(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの主面にエピタキシャル層を成長させるためのエピタキシャル成長装置であって、
前記エピタキシャル層の原料ガスが供給されるチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記ウェーハを裏面側から支持するサセプターと、
前記ウェーハの上方にリング状に配列された複数の加熱用ランプからなり前記ウェーハを主面側から加熱する上部ランプ群と、
前記サセプターの下方にリング状に配列された複数の加熱用ランプからなり前記ウェーハを裏面側から加熱する下部ランプ群と、
前記上部ランプ群を取り囲む略円筒状の反射部材とを備え、
前記反射部材は傾斜面を有し、前記傾斜面は、前記上部ランプ群の任意の加熱用ランプから前記ウェーハの主面と直交する第１の方向に輻射された電磁波を反射して前記ウェーハの端部に導くことを特徴とするエピタキシャル成長装置。
【請求項２】
前記上部ランプ群の任意の加熱用ランプから前記第１の方向に輻射された電磁波が前記反射部材の前記傾斜面に入射するときの入射角度θ１と、前記傾斜面に入射した前記電磁波が前記傾斜面で反射して前記ウェーハの端部に導かれるときの反射角度θ２とが等しくなるように前記傾斜面の傾斜角度が設定されていることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項３】
前記反射部材は、前記ウェーハの主面と直交する第１の反射面と、前記第１の反射面とは直交しない第２の反射面とを備え、
前記第２の反射面が前記傾斜面を構成していることを特徴とする請求項１又は２に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項４】
前記第２の反射面は、第１の傾斜角度を有する第１の平坦面と、前記第１の平坦面よりも下端側に位置し、前記第１の傾斜角度よりも大きな第２の傾斜角度を有する第２の平坦面を含むことを特徴とする請求項３に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項５】
前記第２の反射面は、前記第１の反射面から離れるほど傾斜角度が大きくなる湾曲面を含むことを特徴とする請求項３に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項６】
前記ウェーハの端部は、前記ウェーハのエッジから１０ｍｍまでの領域であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長装置に関し、特に、チャンバー内のウェーハを効率良く加熱するための加熱構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャル成長装置においては、チャンバー内のサセプター上に載置されたウェーハを高温に加熱する必要があり、その加熱源としてはハロゲンランプ（赤外線ランプ又は遠赤外線ランプ）が広く用いられている。このハロゲンランプは、チャンバーの上方及び下方に多数配列される。また、ハロゲンランプからの熱放射エネルギー（電磁波）をチャンバー内で効率良く利用するため、金メッキされた円筒状の反射部材を用いてチャンバーの上方及び下方の空間を取り囲む構造が採用されている。
【０００３】
蓋部材の上方にはウェーハ表面温度を測定するためのパイロメータが設けられている。このパイロメータは、被測定物体からの熱放射エネルギーを受けて温度測定を行うものであるため、パイロメータと被測定物体との間に障害物（不透明体）がないことが必要となる。このため、ハロゲンランプは、パイロメータと被測定物体であるウェーハとの間の障害とならないよう、蓋部材の中央部の一定領域の周りにリング状に配置されることが一般的である。また、ハロゲンランプからの熱放射エネルギーがパイロメータに入射しないよう、ハロゲンランプの内側には円筒形の反射部材（シールド）が配置されている。
【０００４】
このような構成においては、単にハロゲンランプを蓋部材に取り付けただけでは、ハロゲンランプの直下となるウェーハの外側領域が内側（中央側）領域よりも加熱され、ウェーハ表面に形成される薄膜の膜厚分布が不均一となってしまう。そこで、従来においては、一部のハロゲンランプを内側領域の加熱用とし、それらのハロゲンランプの上方（ウェーハとは反対側）に反射部材を設置し、この反射部材の角度を調整することによって上方に放射された熱放射エネルギーをウェーハの内側領域、すなわち膜厚不足部分に向かうようにしている。
【０００５】
上記従来技術においては、反射部材の設置によりウェーハ表面に形成される薄膜の膜厚分布はある程度改善される。しかし、膜厚分布に対しては、より一層の均一性向上が要請されている。そのため、特許文献１では、ハロゲンランプの内側にも金メッキが施された略円筒状のシールド部材を設置している。このシールド部材は、各外側加熱用ハロゲンランプに対応する部分の下端位置が、各内側加熱用ハロゲンランプに対応する部分の下端位置よりも低くなる形状を有している。各外側加熱用ハロゲンランプからウェーハの内側に向かうべき赤外線はシールド部材で反射し、ウェーハの外側に向かうので、ウェーハ中心部に照射される赤外線の量を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１３８１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図７は、従来のエピタキシャル成長装置が有する課題を説明するための略側面断面図である。
【０００８】
図７に示すように、シリコンウェーハＷの下面のエッジはコーティングされたサセプター３１の表面と線接触しているが、両者が有する僅かな凹凸によって形成される非常に小さな隙間からウェーハＷの裏面側に原料ガスが入り込み、ウェーハＷの裏面の端部やサセプター３１の表面にシリコンがエピタキシャル成長するという問題がある。また、シリコンがウェーハＷの裏面に直接堆積されるだけでなく、サセプター３１の表面に堆積したシリコンの転写（mass transfer）も問題となっている。ウェーハＷの裏面の端部に多くのシリコンが付着するとウェーハ全体の平坦度が悪化するため、シリコンの付着をできるだけ防止する必要がある。
【０００９】
上記特許文献１に記載のエピタキシャル成長装置は、ウェーハの中心部の膜厚が厚くならないように制御し、ウェーハ表面に形成されるエピタキシャル膜厚分布の均一性を向上させているが、ウェーハの裏面の端部にポリシリコンが付着するという問題を解決することはできなかった。
【００１０】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、ウェーハの裏面の端部にシリコンが付着することを抑制し、ウェーハの平坦度を向上させることが可能なエピタキシャル成長装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者らは、ウェーハの裏面の端部にポリシリコンが付着するメカニズムについて鋭意研究を重ねた結果、ポリシリコンの付着量は、ウェーハとサセプターとの間の温度差の影響を受けており、ウェーハ側の加熱量をサセプター側よりも高めることでシリコンの付着量を抑制できることを見出した。ウェーハ及びサセプターは複数のハロゲンランプにより加熱されているが、チャンバー内のガスの対流や周囲壁面への伝熱の影響を受け、ウェーハの端部付近の温度は低下しやすい条件となっている。そのため、ウェーハ裏面の温度がサセプターの温度よりも低いと、サセプターの表面に付着しているポリシリコンがその温度差の影響を受けてウェーハ側に転写され、ウェーハ裏面に付着するものと考えられる。したがって、チャンバーの上方に位置するハロゲンランプ（上部ランプ群）の出力に比べてチャンバーの下方に位置するハロゲンランプ（下部ランプ群）の出力が十分に低ければ、或いは、下部ランプ群に比べて上部ランプ群の出力が十分に高ければ、ポリシリコンの付着量を低下させることが可能である。
【００１２】
しかしながら、上部ランプ群の出力を上げた場合には消費電力が増大し、ランプの寿命が短くなるという問題があるため好ましくない。また、上部ランプ群はウェーハの内側を加熱するための内側加熱用ハロゲンランプと外側を加熱するための外側加熱用ハロゲンランプとの間で微妙な熱量バランスを保っているため、上部ランプ群の出力を調整することは容易ではない。
【００１３】
本発明はこのような技術的知見に基づくものであり、本発明によるエピタキシャル成長装置は、ウェーハの主面にエピタキシャル層を成長させるためのエピタキシャル成長装置であって、前記エピタキシャル層の原料ガスが供給されるチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、前記ウェーハを裏面側から支持するサセプターと、前記ウェーハの上方にリング状に配列された複数の加熱用ランプからなり前記ウェーハを主面側から加熱する上部ランプ群と、前記サセプターの下方にリング状に配列された複数の加熱用ランプからなり前記ウェーハを裏面側から加熱する下部ランプ群と、前記上部ランプ群を取り囲む略円筒状の反射部材とを備え、前記反射部材は傾斜面を有し、前記傾斜面は、前記上部ランプ群の任意の加熱用ランプから前記ウェーハの主面と直交する第１の方向に輻射された電磁波を反射して前記ウェーハの端部に導くことを特徴としている。
【００１４】
本発明においては、前記上部ランプ群の任意の加熱用ランプから前記第１の方向に輻射された電磁波が前記反射部材の前記傾斜面に入射するときの入射角度θ１と、前記傾斜面に入射した前記電磁波が前記傾斜面で反射して前記ウェーハの端部に導かれるときの反射角度θ２とが等しくなるように前記傾斜面の傾斜角度が設定されていることが好ましい。
【００１５】
本発明において、前記反射部材は、前記ウェーハの主面と直交する第１の反射面と、前記第１の反射面とは直交しない第２の反射面とを備え、前記第２の反射面が前記傾斜面を構成していることが好ましい。この場合において、前記第２の反射面は、第１の傾斜角度を有する第１の平坦面と、前記第１の平坦面よりも下端側に位置し、前記第１の傾斜角度よりも大きな第２の傾斜角度を有する第２の平坦面を含む構成であってもよい。また、前記第２の反射面は、前記第１の反射面から離れるほど傾斜角度が大きくなる湾曲面を含む構成であってもよい。
【００１６】
本発明において、前記ウェーハの端部は、前記ウェーハのエッジから１０ｍｍまでの領域であることが好ましい。過剰なシリコンはこの領域に多く付着することから、この領域を集中的に加熱することでポリシリコンの付着を効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ウェーハの裏面の端部においてシリコンが過剰に付着することを抑制することができ、ウェーハの平坦度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるエピタキシャル成長装置の構造を示す略側面断面図である。
【図２】図１のエピタキシャル成長装置における上部ランプ群のレイアウトを示す略平面図である。
【図３】反射部材２５の下端部の形状を拡大して示す略断面図である。
【図４】比較例による従来のエピタキシャル成長装置の構造を示す略側面断面図である。
【図５】反射部材２５の構造の他の例を示す略側面断面図である。
【図６】実施例及び比較例によるシリコンウェーハの裏面の膜厚分布を示すグラフである。
【図７】従来のエピタキシャル成長装置が有する課題を説明するための略側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるエピタキシャル成長装置の構造を示す略側面断面図である。また図２は、図１のエピタキシャル成長装置における上部ランプ群のレイアウトを示す略平面図である。
【００２１】
図１に示すように、エピタキシャル成長装置１０はシリコンウェーハＷを一枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構成されたチャンバー１１と、チャンバー１１の上方を覆う蓋部材１２とを備えている。チャンバー１１内にはウェーハ支持用のサセプター１３及び予熱リング１４が配置され、サセプター１３は支持シャフト１５により支持されている。チャンバー１１の一方の側部にはガス導入口１６、バッフル１７及び整流部材１８が設けられ、これに対向する他方の側部にはガス排気口１９が設けられている。
【００２２】
蓋部材１２の上方には、サセプター１３上に載置されたシリコンウェーハＷを加熱するための上部ランプ群２０Ｇが設けられている。上部ランプ群２０Ｇは、横置きタイプの複数のハロゲンランプ２０からなり、赤外線又は遠赤外線を放射する。図２に示すように、この上部ランプ群２０Ｇは、シリコンウェーハＷの内側（中心側）領域を主に加熱するための２０個の内側加熱用ハロゲンランプ２０ｉと、シリコンウェーハＷの外側領域を主に加熱するための１２個の外側加熱用ハロゲンランプ２０ｏとからなり、これらは所定の順序でリング状に配置されている。
【００２３】
エピタキシャル成長装置１０における所定の方向は、当該装置の通常の使用状態、或いは装置内のウェーハＷの向きに基づいて定められ、「上方」とは、基準位置から見て当該ウェーハの裏面から主面に向かうほうをいい、「下方」とは基準位置から見て当該ウェーハの主面から裏面に向かうほうをいう。ウェーハの主面とはエピタキシャル層が形成される面をいい、ウェーハの裏面とは主面と反対側の面をいう。さらに、「外側」とは、基準位置から見て略円盤状のウェーハＷの中心から遠いほうをいい、「内側」とは、基準位置から見てウェーハＷの中心に近いほうをいう。
【００２４】
上部ランプ群２０Ｇの上方には金メッキが施された反射部材２３が設けられており、各ハロゲンランプ２０から上方に向かって輻射された電磁波が反射部材２３で反射し、サセプター１３上に載置されたシリコンウェーハＷに向かうように構成されている。特に、各内側加熱用ハロゲンランプ２０ｉの上方に位置する反射部材２３の部分的な平面形状が、各外側加熱用ハロゲンランプ２０ｏの上方のそれと異なることにより、各内側加熱用ハロゲンランプ２２ｉから上方に輻射された電磁波がシリコンウェーハＷの内側領域に向かうように構成されている。
【００２５】
サセプター１３の下方には下部ランプ群２１Ｇが設けられている。上部ランプ群２０Ｇと同様、下部ランプ群２１Ｇは横置きタイプの複数のハロゲンランプからなり、所定の順序でリング状に配置されている。
【００２６】
蓋部材１２の中央部の上方にはパイロメータ（非接触型熱電対温度計）２２が取り付けられており、このパイロメータ２２はシリコンウェーハＷからの電磁波を受けて当該シリコンウェーハＷの表面温度を測定する。
【００２７】
上部ランプ群２０Ｇの内側には、各ハロゲンランプ２０からの電磁波がパイロメータ２２に入射しないように当該電磁波を反射させる金メッキが施された反射部材２４が設置されている。
【００２８】
上部ランプ群２０Ｇの外側には、各ハロゲンランプ２０からの電磁波をランプハウス内に閉じ込めるための金メッキが施された反射部材２５が設置され、上部ランプ群２０Ｇは反射部材２５に取り囲まれている。下部ランプ群２１Ｇの外側には、各ハロゲンランプ２１からの電磁波をランプハウス内に閉じ込めるための反射部材２６が設置されており、下部ランプ群２１Ｇは反射部材２６に取り囲まれている。反射部材２５，２６は共に略円筒形状を有しているが、上側の反射部材２５の下端部はわずかに内側に折り曲げられている。
【００２９】
図３は、反射部材２５の下端部の形状を拡大して示す略断面図である。
【００３０】
図３に示すように、反射部材２５の下端部は、内側に一段折り曲げられ、所定角度の傾斜面２５ａを有している。すなわち、ウェーハＷの主面と直交する部分（第１の反射面）と、ウェーハＷの主面と直交しない部分（第２の反射面）を有しており、第２の反射面が傾斜面２５ａを構成している。傾斜面２５ａの傾斜角度は、上部ランプ群２０Ｇの任意のハロゲンランプ２０から真下（ウェーハＷの主面と直交する第１の方向）に進行した電磁波が傾斜面２５ａに入射するときの入射角度θ１と、傾斜面２５ａで反射してウェーハＷの端部Ｐに進行するときの反射角度θ２が等しくなるように設定されている。このような反射部材２５の形状により、電磁波をウェーハＷの端部Ｐに導くことができ、ウェーハＷの端部Ｐを集中的に加熱することができる。したがって、サセプター１３に付着しているシリコンのウェーハ裏面への転写を防止することができる。
【００３１】
電磁波を集中させるべきウェーハＷの端部Ｐは、ウェーハのエッジから１０ｍｍまでの範囲であることが好ましい。ウェーハＷの裏面におけるシリコンの付着はこの範囲内で顕著であることから、この範囲内に電磁波を集中すればシリコンの付着を十分に抑制することができる。
【００３２】
ウェーハＷの裏面の端部Ｐへのシリコンの付着を防止する方法として、下部ランプ群２１Ｇの出力よりも上部ランプ群２０Ｇの出力をさらに高くすることが考えられる。しかし、この方法は消費電力が増大し、ランプの寿命が短くなるという問題があるため好ましくない。また、上部ランプ群２０ＧはウェーハＷの内側を加熱するための内側加熱用ハロゲンランプ２０ｉと外側を加熱するための外側加熱用ハロゲンランプ２０ｏとの間で微妙な熱量バランスを保っているため、上部ランプ群２０Ｇの出力を調整することは容易ではない。
【００３３】
以上のように構成したエピタキシャル成長装置１０において、サセプター１３上にシリコンウェーハＷを載置した後、上部ランプ群２０Ｇ及び下部ランプ群２１Ｇを点灯してシリコンウェーハＷを加熱すると共に、ガス排気口１９から排気を行いながらトリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）ガスやジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス等の原料ガスをガス導入口１６から導入する。
【００３４】
原料ガスはガス導入口１６からバッフル１７、整流部材１８を通り、チャンバー１１の上部空間１１ａへと流れ込む。上部ランプ群２０Ｇ及び下部ランプ群２１ＧによりウェーハＷ、サセプター１３、予備リング１４は加熱されており、加熱されたシリコンウェーハＷの表面に沿って原料ガスが層流状態で流れることにより、シリコンウェーハＷ上でエピタキシャル成長が起こり、エピタキシャル層が形成される。
【００３５】
ここで、比較例として従来のエピタキシャル成長装置の構造を図４に示す。従来のエピタキシャル成長装置１０Ａは、上述した本発明によるエピタキシャル成長装置１０と反射部材２５の構造のみが異なり、その他の構成はエピタキシャル成長装置１０と同じである。エピタキシャル成長装置１０Ａの反射部材２５は、その上端から下端までが真っ直ぐな円筒形状を有している。そのため、上部ランプ群２０Ｇの任意のハロゲンランプ２０から真下に進行した電磁波はそのまま真下に進んでウェーハＷのエッジよりも外側に到達する。したがって、ウェーハＷの端部Ｐが集中的に加熱されることがなく、シリコンの付着による平坦度の低下を防止することはできない。
【００３６】
これに対し、本実施形態のエピタキシャル成長装置１０は、反射部材２５の下端部が内側に折り曲げられているので、上部ランプ群２０Ｇの任意のハロゲンランプ２０から真下に進行した電磁波をウェーハＷの端部Ｐに導くことができ、ウェーハＷの端部Ｐを集中的に加熱することができる。したがって、ウェーハの裏面へのシリコンの堆積を防止できると共に、サセプター１３に付着しているシリコンのウェーハ裏面への転写を防止することができる。
【００３７】
図５は、反射部材２５の構造の他の例を示す略側面断面図である。
【００３８】
図５に示すように、反射部材２５の下端部は多段に折り曲げられ、所定角度の傾斜面を有している。この場合、傾斜面の傾斜角度は平坦面ごとに異なり、任意の２つの平坦面のうち、相対的に下方に位置する平坦面（第２の平坦面）の傾斜角度は、相対的に上方に位置する平坦面（第１の平坦面）の傾斜角度よりも大きい。各平坦面の傾斜角度は、上部ランプ群２０Ｇの任意のハロゲンランプ２０から真下に進行した電磁波が傾斜面に入射するときの入射角度θ１と、傾斜面で反射してウェーハＷの端部Pに進行するときの反射角度θ２が等しくなるように設定されている。このような反射部材２５の形状により、ウェーハＷの端部を集中的に加熱することができ、サセプター１３に付着しているシリコンがウェーハ裏面に転写されることを防止することができる。
【００３９】
なお、図４において反射部材２５の折り曲げ段数を無限大とし、その下端部を緩やかな湾曲面とすることも可能である。この場合、反射部材２５の傾斜角度は、下端に向かうほど（ウェーハＷの主面と直交する第１の反射面から遠ざかるほど）大きくなる。このような形状であってもウェーハＷの端部Pを集中的に加熱することができ、サセプター１３に付着しているポリシリコンがウェーハ裏面に転写されることを防止することができる。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態によるエピタキシャル成長装置１０は、反射部材２５の下端部が内側に折り曲げられることにより形成された傾斜面を有するので、上部ランプ群２０Ｇの一つのハロゲンランプ２０から真下に進行した電磁波をウェーハＷの端部に導くことができ、ウェーハＷの端部を集中的に加熱することができる。したがって、ウェーハの裏面へのシリコンの堆積を防止できると共に、サセプター１３に付着しているポリシリコンがウェーハ裏面に転写されることを防止することができる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。
【００４２】
例えば、上記実施形態では反射部材２５の下端部を折り曲げた構造としているが、反射部材２５の中間部から折り曲げられた傾斜構造であってもよく、反射部材２５の全体が折り曲げられた傾斜構造であってもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では加熱用ランプの一例としてハロゲンランプを挙げたが、本発明はハロゲンランプに限らず、赤外線又は遠赤外線を高出力で発生させることができる加熱用ランプであれば、どのようなものでも適用ことができる。
【実施例】
【００４４】
〔実施例１〕
本発明によるエピタキシャル成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを作製した。エピタキシャル成長装置の反射部材２５の下端部は、下端から１０ｃｍの位置で内側に一段折り曲げられ、傾斜角度θ０＝１１°の傾斜面を有するものを用いた。このような形状とすることにより、傾斜面２５ａで反射した電磁波はウェーハＷのエッジから２０ｍｍの範囲内に照射されるものとなった。このようなエピタキシャル成長装置を用いてシリコンウェーハの主面をエピタキシャル成長させた。成膜条件としては、チャンバー１１の上部空間１１ａに供給されるＨ２パージガスの流量範囲を３０〜１００ｓｌｍ、チャンバー１１の下部空間１１ｂに供給されるＨ２パージガスの流量範囲を５〜３０ｓｌｍ、原料ガスであるトリクロロシランの流量範囲を３〜２０ｓｌｍとし、成膜温度範囲を１０５０〜１１７０℃とした。
【００４５】
次に、ＦＴ−ＩＲ方式の膜厚測定器を用いて、エピタキシャルウェーハの主面の膜厚分布を測定し、これをイニシャルの値とした。その後、当該ウェーハを反転し、ウェーハの裏面に上記成膜条件でエピタキシャル成長を実施し、通常プロセスではウェーハの裏面の端部に形成される不要なエピタキシャル膜をウェーハの主面にも意図的に形成し、ウェーハの主面にウェーハの裏面と同様な状況を作り上げた。こうして、ウェーハの主面及び裏面をエピタキシャル成長させた後、当該ウェーハを再度反転し、ウェーハ主面の面内膜厚を再度測定した。そして、ウェーハ裏面のエピタキシャル成長前後におけるウェーハ主面の膜厚分布の差分をとることで、イニシャル値に対するウェーハ主面の面内膜厚の変化量を算出し、この変化量をウェーハ裏面のシリコン堆積量とした。その結果を図６のグラフに示す。図６のグラフにおいて、横軸はウェーハの中心を基準とする径方向の位置（ｍｍ）、縦軸はエピタキシャルシリコンの堆積量（相対値）をそれぞれ示している。
【００４６】
図６に示すように、本発明によるエピタキシャル成長装置を用いて作製されたエピタキシャルウェーハの裏面のシリコン堆積量は、ウェーハの端部において少し増加するものの、比較例１と比べ約４０％以下まで低下した。
【００４７】
〔比較例１〕
反射部材２５の下端部に傾斜面を有しない従来のエピタキシャル成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを作製した。成膜条件は上記実施例１と同一とした。次に、実施例１と同一条件下でエピタキシャルウェーハの膜厚分布を測定した。その結果を図６に示す。
【００４８】
図６に示すように、従来のエピタキシャル成長装置を用いて作製されたエピタキシャルウェーハの裏面のシリコン堆積量はウェーハの端部において極端に大きく、ウェーハの裏面の膜厚分布は不均一となった。
【符号の説明】
【００４９】
１０    エピタキシャル成長装置
１０Ａ    エピタキシャル成長装置
１１    チャンバー
１２    蓋部材
１３    サセプター
１４    予熱リング
１５    支持シャフト
１６    ガス導入口
１７    バッフル
１８    整流部材
１９    ガス排気口
２０    ハロゲンランプ
２０Ｇ    上部ランプ群
２０ｉ    内側加熱用ハロゲンランプ
２０ｏ    外側加熱用ハロゲンランプ
２１    ハロゲンランプ
２１Ｇ    下部ランプ群
２２    パイロメータ
２３    反射部材
２４    反射部材
２５    反射部材
２５ａ    反射部材の傾斜面
２６    反射部材
Ｗ    シリコンウェーハ
θ０    反射部材２３の下端部（傾斜面）の傾斜角度
θ１    入射角度
θ２    反射角度
【図１】
0005402657.tif 000002
【図２】
0005402657.tif 000003
【図３】
0005402657.tif 000004
【図４】
0005402657.tif 000005
【図５】
0005402657.tif 000006
【図６】
0005402657.tif 000007
【図７】
0005402657.tif 000008