(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いてサンプルを走査する方法であって、
前記サンプルの表面を走査して前記表面に対応するデータを取得するステップであって、前記走査ステップが少なくとも一つの走査パラメータによって特徴付けられる、走査ステップと、
前記プローブのＺ方向の偏位を用いることにより、前記走査ステップ中に、走査線に沿った前記表面における変移部を略自動的に識別するステップと、
前記変位部が識別された時点で走査線に沿った走査ステップを停止するステップと、
前記プローブを前記サンプルの表面から離間させるステップと、
走査線に沿った走査ステップを継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、識別された前記変移部に関連する走査線に沿った前記サンプルの変移領域のみを再走査するステップであって、前記変移部が識別され、かつ前記再走査するステップが開始されると、全体の前記変移領域は中断なしで再走査される、前記再走査するステップと、
前記走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を前記再走査ステップから取得したデータで修正するステップとを備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記修正ステップはノッチングを略排除するように前記データを置換すること、及び前記データを増大させることのうちの少なくとも一つを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも一部分は識別された前記変移部の場所に対応する、方法。
【請求項４】
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いてサンプルを走査する方法であって、
前記サンプルの表面を走査して前記表面に対応するデータを取得するステップであって、前記走査ステップが少なくとも一つの走査パラメータによって特徴付けられる、走査ステップと、
前記プローブのＺ方向の偏位を用いることにより、前記走査ステップ中に、走査線に沿った前記表面における変移部を略自動的に識別するステップと、
前記変位部が識別された時点で走査線に沿った走査ステップを停止するステップと、
前記プローブを前記サンプルの表面から離間させるステップと、
走査線に沿った走査ステップを継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、全体の識別された前記変移部であって、識別された前記変移部のみを中断なしで再走査するステップと、
前記走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を前記再走査ステップから取得したデータで修正するステップとを備え、前記変移部は前記サンプルの平坦部から側壁への領域に対応する、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記平坦部から側壁への領域は半導体構造によって形成される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記識別ステップは前記走査ステップ中に実施される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記識別ステップは前記データを用いて前記サンプル表面の傾きを計算することを含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、前記傾きは前記走査ステップ中に計算される、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法において、前記識別ステップは前記傾きの変化を決定することを含む、方法。
【請求項１０】
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いてサンプルを走査する方法であって、
前記サンプルの表面を走査して前記表面に対応するデータを取得するステップであって、前記走査ステップが少なくとも一つの走査パラメータによって特徴付けられる、走査ステップと、
前記プローブのＺ方向の偏位を用いることにより、前記走査ステップ中に、走査線に沿った前記表面における変移部を略自動的に識別するステップと、
前記変位部が識別された時点で走査線に沿った走査ステップを停止するステップと、
前記プローブを前記サンプルの表面から離間させるステップと、
走査線に沿った走査ステップを継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、識別された前記変移部のみを中断なしで再走査するステップであって、再走査される前記変移部は、サンプルの前記変移部の平坦部、平坦部から側壁、及び側壁を含む、前記再走査するステップと、
前記走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を前記再走査ステップから取得したデータで修正するステップとを備え、
前記再走査するステップは、前記少なくとも一つの走査パラメータを変更することを含み、
前記少なくとも一つの走査パラメータは走査速度を含み、前記変更ステップは前記走査速度を低下させることを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記変移部は側壁によって形成され、前記離間させるステップは選択された量だけ前記プローブを前記側壁から離間することを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記選択された量は約１０ｎｍ未満である、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも一つの走査パラメータは前記走査ステップの速度および前記走査ステップの方向のうちの少なくとも一つである、方法。
【請求項１４】
請求項４に記載の方法において、前記少なくとも一つの走査パラメータはＣＤモードにおけるＡＦＭ動作に対応する、方法。
【請求項１５】
請求項４に記載の方法において、少なくとも約１００ｎｍ／秒のＳＰＭ走査速度で半導体を走査する、方法。
【請求項１６】
走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）であって、
前記ＳＰＭのプローブとサンプルとの間に相対運動を生じさせるスキャナであって、前記プローブは、走査線に沿った変位部において前記サンプルと相互作用する、前記スキャナを備え、
前記ＳＰＭは、前記プローブ上の捩り力を用いることなく、前記プローブのＺ方向の変位を用いることにより、前記サンプルの変移部を識別し、その識別に応答して、走査線に沿った走査を継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、走査線に沿った前記サンプルとの相互作用を停止し、前記プローブを前記サンプルの表面から離間させ、前記スキャナに前記変移部のみを再走査させ、前記変移部が識別されたとき、全体の前記変移部が中断なしで再走査され、再走査される前記変移部は、サンプルの前記変移部の平坦部、平坦部から側壁、及び側壁を含み、
前記ＳＰＭは更にコントローラ及び演算装置を備え、前記コントローラは前記プローブと前記サンプルとの間の相互作用を示す制御信号を生成し、前記演算装置は、前記制御信号に基づいて生成されるサンプル表面のデータの傾きを決定することにより前記変移部を識別する、走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１７】
請求項１６に記載の走査型プローブ顕微鏡において、前記演算装置は、前記傾きの変化を計算することにより前記変移部を識別する、走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１８】
請求項１６に記載の走査型プローブ顕微鏡において、前記演算装置は、前記変移部を再走査する際に生成される再走査データを用いて前記サンプル表面のデータを修正する、走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１９】
請求項１８に記載の走査型プローブ顕微鏡において、前記演算装置は、前記サンプル表面のデータを増大または置換する、走査型プローブ顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査型プローブ顕微鏡を用いてサンプルを走査する方法および装置に係り、特に、サンプルにおける変移領域を検出し、該変移領域を再走査する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
幾つかのプローブベースの機器は、サンプルの一つ以上の特徴に関する情報を得るために片持ち梁ベースのプローブとサンプルとの間の相互作用をモニタリングする。スループット要件が増加すると、より速いデータ取得速度が望まれるため、信頼性のあるデータを得るための能力が問題となる。
【０００３】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）等の走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）は、一つ以上のサンプルの特徴を局部的に測定するために尖った先端を典型的には用いる装置である。特に、ＳＰＭは、サンプルと関連するプローブ組立体の先端との間の相互作用をモニタリングすることで小規模なサンプル特徴の表面を特徴付ける。先端とサンプルとの間の相対的な走査運動により、表面の特徴データおよび他のサンプル依存データがサンプルの特定の領域にわたって取得され、サンプルの対応するマップが生成される。
【０００４】
原子間顕微鏡は、非常に人気の高いタイプのＳＰＭである。典型的なＡＦＭのプローブは、基部が支持部に固定され、反対の自由端に尖ったプローブ先端が取り付けられている非常に小さい片持ち梁を備える。プローブは、検査対象サンプルの表面の近傍まで、あるいは、直接的または断続的に接触する程度に近付けられ、サンプルに対するプローブ先端の相互作用に反応する片持ち梁の偏向は非常に感応な偏向検出器、例えば、ハンスマ（Ｈａｎｓｍａ）外による米国再発行特許発明第３４４８９号明細書に記載される光学レバーシステムまたは応力ゲージ、容量センサ等の他の偏向検出器を用いて測定される。ＡＦＭは、圧電スキャナ、光学レバー偏向検出器、および、非常に小さい片持ち梁を用いて空気、液体、または、蒸気における幅広い種類の絶縁性または導電性表面で原子レベルまでの分解能を得ることができる。ＡＦＭは、その分解能と汎用性により、半導体製造から生物学的研究に至るまで様々な分野で重要な測定装置である。
【０００５】
プローブは、サンプル支持部および／またはプローブに作用する高分解能の三軸スキャナを用いて表面を走査することが好ましい。従って、該機器は、ハンスマ（Ｈａｎｓｍａ）外による上述の特許文献、エリングス（Ｅｌｉｎｇｓ）外による米国特許第５２２６８０１号明細書、および、エリングス（Ｅｌｉｎｇｓ）外による米国特許第５４１２９８０号明細書に記載されるようにサンプルのトポグラフィーおよび他の特性を測定しながら、プローブとサンプルとの間で相対運動を生じさせることができる。
【０００６】
典型的なＡＦＭシステムを図１に概略的に示す。片持ち梁１５を含むプローブ１４を有するプローブ装置１２を使用するＡＦＭ１０は、ここでは、プローブ１４をプローブの共振周波数付近で発振するよう駆動するために使用される発振アクチュエータまたは駆動部１６に接続されている。一般的に、ＡＦＭ制御部２０の制御下でＡＣ信号源１８から電子信号が供給されると、アクチュエータ１６はプローブ１４を好ましくは自由発振振幅Ａｏで発振するよう駆動する。プローブ１４は、制御部２０によりフィードバックを介して制御される好適なアクチュエータまたはスキャナ２４を用いてサンプル２２に近付けられ、離間されるよう作動される。アクチュエータ１６は、スキャナ２４とプローブ１４に接続されてもよく、自己作動型片持ち梁／プローブの一部としてプローブ１４の片持ち梁１５と一体的に形成されてもよい。更に、アクチュエータ２４はプローブ１４に接続して図示されているが、ラスタ走査等のようにＸＹＺアクチュエータとしてサンプル２２を三直交方向に移動させる、即ち、Ｚ運動とＸ−Ｙ走査運動させるよう使用されてもよい。他の順列も可能である。
【０００７】
一つ以上のプローブがＡＦＭに装填され、ＡＦＭは装填されたプローブの一つを選択してもよい。典型的には、プローブ１４の発振の一つ以上の特徴における変化を検出することでサンプル特徴がモニタリングされるため、選択されたプローブ１４は発振され、サンプル２２と相互作用するよう近付けられる。これに関して、プローブ１４の裏側に向かってビームを方向付けるために偏向検出装置１７が典型的には使用され、ビームは四象限光電検知器等の検出器２６に向かって反射される。ビームが検出器２６上を並進すると、適当な信号が制御部２０に送られ、制御部２０により処理されてプローブ１４の発振における変化が決定される。一般的に、制御部２０は、先端とサンプルとの間で一定の力を維持するために、典型的には、プローブ１４の発振の設定点の特徴を維持するために制御信号を生成する。例えば、制御部２０は、先端とサンプルとの間で略一定の力を確保するために設定点の値Ａｓで発振振幅を維持するためにしばしば使用される。設定点の相または周波数が使用されてもよい。
【０００８】
アクチュエータ２４は、一般的に、測定プローブとサンプル表面との間で相対運動を生じるために使用される圧電管、または、曲げ部である。圧電管は、管の内部と外部に配置される電極に電圧が印加されると一つ以上の方向に移動する装置である。アクチュエータは、プローブ、サンプル、または、両方に接続される。より典型的には、アクチュエータ組立体は、水平方向またはＸＹ面にプローブまたはサンプルを駆動するＸＹアクチュエータ、および、垂直方向またはＺ方向にプローブまたはサンプルを移動するＺアクチュエータの形態で設けられる。
【０００９】
ＡＦＭは、接触モードおよび発振曲げモードを含む様々なモードで動作するよう設計されている。動作の発振「曲げモード」では、片持ち梁は固定端について一般的に発振する。動作の一つである「曲げモード」は、いわゆるタッピングモード（商標）のＡＦＭ動作である（タッピングモードは本願の譲受人の商標である）。タッピングモード（商標）のＡＦＭでは、先端はプローブの片持ち梁の共振周波数付近で曲げ可能に発振される。先端がサンプル表面と断続的にまたは近接して接触すると、発振振幅が先端／表面の相互作用によって決定される。典型的には、先端とサンプルの相互作用に応答して生成されるフィードバック信号を用いて、発振の振幅、相、または、周波数が走査中一定に維持される。フィードバック信号は、収集され、記憶され、サンプルを特徴付けるためにデータとして使用される。
【００１０】
測定学の適用法ではより大きいスループットが要求され、サブミクロン単位の測定を必要とする幅広い適用法においてＳＰＭを使用する望ましさが大きくなるにつれ、ＳＰＭを用いたデータ取得を改善することが必要となる。半導体産業におけるウェハ分析は一つの重要な適用法である。一般的に、チップ製造業者は９０ｎｍ以下の相互接続線、接触部、トレンチの幅等の限界寸法（ＣＤ）を有する構造（例えば、配線、ビア、トレンチ等）を測定することを望む。「底部ＣＤ」測定学は、半導体の顧客にとって特に興味深い。半導体装置の製造業者は、プロセッサ等の論理素子を製作することが多いため、ゲート構造の幅、トランジスタの基本的素子、および、シリコンベースの論理素子の基礎部分を測定することを望む。ＩＴＲＳ（国際半導体技術ロードマップ）は、ゲート等のセミ特徴の底部ＣＤが数ナノメートルの不確実性（範囲は毎年減少する）内で制御されない限り結果として得られるトランジスタが設計通りに動作しなくなる、非常に重要なパラメータであると特定している。従って、正確且つ精密に底部ＣＤを測定する能力は、ＡＦＭが多数の潜在的な顧客にとって十分な価値があるか否かを決定する要素となる。そのため、ＣＤ−ＡＦＭにおける改善が必要である。
【００１１】
小規模な構造を分析する際、対応する測定は均一な制御を必要とし、大量生産環境に対応できなくてはならない。これに関して、動作中に専門的なユーザによる作業を最小限に留めることで、ある時間フレーム中に撮像されるサンプル数を大きく改善することができる自動化されたＡＦＭの分野で一つの進歩がなされた。自動化ウェハ測定を実施する機器は様々であるが、ＡＦＭは高分解能の多次元（例えば、３Ｄ）撮像を実施する能力を提供することで独自の解決策を提案している。ビーコ・インスツルメンツ（Ｖｅｅｃｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）社から販売されているディメンジョン  エックス（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｘ）型自動化ＡＦＭ等、幾つかの機器は２００ｍｍおよび３００ｍｍの自動化プラットホームを証明した。
【００１２】
ＣＤモードと呼ばれる、半導体サンプルを撮像することに特に適した一つのタイプの発振モードの動作によると、個々のバッチ処理された半導体構造の限界寸法を測定するために重要なブーツ形状の先端が使用される。ＣＤモードでは、発振モードで動作するＡＦＭの動作パラメータが配線、トレンチ、ビア等を含む異なる装置の特徴と関連するトポグラフィーでの急な変移に対応できるよう変更される。特に、ＣＤモードは、二次元サーボ（タッピングモード（商標）のＡＦＭ等の発振モードで使用される標準Ｚサーボや急な変移に対応するＸサーボ）を典型的には提供し、サーボ方向を基本的にはサンプル表面に対して略垂直に維持する。図２は、平坦部から側壁への変移領域ＡおよびＢを有する典型的な配線３０を示す。変移領域Ａは、「Ｘ」と記される方向に走査する場合の立ち上がりエッジ、即ち、上方に延在する側壁への変移に対応し、変移領域Ｂは立ち下がりエッジに対応する。トレース／再トレース走査の一部として特徴が両方向に走査されることが多い。これらの走査では、サンプルの変移の立ち上がりおよび立ち下がりの性質は逆になる。本願で参照する変移とは、材料の種類等ＡＦＭで測定することができる他のタイプの変移ではなく、構造上の変移（例えば、半導体配線の平坦部から側壁への変移）を意味することに注意されたい。
【００１３】
プローブ装置の先端４０の概略図は図３Ａ乃至３Ｅに示される。先端４０は、その主軸「Ａ」に略直交するように延在する脚部分４４、４６を有するブーツ形状の先端部４２を含む。ＣＤ先端４０等の先端は、典型的には半導体ウェハからバッチ加工されるが、特徴を撮像するに好適などの先端が使用されてもよい。ＣＤモードで動作するＡＦＭは本願ではＣＤ−ＡＦＭと称される。
【００１４】
図３Ａ乃至図３Ｅでは、プローブ装置の基部および片持ち梁は図示されず、サンプル４８の平坦部から側壁への変移を走査するプローブ装置の先端だけが示される。特に、ＣＤ先端の形状が略「ブーツ形状」であるため、ＡＦＭはサンプル表面における変移を感知することができる。しかしながら、スキャナと関連する制限を含むシステム・ダイナミックスにより、変移領域に関する情報は標準ＣＤモードのＡＦＭで得るにはしばしば困難である。特に、ＡＦＭを高速で動作する場合、変移壁との先端の接触を示すコマンドへの応答に対してサーボスキャナの帯域幅が十分であったとしても、システムが走査（「Ｘ」方向と図示される）を停止するようスキャナに指示した後も先端４０はスキャナの慣性によりサンプル４８の側壁５４に向かって更に駆動される。図３Ａ乃至３Ｅは、これらの制限が結果として変移領域５０でのサンプル４８について情報の偏りまたは損失のいずれかを生ずることを明らかにする。
【００１５】
図３Ａを最初に参照するに、先端部４２を有する先端４０は、サンプル４８の平坦部５２に案内され、走査線に沿って「Ｘ」と記される方向に走査される。この場合、サンプル４８は、上方に延在する側壁５４を含む平坦部から側壁への変移部５０を形成する半導体の配線である。先端４０が平坦部５２を走査すると、ＣＤ−ＡＦＭはサンプル表面を高い信頼度で撮像する。その後、図３Ｂに示すように先端４０が側壁と接触すると、ＣＤ−ＡＦＭは、先端部４２が側壁５４に接触することによるプローブの発振振幅における低下（例えば、発振のＲＭＳ振幅は略ゼロになる）を検出し、制御部はスキャナを停止させるために送信する信号を生成し、発振の設定点の振幅を再確立するためにプローブを引き上げる。当然のことながら、サンプルは特定のスキャナ配置に応じて移動されてもよい。この場合、典型的には、先端４０は付着し、図３Ｃ示すように、撮像中の特徴からプローブが引き離されなくてはならないことを示す信号がフィードバックループ（図１の２５）に送られる。フィードバックループまたはスキャナへのサーボコマンド信号は、スキャナに停止するよう指示するが、スキャナは上述の通り側壁５４に向かって更に先端を移動し続けるため、平坦部から側壁への変移の追跡が乏しくなる。図３Ｃにおいて「Ｗ」と矢印で示されるように、スキャナは、撮像中の特徴から先端を離す。先端４０は、ある時点で、典型的には、側壁５４を１０乃至２０ｎｍ上昇した箇所で側壁５４から離される。
【００１６】
図３Ｄに示すように、ＣＤモードでは、サンプル表面に対して先端を発振させる制御パラメータはサンプル４８の側壁５４を走査するために変更される。しかしながら、システムがどのデータも取ることなく、あるいは、スキャナ（および先端４０）の連続移動と関連付けられる偏りのあるデータを記録することなく側壁５４に対して１０乃至２０ｎｍ上方に先端４０を引き上げることを踏まえ、データは平坦部から側壁の変移領域で歪められる。欠けているまたは偏りのあるデータは、ＡＦＭデータのアーチファクトであり、「ノッチング」としばしば呼ばれる。ノッチング現象は図３Ｅに示され、図３Ｅは図３Ａ乃至図３Ｄに例示する従来のＣＤモードを用いて生成される概略的な画像５６を示す。図３Ｅに示すノッチングは平坦部から側壁への変移を完全に表すものでないことは明らかであろう。該情報は、構造の基部まで線幅粗さ（ＬＷＲ）等のサンプルパラメータを評価しようとする半導体製造業者を含む多くの顧客にとって特に重要である。
【００１７】
半導体装置（図２の３０）の配線等の大きい変移を含む特徴を撮像する際のＣＤモードの動作のより具体的な例を図４に概略的に示す。本願ではプローブ運動を説明するが、スキャナの実行に応じてサンプルおよび／または先端が移動されてもよい。図４はサンプル６０上で従来のＣＤ  ＡＦＭにより得られるデータを示し、「Ｏ」は、発振のＲＭＳ振幅がゼロになる先端とサンプルとの間の接触を示す。変移領域６２では、スキャナは停止するよう指示されるが、スキャナの運動量により先端（図４に図示せず）は側壁６４に向かって駆動され続ける。先端は側壁から離され、点６８に移動されて、具体的には、プローブ、特に、先端が側壁６４と接触されて該点がデータ点として記録される。先端がサンプル、特に、側壁から離間され、スキャナがプローブを上方に引き上げる７０と記される領域では、ＡＦＭによってどのデータも典型的には記録されない。多くの場合、サンプル表面の画像を生成する際に垂直方向の側壁を再形成するよう「Ｏ」で生成されるデータが間のデータを補間するために使用される。これにより、「ノッチング」としばしば呼ばれるアーチファクトが生ずる。このようにして側壁が撮像され、側壁６４を適度に且つ正確に表すためにデータが補間されるが、「Ｎ」と記される領域において欠けているデータは幾つかの適用法ではまだ許容可能でなく、即ち、偏りがあるか完全に欠けているため上述の「ノッチング」問題が起こる。その結果、ＣＤアルゴリズムを用いる従来のＡＦＭ動作は、特に、特徴の変移点を撮像する際に改善が必要である。
【００１８】
ノッチング問題を克服するために幾つかの技術が用いられてきた。最初に、ＣＤモード等でＡＦＭ測定学を実行する場合、アクチュエータの構造上の帯域幅または閉ループ帯域幅によって部分的に決定されるサンプルの迅速な走査と正確な追跡との間で矛盾が生じる。前述の通り、コマンドされた入力に対する応答が典型的には直接的でなく、スキャナの運動量が直ぐに停止されないため、ノッチング問題は常に課題として残る。しかしながら、走査速度が低下すると、ノッチング効果は最小化される。反対に、走査速度が低下すると他の問題が生ずる。第１に、より遅い速度で走査すると、システムは熱状態等によるステージ・ドリフトを受ける。第２に、遅く走査するということは、１時間当たりの走査するサンプルが少なくなることを意味する。従って、高速ＡＦＭは、システムがステージ・ドリフトや取得データを危険にさらし得る他の同様の状態を受けにくいため、より良い正確性且つ精密性を提供するだけでなく、１時間当たりに、より多くのサンプルを撮像することができるといった固有の利点を有する。結果として、半導体測定学を含む関連する測定学では１回の測定をドル単位で測定することを多くの顧客が要求するため、ＡＦＭが半導体構造の限界寸法等のサンプル特徴を測定する他の公知のツールの代替品として実行可能でない程に低速で走査することは顧客にとって望ましくない。
【００１９】
非常に正確なステージや冷却環境を用いる等、より遅い走査速度でＡＦＭを動作させるためにユーザが取り得る対策が幾つかある。しかしながら、スキャナを停止することに関連してある程度の動きが常に存在するため、ノッチングは常に問題として残る。
【００２０】
半導体特徴について限界寸法を測定する走査型プローブ顕微鏡の他の代替例は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および透過型電子顕微鏡（走査用ＴＥＭまたはＳＴＥＭ）である。ＳＥＭ、特に、ＴＥＭは、非常に正確な機器である。しかしながら、これらの技術は非常に高価であり、測定を実行する前に必要となるサンプルの作業準備量を考慮すると使用することがしばしば困難である。例えば、半導体ウェハを撮像する場合、ＳＥＭおよびＴＥＭは、撮像されるべき構造を保持しながら特定の場所でウェハを切断することを典型的には必要とする。この作業準備は、１日から２日程度かかるため、ある一組のウェハを処理し続けることの実行可能性を分析するために使用される一つの犠牲ウェハを分析するために半導体化加工処理が遅くなる。
【００２１】
散乱測定学は、配線等のベース寸法を含むサンプル特徴の限界寸法を測定するために半導体加工環境で使用される。散乱測定計は、非常に高速で、本願で考えられるサンプルのタイプをＳＰＭよりも速く撮像することができる。ノッチングは一般的にはＡＦＭにおけるような問題とならないが、散乱測定学は独自の制限を有する。散乱測定学は、散乱測定計によって得られる測定値と比較されるデータのライブラリを構築するためにＣＤ−ＡＦＭまたはＣＤ−ＳＥＭによって取得されるデータを用いる間接的な測定法である。従って、ＣＤ−ＡＦＭ、ＳＥＭ、および、ＴＥＭ等の技術は、サンプル特徴の間接的な測定値を提供する他のツールによって使用されるツールである点で基準測定システム（ＲＭＳ）と呼ばれることがある。一般的に、散乱測定学は、ターゲットに方向付けられる信号を生成し、ターゲットとの相互作用後にどれだけの該信号がターゲットから戻るかを感知することで行われる。該データをＣＤ−ＡＦＭ等によって生成されるデータのライブラリと比較することで、ターゲットの表現が生成される。全体として、散乱測定学のこの特徴は、サンプルを撮像するために著しく時間がかかり校正が困難である。従って、サンプル特徴を撮像する直接的な方法が好ましい。
【００２２】
更に、散乱測定計は、平均データだけを生成するため、配線幅等の真のＲＭＳ読みまたは標準偏差を生成することができない。一方で、ＣＤモードのＡＦＭは、ＡＦＭの先端が何と相互作用しているかをリアルタイムで検出することができる適応型走査を行う。散乱測定学は、異なるサンプル特性が散乱測定計によって生成されるソース信号と異なった相互作用を行うため、サンプルの特性に依存する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
以上より、特に半導体加工環境における高精度且つ高速なサンプル測定の分野では、高い正確性と再現性で半導体特徴の限界寸法等のサンプル特徴を直接的に測定することができる測定ツールが必要である。具体的には、高速で、且つ、データにノッチング等を生ずることなく、配線の側壁等の変移領域を撮像することができるＣＤ−ＡＦＭが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
好ましい実施形態は、急な変移が高い正確度で検出され、変更されたＡＦＭ動作パラメータで直ぐに再走査されることで、結果として生ずるデータに「ノッチング」を生ずることなく特徴を撮像する、サンプルを走査する技術を提供することで上述の欠点を克服する。特に、ＣＤ先端が配線の側壁等、サンプルにおける変移領域に直面すると、捕捉されたデータは分析され、傾きに極度の変化がデータで発生したか否かが判断される。一旦確認されると、サンプル表面から先端を離間し、サンプル表面に先端を戻してサンプルを再走査することで傾きの変化が閾値レベルの領域は再走査され、変移領域の全ての細部が検出されることが略確実になる。その後、元の走査データは、変移領域を正確に表すために再走査データを用いて修正される。
【００２５】
好ましい実施形態の第１の局面によると、プローブを備えるＳＰＭでサンプルを走査する方法は、少なくとも一つの走査パラメータに応じてサンプルの表面を走査して表面に対応するデータを取得するステップを含む。該方法は、表面における変移部を略自動的に識別するステップと、識別された変移部に応答してサンプルの領域を再走査するステップと、を更に含む。
【００２６】
本実施形態の別の局面では、走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を再走査ステップから取得したデータで修正するステップを更に含む。修正ステップはノッチングを略排除するようデータの少なくとも一部分を置換すること、及びデータの少なくとも一部分を増大させることのうちの少なくとも１つを含む。
【００２７】
本実施形態の別の特徴では、変移部はサンプルの平坦部から側壁への領域に対応し、半導体構造によって形成される。
本実施形態の更に別の特徴によると、識別ステップは走査ステップ中に実施される。更に、領域は変移部に対応する。
【００２８】
本実施形態の更なる局面では、識別ステップはサンプル表面の傾きを計算することを含む。
好ましい実施形態の別の局面によると、傾きは走査ステップ中に計算される。
【００２９】
本実施形態の更なる局面によると、識別ステップは傾きの変化を決定することを含む。
本実施形態の別の局面では、再走査ステップは少なくとも一つの走査パラメータを変更し、選択された量、好ましくは約１０ｎｍ未満だけサンプルの側壁から先端を離間することを含む。
【００３０】
好ましい実施形態の別の局面では、再走査は走査速度を低下することで走査ステップの速度を含む少なくとも一つの走査パラメータを変更することを含む。
本実施形態の別の特徴では、変移部は側壁によって形成され、再走査ステップは約１０ｎｍ未満だけプローブを側壁から離間することを含む。
【００３１】
本実施形態の更なる面によると、少なくとも一つの走査パラメータは、ＣＤモードにおけるＡＦＭ動作に対応し、走査ステップの速度および走査ステップの少なくとも一つの方向のうちの一つである。
【００３２】
好ましい実施形態の別の局面によると、該方法は、遅い速度を適用した場合には約１０分未満で、早い速度を適用した場合には３分未満で半導体ウェハの５つの測定部位を走査する。特に、好ましい実施形態は、ユーザが世界基準で走査速度を低下することなく、且つ、不連続性に直面した際にサンプルを正確に追跡するＳＰＭの能力を妥協することなく、高い走査速度が可能となる。
【００３３】
好ましい実施形態の第２の局面によると、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）は、ＳＰＭのプローブとサンプルとの間に相対運動を生じさせるスキャナを備える。ＳＰＭはプローブとサンプルとの間の相互作用を示す制御信号を生成する制御部と、制御信号に基づいてサンプルの変移部を識別する演算装置と、を更に備える。制御部は変移部を再走査するようスキャナを制御する。
【００３４】
本実施形態の別の局面によると、変移領域は、制御信号に基づいて生成されるサンプル表面のデータの傾きを決定し、傾きの変化を計算することで識別される。
本実施形態の更なる面では、演算装置は、サンプル表面のデータを増大または置換することで変移領域を再走査する際に生成される再走査データを用いてサンプル表面のデータを修正するために用いられる。
【００３５】
好ましい実施形態の別の特徴によると、プローブを備える走査型プローブ顕微鏡でサンプルを走査する方法は、サンプルの表面を走査して、表面に対応するデータを取得するステップであって、表面が少なくとも一つの変移部を有する、ステップを有する。該方法は、変移部から誤差距離内でサンプルの表面を表す測定値を取得するステップであって、誤差距離がプローブの先端の幾何学的形状によってのみ実質的に制限される、ステップを更に有する。
【００３６】
本実施形態の別の特徴によると、サンプルは半導体材料を含み、変移部は平坦部から側壁である。
本実施形態の更なる局面によると、測定値は底部ＣＤ測定値、中間ＣＤ測定値、および、頂部ＣＤ測定値を含む複数の測定値を含む。測定値は測定値間で略変化しない再現性を有する。
【００３７】
本実施形態の別の局面では、測定値は約１ｎｍ、１シグマ未満の再現性を有する、より好ましくは、約５オングストローム、１シグマ未満の再現性を有する。
本発明の上述のおよび他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および添付の図面から当業者には明らかとなるであろう。しかしながら、本発明の好ましい実施形態を示す詳細な説明および具体的な実施例は、制限的でなく例示的であることは理解されなくてはならない。多数の変化および変更は本発明の範囲内でその技術思想から逸脱することなくなされ、本発明は全ての変更態様を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明の好ましい典型的な実施形態は、添付の図面に示され、図中、同様の参照番号が同様の構成要素に付与される。
好ましい実施形態は、サンプル特徴、特に、半導体サンプルの特徴の平坦部から側壁の領域を撮像する際に対面する変移領域によって特徴付けられる特徴を高速撮像する方法および装置に関する。平坦部から側壁への変移を検出して確認することで、該領域におけるサンプルが再走査されて領域の基部全体を含む変移部が正確に測定される。該方法は、上述のＣＤモードまたは同様のモードで原子間力顕微鏡を動作することに関連する制御方法と協働で実施されてもよい。特に、該方法は、標準ＣＤモードを用いてサンプルを撮像する場合に欠けているか、または偏りのあるデータ、つまりノッチングを典型的には生ずるサンプルの領域を再走査することでスキャナの特定のダイナミックスと無関係に実施される。
【００３９】
図５Ａ乃至図５Ｄを参照するに、ＣＤ変移再走査アルゴリズム（ＣＤＴＲＳ）動作として本願では参照される本発明の好ましい実施形態によるＡＦＭの高速動作が例示される。特に、図５Ａは、先端４０がサンプルの側壁と再係合して側壁の１０乃至２０ｎｍの垂直方向の領域においてノッチングを生じた後の公知のＣＤモードにおけるプローブの従来の運動を示す図３Ｄに直接対応する。前述の通り、この時点では、ＣＤモードにおいてプローブは側壁を撮像しようとしている。しかしながら、この好ましい実施形態の場合には、図５Ａから図５Ｂに移動して、側壁を上昇し続ける代わりに、先端４０は選択された量（図５Ｂでは「Ｐ」と示される）だけ側壁面５４から離間されるため、ＡＦＭはサンプル特徴の変移領域の表面全体を正確に再走査することができる。先端のスキャナ運動が便宜上説明されるが、先端および／またはサンプルの運動が、選択されたスキャナ構造に応じて用いられてもよい。
【００４０】
平坦部から側壁への変移部５０は直角に図示されているが、多くの場合、特に基部では加工された配線にある程度の不完全性が見られる。したがって、好ましい実施形態では、プローブは、表面全体を撮像するに十分な距離「Ｐ」だけ離間される。先端４０は、好ましくは２０ｎｍ未満、より好ましくは約５乃至１０ナノメートル離間されるが、特定の離間量はサンプルおよびユーザ選択に依存する。
【００４１】
図５Ｂに示すように、一旦離間された先端４０は、図５Ｃに示すよう変移領域５０を再走査するためにサンプル４８の平坦部５２に再び案内される。再走査は図５Ｄに示され、同図では先端４０が平坦部５２を走査し、側壁５４に接触して変移領域５０に関するデータを収集する状態が示されている。以下により詳細に説明するように、走査パラメータは、特に、変移領域５０付近で得られるデータが偏るか、または欠ける可能性を最小限に留めるために、高速スキャナ中は、走査速度を低下させることを含み再走査に最適化する。一旦変移領域が再走査されると、先端は側壁５４を上昇し、標準ＣＤモード動作と同様に、且つ、図５Ｅに示すように側壁の走査に実質的に最適化されているＡＦＭ動作パラメータで側壁を撮像する。図６は、この手順の詳細を説明する。
【００４２】
図６は、好ましい実施形態による制御アルゴリズム１００を示す。方法１００は、表面が画像データによって正確に表されることを略確実にするようサンプル表面のデータにおける不連続性を自動的に検出し、ＡＦＭを制御することが好ましい。アルゴリズムは、図５Ａ乃至図５Ｅに示すように左から右に走査する際に半導体ウェハ上に加工される配線の先端エッジ等の変移領域を走査することを例として説明されるが、好ましい実施形態は全てのタイプのサンプルやサンプル特徴、半導体等の走査にも適用可能である。ブロック１０２では、ＡＦＭ制御部はプローブの先端をサンプル表面に案内して先端とサンプルとの間に相対的な走査運動を与えることで、サンプルの走査を開始する（図３Ａ）。ブロック１０４では、プローブ／サンプル相互作用の制御が高速走査に最適化される一方で、アルゴリズム１００が発振の設定点（例えば、発振の振幅、相、または、周波数）が維持されているかを判断することが好ましい。ここでは、高速走査は、各ウェハが約５つの測定部位を有するとして、１時間当たり１０乃至２０個のウェハを撮像するために約１００ｎｍ／ｓから毎秒数百ナノメートルのＳＰＭ線形走査速度またはレートで走査を行うことを意味する。１つのサンプル当たりの測定数に対して異なる標準が存在し、１つのサンプル当たり５個、９個、および、２１個の測定（ＡＦＭ走査とする）が典型的には用いられる。１時間当たりのサンプル数は変化するが１時間当たりの測定数は略一定に保たれる。例えば、ＡＦＭは２００ｍｍおよび３００ｍｍのウェハで１時間当たり約１２５個の測定でサンプルのトポグラフィー画像を得ることができる。
【００４３】
より一般的には、高速走査は、許容可能な誤差でプローブ発振を設定点（例えば、ＲＭＳ振幅）で維持しながら、アクチュエータシステムがサンプル表面に沿ってプローブを移動することができる最大速度として定義される。つまり、サンプル表面を追跡するためにＡＦＭがどれだけＲＭＳ振幅の制御に有効であるかを意味する。これについて、線形走査速度は、平坦部、側壁、または、配線の頂部および中間部等、サンプルの様々なトポグラフィー特徴にしばしば依存する。
【００４４】
設定点の発振が維持されると、データが収集されて記録され、制御がブロック１０２に戻りサンプルの走査が継続される。特に、制御信号を使用して、少なくとも一つのサンプル特徴の表示を提供する設定点でプローブ発振を維持して、サンプル表面のデータ、例えばトポログラフィーが提供される。設定点の発振が維持されない場合、プローブとサンプルとの間の相対的な横運動は、スキャナに適当な信号を送信することで制御部によって停止される。ブロック１０６において、ＣＤモードによって使用される二次元サーボは、先端を典型的には約１０乃至１５°、より好ましくは１１乃至１３°で側壁から引き上げて離間させる（図３Ｃの「Ｗ」参照）。先端を側壁から引き上げて離間させても設定点の発振がまだ実現されない場合には（例えば、ノッチング・データ・アーチファクトの大きさを評価することで）、側壁に接触していることを示している。一旦、先端が側壁を上方に走査し始めると（先端が側壁から離された後）、アルゴリズムにより更に１０乃至２０ｎｍだけ走査を続けてサンプルの平坦部の粒子ではなく実際の側壁を走査していることを確実にすることが可能となる。例えば、先端は、制御部／アルゴリズムがプローブ発振を設定点の振幅に戻そうとする間に、サンプル表面に当たったままの場合もある。
【００４５】
多くの場合、例えば、一旦、先端がサンプルの側壁から離れるような、ＣＤモードのＡＦＭがブロック１０８において側壁に接触していたと判断できるようになる前に、先端は「Ｚ」方向において上方に１０乃至２０ナノメートル移動されなくてならない。局所的な傾きをモニタリングすることにより、システムは側壁に直面したか、例えば、ＸＺスキャナがプローブをある量だけ垂直方向に移動したかを判断することができる。垂直方向の距離は、所定のパラメータとして設定され、ユーザによって選択されるよう設計される。好ましい実施形態によって考えられる幾つかの適用について、該距離は約１０乃至２０ｎｍの範囲にある。結果的には、局所的な傾きは、設定点でのプローブ発振を維持するためにスキャナのステップ方向およびサーボ方向を決定するよう作用し、ＡＦＭがサンプルを撮像することができる速度に影響を与える。
【００４６】
先に詳細に説明した通り、変移部に接触すると、走査制御信号は走査を停止するよう指示するが（例えば、「Ｘ」方向へのプローブおよび／またはサンプルの移動、図２参照）、スキャナの慣性により、「Ｘ」方向における相対的な先端／サンプル運動が持続するよう先端は「Ｘ」方向に更に移動される。その結果、サンプル表面の、この場合、垂直方向に広がる１０乃至２０ｎｍではデータ点が捕捉されない。しかしながら、先端がサンプルの「中」に移動し続けるとデータは記録され、半導体構造の側壁の「中」に実際にあるデータ点が得られる。先端が側壁に接触した後に走査方向に移動し続けた場合に、Ｚ位置がスキャナ位置に応じて記録されると、上述の「ノッチング」（図３Ｅ）として公知の現象が生ずる。結果的には、データは欠けているか偏っているため、信頼性がなくなる。
【００４７】
この時点では、１０乃至２０ｎｍではデータが破壊されているが、標準ＣＤモードのＡＦＭは、側壁を走査するに最適化された制御パラメータ（例えば、走査方向、サーボ方向等）で側壁を走査し始める。ＣＤＴＲＳアルゴリズム１００はこの限界を克服するよう動作する。
【００４８】
ここで図６を再び参照するに、平坦部から側壁に変移していないとアルゴリズム１００がブロック１０８で判断すると、制御はブロック１０４に戻り、プローブの発振を設定点で維持することでサンプルを撮像するよう高速走査が続けられる。しかしながら、平坦部から側壁への変移が検出されると、ブロック１１０において変移が確認され、ブロック１１２において変移領域の再走査が開始される。好ましい実施形態では、平坦部から側壁に変移したか否かを自動的に確認する方法は以下の通りである。アルゴリズム１００は、捕捉されたデータ点の履歴を用いて、演算装置を使用して、現在の走査箇所の直前のデータ点の対をモニタリングすることでサンプル表面の傾きをモニタリングすることが好ましい。代替的には、本願で参照として明確に組み込まれる米国特許第５２８３４４２号明細書に記載されるように、システムは横方向に先端をディザリングし、先端がサンプルの側壁と接触したり離間したりすることによる振幅変調をモニタリングするか、または過去の走査位置をフィルタ処理する。演算装置は、コンピュータ、例えば、図１のＡＦＭ１０のコンピュータ／制御部２０でもよいが、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、マイクロコントローラ、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブル論理装置、または、説明した分析を実行することができる全ての他の装置でもよい。
【００４９】
アルゴリズム１００は、走査中に収集されたデータの傾きに基づいて走査動作中に生ずる傾きの変化を決定する。好ましい実施形態では、傾きの変化Δｍは平坦部から側壁の変移を示すために使用される。傾きにおける僅かな変化は一般的であるため、平坦部から側壁への変移を示さず、ゼロの傾き（平坦領域）から（垂直方向の領域を示す）「１」の傾きへの変移は、変移領域に直面したことを示す。更に、前述した通り、先端がサンプルと相互作用すると生ずるようにＲＭＳ振幅がある場所で一時的にゼロになると、傾きを分析することで、真の平坦部から側壁への変移だけが存在することが略確実となる。
【００５０】
傾きの変化は、走査中に収集されたデータを用いて計算された傾き情報の微分をとることで自動的に決定されることが好ましい。この場合、先に説明した通り、ノッチングが生じた場合の有効なデータ点（有効なデータ点はノッチングによって偏りの生じていないデータ点）が略同じ走査で、または「Ｘ」場所で「Ｚ」方向に約１０乃至２０ｎｍ離間されるため、傾きの変化は、従来のＣＤモードで動作する際に真の平坦部から側壁への変移部で急となる。代替的には、変移は、データにおける誤差を識別する、非常に少ないデータ点または不十分なデータ密度によって特徴付けられる領域を識別するか、または、表面の乏しい追跡を識別することで検出される。
【００５１】
この時点では、変移部の元の走査が完了すると（例えば、欠けているまたは偏りのあるデータが収集され、ノッチングを示すと）、変移部の再走査がブロック１１２において自動的に開始されることが好ましい。再走査は、典型的には「Ｘ」（図５Ｂ参照）方向にプローブの位置をサーボすることにより先端を側壁から横方向に引っ張り、ブロック１１４においてサンプルと再係合させることによって、実現される。変移領域において失われた可能性のある全ての情報が再走査されることを確実にするよう、先端は約５−１０ナノメートルだけ側壁から離間されることが好ましい。ＣＤモードは先端位置がＺ方向だけでなく横方向つまりＸ方向にもサーボされる二次元サーボ動作を含むため、側壁からの先端の好ましくは１１°−１３°の離間および表面の再係合を考慮する。ブロック１１４においてサンプルが再係合された後、ブロック１１６において変移領域の再走査が実施される。制御パラメータは側壁を走査するために最適化される。例えば、走査が行われる横方向（Ｘ）の速度を低下して、変移領域において失われる情報を可能な限り少なくすることを確実にする。走査およびサーボ方向が変更されてもよい。サーボ方向を最適化することで、サーボ部分および走査部分中の走査運動は側壁を上方に走査するよう最適化される。そのようにすることで、横方向（Ｘ）方向における走査速度は低下されるが、側壁の走査の始めから偏りのない側壁データを捕捉することが可能になる。これに関して、サーボ方向は典型的にはサンプル表面に対して垂直であり、走査方向は典型的にはサンプル表面に対して平行である。平坦領域を走査する場合、先端がサンプル表面を横切るにつれてサーボ方向は主にＺ方向である。これに対し、側壁を走査する場合、先端位置は、設定点の発振が維持されるように先端とサンプルの相互作用を保持する意図で、Ｘ方向に発振プローブを移動することにより横方向にサーボされる。ブロック１１８では、アルゴリズム１００は、プローブが自由に発振していることを検出し、側壁の走査が完了したか否かを判断する。完了していない場合、システムはブロック１１６において設定された最適化された側壁走査用の制御パラメータを用いて側壁を走査し続ける。側壁の走査が完了すると、制御はブロック１０２に戻り、サンプル表面を高速で走査し続ける。
【００５２】
ＡＦＭ動作中またはサンプルが一旦走査されると、再走査データを用いてデータの全てのノッチングを本質的に除去するよう収集されたデータが変更される。特に、元の走査からのデータは再走査データで増大されるか、再走査データで置換されることが好ましい。図６Ａは該動作１２０を示す。アルゴリズム１００の一部でもよいこのアルゴリズムは、ブロック１２２において元のデータおよび再走査データ（存在する場合）を生成するようにＣＤＴＲＳ（アルゴリズム１００のブロック１０２乃至１１８）を実施することを含む。次に、ブロック１２４では、元のデータが修正され、ノッチング等による全ての不正確性が実質的に除去される。
【００５３】
標準ＣＤモードのＡＦＭ中および好ましい実施形態の側壁走査アルゴリズム１００、即ち、ＣＤＴＲＳ中に収集されたデータ間の差を概略的に示すために、図７および図８を参照する。図７を最初に参照するに、一連の円１５８は実際のＸＺ走査運動を示し、対応する先端／サンプル相互作用で平坦部から側壁への変移を最初に走査することで収集されたデータ点が得られ得る。走査は「Ｘ」と記される矢印の方向に左から右に行われるため、サンプル１５０の表面の平坦部１５４に対応するデータ点はサンプル表面を有効的に追跡し、サンプルの該部分を撮像する。その後、サンプル１５０の変移領域１５６付近（サンプルの側壁１５４、例えば、配線等の半導体特徴）では、先端（図示せず）は側壁１５４と接触し、発振のＲＭＳ振幅が略ゼロまたは発振の設定点よりも著しく低くなるため側壁に留まる。ＡＦＭの制御部が変移領域１５６以降で発振の設定点の振幅を再確立しようとすると、制御部は「Ｌ」で記される矢印の方向にプローブを持ち上げて後方に移動させる。先端の運動は、この場合、側壁１５２によって定められる垂直方向から約１３°である。先端を側壁から離そうと制御部が先端を持ち上げて後方に移動させると、スキャナは「Ｘ」で記される方向に移動し続けて領域１６２で示されるようなデータが捕捉される。これらのデータによりノッチングが生じて標準ＣＤモードのＡＦＭを用いた場合に側壁１５２の不正確な画像が生成される。先端は点１６４付近で側壁から離され、ＣＤモードアルゴリズムは先に説明したようにサンプル１５０の側壁走査用に制御パラメータを変更する。その後、側壁の走査が正しいサーボで実行されて、領域１６６に示されるデータ点が得られる。
【００５４】
結果として、ＳＰＭ測定機器のユーザの多くは、変移部における偏りのあるデータを受け入れ難い。これに対し、図８では、ノッチングの問題は本質的に解決される。この場合、図７と関連して説明したようにデータが収集されるが、アルゴリズム１００は、収集されたデータの点１６４付近で傾きの変化を計算して側壁に対面したことを判断することで平坦部から側壁への変移を確認する。それに応じて、一連の×を用いて例示されるデータ点によって示されるように、変移領域１５６を再走査するために適当な制御信号が制御部からスキャナに送信される。具体的には、先端は、Ｒ１（僅かに上方且つ後方）方向に離間され、Ｘ方向に約５乃至２０ｎｍだけ側壁から離間され、セグメントＲ２においてサンプルに向かって下方に移動されることでサンプル表面に再び案内される。その後、変移領域の基部を含む側壁を走査するために制御パラメータが最適化されるＲ３の方向に再走査が開始される。アルゴリズムは、先端がＲ４方向に側壁を進むにつれデータを収集するよう動作する。このようにして、アルゴリズム１００は、サンプル１５０の平坦部１５４からの変移領域を含む側壁全体を正確に撮像して、高いＳＰＭ走査速度等、高帯域幅で撮像する際にもノッチングの影響を最小化するように動作する。
【００５５】
ＣＤモードにおいて、上述の好ましいアルゴリズムを用いて捕捉されたデータはそれぞれ図９および図１０に概略的に示される。図９のプロット２００では、（左から右に移動して垂直方向の側壁に対面する）ＡＦＭ走査のトレース部分２０２中、変移領域２０６においてノッチング現象が生ずることは明らかであろう。ＣＤモードを用いる再トレースプロット２０４は、先端が半導体の配線のエッジから落下する際に同様のアーチファクトを生ずる。特に、実際には配線の捕捉されたデータは、トレースプロット上の基部における「ノッチング」と同様に、より大きい頂部を示す。より具体的には、走査により先端が「配線から落下する」場合、アルゴリズムはこのイベントを検出してプローブ／先端を側壁に戻すために使用されてもよい。配線の頂部では欠けているデータが数十ナノメートル存在する。変更されたＣＤＴＲＳは、例えば、傾きデータを用いて欠けている「頂部」データを排除するために使用され得る。図１０を参照するに、好ましい実施形態のＣＤＴＲＳアルゴリズムを使用すると、プロット２１０のトレース２１２および再トレース２１４の画像それぞれが半導体の配線の平坦部から側壁への部分から、サンプルの変移領域を正確に追跡していることは明らかであろう。結果として、好ましい実施形態は、配線の底部分を含む変移領域でも半導体特徴の限界寸法（ＣＤ）を正確且つ精密に撮像することができる。その結果、半導体製造業者等の顧客は、底部限界寸法や線幅粗さ（ＬＷＲ）等の関心が最も高いサンプル特徴に関する非常に信頼性の高いデータを得ながら、高速でウェハや他のサンプルを撮像することができる。
【００５６】
ＣＤＴＲＳを使用することでノッチングが本質的に除去されるため、配線の底部ＣＤ等の小規模な特徴を精密に撮像することに対する唯一の物理的な制限は先端の幾何学的形状である。前述の通り、ＣＤ特徴を撮像する一つの共通のタイプの先端はブーツ形状の先端である。主に先端の寸法よりも小さいスケールでＡＦＭデータが得られるため、「ブーツ」形状の先端がＡＦＭデータの結果に反映され、かつ多くの場合反映される。ＣＤＴＲＳを用いた場合、この幾何学的形状だけが本質的に測定の精密さを制限する。
【００５７】
つまり、先端の幾何学的形状がなかったら、ＣＤＴＲＳは、実際の底変移点（図４の平坦部から側壁の変移点）と変移部に対応する最も近いＡＦＭデータ点（図４の６３）との間の距離として定義される誤差距離「ｄ」（図４に概略的に示される）を約ゼロにすることができる。これは、技術において理解されるように、先端の幾何学的形状とは無関係にノッチングおよび／または他の同様のアーチファクトが捕捉されたデータに反映されることを鑑みると、公知の技術と反対である。
【００５８】
更に、好ましい実施形態の技術を用いて得られる測定は再現性が高い。特に、本ＣＤＴＲＳの再走査技術を用いる底部ＣＤは、ＩＴＲＳの指示内で１ｎｍ未満、１シグマ、より好ましくは、５オングストローム、１シグマ未満の再現性を有する。更に、本技術の有益な面は、再現性が半導体の配線の底部ＣＤ、中間ＣＤ、および、頂部ＣＤ（図２を参照、底部ＣＤ３２、中間ＣＤ３４、および、頂部ＣＤ３６）といった異なるタイプのサンプル測定において実質的に変化しない点である。これは、主に、好ましい実施形態を用いた場合にノッチング等のアーチファクトが最小限にされることによる。
【００５９】
本発明を実施する発明者によって考えられる好ましい実施形態は上述の通りであるが、本発明の実施はそれに制限されない。本発明の特徴の様々な追加、変更、および、再配置が基礎となる本発明の概念の精神および範囲から逸脱することなくなされ得ることは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】ＣＤ−ＡＦＭのような従来のＡＦＭを示すブロック図である。
【図２】半導体ウェハ上に形成される配線の概略的な正面図である。
【図３】Ａ−Ｅは、側壁によって形成される変移領域を含むサンプル表面を係合し走査するＣＤ先端の概略的な側面図であり、図３Ｅは従来の方法により生成されるデータを示す図である。
【図４】適当に「従来技術」とラベル付けされる、ＣＤモードでのサンプル表面の撮像を示す概略図であり、側壁上で生成されるデータのノッチングを示す図である。
【図５】Ａ−Ｄは、検出された場合に変移領域を再走査することを含む、本発明の好ましい実施形態による先端の動きを示す概略的な側面図である。
【図６】図５Ａ−図５Ｄに示す撮像されるべきサンプルの変移領域を走査するためのアルゴリズムを示すフローチャートである。
【図６Ａ】図５Ａ−図５Ｄに示す撮像されるべきサンプルの変移領域を走査するためのアルゴリズムを示すフローチャートである。
【図７】標準ＣＤモード顕微鏡検査により結果として生ずる「ノッチング」の概略的な側面図である。
【図８】標準ＣＤモードで動作するＡＦＭによって捕捉されるデータ上にオーバーレイされる好ましい実施形態のアルゴリズムを用いて得られるデータを示す図である。
【図９】公知のＣＤモードを用いてサンプルの変移領域をトレースおよび再トレースした際に捕捉されるデータのプロット図である。
【図１０】本発明の好ましい実施形態を用いてサンプルの変移領域をトレースおよび再トレースした際に捕捉されるデータのプロット図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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