(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
前記主磁極を収容する収容部を含む収容層と、
光を伝播させるコアとクラッドとを有する導波路と、
前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記コアを伝播する光に基づいてプラズモンが励起され、このプラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生するプラズモンジェネレータと、
上面を有する基板とを備え、
前記基板の上面の上方に、前記主磁極、収容層、導波路およびプラズモンジェネレータが配置され、
前記コアは、前記媒体対向面に向いた端面であって前記媒体対向面から離れた位置に配置された端面を有し、前記プラズモンジェネレータに対して、前記基板の上面からより遠い側に配置され、
前記主磁極は、前記媒体対向面に配置された前端面と、前記前端面とは反対側の後端面とを有し、前記コアの端面と前記媒体対向面との間に配置され、
前記収容層は、前記収容部に面する壁面であって、前記主磁極の後端面の形状を規定する壁面を有し、
前記主磁極の前端面は、前記基板の上面により近い第１の端部と、基板の上面からより遠い第２の端部とを有し、前記第１の端部は第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい熱アシスト磁気記録ヘッドにおける前記主磁極を形成する方法であって、
上面を有する初期収容層を形成する工程と、
前記初期収容層の上面上に、第１の開口部を有する第１のエッチングマスクを形成する工程と、
前記第１のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって前記初期収容層をエッチングして、前記初期収容層に溝部を形成する第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程の後で、前記初期収容層の上面上に、第２の開口部を有する第２のエッチングマスクを形成する工程と、
前記初期収容層が前記収容層になり、前記溝部が前記収容部になるように、前記第２のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって前記初期収容層における前記溝部を含む部分をエッチングする第２のエッチング工程と、
前記収容部内に前記主磁極を形成する工程とを含み、
前記第１のエッチングマスクは、前記第１の開口部に面する第１および第２の側壁を有し、前記第１および第２の側壁はトラック幅方向について第１の間隔をあけて対向し、
前記第２のエッチングマスクは、前記第２の開口部に面する第３および第４の側壁を有し、前記第３および第４の側壁は、トラック幅方向について前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔をあけて対向し、
前記収容部の前記媒体対向面に平行な任意の断面において、前記基板の上面に最も近い端は、前記基板の上面から最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さいことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極の形成方法。
【請求項２】
主磁極の形成方法は、更に、前記第１のエッチングマスクを形成する工程の前に、前記初期収容層の上面上に、前記収容層の前記壁面の位置を規定するための第３のエッチングマスクを形成する工程を含み、
前記第１のエッチング工程は、前記第１のエッチングマスクと第３のエッチングマスクを用いて前記初期収容層をエッチングし、
前記第２のエッチング工程は、前記第２のエッチングマスクと第３のエッチングマスクを用いて前記初期収容層をエッチングすることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極の形成方法。
【請求項３】
前記収容層の前記壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、１０°以下であることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極の形成方法。
【請求項４】
前記収容層は、前記コアを兼ねていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極の形成方法。
【請求項５】
前記収容層は、前記クラッドを兼ねていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極の形成方法。
【請求項６】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
前記主磁極を収容する収容部を含む収容層と、
光を伝播させるコアとクラッドとを有する導波路と、
前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記コアを伝播する光に基づいてプラズモンが励起され、このプラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生するプラズモンジェネレータと、
上面を有する基板とを備え、
前記基板の上面の上方に、前記主磁極、収容層、導波路およびプラズモンジェネレータが配置され、
前記コアは、前記媒体対向面に向いた端面であって前記媒体対向面から離れた位置に配置された端面を有し、前記プラズモンジェネレータに対して、前記基板の上面からより遠い側に配置され、
前記主磁極は、前記媒体対向面に配置された前端面と、前記前端面とは反対側の後端面とを有し、前記コアの端面と前記媒体対向面との間に配置され、
前記収容層は、前記収容部に面する壁面であって、前記主磁極の後端面の形状を規定する壁面を有し、
前記主磁極の前端面は、前記基板の上面により近い第１の端部と、基板の上面からより遠い第２の端部とを有し、前記第１の端部は第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい熱アシスト磁気記録ヘッドを製造する方法であって、
前記プラズモンジェネレータを形成する工程と、
前記プラズモンジェネレータの形成後に前記導波路を形成する工程と、
前記プラズモンジェネレータの形成後に前記収容層および主磁極を形成する工程とを含み、
前記収容層および主磁極を形成する工程は、
上面を有する初期収容層を形成する工程と、
前記初期収容層の上面上に、第１の開口部を有する第１のエッチングマスクを形成する工程と、
前記第１のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって前記初期収容層をエッチングして、前記初期収容層に溝部を形成する第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程の後で、前記初期収容層の上面上に、第２の開口部を有する第２のエッチングマスクを形成する工程と、
前記初期収容層が前記収容層になり、前記溝部が前記収容部になるように、前記第２のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって前記初期収容層における前記溝部を含む部分をエッチングする第２のエッチング工程と、
前記収容部内に前記主磁極を形成する工程とを含み、
前記第１のエッチングマスクは、前記第１の開口部に面する第１および第２の側壁を有し、前記第１および第２の側壁はトラック幅方向について第１の間隔をあけて対向し、
前記第２のエッチングマスクは、前記第２の開口部に面する第３および第４の側壁を有し、前記第３および第４の側壁は、トラック幅方向について前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔をあけて対向し、
前記収容部の前記媒体対向面に平行な任意の断面において、前記基板の上面に最も近い端は、前記基板の上面から最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さいことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記収容層および主磁極を形成する工程は、更に、前記第１のエッチングマスクを形成する工程の前に、前記初期収容層の上面上に、前記収容層の前記壁面の位置を規定するための第３のエッチングマスクを形成する工程を含み、
前記第１のエッチング工程は、前記第１のエッチングマスクと第３のエッチングマスクを用いて前記初期収容層をエッチングし、
前記第２のエッチング工程は、前記第２のエッチングマスクと第３のエッチングマスクを用いて前記初期収容層をエッチングすることを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記収容層の前記壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、１０°以下であることを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記収容層は、前記コアを兼ねていることを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記収容層は、前記クラッドを兼ねていることを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録ヘッドにおける主磁極の形成方法、および熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。
【０００３】
磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。
【０００４】
上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して記録磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。
【０００５】
熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、レーザ光によって励起されたプラズモンから近接場光を発生する金属片であるプラズモンジェネレータを用いる方法が知られている。また、一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモンジェネレータに導かれる。
【０００６】
特許文献１には、導波路を伝播する光を、プラズモンジェネレータに対して、緩衝部を介して表面プラズモンモードで結合させて、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１６０８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、記録磁界を発生する主磁極と、上記導波路およびプラズモンジェネレータを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドでは、媒体対向面の近傍の非常に小さな領域内に、主磁極と、導波路のコアの一部と、プラズモンジェネレータとを配置することが要求される。
【０００９】
上記の要求に応えるための熱アシスト磁気記録ヘッドの構成としては、プラズモンジェネレータに対して、基板の上面からより遠い側にコアが配置され、コアは媒体対向面に向いた端面であって媒体対向面から離れた位置に配置された端面を有し、このコアの端面と媒体対向面との間に主磁極が配置された構成が考えられる。
【００１０】
上記の構成では、主磁極は、媒体対向面に配置された端面である前端面と、それとは反対側の端面である後端面とを有する。上記の構成を採用する場合には、主磁極の前端面のうち、プラズモンジェネレータにより近い部分から局所的に大きな記録磁界が発生することが求められる。そのためには、主磁極の前端面の形状としては、基板の上面により近い第１の端部が、基板の上面からより遠い第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状であることが好ましい。
【００１１】
また、上記の構成を採用する場合には、コアを伝播する光が効率よく近接場光に変換されることが求められる。そのためには、媒体対向面に向いたコアの端面をできるだけ媒体対向面に近づけ、プラズモンジェネレータにおける表面プラズモンの励起をできるだけ媒体対向面の近くで行わせることが好ましい。また、コアの端面と主磁極の後端面との接触面積が大きいと、コアを伝播する光のうち主磁極に吸収される光の割合が多くなることから、コアの端面と主磁極の後端面との接触面積をできるだけ小さくすることが好ましい。これらを考慮すると、主磁極の後端面は、基板の上面に対して垂直またはほぼ垂直であることが好ましい。
【００１２】
以上のことから、上記の構成を採用する場合には、主磁極としては、後端面が基板の上面に対して垂直またはほぼ垂直であって、前端面において、前記第１の端部が第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状のものであるものが好ましい。しかしながら、このような形状の主磁極を形成することは容易ではない。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、プラズモンジェネレータに対して、基板の上面からより遠い側に導波路のコアが配置され、コアは、媒体対向面に向いた端面であって媒体対向面から離れた位置に配置された端面を有し、このコアの端面と媒体対向面との間に主磁極が配置された構成の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、後端面が基板の上面に対して垂直またはほぼ垂直で、前端面において、基板の上面により近い第１の端部が、基板の上面からより遠い第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状の主磁極を容易に形成できるようにした主磁極の形成方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の第２の目的は、プラズモンジェネレータに対して、基板の上面からより遠い側に導波路のコアが配置され、コアは、媒体対向面に向いた端面であって媒体対向面から離れた位置に配置された端面を有し、このコアの端面と媒体対向面との間に主磁極が配置された構成の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法であって、後端面が基板の上面に対して垂直またはほぼ垂直で、前端面において、基板の上面により近い第１の端部が、基板の上面からより遠い第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状の主磁極を容易に形成できるようにした熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の主磁極の形成方法および熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法が適用される熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、主磁極を収容する収容部を含む収容層と、光を伝播させるコアとクラッドとを有する導波路と、プラズモンジェネレータと、上面を有する基板とを備えている。主磁極、収容層、導波路およびプラズモンジェネレータは、基板の上面の上方に配置されている。プラズモンジェネレータは、媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、コアを伝播する光に基づいてプラズモンが励起され、このプラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生するものである。
【００１６】
コアは、媒体対向面に向いた端面であって媒体対向面から離れた位置に配置された端面を有し、プラズモンジェネレータに対して、基板の上面からより遠い側に配置されている。主磁極は、媒体対向面に配置された前端面と、前端面とは反対側の後端面とを有し、コアの端面と媒体対向面との間に配置されている。収容層は、収容部に面する壁面であって、主磁極の後端面の形状を規定する壁面を有している。主磁極の前端面は、基板の上面により近い第１の端部と、基板の上面からより遠い第２の端部とを有し、第１の端部は第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい。
【００１７】
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、プラズモンジェネレータを形成する工程と、プラズモンジェネレータの形成後に導波路を形成する工程と、プラズモンジェネレータの形成後に収容層および主磁極を形成する工程とを含んでいる。
【００１８】
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における収容層および主磁極を形成する工程、あるいは本発明の主磁極の形成方法は、
上面を有する初期収容層を形成する工程と、
初期収容層の上面上に、第１の開口部を有する第１のエッチングマスクを形成する工程と、
第１のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって初期収容層をエッチングして、初期収容層に溝部を形成する第１のエッチング工程と、
第１のエッチング工程の後で、初期収容層の上面上に、第２の開口部を有する第２のエッチングマスクを形成する工程と、
初期収容層が収容層になり、溝部が収容部になるように、第２のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって初期収容層における溝部を含む部分をエッチングする第２のエッチング工程と、
収容部内に主磁極を形成する工程とを含んでいる。
【００１９】
第１のエッチングマスクは、第１の開口部に面する第１および第２の側壁を有し、第１および第２の側壁はトラック幅方向について第１の間隔をあけて対向している。第２のエッチングマスクは、第２の開口部に面する第３および第４の側壁を有し、第３および第４の側壁は、トラック幅方向について第１の間隔よりも大きい第２の間隔をあけて対向している。収容部の媒体対向面に平行な任意の断面において、基板の上面に最も近い端は、基板の上面から最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さい。
【００２０】
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における収容層および主磁極を形成する工程、あるいは本発明の主磁極の形成方法は、更に、第１のエッチングマスクを形成する工程の前に、初期収容層の上面上に、収容層の壁面の位置を規定するための第３のエッチングマスクを形成する工程を含んでいてもよい。この場合には、第１のエッチング工程は、第１のエッチングマスクと第３のエッチングマスクを用いて初期収容層をエッチングする。また、第２のエッチング工程は、第２のエッチングマスクと第３のエッチングマスクを用いて初期収容層をエッチングする。
【００２１】
また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法、あるいは本発明の主磁極の形成方法において、収容層の壁面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、１０°以下であってもよい。
【００２２】
また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法、あるいは本発明の主磁極の形成方法において、収容層は、コアを兼ねていてもよいし、クラッドを兼ねていてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法、あるいは本発明の主磁極の形成方法によれば、後端面が基板の上面に対して垂直またはほぼ垂直で、前端面において、基板の上面により近い第１の端部が、基板の上面からより遠い第２の端部に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状の主磁極を容易に形成することが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける主磁極および収容層を示す正面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける主磁極および収容層を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図７】図６に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図８】図７に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１２】比較例の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程の第１の例を示す断面図である。
【図１４】図１２に示した工程に続く工程の第２の例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態における第１の変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極および収容層を示す正面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態における第２の変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極および収容層を示す正面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【００２６】
本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、垂直磁気記録用であり、回転する記録媒体の表面から浮上するスライダの形態を有している。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によって、スライダに揚力が生じる。スライダは、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。
【００２７】
図２に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面４０を備えている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、記録媒体のトラック横断方向すなわちトラック幅方向である。Ｙ方向は、媒体対向面４０に垂直な方向である。Ｚ方向は、スライダから見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。
【００２８】
図２および図３に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、絶縁層２の上において下部シールド層３の周囲に配置された絶縁層４とを備えている。絶縁層２，４は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）によって形成されている。Ｚ方向は、基板１の上面１ａに垂直な方向でもある。
【００２９】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、下部シールド層３および絶縁層４の上面の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜５と、この下部シールドギャップ膜５の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子６と、このＭＲ素子６に接続された２つのリード（図示せず）と、ＭＲ素子６の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜７とを備えている。
【００３０】
ＭＲ素子６の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面４０に配置されている。ＭＲ素子６には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。
【００３１】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、上部シールドギャップ膜７の上に配置された磁性材料よりなるリターン磁極層１０と、上部シールドギャップ膜７の上においてリターン磁極層１０の周囲に配置された絶縁層１１とを備えている。絶縁層１１は、例えばアルミナによって形成されている。
【００３２】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、媒体対向面４０の近傍においてリターン磁極層１０の上に配置された磁性材料よりなるシールド層１２と、シールド層１２に対して、媒体対向面４０からより遠い位置においてリターン磁極層１０の上に配置された磁性材料よりなる連結層１３と、リターン磁極層１０および絶縁層１１の上において、シールド層１２および連結層１３の周囲に配置された絶縁層１４とを備えている。シールド層１２は、媒体対向面４０に配置された端面を有している。絶縁層１４は、例えばアルミナによって形成されている。
【００３３】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層１３の上に配置された磁性材料よりなる連結層１５と、シールド層１２および絶縁層１４の上において連結層１５の周囲に配置された絶縁層１６とを備えている。絶縁層１６は、例えばアルミナによって形成されている。連結層１５および絶縁層１６の上面は平坦化されている。
【００３４】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、媒体対向面４０の近傍において絶縁層１６の上に配置されたプラズモンジェネレータ１８を備えている。プラズモンジェネレータ１８は、金属によって形成されている。具体的には、プラズモンジェネレータ１８は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。プラズモンジェネレータ１８の形状については、後で詳しく説明する。
【００３５】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、プラズモンジェネレータ１８の上方に配置された磁性材料よりなる主磁極２２と、主磁極２２の上に配置された磁性材料よりなる連結層２４とを備えている。主磁極２２および連結層２４は、それぞれ、媒体対向面４０に配置された前端面と、前端面とは反対側の後端面とを有している。図２に示したように、連結層２４の後端面は、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）に対して傾いている。連結層２４の後端面における任意の位置の媒体対向面４０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。主磁極２２については、後で詳しく説明する。
【００３６】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、コア２１とクラッドとを有する導波路を備えている。コア２１は、プラズモンジェネレータ１８に対して、基板１の上面１ａからより遠い側に配置されている。コア２１は、媒体対向面４０に向いた端面であって媒体対向面４０から離れた位置に配置された端面２１ａを有している。主磁極２２は、端面２１ａと媒体対向面４０との間に配置されている。
【００３７】
クラッドは、クラッド層１９，２３，２５を含んでいる。クラッド層１９は、連結層１５、絶縁層１６およびプラズモンジェネレータ１８の上に配置されている。コア２１と主磁極２２は、クラッド層１９の上に配置されている。プラズモンジェネレータ１８とコア２１および主磁極２２との間には、クラッド層１９が介在している。クラッド層２３は、クラッド層１９の上においてコア２１の周囲に配置されている。コア２１、主磁極２２およびクラッド層２３の上面は平坦化されている。クラッド層２５は、コア２１およびクラッド層２３の上において連結層２４の周囲に配置されている。
【００３８】
コア２１は、近接場光の発生に用いられるレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。コア２１には、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光が入射され、このレーザ光はコア２１内を伝播する。クラッド層１９，２３，２５は、コア２１の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。コア２１の材料としては、例えば、Ｔａ２Ｏ５等の酸化タンタルや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）が用いられ、クラッド層１９，２３，２５の材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）やアルミナが用いられる。コア２１については、後で更に詳しく説明する。
【００３９】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、媒体対向面４０から離れた位置においてクラッド層１９，２３，２５に埋め込まれた２つの連結部１７Ａ，１７Ｂを備えている。連結部１７Ａ，１７Ｂは、磁性材料によって形成されている。連結部１７Ａ，１７Ｂは、コア２１のトラック幅方向の両側において、コア２１に対して間隔をあけて配置されている。図示しないが、連結部１７Ａ，１７Ｂは、それぞれ、連結層１５の上に配置された第１層と、この第１層の上に順に配置された第２層および第３層とを有している。
【００４０】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層２４の上に配置された磁性材料よりなる連結層２７と、連結部１７Ａ，１７Ｂの上に配置された磁性材料よりなる連結層２８とを備えている。
【００４１】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、クラッド層２５の上に配置された絶縁層２６と、絶縁層２６に上に配置されたコイル３０と備えている。コイル３０は、平面渦巻き形状をなし、連結層２８を中心として巻回されている。絶縁層２６は、例えばアルミナによって形成されている。コイル３０は、銅等の導電材料によって形成されている。
【００４２】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、コイル３０の巻線間および周囲ならびに連結層２７，２８の周囲に配置された絶縁層３１と、コイル３０および絶縁層３１の上に配置された絶縁層３２とを備えている。連結層２７，２８および絶縁層３２の上面は平坦化されている。絶縁層３１，３２は、例えばアルミナによって形成されている。
【００４３】
熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層２７，２８および絶縁層３２の上に配置された磁性材料よりなるヨーク層３３と、ヨーク層３３を覆うように配置された保護層３５とを備えている。ヨーク層３３は、連結層２７と連結層２８を磁気的に連結している。保護層３５は、例えばアルミナによって形成されている。
【００４４】
下部シールド層３からリターン磁極層１０までの部分は、再生ヘッドを構成する。リターン磁極層１０からヨーク層３３までの部分は、記録ヘッドを構成する。コイル３０は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。シールド層１２、リターン磁極層１０、連結層１３，１５、連結部１７Ａ，１７Ｂ、連結層２８、ヨーク層３３、連結層２７，２４および主磁極２２は、コイル３０が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。主磁極２２は、コイル３０によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面４０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。記録ヘッドは、再生ヘッドに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。
【００４６】
再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子６と、媒体対向面４０側の一部がＭＲ素子６を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子６をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層とを備えている。本実施の形態では、記録ヘッドのリターン磁極層１０は、再生ヘッドの上部シールド層を兼ねている。再生ヘッドは、更に、ＭＲ素子６と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜５と、ＭＲ素子６とリターン磁極層１０との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを備えている。
【００４７】
記録ヘッドは、コイル３０と、主磁極２２と、導波路と、プラズモンジェネレータ１８とを備えている。導波路は、コア２１とクラッドとを有している。クラッドは、クラッド層１９，２３，２５を含んでいる。コイル３０は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極２２は、コイル３０によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
【００４８】
記録ヘッドは、更に、主磁極２２を収容する収容部を含む収容層を備えている。本実施の形態では、収容層は、コア２１を兼ねている。以下、図１、図４および図５を参照して、コア２１、主磁極２２および収容層について詳しく説明する。図４は、主磁極２２および収容層を示す正面図である。図５は、主磁極２２および収容層を示す断面図である。なお、図５は、媒体対向面４０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。
【００４９】
まず、収容層について説明する。本実施の形態では、特に、収容層は、コア２１そのものである。図１、図４および図５に示したように、収容層２０（コア２１）は、主磁極２２を収容する収容部２０１を含んでいる。また、収容層２０は、収容部２０１に面する壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃを有している。収容部２０１の形状は、壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃによって規定される。壁面２０ａは、媒体対向面４０から離れた位置に配置され、収容部２０１の媒体対向面４０とは反対側の端部を規定している。壁面２０ｂ，２０ｃは、収容部２０１のトラック幅方向の両側の端部を規定している。
【００５０】
壁面２０ａは、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直である。図５には、壁面２０ａが基板１の上面１ａに垂直である例を示しているが、壁面２０ａは、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）に対してわずかに傾いていてもよい。この場合、壁面２０ａにおける任意の位置の媒体対向面４０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなってもよいし、小さくなってもよい。壁面２０ａが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、例えば１０°以下である。
【００５１】
壁面２０ｂは、連続する下部２０ｂ１と上部２０ｂ２とを含んでいる。壁面２０ｃは、連続する下部２０ｃ１と上部２０ｃ２とを含んでいる。下部２０ｂ１，２０ｃ１と上部２０ｂ２，２０ｃ２は、いずれも、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いている。収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、トラック幅方向（Ｘ方向）についての壁面２０ｂ，２０ｃ間の距離は、基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。図１および図４に示した例では、下部２０ｂ１と下部２０ｃ１がなす角度は、上部２０ｂ２と上部２０ｃ２がなす角度よりも小さい。また、収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、基板１の上面１ａに最も近い端は、基板１の上面１ａから最も遠い端に比べて、トラック幅方向（Ｘ方向）の幅が小さい。
【００５２】
次に、主磁極２２について説明する。主磁極２２は、媒体対向面４０に配置された前端面２２ａと、前端面２２ａとは反対側の後端面２２ｂと、上面２２ｃと、下面２２ｄと、第１および第２の側面２２ｅ，２２ｆとを有している。
【００５３】
後端面２２ｂは、収容層２０の壁面２０ａに接している。後端面２２ｂの形状は、壁面２０ａによって規定されている。前述のように壁面２０ａは基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直であることから、後端面２２ｂも、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直である。
【００５４】
第１の側面２２ｅは、収容層２０の壁面２０ｂに接している。第１の側面２２ｅの形状は、壁面２０ｂによって規定されている。第１の側面２２ｅは、壁面２０ｂと同様に、連続する下部２２ｅ１と上部２２ｅ２とを含んでいる。
【００５５】
第２の側面２２ｆは、収容層２０の壁面２０ｃに接している。第２の側面２２ｆの形状は、壁面２０ｃによって規定されている。第２の側面２２ｆは、壁面２０ｃと同様に、連続する下部２２ｆ１と上部２２ｆ２とを含んでいる。
【００５６】
主磁極２２の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、トラック幅方向（Ｘ方向）についての側面２２ｅ，２２ｆ間の距離は、基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。図１および図４に示した例では、下部２２ｅ１と下部２２ｆ１がなす角度は、上部２２ｅ２と上部２２ｆ２がなす角度よりも小さい。
【００５７】
前端面２２ａは、基板１の上面１ａにより近い第１の端部２２ａ１と、基板１の上面１ａからより遠い第２の端部２２ａ２と、トラック幅方向の両側に位置する第３および第４の端部２２ａ３，２２ａ４とを有している。第１の端部２２ａ１は、下面２２ｄの端に位置している。第２の端部２２ａ２は、上面２２ｃの端に位置している。第１の端部２２ａ１は、第２の端部２２ａ２に比べてトラック幅方向の幅が小さい。
【００５８】
第３の端部２２ａ３は、連続する下部２２ａ３１と上部２２ａ３２とを含んでいる。下部２２ａ３１は、第１の側面２２ｅの下部２２ｅ１の端に位置している。上部２２ａ３２は、第１の側面２２ｅの上部２２ｅ２の端に位置している。
【００５９】
第４の端部２２ａ４は、連続する下部２２ａ４１と上部２２ａ４２とを含んでいる。下部２２ａ４１は、第２の側面２２ｆの下部２２ｆ１の端に位置している。上部２２ａ４２は、第２の側面２２ｆの上部２２ｆ２の端に位置している。
【００６０】
次に、コア２１について説明する。コア２１は、媒体対向面４０に向いた端面であって媒体対向面４０から離れた位置に配置された端面２１ａと、媒体対向面４０に配置された２つの端面２１ｂ１，２１ｂ２と、上面２１ｃと、下面２１ｄと、２つの側面２１ｅ，２１ｆとを有している。本実施の形態では、特に、端面２１ａは、収容層２０の壁面２０ａでもある。２つの端面２１ｂ１，２１ｂ２は、主磁極２２の前端面２２ａのトラック幅方向の両側に配置されている。主磁極２２の第１および第２の側面２２ｅ，２２ｆは、コア２１によって覆われている。
【００６１】
次に、図１を参照して、プラズモンジェネレータ１８の形状の一例について説明する。図１に示した例では、プラズモンジェネレータ１８は、三角柱形状を有している。また、プラズモンジェネレータ１８は、媒体対向面４０に配置された前端面１８ａと、その反対側の後端面と、第１および第２の斜面と、下面とを有している。下面は、第１および第２の斜面を接続している。第１および第２の斜面は、それぞれ、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いている。
【００６２】
プラズモンジェネレータ１８は、更に、第１および第２の斜面を接続するエッジ部１８ｅと、媒体対向面４０に配置され、近接場光を発生する近接場光発生部１８ｇとを有している。近接場光発生部１８ｇは、エッジ部１８ｅの一端に位置している。第１および第２の斜面の互いの距離は、エッジ部１８ｅに近づくに従って小さくなっている。エッジ部１８ｅは、コア２１の下面２１ｄおよび主磁極２２の下面２２ｄに対して、所定の間隔をもって対向して、媒体対向面４０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。
【００６３】
前端面１８ａの形状は、三角形である。前端面１８ａの頂点の１つは、エッジ部１８ｅの端に位置する。この頂点は、近接場光発生部１８ｇを形成する。
【００６４】
媒体対向面４０に垂直な方向（Ｙ方向）についてのプラズモンジェネレータ１８の長さは、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）についての前端面１８ａの長さよりも大きい。前端面１８ａの下端部の幅とＺ方向の長さは共に、コア２１を伝播する光の波長以下であり、例えば１００〜５００ｎｍの範囲内である。プラズモンジェネレータ１８のＹ方向の長さは、例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。また、エッジ部１８ｅとコア２１の下面２１ｄとの間の間隔は、例えば１０〜５０ｎｍの範囲内である。
【００６５】
なお、プラズモンジェネレータ１８の形状は、図１を参照して説明した上記の例に限られない。
【００６６】
次に、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア２１に入射される。図２に示したように、レーザ光５０は、コア２１内を媒体対向面４０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ１８の近傍に達する。ここで、コア２１の下面２１ｄにおいて、レーザ光５０が全反射することによって、クラッド層１９内にしみ出すエバネッセント光が発生する。その結果、このエバネッセント光と、プラズモンジェネレータ１８におけるエッジ部１８ｅおよびその近傍部分における電荷の集団振動すなわち表面プラズモンとが結合した系である表面プラズモン・ポラリトンが励起される。このようにして、プラズモンジェネレータ１８におけるエッジ部１８ｅおよびその近傍部分に表面プラズモンが励起される。
【００６７】
プラズモンジェネレータ１８に励起された表面プラズモンは、エッジ部１８ｅに沿って近接場光発生部１８ｇに伝播される。その結果、近接場光発生部１８ｇにおいて表面プラズモンが集中し、この表面プラズモンに基づいて、近接場光発生部１８ｇから近接場光が発生する。この近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極２２より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。
【００６８】
次に、図２および図３を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１となる部分を含む基板上に、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１以外の構成要素を形成して、それぞれ後に熱アシスト磁気記録ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離して、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程とを備えている。複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程では、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面４０を形成する。
【００６９】
以下、１つの熱アシスト磁気記録ヘッドに注目して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法を更に詳しく説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上に絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３を覆うように絶縁層４を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで絶縁層４を研磨する。
【００７０】
次に、下部シールド層３および絶縁層４の上に下部シールドギャップ膜５を形成する。次に、下部シールドギャップ膜５の上にＭＲ素子６と、ＭＲ素子６に接続される図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子６およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜７を形成する。次に、上部シールドギャップ膜７の上にリターン磁極層１０を形成する。次に、リターン磁極層１０を覆うように絶縁層１１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、リターン磁極層１０が露出するまで絶縁層１１を研磨する。
【００７１】
次に、リターン磁極層１０の上にシールド層１２と連結層１３を形成する。次に、リターン磁極層１０、シールド層１２および連結層１３を覆うように絶縁層１４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、シールド層１２および連結層１３が露出するまで絶縁層１４を研磨する。
【００７２】
次に、連結層１３の上に連結層１５を形成する。次に、連結層１５を覆うように絶縁層１６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結層１５が露出するまで絶縁層１６を研磨して、連結層１５および絶縁層１６の上面を平坦化する。
【００７３】
次に、絶縁層１６の上にプラズモンジェネレータ１８を形成する。また、連結層１５の上に、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第１層を形成する。次に、プラズモンジェネレータ１８および連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第１層を覆うようにクラッド層１９を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第１層が露出するまでクラッド層１９を研磨する。
【００７４】
次に、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第１層の上に、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第２層を形成する。また、クラッド層１９の上にコア２１、主磁極２２およびクラッド層２３を形成する。コア２１、主磁極２２およびクラッド層２３を形成する工程については、後で詳しく説明する。
【００７５】
次に、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第２層の上に、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第３層を形成する。次に、コア２１および連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第３層を覆うようにクラッド層２５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第３層が露出するまでクラッド層２５を研磨する。次に、クラッド層２５を選択的にエッチングして、クラッド層２５に、連結層２４を収容する収容部を形成する。次に、クラッド層２５の収容部内に連結層２４を形成する。
【００７６】
次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２６を形成する。次に、絶縁層２６を選択的にエッチングして、絶縁層２６に、連結層２４の上面を露出させる開口部と、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第３層の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、連結層２４の上に連結層２７を形成する。また、連結部１７Ａ，１７Ｂのそれぞれの第３層の上に連結層２８を形成する。次に、絶縁層２６の上にコイル３０を形成する。次に、コイル３０の巻線間および周囲ならびに連結層２７，２８の周囲に絶縁層３１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結層２７，２８が露出するまで絶縁層３２を研磨して、連結層２７，２８および絶縁層３２の上面を平坦化する。
【００７７】
次に、連結層２７，２８および絶縁層３２の上にヨーク層３３を形成する。次に、ヨーク層３３を覆うように保護層３５を形成する。次に、保護層３５の上面に配線や端子等を形成する。
【００７８】
このようにして、基礎構造物が完成したら、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離し、媒体対向面４０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッドが完成する。
【００７９】
次に、図６ないし図１１を参照して、コア２１、主磁極２２およびクラッド層２３を形成する工程について詳しく説明する。図６ないし図１１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。図６ないし図１１において、（ａ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面４０が形成される予定の位置における断面を表している。図６ないし図１１において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面４０および基板１の上面１ａに垂直な断面を表している。なお、コア２１および主磁極２２を形成する工程は、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における収容層および主磁極を形成する工程、ならびに本発明の主磁極の形成方法に対応する。
【００８０】
図６は、クラッド層１９を形成した後の工程を示している。この工程では、まず、クラッド層１９の上に、上面を有し、後に収容部２０１および壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃが形成されることによって収容層２０（コア２１）となる初期収容層２０Ｐを形成する。次に、初期収容層２０Ｐの上面上に、マスク材料層５１Ｐを形成する。マスク材料層５１Ｐの材料としては、例えばＣ、ＮｉＦｅ、ＮｉＣｒ、Ｒｕのいずれかを用いることができる。次に、媒体対向面４０が形成される予定の位置から離れた位置において、マスク材料層５１Ｐの上面上に、エッチングマスク５２を形成する。エッチングマスク５２は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。エッチングマスク５２は、媒体対向面４０が形成される予定の位置に向いた側壁５２ａを有している。
【００８１】
次に、エッチングマスク５２をエッチングマスクとして用いて、例えばイオンビームエッチングによって、マスク材料層５１Ｐをエッチングする。なお、図６（ｂ）において、矢印はイオンビームを表している。これにより、マスク材料層５１Ｐは、エッチングマスク５１となる。次に、エッチングマスク５２を除去する。
【００８２】
エッチングマスク５１は、側壁５２ａによってその位置が規定された端部５１ａを有している。端部５１ａと媒体対向面４０が形成される予定の位置との間の距離は、後に形成される収容層２０の壁面２０ａと媒体対向面４０との間の距離と等しい。エッチングマスク５１は、後に、収容層２０の壁面２０ａの位置を規定するために用いられる。エッチングマスク５１は、本発明における第３のエッチングマスクに対応する。
【００８３】
図７は、次の工程を示す。この工程では、初期収容層２０Ｐおよびエッチングマスク５１の上面上に、少なくとも媒体対向面４０が形成される予定の位置からエッチングマスク５１の端部５１ａにかけて開口する第１の開口部５３１を有するエッチングマスク５３を形成する。エッチングマスク５３は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。エッチングマスク５３は、第１の開口部５３１に面する側壁５３ａ，５３ｂ，５３ｃを有している。側壁５３ａ，５３ｂは、トラック幅方向（Ｘ方向）について第１の間隔Ｄ１をあけて対向している。側壁５３ｃは、媒体対向面４０が形成される予定の位置に向いている。また、側壁５３ｃは、エッチングマスク５１の端部５１ａに対して、媒体対向面４０が形成される予定の位置からより遠い位置に配置されている。エッチングマスク５３は、本発明における第１のエッチングマスクに対応する。また、側壁５３ａは、本発明における第１の側壁に対応し、側壁５３ｂは、本発明における第２の側壁に対応する。
【００８４】
図８は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチングマスク５１，５３を用いて、反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって初期収容層２０Ｐをエッチングして、初期収容層２０Ｐに溝部２０Ｐ１を形成する。溝部２０Ｐ１は、その底部がクラッド層１９の上面に達しないように形成される。この工程を第１のエッチング工程と呼ぶ。エッチングガスとしては、例えばＣｌ２とＢＣｌ３とを含むガスが用いられる。次に、エッチングマスク５３を除去する。
【００８５】
第１のエッチング工程では、初期収容層２０Ｐには、溝部２０Ｐ１に面する壁面２０Ｐａ，２０Ｐｂ，２０Ｐｃが形成される。壁面２０Ｐａ，２０Ｐｂ，２０Ｐｃは、いずれも、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直である。壁面２０Ｐａの位置は、エッチングマスク５１の端部５１ａによって規定される。壁面２０Ｐｂ，２０Ｐｃの位置は、それぞれエッチングマスク５３の側壁５３ａ，５３ｂによって規定される。
【００８６】
図９は、次の工程を示す。この工程では、初期収容層２０Ｐおよびエッチングマスク５１の上面上に、少なくとも媒体対向面４０が形成される予定の位置からエッチングマスク５１の端部５１ａにかけて開口する第２の開口部５４１を有するエッチングマスク５４を形成する。エッチングマスク５４は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。エッチングマスク５４は、第２の開口部５４１に面する側壁５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有している。側壁５４ａ，５４ｂは、トラック幅方向（Ｘ方向）について第１の間隔Ｄ１よりも大きい第２の間隔Ｄ２をあけて対向している。側壁５４ｃは、媒体対向面４０が形成される予定の位置に向いている。また、側壁５４ｃは、エッチングマスク５１の端部５１ａに対して、媒体対向面４０が形成される予定の位置からより遠い位置に配置されている。エッチングマスク５４は、本発明における第２のエッチングマスクに対応する。また、側壁５４ａは、本発明における第３の側壁に対応し、側壁５４ｂは、本発明における第４の側壁に対応する。
【００８７】
図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、初期収容層２０Ｐが収容層２０（コア２１）になり、溝部２０Ｐ１が収容部２０１になるように、エッチングマスク５１，５４を用いて、ＲＩＥによって初期収容層２０Ｐにおける溝部２０Ｐ１を含む部分をエッチングする。このエッチングは、クラッド層１９の上面が露出するまで行う。この工程を第２のエッチング工程と呼ぶ。次に、エッチングマスク５４を除去する。
【００８８】
第２のエッチング工程では、収容層２０には、収容部２０１に面する壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃが形成される。エッチングマスク５４の側壁５４ａ，５４ｂは、溝部２０Ｐ１の縁よりもトラック幅方向（Ｘ方向）の外側に配置されている。そのため、初期収容層２０Ｐの上面のうちエッチングマスク５４によって覆われずに露出している部分と、溝部２０Ｐ１の上端近傍の部分には、溝部２０Ｐ１の底部に比べて、より多くのエッチングガスが供給される。これにより、第２のエッチング工程では、初期収容層２０Ｐの上面の露出している部分および溝部２０Ｐ１の上端近傍の部分におけるエッチング速度は、溝部２０Ｐ１の底部におけるエッチング速度よりも大きくなる。その結果、第２のエッチング工程では、図１０（ａ）に示したように、基板１の上面１ａから離れるに従ってトラック幅方向（Ｘ方向）についての壁面２０ｂ，２０ｃ間の距離が大きくなるように、壁面２０ｂ，２０ｃが形成される。そのため、収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、基板１の上面１ａに最も近い端は、基板１の上面１ａから最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さくなる。
【００８９】
また、第２のエッチング工程では、壁面２０Ｐａの真上にエッチングマスク５１の端部５１ａが位置している。第２のエッチング工程において、初期収容層２０Ｐの上面のうち、エッチングマスク５１によって覆われている部分はエッチングされない。そのため、第２のエッチング工程では、端部５１ａの下方、すなわち壁面２０Ｐａの下方に、初期収容層２０Ｐのエッチングが進行し、その結果、エッチングマスク５１の端部５１ａの真下に、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直な壁面２０ａが形成される。このように、エッチングマスク５１は、壁面２０ａの位置を規定するために用いられる。
【００９０】
第２のエッチング工程では、第１のエッチング工程と同様に、エッチングガスとしては、例えばＣｌ２とＢＣｌ３とを含むガスが用いられる。初期収容層２０Ｐが酸化タンタルまたは酸窒化ケイ素によって形成されている場合には、Ｃｌ２とＢＣｌ３とを含むガスの代りに、ＣＦ４を含むガスを用いてもよい。特に、初期収容層２０Ｐが酸窒化ケイ素によって形成されている場合には、エッチングガスとして、ＣＦ４を含むガスが適している。
【００９１】
なお、第１および第２のエッチング工程による初期収容層２０Ｐの全エッチング深さに対する、第１のエッチング工程による初期収容層２０Ｐのエッチング深さの割合は、例えば３０％から７０％の範囲内である。
【００９２】
また、第１のエッチング工程では、時間の経過と共にトラック幅方向（Ｘ方向）についての側壁５３ａ，５３ｂの間隔が徐々に大きくなるように、エッチングマスク５３がエッチングされてもよい。この場合には、基板１の上面１ａから離れるに従ってトラック幅方向についての壁面２０Ｐｂ，２０Ｐｃ間の距離が大きくなるように、初期収容層２０Ｐが形成される。
【００９３】
同様に、第２のエッチング工程でも、時間の経過と共にトラック幅方向（Ｘ方向）についての側壁５４ａ，５４ｂの間隔が徐々に大きくなるように、エッチングマスク５４がエッチングされてもよい。この場合には、基板１の上面１ａに垂直な方向に対する収容層２０の壁面２０ｂ，２０ｃの傾きが大きくなる。
【００９４】
図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばめっき法によって、収容部２０１内に、後に主磁極２２となる磁性層を形成する。この磁性層は、その上面がエッチングマスク５１の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層２３を形成する。クラッド層２３は、その上面がエッチングマスク５１の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、例えばＣＭＰによって、収容層２０の上面が露出するまで、磁性層、クラッド層２３およびエッチングマスク５１を研磨する。これにより、磁性層は、主磁極２２となる。
【００９５】
主磁極２２の後端面２２ｂは、収容層２０の壁面２０ａに沿って形成される。これにより、後端面２２ｂの形状が規定される。同様に、主磁極２２の側面２２ｅ，２２ｆは、それぞれ、収容層２０の壁面２０ｂ，２０ｃに沿って形成される。これにより、側面２２ｅ，２２ｆの形状が規定される。
【００９６】
以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、コア２１は、媒体対向面４０に向いた端面であって媒体対向面４０から離れた位置に配置された端面２１ａを有し、プラズモンジェネレータ１８に対して、基板１の上面１ａからより遠い側に配置されている。主磁極２２は、前端面２２ａおよび後端面２２ｂを有し、コア２１の端面２１ａと媒体対向面４０との間に配置されている。主磁極２２の前端面２２ａは、基板１の上面１ａにより近い第１の端部２２ａ１が、基板１の上面１ａからより遠い第２の端部２２ａ２に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状を有している。これにより、本実施の形態によれば、主磁極２２の前端面２２ａのうち、基板１の上面１ａにより近い部分、すなわち、プラズモンジェネレータ１８により近い部分から局所的に大きな記録磁界を発生させることができる。
【００９７】
また、本実施の形態では、主磁極２２は、収容層２０の収容部２０１に収容されている。収容層２０は、主磁極２２の後端面２２ｂの形状を規定する壁面２０ａを有している。主磁極２２の後端面２２ｂの形状は、壁面２０ａによって規定されている。壁面２０ａは基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直であることから、後端面２２ｂも、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直である。これにより、本実施の形態によれば、主磁極２２の後端面２２ｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いている場合に比べて、後端面２２ｂに接する収容層２０の壁面２０ａすなわちコア２１の端面２１ａを媒体対向面４０に近づけて、プラズモンジェネレータ１８における表面プラズモンの励起を媒体対向面４０の近くで行わせることが可能になると共に、コア２１の端面２１ａと主磁極２２の後端面２２ｂとの接触面積を小さくして、コア２１を伝播する光のうち主磁極２２に吸収される光の割合を小さくすることが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、コア２１を伝播する光を効率よく近接場光に変換することが可能になる。
【００９８】
また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における収容層２０および主磁極２２を形成する工程、ならびに本実施の形態に係る主磁極２２の形成方法では、まず、上面を有する初期収容層２０Ｐを形成する。次に、初期収容層２０Ｐの上面上に、エッチングマスク５１を形成する。次に、初期収容層２０Ｐおよびエッチングマスク５１の上面上に、第１の開口部５３１を有するエッチングマスク５３を形成する。エッチングマスク５３は、第１の開口部５３１に面する側壁５３ａ，５３ｂを有している。側壁５３ａ，５３ｂは、トラック幅方向（Ｘ方向）について第１の間隔Ｄ１をあけて対向している。次に、エッチングマスク５１，５３を用いて、ＲＩＥによって初期収容層２０Ｐをエッチングして、初期収容層２０Ｐに溝部２０Ｐ１を形成する第１のエッチング工程を行う。次に、初期収容層２０Ｐおよびエッチングマスク５１の上面上に、第２の開口部５４１を有するエッチングマスク５４を形成する。エッチングマスク５４は、第２の開口部５４１に面する側壁５４ａ，５４ｂを有している。側壁５４ａ，５４ｂは、トラック幅方向について第１の間隔Ｄ１よりも大きい第２の間隔Ｄ２をあけて対向している。次に、初期収容層２０Ｐが収容層２０になり、溝部２０Ｐ１が収容部２０１になるように、エッチングマスク５１，５４を用いて、ＲＩＥによって初期収容層２０Ｐにおける溝部２０Ｐ１を含む部分をエッチングする第２のエッチング工程を行う。
【００９９】
このような方法によれば、前述のように、壁面２０ａが基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直になり、収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、基板１の上面１ａに最も近い端が、基板１の上面１ａから最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さくなるように、収容部２０１を形成することができる。そして、このような形状の収容部２０１内に主磁極２２を形成することによって、所望の形状、すなわち後端面２２ｂが基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直で、前端面２２ａにおいて、第１の端部２２ａ１が第２の端部２２ａ２に比べてトラック幅方向の幅が小さい形状の主磁極２２を容易に形成することが可能になる。
【０１００】
本実施の形態では、エッチングマスク５１によって、収容層２０の壁面２０ａの位置を規定している。しかし、エッチングマスク５１を設けずに、エッチング５３の側壁５３ｃの位置、およびエッチング５４の側壁５４ｃの位置を、壁面２０ａを形成すべき位置に合わせて、側壁５３ｃ，５４ｃによって壁面２０ａの位置を規定することも可能である。
【０１０１】
次に、比較例の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法と比較しながら、本実施の形態の効果について更に詳しく説明する。始めに、図１２ないし図１４を参照して、比較例の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図１２ないし図１４は、比較例の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。図１２ないし図１４において、（ａ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面４０が形成される予定の位置における断面を表している。図１２ないし図１４において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面４０および基板１の上面１ａに垂直な断面を表している。
【０１０２】
比較例の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、エッチングマスク５１を形成する工程までは、図６に示した本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法と同じである。図１２は、エッチングマスク５１を形成した後の工程を示している。この工程では、初期収容層２０Ｐおよびエッチングマスク５１の上面上に、開口部５５１を有するエッチングマスク５５を形成する。エッチングマスク５５は、開口部５５１に面する側壁５５ａ，５５ｂ，５５ｃを有している。側壁５５ａ，５５ｂは、トラック幅方向（Ｘ方向）について所定の間隔をあけて対向している。側壁５５ｃは、媒体対向面４０が形成される予定の位置に向いている。また、側壁５５ｃは、エッチングマスク５１の端部５１ａに対して、媒体対向面４０が形成される予定の位置からより遠い位置に配置されている。
【０１０３】
比較例の製造方法では、次に、エッチングマスク５１，５５を用いて、初期収容層２０Ｐが収容層２０になるように、例えばＲＩＥによって初期収容層２０Ｐをエッチングする。この工程を比較例のエッチング工程と呼ぶ。
【０１０４】
図１３は、比較例のエッチング工程の第１の例を示している。第１の例では、収容部２０１に面し、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直な収容層２０の壁面１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃが形成されるように、初期収容層２０Ｐをエッチングする。第１の例では、エッチングガスとしては、例えばＣｌ２とＢＣｌ３とを含むガスが用いられる。壁面１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは、それぞれ、本実施の形態における壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対応する。
【０１０５】
図１４は、比較例のエッチング工程の第２の例を示している。第２の例では、収容部２０１に面し、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いた収容層２０の壁面２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃが形成されるように、初期収容層２０Ｐをテーパーエッチングする。第２の例では、エッチングガスとしては、例えばＣｌ２およびＢＣｌ３と、Ｎ２とＣＦ４の少なくとも一方とを含むガスが用いられる。壁面２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃは、それぞれ、本実施の形態における壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対応する。
【０１０６】
比較例の製造方法では、収容部２０１に面する収容層２０の壁面は、全て基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直な面になるか、全て基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いた面になる。このように、比較例では、壁面２０ａが基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直になり、収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、基板１の上面１ａに最も近い端が、基板１の上面１ａから最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さくなるような収容部２０１を形成することができない。従って、比較例では、後端面２２ｂが基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直で、前端面２２ａにおいて、第１の端部２２ａ１が第２の端部２２ａ２に比べてトラック幅方向の幅が小さい、所望の形状の主磁極２２を形成することができない。
【０１０７】
これに対し、本実施の形態によれば、前述のように、壁面２０ａが基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直になり、収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、基板１の上面１ａに最も近い端が、基板１の上面１ａから最も遠い端に比べて、トラック幅方向の幅が小さくなるように、収容部２０１を形成することができる。これにより、所望の形状の主磁極２２を容易に形成することが可能になる。
【０１０８】
以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ１８のエッジ部１８ｅが、コア２１の下面２１ｄに対して、所定の間隔をもって対向している。そして、エッジ部１８ｅにおいて、コア２１を伝播するレーザ光に基づいてコア２１の下面２１ｄにおいて発生するエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンがエッジ部１８ｅに沿って近接場光発生部１８ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部１８ｇより近接場光が発生される。本実施の形態によれば、レーザ光をプラズモンジェネレータ１８に直接照射して近接場光を発生させる場合に比べて、コア２１を伝播する光の近接場光への変換の効率を高めることができる。
【０１０９】
［変形例］
次に、図１５および図１６を参照して、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。図１５は、本実施の形態における第１の変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極および収容層を示す正面図である。図１６は、本実施の形態における第２の変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの主磁極および収容層を示す正面図である。
【０１１０】
第１の変形例では、収容層２０は、壁面２０ｂ，２０ｃの代りに、壁面６０ｂ，６０ｃを有している。収容部２０１の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、トラック幅方向（Ｘ方向）についての壁面６０ｂ，６０ｃ間の距離は、基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。
【０１１１】
また、第１の変形例では、主磁極２２は、第１および第２の側面２２ｅ，２２ｆの代りに、第１および第２の側面１２２ｅ，１２２ｆを有している。第１および第２の側面１２２ｅ，１２２ｆは、コア２１によって覆われている。第１の側面１２２ｅは、壁面６０ｂに接している。第２の側面１２２ｆは、壁面６０ｃに接している。主磁極２２の媒体対向面４０に平行な任意の断面において、トラック幅方向（Ｘ方向）についての側面１２２ｅ，１２２ｆ間の距離は、基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。
【０１１２】
第２の変形例では、収容層２０は、壁面２０ｂ，２０ｃの代りに、壁面７０ｂ，７０ｃを有している。壁面７０ｂは、下部７０ｂ１と、上部７０ｂ２と、下部７０ｂ１と上部７０ｂ２とを連結する連結部７０ｂ３とを含んでいる。壁面７０ｃは、下部７０ｃ１と、上部７０ｃ２と、下部７０ｃ１と上部７０ｃ２とを連結する連結部７０ｃ３とを含んでいる。下部７０ｂ１，７０ｃ１と上部７０ｂ２，７０ｃ２は、いずれも、基板１の上面１ａに対して垂直またはほぼ垂直である。連結部７０ｂ３，７０ｃ３は、いずれも、基板１の上面１ａに平行またはほぼ平行である。下部７０ｂ１，７０ｃ１の間隔は、上部７０ｂ２，７０ｃ２の間隔よりも小さい。
【０１１３】
また、第２の変形例では、主磁極２２は、第１および第２の側面２２ｅ，２２ｆの代りに、第１および第２の側面２２２ｅ，２２２ｆを有している。第１および第２の側面２２２ｅ，２２２ｆは、コア２１によって覆われている。第１の側面２２２ｅは、壁面７０ｂに接している。第１の側面２２２ｅは、壁面７０ｂと同様に、下部２２２ｅ１、上部２２２ｅ２および連結部２２２ｅ３を含んでいる。第２の側面２２２ｆは、壁面７０ｃに接している。第２の側面２２２ｆは、壁面７０ｃと同様に、下部２２２ｆ１、上部２２２ｆ２および連結部２２２ｆ３を含んでいる。
【０１１４】
図４に示した壁面２０ｂ，２０ｃ、第１の変形例の壁面６０ｂ，６０ｃや、第２の変形例の壁面７０ｂ，７０ｃの形状は、第１および第２のエッチング工程におけるエッチング速度等のエッチング条件を変えることによって制御することが可能である。
【０１１５】
［第２の実施の形態］
次に、図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１７は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第１の実施の形態における収容層２０、コア２１およびクラッド層２３の代りに、収容層８０、コア８１およびクラッド層８３を備えている。収容層８０は、コア８１とクラッド層８３を兼ねている。
【０１１６】
収容層８０は、主磁極２２を収容する収容部８０１を有している。また、収容層８０は、収容部８０１に面する壁面８０ａ，８０ｂ，８０ｃを有している。壁面８０ａ，８０ｂ，８０ｃの形状および配置は、第１の実施の形態における壁面２０ａ，２０ｂ，２０ｃと同じである。
【０１１７】
コア８１は、媒体対向面４０に向いた端面であって、媒体対向面４０から離れた位置に配置された端面８１ａを有している。本実施の形態では、コア８１は、第１の実施の形態におけるコア２１と異なり、媒体対向面４０に配置された端面を有していない。収容層８０の壁面８０ａは、コア８１の端面８１ａの一部によって構成されている。
【０１１８】
主磁極２２と、クラッド層８３の一部は、コア８１の端面８１ａと媒体対向面４０との間に配置されている。主磁極２２の第１および第２の側面２２ｅ，２２ｆは、クラッド層８３によって覆われている。クラッド層８３は、収容層８０の壁面８０ｂ，８０ｃを構成する２つの壁面を有している。
【０１１９】
本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における収容層８０および主磁極２２を形成する工程、ならびに本実施の形態に係る主磁極２２の形成方法は、以下の点で第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における収容層２０および主磁極２２を形成する工程、ならびに第１の実施の形態に係る主磁極２２の形成方法と異なっている。本実施の形態では、第１の実施の形態における初期収容層２０Ｐの代りに、後に収容層８０となる初期収容層を形成する。この初期収容層は、コア８１と、後にクラッド層８３となる誘電体層とによって構成されている。また、本実施の形態における第１のエッチング工程では、ＲＩＥによって、初期収容層のうち、上記誘電体層をエッチングして、初期収容層（誘電体層）に溝部を形成する。また、本実施の形態における第２のエッチング工程では、初期収容層が収容層８０になり、上記溝部が収容部８０１になるように、ＲＩＥによって、上記誘電体層における上記溝部を含む部分をエッチングする。
【０１２０】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２１】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において、収容層２０の壁面２０ｂ，２０ｃ（収容層８０の壁面８０ｂ，８０ｃ）は、曲面であってもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
１…基板、１８…プラズモンジェネレータ、２０…収容層、２０Ｐ…初期収容層、２１…コア、２２…主磁極、２２ａ…前端面、２２ｂ…後端面、４０…媒体対向面、５３，５４…エッチングマスク、５３１…第１の開口部、５４１…第２の開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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