(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が下記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された高分子化合物誘導体を製造する工程と、前記高分子化合物誘導体を担体に化学結合により担持する工程とを含み、
前記高分子化合物誘導体を製造する工程が、
溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基を、前記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物で修飾する第１修飾工程と、
前記第１修飾工程において、修飾されていない前記高分子化合物の水酸基又はアミノ基を前記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾する第２修飾工程とを含み、
前記高分子化合物誘導体を担体に化学結合により担持する工程が酸性条件下で実施され、
前記一般式（Ｉ）で表された化合物の、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入率が１．０〜３５％である、ことを特徴とする、
光学異性体分離用充填剤の製造方法。
【化１】
0005531287.tif 000017
（式中、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基であり、クロロカルボニル基、カルボキシル基、イソシアナート基又はチオシアナート基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有しても良いアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、Ｒは、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有しても良いアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学異性体分離用充填剤及び光学異性体分離用充填剤の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、クロマトグラフィーによる光学分割は、分析化学、有機化学、医学、薬学など多方面で非常に注目されており、多くのキラル固定相が世界中で報告されている。特に光学活性高分子であるセルロースやアミロースを化学的に修飾したエステル誘導体やカルバメート誘導体等は、キラル固定相として高い光学分割能を有し、これを用いたクロマトグラフィー用充填剤が広く知られている。これらの高分子化合物誘導体を用いたクロマトグラフィー用充填剤は、カラムへの充填率を高め、ハンドリングを容易にし、機械的強度を高める等の目的から、シリカゲル等の担体に担持させた状態で使用されている。【０００３】
例えば特許文献１には、芳香族環を含むセルロース誘導体をシリカ等の担体に担持させたクロマトグラフィー用の充填剤が記載されている。また、特許文献２には、アミロース等の多糖のカルバメート誘導体をシリカ等の担体に担持させたクロマトグラフィー用充填剤が記載されている。【０００４】
しかし、上記従来の多糖誘導体等の高分子化合物を用いたクロマトグラフィー用充填剤は、高分子化合物が担体に対して物理的な吸着によって担持されているだけであるため、溶出溶媒の種類によっては高分子化合物がその溶出溶媒に溶解し、使用不能となることもある。
特に、光学異性体の大量分取のためには、分離前の原料を高濃度に溶出溶媒に溶解させる必要があり、そうしたことが可能な溶出溶媒は、一般に多糖誘導体等の高分子化合物の溶解度も大きいため、問題となっていた。【０００５】
また、多糖誘導体等の高分子化合物の機械的強度も小さいため、特にＨＰＬＣ用として用いた場合には、その圧力に耐えられないことも問題となっていた。
これらの不具合を防止するため、多糖誘導体等の高分子化合物を担体の表面に化学結合させ、溶出溶媒による高分子化合物の溶出を防ぐとともに、その機械的強度を高めることも試みられている。【０００６】
例えば特許文献３には、光学活性である高分子化合物をシリカゲルに化学結合させたクロマトグラフィー用充填剤が開示されている。しかしながら、上記特許文献３に記載のクロマトグラフィー用の充填剤では、シリカ等の担体の表面に化学結合したわずかな高分子化合物のみが光学分割に寄与しているに過ぎず、より高い分離能を達成するために改良の余地があった。また、上記特許文献３に記載の充填剤では、高分子化合物とシリカゲルとの結合に多くの工程数を必要とし、充填剤の製造が効率的に実施できなかった。【０００７】
また、特許文献４では、多糖および担体に重合性基を導入し、これを他の重合性不飽和基を有する化合物の存在下、共重合させることにより担体に化学結合させる方法が記載されている。しかしながら、ラジカル重合に要する反応時間が20時間と長く、また、担体に重合性基を導入する場合には工程が増えるため、充填剤の製造が効率的に実施できず改良の余地があった。【０００８】
一方、非特許文献１には、光学異性体の分離に用いられるセルロース誘導体が開示され、シリカマトリックス上に該セルロース誘導体を化学的に結合させるためのスペーサーとしてシランカップリング剤を用いる方法が記載されている。しかしながら、かかる方法により得られたセルロース誘導体は、ＮＭＲの分析によりシリカ由来のシグナルが観察されておらず、シランカップリング剤がセルロース誘導体に実質的には導入されていないと考えられた。
【特許文献１】特開昭６０−１４２９３０号公報
【特許文献２】特開昭６０−２２６８３１号公報
【特許文献３】特開昭６０−１９６６６３号公報
【特許文献４】特開２００２−１４８２４７号公報
【非特許文献１】Ｊ． Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒ．Ａ，１０１０ (２００３)１８５−１９４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、耐溶媒性能、光学異性体の大量分取性能及び機械強度に優れた光学異性体分離用充填剤を提供することを課題とする。また、本発明は、多糖誘導体等の高分子化合物の担体表面への固定化率が高く、光学分離能に優れた光学異性体分離用充填剤を提供することを課題とする。さらに、本発明は、多糖誘導体等の高分子化合物を担体の表面に化学結合させる際の工程数を減じ、充填剤の製造を効率的に実施する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、本発明者は鋭意研究の結果、光学異性体分離用充填剤の原料である高分子化合物を、誘導体化する前に完全に溶解すること、及びケイ素を有する化合物を含む複数の化合物で該高分子化合物を誘導体化する際にその誘導化順序を規定することで、ケイ素を有する化合物を該高分子化合物に効率的かつ制御的に導入できることを見出した。また、ケイ素を有する化合物で誘導体化された上記高分子化合物を担体に担持させた後、特定の条件で反応させることで、該高分子化合物を担体に高い固定化率で化学結合により担持できることを見いだした。
本発明者は、これら知見から本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の要旨は以下の通りである。【００１１】
（１）水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が下記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された高分子化合物誘導体が、担体に化学結合により担持されてなる光学異性体分離用充填剤。
【化１】
0005531287.tif 000002
（式中、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基を、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有しても良いアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、Ｒは、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有しても良いアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）【００１２】
（２）上記高分子化合物が、光学活性な有機高分子化合物である、（１）に記載の光学異性体分離用充填剤。【００１３】
（３）上記光学活性な有機高分子化合物が多糖である、（２）に記載の光学異性体分離用充填剤。【００１４】
（４）上記多糖がセルロース又はアミロースである、（３）に記載の光学異性体分離用充填剤。【００１５】
（５）上記一般式（Ｉ）で表される化合物が、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルジエトキシメチルシラン、２−イソシアナートエチルトリエトキシシラン、４−イソシアナートフェニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン又は３−チオシアナートプロピルトリエトキシシランである、（１）〜（４）のいずれかに記載の光学異性体分離用充填剤。【００１６】
（６）上記一般式（Ｉ）で表された化合物の、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入率が１．０〜３５％である、（１）〜（５）のいずれかに記載の光学異性体分離用充填剤。【００１７】
（７）上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基又はアミノ基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部が、更に、光学異性体に作用する官能基を有する化合物で修飾されてなる、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の光学異性体分離用充填剤。【００１８】
（８）上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基又はアミノ基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部に前記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、ウレタン結合、尿素結合、エステル結合又はエーテル結合を介して導入されてなる、（７）に記載の光学異性体分離用充填剤。【００１９】
（９）上記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、下記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表された原子団を含む化合物である、（７）に記載の光学異性体分離用充填剤。
【化２】
0005531287.tif 000003
（式中、Ｒ’はヘテロ原子を含んでもよい脂肪族又は芳香族炭化水素基であり、非置換であっても、又は炭素数１〜１２のヘテロ原子を含んでもよい炭化水素、シアノ、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、アミノ及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基からなる群から選ばれた１つ以上の基によって置換されていてもよい。）【００２０】
（１０）上記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、３，５−ジメチルフェニルイソシアナート、３，５−ジクロロフェニルイソシアナート、１−フェニルエチルイソシアナート、又は４−メチルベンゾイルクロリドである、（９）に記載の光学異性体分離用充填剤。【００２１】
（１１）水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が下記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された高分子化合物誘導体を製造する工程と、前記高分子化合物誘導体を担体に化学結合により担持する工程とを含む、光学異性体分離用充填剤の製造方法。
【化３】
0005531287.tif 000004
（式中、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基を、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有しても良いアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、Ｒは、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有しても良いアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）【００２２】
（１２）上記高分子化合物誘導体を製造する工程が、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基を、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物で修飾する第１修飾工程と、上記第１修飾工程において、修飾されていない前記高分子化合物の水酸基又はアミノ基を上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾する第２修飾工程とを含む、（１１）に記載の光学異性体分離用充填剤の製造方法。【００２３】
（１３）上記高分子化合物誘導体を担体に化学結合により担持する工程は酸性条件下で実施されることを特徴とする、（１１）又は（１２）に記載の光学異性体分離用充填剤の製造方法。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、耐溶媒性能、光学異性体の大量分取性能及び機械強度に優れた光学異性体分離用充填剤を提供することが可能となる。また、本発明により、多糖誘導体等の高分子化合物の担体表面への固定化率が高く、光学分離能に優れた光学異性体分離用充填剤を提供することが可能となる。さらに、本発明は、多糖誘導体等の高分子化合物を担体の表面に化学結合させる際の工程数を減じ、充填剤の製造を効率的に実施する方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施例で得られた高分子化合物誘導体（セルロース又はアミロース誘導体）の構造を示す図である。
【図２】実施例及び比較例で光学分割される化合物の構造式を示す図である。構造式下部に記載の数値は表１〜４に記載のラセミ体の種類を示す数値に対応する。
【図３】実施例１で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｂの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１）を示す図である。
【図４】実施例２で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｄの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル２）を示す図である。
【図５】実施例３で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｆの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル３）を示す図である。
【図６】実施例５で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するアミロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｇの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル４）を示す図である。
【図７】実施例６で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｈの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル５）を示す図である。
【図８】実施例７で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｉの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル６）を示す図である。
【図９】実施例９で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｊの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル７）を示す図である。
【図１０】実施例１０で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｌの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル８）を示す図である。
【図１１】試験例１（１）で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるシリカＬ−２の1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル９）を示す図である。
【図１２】試験例１（１）で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるシリカＨ−２の1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１０）を示す図である。
【図１３】試験例１（２）で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6 におけるシリカゲルの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１１）を示す図である。
【図１４】試験例１（３）で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6 におけるシリカゲルの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１２）を示す図である。
【図１５】比較例１で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6における誘導体Ｍの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１３）を示す図である。
【図１６】実施例１１で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジクロロフェニルカルバメート誘導体Ｎの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１４）を示す図である。
【図１７】実施例１２で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ6におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジクロロフェニルカルバメート誘導体Ｏの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１５）を示す図である。
【図１８】実施例１３で得られた、８０℃、Pyridine−ｄ5におけるアルコキシシリル基を含有するアミロース（Ｓ）−１−フェニルエチルカルバメート誘導体Ｐの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１６）を示す図である。
【図１９】実施例１４で得られた、８０℃、Pyridine−ｄ5におけるアルコキシシリル基を含有するアミロース（Ｓ）−１−フェニルエチルカルバメート誘導体Ｑの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１７）を示す図である。
【図２０】実施例１５で得られた、５５℃、CDCl3におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース４−メチルベンゾエート誘導体Ｒの1Ｈ ＮＭＲスペクトル（スペクトル１８）を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を詳細に説明する。【００２７】
＜１＞本発明の光学異性体分離用充填剤（以下、本発明の充填剤ともいう）
本発明の光学異性体分離用充填剤は、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が下記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された高分子化合物誘導体が、担体に化学結合により担持されていることを特徴とする。
【化４】
0005531287.tif 000005
【００２８】
式中、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基を、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有しても良いアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、Ｒは、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有しても良いアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。【００２９】
本発明において、高分子化合物誘導体とは、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部が修飾化合物で修飾された高分子化合物を意味する。高分子化合物誘導体の製造に原料として用いられる高分子化合物が多糖である場合には、上記高分子化合物誘導体は多糖誘導体である。【００３０】
本発明の光学異性体分離用充填剤の製造に用いられる上記高分子化合物としては、光学活性な有機高分子化合物であることが好ましく、多糖であることがより好ましい。上記多糖としては、天然多糖類、合成多糖類及び天然物変性多糖類のいずれも問わず、キラリティーを有するものであれば好ましく用いることができる。そのなかでも結合様式が規則正しいものは、より光学異性体の分離能力を高めることが可能となり、好適である。【００３１】
上記多糖として、β−１，４−グルカン（セルロース）、α−１，４−グルカン（アミロース、アミロペクチン）、α−１，６−グルカン（デキストラン）、β−１，６−グルカン（プスツラン）、β−１，３−グルカン（カードラン、シゾフィラン）、α−１，３−グルカン、β−１，２−グルカン（Ｃｒｏｗｎ Ｇａｌｌ多糖）、β−１，４−ガラクタン、β−１，４−マンナン、α−１，６−マンナン、β−１，２−フラクタン（イヌリン）、β−２，６−フラクタン（レバン）、β−１，４−キシラン、β−１，３−キシラン、β−１，４−キトサン、β−１，４−Ｎ−アセチルキトサン（キチン）、プルラン、アガロース、アルギン酸、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン等が例示でき、アミロースを含有する澱粉等も含まれる。
この中で、好ましいものは、高純度の多糖を容易に得ることのできるセルロース、アミロース、β−１，４−キトサン、キチン、β−１，４−マンナン、β−１，４−キシラン、イヌリン、カードランなどであり、さらに好ましくは、セルロース、アミロースである。
多糖の数平均重合度（１分子中に含まれるピラノースあるいはフラノース環の平均数）は、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上であり、特に上限はないが、１０００以下であることが取り扱いの容易さの点で好ましく、より好ましくは５〜１０００、更に好ましくは１０〜１０００、特に好ましくは１０〜５００である。【００３２】
上記一般式（Ｉ）において、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基であり、クロロカルボニル基、カルボキシル基、イソシアナート基、グリシジル基又はチオシアナート基等が好ましい。Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても、ヘテロ原子が導入されていても良いアルキレン基又は置換基を有しても良いアリーレン基であり、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基が好ましく、特に、プロピレン基、エチレン基、ブチレン基等が好ましい。また、Ｙは、シラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基であり、炭素数1〜12のアルコキシ基、又はハロゲン等であることが好ましく、特にメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等であることが好ましい。Ｒは、炭素数1〜18の分岐を有していても良いアルキル基または置換基を有していても良いアリール基であり、エチル基、メチル基等であることが好ましい。ｎは１〜３の整数を示す。
上記一般式（Ｉ）で表された化合物としては、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルジエトキシメチルシラン、２−イソシアナートエチルトリエトキシシラン、４−イソシアナートフェニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン又は３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン等が例示でき、好ましくは３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシランである。【００３３】
上記高分子化合物誘導体において、上記一般式（Ｉ）で表された化合物は上記水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部に導入される。
上記一般式（Ｉ）で表された化合物の上記水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入位置は、特に限定されない。
また、上記「一部」とは、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入率として表すことが可能である。該導入率は、1.0〜35％が好ましく、1.5〜20％がより好ましく、2.0〜10％が特に好ましい。この理由については、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率が1.0％よりも小さいとシリカゲル等の担体へ化学結合にて固定化する場合に、固定化率が低下するために好ましくなく、35％を超えると光学分割能が低下するために好ましくないためである。【００３４】
また、上記導入率（％）は以下のように定義される。すなわち、本発明の高分子化合物誘導体の製造に用いられる高分子化合物が水酸基のみを有する場合には、該高分子化合物の総水酸基数に対する上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基数の比率に１００を乗じた数値であり、上記高分子化合物がアミノ基のみを有する場合には総アミノ基数に対する上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾されたアミノ基数の比率に１００を乗じた数値であり、上記高分子化合物が水酸基とアミノ基を有する場合には総水酸基数と総アミノ基数の合計に対する上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基数とアミノ基数の合計の比率に１００を乗じた数値を導入率とする。また、本発明では、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物の導入率についても、上記と同様の定義が適用される。【００３５】
上記高分子化合物誘導体は、上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基又はアミノ基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部が、更に、光学異性体に作用する官能基を有する化合物で修飾されていることが好ましい。
上記官能基は、分離対象の光学異性体を含有する試料中の光学異性体に作用する官能基である。光学異性体に対する官能基の作用は、分離対象の光学異性体の種類に応じて官能基の種類が異なるので一概には言えないが、上記高分子化合物誘導体による上記光学異性体の光学分割を行うのに十分な程度の作用であれば特に限定されない。上記官能基としては、置換基を有していても良い芳香族基を含む基や、環状構造を有する脂肪族基等が挙げられる。上記芳香族基は、複素環や縮合環を含むことも可能である。上記芳香族基が有していても良い置換基としては、例えば炭素数８程度までのアルキル基、ハロゲン、アミノ基、アルコキシル基等が挙げられる。上記官能基は、分離対象の上記光学異性体の種類に応じて選択される。
また、光学異性体に作用する官能基を有する化合物は、上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基又はアミノ基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部に、水酸基の場合は、ウレタン結合、エステル結合又はエーテル結合を介して、アミノ基の場合は尿素結合、アミド結合を介して導入されていることが好ましい。特に、水酸基はウレタン結合、アミノ基は尿素結合を介して導入されていることが好ましい。従って、上記光学異性体に作用する官能基を有する化合物は光学異性体に作用する官能基以外に、上記高分子化合物の水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基をも有する化合物である。上記水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基を有する化合物としては、イソシアン酸誘導体、カルボン酸、酸ハライド、アルコール或いはその他反応性を有する化合物であれば、如何なるものでもよい。
尚、上記官能基を有する化合物の導入率や高分子化合物における導入位置は特に限定されず、官能基の種類や高分子化合物の種類等に応じて適宜選択される。【００３６】
上記高分子化合物誘導体において、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率と上記官能基を有する化合物の導入率との合計は、９０〜１００％が好ましく、９７〜１００％がより好ましく、１００％が特に好ましい。【００３７】
上記記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、下記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表された原子団を含む化合物であることが好ましい。
【化５】
0005531287.tif 000006
【００３８】
式中、Ｒ’はヘテロ原子を含んでもよい脂肪族又は芳香族炭化水素基であり、非置換であっても、又は炭素数１〜１２のヘテロ原子を含んでもよい炭化水素、シアノ、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、アミノ及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基からなる群から選ばれた１つ以上の基によって置換されていてもよい。【００３９】
上記Ｒ’で示される１価の芳香族炭化水素基を例示するならば、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラシル、インデニル、インダニル、フリル、チオニル、ピリル、ベンゾフリル、ベンズチオニル、インジル、ピリジル、ピリミジル、キノリニル及びイソキノリニル等の基が挙げられる。またＲ’で示される１価の芳香族炭化水素基の置換基としては、例えば炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数１〜１２のアルキルチオ、シアノ、ハロゲン、炭素数１〜８のアシル、炭素数１〜８のアシルオキシ、ヒドロキシ、炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル、ニトロ、アミノおよびジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノなどの基が挙げられる。また、上記Ｒ’で示される脂肪族炭化水素基をとしては、３員環よりも大きな、より好ましくは５員環よりも大きな脂肪族環状化合物又は橋架け構造を有した脂肪族環状化合物が望ましい。その中でも好ましいのは、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基またはアダマンチル基等である。上記Ｒ’で示されるアラアルキル基としては、1？フェニルエチル基等である。【００４０】
本発明では、上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部が、フェニルイソシアナート、トルイルイソシアナート、ナフチルエチルイソシアナート、３，５−ジメチルフェニルイソシアナート、３，５−ジクロロフェニルイソシアナート、４−クロロフェニルイソシアナート、1−フェニルエチルイソシアナート、４−メチルベンゾイルクロリドを含む群から選択される１種以上で修飾されていることが好ましく、３，５−ジメチルフェニルイソシアナート、３，５−ジクロロフェニルイソシアナート、１−フェニルエチルイソシアナート、又は４−メチルベンゾイルクロリドで修飾されていることが特に好ましい。【００４１】
本発明の光学異性体分離用充填剤は、上記高分子化合物誘導体が担体に化学結合により担持されていることを特徴とする。ここでいう「化学結合により担持されている」とは、担体上に高分子化合物誘導体が化学結合により固定化されていることである。該高分子化合物誘導体の化学結合による固定化は、高分子化合物誘導体と担体との間の化学結合及び高分子化合物誘導体同士の化学結合の少なくとも一方を用いる。【００４２】
上記担体としては、多孔質有機担体及び多孔質無機担体が挙げられ、好ましくは多孔質無機担体である。多孔質有機担体として適当なものは、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、ポリアクリレート等からなる高分子物質であり、多孔質無機担体として適当なものは、シリカ、シリカゲル、アルミナ、マグネシア、ガラス、カオリン、酸化チタン、ケイ酸塩、ヒドロキシアパタイト、ジルコニアなどである。また、上記多孔質無機担体の形態としては、粒子状の担体だけでなく、有機無機複合体のように網目状になった無機系担体や、特開２００５−１７２６８又は特開２００６−１５０２１４等に記載の、カラム管に保持され得る円柱状の一体型無機系担体も含まれる。【００４３】
特に好ましい担体はシリカゲルであり、シリカゲルの粒径は１μｍ〜１００μｍ、好ましくは３μｍ〜５０μｍ、更に好ましくは３μｍ〜３０μｍであり、平均孔径は１ｎｍ〜４０００ｎｍ、好ましくは３ｎｍ〜５００ｎｍである。表面は残存シラノールの影響を排除するために表面処理が施されていることが望ましいが、全く表面処理が施されていなくてもよい。【００４４】
＜２＞本発明の光学異性体分離用充填剤の製造方法
本発明の光学異性体分離用充填剤の製造方法は、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された高分子化合物誘導体を製造する工程と、前記高分子化合物誘導体を担体に化学結合により担持する工程とを含む。【００４５】
＜２−１＞高分子化合物誘導体を製造する工程
上記高分子化合物誘導体は、以下の工程にて製造することができる。
すなわち、本発明に用いられる高分子化合物誘導体の製造工程は、少なくとも、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基を、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物で修飾する第１修飾工程と、上記第１修飾工程において、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物で修飾されていない上記高分子化合物の水酸基又はアミノ基を上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾する第２修飾工程とを含む。
上記第１修飾工程及び第２修飾工程は、第１修飾工程、第２修飾工程の順番に実施することが、上記一般式（Ｉ）で表された化合物を、上記高分子化合物に効率的かつ制御的に導入するために好ましい。【００４６】
尚、上記製造方法では、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物を得るために、該高分子化合物の溶解工程を更に含んでも良い。上記溶解工程では、高分子化合物を溶解させるために公知の方法を用いることができ、溶媒等に難溶な高分子化合物を溶解させる場合には、高分子化合物を膨潤する膨潤工程を含むことが好ましい。また、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物が市販されている場合には、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物を購入して用いても良い。【００４７】
上記溶解工程で高分子化合物誘導体を溶解させる溶媒としてはアミド系溶媒が好ましく用いられ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド／塩化リチウム、Ｎ−メチル−２−ピロリドン／塩化リチウム又は１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン／塩化リチウム等の混合溶液が例示でき、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド／塩化リチウムが特に好ましく用いられる。【００４８】
上記溶解工程は、窒素雰囲気下で実施することが好ましい。また、上記高分子が多糖である場合、その溶解条件としては、２０〜１００℃、１〜２４時間が例示できるが、当業者であれば用いる高分子化合物によって該条件は適宜調整することができる。【００４９】
上記第１修飾工程は、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基を、少なくとも光学異性体に作用する官能基と水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基とを有する化合物（単に官能基を有する化合物ともいう）で修飾する工程である。この修飾は、公知の方法を用いることが可能である。以下の記載に限定されないが、例えば、高分子化合物の水酸基又はアミノ基の６０〜１００モル％相当量の官能基を有する化合物を用いて、ジメチルアセトアミド／塩化リチウム／ピリジン中、８０〜１００℃、１〜２４時間、窒素雰囲気下で、高分子化合物の水酸基又はアミノ基の修飾を行うことが官能基を有する化合物の導入率を制御する点から好ましい。特に、反応温度と反応時間、官能基を有する化合物の加える量は上記官能基を有する化合物の導入率を調整する上で重要である。
なお、本発明における高分子化合物誘導体における、少なくとも光学異性体に作用する官能基と水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基とを有する化合物の導入位置は、特に限定されるものではない。【００５０】
上記第２修飾工程は、上記第１修飾工程において、官能基を有する化合物で水酸基又はアミノ基が修飾されていない高分子化合物の、未反応の水酸基又はアミノ基を、上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾する工程である。この修飾は、公知の方法を用いることが可能である。以下の記載に限定されないが、例えば、高分子化合物の修飾前の水酸基又はアミノ基の１〜１０モル％相当量の上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を用いて、ジメチルアセトアミド／塩化リチウム／ピリジン中、８０〜１００℃、１〜２４時間、窒素雰囲気下で修飾を行うことが、上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の導入率を制御する点から好ましい。このうち、上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の加える量は、上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の導入率を制御する点から特に重要である。
なお、上記高分子化合物誘導体における、上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の導入位置は、特に限定されるものではない。上記、第２修飾工程終了時に高分子化合物誘導体に未反応の水酸基又はアミノ基が存在する場合は、第１修飾工程で使用した官能基を有する化合物と反応させることが好ましい。【００５１】
また、本発明に用いられる高分子化合物誘導体の製造方法は、少なくとも、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部に保護基を導入する保護基導入工程と、該保護基が導入された高分子化合物に残存する水酸基又はアミノ基を、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物で修飾する第１修飾工程と、導入された保護基を脱離させて水酸基を再生させる脱離工程と、再生された該水酸基を上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾する第２修飾工程とを含む方法であってもよい。上記保護基導入工程及び脱離工程を含む製造方法では、高分子化合物の水酸基又はアミノ基の特定の位置を上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾することが可能である。【００５２】
上記保護基導入工程及び脱離工程を含む製造方法では、保護基導入工程において導入される保護基は、修飾工程において水酸基又はアミノ基を修飾する修飾分子よりも容易に水酸基又はアミノ基から脱離させることが可能な基であれば特に限定されない。保護基を導入するための化合物は、保護や修飾の対象となる水酸基又はアミノ基の反応性や前記化合物の水酸基又はアミノ基に対する反応性に基づいて決定することができ、例えば、トリフェニルメチル基（トリチル基）、ジフェニルメチル基、トシル基、メシル基、トリメチルシリル基、ジメチル（t-ブチル）シリル基等を有する化合物であり、好適には、トリチル基、トリメチルシリル基を有する化合物が用いられる。
上記水酸基又はアミノ基への保護基の導入、修飾する化合物による水酸基又はアミノ基の修飾は、水酸基又はアミノ基と反応させる化合物の種類に応じた公知の適当な反応によって行うことができる。また脱離工程における前記保護基の水酸基又はアミノ基からの脱離は、特に限定されず、例えば酸やアルカリによる加水分解等の公知の方法によって行うことができる。【００５３】
なお、本発明に用いられる高分子化合物誘導体の製造方法を用いると、第１修飾工程において官能基で修飾されていない高分子化合物誘導体の水酸基又はアミノ基の所定量を、第２修飾工程において上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物により修飾できる。従って、前記一般式（Ｉ）で表された化合物の水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物への導入率は、第２修飾工程において上記一般式（Ｉ）で表された化合物の量を調整することで制御が可能である。【００５４】
本発明に用いられる高分子化合物誘導体において、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率を求める場合は、1Ｈ ＮＭＲを用いる以下の２つの方法が好ましく用いられる。反応が完結している場合には、各方法により求めた上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率は一致した値を示す。本発明では下記（２）の方法を用いた。
（１）上記一般式（Ｉ）で表された化合物を導入する前の高分子化合物誘導体の元素分析値から、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物の高分子化合物誘導体における導入率を求める。その後、上記一般式（Ｉ）で表された化合物を導入した高分子化合物誘導体の上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物の官能基のプロトンと、上記一般式（Ｉ）で表された化合物のケイ素に直接結合している官能基のプロトンの比から、高分子化合物誘導体におけるシリル基の導入率を算出し、これを高分子化合物誘導体における上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率とする。
（２）修飾工程の終了後、本発明の高分子化合物誘導体の水酸基又はアミノ基が修飾基により完全に修飾されていると仮定して、上記一般式（Ｉ）で表された化合物以外の化合物の官能基のプロトンと、上記一般式（Ｉ）で表された化合物のケイ素に直接結合している官能基のプロトンの比を求め、高分子化合物誘導体における上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率を計算する。【００５５】
＜２−２＞上記高分子化合物誘導体を担体に化学結合により担持する工程
上記高分子化合物誘導体をシリカゲル等の担体に化学結合により担持する工程は、公知の工程を用いることが可能であるが、上記高分子化合物誘導体をシリカゲル等の担体に物理的に吸着させる工程、上記担体上に物理的に吸着した上記高分子化合物誘導体と担体との間の化学結合及び上記高分子化合物誘導体同士の化学結合の少なくとも一方を生じさせる工程を含むことが好ましい。また、担体上に物理的に吸着した高分子化合物誘導体と担体との間の化学結合及び高分子化合物誘導体同士の化学結合の少なくとも一方を生じさせる工程においては、例えば、上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の導入率が１〜３５％である高分子化合物誘導体とシリカゲル等の担体の質量比が１：２〜１：２０であり、pＨ１〜６の酸性水溶液中、２０〜１５０℃、１分〜２４時間で固定化を行うことが固定化率の向上の点から好ましい。このうち、反応ｐＨ、反応温度、反応時間は、固定化率の向上の点から特に重要である。
また、本発明の製造方法を用いることで、上記固定化率を９９％以上とすることが可能である。上記固定化率とは、高分子化合物誘導体を固定化処理した担体上に存在する高分子化合物誘導体の質量に対する、高分子化合物誘導体が可溶な溶媒で洗浄後に担体上に存在する高分子化合物誘導体の質量の比率に１００を乗じた数値であり、熱重量分析から算出することが可能である。該固定化率を制御するためには、上記条件以外にも、例えば、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入率を上述のように制御しておくことが好ましい。
さらに、高分子化合物誘導体を担体上に固定化後、クロロトリメチルシランやクロロトリエチルシランなどのシランカップリング剤を用いて適切な温度で、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や、高分子化合物誘導体に導入された上記一般式（Ｉ）中の未反応のアルコキシ基をトリアルキルシロキシ基に変換することで、光学分割能の低下を抑えることも可能である。このとき、上記シランカップリング剤が、高分子化合物誘導体を担体上に固定化するために十分な量の酸が発生する場合は、上記の酸性条件下での固定化の過程を省略してもよい。【００５６】
本発明の光学異性体分離用充填剤は、ガスクロマトグラフィー用、電気泳動用、特にキャピラリーエレクトロクロマトグラフィー用（ＣＥＣ用）、ＣＺＥ（キャピラリーゾーン電気泳動）法、ＭＥＫＣ（ミセル動電クロマト）法のキャピラリーカラムの充填剤としても使用することができる。
【実施例】
【００５７】
以下に、実施例をあげて、本発明について更に詳細に説明を加えるが、本発明の範囲がかかる実施例にのみ限定されないことはいうまでもない。また、以下の実施例等で使用したセルロースは微結晶セルロースであり、シリカゲルは孔径1000Å、粒子サイズ7μｍのものであり、アミノプロピル処理したシリカゲルも上記シリカゲルを表面処理して調製している。
＜実施例1＞
（１）一部水酸基を残したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース10.0 g (61.8 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 300 mlと塩化リチウム 25.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン150 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 29.4 g (200 mmol) を加え90 °Cで26時間反応させた。反応溶液をメタノールに滴下し、不溶物として回収した後、真空乾燥を行い部分的に置換されたセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ａを27.9 g得た。下記に記載の分析により、得られた誘導体の水酸基への3,5-ジメチルフェニルイソシアナートの導入率が89.7%であることを確認した。【００５８】
（２）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させた誘導体Ａ 2.00 g (3.59 mmol)にピリジン 30 mlと3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン1.34 g (5.42 mmol)を加え、80 °Cで72時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｂ 2.04 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ89.7%、10.3%であることを確認した（スペクトル１；図３参照)。【００５９】
（３）上記3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率の測定方法
1Ｈ ＮＭＲスペクトル （400 MHz、Gemini-2000 (Varian)、ＤＭＳＯ−ｄ6中、８０℃）から求めた。シリル基を導入したセルロース誘導体の３，５−ジメチルフェニル基のフェニル基のプロトンと、３−トリエトキシシリルプロピル基のケイ素に直接結合しているメチレンプロトンの比から、高分子化合物誘導体におけるシリル基の導入率を算出し、これを高分子化合物誘導体における３−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの導入率とした。図３に当該誘導体−Ｂの1Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す。該1Ｈ ＮＭＲスペクトルから、フェニル基のプロトン由来のシグナルが６．０〜７．０ｐｐｍ付近に、シリル基に結合したメチレンのプロトン由来のシグナルが０．５ｐｐｍ付近に出ていることが分かる。従って、該1Ｈ ＮＭＲの結果から、当該誘導体−Ｂの３，５−ジメチルフェニルイソシアナートと３−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの導入率がそれぞれ８９．７％、１０．３％であることが分かる。【００６０】
（４）シリカゲル担持型充填剤の調製
得られた誘導体Ｂ 337 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、アミノプロピル処理したシリカゲル1.35 gに担持しシリカＢ−１を得た。乾燥したシリカＢ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｂの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｂが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったが、セルロース誘導体は溶け出してこなかった。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＢ−２とした。【００６１】
（５）カラムへの充填
得られたシリカＢ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−１とした。
カラム−１の理論段数(N)はN=1300を示した。【００６２】
（６）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラム（約２０℃）を用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った（PU-980、日本分光）。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 95 / 5を用いて、流速は0.2 ml/minとし、UV検出器（UV-970、日本分光、254 nm）と旋光検出器（OR-990、日本分光）を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。
なお、光学分割能の評価に用いたＨＰＬＣ及び検出器等の条件については、特に記載がない場合には、下記の実施例及び比較例においても上記と同じ条件を用いた。カラム−１の光学分割結果を表１に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。
なお、容量比ｋ１'、分離係数αは下式で定義される。以下の実施例及び比較例においても同じ式を用いて容量比及び分離係数を算出した。【００６３】
【数１】
0005531287.tif 000007
【００６４】
【数２】
0005531287.tif 000008
【００６５】
【表１】
0005531287.tif 000009
【００６６】
＜実施例２＞
（１）一部水酸基を残したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
上記乾燥させた誘導体Ａ 1.00 g (1.79 mmol)にピリジン 15 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート84 mg (0.57 mmol)を加え、80 °Cで12時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い部分的に置換されたセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｃを1.01 g得た。1H NMRの結果から、得られた誘導体の水酸基への3,5-ジメチルフェニルイソシアナートの導入率が92.7%であることを確認した。【００６７】
（２）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させた誘導体Ｃ 0.75 g (1.31 mmol)にピリジン 15 mlと3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン0.67 g (2.70 mmol)を加え、90 °Cで36時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｄ 0.71 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ92.7%、7.3%であることを確認した（スペクトル２；図４参照)。【００６８】
（３）シリカゲル担持型充填剤の調製
得られた誘導体Ｄ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、アミノプロピル処理したシリカゲル1.40 gに担持しシリカＤ−１を得た。乾燥したシリカＤ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｄの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｄが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったが、セルロース誘導体は溶け出してこなかった。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＤ−２とした。【００６９】
（４）カラムへの充填
得られたシリカＤ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−２とした。
カラム−２の理論段数(N)はN=1800を示した。【００７０】
（５）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−２の光学分割結果を表２に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。【００７１】
＜実施例３＞
（１）一部水酸基を残したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 10.0 g (61.8 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 300 mlと塩化リチウム 25.2 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン150 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 24.0 g (163 mmol) を加え80 °Cで12時間反応させた。反応溶液をメタノールに滴下し、不溶物として回収した後、真空乾燥を行い部分的に置換されたセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート23.8 gを得た。このように合成したセルロース誘導体 22.1 g にピリジン 350 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート4.56 g (31.0 mmol)を加え、80 °Cで18時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い部分的に置換されたセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｅを22.5 g得た。【００７２】
（２）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させた誘導体Ｅ 1.00 gにピリジン 15 mlと3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン0.43 g (1.72 mmol)を加え、80 °Cで17時間反応させた。その後、3,5-ジメチルフェニルイソシアナート0.25 g (1.70 mmol)を加え、80 °Cで11時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｆ 0.98 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率がそれぞれ96.7%、3.3%であることを確認した（スペクトル３；図５参照)。【００７３】
（３）シリカゲル担持型充填剤の調製
得られた誘導体Ｆ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、アミノプロピル処理したシリカゲル1.40 gに担持しシリカＦ−１を得た。乾燥したシリカＦ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｆの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｆが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄したところ、担持したセルロース誘導体のうちの1%が溶出し、固定化率が９９％であることが確認された（熱重量分析（SSC-5200、セイコー電子工業）により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＦ−２とした。【００７４】
（４）カラムへの充填
得られたシリカＦ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−３とした。
カラム−３の理論段数(N)はN=1350を示した。【００７５】
（５）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−３の光学分割結果を表２に示す。【００７６】
＜実施例４＞
（１）シリカゲル担持型充填剤の調製
上記誘導体Ｆ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカＦ−３を得た。乾燥したシリカＦ−３  0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｆの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｆが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄したところ、担持したセルロース誘導体のうちの2%が溶出し、固定化率が９８％であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＦ−４とする。【００７７】
（２）カラムへの充填
得られたシリカＦ−４を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−４とした。カラム−４の理論段数(N)はN=1500を示した。【００７８】
（３）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−４の光学分割結果を表２に示す。【００７９】
【表２】
0005531287.tif 000010
【００８０】
＜実施例５＞
（１）アルコキシシリル基を有するアミロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたアミロース 1.50 g (9.26 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 45 mlと塩化リチウム 3.00 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、アミロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン22.5 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 3.40 g (23.1 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン0.25 g (1.0 mmol)を加え、80 °Cで13時間反応させ、さらに3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 3.08 g (20.9 mmol) を加え80 °Cで10時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したアミロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｇ 5.34 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ97.0%、3.0%であることを確認した（スペクトル４；図６参照)。【００８１】
（２）シリカゲル担持型充填剤の調製
得られた誘導体Ｇ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカＧ−１を得た。乾燥したシリカＧ−１0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｇの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｇが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したアミロース誘導体のうちの1%未満が溶出し、固定化率が９９％以上であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＧ−２とした。【００８２】
（３）カラムへの充填
得られたシリカＧ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−５とした。カラム−５の理論段数(N)はN=1500を示した。【００８３】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−５の光学分割結果を表３に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。【００８４】
＜実施例６＞
（１）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 0.50 g (3.09 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 15 mlと塩化リチウム 1.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン7.5 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 1.13 g (7.69 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン84 mg (0.34 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 1.13 g (7.69 mmol) を加え80 °Cで7時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｈ 1.58 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率がそれぞれ97.3%、2.7%であることを確認した（スペクトル５；図７参照)。【００８５】
（２）シリカゲル担持型充填剤の調製
得られた誘導体Ｈ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカＨ−１を得た。乾燥したシリカＨ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｈの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｈが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの4%が溶出し、固定化率が９６％であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＨ−２とした。【００８６】
（３）カラムへの充填
得られたシリカＨ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−６とした。カラム−６の理論段数(N)はN=1700を示した。【００８７】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−６の光学分割結果を表３に示す。【００８８】
＜実施例７＞
（１）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 0.50 g (3.1 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 15 mlと塩化リチウム 1.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン7.5 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 1.13 g (7.69 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン54 mg (0.22 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 1.13 g (7.69 mmol) を加え80 °Cで7時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｉ 1.69 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率がそれぞれ98.3%、1.7%であることを確認した（スペクトル６；図８参照)。【００８９】
（２）シリカゲル担持型充填剤の調製
得られた誘導体Ｉ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカＩ−１を得た。乾燥したシリカＩ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｉの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｉが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの９％が溶出し、固定化率が９１％であることが確認された（熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＩ−２とした。【００９０】
（３）カラムへの充填
得られたシリカＩ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−７とした。カラム−７の理論段数(N)はN=2100を示した。【００９１】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン / 2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−７の光学分割結果を表３に示す。【００９２】
【表３】
0005531287.tif 000011
【００９３】
＜実施例８＞
（１）シリカゲル固定化型充填剤の調製
上記誘導体Ｉ 350 mg をテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、アミノプロピル処理したシリカゲル1.40 gに担持しシリカＩ−３を得た。乾燥したシリカＩ−３ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｉの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｉが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの１３％が溶出し、固定化率が８７％であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＩ−４とした。
実施例７と実施例８を比べると、誘導体Ｉを使用した場合、未処理のシリカゲルを用いても、3-アミノプロピル化したシリカゲルを用いても固定化にほとんど影響しないことがわかる（固定化率はそれぞれ91%と87%）。また、実施例３と実施例４の固定化率を比べると、未処理のシリカゲルと3-アミノプロピル化したシリカゲルにまったく差が見られない。この結果は、固定化がシリカゲル表面のシラノール基にほとんど影響を受けず、多糖誘導体同士の架橋反応で起こっていることを示している。【００９４】
（２）カラムへの充填
得られたシリカＩ−４を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−８とした。カラム−８の理論段数(N)はN=2500を示した。【００９５】
（３）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−８の光学分割結果を表４に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。【００９６】
＜実施例９＞
（１）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 1.00 g (6.17 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 30 mlと塩化リチウム 2.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン15 mlと3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 2.30 g (15.6 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン198 mg (0.80 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 2.30 g (15.6 mmol) を加え80 °Cで7時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｊ 3.28 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ96.0%、4.0%であることを確認した（スペクトル７；図９参照)。【００９７】
（２）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体Ｊ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカＪ−１を得た。乾燥したシリカＪ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｊの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｊが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、THFで洗浄する前後でのシリカゲル上の有機物の割合は、それぞれ18.7%, 18.6%であり、担持したセルロース誘導体のうちの1%が溶出し、固定化率が９９％であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＪ−２とした。【００９８】
（３）カラムへの充填
得られたシリカＪ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−９とした。カラム−９の理論段数(N)はN=1600を示した。【００９９】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−９の光学分割結果を表４に示す。【０１００】
＜実施例１０＞
（１）6位の一部に水酸基を残したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 10.0 g (61.7 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 300 mlと塩化リチウム 18.1 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。得られた溶解物にピリジン150 mlとトリチルクロリド5.20 g (18.7 mmol)を加え80 °Cで24時間反応させた。その後、該反応溶液に3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 37.0 g (252 mmol) を加え80 °Cで24時間反応させた。この反応溶液をメタノールに滴下し、得られた不溶部を1% ＨＣｌ／メタノール 1000 ml中で24時間攪拌して脱保護を行い、6位を水酸基に戻した。メタノールで洗浄後、真空乾燥を行い、6位の一部に水酸基を残した誘導体Ｋ 30.0 g (51.5 mmol)を得た。1H NMRの結果から、得られた誘導体の水酸基への3,5-ジメチルフェニルイソシアナートの導入率が95.3%であることを確認した。【０１０１】
（２）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させた誘導体Ｋ 10.0 g(17.2 mmol)にピリジン 100 mlと3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン4.71 g (19.1 mmol)を加え、85 °Cで24時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｌ 5.18 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ95.3%、4.7%であることを確認した（スペクトル８；図１０参照)。【０１０２】
（３）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体Ｌ 350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカＬ−１を得た。乾燥したシリカＬ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｌの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｌが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの1%が溶出し、固定化率が99%であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＬ−２とした。【０１０３】
（４）カラムへの充填
得られたシリカＬ−２を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム−１０とした。カラム−１０の理論段数(N)はN=1700を示した。【０１０４】
（５）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−１０の光学分割結果を表４に示す。【０１０５】
【表４】
0005531287.tif 000012
【０１０６】
＜試験例１＞
（１）シリカゲル固定化型充填剤の分析
6位に選択的に3-トリエトキシシリルプロピル基を有する誘導体Ｌを固定したシリカＬ−２（実施例１０）と、2,3,6位に非特異的に3-トリエトキシシリルプロピル基を有する誘導体Ｈ（実施例６）を固定したシリカＨ−２をそれぞれ乳鉢ですりつぶし、細かく粉砕したものを、THFで洗浄した。得られた洗浄液からTHF可溶部を回収し、その1H NMRの測定を行った。シリカＬ−２をすりつぶしたもののTHF可溶部の1H NMRスペクトルを図１１（スペクトル９)に、シリカＨ−２をすりつぶしたもののTHF可溶部の1H NMRスペクトルを図１２（スペクトル１０)に示す。それぞれ誘導体Ｌ、誘導体Ｈの溶出が確認でき、スペクトル９では、ケイ素の隣のメチレンプロトンが0.3 〜 0.6 ppmに観測されるのに対し、スペクトル１０では、ケイ素の隣のメチレンプロトンが0.1 〜 0.6 ppmに幅広いピークとして観測される。この違いは、3-トリエトキシシリルプロピル基が導入されている位置の違いに起因する。このように、シリカゲル固定化型充填剤の調製に、位置選択的に3-トリエトキシシリルプロピル基を導入した誘導体を使用したものと、そうでないものは容易に区別することが可能である。【０１０７】
（２）シリカゲルの分析
多糖誘導体を担持していない未処理のシリカゲルを用いる以外は実施例１（４）と同様の方法でシリカゲルを処理した。このようにして得られたシリカゲルを乳鉢ですりつぶした粉砕物の1H NMRスペクトルを図１３（スペクトル１１)に示す。
スペクトル１１には0.1 〜 0.6 ppmにはピークが観測されないので、実施例１０（１）で観測されたピークはセルロースに導入された3-トリエトキシシリルプロピル基由来のピークであることがわかる。【０１０８】
（３）シリカゲル固定化型充填剤の分析
セルロースの側鎖にビニル基（メタクリロイル基）を導入した誘導体をシリカゲルに担持した後、スチレンとのラジカル共重合によりセルロース誘導体をシリカゲル上に固定化した充填剤（例えば、Ｊ．  Ｐｏｌｙｍ．  Ｓｃｉ．，  Ｐａｒｔ  Ａ：  Ｐｏｌｙｍ．  Ｃｈｅｍ．，  ４１，  ３７０３  （２００３）参照)を（１）と同様に乳鉢ですりつぶした。細かく粉砕したものを、THFで洗浄し、得られた洗浄液からTHF可溶部を回収し、その1H NMRの測定を行った。THF可溶部の1H NMRスペクトルを図１４（スペクトル１２)に示す。スペクトル１２から誘導体の溶出が確認できるものの、0.1 〜 0.6 ppmにはピークが観測されない。このように、固定化後の充填剤を分析することにより、本願で用いた手法により固定化した充填剤と他の手法で固定化した充填剤は容易に区別することが可能である。【０１０９】
＜比較例１＞
非特許文献１の手法を追試する目的で以下（１）、（２）の実験を実施した。
（１）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 2.40 g (14.8 mmol)に、脱水ピリジン90 mlを加え、さらに3,5-ジメチルフェニルイソシアナート 9.0 ml (58.5 mmol)と3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン0.9 ml (3.68 mmol)を加え90 °Cで10時間反応させた。
上記反応系はずっと不均一であり、10時間後には粘度の高い溶液となった。この反応溶液をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い誘導体Ｍ 6.30 gを得た。しかしながら、該誘導体Ｍの大半(約62%)はTHFに不溶なゲルであった。該誘導体ＭのTHF可溶部を1H NMRにより分析したところ、3,5-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率がそれぞれ99.3%、0.7%であることが確認された。すなわち、本方法ではアルコキシシリル基がほとんど導入できなかった（スペクトル１３；図１５参照）。この結果は、非特許文献１の結果と一致するものである。また、THF可溶部とTHF不溶部を完全に分離することは極めて困難であり、純粋な誘導体を単離することはできなかった。
一般に、フェニル基を有するイソシアナートと、フェニル基を有さないイソシアナートとでは、フェニル基を有するイソシアナートの反応性の方が格段に高いことが知られている。上記非特許文献１に記載の製造方法では、３−（トリエトキシシリル）プロピルイソシアナートとフェニルイソシアナートとを共に反応させているため、多糖の水酸基とフェニル基を有するイソシアナートとが優先的に反応したと考えられる。このことから、上記1Ｈ ＮＭＲを用いた実験結果において、多糖誘導体における3-トリエトキシシリルプロピル基に由来するシグナルが極めて小さくなったと考えられ、よって、該多糖誘導体には3-トリエトキシシリルプロピル基がほとんど導入されていないと考えられる。
さらに非特許文献１に記載の方法では、原料として用いたセルロースを溶解させる工程を含んでいなかったことも、該セルロース誘導体に3-トリエトキシシリルプロピル基がほとんど導入されなかったことの要因であると考えられる。【０１１０】
（２）塩基性条件下でのシリカゲル固定化型充填剤の調製
誘導体ＭのTHF可溶部(一部不溶部を含む)550 mgをテトラヒドロフラン12 mlに溶かし、未処理のシリカゲル2.20 gに担持しシリカＭ−１を得た。乾燥したシリカＭ−１ 700 mgに、脱水トルエン10 mlと脱水ピリジン4 ml、 を加え、窒素雰囲気下、95 °Cで8時間反応して誘導体Ｍの固定化を行った。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの62%が溶出し、固定化率が38%であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。この固定化率は、文献の値より若干大きい。テトラヒドロフランで洗浄したものをシリカＭ−２とした。【０１１１】
（３）酸性条件下でのシリカゲル固定化型充填剤の調製
シリカＭ−１ 0.65 gをエタノール／水／クロロトリメチルシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110 ℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Ｍの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｍが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの77%が溶出し、固定化率が23%であることが確認された（上記熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカＭ−３とした。
上記の結果から、非特許文献１に記載の方法で合成した誘導体Ｍは、塩基性条件でも、酸性条件でも、シリカゲル上に多糖誘導体を効率的に固定化することができず、これは誘導体Ｍに３−イソシアナートプロピルトリエトキシシランがほとんど導入されていないことに帰せられる。【０１１２】
（４）カラムへの充填
得られたシリカＭ−２、シリカＭ−３をそれぞれ粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをそれぞれカラム-１１、カラム-１２とした。カラム−１１、カラム−１２の理論段数(N)はそれぞれN=2500及びN=2000を示した。【０１１３】
（５）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−１１及びカラム−１２の光学分割結果を表５に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。多糖誘導体の固定化率が小さいためにラセミ体がほとんど保持されなかった。【０１１４】
【表５】
0005531287.tif 000013
【０１１５】
＜比較例２＞
非特許文献１を参考にして以下のような実験を実施した。
上記誘導体Ｊ 500 mgをテトラヒドロフラン12 mlに溶かし、未処理のシリカゲル2.00 gに担持しシリカＪ−３を得た。乾燥したシリカＪ−３ 700 mgに、脱水トルエン10 mlと脱水ピリジン4 mlを加え、窒素雰囲気下、95 °Cで8時間反応して誘導体Ｊの固定化を行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Ｊが固定化されたシリカゲル565 mgを得、これをテトラヒドロフランで洗浄したものをシリカＪ−４とした。シリカＪ−３及びシリカＪ−４の熱重量分析の結果から、担持した誘導体の6%しか固定化できていないことが分かった。
また、上記ピリジンの量を0.25、0.125 mlと変えて同様に処理したところ、何れのピリジンの量においても33%しか固定化できなかった。
上述のように、酸性条件下で固定化を行った実施例９では、誘導体Ｊの99%が固定化可能であることから、ピリジンを使用する固定化法は、本願で示した酸性条件下で固定化を行う方法に比して、誘導体の固定化率が著しく劣り、誘導体の固定化に適した条件ではないことが判明した。【０１１６】
＜実施例11＞
（１）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジクロロフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 1.50 g (9.26 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 45 mlと塩化リチウム 3.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン22.5 mlと3,5-ジクロロフェニルイソシアナート 4.35 g (23.1 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン230 mg (0.93 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに3,5-ジクロロフェニルイソシアナート 5.22 g (27.8 mmol) を加え80 °Cで7時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジクロロフェニルカルバメート誘導体N 5.84 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジクロロフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ96.7%、3.3%であることを確認した(スペクトル14; 図16参照)。【０１１７】
（２）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体N 400 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.60 gに担持しシリカN-1を得た。乾燥したシリカN-1 0.65 gを、エタノール / 水 / トリメチルクロロシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Nの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Nが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体の溶出はなく、固定化率がほぼ100％であることが確認された（熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカN-2とした。【０１１８】
（３）カラムへの充填
得られたシリカN-2を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム-13とした。カラム-13の理論段数(N)はN=1200を示した。【０１１９】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン / 2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−13の光学分割結果を表6に示す。
表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。【０１２０】
＜実施例12＞
（１）アルコキシシリル基を有するセルロース 3,5-ジクロロフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース 1.50 g (9.26 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 45 mlと塩化リチウム 3.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、セルロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物にピリジン22.5 mlと3,5-ジクロロフェニルイソシアナート 4.35 g (23.1 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン160 mg (0.65 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに3,5-ジクロロフェニルイソシアナート 5.52 g (29.4 mmol) を加え80 °Cで8時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 3,5-ジクロロフェニルカルバメート誘導体O  5.30 gを得た。1H NMRの結果から、3,5-ジクロロフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が それぞれ98.0%、2.0%であることを確認した(スペクトル15; 図17参照)。【０１２１】
（２）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体O  400 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.60 gに担持しシリカO-1を得た。乾燥したシリカO-1  0.65 gを、エタノール / 水 / トリメチルクロロシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Oの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Oが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの5％が溶出し、固定化率が95％であることが確認された（熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカO-2とした。【０１２２】
（３）カラムへの充填
得られたシリカO-2を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム-14とした。カラム-14の理論段数(N)はN=2800を示した。【０１２３】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン / 2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−14の光学分割結果を表6に示す。【０１２４】
【表６】
0005531287.tif 000014
【０１２５】
＜実施例13＞
（１）アルコキシシリル基を有するアミロース (S)-1-フェニルエチルカルバメートの合成
乾燥させたアミロース 0.50 g (3.09 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 15 mlと塩化リチウム 1.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、アミロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物に、ピリジン7.5 mlと(S)-1-フェニルエチルイソシアナート 1.16 g (7.85 mmol) を加え80 °Cで12時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン68 mg (0.28 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに(S)-1-フェニルエチルイソシアナート 1.36 g (9.26 mmol)を加え80 °Cで42時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したアミロース (S)-1-フェニルエチルカルバメート誘導体P 1.69 gを得た。1H NMRの結果から、(S)-1-フェニルエチルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が、それぞれ98.0%、2.0%であることを確認した(スペクトル16; 図18参照)。【０１２６】
（２）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体P  350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカP-1を得た。乾燥したシリカP-1 0.65 gを、エタノール / 水 / トリメチルクロロシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Pの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Pが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したアミロース誘導体のうちの1％が溶出し、固定化率が99％であることが確認された（熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカP-2とした。【０１２７】
（３）カラムへの充填
得られたシリカP-2を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム-15とした。カラム-15の理論段数(N)はN=1300を示した。【０１２８】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン / 2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−15の光学分割結果を表7に示す。
表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。【０１２９】
＜実施例14＞
（１）アルコキシシリル基を有するアミロース (S)-1-フェニルエチルカルバメートの合成
乾燥させたアミロース 0.50 g (3.09 mmol)に脱水N,N-ジメチルアセトアミド 15 mlと塩化リチウム 1.0 gを加え、膨潤させた後、撹拌し、アミロースを均一に溶解させた。
得られた溶解物に、ピリジン7.5 mlと(S)-1-フェニルエチルイソシアナート 1.16 g (7.85 mmol) を加え80 °Cで12時間反応させた後、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン42 mg (0.17 mmol)を加え、80 °Cで16時間反応させ、さらに(S)-1-フェニルエチルイソシアナート 1.36 g (9.26 mmol)を加え80 °Cで42時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したアミロース (S)-1-フェニルエチルカルバメート誘導体Q 1.78 gを得た。1H NMRの結果から、(S)-1-フェニルエチルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が、それぞれ98.7%、 1.3%であることを確認した(スペクトル17; 図19参照)。【０１３０】
（２）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体Q  350 mgをテトラヒドロフラン8 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.40 gに担持しシリカQ-1を得た。乾燥したシリカQ-1 0.65 gを、エタノール / 水 / トリメチルクロロシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Qの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Qが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをテトラヒドロフランで洗浄を行ったところ、担持したアミロース誘導体のうちの5％が溶出し、固定化率が95％であることが確認された（熱重量分析により確認）。テトラヒドロフランで洗浄後のシリカゲルをシリカQ-2とした。【０１３１】
（３）カラムへの充填
得られたシリカQ-2を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム-16とした。カラム-16の理論段数(N)はN=2300を示した。【０１３２】
（４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン / 2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−16の光学分割結果を表7に示す。【０１３３】
【表７】
0005531287.tif 000015
【０１３４】
＜実施例15＞
（１）一部水酸基を残したセルロース 4-メチルベンゾエートの合成
乾燥させたセルロース 1.00 g (6.17 mmol)に、ピリジン20 mlと4-メチルベンゾイルクロリド 3.04 g (19.7 mmol) を加え80 °Cで6時間反応させた。反応溶液をメタノールに滴下し、不溶物として回収した後、真空乾燥を行い部分的に置換されたセルロース 4-メチルベンゾエート誘導体R'を2.87 g得た。1H NMRの結果から、得られた誘導体の水酸基への4-メチルベンゾイルクロリドの導入率が98.7%であることを確認した。【０１３５】
（２）アルコキシシリル基を有するセルロース 4-メチルベンゾエートの合成
乾燥させた誘導体R'  2.00 g (3.92 mmol) にピリジン 20 mlと3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン1.98 g (8.02 mmol)を加え、80 °Cで48時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース 4-メチルベンゾエート誘導体R 0.41 gを得た。1H NMRの結果から、4-メチルベンゾイルクロリドとアルコキシシリル基の導入率が、それぞれ98.7%、1.3%であることを確認した(スペクトル18; 図20参照)。【０１３６】
（３）シリカゲル固定化型充填剤の調製
得られた誘導体R  300 mgをクロロホルム3 mlに溶かし、未処理のシリカゲル1.20 gに担持しシリカR-1を得た。乾燥したシリカR-1  0.65 gを、エタノール / 水 / トリメチルクロロシラン (6 ml/ 1.5 ml / 0.1 ml)に分散し、110℃のオイルバスで沸騰させながら10分間反応を行い、シリカゲル上への誘導体Rの固定化と、シリカゲル上に存在する残存シラノール基や誘導体に存在する未反応のエトキシシリル基のトリメチルシリル基での保護を同時に行った。得られた固定化物をメタノールで洗浄、真空乾燥して、誘導体Rが固定化されたシリカゲルを得た。得られたシリカゲルをクロロホルムで洗浄を行ったところ、担持したセルロース誘導体のうちの13％が溶出し、固定化率が87％であることが確認された（熱重量分析により確認）。クロロホルムで洗浄後のシリカゲルをシリカR-2とした。【０１３７】
（４）カラムへの充填
得られたシリカR-2を粒径分別した後、長さ25 cm、内径0.2 cmのステンレス-スチール製のカラムにスラリー法により充填した。得られたカラムをカラム-17とした。カラム-17の理論段数(N)はN=1900を示した。【０１３８】
（５）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラムを用いて、図２に示す10種のラセミ体の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン / 2-プロパノール = 90 / 10を用いて、流速は0.1 ml/minとし、UV検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Nはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ0は1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−17の光学分割結果を表8に示す。
表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。【０１３９】
【表８】
0005531287.tif 000016
【産業上の利用の可能性】
【０１４０】
本発明により、耐溶媒性能、光学異性体の大量分取性能及び機械強度に優れた光学異性体分離用充填剤を提供することが可能となる。また、本発明により、多糖誘導体等の高分子化合物の担体表面への固定化率が高く、光学分離能に優れた光学異性体分離用充填剤を提供することが可能となる。さらに、本発明は、多糖誘導体等の高分子化合物を担体の表面に化学結合させる際の工程数を減じ、充填剤の製造を効率的に実施する方法を提供することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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