(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの回路面側に貼付するための接着シートにおいて、
基材シートと、この基材シートの一方の面に積層された接着剤層とを備え、
前記接着剤層は、半導体ウエハに形成されたパターン形状に対応した凹部を含み、この凹部の底面は、凹部以外の部分を形成する接着剤層より弱い接着力に設定されていることを特徴とする接着シート。
【請求項２】
前記接着剤層は、エネルギー線硬化型の接着剤からなることを特徴とする請求項１記載の接着シート。
【請求項３】
前記凹部の深さは、半導体ウエハのパターンのない位置から当該パターン上に形成されたバンプの頂点までの高さに対応した深さに設定されていることを特徴とする請求項１又は２記載の接着シート。
【請求項４】
前記半導体ウエハの外縁形状と同一、又は、外縁形状よりも小さい外縁形状に形成されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の接着シート。
【請求項５】
前記請求項１ないし４の何れかの接着シートを半導体ウエハに貼付した後、当該半導体ウエハを所定処理することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法に係り、更に詳しくは、裏面研削等の半導体ウエハの処理工程における当該半導体ウエハの破損を防止し、半導体チップの歩留まり低下を防止することのできる接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と称する）としては、その回路面側に電気的な導通を確保するための半田バンプ（以下、「バンプ」という）が形成されたタイプのものがある。また、ウエハは、回路面側に保護用の接着シートが貼付されて裏面研削等の処理が施される。特許文献１には、バンプが形成されたウエハであっても、バンプによって裏面研削後の厚みにばらつきが生じない接着シートが開示されている。この接着シートは、ウエハと略同一の平面形状となる基材シートと、この基材シートの一方の面に積層された接着剤層とを備え、接着剤層は、基材シートの外縁に沿って一定幅に設けられてバンプや回路パターンに重ならないようになっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１２３３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成にあっては、接着剤層の幅が数ミリメートルとなるため、接着力が十分とは言えない場合がある。これにより、ウエハの裏面研削時におけるグラインダ等からの外力により接着が解除され、保護シートからウエハがずれてしまう、という不都合がある。その結果、ウエハが破損したり、接着シートとの間に研削用の洗浄水等の異物が混入したりして半導体チップの歩留まりが低下する、という不都合を招来する。
【０００５】
［発明の目的］
本発明は、このような不都合に着目して案出されたものであり、その目的は、ウエハとの接着力を高め、裏面研削等の半導体ウエハの処理工程における当該半導体ウエハの破損を防止し、半導体チップの歩留まり低下を防止することができる接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明は、半導体ウエハの回路面側に貼付するための接着シートにおいて、
基材シートと、この基材シートの一方の面に積層された接着剤層とを備え、
前記接着剤層は、半導体ウエハに形成されたパターン形状に対応した凹部を含み、この凹部の底面は、凹部以外の部分を形成する接着剤層より弱い接着力に設定される、という構成を採っている。
【０００７】
また、本発明は、半導体ウエハの回路面側に貼付するための接着シートにおいて、
基材シートと、この基材シートの一方の面に積層された接着剤層とを備え、
前記半導体ウエハに形成されたパターン形状に対応した凹部を含み、この凹部には、前記接着剤層が設けられていない、という構成を採っている。
【０００８】
本発明において、前記接着剤層は、エネルギー線硬化型の接着剤からなることが好ましい。
【０００９】
また、前記凹部の深さは、半導体ウエハのパターンのない位置から当該パターン上に形成されたバンプの頂点までの高さに対応した深さに設定されるとよい。
【００１０】
更に、前記半導体ウエハの外縁形状と同一、又は、外縁形状よりも小さい外縁形状に形成される、という構成も好ましくは採用される。
【００１１】
また、本発明の半導体ウエハの処理方法は、請求項１ないし５の何れかの接着シートを半導体ウエハに貼付した後、当該半導体ウエハを所定処理する、という方法を採っている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、接着剤層がウエハに形成されたパターン形状に対応した凹部を有するので、パターンの外縁より外側におけるウエハと接着剤層との接着領域を拡大することができる。これにより、裏面研削時にウエハが接着シートからずれることがなくなり、半導体チップの歩留まり低下を防止することが可能となる。また、凹部の底面は弱い接着力に設定されるので、接着シートを剥離するときにバンプをも剥ぎ取ってしまうような不都合を防止することができる。なお、半導体ウエハに形成されたパターン形状に対応した凹部に接着剤層を設けないことでも、同様の効果が得られる。
【００１３】
また、接着剤層がエネルギー線硬化型の接着剤からなるので、凹部にエネルギー線が照射されることで、凹部の接着剤が硬化して元の形状に戻ったり、変形したりすることを防止できる上、凹部の底面の接着力を低下させることができる。
【００１４】
更に、凹部の深さを前述のように設定したので、ウエハの裏面研削時にバンプによって研削後のウエハの厚みがばらつくことを回避することができ、精度のよい裏面研削を行うことが可能となる。
【００１５】
また、接着シートの外縁形状をウエハの外縁形状と同一に形成した場合、ウエハに接着シートを貼付した後、当該接着シートをウエハの外縁に合せて切断する工程を省略することができる。また、接着シートの外縁形状をウエハの外縁形状よりも小さく形成した場合には、外周に面取部を有するウエハにおいて、裏面研削によってウエハ外周よりも接着シートの外周の方が大きくなってしまう現象を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
なお、本明細書及び特許請求の範囲において、「弱い接着力」、「接着力が弱い」、「接着力が低下」とは、接着力を有さない場合も含む概念として用いる。
【００１７】
図１には、実施形態に係る接着シートをウエハに貼付した状態の平面図が示され、図２には、図１のａ矢視部分断面図が示されている。これらの図において、接着シートＳは、平面形状が略円形をなす裏面研削前のウエハＷの回路面Ｗ１側に貼付される。
【００１８】
図３にも示されるように、ウエハＷの回路面Ｗ１側には、後の工程で平面視升目状に切断されて形成されるチップに対応して形成された多数のパターンＰ１を備え、パターンＰ１内には、バンプＢが複数箇所に設けられている。
【００１９】
前記接着シートＳは、基材シートＢＳと、この基材シートＢＳの一方の面（図２中下面）に積層された接着剤層Ａとを備えている。基材シートＢＳ及び接着剤層Ａの外縁形状は、図２に示されるように、ウエハＷの外縁形状よりも小さく形成されている。すなわち、ウエハＷの面取り部を除く平面部と略同一の平面形状とすることで、ウエハＷの研削に伴ってウエハＷの外周よりも接着シートＳの外周の方が大きくなり、接着シートＳがグラインダの砥石に巻き込まれてウエハＷを破損させてしまうことを防止することができる。接着剤層Ａは、紫外線等のエネルギー線によって硬化され、接着力が低下するエネルギー線硬化型の接着剤からなる。ここで、図４にも示されるように、接着剤層Ａは、部分的に厚みが薄く形成された凹部Ｃを面内に備えている。
【００２０】
本実施形態の場合、凹部Ｃは、図３の二点鎖線（符号Ｐ）で示されるように、複数のパターンＰ１を全体的に囲む形状に形成された図示しない押圧部材で押圧することにより形成されている。凹部Ｃの底面Ｃ１（図２中上面側）は、紫外線が照射され、凹部Ｃの外側を形成する接着剤層Ａより接着力が弱くなっている。また、凹部Ｃの深さＤ１は、図２に示されるように、ウエハＷのパターンＰ１のない回路面Ｗ１の位置から、パターンＰ１上に形成されたバンプＢの頂点までの高さＨ１に対応した深さ、すなわち、略同一に設定されている。
【００２１】
前記ウエハＷの裏面研削を行う場合、図１に示されるように、ウエハＷの回路面Ｗ１を保護すべく、凹部ＣがウエハＷに形成されたパターンＰ１を全体的に囲むように接着シートＳをウエハＷに貼付する。この貼付状態で、接着シートＳが所定のテーブル（図示省略）上で保持されるように載置した後、グラインダ等を用いて裏面研削が行われる。このとき、接着剤層Ａが、ウエハＷのパターンＰ１を除く略全領域でウエハＷに接着しているので、従来例に比べて、接着シートＳのウエハＷに対する接着力が飛躍的に向上し、裏面研削による外力によって、ウエハＷが接着シートＳからずれたり、外れたりすることを確実に防止することができる。これにより、ウエハＷと接着シートＳとの間に研削用の洗浄水等の異物が混入することを回避でき、半導体チップの歩留まり低下を防止することが可能となる。
また、凹部Ｃの深さＤ１が前述したように設定されるので、バンプによって裏面研削後のウエハに厚みのばらつきが発生することを回避することができる。なお、凹部Ｃの底面Ｃ１の接着力が低下されているため、研削後に当該接着シートＳを剥離するときにバンプＢをも剥ぎ取るような不都合は解消される。
【００２２】
以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示、説明されているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、位置若しくは配置等に関し、必要に応じて当業者が様々な変更を加えることができるものである。
従って、上記に開示した形状などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状などの限定の一部若しくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【００２３】
例えば、前記凹部Ｃは、種々の変更が可能であり、例えば、図５及び図６に示されるように、凹部ＣはそれぞれのパターンＰ１に対応した形状に形成することができる。このような構成とすることで、各パターン間をも接着領域とすることができるので、接着シートＳのウエハＷへの接着力を大きくすることができ、裏面研削時のウエハＷのずれや異物混入等の不都合をより効果的に防止することができる。なお、凹部Ｃは複数のパターンＰ１を部分的に囲む形状に形成することもできる。
【００２４】
また、前記実施形態では、凹部Ｃの底面Ｃ１をフラットとした場合を図示したが、図７に示されるように、凹部Ｃの底面Ｃ１の形状をパターンＰ１とバンプＢの形状に対応させるように、ウエハＷの回路面Ｗ１側の形状を接着剤層Ａに転写したような形状としてもよい。
【００２５】
更に、図８に示されるように、接着剤層Ａを積層しないことで凹部Ｃを形成するようにしてもよい。このような構成とすることで、エネルギー線によって接着剤層Ａを硬化させて接着力を低下させる工程が不要となる。
【００２６】
また、図９に示されるように、帯状の接着シートＳにパターン形状に対応した凹部Ｃを形成した構成としても良い。この場合、接着剤層Ａを保護するために帯状の剥離シートＲＬを設けてもよい。なお、このような帯状の接着シートＳとした場合、ウエハＷに貼付後、当該接着シートＳを所定形状に切断して使用すればよい。
【００２７】
更に、前記実施形態では、バンプＢが形成されたウエハＷに対応させた接着シートＳについて図示、説明したが、これに限定されることなく、バンプＢを有さないウエハＷに対応させるように構成してもよい。この場合、凹部Ｃの深さＤ１は、ウエハＷのパターンＰ１のない回路面Ｗ１の位置から、パターンＰ１の上部までの高さと略同一に設定すればよい。
【００２８】
また、半導体ウエハは、シリコンウエハや化合物ウエハであってもよい。
【００２９】
更に、接着剤層Ａを構成する接着剤は、エネルギー線硬化型の接着剤に限定されることなく、公知の再剥離性の接着剤を使用することができる。
【００３０】
また、接着シートＳは、裏面研削用の接着シートとして用途限定されるものではなく、その他の半導体ウエハを所定処理する工程、例えば、研磨工程やダイシング工程等において、当該半導体ウエハに貼付して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施形態に係る接着シートをウエハに貼付した状態の平面図。
【図２】図１のａ矢視部分断面図。
【図３】ウエハの平面図。
【図４】接着シートを接着剤層側から見た概略斜視図。
【図５】第１の変形例に係る接着シートの図４と同様の概略斜視図。
【図６】第１の変形例に係る図５のｂ矢視部分断面図。
【図７】第２の変形例に係る接着シートの部分断面図。
【図８】第３の変形例に係る接着シートの部分断面図。
【図９】第４の変形例に係る接着シートの概略斜視図。
【符号の説明】
【００３２】
Ａ  接着剤層
Ｃ  凹部
Ｃ１  底面
ＢＳ  基材シート
Ｐ１  パターン
Ｂ  バンプ
Ｓ  接着シート
Ｗ  半導体ウエハ
Ｗ１  回路面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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