(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の前記ゲート配線に交差するように配置された複数のソース配線と、前記ソース配線を覆うように設けられた遮光膜と、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および前記遮光膜を覆うように設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられた信号電極と、前記第１絶縁膜上に前記信号電極に重ならないように設けられた、前記信号電極との間で電界を形成するための共通電極とを備え、
複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた領域に位置する前記信号電極と前記ソース配線との間に位置するとともに前記遮光膜に重なるようにシールド電極が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シールド電極は前記遮光膜上に設けられている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シールド電極の形成領域は前記共通電極の形成領域内に位置している請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２基板の前記主面上には、前記第１絶縁膜を介して前記信号電極と対向するように補助容量配線が設けられており、前記シールド電極は前記補助容量配線と接続されている請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２基板の前記主面上には、前記信号電極に接続されたドレイン配線が設けられており、
前記シールド電極の一部は第２絶縁膜を介して前記ドレイン配線と重なっている請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記シールド電極は前記共通電極に接続されている請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記シールド電極はコンタクトホールを介して前記共通電極に接続されており、
前記コンタクトホールは前記遮光膜に重なるように位置している請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記シールド電極は開口部を有しており、前記シールド電極の前記開口部は前記ソース
配線と重なるように設けられている請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の前記ゲート配線に交差するように配置された複数のソース配線と、前記ソース配線を覆うように設けられた遮光膜と、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および前記遮光膜を覆うように設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられた信号電極と、前記第１絶縁膜上に前記信号電極に重ならないように設けられた、前記信号電極との間で電界を形成するための共通電極と、複数の前記ゲート配線および複
数の前記ソース配線によって囲まれた領域に位置する前記信号電極と前記ソース配線との間に位置するとともに前記遮光膜上に設けられたシールド電極とを備える液晶表示装置の製造方法において、
前記第２基板の前記主面上に複数の前記ソース配線を形成する工程と、
前記第２基板の前記主面上に前記ソース配線を覆うように前記遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜が形成された前記第２基板の前記主面上に透光性の導電性材料からなる導体層を形成する工程と、
前記導体層上に感光性材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記第２基板の前記主面とは反対側に位置する反対主面側から前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜の露光された部分を除去して前記導体層の一部を露出させる工程と、
前記導体層の露出させた前記一部を除去することによって、前記遮光膜上に前記シールド電極を形成する工程とを含む液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯型情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に介在する液晶層とを備え、一対の基板のうち一方の基板側にゲート配線、ソース配線、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、信号電極、共通電極が形成されている。【０００３】
この液晶表示装置では、信号電極と共通電極とが同一平面上に交互に位置しており、この信号電極および共通電極に対して電圧を印加することで、信号電極と共通電極との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中の液晶分子の方向を制御する。この横電界によって液晶分子の方向を制御することで広視野角化が図れる。【０００４】
また、近年の液晶表示装置には高い表示品位が求められており、表示品位を向上させることを目的として、広視野角化に加えて高輝度化が図られている。【０００５】
これらを両立させる技術として、ブラックマトリクスオンアレイ（以下、ＢＯＡと呼ぶ）技術が存在する（特開２００６−３０１５０５号公報参照）。ＢＯＡ技術では、信号電極などが形成されたアレイ基板側にゲート配線、ソース配線などを覆うように遮光膜を形成するので、遮光膜に基板同士の貼り合せの際の位置ずれマージンを設ける必要がなくなり、遮光膜の幅を小さくでき、画素の高開口率化が図れ、高輝度化を実現できる。また、信号電極、共通電極などの電極が形成されたアレイ基板上に遮光膜が存在することにより、広い視野角範囲で電極全体を遮光膜で隠すことができるため、電極端での反射、散乱によるコントラスト低下を防ぐことができる。【０００６】
一方、横電界方式の液晶表示装置では、ソース配線と信号電極との間に生じるカップリング容量を通して、信号電極の電圧がソース配線の電圧変動によって変動しやすくなり、表示品位に影響を与えるという問題点がある。【０００７】
従来、この問題に対して、ソース配線と信号電極との間の領域にシールド電極を形成することで、ソース配線の電圧の変動による信号電極への影響を抑制していた。しかしながら、このシールド電極は遮光膜と隣接する領域に配置されていただけなので、シールド電極によって光が遮られ、画素の開口率が低下し、液晶表示装置の輝度が低下する可能性があるという問題点があった。【０００８】
また、シールド効果を得るために透明電極を開口部全体に配置した液晶表示装置も存在する（特開２００４−１９８８４６号公報参照)。しかしながら、この液晶表示装置では、透明電極を開口部全体に配置することで、画素の透過率が低下し輝度が低下するとともに、開口部自体の電気力線の中に垂直成分が強く生じてしまい、横電界方式特有の視野角の広さが低減する可能性があるという問題点があった。【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶表示装置において、ソース配線の電圧変動による信号電極への影響を抑制しつつ、シールド電極による輝度の低下の抑制を図ることである。
【発明の概要】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の前記ゲート配線に交差するように配置された複数のソース配線と、前記ソース配線を覆うように設けられた遮光膜と、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および前記遮光膜を覆うように設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられた信号電極と、前記第１絶縁膜上に前記信号電極に重ならないように設けられた、前記信号電極との間で電界を形成するための共通電極とを備え、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた領域に位置する前記信号電極と前記ソース配線との間に位置するとともに前記遮光膜に重なるようにシールド電極が設けられていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】画素における第２基板の配線、電極および遮光膜を示す平面図である。
【図４】図１のIIII線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における液晶パネルの要部を示す平面図である。
【図６】図１のIII−III線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態における液晶パネルの要部を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態における液晶パネルの要部を示す平面図である。
【図９】図８のIV−IV線に沿った断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態における液晶パネルの要部を示す平面図である。
【図１１】図10のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１３】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１４】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１５】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１６】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１７】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１８】図12から図17に示した製造方法の変形例を示す断面図である。
【図１９】図12から図17に示した製造方法の変形例を示す断面図である。
【図２０】図12から図17に示した製造方法の変形例を示す断面図である。
【図２１】図12から図17に示した製造方法の変形例を示す断面図である。
【図２２】図１の液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜液晶表示装置＞
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００１３】
液晶表示装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１４】
液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。
【００１５】
第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21Aと、第１主面21Aとは反対側に位置する第２主面21Bとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどの透光性を有する材料によって形成される。
【００１６】
第１基板21の第２主面21B上には、カラーフィルタ211および第１平坦化膜212が設けられている。
【００１７】
カラーフィルタ211は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ211は、第１基板21の第２主面21B上に位置しており、画素Ｐごとに設けられている。各カラーフィルタ211は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のいずれかの色を有している。また、カラーフィルタ211は上記の色に限られず、例えば、黄色（Ｙ）、白（Ｗ）などの色のカラーフィルタを配置してもよい。カラーフィルタ211の材料としては、例えば染料あるいは顔料を添加した樹脂が挙げられる。
【００１８】
第１平坦化膜212は、第１基板21の第２主面21B上を平坦化させる機能を有する。第１平坦化膜212はカラーフィルタ211上に設けられている。第１平坦化膜212は、有機材料によって形成され、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００１９】
また、第１平坦化膜212上には配向膜が形成されているが、図面では省略する。
【００２０】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21Bに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００２１】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221および補助容量配線222が設けられており、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うようにゲート絶縁膜223が設けられている。ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224が設けられている。また、複数のソース配線224を覆うように層間絶縁膜225が設けられている。また、層間絶縁膜225上であってソース配線224の形成領域には遮光膜BMが設けられている。この遮光膜BM上にはシールド電極Ｓが設けられている。また、層間絶縁膜225上には、遮光膜BMを覆うように第２平坦化膜226が設けられており、この第２平坦化膜226上には共通電極227および信号電極228が設けられている。
【００２２】
ゲート配線221は、駆動ＩＣ（不図示）から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、ゲート配線221は、第２基板22の第１主面22ａ上にＸ方向に延在している。また、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されている。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２３】
なお、ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２４】
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、金属材料を第２基板22の第１主面22ａ上に金属膜として形成する。この金属膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、金属膜を薬液でエッチングして、金属膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、金属材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
【００２５】
補助容量配線222は第２基板22の第１主面22ａに設けられている。また、補助容量配線222は複数の絶縁層を介して信号電極228に対向している。図３に示すように、補助容量配線222は第１主面22ａ上にＸ方向に延在している。補助容量配線222はゲート配線221と同一平面上に位置している。補助容量配線222は、ゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。
【００２６】
ゲート絶縁膜223はゲート配線221を覆うように第１主面22ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜223は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁性を有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜223は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などによって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００２７】
ソース配線224は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極228に印加する機能を有する。図３に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に延在している。また、複数のソース配線224は、ゲート絶縁膜223上にＸ方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。
【００２８】
薄膜トランジスタTFTは、アモルファスシリコンまたはポリシリコンなどの半導体層と、この半導体層上に設けられるとともに、ソース配線224に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極は、ドレイン配線ＤおよびコンタクトホールC2を介して信号電極228に接続されている。なお、ドレイン配線Ｄはゲート絶縁膜223上に形成されている。ドレイン配線Ｄは導電性を有する材料によって形成され、ソース配線224と同様の材料で形成してもよい。
【００２９】
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極228への画像信号の書き込みまたは非書き込みが制御される。
【００３０】
層間絶縁膜225はソース配線224を覆うように設けられている。層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
【００３１】
遮光膜BMは、光を遮光する機能を有する。遮光膜BMは層間絶縁膜225上に設けられているとともにソース配線224の形成領域に位置している。また、ソース配線224の形成領域は遮光膜BMの形成領域内に位置している。すなわち、ソース配線224の幅方向の両端は、遮光膜BMの幅方向の両端よりも内側に位置している。なお、平面図において、遮光膜BMの形成領域は斜線で示されている領域である。また、遮光膜BMは、ソース配線224の形成領域だけでなくゲート配線221の形成領域に形成してもよい。また、遮光膜BMは、補助容量配線222、共通電極227および信号電極228の形成領域に重なるように形成してもよい。
【００３２】
遮光膜BMの材料は、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料または顔料が添加された樹脂などが挙げられる。遮光膜BMが樹脂で形成されることで、遮光膜BMの厚みを確保できる。この遮光膜BM上にシールド電極Ｓを形成することで、ソース配線224とシールド電極Ｓとの間隔を離すことができ、ソース配線224とシールド電極Ｓとの間で発生する容量を低減し、シールド電極Ｓがソース配線224に加える負荷を低減できる。
【００３３】
なお、遮光膜BMの膜厚は光学濃度および容量低減の観点からは厚いほどよいが、平坦性も考慮すると、0.5μｍ〜２μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００３４】
シールド電極Ｓは、ソース配線224に印加される電圧から生じる電界を遮蔽する機能を有する。シールド電極Ｓは遮光膜BM上にソース配線224を覆うように設けられている。なお、平面図のシールド電極Ｓは太い鎖線で示されている。
【００３５】
また、シールド電極Ｓの一部S1は、遮光膜BMの傾斜部に位置している部分であり、平面視してソース配線224と信号電極228との間に位置している。また、シールド電極Ｓの一部S2は、遮光膜BMの平坦部に位置している部分であり、平面視してソース配線224に重なるように位置している。また、シールド電極Ｓの形成領域は共通電極227の形成領域内に位置している。横電界方式の液晶表示装置では、共通電極227上に位置する液晶分子は制御しにくく、共通電極227の形成領域は表示に寄与しにくい領域である。そのため、シールド電極Ｓの形成領域を共通電極227の形成領域内にすることで、シールド電極Ｓによる画素Ｐの開口率の低下を抑制できる。
【００３６】
また、本実施形態のシールド電極ＳはコンタクトホールC1によって補助容量配線222に接続されている。コンタクトホールC1は、補助容量配線222および共通電極227に重なるように位置している。なお、シールド電極Ｓはグランド電位に接続してもよい。また、シールド電極Ｓは、その表面積を確保できればフローティングであってもよい。
【００３７】
シールド電極Ｓの材料は、導電性を有する材料によって形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＡＺＯ（Al-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅等またはこれらを含む合金などによって形成される。
【００３８】
第２平坦化膜226は、第２基板22の第１主面22ａ上を平坦化させる機能を有する。第１平坦化膜212と同様の材料で形成してもよい。なお、第２平坦化膜226の膜厚は例えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されているが、２μｍ以下に設定すると好ましい。
【００３９】
共通電極227は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極228との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極227は、第２平坦化膜226上に設けられている。共通電極227もシールド電極Ｓと同様、透光性および導電性を有する材料によって形成され、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００４０】
信号電極228は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極227との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極228は第２平坦化膜226上に設けられており、画素Ｐごとに位置している。また、信号電極228の両側には共通電極227が位置している。すなわち、信号電極228と共通電極227とはＸ方向に交互に位置している。また、信号電極228の幅は例えば２μｍ〜５μｍの範囲に設定されている。共通電極227との間隔は例えば５μｍ〜２０μｍの範囲に設定されている。信号電極228は共通電極227と同様の材料で形成してもよい。
【００４１】
液晶表示装置１では、同一平面上に設けられた信号電極228と共通電極227とに対して電圧を印加することで、信号電極228と共通電極227との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層23中の液晶分子の方向を制御する。
【００４２】
液晶表示装置１では、シールド電極Ｓがソース配線224と信号電極228との間に位置しているので、シールド電極Ｓがソース配線224から生じる電界を遮蔽し、ソース配線224の電圧の変動による信号電極228の電圧への影響を低減できる。加えて、このシールド電極Ｓが遮光膜BMの形成領域に位置しているので、シールド電極Ｓによる遮光が低減され、液晶表示装置１の輝度の低下を抑制できる。
【００４３】
液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶などを含んでいる。
【００４４】
シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材24には、エポキシ樹脂などが用いられる。
【００４５】
光源装置３は、液晶パネル２に向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31と、導光板32とを有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００４６】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21Aに対向するように配置されている。
【００４７】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００４８】
［第２の実施形態］
図５および図６は、第２の実施形態における液晶表示装置1Aの要部を示す図である。
【００４９】
液晶表示装置1Aは、液晶表示装置１に比べて、シールド電極Ｓの一部S3がドレイン配線Ｄに重なっている点が異なる。
【００５０】
ドレイン配線Ｄは信号電極228の中央部に延在しており、信号電極228の中央部に位置するコンタクトホールC2を介して信号電極228と接続されている。また、ドレイン配線Ｄの一部は補助容量配線222と重なるように配置されている。これによって、ドレイン配線Ｄ（信号電極228）と補助容量配線222との間で補助容量を形成できる。
【００５１】
シールド電極Ｓは、信号電極228側に延在している延在部S3を有し、この延在部S3は第２層間絶縁膜227上に位置している。また、シールド電極Ｓの延在部S3はドレイン配線Ｄと重畳している。シールド電極Ｓの延在部S3とドレイン配線Ｄとが重なることによって、シールド電極Ｓとドレイン配線Ｄとの間で補助容量を形成できる。すなわち、信号電極228と補助容量配線222との間の補助容量に加えて、信号電極228とシールド電極Ｓとの間でも補助容量を形成できる。これによって、信号電極228と補助容量配線222との補助容量を小さくでき、信号電極228と補助容量配線222との重なる面積をより小さくできるので、補助容量配線222の面積を小さくできる。したがって、補助容量配線222による画素Ｐの開口率の低下を抑制できる。
【００５２】
また、シールド電極Ｓの延在部S3は補助容量配線222の形成領域内に位置しているので、シールド電極Ｓの延在部S3によって、画素Ｐの開口率が低減することを抑制できる。
【００５３】
［第３の実施形態］
図７は、第３の実施形態における液晶表示装置1Bの要部を示す図である。
【００５４】
液晶表示装置1Bは、液晶表示装置１に比べて、シールド電極Ｓが共通電極227に接続されている点が異なる。
【００５５】
シールド電極Ｓは、コンタクトホールC3を介して共通電極227に接続されている。これによって、シールド電極Ｓと共通電極227とが同電位になり、シールド電極Ｓに印加される電圧によって生じる電界が共通電極227の電圧に与える影響を低減できる。
【００５６】
また、コンタクトホールC3は遮光膜BMの形成領域に位置している。コンタクトホールC3が遮光膜BMに重畳するように位置することで、コンタクトホールC3によって画素Ｐの開口率が低下することを低減できる。
【００５７】
［第４の実施形態］
図８および図９は、第４の実施形態における液晶表示装置1Cの要部を示す図である。
【００５８】
液晶表示装置1Cは、液晶表示装置１に比べて、シールド電極Ｓに開口部SHが形成されている点で異なる。
【００５９】
シールド電極Ｓの開口部SHはソース配線224の形成領域に位置している。すなわち、平面視してシールド電極Ｓの開口部SHはソース配線224と重なるように形成されている。
【００６０】
開口部SHをソース配線224の形成領域に設けることで、シールド電極Ｓとソース配線224との対向面積が小さくなる。これによって、シールド電極Ｓとソース配線224との間で発生する容量を低減でき、シールド電極Ｓがソース配線224に与える負荷を低減できる。
【００６１】
また、液晶表示装置1Cでは、シールド電極Ｓとソース配線224との間での容量を低減するためにシールド電極Ｓに開口部SHを形成しているが、シールド電極Ｓ上に共通電極227が配置されているので、開口部SHの形成による信号電極228に対するソース配線224の電界の影響は低減されている。
【００６２】
また、開口部SHはソース配線224の形成領域内に設けることが好ましい。これにより、開口部SHを形成することによるシールド電極Ｓの電界遮蔽効果の低下を抑制できる。
【００６３】
なお、本実施形態の開口部SHは、矩形状を成しているが、これには限られない。
【００６４】
［第５の実施形態］
図10および図11は、第５の実施形態における液晶表示装置1Dの要部を示す図である。図11は、図10のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。液晶表示装置1Dは、液晶表示装置１に比べて下記の点で異なる。
【００６５】
液晶表示装置1Dでは、ドレイン配線Ｄが信号電極228の一端側から他端側にまで延在している。また、遮光膜BMは、層間絶縁膜225上に形成されており、平面視してゲート配線221、補助容量配線222、ドレイン配線Ｄ、共通電極227および信号電極228と重なるように配置されている。また、遮光膜BM上であって、信号電極228と重畳する領域に導電膜Ｇが形成されている。また、導電膜Ｇは信号電極228と電気的に接続されている。なお、図10の斜線で示されている領域は遮光膜BMの形成領域を意味する。
【００６６】
液晶表示装置1Dでは、遮光膜BMがドレイン配線Ｄを覆うように形成されていることで、ドレイン配線Ｄが光を反射してしまうことで生じる画像表示のコントラストの低下を抑制できる。
【００６７】
＜液晶表示装置の製造方法＞
本発明の液晶表示装置の製造方法の一例について、図12〜図17を参照しながら説明する。なお、図12〜図17は図10のVI−VI線に対応した断面図であり、下記では当該断面の状態について説明する。
【００６８】
まず、図12に示すように、公知の成膜工程、パターニング工程などによって、第２基板22の第１主面22ａ上にゲート絶縁膜223、ドレイン配線Ｄ、ソース配線224、層間絶縁膜225および遮光膜BMを形成する。そして、上記部材が形成された第２基板22の第１主面22ａ上に、導電性材料からなる導体層100を形成する。
【００６９】
次に、図13に示すように、第２基板22の第１主面22ａ上に形成された導体層100に、感光性樹脂からなるレジスト膜REを形成する。
【００７０】
そして、遮光膜BMおよび導体層100が形成された主面（第１主面22ａ）とは反対側、すなわち第２主面22ｂ側から露光光Ｅを照射してレジスト膜REを露光し感光させる。
【００７１】
ここで、遮光膜BMは高い光吸収性を有しているので、露光光Ｅは遮光膜BMにより吸収され遮られる。つまり、遮光膜BMはマスクパターンとして機能するので、上記の裏面露光では遮光膜BM上に位置するレジスト膜REは感光されない。
【００７２】
次に、図14に示すように、第２基板22の第１主面22ａ上にフォトマスクPHを用意し、第２基板22の第１主面22ａ側から露光光Ｅを照射して追加露光を行う。この追加露光により、遮光膜BMの形成領域に位置するレジスト膜REにおいてシールド電極Ｓおよび導電膜Ｇが形成される領域以外の部位を感光させる。
【００７３】
そして、図15に示すように、上記露光により感光した部分のレジスト膜REを現像処理によって除去する。
【００７４】
次いで、薬液によってレジスト膜REから露出した導体層100の一部をエッチングすることで、図16に示すように、遮光膜BMの形成領域にシールド電極Ｓおよび導電膜Ｇを形成することができる。
【００７５】
本製造方法では、遮光膜BM上に導体層100を成膜し、裏面露光によって導体層100上のレジスト膜REを露光させることで、遮光膜BMの形成領域内にシールド電極Ｓおよび導電膜Ｇを高い位置精度で形成することができ、遮光膜BMの形成領域内にシールド電極Ｓおよび導電膜Ｇを容易に位置させることができる。すなわち、本製造方法を採用することで、製造ばらつきによる遮光膜BMとシールド電極Ｓおよび導電膜Ｇとの位置ずれの発生を抑制できる。
【００７６】
次いで、公知の成膜工程、パターニング工程などによって、第２基板22の第１主面22ａ上に第２平坦化膜226、共通電極227および信号電極228などを形成することで、いわゆるＴＦＴ基板を製造できる。
【００７７】
この第２基板22に対して、カラーフィルタ211および第１平坦化膜212などが形成された第１基板21を対向配置し、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23を設けることで、図17に示すような液晶表示装置を製造できる。
【００７８】
次に、図18、図19、図20および図21に上記製造方法の変形例を示す。
【００７９】
まず、上記製造方法によって、第２基板22の第１主面22ａ上に第２平坦化膜226まで形成する。そして、図18に示すように、導電性材料からなる導体層101を形成し、その上にレジスト膜REを形成する。その後、第２基板22の第２主面22ｂ側から露光光Ｅを照射してレジスト膜REに対して露光を行う。
【００８０】
ここで、遮光膜BMはマスクパターンとして機能するので、上記の裏面露光では遮光膜BM上に位置するレジスト膜REは感光されない。
【００８１】
次に、図19に示すように、第２基板22の第１主面22ａ上にフォトマスクPHを用意し、第２基板22の第１主面22ａ側から露光光Ｅを照射して追加露光を行う。この追加露光により、遮光膜BMの形成領域に位置するレジスト膜REにおいて、信号電極228および共通電極227が形成される領域以外の部位を感光させる。
【００８２】
そして、図20に示すように、上記露光により感光した部分のレジスト膜REを現像処理によって除去し、薬液によってレジスト膜REから露出した導体層101をエッチングする。そして、残ったレジスト膜REを剥離することで、図21に示すように、共通電極227および信号電極228を形成することができる。
【００８３】
図18、図19、図20および図21に示す製造方法では、遮光膜BM上に導体層101を成膜し、裏面露光によって導体層101上のレジスト膜REを露光させることで、遮光膜BMの形成領域内に共通電極227および信号電極228を高い位置精度で形成でき、遮光膜BMの形成領域内に共通電極227および信号電極228を容易に位置させることができる。すなわち、製造ばらつきによる遮光膜BMとシールド電極Ｓと共通電極227との関係において位置ずれの発生を抑制できるとともに、製造ばらつきによる遮光膜BMと導電膜Ｇと信号電極228との関係における位置ずれの発生を抑制できる。
【００８４】
本発明は上記の実施の形態１〜５に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【００８５】
上記の実施形態では、シールド電極Ｓが遮光膜226上に設けられているが、図22に示すように、シールド電極Ｓを遮光膜BMとソース配線224との間に設けてもよい。このような構成であっても、ソース配線224の電圧の変動による信号電極228への影響を抑制するとともに、シールド電極Ｓによる輝度の低下の抑制を図ることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１、1A、1B、1C、1D  液晶表示装置
２  液晶パネル
Ｐ  画素
21  第１基板
21A  第１主面
21B  第２主面（主面）
211  カラーフィルタ
212  第１平坦化膜
22  第２基板
22ａ  第１主面（主面）
22ｂ  第２主面
221  ゲート配線
222  補助容量配線
223  ゲート絶縁膜
224  ソース配線
225  層間絶縁膜
226  第２平坦化膜（第１絶縁膜）
227  共通電極
228  信号電極
BM  遮光膜
Ｓ  シールド電極
SH  開口部
Ｄ  ドレイン配線
C1C2，C3  コンタクトホール
23  液晶層
３  光源装置
31  光源
32  導光板
４  第１偏光板
５  第２偏光板
RE  レジスト膜
100，101  導体層
Ｅ  露光光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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