(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電層システムの評価的分析方法であって、
層システム内で電流を発生させるステップと、
層システムの表面の空間分解された熱放射の画像を生成するステップであって、画像は非常に多数の画素を有し、その各々には強度値が割り当てられている、ステップと、
同じ強度値を有する画素のそれぞれの数に対する熱放射の強度分布を確定するステップと、
強度分布から強度平均値／中央値を確定するステップと、
強度分布の分散の指定可能な尺度に基づいて強度間隔を確定するステップと、
強度間隔分だけ増加した強度平均値／中央値よりも大きい全ての強度値について、いずれの場合も同じ強度値を有する画素の数に強度値を乗じた結果である積の加算によって、固有値を確定するステップと、
固有値またはこれに基づく計算値を指定可能な基準固有値と比較するステップであって、層システムには、固有値が基準固有値以上である場合には第１の評価結果が割り当てられ、固有値が基準固有値未満である場合には第２の評価結果が割り当てられる、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
光起電層システムが、ｐ−ｎ接合を形成する少なくとも１つの半導体層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電流が、ｐ−ｎ接合の逆および／または順バイアス方向で電圧を印加することによって層システム内に発生することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
異なる極性および／または異なる振幅を有する電圧が印加されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
層システム内の電流が、層システムに光を照射することによって発生することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
強度間隔が、強度分布の平均値／中央値の標準偏差または分位値、具体的には四分位値に基づいて計算されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
固有値が、いずれの場合も強度分布の全ての強度について、同じ強度値を有する画素の数に強度値を乗じた結果である積の加算から求められる総固有値で除することによって、正規化されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
固有値と総固有値との間の商が、基準固有値との比較のための計算値として確定されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
固有値と総固有値との間の差が、基準固有値との比較のための計算値として確定されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
固有値が、いずれの場合も、互いに異なる層システムの表面の複数のセクションについて確定されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
セクションが、いずれの場合も、層システムの構造化のための少なくとも１つの構造化配線を包含することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
別々のセクションが形成され、構造化配線を備える領域および純粋なセル部分を備える領域にしたがって分離が行われることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
太陽電池モジュール、具体的にはその半導体層が黄銅鉱化合物、具体的にはＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２でできている薄膜太陽電池モジュールの分析を評価するための、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽光発電用装置の製造の技術分野であり、光起電層システムの評価的定量分析の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、光放射から電流への直接変換を可能にする。効率に関しては、多結晶黄銅鉱半導体に基づく薄膜太陽電池が有利であると実証された。とりわけ、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２またはＣＩＳ）は、太陽光のスペクトルに適したそのバンドギャップのため、特に高い吸収係数により優れている。十分な機械的強度のため、薄膜太陽電池は、ほとんどの場合に無機ガラス、ポリマー、または金属合金を含有し、層厚および材料特性に応じて剛性板または可撓膜として実装されることが可能な、特殊な担体基板を必要とする。一般には、個々の太陽電池について１ボルト未満の電圧レベルしか得られないので、技術的に利用可能な出力電圧を得るために、通常は太陽電池モジュール内で多くの太陽電池が直列に接続されている。このために、薄膜太陽電池モジュールは、膜の製造中に、太陽電池が容易に一体的に直列接続され得るという際立った利点を提供する。環境的影響に対する持続的な保護を保証するために、太陽電池は、通例、低鉄分ソーダ石灰ガラスおよび接着促進ポリマー膜と組み合わせられて耐候性複合材となっている。
【０００３】
しかしながら、太陽電池モジュールの製造中、様々な種類の欠陥が発生する可能性があり、これらは不都合なことに、内部電力損失を招き、ひいては太陽電池モジュールの効率を低下させる。このような電力損失の重大な原因は、たとえば、電荷キャリアの局所的に上昇した再結合速度を招く短絡回路（シャント）、ならびに金属接点、給電線および半導体材料のオーム抵抗、ならびに金属・半導体接点の接触抵抗から実質的に生じる、比較的高い直列抵抗である。また、クラック、破断、および剥離などの機械的欠陥、または材料品質のばらつきが、たとえば電力損失を招く可能性もある。
【０００４】
太陽電池モジュールの連続生産において、申し分のない品質管理に照らして、高い内部電力損失を有する太陽電池モジュールを識別することができるために、特定の品質基準を満たすことが、特に重要である。この目的のために、太陽電池モジュール内で電流が発生し、太陽電池モジュールの表面の熱画像が赤外線カメラによって撮影される、特殊な赤外線測定技術を使用することが知られている。太陽電池内の全ての基本的過程はいつも熱放散に関連しており、短絡回路および直列抵抗などの欠陥は比較的高い電力損失を伴うのが普通なので、これらは太陽電池モジュールの表面の局所的に上昇した温度によって検出されることが可能である。熱画像において、欠陥はたとえば、より明るい（暖かい）点（「ホットスポット」）または領域として現れる。科学文献において、この手法は多くの文献で、すでに徹底的に記載されてきた。単なる一例として、「Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ：Ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」  （Ｐｒｏｇ．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ：Ｒｅｓ．Ａｐｐｌ．  ２００３；  １１：５１５−５２６）に含まれるＯ．Ｂｒｅｉｔｅｎｓｔｅｉｎらによる「Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｈｕｎｔｓ  ｉｎ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ｂｙ  Ｌｏｃｋ−ｉｎ  Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｐｈｙ（ロックインサーモグラフィによる太陽電池のシャントの定量分析）」と題された技術論文、およびこれに含まれる引用が、参照される。付加的な技術的背景は、米国特許出願公開第２０１０／２０１３７４号明細書および米国特許出願公開第２０１０／１８２４２１号明細書に見いだされる。
【０００５】
太陽電池モジュールの連続生産において、通常は実質的に検査担当者の経験に基づくその品質に関して作成された定性的見解を用いて、熱画像が視覚的に評価される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／２０１３７４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１０／１８２４２１号明細書
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】「Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ：Ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」  （Ｐｒｏｇ．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ：Ｒｅｓ．Ａｐｐｌ．  ２００３；  １１：５１５−５２６）に含まれるＯ．Ｂｒｅｉｔｅｎｓｔｅｉｎらによる「Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｈｕｎｔｓ  ｉｎ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ｂｙ  Ｌｏｃｋ−ｉｎ  Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｐｈｙ」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、太陽電池モジュールの品質の自動評価を可能にする、太陽電池モジュールの定量分析を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的およびその他の目的は、独立請求項の特徴を備える方法により、本発明の提案にしたがって実現される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の特徴によって示される。
【００１０】
本発明によれば、太陽光発電用の層システムの評価的定量分析の方法が実証される。層システム内では、たとえば内部電界によって、電荷キャリアまたは励起子の分離が発生する。層システムは好ましくは、ヘテロ接合またはｐ−ｎ接合、言い換えると異なる伝導型を有する領域の連続体を形成する、少なくとも１つの半導体層を含む。
【００１１】
光起電層システムは、たとえば、（単一の）太陽電池、直列にもしくはアレイとして接続されるいくつかの太陽電池、または直列接続される多数の太陽電池を包含する太陽電池モジュールであってもよい。具体的には、太陽電池モジュールは、太陽電池がたとえば一体的に直列接続されている、薄膜太陽電池モジュールであってもよい。このような薄膜太陽電池モジュールは、一般に、少なくとも１つの担体基板の他に、第１の電極層、第２の電極層、および２つの電極層の間に設けられた少なくとも１つの半導体層を含む。半導体層は、通例、ドーパントでドープされる。あるいは、半導体層は、たとえばナトリウムなどの物質でドープされてもよいが、その結果として自然欠陥の形成による真性ドーピングを生じる。好ましくは、半導体層は黄銅鉱化合物でできており、これは具体的には、たとえば二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２またはＣＩＳ）、ナトリウムドープＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２、または関連する化合物などの、銅インジウム／二硫化ガリウム／二セレン化物（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）族からのＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体であってもよい。
【００１２】
しかしながら、光起電層システムはまた、ｐ−ｎ接合を形成する少なくとも１つの半導体層を含む太陽電池または太陽電池モジュールの製造における、中間生産物でもあり得る。
【００１３】
光起電層システムの評価的定量分析のための本発明による方法において、電流は層システム内で発生し、とりわけそれによって、周囲温度と比較して上昇した層システムの表面の温度によって欠陥が検出可能となるように、層システムの欠陥の領域において電力損失が生じる。電流は、ｐ−ｎ接合の逆および／または順バイアス方向で層システムに電圧を印加することによって、発生させることができる。しかしながら、光の放射によって、接触を伴わずに層システム内に電流を発生させることも考えられ、この方法では、具体的には、外部電気コネクタをまだ有していない太陽電池モジュール製造の中間生産物が、単純な方式で、本発明の方法による評価的定量分析を受けることができる。
【００１４】
電流の流れによって発生する電力損失を検出するのに適した、具体的には電流の発生と同時またはほぼ同時の時間関係において、光起電層システムの表面の空間分解された熱放射の熱画像は、熱画像カメラまたは赤外線カメラによって生成される。太陽電池モジュールにおいて、これは具体的には、光の入射のために設けられた表面であってもよい。一般に、熱放射を捕捉する熱画像は、層システムの表面の熱分布に基づいている。有利なことに、層システム内の電流の発生のために変調法が用いられる、いわゆる「ロックイン技術」が使用される。この手法は本発明の理解にとって必須ではなく、当業者によく知られているので、これについてさらに詳細に説明することは不必要である。
【００１５】
（デジタル）熱画像は、デジタルラスタ画像として、多数の像点または画像セル（画素）で構成されている。同様に、層システムの表面は、少なくとも理論上は、その各々が熱画像の１つの画素に一対一に対応して割り当てられている、多数の表面要素に分割されることが可能である。他方では、関連づけられた表面要素の表面温度に対応する強度値が、画素値として各画素に割り当てられる。熱画像において、異なる表面温度の表面の点に対応する画素は、互いに異なる強度値を有する。表面のより暖かい点に対応する画素は明るく見え、結果的により高い強度値を有するのに対して、より冷たい点に対応する画素は暗く見え、結果的により低い強度値を有する。代替の計測において、より暖かい点がより暗い画素に対応し、したがってより冷たい点がより明るい画素に対応することも可能である。あるいは、熱画像は、異なる色が異なる強度値に割り当てられている、疑似カラーで提示されることも可能である。他方では、同じ表面温度を有する表面の点に対応する像点（画素）は、同じ強度値を有する。
【００１６】
次いで、熱画像に基づいて、同じ強度値を有する画素のそれぞれの数に対して熱放射の強度分布が確定される。言い換えると、熱画像の各強度値について、この強度を有する画素の数が決定される。その後、強度平均値、あるいは強度中央値は、画素数に基づく強度分布から確定される。
【００１７】
加えて、強度分布に基づく強度間隔が、強度分布の分散（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）の指定可能な尺度に基づいて確定される。強度分布の分散の指定可能な尺度は、強度平均値／中央値に基づく。好ましくは、強度分布の強度平均値／中央値の標準偏差または分位値（ｑｕａｎｔｉｌｅ）、具体的には四分位値（ｑｕａｒｔｉｌｅ）が、強度分布の分散の尺度として確定され、強度間隔は標準偏差または分位値に基づいて定義される。たとえば、強度間隔は標準偏差または分位値、具体的には四分位値のｎ倍に対応し（ｎは１０進数、具体的にはゼロより大きい整数である）、たとえば標準偏差または分位値、具体的には四分位値の１倍または複数倍（たとえば２倍または３倍）である。
【００１８】
次いで、積の加算によって固有値が確定されるが、いずれの場合もこの積は、同じ強度値を有する画素の数にこの強度値を乗じた結果である。ここでは、強度間隔分だけ増加した強度平均値または強度中央値よりも大きい強度値についてのみ、積が加算されることが、必須である。
【００１９】
次いで、このように確定された固有値、あるいはこれに基づく計算値が、指定可能な基準固有値と比較され、固有値が基準固有値以上である場合には第１の評価結果が層システムに割り当てられ、固有値が基準固有値未満である場合には第１の評価結果とは異なる第２の評価結果が割り当てられる。第１の評価結果は、たとえば、「層システムは要求される品質を満たしていない」という見解であってもよく、第２の評価結果は、たとえば「層システムは要求される品質を満たしている」という見解であってもよい。
【００２０】
本出願人の実験は、本発明による方法を用いて実証されたように、太陽電池および太陽電池モジュールなどの光起電層システムは、単純な方式で、自動定量分析およびその品質の評価を受けることができる。この方法は、品質要件との適合が確保され得るように、欠陥により望ましくないほどに高い内部電力損失のある層システムが、確実に信頼性高く検出されることを可能にする。
【００２１】
すでに述べられたように、本発明による方法において、電力損失を生じる電流は、ｐ−ｎ接合の逆および／または順バイアス方向で電圧を印加することによって生成することが可能である。逆バイアス方向に電圧が印加されると、電力損失は、実質的に半導体層のオーム抵抗によって発生し、太陽電池の電気的直列接続のために太陽電池モジュール内に形成された構造化配線が特に強力に熱くなる。他方では、順バイアス方向に印加された電圧によって、主にセル領域内の電力損失が検出可能である。有利なことに、本発明による方法において、特に層システム内の異なるタイプの欠陥を識別可能にするために、異なる極性および／または異なる電圧値を有する電圧が印加される。
【００２２】
本発明による方法の別の有利な実施形態において、確定された固有値は、たとえば総固有値で除することによって、正規化される。この総固有値は積を加算することによって計算され、強度分布の全ての強度値について、同じ強度値を有する画素のそれぞれの数に強度値を乗じた結果である。この場合、固有値と総固有値との間の商が、基準固有値との比較のための固有値に基づく計算値として確定されれば、やはり有利であろう。あるいは、基準固有値との比較のための固有値に基づく計算値として固有値と総固有値との間の差を確定することも有利であろう。
【００２３】
本発明による方法の別の有利な実施形態において、互いに異なる層システムの表面の複数のセクションについて、いずれの場合も個別の固有値が確定される。層システムの様々な表面セクションについて確定された固有値は、光起電層システムの品質のセクション毎の評価を可能にし、それによって、具体的には特定のセクションで多数の欠陥が発生した場合に、空間位置の情報の標的とされる、層システムの品質を改善する対策が製造中にすでに取られていてもよい。層システムのこの実施形態を用いると、構造化配線の領域で欠陥が頻繁に発生するので、セクションがこの場合は層システムの構造化のために少なくとも１つの構造化配線を包含する場合に、特に有利であろう。
【００２４】
有利なことに、セクションはまた、構造化配線のみを包含する領域に、および純粋なセル部分のみを包含する領域に分割するように形成されることも可能である。
【００２５】
本発明はさらに、太陽電池モジュール、具体的にはその半導体層が黄銅鉱化合物、具体的にはＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２でできている薄膜太陽電池モジュールの分析を評価するための、上述の方法の使用にも関する。
【００２６】
ここで本発明は、例示的実施形態を用い、添付図面を参照して詳細に説明される。図面は縮尺通りではない略図で描写される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明による方法の実行のための例示的な構成の模式図である。
【図２Ａ】低欠陥数を有する太陽電池モジュールの熱画像である。
【図２Ｂ】高欠陥数を有する太陽電池モジュールの熱画像である。
【図３】図２Ａおよび図２Ｂの熱画像の強度分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、本発明による方法の実行のための例示的な構成１を模式的に示す。したがって、構成１は、分析すべき薄膜太陽電池モジュール５を含み、通例、太陽光発電のための、一体的に直列接続された複数の太陽電池を有するが、これは、図１には詳細に示されない。
【００２９】
図１の薄膜太陽電池モジュール５の拡大図からわかるように、薄膜太陽電池モジュール１の各太陽電池は、たとえば以下の層システムを含むことができる：たとえば比較的低い光透過性を有するガラスで作られた絶縁性の第１の基板１１の上には、たとえばモリブデン（Ｍｏ）などの不透明な金属で作られた裏面電極層１２が設けられている。ドープされた半導体で作られた光起電力活性吸収層１３は、裏面電極層１２の上に堆積される。吸収層１３はたとえば、ｐ伝導型黄銅鉱半導体、具体的には、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２族の化合物、たとえばナトリウム（Ｎａ）ドープ二セレン化銅インジウム（ＣＩｎＳｅ２）でできている。この場合は、たとえば単層の硫化カドミウムおよび単層の真性酸化亜鉛（ｉ−ＺｎＯ）で作られる緩衝層１４は、吸収層１３の上に堆積される。ドープ金属酸化物、たとえばｎ伝導型アルミニウム（Ａｌ）ドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ）で作られた透明な前面電極層１５は、たとえば真空蒸着によって、緩衝層１４上に付着される。これはヘテロ接合、すなわち異なる材料タイプおよび逆の伝導型の層の連続体を形成する。環境的影響に対する保護のため、たとえばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）および／またはエチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）で作られた、接着層１６が前面電極層１５上に堆積される。加えて、たとえば低鉄分超白色ガラスで作られた、太陽光を透過させる第２の基板１７が設けられる。第２の基板１７は、接着層１６によって第１の基板１１に結合され、層システムを封止するのに役立つ。
【００３０】
薄膜太陽電池モジュール１は、第１の基板１１上に様々な層が堆積され、たとえばストリッピングまたはスクライビングによる、レーザ書き込みおよび機械的加工などの適切な構造化技術を用いて直列接続された太陽電池を製造するために構造化されて、工業用連続生産において容易かつ費用効率良く製造されることが可能である。一般に、このような構造化は、各太陽電池について、３つの構造化配線を製造するための３つの構造化ステップを含むが、これらは図１の薄膜太陽電池モジュールの拡大図には示されていない。
【００３１】
図１に示されるように、薄膜太陽電池モジュール５は、薄膜太陽電池モジュール５の表面１０の光入射側上面が露出するように、その底側で平坦な担体４上に支持される。薄膜太陽電池モジュール１は、互いに対向して設けられた２つの外部コネクタ９の上の制御可能な電圧源６に、第１の電気配線７を介して接続されており、これらのコネクタは、太陽電池の前面または裏面電極層１２、１５に接続されている。それによって表面１０の熱放射が捕捉されて熱画像内で空間分解され得る赤外線カメラ２は、薄膜太陽電池モジュールの光入射側表面１０の上方の位置にもたらされる。通例、熱放射は薄膜太陽電池モジュール１の表面１０の熱分布に対応する。構成１の撮像光学素子は図示されていない。赤外線カメラ２および電圧源６はいずれも、データ送信のために第２の電気配線８を介してプロセッサベースの制御装置３に接続されている。
【００３２】
制御装置３による制御の下で、薄膜太陽電池モジュール５の定量分析のため、先ず、電圧源６を介して薄膜太陽電池モジュール５の２つの外部コネクタ９に電圧が印加される。これは薄膜太陽電池モジュール５に電流を発生させ、それによって電力損失が、特に薄膜太陽電池モジュールの欠陥の領域において誘発されるが、これは薄膜太陽電池モジュール５の表面１０上の欠陥の部位での局所的な温度上昇として検出可能である。印加された電圧は特定の変調を受けるが、これはここでは詳細に説明されない。電流の発生と同時に、または適切な時間関係において、薄膜太陽電池モジュール５の表面１０の空間分解された放射熱の熱画像が、赤外線カメラ２によって生成される。
【００３３】
一例として、図２Ａおよび図２Ｂは、より少ない欠陥数（図２Ａ）およびより多い欠陥数（図２Ｂ）を有する薄膜太陽電池モジュール５の場合について、２つの異なる熱画像を示す。これらの熱画像において、いずれの場合も欠陥は、より低温の周囲と比較して明るい点として検出可能である。このため、欠陥に対応する画素は、より低温の欠陥周囲に対応する画素よりも高い強度値を有する。両方の図において、太陽電池の直列接続のための構造化配線に対応する、細い平行な線もまた、検出可能である。
【００３４】
次に、画素のそれぞれの数に対する熱放射の強度分布（ヒストグラム）が、熱画像から確定される。このような強度分布は、図２Ａおよび図２Ｂの２つの熱画像に関するグラフとして、図３に示されている。このグラフにおいて、振幅または強度は横座標Ａとして対応する単位で表示されており、画素の数Ｎは縦座標として表示されている。曲線Ｉは図２Ａに対応し、曲線ＩＩは図２Ｂに対応する。明らかに、曲線ＩＩ−より大きい欠陥数に対応−はグラフの中央の振幅領域に、曲線Ｉよりもはるかに多い画素を有している。
【００３５】
次いで、振幅または強度平均値および標準偏差が、従来の統計的手法を用いて強度分布から確定される。さらなる評価において、いずれの場合も、同じ強度値を有する画素の数にこの強度値を乗じた結果である積を加算することによって、固有値Ｋが確定される。加算はここで、たとえば標準偏差の分だけ増加した強度平均値よりも大きいこれらの強度値についてのみ、実行される。
【００３６】
その結果、曲線Ｉについては値ＫＩ＝１５７２７７が得られ、曲線ＩＩについては値ＫＩＩ＝２７３３４０が得られる。より大きい欠陥数に対応するので、ＫＩＩはＫＩよりも著しく大きい。
【００３７】
この固有値Ｋに基づいて、ここで固有値Ｋを定義可能な基準固有値と比較して薄膜太陽電池モジュール５の品質の自動評価が行われることが可能であり、薄膜太陽電池モジュール５は、固有値Ｋが基準固有値以上である場合には第１の評価結果に割り当てられ、あるいは固有値Ｋが基準固有値未満である場合には第１の評価結果とは異なる第２の評価結果に割り当てられる。
【００３８】
基準固有値は、薄膜太陽電池モジュール５の特定の品質要件に依存している。本例示的実施形態において、基準固有値は、一例として、２０００００であると仮定する。したがって、たとえば「層システムは要求される品質を満たしている」という評価結果が、図２Ａの熱画像による薄膜太陽電池モジュール５に割り当てられ、これは固有値ＫＩ＝１５７２７７を有する。一方、たとえば「層システムは要求される品質を満たしていない」という評価結果が、図２Ｂの熱画像による薄膜太陽電池モジュール５に割り当てられ、これは固有値ＫＩＩ＝２７３３４０を有し、相応に廃棄されなければならない。
【００３９】
本発明は、その品質の簡単かつ信頼性の高い評価を可能にする、太陽電池および太陽電池モジュールの定量分析の自動化された方法を、利用できるようにする。
【符号の説明】
【００４０】
１  構成
２  赤外線カメラ
３  制御装置
４  担体
５  薄膜太陽電池モジュール
６  電圧源
７  第１の電気配線 
８  第２の電気配線
９  コネクタ
１０  表面
１１  第１の基板
１２  裏面電極層
１３  吸収層
１４  緩衝層
１５  前面電極層
１６  接着層
１７  第２の基板
【図１】
0005499223.tif 000002
【図２Ａ】
0005499223.tif 000003
【図２Ｂ】
0005499223.tif 000004
【図３】
0005499223.tif 000005