(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属の酸化物からなる第１のターゲットをスパッタしつつ、前記金属からなる第２のターゲットを第１の電力でスパッタすることで、第１の抵抗率を有する第１の金属酸化物層を基板上に形成し、
前記第１のターゲットをスパッタしつつ、前記第２のターゲットを前記第１の電力と異なる第２の電力でスパッタすることで、前記第１の抵抗率とは異なる第２の抵抗率を有する第２の金属酸化物層を前記第１の金属酸化物層上に形成する
抵抗変化素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗変化素子の製造方法であって、
前記第１の金属酸化物層は、前記第１のターゲットを第３の電力でスパッタしつつ、前記第２のターゲットを前記第１の電力でスパッタすることで形成され、
前記第２の金属酸化物層は、前記第１のターゲットを前記第３の電力でスパッタしつつ、前記第２のターゲットを前記第２の電力でスパッタすることで形成される
抵抗変化素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の何れかに記載の抵抗変化素子の製造方法であって、
前記第１の金属酸化物層と前記第２の金属酸化物層とは、いずれも希ガスを用いてスパッタすることで形成される
抵抗変化素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の抵抗変化素子の製造方法であって、
前記第１のターゲットは、タンタル酸化物からなり、
前記第２のターゲットは、タンタルからなる
抵抗変化素子の製造方法。
【請求項５】
真空チャンバと、
前記真空チャンバに取り付けられ、金属の酸化物からなる第１のターゲットを含む第１のスパッタカソードと、
前記真空チャンバに取り付けられ、前記金属からなる第２のターゲットを含む第２のスパッタカソードと、
前記第１のターゲットをスパッタしつつ、前記第２のターゲットを第１の電力でスパッタする第１の状態と、前記第１のターゲットをスパッタしつつ、前記第２のターゲットを前記第１の電力と異なる第２の電力でスパッタする第２の状態とを順に切り替える切替部を有する制御ユニットと
を具備する抵抗変化素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリ等として使用される抵抗変化素子の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリには、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory ）などの揮発性メモリとフラッシュメモリなどの不揮発性メモリがある。不揮発性メモリとして、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ等が知られているが、さらに微細化が可能なデバイスとして、ＲｅＲＡＭ（Resistance RAM）が注目されている。【０００３】
ＲｅＲＡＭは、パルス電圧を受けて抵抗値が変化する可変抵抗体を抵抗素子として利用する。この可変抵抗体は、典型的には、酸化度、すなわち抵抗率の異なる２層以上の金属酸化物層であり、これらを上下電極ではさみこんだ構造をしている。酸化度が異なる酸化物の層構造を形成する方法として、金属からなるターゲットを酸素雰囲気でスパッタする、いわゆる反応性スパッタによって金属酸化物を形成する方法が知られている。例えば特許文献１には、金属からなるターゲットをスパッタしつつ酸素の供給量を減らすことで、酸素濃度の高いｎ型の遷移金属酸化物層と酸素濃度の低いｐ型の遷移金属酸化物層を積層する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２４４０１８号公報（段落［0036］［0037］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、酸素の流量変化に対する金属酸化物層の抵抗率変化が大きいため、酸化ガスの供給量によって金属酸化物層の抵抗率を制御することは容易ではなく、所望の抵抗率を有する金属酸化物層を形成するのは困難であった。さらに、ターゲット表面やシールド（防着板）表面における導入酸素の吸着等により、ウェーハ面内やウェーハ間で抵抗率の分布が発生しやすく、その分布をコントロールするのも困難であった。このため、所望の抵抗率を有する金属酸化物層を精度よく形成することができなかった。【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、所望の抵抗率を有する金属酸化物層を精度よく形成することができる抵抗変化素子の製造方法および製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る抵抗変化素子の製造方法は、第１の抵抗率を有する第１の金属酸化物を形成する工程と、上記第１の抵抗率とは異なる第２の抵抗率を有する第２の金属酸化物を形成する工程とを含む。
上記第１の金属酸化物は、金属の酸化物からなる第１のターゲットをスパッタしつつ、上記金属からなる第２のターゲットを第１の電力でスパッタすることで、基板上に形成される。
上記第２の金属酸化物層は、第１のターゲットをスパッタしつつ、上記第２のターゲットを上記第１の電力と異なる第２の電力でスパッタすることで、上記第１の金属酸化物層上に形成される。【０００８】
本発明の一形態に係る抵抗変化素子の製造装置は、真空チャンバと、第１のスパッタカソードと、第２のスパッタカソードと、制御ユニットとを具備する。
上記第１のスパッタカソードは、上記真空チャンバに取り付けられ、金属の酸化物からなる第１のターゲットを含む。
上記第２のスパッタカソードは、上記真空チャンバに取り付けられ、上記金属からなる第２のターゲットを含む。
上記制御ユニットは、上記第１のターゲットをスパッタしつつ、上記第２のターゲットを第１の電力でスパッタする第１の状態と、上記第１のターゲットをスパッタしつつ、上記第２のターゲットを上記第１の電力と異なる第２の電力でスパッタする第２の状態とを順に切り替える切替部を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る抵抗変化素子の製造装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る抵抗変化素子の構成を示した模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る第１の金属酸化物層、第２の金属酸化物層を形成する際の、金属酸化物ターゲットに供給される電力の経時的な変化を模式的に示した図である。
【図４】金属ターゲットを用いて希ガスと酸素ガスによりスパッタし、酸素ガスの流量を変化させた際に、形成された金属酸化物層の抵抗率の変化を示した図である。
【図５】金属ターゲットと金属酸化物ターゲットを同時にスパッタし、金属ターゲットの供給電力を変化させた際に、形成された金属酸化物層の抵抗率の変化を示した図である。
【図６Ａ】酸素流量の調整によって抵抗率を制御した場合における、金属酸化物層の抵抗率のウェーハ面内分布を示す一実験結果である。
【図６Ｂ】金属ターゲットの供給電力の制御によって抵抗率を制御した場合における、金属酸化物層の抵抗率のウェーハ面内分布を示す一実験結果である。
【図７Ａ】酸素流量の調整によって抵抗率を制御した場合における、金属酸化物層の抵抗率のウェーハ間分布を示す一実験結果である。
【図７Ｂ】金属ターゲットの供給電力の制御によって抵抗率を制御した場合における、金属酸化物層の抵抗率のウェーハ間分布を示す一実験結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る抵抗変化素子の製造方法は、第１の抵抗率を有する第１の金属酸化物を形成する工程と、上記第１の抵抗率とは異なる第２の抵抗率を有する第２の金属酸化物を形成する工程とを含む。
上記第１の金属酸化物は、金属の酸化物からなる第１のターゲットをスパッタしつつ、上記金属からなる第２のターゲットを第１の電力でスパッタすることで、基板上に形成される。
上記第２の金属酸化物層は、第１のターゲットをスパッタしつつ、上記第２のターゲットを上記第１の電力と異なる第２の電力でスパッタすることで、上記第１の金属酸化物層上に形成される。
【００１１】
上記抵抗変化素子の製造方法は、金属の酸化物からなる第１のターゲットと、上記金属からなる第２のターゲットとを同時にスパッタして成膜する。この際、ターゲットパワーを変化させることによって形成される金属酸化物層の酸化度を制御する。これによって、所望の酸化度、すなわち抵抗率を有する金属酸化物層を精度よく形成することができる。
【００１２】
上記第１の金属酸化物層は、上記第１のターゲットを第３の電力でスパッタしつつ、上記第２のターゲットを上記第１の電力でスパッタすることで形成され、
上記第２の金属酸化物層は、上記第１のターゲットを上記第３の電力でスパッタしつつ、上記第２のターゲットを上記第２の電力でスパッタすることで形成されてもよい。
【００１３】
これによって、上記第１のターゲットの電力を変化させることなく、第２のターゲットの電力によってのみ形成される金属酸化物層の抵抗率を制御することができる。
【００１４】
上記第１の金属酸化物層と上記第２の金属酸化物層とは、いずれも希ガスを用いてスパッタすることで形成されてもよい。
これによって、プラズマ形成に寄与するガスによる影響を少なくし、より精度よく金属酸化物層の抵抗率を制御することができる。
【００１５】
上記第１のターゲットを構成する酸化物材料及び第２のターゲットを構成する金属材料は特に限定されず、例えば上記第１のターゲットは、タンタル酸化物からなり、上記第２のターゲットは、タンタルからなる。
【００１６】
本発明の一実施形態に係る抵抗変化素子の製造装置は、真空チャンバと、第１のスパッタカソードと、第２のスパッタカソードと、制御ユニットとを具備する。
上記第１のスパッタカソードは、上記真空チャンバに取り付けられ、金属の酸化物からなる第１のターゲットを含む。
上記第２のスパッタカソードは、上記真空チャンバに取り付けられ、上記金属からなる第２のターゲットを含む。
上記制御ユニットは、上記第１のターゲットをスパッタしつつ、上記第２のターゲットを第１の電力でスパッタする第１の状態と、上記第１のターゲットをスパッタしつつ、上記第２のターゲットを上記第１の電力と異なる第２の電力でスパッタする第２の状態とを順に切り替える切替部を有する。
【００１７】
上記抵抗変化素子の製造装置に係る制御ユニットは、第２のターゲットのスパッタパワーが異なる第１の状態と第２の状態とを順に切り替える切替部を有する。第２のターゲットのスパッタパワーによって金属酸化物層の抵抗率を精度よく制御できるため、抵抗率の異なる金属酸化物の積層構造を形成することが可能となる。
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
（抵抗変化素子の製造装置の構成）
図１は、本発明の一実施形態に係る抵抗変化素子の製造装置を示す断面図である。本実施形態では、上記製造装置は、スパッタ装置で構成される。スパッタ装置１０は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１に取り付けられたスパッタカソード１２Ａと、スパッタカソード１２Ｂと、コントローラ１３とを具備する。
【００２０】
真空チャンバ１１は内部に処理室Ｃを画成しており、図示しない真空排気手段を介して 処理室Ｃを所定の真空度にまで減圧可能とされている。また、処理室Ｃの内部にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入するためのガス導入配管１９が真空チャンバ１１の周縁から処理室Ｃ内へ取り付けられている。
【００２１】
基板支持台１４は、真空チャンバ１１内の略中央に設置され、内部には静電チャック用電極１４１が適宜設置されている。これにより、ウェーハＷを基板支持台１４の表面に密着させることができる。また、基板支持台１４の周囲には防着板１７が配設されて、スパッタされたスパッタ粒子の真空チャンバ１１内壁への付着を抑制する。
【００２２】
基板支持台１４は、台座１５の上に設置される。台座１５は、その下面中心部に回転軸１５Ｌが取り付けられており、モータ等の駆動源（図示せず）を介して回転可能に構成されている。これにより、ウェーハWをその中心のまわりに自転させる基板回転機構が構成されている。なお、回転軸１５Ｌは、軸受機構（図示せず）や磁性流体シール等のシール機構１５１を介して真空チャンバ１１に取り付けられている。
【００２３】
スパッタカソード１２Ａ及びスパッタカソード１２Ｂは、スパッタ粒子がウェーハＷの法線方向に対して斜め方向から入射するように、各々所定角度傾斜して真空チャンバ１１の上部に取り付けられている。スパッタカソード１２Ａ及びスパッタカソード１２Ｂには、ターゲットＴ１及びターゲットＴ２が処理室Ｃに面してそれぞれ設置されている。また、図示を省略するが、スパッタカソード１２Ａ，１２Ｂには、ターゲットＴ１，Ｔ２を冷却可能に支持するバッキングプレートや、ターゲットＴ１，Ｔ２の表面に磁場を形成する磁気回路等が設置されている。
【００２４】
ターゲットＴ１は、酸化物材料、例えばタンタル酸化物（TaOＸ）で構成される。ターゲットＴ１の構成材料はこれに限られず、例えば、ZrOＸ，HfOＸ，TiOＸ，AlOＸ，SiOＸ，FeOＸ，NiOＸ，CoOＸ，MnOＸ，SnOＸ，ZnOＸ，VOＸ，WOＸ，CuOＸ等の遷移金属の二元系酸化物を用いることができる。
【００２５】
ターゲットＴ２は、金属材料、例えばタンタル（Ｔａ）で構成される。ターゲットＴ２の構成材料はこれに限られず、ターゲットＴ１に用いられた遷移金属を用いることができる。
【００２６】
なお、スパッタカソードの数は２つに限られず、３つ以上でもよい。これら複数のスパッタカソードは同時に使用される例に限られず、単独で用いられてもよい。この場合、成膜に使用するターゲットを選択するためのシャッタ機構１６が、処理室Ｃの内部に設けられる。
【００２７】
シャッタ機構１６は、例えば、複数枚の遮蔽板１６１と、これら遮蔽板１６１を個々に回転させる回動軸１６２とを備えている。各遮蔽板１６１は、例えば、全てのスパッタカソードを覆うことができる大きさの傘状の金属板からなり、各スパッタカソードの対応部位に予め開口が形成されている。そして、回動軸１６２を駆動させて１６１の回転位置を適宜調整することにより、開口させる任意の1つ又は2つ以上のスパッタターゲットを選択できるようにする。なお、遮蔽板１６１の数は図示の例に限られない。
【００２８】
ターゲットＴ１は、真空チャンバ１１外部に設置されたＲＦ電源１８Ａに接続される。ＲＦ電源１８Ａは、例えば、周波数１３．５６ＭＨｚ、電力５００Ｗである。一方、ターゲットＴ２は、真空チャンバ１１外部に設置された可変電源１８Ｂに接続される。可変電源１８Ｂは、可変直流電源で構成される。可変電源１８Ｂの電力可変範囲は、例えば１０〜４５０Ｗである。
【００２９】
コントローラ１３（制御ユニット）は、典型的にはコンピュータで構成されており、スパッタ装置１０の全体の動作、すなわち上記真空排気手段、ガス流量、静電チャック用電極１４１、ＲＦ電源１８Ａ、可変電源１８Ｂ等を制御する。コントローラ１３は、真空チャンバ１１外部に設置されている。
【００３０】
コントローラ１３は、ターゲットＴ１をスパッタしつつ、ターゲットＴ２を第１の電力Ｐ１でスパッタする第１の状態と、第１のターゲットＴ１をスパッタしつつ、ターゲットＴ２を第２の電力Ｐ２でスパッタする第２の状態とを順に切り替える。本実施形態において、可変電源１８Ｂは、可変直流電源で構成されており、当該可変電源１８Ｂは、上記第１の状態と第２の状態とを切り替える切替部を構成する。
【００３１】
本実施形態では、第１の電力Ｐ１は、第２の電力Ｐ２よりも低い値に設定される。第１の電力Ｐ１は、例えば５００Ｗに設定され、第２の電力Ｐ２は、例えば２００Ｗに設定される。
【００３２】
スパッタ装置１０は、例えば図２に模式的に示す抵抗変化素子を製造する。次に、抵抗変化素子の構成について説明する。
【００３３】
（抵抗変化素子の構成）
図２は、本実施形態に係る抵抗変化素子１の構成を示した模式図である。抵抗変化素子１は、基板２、下部電極層３、第１の金属酸化物層４、第２の金属酸化物層５、上部電極層６を有する。
【００３４】
基板２は、例えばシリコン基板等を用いることができるが、特に材料は限定されない。
【００３５】
下部電極層３は、基板２上に形成され、本実施形態ではＴａで形成される。なお、材料はこれに限定されず、例えばHf，Z r，Ti，Al，Fe，Co，M n，Sn，Zn，C r，V，Wなどの遷移金属、あるいはこれらの合金（TaSi，WSi，TiSiなどのシリコン合金、TaN，WaN，TiN，TiAlNなどの窒素化合物、TaCなどの炭素合金等）等を用いることができる。
【００３６】
第１の金属酸化物層４は、下部電極層３上に形成され、本実施形態ではTaOxで形成される。ここで、第１の金属酸化物層４に用いられるTaOxは、化学量論組成に近い酸化物である。なお、材料はこれに限定されず、例えば、ZrOx，HfOx，TiOx，AlOx，SiOx，FeOx，NiOx，CoOx，MnOx，SnOx，ZnOx，VOx，WOx，CuOx等の遷移金属の二元系の酸化物等を用いることができる。また、第１の金属酸化物層４の有する抵抗率は、所望の素子特性が得られれば限られないが、例えば１０6Ωｃｍより大きい値である。
【００３７】
第２の金属酸化物層５は、第１の金属酸化物層４上に形成され、本実施形態ではTaOxで形成される。ここで、第２の金属酸化物層５に用いられるTaOxは、第１の金属酸化物層４を形成するTaOxよりも酸化度が低く、酸素欠損を多数含む酸化物である。なお、材料はこれに限定されず、例えば、ZrOx，HfOx，TiOx，AlOx，SiOx，FeOx，NiOx，CoOx，MnOx，SnOx，ZnOx，VOx，WOx，CuOx等の遷移金属の二元系の酸化物等を用いることができる。第１の金属酸化物層４と同じ酸化物でも異なる酸化物でもよい。また、第２の金属酸化物層５の有する抵抗率は、第１の金属酸化物層４の抵抗率よりも小さければよく、例えば、１Ωｃｍより大きく１０6Ωｃｍ以下である。
【００３８】
上部電極層６は、第２の金属酸化物層５上に形成され、本実施形態ではＴａで形成される。なお、材料はこれに限定されず、例えばHf，Z r，Ti，Al，Fe，C o，M n，Sn，Zn，Cr，V，Wなどの遷移金属、あるいはこれらの合金（TaSi，WSi，TiSiなどのシリコン合金、TaN，WaN，TiN，TiAlNなどの窒素化合物、TaCなどの炭素合金）等を用いることができる。
【００３９】
抵抗変化素子１の第１の金属酸化物層４は、第２の金属酸化物層５よりも酸化度が高いため、第２の金属酸化物層よりも高い抵抗率を有する。ここで、上部電極層６に正電圧、下部電極層３に負電圧をそれぞれ加えると、高抵抗である第１の金属酸化物層４中の酸素イオン（Ｏ2−）が低抵抗である第２の金属酸化物層５中に拡散し、第１の金属酸化物層４の抵抗が低下する（低抵抗状態）。一方、下部電極層３に正電圧、上部電極層６に負電圧をそれぞれ加えると、第２の金属酸化物層５から第１の金属酸化物層４へＯ2−が拡散し、再び第１の金属酸化物層４の酸化度が高まり、抵抗が高くなる（高抵抗状態）。
【００４０】
すなわち、第１の金属酸化物層４は、下部電極層３及び上部電極層６間の電圧を制御することにより、低抵抗状態と高抵抗状態とを可逆的にスイッチングする。さらに、低抵抗状態および高抵抗状態は、電圧が印加されていなくても保持されるため、抵抗変化素子１は不揮発性メモリ素子として利用可能となる。
【００４１】
次に、スパッタ装置１０を用いた抵抗変化素子１の製造方法について説明する。
【００４２】
（抵抗変化素子の製造方法）
抵抗変化素子１の製造方法は、以下の４工程を有する。すなわち、下部電極層３の形成工程、第１の金属酸化物層４の形成工程、第２の金属酸化物層５の形成工程および上部電極層６の形成工程である。以下、それぞれについて説明する。
【００４３】
（下部電極層の形成）
下部電極層３の形成方法としては、例えば蒸着、スバッタ法、CVD法、ALD法等が採用される。本実施形態では、スパッタ装置１０によって下部電極層３が形成される。この場合、シャッタ機構１６により開放されたターゲットＴ２のみがスパッタされる。
【００４４】
この場合、所定の真空度に減圧された処理室Ｃ内の基板支持台１４上に基板２が載置され、スパッタガスとしてＡｒガスが処理室Ｃ内に導入される。そして、基板支持台１４を所定の回転速度で回転させながらターゲットＴ２をスパッタすることで、基板２上に膜厚均一性の高い下部電極層３を成膜することができる。このときのターゲットＴ２の供給電力は特に限定されず、例えば２００Ｗである。
【００４５】
（第１の金属酸化物層の形成）
次に、下部電極層３の上に、第１の金属酸化物層４が形成される。処理室Ｃの内部にガス導入配管１９よりＡｒガスが所定の流量で導入される。シャッタ機構１６は、ターゲットＴ１及びターゲットＴ２を開放させる。そして、コントローラ１３は、上記第１の状態で、ターゲットＴ１及びターゲットＴ２を同時にスパッタする。これにより、下部電極層３の表面全体にわたって膜厚均一性の高い第１の金属酸化物層４が形成される。
【００４６】
（第２の金属酸化物層の形成）
続いて、第２の金属酸化物層５を形成する。この工程では、コントローラ１３は、上記第２の状態で、ターゲットＴ１，Ｔ２を同時にスパッタする。これにより、第１の金属酸化物層４の表面全体にわたって膜厚均一性の高い第２の金属酸化物層５が形成される。
【００４７】
本実施形態において、ＲＦ電源１８Ａの電力は、第１の金属酸化物層４の形成工程と第２の金属酸化物層５の形成工程とを通じて一定に保たれている。すなわち、可変電源１８Ｂの電力のみを調節することで、ターゲットＴ２のスパッタレートを制御し、第１の金属酸化物層４および第２の金属酸化物層５の抵抗率をそれぞれ制御するようにしている。
【００４８】
図３は、第１の金属酸化物層４、第２の金属酸化物層５を形成する際の、可変電源１８Ｂの電力変化を示すタイミングチャートであり、横軸は時間、縦軸は電力値を示す。コントローラ１３は、電源１８Ｂの電力をＰ１からＰ２へ順次切り替える。スパッタ開始から時刻ｔ１までの期間では第１の金属酸化物層４が形成され、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間では第２の金属酸化物層５が形成される。時刻ｔ１，ｔ２は、電力Ｐ１，Ｐ２の大きさ、必要とする膜厚等に応じて設定される。
【００４９】
（上部電極層の形成）
続いて、第２の金属酸化物層５の上に、上部電極層６が形成される。上部電極層６は、下部電極層３と同様に形成することができ、本実施形態では、スパッタ装置１０によって上部電極層６が形成される。
【００５０】
以上のように、本実施形態に係る抵抗変化素子１の製造方法では、ターゲットＴ２に供給されるスパッタ電力を変化させることによって、形成される第１の金属酸化物層４および第２の金属酸化物層５の酸化度を制御している。
【００５１】
例えば、スパッタ法により金属酸化物層の酸化度を制御する場合、酸化性雰囲気における金属ターゲットの反応性スパッタ法が用いられる。この方法によって形成された金属酸化物層の抵抗率は、一般に、図４のような酸素流量依存性を示す。図４は、Ｔａターゲットを酸化性雰囲気でスパッタすることで金属酸化物層を形成したときの、酸素流量と金属酸化物層の抵抗率との関係を示す一実験結果である。
【００５２】
図４から、１Ωｃｍより大きい抵抗率を有する金属酸化物層を形成する際に、酸素流量に対する抵抗率の変化が非常に大きくなることがわかる。これは、酸素流量を大きくした場合、ターゲットの酸化が進み、形成される金属酸化物層の酸化度が上昇しやすいためと考えられる。このことから、１Ωｃｍより大きく１０6Ωｃｍ以下の抵抗率を有する第２の金属酸化物層５を形成するためには、非常に精度よく酸素流量を調整しなくてはならず、困難を伴う。
【００５３】
一方、本実施形態では、電圧を調整することで、抵抗率を制御している。図５は、金属ターゲットと金属酸化物ターゲットを同時にスパッタし、金属ターゲットの供給電力を変化させた際の、形成された金属酸化物層の抵抗率の変化を示す一実験結果である。このとき、金属酸化物ターゲットの供給電力は一定とし、スパッタガスはＡｒとした。
【００５４】
図５より、１Ωｃｍより大きく１０6Ωｃｍ以下の抵抗率に対応する金属ターゲットの供給電力は緩やかに変化する。これは、反応性ガスを用いていないので導入されるガスによる影響が少なく、安定したスパッタが可能であるためと考えられる。したがって、本実施形態に係る第２の金属酸化物層５を作成する際も、可変電源１８Ｂの電力のみを調整することで、精度よく抵抗率を制御することができる。
【００５５】
また、酸素流量によって抵抗率を調整する際は、ターゲット表面や防着板表面における酸化等によってウェーハ面内やウェーハ間で抵抗率の分布が発生しやすく、その分布をコントロールするのも困難である。次に、本実施形態に係る方法を用いて金属酸化物層を形成した例と、酸素流量の調整により抵抗率を制御して金属酸化物層を形成した例とを比較し、本発明の効果についてさらに説明する。
【００５６】
図６Ａ，Ｂは、金属酸化物層の抵抗率のウェーハ面内分布を示す一実験結果であり、図７Ａ，Ｂは複数のウェーハを連続的にスパッタした際における金属酸化物層の抵抗率のウェーハ間分布を示す一実験結果である。図６Ａ，図７Ａは酸素流量の調整によって抵抗率を制御した場合を示し、図６Ｂ，図７Ｂは本実施形態に係る方法、すなわち金属ターゲットの供給電力の制御によって抵抗率を制御した場合を示している。実験には、１２インチウェーハを使用した。
【００５７】
図６Ａでは、ウェーハの中心に近い部分では抵抗率が低く、中心から離れるに従って抵抗率が高いウェーハ内分布を示し、実際に、ウェーハ面内の抵抗率分布は±65%である。このことは、基板支持台の周囲に位置する防着板表面やウェーハの周縁部において酸素ガスが反応してしまい、ウェーハ中心部においてスパッタ粒子と反応する酸素ガスの量が減少するためと考えられる。
【００５８】
一方、図６Ｂでは、抵抗率は均一なウェーハ内分布を示し、±2%の範囲に収まっている。これは、スパッタに反応性ガスを使用していないため導入されるガスによる影響が少なく、酸化度が均一な金属酸化物層を形成できるためと考えられる。
【００５９】
図７Ａでは、連続的にスパッタするウェーハ枚数が増加するに従って抵抗率の上昇が見られ、ウェーハ間の抵抗率の分布は±42.9%である。これは、スパッタに係る時間が経過するに従って酸素ガスによる金属ターゲットの酸化が進み、スパッタ粒子の酸化度が高くなる結果、形成された金属酸化物層の酸化度が上昇するためと考えられる。
【００６０】
一方、図７Ｂでは、ウェーハ間での抵抗率の分布が±4.5%であり、ほぼ均一な分布を示している。これは、スパッタに反応性ガスを使用していないため、時間経過によるターゲット組成の変化が少なく、安定的にスパッタを行えるためと考えられる。このことから、本実施形態においては、連続的に複数の金属酸化物層を形成した際にも、ウェーハ間での抵抗率を精度よく制御することができる。
【００６１】
以上のように、本実施形態によれば、所望の酸化度、すなわち抵抗率を有する金属酸化物層を精度よく形成することができるので、目的とする電気的特性を有する抵抗変化素子を安定に製造することができる。
【００６２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００６３】
例えば以上の実施形態では、ターゲットＴ２への供給電力を制御したが、必要に応じてターゲットＴ１の供給電力をも制御してもよい。
【００６４】
また、以上の実施形態では、第１の金属酸化物層４が第２の金属酸化物層５よりも高い抵抗率を有する抵抗変化素子を作製したが、これに代えて、第２の金属酸化物層５が第１の金属酸化物層４よりも高い抵抗率を有する抵抗変化素子を作製することも可能である。
【００６５】
以上の実施形態では、スパッタガスとしてＡｒのみを用いたが、必要に応じて、他のガスとの混合ガスを用いてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１…抵抗変化素子
２…基板
３…下部電極層
４…第１の金属酸化物層
５…第２の金属酸化物層
６…上部電極層
１０…スパッタ装置
１１…真空チャンパ
１２Ａ，１２Ｂ…スパッタカソード
１３…コントローラ
１４…基板支持台
１８Ａ…ＲＦ電源
１８Ｂ…可変電源
Ｔ１，Ｔ２…ターゲット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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