(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアルキレンポリアミンとＣ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸との重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有することを特徴とするガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項２】
上記ジカルボン酸が、コハク酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，１０−デカンジカルボン酸、１，１−ジメチル−１，３−プロパンジカルボン酸、１−メチル−１−エチル−１，３−プロパンジカルボン酸、テレフタル酸及びイソフタル酸から選ばれた少なくとも一つであり、かつ、上記ポリアルキレンポリアミンが、ジエチレントリアミン及びトリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジプロピレントリアミン、トリプロピレンテトラミン、ジイソプロピレントリアミン、ジブチレントリアミン、ジイソブチレントリアミンから選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載のガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項３】
上記アルキレンオキシドがエチレンオキシド、プロピレンオキシド及びブチレンオキシドから選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項４】
上記組成物がカルボン酸基、カルボン酸塩基及び／又はカルボン酸アミド化合物基を有する水溶性ポリマーを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項５】
上記組成物が界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項６】
上記組成物が、アルカリエッチング剤及び／又は、アミン類を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項７】
上記組成物が、砥粒及び冷却剤を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。
【請求項８】
ガラス材料の表面に、請求項７に記載のガラスポリッシング加工用組成物を含浸した布材を所定時間押しつけて、ポリッシング加工を行うことを特徴とするガラスポリッシング加工方法。
【請求項９】
上記組成物がアルカリ性物質を含有する場合には、上記ジカルボン酸と上記ポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する組成物を得た後可及的速やかに、上記ポリッシング加工を行うことを特徴とする請求項８に記載のガラスポリッシング加工方法。
【請求項１０】
上記ガラス材料がガラス製磁気ディスク用基板であることを特徴とする請求項８又は９に記載のガラスポリッシング加工方法。
【請求項１１】
上記組成物中の砥粒がダイヤモンド砥粒であることを特徴とする請求項１０に記載のガラスポリッシング加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスポリッシング加工用組成物に関する。特に、ガラス基板の研削性を向上し、基板表面上のスクラッチや微小付着物を低減した、ポリッシング加工用組成物に関し、さらに磁気ディスク用のガラス基板等のポリッシングに適する加工用組成物の提供に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスポリッシング加工用には、これまで、砥粒と水、界面活性剤、溶剤、アミン類、アルカリ等の添加剤を配合した研磨液スラリーを用いて基板表面を研磨し、平坦化する技術が種々提案されてきた。
【０００３】
中でも、ガラス基板の需要の大きく重要な用途である、磁気ディスク装置に使用されているメモリーハードディスクは、近年、大容量化、高密度化の方向にあり、磁気媒体は従来の塗布型媒体からメッキ法、さらに、スパッタリング法による薄膜媒体へと移行している。そして、高密度化に伴いメモリーハードディスクと磁気ヘッドとの間隔、すなわち、ヘッド浮上高はますます小さくなってきており、最近では０．０１μm以下になっている。
このメモリーハードディスクにおいては、非磁性基板上に設けられた磁性層の磁気異方性制御や記録再生ヘッドの貼りつき（吸着）防止を目的として、テキスチャリング加工と呼ばれる微細な凹凸を付与する表面加工が行われることも多い。さらに、ヘッド浮上高が著しく小さいために、ディスクに突起があるとヘッドクラッシュを招き、ディスク表面の磁性媒体や磁気ヘッドを損傷させることがある。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小の突起でも、突起部の磁気特性の乱れによって、情報の読み書きの際に種々のエラー原因になりやすい。また、深い溝の存在は、ヘッドディスク間の距離を広げ、信号出力が弱まりエラー原因となる。従って、磁性媒体を形成する前のメモリーハードディスク基板研削工程等での大きな凹凸の発生を防ぐことが重視されているのが近年の傾向である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１０５１６８
【特許文献２】特表２００５−５１５６４６
【０００５】
（特開２００８−１０５１６８）
この特許文献では、溶融冷却、熱処理、酸処理及び分離抽出を含む、特定の製造方法で得られた、特定組成の酸化セリウム砥粒を含有するスラリーを用いた、ガラス製ハードディスク基板主表面の高精度研磨方法が提案されている。また、研磨に際して、スラリーが含有するアミノ基を含む水溶性高分子として、ポリアミドアミン、ポリエーテルアミン及び脂肪族ポリアミンの使用も提案されている。しかし、その使用の目的は、研磨時の段差選択性の付与などとされているだけで、使用による効果は、具体的に明記されてはいない。むしろ、砥粒の如何を問わない高精度研磨が、求められている。
【０００６】
（特表２００５−５１５６４６）
この特許文献では、研磨材と、ポリアミノアミドのようなアミン含有ポリマーとを配合した、半導体材料の化学的−機械的ポリッシング（ＣＭＰ）システムが提案されている。しかし、この発明が、配合するアミン含有ポリマーに期待し、意図しているのは、基板層の除去を遅くするが金属層の除去には影響しない、選択的な研磨を可能にする、停止化合物の作用であり、その効果は、特定のポリアミノアミドについては達成が確認されている。ところが、このシステムを、金属層を有していないガラス基板のポリッシング加工に適用したとき、どのような研磨効果を奏するものか明示されてはいない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ガラスポリッシング加工においては、表面の研磨速度を高めること、キズやスクラッチを低減すること、表面粗さを小さくし基板表面を平坦化すること、基板表面の付着物を低減することができる、ポリッシング用組成物が求められていた。
さらに、前述したメモリーハードディスクにおいては、最近、より一層の大容量化、高密度化の必要性に迫られており、ヘッド浮上高がさらに低くなることによって、従来では問題とならない程度のスクラッチや微小付着物（研削クズ）による、収率低下や信号欠落も問題となってきた。従来の組成物ではスクラッチを少なくし、研削速度も大きくすることはできないので、磁気記録媒体として必要な評価を保持しながら、スクラッチが少なく且つ研削速度も大きいバランスの取れた、ポリッシング用組成物が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、このような課題解決を目的とし、ガラスポリッシング用組成物を検討したところ、ポリアルキレンポリアミンとＣ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸との重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する組成物を使用することによって、スクラッチが少なく且つ研削速度も大きいバランスの取れたポリッシング加工用組成物が得られることがわかった。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の効果は、詳細は後述するとおりであるが、主として次の点にある：
１）ガラス基板の研削性向上：  研削性を高め表面粗さを低くし、電磁変換特性を向上させる。
２）スクラッチの低減：  ハードディスク表面上のスクラッチ（傷）を減らし、収率を向上させる。
３）研削クズ（微小付着物）除去性の向上：  ハードディスク表面上の研削クズ付着量を減らし、収率を向上させる。
【００１０】
ハードディスク特性の向上
ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する研磨用組成物は、平滑で表面粗さが小さく、スクラッチや付着物の少ない、良好なハードディスク用ガラス基板を製造できる（後記表−１〜１２参照）。  その作用メカニズムは明らかでは無いが、次のように推定する。ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物のアミド基及びアミノ基が研磨時にガラス基板表面に吸着することにより、ガラス表面が軟化され、研磨が促進される（金属研磨のレビンダー効果のような作用と推定）。
また表面に吸着膜を形成することで、適度な潤滑性が得られ、スクラッチが減少する。更に、吸着膜は研削屑や砥粒の基板表面への付着を抑制する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に記述する。
【００１２】
Ａ．ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物
本発明のハードディスク用ポリッシング加工用組成物は、後記するように、実用的には、種々の成分を含む組成物であるが、本発明の目的を達成するために、最も重要な成分は、（ａ）ポリアルキレンポリアミンと、（ｂ）Ｃ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸との重縮合物の、（ｃ）Ｃ２〜８のアルキレンオキシド付加物であって、
下記の繰り返し単位：
［ＮＲ１−（Ｒ４−ＮＲ２）ｎ−Ｒ５−ＮＲ３−ＣＯ−Ｒ６−ＣＯ］
（式中、Ｒ１及びＲ３は、水素原子又はＣ１〜Ｃ８の低級アルキル基であり、Ｒ４及びＲ５は、アルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子又は次式
−（ＲＯ）ｍＨ
（但し、Ｒは、Ｃ２〜８のアルキレン基であり、ｍは、１〜３０の整数である）で示される基であり、ｎ個のＲ２のうち少なくとも１個は式−（ＲＯ）ｍＨで示される基であり、ｎは、１〜３０の整数であり、Ｒ６は、Ｃ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレン基である。）
を有する高分子化合物（Ａ）である。高分子化合物の構成モル比は、好ましくは（ａ）：（ｂ）＝１：０．５〜１．５。より好ましくは、（ａ）：（ｂ）＝１：０．９〜１．１である。特に好ましくは、（ａ）：（ｂ）＝１：０．９５〜１．０５である。また、該高分子化合物において、ポリアルキレンポリアミン鎖の中間にある窒素原子１個あたりの、アルキレンオキシド（ＲＯ）の平均付加モル数は、０．１〜３０、好ましくは、０．２〜２０、より好ましくは、０．５〜２０である。
【００１３】
（ａ）ポリアルキレンポリアミンは、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジイソプロピレントリアミン、ジブチレントリアミン、ジイソブチレントリアミン等のジアルキレントリアミン類、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン等のアミノ基が３個以上のポリアルキレンポリアミン類からなる群より選ばれる少なくとも１種類の化合物である。この中で、特にジエチレントリアミン及びトリエチレンテトラミンが好ましい。ポリアルキレンポリアミン鎖中のアルキレン基Ｒ４、Ｒ５がＣ５以上の場合、水への溶解性が低くなり、不均一な溶液となって研削性能が十分発揮されないので、好ましくない。
【００１４】
（ｂ）Ｃ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸は、コハク酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、セバシン酸、アゼライン酸、１，１０−デカンジカルボン酸、１，１−ジメチル−１，３−プロパンジカルボン酸、１−メチル−１−エチル−１，３−プロパンジカルボン酸等のアルキレンジカルボン酸類、テレフタル酸、イソフタル酸等のアリーレンジカルボン酸類からなる群より選ばれる、少なくとも１種類の化合物である。この中で、特にアジピン酸の使用が望ましい。C１２超のジカルボン酸の使用は、水への溶解性が低くなり、不均一な溶液となって研削性能が十分発揮されないので、好ましくない。
【００１５】
（ｃ）Ｃ２〜８のアルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、スチレンオキシド等が挙げられ、これらの１種または２種以上を用いてよい。２種以上を付加させる場合は、得られる化合物はランダム状、ブロック状でも良い。好ましくはＣ２〜４のアルキレンオキシドであり、より好ましくはエチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドである。
【００１６】
高分子化合物（Ａ）は、公知の方法を用いて製造することができる。
好ましくは、分子設計が容易なため、（ａ）ポリアルキレンポリアミンに、（ｂ）Ｃ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸を反応させたポリアルキレンポリアミドに（ｃ）Ｃ２〜８のアルキレンオキシドを付加させる方法により製造を行う。
【００１７】
具体的には、高分子化合物（Ａ）は、まず（ａ）ポリアルキレンポリアミンに、（ｂ）Ｃ２〜Ｃ１２のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸を反応させ、ポリアルキレンポリアミドを製造する工程を経る。本工程は公知の方法により行うことができ、とくに重合開始剤等を用いなくとも、脱水重縮合することにより行うことができる。重縮合の方法については、塊状でも溶液中でも良い。溶液中での重縮合はｎ−ヘキサン、２−エチルヘキサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を用いることができるが、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を用いることが好ましい。
次に、得られたポリアルキレンポリアミドに（ｃ）Ｃ２〜８のアルキレンオキシドを付加させる。この付加工程は公知の方法により行うことができ、とくに触媒等を用いなくとも行うことができるが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物等のアルカリ触媒を用いることによっても反応させることができる。また、アルキレンオキシドの付加モル数（ｍ）が２モル以上の場合には、触媒の使用が好ましく、特にアルカリ触媒を用いるのが好ましい。
また、（ａ）と（ｂ）を反応させて得られたポリアルキレンポリアミドに（ｃ）のアルキレンオキシドを付加させる前に、（ａ）と（ｂ）のポリアルキレンポリアミドを水に溶解させておくことが好ましい。これは（ａ）と（ｂ）のポリアルキレンポリアミドが高粘度になることから、あらかじめ水に溶解させポリアルキレンポリアミド水溶液として粘度を低減させておき、次工程のポリアルキレンポリアミドのアミノ残基にアルキレンオキシドを付加しやすくさせるためである。水の量は特に限定しないが、ポリアルキレンポリアミドに対して５０〜５００重量％であると、粘度を低減させることができ好ましい。また水に溶解させる場合は、アルキレンオキシドの付加反応温度は４０〜８０℃が好ましい。
【００１８】
ジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物自体は、ガラスポリッシング加工用組成物に配合しても、基板表面の、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数における、研磨状態の改善は全く認められず、かつ、得られた基板表面に形成された記録媒体においても、ＳＮＲ、グライド収率、エラー収率、ミッシングカウントのいずれの点においても、改善は全く認められない。本発明の顕著な効果は、該重縮合物のアルキレンオキシド付加物によって、初めて達成されるものである。
本発明における、ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物の配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物の全重量１００重量部に対して１〜１０重量部、好ましく１〜８重量部であり、特に好ましくは２〜６重量部である。この範囲未満ではスクラッチ及び微小付着物除去能が不十分であり、超過すると配合安定性が不安定（他の成分が析出するケースがあり）となるので、好ましくない。
また、このジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物の分子量は、本発明の顕著な効果を奏する点では、５００〜２０００００の範囲内にあることが好ましく、１０００〜１０００００の範囲内にあることがより好ましい。
【００１９】
ポリッシング加工用組成物の具体的組成
本発明のハードディスク用ポリッシング加工用組成物は、実用上、さらに、アルカリエッチング剤、アミン類、界面活性剤、アクリル酸系水溶性ポリマーを含むものが好ましく、具体的には、ガラスポリッシング加工用組成物の全重量１００重量部に対して、次の組成を有するものが挙げられる。
Ａ．ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物の
アルキレンオキシド付加物：  １〜１０重量部
Ｂ．アルカリエッチング剤：  ０〜３０重量部
アミン類：  １〜３０重量部
Ｃ．界面活性剤：  ０．０１〜３０重量部
Ｄ．アクリル酸系水溶性ポリマー：  ０〜１０重量部
Ｅ．水：  ２０〜９７重量部
好ましくは、
Ａ．ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物の
アルキレンオキシド付加物：  １〜８重量部
Ｂ．アルカリエッチング剤：  ２〜２０重量部
アミン類：  ２〜２０重量部
Ｃ．界面活性剤：  ０．０５〜２０重量部
Ｄ．アクリル酸系水溶性ポリマー：  ０．２〜５重量部
Ｅ．水：  ２９〜９３重量部
【００２０】
Ｂ．アルカリエッチング剤、アミン類
本発明組成物には、研磨速度、表面粗さを改善する目的で、アルカリエッチング剤又はアミン類を配合するのが好ましい。
本発明において、アルカリエッチング剤としては、アンモニア、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩、第４級アンモニウム化合物から選ばれる、少なくとも１種の化合物であり、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリベンジルメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、トリブチルシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ジメチルビス（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド）、トリヒドロキシエチルモノメチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシエチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシエチルモノエチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシプロピルジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシプロピルモノメチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシプロピルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシプロピルモノエチルアンモニウムヒドロキシド等が選ばれる。好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシエチルモノメチルアンモニウムヒドロキシドである。
また、アミン類としては、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンから選ばれる、少なくとも１種の化合物であり、具体的には、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、ピペラジン、アミノエチルピペラジン等が挙げられる。好ましくは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアミン類である。
【００２１】
アルカリエッチング剤又はアミン類の配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物１００重量部に対して、アルカリエッチング剤０〜３０重量部、好ましくは２〜２０重量部であり、この範囲未満では研磨速度が不十分であり、超過すると配合安定性が不安定となるので、好ましくない。一方、アミン類の配合量は、1〜３０重量部であることが好ましく、特に好ましくは２〜２０重量部である。１重量部未満では、ガラス材料の研磨速度や表面粗さが十分でなく、３０重量部超過では、表面状態が悪化し表面粗さやスクラッチ、付着物が十分でない。
しかして、Ｂ成分のうち、上記アルカリエッチング剤は、いずれも強アルカリ性の化合物であって、これを、Ａ成分であるカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物と長期間接触させておくと、Ａ成分中のアミド基が加水分解を起こす危険性がある。そこで、この危険性を回避するには、Ａ成分とアルカリエッチング剤とは、それぞれ、必要に応じ他の成分を配合し、別液としたいわゆる２液型の製品とし、使用直前に両者を混合するのがよい。
【００２２】
Ｃ．界面活性剤
ハードディスクの表面に研削物が残存すると、完成製品の記録性に悪影響を及ぼすため、研削物の洗浄除去には非イオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤等の界面活性能を有する化合物の使用が重要である。なかでも、両性界面活性剤又はアニオン界面活性剤の使用が好ましい。具体的には、両性界面活性剤としては、アルキルベタイン型活性剤、アミドプロピルベタイン型界面活性剤およびイミダゾリニウムベタイン型界面活性剤等が使用できる。特に２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン、ヤシ油アルキルアミノプロピオン酸ナトリウム、ラウリルアミノジプロピオン酸ナトリウム等の両性界面活性剤の使用が好ましい。またアニオン界面活性剤としては、アルキル硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、α−オレフィンスルホン酸塩、アルキルスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、タウリン系界面活性剤、ザルコシネート系界面活性剤、イセチオネート系界面活性剤、Ｎ−アシル酸性アミノ酸系界面活性剤、モノアルキルリン酸エステル塩、高級脂肪酸塩およびアシル化ポリペプチド等が使用でき、特にドデシルベンゼンスルホン酸Ｎａ、ラウレス硫酸トリエタノールアミン塩（ラウリルエーテル硫酸ＴＥＡ塩）、α−オレフィンスルホン酸Ｎａ、ラウロイルＮ−メチルアラニントリエタノールアミン塩、ｐ−トルエンスルホン酸Ｎａ、キシレンスルホン酸Ｎａ、キュメンスルホン酸Ｎａ等のアニオン界面活性剤の使用が好ましい。
実用的な界面活性剤の配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物１００重量部に対して、０．０１〜３０重量部であることが好ましく、特に好ましくは０．０５〜２０重量部である。０．０１重量部未満では、スクラッチ及び微小付着物除去能が不十分であり、超過すると配合安定性が不安定（他の成分が析出するケースがあり）となるので、好ましくない。
【００２３】
Ｄ．アクリル酸系水溶性ポリマー
本発明組成物には、表面張力調整、粘度調整又は分散安定性向上などの目的で、カルボン酸基、カルボン酸塩基及び／又はカルボン酸アミド化合物基を有する水溶性ポリマーを配合してもよい。
なかでも、アクリル酸系水溶性ポリマー、すなわち、カルボン酸が、アクリル酸又はメタクリル酸（以下、「（メタ）アクリル酸」と総称することがある。）である上記水溶性ポリマーの配合は、砥粒に作用し、スクラッチ低減に有効であるので好ましい。
アクリル酸系水溶性ポリマーを構成する単量体の具体例としては、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸ナトリウム塩、（メタ）アクリル酸カリウム塩、（メタ）アクリル酸アンモニウム塩、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミド−２，２−ジメチルプロパンスルホン酸、及びこれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。これらの群から選ばれる少なくとも１種の単量体は、相互に又は等モル以下のそれ以外の単量体、例えば、イタコン酸、ポリオキシエチレンモノメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート等と共重合して、アクリル酸系水溶性ポリマーとすることもできる。本発明において、アクリル酸系水溶性ポリマーとしては、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸アンモニウム塩、ポリ（メタ）アクリル酸ナトリウム塩、ポリ（メタ）アクリル酸カリウム塩、ポリ（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸の共重合物、及びこれらの塩等からなる群から選ばれる少なくとも１種の使用が好ましい。
また、この水溶性ポリマーの分子量は、水溶性を有する範囲内の分子量であれば特に制限はないが、５００〜１００００００の範囲内にあることが好ましく、１０００〜５０００００の範囲内にあることがより好ましい。
この水溶性ポリマーの実用的な配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物１００重量部に対して、０〜１０重量部であることが好ましく、特に好ましくは０．２〜５重量部である。０．１重量部未満では、ガラス材料のスクラッチが多くなり、研磨速度や表面粗さが十分でなく、１０重量部超過では、研磨速度が低下し、スクラッチが多くなる傾向がある。
【００２４】
脂肪酸類、その他の水溶性ポリマー、脂肪酸アミド類、グリコール類、キレート剤等
本発明組成物には、上記に例示した化合物以外にも、さらなる補助添加剤として種々の化合物を添加することが可能である。例えば、砥粒の分散、凝集又は境界潤滑性向上などの目的で、脂肪酸類、その他の水溶性ポリマー、脂肪酸アミド類、グリコール類、キレート剤等の種々の化合物を配合してもよい。
本発明において、配合される脂肪酸類としては、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチル酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノール酸等が選ばれる。
また脂肪酸アミド類としては、オレイン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、リシノール酸、ヤシ油脂肪酸、牛脂脂肪酸等の脂肪酸類のジエタノールアミド、モノエタノールアミド及びこれらのエチレンオキサイド付加物、プロピレンオキサイド付加物、（エチレン−プロピレン）オキサイド付加物等が選ばれる。
その他の水溶性ポリマーとしては、具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル等のエーテル類。ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンおよびポリアクロレイン等のビニル系ポリマー。メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、硫酸セルロース、ペクチン等の多糖類、ゼラチン、でんぷん、アルブミン等、ポリグリセリン、ポリスチレンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸Ｎａホルマール縮合物等からなる群より選ばれる、少なくとも１種の化合物である。
グリコール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、メチルプロパンジオール、ヘキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、アルキレングリコール誘導体、グリコールエステル、グリコールエーテル等が挙げられる。
キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロトリ酢酸、β−アラニン二酢酸、α−アラニン二酢酸、アスパラギン酸二酢酸、エチレンジアミン二コハク酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１，３−プロパンジアミン四酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、Ｌ−グルタミン酸二酢酸、アミノトリ、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、イミノジ酢酸等のキレート剤及びそれらのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン塩類等が選ばれる。
脂肪酸類、その他の水溶性ポリマー類は、砥粒凝集剤として作用し、砥粒に吸着されて砥粒が凝集し、凝集体は研磨時に、研磨テープとガラス基板表面との間で、ちょうどクッションのように作用して、砥粒の強い食い込みを抑え、スクラッチの低減に効果があると推定される。
また、脂肪酸アミド類、グリコール類、キレート剤類は、ガラス基板表面に吸着されて、強く作用する場合は、基板表面と研磨液の界面で潤滑膜を形成し、弱く作用する場合は、弱い境界潤滑剤として作用し、いずれも、スクラッチの低減に効果があると推定される。
【００２５】
研磨スラリー
本発明のガラスポリッシング加工用組成物は、ガラス材料表面のポリッシング加工に際し、前記の具体的組成として示したポリッシング加工用組成物に、さらに、砥粒及び水又は水中に予め分散した砥粒を加えて、砥粒を水中に安定に分散したスラリー状の研磨液として使用される。しかして、このスラリー状研磨液中の砥粒の濃度は、スラリー状研磨液１００重量部に対して、０．０１〜５０重量部の範囲内から選ばれる。
本発明において、研磨液中に分散される砥粒としては、通常、ＪＩＳ  Ｒ６００２の電気抵抗試験方法に従って測定した最大粒子径が１５μｍ以下の微粒子又は粉末が選ばれる。この種砥粒としては、ＪＩＳ  Ｒ６００１−１９８７の規定に従えば、微粉の区分に属し、１５μｍ以下の最大粒子径を有する粒度分布（電気抵抗試験方法）を示す粒度、具体的には、＃３０００、＃４０００、＃６０００、＃８０００の粒度の研削材又はそれらに準ずるものが選ばれる。
砥粒の材質としては、特に制限はなく、具体的には、ダイヤモンド（例えば、ナノクラスターダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド）、ガーネット、ガラス、カーボランダム、金属酸化物（例えば、アルミナ、シリカ、コロイダルシリカ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、酸化セリウム、Ｇｅ２Ｏ３、ＭｇＯ）、窒化物（例えば、窒化珪素）、カーバイド（例えば炭化珪素、硼素カーバイド、チタンカーバイド、タングステンカーバイド）等が挙げられる。
【００２６】
これら材質のうち、メモリーハードディスク基板用には、分散性が良く、少量で研磨性が良い点で、好ましくは、ダイヤモンドが選択される。ダイヤモンドは、最大粒子径が１５μｍ以下であれば、天然品でも工業用合成品であってもよい。また、アルミナ及び炭化珪素は、ＪＩＳ  Ｒ６１１１−１９８７に規定された人造研削材又はそれに準ずるものであって、最大粒子径が１５μｍ以下のものが選ばれる。ＪＩＳ  Ｒ６１１１−１９８７の規定に従えば、アルミナ質研削材又は炭化珪素質研削材の区分に属する諸種類、例えば白色アルミナ研削材、緑色炭化珪素質研削材等のうち、上記所定の粒度、具体的には、＃３０００、＃４０００、＃６０００、＃８０００の粒度のもの又はそれらに準ずるものが選ばれる。
酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比べ硬度が低く、したがって、研磨表面に傷が入りにくいことから、仕上げ鏡面研磨に有用である。また、シリカ研磨材に比べ、研磨速度が高いという利点も有する。しかしながら、酸化セリウムを選択するにあたっては、分散性が悪く、多量に添加しないと研磨性が上がらない、価格も高い点に留意する必要がある。また、シリカ系研磨分散液のうちコロイダルシリカスラリーは分散安定性に優れているという利点も有する。しかしながら、シリカ濃度を高くしなければ研磨レートが低いという問題がある。すなわち、コロイダルシリカスラリーは、十分な研磨レートを得るためには高いシリカ濃度が必要となってしまう。また、コロイダルシリカを選択するにあたっては、乾燥性が高く、スラリー導入ノズルが詰まり易く、使いこなしが難しい点に留意する必要がある。
これらの砥粒の分散剤としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリ（エチレン−プロピレン）グリコール等からなる群のうち少なくとも１種類が選ばれる。好ましくはポリプロピレングリコールである。
【００２７】
水
水は研削時の冷却媒体として非常に重要な役割を果たす。その使用量は、研削時に実際に使用される、前記砥粒を水中に安定に分散したスラリー状の研磨液中の全成分合計重量に対し、４０〜９９重量％、好ましくは５０〜９８重量％である。本発明に好ましく用いられる水は、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下である二次イオン交換水である。水道水を用いると、塩素分がハードディスク表面に残存して、腐食を起こす可能性があり、また、カルシウム等の金属成分がハードディスク表面に残存して、完成製品の記録性に悪影響を及ぼすために好ましくない。
【００２８】
ガラス種類：
本発明において、ポリッシング加工の対象となるガラスの材質としては、特に制限はなく、具体的には、青板ガラス、白板ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、化学強化ガラス、結晶化ガラス、ソーダライムガラス基板、ボロシリケートガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に使用するガラスは、アモルファスガラスでも結晶化ガラスのいずれでも差し支えないが、より平坦でより加工性が必要な用途には、前者が、より強靭で耐久性が望まれる用途の場合には、後者が用いられる。
【００２９】
【実施例】
【００３０】
以下、この発明を実施例により具体的に説明する。なお、この実施例により、この発明は何ら限定されることはない。
また、以下の実施例において、研磨液組成物の配合成分として、以下のものを使用した。
【００３１】
界面活性剤
＜両性界面活性剤＞
（１）２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン（ＣＮＳ）  ライオン社製、商品名エナジコールＣＮＳ
（２）ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン  第一工業製薬社製、商品名アモーゲンＣＢ−Ｃ
（３）ヤシ油アルキルアミノプロピオン酸ナトリウム  ライオン社製、商品名リポミンＬＡ
（４）ラウリルアミノジプロピオン酸ナトリウム  ライオン社製、商品名エナジコールＤＰ−３０
＜アニオン界面活性剤＞
（１）ドデシルベンゼンスルホン酸Ｎａ（ソフト型）  花王社製、商品名ネオペレックスＧ−１５
（２）ラウレス硫酸トリエタノールアミン塩（ラウリルエーテル硫酸ＴＥＡ塩）  花王社製、商品名エマール２０Ｔ
（３）α−オレフィンスルホン酸Ｎａ  ライオン社製、商品名リポランＬＢ４４０
（４）ラウロイルＮ−メチルアラニントリエタノールアミン塩  ライオン社製、商品名エナジコールＬ３０−ＡＮＴ
（５）ｐ−トルエンスルホン酸Ｎａ  キシダ化学社製、商品名  ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム
（６）キシレンスルホン酸Ｎａ  テイカ株式会社製  商品名  テイカトックスＮ１１４０
（７）キュメンスルホン酸Ｎａ  テイカ株式会社製  商品名  テイカトックスＮ５０４０
【００３２】
アミン類
（１）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）  キシダ化学社製、商品名２−アミノエタノール
（２）ジエタノールアミン（ＤＥＡ）  キシダ化学社製、商品名２，２’−イミノジエタノール
（３）トリエタノールアミン（ＴＥＡ）  キシダ化学社製、商品名２，２’，２”−ニトリロトリエタノール
アルカリエッチング剤
（１）ＮａＯＨ  キシダ化学社製、商品名水酸化ナトリウム
（２）テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）  キシダ化学社製、商品名      テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（２５％水溶液）
（３）ジメチルビス（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（ＡＨ２１２）  四日市合成社製、商品名ＡＨ２１２
【００３３】
アクリル酸系水溶性ポリマー
（１）ポリアクリル酸Ｎａ  東亜合成社製、商品名Ａ３０ＳＬ  分子量６０００
（２）ポリアクリル酸アンモニウム塩  東亜合成社製、商品名Ｔ５４０  分子量６０００
（３）アクリル酸Ｎａとアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸Ｎａの共重合物  四日市合成社製  分子量１００００    共重合物のモノマー比（アクリル酸Na／アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸Na＝１／１）
脂肪酸類
（１）リシノール酸  キシダ化学社製、商品名リシノール酸
（２）デカン酸  キシダ化学社製、商品名デカン酸
脂肪酸アミド類、グリコール類
（１）オレイン酸アミド／５ＥＯ  ライオンアクゾ社製、商品名エソマイド／Ｏ１５
（２）プロピレングリコール（ＰＧ）  キシダ化学社製、商品名プロピレングリコール
【００３４】
ジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物
（１）ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ  四日市合成社製、分子量２７００
（２）ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＰＯ  四日市合成社製  分子量４１００
（３）ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＢＯ  四日市合成社製  分子量７０００
（４）ジエチレントリアミン／スベリン酸／２．５ＥＯ  四日市合成社製  分子量１２０００
（５）ジエチレントリアミン／セバシン酸／３．５ＥＯ  四日市合成社製  分子量５０００
（６）ジエチレントリアミン／テレフタル酸／１．５ＰＯ  四日市合成社製  分子量３０００
（７）トリエチレンテトラミン／アジピン酸／０．５ＥＯ  四日市合成社製  分子量２００００
（８）トリエチレンテトラミン／スベリン酸／１５ＥＯ  四日市合成社製  分子量５００００
（９）トリエチレンテトラミン／スベリン酸／１０ＰＯ  四日市合成社製  分子量４５０００
【００３５】
［応用例  １］  磁気ディスク用ガラス基板の製造
＜実施例１〜６４及び比較例１〜９＞
【００３６】
ポリッシング加工：
非磁性基板として直径２．５インチの円盤状ガラス基板の表面に対してポリッシング加工を施した。ガラス基板はKMG社製の結晶化ガラス及びアモルファスガラス基板を使用した。基板のサイズは外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍである。
ポリッシング加工の条件は以下の通りである。即ち、研磨液に含まれる砥粒については、１次粒子が５ｎｍ、２次粒子が３０ｎｍのクラスターダイヤを用いた。研磨液として、クラスターダイヤ０．０２重量部に、表−１〜１２の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物３０重量部と、溶媒としてイオン交換水６９．９８重量部とを配合した水性ダイヤモンドスラリーを用いた。研磨液は、５０ｍｌ／分で加工が開始される前に２秒間滴下した。研磨テープとして、ポリエステル製の織物布を用いた。また、研磨条件は、非磁性基板の回転数を６００ｒｐｍ、研磨テープの送りを７５ｍｍ／分、非磁性基板の揺動を１２０回／分とした。テープの押し付け力は２．０ｋｇｆ（１９．６Ｎ）とし、加工時間は１０秒とした。ポリッシング加工後、イオン交換水で表面洗浄を行った。このようにして、表面にポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
【００３７】
磁気記録媒体の調製：
ポリッシング加工後、このガラス基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、基板上にＣｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％、残部Ｃｏ）のターゲット用いて１００℃以下の基板温度で１００ｎｍの軟磁性層を形成し、この上にＲｕ層を８ｎｍ成膜した後、さらにＣｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂの軟磁性層を１００ｎｍ成膜して、軟磁性下地層２とした。上記軟磁性下地層の上にＮｉ−６Ｗ（Ｗ含有量６ａｔ％、残部Ｎｉ）ターゲット、Ｒｕターゲットを用いて、それぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍの厚さで順に成膜し、配向制御層とした。
配向制御層の上に、（Ｃｏ−１３Ｃｒ−１６Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２  ）４−（Ｃｒ２  Ｏ３  ）３−（ＴｉＯ２  ）３｛Ｃｒ含有量１３ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、残部Ｃｏの合金組成を９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２  からなる酸化物を４ｍｏｌ％、Ｃｒ２  Ｏ３  からなる酸化物を３ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝の組成の磁性層を６０ｎｍの厚さで形成した。この磁性層の上に、（Ｃｏ−２０Ｃｒ）８８−（ＴｉＯ２  ）１２からなる非磁性層を１０ｎｍの厚さで形成した。この非磁性層の上に、（Ｃｏ−９．５Ｃｒ−１６Ｐｔ−７Ｒｕ）９２−（ＳｉＯ２  ）５−（Ｃｒ２  Ｏ３  ）３からなる磁性層を３０ｎｍの厚さで形成した。この磁性層の上に、Ｒｕからなる非磁性層を１０ｎｍの厚さで形成した。この非磁性層の上に、Ｃｏ−１６Ｃｒ−１６Ｐｔ−８Ｂ（Ｃｒ含有量１６ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、Ｂ含有量８ａｔ％、残部Ｃｏ）からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を３Ｐａとして磁性層を１０ｎｍの厚さ形成した。ついでＣＶＤ法により膜厚４ｎｍの保護層を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【００３８】
ポリッシング加工を施したガラス基板の評価：
上記のようにして得られたポリッシング加工を施した基板（各実施例又は比較例ごとに、加工枚数５枚）について、表面の研磨状態の評価を、次の４項目について実施し、その手順は、下記に従った。
（１）研磨速度：
研磨速度は、上述のポリッシング加工前後に測定した基板の重量差を、厚さ変化に換算し、加工時間で除した速度（μｍ／分）で表示した。
（２）表面粗さＲａ：
レーザー光反射散乱測定器により計測した。測定点は１０点／面で、それらの測定値の平均値（Å）で表示した。
（３）スクラッチ発生率：
ＭｉｃｒｏＭＡＸ測定装置を用いて表面を観察した。ポリッシング加工で発生した傷をスクラッチとして計数し、以下の式でスクラッチ発生率を算出し：
スクラッチ発生率（％）＝（スクラッチが有る基板面数／総評価面数）×１００
スクラッチ発生率（％）で表した値の大きさで区分した、次の基準に従い４段階表示した。
０％  ◎
０％〜５％  ○
５％〜１４％  △
１５％以上  ×
（４）パーティクル数：
ガラス表面に付着したパーティクル数は、光学顕微鏡を用いて測定した。顕微鏡で撮影した写真から、画像解析ソフトを使用して、直径０．１μｍ以上、２．０μｍ以下のパーティクルの数を数えた。１視野（７×１０−４ｃｍ２  ）ごとのパーティクル数（個）を、１面について１０視野分集計し、それを単位面積あたりの数（個／ｃｍ２  ）で表した値の大きさで区分した、次の基準に従い４段階表示した。
０〜１０個／ｃｍ２    ◎
１０〜１００個／ｃｍ２    ○
１００〜３００個／ｃｍ２    △
３００個／ｃｍ２  以上  ×
【００３９】
垂直磁気記録媒体の評価：
上記のようにして得られた垂直磁気記録媒体（各実施例又は比較例ごとに、  記録媒体１０面）についての評価を、次の３項目について実施し、その手順は、下記に従った。
（１）ＳＮＲ：
ＧＵＺＩＫ社製のリードライトアナライザ（機械名ＲＷＡ１６３２）、及びスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。ヘッドは、書き込みをシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いたヘッドを使用した。Ｓ／Ｎ比は、記録密度７００ｋＦＣＩとして測定した。ＳＮＲの数値は、各表の基準比較例（ＳＮＲの欄に「−」で表示）のＳＮＲｏと比較し、その差（ΔＳＮＲ＝ＳＮＲ−ＳＮＲｏ）の大きさで区分した、次の基準に従い４段階表示した。
＋０．２ｄＢ以上    ◎
＋０．１ｄＢ〜＋０．２ｄＢ    ○
０ｄＢ〜＋０．１ｄＢ（差無し）  △
０ｄＢ未満（マイナス）  ×
（２）製品合格率：
最終製品として合格したものの割合を合格率（％）として計算し、次の基準に従い３段階表示した。
１００％〜９０％    ○
８９％〜８０％      △  
８０％未満          ×
（３）ミッシングカウント：
ミッシングカウントは、記録密度７００ｋＦＣＩのビットサイズで基板検査を行い、出力が８０％以下になったビット数の１面あたりの平均値を計算し、次の基準に従い３段階表示した。
２．１（個／面）以下    ○
２．１〜２．５（個／面）  △
２．５（個／面）以上    ×
【００４０】
【表１】
0005563269.tif 000002
【００４１】
上記の表−１，２に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
（１）磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない比較例２，４記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯだけでなくアルカリエッチング剤（ＴＭＡＨ又はＡＨ２１２）も含有しない比較例１，３記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べれば、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）は改善できているが、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有する実施例１〜８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、上記のジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２，４記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯの配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
（３）また、実施例４において、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯに代えて、ＥＯ付加を行っていないジエチレントリアミン／アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例Ａ記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いたアモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ＥＯ付加物であるジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを配合した、上記実施例４とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例２とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
【００４２】
また、上記の表−１，２に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。
（１）磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない比較例２，４記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯだけでなくアルカリエッチング剤（ＴＭＡＨ又はＡＨ２１２）も含有しない比較例１，３記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べれば、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率は改善できているが、ミッシングカウント（個／面）は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有する実施例１〜８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、
上記のジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２，４記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント（個／面）が十分に改善されているだけでなく、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率も、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯの配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
（３）また、実施例４において、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯに代えて、ＥＯ付加を行っていないジエチレントリアミン／アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例Ａ記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いたアモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ＥＯ付加物であるジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを配合した、水性ダイヤモンドスラリーを用いて得られた基板表面に形成された、上記実施例４の記録媒体とは全く異なって、ＳＮＲ、製品合格率、ミッシングカウントのいずれの点においても、改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない場合に形成された、比較例２の記録媒体とほぼ同等であって、実用上使用不可能である。
【００４３】
【表２】
0005563269.tif 000003
【００４４】
上記の表−３〜５に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
（１）磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない比較例２，５，６記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯだけでなくアルカリエッチング剤（ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ又はＡＨ２１２）も含有しない比較例１記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べれば、
研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）は改善できているが、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有する実施例１１〜１８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、上記のジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２，５，６記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
【００４５】
また、上記の表−３〜５に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。
（１）磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない比較例２，５，６記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯだけでなくアルカリエッチング剤（ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ又はＡＨ２１２）も含有しない比較例１記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べれば、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率は改善できているが、ミッシングカウント（個／面）は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有する実施例１１〜１８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、
上記のジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２，５，６記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント（個／面）が十分に改善されているだけでなく、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
【００４６】
【表３】
0005563269.tif 000004
【００４７】
上記の表−６〜８に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
（１）磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない比較例７，４，８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯだけでなくアルカリエッチング剤（ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ又はＡＨ２１２）も含有しない比較例３記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べれば、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）は改善できているが、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有する実施例２１〜２８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、上記のジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例７，４，８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
【００４８】
また、上記の表−６〜８に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。
（１）磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない比較例７，４，８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯだけでなくアルカリエッチング剤（ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ又はＡＨ２１２）も含有しない比較例３記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べれば、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率は改善できているが、ミッシングカウント（個／面）は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有する実施例２１〜２８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、上記のジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例７，４，８記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、
ミッシングカウント（個／面）が十分に改善されているだけでなく、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
【００４９】
【表４】
0005563269.tif 000005
【００５０】
上記の表−９に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−１の実施例３においてジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯの代わりに、上記表−９に表示の種々のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する、実施例３１〜３９記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−１の実施例３の場合と同様である。
【００５１】
また、上記の表−９に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−１の実施例３においてジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯの代わりに、上記表−９に表示の種々のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する、実施例３１〜３９記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工によって得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント（個／面）が十分に改善されているだけでなく、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−１の実施例３の場合と同様である。
【００５２】
【表５】
0005563269.tif 000006
【００５３】
上記の表−１０に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−１の実施例３においてＣＮＳの代わりに、上記表−１０に表示の種々の両性又はアニオン界面活性剤を含有する、実施例４１〜４７記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−１の実施例３の場合と同様である。
【００５４】
また、上記の表−１０に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−１の実施例３においてＣＮＳの代わりに、上記表−１０に表示の種々の両性又はアニオン界面活性剤を含有する、実施例４１〜４７記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工によって得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント（個／面）が十分に改善されているだけでなく、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−１の実施例３の場合と同様である。
【００５５】
【表６】
0005563269.tif 000007
【００５６】
上記の表−１１に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−１の実施例３においてＤＥＡ（５重量部）＋ＴＥＡ（１０重量部）の代わりに、上記表−１１に表示の種々のアルカリポリッシング剤（ＭＥＡ、ＤＥＡ及びＴＥＡ）を量比も変えて含有する、実施例５１〜５５記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−１の実施例３の場合と同様である。
【００５７】
また、上記の表−１１に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−１の実施例３においてＤＥＡ（５重量部）＋ＴＥＡ（１０重量部）の代わりに、上記表−１１に表示の種々のアルカリポリッシング剤（ＭＥＡ、ＤＥＡ及びＴＥＡ）を量比も変えて含有する、実施例５１〜５５記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工によって得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例２記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント（個／面）が十分に改善されているだけでなく、ＳＮＲ（ｄＢ）、製品合格率も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−１の実施例３の場合と同様である。
【００５８】
【表７】
0005563269.tif 000008
【００５９】
上記の表−１２に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
表−１〜１１の諸実施例に示された、種々の水性ダイヤモンドスラリーとは相違し、アルカリエッチング剤を含有しないが、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯは含有する。この表−１２に特定された、実施例６１〜６４記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例９記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯの配合量を調整することにより、改善されていて、十分実用可能である。
【００６０】
また、上記の表−１２に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。表−１〜１１の諸実施例に示された、種々の水性ダイヤモンドスラリーとは相違し、アルカリエッチング剤を含有しないが、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯは含有する。表−１２に特定された、実施例６１〜６４記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯを含有しない、比較例９記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が十分に改善されているだけでなく、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）も、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯの配合量を調整することにより、改善されていて、十分実用可能である。
【００６１】
［応用例  ２］  ＴＦＴパネル用ガラス基板の製造
＜実施例７０〜７９及び比較例７０〜７５＞
【００６２】
ポリッシング加工：
５ｃｍ角（面積２５ｃｍ２）の無アルカリガラス基板（厚さ１ｍｍ）表面に対してポリッシング加工を行った。
ポリッシング加工は、４ウェイ方式両面研磨装置を用いて行った。その際、研磨液として、平均粒径１．２μｍの酸化セリウム砥粒１０重量部と、表１３の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物２０重量部と、イオン交換水（比抵抗１ＭΩ・ｃｍ）７０重量部とを配合した水性酸化セリウムスラリーを用い、研磨パッドとして、発泡ポリウレタンパッド（ローデス社製、グレード名ＬＰ−７７）を用いた。
また、研磨条件は、基板を保持した定盤の回転数を６０ｒｐｍ、両面研磨装置へのスラリー供給量を５０ｍｌ／分とした。加工圧力（パッドの押し付け力）は１５０ｇｆ／ｃｍ２とし、加工時間は３０分とした。このようにして、表面に、ポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
【００６３】
洗浄と評価：
ポリッシング加工を施したガラス基板は、研磨終了後、研磨面に物が触れることのないようにして、水道水で流水洗浄した後、クラス１０００のクリーンルーム内において、超音波洗浄機で超音波を印加しながらイオン交換水（比抵抗１ＭΩ・ｃｍ）で３回リンスした。リンス後、圧縮窒素を吹き付けて乾燥した。
このようにして得られた、乾燥後のＴＦＴパネル用ガラス基板（各実施例又は比較例ごとに、加工枚数５枚）について、研磨状態の評価（前記応用例１と同様）を行った。結果は、表−１３に記載の通りである。
【００６４】
【表８】
0005563269.tif 000009
【００６５】
上記の表−１３に示された評価結果から、次の事実が判明する。
（１）ＴＦＴパネル用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物（以下、「ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等」という。）を含有する実施例７０〜７９記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた、無アルカリガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等を含有しないが、他の配合成分及び量を共通にする、比較例７０〜７５記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた場合の研磨状態に比べて、いずれのジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等においても、スクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が著しく改善され、しかも、この達成が研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）を実用範囲に維持しつつ可能である。また、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等の配合量を調整することによる、改善も認められる。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等を含有しない比較例７０〜７５記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた場合の研磨状態は、特にスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）の点で実用に適さず、比較例７１や７５のように、水溶性ポリマーの配合によって、若干の改善も認められる場合もあるが、それでもなお、実用上使用可能とするには不十分である。
（３）また、実施例７４において、トリエチレンテトラミン／アジピン酸／ＥＯに代えて、ＥＯ付加を行っていないトリエチレンテトラミン／アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例Ｂ記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた無アルカリガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ＥＯ付加物であるトリエチレンテトラミン／アジピン酸／ＥＯを配合した、上記実施例７４とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例７２とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
【００６６】
［応用例  ３］  光学材料用白板ガラス基板の製造
＜実施例８０〜８９及び比較例８０〜８５＞
【００６７】
ポリッシング加工：
５ｃｍ角（面積２５ｃｍ２）の白板ガラス基板（厚さ５ｍｍ）表面に対してポリッシング加工を行った。
ポリッシング加工は、片面研磨装置を用いて行った。その際、研磨液として、平均粒径０．００６μｍのコロイダルシリカ砥粒１０重量部と、表１４の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物２０重量部と、イオン交換水（比抵抗１ＭΩ・ｃｍ）７０重量部とを配合した水性コロイダルシリカスラリーを用い、研磨布として、ウレタン樹脂含浸ポリエステル不織布（ローデル社製、グレード名ＳＵＢＡ４００）を用いた。
また、研磨条件は、基板を保持した定盤の回転数を１５０ｒｐｍ、研磨装置へのスラリー供給量を３０ｍｌ／分とした。加工圧力（不織布の押し付け力）は２００ｇｆ／ｃｍ２とし、加工時間は１０分とした。このようにして、表面に、ポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
【００６８】
洗浄と評価：
ポリッシング加工を施したガラス基板は、前記応用例２と同様に、水道水で流水洗浄、イオン交換水でリンス、及び圧縮窒素を吹き付け乾燥を施した。
このようにして得られた、乾燥後の光学材料用白板ガラス基板（各実施例又は比較例ごとに、加工枚数５枚）について、研磨状態の評価（前記応用例２と同様）を行った。結果は、表−１４に記載の通りである。
【００６９】
【表９】
0005563269.tif 000010
【００７０】
上記の表−１４に示された評価結果から、次の事実が判明する。
（１）光学材料用白板ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物（以下、「ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等」という。）を含有する実施例８０〜８９記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた、白板ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等を含有しないが、他の配合成分及び量を共通にする、比較例８０〜８５記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態に比べて、
いずれのジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等においても、スクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が著しく改善され、しかも、この達成が研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）を実用範囲に維持しつつ可能である。また、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等の配合量を調整することによる、改善も認められる。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等を含有しない比較例８０〜８５記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態は、特にスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）の点で実用に適さず、比較例８１や８５のように、水溶性ポリマーの配合によって、若干の改善も認められる場合もあるが、それでもなお、実用上使用可能とするには不十分である。
（３）また、実施例８４において、トリエチレンテトラミン／アジピン酸／ＥＯに代えて、ＥＯ付加を行っていないトリエチレンテトラミン／アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例Ｃ記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた白板ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ＥＯ付加物であるトリエチレンテトラミン／アジピン酸／ＥＯを配合した、上記実施例８４とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例８２とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
【００７１】
［応用例  ４］  汎用板ガラス用ソーダライムガラス基板の製造
＜実施例９０〜９９及び比較例９０〜９５＞
【００７２】
ポリッシング加工：
５ｃｍ角（面積２５ｃｍ２）のソーダライムガラス基板（厚さ５ｍｍ）表面に対してポリッシング加工を行った。
ポリッシング加工は、４ウェイ方式両面研磨装置を用いて行った。その際、研磨液として、平均粒径０．００８μｍのコロイダルシリカ砥粒１０重量部と、表１５の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物２０重量部と、イオン交換水（比抵抗１ＭΩ・ｃｍ）７０重量部とを配合した水性コロイダルシリカスラリーを用い、研磨布として、ウレタン樹脂含浸ポリエステル不織布（ローデル社製、グレード名ＳＵＢＡ４００）を用いた。
また、研磨条件は、基板を保持した定盤の回転数を６０ｒｐｍ、研磨装置へのスラリー供給量を１００ｍｌ／分とした。加工圧力（不織布の押し付け力）は１５０ｇｆ／ｃｍ２とし、加工時間は１０分とした。このようにして、表面に、ポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
【００７３】
洗浄と評価：
ポリッシング加工を施したガラス基板は、前記応用例２と同様に、水道水で流水洗浄、イオン交換水でリンス、及び圧縮窒素を吹き付け乾燥を施した。
このようにして得られた、乾燥後の汎用板ガラス用ソーダライムガラス基板（各実施例又は比較例ごとに、加工枚数５枚）について、研磨状態の評価（前記応用例２と同様）を行った。結果は、表−１５に記載の通りである。
【００７４】
【表１０】
0005563269.tif 000011
【００７５】
上記の表−１５に示された評価結果から、次の事実が判明する。
（１）汎用板ガラス用ソーダライムガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物（以下、「ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等」という。）を含有する実施例９０〜９９記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた、ソーダライムガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等を含有しないが、他の配合成分及び量を共通にする、比較例９０〜９５記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態に比べて、いずれのジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等においても、スクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）が著しく改善され、しかも、この達成が研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）を実用範囲に維持しつつ可能である。また、研磨速度（μｍ／分）及び表面粗さＲａ（Å）は、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等の配合量を調整することによる、改善も認められる。
（２）一方、ジエチレントリアミン／アジピン酸／１．０ＥＯ等を含有しない比較例９０〜９５記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態は、特にスクラッチ発生率（％）及びガラス表面に付着したパーティクル数（個／ｃｍ２）の点で実用に適さず、比較例９１や９５のように、水溶性ポリマーの配合によって、若干の改善も認められる場合もあるが、それでもなお、実用上使用可能とするには不十分である。
（３）また、実施例９４において、トリエチレンテトラミン／アジピン酸／ＥＯに代えて、ＥＯ付加を行っていないトリエチレンテトラミン／アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例Ｄ記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いたソーダライムガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、
ＥＯ付加物であるトリエチレンテトラミン／アジピン酸／ＥＯを配合した、上記実施例９４とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例９２とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
用途：
磁気ディスク、光ディスク等の記録媒体用ガラス基板、光学レンズ等光学用途用ガラス材料、液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＬＳＩフォトマスク用ガラス基板などの電子回路製造用、フォトマスク用石英ガラス、水晶、太陽電池のパネル、光学部品用の各種レンズやフィルター、光ファイバー。