(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、
複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、
前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器と、を備え、
前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有し、
前記第１加熱器および前記第２加熱器に、制御部が接続され、
前記制御部は、前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御し、
前記制御部は、前記第１加熱器の出力が前記第２加熱器の出力より大きくなるように、当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御し、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、
前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられ、
前記制御部は、前記第１加熱器の出力および前記第２加熱器の出力をそれぞれ一定に維持するように当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御すると共に、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように、前記第３加熱器を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理槽に、貯留された薬液の温度を検出する温度検出器が設けられ、
前記制御部は、前記温度検出器により検出された温度に基づいて、前記第３加熱器を制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、
前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられ、
前記制御部は、前記第３加熱器の出力を一定に維持するように、当該第３加熱器を制御すると共に、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように、前記第１加熱器および前記第２加熱器を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理槽に、貯留された薬液の温度を検出する温度検出器が設けられ、
前記制御部は、前記温度検出器により検出された温度に基づいて、前記第１加熱器および前記第２加熱器を制御することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力と略同一となるように、当該第１加熱器および当該第３加熱器を制御することを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力より大きくなるように、当該第１加熱器および当該第３加熱器を制御することを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、
複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、
前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器と、
前記処理槽内に設けられ、薬液に浸漬された前記基板に薬液を供給する薬液供給部と、を備え、
前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有し、
前記第１加熱器および前記第２加熱器に、制御部が接続され、
前記制御部は、前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御し、
前記基板保持機構の前記保持部に、前記基板を係合自在な複数の保持溝が形成され、
前記薬液供給部は、前記保持溝の間に対応するように設けられ、前記基板の間に薬液を供給する複数の基板位置供給孔と、前記背部と前記一方の側壁との間に対応するように設けられ、前記背部と当該一方の側壁との間に薬液を供給する背部側供給孔と、を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第１加熱器の出力が前記第２加熱器の出力より小さくなるように、当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御し、前記処理層に貯留された薬液が加熱されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第２加熱器に対する前記第１加熱器の出力が３０％〜５０％となるように、当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器とを備え、前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有する、基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
前記処理槽に、薬液を貯留する工程と、
前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御して、前記処理槽に貯留された薬液を加熱する工程と、
前記基板保持機構の前記保持部に複数の前記基板を起立させて保持し、当該基板を前記処理槽に貯留された薬液に浸漬させる工程と、を備え、
前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器の出力を前記第２加熱器の出力より大きくして、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、
前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられており、
前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器および前記第２加熱器の出力がそれぞれ一定に維持されると共に、前記第３加熱器が、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように作動することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記薬液を加熱する工程において、前記処理槽に貯留された薬液の温度が検出され、当該検出された温度に基づいて、前記第３加熱器が作動することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、
前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられており、
前記薬液を加熱する工程において、前記第３加熱器の出力が一定に維持されると共に、前記第１加熱器および前記第２加熱器が、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように作動することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記薬液を加熱する工程において、前記処理槽に貯留された薬液の温度が検出され、当該検出された温度に基づいて、前記第１加熱器および前記第２加熱器が作動することを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記薬液を加熱する工程において、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力と略同一となることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記薬液を加熱する工程において、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力より大きくなることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１８】
互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器とを備え、前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有する、基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
前記処理槽に、薬液を貯留する工程と、
前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御して、前記処理槽に貯留された薬液を加熱する工程と、
前記基板保持機構の前記保持部に複数の前記基板を起立させて保持し、当該基板を前記処理槽に貯留された薬液に浸漬させる工程と、を備え、
前記処理槽内に、薬液に浸漬された前記基板に薬液を供給する薬液供給部が設けられ、
前記基板保持機構の前記保持部に、前記基板を係合自在な複数の保持溝が形成され、
前記薬液供給部は、前記保持溝の間に対応するように設けられ、前記基板の間に薬液を供給する複数の基板位置供給孔と、前記背部と前記一方の側壁との間に対応するように設けられ、前記背部と当該一方の側壁との間に薬液を供給する背部側供給孔と、を有し、
基板を薬液に浸漬させる工程において、薬液は、薬液に浸漬された前記基板の間に供給されると共に、前記背部と前記一方の側壁との間に供給されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器の出力を前記第２加熱器の出力より小さくして、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記薬液を加熱する工程において、前記第２加熱器に対する前記第１加熱器の出力を３０〜５０％として、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器とを備え、前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有する、基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
この基板処理方法は、
前記処理槽に、薬液を貯留する工程と、
前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御して、前記処理槽に貯留された薬液を加熱する工程と、
前記基板保持機構の前記保持部に複数の前記基板を起立させて保持し、当該基板を前記処理槽に貯留された薬液に浸漬させる工程と、を備え、
前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器の出力を前記第２加熱器の出力より大きくして、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されることを特徴とする記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウエハ等の基板（以下、単にウエハと記す）を、処理槽に貯留された薬液（エッチング液）に浸漬して薬液処理（エッチング処理）する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置においては、表面にシリコン窒化膜が形成された複数（例えば、５０枚）のウエハが、処理槽に貯留された高温（例えば、約１６０℃〜約１８０℃）で沸騰状態の薬液（例えば、リン酸水溶液、Ｈ３ＰＯ４）に浸漬されて、ウエハのシリコン窒化膜のエッチング処理が行われる。このことにより、ウエハ表面のシリコン窒化膜が、所望のパターンに形成される。
【０００３】
ここで、処理槽は、直方体状に形成され、４つの側壁および底板を有しており、各側壁および底板には、ヒータがそれぞれ設けられ、貯留された薬液が、ウエハを浸漬する前、およびウエハを浸漬している間に、加熱されるようになっている。
【０００４】
また、基板処理装置には、複数のウエハを起立して（垂直状に）保持する保持棒と、この保持棒に連結され、垂直状に延びる背板とを有するウエハボードが設けられており、ウエハは、このウエハボードの保持棒に保持されて、加熱されて沸騰状態の薬液に浸漬されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながらウエハボードの背板の周囲の薬液は、背板に熱を奪われたり、熱の伝搬が背板によって遮蔽される。このことにより、保持棒に保持されているウエハのうち、背板側で保持されているウエハの周囲の薬液の温度が低下し、保持棒の先端側と背板側とにおいて薬液の温度や沸騰状態に差が生じる。ウエハのシリコン窒化膜のエッチングレート（エッチング速度）は薬液の温度に依存するとともに、沸騰状態はＳｉＮｋとＳｉＯｋの選択比に依存するため、ウエハボードの保持棒の背板側で保持されているウエハのシリコン窒化膜のエッチングレートが低下し、ウエハボードに保持された各ウエハのシリコン窒化膜を、均一にエッチングすることが困難となることがあった。
【０００７】
本発明は、このようなことを考慮してなされたものであり、薬液処理時に処理槽内の薬液の温度および沸騰状態を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器と、を備え、前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有し、前記第１加熱器および前記第２加熱器に、制御部が接続され、前記制御部は、前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御することを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記第１加熱器の出力が前記第２加熱器の出力より大きくなるように、当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御し、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されるようにしてもよい。
【００１０】
本発明による基板処理装置において、前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられ、前記制御部は、前記第１加熱器の出力および前記第２加熱器の出力をそれぞれ一定に維持するように当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御すると共に、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように、前記第３加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１１】
本発明による基板処理装置において、前記処理槽に、貯留された薬液の温度を検出する温度検出器が設けられ、前記制御部は、前記温度検出器により検出された温度に基づいて、前記第３加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１２】
本発明による基板処理装置において、前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられ、前記制御部は、前記第３加熱器の出力を一定に維持するように、当該第３加熱器を制御すると共に、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように、前記第１加熱器および前記第２加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１３】
本発明による基板処理装置において、前記処理槽に、貯留された薬液の温度を検出する温度検出器が設けられ、前記制御部は、前記温度検出器により検出された温度に基づいて、前記第１加熱器および前記第２加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１４】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力と略同一となるように、当該第１加熱器および当該第３加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１５】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力より大きくなるように、当該第１加熱器および当該第３加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１６】
本発明による基板処理装置において、前記処理槽内に設けられ、薬液に浸漬された前記基板に薬液を供給する薬液供給部を更に備え、前記基板保持機構の前記保持部に、前記基板を係合自在な複数の保持溝が形成され、前記薬液供給部は、前記保持溝の間に対応するように設けられ、前記基板の間に薬液を供給する複数の基板位置供給孔と、前記保持溝のうち最も前記背部の側に形成された前記保持溝と前記一方の側壁との間に対応するように設けられ、最も前記背部側の前記保持溝に係合した前記基板と当該一方の側壁との間に薬液を供給する背部側供給孔と、を有しているようにしてもよい。
【００１７】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記第１加熱器の出力が前記第２加熱器の出力より小さくなるように、当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御し、前記処理層に貯留された薬液が加熱されるようにしてもよい。
【００１８】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記第２加熱器に対する前記第１加熱器の出力が３０％〜５０％となるように、当該第１加熱器および当該第２加熱器を制御するようにしてもよい。
【００１９】
本発明は、互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器とを備え、前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有する、基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、前記処理槽に、薬液を貯留する工程と、前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御して、前記処理槽に貯留された薬液を加熱する工程と、前記基板保持機構の前記保持部に複数の前記基板を起立させて保持し、当該基板を前記処理槽に貯留された薬液に浸漬させる工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
【００２０】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器の出力を前記第２加熱器の出力より大きくして、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されるようにしてもよい。
【００２１】
本発明による基板処理方法において、前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられており、前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器および前記第２加熱器の出力がそれぞれ一定に維持されると共に、前記第３加熱器が、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように作動するようにしてもよい。
【００２２】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記処理槽に貯留された薬液の温度が検出され、当該検出された温度に基づいて、前記第３加熱器が作動するようにしてもよい。
【００２３】
本発明による基板処理方法において、前記処理槽は、２つの他の側壁と底部とを更に有し、前記処理槽の前記他の２つの側壁および前記底部に、第３加熱器がそれぞれ設けられており、前記薬液を加熱する工程において、前記第３加熱器の出力が一定に維持されると共に、前記第１加熱器および前記第２加熱器が、前記処理槽に貯留された薬液の温度が所望の温度となるように作動するようにしてもよい。
【００２４】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記処理槽に貯留された薬液の温度が検出され、当該検出された温度に基づいて、前記第１加熱器および前記第２加熱器が作動するようにしてもよい。
【００２５】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力と略同一となるようにしてもよい。
【００２６】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記第３加熱器の出力が前記第１加熱器の出力より大きくなるようにしてもよい。
【００２７】
本発明による基板処理方法において、前記処理槽内に、薬液に浸漬された前記基板に薬液を供給する薬液供給部が設けられ、前記基板保持機構の前記保持部に、前記基板を係合自在な複数の保持溝が形成され、前記薬液供給部は、前記保持溝の間に対応するように設けられ、前記基板の間に薬液を供給する複数の基板位置供給孔と、前記保持溝のうち最も前記背部の側に形成された前記保持溝と前記一方の側壁との間に対応するように設けられ、最も前記背部側の前記保持溝に係合した前記基板と当該一方の側壁との間に薬液を供給する背部側供給孔と、を有し、基板を薬液に浸漬させる工程において、薬液は、薬液に浸漬された前記基板の間に供給されると共に、最も前記背部側の前記保持溝に係合した前記基板と前記一方の側壁との間に供給されるようにしてもよい。
【００２８】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記第１加熱器の出力を前記第２加熱器の出力より小さくして、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されるようにしてもよい。
【００２９】
本発明による基板処理方法において、前記薬液を加熱する工程において、前記第２加熱器に対する前記第１加熱器の出力を３０〜５０％として、前記処理槽に貯留された薬液が加熱されるようにしてもよい。
【００３０】
本発明は、互いに対向する一対の側壁を有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽と、複数の前記基板を起立させて保持する保持部と、当該保持部に連結された背部であって、前記処理槽内に搬入された際に、当該保持部に保持された当該基板と当該処理槽の前記一対の側壁のうちの一方の側壁との間に介在される前記背部とを有し、当該保持部に保持された当該基板を薬液に浸漬させる基板保持機構と、前記処理槽に設けられ、貯留された薬液を加熱する加熱器とを備え、前記加熱器は、前記処理層の前記一方の側壁に設けられた第１加熱器と、他方の側壁に設けられた第２加熱器と、を有する、基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、この基板処理方法は、前記処理槽に、薬液を貯留する工程と、前記第１加熱器の出力と前記第２加熱器の出力を個別に制御して、前記処理槽に貯留された薬液を加熱する工程と、前記基板保持機構の前記保持部に複数の前記基板を起立させて保持し、当該基板を前記処理槽に貯留された薬液に浸漬させる工程と、を備えたことを特徴とする記録媒体である。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、薬液処理時に処理槽内の薬液の温度および沸騰状態を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の処理槽を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の側方断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態における基板処理方法のフローチャートを示す図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置の側方断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置において、エッチングの均一性とエッチング量とを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
第１の実施の形態
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
【００３４】
まず、図１により基板処理装置１の全体構成について説明する。
【００３５】
図１乃至図３に示すように、基板処理装置１は、薬液（リン酸水溶液、Ｈ３ＰＯ４）を貯留して複数（例えば、５０枚）の基板（例えば、半導体ウエハ、以下単にウエハＷと記す）を薬液処理（エッチング処理）する処理槽１０と、この処理槽１０内に搬入可能に設けられ、ウエハＷを起立させて保持し、薬液に浸漬させるウエハボード（基板保持機構）２０と、を備えている。このうち、処理槽１０は、互いに対向する一対の側壁を構成する第１側壁（一方の側壁）１０ａおよび第２側壁（他方の側壁）１０ｂと、２つの他の側壁（第３側壁１０ｃおよび第４側壁１０ｄ）と、底板（底部）１０ｅとを有し、直方体状に形成されている。
【００３６】
処理槽１０の各側壁１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの上部に、切欠溝１１が形成されている。処理槽１０は、石英により形成されており、この処理槽（内槽）１０の周囲には、処理槽１０からオーバーフローする薬液を受ける石英製の外槽１２が設けられている。
この外槽１２の外方には、断熱材（例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））からなる断熱壁１３が設けられ、処理槽１０に貯留された薬液の温度が低下することを防止すると共に、処理槽１０の周囲に設けられた他の装置（図示せず）に、熱が放射されることを防止している。また、処理槽１０の下面に、矩形状の枠板１４が設けられ、この枠板１４の各縁に、断熱壁１３を支持する取付枠１５が取り付けられている。これら枠板１４および取付枠１５は、断熱壁１３と同様の材料により形成されている。
【００３７】
図３に示すように、ウエハボード２０は、ウエハＷを起立させて（垂直状に）保持する保持棒（保持部）２１と、この保持棒２１に連結され、垂直状に延びる背板（背部）２２とを有している。この背板２２は、処理槽１０内に搬入された際に、処理槽１０の第１側壁１０ａに近接し、保持棒２１に保持されたウエハＷと第１側壁１０ａとの間に介在されるようになっている。なお、背板２２は、ウエハボード２０を昇降する図示しない駆動部に連結され、この駆動部は、後述する制御部９０に接続され、制御部９０からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。
【００３８】
図１に示すように、外槽１２と処理槽１０との間に、処理槽１０からオーバーフローした薬液を処理槽１０に循環させる循環ライン３０が設けられている。すなわち、循環ライン３０の一端は、外槽１２の底部に設けられた排出口３１に連結され、他端は、処理槽１０の底板１０ｅに設けられた供給口３２に連結されている。循環ライン３０には、外槽１２の排出口３１から処理槽１０の供給口３２に薬液を送る循環ポンプ３３が設けられている。また、循環ライン３０のうち循環ポンプ３３の下流側（供給口３２の側）には、フィルタ３４が設けられており、循環ライン３０を通る薬液に含まれるパーティクル等の異物が除去されるようになっている。さらに、フィルタ３４の下流側には、温度コントローラ３５が設けられており、循環ライン３０を通る薬液を、約１６０℃〜約１８０℃に加熱して沸騰状態とするようになっている。なお、循環ポンプ３３および温度コントローラ３５は、制御部９０に接続され、制御部９０により制御されるようになっている。
【００３９】
循環ライン３０には、処理槽１０に供給される薬液を希釈するための希釈液（例えば、純水）を供給する希釈液供給源４０が、希釈液供給ライン４１を介して連結されている。この希釈液供給ライン４１の一端は、循環ライン３０のうち温度コントローラ３５と供給口３２との間の部分に連結され、他端は、希釈液供給源４０に連結されている。また、希釈液供給ライン４１に、希釈液開閉弁４２が設けられており、希釈液供給ライン４１を通る希釈液の流量が調整可能になっている。この希釈液開閉弁４２は、制御部９０に接続され、制御部９０により制御されるようになっている。
【００４０】
また、循環ライン３０には、処理槽１０から薬液を排出する排出ライン５０が連結されている。すなわち、排出ライン５０の一端は、循環ライン３０のうち循環ライン３０と希釈液供給ライン４１との合流点の下流側の部分に連結され、他端は、薬液を排出する図示しない排出機構に連結されている。この排出ライン５０には、排出開閉弁５１が設けられており、処理槽１０から排出される薬液の流量が調整可能になっている。この排出開閉弁５１は、制御部９０に接続され、制御部９０により制御されるようになっている。
【００４１】
処理槽１０内の下部に、供給口３２から循環供給される薬液を、ウエハボード２０に保持されたウエハＷに対して均一に分散させるように案内する整流板６０が設けられている。この整流板６０は、薬液を均一に分散させるための長孔６１を有しており、この長孔６１は、例えば、互いに平行に形成されている。
【００４２】
処理槽１０の上方に、薬液を収容する薬液収容槽７０が設けられている。この薬液収容槽７０の底部から、処理槽１０に向かって薬液補充ライン７１が延びており、この薬液補充ライン７１に薬液補充開閉弁７２が設けられている。この薬液補充開閉弁７２を開くことにより、薬液収容槽７０から処理槽１０に薬液が供給されるようになっている。なお、薬液補充開閉弁７２は、制御部９０に接続され、制御部９０により制御されるようになっている。
【００４３】
図３に示すように、処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられており、この加熱器８０は、処理槽１０の第１側壁１０ａの側の出力が、第２側壁１０ｂの側の出力より大きくなっている。
【００４４】
すなわち、加熱器８０は、処理槽１０の第１側壁１０ａに設けられた第１ヒータ（第１加熱器）８１と、処理槽１０の第２側壁１０ｂに設けられた、第２ヒータ（第２加熱器）８２とを有しており、第１ヒータ８１の出力が、第２ヒータ８２の出力より大きくなっている。また、図１に示すように、処理槽１０の第３側壁１０ｃ、第４側壁１０ｄ、および底板１０ｅに、第３ヒータ（第３加熱器）８３が設けられている。これらのヒータ８１、８２、８３により、処理槽１０内の薬液を加熱して沸騰状態とするようになっている。図１および図３に示すように、各ヒータ８１、８２、８３は、制御部９０にそれぞれ接続され、制御部９０からの制御信号に基づいて、作動するようになっている。なお、各第３ヒータ８３は、制御部９０により、一体に作動するようになっている。
【００４５】
上述したように、加熱器８０の各ヒータ８１、８２、８３には、これらを制御する制御部９０が接続されている。この制御部９０は、第１ヒータ８１の出力を、第２ヒータ８２の出力より大きくすると共に、第１ヒータ８１の出力および第２ヒータ８２の出力を一定に維持するように、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２をそれぞれ制御する。なお、制御部９０は、例えば、各ヒータ８１、８２に供給する電流値を変えることにより、各ヒータ８１、８２の出力を変えることができる。
【００４６】
処理槽１０内に、貯留された薬液の温度を検出する温度センサ（温度検出器）８５が設けられ、この温度センサ８５に、制御部９０が接続されている。制御部９０は、温度センサ８５により検出された温度に基づいて、第３ヒータ８３をＯＮまたはＯＦＦすることにより、第３ヒータ８３を制御する。このようにして、処理槽１０に貯留された薬液は、その温度が所望の温度、すなわち薬液が沸騰する温度（約１６０℃〜約１８０℃）となるように加熱される。
【００４７】
また、制御部９０は、第３ヒータ８３の出力が第１ヒータ８１の出力と略同一となるように、第１ヒータ８１および第３ヒータ８３を制御する。
【００４８】
外槽１２に、オーバーフローした薬液に、エッチング処理により溶解されているシリコン（Ｓｉ）の濃度を検出する濃度センサ８６が設けられている。また、処理槽１０内に、貯留されている薬液の液面を検出する液面センサ８７が設けられている。濃度センサ８６および液面センサ８７は、制御部９０にそれぞれ接続されており、制御部９０は、濃度センサ８６および液面センサ８７からの検出信号に基づいて、希釈液開閉弁４２、排出開閉弁５１、および薬液補充開閉弁７２を制御するようになっている。
【００４９】
ところで、図１に示すように、制御部９０には、工程管理者等が基板処理装置１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置９１が接続されている。また、制御部９０は、基板処理装置１で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体９２にアクセス可能となっている。記録媒体９２は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、およびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知の記録媒体から構成され得る。このようにして、制御部９０が、記録媒体９２に予め記録されたプログラム等を実行することによって、基板処理装置１においてウエハＷの処理が行われるようになっている。
【００５０】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち、本実施の形態による基板処理方法について説明する。なお、以下に説明する基板処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予め記録媒体９２に記録されたプログラムに基づいた制御部９０からの制御信号によって制御される。
【００５１】
まず、図４に示すように、処理槽１０に薬液が貯留される（ステップＳ１）。この場合、薬液補充開閉弁７２が開き、薬液収容槽７０から、薬液補充ライン７１を通って、処理槽１０に薬液が供給される。この際、薬液は、処理槽１０から外槽１２にオーバーフローするまで供給される。
【００５２】
次に、処理槽１０に設けられた加熱器８０の第１ヒータ８１、第２ヒータ８２、および各第３ヒータ８３が作動して、処理槽１０に貯留された薬液が加熱される（ステップＳ２）。この場合、第１ヒータ８１の出力を第２ヒータ８２の出力より大きくして、第１ヒータ８１の出力および第２ヒータ８２の出力がそれぞれ一定に維持されると共に、各第３ヒータ８３の出力を第１ヒータ８１の出力と略同一にして、第１ヒータ８１、第２ヒータ８２、および各第３ヒータ８３が作動する。この間、温度センサ８５により、処理槽１０に貯留された薬液の温度が検出され、この検出された温度に基づいて、各第３ヒータ８３がＯＮ／ＯＦＦされて制御される。
【００５３】
また、処理槽１０に薬液が貯留された後、循環ポンプ３３が駆動される。このことにより、外槽１２にオーバーフローした薬液が、外槽１２の排出口３１から、循環ライン３０を通って、処理槽１０の供給口３２に流れて処理槽１０内に戻され、薬液が循環する。なお、循環ライン３０を通る薬液は、温度コントローラ３５により加熱され、処理槽１０に戻る薬液が、温度低下することを防止している。
【００５４】
このようにして、処理槽１０に貯留された薬液のうち第１ヒータ８１の側の部分の温度を、第２ヒータ８２の側の部分の温度より高くしながら、薬液が、沸騰する温度（約１６０℃〜約１８０℃）まで加熱されて沸騰状態となる。
【００５５】
次に、ウエハＷが、加熱された薬液に、所定時間、浸漬される（ステップＳ３）。この場合、まず、図示しない搬送機構により搬送され、表面にシリコン窒化膜が形成された複数のウエハＷが、ウエハボード２０に受け取られて、ウエハボード２０の保持棒２１に起立して保持される。次に、図示しない駆動部が駆動されて、ウエハボード２０が処理槽１０内に搬入され、各ウエハＷが薬液に浸漬される。
【００５６】
ウエハＷが薬液に浸漬されている間、上述したステップＳ２と同様にして、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２が作動すると共に、第３ヒータ８３が、温度センサ８５により検出された薬液の温度に基づいて作動する。
【００５７】
このようにして、各ウエハＷの表面上のシリコン窒化膜が、エッチング処理されて、所望のパターンに形成される。
【００５８】
ウエハＷが薬液に浸漬されている間、ウエハボード２０の背板２２は、処理槽１０の第１側壁１０ａに設けられた第１ヒータ８１に近接し、保持棒２１に保持されたウエハＷと第１ヒータ８１との間に介在されている。しかしながら、ウエハＷを浸漬する前には、処理槽１０に貯留された薬液のうち第１ヒータ８１の側の部分は、第２ヒータ８２の側の部分より温度が高くなっている。また、ウエハＷが浸漬されている間、第１ヒータ８１の出力が第２ヒータ８２の出力より大きくなるように、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２が作動している。このため、ウエハボード２０が処理槽１０内に搬入されて、ウエハＷが薬液に浸漬されている場合においても、背板２２の近傍で保持されているウエハＷの周囲の薬液の温度が低下することを防止し、処理槽１０内の薬液の温度および沸騰状態を均一にすることができる。
【００５９】
ウエハＷが薬液に浸漬されている間、循環ポンプ３３が駆動されて、薬液が循環される。このことにより、ウエハＷのシリコン窒化膜がエッチングされることにより発生したシリコンのパーティクルは、循環ライン３０に設けられたフィルタ３４により除去される。
【００６０】
また、この間、外槽１２に設けられた濃度センサ８６により、処理槽１０からオーバーフローした薬液にエッチング処理により溶解されているシリコンの濃度が検出される。この検出されたシリコンの濃度が所望の濃度に達した場合、以下のようにして、薬液中のシリコンの濃度を低下させる。すなわち、まず、排出開閉弁５１が開いて、処理槽１０に貯留されている薬液の一部が、排出ライン５０を介して排出される。この際、処理槽１０に貯留されている薬液の液面が低下する。次に、薬液の液面が所定位置まで低下すると、液面センサ８７が、制御部９０に検出信号を送信する。この液面センサ８７からの検出信号に基づいて、制御部９０は、排出開閉弁５１を閉じると共に、薬液補充開閉弁７２を開き、薬液収容槽７０に収容されていた薬液が、薬液補充ライン７１を通って処理槽１０に補充（供給）される。このことにより、処理槽１０に貯留されている薬液中のシリコンの濃度を低下させることができる。なお、薬液中のシリコンの濃度が所望の濃度より高い場合、制御部９０は、希釈液開閉弁４２を開き、希釈液供給源４０から希釈液供給ライン４１を通って希釈液を処理槽１０に供給させて、処理槽１０に貯留されている薬液中のシリコンの濃度を低下させるようにしても良い。
【００６１】
ウエハＷのエッチング処理が終了した後、図示しない駆動部によりウエハボード２０が上昇して、エッチング処理されたウエハＷが処理槽１０から搬出される。その後、図示しない搬送機構に引き渡される。
【００６２】
上述した工程を繰り返すことにより、処理槽１０において、複数のウエハＷを、順次、エッチング処理することができる。
【００６３】
このように本実施の形態によれば、処理槽１０に貯留された薬液は、第１ヒータ８１の出力が第２ヒータ８２の出力より大きくなるように、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２により加熱されている。このことにより、エッチング処理時、ウエハボード２０の保持棒２１のうち背板２２の近傍で保持されているウエハＷの周囲の薬液の温度が低下することを防止し、処理槽１０内の薬液の温度および沸騰状態を均一にすることができる。このため、各ウエハＷのエッチングレートを均一にして、各ウエハＷの表面上のシリコン窒化膜を、均一にエッチング処理することができる。すなわち、エッチング処理時に処理槽１０内の薬液の温度および沸騰状態を均一にして、複数のウエハＷを均一にエッチング処理することができる。
【００６４】
また、本実施の形態によれば、第１ヒータ８１の出力および第２ヒータ８２の出力がそれぞれ一定に維持されると共に、第３ヒータ８３の出力を第１ヒータ８１の出力と略同一とし、処理槽１０に貯留された薬液の温度が沸騰する温度となるように第３ヒータ８３が作動する。このことにより、ウエハＷのエッチング処理時に、処理槽１０に貯留された薬液の温度および沸騰状態を均一に維持することができる。さらに、第３ヒータ８３は、温度センサ８５により検出された処理槽１０内の薬液の温度に基づいてＯＮまたはＯＦＦされるため、処理槽１０に貯留された薬液を、精度良く、沸騰状態に維持することができる。
【００６５】
以上、本発明による実施の形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、種々の変形も可能である。以下、代表的な変形例について説明する。
【００６６】
本実施の形態においては、第１ヒータ８１の出力および第２ヒータ８２の出力をそれぞれ一定に維持すると共に、各第３ヒータ８３の出力を、貯留されている薬液の温度が沸騰する温度となるようにＯＮ／ＯＦＦして制御する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、各第３ヒータ８３の出力を所定の値に一定に維持し、第１ヒータ８１の出力を、第２ヒータ８２の出力より大きくすると共に、貯留されている薬液の温度が所望の温度となるように第１ヒータ８１および第２ヒータ８２をＯＮ／ＯＦＦして制御するようにしても良い。この場合においても、ウエハＷを薬液に浸漬させた場合に処理槽１０に貯留されている薬液の温度および沸騰状態を均一に維持することができる。
また、この場合、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２は、温度センサ８５により検出された処理槽１０内の薬液の温度に基づいてＯＮまたはＯＦＦして制御するようにしても良い。この場合、処理槽１０に貯留された薬液を、精度良く、沸騰状態に維持することができる。
【００６７】
また、本実施の形態においては、制御部９０は、第３ヒータ８３の出力が第１ヒータ８１と略同一となるように、第１ヒータ８１および第３ヒータ８３を制御する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、制御部９０が、第３ヒータ８３の出力を第１ヒータ８１の出力より大きくするように、第１ヒータ８１および第３ヒータ８３を制御するようにしても良い。このような場合、温度センサ８５により検出された温度に基づいて制御される第３ヒータ８３の出力が第１ヒータ８１の出力より大きくなるため、処理槽１０に貯留された薬液を、沸騰状態に、より一層精度良く維持することができる。
【００６８】
また、本実施の形態においては、温度センサ８５により検出された温度に基づいて、第３ヒータ８３が制御される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、温度センサ８５を用いることなく、第３ヒータ８３を作動させて、薬液を加熱するようにしても良い。この場合においても、処理槽１０に貯留された薬液を加熱して沸騰状態とすることができる。
【００６９】
また、本実施の形態においては、外槽１２に、オーバーフローした薬液の濃度を検出する濃度センサ８６が設けられると共に、処理槽１０内に、貯留されている薬液の液面を検出する液面センサ８７が設けられて、薬液中のシリコンの濃度が調整可能に構成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、濃度センサ８６および液面センサ８７の少なくとも一方を設けることなく、他の方法により薬液中のシリコンの濃度を調整するように構成しても良い。例えば、薬液中のシリコンの濃度が所定濃度範囲を超えるまでの処理回数、処理時間、または処理枚数を実験的に求めておき、この処理回数、処理時間、または処理枚数毎に薬液中のシリコン濃度を調整するようにしても良い。
【００７０】
さらに、本実施の形態においては、加熱器８０が、第１ヒータ８１と第２ヒータ８２とを有し、第１ヒータ８１の出力が、第２ヒータ８２の出力より大きくなっている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、処理槽１０の底板１０ｅに設けられた第３ヒータ８３を複数に分割し、このような第３ヒータ８３のうち第１側壁１０ａの側の部分の出力を、第２側壁１０ｂの側の部分の出力より大きくして、貯留された薬液を加熱するようにしても良い。この場合においても、ウエハボード２０の保持棒２１のうち背板２２の近傍で保持されているウエハＷの周囲の薬液の温度が低下することを防止し、エッチング処理時に処理槽１０内の薬液の温度および沸騰状態を均一にすることができる。なお、処理槽１０の第３側壁１０ｃおよび第４側壁１０ｄに設けられた各第３ヒータ８３を複数に分割して、このような第３ヒータ８３のうち第１側壁１０ａの側の部分の出力を、第２側壁１０ｂの側の部分の出力より大きくして、貯留された薬液を加熱するようにしても良い。
【００７１】
第２の実施の形態
次に、図５乃至図７により、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体について説明する。
【００７２】
図５乃至図７に示す第２の実施の形態においては、保持溝の間に対応するように設けられた複数の基板位置供給孔と、保持溝のうち最も背部の側に形成された保持溝と一方の側壁との間に対応するように設けられた背部側供給孔と、を有する薬液供給部を備え、第１加熱器の出力が第２加熱器の出力より小さくなるように、第１加熱器および第２加熱器が制御されている点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図５乃至図７において、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７３】
図５および図６に示すように、処理槽１０内には、薬液に浸漬されたウエハＷに薬液を供給する薬液供給部１００が設けられている。また、図６に示すように、ウエハボード２０の保持棒２１には、ウエハＷを係合自在な複数の保持溝２３が形成されており、各ウエハＷを保持溝２３に係合させて、ウエハＷが保持されるようになっている。
【００７４】
薬液供給部１００は、処理槽１０の対向する第３側壁１０ｃおよび第４側壁１０ｄに沿って略水平方向に延びる２つの薬液供給ノズル１０１と、各薬液供給ノズル１０１に設けられた複数のウエハ位置供給孔（基板位置供給孔）１０２および複数の背板側供給孔（背部側供給孔）１０３と、を有している。このうちウエハ位置供給孔１０２は、各薬液供給ノズル１０１においてウエハボード２０の保持棒２１に形成された保持溝２３の間に対応するように設けられており、列状に配置されて、薬液に浸漬されたウエハＷの間に薬液を吐出（供給）するようになっている。また、背板側供給孔１０３は、保持溝２３のうち最も背板２２の側に形成された保持溝２３と第１側壁１０ａとの間に対応するように設けられており、列状に配置されて、最も背板２２の側に形成された保持溝２３に係合したウエハＷと第１側壁１０ａとの間に薬液を供給するようになっている。なお、背板側供給孔１０３は、各薬液供給ノズル１０１に１つだけ設けるようにしてもよい。また、ウエハ位置供給孔１０２および背板側供給孔１０３は、ウエハＷに向かって、図５に示すように、斜め上方に薬液を吐出するように構成されている。
【００７５】
図５に示すように、本実施の形態における循環ライン３０の一端は、外槽１２の底部に設けられた排出口３１に連結され、他端は、分岐されて、処理槽１０内に設けられた薬液供給部１００の各薬液供給ノズル１０１に連結されている。循環ライン３０に設けられた循環ポンプ３３は、外槽１２の排出口３１から各薬液供給ノズル１０１に薬液を送るようになっている。このことにより、外槽１２にオーバーフローした薬液が、外槽１２の排出口３１から、循環ライン３０を通って、薬液供給部１００の各薬液供給ノズル１０１に流れて処理槽１０内に戻され、薬液が循環する。この際、各薬液供給ノズル１０１に設けられたウエハ位置供給孔１０２から、ウエハＷの間に薬液が供給されると共に、背板側供給孔１０３からウエハボード２０の保持棒２１に形成された複数の保持溝２３のうち最も背板２２の側の保持溝２３に係合したウエハＷと第１側壁１０ａとの間に薬液が供給される。なお、本実施の形態においては、排出ライン５０は、処理層１０に連結されており、処理層の薬液を交換する際などには、処理層１０から薬液を排出することができるようになっている。
【００７６】
本実施の形態においては、制御部９０は、加熱器８０の第１ヒータ８１の出力を、第２ヒータ８２の出力より小さくすると共に、第１ヒータ８１の出力および第２ヒータ８２の出力を一定に維持するように、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２をそれぞれ制御する。とりわけ、第２ヒータ８２に対する第１ヒータ８１の出力は、３０％〜５０％となるように、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２が制御されることが好ましい。そして、制御部９０は、温度センサ８５により検出された温度に基づいて、第３ヒータ８３をＯＮまたはＯＦＦすることにより、第３ヒータ８３を制御する。このようにして、処理槽１０に貯留された薬液は、その温度が所望の温度、すなわち薬液が沸騰する温度（約１６０℃〜約１８０℃）となるように加熱される。また、制御部９０は、第３ヒータ８３の出力が第１ヒータ８１の出力と略同一となるように、第１ヒータ８１および第３ヒータ８３を制御する。
【００７７】
このように本実施の形態によれば、ウエハＷが薬液に浸漬されている間、薬液供給部１００の各薬液供給ノズル１０１に設けられた背板側供給孔１０３から、ウエハボード２０の保持棒２１に形成された複数の保持溝２３のうち最も背板２２の側の保持溝２３に係合したウエハＷと第１側壁１０ａとの間に薬液が供給される。このことにより、保持棒２１に保持された複数のウエハＷのうち、最も背板２２の側に配置されたウエハＷと第１側壁１０ａとの間に薬液を供給することができ、ウエハボード２０の背板２２の周囲の薬液の温度が低下することを防止し、処理槽１０内の薬液の温度および沸騰状態を均一にすることができる。このため、背板２２の側に位置するウエハＷのエッチングレートを向上させることができる。この結果、各ウエハＷのエッチングレートを均一にして、各ウエハＷの表面上のシリコン窒化膜を、均一にエッチング処理することができる。すなわち、エッチング処理時に処理槽１０内の薬液の温度および沸騰状態を均一にして、複数のウエハＷを均一にエッチング処理することができる。
【００７８】
また、本実施の形態によれば、処理槽１０に貯留された薬液は、第１ヒータ８１の出力が第２ヒータ８２の出力より小さくなるように、とりわけ、第２ヒータ８２に対する第１ヒータ８１の出力が、３０〜５０％となるように、第１ヒータ８１および第２ヒータ８２により加熱されている。このことにより、図７を用いて以下に述べるように、各ウエハＷの表面上のシリコン窒化膜を、より一層均一にエッチング処理することができ、複数のウエハＷをより一層均一にエッチング処理することができる。
【００７９】
ここで、本実施の形態により薬液処理されたウエハＷのエッチングの均一性とエッチング量を図７に示す。ここでは、第２ヒータ８２に対する第１ヒータ８１の出力の割合（α）が０％、３０％、５０％、７０％となるそれぞれの場合において、ウエハボード２０の保持棒２１に保持された複数のウエハＷのうちいくつかのウエハＷにおけるエッチングの均一性とエッチング量とを示している。また、スロット１とは、保持棒２１に形成された複数の保持溝２３のうち、最も第２側壁１０ｂの側に形成された保持溝２３に係合したウエハＷのデータを示しており、スロット２５とは、複数の保持溝２３のうち中央部に形成された保持溝２３に係合したウエハＷのデータを示しており、スロット５０とは、複数の保持溝２３のうち最も背板２２の側に形成された保持溝２３に係合したウエハＷのデータを示している。また、ＷＩＷとは、ウエハＷの表面上の複数の点におけるエッチング量の均一性を示している。
【００８０】
図７によれば、第１ヒータ８１の出力が第２ヒータ８２の出力より小さくなる場合、とりわけ、とりわけ、αが３０％〜５０％である場合、各ウエハＷのエッチングの均一性が向上していることが確認できる。また、一般にエッチングの均一性が向上する場合にはエッチング量が大きく低下する傾向があるにも関わらず、図７によれば、エッチングの均一性を向上しつつ、エッチング量の大きな低下を抑制していることが確認できる。なお、図７には、同一条件での薬液処理により得られた各ウエハＷのエッチングの均一性およびエッチング量をデータ１およびデータ２として示しているが、これらデータ１およびデータ２によれば、エッチングの均一性の向上とエッチング量の低下抑制という効果の信頼性を確認することができる。
【００８１】
なお、上述した第２の実施の形態においては、第１の実施の形態と同様に、本発明の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
【００８２】
以上の説明においては、本発明による基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体９２、および基板処理装置１を、半導体ウエハＷのエッチング処理に適用した例を示している。しかしながらこのことに限られることはなく、ＬＣＤ基板またはＣＤ基板等、種々の基板等のエッチング処理に本発明を適用することも可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１    基板処理装置
１０  処理槽
１０ａ  第１側壁
１０ｂ  第２側壁
１０ｃ  第３側壁
１０ｄ  第４側壁
１０ｅ  底板
１１  切欠溝
１２  外槽
１３  断熱壁
１４  枠板
１５  取付枠
２０  ウエハボード
２１  保持棒
２２  背板
２３  保持溝
３０  循環ライン
３１  排出口
３２  供給口
３３  循環ポンプ
３４  フィルタ
３５  温度コントローラ
４０  希釈液供給源
４１  希釈液供給ライン
４２  希釈液開閉弁
５０  排出ライン
５１  排出開閉弁
６０  整流板
６１  長孔
７０  薬液収容槽
７１  薬液補充ライン
７２  薬液補充開閉弁
８０  加熱器
８１  第１ヒータ
８２  第２ヒータ
８３  第３ヒータ
８５  温度センサ
８６  濃度センサ
８７  液面センサ
９０  制御部
９１  入出力装置
９２  記録媒体
１００  薬液供給部
１０１  薬液供給ノズル
１０２  ウエハ位置供給孔
１０３  背板側供給孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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