(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形溝の周りに外周リップをもち前記円形溝の底部に沿ってシリコン物質をもつ前面と、酸化物層をもつ裏面を有するシリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハを研磨する方法であって、
（ａ）前記搬送ウエハの前記外周リップ及び前記前面上の円形溝の底部に延在する前記シリコン物質の層を同時に除去するステップであって、前記外周リップの方を前記円形溝内のウエハ部分よりも早い速度で除去するステップと、ここで、前記外周リップ及び前記円形溝内のウエハ部分は、
（１）研磨パッドに対して前記搬送ウエハを回転させるステップであって、前記パッドがポリウレタンを含み、また、エッジを有する、前記ステップと、
（２）前記搬送ウエハと研磨パッド間に研磨スラリーを適用するステップであって、前記研磨スラリーがＫＯＨ及びＮＨ4ＯＨの少なくとも１つを含む化学エッチング剤と、シリカスラリー粒子とを含んでいる、前記ステップと、
（３）該研磨パッドの該エッジを、該円形溝内に対して維持された圧力より少なくとも１４ｋＰａ高い該搬送ウエハの該外周リップに対する圧力に維持して、該パッドが該搬送ウエハの該外周リップを優先的に研磨する、
ことによって除去され、
（ｂ）前記搬送ウエハの該前面を研磨するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｂ）は、ＫＯＨ及びＮＨ4ＯＨの少なくとも１つを含む化学エッチング剤と、シリカスラリー粒子とを含む研磨スラリーで前記搬送ウエハの前記前面を化学機械的に研磨する工程を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
さらに、ＨＦを含むエッチング溶液に前記搬送ウエハの前記裏面をさらすことによって前記裏面をエッチングして酸化物層を除去するステップを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ａ）は、少なくとも４０℃の温度に加熱されている、１０〜６０質量％の濃度でＫＯＨを含むエッチング溶液中で前記搬送ウエハをエッチングする工程を含んでいる、請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
本発明の実施形態は、シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハを研磨及び再研磨することに関する。
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、基板はその基板上に物質を形成又はエッチングすることにより処理される。基板処理の一例は、製品基板上にシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成する処理であり、ＳＯＩ構造は絶縁層の上に横たわっているシリコン層を備え、その絶縁層は典型的には酸化物層である。ＳＯＩ形成プロセスの一変形例においては、酸化物層は第一シリコンウエハの表面上に形成され、表面は再び押圧され、第二シリコンウエハ表面に結合される。結合されたウエハは、結合取り付けを強化するために熱処理され得る。その後、ウエハの１以上のさらされた表面が研削されてシリコン基板上に酸化物層の上に横たわるシリコン薄層が残る。しかしながら、ウエハの機械的研削又はエッチングが不適切に長時間かかり得るので、この処理はしばしば望ましくないことに非効率である。かなりの量のシリコン物質が研削プロセスにおいて消耗するので、そのプロセスはコストがかかり得る。典型的には、新しいシリコン基板が新しい各プロセスに必要とされる。
【０００３】
改善されたＳＯＩ搬送処理においては、搬送ウエハと製品ウエハを一緒に結合し、その後、製品ウエハから搬送ウエハを離層させてＳＯＩ構造を形成することにより、搬送ウエハから製品ウエハにＳＯＩ構造が搬送される。ＳＯＩ搬送ウエハは、イオン注入されるシリコンウエハ又はシリコン層のようなシリコン物質と、上に横たわる熱成長した酸化シリコン層とを含むことができる。一変形例においては、搬送ウエハはイオン注入され、且つ酸化シリコンの層で覆われたエピタキシャル成長したシリコンの表面層を備えている。搬送ウエハ上の酸化シリコン層の表面は、典型的にはベアシリコンウエハである製品ウエハの表面と接触し、ウエハは相互に付着されている。次の離層ステップは、イオン注入された層の製品ウエハから搬送ウエハを切断又は離層させるために行われ、酸化物層と製品ウエハに結合した残留シリコン物質の一部が残ってＳＯＩ構造が得られる。
【０００４】
離層された搬送ウエハは、典型的にはシリコン物質の残存する部分を有し、酸化物層は更にＳＯＩ搬送プロセスを行うために再形成され得る。しかしながら、搬送及び製品ウエハの周辺は典型的には中心領域ほど強く結合されないことから、離層プロセス後に搬送ウエハの周辺付近にしばしば外周リップが形成する。外周リップはシリコン物質の搬送されていない部分と、残留酸化物絶縁物質とを含んでいる。このような外周リップは搬送と製品ウエハ間の表面接触を妨害し、続いてのＳＯＩプロセスに再使用するための搬送ウエハの能力を制限することから望ましくない。従って、複数の続いてのウエハにＳＯＩ層の搬送を可能にするために、搬送ウエハを再研磨する方法を有することが望ましい。
【０００５】
一変形例においては、搬送ウエハは、ウエハを化学機械的に研磨するように両側研磨ステップを行うことによって再研磨され、ウエハの両側面から残存する酸化物を除去するとともに外周リップを研磨する。本願明細書に全体で援用されている、Ｓｈｉｎ-Ｅｔｓｕ Ｈａｎｄｏｔａｉ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．に譲渡された、２００１年９月４日に発行されたＫｕｗａｈａｒａらの米国特許Ｎｏ．６,２８４,６２８号に記載された他の変形例においては、上に横たわる酸化物層は化学エッチングステップによって除去される。その後、ウエハ上に残存する小さなステップは、研磨ターンテーブル間にウエハを挿入することによって、ウエハの表面を僅かだけ研磨することにより除去される。
【０００６】
しかしながら、両側研磨法は非効率であり、しばしば外周リップの全てを除去することができず、例えば、両側研磨プロセスが物質の１ミクロン/分の約１/２だけしか除去することができないように、望ましくない長時間の研磨時間を必要とし得る。手順は、また、スラリーの量や必要とされる他の消費し得る化学機械的研磨パッドのために高価なものとなり得る。また、従来の研磨手順は外周リップを除去するために搬送ウエハから望ましくない多量のシリコン層を除去することができ、搬送基板が使用し得る回数が減少する。対照的に、搬送ウエハが不十分に研磨される場合には、典型的には高さが約２００ｎｍの小さな周辺バンパーリングがウエハ上に残り得る。残存するバンパーリングは搬送ウエハと製品ウエハ間の接触を妨害するとともにＳＯＩ搬送プロセスの質を低減させ得る。例えば、高さが約５０ｎｍの周辺バンパーを有する再循環搬送基板に関して、ＳＯＩ搬送歩留まりは平坦な表面を有する新しい搬送ウエハより約２０％だけ低下してしまう。ウエハの残りに関する外周リップの過剰な研磨により、エッジロールオフウエハ表面形態が生じ、ＳＯＩ搬送歩留まりも低下する。
【０００７】
従って、搬送基板を再使用するためにＳＯＩ搬送ウエハを再循環し再生することが望ましい。更に、ほぼ平坦な接触表面を与えるために、ＳＯＩ搬送ウエハを再生して実質的に外周リップのない搬送ウエハを与えることが望ましい。
【概要】
【０００８】
円形溝の周りに外周リップをもつ前面を有するシリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハを研磨する方法は、スピン・オン・ガラスで溝を充填することによってウエハの前面上の円形溝をマスキングすることを含んでいる。円形溝がスピン・オン・ガラスによってマスキングされるので、ウエハの前面はエッチング剤にさらされて外周リップを優先的にエッチングする。スピン・オン・ガラスを除去し、搬送ウエハの前面を更に研磨する。
【０００９】
他の変形例においては、シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハの前面は、メッシュサイズが約２０００〜約８０００の微粒子で研削され、その後エッチングされる。搬送ウエハの裏面は化物層を除去するためにエッチングされ、ウエハの前面は更に研磨される。
【００１０】
更に他の変形例においては、シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハの前面は、円形溝でのエッチングに対して注入された外周リップを優先的にエッチングをすることができる組成物を有するエッチング溶液にさらされる。エッチング溶液にさらされた後、搬送ウエハの前面が研磨される。
【００１１】
更に変形例においては、搬送ウエハの前面上の外周リップは、実質的に円形溝を研磨せずに研磨される。その後、搬送ウエハの前面が研磨される。
【００１２】
更に他の変形例においては、研磨スラリーは搬送ウエハと研磨パッドとの間に適用されるが、搬送ウエハはエッジを有する研磨パッドに対して回転する。研磨パッドのエッジは、円形溝で維持される圧力と相対的に搬送ウエハの外周リップに対してより高い圧力で維持されるので、パッドは搬送ウエハの外周リップを優先的に研磨する。
【００１３】
また他の変形例においては、外周リップをエッチングするために、搬送ウエハの外周リップの下端に対する角度で液体ジェットが送られる。その後、搬送ウエハの前面が研磨される。
【００１４】
本発明のこれら特徴、態様及び利点は、以下の説明、添えられた特許請求の範囲、及び本発明の例を示す、添付の図面に関してより良く理解される。しかしながら、特徴の各々は単に具体的な図に関連せず、本発明において一般的に使用し得ることを理解すべきであり、本発明はこれら特徴のあらゆる組み合わせを含んでいる。
【説明】
【００１５】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）搬送プロセスのような層搬送プロセスの使用に適した搬送ウエハ１０２の一例を図１Ａに示す。ＳＯＩ搬送プロセスに関して、搬送ウエハ１０２は、シリコン物質１０５を含むことができ、例えば、シリコンウエハ１０３であってもよく、任意にシリコンの表面層１０４を備えていてもよい。例えば、図１Ａに示される変形例においては、例えば、搬送ウエハ１０２はシリコンウエハ１０３上にエピタキシャル成長するシリコンの表面層１０４のように、シリコンの層１０４を備えたシリコン物質１０５を含んでいる。しかしながら、シリコンの表面層１０４を設けることは任意であり、搬送ウエハ１０２は、例えば、図１Ｂ-Ｃに示されるように、付加された表面層１０４の実質的に無いシリコン物質１０５を同等に含むことができる。例えば、搬送ウエハ１０２のシリコン物質１０５は、図１Ｂ-１Ｃに示されるように、ベアシリコンウエハ１０３からなってもよい。絶縁層１０６は、シリコン物質１０５の表面１０７上に形成される。例えば、絶縁層１０６は、例えば、図１Ｂに示されるようにベアシリコンウエハ１０３の表面１０７上、又は、例えば、図１Ａに示されるようにエピタキシャル成長したシリコン層１０４上に直接形成されてもよく、交互に形成されてもよい。絶縁層１０６は酸化シリコンを含んでもよく、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＳｉＣ及びＳｉ3Ｎ4の少なくとも１つのような他の絶縁物質を含んでもよい。シリコン物質１０５に水素又は酸素のような他のイオンをイオン注入することによりシリコン物質１０５に所望の深さｄでイオン注入層１０８が形成される。イオン注入層１０８は、また、例えば、図２Ａに示されるように、ウエハ１０２の傾斜によってウエハ１０２の周辺において勾配があってもよい。本実施形態は絶縁層１０６の下にシリコン物質１０５を有する搬送ウエハ１０２によって記載されているが、例えば、ゲルマニウム・オン・インシュレータのような、他の層構造を同様に搬送することが望ましいことは理解すべきであるので、本発明はシリコン・オン・インシュレータだけの搬送に制限すべきではない。
【００１６】
ＳＯＩ搬送プロセスは、典型的には、例えば、図１Ｂに示されるように、搬送ウエハ１０２の前面１１４と製品ウエハ１１０の表面とを接触することを含んでいる。製品ウエハ１１０は、例えば、研磨されたベアシリコンウエハのようなシリコンウエハであり得、又はゲルマニウムのような他の物質を含んでもよい。一変形例においては、酸化シリコン層のような絶縁層は、搬送ウエハ１０２上の絶縁層１０６の代わりに又はそれに加えて、製品ウエハ１１０（図示せず）の表面１１６に形成されてもよい。接触しているウエハ表面１１４、１１６は、一緒に結合して製品ウエハ１１０上の絶縁層１０６の上にシリコン物質１０５の層を構成する、シリコン・オン・インシュレータを有する構造１２０を形成する。
【００１７】
搬送ウエハ１０２は、例えば、図１Ｃに示されるように、製品ウエハ１１０から離層させて製品ウエハ１１０上に残存するシリコン・オン・インシュレータ構造１２０を形成する。搬送ウエハ１０２は、層１０８上の搬送ウエハ１０２の一部を離層させる、イオン注入層１０８を活性化させることにより製品ウエハ１１０から離層又は切断させることができる。一変形例においては、イオン注入層１０８は、結合した搬送ウエハと製品ウエハ１０２、１１０を少なくとも約１０００℃の温度まで加熱することにより活性化させ、イオン注入層１０８で結晶構造を変化させてイオン注入層１０８で製品ウエハ１１０から搬送ウエハ１０２を離層させる。搬送ウエハ１０２が取り除かれると、例えば、Ｓｈｉｎ-Ｅｔｓｕ Ｈａｎｄｏｔａｉ Ｃｏ．，Ｌｔｄに譲渡され、２００１年９月４日に発行されたＫｕｗａｈａｒａらの米国特許Ｎｏ.６,２８４,６２８号に記載されるように、加熱処理と研磨によって、搬送されたシリコン物質１０５を含む残存するシリコン・オン・インシュレータ構造１０２と絶縁層１０６を更に処理することができ、その開示内容は本明細書に全体で援用されている。
【００１８】
離層された搬送ウエハ１０２は、典型的には、イオン注入層１０８の裏側に前もってある残存するシリコン物質１０５を含んでいる。更に、搬送ウエハ１０２のエッジ１１８が、典型的には、製品ウエハに強く結合していないので、離層された搬送ウエハ１０３は残存するシリコン物質１０５を含む円形溝１２２の周りに付着した外周リップ１１２を更に含んでいる。外周リップ１１２は、搬送ウエハ１１２の結合したままのイオン注入層１０８上に周辺の絶縁物質１０６とシリコン物質１０５を含むことができる。例えば、シリコンステップ１２６は、例えば、図１Ｃに示されるように、残存する搬送されていないシリコンウエハ物質を含むことができる。或いは、シリコンステップ１２６は、シリコンウエハ１０３（図示せず）上に形成されたエピタキシャル成長したシリコン層１０４から残存するシリコン物質を含むことができる。外周リップ１１２は、ウエハ１０２の表面１１４上の厚さが約１０ナノメートル〜約５００ナノメートルのシリコンステップ１２６を含むことができる。外周リップ１１２は、例えば、図１Ｃに示されるように、シリコンステップ１２６の上面上と側面にさえ絶縁体部分１２４を備えることができ、約１０ナノメートル〜２００ナノメートルの膜厚を含むことができる。外周リップ１１２の幅は、約１ミリメートル〜約５ミリメートルであってもよい。外周リップ１１２は、例えば、図２Ａに示されるように、ＳＯＩ搬送プロセスの前のウエハの傾斜の結果であり得る、リップ１１２の表面がウエハ１０２の周辺で下向きに傾斜している、斜面形状を備えることもできる。
【００１９】
リップ１１２は平滑さを妨害するとともに搬送ウエハと製品ウエハ表面間に接触さえすることから、続いてのＳＯＩ搬送プロセスのため搬送ウエハ１０２の再使用を妨害し得る。また、搬送ウエハ１０２の前面１１４は、再研磨を必要とする損傷した又は粗い領域を備え得る。従って、搬送ウエハ１０２を再研磨するとともに外周リップ１１２を除去して続いてのＳＯＩ搬送プロセスにおいて再使用するための搬送ウエハ１０２を再生し作製することが望ましい。
【００２０】
また、搬送ウエハ１０２は、絶縁物質の残存する側面層と裏面層１２８、１３０を備えることができ、それらは搬送ウエハ１０２の再使用前に除去されることが望ましい。例えば、ある実施形態においては、搬送ウエハ１０２は、絶縁物質の側面層と裏面層１２８、１３０の１以上を除去するためにエッチング溶液にさらされことができる。或いは、絶縁物質の側面層と裏面層１２８、１３０の１以上は、搬送ウエハ１０２上に保持されてもよく、外周リップ１１２の除去が完了すると除去されてもよい。絶縁物質を除去することができるエッチング溶液は、濃度が、例えば、約０.５％〜約１０容量％のＨＦ溶液のような酸性溶液であってもよい。
【マスキング法】
【００２１】
一変形例においては、外周リップ１１２を除去する方法は、さらされた外周リップ１１２を除去する前に円形溝１２２をマスキングすることを含んでいる。図２Ａにおいては、搬送ウエハ１０２は実質的にエピタキシャル成長したシリコン層１０４がないので、外周リップ１１２はベアシリコンウエハ１０３から生成する搬送されていないシリコンウエハ物質１０５を含むシリコンステップ１２６を有する。方法の一変形例においては、円形溝１２２は、適切なマスキング物質を含むマスク１３３で少なくとも部分的に充填され得る。マスク１３３は、円形溝１２２に容易に適用することができるとともにエッチング溶液に対して良好な耐性を示す、例えば、スピン・オン・ガラスのような、エッチング抵抗物質を含むことが望ましい。エッチング抵抗物質は、例えば、ＨｏｎｅｙｗｅｌｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓから市販されているＡｃｃｕｇｌａｓｓ(登録商標)やＤｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから市販されているＦｏｘ(登録商標) Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅを含むことができる。一変形例においては、スピン・オンガラスマスク１３３は、円形溝１２２に溶媒中に懸濁した酸化シリコンを含む溶液をスピンコーティングすることにより形成することができる。スピン・オンガラスマスク１３３は、少なくとも約７００℃、少なくとも約９００℃もの温度で加熱することによりマスク１３３を平坦化するためにアニールされ得る。平坦化されたマスク１３３を設けることは、更にマスキング層の下の物質のマスキングと保護さえも促進させる。
【００２２】
マスク１３３が形成されると、外周リップ１１２は、例えば、図２Ｂに示されるように、搬送ウエハ１０２から外周リップ１１２を実質的に除去するために、実質的にマスク１３３を過度にエッチングせずに、外周リップ１１２から優先的にエッチングするエッチング剤にさらされ得る。外周リップ１１２を優先的エッチングするのに適したエッチング剤の一例は、ＫＯＨ溶液のような塩基を含む化学溶液であってもよい。適切な化学エッチング溶液の他の例としては、例えば、ＮＨ4ＯＨ、及び水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の少なくとも１つが含まれてもよい。一変形例においては、少なくとも約５０℃、例えば、約５０℃〜約８０℃、更に少なくとも約９０℃のような溶液の温度を維持しつつ、約１０％〜約６０質量％、例えば、約４０質量％の濃度でＫＯＨを含む溶液に搬送ウエハ１０２の前面１１４を浸漬することにより外周リップ１１２が除去される。化学エッチング剤は、マスク１３３がエッチングされるより速い速度でさらされたリップをエッチングすることにより外周リップ１１２を除去する。また、イオン注入層１０８が搬送ウエハ１０２の周辺に向かって伸長するにつれて、一般的には、外周リップ１１２は搬送ウエハ上で比較的弱く固定され、マスキングされた領域より容易に侵食され除去される。外周リップ１１２は、約３０秒〜約５分のように外周リップ１１２をほぼ除去するのに十分な時間、エッチング溶液にさらされる。
【００２３】
外周リップ１１２が十分にエッチングされると、マスク１３３は、例えば、図２Ｃに示されるように、下に横たわるシリコン物質１０５を露出させるために搬送ウエハ１０２から除去され得る。マスク１３３は、好ましくは搬送ウエハ１０２のさらされた周辺領域１３５がエッチングされる速度より高い速度で、マスキング物質をエッチングすることができる化学エッチング剤に搬送ウエハ１０２の前面１１４をさらすことによって除去され得る。適切なエッチング溶液は、ＨＦ溶液のような、酸性溶液を含むことができる。他の適切なエッチング剤は、例えば、ＮＨ４Ｆで緩衝化したＨＦ溶液を含む緩衝化酸化物エッチング溶液（ＢＯＥ）、及びＨＦ、ＨＮＯ３、及び酢酸の混合物を含むことができる混合エッチング溶液（ＭＡＥ）の少なくとも１つを含むことができる。一変形例においては、スピン・オン・ガラスを含むマスク１３３は、約２〜約１０分間、約３％〜約１０％の濃度でＨＦを含むエッチング溶液に搬送ウエハ１０２の前面１１４を浸漬することによって除去される。マスキング除去ステップにより、例えば、図２Ｃに示されるように、実質的に外周リップ１１２のない搬送ウエハ前面１１４が得られる。化学エッチング剤は、また、例えば、図２Ｄに示されるように、実質的に絶縁物質のないウエハ１０２を得るために、マスク１３３に沿って絶縁物質の残存する側面層と裏面層１２８、１３０の１以上を除去することができるものである。
【選択的エッチング法】
【００２４】
更に他の変形例においては、外周リップ１１２は円形溝１２２における物質と相対的に外周リップ１１２を優先的にエッチングすることができる組成物を含むエッチング溶液に搬送ウエハ１０２の前面１１４をさらすことにより除去される。例えば、エッチング溶液は円形溝１２２でシリコン物質より速い速度でイオン注入された外周リップ１１２をエッチングすることができるものである。搬送ウエハ１０２周辺上のイオン注入層領域１０８は、典型的には、格子損傷を有し、ウエハ１０２の他の領域より洗浄する層１０８上の外周リップ１１２を特定のエッチング組成物で容易に除去し得る。外周リップ１１２は、図２Ｃに示されるように、例えば、ほぼ平坦な前面１１４を有する搬送ウエハ１０２を得るために、リップ１１２が十分に除去されるまで、選択されたエッチング組成物でエッチングされ得る。
【００２５】
外周リップ１１２を除去するのに適した化学エッチング溶液は、ＫＯＨのような塩基性エッチング溶液であってもよい。適切な化学エッチング溶液は、また、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）及びエチレンジアミン（ＥＤＡ）の少なくとも１つを含むことができる。望ましくは、エッチング溶液の塩基濃度と組成は、イオン注入深さが、実質的にイオン注入のない円形溝１２２に相対して、約１００ｎｍ〜約２マイクロメートルのイオン注入された外周リップ１１２を優先的にエッチングするために選択される。例えば、エッチング溶液は、円形溝１２２がエッチングされる速度の少なくとも約１.５倍〜約３倍の速度で、イオン注入外周リップ１１２をエッチングすることができるものである。一変形例においては、外周リップ１１２は、少なくとも約４０℃、例えば、約４０℃〜約８０℃、少なくとも約９０℃もの温度で維持することができる、約１０％〜約６０質量％の濃度でＫＯＨを含むエッチング溶液に搬送ウエハ１０２の前面１１４を約３０秒〜約３分間さらすことにより除去し得る。
【００２６】
一変形例においては、搬送ウエハ１０２の前面１１４は、外周リップ１１２の残存するシリコンステップ部分１２６を覆っていない外周リップ１１２の上部から絶縁部分１２４を除去するよう選択される組成を有する溶液にさらされてもよい。例えば、前面１１４は、円形溝１２２におけるシリコン物質のような、表面上のシリコン物質に対して速い速度で前面１１４上の絶縁物質を選択的にエッチングする溶液に浸されてもよい。適切な選択的エッチング剤は、例えば、約３％〜約１０容量％の濃度のＨＦ溶液のような、例えば、酸化物除去エッチング剤であってもよい。一変形例においては、ウエハ１０２の前面をエッチングするのに適したウェットエッチングツールは、アプライドマテリアルズ社から市販されているＯａｓｉｓ湿式エッチングツールであってもよい。エッチングステップ中に、例えば、裏面層１３０があまりエッチングされないように前面絶縁物質を除去するエッチング溶液から絶縁物質の裏面層１３０を保持することにより、絶縁物質の裏面層１３０は保持されてもよい。保持された裏面絶縁層１３０の厚さは、約１００ｎｍ〜約３００ｎｍであってもよい。絶縁物質が外周リップ１１２のシリコンステップ部分１２６を露出させるために前面から除去されると、搬送ウエハ１０２は、外周リップのイオン注入されたシリコンステップ部分１２６のような、ウエハ１０２のイオン注入領域を選択的にエッチングするエッチング溶液に浸漬されてもよい。イオン注入領域選択的エッチング溶液は、例えば、約１０％〜約６０質量％の濃度のＫＯＨ溶液のように、上記選択エッチング溶液の少なくとも１つを含むことができる。イオン注入外周リップ１１２は選択的エッチング溶液によりエッチングされ除去されるが、絶縁物質の残存する裏面層１３０は搬送ウエハ１０２の裏面を過度にエッチングすることを阻止する。このように、このプロセスは搬送ウエハ１０２の裏面の過度のエッチングを低減することにより搬送ウエハ１０２の使用できる寿命を延ばすことができる。
【微粒子研削法】
【００２７】
更に他の変形例においては、比較的に微細な微粒子を用いてウエハ１０２の前面１１４を研削することにより外周リップ１１２を除去し得る。比較的微細な微粒子は、実質的に前面１１４又は搬送ウエハ１０２の下に横たわる格子構造を損傷せずに外周リップ１１２を除去することができるものである。微粒子の適切なサイズは、約２０００〜約８０００のメッシュサイズであってもよく、約１０ミクロン以下の平均粒子サイズに相当する。比較的微細な微粒子は、外周リップ１１２が実質的に搬送ウエハ１０２の前面１１４から除去されるまで前面１１４に対して研削することができる。
【００２８】
一変形例においては、前面１１４は、例えば、図３に示されるように、その上に固定された比較的微細な微粒子を有する研削といしで研削され得る。微粒子は外周リップ１１２を研削し除去するために、前面１１４、特に外周リップ１１２に対して押圧され回転させる研削表面１３４上にあってもよい。適切な研削といし１３２は、研削表面１３４に固定される、例えば、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素又は他の研摩材料の少なくとも１つの微粒子を含むことができる。例えば、研削といし１３２は、例えば、ＳａｉｎｔＧｏｂａｉｎやＡｓａｈｉ Ｇｌａｓｓ Ｃｏ，Ｌｔｄから市販されている微細研削といしのように、研削表面１３４上の樹脂及びガラス化マトリックスの少なくとも１つに懸濁され、研削表面１３４上で金属結合によって懸濁させることさえもできる、微細研摩微粒子を含むことができる。外周リップの除去を改善するために、例えば、ＫＯＨ及び水酸化テトラメチルアンモニウムの少なくとも１つを含む溶液中にシリカの微粒子を含むスラリーのような研磨スラリーが外周リップ１１２と研削といし１３２の間に適用され得る。
【００２９】
搬送ウエハ１０２は、研削プロセスの間、真空チャックのような支持体１３６上で固定され得る。研削といし１３２は前面１１４に対して回転するが、支持体１３６はほぼ静止の搬送ウエハ１０２を保持することができる。或いは、支持体１３６は静止研削表面１３４に対して搬送ウエハ１０２を回転させることができ、又は、例えば、対向方向に研削といし１３２と搬送ウエハ１０２の双方を回転させることができる。一変形例においては、搬送ウエハ１０２は静止を保ち、前面に対して押圧するが、比較的微細な微粒子を含む研削といし１３２は約３００ｒｐｍ〜約９００ｒｐｍの速度で回転する。
【００３０】
更に、支持体１３６からの汚染物質によって搬送ウエハ１０２の汚染を阻止するために、研削プロセスの間、絶縁物質の裏面層１３０を保持することできることが望ましい。裏面層１３０は、搬送ウエハ１０２のシリコン部分に金属支持物質微粒子のような汚染微粒子の拡散を阻止するために、支持体１３６と搬送ウエハ１０２のシリコン部分間にバリヤ層を設けることができる。裏面層１３０は、また、支持体１３６に対してウエハ１０２の研摩から生じ得る微小引掻き傷からウエハ１０２を保護し得る。望ましくは、例えば、エッチング溶液に浸漬することにより、裏面絶縁層１３０が除去されると、搬送ウエハ１０２の得られる裏面１３８は、約１×１０12原子/ｃｍ2未満、例えば、約５×１０10原子/ｃｍ2未満のレベルの金属汚染物質を有する。裏面層１３０及び絶縁物質の他の部分の少なくとも１つは、例えば、フッ化水素酸の溶液を含むポストエッチングプロセスで除去することができる。
【選択的研削法】
【００３１】
搬送ウエハ１０２を再研磨する更に他の方法においては、外周リップ１１２は、実質的に円形溝１２２を研削せずに搬送ウエハの前面１１４上の外周リップ１１２を研削する選択的研削プロセスにより除去し得る。この方法は、実質的に円形溝１２２における金属を損傷又は侵食せずに、外周リップ１１２を選択し除去することを可能にする。方法は、続いてのＳＯＩ搬送プロセスに用いるのに適したほぼ平坦な前面１１４を与え得る。
【００３２】
図４は、実質的に円形溝１２２を研削せずに外周リップ１１２を研削することができる、研削ツール１４２による選択的研削プロセスを示す一例である。研削ツール１４２は、外周リップ１１２に対して研削してリップを摩耗させる粗面１４４を含んでいる。例えば、研削ツール１４２は、外周リップ１１２に対して研削する円柱状研削ヘッド１４６上にリッジ又は他の隆起した微粒子又は特徴部を含むことができる。一変形例においては、研削ツール１４２は、サイズが約２マイクロメートル〜約６マイクロメートルの微粒子のような比較的穏やかに外周リップ１１２を研削することができる比較的微細な微粒子をも含み得る。研削ツール１４２は、実質的に円形溝１２２を研削せずに、搬送ウエハ１０２の外周リップ１１２を選択的に研削する形と大きさであり得る。例えば、研削ツール１４２は、搬送ウエハ１０２の周囲を回転するように適用される研削ヘッド１４６を含むことができ、幅が実質的に外周リップ１１２全体にだけ伸長する大きさである研削表面１４４を含むことができる。
【００３３】
一変形例においては、研削ツール１４２は、その上に研摩微粒子を有する研摩テープ１４５である研削表面１４４を含んでいる。研摩テープ１４５は、研削性能を維持するために研削ヘッド１４６に新しいテープ１４５を送ることによって研削ヘッド１４６上で連続して取り替えられ得る。研摩テープ１４５は、また、実質的に円形溝１２２を研削せずに、外周リップ１１２に適合する大きさである研削ヘッド１４６全体の幅を含むことができる。研削ツール１４２は、また、例えば、外周リップ１１２上に研削ヘッド１４６を配置するために、ウエハ１０２上の研削ヘッド１４６の位置を決定するように適合される検知又は位置決めソフトウェアを含むことができる。適切な研削ツールは、例えば、Ｓｔｒａｓｂａｕｇｈから市販されている７ＡＦｎＴｅｌｌｅｃｔ研削機、又はＭｉｐｏｘ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃから市販されているＮＭＥ-６８研削機を含むことができる。研削ヘッド１４６は、実質的に搬送ウエハ１０２上の円形溝１２２に微小亀裂又は他の損傷を誘起せずに、外周リップ１１２を摩耗させるのに十分な速度で回転させることが望ましい。例えば、研削ヘッド１４６の適切な回転速度は、約３５００ｒｐｍ未満、例えば、約２５００〜約３５００ｒｐｍであってもよい。
【００３４】
一変形例においては、搬送ウエハ１０２は、選択的研削プロセス中に支持体１３６によって固定することができる。裏面絶縁層１３０は、基板支持体１３６から搬送ウエハの汚染を阻止するために研削プロセス中に搬送ウエハ上に維持することができる。支持体１３６は、研削ツール１４２の下にある搬送ウエハ１０２を回転させることができる回転可能な支持体１３６であってもよく、外周リップ１１２は研削ツール１４２の下にある。他の変形例においては、搬送ウエハ１０２は回転できない支持体上に固定してもよく、研削ツール１４２は外周リップを選択的に除去するために搬送ウエハ１０２の周辺を回転することができる。研削ツール１４２と支持体１３６は、所望される研削特性を得るために、研削プロセス中に同一方向又は反対方向に同時に回転することができてもよい。
【選択的ＣＭＰ法】
【００３５】
更に他の方法においては、外周リップ１１２は、例えば、図５に示されるように、円形溝１２２上の中央パッド領域１５４に維持された圧力に相対して、更に高い圧力を搬送ウエハ１０２の外周リップ１１２上のパッド１５２の周辺エッジ１５０に加えつつ、研磨パッド１５２に対して搬送ウエハ１０２の前面を回転させることを含む、改善された化学機械的研磨法により除去することができる。圧力の差は、実質的に円形溝１２２を過度に研磨せずに、外周リップ１１２を更に高い速度で搬送ウエハ１０２から優先的に研磨することを可能にする。例えば、研磨パッド１５２の周辺エッジ１５０に加えられる圧力は、少なくとも約１４キロパスカル（２ポンド毎平方インチ）以上、中央パッド領域１５４に加えられる圧力より大きい少なくとも約３４ｋＰａ（５ＰＳＩ）とすることができる。一変形例においては、周辺エッジ１５０に加えられる圧力は、約７ｋＰａ（１ＰＳＩ）〜約８３ｋＰａ（１２ＰＳＩ）、例えば、約５５ｋＰａ（８ＰＳＩ）であり、中央パッド領域１５４に加えられる圧力は約３ｋＰａ（０.５ＰＳＩ）〜約３４ｋＰａ（５ＰＳＩ）、例えば、約１４ｋＰａ（２ＰＳＩ）とすることができる。異なる圧力をパッド１５２に加えることができる適切な研磨ヘッド１５３は、アプライドマテリアルズ社から市販されているＴｉｔａｎＨｅａｄ、Ｔｉｔａｎ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ Ｈｅａｄ及びＣｏｎｔｏｕｒＨｅａｄを含むことができる。適切なパッド１５２はポリウレタンパッドを含むことができる。
【００３６】
研磨スラリーは、研磨プロセス中に搬送ウエハ１０２と研磨パッド１５２間に適用し得る。研磨スラリーは、搬送ウエハ１０２から外周リップを除去するために外周リップ１１２を化学的と物理的双方に侵食することができるものである。例えば、研磨スラリーは、ＫＯＨ及びＮＨ4ＯＨの少なくとも１つのような、化学エッチング剤においてスラリー微粒子を含むことができる。スラリー微粒子は、ヒュームドシリコン及びコロイドシリコンの少なくとも１つを含むことができ、比表面積が約５０ｍ2/ｇ〜約２００ｍ2/ｇであるものである。一変形例においては、研磨スラリーは、実質的に円形溝１２２の物質を過度に侵食又は損傷させずに、パッドの周辺エッジ１５０と搬送ウエハ１０２の外周リップ１１２間で優先的に適用される。
【００３７】
他の変形例においては、異なる圧力を研磨パッド１５２に加える代替例として、パッド１５２は比較的弾力性のない物質で形成される。パッド１５２がウエハ１０２の外周リップ１１２に対して押圧されるとき、パッド１５２の中央領域１５４が実質的にウエハ１０２の円形溝１２２に湾曲しないか又は変形しないように全く弾力性がなくてもよいので、研削と溝１２２からの物質の除去は実質的に阻止される。従って、比較的に弾力性がなく硬い研磨パッド５２が実質的にウエハ１０２の他の部分を研削又は除去せずに外周リップリップ１１２を選択的に除去する。適切な研磨パッドは、いずれも米国Ｒｏｄｅｌ社から市販されているＲｏｄｅｌ(登録商標)ＭＨ研磨パッド又はＲｏｄｅｌ ＳｕｂａTM１２００を含んでもよい。
【００３８】
選択的研磨プロセス中、搬送ウエハ１０２は、研磨パッド１５２に対してウエハ１０２を回転させることができる支持体１３６上に固定され得る。或いは、支持体１３６は回転可能でなくてもよく、研磨パッド１５２がウエハ１２０を研磨するために回転することができるか、又は支持体１３６とパッド１５２の双方が回転可能であり得る。望ましくは、裏面絶縁層１３０は、ウエハ支持体１３６から汚染物質によるウエハ１０２の汚染を阻止するために研磨プロセス中に保持される。
【液体ジェット噴霧法】
【００３９】
更に他の方法においては、外周リップ１１２をエッチングするために外周リップ１１２の下端１５８に液体ジェット１５６を送ることによって除去することができる。液体ジェット１５６は、搬送ウエハ１０２から外周リップリップ１１２の一部を解放するために、イオン注入層１０８の領域内で、例えば、外周リップリップ１１２の下端１５８を照準にする加圧水のジェットを含むことができる。液体ジェット１５６は、搬送ウエハ１０２から外周リップ１１２を切り取るために層１０８における微小亀裂やボイドを大きくし増大させることができる。液体ジェット１５６は、外周リップ１１２を除去するために十分な圧力、例えば、約６９０ｋＰａ（１００ＰＳＩ）〜約１３７９０ｋＰａ（２０００ＰＳＩ）の圧力、例えば、１３７９ｋＰａ（２００ＰＳＩ）を含む。液体ジェット１５６は、外周リップ１１２を除去するために、前面１１４の法線に対して約５°〜約４０°の角度で、例えば、約２０°の角度で、搬送ウエハ１０２に送ることができる。
【００４０】
一変形例においては、液体ジェット１５６は外周リップ１１２の下端１５８に送られるが、液体ジェット１５６と搬送ウエハ１０２の１つ以上は回転させることができる。回転は外周リップ１１２を全ての側面上の搬送ウエハ１０２から解放させることを可能にし、全体のリップ除去の効率が改善される。液体ジェット１５６は、例えば、搬送ウエハ１０２上の円経路において液体ジェットノズル１６０を回転させることができるロボットアーム（図示せず）によって回転させることができる。搬送ウエハ１１０は、回転可能支持体１３６上にウエハ１０２を載置することにより回転させることができる。この変形例においては、搬送ウエハ１０２は絶縁物質の裏面層１３０を保持することが望ましく、搬送ウエハ１０２の汚染を阻止する。液体ジェット１５６と搬送ウエハ１０２の少なくとも１つに適切な回転速度は、約１０ｒｐｍ〜約５００ｒｐｍ、例えば、約１００ｒｐｍの速度であり得る。液体ジェット除去法は、実質的に過度に円形溝１２２をエッチング又は損傷させずに、外周リップ１１２全体を実質的に除去することが望ましい。
【００４１】
外周リップ１１２がプロセスのいずれかによって搬送ウエハ１０２から除去されると、続いて１つ以上の化学機械的研磨プロセスが搬送ウエハ１０２の前面１１４と裏面１３８の少なくとも１つを研磨し平坦化させるように行われ得る。化学機械的研磨プロセスは、また、ウエハ１０２の汚染を阻止するために保持された裏面絶縁層１３０が支持体１３６上に固定されるように、裏面又は側面絶縁層１３０、１２８のあらゆる残存する部分を除去することができる。適切な化学機械的研磨プロセスは、研磨パッドと搬送ウエハ１０２の所望の表面との間に研磨スラリーを適用し、研磨パッドに対して所望の表面を回転させることを含むことができる。例えば、研磨スラリーは、ＫＯＨ及びＮＨ4ＯＨの少なくとも１つの溶液中にヒュームドシリコン及びコロイダルシリコンの少なくとも１つを含むことができる。更に、又は或いは、裏面といずれかの側面絶縁層１３０、１２８は、例えば、ＨＦを含む酸性化学溶液で、層をエッチングすることにより除去することができる。
【００４２】
再研磨された搬送ウエハ１０２は、実質的に外周リップ１１２がなく、また、０.１ナノメートルサイズ範囲の実質的にあらゆる小エッジロールオフ又はエッジバンパーリングもない、ほぼ平坦な前面１１４を含むことが望ましい。搬送ウエハ１０２は、また、処理された製品ウエハの電気的性質に影響し得る金属汚染物質がないことが望ましく、例えば、搬送ウエハ１０２が約１×１０12原子/ｃｍ2未満の金属濃度レベルを含むことができる。再研磨された搬送ウエハ１０２は、図１Ａ〜図１Ｃのように、製品ウエハ１１０に搬送され得るＳＯＩ構造を形成するために、例えば、イオン注入ステップと絶縁層形成ステップを行うことによって、再研磨された搬送ウエハ１０２を再処理することができる。ほぼ平坦な前面１１４を得るために再研磨される改善されたＳＯＩ搬送ウエハ１０２により、製品ウエハ１１０上にＳＯＩ構造の形成において改善された結果が得られる。例えば、所望の方法に従って再研磨されたＳＯＩ搬送ウエハは、製品ウエハ歩留まりにおいて、少なくとも約１％、少なくとも約２０％もの増加を与えることができるものである。
【００４３】
一変形例においては、上記再研磨法及び研磨法の１つのような、前面研磨プロセスは、実質的に搬送ウエハ１０２の裏面１３８を研磨せずに、ウエハ１０２の前面１１４を研磨するために行われる。例えば、一変形例においては、外周リップ１１２を除去させる搬送ウエハ１０２は測定法によって検査され、ウエハ１０２の側面が研磨される。その後、片側研磨ステップが、実質的にウエハの裏面１３８を研磨せずに、ウエハ１０２の前面１１４を研磨するために行われる。ステップのいずれかで用いられる研磨プロセスは、例えば、化学機械的研磨プロセスであってもよい。研磨されたウエハ１０２は検査され、更に測定に供され、更に洗浄プロセスを受けることができる。対照的に、従来の研磨プロセスは、典型的にはウエハ１０２の前面１１４と裏面１３８の両面が典型的には同時に研磨される。ウエハ１０２の上面と裏面１１４、１３８の両面が研磨される両側研磨プロセスは、典型的には、ウエハ１０２から物質の比較的高い除去速度を与えるので、搬送ウエハを再研磨するのに効率的な手段であると考えられてきた。しかしながら、そのような両側研磨法は、また典型的には、望ましくない多量の物質を除去し、搬送ウエハがＳＯＩ搬送プロセスに使用し得る回数が減少する。上記再研磨法及び研磨法のような、実質的に裏面１３８の研磨プロセスを必要とせずに、ウエハ１０２の前面１１４を効率的に研磨することができる方法を与えることにより、ＳＯＩ搬送ウエハ１０２の前面１１４が基板物質を過度に消失させずに、効率的に再研磨することができる。
【００４４】
改善されたプロセスを示すために、図８Ａは、両側研磨ステップを有する従来の再研磨プロセス法の実施形態のステップを示し、図８Ｂは片側研磨ステップを有する改善された再研磨プロセスの実施形態のステップを示す図である。図８Ａにおいては、ＳＯＩ搬送ウエハ１０２は、まずウエハ１０２の受入検査と測定に供される。ウエハ１０２のエッジ１１８はエッジ１１８からあらゆる過度の絶縁物質を除去するために研磨され、エッジ研磨洗浄プロセスステップがエッジ研磨後のウエハ１０２を洗浄するために行われる。その後、化学機械的研磨プロセスステップのような、両側研磨プロセスステップが比較的高い速度で搬送ウエハ１０２の前面と裏面１１４、１３８を同時研磨するために行われる。所望の物質量が除去された後、研磨後洗浄プロセスステップが搬送ウエハ１０２を洗浄するために行われ、再研磨の程度を求めるためにウエハが検査される。従来の研磨プロセス法を用いた片側研磨ステップは、残存する望ましくない物質を徐々に除去するように行うことができ、再研磨された搬送ウエハ１０２の出荷前に、後洗浄プロセス、測定、最終洗浄プロセスステップが続けられる。
【００４５】
対照的に、図８Ｂは片側研磨プロセスによる搬送ウエハ１０２を再研磨する効率的な方法を示す図である。この方法においては、搬送ウエハ１０２は受入検査と測定に供され、残存するエッジ絶縁層を除去するためにエッジ研磨プロセスステップが行われ得る。片側研磨プロセスステップは、例えば、上記方法の１つによって、実質的に表面１１４から外周リップ１１２を除去するためにウエハ１０２の前面１１４を研磨するために行われる。例えば、片側研磨プロセスは更に高い圧力が円形溝１２２上より外周リップ１１２上の研磨パッドによって適用されている化学機械的研磨プロセス法を含むことができる。他の例として、片側研磨プロセスは、選択的研削プロセス法、微粒子研削法、マスキング法、選択的エッチング法、及び液体ジェット噴霧法の少なくとも１つによって外周リップ１１２を除去することを含むことができ、任意に前面１１４を研磨する化学機械的研磨又は他の研磨法が続けられる。前面１１４が研磨されると、搬送ウエハ１０２が検査され、測定が行われ、搬送ウエハ１０２を出荷する前にウエハが最終洗浄プロセスにおいて洗浄される。従って、改善された再研磨及び研磨法は、図８Ａに示される従来の実施形態より少ないステップである効率的な再研磨法を与え、また、少なくとも一部裏面研磨ステップを除くことによって、過度の基板物質量を除去しない。効率の改善と方法の消耗の減少は、搬送ウエハ１０２を更に効率的に再循環し更に多数回再研磨することを可能にする。
【００４６】
搬送ウエハ１０２の１つ以上の面を研磨するのに適する化学機械的研磨装置１００の実施形態を、図７Ａ〜図７Ｂに示す。装置１００は、外周リップ１１２の除去後にウエハ１０２を研磨するのに適するものであり、リップ除去プロセス前又はプロセス中にウエハ１０２を研磨するために用いることもできる。一般的には、研磨装置１００は複数の研磨ステーション３０８を含むハウジング３０４、ウエハ搬送ステーション３１２及び回転可能ウエハホルダ３２０と独立して作動させることができる回転可能カルーセル３１６を含んでいる。ウエハ装填装置３２４は、ウエハ１０２を含むカセット３３６が浸漬される液浴３３２を含むタブ３２６を含み、ハウジング３０４に結合される。例えば、タブ３２６は洗浄液を含み、又は研磨プロセス前又は後にウエハ１０２を洗浄する超音波を用いるメガソニック洗浄器でもあり得、乾燥機を備えることもできる。アーム３４４は、リニアトラック１４８に沿って動き、リストアセンブリ３５２を支持し、保持ステーション１５５からタブ３２６にカセット３３６を移動させるためのカセットクロー３５４とタブ３２６から搬送ステーション３１２にウエハを搬送するためのウエハブレード３５６を含んでいる。
【００４７】
カルーセル３１６は、図７Ｂに示されるように、ウエハホルダ３２０のシャフト１７２が伸長するスロット１６２をもつ支持プレート３６０を有する。ウエハホルダ３２０は、均一に研磨されたウエハ面を達成するためにスロット１６２において独立して回転し、前後に動くことができる。ウエハホルダ３２０は各モータ１７６に従って回転し、通常はカルーセル３１６の可動式側壁１７８の裏側に隠れている。作動中、ウエハ１０２はタブ３２６から搬送ステーション３１２に装填され、ウエハが最初に真空で固定される基板ホルダー３２０に搬送される。その後、カルーセル３１６は一連の１つ以上の研磨プロセスステーション３０８を通ってウエハ１０２を搬送し、最終的に研磨されたウエハ１０２を搬送ステーション３１２に戻す。
【００４８】
各研磨ステーション３０８Ａ-Ｃは、図７Ｂに示されるように、研磨パッド１８４を支持する回転可能プラテン１８２と、パッド調整アセンブリ１８８を含んでいる。プラテン１８２とパッド調整アセンブリ１８８は、研磨装置１００内部のテーブルトップ１９２に双方とも取り付けられている。研磨の間、ウエハホルダ１０２は、回転する研磨プラテン１８２に取り付けられた研磨パッド１８４に対してウエハを固定、回転、押圧し、ウエハ１０２を保持するとともにウエハ１０２の研磨中に外にずれることを防止するプラテン１８２を取り囲んでいる保持リングを有する。ウエハ１０２と研磨パッド１８４が相互に回転するので、例えば、研磨スラリーはコロイドシリカ又はアルミナと脱イオン水を含むことができる選択されたスラリーレシピに従って研磨スラリーの測定量が供給される。プラテン１８２とウエハホルダ３２０の双方は、プロセスレシピに従って異なる回転スピードと方向に回転するようにプログラムすることができる。研磨装置１００は、残存する絶縁層の量のようにウエハ１０２から物質の所望量を除去し、再処理、更にＳＯＩ搬送プロセスに適したウエハにするために搬送ウエハ１０２の表面を研磨し平坦化するために使用し得る。研磨装置１００の典型的な動作及び一般的な特徴は、Ｇｕｒｕｓａｍｙらによる１９９８年３月３１日出願の共同譲渡された米国特許Ｎｏ.６,２００,１９９Ｂ１号に更に記載され、その開示内容は本明細書に全体で援用されている。
【００４９】
本発明をその特定の好ましい変形例に関連して記載してきたが、しかしながら他の変形例も可能である。例えば、搬送ウエハ１０２はＳＯＩ構造以外の搬送可能構造を含むことができる。ＣＭＰ研磨機の他の実施形態や構造も、搬送ウエハ１０２を再研磨するために使用し得る。更に、再研磨法に記載されたものと同等の代替的ステップも、当業者に明らかであるように、記載された実施のパラーメータに従って使用し得る。それ故、添えられた特許請求の範囲の精神と範囲は本明細書に含まれる好適変形例の記載に制限すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１Ａ】図１Ａは、シリコン物質上に絶縁層を有するＳＯＩ搬送ウエハの実施形態の側断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、ＳＯＩ搬送プロセス中に製品ウエハに結合した、図１Ａの搬送ウエハの側断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、製品ウエハ、外周リップを有する離層された搬送ウエハ、ＳＯＩ構造を有する製品ウエハから搬送ウエハを離層した後の図１Ｂの搬送ウエハと製品ウエハの側断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、外周リップと円形溝がマスク層によって少なくとも部分的に覆われた搬送ウエハの実施形態の側断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、外周リップの除去後の図２Ａの搬送ウエハの側断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、マスク層の除去後の図２Ｂの搬送ウエハの側断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、絶縁層の除去後の図２Ｃの搬送ウエハの側断面図である。
【図３】図３は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップを研削するための微細研削微粒子を含む研削といしの実施形態の側断面図である。
【図４】図４は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップを選択的に研削することができる研削ツールの側断面図である。
【図５】図５は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップから離れて研削するためのパッドのエッジにおいて更に高い圧力を維持することができる研磨パッドの側断面図である。
【図６】図６は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップをエッチングするために外周リップの下端に液体ジェットストリームを送ることができる液体ジェットノズルの実施形態の側断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、搬送ウエハを研磨することができる化学機械的研磨機の透視図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａの化学機械的研磨機を部分的組立分解透視図である。
【図８Ａ】図８Ａは、両側研磨ステップを有する従来の再研磨プロセスの実施形態を示した流れ図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、片側研磨ステップによる再研磨プロセスの実施形態を示した流れ図である。
【符号の説明】
【００５１】
１８８…パッド調整アセンブリ、１９２…テープルトップ、３０４…ハウジング、３０８Ａ-Ｃ…研磨ステーション、３１２…ウエハ搬送ステーション、３１６…回転可能カルーセル、３２０…回転可能ウエハホルダ、３２４…ウエハ装填装置、３２６…タブ、３３２…液浴、３３６…カセット、３４４…アーム、３５２…リストアセンブリ、３５４…カセットクロー、３５６…ウエハブレード、３６０…支持プレート。
【図１Ａ】
0005455282.tif 000002
【図１Ｂ】
0005455282.tif 000003
【図１Ｃ】
0005455282.tif 000004
【図２Ａ】
0005455282.tif 000005
【図２Ｂ】
0005455282.tif 000006
【図２Ｃ】
0005455282.tif 000007
【図２Ｄ】
0005455282.tif 000008
【図３】
0005455282.tif 000009
【図４】
0005455282.tif 000010
【図５】
0005455282.tif 000011
【図６】
0005455282.tif 000012
【図７Ａ】
0005455282.tif 000013
【図７Ｂ】
0005455282.tif 000014
【図８Ａ】
0005455282.tif 000015
【図８Ｂ】
0005455282.tif 000016