(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、前記配線積層部の表面の前記誘電体層に形成された複数の金属パッドと、前記配線積層部の表面を覆い前記複数の金属パッドを露出させる複数の開口部が形成されたソルダーレジスト層とを備えた配線基板の製造方法であって、
前記複数の金属パッドは主部品接続用パッドと副部品接続用パッドとを含んで構成され、
前記ソルダーレジスト層に前記複数の開口部を形成した後、
各々の前記金属パッドの表面をＳｎメッキ層で被覆するＳｎメッキ工程と、
前記主部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の上に半田を供給する半田供給工程と、
前記半田供給工程後に、前記半田を溶融するリフロー工程を実施することにより、前記Ｓｎメッキ層で被覆された前記金属パッドを加熱する加熱工程と、
加熱後の前記副部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の表面を、アミンを含むアルカリ洗浄液により洗浄するアルカリ洗浄工程と、
を実施することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記アルカリ洗浄工程では、エタノールアミンを含む前記アルカリ洗浄液を用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記アルカリ洗浄工程における洗浄時間が３分以上であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記主部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の表面にフラックスを供給するフラックス供給工程を、更に実施し、
前記半田供給工程では、前記フラックスが供給された前記Ｓｎメッキ層の上に前記半田を供給することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記リフロー工程後に、フラックスを洗浄するフラックス洗浄工程を、更に実施し、
前記フラックス洗浄工程後に、前記アルカリ洗浄工程を実施することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数の金属パッドはＣｕからなることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体層と導体層とを交互に積層形成した配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子部品等の各種部品を載置する配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層した配線積層部を備え、その表面側の導体層に形成された金属パッドには、例えば、部品の端子が接続され、あるいはＢＧＡ用の半田ボールが載置される。通常、Ｃｕを用いた金属パッドを形成する場合、金属パッドの表面に半田ペーストを塗布する際に良好な半田濡れ性を確保することが求められる。近年、いわゆるＰｂフリー半田が使用されるようになってきたが、Ｐｂフリー半田はリフロー温度が高く、Ｃｕからなる金属パッドとの濡れ性に劣るという欠点がある。そのため、金属パッドの表面をＳｎメッキ層で被覆し、Ｓｎメッキ層の表面に半田ペーストを塗布した構造の配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。一般に、Ｓｎメッキ層はＰｂフリー半田との濡れ性に優れているため、金属パッドには各種部品の端子を確実に接続することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１７３１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の配線基板の製造工程において、Ｓｎメッキ層を被覆した多数の金属パッドに対し、Ｓｎメッキ層の表面に半田を供給した後にリフロー工程を実施するのが一般的である。しかしながら、金属パッドに半田を供給するタイミングは接続対象の部品に応じて異なるので、一部の金属パッドに上述のリフロー工程を施す一方、それ以外の金属パッドはＳｎメッキ層が剥き出しの状態のままとなることも想定される。そのため、製造工程の進行に伴い、剥き出しのＳｎメッキ層の表面が様々な不純物で汚染される恐れがある。発明者らの分析の結果、剥き出しのＳｎメッキ層の表面に存在する不純物としては、Ｓｎ酸化膜、リフロー対象の金属パッドのフラックス由来の不純物、ソルダーレジスト由来の不純物、フラックス洗浄液に溶け込んでいる不純物などが含まれることが確認された。従って、このような金属パッドに対し、後続の工程で例えばチップ部品を接続する場合、剥き出し状態のＳｎメッキ層に存在する不純物の影響で半田の濡れ性が劣化し、これによりチップ部品のチップ立ち不良を発生させるという問題がある。
【０００５】
本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、金属パッドの表面を被覆するＳｎメッキ層に付着した不純物を確実に除去し、半田に対する濡れ性を向上させて不良の発生を防止し得る配線基板の製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明は、誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、前記配線積層部の表面の前記誘電体層に形成された複数の金属パッドと、前記配線積層部の表面を覆い前記複数の金属パッドを露出させる複数の開口部が形成されたソルダーレジスト層とを備えた配線基板の製造方法であって、前記複数の金属パッドは主部品接続用パッドと副部品接続用パッドとを含んで構成され、前記ソルダーレジスト層に前記複数の開口部を形成した後、各々の前記金属パッドの表面をＳｎメッキ層で被覆するＳｎメッキ工程と、前記主部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の上に半田を供給する半田供給工程と、前記半田供給工程後に、前記半田を溶融するリフロー工程を実施することにより、前記Ｓｎメッキ層で被覆された前記金属パッドを加熱する加熱工程と、加熱後の前記副部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の表面を、アミンを含むアルカリ洗浄液により洗浄するアルカリ洗浄工程を実施するものである。
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、配線積層部に形成された複数の金属パッドの表面をＳｎメッキ層で被覆し、所定の金属パッドを加熱した後にＳｎメッキ層の表面をアルカリ洗浄液によって洗浄する。配線基板の製造時には、Ｓｎメッキ工程から加熱工程を経てアルカリ洗浄工程に至る過程で、Ｓｎメッキ層の表面のＳｎ酸化膜が形成されたり、あるいは各工程に由来する不純物がＳｎメッキ層の表面に付着する可能性があるが、アルカリ洗浄液の作用によりＳｎメッキ層の表面からＳｎ酸化膜や各種不純物を除去することができる。よって、これ以降の工程では、Ｓｎメッキ層の表面の半田に対する濡れ性を向上させることができ、金属パッドで問題となるチップ立ち不良を確実に防止することが可能となる。
【０００８】
前記アルカリ洗浄工程では、多様な処理方法を選択することができる。例えば、前記アミンを含むアルカリ洗浄液としては、エタノールアミンを含むアルカリ洗浄液を用いることができる。アルカリ洗浄液に含まれるエタノールアミンには、モノエタノールアミンやジエタノールアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。これらは、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。エタノールアミンの含有量は、アルカリ洗浄液全体を１００質量％とした場合に、少なくとも１質量％以上であることが好ましく、１００質量％であってもよい。前記アルカリ洗浄工程における洗浄時間は、例えば３分以上とすることが好ましいが、アルカリ洗浄工程の十分な効果を確保でき、かつ製造工程の効率化を妨げない範囲で適宜な洗浄時間を設定することができる。
【０００９】
前記複数の金属パッドは、例えば半導体チップなどの主部品に接続される主部品接続用パッドと、例えばチップコンデンサなどの副部品に接続される副部品接続用パッドとを含んで構成される。この場合、副部品用接続パッドについては、この時点でＳｎメッキ層の表面に半田を供給せず、副部品を接続する際に半田を供給するのが通常であるため、Ｓｎメッキ層の表面が剥き出しの状態に保たれることになる。そのため、副部品接続用パッドの表面においてＳｎ酸化膜の形成や不純物の付着が生じやすく、これらを除去すべく、前記アルカリ洗浄工程では前記副部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の表面を洗浄することが望ましい。
【００１０】
なお、前記半田供給工程の手法の一例として、前記主部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の上に半田ペーストを塗布してもよい。また、前記半田供給工程の手法の他の例として、前記主部品接続用パッドの前記Ｓｎメッキ層の上に半田ボールを載置してもよい。
【００１１】
前記主部品接続用パッドに対しては、前記Ｓｎメッキ層の表面にフラックスを供給するフラックス供給工程を更に実施してもよい。この場合、前記半田供給工程では、前記フラックスが供給された前記Ｓｎメッキ層の上に前記半田を供給すればよい。これにより、前記主部品用接続パッドにおいては、前記Ｓｎメッキ層の表面に付着したフラックス由来の不純物を前記アルカリ洗浄工程により除去することができる。なお、フラックスの供給は、前記半田供給工程の前に行ってもよいが、例えば、フラックス成分を含む半田ペーストを塗布する手法を採用してもよい。さらに、前記リフロー工程後に、フラックスを洗浄するフラックス洗浄工程を更に実施してもよい。この場合、前記フラックス洗浄工程後に前記アルカリ洗浄工程を実施すればよい。
【００１２】
前記複数の金属パッドの材質は特に制約されないが、例えば、Ｃｕからなる金属パッドにＰｂフリー半田を用いる場合は、本発明を適用する効果が大きい。すなわち、金属パッドをＰｂフリー半田に適合させるためのＳｎメッキ層で被覆したとき、その表面をアルカリ洗浄工程により洗浄することで、Ｐｂフリー半田に対する濡れ性を十分に高めることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上述べたように、本発明によれば、配線基板の製造工程において、複数の金属パッドの表面をそれぞれＳｎメッキ層で被覆した後、Ｓｎメッキ層が剥き出しの状態の金属パッドが残存する場合であっても、加熱工程やその他の工程でＳｎメッキ層の表面に付着した不純物をアルカリ洗浄工程により確実に除去することができる。よって、Ｓｎメッキ層の表面の不純物に起因する半田濡れ性の劣化を防止し、チップ部品を金属パッドに接続する際のチップ立ち不良等を生じさせることなく配線基板の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の適用対象となる配線基板の部分的な断面構造図である。
【図２】図１の配線基板の全体を上方から見たときの複数の金属パッドＰ１の配置を表す平面図である。
【図３】本実施形態の配線基板の流れを説明する工程フロー図である。
【図４】図３のステップＳ１２の時点における２種類の金属パッドＰ１ａ、Ｐ１ｂのそれぞれの状態を示す図である。
【図５】アルカリ洗浄工程の必要性及び作用効果について説明する第１の図である。
【図６】アルカリ洗浄工程の必要性及び作用効果について説明する第２の図である。
【図７】金属パッドＰ１ｂにおける半田濡れ性の改善効果について説明する撮影画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に述べる実施形態は本発明の技術思想を適用した形態の一例であって、本発明が本実施形態の内容により限定されることはない。
【００１６】
図１は、本発明の適用対象となる配線基板１０の部分的な断面構造図である。図１の断面構造図では、後述するように金属パッドをＳｎメッキ層で被覆する直前の状態の配線基板１０が示されている。図１に示す配線基板１０は、コア基板２０と、このコア基板２０の上面側と下面側にそれぞれ積層形成された配線積層部Ｌ１、Ｌ２とから構成されている。コア基板２０は、例えばガラス繊維を含浸させたエポキシ樹脂からなり、配線積層部Ｌ１、Ｌ２を支持する高剛性の支持体としての役割がある。コア基板２０の両側の表面には、それぞれコア導体層３０が形成されている。また、コア基板２０には、所定箇所を積層方向に貫く貫通孔の内壁面にスルーホール導体２１が形成され、そのスルーホール導体２１の内部が例えばエポキシ樹脂等からなる充填材２２で埋められている。そして、コア基板２０の上下のコア導体層３０の間は、スルーホール導体２１を介して接続導通される。
【００１７】
コア基板２０の両面側の配線積層部Ｌ１、Ｌ２の各々は、交互に積層形成された樹脂絶縁層４０、４１及び導体層３１、３２を含んでいる。コア導体層３０と導体層３１の間は、樹脂絶縁層４０の所定位置に形成されたビア導体５０を介して接続導通される。また、導体層３１、３２の間は、樹脂絶縁層４１の所定位置に形成されたビア導体５１を介して接続導通される。なお、図１の例では、配線積層部Ｌ１、Ｌ２が２層構造（樹脂絶縁層４０、４１及び導体層３１、３２）となっているが、これに限られることなく、さらに配線積層部Ｌ１、Ｌ２に樹脂絶縁層及び導体層を積層形成した多層構造としてもよい。
【００１８】
上下の樹脂絶縁層４１のそれぞれの表面側には、例えば感光性エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層４２が形成されている。それぞれのソルダーレジスト層４２には導体層３２を部分的に露出させる複数の開口部が設けられ、導体層３２が露出した複数の開口部の位置に複数の金属パッドＰ１、Ｐ２が形成されている。上部の金属パッドＰ１には、例えば半導体チップ等の主部品のパッドと接続するための金属パッドＰ１ａ（主部品接続用パッド）と、例えばチップコンデンサ等の副部品の電極端子と接続するための金属パッドＰ１ｂ（副部品接続用パッド）が含まれる。なお、図１の例では、１個の金属パッドＰ１ａと１個の金属パッドＰ１ｂが示されるが、実際はそれぞれ複数個配置されている。下部の金属パッドＰ２は、例えば、外部基板のＢＧＡ用の半田ボールを接続するためのパッドであり、上側の金属パッドＰ１よりも大きいサイズに形成されている。
【００１９】
図２は、図１の配線基板１０の全体を上方から見たときの複数の金属パッドＰ１の配置を表す平面図である。図２に示すように、配線基板１０の中央の領域Ｒａには、上述の主部品接続用パッドとしての複数の金属パッドＰ１ａが形成されている。また、領域Ｒａを取り囲む外周領域には、上述の副部品接続用パッドとしての複数の金属パッドＰ１ｂが形成されている。複数の金属パッドＰ１ａは、半導体チップ等の主部品のパッドの配置に対応して格子状に配置されている。複数の金属パッドＰ１ｂは、２個１組となってチップコンデンサ等の副部品の両端の電極端子に対応して規則的に配置されている。なお、図２の例では円形状の金属パッドＰ１ａ及び方形状の金属パッドＰ１ｂを示しているが、それぞれの形状については制約されず、さらには金属パッドＰ１ａ、Ｐ１ｂのそれぞれの個数及び配置についても制約されることはない。本実施形態では、配線基板１０の製造時に、２種類の金属パッドＰ１ａ、Ｐ１ｂに対して異なる処理が適用されるが、詳しくは後述する。
【００２０】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について説明する。図３は、本実施形態の配線基板１０の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。まず、図３に示すように、図１の断面構造を有する配線基板１０を作製し準備する（ステップＳ１０）。ここで、図１の断面構造に至る各工程については周知の手法を適用することができ、各工程の詳細については省略する。また、図３の工程フロー図では、主に上側の導体層３２に形成される金属パッドＰ１に関連する工程に着目して説明するものとし、それ以外の工程については省略する。
【００２１】
次いで、ステップＳ１０で得られた配線基板１０に対し、露出している複数の金属パッドＰ１の表面をＳｎメッキ層６０（図４）で被覆する（ステップＳ１１：Ｓｎメッキ工程）。すなわち、金属パッドＰ１は、例えばＣｕを主成分とするので、Ｓｎを主成分とする半田との間の濡れ性を改善するため、金属パッドＰ１の表面を半田と同成分のＳｎメッキ層６０で被覆するものである。ステップＳ１１では、例えば、金属パッドＰ１の表面に無電解Ｓｎメッキ又は電解Ｓｎメッキを施すことによりＳｎメッキ層６０が形成される。Ｓｎメッキ層６０の厚さは、例えば、１〜２μｍの範囲内に設定される。
【００２２】
次いで、中央の領域Ｒａの金属パッドＰ１ａのＳｎメッキ層６０の表面に半田ペースト６１（図４）を塗布する（ステップＳ１２：半田供給工程）。一方、外周領域の金属パッドＰ１ｂには半田ペースト６１は塗布されない。半田ペースト６１としては、上述したように、例えばＳｎを主成分とする高温半田が用いられる。なお、半田ペースト６１は、Ｓｎメッキ層６０の表面の清浄作用や半田の濡れ性の促進のためにフラックス成分を含んでいることが望ましい。あるいは、フラックス成分を含まない半田ペースト６１の塗布に先立って、Ｓｎメッキ層６０の表面にフラックスを供給してもよい。
【００２３】
図４は、ステップＳ１２の完了時点における２種類の金属パッドＰ１ａ、Ｐ１ｂのそれぞれの状態を示している。図４の右側に示される一方の金属パッドＰ１ａについては、表面がＳｎメッキ層６０で覆われ、その上部に半田ペースト６１が塗布されている。これに対し、図４の左側に示される他方の金属パッドＰ１ｂについては、表面がＳｎメッキ層６０で覆われて剥き出しの状態になっている。このように、主部品接続用の金属パッドＰ１ａと副部品接続用の金属パッドＰ１ｂに対して半田を供給するタイミングが異なっている。
【００２４】
次いで、ステップＳ１２で金属パッドＰ１ａのＳｎメッキ層６０の表面に塗布された半田ペースト６１を所定温度で加熱処理を施すことによりリフローする（ステップＳ１３：リフロー工程）。その結果、半田ペースト６１の塗布層がＳｎメッキ層６０とともに溶融し、金属パッドＰ１ａの表面に塗れ広がる。このとき、金属パッドＰ１ａにおいては、半田ペースト６１に含まれるフラックス成分の大半が除去される。一方、外周領域の金属パッドＰ１ｂについては、図４に示したように、Ｓｎメッキ層６０が剥き出しの状態に保たれる。
【００２５】
次いで、フラックス洗浄液を用いて配線基板１０の全体に残留しているフラックス成分を洗浄して除去する（ステップＳ１４：フラックス洗浄工程）。ステップＳ１４におけるフラックス洗浄液としては、例えば、リン酸や硫酸などの無機酸を含むフラックス洗浄液が用いられる。
【００２６】
次いで、ステップＳ１４の状態の配線基板１０において、アミンを含むアルカリ洗浄液を用いて、少なくとも外周領域の各々の金属パッドＰ１ｂの表面を洗浄する（ステップＳ１５：アルカリ洗浄工程）。ステップＳ１５では、例えば、モノエタノールアミンを約３０重量％含有するアルカリ洗浄液に、配線基板１０を浸漬させればよい。この場合のアルカリ洗浄時間は、おおむね３分以上であることが好ましい。ステップＳ１５のアルカリ洗浄工程により、金属パッドＰ１ｂ上のＳｎメッキ層６０の表面に存在するＳｎ酸化膜や上記各工程に由来する不純物を除去することができ、半田に対する濡れ性が向上する。なお、アルカリ洗浄工程の作用効果について詳しくは後述する。
【００２７】
その後、図３に示すように、外周領域の金属パッドＰ１ｂに対する後工程が実施される（ステップＳ１６）。ステップＳ１６では多様な処理が適用可能であるが、例えば、領域Ｒａの金属パッドＰ１ａと同様、金属パッドＰ１ｂのＳｎメッキ層６０の表面に半田ペーストを塗布してリフローを行うことで、例えばチップコンデンサなどの副部品を接続することができる。このとき、金属パッドＰ１ｂをリフローすると、上記アルカリ洗浄工程を施したＳｎメッキ層６０の表面で半田が塗れ広がるので、チップコンデンサ等のチップ部品のチップ立ち不良を防止することができる。
【００２８】
なお、下側の金属パッドＰ２については説明を省略したが、領域Ｒａの金属パッドＰ１と同様、下側の金属パッドＰ２に対して半田供給工程を適用してもよい。この場合、金属パッドＰ２の表面をＳｎメッキ層で被覆した後に、その表面に半田ボールを載置してリフローを施せばよい。また、図３のステップＳ１２では、金属パッドＰ１ａに対しＳｎメッキ層６０の表面に半田ペースト６１を塗布する処理を説明したが、これに代えてＳｎメッキ層６０の表面に半田ボールを載置する処理を適用してもよい。
【００２９】
ここで、図５及び図６を用いて、ステップＳ１５のアルカリ洗浄工程の必要性及び作用効果について説明する。図５及び図６では、Ｓｎメッキ層６０を被覆した金属パッドＰ１ｂに関し、配線基板１０の工程フローの経過に伴う状態変化を模式的に表している。まず、図５（Ａ）に示すように、図３のＳｎメッキ工程（ステップＳ１１）の直後の金属パッドＰ１ｂにおいて、その表面にＳｎメッキ層６０が剥き出しの状態で存在するのみであり、この時点ではＳｎメッキ層６０の表面に不純物はほとんど存在しない。
【００３０】
しかし、図５（Ｂ）に示すように、工程フローの進行に伴い図３の半田供給工程（ステップＳ１２）及びリフロー工程（ステップＳ１３）を経た後の金属パッドＰ１ｂにおいては、Ｓｎメッキ層６０の表面にＳｎ酸化膜が生成された状態となっている。これに加えて、Ｓｎメッキ層６０の表面に、ソルダーレジスト由来の不純物とフラックス由来の不純物が付着した状態となっている。これらの不純物は、リフロー工程時にリフロー炉内のフラックス雰囲気とソルダーレジスト層４２から発生する気体の雰囲気とに起因してＳｎメッキ層６０の表面に付着したものである。
【００３１】
その後、図３のフラックス洗浄工程（ステップＳ１４）では、例えば、図５（Ｃ）に示すように、容器１００のフラックス洗浄液に溶け込んでいるリン酸銅や硫酸銅が金属パッドＰ１ｂに吸着し、あるいは置換反応で付着した状態となっている。これらのリン酸銅や硫酸銅は、配線基板１０の切断（不図示）時に生じる切断屑であるＣｕがフラックス洗浄液に溶け込むことにより生成される。
【００３２】
その結果、図６（Ａ）に示すように、図３のアルカリ洗浄工程（ステップＳ１５）の直前の金属パッドＰ１ｂにおいて、Ｓｎメッキ層６０の表面には主に下記の４種類の各種不純物（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）が混在した状態となる。
（ａ）Ｓｎメッキ層６０表面に形成されるＳｎ酸化膜
（ｂ）ソルダーレジスト由来の不純物
（ｃ）フラックス由来の不純物
（ｄ）フラックス洗浄液に溶け込むリン酸銅・硫酸銅
【００３３】
よって、図６（Ａ）の状態の金属パッドＰ１ｂは、上記不純物に起因してＳｎメッキ層６０の表面で半田に対する濡れ性が劣化している。これに対し、図６（Ｂ）に示すように、上記アルカリ洗浄工程（ステップＳ１５）において、容器１０１のアルカリ洗浄液により、金属パッドＰ１ｂを被覆するＳｎメッキ層６０の表面の洗浄が行われる。その結果、図６（Ｃ）に示すように、Ｓｎメッキ層６０の表面から上述した４種類の各種不純物（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）を除去することができる。すなわち、アミン系のアルカリ洗浄液の作用により有機系不純物を除去する効果が得られ、アルカリの還元作用によりＳｎ酸化膜を除去する効果が得られ、さらにはアミンの錯化作用によりＳｎメッキ層６０の表面のＣｕをエッチングする効果が得られる。
【００３４】
また、図７を用いて、図３のステップＳ１６の後工程において、金属パッドＰ１ｂにおける半田濡れ性の改善効果について説明する。図７は、一列に配置される金属パッドＰ１ｂに対し、フラックスを塗布した後、Ｓｎメッキ層６０の表面に半田ボールを載置してリフローを施した状態の顕微鏡撮影画像である。図７（Ａ）は、比較のためアルカリ洗浄工程を実施しない画像を示し、図７（Ｂ）は、洗浄時間を３分としてアルカリ洗浄工程を実施する場合の画像を示している。
【００３５】
図７（Ａ）の場合は、一列の金属パッドＰ１ｂにおいて、リフローにより流動化した半田が各金属パッドＰ１ｂの長辺の全体には塗れ広がっていない。一方、図７（Ｂ）の場合は、図７（Ａ）と同じ配置の金属パッドＰ１ｂにおいて、リフローにより流動化した半田が各金属パッドＰ１ｂの長辺の全体に塗れ広がっていることがわかる。通常、金属パッドＰ１ｂの面積に対して半田の塗れ広がりの面積の比率が大きいほど濡れ性が良好であるが、かかる比率は図７（Ａ）に比べて図７（Ｂ）では５割程度向上することが確認された。このように、本実施形態におけるアルカリ洗浄工程を実施することで、金属パッドＰ１ｂにおけるＳｎメッキ層６０の半田に対する濡れ性が向上し、これによりチップ立ち不良の発生を抑えることが可能となる。
【００３６】
以上、本実施形態に基づき本発明の内容を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で多様な変更を施すことができる。例えば、本実施形態の製造方法については図３の工程フロー図を示したが、例えば、図３の半田供給工程（ステップＳ１２）、フラックス洗浄工程（ステップＳ１４）を実施しない場合であっても本発明の適用は可能である。また、金属パッドＰ１がＣｕを主成分とする場合を説明したが、Ｃｕ以外の金属材料を主成分とする金属パッドＰ１であっても本発明を適用可能である。また、図１の配線基板のうち、コア基板２０や配線積層部Ｌ１、Ｌ２の構造、材料、形成方法についても、本実施形態で開示した内容には限定されることなく変更可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１０…配線基板
２０…コア基板
２１…スルーホール導体
２２…充填材
３０…コア導体層
３１、３２…導体層
４０、４１…樹脂絶縁層
４２…ソルダーレジスト層
５０、５１…ビア導体
６０…Ｓｎメッキ層
６１…半田ペースト
Ｌ１、Ｌ２…配線積層部
Ｐ１（Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ）、Ｐ２…金属パッド
【図１】
0005514657.tif 000002
【図２】
0005514657.tif 000003
【図３】
0005514657.tif 000004
【図４】
0005514657.tif 000005
【図５】
0005514657.tif 000006
【図６】
0005514657.tif 000007
【図７】
0005514657.tif 000008