(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法において、
検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、前記ウェハー上の欠陥を検出するステップと；
１つ以上の所定基準に基づいて前記ウェハー上に定義した各サンプリングセルに対応する前記出力から、より大きな値を選択することによって、複数の外れ値をサンプリングするステップと；
前記サンプリングした複数の外れ値をウェハー規模で分析するウェハーレベルの分析に基づいて、前記サンプリングした複数の外れ値から一部を選択するステップと；
前記サンプリングした複数の外れ値の前記選択した一部を、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥と組み合わせることによって、前記ウェハーについての検査結果を生成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記１つ以上の欠陥検出しきい値が、前記出力中のノイズレベルに等しい値を含まないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記出力に欠陥検出しきい値を適用せずに、前記サンプリングを実行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記サンプリングした外れ値が、前記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の外れ値を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥に対応しない前記出力のみに対して、前記サンプリングを実行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上の所定基準が、グレーレベル、局所的テクスチャ、及びダイ、領域の種類、設計コンテキストの相互間の差分グレーレベル、あるいはこれらの組合せを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記サンプリングした外れ値の数を、前記サンプリングを実行するコンピュータシステムのメモリ容量のみによって制限することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記サンプリングした外れ値、及び前記欠陥を用いて、ランダム欠陥及び体系的欠陥を捕捉することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記サンプリングした外れ値の前記選択した一部が、前記サンプリングした外れ値の必ずしもすべてを含まないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値の統計分析、及びこの統計分析の結果中のパターンを識別することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値を、ウェハーレベルの欠陥の痕跡について分析することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値からウェハーマップを作成することを含み、前記選択するステップが、前記ウェハーマップを分析して、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値から積み重ねダイマップを作成し、この積み重ねダイマップを分析して、この積み重ねダイマップ中の欠陥の痕跡を識別することを含み、前記選択するステップが、前記積み重ねダイマップに基づいて、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値のマップ上に設計コンテキスト情報をオーバーレイし、前記マップ上にオーバーレイした前記設計コンテキスト情報に基づいて、１つ以上の体系的欠陥メカニズムを識別することを含み、前記選択するステップが、前記１つ以上の体系的欠陥メカニズムに対応する、前記サンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値中に存在する１つ以上の欠陥の痕跡を識別することを含み、前記選択するステップが、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥を、前記１つ以上の欠陥の痕跡と比較して、前記サンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含み、これにより、前記検査結果が、前記１つ以上の欠陥の痕跡の各々に対応する、前記サンプリングした外れ値または前記欠陥の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ウェハーレベルの分析が、前記ウェハー上の領域のうち、当該領域内に位置する前記サンプリングした外れ値の数が、前記ウェハー上の他の領域内に位置する前記サンプリングした外れ値の数より大きい領域を識別することを含み、前記選択するステップが、前記領域内に位置する、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記選択するステップが、前記サンプリングした外れ値の前記ウェハーレベルの分析に条件付きで基づいて、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ウェハー上の欠陥を検出するステップ及び前記サンプリングするステップを、コンピュータノードによって実行し、前記選択するステップ及び前記検査結果を生成するステップを、ホストによって実行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法を実行するための、コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体において、前記方法が、
検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、前記ウェハー上の欠陥を検出するステップと；
１つ以上の所定基準に基づいて前記ウェハー上に定義した各サンプリングセルに対応する前記出力から、より大きな値を選択することによって、複数の外れ値をサンプリングするステップと；
前記サンプリングした複数の外れ値をウェハー規模で分析するウェハーレベルの分析に基づいて、前記サンプリングした複数の外れ値から一部を選択するステップと；
前記サンプリングした複数の外れ値の前記選択した一部を、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥と組み合わせることによって、前記ウェハーについての検査結果を生成するステップと
を含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するように構成されたシステムにおいて、
前記ウェハーを走査することによって出力を生成するように構成された検査サブシステムと；
コンピュータ・サブシステムとを具え、
このコンピュータ・サブシステムが、
前記出力を１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、前記ウェハー上の欠陥を検出し；
１つ以上の所定基準に基づいて前記ウェハー上に定義した各サンプリングセルに対応する前記出力から、より大きな値を有する前記出力を選択することによって、複数の外れ値をサンプリングし；
前記サンプリングした複数の外れ値をウェハー規模で分析するウェハーレベルの分析に基づいて、前記サンプリングした複数の外れ値から一部を選択し；
前記サンプリングした複数の外れ値の前記選択した一部を、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥と組み合わせることによって、前記ウェハーについての検査結果を生成する
ように構成されていることを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の背景）
１．発明の分野
本発明は一般に、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するシステム及び方法に関するものである。特定の好適例は、大域的基準及び局所的基準に基づいて検出した欠陥についての情報を組み合わせることによって、ウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２．関連技術の説明
以下の説明及び例は、この項に含めることにより先行技術として認めるものではない。
【０００３】
論理デバイス及びメモリデバイスのような半導体デバイスを製造することは一般に、半導体ウェハーのような基板を多数の半導体製造プロセスを用いて処理して、半導体デバイスの種々の特徴及び複数のレベルを形成することである。例えば、リソグラフィーは、レチクルから半導体ウェハー上に配置したレジストにパターンを転送することを含む半導体製造プロセスである。半導体製造プロセスの追加的な例は、これらに限らないが、化学機械研磨（ＣＭＰ：chemical-mechanical polishing）、エッチング、及び注入を含む。複数の半導体デバイスを単一の半導体ウェハー上の配列の形に製造して、個別の半導体デバイスに分割することができる。
【０００４】
半導体製造プロセス中の種々のステップで検査プロセスを用いて、ウェハー上の欠陥を検出して、製造プロセスにおける高い歩留まり、従って高い利益を促進する。検査は常に、ＩＣのような半導体デバイスの製造の重要な部分であり続けてきた。しかし、半導体デバイスの寸法が減少すると共に、より小さい欠陥がデバイスを機能不全にし得るので、許容可能な半導体デバイスの良好な製造にとって検査はさらに重要になる。例えば、半導体デバイスの寸法が減少すると共に、相対的にさらに小さい欠陥が半導体デバイス内に不所望な異常を生じさせ得るので、減少しつつあるサイズの欠陥の検出が必要になる
【０００５】
現在のパターン化されたウェハー欠陥検出方法は、ウェハーを走査（スキャン）し、ある画素の局所的近傍を、隣接するダイ（または基準ダイ）中の対応する画素と比較し、ノイズまたは（歩留まりに対する）致命度に基づいて画素集団を区分し、欠陥／無欠陥の判定を行うための候補画素に適用すべき適切なしきい値を選択することに基づいて、この画素が欠陥であるか否かに関する判定を行うことを含む。欠陥を検出し次第、この欠陥をマークして、処理パイプラインの次段階に報告する。他の検出方法は、まず、より単純な（より少ない計算量の）テストを用いて一組の候補画素を選択し、これに続いて、候補のみに、より複雑な計算を適用して、最終的な欠陥を特定する。しかし、これらの方法はいずれも、大域的、即ちウェハー幅の基準を用いて、報告すべき（しないべき）欠陥を特定しない。報告すべき欠陥についての決定は、局所的データのみに基づいている。
【０００６】
従って、現在のパターン化されたウェハー欠陥検出方法は、多数の欠点を有する。例えば、これらの方法は、ランダム欠陥と体系的（システマティックな）欠陥とを同時にサンプリング（標本化）しない。これに加えて、欠陥は検査方法に基づいて警告され、欠陥検出アルゴリズムは一度に１フレームに対して作用するので、大域的な（ウェハー幅の現象の）知識を有しない。体系的欠陥は、ウェハーレベルのノイズマップを記録することによって別個に監視することができる。しかし、ノイズマップは体系的欠陥の痕跡を示すことはできるが、異常な痕跡が存在する位置からの欠陥は、しきい値によって検出されていないことがある。従って、これらの欠陥についての情報は、報告または他の目的に使用できるように記憶されていないことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、ウェハーレベルの基準及び局所的基準を考慮する「インテリジェントな」欠陥サンプリングによって、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成する方法及びシステムを開発することが有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の、方法、コンピュータ可読媒体、及びシステムの種々の好適例の説明は、特許請求の範囲の主題を決して限定するものではない。
本発明の一形態は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法において、検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、前記ウェハー上の欠陥を検出するステップと；１つ以上の所定基準に基づいて前記ウェハー上に定義した各サンプリングセルに対応する前記出力から、より大きな値を選択することによって、複数の外れ値をサンプリングするステップと；前記サンプリングした複数の外れ値をウェハー規模で分析するウェハーレベルの分析に基づいて、前記サンプリングした複数の外れ値から一部を選択するステップと；前記サンプリングした複数の外れ値の前記選択した一部を、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥と組み合わせることによって、前記ウェハーについての検査結果を生成するステップとを含むことを特徴とする方法である。
【０００９】
１つの好適例は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法に関するものである。この方法は、検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するステップを含む。この方法は、１つ以上の所定基準に基づいて定義されたビン（瓶：値の範囲）から最高値を有する出力を選択することによって、この出力中の外れ値をサンプリングするステップも含む。これに加えて、この方法は、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択するステップを含む。この方法はさらに、選択したサンプリングした外れ値の一部についての情報を、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせることによって、このウェハーについての検査結果を生成するステップを含む。
【００１０】
１つの好適例では、上記１つ以上の欠陥検出しきい値が「ホット（hot）」な（ぎりぎりの）しきい値を含まない。他の好適例では、上記サンプリングするステップを、上記出力に欠陥検出しきい値を適用せずに実行する。追加的な好適例では、サンプリングした外れ値の相当部分が、上記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の値を有する。他の好適例では、上記サンプリングするステップを、上記１つ以上の検出しきい値を用いて検出した欠陥に対応しない出力のみに対して実行する。
【００１１】
１つの好適例では、上記１つ以上の所定基準が、グレーレベル、局所的テクスチャ、及びダイ、領域の種類、設計コンテキストの相互間の差分グレーレベル、あるいはこれらの何らかの組合せを含む。他の好適例では、サンプリングした外れ値の数を、サンプリングステップを実行するコンピュータ・サブシステムのメモリ容量のみによって制限する。追加的な好適例では、上記サンプリングするステップが、各ビンから複数の外れ値をサンプリングすることを含む。他の好適例では、サンプリングした外れ値及び欠陥が、ランダム欠陥及び体系的欠陥から成る。さらに他の好適例では、上記選択したサンプリングした外れ値の一部が、サンプリングした外れ値の必ずしもすべてを含まない。
【００１２】
１つの好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値の統計分析、及びこの統計分析の結果中のパターンを識別することを含む。他の好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値を、ウェハーレベルの痕跡について分析することを含む。追加的な好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値からウェハーマップを作成することを含み、上記選択するステップが、このウェハーマップを分析して、上記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含む。他の好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値から積み重ねダイマップを作成し、この積み重ねダイマップを分析して、この積み重ねダイマップ中の痕跡を識別することを含み、上記選択するステップが、この積み重ねダイマップ中の痕跡に基づいて、上記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含む。
【００１３】
１つの好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値のマップ上に設計コンテキスト情報をオーバーレイ（重ね表示）し、このマップ上にオーバーレイした設計コンテキスト情報に基づいて、１つ以上の体系的欠陥メカニズムを識別することを含み、上記選択するステップが、サンプリングした外れ値のうち、これらの体系的欠陥メカニズムに対応する少なくとも一部を選択することを含む。他の好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値中に存在する１つ以上の痕跡を識別することを含み、上記選択するステップが、上記１つ以上の検出しきい値を用いて検出した欠陥を上記１つ以上の痕跡と比較して、サンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含み、これにより、上記検査結果が、上記サンプリングした外れ値の少なくとも一部、または上記１つ以上の痕跡の各々に対応する欠陥を含む。追加的な好適例では、上記ウェハーレベルの分析が、ウェハー上の領域のうち、当該領域内に位置するサンプリングした外れ値の数が、このウェハーの他の領域内に位置するサンプリングした外れ値の数より大きい領域を識別することを含み、上記選択するステップが、この領域内に位置するサンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含む。
【００１４】
一部の好適例では、上記選択するステップが、上記サンプリングした外れ値の一部を、他のサンプリングした外れ値についての上記ウェハーレベルの分析の結果に条件付きで基づいて選択することを含む。１つの好適例では、上記ウェハー上の欠陥を検出するステップ及び上記サンプリングするステップを、コンピュータノードによって実行し、上記選択するステップ及び上記生成するステップを、ホストコンピュータによって実行することを含む。
【００１５】
上述した方法の各好適例の各ステップはさらに、本明細書に記載のように実行することができる。これに加えて、上述したコンピュータで実現する方法の各好適例は、本明細書に記載の他のあらゆる方法の他のあらゆるステップを含むことができる。さらに、上述したコンピュータで実現する方法の各好適例は、本明細書に記載のあらゆるシステムによって実行することができる。
【００１６】
他の好適例はコンピュータ可読媒体に関するものであり、このコンピュータ可読媒体は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法を実行するための、コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含む。このコンピュータで実現する方法は、検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するステップを含む。この方法は、１つ以上の所定基準に基づいて定義されたビンから最高値を有する出力を選択することによって、この出力中の外れ値をサンプリングするステップも含む。これに加えて、この方法は、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択するステップを含む。この方法はさらに、選択したサンプリングした外れ値の一部についての情報を、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせることによって、このウェハーについての検査結果を生成するステップを含む。
【００１７】
上述したコンピュータで実現する方法の各ステップはさらに、本明細書に記載のように実行することができる。これに加えて、上述したコンピュータで実現する方法の各好適例は、本明細書に記載の他のあらゆる方法の他のあらゆるステップを含むことができる。このコンピュータ可読媒体はさらに、本明細書に記載のように構成することができる。
【００１８】
追加的な好適例は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するように構成されたシステムに関するものである。このシステムは、ウェハーを走査することによって出力を生成するように構成されている。このシステムは、この出力を１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するように構成されたコンピュータ・サブシステムも含む。また、このコンピュータ・サブシステムは、１つ以上の所定基準に基づいて定義されたビンから最高値を有する出力を選択することによって、この出力中の外れ値をサンプリングするように構成されている。これに加えて、このコンピュータ・サブシステムは、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択するように構成されている。このコンピュータ・サブシステムはさらに、選択したサンプリングした外れ値の一部についての情報を、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせることによって、このウェハーについての検査結果を生成するように構成されている。このシステムはさらに、本明細書に記載のように構成することができる。
【００１９】
本発明の更なる利点は、以下の図面を参照した好適な実施例の詳細な説明を見れば、当業者にとって明らかになる
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図２】ダイ／サブダイの概要データの一具体例を示す概略図である。
【図３】サンプルセルの要約を用いた多レベル分類の一実施例を示すフローチャートである。
【図４】ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法を実行するための、コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体の一実施例を示すフローチャートである。
【図５】ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するように構成されたシステムの一実施例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明は種々の変形及び代案形態をとることができるが、その特定実施例を一例として図面中に示し、以下で詳細に説明する。これらの図面は原寸に比例していないことがある。しかし、これらの図面及びそれについての詳細な説明は、本発明を開示する特定形式に限定することを意図したものではなく、逆に、その意図は、特許請求の範囲によって規定する本発明の範囲内に入るすべての変形、等価物、及び代案をカバーすることにある。
【００２２】
（好適な実施例の詳細な説明）
本明細書で用いる「ウェハー」とは一般に、半導体または非半導体材料で形成された基板を称する。こうした半導体または非半導体材料の例は、これらに限らないが、単結晶シリコン、ガリウムヒ素、及びリン化インジウムである。こうした基板は一般に、半導体製造設備において製造及び／または処理することができる。
【００２３】
ウェハー上には１つ以上の層を形成することができる。多数の異なる種類のこうした層が現在技術において知られ、本明細書で用いる「ウェハー」とは、すべての種類のこうした層を形成することのできるウェハーを包含することを意図している。ウェハー上に形成された１つ以上の層をパターン化することができる。例えば、ウェハーは複数のダイを含むことができ、各ダイは反復可能なパターン化された特徴を有する。こうした材料層の形成及び処理が最終的に、完成した半導体デバイスを生じさせる。こうしたものとして、完成した半導体デバイスの必ずしもすべての層が基板上に形成されていない基板、あるいは完成した半導体デバイスのすべての層が基板上に形成された基板を含むことができる。
【００２４】
ウェハーはさらに、集積回路（ＩＣ）、薄膜ヘッドダイ、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：micro-electro-mechanical system）デバイス、フラットパネルディスプレイ、磁気ヘッド、磁気及び光記憶媒体、レーザーのようなフォトニクス及びオプトエレクトロニクス（光電子）デバイスを含み得る他の構成部品、導波路及びウェハー上で処理される他の受動構成部品、プリントヘッド、及びウェハー上で処理されるバイオチップの少なくとも一部を含むことができる。
【００２５】
以下、図面を参照しながら説明し、なお、これらの図は原寸に比例して描いていない。特に、図中の要素の一部の尺度は、これらの要素の特性を強調するために大きく誇張されている。また、これらの図面は同じ拡大率で描いていない。２つ以上の図に示す、同様に構成することのできる要素は、同じ参照番号を用いて示している。
【００２６】
一般に、本明細書で説明する実施例は、インテリジェントな欠陥サンプリング用に構成されている。例えば、本明細書でさらに説明するように、これらの実施例は、報告すべき欠陥（異常）を特定するための局所的基準だけでなく大域的基準にも基づいて、欠陥を検出して報告するために用いることができる。特に、一実施例は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法に関するものである。ウェハー上のこれらの欠陥は、現在技術において知られているあらゆる欠陥を含むことができ、そして、ウェハーの１つ以上の特性（例えばウェハーの種類、あるいは検査の前にウェハー上で実行されるプロセス）に応じて変化し得る。
【００２７】
この方法は、検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するステップを含む。ウェハーを走査することによって生成される出力は、あらゆる適切な出力結果を含むことができ、そして、検査システムの構成及び／またはウェハー走査を実行するために使用する検査方法に応じて変化し得る。例えば、上記出力は、ウェハーから散乱される光に応答した信号、データ、画像または画像データ（例えば暗視野（ＤＦ）検査システムの場合）、あるいはウェハーから反射された光に応答した画像または画像データ（例えば、明視野（ＢＦ）検査システムの場合）を含むことができる。上記検査システムは、２８ｘｘシステムのような市販の検査システムとすることができ、これらのシステムは、カリフォルニア州サンノゼにあるKLA-Tencor社から入手可能である。上記検査システムは、パターン化したウェハー及び／またはパターン化していないウェハーの検査用に構成することができる。これに加えて、上記検査システムは、場合によっては１つ以上の検査モード（例えば、検査の開口モード）と組み合わせて、ＢＦ検査及び／またはＤＦ検査用に構成することができる。さらに、上記検査システムは、光学検査システムまたは他の種類の検査システム（例えば、電子ビーム検査システム）として構成することができる。ウェハーの走査は、上記検査システムによって、あらゆる適切な方法で実行することができる。例えば、ウェハーを（検査システムのステージによって）検査システムの光学器に対して移動して、検査システムの照明がウェハー上の蛇行経路をトレースし（辿り）ながら、ウェハーからの光を検出することができる。
【００２８】
ウェハーを走査している間に、走査によって生成される出力（例えばウェハー画像）を、例えば、互いに隣接するダイからの対応する画像信号間の差を計算して、この差信号出力を１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって処理することができる。これらの１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて、局所的基準に基づいて欠陥を検出する。例えば、これらの１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて、ある画素の局所的近傍を、隣接するダイ（あるいは基準ダイ）中の対応する画素と比較し、ノイズまたは（歩留まりに対する）致命度に基づいて画素集団を区分し、欠陥／無欠陥の判定を行うための候補画素に適用すべき適切なしきい値を選択することに基づいて、この画素が欠陥であるか否かについての判定を行うことができる。上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いた検出の他の方法は、まず、より単純な（より少ない計算量の）テストを用いて一組の候補画素を選択し、これに続いて、候補のみに、より複雑な計算を適用して、最終的な欠陥を特定する。これらの欠陥は、局所的基準のみに基づいて検出することができる。
【００２９】
欠陥は、検査方法において指定した欠陥検出しきい値を用いて検出することができる。例えば、ウェハー上の欠陥を検出するために使用する１つ以上の欠陥検出しきい値は、１つ以上の欠陥検出アルゴリズムの欠陥検出しきい値とすることができ、これらのアルゴリズムは上記検査方法に含まれ、ウェハーを走査することによって生成される出力に適用される。ウェハーを走査することによって生成される出力に適用する１つ以上の欠陥検出アルゴリズムは、あらゆる適切な欠陥検出アルゴリズムを含むことができ、そして、走査によって生成される出力の種類、及びウェハー上で実行する検査の種類に応じて変化し得る。適切な欠陥検出アルゴリズム、及びウェハー上の欠陥を検出するために出力と比較することのできる１つ以上の欠陥検出しきい値の例は、セグメント化自動しきい値化（ＳＡＴ：segmented auto-thresholding）、または複数ダイ自動しきい値化（ＭＤＡＴ：multiple die auto-thresholding）を含み、これらは、KLA-Tencor社からの物のような市販の検査システムによって利用することができる。
【００３０】
一実施例では、上記１つ以上の欠陥検出しきい値がホット（hot）なしきい値を含まない。「ホットなしきい値」は一般に、出力中のノイズレベルにおよそ等しい値を有する欠陥検出しきい値として定義することができる。例えば、上記１つ以上の欠陥検出しきい値は、（一般に生産中には相当「コールド」であり続ける）方法の欠陥検出しきい値を含むことができる。換言すれば、上記１つ以上の欠陥検出しきい値は、生産検査方法（即ち、製造中にウェハーを検査するために用いる検査方法）において使用される欠陥検出しきい値の値を有することができ、検査方法の設定中に使用するしきい値のような他の欠陥検査しきい値とは対照的である。このようにして、本発明の方法は、実質的に「ホット」な方法を実行することによってウェハー上の欠陥を検出することは含まず、これにより、非常に多数であり、場合によっては扱いきれない数の欠陥が報告されることを防止し、こうした非常に多数の欠陥は、その後に分析して代表的なサンプルを生成して再検討しなければならない。
【００３１】
本発明の方法は、１つ以上の所定基準に基づいて定義されたビンから最高値を有する出力を選択することによって、この出力中の外れ値をサンプリングするステップも含む。例えば、サンプリングした出力は、「最高の外れ値」であるか、あるいは「信号」の最大量を有する外れ値である点で、最高値を有し得る。「ビン」とは、本明細書では「サンプリングセル」と置き換え可能に用いる。例えば、各サンプリングセル内の「最高の」外れ値をサンプリングすることができる。これに加えて、外れ値をサンプリングすることは、本明細書でさらに説明するサンプリング方式に基づいて、すべてのダイ中の「最高の」外れ値を捕捉することを含むことができる。
【００３２】
本明細書で用いる「外れ値」とは、出力の他の部分に対して外れた値を有する出力の離散部分を称することを意図し、そして、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した「欠陥」と、ウェハー上の欠陥に対応し得るが、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて欠陥として識別されない「外れ値」とを区別することを意図している。例えば、一実施例では、外れ値をサンプリングすることを、出力に欠陥検出しきい値を適用せずに実行する。より具体的には、サンプリングした外れ値を生成すること（例えば、外れ値を識別することから、外れ値をビン分けして外れ値をサンプリングすることまで）に関与するどのステップも、欠陥検出しきい値を出力に適用することを含まない。例えば、最高の外れ値は、欠陥検出しきい値（固定しきい値でも、局所的ノイズに基づく適応しきい値でも）を適用せずにサンプリングすることができる。外れ値は、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いずに識別されるので、識別される外れ値は、ウェハー上の実際の欠陥及びノイズまたは妨害事象に共に対応し得る。しかし、本明細書に記載のように、外れ値は、最高値を有する外れ値を選択することによってサンプリングされ、これにより、サンプリングした外れ値の集団中のノイズまたは妨害事象に対応する外れ値の比率を低減し、こうした外れ値はさらに、本明細書に記載のように処理する。その結果、サンプリングした外れ値の相当部分を、ノイズまたは妨害事象の代わりに、上記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の信号を有する実際の欠陥に対応させることができ、サンプリングした外れ値の一部を、本明細書に記載のように選択して検査結果に含める。
【００３３】
追加的な実施例では、上記外れ値をサンプリングするステップを、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥に対応しない出力のみに対して実行する。例えば、ウェハーをサンプリングすることによって生成した出力を、上述したように１つ以上の欠陥検出しきい値と比較して、ウェハー上の欠陥を検出する。そして、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥に対応しないあらゆる出力を処理して、この出力が外れ値であるか否かを判定することができる。出力中の外れ値は、あらゆる適切な方法で識別することができる。例えば、その値を、出力の他の部分についての中央値（メジアン）及び標準偏差と比較して、出力の一部の値が標準偏差を何倍かした値の外にある場合は、この出力の一部は外れ値であるものと判定する。
【００３４】
外れ値を識別しながら、これらの外れ値を特定ビンに割り当てることができる。例えば、出力中の外れ値を識別するといつでも、セグメント／領域のような上記１つ以上の所定基準に対する外れ値を特定することができる。従って本発明の方法は、このセグメント／領域に対するビンが作成されているか否かを判定するステップを含むことができる。作成されていない場合は、このビンＩＤ／セグメント／領域により一意的なビンを、このビンの名前で作成し、上記外れ値をこの新たに作成したビンに追加することができる。このビンが既に存在し、その容量まで充たされていない場合は（この容量は、本明細書にさらに記載するように、記憶容量に基づいて決定することができる）、この外れ値を、このビン中の外れ値をソート（並べ替え）した（例えば、外れ値の大きさによってソートした）リストに追加することができる。このビンが満杯である場合は、本発明の方法は、このリスト中の「最低の」外れ値が、現在の外れ値より大きいか否かを判定するステップを含むことができる。現在の外れ値より大きい場合は、現在の外れ値を捨てることができる。現在の外れ値より大きくない場合は、上記「最低の」外れ値を捨てた後に、現在の外れ値を、並べ替えたリスト中の適切な場所に追加することができる。こうして、常に、ソートした外れ値のリストを各ビンに関連付けることができる。
【００３５】
他の実施例では、サンプリングした外れ値の相当部分が、上記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の値を有する。例えば、外れ値をサンプリングすることは、欠陥検出しきい値を出力に適用せずに実行することができるので、サンプリングした外れ値は上記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の値を有することがある。これに加えて、恐らくは、出力を上記１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することは、これら１つ以上の欠陥検出しきい値以上の値を有するあらゆる出力の識別を生じさせるので、欠陥及びこうした出力を、出力中の外れ値を識別することに関与する処理から除外することができるため、識別され、その後にサンプリングされる外れ値のすべてが、上記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の値を有することができる。このようにサンプリングした外れ値は、この方法で指定した欠陥検出しきい値以下で作用し得る比較的微細な欠陥メカニズムに対応し得る。
【００３６】
一実施例では、上記１つ以上の所定基準が、グレーレベル、局所的テクスチャ、及びダイ、領域の種類、設計コンテキストの相互間の差分グレーレベル、あるいはこれらの何らかの組合せを含む。例えば、外れ値に対するサンプリング計画は、グレーレベル、局所的テクスチャ、及びダイ、領域の種類、設計コンテキストの相互間の差分グレーレベル、あるいはこれらの何らかの組合せのような任意数の基準に基づくことができる。これらの選択の変形も可能である。例えば、サンプリングセルがダイ番号、設計コンテキスト、及びグレーレベルに基づく場合は、この設計コンテキストは、例えば４つのコンテキスト型に分割することができ、このグレーレベルは、例えば１６個のグレーレベル間隔に分割することができる。他の例では、上記所定基準が、ダイ番号、領域識別情報（ＩＤ）、セグメントＩＤ、（例えば、複数の撮像チャンネルを有する検査装置についての）チャンネルＩＤ、及び他の尺度を含むことができる。
【００３７】
一部の実施例では、サンプリングされる外れ値の数を、このサンプリングを実行するコンピュータ・サブシステムのメモリ容量のみによって制限する。例えば、各検出ノード（例えば、画像コンピュータ内の各プロセッサ）内の利用可能なすべてのメモリを使用して、「最高の外れ値」をサンプリングすることができる。このようにして、この方法は、走査中に、単に、この走査によって生成される出力に欠陥しきい値を適用することによって検出した欠陥を記憶する方法よりも、ずっと多数の外れ値をサンプリングすることを含むことができる。例えば、１００個のダイがウェハー上に存在し、サンプリングセルが上述したように、例えば４つのコンテキスト型及び１６個のグレーレベル間隔に基づいて構成されていれば、この場合は、各ノードが最高値、例えば、当該ノードが処理するダイ毎に４×６４個のサンプリングセルの各セル内の１００個の外れ値をサンプリング（保持）することができる。本発明の方法を実行するシステムが１６個の処理ノードを有する場合は、各ノードは、６４セル×１００ダイ×（ダイ当たり、かつセル当たり１００個の外れ値）＝６４０，０００個までの外れ値を、当該ノードのメモリ内にサンプリング（保持）することができる。
【００３８】
一実施例では、上記外れ値をサンプリングするステップが、各ビンから複数の外れ値をサンプリングすることを含む。例えば、各ビンから外れ値をサンプリングすることは、１つ以上の所定基準に対する異なる値または間隔について、少なくともいくつかの外れ値をサンプリングするように行うことが有利であり得る。このようにして、上記１つ以上の所定基準について、これらの異なる値または間隔の各々に対応する少なくともいくつかの外れ値を、本明細書に記載のようにさらに処理して、上記１つ以上の所定基準について、これらの異なる値または間隔のすべてにわたって、ウェハー上の問題を特定する。各ビンからのサンプリングした外れ値の数は同一にすることも変化させることもできる。例えば、相対的に高いグレーレベル差の間隔に対応するビンからサンプリングする外れ値の目標数は、相対的に低いグレーレベル差の間隔に対応するビンからサンプリングする外れ値の目標数より大きくすることができる。各ビンからサンプリングする外れ値の数は（同数でも異なる数でも）、ビンの数、及び上述したように外れ値についての情報を記憶するシステムの記憶容量に基づいて決定することができる。しかし、各ビンからサンプリングする外れ値の目標数は（同数でも異なる数でも）、ユーザが選択するか、あるいは、サンプリングを実行するために用いる方法に含まれる何らかのユーザ定義のパラメータに基づいて選択することもできる。
【００３９】
他の実施例では、サンプリングした外れ値及び欠陥が、ランダム欠陥及び体系的欠陥を含む。例えば、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥は、ランダム欠陥、及び体系的メカニズムによるいくつかの欠陥を含み得る。これに加えて、サンプリングした外れ値は、ランダム欠陥、及びデータをウェハーレベルで分析することのみによって検出することのできる特定の体系的メカニズムによる欠陥を共に含み得る。従って、本明細書で説明した実施例を、ウェハーの生産検査の走査中に用いて、検査方法の欠陥検出しきい値を超える欠陥を捕捉し、同時に、外れ値分布をサンプリングして体系的欠陥メカニズムを捕捉することを可能にすることができる。
【００４０】
本発明の方法は、サンプリングした外れ値及び検出した欠陥についての種々の情報を記憶することも含むことができる。これら種々の情報は、サンプリングした外れ値の上記選択した一部、及びサンプリングした外れ値及び検出した欠陥を記憶している１つ以上の記憶媒体から検出した欠陥を検索することができる。例えば、本明細書でさらに説明するように、ウェハーのすべての部分内、及びこのウェハー上のすべてのダイ内に位置する外れ値を選択して検査結果に含めるために、本発明の方法は、（処理中のジョブから）サンプリングされた外れ値についての情報であって、「地理的」性質の情報を記憶することができ、これにより本発明の方法は、これらの外れ値をサンプリングしてメモリに（ジョブからジョブへ）記憶することができる。この「地理的」データは、一時的な全体情報（例えば、ダイ寸法、ウェハー・レイアウト、サンプリング計画、等）、（例えば、何らかのダイ番号付け方式を用いた）ダイ番号、（ダイの行に対する）スワス（帯）番号、及びサブスワス識別情報を含むことができる。あるいはまた、上記「地理的」情報のすべてを、本明細書に記載のさらなるステップで使用することのできるビン毎に、一意的な識別情報に符号化することができる。
【００４１】
本発明の方法はさらに、サンプリングした外れ値の一部を、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて選択するステップを含む。サンプリングした外れ値の一部を選択するステップを実行して、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥と組み合わせるべきサンプリングした外れ値を決定して、検査結果を完成させる。上記ウェハーレベルの分析は、本明細書で説明したあらゆるウェハーレベルの分析を含むことができる。一実施例では、サンプリングした外れ値の上記選択した一部が必ずしもすべてのサンプリングした外れ値を含まない。例えば、サンプリングした外れ値の数は比較的大きくすることができ、（そして、場合によっては、外れ値についての情報を記憶するシステムのメモリ容量次第でさらに膨大にすることができる）。これに加えて、サンプリングした外れ値の全体集団は、相当量のノイズまたは妨害事象、あるいはユーザにとって関心のある欠陥または欠陥メカニズムに対応しない外れ値を含み得る。従って、サンプリングした外れ値の全部ではなく一部のみを選択して検査結果に含めることは、サンプリングした外れ値の上記選択した一部がウェハーについての有意味な情報を提供して、ユーザが関心のない情報でユーザを苦しめることがない点で有利であり得る。
【００４２】
これに加えて、ウェハーまたは他の標本上で検出した欠陥の全体集団の一部のみをさらなる処理（例えば、欠陥再検討のためのサンプリング）用に選択する方法とは異なり、サンプリングした外れ値のうち選択しなかったものは、本明細書にさらに記載するように生成した検査結果に含めない。例えば、一般に、欠陥の集団はウェハー上で検出し、欠陥の全体集団についての情報を、このウェハーについて生成した検査結果に含める。これに続いて、これらの欠陥の一部のみを、何らかの機能（例えば、欠陥の再検討、欠陥分析、欠陥補修、等）用に選択することができる。しかし、このウェハーについて生成した検査結果は、他の機能用に選択されない欠陥についての情報をまだ含んでいる。換言すれば、欠陥のうち選択しなかった部分についての情報は検査結果から除去されていない。
【００４３】
一実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値の統計分析、及びこの統計分析の結果中のパターンを識別することを含む。例えば、ウェハー走査の終わりに、上記ウェハーレベルの分析が、ウェハー規模の統計値を収集することを含むことができる。この統計値中のパターンの分析に基づいて、本発明の方法は、捕捉した外れ値のサンプルから外れ値を選択して、検査結果中の「欠陥」として最終報告することができる。このようにして、要約統計量を用いて、サンプリングした外れ値の上記一部を選択することができる。この要約統計量は、例えば、各サンプリングセル中の外れ値の数、平均強度、サイズ、極性、あるいは他のこうした尺度を含むことができる。この統計分析は、あらゆる適切な方法及び／またはアルゴリズムを用いて、あらゆる適切な方法で実行することができる。この統計分析の結果中のパターンは、あらゆる適切な方法及び／またはアルゴリズムを用いて、あらゆる適切な方法で示すことができる。
【００４４】
追加的実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、ウェハーレベルの痕跡についてサンプリングした外れ値を分析することを含む。例えば、上記ウェハーレベルの分析は、痕跡についてのウェハーノイズマップ分析を含むことができる。ウェハーレベルの痕跡は、ウェハー全体にわたってサンプリングした外れ値の空間的痕跡分析（ＳＳＡ：spatial signature analysis）によって識別することができる。このようにして、ウェハーレベルの痕跡は、ある種の画像分析を用いて検出することができる。本明細書で説明する実施例において用いることのできるＳＳＡ法及びＳＳＡシステムの例は、同じ権利者が所有する、Kulkarni他に付与された米国特許第５９９１６９９号、Eldredge他に付与された米国特許第６７１８５２６号、及びHuet他に付与された米国特許第７００６８８６号に例示され、これらの特許文献は、その全文を参考文献として本明細書に含める。本明細書に記載の実施例は、これらの特許文献に記載されたあらゆる方法のあらゆるステップを含むことができる。ウェハーノイズマップ分析の結果を用いて、同じ権利者が所有する、Kulkarni他によって２００７年７月３０日に出願された米国特許出願第１１／８３０４８５号に記載されたステップを含む１つ以上の他のステップを実行することもでき、この米国特許出願は、その全文を参考文献として本明細書に含める。本明細書で説明する実施例は、本願中に記載のあらゆる方法のあらゆるステップを含むことができる。
【００４５】
他の実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値からウェハーマップを作成することを含み、上記サンプリングした外れ値の一部を選択することが、このウェハーマップを分析して、上記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含む。例えば、サンプリングした外れ値についての要約統計量を用いて、サンプリングした外れ値のウェハー規模の「マップ」を生成することができる。これに加えて、本発明の方法は、サンプリングした外れ値のウェハー規模の「マップ」を、ウェハー上の問題を示し得る痕跡について分析することを含むことができる。このようにして、本発明の方法は、ウェハーマップの痕跡を問題の指標として用いて、サンプリングした外れ値から外れ値の一部を選択することを含むことができる。より具体的には、外れ値の一部を選択することは、ウェハーマップの痕跡に対応する外れ値を選択することを含むことができ、これにより、本明細書にさらに記載する検査結果は、ウェハー上の潜在的問題を示すものとすることができる。このウェハーマップは、本明細書にさらに記載するように作成することができ、そしてこのウェハーマップを、本明細書にさらに記載するように分析して、サンプリングした外れ値の一部を選択することができる。
【００４６】
一部の実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値から積み重ねダイマップを作成し、この積み重ねダイマップを分析して、この積み重ねダイマップ中の痕跡を識別することを含む。こうした実施例では、上記選択するステップが、この積み重ねダイマップ中の痕跡に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択することを含む。例えば、本発明の方法は、上述したように作成したウェハーマップを用いて、ダイ内のフレーム毎に、ダイ全体にわたってデータを組み合わせることによって、積み重ねダイマップを作成することを含むことができる。上記ウェハーレベルの分析は、痕跡についての積み重ねダイノイズマップ分析を含むことができる。こうした痕跡についての積み重ねダイノイズマップ分析は、上述したように、痕跡についてのウェハーノイズマップ分析に関して実行することができる。これに加えて、この方法は、サンプリングした外れ値の積み重ねダイ規模の「マップ」を、ウェハー上の問題を示し得る痕跡について分析することを含むことができる。例えば、この積み重ねダイマップ中には、他の領域よりも欠陥でありやすい領域のような何らかの痕跡が存在し得る。このようにして、本発明の方法は、上記積み重ねダイマップの痕跡を問題の指標として用いて、外れ値の一部を選択することを含むことができる。より具体的には、外れ値の一部を選択することは、上記積み重ねダイマップの痕跡に対応する外れ値を選択することを含むことができ、これにより、本明細書にさらに記載するように生成される検査結果は、ウェハー上の潜在的問題を示すものとすることができる。上記積み重ねダイマップは、本明細書にさらに記載するように作成することができ、上記積み重ねダイマップを、本明細書にさらに記載するように分析して、サンプリングした外れ値の一部を選択することができる。さらに、本発明の方法は、上記ウェハーマップ及び上記積み重ねダイマップを共に分析して異常を特定し、これらの異常に対応するサンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことができる。
【００４７】
一実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値のマップ上に設計コンテキスト情報をオーバーレイ（重ね表示）し、マップ上にオーバーレイしたこの設計コンテキストに基づいて、１つ以上の体系的欠陥メカニズムを識別することを含む。この設計コンテキスト情報は、例えば、設計データ空間全体にわたる設計データの１つ以上の属性についての値を含むコンテキストマップとすることができる。設計データのこれら１つ以上の属性は、例えば、機能ブロック、設計ライブラリの要素セル、あるパターンが冗長であるか否か、パターン密度、ダミー／フィル（充填物）対アクティブ（能動）、特徴の種類（例えば、ダミーの特徴、接点、配線端）、特徴の属性（例えば、幾何学的形状間の最小線幅／空間、等）、デバイス設計において、１つ以上の属性（接触領域またはダミー／フィル領域のような領域内の特徴の種類、「検査すべき場所」の情報、または「ケア（要注意）領域」、プロセスの不具合があり得る「クリティカル（決定的）」領域、あるいはこれらの何らかの組合せ）の異なる値を有する幾何学的領域、等を含むことができる。この設計コンテキスト情報は、シミュレーション、モデル化、及び／またはKLA-Tencor社から市販されている分析ソフトウェア製品、ＤＲＣソフトウェアのような他のソフトウェア、あるいはこれらの何らかの組合せを含む種々のソース（情報源）から取得することができる。この設計コンテキスト情報は、同じ権利者が所有する、Kulkarni他による米国特許出願第１１／５６１７３５号明細書、２００７年７月５日に米国特許出願公開第２００７／０１５６３７９号として公開、及びZafar他による米国特許出願第１１／５６１６５９号明細書、２００７年１２月１３日に米国特許出願公開第２００７／０２８８２１９号として公開、に記載されたあらゆるコンテキスト情報、コンテキストデータ、またはコンテキストマップを含むこともでき、これらの特許文献は、その全文を参考文献として本明細書に含める。この設計コンテキスト情報も、これらの特許文献に記載されたように作成することができる。
【００４８】
上記設計コンテキストは、サンプリングした外れ値のマップ上に、あらゆる適切な方法でオーバーレイすることができる。例えば、ウェハー空間内に生成した、サンプリングした外れ値のマップを、ウェハー空間と設計空間に共通のいくつかの基準点に基づいて、設計空間内に生成したコンテキストマップ中の設計コンテキスト情報に位置合わせすることができる。サンプリングした外れ値のマップの、設計コンテキストに対するこうした位置合わせは、あらゆる適切な方法で実行することができる。
【００４９】
１つ以上の体系的欠陥メカニズムを、上記マップ上にオーバーレイした設計コンテキスト情報に基づいて識別することは、このマップ上にオーバーレイしたコンテキスト情報を分析して、複数のサンプリングした外れ値が、ウェハー空間内の同じ設計コンテキストの複数のインスタンス位置に対応するか否かを判定することによって実行することができる。例えば、同様にサンプリングした外れ値、あるいは単に複数のサンプリングした外れ値の存在が、同じ設計コンテキストの複数のインスタンスに対応する場合は、同じ設計コンテキストのこれら複数のインスタンスに対応するサンプリングした外れ値が、この設計コンテキスト中に発生する潜在的な体系的欠陥メカニズムの存在を示すことができる。これに加えて、本発明の方法は、上述したウェハーマップ及び／または積み重ねダイマップのようなマップ上にオーバーレイした設計コンテキスト情報を用いて、発生し得る体系的欠陥メカニズムを特定することを含むことができる。例えば、通常は、特定設計コンテキスト中に検出された多数の外れ値が存在し得るし、これらの外れ値は、ウェハー上に発生する体系的欠陥メカニズムに対応し得る。
【００５０】
こうした実施例では、上記選択するステップが、上記１つ以上の体系的欠陥メカニズムに対応するサンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含む。例えば、一旦、１つ以上の体系的欠陥メカニズムに対応するサンプリングした外れ値を上述したように識別すると、これらのサンプリングした外れ値のうち、各体系的欠陥メカニズムに対応する上記設計コンテキストのインスタンスの少なくとも一部の所に位置する外れ値の少なくとも一部が選択されるように、上記サンプリングした外れ値を選択することができる。１つのこうした例では、体系的欠陥メカニズムに対応するサンプリングした外れ値の副集団を識別することができ、そして、この副集団の一部を、本明細書で更に説明するように（例えば、サンプリングした外れ値が含まれるビン、及び／または、これらのビンに対応する上記１つ以上の所定基準の値または間隔に基づいて）選択することができる。
【００５１】
追加的な実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、サンプリングした外れ値中に存在する１つ以上の痕跡を識別することを含み、そして、上記選択するステップが、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥を１つ以上の痕跡と比較し、検査結果が、これら１つ以上の痕跡の各々に対応するサンプリングした外れ値又は欠陥の少なくとも一部を含むように、上記サンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含む。例えば、痕跡の各種に対応するサンプリングした外れ値または欠陥の少なくとも一部が検査結果に含まれることを保証するために、本発明の方法は、（上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出され、）ウェハー、ダイ、及び設計コンテキスト・ベースの痕跡と共に報告された実際の欠陥を検査して、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて欠陥として検出されなかった痕跡を特定する。このようにして、上記選択するステップは、報告された欠陥がウェハー／ダイの痕跡を捉えているか否かを判定する。
【００５２】
他の実施例では、上記ウェハーレベルの分析が、ウェハー上の領域のうち、当該領域内に位置する複数のサンプリングした外れ値の数が、ウェハー上の他の領域より多い領域を識別することを含む。例えば、（ウェハーの取り扱いによる「スクラッチ（擦り傷）」のような）より多数の外れ値が存在し得るウェハー上の領域が存在し得る。ウェハー上の領域のうち、当該領域内に位置するサンプリングした外れ値の数を比較する領域は、ウェハー上のあらゆる適切な領域とすることができる。例えば、ウェハー全体の領域を任意の方法で（例えば、矩形グリッド（格子）を用いて）個別領域に分割し、これらの領域を上述したように分析する。異なる領域内に位置するサンプリングした外れ値の数を測定し、あらゆる適切な方法で比較することができる。当該領域内に位置するサンプリングした外れ値の数が相対的に大きい領域内に位置するサンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することは、あらゆる適切な方法で実行することができ、そして、検査結果が、空間的に関係する外れ値の数として上記出力中に集合的に表現される、相対的に大規模な欠陥に対応するサンプリングした外れ値の少なくとも一部を含むようにすることが有利であり、これら外れ値の多数が、上記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の値を有し得る。
【００５３】
同様の方法で、上記ウェハーレベルの分析は、ウェハー上の異なる領域について検出した欠陥を分析することを含むことができる。例えば、本発明の方法は、クリティカル（決定的）領域ＩＤ中に「適切な」欠陥が捉えられているか否かを判定するステップを含むことができる。「適切な」欠陥（例えば、何らかの所定最小数の欠陥）がいくつかの領域内に検出されない場合は、この選択するステップは、これらの領域内のサンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含むことができる。このようにして、ウェハー上のすべての異なる領域を検査結果中に表現することができる。
【００５４】
上記選択するステップは、サンプリングした外れ値の一部を選択するための、他のユーザ定義の基準を用いて実行することもできる。これに加えて、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥は、何らかのユーザ定義の基準を用いて（報告または他の目的で）サンプリングすることができる。
【００５５】
本発明の方法は、サンプリングした外れ値の上記選択した一部についての情報を、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせることによって、ウェハーについての検査結果を生成するステップを含むこともできる。例えば、上述したように、本発明の方法は、ウェハー走査中に、潜在的欠陥の大多数（例えば、何千万個の潜在的欠陥）をサンプリングし、そして、ウェハーレベルの分析を実行して、検査の最終結果として報告される欠陥を選択するステップを含む。従って、この最終結果は、各副集団からの代表的欠陥を含み、そして製造プロセス中に発生し得るランダム欠陥並びに体系的欠陥メカニズムを共に反映している。この検査結果は、あらゆる適切な方法で生成することができ、そして、あらゆる適切なフォーマット（例えば、ＫＬＡＲＦファイル）のあらゆる適切な型とすることができる。この検査結果は、欠陥及び外れ値が単に欠陥として報告されるように生成することができる。換言すれば、この検査結果は、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥を、検査結果中に「欠陥」として含まれる外れ値と区別する印は含まなくてもよい。サンプリングした外れ値の上記選択した一部についての情報、及び検査結果に含まれる欠陥についての情報は、サンプリングした外れ値及び欠陥についてのあらゆる適切な情報を含むことができる。
【００５６】
一実施例では、上記検出するステップ及びサンプリングするステップを、コンピュータノードによって実行し、上記選択するステップ及び検査結果を生成するステップを、ホスト（コンピュータ）によって実行する。例えば、図１に、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法の実施例を示す。図１は、本明細書で説明する概念を利用した、ホストとノード（例えば、画像コンピュータノード）との間の情報の流れの具体例も示す。このようにして、図１に、本明細書で説明する実施例についてのデータフロー（データの流れ）の一具体例を示す。なお、図１に示す各ステップは、本発明の方法の実施にとって不可欠ではない。１つ以上のステップを、図１に示す方法から省略するか、この方法に追加することができ、それでも、この方法を本実施例の範囲内で実施することができる。この方法は、図１のステップ１０に示すように、ウェハーを走査するステップを含む。ウェハーを走査するステップは、本明細書に記載のように実行することができる。
【００５７】
上記検出するステップ及びサンプリングするステップは、コンピュータノードによって実行することができる。例えば、ステップ１２では、ウェハーを走査中に、各コンピュータノードが、ウェハー画像、あるいはウェハーを走査することによって生成される他の出力の一部を処理する。各ノードは、検査方法において指定した１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて欠陥を検出する。より具体的には、各ノードは、この方法における１つ以上の欠陥検出しきい値を超える欠陥を検出する。このようにして、各ノードは、その通常の欠陥検出方法を実行する。この方法における１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて（これらのしきい値は一般に、生産中には相当「コールド」であり続ける）、ノードは、ウェハーについて（例えば）二、三百個または二、三千個の欠陥を検出することができる。
【００５８】
各ノードは、各サンプリングセル内で最高の外れ値もサンプリングする。これらのノードは、上記１つ以上の所定基準に基づくサンプリングセル定義を用いて、当該ノードのジョブの入力パラメータリスト中に指定された基準のみに対して、外れ値をサンプリングする。例えば、サンプリングセルが、(a)ダイ番号、(b)設計コンテキスト、及び(c)グレーレベルに基づいて定義されている場合は、この設計コンテキストを例えば４つのコンテキスト型に分離し、このグレーレベルは例えば１６個のグレーレベル間隔に分離することができる。このようにして、各ノードは、これら４つのコンテキスト型及び１６個のグレーレベル間隔に基づいて規定したサンプリング「グリッド」を用いて、外れ値をサンプリングすることができる。各ノードは、グリッドセル当たり上位Ｎ個の外れ値をサンプリングすることができる。各ノードは、上記サンプリングセルについてサンプリングした外れ値を、セル毎に、当該ノードのメモリに、当該メモリの容量まで記憶することができる。例えば、ウェハー上に１００個のダイが存在するものと仮定する。この場合は、ノードは、このノードが処理するダイ毎に、４×１６＝６４個のサンプリングセル毎に、（例えば）上位１００個の外れ値を記憶することができる。従って、システムが１６個の処理ノードを有する場合は、各ノードは、ダイ毎、セル毎に、６４セル×１００個のダイ×１００個の外れ値＝６４０，０００個までのサンプリングした外れ値を、当該ノードのメモリに記憶することができる。従って、システム全体は、走査の終わりに、１６×６４０，０００＝１０００万個のサンプリングした外れ値をメモリに記憶することができる。
【００５９】
他の例では、上記１つ以上の所定基準が、すべてのセグメントと領域との組合せを含むことができる。ノードがその出力中に外れ値を検出すると、このノードは、この外れ値のセグメント及び領域を特定することができる。そして、このノードは、これらのセグメントと領域との組合せに対するサンプリングセルＩＤが作成されているか否かを判定することができる。作成されていない場合は、このノードは、一意的なサンプリングセルを作成することができ、このサンプリングセルＩＤ／セグメント／領域が当該サンプリングセルの名前となり、そして、この外れ値をこのサンプリングセルに追加することができる。このサンプリングセルが既に存在し、このノードが、サンプリングした外れ値を、このサンプリングセルについて、まだ当該ノードの容量まで記憶していない場合は、このノードは、この外れ値を、このサンプリングセル内のサンプリングした外れ値の（例えば外れ値の大きさによってソートした）リスト中に追加する。
【００６０】
このサンプリングセルが「満杯」である場合は、上記ノードは、上記リスト中の「最低の」サンプリングした外れ値（即ち、上記出力の最低値を有するサンプリングした外れ値）が現在の外れ値より大きいか否かを判定する。大きい場合は、このノードは現在の外れ値を捨てる。大きくない場合は、このノードは、「最低の」サンプリングした外れ値を削除した後に、現在の外れ値を、上記順序付けしたリスト中の適切な場所に追加する。
【００６１】
これに加えて、外れ値を記憶する前に、ノードはフレーム当たりのサンプリング限界をチェックすることができる。例えば、ノードは、所定数まで、但し所定数を超えない外れ値を、所定ジョブからビン内に記憶することができる。この所定数は入力パラメータとすることができる。この制限の理由は、ビンが単一ジョブ内の単一で密集した外れ値クラスタで満たされることを防ぐことにある。
【００６２】
当該ジョブまたはフレームから外れ値をサンプリングするジョブまたはフレームは変化させることができる。換言すれば、外れ値は、必ずしもすべてのジョブまたはウェハー上のフレームからサンプリングしなくてもよい。例えば、ノードは、各ジョブに関連付けることのできる「サンプリングせよ／サンプリングするな」フラグを用いて、ジョブからの外れ値をサンプリングして記録すべきか否かを決定する。こうしたフラグは、ダイ／ウェハーの特定部分からの外れ値のみをサンプリングしてノードのメモリに記憶すべき場合のような特定状況において有用であり得る。他の例では、複数のチャンネルを有するシステムについて、特定チャンネルによって検出した外れ値のみをサンプリングして、メモリ等に記憶することができる。
【００６３】
本明細書にさらに記載するように、ウェハー及びすべてのダイのすべての部分から外れ値をサンプリングするために、ノードは、当該ノードが処理中であるジョブについての情報であって、外れ値サンプリングするための「地理的」性質の情報を用いることができ、そしてこの地理的データを当該ノードのメモリに記憶することができる。この地理的データは、一時的な全体（ウェハー規模の）情報（例えば、ダイ寸法、ウェハー・レイアウト、サンプリング計画、等）、（例えば、何らかのダイ番号付け方式を用いた）ダイ番号、（ダイの行に対する）スワス（帯）番号、及びサブスワス識別情報（各スワス内のどのサブスワスに当該ノードを割り当てるか、この識別情報は固定とすることができる）を含むことができる。あるいはまた、上記地理的情報のすべてを、ノードに伝えられる一意的な「セルＩＤ」に符号化することができる。サンプリングセルＩＤ毎に、ノードはセグメント／領域ＩＤを追加して、当該ジョブ内、及び当該セグメント／領域内でサンプリングしたあらゆる外れ値を含む最終的な物理的サンプリングセルを決定することができる。
【００６４】
ノードは、サンプリングセルデータ定義を作成することもできる。例えば、ノードは、外れ値パッチ／参照パッチ、パッチサイズ、記録すべき特徴、等のようなジョブ入力パラメータとして指定された特徴を記録することができる。ノードはサンプリングセル要約データ定義を作成することもできる。例えば、ノードが作成する要約報告は、検査用の入力パラメータとして指定された外れ値の欠陥の特徴を要約することができる。（サンプリングセル毎の）代表的な要約情報は：(a)サンプリングセル内の外れ値の数、(b)特徴の最大値、(c)特徴の最小値、(d)特徴の平均値、(e)サンプリングセル内の特徴値の標準偏差、あるいはこれらの何らかの組合せを含むことができる。サンプリングセル内の(b)特徴の最大値、(c)特徴の最小値、(d)特徴の平均値、及び(e)サンプリングセル内の特徴値の標準偏差、の値は、要求された特徴毎に提供することができる。
【００６５】
図１のステップ１４では、各ノードが、方法における１つ以上の欠陥検出しきい値を超えた欠陥をホストにアップロードし、サンプリングした外れ値の要約統計量をアップロードする。例えば、各ノードは、方法における１つ以上の欠陥検出しきい値で検出した欠陥、及び当該ノードがサンプリングした他の外れ値の要約統計量、例えば各サンプリングセル内の外れ値の数、平均強度、サイズ、極性、または他のこうした尺度をアップロードする。他の例では、要求に応じて、各ノードは、セルの要約、及び指定したセルの上位Ｎ個のサンプリングした外れ値をホストに送信する。これに加えて、各ノードは、サンプリングした外れ値の結果を（ジョブ毎に）ジョブ管理者に報告することができる。このようにして、ノードは、サンプリングセルの統計値を報告するように構成することができる。例えば、本明細書でさらに説明するように、すべてのサンプリングセル内に含まれるノードは、サンプリングした外れ値の要約統計量を決定する能力を有することができ、そしてこの要約統計量をホストに送信することができる。
【００６６】
上記選択するステップ及び（検査結果を）生成するステップは、ホストによって実行する。例えば、図１のステップ１６では、ホストがすべてのノードから欠陥を収集する。これに加えて、ホストは、すべてのノードから要約統計量を収集して、ウェハー規模及び積み重ねダイ規模の要約を構成する。例えば、ホストは、すべてのノードから要約を収集し、このデータを用いて、サンプリングした外れ値のウェハー規模の「マップ」を生成する。ホストは、このマップを用いて、ダイ全体にわたるデータを組み合わせた積み重ねダイマップを、ダイ内のフレーム毎に構成することができる。
【００６７】
ステップ１８では、ホストがウェハー規模の問題（痕跡）及びダイ規模の問題（痕跡）を特定する。例えば、ホストは、上記ウェハーマップ及び積み重ねダイマップを分析して、異常を特定する。この時点で、ホストは、マップ上にオーバーレイされた設計コンテキスト情報を用いて、発生中であり得る体系的欠陥メカニズムを特定することもできる。例えば、通常は、特定設計コンテキスト中に位置する多数のサンプリングした外れ値が存在し得る。これに加えて、ホストは、設計ベースのビン分けを用いて、潜在的な体系的（欠陥の）問題を識別することができる。ホストは、体系的欠陥メカニズムを特定することができるか、あるいは、設計ベースのビン分けを用いて潜在的な体系的（欠陥の）問題を識別することができ、これらのことは、同じ権利者が所有する、Kulkarni他による米国特許出願第１１／５６１７３５号明細書、２００７年７月５日に米国特許出願公開第２００７／０１５６３７９号として公開、及びEldredge他による米国特許出願第１１／５６１６５９号明細書、２００７年１２月１３日に米国特許出願公開第２００７／０２８８２１９号として公開、に記載されたように行うことができ、これらの特許文献は共に２００６年１１月２０日に出願され、その全文を参考文献として本明細書に含める。本明細書に記載の実施例は、これらの特許出願中に記載されたあらゆる方法のあらゆるステップを含むことができる。あるいは、（ウェハーの取り扱いによる「スクラッチ」のような）より多数のサンプリングした外れ値が存在する領域が存在し得るし、あるいは、他の領域よりも欠陥でありやすい領域のような何らかの痕跡が、積み重ねダイマップ中に存在し得る。各種類の痕跡が検査結果中に表現されることを保証するために、ホストは、（ステップ１４で）ウェハー、ダイ、及び設計コンテキスト・ベースの痕跡と共に報告された実際の欠陥を検査して、検査方法における上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて、欠陥が削除されていない痕跡を特定する。ホストは、本明細書に記載の他のウェハーレベルの分析を実行して、サンプリングした外れ値の一部を報告用に選択することができる。
【００６８】
図１のステップ２０では、ホストは、検査結果を完成させるために当該ホストが検索したい、各ノード内のサンプリングした外れ値を決定する。例えば、ホストは、ノード毎に検索すべきサンプリングした外れ値、及びサンプリングした外れ値の数を問い合わせる必要のある、ノード、及びダイ／フレーム／領域／セグメントを決定することができる。ステップ２２に示すように、このリストはノードから要求される。例えば、ホストはノードに、サンプリングセル当たりの外れ値の数をアップロードすることを要求することができる。ノードは、サンプリングセルからの指定した外れ値を報告するように構成することができる。例えば、ノードは、要求に応じて、上位Ｎ個のサンプリングした外れ値を、指定されたサンプリングセルＩＤの組からホストに送信する能力を有する。ステップ２４に示すように、各ノードは、ホストが要求した外れ値及び欠陥をアップロードする。ステップ２６に示すように、各ノードは、選択した外れ値及び欠陥をホストにアップロードする。特別な場合として、ノードは、すべてのサンプリングセル内に記憶されているすべてのサンプリングした外れ値を、当該ノードのメモリから返送することができる。そして、ホストは、ノードがアップロードした、選択した外れ値及び欠陥を用いて最終結果２８を生成する。
【００６９】
図１に示す方法の実施例は、本明細書で説明する他のステップを含むことができる。これらのノード及びホストはさらに、同じ権利者が所有する、Bhaskarによる米国特許出願第６０／９７４０３０号、２００７年９月２０日出願に記載のように構成することができ、この特許文献はその全文を参考文献として本明細書に含める。これに加えて、本明細書に記載の他のコンピュータシステム及びコンピュータ・サブシステムはさらに、この特許出願に記載のように構成することができる。本明細書に記載の実施例は、本願中に記載のあらゆる方法のあらゆるステップを含むこともできる。
【００７０】
本明細書に記載の方法の結果は、他の方法でも同様に用いることができる。例えば、本明細書に記載の実施例は、検査方法を作成するために使用するウェハーについての結果を生成するために用いることができる。このようにして、本明細書に記載の実施例は、ノードメモリを利用することによって、セットアップ（設定）中に用いることができる。本明細書に記載の方法の結果を、方法のセットアップに用いる実施例では、本明細書に記載のサンプリングするステップを、同じ権利者が所有する、Chen他による米国特許出願第１１／８５９３４２号、２００７年９月２１日出願に記載のように実行することができ、この特許文献は、その全文を参考文献として本明細書に含める。本明細書に記載の実施例は、この特許出願に記載されたあらゆる方法のあらゆるステップを含むことができる。
【００７１】
図２に、ダイ／サブダイの要約データの一具体例を示す。図２に示すように、ウェハー上のダイ番号Ｎは、複数のスワス（例えば、スワス番号１、スワス番号２、等）の形で走査することができる。各スワス内の対応するサブスワスは、同じノードによって処理することができる。各スワス内の個別フレームは、これらのノードによって独立して処理することができる。これらのノードは、上述したように構成することができる。これらのノードは、本明細書にさらに記載するように、これらのサブスワスを処理することができる。図２にさらに示すように、このシステムは８つのノード（例えば、ノード１, ノード２, ノード３,...ノード８）を含むことができる。各ノードは、図２に示すように、ダイ番号Ｎのサブダイ（例えばダイ面積の１％）を処理することができる。
【００７２】
図２にさらに示すように、サンプリングセル３０（及び図２に図示しない他のサンプリングセル）は、領域ＩＤ、ダイ／サブダイＩＤ、及びセグメントＩＤを含む１つ以上の所定基準に基づいて定義することができる。従って、図２に示すように、サンプリングセル３０（及び他のサンプリングセル）は、（セグメント、領域、及びダイに基づいて）サンプリンググリッド３２内で定義することができ、領域ＩＤはグリッドのｘ軸上にプロットされ、ダイ／サブダイＩＤはグリッドのｙ軸上にプロットされ、セグメントＩＤは、グリッドのｚ軸上にプロットされている。図２にさらに示すように、各サンプリングセルの情報３４は、外れ値のカウント数、及びこれらの外れ値の１つ以上の欠陥特徴についての１つ以上の統計値（例えば、欠陥特徴１の平均値、欠陥特徴１の標準偏差（または最大値）、欠陥特徴２の平均値、欠陥特徴２の標準偏差（または最大値）、欠陥特徴３の平均値、欠陥特徴３の標準偏差（または最大値）、等）を含むことができる。
【００７３】
本明細書に記載の実施例は、体系的欠陥メカニズムを「探る」ためのサンプリングした外れ値の一部を選択するための尺度を指定するフレキシビリティ（柔軟性）をユーザに提供するように構成することができる。例えば、上述した、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいてサンプリングした外れ値を選択することは、サンプリングセルの要約を用いた複数レベルの分類（マルチレベル・クラスタリング）を含むことができる。図３に、サンプリングセルの要約（サンプリングセルの要約データ）を用いた複数レベルの分類の一具体例を示す。特に、図３は、サンプリングした外れ値のうち体系的欠陥メカニズムに対応する部分を、ウェハーレベル及び（積み重ね）ダイレベルのクラスタに基づいて選択するための１つの可能な方法を示す。このようにして、図３に示す方法は、ウェハー／ダイのクラスタ・ベースの外れ値選択の一具体例である。なお、図３に示すステップは、本発明の方法の実施にとって不可欠ではない。１つ以上のステップを、図３に示す方法から省略するか、この方法に追加することができ、それでも、この方法を本実施例の範囲内で実施することができる。これに加えて、図３に示す実施例は、外れ値を選択することに関して説明しているが、図３に示す実施例を用いて、ウェハーを走査することによって生成した外れ値を１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって検出した欠陥の集団から、欠陥をサンプリングすることもできる。さらに、図３に示す方法は、領域及びセグメントを含む１つ以上の所定基準に関して説明しているが、図３に示す方法は、本明細書に記載の他の１つ以上の所定基準について実行することができる。
【００７４】
検査走査中に、各ノードは、各サンプリングセル（当該ノードが処理するダイの領域を表すことができる）内で見つけた上位Ｎ個の外れ値を、領域またはセグメント毎に保持する。図３に示す方法はステップ３６で開始され、ステップ３６は、領域ＩＤ／セグメントＩＤ毎に、ダイ／サブダイ毎のサンプル要約を、すべてのノードから収集するステップを含む。例えば、（走査の終わりに）要約報告を計算するコマンドをホストから受信すると、各ノードは、サンプリングセル毎に次の値を計算することができる：(a)当該サンプリングセル内の外れ値の総数；(b)当該サンプリングセル内の外れ値についての差分グレーレベルの最大値；(c)当該サンプリングセル内の外れ値についてのグレーレベル差の平均値、等。
【００７５】
図３のステップ３８に示すように、本発明の方法は、所定ダイ／サブダイについてのサンプル要約を、領域ＩＤ／セグメントＩＤ毎に、すべてのノードにわたって総計して、ウェハーレベルのマップをサブダイの分解能で作成するステップを含む。例えば、各ノードが、各ダイの異なる地理的領域を検査するので、ホストのアプリケーションは、すべてのノードから受信した要約の入力を組み上げることによって、ウェハー全体にわたる特定尺度の「コラージュ」を構成することができる。
【００７６】
すべての領域ＩＤ及びセグメントＩＤについて、本発明の方法は次のステップを実行することを含む。本発明の方法は、図３のステップ４０に示すように、ダイ／サブダイで集計した外れ値のカウント数を用いたウェハーレベルの分類を含む。分類すべき適切なパラメータの選定を評価することができる。いくつかの可能な選定は：(a)外れ値の総数：(b)グレーレベル差の最大値；(c)グレーレベル差の平均値、等とすることができる。
【００７７】
ウェハーレベルの分類（クラスタリング）は、ウェハーのクラスタ分析を含むことができる。例えば、分類すべく選定したパラメータを用いて、本発明の方法は、ウェハーの「画像」を構成するステップを含むことができ、この画像中では、各「画素」がサンプリングセルを表し、各画素の輝度がパラメータ値を表す。例えば、各画素（サンプリングセル）が、１０フレーム×２０フレームのブロックを表し、各フレームは１０２４画素×５１２画素であり、５０nmの画素を仮定すれば、各サンプリングセルは、ウェハー上の１０，０００画素×１０，０００画素（５００ミクロン×５００ミクロンの領域）をカバーするものと仮定する。これらの仮定に基づけば、ウェハー上にはおよそ２７０，０００画素（サンプリングセル）が存在する。そして、本発明の方法は、当該領域内で表現されるパラメータの値が相対的に大きい、ウェハー上の「大きな」領域を探索するステップを含む。例えば、本発明の方法は、ウェハー全体にわたるすべての値のヒストグラムを構成して、このヒストグラム内の二峰性（相対的に高い値を有して、より低い値を有する他のサンプリングセルから分離されたサンプリングセルの集合）を検索するステップを含む。あるいはまた、本発明の方法は、分布の何らかの値（Ｋ×標準偏差）を超える（即ち、分布中で外れたサンプリングセル）サンプリングセルを探索するステップを含む。本発明の方法は、何らかのサイズ（ウェハー上の面積）を超える「外れた」サンプリングセルのクラスタのみを検査するステップも含むことができ、あるいは、本発明の方法は、これらの「外れた」サンプリングセルがウェハー全体にわたって分離して分布している場合でも、すべての外れたサンプリングセルを考慮するステップを含むことができる。
【００７８】
図３のステップ４２に示すように、本発明の方法は、各ウェハー・クラスタから報告された欠陥の％割合を計算するステップを含む。図３のステップ４４に示すように、本発明の方法は、所定の領域ＩＤ／セグメントＩＤを有する適切な欠陥サンプルのないクラスタ（ダイ／サブダイ領域）を識別するステップを含む。例えば、本発明の方法は、検出した欠陥のリストを検査して、各クラスタの（外れた）サンプリングセルが、このリスト中に表現されているか否かを判定するステップを含むことができる。所定クラスタから報告された代表的欠陥が存在しない場合は、本発明の方法は、（１つ以上の）代表的な外れ値を選択する方法及び場所を決定するステップを含む。パラメータの最高値を有するクラスタに属するサンプリングセルから外れ値を選択することが、妥当であり得る。例えば、最大グレーレベル差が、クラスタ分析用に選定したパラメータである場合は、上記の上位Ｎ個の外れ値は、グレーレベル差の最大値を有するクラスタ内のサンプリングセルから選択することができる。そして、本明細書にさらに記載するように、この特定のサンプリングセルを処理したノードに問い合わせて、このサンプリングセルからの上位Ｎ個の外れ値を検索し、これにより、ウェハーレベルのクラスタの適切な表現用の外れ値をアップロードすることができる。
【００７９】
上述した分類するステップ及び外れ値を選択するステップは、セグメント及び領域毎に反復することができる。従って、４種類の領域が存在し、各領域が３セグメントを有する場合は、上記分類するステップ及び外れ値を選択するステップを１２回実行することになる。
【００８０】
図３のステップ４６に示すように、本発明の方法は、ウェハー・クラスタ（即ち、外れ値クラスタを有するダイ／サブダイ領域）を除去するステップを含む。例えば、すべてのセグメント及び領域を処理した後に、このように見出したすべてのクラスタを、ダイの積み重ねについてのさらなる考察から除外する。このことを行うために、ホストのアプリケーションは、セグメント及び領域毎にウェハー規模の「サンプリングセル・マスク」を構成し、これにより、あるウェハー・クラスタに寄与するすべてのサンプリングセルをオフ状態にし（０に設定し）、残りのサンプリングセルをオン状態にする（１に設定する）。残りのサンプリングセルは次の方法で処理する。
【００８１】
図３のステップ４８に示すように、本発明の方法は、ダイ／サブダイで集計した外れ値のカウント数を用いて、ダイの積み重ねを実行するステップを含む。例えば、ダイの積み重ねを実行するために、（上記サンプリングセル・マスク内では非０である）各サンプリングセルを、すべてのダイからのすべての対応するサンプリングセルと組み合わせる。１つのこうした例では、ウェハー上にＭ個のダイが存在し、ダイ当たりＬ個のサンプリングセルが存在する場合は、上記サンプリングセル・マスク内で非０であるＬ個のサンプリングセル毎に、Ｍ個のダイからのパラメータ値を何らかの方法で組み合わせることができる。Ｍ個のサンプリングセルの値を組み合わせる可能な方法は：(a)Ｍ個のサンプリングセルのパラメータの最大値；(b)Ｍ個のサンプリングセルのパラメータの平均値；及び(c)Ｍ個のサンプリングセルのパラメータの加重（重み付け）平均値（即ち、各サンプリングセルからの寄与分を、当該サンプリングセル内の外れ値の数によって重み付けする）を含む。ダイ積み重ねの結果は、積み重ねたダイの「画像」であり、この画像中の各画素が、（Ｍ個のダイにわたって）積み重ねたサンプリングセルを表現する。
【００８２】
図３のステップ５０に示すように、この方法は、ダイ積み重ねデータに対して分類を実行するステップを含む。例えば、ウェハー分類に使用したのと同様の方法を適用して、積み重ねたダイの画像中のクラスタ（または外れ値のサンプリングセル）を決定することができる。図３のステップ５２に示すように、本発明の方法は、ダイ積み重ねクラスタの各々から報告された欠陥の％割合を計算するステップを含む。図３のステップ５４に示すように、本発明の方法は、所定の領域ＩＤ／セグメントＩＤで検出された適切な欠陥のないクラスタ（ダイ／サブダイ）を識別するステップを含む。例えば、各クラスタを検査して、当該クラスタが、上記選択したリスト中に表現されている（１つ以上の）欠陥を有するか否かを判定することができる。こうした欠陥を有しない場合は、適切なノードに、上位Ｎ個の外れ値を問い合わせる。選定するダイ領域は、積み重ねたダイのクラスタに属する領域とすることができ、積み重ねたパラメータ値の最大値を有する。ノードは、積み重ねを構成する（即ち、上記Ｍ個のダイの各々からの）サンプリングセルの各々からの、上位Ｎ個の外れ値を問い合わせられ得る。あるいはまた、積み重ね内のサンプリングセルからの、この積み重ねの値に最も寄与する上位１つ以上の外れ値のみを検索することができる。
【００８３】
上述した積み重ねダイの処理は、セグメント毎に、かつ領域毎に反復する。ここでも、各々が３セグメントの、４種類の領域を仮定すれば、ダイの積み重ねを１２回反復することになる。上述した複数ステップの終わりに、すべてのセグメント及び領域について、すべてのウェハー・クラスタ及びダイ積み重ねクラスタのリスト、及び以上のクラスタの各々からの代表的な欠陥及び外れ値を有することができる。
【００８４】
図３のステップ５６に示すように、本発明の方法は、ダイ積み重ねクラスタ（即ち、外れ値のクラスタを有するダイ／サブダイ領域）を除去するステップを含む。例えば、ランダム欠陥分析のために、セグメント及び領域毎にダイ積み重ねマスクを構成することによって、積み重ねダイ・クラスタのサンプリングセルを、さらなる処理から除外することができる。そして、このダイ積み重ねマスク内で０に設定されているサンプリングセルは、上記Ｍ個のダイの各々における、前に構成されたウェハーレベルのサンプリングセル・マスク内でも０に設定する。図３のステップ５６は、図３に示す結果５８を生成し、この結果は、ウェハー・クラスタまたはダイ積み重ねクラスタの一部ではないダイ／サブダイ領域である残りの外れ値の要約を含む。例えば、結果的なウェハー規模のサンプリングセル・マスクは、ウェハー・クラスタまたはダイ積み重ねクラスタに寄与したすべてのサンプリングセルが０に設定されているサンプリングセル・マスクとすることができる。残りのサンプリングセルは、いずれのウェハー・クラスタまたは積み重ねダイ・クラスタにも属さない「ランダムな」外れ値を含むサンプリングセルを表す。
【００８５】
図３のステップ６０に示すように、本発明の方法は、報告された欠陥の適切な％割合が、これらの領域からのものであるか否かを判定するステップを含む。例えば、本発明の方法は、これらのサンプリングセルのいずれかから報告された代表的な欠陥が存在するか否かを判定するステップを含むことができる。図３のステップ６２に示すように、本発明の方法は、所定の領域ＩＤ／セグメントＩＤに対して、これらの領域から所望される外れ値の数を特定するステップを含む。上記パラメータの最大値を有するサンプリングセルを問い合わせて、このセグメント及び領域に属する上位Ｎ個の外れ値を検索することができる。上述した、ウェハー・クラスタ及びダイ・クラスタを除去するステップ、及び残りのランダムな外れ値のサンプリングセルを検査するステップは、セグメント及び領域毎に反復することができる。これらのステップの終わりに、上記結果は、セグメント及び領域毎の、ランダムな外れ値の集団からの代表的な外れ値を含む。
【００８６】
ステップ４４、５４、及び６２の結果は、図３のステップ６４で用いられ、ステップ６４は、(a)ウェハーレベル・クラスタ、(b)ダイ積み重ねクラスタ、及び(c)領域ＩＤ／セグメントＩＤの適切な表現のために必要な欠陥及び外れ値をアップロードすることをノードに要求するステップを含む。従って、図３に示す方法は、ウェハーレベル及びダイ積み重ねレベルを含む複数のレベルに対して分類を実行することができる。本明細書で説明する本発明の方法のあらゆる実施例の選択するステップは、図３に示すように実行することができる。
【００８７】
条件付きサンプリングを含む他のサンプリング方策も可能である。例えば、一実施例では、上記選択するステップが、他のサンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に条件付で基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択することを含む。１つのこうした例では、本発明の方法が、特定サンプリングセル（例えばＳＲＡＭ領域）の要約を検査し、その値に基づいて、追加的な外れ値を、これらの領域に隣接したランダムロジック（論理回路）領域から抽出するステップを含む。このようにして、サンプリングした外れ値の一部を、他のサンプリングした外れ値の分析の結果に条件付きで基づいて選択することができる。
【００８８】
本明細書に記載の実施例は、本明細書に記載の、コンピュータで実現される１つ以上の方法の１つ以上のステップの結果を記憶媒体に記憶するステップも含むことができる。これらの結果は、本明細書に記載のあらゆる結果を含むことができる。これらの結果は、現在技術において既知のあらゆる方法で記憶することができる。この記憶媒体は、現在技術において既知のあらゆる適切な記憶媒体を含むことができる。これらの結果を記憶した後に、本明細書に記載のいずれかの方法またはシステム、他の何らかの方法、あるいは他の何らかのシステムによって、記憶媒体内のこれらの結果をアクセスして利用することができる。さらに、これらの結果は、「永久的に」、「半永久的に」、「一次的に」、あるいは何らかの期間中記憶することができる。例えば、上記記憶媒体はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とすることができ、上記結果は必ずしも記憶媒体内に存続しなくてもよい。
【００８９】
本明細書に記載の実施例は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての結果を生成する他の方法及びシステムに対して、複数の利点を有する。例えば、以前のウェハー検査方法は、局所的比較、あるいは金の（基準）ダイとの比較に基づいて欠陥を検出するが、この方法で指定した欠陥検出しきい値以下で作用し得るより微細な欠陥メカニズムを検出する能力は有しない。これとは対照的に、本明細書に記載の実施例は、局所的分析（例えば、ダイ対ダイの比較）並びに大域的分析（例えば、ウェハーレベル、積み重ねたダイレベルの痕跡）に基づいて欠陥を捉える点で有利である。これに加えて、本明細書に記載の方法は、ノイズフロアの下により深く入り込んで、より多数の関係する欠陥（ＤＯＩ：defects of interest）を抽出することができる。さらに、本明細書に記載の実施例は、ユーザ設定可能なサンプリング基準で有利に実行することができる。相当「ホット」な方法を実行することは実用的でない、というのは、こうした方法は、相当多数の欠陥をホストに送信することになり、ホストは、これらの欠陥のすべてを分析して、代表的なサンプルを再検討用に生成しなければならない。本明細書に記載の実施例は、走査中に相当多数の欠陥及び外れ値をノードメモリに記録し、次に、この外れ値の集合の要約をウェハーレベルで分析し、最後に、これらの欠陥、及び外れ値のうち選択したサンプルをノードメモリから、検査の最終結果として検索することによって、この問題を解決する。このようにして、本明細書に記載の実施例は、ノードメモリの比較的大きい容量を利用して、分析後にホストが要求するまで、欠陥及び外れ値を記憶する。この方法は速度の利点を有する、というのは、最終的な再検討のためにホストに送信しなければならない欠陥がより少数であり、そして、ランダム欠陥、及びウェハーレベルで実行される分析によってしか検出することのできない特定の体系的メカニズムによる欠陥を共に含むからである。これに加えて、本明細書に記載の実施例が検査方法の性能に与える影響は無視できる。
【００９０】
他の実施例は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法を実行するための、コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体に関するものである。１つのこうした実施例を図４に示す。例えば、図４に示すように、コンピュータ可読媒体６６は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法を実行するための、コンピュータシステム７０上で実行可能なプログラム命令６８を含む。
【００９１】
このコンピュータで実現する方法は、検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するステップを含む。この出力は、本明細書に記載のあらゆる出力を含むことができる。ウェハーの走査は、本明細書にさらに記載するように実行することができる。この検査システムは、本明細書に記載のあらゆる検査システムを含むことができる。上記１つ以上の欠陥検出しきい値は、本明細書に記載のあらゆる欠陥検出しきい値を含むことができる。欠陥を検出することは、本明細書に記載のあらゆる実施例により実行することができる。
【００９２】
上記コンピュータで実現する方法は、１つ以上の所定基準に基づいて定義したビンから最高値を有する出力を選択することによって、出力中の外れ値をサンプリングするステップも含む。上記１つ以上の所定基準に基づいて定義したビンは、本明細書に記載のあらゆるビンを含むことができる。上記１つ以上の基準は、本明細書に記載のあらゆる所定基準を含むことができる。外れ値をサンプリングするステップは、本明細書に記載のあらゆる実施例により実行することができる。
【００９３】
上記コンピュータで実現する方法はさらに、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択するステップを含む。このウェハーレベルの分析は、本明細書に記載のあらゆるウェハーレベルの分析を含むことができる。サンプリングした外れ値の一部を選択するステップは、本明細書に記載のあらゆる実施例により実行することができる。上記方法は、サンプリングした外れ値の上記選択した一部についての情報を、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせることによって、ウェハーについての検査結果を生成するステップも含む。サンプリングした外れ値の上記選択した一部についての情報は、本明細書に記載のこうした情報のあらゆるものを含むことができる。上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報は、本明細書に記載のこうした情報のあらゆるものを含むことができる。検査結果を生成するステップは、本明細書に記載のあらゆる実施例により実行することができる。上記コンピュータで実現する方法は、この方法用のプログラム命令が実行可能であり、本明細書に記載の他のあらゆる方法の他のあらゆるステップを含むことができる。
【００９４】
本明細書に記載の方法のような方法を実現するプログラム命令は、コンピュータ可読媒体６６上で伝送するか、コンピュータ可読媒体６６上に記憶することができる。このコンピュータ可読媒体は、配線、ケーブル、あるいは無線伝送リンクのような伝送媒体とすることができる。このコンピュータ可読媒体は、リードオンリー（読出し専用）メモリ、ＲＡＭ、磁気または光ディスク、あるいは磁気テープとすることができる。
【００９５】
上記プログラム命令は、とりわけ、手続きベースの技術、構成要素ベースの技術、及び／またはオブジェクト指向技術を含む種々の方法で実現することができる。例えば、Matlab（登録商標）、Visual Basic（登録商標）、ActiveX controls（登録商標）、Ｃ、Ｃ++オブジェクト、Ｃ＃、Java Beans（登録商標）、Microsoft Foundation Classes(ＭＦＣ)（登録商標）、あるいは本明細書に記載のあらゆる技法または方法を用いて実現することができる。
【００９６】
コンピュータシステム７０は種々の形態をとることができ、これらの形態は、パーソナルコンピュータシステム、メインフレーム（大型汎用）コンピュータシステム、ワークステーション、システムコンピュータ、画像コンピュータ、プログラマブル画像コンピュータ、並列コンピュータ、あるいは現在技術において既知の他のあらゆる装置を含む。一般に、「コンピュータシステム」とは、メモリ媒体からの命令を実行する１つ以上のプロセッサを有するあらゆる装置を包含するように広義に定義することができる。
【００９７】
追加的な実施例は、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するように構成されたシステムに関するものである。こうしたシステムの一実施例を図５に示す。図５に示すように、システム７２は、検査サブシステム７４及びコンピュータ・サブシステム７６を含む。このコンピュータ・サブシステムは、検査システムのコンピュータ・サブシステムとすることができ、こうしたものとして、この検査システムの一部を形成するか、この検査システムに含めることができる。このシステムは検査システムとして構成することができ、さらに、本明細書に記載のように構成することができる。
【００９８】
検査システム７４は、ウェハーを走査することによって出力を生成するように構成されている。この検査システムは、本明細書に記載のようにウェハーを走査することによって、上記出力を生成するように構成することができる。この検査サブシステムは、本明細書に記載の他のあらゆるステップを実行するように構成することができる。この検査サブシステムは、本明細書に記載のあらゆる検査システムを含めるのに適したあらゆる構成を有することができる。
【００９９】
コンピュータ・サブシステム７６は、上記出力を１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するように構成されている。このコンピュータ・サブシステムは、本明細書に記載のあらゆる実施例により欠陥を検出するように構成することができる。このコンピュータ・サブシステムは、１つ以上の所定基準に基づいて定義したビンから最高値を有する出力を選択することによって、上記出力中の外れ値をサンプリングするようにも構成されている。このコンピュータ・サブシステムは、本明細書に記載のあらゆる実施例により、外れ値をサンプリングするように構成することができる。これに加えて、このコンピュータ・サブシステムは、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択するように構成されている。このコンピュータ・サブシステムは、本明細書に記載のあらゆる実施例により、サンプリングした外れ値の一部を選択するように構成することができる。このコンピュータ・サブシステムはさらに、サンプリングした外れ値の上記選択した一部についての情報を、上記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせることによって、ウェハーについての検査結果を生成するように構成されている。このコンピュータ・サブシステムは、本明細書に記載のあらゆる実施例により、ウェハーについての検査結果を生成するように構成することができる。以上で説明したシステムの実施例はさらに、本明細書に記載のように（例えば、本明細書に記載の方法のあらゆる実施例の他のあらゆるステップを実行するように）構成することができる。
【０１００】
本発明の種々の態様の他の変形及び代案実施例は、本明細書の説明を考慮すれば当業者にとって明らかであり得る。例えば、ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するシステム及び方法が提供される。従って、本明細書の説明は、例示に過ぎず、本発明を実行する一般的方法を当業者に教示する目的であると考えるべきである。本明細書で図示し説明する本発明の形態は、現在好適な実施例として捉えるべきであることは明らかである。要素及び材料は、本明細書に記載したものを代替することができ、部品及びプロセスは逆順にすることができ、本発明の特定の特徴は独立して利用することができ、これらのすべてが、本発明の説明を利用した後に、当業者にとって明らかである。特許請求の範囲に記載する本発明の範囲を逸脱することなしに、本明細書に記載の要素に変更を加えることができる。
本発明は、以下の形態として実現できる。
［形態１］
ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成することをコンピュータで実現する方法において、
検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、前記ウェハー上の欠陥を検出するステップと；
１つ以上の所定基準に基づいて定義したビンから、最高値を有する前記出力を選択することによって、前記出力中の外れ値をサンプリングするステップと；
前記サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、前記サンプリングした外れ値の一部を選択するステップと；
前記サンプリングした外れ値の前記選択した一部についての情報を、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥についての情報と組み合わせることによって、前記ウェハーについての検査結果を生成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
［形態２］
前記１つ以上の欠陥検出しきい値がホットなしきい値を含まないことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態３］
前記出力に欠陥検出しきい値を適用せずに、前記サンプリングを実行することを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態４］
前記サンプリングした外れ値の相当部分が、前記１つ以上の欠陥検出しきい値以下の値を有することを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態５］
前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥に対応しない前記出力のみに対して、前記サンプリングを実行することを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態６］
前記１つ以上の所定基準が、グレーレベル、局所的テクスチャ、及びダイ、領域の種類、設計コンテキストの相互間の差分グレーレベル、あるいはこれらの組合せを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態７］
前記サンプリングした外れ値の数を、前記サンプリングを実行するコンピュータシステムのメモリ容量のみによって制限することを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態８］
前記サンプリングするステップが、前記ビンの各々から複数の前記外れ値をサンプリングすることを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態９］
前記サンプリングした外れ値及び前記欠陥が、ランダム欠陥及び体系的欠陥から成ることを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１０］
前記サンプリングした外れ値の前記選択した一部が、前記サンプリングした外れ値の必ずしもすべてを含まないことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１１］
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値の統計分析、及びこの統計分析の結果中のパターンを識別することを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１２］
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値を、ウェハーレベルの痕跡について分析することを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１３］
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値からウェハーマップを作成することを含み、前記選択するステップが、前記ウェハーマップを分析して、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１４］
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値から積み重ねダイマップを作成し、この積み重ねダイマップを分析して、この積み重ねダイマップ中の痕跡を識別することを含み、前記選択するステップが、前記積み重ねダイマップに基づいて、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１５］
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値のマップ上に設計コンテキスト情報をオーバーレイし、前記マップ上にオーバーレイした前記設計コンテキスト情報に基づいて、１つ以上の体系的欠陥メカニズムを識別することを含み、前記選択するステップが、前記１つ以上の体系的欠陥メカニズムに対応する、前記サンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１６］
前記ウェハーレベルの分析が、前記サンプリングした外れ値中に存在する１つ以上の痕跡を識別することを含み、前記選択するステップが、前記１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した前記欠陥を、前記１つ以上の痕跡と比較して、前記サンプリングした外れ値の少なくとも一部を選択することを含み、これにより、前記検査結果が、前記１つ以上の痕跡の各々に対応する、前記サンプリングした外れ値または前記欠陥の少なくとも一部を含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１７］
前記ウェハーレベルの分析が、前記ウェハー上の領域のうち、当該領域内に位置する前記サンプリングした外れ値の数が、前記ウェハー上の他の領域内に位置する前記サンプリングした外れ値の数より大きい領域を識別することを含み、前記選択するステップが、前記領域内に位置する、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを含むことを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１８］
前記選択するステップが、前記サンプリングした外れ値の前記ウェハーレベルの分析に条件付きで基づいて、前記サンプリングした外れ値の一部を選択することを特徴とする形態１に記載の方法。
［形態１９］
前記ウェハー上の欠陥を検出するステップ及び前記サンプリングするステップを、コンピュータノードによって実行し、前記選択するステップ及び前記検査結果を生成するステップを、ホストによって実行することを特徴とする形態１に記載の方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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