(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、該研磨パッドに研磨液を供給する研磨液供給手段とを具備する研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
硬質基板の表面に複数の溝が形成されたドレッシングボードをチャックテーブル上に表面を上側にして保持するドレッシングボード保持工程と、
チャックテーブルを回転し研磨パッドを回転するとともに研磨パッドに研磨液を供給しつつ研磨パッドによってドレッシングボードの表面を研磨するドレッシング工程と、を含む、
ことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。
【請求項２】
該ドレッシングボードを構成する硬質基板の表面に形成された複数の溝は、格子状に形成されている、請求項１記載の研磨パッドのドレッシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研磨する研磨パッドのドレッシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。このように複数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削ホイールを、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成され、これによって個々に分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
【０００３】
上述した問題を解消するために、研削された半導体ウエーハの裏面を研磨して上記研削歪を除去する研磨装置が下記特許文献１に開示されている。下記特許文献１に開示された研磨装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを有する研磨手段とを具備し、研磨パッドに研磨液を供給しながら研磨パッドを回転しつつ被加工物に押圧することにより、被加工物の被加工面を研磨する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−９９２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した研磨装置においては、研磨パッドを新たな研磨パッドに交換した際には、研磨能力が不安定となりウエーハの厚み制御が困難となるため、ダミーウエーハを研磨してドレッシングを行い、研磨パッドにおける研磨能力の安定を図っている。しかるに、交換した研磨パッドの研磨能力を安定させるにはダミーウエーハを１時間程度研磨してドレッシングする必要があるため、生産性が悪いという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、短時間で研磨パッドの研磨能力を安定化することができる研磨パッドのドレッシング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、該研磨パッドに研磨液を供給する研磨液供給手段とを具備する研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
硬質基板の表面に複数の溝が形成されたドレッシングボードをチャックテーブル上に表面を上側にして保持するドレッシングボード保持工程と、
チャックテーブルを回転し研磨パッドを回転するとともに研磨パッドに研磨液を供給しつつ研磨パッドによってドレッシングボード表面を研磨するドレッシング工程と、を含む、
ことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法が提供される。
【０００８】
上記ドレッシングボードを構成する硬質基板の表面に形成された複数の溝は、格子状に形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による研磨パッドのドレッシング方法においては、研磨パッドをドレッシングするドレッシングボードを構成する硬質基板の表面には複数の溝が形成されているので、研磨液が複数の溝を通して研磨パッドの研磨面に満遍なく供給されるとともに、複数の溝による凹凸が研磨パッドの研磨面を適度に荒らすことにより、効果的にドレッシングが行われる。従って、短時間で研磨パッドの研磨能力を安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明によって構成された研磨装置の一実施形態を示す斜視図。
【図２】図１に示す研磨装置に装備される研磨ユニットを構成する研磨工具を示す斜視図。
【図３】図２に示す研磨工具その下面側から見た状態を示す斜視図。
【図４】図１に示す研磨装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視図。
【図５】本発明による研磨パッドのドレッシング方法に用いるドレッシングボードの斜視図。
【図６】本発明による研磨パッドのドレッシング方法におけるドレッシング工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明による研磨パッドのドレッシング方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
【００１２】
図１には本発明による研磨パッドのドレッシング方法を実施するための研磨装置の斜視図が示されている。
研磨装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ上下方向に配設された直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研磨手段としての研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。
【００１３】
研磨ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニット３２が取り付けられる。
【００１４】
スピンドルユニット３２は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ３２３とを具備している。回転スピンドル３２２の下端部はスピンドルハウジング３２１の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材３２４が設けられている。なお、工具装着部材３２４には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔（図示していない）が形成されている。この工具装着部材３２４の下面に研磨工具３２５が装着される。研磨工具３２５は、図２および図３に図示すように円形状の支持基台３２６と円形状の研磨パッド３２７とから構成されている。支持基台３２６はアルミ合金によって形成されており、図２に示すように中心部には内径が１０mm程度の研磨液が通る穴３２６ａが形成されている。また、支持基台３２６には、周方向に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数の盲ねじ穴３２６bが形成されている。支持基台３２６の下面は円形状の支持面を構成しており、研磨パッド３２７が両面接着テープによって装着されている。
【００１５】
上記支持基台３２６の下面に装着される研磨パッド３２７は、フェルトをウレタンで固めて直径が４５０mmの円形状に形成されており、図３に示すように中心部には内径が１０mm程度の研磨液が通る穴３２７ａが形成されている。また、研磨パッド３２７の下面（研磨面）には格子状に形成された複数の溝３２７bが設けられている。この複数の溝３２７bは、図示の実施形態においては幅が４mm、深さが３mmで１８mmの間隔で形成されている。このように構成された研磨工具３２５は、上記回転スピンドル３２２の下端に固定されている工具装着部材３２４の下面に位置付け、工具装着部材３２４に形成されている貫通孔を通して研磨工具３２５の支持基台３２６に形成されている盲ねじ孔３２６bに締結ボルト３２８（図１参照）を螺着することによって、工具装着部材３２４に装着される。なお、このようにして工具装着部材３２４に装着された研磨工具３２５の研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａは、支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して図１に示すように回転スピンドル３２２に形成された研磨液供給通路３２２ａに連通されている。従って、図示しない研磨液供給手段が作動すると、研磨液供給通路３２２ａおよび支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａにコロイダルシリカ等の研磨砥粒が混入された研磨液が供給される。
【００１６】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記研磨ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向）に移動せしめる研磨送り手段４を備えている。この研磨送り手段４は、直立壁２２の前側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド４１を具備している。この雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が螺合せしめられている。従って、パルスモータ４４が正転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ４４が逆転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。
【００１７】
図１および図４を参照して説明を続けると、ハウジング２の主部２１にはチャックテーブル機構５が配設されている。チャックテーブル機構５は、支持基台５１と該支持基台５１に配設されたチャックテーブル５２とを含んでいる。支持基台５１は、上記ハウジング２の主部２１上に前後方向（直立壁２２の前面に垂直な方向）である矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に延在する一対の案内レール２３、２３上に摺動自在に載置されており、後述するチャックテーブル機構移動手段５６によって図１に示す被加工物搬入・搬出域２４（図４において実線で示す位置）と上記スピンドルユニット３２を構成する研磨工具３２５の研磨パッド３２７と対向する研磨域２５（図４において２点鎖線で示す位置）との間で移動せしめられる。
【００１８】
上記チャックテーブル５２は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル５２を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、上面である保持面上に載置された被加工物を吸引保持する。なお、チャックテーブル５２は、図示の実施形態においては直径が３００mmのウエーハを保持する大きさに構成されている。また、チャックテーブル５２は、上記支持基台５１に回転可能に支持されている。このチャックテーブル５２は、その下端に装着された回転軸（図示せず）に連結された回転駆動手段としてのサーボモータ５３によって回転せしめられる。なお、図示のチャックテーブル機構５はチャックテーブル５２を挿通する穴を有し上記支持基台５１等を覆うカバー部材５４を備えており、このカバー部材５４は支持基台５１とともに移動可能に構成されている。
【００１９】
図４を参照して説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記チャックテーブル機構５を一対の案内レール２３に沿ってチャックテーブル５２の上面である保持面と平行に矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に移動せしめるチャックテーブル機構移動手段５６を具備している。チャックテーブル機構移動手段５６は、一対の案内レール２３間に配設され案内レール２３と平行に延びる雄ねじロッド５６１と、該雄ねじロッド５６１を回転駆動するサーボモータ５６２を具備している。雄ねじロッド５６１は、上記支持基台５１に設けられたねじ穴５１１と螺合して、その先端部が一対の案内レール２３、２３を連結して取り付けられた軸受部材５６３によって回転自在に支持されている。サーボモータ５６２は、その駆動軸が雄ねじロッド５６１の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ５６２が正転すると移動基台５３即ちチャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に移動し、サーボモータ５６２が逆転すると支持基台５１即ちチャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめられる。矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構５は、図４において実線で示す被加工物搬入・搬出域と２点鎖線で示す研磨域に選択的に位置付けられる。
【００２０】
図１に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構５を構成する支持基台５１の移動方向両側には、図１に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール２３、２３や雄ねじロッド５６１およびサーボモータ５６２等を覆っている蛇腹手段６および７が付設されている。蛇腹手段６および７はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段６の前端はハウジング２を構成する主部２１の後半部の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構５の支持基台５１の前端面に固定されている。蛇腹手段７の前端はチャックテーブル機構５の支持基台５１の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。チャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段６が伸張されて蛇腹手段７が収縮され、チャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段６が収縮されて蛇腹手段７が伸張せしめられる。
【００２１】
図１に基づいて説明を続けると、装置ハウジング２の主部２１における前半部上には、第１のカセット１１と、第２のカセット１２と、被加工物仮載置手段１３と、洗浄手段１４と、被加工物搬送手段１５と、被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７が配設されている。第１のカセット１１は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬入域に載置される。第１のカセット１１に収容される被加工物は、例えば半導体ウエーハWであり表面に保護テープTを貼着した状態で裏面を上にして収容される。第２のカセット１２は装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の半導体ウエーハWを収納する。被加工物仮載置手段１３は第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出域２４との間に配設され、研磨加工前の半導体ウエーハWを仮載置する。洗浄手段１４は被加工物搬入・搬出域２４と第２のカセット１２との間に配設され、研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄する。被加工物搬送手段１５第１のカセット１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカセット１１内に収納された半導体ウエーハWを被加工物仮載置手段１３に搬出するとともに洗浄手段１４で洗浄された半導体ウエーハWを第２のカセット１２に搬送する。被加工物搬入手段１６は被加工物仮載置手段１３と被加工物搬入・搬出域２４との間に配設され、被加工物仮載置手段１３上に載置された研磨加工前の半導体ウエーハWを被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられたチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に搬送する。被加工物搬出手段１７は被加工物搬入・搬出域２４と洗浄手段１４との間に配設され、被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられたチャックテーブル５２上に載置されている研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄手段１４に搬送する。また、図示の実施形態における研磨装置は、装置ハウジング２の主部２１における中央部に上記チャックテーブル５２の保持面を洗浄する洗浄水噴射ノズル１８を備えている。この洗浄水噴射ノズル１８は、チャックテーブル機構５が被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられた状態において、チャックテーブル５２に向けて洗浄水を噴出する。
【００２２】
被加工物としての半導体ウエーハWを収容した第１のカセット１１は、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容されていた研磨加工前の半導体ウエーハWが全て搬出されると、空のカセット１１に代えて複数個の半導体ウエーハWを収容した新しいカセット１１が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬出域に載置された第２のカセット１２に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハWが搬入されると、第２のカセット１２が手動で搬出され、新しい空の第２のカセット１２が載置される。
【００２３】
図示の実施形態における研磨装置は以上のように構成されており、上記研磨工具３２５の研磨パッド３２７が交換されたものとする。新たに交換された研磨パッドは、上述したように研磨能力が不安定であるためにドレッシングを行い、研磨パッドの研磨能力を安定させる必要がある。以下、研磨パッドのドレッシング方法について説明する。
【００２４】
図５には、研磨パッドのドレッシングに用いるドレッシングボードが示されている。図５に示すドレッシングボード１０は、直径が３００mm、厚さが５mmの円形状の硬質基板１００からなっている。この硬質基板１００は、シリコン、セラミックス、ガラス板によって形成することができる。硬質基板１００の表面には、格子状に複数の溝１０１が形成されている。この複数の溝１０１は、幅が０．５〜１mm、深さが０．５〜１mmで、５mm間隔で形成されている。
【００２５】
上述したドレッシングボード１０を用いて上記研磨パッド３２７をドレッシングするには、ドレッシングボード１０を図１において被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられているチャックテーブル５２の保持面に載置する。このとき、ドレッシングボード１０は、硬質基板１００の表面（格子状の溝１０１が形成されている面）を上側にして載置する。チャックテーブル５２上にドレッシングボード１０が載置されたならば、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル５２上にドレッシングボード１０を吸引保持する（ドレッシングボード保持工程）。
【００２６】
上述したドレッシングボード保持工程を実施したならば、チャックテーブル機構移動手段５６を作動してチャックテーブル機構５を矢印２３ａで示す方向に移動し、チャックテーブル５２を研磨域２５に位置付ける。このようにしてチャックテーブル５２が研磨域２５に位置付けられると、図６に示すように研磨パッド３２７をドレッシングボード１０の表面に覆いかぶさるように位置付けてチャックテーブル５２を矢印５２aで示す方向に例えば５０５rpmの回転速度で回転する。また、図示しない研磨液供給手段を作動し、回転スピンドル３２２に形成された研磨液供給通路３２２ａおよび支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａにコロイダルシリカ等の研磨砥粒が混入された研磨液を１分間に５００ミリリットル（５００ミリリットル／分）の流量で供給しつつ上記サーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を矢印３２５aで示す方向に例えば５００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨送り手段４のパルスモータ４４を正転駆動して研磨ユニット３を下降即ち前進せしめ、研磨パッド３２７をチャックテーブル５２に保持されたドレッシングボード１０を２５kPaの圧力で押圧する。この結果、研磨パッド３２７の研磨面がドレッシングボード１０の表面を研磨することによってドレッシングされる（ドレッシング工程）。このとき、ドレッシングボード１０を構成する硬質基板１００の表面には格子状の溝１０１が形成されているので、研磨液が格子状の溝１０１を通して研磨パッド３２７の研磨面に満遍なく供給されるとともに、格子状の溝１０１による凹凸が研磨パッド３２７の研磨面を適度に荒らすことにより、効果的にドレッシングが行われる。本発明者等の実験によると、上記ドレッシングを１０分間実施することにより、研磨パッド３２７の研磨能力を安定させることができた。
【００２７】
上記のようにして、ドレッシング作業が終了したら、図示しない研磨液供給手段による研磨駅の供給を停止し、研磨送り手段４のパルスモータ４４を逆転駆動してスピンドルユニット３２を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具３２５の回転を停止し、更に、チャックテーブル５２の回転を停止する。次に、チャックテーブル５２を被加工物搬入・搬出域２４に移動する。そして、チャックテーブル５２上に保持されているドレッシングボード１０の吸引保持を解除し、チャックテーブル５２からドレッシングボード１０を取り出す。
【００２８】
次に、上述したようにドレッシングされた研磨パッド３２７によって実施する研磨作業について、主に図１を参照して簡単に説明する。
第１のカセット１１に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハWは被加工物搬送手段１５の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段１３に載置される。被加工物仮載置手段１３に載置された半導体ウエーハWは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段１６の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域２４に位置せしめられているチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に載置される。チャックテーブル５２上に載置された被加工物としての半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル５２上に吸引保持される。
【００２９】
チャックテーブル５２上に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、チャックテーブル機構移動手段５６を作動してチャックテーブル機構５を矢印２３ａで示す方向に移動し、上記図６に示すドレッシング時と同様に研磨パッド３２７が半導体ウエーハＷを覆いかぶさるように研磨域２４に位置付ける。半導体ウエーハを保持したチャックテーブル５２が研磨域２５に位置付けられたならば、図示しない研磨液供給手段を作動し、回転スピンドル３２２に形成された研磨液供給通路３２２ａおよび支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａに上記ドレッシング時と同様にコロイダルシリカ等の研磨砥粒が混入された研磨液を５００ミリリットル／分の流量で供給する。そして、半導体ウエーハＷを保持したチャックテーブル５２を上記ドレッシング時と同様に所定方向に例えば５０５ｒｐｍで回転し、上記サーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を上記ドレッシング時と同様に所定方向に例えば５００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨送り手段４のパルスモータ４４を正転駆動して研磨ユニット３を下降即ち前進せしめ、研磨工具３２５の研磨パッド３２７をチャックテーブル５２上の半導体ウエーハＷの裏面（上面）に２５kPaの圧力で押圧する。このようにして研磨作業を実行することにより、半導体ウエーハＷの裏面が所定量研磨され、残留加工歪が除去される（研磨工程）。この研磨工程においては、研磨工具３２５の研磨パッド３２７が上述したようにドレッシングされ研磨能力が安定しているので、半導体ウエーハＷの厚み制御が容易となる。
【００３０】
上記のようにして、研磨作業が終了したら、研磨送り手段４のパルスモータ４４を逆転駆動してスピンドルユニット３２を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具３２５の回転を停止し、更に、チャックテーブル５２の回転を停止する。次に、チャックテーブル機構５は、矢印２３ｂで示す方向に移動されて被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられる。チャックテーブル機構５が被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられたならば、チャックテーブル５２上の研磨加工された半導体ウエーハの吸引保持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハWは被加工物搬出手段１７により搬出されて洗浄手段１４に搬送される。洗浄手段１４に搬送された半導体ウエーハWは、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段１５よって第２のカセット１２の所定位置に収納される。
【符号の説明】
【００３１】
２：装置ハウジング
３：研磨ユニット
３１：移動基台
３２：スピンドルユニット
３２１：スピンドルハウジング
３２２：回転スピンドル
３２３：サーボモータ
３２４：工具装着部材
３２５：研磨工具
３２６：支持部材
３２７：研磨パッド
４：研磨ユニット送り機構
４４：パルスモータ
５：チャックテーブル機構
５１：支持基台
５２：チャックテーブル
５６：チャックテーブル移動機構
１０：ドレッシングボード
１００：硬質基板
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：被加工物仮載置手段
１４：洗浄手段
１５：被加工物搬送手段
１６：被加工物搬入手段
１７：被加工物搬出手段
１８：洗浄水噴射ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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