(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に基板を支持する支持部が設けられる凹部に光を照射し、前記凹部を洗浄する洗浄方法であって、
前記凹部と、前記凹部と近接または接触して保持される洗浄用部材とで囲まれた空間を形成した状態で、前記洗浄用部材を介して前記凹部に前記光を照射して、前記凹部を洗浄する洗浄方法。
【請求項２】
前記洗浄に前記光として紫外光を用い、前記紫外光と前記空間内の酸素とで、前記空間内でオゾンを発生させる請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄時に、前記空間に酸素を供給する請求項２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄時に、前記空間にオゾンを供給する請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記洗浄に用いる前記光の波長は、１８０nm〜４００nmの範囲内である請求項２〜請求項４の何れか一項に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記凹部を有するステージが、前記基板を露光光で露光する露光装置に組み込まれる請求項１〜請求項５の何れか一項に記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記露光装置の内部で、前記洗浄を行なう請求項６に記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記光は、前記露光光である請求項６又は請求項７に記載の洗浄方法。
【請求項９】
前記基板の露光時には、前記露光光を射出する射出面と前記支持部に保持される前記基板との間が液体で満たされ、
前記洗浄時は、前記射出面と前記洗浄用部材との間が前記液体で満たされる請求項６〜請求項８の何れか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
前記基板の露光時、もしくは前記洗浄時の一方から他方へ切換える間は、常に前記射出面と前記液体とが接触していることを含む請求項９に記載の洗浄方法。
【請求項１１】
前記射出面と前記凹部に保持される前記基板との間を前記液体で満たすための液浸形成部材で前記洗浄用部材を保持し、前記洗浄用部材と前記凹部とで前記空間を形成する請求項９又は請求項１０に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
前記洗浄用部材を前記支持部で保持し、前記洗浄用部材と前記凹部とで前記空間を形成する請求項１〜請求項１１の何れか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１３】
前記空間を負圧にすることにより、前記洗浄により前記凹部から除去される異物を前記凹部から取り除くことを含む請求項１〜請求項１２の何れか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３の何れか一項に記載の洗浄方法で、
前記凹部を洗浄することと、
前記洗浄された支持部に保持される基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することとを含むデバイスの製造方法。
【請求項１５】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
内部に基板を支持する支持部が設けられる凹部を有するステージと、
前記凹部に光を照射し、前記凹部を洗浄するために用いられる洗浄用部材と、を備え、
前記凹部と、前記凹部と近接または接触して保持される前記洗浄用部材とで囲まれた空間を形成した状態で、前記洗浄用部材を介して前記凹部に前記光を照射して、前記凹部を洗浄する露光装置。
【請求項１６】
前記洗浄に前記光として紫外光を用い、前記紫外光と前記空間内の酸素とで、前記空間内でオゾンを発生させる請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
さらに、前記空間に酸素を供給する第１供給口を備え、前記洗浄時に前記第１供給口から前記空間に前記酸素を供給する請求項１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
さらに、前記空間にオゾンを供給する第２供給口を備え、前記洗浄時に前記第２供給口から前記空間に前記オゾンを供給する請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記洗浄に用いる前記光の波長は、１８０nm〜４００nmの範囲内である請求項１５〜請求項１８の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記露光装置の内部で、前記洗浄を行なう請求項１５〜請求項１９の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記光は、前記露光光である請求項１５〜請求項２０の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
さらに、液体を介して基板を露光するために、前記露光光が射出する射出面と前記支持部に保持される前記基板との間を液体で満たすための液浸形成部材を備え、
前記基板の露光時には、前記射出面と前記支持部に保持される前記基板との間が前記液体で満たされ、
前記洗浄時は、前記射出面と前記洗浄用部材との間が前記液体で満たされる請求項１５〜請求項２１の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記基板の露光時、もしくは前記洗浄時の一方から他方へ切換える間は、常に前記射出面と前記液体とが接触している請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記液浸形成部材で前記洗浄用部材を保持し、前記洗浄用部材と前記凹部とで前記空間を形成することを含む請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記洗浄用部材を前記支持部で保持し、前記洗浄用部材と前記凹部とで前記空間を形成する請求項１５〜請求項２３の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
さらに、前記空間を負圧にする吸引口を備え、
前記吸引口により前記空間を負圧にすることにより、前記洗浄により前記凹部から除去される異物を前記凹部から取り除く請求項１５〜請求項２５の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２７】
請求項１５〜請求項２６の何れか一項に記載の露光装置を用い、
前記凹部を洗浄することと、
前記洗浄された支持部に保持される基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することとを含むデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許第５５５９５８２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光装置の基板を保持する保持部が汚染されると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているような、露光装置内の基板を保持する保持部を洗浄する技術が案出されている。露光不良の発生を抑制するために、露光装置の保持部を洗浄することは有効である。そのため、露光装置内の保持部を良好に洗浄する技術の案出が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、内部に基板を支持する支持部が設けられる凹部に光を照射し、凹部を洗浄する洗浄方法であって、凹部と、凹部と近接または接触して保持される洗浄用部材とで囲まれた空間を形成した状態で、洗浄用部材を介して凹部に光を照射して、凹部を洗浄する洗浄方法が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の洗浄方法で、凹部を洗浄することと、洗浄された支持部に保持される基板を露光することと、露光された基板を現像することとを含むデバイスの製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、内部に基板を支持する支持部が設けられる凹部を有するステージと、凹部に光を照射し、凹部を洗浄するために用いられる洗浄用部材と、を備え、凹部と、凹部と近接または接触して保持される洗浄用部材とで囲まれた空間を形成した状態で、洗浄用部材を介して凹部に光を照射して、凹部を洗浄する露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光装置を用い、凹部を洗浄することと、洗浄された支持部に保持される基板を露光することと、露光された基板を現像することとを含むデバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また、本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステ−ジ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステ−ジ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃを搭載して移動可能な計測ステージＩと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパタ−ンの像を液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、を備えている。
【００１２】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式である。
【００１３】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００１４】
照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレ−ザ光を用いる。
【００１５】
マスクステ−ジ１は、マスクＭの下面（パタ−ン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持可能である。マスクステ−ジ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００１６】
投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５または１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。
【００１７】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１１を有する終端光学素子１０を備えている。終端光学素子１０は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。
【００１８】
基板ステ−ジ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００１９】
計測ステージＩは、射出面１１と対向可能に、ＸＹ平面において移動可能である。計測ステージＩは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２０】
Ｘ軸方向、及びＹ軸方向におけるマスクステージ１、基板ステージ２及び計測ステージＩのそれぞれの位置情報は、レーザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）で計測される。また、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。
【００２１】
本実施形態において、基板Ｐは、デバイスを製造するための円形の基板であり、感光材（フォトレジスト）の膜ＲＧを含む。基板Ｐの表面Ｐａは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、表面Ｐａと液体ＬＱとの接触角は、例えば９０°以上である。本実施形態において、基板Ｐの表面Ｐａから裏面ＰｂまでＺ軸方向とほぼ平行に側面Ｐｃが延びている。本実施形態において、表面Ｐａおよび裏面Ｐｂは、ＸＹ平面と平行である。基板Ｐの周縁部には、基板Ｐを位置決めするために用いられるノッチＰｎが設けられている。本実施形態において、ノッチＮは、基板Ｐの周縁部をＶ字状に切り抜いて形成されている。なお、基板Ｐの周縁部を切り抜く形状は、Ｖ字状に限られず特開昭５８−１８７１３等に開示されているオリエーテーションフラット形状でも構わない。
【００２２】
液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００２３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成するために、液体供給装置７と液体回収装置８とを備えている。
【００２４】
本実施形態においては、射出面１１と対向するように配置された基板Ｐの表面Ｐａの一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、終端光学素子１０の射出面１１から−Ｚ方向に所定距離だけ離れた位置に基板Ｐが配置され、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。本実施形態では、射出面１１と対向するように配置された基板Ｐ上の一部の領域との間を液体ＬＱで満たす液浸空間ＬＳを形成する。
【００２５】
次に、図２および図３を参照しながら本実施形態に係る基板ステージ２に関して説明する。
【００２６】
図２は、基板ステージ２の一部を示す側断面図である。図３は、本実施形態に係る基板ステージ２を上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図２は、図３のＣ−Ｄに沿ったステージ２の側断面図である。なお、図３においては、後述する第１ピン部材Ｐ１を図示していない。
【００２７】
基板ステージ２は、ステージ本体ＳＴと、基板Ｐを保持する基板保持部５とを含む。なお、図２においては、基板保持部５に基板Ｐが保持されている。
【００２８】
本実施形態において、ステージ本体ＳＴは、図３に示すように、ＸＹ平面において、矩形であり、図２に示すように、Ｚ軸方向に厚さを有するプレート状の部材である。ステージ本体ＳＴの表面ＳＴａは、ＸＹ平面において、ほぼ中央に設けられる円形の開口を囲む表面２ａと、表面２ａから底面ＧａまでＺ軸方向と平行に延びる内側側面２ｂと、表面２ａの−Ｚ軸方向に設けられる底面Ｇａと、ＸＹ平面において、底面Ｇａの内側に設けられる基板保持部５の表面と、ステージ本体ＳＴの外側を規定する外側面２ｃとを含む。内側側面２ｂと所定距離だけ離れた位置に基板Ｐの側面Ｐｃが配置される。なお、表面２ａの少なくとも一部を脱着可能な部材で形成しても構わない。
【００２９】
基板保持部５は、図３に示すように、ＸＹ平面において、表面ＳＴａのほぼ中央に形成される円形部分である。また、図２に示すように、ＸＹ平面において、表面２ａは、基板保持部５に保持される基板Ｐの表面Ｐａと面一である。表面２ａのＺ軸方向の位置と、基板保持部５に保持される基板Ｐの表面ＰａのＺ軸方向の位置とは同じである。また、本実施形態において、基板保持部５は、基板Ｐの表面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを脱着可能に保持することができる。
【００３０】
本実施形態において、基板保持部５は、第１リム部Ｒ１と、第１リム部Ｒ１に囲まれた上面５ａと、上面５ａに設けられた吸引口４と、上面５ａに設けられた第１ピン部材Ｐ１を含む。本実施形態において、上面５ａに対して第１リム部Ｒ1が+Ｚ軸方向に延びているので、上面５ａと第１リム部Ｒ１とで凹部を形成している。したがって、基板保持部５は、凹部を含む。
【００３１】
第１リム部Ｒ１は、図３に示すように、円形の環状である。第１リム部Ｒ１は、裏面Ｐｂと接触する接触面Ｒ１ａと、上面５ａの周囲に設けられた内側側面Ｒ１ｂと、外側側面Ｒ１ｃとを含む。内側側面Ｒ１ｂは、上面５ａの外縁に沿って環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に上面５ａから接触面Ｒ１ａまで延びている。すなわち、上面５ａと内側側面Ｒ１ｂと接触面Ｒ１ａで凹面を形成している。外側側面Ｒ１ｃは、内側側面Ｒ１に沿って円形の環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に、表面２ａから接触面Ｒ１ａまで延びている。本実施形態において、基板保持部５の外縁は、第１リム部Ｒ１の外側側面Ｒ１ｃで画定される。
【００３２】
基板保持部５は、上面５ａに設けられた複数の吸引口４を含む。本実施形態において、複数の吸引口４は、上面５ａの中心に対する複数の放射方向のうち、互いに１２０°の角度を有する３つの放射方向に沿って配置されている。３つの放射方向のそれぞれには、４個の吸引口４が設けられている。なお、吸引口４の数は４個に限られない。また、吸引口４の配置の方向は、３方向に限られないし、複数の吸引口４が放射方向に沿って配置されていなくてもよい。吸引口４のそれぞれは、ステージ本体ＳＴの内部に設けられ、Ｚ軸方向とほぼ平行に延びる吸引流路４ａと連通する。吸引流路４ａは、図２に示すように、真空システムＣｏに接続可能である。
【００３３】
基板保持部５は、上面５ａに所定の間隔で設けられ、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する複数の第１ピン部材Ｐ１を含む。第１ピン部材Ｐ１のそれぞれは、上面５ａから＋Ｚ方向に突出しており、先端部Ｐ１ｂと、上面５ａから先端部Ｐ１ｂまで延びる表面Ｐ１ａとを含む。先端部Ｐ１ｂは、基板保持部５に保持される基板Ｐの裏面Ｐｂと接触する。基板保持部５には、例えば、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書に記載されているピンチャック構造を用いることができる。本実施形態において、Ｚ方向において、先端部Ｐ１ｂと接触面Ｒ１ａとはほぼ同じ高さであるが、異なっていても構わない。例えば、先端部Ｐ１ｂに対して、接触面Ｒ１ａを−Ｚ方向に設けても構わない。
【００３４】
基板保持部５に基板Ｐが載置された状態において、図２に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂと、内側側面Ｒ１ｂと、上面５ａとで囲まれた第１空間Ｓ１が形成される。第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して吸引（排気）することによって、基板保持部５の第１リム部Ｒ１と第１ピン部材Ｐ１上に基板Ｐが保持される。また、第１空間Ｓ１からの気体の排気を停止することにより、基板保持部５から、基板Ｐを外すことが可能になる。
【００３５】
次に、本実施形態において、基板保持部５に保持可能な板状部材Ｂについて説明する。図４（ａ）は、本実施形態に係る板状部材Ｂを上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＥ−Ｆに沿った板状部材Ｂの側断面図である。
【００３６】
本実施形態において、板状部材Ｂは、基板保持部５を洗浄用の部材である。また、板状部材Ｂは、円形の板状の部材であり、撥液性の膜Ｂａ１を含む。板状部材Ｂの表面Ｂａは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、表面Ｂａと液体ＬＱとの接触角は、例えば９０°以上である。本実施形態において、板状部材Ｂは石英で形成されている。図４（ｂ）に示すように、板状部材Ｂの表面Ｂａから裏面Ｂｂまで、Ｚ軸方向とほぼ平行に側面Ｂｃが延びている。板状部材Ｂの表面Ｂａと裏面Ｂｂは、ＸＹ平面においてほぼ平行である。本実施形態において、ＸＹ平面において、基板Ｐと板状部材Ｂの外形の寸法は同じである。また、Ｚ軸方向において、基板Ｐの側面Ｐｃの寸法と、板状部材Ｂの側面Ｂｃの寸法とは同じである。また、基板Ｐと同様に、板状部材Ｂの位置決めするためのノッチＢｎが設けられている。なお、板状部材Ｂには、ノッチＢｎがなくても構わない。
【００３７】
次に、板状部材Ｂが基板保持部５に保持されている状態に関して、図５を用い、説明する。図５は、基板ステージ２の一部を示す側断面図である。なお、図５は、計測ステージＩおよび液浸空間ＬＳを図示している。
【００３８】
基板保持部５に板状部材Ｂが載置された状態において、図５に示すように、板状部材Ｂの裏面Ｂｂと、内側側面Ｒ１ｂと、上面５ａとで囲まれた第１空間Ｓ１が形成される。したがって、凹面の少なくとも一部と板状部材Ｂの裏面Ｂｂとで囲まれた第１空間Ｓ１が形成される。基板保持部５に板状部材Ｂが載置された状態において、板状部材Ｂの裏面Ｂｂは、接触面Ｒ１ａと先端部Ｐ１ｂと接触する。第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して吸引（排気）することによって、基板保持部５の第１リム部Ｒ１と第１ピン部材Ｐ１上に板状部材Ｂが保持される。また、第１空間Ｓ１からの気体の排気を停止することにより、基板保持部５から、板状部材Ｂを外すことが可能になる。すなわち、本実施形態において、板状部材Ｂは、基板Ｐと同様に基板保持部５に脱着可能に保持される。
【００３９】
次に上述の露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
【００４０】
まず、露光前の基板Ｐは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ２の基板保持部５にロ−ドされる。
【００４１】
次に、基板Ｐの裏面Ｐｂ側の第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して真空システムＣｏにより吸引し、第１空間Ｓ１を負圧にすることにより、基板Ｐは、基板保持部５に吸着保持される。
【００４２】
露光前の基板Ｐが基板保持部に吸着保持された後に、終端光学素子１０と計測ステージＩとの間に形成されている液浸空間ＬＳを、基板ステージ２に移動させる。終端光学素子１０と基板Ｐとが対向するように、基板ステージ２を投影光学系ＰＬの下方に移動し、基板ステージ２と計測ステージＩとが近接または接触した状態で、液浸空間ＬＳを計測ステージの表面から、基板ステージ２の表面２ａに移動させる。基板ステージ２を移動させることで、液浸空間ＬＳを基板ステージ２の表面２ａから基板保持部５に保持される基板Ｐの表面Ｐａに移動させる。したがって、射出面１１と基板Ｐの表面Ｐａとが対向する。射出面１１と対向する基板Ｐの表面Ｐａの一部の領域を覆うように、液浸空間ＬＳが配置される。
【００４３】
終端光学素子７と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされた状態で、照明系ＩＬより露光光ＥＬが射出される。射出面１１より射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパタ−ンの像が基板Ｐの表面Ｐａに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００４４】
基板Ｐの露光が終了した後に、基板ステージ２に計測ステージＩが近接又は接触する。投影光学系ＰＬの下方に液浸空間ＬＳを維持した状態で、液浸空間ＬＳを基板Ｐの上から基板ステージ２の表面２ａに移動させ、基板ステージ２の表面２ａから計測ステージの表面に液浸空間ＬＳを移動させる。この間、液浸空間ＬＳの液体と、射出面１１とが接触している。
【００４５】
液浸空間ＬＳを基板ステージ２から計測ステージ３に移動させた後に、基板Ｐをアンロードする位置に基板ステージ２を移動させる。
【００４６】
ところで、基板Ｐの交換処理及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスにおいて、異物（汚染物、パーティクル）が基板保持部５（上面５ａ、表面Ｐ１ａ、接触面Ｒ１ａ、及び先端部Ｐ１ｂの少なくとも一部）に付着し、基板保持部５が汚染される可能性がある。上面５ａ、表面Ｐ１ａ、接触面Ｒ１ａ、及び先端部Ｐ１ｂの少なくとも一部が汚染されると、例えば、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａの形状が変化する可能性がある。あるいは、基板保持部５に付着した異物が再度浮遊し、露光装置ＥＸが汚染される可能性がある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。本実施形態では、第１リム部Ｒ１と上面５ａとで形成される凹部に光を照射し、光洗浄する。凹部に光照射することで、上面５ａと内側側面Ｒ１ｂと接触面Ｒ１ａとを含む凹面に光照射される。また、凹部の内部には、第１ピン部材Ｐ１が設けられているので、凹面に光照射すると、第１ピン部材Ｐ1(表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂ)に光照射される。したがって、凹部を含む基板保持部５に光照射すると、凹面が光洗浄される。本実施形態では、基板保持部５の先端部Ｐ１ｂに付着した異物を除去する洗浄を例に説明する。
【００４７】
板状部材Ｂは、所定の搬送装置（不図示）を用いて、基板ステージ２の基板保持部５にロ−ドされる。板状部材Ｂを搬送する搬送装置を、基板Ｐを搬送する搬送装置とは別に設けてもよい。基板Ｐと板状部材Ｂとを同じ搬送装置で搬送しても構わない。この場合、搬送装置が、搬送する前に基板Ｐもしくは板状部材Ｂのどちらを搬送するのかを事前に把握することが望ましい。例えば、搬送装置における基板Ｐもしくは板状部材Ｂの位置測定に不具合を抑制できる。搬送装置が備える撮像装置を用い、所定の条件で基板ＰのノッチＰｎを撮像し所望のコントラストで撮像結果が得られ、基板Ｐの位置を測定する場合において、所定の条件で板状部材ＢのノッチＢｎを撮像すると、基板Ｐと板状部材Ｂの光学特性（反射率など）が異なることから、所望のコントラストで撮像結果が得られずに板状部材Ｂの位置を測定することが困難な場合がある。そこで、撮像対象（基板Ｐもしくは板状部材Ｂ）に応じて、所望の撮像結果が得られる撮像条件に切換えることが望ましい。そこで、搬送する前に基板Ｐもしくは板状部材Ｂのどちらを搬送するのかを事前に把握することが望ましい。また、搬送装置が備える計測装置を用い、基板Ｐの表面Ｐａの外周部分に光を照射し、裏面Ｐｂ側への光の透過割合で基板Ｐの位置を計測する場合も同様に、基板Ｐと板状部材Ｂの光学特性（透過率など）が異なるので、計測条件もしくは、光の透過割合からの位置を算出する算出条件を、計測対象に応じて切換えることが望ましい。
【００４８】
次に、板状部材Ｂの裏面Ｂｂ側の第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して真空システムＣｏにより吸引し、第１空間Ｓ１を負圧にすることにより、板状部材Ｂは、基板保持部５に吸着保持される。なお、第１空間Ｓ１を負圧にせずに、板状部材Ｂを基板保持部５に置いた状態で、後述する光洗浄を行なっても構わない。また、例えば、基板ステージ２の移動に伴う衝撃で、板状部材Ｂの側面Ｂｃと内側側面２ｂとが接触しない程度に、第１空間Ｓ１を負圧にすることが望ましい。また、基板Ｐを保持した時の第１空間Ｓ１の圧力と、板状部材Ｂを保持した時の第１空間Ｓ１の圧力とが異なっていても構わない。また、基板Ｐの露光時の第１空間Ｓ１の圧力と、板状部材Ｂを用いる後述の光洗浄時の第１空間Ｓ１の圧力とが異なっていても構わない。
【００４９】
板状部材Ｂが基板保持部５に吸着保持された後に、図５および図６に示すように、射出面１１と計測ステージ３との間に形成されている液浸空間ＬＳは、基板ステージ２を移動させる。終端光学素子１０と射出面１１とが対向するように、基板ステージ２を投影光学系ＰＬの下方に移動し、基板ステージ２と計測ステージＩとが近接または接触した状態で、液浸空間ＬＳを計測ステージの表面から、基板ステージ２の表面２ａに移動させる。基板ステージ２を移動させることで、液浸空間ＬＳを基板ステージ２の表面２ａから基板保持部５に保持される板状部材Ｂの表面Ｂａに移動させる。この間、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと、射出面１１とが接触している。射出面１１と板状部材Ｂの表面Ｂａとが対向した状態で、射出面１１から露光光ＥＬを照射する。射出面１１と板状部材Ｂの表面Ｂａとの間には、液浸空間ＬＳの液体ＬＱで満たされている。上述した板状部材Ｂは、石英で形成されているので表面Ｂａに入射する露光光ＥＬは、板状部材Ｂの内部を介して、裏面Ｂｂから基板保持部５の先端部Ｐ１ｂに射出される。したがって、射出面１１から射出される露光光ＥＬは、板状部材Ｂの内部を介して、基板保持部５の先端部Ｐ１ｂに照射される。本実施形態において、表面Ｂａに入射する露光光ＥＬの光量の少なくとも一部が、裏面Ｂｂから射出される。本実施形態においては、板状部材Ｂの表面Ｂａに入射して光は、板状部材Ｂと基板保持部５とが対向するＺ軸方向に沿って透過する。なお、板状部材Ｂの表面Ｂａに入射する光（例えば、表面Ｂａに対して斜め方向（表面Ｂａに対して入射する角度が４５℃））も、基板保持部５に透過させることが可能である。本実施形態においては、基板保持部５の全ての先端部Ｐ１ｂに板状部材Ｂを介して露光光ＥＬを照射する。なお、上述した通り、本実施形態では、第１リム部Ｒ１と上面５ａとで形成される凹部に光を照射するので、凹部の内部の第１ピン部材Ｐ１の先端部Ｐ１ｂだけでなく、表面Ｐ１ａ、上面５ａ、内側側面Ｒ１ｂおよび接触面Ｒ１ａに露光光ＥＬが照射される。本実施形態では、板状部材Ｂを介した露光光ＥＬを用い、凹部を含む基板保持部５を光洗浄し、基板保持部５に付着した異物を光照射により除去することが可能である。本実施形態において、基板保持部５の先端部Ｐ１ｂと板状部材Ｂの裏面Ｂｂと対向した状態で、先端部Ｐ１ｂに付着した異物を除去するので、光洗浄時に発生する異物の破片などが再度浮遊し、基板保持部５以外の場所に付着することを抑制することができる。すなわち、基板保持部５の光洗浄により異物の破片が発生した場合でも、板状部材Ｂの裏面Ｐｂと基板保持部５とで形成される第１空間Ｓ１から外部に異物が浮遊することなく、吸引口４を介して基板保持部５から取り除かれ、真空システムＣｏにより異物が回収される。
【００５０】
本実施形態においては、板状部材Ｂの表面Ｂａに液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板保持部５を光洗浄する。したがって、基板保持部５を光洗浄するために、液体供給装置７により液体ＬＱの供給を停止し、液体回収装置８により液浸空間ＬＳの液体ＬＱを回収する動作を行わずに、液浸空間ＬＳを維持した状態で基板保持部５を光洗浄することが可能である。すなわち、板状部材Ｂの表面Ｂａに液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板保持部５を光洗浄することができるので、光洗浄前の基板保持部５から基板Ｐをアンロードし、基板保持部５を光洗浄し、光洗浄後の基板保持部５に基板Ｐをロードし、露光を開始するまでの時間を短縮することが可能である。
【００５１】
本実施形態において、基板保持部５の先端部Ｐ１ｂを露光光ＥＬで洗浄し、接触面Ｐ１ｂに付着した異物を除去する。先端部Ｐ１ｂの光洗浄が終了した後に、基板ステージ２に計測ステージＩが近接又は接触する。投影光学系ＰＬの下方に液浸空間ＬＳを維持した状態で、液浸空間ＬＳを板状部材の上から基板ステージ２の表面２ａに移動させ、基板ステージ２の表面２ａから計測ステージＩの表面に液浸空間ＬＳを移動させる。液浸空間ＬＳを基板ステージ２から計測ステージＩに移動させた後に、板状部材Ｂをアンロードする位置に基板ステージ２を移動させる。
【００５２】
板状部材Ｂを基板ステージ２からアンロードさせた後に、露光前の基板Ｐを、光洗浄した基板保持部５にロードし、光洗浄した後の基板保持部５に保持された基板Ｐを露光光ＥＬで露光される。したがって、基板保持部５を光洗浄したので、基板保持部５に付着した異物が再度浮遊し、露光装置ＥＸが汚染されることを抑制することができる。また、露光不良の発生を抑制することができる。
【００５３】
以上、説明したように、本実施形態によれば、板状部材Ｂを介した露光光ＥＬで、基板保持部５を光洗浄することができる。また、本実施形態によれば、板状部材Ｂの表面Ｂａに液浸空間ＬＳを維持することが可能なので、板状部材Ｂの表面Ｂａに液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板保持部５を光洗浄することができるので、光洗浄前の基板保持部５から基板Ｐをアンロードし、基板保持部５を光洗浄し、光洗浄後の基板保持部５に基板Ｐをロードし、露光を開始するまでの時間を短縮することが可能である。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００５４】
なお、基板保持部５を光洗浄する際に、板状部材Ｂと基板保持部５との第１空間Ｓ１に異物の光反応を促進する促進剤を用いても構わない。例えば、第１空間Ｓ１にオゾンを供給可能なオゾン供給口を設け、オゾン供給口から第１空間Ｓ１にオゾンを供給する。例えば、オゾン供給口は、基板保持部５の上面５ａに設ける。光洗浄時に第１空間Ｓ１の内部にオゾンを存在させることで、オゾン酸化により異物が分解される。分解物としては二酸化炭素と水が挙げられ、分解物は、吸引口４を介し真空システムＣｏにより吸引される。オゾンと異物とが接触することで、オゾン酸化により異物が分解される。したがって、例えば、板状部材Ｂと第１ピン部材Ｐ１の先端部Ｐ１ｂとの間の異物は、オゾンと接触した部分から順に分解されていく。すなわち、異物の内周縁部から異物の内部に向かって分解が進行しいていく。第１空間Ｓ１に、酸素を供給し光によりオゾンを発生させ、光洗浄時に第１空間Ｓ１の内部にオゾンを存在させても構わない。この場合、基板保持部５に照射する光と、第１空間Ｓ１の内部の酸素とが反応し、第１空間Ｓ１の内部でオゾンが発生する。第１空間Ｓ１に酸素もしくはオゾンの少なくとも一方を供給する場合、板状部材Ｂが基板保持部５から脱離しない程度の第１空間Ｓ１の圧力を維持することが望ましい。また、第１空間Ｓ１に酸素もしくはオゾンの少なくとも一方を供給する場合、基板ステージ２の移動に伴い、板状部材Ｂの側面Ｂｃと内側側面２ｂとが接触しない程度の第１空間Ｓ１の圧力を維持することが望ましい。なお、第１空間Ｓ１に酸素およびオゾンを両方供給しても構わない。もちろん、基板保持部５を洗浄する際に、板状部材Ｂを基板保持部５で保持した状態で第１空間Ｓ１に酸素が含まれている場合には、基板保持部５に照射する光と、酸素とで、第１空間Ｓ１の内部でオゾンが発生する。すなわち、第１空間Ｓ１が含まれる場合には、第１空間Ｓ１に酸素を供給しなくても構わない。
【００５５】
なお、上述の実施形態では、露光光ＥＬを用いて基板保持部５を光洗浄したが、露光光ＥＬとは異なる光で基板保持部５を光洗浄しても構わない。異なる光は、第１空間Ｓ１で酸素との光反応でオゾンを発生できる程度の波長（例えば、紫外領域（１８０〜４００nm））であることが望ましい。上述した通り、オゾンにより異物を酸化処理させることが可能である。また、露光光ＥＬと異なる光は、露光光ＥＬが基板保持部５に照射する方向と異なっていても構わない。例えば、露光光ＥＬと交差する方向（例えば、露光光ＥＬに対して４５度）であっても構わない。
【００５６】
なお、板状部材Ｂの裏面Ｂｂが、接触部Ｒ１ａと先端部Ｐ１ｂと接触し、第1空間Ｓ１を形成したが、裏面Ｂｂと、接触面Ｒ１ａと先端部Ｐ１ｂの少なくとも一方と接触もしくは、裏面Ｂｂと、接触面Ｒ１ａと先端部Ｐ１ｂとの両方が接触せずに、第１空間Ｓ１を形成しても構わない。すなわち、板状部材Ｂと光洗浄する場所とは接触しても、接触しなくてもどちらでも構わない。例えば、図7に示すように、板状部材Ｂの厚さを板状部材Ｂの中心部分と外縁部分で異ならせても構わない。中心部分と外縁部分で厚さの異なる板状部材Ｂを基板保持部５に保持した状態では、接触面Ｒ１ａと裏面Ｂｂとが接触するが、先端部Ｐ１ｂと裏面Ｂｂとは接触しない。この場合、裏面Ｂｂと接触面Ｒ１ａとが接触し、第１空間Ｓ１を形成するので、先端部Ｐ１ｂと裏面Ｂｂとは近接しなくても構わない。例えば、板状部材Ｂとリム部Ｒとが接触せずに、板状部材Ｂとリム部Ｒとが近接し、第１空間Ｓ１を形成しても構わない。この場合、板状部材Ｂとリム部Ｒとの近接する距離は、光洗浄により除去する異物が、基板保持部５の外部へ浮遊するのを抑制できる程度に近接していることが望ましい。また、裏面Ｂｂと、先端部Ｐ１ｂおよび接触面Ｒ１ａとが接触せずに、裏面Ｂｂと、先端部Ｐ１ｂおよび接触面Ｒ１ａとが近接し、第１空間Ｓ１を形成しても構わない。この場合、裏面Ｂｂと、先端部Ｐ１ｂおよび接触面Ｒ１ａとの近接する距離は、光洗浄により除去する異物が、基板保持部５の外部へ浮遊するのを抑制できる程度に近接していることが望ましい。さらに、裏面Ｂｂと接触面Ｒ１ａとの距離が近接し、裏面Ｂｂと先端部Ｐ１ｂとの距離は近接していなくても構わない。すなわち、裏面Ｂｂと接触面Ｒ１ａとの距離と、裏面Ｂｂと先端部Ｐ１ｂとの距離とが異なっていても構わない。
【００５７】
なお、上述の実施形態では、板状部材Ｂを基板保持部５で保持したが、保持する方法はこれに限られない。例えば、板状部材Ｂを液体供給装置７及び液体回収装置８の少なくとも一方で保持し、板状部材Ｂの上に液浸空間ＬＳを形成する。液体供給装置７及び液体回収装置８の少なくとも一方で保持される板状部材Ｂと基板保持部５とを対向させて、板状部材Ｂを介した光を基板保持部５に照射して、基板保持部５を光洗浄する。
【００５８】
なお、上述の実施形態では、射出面１１に液体ＬＱが接触するように液浸空間ＬＳを形成したが、射出面１１に液体ＬＱが接触しないように射出面１１の下方に液浸空間ＬＳを形成しても構わない。
【００５９】
なお、上述の実施形態では、基板保持部５を光洗浄する光を、液体を介して基板保持部５に照射したが、液体を介さずに基板保持部５を光照射しても構わない。例えば、表面Ｂａにおいて、液浸空間ＬＳが形成されていない部分に光を照射して、基板保持部５を洗浄しても構わない。
【００６０】
なお、板状部材Ｂと外側側面Ｒ１ｃと底面Ｇａと内側側面２ｂで囲まれた空間を形成し、外側側面Ｒ１ｃと底面Ｇａと内側側面２ｂの少なくとも一部を光洗浄しても構わない。この場合、板状部材Ｂの側面Ｂｃと内側側面2ｂとは接触しても、接触しなくてもどちらでも構わない。
【００６１】
なお、板状部材Ｂの裏面Ｂｂに、基板保持部５の少なくとも一部と接触する部分の摩擦を高める部分を設けても構わない。
【００６２】
なお、基板Ｐの厚さと板状部材Ｂの厚さは異なっていても構わない。例えば、基板Ｐに比べ板状部材のＢの剛性が低く、所望の搬送が困難な場合がある。この場合、板状部材Ｂの厚さを大きくすることが望ましい。さらに、板状部材Ｂの厚さは、板状部材Ｂを基板保持部５に保持した状態で、基板保持部５の板状部材Ｂの表面Ｂａから、表面２ａに所望に液浸空間ＬＳを移動できる程度の厚さであることが望ましい。
【００６３】
なお、上述の実施形態では、基板保持部５の全ての先端部Ｐ１ｂを光洗浄したが、基板保持部５の少なくとも一部の先端部Ｐ１ｂでも構わない。例えば、フォーカス・レベリング検出システムにより、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報に基づいて、基板保持部５に付着した異物の位置を推定し、推定した位置の周囲に板状部材Ｂを介した露光光ＥＬを照射しても構わない。
【００６４】
また、基板保持部５の一部を光洗浄しても構わない。例えば、基板保持部５のうち、表面２ａもしくは、内側側面２ｂの周辺部のみを光洗浄しても構わない。この場合、例えば、接触面Ｒ１ａと接触面Ｒ１ａの周囲が光洗浄される。
【００６５】
また、上述の光洗浄は、他の洗浄方法と併用しても構わない。例えば、表面２ａもしくは内側側面２ｂの光洗浄と併用しても構わない。この場合、例えば、表面２ａの内、基板保持部５の周囲のエッジ部分および内側側面２ｂの少なくとも一部を光洗浄する。もちろん、他の洗浄方法は、光洗浄に限られず、液体を使用した洗浄方法でも構わない。
【００６６】
なお、上述の実施形態では、表面Ｂａに入射する光を裏面Ｐｂに透過させる機能を備えた板状部材Ｂを用いたが、板状部材Ｂが備える機能はこれに限られない。例えば、板状部材Ｂの表面Ｂａに入射する光を集光する機能を備えていても構わない。この場合、集光する機能を調整することで、基板保持部５の所望の場所（例えば、上述の基板保持部５に付着した異物の位置）に光を照射することができる。また、基板保持部５に保持される板状部材Ｂの裏面Ｂｂに照射した光を、基板保持部５の例えば先端部Ｐ１ｂに照射するために、板状部材Ｂに反射部材を設け、光を導いても構わない。したがって、板状部材Ｂに入射する光は、反射部材に照射され、反射部材で反射した光は、板状部材Ｂから射出され、先端部Ｐ１ｂに照射される。
【００６７】
なお、上述の実施形態では、板状部材Ｂの表面Ｂａに液体ＬＱとは異なる液体を保持し光洗浄をしても構わない。
【００６８】
なお、板状部材Ｂの表面Ｂａに液浸空間ＬＳを形成する液体供給装置７もしくは液体回収装置８とは異なる、液体供給装置および液体回収装置から板状部材Ｂの表面Ｂａに液体を供給しても構わない。
【００６９】
なお、上述の実施形態では、洗浄用に用いる部材として板状部材Ｂを用いたが、用いる部材は、板状に限られない。例えば、板状部材Ｂの外縁部分の厚さを中心部分の厚さと異ならせ、凹状の部材を用いても構わない。
【００７０】
なお、上述の実施形態では、基板保持部５を光洗浄したが、洗浄する場所はこれに限られない。マスクＭを保持する場所を光洗浄しても構わない。
【００７１】
なお、上述の実施形態では、基板Ｐを露光する露光装置に用いられる基板保持部５を光洗浄したが、露光装置以外の装置の基板保持部５を光洗浄することができる。例えば、基板に所定の処理する装置で、基板を保持する部分を板状部材を介して光を照射し、光洗浄しても構わない。
【００７２】
なお、上述の実施形態では、露光装置ＥＸの内部で基板保持部５を光洗浄したが、露光装置ＥＸの外部で基板保持部５を光洗浄しても構わない。例えば、露光装置ＥＸの外部に基板保持部５（基板ステージ２）を搬出し、板状部材Ｂを基板保持部５に載置した状態で、基板保持部５を光洗浄する。この場合、基板保持部５に照射する光は、露光光ＥＬでなくても構わない。
【００７３】
上述の実施形態の基板保持部５は、基板Ｐを減圧吸着方式で、基板ステージ２に保持しているが、例えば、静電吸着方式で、あるいは減圧吸着と静電吸着を併用して、基板Ｐを基板ステージ２に保持してもよい。
【００７４】
なお、上述の実施形態では、表面２ａのＺ軸方向の位置と、基板保持部５に保持される基板Ｐの表面ＰａのＺ軸方向の位置とが同じであるとしたが、異なっていても構わない。例えば、表面２ａのＺ軸方向の位置と、上面５ａの高さと同じで、表面２ａが底面Ｇａを含む場合、上面５ａと第１リム部Ｒ１とで形成される凹部は、表面２ａ上に形成される。
【００７５】
なお、上述の実施形態では、液体を介して基板を露光する液浸露光装置を例に挙げたが、液体を介さずに基板を露光する露光装置でも構わない。
【００７６】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７７】
なお、露光装置ＥＸとしては、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置を用いたが、これに限らない。例えば、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）のにも適用することができる。
【００７８】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７９】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００８０】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００８１】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【００８２】
更に、例えば対応米国特許出願公開第２００５／０２１９４８８号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７３８５６号明細書等に開示されているように、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置にも適用できる。
【００８３】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８４】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００８５】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００８６】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【００８７】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００８８】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８９】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること（露光処理）、及び露光された基板を現像することを含む基板処理を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００９０】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図３】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す平面図である。
【図４】（ａ）本実施形態に係る板状部材Ｂの一例を示す平面図である。        （ｂ）本実施形態に係る板状部材Ｂの一例を示す側断面図である。
【図５】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図６】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図７】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図８】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９２】
２---基板ステージ、５---基板保持部、Ｂ---板状部材、ＬＳ---液浸空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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