(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層に貫通形成された収容部内に電子部品が収納され、前記電子部品と前記収容部の内壁との隙間に前記コア層よりも吸湿性が高い合成樹脂が充填されており、前記コア層の厚さ方向の一面及び他面に合成樹脂から成る絶縁体層及び金属から成る導体層の組が２つ以上設けられている電子部品内蔵基板であって、
前記コア層の厚さ方向の一面及び他面の少なくとも一方に設けられた２つ以上の絶縁体層及び導体層の組のうちの前記コア層に最も近い導体層には、該最も近い導体層に平行投影された前記収容部の開口縁の少なくとも一部に重なる１つ以上の第１貫通孔が形成されており、
前記電子部品は前記コア層に最も近い導体層に向き合う入力端子及び出力端子と該導体層に接続された接地端子を有しており、前記コア層に最も近い導体層に平行投影された前記電子部品の入力端子と出力端子を結ぶ領域には前記第１貫通孔は存在しない、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記２つ以上の絶縁体層及び導体層の組のうちの前記コア層に最も近い導体層以外の導体層には、該最も近い導体層以外の導体層に平行投影された前記第１貫通孔に少なくとも一部が重なる１つ以上の第２貫通孔が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記２つ以上の絶縁体層及び導体層の組のうちの前記コア層に最も近い導体層以外の導体層には、該最も近い導体層以外の導体層に平行投影された前記第１貫通孔に近接しつつも重ならない１つ以上の第２貫通孔が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第２貫通孔の形状が、前記最も近い導体層以外の導体層に平行投影された前記第１貫通孔の形状と異なる、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記収容部は略直方体形状を成し、前記電子部品は該収容部よりも小さな略直方体形状を成す、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記電子部品は弾性波フィルタ、ＩＣチップの何れかである、
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
前記コア層は金属から成る、
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項８】
前記コア層と前記コア層よりも吸湿性が高い合成樹脂は補強フィラーを含む合成樹脂から成り、該コア層を構成する合成樹脂に含まれる補強フィラーの含有率は前記コア層よりも吸湿性が高い合成樹脂に含まれる補強フィラーの含有率よりも高い、
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が基板に内蔵された電子部品内蔵基板、特にコア層に形成された収容部内に電子部品が収納された電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品内蔵基板には、例えば下記特許文献１に開示されているような「コア層を有しないタイプ」と、例えば下記特許文献２に開示されているような「コア層を有するタイプ」が知られている。「コア層を有しないタイプ」は電子部品が絶縁体層に埋設された構造を有しており、電子部品は絶縁体層を構成する合成樹脂によって覆われてその位置固定補助が為される。「コア層を有するタイプ」は電子部品がコア層に貫通形成された収容部内に収納された構造を有しており、電子部品と収容部の内壁との間に隙間が在る場合には該隙間に合成樹脂が充填され、電子部品は該充填合成樹脂によって覆われてその位置固定補助が為される。
【０００３】
ところで、「コア層を有するタイプ」の充填合成樹脂としてコア層よりも吸湿性が高いものを使用すると以下のような恐れを生じる。即ち、電子部品内蔵基板には一般にリフローハンダ付け法によって各種電子部品が実装されるため、リフローハンダ付け時の熱によって充填合成樹脂に含まれている水分が蒸発して蒸気が外部に逃げようとする挙動を生じる。コア層の厚さ方向一面及び他面に合成樹脂から成る絶縁体層と金属から成る導体層が順に設けられている場合には、蒸気はコア層に最も近い絶縁体層内を通じて該絶縁体層の端から外部に逃げようとするが、蒸気が外部に放出される経路が長いために蒸気圧によってコア層に最も近い絶縁体層にクラックを生じたり、該絶縁体層とコア層とに層間剥離を生じたり、該絶縁体層とコア層に最も近い導体層とに層間剥離を生じたりする等の恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０６０４１３号公報
【特許文献１】特開２０１０−１１８５８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、絶縁体層にクラックを生じる等の恐れを解消できる電子部品内蔵基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、コア層に貫通形成された収容部内に電子部品が収納され、前記電子部品と前記収容部の内壁との隙間に前記コア層よりも吸湿性が高い合成樹脂が充填されており、前記コア層の厚さ方向の一面及び他面に合成樹脂から成る絶縁体層及び金属から成る導体層の組が２つ以上設けられている電子部品内蔵基板であって、前記コア層の厚さ方向の一面及び他面の少なくとも一方に設けられた２つ以上の絶縁体層及び導体層の組のうちの前記コア層に最も近い導体層には、該最も近い導体層に平行投影された前記収容部の開口縁の少なくとも一部に重なる１つ以上の第１貫通孔が形成されている、ことをその特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、絶縁体層にクラックを生じる等の恐れを解消できる電子部品内蔵基板を提供することができる。
【０００８】
本発明の前記目的及び他の目的と、各目的に応じた特徴と効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部縦断面図である。
【図２】図２は、図１のＳ２−Ｓ２線に沿う横断面図である。
【図３】図３は、図１のＳ３−Ｓ３線に沿う横断面図である。
【図４】図４は、図１のＳ４−Ｓ４線に沿う横断面図である。
【図５】図５は、図１のＳ５−Ｓ５線に沿う横断面図である。
【図６】図６は、図１のＳ６−Ｓ６線に沿う横断面図である。
【図７】図７は、図１のＳ７−Ｓ７線に沿う横断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部縦断面図である。
【図９】図９は、図８の図３対応の横断面図である。
【図１０】図１０は、図８の図４対応の横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
《第１実施形態》
図１〜図７に示した電子部品内蔵基板は、多層構造の基板１１に、電子部品として表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用したＳＡＷフィルタ１２が内蔵されている。因みに、図２〜図７に示したＳ１−Ｓ１線は図１の断面位置を示す。
【００１１】
基板１１は、略直方体形状の収容部１１ａ１が厚さ方向に貫通形成されたコア層１１ａと、収容部１１ａ１内に収納されたＳＡＷフィルタ１２と該収容部１１ａ１の内壁との隙間に充填された合成樹脂（以下、充填合成樹脂と言う）１１ｂと、コア層１１ａの上面（厚さ方向の一面）に設けられた第１絶縁体層１１ｃと、第１絶縁体層１１ｃの上面に設けられた第１導体層１１ｄと、第１導体層１１ｄの上面に設けられた第２絶縁体層１１ｅと、第２絶縁体層１１ｅの上面に設けられた第２導体層１１ｆと、コア層１１ａの下面（厚さ方向の他面）に設けられた第３絶縁体層１１ｇと、第３絶縁体層１１ｇの下面に設けられた第３導体層１１ｈと、第３導体層１１ｈの下面に設けられた第４絶縁体層１１ｉと、第４絶縁体層１１ｉの下面に設けられた第４導体層１１ｊと、を備えている。
【００１２】
コア層１１ａは銅や銅合金等の金属から成り、その厚さは例えば１００〜４００μｍの範囲内にある。充填合成樹脂１１ｂと各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉはエポキシ樹脂やポリイミドやビスマレイミドトリアジン樹脂やこれらにガラス繊維等の補強フィラーを含有させたもの等の合成樹脂（熱硬化性のみならず熱可塑性のものも使用可能）から成り、各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉの厚さは例えば１０〜３０μｍの範囲内にある。コア層１１ａが金属から成ることから、充填合成樹脂１１ｂの吸湿性はコア層１１ａよりも高い。
【００１３】
各導体層１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ及び１１ｊは銅や銅合金等の金属から成り、その厚さは例えば５〜２５μｍの範囲内にある。各導体層１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ及び１１ｊには、信号配線と接地配線（符号１１ｄ１、１１ｆ１、１１ｈ１及び１１ｊ１を参照）が２次元的にパターンニングされていると共に、該接地配線に連続する又は連続しない導体ビア（符号１１ｄ４、１１ｄ５及び１１ｆ４を参照）がその内側の絶縁体層を貫通するようにして設けられている。導体ビアは銅や銅合金等の金属から成り、その最大直径は例えば１０〜８０μｍの範囲内にある。
【００１４】
つまり、基板１１におけるコア層１１ａの上面と下面には、合成樹脂から成る絶縁体層及び金属から成る導体層の組が２つ設けられている。
【００１５】
ＳＡＷフィルタ１２は、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電体から成る略直方体形状のフィルタ本体１２ａと、フィルタ本体１２ａの上面に設けられたフィルタ機能部（図示省略）と、フィルタ機能部を覆う１以上のカバー（図示省略）と、カバーを覆う封止部１２ｂと、封止部１２ｂの上面から露出する略円形の入力端子１２ｃ、出力端子１２ｄ及び３個の接地端子１２ｅを有していて、全体が略直方体形状を成している。フィルタ機能部は、例えば直列接続された複数の共振子とこれに並列接続された複数の共振子とから成るラダー型の構成を有しており、各共振子は櫛歯状電極とその両側に配置された反射器とから成る。
【００１６】
図１、図２及び図５から分かるように、ＳＡＷフィルタ１２はコア層１１ａに形成された収容部１１ａ１よりも小さな略直方体形状を成すことから、詳しくはコア層１１ａに形成された収容部１１ａ１の横断面形と深さ（コア層１１ａの厚さに相当）はＳＡＷフィルタ１２の横断面形と高さよりも大きく、しかも、ＳＡＷフィルタ１２は収容部１１ａ１内の上側中央に収納されていることから、前記隙間はＳＡＷフィルタ１２の４側面側と下面側に存在する。つまり、収容部１１ａ１内に収納されたＳＡＷフィルタ１２は４側面と下面を充填合成樹脂１１ｂによって覆われてその位置固定補助が為されている。因みに、図２及び図５に示した符号ＶＯは収容部１１ａ１の開口縁を示す。
【００１７】
図３から分かるように、コア層１１の上面に最も近い第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１には、該第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１に平行投影された前記収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの一部に重なる４つの第１貫通孔１１ｄ２が形成されている。詳しくは、４つの第１貫通孔１１ｄ２のうちの３つは略等しい幅及び長さを有し、残りの１つは前記３つと略等しい幅及び異なる長さを有しており、４つの第１貫通孔１１ｄ２それぞれの幅方向中心が平行投影された前記収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの４つの辺それぞれと略一致する位置に形成されている。この４つの第１貫通孔１１ｄ２それぞれには例えば第２絶縁体層１１ｅと同じ合成樹脂が充填されている。各第１貫通孔１１ｄ２の幅は例えば０．０１〜１．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍの範囲内にあり、各々の長さは例えば０．０１〜５．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．１〜１．０ｍｍの範囲内にある。
【００１８】
また、第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１には、ＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃと出力端子１２ｄにそれぞれ対応するように略円形の２つの貫通孔１１ｄ３が形成されていると共に、２つの貫通孔１１ｄ３の内側それぞれに円盤部及び柱状部を有する縦断面Ｔ型の導体ビア１１ｄ４が該各貫通孔１１ｄ３と非接触で形成されている。２つの導体ビア１１ｄ４の円盤部の厚さ及び高さ位置は接地配線１１ｄ１と同じであり、一方の導体ビア１１ｄ４の柱状部の下端はＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃに接続され、他方の導体ビア１１ｄ４の柱状部の下端はＳＡＷフィルタ１２の出力端子１２ｄに接続されている。この２つの貫通孔１１ｄ３とその内側に存する２つの導体ビア１１ｄ４の円盤部との環状隙間それぞれには例えば第２絶縁体層１１ｅと同じ合成樹脂が充填されている。
【００１９】
さらに、第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１の下面側には、ＳＡＷフィルタ１２の３つの接地端子１２ｅにそれぞれ対応するように柱状の３つの導体ビア１１ｄ５が該接地配線１１ｄ１と連続して形成されている。３つの導体ビア１１ｄ５の下端はＳＡＷフィルタ１２の３つの接地端子１２ｅにそれぞれ接続されている。
【００２０】
図４から分かるように、コア層１１の上面に２番目に近い第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１には、該第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｄ２それぞれにその一部が重なる４つの第２貫通孔１１ｆ２が形成されている。詳しくは、４つの第２貫通孔１１ｆ２のうちの２つは略等しい幅及び長さを有し、残りの２つは前記２つと略等しい幅及び異なる長さを有しており、４つの第２貫通孔１１ｆ２は平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｄ２それぞれと長さ方向にずれた位置に形成されている。この４つの第２貫通孔１１ｆ２それぞれには合成樹脂は充填されていない。各第２貫通孔１１ｆ２の幅は例えば０．０１〜１．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍの範囲内にあり、各々の長さは例えば０．０１〜５．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．１〜１．０ｍｍの範囲内にある。
【００２１】
また、第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１には、ＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃと出力端子１２ｄにそれぞれ対応するように略円形の２つの貫通孔１１ｆ３が形成されていると共に、２つの貫通孔１１ｆ３の内側それぞれに円盤部及び柱状部を有する縦断面Ｔ型の導体ビア１１ｆ４が該各貫通孔１１ｆ３と非接触で形成されている。２つの導体ビア１１ｆ４の円盤部の厚さ及び高さ位置は接地配線１１ｆ１と同じであり、２つの導体ビア１１ｆ４の下端は第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１に形成された２つの導体ビア１１ｄ４の円盤部の上面にそれぞれ接続されている。この２つの貫通孔１１ｆ３とその内側に存する２つの導体ビア１１ｆ４の円盤部との環状隙間それぞれには合成樹脂は充填されていない。
【００２２】
図６から分かるように、コア層１１の下面に最も近い第３導体層１１ｈの接地配線１１ｈ１には、該第３導体層１１ｈの接地配線１１ｈ１に平行投影された前記収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの一部に重なる４つの第１貫通孔１１ｈ２が形成されている。詳しくは、４つの第１貫通孔１１ｈ２のうちの２つは略等しい幅及び長さを有し、残りの２つは前記２つと略等しい幅及び異なる長さを有しており、４つの第１貫通孔１１ｈ２それぞれの幅方向中心が平行投影された前記収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの４つの辺それぞれと略一致する位置に形成されている。この４つの第１貫通孔１１ｈ２それぞれには例えば第４絶縁体層１１ｉと同じ合成樹脂が充填されている。各第１貫通孔１１ｈ２の幅は例えば０．０１〜１．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍの範囲内にあり、各々の長さは例えば０．０１〜５．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．１〜１．０ｍｍの範囲内にある。
【００２３】
図７から分かるように、コア層１１の下面に２番目に近い第４導体層１１ｊの接地配線１１ｊ１には、該第４導体層１１ｊの接地配線１１ｊ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｈ２それぞれにその一部又は略全部が重なる４つの第２貫通孔１１ｊ２が形成されている。詳しくは、４つの第２貫通孔１１ｊ２のうちの２つは略等しい幅及び長さを有し、残りの２つは前記２つと略等しい幅及び異なる長さを有しており、４つの第２貫通孔１１ｊ２のうちの３つは平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｈ２のうちの３つと長さ方向にずれた位置に形成され、４つの第２貫通孔１１ｊ２のうちの１つは平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｈ２のうちの１つと長さ方向中心が略一致した位置に形成されている。この４つの第２貫通孔１１ｊ２それぞれには合成樹脂は充填されていない。各第２貫通孔１１Ｊ２の幅は例えば０．０１〜１．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍの範囲内にあり、各々の長さは例えば０．０１〜５．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．１〜１．０ｍｍの範囲内にある。
【００２４】
以下に、図１〜図７に示した電子部品内蔵基板によって得られる効果について説明する。
【００２５】
前記電子部品内蔵基板には一般にリフローハンダ付け法によって各種電子部品が実装される。充填合成樹脂１１ｂと合成樹脂から成る各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉ、特に体積が大きな充填合成樹脂１１ｂには各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉに比べて多くの水分が含まされているため、リフローハンダ付け時の熱によって充填合成樹脂１１ｂに含まれている水分が蒸発して蒸気が外部に逃げようとする挙動、詳しくは充填合成樹脂１１ｂで発生した蒸気が収容部１１ａ１の内壁に沿って上方向及び下方向に移動するような挙動を生じる。
【００２６】
（効果１）前記電子部品内蔵基板によれば、コア層１１の上面に最も近い第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１に、該第１導体層１１ｄの接地配線１１ｄ１に平行投影された前記収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの一部に重なる４つの第１貫通孔１１ｄ２が形成されているため、収容部１１ａ１の内壁に沿って上方向に移動する蒸気の大部分を第１絶縁体層１１ｃ及び４つの第１貫通孔１１ｄ２を通じて第２絶縁体層１１ｅにスムースに導くことができる。同様に、コア層１１の下面に最も近い第３導体層１１ｈの接地配線１１ｈ１に、該第３導体層１１ｈの接地配線１１ｈ１に平行投影された前記収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの一部に重なる４つの第１貫通孔１１ｈ２が形成されているため、収容部１１ａ１の内壁に沿って下方向に移動する蒸気の大部分を第３絶縁体層１１ｇ及び４つの第１貫通孔１１ｈ２を通じて第４絶縁体層１１ｉにスムースに導くことができる。
【００２７】
つまり、充填合成樹脂１１ｂで発生した蒸気がコア層１１ａに最も近い第１絶縁体層１１ｃと第３絶縁体層１１ｇのそれぞれに導かれる場合に比べて、該第１絶縁体層１１ｃと第３絶縁体層１１ｇのそれぞれが受ける蒸気圧を低減できるので、該蒸気圧によって第１絶縁体層１１ｃ及び第３絶縁体層１１ｇにクラックを生じたり、第１絶縁体層１１ｃとコア層１１ａとに層間剥離を生じたり、第３絶縁体層１１ｇとコア層１１ａとに層間剥離を生じたり、第１絶縁体層１１ｃと第１導体層１１ｄとに層間剥離を生じたり、第３絶縁体層１１ｇと第３導体層１１ｈとに層間剥離を生じたりする等の恐れを解消できる。
【００２８】
（効果２）また、前記電子部品内蔵基板によれば、コア層１１の上面に２番目に近い第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１に、該第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｄ２それぞれにその一部が重なる４つの第２貫通孔１１ｆ２が形成されているため、収容部１１ａ１の内壁に沿って上方向に移動する蒸気の大部分を第１絶縁体層１１ｃ、４つの第１貫通孔１１ｄ２（合成樹脂充填、図３を参照）、第２絶縁体層１１ｅ及び４つの第２貫通孔１１ｆ２（合成樹脂非充填、図４を参照）を通じて外部に放出することができる（図１上側に示した放出経路ＰＷを参照）。同様に、コア層１１の下面に２番目に近い第４導体層１１ｊの接地配線１１ｊ１には、該第４導体層１１ｊの接地配線１１ｊ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｈ２それぞれにその一部又は略全部が重なる４つの第２貫通孔１１ｊ２が形成されているため、収容部１１ａ１の内壁に沿って下方向に移動する蒸気の大部分を第３絶縁体層１１ｇ、４つの第１貫通孔１１ｈ２（合成樹脂充填、図６を参照）、第４絶縁体層１１ｉ及び４つの第２貫通孔１１ｊ２（合成樹脂非充填、図７を参照）を通じて外部に放出することができる（図１下側に示した放出経路ＰＷを参照）。
【００２９】
つまり、４つの第１貫通孔１１ｄ２と４つの第１貫通孔１１ｈ２を通過した蒸気の大部分が第２絶縁体層１１ｅと第４絶縁体層１１ｉのそれぞれに導かれる場合に比べて、該第２絶縁体層１１ｅと第４絶縁体層１１ｉのそれぞれが受ける蒸気圧を低減できるので、該蒸気圧によって第２絶縁体層１１ｅ及び第４絶縁体層１１ｉにクラックを生じたり、第２絶縁体層１１ｅと第２導体層１１ｆとに層間剥離を生じたり、第４絶縁体層１１ｉと第４導体層１１ｊとに層間剥離を生じたりする等の恐れを解消できる。
【００３０】
（効果３）さらに、前記電子部品内蔵基板によれば、コア層１１の上面に２番目に近い第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１に形成された４つの第２貫通孔１１ｆ２の一部の形状を、該第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｄ２の形状と異ならせているため、該４つの第１貫通孔１１ｄ２を通過した蒸気の圧力及び方向を前記形状差異に基づいて制御することができる。同様に、コア層１１の下面に２番目に近い第４導体層１１ｊの接地配線１１ｊ１に形成された４つの第２貫通孔１１ｊ２の一部の形状を、該第４導体層１１ｊの接地配線１１ｊ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｆ２の形状と異ならせているため、該４つの第１貫通孔１１ｆ２を通過した蒸気の圧力及び方向を前記形状差異に基づいて制御することができる。
【００３１】
つまり、４つの第１貫通孔１１ｄ２と４つの第１貫通孔１１ｆ２を通過した蒸気の圧力及び方向を４つの第２貫通孔１１ｆ２と４つの第２貫通孔１１ｊ２の形状によって制御できるので、電子部品内蔵基板に実装される各種電子部品の位置を考慮した上で４つの第２貫通孔１１ｆ２と４つの第２貫通孔１１ｊ２から外部に放出される蒸気の流量を可変できる。
【００３２】
（効果４）さらに、前記電子部品内蔵基板によれば、ＳＡＷフィルタ１２はコア層１１ａの上面に最も近い第１導体層１１ｆの接地配線１１ｆに向き合う入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄと該第１導体層１１ｆの接地配線１１ｆに接続された接地端子１２ｅを有しており、第１導体層１１ｆの接地配線１１ｆに平行投影された入力端子１２ｃと出力端子１２ｄを結ぶ領域には前記第１貫通孔１１ｄ２が存在しないため（図２及び図３を参照）、ＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄを流れる電流のリターン電流が第１導体層１１ｆの接地配線１１ｆに流れる場合でも該リターン電流の流路を最短にすることができ、これによりリターン電流の流路を長くなることにより生じるインピーダンス不整合等の不具合を回避してＳＡＷフィルタ１２の特性を良好に維持できる。
【００３３】
《第２実施形態》
図８〜図１０に示した電子部品内蔵基板は、前記第１実施形態で説明した電子部品内蔵基板と同様に、多層構造の基板１１に、電子部品としてＳＡＷフィルタ１２が内蔵されている。この電子部品内蔵基板は第２導体層１１ｆの構成が前記第１実施形態で説明した電子部品内蔵基板と異なる。他の構成は前記第１実施形態で説明した電子部品内蔵基板と同じであるためその説明を省略する。
【００３４】
即ち、図１０から分かるように、コア層１１の上面に２番目に近い第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１には、該第２導体層１１ｆの接地配線１１ｆ１に平行投影された前記４つの第１貫通孔１１ｄ２に近接しつつも重ならない４つの第２貫通孔１１ｆ２が形成されている。詳しくは、４つの第２貫通孔１１ｆ２は、前記第１貫通孔１１ｄ２と略等しい幅及び長さを有しており、平行投影された前記第１貫通孔１１ｄ２よりも外側にずれた位置に形成されている。この４つの第２貫通孔１１ｆ２それぞれには合成樹脂は充填されていない。各第２貫通孔１１ｆ２の幅は例えば０．０１〜１．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍの範囲内にあり、各々の長さは例えば０．０１〜５．０ｍｍの範囲内、好ましくは０．１〜１．０ｍｍの範囲内にある。また、各第２貫通孔１１ｆ２が各第１貫通孔１１ｄ２に近接しつつも重ならない距離は例えば０．０１〜１．０ｍｍの範囲内である。
【００３５】
図８〜図１０に示した電子部品内蔵基板によれば、図８上側に示した放出経路ＰＷが図１上側に示した放出経路ＰＷよりも若干長くなるものの、前記効果１〜４を同様に得ることができる。また、図８〜図１０に示した電子部品内蔵基板によれば、各第２貫通孔１１ｆ２が各第１貫通孔１１ｄ２に近接しつつも重ならない位置関係を有しているため、外部からのノイズ侵入を抑制するシールド効果をより高められるといった利点も得られる。
【００３６】
《他の実施形態》
（１）前記第１実施形態及び第２実施形態では、「コア層１１ａよりも吸湿性が高い充填合成樹脂１１ｂ」の関係を得るためにコア層１１ａとして金属製のものを示したが、充填合成樹脂１１ｂよりも吸湿性が低い金属以外の材料、例えばセラミックスや合成樹脂をコア層１１ａに用いた場合でも前記関係を得ることができ、前記効果１〜４を同様に得ることができる。
【００３７】
コア層１１ａが合成樹脂から成る場合について補足すれば、コア層１１ａが充填合成樹脂１１ｂ並びに各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉと異種の合成樹脂から成る場合には、該合成樹脂として充填合成樹脂１１ｂよりも吸湿性が低いものを用いれば良い。また、コア層１１ａが充填合成樹脂１１ｂ並びに各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉと同種の合成樹脂から成る場合や、コア層１１ａが充填合成樹脂１１ｂ並びに各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉと吸湿性が略等しい異種の合成樹脂から成る場合には、コア層を構成する合成樹脂のみにガラス繊維等の補強フィラーを含有させてその吸湿性を充填合成樹脂１１ｂよりも低くするか、又は、コア層を構成する合成樹脂に含まれる補強フィラーの含有率を充填合成樹脂１１ｂに含まれる補強フィラーの含有率よりも高くしてその吸湿性を充填合成樹脂１１ｂよりも低くすれば良い。
【００３８】
（２）前記第１実施形態及び第２実施形態では、各第２貫通孔１１ｆ２及び１１ｊ２として合成樹脂が充填されていないものを示したが、各第１貫通孔１１ｄ２及び１１ｈ２と同じように、該各第２貫通孔１１ｆ２及び１１ｊ２として合成樹脂を充填したものを用いても、前記効果１〜４を同様に得ることができる。
【００３９】
（３）前記第１実施形態及び第２実施形態では、第１導体層１１ｄに４つの第１貫通孔１１ｄ２を形成し第３導体層１１ｈに４つの第１貫通孔１１ｈ２を形成したものを示したが、第１貫通孔１１ｄ２及び１１ｈ２の数は１〜３又は５以上であっても良く、各々の形状も図示した形状に限らず円形や多角形等の種々の形状が採用できるし、各々の位置も適宜変更できる。要するに、第１導体層１１ｄと第３導体層１１ｈの少なくとも一方に平行投影された収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの少なくとも一部に重なる１つ以上の第１貫通孔が在れば、前記効果１を同様に得ることができる。
【００４０】
（４）前記第１実施形態及び第２実施形態では、第２導体層１１ｆに４つの第２貫通孔１１ｆ２を形成し第４導体層１１ｊに４つの第２貫通孔１１ｊ２を形成したものを示したが、第１貫通孔１１ｄ２及び１１ｈ２と同様、第２貫通孔１１ｆ２及び１１ｊ２の数は１〜３又は５以上であっても良く、各々の形状も図示した形状に限らず円形や多角形等の種々の形状が採用できるし、各々の位置も適宜変更できる。要するに、第２導体層１１ｆと第４導体層１１ｊの少なくとも一方に平行投影された前記第１貫通孔１１ｄ２又は前記第１貫通孔１１ｈ２に少なくとも一部が重なる１つ以上の第２貫通孔が在れば、或いは、第２導体層１１ｆと第４導体層１１ｊの少なくとも一方に平行投影された前記第１貫通孔１１ｄ２又は前記第１貫通孔１１ｈ２に近接しつつも重ならない１つ以上の第２貫通孔が在れば、前記効果２及び効果３を同様に得ることができる。
【００４１】
（５）前記第１実施形態及び第２実施形態では、コア層１１ａの上面と下面に絶縁体層及び導体層の組を２つ設けたものを示したが、該絶縁体層及び導体層の組が３つ以上であっても、前記（３）又は（４）に記した条件を満たしていれば、前記効果１又は前記効果２及び効果３を同様に得ることができる。
【００４２】
（６）前記第１実施形態及び第２実施形態では、コア層１１ａの収容部１１ａ１にＳＡＷフィルタ１２を収納したものを示したが、ＳＡＷフィルタ１２に代えて他種の弾性波フィルタ、例えばバルク弾性波（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用したＢＡＷフィルタを収納しても良く、ＳＡＷフィルタ１２と同じような入力端子、出力端子及び接地端子を有するＩＣチップ等の他の電子部品を収納しても良い。要するに、導体層１１ｄに向き合う入力端子及び出力端子と該導体層１１ｄに接続された接地端子を有し、該導体層１１ｄに平行投影された電子部品の入力端子と出力端子を結ぶ領域に第１貫通孔が存在しないものであれば、前記効果４を同様に得ることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１１…基板、１１ａ…コア層、１１ａ１…収容部、ＶＯ…収容部の開口縁、１１ｂ…充填合成樹脂、１１ｃ，１１ｅ，１１ｇ，１１ｉ…絶縁体層、１１ｄ，１１ｆ，１１ｈ，１１ｊ…導体層、１１ｄ１，１１ｆ１，１１ｈ１，１１ｊ１…接地配線、１１ｄ２，１１ｈ２…第１貫通孔、１１ｆ２，１１ｊ２…第２貫通孔、１２…ＳＡＷフィルタ、１２ｃ〜１２ｅ…端子。
【要約】      （修正有）【課題】絶縁体層にクラックを生じる等の恐れを解消できる電子部品内蔵基板を提供する。【解決手段】収容部１１ａ１が貫通形成されたコア層に最も近い第１導体層１１ｄと第３導体層には、該第１導体層１１ｄと第３導体層に平行投影された収容部１１ａ１の開口縁ＶＯの一部に重なる４つの第１貫通孔１１ｄ２と４つの第１貫通孔がそれぞれ形成されている。【選択図】図３【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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