(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する板状のダイパッドと、
前記ダイパッド上に配置され、少なくとも３つの端子を有し、前記ダイパッドの上面と第１の端子が電気的に接続された半導体素子と、
前記ダイパッドと電気的に接続された第１のリードと、
前記半導体素子の第２の端子に一端が電気的に接続され導電性を有する第１の接続部材と、前記半導体素子の第３の端子に一端が電気的に接続され導電性を有する第２の接続部材と、前記第１の接続部材と前記第２の接続部材との間を支持する支持部材と、を有する接続子と、
前記第１の接続部材の他端に一端が電気的に接続された第２のリードと、
前記第２の接続部材の他端に一端が電気的に接続された第３のリードと、
前記支持部材が露出した状態で、前記ダイパッド、前記半導体素子、前記第１の接続部材の少なくとも一部、前記第２の接続部材の少なくとも一部、前記第１のリードの一端、前記第２のリードの一端、および、前記第３のリードの一端を封止するモールド樹脂と、を備え、
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部が切断される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部が除去される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持部材の除去される部分には、切断のための切断用溝が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記切断用溝は、前記支持部材の切断の方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記支持部材の除去される部分の厚さは、前記第２のリードおよび前記第３のリードの厚さよりも薄い
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子の前記第１の端子は前記半導体素子の下面に配置され、前記半導体素子の前記第２の端子および前記第３の端子は前記半導体素子の上面に配置されている
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２のリードの一端に第１の嵌合用溝が形成されており、
前記第１の接続部材の他端は、前記第１の嵌合用溝に嵌合された状態で前記第２のリードの一端に接続され、
前記第３のリードの一端に第２の嵌合用溝が形成されており、
前記第２の接続部材の他端は、前記第２の嵌合用溝に嵌合された状態で前記第３のリードの一端に接続されている
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の接続部材の他端は、前記第２のリードの一端の側面と接続され、前記第２の接続部材の他端は、前記第３のリードの一端の側面と接続されている
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２のリードの一端の上面および前記第３のリードの一端の上面の前記ダイパッドの上面に対する高さは、前記第１の接続部材の他端の上面および前記第２の接続部材の他端の上面の前記ダイパッドの上面に対する高さと等しい
ことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子の前記第１の端子と前記ダイパッドの上面とは、半田付けにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
導電性を有する第１、第２の接続部材と、前記第１の接続部材と前記第２の接続部材との間を支持する支持部材と、を有する接続子により、リードと半導体素子とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、
第１のリードが電気的に接続され且つ導電性を有する板状のダイパッド上に、少なくとも３つの端子を有する半導体素子を配置し、前記ダイパッドの上面と前記半導体素子の第１の端子とを電気的に接続する第１の工程と、
前記半導体素子の第２の端子と第２のリードの一端とを、前記第１の接続部材により電気的に接続するとともに、前記半導体素子の第３の端子と第３のリードの一端とを前記第２の接続部材により電気的に接続する第２の工程と、
モールド樹脂により、前記支持部材が露出した状態で、前記ダイパッド、前記半導体素子、前記第１の接続部材の少なくとも一部、前記第２の接続部材の少なくとも一部、前記第１のリードの一端、前記第２のリードの一端、および、前記第３のリードの一端を封止する第３の工程と、
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部を切断する第４の工程と、を備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
リードフレームから前記第１ないし第３のリードを切り離すタイミングと、前記支持部材を切断するタイミングとが同時である
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
プレス金型によりプレスカットすることにより、前記リードフレームから前記第１ないし第３のリードを切り離すとともに、前記支持部材を切断する
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、接続子、および、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の半導体装置１００Ａの構成の一例を示す図である。なお、図１において、半導体素子を封止するモールド樹脂は、省略されている。
【０００３】
図１に示すように、従来の半導体装置には、半導体素子１に電気的に接続される複数の外部リードＬ１〜Ｌ３が、該半導体素子１を内包する封止樹脂（図示せず）の同一の側面から突出する樹脂封止型の半導体装置１００Ａがある。
【０００４】
この従来の半導体装置１００Ａでは、例えば、半導体素子１Ａの各端子と該複数の外部リードＬ２、Ｌ３とが、一対一に、ボンディングワイヤＢ１、Ｂ２により、接続されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
このような半導体装置１００Ａの製造方法においては、該外部リードＬ２、Ｌ３の一端Ｌ２ａ、Ｌ３ａとボンディングワイヤＢ１、Ｂ２の一端Ｂ１ａ、Ｂ２ａとをボンディングした後、該半導体素子１の端子１ａ、１ｂと該ボンディングワイヤＢ１、Ｂ２の他端Ｂ１ｂ、Ｂ２ｂとをボンディングする。
【０００６】
そして、半導体素子１を内包するように樹脂モールドを実施し、その後、隣接する該該部リードをリードフレームから例えばプレス金型を用いてプレスカットすることにより分離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２７２５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、既述の従来技術では、各々の該外部リードに対してワイヤボンディング等するため、これらの製造工程自体にかかる時間が長く、また、位置合わせ等も各々の該外部リードに対して実行する必要があり、半導体装置の製造コストが増加する問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る実施例に従った半導体装置は、
導電性を有する板状のダイパッドと、
前記ダイパッド上に配置され、少なくとも３つの端子を有し、前記ダイパッドの上面と第１の端子が電気的に接続された半導体素子と、
前記ダイパッドと電気的に接続された第１のリードと、
前記半導体素子の第２の端子に一端が電気的に接続され導電性を有する第１の接続部材と、前記半導体素子の第３の端子に一端が電気的に接続され導電性を有する第２の接続部材と、前記第１の接続部材と前記第２の接続部材との間を支持する支持部材と、を有する接続子と、
前記第１の接続部材の他端に一端が電気的に接続された第２のリードと、
前記第２の接続部材の他端に一端が電気的に接続された第３のリードと、
前記支持部材が露出した状態で、前記ダイパッド、前記半導体素子、前記第１の接続部材の少なくとも一部、前記第２の接続部材の少なくとも一部、前記第１のリードの一端、前記第２のリードの一端、および、前記第３のリードの一端を封止するモールド樹脂と、を備え、
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部が切断される
ことを特徴とする。
【００１０】
前記半導体装置において、
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部が除去されることを特徴とする。
【００１１】
前記半導体装置において、
前記支持部材の除去される部分には、切断のための切断用溝が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
前記半導体装置において、
前記切断用溝は、前記支持部材の切断の方向に沿って形成されていることを特徴とする。
【００１３】
前記半導体装置において、
前記支持部材の除去される部分の厚さは、前記第２のリードおよび前記第３のリードの厚さよりも薄い
ことを特徴とする。
【００１４】
前記半導体装置において、
前記半導体素子の前記第１の端子は前記半導体素子の下面に配置され、前記半導体素子の前記第２の端子および前記第３の端子は前記半導体素子の上面に配置されている
ことを特徴とする。
【００１５】
前記半導体装置において、
前記第２のリードの一端に第１の嵌合用溝が形成されており、
前記第１の接続部材の他端は、前記第１の嵌合用溝に嵌合された状態で前記第２のリードの一端に接続され、
前記第３のリードの一端に第２の嵌合用溝が形成されており、
前記第２の接続部材の他端は、前記第２の嵌合用溝に嵌合された状態で前記第３のリードの一端に接続されている
ことを特徴とする。
【００１６】
前記半導体装置において、
前記第１の接続部材の他端は、前記第２のリードの一端の側面と接続され、前記第２の接続部材の他端は、前記第３のリードの一端の側面と接続されている
ことを特徴とする。
【００１７】
前記半導体装置において、
前記第２のリードの一端の上面および前記第３のリードの一端の上面の前記ダイパッドの上面に対する高さは、前記第１の接続部材の他端の上面および前記第２の接続部材の他端の上面の前記ダイパッドの上面に対する高さと等しい
ことを特徴とする。
【００１８】
前記半導体装置において、
前記半導体素子の前記第１の端子と前記ダイパッドの上面とは、半田付けにより電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
前記半導体装置において、
前記半導体素子の前記第２の端子と前記第１の接続部材の一端とは、半田付けにより電気的に接続され、
前記半導体素子の前記第３の端子と前記第２の接続部材の一端とは、半田付けにより電気的に接続されている
ことを特徴とする。
【００２０】
本発明の一態様に係る実施例に従った接続子は、
導電性を有する板状のダイパッドと、前記ダイパッド上に配置され、少なくとも３つの端子を有し、前記ダイパッドの上面と第１の端子が電気的に接続された半導体素子と、前記ダイパッドと電気的に接続された第１のリードと、第２のリードと、第３のリードと、モールド樹脂と、を備えた半導体装置に適用される接続子であって、
前記接続子は、前記半導体素子の第２の端子に一端が電気的に接続され、第３のリードの一端に前記第２の接続部材の他端が電気的に接続され、前記第２のリードの一端に前記第１の接続部材の他端が電気的に接続され、導電性を有する第１の接続部材と、前記半導体素子の第３の端子に一端が電気的に接続され、導電性を有する第２の接続部材と、前記第１の接続部材と前記第２の接続部材との間を支持する支持部材と、を有し、
モールド樹脂により、前記支持部材が露出した状態で、前記ダイパッド、前記半導体素子、前記第１の接続部材の少なくとも一部、前記第２の接続部材の少なくとも一部、前記第１のリードの一端、前記第２のリードの一端、および、前記第３のリードの一端が封止され、
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部が切断される
ことを特徴とする。
【００２１】
本発明の一態様に係る実施例に従った半導体装置の製造方法は、
導電性を有する第１、第２の接続部材と、前記第１の接続部材と前記第２の接続部材との間を支持する支持部材と、を有する接続子により、リードと半導体素子とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、
第１のリードが電気的に接続され且つ導電性を有する板状のダイパッド上に、少なくとも３つの端子を有する半導体素子を配置し、前記ダイパッドの上面と前記半導体素子の第１の端子とを電気的に接続する第１の工程と、
前記半導体素子の第２の端子と第２のリードの一端とを、前記第１の接続部材により電気的に接続するとともに、前記半導体素子の第３の端子と第３のリードの一端とを前記第２の接続部材により電気的に接続する第２の工程と、
モールド樹脂により、前記支持部材が露出した状態で、前記ダイパッド、前記半導体素子、前記第１の接続部材の少なくとも一部、前記第２の接続部材の少なくとも一部、前記第１のリードの一端、前記第２のリードの一端、および、前記第３のリードの一端を封止する第３の工程と、
前記第２のリードと前記第３のリードとの間が絶縁されるように、前記支持部材の少なくとも一部を切断する第４の工程と、を備える
ことを特徴とする。
【００２２】
前記半導体装置の製造方法において、
リードフレームから前記第１ないし第３のリードを切り離すタイミングと、前記支持部材を切断するタイミングとが同時である
ことを特徴とする。
【００２３】
前記半導体装置の製造方法において、
プレス金型によりプレスカットすることにより、前記リードフレームから前記第１ないし第３のリードを切り離すとともに、前記支持部材を切断する
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の一態様に係る半導体装置は、導電性を有する板状のダイパッドと、該ダイパッド上に配置され、少なくとも３つの端子を有し、該ダイパッドの上面と第１の端子が電気的に接続された半導体素子と、該ダイパッドと電気的に接続された第１のリードと、該半導体素子の第２の端子に一端が電気的に接続され導電性を有する第１の接続部材と、該半導体素子の第３の端子に一端が電気的に接続され導電性を有する第２の接続部材と、該第１の接続部材と該第２の接続部材との間を支持する支持部材と、を有する接続子と、該第１の接続部材の他端に一端が接続された第２のリードと、該第２の接続部材の他端に一端が接続された第３のリードと、該支持部材が露出した状態で、該ダイパッド、該半導体素子、該第１の接続部材の少なくとも一部、該第２の接続部材の少なくとも一部、該第１のリードの一端、該第２のリードの一端、および、該第３のリードの一端を封止するモールド樹脂と、を備える。
【００２５】
そして、第２のリードと第３のリードとの間が絶縁されるように、支持部材の少なくとも一部が切断される。
【００２６】
このような構成により、１つの接続子で２つの該第２、第３のリードと該半導体素子とを同時に接続することを可能にする。
【００２７】
そして、この半導体装置の製造方法においては、１つの接続子で２つのリードと半導体素子とを同時に接続するので、リードと半導体素子との接続に必要な時間や位置合わせ等の回数を削減することができ、半導体装置の製造コストを削減することができる。
【００２８】
さらに、該接続子の該支持部材に切断用の切断用溝を設けたり、支持部材の厚さを該第２、第３のリードよりも薄くしたりすることにより、より確実に該支持部材を切断することができる。
【００２９】
すなわち、該第２のリードと該第３のリードとの間をより確実に絶縁して半導体装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、従来の半導体装置１００Ａの構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の一態様である実施例１に係る半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示す半導体装置１００を側面から見た側面図である。
【図４】図４は、図２に示す半導体装置１００を斜め方向から見た斜視図である。
【図５】図５は、図２に示す半導体装置１００の接続子Ｓの支持部材Ｓ３が切断された状態の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施例１に係る半導体装置１００の製造方法のフローの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００３２】
図２は、本発明の一態様である実施例１に係る半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。また、図３は、図２に示す半導体装置１００を側面から見た側面図である。また、図４は、図２に示す半導体装置１００を斜め方向から見た斜視図である。また、図５は、図２に示す半導体装置１００の接続子Ｓの支持部材Ｓ３が切断された状態の一例を示す図である。  
図２ないし図４に示すように、半導体装置１００は、半導体素子１と、ダイパッド１０１と、第１のリードＬ１と、第２のリードＬ２と、第３のリードＬ３と、接続子Ｓと、モールド樹脂１０２と、を備える。
【００３３】
ダイパッド１０１は、導電性を有し、板状の形状を有する。このダイパッド１０１は、例えば、銅、鉄、または、それらの少なくとも何れかを含む合金により構成されている。
【００３４】
半導体素子１は、ダイパッド１０１上に配置され、少なくとも３つの端子を有する。半導体素子１の第１の端子１ａは半導体素子１の下面に配置され、半導体素子１の第２の端子１ｂおよび第３の端子１ｃは半導体素子１の上面に配置されている。
【００３５】
半導体素子１は、ダイパッド１０１の上面と第１の端子１ａが電気的に接続されている。半導体素子１の第１の端子１ａとダイパッド１０１の上面とは、半田付けにより電気的に接続されている。
【００３６】
この半導体素子１は、例えば、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳトランジスタ、又は、サイリスタである。
【００３７】
また、接続子Ｓは、第１の接続部材Ｓ１と、第２の接続部材Ｓ２と、支持部材Ｓ３と、を有する。
【００３８】
第１の接続部材Ｓ１は、半導体素子１の第２の端子１ｂに一端Ｓ１ａが電気的に接続され導電性を有する。半導体素子１の第２の端子１ｂと第１の接続部材Ｓ１の一端Ｓ１ａとは、半田付けにより電気的に接続されている。
【００３９】
第２の接続部材Ｓ２は、半導体素子１の第３の端子１ｃに一端Ｓ２ａが電気的に接続され導電性を有する。半導体素子１の第３の端子１ｃと第２の接続部材Ｓ２の一端Ｓ２ａとは、半田付けにより電気的に接続されている。
【００４０】
支持部材Ｓ３は、第１の接続部材Ｓ１と第２の接続部材Ｓ２との間を支持するようになっている。
【００４１】
第１のリードＬ１は、ダイパッド１０１と電気的に接続されている。
【００４２】
第２のリードＬ２は、第１の接続部材Ｓ１の他端Ｓ１ｂに一端Ｌ２ａが電気的に接続されている。
【００４３】
第３のリードＬ３は、第２の接続部材Ｓ２の他端Ｄ２ｂに一端Ｌ３ａが電気的に接続されている。
【００４４】
これらの第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３は、それぞれ間隔を空けて配置されている。これらの第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３、および、ダイパッド１０１は、例えば、１つのリードフレームを加工することにより、形成される。
【００４５】
なお、第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａの上面および第３のリードＬ３の一端Ｌ３ａの上面のダイパッド１０１の上面に対する高さは、第１の接続部材Ｓ１の他端の上面および第２の接続部材Ｓ２の他端の上面のダイパッド１０１の上面に対する高さと等しくなるように設定されている。
【００４６】
第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａに第１の嵌合用溝Ｍ１が形成されている。第１の接続部材Ｓ１の他端Ｓ１ｂは、この第１の嵌合用溝Ｍ１に嵌合された状態で第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａに接続されている。
【００４７】
第３のリードＬ３の一端Ｌ３ａに第２の嵌合用溝Ｍ２が形成されている。第２の接続部材Ｓ２の他端Ｓ２ｂは、この第２の嵌合用溝Ｍ２に嵌合された状態で第３のリードＬ３の一端に接続されている。
【００４８】
なお、代替的に、第１の接続部材Ｓ１の他端Ｓ１ｂは、第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａの側面と接続され、且つ、第２の接続部材Ｓ２の他端Ｓ２ｂは、第３のリードＬ３の一端Ｌ３ａの側面と接続されているようにしてもよい。
【００４９】
また、第１の接続部材Ｓ１の他端Ｓ１ｂと、第２のリードＬ２の一端の下部とが接続され、且つ、第２の接続部材Ｓ２の他端Ｓ２ｂと、第３のリードＬ３の一端の下部とが接続されるようにしてもよい。
【００５０】
また、第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３は、銅、鉄、または、それらの少なくとも何れかを含む合金により構成されている。
【００５１】
既述の接続子Ｓは、例えば、第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３と同じ材料で構成されている。すなわち、接続子Ｓは、例えば、銅、鉄、または、それらの少なくとも何れかを含む合金により構成されている。
【００５２】
これにより、第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３と接続子Ｓとの間の導電性を向上するとともに、熱膨張率等の特性の影響を低減することができる。
【００５３】
なお、図５に示すように、第２のリードＬ２と第３のリードＬ３との間が絶縁されるように、例えば、支持部材Ｓ３の少なくとも一部が切断（除去）される。
【００５４】
支持部材Ｓ３の切断（除去）される部分には、例えば、切断のための切断用溝（図示せず）が形成されている。この切断用溝は、例えば、支持部材Ｓ３の切断の方向に沿って形成されている。また、支持部材Ｓ３の切断（除去）される部分の厚さは、例えば、第２のリードＬ２および第３のリードＬ３の厚さよりも薄くなるように設定されている。
【００５５】
これにより、より確実に該支持部材Ｓ３を切断（除去）することができる。
【００５６】
また、モールド樹脂１０２は、支持部材Ｓ３が露出した状態で、ダイパッド１０１、半導体素子１、第１の接続部材Ｓ１の少なくとも一部、第２の接続部材Ｓ２の少なくとも一部、第１のリードＬ１の一端Ｌ１ａ、第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａ、および、第３のリードＬ３の一端Ｌ３ａを封止するようになっている。
【００５７】
なお、このモールド樹脂１０２には、図示省略の放熱フィンを、螺子を用いて取り付けるべく、螺子を挿通するための放熱のための開口部１０２ａが形成されている。
【００５８】
次に、以上のような構成を有する半導体装置１００の製造方法の一例について説明する。
【００５９】
ここで、図６は、実施例１に係る半導体装置１００の製造方法のフローの一例を示す図である。この図６のフローでは、特に、導電性を有する第１、第２の接続部材Ｓ１、Ｓ２と、第１の接続部材Ｓ１と第２の接続部材Ｓ２との間を支持する支持部材Ｓ３と、を有する接続子Ｓにより、リードと半導体素子１とを電気的に接続する方法について示している。
【００６０】
図６に示すように、先ず、第１のリードＬ１が電気的に接続され且つ導電性を有する板状のダイパッド１０１上に、少なくとも３つの端子を有する半導体素子１を配置し、ダイパッド１０１の上面と半導体素子１の第１の端子１ａとを電気的に接続する（ステップＳ１）。
【００６１】
次に、半導体素子１の第２の端子１ｂと第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａとを、第１の接続部材Ｓ１により電気的に接続するとともに、半導体素子１の第３の端子１ｃと第３のリードＬ３の一端Ｌ３ａとを第２の接続部材Ｓ２により電気的に接続する（ステップＳ２）。
【００６２】
次に、モールド樹脂により、支持部材Ｓ３が露出した状態で、ダイパッド１０１、半導体素子１、第１の接続部材Ｓ１の少なくとも一部、第２の接続部材Ｓ２の少なくとも一部、第１のリードＬ１の一端Ｌ１ａ、第２のリードＬ２の一端Ｌ２ａ、および、第３のリードＬ３の一端Ｌ３ａを封止する（ステップＳ３）。
【００６３】
次に、第２のリードＬ２と第３のリードＬ３との間が絶縁されるように、支持部材Ｓ３の少なくとも一部を切断する（ステップＳ４）。
【００６４】
なお、例えば、該リードフレームから第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３を切り離すタイミングと、支持部材Ｓ３を切断するタイミングとが同時に設定される。例えば、プレス金型によりプレスカットすることにより、該リードフレームから第１ないし第３のリードＬ１〜Ｌ３を切り離すとともに、支持部材Ｓ３を切断する。
【００６５】
以上のフローにより、図５に示す状態の半導体装置１００が完成する。
【００６６】
本発明の一態様に係る半導体装置では、第２のリードＬ２と第３のリードＬ３との間が絶縁されるように、支持部材Ｓ３の少なくとも一部が切断される。
【００６７】
このような構成により、１つの接続子Ｓで２つの該第２、第３のリードＬ２、Ｌ３と該半導体素子１とを同時に接続することを可能にする。
【００６８】
そして、この半導体装置の製造方法においては、１つの接続子Ｓで２つのリードと半導体素子１とを同時に接続するので、リードと半導体素子１との接続に必要な時間や位置合わせ等の回数を削減することができ、半導体装置１００の製造コストを削減することができる。
【００６９】
さらに、該接続子Ｓの該支持部材Ｓ３に切断用の切断用溝を設けたり、支持部材Ｓ３の厚さを該第２、第３のリードＬ２、Ｌ３よりも薄くしたりすることにより、より確実に該支持部材Ｓ３を切断することができる。
【００７０】
すなわち、該第２のリードＬ２と該第３のリードＬ３との間をより確実に絶縁して半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００７１】
なお、既述の実施例では、半導体装置１００が１つの半導体素子１を備えた場合の一例について説明したが、半導体装置１００が、複数の半導体素子１を備えるようにしてもよい。この場合、接続子Ｓの第１の接続部材Ｓ１は、複数の半導体素子１の第２の端子１ｂに一端が電気的に接続され、接続子Ｓの第２の接続部材Ｓ２は、複数の半導体素子１の第３の端子１ｃに一端が電気的に接続されることになる。
【００７２】
なお、実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００７３】
１  半導体素子
１ａ  第１の端子
１ｂ  第２の端子
１ｃ  第３の端子
１００、１００Ａ  半導体装置
１０１  ダイパッド
１０２  モールド樹脂
１０２ａ  開口部
Ｌ１  第１のリード
Ｌ１ａ  第１のリードの一端
Ｌ２  第２のリード
Ｌ２ａ  第２のリードの一端
Ｌ３  第３のリード
Ｌ３ａ  第３のリードの一端
Ｍ１  第１の嵌合用溝
Ｍ２  第２の嵌合用溝
Ｓ  接続子  
Ｓ１  第１の接続部材
Ｓ１ａ  第１の接続部材の一端
Ｓ１ｂ  第１の接続部材の他端
Ｓ２  第２の接続部材
Ｓ２ａ  第２の接続部材の一端
Ｓ２ｂ  第２の接続部材の他端
Ｓ３  支持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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