(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、前記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有し、前記ワイヤボンディング領域が前記ダイボンディング領域の最表面よりも低い位置に配置されている基板と、
前記基板の表面に形成されたソルダーレジスト層と、
前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間において前記ソルダーレジスト層に形成された溝と
を備え、
前記溝が、前記ソルダーレジスト層の前記基板とは反対側の表面から当該ソルダーレジスト層を貫通しないように形成された溝であり、
前記ソルダーレジスト層が、前記ワイヤボンディング領域を露出させる開口を有しており、前記開口内の全域が前記ワイヤボンディング領域である、半導体装置。
【請求項２】
前記溝には前記接着材層が流れ込んでいない、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ソルダーレジスト層には、前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間に、４つの前記溝が形成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記４つの溝は、それぞれ前記ダイボンディング領域の辺に沿って形成されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝が、前記ダイボンディング領域の辺に沿って形成された溝である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記溝は、１つより多い、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記溝は、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝である請求項１、２、５、６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記溝と前記ダイボンディング領域との最短距離が、１００μｍ以上である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップの下面に、該下面の周縁に沿って、切欠部が形成されている請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記切欠部は、前記半導体チップの下面と平行な平面と、前記半導体チップの側面と平行な平面とを有している、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップの上面には、該上面の周縁に沿って、切欠部が形成されている請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記切欠部は、前記半導体チップの上面と平行な平面と、前記半導体チップの側面と平行な平面とを有している、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記基板は、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、およびフェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、ならびにセラミックのうちのいずれかを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記基板は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記基板の両面に、導体層が形成されている、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記導体層はＣｕ層である、請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記導体層は、前記基板の表面の外周部分に形成された導体層と、前記基板の裏面の外周部分に形成された導体層とを含む、請求項１５または１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記基板の表面の外周部分に形成された導体層と、前記基板の裏面の外周部分に形成された導体層とが、ビアホールによって接続されている、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記基板の両面に形成された夫々の導体層がビアホールによって接続されている、請求項１５または１６に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記ビアホールは、前記基板に穿設された貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され、該貫通孔に充填材が充填されたものである、請求項１８または１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記充填材は、絶縁性充填材、または金属充填材等の導電性充填材である、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記ソルダーレジスト層が、前記基板の外周部分に形成された前記導体層の一部を露出させて、残りの前記導体層及び前記基板を覆うように形成されている、請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記露出した導体層の表面に、ワイヤボンディングパッドが形成されている、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記ソルダーレジスト層が、前記導体層の一部を露出させて、残りの前記導体層及び前記基板を覆うように形成されていて、前記ソルダーレジスト層から露出した前記導体層の表面にワイヤボンディングパッドが形成されている、請求項１５または１６に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記ワイヤボンディングパッドはＮｉ層やＡｕ層からなる、請求項２３または２４に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記半導体チップの上面に設けられた電極と前記ワイヤボンディングパッドとがワイヤによって電気的に接続されている。請求項２３〜２５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記ワイヤボンディングパッドは、前記半導体装置の外周に沿って複数設けられており、前記ソルダーレジスト層から露出している、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記ソルダーレジスト層は、前記導体層の一部のみを露出させるように形成されている、請求項２２〜２７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２９】
前記ソルダーレジスト層に、前記接着材層を介して前記半導体チップがダイボンディングされている、請求項２２〜２８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記半導体チップは、前記ソルダーレジスト層の中央部分に、前記接着材層を介してダイボンディングされている、請求項２９に記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記基板の裏面には、前記導体層の一部を露出させて残りの前記導体層及び前記基板を覆うように第２のソルダーレジスト層が形成されており、前記第２のソルダーレジスト層から露出した前記導体層の表面にはランドが形成されている、請求項１５〜３０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項３２】
前記ランド上には、半田バンプが形成されている、請求項３１に記載の半導体装置。
【請求項３３】
前記基板の表面において、前記半導体チップの真下に位置する領域が、前記ダイボンディング領域である、請求項１〜３２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項３４】
前記接着材層の厚さが、３０〜５０μｍである、請求項１〜３３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項３５】
前記接着材層は、樹脂組成物によって形成されている、請求項１〜３４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項３６】
前記基板の表面全体と前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ部が形成されている、請求項１〜３５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項３７】
前記樹脂パッケージ部は、エポキシ樹脂を含有している、請求項３６に記載の半導体装置。
【請求項３８】
前記基板は、複数の板状体が積層されたものである、請求項１〜３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、プリント配線板等に半導体装置を実装する技術として、プリント配線板等に半導体装置を直接半田付けする表面実装技術が広く用いられていて、半導体装置やプリント配線板等の小型化、実装密度の向上等が図られている。
【０００３】
表面実装技術に用いられる半導体装置としては、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＢＧＡ（Ball Grid array）、ＬＧＡ（Land grid array）等の半導体装置が採用されているが、なかでも、ＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置によれば、半導体装置の表面に多数の外部端子（ランドや半田バンプ等）を配置することができるため、半導体装置やプリント配線板等のさらなる小型化、実装密度の向上等が可能になる。
【０００４】
図７は、従来のＢＧＡ型半導体装置の一例を模式的に示す縦断面図である。
半導体装置８０が備える基板９１の両面には、所定のパターンを有する導体層９３が形成されていて、両面に形成された導体層９３の一部が、基板９１に形成されたビアホール９６によって接続されている。基板９１の表面（上面）には、導体層９３の一部を露出させて残りの導体層９３及び基板９１を覆うように、ソルダーレジスト層９５が形成されていて、その露出した導体層９３の表面には、複数のワイヤボンディングパッド９４が形成されている。
【０００５】
また、基板９１の裏面（下面）には、導体層９３の一部を露出させて残りの導体層９３及び基板９１を覆うように、ソルダーレジスト層９９が形成されていて、その露出した導体層９３の表面には、複数のランド９７が形成されている。各ランド９７上には、半田バンプ９８が形成されている。半導体チップ８１は、ソルダーレジスト層９５の略中央部分に、接着材層８８を介してダイボンディングされている。半導体チップ８１の上面に設けられた電極８６と、ワイヤボンディングパッド９４とがワイヤ８７によって電気的に接続されている。さらに、半導体装置８０には、基板９１の表面（上面）全体を覆うように半導体チップ８１を封止する樹脂パッケージ部８９が形成されている。
【０００６】
近年、上述したようなＢＧＡ型半導体装置等においても、例えば、ワイヤボンディングパッド９４を半導体チップ８１側へ近付けて半導体装置８０を小型化するというように、半導体装置の小型化や薄型化が行われている。しかし、ワイヤボンディングパッド９４を半導体チップ８１側へ近付けると、接着材を用いて半導体チップ８１をダイボンディングする際に、未硬化の接着材がワイヤボンディングパッド９４に流れ込んでしまい、その結果、ワイヤボンディングパッド９４へワイヤ８７をワイヤボンディングすることができなくなったり、ワイヤボンディングパッド９４とワイヤ８７との接続の信頼性が低下したりするという問題があった。
【０００７】
従来の半導体装置としては、例えば、ワイヤボンディングパッドより内側（半導体チップ側）に、溝又は凸部が形成された半導体装置が存在する（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の半導体装置によれば、溝又は凸部によって、ワイヤボンディングパッドへ向かう接着材の流れが遮断されるため、ワイヤボンディングパッドへワイヤをワイヤボンディングすることができなくなることがなく、ワイヤボンディングパッドとワイヤとの接続の信頼性が低下することもない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−７２５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置のように、単に、ワイヤボンディングパッドより内側の基板上に溝が形成されているだけでは、上記溝に多量の接着材が流れ込んでしまうおそれがあった。多量の接着材が溝に流れ込んでしまうと、半導体チップと基板との間の接着材が不足してしまい、半導体チップの接合強度が低下したり、半導体チップと基板との間にボイドが生じたりする場合がある。また、溝に流れ込む接着材の量が増加すると、余分な接着剤が必要となるため、製造コストが増大するという問題もある。
【００１０】
一方、特許文献１に記載の半導体装置のように、ワイヤボンディングパッドより内側の基板上に凸部が形成されていると、上記凸部より内側に接着材が嵩高く溜まってしまうおそれがあった。上記凸部より内側に接着材が溜まってしまうと、半導体チップと基板との間の接着材量が過剰になり、接着材が半導体チップの上面まで這い上がって半導体チップの上面に設けられた電極を覆ってしまい、電極へワイヤをワイヤボンディングすることができなくなったり、電極とワイヤとの接続の信頼性が低下したりするという問題があった。
【００１１】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型化が可能であり、しかも半導体チップの接合強度が高く、半導体チップと基板との間にボイドが生じることがない半導体装置を提供することにある。また、本発明は、接着材が半導体チップの上面まで這い上がることがなく、電極とワイヤとの接続の信頼性が高い半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決するために、本発明は、以下のようなものを提供する。
（１） 上面に電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、前記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有し、前記ワイヤボンディング領域が前記ダイボンディング領域の最表面よりも低い位置に配置されている基板と、
前記基板の表面に形成されたソルダーレジスト層と、
前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間において前記ソルダーレジスト層に形成された溝と
を備え、
前記溝が、前記ソルダーレジスト層の前記基板とは反対側の表面から当該ソルダーレジスト層を貫通しないように形成された溝であり、
前記ソルダーレジスト層が、前記ワイヤボンディング領域を露出させる開口を有しており、前記開口内の全域が前記ワイヤボンディング領域である、半導体装置。
【００１５】
（２）前記溝には前記接着材層が流れ込んでいない、（１）に記載の半導体装置。
（３）前記ソルダーレジスト層には、前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間に、４つの前記溝が形成されている、（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）前記４つの溝は、それぞれ前記ダイボンディング領域の辺に沿って形成されている、（３）に記載の半導体装置。
（５）前記溝が、前記ダイボンディング領域の辺に沿って形成された溝である、（１）または（２）に記載の半導体装置。
（６）前記溝は、１つより多い、（５）に記載の半導体装置。
（７）前記溝は、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝である（１）、（２）、（５）、（６）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【００１６】
（７）の発明によれば、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に、該ダイボンディング領域を包囲する連続した溝が形成されているため、ワイヤボンディング領域へ接着材が流れ込むことを、より確実に防止することができる。
【００１７】
（８）前記溝と前記ダイボンディング領域との最短距離が、１００μｍ以上である、（１）〜（７）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（９）前記半導体チップの下面に、該下面の周縁に沿って、前記切欠部が形成されている（１）〜（８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【００１８】
（９）の発明によれば、半導体チップの下面の周縁に沿って、切欠部が形成されているため、切欠部によって、半導体チップの側面に沿った接着材の這い上がりをより確実に防止することができる。
【００１９】
（１０）前記切欠部は、前記半導体チップの下面と平行な平面と、前記半導体チップの側面と平行な平面とを有している、（９）に記載の半導体装置。
（１１）前記半導体チップの上面には、該上面の周縁に沿って、前記切欠部が形成されている（１）〜（８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【００２０】
（１１）の発明によれば、半導体チップの上面の周縁に沿って、切欠部が形成されているため、半導体チップの側面に沿って這い上がった未硬化の接着材は一旦、切欠部に入り込むことになり、さらに接着材が半導体チップの上面に至るには、切欠部を這い上がらなければならない。このように、半導体チップの側面及び切欠部の両方を這い上がらなければ、接着材が半導体チップの上面に至らないようにすることにより、接着材が半導体チップの上面まで這い上がることをより確実に防止することができる。
【００２１】
（１２）前記切欠部は、前記半導体チップの上面と平行な平面と、前記半導体チップの側面と平行な平面とを有している、（１１）に記載の半導体装置。
（１３）前記基板は、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、およびフェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、ならびにセラミックのうちのいずれかを含む、（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（１４）前記基板は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなる、（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（１５）前記基板の両面に、導体層が形成されている、（１）〜（１４）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（１６）前記導体層はＣｕ層である、（１５）記載の半導体装置。
（１７）前記導体層は、前記基板の表面の外周部分に形成された導体層と、前記基板の裏面の外周部分に形成された導体層とを含む、（１５）または（１６）に記載の半導体装置。
（１８）前記基板の表面の外周部分に形成された導体層と、前記基板の裏面の外周部分に形成された導体層とが、ビアホールによって接続されている、（１７）に記載の半導体装置。
（１９）前記基板の両面に形成された夫々の導体層がビアホールによって接続されている、（１５）または（１６）に記載の半導体装置。
（２０）前記ビアホールは、前記基板に穿設された貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され、該貫通孔に充填材が充填されたものである、（１８）または（１９）に記載の半導体装置。
（２１）前記充填材は、絶縁性充填材、または金属充填材等の導電性充填材である、（２０）に記載の半導体装置。
（２２）前記ソルダーレジスト層が、前記基板の外周部分に形成された前記導体層の一部を露出させて、残りの前記導体層及び前記基板を覆うように形成されている、（１７）〜（２１）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２３）前記露出した導体層の表面に、ワイヤボンディングパッドが形成されている、（２２）に記載の半導体装置。
（２４）前記ソルダーレジスト層が、前記導体層の一部を露出させて、残りの前記導体層及び前記基板を覆うように形成されていて、前記ソルダーレジスト層から露出した前記導体層の表面にワイヤボンディングパッドが形成されている、（１５）または（１６）に記載の半導体装置。
（２５）前記ワイヤボンディングパッドはＮｉ層やＡｕ層からなる、（２３）または（２４）に記載の半導体装置。
（２６）前記半導体チップの上面に設けられた電極と前記ワイヤボンディングパッドとがワイヤによって電気的に接続されている。（２３）〜（２５）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２７）前記ワイヤボンディングパッドは、前記半導体装置の外周に沿って複数設けられており、前記ソルダーレジスト層から露出している、（２３）〜（２６）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２８）前記ソルダーレジスト層は、前記導体層の一部のみを露出させるように形成されている、（２２）〜（２７）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２９）前記ソルダーレジスト層に、前記接着材層を介して前記半導体チップがダイボンディングされている、（２２）〜（２８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３０）前記半導体チップは、前記ソルダーレジスト層の中央部分に、前記接着材層を介してダイボンディングされている、（２９）に記載の半導体装置。
（３１）前記基板の裏面には、前記導体層の一部を露出させて残りの前記導体層及び前記基板を覆うように第２のソルダーレジスト層が形成されており、前記第２のソルダーレジスト層から露出した前記導体層の表面にはランドが形成されている、（１５）〜（３０）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３２）前記ランド上には、半田バンプが形成されている、（３１）に記載の半導体装置。
（３３）前記基板の表面において、前記半導体チップの真下に位置する領域が、前記ダイボンディング領域である、（１）〜（３２）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３４）前記接着材層の厚さが、３０〜５０μｍである、（１）〜（３３）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【００２２】
（３４）の発明によれば、接着材層の厚さが、３０〜５０μｍであり、適当な量の接着材が用いられているので、半導体チップと基板との接合強度が高く、半導体チップと基板との間にボイドが生じたりすることがない。また、適当な量の接着材が用いられているので、半導体チップのダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップの上面まで這い上がることを防止することができ、接着材が半導体チップの上面に設けられた電極を覆ってしまうことがなく、電極へワイヤをワイヤボンディングすることができなくなったり、電極とワイヤとの接続の信頼性が低下したりすることもない。
【００２３】
接着材層の厚さが３０μｍ未満である場合、半導体チップの接合強度が低下したり、半導体チップと基板との間にボイドが生じたりするおそれがある。一方、接着材層の厚さが５０μｍを超えた場合、半導体チップのダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップの上面まで這い上がって、半導体チップの上面に設けられた電極を覆ってしまい、電極へワイヤをワイヤボンディングすることができなくなったり、電極とワイヤとの接続の信頼性が低下したりするおそれがある。
【００２４】
（３５）前記接着材層は、樹脂組成物によって形成されている、（１）〜（３４）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３６）前記基板の表面全体と前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ部が形成されている、（１）〜（３５）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３７）前記樹脂パッケージ部は、エポキシ樹脂を含有している、（３６）に記載の半導体装置。
（３８）前記基板は、複数の板状体が積層されたものである、（１）〜（３７）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、半導体装置の小型化が可能であり、しかも半導体チップの接合強度が高く、半導体チップと基板との間にボイドが生じることがない半導体装置を提供することができる。また、本発明によれば、接着材が半導体チップの上面まで這い上がることがなく、電極とワイヤとの接続の信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す縦断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の平面透視図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の他の一例を模式的に示す縦断面図である。
【図４】図３に示した半導体装置の平面透視図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図７】従来のＢＧＡ型半導体装置の一例を模式的に示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１は、本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
半導体装置１０が備える基板２１は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなるものである。なお、本発明において、基板としては、特に限定されるものではなく、例えば、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、セラミック等からなる基板を挙げることができる。
【００２８】
基板２１の両面には、所定のパターンを有する導体層（例えばＣｕ層）２３が形成されている。具体的に、導体層２３は、基板２１の表面（上面）の外周部分と、基板２１の裏面（下面）の外周部分とに形成されている。
基板２１の表面の外周部分に形成された導体層２３と、基板２１の裏面の外周部分に形成された導体層２３とは、ビアホール２６によって接続されている。ビアホール２６は、基板２１に穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものである。上記充填材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂充填材等の絶縁性充填材であってもよく、金属充填材等の導電性充填材であってもよい。
【００２９】
基板２１の表面には、基板２１の外周部分に形成された導体層２３の一部を露出させて、残りの導体層２３及び基板２１を覆うように、ソルダーレジスト層２５が形成されていて、その露出した導体層２３の表面には、Ｎｉ層やＡｕ層からなる複数のワイヤボンディングパッド２４が形成されている。基板２１の表面において、ワイヤボンディングパッド２４が形成されている領域が、ワイヤボンディング領域である。
また、基板２１の裏面には、導体層２３の一部を露出させて残りの導体層２３及び基板２１を覆うように、ソルダーレジスト層２９が形成されていて、その露出した導体層２３の表面には、Ｎｉ層やＡｕ層からなる複数のランド２７が形成されている。
各ランド２７上には、半田バンプ２８が形成されている。本実施形態では、予めランド２７上に半田バンプ２８が形成されている場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、例えば、実装時に半田ボールや半田ペースト等を用いて直接、プリント基板に実装することとしてもよい。
【００３０】
基板２１の上面に設けられたソルダーレジスト層２５には、接着材層１８を介して半導体チップ１１がダイボンディングされている。半導体チップ１１としては、種々のものを用いることが可能であり、その具体的な機能や内部の回路構成は、特に限定されるものではない。また、半導体チップ１１の下面１１ａには、下面１１ａの周縁に沿って、切欠部１２が形成されている。切欠部１２は、半導体チップ１１の下面１１ａと平行な平面１２ａと、半導体チップ１１の側面１１ｂと平行な平面１２ｂとを有している。
【００３１】
基板２１の表面において、半導体チップ１１の真下に位置し、接着材層１８が実際に接している領域が、ダイボンディング領域である。また、図中、Ｌは、ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との最短距離を示している。ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との最短距離Ｌは、１００〜４００μｍである。
【００３２】
また、ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との間には、溝２２が形成されている。本発明においては、半導体装置１０のように、基板２１の表面にソルダーレジスト層２５が形成されている場合には、ソルダーレジスト層２５に溝２２が形成されていてもよい。この場合において、ソルダーレジスト層２５に形成された溝２２は、本発明における溝に相当する。
【００３３】
接着材層１８は、エポキシ樹脂等の樹脂組成物によって形成されたものである。
図中、Ｔは、接着材層１８の厚さを示している。接着材層１８の厚さＴは、３０〜５０μｍである。なお、本発明において、接着材層１８の厚さＴは、図１に示すように、半導体チップ１１の下面１１ａまでの厚さであり、接着材層１８の厚さＴには、切欠部１２に入り込んだ接着材層１８の厚さは含まれない。
【００３４】
半導体チップ１１の上面１１ｃには、複数の電極１６が設けられていて、各電極１６とボンディングパッド２４とがワイヤ１７によって電気的に接続されている。
半導体装置１０には、基板２１の表面（上面）全体を覆うように半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ部１９が形成されている。樹脂パッケージ部１９は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。
【００３５】
図２は、図１に示した半導体装置の平面透視図である。
図２においては、説明の便宜上、半導体チップ１１の上面１１ｃに形成された電極１６、ワイヤ１７及び樹脂パッケージ部１９を、図示していない。
【００３６】
ワイヤボンディングパッド２４は、半導体装置１０の外周に沿って複数設けられていて、ソルダーレジスト層２５から露出している。半導体チップ１１は、ソルダーレジスト層２５の中央部分に、接着材層１８を介してダイボンディングされている。
図中、ワイヤボンディングパッド２４が設けられた領域は、ワイヤボンディング領域である。また、半導体チップ１１がダイボンディングされた領域は、ダイボンディング領域である。ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離Ｌは、上述したように、１００〜４００μｍである。
【００３７】
また、ソルダーレジスト層２５には、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に、溝２２が形成されている。溝２２は、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝である。
【００３８】
半導体装置１０によれば、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離Ｌが、１００〜４００μｍに設定されているため、半導体装置１０の小型化が可能であり、しかも半導体チップ１１をダイボンディングするときに、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に形成された溝２２に過剰な量の未硬化の接着材が流れ込むことがない。従って、適正な量の接着材によって半導体チップ１１をダイボンディングすることができ、半導体チップ１１の接合強度を高めることができ、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との間にボイドが生じることがない。
【００３９】
ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離が１００μｍ未満である場合、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域とが近過ぎるため、ワイヤボンディング領域まで接着材が流れ込むおそれがある。一方、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離が４００μｍを超えると、半導体装置の小型化を図ることが困難である。
【００４０】
また、溝の平面視形状としては、特に限定されるものではないが、図２に示したように、上記溝は、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝であることが望ましい。ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に、該ダイボンディング領域を包囲する連続した溝が形成されているため、ワイヤボンディング領域へ接着材が流れ込むことをより確実に防止することができるからである。
【００４１】
溝が形成される位置は、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間であれば、特に限定されるものではないが、溝とダイボンディング領域との最短距離が、１００μｍ以上であることが望ましい。溝とダイボンディング領域との最短距離を１００μｍ以上確保することによって、未硬化の接着材が過剰に溝に流れ込んで、接着材層が薄くなったり、ボイドが発生したりすることを防止することができるからである。
【００４２】
また、半導体装置１０によれば、接着材層１８の厚さが３０〜５０μｍであり、適当な量の接着材が用いられているので、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との接合強度を高めることができ、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との間にボイドが生じることがない。さらに、半導体チップ１１のダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップ１１の上面１１ｃまで這い上がることを防止し得るので、接着材が半導体チップ１１の上面１１ｃに設けられた電極１６を覆ってしまうことがなく、電極１６へワイヤ１７をワイヤボンディングすることができなくなったり、電極１６とワイヤ１７との接続の信頼性が低下したりすることもない。
【００４３】
接着材層１８の厚さＴが３０μｍ未満である場合、半導体チップ１１の接合強度が低下したり、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との間にボイドが生じたりするおそれがある。一方、接着材層１８の厚さＴが５０μｍを超えた場合、半導体チップ１１のダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップ１１の上面まで這い上がって、半導体チップ１１の上面に設けられた電極１６を覆ってしまい、電極１６へワイヤ１７をワイヤボンディングすることができなくなったり、電極１６とワイヤ１７との接続の信頼性が低下したりするおそれがある。
【００４４】
本発明においては、半導体装置１０のように、半導体チップ１１の下面１１ａに、下面１１ａの周縁に沿って、切欠部１２が形成されていることが望ましい。切欠部１２によって、半導体チップ１１の側面１１ｂに沿った接着材の這い上がりをより確実に防止することができるからである。また、本発明においては、半導体装置１０のように、切欠部１２は、少なくとも、半導体チップ１１の下面１１ａと平行な平面１２ａを有していることが望ましい。半導体チップ１１の側面１１ｂに沿った接着材の這い上がりをさらに確実に防止することができるからである。
【００４５】
図３は、本発明に係る半導体装置の他の一例を模式的に示す縦断面図である。
半導体装置３０が備える基板４１の両面には、所定のパターンを有する導体層４３が形成されていて、夫々の導体層４３は、ビアホール４６によって接続されている。
基板４１の表面には、基板４１の外周部分に形成された導体層４３の一部を露出させて、残りの導体層４３及び基板４１を覆うように、ソルダーレジスト層４５が形成されていて、その露出した導体層４３の表面には、複数のワイヤボンディングパッド４４が形成されている。基板４３の表面において、ワイヤボンディングパッド４４が形成されている領域が、ワイヤボンディング領域である。
また、基板４１の裏面には、導体層４３の一部を露出させて残りの導体層４３及び基板４１を覆うように、ソルダーレジスト層４９が形成されていて、その露出した導体層４３の表面には、複数のランド４７が形成されている。各ランド４７上には、半田バンプ４８が形成されている。
【００４６】
基板４１の上面に設けられたソルダーレジスト層４５には、接着材層３８を介して半導体チップ３１がダイボンディングされている。接着材層３８の厚さは、図１に示した半導体装置１０と同様に、３０〜５０μｍである。
また、半導体チップ３１の上面３１ｃには、上面３１ｃの周縁に沿って、切欠部３２が形成されている。切欠部３２は、半導体チップ３１の上面３１ｃと平行な平面３２ｃと、半導体チップ３１ｂの側面３１ｂと平行な平面３２ｂとを有している。
【００４７】
基板４１の表面において、半導体チップ３１の真下に位置する領域が、ダイボンディング領域である。ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との最短距離は、図１に示した半導体装置１０と同様に、１００〜４００μｍである。
【００４８】
また、ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との間には、溝４２が形成されている。溝４２は、本発明における溝に相当するものである。
半導体チップ３１の上面３１ｃには、複数の電極３６が設けられていて、各電極３６とボンディングパッド４４とがワイヤ３７によって電気的に接続されている。
半導体装置３０には、基板４１の表面（上面）全体を覆うように半導体チップ３１を封止する樹脂パッケージ部３９が形成されている。
【００４９】
図４は、図１に示した半導体装置の平面透視図である。
図４においては、説明の便宜上、半導体チップ３１の上面３１ｃに形成された電極３６、ワイヤ３７及び樹脂パッケージ部３９を、図示していない。
【００５０】
ワイヤボンディングパッド４４は、半導体装置３０の外周に沿って複数設けられていて、ソルダーレジスト層４５から露出している。半導体チップ３１は、ソルダーレジスト層４５の中央部分に、接着材層３８を介してダイボンディングされている。図中、３２は、切欠部を示している。また、図中、ワイヤボンディングパッド４４が設けられた領域は、ワイヤボンディング領域であり、半導体チップ３１がダイボンディングされた領域は、ダイボンディング領域である。ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離は、上述したように、１００〜４００μｍである。
【００５１】
また、ソルダーレジスト層４５には、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に、４つの溝４２が形成されている。４つの溝４２は、それぞれダイボンディング領域の辺に沿って形成されている。
【００５２】
本発明においては、半導体装置３０のように、半導体チップ３１の上面３１ｃに、上面３１ｃの周縁に沿って、切欠部３２が形成されていることも望ましい。
半導体チップ３１の側面３１ｂ及び切欠部３２の両方を這い上がらなければ、接着材が半導体チップ３１の上面３１ｃに至らないため、接着材が半導体チップ３１の上面３１ｃまで這い上がることをより確実に防止することができるからである。
【００５３】
また、本発明において、上記溝は、必ずしも、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝である必要はなく、図４に示した半導体装置３０における溝４２のように、ダイボンディング領域の辺に沿って形成された溝であってもよい。また、ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との間に形成される溝は、必ずしも、１つである必要はなく、例えば、ダイボンディング領域の辺に沿った複数の溝が、該辺に沿って平行に並ぶように形成されていてもよい。
【００５４】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
ここでは、図１及び図２に示した半導体装置の製造方法について説明することとする。また、先ず半導体装置の製造に用いられる基板（以下、半導体装置製造用基板という）の製造方法について説明し、その後、半導体装置製造用基板を用いた半導体装置の製造方法について説明することとする。
図５（ａ）〜（ｅ）、及び、図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。
【００５５】
（Ａ）基板２１を出発材料とし、まず、基板２１の両面に、導体層２３を形成する。導体層２３は、基板２１の両面に無電解メッキを施し、さらに電解メッキを施してベタの金属層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。
【００５６】
（Ｂ）次に、基板２１に、ドリルやレーザ等により貫通孔を穿設する。続いて、無電解メッキを施し、さらに電解メッキを施すことにより、上記貫通孔の壁面に金属薄膜を形成し、該貫通孔に充填材を充填することにより、ビアホール２６を形成する。上記充填材としては、例えば、樹脂充填材や金属充填材等を挙げることができる。また、ビアホール２６には、蓋メッキを施してもよい。
【００５７】
（Ｃ）次に、基板２１の表面に、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、硬化処理を施すことにより、ソルダーレジスト層２５を形成する。基板２１の裏面にも、同様にしてソルダーレジスト層２９を形成する。
後述するように、ソルダーレジスト層２５の中央部分には、半導体チップ１１がダイボンディングされる。基板２１の表面において、半導体チップ１１の真下に位置する領域が、ダイボンディング領域である。
【００５８】
続いて、ソルダーレジスト層２５の所定箇所にレーザ処理や露光現像処理により開口を形成し、露出した箇所にＮｉメッキやＡｕメッキを行うことにより、ボンディングパッド２４を形成する。また、ソルダーレジスト層２９に対しても同様の処理を行い、ランド２７を形成する。基板２１の表面において、ボンディングパッド２４が形成された領域が、ワイヤボンディング領域である。上記（Ｃ）の工程においては、ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との最短距離を、１００〜４００μｍに設定する。
【００５９】
（Ｄ）次に、エッチングやレーザ等により、ソルダーレジスト層２５におけるダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との間に溝２２を形成する。溝２２の平面視形状は、図２に示すように、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝である。このような形状の溝を形成することにより、ワイヤボンディングへ接着材が流れ込むことをより確実に防止することができる。
上記（Ａ）〜（Ｄ）の工程を経ることにより、半導体装置製造用基板２０を製造することができる（図５（ａ）参照）。
【００６０】
（Ｅ）半導体ウエハから半導体チップを切り出すダイシング工程として、まず、半導体ウエハを粘着テープに貼着し、粘着テープを貼着した半導体ウエハをテーブル上に載置する。そして、上記テーブルに設けられた複数の小孔から吸引することにより、半導体ウエハをテーブルに吸着させ、その状態で、高速回転させたダイシング・ブレードにより、半導体ウエハのダイシングを行い、半導体チップを得る。
このとき、厚さの異なる２種類のダイシング・ブレードを用いることにより、半導体ウエハのダイシングを行うと同時に、切欠部を形成することができる。
具体的には、相対的に厚い一のダイシング・ブレードによって、所定の厚さまで半導体ウエハのダイシングを行って、半導体ウエハに格子状の溝を形成し、その後、その溝に沿って、相対的に薄い他のダイシング・ブレードによってダイシングを行うことにより、半導体チップの下面又は上面の周縁に沿って切欠部を形成することができる。
【００６１】
（Ｆ）次に、半導体装置製造用基板２０のソルダーレジスト層２５の中央部分（ワイヤボンディング領域）に、エポキシ樹脂等からなる接着材を塗布し、未硬化の接着材層１８′を形成する（図５（ｂ）参照）。（Ｆ）の工程においては、硬化した後の接着材層１８の厚さが３０〜５０μｍとなるように、未硬化の接着材層１８′を形成する（図５（ｂ）参照）。
【００６２】
（Ｇ）次に、上記（Ｅ）の工程によって得られた半導体チップを、未硬化の接着材層１８′に載置し、露光処理等を行い、接着材層１８を形成する（図５（ｃ）参照）。
このとき、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に溝２２が形成されているため、ワイヤボンディング領域に未硬化の接着材が流れ込むことを防止することができる。また、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離が１００〜４００μｍに設定されているため、溝２２に過剰な量の未硬化の接着材が流れ込むことがない。従って、適正な量の接着材によって半導体チップ１１をダイボンディングすることができる。その結果、半導体チップ１１の接合強度を高めることができ、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との間にボイドが生じることもない。
【００６３】
また、半導体装置１０によれば、接着材層１８の厚さが３０〜５０μｍであり、適当な量の接着材が用いられているので、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との接合強度を高めることができ、半導体チップ１１とソルダーレジスト層２５との間にボイドが生じることがない。さらに、半導体チップ１１のダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップ１１の上面１１ｃまで這い上がることを防止し得るので、接着材が半導体チップ１１の上面１１ｃに設けられた電極１６を覆ってしまうことがなく、電極１６へワイヤ１７をワイヤボンディングすることができなくなったり、電極１６とワイヤ１７との接続の信頼性が低下したりすることもない。
【００６４】
（Ｈ）続いて、半導体チップ１１の上面１１ｃに設けられた電極１６と、ボンディングパッド２４とをワイヤ１７を用いてワイヤボンディングする（図５（ｄ）参照）。次に、基板２１の上面全体を覆うように、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部１９を形成する（図５（ｅ）参照）。次に、ランド２７上に半田ボールを載置し、上記半田ボールをリフローすることにより、ランド２７上に半田バンプ２８を形成する（図６（ａ）参照）。続いて、樹脂パッケージ部１９に粘着テープ９を貼着し（図６（ｂ）参照）、その状態で、ダイシングを行うことにより、半導体装置１０を製造することができる（図６（ｃ）参照）。
【００６５】
以上、本発明の実施形態に係る半導体装置について説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。本実施形態においては、基板が１層からなるものである場合について説明したが、本発明において、上記基板は、複数の板状体が積層されたものであってもよい。また、本実施形態では、半導体装置のパッケージ方式がＢＧＡである場合について説明したが、本発明はこの例に限定されず、例えば、ＬＧＡであってもよい。
この明細書および添付図面からは、以下のような特徴が抽出され得る。
（１） 上面に電極が設けられた半導体チップと、
上記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、上記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板と
を備えた半導体装置。
（２） 上面に電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、前記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板と
前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間に形成された溝と
を備えた半導体装置。
（３） 電極と切欠部とが設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、前記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板と
を備えた半導体装置。
（４）上面に電極と切欠部とが設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、前記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板と、
前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間に形成された溝と
を備えた半導体装置。
（５）上面に電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが接着材層を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、前記電極とワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板と
を備えた半導体装置であって、
前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との最短距離が、１００μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
（６）前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間に形成された溝をさらに備えている、（５）に記載の半導体装置。
（５）の構成によれば、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離が１００μｍ以上に設定されているため、半導体装置の小型化が可能であり、しかもワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に溝が形成されている場合に、この溝に過剰な量の未硬化の接着材が流れ込まないようにすることができる。従って、適正な量の接着材によって半導体チップをダイボンディングすることができ、半導体チップの接合強度を高めることができ、半導体チップと基板との間にボイドが生じることがない。
ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離が１００μｍ未満である場合、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域とが近過ぎるため、ワイヤボンディング領域まで接着材が流れ込むおそれがある。
一方、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との最短距離は、４００μｍ以下であることが好ましい。４００μｍを超えると、半導体装置の小型化を図ることが困難である。
（７）前記溝には前記接着材層が流れ込んでいない、（２）、（４）または（６）に記載の半導体装置。
（８）前記基板の表面にソルダーレジスト層が形成されており、前記ソルダーレジスト層に前記溝が形成されている、（２）、（４）、（６）または（７）に記載の半導体装置。
（９）前記ソルダーレジスト層には、前記ワイヤボンディング領域と前記ダイボンディング領域との間に、４つの前記溝が形成されている、（８）に記載の半導体装置。
（１０）前記４つの溝は、それぞれ前記ダイボンディング領域の辺に沿って形成されている、（９）に記載の半導体装置。
（１１）前記溝が、前記ダイボンディング領域の辺に沿って形成された溝である、（２）、（４）、（６）〜（８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（１２）前記溝は、１つより多い、（１１）に記載の半導体装置。
（１３）前記溝は、ダイボンディング領域を包囲する連続した溝である（２）、（４）、（６）〜（８）、（１１）、（１２）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（１３）の構成によれば、ワイヤボンディング領域とダイボンディング領域との間に、該ダイボンディング領域を包囲する連続した溝が形成されているため、ワイヤボンディング領域へ接着材が流れ込むことを、より確実に防止することができる。
（１４）前記溝と前記ダイボンディング領域との最短距離が、１００μｍ以上である、（２）、（４）、（６）〜（１３）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（１５）前記半導体チップの下面に、該下面の周縁に沿って、前記切欠部が形成されている（３）に記載の半導体装置。
（１５）の構成によれば、半導体チップの下面の周縁に沿って、切欠部が形成されているため、切欠部によって、半導体チップの側面に沿った接着材の這い上がりをより確実に防止することができる。
（１６）前記切欠部は、前記半導体チップの下面と平行な平面と、前記半導体チップの側面と平行な平面とを有している、（１５）に記載の半導体装置。
（１７）前記半導体チップの上面には、該上面の周縁に沿って、前記切欠部が形成されている（３）又は（４）に記載の半導体装置。
（１７）の構成によれば、半導体チップの上面の周縁に沿って、切欠部が形成されているため、半導体チップの側面に沿って這い上がった未硬化の接着材は一旦、切欠部に入り込むことになり、さらに接着材が半導体チップの上面に至るには、切欠部を這い上がらなければならない。このように、半導体チップの側面及び切欠部の両方を這い上がらなければ、接着材が半導体チップの上面に至らないようにすることにより、接着材が半導体チップの上面まで這い上がることをより確実に防止することができる。
（１８）前記切欠部は、前記半導体チップの上面と平行な平面と、前記半導体チップの側面と平行な平面とを有している、（１７）に記載の半導体装置。
（１９）前記基板は、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、およびフェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、ならびにセラミックのうちのいずれかを含む、（１）〜（１８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２０）前記基板は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなる、（１）〜（１８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２１）前記基板の両面に、導体層が形成されている、（１）〜（２０）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２２）前記導体層はＣｕ層である、（２１）記載の半導体装置。
（２３）前記導体層は、前記基板の表面の外周部分に形成された導体層と、前記基板の裏面の外周部分に形成された導体層とを含む、（２１）または（２２）に記載の半導体装置。
（２４）前記基板の表面の外周部分に形成された導体層と、前記基板の裏面の外周部分に形成された導体層とが、ビアホールによって接続されている、（２３）に記載の半導体装置。
（２５）前記基板の両面に形成された夫々の導体層がビアホールによって接続されている、（２１）または（２２）に記載の半導体装置。
（２６）前記ビアホールは、前記基板に穿設された貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され、該貫通孔に充填材が充填されたものである、（２４）または（２５）に記載の半導体装置。
（２７）前記充填材は、絶縁性充填材、または金属充填材等の導電性充填材である、（２６）に記載の半導体装置。
（２８）前記基板の表面には、前記基板の外周部分に形成された前記導体層の一部を露出させて、残りの前記導体層及び前記基板を覆うように、第１のソルダーレジスト層が形成されている、（２３）〜（２７）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（２９）前記露出した導体層の表面に、ワイヤボンディングパッドが形成されている、（２８）に記載の半導体装置。
（３０）前記基板の表面には、前記導体層の一部を露出させて、残りの前記導体層及び前記基板を覆う第１のソルダーレジスト層が形成されていて、前記第１のソルダーレジスト層から露出した前記導体層の表面にワイヤボンディングパッドが形成されている、（２１）または（２２）に記載の半導体装置。
（３１）前記ワイヤボンディングパッドはＮｉ層やＡｕ層からなる、（２９）または（３０）に記載の半導体装置。
（３２）前記半導体チップの上面に設けられた電極と前記ワイヤボンディングパッドとがワイヤによって電気的に接続されている。（２９）〜（３１）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３３）前記ワイヤボンディングパッドは、前記半導体装置の外周に沿って複数設けられており、前記第１のソルダーレジスト層から露出している、（２９）〜（３２）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３４）前記第１のソルダーレジスト層は、前記導体層の一部のみを露出させるように形成されている、（２８）〜（３３）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３５）前記第１のソルダーレジスト層に、前記接着材層を介して前記半導体チップがダイボンディングされている、（２８）〜（３４）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３６）前記半導体チップは、前記第１のソルダーレジスト層の中央部分に、前記接着材層を介してダイボンディングされている、（３５）に記載の半導体装置。
（３７）前記基板の裏面には、前記導体層の一部を露出させて残りの前記導体層及び前記基板を覆うように第２のソルダーレジスト層が形成されており、前記第２のソルダーレジスト層から露出した前記導体層の表面にはランドが形成されている、（２１）〜（３６）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（３８）前記ランド上には、半田バンプが形成されている、（３７）に記載の半導体装置。
（３９）前記基板の表面において、前記半導体チップの真下に位置する領域が、前記ダイボンディング領域である、（１）〜（３８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（４０）前記接着材層の厚さが、３０〜５０μｍである、（１）〜（３９）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（４０）の構成によれば、接着材層の厚さが、３０〜５０μｍであり、適当な量の接着材が用いられているので、半導体チップと基板との接合強度が高く、半導体チップと基板との間にボイドが生じたりすることがない。また、適当な量の接着材が用いられているので、半導体チップのダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップの上面まで這い上がることを防止することができ、接着材が半導体チップの上面に設けられた電極を覆ってしまうことがなく、電極へワイヤをワイヤボンディングすることができなくなったり、電極とワイヤとの接続の信頼性が低下したりすることもない。
接着材層の厚さが３０μｍ未満である場合、半導体チップの接合強度が低下したり、半導体チップと基板との間にボイドが生じたりするおそれがある。一方、接着材層の厚さが５０μｍを超えた場合、半導体チップのダイボンディング時に、未硬化の接着材が半導体チップの上面まで這い上がって、半導体チップの上面に設けられた電極を覆ってしまい、電極へワイヤをワイヤボンディングすることができなくなったり、電極とワイヤとの接続の信頼性が低下したりするおそれがある。
（４１）前記接着材層は、樹脂組成物によって形成されている、（１）〜（４０）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（４２）前記基板の表面全体と前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ部が形成されている、（１）〜（４１）のいずれか一項に記載の半導体装置。
（４３）前記樹脂パッケージ部は、エポキシ樹脂を含有している、（４２）に記載の半導体装置。
（４４）前記基板は、複数の板状体が積層されたものである、（１）〜（４３）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００６６】
１０、３０ 半導体装置
１１、３１ 半導体チップ
１１ａ、３１ａ （半導体チップの）下面
１１ｂ、３１ｂ （半導体チップの）側面
１１ｃ、３１ｃ （半導体チップの）上面
１２、３２ 切欠部
１２ａ、１２ｂ、３２ｂ、３２ｃ （切欠部を構成する）平面
１８、３８ 接着材層
１９、３９ 樹脂パッケージ部
２１、４１ 基板
２３、４３ 導体層
２４、４４ ワイヤボンディングパッド
２５、２９、４５、４９ ソルダーレジスト層
２６、４６ ビアホール
２７、４７ ランド
２８、４８ 半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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