(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、導電性の振動膜と、固定電極板とを備え、
上記半導体基板の上面に、上記振動膜と上記固定電極板とが空隙を設けて配置され、上記振動膜と上記固定電極板との間の静電容量の変化により圧力を検出する音響トランスデューサであって、
上記半導体基板の、上記振動膜が形成されている側の表面に、不純物が添加されているとともに、
上記半導体基板の上記表面と、上記振動膜または上記固定電極板とは、電気的に接続されており、
不純物を添加した上記半導体基板の表面のうち、上記の電気的に接続されている領域の不純物の濃度は、これ以外の領域の不純物の濃度よりも低いことを特徴とする音響トランスデューサ。
【請求項２】
上記不純物は、ボロン、リン、ヒ素、金、アルミニウム、鉄、クロム、およびこれらの化合物のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の音響トランスデューサと、該音響トランスデューサが検出した圧力の変化を取得する取得部とを備えていることを特徴とするマイクロフォン。
【請求項４】
半導体基板と導電性の振動膜と固定電極板とを備え、該振動膜と該固定電極板との間の静電容量の変化により圧力を検出する音響トランスデューサの製造方法であって、
上記半導体基板の、上記振動膜が形成されている側の表面に、不純物を添加する不純物添加ステップと、
上記不純物が添加された上記半導体基板に、上記振動膜および上記固定電極板を形成する形成ステップと、を含み、
上記形成ステップにおいて、上記半導体基板の上記表面と、上記振動膜または上記固定電極板とは、電気的に接続され、
上記不純物添加ステップにおいて、上記半導体基板の表面のうち、上記の電気的に接続されている領域の不純物の濃度が、これ以外の領域の不純物の濃度よりも低くなるように、上記不純物が添加されることを特徴とする音響トランスデューサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響トランスデューサに関し、特にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて製造される、微小サイズの音響トランスデューサ、該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン、および音響トランスデューサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型のマイクロフォンとしてＥＣＭ（Electret Condenser microphone）と呼ばれる音響センサを利用したマイクロフォンが使用されていた。しかしながら、ＥＣＭは熱に弱く、また、デジタル化への対応、小型化、高機能・多機能化、省電力といった点で、ＭＥＭＳ技術を用いて製造される音響センサを利用したマイクロフォン（ＭＥＭＳマイクロフォン）の方が優れていることから、近年では、ＭＥＭＳマイクロフォンが採用されつつある。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術を用いて製造される音響センサ（ＭＥＭＳセンサ）は、半導体集積回路作製技術を用いて作製される音響センサであり、ダイアフラム電極とバックプレート電極によってキャパシタが形成されるように、これらを半導体基板上に備えた構成である。
【０００４】
そして、このＭＥＭＳセンサに音圧がかかると、導電性の振動膜（ダイアフラム）が振動し、振動膜と固定電極を備えた固定膜（バックプレート）との間の距離が変化する。これにより、振動膜と固定電極により形成されるキャパシタの静電容量が変化する。ＭＥＭＳマイクロフォンは、この静電容量の変化に起因する電圧の変化を測定することによって、音圧を電気信号として出力するものである。そして、ＭＥＭＳセンサの構成を示す文献としては、特許文献１〜３がある。
【０００５】
特許文献１には、シリコン基板を固定電極として用い、シリコン基板上に振動膜を備えたマイクロセンサが記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には、特許文献１と同様に、シリコン基板を固定電極として用い、シリコン基板上に振動膜を備えたシリコンコンデンサーマイクロフォン（センサ）が記載されている。
【０００７】
また、特許文献３には、導電性の振動板と、振動板とエア間隔によって分離され、基板によって支持されている穿孔部材とを備えた音響変換器が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許２００４／０２５９２８６号（２００４年１２月２３日公開）
【特許文献２】米国特許２００５／０００５４２１号（２００５年１月１３日公開）
【特許文献３】特表２００４−５０６３９４号（２００４年２月２６日公表）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１〜３の構成では以下の問題を生じる。すなわち、マイクロフォンを構成している半導体基板に光が当たると、光電効果により、原子から電子と正孔とが発生し、再び結合するという現象が起こる。そして、この電子と正孔との発生・結合の過程で電流が発生してしまう。この電流がノイズとなり、音圧を正確に電気信号として出力することができなくなる。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光が当たることにより発生するノイズを減少させた音響トランスデューサ等を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る音響トランスデューサは、半導体基板と、導電性の振動膜と、固定電極板とを備え、上記半導体基板の上面に、上記振動膜と上記固定電極板とが空隙を設けて配置され、上記振動膜と上記固定電極板との間の静電容量の変化により圧力を検出する音響トランスデューサであって、上記半導体基板の表面に不純物が添加されていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明に係る音響トランスデューサの製造方法は、半導体基板と導電性の振動膜と固定電極板とを備え、該振動膜と該固定電極板との間の静電容量の変化により圧力を検出する音響トランスデューサの製造方法であって、上記半導体基板の表面に不純物を添加する不純物添加ステップと、上記不純物が添加された上記半導体基板に、上記振動膜および上記固定電極板を形成する形成ステップと、を含むことを含むことを特徴としている。
【００１３】
ところで、半導体基板に光が当たると、光電効果により、原子から電子と正孔とが発生し、その後に再結合する。これにより、半導体基板に電流が流れることになる。光電効果により電子と正孔とが発生してから再結合するまでの時間であるライフタイムが長いと、上記電子および正孔の存在数が大きくなるので、上記半導体基板に流れる電流が大きくなり、該電流によるノイズが大きくなる。
【００１４】
一方、半導体基板に不純物を添加すると、不純物を添加した領域は、不純物を添加していない領域よりも、上記ライフタイムが短くなるので、上記電子および正孔の存在数が少なくなる。したがって、上記半導体基板に流れる電流が減少し、該電流によるノイズが小さくなる。
【００１５】
そして、上記の構成または方法によれば、半導体基板の表面に不純物が添加されている。よって、半導体基板の表面に光が当たったとしても、上記ライフタイムを短くすることができるので、光電効果により発生した電子と正孔との存在数を少なくすることができる。すなわち、流れる電流を少なくすることができる。これにより、光が当たることにより発生する電流によるノイズを減少させることができるので、より正確に圧力を検出することができる圧力センサを提供することができる。
【００１６】
本発明に係る音響トランスデューサでは、上記半導体基板の、上記振動膜が形成されている側の表面に、不純物が添加されているものであることが好ましい。
【００１７】
振動膜が形成されている側には、振動膜および固定電極板が形成されている。そして、振動膜と固定電極板との間の静電容量の変化を電気的な信号として検出ことにより圧力を検出する場合、半導体基板の振動膜が形成されている側に電流が流れると、上記の電気的な信号に与える影響が大きい。すなわち、半導体基板の振動膜が形成されている側に光が当たると、発生する電流によるノイズが与える影響が大きい。
【００１８】
上記の構成によれば、半導体基板の振動膜が形成されている側に光が当たることにより発生する電流を減少させることができるので、より正確に圧力を検出することができる。
【００１９】
本発明に係る音響トランスデューサでは、上記半導体基板の上記表面と、上記振動膜または上記固定電極板とは、電気的に接続されているものであってもよい。
【００２０】
上記の構成によれば、振動膜と固定電極板との間に電圧が印加されているときに、振動膜または上記固定電極板と上記半導体基板の上記表面とが、何らの理由で接触し、電気的に短絡しても、振動膜および固定電極板の何れかから半導体基板に電流が流れるので、該短絡による自装置の破壊を回避することができる。
【００２１】
ところで、１枚の半導体基板上の複数の領域のそれぞれに振動膜および固定電極板が形成されることにより、各領域で音響トランスデューサが形成されている場合、上記半導体基板の上記表面と、上記振動膜または上記固定電極板とが電気的に接続されていると、当該複数の音響トランスデューサの電気的測定を同時に行うことが困難となる。なぜなら、或る音響トランスデューサの上記振動膜または上記固定電極板と、別の音響トランスデューサの上記振動膜または上記固定電極板とが電気的に接続されることになり、上記或る音響トランスデューサの電気的測定と、上記別の音響トランスデューサの電気的測定との間で影響を及ぼしあうことになるからである。
【００２２】
そこで、本発明に係る音響トランスデューサでは、不純物を添加した上記半導体基板の表面のうち、上記の電気的に接続されて領域の不純物の濃度は、これ以外の領域の不純物の濃度よりも低いものであってもよい。
【００２３】
不純物の濃度が低い領域は、不純物の濃度が高い領域と比較して電流が流れにくい。すなわち、抵抗値が高い。よって、上記の構成によれば、半導体基板と、振動膜または固定電極板とが電気的に接続されている領域の抵抗値が高くなる。
【００２４】
これにより、自装置の製造過程で、１枚の半導体基板上の複数の領域にそれぞれ振動膜および固定電極板が形成され、それぞれの領域で音響トランスデューサが形成されている状態において、当該複数の音響トランスデューサの電気的測定を同時に行うことができる。
【００２５】
なお、上記不純物は、上記半導体基板への添加によりライフタイムの短くなるものが好ましく、例えば、ボロン、リン、ヒ素、金、アルミニウム、鉄、クロム、およびこれらの化合物のいずれかであることが好ましい。
【００２６】
上記の音響トランスデューサと、該音響トランスデューサが検出した圧力の変化を取得する取得部とを備えたマイクロフォンであっても、上述した効果を奏することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように、本発明に係る音響トランスデューサは、半導体基板の表面に不純物が添加されている構成である。
【００２８】
また、本発明に係る音響トランスデューサの製造方法は、半導体基板の表面に不純物を添加する不純物添加ステップを含む方法である。
【００２９】
これにより、半導体基板の表面に光が当たったとしても、上記ライフタイムを短くすることができるので、光電効果により発生した電子と正孔との存在数を少なくすることができる。すなわち、流れる電流を少なくすることができる。よって、光が当たることにより発生する電流によるノイズを減少させることができるので、より正確に圧力を検出することができる圧力センサを提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態を示すものであり、音響センサの外観を示す斜視図である。
【図２】上記音響センサの分解斜視図である。
【図３】図１のＸ−Ｘ線に沿った、上記音響センサの矢視断面図である。
【図４】上記音響センサを含むマイクロフォンの要部構成を示す図である。
【図５】上記音響センサのシリコン基板において、不純物を添加する領域を示す図である。
【図６】不純物を添加することによる効果を説明するための図である。
【図７】不純物を添加する領域における不純物濃度の相違を説明するための図である。
【図８】１枚のウエハ上に複数のチップが製造される状態を示す図である。
【図９】１枚のウエハ上に複数のチップが製造される場合に、複数のチップ間の電気的な接続関係を示す図である。
【図１０】上記音響センサにおいて、シリコン基板と振動膜とが接続している状態を示す説明図である。
【図１１】上記音響センサの製造工程を示す説明図である。
【図１２】上記音響センサの製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の一実施の形態について図１〜図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００３２】
（音響センサの構造）
まず、図１〜３を用いて、本実施の形態に係る音響センサ（音響トランスデューサ）１の構造を説明する。図１は、音響センサ１の外観を示す斜視図である。また、図２は、音響センサ１の分解斜視図である。また、図３は、音響センサ１の断面図であり、同図（ａ）は、図１のＸ−Ｘ線に沿った、音響センサ１の矢視断面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の領域３１を拡大したものであり、同図（ｃ）は、同図（ａ）の領域３２を拡大したものである。
【００３３】
図１および２に示すように、音響センサ１は、貫通孔であるバックチャンバー１２が設けられたシリコン基板（半導体基板）１１の上面に、絶縁膜１３、振動膜（ダイアフラム）１４、および固定電極板５が積層されている構成である。そして、固定電極板５はバックプレート１５および固定電極１６を含む構成であり、バックプレート１５のシリコン基板１１側に固定電極１６が配置されている。なお、振動膜１４および固定電極板５は、逆に配置されていてもよい。
【００３４】
また、バックプレート１５、および固定電極１６には複数のアコースティックホール１７が設けられている。また、振動膜１４の四隅のうちの１つには、振動膜電極パッド１８が設けられており、固定電極１６の四隅のうちの１つには、固定電極パッド１９が設けられている。
【００３５】
また、図３に示すように、振動膜１４は、ストッパー２３を有しており、固定電極板５は、ストッパー２１を有している。さらに、振動膜１４と固定電極１６との間には４μｍ程度のエアーギャップ（空隙）２２が設けられている。
【００３６】
シリコン基板１１は、単結晶シリコンから成り、厚みは５００μｍ程度である。また、シリコン基板１１の上面および下面には、酸化膜によって絶縁被膜が形成されている。
【００３７】
振動膜１４は、導電性の多結晶シリコンから成り、厚みは０．７μｍ程度である。振動膜１４は、ほぼ矩形状の薄膜であり、四隅部分に固定部２０が設けられている。そして、振動膜１４は、バックチャンバー１２を覆うようにシリコン基板１１の上面に配置され、４つの固定部２０のみがシリコン基板１１に固定されており、音圧に感応して振動膜１４は上下に振動する。また、固定部２０の１つに振動膜電極パッド１８が設けられている。
【００３８】
バックプレート１５は、窒化膜から成り、厚みは２μｍ程度である。バックプレート１５は、周囲部がシリコン基板１１に固定されている。また、バックプレート１５と固定電極１６とで固定電極板５を形成している。固定電極１６は、多結晶シリコンから成り、厚みは０．５μｍ程度である。そして、固定電極１６には、固定電極パッド１９が設けられている。さらに、バックプレート１５および固定電極１６には、音圧を通過させるための孔であるアコースティックホール１７が複数設けられている。
【００３９】
なお、固定電極１６は、振動膜１４の四隅を除いた振動する部分と対応するように設けられている。振動膜１４の四隅は固定されており、この部分と対応する箇所に固定電極１６を設けても振動膜１４と固定電極１６との間の静電容量は変化しないためである。
【００４０】
このアコースティックホール１７により、音圧が固定電極板５に印加されずに、振動膜１４に印加されるようになる。また、アコースティックホール１７が設けられることにより、エアーギャップ２２中の空気が外部に逃げやすくなり、熱雑音が軽減され、ノイズを減少することができる。
【００４１】
また、振動膜１４および固定電極板５には、それぞれ、ストッパー２３およびストッパー２１が設けられている。ストッパー２３は、振動膜１４が、固定部２０以外で、シリコン基板１１と固着（スティック）することを防止するものであり、ストッパー２１は、振動膜１４と固定電極板５とが固着することを防止するものである。それぞれのサイズは、ストッパー２３が０．３μｍ程度の長さであり、ストッパー２１が１．０μｍ程度の長さである。
【００４２】
音響センサ１は、上述した構造により、表面側から音圧を受けると、固定電極板５は動かず、振動膜１４が振動する。これにより、振動膜１４と固定電極１６との間の距離が変化するので、振動膜１４と固定電極１６との間の静電容量が変化する。よって、振動膜１４と電気的に接続された振動膜電極パッド１８と、固定電極１６と電気的に接続された固定電極パッド１９との間に直流電圧を印加しておき、上記静電容量の変化を電気的な信号として取り出すことにより、音圧を電気信号として検出することができる。
【００４３】
（マイクロフォンの構成）
本実施の形態に係るマイクロフォン１０の構成について、図４を用いて説明する。図４は、マイクロフォン１０の要部構成を示す図であり、同図（ａ）は、マイクロフォン１０の外観を模式的に示す図、同図（ｂ）は、マイクロフォン１０のブロック図である。
【００４４】
図４（ａ）に示すように、マイクロフォン１０は、音響センサ１とＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuits、取得部）４１とが接続され、これらが、プリント基板４６上に配置され、ケース４２に囲われている構成である。また、ケース４２には、孔４３が設けられている。そして、外部からの音圧が孔４３を通過して音響センサ１に到達することで、音響センサ１で音圧を検出するものである。また、外部からの光が孔４３を通過して、音響センサ１に到達することで、光によるノイズが発生する可能性がある。
【００４５】
また、図４（ｂ）に示すように、ＡＳＩＣ４１は、チャージポンプ４４、およびアンプ部４５を含む構成である。そして、音響センサ１の振動膜電極パッド１８および固定電極パッド１９とＡＳＩＣ４１とが接続されている。
【００４６】
チャージポンプ４４は、直流電源であり、音響センサ１の振動膜電極パッド１８と固定電極パッド１９との間に直流電圧を印加するものである。
【００４７】
アンプ部４５は、音響センサ１の振動膜電極パッド１８と固定電極パッド１９との間の電圧を測定して、その変化量を出力するものである。なお、ＶＤＤは電源電圧を示し、ＶＯＵＴは出力電圧を示す。
【００４８】
（不純物の添加）
次に図５〜７を用いて、不純物の添加について説明する。図５は、不純物を添加する領域を示す図である。また、図６は、不純物を添加することによる効果を説明するための図である。また、図７は、不純物を添加する領域における不純物濃度の相違を説明するための図である。
【００４９】
本実施の形態では、シリコン基板１１の表面に不純物が添加してある。不純物の添加は、イオンドープにより行う。まず、不純物を添加する理由について説明する。
【００５０】
音響センサ１のシリコン基板１１に光が当たると、シリコン基板１１の原子が光に励起されて電子と正孔とが生じる（光電効果）。そして、生じた電子と正孔とが結合までに電流が発生する（光ノイズ）。この発生した電流が、振動膜電極パッド１８や固定電極パッド１９に流れることにより、ＡＳＩＣ４１が取り出す直流電圧に誤差が生じてしまう。
【００５１】
そこで、シリコン基板１１の表面に不純物を添加すると、下記の効果を奏する。すなわち、シリコン基板１１に光が当たることにより生じた電子と正孔とが結合するまでの時間が短くなる。よって、光電効果により生じた電流が流れる時間が短くなる。これにより、振動膜電極パッド１８や固定電極パッド１９に流れてしまう電流を減らすことができ、ＡＳＩＣ４１が取り出す直流電圧の誤差を減少させることができる。
【００５２】
図５を用いて、不純物を添加する領域について説明する。本実施の形態では、シリコン基板１１の振動膜１４、固定電極板５等が積層されている面である不純物添加領域５１に不純物が添加されている。これにより、アコースティックホール１７を通過して入射してきた光がシリコン基板１１の表面に当たることにより、生じる光ノイズを減少させることができる。
【００５３】
なお、不純物を添加する領域は、これに限られず、例えば、図５（ｂ）に示すように、シリコン基板１１の表面全体に添加するものであってもよい。これにより、マイクロフォン１０の筐体４２内部に入射してきた光によって生じる光ノイズを減少させることができる。
【００５４】
シリコン基板１１に添加する不純物としては、例えば、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、およびこれらの化合物を挙げることができる。
【００５５】
次に、不純物添加を行ったシリコン基板１１と、不純物添加を行っていないシリコン基板１１とに光を当てて、光の感度を計測した結果を図６に示す。なお、ここでは、不純物としてボロンを使用している。
【００５６】
図６において、縦軸が光の感度を示し、下に行くほど光ノイズが発生しにくいことを示している。図６に示すシリコン基板１１のうち、基板Ａ〜Ｆには不純物を添加しておらず、基板Ｇ〜Ｊには不純物を添加している。図６に示すように、不純物を添加してない基板Ａ〜Ｆよりも、不純物を添加した基板Ｇ〜Ｊの方が、光の感度が低い、すなわち光ノイズが発生しにくいことがわかる。
【００５７】
次に、図７を用いて、添加する不純物の濃度について説明する。図７は、シリコン基板１１を上面から見た図であり、斜線で示す領域７１は不純物の濃度が高く、領域７２は、不純物の濃度が低い。領域７２の部分は、振動膜電極パッド１８とシリコン基板１１とが電気的に接続している部分であり、この部分の不純物濃度を低くすることで電気抵抗を高くすることができる。これにより、製造過程において、１枚のウエハ（基板）に複数のチップ（音響センサ１）を製造するときに、チップ間の抵抗を保つことができ、複数のチップの電気的測定を同時に行うことができる。
【００５８】
複数のチップの電気的測定を同時に行うことができることについて、より詳細に図８、９を用いて説明する。図８は、１枚のウエハ上に複数のチップが製造される状態を示す図である。また、図９は、複数のチップ間の電気的な接続関係を示す図である。
【００５９】
図８に示すように、１枚のウエハ８１上に、複数のチップ（チップａ、チップｂ、チップｃ）が製造されている。このときの電気的な接続関係は図９に示すようになる。ここで、振動膜電極パッド１８とウエハ８１との間の抵抗８２の抵抗値が低い場合、全てのチップの振動膜電極パッド１８が短絡された状態となる。よって、この状態で、複数のチップの電気的測定を同時に行うと、それぞれのチップについて正確な測定結果がでない。一方、抵抗８２の抵抗値が高ければ、すべてのチップの振動膜電極パッド１８が短絡した状態となることはなく、複数のチップの電気的測定を同時に行うことができる。
【００６０】
また、振動膜１４とシリコン基板１１とを短絡するのは、振動膜１４と固定電極１５とがショートした場合に、音響センサ１が破壊されるのを防止するためである。なお、振動膜１４とシリコン基板１１とを短絡するのではなく、固定電極１６とシリコン基板１１とを短絡してもよい。
【００６１】
次に、図１０を用いて、振動膜１４とシリコン基板１１とが接続している状態について説明する。図１０の（ｂ）は、図１０の（ａ）におけるＹ−Ｙ線に沿った断面図である。
【００６２】
上述したように、図１０の（ａ）の領域７２のおいて、振動膜１４とシリコン基板１１とが接続されている。より詳細には、図１０の（ｂ）に示すように、振動膜電極パッド１８と振動膜１４とが接続されている。そして、振動膜電極パッド１８は、固定電極板１５上で、領域７２まで電気的に接続されており、領域７２において、シリコン基板１１と接続されている。
【００６３】
（音響センサの製造工程）
次に、図１１および図１２を用いて、音響センサ１の製造工程を説明する。図１１および図１２は、音響センサ１の製造工程を示す説明図である。
【００６４】
まず、図１１（ａ）に示すように、シリコン基板１０１の表面を熱酸化法によって酸化させ、表面を絶縁被膜（ＳｉＯ２膜）で覆う。そして、不純物添加領域１１１に対しイオンドープにより不純物を添加する（不純物添加ステップ）。次に、図１１（ｂ）に示すように、不純物を添加した不純物添加領域１１１の上に、犠牲層（多結晶シリコン）１０２、および犠牲層（酸化シリコン）１０３を堆積させる（形成ステップ）。そして、図１１（ｃ）に示すように、犠牲層１０３の上面に振動膜（多結晶シリコン）１０４を成膜する（形成ステップ）。
【００６５】
次に、図１１（ｄ）に示すように、成膜した振動膜１０４の上に犠牲層（酸化シリコン）１０５を堆積させ（形成ステップ）、さらに、その上に金属薄膜を成膜することにより固定電極１０６を形成し、窒化シリコン（絶縁層）を堆積させることによりバックプレート１０７を形成する（形成ステップ）。そして、金またはクロムを所定の位置に成膜することにより電極パッド１０８を形成するとともに、固定電極１０６およびバックプレート１０７に孔１０９を形成する。
【００６６】
その後、図１１（ｅ）に示すように、シリコン基板１０１を異方性エッチングによりエッチングする。
【００６７】
次に、図１２（ａ）に示すように、犠牲層１０２を等方性エッチングによりエッチングする。さらに、図１２（ｂ）に示すように、シリコン基板１０１の上面側をエッチングする。そして、図１２（ｃ）に示すように、シリコン基板１０１のエッチングを完了させて、最後に、図１２（ｄ）に示すように、犠牲層１０３、犠牲層１０５をエッチングする。これにより、音響センサ１が完成する。
【００６８】
本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
音圧をより正確に検出することができる小型の音響センサを実現できるので、例えば、携帯電話のマイクに好適である。
【符号の説明】
【００７０】
１    音響センサ（音響トランスデューサ）
５    固定電極板
１０    マイクロフォン
１１    シリコン基板（半導体基板）
１２    バックチャンバー
１３    絶縁膜
１４    振動膜
１５    バックプレート
１６    固定電極
１７    アコースティックホール
１８    振動膜電極パッド
１９    固定電極パッド
２０    固定部
２１、２３    ストッパー
２２    エアーギャップ（空隙）
４１    ＡＳＩＣ（取得部）
１０１    シリコン基板
１０２、１０３、１０５    犠牲層
１０４    振動膜
１０６    固定電極
１０７    バックプレート
１０８    電極パッド
１０９    孔
１１１    不純物添加領域
【図１】
0005400708.tif 000002
【図２】
0005400708.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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