(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース体（Ｂ）上に半導体素子（Ｓ）とこれに電気的に接続すべき回路部品（Ｃ）とが間隔をおいて設置、固定され、その半導体素子（Ｓ）の電極部と回路部品（Ｃ）との間が、その間に渡って延びる導電性の金属ワイヤ（Ｗ）で結線されてなる半導体装置におけるワイヤボンディング構造であって、前記ワイヤ（Ｗ）が、前記半導体素子（Ｓ）の電極部表面に接合される一端部（Ｗａ）と、前記回路部品（Ｃ）の、前記電極部表面と高低差（ΔＬ）のある表面に接合される他端部（Ｗａ′）と、その一端部（Ｗａ）及び他端部（Ｗａ′）間を一体に接続し少なくとも中間部が上方に凸に彎曲したループ部（Ｗｍ）とを備えたワイヤボンディング構造の設計に当たり、
前記ワイヤ（Ｗ）の一端部（Ｗａ）と前記半導体素子（Ｓ）の電極部表面との間の接合部（ｂ）、及び前記ワイヤ（Ｗ）の他端部（Ｗａ′）と前記回路部品（Ｃ）との間の接合部（ｂ′）に発生する歪をそれぞれ推定し、
その歪と信頼性の相関値に基づいて、前記高低差（ΔＬ）及び前記ループ部（Ｗｍ）のループ高さ（ｈ）を各々設定することを特徴とする、半導体装置におけるワイヤボンディング構造の設計方法。
【請求項２】
前記歪と信頼性の相関値に基づいて、前記高低差（ΔＬ）が１〜５ｍｍの設定範囲内に設定されると共に、前記ループ部（Ｗｍ）のループ高さ（ｈ）が２〜７ｍｍの設定範囲内に設定されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置におけるワイヤボンディング構造の設計方法。
【請求項３】
前記ワイヤ（Ｗ）は、アルミニウムからなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体装置におけるワイヤボンディング構造の設計方法。
【請求項４】
前記ワイヤ（Ｗ）の形状、並びに前記ワイヤ（Ｗ）の一端部（Ｗａ）と前記半導体素子（Ｓ）の電極部表面との間の接合部（ｂ）、及び前記ワイヤ（Ｗ）の他端部（Ｗａ′）と前記回路部品（Ｃ）との間の接合部（ｂ′）の各断面形状に基づいて、それら接合部（ｂ，ｂ′）に発生する歪を推定することを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置におけるワイヤボンディング構造の設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュール等の半導体装置において、半導体素子とこれに電気的に接続すべき回路部品との間を、その間に渡って延びる金属ワイヤで結線したワイヤボンディング構造の設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記半導体装置におけるワイヤボンディング構造に用いられる金属ワイヤは、例えばＡｌ、Ｃｕ等の導電性金属よりなり、半導体素子の電極部表面に接合される一端部と、回路部品の表面に接合される他端部と、その一端部及び他端部間を一体に接続し中間部が上方に凸に彎曲したループ部とを備えた構造となっている。
【０００３】
ところで従来では、半導体装置の上記のようなワイヤボンディング部の寿命は、要求される寿命に対し、素子の発熱に因る温度上昇が支配的であると考えられており、その素子発熱に起因する通電電流値や通電時間とその条件下で得られる素子温度に着目して、温度加速による加速試験を行い、その加速試験結果から得られる耐久線図から寿命を予測している。しかしながら斯かる寿命予測手法は、半導体装置の一部、例えばモジュール構成要素の一部やワイヤボンディングの配線位置、本数等の何れか１つが変更されただけの場合でも、その都度、加速試験を行い、耐久寿命を求めなければならないため、寿命線図を得るまでに非常に長時間を要するといった問題があった。
【０００４】
また、ボンディングワイヤのパワーサイクルに対する高い寿命耐量を確保して信頼性の向上を図るための手法として、ワイヤ接合部の形状に着目し、その接合部形状を規定した技術も既に提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４００７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで半導体装置のワイヤボンディング部、特にパワーモジュールのワイヤボンディング部は、実使用環境における通電電流値によって素子が許容できる上昇温度とＯＦＦ時に下降する温度との間で温度変化が繰り返されても動作が保証できることを実験で求めてワイヤの耐久性が設定されている。そして、特許文献１の従来技術では、上記温度変化に起因してワイヤ接合部に生じる応力を勘案して、ワイヤ接合部の形状を規定するようにしている。
【０００７】
ところがワイヤの耐久性は、ワイヤ接合部の形状のみならず、ワイヤの特にループ高さや、ワイヤ両端部が接合される半導体素子・回路部品の被接合面の高低差（所謂、打点高低差）に大きく依存することが本発明者の研究により突き止められた。
【０００８】
本発明は、その研究結果に基づき、小型軽量且つ安価で信頼性が十分確保可能な半導体装置におけるワイヤボンディング構造の設計方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、ベース体上に半導体素子とこれに電気的に接続すべき回路部品とが間隔をおいて設置、固定され、その半導体素子の電極部と回路部品との間が、その間に渡って延びる導電性の金属ワイヤで結線されてなる半導体装置におけるワイヤボンディング構造であって、前記ワイヤが、前記半導体素子の電極部表面に接合される一端部と、前記回路部品の、前記電極部表面と高低差のある表面に接合される他端部と、その一端部及び他端部間を一体に接続し少なくとも中間部が上方に凸に彎曲したループ部とを備えたワイヤボンディング構造の設計に当たり、前記ワイヤの一端部と前記半導体素子の電極部表面との間の接合部、及び前記ワイヤの他端部と前記回路部品との間の接合部に発生する歪をそれぞれ推定し、その歪と信頼性の相関値に基づいて、前記高低差及び前記ループ部のループ高さを各々設定することを第１の特徴とする。
【００１０】
また本発明は、前記第１の特徴に加えて、前記歪と信頼性の相関値に基づいて、前記高低差が１〜５ｍｍの設定範囲内に設定されると共に、前記ループ部のループ高さが２〜７ｍｍの設定範囲内に設定されることを第２の特徴とする。
【００１１】
さらに本発明は、前記第１又は第２の特徴に加えて、前記ワイヤがアルミニウムからなることを第３の特徴とする。
【００１２】
さらに本発明は、前記第１〜第３の各特徴に加えて、前記ワイヤの形状、並びに前記ワイヤの一端部と前記半導体素子の電極部表面との間の接合部、及び前記ワイヤの他端部と前記回路部品との間の接合部の各断面形状に基づいて、それら接合部に発生する歪を推定することを第４の特徴とする。
【００１３】
本発明において、「ループ高さ」とは、ワイヤの一端部及び他端部のうちの高い方の端部が接合される半導体素子又は回路部品の被接合面から、ループ部の最高部までの高さをいう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の第１の特徴によれば、半導体装置におけるボンディング用ワイヤの構造形態、特にループ部のループ高さや、ワイヤ両端部が接合される半導体素子・回路部品の被接合面の高低差（打点高低差）を所定範囲内に規定することにより、ワイヤボンディング部の耐久性・信頼性を、ワイヤを特別に太くしたり或いは使用本数を特別に増やしたりすることなく効果的に高めることが可能となり、従って、半導体装置を大容量化しても、小型軽量且つ安価で耐久性・信頼性が十分確保可能なワイヤボンディング構造を得ることができ、半導体装置の小型軽量化やコストダウンに寄与することができる。
【００１５】
また特にワイヤ接合部に発生する歪を推定して、その歪と信頼性の相関値に基づいて最適なボンディング用ワイヤの構造形態（特にループ高さやワイヤ両端部の前記打点高低差）を設定するようにしたので、標準サンプルのみの試験結果で、熱応力緩和のための製品仕様の寿命を容易に推定可能であり、また実際の製品構造のワイヤ接合部及びワイヤのループ形状から、ワイヤ接合部に発生する熱応力を容易に推定可能である。またワイヤを特別に太くしたり或いは使用本数を特別に増やしたりしなくてもワイヤボンディング部の耐久性・信頼性を十分高めることができるワイヤボンディング構造を容易に設定可能である。
【００１６】
また本発明の第３の特徴によれば、ワイヤの材料としてアルミニウムを用いたことで、半導体装置の更なる軽量化とコスト節減に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施例に係るパワーモジュールの要部断面図
【図２】ワイヤ接合部の歪と信頼性相関値（耐久サイクル数）の関係を示すグラフ
【図３】ワイヤ接合部及びワイヤの簡略化したモデルを、ループ高さを変化させて示す模式図
【図４】ワイヤのループ高さとワイヤ接合部の発生応力との関係を示すグラフ
【図５】ワイヤ接合部及びワイヤの簡略化したモデルを、ループトップ位置を変化させて示す模式図
【図６】ワイヤのループトップ位置とワイヤ接合部の発生応力との関係を示すグラフ
【図７】ボンディングワイヤの熱変形に伴う変位、力の作用態様を簡略的に示す説明図
【図８】ワイヤ加熱時のワイヤ接合部の高低差（打点高低差）と発生歪の関係を示すグラフ
【図９】ワイヤ接合部の高低差（打点高低差）と耐久性増加率・歪減少率との関係を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００１９】
先ず、図１において、半導体装置としてのパワーモジュールＰＭは、ベース体としての放熱用金属製ベース板Ｂと、そのベース板Ｂ上に設置固定される絶縁回路基板Ｐと、その絶縁回路基板Ｐ上にハンダＨを介して接合される複数（図面上は２個だけを図示）の半導体素子Ｓ，Ｓ′と、同じくベース板Ｂ上に設置固定されて半導体素子Ｓに電気的に接続される回路部品Ｃとを少なくとも備える。
【００２０】
半導体素子Ｓと前記回路部品Ｃとの間には所定の間隔があけられているが、その間は、少なくとも１本のボンディングワイヤと呼ばれる導電性金属よりなる細いワイヤＷで結線されており、このワイヤＷは、図示例ではアルミニウムで構成される。尚、上記ワイヤＷの構成材料として、アルミニウムに代えて、銅や金等の導電性に優れた他の金属を用いてもよい。
【００２１】
また半導体素子Ｓ，Ｓ′としては、従来公知のパワー半導体素子、例えば、ＩＧＢＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、或いはＦＷＤといった各種素子が用いられる。また前記絶縁回路基板Ｐとしては、例えば従来公知のＤＣＢ基板が用いられる。
【００２２】
前記ワイヤＷは、半導体素子Ｓの平坦な電極部表面に接合される一端部Ｗａと、その一端部Ｗａに連なり且つ前記回路部品Ｃに向かって上側に斜めに立ち上がる一端側立ち上がり部Ｗｂと、前記回路部品Ｃの平坦な表面に接合される他端部Ｗａ′と、その他端部Ｗａ′に連なり且つ半導体素子Ｓに向かって上側に斜めに立ち上がる他端側立ち上がり部Ｗｂ′と、その両立ち上がり部Ｗｂ，Ｗｂ′の上端間を滑らかに接続すべく上方に凸に彎曲したループ部Ｗｍとより構成される。
【００２３】
ワイヤＷの両端部Ｗａ，Ｗａ′が接合される半導体素子Ｓの被接合面（前記電極部表面）と回路部品Ｃ上面の被接合面との間には高低差ΔＬが有り、この高低差ΔＬは、後述する理由により１〜５ｍｍの設定範囲内に設定される。また、その半導体素子Ｓと回路部品Ｃとの間には他の半導体素子Ｓ′が介在しているが、ワイヤＷのループ部Ｗｍは、該他の半導体素子Ｓ′を無理なく跨ぎ得るように、ルーフトップ部を半導体素子Ｓ側にオフセットさせたループ形状に形成されている。
【００２４】
また、前記ワイヤＷの一端部Ｗａと半導体素子Ｓの電極部表面との間の接合、並びに同ワイヤＷの他端部Ｗａ′と回路部品Ｃとの間の接合は、この種のワイヤを半導体素子の電極部等にボンディング結合する従来公知の手法、例えば超音波ボンディングにより行われる。
【００２５】
そして、前記ワイヤＷは、その外径が従来普通のボンディングワイヤと同様のサイズ、例えば４００μｍに設定されている。しかもこのワイヤＷは、後述する理由により、前記ループ部Ｗｍのループ高さｈが２ｍｍ以上、７ｍｍ以下の範囲内で設定される。
【００２６】
尚、ボンディングワイヤＷの両端部Ｗａ，Ｗａ′間の水平距離は、標準サイズのパワーモジュールＰＭにおける半導体素子Ｓ，Ｓ′や回路部品Ｃのレイアウト上の制約、ワイヤＷ自体の剛性強度の確保等の観点から、所定値以下（望ましくは３０ｍｍ以下）に設定されている。
【００２７】
而してパワーモジュールＰＭのワイヤボンディング部、即ちワイヤ接合部ｂ，ｂ′は、実使用環境における通電電流値によって半導体素子Ｓ，Ｓ′が許容できる上昇温度とＯＦＦ時に下降する温度との間で温度変化が繰り返されると、その際にワイヤ接合部に発生する熱応力により亀裂が発生し、この亀裂が徐々に進展して遂には接合部の破断、剥離が生じて断線故障の原因となることが知られている。そして、本発明者は、そのワイヤ接合部の耐久性がワイヤ接合部ｂ，ｂ′の形状のみならず、ワイヤのループ形状、特にループ高さｈや、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差（即ちワイヤ両端部Ｗａ，Ｗａ′が接合される半導体素子Ｓ・回路部品Ｃの被接合面の高低差ΔＬ（打点高低差））に大きく依存するのを、ワイヤ接合部の熱解析及び断面構造解析を順次行うことにより究明したものであり、その解析の手法を以下に具体的に説明する。
【００２８】
解析に際しては、半導体素子Ｓ、絶縁回路基板Ｐ、ワイヤＷ等の解析モデルを作成し、次いで、パワーモジュールＰＭの各スイッチング動作試験に対応した温度条件を設定し、それから熱応力解析を実施する事で、ワイヤ接合部に発生する応力の分布データを得るようにする。
【００２９】
このような解析手法によれば、ワイヤＷの一端部Ｗａと半導体素子Ｓの電極部表面との間の接合部ｂ、並びにワイヤＷの他端部Ｗａ′と回路部品Ｃとの接合部ｂ′の各断面形状やワイヤＷの形状から、それらのワイヤ接合部ｂ，ｂ′に発生する歪を推定可能となり、その歪と信頼性の相関値に基づいて最適なボンディング用ワイヤの構造形態（即ちループ形状、特に前記ループ高さｈや、両ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬ）を後述するように設定可能となる。従って、ワイヤを特別に太くしたり或いは使用本数を特別に増やしたりしなくてもワイヤボンディング部の耐久性・信頼性を十分高めることができるワイヤボンディングワイヤ形状を容易に設定可能である。
【００３０】
ところで本発明者が、半導体素子の電極部とワイヤとの接合部の歪と、信頼性との相関関係をＩＧＢＴ素子、ＦＷＤ素子についてそれぞれ調べたところ、図２の実験結果を得た。このグラフにおいて、横軸はワイヤ接合部の発生歪ε（％）であり、また縦軸は、ワイヤ接合部が破断に至るまでの温度サイクル試験のサイクル数ＬC （耐久サイクル数）であって、実験近似式としてＬC ＝Ｃ・ε-nが得られた。尚、この式でＣは定数である。
【００３１】
このグラフ（近似式）によれば、サイクル数ＬC が大きいほど耐久性（信頼性）が高いと判断できるので、このサイクル数を耐久性・信頼性の相関値とすることができる。
【００３２】
而して、この図２からも、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の歪εが大きくなればなるほど、前記サイクル数ＬC 、即ちワイヤ接合部の耐久性・信頼性が下がることが明らかである。
【００３３】
以上のような解析手法に基づいて、ワイヤのループ形状を種々変更してワイヤ接合部ｂ，ｂ′の歪（従って耐久性・信頼性）を調べた結果、パワーモジュールＰＭにおけるワイヤ接合部ｂ，ｂ′の耐久性・信頼性がワイヤ接合部自体の形状のみならず、ワイヤＷのループ形状、特にループ部Ｗｍの高さｈや、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬ（打点高低差）に大きく依存することが判明した。
【００３４】
即ち、ワイヤＷは、その一端部Ｗａが半導体素子Ｓの電極部に、またその他端部Ｗａ′が回路部品Ｃにそれぞれ接合されて固定端となり、そのループ部Ｗｍのループトップ部が自由端となることから、発熱に伴いワイヤ接合部ｂ，ｂ′には、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′を挟む上下の材料の熱膨張差に因る応力と、ループ部Ｗｍの熱変形（伸縮）が両端部Ｗａ，Ｗａ′に及ぼす変形荷重により生じる応力とが複合的に作用すると考えられるが、本発明は、そのうち特に後者の応力を軽減する手法を、次に具体的に説明するようにして究明したものである。
【００３５】
先ず、本発明者は、図３に示すようなワイヤ接合部及びワイヤの簡略化したモデルを想定し、両端を壁で固定されたワイヤＷが、温度上昇に伴うループ部の熱変形により壁を垂直に押す力Ｆを評価した。尚、この横向きの力Ｆは、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′を引き剥がす方向のモーメントを生じさせるので、この力Ｆ（従ってモーメント）が大きくなればなるほどワイヤ接合部ｂ，ｂ′に大きな応力が発生して、該接合部ｂ，ｂ′の耐久性・信頼性が低下する。
【００３６】
図４には、ワイヤ径が３００，４００，５００μｍ、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′間の間隔（支持スパン）が８ｍｍ、上昇変化温度ΔＴが１００°Ｃである場合に得られたループ高さｈ（横軸）と力Ｆ（縦軸）の関係が示される。これによれば、ワイヤ径に関係なく、ループ高さｈが高ければ高いほど力Ｆは小さくなっており、特にｈ＝２ｍｍ以上で力Ｆが急激に減少している。そこで本発明では、ループ高さｈの下限は２ｍｍと定め、一方、その上限は、ワイヤＷの剛性確保や半導体装置の小型軽量化の観点から７ｍｍと定めた。尚、ループ高さｈが高ければ高いほど力Ｆが小さくなる理由は、ループ高さｈが高ければ高いほどループ中間部の剛性が弱まり、両壁間でワイヤを突っ張らせる力が低下するためであると考えられる。
【００３７】
また図６には、図４と同じ条件で、図５に示す如くワイヤＷのループトップの位置ｔを変えた場合の、ループトップ位置ｔ（一方のループ立ち上がり部からの距離）と力Ｆの関係が示されている。そして、この図６によれば、ループトップ位置ｔを変えても、力Ｆに殆ど影響がないことが明らかであり、従って、本発明においても、ループトップ位置の如何は特に限定されない。
【００３８】
次に本発明者は、ワイヤＷのワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差（即ちワイヤ両端部Ｗａ，Ｗａ′が接合される半導体素子Ｓ・回路部品Ｃの被接合面の高低差ΔＬ（打点高低差））がワイヤ接合部ｂ，ｂ′の耐久性に及ぼす影響について検討した。
【００３９】
即ち、パワーモジュールＰＭの作動に伴いワイヤＷが発熱すると、図７に簡略的に示すように、ループ部Ｗｍが熱膨張により上方へ変位しようとし、それと同時にワイヤＷの両端部Ｗａ，Ｗａ′が、固定端であるワイヤ接合部ｂ，ｂ′に対し突っ張るように作用して、ワイヤ立ち上がり部Ｗｂ，Ｗｂ′に対し曲げ応力を生じさせると共に、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′に対し剪断応力（即ちワイヤ接合部ｂ，ｂ′を引き剥がそうとする力）を生じさせる。この場合、前記高低差ΔＬが大きくなるほどワイヤＷの前記突っ張り作用が低減され、これに伴い前記剪断応力も低減されるため、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′に発生する歪も小さくなって、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の耐久信頼性が増えるものと考えられる。
【００４０】
そこでワイヤＷを所定温度に加熱した場合の、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬと発生歪との関係を調べると、図８に示すように前記高低差ΔＬが大きくなるほどワイヤ接合部ｂ，ｂ′の発生歪が小さくなることが裏付けられた。
【００４１】
そこで更にワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬと、歪減少率η・耐久性増加率αとの各関係を調べると、図９の結果となった。ここで歪減少率ηとは、打点高低差ΔＬが０の場合の歪ε0 に対する、ΔＬがａの場合の歪εa の比率（即ちη＝εa ／ε0 ）を意味しており、一方、耐久性増加率αとは、図２に示すグラフ（実験近似式ＬC ＝Ｃ・ε-n）を用いて表される温度サイクル試験の耐久サイクル数ＬC について、打点高低差ΔＬが０の場合とａの場合の比率（α＝ＬC ａ／ＬC ｏ＝Ｃ・εa -n／Ｃ・ε0 -n＝（η）-n）を意味している。この場合、耐久性増加率αについては、２０％増（即ちα＝１．２）以上のサイクル増効果があれば、それは、製造公差、材料強度等によるばらつき要因ではない明確且つ客観的な効果と判断可能である。
【００４２】
そこで図９の実験結果について検討するに、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬの増加につれて、歪減少率η・耐久性増加率αともに増加傾向が見られるが、その増加傾向は、ΔＬ＝５ｍｍを超えるとほぼ頭打ちとなることから、そのΔＬの上限は、ワイヤＷの剛性確保や半導体装置の小型軽量化の観点から５ｍｍと定められる。
【００４３】
また特に耐久性増加率αについては、前述のように２０％増（即ち１．２）以上で明確且つ客観的なサイクル増（耐久性向上）効果があると判断できることから、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬの下限については、耐久性増加率αが２０％増となる１．０ｍｍと定められる。
【００４４】
以上のようにワイヤ接合部ｂ，ｂ′に発生する歪を、前記した解析手法で求め、その求めた歪と信頼性の相関値に基づいて最適なボンディング用ワイヤの構造形態（特にループ高さｈ、ワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬ）を設定する。その設定の際には、パワーモジュールＰＭに要求される種々の設計条件・要求を満たし且つ現実に製作可能な範囲において、ループ高さｈを２〜７ｍｍの設定範囲内で、またワイヤ接合部ｂ，ｂ′の高低差ΔＬを１〜５ｍｍの設定範囲内でそれぞれ適宜設定すれば、ワイヤボンディング部の耐久性・信頼性を、ワイヤＷを特別に太くしたり或いは使用本数を特別に増やしたりすることなく十分に確保可能となるものである。
【００４５】
その結果、パワーモジュールＰＭを大容量化しても、小型軽量且つ安価で耐久性・信頼性が十分確保可能なワイヤボンディング構造が容易に得られ、延いてはパワーモジュールＰＭの小型軽量化やコストダウンが達成可能となる。その上、標準サンプルのみの試験結果で、熱応力緩和のための製品仕様の寿命を容易に推定することができ、また実際の製品構造のワイヤ接合部及びワイヤのループ形状から、ワイヤ接合部に発生する熱応力は歪を容易に推定可能となる。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計変更を行うことが可能である。
【００４７】
例えば、前記実施例では、半導体素子ＳにワイヤＷを介して電気的に接続すべき回路部品として、半導体素子Ｓやこれを接合した絶縁回路基板Ｐから離間配置された別の回路素子Ｃを示したが、本発明の回路部品の概念には、少なくとも半導体素子の電極部にワイヤを介して電気的に接続すべき回路部であれば、形態や機能を問わず種々のものが含まれ、例えば回路基板の表面に露出する金属回路層やリードフレーム等も含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
Ｂ・・・・ベース体としての放熱用ベース板
Ｃ・・・・回路部品
ＰＭ・・・半導体装置としてのパワーモジュール
Ｓ・・・・半導体素子
Ｗ・・・・ワイヤ
Ｗａ・・・一端部
Ｗａ′・・他端部
Ｗｍ・・・ループ部
ｂ，ｂ′・・接合部
ｈ・・・・ループ高さ
ΔＬ・・・高低差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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