(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハから、ダイボンディング層ごと半導体チップを取り出すために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、
粘接着剤からなる平面形状が円形のダイボンディング層と、
前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されており、平面形状が円形のダイシングテープ層とを備え、
前記ダイボンディング層の外周縁または外周縁の内側に、複数の欠落部が形成されており、該複数の欠落部は、前記円形のダイシングテープ層の中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際、及び第１の直線と直交し、ダイシングテープの中心を通る第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、円形のダイシングテープ層の中心を通り、第１の直線と第２の直線との間の方向に延びる第３の直線に沿う方向におけるダイボンディング層の伸長を抑制するように、該第３の直線がダイボンディング層の外周縁に交差する位置において外周縁またはその内側に設けられており、
前記第３の直線の延びる方向が前記第１，第２の直線と４５°±１０°の角度をなす方向である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記欠落部が、前記ダイボンディング層の外周縁に設けられた切欠きまたは切込である、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
半導体ウェーハから、ダイボンディング層ごと半導体チップを取り出すために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、
粘接着剤からなる平面形状が円形のダイボンディング層と、
前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されており、平面形状が円形のダイシングテープ層とを備え、
前記ダイボンディング層の外周縁または外周縁の内側に、複数の欠落部が形成されており、該複数の欠落部は、前記円形のダイシングテープ層の中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際、及び第１の直線と直交し、ダイシングテープの中心を通る第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、円形のダイシングテープ層の中心を通り、第１の直線と第２の直線との間の方向に延びる第３の直線に沿う方向におけるダイボンディング層の伸長を抑制するように、該第３の直線がダイボンディング層の外周縁に交差する位置において外周縁またはその内側に設けられており、
前記欠落部が、前記ダイボンディング層の外周縁の内側に設けられた貫通孔からなる、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記ダイボンディング層と前記ダイシングテープ層との間に積層されている基材層をさらに備え、該基材層の前記ダイボンディング層に接している部分が非粘着性材料からなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハから個々の半導体チップをダイボンディング層ごとピックアップするのに用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関し、より詳細には、ダイシングテープを拡張することによりダイシングテープに積層されたダイボンディング層を割裂することにより、ダイボンディング層を個片化するためのダイシング−ダイボンディングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す方法として、先ダイシング法と称されているダイシング法が用いられている。例えば下記の特許文献１には、先ダイシング法の一例が開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載の先ダイシング法では、まず、円形の半導体ウェーハの一方面から、切込みを形成する。この切込みは、半導体ウェーハの面内における任意の方向であるＸ方向と、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向に延びるように形成する。次に、切込みが形成されている半導体ウェーハ面に、保護シートを貼り付ける。しかる後、半導体ウェーハの保護シートが貼り付けられた面とは反対側の面から切込みが形成されている部分まで研削する。このようにして、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する。それによって、薄い多数の半導体チップを形成することができる。
【０００４】
他方、下記の特許文献２に記載のように、半導体ウェーハのダイシングすべき領域内に焦点を合わせてパルスレーザーを照射する方法も知られている。この場合には、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びる分割ラインに上記レーザー光を照射し、改質する。この改質された領域の強度が低下するため、面方向に外力を加えることにより、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割することができる。
【０００５】
ところで、特許文献２に記載のように、先ダイシングされた半導体ウェーハや、上記レーザー光の照射により分割領域が改質された半導体ウェーハから、個々の半導体チップを基板上に実装するために、ダイボンディングフィルムと称されている接着フィルムが従来より用いられている。
【０００６】
すなわち、先ダイシングされた半導体ウェーハや上記変質領域が形成された半導体ウェーハの裏面にダイボンディングフィルムを積層し、さらに該ダイボンディングフィルムの反対側の面に拡張可能なダイシングテープを積層する。次にダイシングテープに円環状のダイシングリングを貼り付ける。そして、円筒状の割裂治具によりダイシングテープを突き上げて、ダイシングテープを拡張する。それによって、先ダイシングされた半導体ウェーハの半導体チップ間を広げたり、上記変質層が分割ラインに設けられた半導体ウェーハに外力を加えることにより該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する。この外力により、ダイボンディングフィルムもまた、半導体チップとともに分割される。それによって、ダイボンディングフィルムも個片化される。従って、半導体チップを、該半導体チップの下面の個片化されたダイボンディングフィルムごと取り出すことができ、基板上に実装することができる。
【０００７】
特許文献２では、上記外力によりダイボンディングフィルムの分割を容易とするために、ダイボンディングフィルムに赤外光などの電磁波を照射する方法が開示されている。
【０００８】
また、下記の特許文献３には、上記ダイボンディングフィルムの割裂を容易とするために、ダイボンディングフィルムを、該フィルムを構成している樹脂のガラス転移温度以下に冷却する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００６−８０１４２号公報
【特許文献３】特開２００７−２７２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、先ダイシングされた半導体ウェーハや上記変質層が形成された半導体ウェーハにダイボンディングフィルムが積層されている構造から半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップするに際しては、ダイシングテープを拡張し、ダイボンディングフィルムを割裂する必要があった。この場合、円筒状の割裂治具をダイシングテープに圧接させ、ダイシングテープを径方向外側に引っ張る。それによって、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインや割裂ラインに沿ってダイボンディングフィルムを割裂させる。
【００１１】
この場合、図１３に模式的平面図で示すように、ダイシングテープ１０１の下面にダイボンディング層１０２が積層されている構造において、ダイシングテープ１０１に径方向外側に広がる応力が加わることになる。この応力は、円筒状の割裂治具をダイシングテープ１０１を圧接させることにより与えられる。従って、図示の矢印で示すように、上記引っ張り応力は、円形のダイシングテープ１０１の中心から径方向外側に作用することとなる。
【００１２】
他方、ダイボンディング層１０２の割裂すべきラインは、前述したように、Ｘ方向及びＹ方向に延びている。従って、上記ダイシングテープに加わる引っ張り応力によって、ダイボンディング層が割裂すべきラインに沿って確実に割裂されないことがあった。すなわち、図９の矢印Ｘ方向及びＹ方向がダイボンディング層１０２の割裂すべきラインの方向とすると、Ｘ１で示す方向に加わる応力が作用する部分では、Ｙ方向に延びる割裂すべきラインの両側のダイボンディング層が確実に割裂される。これに対して、例えば矢印Ａで示すように、Ｘ方向やＹ方向と斜め方向に交差する方向に応力が加わる部分では、該引っ張り応力によって、Ｘ方向あるいはＹ方向に延びる切込みの両側のダイボンディング層が充分に割裂しないことがあった。そのため、半導体チップのピックアップ不良が生じることがあった。
【００１３】
本発明の目的は、割裂治具によりダイシングテープに引っ張り応力を加えた場合に、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に延びる割裂方向に沿って確実に割裂できるダイシング−ダイボンディングテープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、半導体ウェーハから、半導体チップをダイボンディング層ごとピックアップするのに用いられるダイシング−ダイボンディングテープである。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤からなり、平面形状が円形のダイボンディング層と、前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されたダイシングテープ層とを備える。
【００１５】
本発明では、ダイボンディング層の外周縁に複数の欠落部が形成されている。この複数の欠落部は、前記ダイボンディング層の外周縁またはその内側に、複数の欠落部が形成されており、該複数の欠落部は、前記円形のダイシングテープ層の中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際、及び第１の直線と直交し、かつダイシングテープの中心を通る第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、円形のダイシングテープ層の中心を通り、第１の直線と第２の直線との間の方向に延びる第３の直線に沿う方向の伸長を抑制するように、該第３の直線がダイボンディング層と交差する位置において外周縁またはその内側に設けられている。
【００１６】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記欠落部が、前記ダイボンディング層の外周縁に設けられた切欠きまたは切込である。この場合には、ダイボンディング層の外周縁において、切欠きまたは切込を容易に形成することができる。また、上記欠落部は、前記ダイボンディング層の外周縁の内側に設けられた貫通孔であってもよい。このような貫通孔を欠落部として形成することにより、同様に、ダイボンディング層の第３の直線に沿う方向における伸長を抑制することができる。
【００１７】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記第３の直線の延びる方向が前記第１，第２の直線と４５°の角度をなす方向である。この場合には、半導体ウェーハのＸ方向及びＹ方向を上記第１の直線及び第２の直線と一致させた状態で、前記ダイシングテープ層を割裂治具により径方向外側に拡張した場合、複数の切欠または切込が形成されている部分のダイボンディング層の伸長をより確実に抑制することができる。すなわち、複数の切欠または切込が、上記位置に設けられているため、第１，第２の方向以外の方向へのダイボンディング層の伸長がより一層確実に抑制される。
【００１８】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記ダイボンディング層と前記ダイシングテープ層との間に積層されている基材層をさらに備え、該基材層の前記ダイボンディング層に接している部分が非粘着性材料からなる。この場合には、ダイボンディング層の割裂後に、半導体チップをダイボンディング層ごと、非粘着性材料からなる基材層から容易に剥離し、ピックアップすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディング層に上記複数の欠落部が形成されているので、ダイシングテープに径方向外側への引っ張り応力を加えた場合、ダイボンディング層は、上記第１の直線と第２の直線との間の方向において伸長し難い。従って、ダイボンディング層は、第１の直線及び第２の直線に平行な方向に相対的に大きく伸長する。よって、上記第１の直線及び第２の直線を、半導体ウェーハの上記Ｘ方向及びＹ方向に一致させることにより、ダイボンディング層を個々の半導体チップ単位に確実に割裂することができる。よって、半導体チップのピックアップ不良を著しく少なくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの平面図であり、（ｂ）はその正面断面図である。
【図２】本発明のダイシング−ダイボンディングテープが複数形成されているダイシング−ダイボンディングテープ列を示す平面図である。
【図３】先ダイシングされた半導体ウェーハを説明するための模式的平面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、半導体ウェーハにダイシング−ダイボンディングテープを積層し、かつダイシングリングをダイシングテープに当接させた状態を示す模式的平面図及び正面断面図である。
【図５】本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップ下面のダイボンディング層を割裂する工程を説明するための正面断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップ下面のダイボンディング層を割裂する工程を説明するための各正面断面図である。
【図７】本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップをピックアップするに際し、ダイボンディング層を割裂した状態を示す正面断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを説明するための模式的平面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを説明するための模式的平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを説明するための模式的平面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを説明するための模式的平面図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを説明するための模式的平面図である。
【図１３】従来のダイシング−ダイボンディングテープの問題点を説明するための模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す正面断面図である。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２は、ポリエチレンテレフタレートなどの適宜の合成樹脂からなる。離型層２の表面は離型処理されていてもよい。
【００２３】
離型層２上に、ダイボンディング層３が形成されている。ダイボンディング層３は、半導体チップのダイボンディング材として用いられる層である。すなわち、ダイボンディング層３は、半導体チップを基板または他の半導体チップに接合するために用いられる。  上記ダイボンディング層３は、適宜の粘接着剤からなる。
【００２４】
ダイボンディング層３は、後述するように円形の半導体ウェーハを貼り付ける部分であり、本実施形態では、ダイボンディング層３は、略円形の平面形状を有する。もっとも、ダイボンディング層３は、円形以外の形状を有していてもよい。
【００２５】
ダイボンディング層３を覆うように基材層４が積層されている。基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくすればよい。
【００２６】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。また、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００２７】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性を充分に低くすることができ、基材層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の基材層４からの剥離性を高くすることができる。
【００２８】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００２９】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００３０】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００３１】
基材層４を覆うように、ダイシングテープ５が積層されている。このダイシングテープ５は、テープ本体層５ａと、テープ本体層５ａの下面に設けられた粘着剤層５ｂとを有する。
【００３２】
テープ本体層５ａは、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの適宜の合成樹脂からなる。もっとも、後述するダイシングに際してのエクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンが好適である。
【００３３】
本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１の特徴は、上記ダイボンディング層３において、欠落部として図１（ａ）に示す複数の切欠き３ａが形成されていることにある。切欠き３ａは、ダイボンディング層３を外周縁において切除することにより形成されている。
【００３４】
なお、本実施形態では、ダイボンディング層３に積層されている基材層４にも複数の切欠きがダイボンディング層３の複数の切欠き３ａと同じ位置にかつ同じ平面形状を有するように形成されている。
【００３５】
図１（ａ）では、ダイボンディング層３の外周縁の周方向において、４個の切欠き３ａが等しい間隔を隔てて配置されている。もっとも、複数の切欠き３ａの数は２以上であれば任意である。
【００３６】
後述するように、ダイボンディング層３を、Ｘ方向と、Ｘ方向と直交するＹ方向に割裂させる。それによって、ダイボンディング層３を個片化することができる。この割裂方向を、図１（ａ）において、Ｘ方向、及びＹ方向として示す。
【００３７】
具体的には、割裂治具を用いてダイシングテープ５を径方向外側に拡長させる。この場合、伸長力が、ダイボンディング層３において、図１（ａ）のＸ方向、−Ｘ方向、Ｙ方向及び−Ｙ方向において優先的に作用するように、上記切欠き３ａが形成されている。
【００３８】
すなわち、図１（ａ）のＸ方向に延び、ダイシングテープ５の中心Ｏを通る直線を第１の直線Ｌ１とする。そして、第１の直線Ｌ１と直交し、中心Ｏを通る直線を第２の直線Ｌ２とする。複数の切欠き３ａは、ダイボンディング層３の外周縁において、上記第１，第２の直線Ｌ１，Ｌ２がダイボンディング層３の外周縁に交差している部分間に形成される。
【００３９】
より詳しくは、本実施形態では、中心Ｏを介して対向するように二対の切欠き３ａ，３ａ，３ａ，３ａが形成されている。中心Ｏを介して対向している一対の切欠き３ａ，３ａを例にとると、該一対の切欠き３ａ，３ａを結ぶ直線であって、中心Ｏを通る直線を第３の直線Ｌ３とする。一対の切欠き３ａ，３ａは、第３の直線Ｌ３が延びる方向において、第３の直線Ｌ３とダイボンディング層３の外周縁とが交差する位置に設けられている。
【００４０】
本実施形態では、第３の直線Ｌ３は、第１の直線Ｌ１と第２の直線Ｌ２と、それぞれ４５°の角度をなすように位置している。従って、切欠き３ａは、上記第１の直線Ｌ１と第２の直線Ｌ２とがダイボンディング層３の外周縁と交差している複数の部分において、隣り合う交差部分間の中央に設けられている。
【００４１】
他方の一対の切欠き３ａ，３ａも、該他方の一対の切欠き３ａ，３ａを結び中心Ｏを通る第３の直線が、第１，第２の直線Ｌ１，Ｌ２と交差するようにダイボンディング層３の外周縁に設けられている。
【００４２】
従って、本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１において、後述するようにダイシングテープ５を径方向外側に均一に拡張した場合、その引っ張り応力は、ダイボンディング層３にも伝わるが、ダイボンディング層３においては、中心Ｏを介して対向し合っている切欠き３ａ，３ａを結ぶ方向には有効に作用しない。よって、ダイボンディング層３の伸長方向を、上記切欠き３ａ，３ａ間、より具体的には、図１（ａ）のＸ方向、−Ｘ方向、Ｙ方向及び−Ｙ方向が支配的となるようにダイボンディング層３を伸長させることができる。それによって、後述するようにダイボンディング層３をＸ方向及びＹ方向に確実に割裂することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、前述したように、基材層にも、切欠き３ａと同じ平面形状の切欠きが同じ位置に形成されているので、基材層４もまた、ダイボンディング層３と同様に、Ｘ方向、−Ｘ方向、Ｙ方向及び−Ｙ方向が支配的となるように伸長される。従って、ダイボンディング層３を、確実にＸ方向及びＹ方向に割裂することができる。
【００４４】
図１（ｂ）に示したダイシング−ダイボンディングテープ積層構造は、実際の製品では、図２に示すように、長尺状の離型層２上に複数構成されている。なお、図２では図１（ａ）と同様にダイシングテープ５とダイボンディング層３の位置を模式的に示し、基材層４は省略してある。
【００４５】
上記ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた半導体チップのピックアップ方法を図３〜図７を参照して説明する。
【００４６】
図３は先ダイシングされた半導体ウェーハを説明するための模式的平面図である。円盤状の半導体ウェーハ７が保護シート８上に積層されている。保護シート８の半導体ウェーハ７が貼り合わされている面は粘着性を有する。この粘着性により、半導体ウェーハ７が、保護シート８に貼り付けられている。
【００４７】
上記保護シート８を構成する材料は、特に限定されず、片面に粘着層が設けられたポリエチレンテレフタレートなどの適宜の合成樹脂フィルムを用いることができる。また、保護シート８自体が、アクリル系粘着性フィルムにより形成されてもよい。
【００４８】
保護シート８に積層されている円盤状の半導体ウェーハ７は、周知の先ダイシング法により、ダイシングされている。すなわち、半導体ウェーハ７は、Ｘ方向に延びる複数のダイシングラインＸ１と、Ｙ方向に延びる複数のダイシングラインＹ１とに沿って切断されている。それによって、半導体ウェーハ７は、個片化された複数の半導体チップ７ａの集合体とされている。
【００４９】
図４に示すように、ステージ１０上に、上記保護シート８の上面に先ダイシングされた半導体ウェーハ７が積層されている積層体を配置する。ステージ１０上において、上記半導体ウェーハ７を取り囲むように、ダイシングリング１１を配置する。
【００５０】
他方、図１（ｂ）に示したダイシング−ダイボンディングテープ１において、離型層２を剥離し、ダイボンディング層３を半導体ウェーハ７に貼り合わせるようにして、図１（ａ）に示したダイシング−ダイボンディングテープ１を半導体ウェーハ７上に積層する。それによって、ダイボンディング層３が半導体ウェーハ７に接着される。この場合、ダイボンディング層３と半導体ウェーハ７との接着力は、ダイボンディング層３と基材層４との間の接着力よりも高くされている。また、ダイシングリング１１に、上記ダイシングテープ５が貼りつけられる。
【００５１】
図４（ｂ）におけるダイシングリング１１と、半導体ウェーハ７、ダイボンディング層３、基材層４及びダイシングテープ５との関係を、図４（ａ）に底面図で示す。すなわち、下方から見た場合、Ｘ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインに沿って半導体ウェーハ７が先ダイシングされて、複数の半導体チップ７ａとされている。すなわち、半導体ウェーハ７は、複数の半導体チップ７ａが集合した状態である。この半導体ウェーハ７の上面に、前述したダイボンディング層３が積層されている。ダイシングリング１１の上面に、ダイシングテープ５が貼りつけられている。
【００５２】
しかる後、ステージ１０から上記ダイシングリング１１と共に、半導体ウェーハ７及びダイシング−ダイボンディングテープ１を有する積層体を分離する。そして、上記積層体を上下逆転させ、図５に示すように円筒状の割裂治具１３の上方に裁置する。
【００５３】
しかる後、半導体ウェーハ７に貼り合わされている保護シート８を剥離する。それによって、図６（ａ），（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ７の表面が露出する。この場合、図６（ａ）は、図４（ａ）中の第１の直線Ｌ１に延びる方向に沿う部分に相当する断面図である。図６（ｂ）は、図４（ａ）の第３の直線Ｌ３に沿う部分に相当する部分の断面図である。従って、図６（ｂ）では、ダイボンディング層３及び基材層４において、対向し合う切欠き３ａ，３ａ，４ａ，４ａが図示されている。
【００５４】
次に、円筒状の割裂治具１３を図６（ａ）及び（ｂ）に矢印で示すように上方に移動させ、ダイシングテープ５を突き上げる。それによって、図７に示すように、ダイシングテープ５に、ダイシングテープ５の中心から径方向外側に延びる引っ張り応力が加わることとなる。それによって、ダイシングテープ５及びダイボンディング層３上に積層されている半導体ウェーハ７において、隣り合う半導体チップ７ａ間の間隔が広がることとなる。言い換えれば、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインの両側の半導体チップ間が互いに隔てられることになる。同時に、Ｘ方向及びＹ方向に延びる上記ダイシングラインに沿って、基材層４の上面に位置しているダイボンディング層３が、複数のダイボンディング層部分に割裂されることとなる。
【００５５】
本実施形態では、このダイボンディング層３における割裂が確実に行われる。前述したように、図１３に示す従来のダイシング−ダイボンディングテープでは、径方向外側に加わる応力の向きによっては、ダイボンディング層の割裂が確実に行われないことがあった。これに対して、本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイボンディング層３及び基材層４が、上記複数の切欠き３ａ，３ａ，４ａ，４ａを有する。そのため、ダイシングテープ５に径方向外側に向かう引っ張り応力がダイシングテープ５の径方向の各位置において均一に発生したとしても、ダイボンディング層３においては、ダイボンディング層３の伸長する方向は、図１の矢印Ｘ，−Ｘ及びＹ，−Ｙで示す方向が支配的となる。
【００５６】
従って、ダイシングテープ５を割裂治具１３により突き上げ、引っ張り応力を加えたとしても、ダイボンディング層３においては、Ｘ方向及びＹ方向において径方向外側に主として引っ張り応力が作用することとなる。
【００５７】
よって、半導体ウェーハ７のダイシングライン及びダイボンディング層の割裂方向を、上記Ｘ方向及びＹ方向とした場合、ダイボンディング層３の対向し合う切欠き３ａ，３ａを結ぶ第３の直線の延びる方向を、Ｘ方向及びＹ方向と交差する方向とすれば、ダイボンディング層３をＸ方向及びＹ方向に沿って確実に割裂することかできる。
【００５８】
従って、本実施形態のピックアップ方法では、半導体チップ７ａを、割裂されたダイボンディング層３と共に確実にピックアップし、基板や他の半導体チップ上に接合することができる。よって、ピックアップ不良を著しく少なくすることが可能となる。
【００５９】
なお、上記実施形態では、対向し合う切欠き３ａ，３ａが延びる方向は、すなわち第３の直線Ｌ３の延びる方向は、第１の直線Ｌ１及び第２の直線Ｌ２と４５°の角度をなす方向であったが，この角度は、４５°に限定されるものではない。すなわち、４５°±１０°の範囲であれば、同様に、Ｘ方向及びＹ方向の伸長力を支配的にすることができる。もっとも、上記角度は４５°に近いほうが望ましい。それによって、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってダイボンディング層３をより一層確実に割裂することができる。
【００６０】
上記実施形態では、切欠き３ａは、円弧状の形状を有していたが、図８に示すようにダイボンディング層３の外周縁と並行な曲線部分３ｂ１と、曲線部分３ｂ１の両端とダイボンディング層３の外周縁とを結んでおり、かつＸ方向またはＹ方向に延びる直線部分３ｂ２，３ｂ３とを連結した形状であってもよい。
【００６１】
また、図９に示すように、ダイボンディング層３の外周縁との接続部分が曲線状である切欠き３ｃを形成してもよい。
【００６２】
さらに、図１０に示すように、ダイボンディング層３の外周縁の２点を結ぶ直線部分３ｄを形成するようにして切欠きを形成してもよい。
【００６３】
また、図１１に示すように、切欠きに代えて、ダイボンディング層３の外周縁近傍に複数の貫通孔３ｆを形成し、それによってダイボンディング層３欠落部を構成してもよい。
【００６４】
この場合、貫通孔３ｆは、図１１に示すように円形の平面形状を有していてもよく、図１２に示すように楕円形の平面形状の貫通孔３ｇであってもよい。
【００６５】
なお、上記実施形態では、基材層４が設けられていたが、基材層４は必ずしも設けられずともよい。基材層４が設けられていない場合には、ダイボンディング層３にのみ上記欠落部か設けられていればよい。また、その場合、ダイボンディング層３をダイシングテープ５に直接貼りつけることになる。
【００６６】
なお、上記実施形態のように基材層４が設けられている場合、前述したように、基材層４にも欠落部を設けることが望ましいが、基材層４が容易に伸長し得る材料からなる場合、基材層４に欠落部を必ずしも設けずともよい。
【００６７】
なお、上記実施形態では、先ダイシングされた半導体ウェーハ７、すなわちＸ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインに沿ってダイシングされている半導体ウェーハ７を用いた。しかしながら、本発明は、特許文献２に記載のように、Ｘ方向及びＹ方向に延びる変質層、すなわち割裂誘導ラインが形成されている半導体ウェーハを用いてもよい。このような半導体ウェーハに、上記実施形態と同様に、ダイシング−ダイボンディングテープ１を積層し、円筒状の割裂治具によりダイシングテープ５を突き上げ、ダイシングテープ５を径方向外側に引っ張ることにより、ダイボンディング層３を確実にＸ方向及びＹ方向に沿って割裂することができる。この場合には、ダイボンディング層３の割裂と同時に、半導体ウェーハもまた上記Ｘ方向及びＹ方向に延びる割裂誘導ラインに沿って割裂されることとなる。
【符号の説明】
【００６８】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
３…ダイボンディング層
３ａ，３ｃ…切欠き
３ｂ…直線部分
３ｂ１…曲線部分
３ｂ２，３ｂ３…直線部分
３ｄ…直線部分
３ｆ…貫通孔
４…基材層
４ａ…切欠き
５…ダイシングテープ
５ａ…テープ本体層
５ｂ…粘着剤層
７…半導体ウェーハ
７ａ…半導体チップ
８…保護シート
１０…ステージ
１１…ダイシングリング
１３…割裂治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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