(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層と、前記コア層の互いに向かい合う第１表面および第２表面にある第１パターン化銅箔層および第２パターン化銅箔層とを有する基材を提供することと、
第１絶縁層および前記第１絶縁層の上にある第１導電層を前記第１パターン化銅箔層の上に熱積層し、前記第１絶縁層が、中央ブロックと、前記中央ブロックを取り囲む周囲ブロックとを有し、前記第１絶縁層の前記中央ブロックと前記周囲ブロックが、いずれも半固化状態であることと、
前記第１絶縁層の前記周囲ブロックに対して加熱加圧ステップを行い、前記第１絶縁層の前記周囲ブロックを完全な固化状態にすることと、
第２絶縁層および前記第２絶縁層の上にある第２導電層を第２パターン化銅箔層の上に熱積層し、前記第２絶縁層および半固化状態の前記第１絶縁層の前記中央ブロックを全て前記第１絶縁層の前記周囲ブロックと同じように完全な固化状態にすることと、
を含む基板構造の製造方法。
【請求項２】
前記第１絶縁層と前記第１導電層を熱積層する温度が、８０℃〜１６０℃の間であり、時間が、１分〜３０分である請求項1に記載の基板構造の製造方法。
【請求項３】
前記第２絶縁層と前記第２導電層を熱積層する温度が、１２０℃〜２５０℃の間であり、時間が、３０分〜２４０分である請求項1に記載の基板構造の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁層の前記周囲ブロックに対して前記加熱加圧ステップを行う温度が、１５０℃〜３００℃の間であり、時間が、０．５分〜２０分である請求項1に記載の基板構造の製造方法。
【請求項５】
前記第２絶縁層と前記第２導電層を熱積層した後、前記第１導電層、前記第１絶縁層、前記第１パターン化銅箔層、前記コア層、前記第２パターン化銅箔層、前記第２絶縁層および前記第２導電層を貫通する導電スルーホールを形成することと、
前記第１導電層と前記第２導電層に対してパターン化ステップを行い、第１パターン化導電層および第２パターン化導電層を形成し、前記導電スルーホールが、前記第１パターン化導電層と前記第２パターン化導電層を接続することと、
第１ソルダレジスト層および第２ソルダレジスト層を前記第１パターン化導電層および前記第２パターン化導電層の上にそれぞれ形成し、前記第１ソルダレジスト層および前記第２ソルダレジスト層が、それぞれ一部の前記第１パターン化導電層および一部の前記第２パターン化導電層を露出することと、
前記第１ソルダレジスト層および前記第２ソルダレジスト層が露出した前記第１パターン化導電層および前記第２パターン化導電層に対して表面処理を行い、少なくとも１つの第１パッドおよび少なくとも１つの第２パッドを形成することと
をさらに含む請求項1に記載の基板構造の製造方法。
【請求項６】
コア層、および前記コア層の互いに向かい合う第１表面および第２表面にある第１銅箔層および第２銅箔層を提供することと、
熱積層ステップを行って、前記コア層、前記第１銅箔層および前記第２銅箔層を一体に結合して基材を構成し、前記コア層が、中央ブロックと、前記中央ブロックを取り囲む周囲ブロックとを有し、前記コア層の前記中央ブロックと前記周囲ブロックが、いずれも半固化状態であり、前記コア層の周囲ブロックに対して加熱加圧ステップを行い、前記コア層の前記周囲ブロックを完全な固化状態にすることと、
パターン化導電層を前記第１銅箔層の上に形成することと、
絶縁層および前記絶縁層の上にある第３銅箔層を前記パターン化導電層の上に形成し、前記絶縁層および半固化状態の前記コア層の前記中央ブロックを全て前記コア層の前記周囲ブロックと同じように完全な固化状態にすることと
を含む基板構造の製造方法。
【請求項７】
前記熱積層ステップにより前記基材を構成する温度が、８０℃〜１６０℃の間であり、時間が、１分〜３０分である請求項６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項８】
前記コア層の前記周囲ブロックに対して前記加熱加圧ステップを行う温度が、１５０℃〜３００℃の間であり、時間が、０．５分〜２０分である請求項６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層と前記第３銅箔層を熱積層する温度が、１２０℃〜２５０℃の間であり、時間が、３０分〜２４０分である請求項６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層と前記第３銅箔層を熱積層した後、前記第３銅箔層にレーザー光を照射し、前記第３銅箔層から前記パターン化導電層に延伸する少なくとも１つのブラインドホールを形成することと、
前記ブラインドホール内に導電材料を充填して、前記導電材料で前記第３銅箔層と前記パターン化導電層を接続することと、
前記第３銅箔層に対してパターン化ステップを行い、第３パターン化銅箔層を形成することと、
前記第３パターン化銅箔層の上にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層が、一部の前記第３パターン化銅箔層を露出することと、
前記ソルダレジスト層が露出した前記第３パターン化銅箔層に対して表面処理を行い、少なくとも１つのパッドを形成することと
をさらに含む請求項６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１１】
前記表面処理層が、無電解ニッケル‐金層、無電解ニッケル‐パラジウム層、無電解パラジウム-金層、または無電解ニッケル‐パラジウム‐金層を前記ソルダレジスト層が露出した前記第３パターン化銅箔層の上に形成することを含む請求項１０に記載の基板構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板構造の製造方法に関するものであり、特に、優れた構造信頼性を有する基板構造の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、多層回路板の回路構造は、多くが積層（laminated）方式または集積（build up）方式を採用して製造されるため、回路配線密度が高く、配線間隔が縮小される特性を有する。積層方式は、多層回路層をそれぞれ多層誘電層の上に作って内層回路板と外層回路板をそれぞれ形成し、完成した内層回路板、外層回路板および接合用のガラス繊維樹脂プラスチックフィルムを位置合わせした後積層を一回行うことにより、多層回路板が形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
積層方式を利用して多層回路板を製造する時は、一般的に、偶数層の回路（例えば、４層、６層、または６層以上）を製造するためにのみ使用されるが、集積方式を利用して多層回路板を製造する時は、異なる回路要求に応じて、奇数層または偶数層の回路を製造することができる。しかし、位置合わせ精度の要求が非常に高く、且つ作業時間が長いため、コストに直接反映され、大量生産に不利である。単面積層方式を採用して回路板を製造する場合、回路板と誘電層の構造が非対称であることから、積層後の回路板が湾曲しやすいため、信頼度が低い。したがって、誘電層を単面積層した時に積層後の基板が湾曲する問題を解決し、多層回路板の製造時間を早めることによって構造信頼度を高めることが、現在克服すべき大きな課題の一つである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、周知の絶縁層を単面積層した時に積層後の基材が湾曲する問題を解決することのできる基板構造の製造方法を提供する。
【０００５】
本発明は、以下のステップを含む基板構造の製造方法を提供する。基材を提供する。基材は、コア層と、コア層の互いに向かい合う第１表面および第２表面にある第１パターン化銅箔層および第２パターン化銅箔層とを有する。第１絶縁層および第１絶縁層の上にある第１導電層を第１パターン化銅箔層の上に熱積層する。第１絶縁層は、中央ブロックと、中央ブロックを取り囲む周囲ブロックとを有する。第１絶縁層の中央ブロックと周囲ブロックは、いずれも半固化状態である。第１絶縁層の周囲ブロックに対して加熱加圧ステップを行い、第１絶縁層の周囲ブロックを完全な固化状態にする。第２絶縁層および第２絶縁層の上にある第２導電層を第２パターン化銅箔層の上に熱積層し、第２絶縁層および半固化状態の第１絶縁層の中央ブロックを全て第１絶縁層の周囲ブロックと同じように完全な固化状態にする。
【０００６】
本発明の実施形態中、上述した第１絶縁層と第１導電層を熱積層する温度は、８０℃〜１６０℃の間であり、且つ時間は、１分〜３０分である。
【０００７】
本発明の実施形態中、上述した第２絶縁層と第２導電層を熱積層する温度は、１２０℃〜２５０℃の間であり、且つ時間は、３０分〜２４０分である。
【０００８】
本発明の実施形態中、上述した第１絶縁層の周囲ブロックに対して加熱加圧ステップを行う温度は、１５０℃〜３００℃の間であり、且つ時間は、０．５分〜２０分である。
【０００９】
本発明の実施形態中、上述した基板構造の製造方法は、さらに、第２絶縁層と第２導電層を熱積層した後、第１導電層、第１絶縁層、第１パターン化銅箔層、コア層、第２パターン化銅箔層、第２絶縁層および第２導電層を貫通する導電スルーホールを形成することと、第１導電層と第２導電層に対してパターン化ステップを行い、第１パターン化導電層および第２パターン化導電層を形成し、導電スルーホールが、第１パターン化導電層と第２パターン化導電層を接続することと、第１ソルダレジスト層および第２ソルダレジスト層を第１パターン化導電層および第２パターン化導電層の上にそれぞれ形成し、第１ソルダレジスト層および第２ソルダレジスト層が、それぞれ一部の第１パターン化導電層および一部の第２パターン化導電層を露出することと、第１ソルダレジスト層および第２ソルダレジスト層が露出した第１パターン化導電層および第２パターン化導電層に対して表面処理を行い、少なくとも１つの第１パッドおよび少なくとも１つの第２パッドを形成することと、を含む。
【００１０】
本発明は、以下の製造ステップを含む基板構造の製造方法を提出する。コア層、およびコア層の互いに向かい合う第１表面および第２表面にある第１銅箔層および第２銅箔層を提供する。熱積層ステップを行い、コア層、第１銅箔層および第２銅箔層を一体に結合して、基材を構成する。コア層は、中央ブロックと、中央ブロックを取り囲む周囲ブロックとを有する。コア層の中央ブロックと周囲ブロックは、いずれも半固化状態である。コア層の周囲ブロックに対して加熱加圧ステップを行い、コア層の周囲ブロックを完全な固化状態にする。パターン化導電層を第１銅箔層の上に形成する。絶縁層および絶縁層の上にある第３銅箔層をパターン化導電層の上に形成し、絶縁層および半固化状態のコア層の中央ブロックを全てコア層の周囲ブロックと同じように完全な固化状態にする。
【００１１】
本発明の実施形態中、上述した熱積層ステップにより基材を構成する温度は、８０℃〜１６０℃の間であり、且つ時間は、１分〜３０分である。
【００１２】
本発明の実施形態中、上述したコア層の周囲ブロックに対して加熱加圧ステップを行う温度は、１５０℃〜３００℃の間であり、且つ時間は、０．５分〜２０分である。
【００１３】
本発明の実施形態中、上述した絶縁層と第３銅箔層を熱積層する温度は、１２０℃〜２５０℃の間であり、且つ時間は、３０分〜２４０分である。
【００１４】
本発明の実施形態中、上述した基板構造の製造方法は、さらに、絶縁層と第３銅箔層を熱積層した後、第３銅箔層にレーザー光を照射し、第３銅箔層からパターン化導電層に延伸する少なくとも１つのブラインドホールを形成することと、ブラインドホール内に導電材料を充填して、導電材料で第３銅箔層とパターン化導電層を接続することと、第３銅箔層に対してパターン化ステップを行い、第３パターン化銅箔層を形成することと、第３パターン化銅箔層の上にソルダレジスト層を形成して、ソルダレジスト層が、一部の第３パターン化銅箔層を露出することと、ソルダレジスト層が露出した第３パターン化銅箔層に対して表面処理を行い、少なくとも１つのパッドを形成することと、を含む。
【００１５】
本発明の実施形態中、上述した表面処理層は、無電解ニッケル‐金層、無電解ニッケル‐パラジウム層、無電解パラジウム-金層、または無電解ニッケル‐パラジウム‐金層をソルダレジスト層が露出した第３パターン化銅箔層の上に形成することを含む。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明は、まず、半固化状態の第１絶縁層の周囲ブロックを完全に固化して、第１絶縁層と基材の間の結合力を増加させた後、第２絶縁層およびその上にある第２導電層を熱積層することにより、第２絶縁層および半固化状態の第１絶縁層の中央ブロックを全て第１絶縁層の周囲ブロックと同じように完全な固化状態にする。そのため、単面の絶縁層およびその上にある導電層を基材の上に積層しても、基材が湾曲しにくく、さらには、後に完成する基板構造の信頼度を上げることができる。
【００１７】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図１Ｄ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図１Ｅ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図１Ｆ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図３Ｂ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図３Ｃ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図３Ｄ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【図４Ｄ】本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１Ａ〜図１Ｆは、本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。本実施形態の基板構造の製造方法は、まず、図１Ａを参照すると、基材１１０を提供する。基材１１０は、コア層１１２と、第１銅箔層１１４と、第２銅箔層１１６とを有する。本実施形態中、コア層１１２は、互いに向かい合う第１表面１１１および第２表面１１３を有し、第１銅箔層１１４および第２銅箔層１１６は、それぞれコア層１１２の第１表面１１１および第２表面１１３に配置される。ここで、コア層１１２の材料は、例えば、樹脂である。
【００２０】
続いて、図１Ｂを参照すると、第１銅箔層１１４に対してパターン化ステップを行い、コア層１１２の第１表面１１１に第１パターン化銅箔層１１４’を形成する。ここで、パターン化ステップは、まず、フォトレジスト層（図示せず）を第１銅箔層１１４の上に塗布し、続いて、このフォトレジスト層を露光および現像してパターン化フォトレジスト層（図示せず）を形成するとともに、このパターン化フォトレジスト層でマスクをエッチングし、パターン化フォトレジスト層の外側の第１銅箔層１１４をエッチングして第１パターン化銅箔層１１４’を構成することを含む。
【００２１】
続いて、図１Ｃを参照すると、第１絶縁層１２０および第１絶縁層１２０の上にある第１導電層１３０を第１パターン化銅箔層１１４’の上に熱積層する。ここで、第１絶縁層１２０は、中央ブロックＣと、中央ブロックＣを取り囲む周囲ブロックＰとを有する。第２絶縁層１２０と第１導電層１３０を熱積層する温度は、８０℃〜１６０℃の間であり、且つ時間は、１分〜３０分の間である。特に、この時の第１絶縁層１２０の中央ブロックＣと周囲ブロックＰは、いずれも半固化状態である。
【００２２】
続いて、図１Ｄを参照すると、第１絶縁層１２０の周囲ブロックＰに対して加熱加圧ステップを行い、第１絶縁層１２０の周囲ブロックＰを完全な固化状態にする。ここで、第１絶縁層１２０の周囲ブロックＰに対して加熱加圧ステップを行う温度は、１５０℃〜３００℃の間であり、且つ時間は、０．５分〜２０分である。
【００２３】
その後、図１Ｅを参照すると、第２銅箔層１１６に対してパターン化ステップを行い、コア層１１２の第２表面１１３に第２パターン化銅箔層１１６’を形成する。ここで、パターン化ステップは、まず、フォトレジスト層（図示せず）を第２銅箔層１１６の上に塗布し、続いて、このフォトレジスト層を露光および現像してパターン化フォトレジスト層（図示せず）を形成するとともに、このパターン化フォトレジスト層でマスクをエッチングし、パターン化フォトレジスト層の外側の第２銅箔層１１６をエッチングして第２パターン化銅箔層１１６’を構成することを含む。この時、コア層１１２、第１パターン化銅箔層１１４’および第２パターン化銅箔層１１６’は、基材１１０’を構成する。
【００２４】
ここで、説明すべきこととして、本実施形態では、まず、第１銅箔層１１４と第２銅箔層１１６を有する基材１１０を提供し、第１絶縁層１２０およびその上にある第１導電層１３０を積層する前後で初めて、パターン化ステップの方式により第１パターン化銅箔層１１４’および第２パターン化銅箔層１１６’を形成するが、図示していない別の実施形態において、まず、直接第１パターン化銅箔層１１４’および第２パターン化銅箔層１１６’を有する基材１１０’を提供してから、第１絶縁層１２０およびその上にある第１導電層１３０の積層およびその後のステップを行ってもよい。つまり、図１Ａの基材１１０の形態は、単に例を挙げて説明しているだけあって、本発明を限定するものではない。
【００２５】
最後に、図１Ｆを参照すると、第２絶縁層１４０および第２絶縁層１４０の上にある第２導電層１５０を第２パターン化導電層１１６’の上に熱積層して、第２絶縁層１４０および半固化状態の第１絶縁層１２０の中央ブロックＣを全て第１絶縁層１２０の周囲ブロックＰと同じように完全な固化状態にする。すなわち、第２絶縁層１４０およびその上にある第２導電層１５０を熱積層した後、第２絶縁層１４０および半固化状態の第１絶縁層１２０の中央ブロックＣは、いずれも完全な固化状態になる。ここで、第２絶縁層１４０と第２導電層１５０を熱積層する温度は、１２０℃〜２５０℃の間であり、且つ時間は、３０分〜２４０分の間である。ここまでで、基板構造１００ａの製造方法が完了する。
【００２６】
本実施形態は、まず、半固化状態の第１絶縁層１２０の周囲ブロックＰを完全に固化し、第１絶縁層１２０と基材１１０’の間の結合力を増加させた後、第２絶縁層１４０およびその上にある第２導電層１５０を熱積層することによって、第２絶縁層および半固化状態の第１絶縁層１２０の中央ブロックＣを全て第１絶縁層１２０の周囲ブロックＰと同じように完全な固化状態にする。そのため、単面の第１絶縁層１２０およびその上にある第１導電層１３０を基材１１０’の上に積層した時、第１絶縁層１２０の中央ブロックＣは半固化状態であるため、基材１１０’が湾曲しにくく、さらには、後に完成する基板構造１００ａの信頼度を上げることができる。
【００２７】
図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。本実施形態は、上述した実施形態の構成要素符号および一部の内容を援用しているため、同じまたは類似する構成要素は同じ表示符号を用いて表示するとともに、同じ技術内容は説明を省略する。省略した部分の説明については、上述した実施形態を参照することができるため、本実施形態では繰り返し説明しない。
【００２８】
図２Ｃを参照すると、本実施形態の基板構造１００ｂと上述した実施形態の基板構造１００ａとの主な相違点は、本実施形態の基板構造１００ｂが、さらに、導電スルーホール１６０と、第１パターン化導電層１３２と、第２パターン化導電層１５２と、第１ソルダレジスト層１７０と、第２ソルダレジスト層１７５と、第１パッド１８０と、第２パッド１８５とを有することである。
【００２９】
製造過程において、本実施形態の基板構造１００ｂは、上述した実施形態の基板構造１００ａとほぼ同じ製造方法を採用することができ、さらに、図１Ｆのステップの後、つまり、第２絶縁層１４０およびその上にある第２導電層１５０を第２パターン化銅箔層１１６’の上に熱積層した後、図２Ａを参照すると、第１導電層１３０、第１絶縁層１２０、第１パターン化銅箔層１１４’、コア層１１２、第２パターン化銅箔層１１６’、第２絶縁層１４０および第２導電層１５０を貫通する導電スルーホール１６０を形成する。
【００３０】
続いて、図２Ｂを参照すると、第１導電層１３０と第２導電層１５０に対してパターン化ステップを行い、第１パターン化導電層１３２および第２パターン化導電層１５２を形成する。導電スルーホール１６０は、第１パターン化導電層１３２と第２パターン化導電層１５２を接続し、且つ導電スルーホール１６０は、第１パターン化導電層１３２、第１パターン化銅箔層１１４’、第２パターン化銅箔層１１６’および第２パターン化導電層１５２を電気接続する。その後、図２Ｃを参照すると、第１ソルダレジスト層１７０および第２ソルダレジスト層１７５をそれぞれ第１パターン化導電層１３２および第２パターン化導電層１５２の上に形成する。第１ソルダレジスト層１７０および第２ソルダレジスト層１７５は、それぞれ一部の第１パターン化導電層１３２および一部の第２パターン化導電層１５２を露出する。最後に、再度図２Ｃを参照すると、第１ソルダレジスト層１７０および第２ソルダレジスト層１７５が露出した第１パターン化導電層１３２および第２パターン化導電層１５２に対して表面処理を行い、少なくとも１つの第１パッド１８０および少なくとも１つの第２パッド１８５を形成する。ここで、表面処理は、例えば、無電解ニッケル‐金層１９０を第１ソルダレジスト層１７０および第２ソルダレジスト層１７５が露出した第１パターン化導電層１３２および第２パターン化導電層１５２の上に形成することを含む。もちろん、図示していないその他の実施形態において、無電解ニッケル‐パラジウム層、無電解パラジウム‐金層、または無電解ニッケル‐パラジウム‐金層を第１ソルダレジスト層１７０および第２ソルダレジスト層１７５が露出した第１パターン化導電層１３２および第２パターン化導電層１５２の上に形成してもよく、本発明はこれらに限定されない。ここまでで、基板構造１００ｂの製造が完了する。
【００３１】
図３Ａ〜図３Ｄは、本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法を示す断面概略図である。本実施形態の基板構造の製造方法は、まず、図３Ａを参照すると、コア層２１２、およびコア層２１２の互いに向かい合う第１表面２１１および第２表面２１３の上にある第１銅箔層２１４および第２銅箔層２１６を提供する。続いて、再度図３Ａを参照すると、熱積層ステップを行い、コア層２１２、第１銅箔層２１４および第２銅箔層２１６を一体に結合して、基材２１０を構成する。コア層２１２は、中央ブロックＣ’と、中央ブロックＣ’を取り囲む周囲ブロックＰ’とを有する。この時、コア層２１２の中央ブロックＣ’および周囲ブロックＰ’は、いずれも半固化状態である。ここで、熱積層ステップを行って基材２１０を構成する温度は、８０℃〜１６０℃の間であり、且つ時間は、１分〜３０分の間である。
【００３２】
続いて、図３Ｂを参照すると、コア層２１２の周囲ブロックＰ’に対して加熱加圧ステップを行い、コア層２１２の周囲ブロックＰ’を完全な固化状態にする。ここで、コア層２１２の周囲ブロックＰ’に対して加熱加圧ステップを行う温度は、１５０℃〜３００℃の間であり、且つ時間は、０．５分〜２０分の間である。
【００３３】
その後、図３Ｃを参照すると、パターン化導電層２２０を第１銅箔層２１４の上に形成する。
【００３４】
最後に、図３Ｄを参照すると、絶縁層２３０および絶縁層２３０の上にある第３銅箔層２４０をパターン化導電層２２０の上に熱積層して、絶縁層２３０および半固化状態のコア層２１２の中央ブロックＣ’を全てコア層２１２の周囲ブロックＰ’と同じように完全な固化状態にする。つまり、絶縁層２３０およびその上にある第３銅箔層２４０を熱積層した後、絶縁層２３０および半固化状態の第３銅箔層２４０の中央ブロックＣ’は、全て完全な固化状態になる。ここで、絶縁層２３０および第３銅箔層２４０を熱積層する温度は、１２０℃〜２５０℃の間であり、且つ時間は、３０分〜２４０分の間である。ここまでで、基板構造２００ａの製造が完了する。
【００３５】
本実施形態は、まず、半固化状態のコア層２１２の周囲ブロックＰ’を完全に固化させ、コア層２１２と第１銅箔層２１４および第２銅箔層２１６の間の結合力を増加させた後、絶縁層２３０およびその上にある第３銅箔層２４０を熱積層することによって、絶縁層２３０および半固化状態のコア層２１２の中央ブロックＣ’を全てコア層２１２の周囲ブロックＰ’と同じように完全な固化状態にする。そのため、単面の絶縁層２３０およびその上にある第３銅箔層２４０を基材２１０の上に積層した時、コア層２１２の中央ブロックＣ’は半固化状態であるため、基材２１０が湾曲しにくく、さらには、後で完成する基板構造２００ａの信頼度を上げることができる。
【００３６】
図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の実施形態に係る基板構造の製造方法の一部のステップを示す断面概略図である。本実施形態は、上述した実施形態の構成要素符号および一部の内容を援用しているため、同じまたは類似する構成要素は同じ表示符号を用いて表示するとともに、同じ技術内容は説明を省略する。省略した部分の説明については、上述した実施形態を参照することができるため、本実施形態では繰り返し説明しない。
【００３７】
図４Ｃを参照すると、本実施形態の基板構造２００ｂと上述した実施形態の基板構造２００ａとの主な相違点は、本実施形態の基板構造２００ｂが、さらに、ブラインドホールＢと、ブラインドホールＢの中に充填された充填材料２５０と、第３パターン化銅箔層２４２と、ソルダレジスト層２６０と、無電解ニッケル‐金層２７０と、パッド２８０とを有することである。
【００３８】
製造過程において、本実施形態の基板構造２００ｂは、上述した実施形態の基板構造２００ａとほぼ同じ製造方法を採用することができ、さらに、図３Ｄのステップの後、すなわち、絶縁層２３０およびその上にある第３銅箔層２４０をパターン化導電層２２０の上に熱積層した後、図４Ａを参照すると、第３銅箔層２４０にレーザービームを照射して、第３銅箔層２４０からパターン化導電層２２０に延伸する少なくとも１つのブラインドホールＢを形成する（図４Ａでは概略的に２個図示してある）。続いて、図４Ｂを参照すると、導電材料２５０をブラインドホールＢ内に充填して、導電材料２５０で第３銅箔層２４０とパターン化導電層２２０を接続する。その後、図４Ｃを参照すると、第３銅箔層２４０に対してパターン化ステップを行い、第３パターン化銅箔層２４２を形成する。第３パターン化銅箔層２４２は、ブラインドホールＢ内の導電材料２５０を介してパターン化導電層２２０と電気接続される。最後に、図４Ｄを参照すると、ソルダレジスト層２６０を第３パターン化銅箔層２４２の上に形成する。ソルダレジスト層２６０は、一部の第３パターン化銅箔層２４２を露出する。続いて、ソルダレジスト層２６０が露出したに第３パターン化銅箔層２４２に対して表面処理を行い、少なくとも１つのパッド２８０を形成する（図４Ａでは概略的に２個図示してある）。ここで、表面処理は、例えば、無電解ニッケル‐金層２７０をソルダレジスト層２６０が露出した第３パターン化銅箔層２４２の上に形成することを含む。もちろん、図示していない別の実施形態において、無電解ニッケル‐パラジウム層、無電解パラジウム‐金層、または無電解ニッケル‐パラジウム‐金層をソルダレジスト層２６０が露出した第３パターン化銅箔層２４２の上に形成してもよく、本発明はこれらに限定されない。ここまでで、基板構造２００ｂの製造が完了する。
【００３９】
以上のように、本発明は、まず、半固化状態の第１絶縁層の周囲ブロックを完全に固化して、第１絶縁層と基材の間の結合力を増加させた後、第２絶縁層およびその上にある第２導電層を熱積層することにより、第２絶縁層および半固化状態の第１絶縁層の中央ブロックを全て第１絶縁層の周囲ブロックと同じように完全な固化状態にする。そのため、単面の絶縁層およびその上にある導電層を基材の上に積層しても、基材が湾曲しにくく、さらには、後に完成する基板構造の信頼度を上げることができる。
【００４０】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、単面の絶縁層を基材の上に積層しても、基材が湾曲しにくく、優れた構造信頼度を有する基板構造の製造方法を提供する。
【符号の説明】
【００４２】
１００ａ、１００ｂ、２００ａ、２００ｂ    基板構造
１１０、１１０’、２１０    基材
１１１、２１１    第１表面
１１２、２１２    コア層
１１３、２１３    第２表面
１１４、２１４    第１銅箔層
１１４’    第１パターン化銅箔層
１１６、２１６    第２銅箔層
１１６’    第２パターン化銅箔層
１２０    第１絶縁層
１３０    第１導電層
１３２、２２０    第１パターン化導電層
１４０    第２絶縁層
１５０    第２導電層
１５２    第２パターン化導電層
１６０    第１導電スルーホール
１７０    第１ソルダレジスト層
１７５    第２ソルダレジスト層
１８０    第１パッド
１８５    第２パッド
１９０、２７０    無電解ニッケル‐金層
２３０    絶縁層
２４０    第３銅箔層
２４２    第３パターン化銅箔層
２５０    充填材料
２６０    ソルダレジスト層
２８０    パッド
Ｃ、Ｃ’    中央ブロック
Ｐ、Ｐ’    周囲ブロック
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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