(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の主面上に位置する弾性波素子と、
前記基板の主面に位置し、平面視において前記弾性波素子を取り囲む環状の枠部と、該枠部の開口部を塞ぐ蓋部とを有するとともに、上面に複数の第１の凹部を有するカバーと、
突出高さが前記蓋部の厚みよりも小さい複数の第１の突部を有し、前記複数の第１の突部が前記複数の第１の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層と
を有し、
前記導体層は、平面透視において前記枠部の開口部と重なる部分を有するとともに、前記導体層を構成する材料のヤング率は前記カバーを構成する材料のヤング率よりも高く、
前記複数の第１の突部の少なくとも一部は、平面視における形状が線状であり、平面透視において前記枠部の開口部に重なっており、前記導体層は、この線状の第１の突部が突出することによって厚くなっている
弾性波装置。
【請求項２】
前記複数の第１の突部の他の一部は、前記導体層の表面に点在している
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記弾性波素子に接続された端子をさらに有し、
該端子は、
前記主面上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部と、
該柱状部の側面から突出して前記カバーの上面に重なっているフランジと
を有し、
前記カバーは、上面に第２の凹部を有し、
前記フランジは、前記第２の凹部に嵌まった第２の突部を有する
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第２の突部は、前記主面の平面視において、前記柱状部を囲んでいる
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、
前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆い、該感光性樹脂層を露光及び現像して、前記基板の主面に位置し、平面視において前記弾性波素子を取り囲む環状の枠部を形成する工程と、
前記枠部を感光性樹脂層で覆い、該感光性樹脂層を露光及び現像して、前記枠部の開口部を塞ぐ蓋部を形成する工程と、
現像された前記蓋部の上面にマスクを形成する工程と、
前記マスクが形成された前記蓋部の上面のうち前記マスクが形成されていない部位を凹状にエッチングする工程と、
エッチングされた凹状の部位に第１金属を充填して複数の突部を形成する工程と、
前記蓋部の上面に第２金属を積層して前記複数の突部を有する導体層を形成する工程と
を有し、
前記複数の突部の少なくとも一部は、平面視における形状が線状であり、平面透視において前記枠部の開口部に重なっており、前記導体層は、この線状の突部が突出することによって厚くなっている
弾性波装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板の主面に形成された弾性波素子を保護層で被覆する工程を更に有し、
前記枠部を形成する工程では、前記弾性波素子を前記保護層を介して前記枠部となる前記感光性樹脂層で覆う
請求項５に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の主面上に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーと、カバーの上面に積層された導体層とを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。特許文献１では、このような導体層として、カバーの強度を補強する補強層を開示している。【０００３】
導体層は、導体層を構成する金属と、カバーを構成する樹脂との間の密着力が弱いこと、導体層とカバーとの間には熱膨張差があること等に起因して、カバーから剥がれるおそれがある。【０００４】
従って、カバーに積層された導体層の剥離を抑制可能な弾性波装置およびその製造方法が提供されることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２２７７４８号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明の第１の観点の弾性波装置は、基板と、該基板の主面上に位置する弾性波素子と、該弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層とを有する。
【０００７】
本発明の第２の観点の弾性波装置は、基板と、該基板の主面上に位置する弾性波素子と、前記基板の主面上に位置し、前記弾性波素子に接続されたパッドと、前記弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、前記パッド上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部を有する端子と、複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層とを有する。
【０００８】
本発明の第３の観点の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、前記感光性樹脂層を露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、現像された前記感光性樹脂層の上面にマスクを形成する工程と、前記マスクが形成された前記感光性樹脂層の上面のうち前記マスクが形成されていない部位を凹状にエッチングする工程と、エッチングされた凹状の部位に第１金属を充填する工程と、前記感光性樹脂層の上面に第２金属を積層する工程とを有する。
【０００９】
本発明の第４の観点の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、前記感光性樹脂層を露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、現像された前記感光性樹脂層を該感光性樹脂層が重合する温度で加熱する工程と、加熱された前記感光性樹脂層に酸素プラズマ処理を施す工程と、前記酸素プラズマ処理された前記感光性樹脂層の上面に金属を積層する工程とを有する。
【００１０】
上記の構成または手順によれば、カバーに積層された導体層の剥離を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置を一部を破断した状態で示す概略斜視図である。
【図３】図２のIII−III線における断面図である。
【図４】図３の領域IVの拡大図である。
【図５】図１のＳＡＷ装置のカバー上面における基板の主面に平行な断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は図６（ｄ）の続きを示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は図７（ｃ）の続きを示す断面図である。
【図９】第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の図５に相当する断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は第３の実施形態のＳＡＷ装置の断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の領域Ｘｂの拡大図である。
【図１１】図１０のＳＡＷ装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図１２】実施例のＳＡＷ装置の性能評価を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１３】
符号は、同一または類似する構成のものについて、「第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ」などのように、大文字のアルファベットの付加符号を付すことがある。また、この場合において、単に「端子７」というなど、名称の頭の番号および上記の付加符号を省略することがある。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。ただし、後述する絶縁層４３については図示を省略している。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置によって構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆと、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）に積層された補強層８と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることによって、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
【００１７】
基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５〜２ｍｍである。
【００１８】
カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。カバー５は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合によって硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００１９】
複数の端子７は、カバー５の上面から露出している。複数の端子７の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。
【００２０】
補強層８は、カバー５の強度を補強するためのものである。補強層８は、カバー５を構成する材料よりもヤング率が高い材料によって構成されている。例えば、カバー５が樹脂によって構成されているのに対して、補強層８は金属によって構成されている。また、例えば、カバー５のヤング率が０．５〜１ＧＰａであるのに対し、補強層８のヤング率は１００〜２５０ＧＰａである。補強層８の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。補強層８は、カバー５の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、カバー５は、端子７の配置位置を避けて、カバー５の概ね全面に亘って形成されている。補強層８は、端子７と接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている。
【００２１】
裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極によって、温度変化等によって基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層によって、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。
【００２２】
図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
【００２３】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１が設けられている。ＳＡＷ素子１１は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子１１は、第１主面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１５を有している。各櫛歯状電極１５は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有している。一つの櫛歯状電極１５同士は、それぞれの電極指１５ｂが互いに噛み合うように設けられている。
【００２４】
なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１５ｂを有する一対の櫛歯状電極１５を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子１１が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２５】
カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部３５および蓋部３７によって囲まれた空間によって、ＳＡＷ素子１１の振動を容易化する振動空間１０が形成されている。なお、振動空間１０は、適宜な数および形状で設けられてよく、図２では、２つの振動空間１０が設けられている場合を例示している。
【００２６】
枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間１０となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることによって構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部３７は、枠部３５上に積層される、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００２７】
枠部３５および蓋部３７は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料によって形成され、一体的に形成されていてもよい。
【００２８】
なお、補強層８は、第１主面３ａの平面視において、振動空間１０に重なっている。より具体的には、補強層８は、振動空間１０の全体を覆うとともに、振動空間１０の外側に延出している。従って、補強層８は、蓋部３７とともに枠部３５に架け渡され、枠部３５に支持されている。
【００２９】
端子７は、図２では第６端子７Ｆにおいてよく表れているように、第１主面３ａに立てて設けられており、枠部３５および蓋部３７を第１主面３ａの面する方向へ貫通し、カバー５の上面において露出している。
【００３０】
端子７は、柱状に形成された柱状部７ａと、柱状部７ａの側面から突出するフランジ７ｂとを有している。柱状部７ａは、カバー５を貫通し、フランジ７ｂは、カバー５の上面に積層されている。端子７の、フランジ７ｂを含む上端面は、回路基板などに接続されるランド７ｃを構成している。
【００３１】
柱状部７ａは、例えば、円柱状に形成されている。柱状部７ａの直径は、例えば、２０〜１２０μｍである。フランジ７ｂは、柱状部７ａの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されている。従って、ランド７ｃの形状は、柱状部７ａの第１主面３ａに平行な断面の形状に対して、一周り大きい相似形（本実施形態では円形）となっている。ランド７ｃの直径は、柱状部７ａの直径よりも、例えば、５〜１００μｍの差で大きい。
【００３２】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１に接続された配線１２と、配線１２に接続された第１パッド１３Ａ〜第６パッド１３Ｆ（図２では一部のみ示す）が設けられている。端子７は、パッド１３上に設けられることによって、ＳＡＷ素子１１と接続されている。
【００３３】
図３は、図２のIII−III線における断面図である。また、図４は、図３の領域IVの拡大図である。
【００３４】
ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられた導電層１９と、導電層１９および第１主面３ａに積層された保護層２５とを有している。また、ＳＡＷ装置１は、カバー５に成膜された下地層３９と、下地層３９の表面上に形成された金属部４１と、金属部４１を覆う絶縁層４３とを有している。
【００３５】
導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、導電層１９は、ＳＡＷ素子１１、配線１２およびパッド１３を構成している。導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００３６】
保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素またはシリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、導電層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）である。保護層２５は、パッド１３の配置位置以外においては、第１主面３ａ全体に亘って形成されている。なお、カバー５は、保護層２５に積層されている。
【００３７】
下地層３９は、端子７のカバー５およびパッド１３に接する部分を構成するとともに、補強層８のカバー５に接する部分を構成している。下地層３９は、例えば、銅もしくはチタンによって形成されている。下地層３９の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３９が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層３９がチタンからなる場合は１０〜１００ｎｍである。
【００３８】
金属部４１は、端子７において、柱状部７ａの内部側部分およびフランジ７ｂの上方側（カバー５とは反対側）部分を構成している。また、金属部４１は、補強層８の上方側部分を構成している。金属部４１は、例えば、銅によって形成されている。
【００３９】
絶縁層４３は、補強層８の全面を覆っている。また、絶縁層４３は、補強層８の縁部から端子７のランド７ｃの縁部に亘っても形成されている。絶縁層４３は、補強層８の絶縁に寄与するとともに、端子７とカバー５との隙間に水分などが浸入することを抑制することにも寄与している。絶縁層４３は、例えば、一般にソルダーレジストとして使われているエポキシ系樹脂などによって構成されてよい。また、絶縁層４３は、有機材料に比較して遮水性の高い無機材料によって構成されてもよい。無機材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁層４３の厚さは、例えば、５００ｎｍ〜２０μｍである。なお、絶縁層４３は、少なくとも補強層８の側面またはランド７ｃの側面のいずれかを被覆するように形成されていればよい。
【００４０】
補強層８のカバー５側の面からは、複数の第１突部３１が突出している。また、端子７のフランジ７ｂのカバー５側の面からは、第２突部３３が突出している。第１突部３１および第２突部３３も、補強層８および端子７と同様に、下地層３９と金属部４１とによって構成されている。従って、第１突部３１は、補強層８と一体的に形成され、第２突部３３は、端子７と一体的に形成されている。
【００４１】
なお、第１突部３１は、補強層８の一部と捉えることができ、第２突部３３は、端子７の一部と捉えることができるが、本実施形態では、便宜上、第１突部３１および第２突部３３は、補強層８および端子７とは別個の部分であるものとして説明する。
【００４２】
第１突部３１および第２突部３３は、カバー５の内部へ突出しており、その側面はカバー５に覆われている。換言すれば、第１突部３１および第２突部３３は、カバー５の上面に設けられたそれぞれの突部の形状に対応する凹部に嵌まっている。第１突部３１および第２突部３３の補強層８からの突出部分の高さ（突出高さ）は、蓋部３７の厚さ（振動空間１０の天井からカバー５の上面までの厚さ）未満であり、第１突部３１および第２突部３３は、カバー５を貫通せず、その先端面はカバー５に覆われている。第１突部３１および第２突部３３の突出高さは、例えば、３〜２０μｍ、蓋部３７の厚さの１０〜７０％、または下地層３９の厚さ以上である。
【００４３】
図５は、カバー５の上面における第１主面３ａに平行なＳＡＷ装置１の断面図である。図５では、補強層８およびフランジ７ｂの形状も２点鎖線によって示されている。
【００４４】
複数の第１突部３１は、第１主面３ａの平面視において、点在している。すなわち、第１主面３ａの平面視において、複数の第１突部３１は、円形、楕円形または多角形などの、カバー５の広さに対して点と捉えることができる形状および大きさに形成され、カバー５に分布している。複数の第１突部３１の第１主面３ａに平行な断面形状、その断面積および密度は適宜に設定されてよい。例えば、複数の第１突部３１は、直径が互いに同一の円形に形成され、また、補強層８の全面に亘って密度が一様になるように分布している。円形の直径は、例えば、３〜２０μｍである。複数の第１突部３１の断面積の総和は、例えば、補強層８の面積の１０〜７０％である。
【００４５】
第２突部３３は、第１主面３ａの平面視において、端子７の柱状部７ａを囲むライン状（突条）に形成されている。具体的には、第２突部３３は、柱状部７ａと同心の円形に形成されている。第２突部３３は、例えば、柱状部７ａとの間隔が１０〜４５μｍとなるように形成されている。
【００４６】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図６（ａ）〜図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図３（図２のIII−III線）に対応する断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｃ）まで順に進んでいく。
【００４７】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることによって、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６（ａ）〜図８（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
【００４８】
図６（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって、第１主面３ａ上に導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングによって、ＳＡＷ素子１１、配線１２およびパッド１３が形成される。すなわち、導電層１９が形成される。
【００４９】
導電層１９が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法によって保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法である。次に、導電層１９のうちパッド１３を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これによって、保護層２５が形成される。
【００５０】
保護層２５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂によって形成されたフィルムが貼り付けられることによってまたは保護層２５と同様の薄膜形成法によって形成される。
【００５１】
枠部３５となる薄膜が形成されると、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等によって、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口および端子７が配置される予定の孔部３５ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部３５が形成される。
【００５２】
枠部３５が形成されると、図７（ａ）に示すように、蓋部３７（厳密には、第１突部３１および第２突部３３が埋設される凹部が形成される前の蓋部）が形成される。具体的には、まず、蓋部３７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることによって形成される。そして、薄膜が形成されることによって、枠部３５の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等によって、孔部３５ｈ（図６（ｄ））上の部分が除去され、端子７が配置される予定の孔部５ｈ（孔部３５ｈ含む）が形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。このようにして、蓋部３７が形成される。
【００５３】
蓋部３７が形成されると、図７（ｂ）に示すように、マスク５１が形成される。マスク５１は、第１突部３１および第２突部３３が配置される予定の位置において、カバー５の上面が露出するように形成される。マスク５１は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによってパターニングされることによって形成される。
【００５４】
マスク５１が形成されると、図７（ｃ）に示すように、カバー５の上面のうちマスク５１から露出されている部分が、ＲＩＥ等によって、蓋部３７を貫通しない深さまで凹状にエッチングされる。これによって、第１突部３１が配置される予定の第１凹部３７ａおよび第２突部３３が配置される予定の第２凹部３７ｂが形成される。
【００５５】
第１凹部３７ａおよび第２凹部３７ｂが形成されると、図８（ａ）に示すように、マスク５１は除去され、下地層３９が形成される。下地層３９は、カバー５の上面の全体に亘って形成される。下地層３９は、孔部５ｈ、第１凹部３７ａ、および第２凹部３７ｂの内周面や底面にも形成される。下地層３９は、例えば、スパッタリング法によって形成される。
【００５６】
下地層３９が形成されると、図８（ｂ）に示すように、レジスト層５３が形成される。レジスト層５３は、ランド７ｃおよび補強層８が配置される予定の範囲において、下地層３９が露出するように形成される。レジスト層５３は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによってパターニングされることによって形成される。
【００５７】
レジスト層５３が形成されると、図８（ｃ）に示すように、電気めっき処理によって、下地層３９の露出部分に金属を析出させ、第１凹部３７ａおよび第２凹部３７ｂに第１金属が充填され、続いてカバー５の上面に第２金属が積層されることとなる。これによって第１金属および第２金属からなる金属部４１が形成される。そして、下地層３９のレジスト層５３に被覆されていた部分およびレジスト層５３が除去される。これによって、下地層３９および金属部４１からなる、補強層８、端子７、第１突部３１および第２突部３３が形成される。その後、特に図示しないが、フォトリソグラフィーなどによって、絶縁層４３が形成される。
【００５８】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、第１主面３ａに被せられ、ＳＡＷ素子１１上に振動空間１０を形成するカバー５とを有している。また、ＳＡＷ装置１は、カバー５の上面に形成された導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）と、この導体層と一体的に形成され、導体層からカバー５内へ突出し、先端面および側面がカバー５に覆われた第１突部３１または第２突部３３とを有している。
【００５９】
従って、導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）は、第１突部３１または第２突部３３が形成されたことによって、カバー５と接する面積が大きくなり、導体層の剥がれが抑制される。また、導体層（金属）とカバー５（樹脂）との間に、平均して、これらの熱膨張係数の中間の熱膨張係数を有する層が形成されることになり、熱膨張差が緩和され、導体層の剥がれが抑制される。ちなみに、導体層（Ｃｕ）の熱膨張係数は１３ｐｐｍ／Ｋ程度、カバー５（樹脂）の熱膨張係数は−３５ｐｐｍ／Ｋ程度である。
【００６０】
熱膨張差による剥がれの抑制は、以下のように考えることもできる。製造工程においてＳＡＷ装置１が高温に晒されると、図４において矢印ｙ１１およびｙ１２で示すように、カバー５は中央側へ縮小しようとし、補強層８は外周側へ膨張しようとする。従って、カバー５と補強層８との熱膨張差によって、カバー５は、補強層８に対して、矢印ｙ１１で示す方向にずらされることになる。一方、第１突部３１は、カバー５の内部に突出していることから、矢印ｙ１３で示すように、カバー５を係止する力を発揮し得る。その結果、補強層８とカバー５との間において、ずれが生じることが抑制され、補強層８の剥がれが抑制される。
【００６１】
第１突部３１の突出高さは、振動空間１０の天井からカバー５の上面までの厚さよりも小さい。従って、補強層８のように振動空間１０に重なる導体層についても、振動空間１０の密閉性に影響を及ぼすことなく、好適に剥がれを抑制することができる。
【００６２】
上記の導体層の一例は、振動空間１０に重なり、カバー５を構成する材料（樹脂）よりもヤング率が高い材料（金属）によって構成された補強層８である。第１突部３１によって、補強層８と蓋部３７との一体性が向上することによって、補強層８による蓋部３７の補強の効果が増進される。
【００６３】
第１突部３１は、第１主面３ａの平面視において、点在して複数設けられている。この場合、後述する第２の実施形態に比較して、第１突部３１のカバー５に接する面積が第１突部３１の体積に対して相対的に大きくなり、効果的に補強層８の剥がれを抑制することができる。
【００６４】
複数の第１突部３１は、第１主面３ａの平面視において、それぞれ円形に形成されるとともに、補強層８の全体に亘って一様な密度で分布している。従って、補強層８の全体に亘って、且つ全方向において、比較的均等に、上述した接触面積の増大および熱膨張差の緩和の効果が得られ、好適に補強層８の剥がれが抑制されることが期待される。
【００６５】
ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷ素子１１に接続された端子７をさらに有する。端子７は、第１主面３ａに立てて設けられ、カバー５を貫通する柱状部７ａと、柱状部７ａの側面から突出して蓋部３７の上面に積層されるフランジ７ｂと、を有する。上記の導体層の一例は、フランジ７ｂである。従って、フランジ７ｂにおいて第２突部３３によって剥がれが抑制されることによって、カバー５とフランジ７ｂとの間から柱状部７ａと孔部５ｈとの隙間へ水分などが浸入することが抑制される。その結果、パッド１３などの腐食が抑制される。また、端子７は、他の回路基板に接続されるなど、カバー５から引き抜かれる力が加えられることがあるが、そのような引抜きに対する端子７の耐性も向上する。
【００６６】
第２突部３３は、第１主面３ａの平面視において、柱状部７ａを囲んでいる。従って、図４において矢印ｙ１で示すように、第２突部３３が設けられない場合に比較して、フランジ７ｂの縁部から孔部５ｈまでの沿面距離は長くなる。その結果、柱状部７ａと孔部５ｈとの隙間への水分の浸入などがより効果的に抑制される。
【００６７】
本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａにＳＡＷ素子１１を形成する工程（図６（ａ））。ＳＡＷ素子１１を覆う感光性樹脂層を積層し、その感光性樹脂層を露光および現像して、現像された感光性樹脂層からなり、ＳＡＷ素子１１上に振動空間１０を構成するカバー５を形成する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））。カバー５の上面にマスク５１を形成し、マスク５１を介してカバー５の上面をエッチングして第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂを形成する工程（図７（ｂ）および図７（ｃ））。第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂに金属を充填しつつカバー５の上面に金属を積層し、カバー５の上面に積層された導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）および導体層からカバー５内へ突出する第１突部３１または第２突部３３を形成する工程（図８（ａ）〜図８（ｃ））。
【００６８】
このような製造方法によれば、カバー５を露光および現像する工程とは別個のエッチング工程によって第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂを形成することによって、枠部３５を貫通する振動空間１０およびカバー５を貫通する孔部５ｈを簡便に形成しつつ、蓋部３７を貫通しない第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂを簡便に形成できる。ひいては、蓋部３７の厚さよりも突出量が小さい第１突部３１または第２突部３３を簡便に形成することができる。
【００６９】
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１１は本発明の弾性波素子の一例である。
【００７０】
＜第２の実施形態＞
図９は、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の図５に相当する断面図である。なお、第２の実施形態以降において、第１の実施形態と共通または類似する構成については、第１の実施形態と同様の符号を付して説明を省略する。
【００７１】
第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１は、第１突部１３１の構成のみが、第１の実施形態のＳＡＷ装置１と相違する。具体的には、第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において線状（突条）に形成されている。
【００７２】
より具体的には、第１突部１３１は、直線状に形成され、複数設けられている。また、複数の第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において、補強層８（蓋部３７）の中央側を多重に囲む形状に延びている。なお、複数の第１突部１３１は、その端部などにおいて、他の第１突部１３１に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。第１突部１３１の突出高さおよび幅は、第１の実施形態の第１突部３１の突出高さおよび直径と同様でよい。
【００７３】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、第１突部１３１によって、補強層８の剥がれ抑制の効果が得られる。
【００７４】
さらに、第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において線状に形成されていることから、梁のように機能して、補強層８の曲げ剛性の向上に寄与する。ひいては、補強層８による蓋部３７の補強効果が増進される。
【００７５】
第１の実施形態において、図４の矢印ｙ１１、ｙ１２、およびｙ１３を参照して説明したように、カバー５には、カバー５を補強層８に対してずらそうとする力が加えられる。ここで、第１主面３ａの平面視においては、カバー５を補強層８に対してずらそうとする力は、図９において矢印ｙ１１で示すように、カバー５（補強層８）の外周側から中央側へ働く。
【００７６】
一方、線状の第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において、蓋部３７の中央側を多重に囲む形状に延びている。従って、第１の実施形態の第１突部３１などの他の形状の突部に比較して、第１突部１３１は、カバー５を補強層８に対してずらそうとする力を遮断しやすい。その結果、第２の実施形態では、補強層８のカバー５からの剥がれが効果的に抑制される。
【００７７】
＜第３の実施形態＞
図１０（ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の図５に相当する断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の領域Ｘｂの拡大図である。
【００７８】
第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１では、第１の実施形態の第１突部３１および第２突部３３が設けられていない。ただし、ＳＡＷ装置２０１では、図１０（ｂ）に示すように、カバー２０５（蓋部２３７）の上面が粗面化されている。すなわち、カバー２０５の上面には微小な凹凸が形成されている。また、下地層３９の下面は、カバー２０５の上面の凹凸に応じた形状となって、カバー２０５の上面に密着している。
【００７９】
従って、ＳＡＷ装置２０１においても、第１の実施形態と同様に、導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）とカバー２０５とが接する面積が大きくなることによって、導体層のカバー２０５からの剥がれが抑制される。
【００８０】
粗面化されたカバー２０５の上面の算術平均粗さ（レーザー顕微鏡で測定したときの算術表面粗さ）は、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下である。この算術平均粗さの粗面化は、例えば、カバー２０５の厚みが１０μｍ以上８０μｍ以下の場合および／または導体層の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下の場合に有効である。
【００８１】
また、ＳＡＷ装置２０１の蓋部２３７の上面は、第１の実施形態の蓋部３７の上面に比較して、酸素原子の含有率が高くなっている。ＳＡＷ装置２０１においては、蓋部２３７の上面は、下面（枠部３５と密着する面および振動空間１０の天井となる面）よりも酸素原子の含有率が高くなっている。
【００８２】
なお、酸素原子の含有率は、例えば、Ｘ線光電子分光(ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy)分析によって、蓋部２３７の上面または下面から数ｎｍ〜数十ｎｍの範囲で測定される。
【００８３】
また、別の観点では、蓋部２３７は、蓋部２３７の下面を含む下面側部２３７ｃと、蓋部２３７の上面を含み、下面側部２３７ｃよりも酸素の含有率が高い上面側部２３７ｄとを有している。ただし、下面側部２３７ｃおよび上面側部２３７ｄの境界は必ずしも明確でなくてもよい（酸素原子の含有率が急激に変化する境界はなくてもよい。）。
【００８４】
そして、蓋部２３７の上面と導体層（補強層８およびフランジ７ｂ）との間において、酸素原子と下地層３９の金属原子とが結合することによって、導体層の蓋部２３７の上面からの剥がれが抑制されている。なお、下地層３９は、Ｔｉ等の酸化物を形成しやすい金属であることが好ましい。
【００８５】
図１１は、ＳＡＷ装置２０１の製造方法の手順を示すフローチャートである。ただし、図１１では、図６〜図８を参照して説明した第１の実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法との相違点を中心に示し、ＳＡＷ装置１の製造方法と共通する部分については大部分を省略している。
【００８６】
ステップＳ１の処理は、図６（ｄ）の処理に対応しており、この処理まで、第１の実施形態と同様の処理が行われる。
【００８７】
ステップＳ２では、（プラズマ）アッシング処理が行われる。すなわち、基板３の第１主面３ａ側を酸素プラズマに晒す。これによって、フォトレジスト（枠部３５の除去された部分）の残渣が除去される。すなわち、デスカム処理が行われる。
【００８８】
ステップＳ３の処理は、図７（ａ）の処理に対応しており、蓋部２３７となる薄膜の形成およびその一部の除去が行われる。
【００８９】
ステップＳ４では、第１の実施形態では説明を省略したが、カバー２０５の（ポスト）ベーク（bake）が行われる。ベークの温度は、カバー２０５の樹脂が重合する温度である。これによって、残存する溶剤および水分が除去されたり、カバー２０５と基板３との密着性が向上したりする。なお、ベークの温度および時間は、カバー２０５の材料に応じて適宜に設定される。
【００９０】
ステップＳ５では、ステップＳ２と同様に、（プラズマ）アッシング処理が行われる。ただし、ステップＳ５では、ステップＳ４のベークの後にアッシングが行われている。その結果、ステップＳ５では、残渣の除去に加えて、カバー２０５の表面の粗面化も行われる。
【００９１】
なお、仮に、ステップＳ５とＳ４との順番を逆にしたとすると、アッシング処理による粗面化の効果は得られない。
【００９２】
また、カバー２０５の上面では、カバー２０５の樹脂が酸素プラズマに晒されることによって、樹脂と酸素とが結合し、酸素置換基が形成される。これによって、カバー２０５（蓋部２３７）の上面は、カバー２０５の酸素プラズマに晒されない面（例えば蓋部２３７の枠部３５との密着面および蓋部２３７の振動空間１０の天井となる面）に比較して、酸素原子の含有率が高くなる。
【００９３】
ステップＳ６の処理は、図８（ａ）の処理に対応している。そして、この処理以降は、第２の実施形態と同様の処理が行われる。なお、第１突部３１および第２突部３３を形成するための処理（図７（ｂ）および図７（ｃ）の処理）は、第３の実施形態では行われない。
【００９４】
このように、カバー２０５の上面を酸素プラズマに晒すことにより、カバー２０５の上面の粗面化、カバー２０５の上面における酸素原子の含有率の増加、およびカバー２０５におけるデスカムを同時に行うことができ、製造工程の短縮化が図られる。また、デスカムによってカバー２０５が清浄化された後に導体層（補強層８等）が形成されることから、導体層のカバー２０５からの剥がれが一層抑制される。
【００９５】
アッシング処理の条件は適宜に設定されてよい。なお、一般には、酸素プラズマの圧力が大きいほど、酸素プラズマに印加されるパワー（電力）が大きいほど、またカバー２０５を酸素プラズマに晒す時間が長いほど、カバー２０５の表面は削られ、粗面化が進む。
【００９６】
（実施例）
第３の実施形態のＳＡＷ装置および当該ＳＡＷ装置を模した試料を作製し、性能評価を行った。具体的には以下のとおりである。
【００９７】
（剥離強度評価）
第３の実施形態のＳＡＷ装置を模した試料を形成し、ＳＡＩＣＡＳ（Surface And Interfacial Cutting Analysis System）試験によって剥離強度を評価した。具体的には以下のとおりである。
【００９８】
ａ）剥離強度評価の試料の構成
試料は、以下に列挙する層がその列挙順に下から積層された積層体とした。なお、（  ）内は、実施形態のＳＡＷ装置の対応する部材の符号を示している。また、各層は、パターニングがなされない（下層の全面に形成された）、いわゆるベタ膜とした。
基板（３）：ＬｉＴａＯ３からなる４インチのウェハ
導電層（１９：１１、１２、１３）：Ａｌ−Ｃｕ合金
保護層（２５）：ＳｉＯ２
樹脂層（２０５）：エポキシ樹脂
下地層（３９）：Ｔｉ層（厚さ１５００Å）およびその上のＣｕ層（厚さ１０５００Å）
【００９９】
ｂ）剥離強度評価の試料のアッシング条件
圧力：１１Ｐａまたは７３Ｐａ
パワー（電力）：１００Ｗ
時間：３０分
なお、アッシング処理が行われない試料も用意した。また、アッシング処理が行われない試料、圧力１１Ｐａでアッシング処理が行われた試料、圧力７３Ｐａでアッシング処理が行われた試料のそれぞれについて、２つの試料を用意した。すなわち、合計６つの試料を用意した。
【０１００】
ｃ）剥離強度評価の方法
切刃によって下地層を削り取り、そのときの切刃に係る荷重を測定するＳＡＩＣＡＳ試験を採用した。具体的な条件は以下のとおりである。
装置：ダイプラ・ウィンテス社製「ＳＡＩＣＡＳ  ＮＮ−０４型」
最大垂直可動距離：５０μｍ
最大水平可動距離：５００μｍ
剥離条件：刃幅０．３ｍｍ、垂直速度２５ｎｍ／ｓｅｃ
水平速度：２５０ｎｍ／ｓｅｃ  定荷重モード
【０１０１】
ｄ）剥離強度評価の結果
切刃に加えられた水平方向の荷重の平均値を切刃の幅で除算したものを剥離強度の評価指標とした。
【０１０２】
図１２（ａ）は、その評価結果を示す図である。同図において、横軸はアッシングの圧力Ｐを示し、縦軸は、剥離強度Ｓｔを示している。圧力Ｐ＝０の試料は、アッシング処理がなされていない試料に対応している。
【０１０３】
この図に示されるように、アッシング処理が行われることによって、剥離強度が向上することが確認された。具体的には、アッシング処理が行われた場合の剥離強度は、アッシング処理が行われない場合の剥離強度の２倍程度の値を示している。なお、今回の実施例の範囲においては、アッシング処理の圧力の差による剥離強度の有意な差は認められなかった。
【０１０４】
（形状評価）
以下の条件でアッシングを行って第３の実施形態に係るＳＡＷ装置を作製した。
圧力：１６３Ｐａ
パワー（電力）：１００Ｗ
時間：３０分
【０１０５】
このときのカバー２０５の上面の高低差の変化は以下のとおりであった。なお、高低差は、主としてカバー２０５の上面の緩やかな湾曲によって生じるものであり、粗面の粗さとは異なる。
ベーク（ステップＳ４）後：４．９６μｍ
アッシング（ステップＳ５）後：５．１２μｍ
この結果から、アッシングを行っても高低差に大きな変化はないことが確認された。
【０１０６】
（膜厚評価）
以下の条件でアッシングを行って第３の実施形態に係るＳＡＷ装置を作製した。
圧力：７３Ｐａ
パワー（電力）：１００Ｗ
時間：３０分
【０１０７】
このときのアッシングによるカバー２０５の厚さの低減量は、０．５〜１μｍであった。従って、厚みが１０μｍ以上（好ましくは５５〜６０μｍ）のカバー２０５を有するＳＡＷ装置の形成に支障は生じないことが確認された。
【０１０８】
（電気特性評価）
図１２（ｂ）は、比較例の電気特性と、第３の実施形態のＳＡＷ装置の電気特性とを比較する図である。横軸は、周波数を示し、縦軸は、挿入損失を示している。比較例のＳＡＷ装置は、第３の実施形態の製造方法からアッシング処理を除いた製造方法によって作製されたものである。
【０１０９】
図１２（ｂ）において、比較例の電気特性を示す実線と、実施例の電気特性を示す実線とは殆ど重なっており、あたかも１本の線のようになっている。同図からアッシング処理によって電気特性の変化は殆ど生じないことが確認された。
【０１１０】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１１１】
上述した複数の実施形態は適宜に組み合わされてもよい。例えば、第３の実施形態の粗面化が第１または第２の実施形態に適用され、導体層から突出する突部が設けられるとともに、カバー上面が粗面化された弾性波装置が実施されてもよい。
【０１１２】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置は、圧電基板と、圧電基板の主面上に位置する弾性波素子と、弾性波素子上に位置する媒体層とを有し、圧電基板の主面と媒体層との境界を弾性境界波（広義のＳＡＷに含まれる）が伝搬する。この弾性境界波装置において、カバーは媒体層を兼ねていてもよい。換言すれば、振動空間は設けられていなくてもよい。
【０１１３】
弾性波装置において、保護層（２５）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、配線１２と絶縁体を介して立体交差する配線が設けられてもよいし、パッド１３と端子７との間に介在し、パッド１３と端子７との接着力を強化する接続強化層が設けられてもよいし、枠部と蓋部との間に導電層が設けられてもよい。
【０１１４】
カバーの上面に形成される導体層は、補強層または端子のフランジに限定されない。例えば、導体層は、インダクタ、キャパシタ、配線等の回路を構成するものであってもよい。
【０１１５】
補強層は、基準電位が付与される端子に接続されていてもよい。補強層は、振動空間よりも広いものに限定されない。例えば、補強層は、振動空間と同一形状でもよいし、振動空間に収まる広さであってもよい。また、補強層は、振動空間よりも広い場合において、振動空間の全周において枠部と重なっていなくてもよい。
【０１１６】
先端面がカバーに覆われる突部は、突出量が蓋部の厚さよりも小さいものに限定されない。例えば、振動空間よりも外周側に設けられた突部は、蓋部全体を貫通して、先端面が枠部の上面に覆われていてもよいし、蓋部全体および枠部の一部を貫通して、先端面が枠部に覆われていてもよい。
【０１１７】
補強層に点在する突部は、補強層が剥がれやすい位置において密度が高くなるように形成されてもよい。補強層に設けられるライン状の突部は、補強層の中央側を囲むものに限定されない。例えば、ライン状の突部は、網状に形成されてもよい。また、ライン状の突部が補強層の中央側を囲む場合、ライン状の突部は、直線に限定されず、曲線であってもよい。例えば、補強層の中央側を囲む同心円状に複数のライン状の突部が設けられてもよいし、補強層の中央側を囲む螺旋状に１本のライン状の突部が設けられてもよい。
【０１１８】
端子のフランジに設けられる突部（３３）は、環状に設けられるものに限定されない。フランジに設けられる突部は、第１の実施形態における補強層の突部（３１）のように、点在するものであってもよいし、放射状に延びるライン状であってもよい。
【０１１９】
本発明の第１の観点の弾性波装置、すなわち、突部の先端面がカバーに覆われる弾性波装置において、カバーを貫通する柱状部を有する端子は設けられていなくてもよい。また、本発明の第２の観点の弾性波装置、すなわち、端子の柱状部とは別個に突部が設けられた弾性波装置において、突部は、先端面がカバーに覆われていなくてもよい。すなわち、突部は、蓋部および枠部を貫通して、主面に到達していてもよい。
【０１２０】
なお、第１および第２の観点の弾性波装置は、カバー上に積層された導体層の剥がれを抑制するために、導体層からカバー内に突出する突部が設けられている点で共通の技術的特徴を有するものである。第１および第２の観点に分けて記載したのは、柱状部およびフランジを有する端子の柱状部が突部に含まれてしまうことを排除するための表現上の都合に過ぎない。ここで、端子の柱状部は、端子の本体部分であり、フランジは、ランドの面積を拡張するために柱状部に付加されたものであるから、端子の柱状部は、フランジの抜けを抑制するために設けられたものではなく、本願発明の突部とは本質的に相違する。
【０１２１】
第３の観点の弾性波装置において、酸素原子の含有率がカバーの上面と比較される部位は、カバーの上面を構成する樹脂層（実施形態では蓋部２３７）の下面であればよく、振動空間の天井を構成する面に限定されない。例えば、振動空間が形成されない弾性境界波装置において、一層の樹脂層のみによってカバーが形成される場合には、その樹脂層の上面と下面（圧電基板の主面に密着する面）とで酸素原子の含有率が比較されてよい。
【０１２２】
突部を有する弾性波装置の製造方法は、カバーの現像とは別個にカバーの上面のエッチングを行う方法に限定されない。例えば、突部が蓋部を貫通する態様においては、蓋部の現像において突部が収容される凹部が形成されてもよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、７…端子、７ｂ…フランジ（導体層）、８…補強層（導体層）、１０…振動空間、１１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３１…第１突部、３３…第２突部、３５…枠部、３７…蓋部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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