(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体であって、順に、
電気絶縁材料からなり内孔を有する略円環状の平坦な基板と、
該基板の両面の上に全面にわたり形成された電気伝導度の高い材料からなる高電気伝導膜と、
前記各高電気伝導膜の上に全面にわたり形成された電気絶縁体の材料からなる下地層と、
前記各下地層の上に全面にわたり形成された少なくとも１層の磁性膜とを備え、さらに
前記各下地層及び前記磁性膜に形成されたトラックピッチに対応する周期的な凹凸パターンと、
前記各凹凸パターンの溝に堆積された非磁性材料膜とを備えている
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記各下地層の下に形成された前記高電気伝導膜が、Al、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Ni、W、Taのいずれかもしくはそれらの合金からなる
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング装置及び磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体に係り、特に、磁気記録媒体の両面に凹凸パターンで形成されている磁気記録層を形成するのに適したプラズマエッチング装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、円環状の磁気記録媒体を高速で回転させ、磁気ヘッドによりディジタル信号を記録・再生している。従来、磁気記録媒体として、表面が非常に平坦な円環状のアルミニウム基板、もしくはガラス基板に、磁性体をスパッタリング等により蒸着して、水平記録方式の連続磁性膜を形成する方法が行なわれている。記録密度の上昇に伴い、磁気記録媒体に対し、記録層を構成する磁性体の微粒子化、磁性体材料の変更、磁性体の積層構造の工夫、垂直記録方式の採用等により、面記録密度の向上が図られてきた。
【０００３】
しかるに、媒体に起因したノイズやクロストーク、熱ゆらぎ耐性等の問題により、既存の記録媒体では記録密度向上の限界が見え始めた。そこで、磁気記録層にトラックピッチに対応する周期的な凹凸を設ける事により、さらなる記録密度向上を実現できる磁気記録媒体、いわゆるディスクリートトラックメディアや、パターンドメディア等の記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、特許文献２には、ハードディスクに用いられるような略円環状の被エッチング材料の表裏両面に凹凸加工を施す装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１０−３２４９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気記録媒体は、媒体一枚あたりの記録容量を上げるために媒体の表裏両面を記録層として用いている。したがって、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアも、表裏両面に凹凸加工を施す必要が生じる。
【０００７】
マスクを施された基板もしくは基板に堆積させた非磁性体膜もしくは磁性体をエッチングする方法としては、ウェットエッチングや、プラズマエッチング、イオンビームエッチング、イオンミリング、中性ビームエッチング等のドライエッチングが考えられる。特に、半導体デバイスの製造で広く用いられているプラズマエッチング技術は、量産性まで考慮した、基板もしくは基板に堆積させた非磁性体膜もしくは磁性体の凹凸加工への応用が期待できる。
【０００８】
特許文献２に開示された被エッチング材料の表裏両面に凹凸加工を施す装置は、図１７に示すように、略円環状の被エッチング材料１０５の内縁を台盤２２０１と抑え盤２２０２で挟持し、台盤２２０１に電力を給電することで、該被エッチング材料の両面をエッチングするようになっている。
【０００９】
しかし、図１７に記載のプラズマプラズマエッチング装置では、被エッチング材料１０５の内縁を台盤２２０１と抑え盤２２０２で挟持した際に、台盤２２０１と抑え盤２２０２の間に軸方向の隙間Ｄ２が生じているため、被エッチング材料内部の基板を通してのみ被エッチング材料両面を電気的に導通できる。そのため、基板の材質にアルミニウムなどの導電体材料を用いた場合は、基板を介して被エッチング材料両面を電気的に導通する経路ができるが、基板の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合、被エッチング材料両面を電気的に導通する経路をつくることができず、エッチング電力が印加された片側の面２２０３にしかエッチング電力を印加することができないと考えられる。
【００１０】
本発明の目的は、磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の代表的なものの一例を示せば以下の通りである。即ち、本発明は、磁気記録媒体であって、順に、
電気絶縁材料からなり内孔を有する略円環状の平坦な基板と、
該基板の両面の上に全面にわたり形成された電気伝導度の高い材料からなる高電気伝導膜と、
前記各高電気伝導膜の上に全面にわたり形成された電気絶縁体の材料からなる下地層と、
前記各下地層の上に全面にわたり形成された少なくとも１層の磁性膜とを備え、さらに
前記各下地層及び前記磁性膜に形成されたトラックピッチに対応する周期的な凹凸パターンと、
前記各凹凸パターンの溝に堆積された非磁性材料膜とを備えている
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、該略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持した際に、一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材を介し、一対の導電体を電気的に導通させることができる。これにより、たとえ基板の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合でも、被エッチング材料両面は一対の導電体と導電体接続部材を介し電気的に導通する経路ができる。そのため、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【００１３】
また、前記導電体接続部材が導電体部材間の隙間に合わせて変形する機能を有することで、被エッチング材料の両面が一対の導電体部材と導電体接続部材を介し電気的に導通する経路は確実なものとなり、基板両面に確実に効率よく電力を印加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第一の実施例を表す平板アンテナ型のプラズマエッチング装置の縦断面図である。
【図２】図１の基板支持部材部分の横断面図である。
【図３Ａ】第一の実施例において、可動式基板支持部材と固定式基板支持部材で被エッチング材料を挟持した際の断面の拡大図である。
【図３Ｂ】図３Ａの状態における導電体接続部材を被エッチング材料の横方向から見た拡大図である。
【図３Ｃ】図１の一対の導電体で被エッチング材料を挟持する直前の断面図である。
【図４】第一の実施例において、被エッチング材料を搬入室から真空容器内へ搬送し、図１の状態にする各ステップを示す図である。
【図５Ａ】本発明の他の実施例になる第一の導電体部材及び第二の導電体接続部材を示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施例になる第一の導電体部材及び第二の導電体接続部材を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例を表すプラズマエッチング装置の断面図である。
【図７】本発明の他の実施例になるプラズマエッチング装置の断面図である。
【図８】本発明の他の実施例を表すプラズマエッチング装置の断面図である。
【図９】図８のＸ−Ｘ’断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例を表すプラズマエッチング装置の断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例を表すプラズマエッチング処理システム概念図である。
【図１２】被エッチング材料を縦方向に設置した本発明の他の実施例になるプラズマエッチング装置の断面図である。
【図１３】本発明の装置を用いて、多層磁性膜に凹凸パターンを作製し、パターンドメディアを作製するためのプロセス工程の概略図である。
【図１４】本発明の他の実施例になる、多層磁性膜に凹凸パターンを作製し、パターンドメディアを作製するためのプロセス工程の概略図である。
【図１５】図１３のエッチングプロセスにおける、導電体部材を被エッチング材料表面の内縁付近に接触させる方法について、説明する図である。
【図１６】図１４のエッチングプロセスにおける、導電体部材を被エッチング材料表面の内縁付近に接触させる本発明の他の実施例を説明する図である。
【図１７】従来例になる基板支持部材の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の代表的な実施例によれば、該略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体部材、該導電体部材がそれぞれ設置された一対の基板支持部材を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体部材で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体部材のうち一方に導電体接続部材が設置されている。
【００１６】
また、前記導電体接続部材は基板面鉛直方向に伸縮する機能を有しており、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体部材で挟持した際に、導電体間の隙間にあわせて該導電体接続部材が変形することができる。
【００１７】
これにより、たとえ基板の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合でも、被エッチング材料両面は一対の導電体と導電体接続部材を介し電気的に導通する経路ができるため、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【００１８】
なお、磁気記録層の周期的な凹凸パターンを形成するプロセスは、大まかに二種類に分類できる。一つ目は、基板に磁性体を蒸着したものに所望のマスクを施し、非マスク部の磁性体を直接エッチングする方法である。もう一つは、基板自体もしくは、基板に堆積させた窒化シリコンや酸化シリコン等の非磁性体膜に所望のマスクを施し、該基板自体もしくは、基板に堆積させた非磁性体膜にエッチングにより凹凸加工を施したものに、磁性体を蒸着させる方法である。
【００１９】
本明細書では、「基板」、「基板に堆積させた非磁性体膜もしくは磁性体」、「基板に堆積させた非磁性体膜上もしくは磁性体上に形成されたマスク」の３者を含め被処理基板もしくは被エッチング材料と称する。
【００２０】
また、被処理基板に対するプラズマエッチングは、減圧された処理室に処理用のガスを導入し、平板アンテナやコイル状アンテナ等を介して、処理室にソース電源より高周波電力を投入することで該ガスをプラズマ化し、これにより発生したイオンやラジカルを被エッチング材料に照射することにより進行する。プラズマ源には、プラズマを発生させる方式の違いにより、有磁場マイクロ波タイプ、誘導結合（ICP:Inductively Coupled Plasma）タイプ、容量結合（CCP: Capacitively Coupled Plasma）タイプ等、様々な方式が存在している。
【００２１】
さらに、被エッチング材料を載置する電極に高周波バイアスを印加することにより、プラズマ中のイオンを積極的に被エッチング材料に引き込む事ができ、これによりエッチング速度の向上や、垂直加工性の向上が実現できる。該高周波バイアスは、プラズマ生成に用いられるソース電源の周波数よりも一桁から三桁低い周波数を用いる事が多い。  
以下、図面を用いて発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００２２】
本発明の第一の実施例を図１ないし図２で説明する。図１は、板アンテナ型のプラズマエッチング装置の縦断面図を示す。図２は、図１の支持部材部分の横断面図である。  
真空容器１０１内には、一対の平行平板電極１００が相対向する位置に設置されている。一対の平板電極の半径方向の中心付近には、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３とが対向して設置されている。可動式基板支持部材１０２は、平板電極１００を貫通しさらに真空ベローズ１０４を通して真空容器の外に飛出した構造をしており、基板面鉛直方向、つまり矢印（ａ）の方向に可動できる。被処理基板すなわち中央に内孔を有する略円環状の被エッチング材料１０５は、内孔の縁付近が可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３の間に挟まれることで機械的に固定される。また、可動式基板支持部材１０２に設けられた導電体接続部材１０６と、可動式基板支持部材１０２及び固定式基板支持部材１０３に設けられた一対の導電体部材とを介して、被エッチング材料１０５の両面が電気的に接続される。一対の平板電極１００には、被エッチング材料の両面に対向して配置されガス分散機能を有するシャワープレート１１０が設けられている。真空容器１０１を構成する壁部材はアースに接続されており、従って、一対の平板電極１００もアースに接続されている。また、真空容器１０１内は真空排気手段で真空排気される。
【００２３】
ソース電源１０７から供給されたソース電力は、固定式基板支持部材１０３内部の高周波伝達経路１０９、導電体接続部材１０６を通り、被エッチング材料１０５の両面から電磁波として放出される。この電磁波により、ガス供給手段からマスフローコントローラー１２０を介して一対のシャワープレート１１０から被エッチング材料１０５の両面に均一に導入されたプロセスガスがプラズマ化される。また、バイアス電源１０８から供給されたバイアス電力は、固定式基板支持部材１０３内部の高周波伝達経路１０９、導電体接続部材１０６を通り、被エッチング材料１０５の両面に印加される。このバイアス電力により、被エッチング材料の両面とシャワープレート１１０の空間に生成されたプラズマ中のイオンを被エッチング材料に積極的に引き込むことができ、被エッチング材料の両面を一度にエッチングすることが可能となる。
【００２４】
ソース電源１０７は、被エッチング材料１０５の両面にプラズマを生成するためのソース電力を印加するための電源であり、１０MHz以上２００MHz以下が望ましい。また、バイアス電源１０８は、被エッチング材料両面に生成されたプラズマ中のイオンを積極的に被エッチング材料に引き込むためのバイアス電力を印加するための電源であり、１００kHz以上１０MHz未満が望ましい。
【００２５】
ソース電源１０７と被エッチング材料１０５は、第一の整合器１１２を介して接続されている。第一の整合器１１２は、ソース電源１０７から供給されたソース電力の反射を抑える機能に加え、ソース電力のみを通過させるハイパスフィルターの機能を有している。このハイパスフィルターの機能により、バイアス電源１０８から供給されバイアス電力がソース電源１０７に流入するのを防ぐことができる。また、バイアス電源１０８と被エッチング材料１０５は第二の整合器１１３を介して接続されており、第二の整合器１１３はバイアス電源１０８から供給されたバイアス電力の反射を抑える機能に加え、バイアス電力のみを通過させるローパスフィルターの機能を有している。前記ローパスフィルターの機能により、ソース電源１０７から供給したソース電力がバイアス電源１０８に流入するのを防ぐことができる。
【００２６】
なお、図１では、プラズマ中に発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込むため、バイアス電源１０８よりバイアス電力を印加しているが、プラズマ中に発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込む必要がないプラズマ処理をおこなう場合、バイアス電源１０８及び第二の整合器１１３はなくてもよい。この場合、第一の整合器１１２はソース電源１０７から供給されたソース電力の反射を抑える機能のみを有する。
【００２７】
ガス供給手段からシャワープレート１１０を介して導入されたプロセスガスは、このシャワープレートにより被エッチング材料両面に均一に供給される。また、シャワープレート１１０は、平板電極１００と接触する導電体真空容器１０１を通してアースに接続されている。シャワープレートがアースに接続されていることで、被エッチング材料１０５とシャワープレート１１０の間にプラズマを閉じ込めることができる。これにより被エッチング材料両表面上に均一にプラズマを作製することができ、基板両面を均一に加工することが可能となる。
【００２８】
そのためシャワープレートは、導電性やプラズマ耐性が高く、プラズマに長時間さらされても異物や汚染などの要因とならない材質でできていることが望ましい。すなわち、アルミニウム、各種アルミ合金、チタン合金、ステンレス、ボロンドープシリコン等が好ましい。もしくはアルミニウム等の金属表面にアルマイト処理を施したり、アルミナ、イットリア等の溶射膜を形成したりした物も好ましい。
【００２９】
図２に示したように、真空容器１０１はゲートバルブ１１５を介して搬入出室１１４に接続されている。被エッチング材料１０５は、基板搬送ロボットの基板搬送部材で保持され、搬入出室１１４から真空容器１０１に至る搬入出経路１１７を経て可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３の間へ搬入されるように構成されている。なお、処理済みの被エッチング材料１０５は、基板搬送部材で保持され、搬入出室１１４へ搬出される。
【００３０】
図１に戻って、プラズマエッチング装置はコントローラ（図示略）を備えている。また、可動式基板支持部材１０２または固定式基板支持部材１０３のどちらか一方には、熱電対もしくは蛍光温度計などの温度計測器が備わっており、被エッチング材料１０５の温度を計測し、コントローラを介してソース電源１０７及びバイアス電源１０８にフィードバックすることで、ソース電源１０７およびバイアス電源１０８からの供給電力を制御することができる。つまり、計測した基板温度がある設定値を超えた場合は、ソース電源１０７から供給されるソース電力及びバイアス電源１０８から供給されるバイアス電力を一旦停止し、被エッチング材料両面に生成された放電を中止させる。一定時間放電を中止することで、被エッチング材料が設定温度以下に冷えたのを確認した後、再びソース電源１０７及びバイアス電源１０８から電力を供給し、被エッチング材料両面で放電を開始する。前記のような間欠放電を繰り返すことで、被エッチング材料の温度上昇を抑制しつつ、被エッチング材料に所定の加工を施すことができる。
【００３１】
また、予め被エッチング材料をある設定温度以上にしてエッチングをしたい場合は、エッチングを施したい膜をほとんどエッチングしないガス、例えばHe、Ａr、Xeガス等の希ガスを用いたプラズマを生成し、目標温度まで基板温度を上昇させた後、所定のプラズマ処理を施す。前記エッチングを施したい膜をほとんどエッチングしないガスで生成したプラズマにより基板温度を上昇させる方法において、被エッチング膜をほとんどエッチングさせないためにはバイアス電力を印加せずにプラズマ処理をおこなうことが望ましい。
【００３２】
なお、被エッチング材料の温度を計測する手段に関しては、被エッチング材料の温度を計測しソース電源１０７およびバイアス電源１０８へのフィードバック制御ができるものであれば、その温度計測手段や方法は問わない。
【００３３】
次に、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３の具体的な構成例について、図３（図３Ａ，図３Ｂ，図３Ｃ）で説明する。
【００３４】
まず、図３Ａに、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５を挟持した際の断面の拡大図を示す。
【００３５】
可動式基板支持部材１０２における被エッチング材料と接触する面には第一の導電体部材２０１が設置されており、固定式基板支持部材１０３における被エッチング材料と接触する面には第二の導電体部材２０２が設置されている。第一の導電体部材２０１及び第二の導電体部材２０２は、ソース電源及びバイアス電源から供給された電力を効率よく基板に印加するため、導電性が高い材質でできていることが望ましい。
【００３６】
第二の導電体部材２０２は、第二の導電体部材２０２の一部に接続された高周波伝達経路１０９を介し、ソース電源１０７及びバイアス電源１０８と接続されている。また、第一の導電体部材２０１には、導電体接続部材１０６が設置されており、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５を挟持した際に、該導電体接続部材１０６が第二の導電体部材２０２と接触する構造になっている。
【００３７】
図３Ｂは、図３Ａの状態における導電体接続部材１０６を被エッチング材料１０５の横方向から見た拡大図である。１１９は被エッチング材料１０５の内孔である。
【００３８】
図３Ｂ、図３Ａから明らかな通り、導電体接続部材１０６は、例えば、平バネまたは板バネまたはコイルスプリング状の部材のような構造を有しており、かつ、被エッチング材料１０５の内孔１１９に出入り可能な大きさとなっている。
【００３９】
かかる構成とすることで、たとえ基板の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合でも、被エッチング材料両面は第二の導電体部材２０２、導電体接続部材１０６、第一の導電体部材２０１を介し電気的に導通する経路を作ることができ、ソース電源１０７及びバイアス電源１０８から供給された高周波電力を被エッチング材料両面に効率よく印加することができる。
【００４０】
導電体接続部材１０６は基板面鉛直方向、つまり矢印（ ｂ ）の方向に伸縮する機能を有している。被エッチング材料両面に高周波電力を効率よく印加するための電気的導通経路を確実に作るためには、第一の導電体部材２０１を被エッチング材料１０５と接触させたとき、導電体接続部材１０６と第二の接合部材２０２を隙間なく確実に接触することが求められる。導電体接続部材１０６が第一の導電体部材２０１と第二の導電体部材２０２の間隔に合わせて伸縮する機能を有していることで、該伸縮機能により導電体接続部材１０６と第二の導電体部材２０２を確実に接触させることができ、被エッチング材料の両面に高周波電力を効率よく印加するための電気的導通経路を確実に形成することができる。
【００４１】
次に、図３Ｃに可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５の内縁を挟持し、図３Ａの状態にする直前の断面図を示す。
【００４２】
図３Ｃに示すように、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５の内縁を挟持する前に、可動式基板支持部材１０２上の第一の導電体部材２０１に設置された導電体接続部材１０６が第二の導電体部材２０２と接触する構造になっている。その後、被エッチング材料１０５を挟持するために可動式基板支持部材１０３が矢印（ａ）の方向に可動するのに合わせて、第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５が接触するまで導電体接続部材１０６が基板面鉛直方向、即ち矢印（ｉ）の方向に縮むことで、導電体接続部材１０６と第二の導電体部材２０２を接触させたまま、第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５を接触させ、被エッチング材料１０５を挟持することができる。かかる構成とすることで、導電体接続部材１０６と第二の導電体部材２０２を接触させたまま、第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５を確実に接触させることができ、被エッチング材料両面は第二の導電体部材２０２、導電体接続部材１０６、第一の導電体部材２０１を介し電気的に導通する経路を確実に作ることができる。
【００４３】
導電体接続部材１０６の構造としては、図３Ｃに示すように被エッチング材料１０５の厚さよりも確実に凸部が高い構造となっていることが望ましい。また、導電性接合部材１０６の材質としては導電性が高く、弾力性に富み、耐衝撃性に優れた材料でできていることが望ましい。
【００４４】
尚、本実施例では、導電体接続部材１０６を第一の導電体部材２０１上に設置したが、第二の導電体接続部材２０２上に導電体接続部材１０６を設置しても構わない。
【００４５】
可動式基板支持部材１０２の被エッチング材料１０５と接触する面の角２０４は丸みをおびた構造をしており、被エッチング材料１０５の表面と可動式基板支持部材１０２が接触した衝撃で可動式基板支持部材の角が欠けるのを防ぐことができる。同様に、固定式基板支持部材１０３の被エッチング材料１０５と接触する面の角２０５は丸みをおびた構造をしており、被エッチング材料１０５表面と固定式基板支持部材１０３が接触した衝撃で可動式基板支持部材の角が欠けるのを防いでいる。第一の導電体部材２０１および第二の導電体部材２０２の後ろにはバネやゴム材料等でできた伸縮材２０６が備わっており、可動式基板支持部材１０２が被エッチング材料１０５と固定式基板支持部材１０３と接触したときの衝撃を該伸縮材２０６が吸収することで、可動式基板支持部材１０２及び固定式基板支持部材１０３及び被エッチング材料１０５が損傷するのを防ぐことができる。
【００４６】
また、概伸縮材が第一の導電体部材２０１、第二の導電体部材２０２、被エッチング材料にかかる圧力を低減するため、可動式基板支持部材１０２により第一の導電体部材２０１を被エッチング材料に一定の圧力で押しつけた状態、つまり第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５の密着性及び、第二の導電体部材２０２と被エッチング材料１０５の密着性が向上した状態での加工が可能となる。
【００４７】
また、図３Ａでは、伸縮材２０６は可動式基板支持部材１０２及び固定式基板支持部材１０３の両者に備わっているが、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３と被エッチング材料１０５の損傷を防ぎ、第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５の密着性、および第二の導電体部材２０２と被エッチング材料１０５の密着性が向上した状態で加工することができれば、可動式基板支持部材１０２及び固定式基板支持部材１０３のどちらか一方に備わっている構造であっても構わない。
【００４８】
次に、図４により、被エッチング材料１０５の搬送方法について述べる。図４の（１）〜（４）は、被エッチング材料１０５を搬入出室１１４から真空容器１０１内へ搬送し、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３の間へ挟持した図１の状態にする各ステップを示している。
【００４９】
まず、ゲートバルブ１１５が閉じた状態で被エッチング材料１０５を大気雰囲気の搬入出室１１４にセットする。次に、搬入出室内が減圧され、ゲートバルブ１１５が開く。その後、被エッチング材料１０５はその一部を基板搬送部材１１８で保持され、搬入経路１１７を通り、真空容器１０１内の可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３の間へ搬入され、図４の（１）の状態になる。
【００５０】
そして、基板搬送部材１１８が矢印（ｉ）の方向に移動し、図４の（２）に示すように可動式基板支持部材１０２に設置された導電体接続部材１０６と略円環状の被エッチング材料の内孔１１９と固定式基板支持部材１０３が一直線に並ぶ位置に、被エッチング材料が設置される。その後、可動式基板支持部材１０２が矢印（ｊ）の方向に移動することで、略円環状の被エッチング材料１０５は可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で挟持され図４の（３）の状態になる。最後に、基板搬送部材１１８は被エッチング材料１０５を離し、矢印（ｋ）の方向に移動し、図４の（４）の状態、つまり図１の状態にする。この状態で、前記のとおり、基板両面に対するエッチング処理がなされる。
【００５１】
以上述べたとおり、本実施例によれば、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持した際に、一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材を介し、一対の導電体を電気的に導通することができる。これにより、たとえ基板の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合でも、被エッチング材料両面は一対の導電体と導電体接続部材を介し電気的に導通する経路ができるため、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【００５２】
また、前記導電体接続部材が導電体部材間の隙間に合わせて変形する機能を有することで、被エッチング材料両面が一対の導電体部材と導電体接続部材を介し電気的に導通する経路は確実なものとなり、基板両面に確実に効率よく電力を印加することができる。
【実施例２】
【００５３】
本発明において、基板の材質によらず被エッチング材料の両面を電気的に導通させる方法は、被エッチング材料両面を電気的に導通させることができればその方法は問わない。図５（図５Ａ、図５Ｂ）により、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させる他の方法を示す。
【００５４】
まず、図５Ａは、実施例２として、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５の内縁を挟持する直前の断面図の一例を示している。図５Ａに示すように第一の導電体部材２０１は凸型構造をしており、第一の導電体部材が被エッチング材料と接触する面には導電体伸縮機構３００１が設置されている。
【００５５】
図５Ａに示すように、第一の導電体部材２０１が可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５の内縁を挟持する前に、固定式基板支持部材１０３の第一の導電体部材２０１上に設置された導電体伸縮機構３００１が被エッチング材料１０５と接触する構造になっている。その後、被エッチング材料１０５を挟持するために可動式基板支持部材１０３が矢印（ａ）の方向に可動するのに合わせて、第一の導電体部材２０１と第二の導電体部材２０２が接触するまで導電体伸縮機構３００１が基板面鉛直方向、即ち矢印（ｊ）の方向に縮むことで、被エッチング材料１０５を導電体伸縮機構３００１と接触させたまま、第一の導電体部材２０１と第二の導電体部材２０２を接触させることができる。
【００５６】
かかる構成とすることで、第一の導電体部材２０１と第二の導電体部材２０２を接触させたまま、第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５を確実に接触させることができ、被エッチング材料１０５の両面は第二の導電体部材２０２、第一の導電体部材２０１、導電体伸縮機構３００１を介し電気的に導通する経路を確実に作ることができる。導電体伸縮機構３００１の材質としては導電性が高く、弾力性に富み、耐衝撃性に優れた材料でできていることが望ましい。
【００５７】
次に、図５Ｂは、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５の内縁を挟持する直前の断面図の他の例を示している。図５Ｂに示すように第一の導電体部材２０１が凸型の、第二の導電体接続部材２０２が凹型の構造をしており、第一の導電体部材２０１の先端に導電体接続部材１０６が設置された構造をしている。
【００５８】
図５Ｂに示すように、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で被エッチング材料１０５の内縁を挟持する前に、凸型の第一の導電体部材２０１に設置された導電体接続部材１０６が凹型の第二の導電体部材２０２と接触する構造になっている。その後、被エッチング材料１０５を挟持するために可動式基板支持部材１０３が矢印（ａ）の方向に可動するのに合わせて、凸型の第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５が接触するまで導電体接続部材１０６が基板面鉛直方向、即ち矢印（ｋ）の方向に縮むことで、導電体接続部材１０６と凹型の第二の導電体部材２０２を接触させたまま、凸型の第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５を確実に接触させ、被エッチング材料１０５を挟持することができる。
【００５９】
かかる構成とすることで、導電体接続部材１０６と凹型の第二の導電体部材２０２を接触させたまま、凸型の第一の導電体部材２０１と被エッチング材料１０５を確実に接触させることができ、被エッチング材料両面は凹型の第二の導電体部材２０２、導電体接続部材１０６、凸型の第一の導電体部材２０１を介し電気的に導通する経路を確実に作ることができる。
【００６０】
尚、凹型の第二の導電体接続部材２０２上に導電体接続部材１０６を設置しても構わない。また、第一の導電体部材２０１が凹型の、第二の導電体部材２０２が凸型の構造をしていても構わない。
【００６１】
このように、凸型の導電体部材を凹型の導電体部材に挿入する構造とすることで、第一の導電体部材と第二の導電体部材を基板面水平方向にずれることなく、接触させることが可能となる。
【００６２】
本実施例によれば、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させるので、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【実施例３】
【００６３】
ソース電源及びバイアス電源から被エッチング材料やその両側に形成された一対の電極に対する高周波電力の供給方法は上記実施例の方法に限定されるものではない。
【００６４】
本発明の他の高周波電力の供給方法を図６で説明する。図６は、本発明の第三の実施形態に示すプラズマエッチング装置の断面図である。
【００６５】
本実施例では、ソース電源１０７が被エッチング材料の両側に形成された一対の電極１００２に接続されている。プラズマを生成するためにソース電源１０７から供給されたソース電力は、一対の電極１００２から電磁波として放出される。電極１００２と真空容器１０１の間には絶縁体材料１００１が設置されており、電極１００２はアースに接続された真空容器１０１と直接接触しない構造になっている。電極１００２には被エッチング材料両面に均一にガスを導入するシャワープレートが設けられており、電極１００２の内部に備わったガス導入経路を通り、シャワープレートから被エッチング材料両面に均一に導入されたプロセスガスを、前記電極１００２から放出された電磁波でプラズマ化する。
【００６６】
プラズマ中で発生したイオンを積極的に引き込むためにバイアス電源１０８から供給されたバイアス電力は、固定式基板支持部材１０３の内部の高周波伝達経路１０９、固定式基板支持部材１０３における被エッチング材料と接触する面に設置された第二の導電体部材、導電体接続部材１０６、及び可動式基板支持部材１０２における被エッチング材料と接触する面に設置された第一の導電体部材を通り、被エッチング材料１０５両面に印加される。このバイアス電力により、プラズマ中のイオンを基板両面に積極的に引き込むことができ、基板両面を一度にエッチングすることが可能となる。
【００６７】
電極１００２の材質としては、導電性やプラズマ耐性が高く、プラズマに長時間さらされても異物や汚染などの要因とならない材質でできていることが望ましい。すなわち、アルミニウム、各種アルミ合金、チタン合金、ステンレス、ボロンドープシリコン等が好ましい。もしくはアルミニウム等の金属表面にアルマイト処理を施したり、アルミナ、イットリア等の溶射膜を形成したりした物も好ましい。
【００６８】
本実施例によれば、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させるので、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【００６９】
なお、図６ではプラズマ中に発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込むため、バイアス電源１０８よりバイアス電力を印加しているが、これに限定されるものではない。プラズマ中に発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込む必要がないプラズマ処理をおこなう場合、図７に示すように被エッチング材料１０５をアースに接続する構造であってもかまわない。
【実施例４】
【００７０】
次に、図８に、本発明の第四の実施形態を示すプラズマエッチング装置の断面図を示す。図８のプラズマエッチング装置は、同一平面上に複数の被エッチング材料を設置することで、複数のエッチング材料を同時にエッチングすることができ、スループットをあげることができる。以下、図８のプラズマエッチング装置について概略を述べる。
【００７１】
真空容器１０１内には上下二段に二つの可動式基板支持部材１０２とそれらの各々と対向する位置に配置された固定式基板支持部材１０３が備わっている。各可動式基板支持部材１０２は真空ベローズ１０４を通し、真空容器の外に飛出した構造をしており、夫々基板面鉛直方向、つまり矢印（ａ）の方向に可動できる。可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３の間に夫々被エッチング材料１０５が挟まれることで機械的に固定される。複数の被エッチング材料１０５を固定した際、可動式基板支持部材１０２に設けられた導電体接続部材１０６により可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３が接続される。ソース電源１０７から供給されたソース電力は、複数の固定式基板支持部材１０３内部の高周波伝達経路１０９、複数の導電体接続部材１０６を通り、複数の被エッチング材料１０５両面から電磁波として放出され、被エッチング材料両側の対向する位置に設置されたシャワープレート１１０から複数の被エッチング材料両面に均一に導入されたプロセスガスは、この電磁波によりプラズマ化される。
【００７２】
また、バイアス電源１０８から供給されたバイアス電力は、夫々固定式基板支持部材１０３内部の高周波伝達経路１０９、導電体接続部材１０６を通り、各被エッチング材料１０５両面に印加される。バイアス電力により各被エッチング材料両面に生成されたプラズマ中のイオンを各エッチング材料に積極的に引き込むことができる。このようにして、複数の被エッチング材料両面を一度にエッチングすることが可能となる。
【００７３】
なお、図８ではプラズマ中に発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込むため、バイアス電源１０８よりバイアス電力を印加しているが、プラズマ中に発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込む必要がないプラズマ処理をおこなう場合、バイアス電源１０８及び第二の整合器１１３はなくてもよい。この場合、第一の整合器１１２はソース電源１０８から供給されたソース電力の反射を抑える機能のみを有する。
【００７４】
図８におけるＸ−Ｘ’断面を図９に示す。図９に示すように、同一平面上に被エッチング材料１０５（１０５Ａ〜１０５Ｄ）が上下二段に設置されており、各々の被エッチング材料の内孔にはそれぞれ導電体接続部材１０６が備わった構造になっている。図９のように同一平面上に複数の被エッチング材料を設置することで、複数のエッチング材料を同時にエッチングすることができる。
【００７５】
第四の実施形態における搬入出室から真空容器１０１内への被エッチング材料の搬入は、例えば、１つの基板搬送部材を用いて、被エッチング材料１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄの順に搬入する。
【００７６】
尚、図９では４枚の被エッチング材料が同平面上に設置しているが、被エッチング材料の数はこれに限られる必要がない。したがって、基板の数に応じて可動式基板支持部材の数、固定式基板支持部材の数、導電体接続部材の数を変更してもよい。
【００７７】
なお、図８の例では複数の被エッチング材料内縁にバイアス電力とソース電力の両方を印加しているが、前の実施例に示したとおり、被エッチング材料両側に設置した対向する電極にソース電力を印加することで、複数の被エッチング材料両側にプラズマを生成する構造であっても当然かまわない。
【００７８】
本実施例によれば、複数のエッチング材料を同時にエッチングする場合であっても、各被エッチング材料の両面は一対の導電体と導電体接続部材を介し電気的に導通する経路ができるため、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【実施例５】
【００７９】
図１０に、本発明の第五の実施形態を示すプラズマエッチング装置の断面図を示す。真空容器１０１内には、可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３で内縁を保持された略円環状の被エッチング材料１０５が設置される。可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３は回転機構（図示略）により回転可能に構成されている。プラズマを生成するためにソース電源１０７から供給されたソース電力及び、プラズマ中で発生したイオンを積極的に被エッチング材料に引き込むためにバイアス電源１０８から供給されたバイアス電力は固定式基板支持部材１０３の内部の高周波伝達経路１０９、固定式基板支持部材１０３における被エッチング材料と接触する面に設置された第二の導電体部材、導電体接続部材１０６、及び可動式基板支持部材１０２における被エッチング材料と接触する面に設置された第一の導電体部材を通り被エッチング材料１０５の表裏両面から電磁波として放出される。
【００８０】
前記基板両面から放出された電磁波のうちソース電源から供給されたソース電力はガス噴出口４０３から基板両面に導入されたプロセスガスをプラズマ化する。図１０ではガス噴出孔４０３は二個設置されているが、基板両面にガスを均一に噴出することができればガス噴出孔４０３の数は一個でも構わない。また、前記基板両面から放出された電磁波のうちバイアス電源１０８から供給されたバイアス電力がプラズマ中で生成されたイオンを基板両面に積極的に引き込むことで、基板両面を一度に処理することが可能となる。
【００８１】
被エッチング材料両面に生成されたプラズマはガス噴出孔４０３側つまり図１０の上部程プラズマ密度が濃くなるが、エッチング中に被エッチング材料を保持した可動式基板支持部材１０２と固定式基板支持部材１０３が回転機構により、被エッチング材料面鉛直方向を軸に回転する、つまり矢印（ｄ）の方向に回転することで、被エッチング材料１０５も矢印（ｄ）の方向に回転し、被エッチング材料面内を均一に加工することができる。
【００８２】
本実施例によれば、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させることができるので、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【００８３】
なお、上記各実施例において、固定式基板支持部材１０３に設置された第二の導電体部材が高周波伝達経路１０９と接続された構造になっているが、可動式基板支持部材１０２に設置された第一の導電体接続部材が高周波伝達経路１０９と接続されている構造であっても構わない。
【実施例６】
【００８４】
図１１に、本発明の第六の実施形態を示すプラズマエッチング処理システムの概略図を示す。本実施例は、すでに述べた本発明のいずれかの実施例のエッチング装置を複数用い、基板両面に各種エッチング処理を連続で施すものである。図１１は、処理システムを上方から見た状態で概略的に示している。
【００８５】
図１１を用い、被エッチング材料両面に各種プラズマ処理を連続で施す一例を説明する。プラズマエッチング処理システムは、概略、搬入室１２０１、第一の処理室１２０３、第二の処理室１２０５、第三の処理室１２０７、搬出室１２０９から成り立っている。前記各室の相互間にはゲートバルブと基板搬送ロボットを備えた搬送室１２０２、１２０４、１２０６、１２０８が設けられており、前記各室間の被エッチング材料の移動と各処理室の個別の雰囲気設定を可能としている。
【００８６】
被エッチング材料１０５を大気雰囲気の搬入室１２０１にセットすると、搬入室内が減圧され、ゲートバルブ１２０２が開く。被エッチング材料は基板搬送ロボットにより搬送室１２０２を経て第一の処理室１２０３に搬入される。第一の処理室１２０３ではレジスト直下に形成された反射防止膜の除去、レジスト直下に形成されたベース層の除去、レジストトリミング等のレジストマスクを所定の形状に加工するプロセスが行われる。第一の処理室１２０３で所定の加工が行われた被エッチング材料１０５は搬送室１２０４を通り、第二の処理室１２０５に搬入される。第二の処理室１２０５では例えば磁性膜やSi３N４、SiO２等の膜をマスク形状に合わせて加工する。第二の処理室で所定の加工を行った被エッチング材料は搬送室１２０６を通り、第三の処理室１２０７に搬入される。
【００８７】
第三の処理室１２０７では、被エッチング材料に付着した塩素等のプロセスガスの除去、エッチング中に付着した反応性生物の除去、レジスト、ハードマスクの除去等のプロセスを行う。第三の処理室１２０７で所定の加工が行われた被エッチング材料１０５は基板搬送ロボットにより搬送室１２０８を経て搬出室１２０９に搬出される。搬出室では減圧雰囲気から大気雰囲気に戻された後、大気中に取り出される。各処理室で行われるプロセスにおいてバイアス電力が必要ない場合、バイアス電源１１８及び第二の整合器１１３はなくてもよい。
【００８８】
なお、図１１では３つの処理室を用い連続処理するシステム構成を記載したが、処理室の数、各処理室で行う処理工程については特に限定しない。つまり、図１１では被処理基板に各種エッチングを施すプロセスのみを述べたが、処理室の内壁についた反応生成物を除去するプロセスや、ある処理室でスパッタ等の成膜をおこなうプロセスを導入しても構わない。
【００８９】
また、複数の処理室をシリーズに接続する代わりに、これらの処理室を共通の搬送室の周囲に放射状に配置した構成とし、これら複数の処理室で順次処理を行なうようにしても差し支えない。
【００９０】
さらに、本実施例の処理システムは、前記に述べたレジスト処理、ハードマスクのエッチング、磁性膜加工、アッシング等の処理を同一の処理室で連続しておこなうことも可能である。この場合、必要であれば処理室内側壁についてデポ物の除去等、処理室のコンディションを整えるための処理工程を入れても構わない。
【００９１】
本実施例によれば、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させるので、基板両面に各種エッチング処理を連続で施す場合でも、基板両面に効率よくエッチング電力を印加することが可能となる。
【実施例７】
【００９２】
図１に記載したプラズマエッチング装置は被エッチング材料をチャンバー内に縦置きに配置しているが、図１２に示すように、図１と同様の装置構成で被エッチング材料をチャンバー内に横置きに配置した装置構成にしてもよい。同様に、図６、図７、図８、図１０、図１１に記載したプラズマエッチング装置も全て、チャンバー内に被エッチング材料を横置きに配置した構成にしても構わない。
【実施例８】
【００９３】
次に、本発明の第八の実施形態として、すでに述べた本実施例の処理装置を用いた磁気記録媒体の製造方法、すなわち被処理基板の両面に凹凸パターンを作製するパターンドメディアの製造方法を説明する。図１３に、多層磁性膜にトラックピッチもしくはビット周期に対応する周期的な凹凸パターンを作製し、パターンドメディアを作製するまでの第一のプロセス工程を表す概略図を示す。
【００９４】
まず、アルミやガラス等の材料でできた基板２００１の両面に多層磁性膜２００２を堆積させ、その上にハードマスク２００３を堆積させる（ステップ１）。多層磁性膜２００２はCo、Cr、Pt、Ni、Fe、Ta、B、W、SiO２等の材料でできており、ハードマスク２００３はTi、Ta、TiN、SiO２、Si３N４、あるいはＡl２O３等の材料でできている。
【００９５】
その後、フォトリソグラフィー、電子線描画、極端紫外線露光、ナノインプリント法等を用いて、ハードマスク２００３上にトラックピッチもしくはビット周期に対応する周期的なレジストパターン２００４を作製する（ステップ２）。
【００９６】
次に、レジストパターン２００４を用いて基板２００１の両面のハードマスク２００３と多層磁性膜２００２を所定のパターンにエッチングする。その後、レジストパターン２００４とハードマスク２００３を除去し、基板２００１両面の多層磁性膜２００２に所定の凹凸パターンを作製する（ステップ３）。
【００９７】
次に、SiO２などの非磁性材料２００５で多層磁性膜２００２に作製された凹凸パターンの溝を平坦化し、ダイヤモンドライクカーボン、SiO２、Cr膜などの保護膜２００６と潤滑層２００７を堆積させ、基板両面に周期的な凹凸パターンを有するパターンドメディアができる（ステップ４）。
【００９８】
上記ステップ２で作成された被エッチング材料の両面に、上記ステップ３において、所定のレジストパターン２００４を用いてエッチングを行い、多層磁性膜２００２または下地層２００８に所定の凹凸パターンを作製する際に、前記した各実施例のプラズマエッチング装置を用い、被エッチング材料にソース電力及びバイアス電力を供給するための導電体部材を被エッチング材料表面の内縁に接触させ、該導電体部材から被エッチング材料表面にバイアス電力及びソース電力を印加することでプラズマエッチングを行う。
【００９９】
本実施例によれば、基板両面にエッチング処理により凹凸パターンを作製するステップにおいて、ガラス等の絶縁性材料からなる基板の両面上に多層磁性膜を堆積させてパターンドメディアを政策する場合でも、被エッチング材料両面を電気的に導通させるので、パターンドメディアを精度良くかつ効率的に製造することが可能となる。
【実施例９】
【０１００】
本実施例の処理装置を用いた磁気記録媒体すなわちパターンドメディアの他の製造方法を説明する。
【０１０１】
図１４に、多層磁性膜に凹凸パターンを作製し、パターンドメディアを作製するまでの第二のプロセス工程を表す概略図を示す。
【０１０２】
まず、アルミやガラス等の材料でできた基板２００１の上面側の全面にわたり高電気伝導膜２１０５を堆積させ、さらにその上に全面にわたり下地層２００８を堆積させる。さらにその上にトラックピッチもしくはビット周期に対応する周期的なレジストパターン２００４を作製する（ステップ１）。高電気伝導膜２１０５は電気伝導度が高く、ガラスとの密着性がよい材料でできていることが望ましい。具体例を挙げると、Ａl、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Ni、W、Taのいずれかもしくはそれらの合金が望ましい。下地層２００８はSi３N４、SiO２等の材料でできていることが望ましい。
【０１０３】
その後、レジストパターン２００４を用いて、下地層２００８をエッチングした後、レジストパターン２００４を除去し、下地層２００８に所定の凹凸パターンを作製する（ステップ２）。なお、図示した例では、下地層２００８の非マスク部を下地層２００８の途中までエッチングしているが、下地層２００８の非マスク部の全てをエッチングしても構わない。
【０１０４】
次に、周期的な凹凸パターンが作製された下地層２００８に、多層磁性膜２００２を堆積させ、この多層磁性膜２００２に凹凸パターンを作製する（ステップ３）。
【０１０５】
その後、SiO２などの非磁性材料２００５で多層磁性膜２００２及び下地層２００８に作製された凹凸パターンの溝を平坦化し、ダイヤモンドライクカーボン、SiO２、Cr膜などの保護膜２００６と潤滑層２００７を堆積させ、パターンドメディアができる（ステップ４）。
【０１０６】
上記ステップ１で作成された被エッチング材料の両面に、ステップ２において、作製した所定のレジストパターン２００４を用いてエッチングを行い、多層磁性膜２００２または下地層２００８に所定の凹凸パターンを作製する際に、前記した各実施例のプラズマエッチング装置を用い、被エッチング材料にソース電力及びバイアス電力を供給するための導電体部材を被エッチング材料表面の内縁に接触させ、該導電体部材から被エッチング材料表面にバイアス電力及びソース電力を印加することでプラズマエッチングを行う。
【０１０７】
本実施例によれば、基板両面にエッチング処理により凹凸パターンを作製するステップにおいて、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させるので、パターンドメディアを精度良くかつ効率的に製造することが可能となる。
【実施例１０】
【０１０８】
次に、前記実施例、特に前記実施例８乃至実施例９に示したエッチング処理に際して、導電体部材を被エッチング材料表面の内縁に接触させ、該導電体部材から被エッチング材料表面にバイアス電力及びソース電力を印加する方法において、該導電体部材から被エッチング材料表面に効率よく電力を印加し、レジストから発生する異物を低減させる方法について、説明する。
【０１０９】
前記各実施例では導電体部材を被エッチング材料表面の内縁に接触させ、被エッチング材料表面の内縁の導電体部材から被エッチング材料表面全体にバイアス電力及びソース電力を印加する方法を記載したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１０】
導電体部材を被エッチング材料表面に接触させ、該導電体部材と被エッチング材料表面の導電体部材から被エッチング材料にバイアス電力及びソース電力を印加する方法であれば、その接触場所は内縁に限定せず適応可能である。
【０１１１】
以下、図１３の（ステップ３）の導電体部材を被エッチング材料表面に接触させ、該導電体部材と被エッチング材料表面の導電体部材から被エッチング材料にバイアス電力及びソース電力を供給するエッチングプロセスについて説明する。
【０１１２】
図１５Ａに示した本実施例は、所定のパターンが形成されたレジストパターン２００４を用い、Ti、Ta、TiN、SiO２、Si３N４、あるいはＡl２O３等の材料でできたハードマスク２００３を加工した後、Co、Cr、Pt、Ni、Fe、Ta、B、W、ＳｉＯ２等の材料でできた多層磁性膜２００２を加工する場合に、導電体部材２１０２から被エッチング材料にバイアス電力及びソース電力を効率よく印加し、レジストから発生する異物を低減させる方法である。
【０１１３】
導電体部材２１０２と接触させるハードマスク２００３上部に形成されたレジスト２００４は、図１３のステップ２のレジストパターンを作製する工程で除去される。そのため、ハードマスク２００３と導電体部材２１０２を直接接触させた状態でエッチングすることができる。
【０１１４】
絶縁体であるレジストと導電体接続部材を直接接触させた状態で高周波電力を印加した場合、導電体部材と接触したレジストが加熱され、加熱により変質したレジストが異物となり、処理室及び被エッチング材料を汚染するが、前記したように導電体部材と接触するレジスト２００４をエッチング前に取り除き、導電体部材とレジストを直接接触させないことで、導電体部材でのレジストの加熱をなくし、レジストが異物源となることを防ぐことができる。
【０１１５】
導電体部材と接触するハードマスク２００3上部に形成されたレジスト２００４をプラズマ処理する前に予め除去する方法としては、フォトリソグラフィー、電子線描画、極端紫外線露光によりレジストパターンを作製する場合は前記接触部のレジストを露光後の現像工程で同時に除去できるように露光するのが望ましい。ナノインプリント法によりレジストパターンを作製した場合も、導電体部材と接触するハードマスク２００３上部に形成されたレジストをプラズマ処理する前に予め除去する工程を導入することが望ましいが、新たに工程を導入することが難しい場合は前記接触部のレジスト膜厚をできるだけ薄くし、接触部のレジストの抵抗を低減させる構造にしてもかまわない。
【０１１６】
ハードマスク２００３の材料は、ハードマスクの抵抗を低減させるためTi、Ta、TiN等の導電体材料でできていることが望ましい。また、ハードマスクの材料にSiO２、Si３N４、Ａl２O３等の絶縁体材料を用いた場合は、多層磁性膜２００２に効率よく高周波電力を印加するため、ハードマスクの厚さを数百ナノメートル以下にしなければならない。
【０１１７】
導電体部材２１０２の側面は、耐熱ガラス、石英、アルミナ、ジルコニア、窒化シリコン、ポリイミド樹脂などの絶縁体材料でできた絶縁体カバー２１０３で覆われており、バイアス電力及びソース電力の印加された導電体部材２１０２がプラズマと直接接触するのを防ぐことができる。
【０１１８】
本実施例によれば、導電体部材から被エッチング材料表面に効率よく高周波電力を印加し、レジストから発生する異物を低減することができる。
【０１１９】
なお、被エッチング材料に効率よくバイアス電力及びソース電力を印加し、レジストから発生する異物を低減させる方法としては、導電体部材と接触するハードマスク２００3上部に形成されたレジストを残したままで行う方法もある。すなわち、図１５Ｂに示すように、導電体部材２１０２上に針状の導電体突起物２１０４が形成されており、該導電体突起物２１０４がレジスト２００４を貫通することでハードマスク２００３と接触する構造であってもよい。導電体突起物２１０４はレジスト材を貫通する強度を出すため、突起物の回りをSiCやダイヤモンドライクカーボンでコーティングしてあることが望ましい。この場合、ハードマスク２００３と接触する導電体突起物２１０４の先端はコーティングを除去しており導電体突起物２１０４とハードマスク２００３が電気的に導通していなければならない。なお、導電体突起物２１０４はレジスト２００４を貫通することができれば、その形状は問わない。
【０１２０】
また、上記コーティングにより、高周波電力がレジストに印加されるのを防ぎ、高周波電力によりレジストが加熱され、レジストから異物が発生することを防ぐことができる。つまり、上記、導電体部材２１０２上に導電体突起物２１０４を形成することで、導電体部材２１０２と接触するハードマスク２００３上部に形成されたレジストを除去しなくても被エッチング材料に効率よくバイアス電力及びソース電力を印加し、レジストから発生する異物を低減させることができる。
【実施例１１】
【０１２１】
次に、図１６（図１６Ａ、図１６Ｂ）により、図１４のステップ２の導電体部材を被エッチング材料表面に接触させ、該導電体部材と被エッチング材料表面の導電体部材から被エッチング材料にバイアス電力及びソース電力を供給するエッチングプロセスにおいて、被エッチング材料に効率よく高周波電力を印加し、レジストから発生する異物を低減させる方法について、説明する。
【０１２２】
すなわち、図１４のステップ２の導電体部材２１０２を被エッチング材料表面に接触させ、該導電体部材と被エッチング材料表面の導電体部材から被エッチング材料にバイアス電力及びソース電力を供給するエッチングプロセスにおいて、所定のパターンが形成されたレジストパターン２００４を用い、Si３N４、SiO２等の下地層２００８を加工する場合に、該導電体部材と被エッチング材料表面の導電体部材から被エッチング材料にバイアス電力及びソース電力を効率よく印加する方法について、説明する。
【０１２３】
ここでは、導電体部材２１０２と接触させる下地層２００８の上部に形成されたレジスト２００４は、図１４（ステップ１）のレジストパターンを作製する工程で除去してあるものとする。こうすることで、高周波電力によりレジストが加熱され、レジストが異物源となることを防ぐことができる。
【０１２４】
まず、図１６Ａで比較例を説明する。図１６Ａに示すように、基板２００１の材質にアルミニウム等の導電性材料を用いた場合、図１４（ステップ２）の工程で、下地層２００８と導電体部材２１０２を直接接触させた状態で基板２００１を通る電気的な経路（矢印（ｆ））を通り、基板全面に効率よく高周波電力を印加することができる。
【０１２５】
しかし、基板２００１の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合は、電気的な経路（矢印（ｆ））が形成されない。さらに、下地層（被エッチング材料）２００８がSi３N４、SiO２等の絶縁体材料であるため、導電体部材２１０２を下地層２００８の表面に接触させても、下地層を通る電気的な経路（矢印（ｅ））も形成されない。そのため、図１４（ステップ２）の工程で、基板全面に効率よく高周波電力を印加できなくなる。
【０１２６】
これに対し、図１６Ｂに、基板２００１の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合でも、図１４（ステップ２）の工程で、基板全面に効率よく高周波電力を印加する方法を示す。
【０１２７】
すなわち、図１６Ｂに示すように、基板２００１の全面に高電気伝導膜２１０５を設けることで、電気的な経路（矢印（ｈ））が形成されない場合でも、高電気伝導膜２１０５を通る電気的な経路（矢印（ｇ））を作ることができる。この場合、下地層２００８の厚さが薄い（数百ナノメートル以下）ため、基板２００１の材質にガラス等の絶縁体材料を用いた場合でも、導電体部材２１０２を下地層２００８の表面に接触させて、高電気伝導膜２１０５の電気的な経路矢印（ｇ）を通り、基板全面に効率よく高周波電力を印加することが可能となる。高電気伝導膜２１０５は、図１４（ステップ１）の工程で基板２００１と下地層２００８の間に作製する。
【０１２８】
本実施例によれば、基板両面にエッチング処理により凹凸パターンを作製するステップにおいて、基板の材質によらず被エッチング材料両面を電気的に導通させるので、パターンドメディアを精度良くかつ効率的に製造することが可能となる。
【０１２９】
尚、実施例では多層磁性膜への適用について説明したが、本発明は、導電体部材を被エッチング材料表面に接触させバイアス電力及びソース電力を被エッチング材料に印加するプロセスであれば、エッチング対象は多層磁性膜に限らず適応可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
１００…平板電極、１０１… 真空容器、１０２… 可動式基板支持部材、１０３… 固定式基板支持部材、１０４… 真空ベローズ、１０５… 略円環状被エッチング材料、１０６… 導電体接続部材、１０７… ソース電源、１０８… バイアス電源、１０９… 高周波伝達経路、１１０… シャワープレート、１１２… 第一の整合器、１１３… 第二の整合器、１１４…搬入出室、１１５…ゲートバルブ、１１７…搬入出経路、１１８…基板搬送部材、１１９…被エッチング材料の内孔、１２０…マスフローコントローラー、２０１… 第一の導電体部材、２０２… 第二の導電体部材、２０４… 可動式基板支持部材の被エッチング材料と接触する面の角、２０５… 固定式基板支持部材の被エッチング材料と接触する面の角、２０６… 伸縮材、４０３… ガス噴出口、１００１… 絶縁体材料、１００２… 電極、１２０１… 搬入室、１２０２…搬送室、１２０３… 第一の処理室、１２０４… 搬送室、１２０５… 第二の処理室、１２０６… 搬送室、 １２０７… 第三の処理室、１２０８… 搬送室、１２０９… 搬出室、２００１… 基板、２００２… 多層磁性膜、２００３… ハードマスク、２００４… レジストパターン、２００５… 非磁性材料、２００６… 保護膜、２００７… 潤滑層 、２００８…下地層、２１０２… 導電体部材、２１０３… 絶縁体カバー、２１０４… 導電体突起物、２１０５… 高電気伝導膜、３００１… 導電体伸縮機構。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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