(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接合され、少なくとも一方の表面の少なくとも一部がガラスにより形成されている第１基板、および第２基板と、
これら第１基板と第２基板との間に形成され、電子部品を封入可能なキャビティとを備えたパッケージの前記ガラスの表面に、マーキングを施すためのパッケージマーキング方法において、
前記ガラスの表面に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程により形成された前記薄膜にレーザ光を照射し、前記薄膜を除去することにより前記ガラスの表面にマーキングを施すマーキング工程と、
を有し、
前記薄膜形成工程の前に、前記第１基板および前記第２基板のうち一方に形成された接合材と、他方とを陽極接合する接合工程を備え、
前記薄膜形成工程では、前記第１基板と前記第２基板との間から外部に露出している前記接合材を覆うように前記薄膜を形成し、
さらに、前記薄膜形成工程では、薄膜形成治具の凹部内に前記パッケージを配置し、前記パッケージの外部電極を前記凹部内に収容しつつ前記接合材を外部に露出させた状態で、前記薄膜を形成することを特徴とするパッケージマーキング方法。
【請求項２】
前記レーザ光は、ガラスに１００％吸収される波長領域のものであることを特徴とする請求項１に記載のパッケージマーキング方法。
【請求項３】
前記レーザ光の波長λは、
λ≧７．５μｍ
を満たすように設定されていることを特徴とする請求項２に記載のパッケージマーキング方法。
【請求項４】
前記薄膜の膜厚Ｔは、
１０００Å≦Ｔ≦３０００Å
を満たすように設定され、
前記レーザ光として、ＣＯ2レーザを用いることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れかに記載のパッケージマーキング方法。
【請求項５】
前記レーザ光の出力Ｐは、
４．５Ｗ≦Ｐ≦６Ｗ
を満たすように設定されていることを特徴とする請求項４に記載のパッケージマーキング方法。
【請求項６】
前記薄膜は、Ｓｉを主成分とする膜であることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載のパッケージマーキング方法。
【請求項７】
前記薄膜形成工程では、薄膜形成治具の複数の凹部内にそれぞれ前記パッケージを配置し、複数の前記パッケージが離間配置された状態で、前記薄膜を形成することを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のパッケージマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パッケージマーキング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話や携帯情報端末には、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子を用いる場合が多い。この種の圧電振動子として、キャビティ（密閉室）が形成されたパッケージ内に電子部品である圧電振動片を真空封止したものがある。パッケージは、一対のガラス基板のうちの一方に凹部を形成した状態で互いに重ね合わせ、両者を直接接合することにより、凹部をキャビティとして機能させる構造になっている。
【０００３】
ところで、ガラス基板の表面にマーキングを施す手段として、インクジェットやインクスタンプ等を用いてマーキングを施す手段が考えられる。しかしながら、圧電振動子のような小型な部品には、マークの大きさに限界があり、マーキング可能な文字数が少なくなってしまう。このため、ガラス基板の表面にレーザ光を照射してエッチングすることにより、ガラス基板の表面にマーキングを施す方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１０１３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の従来技術を、圧電振動子等、内部に電子部品が封止されているパッケージに用いる場合、ガラス基板を透過してしまうレーザ光を使用すると電子部品に影響を及ぼす虞がある。
一方、ガラス基板に対する吸収率が１００％のレーザ光を使用することにより、電子部品への影響を阻止することが可能になる。しかしながら、ガラス基板の表面をエッチングすることによってマーキングを施す場合、クラック等の発生によりパッケージの信頼性が低下する虞があると共に、綺麗にマーキングを施すことが困難であるという課題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、信頼性を損なうことなく、かつ綺麗にマーキングを行うことができるパッケージマーキング方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明に係るパッケージマーキング方法は、互いに接合され、少なくとも一方の表面の少なくとも一部がガラスにより形成されている第１基板、および第２基板と、これら第１基板と第２基板との間に形成され、電子部品を封入可能なキャビティとを備えたパッケージの前記ガラスの表面に、マーキングを施すためのパッケージマーキング方法において、前記ガラスの表面に薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程により形成された前記薄膜にレーザ光を照射し、前記薄膜を除去することにより前記ガラスの表面にマーキングを施すマーキング工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
このように構成することで、ガラスの表面をエッチングすることなく、表面にマーキングを施すことができる。このため、レーザ光による電子部品への影響を防止でき、信頼性の高いパッケージを提供することが可能になる。
また、ガラスの表面に形成された薄膜を除去することによってマーキングを施すので、ガラスの表面をエッチングする場合と比較して綺麗にマーキングを施すことができると共に、クラックの発生を防止することが可能になる。
【０００９】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記レーザ光は、ガラスに１００％吸収される波長領域のものであることを特徴とする。
【００１０】
このように構成することで、レーザ光がガラスを透過してしまうのを確実に防止できるので、さらに信頼性の高いパッケージを提供することが可能になる。
【００１１】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記レーザ光の波長λは、λ≧７．５μｍを満たすように設定されていることを特徴とする。
【００１２】
このように構成することで、ガラスへのクラックの発生等を防止することができる。
ここで、一般に、ガラスに１００％吸収されるレーザ光の波長領域としては、数ｎｍの短い波長領域と、数μｍの長い波長領域とがある。短い波長領域のレーザ光は、波長が短い分エネルギーが大きくなるので、ガラスにクラック等を発生させてしまう虞がある。このため、波長の長いレーザ光、具体的には、レーザ光の波長λが、λ≧７．５μｍを満たすように設定されていることにより、ガラスに１００％吸収されつつ、ガラスへのクラックの発生等を防止することが可能になる。
【００１３】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記薄膜の膜厚Ｔは、１０００Å≦Ｔ≦３０００Åを満たすように設定され、前記レーザ光として、ＣＯ2レーザを用いることを特徴とする。
【００１４】
このように構成することで、ＣＯ2レーザを用いて、確実に薄膜を除去し、確実に綺麗なマーキングを施すことが可能になる。
ここで、薄膜の膜厚Ｔが３０００Åよりも厚く設定されていると、薄膜を除去しきれず、綺麗にマーキングを施すことができなくなる虞がある。このため、薄膜の膜厚Ｔを、１０００Å≦Ｔ≦３０００Åを満たすように設定することにより、確実に綺麗なマーキングを施すことが可能になる。
【００１５】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記レーザ光の出力Ｐは、４．５Ｗ≦Ｐ≦６Ｗを満たすように設定されていることを特徴とする。
【００１６】
このように構成することで、薄膜を除去しつつ、ガラスへのクラックの発生を確実に防止することができる。
【００１７】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記薄膜は、Ｓｉを主成分とする膜であることを特徴とする。
【００１８】
このように構成することで、薄膜を除去した部分のガラスの表面を際立たせることができる。つまり、一般にＳｉはレーザ光を吸収すると共に、色素を有しているので、薄膜の除去した部分と除去していない部分とをはっきり色分けすることができる。このため、薄膜を除去した部分のガラスの表面が際立ち、マーキングをはっきり表示させることが可能になる。
また、Ｓｉは、耐腐食性が高く、絶縁性も高いので、パッケージの信頼性を高めることができる。
【００１９】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記薄膜形成工程の前に、前記第１基板および前記第２基板のうち一方に形成された接合材と、他方とを陽極接合する接合工程を備え、前記薄膜形成工程では、前記第１基板と前記第２基板との間から外部に露出している前記接合材を覆うように前記薄膜を形成することを特徴とする。
【００２０】
このように構成することで、接合材の腐食を防止することができる。
【００２１】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記薄膜形成工程では、薄膜形成治具の凹部内に前記パッケージを配置し、前記パッケージの外部電極を前記凹部内に収容しつつ前記接合材を外部に露出させた状態で、前記薄膜を形成することを特徴とする。
【００２２】
このように構成することで、外部電極の短絡を防止しつつ、接合材を薄膜で覆うことができる。
【００２３】
本発明に係るパッケージマーキング方法は、前記薄膜形成工程では、薄膜形成治具の複数の凹部内にそれぞれ前記パッケージを配置し、複数の前記パッケージが離間配置された状態で、前記薄膜を形成することを特徴とする。
【００２４】
このように構成することで、パッケージ１の側面にも薄膜を形成することができるので、接合材を確実に薄膜で覆うことができる。
【００２５】
本発明に係るパッケージは、互いに接合され、少なくとも一方の表面の少なくとも一部がガラスにより形成されている第１基板、および第２基板と、これら第１基板と第２基板との間に形成され、電子部品を封入可能なキャビティとを備えたパッケージにおいて、前記ガラスの表面に薄膜を形成し、この薄膜にレーザ光を照射して前記薄膜を除去することにより、前記ガラスの表面にマーキングを施したことを特徴とするパッケージ。
【００２６】
このように構成することで、信頼性を損なうことなく、かつ綺麗にマーキングが施されたパッケージを提供することができる。
【００２７】
本発明に係る圧電振動子は、請求項７に記載のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする。
【００２８】
このように構成することで、レーザ光による圧電振動片への影響を防止でき、信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
また、気密性に優れたパッケージを備えているので、振動特性に優れた圧電振動子を提供することができる。
【００２９】
本発明に係る発振器は、請求項８に記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３０】
このように構成することで、振動特性に優れ、信頼性の高い発振器を提供することができる。
【００３１】
本発明に係る電子機器は、請求項８に記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３２】
このように構成することで、振動特性に優れ、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００３３】
本発明に係る電波時計は、請求項８に記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３４】
このように構成することで、振動特性に優れ、信頼性の高い電波時計を提供することができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、ガラスの表面をエッチングすることなく、表面にマーキングを施すことができる。このため、レーザ光による電子部品への影響を防止でき、信頼性の高いパッケージを提供することが可能になる。
また、ガラスの表面に形成された薄膜を除去することによってマーキングを施すので、ガラスの表面をエッチングする場合と比較して綺麗にマーキングを施すことができると共に、クラックの発生を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
【図２】本発明の実施形態における圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板３を取り外した状態を示す。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の実施形態における圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】本発明の実施形態における圧電振動子の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態におけるウエハ接合体の分解斜視図である。
【図７】本発明の実施形態におけるマーキング工程の説明図である。
【図８】本発明の実施形態におけるソーダ石灰ガラスの透過率の変化を示すグラフであって、（ａ）は、レーザ光の波長領域が０μｍ〜２４μｍの場合を示し、（ｂ）は、レーザ光の波長領域が１００ｎｍ〜１，１００ｎｍの場合を示している。
【図９】本発明の実施形態における発振器の概略構成図である。
【図１０】本発明の実施形態における携帯情報機器の概略構成図である。
【図１１】本発明の実施形態における電波時計の概略構成図である。
【図１２】本発明の第２実施形態における薄膜形成工程の説明図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
（圧電振動子）
次に、この発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における圧電振動子１の外観斜視図、図２は、圧電振動子１の内部構成図であって、リッド基板３を取り外した状態を示す。また、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図４は、圧電振動子１の分解斜視図である。
【００３８】
図１〜図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２、およびリッド基板（第２基板）３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５とを備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の裏面２ａ（図３における下面）に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００３９】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対のスルーホール２１，２２が形成されている。スルーホール２１，２２は、ベース基板２の裏面２ａから表面２ｂ（図３における上面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００４０】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。リッド基板３の裏面３ｂ（図３における下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。
【００４１】
この凹部３ａは、ベース基板２、およびリッド基板３を重ね合わせた際、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の裏面３ｂ側には、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとが形成されている。
【００４２】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、略平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型である。一対の振動腕部２４，２５の表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる不図示の一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極、および第２の励振電極と、後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００４３】
このように構成された圧電振動片５は、図２、図３に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の表面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。
より具体的には、一方の引き回し電極２７上に、圧電振動片５の第１の励振電極が一方のマウント電極、およびバンプＢを介してバンプ接合されている。また、他方の引き回し電極２８上に、第２の励振電極が他方のマウント電極、およびバンプＢを介してバンプ接合されている。これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の表面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００４４】
さらに、ベース基板２の表面２ｂ側（リッド基板３が接合される接合面側）には、Ａｌからなる陽極接合用の接合材２３が形成されている。この接合材２３は、膜厚が例えば３０００Å〜５０００Å程度に設定され、リッド基板３の額縁領域３ｃに対向するようにベース基板２の外周部分に沿って形成されている。
そして、接合材２３とリッド基板３の額縁領域３ｃとが陽極接合されることにより、キャビティＣが真空封止されている。なお、接合材２３の側面は、ベース基板２の側面２ｃ、およびリッド基板３の側面３ｅ（パッケージ１０の側面（外側面）１０ａ）と略面一に形成されている。
【００４５】
外部電極６，７は、ベース基板２の裏面２ａ（ベース基板２における接合面とは反対側の面）における長手方向の両側に設置されている。外部電極６，７は、各貫通電極８，９、および各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。
より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８、および一方の引き回し電極２７を介し、圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９、および他方の引き回し電極２８を介し、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
なお外部電極６，７の側面（外周縁）は、ベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置している。
【００４６】
貫通電極８，９は、焼成によってスルーホール２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２、および芯材部３１によって形成されたものである。貫通電極８，９は、スルーホール２１，２２を完全に閉塞し、キャビティＣ内の気密を維持していると共に、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。
具体的には、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００４７】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で、かつベース基板２と略同じ肉厚の円筒状に形成されている。筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２の中心孔を貫通するように配されている。
また、本実施形態ではスルーホール２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。この筒体３２は、スルーホール２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール２１，２２に対して強固に固着されている。
【００４８】
上述した芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２と略同じ肉厚となるように形成されている。なお、貫通電極８，９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。
【００４９】
ここで、図１、図３に示すように、パッケージ１０には、リッド基板３の表面３ｄからリッド基板３の側面３ｅ、およびベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように薄膜１１が形成されている。すなわち、ベース基板２、およびリッド基板３の間から外部に露出している接合材２３を覆うように薄膜１１が形成されている。そして、薄膜１１の周縁端部（図３における下端部）は、ベース基板２の裏面２ａと略面一に形成されている。つまり、ベース基板２の裏面２ａには薄膜１１が形成されていない。
【００５０】
このように薄膜１１を形成することにより、薄膜１１とベース基板２、およびリッド基板３との密着性を向上させ、薄膜１１と基板２，３との間に隙間ができたり、薄膜１１が剥離したりするのを抑制できるようになっている。
【００５１】
薄膜１１は、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする金属材料により形成されたものであって、薄膜１１の膜厚Ｔは、
１０００Å≦Ｔ≦３０００Å・・・（１）を満たすように設定されている。
【００５２】
また、リッド基板３の表面３ｄに形成されている薄膜１１には、製品の種類、製品番号、製造年月日等を示すマーキング１３が施されている。マーキング１３は、薄膜１１にレーザ光Ｌ（図７参照）を照射し、薄膜１１の一部を除去することにより施される（詳細は後述する）。
薄膜１１をレーザ光Ｌの吸収率が高いシリコン（Ｓｉ）を主成分とする金属材料により形成することで、リッド基板３の表面３ｄに形成されている薄膜１１に確実にマーキング１３を施すことができる。
【００５３】
このような構成のもと、圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００５４】
（圧電振動子の製造方法）
次に、図５、図６に基づいて、圧電振動子１の製造方法について説明する。
図５は、本実施形態における圧電振動子１の製造方法を示すフローチャート、図６は、ウエハ接合体６０の分解斜視図である。
なお、この圧電振動子１の製造方法においては、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に、複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。ここで、図６に示す破線Ｍは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。
【００５５】
本実施形態における圧電振動子１の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ４０以下）とを有している。これらのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）、およびベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。
【００５６】
まず、図５に示すように、圧電振動片作製工程を行い、圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００５７】
（リッド基板用ウエハ作成工程）
次に、図５、図６に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。
具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。
【００５８】
次いで、リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ（図６における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。
続いて、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、裏面５０ａを鏡面加工する。以上により、リッド基板用ウエハ作成工程（Ｓ２０）が終了する。
【００５９】
（ベース基板用ウエハ作成工程）
次に、上述した工程と同時、または前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。
まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。
【００６０】
次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハに一対の貫通電極８，９を配置するためのスルーホール２１，２２を複数形成するスルーホール形成工程を行う（Ｓ３２）。
具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂから凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ４０の表面４０ａ側から研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール２１，２２を形成することができる。
【００６１】
続いて、スルーホール形成工程（Ｓ３２）で形成されたスルーホール２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。
これにより、スルーホール２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂ（図６における上下面）に対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。
【００６２】
次に、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに導電性材料をパターニングして、接合材２３を形成する接合材形成工程を行う（Ｓ３４）とともに、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３５）。
なお、接合材２３はベース基板用ウエハ４０におけるキャビティＣの形成領域以外の領域、すなわちリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの接合領域の全域に亘って形成する。このようにして、ベース基板用ウエハ製作工程（Ｓ３０）が終了する。
【００６３】
続いて、ベース基板用ウエハ作成工程（Ｓ３０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作成工程（Ｓ１０）で作成された圧電振動片５を、それぞれ金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。
そして、上述した各ウエハ４０，５０の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０、およびリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。
具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００６４】
重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。
具体的には、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。
【００６５】
そして、本実施形態のように両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。
この場合、本実施形態では接合材２３に抵抗値が比較的低いＡｌを用いているため、接合材２３の全面に対して均一に電圧を印加することができ、両ウエハ４０，５０の接合面同士が強固に陽極接合されたウエハ接合体６０を簡単に形成することができる。また、陽極接合を比較的低電圧で行うことができるため、エネルギー消費量の低減を図り、製造コストを低減させることができる。
【００６６】
その後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ接合体６０を切断して個片化する個片化工程を行う（Ｓ９０）。
【００６７】
個片化工程（Ｓ９０）では、不図示のマガジンでウエハ接合体６０を保持し、リッド基板用ウエハ５０における表面５０ｂの表層部分に対して、切断線Ｍに沿ってレーザ光を照射し、ウエハ接合体６０にスクライブラインを形成する。そして、スクライブラインが形成されたウエハ接合体６０に対してブレーキングを行い、ウエハ接合体６０に割断応力を加える。すると、ウエハ接合体６０に、厚さ方向に沿ってクラックが発生し、ウエハ接合体６０がリッド基板用ウエハ５０上に形成されたスクライブラインに沿って折れるように切断される。そして、スクライブライン毎に不図示の切断刃を押し当てることで、ウエハ接合体６０が切断線Ｍ毎のパッケージ１０（圧電振動子１）に一括して分離される。
【００６８】
個片化工程を終了した後、パッケージ１０を薄膜１１によってコーティングする薄膜形成工程（Ｓ１００）を行う。
薄膜１１の形成方法としては、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法によって形成する方法が挙げられる。ここで、パッケージ１０におけるリッド基板３の表面３ｄからリッド基板３の側面３ｅ、およびベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように薄膜１１を形成するのにあたって、ベース基板２の裏面２ａに、例えばＵＶテープを貼着させるとよい。ＵＶテープとしては、例えばポリオレフィンからなるシート材に紫外線硬化樹脂の粘着剤が塗布されたものがある。
【００６９】
なお、個片化工程を行う段階で、予めベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂ側（外部電極６，７側）を、ＵＶテープ８０の粘着面に貼着してもよい。このようにすることで、個片化工程と薄膜形成工程とを一連の作業で行うことが可能になる。
すなわち、個片化工程を経た後、ＵＶテープを引き延ばすエクスパンド工程を行うことにより、ＵＶテープ上に、複数のパッケージ１０が所定間隔をあけて配置された状態になる。この状態で薄膜形成工程を行うことにより、パッケージ１０におけるリッド基板３の表面３ｄからリッド基板３の側面３ｅ、およびベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように薄膜１１を形成することができる。
【００７０】
このように個片化工程と薄膜形成工程とを一連の作業で行うことにより、パッケージ１０に個別で薄膜１１を形成する場合に比べて製造効率の向上を図ることが可能になる。
また、ベース基板２の裏面２ａ側にＵＶテープが貼着された状態で薄膜形成工程を行うことにより、ベース基板２の裏面２ａ側への成膜材料の回り込みを抑制できる。このため、外部電極６，７への成膜材料の付着を抑制できるので、薄膜１１によって各外部電極６，７間が架け渡されるのを抑制できる。
【００７１】
なお、Ａｌ等からなる接合材２３が外部に露出していると、露出部分から腐食が進行してパッケージ１０の気密性が保持できなくなる。これに対して、パッケージ１０の側面に耐腐食性に優れたＳｉ等からなる薄膜１１を形成し、ベース基板２とリッド基板３との間から外部に露出している接合材２３を薄膜１１で覆うことにより、接合材２３の腐食を防止することができる。
【００７２】
また、ベース基板２の裏面２ａ側にＵＶテープを貼着した場合、薄膜形成工程終了後、薄膜１１が形成された圧電振動子１を取り出すためのピックアップ工程を行う必要がある。
より具体的には、ピックアップ工程では、まずＵＶテープに対してＵＶ照射し、ＵＶテープの粘着力を低下させる。これにより、ＵＶテープから圧電振動子１が剥離される。その後、画像認識等により各圧電振動子１の位置を把握して、ノズル等により吸引することで、ＵＶテープから剥離された圧電振動子１を取り出していく。
【００７３】
続いて、個片化された圧電振動子１の内部の電気特性検査を行う（Ｓ１１０）。
すなわち、圧電振動片５の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数、および共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
【００７４】
（マーキング工程）
次に、図５、図７に基づいて、マーキング工程について説明する。
図７は、マーキング工程の説明図である。
図５、図７に示すように、電気特性検査、および外観検査が完了し、検査に合格した圧電振動子１に対して、最後にマーキング１３を施すマーキング工程を行う（Ｓ１２０）。
【００７５】
マーキング１３は、リッド基板３の表面３ｄに対して鉛直方向からレーザ光Ｌを照射して、リッド基板３の表面３ｄ上の薄膜１１を除去することにより行う。
ここで、レーザ光Ｌとしては、ソーダ石灰ガラスにより形成されているリッド基板３に１００％吸収される波長領域のものが用いられ、より好ましくは、リッド基板３に１００％吸収される波長領域のうち、波長の長いレーザ光が用いられる。
【００７６】
より具体的に、図８に基づいて説明する。
図８は、縦軸をソーダ石灰ガラスの透過率（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）とし、横軸をレーザ光の波長（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）とした場合のソーダ石灰ガラスの透過率の変化を示すグラフであって、（ａ）は、レーザ光の波長領域が０μｍ〜２４μｍの場合を示し、（ｂ）は、レーザ光の波長領域が１００ｎｍ〜１，１００ｎｍの場合を示している。
図８（ａ）、図８（ｂ）に示すように、ソーダ石灰ガラスに対してレーザ光が１００％吸収される領域、つまり、透過率が０％である領域は、レーザ光の波長λが、約２４０ｎｍよりも短く設定されている場合、または約７．２μｍよりも長く設定されている場合であることが確認できる。
【００７７】
ここで、レーザ光は、波長が短くなるに従ってエネルギーが増加するので、波長が短い領域のレーザ光（図８（ｂ）参照）を用いると、マーキング工程時に薄膜１１を除去するばかりか、リッド基板３の表面３ｄにクラックを発生させてしまう虞がある。
このため、短い波長のレーザ光、例えば、３００ｎｍ程度の波長のレーザ光は、ウエハ接合体６０にスクライブラインを形成する個片化工程に用いられたり、従来のようにガラス自体にエッチングを施す場合に用いられたりする。
【００７８】
これに対し、レーザ光Ｌとして、波長の長いレーザ光（図８（ａ）参照）、すなわち、波長λが、
λ≧７．５μｍ・・・（２）
を満たすレーザ光を用いることにより、リッド基板３の表面３ｄへのクラックの発生を防止できる。
より具体的には、レーザ光Ｌとして、ＣＯ2レーザを用いることが望ましい。このＣＯ2レーザは、波長λが１０．６μｍであるので、式（２）を満たす。
【００７９】
さらに、レーザ光Ｌとして、ＣＯ2レーザを用いた場合であっても、レーザ光Ｌの出力を上げることにより、リッド基板３の表面３ｄにクラックを発生させてしまう虞がある。
このため、薄膜１１の膜厚Ｔは、式（１）を満たすように、つまり、１０００Å≦Ｔ≦３０００Åを満たすように設定されている場合において、レーザ光Ｌの出力をＰとしたとき、出力Ｐを
４．５Ｗ≦Ｐ≦６．０Ｗ・・・（３）
を満たすように設定することが望ましい。
【００８０】
このようにレーザ光Ｌの出力Ｐが式（３）を満たすことにより、レーザ光Ｌは、薄膜１１のみを除去し、クラックを発生させることなく、リッド基板３に１００％吸収される（図７参照）。
なお、従来のようにガラス自体にエッチングを施す場合、レーザ光のエネルギー密度は、例えば０．７Ｊ／ｃｍ2〜２０Ｊ／ｃｍ2に設定される場合がある。
【００８１】
また、レーザ光Ｌにより薄膜１１が除去された部位は、リッド基板３の表面３ｄが露出することになる。ここで、薄膜１１は、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする金属材料により形成されたものであって、その膜厚Ｔが式（１）を満たすように設定されているので、紫がかった色、ピンク、またはグレーといった色彩を有している。このため、リッド基板３の表面３ｄが露出した部位と薄膜１１との色彩の違いがはっきりと表れる。
なお、薄膜１１を完全に除去しきれず、この除去した部分からリッド基板３の表面３ｄが露出しない場合、除去した部分と除去していない部分との色彩の違いがはっきり表れず、マーキングを視認することが困難になってしまう。
【００８２】
したがって、上述の実施形態によれば、リッド基板３の表面３ｄからリッド基板３の側面３ｅ、およびベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように薄膜１１を形成し、この薄膜１１をレーザ光Ｌにより除去することで、リッド基板３の表面３ｄにマーキングを施すことができるので、従来のように、リッド基板３の表面３ｄをエッチングする必要がなくなる。このため、レーザ光Ｌによる圧電振動片５への影響を防止でき、信頼性の高いパッケージ１０（圧電振動子１）を提供することが可能になる。
また、従来のように、リッド基板３の表面３ｄをエッチングする場合と比較して、綺麗にマーキングを施すことができる。さらに、リッド基板３のクラックの発生を確実に防止することができる。
【００８３】
そして、マーキング工程に用いられるレーザ光Ｌとして、ＣＯ2レーザを用いることにより、レーザ光がリッド基板３を透過してしまうのを確実に防止できる。このため、さらに信頼性の高いパッケージ１０（圧電振動子１）を提供することが可能になる。
また、薄膜１１の膜厚Ｔを式（１）を満たすように設定する一方、レーザ光Ｌの出力Ｐを式（３）を満たすことにより、確実に薄膜１１を除去してこの除去した部分からリッド基板３の表面３ｄを露出させつつ、リッド基板３にレーザ光Ｌを１００％吸収させることができる。
【００８４】
さらに、薄膜１１を、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする金属材料により形成することで、リッド基板３の表面３ｄに、さらに綺麗にマーキングを施すことが可能になる。しかも、シリコン（Ｓｉ）は、耐腐食性が高く、絶縁性も高いので、パッケージ１０（圧電振動子１）の信頼性を高めることができる。
【００８５】
なお、上述の実施形態では、薄膜１１を、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする金属材料により形成する場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、シリコン（Ｓｉ）に代わって、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等、接合材２３よりも耐腐食性が高い（イオン化傾向が小さい）金属材料を用いることも可能である。
この場合、レーザ光Ｌの波長λや出力Ｐを式（２）、式（３）とは別に設定する必要がある。すなわち、レーザ光Ｌの波長λや出力Ｐは、式（２）、式（３）を満たす場合に限られるものではなく、リッド基板３の表面３ｄに薄膜１１を形成した後、この薄膜１１にレーザ光Ｌを照射させるにあたって、薄膜１１を除去しつつ、リッド基板３へのクラックの発生を阻止可能で、かつリッド基板３にレーザ光Ｌを１００％吸収されるレーザ光であればよい。
【００８６】
また、薄膜１１を、シリコン（Ｓｉ）に代わって、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等で形成した場合であっても、圧電振動子１の外部電極６，７の側面は、ベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置しているため（図３参照）、外部電極６，７間が薄膜１１によって架け渡されることがないので、外部電極６，７の短絡を防止できる。
【００８７】
さらに、上述の実施形態では、リッド基板３の表面３ｄからリッド基板３の側面３ｅ、およびベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように薄膜１１が形成されている場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、少なくともリッド基板３の表面３ｄに薄膜１１が形成されていればよい。
【００８８】
この場合、個片化工程を終了した後に薄膜形成工程を行う必要はなく、例えばリッド基板用ウエハ作製工程において、リッド基板用ウエハ５０の表面を研磨（研磨工程）した後、リッド基板用ウエハ５０の状態でこの表面に薄膜１１を形成してもよい。このように、リッド基板用ウエハ５０の状態で薄膜１１を形成することにより、この薄膜１１を接合工程時の電荷を中和する膜として利用することも可能になる。
すなわち、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０と陽極接合する接合工程にあっては、リッド基板用ウエハ５０の表面側に負電荷層が生じる。しかしながら、リッド基板用ウエハ５０の表面にＳｉを主成分とする薄膜１１が形成されているので、この薄膜１１により負電荷層が中和される。これにより、リッド基板用ウエハ５０内に分極が生じず、さらに確実に陽極接合を行うことが可能になる。
【００８９】
また、上述の実施形態では、ベース基板２、およびリッド基板３がそれぞれガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスにより形成されている場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、少なくともマーキング１３が施される部位がガラス材料により形成されていればよい。すなわち、本実施形態では、少なくともリッド基板３の表面３ｄのうち、マーキング１３が施される箇所がガラス材料により形成されていればよい。
【００９０】
さらに、上述の実施形態では、リッド基板３の表面３ｄにマーキング１３を施した場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、ベース基板２の裏面２ａにマーキング１３を施してもよい。この場合、ベース基板２の裏面２ａには、外部電極７，８が設けられているので、これら外部電極７，８を避けるように薄膜１１を形成する必要がある。
【００９１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態の薄膜形成工程（Ｓ１００、図５参照）は、ＵＶテープ上にパッケージを貼り付けた状態で行ったが、第２実施形態の薄膜形成工程は、薄膜形成治具の凹部内にパッケージを配置して行う点で異なっている。第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００９２】
第２実施形態では、第１実施形態と同様に個片化工程（Ｓ９０）までを行う。すなわち、ウエハ接合体６０にＵＶテープを貼り付けた状態で、ウエハ接合体６０を複数のパッケージ１０（圧電振動子１）に個片化する。次に第２実施形態では、ＵＶテープにＵＶを照射してＵＶテープの粘着力を低下させる。そして、個片化されたパッケージ１０をピックアップし、次述する薄膜形成治具に載置する。
【００９３】
図１２は本発明の第２実施形態における薄膜形成工程の説明図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。なお図１２（ｂ）では、パッケージ１０の内包物の記載を省略している。第２実施形態では、薄膜形成治具７０にパッケージ１０を載置して薄膜形成工程を行う。
図１２（ｂ）に示すように、薄膜形成治具７０は、Ａｌ等からなる支持板７１と、ステンレス等からなるカバー板７２とを積層して形成されている。カバー板７２には貫通孔７３が形成され、貫通孔７３の底部開口が支持板７１で閉塞されて、薄膜形成治具７０に凹部７４が形成されている。
【００９４】
図１２（ａ）に示すように、凹部７４の平面形状は、パッケージ１０と同様の矩形状とされている。薄膜形成治具７０には複数の凹部７４が形成され、各凹部７４は相互に離間した状態でマトリクス状に整列配置されている。各凹部７４内にパッケージ１０を配置することで、複数のパッケージ１０が相互に離間配置される。
図１２（ｂ）に示すように、凹部７４の底面にパッケージ１０の外部電極６，７が当接するように、凹部７４内にパッケージ１０を配置する。凹部７４の深さ（カバー板７２の厚さ）は、パッケージ１０の外部電極６，７の厚さより深くなっているので、外部電極６，７が凹部７４内に収容される。また凹部７４の深さは、パッケージ１０の底面から接合材２３までの高さより浅くなっているので、接合材２３が外部に露出する。
【００９５】
薄膜形成工程では、薄膜形成治具７０の凹部７４内にパッケージ１０を配置した状態で薄膜１１を形成する。薄膜１１は、第１実施形態と同様に、Ｓｉ等の材料でスパッタ法等により形成する。上述したように、外部電極６，７が凹部７４内に収容されているので、外部電極６，７上に薄膜１１が形成されない。したがって、外部電極６，７の短絡を防止することができる。また、複数のパッケージ１０が相互に離間配置されているので、パッケージ１０の側面に薄膜１１を形成することができる。そして、接合材２３が凹部７４内に収容されることなく、パッケージ１０の側面から外部に露出している。したがって、接合材２３を覆うように薄膜１１を形成することができる。
【００９６】
薄膜形成工程（Ｓ１１０）に続けて電気特性検査（Ｓ１１０）を行い、さらにマーキング工程（Ｓ１２０）を行う。マーキング工程は、薄膜形成治具７０にパッケージ１０を配置したままで行う。このように、パッケージ１０を移動させることなく薄膜形成工程からマーキング工程までを連続して行うことで、製造コストを低減することができる。その後、薄膜形成治具からパッケージ１０をピックアップする。
以上により、パッケージ１０の下半部から外部電極６，７が露出するとともに、上半部が薄膜１１で覆われてマーキングが施された圧電振動子１が完成する。
【００９７】
以上に詳述したように、第２実施形態では、パッケージ１０の外部電極６，７を薄膜形成治具の凹部内に収容して薄膜を形成するので、外部電極６，７の短絡を防止することができる。また、接合材２３を外部に露出させた状態で薄膜を形成するので、接合材２３を薄膜で覆うことができる。さらに、複数のパッケージ１０が離間配置された状態で薄膜を形成するので、パッケージ１０の側面に薄膜を形成することが可能になり、接合材２３を確実に薄膜で覆うことができる。これにより、接合材２３の腐食を防止することができるので、パッケージ１０の気密性を保持することができる。
【００９８】
（発振器）
次に、図９に基づいて、この発明の発振器の一実施形態について説明する。
図９は、発振器１００の概略構成図である。
同図に示すように、発振器１００は、集積回路１０１に圧電振動子１を電気的に接続した発振子として構成したものである。発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。
これら電子部品１０２、集積回路１０１、および圧電振動子１は、不図示の配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、不図示の樹脂によりモールドされている。
【００９９】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換され、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【０１００】
したがって、本実施形態の発振器１００によれば、キャビティＣ内の気密が確保された圧電振動子１を備えているため、特性、および信頼性に優れた高品質な発振器１００を提供できる。さらにこれに加え、長期に亘って安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【０１０１】
（電子機器）
次に、図１０に基づいて、この発明の電子機器の一実施形態について説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
図１０は、携帯情報機器１１０の概略構成図である。
ここで、携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ、およびマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化、軽量化されている。
【０１０２】
図１０に示すように、携帯情報機器１１０は、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【０１０３】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信、および受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【０１０４】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路、およびインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換され、発振回路に電気信号として入力される。
発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【０１０５】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３、および呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化、および複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【０１０６】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー、およびその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【０１０７】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。
電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、および着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【０１０８】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしてもよい。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【０１０９】
したがって、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、キャビティＣ内の気密が確保された圧電振動子１を備えているため、特性や信頼性に優れた高品質な携帯情報機器１１０を提供できる。さらにこれに加え、長期に亘って安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【０１１０】
（電波時計）
次に、図１１に基づいて、この発明の電波時計の一実施形態について説明する。
図１１は、電波時計１３０の概略構成図である。
ここで、電波時計１３０は、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【０１１１】
図１１に示すように、電波時計１３０のアンテナ１３２は、４０ｋＨｚ、または６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ、および６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【０１１２】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【０１１３】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【０１１４】
したがって、本実施形態の電波時計１３０によれば、キャビティＣ内の気密が確保された圧電振動子１を備えているため、特性や信頼性に優れた高品質な電波時計１３０を提供できる。さらにこれに加え、長期に亘って安定した高精度に時刻をカウントすることができる。
【０１１５】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【０１１６】
例えば、上述の実施形態では、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに接合材２３を形成した。しかしながら、これとは逆にリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａに接合材２３を形成しても構わない。
この場合、成膜後にパターニングすることで、リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａにおけるベース基板用ウエハ４０との接合面のみに形成する構成でも構わないが、接合材２３を凹部３ａの内面を含む裏面５０ａ全体に形成することで、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
【０１１７】
また、上述の実施形態では、接合工程（Ｓ６０）において、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに陽極となる接合補助材を配置するとともに、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂに陰極を配置する方式（いわゆる、対向電極方式）を採用してもよいし、接合材２３を陽極に接続するとともに、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂに陰極を配置し、接合材２３に対して電圧を直接印加する方式（いわゆる直接電極方式）を採用しても構わない。
【０１１８】
対向電極方式を採用することで、陽極接合時に接合補助材と陰極との間に電圧を印加することで、接合補助材とベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂとの間に陽極接合反応が発生し、これに連動して接合材２３とリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの間が陽極接合される。これにより、接合材２３の全面に対してより均一に電圧を印加することが可能になり、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの間を確実に陽極接合することができる。
これに対して、直接電極方式を採用することで、対向電極方式で必要となる接合工程後の接合補助材の除去作業が不要になるので、製造工数を削減することができ、製造効率の向上を図ることができる。
【０１１９】
そして、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造した。しかしながら、これに限られるものではなく、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
１…圧電振動子  ２…ベース基板（第１基板）  ３…リッド基板（第２基板）  ３ｄ，５０ｂ…表面  ５…圧電振動片（電子部品）  ６，７…外部電極  １０…パッケージ  １１…薄膜  １３…マーキング  ２３…接合材  ４０…ベース基板用ウエハ  ５０…リッド基板用ウエハ  ６０…ウエハ接合体  ７０…薄膜形成治具  ７４…凹部  １００…発振器  １０１…発振器の集積回路  １１０…携帯情報機器（電子機器）  １１３…電子機器の計時部  １３０…電波時計  １３１…電波時計のフィルタ部  Ｃ…キャビティ  Ｌ…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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