(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス転移温度が０℃以上４０℃未満である第１のポリイミド樹脂を含有する第１接着剤層と、
ガラス転移温度が４０℃以上８０℃未満である第２のポリイミド樹脂を含有し、前記第１接着剤層の一方面上に形成された第２接着剤層と、
を備え、
前記第１のポリイミド樹脂は、下記条件（１）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ａ）と、下記条件（２）を満たすジアミン（Ｂ）とを反応させて得られたものであり、
前記第２のポリイミド樹脂は、下記条件（３）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ｃ）と、下記条件（４）を満たすジアミン（Ｄ）とを反応させて得られたものである、
半導体用接着フィルム。
条件（１）：テトラカルボン酸二無水物（Ａ）は、当該テトラカルボン酸二無水物（Ａ）１００モルに対して下記式（Ｉ）で表される特定のテトラカルボン酸二無水物を５０モル以上含むものである。
【化１】
0005499459.tif 000024
条件（２）：ジアミン（Ｂ）は、当該ジアミン（Ｂ）１００モルに対して下記式（ＩＩ）で表される特定のジアミンをＸモル含むものであり、当該特定のジアミンの重量平均分子量をＭｗとした場合、Ｘ及びＭｗが下記式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる条件を同時に満たす。
【化２】
0005499459.tif 000025
［式中、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキレン基を示し、
ｎは２〜３０の整数を示す。］
４００≦Ｍｗ≦４０００      （ｉ）
Ｘ≦１００      （ｉｉ）
（１００００／Ｍｗ）≦Ｘ≦（１０００００／Ｍｗ）      （ｉｉｉ）
条件（３）：テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）は、当該テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）１００質量部に対して下記式（ＩＩＩ）で表される４，４’−オキシジフタル酸二無水物を全体の５０質量部以上含むものである。
【化３】
0005499459.tif 000026
条件（４）：ジアミン（Ｄ）は、当該ジアミン（Ｄ）１００質量部に対して下記式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンを５０質量部以上含むものである。
【化４】
0005499459.tif 000027
［式（ＩＶ）中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、同一分子中の複数のＲは同一でも異なっていてもよく、ｎ及びｍはそれぞれ独立に１〜３の整数を示す。］
【請求項２】
前記第１接着剤層及び前記第２接着剤層は、熱硬化樹脂及び無機フィラーを更に含有する、請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
半導体装置を製造する工程において、前記第１接着剤層の表面が半導体ウェハの裏面と当接する面として使用される、請求項１又は２に記載の半導体用接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップを支持部材に実装する際、これらを接着するダイボンディング材として銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体チップの小型化・高性能化、並びに、支持部材の小型化・細密化に伴い、銀ペーストを用いた方法では、ペーストのはみ出し、半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時の不具合などの問題が顕在化している。
【０００３】
近年、銀ペーストに替えて、接着剤をシート状に成形してなる接着フィルムが使用されるようになってきた。このような接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方式としては、個片貼付け方式及びウェハ裏面貼付け方式が知られている。
【０００４】
個片貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、リールに巻かれた状態の接着フィルムをカッティング又はパンチングによって切り出した後、切り出した接着フィルムを所定の位置に接着し、その上に個片化された半導体素子を接着する。その後、必要に応じてワイヤボンド、封止などの工程を経ることによって半導体装置が製造される。しかし、個片貼付け方式にあっては、上記の通り、接着フィルムを切り出して所望の位置に接着する専用の装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【０００５】
一方、ウェハ裏面貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼り合わせ、更に接着フィルムの他面にダイシングシートを貼り合せる。そして、半導体ウェハをダイシングするとともに、接着フィルムを切断することによって、接着フィルム付きの複数の半導体チップを得る。この接着フィルム付きの半導体チップをピックアップして支持部材上に貼り付ける。その後、加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより、半導体装置が製造される。
【０００６】
ウェハ裏面貼り付け方式は、接着フィルムを切り出した後、所定の位置に接着するための組立装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置を、そのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた方法の中では、製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている（特許文献１〜３を参照）。
【特許文献１】特開２００２−２２６７９６号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８２７６号公報
【特許文献３】特開平２−３２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体装置の更なる小型化及び薄型化を達成するため、ウェハの薄型化が進んでいる。半導体装置の製造に使用するウェハは、厚さが薄くなるに従い、熱や外力によってダメージを受けやすくなる。このため、ウェハの接着に使用される接着フィルムに対し、低温条件でウェハ裏面に貼り付けることができ且つピックアップ工程においてダイシングシートから容易に剥離するという性能が要求されるようになってきた。
【０００８】
しかしながら、従来の接着フィルムは、ウェハの裏面に貼り付ける際の温度を十分低温にできないという問題があった。また、仮に、貼り付ける際の温度を十分に低くできたとしても、接着剤フィルムの室温付近における強い粘着性のため、ウェハを接着フィルムとともに切断して得られる接着剤付き半導体チップをダイシングシートから効率的にピックアップできないという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、ウェハの裏面に十分に低い温度条件にて貼り付けることができるとともに、ピックアップ工程においてダイシングシートから容易に剥離する接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明者らは半導体用接着フィルムの構造について鋭意検討したところ、一種類の接着剤層からなる従来の単層構造に代え、半導体ウェハの裏面に当接する接着層と、ダイシングシートに当接する他の接着剤層とを有する多層構造とすることが有効であるとの知見を得た。更に、それぞれの接着剤層にポリイミド樹脂を含有せしめ、これらのポリイミド樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）をそれぞれ所定の範囲内とすることによって上記課題を解決できることを見出し、以下の本発明を完成させた。
【００１１】
すなわち、本発明に係る半導体用接着フィルムは、ガラス転移温度が０℃以上４０℃未満である第１のポリイミド樹脂を含有する第１接着剤層と、ガラス転移温度が４０℃以上８０℃未満である第２のポリイミド樹脂を含有し、第１接着剤層の一方面上に形成された第２接着剤層とを備える。
【００１２】
上記半導体用接着フィルムは、半導体装置を製造する工程において、半導体ウェハの裏面に対して第１接着剤層の表面が当接するように配置されると、低い温度条件（例えば、６０℃以下）で貼り付けた場合であっても半導体ウェハに対する十分な粘着性を有する。一方、第２接着剤層の表面とダイシングシートとを貼り合わせることによって、個片化された粘着フィルム付き半導体チップをダイシングシートから効率的にピックアップできる。
【００１３】
本発明に係る半導体用接着フィルムは、第１のポリイミド樹脂が下記条件（１）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ａ）と、下記条件（２）を満たすジアミン（Ｂ）とを反応させて得られたものである。
条件（１）：テトラカルボン酸二無水物（Ａ）は、当該テトラカルボン酸二無水物（Ａ）１００モルに対して下記式（Ｉ）で表される特定のテトラカルボン酸二無水物を５０モル以上含むものである。
【化１】
0005499459.tif 000002
条件（２）：ジアミン（Ｂ）は、当該ジアミン（Ｂ）１００モルに対して下記式（ＩＩ）で表される特定のジアミンをＸモル含むものであり、当該特定のジアミンの重量平均分子量をＭｗとした場合、Ｘ及びＭｗが下記式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる条件を同時に満たす。
【化２】
0005499459.tif 000003
［式中、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキレン基を示し、ｎは２〜３０の整数を示す。］
４００≦Ｍｗ≦４０００      （ｉ）
Ｘ≦１００      （ｉｉ）
（１００００／Ｍｗ）≦Ｘ≦（１０００００／Ｍｗ）      （ｉｉｉ）
【００１４】
第１のポリイミド樹脂が上記条件（１）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ａ）と、上記条件（２）を満たすジアミン（Ｂ）とを反応させて得られたものであると、上述の低温ウェハ裏面ラミネート性及び簡易ピックアップ性といった効果に加え、高い高温接着力及び高い耐リフロー性の両方を十分高水準に達成できるという効果が得られる。
【００１５】
また、本発明に係る半導体用接着フィルムは、第２のポリイミド樹脂が下記条件（３）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ｃ）と、下記条件（４）を満たすジアミン（Ｄ）とを反応させて得られたものである。
条件（３）：テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）は、当該テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）１００質量部に対して下記式（ＩＩＩ）で表される４，４’−オキシジフタル酸二無水物を全体の５０質量部以上含むものである。
【化３】
0005499459.tif 000004
条件（４）：ジアミン（Ｄ）は、当該ジアミン（Ｄ）１００質量部に対して下記式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンを５０質量部以上含むものである。
【化４】
0005499459.tif 000005
【００１６】
第２のポリイミド樹脂が上記条件（３）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ｃ）と、上記条件（４）を満たすジアミン（Ｄ）とを反応させて得られたものであると、上述の低温ウェハ裏面ラミネート性及び簡易ピックアップ性といった効果に加え、高い高温接着力及び高い耐リフロー性の両方を十分高水準に達成できるという効果が得られる。
【００１７】
本発明に係る半導体用接着フィルムにおいては、本発明の効果をより一層安定的且つ確実に得る観点から、第１接着剤層及び第２接着剤層が熱硬化樹脂及び無機フィラーを更に含有することが好ましい。なお、第１接着剤層及び第２接着剤層に含有せしめる熱硬化性樹脂は、同一のものであってもよく、互いに異なるものであってもよい。また、第１接着剤層及び第２接着剤層に含有せしめる無機フィラーは、同一のものであってもよく、互いに異なるものであってもよい。
【００１８】
本発明に係る半導体用接着フィルムは、半導体装置を製造する工程において、第１接着剤層の表面が半導体ウェハの表面と当接する面として使用されることが好ましい。このようにして使用されることにより、上述の効果が十分に発揮される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ウェハの裏面に貼り付ける際の温度を十分に低温にできるとともに、ピックアップ工程においてダイシングシートから容易に剥離する接着フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る半導体用接着フィルムを示す断面図である。同図に示す接着フィルム１は、ガラス転移温度が０℃以上４０℃未満である第１のポリイミド樹脂を含有する接着剤層（第１接着剤層）１ａと、ガラス転移温度が４０℃以上８０℃未満である第２のポリイミド樹脂を含有し、接着剤層１ａの一方面上に形成された接着剤層（第２接着剤層）１ｂとを備える。
【００２２】
接着フィルム１の接着剤層１ａ側の面Ａはウェハの裏面と当接する面であり、高いタック強度を有している。他方、接着フィルム１の接着剤層１ｂ側の面Ｂはダイシングシートと当接する面であり、面Ａのタック強度と比較して低いタック強度を有している。
【００２３】
＜ポリイミド樹脂＞
接着剤層１ａ，１ｂが含有するポリイミド樹脂について説明する。ポリイミド樹脂は、下記式（ａ）で表される構成単位を有する。ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応によりポリアミック酸を生成させるステップと、ポリアミック酸からポリイミド樹脂を生成させるステップとを含む方法により得られる。
【化５】
0005499459.tif 000006
式中、Ｒ１はテトラカルボン酸二無水物に由来する４価の残基を示し、Ｒ２はジアミンに由来する２価の残基を示す。
【００２４】
テトラカルボン酸二無水物及びジアミンからポリイミド樹脂を生成させる反応は、当業者には理解されるように、一般にポリイミド樹脂の合成反応において採用されている条件を適宜採用して行うことができる。
【００２５】
（第１のポリイミド樹脂）
接着剤層１ａが含有する第１のポリイミド樹脂は、ガラス転移温度が０℃以上４０℃未満であり、５〜３５℃であることが好ましく、１０〜３０℃であることがより好ましい。当該ポリイミド樹脂のガラス転移温度が０℃未満であると、室温における接着フィルムの取り扱いが困難となり、他方、４０℃を超えると、接着剤層１ａ表面のタック強度が不足して低温ウェハラミネート性が不十分となる。
【００２６】
第１のポリイミド樹脂は、下記条件（１）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ａ）と、下記条件（２）を満たすジアミン（Ｂ）とを反応させて得られたものであることが好ましい。
条件（１）：テトラカルボン酸二無水物（Ａ）は、当該テトラカルボン酸二無水物（Ａ）１００モルに対して下記式（Ｉ）で表される特定のテトラカルボン酸二無水物を５０モル以上含むものである。
【化６】
0005499459.tif 000007
条件（２）：ジアミン（Ｂ）は、当該ジアミン（Ｂ）１００モルに対して下記式（ＩＩ）で表される特定のジアミンをＸモル含むものであり、当該特定のジアミンの重量平均分子量をＭｗとした場合、Ｘ及びＭｗが下記式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる条件を同時に満たす。
【化７】
0005499459.tif 000008
［式中、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキレン基を示し、ｎは２〜３０の整数を示す。］
４００≦Ｍｗ≦４０００      （ｉ）
Ｘ≦１００      （ｉｉ）
（１００００／Ｍｗ）≦Ｘ≦（１０００００／Ｍｗ）      （ｉｉｉ）
【００２７】
第１のポリイミド樹脂が上記条件（１）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ａ）と、上記条件（２）を満たすジアミン（Ｂ）とを反応させて得られたものであると、低温ウェハラミネート性及び簡易ピックアップ性といった効果に加え、高い高温接着力及び高い耐リフロー性の両方を十分高水準に達成できるという効果が得られる。
【００２８】
テトラカルボン酸二無水物（Ａ）は、上記式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物を５０モル以上含むことが好ましく、６０モル％以上含むことがより好ましく、７０モル％以上含むことが更に好ましい。上記式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物が５０モル％未満であると、高温接着力が低下する傾向がある。なお、全テトラカルボン酸二無水物に対して上記式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物の割合が１００モル％であってもよい。
【００２９】
式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物と他のテトラカルボン酸二無水物とを併用する場合、テトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、２，６−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸無水物）スルホン、ビシクロ〔２．２．２〕オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリト酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリト酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４−オキシジフタル酸二無水物、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）を使用できる。
【００３０】
ジアミン（Ｂ）は、上記式（ＩＩ）で表されるジアミン（重量平均分子量Ｍｗ）を所定量含むことが好ましい。分子量Ｍｗの大きいジアミンを使用する場合は、全ジアミンに対する含有量（モル％）を減らし、逆に分子量Ｍｗの小さいジアミンを使用する場合は、含有量（モル％）を増やすことが好ましい。
【００３１】
式（ＩＩ）で表されるジアミンは、全ジアミンに対してＸモル％（Ｍｗ＝４００〜４０００、１００００／Ｍｗ≦Ｘ≦１０００００／Ｍｗ、Ｘ≦１００）であることが好ましく、Ｙモル％（Ｍｗ＝４００〜４０００、１５０００／Ｍｗ≦Ｙ≦９００００／Ｍｗ、Ｙ≦１００）であることがより好ましく、Ｚモル％（Ｍｗ＝４００〜４０００、２００００／Ｍｗ≦Ｚ≦８００００／Ｍｗ、Ｚ≦１００）であることが更に好ましい。式（ＩＩ）で表されるジアミンが１００００／Ｍｗモル％未満であると、低温ウェハラミネート性が不十分となりやすく、他方、１０００００／Ｍｗモル％を超えると、高温接着力及び耐リフロー性が不十分となりやすい。
【００３２】
上記式（ＩＩ）で表されるジアミンとしては以下のものを例示でき、これらは２種以上を混合して用いてもよい。
【化８】
0005499459.tif 000009
【００３３】
式（ＩＩ）で表されるジアミンと他のジアミンとを併用する場合、ジアミンとして、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、ダイマージアミン等の脂肪族ジアミン；ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４’−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４’−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等の芳香族ジアミン；及び下記式（ｂ）で表されるジアミノシロキサンを使用できる。
【化９】
0005499459.tif 000010
式中、Ｑ１及びＱ２はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基又はフェニレン基を示し、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５及びＱ６はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５０の整数を示す。
【００３４】
式（ｂ）で表されるジアミノシロキサンの具体例として、以下のものを例示できる。（ｐが１のとき）
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン。
（ｐが２のとき）
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン等があり、
（ｐが３〜５０のとき）
【化１０】
0005499459.tif 000011
【００３５】
（第２のポリイミド樹脂）
接着剤層１ｂが含有する第２のポリイミド樹脂は、ガラス転移温度が４０℃以上８０℃未満であり、４５〜７５℃であることが好ましく、５０〜７０℃であることがより好ましい。当該ポリイミド樹脂のガラス転移温度が４０℃未満であると、接着剤層１ｂ表面のタック強度が過度に高くなり、他方、８０℃を超えると、ダイボンド温度を高温にする必要があり、この場合チップ反りなどの問題が生じやすくなる。
【００３６】
第２のポリイミド樹脂は、下記式（ＩＶ−Ａ）で表される構成単位を含むことが好ましく、下記式（Ｖ−Ａ）で表される構成単位を含むことがより好ましい。なお、式（Ｖ−Ａ）の構成単位は、式（ＩＩＩ−Ａ）の構成単位及び式（ＩＶ−Ａ）の構成単位のいずれにも該当してもよい。
【００３７】
【化１１】
0005499459.tif 000012
【００３８】
式（ＩＶ−Ａ）及び（Ｖ−Ａ）中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、同一分子中の複数のＲは同一でも異なっていてもよく、ｎ及びｍはそれぞれ独立に１〜３の整数を示す。Ｒは好ましくは炭素数１〜５のアルキル基であり、最も典型的にはメチル基である。ｎ及びｍは３であることが好ましい。
【００３９】
第２のポリイミド樹脂は、下記条件（３）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ｃ）と、下記条件（４）を満たすジアミン（Ｃ）とを反応させて得られたものであることが好ましい。
条件（３）：テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）は、当該テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）１００質量部に対して下記式（ＩＩＩ）で表される４，４’−オキシジフタル酸二無水物を全体の５０質量部以上含むものである。
【化１２】
0005499459.tif 000013
条件（４）：ジアミン（Ｄ）は、当該ジアミン（Ｄ）１００質量部に対して下記式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンを５０質量部以上含むものである。
【化１３】
0005499459.tif 000014
【００４０】
第２のポリイミド樹脂が上記条件（３）を満たすテトラカルボン酸二無水物（Ｃ）と、上記条件（４）を満たすジアミン（Ｄ）とを反応させて得られたものであると、低温ウェハラミネート性及び簡易ピックアップ性といった効果に加え、高い高温接着力及び高い耐リフロー性の両方を十分高水準に達成できるという効果が得られる。
【００４１】
テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）は、上記式（ＩＩＩ）で表される４，４’−オキシジフタル酸二無水物（以下場合により「ＯＤＰＡ」という。）を含むことが好ましい。すなわち、第２のポリイミド樹脂は、下記式（ＩＩＩ−Ａ）で表される構成単位を含むことが好ましい。式（ＩＩＩ−Ａ）中のＲ２は上記式（ａ）中のＲ２と同様、ジアミンに由来する２価の残基を示す。
【００４２】
【化１４】
0005499459.tif 000015
【００４３】
テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）は、条件（３）に記載の通り、当該テトラカルボン酸二無水物（Ｃ）１００質量部に対し、ＯＤＰＡを５０質量部以上含有することが好ましく、６０質量部以上含有することがより好ましく、７０質量部以上含有することが更に好ましい。ＯＤＰＡの割合が５０質量部未満であると、接着フィルムの耐湿性が不十分となりやすい。なお、全テトラカルボン酸二無水物に対してＯＤＰＡの割合が１００質量部であってもよい。
【００４４】
ＯＤＰＡと他のテトラカルボン酸二無水物とを併用する場合、テトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、２，６−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸無水物）スルホン、ビシクロ〔２．２．２〕オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリト酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリト酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物及びテトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物を使用できる。
【００４５】
ジアミン（Ｄ）は、条件（４）に記載の通り、当該ジアミン（Ｄ）１００質量部に対して下記式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンを５０質量部以上含むことが好ましく、６０質量部以上含有することがより好ましく、７０質量部以上含有することが更に好ましい。式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンが５０質量部未満であると、１００℃以下で接着フィルム１をダイボンディングシートに貼り付けることが困難となりやすい。これに加え、接着フィルム１を引き伸ばして破断する際にバリが生じやすくなる。なお、全ジアミンに対して式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンの割合が１００質量部であってもよい。
【００４６】
式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンの具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン及び１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサンが挙げられる。
【００４７】
式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンと他のジアミンとを併用する場合、ジアミンとして、脂肪族ジアミン、芳香族ジアミン及び式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミン以外のシロキサンジアミンを使用できる。
【００４８】
脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン及び１，１２−ジアミノドデカンが挙げられる。
【００４９】
芳香族ジアミンとしては、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４’−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４’−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン及びビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホンが挙げられる。
【００５０】
式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンと併用され得るシロキサンジアミンとしては、下記式（ｃ）で表されるもの（式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンを除く）が挙げられる。式（ｃ）中、Ｑ１及びＱ２はそれぞれ独立にフェニレン基又は炭素数１〜５のアルキレン基（ただし、ｐが１のとき炭素数４〜５のアルキレン基）を示し、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５及びＱ６はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５０の整数を示す。
【００５１】
【化１５】
0005499459.tif 000016
【００５２】
式（ｃ）で表されるシロキサンジアミンの具体例として、以下のものを例示できる。
（ｐが１のとき）
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、及び１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン。
（ｐが２のとき）
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン。
（ｐが３〜５０のとき）
【化１６】
0005499459.tif 000017
【００５３】
（ポリイミド樹脂以外の成分）
接着フィルム１の接着剤層１ａ，１ｂは、ポリイミド樹脂に加えて、同じもしくは違った熱硬化性成分及び／又はフィラーを含有していてもよい。また、複数の種類の成分を併用してもよい。熱硬化性成分は、加熱により３次元的網目構造を形成して硬化し得る成分であり、例えば、熱硬化性樹脂とその硬化剤及び／又は硬化促進剤から構成される。熱硬化性成分を用いることにより、高温での剪断接着力が高くなる傾向がある。ただし、熱硬化性成分を用いると高温でのピール接着力は逆に低下する傾向があるため、使用目的に応じて、熱硬化性成分の使用の有無を適宜選択するのがよい。
【００５４】
接着剤層１ａ，１ｂに含有せしめる熱硬化性樹脂の量は、ポリイミド樹脂１００質量部に対して、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは１〜５０質量部である。熱硬化性樹脂の含有量が１００質量部を超えるとフィルム形成性が低下する傾向がある。熱硬化性樹脂は、好ましくはエポキシ樹脂及び２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物から選ばれる。
【００５５】
熱硬化性樹脂として用いられるエポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有する化合物である。硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が好ましい。フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ若しくはハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、及びビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテルが挙げられる。エポキシ当量が１００〜５００のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００５６】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、その硬化剤としてフェノール樹脂が好適に用いられる。フェノール樹脂のＯＨ当量は５０〜６００であることが好ましい。フェノール樹脂は、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物である。フェノール樹脂の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、及びフェノールアラルキル樹脂が挙げられる。フェノール樹脂を用いる場合、その量はエポキシ樹脂１００質量部に対して好ましくは１〜３００質量部、より好ましくは１〜１５０質量部、更に好ましくは１〜１２０質量部である。３００質量部を超えると硬化性が低下する傾向がある。
【００５７】
エポキシ樹脂と組み合わせられる硬化剤又は硬化促進剤としては、フェノール樹脂の他に、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレートが用いられる。これらは、２種以上を併用してもよい。硬化促進剤の量はエポキシ樹脂１００質量部に対し、好ましくは０〜５０質量部、より好ましくは０．１〜５０質量部、更に好ましくは０．１〜２０質量部である。硬化促進剤の量が５０質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００５８】
エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び硬化促進剤を組み合わせて用いる場合、接着剤層１ａ，１ｂの組成は、例えば、エポキシ樹脂の含有量はポリイミド樹脂１００質量部に対して１〜１００質量部、フェノール樹脂の含有量はエポキシ樹脂１００質量部に対し１〜６００質量部、硬化促進剤の含有量はエポキシ樹脂１００質量部に対し０〜５０質量部であることが好ましい。
【００５９】
熱硬化性樹脂として用いられるイミド化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、１，４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼン、及び下記式（ｄ）、（ｅ）又は（ｆ）で表されるイミド化合物がある。
【００６０】
【化１７】
0005499459.tif 000018
式（ｄ）中、Ｘ１は−Ｏ−、−ＣＨ２−、−ＣＦ２−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−Ｃ（ＣＦ３）２−を示し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立に水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｚ１はエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。
【００６１】
【化１８】
0005499459.tif 000019
式（ｅ）中、Ｘ２は−Ｏ−、−ＣＨ２−、−ＣＦ２−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−Ｃ（ＣＦ３）２−を示し、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８はそれぞれ独立に水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｚ２はエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。
【００６２】
【化１９】
0005499459.tif 000020
式（ｆ）中、ｒは０〜４の整数を示す。
【００６３】
式（ｄ）で表されるイミド化合物としては、例えば、４，４’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４’−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミド−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，４’−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４’−ビスマレイミドジフェニルケトン、２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４，４’−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパンが挙げられる。
【００６４】
式（ｅ）で表されるイミド化合物としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパンが挙げられる。
【００６５】
これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合開始剤を使用してもよい。ラジカル重合開始剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、及びアゾビスイソブチロニトリル等がある。ラジカル重合開始剤の使用量は、イミド化合物１００質量部に対して、０．０１〜１．０質量部が好ましい。
【００６６】
フィラーは、Ｂステージ状態の接着フィルム１の破断強度の向上及び引張破断伸びの低減や、接着フィルム１の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的として用いられる。フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉及び銅粉から選らばれる導電性フィラーや、無機物質を含む非金属系の無機フィラーが用いられる。
【００６７】
無機フィラーを構成する無機物質としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ及びアンチモン酸化物が挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカが好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、及び非晶性シリカが好ましい。また、耐湿性を向上させるためにはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、及びアンチモン酸化物が好ましい。複数種のフィラーを併用してもよい。
【００６８】
フィラーの含有量を多くすることにより、接着フィルム１の破断強度を上昇させたり、弾性率を高めたり、じん性を大きくしたりすることが可能である。ただし、フィラーの含有量を多くし過ぎると、接着フィルム１の接着性が低下して、耐リフロークラック性が低下する傾向がある。特に、有機基板のような凹凸表面を有する被着体と半導体チップとの接着に用いられたときに接着層が破壊し易くなる。また、フィラーが増えると接着フィルム１を半導体ウェハへ貼り付け可能な温度が上昇する傾向がある。このような観点から、フィラーの含有量は、半導体用接着フィルムの全質量に対して８０質量％未満であることが好ましく、６０質量％未満であることがより好ましく、４０質量％未満であることが更に好ましい。フィラーの含有量は、ポリイミド樹脂１００質量部に対し１質量部以上が好ましく、３質量部以上がより好ましい。
【００６９】
＜半導体用接着フィルムの作製方法＞
接着剤層１ａ，１ｂは、例えば、ポリイミド樹脂、熱硬化性成分、フィラー及びこれらを溶解又は分散する有機溶剤を含有する塗工液（ワニス）をベースフィルムに塗付し、ベースフィルム上の塗工液から加熱により有機溶剤を除去する方法で得ることができる。上記塗工液は、各原料を混合し、攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなどの分散機を適宜組み合せて混練する方法により調製することができる。
【００７０】
有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ及びジオキサンが挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００７１】
ベースフィルムは、有機溶剤の除去のための加熱に耐えるものであれば特に限定するものではない。ベースフィルムの例としては、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、及びメチルペンテンフィルムが挙げられる。これらフィルムを２種以上組み合わせた多層フィルムをベースフィルムとして用いてもよい。ベースフィルムの表面はシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されていてもよい。有機溶剤の除去後、ベースフィルムを除去することなく、半導体用接着フィルムの支持体としてそのまま用いてもよい。
【００７２】
接着フィルム１は、ベースフィルム及びその表面に設けられた接着剤層１ａを有する第１フィルムと、ベースフィルム及びその表面に設けられた接着剤層１ｂを有する第２フィルムとをそれぞれ作製し、第１フィルムと第２フィルムとを貼り合わせることによって作製できる。あるいは、接着フィルム１は、接着剤層１ａ，１ｂ形成用のワニスをベースフィルム上に順次塗布した後、積層体を乾燥させることによって形成してもよい。
【００７３】
接着フィルム１は、ダイシングシートと貼り合わせた複合シートの状態で保管及び使用することもできる。このような複合シートを用いることにより、半導体装置製造工程を簡略化することができる。
【００７４】
＜半導体装置の製造方法＞
図２〜７は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。図２〜７に示される各工程を経ることによって、図７に示される半導体装置２０が製造される。
【００７５】
（貼り合わせ工程）
まず、図２に示されるように、接着フィルム１の接着剤層１ａ側の面（高タック面）Ａを半導体ウェハＷに貼り合わせる。半導体ウェハＷは、回路が形成される表面ＷＡと、表面ＷＡの反対側に位置する裏面ＷＢとを有する。高タック面Ａは、半導体ウェハＷの裏面ＷＢと貼り合わされる。なお、半導体ウェハＷとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などから構成されるものを使用できる。
【００７６】
他方、接着フィルム１の接着剤層１ｂ側の面（低タック面）Ｂをダイシングシート６に貼り合わせる。ダイシングシート６は、基材フィルム４と、基材フィルム４上に設けられた粘着剤層５とを有する。低タック面Ｂは、ダイシングシート６の粘着剤層５に貼り合わされる。
【００７７】
接着フィルム１は、６０℃以下で半導体ウェハＷの裏面ＷＢに貼り付け可能である。ここで、接着フィルム１が半導体ウェハＷに対して貼り付け可能か否かは、次のようにして判断される。すなわち、所定の温度に保持された接着フィルム１を、必要に応じて加圧しながら、接着剤層１ａが半導体ウェハの裏面と当接するように半導体ウェハＷに貼り付けたとき、接着フィルム１が半導体ウェハＷから自然に剥れない程度に固定されれば、貼り付け可能であると判断される。より具体的には、例えば、接着フィルム１と半導体ウェハＷの裏面ＷＢの界面におけるピール強度が２０Ｎ／ｍ以上であればよい。接着フィルム１は、例えば、６０℃以下の温度に設定されたホットロールラミネータを用いて半導体ウェハに貼り付けられる。ピール強度の測定は、２５℃の雰囲気中、引張り角度９０°、引張り速度５０ｍｍ／分の条件で行われる。
【００７８】
接着フィルム１を半導体ウェハＷにラミネートする際、接着フィルム１の温度は、４０〜８０℃とすることが好ましく、５０〜７０℃とすることがより好ましい。接着フィルム１の温度が４０℃未満であると、接着フィルム１の高タック面Ａと半導体ウェハＷの裏面ＷＢの界面のピール強度が不十分になりやすく、他方、８０℃を越えると、低タック面Ｂがダイシングシート６に強固に付着しやすくなる。
【００７９】
（ダイシング工程）
次に、図３に示されるように、例えばダイシングブレードＢＬ等の切断装置を用いて半導体ウェハＷを切断する。ここで、接着フィルム１に切り込みを接着フィルム１の厚み方向に入れてもよいし、接着フィルム１を完全に切断してもよい。接着フィルム１を完全に切断する工法をフルカットという。一方、接着フィルム１を完全に切断せず、一部を残す工法をハーフカットという。切り込みの深さは、接着剤層１ａの厚さに対応していることが好ましい。半導体ウェハＷを切断することによって、複数の半導体素子Ｃが得られる。半導体素子Ｃとしては、半導体チップ等が挙げられる。接着フィルム１に切り込みを入れる場合、次工程のピックアップ工程時にダイシングシート６を拡張（エキスパンド）する、ピックアップ工程時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込み部を起点として分割することもできる。
【００８０】
ハーフカットする際の切り込み深さは、好ましくは接着フィルム１の厚みの１／１０〜９／１０、より好ましくは１／５〜４／５、更に好ましくは１／３〜２／３である。接着フィルム１を切断するとき、接着フィルム１の切り込みを浅くすることで切断時に発生するバリを少なくできる。その結果、半導体装置の製造歩留まりが向上する。この場合、エキスパンド時に接着フィルム１を分割するためにエキスパンド量を大きくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さを高くすることによって接着フィルム１の未切断部を分割する。接着フィルム１の切り込みを深くすることでエキスパンド量を小さくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さが低くても接着フィルム１を分割できる。
【００８１】
切断装置としては、一般に上市されているダイサーやブレードを使用することができる。例えば、ダイサーとしては株式会社ディスコ社製フルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが使用できる。ブレードとしては株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。また、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどのレーザを用いて半導体ウェハＷを切断してもよい。
【００８２】
（ピックアップ工程）
次に、図４に示されるように、半導体素子Ｃをダイシングシート６からピックアップする。これにより、切り込みを起点として接着フィルム１が切断され、半導体素子Ｃに付着した接着層７が得られる。このようにして、半導体素子Ｃと接着層７とを有する接着層付き半導体素子８が得られる。なお、接着層７は切断された接着フィルム１からなる。
【００８３】
ダイサーでハーフカットした接着フィルム１は、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することで分割可能である。例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００などを使用することで分割可能である。
【００８４】
ハーフカットした接着フィルム１は、ウェハリングに貼り付けた半導体ウェハＷ、接着フィルム１、及びダイシングシート６からなる積層物においてダイシングシート６をエキスパンドすることで分割可能である。エキスパンドはウェハリング上面又は下面側からエキスパンド用リングを挿入することでなされる。ダイシングシート６のエキスパンド量はウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いで決定される。ウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いをエキスパンド量、エキスパンド用リングの挿入速度をエキスパンド速度という。
【００８５】
ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のエキスパンド量は１〜３０ｍｍが望ましく、より好ましくは２〜２０ｍｍであり、更に好ましくは３〜１０ｍｍである。エキスパンド量が３０ｍｍを超えると、エキスパンド時にダイシングシート６が極端に伸び、裂け易くなる傾向にある。また、エキスパンド量が１ｍｍ未満では、エキスパンド時に接着フィルム１のハーフカット部分に加わる応力が小さく、接着フィルム１を分割し難くなる傾向にある。
【００８６】
ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のエキスパンド速度は１〜５０ｍｍ／ｓが好ましく、より好ましくは３〜３０ｍｍ／ｓであり、更に好ましくは５〜１５ｍｍ／ｓである。
【００８７】
ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のサンプル温度は、−１０〜３０℃が好ましく、より好ましくは０〜３０℃である。ただし、室温以下に設定するには、通常上市されているピックアップダイボンダーに冷却機構を追加した専用のエキスパンダーが必要となる。
【００８８】
（ダイボンディング工程）
次に、図５に示されるように、接着層付き半導体素子８を支持部材９にダイボンディングする。このとき、加熱加圧により、接着層付き半導体素子８の接着層７が支持部材９に貼り付けられる。加熱温度は、通常２０〜２５０℃である。荷重は、通常０．０１〜２０ｋｇｆである。加熱時間は、通常０．１〜３００秒間である。
【００８９】
（ワイヤボンディング工程）
次に、図６に示されるように、半導体素子Ｃの接続端子と支持部材９の接続端子とを電気的に接続するワイヤ１１を形成する。
【００９０】
（封止工程）
次に、図７に示されるように、半導体素子Ｃを封止する封止材１２を支持部材９上に形成する。なお、封止工程を実施しなくてもよい。
【００９１】
ワイヤボンディング工程及び封止工程等を経ることによって、加熱により接着層７が硬化する。その結果、接着層７は、半導体素子Ｃと支持部材９とを接続する接続層７ａとなる。このようにして、図７に示される半導体装置２０が製造される。半導体装置２０は、半導体素子Ｃと、半導体素子Ｃに接続される支持部材９（被着体）と、接着フィルム１の硬化物からなり、半導体素子Ｃと支持部材９との間に配置される接続層７ａとを備える。半導体装置２０は、例えば半導体パッケージである。
【００９２】
この半導体装置の製造方法によれば、接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに低温で貼り付けることができる。また、半導体ウェハＷを切断した後に、接着フィルム１の低タック面Ｂをダイシングシート６から容易に剥離することができる。更に、厚み１００μｍ以下の極薄半導体ウェハＷに対して接着フィルム１を用いると、半導体素子Ｃの製造歩留まり向上が可能である。
【００９３】
図８は、別の半導体装置の例を模式的に示す断面図である。図８に示される半導体装置２０Ａは、半導体装置２０の構成に加えて、半導体素子Ｃ、接続層７ａ、ワイヤ１１、及びバンプ１３を更に備える。更なる半導体素子Ｃは、更なる接続層７ａを介して半導体素子Ｃ上に設けられている。更なるワイヤ１１は、更なる半導体素子Ｃの接続端子と支持部材９の接続端子とを電気的に接続している。バンプ１３は、支持部材９の裏面に形成されている。半導体装置２０Ａでは、複数の半導体素子Ｃが重なっている。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００９５】
＜ワニスの調製＞
（ワニス１）
接着剤層形成用のワニスを以下のようにして調製した。まず、温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコ内において、表１のポリイミド樹脂１の欄に示す原料（酸無水物及びジアミン）からポリイミド樹脂１を合成した。すなわち、フラスコ内にアミン及びＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）をとり、６０℃にて撹拌した。ジアミンの溶解後、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）を少量ずつ添加した。６０℃で１時間反応させた後、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃に加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。これにより、ポリイミド樹脂１のＮＭＰ溶液を得た。
【００９６】
ポリイミド樹脂１のＮＭＰ溶液（ポリイミド樹脂１の含有量を１００質量部とする。）に対し、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部及びテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して２５質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対し３質量％となるように加え、良く混錬してワニス１を得た。
【００９７】
（ワニス２）
表１のポリイミド樹脂２の欄に示す原料（酸無水物及びジアミン）を使用したことの他は、上記ポリイミド樹脂１と同様にしてポリイミド樹脂２を得た。また、ポリイミド樹脂２のＮＭＰ溶液に配合する窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）の量を固形分の全質量に対して２５質量％とする代わりに１２質量％としたことの他は、上記ワニス１と同様にしてワニス２を調製した。
【００９８】
（ワニス３）
表１のポリイミド樹脂３の欄に示す原料（酸無水物及びジアミン）を使用したことの他は、上記ポリイミド樹脂１と同様にしてポリイミド樹脂３を得た。また、ポリイミド樹脂３のＮＭＰ溶液に配合する窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）の量を固形分の全質量に対して２５質量％とする代わりに１０質量％とするとともに、アエロジルフィラーＲ９７２を配合しなかったことの他は、上記ワニス１と同様にしてワニス３を調製した。
【００９９】
＜ガラス転移温度の測定＞
ワニス１〜３にそれぞれ含まれるポリイミド樹脂１〜３のガラス転移温度（Ｔｇ）を以下のように測定した。すなわち、剥離処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１、厚さ５０μｍ）上にワニス１〜３をそれぞれ塗布した。その後、８０℃で３０分、つづいて１２０℃で３０分加熱し、溶剤を揮発させた。これにより、３枚の熱可塑性フィルム（厚さ２５μｍ）を作製した。これらのフィルムからＴｇ測定用の試料（サイズ７×５０ｍｍ）をそれぞれ切り出した。各試料について、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、ＲＳＡ−III（商品名、ＴＡ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製、）を使用し、以下の条件でＴｇの測定を行った。試料の弾性率とtanδの温度依存性の曲線を得て、ｔａｎδのピーク値からガラス転移温度を求めた。
周波数：１Ｈｚ、
昇温速度：５℃／分、
測定温度：−５０〜３００℃、
初期チャック間：約１５ｍｍ、
モード：引張り。
【０１００】
【表１】
0005499459.tif 000021
表１中、原料の略号は以下の酸無水物又はジアミンを示す。
（酸無水物）
ＢＰＡＤＡ：２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（黒金化成製）、
ＯＤＰＡ：４，４’−オキシジフタル酸二無水物（マナック社製）、
ＤＢＴＡ：１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）（黒金化成製）、
（ジアミン）
ＬＰ７１００：１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学社製）、
Ｂ１２：４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン（ＢＡＳＦ社製）、
Ｄ２０００：ポリオキシプロピレンジアミン２０００（ＢＡＳＦ社製）、
ＢＡＰＰ：２，２ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン(和歌山精化工業社製)。
【０１０１】
【表２】
0005499459.tif 000022
【０１０２】
＜ダイボンディングフィルムの作製＞
（実施例１）
まず、剥離処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１、厚さ５０μｍ）上にワニス１を塗布した。その後、ワニス１からなる層の表面にワニス２を更に塗布した。その後、８０℃で３０分、つづいて１２０℃で３０分加熱し、溶剤を揮発させた。これにより、総厚２５μｍのダイボンディングフィルム（半導体用接着フィルム）を作製した。なお、ワニス１及びワニス２の塗布量は、ワニス１の厚さが８μｍ、ワニス２の厚さが１７μｍとなるように調整した。
【０１０３】
（実施例２）
ワニス１からなる層の表面に、ワニス２を塗布する代わりにワニス３を塗布したことの他は、実施例１と同様にして総厚２５μｍのダイボンディングフィルムを作製した。なお、ワニス１及びワニス３の塗布量は、ワニス１の厚さが８μｍ、ワニス３の厚さが１７μｍとなるように調整した。
【０１０４】
（比較例１）
剥離処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１、厚さ：５０μｍ）上にワニス１を塗布した。その後、８０℃で３０分、つづいて１２０℃で３０分加熱し、溶剤を揮発させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンディングフィルムを作製した。
【０１０５】
（比較例２）
ワニス１の代わりにワニス２を用いたことの他は、比較例１と同様にして厚さ２５μｍのダイボンディングフィルムを作製した。
【０１０６】
（比較例３）
ワニス１の代わりにワニス３を用いたことの他は、比較例１と同様にして厚さ２５μｍのダイボンディングフィルムを作製した。
【０１０７】
＜ダイボンディングフィルムの評価＞
実施例１，２及び比較例１〜３に係るダイボンディングフィルムの評価を以下の項目について行った。
【０１０８】
（タック強度の測定）
ダイボンディングフィルムのタック強度をタッキング試験器（（株）レスカ社製）を用いて測定した。測定条件は、押し込み速度２ｍｍ／秒、引き上げ速度１０ｍｍ／秒、停止加重１００ｇｆ／ｃｍ２、停止時間１秒とし、５．１ｍｍφのＳＵＳ３０４に対するタック強度を測定した。高タック面（半導体ウェハと貼り合わせる面）のタック強度をＦＡ、低タック面（ダイシングシートと貼り合わせる面）のタック強度をＦＢとした。結果を表１に示す。
【０１０９】
（ウェハラミネート性の評価）
ダイボンディングフィルムを円形（直径２１０ｍｍ）に切り抜いた後、これを株式会社ＪＣＭ製のＤＭ−３００−Ｈ（商品名）を用いてダイシングシート（電気化学工業社製、商品名：Ｔ−８０ＭＷ、厚さ：８０μｍ）上に室温（２５℃）で貼り合わせた。なお、実施例１のダイボンディングフィルムは、ポリイミド樹脂２を含有する接着剤層とダイシングシートとを貼り合わせた。実施例２のダイボンディングフィルムは、ポリイミド樹脂３を含有する接着剤層とダイシングシートとを貼り合わせた。また、比較例１〜３のダイボンディングフィルムは、いずれも塗工時の開放面（ポリエチレンテレフタレートフィルムが設けられていない面）とダイシングシートとを貼り合わせた。
【０１１０】
上記のように、ダイシングシートとダイボンディングフィルムとを貼り合わせ、ダイシングシート及びダイボンディングフィルムをこの順序で積層させた後、ダイボンディングフィルムの上に半導体ウェハ（厚さ２００μｍ）を６０℃でラミネートした。半導体ウェハのラミネートには株式会社ＪＣＭ製のＤＭ−３００−Ｈ（商品名）を使用した。ダイボンディングフィルムのウェハラミネート性は、６０℃でダイボンディングフィルムと半導体ウェハとを貼り付けることができた場合を良好と判定し、６０℃でダイボンディングフィルムが半導体ウェハ裏面に貼付かなかった場合を不良と判定した。結果を表１に示す。
【０１１１】
（ピックアップ性の評価）
上述のウェハラミネート性を評価する場合と同様、ダイシングシートとダイボンディングフィルムとを貼り合わせ、ダイシングシート及びダイボンディングフィルムをこの順序で積層させた後、ダイボンディングフィルムの上に半導体ウェハ（厚さ５０μｍ）をラミネートした。半導体ウェハのラミネートには株式会社ＪＣＭ製のＤＭ−３００−Ｈ（商品名）を使用した。なお、ラミネート時の熱板表面温度は、実施例１，２及び比較例１のダイボンディングフィルムを用いた場合には６０℃に設定し、比較例２，３のダイボンディングフィルムを用いた場合には８０℃に設定した。
【０１１２】
上記のようにしてダイボンディングフィルムの高タック面上に半導体ウェハを貼り付けた後、株式会社ディスコ製のフルオートダイサーＤＦＤ−６３６１（商品名）を用いて、半導体ウェハのダイシングを行なった。半導体ウェハを切断するサイズは１０×１０ｍｍとした。切断はブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式を採用した。ブレードに株式会社ディスコ製のダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ  ２７ＨＤＢＢ（商品名）を使用した。切断の条件はブレード回転数４５０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓとした。切断時のブレードハイトはダイボンディングフィルムを１０μｍ残す設定（９０μｍ）とした。
【０１１３】
上記ダイシングによって作製したチップのピックアップ性について、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットにはマイクロメカニクス社製ＲＵＢＢＥＲ  ＴＩＰ  １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）、突上げピンにマイクロメカニクス社製ＥＪＥＣＴＯＲ  ＮＥＥＤＬＥ  ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）を用いた。突上げピンの配置はピン中心間隔４．２ｍｍで９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度を１０ｍｍ／ｓ、突上げ高さを１０００μｍとし、ピックアップ性を評価した。連続１００チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス、等が発生しない場合を良好、１チップでもチップ割れ、ピックアップミス等が発生した場合を不良とした。結果を表１に示す。
【０１１４】
【表３】
0005499459.tif 000023
【０１１５】
比較例１のダイボンディングフィルムは６０℃におけるウェハ裏面へのラミネート性は良好であるものの、低タック面のタック強度が大きく、ピックアップ性が劣る。比較例２のダイボンディングフィルムは８０℃でラミネートした際はピックアップ性が良好であるものの、６０℃ではウェハ裏面にラミネートすることができない。比較例３のダイボンディングフィルムは、６０℃ではウェハ裏面にラミネートができず、また、８０℃でラミネートした際にピックアップ性も不良である。
【０１１６】
以上の結果から、二層構造のダイボンディングフィルムであって、それぞれの接着剤層が所定のポリイミド樹脂を含有し且つ接着剤層の表面のタック強度比（ＦＡ／ＦＢ）が所定の値（例えば５）以上のものが好ましい。このようなダイボンディングフィルムは、半導体ウェハ裏面に低温でラミネート可能であるとともに、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを容易にピックアップすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の半導体用接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【図３】半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【図４】半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【図５】半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【図６】半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【図７】本発明の半導体用接着フィルムを使用して製造された半導体装置の一例を示す模式断面図である。
【図８】本発明の半導体用接着フィルムを使用して製造された半導体装置の他の例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１…半導体用接着フィルム、１ａ…第１接着剤層、１ｂ…第２接着剤層、６…ダイシングシート、７…接着層、７ａ…接続層、２０，２０Ａ…半導体装置、Ａ…高タック面、Ｂ…低タック面、Ｃ…半導体素子、Ｗ…半導体ウェハ。
【図１】
0005499459.tif 000028
【図２】
0005499459.tif 000029
【図３】
0005499459.tif 000030
【図４】
0005499459.tif 000031
【図５】
0005499459.tif 000032
【図６】
0005499459.tif 000033
【図７】
0005499459.tif 000034
【図８】
0005499459.tif 000035