(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ａ）で表される化合物。
0005531954.tif 000061
式（ａ）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシであり、ＲａおよびＲｂのうち少なくとも一方は、アルケニルまたはアルコキシであり；
Ｌａは水素またはフッ素であり；
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は単結合であり；
Ｌａがフッ素であるとき、Ｒｂは炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシである。
【請求項２】
式（ａ）において、ＲａとＲｂが独立して、炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａがフッ素である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（ａ）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ｒｂが炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａがフッ素である請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
式（ａ）において、Ｒａが炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルキルであり；
Ｌａが水素である請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
式（ａ）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｂが炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａが水素である請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
式（ａ）において、ＲａとＲｂが独立して、炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａが水素である請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
式（ａ）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ｒｂが炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａが水素である請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
式（ａ）において、Ｒａが炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ｌａが水素である請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
式（ａ−１）、（ａ−３）および（ａ−４）のいずれか一つで表される請求項１に記載の化合物。
0005531954.tif 000062
式（ａ−１）、（ａ−３）および（ａ−４）において、Ｒｃは炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｄは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｅは炭素数１〜１０のアルコキシである。
【請求項１０】
式（ａ−５）および（ａ−６）のいずれか一つで表される請求項１に記載の化合物。
0005531954.tif 000063
式（ａ−５）および（ａ−６）において、Ｒｆは炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｇは炭素数２〜１０のアルケニルである。
【請求項１１】
式（ａ−１３）および（ａ−１４）のいずれか一つで表される請求項１に記載の化合物。
0005531954.tif 000064
式（ａ−１３）および（ａ−１４）において、Ｒｈは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｉは炭素数１〜１０のアルコキシである。
【請求項１２】
式（ａ−２１）で表される請求項１に記載の化合物。
0005531954.tif 000065
式（ａ−２１）において、Ｒｊは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｋは炭素数２〜１０のアルケニルである。
【請求項１３】
１成分として、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも一つ含有し、２成分以上からなる液晶組成物。
【請求項１４】
式（２）、（３）および（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する請求項１３に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000066
式（２）〜（４）において、Ｒ２は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；Ｘ２はフッ素、塩素、−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＣＨ２Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＨＦ２、または−ＯＣＦ２ＣＨＦＣＦ３であり；環Ｂ１、環Ｂ２、および環Ｂ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ７およびＺ８は独立して、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；Ｌ５およびＬ６は独立して、水素またはフッ素である。
【請求項１５】
式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する請求項１３に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000067
式（５）において、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；Ｘ３は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；環Ｃ１、環Ｃ２および環Ｃ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；Ｚ９は−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；Ｌ７およびＬ８は独立して、水素またはフッ素であり；ｒは０または１であり、ｓは０または１であり、ｒ＋ｓは、０、１または２である。
【請求項１６】
式（６）、（７）、（８）、（９）および（１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する、請求項１３に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000068
式（６）〜（１０）において、Ｒ４およびＲ５は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；環Ｄ１、環Ｄ２、環Ｄ３、および環Ｄ４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；Ｚ１０、Ｚ１１、Ｚ１２、およびＺ１３は独立して、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＯＣＦ２（ＣＨ２）２−、または単結合であり；Ｌ９およびＬ１０は独立して、フッ素または塩素であり；ｔ、ｕ、ｘ、ｙ、およびｚは独立して０または１であり、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１または２である。
【請求項１７】
式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する、請求項１３に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000069
式（１１）〜（１３）において、Ｒ６およびＲ７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；環Ｅ１、環Ｅ２、環Ｅ３、および環Ｅ６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；環Ｅ４、および環Ｅ５は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または１，４−フェニレンであり；Ｚ１４、Ｚ１５、およびＺ１６は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。
【請求項１８】
請求項１５記載の一般式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、請求項１４に記載の液晶組成物。
【請求項１９】
一般式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、請求項１４に記載の液晶組成物。
【請求項２０】
一般式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、請求項１５に記載の液晶組成物。
【請求項２１】
一般式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、請求項１６に記載の液晶組成物。
【請求項２２】
少なくとも一つの光学活性化合物をさらに含有する、請求項１３〜２１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項２３】
少なくとも一つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含む請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項２４】
請求項１３〜２３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくはシクロヘキサン環、ベンゼン環、シクロヘキサン環、シクロヘキサン環などの骨格を有する液晶性化合物、この化合物を含有したネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶性化合物（本願において、液晶性化合物なる用語は、液晶相を有する化合物および液晶相を有さないが液晶組成物の構成成分として有用である化合物の総称として用いられる。）を用いた表示素子は、時計、電卓、ワ−プロなどのディスプレイに広く利用されている。これらの表示素子は液晶性化合物の屈折率異方性、誘電率異方性などを利用したものである。【０００３】
液晶表示パネル、液晶表示モジュール等に代表される液晶表示素子は、液晶性化合物が有する光学異方性、誘電率異方性などを利用したものであるが、この液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（optically compensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モード、ＰＳＡ（Polymer sustained alignment）モードなどの様々なモードが知られている。【０００４】
これらの液晶表示素子は、適切な物性を有する液晶組成物を含有する。液晶表示素子の特性を向上させるには、この液晶組成物が適切な物性を有するのが好ましい。液晶組成物の成分である液晶性化合物に必要な一般的物性は、次の（１）〜（７）で示す特性を有することが必要である。すなわち、
（１）化学的に安定であること、および物理的に安定であること、
（２）高い透明点（液晶相−等方相の転移温度）を有すること、
（３）液晶相（ネマチック相、スメクチック相等）の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと、
（４）粘度が小さいこと、
（５）適切な光学異方性を有すること、
（６）適切な大きさの誘電率異方性を有すること、
（７）他の液晶性化合物との相溶性に優れること、
である。【０００５】
（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を液晶表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。
（２）および（３）のように、高い透明点、または液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物では、ネマチック相の温度範囲が広いので、素子は幅広い温度領域で使用することが可能となる。【０００６】
さらに、（４）のように粘度の小さい化合物、および（７）のように大きな弾性定数Ｋ３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、素子のコントラストの向上を図ることができる。素子の設計次第では、光学異方性は小さいものから大きなものまで必要である。最近ではセル厚を薄くすることにより応答速度を改善する手法が検討されており、それに伴い、大きな光学異方性を有する液晶組成物も必要となっている。【０００７】
加えて、液晶性化合物が負に大きな誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができるので、（６）のように適切な大きさの誘電率異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合には、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。【０００８】
液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（７）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。また、表示素子は、氷点下を含め幅広い温度領域で使用することもあるので、低い温度領域から良好な相溶性を示す化合物であることが好ましい場合もある。【０００９】
このような目的で用いられる液晶性化合物としては、シクロヘキサン環とベンゼン環で構成される下記のような化合物が知られている。例えば、化合物（Ａ）および（Ｂ）は特許文献１に、化合物（Ｃ）は特許文献２に、化合物（Ｄ）は特許文献３にそれぞれ示されている。いずれの文献に示される化合物も十分に高い透明点を示さないために、これらの化合物を含む組成物は、ネマチック相の温度が十分に広くない。さらに、光学異方性が十分に高くないため、これらの化合物を含んだ組成物は、セル厚の厚い高速応答用のディスプレイには適さないという欠点があった。【００１０】
0005531954.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平４−５０１５８１号公報
【特許文献２】米国特許第５３１０５０１号明細書
【特許文献３】特開２００２−１９３８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の第一の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、及び適切な光学異方性を有し、さらに、適切な誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物であり、特に低い粘度および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することである。【００１３】
本発明の第二の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が低く、適切な光学異方性、および適切な誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、この化合物を含有して、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低いといった諸特性において、少なくとも一つの特性を充足する液晶組成物を提供することである。さらには、少なくとも二つの特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。【００１４】
本発明の第三の目的は、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、液晶組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、以下のような液晶性化合物、液晶組成物、および液晶組成物を含有する液晶表示素子等を提供する。また、以下に、式（ａ）で表わされる化合物における末端基、環および結合基等に関して好ましい例も述べる。【００１６】
［１］  式（ａ）で表される化合物。
0005531954.tif 000003
式（ａ）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシであり、ＲａおよびＲｂのうち少なくとも一方は、アルケニルまたはアルコキシであり；
Ｌａは水素またはフッ素であり；
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は独立して、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−、または−ＯＣＨ２−であり；
Ｌａがフッ素であるとき、Ｒｂは炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシであり、かつＺ１およびＺ２が独立に、単結合または−（ＣＨ２）２−である。【００１７】
［２］  式（ａ）において、ＲａとＲｂが独立して、炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａがフッ素である項［１］に記載の化合物。【００１８】
［３］  式（ａ）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ｒｂが炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａがフッ素である項［１］に記載の化合物。【００１９】
［４］  式（ａ）において、Ｒａが炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルキルであり；
Ｌａが水素である項［１］に記載の化合物。【００２０】
［５］  式（ａ）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｂが炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａが水素である項［１］に記載の化合物。【００２１】
［６］  式（ａ）において、ＲａとＲｂが独立して、炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａが水素である項［１］に記載の化合物。【００２２】
［７］  式（ａ）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ｒｂが炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｌａが水素である項［１］に記載の化合物。【００２３】
［８］  式（ａ）において、Ｒａが炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ｌａが水素である項［１］に記載の化合物。【００２４】
［９］  式（ａ−１）〜（ａ−４）のいずれか一つで表される項［１］に記載の化合物。
0005531954.tif 000004
式（ａ−１）〜（ａ−４）において、Ｒｃは炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｄは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｅは炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ｚ１１、Ｚ１２およびＺ１３は独立して、単結合または−（ＣＨ２）２−であり、Ｚ１１、Ｚ１２およびＺ１３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−である。【００２５】
［１０］  式（ａ−５）〜（ａ−１２）のいずれか一つで表される項［１］に記載の化合物。
0005531954.tif 000005
式（ａ−５）〜（ａ−１２）において、Ｒｆは炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｇは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｚ２１、Ｚ２２およびＺ２３は独立して、単結合または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ２１、Ｚ２２およびＺ２３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−であり；
Ｚ２４、Ｚ２５およびＺ２６は独立して、単結合または−ＣＨ２Ｏ−であり、これらにおいてＺ２４、Ｚ２５およびＺ２６の少なくともいずれか一つは−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｚ２７、Ｚ２８およびＺ２９は独立して、単結合または−ＯＣＨ２−であり、これらにおいてＺ２７、Ｚ２８およびＺ２９の少なくともいずれか一つは−ＯＣＨ２−である。【００２６】
［１１］  式（ａ−１３）〜（ａ−２０）のいずれか一つで表される項［１］に記載の化合物。
0005531954.tif 000006
式（ａ−１３）〜（ａ−２０）において、Ｒｈは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｉは炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ｚ３１、Ｚ３２およびＺ３３は独立して、単結合または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ３１、Ｚ３２およびＺ３３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−であり；
Ｚ３４、Ｚ３５およびＺ３６は独立して、単結合または−ＣＨ２Ｏ−であり、これらにおいてＺ３４、Ｚ３５およびＺ３６の少なくともいずれか一つは−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｚ３７、Ｚ３８およびＺ３９は独立して、単結合または−ＯＣＨ２−であり、これらにおいてＺ３７、Ｚ３８およびＺ３９の少なくともいずれか一つは−ＯＣＨ２−である。【００２７】
［１２］  式（ａ−２１）〜（ａ−２４）のいずれか一つで表される項［１］に記載の化合物。
0005531954.tif 000007
式（ａ−２１）〜（ａ−２４）において、Ｒｊは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｋは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｚ４１、Ｚ４２およびＺ４３は独立して、単結合または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ４１、Ｚ４２およびＺ４３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−であり；
Ｚ４４、Ｚ４５およびＺ４６は独立して、単結合または−ＣＨ２Ｏ−であり、これらにおいてＺ４４、Ｚ４５およびＺ４６の少なくともいずれか一つは−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｚ４７、Ｚ４８およびＺ４９は独立して、単結合または−ＯＣＨ２−であり、これらにおいてＺ４７、Ｚ４８およびＺ４９の少なくともいずれか一つは−ＯＣＨ２−である。【００２８】
［１３］  １成分として、項［１］〜［１２］のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも一つ含有し、２成分以上からなる液晶組成物。【００２９】
［１４］  式（２）、（３）および（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する項［１３］に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000008
式（２）〜（４）において、Ｒ２は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；Ｘ２はフッ素、塩素、−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＣＨ２Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＨＦ２、または−ＯＣＦ２ＣＨＦＣＦ３であり；環Ｂ１、環Ｂ２、および環Ｂ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ７およびＺ８は独立して、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；Ｌ５およびＬ６は独立して、水素またはフッ素である。【００３０】
［１５］  式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する項［１３］に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000009
式（５）において、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；Ｘ３は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；環Ｃ１、環Ｃ２および環Ｃ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；Ｚ９は−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；Ｌ７およびＬ８は独立して、水素またはフッ素であり；ｒは０または１であり、ｓは０または１であり、ｒ＋ｓは、０、１または２である。【００３１】
［１６］  式（６）、（７）、（８）、（９）および（１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する、項［１３］に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000010
式（６）〜（１０）において、Ｒ４およびＲ５は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；環Ｄ１、環Ｄ２、環Ｄ３、および環Ｄ４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；Ｚ１０、Ｚ１１、Ｚ１２、およびＺ１３は独立して、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＯＣＦ２（ＣＨ２）２−、または単結合であり；Ｌ９およびＬ１０は独立して、フッ素または塩素であり；ｔ、ｕ、ｘ、ｙ、およびｚは独立して０または１であり、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１または２である。【００３２】
［１７］  式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物を１成分として含有する、項［１３］に記載の液晶組成物。
0005531954.tif 000011
式（１１）〜（１３）において、Ｒ６およびＲ７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；環Ｅ１、環Ｅ２、環Ｅ３、および環Ｅ６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；環Ｅ４、および環Ｅ５は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または１，４−フェニレンであり；Ｚ１４、Ｚ１５、およびＺ１６は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。【００３３】
［１８］  項［１５］記載の一般式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、項［１４］に記載の液晶組成物。【００３４】
［１９］  一般式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、項［１４］に記載の液晶組成物。【００３５】
［２０］  一般式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、項［１５］に記載の液晶組成物。【００３６】
［２１］  一般式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含有する、項［１６］に記載の液晶組成物。【００３７】
［２２］  少なくとも一つの光学活性化合物をさらに含有する、項［１３］〜［２１］のいずれか１項に記載の液晶組成物。【００３８】
［２３］  少なくとも一つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含む項［１３］〜［２２］のいずれか１項に記載の液晶組成物。【００３９】
［２４］項［１３］〜［２３］のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の化合物は、化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、液晶相の広い温度範囲、小さな粘度、他の化合物との良好な相溶性、適切な誘電率異方性および屈折率異方性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、低い温度領域から良好な相溶性を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト比、および低い駆動電圧を有する。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下説明中では、特に断りのない限り、百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
【００４２】
〔化合物（ａ）〕
本発明の液晶性化合物は、式（ａ）で示される構造を有する（以下、これら化合物を「化合物（ａ）」ともいう。）。
0005531954.tif 000012
式（ａ）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシであり、これらにおいてＲａ、Ｒｂのいずれかはアルケニル、またはアルコキシであり、Ｌａは水素またはフッ素であり、Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は独立して、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−、または−ＯＣＨ２−であり、Ｌａがフッ素であるとき、Ｒｂは炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシであり、かつＺ１およびＺ２が独立に、単結合または−（ＣＨ２）２−である。
【００４３】
ＲａおよびＲｂが、アルケニルまたはアルコキシである場合には、液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができる。
【００４４】
ＲａおよびＲｂは分岐よりも直鎖の方が好ましい。Ｒａが分岐の基であっても光学活性であるときは好ましい。アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−ＣＨ＝ＣＨＣ４Ｈ９、−Ｃ２Ｈ４ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、および−Ｃ２Ｈ４ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、および−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。
【００４５】
アルキルとしては、直鎖でも分岐鎖でもよく、アルキルの具体的な例は、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−Ｃ５Ｈ１１、−Ｃ６Ｈ１３、−Ｃ７Ｈ１５、−Ｃ８Ｈ１７、−Ｃ９Ｈ１９、および−Ｃ１０Ｈ２１である。
【００４６】
アルコキシとしては、直鎖でも分岐鎖でもよく、アルコキシの具体的な例は、−ＯＣＨ３、−ＯＣ２Ｈ５、−ＯＣ３Ｈ７、−ＯＣ４Ｈ９、−ＯＣ５Ｈ１１、−ＯＣ６Ｈ１３および−ＯＣ７Ｈ１５、−ＯＣ８Ｈ１７、−ＯＣ９Ｈ１９、および−ＯＣ１０Ｈである。
【００４７】
アルコキシアルキルとしては、直鎖でも分枝鎖でもよく、アルコキシアルキルの具体的な例は、−ＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＨ２ＯＣ２Ｈ５、−ＣＨ２ＯＣ３Ｈ７、−（ＣＨ２）２−ＯＣＨ３、−（ＣＨ２）２−ＯＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２−ＯＣ３Ｈ７、−（ＣＨ２）３−ＯＣＨ３、−（ＣＨ２）４−ＯＣＨ３、および−（ＣＨ２）５−ＯＣＨ３である。
【００４８】
アルケニルとしては、直鎖でも分枝鎖でもよく、アルケニルの具体的な例は、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）２−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、および−（ＣＨ２）３−ＣＨ＝ＣＨ２である。
【００４９】
よって、ＲａおよびＲｂの具体例の中でも、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−Ｃ５Ｈ１１、−ＯＣＨ３、−ＯＣ２Ｈ５、−ＯＣ３Ｈ７、−ＯＣ４Ｈ９、−ＯＣ５Ｈ１１、−ＣＨ２ＯＣＨ３、−（ＣＨ２）２ＯＣＨ３、−（ＣＨ２）３ＯＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）３ＣＨ＝ＣＨ２、−（ＣＨ２）３ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）３ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）３ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５が好ましく、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−ＯＣＨ３、−ＯＣ２Ｈ５、−ＯＣ３Ｈ７、−ＯＣ４Ｈ９、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、および−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７がより好ましい。
【００５０】
Ｌａは水素またはフッ素である。Ｌａが水素である場合は化合物の融点を下げることができるため好ましく、Ｌａがフッ素である場合は化合物の誘電率異方性を負に大きくできるため好ましい。
【００５１】
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は独立して、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−、または−ＯＣＨ２−であり、Ｌａがフッ素であるとき、Ｒｂは炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜１０のアルコキシであり、かつＺ１およびＺ２が独立に、単結合または−（ＣＨ２）２−である。
【００５２】
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３が、単結合または−（ＣＨ２）２−、である場合は、化合物の粘度を小さくすることができ、かつ化合物の安定性の観点からも好ましい。
【００５３】
なお、化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（ａ）は２Ｈ（重水素）、１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。
これら液晶性化合物（ａ）では、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌａ、Ｚ１、Ｚ２およびＺ３を適宜選択することにより、誘電率異方性などの物性を所望の物性に調整することが可能である。
【００５４】
化合物（ａ）の好ましい化合物の例として化合物（ａ−１）〜（ａ−４）が挙げられる。
0005531954.tif 000013
【００５５】
式（ａ−１）〜（ａ−４）において、Ｒｃは炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｄは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｅは炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ｚ１１、Ｚ１２およびＺ１３は独立して、単結合、または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ１１、Ｚ１２およびＺ１３の少なくとも一つは−（ＣＨ２）２−である
【００５６】
化合物（ａ−１）〜（ａ−４）はフッ素を二つ持つため、負に大きい誘電率異方性を有するという点で好ましい。さらに、アルケニルを持っているため、特に高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有し、他の化合物との良好な相溶性および低い粘度を有するという観点でより好ましい。
【００５７】
化合物（ａ）の好ましい化合物の例として、化合物（ａ−５）〜（ａ−１２）が挙げられる。
0005531954.tif 000014
【００５８】
式（ａ−５）〜（ａ−１２）において、Ｒｆは炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｇは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｚ２１、Ｚ２２およびＺ２３は独立して、単結合または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ２１、Ｚ２２およびＺ２３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−であり；
Ｚ２４、Ｚ２５およびＺ２６は独立して、単結合または−ＣＨ２Ｏ−であり、これらにおいてＺ２４、Ｚ２５およびＺ２６の少なくともいずれか一つは−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｚ２７、Ｚ２８およびＺ２９は独立して、単結合または−ＯＣＨ２−であり、これらにおいてＺ２７、Ｚ２８およびＺ２９の少なくともいずれか一つは−ＯＣＨ２−である。
【００５９】
化合物（ａ−５）〜（ａ−１２）はアルケニルを持っているため、特に高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有し、さらに他の化合物との良好な相溶性および低い粘度を有するという観点でより好ましい。
【００６０】
化合物（ａ）の好ましい化合物の例として、化合物（ａ−１３）〜（ａ−２０）が挙げられる。
0005531954.tif 000015
【００６１】
式（ａ−１３）〜（ａ−２０）において、Ｒｈは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｉは炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ｚ３１、Ｚ３２およびＺ３３は独立して、単結合、または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ３１、Ｚ３２およびＺ３３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−であり；
Ｚ３４、Ｚ３５およびＺ３６は独立して、単結合、または−ＣＨ２Ｏ−であり、これらにおいてＺ３４、Ｚ３５およびＺ３６の少なくともいずれか一つは−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｚ３７、Ｚ３８およびＺ３９は独立して、単結合、または−ＯＣＨ２−であり、これらにおいてＺ３７、Ｚ３８およびＺ３９の少なくともいずれか一つは−ＯＣＨ２−である。
【００６２】
化合物（ａ−１３）〜（ａ−２０）は、アルケニルおよびアルコキシルを持っているため、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有し、さらに他の化合物との良好な相溶性および低い粘度を有するという観点でより好ましい。
【００６３】
化合物（ａ）の好ましい化合物の例として、化合物（ａ−２１）〜（ａ−２４）が挙げられる。
0005531954.tif 000016
【００６４】
式（ａ−２１）〜（ａ−２４）において、Ｒｊは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｋは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ｚ４１、Ｚ４２およびＺ４３は独立して、単結合または−（ＣＨ２）２−であり、これらにおいてＺ４１、Ｚ４２およびＺ４３の少なくともいずれか一つは−（ＣＨ２）２−であり；
Ｚ４４、Ｚ４５およびＺ４６は独立して、単結合または−ＣＨ２Ｏ−であり、これらにおいてＺ４４、Ｚ４５およびＺ４６の少なくともいずれか一つは−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｚ４７、Ｚ４８およびＺ４９は独立して、単結合または−ＯＣＨ２−であり、これらにおいてＺ４７、Ｚ４８およびＺ４９の少なくともいずれか一つは−ＯＣＨ２−である。
【００６５】
化合物（ａ−１３）〜（ａ−２０）物はアルケニルを両端に持っているため、特に高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有し、さらに他の化合物との良好な相溶性および低い粘度を有するという観点でより好ましい。
【００６６】
液晶性化合物がこれら化合物（ａ−１）〜（ａ−２４）で示される構造を有する場合には、適切な誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との相溶性が極めてよい。さらに、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、適切な光学異方性を有している。また、この化合物（ａ）を含有する液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定であり、低い温度で保管してもこの化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。
【００６７】
したがって、化合物（ａ）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に好適に適用することができ、ＩＰＳ、ＶＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に、特に好適に適用することができる。
【００６８】
〔化合物（ａ）の合成〕
化合物（ａ）は、有機合成化学の合成手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環、および結合基を導入する方法は、例えば、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。
【００６９】
［Ａ］  末端基ＲａおよびＲｂがアルケニル以外の場合の合成
化合物（ａ）における結合基Ｚ１〜Ｚ３を生成する方法を以下の（Ｉ）〜（III）項で説明する。ここでは代表例としてＺ１について示すが、Ｚ２およびＺ３の場合も同様である。化合物（ｂ９）、（ｂ１７）、および（ｂ２３）は、化合物（ａ）に相当する。
【００７０】
（Ｉ）結合基Ｚ１が単結合である場合の合成
0005531954.tif 000017
（これらの式において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｚ２、Ｚ３、およびＬａは前記と同一の意味である。）
【００７１】
化合物（ｂ２）とマグネシウムを反応させてマグネシウム塩とし、そこに（ｂ１）を加えた後、酸で処理してアルコール誘導体（ｂ３）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ３）の脱水反応を行い、シクロヘキセン誘導体（ｂ４）を得る。この化合物（ｂ４）を、Ｐｄ／Ｃ（パラジウムカーボン）等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、化合物（ｂ５）を得る。得られた化合物（ｂ５）とｓ−ブチルリチウムとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とカルボニル誘導体（ｂ６）とを反応させて、アルコール誘導体（ｂ７）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ７）の脱水反応を行い、シクロヘキセン誘導体（ｂ８）を得る。この化合物（ｂ８）を、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより本発明の化合物（ａ）の一例である（ｂ９）を合成することができる。
【００７２】
（II）結合基Ｚ１が−（ＣＨ２）２−である場合の合成
0005531954.tif 000018
（これらの式において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｚ２、Ｚ３、およびＬａは前記と同一の意味である。）
【００７３】
化合物（ｂ１０）とｎ−ブチルリチウムとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とカルボニル誘導体（ｂ６）とを反応させて、アルコール誘導体（ｂ１１）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ１１）の脱水反応を行い、シクロヘキセン誘導体（ｂ１２）を得る。この化合物（ｂ１２）を、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、化合物（ｂ１３）を得る。得られた化合物（ｂ１３）とｎ−ブチルリチウムとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとを反応させて、アルデヒド誘導体（ｂ１４）を得る。ホスホニウム塩（ｂ１５）をカリウム−ｔ−ブトキシドで処理して発生させたリンイリドを、得られたアルデヒド誘導体（ｂ１４）に反応させるＷｉｔｔｉｇ反応により、化合物（ｂ１６）を得る。この化合物（ｂ１６）を、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより本発明の化合物（ａ）の一例である（ｂ１７）を合成することができる。
【００７４】
（III）結合基Ｚ１が−ＣＨ２Ｏ−または−ＯＣＨ２−である場合の合成
0005531954.tif 000019
（これらの式において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｚ２、Ｚ３、およびＬａは前記と同一の意味である。）
【００７５】
一例としてＺ１が−ＣＨ２Ｏ−である場合の合成法を示す。前述の方法で合成した（ｂ１３）とｎ−ブチルリチウムとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とホウ酸エステルとを反応させ、酸性雰囲気で加水分解することによりジヒドロキシボラン誘導体（ｂ１８）を得る。このジヒドロキシボラン誘導体（ｂ１８）を過酸化水素等の酸化剤で酸化反応を行うことによりフェノール誘導体（ｂ１９）を得る。別途、化合物（ｂ２０）を水素化リチウムアルミニウム等で還元して化合物（ｂ２１）を得る。ついで臭化水素酸等で臭素化することにより化合物（ｂ２２）を得る。上述の操作で得られたフェノール誘導体（ｂ１９）と化合物（ｂ２２）とを炭酸カリウム等の塩基の存在下、エーテル化反応させることにより、本発明の化合物（ａ）の一例である（ｂ２３）を合成することができる。
【００７６】
［Ｂ］  末端基Ｒａ、およびＲｂのいずれかが、アルケニルを含む場合の合成
化合物（ａ）における末端基Ｒａ、およびＲｂのいずれかにアルケニルを含む場合における合成方法の一例は、以下の（Ｉ）、（II）項で説明する。化合物（ｂ３１）および（ｂ３３）は、化合物（ａ）に相当する。
【００７７】
0005531954.tif 000020
【００７８】
（Ｉ）末端基Ｒａがアルケニルである場合の合成
0005531954.tif 000021
（これらの式において、Ｒｂ、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、およびＬａは前記と同一の意味である。）
【００７９】
前述のＺ１が単結合である場合の合成方法例において、（ｂ１）に変えて（ｂ２４）を用いて合成を行い、化合物（ｂ２５）を誘導する。蟻酸を用いてこの化合物（ｂ２５）の脱保護を行い、カルボニル誘導体（ｂ２６）を得る。ホスホニウム塩（ｂ２７）をカリウム−ｔ−ブトキシドで処理して発生させたリンイリドを、得られたカルボニル誘導体（ｂ２６）に反応させるＷｉｔｔｉｇ反応により、化合物（ｂ２８）を得る。塩酸で得られた化合物（ｂ２８）を処理してアルデヒド誘導体（ｂ２９）を得る。ホスホニウム塩（ｂ３０）をカリウム−ｔ−ブトキシドで処理して発生させたリンイリドを、得られたアルデヒド誘導体（ｂ２９）に反応させるＷｉｔｔｉｇ反応により、本発明の化合物（ａ）の一例である（ｂ３１）を合成することができる。
【００８０】
0005531954.tif 000022
（これらの式において、Ｒｂ、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、およびＬａは前記と同一の意味であり、ｎは１〜８の整数である。）
【００８１】
また、前述の方法で得られたアルデヒド誘導体（ｂ２９）に対して、ホスホニウム塩（ｂ２７）をカリウム−ｔ−ブトキシドで処理して発生させたリンイリドを反応させるＷｉｔｔｉｇ反応及び、塩酸による処理を任意の回数（ｎ回）繰り返すことにより、炭素数２以上のアルデヒド誘導体（ｂ３２）を得る。ホスホニウム塩（ｂ３０）をカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドで処理して発生させたリンイリドを、得られたアルデヒド誘導体（ｂ３２）に反応させるＷｉｔｔｉｇ反応により、炭素数３以上のアルケニルを持つ本発明の化合物（ａ）の一例である（ｂ３３）を合成することができる。
【００８２】
0005531954.tif 000023
【００８３】
結合基Ｚ１が−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＯＣＨ２−の場合についても、（ｂ１５）、（ｂ２０）をそれぞれ（ｂ３４）、（ｂ３５）に変えて上述の方法を用いると末端基にアルケニルを有する本発明の化合物（ａ）を合成することができる。
【００８４】
0005531954.tif 000024
【００８５】
（II）末端基Ｒｂがアルケニルである場合の合成
逆側の末端基Ｒｂにアルケニルを導入する場合についても、（ｂ６）を（ｂ３６）に変えて上述の方法を用いると末端基にアルケニルを有する本発明の化合物（ａ）を合成することができる。
【００８６】
［Ｃ］  末端基Ｒａ、およびＲｂのいずれかが、アルコキシを含む場合の合成
化合物（ａ）における末端基Ｒａ、およびＲｂのいずれかにアルコキシを含む場合における合成方法の一例は、以下の（Ｉ）、（II）項で説明する。化合物（ｂ３９）は、化合物（ａ）に相当する。
【００８７】
（Ｉ）末端基Ｒａがアルコキシである場合の合成
0005531954.tif 000025
（これらの式において、Ｒｂ、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、およびＬａは前記と同一の意味であり、Ｒｃは炭素数１〜９のアルキル、炭素数２〜９のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシである。）
【００８８】
前述の方法でカルボニル誘導体（ｂ２５）を得る。ＮａＢＨ４を用いて還元を行いアルコール誘導体（ｂ３７）を得る。得られたアルコール誘導体（ｂ３７）を塩基存在下で化合物（ｂ３８）とエーテル化反応させることにより、本発明の化合物（ａ）の一例である（ｂ３９）を合成することができる。
【００８９】
（II）末端基Ｒｂがアルコキシである場合の合成
逆側の末端基Ｒｂにアルコキシを導入する場合についても、（ｂ６）を（ｂ３６）に変えて上述の方法を用いると末端基にアルケニルを有する本発明の化合物（ａ）を合成することができる。
【００９０】
〔液晶組成物（ａ）〕
本発明の第２の態様は、式（ａ）で表される化合物を含む組成物であり、好ましくは、液晶材料に用いることのできる液晶組成物である。本発明の液晶組成物は、本発明の式（ａ）で表される化合物を成分Ａとして含む必要がある。成分Ａと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、この成分Ａに以下に示す成分Ｂ、Ｃ、ＤおよびＥから選ばれた成分を加えることにより種々の特性を有する本発明の液晶組成物（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）などが提供できる。
【００９１】
成分Ａに加える成分として、式（２）、（３）および（４）からなる群から選ばれた少なくとも１つの化合物からなる成分Ｂ、または式（５）からなる群から選ばれた少なくとも１つの化合物からなる成分Ｃ、または式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｄを混合したものが好ましい〔液晶組成物（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）〕。
さらに式（１１）、（１２）および（１３）からなる群から選ばれた少なくとも１つの化合物からなる成分Ｅを混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、粘度等を調整することができる〔液晶組成物（ｅ）〕。
【００９２】
また、本発明に使用される液晶組成物の各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体でもその物理特性に大きな差異がない。
【００９３】
成分Ｂのうち、式（２）で表される化合物の好適例として化合物（２−１）〜（２−１６）、式（３）で表される化合物の好適例として化合物（３−１）〜（３−１１２）、そして式（４）で表される化合物の好適例として化合物（４−１）〜（４−５２）をそれぞれ挙げることができる。
【００９４】
0005531954.tif 000026
【００９５】
0005531954.tif 000027
【００９６】
0005531954.tif 000028
【００９７】
0005531954.tif 000029
【００９８】
0005531954.tif 000030
【００９９】
0005531954.tif 000031
【０１００】
0005531954.tif 000032
【０１０１】
0005531954.tif 000033
（式中、Ｒ２、Ｘ２は前記と同じ意味を表す）
【０１０２】
これらの式（２）〜（４）で表される化合物すなわち成分Ｂは、誘電率異方性値が正であり、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合に用いられる。本発明の液晶組成物における成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また式（１１）〜（１３）で表される化合物（成分Ｅ）をさらに含有させることにより粘度調整をすることができる。
式（５）で表される化合物すなわち成分Ｃのうちの好適例として、式（５−１）〜（５−６２）を挙げることができる。
【０１０３】
0005531954.tif 000034
【０１０４】
0005531954.tif 000035
【０１０５】
0005531954.tif 000036
（これらの式において、Ｒ３およびＸ３は前記と同じ意味である）
【０１０６】
これらの式（５）で表される化合物すなわち成分Ｃは、誘電率異方性値が正でその値が非常に大きいのでＳＴＮ，ＴＮ用の液晶組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを含有させることにより、組成物のしきい値電圧を小さくすることができる。また、粘度の調整、屈折率異方性値の調整および液晶相温度範囲を広げることができる。さらに急峻性の改良にも利用できる。
【０１０７】
成分Ｃの含有量は、ＳＴＮまたはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、組成物全量に対して好ましくは０．１〜９９．９重量％の範囲、より好ましくは１０〜９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。また、後述の成分を混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値および粘度などを調整できる。
【０１０８】
式（６）〜（８）および式（１０）からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物からなる成分Ｄは、垂直配向モ−ド（ＶＡモ−ド）などに用いられる誘電率異方性が負の本発明の液晶組成物を調製する場合に、好ましい成分である。
【０１０９】
この式（６）〜（８）および式（１０）で表される化合物（成分Ｄ）の好適例として、それぞれ式（６−１）〜（６−５）、式（７−１）〜（７−１１）、式（８−１）、および式（１０−１）〜（１０−１１）を挙げることができる。
【０１１０】
0005531954.tif 000037
（式中、Ｒ４，Ｒ５は前記と同じ意味を表す）
【０１１１】
これら成分Ｄの化合物は主として誘電率異方性の値が負であるＶＡモ−ド用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求値を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性値の絶対値が５程度であるので、含有量が４０重量％より少なくなると電圧駆動ができなくなる場合がある。
【０１１２】
成分Ｄのうち式（６）で表される化合物は２環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性値の調整の効果がある。また、式（７）および式（８）で表される化合物は３環化合物であるので透明点を高くする、ネマチックレンジを広くする、しきい値電圧を低くする、屈折率異方性値を大きくするなどの効果が得られる。
【０１１３】
成分Ｄの含有量は、ＶＡモ−ド用の組成物を調製する場合には、組成物全量に対して好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０〜９５重量％の範囲である。また、成分Ｄを混合することにより、弾性定数をコントロ−ルし、組成物の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。成分Ｄを誘電率異方性値が正である組成物に混合する場合はその含有量が組成物全量に対して３０重量％以下が好ましい。
【０１１４】
式（１１）、（１２）および（１３）で表わされる化合物（成分Ｅ）の好適例として、それぞれ式（１１−１）〜（１１−１１）、式（１２−１）〜（１２−１８）、および式（１３−１）〜（１３−６）を挙げることができる。
【０１１５】
0005531954.tif 000038
【０１１６】
0005531954.tif 000039
（式中、Ｒ６およびＲ７は前記と同じ意味を表す）
【０１１７】
式（１１）〜（１３）で表される化合物（成分Ｅ）は、誘電率異方性値の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。式（１１）で表される化合物は主として粘度調整または屈折率異方性値の調整の効果があり、また式（１２）および（１３）で表される化合物は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる効果、または屈折率異方性値の調整の効果がある。
【０１１８】
成分Ｅで表される化合物の含有量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが望ましい。ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合に、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。また、ＳＴＮまたはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。
本発明の液晶組成物は、本発明の式（１）で表される化合物の少なくとも１種類を０．１〜９９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
【０１１９】
本発明の液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法などにより一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物を添加して、例えばつぎに述べるような光学活性化合物を含む本発明の液晶組成物（ｅ）、染料を添加したＧＨ型用の液晶組成物を調製することができる。通常、添加物は当該業者によく知られており、文献などに詳細に記載されている。
【０１２０】
本発明の液晶組成物（ｅ）は、前述の本発明の液晶組成物にさらに１種以上の光学活性化合物を含有する。
光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加する。このキラルド−プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド−プ剤の例として以下の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）を挙げることができる。
【０１２１】
0005531954.tif 000040
【０１２２】
本発明の液晶組成物（ｅ）は、通常これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。ねじれのピッチはＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮ用の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ＴＮ（Bistable TN）モ−ド用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で２種以上の光学活性化合物を添加しても良い。
【０１２３】
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ型用の液晶組成物として使用することもできる。
【０１２４】
また、本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）例えばポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）用をはじめ、複屈折制御（ＥＣＢ）型やＤＳ型用の液晶組成物としても使用できる。
【０１２５】
［［実施例］］
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」を意味する。
【０１２６】
得られた化合物は、１Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。
【０１２７】
１Ｈ−ＮＭＲ分析：測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で合成したサンプルを、ＣＤＣｌ３等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数２４回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。
【０１２８】
ＧＣ分析：測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を３００℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。
【０１２９】
試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。
【０１３０】
なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｉｎｃ．製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｉｎｃ．製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Ｒｅｓｔｅｋ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＳＧＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｐｔｙ．Ｌｔｄ製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。
【０１３１】
ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分（被検成分）と基準となる液晶化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。
【０１３２】
［化合物の物性の測定試料］
化合物の物性を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。
【０１３３】
化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記の式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算した。この外挿値をこの化合物の物性値とした。
【０１３４】
〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉
【０１３５】
化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性を測定し上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶化合物の物性値とした。
【０１３６】
測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶Ａの組成（重量％）は以下のとおりである。
母液晶Ａ：
0005531954.tif 000041
【０１３７】
［化合物の物性の測定方法］
化合物の物性の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【０１３８】
物性値のうち、化合物そのものを試料とした場合は、得られた値をデータとして記載した。液晶化合物と母液晶との混合物を試料として用いた場合は、外挿法で算出した値とした。
【０１３９】
相構造および相転移温度（℃）：以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、液晶相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ  ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎ  ｓｅｔ）、相転移温度を決定した。
【０１４０】
以下、結晶はＣと表し、さらに結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ１またはＣ２と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳＡ、ＳＢ、ＳＣ、またはＳＦと表した。相転移温度の表記として、例えば、「Ｃ  ５０．０  Ｎ  １００．０  Ｉ」とは、結晶からネマチック相への相転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への相転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。
【０１４１】
ネマチック相の上限温度（ＴＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。
【０１４２】
低温相溶性：母液晶と液晶化合物とを、液晶化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。
【０１４３】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：液晶化合物と母液晶との混合物を、Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。
【０１４４】
屈折率異方性（Δｎ）：測定は２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。屈折率異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。
【０１４５】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍ、ツイスト角が８０度の液晶セルに試料（液晶化合物と母液晶との混合物）を入れた。このセルに２０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【実施例１】
【０１４６】
４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．５）の合成【０１４７】
0005531954.tif 000042
【０１４８】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、１−フルオロ−３−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−ベンゼン（１）  ５６．２ｇとＴＨＦ  ５００ｍｌとを加えて、−７３℃まで冷却した。そこへ、１．０４Ｍ  ｓ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液  ２５０．０ｍｌ  を−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに３０分攪拌した。続いて、４−（１，４−ジオキソスピロ[４，５]デカン−８−イル）シクロヘキサノン（２）  ５７．２ｇのＴＨＦ  １６０ｍｌ溶液を−７６℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ、さらに２０時間攪拌した。その後、反応混合物を塩化アンモニウム  ２７．８ｇ氷水  １０００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  １３６０ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比  トルエン：酢酸エチル＝７：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−（１，４−ジオキサ−スピロ［４．５］デク−８−イル）−１−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−シクロヘキサノール（３）  １０８．６ｇを得た。得られた化合物（３）は黄色固形物であった。【０１４９】
第２工程
化合物（３）  １０８．６ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  ４．０２ｇ、およびトルエン  ５００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら１．５時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  １０００ｍｌとトルエン  １８００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比  トルエン：酢酸エチル＝７：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ８−｛４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−シクロヘキシ−３−エニル｝−１，４−ジオキサ−スピロ［４．５］デカン（４）  ５８．８ｇを得た。化合物（１）からの収率は５３．４％であった。【０１５０】
第３工程
トルエン  １５０ｍｌ、イソプロピルアルコール  １００ｍｌとの混合溶媒に化合物（４）を溶解させ、さらにパラジウムカーボン触媒（５％Ｐｄ／ＣのＮＸタイプ（５０％湿潤品）；エヌ・イー・ケムキャット製、以下Ｐｄ／Ｃという）３．０６ｇと炭酸カリウム０．５２ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比  トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、８−｛４−［２−フルオロ  −４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−シクロヘキシル｝−１，４−ジオキサ−スピロ［４．５］デカン（５）  ２６．３５ｇを得た。化合物（４）からの収率は４４．６％であった。【０１５１】
第４工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（５）  ２６．３５ｇと蟻酸  １０ｍｌ、トルエン  １００ｍｌとを加えて、８時間加熱還流した。室温まで徐冷し、そこへ、水２００ｍｌ、トルエン２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比  トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比  トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−ビシクロヘキシル−４−オン（６）  ２２．３９ｇを得た。化合物（５）からの収率は９３．７％であった。【０１５２】
第５工程
窒素雰囲気下の反応器へ、メトキシトリフェニルホスホニウムクロリド（７）  ２３．４ｇを加えて５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ７．６８ｇ、ＴＨＦ  ２００ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、１時間撹拌した。そこへ化合物（６）のＴＨＦ  ６０ｍｌ溶液を−４０℃から−３０℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに１７時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ６００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ５２０ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−フェニル］−４’−メトキシメチレンビシクロヘキシル（８）  ２３．２８ｇを得た。化合物（６）からの収率は９７．５％であった。【０１５３】
第６工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（８）  ２３．２８ｇ、アセトン  ３５０ｍｌとを加えて５０℃に加熱した。そこに６Ｎ塩酸  １５０ｍｌを滴下し、４０℃〜５０℃の範囲で３時間撹拌した。室温まで徐冷し、そこへ、水７００ｍｌ、トルエン７００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比  トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−ビシクロヘキシル−４−カルボアルデヒド（９）  １８．３３ｇを得た。化合物（８）からの収率は８１．３％であった。【０１５４】
第７工程
窒素雰囲気下の反応器へ、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（１０）  １７．８３ｇを加えて５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ６．０７ｇ、ＴＨＦ  ２００ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、１時間撹拌した。そこへ化合物（９）のＴＨＦ  １００ｍｌ溶液を−４０℃から−３０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ、さらに１４時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ６００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ６００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．５）  １４．８４ｇを得た。化合物（６）からの収率は８１．４％であった。【０１５５】
１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．５）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ３である。【０１５６】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１１（ｄｄ，１Ｈ），６．９２（ｄｄ，１Ｈ），６．８４（ｄｄ，１Ｈ），５．７８（ｍ，１Ｈ），４．９６（ｍ，１Ｈ），４．８８（ｍ，１Ｈ），２．７５（ｍ，１Ｈ），２．４２（ｍ，１Ｈ），１．８９−１．７９（ｍ，１３Ｈ），１．４７−０．９８（ｍ，２３Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．【０１５７】
得られた化合物（Ｎｏ．５）の転移温度は以下の通りである。
転移温度  ：Ｃ  ４７．１  ＳＢ  １９６．０  Ｎ  ２９８．３  Ｉ【０１５８】
化合物（Ｎｏ．５）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例１で得られた４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．５）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｂを調製した。得られた液晶組成物Ｂの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．５）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０１５９】
上限温度（ＴＮＩ）＝２１９．７℃；誘電率異方性（Δε）＝２．７７；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１３０。
これらのことから化合物（Ｎｏ．５）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例２】
【０１６０】
４−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．３）の合成【０１６１】
0005531954.tif 000043
【０１６２】
１−フルオロ−３−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−ベンゼン（１）の代わりに１−フルオロ−３−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（１１）を用いて、実施例１と同様の方法にて、４−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．３）を合成した。【０１６３】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．３）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０１６４】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１１（ｄｄ，１Ｈ），６．９１（ｄｄ，１Ｈ），６．８４（ｄｄ，１Ｈ），５．７８（ｍ，１Ｈ），４．９６（ｍ，１Ｈ），４．８８（ｍ，１Ｈ），２．７４（ｍ，１Ｈ），２．４２（ｍ，１Ｈ），１．８６−１．７９（ｍ，１３Ｈ），１．４５−０．９９（ｍ，１９Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）．【０１６５】
得られた化合物（No. 3）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ  ４１．９  Ｃ  ７６．３  SB  １６８．２  Ｎ  ３０３．５  Ｉ【０１６６】
化合物（Ｎｏ．３）の物性
母液晶Ａ  ８５重量％と、実施例２で得られた４−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．３）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｃを調製した。得られた液晶組成物Ｃの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０１６７】
上限温度（ＴＮＩ）＝２１９．７℃；誘電率異方性（Δε）＝２．５７；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１３０。
これらのことから化合物（Ｎｏ．３）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例３】
【０１６８】
（Ｅ）‐４‐（２‐フルオロ-４‐（４‐ペンチルシクロヘキシル）フェニル）‐４’‐（プロプ‐1‐エニル）ビシクロヘキサン（Ｎｏ．１２）の合成【０１６９】
0005531954.tif 000044
【０１７０】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド（１２）  ７．２８ｇを加えて５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ２．１６ｇ、ＴＨＦ  １００ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、１時間撹拌した。そこへ実施例１に記載の方法で合成した化合物（９）  ７．４４ｇをＴＨＦ  ５０ｍｌに溶解させたＴＨＦ溶液を−４０℃から−３０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ、さらに１９時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ３００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ３００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、（Ｚ）‐４‐（２‐フルオロ-４‐（４‐ペンチルシクロヘキシル）フェニル）‐４’‐（プロプ‐1‐エニル）ビシクロヘキサン（１３）  ７．２９ｇを得た。化合物（９）からの収率は９５．４％であった。【０１７１】
第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、  化合物（１３）  ７．２９ｇとベンゼンスルフィン酸ナトリウム（１４）  ５．５３ｇ、イソプロピルアルコール  ７５ｍｌとを加えて、５時間加熱還流した。室温まで徐冷し、そこへ、６Ｎ‐ＨＣｌ水溶液  ２０ｍｌを加え、３時間攪拌した。その後、減圧下で溶媒を除去し、得られた残渣をトルエン  ５０ｍｌに溶解させた。このトルエン溶液を、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、（Ｅ）‐４‐（２‐フルオロ-４‐（４‐ペンチルシクロヘキシル）フェニル）‐４’‐（プロプ‐1‐エニル）ビシクロヘキサン（Ｎｏ．１２）  ３．３６ｇを得た。化合物（１３）からの収率は４６．１％であった。【０１７２】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、（Ｅ）‐４‐（２‐フルオロ-４‐（４‐ペンチルシクロヘキシル）フェニル）‐４’‐（プロプ‐1‐エニル）ビシクロヘキサン（Ｎｏ．１２）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０１７３】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１２（ｄｄ，１Ｈ），６．９１（ｄｄ，１Ｈ），６．８４（ｄｄ，１Ｈ），５．３５（ｄｑ，１Ｈ），５．２０（ｄｄ，１Ｈ），２．７５（ｍ，１Ｈ），２．４２（ｍ，１Ｈ），１．８６−１．６２（ｍ，１５Ｈ），１．４７−０．９８（ｍ，２４Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．【０１７４】
得られた化合物（Ｎｏ． １２）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｓ  １２．８  ＳＢ  ２０５．０  Ｎ  ２６３．６  Ｉ【０１７５】
化合物（Ｎｏ．１２）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例３で得られた（Ｅ）‐４‐（２‐フルオロ-４‐（４‐ペンチルシクロヘキシル）フェニル）‐４’‐（プロプ‐1‐エニル）ビシクロヘキサン（Ｎｏ．１２）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｄを調製した。得られた液晶組成物Ｄの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．１２）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０１７６】
上限温度（ＴＮＩ）＝１９２．４℃；誘電率異方性（Δε）＝０．８７；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１１７。
これらのことから化合物（Ｎｏ．１２）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例４】
【０１７７】
４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−プロポキシビシクロヘキサン（Ｎｏ．５４）の合成【０１７８】
0005531954.tif 000045
【０１７９】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、水素化ホウ素ナトリウム  ０．９９ｇ、ソルミックス  ４０ｍｌを加え、０℃に冷却した。そこへ、実施例１に記載の方法で合成した４’−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−ビシクロヘキシル−４−オン（６）１０．７ｇをソルミックス  ４０ｍｌに溶解させたソルミックス溶液を水素ガスの発生に注意しながら滴下し、三時間攪拌した。そこへ、飽和塩化アンモニウム水溶液  ２００ｍｌ、酢酸エチル  ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比  トルエン：酢酸エチル＝５：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、ヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−オール（１５）  ８．２ｇを得た。化合物（６）からの収率は７６．６％であった。【０１８０】
第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（１５）  ８．２ｇ、ジメチルスルホキシド  ４０ｍｌ、水素化ナトリウム  １．０ｇを加えて、６０℃に加熱した。1時間攪拌後、そこへ、１−ブロモプロパン（１６）  ２．６ｇをジメチルスルホキシド  ５ｍｌに溶解させたジメチルスルホキシド溶液を滴下し、１２０℃に加熱した。２時間攪拌後、室温まで徐冷し、水  ２００ｍｌ、トルエン  ２００ｍｌとを加え混合し、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、ヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−プロポキシビシクロヘキサン（Ｎｏ．５４）  ２．８ｇを得た。化合物（１２）からの収率は３１．４％であった。【０１８１】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−プロポキシビシクロヘキサン（Ｎｏ．５４）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０１８２】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１０（ｄｄ，１Ｈ），６．９１（ｄｄ，１Ｈ），６．８４（ｄｄ，１Ｈ），３．４１（ｔ，２Ｈ），３．１４（ｍ，１Ｈ），２．７４（ｍ，１Ｈ），２．４１（ｍ，１Ｈ），２．０７（ｄｄ，２Ｈ），１．８９−１．７８（ｍ，１１Ｈ），１．６３−０．８７（ｍ，３０Ｈ）．【０１８３】
得られた化合物（No. ５４）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｓ  ４０．１  SB  ２５１．５  Ｎ  ２９２．１  Ｉ【０１８４】
化合物（Ｎｏ．５４）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例４で得られた４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−プロポキシビシクロヘキサン（Ｎｏ．５４）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｅを調製した。得られた液晶組成物Ｅの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．５４）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０１８５】
上限温度（ＴＮＩ）＝１９９．０℃；誘電率異方性（Δε）＝２．５０；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１１０。
これらのことから化合物（Ｎｏ．５４）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例５】
【０１８６】
４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）−４‘−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１０９）の合成【０１８７】
0005531954.tif 000046
【０１８８】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム  ８．３ｇとＴＨＦ  ２０ｍｌとを加えて、５０℃まで加熱した。そこへ、ＴＨＦ ３００ｍｌに溶解した１−ブロモ−３−フルオロベンゼン（１４） ６０．０ｇを、４０℃から６０℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。その後、ＴＨＦ  １５０ｍｌに溶解した１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン−８−オン（１５）  ６４．３ｇを、５０℃から６０℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却した後、１Ｎ  ＨＣｌ水溶液  ９００ｍｌと酢酸エチル  ５００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、８−（３−フルオロフェニル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン−８−オール（１６）  ７４．６ｇを得た。【０１８９】
第２工程
化合物（１６）  ７４．６ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  ２．２４ｇ、およびトルエン３５０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら３時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  ５００ｍｌとトルエン  １５０ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝７：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ８−（３−フルオロフェニル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デク−７−エン（１７）  ６９．７ｇを得た。化合物（１４）からの収率は８６．８％であった。
【０１９０】
第３工程
トルエン  １５０ｍｌ、ソルミックス  １５０ｍｌとの混合溶媒に化合物（１７）を溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ  ３．４８ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、８−（３−フルオロフェニル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（１８）  ６１．９ｇを得た。化合物（１７）からの収率は８８．１％であった。【０１９１】
第４工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（１８）  ６１．９ｇと蟻酸  １２０ｇ、トルエン  １２０ｍｌとを加えて、３時間加熱還流した。室温まで徐冷し、そこへ、水  ３００ｍｌ、トルエン  ３００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−（３−フルオロフェニル）シクロヘキサノン（１９）４７．２  ｇを得た。化合物（１８）からの収率は９３．７％であった。【０１９２】
第５工程
窒素雰囲気下の反応器へ、水素化ホウ素ナトリウム  ９．８ｇとＴＨＦ  １００ｍｌを加え、０℃に冷却する。そこへ、ＴＨＦ  １００ｍｌに溶解した化合物（１９） ４７．２ｇを水素ガスの発生に注意しながら滴下し、三時間攪拌した。そこへ、飽和塩化アンモニウム水溶液  ４００ｍｌ、酢酸エチル  ４００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝１０：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−（３−フルオロフェニル）シクロヘキサノール（２０）４０．９ｇを得た。化合物（１９）からの収率は８５．７％であった。【０１９３】
第６工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（２０）  ４０．９ｇ、水素化ナトリウム  １１．２ｇ、ジメチルホルムアミド  ２００ｍｌを加えて、６０℃に加熱した。１時間攪拌後、そこへ、ジメチルホルムアミド  ２５０ｍｌに溶解したブロモエタン（２１） ２５．２ｇを滴下し、１２０℃に加熱した。2時間攪拌後、室温まで徐冷し、水  ５００ｍｌ、トルエン  ５００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝２５：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、１−（４−エトキシシクロヘキシル）−３−フルオロベンゼン（２２）  ４３．２ｇを得た。化合物（２０）からの収率は９２．３％であった。【０１９４】
第７工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（２２）  ３０．０ｇとＴＨＦ  ２００ｍｌとを加えて、−７３℃まで冷却した。そこへ、１．０４Ｍ  ｓ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液   １５５．７ｍｌ  を−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに３０分攪拌した。続いて、４−（１，４−ジオキソスピロ［４，５］デカン−８−イル）シクロヘキサノン (２)  ３５．４ｇのＴＨＦ  １００ｍｌ溶液を−７６℃から−６５  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに２０時間攪拌した。その後、反応混合物を塩化アンモニウム  １８．２ｇと氷水  ５００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ６００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、乾燥させ、１−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）−４−（１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン−８−イル）シクロヘキサノール（２３）  ７２．９ｇを得た。【０１９５】
第８工程
化合物（２３）  ７２．９ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  ２．１９ｇ、およびトルエン ３５０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら１．５時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  ７００ｍｌとトルエン  ９００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝７：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ８−（４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）シクロヘキシ−３−エニル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（２４）  ３９．４ｇを得た。化合物（２２）からの収率は７８．８％であった。【０１９６】
第９工程
トルエン  １５０ｍｌ、イソプロピルアルコール  １５０ｍｌとの混合溶媒に化合物（２４）を溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ  ２．３５ｇと炭酸カリウム  ０．４０ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、８−（４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（２５）  ３１．４ｇを得た。化合物（２４）からの収率は６６．４％であった。【０１９７】
第１０工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（２５）  ３１．４ｇと蟻酸  ９０ｇ、トルエン  ９０ｍｌとを加えて、３時間加熱還流した。室温まで徐冷し、そこへ、水  ２００ｍｌ、トルエン  ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４‘−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−ワン（２６）  ７．５１ｇを得た。化合物（２５）からの収率は２６．６％であった。【０１９８】
第１１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、メトキシトリフェニルホスホニウムクロリド（７）  ９．６ｇを加えて５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ３．２ｇ、ＴＨＦ  ５０ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、１時間撹拌した。そこへ化合物(２６)のＴＨＦ  ５０ｍｌ溶液を−４０℃から−３０  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに１７時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ２００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ３００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）−４‘−（メトキシメチレン）ビ（シクロヘキサン）（２７）  ７．６４ｇを得た。化合物（２６）からの収率は９５．１％であった。【０１９９】
第１２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物(２７)  ７．６４ｇ、アセトン  ２５ｍｌとを加えて５０℃に加熱した。そこに６N塩酸  ８ｍｌを滴下し、４０℃〜５０℃の範囲で3時間撹拌した。室温まで徐冷し、そこへ、水  １００ｍｌ、トルエン  １００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４‘−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−カルボアルデヒド（２８）  ２．２９ｇを得た。化合物（２７）からの収率は３１．０％であった。【０２００】
第１３工程
窒素雰囲気下の反応器へ、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（１０）  ２．９６ｇを５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ０．９３ｇ、ＴＨＦ  ５０ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、1時間撹拌した。そこへ化合物(２８)のＴＨＦ  ２０ｍｌ溶液を−４０℃から−３０  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに１４時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ２００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ２００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、ヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）−４‘−ビニルビ（シクロヘキサン）（No.１０９）  １．１３ｇを得た。化合物（２８）からの収率は４９．６％であった。【０２０１】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）−４‘−ビニルビ（シクロヘキサン）（No.１０９）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０２０２】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１２（ｄｄ，１Ｈ），６．９１（ｄｄ，１Ｈ），６．８３（ｄｄ，１Ｈ），５．７８（ｍ，１Ｈ），４．９６（ｍ，１Ｈ），４．８８（ｍ，１Ｈ），３．５５（ｑ，２Ｈ），３．２８（ｍ，１Ｈ），２．７５（ｍ，１Ｈ），２．４７（ｍ，１Ｈ），２．１５（ｍ，２Ｈ）１．９４−１．７９（ｍ，１２Ｈ），１．４９−１．０６（ｍ，１６Ｈ）．【０２０３】
得られた化合物（No.１０９）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ  ５１．８  Ｃ  １０３．５  SB  １３４．９  Ｎ  ２９５．２  Ｉ【０２０４】
化合物（No.１０９）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例１で得られた４−（４−（４−エトキシシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル）−４‘−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１０９）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｆを調製した。得られた液晶組成物Ｆの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．１０９）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０２０５】
上限温度（ＴＮＩ）＝１９８．４℃；誘電率異方性（Δε）＝１．７０；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１３０。
これらのことから化合物（Ｎｏ．１０９）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例６】
【０２０６】
４−（２，３−ジフルオロ−４−（−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ.１４１）の合成【０２０７】
0005531954.tif 000047
【０２０８】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、１，２−ジフルオロベンゼン（２９）  ５８．８ｇとＴＨＦ  ５００ｍｌとを加えて、−７３℃まで冷却した。そこへ、１．０３Ｍ  ｓ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液   ５００．０ｍｌ  を−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて、４−プロピルシクロヘキサノン（３０）  ７２．２ｇのＴＨＦ  ２００ｍｌ溶液を−７６℃から−６５  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに２０時間攪拌した。その後、反応混合物を塩化アンモニウム  ５５．１ｇ、氷水  １０００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  １５００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、１−（２，３−ジフルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサノール（３１）  １１９．６ｇを得た。得られた化合物（３１）は黄色液状物であった。【０２０９】
第２工程
化合物（３１）  １１９．６ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  ５．９８ｇ、およびトルエン  ６００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら３時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  １０００ｍｌとトルエン  １８００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ１，２−ジフルオロ−３−（４−プロピルシクロヘキシ−１−エニル）ベンゼン（３２）  ８９．１ｇを得た。化合物（２９）からの収率は８０．２％であった。【０２１０】
第３工程
トルエン  １８０ｍｌ、ソルミックス  １８０ｍｌとの混合溶媒に化合物（３２）を溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ  ４．４５ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにソルミックスからの再結晶により精製し、乾燥させ、１，２−ジフルオロ−３−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（３３）  ５６．５ｇを得た。化合物（３２）からの収率は６２．９％であった。【０２１１】
第４工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（３３）  ２９．１ｇとＴＨＦ  ２００ｍｌとを加えて、−７３℃まで冷却した。そこへ、１．０３Ｍ  ｓ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液   １４６．７ｍｌ  を−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに３０分攪拌した。続いて、４−（１，４−ジオキソスピロ［４，５］デカン−８−イル）シクロヘキサノン (２)  ３６．１ｇのＴＨＦ  １００ｍｌ溶液を−７６℃から−６５  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに２０時間攪拌した。その後、反応混合物を塩化アンモニウム  １６．２ｇと氷水  ５００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ６００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝５：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、１−（２，３−ジフルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−４−（１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン−８−イル）シクロヘキサノール（３４）  ５５．３ｇを得た。【０２１２】
第５工程
化合物（３４）  ５５．３ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  １．６６ｇ、およびトルエン２８０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら３時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  ５００ｍｌとトルエン  ６００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝７：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ８−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）シクロヘキシ−３−エニル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（３５）  ３９．０ｇを得た。化合物（３３）からの収率は６９．５％であった。【０２１３】
第６工程
トルエン  ８０ｍｌ、イソプロピルアルコール  ８０ｍｌとの混合溶媒に化合物（３５）を溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ  １．９５ｇと炭酸カリウム  ０．３３ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝５：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、８−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）シクロヘキシル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（３６）  ３８．８ｇを得た。化合物（３５）からの収率は９９．１％であった。【０２１４】
第７工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（３６）  ３８．８ｇと蟻酸  １２０ｇ、トルエン  １２０ｍｌとを加えて、３時間加熱還流した。室温まで徐冷し、そこへ、水  ３００ｍｌ、トルエン  ３００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４‘−（２，３−ジフルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−ワン（３７）  ２１．４ｇを得た。化合物（３６）からの収率は６０．９％であった。【０２１５】
第８工程
窒素雰囲気下の反応器へ、メトキシトリフェニルホスホニウムクロリド（７）  ９．８２ｇを加えて５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ３．２４ｇ、ＴＨＦ  １００ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、1時間撹拌した。そこへ化合物(３６)  １０．０８ｇをＴＨＦ  ５０ｍｌに溶解させたＴＨＦ溶液を−４０℃から−３０  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに１７時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ３００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ３００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４‘−（２，３−ジフルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−４‘−（メトキシメチレン）ビ（シクロヘキサン）（３８）  １０．２ｇを得た。化合物（３７）からの収率は９５．６％であった。【０２１６】
第９工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物(３８)  １０．２ｇ、アセトン  ３０ｍｌとを加えて５０℃に加熱した。そこに６N塩酸  １０ｍｌを滴下し、４０℃〜５０℃の範囲で３時間撹拌した。室温まで徐冷し、そこへ、水  ２００ｍｌ、トルエン  ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４‘−（２，３−ジフルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−カルボアルデヒド（３９）  ７．２ｇを得た。化合物（３８）からの収率は７２．４％であった。【０２１７】
第１０工程
窒素雰囲気下の反応器へ、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（１０）  ７．１３ｇを５０℃にて減圧乾燥した。減圧を窒素で戻した後、カリウム−ｔ−ブトキシド  ２．２４ｇ、ＴＨＦ  ５０ｍｌ加えて−４０℃まで冷却し、1時間撹拌した。そこへ化合物(３９)のＴＨＦ  ５０ｍｌ溶液を−４０℃から−３０  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに１４時間攪拌した。その後、反応混合物を水  ２００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ２００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−（２，３−ジフルオロ−４−（−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ.１４１）  ５．１ｇを得た。化合物（３９）からの収率は７１．５％であった。【０２１８】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（２，３−ジフルオロ−４−（−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ.１４１）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０２１９】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８８（ｄｄ，２Ｈ），５．７８（ｍ，１Ｈ），４．９６（ｍ，１Ｈ），４．８８（ｍ，１Ｈ），２．７８（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７９（ｍ，１３Ｈ），１．４８−１．０３（ｍ，２３Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）．【０２２０】
得られた化合物（No. １４１）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ  ６５．９  SB  １３１．２  Ｎ  ２９８．２  Ｉ【０２２１】
化合物（Ｎｏ．１４１）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例６で得られた４−（２，３−ジフルオロ−４−（−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−４’−ビニルビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ.１４１）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｇを調製した。得られた液晶組成物Ｇの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．１４１）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０２２２】
上限温度（ＴＮＩ）＝２２２．６℃；誘電率異方性（Δε）＝−２．４７；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１１２。
これらのことから化合物（Ｎｏ．１４１）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例７】
【０２２３】
４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル−４‘−メトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６３）の合成【０２２４】
0005531954.tif 000048
【０２２５】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、１，２−ジフルオロベンゼン（２９）  ６０．５ｇとＴＨＦ  ５００ｍｌとを加えて、−７３℃まで冷却した。そこへ、１．０６Ｍ  ｓ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液   ５００．０ｍｌ  を−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて、４−ペンチルシクロヘキサノン（４０）  ８９．２ｇのＴＨＦ  ２００ｍｌ溶液を−７６℃から−６５  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに２０時間攪拌した。その後、反応混合物を塩化アンモニウム  ５５．１ｇ氷水  １０００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  １５００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、１−（２，３−ジフルオロフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサノール（４１）  １７３．５ｇを得た。得られた化合物（４１）は淡黄色液状物であった。【０２２６】
第２工程
化合物（４１）  １７３．５ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  ８．６８ｇ、およびトルエン  ９００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら３時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  １０００ｍｌとトルエン １８００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ１，２−ジフルオロ−３−（４−ペンチルシクロヘキシ−１−エニル）ベンゼン（４２）  １１８．１ｇを得た。化合物（２９）からの収率は８４．２％であった。【０２２７】
第３工程
トルエン  ２５０ｍｌ、ソルミックス  ２５０ｍｌとの混合溶媒に化合物（４２）を溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ  ５．９１ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにソルミックスからの再結晶により精製し、乾燥させ、１，２−ジフルオロ−３−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン（４３）  ７９．４ｇを得た。化合物（４２）からの収率は６６．７％であった。【０２２８】
第４工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（４３）  ３０．０ｇとＴＨＦ  ２００ｍｌとを加えて、−７３℃まで冷却した。そこへ、１．０３Ｍ  ｓ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液   １３１．２ｍｌ  を−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに３０分攪拌した。続いて、４−（１，４−ジオキソスピロ［４，５］デカン−８−イル）シクロヘキサノン (２)  ３２．２ｇのＴＨＦ  １００ｍｌ溶液を−７６℃から−６５  ℃の温度範囲で滴下し、２５  ℃に戻しつつ、さらに２０時間攪拌した。その後、反応混合物を塩化アンモニウム  １４．５ｇと氷水  ５００  ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。トルエン  ６００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝５：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、１−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４−（１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン−８−イル）シクロヘキサノール（４４）  ６９．３ｇを得た。【０２２９】
第５工程
化合物（４４）  ６９．３ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸  ２．０１ｇ、およびトルエン３５０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら３時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水  ５００ｍｌとトルエン  ６００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝７：３）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ８−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）シクロヘキシ−３−エニル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（４５）  ３７．１ｇを得た。化合物（４３）からの収率は６７．６％であった。【０２３０】
第６工程
トルエン  ８０ｍｌ、イソプロピルアルコール  ８０ｍｌとの混合溶媒に化合物（４５）を溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ  １．８５ｇと炭酸カリウム  ０．３２ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝５：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、８−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）シクロヘキシル）−１，４−ジオキサスピロ［４，５］デカン（４６）  ３６．７ｇを得た。化合物（４５）からの収率は９８．５％であった。【０２３１】
第７工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（４６）  ３６．７ｇと蟻酸  １２０ｇ、トルエン  １２０ｍｌとを加えて、３時間加熱還流した。室温まで徐冷し、そこへ、水  ３００ｍｌ、トルエン  ３００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝９：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４‘−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−ワン（４７）  １５．３ｇを得た。化合物（４６）からの収率は４５．９％であった。【０２３２】
第８工程
窒素雰囲気下の反応器へ、水素化ホウ素ナトリウム  １．３７ｇとＴＨＦ  ６０ｍｌを加え、0℃に冷却する。そこへ、ＴＨＦ  ６０ｍｌに溶解した化合物（４７） １５．３ｇを水素ガスの発生に注意しながら滴下し、三時間攪拌した。そこへ、飽和塩化アンモニウム水溶液  ３００ｍｌ、酢酸エチル  ３００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 トルエン：酢酸エチル＝５：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、ヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４‘−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−オール（４８）  １２．０ｇを得た。化合物（４７）からの収率は７８．３％であった。
【０２３３】
第９工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（４８）  ５．０ｇ、水素化ナトリウム  ０．５９ｇ、ジメチルホルムアミド  ５０ｍｌを加えて、６０℃に加熱した。１時間攪拌後、そこへ、ジメチルホルムアミド  １０ｍｌに溶解したヨードメタン（４９）  １．７５ｇを滴下し、１２０℃に加熱した。２時間攪拌後、室温まで徐冷し、水  ２００ｍｌ、トルエン  ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝２：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、ヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４‘−メトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６３）  ３．６ｇを得た。化合物（４８）からの収率は７０．０％であった。【０２３４】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４‘−メトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６３）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０２３５】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８８（ｄｄ，２Ｈ），３．３５（ｓ，３Ｈ），３．０７（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｍ，２Ｈ），２．１０（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７９（ｍ，１０Ｈ），１．４５−０．９９（ｍ，２３Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．【０２３６】
得られた化合物（Ｎｏ．１６３）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ  ７１．９  SB  １０３．９  Ｎ  ２６３．０  Ｉ【０２３７】
化合物（Ｎｏ．１６３）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例７で得られた４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）−４‘−メトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６３）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｈを調製した。得られた液晶組成物Ｈの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．１６３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０２３８】
上限温度（ＴＮＩ）＝１９７．９℃；誘電率異方性（Δε）＝−２．７２；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１０３。
これらのことから化合物（Ｎｏ．１６３）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。
【実施例８】
【０２３９】
４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル−４‘−エトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６８）の合成【０２４０】
0005531954.tif 000049
【０２４１】
第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、実施例７に記載の方法で合成した４‘−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）−４−オール（４８）  ５．０ｇ、水素化ナトリウム  ０．５９ｇ、ジメチルホルムアミド  ５０ｍｌを加えて、６０℃に加熱した。１時間攪拌後、そこへ、ジメチルホルムアミド  １０ｍｌに溶解したブロモエタン（４９）  １．３４ｇを滴下し、１２０℃に加熱した。2時間攪拌後、室温まで徐冷し、水  ２００ｍｌ、トルエン  ２００ｍｌとを加え混合し、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られる有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝２：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに、ヘプタンとソルミックスとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル−４‘−エトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６８）  ３．２ｇを得た。化合物（４８）からの収率は５９．５％であった。【０２４２】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル−４‘−エトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６８）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。【０２４３】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８７（ｄｄ，２Ｈ），３．５２（ｑ，２Ｈ），３．１２（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｍ，２Ｈ），２．０７（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７８（ｍ，１０Ｈ），１．４８−０．９９（ｍ，２６Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．【０２４４】
得られた化合物（Ｎｏ．１６８）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｓ  ６３．９  SB  １７６．８  Ｎ  ２８７．８  Ｉ【０２４５】
化合物（Ｎｏ．１６８）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、実施例８で得られた４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル−４‘−エトキシビ（シクロヘキサン）（Ｎｏ．１６８）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｉを調製した。得られた液晶組成物Ｉの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物（Ｎｏ．１６８）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０２４６】
上限温度（ＴＮＩ）＝２１２．６℃；誘電率異方性（Δε）＝−３．０２；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１１５。
これらのことから化合物（Ｎｏ．１６８）は、他の液晶化合物との優れた相溶性を有し、ネマチック相の温度範囲が広く、上限温度（ＴＮＩ）が高い化合物であることがわかった。【０２４７】
実施例１〜８に記載された合成方法と同様の方法により以下に示す、化合物（Ｎｏ．１）〜（Ｎｏ．４９６）を合成することができる。付記したデータは前記した手法に従い、測定した値である。転移温度は化合物自体の測定値であり、上限温度（ＴＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した物性値である。【０２４８】
0005531954.tif 000050
【０２４９】
0005531954.tif 000051
【０２５０】
0005531954.tif 000052
【０２５１】
0005531954.tif 000053
【０２５２】
0005531954.tif 000054
【０２５３】
0005531954.tif 000055
【０２５４】
0005531954.tif 000056
【０２５５】
0005531954.tif 000057
【０２５６】
0005531954.tif 000058
【０２５７】
〔液晶組成物の実施例〕
以下、本発明で得られる液晶組成物を実施例により詳細に説明する。なお、実施例で用いる液晶性化合物は、下記表の定義に基づいて記号により表す。なお、表中、１，４−シクロへキシレンの立体配置はトランス配置である。各化合物の割合（百分率）は、特に断りのない限り、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。各実施例の最後に得られた組成物の特性を示す。【０２５８】
なお、各実施例で使用する液晶性化合物の部分に記載した番号は、上述した本発明の第一成分から第三成分に用いる液晶性化合物を示す式番号に対応をしており、式番号を記載せずに、単に「−」と記載をしている場合には、この化合物はこれら成分には対応をしていないその他の化合物であることを意味している。【０２５９】
化合物の記号による表記方法を以下に示す。【０２６０】
0005531954.tif 000059
【０２６１】
特性の測定は以下の方法にしたがって行った。これらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。【０２６２】
（１）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。以下、ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略することがある。【０２６３】
（２）ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。以下、ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。【０２６４】
（３）光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）
波長が５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により測定した。まず、主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。そして、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときの屈折率（ｎ‖）、および偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときの屈折率（ｎ⊥）を測定した。光学異方性の値（Δｎ）は、（Δｎ）＝（ｎ‖）−（ｎ⊥）の式から算出した。【０２６５】
（４）粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定にはＥ型粘度計を用いた。【０２６６】
（５）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。【０２６７】
同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。【０２６８】
得られたＶＡ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。【０２６９】
また、得られたＴＮ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
この値が負である組成物が、負の誘電率異方性を有する組成物である。【０２７０】
（６）電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）
ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が６μｍであるセルに試料を入れてＴＮ素子を作製した。２５℃において、このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。ＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期（１６．７ミリ秒）における電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。ＴＮ素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。電圧保持率（％）の値は、（電圧保持率）＝（ＴＮ素子がある場合の面積値）／（ＴＮ素子がない場合の面積値）×１００の値から算出した。【０２７１】
このようにして得られた電圧保持率を「ＶＨＲ−１」として示した。つぎに、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。このＴＮ素子を２５℃に戻したあと、上述した方法と同様の方法により電圧保持率を測定した。この加熱試験をした後に得た電圧保持率を「ＶＨＲ−２」として示した。なお、この加熱テストは促進試験であり、ＴＮ素子の長時間耐久試験に対応する試験として用いた。【０２７２】
〔比較例１〕
比較例として、ＲａおよびＲｂがともにアルキルである、４−エチル−４’−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）（Ｅ）を合成した。【０２７３】
0005531954.tif 000060
【０２７４】
トルエン  １５ｍｌ、ソルミックス  １５ｍｌとの混合溶媒に実施例１で得られた４−［２−フルオロ−４−（４−ペンチル−シクロヘキシル）−フェニル］−４’−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．５）１．５ｇを溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ０．２０ｇを加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、比較化合物４−エチル−４’−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）（Ｅ）  ０．７８ｇを得た。化合物（Ｎｏ．５）からの収率は５１．８％であった。【０２７５】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エチル−４’−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）（Ｅ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ３である。【０２７６】
得られた化合物（Ｅ）の転移温度は以下の通りである。
転移温度：Ｓ  ４２．４  ＳＢ  ２０６．２  Ｎ  ２７３．８  Ｉ【０２７７】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１１（ｄｄ，１Ｈ），６．９１（ｄｄ，１Ｈ），６．８４（ｄｄ，１Ｈ），２．７５（ｍ，１Ｈ），２．４１（ｍ，１Ｈ），１．８９−１．７３（ｍ，１２Ｈ），１．４６−０．９５（ｍ，２４Ｈ），０．９０−０．８４（ｍ，８Ｈ）．【０２７８】
比較化合物（Ｅ）の物性
母液晶Ａ ８５重量％と、比較化合物４−エチル−４’−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル）ビ（シクロヘキサン）（Ｅ）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｊを調製した。得られた液晶組成物Ｊの物性を測定し、測定値を外挿することで比較化合物（Ｅ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。【０２７９】
上限温度（ＴＮＩ）＝２０３．０℃；誘電率異方性（Δε）＝０．７７；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１０４。【０２８０】
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−２                        （Ｅ）          １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３−３                （−）          １３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１００）    ８％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１００）  １７％
Ｖ−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ５％
２−ＨＢ−Ｆ                                  （２−２）        ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ４％
３−ＨＨ−Ｖ                                  （１１−１）    ２６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          （３−９７）    １０％
ＮＩ＝９４．３℃；Δｎ＝０．０９１２；Δε＝６．５
比較例として化合物（Ｅ）を１０％含むと、ネマチック相の上限温度（ＮＩ）は９４．３℃、光学異方性（Δｎ）は０．０９１２であった。
【実施例９】
【０２８１】
化合物（Ｎｏ．５）を含む組成物例
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                          （Ｎｏ．５）    １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）      １３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１００）    ８％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１００）  １７％
Ｖ−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ５％
２−ＨＢ−Ｆ                                  （１２−１）      ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ４％
３−ＨＨ−Ｖ                                  （１１−１）    ２６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          （３−９７）    １０％
ＮＩ＝９６．５℃；Δｎ＝０．０９３９；Δε＝６．６
化合物（Ｎｏ．５）を１０％含むと、ネマチック相の上限温度（ＮＩ）は９６．５℃、光学異方性（Δｎ）は０．０９３９であった。【０２８２】
比較例１の組成における比較化合物（Ｅ）を化合物（Ｎｏ．５）に置き換えたものが実施例５である。比較例１と実施例５を比較すると、化合物（Ｎｏ．５）を含むことで、ネマチック相の上限温度（ＮＩ）は２．３％、光学異方性（Δｎ）は３．０％それぞれ上昇した。ＮＩが上昇したことによって、ネマチック相の温度範囲が広がったことにより、幅広い温度領域で表示が可能となった。また、Δｎが上昇したことによって、セル厚を薄くすることによる応答速度を改善する手法で使用可能となり、高速応答用ディスプレイで使用する液晶素子として有用であることが分かった。
【実施例１０】
【０２８３】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）      ５％
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．５）      ５％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）    １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                  （５−１５）      ９％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）      ８％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）      ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                （３−１）        ３％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                              （１２−１）      ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ                              （３−３７）      ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ６％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                            （１２−１６）    ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                            （１２−１６）    ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                            （１２−１６）    ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                        （１２−１７）    ５％
ＮＩ＝１０４．３℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝２３．３；Ｖｔｈ＝１．４９Ｖ；η＝３８．６ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例１１】
【０２８４】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）      ８％
２−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）        ５％
３−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）      １２％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）    １５％
２−ＢＴＢ−１                                （１１−１０）    ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                （３−１）        ４％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                              （１２−１）      ５％
３−ＨＨＢ−３                                （１２−１）    １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ５％
ＮＩ＝１１８．１℃；Δｎ＝０．１１０；Δε＝４．８；Ｖｔｈ＝２．８４Ｖ；η＝２２．６ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例１２】
【０２８５】
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．５）      ５％
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ１                      （Ｎｏ．１２）    ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ８％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ８％
３−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）        ３％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）        ８％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ                                （５−１）        ８％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）      ３％
３−ＨＨ−２Ｖ                                （１１−５）      ３％
３−ＨＨ−２Ｖ１                              （１１−５）      ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                              （１２−１）    １６％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                            （１２−１６）    ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                            （１２−１６）    ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                            （１２−１６）    ５％
ＮＩ＝１０５．４℃；Δｎ＝０．１４１；Δε＝１１．０；Ｖｔｈ＝２．０３Ｖ；η＝２５．４ｍＰａ・ｓｅｃ．
上記組成物１００部に光学活性化合物（Ｏｐ−０５）を０．２５部添加したときのピッチは６１．０μｍであった。
【実施例１３】
【０２８６】
Ｖ−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−３                        （Ｎｏ．２６）    ３％
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ１                      （Ｎｏ．１２）    ３％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ５％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）      １１％
５−ＰｙＢ−Ｃ                                （５−９）        ６％
４−ＢＢ−３                                  （１１−８）      ８％
３−ＨＨ−２Ｖ                                （１１−１）    １０％
５−ＨＨ−Ｖ                                  （１１−１）    １１％
Ｖ−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                              （１２−１）    １２％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ９％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２                            （１２−４）    １０％
３−ＨＨＥＢＨ−３                            （１３−６）      ５％
【実施例１４】
【０２８７】
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．５）    １５％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                  （５−１４）    １２％
３−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）      １８％
２−ＢＴＢ−１                                （１１−１０）  １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ                              （１１−１）      ９％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ７％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１                            （１２−１）      ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１                          （１２−１）    １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                            （１２−１６）    ３％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                            （１２−１６）    ３％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                            （１２−１６）    ４％
ＮＩ＝１０４．５℃；Δｎ＝０．１４５；Δε＝１０．９；Ｖｔｈ＝１．９７Ｖ；η＝２６．１ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例１５】
【０２８８】
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ−Ｖ                （Ｎｏ．１４１）  ７％
５−ＨＢ−ＣＬ                                （２−２）      １６％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）    １２％
３−ＨＨ−５                                  （１１−１）      ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                （３−１）        ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                              （３−１）        ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ                              （３−１）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２３）      ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５                          （１３−１）      ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−６）        ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−６）        ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−６）        ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１５）      ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１５）      ３％
ＮＩ＝１１９．９℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝３．５；Ｖｔｈ＝２．８３Ｖ；η＝２１．７ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例１６】
【０２８９】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）      ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｏ１                      （Ｎｏ．４７）    ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−２４）    ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−２４）    １５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−２７）      ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−６）        ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ                            （４−１７）      ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１５）      ２％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４                          （１３−１）      ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５                          （１３−１）      ４％
【実施例１７】
【０２９０】
３−Ｈ２Ｂ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                      （Ｎｏ．２５４）１０％
５−ＨＢ−Ｆ                                  （２−２）      １２％
６−ＨＢ−Ｆ                                  （２−２）        ９％
７−ＨＢ−Ｆ                                  （２−２）        ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                          （３−１）        ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                          （３−１）        ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                          （３−１）        ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                          （３−１）        ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３                        （３−４）        ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３                        （３−４）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ              （３−３）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３                （３−３）        ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ                        （３−５）        ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２３）      ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２３）      ５％
５−ＨＢＢＨ−３                              （１３−１）      ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３                        （１３−２）      ３％
【実施例１８】
【０２９１】
３−ＨＢ（Ｆ）２ＨＨ−Ｖ                      （Ｎｏ．２６４）１２％
５−ＨＢ−ＣＬ                                （２−２）      １１％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）      ８％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−２４）    １３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−２４）    １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１２）    １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１２）      ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１２）      ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−３９）      ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−３９）      ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−３９）      ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−３）        ６％
【実施例１９】
【０２９２】
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．５）      ４％
２Ｏ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）２ＨＨ−Ｖ２          （Ｎｏ．４４８）  ４％
３−ＨＢ−ＣＬ                                （２−２）        ６％
５−ＨＢ−ＣＬ                                （２−２）        ４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                          （３−１）        ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３                        （３−１３）      ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３                        （３−１９）    １４％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３                （３−２１）      ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３                （３−２１）    １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−２１）      ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ                        （３−２６）      ３％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ                        （３−２６）      ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−３９）      ５％
【実施例２０】
【０２９３】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）      ５％
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ１                      （Ｎｏ．１２）    ４％
５−ＨＢ−ＣＬ                                （２−２）      １７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        （２−４）        ３％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）    １０％
３−ＨＨ−５                                  （１１−１）      ５％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）    １０％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                              （１２−１）      ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ５％
ＮＩ＝８４．８℃；Δｎ＝０．０７８；Δε＝２．６；Ｖｔｈ＝２．３７Ｖ；η＝１８．７ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例２１】
【０２９４】
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．５）      ８％
５−ＨＢ−ＣＬ                                （２−２）        ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                            （２−３）        ７％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）      ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ                              （１１−２）    １５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１２）    １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１２）      ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−１０３）    ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−１０３）    ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１０６）    ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１０６）    ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−１０９）    ７％
ＮＩ＝９１．２℃；Δｎ＝０．０６９；Δε＝５．８；Ｖｔｈ＝２．１０Ｖ；η＝２３．６ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例２２】
【０２９５】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）      ５％
Ｖ−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−３                        （Ｎｏ．２６）    ５％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）      ８％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）      １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （３−１５）      ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−２４）    １５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          （３−９７）    ２５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５                          （１３−１）      ７％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−６）        ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−６）        ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１５）      ４％
【実施例２３】
【０２９６】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）      ３％
Ｖ−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−３                        （Ｎｏ．２６）    ５％
３−ＨＢ―ＣＬ                                （２−２）      １３％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）    １０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ                          （１２−１５）  １０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ                          （１２−１５）  １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−２４）      ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ                              （３−８０）      ８％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ                              （３−８０）      ７％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ                              （３−８０）      ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                        （１３−５）    １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３                        （１３−５）    １０％
【実施例２４】
【０２９７】
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                        （Ｎｏ．３）    １１％
３−ＨＨ−Ｖ                                  （１１−１）    ２２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          （３−９７）    １８％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ３％
２−ＨＢＢ−Ｆ                                （３−２２）      ３％
３−ＨＢＢ−Ｆ                                （３−２２）      ３％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                              （３−１）        ４％
１−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２Ｖ                        （１２−６）      ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２Ｖ                        （１２−６）      ６％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２Ｖ                        （１２−６）      ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ５％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （４−４７）    １２％
ＮＩ＝１０４．３℃；Δｎ＝０．１４３；Δε＝８．６；Ｖｔｈ＝２．０６Ｖ；η＝２７．９ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例２５】
【０２９８】
２Ｏ−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｖ                      （Ｎｏ．１０９）  ４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ−Ｏ１              （Ｎｏ．１６３）  ４％
２−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）        ５％
３−ＨＢ−Ｃ                                  （５−１）      １２％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）    １５％
２−ＢＴＢ−１                                （１１−１０）    ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                （３−１）        ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                              （１２−１）      ５％
３−ＨＨＢ−３                                （１２−１）    １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          （３−２）        ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      （３−３）        ５％
ＮＩ＝１１６．４℃；Δｎ＝０．１０９；Δε＝４．６；Ｖｔｈ＝２．８７Ｖ；η＝２３．０ｍＰａ・ｓｅｃ．
【実施例２６】
【０２９９】
５−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−Ｏ３                      （Ｎｏ．５４）    ７％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ−Ｏ２              （Ｎｏ．１６８）  ３％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）      ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                          （５−１４）    １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                  （５−１５）      ９％
３−ＨＢ−Ｏ２                                （１１−５）      ８％
３−ＨＨ−４                                  （１１−１）      ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                （３−１）        ３％
３−ＨＨＢ−１                                （１２−１）      ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                              （１２−１）      ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ                              （３−３７）      ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ６％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                              （３−１０）      ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                            （１２−１６）    ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                            （１２−１６）    ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                            （１２−１６）    ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                        （１２−１７）    ５％
ＮＩ＝１０２．６℃；Δｎ＝０．１３８；Δε＝２３．１；Ｖｔｈ＝１．４４Ｖ；η＝３８．７ｍＰａ・ｓｅｃ．
【産業上の利用可能性】
【０３００】
本発明の化合物は、化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、液晶相の広い温度範囲、小さな粘度、他の化合物との良好な相溶性、適切な誘電率異方性および屈折率異方性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、低い温度領域から良好な相溶性を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト比、および低い駆動電圧を有するので、時計、電卓、ワ−プロなどのディスプレイに広く利用できる。