(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスにおいて、
該基板上にスペーサ膜が設けられ、
該スペーサ膜が複数の膜体の積層体で構成され、
該受光素子が該スペーサ膜に直接接合されていることを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の光導波路デバイスにおいて、該基板がＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、又はＰＬＺＴのいずれかの単結晶であることを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項３】
光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、
該基板上にスペーサ膜を、複数の膜体を積層させて形成し、
該スペーサ膜と該受光素子とを直接接合することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【請求項４】
光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、
該受光素子の一部にスペーサ膜を、複数の膜体を積層させて形成し、
該スペーサ膜と該基板とを直接接合することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【請求項５】
光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、
該基板上にスペーサ膜の一部を形成し、
該受光素子の一部にスペーサ膜の他の一部を形成し、
該基板に形成したスペーサ膜の一部と該受光素子に形成したスペーサ膜の一部とを互いに直接接合させて、該スペーサ膜を複数の膜体の積層体とすることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路デバイス及びその製造方法に関するものであり、特に、光導波路を有する基板と該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイス及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光導波路を有する光変調器などの光導波路デバイスでは、光導波路を伝搬する光波の一部をモニタするため、光導波路に近接して受光素子（Photo Detector，ＰＤ）を配置することが行われている。光導波路からモニタ光を取出す方法の一つとして、特許文献１に示すように、エバネセント波を利用する方法がある。
【０００３】
エバネセント波を利用するには、受光素子への光取出し効率は、光導波路と受光素子との構造が決まっていれば、受光素子の底面から光導波路までの間隔(ギャップ）ｓに依存する。このため、光導波路と受光素子との間隔を、エバネセント波として結合できる領域にまで接近させて配置することが必要であり、当該間隔の調整には高精度な組み立て技術が必要となる。一例として、エバネセント波は、導波路表面から離れるにつれて指数関数的に減衰し、電界振幅が導波路境界から１／ｅとなる浸み出し深さをｄとすると、浸み出し深さｄは、式（１）で表現される。式（１）のγｃは、さらに、式（２）で表現される。
【０００４】
【数１】
0005428932.tif 000002
【０００５】
【数２】
0005428932.tif 000003
【０００６】
式（２）の各文字、κ、Ｎ、ｎｃはそれぞれ真空中の波数、導波光の実効屈折率、クラッド屈折率である。ここで、波長１．５５μｍ、Ｎ＝２．２、ｎｃ＝１．５とすると、式（１）のｄは、約０．１６μｍとなる。このため、モニタ光の受光感度の再現性を得るには、受光素子の光導波路からの距離ｓは、１０ｎｍ程度の精度で合わせる必要がある。
【０００７】
モニタ光としてエバネセント波を利用した場合の実用性を評価するため、光導波路と受光素子との間隔を調整して、受光素子の感度及び受光素子が検出したＯＮ／ＯＦＦ消光比を、図１に示す。モニタポート付きベクトル型変調器の試作には、ギャップ調整用の膜としてＳｉＯ２を用いた。また、図１は、ＣバンドおよびＬバンドにおける感度および消光比の波長依存性の特性評価例である。
【０００８】
図１を見ると、感度は５％以内の変動であり、ほとんど波長依存性が見られない。また、ＯＮ／ＯＦＦ消光比は２０ｄＢを超えており良好である。例えば、光変調器などの変調電極に印加するバイアス電圧をモニタし制御するために必要な信号の感度（モニタＰＤ出力信号［Ａ］／信号光強度［Ｗ］）が得られている。また、信号光とモニタ光は同相で位相差がなく、正確なバイアスモニタが可能であり、実用性が高い構成であることが容易に理解される。
【０００９】
ところで、特許文献１では、光導波路と受光素子との間隔を高精度に調整するため、光導波路を形成する際に利用する高屈折率材料を、光導波路が形成された基板上に受光素子を支持するための台座の一部に使用することを提案している。
【００１０】
ところで、光導波路と受光素子チップとの間に、ゴミや付着物などの汚染物質があると接着時の間隔（ギャップ）の再現が悪化し、特性（モニタ信号取出効率）の再現性が得られない。例えば、数１００ｎｍ微小なゴミや付着物などあると、モニタ信号が全く得られなくなるなど、致命的な問題となる。
【００１１】
このため、受光素子チップを接着する際に、光導波路と受光素子チップとの間のゴミや付着物など汚染物質の除去を行っている。汚染物質の除去方法としては、導波路基板のスクラブ洗浄、超音波洗浄、紫外線アッシング、大気圧プラズマ洗浄、イオナイザーブローなどが有効である。しかしながら、光導波路デバイスの基板としてＬｉＮｂＯ３などの焦電性や圧電性を有する材料を用いた場合には、洗浄後の温度変化や外部からの圧力によって生じた静電気により、容易にゴミを引き付け易く、洗浄後に再び汚染されるといった問題があり、光導波路デバイスの製造上の歩留まりが大きく低下する原因となっていた。
【００１２】
この問題を解消するため、特許文献２では、焦電性又は圧電性を有する材料で構成された基板と、該基板の一部形成された光導波路とを有する光導波路デバイスにおいて、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子と、該受光素子と該光導波路との距離を調整するために、該基板上に形成された台座とを備え、該台座は、膜体で構成され、少なくとも該受光素子に面した表面材料が、光触媒物質、導電性物質又は半導体物質のいずれかで形成することを提案した。
【００１３】
しかしながら、特許文献１及び２の両方は、接着剤を用いて受光素子を台座に接合しているため、光導波路と受光素子との間に、ゴミや付着物などの汚染物質が介在し、特性が得られなかった場合には、不良廃棄とするか、接着剤を剥がして再利用することになる。再利用に際しては、固着で使用した接着剤の除去が必要であり、作業工程が非常に煩雑化するという問題を生じていた。
【００１４】
また、接着剤を使用する場合には、接着剤の厚みも１０ｎｍ程度の精度で正確に制御する必要があり、接着剤の塗布工程や、受光素子を基板側に押圧保持する工程など、製造工程を高精度で管理する必要があり、製造工程が複雑化するなどの問題を生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特願２００９−６９０９４号（２００９年３月１９日出願）
【特許文献２】特願２０１０−１８６１２号（２０１０年１月２９日出願）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、モニタ光としてエバネセント波を利用する光導波路デバイス及びその製造方法において、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる光導波路デバイス及びその製造方法を提供することである。また、接着剤の使用を極力抑制することで、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制した光導波路デバイス及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスにおいて、該基板上にスペーサ膜が設けられ、該スペーサ膜が複数の膜体の積層体で構成され、接着剤を用いることなく、該受光素子が該スペーサ膜に直接接合されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の光導波路デバイスにおいて、該基板がＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、又はＰＬＺＴのいずれかの単結晶であることを特徴とする。
【００１９】
請求項３に係る発明は、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、該基板上にスペーサ膜を、複数の膜体を積層させて形成し、該スペーサ膜と該受光素子とを直接接合することを特徴とする。
【００２０】
請求項４に係る発明は、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、該受光素子の一部にスペーサ膜を、複数の膜体を積層させて形成し、該スペーサ膜と該基板とを直接接合することを特徴とする。
【００２１】
請求項５に係る発明は、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、該基板上にスペーサ膜の一部を形成し、該受光素子の一部にスペーサ膜の他の一部を形成し、該基板に形成したスペーサ膜の一部と該受光素子に形成したスペーサ膜の一部とを互いに直接接合させて、該スペーサ膜を複数の膜体の積層体とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１に係る発明により、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスにおいて、該基板上にスペーサ膜が設けられ、該受光素子が該スペーサ膜に直接接合されているため、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる。また、接着剤を使用していないため、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制することも可能となる。
【００２３】
しかも、スペーサ膜が複数の膜体の積層体で構成されるため、基板とスペーサ膜との接合に適した膜体、受光素子とスペーサ膜との接合に適した膜体、さらには、スペーサ膜の上面や下面の用途に対応した適切な膜体を組み合わせることなどが可能となる。また、必要に応じて、特許文献２のような光触媒物質、導電性物質又は半導体物質を設け、スペーサ膜を多機能化することも可能となる。
【００２４】
請求項２に係る発明により、基板がＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、又はＰＬＺＴのいずれかの単結晶であるため、基板上に光導波路を容易に形成することができると共に、光変調器などの複雑な光導波路デバイスに対しても、本発明を適用することが可能となる。
【００２５】
請求項３に係る発明により、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、該基板上にスペーサ膜を、複数の膜体を積層させて形成し、該スペーサ膜と該受光素子とを直接接合するため、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる。また、接着剤を使用していないため、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制することも可能となる。さらに、光導波路に対してスペーサ膜を精確に位置決めすることができる。
【００２６】
請求項４に係る発明により、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、該受光素子の一部にスペーサ膜を、複数の膜体を積層させて形成し、該スペーサ膜と該基板とを直接接合するため、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる。また、接着剤を使用していないため、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制することも可能となる。さらに、受光素子の受光部に対してスペーサ膜を精確に位置決めすることができる。
【００２７】
請求項５に係る発明により、光導波路を形成した基板と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子とを有する光導波路デバイスの製造方法において、該基板上にスペーサ膜の一部を形成し、該受光素子の一部にスペーサ膜の他の一部を形成し、該基板に形成したスペーサ膜の一部と該受光素子に形成したスペーサ膜の一部とを互いに直接接合させて、該スペーサ膜を複数の膜体の積層体とするため、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる。また、接着剤を使用していないため、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制することも可能となる。さらに、光導波路に対してスペーサ膜の一部を、また、受光素子の受光部に対してスペーサ膜の一部を共に精確に位置決めすることができる。しかも、基板や受光素子の各々に適した膜体を選択し、スペーサ膜として使用することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】エバネセント波をモニタ光とした場合の受光素子の感度及び消光比の波長依存性を示すグラフである。
【図２】本発明の光導波路デバイスを示す概略図であり、光伝搬方向に平行な方向の断面図である。
【図３】本発明の光導波路デバイスの第１の実施例であり、図２における矢印Ａ−Ａにおける断面図を示す図である。
【図４】本発明の光導波路デバイスの第２の実施例であり、図２における矢印Ａ−Ａにおける断面図を示す図である。
【図５】本発明の光導波路デバイスにおける台座（スペーサ膜）の応用例を示す図である。
【図６】本発明の光導波路デバイスにおける台座（スペーサ膜）の構造の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の光導波路デバイスについて、好適例を用いて詳細に説明する。図２は、本発明の光導波路デバイスを示す概略図であり、光伝搬方向に平行方向の断面図である。図３又は図４は、図１の矢印Ａ−Ａにおける断面図であり、図３は本発明の第１の実施例、図４は本発明の第２の実施例を示す。
【００３０】
本発明は、図２に示すように、光導波路２を形成した基板１と、該光導波路２を跨ぐように配置される受光素子３とを有する光導波路デバイスにおいて、該基板上にスペーサ膜（台座）４が設けられ、該受光素子３が該スペーサ膜４に直接接合されていることを特徴とする。
【００３１】
本発明における「直接接合」とは、基板同士の表面を親水化処理して、重ね合せ熱処理を行うことにより得られる直接接合（水素結合とも言われる）や表面活性化常温直接接合のことを意味する。
【００３２】
本発明の光導波路デバイスに使用される基板１としては、特に、ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３又はＰＬＺＴのいずれかの単結晶が好適に利用可能である。これらの材料は、基板上に容易に光導波路が形成されると共に、光変調器など光導波路を伝搬する光波をモニタする必要のある電気光学デバイスの基板として利用されているため、本発明を効果的に適用することが可能である。
【００３３】
基板に形成する光導波路は、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板（ＬＮ基板）上にチタン（Ｔｉ）などの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路や光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。本発明の光導波路デバイスでは、受光素子を支持する台座を基板上に形成するため、Ｔｉなどの熱拡散やリブ型光導波路がより好適に利用可能である。光導波路としては、図２又は３のように直線導波路に限らず、マッハツェンダー型の干渉計の導波路を組み込むことで、光強度変調器なども構成することが可能である。
【００３４】
受光素子の横幅（図３の符号３の部分の横幅）は、１００μｍ〜３ｍｍ程度であり、スペーサ膜による台座部分の大きさも、受光素子の横幅の約半分から数倍程度の範囲で形成される。スペーサ膜は、単一の膜体で構成しても、図６に示すように、複数の膜体（４３，４４）の積層体として構成しても良い。積層体で構成する場合には、基板とスペーサ膜との接合に適した膜体、受光素子とスペーサ膜との接合に適した膜体、さらには、スペーサ膜の上面や下面の用途に対応した適切な膜体を組み合わせることなどが可能となる。例えば、スペーサ膜の一部を、ＳｉＯ２膜や特許文献１に示すようなＴｉ熱拡散による膜体で形成し、その上にスペーサ膜の表面を、特許文献２に示すような光触媒物質、導電性物質又は半導体物質で被覆することも可能である。ただし、積層体と受光素子との接合部分など、最終的に接合する場所には、直接接合しやすい材料を選択することが必要である。
【００３５】
図２又は図３に示すように、受光素子３は、基板１の上側に、スペーサ膜４を介して配置されている。図３では、光導波路２上にスペーサ膜４が設置されていないが、基板に形成された光導波路２について、光導波路の表面の凹凸の程度によっては、図４のように、光導波路２の上にもスペーサ膜４１を設置することが可能である。
【００３６】
また、図３のように、光導波路を避けてスペーサ膜４を設ける場合には、光導波路２と受光素子３（受光部３１）との間には空間が形成される。この空間は、空洞のままで維持することも可能であるが、光導波路の屈折率より低い低屈折率材料で充填することも可能である。さらに、接着剤を充填し、光導波路側の基板１と受光素子３との結合強度をより高くすることも可能である。
【００３７】
例えば、光導波路デバイスとして、当該基板にＬＮ基板を利用し、上述したように該ＬＮ基板上にチタン（Ｔｉ）の熱拡散によって形成された光導波路とを有している。また、伝搬光の波長をλ＝１．５５μｍとすると、ＬＮ基板の屈折率はほぼ２．２である。
【００３８】
スペーサ膜の材料は、図２又は図３のような光導波路を避けてスペーサ膜を配置する構成の場合、特に制限されることはないが、図４のように光導波路上にスペーサ膜を配置する場合は、使用する波長帯で透明な材料を用いる必要がある。また、図４の場合、光導波路を伝搬する光の波長において、吸収損失が少なく透明であり、屈折率が基板と同程度かそれ以下の材質（ｎ＜２．３）であることが望ましい。
【００３９】
導電性物質として金属膜（ｎ＞１０）や半導体膜（ｎ＝約３．５）を用いる場合、光導波路を伝搬する光を吸収減衰させる、あるいは、光屈折装荷膜として導波路構造が変化するなどして光の損失を生じさせるなどの問題がある。その光の損失は、光導波路上に設置するスペーサの長さとともに指数関数的に増加する。したがって、金属膜や半導体膜を用いる場合は、図４の構造のように光導波路の上部には設置しないことが望ましい。ただし、実用デバイスとして許容される程度の光損失の範囲内で、光導波路上に金属や半導体のスペーサを形成することは差し支え無い。
【００４０】
図５のように、スペーサ膜がほぼ均一な連続体で構成する場合には、導波路基板がＬＮ基板を使用する際に、光損失の増大防止、直接接合を実現する観点などから、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２やＩＴＯなどの材料を用いることが望ましい。
【００４１】
スペーサ膜の形状の一例を、図５に示す。接着する受光素子３の大きさを点線で示してある。スペーサ膜（４２）は受光素子３を座りよく設置できる構造であればよく、この形状に縛られることはない。本実施例では、光導波路２の上部に相当する領域は、スペーサ膜を形成していない。これは、光導波路２の突起部が、直接接合の際の障害になるためである。仮に、光導波路２の突起がない平坦な基板の場合でかつ屈折率が２．３以下の材料をスペーサ膜に用いる場合には、光導波路の上部に相当する領域にスペーサ膜を形成してもよい。
【００４２】
真空装置を用いたプラズマアッシング、イオンビームアッシング処理などをもちいた表面活性化常温直接接合の場合、特に材料を選ばずとも直接接合が行えるが、基板同士の表面を親水化処理して、重ね合せ熱処理を行うことにより得られる直接接合を利用する場合には、スペーサ膜の材料は、光導波路基板や受光素子との直接接合しやすい材料を選ぶことが望ましい。例えば、光導波路基板としてＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＰＬＺＴ等の酸化物を用いる場合には、酸化物との親和性の良いＳｉＯ２膜やＳｉ３Ｎ４が適している。
【００４３】
フッ化物や有機物膜と酸化物基板との、親水化処理による接合は、条件を選べば可能である。接合させる基板、膜の表面は、接合させる部分において、ほぼ平坦平滑であり、仮に、突起がある場合でも、高さが１００ｎｍ以下である必要がある。ＬｉＮｂＯ３のＴｉ拡散導波路の場合、作成条件によっては、光導波路部に１００ｎｍ以上の突起が見られる場合があるが、図３のように、光導波路を避けてスペーサ膜を形成する構成にすれば、この突起を考慮する必要はない。また、突起を、特開２００７−２７１６９４号公報に示されるような基板の研磨方法などで除去する場合には、図４のように光導波路２上にスペーサ膜４１を設けることも可能である。
【００４４】
直接接合の際、受光素子と光導波路基板の間に、高さが１００ｎｍ以上のゴミや汚染付着物がある場合や、膜や基板の表面が、親水化処理を阻害する付着物に覆われている場合などは、両者を接合することができない。洗浄除去後に、再度接合することになる。接着剤を用いた場合と異なり、接着剤が膜や基板に固着することが無いため、固化した接着剤除去のため特別な洗浄工程は不要である。このように、本発明の製造方法では、リワーク、リトライなど受光素子や基板の再利用が容易なため、工程不良発生の低減に大きな効果がある。
【００４５】
スペーサ膜の形成は、光触媒、導電性物質、半導体、又は誘電体など、いずれの材料を用いた場合においても、一般的な半導体製造プロセスによって形成することができる。ＬＮ基板に光導波路を形成した後、スパッタリング法や蒸着法などを利用して、所定の膜厚のスペーサ材料をＬＮ基板表面に形成する（薄膜形成工程）。スペーサ膜の形状の形成には、リフトオフ法やドライエッチング法を利用する（パターン形成工程）。例えば、フォトレジストをもちいたリフトオフ法を用い、上記の形状のスペーサを形成することができる。
【００４６】
本発明の光導波路デバイスの製造方法では、上述したように直接接合を利用しているため、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる。また、接着剤を使用していないため、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制することも可能となる。
【００４７】
しかも、本発明の光導波路デバイスの製造方法として、光導波路を形成した基板上にスペーサ膜を形成し、該スペーサ膜と受光素子とを直接接合することにより、光導波路に対してスペーサ膜を精確に位置決めすることができ、特に、光導波路に近接してスペーサ膜を精確に配置する際には、有用な方法と言える。
【００４８】
また、受光素子の一部にスペーサ膜を形成し、該スペーサ膜と光導波路を形成した基板とを直接接合することにより、受光素子の受光部に対してスペーサ膜を精確に位置決めすることができる。
【００４９】
さらに、光導波路を形成した基板上にスペーサ膜の一部を形成し、受光素子の一部にスペーサ膜の他の一部を形成し、該基板に形成したスペーサ膜の一部と該受光素子に形成したスペーサ膜の一部とを互いに直接接合することにより、光導波路に対してスペーサ膜の一部を、また、受光素子の受光部に対してスペーサ膜の一部を共に精確に位置決めすることができる。しかも、基板や受光素子の各々に適した膜体を選択し、スペーサ膜として使用することも可能となる。
【００５０】
以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。例えば、スペーサ膜の平面形状は図５に示すような長方形のアレー配列に限定されず、所望の受光素子と導波路間隔を確保出来る形状に形成されていれば、平面形状はどのようなものであってもよい。
【００５１】
本発明の光導波路デバイスの製造方法における特性再現性の改善、あるいは、生産歩留りの改善を調べるため、以下の条件で製造試験を行った。
ＬＮ基板上に、Ｔｉ熱拡散による光導波路を形成した後、図５に示す島状パターンのスペーサ膜（台座）を、表１に示す組成材料、成膜方法を形成した。膜厚は共に、１１０ｎｍとした。
【００５２】
【表１】
0005428932.tif 000004
【００５３】
比較例１及び２に関して、スペーサ膜を形成した基板については、次の洗浄方法を実施した。
（１）大気圧プラズマアッシャー
（２）イオナイザーブロー  １０秒
（３）ＵＶ光洗浄（ＵＶ  １００ｍＷ／ｃｍ  ６０秒）
そして、洗浄後、接着剤（屈折率  １．５６）で基板と受光素子とを接着した。
【００５４】
実施例に関して、スペーサ膜を形成した基板については、次の洗浄方法を実施した。
（１）硫酸過水洗浄
（２）超純水リンス
（３）エアブロー乾燥
そして、洗浄後、光導波路を形成した基板と受光素子とを直接接合した。なお、リワーク時も同じ条件で洗浄を行った。
【００５５】
完成した光導波路デバイスの光導波路に試験光を導波させ、受光素子が試験光のエバネセント波を適切に検出できるかどうかで、良品・不良品を判断した。判断結果を表１に示す。表１の結果より、接着剤を利用した場合と比較し、本発明の直接接合の方が、製造上の歩留まりが格段に改善（不良率が低下）していることが、容易に理解できる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上説明したように、本発明によれば、モニタ光としてエバネセント波を利用する光導波路デバイス及びその製造方法において、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる光導波路デバイス及びその製造方法を提供することが可能となる。また、接着剤の使用を極力抑制することで、光導波路デバイスの再利用に係る作業の煩雑化を抑制した光導波路デバイス及びその製造方法を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００５７】
１  基板
２  光導波路
３  受光素子（チップ）
４，４１〜４４  スペーサ膜（台座）
５  接着剤
３１  受光素子の受光部
Ｅ  エバネセント波
Ｌ  導波路中の光波
【図１】
0005428932.tif 000005
【図２】
0005428932.tif 000006
【図３】
0005428932.tif 000007
【図４】
0005428932.tif 000008
【図５】
0005428932.tif 000009
【図６】
0005428932.tif 000010