(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成され、前記第１の絶縁体膜の密度より密度が低い第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成され、前記第２の絶縁体膜の密度より密度が高い第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第２の絶縁体膜の膜厚より前記第３の絶縁体膜の膜厚が厚いことを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成され、前記第１の絶縁体膜の水素終端基濃度より水素終端基濃度が高い第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成され、前記第２の絶縁体膜の水素終端基濃度より水素終端基濃度が低い第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第２の絶縁体膜の膜厚より前記第３の絶縁体膜の膜厚が厚いことを特徴とするキャパシタ。
【請求項３】
前記第１の絶縁体膜、前記第２の絶縁体膜及び前記第３の絶縁体膜は、プラズマＣＶＤまたはスパッタリングにより成膜されるものであって、前記第１の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数は、前記第２の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数よりも低く、前記第３の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数は、前記第２の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数よりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記第１の絶縁体膜に含まれる下部電極を形成する元素の濃度よりも、前記第２の絶縁体膜に含まれる下部電極を形成する元素の濃度が低いことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第１の絶縁体膜、前記第２の絶縁体膜及び前記第３の絶縁体膜は、同一の絶縁体材料により形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記半導体基板は、化合物半導体により形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項７】
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成され、前記第１の絶縁体膜の密度より密度が低い第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成され、前記第２の絶縁体膜の密度より密度が高い第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第２の絶縁体膜の膜厚より前記第３の絶縁体膜の膜厚が厚いキャパシタを含むことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波用途に対応した半導体集積回路等においては、各種の受動素子を有しており、このような受動素子として、ＭＩＭ（Metal Insulation Metal）キャパシタがある。このような半導体集積回路としては、化合物半導体により形成された高周波用途で高出力が可能な半導体集積回路等があり、半導体集積回路を形成するトランジスタの動作電圧の高電圧化に伴い、ＭＩＭキャパシタの高耐圧化が望まれている。特に、ＧａＮ等の窒化物半導体を用いた半導体集積回路においては、トランジスタにおける動作電圧が高いため、より一層ＭＩＭキャパシタの高耐圧化が望まれている。
【０００３】
このような化合物半導体により形成されたＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuits）等に用いられるＭＩＭキャパシタは、信頼性等の観点からトランジスタの動作電圧よりも十分に高い絶縁破壊耐性が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３５８３０号公報
【特許文献２】特開平１１−２６７０６号公報
【特許文献３】特開２００４−２２１４４６号公報
【特許文献４】特開２００７−２３４７２６号公報
【特許文献５】特開２００８−２８２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、一般的なＭＩＭキャパシタは、図１に示されるように、化合物材料からなる半導体基板１０１上に、下部電極１０２、窒化珪素（ＳｉＮ）等からなる絶縁体膜１０３、上部電極１０４を積層形成することにより形成される。尚、下部電極１０２及び上部電極１０４は、Ａｕ又はＡｌ等の金属材料により形成されている。この絶縁体膜１０３となるＳｉＮは、通常、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により成膜される場合が多い。しかしながら、プラズマＣＶＤにより絶縁性に優れたＳｉＮ膜を成膜する際、プラズマにより発生したイオンが、下地となる下部電極１０２に衝撃を与えてしまう。このイオン衝撃により、下部電極１０２を形成している金属材料の金属成分１０５が、絶縁体膜１０３となるＳｉＮ膜内に含まれてしまい、絶縁体膜１０３における絶縁破壊耐圧を低下させ、形成される半導体集積回路の信頼性を低下させてしまう。
【０００６】
また、絶縁体膜１０３をＳｉＮにより形成する場合、図２に示されるように、絶縁体膜１０３にピンホール１０６が形成されてしまう場合があり、このようなピンホール１０６により下部電極１０２と上部電極１０４との間の実効電極間距離が短くなってしまう。即ち、絶縁体膜１０３に形成されたピンホール内に上部電極１０４等の金属材料が入り込み、絶縁体膜１０３における実効電極間距離が短くなり、絶縁体膜１０３における絶縁破壊耐圧を低下させ、形成される半導体集積回路の信頼性を低下させてしまう。
【０００７】
このようなＭＩＭキャパシタでは、例えば、絶縁体膜１０３の膜厚が、２００〜３００ｎｍのものであっても、約７０Ｖの印加電圧により絶縁破壊を起こしてしまう。
【０００８】
このため、高い絶縁破壊耐圧のＭＩＭキャパシタ、例えば、絶縁破壊耐圧が２００Ｖ以上のＭＩＭキャパシタが望まれており、更には、このような高い絶縁破壊耐圧のＭＩＭキャパシタを有する半導体装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施の形態の一観点によれば、半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、前記第１の絶縁体膜上に形成され、前記第１の絶縁体膜の密度より密度が低い第２の絶縁体膜と、前記第２の絶縁体膜上に形成され、前記第２の絶縁体膜の密度より密度が高い前記第３の絶縁体膜と、前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、を有し、前記第２の絶縁体膜の膜厚より前記第３の絶縁体膜の膜厚が厚いことを特徴とする。
【００１０】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、前記第１の絶縁体膜上に形成され、前記第１の絶縁体膜の水素終端基濃度より水素終端基濃度が高い第２の絶縁体膜と、前記第２の絶縁体膜上に形成され、前記第２の絶縁体膜の水素終端基濃度より水素終端基濃度が低い第３の絶縁体膜と、前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、を有し、前記第２の絶縁体膜の膜厚より前記第３の絶縁体膜の膜厚が厚いことを特徴とする。
【００１１】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、前記第１の絶縁体膜上に形成され、前記第１の絶縁体膜の密度より密度が低い第２の絶縁体膜と、前記第２の絶縁体膜上に形成され、前記第２の絶縁体膜の密度より密度が高い第３の絶縁体膜と、前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、を有し、前記第２の絶縁体膜の膜厚より前記第３の絶縁体膜の膜厚が厚いキャパシタを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
開示のキャパシタ及び半導体装置によれば、ＭＩＭキャパシタの絶縁破壊耐圧を高めることができ、高周波高出力が求められる化合物半導体からなる半導体集積回路において、高い信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ＭＩＭキャパシタにおける課題の説明図（１）
【図２】ＭＩＭキャパシタにおける課題の説明図（２）
【図３】プリカーサ運動エネルギーと耐電極密着性との相関図
【図４】プリカーサ運動エネルギーと絶縁破壊耐圧との相関図
【図５】第１の実施の形態におけるＭＩＭキャパシタの構造図
【図６】第１の実施の形態における半導体装置の構造図
【図７】第２の実施の形態におけるＭＩＭキャパシタの構造図
【図８】実施例１におけるＭＩＭキャパシタの製造方法の工程図（１）
【図９】実施例１におけるＭＩＭキャパシタの製造方法の工程図（２）
【図１０】ＭＩＭキャパシタにおける印加電圧とリーク電流との相関図
【図１１】実施例２におけるＭＩＭキャパシタの製造方法の工程図（１）
【図１２】実施例２におけるＭＩＭキャパシタの製造方法の工程図（２）
【発明を実施するための形態】
【００１４】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、高周波高出力が求められる半導体装置に用いられるＭＩＭキャパシタである。
【００１６】
最初に、図１に示されるように、ＭＩＭキャパシタにおいて、下部電極１０２を形成している金属成分１０５が絶縁体膜１０３に混入してしまう原因について検討を行った内容について説明する。図１に示されるＭＩＭキャパシタを作製する場合、絶縁体膜１０３における絶縁破壊耐圧ができるだけ高くなる成膜条件で成膜することにより、絶縁破壊耐圧の高いＭＩＭキャパシタが得られるため、絶縁体膜１０３は絶縁破壊耐圧の高い成膜条件で成膜が行われる。ところで、絶縁体膜１０３であるＳｉＮ等の成膜は、通常、プラズマＣＶＤ等の成膜方法により行われる。プラズマＣＶＤ等において、絶縁破壊耐圧の高い成膜条件により絶縁体膜１０３を成膜する場合、いわゆる成膜時のプリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件となる。これは、成膜時のプリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件の方が、導入されたガスをより完全に分離することができ、緻密な膜となり、不純物材料が混入することのない、絶縁破壊耐圧の高い絶縁体膜１０３が得ることができるからである。
【００１７】
しかしながら、成膜時のプリカーサ運動エネルギーが高い成膜条件では、成膜の際に、下地となる下部電極１０２におけるイオン衝撃（絶縁体膜１０３を成膜するための元素のイオン衝撃）が強くなる。よって、このイオン衝撃により、下部電極１０２を形成している金属材料が飛散し、絶縁体膜１０３内に金属成分１０５として拡散等してしまう。このように、絶縁体膜１０３内に金属成分１０５が含まれてしまうと、絶縁破壊耐圧が高い成膜条件で絶縁体膜１０３を形成した場合においても、形成される絶縁体膜１０３の絶縁破壊耐圧は低下してしまう。
【００１８】
一方、ＳｉＮ等の絶縁体膜１０３を成膜する際に、成膜時のプリカーサ運動エネルギーの低い成膜条件であれば、成膜時に下部電極１０２におけるイオン衝撃も低くなる。よって、このような条件であれば、成膜されるＳｉＮ等の絶縁体膜１０３内に下部電極１０２を形成している金属材料の金属成分１０５が混入することは殆どない。しかしながら、成膜時のプリカーサ運動エネルギーが低い成膜条件では、導入されたガスの分離が不完全であるため、緻密な膜とはならず、不純物材料が混入してしまい、絶縁破壊耐圧の低い絶縁体膜しか得ることができない。
【００１９】
次に、図２に示されるような絶縁体膜１０３におけるピンホール１０６の発生の原因について検討を行った内容について説明する。通常、絶縁体膜１０３の成膜は、成膜開始から成膜終了に至るまで同一条件で行われるため、いわゆる成膜モードは同じである。成膜モードが同じ場合では、成膜の際の下地の影響を継続的に受けて膜成長し絶縁体膜１０３が成膜される。よって、下地または成膜開始時において、ピンホール１０６の形成に起因する部分等が発生している場合には、その部分等の影響を反映して絶縁体膜１０３が成膜され、このためピンホールが形成されるものと考えられる。
【００２０】
次に、プラズマＣＶＤにより絶縁体膜を成膜する場合におけるプリカーサ運動エネルギーと成膜される膜の特性の関係について説明する。具体的には、図３に基づき成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーと対電極密着性との関係、図４に基づき成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーと絶縁破壊耐圧との関係について説明する。
【００２１】
図３に示されるように、成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーが高いほど対電極密着性が強くなり、プリカーサ運動エネルギーが低いほど対電極密着性が弱くなる傾向にある。尚、プラズマＣＶＤにおいては、成膜の際にプラズマを生成するために印加する交流電界の周波数を低くすることにより、成膜時のプリカーサ運動エネルギーを高くすることができる。一方、印加する交流電界の周波数を高くすることにより、成膜時のプリカーサ運動エネルギーは低くすることができる。前述したように、成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーが高い条件では、下地となる下部電極へのイオン衝撃により、絶縁体膜内に下部電極を形成する金属材料が拡散等し、下部電極と絶縁体膜との密着性を高めることができる。一方、成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーが低い条件では、下地となる下部電極へのイオン衝撃が殆どないため、絶縁体膜に下部電極を形成する金属材料が拡散等することなく、下部電極と絶縁体膜との密着性は低いものとなる。尚、本実施の形態では、２種類の異なる周波数の交流電界を用いて成膜するものである。よって、２種類の周波数のうち、一方の印加される交流電界の周波数が低い条件を交流電界の周波数が低い条件といい、これに対し、他方の印加される交流電界の周波数が高い条件を交流電界の周波数が高い条件という。２種類以上の周波数であっても、高い周波数と低い周波数との２種類の群の周波数を用いて成膜する場合においても同様である。また、本実施の形態では、２種類の異なるプリカーサ運動エネルギーのうち、一方のプリカーサ運動エネルギーが低い条件をプリカーサ運動エネルギーが低い条件といい、他方のプリカーサ運動エネルギーが高い条件をプリカーサ運動エネルギーが高い条件という。
【００２２】
また、図４に示されるように、成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーが高いほど絶縁破壊耐圧が高くなり、プリカーサ運動エネルギーが低いほど絶縁破壊耐圧が低くなる傾向にある。尚、図４に示す絶縁破壊耐圧は下地の影響を受けない場合を想定したものである。このように、成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーが高いほど、絶縁破壊耐圧が高くなるのは、プリカーサ運動エネルギーが高いほど、密度の高い緻密な膜が形成され、不純物の混入も少なく、水素終端基濃度が低くなることによるものと考えられる。逆に、成膜時におけるプリカーサ運動エネルギーが低いほど絶縁破壊耐圧が低くなるのは、プリカーサ運動エネルギーが低いほど、密度の低い膜が形成され、不純物の混入も多くなり、水素終端基濃度が高くなることによるものと考えられる。
【００２３】
次に、図５に基づき本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、ＧａＮ等の窒化物半導体等からなる半導体基板１１の表面に不図示の窒化珪素（ＳｉＮ）膜を下地膜として形成したものの上に形成する。
【００２４】
最初に、下部電極１２を形成する。具体的には、半導体基板１１の表面に形成された不図示の下地膜上に、下部電極１２を形成するための不図示のレジストパターン等を形成する。このレジストパターンは、下部電極１２が形成される領域に開口部を有するものであり、フォトレジストの塗布、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより形成する。この後、真空蒸着によりＴｉ膜及びＡｕ膜を含む金属膜を成膜し、その後、リフトオフによりレジストパターン上に形成された金属膜をレジストパターンと共に除去する。これにより、Ｔｉ／Ａｕの積層構造からなる下部電極１２を形成する。
【００２５】
次に、下部電極１２上に、第１の絶縁体膜１３を形成する。第１の絶縁体膜１３は、下部電極１２との密着性を確保するために形成されるものである。よって、形成される第１の絶縁体膜１３は、プラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜される。具体的には、第１の絶縁体膜１３は、プラズマＣＶＤにおいて低い周波数の電界を印加して成膜する。形成される第１の絶縁体膜１３としては、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料等が挙げられる。この第１の絶縁体膜１３は、下部電極１２との密着性を確保するためのものであり、形成される膜厚は、密着性を確保するために最低限の膜厚であればよく、例えば、１０〜２０ｎｍが好ましい。このように形成された第１の絶縁体膜１３は、プリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜されるため、第１の絶縁体膜１３には、下部電極１２を形成する金属材料の元素（金属成分）が拡散等して、金属成分が含まれている膜となる。
【００２６】
次に、第１の絶縁体膜１３上に、第２の絶縁体膜１４を形成する。第２の絶縁体膜１４は、下部電極１２を形成する金属材料の拡散等を防ぐために形成されるものである。よって、形成される第２の絶縁体膜１４は、プラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの低い条件により成膜される。具体的には、第２の絶縁体膜１４は、プラズマＣＶＤにおいて高い周波数の電界を印加して成膜する。このように形成された第２の絶縁体膜１４は、第２の絶縁体膜１４を成膜する際のイオン衝撃が低いため、下部電極１２を形成する金属材料は殆ど含まれることはない。ここで、形成される第２の絶縁体膜１４としては、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料等が挙げられる。第２の絶縁体膜１４は、下部電極１２を形成する金属材料の拡散等を防ぐためのものであり、この条件で成膜された絶縁体膜の耐圧も低いことから、第２の絶縁体膜１４の膜厚は、できるだけ薄い方が好ましく、例えば、１０〜２０ｎｍが好ましい。尚、第１の絶縁体膜１３と第２の絶縁体膜１４とは、同じ材料、即ち、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料により形成されている。一般的に、同じ材料同士における密着性は比較的強いことから、第１の絶縁体膜１３と第２の絶縁体膜１４との間において、付着力が問題になることはない。以上より、第１の絶縁体膜１３には、下部電極１２を形成する金属材料が拡散等し、金属材料を一部含んでいる膜となるが、第２の絶縁体膜１４は、下部電極１２を形成する金属材料が含まれていない膜を形成することができる。
【００２７】
次に、第２の絶縁体膜１４上に、第３の絶縁体膜１５を形成する。第３の絶縁体膜１５は、絶縁性を確保するために形成するものである。よって、形成される第３の絶縁体膜１５は、プラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜される。具体的には、第３の絶縁体膜１５は、プラズマＣＶＤにおいて低い周波数の電界を印加して成膜する。このような条件で成膜された第３の絶縁体膜１５は、図４に示されるように、絶縁破壊耐圧が高い膜となる。ここで、形成される第２の絶縁体膜１５としては、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料等が挙げられる。尚、第２の絶縁体膜１４には、下部電極１２を形成する金属成分が含まれていない。よって、第３の絶縁体膜１５を成膜する際の条件が、プリカーサ運動エネルギーが高く、イオン衝撃が強い条件であっても、第３の絶縁体膜１５中に下部電極１２を形成する金属成分が含まれることはない。また、第２の絶縁体膜１４と第３の絶縁体膜１５とは、同じ材料、即ち、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料で形成されている。前述のとおり、一般的に、同じ材料同士における密着性は比較的強いことから、第２の絶縁体膜１４と第３の絶縁体膜１５との間において、付着力が問題になることはない。尚、形成される第３の絶縁体膜１５の膜厚は、所望の絶縁破壊耐圧を確保するのに必要な膜厚が形成される。
【００２８】
次に、第３の絶縁体膜１５上に、上部電極１６を形成する。上部電極１６の形成方法は、下部電極１２を形成する場合と同様の方法により形成する。これにより、第１の絶縁体層１３、第２の絶縁体層１４及び第３の絶縁体層１５を絶縁体層とするＭＩＭキャパシタが形成される。
【００２９】
このようにして形成された本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、下部電極１２への高い密着性と高い絶縁破壊耐圧という特徴を有するものである。即ち、下部電極１２上にプリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件により第１の絶縁体膜１３が成膜されているため、下部電極１２と第１の絶縁体膜１３との密着性は高い。また、第１の絶縁体膜１３、第２の絶縁体膜１４及び第３の絶縁体膜１５は、同一の材料により形成されているため、第１の絶縁体膜１３と第２の絶縁体膜１４との密着性、第２の絶縁体膜１４と第３の絶縁体膜１５との密着性は高い。よって、下部電極１２と第１の絶縁体層１３、第２の絶縁体層１４及び第３の絶縁体層１５との全体の密着性は高い。
【００３０】
また、第２の絶縁体膜１４は、プリカーサ運動エネルギーの低い成膜条件により成膜されているため、下部電極１２を形成する金属成分は殆ど含まれていない。よって、第３の絶縁体膜１５は、この第２の絶縁体膜１４上に成膜されるため、第３の絶縁体膜１５をプリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件により成膜した場合においても、第３の絶縁体膜１５には下部電極１２を形成する金属成分が含まれることはない。また、第３の絶縁体膜１５をプリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件により成膜することにより、絶縁破壊耐圧を高くすることができる。よって、第３の絶縁体膜１５を第１の絶縁体膜１３及び第２の絶縁体膜１４よりも厚く形成することにより、第１の絶縁体層１３、第２の絶縁体層１４及び第３の絶縁体層１５からなる絶縁体層の全体の絶縁破壊耐圧を高めることができる。これにより、絶縁破壊耐性の高い本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタを得ることができる。
【００３１】
本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、様々な半導体装置に用いることが可能であり、化合物半導体により形成される半導体装置、特に、動作電圧の高いＧａＮ等の窒化物半導体に用いることが好ましい。尚、本実施の形態における半導体装置は、本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタを含んだ構造のものであり、半導体基板１１上に形成される不図示の半導体素子を含んだ構造のものである。例えば、図６に示すように、同一の半導体基板１１上に、化合物半導体材料により形成される半導体素子４０を有しているものである。この半導体素子４０には必要に応じて下部電極１２及び上部電極１６が接続されている。
【００３２】
また、本実施の形態における説明では、第１の絶縁体層１３、第２の絶縁体層１４及び第３の絶縁体層１５をプラズマＣＶＤにより形成する方法について説明したが、プラズマを発生させて成膜する方法、または、プラズマに限らず被着元素が運動エネルギーを有する方法であれば、スパッタリング等の方法であってもよい。また、本実施の形態では、ＧａＮ等の窒化物半導体材料を用いた半導体装置の場合について説明したが、動作電圧の高い半導体材料を用いた半導体装置であれば同様である。特に、動作電圧の高い化合物半導体を用いた半導体装置において用いることが好ましく、より好ましくは、動作電圧の高い窒化物半導体を用いた半導体装置であり、更には、ＧａＮを用いた半導体装置に用いることが好ましい。また、第１の絶縁体層１３、第２の絶縁体層１４及び第３の絶縁体層１５は、同一の材料により形成されることが好ましいが、ＳｉＮ以外の絶縁体材料、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２等を用いることも可能である。
【００３３】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態とは異なる構造のＭＩＭキャパシタである。
【００３４】
本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、絶縁体膜の成膜をプラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜される絶縁体膜と、プリカーサ運動エネルギーの低い条件により成膜される絶縁体膜とを交互に形成した構造のものである。即ち、上述したように、絶縁体膜中のピンホールは、単一の成膜モードにより絶縁体膜を形成することにより生じるものと考えられる。よって、所定の膜厚毎に絶縁体膜を成膜する際の成膜モードを変化させることにより、たとえピンホールの発生に起因する部分が形成されたとしても別の成膜モードにより成膜することにより、ピンホールの発生に起因する部分にも成膜することができる。従って、ピンホールが形成されることを防ぐことができるものと考えられる。尚、第１の実施の形態においても、成膜モードの異なる条件により絶縁体膜を形成したものであるため、初期のピンホールの発生を防ぐことが可能ではあるが、本実施の形態は、より確実に絶縁体膜におけるピンホールの発生を防ぐことができるものである。
【００３５】
次に、図７に基づき本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、ＧａＮ等の窒化物半導体等からなる半導体基板５１の表面に不図示の窒化珪素（ＳｉＮ）膜を下地膜として形成したものの上に形成する。
【００３６】
最初に、下部電極５２を形成する。具体的には、半導体基板５１の表面に形成された不図示の下地膜上に、下部電極５２を形成するための不図示のレジストパターン等を形成する。このレジストパターンは、下部電極５２が形成される領域に開口部を有するものであり、フォトレジストの塗布、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより形成する。この後、真空蒸着によりＴｉ膜及びＡｕ膜を含む金属膜を成膜し、その後、リフトオフによりレジストパターン上に形成された金属膜をレジストパターンと共に除去する。これにより、Ｔｉ／Ａｕの積層構造からなる下部電極５２を形成する。
【００３７】
次に、下部電極５２上に、第１の絶縁体膜５３を形成する。第１の絶縁体膜５３は、下部電極５２との密着性を確保するために形成するものである。よって、形成される第１の絶縁体膜５３は、プラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜する。具体的には、第１の絶縁体膜５３は、プラズマＣＶＤにおいて低い周波数の電界を印加して成膜する。形成される第１の絶縁体膜５３としては、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料等が挙げられる。第１の絶縁体膜５３は、下部電極５２との密着性を確保するためのものであり、形成される膜厚は、密着性を確保するために最低限の膜厚であればよく、例えば、１０〜２０ｎｍが好ましい。このように形成された第１の絶縁体膜５３は、プリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜されるため、第１の絶縁体膜５３には、下部電極５２を形成する金属材料の元素（金属成分）が拡散等してしまい、金属成分が含まれている膜となる。
【００３８】
次に、第１の絶縁体膜５３上に、第２の絶縁体膜５４を形成する。第２の絶縁体膜５４は、下部電極５２を形成する金属材料の拡散等を防ぐために形成されるものである。よって、形成される第２の絶縁体膜５４は、プラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの低い条件により成膜する。具体的には、第２の絶縁体膜５４は、プラズマＣＶＤにおいて高い周波数の電界を印加して成膜する。このように形成された第２の絶縁体膜５４は、第２の絶縁体膜５４を成膜する際のイオン衝撃が低いため、下部電極５２を形成する金属材料が殆ど含まれることはない。ここで、形成される第２の絶縁体膜５４としては、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料等が挙げられる。第２の絶縁体膜５４は、下部電極５２を形成する金属材料の拡散等を防ぐためのものであり、この条件で成膜された絶縁体膜の耐圧も低いことから、第２の絶縁体膜５４の膜厚は、できるだけ薄く形成されていることが好ましく、例えば、１０〜２０ｎｍが好ましい。尚、第１の絶縁体膜５３と第２の絶縁体膜５４とは、同じ材料、即ち、ＳｉＮ等の窒化物絶縁材料で形成されている。上述のとおり、一般的に、同じ材料同士における密着性は強いため、第１の絶縁体膜５３と第２の絶縁体膜５４との間において、付着力が問題になることはない。以上より、第１の絶縁体膜５３には、下部電極５２を形成する金属材料が拡散等し、金属材料が一部含まれた膜となるが、第２の絶縁体膜５４は、下部電極５２を形成する金属材料が含まれていない膜が形成される。
【００３９】
次に、第２の絶縁体膜５４上に、第３の絶縁体膜５５を形成する。第３の絶縁体膜５５は、絶縁性を確保するために形成するものである。即ち、ピンホールの発生をできるだけ確実に防ぐことにより絶縁性を確保し、信頼性を高めるためである。具体的には、形成される第３の絶縁体膜５５は、プラズマＣＶＤによりプリカーサ運動エネルギーの高い条件により成膜した第１の絶縁層５５ａとプリカーサ運動エネルギーの低い条件により成膜した第２の絶縁層５５ｂとを交互に成膜することにより形成する。言い換えれば、第３の絶縁体膜５５の成膜方法は、プラズマＣＶＤにおいて低い周波数の電界を印加して第１の絶縁層５５ａを成膜する工程と、高い周波数の電界を印加して第２の絶縁層５５ｂを成膜する工程と、を交互に行うものである。
【００４０】
プラズマＣＶＤにおいては、成膜の際に印加される電界の周波数が高い場合と低い場合とでは成膜モードが異なる。即ち、成膜の際の電界の周波数が低い場合にはイオン性プラズマが生成されてＳｉＮ等の絶縁体膜が成膜され、成膜の際の電界の周波数が高い場合にはラジカル性プラズマが生成されてＳｉＮ等の絶縁体膜が成膜される。従って、成膜の際に印加される電界の周波数が高い場合と低い場合とでは成膜モードが異なるため、たとえピンホールの発生に起因する部分が形成されたとしても、別の異なる成膜モードで成膜することにより、ピンホールの発生を防ぐことができる。
【００４１】
次に、第３の絶縁体膜５５上に、上部電極５６を形成する。上部電極５６の形成方法は、下部電極５２を形成する場合と同様の方法により形成する。これにより、第１の絶縁体層５３、第２の絶縁体層５４及び第３の絶縁体層５５を絶縁体層とするＭＩＭキャパシタが形成される。
【００４２】
本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、様々な半導体装置に用いることが可能であり、動作電圧の高い化合物半導体により形成される半導体装置、特に、動作電圧の高いＧａＮ等の窒化物半導体に用いることが好ましい。尚、本実施の形態における半導体装置は、本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタを含んだ構造のものであり、半導体基板５１上に形成される不図示の半導体素子を含んだ構造のものである。
【００４３】
本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、ピンホールの発生を防ぐことのできる構造のものであるため、ピンホールのない信頼性の高いＭＩＭキャパシタを得ることがでる。これにより、本実施の形態における半導体装置の歩留まりの低下を防ぐことができる。
【００４４】
尚、本実施の形態における説明では、第１の絶縁体層５３、第２の絶縁体層５４及び第３の絶縁体層５５をプラズマＣＶＤにより形成する方法について説明したが、プラズマを発生させて成膜する方法、または、プラズマに限らず被着元素が運動エネルギーを有する方法であれば、スパッタリング等の方法であってもよい。また、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【実施例】
【００４５】
（実施例１）
実施例１として、第１の実施の形態におけるＭＩＭキャパシタの製造方法について、図８及び図９に基づき説明する。
【００４６】
最初に、図８（ａ）に示すように、ＧａＮ等の化合物半導体からなる半導体基板１１上に下地となる窒化珪素（ＳｉＮ）膜２０を形成する。具体的には、半導体基板１１上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜２０を形成する。
【００４７】
次に、図８（ｂ）に示すように、下部電極を形成するための２層パターン２１を形成する。２層パターン２１は、アルカリ可溶性樹脂層２２とフォトレジスト２３により形成する。具体的には、アルカリ可溶性樹脂層２２は、ＳｉＮ膜２０上に、アルカリ可溶性樹脂としてＰＭＧＩ（米国マイクロケム社製アルカリ可溶性樹脂）をスピンコートにより約５００ｎｍ塗布した後、１８０℃で加熱することにより形成する。次に、アルカリ可溶性樹脂層２２上に、紫外線レジストＰＦＩ−３２Ａ（住友化学製）をスピンコートにより、約１０００ｎｍ塗布した後、１１０℃で加熱する。この後、紫外線露光装置により露光、現像を行う。これにより開口領域２４ａと開口領域２４ｂからなる開口領域２４が形成される。現像に用いた現像液はＭＮＤ−Ｗ（東京応化製）であり、フォトレジスト２３の所定の領域とアルカリ可溶性樹脂層２２を溶解させることが可能である。よって、現像を行うことにより、フォトレジスト２３の所定の領域に開口領域２４ａが形成され、この開口領域２４ａより侵入した現像液によりアルカリ可溶性樹脂層２２は徐々に等方的に溶解され開口領域２４ｂが形成される。このため開口領域２４ｂは開口領域２４ａよりも広い開口が形成される。
【００４８】
次に、図８（ｃ）に示すように、下部電極となる金属膜２５を成膜する。この金属膜２５は、後述する下部電極１２を形成するためのものであり、真空蒸着法により、Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）を成膜することにより形成する。このようにして形成された金属膜２５は、開口領域２４内のＳｉＮ膜２０上に形成されるは金属膜２５ａと、２層パターン２１上に形成される金属膜２５ｂからなるものである。
【００４９】
次に、図８（ｄ）に示すように、加熱した有機溶媒を用いたリフトオフを行うことにより下部電極１２を形成する。具体的には、加熱した有機溶媒により２層パターン２１であるアルカリ可溶性樹脂層２２とフォトレジスト２３が溶解され、２層パターン２１上に形成された金属膜２５ｂを除去する。これにより残存した金属膜２５ａにより下部電極１２が形成される。
【００５０】
次に、図８（ｅ）に示すように、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁体膜１３を成膜する。第１の絶縁体膜１３は、ＳｉＨ４を流量７ｓｃｃｍ、Ｎ２を流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数３８０ｋＨｚ、印加電力１００Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力５００ｍＢａｒの成膜条件により、第１の絶縁体膜１３となるＳｉＮ膜を１０ｎｍ成膜する。尚、第１の絶縁体膜１３を成膜する際のプラズマＣＶＤの成膜条件は、プリカーサ運動エネルギーが高いため、下部電極１２を形成する金属材料を第１の絶縁体膜１３中に含んだ状態で形成される。また、この条件で形成されるＳｉＮの密度は、約２．８〜３．０ｇ／ｃｍ３であり、水素終端基濃度は、約５×１０２１個／ｃｍ３である。
【００５１】
次に、図８（ｆ）に示すように、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁体膜１４を成膜する。第２の絶縁体膜１４は、ＳｉＨ４を流量３ｓｃｃｍ、Ｎ２を流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力５０Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力１０００ｍＢａｒの成膜条件により、第２の絶縁体膜１４となるＳｉＮ膜を成膜する。尚、第２の絶縁体膜１４をプラズマＣＶＤの成膜条件により成膜する際のプリカーサ運動エネルギーは、第１の絶縁体膜１３を形成する場合のプリカーサ運動エネルギーよりも低い条件である。よって、下部電極１２を形成する金属材料は第２の絶縁体膜１４中には殆ど含まれることはない。尚、この条件で形成されるＳｉＮの密度は、約２．４〜２．８ｇ／ｃｍ３であり、水素終端基濃度は、約１×１０２２個／ｃｍ３である。よって、第１の絶縁膜１３よりも、密度は低く、水素終端基濃度は高い。
【００５２】
次に、図９（ｇ）に示すように、プラズマＣＶＤにより第３の絶縁体膜１５を成膜する。第３の絶縁体膜１５は、ＳｉＨ４を流量７ｓｃｃｍ、Ｎ２を流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数３８０ｋＨｚ、印加電力１００Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力５００ｍＢａｒの成膜条件により、第３の絶縁体膜１５となるＳｉＮ膜を２００ｎｍ成膜する。尚、第３の絶縁体膜１５を成膜する際のプラズマＣＶＤの成膜条件におけるプリカーサ運動エネルギーは、第２の絶縁体膜１４を形成する場合のプリカーサ運動エネルギーよりも高い条件であるため、絶縁破壊耐圧の高い膜となる。また、この条件で形成されるＳｉＮの密度は、約２．８〜３．０ｇ／ｃｍ３であり、水素終端基濃度は、約５×１０２１個／ｃｍ３である。よって、第２の絶縁膜１４よりも、密度は高く、水素終端基濃度は低い。
【００５３】
次に、図９（ｈ）に示すように、上部電極を形成するための２層パターン２６を形成する。２層パターン２６は、アルカリ可溶性樹脂層２７とフォトレジスト２８により形成されるものであり、２層パターン２６は２層パターン２１と同様の材料により、同様の方法により形成する。この後、紫外線露光装置により露光、現像を行う。これにより開口領域２９ａと開口領域２９ｂからなる開口領域２９が形成される。このように形成された開口領域２９には、開口領域２４の場合と同様に、開口領域２９ｂは開口領域２９ａよりも開口が広く形成される。
【００５４】
次に、図９（ｉ）に示すように、上部電極となる金属膜３０を成膜する。この金属膜３０は、後述する上部電極１６を形成するためのものであり、真空蒸着法により、Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）を成膜することにより形成する。このようにして形成された金属膜３０は、開口領域２９内の第３の絶縁体膜１５上に形成される金属膜３０ａと、２層パターン２６上に形成される金属膜３０ｂからなる。
【００５５】
次に、図９（ｊ）に示すように、加熱した有機溶媒を用いたリフトオフを行うことにより下部電極１６を形成する。加熱した有機溶媒により２層パターン２６であるアルカリ可溶性樹脂層２７とフォトレジスト２８が溶解されて、２層パターン２６上に形成された金属膜３０ｂを除去する。これにより残存した金属膜３０ａにより上部電極１６が形成される。
【００５６】
これにより、本実施例におけるＭＩＭキャパシタを作製することができる。
【００５７】
図１０に、本実施例により形成されたＭＩＭキャパシタの印加電圧とリーク電流との関係を示す。図１０に示されるように、本実施の形態におけるＭＩＭキャパシタは、図１等に示される構造の従来のＭＩＭキャパシタと比べ、印加電圧を約２０Ｖ程度高くすることができる。
【００５８】
（実施例２）
実施例２として、第２の実施の形態におけるＭＩＭキャパシタの製造方法について、図１１及び図１２に基づき説明する。
【００５９】
最初に、図１１（ａ）に示すように、ＧａＮ等の化合物半導体からなる半導体基板５１上に下地膜となる窒化珪素（ＳｉＮ）膜６０を形成する。具体的には、半導体基板５１上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜６０を形成する。
【００６０】
次に、図１１（ｂ）に示すように、下部電極を形成するための２層パターン６１を形成する。２層パターン６１は、アルカリ可溶性樹脂層６２とフォトレジスト６３により形成する。具体的には、アルカリ可溶性樹脂層６２は、ＳｉＮ膜６０上に、アルカリ可溶性樹脂としてＰＭＧＩをスピンコートにより約５００ｎｍ塗布した後、１８０℃で加熱することにより形成する。次に、アルカリ可溶性樹脂層６２上に、紫外線レジストＰＦＩ−３２Ａをスピンコートにより、約１０００ｎｍ塗布した後、１１０℃で加熱する。この後、紫外線露光装置により露光、現像を行う。これにより開口領域６４ａと開口領域６４ｂからなる開口領域６４が形成される。現像に用いた現像液はＭＮＤ−Ｗ（東京応化製）であり、フォトレジスト６３の所定の領域とアルカリ可溶性樹脂層６２を溶解させることが可能である。よって、現像を行うことにより、フォトレジスト６３の所定の領域に開口領域６４ａが形成され、この開口領域６４ａより侵入した現像液によりアルカリ可溶性樹脂層６２は徐々に等方的に溶解され、開口領域６４ｂが形成される。このため開口領域６４ｂは開口領域６４ａよりも広い開口が形成される。
【００６１】
次に、図１１（ｃ）に示すように、下部電極となる金属膜６５を成膜する。この金属膜６５は、後述する下部電極５２を形成するためのものであり、真空蒸着法により、Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）を成膜することにより形成する。このようにして形成される金属膜６５は、開口領域６４内のＳｉＮ膜６０上に形成されるは金属膜６５ａと、２層パターン６１上に形成される金属膜６５ｂからなる。
【００６２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、加熱した有機溶媒を用いたリフトオフを行うことにより下部電極５２を形成する。加熱した有機溶媒により２層パターン６１であるアルカリ可溶性樹脂層６２とフォトレジスト６３を溶解し、２層パターン６１上に形成された金属膜６５ｂを除去する。これにより残存した金属膜６５ａにより下部電極５２が形成される。
【００６３】
次に、図１１（ｅ）に示すように、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁体膜５３を成膜する。第１の絶縁体膜５３は、ＳｉＨ４を流量７ｓｃｃｍ、Ｎ２を流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数３８０ｋＨｚ、印加電力１００Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力５００ｍＢａｒの成膜条件により、第１の絶縁体膜５３となるＳｉＮ膜を１０ｎｍ成膜する。尚、第１の絶縁体膜５３を成膜する際のプラズマＣＶＤの成膜条件は、プリカーサ運動エネルギーが高いため、下部電極５２を形成する金属材料を第１の絶縁体膜５３中に含んだ状態で形成される。
【００６４】
次に、図１１（ｆ）に示すように、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁体膜５４を成膜する。第２の絶縁体膜５４は、ＳｉＨ４を流量３ｓｃｃｍ、Ｎ２を流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力５０Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力１０００ｍＢａｒの成膜条件により、第２の絶縁体膜５４となるＳｉＮ膜を成膜する。尚、第２の絶縁体膜５４を成膜する際のプラズマＣＶＤの成膜条件におけるプリカーサ運動エネルギーは、第１の絶縁体膜５３を形成する場合のプリカーサ運動エネルギーよりも低い条件である。よって、下部電極５２を形成する金属材料は第２の絶縁体膜５４中には殆ど含まれることはない。
【００６５】
次に、図１２（ｇ）に示すように、プラズマＣＶＤにより第３の絶縁体膜５５を成膜する。第３の絶縁体膜５５は、プリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件により形成される第１の絶縁層５５ａであるＳｉＮ膜と、プリカーサ運動エネルギーの低い成膜条件により形成される第２の絶縁層５５ｂであるＳｉＮ膜とを交互に積層形成したものである。具体的には、第２の絶縁体膜５４上に、第１の絶縁層５５ａ、第２の絶縁層５５ｂ、第１の絶縁層５５ａ、第２の絶縁層５５ｂの順に各々５０ｎｍずつ形成することにより第３の絶縁体膜５５が形成される。この際、第１の絶縁層５５ａは、ＳｉＨ４流量７ｓｃｃｍ、Ｎ２流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数３８０ｋＨｚ、印加電力１００Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力５００ｍＢａｒのプリカーサ運動エネルギーの高い成膜条件により成膜したものである。一方、第２の絶縁層５５ｂは、ＳｉＨ４流量３ｓｃｃｍ、Ｎ２流量１５０ｓｃｃｍ流し、プラズマ励起周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力５０Ｗ、成膜温度２５０℃、成膜圧力１０００ｍＢａｒのプリカーサ運動エネルギーの低い成膜条件により成膜したものである。
【００６６】
次に、図１２（ｈ）に示すように、上部電極を形成するための２層パターン６６を形成する。２層パターン６６は、アルカリ可溶性樹脂層６７とフォトレジスト６８により形成されるものであり、２層パターン６６は２層パターン６１と同様の材料により、同様の方法により形成する。この後、紫外線露光装置により露光、現像を行う。これにより開口領域６９ａと開口領域６９ｂからなる開口領域６９が形成される。このように形成された開口領域６９には、開口領域６４と同様に、開口領域６９ｂは開口領域６９ａよりも開口が広く形成される。
【００６７】
次に、図１２（ｉ）に示すように、上部電極となる金属膜７０を成膜する。この金属膜７０は、後述する上部電極５６を形成するためのものであり、真空蒸着法により、Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）を成膜することにより形成する。このようにして形成された金属膜７０は、開口領域６９内の第３の絶縁体膜５５上に形成される金属膜７０ａと、２層パターン６６上に形成される金属膜７０ｂからなる。
【００６８】
次に、図１２（ｊ）に示すように、加熱した有機溶媒を用いたリフトオフを行うことにより下部電極５６を形成する。加熱した有機溶媒により２層パターン６６であるアルカリ可溶性樹脂層６７とフォトレジスト６８が溶解され、２層パターン６６上に形成された金属膜７０ｂを除去する。これにより残存した金属膜７０ａにより上部電極５６が形成される。
【００６９】
これにより、本実施例におけるＭＩＭキャパシタを作製することができる。
【００７０】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００７１】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成される第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成される第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第１の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高く、前記第３の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高いことを特徴とするキャパシタ。
（付記２）
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成される第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成される第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第１の絶縁体膜における水素終端基濃度は、前記第２の絶縁体膜における水素終端基濃度よりも低く、前記第３の絶縁体膜における水素終端基濃度は、前記第２の絶縁体膜における水素終端基濃度よりも低いことを特徴とするキャパシタ。
（付記３）
前記第１の絶縁体膜、前記第２の絶縁体膜及び前記第３の絶縁体膜は、プラズマＣＶＤまたはスパッタリングにより成膜されるものであって、
前記第１の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数は、前記第２の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数よりも低く、前記第３の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数は、前記第２の絶縁体膜を成膜する際に印加される交流電界の周波数よりも低いことを特徴とする付記１または２に記載のキャパシタ。
（付記４）
前記第１の絶縁体膜に含まれる下部電極を形成する元素の濃度よりも、前記第２の絶縁体膜に含まれる下部電極を形成する元素の濃度が低いことを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のキャパシタ。
（付記５）
前記第３の絶縁体膜は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを交互に積層形成したものであって、前記第１の絶縁層における密度は、前記第２の絶縁層における密度よりも高いことを特徴とする付記１から４のいずれかに記載のキャパシタ。
（付記６）
前記第３の絶縁体膜は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを交互に積層形成したものであって、前記第１の絶縁層における水素終端基濃度は、前記第２の絶縁層における水素終端基濃度よりも低いことを特徴とする付記１から４のいずれかに記載のキャパシタ。
（付記７）
第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、プラズマＣＶＤまたはスパッタリングにより成膜されるものであって、
第１の絶縁層を成膜する際に印加される交流電界の周波数は、前記第２の絶縁層を成膜する際に印加される交流電界の周波数よりも低いことを特徴とする付記５または６に記載のキャパシタ。
（付記８）
前記第１の絶縁体膜、前記第２の絶縁体膜及び前記第３の絶縁体膜は、同一の絶縁体材料により形成されていることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載のキャパシタ。
（付記９）
前記絶縁体材料は、ＳｉＮであることを特徴とする付記８に記載のキャパシタ。
（付記１０）
前記半導体基板は、化合物半導体により形成されていることを特徴とする付記１から９のいずれかに記載のキャパシタ。
（付記１１）
前記化合物半導体は、窒化物半導体であることを特徴とする付記１０に記載のキャパシタ。
（付記１２）
前記窒化物半導体は、ＧａＮおよびＧａＮを含む混晶であることを特徴とする付記１１に記載のキャパシタ。
（付記１３）
前記下部電極は、金属材料であることを特徴とする付記１から１２のいずれかに記載のキャパシタ。
（付記１４）
前記金属材料は、Ａｕを含む材料であることを特徴とする付記１３に記載のキャパシタ。
（付記１５）
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成される第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成される第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第１の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高く、前記第３の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高いキャパシタを含むことを特徴とする半導体装置。
（付記１６）
半導体基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜と、
前記第１の絶縁体膜上に形成される第２の絶縁体膜と、
前記第２の絶縁体膜上に形成される第３の絶縁体膜と、
前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極と、
を有し、前記第１の絶縁体膜における水素終端基濃度は、前記第２の絶縁体膜における水素終端基濃度よりも低く、前記第３の絶縁体膜における水素終端基濃度は、前記第２の絶縁体膜における水素終端基濃度よりも低いキャパシタを含むことを特徴とする半導体装置。
【符号の説明】
【００７２】
１１        半導体基板
１２        下部電極
１３        第１の絶縁体膜
１４        第２の絶縁体膜
１５        第３の絶縁体膜
１６        上部電極
４０        半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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