(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にプラズマが生成される真空容器と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を載置する下部電極と、前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、前記上部電極に接続されたガス導入手段と、前記上部電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源と、磁場発生用ソレノイドコイルとを有し、前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、
前記上部電極は、第一のガス孔が施されたシャワープレートと、前記シャワープレートの前記下部電極に面する側と反対の背面に配置され第二のガス孔が施された導体板と、前記シャワープレートの背面側でこのシャワープレートと前記導体板との間に挟まれて前記導体板の中心部に配置されたものであって円錐台の形状を有して第三のガス孔が施された誘電体性の板部材と、前記導体板の背面に配置されたアンテナ基材部とを備え、
前記板部材は側面の外周を前記導体板に囲まれて配置され、前記シャワープレートと前記板部材との間にこの板部材の径方向に第一の微小隙間を有し、前記板部材と前記導体板との間に径方向に第二の微小隙間を有し、
前記第一のガス孔と前記第三のガス孔の中心が周方向または径方向にずれて配置されたものであって、前記第二のガス孔に前記ガス導入手段から供給されたガスが前記第三のガス孔を通り前記第一のガス孔を通って前記真空容器内部に供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工試料（例えば、半導体デバイス）の表面処理（例えば、エッチング）を行う半導体製造装置に関するものであり、特にプラズマを用いて、レジスト材料等で形成されたマスクパタン形状どおりにシリコンやシリコン酸化膜等の半導体材料をエッチングするプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチングは、真空排気手段を有する真空容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスを電磁波によりプラズマ化して被加工試料にさらし、被加工試料表面のマスク部以外をエッチングすることで所望の形状を得る半導体微細加工方法である。被加工試料面内での加工均一性にはプラズマの分布，被加工試料面内の温度分布，供給ガスの組成及び流量分布等が影響する。特に平行平板型のプラズマ処理装置では、被加工試料の対面に配置されるシャワープレートから原料ガスが供給され、かつ被加工試料とシャワープレート間の距離も比較的短いことからシャワープレートから供給されるガス供給分布が、加工速度や加工形状等に影響する。しかし、このシャワープレートにはプラズマ生成用の高周波電圧が印加されており、この高周波電圧によりシャワープレート上に設けた原料ガス供給部で局所的な放電が発生してしまう課題がある。原料ガス供給部となる微細孔内で放電が生じると被加工試料が近接して対面しているため、その放電箇所でのエッチング特性が局所的に乱され、さらには異物を発生させる等の問題が生じる。
【０００３】
ここで簡単にシャワープレートのガス孔内（シャワープレートとその背面に配置される導体板界面付近のガス孔）で発生する異常放電の発生機構を簡単に説明する。シャワープレートの材質にはシリコンが用いられ、その背面にアルミニウム等金属で形成され温調された導体板に接触する形で配置される。またシャワープレートにはガス供給手段として、多数の微細孔が形成されている。シャワープレートを形成するシリコンは半導体であるため、電気抵抗率が比較的高く（１以上数十Ωcm以下）、プラズマ生成用に用いられる電磁波が十分その厚み方向に浸入する。これにより、シャワープレートと先に記した金属性の導体板間には電磁波電界が存在することになる。一方、金属性の導体板は良導体であるため、シャワープレートの厚み方向に浸入した電磁波は導体板面で急激に減衰することになる。これにより、シャワープレートと金属性導体板間の界面に交流の電位差が発生する。電位差がシャワープレート及び導体板に形成されているガス孔の空間に作用し異常放電を引き起こす。またこの異常放電には、シャワープレートのガス孔を介してプラズマから侵入する加速イオンが、異常放電の発生をアシストする。
【０００４】
このシャワープレートの微細孔で生じる異常放電を抑制する従来技術として、例えば、特許文献１には、シャワープレートとその裏面に配置される導体板間の中心部に石英等絶縁材料で形成された部材を挿入することが記載されている。これは異常放電を起こしやすいシャワープレート中心部分の高周波電界強度をその裏面に配置した絶縁材料にて緩和することで異常放電の発生を抑制するものである。シャワープレートに供給するプラズマ生成用高周波電界の周波数が数十メガヘルツ以上の高周波帯になると、シャワープレート表面上の電界強度分布は中心付近で強くなる傾向にあり、この影響でシャワープレート中心付近のガス孔で異常放電が生じやすくなる。従来技術で用いられる絶縁材料は、この中心付近のみに配置することで、異常放電が生じ易い中心付近の電界強度を緩和し、異常放電を抑制するものである。また絶縁材を配置する範囲を中心付近のみとすることで、シャワープレートの大部分がその背面に設置される温調された導体板に接することが可能となり、シャワープレート自身の温度調整（冷却）が可能としている。
【０００５】
また、特許文献２には、シリコン等の導体で形成されるシャワープレートを厚み方向で分割し、分割された各シャワープレートを貫通するガス孔の位置を変える構造が示されている。これは、プラズマから異常放電の着火要因となるイオンの侵入を抑止することで、異常放電の抑止効果を高めている。
【０００６】
しかし、上記従来技術ではそれぞれ以下の課題がある。
【０００７】
まず、特許文献１に示される従来技術では、高周波電界の電界強度を相対的に弱めただけなので、放電条件によっては、その効果が不十分な場合があり、ガス孔で異常放電が発生する場合がある。また、絶縁材料を配置した中心付近からもガスを放出させるため、絶縁材料にもシャワープレートと一致させたガス孔が施されている。よってシャワープレートに供給するプラズマ生成用電磁波電力を高めたり、ガス孔から放出するガスの流量を増加させたりするとガス孔での異常放電リスクは高まる傾向にある。また本ガス孔での異常放電は、シャワープレートの消耗に伴うガス孔径の拡大等でも生じ、経時変化的に発生する場合もある。この場合十分なシャワープレート厚さがあっても、ガス孔の拡大で異常放電が生じ、消耗部品であるシャワープレートの寿命がこの異常放電の発生で律束してしまうため、消耗品コストの増大にもつながる。
【０００８】
次に、特許文献２に示される従来技術では、導体であるシャワープレートのガス孔を通過し、シャワープレート裏面（異常放電を起こす領域）に到達するプラズマからのイオンの到達を抑制するためだけなので、シャワープレートとその背面に設置される導体板間の電位差（異常放電の直接的な原因）にはなんら影響を与えないため、異常放電の抑制効果には限界がある。また、シャワープレートを厚み方向で分割するため、各分割部で熱伝導性が著しく低下する。このためプラズマに接するシャワープレートの温度制御（冷却）が困難となり、プロセスの安定性低下やシャワープレートの消耗増加等の弊害をもたらす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−６８７１８号公報
【特許文献２】特開２００７−５４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、シャワープレートガス孔内で生じる異常放電を抑制し、異常放電に伴うプラズマの不安定性や異物の発生防止，シャワープレートの長寿命化及び安定にプラズマを生成できる条件範囲を拡大させることによる実質的なプロセス性能の向上を図ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【００１２】
内部にプラズマが生成される真空容器と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を載置する下部電極と、前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、前記上部電極に接続されたガス導入手段と、前記上部電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源と、磁場発生用ソレノイドコイルとを有し、前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記上部電極は、第一のガス孔が施されたシャワープレートと、前記シャワープレートの前記下部電極に面する側と反対の背面に配置され第二のガス孔が施された導体板と、前記シャワープレートの背面側でこのシャワープレートと前記導体板との間に挟まれて前記導体板の中心部に配置されたものであって円錐台の形状を有して第三のガス孔が施された誘電体性の板部材と、前記導体板の背面に配置されたアンテナ基材部とを備え、前記板部材は側面の外周を前記導体板に囲まれて配置され、前記シャワープレートと前記板部材との間にこの板部材の径方向に第一の微小隙間を有し、前記板部材と前記導体板との間に径方向に第二の微小隙間を有し、前記第一のガス孔と前記第三のガス孔の中心が周方向または径方向にずれて配置されたものであって、前記第二のガス孔に前記ガス導入手段から供給されたガスが前記第三のガス孔を通り前記第一のガス孔を通って前記真空容器内部に供給される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、上述の構成とすることにより、シャワープレートの温度制御性は損なわず、異常放電が発生しやすいシャワープレート中心付近の高周波電界を弱めると共に、シャワープレートのガス孔と導体板の沿面距離をのばすこと、また、プラズマやシャワープレート表面から直接導体板を見通すことができないようにすることにより、異常放電の発生を抑制できる。また、仮に異常放電が発生したとしても、絶縁板や導体板まで拡大することを抑制できる。
【００１５】
また、絶縁板を２層とすることによって、更に沿面距離をのばすことができるため、更に異常放電を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施例１における基本構成図。
【図２】実施例１のシャワープレート付近の構造を実装した装置全体の説明図。
【図３】実施例１のガス孔配置の説明図。
【図４】実施例１のガス孔配置の他の説明図。
【図５】従来構造におけるシャワープレート中心付近のガス孔部の拡大図。
【図６】本発明の実施例２における基本構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例１について、図１から図４を用いて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施例１における基本構成図である。
【００１９】
シャワープレート１とその背面に配置される導体板２及びシャワープレート１と導体板２の界面でかつ導体板２の中心部に配置される絶縁板３の配置を示す。
【００２０】
図２は、図１で示したシャワープレート１近傍構造を含む装置全体図を示す。
【００２１】
シャワープレート１はシリコン、導体板２はアルミニウム、絶縁板３は石英でそれぞれ形成されている。シャワープレート１のプラズマに接する面（露出する面）の直径は被加工試料７の径よりも大きいΦ３２５mmとし、厚さを１０mmとした。シャワープレート１の露出径は、本実施例ではΦ３２５mmとしたが、被加工試料７の径程度（例えば、Φ３００mm）からΦ３８０mm程度でも同様の効果があることは言うまでもない。ただし、シャワープレート１は通常消耗品であるため、径が大きいほどコストが増大する。よって必要な性能が得られる最小限程度の径にとどめておくことが望ましい。
【００２２】
また、絶縁板３は、円板形状でも良いが、本実施例では円錐台とした。円錐台とすることで以下の３つの効果がある。
【００２３】
まず１点目は、図５に示される従来技術での円板形状では、円板のエッジ部に必ず隙間が生じ、該隙間で異常放電が生じる場合がある。しかし、本実施例のように円錐台とすることにより、その斜面は導体板２の斜面と接するように配置することが可能となり、隙間を抑制できる。２点目は、円錐台とすることで、エッジ部斜面の距離を同じ板厚さの円板形状に比べ長くすることができる。これにより、沿面距離が長くなるため、異常放電の抑制に効果がある。３点目は、シャワープレート１と導体板２間に生じる電界は導体板２の平面に対して垂直方向が主成分となる。よって、円錐台とすることで円錐台と導体板２間の斜面方向は電界の向きと異なることとなり、隙間部での異常放電を抑止する効果となる。以上３点より、絶縁板３を円錐台とすることで、円板形状に比べ、その端部での異常放電リスクを大幅に低減することができる。
【００２４】
なお、絶縁板３の底面の直径は１００mm、厚さは５mmとした。
【００２５】
導体板２の背面（上部）には、液体冷媒を流すことによる温度制御機能２０及びガス分散部１０を有するアンテナ基材部４が配置されている。温度制御及びガス分散機能を有するアンテナ基材部４もアルミニウムで形成されている。
【００２６】
図２に示すシャワープレート１，導体板２，絶縁板３及びアンテナ基材部４全体で上部電極を構成している。また、上部電極は、真空容器内に設けられ被加工試料７を載置する下部電極８に対向して設けられている。また、上部電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源５から供給される高周波と磁場発生用ソレノイドコイル２６に電流を流すことで発生する磁場との相互作用にてプラズマ６を被加工試料７上に生成する。ソレノイドコイル２６は、内部にプラズマが生成される真空容器２７の周方向に巻き線が巻かれた電磁コイルである。よってソレノイドコイルにより発生する磁場は、シャワープレート１の水平面に対して垂直方向の磁力線となる。シャワープレート１の中心軸に対してはほぼ垂直な磁力線となるが、シャワープレート１の径方向には水平方向の磁力線成分を持つ磁場が形成される。
【００２７】
下部電極８には、プラズマ生成用とは別の高周波電源９からの高周波電圧が供給される構造となっている。被加工試料７は下部電極８に直流電源２１にて低域通過フィルタ２２を介して印加される直流電圧により静電吸着される構造とした。
【００２８】
上部電極に接続されたガス導入手段２３により供給されたプロセスガスは、ガス分散部１０にて分散され、導体板２に施された第二のガス孔１２及び中心部に配置される絶縁板３に施された第三のガス孔１３に導かれる。第二のガス孔１２及び第三のガス孔１３に導かれたガスは、シャワープレート１に施された第一のガス孔１１を介して放電空間に導入されプラズマ化される。
【００２９】
ここで図１に示すように絶縁板３に施された第三のガス孔１３とシャワープレート１に施された第一のガス孔１１は、その孔位置が異なって配置されている。
【００３０】
なお、シャワープレート１と絶縁板３との界面には、径方向に第一の微小隙間１４があり、また、絶縁板３と導体板２との界面には、径方向に第二の微小隙間１５がある。供給されるガスはこれらの微小隙間を水平方向に拡散する。
【００３１】
シャワープレート１中心付近の第一のガス孔１１には、ガス分散部１０，第二のガス孔１２，第二の微小隙間１５，第三のガス孔１３，第一の微小隙間１４を介してガスが供給される構造となっている。
【００３２】
絶縁板３が無いその他の導体板２及びシャワープレート１の界面はほぼ密着する形で接触している。この接触によりシャワープレート１と導体板２は電気的に接触させると同時に、プラズマ６により加熱されたシャワープレート１を導体板２により冷却する機能を有する。
【００３３】
本実施例では、第一の微小隙間１４及び第二の微小隙間は０.０５mm以上０.１mm以下とした。
【００３４】
図３は、図１に示すシャワープレート１のプラズマ側表面から見た第一のガス孔１１，第三のガス孔１３の中央付近部のみの配置図である。絶縁板３の設置領域２４を点線で示す。点線から外側の一点鎖線までの領域は、絶縁板３の設置外領域２５を示し、シャワープレートの一部を示す。
【００３５】
実線で示したガス孔はシュワープレート１に施した第一のガス孔１１を示し、絶縁板３の設置領域２４内の点線で示すガス孔は絶縁板３に施した第三のガス孔１３を示す。また、絶縁板３の設置外領域２５内の点線で示すガス孔は導体板２に施した第二のガス孔１２を示す。
【００３６】
シャワープレート１に施す第一のガス孔１１の径は０.５mmであり、導体板２に施した第二のガス孔１２及び絶縁板３に施す第三のガス孔１３の径は０.８mmとした。シャワープレート１に施す第一のガス孔１１の径と導体板２に施す第二のガス孔１２の径が異なるのは、密着して接触するシャワープレート１と導体板２間でガス孔の位置合わせに余裕をもたせ、ガス孔位置が必ず重なるようにし、ガスの通過を確実にするためである。
【００３７】
シャワープレート１の第一のガス孔１１と絶縁板３の第三のガス孔１３の中心は、周方向にずらして配置しており、第一の微小隙間１４を介してガスが供給されるので、孔径に差を設ける必要は必ずしもないが、本実施例で用いた第三のガス孔１３の径は導体板２に施した第二のガス孔１２と同じ径とした。
【００３８】
また、図３に示すように絶縁板３の配置外領域２５では、シャワープレート１と導体板２が直接密着して配置されるため、導体板２に施された第二のガス孔１２とシャワープレート１の第一のガス孔１１は一致して配置されている。
【００３９】
図４は、図３とはガス孔の配置が異なる実施の形態を示す。
【００４０】
図３では、絶縁板３の第三のガス孔１３とシャワープレートの第一のガス孔１１を周方向でずらすことで、孔位置が一致しないように配置したが、図４では径方向にガス孔位置をずらした。図３及び図４の効果は共にほぼ同等である。
【００４１】
次に実施例１の効果を説明するため、図５にて従来構造での異常放電発生の様子を説明する。
【００４２】
図５は、従来構造におけるシャワープレート中心付近のガス孔部の拡大図である。
【００４３】
前述の特許文献１で用いている絶縁板により、シャワープレート１の中心付近での電界強度を緩和させることで、ある程度のシャワープレート１のガス孔での異常放電を抑制することができる。
【００４４】
しかし、図５に示す従来構造では、シャワープレート１に施された第一のガス孔１１とその背面に配置される絶縁板３に施された第三のガス孔１３及び導体板２に施された第二のガス孔１２が一直線上に配置されているため、この配置が要因となり放電条件によっては十分な異常放電抑制効果が得られない場合がある。
【００４５】
本発明で目的とするガス孔での異常放電発生は、主に以下に示す２種類の放電がある。
【００４６】
まず１種類目は、プラズマとシャワープレート１に設けられた第一のガス孔１１間の放電である。プラズマ６とシャワープレート１間にはプラズマ生成用高周波電源５による高周波電圧により、電位差（セルフバイアス）が発生している。通常シャワープレート１とプラズマ間はこの電位差によりイオンシースが形成され安定しているが、ガス孔近傍及びガス孔内はガス圧力が高いために、局所的な放電が発生しやすい状況にある。この放電はシャワープレート１のガス孔内のみに留まらず、絶縁板３に施された第三のガス孔１３及び導体板２に施された第二のガス孔１２まで拡大し、プラズマ６の不安定性や異物の発生起因となる。
【００４７】
２種類目の異常放電は、絶縁板３の第三のガス孔１３内で発生する異常放電である。
【００４８】
本来シャワープレート１と導体板２は電気的に接触しているので、中心部のみ絶縁板３が挿入されていても両者は直流的には同電位である。しかし、プラズマ生成用高周波電圧は周波数が高いため、絶縁板３に接するシャワープレート１及び導体板２表面のインダクタンスや接触の不完全性等の影響でシャワープレート１と導体板２間の絶縁板３の厚み方向に高周波による電位差が発生する。この電位差により、絶縁板３の第三のガス孔１３内で放電が発生し、その放電がシャワープレート１に施された第一のガス孔１１及び導体板２に施された第二のガス孔１２内まで拡大することで前記と同様にプラズマ６の不安定性や異物の発生起因となる。
【００４９】
以上の異常放電発生原因を鑑み、実施例１ではシャワープレート１に施された第一のガス孔１１と絶縁板３に施された第三のガス孔１３を図１及び図３に示すようにずらして配置した。この構造により、第一のガス孔１１内で発生する異常放電（プラズマ６とシャワープレート１間の電位差による）が絶縁板３に施された第三のガス孔１３及び導体板２に施された第二のガス孔への進展が抑止される。
【００５０】
更に、シャワープレート１に施された第一のガス孔１１と導体板２間の沿面距離がのびることにより、異常放電発生そのものが生じにくくなる。
【００５１】
つまり、図１の構造では、異常放電がシャワープレート１から導体板２に進展するには第一の微小隙間１４を径方向に放電が進展する必要がある。しかしこの第一の微小隙間１４に生じる電界は隙間の厚み方向であるため径方向への進展は起こりにくく、第一の微小隙間１４の厚み方向は本実施例１で示したように０.０５mm以上０.１mm以下とすることで十分な電子の加速距離を得ることができなくなり放電の発生を抑制できる。
【００５２】
また、図２に示す本実施の形態では、ソレノイドコイル２６により第一の微小隙間１４の径方向に対してほぼ垂直な磁場が形成されているため、この磁場により径方向に電子が加速されるのが阻害されることでさらに異常放電が発生しにくい構造となっている。
【００５３】
また、本実施の形態では、シャワープレート１の大部分は温調された導体板２に接するため、上述の特許文献２に示される従来技術で過大となるシャワープレート１の冷却が阻害されることもない。
【００５４】
本実施例では、第一の微小隙間１４の間隔を０.０５mm以上０.１mm以下としたが、シャワープレート内でのガス圧力が２０００Ｐａ程度以下の範囲であるならば０.５mm以下でもその厚み方向で放電にいたることはない。一般的なドライエッチング装置で用いるガス流量等の条件では、シャワープレート内部の圧力は２０００Ｐａ以下なので第一の微小隙間１４が０.５mm以下であれば同等の効果がある。図１の実施例１により、従来構造に比べ大幅に異常放電の抑制領域（プラズマ生成用高周波電力とシャワープレートから放出するガス流量）を拡大することが可能となる。
【００５５】
次に、本発明の実施例２について、図６を用いて説明する。
【００５６】
図６は、本発明の実施例２における基本構成図である。
【００５７】
実施例２では、実施例１の絶縁板を第一の絶縁板１６及び第二の絶縁板１７からなる２層構造とした。第一の絶縁板１６及び第二の絶縁板１７の形状は、円板形状でも良いが、本実施例では共に円錐台とした。
【００５８】
第一の絶縁板１６に施されたガス孔を第三のガス孔１３、第一の絶縁板の背面に配置された第二の絶縁板１７に施されたガス孔を第四のガス孔１８とした。
【００５９】
シャワープレート１と第一の絶縁板１６との界面には径方向に第一の微小隙間１４を有し、第二の絶縁板１７と導体板２との界面には径方向に第二の微小隙間１５を有し、第一の絶縁板１６と第二の絶縁板１７との界面には径方向に第三の微小隙間１９を設けた。何れの微小隙間も０.０５mm以上０.１mm以下とした。供給されるガスはこれらの微小隙間を水平方向に拡散する。
【００６０】
シャワープレート１に設けられた第一のガス孔１１、第一の絶縁板１６に設けられた第三のガス孔１３、第二の絶縁板１７に設けられた第四のガス孔１８は、近接するそれぞれのガス孔の中心の位置を周方向または径方向にずらして配置した。
【００６１】
導体板２の中心部に供給されるガスは、第二のガス孔１２，第二の微小隙間１５，第四のガス孔１８，第三の微小隙間１９，第三のガス孔１３，第一の微小隙間１４を介してシャワープレート１に供給される。
【００６２】
図６の構造により、シャワープレート１から導体板２にいたるガス孔を介した沿面距離が図１の実施例１よりさらに長くすることができ、異常放電に対する耐力をさらに高めることができる。
【００６３】
また、絶縁板を２層構造とし、かつそれぞれのガス孔の中心が一直線上に配置されない構造にしたことで絶縁板間に発生するシャワープレート１と導体板２間の電位差による異常放電（前記説明の２種類目の異常放電発生原因）を抑制できる。
【００６４】
絶縁板内での直線距離を減らすことで、電子の加速距離が短縮され放電にいたる電子の発生割合を低減すると同時に、沿面距離が増える効果で絶縁板のガス孔内電位差による異常放電発生リスクを低減することができる。
【００６５】
実施例２では、絶縁板を２層構造としたが、２層以上にさらに分割しそれぞれの絶縁板に形成するガス孔の位相をずらすことでより異常放電に対する耐力を向上できることは言うまでもない。
【００６６】
実施例１及び実施例２では絶縁板に石英を用いたが、他に酸化アルミニウム，窒化アルミニウム，酸化イットリウム，ポリイミド等比較的誘電損失の少なく、良好な絶縁性を有する材料であるならば同等な効果があることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６７】
１  シャワープレート
２  導体板
３  絶縁板
４  アンテナ基材部
５  プラズマ生成用高周波電源
６  プラズマ
７  被加工試料
８  下部電極
９  高周波電源
１０  ガス分散部
１１  第一のガス孔
１２  第二のガス孔
１３  第三のガス孔
１４  第一の微小隙間
１５  第二の微小隙間
１６  第一の絶縁板
１７  第二の絶縁板
１８  第四のガス孔
１９  第三の微小隙間
２０  温度制御機能
２１  直流電源
２２  低域通過フィルタ
２３  ガス導入手段
２４  絶縁板３の設置領域
２５  絶縁板３の設置外領域
２６  ソレノイドコイル
２７  真空容器
【図１】
0005455462.tif 000002
【図２】
0005455462.tif 000003
【図３】
0005455462.tif 000004
【図４】
0005455462.tif 000005
【図５】
0005455462.tif 000006
【図６】
0005455462.tif 000007