(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと磁石を有し、前記磁石によって生成される磁界と前記コイルとの間の相互作用を使用して物体に力を加えるように構成されたアクチュエータであって、
前記コイルを冷却するよう構成された冷却体と、
前記冷却体と前記コイルとの間に配置された熱伝達材と、
前記コイルを前記冷却体に取り付けるとともに、前記熱伝達材と直接接触せずに該熱伝達材を固定するように構成された機械的取付器と、
を備えることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記機械的取付器は、前記コイルの温度中心で前記コイルを前記冷却体に取り付けるよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記機械的取付器は、前記コイルの温度中心の外側に前記コイルを前記冷却体に取り付けるよう構成されており、前記機械的取付器は、前記冷却体と前記コイルとの間の熱膨張の差を許容するように構成された少なくとも１つの自由度を有することを特徴とする請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記機械的取付器はネジを備え、前記コイルはネジ穴を備え、前記冷却体は、前記ネジ穴と結合して前記コイルを前記冷却体に取り付けるための前記ネジを挿入可能な穴を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記コイルはコアを有し、前記機械的取付器は前記コアを前記冷却体に取り付けることによって前記コイルを前記冷却体に取り付けるよう構成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記機械的取付器は、前記コイルを前記冷却体に取り付ける接着剤を含むことを特徴とする請求項１ないし３、５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項７】
複数の冷却体が設けられ、前記コイルが二つの冷却体の間に挟まれ、少なくとも１つの対応する機械的取付器によって前記コイルが両方の冷却体に取り付けられることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項８】
複数のコイルが設けられ、前記冷却体が二つのコイルの間に挟まれ、対応する機械的取付器によって前記冷却体が両方のコイルに取り付けられることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記コイルを前記冷却体に取り付けるための複数の機械的取付器が設けられことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記機械的取付器は、前記冷却体から前記コイルの内部に延びるピンを含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
前記コイルの両端に配置された二つの冷却体が設けられ、前記ピンが一方の冷却体から他方の冷却体までのすべてに延在し、両方の冷却体に取り付けられることを特徴とする請求項１０に記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
前記機械的取付器は、前記冷却体と前記コイルの間にスペーサーを備えることを特徴とする請求項１１に記載のアクチュエータ。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに係るアクチュエータを備えるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
磁石によって生成される磁界とコイルとの間の相互作用を使用して物体に力を加えるように構成されたアクチュエータの製造方法であって、
前記コイルを冷却するように構成された冷却体を設け、
前記冷却体と前記コイルの間に熱伝達材を設け、
前記コイルを前記冷却体に取り付けるとともに、前記熱伝達材と直接接触せずに該熱伝達材を固定するように構成された機械的取付器を設けることを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータ、アクチュエータを備えるリソグラフィ装置、及びアクチュエータを構成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々のレイヤ上に形成される回路パターンを作成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、典型的に基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層への結像によって行われる。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、ターゲット部分にパターン全体を一度に露光することで各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパーと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによりパターンを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期して走査することで各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることで、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）及び／または基板支持構造を位置決めする複数のアクチュエータを一般に備える。これらのアクチュエータは、例えば永久磁石によって生成される磁界と、特にコイルの形態である通電導体との間の相互作用を使用して、物体に力を加える。このようなアクチュエータは、回転型、直線型、または平面型であってよく、コイルが移動するか磁石が移動する構成を有してもよい。
【０００４】
上述のアクチュエータでは、通電導体、すなわちコイルは、ある種の電気抵抗を示すので、コイルを通過する電流がある程度の熱を発生させる。発生した熱がコイルの電気抵抗を増加させ、これによって発生する熱量が増加してコイルの電気抵抗をさらに増大させる場合には、影響はさらに悪くなる。最終的に、これはコイルの破壊につながりうる。発生した熱は、アクチュエータによって位置決めされる物体、例えばマスクまたは基板支持構造の位置精度にも悪影響を与えることがある。
【０００５】
冷却体によって冷却をすることができる。この冷却体は、コイルからの熱を取り除くために物体またはフレームに取り付けられることが好ましい。冷却体からコイルを電気的に絶縁し、コイルからの力を冷却体に伝達し、コイルからの熱を冷却体に伝達するために、周知の陶器材料（potting material）の層が冷却体とコイルの間に配置される。
【０００６】
コイルと冷却体の間の温度差、及び／またはそれぞれの材料の熱膨張特性の差のために、コイルと冷却体の間に熱膨張差が存在することがある。熱膨張の違いのために、コイルと冷却体の間の陶器材料の層に応力が生じる。陶器材料の層の最大許容応力が許容可能な熱生成の限度を定める。コイルを流れる電流によって熱が発生し、アクチュエータが物体に加える力を電流の大きさが定めるので、陶器材料の層における最大許容応力が、最大力の観点においてアクチュエータの最高性能の限界を決める。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
改善されたアクチュエータ、特に最大許容力の観点における最高性能が改善されたアクチュエータを提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、コイルと、コイルを冷却するよう構成された冷却体と、冷却体とコイルとの間に固定して配置された多量の熱伝達材と、を備え、コイルを冷却体に取り付ける機械的取付デバイスをさらに備えるアクチュエータが提供される。
【０００９】
本発明の別の実施形態によると、コイルと、コイルを冷却するよう構成された冷却体と、冷却体とコイルとの間に固定して配置された多量の熱伝達材と、を有し、コイルを冷却体に取り付ける機械的取付デバイスをさらに有するアクチュエータを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
本発明のさらなる実施形態によると、コイルを設け、コイルを冷却する冷却体を設け、冷却体とコイルの間に多量の熱伝達材を設け、機械的取付デバイスによってコイルを冷却体に取り付けることを含む、アクチュエータを構成する方法が提供される。
【００１１】
以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の模式図を参照して、本発明の実施形態を例示として説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るアクチュエータの断面図を模式的に示す図である。
【図３】図２のアクチュエータの上面図を模式的に示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る機械的取付器を詳細に示す模式図である。
【図５】本発明のさらなる実施形態によるアクチュエータを詳細に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射または任意の他の適切な放射）を調整する照明系（照明器）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１位置決めデバイスＰＭに接続されるパターニングデバイス支持構造またはマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、を備える。この装置は、基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴすなわち「基板支持部」も備える。この装置は、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するよう構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳをさらに備える。
【００１４】
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組み合わせを含み得るものであり、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
【００１５】
パターニングデバイス支持部（例えば、マスク支持構造）は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持部（例えば、マスク支持構造）は、機械的、真空、静電気または他の取り付け技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイス支持部（例えば、マスク支持構造）は、必要に応じて固定または移動可能である、例えばフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイス支持部は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書における「レチクル」または「マスク」なる用語の使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなすことができる。
【００１６】
本明細書において「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを指すものと広義に解釈される。放射ビームに付与されたパターンは、基板の目標部分に望まれるパターンに厳密に一致していなくてもよい。例えば、位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャがパターンに含まれていてもよい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００１７】
パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクなどのマスクタイプが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。ミラーマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
【００１８】
本明細書において「投影系」なる用語は、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはこれらの組み合わせを含む何らかの投影系であると広義に解釈される。投影系は、使用される露光光に応じて、あるいは液浸液または真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされるいかなる投影系であってもよい。本明細書において「投影レンズ」という用語は、より一般化された用語である「投影系」と同義であるとみなしてもよい。
【００１９】
図示されるように、装置は（例えば透過型マスクを有する）透過型である。なお、装置は（例えば上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを有するか、または反射型マスクを有する）反射型であってもよい。
【００２０】
リソグラフィ装置は二つ以上（二つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルすなわち「基板支持部」（及び／または二つ以上のマスクテーブルすなわち「マスク支持部」）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルまたはサポートが並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルまたはサポートで露光が行われている間に１以上の他のテーブルまたはサポートで準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００２１】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆われるものであってもよい。この液体は、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸液は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００２２】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源ＳＯがエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからビーム搬送系を介してイルミネータＩＬへと到達する。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。別の場合には、例えば光源が水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称されることがある。
【００２３】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径の値（通常それぞれ「σ−ｏｕｔｅｒ」、「σ−ｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００２４】
放射ビームＢは、支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを経た放射ビームは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決めデバイスＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動される。例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に、例えば走査中またはマスクライブラリからのマスク交換後に、第１位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１に明示せず）により放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡは正確に位置決めされてもよい。一般に、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＭの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）および短ストロークモジュール（細かい位置決め）の助けによって実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の移動は、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成する長ストロークモジュールと短ストロークモジュールを用いて実現することができる。ステッパーの場合は（スキャナーとは反対に）、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）は短ストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、または固定されてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされてもよい。図示の基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間に間隔を空けて配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に二つ以上のダイが設けられる状況においては、パターニングデバイスアライメントマークがダイの間に配置されてもよい。
【００２５】
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
【００２６】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で１つの目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴすなわち「マスク支持部」と、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」とが実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」がＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。
【００２７】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴすなわち「マスク支持部」と、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」とが同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴすなわち「マスク支持部」に対する基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００２８】
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」は移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」が移動するたびに、または連続するパルスとパルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
【００２９】
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
【００３０】
第１及び／または第２の位置決めデバイスの一部として上述した短ストロークモジュール及び長ストロークモジュールは、磁界と通電導体、例えばコイルとの間の相互作用を用いるアクチュエータを備えてもよい。しかしながら、この種のアクチュエータは、物体に力を与えるためにリソグラフィ装置の他の部分で使用されてもよく、また本発明の実施形態がこれらのアクチュエータを適用されてもよいことに注意する。以下、本発明の一実施形態によるアクチュエータを、図２を参照して説明する。図２は、図１に係るリソグラフィ装置での使用に特に適しており、比較的大きな力を発生するためにアクチュエータを使用する場合は特に適している。一例として平面アクチュエータが図示されているが、本発明の実施形態はこれらのタイプのアクチュエータに限定されるものではなく、回転アクチュエータまたは線形アクチュエータにも適用することができ、アクチュエータがコイルの移動する構成あるいは磁石が移動する構成のいずれを有しているかには無関係であることが明示される。
【００３１】
図２は、本発明の一実施形態に係るアクチュエータ１の断面図を模式的に示す。アクチュエータ１は、コイル３と、コイル３を冷却するためにコイル３の両端に取り付けられた二つの冷却体５、６と、冷却体５、６のそれぞれとコイル３との間に静止してあるいは固定して配置された多量の熱伝達材８とを備える。アクチュエータ１は、冷却体５、６のそれぞれをコイル３に取り付けるように構成された二つの機械取付デバイスまたは取付器１０、１１をさらに備える。
【００３２】
このようなアクチュエータの利点は、コイル３から冷却体５、６への熱及び力の伝達が、単一の陶器材料の代わりに別個の素子によって主になされるので、機械取付デバイスによって主に行われる力の伝達を気にする必要なく、熱伝達材８を最適化することができる点である。好適には、機械的取付デバイスまたは取付器は、熱伝達材よりも、コイルとそれぞれの冷却体との間により大きな剛性を与える。より好ましくは、熱伝達材は、コイルからそれぞれの冷却体に力をほとんど伝達しない。
【００３３】
熱伝達材８がコイル３から冷却体５，６へ力を伝達するように設計される必要性がもはやないという事実のために、より広範囲の材料が熱伝達材８としての適用に適することになり、その結果より好ましい特性を備える材料を選択することができる。
【００３４】
従来技術のアクチュエータに対する単一の陶器材料を置換する熱伝達材の量は、例えばより柔軟に選択することができ、これによってコイル３と冷却体５、６との間の熱膨張差による応力の発生が低減される。これは、熱伝達材の最大許容応力に達する前に、より多くの熱を発生できることを意味する。これにより、コイル３を流れる最大許容電流が増加し、したがって最大力の観点での最高性能が増大する。
【００３５】
より広範囲の適用可能な熱伝達材のために、冷却効率が増大した、すなわち熱伝導率のより高い熱伝達材を利用可能となり、アクチュエータの最大性能を増加させるとともに、同一の電流量に対する温度が低下することになる。熱伝達材８は、例えば大きな強度を有していない、サーマルジェル、サーマルペースト、サーマルパッド、位相変化材料または冷却オイルであってもよく、これによって性能を限定せずに熱伝達が最適化される。
【００３６】
図２において、機械的取付器１０、１１がコイル３の中心に配置される。これは、コイル３の温度中心でもある。温度中心では、コイル３と冷却体５，６との間の熱膨張の差が最小になり、そのため温度差に起因する機械的取付デバイス１０，１１における応力も最小になる。
【００３７】
コイル３は、例えば銅製またはアルミニウム製のワイヤまたはホイルが周りに巻かれたコア３ａを備える。ワイヤまたはホイルは、参照番号３ｂで示される。機械的取付器１０，１１は、冷却体をコア３ａに取り付ける。これにより、コイル３のワイヤまたはホイルを損傷する危険なしに、コイル３と冷却体５，６の間をしっかりと取り付ける。
【００３８】
温度中心の外部で冷却体のそれぞれをコイル３に取り付ける追加の機械的取付器を設けてもよい。これらの機械的取付デバイスはコイル３の温度中心の外側に配置されるので、機械的取付器は、熱膨張の顕著な差が生じる方向に好ましくは対応して少なくとも１つの自由度を有していることが好ましい。
【００３９】
機械的取付デバイスまたは取付器は、冷却体のそれぞれをコイルに取り付ける接着剤を備えてもよいし、及び／またはネジ、ピン、ボルト、リベット、クランプを備えてもよい。例えばコイル３の平面内の力、すなわち冷却体と平行の力、あるいはコイル３の平面と実質的に垂直方向の力を伝達するために、それぞれ特別に構成された複数の機械的デバイスを設けてもよい。
【００４０】
冷却体とコイルの間に板バネを使用することで、少なくとも１つの自由度を与えてもよい。板バネは、例えば冷却体に取り付けられコイルを内包する（板）バネの巣のような形態か、またはコイルを内包し冷却体に接続されたラバー状の化合物である。後者には、剪断力によるのではなく、ラバー状の化合物の圧縮によって力が伝達されるという利点がある。
【００４１】
図３は、図２にしたがったアクチュエータ１の上面図を示す。この例におけるアクチュエータ１は、互いに隣接しそれぞれがコア３ａを有する三つのコイル３を備える。図３は、それぞれのコイル３を冷却体５に取り付ける機械的取付器１０をさらに示す。図３は上面を示しているので、コイル３と、コア３ａと、機械的取付器１０は点線で示されている。
【００４２】
図４は、本発明の一実施形態に係る機械的取付器１０，１１を断面図で詳細に示す。機械的取付器１０，１１は、それぞれの冷却体５，６をコイル３のコア３ａに取り付けるように構成されている。
【００４３】
機械的取付器１０，１１は、機械的取付器１０のネジ１５と、機械的取付器１１のネジ１６とを受け入れるネジ切りされたブッシュ１３を備える。この実施形態では、機械的取付器は同一のネジ切りされたブッシュ１３を共有するが、それぞれの機械的取付器が自身のネジ切りされたブッシュを備える実施形態も想定される。
【００４４】
ネジ切りされたブッシュ１３は、例えば接着剤、溶接、半田付け、または任意の種類の適切な取付手段を用いてコア３ａに取り付けられる。
【００４５】
冷却体５，６は、それぞれの受け入れネジ１５，１６のための穴を備え、ネジ１５，１６はこれらの穴に挿入されてネジ切りされたブッシュと結合し、冷却体をコイル３に接続する。冷却体とコイル３の間には、冷却体とコイルの間の距離を調節するためにスペーサー１８，１９が設けられる。こうすると、冷却体とコイルの間に、特定の望ましい量の接着剤及び／または熱伝達剤を確実に与えることができる。
【００４６】
上述した構成では、ネジ切りされたブッシュはコア３ａにしっかりと接続される。これは、熱膨張の差が生じない温度中心の位置では特に適している。この構成が温度中心の外側で使用されると、熱膨張の差に起因するコイル内の応力を最小化するために機械的取付器が少なくとも１つの自由度を有していることが好ましい。ネジ切りされたブッシュとコア３ａとの間での取付器における一自由度は、いくつかの可能性を挙げるために、例えば板バネ接続、弾性接続、または滑りばめ接続によって実現することができる。
【００４７】
図５は、本発明の別の実施形態に係るアクチュエータ１を断面図で模式的に示す。アクチュエータ１は、コイル３と、コイル３の両側に配置された二つの冷却体５，６と、冷却体５，６のそれぞれとコイル３との間に配置された多量の熱伝達材８と、冷却体のそれぞれをコイル３に取り付ける機械的取付器１０，１１，１２とを備える。
【００４８】
コイル３は、機械的取付器のための三つの穴を有するコア３ａを備える。１つの開口がコア３ａの中心に位置し、これはコイル３の温度中心でもある。機械的取付器１０，１１は、図４に係る機械的取付デバイスと同様に、コア３ａに取り付けられたネジ切りされたブッシュ１３を共有する。
【００４９】
冷却体の開口部を通してネジ１５，１６が挿入されて、ネジ切りされたブッシュ１３と結合し、冷却体をコイルのコアに取り付ける。コイルと冷却体の間にはスペーサー１８，１９が設けられ、コイルと冷却体の間に特定の所望の量の熱伝達材が設けられることが保証される。
【００５０】
コア３ａの二つの開口部は、コイルの温度中心の外側に配置される。開口部を通して、１つの冷却体から他方の冷却体までピン７が延び、冷却体の一方か、好ましくは両方の冷却体に取り付けられる。ピン７とコア３ａの間に、弾性材料９、例えばゴムが設けられ、コイルと冷却体の間での熱膨張差を許容している。ピン７が冷却体の両方に取り付けられると、機械的取付器１２は、コイルの平面と平行の方向、すなわちピン７の長手方向と平行の方向に、力を伝達するために明確に用いられる。機械的取付器１２は、これらの力の効率的な伝達を助けるためにスペーサーを備えてもよい。
【００５１】
ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターン（guidance and detection pattern）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、「ウェハ」または「ダイ」という用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である「基板」または「目標部分」とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具）または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらの及び他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために基板を２回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。
【００５２】
ここでは特に光学的なリソグラフィを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光学的なリソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニングデバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニングデバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。
【００５３】
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、イオンビームや電子ビームなどの粒子ビームだけでなく、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む。
【００５４】
文脈が許す場合、「レンズ」という用語は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気光学素子、電磁気光学素子、静電気光学素子を含む様々なタイプの光学素子のいずれか１つまたは組み合わせを参照してもよい。
【００５５】
本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明は説明したのとは別の方法で実行されてもよいことを理解されたい。例えば、本発明は、上述の方法を記載したコンピュータ読取可能な指示の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとってもよい。
【００５６】
上述の記載は、説明を意図しており、限定するものではない。したがって、下記の請求項の精神から逸脱することなしに、上述の本発明に対して修正が施されてもよいことは当業者には明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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