(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室に基板を搬入するパスライン高さに配置された搬入機構と、
前記処理室から基板を搬出するパスライン高さに配置された搬出機構と、
前記処理室内で基板を支持して搬送する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構が支持する基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記複数の搬送機構を移動させて、前記複数の搬送機構のうちのいずれかをパスライン高さに配置することにより、前記複数の搬送機構を選択的に前記搬入機構と前記搬出機構とに接続する移動機構と、
前記搬入機構および／または前記搬出機構において基板に処理液を供給する副供給機構と、
を備え、
前記処理室内の前記複数の搬送機構の各々と、前記搬入機構と、前記搬出機構の搬送速度が、それぞれ独立して設定可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記複数の搬送機構のそれぞれには、搬送方向への駆動力の入力部に磁気従動部材を設け、
前記搬入機構と前記搬出機構への接続位置に配置された搬送機構の前記磁気従動部材に対して磁気的に結合する磁気駆動部材を設け、
前記磁気駆動部材を駆動する駆動源を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記搬送機構は基板を傾斜姿勢で支持して搬送するよう傾斜して設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記複数の搬送機構は１つのフレームに取り付けられ、前記移動機構は前記フレームを移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記移動機構は、前記搬送機構を、当該搬送機構が支持する基板の面に対して垂直方向に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記移動機構は、前記搬送機構を、水平方向に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記搬送機構はローラコンベアであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給機構は、前記基板の傾斜の上側から処理液を供給するものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記副供給機構は処理液を高圧で基板に吹き付けるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理液供給機構により供給される処理液は剥離液であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
搬送速度がそれぞれ独立して設定される搬入機構と、処理室内に移動可能に設けた複数のコンベアの各々と、搬出機構とにより基板を搬送するとともに基板処理を行う基板処理装置における基板処理方法であって、
前記処理室内に移動可能に設けた複数のコンベアのうち、第一のコンベアをパスラインに位置させる工程と、
前記処理室とパスライン高さにて接続された前記搬入機構からパスラインに位置している前記第一のコンベアに第一の基板を搬入して支持させる工程と、
前記第一の基板を支持した前記第一のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、第二のコンベアをパスラインに位置させる工程と、
前記第一のコンベアが支持している第一の基板に処理液を供給して処理する工程と、
前記搬入機構からパスラインに位置している前記第二のコンベアに第二の基板を搬入して支持させる工程と、
前記第二の基板を支持した前記第二のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、前記第一の基板を支持している第一のコンベアをパスラインに位置させる工程と、
前記第二のコンベアが支持している第二の基板に処理液を供給して処理する工程と、
パスラインに位置している前記第一のコンベアから処理済みの前記第一の基板を前記処理室にパスライン高さにて接続された前記搬出機構へ搬出する工程と、
前記搬入機構から前記処理室に基板を搬入するとき、および／または、前記処理室から前記搬出機構へ基板を搬出するときに、前記搬入機構および／または前記搬出機構において基板に処理液を供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルやプラズマ表示パネル、太陽電池、磁気ディスク、光ディスクなどの製造に用いるガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの各種基板の表面に処理液を供給して処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示パネルなどの製造に用いるガラス基板等の対象物に配線パターンを形成する方法の1つとして、配線パターンに対応するレジスト膜のパターン（すなわち、レジストパターン）を基板の導電層上に形成し、レジストパターンを介してエッチング液を導電層に付与することにより導電層のレジスト膜から露出している部位を除去し、その後、不要となったレジスト膜を剥離して配線パターンを形成するフォトリソグラフィによる方法が知られている。そして、この種のフォトリソグラフィ工程では、レジスト膜の現像、エッチング、剥離、洗浄等、種々の処理液を使った処理工程が必要となる。
【０００３】
この種の処理を実施するための基板処理装置として、基板をローラコンベアによって処理室内を搬送しながら、スプレーノズル等によってコンベア上の基板に処理液を供給する装置が周知である。ところで、一般的なこの種の処理装置は、ローラコンベアに接続される前後の工程の装置との関係でローラコンベアの搬送速度が決められるので、処理時間は搬送速度と処理室の大きさによってほぼ決まってしまう。そのため、例えば処理時間を長くするためには、処理室の長さを長くしたり複数の処理室を直列に設けることが必要となり、装置を設置する面積が増大してクリーンルーム内の面積を多く要し、運用コストが増大し、また装置自身のコストも上昇する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９９２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
装置の設置面積を増大させることなく処理時間を変更するために、例えば特許文献１においては、１枚の基板を処理室内において往復移動させることで処理時間を長くすることを提案している。しかしこのようにすると１つの処理室を１枚の基板が長時間占有することになり、単位時間当たりの処理能力が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、装置の設置面積を増大させることなくまた単位時間当たりの処理能力を低下させることなく、長時間の処理が可能であり、また処理時間を容易に変更できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる課題を解決する為に、請求項１に係わる発明は、処理室に基板を搬入するパスライン高さに配置された搬入機構と、前記処理室から基板を搬出するパスライン高さに配置された搬出機構と、前記処理室内で基板を支持して搬送する複数の搬送機構と、前記複数の搬送機構が支持する基板に処理液を供給する処理液供給機構と、前記複数の搬送機構を移動させて、前記複数の搬送機構のうちのいずれかをパスライン高さに配置することにより、前記複数の搬送機構を選択的に前記搬入機構と前記搬出機構とに接続する移動機構と、前記搬入機構および／または前記搬出機構において基板に処理液を供給する副供給機構を備え、前記処理室内の前記複数の搬送機構の各々と、前記搬入機構と、前記搬出機構の搬送速度が、それぞれ独立して設定可能であることを特徴とする基板処理装置である。
【０００８】
請求項２に係わる発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数の搬送機構のそれぞれには、搬送方向への駆動力の入力部に磁気従動部材を設け、前記搬入機構と前記搬出機構への接続位置に配置された搬送機構の前記磁気従動部材に対して磁気的に結合する磁気駆動部材を設け、前記磁気駆動部材を駆動する駆動源を設けたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係わる発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記搬送機構は基板を傾斜姿勢で支持して搬送するよう傾斜して設けられることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係わる発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記複数の搬送機構は１つのフレームに取り付けられ、前記移動機構は前記フレームを移動させるものであることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係わる発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記移動機構は、前記搬送機構を、当該搬送機構が支持する基板の面に対して垂直方向に移動させるものであることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に係わる発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記移動機構は、前記搬送機構を、水平方向に移動させるものであることを特徴とする。
【００１３】
請求項７に係わる発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送機構はローラコンベアであることを特徴とする。
【００１４】
請求項８に係わる発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記処理液供給機構は、前記基板の傾斜の上側から処理液を供給するものであることを特徴とする。
【００１５】
請求項９に係わる発明は、請求項１乃至８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記副供給機構は処理液を高圧で基板に吹き付けるものであることを特徴とする。
【００１６】
請求項１０に係わる発明は、請求項１乃至９のいずれかに記載の基板処理装置において、処理液供給機構により供給される処理液は剥離液であることを特徴とする。
【００１７】
請求項１１に係わる発明は、搬送速度がそれぞれ独立して設定される搬入機構と、処理室内に移動可能に設けた複数のコンベアの各々と、搬出機構とにより基板を搬送するとともに基板処理を行う基板処理装置における基板処理方法であって、前記処理室内に移動可能に設けた複数のコンベアのうち、第一のコンベアをパスラインに位置させる工程と、前記処理室とパスライン高さにて接続された前記搬入機構からパスラインに位置している前記第一のコンベアに第一の基板を搬入して支持させる工程と、前記第一の基板を支持した前記第一のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、第二のコンベアをパスラインに位置させる工程と、前記第一のコンベアが支持している第一の基板に処理液を供給して処理する工程と、前記搬入機構からパスラインに位置している前記第二のコンベアに第二の基板を搬入して支持させる工程と、前記第二の基板を支持した前記第二のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、前記第一の基板を支持している第一のコンベアをパスラインに位置させる工程と、前記第二のコンベアが支持している第二の基板に処理液を供給して処理する工程と、パスラインに位置している前記第一のコンベアから処理済みの前記第一の基板を前記処理室にパスライン高さにて接続された前記搬出機構へ搬出する工程と、前記搬入機構から前記処理室に基板を搬入するとき、および／または、前記処理室から前記搬出機構へ基板を搬出するときに、前記搬入機構および／または前記搬出機構において基板に処理液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、装置の設置面積を増大させることなくまた単位時間当たりの処理能力を低下させることなく、長時間の処理が可能であり、また処理時間の変更が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。
請求項２の発明では、複雑な駆動力切り替え機構を設けることなく簡単な機構で必要なレーンに駆動力を供給でき、処理液の漏洩などのおそれもない。
請求項３の発明では、基板を傾斜姿勢で支持しているので、処理液供給機構を基板の上端側に設けるだけで処理液を基板全体に供給できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第一の実施形態の基板処理装置である剥離装置を模式的に示す側面断面図である。
【図２】図１に示した剥離装置の動作を説明する模式的側面断面図である。
【図３】図１に示した剥離装置の動作を説明する模式的側面断面図である。
【図４】図１に示した剥離装置の動作を説明する模式的側面断面図である。
【図５】図３中の５−５'線断面図である。
【図６】図４中の６−６'線断面図である。
【図７】昇降移動機構を示す断面図である。
【図８】本発明の第二の実施形態の基板処理装置である剥離装置を模式的に示す側面断面図である。
【図９】本発明の第三の実施形態の基板処理装置である剥離装置を模式的に示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔装置の全体構成〕
【００２１】
図1は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置である剥離装置１００の構成を模式的に示す側面図である。この剥離装置１００は液晶表示パネル製造に用いるガラス基板（以下単に基板と称する）をローラコンベアによって後述のような若干の傾斜姿勢で水平方向に搬送しつつ、その基板の上面に剥離液を供給して基板上の不要なレジスト膜を剥離するものである。一般的にこの剥離装置１００には、レジスト膜を塗布し、パターンを露光し、現像してレジスト膜のパターンを形成し、さらに基板表面のレジスト膜がない部分をエッチング処理した基板が供給される。したがって剥離装置１００の上流側にはエッチング装置またはエッチング処理後の基板をカセットから供給する基板供給装置が接続される。そして、この剥離装置１００によって剥離処理された基板には、さらに水洗、乾燥等の処理が施される。従って、この剥離装置１００の下流には水洗装置等が接続される。
【００２２】
剥離装置１００は、基板搬送の上流側から第１剥離帯１、第２剥離帯２、第３剥離帯３を備えている。第１剥離帯１は、上流側に接続されるエッチング装置等から供給される基板Ｗを受け入れて剥離液を高圧スプレーにより吹き付けてその打力によりあらかたの剥離処理をするものである。第２剥離帯２は第１剥離帯１での処理後の基板Ｗを受け入れて、所定時間だけ基板Ｗの傾斜姿勢の上流側からその表面にそって剥離液をかけ流して、基板Ｗに付着しているレジスト膜を十分に膨潤させるものである。第３剥離帯３は第２剥離帯２での処理後の基板Ｗを受け入れて剥離液を高圧スプレーにより吹き付けて、膨潤されたレジスト膜をその打力により剥離除去するものである。
【００２３】
〔第１剥離帯の詳細構成〕
【００２４】
第１剥離帯１は第１剥離帯壁１ａの内部に形成され、基板Ｗは、図１の左側から第１剥離帯壁１ａに形成された搬入口１１からローラコンベア１２によって搬入される（なお、このローラコンベア１２の高さ位置をパスライン高さと称する）。第１剥離帯１には、搬入される基板Ｗに対して、その幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給する入口液カーテンノズル１３、基板Ｗの幅方向全体にわたって剥離液を高圧スプレー状で吹き付ける高圧スプレーノズル１４、基板Ｗの幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状で搬送方向上流側に向けて吐出して供給し、この第１剥離帯１からの剥離液の持ち出しを抑制する出口液カーテンノズル１５が設けられている。第１剥離帯１で使用された剥離液は第１剥離帯１の下部に溜まり、第１剥離帯壁１ａの底に形成された廃液口１ｂから剥離液タンク１６に回収される。回収された剥離液は、ポンプ１７からバルブ群１８を介して再度入口液カーテンノズル１３、高圧スプレーノズル１４、出口液カーテンノズル１５へ供給されて再使用される。なお、この第１剥離帯１における各ノズルは、基板Ｗの幅方向に均一に吐出するものであれば他のノズルに代えてもよい。
【００２５】
〔第２剥離帯の詳細構成〕
処理室となる第２剥離帯２は第１剥離帯１の下流側すなわち搬入口１１の反対側に設けられ、基板Ｗは図１の左側の第１剥離帯１から第２剥離帯２へ搬入される。第２剥離帯２は第２剥離帯壁２ａの内部に形成され、第１剥離帯１とは上部で連通しているが、下部では第２剥離帯壁２ａによって第１剥離帯１とは区画され、第１剥離帯１で使った剥離液が第２剥離帯２で使った剥離液に混入するのを抑制している。
第２剥離帯２には、基板Ｗの処理中に１枚の基板Ｗを支持しながら、その基板Ｗに対して剥離液を供給して剥離処理するための３つのレーンＬ１〜Ｌ３が設けられる。これらのレーンＬ１〜Ｌ３につき詳細に説明する。第２剥離帯２には上下および前後（第１剥離帯１側および第３剥離帯３側）が開放されたフレームＦが設けられる。フレームＦは第２剥離帯壁２ａの天井の四隅に設けられた昇降移動機構２１によって昇降可能（詳細は後述する）に支持される。フレームＦの内部には、レーンＬ１、レーンＬ２、レーンＬ３が上からこの順序で積層して組み込まれている。それぞれのレーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３は１枚の基板Ｗを保持しうる長さ（搬送方向）を有しており、剥離処理中に基板Ｗを若干の傾斜姿勢で支持するとともに、各レーンＬ１〜Ｌ３への基板Ｗの搬入の際に基板Ｗを水平方向に搬送する機能を果たすローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１と、各ローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１が支持している基板Ｗの上端側（詳細は後述する）に対して剥離液を供給する上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２が設けられる。
【００２６】
第２剥離帯２に設けられるレーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３の各ローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１は、フレームＦ内において互いに平行に設けられる。フレームＦは、第２剥離帯壁２ａの天井壁２ａＣの四隅に設けられたボールネジあるいはベルト等を用いた昇降移動機構２１によって第２剥離帯２内に昇降可能に支持されている。また、第２剥離帯壁２ａは水平な床ＦＬに台座Ｐを介して設置されている。台座Ｐは第２剥離帯壁２ａが若干傾くように構成され、その結果、レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３の各ローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１は、図５および図６に示すように、基板Ｗの搬送方向上流側に向って左側（図５および図６中では左側、図１〜４では紙面手前側）が低くなるように、水平面に対して５〜１５度程度の角度θだけ傾けて設けられる。各ローラ軸Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４に取り付けられるローラＬ１５、Ｌ２５、Ｌ３５の大きさは全て等しい。したがってこれらのローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１は、基板Ｗを同じ角度θだけ傾斜した姿勢で支持し、またその姿勢で搬送する。フレームＦの左右の側板ＦＷは、各ローラ軸Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４と直交する面内でかつ基板Ｗの搬送方向に平行に設けられ、各ローラ軸Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４は側板ＦＷにベアリングＬ１６、Ｌ２６、Ｌ３６を介して回転自在かつ等間隔に並んで支持される。また各基板Ｗの下側端縁は、回転自在に設けられるサイドガイドローラＬ１８、Ｌ２８、Ｌ３８によって支持される。
【００２７】
なお、第１剥離帯１におけるローラコンベア１２も、第２剥離帯２に設けられるレーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３の各ローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１と同じ向き、同じ角度で傾斜して設けられる。また、フレームＦの昇降の範囲は、通常の装置使用においては、最も下降したとき（図１、図４、図６）に最上位のレーンＬ１のローラコンベアＬ１１がパスライン高さに位置し、最も上昇したとき（図３、図５）に最下位のレーンＬ３のローラコンベアＬ３１がパスライン高さに位置するようになっており、フレームＦを昇降させることで全てのレーンＬ１〜Ｌ３に対してローラコンベア１２から基板Ｗを円滑に搬送することが可能となっている。
図５および図６に示すように、基板Ｗの搬送方向上流側に向って右側（図５および図６中では右側、図１〜４では紙面奥側）すなわち各ローラ軸Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４の傾斜方向上側では、フレームＦは第２剥離帯壁２ａの側壁２ａＷと平行に設けられる。また各ローラ軸Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４の全ての端部には、その回転駆動力の入力部として、それぞれ磁石を含む円盤状の磁気従動部材Ｌ１７、Ｌ２７、Ｌ３７が、側壁２ａＷと接近して取り付けられている。また、パスライン高さに位置するローラコンベアの全てのローラ軸（すなわち図６ではローラコンベアＬ１１のローラ軸Ｌ１４、図５ではローラコンベアＬ３１のローラ軸Ｌ３４）に対応する位置であって、第２剥離帯壁２ａの側壁２ａＷの外側には、それら各ローラ軸の磁気従動部材と側壁２ａＷを透して磁気的に結合し、その全てのローラ軸を回転駆動するための複数の磁気駆動部材２２が回転自在に設けられる。第２剥離帯壁２ａの側壁２ａＷは、磁気を通過させかつ剥離液に対する耐性を有する素材、例えばステンレス鋼によって作られる。磁気駆動部材２２は図示を省略しているベアリングにより支持され、モータ等の駆動源２５により回転駆動される。
第２剥離帯２に設けられるレーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３において、各ローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１の高い側（図５および図６に示す、基板Ｗの搬送方向上流側に向って右側、図１〜４では紙面奥側）に、それぞれのローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１が基板Ｗを支持した場合に、その基板Ｗの上端側に剥離液をカーテン状に供給する上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２が設けられる。これらにより供給され基板Ｗにかけ流された剥離液は基板Ｗの傾斜にそって下方側に流れながら基板Ｗ表面に液層を形成して、基板Ｗに付着しているレジスト膜を十分に膨潤させる。なお、上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２は、基板Ｗの上端に処理液を供給すればよいので、各レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３の間の狭い空間に設ける必要はなく、その外側に設けられる。すなわちローラＬ１５、Ｌ２５、Ｌ３５のうち最も上端側のものよりも外側であり、処理される基板Ｗよりも外側に設けられる。なお、この第２剥離帯２における各ノズルは、基板Ｗの搬送方向に均一に吐出するものであれば他のノズルに代えてもよい。
第２剥離帯２で使用された剥離液は基板Ｗの下端から第２剥離帯２の下部に流下して溜まり、第２剥離帯壁２ａの底に形成された廃液口２ｂから剥離液タンク２６に回収される。回収された剥離液は、ポンプ２７からバルブ２８を介して再度上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２へ供給されて再使用される。
【００２８】
〔第３剥離帯の詳細構成〕
【００２９】
第３剥離帯３は第２剥離帯２の下流側すなわち第１剥離帯１の反対側に設けられ、基板Ｗは図１の左側の第２剥離帯２から第３剥離帯３へ搬入される。第３剥離帯３は第３剥離帯壁３ａの内部に形成され、第２剥離帯２とは上部で連通しているが、下部では第２剥離帯壁２ａによって第２剥離帯２とは区画され、第２剥離帯２で使った剥離液が第３剥離帯３で使った剥離液に混入するのを抑制している。
基板Ｗは、図１の左側の第２剥離帯２のいずれかのレーンのうちパスライン高さに置かれているレーンのローラコンベアから、第３剥離帯壁３ａのローラコンベア３２へ搬送され、第３剥離帯３での剥離処理後、第２剥離帯２の逆側に形成される搬出口３１から搬出される。
【００３０】
第３剥離帯３におけるローラコンベア３２はパスライン高さに設けられ、かつ、第１剥離帯１、第２剥離帯２に設けられる各ローラコンベア１２、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１と同じ向き、同じ角度で傾斜して設けられる。したがって、第２剥離帯２においてパスライン高さに位置するレーンのローラコンベアとの間で基板Ｗを円滑に搬送することができる。
第３剥離帯３には、搬入される基板Ｗに対して、その幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給する入口液カーテンノズル３３、基板Ｗの幅方向全体にわたって剥離液を高圧スプレー状で吹き付ける高圧スプレーノズル３４、基板Ｗの幅方向全体にわたって上下両面にエアを吹き付けて基板Ｗ表面から剥離液を液切り除去するエアナイフ３５が設けられている。エアナイフ３５には図示しない配管を介してエアが供給される。第３剥離帯３で使用された剥離液はエアナイフ３５によるエアの噴き付けによって基板Ｗから除去され、第３剥離帯３の下部に溜まり、第３剥離帯壁３ａの底に形成された廃液口３ｂから剥離液タンク３６に回収される。回収された剥離液は、ポンプ３７からバルブ群３８を介して再度入口液カーテンノズル３３、高圧スプレーノズル３４へ供給されて再使用される。なお、この第１剥離帯１における各ノズルは、基板Ｗの幅方向に均一に吐出するものであれば他のノズルに代えてもよい。
【００３１】
〔装置全体の制御〕
各ローラコンベア１２、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１、３２の搬送動作や、バルブ群１８、３８、バルブ２８、ポンプ１７、２７、３７、昇降移動機構２１等の動作は、剥離装置１００全体の動作を司るいわゆるマイクロコンピュータからなる制御装置（図示せず）によって制御される。制御装置はローラコンベア１２、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１、３２の各部適所に配置された基板センサ（図示せず）の基板位置検出情報や、剥離液タンク１６、２６、３６に設けられた液量計、液温計等の情報に基づき、剥離装置１００全体を制御する。
【００３２】
〔装置全体の動作および処理方法〕
次に、本実施形態の剥離装置１００を用いた基板処理の制御と動作について順に説明する。まず剥離装置１００の上流側の装置からエッチング処理後の１枚目の基板Ｗ１が搬入口１１からローラコンベア１２によって第１剥離帯１に搬入される。第１剥離帯１では、入口液カーテンノズル１３によって基板Ｗ１の幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給し、レジスト膜の剥離処理を開始する。次に高圧スプレーノズル１４で剥離液を高圧スプレー状で吹き付けてその剥離液の衝撃力も伴ってレジスト膜を大雑把に剥離除去する。この段階でこの第１剥離帯１での剥離液には剥離されたレジスト膜成分が多量に混入する。基板Ｗ１は続いて次工程の第２剥離帯２へ搬送されるが、基板Ｗ１は前述の通り傾斜姿勢となっており、剥離液はその傾斜に沿って横に円滑に流れ落ちるので、その際の剥離液の持ち出しは少ない。しかしその持ち出し量をさらに低減するため、出口液カーテンノズル１５によって基板Ｗ１の幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状で搬送方向上流側に向けて吐出して、剥離液の第２剥離帯２への持ち出し量を低減している。
【００３３】
第１剥離帯１での処理後、基板Ｗ１はローラコンベア１２によって第２剥離帯２へ搬入搬送される。図示の例では第１剥離帯１の長さより基板Ｗ１の長さのほうが長いので、基板Ｗ１は第１剥離帯１での処理と第２剥離帯２とでまたがって処理される。図１はこの状態を示しており、ここではフレームＦは最も下の位置まで下がった状態であり、ローラコンベア１２の搬送高さであるパスライン高さには最も上位のレーンＬ１が位置しており、基板Ｗ１はローラコンベア１２からレーンＬ１のローラコンベアＬ１１へ搬送される。このとき、ローラコンベアＬ１１の全てのローラ軸Ｌ１４の磁気従動部材Ｌ１７が側壁２ａＷをはさんで磁気駆動部材２２と接近して磁気的に結合し、磁気駆動部材２２に結合された駆動源２５により回転駆動されて搬送動作を行う。
そしてそのローラコンベアＬ１１へ搬送される基板Ｗ１に対して、上端液カーテンノズルＬ１２が基板Ｗ１の上端側に剥離液をカーテン状に供給し基板Ｗ１の傾斜にそって下方側にかけ流す。これによって剥離液は基板Ｗ１表面に液層を形成して、基板Ｗに付着しているレジスト膜を十分に膨潤させる。基板Ｗ１の全体が第２剥離帯２へ入ったことを基板センサが検出すると、駆動源２５の駆動は停止され、基板Ｗ１はレーンＬ１のローラコンベアＬ１１上で支持されたままの状態で停止する。そしてフレームＦを上昇させるように昇降移動機構２１が駆動され、レーンＬ２のローラコンベアＬ２１がパスライン高さに位置するように駆動される。なお、このとき以後も上端液カーテンノズルＬ１２による剥離液の供給は継続される。
次に、基板Ｗ１に続いて、剥離装置１００に２枚目の基板Ｗ２が搬入される。基板Ｗ２に対しても１枚目の基板Ｗ１と同様に第１剥離帯１および第２剥離帯２での処理が行われるが、基板Ｗ２は第２剥離帯２のレーンＬ２に搬送されて処理されることが異なっている。この状態を図２に示す。このとき、レーンＬ２のローラコンベアＬ２１の全てのローラ軸Ｌ２４の磁気従動部材Ｌ２７が側壁２ａＷをはさんで磁気駆動部材２２と接近して磁気的に結合し、磁気駆動部材２２に結合された駆動源２５により回転駆動されて搬送動作を行う。基板Ｗ２の全体が第２剥離帯２へ入ったことを基板センサが検出すると、駆動源２５の駆動は停止され、基板Ｗ２はレーンＬ２のローラコンベアＬ２１上で支持されたままの状態で停止する。そしてフレームＦを上昇させるように昇降移動機構２１が駆動され、レーンＬ３のローラコンベアＬ３１がパスライン高さに位置するように駆動される。なお、このとき以後も上端液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２による剥離液の基板Ｗ１、Ｗ２への供給は継続される。
続いて、基板Ｗ２に続いて、剥離装置１００に３枚目の基板Ｗ３が搬入される。基板Ｗ３に対しても１枚目の基板Ｗ１、２枚目の基板Ｗ２と同様に第１剥離帯１および第２剥離帯２での処理が行われるが、基板Ｗ３は第２剥離帯２のレーンＬ３に搬送されて処理されることが異なっている。このとき、レーンＬ３のローラコンベアＬ３１の全てのローラ軸Ｌ３４の磁気従動部材Ｌ３７が側壁２ａＷをはさんで磁気駆動部材２２と接近して磁気的に結合し、磁気駆動部材２２に結合された駆動源２５により回転駆動されて搬送動作を行う。基板Ｗ３の全体が第２剥離帯２へ入ったことを基板センサが検出すると、駆動源２５の駆動は停止され、基板Ｗ３はレーンＬ３のローラコンベアＬ３１上で支持されたままの状態で停止する。この状態を図３に示す。この図３に示すように、第２剥離帯２においては同時に３枚の基板Ｗの処理が可能となり、剥離に長時間を要するようなプロセス用途にも単位時間当たりの処理能力を下げることなく対応することが可能である。そして次に、フレームＦを下降させるように昇降移動機構２１が駆動され、レーンＬ１のローラコンベアＬ１１がパスライン高さに位置するように駆動される。なお、このとき以後も上端液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２による剥離液の基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３への供給は継続される。
続いて、１枚目の基板Ｗ１について、第２剥離帯２における必要な処理時間が経過すると、レーンＬ１のローラコンベアＬ１１が駆動され、それとともにローラコンベア３２が駆動されて第２剥離帯２から１枚目の基板Ｗ１を搬出搬送して第３剥離帯３に送る。第３剥離帯３では、基板Ｗ１に対して、入口液カーテンノズル３３で幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給し、さらに高圧スプレーノズル３４により基板Ｗ１の幅方向全体にわたって剥離液を高圧スプレー状で吹き付ける。これらの処理の特に高圧スプレーによる衝撃力により、第２剥離帯２において十分に膨潤したレジスト膜が容易に剥離除去される。この状態を図４に示す。その後、基板Ｗ１にはエアナイフ３５によって幅方向全体にわたって上下両面にエアを吹き付けて剥離液が液切り除去され、搬出口３１から搬出されて、後続の洗浄装置等へ搬送される。
また、１枚目の基板Ｗ１が第２剥離帯２から搬出されると同時に、レーンＬ１には次なる４枚目の基板Ｗ４の受け入れが可能となる。実際の剥離装置１００の制御においては、基板Ｗ１が第２剥離帯２から搬出されるのとほぼ同じタイミングで、次なる基板Ｗ４が第２剥離帯に搬入されるように制御することができ、このようにすると剥離装置１００の利用効率の点では望ましい。そして以後同様に、２枚目の基板Ｗ２の第２剥離帯２からの搬出、５枚目の基板Ｗ５の受け入れ、と続けて多数の基板Ｗを処理することができる。
なお、各ローラコンベア１２、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１、３２の搬送速度は独立して任意に設定することができる。例えばレジスト膜の表面が硬い場合には、ローラコンベア１２の搬送速度を遅くして第１剥離帯１での高圧スプレーが長時間作用するようにして、剥離しやすくすることができ、またレジスト膜と基板との密着性が高い場合には、ローラコンベア３２の速度を遅くして第３剥離帯３での高圧スプレーが長時間作用するようにして、剥離しやすくすることができる。
【００３４】
〔昇降移動機構の詳細構成〕
図７は第２剥離帯壁２ａの天井の四隅に設けられた昇降移動機構２１の例を示す模式図である。ここでは上側液カーテンノズル等の図示は省略し、また左右２組を図示しているが構造は同一であるので、右側の１組にのみ符号を付与している。これについて説明すると、第２剥離帯壁２ａの天井２ａＣには支柱２１ｂが立設固定されており、その側面には直動案内機構２１ｃを介して移動台２１ｄが設けられ、移動台２１ｄにはモータ２１ｅが取り付けられる。モータ２１ｅの回転軸には所定長さのボールネジ２１ｆが取り付けられ、そのボールネジ２１ｆは第２剥離帯壁２ａの天井に取り付け固定されたナット２１ｇと螺合して第２剥離帯２内へ至る。一方、フレームＦの上面には、軸受け２１ｉが取り付け固定されており、ボールネジ２１ｆの先端の非ネジ部２１ｈを回転自在に軸支している。第２剥離帯２内に位置するボールネジ２１ｆの先端の非ネジ部２１ｈや軸受け２１ｉは剥離液雰囲気を分離するために、剥離液に耐性を有する伸縮自在な蛇腹２１ｊに覆われている。係る構成により、昇降移動機構２１は各レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３を、それらに支持される基板Ｗの表面に対して垂直方向に移動させる。
図７はフレームＦが最も上昇した状態を示しており、この状態からフレームＦを下降させる場合には、モータ２１ｅによりボールネジ２１ｆを回転させて、ボールネジ２１ｆを第２剥離帯２内側へ移動させる。これにより、ボールネジ２１ｆの下降に伴ってフレームＦが下降する。このとき同時にモータ２１ｅも直動案内機構２１ｃの案内により下降する。
【００３５】
〔第二の実施形態〕
【００３６】
図８は第２剥離帯２の第二の実施形態を示す。この例では、レーンＬ１とレーンＬ２の２つが図中左側を中心に回動可能に設けられており、図中の実線で示したレーンＬ２がパスライン高さである。上側液カーテンノズルおよびレーンＬ１、Ｌ２を移動させる移動機構の図示は省略している。レーンＬ２への基板Ｗの搬出入を行う際には各レーンＬ１、Ｌ２を図中の実線で示した位置におく。また、レーンＬ１への基板Ｗの搬出入を行う際にはレーンＬ２を図中の破線の位置まで、またレーンＬ１を図中の実線で示したレーンＬ２の位置まで、それぞれ回動させ、レーンＬ１をパスライン高さに位置させる。
【００３７】
〔第三の実施形態〕
【００３８】
図９は第２剥離帯２の第三の実施形態を示す。この例では、レーンＬ１〜Ｌ３の傾斜角度が直角に近い第一の実施形態よりも大きい角度の場合であり、この場合には第２剥離帯２の底部に沿った方向に直動案内部材Ｒを設けてフレームＦを水平方向に移動可能とした。なお、フレームＦの駆動源およびローラコンベアを駆動する磁気駆動部材等の機構は図示を省略している。この場合、第１剥離帯１、第３剥離帯３においても、第２剥離帯２の各レーンＬ１〜Ｌ３と同様の傾斜角度で基板を搬送するようにする。
〔変形例〕
上記の第一および第三の実施形態ではレーンの数は３、第二の実施形態ではレーンの数は２であったが、このレーンの数は第２剥離帯２における必要な処理時間によって決めればよい。レーンを多く設けることで、単位時間当たりの処理能力を低下させることなく、長時間の処理が可能になり、また装置の設置面積を増大させることもない。そして例えば第一の実施形態で、「レーンＬ１、Ｌ２のみを使用し、レーンＬ３を使用しない」などのように使用するレーンの数を変えることにより、処理時間を短く変更することも容易にできる。
また、磁気従動部材と磁気駆動部材による駆動力の伝達を行っているので、パスライン高さに位置させるレーンを切り替える場合でも、複雑な駆動力切り替え機構を設けることなく、必要なレーンに駆動力を供給でき、また第２剥離帯壁２ａに駆動力伝達のための孔を設ける必要がないので処理液の漏洩などのおそれもない。
また、基板は各レーンにおいて傾斜姿勢で支持されているので、処理液供給機構を基板の上端側にのみ設ければ処理液を供給すれば基板全体にいきわたらせることができる。したがって、必要に応じてレーンとレーンとの間を狭くすることも可能となる。
また、第１剥離帯１、第２剥離帯２、第３剥離帯３はそれぞれ個別の剥離液供給系統を備えているので、例えば剥離液タンク１６、２６、３６にそれぞれ濃度の異なる剥離液を使用するなどの処理が可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１００  剥離装置
１  第１剥離帯
２  第２剥離帯
３  第３剥離帯
１２、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１、３２  ローラコンベア
１３  入口液カーテンノズル
１４  高圧スプレーノズル
１５  出口液カーテンノズル
２１  昇降移動機構
Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２  上側液カーテンノズル
３３  入口液カーテンノズル
３４  高圧スプレーノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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