(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの１次的なターゲットページに成功的にプログラムされた第１データを保存し、前記第１データに後続して受信された第２データの前記１次的なターゲットページへのプログラムの失敗に応答して、前記ローカルバックアップデータを前記不揮発性メモリの２次的なターゲットページにプログラミングするために、前記ローカルバックアップデータを提供するように構成されるローカルバックアップバッファを含み、
前記不揮発性メモリは、
ホストから第１データを受信した後、第２データを受信するように構成される不揮発性メモリコントローラと、
前記不揮発性メモリコントローラと接続され、プログラミングのために前記第１データと前記第２データとを前記不揮発性メモリに提供するように構成されるデータパイプラインと、を含み、
前記データパイプラインは、
前記不揮発性メモリコントローラと接続され、前記不揮発性メモリコントローラから前記第１データと前記第２データとを受信するように構成されるライトバッファと、
前記ライトバッファと接続され、前記ライトバッファから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記不揮発性メモリと接続されるページバッファと、を含み、
前記ローカルバックアップバッファは、前記データパイプラインで前記ページバッファと並列に配置されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記ローカルバックアップバッファは、前記１次的なターゲットページへの前記第１データの成功的なプログラミング検証に応答して、前記ローカルバックアップデータを提供するために前記第１データを保存するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に電子分野に係り、特に、不揮発性メモリの動作方法、及び関連した装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュＥＥＰＲＯＭ（Ｆｌａｓｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）のような不揮発性メモリは軽く、物理的な衝撃に強く、携帯するのに簡便なだけでなく、低電力で動作してバッテリー消耗量を減らすことができるために、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、携帯電話機、ノート型パソコン、またはＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）のような携帯用情報機器で多く使われている。
【０００３】
図１は、従来の不揮発性メモリシステム構造のブロック図である。図１を参照すれば、前記不揮発性メモリシステム１０は、コントローラ２０、多数のブロック３１、３５を含む不揮発性メモリ３０、ライトバッファ（ｗｒｉｔｅ  ｂｕｆｆｅｒ）４０、及びページバッファ（ｐａｇｅ  ｂｕｆｆｅｒ）５０を含む。
【０００４】
前記ブロックｉ３１は、第１ページ３３を含む多数のページを含み、前記ブロックｊ３５は、第２ページ３７を含む多数のページを含む。前記不揮発性メモリ３０は、多数のフラッシュＥＥＰＲＯＭを含み、それぞれのページ３３、３７は、ページ単位でデータを保存するために多数のフラッシュＥＥＰＲＯＭを含む。
【０００５】
図１を参照すれば、第２ページデータ（例えば、Ｍｏｓｔ  Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ  Ｂｉｔ（ＭＳＢ）ページデータ）をプログラミングする過程は、次のように説明される。このとき、第１ページデータ（例えば、Ｌｅａｓｔ  Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ  Ｂｉｔ（ＬＳＢ）ページデータ）は、ブロックｉ３１の第１ページ３３にプログラミングされていると仮定する。第２ページデータをブロックｉ３１の第１ページ３３にプログラミングするために、ライトバッファ４０は、コントローラ２０の制御下で前記コントローラ２０から出力された第２ページデータを受信して保存する（Ｓ１）。そして、ライトバッファ４０にロードされた（ｌｏａｄｅｄ）第２ページデータは、前記コントローラ２０の制御下でページバッファ５０にローディングされる（Ｓ２）。
【０００６】
ホストとページデータとを送受信する前記コントローラ２０は、前記ページバッファ５０にロードされた第２ページデータをターゲットページ（例えば、ブロックｉ３１の第１ページ３３）にプログラミングすることを試みる（Ｓ３）。前記ターゲットページ（例えば、ブロックｉ３１の第１ページ３３）で前記第２ページデータのプログラミングが失敗した場合、前記コントローラ２０は、前記第２ページデータを他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）に再びプログラミングするためにホストから第１ページデータを受信し、該受信された前記第１ページデータをライトバッファ４０に再び伝送する（Ｓ４）。
【０００７】
前記コントローラ２０の制御下で、前記ライトバッファ４０にロードされた第１ページデータは、再びページバッファ５０に伝送される（Ｓ５）。そして、前記ページバッファ５０にロードされた第１ページデータは、他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）にプログラムされる（Ｓ６）。ここで、前記コントローラ２０は、ページバッファ５０の状態レジスタ（図示せず）から出力された状態チェック信号に応答して、第１ページデータのプログラミングが成功したかを確認できる。
【０００８】
前記第１ページデータが成功的にプログラミングされる場合、前記コントローラ２０は、ホストから第２ページデータを受信した後、該受信された第２ページデータをライトバッファ４０に再び伝送する（Ｓ７）。そして、前記ライトバッファ４０にロードされた第２ページデータは、前記コントローラ２０の制御下で再びページバッファ５０に伝送される（Ｓ８）。その後、ページバッファ５０にロードされた第２ページデータは、他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）にプログラミングされる（Ｓ９）。
【０００９】
図１を参照して説明したように、第１ページデータがターゲットページ（例えば、第１ページ３３）に成功的に既にプログラミングされた後、第２ページデータの前記ターゲットページ（例えば、第１ページ３３）へのプログラミングが失敗した場合、前記コントローラ２０は、ホストから受信された第１ページデータと第２ページデータとを他のターゲットページ（例えば、前記第２ページ３７）にプログラミングする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明が果たそうとする技術的な課題は、現在のページデータのプログラミングの失敗が発生した場合、最初のページデータから以前のページデータまで、すべてのページデータを再び伝送されてプログラミングしなければならないプログラミング時間を短縮させて、ページデータのプログラミング動作の効率性を改善するための方法と該方法を実行するための装置とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を果たすための不揮発性メモリの動作方法は、ローカルバックアップデータ（ｌｏｃａｌ  ｂａｃｋ−ｕｐ  ｄａｔａ）を提供するために不揮発性メモリの第１ブロック（ｂｌｏｃｋ）の第１ターゲットページ（ｔａｒｇｅｔ  ｐａｇｅ）に成功的にプログラムされた第１データをバックアップする段階と、前記第１ターゲットページでの第２データのプログラミングの成敗を決定する段階と、前記ローカルバックアップデータを前記不揮発性メモリの第２ブロックの第２ターゲットページにプログラミングする段階と、を含む。
【００１２】
前記不揮発性メモリの動作方法は、前記ローカルバックアップデータを前記第２ターゲットページにプログラミングする段階と、前記第２データを前記第２ターゲットページにプログラミングする段階と、をさらに含む。前記ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第１ブロックの第１ターゲットページに成功的にプログラムされた第１データをバックアップする段階は、検証された第１データを提供するために前記第１ターゲットページにプログラムされた前記第１データを読出す段階と、前記検証された第１データを前記ローカルバックアップデータとして保存する段階と、を含む。
【００１３】
または、前記ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第１ブロックの第１ターゲットページに成功的にプログラムされた第１データをバックアップする段階は、前記ローカルバックアップデータを提供するために前記第１データを保存する段階と、検証された第１データを提供するために前記第１ターゲットページにプログラムされた前記第１データを読出す段階と、を含む。前記検証された第１データを前記ローカルバックアップデータとして保存する段階は、データパイプラインのページバッファから不揮発性メモリに、前記検証された第１データをアップストリームに配置される揮発性メモリ内の前記ローカルバックアップデータとして保存する段階を含む。前記揮発性メモリは、前記データパイプラインのライトバッファからアップストリームに配置される。
【００１４】
前記検証された第１データを前記ローカルバックアップデータとして保存する段階は、データパイプラインのページバッファと並列している不揮発性メモリコントローラから不揮発性メモリに、前記検証された第１データをダウンストリームに配置されるバックアップバッファ内の前記ローカルバックアップデータとして保存する。前記ローカルバックアップデータをプログラミングする段階は、ページバッファから、前記ページバッファへの前記ローカルバックアップデータの伝送なしに、前記ローカルバックアップデータを前記第２ターゲットページにプログラミングし、前記第２データをプログラミングする段階は、前記ページバッファから分離されて制御される構造を有する前記ページバッファから、前記第２データを前記第２ターゲットページにプログラミングする。
【００１５】
前記ローカルバックアップデータをプログラミングする段階は、ページバッファを通じて第１揮発性メモリから前記ローカルバックアップデータを前記第２ターゲットページにプログラミングし、前記第２データをプログラミングする段階は、前記ページバッファを通じて第２揮発性メモリから前記第２データを前記第２ターゲットページにプログラムする。
【００１６】
前記技術的課題を果たすための不揮発性メモリの動作方法は、不揮発性メモリの１次的なターゲットページへの後続して受信された第２データのプログラミングが失敗したと決定した後で、前記１次的なターゲットページに以前にプログラムされたローカルバックアップデータとして保存された第１データを前記不揮発性メモリの代替ターゲットページにプログラミングする段階を含む。
【００１７】
前記技術的課題を果たすための不揮発性メモリの動作方法は、ホストにデータの再伝送を要請せずに、前記ホストから受信された検証されたデータを不揮発性メモリのページに再プログラミングする段階を含む。
【００１８】
前記技術的課題を果たすための不揮発性メモリは、ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの１次的なターゲットページに成功的にプログラムされた第１データを保存し、前記第１データに後続して受信された第２データの前記１次的なターゲットページへのプログラムの失敗に応答して、前記ローカルバックアップデータを前記不揮発性メモリの２次的なターゲットページにプログラミングするために、前記ローカルバックアップデータを提供するように構成されるローカルバックアップバッファを含む。
【００１９】
前記不揮発性メモリは、ホストから第１データを受信した後、第２データを受信するように構成される不揮発性メモリコントローラと、前記不揮発性メモリコントローラと接続され、プログラミングのために前記第１データと前記第２データとを前記不揮発性メモリに提供するように構成されるデータパイプラインと、を含む。前記データパイプラインは、前記不揮発性メモリコントローラと接続され、前記不揮発性メモリコントローラから前記第１データと前記第２データとを受信するように構成されるライトバッファと、前記ライトバッファと接続され、前記ライトバッファから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記不揮発性メモリと接続されるページバッファと、を含み、前記ローカルバックアップバッファは、前記データパイプラインで前記ページバッファと並列に配置される。
【００２０】
前記不揮発性メモリは、ホストから前記第１データと前記第２データとを受信するように構成される不揮発性メモリコントローラと、前記不揮発性メモリコントローラと接続され、プログラミングのために前記不揮発性メモリに前記第１データと前記第２データとを提供するように構成されるデータパイプラインと、を含み、前記データパイプラインは、前記不揮発性メモリコントローラから前記第１データと前記第２データとを受信するように構成される第１揮発性メモリと、前記第１揮発性メモリから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記第１揮発性メモリから前記第１データと前記第２データとを受信するように構成されるライトバッファと、前記ライトバッファから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記不揮発性メモリと接続されるページバッファと、前記ページバッファの入力と接続され、前記ローカルバックアップデータを提供するように構成される第２揮発性メモリと、をさらに含む。
【００２１】
前記第２揮発性メモリは、前記１次的なターゲットページへの前記第１データの成功的なプログラミング検証に応答して、前記ローカルバックアップデータを提供するために前記第１データを保存するように構成される。前記ローカルバックアップバッファは、前記１次的なターゲットページへの前記第１データの成功的なプログラミング検証に応答して、前記ローカルバックアップデータを提供するために前記第１データを保存するように構成される。
【００２２】
前記技術的課題を果たすための不揮発性メモリシステムは、第１ページと第２ページとを含む不揮発性メモリと、コントローラと、を含み、前記コントローラは、第１揮発性メモリと、第２揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの前記第１ページにプログラミングするためにホストから受信された現在のページデータを前記第１揮発性メモリに受信して保存し、前記不揮発性メモリの前記第１ページにプログラミングされた以前のページデータ（ｐｒｅｖｉｏｕｓ  ｐａｇｅ  ｄａｔａ）を受信して前記第２揮発性メモリにバックアップするように構成されるプロセッサと、を含む。
【００２３】
前記技術的課題を果たすためのメモリカードを含むシステムは、第１ページと第２ページとを含む不揮発性メモリと、コントローラと、を含み、前記コントローラは、第１揮発性メモリと、第２揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの前記第１ページにプログラミングするためにホストから受信された現在のページデータを前記第１揮発性メモリに受信して保存し、前記不揮発性メモリの前記第１ページにプログラミングされた以前のページデータを受信して前記第２揮発性メモリにバックアップするように構成されるプロセッサと、カードインターフェースと、前記カードインターフェースと接続されるスロットと、を含み、前記メモリカードは、前記スロットに着脱可能である。
【発明の効果】
【００２４】
ページバッファの大きさの整数倍の大きさを有するバックアップバッファを含む本発明の実施形態による不揮発性メモリシステムは、ターゲットページに最初のページデータから第（ｉ−１）番目のページデータまでをプログラミングした後、前記ターゲットページで第ｉ番目のページデータのプログラミング失敗が発生すれば、前記最初のページデータから前記第（ｉ−１）番目のページデータまでをコントローラ（または、ホスト）から再び伝送されずに、バックアップバッファにバックアップされた前記最初のページデータから前記第（ｉ−１）番目のページデータまでを他のターゲットページに順次にプログラミングすることで、前記最初のページデータから前記第（ｉ−１）番目のページデータまでを前記コントローラから伝送されてローディングする時間を短縮する効果がある。
【００２５】
本発明の実施形態による多数の不揮発性メモリを含むコントローラは、現在のページデータがプログラミングされるターゲットページにプログラミングされた以前のページデータをバックアップして保存できるので、前記現在のページデータに対するプログラミングが失敗した場合でも、前記以前のページデータをホストから再伝送される必要がないので、ページデータの再ローディングに必要な期間と負担とを減らしうる効果がある。したがって、マルチレベルセルに対するプログラミング動作の効率性が高くなる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して、本発明を詳しく説明する。
【００２７】
図２は、本発明の実施形態による不揮発性メモリシステム構造のブロック図である。図２を参照すれば、不揮発性メモリシステム１００は、コントローラ（または、フラッシュカードコントローラ）１２０、多数のブロック３１、３５を含む不揮発性メモリ（または、不揮発性メモリ装置）３０、ライトバッファ４０、ページバッファ５０、及びバックアップバッファ６０を含む。不揮発性メモリシステム１００は、ＳＤカード（ｓｅｃｕｒｅ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｃａｒｄ）またはＭＭＣ（Ｍｕｌｔｉ−ｍｅｄｉａ  ｃａｒｄ）のようなメモリカードとして具現可能である。前記メモリカードは、スマートカードを含む。不揮発性メモリシステム１００は、フラッシュＥＥＰＲＯＭを含む電子装置に内蔵（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）されうる。
【００２８】
本発明の実施形態により、ライトバッファ４０とページバッファ５０は、不揮発性メモリ３０にデータを提供するデータパイプラインを提供する。特に、図２に図示されたフラッシュカードコントローラ１２０（または、不揮発性メモリコントローラ）は、不揮発性メモリ３０にプログラミングするためにホストからデータパイプラインに受信された前記データを提供する。“ダウンストリーム”という用語は、フラッシュカードコントローラ１２０から不揮発性メモリ３０へのデータのシーケンスまたは流れを示すものと理解される。例えば、ページバッファ５０は、データパイプラインにおいてライトバッファ４０からダウンストリームに存在する。一方、“アップストリーム”という用語は、不揮発性メモリ３０からフラッシュカードコントローラ１２０までのデータのシーケンスまたは流れを示すものと理解される。
【００２９】
バックアップバッファ６０は、多数の単位バックアップバッファ６１、６２、６３、．．．を含む。多数の単位バックアップバッファ６１、６２、６３、．．．のそれぞれの大きさ（または、容量、例えばキロバイト）は、ページバッファ５０の大きさまたは容量の整数倍であり得る。したがって、バックアップバッファ６０の大きさ（または、容量）は、ページバッファ５０の大きさ（または、容量）の整数倍であり得る。したがって、バックアップバッファ６０は、ページバッファ５０の大きさまたは容量の整数倍であり得る。バックアップバッファ６０は、データパイプラインのページバッファ５０と並列に配置されうる。さらに、ページバッファ５０とバックアップバッファ６０は、フラッシュカードコントローラ１２０によって互いに分離的に制御されうる。
【００３０】
不揮発性メモリ３０は、多数のフラッシュＥＥＰＲＯＭを含み、前記多数のフラッシュＥＥＰＲＯＭのそれぞれは、多数の論理値（例えば、ｍビット、ｍは２以上の自然数）を保存できる。そして、前記多数のフラッシュＥＥＰＲＯＭのそれぞれは、マルチレベルセルとして具現可能であり、前記多数のフラッシュＥＥＰＲＯＭのそれぞれは、２ビットまたはそれ以上のビットを保存できる。
【００３１】
図２を参照すれば、第２ページデータ（例えば、ＭＳＢページデータ）がプログラミングされる過程は、次のように説明されうる。このとき、第１ページデータ（例えば、ＬＳＢページデータ、時々１次的なターゲットページ（ｐｒｉｍａｒｙ  ｔａｒｇｅｔ  ｐａｇｅ）と称される）は、ブロックｉ３１の第１ページ３３に、正常にまたは成功的にプログラミングされていると仮定する。本発明の実施形態で、前記第１ページ３３にプログラムされたデータは、読み取り動作によって検証される。
【００３２】
第２ページデータをブロックｉ３１の第１ページ３３にプログラミングするために、ライトバッファ４０は、ホストと通信するコントローラ１２０の制御下でコントローラ１２０から出力された第２ページデータを受信して保存する（Ｓ１１）。
【００３３】
そして、コントローラ２０の制御下で、一度ライトバッファ４０にロードされた第２ページデータがページバッファ５０にロードされると、同時に前記第２ページデータがプログラミングされることになるブロックｉ３１の第１ページ３３にプログラミングされた第１ページデータ（例えば、ＬＳＢページデータ）は、ローカルバックアップデータを提供するためにバックアップバッファ６０にバックアップされる（Ｓ１２）。本発明の実施形態で、バックアップバッファ６０に保存されたバックアップデータは、最初に検証される。本発明の他の実施形態で、バックアップバッファ６０に保存されたバックアップデータは、ページバッファ５０から前記データが不揮発性メモリ３０にプログラミングされる時、ページバッファ５０から伝送される。ここで、“同時”とは、時間上完全に同時を意味することもでき、または少しの時間差がある場合を意味することもできる。
【００３４】
コントローラ１２０の制御下で、ページバッファ５０にロードされた第２ページデータは、ターゲットページ（例えば、ブロックｉ３１の第１ページ３３）にプログラミングすることが試みられる（Ｓ１３）。前記第２ページデータの前記ターゲットページ（例えば、ブロックｉ３１の第１ページ３３）へのプログラミングが失敗した場合、コントローラ１２０は、バックアップバッファ６０にバックアップされている第１ページデータを他のターゲットページまたは代替（ａｌｔｅｒｎａｔｅ）の／２次的なターゲットページ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｔａｒｇｅｔ  ｐａｇｅ）（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）にプログラミングする（Ｓ１４）。
【００３５】
前記第１ページデータが、前記他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）に成功的にプログラミングされた後、コントローラ１２０は、ページバッファ５０にロードされた第２ページデータを前記他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）にプログラミングする（Ｓ１５）。
【００３６】
したがって、本発明の実施形態による不揮発性メモリシステム１００は、前記第２ページデータのプログラミングが失敗した場合でも、コントローラ１２０が前記第１ページデータと前記第２ページデータとをライトバッファ４０に再びロードしないので、再ローディング（ｒｅ−ｌｏａｄｉｎｇ）に必要な時間を短縮しうる。したがって、不揮発性メモリシステム１０の再ローディング負担は、減少する。また、コントローラ１２０は、ホストから前記第１ページデータと前記第２ページデータとを再び受信しなくても良い。
【００３７】
図３は、本発明の実施形態によるページデータ保存方法のフローチャートである。図３を参照して、ページデータ保存方法を説明する前に、図２に図示された不揮発性メモリ３０の第１ページ３３と第２ページ３７のそれぞれは、多数の不揮発性メモリセルを含み、前記多数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、ｍビットを保存できると仮定する。例えば、ｍは、２以上であり得る。
【００３８】
例えば、コントローラ１２０の制御下で、不揮発性メモリ３０の第１ページ３３にプログラムされる第ｉ（ｍ≧ｉ>１、ｉは自然数）番目のページデータが、ページバッファ４０にローディングされるうちに（または、ローディングされるやいなや）、第１ページ３３にプログラムされた第１ページデータから第（ｉ−１）番目のページデータは、順次にまたは同時にバックアップバッファ６０にバックアップされる（図２のＳ１２と図３のＳ１１０）。
【００３９】
第１ページ３３に第ｉ番目のページデータのプログラミングが試みられ、該試みの結果が成功的ではない場合（Ｓ１２０）、コントローラ１２０の制御下で、バックアップバッファ６０にバックアップされた前記最初のページデータから前記第（ｉ−１）番目のページデータまでが不揮発性メモリ３０の第２ページ３７にプログラミングされ、前記プログラミングが成功的な場合、ページバッファ５０にロードされた前記第ｉ番目のページデータが第２ページ３７にプログラミングされる（Ｓ１３０）。
【００４０】
したがって、本発明の実施形態による不揮発性メモリシステム１００は、ｉ番目のページデータのプログラミングが失敗した場合でも、最初のページデータから（ｉ−１）番目のページデータまでをコントローラ１２０から再伝送されずに、バックアップバッファ６０にバックアップされた最初のページデータから（ｉ−１）番目のページデータまでを自動的に他のターゲットページにプログラミングした後、前記ｉ番目のページデータを前記他のターゲットページにプログラミングできる。
【００４１】
したがって、本発明の実施形態による不揮発性メモリシステム１００は、図１に図示されたメモリシステム１０よりターゲットページへの第ｉ番目のページデータのプログラミング時間がかなり短縮される。したがって、不揮発性メモリシステム１００の性能は、向上する。
【００４２】
図４は、本発明の他の実施形態によるコントローラを含む不揮発性メモリシステムのブロック図である。本発明によるコントローラ２２０は、第１揮発性メモリ２２３、第２揮発性メモリ２２５、及びプロセッサ２２１とを含む。第１揮発性メモリ２２３、及び第２揮発性メモリ２２５のそれぞれは、ＳＲＡＭとして具現されることもある。
【００４３】
プロセッサ２２１は、ホストから出力された不揮発性メモリ３０の第１ページ（例えば、３３）にプログラミングされる現在のページデータ（例えば、ＬＳＢページデータまたはＭＳＢページデータ）を受信し、これを第１揮発性メモリ２２３に保存する動作を制御する。同時に、プロセッサ２２１は、不揮発性メモリ３０の第１ページ（例えば、３３）にプログラムされた以前のページデータ（例えば、ＬＳＢページデータ）を読み取り、これを第２揮発性メモリ２２５にバックアップする動作を制御する。プロセッサ２２１は、ハードウェアまたはソフトウェアとして具現可能であり、ファームウエア（ｆｉｒｍｗａｒｅ）を内蔵するハードウェアとして具現されることもある。
【００４４】
プロセッサ２２１は、前記現在のページデータの前記第１ページへのプログラミングが失敗した場合、第２揮発性メモリ２２５にバックアップされた前記以前のページデータを不揮発性メモリ３０の第２ページ（例えば、３７）にプログラミングした後、第１揮発性メモリ２２３に保存された前記現在のページデータを第２ページ３７にプログラミングすることをさらに制御できる。第１揮発性メモリ２２３または第２揮発性メモリ２２５は、ページデータまたはページバッファ５０の大きさまたは容量の整数倍であり得る。
【００４５】
図４を参照すれば、本発明の実施形態によるページデータ保存方法は、次のように説明される。まず、コントローラ２２０のプロセッサ２２１は、ホストから出力されたＬＳＢページデータを受信し、これを第１揮発性メモリ２２３に保存する。コントローラ２２０の制御下で、第１揮発性メモリ２２３に保存された前記ＬＳＢページデータは、ライトバッファ４０を通じてページバッファ５０に伝送される。コントローラ２２０の制御下で、ページバッファ５０に伝送された前記ＬＳＢページデータは、ターゲットページの第１ページ（例えば、ブロックｉ３１の第１ページ３３）にライトまたはプログラミングされる。
【００４６】
前記ＬＳＢページデータが第１ページ３３に成功的にプログラミングされた場合、コントローラ２２０のプロセッサ２２１は、ホストから出力されたＭＳＢページデータを受信し、これを第１揮発性メモリ２２３に保存すると同時に第１ページ３３にプログラミングされたＬＳＢページデータを読み取り、該読み取られたＬＳＢページデータを第２揮発性メモリ２２５にバックアップする。ここで、ＭＳＢページデータを第１揮発性メモリ２２３に保存する動作とＬＳＢページデータを第２揮発性メモリ２２５にバックアップする動作は、同時に行われても、または所定の時間差を置いて連続的に行われても良い。
【００４７】
コントローラ２２０の制御下で、第１揮発性メモリ２２３に保存された前記ＭＳＢページデータは、ライトバッファ４０を通じてページバッファ５０に伝送される。コントローラ２２０の制御下で、ページバッファ５０に伝送された前記ＭＳＢページデータは、ターゲットページ（例えば、ブロックｉ３１の第１ページ３３）にライトまたはプログラミングされる。
【００４８】
前記ＭＳＢページデータの第１ページ３３へのプログラミングが失敗した場合、コントローラ２２０は、第２揮発性メモリ２２５にバックアップされたＬＳＢページデータをライトバッファ４０を通じてページバッファ５０に伝送する。コントローラ２２０は、ページバッファ５０に再びロードされた前記ＬＳＢページデータを他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）にライトまたはプログラミングする。その後、前記ＬＳＢページデータが成功的にプログラミングされた場合、コントローラ２２０は、第１揮発性メモリ２２３に保存されたＭＳＢページデータを他のターゲットページ（例えば、ブロックｊ３５の第２ページ３７）にライトまたはプログラミングする。
【００４９】
したがって、本発明によるコントローラ２２０は、ＭＳＢページデータに対するプログラミングが失敗した場合でも、ホストから再びＬＳＢページデータからＭＳＢページデータまでを再び伝送されなくても良い。
【００５０】
図５は、本発明の実施形態による不揮発性メモリシステムを含む電子システムのブロック図を表わし、図６(Ａ)ないし図６(Ｊ)は、本発明の実施形態による不揮発性メモリシステムを含む電子システムの例を表わす。図５ないし図６(Ｊ)を参照すれば、本発明による不揮発性メモリシステム１００または２００は、メモリカードとしても具現可能である。不揮発性メモリシステム１００または２００は、ビデオカメラ（図６(Ａ)）、ＴＶ（図６(Ｂ)）、ＭＰ３プレーヤー（図６(Ｃ)）、電子ゲーム機（図６(Ｄ)）、電子楽器（図６(Ｅ)）、携帯電話機のような携帯用通信端末機（図６(Ｆ)）、ＰＣ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｃｏｍｐｕｔｅｒ、図６(Ｇ)）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ、図６(Ｈ)）、ボイスレコーダー（ｖｏｉｃｅ  ｒｅｃｏｒｄｅｒ、図６(Ｉ)）、またはＰＣカード（または、メモリカードリーダー；図６(Ｊ)）などに使われうる。
【００５１】
したがって、ビデオカメラ（図６(Ａ)）、ＴＶ（図６(Ｂ)）、ＭＰ３プレーヤー（図６(Ｃ)）、電子ゲーム機（図６(Ｄ)）、電子楽器（図６(Ｅ)）、携帯用通信端末機（図６(Ｆ)）、ＰＣ（図６(Ｇ)）、ＰＤＡ（図６(Ｈ)）、ボイスレコーダー（図６(Ｉ)）、またはＰＣカード（または、メモリカードリーダー；図５(Ｊ)）などのそれぞれが、カードインターフェース４２０とカードインターフェース４２０に接続されうるスロット（または、接続部４１０）とを含む場合、スロット（または、接続部４１０）に電気的に接続される不揮発性メモリシステム１００または２００は、カードインターフェース４２０を通じてビデオカメラ（図６(Ａ)）、ＴＶ（図６(Ｂ)）、ＭＰ３プレーヤー（図６(Ｃ)）、電子ゲーム機（図６(Ｄ)）、電子楽器（図６(Ｅ)）、携帯用端末機（図６(Ｆ)）、ＰＣ（図６(Ｇ)）、ＰＤＡ（図６(Ｈ)）、ボイスレコーダー（図６(Ｉ)）、またはＰＣカード（または、メモリカードリーダー；図６(Ｊ)）などのそれぞれの電子回路４３０に備えられるＣＰＵまたはマイクロプロセッサ（図示せず）と所定のデータまたは命令を送受信することもできる。
【００５２】
前述したように、本発明の実施形態によるページバッファの大きさの整数倍であるバックアップバッファを含む不揮発性メモリシステムは、コントローラまたはホストから伝送された第１ページデータから第（ｉ−１）番目のページデータを受信する必要なしに成功的に他のターゲットページに、バックアップバッファにバックアップされている前記第１ページデータから前記第（ｉ−１）番目のページデータをプログラミングすることで、前記コントローラから伝送された前記第１ページデータから前記第（ｉ−１）番目のページデータを受信してロードする時間を短縮しうる。
【００５３】
本発明の実施形態による多数の不揮発性メモリを含むコントローラは、現在のページデータがプログラミングされるターゲットページにプログラミングされたバックアップされた以前のページデータを受信して保存する。したがって、現在のページデータのプログラミングが失敗した場合にも、ホストから伝送された前記以前のページデータを受信する必要がないので、ページデータを再ローディングする時間と負担とが減る。したがって、マルチ−レベルセルのプログラミング動作の効率が向上する。
【００５４】
本発明は、図面に図示された一実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の実施形態による装置と方法は、不揮発性メモリ、及び前記不揮発性メモリを含むシステムで使われうる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来の不揮発性メモリシステム構造のブロック図である。
【図２】本発明の実施形態による不揮発性メモリシステム構造のブロック図である。
【図３】本発明の実施形態によるページデータ保存方法のフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態によるコントローラを含む不揮発性メモリシステムのブロック図である。
【図５】本発明の実施形態による不揮発性メモリシステムを含む電子システムのブロック図である。
【図６】本発明の実施形態による不揮発性メモリシステムを含む電子システムの例を表わす図である。
【符号の説明】
【００５７】
３０：不揮発性メモリ                    ４０：ライトバッファ
５０：ページバッファ                    ６０：バックアップバッファ
１２０、２２０：コントローラ            ２２１：プロセッサ
２２３：第１揮発性メモリ                ２２５：第２揮発性メモリ
４１０：スロット（または、接続部）      ４２０：インターフェース
４３０：電子回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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