(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された複数の並行導電フィンであって、前記フィンのそれぞれが第１の端部と第２の端部とを有する複数の並行導電フィンと、
前記フィンの前記第１の端部のすべての表面を覆う絶縁体と、
複数の前記フィンに跨って前記絶縁体上に配置された第１の電気導体であって、前記絶縁体によって前記フィンの前記第１の端部から電気的に絶縁される第１の電気導体と、
前記フィンの前記第２の端部に電気的に接続された第２の電気導体とを含み、
前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それにより前記フィンを介して前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを前記絶縁体が有する、
アンチヒューズ構造体。
【請求項２】
前記絶縁体が前記フィンの側壁および最上部に沿って配置される、請求項１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項３】
前記絶縁体の前記厚さが前記フィンの高さの５％未満である寸法を含む、請求項１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項４】
前記第２の電気導体および前記第１の電気導体が異なる材料を含む、請求項１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項５】
前記第２の電気導体が前記フィンからエピタキシャル成長させた材料を含む、請求項１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項６】
上面を有する基板と、
前記基板の前記上面上に配置された複数の並行導電フィンであって、前記フィンのそれぞれが、
前記上面に平行な長さ寸法と、
前記長さ寸法に垂直な高さ寸法と、
前記長さ寸法および前記高さ寸法に垂直な幅寸法とを含む直角プリズム形状を有し、
前記長さ寸法が前記高さ寸法より大きく、前記高さ寸法が前記幅寸法より大きく、前記幅寸法では前記基板の前記上面に接触し、前記フィンの前記長さ寸法では第１の端部と第２の端部とを有する、複数の並行導電フィンと、
前記フィンの前記第１の端部のすべての表面を覆う絶縁体と、
複数の前記フィンに跨って前記絶縁体上に配置された第１の電気導体であって、前記絶縁体によって前記フィンの前記第１の端部から電気的に絶縁される第１の電気導体と、
前記フィンの前記第２の端部に電気的に接続された第２の電気導体とを含み、
前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それにより前記フィンを介して前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを前記絶縁体が有する、
アンチヒューズ構造体。
【請求項７】
前記絶縁体が前記フィンの側壁および最上部に沿って配置される、請求項６記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項８】
前記絶縁体の前記厚さが前記フィンの前記高さ寸法の５％未満である寸法を含む、請求項６記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項９】
前記第２の電気導体および前記第１の電気導体が異なる材料を含む、請求項６記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項１０】
前記第２の電気導体が前記フィンからエピタキシャル成長させた材料を含む、請求項６記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項１１】
上面を有する基板と、
前記基板の前記上面上に配置された複数の並行導電フィンであって、前記フィンのそれぞれが、
前記上面に平行な長さ寸法と、
前記長さ寸法に垂直な高さ寸法と、
前記長さ寸法および前記高さ寸法に垂直な幅寸法とを含む直角プリズム形状を有し、
前記長さ寸法が前記高さ寸法より大きく、前記高さ寸法が前記幅寸法より大きく、前記フィンの前記長さ寸法では第１の端部と第２の端部とを有し、前記フィンのそれぞれが、前記基板の前記上面に接続された底面と、前記底面の向かい側にある最上表面とを有する、
複数の並行導電フィンと、
前記フィンの前記第１の端部を覆う絶縁体であって、前記フィンのそれぞれが前記底面と前記最上表面との間に側面を有し、前記絶縁体が前記フィンの前記第１の端部の前記最上表面と前記側面とのすべての表面を覆う絶縁体と、
複数の前記フィンに跨って前記絶縁体上に配置された第１の電気導体であって、前記絶縁体によって前記フィンの前記第１の端部から電気的に絶縁される第１の電気導体と、
前記フィンの前記第２の端部に電気的に接続された第２の電気導体であって、前記フィンの前記第２の端部の前記最上表面に接続される第２の電気導体とを含み、
前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それにより前記フィンを介して前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを前記絶縁体が有する、
アンチヒューズ構造体。
【請求項１２】
前記絶縁体が前記フィンの側壁および最上部に沿って配置される、請求項１１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項１３】
前記絶縁体の前記厚さが前記フィンの前記高さ寸法の５％未満である寸法を含む、請求項１１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項１４】
前記第２の電気導体および前記第１の電気導体が異なる材料を含む、請求項１１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項１５】
前記第２の電気導体が前記フィンからエピタキシャル成長させた材料を含む、請求項１１記載のアンチヒューズ構造体。
【請求項１６】
アンチヒューズ構造体を形成する方法であって、
基板上に複数の並行導電フィンをパターン形成することであって、前記フィンのそれぞれが第１の端部と第２の端部とを有することと、
前記フィン上に絶縁体を形成することと、
前記フィンの前記第１の端部のすべての表面上の前記絶縁体上に複数の前記フィンに跨って第１の電気導体を形成することであって、前記第１の電気導体が前記絶縁体によって前記フィンの前記第１の端部から電気的に絶縁されることと、
前記フィンの前記第２の端部を露出するために前記フィンの前記第２の端部から前記絶縁体を除去することと、
前記フィンの前記第２の端部上に第２の電気導体を形成することを含み、
前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それにより前記フィンを介して前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを前記絶縁体が有する、
方法。
【請求項１７】
前記絶縁体を形成することが、前記フィンの側壁および最上部に沿って前記絶縁体を配置することを含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記絶縁体を形成することが、前記フィンの高さの５％未満である厚さ寸法まで前記絶縁体を形成するプロセスを含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の電気導体を形成することおよび前記第１の電気導体を形成することが、異なる材料を使用するプロセスを含む、請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の電気導体を形成することが、前記フィンから前記第２の電気導体をエピタキシャル成長させることを含む、請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
アンチヒューズ構造体を形成する方法であって、
基板の上面上に複数の並行導電フィンをパターン形成することであって、前記フィンのそれぞれが、
前記上面に平行な長さ寸法と、
前記長さ寸法に垂直な高さ寸法と、
前記長さ寸法および前記高さ寸法に垂直な幅寸法とを含む直角プリズム形状を有し、
前記長さ寸法が前記高さ寸法より大きく、前記高さ寸法が前記幅寸法より大きく、前記幅寸法では前記基板の前記上面に接触し、前記フィンの前記長さ寸法では第１の端部と第２の端部とを有するようになることと、
前記フィン上に絶縁体を形成することと、
前記フィンの前記第１の端部のすべての表面上の前記絶縁体上に複数の前記フィンに跨って第１の電気導体を形成することであって、前記第１の電気導体が前記絶縁体によって前記フィンの前記第１の端部から電気的に絶縁されることと、
前記フィンの前記第２の端部を露出するために前記フィンの前記第２の端部から前記絶縁体を除去することと、
前記フィンの前記第２の端部上に第２の電気導体を形成することを含み、
前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それにより前記フィンを介して前記第２の電気導体と前記第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを前記絶縁体が有する、
方法。
【請求項２２】
前記絶縁体を形成することが、前記フィンの側壁および最上部に沿って前記絶縁体を配置することを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記絶縁体を形成することが、前記フィンの高さの５％未満である厚さ寸法まで前記絶縁体を形成するプロセスを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の電気導体を形成することおよび前記第１の電気導体を形成することが、異なる材料を使用するプロセスを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の電気導体を形成することが、前記フィンから前記第２の電気導体をエピタキシャル成長させることを含む、請求項２１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、アンチヒューズ（antifuse）を形成する方法と、加熱プロセスにより絶縁体から永久導体に変換可能なフィン構造体（fin structure）を含む、結果として得られる構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒューズおよびアンチヒューズは、現在の集積回路デバイスにおいて、回路の他の部分からのデバイスを選択的に接続し切断するため、ならびに論理演算を提供するために有用である。たとえば、電気接続を中断または遮断するために、多くの場合、ヒューズが活動化される（飛ぶ、開くなど）。同様に、回路の抵抗を劇的に増加するためにヒューズを飛ばし、それにより、活動化されたヒューズ・デバイスと非活動化されたヒューズ・デバイスとの論理的区別を提供することができる。
【０００３】
アンチヒューズは、ヒューズとは反対に機能する。したがって、アンチヒューズは、一般に、非活動化された（飛んでいない）ときに非導電（高抵抗）であり、活動化された（飛んだ）ときに導体になる。したがって、活動化されると電気接続を遮断するヒューズとは対照的に、アンチヒューズは、活動化されると電気接続を形成する。したがって、アンチヒューズは、選択的に回路の各部分をまとめて接続するように選択的に導電接続を行えるようにし、それにより、前に切断されたデバイスを潜在的に回路内に連結する。同様に、アンチヒューズは、論理演算を実行するために使用できる種々の抵抗値を提供する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７２６５０１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ヒューズまたはアンチヒューズはいったん活動化されると、そのヒューズは一般に非活動化することができない。したがって、活動化は一般にワンタイム・イベントであり、回路を永続的に変更するために使用される。ヒューズおよびアンチヒューズには、低いプロセス・コストと比較的高い密度が必要である。金属ヒューズを電気的に飛ばすことは、ヒューズを活動化するための従来の方法の１つであるが、正確な電気的および物理的制御が信頼できるものであることが必要である。以下に記載する本発明は、かなり小さく容易に活動化されるアンチヒューズと、これを作成するための方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記を考慮して、本明細書では、基板と、基板上に配置された複数の並行導電フィンであって、フィンのそれぞれが第１の端部と第２の端部とを有する複数の並行導電フィンと、フィンの第１の端部を覆う絶縁体と、絶縁体上に配置された第１の電気導体であって、絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁される第１の電気導体と、フィンの第２の端部に電気的に接続された第２の電気導体とを含み、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを絶縁体が有する、アンチヒューズ構造体が開示される。
【０００７】
また、本明細書では、上面を有する基板と、基板の上面上に配置された複数の並行導電フィンであって、フィンのそれぞれが、上面に平行な長さ寸法と、長さ寸法に垂直な高さ寸法と、長さ寸法および高さ寸法に垂直な幅寸法とを含む直角プリズム形状（rectangular prism shape）を有し、長さ寸法が高さ寸法より大きく、高さ寸法が幅寸法より大きく、幅寸法では基板の上面に接触し、フィンの長さ寸法では第１の端部と第２の端部とを有する、複数の並行導電フィンと、フィンの第１の端部を覆う絶縁体と、絶縁体上に配置された第１の電気導体であって、絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁される第１の電気導体と、フィンの第２の端部に電気的に接続された第２の電気導体とを含み、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを絶縁体が有する、アンチヒューズ構造体も開示される。
【０００８】
また、上面を有する基板と、基板の上面上に配置された複数の並行導電フィンであって、フィンのそれぞれが、上面に平行な長さ寸法と、長さ寸法に垂直な高さ寸法と、長さ寸法および高さ寸法に垂直な幅寸法とを含む直角プリズム形状を有し、長さ寸法が高さ寸法より大きく、高さ寸法が幅寸法より大きく、フィンの長さ寸法では第１の端部と第２の端部とを有し、フィンのそれぞれが、基板の上面に接続された底面と、底面の向かい側にある最上表面とを有する、複数の並行導電フィンと、フィンの第１の端部を覆う絶縁体であって、フィンのそれぞれが底面と最上表面との間に側面を有し、絶縁体がフィンの第１の端部の最上表面と側面とを覆う絶縁体と、絶縁体上に配置された第１の電気導体であって、絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁される第１の電気導体と、フィンの第２の端部に電気的に接続された第２の電気導体であって、フィンの第２の端部の最上表面に接続される第２の電気導体とを含み、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを絶縁体が有する、アンチヒューズ構造体も開示される。
【０００９】
また、本明細書では、アンチヒューズ構造体を形成する方法であって、基板上に複数の並行導電フィンをパターン形成することであって、フィンのそれぞれが第１の端部と第２の端部とを有することと、フィン上に絶縁体を形成することと、フィンの第１の端部の上の絶縁体上に第１の電気導体を形成することであって、第１の電気導体が絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁されることと、フィンの第２の端部を露出するためにフィンの第２の端部から絶縁体を除去することと、フィンの第２の端部上に第２の電気導体を形成することを含み、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを絶縁体が有する、方法も開示される。
【００１０】
また、本明細書では、アンチヒューズ構造体を形成する方法であって、基板の上面上に複数の並行導電フィンをパターン形成することであって、フィンのそれぞれが、上面に平行な長さ寸法と、長さ寸法に垂直な高さ寸法と、長さ寸法および高さ寸法に垂直な幅寸法とを含む直角プリズム形状を有し、長さ寸法が高さ寸法より大きく、高さ寸法が幅寸法より大きく、幅寸法では基板の上面に接触し、フィンの長さ寸法では第１の端部と第２の端部とを有するようになることと、フィン上に絶縁体を形成することと、フィンの第１の端部の上の絶縁体上に第１の電気導体を形成することであって、第１の電気導体が絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁されることと、フィンの第２の端部を露出するためにフィンの第２の端部から絶縁体を除去することと、フィンの第２の端部上に第２の電気導体を形成することを含み、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを絶縁体が有する、方法も開示される。
【００１１】
本発明の諸実施形態は、図面に関連して以下の詳細な説明により、より適切に理解されるであろう。この図面は必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図２】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図３】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図４】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図５】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図６】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図７】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図８】本明細書の諸実施形態により完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図９】本明細書の諸実施形態により完成した集積回路構造体の概略断面図である。
【図１０】本明細書の諸実施形態により完成した集積回路構造体の概略断面図である。
【図１１】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図１２】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図１３】本明細書の諸実施形態により部分的に完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図１４】本明細書の諸実施形態により完成した集積回路構造体の概略斜視図である。
【図１５】本明細書の諸実施形態により完成した集積回路構造体の概略断面図である。
【図１６】本明細書の方法実施形態を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
添付図面に示され、以下の説明に詳述されている無制限的実施形態に関連して、本発明の諸実施形態ならびにその様々な特徴および有利な詳細について、より詳細に説明する。
【００１４】
上述の通り、アンチヒューズは、アレイの修理およびその他の不揮発性メモリの適用例のための貴重なデバイスである。現在の最新式のアンチヒューズは、典型的に、プログラミングされたときに絶縁破壊されるキャパシタ構造体である。本明細書ではフィン技術におけるアンチヒューズのための構造体を示しており、これは低いプログラミング電圧の場合の電界増加を利用するものである。この実施形態は、従来のフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）処理と互換性があり、サイズがコンパクトであり、低いプログラミング電圧を必要とする。
【００１５】
図１〜図１４に示されているように、いくつかのアンチヒューズ構造体が提供される。完成した構造体は図８および図９に示されている。第１の電気導体１４０は絶縁体１２０上に配置される。第１の電気導体１４０は絶縁体１２０によってフィン１０４の第１の端部１０８から電気的に絶縁される。第２の電気導体１８０は導電フィン１０４の第２の端部１０６に電気的に接続される。絶縁体１２０はフィン１０４の第１の端部１０８を覆っている。
【００１６】
フィン１０４のそれぞれは底面１１４と最上表面１１６との間に側面１１８を有し、絶縁体１２０はフィン１０４の第１の端部１０８の最上表面１１６および側面１１８を覆っている。第２の電気導体１８０はフィン１０４の第２の端部１０６の最上表面１１６および側面１１８に接続される。
【００１７】
さらに、第２の電気導体１８０および第１の電気導体１４０は異なる材料を含むことができる。たとえば、第１の電気導体１４０は付着させたポリシリコンにすることができ、第２の電気導体１８０はフィン１０４からエピタキシャル成長させた材料にすることができる。
【００１８】
図９に最も明確に示されているように、絶縁体１２０は、第２の電気導体１８０と第１の電気導体１４０との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィン１０４を介して第２の電気導体１８０と第１の電気導体１４０との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さを有する（十分に薄い）。たとえば、絶縁体１２０の厚さは、フィンの高さ寸法（Ｈ）の５％未満、３％未満、または１％未満にさえすることができる。
【００１９】
図１０に示されているように、絶縁体１２０のうち、フィン１０４の第１の端部１０８の角１２２に位置する部分は、絶縁体１２０の中で最も容易に絶縁破壊する部分である。フィンの角１２２の幾何学的形状により、加熱作用が集中し、絶縁体１２０の絶縁破壊が促進され、それにより、アンチヒューズを「飛ばす」のに必要な電圧の量が低減される。アンチヒューズを飛ばすのに必要な電圧の量を低減することにより、本明細書の諸実施形態は従来のアンチヒューズ構造体を上回る相当な利点を提供する。
【００２０】
図８および図９に示されている構造体は、任意の数の異なるプロセスにより製造することができ、そのプロセスの１つは図１〜図９に示されている。図１に示されているように、これらの構造体は、上面１０２を有する基板１００と、基板１００の上面１０２上に配置された複数の並行導電フィン１０４とを含む。フィン１０４のそれぞれは、基板１００の上面１０２に接続された底面１１４と、底面１１４の向かい側にある最上表面１１６とを有する。
【００２１】
フィン１０４のそれぞれは、上面１０２に平行な長さ寸法（Ｌ）と、長さ寸法（Ｌ）に垂直な高さ寸法（Ｈ）と、長さ寸法（Ｌ）および高さ寸法（Ｈ）に垂直な幅寸法（Ｗ）とを含む、直角プリズム形状を有する。長さ寸法（Ｌ）は高さ寸法（Ｈ）より大きく、高さ寸法（Ｈ）は幅寸法（Ｗ）より大きい。フィン１０４の長さ寸法（Ｌ）は第２の端部１０６と第１の端部１０８とを有する。
【００２２】
フィン１０４は、任意の数の従来の方法を使用して基板１００上に形成することができる。たとえば、フィン材料を付着させることができ、フィン材料の上にマスクを形成することができ、マスクに現像したパターンに応じてフィンをパターン形成することができる。同様に、側壁イメージ転写（ＳＩＴ：sidewall image transfer）処理を使用してフィン材料にパターン形成することができる。このようなプロセスは当業者にとって周知のものであり、本明細書では詳細に論じない（たとえば、基板上のフィンの形成に関する詳細については、米国特許第７２６５０１３号を参照されたい）。
【００２３】
フィン１０４は、金属、合金、ポリシリコンなどの導電材料から形成されるか、または導体になるように後で不純物がドープされる材料（シリコンなど）で形成される。たとえば、フィン１０４がドープなしシリコンから形成される場合、フィンが第２の端部１０６から第１の端部１０８まで完全に導電性になるように、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、および炭化シリコンなどの不純物をドープすることができる。
【００２４】
次に、図２に示されているように、フィン１０４のすべての露出面上に絶縁体１２０が形成される。絶縁体１２０は、任意の一般的な付着技法（塗布（spin on）処理、浸漬処理など）を使用してフィン１０４上に付着させるか、または（酸化物などとして）フィン１０４上で成長させることができる。たとえば、任意のゲート絶縁体形成プロセスを使用して、フィン１０４上に絶縁体１２０を形成することができる。
【００２５】
次に、図３に示されているように、絶縁体１２０が形成されると、フィン１０４の第２の端部１０６の上に任意の容易にパターン形成される有機フォトレジストなどのマスク１３０がパターン形成される。項目１３０は任意のタイプのマスクを表すことができ、このような項目は当業者にとって周知のものである。たとえば、有機フォトレジストを構造体の上に付着させ、特定の波長の光にさらし、次に現像して、マスク１３０の選択した部分を除去することができる。
【００２６】
マスク１３０が所定の位置にある状態で、図４に示されているように処理が進行し、フィン１０４の第１の端部１０８の上に配置された絶縁体１２０上に第１の導体１４０を付着させるかまたは形成する。この導体１４０は、前述の導体のいずれかを含むことができ、個々のフィン１０４のそれぞれの間およびその上に形成され残存するようにコンフォーマル（conformal）である。一例では、導体１４０はコンフォーマル・ポリシリコンを含むことができる。
【００２７】
第１の導体１４０が形成された後、図５に示されているように、マスク１３０が除去され、フィン１０４の第２の端部１０６上に配置された絶縁体１２０が露出された状態で残る。次に、図６に示されているように、化学薬品によるリンス・プロセス、エッチング・プロセスなどでフィン１０４の第２の端部１０６から絶縁体１２０が除去される。絶縁体１２０の除去プロセスは、絶縁体１２０の材料組成次第で様々になる。絶縁体１２０はフィン１０４の第１の端部１０８上に残存し、導電フィン１０４を第１の導体１４０から電気的に絶縁された状態に保持することに留意されたい。
【００２８】
図７に示されているように、次に第１の導体１４０に隣接して絶縁側壁１７０が形成される。絶縁側壁は第１の導体１４０のすべての表面上に形成されるが、図面内の混乱を低減するために図面には絶縁側壁１７０の一部分のみが示されていることに留意されたい。絶縁側壁を形成するためのプロセスは当業者にとって周知のものである。手短に言えば、側壁構造体を形成するときに、コンフォーマル材料が構造体の上に付着され、次に、垂直平面から材料を除去するより水平平面から材料を除去する方が速い選択的材料除去プロセスで除去され、それにより、垂直側面上に材料が残る。絶縁側壁１７０内に使用される絶縁材料は、酸化物、窒化物など、任意の従来から知られている絶縁体、または上述の絶縁体のいずれかを含むことができる。
【００２９】
図８では、第２の導体１８０が形成される。この導体は、任意の周知の導体（上述のものなど）を含むことができ、一実施形態では、フィン１０４の導電材料から追加の材料をエピタキシャル成長させることによって形成することができる。より具体的には、（適切な成長環境で）エピタキシャル成長プロセスを開始して、フィンの露出領域（第２の導体１４０または側壁スペーサ１６０によって保護されていないフィン１０４の第２の端部１０６）から第２の導体１８０を形成する。同じ構造体は、図９においてフィン１０４の１つの長さ方向（Ｌ）に沿った断面図で示されている。導電路は絶縁側壁スペーサ１６０および絶縁体１２０によってブロックされるので、図８および図９のいずれにおいても、第２の導体１８０と第１の導体１４０との間に導電路が存在しないことに留意されたい。上述の通り、図１０は、アンチヒューズがプログラミングされたかまたは飛んだ後のアンチヒューズ構造体を示しており、第２の導体１８０と第１の導体１４０との間に十分な電圧が印加されて絶縁体１２０を絶縁破壊し、それにより、第２の導体１８０と第１の導体１４０との間に導電路を形成できるようにしたものである。
【００３０】
上述の通り、いくつかの異なる処理ステップを使用して、本明細書で述べた最終構造体を達成することができる。このような代替プロセスの１つは、図１１〜図１４に示されている。より具体的には、図１１は、図６から構造体を取り、第１の導体１４０の上にマスク２００（上述のマスクのいずれかなど）を形成する。次に、図１２では、上述のプロセスのいずれかを使用して、第２の導体１８０が形成される。次に，図１３では、マスク２００が除去される。図１３に示されているように、マスク２００は、第２の導体１８０と第１の導体１４０との間にギャップを作るのに十分なほど第１の導体１４０に重なっている。次に、図１４に示されているように、より大きいコンフォーマル絶縁体２３０が構造体全体の上に付着している。図１５の断面図により明確に示されているように、コンフォーマル絶縁体２３０は第２の導体１８０と第１の導体１４０との電気接続を防止する。このヒューズは、図１０に示されているように、同様に飛ぶかまたはプログラミングされるであろう。
【００３１】
図１６に流れ図形式で示されているように、このようなアンチヒューズ構造体を形成する方法は、項目３００において基板上に複数の並行導電フィンをパターン形成することによって始まる。このプロセスは、基板の上面に平行な長さ寸法と、長さ寸法に垂直な高さ寸法と、長さ寸法および高さ寸法に垂直な幅寸法（Ｗ）とを含む直角プリズム形状（３次元の細長い立方体の形状）を有するようにフィンのそれぞれが形成されるように、上述のように制御される。直角プリズム形状は薄く細長く、したがって、長さ寸法は高さ寸法より大きく、高さ寸法は幅寸法（Ｗ）より大きい。幅寸法（Ｗ）は基板の上面に接触し、フィンの長さ寸法は第２の端部と第１の端部とを有する。
【００３２】
この方法は、項目３０２でフィン上に絶縁体を形成し、項目３０４でフィンの「第１の」端部の上の絶縁体上に導体（「第１の」電気導体）を形成する。第１の電気導体は、絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁される。次に、この方法は、項目３０６でフィンの第２の端部から絶縁体を除去して、フィンの第２の端部を露出する。項目３０８では、フィンの露出された「第２の」端部上に異なる電気導体（「第２の」電気導体）を形成する。
【００３３】
作成された構造体は、プログラミングされるかまたは飛ぶまで絶縁体であり、プログラミングされるかまたは飛んだ時点で永久導体になる、アンチヒューズである。したがって、第１の電気導体の下にある絶縁体は、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊するのに十分な厚さを有する。この十分な「所定の」電圧を印加したときに、絶縁体の絶縁破壊により、フィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続が形成される。
【００３４】
したがって、本明細書ではフィン技術におけるアンチヒューズのための構造体を示しており、これは低いプログラミング電圧の場合の電界増加を利用するものである。この実施形態は、従来のフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）処理と互換性があり、サイズがコンパクトであり、低いプログラミング電圧を必要とする。絶縁体のうち、フィンの第１の端部の角に位置する部分は、絶縁体の中で最も容易に絶縁破壊する部分である。フィンの角の幾何学的形状により、加熱作用が集中し、絶縁体の絶縁破壊が促進され、それにより、アンチヒューズを「飛ばす」のに必要な電圧の量が低減される。アンチヒューズを飛ばすのに必要な電圧の量を低減することにより、本明細書の諸実施形態は従来のアンチヒューズ構造体を上回る相当な利点を提供する。
【００３５】
結果として得られる集積回路チップは、製作者によって、生ウェハの形で（すなわち、複数のパッケージ化されていないチップを有する単一ウェハとして）、むき出しのダイとして、またはパッケージ化された形で配布することができる。後者の場合、チップは、単一チップ・パッケージ（マザーボードまたはその他の高レベル・キャリアにリード線が付着されたプラスチック・キャリアなど）またはマルチチップ・パッケージ（表面相互接続または埋め込み相互接続のいずれか一方または両方を有するセラミック・キャリアなど）に搭載される。いずれの場合も、チップはその後、（ａ）マザーボードなどの中間製品または（ｂ）最終製品のいずれかの一部として、その他のチップ、個別回路素子、あるいはその他の信号処理デバイス、またはこれらの組み合わせと集積化される。最終製品は、玩具およびその他の低価格の適用例から、ディスプレイ、キーボードまたはその他の入力装置、および中央処理装置を有する高性能のコンピュータ製品に及び、集積回路チップを含む任意の製品になる可能性がある。
【００３６】
以下の特許請求の範囲におけるすべての手段またはステップならびに機能要素に対応する構造体、材料、行為、および同等のものは、具体的に請求されたその他の請求要素と組み合わせて機能を果たすための任意の構造体、材料、または行為を含むためのものであることを理解されたい。さらに、本発明の上記の説明は、例示および解説のために提示されたものであるが、網羅するためまたは開示された形式に本発明を限定するためのものではないことを理解されたい。多くの変更および変形は、本発明の範囲および思想を逸脱せずに、当業者にとって明白なものになる。諸実施形態は、本発明の原理および実用的な適用例を最も良く説明するため、ならびにその他の当業者が企図された特定の用途に適した様々な変更を含む様々な実施形態について本発明を理解できるようにするために、選択され記載されたものである。本発明の諸実施形態を不必要に曖昧にしないために、上記の説明では周知の構成要素および処理技法は省略されている。
【００３７】
最後に、上記の説明で使用される用語は、特定の実施形態のみを説明するためのものであって、本発明を制限するためのものではないことも理解されたい。たとえば、本明細書で使用する単数形「a」、「an」、および「the」は、文脈が明確に他のことを指示しない限り、複数形も含むためのものである。さらに、本明細書で使用する「comprises」、「comprising」、あるいは「incorporating」という用語、またはこれらの組み合わせは、本明細書で使用される場合、所定の特徴、整数、ステップ、動作、要素、あるいは構成要素、またはこれらの組み合わせの存在を指定するものであるが、１つまたは複数のその他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、あるいはそのグループ、またはこれらの組み合わせの存在または追加を排除するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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