(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素電極と、
第２の画素電極と、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間の複数の光電変換素子と、
前記第１の画素電極と重なる領域を有する第１のカラーフィルタと、
前記第２の画素電極と重なる領域を有する第２のカラーフィルタと、
前記複数の光電変換素子のいずれか一と重なる領域を有する第３のカラーフィルタと、を有し、
前記第３のカラーフィルタは、前記第１のカラーフィルタと異なり、且つ前記第２のカラーフィルタと異なる色を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の画素電極と、
第２の画素電極と、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間の複数の光電変換素子と、
前記第１の画素電極と重なる領域を有する第１のカラーフィルタと、
前記第２の画素電極と重なる領域を有する第２のカラーフィルタと、
前記複数の光電変換素子のいずれか２つの一方と重なる領域を有する第３のカラーフィルタと、
前記複数の光電変換素子のいずれか２つの他方と重なる領域を有する第４のカラーフィルタと、を有し、
前記第３のカラーフィルタは、前記第１のカラーフィルタと異なり、且つ前記第２のカラーフィルタと異なる色を有し、
前記第４のカラーフィルタは、前記第１のカラーフィルタ又は前記第２のカラーフィルタの一方と同じ色を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の表示装置と、
操作ボタン、マイク、スピーカー、又は筐体と、
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装
置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有
機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００４】
市販されている液晶ディスプレイには、抵抗膜方式や静電容量測定方式を用いたタッチパ
ネルが表示面全面に貼り付けられているものがあり、付属するペンなどを用いて入力が可
能となっている。
【０００５】
また、フォトセンサを用いて、表示画面が入力領域を兼ねるディスプレイが提案されてい
る。画像取り込みを行う密着型エリアセンサを配置した画像取り込み機能を備えた表示装
置が特許文献１、及び特許文献２に開示されている。また、特許文献３には発光素子の輝
度を制御するためのセンサを備えた表示装置が開示されている。
【０００６】
また、携帯電話などの携帯情報端末に本人認証機能などを付与しようという試みがなされ
ている。本人認証には、指紋、顔、手形、掌紋、手の静脈などが挙げられる。本人認証機
能を表示部とは別の場所に設ける場合は、部品が増大し、電子機器の重量や価格が増大す
る恐れがある。また、静電容量測定方式を用いて指紋などを検出しようとすると、指の状
態によっては導電率が変化するため検出率が低下する恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２９２２７６
【特許文献２】特開２００１―３３９６４０
【特許文献３】特開２００３―１６７５５０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
表示画面に手指（またはペン）を触れて表示内容を選択する場合、表示切り替えが終了す
るまでの時間は、手指の位置検出に要する時間と、新しい画面情報を書き込んで表示画面
に出力する表示時間とが主に占める。従って、使用者が違和感なくスムーズに表示切り替
えを行うためには、手指の位置検出に要する時間と、新しい画面情報を書き込む表示時間
の両方を短縮することが望まれる。
【０００９】
本発明は、表示画面からの入力処理を高速で正確に行える表示部を有する半導体装置を提
供する。即ち、表示画面に手指が触れた位置を検出する位置検出を高速で正確に行える表
示部を有する半導体装置を提供する。
【００１０】
さらに、表示画面からの本人認証を高速で正確に行える表示部を有する半導体装置を提供
する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
画素電極１つに対してフォトセンサが複数となる比率で画素部にフォトセンサを配置する
ことにより、センサの解像度が高くなり、正確な位置を検出することができる。
【００１２】
フォトセンサを用いると、表示画面が入力領域を兼ねるディスプレイを実現でき、さらに
本人認証機能も付与することができる。また、同じフォトセンサを用いて表示部のＲＧＢ
色度調整も行うことができる。
【００１３】
従来は、画素電極１つに対して１つのフォトセンサを配置する例や画素電極３つに対して
１つのフォトセンサを配置する例であった。従って、センサの解像度が画像表示の解像度
と同じまたはそれ以下となっていた。
【００１４】
なお、表示部における開口率を確保するため、フォトセンサは、配線上に配置する。また
、フォトセンサは少なくとも一つの薄膜トランジスタと電気的に接続される。また、画素
電極はフォトセンサとは異なる薄膜トランジスタと電気的に接続される。
【００１５】
また、薄膜トランジスタは、フォトセンサの制御回路や、表示のための駆動回路として用
いられる。また、これらの薄膜トランジスタは、製造コストを低減するため同一基板上に
形成することが好ましく、さらに基板として安価なガラス基板を用いることが好ましい。
【００１６】
また、薄膜トランジスタの半導体層は、結晶構造を有する半導体層を用いることが好まし
く、中でも半導体基板から分離させた単結晶半導体層を用いることが好ましい。半導体基
板を用いてガラス基板上に薄い単結晶半導体層を形成し、その単結晶半導体層を画素電極
に接続する薄膜トランジスタや、フォトセンサに接続される薄膜トランジスタに用いる。
半導体基板を用いて得られる単結晶半導体層は、特性のバラツキが少なく、高い電界効果
移動度を有する薄膜トランジスタを実現することができる。また、単結晶半導体層を表示
駆動回路やセンサ制御回路に用いる場合、回路全体の占有面積を小さくすることができ、
さらに処理速度を向上することができる。また、本人認証のための指紋データなどを格納
するフラッシュメモリなども単結晶半導体層を用いて形成することができる。
【００１７】
また、フォトセンサの光電変換層として、半導体基板から分離させた単結晶半導体層を用
いてもよいが、非晶質半導体膜、または微結晶半導体膜を用いることが好ましい。フォト
センサの光電変換層に非晶質半導体膜を用いるメリットは、分光感度が視感度に近い点で
ある。また、フォトセンサの光電変換層に単結晶半導体を用いる場合、非晶質半導体膜、
または微結晶半導体膜よりもセンシング時間を短縮することができる一方、波長カットフ
ィルターや補正回路が必要となる。
【００１８】
本明細書で開示する発明の構成は、画素電極を複数有する表示部と、駆動回路部とを有し
、表示部は、第１の画素電極と、該第１の画素電極と隣り合う第２の画素電極の間に複数
のフォトセンサを有し、駆動回路部は、複数のフォトセンサを制御するセンサ制御回路を
含むことを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
本発明は、上記課題の少なくとも一つを解決する。
【００２０】
また、表示部において画素電極と重なる位置に赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ
、または青色カラーフィルタをそれぞれ配置してフルカラー表示を実現させる。また、隣
り合う画素電極の間に設けられた複数のフォトセンサにもカラーフィルタを重ねて配置す
ることができ、フォトセンサと重ねるカラーフィルタを画素電極と重ねるカラーフィルタ
と同じ工程、且つ、同じアライメントを用いて重ねることができるため、製造プロセス上
のメリットが得られる。
【００２１】
また、他の発明の構成は、赤色カラーフィルタと重なる第１の画素電極と、緑色カラー
フィルタと重なる第２の画素電極と、青色カラーフィルタと重なる第３の画素電極とを有
する表示部を有し、第１の画素電極と第２の画素電極の間に３つのフォトセンサを有し、
３つのフォトセンサは、赤色カラーフィルタと重なる第１のフォトセンサと、緑色カラー
フィルタと重なる第２のフォトセンサと、青色カラーフィルタと重なる第３のフォトセン
サである半導体装置である。
【００２２】
また、上記各構成において、第１の画素電極は薄膜トランジスタと電気的に接続し、フォ
トセンサは、薄膜トランジスタと電気的に接続する配線と重なる位置に形成することを特
徴としている。フォトセンサは、主に上方向または下方向からの光を感知するため、薄膜
トランジスタと電気的に接続する配線と重ねることにより、フォトセンサに入射する光の
方向を一方向に限定することができる。
【００２３】
なお、フォトセンサは、光のセンシング部分にフォトダイオードなどの光電変換素子を用
い、光電変換素子より生じる光電流を抵抗素子に流し、得られる出力電圧に基づいて光の
強度を検出するものである。フォトダイオードの構成として、アノード電極とカソード電
極の間に光電変換層を挟んだショットキー型、ＰＩＮ型や、ＰＮ型のダイオードや、アバ
ランシェダイオード等を用いることもできる。また光電変換素子より生じる光電流は、微
弱光の検出を行うために、増幅回路を用いて増幅することが行われており、増幅回路とし
ては、例えばカレントミラー回路が用いる。微弱光から強光までを検出しようとすると、
増幅された光電流の範囲が広くなる。そのため外部の負荷抵抗などで増幅された光電流を
電圧に変換する場合、照度に対して線形に出力電圧も増加する。その結果、広い照度範囲
に対して出力電圧を得ようとすると、微弱光では数ｍＶ、強光では数Ｖとなり、回路の諸
制約（例えば電源電圧）によりフォトセンサとしての照度のダイナミックレンジを広くと
ることが困難である。そこで、光電変換装置の照度のダイナミックレンジを取るために、
光電変換素子より生じる光電流をダイオード素子に流すことで、対数圧縮された電圧値に
よる出力（以下、出力電圧という）を得る方式となるセンサ制御回路としてもよい。なお
対数圧縮とは、光電変換素子に入射する光の照度、すなわち光電流の値を変数として、出
力される電流値または電圧値を対数の関数として得ることをいう。
【００２４】
また、アナログ信号をデジタル信号に変換するための回路をセンサ制御回路に加え、入射
光量に応じてフォトダイオードから流れる電流によりデジタル信号を生成してもよい。ま
た、フォトセンサの出力が、照度の増加によって出力電圧も増加する方式に限らず、低照
度であると出力電圧が飽和する方式となるセンサ制御回路としてもよい。低照度であると
出力電圧が飽和する方式は、照度を横軸、出力電圧を縦軸とした際に、照度の増加に伴い
、出力電圧値は減少する右下がりのグラフとなる。この低照度であると出力電圧が飽和す
る方式は、低照度領域の分解能を高めたとしてもダイナミックレンジを広く取ることがで
きる。そのため、低照度であると出力電圧が飽和する方式は、特に低照度領域で分解能も
高く、確度の高い出力電圧を出力することができるとともに、広いダイナミックレンジを
取る事ができる。
【発明の効果】
【００２５】
センサの解像度が画像表示の解像度の２倍またはそれ以上となり、表示画面からの入力処
理を正確に行える表示部を有する半導体装置を実現できる。
【００２６】
また、単結晶半導体層をセンサの制御回路及び表示駆動回路に用いることにより高速駆動
が可能となり、表示画面に手指（またはペン）が触れた位置を検出する位置検出を高速で
正確に行える表示部を有する半導体装置を実現できる。
【００２７】
また、単結晶半導体層を本人認証するための認証データを格納するフラッシュメモリに用
いることにより、表示画面からの本人認証を高速で正確に行える表示部を有する半導体装
置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】画素構成の一例を示す図。
【図２】アクティブマトリクス型発光表示装置およびアクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図３】ブロック図。
【図４】単結晶半導体層を有する基板を示す斜視図。
【図５】単結晶半導体層の作製工程を示す断面図。
【図６】発光表示装置の断面図。
【図７】画素の上面図の一例。
【図８】発光表示装置の断面図。
【図９】電子機器の一例を示す図。
【図１０】電子機器の一例を示す図。
【図１１】発光素子とフォトセンサの１フレーム期間の動作の概略を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００３０】
画素構成の一例を図１に示す。
【００３１】
図１の上面図は、簡略化のため、画素電極と、フォトセンサと、３種類のカラーフィルタ
のみを示した上面配置図である。
【００３２】
図１に示すように、赤色の表示領域となる位置に配置される第１の画素電極１１Ｒと、赤
色の表示領域と隣り合う緑色の表示領域となる位置に配置される第２の画素電極１１Ｇと
の間には、３つのフォトセンサを配置する。第１のフォトセンサ１２Ｒ、第２のフォトセ
ンサ１２Ｇ、及び第３のフォトセンサ１２Ｂは、それぞれ異なる色のカラーフィルタと重
なる。赤色のカラーフィルタ１５Ｒは、第１の画素電極１１Ｒと第１のフォトセンサ１２
Ｒと重なる。
【００３３】
また、緑色の表示領域となる位置に配置される第２の画素電極１１Ｇと、緑色の表示領域
と隣り合う青色の表示領域となる位置に配置される第３の画素電極１１Ｂとの間にも３つ
のフォトセンサを配置する。第４のフォトセンサ１３Ｒ、第５のフォトセンサ１３Ｇ、及
び第６のフォトセンサ１３Ｂは、それぞれ異なる色のカラーフィルタと重なる。また、緑
色のカラーフィルタ１５Ｇは、第２の画素電極１１Ｇと第２のフォトセンサ１２Ｇと第５
のフォトセンサ１３Ｇと重なる。
【００３４】
また、第３のフォトセンサ１２Ｂは、赤色のカラーフィルタ１５Ｒと緑色のカラーフィル
タ１５Ｇの間に配置された青色のカラーフィルタ１７Ｂと重なる。
【００３５】
また、青色の表示領域となる位置に配置される第３の画素電極１１Ｂは、赤色の表示領域
と隣り合っており、第４の画素電極２１Ｒとの間にも３つのフォトセンサを配置する。第
７のフォトセンサ１４Ｒ、第８のフォトセンサ１４Ｇ、及び第９のフォトセンサ１４Ｂは
、それぞれ異なる色のカラーフィルタと重なる。また、青色のカラーフィルタ１５Ｂは、
第３の画素電極１１Ｂと第６のフォトセンサ１３Ｂと第９のフォトセンサ１４Ｂと重なる
。また、赤色のカラーフィルタ１６Ｒは第７のフォトセンサ１４Ｒと第４の画素電極２１
Ｒと重なる。
【００３６】
また、第４のフォトセンサ１３Ｒは、青色のカラーフィルタ１５Ｂと緑色のカラーフィル
タ１５Ｇの間に配置された赤色のカラーフィルタ１８Ｒと重なる。
【００３７】
また、第８のフォトセンサ１４Ｇは、青色のカラーフィルタ１５Ｂと赤色のカラーフィル
タ１６Ｒの間に配置された緑色のカラーフィルタ１９Ｇと重なる。また、それぞれのカラ
ーフィルタの間に遮光膜となるブラックマトリクスを設けてもよい。
【００３８】
このようにＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素が規則的に繰り返し配置され、複数のセンサを備えた
表示部を構成する。
【００３９】
液晶表示装置を作製する場合、図１に示す画素配置とすれば、カラーフィルタと画素電極
との位置合わせを行うことで、カラーフィルタとセンサとの位置合わせも同時に行うこと
ができる。
【００４０】
ここではＲＧＢの３色を用いてフルカラー表示する例を示したが、特に限定されず、ＲＧ
ＢＷの４色を用いてフルカラー表示を行ってもよい。
【００４１】
また、有機発光素子を用いて表示装置を作製する場合の断面図の一例を図２（Ａ）に示す
。
【００４２】
透光性を有する基板１００上には、トランジスタ１０１、Ｎ型半導体１１０、Ｉ型半導体
（真性半導体）１１１及びＰ型半導体１１２が設けられている。Ｎ型半導体１１０、Ｉ型
半導体１１１及びＰ型半導体１１２の積層体がフォトセンサ１１３に相当する。Ｉ型半導
体１１１は何もドープしていない純度の高い半導体である。
【００４３】
図２（Ａ）に示す構成では、基板１００上に、トランジスタ１０１と駆動用トランジスタ
１０２が設けられ、これらの素子を覆うように絶縁膜１４０が設けられる。絶縁膜１４０
上には、有機発光素子１０８の隔壁として機能する絶縁膜１４１が設けられ、当該絶縁膜
１４１上には絶縁膜１４２が設けられ、当該絶縁膜１４２上には絶縁膜１４３が設けられ
る。有機発光素子１０８は絶縁膜１４０上に設けられ、フォトセンサ１１３は絶縁膜１４
２上に設けられる。フォトセンサ１１３は第３の電極１１４を介してトランジスタ１０１
と電気的に接続される。
【００４４】
また、透光性を有する基板１００上に、単結晶半導体層を含む駆動用トランジスタ１０２
、第１の電極（画素電極）１０５、発光層１０６及び第２の電極（対向電極）１０７が設
けられる。第１の電極１０５、発光層１０６及び第２の電極１０７の積層体が有機発光素
子１０８に相当する。有機発光素子１０８は白色発光素子、或いはＲ、Ｇ、Ｂの３種類の
発光素子を用いる。
【００４５】
第２の電極１０７、及び第４の電極１１５は透光性を有する材料により形成されることを
特徴とする。第２の電極１０７、及び第４の電極１１５を構成する透光性材料とは、ＩＴ
Ｏ等の透明導電膜、又は光を透過できる厚さで形成されたアルミニウム等を用いたものを
指す。また、基板１００と、フォトセンサ１１３の上方に設けられる対向基板１２０も透
光性を有することを特徴とする。
【００４６】
対向基板１２０と透光性を有する基板１００との間は接着層または間隔保持材で均一に保
つ。
【００４７】
また、対向基板１２０には、カラーフィルタ１３０と、それを覆うオーバーコート層１３
１とを有している。カラーフィルタ１３０は、フォトセンサ１１３と有機発光素子１０８
の両方と重なっている。
【００４８】
また、フォトセンサ１１３は、駆動用トランジスタ１０２のゲート電極１０３と重なって
おり、駆動用トランジスタ１０２の配線１０４とも重なっている。
【００４９】
フォトセンサ１１３は有機発光素子１０８の発光を利用する。図２（Ａ）には指１０９を
図示しており、有機発光素子１０８からの光が被写体である指１０９に反射してフォトセ
ンサ１１３に入射する光路の一例を示している。有機発光素子１０８からの光が被写体に
反射した後でフォトセンサ１１３に入射すると、フォトセンサの両電極間の電位差は変化
し、その変化した電位差に応じて両電極間（第３の電極１１４及び第４の電極１１５）に
電流が流れ、その流れた電流量を検知することで、被写体の情報を得ることができる。そ
して、その得られた情報は、有機発光素子１０８により表示される。つまり、有機発光素
子１０８は、被写体の情報を読み取る際の光源としての役割と、画像を表示する役割の２
つの役割を果たす。
【００５０】
また、フォトセンサ１１３を用いて外光を検出してそのデータを用い、表示装置の使用環
境に合わせた表示となるように有機発光素子１０８の輝度を調節することもできる。
【００５１】
図２（Ａ）に示す表示装置は、表示画面を有し、高機能化、高付加価値化を実現した発光
表示装置及び電子機器を提供することができる。図２（Ａ）に示す表示装置を用いて、表
示とセンシングを行うためには、表示用の発光と、センシング用の発光とを異なるタイミ
ングで有機発光素子１０８を発光させる。
【００５２】
また、液晶表示装置を作製する場合の断面図の一例を図２（Ｂ）に示す。
【００５３】
透光性を有する基板１５０上には、トランジスタ１５１、Ｎ型半導体膜１６０、Ｉ型半導
体膜（真性半導体）１６１及びＰ型半導体膜１６２が設けられている。Ｎ型半導体膜１６
０、Ｉ型半導体膜１６１及びＰ型半導体膜１６２の積層体がフォトセンサ１６３に相当す
る。Ｉ型半導体膜１６１は何もドープしていない純度の高い半導体である。
【００５４】
図２（Ｂ）に示す構成では、基板１５０上に、トランジスタ１５１とスイッチング用トラ
ンジスタ１５２が設けられ、これらの素子を覆うように絶縁膜１７０が設けられる。絶縁
膜１７０上には、絶縁膜１７２が設けられ、当該絶縁膜１７２上には絶縁膜１７３が設け
られる。画素電極１７１は絶縁膜１７３上に設けられ、フォトセンサ１６３は絶縁膜１７
２上に設けられる。フォトセンサ１６３は第３の電極１６４を介してトランジスタ１５１
と電気的に接続される。
【００５５】
また、透光性を有する対向基板１８９には、対向電極１７５、カラーフィルタ１８０、及
びオーバーコート層１８１が設けられる。シール材によって対向基板１８９と透光性を有
する基板１５０は固定され、間隙材１７６によって基板間隔が保持される。画素電極１７
１、液晶層１７４及び対向電極１７５の積層体が液晶素子に相当する。
【００５６】
また、カラーフィルタ１８０は、フォトセンサ１６３と画素電極１７１の両方と重なって
いる。
【００５７】
また、フォトセンサ１６３は、スイッチング用トランジスタ１５２のゲート電極１５３と
重なっており、スイッチング用トランジスタ１５２のソース配線１５４とも重なっている
。
【００５８】
液晶表示装置は、図２（Ａ）に示す発光表示装置とは異なり、バックライトを設ける。ま
た、バックライトは、冷陰極管、または冷陰極管よりも輝度の調整範囲が広い白色ＬＥＤ
を用いることができる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類のＬＥＤを用いてバックライトを構成
してもよい。Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類のＬＥＤを用いてバックライトを構成する場合は画素電
極と重なるカラーフィルタは不要である。
【００５９】
図２（Ｂ）に示す表示装置は、表示画面を有し、高機能化、高付加価値化を実現した液晶
表示装置及び電子機器を提供することができる。図２（Ｂ）に示す表示装置を用いて、表
示とセンシングを行うためには、表示用のバックライトと、センシング用のバックライト
とを異なるタイミングで点灯させる。また、バックライトを複数種類設けてもよく、Ｒ、
Ｇ、Ｂの３種類のＬＥＤを用いて表示用のバックライトとし、近赤外光を射出するＬＥＤ
を用いてセンシング用のバックライトとし、手の静脈を識別できるようにしてもよい。手
の静脈を識別する場合には、Ｉ型半導体膜１６１として単結晶半導体層を用いる。
【００６０】
また、フォトセンサ１６３を用いて外光を検出してそのデータを用い、表示装置の使用環
境に合わせた表示となるようにバックライトの輝度を調節することもできる。
【００６１】
また、ブロック図の一例を図３に示す。表示機能と入力機能を備えた表示部を有し、複数
のフレーム画像で構成される動画像を表示する表示装置、および画像表示方法について以
下に説明する。
【００６２】
表示装置は、表示部２１１、ならびに表示部２１１に電気的に接続された走査線駆動回路
２１２、及びデータ線駆動回路２１３を有する。さらに、表示装置は、走査線駆動回路２
１２およびデータ線駆動回路２１３を制御するための表示制御回路２１６、センサ用走査
線駆動回路２１４およびセンサ用データ線駆動回路２１５を制御するセンサ制御回路２１
７を有する。さらに、表示装置は、表示制御回路２１６およびセンサ制御回路２１７を制
御する演算処理回路２１８、および各種のデータを保存するメモリ回路２１９を有する。
【００６３】
演算処理回路２１８は、表示装置に含まれる回路の制御、各種演算処理等を行う回路で
あり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、画像処理用演算回
路等を含む。
【００６４】
メモリ回路２１９はデータ記憶用の回路であり、演算処理回路２１８が実行するコンピ
ュータプログラム、画像処理用フィルタおよびルックアップテーブル等を記憶するＲＯＭ
、演算処理回路２１８が計算した演算結果、映像データ等を記憶するＲＡＭ等を含む。
【００６５】
表示部２１１は、複数の画素電極２２１を有する。各画素電極の間には、トランジスタ
と、光センサ２２２Ｒ、２２２Ｇ、２２２Ｂおよびセンサ回路が設けられている。
【００６６】
画素回路は、走査線により走査線駆動回路２１２に接続され、データ線によりデータ線
駆動回路２１３に接続されている。表示素子としては、液晶素子のような通過する光の偏
波状態を変更する素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子等がある。
画素回路により、液晶素子の液晶分子の配向が制御され、通過する光の偏光状態が制御さ
れ、所望の輝度に透過光量が調節される。あるいは、画素回路により発光素子の明るさが
制御され、所望の輝度で発光素子が発光する。このように走査線駆動回路２１２およびデ
ータ線駆動回路２１３は、画素回路を駆動する画素用駆動回路２２３を構成する。
【００６７】
センサ回路は、センサ用走査線によりセンサ用走査線駆動回路２１４に接続され、セン
サ用データ線によりセンサ用データ線駆動回路２１５に接続されている。光センサ２２２
は、受光した光を電気信号に変換する素子であり、例えば、フォトダイオードが用いられ
る。センサ用走査線駆動回路２１４から出力されるセンサ選択信号で指定された行の各画
素から、それぞれ３つの光センサで検出された信号がセンサ用データ線駆動回路２１５に
出力される。このように、センサ用走査線駆動回路２１４およびセンサ用データ線駆動回
路２１５は、センサ回路を駆動するセンサ用駆動回路２２４を構成する。
【００６８】
表示制御回路２１６は、画素用駆動回路２２３（走査線駆動回路２１２およびデータ線
駆動回路２１３）を制御する回路である。表示制御回路２１６から入力される信号にした
がって、走査線駆動回路２１２は走査線に信号を出力し、かつデータ線駆動回路２１３は
データ線に画像データを出力する。表示部２１１では、走査線およびデータ線に入力され
た信号にしたがって、画像が表示される。例えば、表示制御回路２１６は、アナログの画
像データをデジタルデータに変換するＡ−Ｄ変換回路（アナログ−デジタル変換回路）、
デジタルの画像データをアナログのデータに変換するＤ−Ａ変換回路（デジタル−アナロ
グ変換回路）、ガンマ補正等の画像処理を行う画像処理回路等を含む。発光素子を用いて
表示を行う場合、表示制御回路２１６は、表示装置に入力される映像信号の画像データが
デジタルビデオ信号であればデジタル方式で駆動させて表示を行うことができる。例えば
、表示装置が発光装置であれば、デジタル制御で発光素子をオン状態またはオフ状態とし
て階調を表現する。
【００６９】
センサ制御回路２１７は、センサ用駆動回路２２４（センサ用走査線駆動回路２１４お
よびセンサ用データ線駆動回路２１５）を制御する回路である。センサ制御回路２１７か
ら入力される信号にしたがって、センサ用走査線駆動回路２１４は、センサ用走査線に信
号を出力する。センサ制御回路２１７は、表示部２１１からセンサ用データ線駆動回路２
１５に入力された検出信号をセンサ用データ線駆動回路２１５から読み込む。センサ制御
回路２１７または演算処理回路２１８において、検出信号を解析し、入力があった光セン
サの位置が検出される。センサ制御回路２１７は、アナログのセンサ出力信号をデジタル
のセンサ出力信号に変換するＡ−Ｄ変換回路を用いてもよく、デジタルのセンサ出力信号
を演算処理回路２１８に入力してもよい。また、センサ出力信号が微弱である場合、セン
サ制御回路２１７に増幅回路を設け、センサ出力信号を増幅してノイズを低減することが
好ましい。
【００７０】
表示制御回路２１６、センサ制御回路２１７、および演算処理回路２１８は、表示切替回
路２２９を構成する。表示切替回路２２９は、センサ用駆動回路２２４から入力された検
出信号をもとに、表示部２１１に表示される画像を切り替える信号を画素用駆動回路２２
３に出力する。つまりセンサ制御回路２１７または演算処理回路２１８で検出された光セ
ンサの位置情報をもとに、演算処理回路２１８では、表示部２１１に表示される画像を決
定し、表示制御回路２１６を制御して、表示部２１１に表示される画像を変更する。
【００７１】
入力装置において、表示部２１１の画素回路のトランジスタ、センサ回路の光センサ２
２２Ｒ、２２２Ｇ、２２２Ｂ、ならびに走査線駆動回路２１２、データ線駆動回路２１３
、センサ用走査線駆動回路２１４およびセンサ用データ線駆動回路２１５に含まれるトラ
ンジスタは、同一基板上に形成されている。このように、画素部と駆動回路部とを同一基
板上に形成することでノイズの低減を図ることができる。
【００７２】
これらのトランジスタの半導体層は単結晶半導体層とすることにより、多結晶シリコン
等で作製された回路と比較して、回路ごとに特性のばらつきが格段抑えられるため、高速
の位置検出が可能になる。また、各画素での輝度のばらつきも調整できるため、表示性能
の高い入力装置を提供することができる。
【００７３】
また、単結晶半導体層が用いられているため、高移動度で、かつ大電流を流せるトラン
ジスタを作製することができる。多結晶シリコンを用いる場合、バラツキを抑えるために
トランジスタのチャネル長Ｌなどを長くすることを行う場合があるが、単結晶半導体層を
用いる場合、チャネル長Ｌを短くしてもバラツキがほとんどなくすことができる。その結
果として、トランジスタのサイズを小さくすることができるので、走査線駆動回路２１２
、データ線駆動回路２１３、センサ用走査線駆動回路２１４およびセンサ用データ線駆動
回路２１５の占有面積を小さくできるため、表示部２１１の大画面化、高精細化ができる
。
【００７４】
なお、走査線駆動回路２１２等の駆動回路の他に表示部２１１と同じ基板に集積化する
こともできる。このような回路として、表示制御回路２１６の全てまたは一部、センサ制
御回路２１７の全てまたは一部、演算処理回路２１８の全てまたは一部、メモリ回路２１
９の全てまたは一部等がある。
【００７５】
上記回路に含まれるトランジスタを作製するための基板には、基板上に絶縁膜を介して単
結晶半導体層が設けられている透光性の基板を用いることができる。図４は、このような
基板の構成例を示す斜視図である。
【００７６】
図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す基板３１〜３３は、ＳＯＩ構造の基板であり、絶縁層上に単
結晶半導体層が形成されている基板である。図４（Ａ）に示すように、半導体基板３１は
、バッファ層４２を介して単結晶半導体層４１が支持基板４０に固定されている基板であ
る。バッファ層４２の表面と支持基板４０の表面が接合することで、単結晶半導体層４１
が支持基板４０に固定されている。
【００７７】
図４（Ｂ）に示すように、基板３２は、バッファ層４３を介して単結晶半導体層４１が
支持基板４０に固定されている基板である。バッファ層４３の表面と単結晶半導体層４１
の表面が接合することで、単結晶半導体層４１が支持基板４０に固定されている。
【００７８】
図４（Ｃ）に示すように、基板３３は、バッファ層４２と４３を介して単結晶半導体層
４１が支持基板４０に固定されている基板である。バッファ層４２の表面と単結晶半導体
層４１の表面が接合することで、単結晶半導体層４１が支持基板４０に固定されている。
【００７９】
支持基板４０は、透光性を有する基板を用いる。具体的には、アルミノシリケートガラ
ス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われ
る各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイア基板が挙げられる。支持基板
４０としてガラス基板を用いるのが好ましい。
【００８０】
ガラス基板には、熱膨張係数が２５×１０−７／℃以上５０×１０−７／℃以下（好ま
しくは、３０×１０−７／℃以上４０×１０−７／℃以下）であり、歪み点が５８０℃以
上７００℃以下である基板を用いることが好ましい。また、半導体素子の汚染を抑えるた
め、ガラス基板は無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板の材料には、
例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガ
ラス等のガラス材料等がある。
【００８１】
単結晶半導体層４１は、単結晶半導体基板を分割することで形成される層である。この
単結晶半導体基板には、市販の半導体基板を用いることができ、例えば、単結晶シリコン
基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板等、第１４族元素でな
る単結晶半導体基板を用いることができる。
【００８２】
バッファ層４２および４３は、単層構造でも膜を２層以上積層した多層構造でもよい。
バッファ層４２、４３を構成する絶縁膜として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化
窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜等のシリコンまたはゲルマニウムを組成に
含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニ
ウム等の金属の酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウム等の金属の窒化物でなる絶縁膜、
酸化窒化アルミニウム膜等の金属の酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウム膜等
の金属の窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。
【００８３】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行う
こととする。
【実施例１】
【００８４】
本実施例では、表示部、画素用駆動回路およびセンサ用駆動回路を作製するための基板
の作製方法について説明する。
【００８５】
図５は、基板上に単結晶半導体層を有するガラス基板の作製方法を説明するための断面
図である。本実施例では半導体基板の作製方法の一例として、図４（Ａ）に示す基板３１
と同様な積層構造をもつ基板の作製方法について説明する。
【００８６】
まず、単結晶半導体基板４０１を準備する。単結晶半導体基板４０１は、市販の単結晶半
導体基板を用いることができ、例えば、単結晶のシリコン基板やゲルマニウム基板等であ
る。市販の単結晶シリコン基板としては、直径５インチ（１２５ｍｍ）、直径６インチ（
１５０ｍｍ）、直径８インチ（２００ｍｍ）、直径１２インチ（３００ｍｍ）サイズ、直
径１８インチ（４５０ｍｍ）の円形のウエハが知られている。なお、単結晶半導体基板４
０１の形状は円形に限られず矩形状等に加工した単結晶半導体基板を用いることも可能で
ある。
【００８７】
次に、単結晶半導体基板４０１の表面に絶縁膜４０２を形成する（図５（Ａ）参照）。
【００８８】
絶縁膜４０２は、化学気相成長法（以下、「ＣＶＤ法」という。）やスパッタリング法
等により酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）
で設けることができる。また、単結晶半導体基板４０１を酸化することにより形成された
酸化物膜でもよい。単結晶半導体基板４０１の酸化処理はドライ熱酸化で行うこともでき
るが、酸化雰囲気中にハロゲンまたはハロゲン化合物の気体を添加することが好ましい。
このような気体には、ＨＣｌが代表例であり、他にはＨＦ、ＮＦ３、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｃ
ｌＦ３、ＢＣｌ３、Ｆ２、Ｂｒ２等がある。また、単結晶半導体基板４０１の酸化処理は
、オゾン水、過酸化水素水又は硫酸過水等による表面処理で行うこともできる。
【００８９】
また、絶縁膜４０２は平滑面を有する絶縁膜を用いることが好ましい。例えば、絶縁膜
４０２の表面の平均面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以下、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．６
ｎｍ以下、好ましくは、平均面粗さが０．３ｎｍ以下、自乗平均粗さが０．４ｎｍ以下と
なるように形成する。
【００９０】
また、ＣＶＤ法で絶縁膜４０２を形成する場合には、例えば、原料に有機シランを用いて
酸化シリコン膜を形成することができる。有機シランを用いて形成された酸化シリコン膜
を用いることによって、絶縁膜４０２の表面を平坦にすることができるためである。
【００９１】
有機シランとしては、テトラエトキシシラン（略称；ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５
）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、トリメチルシラン（
（ＣＨ３）３ＳＩＨ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（略称；ＴＭＣＴＳ）、オ
クタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（略称；Ｈ
ＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラ
ン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
【００９２】
次に、絶縁膜４０２を介して、電界で加速されたイオンでなるイオンビーム４０３を単
結晶半導体基板４０１に照射して、単結晶半導体基板４０１の表面から所定の深さの領域
にイオンを導入することにより、損傷領域４０４を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００９３】
イオンビーム４０３は、ソースガスを励起して、ソースガスのプラズマを生成し、プラ
ズマから電界の作用により、プラズマに含まれるイオンを引き出すことで生成される。イ
オンを単結晶半導体基板４０１に導入するには、質量分離を伴わないイオンドーピング法
を用いることができる。また、質量分離を伴うイオン注入法を用いてもよい。ソースガス
には水素ガス、ハロゲンガス、ヘリウムガス等を用いることができる。
【００９４】
損傷領域４０４が形成される領域の深さは、イオンビーム４０３の加速エネルギーとイ
オンビーム４０３の入射角によって調節することができる。加速エネルギーは加速電圧、
ドーズ量等により調節できる。イオンの平均侵入深さとほぼ同じ深さの領域に損傷領域４
０４が形成される。イオンを導入する深さで、単結晶半導体基板４０１から分離される半
導体層の厚さが決定される。損傷領域４０４が形成される深さは１０ｎｍ以上５００ｎｍ
以下であり、好ましい深さの範囲は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００９５】
例えば、ソースガスに水素（Ｈ２）を用い、イオンドーピング装置でイオンを導入する
場合、水素ガスを励起してＨ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋を含むプラズマを生成することができる
。ソースガスから生成されるイオン種の割合は、プラズマの励起方法、プラズマを発生さ
せる雰囲気の圧力、ソースガスの供給量等を調節することで、変化させることができる。
【００９６】
Ｈ３＋は他の水素イオン種（Ｈ＋、Ｈ２＋）よりも、水素原子の数が多く、その結果質
量が大きいため、同じエネルギーで加速される場合、Ｈ＋、Ｈ２＋よりも単結晶半導体基
板４０１のより浅い領域に導入される。イオンビーム４０３に含まれるＨ３＋の割合を高
くすることにより、水素イオンの平均侵入深さのばらつきが小さくなるので、単結晶半導
体基板４０１に水素の深さ方向の濃度プロファイルはより急峻になり、そのプロファイル
のピーク位置を浅くすることができる。従って、イオンドーピング法を用いる場合、イオ
ンビーム４０３に含まれるＨ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋が５０％以上、好
ましくは８０％以上含まれるようにする。
【００９７】
水素ガスを用いて、イオンドーピング法でイオンの導入を行う場合、加速電圧１０ｋＶ以
上２００ｋＶ以下、ドーズ量１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上６×１０１６ｉｏｎｓ／
ｃｍ２以下とすることができる。この条件で水素イオンを導入することで、イオンビーム
４０３に含まれるイオン種やイオンの割合にもよるが、損傷領域４０４を単結晶半導体基
板４０１の深さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域に形成することができる。
【００９８】
次に、絶縁膜４０２上に絶縁膜４０５を形成する（図５（Ｃ）参照）。絶縁膜４０５は、
支持基板と貼り合わされる層（接合層）として機能する。
【００９９】
絶縁膜４０５として、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、又は窒化酸化シリコン膜（ＳｉＮ
ｘＯｙ）（ｘ＞ｙ））、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ））を形成するこ
とができる。絶縁膜４０５として、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜を形成するこ
とで、支持基板に含まれる可動イオンや水分等の不純物が単結晶半導体層に拡散すること
を防ぐためのバリア層として絶縁膜４０５を機能させることができるため、好ましい。
【０１００】
また、絶縁膜４０５と支持基板との接合には水素結合が大きく寄与するため、絶縁膜４
０５は、水素が含まれるように形成する。絶縁膜４０５として、水素を含有する窒化シリ
コン膜又は窒化酸化シリコン膜を用いることによって、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−ＯＨ、Ｎ−Ｈ、
Ｎ−ＯＨを結合手として、ガラス等の支持基板と水素結合による強固な接合を形成するこ
とが可能となる。水素を含む絶縁膜４０５の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法を用い
、成膜時の基板温度を室温以上３５０℃以下、好ましくは室温以上３００℃以下にし、か
つ水素を組成とする原料ガスを用いる。成膜時の基板温度を低くすることによって、形成
される絶縁膜４０５の表面の粗さを小さくすることができる。これは、成膜時の基板温度
が高くなるにつれて膜の堆積表面での水素ラジカル等によるエッチング反応が過多となり
表面荒れを起こすためである。
【０１０１】
より具体的には、上記の成膜温度の条件下で、プラズマＣＶＤ法により、少なくともシ
ランガス、アンモニアガス及び水素ガスを含む原料ガスを用いて、窒化シリコン膜又は窒
化酸化シリコン膜の成膜を行うことが好ましい。窒化酸化シリコン膜を形成する場合は、
原料ガスに窒素酸化物ガスを添加すればよい。アンモニアガスや水素ガスを用いることに
よって、膜中に水素を含む絶縁膜４０５を得ることができる。また、成膜時の基板温度を
低くすることによって、成膜中の脱水素反応が抑制され、絶縁膜４０５に含まれる水素の
量を多くすることができる。その結果、支持基板との接合を強固に行うことが可能となる
。
【０１０２】
次に、支持基板４００を準備する。支持基板４００は、透光性の基板を用いる。具体的に
は、支持基板４００として用いることのできる基板は、アルミノシリケートガラス、アル
ミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われるガラス
基板や、表面に酸化シリコン膜や酸窒化シリコン膜が形成されたプラスチック基板等があ
る。
【０１０３】
また、支持基板４００として、ガラス基板を用いることにより、例えば、第６世代（１
５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２
２００ｍｍ×２４００ｍｍ）といわれる大面積のマザーガラス基板を用いることができる
。
【０１０４】
次に、単結晶半導体基板４０１と支持基板４００とを接合させる（図５（Ｄ）参照）。
単結晶半導体基板４０１表面に形成された絶縁膜４０５と支持基板４００の表面とを密着
させることにより接合が形成される。この接合は、ファンデルワールス力が作用しており
、支持基板４００と単結晶半導体基板４０１を圧接することにより、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｏ
Ｈ、Ｎ−Ｈ、Ｎ−ＯＨを結合手として、水素結合による強固な接合を形成することが可能
となる。
【０１０５】
単結晶半導体基板４０１と支持基板４００を接合させる前に、接合面をメガソニック洗
浄することが好ましい。あるいは、接合面の洗浄は、メガソニック洗浄とオゾン水洗浄の
双方行うことがより好ましい。それは、洗浄処理により、接合面の有機物等のゴミが除去
され、接合面を親水化することができるからである。
【０１０６】
支持基板４００と絶縁膜４０５を接合させた後に、４００℃以下の加熱処理を行っても
よい。加熱処理を行うことにより、支持基板４００と単結晶半導体基板４０１の接合強度
が向上する。
【０１０７】
また、加熱処理を行う前、又は加熱処理と同時に加圧処理を行うことが好ましい。加圧
処理は、接合面に垂直な方向に圧力が加わるように行う。加圧処理を行うことによって、
支持基板４００の表面や絶縁膜４０５の表面に凹凸がある場合であっても、緻密性が低い
絶縁膜４０５により当該凹凸が吸収され、単結晶半導体基板４０１と支持基板４００との
接合不良を効果的に低減することが可能となる。なお、加熱処理の温度は、支持基板４０
０の耐熱温度以下で行えばよく、例えば、２００乃至６００℃で行えばよい。
【０１０８】
次に、加熱処理を行って、損傷領域４０４を劈開面として単結晶半導体基板４０１の一
部を支持基板４００から分離する（図５（Ｅ）参照）。加熱処理温度は４００℃以上支持
基板４００の歪み点以下とする。なお、加熱処理にＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ
Ａｎｎｅａｌ）装置のような急速加熱を行うことができる装置を用いる場合には、支持
基板４００の歪点より高い温度で加熱処理を行うことが可能になる。
【０１０９】
加熱処理により、損傷領域４０４の微小な空洞の体積変化が起こり、損傷領域４０４に
亀裂を生じさせることができる。すなわち、損傷領域４０４に沿って単結晶半導体基板４
０１を劈開することが可能となる。その結果、支持基板４００上には、単結晶半導体基板
４０１と同じ結晶性の単結晶半導体層４０６が形成される。
【０１１０】
以上の工程により、支持基板４００上に絶縁膜４０２及び絶縁膜４０５を介して単結晶
半導体層４０６が設けられたガラス基板４１０が作製される。絶縁膜４０２および絶縁膜
４０５がバッファ層４０７である。
【０１１１】
単結晶半導体基板４０１を劈開させた後、単結晶半導体層４０６にレーザ光を照射する
レーザ照射処理を行うことが好ましい。レーザ光を照射し、単結晶半導体層４０６を溶融
させることで、単結晶半導体層４０６の結晶性を回復させ、かつその上面の平坦性を向上
することができるからである。
【０１１２】
ガラス基板の作製方法は、上記の工程に限定されるものではない。例えば、イオンの導
入を、絶縁膜４０５の形成前でなく、絶縁膜４０５を形成した後に絶縁膜４０２及び絶縁
膜４０５を介して行うことによって、単結晶半導体基板４０１の表面から所定の深さの領
域に損傷領域４０４を形成してもよい。
【０１１３】
別の作製方法としては、支持基板４００側に絶縁膜を形成し、この絶縁膜と絶縁膜４０
５を接合させることで、図４（Ｃ）の基板３３と同じ積層構造を有する基板を作製するこ
とができる。
【０１１４】
また、別の作製方法としては損傷領域４０４を形成した後、絶縁膜４０２を除去し、単
結晶半導体基板４０１の表面を露出させる。そして、支持基板４００側に絶縁膜を形成し
、この絶縁膜と単結晶半導体基板４０１を接合させることで、図４（Ｂ）の基板３２と同
じ積層構造を有する基板を作製することができる。
【実施例２】
【０１１５】
本実施例では実施例１で得られる基板４００を用いて発光表示装置を作製する例を示す。
【０１１６】
まず、実施例１に従って、基板４００上にバッファ層４０７を介して単結晶半導体層を形
成する。
【０１１７】
次いで、単結晶半導体層を活性層とするトップゲート構造の薄膜トランジスタを公知の技
術を用いて作製する。ここではゲート配線４１５を有するスイッチング用ＴＦＴ４１１と
、ゲート電極４１３を有する駆動用ＴＦＴ４０８と、フォトセンサと電気的に接続するＴ
ＦＴ４０９を同一基板上に形成する。フォトセンサと電気的に接続するＴＦＴ４０９は、
ゲート配線４１４を有している。それぞれのＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャ
ネル型ＴＦＴを用いることができ、実施者が適宜用いる回路に合わせて設計する。また、
単結晶半導体層を下部電極とする保持容量４１２もこれらのＴＦＴと同一工程で形成する
。なお、保持容量４１２は駆動用ＴＦＴのゲート電極４１３を上部電極とし、誘電体とし
て駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜と同一工程で得られる絶縁膜を用いる。
【０１１８】
また、発光素子を駆動するための駆動回路や、フォトセンサを駆動するためのセンサ制御
回路もｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを用いて、同一基板上に形成する。
【０１１９】
また、ＴＦＴの層間絶縁膜の一つである絶縁膜４１６にはコンタクトホールが形成され、
それぞれの単結晶半導体層と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極、または上
方の配線と接続する接続電極が形成される。また、フォトセンサと電気的に接続するＴＦ
Ｔ４０９の信号線４１９も形成される。また、スイッチング用ＴＦＴのソース信号線５０
０も形成される。また、駆動用ＴＦＴ４０８と電気的に接続される電源供給線４１７も形
成される。
【０１２０】
次いで、発光素子の第１の電極４１８Ｒとなる電極を絶縁膜４１６上に形成する。次いで
、第１の電極４１８Ｒの周縁部を覆う絶縁物からなる隔壁４２０を形成する。
【０１２１】
次いで、第１の電極４１８Ｒ上に接する発光層を形成する。発光層は、フルカラー表示と
する場合、赤、青、緑の発光層をそれぞれ形成する。赤、青、緑の発光層は公知の技術、
例えば蒸着法やインクジェット法などを用いて成膜を行う。図６では、赤色の発光層４２
１Ｒを形成する例を示している。次いで、発光層４２１Ｒ上に第２の電極４２２を選択的
に形成する。こうして発光素子４２３が形成される。
【０１２２】
なお、赤色の発光領域５０１Ｒは、第１の電極４１８Ｒ上において隔壁４２０と重なって
いない領域、即ち図７中の実線で囲んだ領域に相当する。なお、緑色の発光領域５０１Ｇ
は、第１の電極４１８Ｇ上において隔壁４２０と重なっていない領域、即ち図７中の実線
で囲んだ領域に相当する。なお、青色の発光領域５０１Ｂは、第１の電極４１８Ｂ上にお
いて隔壁４２０と重なっていない領域、即ち図７中の実線で囲んだ領域に相当する。
【０１２３】
次いで、第２の電極４２２を覆う絶縁膜４２４を形成する。なお、絶縁膜４２４は発光素
子４２３の発光を通過させる材料を用い、第２の電極４２２は透光性を有する導電膜を用
い、発光素子４２３の発光を通過させて光を取り出す。
【０１２４】
次いで、絶縁膜４２４にコンタクトホールを形成し、絶縁膜４２４上に第１の接続電極４
２５を形成する。
【０１２５】
次いで、第１の接続電極４２５の少なくとも一部と重なるようにフォトセンサ４２９を形
成する。第１の接続電極４２５は、フォトセンサ４２９と、ＴＦＴ４０９とを電気的に接
続する電極である。フォトセンサ４２９は、Ｎ型半導体膜４２６、Ｉ型半導体膜（真性半
導体）４２７及びＰ型半導体膜４２８の積層で構成される。本実施例では、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いてＮ型半導体膜４２６としてリンを含む微結晶シリコン膜と、Ｉ型半導体膜４
２７としてアモルファスシリコン膜と、Ｐ型半導体膜４２８としてボロンを含む微結晶シ
リコン膜とを積層する。
【０１２６】
次いで、フォトセンサを覆う絶縁膜４３０を形成する。なお、絶縁膜４３０は発光素子４
２３の発光を通過させる材料を用いる。次いで、絶縁膜４３０にコンタクトホールを形成
し、絶縁膜４３０上にＰ型半導体膜４２８と電気的に接続する第２の接続電極４３１を形
成する。
【０１２７】
以上の工程により図６に示す発光表示装置を作製することができる。図６に示す発光表示
装置は光学式のフォトセンサを有しており、タッチパネルの機能を表示部に有する。図６
に示す発光表示装置は、一箇所だけの位置検出だけでなく、同時に複数箇所の位置検出、
所謂マルチタッチ感知も行うことができる。
【０１２８】
さらに図６に示す発光表示装置は、指紋認証などの機能を表示部に有することもできる。
【０１２９】
図６に示すように電源供給線４１７と一部重なるようにフォトセンサ４２９が設けられて
いる。なお、図７は、画素構成の一例を示す上面図であり、赤色発光領域に位置する第１
の電極４１８Ｒと、緑色発光領域に位置する第１の電極４１８Ｇとの間に３つのフォトセ
ンサ４２９、４３２、４３３を配置する例である。勿論、図７は、一例であって２つの隣
り合う発光素子の間に配置されるフォトセンサは３つに限定されず、２つ以上であれば特
に限定されない。また、３つのフォトセンサはそれぞれ１つの薄膜トランジスタに接続さ
れ、それらのゲート電極は共通となっているが特に限定されず、別々のゲート配線を用い
てもよい。また、信号線４１９は、３つのフォトセンサで共通となっているが特に限定さ
れず、別々の信号線を用いてもよい。また、本実施例では、発光素子を駆動するために２
個のＴＦＴを用いる例を示したが、特に限定されない。また、一つのフォトセンサに電気
的に接続する１つのＴＦＴを配置する例を示したが、特に限定されない。なお、簡略化の
ため、図７においては発光素子の第２の電極、及び発光層と、第１の接続電極及び第２の
接続電極は図示していない。
【０１３０】
次いで、必要があれば、封止のための基板やフィルムを用いて封止を行ってもよい。また
、必要があれば円偏光板などの偏光フィルムや、図２（Ａ）に示したようにカラーフィル
タなどの光学フィルムを設けてもよい。
【０１３１】
図６に示す発光表示装置は、フォトセンサで検出された外光データに合わせて表示の輝度
調整を行うことができる。特にカラーフィルタをフォトセンサと重ねることによって、外
光の赤色成分、青色成分、及び緑色成分を分別して検出し、その成分毎に赤色の発光素子
の輝度、青色の発光素子の輝度、緑色の発光素子の輝度をそれぞれ最適な輝度に調節する
ことができる。なお、外光の赤色成分、青色成分、及び緑色成分を分別して検出する場合
にはフォトセンサと接続するＴＦＴの信号線は別々にする。
【０１３２】
ここで、図６に示す発光表示装置を用いて指紋認証を行う手順の一例を以下に示す。
【０１３３】
使用者が発光表示装置の表示部に指を接触させると、指を接触させた領域は外光が遮断さ
れ、指を接触させた領域は指に隠れるため使用者は表示を確認することはできない。従っ
て、フォトセンサを用いて外光が遮断されたエリアの位置を検出し、さらにそのエリアの
位置に対応する発光素子の発光輝度を高め、その強い発光を利用して指から反射した光を
フォトセンサで撮像する。即ち、フォトセンサで指の位置を認識した後は、表示部の一部
では表示が行われずにセンシングが部分的に行われ、他の一部、即ち、指が触れている部
分以外の領域は、通常の画面表示を行う。このように発光表示装置においては、表示画面
の一部でセンシングのための発光を行い、表示画面のその他の部分で表示を行うことがで
きる。また、他のセンシング方法として、画像表示とセンシングとの両方を行う例を示す
。図１１に発光素子の１フレーム期間の動作の概略を示す。図１１に示すように、まず、
映像信号を全画素分（１フレーム分）取り込んだ後、映像信号に合わせた輝度の発光を行
って表示を行った後、センシング用に高輝度の発光を行う。なお、図１１中の実線１１０
１は、縦軸を電流値、横軸を時間として表した発光素子に流れる発光駆動電流の一例であ
る。また、フォトセンサは、センシング用発光期間に発光した強光が被写体に反射して入
射された光を撮像し、受光信号出力期間において、撮像期間で取り込まれたデータに対応
した受光信号電流を出力する。撮像期間は、フォトセンサの光感度が高ければ高いほど、
発光素子の輝度が高ければ高いほど短縮することができる。なお、図１１では、まず映像
取り込み期間の後、表示発光期間とし、その後センシング用発光期間として受光動作する
例を挙げて説明したが、これらの動作の順番は一例にすぎない。例えば、最初に映像信号
を取り込み、センシング用に高輝度の発光を行った後、次いで受光動作期間の各動作を実
行し、最後に表示発光期間に移行する順序としてもよい。
【０１３４】
こうして得られた指の撮像データを発光表示装置のメモリに収納されている使用者の指紋
データと比較することによって認証を行うことができる。
【０１３５】
特に外光が遮断されたエリアの位置を検出する上で、分光感度が視感度に近いフォトセン
サを用いることが好ましく、フォトセンサの光電変換層に非晶質シリコン膜を用いること
は有用である。
【０１３６】
また、表示部の画素毎にフォトセンサを設けていれば、表示画面のどこでも指紋認証を行
うことができる。また、フォトセンサに電気的に接続するＴＦＴの活性層として単結晶半
導体層を用いているため、指紋などのセンシングデータを短時間で処理することができる
。
【実施例３】
【０１３７】
実施例２では、発光素子を覆う絶縁膜上にフォトセンサを作製する例を示したが、本実施
例では、フォトセンサを覆う絶縁膜上に発光素子を作製する例を示す。図８に発光表示装
置の断面図を示す。なお、簡略化のため、図８において、図２（Ａ）と同じ箇所には同じ
符号を用いることとする。
【０１３８】
まず、実施例１に従って、基板１００上にバッファ層を介して単結晶半導体層を形成する
。
【０１３９】
次いで、単結晶半導体層を活性層とするトップゲート構造の薄膜トランジスタを公知の技
術を用いて作製する。トランジスタ１０１と、ゲート電極１０３を有する駆動用トランジ
スタ１０２を同一基板上に形成する。それぞれのＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐ
チャネル型ＴＦＴを用いることができ、実施者が適宜用いる回路に合わせて設計する。
【０１４０】
また、発光素子を駆動するための駆動回路や、フォトセンサを駆動するためのセンサ制御
回路もｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを用いて、同一基板上に形成する。
【０１４１】
また、ＴＦＴの層間絶縁膜の一つである絶縁膜１４０にはコンタクトホールが形成され、
それぞれの単結晶半導体層と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極、または上
方の配線と接続する接続電極が形成される。
【０１４２】
次いで、トランジスタ１０１及び駆動用トランジスタ１０２を覆う絶縁膜１９０を形成す
る。
【０１４３】
次いで、絶縁膜１９０にコンタクトホールを形成し、絶縁膜１９０上に第３の電極１１４
、及び第１の接続電極１９１を形成する。なお、第１の接続電極１９１は駆動用トランジ
スタ１０２と電気的に接続する電極である。
【０１４４】
次いで、第３の電極１１４の少なくとも一部と重なるようにフォトセンサ１１３を形成す
る。第３の電極１１４は、フォトセンサ１１３と、トランジスタ１０１とを電気的に接続
する電極である。フォトセンサ１１３は、Ｎ型半導体１１０、Ｉ型半導体（真性半導体）
１１１及びＰ型半導体１１２の積層で構成される。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用
いてＮ型半導体１１０としてリンを含むアモルファスシリコン膜と、Ｉ型半導体１１１と
してアモルファスシリコン膜と、Ｐ型半導体１１２としてボロンを含むアモルファスシリ
コン膜とを積層する。
【０１４５】
次いで、フォトセンサ１１３及び第１の接続電極１９１を覆う絶縁膜１９２を形成する。
次いで、絶縁膜１９２にコンタクトホールを形成し、絶縁膜１９２上にＰ型半導体膜１１
２と電気的に接続する第４の電極１９３と、第２の接続電極１９４を形成する。
【０１４６】
次いで、発光素子の第１の電極１９５となる電極を絶縁膜１９２上に第２の接続電極１９
４と接して形成する。次いで、第１の電極１９５の周縁部を覆う絶縁物からなる隔壁１９
６を形成する。なお、隔壁１９６は、第２の接続電極１９４及び第４の電極１９３を覆っ
て形成する。
【０１４７】
次いで、第１の電極１９５上に接する発光層１９７を形成する。発光層１９７は、フルカ
ラー表示とする場合、赤、青、緑の発光層をそれぞれ形成する。赤、青、緑の発光層は公
知の技術、例えば蒸着法やインクジェット法などを用いて成膜を行う。次いで、発光層１
９７上に第２の電極１９８を形成する。こうして発光素子１９９が形成される。
【０１４８】
なお、絶縁膜１９２はフォトセンサ１１３に光が入射するように、可視光を通過させる材
料を用い、第２の電極１９８は透光性を有する導電膜を用い、可視光が第２の電極１９８
を通過させてフォトセンサ１１３に入射させる。
【０１４９】
以上の工程により図８に示す発光表示装置を作製することができる。図８に示す発光表示
装置は光学式のフォトセンサを有しており、タッチパネルの機能を表示部に有する。図８
に示す発光表示装置は、一箇所だけの位置検出だけでなく、同時に複数箇所の位置検出、
所謂マルチタッチ感知も行うことができる。
【０１５０】
また、必要があれば、図２（Ａ）に示したように封止のための基板やフィルムを用いて封
止を行ってもよい。また、必要があれば円偏光板などの偏光フィルムや、図２（Ａ）に示
したようにカラーフィルタなどの光学フィルムを設けてもよい。
【０１５１】
また、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【０１５２】
本実施例では実施例１で得られる基板を用いて液晶表示装置を作製する例を示す。本実施
例では、図２（Ｂ）を用いて以下に説明する。
【０１５３】
まず、実施例１に従って、基板上にバッファ層を介して単結晶半導体層を形成する。
【０１５４】
次いで、単結晶半導体層を活性層とするトップゲート構造の薄膜トランジスタを公知の技
術を用いて作製する。ここではゲート電極１５３を有するスイッチング用トランジスタ１
５２と、フォトセンサと電気的に接続するトランジスタ１５１を同一基板上に形成する。
それぞれのＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを用いることができ
、実施者が適宜用いる回路に合わせて設計する。また、単結晶半導体層を下部電極とする
保持容量もこれらのＴＦＴと同一工程で形成する。なお、保持容量は容量配線を上部電極
とし、誘電体としてスイッチング用ＴＦＴのゲート絶縁膜と同一工程で得られる絶縁膜を
用いる。
【０１５５】
また、ＴＦＴの層間絶縁膜の一つである絶縁膜１７０にはコンタクトホールが形成され、
それぞれの単結晶半導体層と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極、または上
方の配線と接続する接続電極が形成される。また、フォトセンサと電気的に接続するトラ
ンジスタ１５１の信号線も形成される。また、スイッチング用ＴＦＴのソース配線１５４
も形成される。
【０１５６】
次いで、ソース配線１５４を覆う絶縁膜１７２を形成する。なお、液晶表示装置は透過型
の例であるので、絶縁膜１７２は、可視光を通過する絶縁材料を用いる。次いで、絶縁膜
１７２にコンタクトホールを形成し、絶縁膜１７２上に第３の電極１６４を形成する。
【０１５７】
次いで、第３の電極１６４の少なくとも一部と重なるようにフォトセンサ１６３を形成す
る。第３の電極１６４は、フォトセンサ１６３と、トランジスタ１５１とを電気的に接続
する電極である。フォトセンサ１６３は、Ｎ型半導体膜１６０、Ｉ型半導体膜（真性半導
体）１６１及びＰ型半導体膜１６２の積層で構成される。本実施例では、プラズマＣＶＤ
法を用いてＮ型半導体膜１６０としてリンを含む微結晶シリコン膜と、Ｉ型半導体膜１６
１としてアモルファスシリコン膜と、Ｐ型半導体膜１６２としてボロンを含む微結晶シリ
コン膜とを積層する。
【０１５８】
次いで、フォトセンサを覆う絶縁膜１７３を形成する。絶縁膜１７３も、可視光を通過す
る絶縁材料を用いる。次いで、絶縁膜１７３にコンタクトホールを形成し、絶縁膜１７３
上に画素電極１７１及び第４の電極１６５を形成する。
【０１５９】
次いで、絶縁膜１７３上に柱状スペーサを設ける。なお、柱状スペーサに代えて、球状の
スペーサを用いてもよい。
【０１６０】
次いで、ＴＮ液晶などを用いる場合、画素電極１７１上に配向膜を塗布し、ラビング処理
を行う。そして、対向電極１７５、カラーフィルタ１８０、及びオーバーコート層１８１
が設けられた透光性を有する対向基板１８９を用意し、シール材を用いて基板１５０と貼
り合わせる。また、貼り合わせる前に、対向基板１８９にも配向膜を塗布し、ラビング処
理を行う。一対の基板間には液晶滴下法または液晶注入法を用いて液晶層１７４を配置す
る。
【０１６１】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するため、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層１７４に用
いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１０μｓ〜１
００μｓと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい
。
【０１６２】
液晶表示装置の場合、センシングデータの処理周期が１フレーム期間であって、約１３ｍ
ｓ内に一つのタッチ位置を検出する、或いは指紋データを検出する。なお、１画面の表示
期間を１フレーム期間と呼び、一つの時間軸に対応する１フレーム期間を複数の時間軸に
分割してサブフレーム期間を形成する。１フレーム期間を２つのサブフレーム期間に分割
すると、サブフレーム期間は、１フレーム期間の半分（即ち、１／１２０秒）となる。液
晶表示装置の場合、例えば、２つのサブフレーム期間のうち、一方のサブフレーム期間で
画素へ映像信号を１回印加して表示をし、もう一方のサブフレーム期間でリセット信号を
印加し、瞬間的に全面白表示を行えばよい。この全面白表示の時のバックライトの光を用
いて被写体に光を照射し、その反射光をフォトセンサで感知する。この場合、人間の目は
、一つのサブフレーム期間中の階調変化を認識することができず、結果的に人の目では、
映像信号による階調表示と全面白表示とが複合され、１フレーム期間の階調表示が、映像
信号による階調より高くなってしまう。従って、映像信号による階調表示と全面白表示と
が複合されても所望の階調を得るように映像信号を補正することが好ましい。
【０１６３】
また、バックライトを用いる場合、フォトセンサのセンシングのための光源はバックライ
トとなる。また、偏光板なども用いるため、弱い光源となり、フォトセンサに入射される
までに低照度の光となる恐れがある。従って、アナログ信号をデジタル信号に変換するた
めの回路をセンサ制御回路に加え、低照度であると出力電圧が飽和する方式となるセンサ
制御回路とすることが好ましい。低照度であると出力電圧が飽和する方式は、特に低照度
領域で分解能も高く、確度の高い出力電圧を出力することができるとともに、広いダイナ
ミックレンジを取る事ができる。
【０１６４】
また、本実施例は実施例１と自由に組み合わせることができる。
【実施例５】
【０１６５】
本発明は、表示部を備えた電子機器に適用することができる。このような電子機器とし
て、例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（
携帯型デジタル音楽プレイヤー、カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コン
ピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム
機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅ
ｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディ
スプレイを備えた装置）等が挙げられる。
【０１６６】
まず、本発明の表示装置をＰＤＡに適用した例を説明する。図９（Ａ）は、ＰＤＡの外
観図である。ＰＤＡ１０００は、筐体１００１内に、図１に示すシステムが内蔵されてい
る。ＰＤＡ１０００は、表示部１００２、操作ボタン１００３、外部接続ポート１００４
、スピーカ１００５、マイク１００６を有する。表示部１００２を指（またはペン）など
で触れることで、ＰＤＡ１０００に情報を入力することができる。
【０１６７】
表示部１００２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表
示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１６８】
図９（Ｂ）は、入力モードの画面を説明するためのＰＤＡの正面図である。図９（Ｂ）
に示すように、表示部１００２には、キーボード１０３０が表示され、また、画面１０３
１には、点線で囲ったキーボード１０３０から入力された文字を表示する。入力モードで
は、文字の入力操作を優先するため、表示部１００２の画面のほとんどにキーボード１０
３０が表示される。キーボード１０３０のキー配列は使用する言語によって、変更される
。
【０１６９】
なお、ＰＤＡ１０００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有
する検出装置を設けることで、ＰＤＡ１０００の向き（縦か横か）を判断して、表示部１
００２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１７０】
また、画面モードの切り替えは、表示部１００２を触れること、又は筐体の操作ボタン
１００３の操作により行われる。また、表示部１００２に表示される画像の種類によって
切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータ
であれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１７１】
また、入力モードにおいて、表示部１００２の光センサで検出される信号を検知し、表
示部１００２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１７２】
表示部１００２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部１
００２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことが
できる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセン
シング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１７３】
本発明の表示装置はＰＤＡの他、表示部を有する各種の電子機器に適用することができ
る。図１０にこのような電子機器の一例を示す。
【０１７４】
図１０（Ａ）はモニタ１１２０の外観図である。モニタ１１２０は、筐体１１２１、表
示部１１２２、支持台１１２３等を有する。筐体１１２１に本発明の表示装置が内蔵され
、表示部１１２２の画素にはフォトセンサが複数設けられており、表示部１１２２は表示
機能と情報入力機能を有する。
【０１７５】
図１０（Ｂ）は携帯型ゲーム装置１１３０の外観図である。ゲーム装置１１３０は、筐
体１１３１、第１表示部１１３２、第２表示部１１３３、操作ボタン１１３４等を有する
。筐体１１３１に本発明の表示装置が内蔵され、第１表示部１１３２または第２表示部１
１３３の画素にはフォトセンサが設けられており、第１表示部１１３２または第２表示部
１１３３は表示機能と情報入力機能を有する。第２表示部１１３３にキーボードを表示し
、表示されたキーボードを指（またはペン）などで触れることによって入力された文字を
第１表示部１１３２または第２表示部１１３３に表示することができる。従って、携帯型
ゲーム装置１１３０は、キーボード表示され、タッチ入力可能な第２表示部１１３３を用
いてノート型パーソナルコンピュータのような使用も可能である。
【０１７６】
本実施例は実施形態及び実施例１乃至４のいずれか一と適宜組み合わせることが可能で
ある。
【符号の説明】
【０１７７】
１００：基板
１０１：トランジスタ
１０２：駆動用トランジスタ
１０３：ゲート電極
１０４：配線
１０５：第１の電極
１０６：電界発光層
１０７：第２の電極
１０８：有機発光素子
１１０：Ｎ型半導体
１０９：指
１１１：Ｉ型半導体
１１２：Ｐ型半導体
１１３：フォトセンサ
１１４：第３の電極
１１５：第４の電極
【図１】
0005627745.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005627745.tif 000008
【図８】
0005627745.tif 000009
【図９】
0005627745.tif 000010
【図１０】
0005627745.tif 000011
【図１１】
0005627745.tif 000012