(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤を用いることなく、複数の円弧状部材を複数の連結部材によって連結し、リング状に構成されるシリコン製のフォーカスリングであって、
前記各円弧状部材は、
円弧形状に形成された平板部と、
前記平板部の周方向の両側に上方を開放状態に形成された第１の凹部と、
前記平板部の内周側に設けられる共に上方を開放状態に形成された第２の凹部からなる段部と、
前記第１の凹部の底面に形成された凸状嵌合部と、
を有し、
前記各連結部材は、
隣り合う円弧状部材の凹部内に収容される円弧形状の板状本体部と、
前記板状本体部の内周側に設けられる共に上方を開放状態に形成された凹部からなる段部と、
前記板状本体部の下面に形成された、隣り合う円弧状部材の夫々の凸状嵌合部と嵌合する凹状嵌合部と、
を有し、
前記連結部材上面から前記凹状嵌合部の底面までの厚さ寸法が、前記円弧状部材上面から第２の凹部底面までの厚さ寸法より、大きな寸法で形成されていることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項２】
前記連結部材の凹状嵌合部が、隣り合う円弧状部材の平板部の両側端部の端面上方に位置しないように形成されていることを特徴とする請求項１記載のフォーカスリング。
【請求項３】
前記円弧状部材に連結部材が嵌合した状態において、
前記円弧状部材の凸状嵌合部と、前記連結部材の凹状嵌合部との間に、５０μｍ以上、１００μｍ以下の隙間が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のフォーカスリング。
【請求項４】
全ての円弧状部材、及び全ての連結部材の固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以上５Ω・ｃｍ以下であって、
かつ、前記固有抵抗値のばらつきが、円弧状部材及び連結部材の全部材の平均値の±１％以内であること特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフォーカスリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォーカスリングに関し、特にプラズマ処理装置において被処理基板の外側に設けられ、その内周部に被処理基板を載置するフォーカスリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいて、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置が用いられ、被処理基板にエッチング等の処理が行われる。
その際、被処理基板のプラズマ処理を均一にするために、被処理基板の周囲を囲むように、フォーカスリングが配置される。
このフォーカスリングは、被処理基板の外側に設けられ、例えばその内周部に被処理基板を載置することにより、被処理基板の周囲にいわゆる擬似被処理基板（擬似ウエハ）を形成し、当該被処理基板（当該ウエハ）のプラズマ処理を均一になすものである。
【０００３】
前記フォーカスリングはシリコンにより製作され、被処理基板よりも大きな外径を有するリング状に形成される。
一般的には、前記フォーカスリングは単結晶シリコンのインゴットを輪切りにし、円板状部材を切り出し、更に前記円板状部材の中央部分をくりぬくことにより、リング状のフォーカスリングを製作している。
【０００４】
ところで、近年では、被処理基板が大口径化してきており、大口径のフォーカスリングが求められている。
しかしながら、フォーカスリングを製作するには、前記被処理基板の口径（外径）よりも、大きな外径を有する単結晶シリコンのインゴットを製作しなければならず、最大口径の被処理基板の外径を超えるインゴットを製作するのは困難であった。
また、フォーカスリングを製作するために、円板状部材をインゴットから切り出し、リング状にくりぬくため、材料の無駄が多く、製造コストが嵩むという問題があった。
【０００５】
これら問題を解決するものとして、特許文献１において、フォーカスリングを複数に分割して、それら円弧状部材（分割片）を周方向に連結してリング状に組み立てるプラズマ処理装置用シリコンリングが提案されている。
【０００６】
この特許文献１に示されたプラズマ処理装置用シリコンリングについて、図９乃至図１２に基づいて説明する。
このシリコンリング５０は、図９、図１０に示すように、上方に向けた突起部６１を有する第１部材６０と、図９、図１１に示す下方に向けた突起部７１を有する第２部材７０とから構成されている。
そして、第１部材６０と第２部材７０を連結することにより、図９に示すシリコンリング５０を形成している。
【０００７】
前記第１部材６０は、図１０に示すように、円弧形の帯状をなす平板部６２の長さ方向の中間部に、上方に向けた突起部６１が一体に形成されることにより、上向きの突起部６１の両側に、上方を開放状態とした凹部６３が配置されている。
一方、第２部材７０は、図１１に示すように、第１部材６０とは逆に、円弧形の帯状をなす平板部７２の長さ方向の中間部に、下方に向けた突起部７１が一体に形成されることにより、下向きの突起部７１の両側に、下方を開放状態とした凹部７３が配置されている。
【０００８】
そして、これら第１部材６０及び第２部材７０が周方向に沿って交互に並べられることにより、第１部材６０の突起部６１の両側に配置される凹部６３に、第２部材７０の突起部７１の両側に配置される平板部７２の端部（凸部）が係合され、両部材６０，７０の平板部６２，７２どうしが重ね合わせられた状態に連結されている。
【０００９】
このとき、図１２に示すように、第１部材６０及び第２部材７０は、導電性樹脂接着剤などの導電性の接着剤８０によって固着される。
この接着剤８０は、プラズマ対向面Ｆ１に平行な第１部材６０の平板部６２の上面と第２部材７０の平板部７２の下面との重ね合わせ面Ｆ２の間の特定領域内に介在し、第１部材６０及び第２部材７０の突き合わせ面Ｆ３に接着剤が露出しないようになされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−３７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、特許文献１に記載されたシリコンリング５０では、第１部材６０及び第２部材７０の突き合わせ面Ｆ３に接着剤が露出しないようになされているものの、少なからずエッチングガスが侵入する。
また、図１２に示すように、シリコンリング５０の外周側面側においては、接着剤８０が外部に露出している。
更に、図１２に示すように、突き合わせ面Ｆ３を隙間のない緊密接触状態とするため、第１部材６０の平板部６２の端面と第２部材７０の突起部７１の端面との間にはわずかに隙間Ｓ１が形成され、接着剤８０は、その隙間Ｓ１を介して外部に露出している。
【００１２】
このように、プラズマ対向面に露出する第１部材６０及び第２部材７０の相互の突合せ面Ｆ３以外でも、接着剤が露出しているシリコンリングをフォーカスリングとして、プラズマ処理装置に用いると、前記接着剤が分解され、ガスの放出が起こり、異常な放電（アーキング）が生じるという技術的課題があった。
【００１３】
また、第２部材７０の突起部７１は、図９、図１２に示すように、シリコンリング５０下面の一部を構成している。
この突起部７１の加工精度が悪い場合には、シリコンリング５０の下面に凹部が形成され、架台（支持テーブル）に接しない部分が生じる。
一方、前記架台（支持テーブル）は、被処理基板（ウエハ）の処理面が一定の温度に制御されるように、温度管理されている。
【００１４】
前記したように突起部７１の加工精度が悪く、前記突起部７１が架台（支持テーブル）に接しない場合には、シリコンリングの円周方向での熱伝導性が不均一となる。
即ち、このシリコンリングをフォーカスリングとして用いた場合には、均熱性が劣り、プラズマ処理装置内の円周方向でのプラズマ環境の不均一化が生じ、プラズマ処理に対する被処理基板の均一な処理が困難になるという技術的課題があった。
【００１５】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、接着剤を用いないフォーカスリングであって、プラズマ処理装置内で用いられた際に、異常放電を抑制し、円周方向でのプラズマ環境の均一性が得られるフォーカスリングを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記した課題を解決するためになされた本発明にかかるフォーカスリングは、接着剤を用いることなく、複数の円弧状部材を複数の連結部材によって連結し、リング状に構成されるシリコン製のフォーカスリングであって、前記各円弧状部材は、円弧形状に形成された平板部と、前記平板部の周方向の両側に上方を開放状態に形成された第１の凹部と、前記平板部の内周側に設けられる共に上方を開放状態に形成された第２の凹部からなる段部と、前記第１の凹部の底面に形成された凸状嵌合部と、を有し、前記各連結部材は、隣り合う円弧状部材の凹部内に収容される円弧形状の板状本体部と、前記板状本体部の内周側に設けられる共に上方を開放状態に形成された凹部からなる段部と、前記板状本体部の下面に形成された、隣り合う円弧状部材の夫々の凸状嵌合部と嵌合する凹状嵌合部と、を有し、前記連結部材上面から前記凹状嵌合部の底面までの厚さ寸法が、前記円弧状部材上面から第２の凹部底面までの厚さ寸法より、大きな寸法で形成されていることを特徴としている。
【００１７】
このように接着剤が用いられていないため、接着剤が分解されることにより生じるガスの放出を抑制し、異常な放電（アーキング）を抑制することができる。
【００１８】
また、円弧形状に形成された平板部の両側端部が互いに接してリング状に配置され、円弧状部材の下面全面が、架台（支持テーブル）に接するようになされるため、均熱性に優れ、被処理基板の均一な処理を行うことができる。
【００１９】
また、本発明にかかるフォーカスリングは、円弧状部材の平板部の第１の凹部底面に形成された凸状嵌合部と、連結部材の下面に形成された凹状嵌合部よって、各円弧状部材を周方向に連結する構造を備えている。
そのため、円弧状部材と連結部材の間にエッチングガスが侵入し、円弧状部材と連結部材の水平方向当接面がエッチングガスで侵食された場合にも、前記嵌合部までエッチングガスが侵入し続けることがなく、円弧状部材と連結部材の上面は、常に許容範囲内で同一平面上の位置に維持される。
その結果、プラズマ処理装置内の円周方向のプラズマ環境を均一に維持し続けることができ、また円弧状部材の平板部の角部が表面に露出することによる、異常な放電（アーキング）を防止することができる。
【００２０】
更に、前記連結部材上面から前記凹状嵌合部の底面までの厚さ寸法が、前記円弧状部材上面から第２の凹部底面までの厚さ寸法より、大きな寸法で形成されているため、エッチング等により円弧状部材上面および連結部材上面が消耗した場合にも、前記連結部材の上面に前記凹状嵌合部が露呈し、凹状嵌合部が開放されることがなく、異常な放電（アーキング）を抑止することができる。
【００２１】
ここで、前記連結部材の凹状嵌合部が、隣り合う円弧状部材の平板部の両側端部の端面上方に位置しないように形成されていることが望ましい。
このように、連結部材の凹状嵌合部（肉薄部）が、円弧状部材の平板部の両側端部の端面上方に形成されていないため、連結部材の耐久性をより向上させることができる。
【００２２】
また、前記円弧状部材に連結部材が嵌合した状態において、前記円弧状部材の凸状嵌合部と、前記連結部材の凹状嵌合部との間に、５０μｍ以上、１００μｍ以下の隙間が形成されていることが望ましい。
このような隙間とすることによって、円弧状部材と連結部材の嵌合部内へのエッチングガスの連続的侵入をより抑制でき、円弧状部材と連結部材の上面位置を、許容範囲内で同一平面上に維持することができる。
その結果、プラズマ処理装置内の円周方向のプラズマ環境を均一に維持することができる。
【００２３】
また、全ての円弧状部材、及び全ての連結部材の固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以上５Ω・ｃｍ以下であって、かつ、前記固有抵抗値のばらつきが、円弧状部材及び連結部材の全部材の平均値の±１％以内であることが好ましい。
このように、全ての円弧状部材及び全ての連結部材の固有抵抗値を均一化することにより、プラズマ放電をより均一化することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、接着剤を用いないフォーカスリングであって、機械的強度を高め、均熱性をより向上させたフォーカスリングを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の実施形態を示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態の一部を構成する円弧状部材を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態を示す分解斜視図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態の周方向に沿う、連結部材と円弧状部材の断面を示す一部断面図である。
【図５】図５は、本発明のフォーカスリングの具体的形状を示す図である。
【図６】図６は、本発明の円弧状部材の具体的形状を示す図である。
【図７】図７は、本発明の連結部材の具体的形状を示す図である。
【図８】図８は、本発明の連結部材の斜視図である。
【図９】図９は、従来のシリコンリングを示す斜視図である。
【図１０】図１０は、従来のシリコンリングの第１の部材を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、従来のシリコンリングの第２の部材を示す斜視図である。
【図１２】図９の周方向の側面の一部を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明にかかるフォーカスリングの実施形態について、図１乃至図３に基づいて説明する。
このフォーカスリング１は、例えば、内径が４５０ｍｍ、外径が５５０ｍｍ、厚さが７ｍｍ（特に、有効な範囲は、内径が２９０ｍｍ〜４４８ｍｍ、外径が３５０ｍｍ〜５５０ｍｍ、厚さが２ｍｍ〜１０ｍｍ）の大きさを有している。
【００２７】
図１に示すように、このフォーカスリング１は、４つの円弧状部材１０と、前記円弧状部材を連結する４つの連結部材２０とで構成され、接着剤を用いることなく、前記円弧状部材１０を前記連結部材２０によって連結し、リング状に形成される。
このように、接着剤を用いることなく、前記円弧状部材１０を前記連結部材２０によって連結し、リング状に形成するのは、接着剤が分解されることにより生じるガスの放出を抑制し、異常な放電（アーキング）を抑制することにある。
【００２８】
また、前記円弧状部材１０と前記連結部材２０は、単結晶シリコンあるいは多結晶シリコンのシリコンで形成されている。
尚、多結晶シリコンの場合は、プロセス時の発塵（パーティクル）発生原因になり得るため、単結晶シリコンで形成することがより好ましい。
【００２９】
前記円弧状部材１０は、図２に示すように、円弧形状に形成された平板部１１と、前記平板部１１の周方向の両側に上方を開放状態に形成された第１の凹部１２を有している。
また、前記円弧状部材１０は、前記平板部１１の内周側に設けられる共に上方を開放状態に形成された第２の凹部からなる段部１３と、前記第１の凹部１２の底面に形成された凸状嵌合部１４とを有している。
【００３０】
尚、前記段部１３は、被処理基板を支持する段部被処理基板支持部として用いても良い。また、図２では、上述の効果を得るために最適な実施形態として、夫々の凸状嵌合部１４が２つの円柱状の突起である場合を図示しているが、特にこれに限定されるものではなく、夫々の凸状嵌合部１４が１つの突起でも良く、また２以上の突起であっても良い。また、凸状嵌合部１４の断面形状が、円形以外の矩形形状、楕円形状等の形状であっても良い。
【００３１】
前記円弧状部材１０をリング状に形成する際、前記円弧形状に形成された平板部１１の両側端面１５は、図３に示すように、隣り合う円弧形状に形成された平板部１１の両側端面１５に接して配置される。
このように、円弧形状に形成された平板部１１の両側端部が互いに接してリング状に配置されるため、円弧状部材１０の下面が、架台（支持テーブル）に接する。
【００３２】
前記フォーカスリング１は、上記したような従来のシリコンリング５０のような第１部材６０と第２部材７０が交互に架台（支持テーブル）に接する構成でない。
そのため、第２部材７０の突起部７１に求められる程の高精度な加工は必ずしも必要でなく、また円弧状部材１０の下面全面（フォーカスリング１の下面全面）が架台（支持テーブル）に接するため、従来のシリコンリング５０に比べて、円弧状部材１０の円周方向での熱伝導性をより均一になすことができ、被処理基板のより均一な処理を行うことができる。
【００３３】
また、従来のシリコンリング５０では、第１部材６０と第２部材７０が交互に配置されているため、円周方向の熱伝導は、不連続な第１部材６０と第２部材７０を介してなされるため、円周方向の熱伝導性が均一になすことは困難である。
これに対して、前記フォーカスリング１にあっては、隣り合う円弧形状に形成された平板部１１の両側端面１５が接し、しかも円弧状部材１０の下面が架台（支持テーブル）に接するため、円周方向の熱伝導性をより均一になすことができる。
【００３４】
また、前記連結部材２０は、図３に示すように、隣り合う円弧状部材１０、１０の凹部１２、１２内に収容される円弧形状の板状本体部２１と、前記板状本体部２１の内周側に設けられる共に上方を開放状態に形成された凹部からなる段部２２とを有している。
【００３５】
前記連結部材２０における段部２２を構成する凹部底面２２ａと、前記円弧状部１０における段部１３を構成する凹部底面１３ａは同一の高さに形成されており、前記段部１３及び前記段部２を、被処理基板の全周を支持する被処理基板支持部とすることもできるように構成されている。
【００３６】
また、前記本体部２１の下面には、隣り合う円弧状部材１０，１０の夫々の凸状嵌合部１４，１４と嵌合する凹状嵌合部２３，２３とが形成されている。
このように、前記連結部材２０側に凹状嵌合部２３を形成し、前記円弧状部材１０側に凸状嵌合部１４が形成されているのは以下の理由による。
【００３７】
上記構成により、図４に示すように、円弧状部材１０と連結部材２０の間にエッチングガスが侵入し、円弧状部材１０と連結部材２０の水平方向当接面（円弧状部材１０の第１の凹部１２底面１２ａと、第１の凹部１２底面１２ａに接する連結部材２０の下面２０ａ）がエッチングガスで侵食された場合にも、前記嵌合部まで（凸状嵌合部１４の上面１４ａと凹状嵌合部２３底面２３ａまで）エッチングガスが侵入し続け、前記凸状嵌合部１４の上面１４ａと前記凹状嵌合部２３底面２３ａを侵食し続けることがない。
即ち、嵌合部の内部まで、エッチングガスが侵入すると、前記エッチングガスは滞留し、新たなエッチングガスが流入することがないために、嵌合部（凸状嵌合部１４の上面１４ａと凹状嵌合部２３底面２３ａ）内でのエッチングはほとんど進行しない。
【００３８】
その結果、円弧状部材１０と連結部材２０の上面を、常に許容範囲内で同一平面上の位置に維持することができる。そして、円弧状部材１０と連結部材２０の上面を、常に許容範囲内で同一平面上の位置に維持できる結果、プラズマ処理装置内の円周方向のプラズマ環境を均一に維持し続けることができ、また円弧状部材１０の平板部１１の角部Ｘが表面に露出することによる、異常な放電（アーキング）を防止することができる。
尚、図３では、前記凹状嵌合部２３として、上述の効果を得るために最適な実施形態として、４つの断面形状が円形の凹部である場合を図示しているが、特にこれに限定されるものではなく、隣り合う円弧状部材１０，１０の夫々の凸状嵌合部１４，１４に対応した数の凹部であればよい。
また凹状嵌合部２３の断面形状は円形以外の矩形形状、楕円形状等の形状であっても良い。
【００３９】
また、図４に示すように、前記連結部材２０上面から前記凹状嵌合部２３の底面までの厚さ寸法ｄ２が、前記円弧状部材１０上面から第２の凹部底面１３ａまでの厚さ寸法ｄ１より、大きな寸法で形成されている。
【００４０】
フォーカスリングは使用に応じて徐々に消耗する。前記消耗の結果、前記連結部材２０の上面に前記凹状嵌合部２３が露呈し、凹状嵌合部２０が開放されると、異常な放電（アーキング）が生じる。
これを抑制するために、厚さ寸法ｄ２が、厚さ寸法ｄ１より、大きな寸法で形成されているのが好ましい。また，前記連結部材２０が消耗することにより、前記連結部材２０の肉厚が薄くなり、前記円弧状部材１０から脱落しやすくなる。これを抑制するために、厚さ寸法ｄ２が、厚さ寸法ｄ１より、大きな寸法で形成されているのが好ましい。
【００４１】
また、前記連結部材２０の前記凹状嵌合部２３は、図４に示すように、隣り合う円弧形状に形成された円弧状部材１０（平板部１１）の両側端面１５上に形成されないようにするのが良い。
【００４２】
隣り合う円弧形状に形成された円弧状部材１０（平板部１１）の周方向の両側端面１５が接する部分には、少なからず隙間Ｓ２が生じ、前記隙間Ｓ２を介してエッチングガスが侵入し、前記連結部材２０の下面をエッチングする。一方、前記連結部材２０の上面もエッチングされる。
そのため、厚さ寸法の小さな凹状嵌合部２３が隙間Ｓ２（円弧状部材１０の両側端面１５が接する部分）の上方に位置させることは好ましくない。
【００４３】
また、前記円弧状部材１０の凸状嵌合部１４の直径ｌ１と、前記連結部材２０の凹状嵌合部２３の直径ｌ２との差が、５０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。即ち、前記凸状嵌合部１４と前記凹状嵌合部２３との間に、５０μｍ以上、１００μｍ以下の隙間が形成されているのが好ましい。
このような隙間とすることによって、円弧状部材と連結部材の嵌合部内へのエッチングガスの連続的侵入をより効果的に抑制でき、円弧状部材と連結部材の上面位置を、許容範囲内で同一平面上に維持することができる。
その結果、プラズマ処理装置内の円周方向のプラズマ環境を均一に維持することができる。
【００４４】
また、全ての円弧状部材１０及び全ての連結部材２０の固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以上５Ω・ｃｍ以下であって、かつ、前記固有抵抗値のばらつきが、円弧状部材１０及び連結部材２０の全部材の平均値の±１％以内であることが好ましい。
このように、全ての円弧状部材１０及び全ての連結部材２０の固有抵抗値を均一化することにより、プラズマ放電をより均一化することができる。
したがって、シリコン単結晶インゴットのネック部側をテール部側では固有抵抗値が変わるため、全ての円弧状部材１０及び全ての連結部材２０は、同一のインゴットから切り出した、同一の円板状部材から製作するのが好ましい。
【００４５】
次に、本発明にかかるフォーカスリングの製造方法について説明する。
まず、ＣＺ法により、石英ルツボに、原料多結晶シリコンをチャージし、ボロンをドープし、直径４３０ｍｍ、Ｐ型Ｂドープ、固有抵抗値が１．７Ω・ｃｍのシリコン単結晶インゴットを引き上げる。
その後、前記インゴットのネック部、クラウン部を切断し、直胴部から厚さ４ｍｍの円板状部材をバンドソーで切り出す。
そして、前記円板状部材から、前記円弧状部材及び前記連結部材をマシニングセンターで切り出す。このとき、前記円弧状部材及び前記連結部材の全ての部材を同一の円板状部材から切り出すのが好ましい。
【００４６】
切り出された前記円弧状部材及び前記連結部材を、図１〜図３に示される各部材の所定の形状に加工した後、脱脂洗浄を行い、更に、前記円弧状部材及び前記連結部材の表面に対して、ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨによりエッチングを施し、加工により生じたダメージ層を除去する、いわゆるケミカルポリッシュを行う。
【００４７】
前記ケミカルポリッシュの後、組立て検査を行い、良好である場合には、ＨＦ洗浄を行うことによって、前記円弧状部材及び前記連結部材の完成品が製造される。
そして、フォーカスリングとして使用する際に、前記円弧状部材、前記連結部材を組立て、フォーカスリングを形成する（組立後のフォーカスリングの寸法は、内径４５５ｍｍ、外径５２０ｍｍのリング形状であり、４ｍｍの厚さを有していた）。また、円弧状部材と連結部材の隙間は、図４に示されるｌ１−ｌ２ですべて６５〜７８μｍの範囲であり、また、各部材のの固有抵抗値は１．７Ωｃｍ±１％内の値であった。
【００４８】
尚、上記実施形態では、フォーカスリング１が４つの円弧状部材１０と、前記円弧状部材１０を連結する４つの連結部材２０とで構成されている場合を例にとって説明したが、特に限定されるものでなく、夫々３つ以上に部材で構成されていれば良い。
２つの円弧状部材１０と２つの連結部材２０とで構成する場合には、これら部材を切り出す円板状部材の径を小さくすることができず、そのためインゴットも大口径のインゴットを製作しなければならないため、好ましくない。
【００４９】
また、前記円弧状部材、前記連結部材は消耗品であり、交換部品として夫々単体でも販売されるが、その際には、交換する部材の固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以上５Ω・ｃｍ以下であって、他の部材との固有抵抗値の平均値の±１％以内であるものを選択することが好ましい。
【実施例】
【００５０】
図６乃至図８に、前記フォーカスリング、及び前記フォーカスリングを構成する前記円弧状部材、前記連結部材の具体的形状を示す。
図５の（ａ）はフォーカスリングの平面を示す平面図であり、（ｂ）はフォーカスリングの正面を示す正面図であり、（ｃ）はフォーカスリングの左側面を示す左側面図であり、（ｄ）はフォーカスリングの右側面を示す右側面図であり、（ｅ）はフォーカスリングの背面を示す背面図であり、（ｆ）はフォーカスリングの底面を示す底面図であり、（ｇ）は（ｄ）の一点鎖線で示した部分の拡大図である。
【００５１】
図６の（ａ）は円弧状部材の平面を示す平面図であり、（ｂ）は円弧状部材の正面を示す正面図であり、（ｃ）は円弧状部材の左側面を示す左側面図であり、（ｄ）は円弧状部材の右側面を示す右側面図であり、（ｅ）は円弧状部材の背面を示す背面図であり、（ｆ）は円弧状部材の底面を示す底面図である。
【００５２】
図７の（ａ）は連結部材の平面を示す平面図であり、（ｂ）は連結部材の正面を示す正面図であり、（ｃ）は連結部材の左側面を示す左側面図であり、（ｄ）は連結部材の右側面を示す右側面図であり、（ｅ）は連結部材の背面を示す背面図であり、（ｆ）は連結部材の底面を示す底面図である。また、図８は連結部材の斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
１      フォーカスリング
１０    円弧状部材
１１    平板部
１２    第１の凹部
１２ａ  第１の凹部底面
１３    段部（第２の凹部）
１３ａ  第２の凹部底面
１４    凸状嵌合部
１４ａ  凸状嵌合部上面
１５    平板部の端面
２０    連結部材
２０ａ  連結部材下面
２１    板状本体部
２２    段部（凹部）
２２ａ  凹部底面
２３    凹状嵌合部
２３ａ  凹状嵌合部底面
ｄ１    円弧状部材上面から第２の凹部底面までの厚さ寸法
ｄ２    連結部材上面から前記凹状嵌合部の底面までの厚さ寸法
Ｘ      円弧状部材平板部の角部
【要約】      （修正有）【課題】プラズマ処理装置内で用いられた際に、異常放電を抑制し、円周方向でのプラズマ環境の均一性が得られるフォーカスリングを提供する。【解決手段】接着剤を用いることなく、複数の円弧状部材１０を複数の連結部材２０によって連結し、リング状に構成されるシリコン製のフォーカスリングであって、前記連結部材２０上面から前記凹状嵌合部２３の底面２３ａまでの厚さ寸法ｄ２が、前記円弧状部材１０上面から第２の凹部底面１３ａまでの厚さ寸法ｄ１より、大きな寸法で形成されている。【選択図】図４【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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