(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域及び第２領域を有する基材の前記第２領域に、前記第１領域のエッチング速度よりも前記第２領域のエッチング速度の方が速くなる荷電粒子を含む荷電ビームを注入する工程と、
前記第１領域及び前記第２領域の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを介して前記第１領域及び前記第２領域を同時にエッチングして前記第１領域に第１の深さの第１パターンを形成し、前記第２領域に前記第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンであって前記第１パターンによって転写パターンを形成する際の位置合わせ用パターンを形成する工程と、
を備えたテンプレート製造方法。
【請求項２】
第１領域及び第２領域を有する基材の前記第２領域に荷電ビームを注入する工程と、
前記第１領域及び前記第２領域の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを介して前記第１領域及び前記第２領域を同時にエッチングして前記第１領域に第１の深さの第１パターンを形成し、前記第２領域に前記第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンを形成する工程と、
を備えたテンプレート製造方法。
【請求項３】
前記荷電ビームを注入する工程は、前記第１領域のエッチング速度よりも前記第２領域のエッチング速度の方が速くなる荷電粒子を注入することを含む請求項２記載のテンプレート製造方法。
【請求項４】
第１領域及び第２領域を有する基材の前記第１領域に荷電ビームを注入する工程と、
前記第１領域及び前記第２領域の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを介して前記第１領域及び前記第２領域を同時にエッチングして前記第１領域に第１の深さの第１パターンを形成し、前記第２領域に前記第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンを形成する工程と、
を備えたテンプレート製造方法。
【請求項５】
前記荷電ビームを注入する工程は、前記第２領域のエッチング速度よりも前記第１領域のエッチング速度の方が遅くなる荷電粒子を注入することを含む請求項４記載のテンプレート製造方法。
【請求項６】
前記第２パターンは、前記第１パターンによって転写パターンを形成する際の位置合わせ用パターンである請求項２〜５のいずれか１つに記載のテンプレート製造方法。
【請求項７】
前記マスクパターンを形成する工程は、マスクパターン形成用テンプレートを用いたインプリント法によって前記マスクパターンのパターン形状を転写することを含む請求項２〜６のいずれか１つに記載のテンプレート製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、テンプレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パターン形成方法において、凹凸形状を有する原版（テンプレート）を用いたインプリント法が注目されている。インプリント法では、基板上に例えば光硬化性の有機材料を塗布し、この有機材料の層にテンプレートの凹凸形状部分を接触させた状態で光照射を照射し、有機材料を硬化させる。これにより、有機材料の層にテンプレートの凹凸形状が転写されたパターンが形成される。
【０００３】
このようなテンプレートに形成される凹凸形状には、深さの異なるパターンが形成される場合がある。テンプレートの製造においては、深さの異なるパターンを容易に形成することが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２４５０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、深さの異なるパターンを容易に形成することができるテンプレートの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るテンプレート製造方法は、第１領域及び第２領域を有する基材の前記第２領域に荷電ビームを注入する工程と、前記第１領域及び前記第２領域の上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを介して前記第１領域及び前記第２領域を同時にエッチングして前記第１領域に第１の深さの第１パターンを形成し、前記第２領域に前記第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンを形成する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係るテンプレート製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、テンプレートを用いたインプリント法について例示する模式的断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、参考例に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
【図５】第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
【図７】第３の実施形態に係るテンプレート製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るテンプレート製造方法の流れを示すフローチャートである。
第１の実施形態に係るテンプレート製造方法は、インプリント法でパターンを形成する際に用いられるテンプレートを製造する方法である。
すなわち、第１の実施形態に係るテンプレート製造方法は、第２主面の形成工程（ステップＳ１０１）、マスクパターンの形成工程（ステップＳ１０２）、第１パターン及び第２パターンの形成工程（ステップＳ１０３）、を備える。
【００１０】
先ず、ステップＳ１０１に表した第２主面の形成工程では、第１主面を有する基材の第１主面の一部に荷電ビーム（イオンビームなど）を照射して基材のエッチングを行い、第１主面から後退した第２主面を形成する。
【００１１】
次に、ステップＳ１０２に表したマスクパターンの形成工程では、第１主面及び第２主面にマスクパターンを形成する。マスクパターンには、第１パターンを形成するための開口と、第２パターンを形成するための開口と、が設けられている。
【００１２】
次に、ステップＳ１０３に表した第１パターン及び第２パターンの形成工程では、マスクパターンを介して基材をエッチングして第１主面に第１パターンを形成し、第２主面に第２パターンを形成する。このような工程を経てテンプレートが完成する。
【００１３】
図２（ａ）〜（ｃ）は、テンプレートを用いたインプリント法について例示する模式的断面図である。
本実施形態によって製造されたテンプレートは、次のようなインプリント法に適用される。
【００１４】
先ず、図２（ａ）に表したように、基板６０の上に、被転写物７０を設ける（図１のステップＳ１０１）。被転写物７０としては、例えば、光硬化性有機材料が用いられる。被転写物７０は、例えば、ノズルＮからインクジェット法によって基板６０の上に滴下される。なお、被転写物７０は、スピンコート等によって一様に設けられてもよい。
【００１５】
次に、図２（ｂ）に表したように、テンプレート１１０を用意する。本実施形態に係るパターン形成方法で用いられるテンプレート１１０は、基材１０の主面１０ａ上に設けられた第１パターン２１と、第２パターン２２と、を備える。第１パターン２１は、被転写物７０にパターンを形成するための凹凸パターンである。第２パターン２２は、テンプレート１１０の位置決めに使用する基準パターン（以下、アライメントマークと言う。）である。
【００１６】
テンプレート１１０の基材１０の光学定数は、被転写物７０の光学定数とほぼ等しい。このため、アライメントマークである第２パターン２２に被転写物７０が充填されると、テンプレート１１０の基材１０とアライメントマークである第２パターン２２との判別が困難になり、テンプレート１１０の位置合わせ（以下、アライメントと言う。）が難しくなる。そのため、テンプレート１１０のアライメントマークに有機材料が充填されることを防ぐため、アライメントマーク（第２パターン２２）は、第１パターン２１の凹凸形状よりも深さ方向に掘り込んだ位置に形成される。
【００１７】
そして、このテンプレート１１０の第１パターン２１を、被転写物７０に接触させる。被転写物７０は、毛細管現象により、第１パターン２１の凹パターン２１２の中に侵入し、凹パターン２１２内に充填される。一方、第２パターン２２は、第１パターン２１よりも主面１０ａから後退して設けられているため、第２パターン２２の凹パターン２２２の中には被転写物７０は侵入しない。
【００１８】
この状態で、テンプレート１１０の位置合わせを行う。位置合わせは、例えば基板６０に設けられた下地パターン（マーク）を基準に第２パターン２２を位置合わせすることで行われる。第２パターン２２に被転写物７０が侵入していないため、第２パターン２２を確実に認識でき、正確な位置合わせが行われる。
【００１９】
次に、テンプレート１１０の第１パターン２１を被転写物７０に接触させた状態で、テンプレート１１０の基材１０側から光Ｃを照射する。光Ｃは、例えば、紫外線光である。光Ｃは、基材１０及び第１パターン２１を透過して、被転写物７０に照射される。光硬化性有機材料による被転写物７０は、光が照射されることで硬化する。
【００２０】
次に、図２（ｃ）に表したように、テンプレート１１０を、被転写物７０から離型する。これにより、被転写物７０にはテンプレート１１０の第１パターン２１の凹凸形状が転写された転写パターン７０ａが形成される。例えば、半導体装置は、このようなテンプレート１１０を用いたインプリント法によって半導体装置内の所定のパターンが形成される。
【００２１】
次に、第１の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を説明する。
この具体例では、第１パターンにはデバイスパターンを形成するための凹凸パターンが形成され、第２パターン２２テンプレートのアライメントマークを形成するための凹凸パターンが形成されている場合を例とした説明を行う。
【００２２】
図３（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
先ず、図３（ａ）に表したように、基材１０である例えば石英２００のデバイスパターン領域Ｒ１（第１領域）を除くアライメントマーク領域Ｒ２（第２領域）に選択的にイオン２０２を照射し、エッチングを行う。すなわち、イオン注入装置（図示せず）によってデバイスパターン領域Ｒ１の上方をマスク２０１によって遮蔽し、石英２００をガス雰囲気下で選択的にイオン２０２によりエッチングする。エッチングをガス雰囲気下で行うのはエッチングを加速させるためである。このエッチングによって、石英２００のデバイスパターン領域の上面（第１主面１０１ａ）に対して、アライメントマーク領域の上面が後退する。この後退した面は第２主面１０２ａである。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に表したように、石英２００の上面に保護膜２０３を形成する。保護膜２０３の材料としては、例えばＣｒＮが用いられる。保護膜２０３は、第１主面１０１ａ及び第２主面１０２ａを覆うように形成される。また、第１主面１０１ａと第２主面１０２ａとの間に設けられた段差１０３にも保護膜２０３が形成される。
【００２４】
次に、図３（ｃ）に表したように、保護膜２０３の上にレジスト膜２０４Ｍを形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチングによりレジストパターン２０４を形成する。レジストパターン２０４は、第１主面１０１ａの上に設けられるデバイスパターン用のレジストパターン２０４ａと、第２主面１０２ａの上に設けられるアライメントマーク用のレジストパターン２０４ｂと、を含む。
なお、レジストパターン２０４の形成においては、マスクパターン形成用テンプレート（図示せず）を用いたインプリント法によって形成してもよい。
【００２５】
次に、このレジストパターン２０４を介して保護膜２０３をエッチングする。これにより、図３（ｄ）に表したように、保護膜２０３によるマスクパターン２０３Ｐが形成される。
【００２６】
次に、図３（ｅ）のように、マスクパターン２０３Ｐを介して石英２００をエッチングする。その後、マスクパターン２０３Ｐを剥離することで、第１主面１０１ａにはデバイスパターンＰ１が形成され、第２主面１０２ａにはアライメントマークパターンＰ２が形成される。これにより、テンプレート１１０が完成する。
【００２７】
テンプレート１１０において、デバイスパターンＰ１は、第１主面１０１ａから第１の深さｄ１で形成される。また、テンプレート１１０において、アライメントマークパターンＰ２は、第１主面１０１ａから第２の深さｄ２で形成される。アライメントマークパターンＰ２は、第２主面１０２ａから後退して設けられることから、第２の深さｄ２は、第１の深さｄ１よりも深くなる。
【００２８】
このようなテンプレート製造方法によれば、基材１０（石英２００）のアライメントマークパターンＰ２を形成するアライメントマーク領域Ｒ２に限り、選択的にイオン２０２を照射してエッチングすることで、アライメントマークパターンＰ２を、デバイスパターンＰ１を形成するデバイスパターン領域Ｒ１よりも深さ方向に彫り込まれた位置に形成することができる。
【００２９】
（参考例）
図４（ａ）〜（ｅ）は、参考例に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
【００３０】
先ず、図４（ａ）に表したように、基材１０である例えば石英１００上に、保護膜１０１を形成する。保護膜１０１の材料としては、例えばＣｒＮが用いられる。
【００３１】
次に、保護膜１０１の上に、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて、所望のレジストパターン１０２を形成する。レジストパターン１０２は、第１主面１０１ａの上に設けられるデバイスパターン用のレジストパターン１０２ａと、アライメントマーク用のレジストパターン１０２ｂと、を含む。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に表したように、レジストパターン１０２をマスクとして、保護膜１０１と石英１００を所望の深さだけエッチングし、石英パターン１０５を形成する。デバイスパターン領域上の石英パターン１０５は、デバイスパターンＰ１である。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に表したように、石英パターン１０５の上に保護膜１０６を形成する。保護膜１０６の材料としては、例えばＣｒＮが用いられる。
【００３４】
次に、図４（ｄ）のように、保護膜１０６上のデバイスパターン領域をカバーするように、レジストパターン１０７を形成する。レジストパターン１０７は、保護膜１０６上に形成したレジスト膜に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施すことで形成される。
【００３５】
次に、図４（ｅ）に表したように、レジストパターン１０７をマスクとして、アライメントマーク領域上の保護膜１０６をエッチングし、さらに石英１００をエッチングする。その後、デバイスパターンＰ１上のレジストパターン１０７を剥離し、保護膜１０６を剥離する。その結果、デバイスパターンＰ１に対し、深さ方向に彫り込まれた位置にアライメントマークパターンＰ２が形成される。
【００３６】
上記の参考例に係るテンプレート製造方法では、デバイスパターンＰ１を形成する際と、アライメントマークパターンＰ２を形成する際と、においてフォトリソグラフィ及びエッチングを行っている。リソグラフィは高価な技術なため、製造工程からできる限り削減することが望まれる。
【００３７】
本実施形態に係るテンプレート製造方法では、マスクパターン２０３Ｐを形成するときのみフォトリソグラフィ及びエッチングを行っている。したがって、本実施形態では、参考例に比べてフォトリソグラフィ及びエッチングの処理回数が少なく、参考例に比べて容易にテンプレート１１０が製造される。
【００３８】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の流れを示すフローチャートである。
第２の実施形態に係るテンプレート製造方法は、荷電ビームの注入工程（ステップＳ２０１）、マスクパターンの形成工程（ステップＳ２０２）、第１パターン及び第２パターンの形成工程（ステップＳ２０３）、を備える。
【００３９】
先ず、ステップＳ２０１に表した荷電ビームの注入工程では、第１領域及び第２領域を有する基材の第２領域に荷電ビームを注入する。すなわち、第１領域には荷電ビームを注入せず、第２領域に荷電ビームを注入する。
【００４０】
次に、ステップＳ２０２に表したマスクパターンの形成工程では、第１領域及び第２領域の上にマスクパターンを形成する。マスクパターンには、第１パターンを形成するための開口と、第２パターンを形成するための開口と、が設けられている。
【００４１】
次に、ステップＳ２０３に表した第１パターン及び第２パターンの形成工程では、マスクパターンを介して第１領域及び第２領域を同時にエッチングする。このエッチングによって、第１領域に第１の深さの第１パターンを形成し、第２領域に第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンを形成する。このような工程を経てテンプレートが完成する。
【００４２】
次に、第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を説明する。
この具体例では、第１パターンにはデバイスパターンを形成するための凹凸パターンが形成され、第２パターン２２テンプレートのアライメントマークを形成するための凹凸パターンが形成されている場合を例とした説明を行う。
【００４３】
図６（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
先ず、図６（ａ）に表したように、基材１０である例えば石英３００のデバイスパターン領域Ｒ１（第１領域）を除くアライメントマーク領域Ｒ２（第２領域）にイオン３０１を注入する。すなわち、イオン注入装置（図示せず）によってデバイスパターン領域Ｒ１の上方をマスク３０２によって遮蔽し、石英３００にイオン３０１を注入する。
【００４４】
イオン３０１の種類は、例えばアンチモン、キセノン及び鉛よりなる群から選択された少なくとも１つを用いる。イオン３０１の種類としては、デバイスパターン領域Ｒ１のエッチング速度よりもアライメントマーク領域Ｒ２のエッチング速度の方が速くなる荷電粒子が用いられる。
イオン注入の条件の一例として、アンチモンの場合の加速電圧は、１００キロボルト（ｋＶ）以上２００ｋＶ以下、ドーズ量は、２×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上４×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２である。
イオン３０１は、石英３００の上面から例えば１マイクロメートル（μｍ）以上５μｍ以下程度の深さまで注入される。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に表したように、石英３００の上面に保護膜３０３を形成する。保護膜３０３の材料としては、例えばＣｒＮが用いられる。
【００４６】
次に、保護膜３０３の上にレジスト膜３０４Ｍを形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチングによりレジストパターン３０４を形成する。レジストパターン３０４は、デバイスパターン領域Ｒ１の上に設けられるデバイスパターン用のレジストパターン３０４ａと、アライメントマーク領域Ｒ２の上に設けられるアライメントマーク用のレジストパターン３０４ｂと、を含む。
【００４７】
なお、レジストパターン３０４の形成においては、マスクパターン形成用テンプレート（図示せず）を用いたインプリント法によって形成してもよい。レジスト膜３０４Ｍは、石英３００の平坦な上面に設けられているため、マスクパターン形成用テンプレート（図示せず）を用いたインプリント法によって容易にレジストパターン３０４が形成される。
【００４８】
その後、レジストパターン３０４を介して保護膜３０３をエッチングし、図６（ｃ）に表したようなマスクパターン３０３Ｐを形成する。
【００４９】
次に、マスクパターン３０３Ｐを介して石英３００のデバイスパターン領域Ｒ１及びアライメントマーク領域Ｒ２を同時にエッチングする。この際、マスクパターン３０３Ｐもエッチングする。
【００５０】
ここで、イオン３０１の注入されたアライメントマーク領域Ｒ２のエッチング速度は、イオン３０１の注入されていないデバイスパターン領域Ｒ１のエッチング速度よりも速い。そのため、デバイスパターン領域Ｒ１に比べ、アライメントマーク領域Ｒ２の方がより深くエッチングされる。
【００５１】
その後、マスクパターン３０３Ｐを剥離することで、デバイスパターン領域Ｒ１にはデバイスパターンＰ１が形成され、アライメントマーク領域Ｒ２にはアライメントマークパターンＰ２が形成される。これにより、テンプレート１１０が完成する。
【００５２】
テンプレート１１０において、デバイスパターンＰ１は、デバイスパターン領域Ｒ１の上面（石英３００の第１主面３００ａ）から第１の深さｄ１で形成される。また、テンプレート１１０において、アライメントマークパターンＰ２は、デバイスパターン領域Ｒ１の上面から第２の深さｄ２で形成される。アライメントマークパターンＰ２は、アライメントマーク領域Ｒ２の上面（石英３００の第２主面３００ｂ）から後退して設けられることから、第２の深さｄ２は、第１の深さｄ１よりも深くなる。
【００５３】
このようなテンプレート製造方法によれば、基材１０（石英３００）のアライメントマークパターンＰ２を形成するアライメントマーク領域Ｒ２に限り、選択的にエッチレートを高くするためのイオン３０１を注入することで、同時にエッチングしても、デバイスパターン領域Ｒ１よりもアライメントマークパターンＰ２を深さ方向に深く掘り込むことができる。
【００５４】
本実施形態に係るテンプレート製造方法では、マスクパターン３０３Ｐを形成するときのみフォトリソグラフィ及びエッチングを行っている。したがって、本実施形態では、参考例に比べてフォトリソグラフィ及びエッチングの処理回数が少なく、参考例に比べて容易にテンプレート１１０が製造される。
【００５５】
（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態に係るテンプレート製造方法の流れを示すフローチャートである。
第３の実施形態に係るテンプレート製造方法は、荷電ビームの注入工程（ステップＳ３０１）、マスクパターンの形成工程（ステップＳ３０２）、第１パターン及び第２パターンの形成工程（ステップＳ３０３）、を備える。
【００５６】
先ず、ステップＳ３０１に表した荷電ビームの注入工程では、第１領域及び第２領域を有する基材の第１領域に荷電ビームを注入する。すなわち、第１領域には荷電ビームを注入せず、第２領域に荷電ビームを注入する。
【００５７】
次に、ステップＳ３０２に表したマスクパターンの形成工程では、第１領域及び第２領域の上にマスクパターンを形成する。マスクパターンには、第１パターンを形成するための開口と、第２パターンを形成するための開口と、が設けられている。
【００５８】
次に、ステップＳ３０３に表した第１パターン及び第２パターンの形成工程では、マスクパターンを介して第１領域及び第２領域を同時にエッチングする。このエッチングによって、第１領域に第１の深さの第１パターンを形成し、第２領域に第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンを形成する。このような工程を経てテンプレートが完成する。
【００５９】
次に、第３の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を説明する。
この具体例では、第１パターンにはデバイスパターンを形成するための凹凸パターンが形成され、第２パターン２２テンプレートのアライメントマークを形成するための凹凸パターンが形成されている場合を例とした説明を行う。
【００６０】
図８（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係るテンプレート製造方法の具体例を示す模式的断面図である。
先ず、図８（ａ）に表したように、基材１０である例えば石英４００のアライメントマーク領域Ｒ２（第２領域）を除くデバイスパターン領域Ｒ１（第１領域）にイオン４０１を注入する。すなわち、イオン注入装置（図示せず）によってアライメントマーク領域Ｒ２の上方をマスク４０２によって遮蔽し、石英４００にイオン４０１を注入する。
【００６１】
イオン４０１の種類は、例えば、ガリウム、砒素及びインジウムよりなる群から選択された少なくとも１つを用いる。イオン４０１の種類としては、デバイスパターン領域Ｒ１のエッチング速度よりもアライメントマーク領域Ｒ２のエッチング速度の方が遅くなる荷電粒子が用いられる。
【００６２】
次に、図８（ｂ）に表したように、石英４００の上面に保護膜４０３を形成する。保護膜４０３の材料としては、例えばＣｒＮが用いられる。
【００６３】
次に、保護膜４０３の上にレジスト膜４０４Ｍを形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチングによりレジストパターン４０４を形成する。レジストパターン４０４は、デバイスパターン領域Ｒ１の上に設けられるデバイスパターン用のレジストパターン４０４ａと、アライメントマーク領域Ｒ２の上に設けられるアライメントマーク用のレジストパターン４０４ｂと、を含む。
【００６４】
なお、レジストパターン４０４の形成においては、マスクパターン形成用テンプレート（図示せず）を用いたインプリント法によって形成してもよい。レジスト膜４０４Ｍは、石英４００の平坦な上面に設けられているため、マスクパターン形成用テンプレート（図示せず）を用いたインプリント法によって容易にレジストパターン４０４が形成される。
【００６５】
その後、レジストパターン４０４を介して保護膜４０３をエッチングし、図８（ｃ）に表したようなマスクパターン４０３Ｐを形成する。
【００６６】
次に、マスクパターン４０３Ｐを介して石英４００のデバイスパターン領域Ｒ１及びアライメントマーク領域Ｒ２を同時にエッチングする。この際、マスクパターン４０３Ｐもエッチングする。
【００６７】
ここで、イオン４０１の注入されたデバイスパターン領域Ｒ１のエッチング速度は、イオン４０１の注入されていないアライメントマーク領域Ｒ２のエッチング速度よりも遅い。そのため、アライメントマーク領域Ｒ２に比べ、デバイスパターン領域Ｒ１の方がより浅くエッチングされる。言い換えると、デバイスパターン領域Ｒ１に比べ、アライメントマーク領域Ｒ２の方がより深くエッチングされる。
【００６８】
その後、マスクパターン４０３Ｐを剥離することで、デバイスパターン領域Ｒ１にはデバイスパターンＰ１が形成され、アライメントマーク領域Ｒ２にはアライメントマークパターンＰ２が形成される。これにより、テンプレート１１０が完成する。
【００６９】
テンプレート１１０において、デバイスパターンＰ１は、デバイスパターン領域Ｒ１の上面（石英４００の第１主面４００ａ）から第１の深さｄ１で形成される。また、テンプレート１１０において、アライメントマークパターンＰ２は、デバイスパターン領域Ｒ１の上面から第２の深さｄ２で形成される。アライメントマークパターンＰ２は、アライメントマーク領域Ｒ２の上面（石英４００の第２主面４００ｂ）から後退して設けられることから、第２の深さｄ２は、第１の深さｄ１よりも深くなる。
【００７０】
このようなテンプレート製造方法によれば、基材１０（石英４００）のデバイスパターンＰ１を形成するデバイスパターン領域Ｒ１に限り、選択的にエッチレートを低くするためのイオン４０１を注入することで、同時にエッチングしても、デバイスパターン領域Ｒ１よりもアライメントマークパターンＰ２を深さ方向に深く掘り込むことができる。
【００７１】
本実施形態に係るテンプレート製造方法では、マスクパターン４０３Ｐを形成するときのみフォトリソグラフィ及びエッチングを行っている。したがって、本実施形態では、参考例に比べてフォトリソグラフィ及びエッチングの処理回数が少なく、参考例に比べて容易にテンプレート１１０が製造される。
【００７２】
以上説明したように、実施形態に係るテンプレート製造方法によれば、深さの異なるパターンを容易に形成することができる。
【００７３】
なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、第１パターンにはデバイスパターンを形成するための凹凸パターンが形成され、第２パターンにはアライメントマークを形成するための凹凸パターンが形成される場合を例としたが、第１パターン及び第２パターンは、デバイスパターンやアライメントマークに限定されるものではない。
また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【００７４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７５】
１０…基材、１０ａ…主面、２１…第１パターン、２２…第２パターン、６０…基板、７０…被転写物、１００，２００，３００，４００…石英、１０１，１０６，２０３，３０３，４０３…保護膜、１０１ａ…第１主面、１０２ａ…第２主面、１１０…テンプレート、２０３Ｐ，３０３Ｐ，４０３Ｐ…マスクパターン、Ｐ１…デバイスパターン、Ｐ２…アライメントマークパターン、Ｒ１…デバイスパターン領域、Ｒ２…アライメントマーク領域、ｄ１…第１の深さ、ｄ２…第２の深さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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