(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能な支持体と、
この支持体上に設けられ、当該支持体の移動方向及びこの移動方向に交差する交差方向に沿って画素単位毎に行列配列され且つ画像信号に基づく潜像電圧が印加される複数の画素電極と、
この画素電極夫々に対応して支持体上に設けられ且つ画素電極に印加される潜像電圧に対応する電荷を蓄積する電荷蓄積部材と、
前記画素電極夫々に対応して支持体上に設けられ且つ画素電極へ潜像電圧を印加する時期を切り替える切替部材と、
支持体上に設けられ且つ当該支持体の移動方向に交差する方向に並ぶ走査対象となる複数の画素電極群を前記切替部材を介して選択し走査する走査線と、
支持体上に設けられ且つ当該支持体の移動方向に並ぶ複数の画素電極群のうち前記走査線によって選択された画素電極群の夫々の画素電極に対し画像信号に基づく潜像電圧を前記切替部材を介して印加する信号線と、
画素電極に近接して配置される信号線に対応して支持体上に設けられ且つ信号線からの電界の少なくとも一部が画素電極の潜像電圧による電界に影響するのを遮蔽する遮蔽部材と、
を備えることを特徴とする像保持体。
【請求項２】
請求項１記載の像保持体において、
前記遮蔽部材は、画素電極間に位置する信号線を全て覆うように設けられることを特徴とする像保持体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の像保持体において、
前記遮蔽部材は、前記走査線からの電界の少なくとも一部が画素電極の潜像電圧による電界に影響するのを遮蔽するようにしたことを特徴とする像保持体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の像保持体において、
前記遮蔽部材は、最近接する一つの画素電極と電気的接続がなされていることを特徴とする像保持体。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の像保持体において、
前記遮蔽部材は、前記支持体上で画素電極の厚さ方向に対し当該画素電極よりも深い位置に配置されることを特徴とする像保持体。
【請求項６】
請求項５記載の像保持体において、
画素電極の厚さ方向に対し画素電極を投影したときに、前記遮蔽部材は画素電極の一部と重なり合う部分を有することを特徴とする像保持体。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の像保持体と、
この像保持体の画素電極に対し画像信号に基づく潜像を書き込む潜像書込手段と、
この潜像書込手段にて書き込まれた潜像を現像剤にて現像する現像手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
請求項７記載の画像形成装置のうち遮蔽部材と画素電極との電気的接続がなされていない態様において、
前記遮蔽部材には、前記潜像の非画像部に応じた潜像電圧が印加されることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、像保持体及びこれを用いた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、複写機やプリンタ等の画像形成装置で用いられる画像形成方式として電子写真方式が用いられる。これは、コロナ放電器や帯電ロール等の帯電器によって帯電された感光体に対して、レーザやＬＥＤアレイを用いて光イメージを照射することで静電潜像を形成し、この形成された静電潜像に対し帯電したトナーを用いて現像することで可視像化するようにしたものである。
【０００３】
これに対し、感光体を使用せずに、静電潜像を形成する方式の画像形成装置も既に提案されている（例えば特許文献１〜５参照）。
特許文献１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をマトリクス状に形成すると共に蓄積容量を夫々のＴＦＴに設け、蓄積容量での電荷蓄積効果により安定した現像を行うようにした方式の画像形成装置を提案したものである。
特許文献２は、スイッチング素子をマトリクス状に構成し、レーザ照射することで、画素毎に発生する表面電位を変化させるようにした方式の画像形成装置を提案したものである。
特許文献３は、マトリクス状に配列したスイッチング素子毎に二層分割された蓄積容量を持たせ、画像部／非画像部の電位を調整するようにしたものである。
特許文献４は、複数のＴＦＴを通じて複数の画素電極の夫々に選択的に電荷を印加するか、または選択的に電荷を消去すれば、静電潜像形成媒体の表面にはその周辺の電位と異なる電位を有する静電潜像が形成される画像形成装置を提案したものである。
特許文献５は、マトリクス状に配列したスイッチング素子を使って画素毎の潜像を形成する方式の画像形成装置を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３２３３４６３号公報（実施例、図４）
【特許文献２】特許第３８２６０１３号公報（実施の形態１、図１）
【特許文献３】特開２００３−３２４４０号公報（発明の実施の形態、図１）
【特許文献４】特開２００５−３３１９５５号公報（発明を実施するための最良の形態、図２）
【特許文献５】特開２００４−２１９６３５号公報（発明の実施の形態、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の技術的課題は、画素電極が画素単位に行列配列された像保持体を備えた態様において、信号線からの漏れ電界に伴う潜像電位の乱れを防止する像保持体及びこれを用いた画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、移動可能な支持体と、この支持体上に設けられ、当該支持体の移動方向及びこの移動方向に交差する交差方向に沿って画素単位毎に行列配列され且つ画像信号に基づく潜像電圧が印加される複数の画素電極と、この画素電極夫々に対応して支持体上に設けられ且つ画素電極に印加される潜像電圧に対応する電荷を蓄積する電荷蓄積部材と、前記画素電極夫々に対応して支持体上に設けられ且つ画素電極へ潜像電圧を印加する時期を切り替える切替部材と、支持体上に設けられ且つ当該支持体の移動方向に交差する方向に並ぶ走査対象となる複数の画素電極群を前記切替部材を介して選択し走査する走査線と、支持体上に設けられ且つ当該支持体の移動方向に並ぶ複数の画素電極群のうち前記走査線によって選択された画素電極群の夫々の画素電極に対し画像信号に基づく潜像電圧を前記切替部材を介して印加する信号線と、画素電極に近接して配置される信号線に対応して支持体上に設けられ且つ信号線からの電界の少なくとも一部が画素電極の潜像電圧による電界に影響するのを遮蔽する遮蔽部材と、を備えることを特徴とする像保持体である。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る像保持体において、前記遮蔽部材は、画素電極間に位置する信号線を全て覆うように設けられることを特徴とする像保持体である。
請求項３に係る発明は、請求項１または２に係る像保持体において、前記遮蔽部材は、前記走査線からの電界の少なくとも一部が画素電極の潜像電圧による電界に影響するのを遮蔽するようにしたことを特徴とする像保持体である。
請求項４に係る発明は、請求項１ないし３のいずれかに係る像保持体において、前記遮蔽部材は、最近接する一つの画素電極と電気的接続がなされていることを特徴とする像保持体である。
請求項５に係る発明は、請求項１ないし４のいずれかに係る像保持体において、前記遮蔽部材は、前記支持体上で画素電極の厚さ方向に対し当該画素電極よりも深い位置に配置されることを特徴とする像保持体である。
請求項６に係る発明は、請求項５に係る像保持体において、画素電極の厚さ方向に対し画素電極を投影したときに、前記遮蔽部材は画素電極の一部と重なり合う部分を有することを特徴とする像保持体である。
【０００８】
請求項７に係る発明は、請求項１ないし６のいずれかに係る像保持体と、この像保持体の画素電極に対し画像信号に基づく潜像を書き込む潜像書込手段と、この潜像書込手段にて書き込まれた潜像を現像剤にて現像する現像手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置である。
請求項８に係る発明は、請求項７に係る画像形成装置のうち遮蔽部材と画素電極との電気的接続がなされていない態様において、前記遮蔽部材には、前記潜像の非画像部に応じた潜像電圧が印加されることを特徴とする画像形成装置である。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１に係る発明によれば、画素電極が画素単位に行列配列された像保持体を備えた態様において、本構成を有さない場合に比べて、信号線からの漏れ電界に伴う潜像電位の乱れを防止できる像保持体を提供できる。
請求項２に係る発明によれば、本構成を有さない場合に比べて、信号線からの漏れ電界に伴う潜像電位の乱れを一層防止できる。
請求項３に係る発明によれば、本構成を有さない場合に比べて、信号線や走査線からの漏れ電界に伴う潜像電位の乱れを防止できる。
請求項４に係る発明によれば、本構成を有さない場合に比べて、信号線からの漏れ電界に伴う潜像電位の乱れを一層防止できる。
請求項５に係る発明によれば、本構成を有さない場合に比べて、画素電極を高密度に形成することができる。
請求項６に係る発明によれば、本構成を有さない場合に比べて、少なくとも信号線からの漏れ電界が低減できる。
請求項７に係る発明によれば、画素電極が画素単位に行列配列された像保持体を備えた態様において、本構成を有さない場合に比べて、信号線からの漏れ電界に伴う潜像電位の乱れを防止できる画像形成装置を提供できる。
請求項８に係る発明によれば、本構成を有さない場合に比べ、非画像部でのかぶりを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明が適用された像保持体の実施の形態の概要を示す説明図であり、（ａ）は像保持体の斜視図、（ｂ）は画素電極周辺構成、（ｃ）は（ｂ）のＢ方向から見た要部断面である。
【図２】実施の形態１に係る画像形成装置の全体構成を示す説明図である。
【図３】実施の形態１で用いられる像保持体を示す斜視説明図である。
【図４】（ａ）は実施の形態１で用いられる像保持体の給電構造例を示す説明図、（ｂ）はスリップリングの構成例を示す説明図である。
【図５】（ａ）は実施の形態１で用いられる像保持体の画素電極の配列例を示す説明図、（ｂ）はその一つの画素電極を示す説明図、（ｃ）は画素電極への配線例を示す説明図である。
【図６】（ａ）は実施の形態１で用いられるマトリクスパネルの構成説明図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面図である。
【図７】実施の形態１で用いられるマトリクスパネルの配線構成を示す説明図である。
【図８】実施の形態１で用いられる像書込制御装置の一例を示す説明図である。
【図９】実施の形態１で用いられる現像器の一例を示す説明図である。
【図１０】（ａ）（ｂ）は図９に示す現像器で用いられる導電性トナーの一例を示す説明図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は潜像書込位置と現像位置に対する信号線の電界作用の影響を示す説明図である。
【図１２】比較のために遮蔽部材を設けない態様での信号線からの影響を示した第一の説明図である。
【図１３】比較のために遮蔽部材を設けない態様での信号線からの影響を示した第二の説明図である。
【図１４】（ａ）は実施の形態２で用いられるマトリクスパネルの構成説明図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面図である。
【図１５】（ａ）は実施の形態３で用いられるマトリクスパネルの構成説明図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面図である。
【図１６】実施の形態４の画像形成装置の概要を示す説明図である。
【図１７】実施の形態４で用いられる像書込制御装置の一例を示す説明図である。
【図１８】実施の形態５の画像形成装置の概要を示す説明図である。
【図１９】（ａ）は実施例に用いたレイアウトを示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）のｘ方向及びｙ方向の断面を示す。
【図２０】実施例の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
◎実施の形態の概要
図１（ａ）は本発明が適用される像保持体の実施の形態の概要を示す説明図であり、同図（ｂ）は像保持体の画素電極周辺構成、（ｃ）は（ｂ）のＢ方向から見た要部断面を示すものである。
同図において、像保持体１は、移動可能な支持体２と、この支持体２上に設けられ、当該支持体２の移動方向及びこの移動方向に交差する交差方向に沿って画素単位毎に行列配列され且つ画像信号に基づく潜像電圧が印加される複数の画素電極３と、この画素電極３夫々に対応して支持体２上に設けられ且つ画素電極３に印加される潜像電圧に対応する電荷を蓄積する電荷蓄積部材４と、この画素電極３夫々に対応して支持体２上に設けられ且つ画素電極３へ潜像電圧を印加する時期を切り替える切替部材５と、支持体２上に設けられ且つ当該支持体２の移動方向に交差する方向に並ぶ走査対象となる複数の画素電極群を切替部材５を介して選択し走査する走査線６と、支持体２上に設けられ且つ当該支持体２の移動方向に並ぶ複数の画素電極群のうち走査線６によって選択された画素電極群の夫々の画素電極３に対し画像信号に基づく潜像電圧を切替部材４を介して印加する信号線７と、画素電極３に近接して配置される信号線７に対応して支持体２上に設けられ且つ信号線７からの電界の少なくとも一部が画素電極３の潜像電圧による電界に影響するのを遮蔽する遮蔽部材８と、を備えたものである。
【００１２】
ここで、支持体２は移動可能な構成であればよく、板状、ドラム状、ベルト状等いずれであっても差し支えないが、構成を簡略化するにはドラム状が好適である。
また、画素電極３としては、支持体２の移動方向及びその移動方向に交差する交差方向に行列配列（マトリクス配列）されていればよく、その配列密度が形成可能な画素密度に相当する。
更に、電荷蓄積部材４としては、代表的には容量素子を備える態様が挙げられるが、容量素子を備えずに例えば他の素子の接合容量や画素電極３の浮遊容量等を利用するようにしても差し支えなく、この場合、短時間の電荷蓄積効果を奏するようになる。
更にまた、切替部材５としては、代表的には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が挙げられるが、画素電極３に印加される潜像電圧の印加時期を切り替えられるものであれば他の素子を用いるようにしても差し支えない。
【００１３】
そして、遮蔽部材８は、信号線７の一部を覆って、その部位からの画素電極３に対する電界作用を電気的に遮蔽するようになっていればよい。そのため、例えば信号線７に伝達される信号からの電磁波を静電遮蔽や電磁遮蔽によって遮蔽できるもので構成されればよく、代表的には導電性薄層が用いられる。このとき、「遮蔽」とは、完全に影響をなくすことを意味するものではなく、画素電極３を用いた画像に影響を及ぼさない程度の遮蔽がなされればよいことを意味する。
また、このような遮蔽部材８は、電気的に他の部材と必ずしも接触させることを必要としないが、信号線７に伝達される信号の変化に対し画素電極３への影響を抑えるには、遮蔽部材８に対し所定の電圧を印加することが好ましい。これによれば、信号線７での信号変化があっても遮蔽部材８によって覆われた部位では安定した電位となり、画素電極３に与える影響が均一化される。特に、このような所定の電圧としては、画素電極３にて形成される画像の非画像部に相当する潜像電圧を印加することが好ましい。あるいは、遮蔽部材８をこれと最近接する一つの画素電極３と電気的に接続することが好ましく、これによれば、遮蔽部材８が画素電極３と同等の電位になり、信号線７からの影響が軽減される。ここで、「電気的接続」とは、電気的に短絡されて同電位にすることが可能な接続状態にあることを意味する。
【００１４】
そして、遮蔽部材８は隣り合う画素電極３に近接して配置される信号線７の少なくとも一部を覆うものであればよく、この部位の信号線７に対し、その線幅を超えた部位まで遮蔽部材８が設けられていればよい。この場合、遮蔽部材８によって遮蔽された部位の電界作用が軽減される。また、遮蔽部材８による遮蔽効果を増すには、信号線７の線幅を大きく超えた部位まで設けることが好ましい。更に、信号線７からの電界作用をより効果的に遮蔽する観点からすれば、遮蔽部材８は、画素電極３間に位置する信号線７を全て覆うように設けられることが好ましい。
一方、走査線６からの電界作用による影響を軽減する観点から、遮蔽部材８は、走査線６からの電界の少なくとも一部が画素電極３の潜像電圧による電界に影響するのを遮蔽することが好ましい。これによれば、信号線７の他に走査線６からの電界作用も軽減されるようになる。更に、走査線６に対しても画素電極３間に位置する走査線６を全て覆うようにすれば、一層走査線６からの電界作用の影響が軽減される。
【００１５】
また、遮蔽部材８は、支持体２上で画素電極３の厚さ方向に対し当該画素電極３よりも深い位置に配置されることが好ましい。この場合、支持体２に占める画素電極３の面積が大きく設定され、高密度化等の設計自由度が増す。更に、信号線７や走査線６からの電界作用を軽減する観点から、画素電極３の厚さ方向に対し画素電極３を投影したときに、遮蔽部材８は画素電極３の一部と重なり合う部分を有することが好ましい。このように遮蔽部材８と画素電極３との重なる部位を持たせることで、少なくとも信号線７からの漏れ電界が一層少なくなる。そして、この場合、遮蔽部材８は、隣り合う画素電極３間で夫々に重なり合う部分を有する方が電界作用の遮蔽を行う点では好ましい。
【００１６】
また、このような像保持体１を適用した画像形成装置としては次のようにすればよい。
すなわち、上述した像保持体１と、この像保持体１の画素電極３に対し画像信号に基づく潜像を書き込む潜像書込手段と、この潜像書込手段にて書き込まれた潜像を現像剤にて現像する現像手段と、を備えるようにすればよい。
更に、このような画像形成装置にて信号線７からの電界作用の影響を一層抑える観点からすれば、遮蔽部材８と画素電極３との電気的接続がなされていない態様において遮蔽部材８には、像保持体１の画素電極３によって形成される潜像の非画像部に応じた潜像電圧が印加されることが好ましい。
【００１７】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいて本発明をより詳細に説明する。
◎実施の形態１
図２は、本発明が適用された画像形成装置の実施の形態１を示す。
＜画像形成装置の全体構成＞
同図において、本実施の形態の画像形成装置は、所謂タンデム型のカラー画像形成装置であり、装置筐体１５内に例えば電子写真方式にて各色成分（例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブラック）の各色トナー像が形成される像保持体２０（２０ａ〜２０ｄ）を略鉛直方向に並列配置すると共に、これらの像保持体２０に対向して循環回転する中間転写ベルト５０を略鉛直方向に掛け渡し、この中間転写ベルト５０上で像保持体２０上の各色トナー像を多重化するようにしたものである。
【００１８】
本実施の形態において、像保持体２０の周囲には、像保持体２０上に形成された静電潜像をトナーにて現像して可視像化する現像装置４０と、像保持体２０上の残留トナーを清掃する清掃装置６２とが設けられ、更に、像保持体２０と中間転写ベルト５０とを挟んで対向する位置には、現像された像保持体２０上のトナー像を中間転写ベルト５０上に転写する転写装置６３が設けられている。尚、符号４１は現像装置４０内にて像保持体２０に直接トナーを供給する現像ロールである。
一方、中間転写ベルト５０は、複数の張架ロール５１〜５３（本例では三個）に張架され、例えば張架ロール５１を駆動ロールとして循環回転するようになっており、また、張架ロール５３に対し中間転写ベルト５０を挟んで対向する位置に二次転写装置６０が設けられ、中間転写ベルト５０上で多重化された多重トナー像が後述する記録材供給装置７０から供給された記録材に一括転写される。尚、このとき、二次転写装置６０は張架ロール５３を対向ロールとして、両者の間に所定の二次転写バイアスが印加される。
【００１９】
また、装置筐体１５内の下方には、記録材を供給する記録材供給装置７０が設けられ、例えば供給容器７１内に収容された記録材が、供給ロール７２及び捌き機構７３にて一枚毎に鉛直方向に延びる記録材搬送路７４に向かって供給されるようになっている。
また、記録材供給装置７０から記録材搬送路７４に供給された記録材は、記録材搬送路７４の下流側に設けられた位置合わせロール７５にて一旦位置合わせされた後、所定のタイミングで下流側の二次転写装置６０に向かって搬送される。その後、二次転写装置６０による二次転写部位にて中間転写ベルト５０上の多重トナー像が記録材に一括転写され、トナー像が一括転写された記録材は定着装置７６にて定着された後、排出ロール７７から装置筐体１５の一部で構成される記録材排出受け１６に排出される。尚、記録材搬送路７４には、記録材を搬送するための搬送部材（例えば搬送ロール等）７８が適宜設けられている。
【００２０】
＜像保持体＞
次に、本実施の形態で用いられる像保持体２０について詳述する。
本実施の形態の像保持体２０は、図３に示すように、回転可能な支持体である剛体ドラム２１上に、フィルム基材に多数の画素電極（後述する）が行列配列状（所謂マトリクス状）に形成されたマトリクスパネル３０を巻き付けて固定支持したものとなっている。
マトリクスパネル３０は、例えば耐熱性ポリイミド樹脂フィルム基材（図示せず）に対し、所謂ＩＣ製造プロセス等で用いられる薄膜技術を利用して各種素子が作製され、更に、画素電極３４（例えば図５参照）が行列配列されたものとなっている。そして、このように行列配列された画素電極３４は、例えば剛体ドラム２１の回転軸方向に沿った方向をデータラインとし、剛体ドラム２１の回転方向に沿った方向を走査ラインとしている。そのため、マトリクスパネル３０のデータライン及び走査ラインには、各画素電極３４に繋がる複数のデータ用ドライバ３１及び走査用ドライバ３２が適宜数設けられ、これらのドライバ３１，３２への入力線は更にまとめられて本数を少なくした段階でマトリクスパネル３０を通して、剛体ドラム２１の内面側にまで配線されている。
尚、マトリクスパネル３０の表面側には、画素電極３４等の相互の絶縁性を確保すると共に画素電極３４や周辺素子の表面を保護する保護膜（図示せず）が設けられている。
【００２１】
−給電構造−
剛体ドラム２１は、図３及び図４（ａ）（ｂ）に示すように、その外周面の一部に回転軸方向に沿った溝２１ａが設けられる一方、剛体ドラム２１の軸中心部には、マトリクスパネル３０と外部との電気的接続を行うための給電部材としてのスリップリング２４が設けられ、剛体ドラム２１は固定されたスリップリング２４の周りを回転する。また、剛体ドラム２１の内周面側には、適宜数の端子２２が略剛体ドラム２１の回転軸方向に沿って設けられており、これらの端子２２はマトリクスパネル３０に接続され、データ用ドライバ３１（図３参照）や走査用ドライバ３２（図３参照）を駆動するようになっている。更に、これらの端子２２には、回転軸中心方向で且つ夫々の端部が互いに離間する方向に延びるスライダ２３が端子２２に接続される形で設けられ、このスライダ２３の凹部にスリップリング２４の集電環２４ａが装着される。
【００２２】
そして、スリップリング２４の集電環２４ａ部位は、両側の絶縁環２４ｂより径が小さくなっており、剛体ドラム２１の回転によってもスライダ２３がその対向する集電環２４ａに常時接触した状態が保たれる。尚、剛体ドラム２１の溝２１ａは、例えばシールテープにて塞がれており、像保持体２０が回転する際の気流の抵抗が低減されると共に、現像時のトナーの影響も防ぐようになっている。
そのため、マトリクスパネル３０と外部との信号の伝達は、スリップリング２４の集電環２４ａに対応してスリップリング２４内に配線されたリード線２５から、集電環２４ａ及びスライダ２３を介してマトリクスパネル３０との間で行われ、剛体ドラム２１が回転しても、マトリクスパネル３０への信号の伝達が適切に行なわれる。
【００２３】
−駆動方式−
像保持体２０の駆動方式は、図示外の駆動源（例えば駆動モータ）からの駆動力に応じて駆動伝達機構を介して剛体ドラム２１に駆動伝達されるようになっていれば適宜選定して差し支えない。また、この駆動伝達機構は、特に限定されず、例えば剛体ドラム２１の外周面端部側を回転ロールに圧接させて回転駆動させるようにしてもよいし、スリップリング２４の挿入側とは異なる側で剛体ドラム２１自体を回転させる回転軸を備えるようにしても差し支えない。
【００２４】
−画素電極の周辺構造−
次に、マトリクスパネル３０の画素電極３４を含む周辺構造について説明する。
本実施の形態において、マトリクスパネル３０の基本的構成は、図５（ａ）〜（ｃ）に示すようになっている。画素単位毎に設けられた画素電極３４が行列配列されており、各画素電極３４は、所謂アクティブマトリクス方式に構成され、切替部材（スイッチング素子）として例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）３３を用い、このＴＦＴ３３に対して電荷蓄積部材としての容量素子３５及びこれらを結ぶ配線（ソース線Ｌｓ、ゲート線Ｌｇ等）が夫々付加されている。
ここで、ＴＦＴ３３の基本的構成は、図示しないが、ゲートＧを覆うように設けられたゲート絶縁膜を介して例えばａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）のチャネル層を形成し、このチャネル層上にソース（電極）Ｓ及びドレイン（電極）Ｄを予め決められた所定間隔で配置したものである。
そして、各画素間の結線は、図５（ｃ）のような等価回路となっており、データライン毎にＴＦＴ３３のソースＳが結線される信号線Ｌｓ、走査ライン毎にＴＦＴ３３のゲートＧが結線される走査線Ｌｇとしてまとめられている。また、ＴＦＴ３３のドレインＤには画素電極３４と容量素子３５とが並列に接続され、容量素子３５の一方は走査ライン毎にまとめられる。
【００２５】
特に、本実施の形態では、図５とは異なり、各画素が図６（ａ）（ｂ）に示すように構成されている。ここで、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面を示している。
同図において、マトリクスパネル３０は、フィルム基材３０１上に各種素子を配置したもので、画素電極３４とは別に、夫々の画素電極３４毎に画素電極３４に近い大きさの導電性皮膜からなる遮蔽電極３８を設けていることに特徴がある。
そのため、フィルム基材３０１上に、先ず、走査ラインとしての走査線Ｌｇを所定領域に形成した後、その一部がゲートＧとなるようにＴＦＴ３３を形成する。また、隣の走査線Ｌｇを片側の電極として容量素子３５を形成する。更に、ＴＦＴ３３のソースＳ側には導体を介してデータラインとしての信号線Ｌｓに接続する。一方、ドレインＤ側は導体を介して各画素電極３４に対応した遮蔽電極３８に接続する。更に、この遮蔽電極３８を介して対応する画素電極３４及び容量素子３５に接続する。そして、画素電極３４の表面側には保護膜３９を設ける。
【００２６】
このような構成にあって、遮蔽電極３８は画素電極３４より深い位置（フィルム基材３０１側）に形成され、また、この遮蔽電極３８は対応する画素電極３４から隣りの画素電極３４側に向かって斜めにずらした位置に配置しているため、隣り合った画素電極３４間に位置する信号線Ｌｓ（図中αで示す部位）は遮蔽電極３８で覆われることになる。すなわち、遮蔽電極３８は隣り合う画素電極３４と夫々重なる部分を持っている。
更に、本実施の形態では、走査線Ｌｇに対しても同様の処置が採られており、隣り合った画素電極３４間に位置する走査線Ｌｇ（図中βで示す部位）も遮蔽電極３８によって覆われている。
【００２７】
そして、マトリクスパネル３０は、このように各画素電極３４をマトリクス状に多数並べた構成のため、その駆動方式は次のようになる。
つまり、マトリクスパネル３０は、図７に示すように、データライン及び走査ライン毎に所定数の画素がまとめられ、データライン毎にＴＦＴ３３のソースＳ側がまとめられた信号線Ｌｓを夫々データ用ドライバ３１へ接続する一方、走査ライン毎にＴＦＴ３３のゲートＧ側がまとめられた走査線Ｌｇを夫々走査用ドライバ３２に接続し、データ用ドライバ３１及び走査用ドライバ３２は、像書込制御装置１００（詳細は後述する）によって駆動される。そのため、これらのデータ用ドライバ３１及び走査用ドライバ３２が所定タイミングで駆動されることで、所定の画素電極３４に所定の潜像電圧が印加されるようになる。そして、本実施の形態では容量素子３５のもう一方の電極が夫々対応する走査線Ｌｇに接続される。尚、容量素子３５は本例では走査線Ｌｇに接続するようにしたが、走査ライン毎にまとめて例えば接地したり、他の基準電圧に接続するようにしてもよい。
【００２８】
ここで、データ用ドライバ３１としては、例えばサンプルホールド付きのシフトレジスタ、ラッチ、バッファ等で構成され、走査用ドライバ３２としては、例えばカウンタ、ラッチ、バッファ等で構成されている。尚、図７では画素電極３４は省略しているが、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ３３のドレインＤと容量素子３５との間に画素電極３４が接続されていることは言うまでもない。
【００２９】
−像書込制御方式−
本実施の形態において、像書込制御装置１００は、図８に示すように、書き込むべき潜像の基となる画像信号、像保持体２０に対する潜像書き込みの開始タイミングを示す走査開始基準信号等を入力信号とし、画像信号に基づいて該当する画素電極３４に印加する潜像電圧を決めるように制御する潜像電圧制御部１０１と、走査開始基準信号に基づいて各種のタイミングを設定するタイミング設定部１０５と、を備え、データ用ドライバ３１及び走査用ドライバ３２に所定の制御信号を送出するものである。
また、潜像電圧制御部１０１は、画像信号からの画像データを記憶するメモリ部１０２と、メモリ部１０２からの画像データを階調変換する階調変換部１０３と、この階調変換部１０３にて階調変換された情報に基づいて該当する画素電極３４に振り分けられる各種潜像電圧を供給するための潜像電圧用電源部１０４と、を備えている。
そして、潜像電圧制御部１０１とタイミング設定部１０５からの信号がデータ用ドライバ３１に伝達され、一方、タイミング設定部１０５からの信号が走査用ドライバ３２に伝達されることで、所定のタイミングで選択走査された走査ラインに配列された夫々の画素電極３４に対し、夫々のデータラインを用いて画像信号に基づいた潜像電圧が書き込まれる。
【００３０】
＜現像装置＞
−現像装置の構成例−
本実施の形態における現像装置４０は、図９に示すように、導電性トナー（以降適宜トナーと略す）が収容される現像容器４０ａを有し、この現像容器４０ａには像保持体２０に対向して現像用開口４０ｂを開設すると共に、この現像用開口４０ｂに面して像保持体２０と離間配置され且つ対向部位で互いに異なる方向に回転する現像ロール４１を設け、像保持体２０と現像ロール４１とが対向する部位のうちトナーによって現像可能な現像領域ＤＲにて像保持体２０上に形成された潜像を現像し可視像化する。
【００３１】
また、現像容器４０ａ内には、現像ロール４１に対向する位置に、トナーを現像ロール４１に供給する供給ロール４２を備え、この供給ロール４２より現像ロール４１の回転方向下流側で現像領域ＤＲとの間には、現像ロール４１上のトナーに電荷注入を行う電荷注入ロール４３を備えている。更に、供給ロール４２には、この供給ロール４２上のトナーの層厚を規制する層規制ブレード４４が設けられ、供給ロール４２上のトナーの層厚を略均一な厚さにする。更にまた、供給ロール４２の奥側には、供給ロール４２にトナーを撹拌しながら供給するアジテータ４５が設けられている。
そして、現像ロール４１にはバイアス電源４６からの現像バイアスが印加される一方、このバイアス電源４６が供給ロール４２にも供給され、供給ロール４２と現像ロール４１とが同電位になっている。また、電荷注入ロール４３にはバイアス電源４７が接続され、現像バイアスより大きい電荷注入バイアスが電荷注入ロール４３に印加される。それ故、像保持体２０と現像ロール４１との間には現像電界が、現像ロール４１と電荷注入ロール４３との間には電荷注入電界が作用するようになる。
【００３２】
本実施の形態において、現像ロール４１は、例えば表面をアルマイト処理したアルミニウム製のロールで構成され、電荷注入ロール４３は、サンドブラスト法や化学エッチング法等により表面に小さく均一な凹凸面を形成したアルミニウム製のロールから構成され、現像ロール４１と電荷注入ロール４３とは軽く接触又は微小間隙をもって支持される。また、層規制ブレード４４は例えば厚さ０．０３〜０．３ｍｍ程度のステンレスの板ばねにシリコーンゴムやＥＰＤＭを接着剤等により接着し、その一端は電荷注入ロール４３の表面に軽く接触し、他端は現像容器４０ａの一部に支持される。
【００３３】
−導電性トナーの構成例−
また、本実施の形態で用いられる導電性トナーは、例えば図１０（ａ）に示すように、導電性を有する材料からなる導電性トナー基体（導電性コア）８１を有し、この導電性コア８１の周囲を絶縁性被覆層（例えば絶縁性樹脂層）８２で被覆すると共に、導電性コア８１の一部が露出するように絶縁性被覆層８２に適宜数の凹部８３を設けたものが用いられる。導電性トナーは、重合法や各種公知のカプセル化技術等で作製することができる。この時、導電性コア８１は、ポリエステル系樹脂やスチレンアクリル系樹脂等に導電性カーボンやＩＴＯ等の透明導電粉などの導電剤を分散させたり、ポリエステル系樹脂やスチレンアクリル系樹脂等からなる粒子表面を前記導電剤により被覆することによって、作製される。
このような態様の導電性トナーに対し高電界を印加すると低抵抗化する傾向を示す。そして、低抵抗化する電界の大きさについては、トナーの主として凹部８３の占有割合、あるいは、絶縁性被覆層８２の厚さなどに依存する。このメカニズムについては、次のように推測される。つまり、導電性コア８１が絶縁性被覆層８２にて被覆されているため、導電性コア８１自体がコア同士接触することや直接電極部材等に接触することが殆どなく、絶縁性被覆層８２を介して一定の微小間隙を保つことになり、この結果、例えば高電界が印加された時、トンネル効果等により導通することによる。
【００３４】
また、導電性トナーの他の態様としては、例えば図１０（ｂ）に示すように、導電性コア８１を絶縁性若しくは半導電性の被覆層８４にて被覆し、被覆層８４の厚さｈを適宜調整することにより、トナーの抵抗を調整可能としたものが挙げられる。このとき、半導電性の被覆層８４については、それ自体半導電性の材料を用いるようにしてもよいし、例えば絶縁性樹脂に、酸化チタンや酸化すず等の金属酸化物や導電性カーボンを微量含有させた半導電性樹脂を用いるようにしてもよい。そして、導電性コア８１としては、例えば通常の絶縁性トナーからなる絶縁性トナー基体（絶縁性コア）の外表面近傍に導電性微粒子を付着させる態様や、絶縁性コアの内部に導電性微粒子を混入させるものなど適宜選定して差し支えない。
【００３５】
−現像装置の作動−
ここで、このような導電性トナーを用いた現像装置４０での作動について図９を基に説明する。現像容器４０ａ内において導電性トナーはアジテータ４５によって撹拌され、撹拌されたトナーが供給ロール４２に供給される。供給ロール４２に供給されたトナーは、層規制ブレード４４との間を通過することで、供給ロール４２の表面に均一なトナー層が形成される。このトナー層は供給ロール４２の回転によって現像ロール４１との対向部位に搬送され、現像ロール４１上に供給されて保持される。現像ロール４１に保持されたトナーは電荷注入ロール４３との対向部位で、この間に形成される電荷注入電界により電荷が注入される。そして、現像ロール４１には電荷が注入されたトナーが保持されて搬送され、現像領域ＤＲに供給される。
【００３６】
＜画像形成装置の作動＞
次に、本実施の形態に係る画像形成装置の作動について説明する。
先ず、像書込制御装置１００を用いて各色成分の像保持体２０の各画素電極３４に対して各色成分の画像信号に基づく静電電圧を印加し、各画素電極３４に対応して各色成分の静電潜像を書き込む。
次いで、図２に示すように、各像保持体２０に対して現像装置４０にて像保持体２０に形成された各色成分の潜像を各色トナーにて可視像化し、夫々の転写装置６３にて中間転写ベルト５０上に各色トナー像を一次転写する。その後、二次転写装置６０にて中間転写ベルト５０上の各色トナー像を記録材に二次転写した後、定着装置７６にて記録材に各色トナー像を定着した状態で定着済みの記録材を排出する。尚、各像保持体２０に残留する残留トナーは清掃装置６２にて清掃される。
【００３７】
−潜像書き込み−
このような像保持体２０における画素電極３４での潜像書き込みについて図５及び図８を用いて説明する。
走査用ドライバ３２によって選択された走査線Ｌｇに繋がるＴＦＴ３３のゲートＧにＯＮ電圧を印加すると、ＴＦＴ３３のソースＳ−ドレインＤ間が導通状態となり、このとき、データ用ドライバ３１によって夫々のデータライン（信号線Ｌｓ）には画像信号に基づく潜像電圧が供給され、これが各画素のＴＦＴ３３のソース電圧に供給されることで、ＯＮしたＴＦＴ３３により、容量素子３５がソース電圧と等価になるまで充電される。この容量素子３５に充電された電荷によって画素電極３４の電位（潜像電圧に相当する）がもたらされる。また、その状態でゲートＧにＯＦＦ電圧が印加され、導通状態になっていたソースＳ−ドレインＤ間が遮断されても、容量素子３５の容量成分によって充電された電荷はそのまま保持されるため、以降にソース電圧が変化しても潜像が書き込まれた画素電極３４の潜像電圧はそのまま保持されるようになる。
【００３８】
−潜像電圧と現像との関係−
次に、このような作像プロセス過程において、画素電極３４に書き込まれた潜像電圧と現像工程との関係について説明する。
図１１は潜像書込位置と現像位置との関係を説明するためのもので、（ａ）は像保持体２０と現像ロール４１との位置関係を示し、（ｂ）は画素電極３４の動きを示している。
今、潜像書込位置をＰとし、時間ｔ１にｐ、ｑ、ｒ、ｓの四つの画素電極３４に書き込みがなされたものとすると、像保持体２０の回転によって、ｔ２には時間ｔ１に書き込まれた画素電極３４が現像領域ＤＲに至り、ここで現像が行われる。ところが、現像領域ＤＲで実際に画素電極３４が現像される段階では、画素電極３４の近傍にある信号線Ｌｓには新たに潜像書込位置Ｐにある画素電極３４に対応した信号が伝達されている。つまり、例えば現像時の画素電極３４がｐ’であったとすると、このとき、隣の信号線Ｌｓ（ｐ）には、潜像書込位置のｐに対する画素電極３４への信号が伝達される。そのため、現像時には、画素電極３４の潜像電圧以外に信号線Ｌｓ（ｐ）の影響も加わるようになり、画像濃度や画質への影響が生じる。そして、他のｑ’、ｒ’、ｓ’に対応する画素電極３４に対しても同様に、信号線Ｌｓ（ｑ）、Ｌｓ（ｒ）、Ｌｓ（ｓ）からの影響が加わるようになる。
【００３９】
そして、特に、信号線Ｌｓが画素電極３４と同じ平面に形成される場合大きな影響を及ぼすようになるが、仮に、信号線Ｌｓが画素電極３４より深い部位に埋没して形成されていても、影響を完全に排除することはできない。また、信号線Ｌｓを画素電極３４の直下に形成するようにしても、隣り合った画素電極３４間（この場合、像保持体２０の回転方向に沿って配列される画素電極３４間）での影響を排除することはできない。
【００４０】
図１２及び図１３は比較のため、遮蔽部材を設けない場合に現像時における信号線Ｌｓからの影響がどうなるかを示した説明図である。ここでは、負帯電トナーを使用し、画像信号を二値化した例を示しており、画素電極３４や信号線Ｌｓに高い電圧（ＶＨ）を加えるとトナーを吸引し、低い電圧ＶＬを加えるとトナーを吸引しないものとしている。
今、図１２のように、像保持体２０’のＡ位置で画素電極３４’にＶＨが書き込まれ、Ａ位置が現像位置に達したときにＢ位置にて信号線ＬｓにＶＨやＶＬが加えられた場合、現像時の画素電極３４’には信号線Ｌｓからの電界作用が影響し、信号線Ｌｓの近傍が高濃度になったり、低濃度になったりする結果、低濃度や濃度むらに至るようになる。
一方、図１３のように、像保持体２０’のＡの位置で画素電極３４’にＶＬが書き込まれ、Ａ位置が現像位置に達したときにＢ位置にて信号線ＬｓにＶＨやＶＬが加えられるとすると、ＶＬが加えられたときには影響はでないものの、ＶＨが加えられると信号線Ｌｓの近傍でかぶりや筋、点状汚れ等の画像劣化を生じるようになる。
【００４１】
このような画像劣化を防ぐには、現像時に信号線Ｌｓからの電界作用の影響を防ぐ必要がある。
本実施の形態では、図６（ａ）（ｂ）に示したように、信号線Ｌｓを画素電極３４よりフィルム基材３０１寄りに埋没させて配置し、更に、隣り合った画素電極３４間に位置する信号線Ｌｓ（図中αで示す部位）を覆うように遮蔽電極３８を設け、この遮蔽電極３８を対応する画素電極３４と接続させることにより、現像時の信号線Ｌｓからの電界作用の影響は殆ど除かれ、潜像電圧に応じた良好な画像が得られる。
更に、本実施の形態では、走査線Ｌｇも遮蔽電極３８によって覆われることから、仮に、走査線ＬｇにＶＨが印加されても（ＴＦＴ３３のＯＦＦ電圧に相当）走査線Ｌｇからの電界作用の影響が除かれる。
【００４２】
本実施の形態では、遮蔽電極３８を対応する画素電極３４に接続する態様を示したが、これに限られず、遮蔽電極３８を基準電圧に接続するようにしても差し支えなく、例えばＶＬに接続することによりかぶりの発生が一層抑えられ、濃度むらは減少する。ただし、全体として濃度が低下する方向に向かう場合には、これを補償するように画素電極３４での潜像電圧自体をより大きな値に変更しておけば、特に問題はない。
【００４３】
更に、本実施の形態では、走査線Ｌｇを容量素子３５の一方の電極としたが、これに限られず、例えば容量素子３５の電極を走査線Ｌｇとは別に設け、基準電圧に接続するようにしても差し支えない。そして、画像形成装置としては四色のカラー対応の装置を示したが、単色の画像形成装置であってもよいことは言うまでもない。
また、本実施の形態では、遮蔽電極３８を画素電極３４より深い位置に配置させるものを示したが、遮蔽電極３８を画素電極３４より更に表面側に設けるようにしても差し支えないが、画素電極３４による安定した画像を得る観点や高密度化を指向する観点からすれば、遮蔽電極３８は画素電極３４より深い位置に配置させる方が好適である。
【００４４】
◎実施の形態２
図１４（ａ）は、実施の形態２のマトリクスパネル３０の構成を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面を示している。本実施の形態では実施の形態１（図６参照）と異なり、遮蔽電極３８の面積が狭く、また、走査線Ｌｇを覆うようには構成されていないものとなっている。尚、実施の形態１と同様の構成要素には同様の符号を付し、ここではその詳細な説明は省略する。
【００４５】
同図において、マトリクスパネル３０は、フィルム基材３０１上に各種素子を配置したもので、画素電極３４より深い位置に遮蔽電極３８が設けられているが、この遮蔽電極３８は、隣り合った画素電極３４間に位置する信号線Ｌｓを覆うように、画素電極３４夫々と重なった部分を持つように設けられている。
そのため、フィルム基材３０１上に走査線Ｌｇを所定領域に形成した後、その一部をゲートとしてＴＦＴ３３を形成する。また、隣の走査線Ｌｇを片側の電極として容量素子３５を形成する。尚、図１４（ｂ）には容量素子３５を記載しているが、（ａ）から見るとＴＦＴ３３に隠れる位置になるため、分かり易くこのような表記としている。
そして、隣り合う画素電極３４間を覆うように遮蔽電極３８が形成されると共に、本実施の形態では遮蔽電極３８が互いに接続されて、基準電圧に接続される。
一方、ＴＦＴ３３のソースＳ側は導体を介して信号線Ｌｓに接続され、ドレインＤ側は導体を介して各画素電極３４に接続され、この画素電極３４を介して容量素子３５に接続される。その後、画素電極３４の表面を覆うように保護膜３９が設けられる。
【００４６】
このような構成を採ることで、隣り合った画素電極３４間に位置する信号線Ｌｓ（図中αで示す部位）は遮蔽電極３８によって覆われるようになり、現像時の信号線Ｌｓによる電界作用の影響が抑えられ、良好な画像が得られる。
本実施の形態では、隣り合った画素電極３４間の領域に位置する走査線Ｌｇ（図中βで示す部位）は遮蔽電極３８で覆っていないが、走査線Ｌｇがより深い位置にあるため、電界作用の影響は信号線Ｌｓに比べ小さく、画素電極３４の潜像電圧に及ぼす影響も殆どない。尚、この走査線Ｌｇの部位を遮蔽電極３８で覆うようにしてもよいことは言うまでもない。
【００４７】
◎実施の形態３
図１５（ａ）は、実施の形態３のマトリクスパネル３０の構成を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面を示している。本実施の形態では実施の形態１（図６参照）と異なり、信号線Ｌｓが隣り合った画素電極３４間に沿って設けられ、画素電極３４と重ならないようにした構成のものとなっている。尚、実施の形態１と同様の構成要素には同様の符号を付し、ここではその詳細な説明は省略する。
【００４８】
同図において、マトリクスパネル３０は、フィルム基材３０１上に各種素子を配置したもので、画素電極３４とは別に、隣り合った画素電極３４間に沿って信号線Ｌｓを設け、その一部を覆うように遮蔽電極３８が設けられている。
そのため、フィルム基材３０１上に走査線Ｌｇを所定領域に形成した後、その一部にゲートを設けたＴＦＴ３３を形成する。また、隣の走査線Ｌｇを片側の電極として容量素子３５を形成する。そして、隣り合う画素電極３４間に信号線Ｌｓを設け、この信号線Ｌｓに対応するＴＦＴ３３のソースＳと導体で接続する。更に、隣り合った画素電極３４間での信号線Ｌｓを覆うように、遮蔽電極３８が形成され、本実施の形態では遮蔽電極３８が互いに接続されて、基準電圧に接続される。
一方、ＴＦＴ３３のドレインＤ側は導体を介して各画素電極３４に接続され、この画素電極３４を介して容量素子３５に接続される。その後、画素電極３４の表面を覆うように保護膜３９が設けられる。
【００４９】
ここで、遮蔽電極３８は、隣り合った画素電極３４間を完全に覆うものではなく、信号線Ｌｓを覆い、画素電極３４間の一部を覆うようにしているが、信号線Ｌｓによる電界作用の影響をより軽減するには、信号線Ｌｓの線幅方向に沿った画素電極３４間を完全に覆う方が好ましい。
本実施の形態のように信号線Ｌｓを遮蔽電極３８で覆うことで、現像時の信号線Ｌｓによる電界作用の影響が効果的に抑えられる。
本実施の形態では、隣り合った画素電極３４間の走査線Ｌｇは遮蔽電極３８で覆っていないが、信号線Ｌｓを覆う遮蔽電極３８を設ける際、画素電極３４間を完全に覆うようにすれば、走査線Ｌｇも覆われるようになり、走査線Ｌｇからの電界作用の影響が軽減される。
【００５０】
◎実施の形態４
図１６は実施の形態４に係る画像形成装置の概要を示す説明図である。
同図において、画像形成装置の基本的構成は、実施の形態１と略同様であるが、実施の形態１と異なり、転写装置６３及び清掃装置６２の構成が実施の形態１と異なっている。尚、実施の形態１と同様な構成要素については実施の形態１と同様な符号を付してここではその詳細な説明を省略する。
【００５１】
本実施の形態において、転写装置６３は、像保持体２０の画素電極３４を利用し、像書込制御装置１００に転写電圧制御部１１０を設けると共に、画素電極３４に対して転写電圧制御部１１０にて制御された転写電圧を印加し、像保持体２０に対向して設けられた対向電極１１５との間に転写電界を形成するようにしたものである。
一方、清掃装置６２は、像保持体２０の画素電極３４を利用し、像書込制御装置１００に清掃電圧制御部１２０を設けると共に、画素電極３４に対して清掃電圧制御部１２０にて制御された清掃電圧を印加し、像保持体２０に対向して設けられた対向電極１２５との間に清掃電界を形成するようにしたものである。
【００５２】
本実施の形態の像書込制御装置１００は図１７に示すように、実施の形態１と異なり、潜像電圧制御部１０１に潜像電圧設定部１０７を備える構成を採っている。この潜像電圧設定部１０７は、階調変換部１０３からの信号に基づいて潜像電圧用電源部１０４から所望の潜像電圧を設定するものとなっている。
また、転写電圧制御部１１０は、潜像電圧制御部１０１のメモリ部１０２に記憶された画像データに基づいて画素電極３４毎の転写電圧を設定する転写電圧設定部１１１と、転写電圧設定部１１１に具体的な各種転写電圧を供給する転写電圧用電源部１１２とを備えている。
更に、清掃電圧制御部１２０は、潜像電圧制御部１０１のメモリ部１０２に記憶された画像データに基づいて画素電極３４毎の清掃電圧を設定する清掃電圧設定部１２１と、清掃電圧設定部１２１に具体的な各種清掃電圧を供給する清掃電圧用電源部１２２とを備えている。
更にまた、像書込制御装置１００は、潜像電圧制御部１０１、転写電圧制御部１１０、清掃電圧制御部１２０にて制御された各制御電圧（潜像電圧、転写電圧、清掃電圧）を切替部１３０を介してデータ用ドライバ３１に送出するようになっている。
このように、本実施の形態では、転写装置６３、清掃装置６２が画素電極３４単位で転写電圧や清掃電圧などの制御電圧を制御した状態で、転写電界、清掃電界を形成することから、転写トナー像の量や残留トナーの量を画像信号から予め予測するようにすれば、転写電界、清掃電界を画素電極３４単位に細かく調整することが可能になり、転写性能、清掃性能がより改善される点で好ましい。
尚、本実施の形態では、転写装置６３及び清掃装置６２のいずれについても、画素電極３４を利用した態様にしているが、これに限られるものではなく、いずれか一方を採用するようにしてもよい。また、潜像電圧設定部１０７、転写電圧設定部１１１、清掃電圧設定部１２１、切替部１３０をデータ用ドライバ３１に組み込むようにしてもよく、マトリクスパネル３０の構成に合わせて適宜選択するようにすればよい。
【００５３】
◎実施の形態５
図１８は、実施の形態５の画像形成装置の概要を示すもので、実施の形態１の画像形成装置（図３参照）と異なり、一つの像保持体２０の周囲に複数（本例では四つ）の現像装置４００（４００ａ〜４００ｄ）を設けたものとなっている。
【００５４】
本実施の形態の像保持体２０は、実施の形態１と略同様に構成され、マトリクス状に構成された画素電極（図示せず）が設けられている。この像保持体２０の周囲には、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色に対応した現像装置４００（４００ａ〜４００ｄ）が配置され、像保持体２０に形成された潜像を各現像装置４００で夫々現像して多重化されたトナー像が形成される。また、像保持体２０の周囲には、現像装置４００ｄと現像装置４００ａとの間に像保持体２０上に形成されたトナー像を記録材上に転写する転写装置４２０が設けられ、更に、この転写装置４２０と現像装置４００ａとの間には清掃装置２００が設けられている。
【００５５】
本実施の形態における現像装置４００としては、実施の形態１のように導電性トナーを使用するタイプの現像装置４０（例えば図９参照）を用いるようにしてもよいし、通常の摩擦帯電型トナーを使用するタイプの現像装置を用いるようにしてもよい。
【００５６】
このような構成の画像形成装置における潜像書込工程や現像工程について説明する。
今、図１８に示すように、各現像装置４００の現像領域に対し、夫々Ｐａ〜Ｐｄで示す位置を各現像装置４００ａ〜４００ｄに対応する潜像書込位置とすると、先ず、所定の走査ラインが潜像書込位置Ｐａに達したタイミングで、像保持体２０のこの走査ラインに相当する走査線に対してＯＮ電圧を加え、ＴＦＴをＯＮする。また、このタイミングに合わせて、現像装置４００ａに対応する例えばイエローの画像信号に応じた潜像電圧を夫々のデータラインである信号線に供給することで、一つの走査ライン上の画素電極に対しイエローの画像信号に応じた潜像が形成される。
次に、潜像書込位置Ｐｂにある走査ラインに対して、同様の操作を行い、例えばマゼンタの画像信号に応じた潜像が形成される。更に、潜像書込位置Ｐｃ及び潜像書込位置Ｐｄを順次同様に操作することで、例えばシアンやブラックの走査ラインでの潜像が形成される。そして、このような操作を順次繰り返した後、もう一度潜像書込位置Ｐａに戻り、同様の操作を繰り返す。
【００５７】
一方、現像装置４００では、現像領域にて夫々の潜像書込位置Ｐａ〜Ｐｄで書き込まれた潜像に対して各色のトナーによる現像がなされる。尚、一枚目の潜像は、例えば潜像書込位置Ｐａで書き込まれた走査ラインが潜像書込位置Ｐｂに達するまでは、Ｐｂ位置に対応する走査ラインの各画素に対して、非画像部（背景部）となる潜像電圧を各信号線に加えるようにすればよい。また、このことを、潜像書込位置ＰｃやＰｄにて同様に行うことで、最後の現像装置４００ｄを通過した像保持体２０上には多重化されたトナー像が形成される。つまり、時分割駆動により夫々の現像装置４００ａ〜４００ｄに対応する潜像を夫々の潜像書込位置Ｐａ〜Ｐｄにて順次書き込むことで、像保持体２０上に各色トナー像が順次多重化されるようになる。
そして、この多重化されたトナー像が転写装置４２０にて記録材上に転写される。
【００５８】
このような方式においても、現像時の信号線による影響は現れることから、これを抑えるには遮蔽電極を設けるようにすればよい。
また、このように像保持体２０上で形成した各色トナー像をそのまま像保持体２０上で多重化する方式は、複数の像保持体２０上で各色トナー像を形成し、夫々の像保持体２０から転写されたトナー像を多重化する方式のものに比べ、構成部品自体が少なくなり、結果的に装置の小型化や低コスト化にとっても有利なものとなる。
【実施例】
【００５９】
本実施例は、画素電極部材を想定し、遮蔽電極を備えない場合の信号線による電界作用の影響をシミュレーションして算出したものである。
算出条件としては、図１９（ａ）に示すように、１６μｍ角の画素電極を５μｍの間隙を持って並べ、信号線は画素電極の中央を通るように設定した。また、（ｂ）の断面図に示すように、画素電極及び信号線の厚さは０．１μｍとし、画素電極の下面から信号線の表面までの距離（信号線の埋没深さに相当する）Ｚを因子とし、ここでは、１〜１０μｍの範囲で四つの水準（１、３、５、１０μｍ）で算出した。更に、算出に際し、次のような条件を付加した。現像電極電位＝０Ｖ、現像電極から画素電極までの距離＝１００μｍ、この部分の誘電率ε＝１、画素電極より下部の絶縁体及び基材の誘電率ε＝５、信号線の線幅＝２μｍとした。
【００６０】
以上の条件により、画素電極間の信号線の電界作用について算出した。
電界作用は、信号線に１００Ｖを印加したときに、図１９（ａ）のＸ−Ｘ’間の画素電極表面と同一面の表面電位分布を算出することで行い、図２０に示す結果が得られた。
信号線の埋没深さが１μｍでは、信号線の線幅を大きく超える範囲まで、信号線の影響が確認され、埋没深さを更に深くすればその影響が軽減されることが確認された。
また、埋没深さを３μｍとすると、１μｍに比べ信号線からの影響が大幅に低減されることが確認され、埋没深さを５μｍ、１０μｍとすると徐々に低減することが確認された。
そして、信号線の端から５μｍ程度離れると、埋没深さに拘わらずほぼ一定の電位が得られることが確認された。
以上のことから、信号線の埋没深さは深くすればするほど影響が低減されるが、このことは、信号線の線幅の端部から５μｍ程度で顕著に現れるものであり、これを超えると影響は殆ど現れないことが理解された。そのため、遮蔽電極を設ける場合、信号線に対し信号線の線幅より両側で約１０μｍ広く覆うようにすればよいことが理解された。また、このことにより、走査線に対しても同様の遮蔽電極を設ける方が好ましいことも理解された。
【００６１】
通常、画素電極部材を作製する場合、信号線等の層構成を立体化して、信号線を画素電極の直下に埋め込むようにすれば、その部位での信号線からの影響は少なくなるが、信号線が画素電極間で露出した部分（信号線の上に画素電極がない部分）を中心に影響が残り、かぶりやスジ（筋）、点状汚れなどの画像欠陥が発生する。信号線をより深く埋没させるようにすれば影響が軽減されるが、このような画素電極部材を作製するには、その生産効率が悪くなる。したがって、遮蔽電極を設けることの利点が理解される。
その後、発明者らは、信号線より１μｍ未満の上面に遮蔽電極を設けた構成の画素電極部材にて、信号線からの電界作用を確認したが、信号線からの影響は確認されなかった。
【符号の説明】
【００６２】
１…像保持体，２…支持体，３…画素電極，４…電荷蓄積部材，５…切替部材，６…走査線，７…信号線，８…遮蔽部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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