(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の光学素子に複数の分極反転領域を周期的に形成して擬似位相整合素子を形成する擬似位相整合素子形成工程と、
前記擬似位相整合素子形成工程に続いて、前記擬似位相整合素子の分極反転領域の周期方向と平行な上面と下面に保持部材を積層して積層体とし、前記積層体の光入射面側および／または光出射面側の積層端面を略正方形にする積層工程と、
前記積層工程に続いて、前記光入射面側および／または光出射面側の積層端面を曲面状に研磨する研磨工程と
を有することを特徴とする擬似位相整合素子の製造方法。
【請求項２】
平板状の光学素子の上面と下面に保持部材を積層して積層体とし、前記積層体の光入射面側および／または光出射面側の積層端面を略正方形にする積層工程と、
前記積層工程に続いて、前記光入射面側および／または光出射面側の積層端面を曲面状に研磨する研磨工程と、
前記研磨工程に続いて、前記保持部材を光学素子から取り外し、前記曲面を光入射面側および／または光出射面とする平板状の光学素子に複数の分極反転領域を周期的に形成して擬似位相整合素子を形成する擬似位相整合素子形成工程と
を有することを特徴とする擬似位相整合素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の擬似位相整合素子の製造方法において、
前記保持部材は、前記光学素子とほぼ同じ熱膨張率の材料であることを特徴とする擬似位相整合素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の擬似位相整合素子の製造方法において、
前記研磨工程より後に、研磨した端面に誘電体多層膜を形成する工程
を有することを特徴とする擬似位相整合素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、擬似位相整合素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ロッドレンズの端面の球面加工方法として、ロッド状のレンズ素線をガラスパイプに挿入して一体とした後、端を球面加工することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２３９８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、特許文献１に記載されている加工方法は、平板状素材を加工することにそのまま適用することはできず、素材の外周すべてを保護部材で覆っているため加工面積がレンズ素線に対して大きいという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、上記の課題を解決するべく、平板状の擬似位相整合素子を加工する際、擬似位相整合素子の端面の研磨を容易にしつつ、研磨面積を少なくする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る擬似位相整合素子の製造方法は、平板状の光学素子に複数の分極反転領域を周期的に形成して擬似位相整合素子を形成する擬似位相整合素子形成工程と、前記擬似位相整合素子形成工程に続いて、前記擬似位相整合素子の分極反転領域の周期方向と平行な上面と下面に保持部材を積層して積層体とし、前記積層体の光入射面側および／または光出射面側の積層端面を略正方形にする積層工程と、前記積層工程に続いて、前記光入射面側および／または光出射面側の積層端面を曲面状に研磨する研磨工程とを有することとしてもよい。
【０００７】
この態様によれば、研磨される端面が略正方形なので、この積層体を工具で保持し易くなる。そして、前記積層体の側面が保持部材で覆われていないので、研磨面積を少なくできる。
【０００８】
また、本発明に係る擬似位相整合素子の製造方法は、平板状の光学素子の上面と下面に保持部材を積層して積層体とし、前記積層体の光入射面側および／または光出射面側の積層端面を略正方形にする積層工程と、前記積層工程に続いて、前記光入射面側および／または光出射面側の積層端面を曲面状に研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続いて、前記保持部材を光学素子から取り外し、前記曲面を光入射面側および／または光出射面とする平板状の光学素子に複数の分極反転領域を周期的に形成して擬似位相整合素子を形成する擬似位相整合素子形成工程とを有することとしてもよい。
【０００９】
また、前記保持部材は、前記光学素子とほぼ同じ熱膨張率の材料であることが望ましい。このような素材を用いれば、研磨工程で生じる熱で前記光学素子と前記保持部材が膨張しても、光学素子が破壊しにくくなる。
【００１０】
また、上記の擬似位相整合素子の製造方法において、前記研磨工程より後に、光学素子の研磨した端面に誘電体多層膜を形成する誘電体多層膜形成工程を有することとしてもよい。
【００１１】
この態様によれば、モノリシック共振器型の擬似位相整合素子を製作できる。
上記研磨とは、光学素子の端面を最終的に曲面状に加工することであり、粗く切削を行った後に研磨することを含んでもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、擬似位相整合素子の端面の研磨を容易にしつつ、研磨面積を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】擬似位相整合素子を形成した平板状の光学素子の上面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る積層体の研磨される面の模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るフローチャートである。
【図４】擬似位相整合素子形成工程および研磨工程を終えた平板状の光学素子の上面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る研磨工程後の積層体のA-A断面の矢視図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るフローチャートである。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る擬似位相整合素子の製造方法の実施形態を図面を参照しながら説明する。同一の構成要素については、同一の符号を付け、重複する説明は省略する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施することができるものである。例えば、第１の実施形態のように、結晶に擬似位相整合素子を形成してから結晶の端面を加工しても良いし、第２の実施形態のように、結晶の端面を加工してからこの結晶に擬似位相整合素子を形成してもよい。まず、本発明に係る第１の実施形態について、図面を用いて説明する。
【００１５】
図１に擬似位相整合素子を形成した平板状の光学素子の上面図を示す。平板状の光学素子１は、複数の分極反転領域３を周期的に形成され、擬似位相整合素子が形成されている。光学素子の材料としては、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）もしくはニオブ酸タンタル（ＴａＮｂＯ３）などが用いられる。分極反転領域は、公知の電界印加法，プロトン交換法または電子線照射法により形成できる。
【００１６】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る積層体の模式図である。積層体４は、平板状の光学素子１を２つの保持部材２で挟んである。積層体４の光入射面側および光出射面側の積層端面を正方形にすることが望ましく、さらに、この積層断面の平板状の光学素子１と上側の保持部材２と下側の保持部材２の厚さが同じであることがより望ましい。保持部材２は、平板状の光学素子１と同じ素材を用いてもよし、平板状の光学素子１とほぼ同じ熱膨張率の材料を用いてもよい。
【００１７】
図３は、本発明の第１の実施形態のフローチャートである。
第１の実施形態は、平板状の光学素子に複数の分極反転領域を周期的に形成して擬似位相整合素子を形成する擬似位相整合素子形成工程と、前記擬似位相整合素子形成工程Ｓ１に続いて、前記擬似位相整合素子の上面と下面に保持部材２を積層して積層体とし、前記積層体の光入射面側および光出射面側の積層端面を略正方形にする積層工程Ｓ２と、前記積層工程Ｓ２に続いて、前記光入射面側および光出射面側の積層端面を曲面状に研磨する研磨工程Ｓ３とを有する。前記積層工程Ｓ２では、前記曲面状の例としては、半球状に研磨することが望ましい。この曲面の形状は、設計者が適宜変形して実施でき、たとえば、非球面形状に形成することもできる。
【００１８】
図４に擬似位相整合素子形成工程および研磨工程Ｓ３を終えた平板状の光学素子１の上面図を示す。研磨工程Ｓ３によって、平板状の光学素子１の光入射面側および光出射面側の各端面が曲面状に研磨され曲面状端面５が形成されている。
【００１９】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る研磨工程後の積層体のA-A断面の矢視図である。曲面状端面５は、部分的な球状の曲面になっている。
次に、本発明に係る第２の実施形態について、図面を用いて説明する。図６は、本発明の第２の実施形態のフローチャートである。第２の実施形態は、平板状の光学素子１の上面と下面に保持部材２を積層して積層体とし、前記積層体の光入射面側および光出射面側の積層端面を略正方形にする積層工程Ｓ２と、前記積層工程に続いて、前記光入射面側および光出射面側の積層端面を曲面状に研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続いて、平板状の光学素子に複数の分極反転領域を周期的に形成して擬似位相整合素子を形成する擬似位相整合素子形成工程とを有する。
【００２０】
図７は、本発明の第３の実施形態のフローチャートである。第３の実施形態は、前記研磨工程より後に、研磨した端面に誘電体多層膜を形成する誘電体多層膜形成工程を有する。このような誘電体多層膜が形成されると、光学素子の曲面状の端面で光が反射され、モノリシック共振器型の擬似位相整合素子を製作できる。
【符号の説明】
【００２１】
１  平板状の光学素子
２  保持部材
３  分極反転領域
４  積層体
５  曲面状端面
Ｓ１  擬似位相整合素子形成工程
Ｓ２  積層工程
Ｓ３  研磨工程
Ｓ４  誘電体多層膜形成工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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