(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ステージと、塗布機構とを有し、該基板を保持した前記基板ステージを走査しながら前記塗布機構によって該基板に樹脂を塗布し、該樹脂に型が押し付けられた状態で該樹脂を硬化させるインプリント装置であって、
前記塗布機構の計測対象部を撮像する計測器と、
前記計測器によって撮像された前記計測対象部の撮像結果に基づいて、前記基板の目標位置に樹脂が塗布されるように、前記塗布機構による基板への樹脂の吐出のタイミングを制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記塗布機構の複数の吐出口から吐出される樹脂が基板の目標位置に塗布されるように、前記複数の吐出口のそれぞれから樹脂が吐出されるタイミングを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記計測対象部は、マークを含み、前記計測器は、前記マークを撮像することで前記マークの位置を計測し、
前記制御部は、前記計測器によって計測された前記マークの位置の計測結果に基づいて、前記塗布機構による基板への樹脂の吐出のタイミングを制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記塗布機構は、樹脂の塗布時に基板に対向する対向面に複数の前記計測対象部を有し、
前記計測器は、前記複数の計測対象部を撮像することで前記複数の計測対象部の位置を計測し、
前記制御部は、前記計測器によって計測された前記位置の計測結果に基づいて、前記塗布機構による基板への樹脂の吐出のタイミングを制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記計測器は、前記塗布機構に形成された吐出口を撮像することで前記吐出口の位置を計測し、
前記制御部は、前記計測器によって計測された前記吐出口の位置の計測結果に基づいて、前記塗布機構による基板への樹脂の吐出のタイミングを制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記基板ステージの走査速度に応じて、前記塗布機構に形成された複数の吐出口毎に、前記吐出のタイミングを変更することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
基板を保持する基板ステージと、塗布機構と、前記基板ステージを位置決めする位置決めシステムとを有し、前記塗布機構によって該基板に樹脂を塗布し、該樹脂に型が押し付けられた状態で該樹脂を硬化させるインプリント装置であって、
前記塗布機構の計測対象部を撮像する計測器と、
前記計測器によって撮像された結果に基づいて、前記位置決めシステムによる前記基板ステージの位置決めを制御する制御部と、を備え、
前記塗布機構は、樹脂の塗布時に基板に対向する対向面に吐出口を有し、
前記計測器は、前記塗布機構の高さ方向における前記対向面の複数の計測対象部の位置を計測する機能を含み、
前記制御部は、前記計測器によって計測された前記対向面の前記複数の計測対象部の位置に基づいて前記塗布機構のチルトを求める、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記求めたチルトに基づいて、基板の目標位置に樹脂が塗布されるように前記位置決めシステムによる前記基板ステージの位置決めを制御する、
ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記求めたチルトに基づいて、基板の目標位置に樹脂が塗布されるように、前記塗布機構による基板への樹脂の吐出のタイミングを制御する、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記求めたチルトに基づいて、前記塗布機構の姿勢を制御する、
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記基板を保持した前記基板ステージを走査しながら、前記塗布機構によって前記基板に樹脂を塗布することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記計測器は、前記基板ステージに配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記計測器は、前記基板ステージとは異なる計測ステージに配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や次世代半導体デバイスの量産向用リソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリントでは、電子線描画装置等の装置を用いて微細パターンが形成された型を原版としてシリコンウェハやガラスプレート等の基板上に微細パターンが形成される。この微細パターンは、基板上にインプリント樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板にモールドのパターンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。特許文献１には、原版と基板との相対的な位置ずれを計測するアライメントスコープがウェハステージに配置された微細加工装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１０８９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インプリント装置は、基板に樹脂を塗布するために塗布機構を有する。塗布機構が基板上のショット領域に正確に樹脂を塗布するためには、塗布機構とショット領域との正確な位置合わせが要求される。しかしながら、従来は、塗布機構がインプリント装置の設計上の位置からずれてしまうと、塗布機構とショット領域とを正確に位置合わせすることができず、ショット領域に正確に樹脂を塗布することができなかった。
【０００５】
本発明は、ショット領域に正確に樹脂を塗布するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、基板を保持する基板ステージと、塗布機構とを有し、該基板を保持した前記基板ステージを走査しながら前記塗布機構によって該基板に樹脂を塗布し、該樹脂に型が押し付けられた状態で該樹脂を硬化させるインプリント装置であって、前記塗布機構の計測対象部を撮像する計測器と、前記計測器によって撮像された前記計測対象部の撮像結果に基づいて、前記基板の目標位置に樹脂が塗布されるように、前記塗布機構による基板への樹脂の吐出のタイミングを制御する制御部と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ショット領域に正確に樹脂を塗布するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態のインプリント装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態のインプリント装置の動作を示す図である。
【図３】塗布機構を例示する図である。
【図４】塗布機構が有する製造誤差を例示する図である。
【図５】本発明の第３実施形態のインプリント装置の構成を概略的に示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態のインプリント装置の動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。
【００１０】
［第１実施形態］
図１を参照しながら本発明の第１実施形態のインプリント装置ＩＮＰについて説明する。ここでは、ウェハ（基板）１（または、ウェハ１が配置されるべき面）の面に平行な面をＸＹ平面とし、それに垂直な方向をＺ軸方向とするＸＹＺ座標系にしたがって方向を説明する。
【００１１】
本実施形態のインプリント装置ＩＮＰは、塗布機構１０によってウェハ（基板）に樹脂を塗布し該ウェハに型２を押し付けた状態で樹脂を硬化させて樹脂のパターンを形成するように構成されている。ウェハ１に塗布された樹脂を成型するための型２を保持するヘッド３を備えている。ヘッド３にはスコープ６が配置されている。スコープ６は、型２に設けられたマーク４の位置とウェハ１に形成されたマーク５の位置とを光学的に計測することによって、両者の相対位置関係を計測する。スコープ６は、マーク４とマーク５とを撮像し、撮像した画像を処理することによってマーク４とマーク５との相対位置関係を計測するように構成されうる。スコープ６は、或いは、マーク４とマーク５とによって形成される干渉縞またはモアレを検出することによってマーク４とマーク５との相対位置関係を計測するように構成されてもよい。
【００１２】
インプリント装置ＩＮＰは、更に、ウェハ１を保持するウェハステージ（基板ステージ）７およびウェハステージ７を位置決めする位置決めシステム１５を備えている。インプリント装置ＩＮＰは、更に、オフアクシスアライメントスコープ（以下、ＯＡスコープ）９、塗布機構１０および制御部２０を備えている。ウェハステージ７には、基準マーク８が搭載されている。ＯＡスコープ９は、ヘッド３によって保持される型２のパターン中心からずれた位置に配置されている。ＯＡスコープ９が配置される位置が型２に近いほどベースライン量が小さくなり、例えばウェハ１のθ成分に起因する誤差などが少なくなる。塗布機構１０は、樹脂を吐出する吐出口１２を有し、ウェハ１上の型２が押し付けられるショット領域に対して樹脂を塗布する。
【００１３】
ウェハステージ７には、計測器１１が搭載されている。ウェハステージ７は、不図示のステージ駆動機構（例えば、リニアモータ）によって高速に駆動される。ウェハステージ７の加減速を容易にし、そのために電力を低減するために、計測器１１をウェハステージ７から取り外し可能にし、必要時に計測器１１をウェハステージ７に取り付けてもよい。計測器１１は、例えば、ウェハ１の面に平行な方向における検出対象部の位置を計測する機能を有しうる。計測器１１は、例えば、検出対象部を撮像し、その画像を処理すること、検出対象部によって形成される干渉縞またはモアレを検出することによって検出対象部の位置を計測するように構成されうる。画像を処理することによって検出対象部の位置を検出する場合、例えば、検出対象部に光を照射し、検出対象部からの反射光を検出してもよいし、検出対象部に光を照射し、検出対象部を透過した光を検出してもよい。計測器１１による計測は、例えば、検出対象部を撮像する構成においては、撮像する視野の中心等に任意の位置を基準として行うことができる。計測器１１はまた、Ｚ軸方向、即ちウェハ１の面に直交する方向における検出対象部の位置を計測する機能を含みうる。このような機能は、例えば、レーザー干渉計、斜入射方式の高さ測定機によって実現することができる。
【００１４】
図２を参照しながらインプリント装置ＩＮＰの動作を説明する。この動作は、制御部２０によって制御される。ステップＳ２０１では、制御部２０は、計測器１１が塗布機構１０の下に位置するように位置決めシステム１５を制御する。位置決めシステム１５は、例えば、位置計測器、補償器およびステージ駆動機構を含みうる。位置計測器は、例えば、レーザー干渉計を含み、ウェハステージ７の位置を計測する。補償器は、制御部２０から提供される目標位置指令と位置計測器から提供される位置情報とに基づいて駆動指令を生成する。ステージ駆動機構は、例えば、リニアモータを含み、駆動指令に基づいてウェハステージ７を駆動する。
【００１５】
図３（ｃ）に例示されるように、塗布機構１０は、樹脂の塗布時にウェハ１に対向する対向面ＬＳに、樹脂を吐出する複数の吐出口１２を有する。塗布機構１０はまた、対向面ＬＳに、塗布機構１０の位置およびチルトの少なくとも一方を計測器１１を使って検出するための１または複数のマーク１３を有しうる。ここで、吐出口１２とマーク１３との位置関係は既知である。ステップＳ２０２では、制御部２０は、計測器１１に１または複数のマーク１３の位置を計測させる。ここで、計測器１１によって少なくとも１つのマーク１３の位置を計測することによって、制御部２０は、その結果に基づいて塗布機構１０の位置を検出することができる。また、計測器１１によって複数のマーク１３の位置を計測することによって、制御部２０は、その結果に基づいて塗布機構１０の姿勢を検出することができる。ここで、マーク１３の代わりに吐出口１２の位置を計測してもよい。即ち、計測器１１は、マーク１３または吐出口１２などのような特徴部を計測対象部としてその位置を計測しうる。ここで、姿勢とは、Ｘ、Ｙ、Ｚの位置に加えＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸周りの回転（チルト）を含みうる。計測器１１としては、種々の方式の計測器を使うことができる。計測器１１は、例えば、計測対象部の画像とテンプレートとのパターンマッチングによって計測対象部の位置を計測することができる。或いは、計測器１１は、計測対象部によって形成される干渉縞またはモアレを検出することによって計測対象部の位置を計測してもよい。計測器１１は、複数の計測対象部を順に計測するように構成されてもよいし、複数の計測対象部を同時に計測するように構成されてもよい。計測器１１の視野に複数の計測対象部が同時に入らない場合には、次に計測すべき計測対象部が視野に入るようにウェハステージ７が駆動される。
【００１６】
計測器１１は、塗布機構１０の対向面ＬＳにおける計測対象部の高さ（Ｚ軸方向における位置）を計測することができるように構成されうる。Ｘ軸方向における座標が異なる２つの計測対象部（例えば、マーク１３）の高さを計測することによって、制御部２０は、図３（ａ）に示すようなＸ軸方向におけるチルト（θ１）を計算することができる。塗布機構１０の高さを計測するために、計測器１１は、Ｚ軸方向における計測対象部の位置を計測する干渉計を含みうる。この場合において、計測対象部は、特定のマークや部位でありうる。対向面ＬＳが平面であれば、計測対象部は、対向面ＬＳの任意の部分とすることができる。Ｙ軸方向における座標が異なる２つの計測対象部（例えば、マーク１３）の高さを上述の計測器１１で計測することによって、制御部２０は、図３（ｂ）に示すようなＹ軸方向におけるチルト（θ２）を計算することができる。塗布機構１０が有する各吐出口１２からの樹脂の吐出方向が設計上の方向（ここではＺ軸方向）からずれている場合には、そのずれ角θを考慮しうる。また、各吐出口１２の配置位置が設計上の位置からのずれ量ｘを有する場合には、そのずれ量ｘを考慮しうる。ずれ角θ、ずれ量ｘは、塗布機構１０の特性を示す特性情報として制御部２０に保持されうる。
【００１７】
ステップＳ２０３では、制御部２０は、計測器１１が型２に設けられたマーク４の下に位置するようにウェハステージ７を位置決めシステム１５を制御する。この際のウェハステージ７の移動量は、塗布機構１０と型２（マーク４）との大雑把な相対距離（粗相対距離）である。
【００１８】
ステップＳ２０４では、制御部２０は、計測器１１に１または複数のマーク４の位置を計測させる。ここで、計測器１１によって少なくとも１つのマーク４の位置を計測することによって、制御部２０は、その結果に基づいて型２の位置を検出することができる。また、計測器１１によって複数のマーク４の位置を計測することによって、制御部２０は、その結果に基づいて型２の姿勢を検出することができる。ここで、姿勢とは、Ｘ、Ｙ、Ｚの位置に加えＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸周りの回転（チルト）を含みうる。計測器１１の視野に複数のマーク４が同時に入らない場合には、次に計測すべきマーク４が視野に入るようにウェハステージ７が駆動される。
【００１９】
ここで、ステップＳ２０２における計測によって塗布機構１０の姿勢（Ｐ１とする。）が検出され、ステップＳ２０３におけるウェハステージ７の移動は粗相対距離（Ｐ２とする。）を与え、ステップＳ２０４における計測によって型２の姿勢（Ｐ３とする。）が検出される。制御部２０は、Ｐ１、Ｐ２およびＰ３に基づいて塗布機構１０と型２との相対的な配置関係を決定することができる。例えば、Ｐ１およびＰ３が位置情報であるとすると、Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３＝Ｐ４は、塗布機構１０と型２との相対位置関係を与える。Ｐ１およびＰ３がＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸周りの回転（チルト）を含む場合には、それに応じてウェハステージ７またはウェハ１を回転させることによって、塗布機構１０と型２との相対的な回転を補正することができる。または、塗布機構１０に回転機能を設けて塗布機構１０を回転させてもよい。この場合、塗布機構１０は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の少なくとも１つ以上の軸の周りで回転するように構成されうる。こうすることにより、塗布機構１０と型２との相対的な姿勢を制御することができる。また、ウェハ１の姿勢制御と塗布機構１０の姿勢制御とを組み合わせてもよい。
【００２０】
ステップＳ２０１〜Ｓ２０４は、例えば、塗布機構１０が交換された時に実行されてもよいし、複数のウェハからなるロットの先頭の処理の開始前に実行されてもよいし、任意の枚数のウェハの処理が終了する度に実行されてもよい。
【００２１】
ステップＳ２０５は、各ウェハ１に対して実行される。ステップＳ２０５では、制御部２０による制御の下で、グローバルアライメント方式でウェハ１上の各ショット領域の位置および回転が計測される。具体的には、ＯＡスコープ９を使って、ウェハ１上の複数のマーク５の位置が計測され、これに基づいて、ウェハ１上の各ショット領域の位置および回転（Ｐ５とする）が決定される。
【００２２】
インプリント装置ＩＮＰでは、例えば、一定期間ごとに型２とＯＡスコープ９との相対位置関係を示すベースライン量（ＢＬとする）が計測されうる。これは、スコープ６を用いて型２のマーク４と基準マーク８との相対位置関係（Δｐ１とする）を計測し、ウェハステージ７を駆動し（駆動量をｐとする）、ＯＡスコープ９を用いて基準マーク８の位置（Δｐ２とする）を計測することによってなされうる。ＢＬ＝Δｐ１＋ｐ＋Δｐ２で与えられる。制御部２０は、Ｐ５およびＢＬに基づいて型２とウェハ１上の各ショット領域との相対位置関係（Ｐ６とする）を決定する。制御部２０は、この相対位置関係（Ｐ６）に基づいてインプリント動作時に型２とショット領域とが位置合わせされるように位置決めシステム１５を制御することができる。
【００２３】
ステップＳ２０６では、制御部２０は、前述のＰ４（塗布機構１０と型２との相対位置関係）とＰ６（型２とウェハ１上の各ショット領域との相対位置関係）とに基づいて、塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係を決定する。
【００２４】
ステップＳ２０７は、吐出口１２のずれ角θおよびずれ量ｘ、前述のθ１、θ２、θ３のいずれかが許容範囲を超えている場合に実行されうる。ステップＳ２０７では、制御部２０は、例えば、各吐出口１２のずれ角θおよびずれ量ｘに基づいて、各吐出口１２から吐出された樹脂がウェハ上の目標位置に塗布されるように各吐出口１２から樹脂を吐出するタイミングを補正する補正情報（後述のｔ）を生成する。ステップＳ２０７では、制御部２０は、例えば、θ１、θ２に基づいて、各吐出口１２から吐出された樹脂がウェハ上の目標位置に塗布されるように、塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係を補正する補正情報を生成する。ステップＳ２０７では、制御部２０は、例えば、θ３に基づいて、各吐出口１２から吐出された樹脂がウェハ上の目標位置に塗布されるようにウェハステージ７、ウェハ１および塗布機構１０の少なくとも１つ以上を回転させる量を示す情報を補正情報として生成する。
【００２５】
ステップＳ２０８では、制御部２０は、ウェハ１上の複数のショット領域に対するインプリント動作を制御する。ここで、制御部２０は、ステップＳ２０６で決定した塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係に基づいて塗布機構１０および位置決めシステム１５を制御して該当するショット領域に樹脂を塗布させる。また、制御部２０は、型２と各ショット領域との相対位置関係に基づいて位置決めシステム１５にウェハステージ７を位置決めさせ、該当するショット領域に型２を押し付けるようにヘッド３を駆動する。
【００２６】
以下、図４を参照しながら吐出口１２からの樹脂の吐出方向のずれ角θおよびずれ量ｘを樹脂の吐出のタイミングの制御することによって補正する方法を説明する。ここでは、ウェハ１を走査しながらウェハ１に樹脂を塗布する例を説明する。樹脂を塗布すべき目標位置は図４（ａ）のＡであるものとする。吐出口１２からは、吐出口１２ごとに角度θを持って樹脂が吐出される。吐出口１２からウェハ１までの距離はｈ、吐出口１２のずれ量、位置決めシステム１５によってウェハステージ７の走査する速度をＶとすると、（１）式がなりたつ。
【００２７】
ｔ＝ｈ×ｔａｎ（θ）／Ｖ＋ｘ／Ｖ  ・・・（１）
（１）式で与えられる時間ｔだけ吐出口１２ごとに樹脂の吐出のタイミングを変更することにより、ウェハ１上の目標位置Ａに樹脂を塗布することができる。なお、吐出口１２とウェハ１との距離が微小であるため、上記関係には加味していないが、図４（ｂ）に示すように、重力の影響を考慮してｔを補正することにより、更に高い精度で塗布位置を補正することができる。
【００２８】
上記の例では、ＯＡスコープ９を使ってマークの位置を測定することによってグローバルアライメント方式で各ショット領域の位置を検出しているが、本発明は、これに限定されない。例えば、ウェハ１の外形とショット領域の位置との関係が既知である場合、ウェハ１の外形を測定することでショット領域の位置を決定することができる。
【００２９】
上記の処理において、スコープ６を使って型２のマーク４とウェハ１上のマーク５との相対位置関係を計測することにより、ＯＡスコープ９による計測とベースライン量の計測は不要となる。この場合、スコープ６を使って計測された型２のマーク４とウェハ１上のマーク５との相対位置関係に基づいて型２と各ショット領域との相対位置関係（Ｐ６とする）を決定すればよい。この相対位置関係Ｐ６と、前述の相対位置関係Ｐ４とに基づいて、塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係とを決定することができる。
【００３０】
［第２実施形態］
第２実施形態は、第１実施形態の変形例を提供する。図１のように計測器１１と基準マーク８がウェハステージ７に固定されている場合には、それらの相対位置が既知である。そのため、塗布機構１０の姿勢を計測器１１を使って計測することによって、基準マーク８と塗布機構１０との相対的な配置関係（Ｐ７とする）を得ることができる。また、計測器１１を使って塗布機構１０の姿勢（前述のＰ１）を検出することができる。また、グローバルアライメント方式によって、ウェハ上の各ショット領域の位置および回転（前述のＰ５）を得ることができる。また、前述の方法によってベースライン量（ＢＬ）を求めることができる。制御部２０は、Ｐ１、Ｐ５、ＢＬ、Ｐ７に基づいて、塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係を決定する（この処理は、前述のステップＳ２０６に相当する）。更に、制御部２０は、前述のステップＳ２０７を実行してもよい。
【００３１】
上記の処理において、スコープ６を使って型２のマーク４とウェハ１上のマーク５との相対位置関係を計測することにより、ＯＡスコープ９による計測とベースライン量の計測は不要となる。この場合、スコープ６を使って計測された型２のマーク４とウェハ１上のマーク５との相対位置関係に基づいて型２と各ショット領域との相対位置関係（Ｐ６）を決定すればよい。この相対位置関係Ｐ６と、Ｐ１、Ｐ７とに基づいて、塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係とを決定することができる。
【００３２】
［第３実施形態］
図５および図６を参照しながら本発明の第３実施形態のインプリント装置ＩＮＰについて説明する。第３実施形態では、計測器１１が計測ステージ１４に配置されている。計測ステージ１４は、ウェハステージ７とは別の構成要素である。ウェハステージ７と計測ステージとは、両者は互いに干渉することなく駆動される。
【００３３】
ウェハステージ７に搭載されているウェハ１の全ショット領域に対するインプリント工程（樹脂の塗布、型の押し付け、樹脂の硬化）が終了すると、ウェハステージ７は、ウェハのアンロードを可能にするために、アンロードのための位置まで駆動される（７−１）。
【００３４】
ウェハステージ７が塗布機構１０やヘッド３の下から離れると、塗布機構１０の下に計測器１１が位置するように、不図示の駆動機構によって計測ステージ１４が駆動される（７−２）。塗布機構１０の下に移動した計測器１１を使って、第１実施形態または第２実施形態と同様に、塗布機構１０の位置（および姿勢）が計測される（７−３）。なお、計測ステージ１４に基準マーク８が設けられていれば、第２実施形態と同様に、上記の塗布機構１０の位置（および姿勢）の計測のみで全ての計測が完了する。計測ステージ１４上に基準マーク８が構成されていない場合は、第１実施形態のように、型２の下に計測器１１が位置するように、計測ステージ１４が駆動される（７−４）。そして、計測器１１を使って、型２の位置（および姿勢）が計測される（７−５）。
【００３５】
計測ステージ１４側での計測のための処理の実行中は、ウェハステージ７からウェハがアンロードされ（７−６）、ウェハステージ７に次のウェハがロードされる（７−８）。計測ステージ１４側での処理が終了し、計測ステージ１４が退避すると、グローバルアライメントが開始される（７−９）。
【００３６】
以後は、第１実施形態または第２実施形態と同様に、塗布機構１０と各ショット領域との相対位置関係が決定され（ステップＳ２０６）、必要に応じて補正情報が生成され（ステップＳ２０７）、インプリントが実行される（ステップＳ２０８）。
【００３７】
第３実施形態によれば、ウェハのアンロードおよびロードが計測器１１による計測と並行して実行されるので、生産性を向上させることができる。
【００３８】
［第４実施形態］
図１および図３を参照しながら本発明の第４実施形態のインプリント装置ＩＮＰについて説明する。第１〜第３実施形態では、ステージ上に構成したスコープを用いて塗布機構１０の位置や回転を計測する構成を述べた。これは正確な計測ができるが、時間がかかるため、短期間毎やリアルタイムの計測には不向きである。そこで、以下に短時間で簡易に計測できる手法を述べる。
【００３９】
型２とウェハ１の相対位置並びに回転量はスコープ６を用いて計測することができる。これに基づき、ウェハ１はステージ７によって型２と回転方向を合わせる。加えて、塗布機構１０の位置や姿勢は干渉計などの計測器で計測することができる。例えば、図３（ｃ）のθ１、θ２、θ３は塗布機構１０の各側面を干渉計などで計測することで、短期間毎やリアルタイムで計測を行うことが可能である。
【００４０】
スコープ６並びに、塗布機構１０の位置や姿勢を計測する不図示の計測器がインプリント装置の基準に対して充分な位置精度が達成されていれば、これらから型２とウェハ１、塗布機構１０の三者の相対位置並びに回転を簡易に計測することが出来る。経時変化を気にするなら、第１〜第３実施形態の手法により、定期的にキャリブレーションを行えばよい。なお、三者の位置計測補正に関しては第一実施形態と同様の手法をとるものとする。
【００４１】
第４実施形態のインプリント装置によれば、例えばウェハ上の複数のショットにパターンを転写する場合に、途中で型のずれや塗布機構のずれが生じても短期間に塗布機構やウェハステージを制御することができる。このため、生産性を向上させることができる。
【００４２】
［その他］
第１〜第４実施形態において、計測における順番は変更可能である。例えば、塗布機構１０と型２のマーク４のどちらを先に測定してもよい。
【００４３】
［物品の製造方法］
上述のインプリント装置を用いてパターンが形成された基板を、加工して物品を製造する方法について述べる。物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述したインプリント装置（押印装置）を用いて基板（ウェハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
【符号の説明】
【００４４】
１  ウェハ（基板）
２  型
１０  塗布機構
１１  計測器
１５  位置決めシステム
２０  制御部
【図１】
0005563319.tif 000002
【図２】
0005563319.tif 000003
【図３】
0005563319.tif 000004
【図４】
0005563319.tif 000005
【図５】
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【図６】
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