(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ４色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、
該一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、
該４色以上の副画素は、少なくとも１色の副画素で面積が異なり、面積の大きい副画素は、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳し、かつ面積の大きい副画素と面積の小さい副画素とが走査線に沿って交互に配置される
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記信号線は、面積の小さい副画素を駆動するために用いられる信号線を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記表示パネルは、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しない
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記一対の基板の一方は、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、
該一対の基板の他方は、対向電極を備え、
前記副画素電極は、一つの副画素に対応して配置され、
前記面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きい
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項５】
一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ４色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、
該一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、
該４色以上の副画素は、少なくとも１色の副画素の明度が異なり、明度の小さい副画素は、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳する
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項６】
前記信号線は、明度の大きい副画素を駆動するために用いられる信号線を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記表示パネルは、明度の大きい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しない
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記複数の信号線は、２本である
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項９】
前記２本の信号線は、その信号が互いに逆極性である
ことを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記表示パネルは、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させる
ことを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記複数の信号線と重畳する副画素電極をもつ副画素において、副画素電極の最長部の長さよりも該複数の信号線と画素電極との重なり長さの方が短い
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記表示パネルは、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルである
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル及び表示装置に関する。より詳しくは、表示パネルにおける多原色を用いた表示技術に関し、特に４色以上の多原色を用いて各画素を構成しつつ、高輝度かつ色再現範囲が高い等の表示特性を発揮でき、ＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）等の種々の表示モードに適応し得る表示パネル及び表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルは、一般的に赤（Ｒ）、青（Ｂ）、緑（Ｇ）からなる基本３原色又はそれよりも多くの色単位を含んで１つの画素が構成されたものであり、様々な方式のパネルが実用化されてモバイルディスプレイパネルから大型ディスプレイパネルまで多くの製品が供給されている。中でも液晶表示パネルは、一対のガラス基板等に液晶表示素子を挟持して構成され、薄型で軽量かつ低消費電力といった特長を活かして、モバイル用途や各種のモニター、テレビ等、日常生活やビジネスに欠かすことのできないものとなっている。近年においては、電子ブック、フォトフレーム、ＩＡ（産業機器）、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）用途等に幅広く採用されているが、これらの用途において、中小型機種への搭載を目的とした、高精細・高透過率特性を有するモバイルディスプレイパネルが強く要求される流れにある。【０００３】
このような表示パネルとしては、白輝度の向上等を目的として色ごとに画素面積を変えた、ＲＧＢＹ画素等の４色以上の多原色画素を用いた表示装置（主にＴＶ機種等）に関連する技術が報告されている（例えば、特許文献１〜５参照。）。【０００４】
また、複数の信号線と該信号線に交差する複数の走査線とが形成されると共に、信号線と走査線の各交差部に能動素子と画素電極とがそれぞれ配され、かつ、上記画素電極が少なくとも上記信号線に重畳して配されている能動素子基板において、走査線と平行な方向に隣接して対をなす２つの画素電極に対応する各信号線は、対をなすいずれか一方の画素電極上であって該画素電極のエッジよりも内側に集約して配されている能動素子基板が開示されている（例えば、特許文献６参照。）。
更に、絶縁基板上に形成されている複数のゲート線と、前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上部に形成されている複数の半導体と、前記ゲート絶縁膜上部に形成され、前記ゲート線と交差する複数のデータ線と前記データ線とから分離され、前記データ線と並んでのびているドレイン電極と、前記ドレイン電極と接続され、前段の前記ゲート線と重なっている導電体と、前記データ線及び前記ドレイン電極を覆っている保護膜と、前記保護膜の第１コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続され、前記ゲート線と前記データ線によって囲まれた画素領域に配置されている画素電極と、を備える薄膜トランジスタ表示板であって、前記データ線は、互いに隣接する前記画素領域の前記画素電極のうちの一つと完全に重なっている、薄膜トランジスタ表示板が開示されている（例えば、特許文献７参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００７／０６３６２０号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００７／０８８６５６号パンフレット
【特許文献３】特開２００８−０１５０７０号公報
【特許文献４】国際公開第２００８／１５３００３号パンフレット
【特許文献５】国際公開第２００７／０１３２１０号パンフレット
【特許文献６】特開２００５−９９７３３号公報
【特許文献７】特開２００５−１７３６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した特許文献１〜５に記載の従来設計の表示パネルにおいては、ＲＧＢ等の３色の液晶パネルをＲＧＢＷ（Ｗは白色）、ＲＧＢＹ（Ｙは黄色）等の４色にする等、多原色化したうえで、色によって開口率（表示面積）を変えること（図１１）、望ましくは相対的に視感度の低い色（Ｒ、Ｂ）の面積を大きくして単色の輝度低下をなるべく避け（視認しにくくし）、白輝度を向上させることで、輝度と広色再現範囲の両方を満たすパネルを得ることができる。しかしながら、このような従来設計の表示パネルにおいて多原色化、特に高精細なパネルにおいて多原色化すると、製造工程での局所的なアライメントずれ及び／又はパターンの線幅変化などの仕上がりばらつきが起こった場合の影響が大きくなる。その結果、いわゆるブロック分かれなどの輝度ムラが視認される。【０００７】
その原因としては、以下が考えられる。パネルの精細度が高く副画素（絵素）が小さい場合、４色以上の多原色とし、かつ色によって開口率を変えることにより、小さい副画素の面積が大幅に低下するため、総容量が大幅に低下する。一方で、副画素電極−信号線（ソースバスライン）間容量（Ｃｓｄ）はほぼ一定であり、局所的なアライメントずれがおきた場合の容量変化（ΔＣｓｄ）も一定であるため、総容量に占める容量変化率がＲＧＢ３色の場合と比べて大きくなる。【０００８】
更に、小さい方の副画素はＧ、Ｙ、Ｗなどの比較的視感度の高い副画素にすることで、高輝度・高色再現性のパネルを得ることができるが、上記容量変化率の大きい副画素が相対的に視感度の高い副画素となるため、輝度ムラがますます視認されやすくなる。すなわち、小さい方の副画素の副画素容量が小さいことから、Ｃｓｄ変化の影響をうけやすくなり、小さい方の副画素の視感度が高いことから、更にＣｓｄ変化に起因する輝度変化の影響が顕著に視認される。【０００９】
また、上述した特許文献６に記載の能動素子基板は、隣接した副画素の信号線は、いずれか一方の副画素電極かつ該副画素電極のエッジよりも内側に集約して配置されている。しかしながら、この能動素子基板は各色の合計面積が等しいものであり（図１２）、色ごとに副画素容量が相違することにもとづく上述した課題がそもそも存在しないものであった。
また上述した特許文献７には、上記課題を充分に解消するための工夫の余地があった。【００１０】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、輝度ムラを充分に抑制し、ＣＰＡ、ＭＶＡ、ＩＰＳ等の種々の表示モードに適用することができるものである。また、本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、色ごとに副画素面積を変えることで白輝度及び／又は色再現範囲が充分に向上されたうえで、輝度ムラが充分に抑制され、線幅変化の開口率に与える影響を小さくした表示パネル及び表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、輝度ムラが充分に抑制された表示パネル及び表示装置について種々検討したところ、４色以上の多原色とし、かつ色によって開口率を変えた表示パネル及び表示装置において、局所的なアライメントずれ及び／又はパターンの線幅変化などの仕上がりばらつきがおきた場合の総容量に占める容量変化率を小さく留めること、及び／又は、それによる輝度への影響を小さく留めることに着目した。そして、総容量の小さい（容量変化率の大きい）副画素、及び／又は、明度の大きい副画素において、選択的に副画素電極−信号線間容量（Ｃｓｄ）を削減することにより、輝度ムラを充分に防止できるとともに線幅変化の開口率に与える影響を小さくできることを見いだすとともに、面積の大きい副画素、及び／又は、明度の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳すること（例えば、図１３）により、上記作用効果を発揮できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。【００１２】
すなわち、本発明は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ４色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、上記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、上記４色以上の副画素は、少なくとも１色の副画素で面積が異なり、面積の大きい副画素が、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳する表示パネルである（第１の本発明ともいう。）。このような形態とすることにより、面積が小さい副画素（副画素容量が小さい副画素）において、容量変化による輝度ムラが生じることを充分に防止することができる。また、製造工程で信号線の微小な線幅変化が起きた場合に、面積が大きい副画素に信号線が配置されていると、線幅変化の開口率に与える影響を小さくすることができる。【００１３】
上記４色以上の副画素から画素が構成されるとは、４色以上の副画素がパネル平面上に並んで１つの画素として表示に供されることをいう。４色以上の副画素の配列形態は、ストライプ状であってもよく、田の字状であってもよいし、いわゆるデルタ配列のように列方向にずれたものであってもよい。【００１４】
上記４色以上の副画素が、少なくとも１色の副画素で面積が異なるとは、色によっては面積が同一の副画素があってもよく、少なくとも一色において副画素の面積が他の色における副画素の面積と異なるものであればよい。例えば、ＲＧＢＹの４色であれば、開口面積の大きいものから順に、Ｒ、Ｂ、Ｇ、Ｙである形態、Ｒ及びＢ、Ｇ、Ｙである形態、Ｒ、Ｂ、Ｇ及びＹである形態、Ｒ及びＢ、Ｇ及びＹである形態、Ｒ、Ｂ、Ｙ、Ｇである形態、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙである形態、Ｒ、Ｂ、Ｙ及びＧである形態、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｙである形態、Ｂ、Ｒ、Ｙ、Ｇである形態、Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｙである形態、Ｂ及びＧ、Ｒ、Ｙである形態等が挙げられる。なお、例えば「開口面積の大きいものから順に、Ｂ及びＧ、Ｒ、Ｙである」とは、青及び緑のサブ画素の開口面積が互いに同一かつ最大であり、黄のサブ画素の開口面積が最小であり、赤のサブ画素の開口面積がそれらの間であることを意味する。通常は、輝度を向上させるために相対的に視感度（明度）の低い副画素の面積を相対的に大きくすることになり、Ｒ及びＢの副画素の面積をＧ及びＹよりも大きくする例が挙げられる。例えば、Ｒ及びＢ、Ｇ及びＹである形態、すなわち、Ｒ及びＢのサブ画素の開口面積が互いに同一かつ最大であり、Ｇ及びＹのサブ画素の開口面積が互いに同一かつ最小である形態が好適な形態の一つとして挙げられる。なお、上記Ｙの代わりに、Ｗを用いてもよい。本明細書中、面積の大きい副画素とは、一つの画素内の副画素を相対的に面積の大きなものと相対的に面積の小さなものとに分けた場合に、より面積が大きい副画素を意味する。面積の小さい副画素についても同様である。【００１５】
上記複数の信号線と重畳するとは、信号線の主線（主信号線ともいう。）と重畳する形態が好適である。輝度ムラを充分に防止する観点から、上記信号線は、面積の小さい副画素を駆動するために用いられる信号線を含む形態が好ましい。また、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しない形態が好ましい。重畳しないとは、本発明の作用効果を発揮する限りにおいて、実質的に重畳しないものであればよい。より好ましくは、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線（信号線の主線及び副線）と重畳しない形態である。中でも、上記面積の小さい副画素が、面積の最も小さい副画素であることが好適である。これにより、総容量の最も小さい副画素、すなわち容量変化率の最も大きい副画素において、選択的に副画素電極−信号線間容量（Ｃｓｄ）を削減することができ、輝度ムラを特に充分に防止することができるためである。本明細書中、主線とは、信号線を幹線と幹線から分岐した枝線とに分けた場合の幹線部分をいう。また、副線とは、当該枝線部分をいう。なお、信号線が枝線を有しない１本の配線から構成される場合は、該信号線自体を主線という。【００１６】
また面積の大きい副画素と面積の小さい副画素とが隣接して配置される形態が好ましい。そして、上記大きい副画素に自副画素の信号線と隣接副画素の信号線との２本を集約して配置する形態、特に、副画素面積（開口部面積）が小さい方の副画素には信号線を配置させず、上記大きい副画素に自副画素の信号線と隣接副画素の信号線との２本を集約して配置する形態が本発明の好適な形態である。例えば、信号線が２本配置された副画素と信号線が配置されてない副画素とが交互に配置される形態が好ましい。信号線が副画素に配置されるとは、パネル主面を平面視したときに、信号線が副画素と重畳することをいう。【００１７】
上記大きい副画素と小さい副画素の面積比は通常は１．１〜４であり、好ましくは１．２〜２．２である。
小さい副画素には相対的に視感度の高い副画素を配置する形態、言い換えれば、大きい副画素には相対的に視感度の低い副画素を配置する形態が、輝度及び広色再現範囲の点から好ましい。【００１８】
２本集約して配置された信号線の極性は、それぞれ逆極性にすることが好ましい。これにより、縦シャドーを回避することができる。さらに、いわゆるドット反転のように同一列方向にも極性を混在させると、空間周波数が高いことによる表示品位改善効果（きれいに見える）も得られる。
また１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数（１画素単位に含まれる同一行方向の絵素数）が偶数の場合、当該絵素数の自然数倍で極性反転を行うことが好ましい。これにより、横シャドーを回避することができる。【００１９】
信号線が副画素電極と重なる部分の長さは、当該副画素の副画素電極の最長部よりも短い形態が好ましい。これにより、自副画素に対応する信号線と自副画素との間に形成される容量（本明細書中、Ｃｓｄ自ともいう。）、及び、自副画素に隣接する他副画素に対応する信号線と自副画素との間に形成される容量（本明細書中、Ｃｓｄ他ともいう。）の絶対値を削減することができ、輝度ムラを抑制する効果が大きなものとなる。なお、特に副画素が小さい中型クラスの機種では多原色化するにあたり田の字配列が利用しやすい点、田の字配列の副画素により上記形態としやすい点から、本発明においては副画素が田の字配列である形態が好ましい。【００２０】
本発明はまた、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ４色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、上記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、上記４色以上の副画素は、少なくとも１色の副画素の明度が異なり、明度の小さい副画素は、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳する表示パネルでもある（第２の本発明ともいう。）。このような形態とすることにより、容量変化による輝度ムラが視認されやすい明度の大きい副画素において、上記と同様のメカニズムにより選択的に容量変化を防止することができ、輝度ムラが生じることを充分に防止することができる。また、製造工程で信号線の微小な線幅変化が起きた場合に、明度の低い副画素に信号線が配置されていると、線幅変化の開口率に与える影響を視認されにくくすることができる。【００２１】
上記４色以上の副画素が、少なくとも１色の副画素で明度が異なるとは、色によっては明度が同一の副画素があってもよく、少なくとも一色において明度が他の色における明度と異なるものであればよい。通常は、輝度を向上させるために相対的に明度の低い副画素の面積を相対的に大きくすることになり、例えば、ＲＧＢＹの４色であれば、Ｒ及びＢの副画素の面積をＧ及びＹよりも大きくし、ＲＧＢＷの４色であれば、Ｒ及びＢの副画素の面積をＧ及びＷよりも大きくする例が挙げられる。本明細書中、明度の大きい副画素とは、一つの画素内の副画素を相対的に明度の大きなものと相対的に明度の小さなものとに分けた場合に、より明度が大きい副画素を意味する。明度の小さい副画素についても同様である。【００２２】
上記明度の小さい副画素が複数の信号線と重畳する表示パネルの好ましい形態は、上記面積の大きい副画素が複数の信号線と重畳する表示パネルの好ましい形態と同様である。例えば、上記明度の小さい副画素が複数の信号線と重畳する表示パネルにおいても、上記信号線が明度の大きい副画素を駆動するために用いられる信号線を含む形態が好ましい。また、上記表示パネルは、明度の大きい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しない形態が好ましい。重畳しないとは、上述した通りである。より好ましくは、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線（信号線の主線及び副線）と重畳しない形態である。中でも、上記明度の大きい副画素が、明度の最も大きい副画素であることが好適である。これにより、明度の最も大きい副画素、すなわち容量変化により輝度ムラが最も視認されやすい副画素において、選択的に副画素電極−信号線間容量（Ｃｓｄ）を削減することができ、輝度ムラを特に充分に防止することができる。【００２３】
本発明においては、上記第１の本発明と上記第２の本発明とのいずれかの構成又はこれらを組み合わせた構成とすることが好適である。以下に、上記第１の本発明及び上記第２の本発明の好ましい形態について詳述する。
上記画素は、パネル主面を平面視したときに、表示領域内における上記副画素が配置されている領域以外の領域に、矩形状の遮光領域を有することが好ましい。矩形状とは、本発明の効果を発揮する限り、突起及び／又は窪みを有していてもよく、実質的に矩形状であればよい。言い換えれば、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの矩形領域の長辺方向と平行な方向の長さが少なくとも一色の副画素で異なり、当該長さがより短い副画素において長さが短い分だけ生じたスペースに遮光領域を配置する形態が好ましい。例えば、上記遮光領域に、面積が小さい方の副画素のＴＦＴ素子やコンタクトホール等の非透過部のパターンに加えて、面積が大きい方の副画素のＴＦＴ素子やコンタクトホール等の非透過部のパターンを配置することで、開口率、特に大きい方の副画素の開口率を向上させることができる。【００２４】
上記遮光領域は、柱状スペーサが配置される形態が好適である。なかでも積層柱（スペーサ）を用いる場合、面積の小さい方の副画素の副画素電極を配置していない部分に積層柱を配置する形態が好ましい。
それにより上下リーク（副画素電極−対向共通電極〔ＣＯＭ電極〕間リーク）を回避することができる。特に副画素が小さい場合、上記遮光領域に、柱状スペーサが配置される形態は特に好適なものとなる。【００２５】
上記複数の信号線は、２本であることが好ましい。また、該２本の信号線は、その信号が互いに逆極性であることが特に好ましい。更に、上記表示パネルは、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることが好ましい。特に、副画素電極が、１つの画素当たり４個以上の偶数個である形態において当該形態が特に好ましい。このように単色表示時に横方向に同一極性がならばないように対策を行うことにより、横シャドーを回避できる。上記形態は、駆動方法によるものであってもよく、設計によるものであってもよい。【００２６】
上記一対の基板の一方は、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、上記一対の基板の他方は、対向電極を備え、上記副画素電極は、一つの副画素に対応して配置され、上記走査線と該副画素電極とは、ゲートドレイン容量Ｃｇｄを形成し、上記信号線と該副画素電極とは、ソースドレイン容量Ｃｓｄを形成し、上記補助容量配線と該副画素電極とは、補助容量Ｃｃｓを形成し、上記副画素電極と該対向電極とは、液晶容量Ｃｌｃを形成し、上記表示パネルの駆動時における走査線の電位差をＶｇｐ−ｐとしたとき、引き込み電圧ΔＶｄ＝Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ）×Ｖｇｐ−ｐ、白表示時と黒表示時のΔＶｄ値の差Ω、及び、Ｃｃｓ／Ｃｌｃの少なくとも一つは、各色で同じであることが好ましい。具体的には、上記面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きいものとすることが好ましく、このようにすることで、ΔＶｄ、Ω値及びＣｃｓ／Ｃｌｃの少なくとも一つを全色略同等にすることができる。なお、上記「面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きい」とは、面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさが面積の小さい副画素におけるスイッチング素子の大きさよりも大きいか、その補助容量の大きさが面積の小さい副画素における補助容量の大きさよりも大きいか、又は、これらの組み合わせをいう。それにより色によって最適対向電圧や補助容量の割合に差が出ないようにして、焼きつき等のない優れた表示品位のパネルを得ることができる。なお、走査線の電位差Ｖｇｐ−ｐは、｜Ｖｇｈ−Ｖｇｌ｜によって表される（Ｖｇｈは、ＴＦＴをオン・オフした際の、走査線における最も高い電圧を表し、Ｖｇｌは、同様に走査線における最も低い電圧を表す。）。また、白表示時と黒表示時のΔＶｄの差Ωは、液晶は白表示時と黒表示時で容量が異なることに伴い発生する、白表示時と黒表示時のΔＶｄ値の差であり、以下の式で求められる：Ω＝｜ΔＶｄ（黒）−ΔＶｄ（白）｜＝｜Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ（黒））×Ｖｇｐ−ｐ−Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ（白））×Ｖｇｐ−ｐ｜。なお、Ｃｌｃ（黒）とは、黒表示時のＣｌｃを意味し、Ｃｌｃ（白）とは、白表示時のＣｌｃを意味する。上記形態にあっては、面積の小さい副画素の、遮光領域に副画素電極や補助容量を設ける形態が特に好適である。これにより、面積の小さい副画素の実質開口部を大きくすることができ、高輝度な液晶表示装置を得ることができる。【００２７】
上記複数の信号線と重畳する副画素電極をもつ副画素において、副画素電極の最長部の長さよりも該複数の信号線と画素電極との重なり長さの方が短いことが好ましい。これにより、副画素におけるドレイン電位の変化分であるΔＶｄｒの値を小さくすることができ、その結果、輝度ムラを低減することができるとともに、開口部に占める信号線の面積を小さくすることができるため、線幅変化の開口率に与える影響をより小さくできる。【００２８】
上記副画素は、複数の副画素電極を有し、上記副画素電極は、それぞれの面積が同一であり、副画素が有する副画素電極の数が少なくとも一色の副画素で異なることが好ましい。これにより、種々の液晶表示装置において配向状態をより均質にして副画素間の応答速度の特性差を充分に低減しつつ、副画素の面積を変えて輝度を充分に高いものとすることができる。上記面積が同一であるとは、本発明の作用効果を発揮できる限り実質的に同一であればよい。【００２９】
上記表示素子は、液晶層であることが好ましい。言い換えれば、本発明の表示パネルは、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルであることが好ましい。一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有する液晶表示パネルに本発明を適用することにより、本発明の効果をより充分に発揮することができる。本発明の表示パネルは、ＣＰＡモード、ＭＶＡモードに適用できるとともに、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＴＢＡ（Transverse Bend Alignment）モード、ＦＦＳ（Frings Field Switching）モード等のＩＰＳモード等にも好適に適用可能なものである。【００３０】
本発明はまた、本発明の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置でもある。
これにより、上述した本発明の表示パネルと同様の効果を発揮することができる。また、本発明の表示装置が備える表示パネルの好ましい形態は、上述した本発明の表示パネルの好ましい形態と同様である。【００３１】
本発明は、特に副画素が小さい機種において有用である。例えば、副画素の辺の長さが１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましい。副画素の辺の好ましい下限値は、３０μｍ以上である。
さらには、高輝度な表示パネルが得られるため、バッテリー駆動等のため低消費電力が特に求められる用途においても有用である。
従って電子ブック、フォトフレーム、ＩＡ、ＰＣ用途等の中型クラス及び携帯用ゲーム機等の小型クラスの製品に適用することが好適である。【００３２】
本発明の表示パネル及び表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではなく、表示パネル及び表示装置に通常用いられるその他の構成を適宜適用することができる。【００３３】
上述した各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の表示パネル及び表示装置によれば、色ごとに表示面積を変えることで白輝度が充分に向上されたうえで、輝度ムラが充分に抑制されたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１−１の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２】実施形態１−２の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図３】実施形態２−１（ａ）及び実施形態２−１（ｂ）の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図４】実施形態２−１（ｂ）の副画素イメージを示す図である。
【図５】実施形態２−２（ａ）の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図６】実施形態２−２（ｂ）の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図７】実施形態２−２（ｂ）の副画素イメージを示す図である。
【図８】実施形態３の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図９】図８において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向分割手段だけを示した図である。
【図１０】図８において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。
【図１１】従来の液晶表示パネルにおける副画素と信号線との配置関係を示す平面模式図である。
【図１２】従来の液晶表示パネルにおける副画素と信号線との配置関係を示す平面模式図である。
【図１３】本発明の表示パネルにおける副画素と信号線との配置関係の一例を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
なお、ＴＦＴが設けられた基板は、ＴＦＴアレイ基板ともいう。カラーフィルタ（ＣＦ）が設けられた、ＴＦＴアレイ基板に対向する基板は、対向基板又はＣＦ基板ともいう。また、以下の実施形態では、記載を簡単にするために、各色を表す副画素を単に画素ともいう。以下では、ＲＧＢＹを用いた形態だけを説明するが、ＲＧＢＹの代わりに、ＲＧＢＷ等の４色以上の原色（例えば、緑（Ｇ）、黄（Ｙ）白（Ｗ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）、マゼンタ（Ｍ）からなる群より選択される少なくとも４色以上の色等）を用いた形態を適宜適用することができる。また、視感度等が比較的高い色の面積が小さくなり、比較的低い色の面積が大きくなるとは、例えば、より視感度の高い緑（Ｇ）、黄（Ｙ）、白（Ｗ）の開口面積が小さく、より視感度の低い赤（Ｒ）、青（Ｂ）、マゼンタ（Ｍ）の開口面積が大きいことをいい、このような設計とすることは本発明の好ましい形態の一つである。副画素は、本明細書中、絵素ともいう。
【００３７】
実施形態１
実施形態１−１は、４色以上の偶数色の副画素がストライプ状に配置されて単位画素が構成された液晶表示パネルに係るものである。
【００３８】
図１は、実施形態１−１の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
走査線（示さず）及び信号線（データ線）２３ｐ、２３ｑは、ガラス基板の主面上に格子状に配置される。
複数の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、黄（Ｙ）（又は例えば黄（Ｙ）の代わりに白（Ｗ）でもよい）の画素領域には、副画素電極１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｙが配置されている。これらの４つの画素領域から単位画素２７が構成されている。なお、それぞれの副画素（副画素電極）は、色ごとに有効開口部の面積が異なる。ここで、色の視感度（明度）の違いにより、視感度の比較的高い色と比較的低い色で面積が異なり、実施形態１では視感度が比較的高い色の面積が小さくなり、比較的低い色の面積が大きくなる。具体的には、単位画素２７は、４色以上の複数色を表示する副画素で構成され、ＲとＢの開口面積が大きく、ＧとＹ（又はＷ）の開口面積が小さい。言い換えれば、副画素ＲＧＢＹは、その面積がＲ、ＢとＧ、Ｙとで異なり、Ｒ、Ｂは面積が大きく（面積大副画素）、Ｇ、Ｙ（又はＷ）は面積が小さい（面積小副画素）。色の視感度の違いにより、視感度の比較的高い色の副画素開口面積が小さい形態とすることが好適である。
更に、信号線が２本配置された副画素と配置されていない副画素は交互に配置される。
開口面積が大きい副画素と小さい副画素の面積比は通常はＲＢ：ＧＹ（ＲＢ：ＧＷ）＝４：１〜１：１の範囲である。より好ましくは、２．２：１〜１．２：１の範囲である。
【００３９】
２本集約して配置された信号線の極性は、それぞれ逆極性にする。更に望ましいのは、隣の副画素の組（隣の単位画素）との間で極性反転を行うことである（極性反転は、１単位画素ごとでもよく、２単位画素以上ごとでもよい。）。例えば、１単位画素ごとに極性反転される形態においては、信号線の極性は、＋、−、＋、−、−、＋、−、＋が繰り返し配列することになる。２単位画素ごとに極性反転される形態においては、信号線の極性は、＋、−、＋、−、＋、−、＋、−、−、＋、−、＋、−、＋、−、＋が繰り返し配列することになる。
【００４０】
図１では、表示パネルは、複数の副画素ＲＧＢＹが矩形状（略長方形）であるが、略楕円形状等であってもよい。中でも、矩形状であることが好ましい。
【００４１】
緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）（例えば、黄（Ｙ）の代わりに白（Ｗ）でもよい）の画素（面積小副画素）には、信号線が配置されていない。一方、赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素（面積大副画素）には、信号線２３ｐ、２３ｑが２本重畳するように配置されている。つまり、副画素開口面積が小さい方の副画素には信号線を配置させず、大きい方の副画素に隣接副画素の信号線を２本集約して配置する。
【００４２】
対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域ごとに赤（Ｒ）のＣＦ層、緑（Ｇ）のＣＦ層、青（Ｂ）のＣＦ層、及び、黄（Ｙ）のＣＦ層が配置され、各ＣＦ層の間は、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光部（ＢＭ）で仕切られている。
【００４３】
パネルはＲＧＢＹやＲＧＢＷ等の４色で構成されており、ＲＧＢＹの場合は、視感度が小さいＲ、Ｂを大きく、Ｇ、Ｙを小さくすると、透過率を向上させつつ色再現範囲を広げることができ、効果的である。面積の大小の比は、ＲＢ：ＧＹ（ＲＢ：ＧＷ）＝４：１〜１：１の範囲である。より好ましくは、２．２：１〜１．２：１の範囲である。
【００４４】
実施形態１−１の液晶表示パネルは、更に、以下の特徴を有する。
同一行の同一色の極性が偏らないようにすること、すなわち、前記表示パネルは、画素の行方向で、１画素が含む同一行の信号線の数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることにより、横シャドー（クロストーク）を回避することができる。
【００４５】
実施形態１−１の液晶表示パネルは、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、言い換えれば、第１の基板（アレイ基板）、第２の基板（対向基板）、及び、第１の基板と第２の基板とに挟持された液晶層を備える。該第１の基板は、複数の走査線／複数の信号線（データ線）２３ｐ、２３ｑ／スイッチング素子／層間絶縁膜／層間絶縁膜上の副画素電極／配向膜を基板側からこの順で有する。該第２の基板は、カラーフィルタ及び配向膜（垂直配向膜）を有する。また、該液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料である。液晶表示モード（ＣＰＡ、ＭＶＡ等）は特に限定されるものではないが、上記したように本実施形態は垂直液晶モードを採用しており、これが好ましい形態である。
【００４６】
実施形態１−１の液晶表示パネルは、面積の大きい副画素のスイッチング素子の大きさ又は補助容量の少なくともいずれかを、面積の大きい副画素の方が面積の小さい副画素よりも大きくなるようにする。なお、例えば、後述する図４には、面積の大きい副画素の方の補助容量を大きくし、面積の小さい副画素の方の補助容量を小さくした形態が示されている。また、後述する図７にも、面積の大きい副画素の方の補助容量を大きくし、面積の小さい副画素の方の補助容量を小さくした形態が示されている。
これにより、走査線と副画素電極とが形成するゲートドレイン容量をＣｇｄとし、信号線と副画素電極とが形成するソースドレイン容量をＣｓｄとし、補助容量配線と副画素電極とが形成する補助容量をＣｃｓとし、副画素電極と対向電極とが形成する液晶容量をＣｌｃとし、表示パネルの駆動時における走査線の電位差をＶｇｐ−ｐとしたとき、引き込み電圧ΔＶｄ＝Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ）×Ｖｇｐ−ｐ、白表示時と黒表示時のΔＶｄ値の差Ω、及び、Ｃｃｓ／Ｃｌｃの少なくともいずれかが、各色で同じである。色によって最適対向電圧や補助容量の割合に差が出ないようにして、焼きつき等のない優れた表示品位のパネルを得ることができる。
【００４７】
図２は、実施形態１−２の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
実施形態１−２は、４色以上の偶数色の副画素が田の字状に配置されて単位画素１２７を構成された液晶表示パネルに係るものである。それ以外の条件は、上述した実施形態１−１の条件と同じである。特に、副画素開口面積が小さい方の副画素には信号線を配置させず、大きい方の副画素に隣接副画素の信号線１２３ｐ、１２３ｑを２本集約して配置すること、視感度の比較的低いＲ（赤）とＢ（青）の開口面積が大きく、視感度の比較的高いＧ（緑）とＹ（黄）又はＷ（白）の開口面積が小さいこと、開口面積が大きい副画素と小さい副画素の面積比は通常は１．１〜４であり、１．２〜２．２が望ましいこと、信号線が２本配置された副画素と配置されてない副画素は交互に配置されること、２本集約して配置された信号線の極性はそれぞれ逆極性にすること、隣の副画素の組（隣の単位画素）との間で極性反転を行うこと（極性反転は、１単位画素ごとでもよく、２単位画素以上ごとでもよい。）等が実施形態１−１と同様であり、これらが本発明の好適な形態である。
【００４８】
上述した実施形態１−１、１−２は、副画素開口面積の大きい副画素と小さい副画素が縦方向（信号線方向）に同じものが並ぶ構成である。
【００４９】
一般的な形態において、Ｓ（信号線）−Ｄ（副画素電極）間容量をＣｓｄとする。また、ΔＶｄｒ＝（Ｃｓｄ１／Ｃｐｉｘ）＊ΔＶｓ１−（Ｃｓｄ２／Ｃｐｉｘ）＊ΔＶｓ２（式１）とする。ここで、Ｃｓｄ１は、自副画素電極を駆動する信号線と自副画素電極とによって形成される容量、Ｃｓｄ２は自副画素電極と隣接する他副画素電極を駆動する信号線と自副画素電極とによって形成される容量である。また、ΔＶｓ１は、自副画素電極を駆動する信号線の変化後の電位から変化前の電位を引いた電圧変化の値、ΔＶｓ２は自副画素電極と隣接する他副画素電極を駆動する信号線の変化後の電位から変化前の電位を引いた電圧変化の値を表している。
【００５０】
さらに、自副画素を駆動する信号線と他副画素を駆動する信号線の信号が逆極性（例えばいわゆるドット反転駆動）の場合、ΔＶｓ１＝ΔＶｓ２＝ΔＶｓ（グレー表示）のとき、ΔＶｄｒ＝｛（Ｃｓｄ１−Ｃｓｄ２）／Ｃｐｉｘ｝＊ΔＶｓ（式２）となる。
製造工程にて信号線（ソースレイヤ）と副画素電極（副画素電極レイヤ）とでアライメントずれが発生すると、式２の（Ｃｓｄ１−Ｃｓｄ２）の値が変化するため、グレー表示でムラとして視認される。ここで、アラインメントずれが発生したときのΔＶｄｒの変化をΔΔＶｄｒとする。ΔΔＶｄｒ＝｜ΔＶｄｒ（ずれなし部）−ΔＶｄｒ（ずれ部）｜（式３）である。
【００５１】
従来技術
Ｃｐｉｘ≒Ｃｃｓ＋Ｃｌｃであり、Ｃｃｓ／Ｃｌｃ＝ｃｏｎｓｔ．（定数）であることを前提として、ＲＧＢパネル（３色）の液晶容量をＣｌｃ、副画素容量をＣｐｉｘとし、ＲＧＢパネルをＲＧＢＹ化（４色化）したときの液晶容量をＣｌｃ′、副画素容量をＣｐｉｘ′とする。ここでＲＢ：ＧＹ＝１：１の場合、ＲＧＢよりも副画素サイズが３／４となり、Ｃｌｃ′＝３／４Ｃｌｃ、Ｃｐｉｘ′＝３／４Ｃｐｉｘである。一方Ｃｓｄ１、Ｃｓｄ２の値は不変のため、ΔΔＶｄｒは１．３倍となりムラが視認されやすくなる。
更に、ＲＢ：ＧＹ＝１．５：１の場合、アライメントずれが発生したときのΔＶｄｒは、ＲＢ：１．１倍、ＧＹ：１．７倍となり、ＲＧＢＹそれぞれの視感度と面積の違いを考慮すると、単位画素あたりのΔΔＶｄｒは約１．５倍となり、更に顕著となる。
【００５２】
実施形態１−１
信号線を大きい方の副画素の副画素電極の内側に２本配置し、かつ逆極性の信号を与えることにより、縦シャドーの発生を防止することができるとともに、ΔΔＶｄｒはほぼ無視できる値となる。したがって、プロセスマージンを充分確保することができ、ムラのない高品位な液晶表示装置を得ることができる。
【００５３】
実施形態１−２
Ｃｐｉｘは実施形態１−１とほぼ同等であるが、副画素を田の字配列にしたことで、１副画素中の信号線の長さが短くなる。したがって、ΔＶｄｒは実施形態１−１の略１／２となる。
更に、信号線を大きい方の副画素に２本配置し、かつ逆極性の信号を与えることにより、縦シャドーの発生を防止することができるとともに、ΔΔＶｄｒはほぼ無視できる値となる。
したがって、プロセスマージンを充分確保することができ、ムラのない高品位な液晶表示装置を得ることができる。プロセスマージンとは、パターン形成のための露光や現像時において欠陥とはならない許容範囲（特に、アラインメントずれに対する該許容範囲）が充分に大きいことを意味する。
【００５４】
実施形態２
図３は、実施形態２−１（ａ）及び実施形態２−１（ｂ）の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図３において、（ａ）の点線で囲まれた部分は、実施形態２−１（ａ）の単位画素を示す。また、図３において、（ｂ）の点線で囲まれた部分は、実施形態２−１（ｂ）の単位画素を示す。図４は、実施形態２−１（ｂ）の副画素イメージを示す図である。図５は、実施形態２−２（ａ）の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図６は、実施形態２−２（ｂ）の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図７は、実施形態２−２（ｂ）の副画素イメージを示す図であり、ＣＰＡモードの液晶表示パネルにおける副画素の田の字配列を例示している。
【００５５】
実施形態２−１及び実施形態２−２においては、開口面積が大きい副画素と小さい副画素は、図面に向かって見たときに、横方向だけでなく縦方向にも交互に配置されている。言い換えれば、実施形態２−１及び実施形態２−２は、副画素開口面積の大きい副画素と小さい副画素が縦方向（Ｓバスライン方向に）交互に並ぶ構成である。
【００５６】
更に、実施形態２−２においては、図５、図６に示されるように、信号線３２３ｐ、３２３ｑ、又は、４２３ｐ、４２３ｑが副画素電極と重なる部分の長さは、当該副画素ａの副画素電極の最長部よりも短い。このような形態は、副画素におけるＣｓｄを削減することができるため好適である。言い換えれば、信号線が副画素電極と重畳する面積を小さいものとすることができ、その分だけ信号線は副画素電極が配置されていない領域を通ることができ、このためＣｓｄ等を削減して輝度ムラを低減させることができる。
【００５７】
更に、実施形態２−２においては、図示していないが、面積の小さい方の副画素の副画素電極を配置していない部分に積層柱を配置する。これにより、上下リーク（副画素電極−対向ＣＯＭ電極間リーク）を回避することができる。また、図７に示されるように、積層柱以外の自副画素のＴＦＴ、隣接副画素のＴＦＴ等を適宜配置したり、自副画素と他副画素のコンタクトホール、ＣＳ容量等を適宜配置したりすることができ、これにより開口率を充分に高めることができる。上記したように、デッドスペース（副画素電極が配置されていない領域及び／又は矩形状の遮光領域）を信号線が通っている形態にはＣｓｄ等を削減して輝度ムラを低減したり、ＴＦＴ等の遮光材料をコンパクトに纏めて開口率を高めたりするといったメリットがある。
【００５８】
また実施形態２−２においては、隣の副画素の組との間で極性反転を行う（極性反転は、１組ごとでもよく、２以上の自然数の組ごとでもよい。）。このように単色表示時に横方向に同一極性がならばないように対策を行うことにより、横シャドーを回避できる。
【００５９】
上述した実施形態２−１（ａ）、実施形態２−１（ｂ）、実施形態２−２（ａ）及び実施形態２−２（ｂ）のその他の形態は、実施形態１の形態と同様である。
【００６０】
実施形態２−１
実施形態２−１は、効果は実施形態１−２と同等である。更に、視感度の高い色が縦方向横方向に混在することで、縞模様として視認されにくくなり、均一な表示画面が得られる（視感度の高い色が固まって配置されていると、明副画素部と暗副画素部が縞模様のように視認されることがある。）。
【００６１】
実施形態２−２
実施形態２−２は、実施形態２−１よりも更にＣｓｄ１、Ｃｓｄ２を削減することができる（例えば、図５及び図６の場合は、実施形態２−２における１副画素中の信号線３２３ｐ、３２３ｑ又は４２３ｐ、４２３ｑの長さは、実施形態２−１における１副画素中の信号線２２３ｐ、２２３ｑの長さの約１／２になるため、実施形態２−１の約１／２のＣｓｄ１、Ｃｓｄ２を削減することができる。）。また、視感度の高い色と低い色を混在させる効果は実施形態２−１と同等である。更に、副画素電極のない部分に積層ＰＳを配置させることができ、低コストで歩留りの高い液晶表示装置を得ることができる。
【００６２】
実施形態３
実施形態３は、ＭＶＡモードの液晶表示パネルにおいて副画素を田の字状に配置した形態に係るものである。
図８は、実施形態３の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図９は、図８において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向分割手段だけを示した図である。図１０は、図８において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。    
【００６３】
走査線５２１及び信号線（データ線）５２３ｐ、５２３ｑは、ガラス基板の主面上に格子状に配置される。
複数の画素領域には、赤（Ｒ）の画素領域に副画素電極５３１Ｒ、緑（Ｇ）の画素領域に副画素電極５３１Ｇ、青（Ｂ）の画素領域に副画素電極５３１Ｂ、黄（Ｙ）の画素領域に副画素電極５３１Ｙが配置されている。
【００６４】
副画素電極の面積は、色によって変える。その結果、色ごとに有効開口部５３９Ｒ、５３９Ｇ、５３９Ｂ、５３９Ｙの面積が異なる。ここで、色の視感度等の違いにより、視感度等の比較的高い色と比較的低い色で面積が異なり、通常は視感度等の比較的高い色の面積が小さくなり、比較的低い色の面積が大きくなる。
また、実施形態３では、表示パネルは、複数の副画素ＲＧＢＹが多角形状である。
【００６５】
実施形態３では、図８に示すように、２本の信号線５２３ｐ（副画素ＧＢを駆動する信号線）、５２３ｑ（副画素ＲＹを駆動する信号線）が、それぞれ副画素の面積の大きいＲ、Ｂと重畳するように配置され、これらの２本の信号線は、副画素の面積の小さいＧ、Ｙとは重畳しない。更に、実施形態３では、信号線５２３ｐ、５２３ｑが副画素電極と重なる部分の長さは、当該副画素の副画素電極の最長部よりも短い。言い換えれば、信号線５２３ｐ、５２３ｑは、副画素電極が配置されていない領域及び／又は矩形状の遮光領域を通っている。これにより、副画素ＲＢそれぞれにおけるＣｓｄを削減することができ、輝度ムラを防止する効果を充分に発揮することができる。このような形態によっても、副画素におけるＣｓｄを削減することができ好適である。
【００６６】
対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域ごとに赤（Ｒ）のＣＦ層、緑（Ｇ）のＣＦ層、青（Ｂ）のＣＦ層、及び、黄（Ｙ）のＣＦ層が配置され、各ＣＦ層の間は、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光部（ＢＭ）で仕切られている。また、図８における副画素電極を置かない領域にもＢＭが配置されている（太線で囲んだ部分５３９Ｇ、５３９Ｙが面積の小さい副画素のＢＭ開口部を表し、太線で囲んだ部分５３９Ｒ、５３９Ｂが面積の大きい副画素のＢＭ開口部を表す。）。そして、図８に示されるように、これらのＢＭ下に副画素（Ｇ、Ｒ、Ｂ、Ｙ）のＴＦＴ５２５Ｇ、５２５Ｒ、５２５Ｂ、５２５Ｙを配置することができる。また、フォトスペーサ５２８も配置されている。
【００６７】
また、対向基板には、配向規制手段であるリブ５３３Ｙ、５３３Ｒ、５３３Ｇ、５３３Ｂが設けられている。
表示パネルは、複数の副画素ＹＲＧＢがリブ５３３Ｙ、５３３Ｒ、５３３Ｇ、５３３Ｂをそれぞれ有する副画素電極５３１Ｙ、５３１Ｒ、５３１Ｇ、５３１Ｂによって構成され、表示パネルにおける画素を平面視した場合に、リブ５３３Ｙ、５３３Ｒ、５３３Ｇ、５３３Ｂと副画素電極５３１Ｙ、５３１Ｒ、５３１Ｇ、５３１Ｂのエッジとの距離ｄ１、ｄ３、ｄ４、ｄ６及びリブ５３３Ｒ、５３３Ｂとスリット５３５Ｒ、５３５Ｂとの距離ｄ２、ｄ５は、全て略同一である。
【００６８】
図９における赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素における突出部の縦方向の長さａ２は、赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素における縦方向の長さ（副画素電極の最長部の長さ）ａ１の略０．７倍である。
上述した実施形態３のその他の形態は、実施形態１の形態と同様であり、当該同様の形態にもとづいて実施形態１と同様の作用効果を発揮することができる。
【００６９】
上述した実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【００７０】
なお、本願は、２０１０年６月２８日に出願された日本国特許出願２０１０−１４６８２６号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
【符号の説明】
【００７１】
１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｙ、５３１Ｒ、５３１Ｇ、５３１Ｂ、５３１Ｙ：副画素電極
２３ｐ、２３ｑ、１２３ｐ、１２３ｑ、２２３ｐ、２２３ｑ、３２３ｐ、３２３ｑ、４２３ｐ、４２３ｑ、５２３ｐ、５２３ｑ：信号線
２７、１２７：単位画素
５２１：走査線
５２５Ｒ、５２５Ｇ、５２５Ｂ、５２５Ｙ：ＴＦＴ
５２８：フォトスペーサ
５３３Ｒ、５３３Ｇ、５３３Ｂ、５３３Ｙ：リブ
５３５Ｒ、５３５Ｂ：スリット
５３９Ｒ、５３９Ｇ、５３９Ｂ、５３９Ｙ：有効開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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