(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を搭載すべき搭載台と、
前記試料に前記浮遊粒子が付着するのを防止する粒子付着防止手段と、有し
前記粒子付着防止手段は、前記搭載台周辺の浮遊粒子を吸着可能な誘電体部材を含み、
前記粒子付着防止手段は、前記搭載台に前記試料が搭載されていない状態の時に、前記誘電体部材をプラスの極性に帯電させ、イオン化エアーによってプラスの電荷を帯びた浮遊粒子を前記搭載台の下側における複数の方向から排気することを特徴とする試料搭載装置。
【請求項２】
請求項１に記載の試料搭載装置において、
前記誘電体部材は、前記浮遊粒子とは逆の特性に帯電することを特徴とする試料搭載装置。
【請求項３】
請求項２に記載の試料搭載装置において、
前記搭載台には、膜の形成された試料を搭載すべき第１の部分と、膜の形成されていない試料を搭載すべき第２の部分と、が形成されており、
前記粒子付着防止手段は、前記第１の部分、前記第２の部分それぞれに配置されていることを特徴とする試料搭載装置。
【請求項４】
請求項３に記載の試料搭載装置において、
前記第１の部分、及び前記第２の部分のうち少なくとも１つを清掃する清掃手段を有することを特徴とする試料搭載装置。
【請求項５】
請求項１に記載の試料搭載装置において、
前記搭載台には、膜の形成された試料を搭載すべき第１の部分と、膜の形成されていない試料を搭載すべき第２の部分と、が形成されており、
前記粒子付着防止手段は、前記第１の部分、前記第２の部分それぞれに配置されていることを特徴とする試料搭載装置。
【請求項６】
請求項１に記載の試料搭載装置において、
前記搭載台の前記試料を搭載すべき部分を清掃する清掃手段を有することを特徴とする試料搭載装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップや液晶製品を製造する際の薄膜基板，半導体基板やフォトマスク等に存在する異物や回路パターンに生じる欠陥を検出する物体表面の欠陥検査装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、半導体基板（ウェハ）上に異物が存在すると配線の絶縁不良や短絡などの不良原因になる。さらに半導体素子の微細化に伴い、より微細な異物がキャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。これらの異物は、搬送装置の可動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスにより処理装置内で反応生成されたもの、薬品や材料に混入していたものなど種々の原因により種々の状態で混入される。
【０００３】
同様に、液晶表示素子の製造工程においても、上記異物によりパターン欠陥が生じると、表示素子として使えないものになってしまう。また、プリント基板の製造工程においても同様の状況であって、異物の混入はパターンの短絡，不良接続の原因となる。
【０００４】
このような背景の下、半導体製造においては、各製造ライン毎に異物検査装置を場合によっては複数配置し、上記異物の早期発見による製造プロセスへのフィードバックにより半導体製造の歩留まり向上を図っている。
【０００５】
半導体基板上の異物を検出する技術の１つとして、特許文献１に記載されているように、半導体基板上にレーザを照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、直前に検査した同一品種半導体基板の検査結果と比較することにより、パターンによる虚報を無くし、高感度かつ高信頼度な異物及び欠陥検査を可能にするものが開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、異物のサイズ測定技術が開示されている。
【０００７】
これらの異物検査装置では、高速かつ高感度検査が求められる。このため、ウェハ移動ステージの高速化や検出光学系の高ＮＡ、高解像化は検査装置を開発する上で重要となっている。また、検査装置自体からの発塵防止は勿論のこと、検査中の被検査対象への新たな異物の付着もあってはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−８９３３６号公報
【特許文献２】特開２００１−６０６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、発塵発生防止のため、検査装置内のクリーン度を向上させても搬送部などの可動部が存在する以上、異物を完全に除去した雰囲気を作ることは大変コストがかかると共に実質、困難である。
【００１０】
上記特許文献１に記載された技術では、繰り返しパターンや非繰り返しパターンが混在する基板上の微細な異物または欠陥を、高感度で、かつ高速に検出することは容易にできなかった。すなわち、上記特許文献１に記載の技術では、例えば、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題があった。
【００１１】
また、上記特許文献１に記載の技術では、パターン密度が高い領域における０.１μｍレベルの微小異物または欠陥の検出感度が低いという課題があった。
【００１２】
さらに、上記特許文献１に記載の技術では、配線間を短絡する異物または欠陥の検出感度や薄膜状の異物の検出感度が低いという課題があった。
【００１３】
また、上記特許文献２に記載の技術では、異物または欠陥の計測精度が低いという課題があった。さらに、上記特許文献２に記載の技術では、透明薄膜が形成されたウェハ表面上の異物の検出感度が低いという課題があった。
【００１４】
本発明の目的は、繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査方法及びその装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明は次のように構成される。
【００１６】
載置台に配置された試料の表面に光を照射し、試料表面から反射された光を検出して、上記試料表面の欠陥を検出する欠陥検査装置及び欠陥検査方法において、上記載置台に配置された試料の表面に異物が付着することを異物付着防止手段により防止し、上記試料の表面に光を照射して、上記試料表面の欠陥を検出する。
【００１７】
また、光源と、載置台に配置された試料の表面に、上記光源からの光を照射する照射手段と、試料表面から反射された光を検出する光検出手段と、この光検出手段により検出された反射光に基づいて、上記試料表面の欠陥を検出する欠陥検出手段とを有する欠陥検査装置において、上記試料の裏面に異物が付着しているか否かを検査する裏面異物検査手段を備える。
【００１８】
また、光源と、載置台に配置された試料の表面に、上記光源からの光を照射する照射手段と、試料表面から反射された光を検出する光検出手段と、この光検出手段により検出された反射光に基づいて、上記試料表面の欠陥を検出する欠陥検出手段とを有する欠陥検査装置に使用され、上記載置台に配置された試料の表面に異物が付着することを防止する異物付着防止装置であって、光を透過する透明基板と、この透明基板を移動可能に支持し、上記透明基板の上記載置台に配置された試料表面の上方への移動及び上記試料表面の上方からの移動を行う駆動手段とを有する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査方法及びその装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る欠陥検査装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における照明光学系の配置関係、低角度照明光学系の概略構成、及び照明領域と検出領域の関係を示す図である。
【図３】照明光学系に用いられている円錐曲面レンズ及び円筒レンズの斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施形態である欠陥検査装置の動作説明図である。
【図５】オリフラ検出光学系、端面検査装置の配置を示す側面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態における異物付着防止手段の構成を説明するための図である。
【図７】本発明の第１の実施形態における裏面異物検査装置の概略構成図である。
【図８】本発明の第１の実施形態における裏面異物検査装置の概略構成図である。
【図９】本発明の第１の実施形態における検査の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施形態における要部説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態における要部説明図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態における信号処理系の詳細構成ブロック図である。
【図１３】信号処理系の画素マージ回路の説明図である。
【図１４】信号処理系で凸欠陥を検出する場合の説明図である。
【図１５】信号処理系で凹欠陥を検出する場合の説明図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００２２】
本発明の実施形態に係る欠陥検査装置は、様々な品種や様々な製造工程におけるウェハ等の被検査基板上における異物，パターン欠陥，マイクロスクラッチ等の様々な欠陥を高感度で、かつ高速で検査し、特にウェハ表面に形成された薄膜表面の欠陥を薄膜中の欠陥と分離して安定して検出するものである。さらに、本発明による欠陥検査装置は、装置内のゴミ，異物等のパーティクルによって被検査対象であるウェハの表面が検査時に汚染されないような構成としている。
【００２３】
すなわち、本発明の実施形態に係る欠陥検査装置は、ウェハの上方に透明部を有した異物付着防止手段を設け、検査装置内を浮遊している異物やパーティクルなどの汚染物が、ウェハの表面に直接落下することを防止すると共に、検査のため載置台に載置されるウェハの裏面を搬送経路で検査することによりウェハ１裏面の汚染状態を確認する手段を備える。また、本発明の実施形態に係る欠陥検査装置は、汚染の結果によりウェハの裏面を清浄化する手段を備える。さらに、ウェハの裏面の汚染状態に応じて、載置台を交換する構成にしたものである。
【００２４】
以下、本発明に係る欠陥検査装置の実施形態について具体的に説明する。なお、以下の実施形態では、半導体ウェハ及びこのウェハ上に形成された透明膜上の小／大異物やマイクロスクラッチおよび、透明膜中の異物やパターン欠陥等の欠陥を検査する場合について説明するが、本発明は、半導体ウェハに限らず、薄膜基板やフォトマスク，ＴＦＴ，ＰＤＰ等にも適用可能である。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る物体表面の欠陥検査装置の概略構成図である。図１において、欠陥検査装置は、大きくは、照明光学系１０，倍率可変検出光学系２０，搬送系３０，信号処理系４０及び欠陥検査装置全体を制御する全体制御部５０によって構成される。
【００２５】
搬送系３０は、様々な品種や様々な製造工程から得られるウェハ等の被検査対象基板１を載置台３４に載置，移動させるＸステージ３１−１，Ｙステージ３１−２，Ｚステージ３２，回転ステージ３３と、これらを制御するための駆動回路３５とを備えている。
【００２６】
照明光学系１０は、図２に示すように、レーザ光源１１，ビーム拡大光学系１６，ミラー２６０〜２６８，レンズ２３１〜２３３，波長板２１１〜２１３を備え、レーザ光源１１から射出された光を、ビーム拡大光学系１６で拡大後、ミラー２６０〜２６８，波長板２１１〜２１３，レンズ２３１〜２３３等を介して、斜め複数方向からウェハ１表面上に
照明する。
【００２７】
図１において、検出光学系２０は、対物レンズ２１，空間フィルタ２２，結像レンズ２３，光学フィルタ２５，ビームスプリッタ９０，ＴＤＩイメージセンサ等の光検出器２６を備える。
【００２８】
信号処理系４０は、光検出器２６で検出された画像信号を処理して欠陥，異物を検出する。
【００２９】
観察用光学系６０は、レンズ６１と、ハーフミラー６２と、照明光源６３と、結像レンズ６５と、撮像手段６４とを備え、照明光源６３から出射した光をハーフミラー６２で反射して光路をウェハ１の方向に曲げ、レンズ６１で集光させてウェハ１の表面を照明する。ウェハ１で反射，散乱した光のうちレンズ６１に入射した光は、ハーフミラー６２を透過後、結像レンズ６５により撮像手段６４の受光面に結像する。観察用光学系６０はウェハ１を倍率可変検出光学系２０で検査して得られた検査結果に基づいて異物の有無，形状を確認するものである。
【００３０】
全体制御部５０は、検査条件などを設定し、照明光学系１０，倍率可変検出光学系２０，搬送系３０及び信号処理系４０の全体を制御する。全体制御部５０には、入出力手段５１（キーボードやネットワークも含む），表示手段５２，記憶部５３が設けられている。記憶手段（サーバ）５５は、被検査対象基板１の表面に形成されている回路パターンなどの設計データが格納され、設計データから空間的な光学像を形成することができる。
【００３１】
なお、この異物検査装置には、ウェハ１の表面の像を光検出器２６の受光面に結像させるように自動焦点制御系（図示せず）を備えている。
【００３２】
この欠陥検査装置では、複数の方向から被検査対象基板１の表面に照明可能な構成になっている。
【００３３】
照明光学系１０としては、図２の（ａ）に示すように、レーザ光源１１から射出された光Ｌ０を、例えば、図示しない凹レンズおよび凸レンズ等から構成されるビーム拡大光学系１６，スリット状ビームに成形するレンズ１４，ミラー２５５等で構成され、レーザ光源１１から出射された光Ｌ０をスリット状（線状）ビーム２００に成形してウェハ１にスリット状の照明領域２０１（図２の（ｃ））を形成する。
【００３４】
本発明の第１の実施形態による検査装置では、単波長のレーザビームでウェハ１の表面を低角度（低い入射角度）で照明するための構成として、図２の（ｂ）に示すように、スリット状ビーム２００（ウェハ１のスリット状の照明領域２０１に照射する光、以後、この光をスリット状ビームと記載する）を平面的に複数の方向（図２の（ｂ）においてはレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の照射方向）、及び複数の照明角度（図２の（ｂ）におけるα，β，γ）にて、試料載置台（ウェハチャック）３４上に載置されたウェハ１に照射するように構成されている。
【００３５】
ここで、照明光をスリット状ビーム２００にするのは、照明により発生する異物や欠陥からの散乱光の像を、光検出器２６の一列に配置した受光素子の検出面上に結像させて、一括して検出することにより、異物検査の高速化を図るためである。
【００３６】
すなわち、ウェハ１上に形成されたチップ２０２の配列方向がＸステージ３１−１の走査方向およびＹステージ３１−２の走査方向に対して平行になるように回転ステージ３３を駆動して載置テーブル３４上に載置されたウェハ１の向きを調整し、この向きを調整したウェハ１上にスリット状ビーム２００を照射する。
【００３７】
このスリット状ビーム２００が照射されるウェハ１上のスリット状の照明領域２０１の形状は、Ｙ方向に集光してＸ方向に平行光となるように構成された光学系により、Ｘステージ３１−１の走査方向Ｘに平行（ウェハ１上に照射されたスリット状の照明領域２０１の長手方向がＸステージ３１−１の走査方向Ｘに平行）、Ｙステージ３１−２の走査方向Ｙに垂直（ウェハ１上に照射されたスリット状の照明領域２０１の長手方向がＹステージ３１−２の走査方向Ｙに垂直）、また光検出器２６の画素の配列方向ともスリット状の照明領域２０１の長手方向平行になるよう光軸が調整されている。
【００３８】
これは、画像信号のチップ間比較を行う際に、チップ間の位置合わせが容易に行える効果を奏するためである。このスリット状の照明領域２０１は、図３に示すように、光路中に例えば円錐曲面レンズ１４を設けるかまたは円筒レンズを設けることにより形成することができる。
【００３９】
一例として、ここでレンズ２３１及２３３は、図３（ａ）に示すように、長手方向の曲率半径が連続的に変化するような円錐曲面レンズであり、水平方向角度φ方向からＸステージ３１−１の走査方向に対してウェハ１上に照射されるスリット状ビーム２０１の長軸方向が平行になるようにしている。
【００４０】
すなわち、ここで、レーザ光Ｌ１及びＬ３による照明では、ウェハ１のＹ軸方向に対して左右に角度φ回転し、かつＺ軸方向に角度αまたはβ傾斜した方向（図２の（ｂ）では、レーザ光Ｌ３からの照明光がミラー２６５で反射されてレンズ２３３を透過してミラー２６８に到る光路と、ミラー２６８からウェハ１のスリット状ビーム２００の照射領域２０１までの光路とが重なって表示されている）からそれぞれスリット状に成形されたレーザ光をウェハ１上に照射する。
【００４１】
また、レーザ光Ｌ２による照明は、Ｙステージ３１−２の走査方向と同方向より照明を行うため、図３の（ｂ）に示す円筒レンズ２３２によりスリット状ビーム２００を形成してウェハ１上のスリット状の領域２０１−２に照射している。
【００４２】
また、全体制御部５０からの指令に基づいて、図２の（ａ）に示すように、ミラー２５５の角度θを図示していないパルスモータ等の駆動手段で変えることにより、照明角（α，β，γ）を例えば被検査対象基板１上で検査対象とする異物の種類によって変えられる構成になっている。
【００４３】
また、図２の（ｃ）に示すように、いかなる照明角の場合でもスリット状ビーム２００が照射されるウェハ１上のスリット状領域２０１は、光検出器２６の画素の配列方向２０３をカバーする。また、レーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による照明であっても、スリット状ビーム２００の照明位置はウェハ１上でスリット状領域２０１−１〜２０１−３と一致するよう構成される。
【００４４】
これにより、Ｘ方向に平行光を有し、かつ、方位角φ＝４５度付近の照明を実現することができる。特に、スリット状ビーム２０１をＸ方向に平行光とすることによって、主要な直線群がＸ方向およびＹ方向を向いた回路パターンから発する回折光が空間フィルタ２２によって遮光されることになる。
【００４５】
ここで、空間フィルタ２２は、図１に示すように、検出光学系２０の光路中に、検査中はＸ方向に退避可能なミラー９０と、投影レンズ９１，ＴＶカメラ９２からなる瞳観察光学系７０を用いて、フーリエ変換の結像位置における繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点を撮像し、この輝点をフーリエ変換の結像位置に設けた矩形状の遮光部を有する遮光板で遮光するように調整される。
【００４６】
これらの動作は、全体制御部５０からの指令に基づいて行われるが、例えば、被検査対象基板１上に形成された回路パターンが高密度の場合は高倍率での高感度検査モードとし、回路パターンが低密度の場合は低倍率にして高速検査を行う等、ステージ上に載置される被検査対象基板１の表面情報，製造プロセスにあわせて微小欠陥を多く検出するように倍率を設定するものである。
【００４７】
なお、レーザ光源１１としては、例えば、ＹＡＧ第２高調波の波長５３２ｎｍや３倍波の３５５ｎｍ、あるいは第４高調波の２６６ｎｍを用いても良い。また、紫外，遠紫外あるいは真空紫外光レーザであっても良い。さらに、Ａｒレーザや窒素レーザ，Ｈｅ−Ｃｄレーザやエキシマレーザ，半導体レーザ等の光源であっても良い。
【００４８】
一般的にレーザ波長を短波長化することにより、検出像の解像度が向上するため、高感度な検査が可能となる。
【００４９】
次に、本発明における物体表面の欠陥検査の動作の一例について図４により説明する。図４において、５００は欠陥検査装置、８５はウェハ１を収納するウェハカセット、８０は搬送ロボット、８２はウェハ１をつかんで搬送するための搬送アーム、３４０はウェハ１のオリフラ検出部、３５０はオリフラ検出光学系、３００はウェハ１のエッジ部の欠陥を検出する端面検査装置、３４５はウェハ１の表面の欠陥を検出する欠陥検出装置である。
【００５０】
被検査対象基板であるウェハ１は、搬送アーム８２でウェハカセット８５から取り出され、オリフラ検出部３４０に搬送される。
【００５１】
図５はオリフラ検出部３４０を、図４のＹ方向から見た断面図である。図５において、ウェハ１は、チャック３５３に真空吸着され、モータ３５４により回転される。オリフラ検出光学系３５０は、例えば投光部３５１と検出部３５５から成り、投光部３５１からの照明光３５２を受光して、検出部３５５の受光信号が処理回路３５６を介して全体制御部５０に送られる。
【００５２】
全体制御部５０は、ウェハ１の偏芯量とオリフラ（Ｖノッチ）位置を算出し、コントローラ３５７を介してＹ軸に対するオリフラの補正信号をモータ３５４に送る。また、偏芯量は搬送ロボット８０が欠陥検出装置３４５の搬送系３０にウェハ１を設置する際に補正値として搬送アーム８２の移動値にフィードバックされ、ウェハ１が欠陥検査装置３４５の載置台３４の中央に位置合わせされる。
【００５３】
一方、ウェハ１が回転している間、端面検査装置３００はウェハ１の端面部（エッジ部）の欠陥検査を行う。検出された信号は処理回路３０１で処理されて欠陥信号が全体制御部５０に送られる。欠陥が検出された場合、オリフラの位置を原点位置として、モータ３５４に連結された図示していないロータリーエンコーダのパルスカウントから回転方向の座標位置が全体制御部５０に記憶される。
【００５４】
以上述べたように、上記構成の欠陥検査装置によって、ウェハ１表面の微細な欠陥を高速に検査することができる。
【００５５】
ところで、欠陥検査装置３４５の載置台３４に載置されたウェハ１の表面には色々な欠陥種が存在し、欠陥検査装置３４５においては、より多くの欠陥種を検出することが要求される。このため、検出する欠陥種に合わせた検査条件を設定する必要がある。
【００５６】
本発明の実施形態における欠陥検査装置３４５では、照明の方向，角度を欠陥種に合わせて変更可能な構成になっている。このため、照明光学系１０には、ミラー，レンズを駆動させるための駆動機構を備えている。多くの場合、光学系はウェハ１の上方に設置されている。このため、ミラー，レンズ等の駆動部分からの発塵等、検査装置内空間のゴミや異物等によるウェハ１表面のパーティクル汚染を皆無にすることは難しい。
【００５７】
そこで、図６に示すように、本実施形態では被検査対象基板１の上方に、異物付着防止手段１８０をウェハ１の上方に設置して、ゴミや異物等の汚染粒子が直接、ウェハ１の表面に付着するのを防止する構成としている。図６の（ａ）は異物付着防止手段１８０の平面図、図６の（ｂ）は異物付着防止手段１８０の側面図である。
【００５８】
異物付着防止手段１８０は、透明基板１８７が枠１８５を介して載置台３４の上に設置されているものである。異物付着防止手段１８０は、ベース１８６上に固定された２本の支柱１８４に、回転可能に支持された（若しくは挿入された）シャフト１８１がカップリング１８３でモータ１８２に連結されている。そして、２本に支柱１８４の間で、枠１８５の一部にシャフト１８１が挿入され、枠１８５及び透明基板１８７がシャフト１８１を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠１８５全体がシャフト１８１を軸としてＺ方向に開閉する構造になっており、枠１８５及び透明基板１８７により、載置台３４上のウェハ１を覆うことができる。
【００５９】
次に、ウェハ１が搬送アーム８２によって欠陥検査装置３４５の搬送系３０の載置台３４に載置される手順について説明する。
【００６０】
ウェハ１が載置台３４に載置される際、載置台３４は搬送系３０により検出光学系２０の対物レンズ２１の光軸から離れたＸ方向位置に移動して待機する。次に、全体制御部５０からの図示していない駆動信号により、モータ１８２を駆動して異物付着防止手段１８０をＺ方向に回動させ、ウェハ１が載置台３４上に搬送可能なように開放する。
【００６１】
ウェハ１は、搬送アーム８２に開閉自在に設けられたツメ８４（８４ａ〜８４ｃ）によりウェハ１の端部が保持された状態で、図６の（ｂ）中Ｘ方向に移動され、載置台３４に載置される。ツメ８４は例えば円周３方向からウェハ１を保持し、ツメ８４（８４ａ〜８４ｃ）はアクチュエータ８１によりウェハ１の中央から周辺に向かって図示しない機構によって放射状に移動可能な構造となっており、ウェハ１の端部の把持，開放が可能となっている。
【００６２】
ウェハ１が載置台３４に搭載された後、異物付着防止手段１８０は、モータ１８２により回動され、ウェハ１を覆う。この状態でウェハ１表面の欠陥検査が実施される。
【００６３】
ここで、透明基板１８７は、検出光学系２０の光路中に配しても結像に支障のない材質（例えば、ニトロセルロース），薄板厚のものが選択され、例えば平行平面硝子やペリクル膜などを用いることも考えられる。また、透明基板１８７は、ウェハ１の検査面より離間した位置に設けることにより、透明基板１８７上の微小異物は検出器２６上では焦点ボケとなって検出されないものである。これら一連の動作は、全体制御部５０からの信号が制御回路１５０に供給され、供給された信号に従って制御回路１５０が搬送ロボット８０を制御して行われる。
【００６４】
次に、裏面異物検査装置の構成について図１，図７を参照して説明する。裏面異物検査装置１５５は、ウェハ１をウェハカセット８５から取り出して欠陥検査装置に載置される経路中に設置される。光源１６４（１６４ａ，１６４ｂ）から発した光は、集光レンズ１６５（１６５ａ，１６５ｂ）でウェハ１の裏面に照射され、欠陥，異物１６０からの散乱光がウェハ１の垂直方向に配置された結像レンズ１７０と検出器１７５とで検出する構成になっている。検出器１７５の検出信号は処理回路１７７で処理され欠陥信号が全体制御部５０に出力される。
【００６５】
ここで、裏面異物検査装置１５５は、例えば特公平６−４１９２０号公報に記載されているような構成のものが考えられ、ウェハ１の裏面には回路パターンが存在しないため、空間フィルタリングは不要である。裏面異物検査装置１５５による検査では、光学系の焦点深度が深く、大きさ数ミクロン程度の異物の検査が必要である。裏面異物検査装置１５５で検出された欠陥の位置座標は全体制御部５０に記憶され、ウェハ１がカセット８５に収納されている間に、他の収納されているウェハ１に付着すると判断される場合、異物除去手段１９５により異物の除去を行う。
【００６６】
異物除去手段１９５は、例えば、図８に示すように、発振器１９１のパルス信号によってノズル１９３から高圧気体をウェハ１の裏面に噴射し、付着した異物１６０を浮上させて吸引ノズル１９４で吸引する構成となっている。１９７は高圧気体源、１９９は吸引ポンプであり、吸引ノズル１９４はバルブ１９８が開放の間、吸引する。また、バルブ１９６，１９８の動作は全体制御部５０により制御される。
【００６７】
次に、本発明の異物または欠陥検査装置における検査のシーケンスの一例を説明する。図９はウェハ１をウェハカセット８５から取り出して検査し、検査完了後ウェハカセット８５に収納されるまでの一連動作を示す検査フローである。
【００６８】
図９において、ウェハ１はウェハカセット８５から搬送アーム８２でウェハカセット８５から取り出され（ステップＳ２８００）。続いて、ウェハ１は、オリフラ検出部３４０に搬送されてチャック３５３に真空吸着により固定され、モータ３５４により回転され、オリフラ検出，端面検査が行われる（ステップＳ２８０１）。
【００６９】
その後、ウェハ１は、再び搬送アーム８２に保持されて、欠陥検査位置の載置台３４に真空吸着される（ステップＳ２８０２）。そして、ウェハ１のチップサイズやウェハ１上のチップの有無などチップレイアウト情報設定、ウェハ１全体を回転させてウェハ１のチップ２０２の配列方向と検出器２６との平行（回転ずれをほぼ「０」にする）合わせを行い、ウェハ１上の各領域を最適な感度で検査するために検査領域の設定，検査領域における検出感度，照明条件，検出光学系２０の倍率の選択など光学条件の設定を行う（ステップＳ２８０３）。続いて、ウェハ１表面の全面検査を開始する（ステップＳ２８０４）。
【００７０】
次に、搬送アーム８２がウェハ１を取り外し（ステップＳ２８０５）、搬送経路でウェハ１の裏面検査を実施し（ステップＳ２８０６）、異物の有無を判定する（ステップＳ２８０６ａ）。ステップＳ２８０６ａにおいて、後工程で問題となる異物の付着があった場合、異物除去が行われる（ステップＳ２８０７）。そして、ステップＳ２８０６に戻り、再度、裏面検査が実施され、異物が無かった場合はウェハカセットに収納される（ステップＳ２８０８）。
【００７１】
次に、検査ステップ（Ｓ２８０４）における検出信号の処理について説明する。ウェハ１表面からの反射回折光を受光した光検出器２６からの信号は、信号処理系４０において処理される。信号処理系４０の構成を図１２に示す。
【００７２】
図１２を参照して、処理回路４０の構成と動作について説明する。信号処理系４０は、Ａ／Ｄ変換器１３０１，Ａ／Ｄ変換された検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０を記憶するデータ記憶部１３０２，上記検出画像信号に基づいて閾値算出処理をする閾値算出処理部１３０３，上記データ記憶部１３０２から得られる検出画像信号１４１０と、閾値算出処理部１３０３から得られる閾値画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））１４２０を基に画素マージ毎に異物検出処理を行うための回路を複数備えた異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎ、低角，高角度照明によって検出欠陥から得られた散乱光量や欠陥の大きさ示す検出画素数等の特徴量を算出する特徴量算出回路１３０９、該特徴量算出回路１３０９から得られる各マージ毎の特徴量を基に、欠陥，異物のサイズや種類を分類する統合処理部１３１０から構成されている。
【００７３】
異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎの各々は、例えば検出された二次元画像に対して１×１，３×３，５×５，…ｎ×ｎ画素単位で画像処理するためのマージオペレータ１５０４を備えた画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎと、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎおよび、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎとで構成されている。
【００７４】
Ａ／Ｄ変換器１３０１でデジタル化された検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０は、データ記憶部１３０２と閾値算出処理部１３０３に送られる。閾値算出処理部１３０３は、検出画像信号から欠陥，異物を検出するための閾値画像Ｔｈ（ｉ，ｊ）１４２０を算出し、画素マージ回路１３０６に出力する。画素マージ回路１３０５，１３０６は、データ記憶部１３０２および閾値算出処理部１３０３から出力された画像信号１４１０，１４２０に対して、ｎ×ｎ画素の範囲で結合する機能を有し、例えば、ｎ×ｎ画素の平均値を出力する回路であり、各種マージオペレータ毎に画像処理が行われる。異物検出処理回路１３０７は、画素マージ回路１３０５および１３０６から出力された信号を処理して欠陥，異物を検出する。ここで、画素をマージするのはウェハ１上に存在する大きさの異なる欠陥，異物をそれらのサイズに合った検出画素でＳ／Ｎ良く検出する目的であるが、検出すべき欠陥の形状によっては、必ずしもｎ×ｎの必要はなくｎ×ｍでも良い。
【００７５】
検査領域処理部１３０８は、異物検出処理回路１３０７によって検出された欠陥または異物が存在するチップを特定するための処理を行うものであり、欠陥または異物を検出するため、検出閾値Ｔｈ（Ｈ，Ｌ）と、検証閾値Ｔｈ（Ｈｍ，Ｌｍ）を設けて、異物または欠陥を検出したチップを特定するものである。図１４（ａ）はチップ１７０１，１７０２，１７０３のうち、中央のチップ１７０２に凸形の欠陥１７０４が存在する場合の検出画像例と、断面Ｘ−Ｘでの信号波形を示している。また、図１５（ａ）はチップ１８０１，１８０２，１８０３のうち、中央のチップ１８０２に凹形の欠陥１８０４が存在する場合の検出画像例を示している。図１４（ａ）において、信号１７０６は凸欠陥１７０４の信号を示し、信号１７０５，信号１７０７はチップ内に欠陥が存在しない場合を示している。
【００７６】
図１４（ｂ）は、隣接チップ単位での差分処理結果を示すものであり、差分信号１７１０，１７１１はチップ１７０１，１７０２，１７０３で得られた画像信号の差画像１７０８，１７０９の断面Ｘ′−Ｘ′での信号波形を示している。差分信号１７１０はチップ１７０２の画像信号「Ｂ」とチップ１７０１の画像信号１「Ａ」との差信号（Ｂ−Ａ）であり、差分信号１７１１はチップ１７０３の画像信号「Ｃ」とチップ１７０２の画像信号「Ｂ」との差分信号（Ｃ−Ｂ）である。ここで、検出閾値Ｈ，検証閾値Ｈｍは凸形の差分信号を検出するための閾値であり、検出閾値Ｌ，検証閾値Ｌｍは凹形の差分信号を検出する
ための閾値である。
【００７７】
図１４（ｂ）において、差分信号１７１０（Ｂ−Ａ）が正の場合、その値が検出閾値Ｈまたは検証閾値Ｈｍよりも大きい場合に異物または欠陥として検出し、また、差分信号１７１１（Ｃ−Ｂ）が負の場合、その値が検出閾値Ｌまたは検証閾値Ｌｍよりも小さい場合（差分値，閾値共に負の値のために符号付の値が小さい場合である。絶対値としては閾値よりも差分値の方が大きい）に異物または欠陥として検出される。
【００７８】
ところで、ウェハ１の外周検査時には隣接チップが存在しなくなる。この場合、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、全体制御部５０から得られる検査座標データを基に上記隣接チップ同士の比較処理｛（Ｂ−Ａ），（Ｃ−Ｂ）｝から、飛び越えた隣のチップ同士の比較処理｛（Ｂ−Ａ），（Ｃ−Ａ）｝に切り替えることになる。
【００７９】
検査領域処理部１３０８は、検出された異物信号や閾値画像を検査領域処理部１３０８により、検出場所による処理を施す。同時に、各種マージオペレータ毎に設けられた異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎの、画素マージ回路１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎ，異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎ，検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎから得られた信号を基に、特徴量算出回路１３０９で特徴量（例えば、高角度照明により得られた散乱光量，低角度照明により得られた散乱光量，欠陥の検出画素数等）を算出し、前記異物信号と前記特徴量を統合処理部１３１０で統合し、統合したデータを全体制御部５０へ送信する。
【００８０】
以下に詳細を述べる。Ａ／Ｄ変換器１３０１は光検出器２６で得られたアナログ信号１３００をデジタル信号に８〜１２ビットで変換する回路であり、データ記憶部１３０２は、Ａ／Ｄ変換されたデジタル信号を記憶しておくための回路である。画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎは、図１３に示す各々異なるマージオペレータ１５０４で構成されている。
【００８１】
マージオペレータ１５０４は、データ記憶部１３０２から得られる検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０と、閾値算出処理部１３０３から得られる検出閾値画像Ｔｈ（Ｈ），検出閾値画像Ｔｈ（Ｌ），検証閾値画像Ｔｈ（Ｈｍ）、および検証閾値画像Ｔｈ（Ｌｍ）からなる差分閾値画像信号１４２０の各々をｎ×ｎ画素の範囲で結合する機能であり、例えば、ｎ×ｎ画素の平均値を出力する回路である。
【００８２】
ここで、画素マージ回路部について、１３０５ａ，１３０６ａは例えば１×１画素を、１３０５ｂ，１３０６ｂは３×３画素を、１３０５ｃ，１３０６ｃは５×５画素を、…１３０５ｎ，１３０６ｎはｎ×ｎ画素をマージする奇数画素のマージオペレータで構成される。例えば、１×１画素をマージするマージオペレータは、入力信号１４１０，１４２０をそのまま出力し、３×３画素は３×３画素の平均値を３×３の中央画素の値として出力する。この処理は検出画像１４１０と検出閾値画像１４２０を二次元的に１画素ずつ移動しながら行われる。
【００８３】
閾値画像信号は、４種の画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））から構成され、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎには上記４種のマージオペレータがそれぞれ設けられている。従って、各画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎからは、各種マージオペレータ１５０４でマージ処理されたマージ処理検出画像信号４３１ａ〜４３１ｎが出力され、他方、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎからは、４つの閾値画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））が各種マージオペレータ１５０４でマージ処理されてマージ処理閾値画像信号４４１ａ（４４１ａ１〜４４１ａ４）〜４４１ｎ（４４１ｎ１〜４４１ｎ４）として出力されることになる。なお、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎ内のマージオペレータは同じものである。
【００８４】
ここで、画素をマージする効果を説明する。異物検査では、微小異物だけでなく、数μｍの範囲に広がった薄膜状の大きな異物も見逃すことなく検出する必要がある。しかし、薄膜状異物からの検出画像信号は、必ずしも大きくならないため、１画素単位の検出画像信号ではＳ／Ｎ比が低く、見逃しが生じることがある。このため、薄膜状異物の大きさに相当するｎ×ｎ画素の単位で切出して畳み込み演算をすることによってＳＮ比を向上させるようにしている。
【００８５】
次に、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎについて説明する。検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎからチップを特定して得られる異物又は欠陥検出信号に対して、検査不要領域（チップ内の領域も含む）のデータ除去や、検出感度を領域（チップ内の領域も含む）毎に変える場合や検査領域を選択する場合に用いる。
【００８６】
検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、例えば、被検査対象基板１上の領域のうち、検出感度が低くても良い場合には、閾値算出処理部１３０３から得られる該当領域の閾値を高く設定しても良いし、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎから出力される異物のデータから異物の座標を基にして検査したい領域の異物のデータのみを残す方法でも良い。
【００８７】
ここで、検出感度が低くする場合は、例えば、被検査対象基板１において回路パターンの低密度の領域であり、回路パターンが高密度領域では、高感度検査によりデバイス製造の歩留りを向上することができる。
【００８８】
しかしながら、被検査対象基板１上の全領域を同一感度で検査した場合、重要な異物と重要でない異物が混じるために、重要な異物を容易に抽出することができない。そこで、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、チップ内のＣＡＤ情報または閾値マップ情報に基づいて、回路パターンが存在しないような、歩留りにあまり影響しない領域の検出感度を低くすることにより、効率良く重要異物を抽出することができる。ただし、異物の抽出方法は、検出感度を変更する方法だけでなく、後述する異物の分類により、重要異物を抽出しても良いし、異物サイズを基に重要異物を抽出しても良い。
【００８９】
次に、特徴量算出回路１３０９について説明する。この特徴量とは、検出された異物や欠陥の特徴を表す値であり、特徴量算出回路１３０９は、前記特徴量を算出する処理回路である。特徴量としては、例えば、照明角α，β，γを変えた高角度照明及び低角度照明によって得られた異物又は欠陥からの反射回折光量（散乱光量），検出画素数，異物検出領域の形状や慣性主軸の方向，ウェハ上の異物の検出場所，下地の回路パターン種類，異物検出時の閾値等がある。
【００９０】
次に、統合処理部１３１０について説明する。統合処理部１３１０では、画素マージ回路１３０５，１３０６で並列処理された異物検出結果を統合したり、特徴量算出回路１３０９で算出した特徴量と異物検出結果（異物欠陥の位置情報）を統合し、全体制御部５０に結果を送る機能を有する。この検査結果統合処理は、処理内容を変更し易くするためにＰＣ等で行うのが望ましい。
【００９１】
一方、ＴＶカメラ９２で撮像した検出光学系２０のフーリエ変換像の結像位置におけるウェハ１に形成された繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点の画像信号は、信号処理回路９５に送られる。信号処理回路９５には、Ａ／Ｄ変換器、画像データ処理部、パターンピッチ演算部があり、繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点の画像信号は、Ａ／Ｄ変換された後、画像データ処理部で画像データとして処理され、パターンピッチ演算部で反射回折光像の輝点のピッチが求められる。この求めた輝点のピッチのデータと画像データとは全体制御部５０に送られ、空間フィルタ２２の遮光板の配列ピッチを制御する信号として空間フィルタ制御部２７へ送られる。
【００９２】
以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、載置台３４上に配置されたウェハ１を透明基板１８７を有する異物付着防止手段１８０により覆い、その状態で光を透明基板１８７を介してウェハ１表面に照射して散乱光を検出することにより、ウェハ１表面の異物・欠陥の検出を行うように構成した。
【００９３】
したがって、欠陥検査動作に伴い、発生する汚損粒子がウェハ１の表面に付着することが防止され、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査方法及びその装置を実現することができる。
【００９４】
さらに、ウェハ１の裏面についても、異物検出を行い、異物が検出された場合は、その除去を行う構成とされる。
【００９５】
これにより、ウェハ１の裏面から他のウェハ表面に異物が付着されることを抑制することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。異物検査においてはウェハ１表面に透明な膜（例えば酸化膜）が形成された多層ウェハも検査する必要がある。この多層ウェハは、透明膜の上にパターンが形成される工程の繰り返しにより作られる。酸化膜等の透明膜が形成されたウェハ１上の異物検査において、酸化膜表面の異物のみを検出するニーズが高まっている。
【００９６】
基本的には照明角αを小さくすることでパターン回折光等下地からの反射光の影響を抑えることが可能であるが、照明角αを小さくすることにより、異物から発せられる散乱光のうち照明光の正反射側、すなわち前方散乱光が大きくなり、上方に設けられた検出光学系への散乱光入射が小さくなって異物が安定して検出されなくなる問題がある。
【００９７】
そこで、本発明の第２の実施形態においては、図１０に示すように、ウェハ１の上方に誘電体部材１９０を設置し、異物と逆の特性となるように帯電させて検査装置内に浮遊しているパーティクルを一時的に捉える構成にしている。
【００９８】
図１０の（ａ）において、１１０は電源であり、例えば誘電体部材１９０をマイナスに帯電させて、プラスのパーティクルを誘電体部材１９０に保持し、載置台３４にウェハ１が載置されていない状態の時に、図１０の（ｂ）に示すように、誘電体部材１９０の極性をプラスの極性にしてプラスの電荷を帯びたパーティクルを一気に排除するものである。この場合、イオン化エアーを流すと同時に搬送系３０の下方左右方向から排気すると効果的である。なお、電源１１０の動作制御は、全体制御部５０により制御される。
【００９９】
本発明の第１の実施形態と第２の実施形態との相違点は、ウェハ１の表面へ汚損粒子の付着防止手段として、ウェハ１を覆う透明基板１８７が設けられているか、汚損粒子を捕捉する誘電体部材１９０が設けられているかという点である。その他の構成は、第１の実施形態と第２の実施形態は同様となっているので詳細な説明は省略する。
【０１００】
本発明の第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。この第３の実施形態は、図１１に示すように、搬送系３０の上に異なる種類のウェハ１を搭載可能な構成として、ウェハチャック２２５−１，２２５−２，チャックホルダ２２０−１，２２０−２から成る２個の載置台を欠陥検査装置の搬送系３０上に設置した例である。
【０１０１】
欠陥検査装置では金属膜を形成したウェハとそうでないウェハを検査する際は、それぞれの専用のチャックに交換する作業を実施している。このため、本発明では、チャック交換作業時間の短縮のために、異種のチャック２２５−１，２２５−２の２つを搭載して、用途に応じて使い分ける構成としている。
【０１０２】
図１１の（ｂ）に示すように、ウェハ１が搭載されるウェハチャック２２５（２２５−１，２２５−２）をチャックホルダ２２０（２２０−１，２２０−２）に複数設けられたチャック吸着孔２２２により矢印２２３で示す方向に真空排気して固定する。また、ウェハ１はウェハチャック２２５に設けられたウェハ吸着孔２２７により矢印２２４で示す方向に排気して吸着する構成になっている。
【０１０３】
なお、これらのウェハチャック２２５およびチャックホルダ２２０はいずれも上述した異物付着防止手段１８０で覆われており、開閉機構部については図６で説明したものと同様になっている。
【０１０４】
また、前述した裏面異物検査装置１５５もこの第３の実施形態に適用される。したがって、ウェハ１の裏面検査において、異物の検出数がある基準以上に増加したとき、ウェハチャック２２５のウェハ吸着面が汚染されていると判断して、そのウェハチャックの交換を警告する。この警告は、全体制御部５０の制御により、表示手段５２に表示される。
【０１０５】
その他の構成は、第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０６】
本発明の第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果が得られる他、金属膜が形成されたウェハと、そうでないウェハを検査する場合とで、専用のウェハチャックに交換する作業を省略することができるという効果を得ることができる。
【０１０７】
なお、この第３の実施形態において、ウェハチャック２２５およびチャックホルダ２２０は異物付着防止手段１８０で覆われている構成としたが、異物付着防止手段として、図６に示した異物付着防止手段１８０に代えて、図１０に示した誘電体部材１９０を配置することも可能である。
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。本発明の第４の実施形態は、欠陥検査装置に顕微鏡を付けた例である。この第４の実施形態の概略構成を図１６に示す。なお、基本構成は、第１の実施形態と同様であるので、図示の簡略化のため、配置関係のみ図１３に示す。
【０１０８】
図１３に示すように、第４の実施形態においては、検査によって検出された異物は、観察用光学系６０によって確認可能な構成になっている。つまり、観察用光学系６０に顕微鏡が備えられている。観察用光学系６０は、ステージ３１，３２を動かすことにより、観察用光学系６０の顕微鏡視野の位置に、ウェハ１上の検出した異物（虚報も含む）を移動させ、この画像を観察する。
【０１０９】
本発明の第４の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。さらに、本発明の第４の実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
【０１１０】
観察用光学系６０を備えている利点は、ＳＥＭなどのレビュー装置にウェハ１を移動させなくても、検出した異物を即座に観察できることである。検査装置での検出物を即座に観察することによって、すばやく異物の発生原因を特定することができる。また、観察用光学系６０のＴＶカメラ６４の画像は、パソコンと共用のカラーモニタ上に検出した異物の画像が映し出され、検出異物の座標を中心として、部分的にレーザ照射とステージ走査による検査ができ、異物の散乱光像と異物位置をマーキングしてモニタ上に写す機能も有している。
【０１１１】
これにより、実際異物を検出したか否かの確認も可能である。なお、ステージ走査による部分画像は、異物の検出されたダイの隣接ダイの検査画像も取得できるのでその場での比較確認も可能である。
【０１１２】
観察用光学系６０としては、光源には可視光（例えば白色光）でも良いし、紫外光を光源とした顕微鏡でも良い。特に微小な異物を観察するためには、高解像度の顕微鏡、例えば、紫外光を用いた顕微鏡が望ましい。また、可視光の顕微鏡を用いると異物の色情報が得られ、異物の認識を容易に行えるという利点がある。
【０１１３】
なお、本発明の第１の実施形態において、異物付着防止手段１８０は、シャフト１８１を中心として、回動させることによりウェハ１をカバーし、また、そのカバーを解除しているが、その他の方法により、ウェハ１のカバー及びその解除を行うこともできる。例えば、異物付着防止手段の側面部に開閉可能な部材を形成し、開閉部材を開とした状態で、異物付着防止手段をスライドさせて、ウェハ１をカバーし、開閉部材を閉とした後に、検査を行う。そして、開閉部材を開とした後、異物付着防止手段をスライドさせて、ウェハ１のカバーを解除することもできる。
【０１１４】
また、異物付着防止手段１８０は、新たなものと交換可能なように構成することができる。異物付着防止手段１８０の交換は、定期的に行ってもよいし、異物付着防止手段１８０の汚れ度を検知する手段を設けて、その汚れが一定以上となると、表示手段５２等に交換が必要であることを表示することもできる。
【０１１５】
異物付着防止手段１８０の交換は、複数の異物付着防止手段を保管する保管庫を設け、自動的に交換するように構成することも可能である。
【０１１６】
また、ウェハチャックは、定期的に清掃するように構成してもよい。つまり、ダミーウェハを載置３４に配置して、このダミーウェハによりウェハチャックを清掃することも可能である。
【符号の説明】
【０１１７】
１  ウェハ（被検査対象基板）
１０  照明光学系
１１  レーザ光源
２０  検出光学系
２５  光学フィルタ
３０  搬送系
３５  駆動回路
４０  信号処理系
５０  全体制御部
５１  入出力手段
５２  表示手段
５３  記憶部
６０  観察用光学系
７０  瞳観察光学系
８０  搬送ロボット
８２  搬送アーム
１５５  裏面異物検査装置
１８０  異物付着防止手段
１９５  異物除去手段
３００  端面検査装置
３５０  オリフラ検出光学系
１３０１  Ａ／Ｄ変換器
１３０２  データ記憶部
１３０３  閾値算出処理部
１３０７  異物検出処理回路
１３０８  検査領域処理部
１３０９  特徴量算出回路（特徴量算出部）
１３１０  統合処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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