(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子のうち、前記第１金属複合粒子及び前記第２金属複合粒子から選択された少なくとも一種と、前記第３金属複合粒子とを含有する機能性材料であって、
前記第１金属複合粒子は、Cuと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含んでおり、
前記第２金属複合粒子は、Snと、Cuと、Si、B、TiまたはAlの群から選択された少なくとも一種とを含んでおり、
前記第３金属複合粒子は、
（ａ）Snと、Biと、Gaと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むか、または、
（ｂ）Snと、Biと、Inと、Sbと、Ga、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含む、
機能性材料。
【請求項２】
請求項１に記載された機能性材料であって、前記第１金属複合粒子、前記第２金属複合粒子又は前記第３金属複合粒子を、流動性分散媒中に分散させたものでなる、機能性材料。
【請求項３】
半導体基板と、柱状導体とを含む電子デバイスであって、
前記柱状導体は、請求項１又は２に記載された機能性材料を用いて形成され、前記半導体基板に電気絶縁して充填されている、
電子デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載された電子デバイスであって、前記柱状導体の両端面の少なくとも一端面に、ナノコンポジット構造合金ろう材又はナノコンポジット構造微粉末を用いて、他の導体を液相拡散接合または固相拡散接合させてある、電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能性材料に関する。本発明において、機能性材料とは、材料の持つ電気的性質、誘電体特性、磁性、光学特性、接合特性、封止特性などの機能を発現させるタイプの材料をいう。本発明に係る機能性材料には、配線材料、電極材料、充填材料、封止材料、又は、接合材料等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
各種スケールの集積回路、各種半導体素子もしくはそのチップ等の電子デバイスにおいて、三次元回路配置を実現する手法として、回路基板に多数の貫通電極を設けておき、この回路基板を積層するＴＳＶ（Through-Silicon-Via)技術が提案されている。三次元回路配置にＴＳＶ技術を使用すれば、大量の機能を小さな占有面積の中に詰め込めるようになる。加えて、素子同士の重要な電気経路が劇的に短くできるために、処理の高速化を図ることができる。特許文献１には、ＴＳＶ技術に不可欠なビア・ホール構造体が開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示されたビア・ホール構造体は、高融点金属、低融点金属又は金属合金、及び、架橋剤とともに、必ずバインダー及び／又は反応性モノマー又はポリマーを含有する。ビア・ホール内での硬化状態では、合金化金属網とともに、電導性接着剤の有機成分の架橋で生じたポリマー網が併存している。
【０００４】
特許文献１に記載されたビア・ホール構造体は、その明細書の記載によれば、ビア・ホール内での硬化状態では、合金化金属網とともに、ポリマー網が併存しているので、電気的導電性がその分だけ悪くなる。
【０００５】
更に、金属拡散接合に固有の問題として、カーケンダルボイドによる空洞、クラック等の発生の問題がある。カーケンダルボイドは、相互拡散の不均衡により発生した原子空孔（格子）が消滅することなく集積したことにより発生する。例えば、Sn/Cuの界面の場合、Cuの拡散に対してSnの拡散が少ないため、金属間化合物とCu界面とに空孔が集積し、カーケンダルボイドを形成する。このカーケンダルボイドが、より大きな空洞又はクラックに発展し、電極の信頼性や品質を低下させ、更には断線等を生じてしまうこともある。特許文献１には、その対策手段が開示されていない。
【０００６】
ウエハの面上に、貫通電極と共に、又は貫通電極から独立して、配線用の平面状導体パターンを形成する場合、また、三次元システム・パッケージ（３D-SiP)などの形態をとる電子デバイスにおいて、半導体チップ間を接続する場合、更には、液晶デバイス等において封止する場合等にも同様の問題を生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３８６９８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、空洞、クラック等を生じることなく、配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造を形成し得る機能性材料、及び、それを適用した電子デバイスを提供することである。
【０００９】
本発明のもう一つの課題は、溶融温度が低く、凝固後は高い融点をもつ配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造を形成し得る機能性材料、及び、それを適用した電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題の少なくとも一つを解決するため、本発明は、機能性材料、この機能性材料による配線を有する基板、この基板を用いた電子デバイスを開示する。
【００１１】
本発明に係る機能性材料は、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子のうちの少なくとも２種を含む。前記第１金属複合粒子、前記第２金属複合粒子及び前記第３金属複合粒子のそれぞれは、複数種の金属成分を含有している。前記第１金属複合粒子の融点T1（℃）と、前記第２金属複合粒子の融点T2（℃）と、前記第３金属複合粒子のT3（℃）とは、T1＞T2＞T3の関係を満たす。
【００１２】
上述した機能性材料を、配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造の実現に用いた場合、融点T1,T2,T3の互いに異なる第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子の組合せにより、相互拡散の不均衡が緩和される結果、原子空孔（格子）の集積が回避され、カーケンダルボイドの発生が抑制され、カーケンダルボイド等のない配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造が形成される。拡散接合領域は、通常は、膜厚若しくは層厚がｎｍサイズ（１μｍ以下）のナノコンポジット構造となる。
【００１３】
また、例えば、第３金属複合粒子の融点Ｔ３（℃）を低く設定する一方、第１金属複合粒子の融点Ｔ１（℃）を高く設定することが可能になる。このため、溶融温度が低く、凝固後は高い融点をもつ配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造を形成し得る。
【００１４】
前記第１金属複合粒子、前記第２金属複合粒子及び前記第３金属複合粒子のそれぞれは、複数種の金属成分を含有しているから、含有されるべき金属成分を選択することによって、その融点T1、T2、T3が、T1＞T2＞T3を満たすように調整することができる。
【００１５】
本発明に係る機能性材料は、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子の少なくとも２種を含有すればよく、３種を含有しなくともよい。例えば、第１金属複合粒子及び第２金属複合粒子を含有するタイプであってもよいし、第１金属複合粒子及び第３金属複合粒子を含有するタイプであってもよいし、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子を含有するタイプであってもよい。これらの組合せは、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子における組成分の種類、組成分の相対量等を見て選択される。
【００１６】
上述した目的に合う第１金属複合粒子の具体としては、Cuと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むものを挙げることができる。
【００１７】
次に、第２金属複合粒子の具体例としては、Snと、Cuと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むものを挙げることができる。
【００１８】
更に、第３金属複合粒子は、具体的には、Snと、Biと、Gaと、前記Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むことができる。
【００１９】
第３金属複合粒子は、もう一つの選択肢として、Snと、Biと、Inと、Sbと、Ga、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含んでいてもよい。
【００２０】
本発明に係る機能性材料は、前記第１金属複合粒子、前記第２金属複合粒子及び前記第３金属複合粒子を流動性分散媒中に分散させたものであってもよい。具体的には、配線用ペースト、充填用ペースト、電極用ペースト、封止用ペースト、または、接合ペースト等の流動性を有する機能性材料として使用することができる。
【００２１】
本発明は、上述した機能性材料を用いた電子デバイスを開示する。本発明において、電子機器には、電子工学の技術を応用した電気製品の全てを含むことができる。代表的には、インターポーザ、各種半導体チップ、または、三次元システム・パッケージ（３D-SiP)である。
【発明の効果】
【００２２】
上述したように、本発明によれば次のような効果を得ることができる。
（ａ）カーケンダルボイド等を生じることなく、配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造を形成し得る機能性材料、及び、それを適用した電子デバイスを提供することができる。
（ｂ）溶融温度が低く、凝固後は高い融点をもつ配線、電極、充填構造、封止構造、又は、接合構造を形成し得る機能性材料、及び、それを適用した電子デバイスを提供することができる。
【００２３】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。但し、添付図面は、単なる例示に過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る機能性材料を用いた電子デバイスの一例を示す図である。
【図２】本発明に係る機能性材料を用いた電子デバイスの別の例を示す図である。
【図３】本発明に係る機能性材料を用いた電子デバイスの更に別の例を示す図である。
【図４】本発明に係る機能性材料を用いた電子デバイスの更に別の例を示す図である。
【図５】本発明に係る機能性材料を用いた電子デバイスの更に別の例を示す図である。
【図６】図５に示した電子デバイスの一部拡大部分断面図である。
【図７】本発明に係る機能性材料を用いた電子デバイスの更に別の例を示す図である。
【図８】従来のＳｎ-Cu系導電ペーストを用いて形成した配線のＳＥＭ像を示している。
【図９】本発明に係る機能性材料を用いて形成したメタライズ層のＳＥＭ像を示している。
【図１０】３００℃における高温シェア強度試験結果を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明に係る機能性材料は、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子から選択された少なくとも２種を含む粉体の形態をとる。もっとも、選択可能な成分は、第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子の３種に限定されるものではなく、４種またはそれ以上の金属粒子もしくは金属複合粒子を含んでいてもよい。
【００２６】
第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子のそれぞれは、複数種の金属成分を含有する。第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子は、ナノコンポジット構造を有することが好ましい。ナノコンポジット構造とは、金属/合金の結晶、非結晶又はそれらの化合物がｎｍサイズで一体化され、複合化されたものをいう。第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子は、粒形が、不揃いであっても、統一されていてもよい。また、球状、鱗片状、扁平状等、任意の形状をとることができる。
【００２７】
本発明に係る機能性材料において、第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子は、全体としての組成分が互いに異なり、それぞれの融点T1（℃）、T2（℃）、T3（℃）が、T1＞T2＞T3の関係を満たす。
【００２８】
第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子の具体例は、次のとおりである。
【００２９】
１．第１金属複合粒子
第１金属複合粒子の具体例としては、Cuと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むものを挙げることができる。各組成分の組成比は、次のような範囲に設定することができる。
【００３０】
Cu：９９．９ｗｔ％以下
Sn：50ｗｔ％以下
Si、B、Ti、AlまたはAg：０．０１ｗｔ％以下
Cu又はその合金粒子は、その表面が酸化抑制膜によって覆われていることが好ましい。酸化抑制膜としては、Cu又はその合金粒子の表面にメッキされたAgまたはSnのメッキ膜が適している、その他、１５０℃以上で昇華する樹脂の被膜であってもよい。
【００３１】
２．第２金属複合粒子
第２金属複合粒子の具体例としては、主成分たるSnと、Cuと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むものを挙げることができる。各組成分の組成比は、次のような範囲に設定することができる。
【００３２】
Sn：９８ｗｔ％以下
Cu：３０ｗｔ％以下
Si、B、Ti、AlまたはAg：０．０１ｗｔ％以下
【００３３】
３．第３金属複合粒子
（１）第３金属複合粒子は、一つの選択肢として、Snと、Biと、Gaと、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含むことができる。この場合の各組成分の組成比は、次のような範囲に設定することができる。
【００３４】
Sn：４０〜８０ｗｔ％
Bi：１５〜６０ｗｔ％
Ga：０．１ｗｔ％以下
Al：１ｗｔ％以下
Si、B、TiまたはAg：０．０１ｗｔ％以下
【００３５】
（２）第３金属複合粒子は、もう一つの選択肢として、Snと、Biと、Inと、Sbと、Ga、Si、B、Ti、AlまたはAgの群から選択された少なくとも一種とを含んでいてもよい。この場合の各組成分の組成比は、次のような範囲に設定することができる。
【００３６】
In：Snに対して、２０ｗｔ％以下
Bi：Snに対して、２０ｗｔ％以下
Sb：Snに対して、２０ｗｔ％以下
Ga、Si、B、Ti、AlまたはAg：１ｗｔ％以下
上記具体例によれば、融点T1、T2、T3は、次のようになる。
T1＝1100℃〜500℃
T2＝400℃〜250℃
T3＝250℃以下
【００３７】
上述した第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子のうち、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子の少なくとも２種を含有すればよく、３種を含有しなくともよい。例えば、Cuを主成分とする第１金属複合粒子と、Snを主成分とする第２金属複合粒子との組合せであってもよいし、第１金属複合粒子と、Snを主成分とする第３金属複合粒子との組合せであってもよい。
【００３８】
本発明に係る機能性材料は、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子を、流動性分散媒中に分散させたものであってもよい。流動性分散媒としては、各種有機バインダ、水性分散媒又は揮発性有機分散媒等を用いることができる。そのような分散媒としては、種々のものが知られているので、それらを選択使用すればよい。具体的には、配線用導電ペースト、充填用ペースト、電極用ペースト、封止用ペースト、または、接合ペースト等の流動性機能性材料を例示することができる。
【００３９】
上述した本発明に係る機能性材料は、各種電子デバイスにおいて、配線材料、電極材料、充填材料、接合材料、または、封止材料として用いることができる。その具体例を、図１〜図７を参照して説明する。
【００４０】
まず、図１を参照すると、基板５１に、柱状導体５２を設けた電子デバイスが示されている。図１に示した電子デバイスは、代表的には、インターポーザある。そのほか、図２に図示するように、基板５１の内部に、半導体回路要素５４を形成した半導体チップであってもよい。そのような半導体チップとしては、例えば、メモリ・チップ、ロジック・チップ等を挙げることができる。
【００４１】
図１及び図２において、基板５１は、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板又はＳＯＩ基板等の半導体基板によって構成することができる。無機又は有機の絶縁基板、誘電体基板、磁性基板又はそれらを複合した複合基板であってもよい。基板５１の厚みは、例えば、数十μｍである。
【００４２】
基板５１は、その厚み方向に向かう縦孔５５の内部に柱状導体５２を含んでいる。縦孔５５及び柱状導体５２は、限定するものではないが、例えば、孔径が６０μｍ以下であり、更に小径化された１０μｍ以下のものも含む。
【００４３】
柱状導体５２は、縦孔５５の内壁面に設けられた電気絶縁層５３によって、Ｓｉ基板等の半導体基板でなる基板５１から電気絶縁されている。
【００４４】
電気絶縁層５３は、縦孔５５の内壁面を改質した酸化膜もしくは窒化膜であってもよいし、縦孔５５の内部に充填された無機もしくは有機又はそれらの機能性材料でなる絶縁層であってもよい。無機絶縁層でなる電気絶縁層５３は、具体的には、絶縁性微粒子、Si微粒子及び有機Si化合物を含有する絶縁性ペーストを縦孔５５の内部に充填し、硬化させて形成することができる。電気絶縁層５３を形成するには、縦孔５５の内部で、有機Si化合物及びSi微粒子を互いに反応させて、絶縁性微粒子の周りを埋めるSi-O結合のネットワークを形成する。有機Si化合物及びSi微粒子の反応は、好ましくは真空雰囲気中で、例えば、130℃〜150℃の温度範囲で加熱することによって進行させることができる。
【００４５】
柱状導体５２は、本発明に係る機能性材料によって構成されたものである。図１の場合には、その溶融金属を、縦孔５５の内部に充填する。充填にあたっては、真空チャンバ内の減圧雰囲気で処理することが好ましい。減圧処理の後、真空チャンバの内圧を増圧する差圧充填方式を採用してもよい。
【００４６】
次に、縦孔５５内に充填された溶融金属を、加圧しながら、凝固させる。これにより、隙間や空隙のない高品質の導電路を形成することができる。柱状導体５２は、本発明に係る機能性材料を、分散媒中に分散させた分散系機能性材料を用いて形成することもできる。
【００４７】
本発明に係る機能性材料用いて柱状導体５２を形成した場合、全体としての組成分及び融点T1,T2,T3の互いに異なる第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子の少なくとも２種の組合せにより、相互拡散の不均衡が緩和される結果、原子空孔（格子）の集積が回避され、カーケンダルボイドの発生が抑制され、カーケンダルボイド等のない柱状導体５２が形成される。
【００４８】
次に、図３に図示された電子デバイスは、基板７１の一面に、パターン化された平面状の配線７２が形成されている。配線７２は、メタライズ層７２１と、合成樹脂膜７２２とを含んでいる。メタライズ層７２１は、金属成分が互いに拡散接合している。拡散接合は、採用するプロセスに従って、液相拡散接合又は固相拡散接合の形態をとることができる。
【００４９】
合成樹脂膜７２２は、メタライズ層７２１の表面を覆っている。合成樹脂膜７２２は、その厚み如何によって、絶縁膜ともなるし、絶縁性の低い保護膜ともなり得る。合成樹脂膜７２２は、感光性樹脂によって構成することができる。
【００５０】
メタライズ層７２１は、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子を含有している。第１金属複合粒子〜第３金属複合粒子のそれぞれは、前述したような複数種の金属成分を含有している。含有されるべき金属成分を選択することによって、その融点T1、T2、T3が、T1＞T2＞T3を満たすように調整することができる。
【００５１】
配線７２のメタライズ層７２１では、金属複合粒子１０１、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子に含まれる金属成分を、カーケンダルボイドを発生させることなく、互いに拡散接合させることができるので、ボイド、クラック、断線のないメタライズ層７２１を有する電子機器を実現することができる。
【００５２】
また、ボイド、クラック、断線のほとんどない連続するメタライズ層７２１となるので、メタライズ層７２１の充填度、緻密性が上がり、導電性が高く、機械的・物理的強度に優れ、しかも、導電性の高いメタライズ層７２１を有する電子機器を得ることができる。
【００５３】
また、合成樹脂膜７２２が、メタライズ層７２１の表面を覆っているから、メタライズ層７２１の外的損傷を回避することができるほか、耐酸化性、耐久性、耐候性が向上する。しかも、基板７１に対するメタライズ層７２１自体の密着力・接着力の他に、合成樹脂膜７２２による密着力・接着力も発生するので、メタライズ配線の全体としての密着力・接着力が向上する。
【００５４】
電子部品の実装にあたっては、図４に図示するように、メタライズ配線７２に、外部導体や、電子部品７３の電極７３１等を接続する。接続部分の外側は、合成樹脂膜７２２によって覆われているから、合成樹脂膜７２２による酸化防止機能が損なわれることがない。即ち、メタライズ層７２１に対する外部導体及び電子部品７３の電気的接続の信頼性が高く、しかも、メタライズ層７２１に対する酸化防止機能を有するメタライズ配線を実現することができる。
【００５５】
好ましくは、合成樹脂膜７２２は、メタライズ層７２１と同時に形成する。この場合には、メタライズ層７２１と樹脂層とを異時に形成したものと異なって、メタライズ層７２１が空気に触れることがない。よって、酸化を受けない高品質のメタライズ層７２１を有する電子機器を得ることができる。
【００５６】
合成樹脂膜７２２と、メタライズ層７２１とを同時に形成する手段として、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子と、合成樹脂よりなる有機バインダ及び溶剤を混合した導電ペーストを、印刷技術を用いて、所定のパターンとなるように、基板７１に塗布し、熱処理して得られる。この熱処理により、第１金属複合粒子、第２金属複合粒子及び第３金属複合粒子が、前述した連鎖的プロセスによって溶解し、拡散接合が生じる。この拡散接合により、メタライズ層７２１が形成される。メタライズ層７２１は、その比重差によって合成樹脂膜７２２よりも下側に沈降する。これによって、基板７１に付着させたメタライズ層７２１の外面を、合成樹脂膜７２２で覆ったメタライズ配線７２が形成される。合成樹脂膜７２２は、絶縁膜として機能させるのに適した膜厚としてもよいし、絶縁膜としての機能よりも、酸化防止膜としての機能を重視すべく、薄い膜厚としてもよい。
【００５７】
図５は、複数の半導体チップ９２１〜９２３を積層した積層体９２０を、本発明に係るインターポーザ９１０の上に搭載し、インターポーザ９１０を、マザーボード９００上に実装した三次元電子デバイスを示している。インターポーザ９１０及び半導体チップ９２１〜９２３の柱状導体５２は、接合材料９３１によって接合されている。インターポーザ９１０は、ボール・グリッド９５０等によって、マザーボード９００上に接合される。
【００５８】
接合材料９３１は、本発明に係る機能性材料によって構成することができる。好ましくは、接合材料９３１は、ナノコンポジット構造合金ろう材又はナノコンポジット構造微粉末を用いる。そして、図６に拡大して示すように、接合材料９３１により、柱状導体５２の一端面に、他の導体である柱状導体５２を液相拡散接合または固相拡散接合９４１させる。図示は省略するが、図１、図２の柱状導体と、図３、図４に示したメタライズ層との拡散接合について、上述した液相拡散接合または固相拡散接合を適用することができる。
【００５９】
半導体チップ９２１〜９２３は、代表的には、メモリ・チップ、ロジック・チップである。そのほか、システムLSI、メモリLSI、イメージセンサ又はMEMS等であってもよいし、アナログやデジタルの回路、CPUのようなロジック回路などを含む電子デバイスであってもよいし、アナログ高周波回路と、低周波で低消費電力の回路といった異種の回路を、別々のプロセスによって作り、それらを積層した電子デバイスであってもよい。更に、センサーモジュル、光電気モジュール、ユニポーラトランジスタ、ＭＯＳ  ＦＥＴ、ＣＭＯＳ  ＦＥＴ、メモリーセル、もしくは、それらの集積回路部品（ＩＣ）、又は各種スケールのＬＳＩ等、凡そ、電子回路を機能要素とする電子デバイスのほとんどのものが含まれ得る。
【００６０】
更に、図７は、本発明に係る機能性材料を、封止材料として用いた例を示している。図７を参照すると、例えば液晶表示装置の電子デバイスにおいて、前面板１１１と、裏面板１１２との間の周縁部を、封止層１１３によって封止し、前面板１１１及び裏面板１１２の間の内部空間１１４を、外部から遮蔽するようになっている。封止層１１３は、本発明に係る機能性材料によって構成される。これにより、気密性、水密性等の本来の封止機能のみならず、電磁シールドや、静電シールド等の機能を発揮する封止層１１３を構成することができる。
【００６１】
上述した図１〜図７の何れの実施の形態においても、柱状導体５２（図１、図２）、メタライズ層７２１（図３、図４）、接合材料９３１（図５、図６）及び封止材料１１３（図７）として、本発明に係る機能性材料を用いている。本発明に係る機能性材料によれば、第１金属複合粒子の融点T1（℃）と、第３金属複合粒子の融点T3（℃）との間の融点の差に起因する相互拡散の不均衡が、中間的な融点T2（℃）を持つ第２金属複合粒子によって緩和される結果、原子空孔（格子）の集積が回避され、カーケンダルボイドの発生が抑制される。
【００６２】
この点について、図８及び図９に示したＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を参照して説明する。図８は、従来のＳｎ-Cu系導電ペーストを用いて形成した配線のＳＥＭ像を示し、図９は本発明に係る機能性材料を用いて形成したメタライズ層（図３、図４）のＳＥＭ像を示している。
【００６３】
まず、従来のＳｎ-Cu系導電ペーストを用いて形成した配線のＳＥＭ像を示す図８を参照すると、Ｃｕ結晶と、Ｓｎ結晶との間の界面に、Ｃｕ３Ｓｎの拡散層があり、Ｃｕ３Ｓｎ層とＣu結晶との界面のほぼ全体に沿って、ボイドが生じている。
【００６４】
これに対して、図９を参照すると、本発明に係る機能性材料を用いて形成したメタライズ層は、Ｃｕ結晶粒とＳｎ結晶粒との間の界面に生じるＣｕ３Ｓｎの拡散層は、Ｃu結晶粒及びＳｎ結晶粒の何れに対しても、その結晶粒形状に合わせた倣い形状を持ち、ボイドを生じることなく、連続している。Ｃｕ３Ｓｎの拡散層は、層厚が７００ｎｍ以下のナノコンポジット構造を構成していることが、一つの特徴となっている。なお、図９において、Ｃｕ結晶粒領域における画像色の違いは、結晶方位の違いが現れたものである。
【００６５】
また、本発明に係る機能性材料を用いて形成したメタライズ層は、高温シェア強度試験において、高い高温保持信頼性を有する。この点について、図１０を参照して説明する。図１０は、３００℃における高温シェア強度試験結果を示す図で、横軸に時間（ｈ）をとり、縦軸にシェア強度（ＭＰa）をとってある。曲線Ａは、本発明に係る機能性材料を用いたメタライズ層（図３、図４）のシェア強度特性を示し、曲線Ｂは特許文献１に記載された導電ペーストを用いた配線のシェア強度特性を示し、曲線Ｃは、Ａｕ-１２Ｇｅ系導電ペーストを用いた従来の配線のシェア強度特性を示している。
【００６６】
まず、特許文献１に記載された導電ペーストを用いて形成した配線は、曲線Ｂに示すように、シェア強度が、初期値３０（ＭＰa）と低く、４００時間経過後には１０（ＭＰa）で低下してしまう。
【００６７】
また、Ａｕ-１２Ｇｅ系導電ペーストを用いた従来の配線は、曲線Ｃに示すように、シェア強度特性が、初期値こそ、８０（ＭＰa）と高い値を示すものの、時間経過につれて、急激に低下し、５００時間経過後には、約２０（ＭＰa）まで低下してしまう。
【００６８】
これに対して、本発明に係る機能性材料を用いたメタライズ層は、曲線Ａに示すように、シェア強度特性が、初期値５７（ＭＰa）と高い値を示し、その後、５００時間を経過しても、殆ど変わらないシェア強度特性を保持している。
【００６９】
これは、本発明に係る機能性材料を用いたメタライズ層が、ボイド、クラック、断線のほとんどない連続するメタライズ層となり、メタライズ層の充填度、緻密性が上がり、導電性が高く、機械的・物理的強度の高いメタライズ層を形成し得ることを示している。
【００７０】
図８〜図１０は、本発明に係る機能性材料それ自体の特徴を示すものであるから、図８〜図１０の実験データは、同じ機能性材料を用いた柱状導体（図１、図２）、接合材料（図５、図６）及び封止材料（図７）についても妥当する。
【００７１】
即ち、図１、図２の柱状導体５２の内部では、図９に示したように、Ｃｕ結晶粒とＳｎ結晶粒との間の界面に生じるＣｕ３Ｓｎの拡散層が、Ｃu結晶粒及びＳｎ結晶粒の何れに対しても、その結晶粒形状に合わせた倣い形状を持ち、ボイドを生じることなく、連続する。
【００７２】
以上、好ましい実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、当業者であれば、その基本的技術思想および教示に基づき、種々の変形例を想到できることは自明である。
【符号の説明】
【００７３】
５１          基板
５２          柱状導体
５３          電気絶縁層
７１          基板
７２          メタライズ配線
７２１          メタライズ層
７３          電子部品
９００          マザーボード
９１０          インターポーザ
９２１〜９２３  半導体チップ
９３１          接合材料
１１３          封止材料
【図１】
0005599497.tif 000002
【図２】
0005599497.tif 000003
【図３】
0005599497.tif 000004
【図４】
0005599497.tif 000005
【図５】
0005599497.tif 000006
【図６】
0005599497.tif 000007
【図７】
0005599497.tif 000008
【図１０】
0005599497.tif 000009
【図８】
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【図９】
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