(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ素子上に層間絶縁膜を具備し光反応性物質を含有する液晶を内部に封入したＭＶＡ方式の液晶パネルを保持するワークステージと、上記ワークステージに保持された上記液晶パネルに対してランプからの光を照射する光照射部とを備え、上記光照射部からの光を上記ワークステージに保持された液晶パネルに対して照射することにより、上記液晶パネル内の光反応性物質を反応させて液晶パネルの内部に配向部を形成する液晶パネルの製造装置において、
上記層間絶縁膜は、波長４３０ｎｍ以下の光を吸収しガスを発生する感光基を含み、光照射で反応し、露光、現像処理によりパターン形成が可能な絶縁膜であるアクリル系有機絶縁膜からなるものであって、上記光照射部のランプは希ガス蛍光ランプであり、液晶パネル内の光反応性物質の反応に寄与する３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域の光の照射量（ａ）が当該光反応性物質の反応に必要なエネルギー量（Ａ）に等しいとき、
層間絶縁膜に吸収される４３０ｎｍ以下の波長領域の光の照射量（ｂ）が、当該波長領域の光を吸収した層間絶縁膜内で発生するガスの発生量が液晶層内に浸透して液晶層内での発泡に至る量となるのに必要なエネルギー量（Ｂ）より小さくなる発光スペクトルを有するランプである
ことを特徴とする液晶パネルの製造装置。
【請求項２】
上記ランプは、実質的に波長３００ｎｍ以下の光を放射しない希ガス蛍光ランプである
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの製造装置。
【請求項３】
アクティブ素子上に層間絶縁膜を具備し光反応性物質を含有する液晶を内部に封入したＭＶＡ方式の液晶パネルに光照射することにより、上記液晶パネル内の光反応性物質を反応させて液晶パネルの内部に配向部を形成する液晶パネルの製造方法において、
上記層間絶縁膜は、波長４３０ｎｍ以下の光を吸収しガスを発生する感光基を含み、光照射で反応し、露光、現像処理によりパターン形成が可能な絶縁膜であるアクリル系有機絶縁膜からなるものであって、上記光照射するランプは希ガス蛍光ランプであり、液晶パネル内の光反応性物質の反応に寄与する３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域の光の照射量（ａ）が当該光反応性物質の反応に必要なエネルギー量（Ａ）に等しいとき、
層間絶縁膜に吸収される４３０ｎｍ以下の波長領域の光の照射量（ｂ）が、当該波長領域の光を吸収した層間絶縁膜内で発生するガスの発生量が液晶層内に浸透して液晶層内での発泡に至る量となるのに必要なエネルギー量（Ｂ）より小さくなるように光照射する
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ-ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶パネルの製造装置および製造方法に関し、特に、２枚のガラス基板の間に、電圧印加により配向する配向性を持つ液晶と紫外線に反応して重合を起こす光反応性物質とを混合した材料を封入しておき、この液晶パネルに紫外線を照射して紫外線反応材料を重合させることで配向膜をガラス板上に形成する液晶パネルの製造装置および製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０に、液晶パネルの構成例を示す。液晶パネル５０は、２枚の光透過性基板（第１のガラス基板５１、第２のガラス基板５２）の間に液晶５８を封入した構造であり、第１のガラス基板５１上に多数のアクティブ素子（例えば、薄膜トランジスタ：ＴＦＴ５３）と液晶駆動用電極５４（透明電極（ＩＴＯ））を形成し、その上に配向膜５６を形成している。第２のガラス基板５２には、カラーフィルタ５７、配向膜５６、そして透明電極（ＩＴＯ）５５を形成している。そして両ガラス基板５１，５２の配向膜間に液晶５８を封入し、シール剤５９にて周囲を封止している。
【０００３】
近年、液晶パネルの開口率を高めるため、特許文献５に示すように、アクティブ素子（ＴＦＴ５３）と液晶駆動用電極５４との間に層間絶縁膜を設ける場合がある。
図１１に層間絶縁膜を設ける場合におけるアクティブ素子およびその周辺の構成例を模式的に示す。
アクティブ素子であるＴＦＴ５３は以下のように構成される。
１つの画素領域内に形成された例えばＴａ，Ｍｏ，Ａｌなどからなるゲート５３１の上部に、例えばＳｉＮｘ膜からなるゲート絶縁膜５３２が施される。さらにその上部には例えばアモルファスシリコンからなる半導体層５３３が重畳される。この半導体層５３３の一部に例えば低抵抗のＡｌ系合金からなるソース５３４、ドレイン５３５が設けられる。
以上のように構成されたＴＦＴ５３のソース５３４には、例えば低抵抗のＡｌ系合金層からなるソース配線５４１が設けられ、ドレイン５３５には例えば低抵抗のＡｌ系合金層からなるドレイン配線５３６が設けられる。また図示を省略したがゲート５３１にはゲート配線が設けられる。
【０００４】
このようなＴＦＴ５３、ソース配線５４１、ドレイン配線５３６、ゲート配線の上部を覆うように例えばアクリル系樹脂からなる層間絶縁膜（有機絶縁膜）５００が設けられる。層間絶縁膜５００の一部はフォトエッチング処理によって除去され、ドレイン配線５３６上にコンタクトホール５００ａが形成される。この層間絶縁膜５００の表面全体に画素電極である液晶駆動用電極５４（透明電極（ＩＴＯ））が設けられる。よって、液晶駆動用電極５４はコンタクトホール５００ａを介してドレイン配線５３６と接続されるとともに、層間絶縁膜５００を介してソース配線５４１上方、不図示のゲート配線上方にも設けることが可能となる。すなわち、液晶駆動用電極５４の有効面積（開口率）を大きくすることが可能となる。
【０００５】
ここで、層間絶縁膜５００の膜厚を厚く形成（例えば、数μｍ）することにより、液晶駆動用電極５４に対するソース配線５４１、ゲート配線の寄生容量を低減することが可能となる。また、層間絶縁膜５００の膜厚を上記のように設定することにより、アクティブ素子（ＴＦＴ５３）が多数形成されている第１のガラス基板５１表面の凹凸が平坦化され、リバースチルトドメイン等の配向欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【０００６】
このような構造の液晶パネルにおいて、配向膜５６は、透明電極５４，５５間に電圧を印加して液晶を配向させる液晶配向を制御するためのものである。従来、配向膜の制御はラビングにより行われてきたが、近年、新しい配向制御技術が試みられている。
【０００７】
それは、ＴＦＴ素子５３が設けられた第１のガラス基板５１と当該第１のガラス基板５１に相対する第２のガラス基板５２との間に、電圧印加により配向する配向性を持つ液晶５８と、紫外線に反応して重合を起こす光反応性物質（紫外線反応材料）とを混合した材料を封入しておき、この液晶パネルに紫外線を照射して紫外線反応材料を重合させ、ガラス基板５１，５２に接する液晶（即ち表層の概ね１分子層）の向きを固定することにより、液晶にプレチルトアングルを付与する（例えば特許文献１参照）。
この方法によれば、従来プレチルトアングルを付与するために必要であった斜面を持った突起物が不要となるので、液晶パネルの製造工程が簡略化できる。したがって、液晶パネルの製造コストや製造時間を削減できるとともに、上記突起物による影がなくなるので開口率が改善され、バックライトの省電力化にもつながるという利点がある。
【０００８】
この新しい配向制御を行う液晶パネルの製造技術において、液晶と紫外線反応材料とを混合した材料（以下紫外線反応材料を含む液晶ということもある）に対して紫外線を照射する処理方法に関して、いくつか提案がなされている。
特許文献２に記載された「液晶表示装置およびその製造方法」においては、第一の条件の紫外線照射と、重合速度が第一の条件の紫外線照射より大きい第二の条件の紫外線照射とを、この順に組み合わせて行う液晶表示装置の製造方法（段落００１２などの記載参照）が提案されている。具体的には、放射照度と積算強度が、第二の条件のほうが第一の条件よりも大きい条件で紫外線照射を行う。
このようにすると、第一の条件の紫外線照射では、比較的緩やかな重合のため、配向異常の発生を抑えることができ、その後は重合速度を上げても問題なく、配向異常のないあるいは抑制された液晶層を得ることができる。また、第二の条件の紫外線照射では３１０ｎｍ近辺の低波長成分の割合を多くすることが好ましいと書かれている（段落００３７の記載など参照）。
【０００９】
特許文献３に記載された「液晶表示装置およびその製造方法」においては、「液晶を劣化させないためには、フィルタを用いて３１０ｎｍ未満の短波長領域をカットした紫外線を照射した方が良いことがわかった。」、「ただし、波長３１０ｎｍでの強度を完全にゼロにしてしまうと所望の液晶配向が得難くなる。そのため、波長３１０ｎｍの強度が０．０２〜０．０５ｍＷ／ｃｍ２程度は含まれた光源を利用した方が望ましい。」（段落００１９などの記載参照）という知見が示されている。
特許文献４に記載された「液晶表示装置およびその製造方法」においては、短い波長の紫外線の方が、短時間で液晶の垂直配向性を得る上では有利であるが、液晶分子等の変質を促進しやすく、長い波長の紫外線の方は、この逆に、液晶分子等の変質を促進し難いが、液晶の垂直配向性を得るのに長時間を要するようになる（段落００３１等の記載参照）として、照射する紫外線の波長範囲が示されている。しかし、特許文献４では、カラーフィルタの温度上昇については触れられていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１７７４０８号公報
【特許文献２】特開２００５−１８１５８２号公報
【特許文献３】特開２００５−３３８６１３号公報
【特許文献４】特開２００６−５８７５５号公報
【特許文献５】特開２０００−２８８７号公報
【特許文献６】国際公開第２００９／０１６９５１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、液晶と紫外線反応材料とを混合した材料に対して紫外線光源から放出される紫外線を照射する処理方法に関していくつかの提案がなされているが、われわれが、種々の実験を行い検討した結果、次のような知見も得ている。
紫外線反応材料を含む液晶を用いた液晶パネルに紫外線を照射して、当該紫外線反応材料を重合させて配向制御を行った液晶パネルの一部において、液晶中に気泡が発生するという不具合が生じることが判明した。特に輸送中に発生する振動のような衝撃が液晶パネルに加わると気泡の発生が顕著であることが判った。この気泡発生のメカニズムは以下のように考えられる。
【００１２】
図１２に液晶パネルにおける発泡のメカニズムを示す。なお、図１２は前記図１０に示した液晶パネルの一部を拡大して示した図であり、図１０，１１と同一のものには同一の符号が付されている。
液晶パネルに対して紫外線を照射する際には、図１０に示したように、画素毎にそれぞれ配置されるアクティブ素子（図１０のＴＦＴ５３）が多数形成されている第１のガラス基板５１側から、紫外線が照射される。
したがって、紫外線光源から放出される光の中に層間絶縁膜（有機絶縁膜）が吸収する波長域に属する波長の光が含まれていていると、層間絶縁膜（有機絶縁膜）に残存する感光基、あるいは有機絶縁膜自体の光分解によりガスが生成される。
層間絶縁膜内に発生したガスは、発生時点では気泡を形成しない。しかし時間経過とともに拡散して行き、図１２（ａ）に示すように配向膜５６を通過して液晶層５８に浸透する。このようにして液晶層５８に浸透したガスは、液晶層５８内に溶解する。液晶層５８内に溶解するガスの量は、紫外線光源から放出される光の照射時間の経過とともに増大する。
【００１３】
このように液晶層５８内に比較的多量にガスが溶解した状態の液晶パネルに衝撃が加わると、液晶層５８内に溶解していたガスの凝集が発生し、図１２（ｂ）に示すように液晶層５８内において目視レベルの大きさの気泡に成長する。
このように液晶層５８内で発生した気泡の除去は困難であり、液晶パネルの不良となる。すなわち、気泡部分には液晶が存在しないため、その部分では画像が表示されない。
【００１４】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本発明の目的は、紫外線反応材料を重合（硬化）させるための光照射の際、層間絶縁膜内でのガス発生を抑制して当該ガスが液晶層に注入される量を減少せしめ、紫外線照射処理が施された液晶パネルに衝撃が加えられても液晶層内での気泡発生が殆ど無い液晶パネルの製造装置および製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
発明者らは、鋭意検討の結果、次のことを見出した。
まず、現在一般に使用されている液晶に混合する紫外線反応材料について、光の波長に対する吸光度を測定した。図１にその結果である、光の波長に対する紫外線反応材料の吸光度のグラフを示す。同図において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸光度（％）である。
同図に示すように、紫外線反応材料では特に波長３７０ｎｍ以下の領域の光が吸収され、この場合、紫外線反応材料は重合反応を生じる。しかしながら、実際は、重合反応に支配的に寄与するのは波長３６０ｎｍ以下の光であり、波長３６０ｎｍより波長の長い光の重合反応への寄与は著しく小さいことが分かった。
一方、本発明が対象とするアクリル系有機絶縁膜である層間絶縁膜は感光基を含み、この感光基は一般に波長約４３０ｎｍ以下の光を吸収し、その結果ガスを生成する。なお、本発明において、層間絶縁膜は、感光基を含み光照射で反応し、露光、現像処理によりパターン形成が可能な絶縁膜をいい、このような絶縁膜としてアクリル系絶縁膜が多用されている。
【００１６】
ここで、液晶パネルの液晶層内での気泡の発生を最小限に抑えるためには、以下のような紫外線光源を用いて液晶パネルの紫外線照射処理を行うことが考えられる。
すなわち、第１に、上記紫外線光源は、液晶パネル内の光反応性物質（紫外線反応物質）の反応に寄与する波長領域の光（紫外線）を含む光を放射する。
第２に、上記紫外線光源は、上記波長領域の光の照射量（露光量）が光反応性物質の重合反応が十分に行われる照射量であるとき、層間絶縁膜に吸収され当該層間絶縁膜にてガスを発生させる波長領域の光の照射量が、液晶層内に浸透する上記発生ガスの量が液晶パネルに衝撃が加わっても液晶層内での発泡が起こらない程度のガス量であるという条件を満たす照射量となる光を放射する。
【００１７】
すなわち、液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に必要なエネルギー量をＡ、層間絶縁膜内で発生し液晶層内に浸透するガス量が、液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量をＢとし、重合反応に支配的に寄与する波長３６０ｎｍ以下の光の照射量（エネルギー量）をａ、層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下の光の照射量（エネルギー量）をｂとしたとき、ａ＝Ａのとき、ｂ＜Ｂとなるような光を放出する紫外線光源を用いて液晶パネルの紫外線照射処理を行うことが望ましいことが分かった。
【００１８】
なお、液晶パネル内の光反応性物質の反応に必要なエネルギー量Ａが、層間絶縁膜内で発生し液晶層内に浸透するガス量が、液晶パネルに加えられた衝撃による液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂを上回る場合は、液晶層内での発泡量をできるだけ小さくすることは困難となる。すなわち、本発明においては、液晶パネル内の光反応性物質として、Ｂ＞Ａなる条件を満たす特性を有するものを使用することが必須となる。
【００１９】
本発明者らは、上記のような光を照射することができるランプとして、どのようなランプを使用できるかを調べた。その結果、後述するように、希ガス蛍光ランプを用いるのが望ましいということがわかった。なお、希ガス蛍光ランプは放射する波長域を変更することができる。
そこで、後述するように波長域の異なる３種類の希ガス蛍光ランプとメタルハライドランプについて、光反応性物質の硬化に必要な照射時間ｔ、波長３６０ｎｍ以下の波長領域の放射照度（ｍＷ／ｃｍ２）、照射時間ｔの条件下での照射量（ｍＪ／ｃｍ２）、および、波長４３０ｎｍ以下の波長領域の放射照度（ｍＷ／ｃｍ２）、照射時間ｔの条件下での照射量（ｍＪ／ｃｍ２）、発泡の有無を調べた。
その結果、メタルハライドランプを用いた場合には発泡が発生したが、希ガス蛍光ランプを用いた場合には、発泡の発生を抑えることができた。
【００２０】
以上に基づき、本発明では以下のようにして前記課題を解決する。
（１）アクティブ素子上に、前記層間絶縁膜を具備し光反応性物質を含有する液晶を内部に封入したＭＶＡ方式の液晶パネルを保持するワークステージと、上記ワークステージに保持された上記液晶パネルに対してランプからの光を照射する光照射部とを備え、上記光照射部からの光を上記支持部に支持された液晶パネルに対して照射することにより、上記液晶パネル内の光反応性物質を反応させて液晶パネルの内部に配向部を形成する液晶パネルの製造装置において、上記光照射部のランプとして以下のものを用いる。
液晶パネル内の光反応性物質の反応に寄与する３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域の光の照射量（ａ）が当該光反応性物質の反応に必要なエネルギー量（Ａ）に等しいとき、層間絶縁膜に吸収される４３０ｎｍ以下の波長領域の光の照射量（ｂ）が、当該波長領域の光を吸収した層間絶縁膜内で発生するガスの発生量が液晶層内に浸透して液晶層内での発泡に至る量となるのに必要なエネルギー量（Ｂ）より小さくなる発光スペクトルを有する希ガス蛍光ランプを用いる。
（２）上記（１）において、上記ランプとして、実質的に波長３００ｎｍ以下の光を放射しない希ガス蛍光ランプを用いる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明においては、液晶パネル内の光反応性物質の反応に寄与する波長領域の光の照射量（ａ）が当該光反応性物質の反応に必要なエネルギー量（Ａ）に等しいとき、層間絶縁膜に吸収される波長領域の光の照射量（ｂ）が、当該波長領域の光を吸収した層間絶縁膜内で発生するガスの発生量が液晶層内に浸透して液晶層内での発泡に至る量となるのに必要なエネルギー量（Ｂ）より小さくなる発光スペクトルを有するランプを備えた紫外線光源を用いて液晶パネルを照射するようにしたので、光反応性物質（紫外線反応材料）を硬化させる際、層間絶縁膜でのガス生成を抑制し、液晶パネルの液晶層での発泡を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】光の波長に対する紫外線反応材料の吸光度を示す図である。
【図２】本発明の液晶パネルの製造装置の構成例を示す図である。
【図３】希ガス蛍光ランプの構成例を示す図である。
【図４】希ガス蛍光ランプのその他の構成例を示す図である。
【図５】希ガス蛍光ランプＡの分光放射スペクトルを示す図である。
【図６】希ガス蛍光ランプＢの分光放射スペクトルを示す図である。
【図７】希ガス蛍光ランプＣの分光放射スペクトルを示す図である。
【図８】希ガス蛍光ランプＡ，Ｂ，Ｃの分光放射スペクトルを重ねて示した図である。
【図９】メタルハライドランプの分光放射スペクトルを示す図である。
【図１０】液晶パネルの構成例を示す図である。
【図１１】層間絶縁膜を設ける場合におけるアクティブ素子およびその周辺の構成例を示す図である。
【図１２】発泡のメカニズムを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図２に本発明の液晶パネルの製造装置（紫外線照射装置）の構成例を示す。
本発明の液晶パネルの製造装置（紫外線照射装置）は、光照射部１と液晶パネル３を載置するワークステージ２とを備える。ワークステージ２には、載置した液晶パネル３に電圧を印加する機構２ａが設けられている。ワークステージ２に載置した液晶パネル３に対して、前記特許文献１に記載されるように、電圧を印加する機構２ａから電圧を印加しながら光照射部１からの光を照射する。
液晶パネル３は、前述したように２枚の光透過性基板（ガラス基板）３ａ，３ｂの間に紫外線反応材料を含んだ液晶３ｃを封入した構造であり、同図は概念図を示したものであるが、前述したようにガラス板上に、多数のアクティブ素子（ＴＦＴ）と液晶駆動用電極、カラーフィルタ、透明電極（ＩＴＯ）が形成されており、シール剤３ｄにて周囲が封止されている。
光照射部１は、光源（ランプ）１ａとミラー１ｂとを備え、光源（ランプ）１としては、３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域の光を含む光を放出する希ガス蛍光ランプが使用される。
【００２４】
上記光源１ａは電源１ｃから給電されて点灯する。該電源１ｃ、前記電圧を印加する機構２ａは制御部４に接続され、制御部４は、光源１ａの点灯、消灯、照射時間、液晶パネル３に印加する電圧の値や時間等を制御する。
液晶パネル３は図示しない搬送機構などによりワークステージ２上に載置される。制御部４は、電圧を印加する機構２ａから電圧を印加するとともに、光照射部１から液晶パネルに光を照射する。そして、液晶パネルに印加する電圧、時間等を制御するとともに、光源１ａの点灯時間を制御して、液晶パネルの温度上昇を抑えながら、液晶に混合された紫外線反応材料（光反応性物質）を硬化させ、前述したように液晶にプレチルトアングルを付与する。
【００２５】
ここで、液晶に混合された紫外線反応材料としては、当該紫外線反応材料を硬化させるのに必要なエネルギー量（上記したＡ）が、層間絶縁膜内で発生し液晶層内に浸透するガス量が、液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂを上回らないような特性を有するものが使用される。
【００２６】
図３は上記希ガス蛍光ランプの構成例を示す図である。希ガス蛍光ランプは管状構造であり、図３は管軸を含む平面で切った断面図を示す。希ガス蛍光ランプ１０は、内側管１１１と外側管１１２がほぼ同軸に配置された略二重管構造の容器（発光管）１１を有し、この容器１１の両端部１１Ａ，１１Ｂが封着されることで、内部に円筒状の放電空間Ｓが形成される。放電空間Ｓにはキセノン、アルゴン、クリプトンなどの希ガスが封入される。容器１１は石英ガラスからなり、内周面には低軟化点ガラス層１４が設けられ、この低軟化点ガラス層１４の内周面に、さらに蛍光体層１５が設けられる。この低軟化ガラス層１４は、例えば、ホウケイ酸ガラスやアルミノケイ酸ガラスなどの硬質ガラスが用いられる。また、蛍光体層１５は、例えば、セリウム付活アルミン酸マグネシウムランタン（Ｌａ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ：Ｃｅ）蛍光体が用いられる。内側管１１１の内周面には内側電極１２が設けられ、外側管１１２の外周面には網状の外側電極１３が設けられる。これら電極１２，１３は容器１１と放電空間Ｓを介在されて配置していることになる。電極１２，１３は、リード線Ｗ１１，Ｗ１２を介して電源装置１６が接続される。電源装置１６より高周波電圧が印加されると、電極１２，１３間に誘電体（１１１，１１２）を介在させた放電（いわゆる誘電体バリア放電）が形成され、キセノンガスの場合は波長１７２ｎｍの紫外光が発生する。ここで得られる紫外光は、蛍光体の励起用の光であり、蛍光体層を照射することにより、中心波長が３４０ｎｍ近辺の紫外光が放射される。
【００２７】
図４に希ガス蛍光ランプのその他の構成例を示す。同図（ａ）は管軸を含む平面で切った断面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。図４において、ランプ２０は一対の電極２２、２３を有し、電極２２、２３は容器（発光管）２１の外周面に配設され、電極２２，２３の外側には保護膜２４が設けられる。容器２１の内周面の光出射方向側に対して反対側の内面に紫外線反射膜２５が設けられ（図４（ｂ）参照）、その内周に低軟化点ガラス層２６が設けられ、この低軟化点ガラス層２６の内周面に、蛍光体層２７が設けられる。その他の構成は図３に示したものと同様であり、容器２１内の放電空間Ｓに封入されるガス、蛍光体層２７に用いられる蛍光体も同様である。電極２２，２３に高周波電圧が印加されると、電極２２，２３間に誘電体バリア放電が形成され、前記したように紫外光が発生する。これにより蛍光体が励起され、蛍光体層から中心波長が３４０ｎｍ近辺の紫外光が発生し、この光は紫外線反射膜２５で反射され、紫外線反射膜２５が設けられていない開口部分から外部に放射される。
【００２８】
図５−図７に本発明の実施例で使用した希ガス蛍光ランプの分光放射スペクトルを示す。なお、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は分光放射照度（μＷ／ｃｍ２／ｎｍ）である。
前述したように希ガス蛍光ランプは放射する波長域を蛍光物質の配合などにより変更することができ、図５−図７は放射する波長域が異なる３種類の希ガス蛍光ランプＡ，Ｂ，Ｃの分光放射スペクトルを示したものである。なお、図８に比較のために３種類の希ガス蛍光ランプＡ，Ｂ，Ｃの分光スペクトルを重ねて表示したものを示す。
ここで、希ガス蛍光ランプＡは、放電空間Ｓにキセノンを主成分とした希ガスが封入されており、蛍光体層１５には、セリウム付活アルミン酸マグネシウム・ランタン（Ｌａ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ：Ｃｅ）蛍光体（略称ＬＡＭ蛍光体）が用いられている。
また、希ガス蛍光ランプＢは、放電空間Ｓにキセノンを主成分とした希ガスが封入されており、蛍光体層１５には、セリウム付活アルミン酸バリウム・マグネシウム（Ｃｅ−Ｍｇ−Ｂａ−Ａｌ−Ｏ）蛍光体（略称ＣＡＭ蛍光体）が用いられている。
一方、希ガス蛍光ランプＣは、放電空間Ｓにキセノンを主成分とした希ガスが封入されており、蛍光体層１５には、セリウム付活リン酸イットリウム（Ｙ−Ｐ−Ｏ：Ｃｅ）蛍光体（略称ＹＰＣ蛍光体）が用いられている。
なお、図８に示すように、３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域において、短波長側の波長比率は、［希ガス蛍光ランプＡ］＞［希ガス蛍光ランプＢ］＞［希ガス蛍光ランプＣ］となっている。
【００２９】
図５−図７に示すように、希ガス蛍光ランプは、波長４５０ｎｍ以下の波長領域の光であって、３６０ｎｍ以下の波長領域における放射照度の占める割合が支配的な光を放射する。
すなわち、重合反応に支配的に寄与する波長３６０ｎｍ以下の波長領域における放射照度をａｌｉ（Ｗ／ｃｍ２）、層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下波長領域における放射照度の放射照度をｂｌｉ（Ｗ／ｃｍ２）とするとき、ｂｌｉ＞ａｌｉであるが、ｂｌｉとａｌｉとの差は小さい。
よって、照射時間ｔのときの３６０ｎｍ以下の波長領域の光の照射量をａｌ（＝ａｌｉ×ｔ（Ｊ／ｃｍ２））、層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下波長領域の光の照射量をｂｌ（＝ｂｌｉ×ｔ（Ｊ／ｃｍ２））とするとき、ｂｌ＞ａｌであるが、ｂｌとａｌとの差は小さい。
【００３０】
一方、比較対照用として、４５０ｎｍ以上の波長領域の光をフィルタでカットした場合のメタルハライドランプの分光放射スペクトル（フィルタを使用）を図９に示す。なお、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は分光放射照度（μＷ／ｃｍ２／ｎｍ）である。
上記メタルハライドランプは、従来から紫外線照射装置に使用されるもので、内部に水銀と金属を封入している。
【００３１】
図９から明らかなように、上記した構成のメタルハライドランプは、波長４５０ｎｍ以下の波長領域の光であって、特に３６０ｎｍ〜４３０ｎｍの波長領域における放射照度の占める割合が支配的な光を放射する。
すなわち、重合反応に支配的に寄与する波長３６０ｎｍ以下の波長領域における放射照度をａｍｉ（Ｗ／ｃｍ２）、層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下の波長領域における放射照度の放射照度をｂｍｉ（Ｗ／ｃｍ２）とするとき、ｂｍｉ＞ａｍｉであるが、ｂｍｉとａｍｉとの差は希ガス蛍光ランプの場合より著しく大きくなる。
よって、照射時間ｔのときの３６０ｎｍ以下の波長領域の光の照射量をａｍ（＝ａｍｉ×ｔ（Ｊ／ｃｍ２））、層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下波長領域の光の照射量をｂｍ（＝ｂｍｉ×ｔ（Ｊ／ｃｍ２））とするとき、ｂｍ＞ａｍであるが、ｂｍとａｍとの差は大きく、希ガス蛍光ランプの場合と比較すると、｜ｂｍ−ａｍ｜＞｜ｂｌ−ａｌ｜となる。
【００３２】
したがって、ランプからの光を、重合反応に支配的に寄与する波長３６０ｎｍ以下の光の照射量（エネルギー量）ａが液晶パネル内の光反応性物質の反応に必要なエネルギー量Ａと等しくなるように液晶パネルに照射する場合、このときの照射時間をｔ１、希ガス蛍光ランプから放出される層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下の光の照射量（エネルギー量）をＢ１（＝ｂｌｉ×ｔ１）、上記した構成のメタルハライドランプから放出される層間絶縁膜に吸収される波長４３０ｎｍ以下の光の照射量（エネルギー量）をＢ２（＝ｂｍｉ×ｔ１）とするとき、Ｂ２＞Ｂ１となる。
【００３３】
後に示す実験で明らかなように、層間絶縁膜内で発生するガスの発生量が液晶層内に浸透後衝撃等による液晶層内での発泡に至る量となるのに必要なエネルギー量をＢとするとき、紫外線照射装置の光源として上記のような希ガス蛍光ランプを使用した場合、Ｂ１＜Ｂとなり、上記のようなメタルハライドランプを使用した場合、Ｂ＜Ｂ２となった。
すなわち、上記のような希ガス蛍光ランプを搭載した紫外線照射装置から放出される光を液晶パネルに照射することにより、紫外線反応材料を重合させてガラス基板に接する液晶（即ち表層の概ね１分子層）の向きを固定して液晶にプレチルトアングルを付与する際、アクティブ素子上の層間絶縁膜におけるガス生成量が抑制され、液晶層での発泡を著しく抑制することができる。よって、液晶パネルの製造上の不具合を抑制することができる。
【００３４】
なお、波長３００ｎｍ以下の光は液晶に吸収され、照射量が多くなると液晶にダメージが生じる可能性があるので、実質的に波長３００ｎｍ以下の光を放射しないランプであることが望ましく、図５−図７に示した希ガス蛍光ランプにおいては、波長３００ｎｍ以下の光をほとんど放射しない。
【００３５】
本発明の効果を確認するため、以下の実験を行い、ランプから放射される波長と液晶パネルの発泡の有無について検証した。表１にその結果を示す。
表１は、３種類の希ガス蛍光ランプＡ〜Ｃとメタルハライドランプを使用して層間絶縁膜の組成が互い異なる３つの液晶パネルを照射した時の、モノマー（紫外線反応材料）の硬化に必要な照射時間ｔｃ、オーバー照射時間（モノマーの硬化に必要な照射時間の２倍の時間）２ｔｃ、３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域における積算放射照度、３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長領域の光を時間ｔｃおよび時間２ｔｃの期間照射したときの各照射量ａ、３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの波長領域の積算放射照度、３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの波長領域の光を時間ｔｃおよび２ｔｃ照射したときの各照射量ｂ、および時間ｔｃの間だけ光照射後、液晶パネルに衝撃を与えて液晶層内での発泡が発生したか否か、および時間２ｔｃの間だけ光照射後、液晶パネルに衝撃を与えて液晶層内での発泡が発生したか否か、を示したものである。なお、照射量は放射照度に照射時間を乗じた値である。
【００３６】
【表１】
0005556489.tif 000002
【００３７】
３枚の液晶パネルにおける液晶層（セルギャップ）の厚みはいずれも４μｍである。また、３つの液晶パネルの層間絶縁膜Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３はいずれも感光波長が３６５ｎｍであるアクリル系の有機絶縁膜であり膜厚は３μｍである。しかしながら、上記層間絶縁膜が含有する感光基の種類、濃度は互いに相違する。
ここで、上記希ガス蛍光ランプＡ〜Ｃの分光放射スペクトルは前記図５−図７に示した通りである。また、上記メタルハライドランプの分光放射スペクトル（フィルタを使用）は図９に示した通りである。
【００３８】
本実験で使用したメタルハライドランプの場合、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃは２４０秒であり、波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の積算放射照度は約１９．８ｍＷ／ｃｍ２、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の積算放射照度は９６．５ｍＷ／ｃｍ２であった。また、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は４７５２ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は２３１６０ｍＪ／ｃｍ２であった。一方、オーバー照射時間２ｔｃは４８０秒であり、時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は９５０４ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は４６３２０ｍＪ／ｃｍ２であった。
本条件下では、互いに組成が相違するアクリル系有機絶縁膜である層間絶縁膜Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３をそれぞれ使用した３枚の液晶パネル全てにおいて、発泡が発生した。
【００３９】
すなわち、本実験で使用したメタルハライドランプの場合、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａｔｃ＝４７５２ｍＪ／ｃｍ２の値が液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に必要なエネルギー量Ａに相当する（ａｔｃ＝Ａ）。また、時間ｔｃにおける層間絶縁膜に吸収される波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂｔｃ＝２３１６０ｍＪ／ｃｍ２は、各層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃとそれぞれ等しいかもしくは上回っているものと考えられる（ｂｔｃ≧Ｂａ、ｂｔｃ≧Ｂｂ、ｂｔｃ≧Ｂｃ）。
また、オーバー照射時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａ２ｔｃ＝９５０４ｍＪ／ｃｍ２の値は上記エネルギー量Ａを上回っており（ａ２ｔｃ＞Ａ）、本期間における波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂ２ｔｃ＝４６３２０ｍＪ／ｃｍ２は、当然ながら上記エネルギー量Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃをそれぞれ上回っている（ｂ２ｔｃ＞Ｂａ、ｂ２ｔｃ＞Ｂｂ、ｂ２ｔｃ＞Ｂｃ）。
【００４０】
一方、希ガス蛍光ランプＡの場合は、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃは１８０秒であり、波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の積算放射照度は１６．４ｍＷ／ｃｍ２、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の積算放射照度は２３．６ｍＷ／ｃｍ２であった。また、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は２９５２ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は４２４８ｍＪ／ｃｍ２であった。一方、オーバー照射時間２ｔｃは３６０秒であり、時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は５９０４ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は８４９６ｍＪ／ｃｍ２であった。
本条件下では、各層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ使用した３枚の液晶パネル全てにおいて、発泡は発生しなかった。
【００４１】
すなわち、本実験で使用した希ガス蛍光ランプＡの場合、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａｔｃ＝２９５２ｍＪ／ｃｍ２の値が液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に必要なエネルギー量Ａに相当する（ａｔｃ＝Ａ）。また、時間ｔｃにおける層間絶縁膜に吸収される波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂｔｃ＝４２４８ｍＪ／ｃｍ２は、各層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃをそれぞれ下回っていると考えられる（ｂｔｃ＜Ｂａ、ｂｔｃ＜Ｂｂ、ｂｔｃ＜Ｂｃ）。
また、オーバー照射時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａ２ｔｃ＝５９０４ｍＪ／ｃｍ２の値は上記エネルギー量Ａを上回っているが（ａ２ｔｃ＞Ａ）、本期間における波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂ２ｔｃ＝８４９６ｍＪ／ｃｍ２は、上記エネルギー量Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃをそれぞれ下回っていると考えられる（ｂ２ｔｃ＜Ｂａ、ｂ２ｔｃ＜Ｂｂ、ｂ２ｔｃ＜Ｂｃ）。
【００４２】
希ガス蛍光ランプＢの場合は、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃは３３０秒であり、波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の積算放射照度は１１．６ｍＷ／ｃｍ２、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の積算放射照度は１８．２ｍＷ／ｃｍ２であった。また、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は３８２８ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は６００６ｍＪ／ｃｍ２であった。一方、オーバー照射時間２ｔｃは６６０秒であり、時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は７６５６ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は１２０１２ｍＪ／ｃｍ２であった。
本条件下では、層間絶縁膜Ｓ１を使用した液晶パネルについては、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃの間光照射した場合も、オーバー照射時間２ｔｃの間光照射した場合も発泡は発生しなかった。一方、層間絶縁膜Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ使用した各液晶パネルについては、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃの間光照射した場合は発泡の発生はなかったが、オーバー照射時間２ｔｃの間光照射した場合は発泡が発生した。
【００４３】
すなわち、本実験で使用した希ガス蛍光ランプＢの場合、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａｔｃ＝３８２８ｍＪ／ｃｍ２の値が液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に必要なエネルギー量Ａに相当する（ａｔｃ＝Ａ）。また、時間ｔｃにおける層間絶縁膜に吸収される波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂｔｃ＝６００６ｍＪ／ｃｍ２は、各層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃをそれぞれ下回っていると考えられる（ｂｔｃ＜Ｂａ、ｂｔｃ＜Ｂｂ、ｂｔｃ＜Ｂｃ）。
また、オーバー照射時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａ２ｔｃ＝７６５６ｍＪ／ｃｍ２の値は液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に最低限必要なエネルギー量Ａを上回っているが（ａ２ｔｃ＞Ａ）、本期間における波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂ２ｔｃ＝１２０１２ｍＪ／ｃｍ２は、層間絶縁膜Ｓ１内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂａを下回っていると考えられる。しかしながら、上記照射量ｂ２ｔｃ＝１２０１２ｍＪ／ｃｍ２は、層間絶縁膜Ｓ２、Ｓ３内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂｂ、Ｂｃとそれぞれ等しいかもしくは上回っていると考えられる（ｂ２ｔｃ＜Ｂａ、ｂ２ｔｃ≧Ｂｂ、ｂ２ｔｃ≧Ｂｃ）。
【００４４】
希ガス蛍光ランプＣの場合は、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃは４８０秒であり、波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の積算放射照度は８．５ｍＷ／ｃｍ２、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の積算放射照度は１０．３ｍＷ／ｃｍ２であった。また、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は４０８０ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は４９４４ｍＪ／ｃｍ２であった。一方、オーバー照射時間２ｔｃは９６０秒であり、時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量は８１６０ｍＪ／ｃｍ２であり、波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量は９８８８ｍＪ／ｃｍ２であった。
本条件下では、層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２をそれぞれ使用した各液晶パネルについては、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃの間光照射した場合も、オーバー照射時間２ｔｃの間光照射した場合も発泡は発生しなかった。一方、層間絶縁膜Ｓ３を使用した液晶パネルについては、モノマーの硬化に必要な時間ｔｃの間光照射した場合は発泡の発生はなかったが、オーバー照射時間２ｔｃの間光照射した場合は発泡が発生した。
【００４５】
すなわち、本実験で使用した希ガス蛍光ランプＣの場合、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａｔｃ＝４０８０ｍＪ／ｃｍ２の値が液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に必要なエネルギー量Ａに相当する（ａｔｃ＝Ａ）。また、時間ｔｃにおける層間絶縁膜に吸収される波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂｔｃ＝４９４４ｍＪ／ｃｍ２は、各層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃをそれぞれ下回っていると考えられる（ｂｔｃ＜Ｂａ、ｂｔｃ＜Ｂｂ、ｂｔｃ＜Ｂｃ）。
また、オーバー照射時間２ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａ２ｔｃ＝８１６０ｍＪ／ｃｍ２の値は上記エネルギー量Ａを上回っているが（ａ２ｔｃ＞Ａ）、本期間における波長領域３１０ｎｍ〜４３０ｎｍの光の照射量ｂ２ｔｃ＝９８８８ｍＪ／ｃｍ２は、層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂａ、Ｂｂをそれぞれ下回っていると考えられる。しかしながら、層間絶縁膜Ｓ３内で発生し液晶層内に浸透するガス量が液晶パネルに加えられた衝撃により液晶層内での発泡に至るガス量となるのに必要なエネルギー量Ｂｃと等しいかもしくは上回っていると考えられる（ｂ２ｔｃ＜Ｂａ、ｂ２ｔｃ＜Ｂｂ、ｂ２ｔｃ≧Ｂｃ）。
【００４６】
以上をまとめると以下のようになる。互いに組成が相違するアクリル系有機絶縁膜である層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３（厚みはそれぞれ３μｍ）をそれぞれ使用し、液晶層の厚みが４μｍである３枚の液晶パネルに対して、モノマーが硬化するのに必要な照射時間ｔｃの間、３種類の希ガス蛍光ランプＡ〜Ｃとメタルハライドランプから放出される光を照射したとき、３種類の希ガス蛍光ランプＡ〜Ｃを用いた場合は液晶パネルに衝撃を与えても液晶層内で発泡は生じなかった。しかしながら、メタルハライドランプを用いた場合は液晶パネルに衝撃を与えると液晶層内で発泡が生じた。
【００４７】
また、層間絶縁膜Ｓ１を用いた液晶パネルの場合、発泡が生じるエネルギー量Ｂａの閾値は、１２０１２ｍＪ／ｃｍ２〜２３１６０ｍＪ／ｃｍ２の間に存在し、層間絶縁膜Ｓ２を用いた液晶パネルの場合、発泡が生じるエネルギー量Ｂｂの閾値は、９８８８ｍＪ／ｃｍ２〜１２０１２ｍＪ／ｃｍ２の間に存在し、層間絶縁膜Ｓ３を用いた液晶パネルの場合、発泡が生じるエネルギー量Ｂａの閾値は、８４９６ｍＪ／ｃｍ２〜９８８８ｍＪ／ｃｍ２の間に存在することが分かった。
【００４８】
なお、時間ｔｃにおける波長領域３１０ｎｍ〜３６０ｎｍの光の照射量ａｔｃ（＝液晶パネル内の光反応性物質の重合反応に必要なエネルギー量Ａ）が［希ガス蛍光ランプＡ］＜［希ガス蛍光ランプＢ］＜［希ガス蛍光ランプＣ］＜［メタルハライドランプ］となっているが、これは短波長比率が大きいほど反応速度が速くなり、必要照射量が少なくなるためと考えられる。
【符号の説明】
【００４９】
１              光照射部
１ａ            光源（ランプ）
１ｂ            ミラー
１ｃ            電源
１１１          内側管（誘電体）
１１２          外側管（誘電体）
１１Ａ，１１Ｂ  両端部
２              ワークステージ
２ａ            電圧を印加する機構
３              液晶パネル
３ａ，３ｂ      光透過性基板（ガラス基板）
３ｃ            紫外線反応材料を含んだ液晶
３ｄ            シール剤
４              制御部
１０，２０      ランプ
１１，２１      容器（発光管）
１２，１３      電極
２２，２３      電極
１４，２６      低軟化点ガラス層  
１５，２７      蛍光体層
１６            電源装置
２４            保護膜
２５            紫外線反射膜
Ｓ              放電空間
Ｗ１１，Ｗ１２  リード線
５０            液晶パネル
５１            第１のガラス基板
５２            第２のガラス基板
５３            ＴＦＴ
５４            液晶駆動用電極
５５            透明電極（ＩＴＯ）
５６            配向膜
５７            カラーフィルタ
５８            液晶（液晶層）
５９            シール剤
５３１          ゲート
５３２          ゲート絶縁膜
５３３          半導体層
５３４          ソース
５３５          ドレイン
５３６          ドレイン配線
５４１          ソース配線
５００          層間絶縁膜（有機絶縁膜）
５００ａ        コンタクトホール
【図１】
0005556489.tif 000003
【図２】
0005556489.tif 000004
【図３】
0005556489.tif 000005
【図４】
0005556489.tif 000006
【図５】
0005556489.tif 000007
【図６】
0005556489.tif 000008
【図７】
0005556489.tif 000009
【図８】
0005556489.tif 000010
【図９】
0005556489.tif 000011
【図１０】
0005556489.tif 000012
【図１１】
0005556489.tif 000013
【図１２】
0005556489.tif 000014