(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された第１及び第２のスイッチ素子を備えたスイッチング装置の前記第１及び第２のスイッチ素子を同期整流制御するスイッチ素子駆動装置において、
前記第１のスイッチ素子の制御信号が入力される第１の制御信号入力端子と、
前記第２のスイッチ素子の制御信号が入力される第２の制御信号入力端子と、
前記第１の制御信号入力端子から前記制御信号を受け、前記第１のスイッチ素子に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段と、
前記第２の制御信号入力端子から前記制御信号を受け、前記第２のスイッチ素子に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段と、
を備え、
前記第１及び第２の制御信号入力端子に入力される制御信号は、前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子を同時にＯＮしないように制御する制御信号であり、
前記第１のスイッチ素子駆動手段は、前記第２のスイッチ素子のＯＦＦのスピードに対し、前記第１のスイッチ素子のＯＮのスピードを環境温度の上昇と共に遅延させる駆動信号を出力することを特徴とするスイッチ素子駆動装置。
【請求項２】
前記第２のスイッチ素子駆動手段は、前記第１のスイッチ素子のＯＦＦのスピードに対し、前記第２のスイッチ素子のＯＮのスピードを環境温度の上昇と共に遅延させる駆動信号を出力することを特徴とする請求項１に記載のスイッチ素子駆動装置。
【請求項３】
直列接続された第１及び第２のスイッチ素子を備えたスイッチング装置の前記第１及び第２のスイッチ素子を同期整流制御するスイッチ素子駆動装置において、
前記第１のスイッチ素子の制御信号が入力される第１の制御信号入力端子と、
前記第２のスイッチ素子の制御信号が入力される第２の制御信号入力端子と、
前記第１の制御信号入力端子から前記制御信号を受け、前記第１のスイッチ素子に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段と、
前記第２の制御信号入力端子から前記制御信号を受け、前記第２のスイッチ素子に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段と、
を備え、
前記第１及び第２の制御信号入力端子に入力される制御信号は、前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子を同時にＯＮしないように制御する制御信号であり、
前記第２のスイッチ素子駆動手段は、前記第１のスイッチ素子のＯＦＦのスピードに対し、前記第２のスイッチ素子のＯＮのスピードを環境温度の上昇と共に遅延させる駆動信号を出力することを特徴とするスイッチ素子駆動装置。
【請求項４】
前記第１あるいは前記第２のスイッチ素子のＯＮのスピードを環境温度の上昇と共に遅延させる駆動信号は、環境温度によって抵抗値が可変する抵抗素子により形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のスイッチ素子駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、制御信号を受けてスイッチ素子を駆動するスイッチ素子駆動装置に係り、特に、直列接続された第１及び第２のスイッチ素子を備えたスイッチング装置の前記第１及び第２のスイッチ素子を同期整流制御するスイッチ素子駆動装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
モータを制御するインバータなどは、スイッチング装置を制御することで、モータの各コイルへ流す電流供給経路を切り替え、モータの駆動制御を行っている。また、変圧機などは、スイッチング装置を制御することで、電源からリアクトル（コイル）への電流供給量を調整し、電源で発生する電圧を任意の電圧に変圧して出力する。
【０００３】
スイッチング装置は、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子が直列に接続され、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子の接続点を出力部としてリアクトルに接続し、電流供給を行う。前記スイッチング装置の第１及び第２のスイッチ素子を駆動させるため、スイッチ素子駆動装置が必要となる。
【０００４】
この種のスイッチ素子駆動装置として、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子の同期整流制御を行うスイッチ素子駆動装置がある。同期整流制御は、第１のスイッチ素子がＯＮのとき、第２のスイッチ素子をＯＦＦにし、第１のスイッチ素子がＯＦＦのとき、第２のスイッチ素子をＯＮにする制御方法である。このとき、第１のスイッチ素子の通電区間（以下、ＯＮ区間という。）に対し、第２のスイッチ素子のＯＮ区間の重なり、所謂、アーム短絡がないように、第１のスイッチ素子のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子のＯＮ区間が重ならないように遅延（デッドタイム）を与える発明が提案されている。
【０００５】
例えば特開２００２−３３５６７９号公報（特許文献１）には、共通の制御信号を２つに分配し、そのうちの一方を反転させる回路と、制御信号の立上りまたは立下りを遅延させる遅延回路から構成され、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子を同期整流制御するスイッチ素子駆動装置が示されている。このスイッチ素子駆動装置においては、制御信号の立上りまたは立下りを遅延させることでデッドタイムを与え、アーム短絡を防いでいる。
【０００６】
また、特開２００９−２９０８１２号公報（特許文献２）には、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子の出力信号のエッジを検出する回路と、検出したエッジの電圧を調整する回路と、調整後のエッジを比較し遅延量を決定する比較回路と、遅延量に応じ制御信号に遅延を付加する回路から構成され、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子を同期整流制御するスイッチ素子駆動装置が示されている。このスイッチ素子駆動装置においては、検出したエッジに応じて遅延量を与え、アーム短絡を防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３３５６７９号公報
【特許文献２】特開２００９−２９０８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記特許文献１に示すスイッチ素子駆動装置においては、遅延をコンデンサで与えた場合、温度変化によってコンデンサ容量が変化し、デッドタイムが確保できず、アーム短絡に至ることがある。
【０００９】
また、前記特許文献２に示すスイッチ素子駆動装置においては、エッジ検出までを任意のデッドタイムの設定とするため、環境温度によっては始動時にデッドタイムが確保できていない状態が発生し、アーム短絡に至ることがある。
【００１０】
また、スイッチ素子を制御するためにスイッチ素子駆動装置へ入力される信号の立上りに対し、前記スイッチ素子駆動装置から出力される信号の立上りタイミングまたは立上りスピードを遅くした場合でも、素子のバラツキや、スイッチ素子を制御する信号とスイッチ素子を駆動させる信号との遅延（出力伝達遅延）は環境温度が高い場合に増加することがあり、これらのためにデッドタイムが確保できず、アーム短絡に至ることがある。
【００１１】
デッドタイムは小さいほど効率がよいスイッチング装置となるが、デッドタイムが確保できずアーム短絡に至った場合、スイッチ素子が焼損し、最悪の場合、火災が発生する。また、同期整流は、発電機が発電する電圧を接続される機器に適切な電圧に変圧するＤＣ−ＤＣコンバータやモータを制御するインバータなどに使用されることが多いため、火災に至らない場合でも、電源の供給やモータが停止してしまうという課題がある。
【００１２】
この発明は、前記のような課題を解決するためになされたもので、温度環境が上昇しても、第１のスイッチ素子のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子のＯＮ区間が重ならないようにしてアーム短絡を防止するスイッチ素子駆動装置を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明に係るスイッチ素子駆動装置は、直列接続された第１及び第２のスイッチ素子を備えたスイッチング装置の前記第１及び第２のスイッチ素子を同期整流制御するスイッチ素子駆動装置において、
前記第１のスイッチ素子の制御信号が入力される第１の制御信号入力端子と、前記第２のスイッチ素子の制御信号が入力される第２の制御信号入力端子と、前記第１の制御信号入力端子から前記制御信号を受け、前記第１のスイッチ素子に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段と、前記第２の制御信号入力端子から前記制御信号を受け、前記第２のスイッチ素子に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段と、を備え、
前記第１及び第２の制御信号入力端子に入力される制御信号は、前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子を同時にＯＮしないように制御する制御信号であり、前記第１のスイッチ素子駆動手段は、前記第２のスイッチ素子のＯＦＦのスピードに対し、前記第１のスイッチ素子のＯＮのスピードを環境温度の上昇と共に遅延させる駆動信号を出力するものである。
【発明の効果】
【００１４】
この発明に係るスイッチ素子駆動装置によれば、環境温度が上昇してもアーム短絡を防止するスイッチ素子駆動装置を得ることができる。
【００１５】
また、この発明に係るスイッチ素子駆動装置によれば、制御側で設定されるスイッチ素子制御信号のデッドタイムを固定することができるため、計算能力の低い制御装置を用いることができ、安価にスイッチング装置を制御することが可能である。さらに、環境温度が低い場合、デッドタイムを無くすことができるため、効率のよいスイッチ素子駆動装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置の一例を説明する回路図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置の第２のスイッチ素子駆動手段の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】この発明の実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置及びそれにより駆動されるスイッチング装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】環境温度に対するトランジスタの蓄積遅延時間を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置の他の例を説明する回路図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係るスイッチ素子駆動装置の一例を説明する回路図である。
【図７】この発明の実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置の一例を説明する回路図である。
【図８】この発明の実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置及びそれにより駆動されるスイッチング装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図９】この発明の実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置の他の例を説明する回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明に係るスイッチ素子駆動装置の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図面中、同一又は相当する部分には同一符号を付している。
【００１８】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置の一例を説明する回路図である。
図１において、スイッチ素子駆動装置１ａは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴからなる第１のスイッチ素子２を駆動する第１のスイッチ素子駆動手段３ａと、同じくＮチャネルＭＯＳＦＥＴからなる第２のスイッチ素子４を駆動する第２のスイッチ素子駆動手段５ａと、第１のスイッチ素子２のＯＮ、ＯＦＦ制御信号の入力端子である第１の制御信号入力端子（以下、第１の信号入力端子という。）６と、第２のスイッチ素子４のＯＮ、ＯＦＦ制御信号の入力端子である第２の制御信号入力端子（以下、第２の信号入力端子という。）７を備えている。第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４は、スイッチング装置８を構成し、スイッチング装置８から出力される信号のエネルギーを蓄えるリアクトル９に接続されている。
【００１９】
第１のスイッチ素子駆動手段３ａは、第１の信号入力端子６から制御信号を受け、第１のスイッチ素子２にＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する。また、第２のスイッチ素子駆動手段５ａは、環境温度が予め設定した温度より高い場合、第２の信号入力端子７から制御信号を受け、この制御信号のＯＮタイミングよりも、出力する信号のＯＮタイミングが温度上昇と共に遅延が大きくなるように、第２のスイッチ素子４にＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する。
【００２０】
スイッチング装置８は、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４を直列接続する構成となっており、電源１０に接続されている。スイッチング装置８は、電源１０による電圧の印加とスイッチ素子駆動装置１ａから出力される駆動信号により、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４をＯＮ、ＯＦＦし、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４の接続部１１から信号を出力する。そして、この出力信号のエネルギーをリアクトル９に蓄える。
【００２１】
次に、第１のスイッチ素子駆動手段３ａと第２のスイッチ素子駆動手段５ａの詳細について説明する。
まず、第１のスイッチ素子駆動手段３ａは、第１の信号入力端子６と第３のスイッチ素子１２のゲートとの間に接続される抵抗１３と、第３のスイッチ素子１２のゲートとソースとの間に接続される抵抗１４と、第１のスイッチ素子駆動手段３ａの駆動電源１５と第３のスイッチ素子１２のドレインとの間に接続され、ドレイン・ソース間電流を制限する抵抗１６と、第３のスイッチ素子１２のドレインと第４のスイッチ素子１７ａのゲートとの間に接続される抵抗１８と、第４のスイッチ素子１７ａのゲートとソースとの間に接続される抵抗１９と、駆動電源１５と第４のスイッチ素子１７ａのドレインとの間に接続され、第４のスイッチ素子１７ａのドレイン・ソース間電流を制限する抵抗２０を備えている。
【００２２】
第３のスイッチ素子１２及び第４のスイッチ素子１７ａは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されている。第３のスイッチ素子１２は、抵抗１３と抵抗１４で駆動され、第１の信号入力端子６から入力される制御信号のＯＮとＯＦＦを反転し、第１のスイッチ素子２の駆動電圧に変換する。また、第４のスイッチ素子１７ａは、抵抗１８と抵抗１９で駆動され、第３のスイッチ素子１２からのＯＮとＯＦＦが反転した信号を、第１のスイッチ素子２の駆動電圧に変換されるべき信号になるように反転する。
【００２３】
更に、第１のスイッチ素子駆動手段３ａは、第４のスイッチ素子１７ａのドレインと第１及び第２のトランジスタ２１、２２のベースとの間に接続され、第１及び弟２のトランジスタ２１、２２のベース電流を制限する抵抗２３と、第１及び第２のトランジスタ２１、２２のエミッタと第１のスイッチ素子２のゲートとの間に接続され、第１のスイッチ素子２の電流量を制限し、スイッチスピードを調整する抵抗２４を備えている。
【００２４】
第１のトランジスタ２１はＮチャネルバイポーラトランジスタで構成され、第２のトランジスタ２２はＰチャネルバイポーラトランジスタで構成されている。第１のトランジスタ２１は、駆動電源１５にコレクタが接続され、エミッタが第２のトランジスタ２２のエミッタに接続されている。そして、第１のトランジスタ２１は、第４のスイッチ素子１７ａによって入力される第１のスイッチ素子２の駆動信号がＯＮのときに充電を行うように駆動される。また、第２のトランジスタ２２は、第４のスイッチ素子１７ａのソースと電源１０のグランドＧ１とにコレクタが接続され、第４のスイッチ素子１７ａによって入力される第１のスイッチ素子２の駆動信号がＯＦＦのときに放電を行うように駆動される。
【００２５】
次に、第２のスイッチ素子駆動手段５ａは、第２の信号入力端子７と第５のスイッチ素子２５のゲートとの間に接続される抵抗２６と、第５のスイッチ素子２５のゲートとソースとの間に接続される抵抗２７と、第２のスイッチ素子駆動手段５ａの駆動電源２８と第５のスイッチ素子２５のドレインとの間に接続され、第５のスイッチ素子２５のドレイン・ソース間電流を制限する抵抗２９と、第５のスイッチ素子２５からのＯＮとＯＦＦが反転した信号を、第２のスイッチ素子４の駆動電圧に変換されるべき信号になるように反転する第３のトンランジスタ３０と、駆動電源２８と第３のトンランジスタ３０のコレクタとの間に接続され、第３のトンランジスタ３０のコレクタ・エミッタ間電流を制限する抵抗３１を備えている。
【００２６】
第３のトンランジスタ３０は、Ｎチャネルバイポーラトランジスタで構成されており、第５のスイッチ素子２５は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されている。第５のスイッチ素子２５は、抵抗２６と抵抗２７で駆動され、第２の信号入力端子７から入力される制御信号のＯＮとＯＦＦを反転し、第２のスイッチ素子４の駆動電圧に変換する。
【００２７】
更に、第２のスイッチ素子駆動手段５ａは、第３のトンランジスタ３０のコレクタと第４及び第５のトランジスタ３２、３３のベースとの間に接続され、第４及び弟５のトランジスタ３２、３３のベース電流を制限する抵抗３４と、第４及び第５のトランジスタ３２、３３のエミッタと第２のスイッチ素子４のゲートとの間に接続され、第２のスイッチ素子４の電流量を制限し、スイッチスピードを調整する抵抗３５を備えている。
【００２８】
第４のトランジスタ３２はＮチャネルバイポーラトランジスタで構成され、第５のトランジスタ３３はＰチャネルバイポーラトランジスタで構成されている。第４のトランジスタ３２は、駆動電源２８にコレクタが接続され、エミッタが第５のトランジスタ３３のエミッタに接続されており、第３のトンランジスタ３０によって入力される第２のスイッチ素子４の駆動信号がＯＮのときに充電を行うように駆動される。また、第５のトランジスタ３３は、第３のトンランジスタ３０のエミッタと駆動電源２８のグランドＧ２にコレクタが接続され、第３のトンランジスタ３０によって入力される第２のスイッチ素子４の駆動信号がＯＦＦのときに放電を行うように駆動される。
【００２９】
なお、前記において、第１のスイッチ素子２及び第２のスイッチ素子４は、パッケージサイズの大きい高耐圧のパワーＭＯＳＦＥＴで構成され、第３のスイッチ素子１２、第４のスイッチ素子１７ａ、及び第５のスイッチ素子２５は、パッケージサイズの小さい小信号用ＭＯＳＦＥＴで構成されている。
【００３０】
実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置１ａは前記のように構成されており、次に、その動作について説明する。
図２は、第２のスイッチ素子駆動手段５ａの動作を示すタイミングチャートである。ここで、第２のスイッチ素子駆動手段５ａの動作を説明する前に、まずバイポーラトランジスタの特性について説明する。
【００３１】
バイポーラトランジスタは、ベース・エミッタ間に電圧を印加して入力信号をＯＮとすると、コレクタ・エミッタ間に電流が流れて出力電圧（コレクタ・エミッタ間電圧）が０Ｖとなる。これにより、バイポーラトランジスタは、入力信号のＯＮに対し、反転されたＯＦＦを出力する。一方、ベース・エミッタ間の電圧を０Ｖとして入力信号をＯＦＦとすると、コレクタ・エミッタ間は電流が遮断されるため、出力電圧（コレクタ・エミッタ間電圧）はトランジスタに印加した電圧となり、入力信号のＯＦＦに対し、反転されたＯＮを出力する。
【００３２】
また、バイポーラトランジスタには少数キャリア蓄積効果により蓄積遅延時間が存在し、入力信号の立下りに対し、出力信号の立上りが遅延する現象が発生する。この蓄積遅延時間はＭＯＳＦＥＴには存在しないため、ＭＯＳＦＥＴでは、バイポーラトランジスタの入力信号のＯＮに対する反転されたＯＦＦを出力するのに比べ遅延が非常に小さい。
【００３３】
図２に戻り、（ａ）の信号は、第２の信号入力端子７からの制御信号、及び第５のスイッチ素子２５のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ)を示している。（ｂ）の信号は、第５のスイッチ素子２５のドレイン・ソース間電圧（出力信号：Ｖｄｓ)、及び第３のトンランジスタ３０のベース・エミッタ間電圧（入力信号：Ｖｂｅ)を示している。（ｃ）の信号は、第３のトンランジスタ３０のコレクタ・エミッタ間電圧（出力信号：Ｖｃｅ）を示している。（ｄ）の信号は、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）を示している。
【００３４】
第５のスイッチ素子２５へ入力された信号は、ＯＮとＯＦＦが反転されて出力され、第３のトンランジスタ３０へ入力される。第３のトンランジスタ３０では、少数キャリア蓄積効果により、入力される信号に対し蓄積遅延時間ｔｓ遅れて出力される。従って、第２のスイッチ素子駆動手段５ａは、第２の信号入力端子７から入力される制御信号のＯＮに対し、第２のスイッチ素子４の入力電圧は蓄積遅延時間ｔｓ遅れてＯＮされる。
【００３５】
図３は、スイッチ素子駆動装置１ａ及びスイッチング装置８の動作を示すタイミングチャートである。
図３において、（ｅ）の信号は、第１の信号入力端子６からの制御信号、及び第３のスイッチ素子１２のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ)を示している。（ｆ）の信号は、第２の信号入力端子７からの制御信号、及び第５のスイッチ素子２５のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）を示している。（ｇ）の信号は、第１のスイッチ素子２のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）を示している。（ｈ）の信号は、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）を示している。（ｉ）の信号は、第１のスイッチ素子２のドレイン・ソース間電圧（入力信号：Ｖｄｓ）を示している。（ｊ）の信号は、第２のスイッチ素子４のドレイン・ソース間電圧（入力信号：Ｖｄｓ）を示している。
【００３６】
前記のように、第１の信号入力端子６からの制御信号は、第２の信号入力端子７からの制御信号に対し、ＯＮとＯＦＦが反転した信号となっている。また、第１の信号入力端子６からの制御信号のＯＦＦと第２の信号入力端子７からの制御信号のＯＮとの間、及び第１の信号入力端子６からの制御信号のＯＮと第２の信号入力端子７からの制御信号のＯＦＦとの間に、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４のアーム短絡を防ぐための制御信号で設定するデッドタイムｔｄが設けられている。このデッドタイムｔｄは、常温で第１のスイッチ素子２のゲート・ソース間電圧の下がり始めから閾値以下となる時間ｔｆに対し、第２のスイッチ素子４ゲート・ソース間電圧の上がり始めから、閾値以上となる時間ｔｒを用いて、ｔｆ+ｔｒ＜ｔｄとなるように設定されている。
【００３７】
第１のスイッチ素子２は、第３のスイッチ素子１２に対しパッケージサイズが大であるため、大きな入力寄生容量があり、第３のスイッチ素子１２に比べてスイッチングスピード（ゲート・ソース間電圧のＯＮ、ＯＦＦスピード）は遅くなる。第２のスイッチ素子４も同様に第５のスイッチ素子２５に比べてスイッチングスピード（ゲート・ソース間電圧のＯＮ、ＯＦＦスピード）は遅くなる。また、第２のスイッチ素子４の入力電圧は、前述のように、第２の信号入力端子７から入力される制御信号のＯＮに対し、蓄積遅延時間ｔｓ遅れてＯＮされる。
【００３８】
第１のスイッチ素子２は、ゲート・ソース間電圧が上昇して閾値を越えると、ドレイン・ソース間が通電し、ドレイン・ソース間電圧は０Ｖとなる（区間Ａ）。これにより、第１のスイッチ素子２のゲート・ソース間電圧が低下し、閾値を下回るとドレイン・ソース間が遮断され、ドレイン・ソース間電圧は電源１０の電圧となる。第２のスイッチ素子４も同様に、ゲート・ソース間電圧が上昇して閾値を越えると、ドレイン・ソース間が通電し、ドレイン・ソース間電圧は０Ｖとなる（区間Ｃ)。これにより、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧が低下し、閾値を下回るとドレイン・ソース間が遮断され、ドレイン・ソース間電圧は電源１０の電圧となる。
【００３９】
ただし、第２のスイッチ素子４の出力（ドレイン・ソース間電圧）は、第１のスイッチ素子２のドレイン・ソース間が通電しているとき、電源１０よりリアクトル９へ電流が供給されてエネルギーとして蓄積される。蓄積されたエネルギーは、第１のスイッチ素子２のドレイン・ソース間が遮断された瞬間に、リアクトル９の逆起電力により、第２のスイッチ素子４のボディダイオードを経由して流れ、第２のスイッチ素子４のドレイン・ソース間電圧にボディダイオードの順方向電圧分の電圧降下が起きる（区間Ｂ：デッドタイム）。この第１のスイッチ素子２のドレイン・ソース間が通電している区間Ｂがなくなり、区間Ａと区間Ｃが重なるとアーム短絡が発生する。
【００４０】
図４は、環境温度に対するトランジスタの蓄積遅延時間を示す図である。ここで、蓄積遅延時間と温度特性について説明する。
図４の横軸は環境温度を示し、縦軸は蓄積遅延時間を示している。図４に示すように、環境温度の上昇によって、蓄積遅延時間が増えることがわかる。
【００４１】
また、環境温度や素子のばらつきにより、第１のスイッチング素子２のゲート・ソース間電圧が閾値以下となる時間ｔｆ、及び第２のスイッチング素子４のゲート・ソース間電圧が閾値以上となる時間ｔｒが変化するが、これらの時間変化よりも環境温度上昇による蓄積遅延時間の増加が大きい。従って、環境温度が上昇すると蓄積遅延時間ｔｓが増えることで図３に示す区間Ｂが増加するため、区間Ａと区間Ｃの重なることが発生せず、環境温度上昇によるアーム短絡を防止することができる。
【００４２】
以上のように、実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置１ａは、第１のスイッチ素子２のＯＮとＯＦＦを制御する第１の信号入力端子６と、第２のスイッチ素子４のＯＮとＯＦＦを制御する第２の信号入力端子７と、第１の信号入力端子６からの制御信号を受け、第１のスイッチ素子２に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段３ａと、環境温度が予め設定した温度より高い場合、第２の信号入力端子７から制御信号を受け、この制御信号のＯＮタイミングよりも、出力する駆動信号のＯＮタイミングが温度上昇と共に遅延が大きくなるように、第２のスイッチ素子４にＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段５ａと、を備えている。
【００４３】
そして、このスイッチ素子駆動装置１ａは、スイッチング装置８を駆動する。スイッチング装置８は、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４を備え、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４が直列に接続されている。第１及び第２のスイッチ素子２、４は、スイッチ素子駆動装置１ａの出力する駆動信号によって、ＯＮ、ＯＦＦされ、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４の接続部１１から信号を出力する。接続部１１から出力される信号のエネルギーはリアクトル９に蓄えられる。
【００４４】
このように構成したことにより、環境温度の上昇時も、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間が遅延するため、アーム短絡を防止することができる。
【００４５】
なお、前記実施の形態においては、第１のスイッチ素子駆動手段３ａを構成する第４のスイッチ素子１７ａにＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いた場合を説明したが、電源１０の電圧変動がある場合、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴをＰチャネルＭＯＳＦＥＴに変更してもよい。その具体例を以下に説明する。
【００４６】
図５は、実施の形態１に係るスイッチ素子駆動装置の他の例を説明する回路図である。図５において、符号１ｂはスイッチ素子駆動装置の他の例を示している。また、符号１７ｂはスイッチ素子駆動装置１ｂを構成する第４のスイッチ素子を示し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成されている。
【００４７】
第１のスイッチ素子駆動手段３ｂは、第３のスイッチ素子１２のドレインと第４のスイッチ素子１７ｂのゲートとの間に接続される抵抗５０と、第４のスイッチ素子１７ｂのゲートとソースとの間に接続される抵抗５１と、電源１０のグランドＧ１と第４のスイッチ素子１７ｂのドレインとの間に接続され、第４のスイッチ素子１７ｂのドレイン・ソース間電流を制限する抵抗５２を備えている。なお、その他の構成については、図１に示す実施の形態と同様であり、同一符号を付して説明を省略する。
【００４８】
第４のスイッチ素子１７ｂは、駆動電源１５に接続され、ゲートが抵抗５０と抵抗５１で駆動される。そして、第４のスイッチ素子１７ｂは、第３のスイッチ素子１２からのＯＮとＯＦＦが反転した信号を、第１のスイッチ素子２の駆動電圧に変換されるべき信号を出力する。
【００４９】
以上のように構成されたスイッチ素子駆動装置１ｂによれば、第４のスイッチ素子１７ｂも蓄積遅延時間の遅れがないため、図１に示す実施の形態と出力信号が同等となり、同じ効果を得ることができる。また、第４のスイッチ素子１７ｂにＰチャネルＭＯＳＦＥＴを用いることで、次に説明する特徴もある。
【００５０】
スイッチング電源の場合、リアクトル９に逆起電力が発生するモードがあり、その場合、第２のスイッチ素子４のボディダイオードと、接続部１１を通る経路で電流が流れる。その結果、電源１０のグランドＧ１には第２のスイッチ素子４のボディダイオードの抵抗分に相当するドロップ電圧が発生する。つまり、リアクトル９に逆起電力が発生し、かつ第２のスイッチ素子４がＯＦＦ状態では、電源１０のグランドＧ１の電位は第２のスイッチ素子４のボディダイオードの抵抗分に相当するドロップ電圧だけマイナス電位となる。従って、図１に示すように、第４のスイッチ素子１７ａにＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いた場合、第４のスイッチ素子１７ａから見れば、基準電位がグランドＧ１であるため、第４のスイッチ素子１７ａのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは正電位となる。このとき、第４のスイッチ素子１７ａのゲート・ソース間にかかる電圧（第２のスイッチ素子４のボディダイオードの抵抗分に相当するドロップ電圧）が、第４のスイッチ素子１７ａの閾値を超えている場合、第４のスイッチ素子１７ａがＯＮすることになる。
【００５１】
つまり、第３のスイッチ素子１２をＯＮとし、第１のスイッチ素子２をＯＮさせたいにもかかわらず第４のスイッチ素子１７ａがＯＮしてしまうため、第１のスイッチ素子２がＯＦＦしてしまう。この現象は特に、電源１０がリアクトル９の出力電圧と同電位近くになると、即ち、降圧スイッチング電源の場合、第３のスイッチ素子１２のＯＮ時間が長いとき、換言すると第３のスイッチ素子１２のＤＵＴＹ比が１００％に近いときに顕著に発生する。さらに言えば、第２のスイッチ素子４のボディダイオードと、接続部１１を通る経路で流れる電流(リアクトル９の出力電流)が大きいほど顕著に発生する。
【００５２】
これに対し、図５に示すように、第４のスイッチ素子１７ｂにＰチャネルＭＯＳＦＥＴを用いた場合、第４のスイッチ素子１７ｂは、駆動電源１５を基準にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ負電圧を印加した場合に駆動する。リアクトル９に逆起電力が発生したとき、第４のスイッチ素子１７ｂからみてグランドＧ１の電圧が変動しても、第４のスイッチ素子１７ｂを駆動するための基準電位は駆動電源１５となるため、安定して駆動することができる。
【００５３】
実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２に係るスイッチ素子駆動装置について説明する。図６は、実施の形態２に係るスイッチ素子駆動装置の一例を説明する回路図である。図６において、符号１ｃは実施の形態２に係るスイッチ素子駆動装置を示し、符号３ｃはスイッチ素子駆動装置１ｃを構成する第１のスイッチ素子駆動手段を示している。
【００５４】
第１のスイッチ素子駆動手段３ｃは、第１の信号入力端子６と第６のトランジスタ６０のベースとの間に接続される抵抗６１と、第６のトランジスタ６０のベースとエミッタとの間に接続される抵抗６２と、駆動電源１５と第６のトランジスタ６０のコレクタとの間に接続され、第６のトランジスタ６０のコレクタ・エミッタ間電流を制限する抵抗６３と、第６のトランジスタ６０のコレクタと第７のトランジスタ６４のベースとの間に接続される抵抗６５と、第７のトランジスタ６４のベースとエミッタとの間に接続される抵抗６６と、駆動電源１５と第７のトランジスタ６４のコレクタとの間に接続され、第７のトランジスタ６４のコレクタ・エミッタ間電流を制限する抵抗６７を備えている。なお、弟６及び第７のトランジスタ６０、６４は、Ｎチャネルバイポーラトランジスで構成されている。第１のスイッチ素子駆動手段３ｃのその他の構成は実施の形態１と同様であり、同一符号を付して説明を省略する。
【００５５】
第６のトランジスタ６０は、抵抗６１と抵抗６２により駆動され、第１の信号入力端子６から入力される制御信号のＯＮとＯＦＦを反転し、第１のスイッチ素子２の駆動電圧に変換する。また、第７のトランジスタ６４は、抵抗６５と抵抗６６により駆動され、第６のトランジスタ６０よりＯＮとＯＦＦが反転した第１のスイッチ素子２の駆動電圧に変換された信号のＯＮとＯＦＦに合わせて反転する。
【００５６】
また、第２のスイッチ素子駆動手段５ｂは、第２の信号入力端子７と第８のトランジスタ６８のベースとの間に接続される抵抗６９と、第８のトランジスタ６８のベースとエミッタとの間に接続される抵抗７０と、駆動電源２８と第８のトランジスタ６８のコレクタとの間に接続され、第８のトランジスタ６８のコレクタ・エミッタ間電流、及び第３のトランジスタ３０のベース電流を制限し、温度上昇によって抵抗値が低下するサーミスタ７１を備えている。なお、弟８のトランジスタ６８は、Ｎチャネルバイポーラトランジスで構成されている。第２のスイッチ素子駆動手段５ｂのその他の構成は実施の形態１と同様であり、同一符号を付して説明を省略する。
【００５７】
第８のトランジスタ６８は、抵抗６９と抵抗７０により駆動され、第２の信号入力端子７から入力される制御信号のＯＮとＯＦＦを反転し、第２のスイッチ素子４の駆動電圧に変換する。
【００５８】
ここで、ベース電流に対する蓄積遅延時間の関係を説明する。ベース電流から出力される電荷が少ない場合、少数キャリア蓄積効果が弱くなり蓄積されるキャリアが減るため、蓄積遅延時間が小さくなる。従って、ベース電流が大きいほど、蓄積遅延時間が大きくなる。
【００５９】
前記のように構成された第２のスイッチ素子駆動手段５ｂにおいて、常温下で抵抗６３の抵抗値とサーミスタ７１の抵抗値を同じとすることで、第１の信号入力端子６からの制御信号のＯＮ及びＯＦＦに対する第１のスイッチ素子２のドレイン・ソース間の通電開始及び遮断するタイミングの遅延と、第２の信号入力端子７からの制御信号のＯＮ及びＯＦＦに対する第２のスイッチ素子４のドレイン・ソース間の通電開始及び遮断するタイミングの遅延が同じとなり、相対的な遅延がない状態となる。
【００６０】
この状態において、環境温度が上昇した場合を考えると、サーミスタ７１の抵抗値は低下するため、第３のトランジスタ３０のベース電流が増加する。従って、図３に示すように、環境温度が上昇すると蓄積遅延時間ｔｓが増えることで、区間Ｂが増加するため、区間Ａと区間Ｃは重なることが発生せず、環境温度の上昇によるアーム短絡を防止することができる。
【００６１】
以上のように、実施の形態２に係るスイッチ素子駆動装置１ｃは、第１のスイッチ素子２のＯＮとＯＦＦを制御する第１の信号入力端子６と、第２のスイッチ素子４のＯＮとＯＦＦを制御する第２の信号入力端子７と、第１の信号入力端子６のから制御信号を受け、第１のスイッチ素子２のＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段３ｃと、環境温度が予め設定した温度より高い場合、第２の信号入力端子７のから制御信号を受け、この制御信号のＯＮタイミングよりも、出力する駆動信号のＯＮタイミングが温度上昇と共に遅延が大きくなるように、第２のスイッチ素子４にＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段５ｂと、を備えている。
【００６２】
そして、このスイッチ素子駆動装置１ｃはスイッチング装置８を駆動する。スイッチング装置８は、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４を備え、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４が直列に接続されている。第１及び第２のスイッチ素子２、４は、スイッチ素子駆動装置１ｃの出力する駆動信号によって、ＯＮ、ＯＦＦされ、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４の接続部１１から信号を出力する。接続部１１から出力される信号のエネルギーはリアクトル９に蓄えられる。
【００６３】
このように構成したことにより、環境温度の上昇時も、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間が遅延するため、アーム短絡を防止することができる。
【００６４】
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置について説明する。図７は、実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置の一例を説明する回路図である。図７において、符号１ｄは実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置を示し、符号５ｃはスイッチ素子駆動装置１ｄを構成する第２のスイッチ素子駆動手段を示している。
【００６５】
第２のスイッチ素子駆動手段５ｃは、第６のスイッチ素子８０と、駆動電源２８と第６のスイッチ素子８０のドレインとの間に接続され、第６のスイッチ素子８０のドレイン・ソース間電流を制限する抵抗８１と、第４のトランジスタ３２のエミッタと第２のスイッチ素子４のゲートとの間に接続されるサーミスタ８２と、第５のトランジスタ３３のエミッタと第２のスイッチ素子４のゲート間に接続される抵抗８３を備えている。
【００６６】
第６のスイッチ素子８０は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成され、第５のスイッチ素子２５からのＯＮとＯＦＦが反転した信号を、第２のスイッチ素子４の駆動電圧に変換されるべき信号になるように反転する。抵抗８３は、第２のスイッチ素子４のゲート電流の放電量を制限し、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）の立下りのスイッチスピードを調整する。また、サーミスタ８２は、第２のスイッチ素子４のゲート電流の充電量を制限し、温度上昇によってサーミスタ８２の抵抗値が抵抗８３の抵抗値より大きくなり、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）の立上りのスイッチスピードを常温よりも遅くする。なお、スイッチ素子駆動装置１ｄのその他の構成は実施の形態１と同様であり、同一符号を付して説明を省略する。
【００６７】
図８は、実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置１ｄ及びスイッチング装置８の動作を示すタイミングチャートである。
図８において、（ｋ）〜（ｍ）、（ｏ）、（ｐ）の信号は、図３で説明した実施の形態１の（ｅ）〜（ｇ）、（ｉ）、（ｊ）と同じ信号であり、（ｎ）の信号は、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧（入力信号：Ｖｇｓ）を示している。
【００６８】
ここで、ゲート電流の充電量とスイッチ素子のスイッチングスピードについて説明する。ＭＯＳＦＥＴは入力寄生容量があり、この入力寄生容量が一定の場合、ゲート電流の充電量が小さければ、スイッチ素子のゲート・ソース間電圧の立上りのスイッチングスピードは遅くなり、ゲート電流の充電量が大きければ、スイッチ素子のゲート・ソース間電圧の立上りのスイッチングスピードは速くなる。
【００６９】
従って、温度上昇によりサーミスタ８２の抵抗値が増加するため、第２のスイッチ素子４のゲート電流の充電量が常温時より小さくなり、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの立上りのスイッチスピードが遅くなる。つまり、第２のスイッチ素子４のドレイン・ソース間の通電が開始される閾値電圧にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが到達するまでの時間が遅くなる（ドレイン・ソース間の通電開始が遅れる）。
【００７０】
以上から、図８に示す区間Ｂが増加するため、区間Ａと区間Ｃは重なることが発生せず、環境温度の上昇によるアーム短絡を防止することができる。
【００７１】
以上のように、実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置１ｄは、第１のスイッチ素子２のＯＮとＯＦＦを制御する第１の信号入力端子６と、第２のスイッチ素子４のＯＮとＯＦＦを制御する第２の信号入力端子７と、第１の信号入力端子６からの制御信号を受け、第１のスイッチ素子２に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段３ａと、環境温度が予め設定した温度より高い場合、第２の信号入力端子７から制御信号を受け、この制御信号のＯＮタイミングよりも、出力する駆動信号のＯＮタイミングが温度上昇と共に遅延が大きくなるように、第２のスイッチ素子４にＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段５ｃと、を備えている。
【００７２】
そして、このスイッチ素子駆動装置１ｄはスイッチング装置８を駆動する。スイッチング装置８は、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４を備え、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４が直列に接続されている。第１及び第２のスイッチ素子２、４は、スイッチ素子駆動装置１ｄの出力する駆動信号によって、ＯＮ、ＯＦＦされ、第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４の接続部１１から信号を出力する。接続部１１から出力される信号のエネルギーはリアクトル９に蓄えられる。
【００７３】
このように構成したことにより、環境温度の上昇時も、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間が遅延するため、アーム短絡を防止することができる。
【００７４】
なお、前記実施の形態では、第２のスイッチング素子駆動手段５ｃを構成する第４のトランジスタ３２のエミッタと、第２のスイッチ素子４のゲートにサーミスタ８２を接続し、第５のトランジスタ３３のエミッタと第２のスイッチ素子４のゲートに抵抗８３を接続した例について説明したが、第４のトランジスタ３２のエミッタと第５のトランジスタ３３のエミッタとを接続し、ダイオードと抵抗、及びサーミスタを用いて構成してもよい。その具体例を以下に説明する。
【００７５】
図９は、実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置の他の例を説明する回路図である。図９において、第４のトランジスタ３２のエミッタと第５のトランジスタ３３のエミッタは互いに接続されている。ここで、符号１ｅは実施の形態３に係るスイッチ素子駆動装置の他の例を示している。また、符号９０はサーミスタを示し、符号９１はダイオードを示し、符号９２は抵抗を示している。
【００７６】
サーミスタ９０は、第４及び第５のトランジスタ３２、３３のエミッタと、第２のスイッチ素子４のゲートとの間に接続されている。また、ダイオード９１と抵抗９２は直列に接続され、その直列接続体はサーミスタ９０に並列に接続されている。なお、その他の構成については、図７に示す実施の形態と同様であり、同一符号を付して説明を省略する。
【００７７】
サーミスタ９０は、第２のスイッチ素子４のゲート電流の充電量を制限し、温度上昇によって抵抗値が抵抗９２より大きくなり、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの立上りのスイッチスピードを常温より遅くする。ダイオード９１は、第４及び第５のトランジスタ３２、３３のエミッタにカソードが接続されると共に、抵抗９２にアノードが接続され、第２のスイッチ素子４のゲート電流の放電時のみ通電する。また、抵抗９２は、第２のスイッチ素子４のゲート電流の放電量を制限し、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの立下りのスイッチスピードを調整する。
【００７８】
以上のように構成されたスイッチ素子駆動装置１ｅによれば、温度上昇により、サーミスタ９０の抵抗値が増加するため、第２のスイッチ素子４のゲート電流の充電量が常温時より小さくなり、第２のスイッチ素子４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの立上りのスイッチスピードが遅くなる。つまり、第２のスイッチ素子４のドレイン・ソース間の通電が開始される閾値電圧にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが到達するまでの時間が遅くなる（ドレイン・ソース間の通電開始が遅れる）。従って、図７に示す実施の形態と出力信号が同等となり、同じ効果を得ることができる。
【００７９】
なお、前記実施の形態では、第４及び第５のトランジスタ３２、３３のエミッタと、第２のスイッチ素子４のゲートとの間にサーミスタ９０を接続したが、第２のスイッチ素子４のＯＮのスイッチングスピードを遅くする方法は、第４のトランジスタ３２のベースまたはコレクタに、サーミスタ９０を接続することにより、第２のスイッチ素子４のゲート電流の充電量を温度上昇と共に減らすことが可能であり、必ずしもサーミスタ９０を第２のスイッチ素子４のゲートに接続しなくてもよい。
【００８０】
また、前記実施の形態１〜３では、第２の信号入力端子７からの制御信号のＯＮタイミングよりも、第２のスイッチ素子駆動手段５ａ〜５ｄが出力する駆動信号のＯＮタイムミングが、環境温度の上昇と共に遅延が大きくなるように第２のスイッチ素子４のＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する場合について説明したが、この考え方を第１のスイッチ素子駆動手段３ａ〜３ｃに適用してもよい。
【００８１】
また、前記の考え方を、第１のスイッチ素子駆動手段３ａ〜３ｃと、第２のスイッチ素子駆動手段５ａ〜５ｄの両者に適用してもよい。
つまり、環境温度の上昇時に、第１のスイッチ素子駆動手段３ａ〜３ｃの出力信号のＯＦＦに対し、第２のスイッチ素子駆動手段５ａ〜５ｄの出力信号のＯＮを遅延させることにより、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間を遅延させてアーム短絡を防止する。あるいは、環境温度の上昇時に、第１のスイッチ素子駆動手段３ａ〜３ｃの出力信号ＯＦＦのスイッチングスピードに対し、第２のスイッチ素子駆動手段５ａ〜５ｄの出力信号ＯＮのスイッチングスピードを遅らせることにより、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間を遅延させ、アーム短絡を防止する。
【００８２】
加えて、環境温度の上昇時に、第２のスイッチ素子駆動手段５ａ〜５ｄの出力信号のＯＦＦに対し、第１のスイッチ素子駆動手段３ａ〜３ｃの出力信号のＯＮを遅延させることにより、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間に対し、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間を遅延させ、アーム短絡を防止する。あるいは、環境温度の上昇時に、第２のスイッチ素子駆動手段５ａ〜５ｄの出力信号のＯＦＦスイッチングスピードに対し、第１のスイッチ素子駆動手段３ａ〜３ｃの出力信号のＯＮスイッチングスピードを遅らせ、第２のスイッチ素子４のＯＮ区間に対し、第１のスイッチ素子２のＯＮ区間を遅延させ、アーム短絡を防止するように構成してもよい。
【００８３】
また、前記各実施の形態において、第１の信号入力端子６、及び第２の信号入力端子７へ入力される信号は、マイコンやロジック回路などを組み合わせることで実現できる。
【００８４】
また、前記各実施の形態において、スイッチ素子として、ＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、ＩＧＢＴなどのスイッチング素子でも制御が行え、必ずしもＭＯＳＦＥＴに限るものではない。
【００８５】
さらに、前記実施の形態２、３において、環境温度によって抵抗値が異なる抵抗としてサーミスタを例に挙げて説明したが、温度係数が異なる抵抗を用いることで環境温度の上昇により抵抗値の差ができるため、必ずしもサーミスタに限るものではない。
【００８６】
以上、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ  スイッチ素子駆動装置、２  第１のスイッチ素子、３ａ、３ｂ、３ｃ、  第１のスイッチ素子駆動手段、４  第２のスイッチ素子、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ  第２のスイッチ素子駆動手段、６  第１の信号入力端子、７  第２の信号入力端子、８  スイッチング装置、９  リアクトル、１０  電源、１１  接続部、１２  第３のスイッチ素子、１３、１４、１６、１８、１９、２０、２３、２４  抵抗、１５、２８  駆動電源、１７ａ、１７ｂ  第４のスイッチ素子、２１  第１のトランジスタ、２２  第２のトランジスタ、２５  第５のスイッチ素子、２６、２７、２９、３１、３４、３５、５０、５１、５２  抵抗、３０  第３のトランジスタ、３２  第４のトランジスタ、３３  第５のトランジスタ、６０  第６のトランジスタ、６１、６２、６３、６５、６６、６７、６９、７０  抵抗、６４  第７のトランジスタ、６８  第８のトランジスタ、７１、８２、９０  サーミスタ、８０  第６のスイッチ素子、８１、８３、９２  抵抗、９１  ダイオード。
【要約】
【課題】直列接続された第１及び第２のスイッチ素子を同期整流制御するのに、温度環境が上昇しても、第１のスイッチ素子のＯＮ区間に対し、第２のスイッチ素子のＯＮ区間が重ならないようにしてアーム短絡を防止するスイッチ素子駆動装置を得る。
【解決手段】第１のスイッチ素子２と第２のスイッチ素子４を同時にＯＮしないように制御する制御信号を受け、第１のスイッチ素子２に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第１のスイッチ素子駆動手段３ａと、前記制御信号を受け、第２のスイッチ素子４に対してＯＮとＯＦＦの駆動信号を出力する第２のスイッチ素子駆動手段５ａを備え、第１のスイッチ素子駆動手段３ａは、第２のスイッチ素子４のＯＦＦに対し、第１のスイッチ素子２のＯＮの遅延を環境温度の上昇と共に増加させる駆動信号を出力する。
【選択図】図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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