子分散液（以下、「分散液」と略する場合もある。）と、酸及び／又はその塩と、から構成される。シリカ粒子分散液と、酸及び／又はその塩とは、相互に混合されていない状態で各々保存される。シリカ粒子分散液は、スルホン酸基含有単量体（スルホン酸基を有する単量体）、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種と、水とを含有する。上記（共）重合体及びその塩の重量平均分子量は５００〜７０００であり、上記（共）重合体及びその塩の各々を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率は１５〜１００モル％である。本発明によれば、上記スルホン酸含有単量体、上記（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種を含むことによって、分散液中の粗大粒子の発生を抑制できる。
【００１４】
粗大粒子発生の抑制機構は明らかではないが、分散液中の上記スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種とシリカ粒子のシラノール基とが相互作用して、シリカ粒子同士の接触が抑制されることにより、シリカ粒子の凝集及び／又は成長が抑制され、粗大粒子の発生が抑制されると考えられる。
【００１５】
本発明の研磨液キットによれば、長期間保管した後の研磨でも被研磨物のスクラッチ、特に、ナノスクラッチを低減することができる。また、本発明の研磨液キットによれば、分散液中での粗大粒子の発生が抑制されるため、例えば、夏季期間中や輸送中のように、分散液が４０℃以上の高温で長期間保持される場合であっても、優れた保存安定性を発揮する。
【００１６】
なお、上記「ナノスクラッチ」とは、深さが１ｎｍ以上５０ｎｍ未満、幅が５ｎｍ以上５００ｎｍ未満、長さが１００μｍ以上の基板表面の微細な傷で、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で検出することができ、後述の実施例に記載の目視検査装置であるＶＩＳＩＯＮＰＳＹＴＥＣ社製、“ＭｉｃｒｏＭａｘ”によって、その本数を測定することができる。
【００１７】
本発明においてシリカ粒子分散液は、水と水に分散されたシリカ粒子とを含む。シリカ粒子としては、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ等が挙げられる。中でも、ナノスクラッチを低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。これらのシリカ粒子は、１種のみ又は２種以上を混合して用いても良い。
【００１８】
コロイダルシリカは、例えば、珪酸ナトリウム等の珪酸アルカリ金属塩を原料とし、水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法、またはテトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、アルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水中で縮合反応させて成長させるアルコキシシラン法等で得られる。
【００１９】
ヒュームドシリカは、例えば、四塩化珪素等の揮発性珪素化合物を原料とし、酸素水素バーナーによる１０００℃以上の高温下で加水分解させて成長させる気相法等で得られる。
【００２０】
他に、官能基でシリカを表面修飾あるいは表面改質したもの、界面活性剤や他の粒子で複合粒子化したもの等もシリカ粒子として用いることができる。
【００２１】
シリカ粒子の一次粒子の平均粒径は、シリカ粒子の凝集及び／又は成長を効果的に抑制する観点及び被研磨物の表面粗さ（中心線平均粗さ：Ｒａ、Ｐｅａｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ値：Ｒｍａｘ）を低減する観点から、１〜５０ｎｍであることが好ましい。同時に、研磨速度を向上させる観点から、より好ましくは３〜５０ｎｍ、さらに好ましくは５〜４０ｎｍ、さらにより好ましくは５〜３０ｎｍである。なお、シリカ粒子が小粒径、具体的には粒径が３０ｎｍ以下であると、理由は明らかではないが、分散液中に粗大粒子が生成し易くなるため、シリカ粒子の一次粒子の平均粒径３０ｎｍ以下である場合は、上記スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも１種が分散液に含まれることにより、粗大粒子の生成を抑制しならが、研磨速度を向上させることができる。
【００２２】
なお、シリカ粒子の一次粒子の平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）での観察画像から求める方法で測定した時の平均粒径として求めることができる。具体的には、シリカ粒子を透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−２０００ＦＸ、製造元；日本電子）で、加速電圧８０ｋＶ、撮影倍率１〜５万倍の条件で観察した写真を、スキャナにて画像データとして取り込み、画像解析ソフト（ＷｉｎＲＯＯＦ、販売元：三谷商事）を用いて、個々のシリカ粒子の円相当径（シリカ粒子の影像面積と同一面積を有する円の直径）をシリカ粒子の直径とみなして、１０００個以上のシリカ粒子の円相当径のデータを集積した後、表計算ソフト「ＥＸＣＥＬ」（マイクロソフト社製）で、小粒径側からの累積体積が５０％となる粒径（Ｄ５０）を一次粒子の平均粒径として算出する。なお、撮影倍率は、シリカ粒子のサイズに応じて適宜選択する。
【００２３】
シリカ粒子分散液中におけるシリカ粒子の含有量は、シリカ粒子の凝集及び／又は成長抑制の観点、被研磨物の表面粗さを低減する観点、及び経済性を向上させる観点から、０．１〜５０重量％が好ましく、１〜４５重量％がより好ましく、５〜４０重量％がさらに好ましい。
【００２４】
前記シリカ粒子分散液は、スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種を含有する。
【００２５】
スルホン酸基含有単量体としては、例えば、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸等が挙げられる。中でも、シリカ粒子の凝集及び／又は成長抑制の観点から、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸が好ましい。
【００２６】
本発明における（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体とは、（メタ）アクリル酸由来の構成単位とスルホン酸基含有単量体由来の構成単位とを含むコポリマー、およびスルホン酸基含有単量体由来の構成単位を含むホモポリマーからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む。（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体は、上記スルホン酸基含有単量体に由来する構成単位を、１種あるいは２種以上を含んでいてもよい。
【００２７】
また、本発明における（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体は、本発明の効果を奏する範囲内で、スルホン酸基含有単量体及び（メタ）アクリル酸単量体以外の単量体に由来する構成単位成分を含有していてもよい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸は、アクリル酸又はメタクリル酸を指し、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸は、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸又は２−メタクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸を指す。
【００２８】
（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体又はその塩の各々を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率は、輸送・保存中のシリカ粒子分散液における粗大粒子の発生を効果的に抑制する観点、及びナノスクラッチを効果的に低減する観点から、１５〜１００モル％であり、より好ましくは４０〜１００モル％、さらに好ましくは５０〜１００モル％である。尚、ここでスルホン酸基を含む（メタ）アクリル酸単量体は、スルホン酸基含有単量体として数える。
【００２９】
輸送・保存中におけるシリカ粒子分散液中での粗大粒子発生を効果的に抑制する観点、及びナノスクラッチを効果的に低減する観点から、好ましい（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸（共）重合体、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸（共）重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸（共）重合体等が挙げられる。
【００３０】
（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びその塩の重量平均分子量は、輸送・保存中におけるシリカ粒子分散液中での粗大粒子の発生を抑制する観点、及びナノスクラッチの低減の観点から、５００〜７０００であり、５００〜６０００がより好ましく、５００〜５０００がさらに好ましく、５００〜３０００がさらにより好ましく、５００〜１９００がよりいっそう好ましい。
【００３１】
（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びその塩の重量平均分子量の測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した結果を、ポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準サンプルとして作成した検量線を用いて換算する。ＧＰＣ条件を以下に示す。
【００３２】
〔ＧＰＣ条件〕
カラム；Ｇ４０００ＰＷＸＬ（東ソー社製）＋Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／アセトニトリル＝９／１（容量比）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
温度：４０℃
検出：２１０ｎｍ
サンプル：濃度５ｍｇ／ｍＬ（注入量１００μＬ）
【００３３】
また、基板汚れ改善および表面粗さを低減する観点から、スルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率が１５モル％未満の（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及び／又はその塩をさらに０．００１重量％以上含有することが好ましく、０．０１重量％以上含有することがより好ましく、また、研磨速度向上の観点から、該含有量が１０重量％以下であることが好ましく、５重量％以下がより好ましく、３重量％以下がさらに好ましく、１重量％以下がさらにより好ましく、０．５重量％以下がよりいっそう好ましい。即ち、基板汚れを改善し、表面粗さを低減させ、且つ研磨速度を向上させる観点から、前記含有量は、０．００１〜１０重量％が好ましく、０．０１〜５重量％がより好ましく、０．０１〜３重量％がさらに好ましく、０．０１〜１重量％がさらにより好ましく、０．０１〜０．５重量％がよりいっそう好ましい。スルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率が１５モル％未満の（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及び／又はその塩を含む研磨液キットは、被研磨物がガラス基板やシリコンウエハ基板である場合に好適に用いられる。
【００３４】
前記スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体は、研磨液組成物の構成成分とするために、水溶性であることが好ましく、それらの塩であることが好ましい。
【００３５】
上記塩を形成させるための対イオンは、特に限定されないが、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属のイオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等から１種以上を用いることができる。
【００３６】
本発明に用いられる（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体は、例えば、ジエン構造あるいは芳香族構造を含むベースポリマーを、公知の方法、例えば、（社）日本化学会編集、新実験化学講座１４（有機化合物の合成と反応III、１７７３頁、１９７８年）などに記載された方法でスルホン化して得られる。
【００３７】
シリカ粒子分散液中におけるスルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の含有量は、輸送・保存中におけるシリカ粒子分散液中での粗大粒子の発生を抑制する観点、及びナノスクラッチを低減する観点から、０．０００１〜１０重量％が好ましく、より好ましくは０．００１〜５重量％、さらに好ましくは０．００５〜１重量％である。
【００３８】
また、シリカ粒子分散液中、及び後述する研磨液組成物中における、シリカ粒子と、スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも１種との濃度比［シリカ粒子の濃度（重量％）／スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の濃度（重量％）］は、シリカ粒子の凝集及び／又は成長を抑制する観点、及び経済性を向上させる観点から、１０〜１０００００が好ましく、１００〜８００００がより好ましく、１０００〜６００００がさらに好ましい。
【００３９】
シリカ粒子分散液、及び後述する研磨液組成物に用いられる水としては、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点から、イオン交換水、超純水が好ましく、中でも超純水が好ましい。シリカ粒子分散液中の水の含有率は、５０〜９５重量％が好ましく、５５〜９０重量％がより好ましい。後述する研磨液組成物中の水の含有率は、５５〜９９重量％が好ましく、６０〜９５重量％がより好ましい。また、本発明の効果を阻害しない範囲内で、アルコール等の有機溶剤を配合してもよい。
【００４０】
シリカ粒子分散液のｐＨは、シリカ粒子の分散安定性向上、及びナノスクラッチ低減の観点から、シリカ粒子の等電点から離れていることが好ましい。例えば、コロイダルシリカの等電点は、１〜４であるため、保管時のｐＨは、７以上が好ましく、より好ましくは８以上、さらに好ましくは８．５以上、さらにより好ましくは９以上である。また、コロイダルシリカの溶解性を高める観点から、１２以下が好ましく、より好ましくは１１以下、さらに好ましくは１０．５以下である。上記ｐＨは、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等によって調整できる。
【００４１】
シリカ粒子分散液中における粗大粒子の含有量は、ナノスクラッチ低減の観点から、シリカ粒子分散液１ｍＬ中５００００個未満が好ましく、より好ましくは４００００個以下、さらに好ましくは３００００個以下、さらにより好ましくは２５０００個以下であり、よりいっそう好ましくは２００００個以下である。
【００４２】
本発明において、上記粗大粒子とは、粒径０．５６μｍ以上の粗大粒子をいい、一次粒子のみならず、一次粒子が凝集した二次粒子をも含むものとする。前記粒径及び分散液中における粗大粒子の個数は、個数カウント方式（Ｓｉｚｉｎｇ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｅｎｓｉｎｇ法）により測定でき、具体的には、米国パーティクルサイジングシステムズ（Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ）社製「アキュサイザー（Ａｃｃｕｓｉｚｅｒ）７８０」によって測定される。
【００４３】
上記シリカ粒子分散液の保存温度は、シリカ粒子の凝集及び／又は成長防止の観点から５〜５０℃であることが好ましく、１０〜４０℃がより好ましく、１５〜３０℃がさらに好ましい。
【００４４】
シリカ粒子分散液は容器に入れて保存されるが、シリカ粒子分散液を入れる容器としては、バッグインボックス、缶、ドラム、コンテナ等が挙げられる。中でも、金属イオンの溶出に起因して生じるシリカ粒子の凝集及び／又は成長を防止する観点から、容器内のシリカ粒子分散液と接する壁面部分の材質が有機高分子であることが好ましい。さらに分散液の付着残りを低減する観点から、上記材質がポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（テトラフルオロエチレン）であることが、より好ましい。
【００４５】
上記有機高分子は、シリカ粒子の凝集及び／又は成長を抑制する観点から、融点が６０℃以下の添加剤の含有量が５００重量ｐｐｍ以下であることが好ましい。容器内で分散液を保存すると、該容器の内壁を構成する有機高分子材料から酸化防止剤等の添加剤が分散液へと溶出し、この溶出した添加剤を基点として分散液中のシリカ粒子が凝集及び／又は成長すると考えられるが、添加剤の含有量が５００重量ｐｐｍ以下であると、分散液に溶出する添加剤の量を低減できるため、分散液中での粗大粒子の発生を抑えることができる。粗大粒子の発生をより効果的に抑えるには、添加剤の含有量が４００重量ｐｐｍ以下であることが好ましく、３００重量ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００重量ｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、上記添加剤を含有しないことがさらにより好ましい。また、粗大粒子の発生をより効果的に抑えるためには、有機高分子材料中における融点が５〜６０℃の添加剤の含有量が５００重量ｐｐｍ以下であることが好ましく、融点が２５〜６０℃の添加剤の含有量が５００重量ｐｐｍ以下であることがより好ましく、融点が４０〜６０℃の添加剤の含有量が５００重量ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。なお、有機高分子材料中の添加剤の含有量は、以下の測定方法で測定できる。
【００４６】
まず、有機高分子材料を１００℃に熱したキシレン中に溶解させる。続いて、この溶解液をエタノール中に滴下し、高分子成分を再結晶させる。この際、添加剤は、エタノール中に溶解している。次に、再結晶物を濾過により除去した後、エバポレータでエタノールを蒸発させる。そして、濃縮された添加剤の溶解液をガスクロマトグラフィーにより分析し、ピーク面積より添加剤の含有量を算出する。
【００４７】
上記添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、顔料、染料、核剤、充填剤、滑剤、難燃剤、可塑剤等が挙げられる。中でも、酸化防止剤がシリカ粒子の結晶成長の基点となり易く、フェノール系酸化防止剤がより結晶成長の基点となり易い。
【００４８】
本発明の研磨液キットは、研磨速度の向上及びナノスクラッチ低減の観点から、構成成分として酸及び／又はその塩を含む。酸及び／又はその塩としては、例えば、硝酸、硫酸、亜硝酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸又はそれらの塩；２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸又はそれらの塩；グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸又はそれらの塩；シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸又はそれらの塩が挙げられる。中でも、ナノスクラッチを低減する観点から、無機酸及び／又は有機ホスホン酸、並びにそれらの塩が好ましい。
【００４９】
また、無機酸及び／又はそれらの塩の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸又はそれらの塩がより好ましい。有機ホスホン酸又はそれらの塩の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）又はそれらの塩がより好ましい。これらの酸又はそれらの塩は、単独で又は２種類以上を混合して用いてもよい。
【００５０】
これらの塩を構成する対イオン（陽イオン）としては、特に限定はないが、例えば、金属イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等が挙げられる。金属イオンとしては、例えば、周期律表（長周期型）の１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属のイオンが挙げられる。上記対イオンとしては、ナノスクラッチを低減する観点から、アンモニウムイオン又は１Ａ族に属する金属のイオンが好ましい。
【００５１】
研磨液キットにおいて、酸及び／又はその塩は、シリカ粒子分散液と混合されない状態にあればよく、使用前まで、シリカ粒子分散液が入れられた容器とは別の容器であって、耐酸性のある容器中に保管しておくことが好ましい。
【００５２】
本発明の研磨液組成物は、上述した本発明の研磨液キットを用いて調製される。即ち、上述したシリカ粒子分散液と、酸及び／又はその塩とを混合することにより本発明の研磨液組成物は調製される。即ち、上述したシリカ粒子分散液と酸及び／又はその塩とを混合して所望のｐＨに調整することにより、本発明の研磨液組成物が調製される。これにより、長期間保管した後の研磨でも被研磨物のスクラッチ、特にナノスクラッチを低減することができる。
【００５３】
研磨液組成物の調製方法は、特に限定されないが、シリカ粒子の分散安定性を高める観点から、酸及び／又はその塩を水に溶解させてから、その水溶液へシリカ粒子分散液を添加し、これらを混合することが好ましい。さらに、シリカ粒子分散液を混合する際には、シリカ粒子の乾燥による凝集を防ぐ観点から、シリカ粒子が乾燥しない速度で混合するのが好ましい。また、シリカ粒子分散液を混合する際には、シリカ粒子の分散性を高める観点から、シリカ粒子以外の成分が溶解した上記水溶液を攪拌しながら、そこにシリカ粒子分散液を添加し、これらを混合するのが好ましい。
【００５４】
研磨液組成物のｐＨは、被研磨物の種類や要求特性に応じて決定されるが、被研磨物の材質が金属材料の場合には、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは４以下、より好ましくは３以下、さらに好ましくは２以下である。また、人体への悪影響や研磨装置の腐食を防止する観点から、ｐＨは、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは１以上である。特に、Ｎｉ−Ｐ（ニッケル−リン）メッキされたアルミニウム合金基板においては、前記観点を考慮して、ｐＨは、０．１〜４が好ましく、より好ましくは０．５〜３、さらに好ましくは１〜２である。
【００５５】
研磨液組成物の製造の際あるいは製造後に、シリカ粒子分散液に含まれる粗大粒子等を効率的且つ経済的に除去する目的で、一般的な分散あるいは粒子除去方法を用いることができる。例えば、高速分散装置や高圧ホモジナイザー等の高圧分散装置を用いた分散法や、遠心分離装置等による沈降法、または、濾過材を用いた精密濾過や限外濾過等の濾過法が利用できる。これらを用いて処理する場合、それぞれ単独で又は２種以上を組合せて処理してもよく、組合せの順序についても何ら制限はない。また、その処理条件や処理回数についても、方法に応じて適宜選択して使用することができる。
【００５６】
これらの方法の中でも、上記研磨液組成物中に含まれる粗大粒子等を、より効率的且つより経済的に除去可能とする、フィルターを用いた精密濾過が、好適である。
【００５７】
精密濾過用の濾過材としては、デプス型フィルターやプリーツ型フィルターを用いることができる。デプス型フィルターとしては、バッグ式（住友スリーエム社製等）のフィルターの他、カートリッジ式（アドバンテック東洋社、日本ポール社、ＣＵＮＯ社、ダイワボウ社製等）のフィルターを用いることができる。
【００５８】
デプス型のフィルターとは、濾過材の孔構造が入口で粗く、出口側で細かく、且つ入口側から出口側へ向かうにつれて連続的に又は段階的に細かくなる特徴を持つ。即ち、粗大粒子の中でも大きな粒子は入口側付近で捕集され、小さな粒子は出口側付近で捕集される。また、粗大粒子程フィルターの厚み方向に多段で捕集されるため除去されやすい。デプス型フィルターの形状は、袋状のバッグタイプでもよく、また、中空円筒形状のカートリッジタイプでもよい。
【００５９】
プリーツ型のフィルターとは、濾過材をヒダ状（プリーツ状）に成形加工して、中空円筒形状のカートリッジタイプにしたものである。厚み方向の各部分で捕集するデプス型フィルターと異なり、プリーツ型フィルターは、濾過材の厚みが薄く、フィルター表面での捕集が主体と言われており、一般的に濾過精度が高いことが特徴である。なお、濾過材としては、デプス型とプリーツ型の中間構造を有するフィルターを使用することもできる。
【００６０】
濾過方法は、繰り返し濾過する循環式でもよく、一パス方式でもよい。また、一パス方式を繰り返すバッチ式を用いてもよい。通液方法は、加圧する場合、循環式では好ましくはポンプが用いられ、一パス方式ではポンプを用いる他に、タンクに空気圧等を導入する加圧濾過法を用いることが出来る。
【００６１】
フィルターの孔構造を適切に選択することで、除去する粗大粒子の粒径を制御することができる。フィルターシステムは、一段濾過でもよく、組合せによる多段濾過でもよい。多段濾過については、フィルターの孔径と濾過材の構造を適切に選択し、さらに該フィルターの処理順序を適切に選択することで、除去する粗大粒子の粒径制御（濾過精度）が可能となる上、経済性を向上させることができる。即ち、孔構造が大きいフィルターを前段に用い、細かいフィルターを後段に用いると、フィルターの寿命を全体として長くできる。濾過材の構造では、前段にデプス型を用い、後段にプリーツ型を用いると、フィルターの寿命を全体として長くできる。
【００６２】
また、上記研磨液組成物中における、スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の含有量は、シリカ粒子の凝集及び／又は成長を抑制し、かつ経済性を向上させる観点から、０．０００１〜１重量％が好ましく、より好ましくは０．０００１〜０．３重量％、さらに好ましくは０．００１〜０．１重量％である。
【００６３】
研磨液組成物中におけるシリカ粒子の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、さらにより好ましくは５重量％以上である。また、経済的に表面品質を向上させる観点から、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１３重量％以下、さらにより好ましくは１０重量％以下である。従って、研磨速度を向上させ、且つ経済的に表面品質を向上させる観点から、該含有量は、好ましくは０．５〜２０重量％、より好ましくは１〜１５重量％、さらに好ましくは３〜１３重量％、さらにより好ましくは５〜１０重量％である。
【００６４】
研磨液組成物は、さらに酸化剤を含んでいると好ましい。酸化剤としては、過酸化物、金属のペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩等が挙げられる。また、酸化剤は、無機系酸化剤と有機系酸化剤とに大別されるが、研磨速度をさらに向上でき、入手が容易であり、水への溶解性等の取扱いがさらに容易になることから、無機系酸化剤が好ましい。
【００６５】
無機系酸化剤としては、過酸化水素、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物、ペルオキソ炭酸塩、ペルオキソ硫酸又はその塩、ペルオキソリン酸又はその塩、ペルオキソホウ酸塩、ペルオキソクロム酸塩、過マンガン酸塩、ハロゲンを含む酸素酸塩、及び無機酸金属塩等が挙げられる。
【００６６】
アルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物としては、過酸化ナトリウム、過酸化カリウム、過酸化カルシウム、過酸化バリウム、過酸化マグネシウム等が挙げられる。前記ペルオキソ炭酸塩としては、ペルオキソ炭酸ナトリウム及びペルオキソ炭酸カリウム等が挙げられる。ペルオキソ硫酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム及びペルオキソ一硫酸等が挙げられる。ペルオキソリン酸又はその塩としては、ペルオキソリン酸ナトリウム、ペルオキソリン酸カリウム及びペルオキソリン酸アンモニウム等が挙げられる。ペルオキソホウ酸塩としては、ペルオキソホウ酸ナトリウム及びペルオキソホウ酸カリウム等が挙げられる。前記ペルオキソクロム酸塩としては、ペルオキソクロム酸ナトリウム及びペルオキソクロム酸カリウム等が挙げられる。過マンガン酸塩としては、過マンガン酸ナトリウム及び過マンガン酸カリウム等が挙げられる。ハロゲンを含む酸素酸塩としては、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、沃素酸ナトリウム及び沃素酸カリウム等が挙げられる。無機酸金属塩としては、塩化鉄（III）及び硫酸鉄（III）等が挙げられる。
【００６７】
有機系酸化剤としては、過カルボン酸類、パーオキサイト及び有機酸鉄(III)塩等が挙げられる。前記過カルボン酸類としては、過酢酸、過蟻酸及び過安息香酸等が挙げられ、前記パーオキサイトとしては、ｔ−ブチルパーオキサイト及びクメンパーオキサイト等が挙げられ、前記有機酸鉄（III）塩としては、クエン酸鉄（III）等が挙げられる。
【００６８】
これらの中でも、研磨速度の向上の観点から、過酸化水素、ペルオキソホウ酸ナトリウム、沃素酸ナトリウム、及び沃素酸カリウムが好ましい。これらの酸化剤は、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
【００６９】
上記研磨液組成物中における酸化剤の含有量は、ナノスクラッチのさらなる低減及び研磨速度の向上の観点から、０．０１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜１５重量％、さらに好ましくは０．０１〜１０重量％である。
【００７０】
研磨液組成物は、さらに、殺菌剤、抗菌剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤及びｐＨ調整剤等を含んでもよい。研磨液組成物中におけるこれらの成分の含有量は、研磨特性（例えば、研磨速度、被研磨物の表面粗さ、表面うねり、ロールオフ（端面だれ）等）の向上の観点から、１０重量％以下が好ましく、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは６重量％以下である。
【００７１】
研磨液組成物は、精密部品用基板の製造に好適である。例えば磁気ディスク、光磁気ディスク等の磁気ディスク基板、光ディスク、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板などの精密部品用基板の研磨に適しており、中でも磁気ディスク基板の研磨に好適である。
【００７２】
研磨液組成物によって研磨される好適な被研磨物の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金；ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、；アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。これらの中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨物の研磨に好適であり、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板に対してより適しており、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板に対してさらに適している。
【００７３】
被研磨物の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状のものに、上記研磨液組成物は好適に用いられる。中でも、研磨液組成物は、ディスク状の被研磨物の研磨により適している。
【００７４】
以上のとおり、本発明の研磨液組成物は、本発明の研磨液セットを用いて調整されているので、本発明の研磨液組成物は、シリカ粒子と、  酸及び／又はその塩と、スルホン酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸／スルホン酸（共）重合体及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種と、水とを含有し、前記スルホン酸基含有単量体は、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸及びイソアミレンスルホン酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記（共）重合体及びその塩の重量平均分子量が５００〜７０００であり、かつ、前記（共）重合体及びその塩の各々を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率が１５〜１００モル％である。
【００７５】
よって、本発明の研磨液組成物は、長期間保管した後の研磨でも被研磨物のスクラッチ、特に、ナノスクラッチを低減することができる。
【００７６】
次に、本発明の基板の製造方法について説明する。
【００７７】
本発明の基板の製造方法は、上述した本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板（被研磨物）を研磨する工程を含む。上記工程では、例えば、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、３〜５０ｋＰａの研磨圧力で、研磨液組成物を、被研磨基板の被研磨面１ｃｍ2当たり、例えば、０．０５〜１５ｍＬ／分の供給速度で供給しながら、定盤および被研磨基板の少なくとも一方を動かして、被研磨基板を研磨する。
【００７８】
上記研磨圧力とは、研磨時に被研磨基板の被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。研磨圧力は、研磨速度を向上させ経済的に研磨を行う観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、４ｋＰａ以上がより好ましく、５ｋＰａ以上がさらに好ましく、５．５ｋＰａ以上がさらにより好ましい。本発明の研磨液組成物では、粗大粒子の発生が抑制されているため、ナノスクラッチが発生しにくく、高い研磨圧力で基板を研磨することが可能である。また、表面品質を向上させ、且つ研磨物の残留応力を緩和する観点から、研磨圧力は、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、さらに好ましくは１６ｋＰａ以下である。したがって、研磨速度及び表面品質向上の観点から、本発明の製造方法において研磨圧力は３〜２０ｋＰａが好ましく、４〜２０ｋＰａがより好ましく、５〜１８ｋＰａがさらに好ましく、５．５〜１６ｋＰａがさらにより好ましい。研磨圧力の調整は、定盤及び研磨対象物のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
【００７９】
研磨液組成物の供給速度は、研磨速度向上の観点から、被研磨基板の被研磨面１ｃｍ2当たり、０．０５ｍＬ／分以上が好ましく、０．０６ｍＬ／分以上がより好ましく、０．０７ｍＬ／分以上がさらに好ましく、０．０８ｍＬ／分以上がさらにより好ましく、０．０９ｍＬ／分以上がよりいっそう好ましい。表面品質の向上および経済性向上の観点から、研磨液組成物の供給速度は、被研磨面１ｃｍ2当たり１５ｍＬ／分以下が好ましく、１０ｍＬ／分以下がより好ましく、５ｍＬ／分以下がさらに好ましく、４ｍＬ／分以下がさらにより好ましく、３ｍＬ／分以下がよりいっそう好ましい。したがって、研磨速度の向上と表面品質の向上との両立の観点から、研磨液組成物の供給速度は被研磨基板の被研磨面１ｃｍ2当たり、０．０５〜１５ｍＬ／分が好ましく、０．０６〜１０ｍＬ／分がより好ましく、０．０７〜５ｍＬ／分がさらに好ましく、０．０８〜４ｍＬ／分がさらにより好ましく、０．０９〜３ｍＬ／分がよりいっそう好ましい。
【００８０】
研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板との間に供給する方法としては、例えば、ポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板との間へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の品質安定性等を考慮して、例えば、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本発明の研磨液組成物となる。
【００８１】
本発明で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができる。
【００８２】
本発明の基板の製造方法は、精密部品用基板の製造に好適である。半導体基板の製造においては、シリコンウエハ（ベアウエハ）のポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において本発明の研磨液組成物を用いることができる。基板の製造工程において、複数の研磨工程がある場合、２工程目以降に本発明の研磨液組成物が用いられるのが好ましく、ナノスクラッチ及び表面粗さを顕著に低減し、優れた表面平滑性を得る観点から、仕上げ研磨工程に用いられるのがよりいっそう好ましい。仕上げ研磨工程とは、複数の研磨工程がある場合、最後の研磨工程を指す。
【実施例】
【００８３】
《実施例１》
（シリカ粒子分散液）
市販のコロイダルシリカ分散液（デュポン社製、一次粒子の平均粒径１６ｎｍ、シリカ粒子濃度４０重量％、ｐＨ９．５）３００ｇに、表１の実施例１の欄に示すＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体、ＡＭＰＳの含有率３０モル％、重量平均分子量１３００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）０．０３ｇ（０．０１重量％）を攪拌しながら添加した後、０．４５μｍアブソリュートフィルター（アドバンテック東洋製ＭＣＳ−０４５−Ｃ１０Ｓ）で精密フィルター濾過し、ポリエチレン容器（藤森工業製バッグインボックス型キュビテナー１５ＳＣ）に入れてシリカ粒子分散液を得た。この分散液１ｍＬ中の０．５６μｍ以上の粗大粒子数を以下に示す測定条件にて測定したところ、１５０００個であった。
【００８４】
次に、上記分散液が入った容器を恒温槽に入れて６０℃で７２時間保存した。次いで、保存後のシリカ粒子分散液中における粗大粒子数を同じく以下に示す測定条件にて測定した。そして、保存前後における分散液中の粗大粒子個数の増加量を下記式から算出した。結果を表１に示す。
粗大粒子個数の増加量（個／ｍＬ）＝保存後の粗大粒子個数（個／ｍＬ）−保存前の粗大粒子個数（個／ｍＬ）
【００８５】
（粗大粒子の個数の測定条件）
測定機器：ＰＳＳ社製「アキュサイザー７８０ＡＰＳ」
注入ループ容量：１ｍＬ
流速：６０ｍＬ／分
データコレクションタイム（Ｄａｔａ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ  Ｔｉｍｅ）：６０秒
チャンネル数：１２８
【００８６】
（研磨液組成物の調製方法）
超純水に、酸及び／又はその塩として硫酸（和光純薬製、試薬特級）を有効分換算で０．６重量％と、１−ヒドロキシエチリデン−１,１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ、ソルーシアジャパン社製、固形分濃度６０重量％）を有効分換算で０．１重量％とを撹拌しながら混合し、さらに酸化剤として過酸化水素水（アデカ製３５％過酸化水素水）を有効分換算で０．６重量％加えよく撹拌した後に、上述した６０℃で７２時間保存後のシリカ粒子分散液１７．５重量％を混合し、よく撹拌して研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００８７】
《実施例２》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、表１の実施例２の欄に示すＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体（ＡＭＰＳの含有率３０モル％、重量平均分子量４５００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）を用いたこと以外は、実施例１と同様に研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００８８】
《実施例３》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、表１の実施例３の欄に示すＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体（ＡＭＰＳの含有率５５モル％、重量平均分子量１０００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００８９】
《実施例４》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、表１の実施例４の欄に示すＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体（ＡＭＰＳの含有率９０モル％、重量平均分子量１３００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）を用いたこと以外は、実施例１と同様に研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９０】
《実施例５》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、表１の実施例５の欄に示すＡＭＰＳ単量体（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸ナトリウム、分子量２３０．２、固形分濃度４０重量％）を用いたこと以外は、実施例１と同様に研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９１】
《参考例》
ＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体を入れず、かつ６０℃、７２時間の保存試験を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして研磨液組成物を得た。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９２】
《比較例１》
ＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体を入れなかった以外は実施例１と同様にして研磨液組成物を得た。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９３】
《比較例２》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、ＡＡ重合体（重量平均分子量１６２００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９４】
《比較例３》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、表１の比較例３の欄に示すＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体（ＡＭＰＳの含有率２０モル％、重量平均分子量８４００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）を用いたこと以外は、実施例１と同様に研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９５】
《比較例４》
実施例１で用いたＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体に代えて、表１の比較例４の欄に示すＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体（ＡＭＰＳの含有率１１モル％、重量平均分子量１８００、固形分濃度４０重量％、ナトリウム中和品）を用いたこと以外は、実施例１と同様に研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは、１．５であった。
【００９６】
参考例、実施例１〜５及び比較例１〜４で得られた研磨液組成物を用いて以下の条件で研磨を行い、ナノスクラッチ評価を行った。
【００９７】
（研磨条件）
・研磨試験機：スピードファム社製、両面９Ｂ研磨機
・研磨パッド：フジボウ社製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
・上定盤回転数：３２．５ｒ／ｍｉｎ
・研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／ｍｉｎ（被研磨基板１ｃｍ2当たり０．１５ｍＬ／
分）
・研磨時間：４分
・研磨荷重：７．８ｋＰａ
・投入した被研磨基板の枚数：１０枚
【００９８】
（被研磨基板）
アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による表面粗さＲａを１ｎｍとした、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を被研磨基板として用いた。なお、この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであった。
【００９９】
（ナノスクラッチの測定条件）
・測定機器：ＶＩＳＩＯＮ ＰＳＹＴＥＣ社製、「ＭｉｃｒｏＭａｘ ＶＭＸ−２１００ＣＳＰ」
・光源：２Ｓλ（２５０Ｗ）及び３Ｐλ（２５０Ｗ）共に１００％
・チルト角：−６度
・倍率：最大（視野範囲：全面積の１２０分の１）
・観察領域：全面積（外径９５ｍｍで内径２５ｍｍの基板）
・アイリス：ｎｏｔｃｈ
評価：研磨した基板（１０枚）の中から無作為に４枚を選択し、各基板の両面にあるナノスクラッチ数を測定し、４枚（計８面）のナノスクラッチ数（本）の合計を８で除して基板片面当たりのナノスクラッチ数（本/面）を算出した。そして、参考例のナノスクラッチ数（３０本/面）を１．０として、各実施例及び各比較例の相対値を算出した。結果を表１に示す。
【０１００】
（研磨速度の評価）
参考例、実施例１〜５及び比較例１〜４で得られた研磨液組成物を用いたときの研磨速度を以下の方法で評価した。まず、研磨前後の各基板の重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、１０枚の平均値を重量減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。この重量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）に変換した。そして、参考例の研磨速度を基準値１．０として、各実験例の研磨速度の相対速度を求めた。結果を表１に示す。
・研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝重量減少速度（ｇ／ｍｉｎ）／基板片面面積（ｍｍ2）／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ3）×１０6
（基板片面面積：６５９７ｍｍ2、Ｎｉ−Ｐメッキ密度：７．９ｇ／ｃｍ3として算出）
【０１０１】
【表１】
0005437571.tif 000002
【０１０２】
表１の結果から、スルホン酸基含有単量体を含む実施例５、重量平均分子量が５００〜７０００であり、かつ、全構成単位中に占めるＡＭＰＳに由来する構成単位の含有率が１５〜１００モル％であるＡＭＰＳ／ＡＡ共重合体を含む実施例１〜４では、比較例１〜４に比べて分散液中の粗大粒子の発生が顕著に抑制されており、ナノスクラッチ数も低減されていることがわかる。また、実施例１〜５では、分散液の保存前と同等の研磨性能を示した。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明の研磨液キットは、例えば、磁気ディスク、光磁気ディスク等のディスク基板の研磨あるいは光ディスク、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板等の精密部品基板の研磨等に好適に使用することができる。