(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴画像の撮像条件に応じて架台の開口部内の各箇所で発生する傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量が当該開口部内の空間的位置に対応付けられた変化量情報を記憶する記憶手段と、
前記架台に設置され、当該架台の開口部内の任意の箇所に向かって光線を照射可能な照射手段と、
前記磁気共鳴画像の撮像のために前記架台の開口部内に被検体が移動された状態で、前記記憶手段が記憶する前記変化量情報を参照して傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量が所定の値以上となる箇所に対して前記照射手段から光線が照射されるように制御する照射制御手段と、
を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記照射制御手段の制御により前記照射手段から照射された光線が前記被検体に対して照射されている場合、前記撮像条件を変更する撮像条件変更手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング装置は、磁気共鳴現象を利用して被検体内を画像化する装置である。具体的には、磁気共鳴イメージング装置は、静磁場内に置かれた被検体に高周波（ＲＦ：Radio Frequency）磁場を印加し、それにより被検体から発せられる磁気共鳴信号（ＭＲ： Magnetic Resonance）を検出する。そして、磁気共鳴イメージング装置は、検出した磁気共鳴信号に基づいて磁気共鳴画像を再構成する。なお、磁気共鳴イメージング装置は、傾斜磁場コイルを有し、傾斜磁場コイルは、磁気共鳴画像の撮像時、被検体に傾斜磁場を印加することで、磁気共鳴信号に空間的な位置情報を付加する。
【０００３】
このように、磁気共鳴イメージング装置は、静磁場および傾斜磁場を発生して磁気共鳴画像の撮像を行なう装置である。しかし、磁気共鳴イメージング装置は、静磁場を常時発生し、また、撮像時に傾斜磁場を発生するため、磁性体器具が撮像室に持ち込まれた場合、磁性体器具は、静磁場領域に吸引（磁場吸引）される。また、磁気共鳴イメージング装置は、撮像時に傾斜磁場を発生するが、ガントリ（架台）内における傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量（ｄＢ／ｄｔ）が大きい場合、被検体に対して神経刺激を引き起こす可能性がある。特に、ｄＢ／ｄｔの強い領域が被検体の心臓領域に該当する場合、神経刺激により心室細動を誘発することがある。
【０００４】
このため、従来、磁場吸引や神経刺激を回避して磁気共鳴イメージング装置の安全性を確保するために様々な処置が行なわれている。具体的には、検出用磁場を用いて撮像室に磁性体器具が接近していることを検出する装置を、例えば、撮像室の前室に設置して、磁場吸引を回避することが行なわれている（例えば、特許文献１および２を参照）。
【０００５】
また、傾斜磁場による神経刺激を回避するために、例えば、磁気共鳴イメージング装置に関するＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）国際規格のIEC60601-2-33においては、ｄＢ／ｄｔに関する安全要求事項が制定されており、磁気共鳴イメージング装置による撮像は、かかる安全要求事項を守ることで行なわれている。具体的には、磁気共鳴イメージング装置による撮像は、IEC60601-2-33の安全要求事項にしたがって、架台内に所定の基準値以上のｄＢ／ｄｔが発生しないように撮像条件を設定したうえで行なわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２８９６７０号公報
【特許文献２】特開２００８−１７９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記した安全要求事項に沿った撮像では、磁気共鳴イメージング装置の性能を十分に発揮させることができない場合があった。すなわち、上記した安全要求事項に沿った撮像では、磁気共鳴イメージング装置の操作者は、ｄＢ／ｄｔが所定の基準値以上となる箇所が、被検体の位置する領域に該当するのか否かを特定することが困難である。
【０００８】
このため、ｄＢ／ｄｔが所定の基準値以上となる箇所が、実際には、被検体の位置する領域にない場合であっても、所定の基準値以上ｄＢ／ｄｔが強くなる架台内の箇所を特定することができないため、操作者は、ｄＢ／ｄｔの最大値が所定の基準値より小さくなるように、傾斜磁場強度が弱くするなど、撮像条件を変更せざるを得なかった。すなわち、上記した安全要求事項に沿った撮像では、傾斜磁場コイルの性能を十分に発揮させることができず、その結果、解像度の高い磁気共鳴画像を撮像することができない場合があった。
【０００９】
また、一般的に、傾斜磁場強度は、傾斜磁場コイル近傍において大きくなるため、ｄＢ／ｄｔが最大となる箇所も、傾斜磁場コイル近傍となる場合が多い。すなわち、傾斜磁場コイル近傍におけるｄＢ／ｄｔの強さは、架台ボア径が大きくなるにしたがい大きくなる。このため、近年、実用化が進められている大口径の磁気共鳴イメージング装置（例えば、架台ボア径が７０ｃｍの磁気共鳴イメージング装置）では、ｄＢ／ｄｔが所定の基準値以上となる場合が多くなる。したがって、上記した安全要求事項に沿った撮像を大口径の磁気共鳴イメージング装置により行なう場合、操作者は、ｄＢ／ｄｔの最大値が所定の基準値より小さくなるように、撮像条件を変更せざるを得ない場合が多くなる。
【００１０】
このように、上記した従来の技術は、被検体の安全性を確保したうえで、装置の性能を十分に発揮させることが困難であるといった課題があった。
【００１１】
そこで、この発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、被検体の安全性を確保したうえで、装置の性能を十分に発揮させることが可能となる磁気共鳴イメージング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１記載の本発明は、磁気共鳴画像の撮像条件に応じて架台の開口部内の各箇所で発生する傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量が当該開口部内の空間的位置に対応付けられた変化量情報を記憶する記憶手段と、前記架台に設置され、当該架台の開口部内の任意の箇所に向かって光線を照射可能な照射手段と、前記磁気共鳴画像の撮像のために前記架台の開口部内に被検体が移動された状態で、前記記憶手段が記憶する前記変化量情報を参照して傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量が所定の値以上となる箇所に対して前記照射手段から光線が照射されるように制御する照射制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、被検体の安全性を確保したうえで、装置の性能を十分に発揮させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本実施例に係るＭＲＩ装置の全体構成を示す図である。
【図２】図２は、レーザ照射部を説明するための図である。
【図３】図３は、本実施例に係る制御部および記憶部の構成を説明するための図である。
【図４】図４は、シミュレーション部を説明するための図である。
【図５】図５は、レーザ照射制御部を説明するための図である。
【図６】図６は、撮像条件変更部を説明するための図（１）である。
【図７】図７は、撮像条件変更部を説明するための図（２）である。
【図８】図８は、本実施例に係るＭＲＩ装置の処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明に係る磁気共鳴イメージング装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す実施例によって本発明が限定されるものではない。また、以下では、磁気共鳴イメージング装置を「ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置」と呼ぶ。
【実施例】
【００１６】
まず、本実施例に係るＭＲＩ装置の構成について説明する。図１は、本実施例に係るＭＲＩ装置の全体構成を示す図である。図１に示すように、ＭＲＩ装置１００は、架台部１０と、傾斜磁場電源２０と、送信部３０と、受信部４０と、シーケンス制御部５０と、寝台部６０と、寝台制御部７０と、計算機システム８０とを有する。
【００１７】
架台部１０は、被検体Ｐが挿入される開口部と、その開口部に挿入された被検体Ｐの体内を表すＭＲ信号を収集する収集手段とを有する。この収集手段は、静磁場中に置かれた被検体Ｐに高周波磁場を照射し、それにより被検体Ｐから発せられるＭＲ信号を収集する。架台部１０は、ＭＲ信号の収集手段として、静磁場磁石１１と、傾斜磁場コイル１２と、送信用ＲＦ（Radio  Frequency）コイル１３と、受信用ＲＦコイル１４とを有する。
【００１８】
静磁場磁石１１は、中空の円筒形状に形成され、円筒内の空間に一様な静磁場を発生する。この静磁場磁石１１としては、例えば、永久磁石や超伝導磁石などが用いられる。
【００１９】
傾斜磁場コイル１２は、中空の円筒形状に形成され、静磁場磁石１１の内側に配置される。この傾斜磁場コイル１２は、互いに直交するＸ，Ｙ，Ｚの各軸に対応する３つのコイルを有する。各コイルは、それぞれ後述する傾斜磁場電源２０から電流供給を受けて、Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生させる。なお、Ｚ軸方向は、静磁場と同方向とされる。
【００２０】
また、傾斜磁場コイル１２によって発生するＸ，Ｙ，Ｚ各軸の傾斜磁場は、例えば、スライス選択用傾斜磁場Ｇｓ、位相エンコード用傾斜磁場Ｇｅ及びリードアウト用傾斜磁場Ｇｒにそれぞれ対応する。スライス選択用傾斜磁場Ｇｓは、任意に撮像断面を決めるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場Ｇｅは、空間的位置に応じてＭＲ信号の位相を変化させるために利用される。リードアウト用傾斜磁場Ｇｒは、空間的位置に応じてＭＲ信号の周波数を変化させるために利用される。
【００２１】
送信用ＲＦコイル１３は、傾斜磁場コイル１２の内側に配置され、送信部３０から高周波パルスの供給を受けて高周波磁場を発生する。
【００２２】
受信用ＲＦコイル１４は、傾斜磁場コイル１２の内側に配置され、送信用ＲＦコイル１３により発生した高周波磁場の影響によって被検体Ｐから発せられるＭＲ信号を受信する。そして、受信用ＲＦコイル１４は、受信したＭＲ信号を受信部４０へ出力する。
【００２３】
なお、本実施例に係る架台部１０に設置される他の装置については、後に詳述する。
【００２４】
傾斜磁場電源２０は、傾斜磁場コイル１２に電流を供給する。送信部３０は、ラーモア周波数に対応する高周波パルスを送信用ＲＦコイル１３に送信する。受信部４０は、受信用ＲＦコイル１４から出力されるＭＲ信号をデジタル化することによって生データを生成し、生成した生データをシーケンス制御部５０へ送信する。
【００２５】
シーケンス制御部５０は、計算機システム８０から送信されるシーケンス情報に基づいて、傾斜磁場電源２０、送信部３０及び受信部４０を駆動することによって、被検体Ｐのスキャンを行う。また、シーケンス制御部５０は、被検体Ｐのスキャンを行った結果、受信部４０から生データが送信されると、その生データを計算機システム８０へ転送する。
【００２６】
なお、ここでいうシーケンス情報とは、シーケンス制御部５０が傾斜磁場コイル１２に供給する電源の強さや電源を供給するタイミング、送信部３０が送信用ＲＦコイル１３に送信するＲＦ信号の強さやＲＦ信号を送信するタイミング、受信部４０がＭＲ信号を検出するタイミングなど、スキャンを行うための手順を定義した情報である。
【００２７】
すなわち、被検体Ｐの撮像中に架台部１０の開口部内部で発生する傾斜磁場強度および傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量（ｄＢ／ｄｔ）は、シーケンス情報に定義された情報により決定される。
【００２８】
寝台部６０は、被検体Ｐが載置される天板６１を有し、その天板６１を被検体Ｐとともに架台部１０の開口部に挿入する。この寝台部６０は、長手方向が静磁場磁石１１の中心軸と平行になるように設置される。
【００２９】
寝台制御部７０は、計算機システム８０による制御のもと、寝台部６０を駆動して天板６１を長手方向及び上下方向へ移動する。
【００３０】
計算機システム８０は、ＭＲＩ装置１００の全体制御や、データ収集、画像再構成などを行う装置であり、インタフェース部８１と、入力部８２と、表示部８３と、記憶部８４と、画像再構成部８５と、制御部８６とを有している。
【００３１】
インタフェース部８１は、シーケンス制御部５０との間でやり取りされる各種信号の入出力を制御する。例えば、インタフェース部８１は、シーケンス制御部５０に対してシーケンス情報を送信し、シーケンス制御部５０から生データを受信する。また、インタフェース部８１は、生データを受信すると、受信した生データを被検体Ｐごとに記憶部８４に記憶させる。また、インタフェース部８１は、寝台部６０を駆動するための制御信号を、寝台制御部７０に送信する。
【００３２】
なお、上述した各種信号以外に、インタフェース部８１が本実施例において送信する制御信号については、後に詳述する。
【００３３】
入力部８２は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける。例えば、入力部８２は、撮像条件の設定を操作者から受け付ける。この入力部８２としては、例えば、マウスやトラックボールなどのポインティングデバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスが用いられる。
【００３４】
表示部８３は、操作者により参照される各種画像や、操作者から各種操作を受け付けるためのＧＵＩ（Graphical  User  Interface）を表示する。この表示部８３としては、例えば、液晶モニタやＣＲＴモニタなどの表示デバイスが用いられる。
【００３５】
記憶部８４は、シーケンス制御部５０から送信された生データや、後述する画像再構成部８５により生成された画像データを被検体Ｐごとに記憶する。なお、本実施例に係る記憶部８４により記憶される情報については後に詳細に説明する。
【００３６】
画像再構成部８５は、記憶部８４により記憶された生データに対して後処理すなわちフーリエ変換処理等の再構成処理を施すことによって、被検体Ｐ内を表す画像データを生成する。
【００３７】
制御部８６は、上述した機能部間での制御の移動や、各機能部と記憶部８４との間のデータの受け渡しなどを行うことで、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行う。この制御部８６は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）及びメモリを有し、それらを用いて各種プログラムを実行させることで、ＭＲＩ装置１００が有する各部を制御する。例えば、制御部８６は、操作者によって設定された撮像条件に基づいてシーケンス情報を生成し、生成したシーケンス情報をシーケンス制御部５０に送信することで各種の撮像を実行する。
【００３８】
以上、本実施例に係るＭＲＩ装置１００の全体構成について説明した。かかる構成のもと、本実施例に係るＭＲＩ装置１００は、被検体Ｐの磁気共鳴画像の撮像を行なう。ここで、従来、磁気共鳴画像の撮像は、被検体Ｐに神経刺激が発生することを回避するために、上述した傾斜磁場強度の単位時間当たりの変化量（ｄＢ／ｄｔ）に関する安全要求事項にしたがって行なわれていた。例えば、磁気共鳴画像の撮像は、安全要求事項にしたがって、架台部１０の開口部内部に所定の基準値以上のｄＢ／ｄｔが発生しないように撮像条件（シーケンス情報）を設定したうえで行なわれていた。
【００３９】
しかし、安全要求事項に沿った撮像では、ｄＢ／ｄｔが所定の基準値以上となる箇所が、被検体Ｐの位置する領域にあるか否かを撮像前に特定することができないので、安全性を考慮して、例えば、傾斜磁場強度を低下させるなど、マージンをもった設定とせざるを得ず、傾斜磁場コイル１２の磁場発生能や、傾斜磁場電源２０の電流供給能を十分に発揮させることができない場合があった。
【００４０】
そこで、本実施例に係るＭＲＩ装置１００は、以下に説明するように、記憶部８４が記憶するデータを用いた制御処理を制御部８６が行なうことで、被検体Ｐの安全性を確保したうえで、装置の性能を十分に発揮させることが可能となるように構成されている。
【００４１】
まず、制御部８６の制御処理対象として、本実施例では、架台部１０の開口部内における任意の箇所に向かって光線を照射可能な装置が、架台部１０に設置される。本実施例では、かかる装置の一例として、架台部１０の開口部内における任意の箇所に向かってレーザが照射可能となるように、レーザ照射部が６つ架台部１０に設置される。図２は、レーザ照射部を説明するための図である。
【００４２】
図２の（Ａ）に示すように、各レーザ照射部１５ａ〜１５ｆは、コーン状のレーザを照射する装置である。そして、６つのレーザ照射部１５ａ〜１５ｆは、架台部１０の開口部内をまんべんなくレーザ照射可能とするために、図２の（Ｂ）に示す側面図および図２の（Ｂ）に示す正面図のように設置される。すなわち、レーザ照射部１５ａ〜１５ｃは、図２の（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、寝台部６０の天板６１に横たわった被検体Ｐが挿入される架台部１０の開口部内において、寝台部６０に近い場所に分散して設置される。また、レーザ照射部１５ｄ〜１５ｅは、図２の（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、被検体Ｐが挿入される架台部１０の開口部内において、寝台部６０に遠い場所に分散して設置される。
【００４３】
そして、本実施例に係る制御部８６は、記憶部８４が記憶するデータを用いて、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆからのレーザ照射制御を行なう。図３は、本実施例に係る制御部および記憶部の構成を説明するための図である。
【００４４】
図３に示すように、本実施例に係る制御部８６は、シミュレーション部８６ａと、レーザ照射制御部８６ｂと、撮像条件変更部８６ｃとを有する。また、本実施例に係る記憶部８４は、シミュレーション部８６ａによる処理結果のデータを記憶するシミュレーションデータ記憶部８４ａを有する。
【００４５】
シミュレーション部８６ａは、シミュレーションにより、被検体Ｐの磁気共鳴画像の撮像条件（シーケンス情報）に応じて架台部１０の開口部内の各箇所で発生するｄＢ／ｄｔが当該開口部内の空間的位置に対応付けられたシミュレーションデータを生成する。そして、シミュレーション部８６ａは、生成したシミュレーションデータをシミュレーションデータ記憶部８４ａに格納する。図４は、シミュレーション部を説明するための図である。
【００４６】
例えば、シミュレーション部８６ａは、図４の（Ａ）に示すように、架台部１０の開口部内に直交３軸を設定する。かかる直交３時軸は、例えば、傾斜磁場コイル１２が有する３つのコイルそれぞれが発生する傾斜磁場のＸ，Ｙ，Ｚ各軸が用いられる。そして、シミュレーション部８６ａは、シーケンス情報に基づいて、撮像中に発生される傾斜磁場の強度変化を、開口部内の箇所ごとに推定する。
【００４７】
シミュレーション部８６ａが生成したシミュレーションデータの一例を図４の（Ｂ）に示す。なお、図４の（Ｂ）に示す一例では、縦軸がＺ軸方向となっている。また、図４の（Ｂ）に示す一例では、ＸＹ平面の各座標が極座標系で示されている。すなわち、図４の（Ｂ）に示す一例では、開口部の中心線が通る点を原点とした場合のＸＹ平面の各座標が、「角度θ」と原点からの「距離ｒ」とにより示されている。
【００４８】
ここで、図４の（Ｂ）に示す一例は、架台部１０の開口部内にて、傾斜磁場強度が大きくなることが推定される傾斜磁場コイル１２近傍（例えば、開口部内の内周領域）のｄＢ／ｄｔをシミュレーションしたデータである。具体的には、図４の（Ｂ）に示す一例では、開口部内の内周領域に対応する「ｒ」において、各θのｄＢ／ｄｔの推定値が、Ｚ軸に沿って示されている。また、図４の（Ｂ）に示す一例では、ｄＢ／ｄｔの推定値が「０〜５Ｔ／ｓｅｃ」となる範囲や、「５〜１０Ｔ／ｓｅｃ」となる範囲などが等高線により区分けして示されている。
【００４９】
図３に戻って、レーザ照射制御部８６ｂは、磁気共鳴画像の撮像のために架台部１０の開口部内に被検体Ｐが移動された状態で、シミュレーションデータ記憶部８４ａが記憶するシミュレーションデータを参照してｄＢ／ｄｔが基準値以上となる箇所に対してレーザ照射部１５ａ〜１５ｆからレーザが照射されるように制御する。なお、基準値としては、例えば、IEC60601-2-33の安全要求事項にて、通常操作モードの範囲外となるｄＢ／ｄｔや、第一次水準管理操作モードの範囲外となるｄＢ／ｄｔなどが設定される。また、基準値は、ＭＲＩ装置１００に予め設定されている場合であってもよいし、ＭＲＩ装置１００の操作者により入力部８２を介して磁気共鳴画像の撮像ごとに設定される場合であってもよい。また、基準値は、IEC60601-2-33にて制定された値に基づいて設定される場合だけでなく、例えば、ＭＲＩ装置１００が設置される施設内で制定された値に基づいて設定される場合であってもよい。
【００５０】
具体的には、レーザ照射制御部８６ｂは、基準値以上となるｄＢ／ｄｔがシミュレーションデータにある場合、ｄＢ／ｄｔが基準値以上となる箇所の位置情報をシミュレーションデータから取得する。そして、レーザ照射制御部８６ｂは、取得した位置情報に該当する箇所に、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆから選択した１つまたは複数の装置から、レーザが照射されるように制御する。図５は、レーザ照射制御部を説明するための図である。
【００５１】
ここで、一般的に、傾斜磁場強度は、傾斜磁場コイル近傍において大きくなるため、ｄＢ／ｄｔが最大となる箇所も、傾斜磁場コイル近傍となる場合が多い。そこで、レーザ照射制御部８６ｂは、図５の（Ａ）に示すように、ｄＢ／ｄｔが基準値以上となる箇所がまんべんなくレーザにより照射されるように、例えば、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆから開口部のＺ軸方向に対して略平行にコーン状のレーザを照射させる。かかるレーザ照射が行なわれることで、撮像室に移動した操作者は、被検体Ｐにレーザが照射されているか否かを目視により確認することができる。例えば、図５の（Ｂ）に示す一例では、被検体Ｐにレーザが照射されていることを確認することができ、操作者は、撮像前に、神経刺激が起こらないように、被検体Ｐの位置を移動するなどの処置を行なうことができる。一方、磁場強度性能を活用した撮像条件が設定された状態で、被検体Ｐにレーザが照射されていないならば、操作者は、設定された撮像条件により被検体Ｐの磁気共鳴画像をそのまま撮像することができる。
【００５２】
なお、シミュレーション部８６ａがシミュレーションを行なう粒度は、シミュレーション部８６ａの性能に応じて変更される場合であってもよい。例えば、シミュレーション部８６ａは、開口部内を１ｃｍの立方体に分割してシミュレーションを行なう場合や、開口部内を１０ｃｍの立方体に分割してシミュレーションを行なう場合であってもよい。また、シミュレーション部８６ａがシミュレーションを行なう開口部内の領域は、傾斜磁場強度が大きくなることが推定される開口部内の内周領域を含む領域のみであってもよい。例えば、シミュレーション部８６ａは、開口部半径が３５ｃｍであるならば、「ｒ＝２５ｃｍ〜３５ｃｍの領域」のみでシミュレーションを行なう場合などであってもよい。
【００５３】
また、本実施例は、シミュレーション部８６ａがＺ軸方向において所定の厚み（例えば、１０ｃｍ）を持った空間領域ごとに、ｄＢ／ｄｔの推定値をシミュレーションし、レーザ照射制御部８６ｂがｄＢ／ｄｔの推定値が基準値以上となる空間領域全体がレーザにより照射されるように制御する場合であってもよい。
【００５４】
また、Ｙ軸方向がリードアウト方向に一致する場合、リードアウト方向のｄＢ／ｄｔにより神経刺激が誘発されやすいことから、シミュレーション部８６ａは、撮像条件に含まれるリードアウト方向の設定に関わらず、Ｙ軸方向がリードアウト方向であると想定してシミュレーションを行なってもよい。
【００５５】
図３に戻って、撮像条件変更部８６ｃは、レーザ照射制御部８６ｂの制御によりレーザ照射部１５ａ〜１５ｆから照射されたレーザが被検体Ｐに対して照射されている場合、撮像条件を変更する。
【００５６】
通常、磁気共鳴画像の撮像では、撮像に先立ち、撮像位置および撮像条件を設定するために被検体Ｐが開口部内に挿入された状態で、プラン画像が予め撮像されている。このため、操作者が、被検体Ｐの位置を移動すると、再度、プラン画像の撮像を行なう必要があり、検査効率が悪くなる場合がある。
【００５７】
そこで、レーザが被検体Ｐに対して照射されていることを確認した操作者から入力部８２を介して撮像条件変更要求を受け付けると、撮像条件変更部８６ｃは、例えば、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆから照射されたレーザが被検体Ｐに対して照射されないように、撮像条件を変更する。図６および７は、撮像条件変更部を説明するための図である。
【００５８】
具体的には、撮像条件変更部８６ｃは、図６の（Ａ）に示すように、被検体Ｐの磁気共鳴画像の撮像領域（ＦＯＶ：Field Of View）を拡大する。すなわち、ＦＯＶを拡大することで傾斜磁場強度が小さくなり、これにより、図６の（Ｂ）に示すように、ｄＢ／ｄｔが基準値を超える領域が狭くなり、その結果、レーザが被検体Ｐに対して照射されない状態に撮像条件を変更することができる。なお、撮像条件変更部８６ｃは、傾斜磁場強度を低下させる度合いを、推定されたｄＢ／ｄｔの最大値から決定する。
【００５９】
あるいは、撮像条件変更部８６ｃは、神経刺激の誘発度を低減させるために、図７に示すように、撮像条件においてリードアウト方向がＹ軸方向と一致しているならば、リードアウト方向がＸ軸方向となるように変更する。
【００６０】
なお、本実施例は、撮像条件変更部８６ｃが変更後の撮像条件をシミュレーション部８６ａに通知し、シミュレーション部８６ａが変更後の撮像条件からシミュレーションを再度行ない、レーザ照射制御部８６ｂがレーザ照射制御を再度行なう場合であってもよい。
【００６１】
次に、図８を用いて、本実施例に係るＭＲＩ装置１００の処理について説明する。図８は、本実施例に係るＭＲＩ装置の処理を説明するためのフローチャートである。なお、図８に示すフローチャートは、シミュレーション処理および被検体Ｐの開口部内への移動が行なわれた後の処理を説明するものである。
【００６２】
図８に示すように、実施例１に係るＭＲＩ装置１００は、操作者からレーザ照射要求を受け付けたか否かを判定する（ステップＳ１０１）。ここで、レーザ照射要求を受け付けない場合（ステップＳ１０１否定）、ＭＲＩ装置１００は、待機状態となる。
【００６３】
一方、レーザ照射要求を受け付けた場合（ステップＳ１０１肯定）、レーザ照射制御部８６ｂは、被検体Ｐの撮像条件を用いてシミュレーション部８６ａがシミュレーションを行なったシミュレーションデータをシミュレーションデータ記憶部８４ａから取得する（ステップＳ１０２）。
【００６４】
そして、レーザ照射制御部８６ｂは、取得したシミュレーションデータを参照して、基準値以上のｄＢ／ｄｔがあるか否かを判定する（ステップＳ１０３）。ここで、基準値以上のｄＢ／ｄｔがない場合（ステップＳ１０３否定）、レーザ照射制御部８６ｂは、処理を終了する。
【００６５】
一方、基準値以上のｄＢ／ｄｔがある場合（ステップＳ１０３肯定）、レーザ照射制御部８６ｂは、ｄＢ／ｄｔが基準値以上となる開口部内の箇所の位置情報を取得する（ステップＳ１０４）。そして、レーザ照射制御部８６ｂは、取得した位置情報に該当する箇所にコーン状のレーザを照射するようにレーザ照射部１５ａ〜１５ｆを制御する（ステップＳ１０５）。
【００６６】
その後、撮像条件変更部８６ｃは、撮像条件変更要求を受け付けたか否かを判定する（ステップＳ１０６）。ここで、撮像条件変更要求を受け付けない場合（ステップＳ１０６否定）、撮像条件変更部８６ｃは、処理を終了する。
【００６７】
一方、撮像条件変更要求を受け付けた場合（ステップＳ１０６肯定）、撮像条件変更部８６ｃは、撮像条件変更を変更し（ステップＳ１０７）、処理を終了する。例えば、撮像条件変更部８６ｃは、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆから照射されたレーザが被検体Ｐに対して照射されないように、ＦＯＶが拡大されるように撮像条件を変更する。
【００６８】
上述したように、本実施例では、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆは、架台部１０の開口部内の任意の箇所に向かってレーザが照射可能となるように架台部１０にそれぞれ設置される。シミュレーション部８６ａは、シミュレーションにより、被検体Ｐの磁気共鳴画像の撮像条件（シーケンス情報）に応じて架台部１０の開口部内の各箇所で発生するｄＢ／ｄｔが当該開口部内の空間的位置に対応付けられたシミュレーションデータを生成し、生成したシミュレーションデータをシミュレーションデータ記憶部８４ａに格納する。
【００６９】
そして、レーザ照射制御部８６ｂは、磁気共鳴画像の撮像のために架台部１０の開口部内に被検体Ｐが移動された状態で、シミュレーションデータ記憶部８４ａが記憶するシミュレーションデータを参照してｄＢ／ｄｔが基準値以上となる箇所に対してレーザ照射部１５ａ〜１５ｆからレーザが照射されるように制御する。
【００７０】
すなわち、本実施例によれば、操作者は、被検体Ｐにレーザが照射されているか否かを目視により確認することで、ｄＢ／ｄｔが基準値以上となる箇所に被検体Ｐが存在しているか否かを特定することができる。被検体Ｐにレーザが照射されているならば、操作者は、撮像前に、被検体Ｐにレーザが照射されないように、被検体Ｐの位置を移動するなどの処置を行なうことができる。一方、磁場強度性能を活用した撮像条件が設定された状態で、被検体Ｐにレーザが照射されていないならば、操作者は、傾斜磁場性能が発揮できるように設定された撮像条件により被検体Ｐの磁気共鳴画像をそのまま撮像することができる。したがって、本実施例によれば、被検体の安全性を確保したうえで、装置の性能を十分に発揮させることが可能となる。
【００７１】
また、本実施例では、撮像条件変更部８６ｃは、レーザ照射制御部８６ｂの制御によりレーザ照射部１５ａ〜１５ｆから照射されたレーザが被検体Ｐに対して照射されている場合、撮像条件を変更する。例えば、撮像条件変更部８６ｃは、レーザ照射部１５ａ〜１５ｆから照射されたレーザが被検体Ｐに対して照射されないように、ＦＯＶが拡大されるように撮像条件を変更する。
【００７２】
したがって、本実施例によれば、被検体Ｐの位置を移動する処置により撮像時間が延長されることを回避でき、検査効率を向上させることが可能となる。
【００７３】
なお、本実施例は、シミュレーション部８６ａによるシミュレーションがＭＲＩ装置１００で実行されるシーケンス情報それぞれに基づいて予め実行され、シミュレーションデータ記憶部８４ａが、各種シーケンス情報のシミュレーションデータを予め記憶する場合であってもよい。
【００７４】
また、上記した実施例では、ＭＲＩ装置１００にシミュレーション部８６ａが設置される場合について説明した。しかし、本実施例は、被検体Ｐの撮像に用いられるシーケンス情報に基づくシミュレーションが他の装置において実行される場合であってもよい。
【００７５】
また、上記した実施例では、シミュレーション結果に基づいてレーザ照射制御を行なう場合について説明した。しかし、本実施例は、被検体Ｐの撮像に用いられるシーケンス情報により実際に発生した傾斜磁場強度を、例えば、開口部内に設置した磁場測定コイルにより実測した後、レーザ照射制御部８６ｂが、実測値に基づいてレーザ照射制御を行なう場合であってもよい。
【００７６】
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。さらに、各装置にて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵおよび当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
以上のように、本発明に係る磁気共鳴イメージング装置は、磁気共鳴画像を撮像する場合に有用であり、特に、被検体の安全性を確保したうえで、装置の性能を十分に発揮させることに適する。
【符号の説明】
【００７８】
１００  ＭＲＩ装置
１０  架台部
１１  静磁場磁石
１２  傾斜磁場コイル
１３  送信用ＲＦコイル
１４  受信用ＲＦコイル
１５ａ〜１５ｆ  レーザ照射部
２０  傾斜磁場電源
３０  送信部
４０  受信部
５０  シーケンス制御部
６０  寝台部
６１  天板
７０  寝台制御部
８０  計算機システム
８１  インタフェース部
８２  入力部
８３  表示部
８４  記憶部
８４ａ  シミュレーションデータ記憶部
８５  画像再構成部
８６  制御部
８６ａ  シミュレーション部
８６ｂ  レーザ照射制御部
８６ｃ  撮像条件変更部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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