(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の量子井戸と、
前記第１の量子井戸内に含まれる第１の下位層であって、前記第１の下位層の１つの層の合金組成が前記第１の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第１の量子井戸によって放射される光の波長が前記第１の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第１の下位層と、
を備え、
前記第１の下位層は、周期的な組成の変動を呈する超格子を構成し、
前記第１の下位層の前記１つの層と前記別の層がＩｎXＡｌYＧａZＮの合金組成を有し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０で、Ｘは、前記１つの層と前記別の層で同じ値であり、ＹとＺは、前記１つの層と前記別の層で異なる値である発光デバイス。
【請求項２】
前記第１の量子井戸は、不均質構造を有し、前記第１の量子井戸を挟む障壁層は、均質構造を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
第２の量子井戸と、
前記第２の量子井戸内に含まれる第２の下位層であって、前記第２の下位層の１つの層の合金組成が前記第２の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第２の量子井戸によって放射される光の波長が前記第２の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第２の下位層と、
前記第１の量子井戸と第２の量子井戸との間に配置される障壁層と、
をさらに備える、請求項１に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザ・ダイオード等の半導体発光デバイスは、通常、電子および正孔が結合して発光する活性層を利用する。下に与えられた表１には、３４５ｎｍの波長において発光するＬＥＤのエピタキシャル層構造が記載されている。この構造は、均質な組成を伴う多量子井戸活性層を利用する。表１においては、層が１から４２６までの順序で付番され、１が最上位層、４２６が基板にもっとも近い層である。紙面を節約するために、層の特定の順序が数回にわたって単純に反復される状況においては、オリジナルの順序を反復する回数を表１の「反復」列に示している。たとえば、層４〜４３は指定されていないが、層２および３の順序が２０回反復される。したがって、２と４４の間におけるすべての偶数層（層４，６，８，１０，．．．，３８，４０，４２）は層２と同一であり、他方、３と４５の間におけるすべての奇数層（５，７，９，．．．，３９，４１，４３）は層３と同一である。
【０００３】
表１の「組成」列は、「厚さ」列と同様に自明である。いくつかの層はドーパントを有するとして示され、たとえば層２（Ａｌ．３０Ｇａ．７０Ｎ：  Ｓｉ）はシリコンを用いてドープされる。表１の「説明」列は、層または層のグループについての追加の記述的情報を提供する。たとえば、層４９および５３は、量子井戸層であり、かつ比較的低いバンドギャップを有し、他方、層４６〜４８、５０〜５２、および５４〜５６は障壁として働き、かつ量子井戸層と比較すると比較的高いバンドギャップを有する。
【０００４】
【表１】
0005400368.tif 000002
【０００５】
上の表１中に記された３４５ｎｍ  ＬＥＤの活性領域は、層４６〜５６である。これらの層は、３つの障壁層および２つの、ＩｎｘＡｌ（．１５‐ｘ）Ｇａ．８５Ｎからなる厚さ５．２５ｎｍの量子井戸を含み、公称１％のｘ、すなわちインジウム成分を含有する。
【０００６】
下に与えられた表２は、表１の量子井戸（層４９および５３）のそれぞれのための有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）のガス流条件を要約したものである。０．９ｃｃ／分のトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、０．４ｃｃ／分のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、および８０ｃｃ／分のトリメチルインジウム（ＴＭＩ）の一定流量が、１２０秒の各量子井戸の成長時間の間に採用される。
【０００７】
【表２】
0005400368.tif 000003
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１８２９６４号広報
【特許文献２】特開２００６−１７３６２１号広報
【特許文献３】特開２００７−１４２３９７号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＬＥＤおよびレーザ・ダイオード等のほとんどの発光半導体デバイスは、上の表１中に記される量子井戸等の一様な材料組成を有する量子井戸を採用する。したがって、従来の量子井戸設計は、非常に一様な材料を採用し、かつ可能な限り均質な量子井戸材料を確保するべく結晶グロア（crystal grower）が長大に及ぶことを要求する。
【００１０】
その種の活性層は多くの応用に良好に適するが、それらは、緑色および深紫外（deep UV）波長領域にアクセスするために必要なものを含むいくつかの材料システムにとって最適でないことがある。緑色波長領域は約４７０ナノメートル（ｎｍ）から約５５０ｎｍになると考えることができ、深紫外波長領域は約２００ｎｍから約３６５ｎｍになると考えることができる。たとえば、ＩｎｘＧａ１‐ｘＮの場合、緑色発光のためのバンドギャップの達成に必要とされる高Ｉｎ成分は、一般に、材料成長の間にＩｎＮまたはＧａＮの制御不能な分離を導く。深紫外波長範囲については、高Ａｌ含有ＡｌＧａＮを有する高品質の量子井戸を成長させることがますます困難になる。例示の実施態様は、これらの、およびこのほかの従来技術の欠点を取り扱う。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１の量子井戸と、前記第１の量子井戸内に含まれる第１の下位層であって、前記第１の下位層の１つの層の合金組成が前記第１の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第１の量子井戸によって放射される光の波長が前記第１の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第１の下位層と、を備え、前記第１の下位層は、周期的な組成の変動を呈する超格子を構成し、前記第１の下位層の前記１つの層と前記別の層がＩｎXＡｌYＧａZＮの合金組成を有し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０で、Ｘは、前記１つの層と前記別の層で同じ値であり、ＹとＺは、前記１つの層と前記別の層で異なる値である発光デバイスである。
【００１２】
本発明の別の実施態様は、前記第１の量子井戸は、不均質構造を有し、前記第１の量子井戸を挟む障壁層は、均質構造を有する発光デバイスである。
【００１３】
本発明のさらに別の実施態様は、第２の量子井戸と、前記第２の量子井戸内に含まれる第２の下位層であって、前記第２の下位層の１つの層の合金組成が前記第２の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第２の量子井戸によって放射される光の波長が前記第２の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第２の下位層と、前記第１の量子井戸と第２の量子井戸との間に配置される障壁層と、をさらに備える発光デバイスである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用する３００μｍ×３００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ（光対電流）特性を図示したグラフ１００である。図２は、一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用する２００μｍ×２００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフ２００である。グラフ１００，２００は、比較目的のために以下の例示の実施態様の記述の中で参照される。
【００１５】
ここで述べられる実施態様の１つの形式においては不均質量子井戸設計が開示され、それにより、材料成長の間に量子井戸の材料組成が制御可能に変更される。いくつかの実施態様によれば、ＭＯＣＶＤの間に、１つまたは複数の有機金属ソースガス（metal organic source gases）の濃度が結晶成長の間に調整される。ほかの実施態様によれば、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）または化学線エピタキシ（ＣＢＥ）等のほかの結晶成長技法が使用されることがあり、それによって温度、圧力、またはガス流量等の１つまたは複数のパラメータを結晶成長の間に計画的に変更させる。
【００１６】
実施態様は異なる不均質量子井戸の設計を採用できるが、いくつかの実施態様においては、量子井戸の組成の変動が周期的になされる。この実施態様の目的のために、その種の量子井戸設計は、短周期超格子量子井戸または超格子と呼ばれることになる。超格子設計は、異なる材料の薄い層を交互に堆積させることで平均の全体的な合金組成を達成することを可能にし、望ましい材料合金の直接成長が困難な場合に有用となる。たとえば、薄い二成分ＩｎＮおよびＧａＮの層を交互に堆積させて、望ましい平均Ｉｎ含量を有するＩｎＧａＮ領域を得ることができる。
【００１７】
いくつかの実施態様においては、多量子井戸活性層内の各量子井戸について超格子設計を採用することができる。いくつかの実施態様によれば、デバイス抵抗を低くするため、またはビルトイン分極電界（built-in polarization field）に抗するために不純物を用いて超格子の特定セクションをドープすることも可能である。例示の実施態様のこのほかの利点は、以下の記述の中で明らかになろう。
【００１８】
ＩｎＧａＮの不均質活性領域の１つの特定の例は、層から層へとＩｎ濃度が制御可能に変更される超格子設計である。その種の活性領域内においては、電子および正孔についての波動関数が、高Ｉｎ領域に対してより大きな、高Ｇａ領域に対して比較的小さい影響を有することになる。有効バンドギャップは、したがって、同一の平均Ｉｎ組成および平均Ｇａ組成を有する均質活性領域と比較すると、その種の不均質活性領域内においてより低いことになる。格子の不整合は、主として、量子井戸領域および障壁領域内の平均組成によって決定される。障壁領域は、均質なＩＮ（Ｇａ）組成を用いて成長させることが可能である。したがって、不均質な量子井戸領域および均質な障壁領域を形成することによって、量子井戸領域が均質である場合に可能であるよりも大きなバンド・オフセットを、同一の格子不整合を伴い達成することが可能である。これは、発光体のパフォーマンスを向上させることになる。
【００１９】
具体的な例は、３０％の平均Ｉｎ組成を有する活性領域および１５％の平均Ｉｎ組成を有する障壁領域を備える、緑色発光体である。障壁領域および活性領域の両方が均質なＩｎ組成を有した場合には、エネルギ・バンドギャップにおける差が約０．５ｅＶになる。しかしながら、可変Ｉｎ組成を用いて活性領域を成長させる場合には、不均質活性領域内の赤色遷移に起因してバンドギャップ内の差が大きくなるが、格子不整合は変更されないことになる。これに関して「赤色遷移」は、不均質活性層と同一の平均組成を有する類似した活性層のバンドギャップより小さな有効バンドギャップを有する不均質活性層をいう。活性層内におけるこの赤色遷移、またはより低い有効バンドギャップは、活性層と障壁との間に、均質な活性層から得ることができるよりも大きな有効バンド・オフセット（バンドギャップにおける差）を得ることができる。
【００２０】
例示の実施態様によれば、ＭＯＣＶＤの間にＩｎおよびＧａの流量を変化させることによって活性領域を成長させることができる。ほかの例示の実施態様においては、ＭＢＥの間における根本的構成要素のＩｎおよびＧａソースの温度の変更によって活性領域を成長させることができる。
【００２１】
上述した概念を立証するため、発明者らは３４５ｎｍの波長範囲において動作する深紫外ＬＥＤを成長させ、作製し、特性を決定した。均質活性領域を有する従来の量子井戸を利用する表１のＬＥＤ等のデバイスを、例示の実施態様に従った不均質超格子構造を用いて活性領域が置換されたデバイスと比較した。
【００２２】
例示の実施態様に従った１つの超格子量子井戸設計においては、表２中に示された量子井戸層のための従来の成長順序を、オリジナルの１２０秒の成長時間を５つの２０秒の周期および２つの１０秒の周期に分割することによって修正した。ＭＯＣＶＤのためのガス流量は、合計で１００秒にわたってガス流量の変動が成し遂げられるように５つの２０秒の周期の間に制御される。１０秒の周期の１つは５つの２０秒の周期の直前を先行し、他方、１０秒の周期の残りの１つは５つの２０秒の周期の直後に続く。１０秒の周期の間はガス流が一定にとどまる。下に与えられた表３は、上で述べられた例示の超格子設計のためのＭＯＣＶＤガス流条件を実例で示す。
【００２３】
【表３】
0005400368.tif 000004
【００２４】
表３は、５周期の超格子を実例で示すが、これは１０秒と３０秒の間の２０秒の周期がさらに４回反復されるためである。表３のガス流条件としての合計の秒数は、表２に実例で示された従来のガス流条件としてのものと同一である。表３の最初および最後の１０秒の間は、ガス流条件が表２と同一になる。超格子構造は、１０秒と１１０秒の間の１００秒にわたって確立される。
【００２５】
表３に例示されているとおり、超格子構造が確立されるときの各２０秒の周期の間に、最初の１０秒間にわたり１．８ｃｃ／分の、および次の１０秒にわたり０ｃｃ／分のＴＭＧが流れる。これに対し、ＴＭＡ流は、最初の１０秒にわたって０ｃｃ／分であるが、次の１０秒にわたって０．８ｃｃ／分である。ＴＭＩは、１２０秒のプロセスを通じて一定流にとどまる。１．８ｃｃ／分のＴＭＧおよび０ｃｃ／分のＴＭＡを伴うセクションは、０．９ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡの流れに対応する膜に対してガリウムリッチな膜になる。同様に、０ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．８ｃｃ／分のＴＭＡを伴うセクションは、０．９ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡの流れに対応する膜に対してアルミニウムリッチな膜になる。
【００２６】
１０〜１１０秒の間におけるＴＭＧおよびＴＭＡのための平均流量は、表２中に実例で示された従来の流量と同一であることに注目すべきである。したがって、５周期の超格子の平均組成は、平均の流れ、すなわち０．９ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡの組成に対応することになる。結晶グロアは、表２のＭＯＣＶＤの流れ条件を表３の流れ条件と置換し、表１の量子井戸層（層４９，５３）と同一の平均組成を有する不均質量子井戸構造を達成することが可能である。下に与えられた表４は、表３中に記されたガス流量を使用して得られる不均質量子井戸のエピタキシャル構造を実例で示す。
【００２７】
【表４】
0005400368.tif 000005
【００２８】
図７は、不均質超格子構造の例示の実施態様を示した断面図である。特に図７は、上の表４に記された不均質量子井戸７００の全１２の層を図示する。図７は、説明を目的として描かれたものであり、縮尺に従わない。
【００２９】
図７を参照すると、量子井戸７００のハッチングが付された層７０５，７６０は、表４の層１，１２に対応する。無地の層７１０、７２０、７３０、７４０、７５０は、それぞれ表４の層２、４、６、８、１０に対応する。量子井戸７００のドット付きの層７１５、７２５、７３５、７４５、７５５は、それぞれ表４の層３、５、７、９、１１に対応する。図７中には、層７１０、７１５、７２０、７２５、７３０、７３５、７４０、７４５、７５０、および７５５からなる５周期超格子構造が明確に見られる。
【００３０】
表３，４および図７は、例示の実施態様の追加の利点を実例で示す。表１に示す従来の均質量子井戸層（層４９，５３）は、比較的厚い四元合金（quaternary alloy）からなり、言い替えると当該均質量子井戸層は、４つの主成分を有する。例示の実施態様によれば、図７に１つが図解されているような不均質超格子構造を使用して、従来の量子井戸層を置換することが可能である。表４の層２および３によって示されるとおり、例示の超格子構造は、互い違いの（alternating）比較的薄い三元合金の層、言い替えると３つの主成分を有する層からなる。不均質超格子構造は、従来の均質量子井戸層と同一の平均組成を有するが、比較的薄い三元合金の複数層の成長を制御する方が比較的厚い四元合金の単一層の成長より容易である。
【００３１】
同様に、ほかの例示の実施態様によれば、三元合金からなる従来の均質な量子井戸層を、二元合金、または２つの主成分を有する合金を交互に積層させた層からなる不均質超格子構造によって置換することが可能である。たとえば、三元合金のＩｎＧａＮは、インジウムの濃度の増加に伴ってＩｎＮまたはＧａＮのランダム・クラスタに制御不能に分離する傾向を有し、非常に望ましくない。単一のＩｎＧａＮ層を、正確に制御可能な複数のＩｎＮおよびＧａＮの層を交互に用いて置換することによって、単一の均質な層に内在する分離の危険を伴うことなく同一の平均組成を達成することが可能である。
【００３２】
下に与えられた表５は、超格子の各周期中においてＴＭＧ流だけが変更される例示の実施態様に従った別の５周期超格子量子井戸設計のためのＭＯＣＶＤガス流条件を実例で示したものである。この設計においては、１．２ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡを伴うセクションが、０．９ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡの流れに対応する膜に対してガリウムリッチな膜になる。同様に、０．６ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡを伴うセクションは、０．９ｃｃ／分のＴＭＧおよび０．４ｃｃ／分のＴＭＡの流れに対応する膜に対してアルミニウムリッチな膜になる。
【００３３】
【表５】
0005400368.tif 000006
【００３４】
表５のガス流量から結果として得られる５周期超格子量子井戸構造についての平均組成は、表３のガス流量から結果として得られる５周期超格子量子井戸構造についての平均組成と同一にとどまる。下に与えられた表６は、表５に記されたガス流量を使用して得られる不均質超格子のエピタキシャル構造を実例で示したものである。
【００３５】
【表６】
0005400368.tif 000007
【００３６】
図３は、例示の実施態様に従った超格子量子井戸活性層を採用する３００μｍ×３００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフ３００であり、図４は、例示の実施態様に従った超格子量子井戸活性層を採用する２００μｍ×２００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフ４００である。図３，４に特性を記述したＬＥＤは、表５，６に実例で示された超格子量子井戸設計を使用して同一のウェーハ上に作製された。
【００３７】
図３，４との比較のために、図１は、一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用する３００μｍ×３００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフ１００であり、図２は、一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用する２００μｍ×２００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフ２００である。量子井戸層を除けば、図３，４に特性が記されたＬＥＤのエピタキシャル層は、図１，２に特性が記されたＬＥＤのエピタキシャル層とまったく同じであった。
【００３８】
図１，２，３，４を参照すると、例示の実施態様に従った不均質超格子量子井戸活性層を採用するＬＥＤについてのピークの光出力が、一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用するＬＥＤより概略で０．７ｍＷ大きいことが観察できる。図３，４に示されたＬ−Ｉ特性は、λ＝３４３ｎｍについての優れた結果である。
【００３９】
図５は、図３に特性が記された深紫外ＬＥＤの１つのＶ−Ｉ特性と、図１に特性が記された深紫外ＬＥＤの１つのＶ−Ｉ特性とを比較するグラフ５００である。図５は、所定の電流について、超格子設計に必要な電圧が従来設計より小さいことを実例で示している。明らかに、例示の実施態様に従った超格子量子井戸デバイスは、パワー出力およびより低い電圧の両方に関して従来の量子井戸デバイスより良好に機能する。
【００４０】
超格子多量子井戸（superlattice multiple quantum well）の特殊なケースは、単純な単周期超格子が活性領域全体を包含する超格子単量子井戸（superlattice single quantum well）である。別の例示の実施態様は、障壁層が超格子から構成される超格子多量子井戸活性領域となろう。この活性領域内の量子井戸は、均質な組成を有する従来の量子井戸とすることが可能であり、またはそれらもまた、すでに述べたとおり、超格子とすることが可能である。
【００４１】
このほかの不均質量子井戸設計を採用することは可能である。たとえば、可変周期超格子量子井戸は、上で述べたデバイスの簡単な拡張となろう。その種の設計においては、材料の変動の周期性が、量子井戸にわたって変化する。加えて、これまでの考察はＭＯＣＶＤ成長に焦点が当てられてきたが、高インジウム組み込み等のための低温条件が望ましい場合には、ＭＢＥを成長テクニックの選択肢とすることができる。
【００４２】
表３において、ＴＭＧおよびＴＭＡのためのガスソース（gas source）の流量が、超格子遷移（superlattice transitions）の間に同時に切り換えられるが、この同時遷移は必須でない。１つのガスソースを、その後に続く流量変更が第２または第３のガスソースに対して行われる前に、最初に１つの流量から別の流量へと切り換えることが可能である。ガスソース間の遷移の遅延は、材料組成の変動の中により滑らかで、より漸進的な遷移をもたらすことになる。これらの遷移設計は、また、材料組成の変化が、ソースガス流量ではなく成長パラメータを変更することによって影響を受ける実施態様に対しても適用される。ＭＢＥまたはＣＢＥの場合においては、たとえば、成長パラメータの選択肢を温度とすることができる。
【００４３】
Ｃ面基板上に窒素ベースの発光デバイスを成長させることは一般的である。残念ながら、この結晶方位は、量子井戸層における分極電界を導く。ビルトイン電界は、キャリアの再結合を妨げるエネルギ帯の傾斜を生じさせる。分極電界を打ち消す補助のために、多量子井戸構造内の障壁にＳｉ不純物ドーピングが使用された。量子井戸のドーピングによって、再結合プロセスを著しく損なうことなく、特別な設計の柔軟性を達成することが可能であった。例示の実施態様によれば、可能な技法は、超格子量子井戸活性層の使用および超格子の高バンドギャップ・セクションのみのドープである。発明者らは、まさにその、良好なデバイス・パフォーマンスを有するデバイスを立証した。
【００４４】
図６は、例示の実施態様に従ってＳｉドープされた高バンドギャップ・セクションを有する超格子量子井戸を採用するＬＥＤのスペクトルを図示したグラフ６００である。図６に特性が記されたＬＥＤの超格子構造は、超格子のための０．６ｃｃ／分のＴＭＧ、０．４ｃｃ／分のＴＭＡ成長セグメントの間にＳｉドーピングが追加されたこと以外は、表５を使用して獲得された。より良好に機能するデバイスがドープされていない量子井戸から獲得されたが、結果は、ドープされた超格子量子井戸もまた可能性のある代替であることを示唆する。
【００４５】
図８は、発光デバイスを作製するための方法の実施態様８００の中に含まれるプロセス８１０を図示したフローチャートである。図８を参照すると、プロセス８１０は、量子井戸層にわたって不均質であり、かつ非ランダム組成変動を有する量子井戸層を成長させる結晶成長パラメータの調整を含む。当業者は、プロセス８１０がサブプロセスの複数回の反復を含み得ることを認識するであろう。たとえば、図７に示されている５周期超格子構造を有する量子井戸７００については、同一のエピタキシャル層堆積プロセスが５回実行されて層７１０、７２０、７３０、７４０、および７５０が形成される。同様に、それとは異なるエピタキシャル層堆積プロセスが５回実行されて層７１５、７２５、７３５、７４５、および７５５が堆積される。エピタキシャル層の形成または堆積のための任意の周知のテクニックを使用することができる。たとえば、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、またはＣＢＥを、異なる実施態様の中で使用できる。
【００４６】
図９は、図８のプロセス８１０内に含めることができる例示のサブプロセス９００を図示したフローチャートである。図９を参照すると、サブプロセス９００は、組成変動が実質的に周期的となるように結晶成長パラメータを調整すること（９１０）を含む。たとえば、表３は、ＭＯＣＶＤプロセス内におけるＴＭＡソースガスおよびＴＭＧソースガスが、１００秒の時間スパンにわたって周期的にオンおよびオフされることを実例で示している。当業者は受け入れ、かつ認識することになろうが、表３中に実例で示されたプロセスから結果としてもたらされるエピタキシャル層の周期的な材料組成の変動は、完全なオン／オフ特性（電気信号におけるステップ関数に類似）を呈してなく、プロセス・チャンバ内のいくらかの残留ソースガス（residual source gases）の存在が、異なる組成の層の間の遷移をより漸進的なものにする傾向を有することになる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用する３００μｍ×３００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフである。
【図２】一様な材料組成を有する従来の量子井戸活性層を採用する２００μｍ×２００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフである。
【図３】例示の実施態様に従った超格子量子井戸活性層を採用する３００μｍ×３００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフである。
【図４】例示の実施態様に従った超格子量子井戸活性層を採用する２００μｍ×２００μｍの深紫外ＬＥＤのＬ−Ｉ特性を図示したグラフである。
【図５】図３に特性が記された深紫外ＬＥＤの１つのＶ−Ｉ（電圧−電流）特性と図１に特性が記された深紫外ＬＥＤの１つのＶ−Ｉ特性を比較するグラフである。
【図６】例示の実施態様に従ってＳｉドープされた高バンドギャップ・セクションを有する超格子量子井戸を採用するＬＥＤのスペクトルを示したグラフである。
【図７】不均質超格子構造の実施態様を示した断面図である。
【図８】発光デバイスを作製するための例示の方法の実施態様の中に含まれるプロセスを示したフローチャートである。
【図９】図８のプロセス中に含めることができる例示のサブプロセスを示したフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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