(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口が形成された金属基材フィルムと、
前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、
前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、
を有し、
前記金属基材フィルムは、平面視において前記開口側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を、前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返して前記開口に対向させることが可能である
配線板。
【請求項２】
前記金属基材フィルムの折り返された部分は、前記開口に対向するとともに、前記金属基材フィルムの他の部分に対向する
請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記導体層は、前記金属基材フィルムの折り返された部分において設けられた、基準電位が付与される熱伝導部パターンを有する
請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記導体層は、前記金属基材フィルムの折り返された部分に対向する領域において設けられた、基準電位が付与されるグランドパターンを有する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項５】
前記積層部は、前記インナーリードから前記開口とは反対側に延びる配線と、その配線の端部に形成された端子とを有し、
前記スリットは、前記端子を囲む形状に形成されている
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項６】
開口が形成された金属基材フィルムと、
前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、
前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、
前記インナーリードの前記金属基材フィルム側の面に実装された半導体チップと、
を有し、
前記金属基材フィルムは、平面視において前記開口側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を、前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返して前記半導体チップに対向させることが可能である
半導体装置。
【請求項７】
開口が形成された金属基材フィルムと、
前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、
前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、
前記インナーリードの前記金属基材フィルム側の面に実装された半導体チップと、
前記金属基材フィルムを折り返した状態に保持する固定部材と、
を有し、
前記金属基材フィルムは、平面視において前記半導体チップ側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、
前記固定部材は、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を、前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返して前記半導体チップに直接的又は間接的に当接する状態に前記金属基材フィルムを保持している
半導体モジュール。
【請求項８】
前記金属基材フィルムが固定されるフレームを更に有し、
前記固定部材は、前記金属基材フィルムの折り返された部分を前記金属基材フィルムの他の部分に直接的又は間接的に当接する状態に保持し、
前記導体層は、前記金属基材フィルムの折り返された部分が当接する領域において設けられた、基準電位が付与されるグランドパターンを有し、
前記グランドパターンは、前記フレームに当接している
請求項７に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
ディスプレイパネルと、
前記ディスプレイパネルに接続される半導体装置と、
を有し、
前記半導体装置は、
開口が形成された金属基材フィルムと、
前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、
前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、
前記インナーリードの前記金属基材フィルム側の面に実装された半導体チップと、
を有し、
前記金属基材フィルムは、平面視において前記開口側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部が折り返されずに、前記スリットの外側部分が前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返されて前記半導体チップに直接的又は間接的に当接されている
ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有する配線板、当該配線板を有する半導体装置、当該半導体装置を有する半導体モジュール、並びに、当該半導体モジュールを有するディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
可撓性を有する配線板に半導体チップを実装した半導体装置が知られている。特許文献１の図７〜図１０では、配線板に、平面視において突出する部分を設け、その突出した部分に金属膜を設けるとともに、その突出した部分を折り返して半導体チップの配置位置に重ねることにより、放熱性やシールド性を向上させる技術が開示されている。また、特許文献１の図１０では、そのような突出した部分が設けられた配線板を長尺状のテープキャリアから切り出す技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術は、折り返される部分が長く突出している。その結果、配線板が大型化している。換言すれば、半導体チップに対向する面積等に比較して配線板が大型化している。また、配線板は、突出形状が生じることにより、長尺のテープを長手方向において分割した形状（矩形）から乖離した形状となり、テープキャリアは、切り捨てられる部分が多くなる。このように、特許文献１の技術は、配線板を効率的に利用しているとは言えない。
【０００５】
本発明の目的は、配線板の面積をより効率的に利用して、配線板の一部を実装部品に重ねることができる配線板、半導体装置、半導体モジュール及びディスプレイ装置を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点の配線板は、開口が形成された金属基材フィルムと、前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、を有し、前記金属基材フィルムは、平面視において前記開口側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を、前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返して前記開口に対向させることが可能である。
【０００７】
好適には、前記金属基材フィルムの折り返された部分は、前記開口に対向するとともに、前記金属基材フィルムの他の部分に対向する。
【０００８】
好適には、前記導体層は、前記金属基材フィルムの折り返された部分において設けられた、基準電位が付与される熱伝導部パターンを有する。
【０００９】
好適には、前記導体層は、前記金属基材フィルムの折り返された部分に対向する領域において設けられた、基準電位が付与されるグランドパターンを有する。
【００１０】
好適には、前記積層部は、前記インナーリードから前記開口とは反対側に延びる配線と、その配線の端部に形成された端子とを有し、前記スリットは、前記端子を囲む形状に形成されている。
【００１１】
本発明の第２の観点の配線板は、フィルム状の基材と、前記基材に直接的又は間接的に積層された積層部と、当該積層部に接続され、電子部品が実装される実装部とを有する導体層と、を有し、前記基材は、平面視において前記実装部側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を折り返し、前記実装部に対向させることが可能である。
【００１２】
本発明の半導体装置は、開口が形成された金属基材フィルムと、前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、前記インナーリードの前記金属基材フィルム側の面に実装された半導体チップと、を有し、前記金属基材フィルムは、平面視において前記開口側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を、前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返して前記半導体チップに対向させることが可能である。
【００１３】
本発明の半導体モジュールは、開口が形成された金属基材フィルムと、前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、前記インナーリードの前記金属基材フィルム側の面に実装された半導体チップと、前記金属基材フィルムを折り返した状態に保持する固定部材と、を有し、前記金属基材フィルムは、平面視において前記半導体チップ側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記固定部材は、前記積層部の前記一部を折り返さずに、前記スリットの外側部分を、前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返して前記半導体チップに直接的又は間接的に当接する状態に前記金属基材フィルムを保持している。
【００１４】
好適には、前記金属基材フィルムが固定されるフレームを更に有し、前記固定部材は、前記金属基材フィルムの折り返された部分を前記金属基材フィルムの他の部分に直接的又は間接的に当接する状態に保持し、前記導体層は、前記金属基材フィルムの折り返された部分が当接する領域において設けられた、基準電位が付与されるグランドパターンを有し、前記グランドパターンは、前記フレームに当接している。
【００１５】
本発明のディスプレイ装置は、ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネルに接続される半導体装置と、を有し、前記半導体装置は、開口が形成された金属基材フィルムと、前記金属基材フィルムの一方主面に積層された絶縁層と、前記絶縁層に積層された積層部と、前記積層部から前記開口内へ延びるインナーリードとを有する導体層と、前記インナーリードの前記金属基材フィルム側の面に実装された半導体チップと、を有し、前記金属基材フィルムは、平面視において前記開口側を凹側とする凹状に延びて前記積層部の少なくとも一部を囲むスリットが形成されており、前記積層部の前記一部が折り返されずに、前記スリットの外側部分が前記金属基材フィルムの他方主面を内側にして折り返されて前記半導体チップに直接的又は間接的に当接されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、配線板の面積をより効率的に利用して、配線板の一部を実装部品に重ねることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（Ａ）は、この発明の実施形態に係る半導体装置の平面図、（Ｂ）はその断面図である。
【図２】図１の半導体装置の裏面側からの斜視図である。
【図３】図１の半導体装置を用いた半導体モジュールの構成及びディスプレイ装置の構成を示す部品分解斜視図である。
【図４】図１の半導体装置の取り付け後の図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】図１の半導体装置の取り付け後の図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】図１の半導体装置の製造に用いられるテープキャリアの平面図である。
【図７】本発明の変形例に係る半導体モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜半導体装置＞
図１（Ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩｂ−Ｉｂ矢視断面を示す断面図である。
【００１９】
半導体装置１３は、配線板４と、配線板４に実装された半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する封止樹脂１４とを有している。
【００２０】
図１（Ｂ）に示すように、配線板４では、銅またはアルミなどの熱伝導率の高い金属を用いた金属基材フィルム１の表面（第１主面１ａ）に、一般的なエポキシ系の接着剤層２が設けられている。この接着剤層２には、例えば、一般的な東レ（株）製の商品名「ＴＡＢ用接着剤＃８２００」を用いる。またより放熱効率をよくするために、比較的熱伝導率の高い東レ（株）製の商品名「ＴＳＡシリーズ」を用いるとより好ましい。
【００２１】
この接着剤層２の表面には、導電率及び熱伝導率の高い銅を用いて、導体層３が形成されている。導体層３は、半導体チップ１０に対する信号の入出力を行うための導電パターン３Ａを含んでいる。導電パターン３Ａは、インナーリード３Ｂ、配線３Ｊ、第１の外部接続端子３Ｃ及び第２の外部接続端子３Ｄを有している。また、導体層３は、図１（Ａ）の平面図に示す、基準電位が付与される、グランドパターン３Ｅ、第１のグランド配線３Ｆ、第２のグランド配線３Ｇ、熱伝導部パターン３Ｈを含んでいる。導体層３には防錆や他の部品との接続に適した錫などのめっきが施されている。そして、導体層３には、防錆、防湿、防塵などの目的でソルダーレジスト８が被せられている。
【００２２】
金属基材フィルム１の外形は、概ね矩形に形成されている。接着剤層２は、金属基材フィルム１の全面に亘って設けられている。金属基材フィルム１及び接着剤層２には、開口５が形成されている。開口５は、例えば、金属基材フィルム１の概ね中央に形成されている。
【００２３】
導電パターン３Ａは、概ねライン状のパターンであり、一端がインナーリード３Ｂ、他端が第１の外部接続端子３Ｃ又は第２の外部接続端子３Ｄ、中間部分が配線３Ｊとなっている。配線３Ｊ、第１の外部接続端子３Ｃ及び第２の外部接続端子３Ｄは、接着剤層２を介して金属基材フィルム１に積層されている。インナーリード３Ｂは、開口５内に突出している。配線３Ｊは、ソルダーレジスト８により覆われ、インナーリード３Ｂ、第１の外部接続端子３Ｃ又は第２の外部接続端子３Ｄは、ソルダーレジスト８から露出している。
【００２４】
導電パターン３Ａは、開口５（インナーリード３Ｂ）側からその外周側へ延びている。第１の外部接続端子３Ｃを含む導電パターン３Ａと、第２の外部接続端子３Ｄを含む導電パターン３Ａとは、開口５を挟んで互いに逆側に配置されるとともに、互いに逆方向に延びている。
【００２５】
複数の第２の外部接続端子３Ｄは、金属基材フィルム１の、導電パターン３Ａの延びる方向に交差する一辺（図１（Ａ）の紙面左側一辺）に沿って配列されており、概ねその１辺全体に亘って配置されている。複数の第１の外部接続端子３Ｃは、導電パターン３Ａの延びる方向に交差する一辺に平行に配列されている。ただし、複数の第１の外部接続端子３Ｃは、導電パターン３Ａの延びる方向に直交する方向（図１（Ａ）の紙面上下方向）において、金属基材フィルム１の全体に亘って配置されてはおらず、その配置範囲は、複数の第２の外部接続端子３Ｄの配置範囲よりも狭い。第１の外部接続端子３Ｃの数は、第２の外部接続端子３Ｄの数よりも少ない。
【００２６】
グランドパターン３Ｅは、開口５に対して、導電パターン３Ａの延びる方向の側方となる方向の両側に設けられている。グランドパターン３Ｅは、台形などの適宜な多角形に形成されており、比較的広い面積で形成されている。第１のグランド配線３Ｆは、グランドパターン３Ｅから開口５側へ延び、その先端には、開口５内に突出するインナーリード３Ｂが接続されている。
【００２７】
金属基材フィルム１及び接着剤層２には、平面視において凹状に延びる第１のスリット６が形成されている。第１のスリット６は、開口５側を凹側とし、第１の外部接続端子３Ｃが設けられた第１の外部接続端子形成領域２４を取り囲んでいる。第１のスリット６は、配線３Ｊの両側側方において配線３Ｊの延びる方向に延びる２辺と、２辺を結ぶ１辺とを有し、矩形の３辺のような形状に形成されている。
【００２８】
配線板４は、第１のスリット６の外側部分のうち、配線３Ｊの延びる方向側（紙面右側）となる部分に、熱伝導部位１２が形成されている。熱伝導部位１２には、熱伝導部パターン３Ｈが設けられている。また、配線板４は、第１のスリット６の外側部分のうち、配線３Ｊの側方となる部分に、第１の折り曲げ部位２３が形成されている。第１の折り曲げ部位２３には、第２のグランド配線３Ｇが設けられている。
【００２９】
熱伝導部位１２及び熱伝導部パターン３Ｈは、配線３Ｊの延びる方向に直交する方向（図１（Ａ）の紙面上下方向）を長手方向とする長尺状に形成されている。その長さは、配線板４の、半導体チップ１０や第２の外部接続端子３Ｄが設けられる部分（第１の折り曲げ部位２３を挟んで反対側の部分）の、配線３Ｊの延びる方向に直交する方向における長さと同等である。
【００３０】
第１の折り曲げ部位２３及び第２のグランド配線３Ｇは、配線板４の半導体チップ１０が設けられる側の部分と、熱伝導部位１２とを結ぶ方向を長手方向とする長尺状に形成されている。配線板４（金属基材フィルム１及び接着剤層２）の外縁は、上述のように、概ね矩形に形成されている。ただし、配線板４の外縁は、第１の折り曲げ部位２３において、切り欠き部が形成されている。これにより、第１の折り曲げ部位２３は、より細く形成されている。切り欠き部の形状は、例えば矩形である。
【００３１】
配線板４には、複数のネジ用貫通穴１５が設けられている。複数のネジ用貫通穴１５は、開口５に対して、配線３Ｊの延びる方向の側方となる側に設けられ、グランドパターン３Ｅを貫通している。また、複数のネジ用貫通穴１５は、熱伝導部位１２の長手方向両側に設けられ、熱伝導部パターン３Ｈを貫通している。
【００３２】
配線板４には、第２の外部接続端子３Ｄが形成された第２の外部接続端子形成領域２５と、第２の外部接続端子３Ｄに接続された配線３Ｊが形成された第２の折り曲げ部位２８とが形成されている。第２の折り曲げ部位２８には、軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７が所定の位置に設けられている。軟質樹脂７Ａには、例えば、宇部興産（株）製の商品名「ユピコートＦＳ−１００Ｌ」を用いる。
【００３３】
前記、軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７は、図３及び図５に示すように折り曲げに用いるもので、前記金属基材フィルム１、接着剤層２、導体層３、ソルダーレジスト８のそれぞれの相対的な厚さの関係により、折り曲げが容易に行える場合は、前記軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７を設けなくてもよい。
【００３４】
半導体チップ１０は、金バンプ１１を介して、インナーリード３Ｂに実装されている。より具体的には、半導体チップ１０は、開口５に配置され、インナーリード３Ｂの金属基材フィルム１側の面に実装されている。半導体チップ１０は金属基材フィルム１よりも厚く、その天面は金属基材フィルム１から突出している。
【００３５】
封止樹脂１４は、防錆、防湿、防塵、固定などの目的で設けられており、例えば、エポキシ樹脂により形成されている。封止樹脂１４は、開口５を塞ぎ、インナーリード３Ｂの金属基材フィルム１側の面、金バンプ１１、及び、半導体チップ１０の側面を覆っている。また、封止樹脂１４は、インナーリード３Ｂのソルダーレジスト８側の面を覆っている。
【００３６】
＜半導体モジュール及びディスプレイ装置＞
次に、半導体装置１３を組み付けて半導体モジュール及びディスプレイ装置を形成する方法について説明する。
【００３７】
図２は、金属基材フィルム１の裏面（第２主面１ｂ）側を上にした状態の半導体装置１３を示す斜視図である。図３は、金属基材フィルム１の裏面側を上にして半導体装置１３を組み付けた半導体モジュール２６及びディスプレイ装置２７を示す分解図である。
【００３８】
ディスプレイ装置２７は、ディスプレイパネル１６と、半導体モジュール２６とを有している。半導体モジュール２６は、ディスプレイパネル１６に固定されたフレーム１８と、フレーム１８に固定された半導体装置１３とを有している。
【００３９】
ディスプレイパネル１６は、例えば、液晶ディスプレイのパネル、有機ＥＬディスプレイのパネル、又は、プラズマディスプレイのパネルであり、特に図示しないが、ガラス基板などの透光性の基板と、当該基板に配列された複数の画素電極などを有している。フレーム１８は、例えば、アルミニウムなどの金属により形成されている。フレーム１８は、ディスプレイパネル１６の外周部に沿う長尺状に形成されており、ディスプレイパネル１６を構成する透光性の基板の表示側の面又はその背面に対してネジや接着剤などにより固定されている。フレーム１８は、ディスプレイパネル１６とは反対側に突出する台座部１８ａを有し、台座部１８ａには雌ねじ穴１９Ａが形成されている。
【００４０】
半導体装置１３を組み付けるときには、第１のスリット６の両端を通って、金属基材フィルム１を横切る直線Ｌ（図２）と、それと平行で第１のスリット６の形成範囲内の直線Ｍ（図２）との間の折り曲げ範囲ａ（図２、第１の折り曲げ部位２３）で、金属基材フィルム１を内側として折り返す（図３の矢印Ｄ）。このとき、第１の外部接続端子形成領域２４などの第１のスリット６の内側部分は折り曲げられない。そして、開口５の側方に設けられているネジ用貫通穴１５と、熱伝導部位１２に設けられているネジ用貫通穴１５とを一致させる。
【００４１】
次に、金属などにより形成されたネジ１９をネジ用貫通穴１５に通してフレーム１８の雌ねじ穴１９Ａに締め付ける。このネジ１９を締め付けることによって、熱伝導部位１２を構成する金属基材フィルム１の第２主面１ｂを、対面する半導体チップ１０の天面に直接または間接的に当接させ、また、金属基材フィルム１の他の部分（開口５の隣接部分）の第２主面１ｂに当接させる。そしてまた、グランドパターン３Ｅ（図１（Ａ）参照）をフレーム１８の台座部１８ａに当接させる。
【００４２】
図４は、半導体装置１３をフレーム１８に取り付けた後の、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。
【００４３】
金属基材フィルム１の厚さ、半導体チップ１０及び金バンプ１１の厚さの関係によっては、熱伝導部位１２が湾曲した状態になるので、金属基材フィルム１と半導体チップ１０の天面の間には部分的に隙間ができる。この隙間は熱伝導率の低い空気が介在するので、伝熱効率が悪くなる原因になる。そこで、その隙間には、空気よりも熱伝導率の高い熱伝導グリス１７を介在させることが好ましい。また、封止樹脂１４とフレーム１８の間には、封止樹脂１４の塗布厚さのバラツキを考慮した隙間がある。そのため、この隙間には空気より熱伝導率の高い、熱伝導グリス１７を介在させることが好ましい。前記熱伝導グリスに１７には、例えば、信越化学工業（株）製の商品名「ＪＡＰ００４Ｊ−２」を用いる。
【００４４】
また、熱伝導部位１２を構成する金属基材フィルム１と他の部位の金属基材フィルム１の当接面及びグランドパターン３Ｅとフレーム１８の当接面には、それぞれの部材の表面粗さにより微細な隙間が存在する。そこで、図示しないが、熱伝導グリス１７を塗布して当接することがより好ましい。
【００４５】
図５は、半導体装置１３をディスプレイパネル１６に電気的に接続した後の、図３のＶ−Ｖ線矢視断面図である。
【００４６】
半導体装置１３をディスプレイパネル１６に電気的に接続するときには、まず、図３において矢印Ｅにより示すように、軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７の箇所で、金属基材フィルム１の第１主面１ａ側（図３の紙面下側）を内側として、第２の折り曲げ部位２８を折り曲げる。これにより、図５に示すように、第２の外部接続端子形成領域２５は、ディスプレイパネル１６（又はディスプレイパネル１６に含まれる基板）の、ネジ１９により配線板４が固定された側とは反対側の面に対向する。そして、異方性導電フィルム（図示せず）を介して、第２の外部接続端子３Ｄをディスプレイパネル１６に接続する。
【００４７】
この第２の外部接続端子３Ｄとディスプレイパネル１６との接続において、図示しないが半導体モジュール２６とディスプレイパネル１６の配置と構造が異なり、軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７の箇所で折り曲げる必要がない方法がある。その場合は、軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７を設けなくてもよい。また、前記金属基材フィルム１、接着剤層２、導体層３、ソルダーレジスト８のそれぞれの相対的な厚さの関係により、折り曲げが容易に行える場合は、前記軟質樹脂７Ａを充填した第２のスリット７を設けなくてもよい。
【００４８】
そして、第１の外部接続端子形成領域２４に形成された第１の外部接続端子３Ｃを別の配線板（図示せず）に接続する。なお、この別の配線板には、例えば、ディスプレイパネル１６を制御するための制御ＩＣが設けられ、半導体チップ１０は、その制御ＩＣからの電気信号に基づいてディスプレイパネル１６を駆動するドライバとして機能する。
【００４９】
このようにして、半導体装置１３を組み付けて半導体モジュール２６を形成し、複数の半導体モジュール２６をディスプレイパネル１６に接続して組み付けてディスプレイ装置２７が形成される。
【００５０】
図６は、半導体装置１３の製造に用いられるテープキャリア２９を示す平面図である。
【００５１】
テープキャリア２９は、長尺状に形成されており、側部には複数のスプロケットホール２２が長手方向に沿って配列されている。テープキャリア２９は、分割前の複数の配線板４がテープキャリア２９の長手方向に複数配列されている。配線板４は、折り返し方向をテープキャリア２９の短手方向（長手方向でもよい）として配列されている。半導体装置１３の製造においては、複数のスプロケットホール２２を利用して長手方向に搬送されるテープキャリア２９に対して半導体チップ１０の実装などが行われ、その後、複数の配線板４が分割される。
【００５２】
以下に、材料の熱伝導率の一例を示す。
銅：３９０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、アルミニウム：２３６Ｗ／ｍ・Ｋ程度、接着剤層２（エポキシ樹脂、＃８２００）：０．１９Ｗ／ｍ・Ｋ程度、接着剤層２（エポキシ樹脂、ＴＳＡシリーズ）：３Ｗ／ｍ・Ｋ程度、金：３１７Ｗ／ｍ・Ｋ程度、封止樹脂（エポキシ樹脂）：０．１９Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱伝導グリス：６Ｗ／ｍ・Ｋ程度、空気：０．０３Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。
【００５３】
以下に、寸法の一例を示す。
金属基材フィルム１：２５〜１５０μ、接着剤層２：８〜１９μｍ（例えば１２μｍ）、配線板４の一辺の長さ：２０ｍｍ〜７０ｍｍである。
【００５４】
次に、本発明の半導体モジュール２６の放熱に係わる第１の伝熱経路と放熱について、図４を用いて説明する。
熱伝導に関しては、θを熱抵抗、Ｌを経路長、λを熱伝導率、Ａを伝熱面積とすると、
θ＝Ｌ／λ・Ａ
の式が成り立つ。もちろん、熱抵抗θが小さいほど熱が伝わりやすくなり、発熱体の温度を下げることができる。
【００５５】
半導体チップ１０の熱は、半導体チップ１０の天面から直接または熱伝導グリス１７を介して熱伝導部位１２を構成する金属基材フィルム１に伝熱する。ここで、熱伝導グリス１７を用いた場合と用いなかった場合について比較する。空気の熱伝導率は０．０３Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、熱伝導グリス１７の熱伝導率は６Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。よって、隙間の部分に関しては、熱伝導グリス１７を用いることによって、熱伝導の計算式から熱抵抗θを１／２００程度に小さくすることができる。
【００５６】
そして、前記金属基材フィルム１に伝熱した熱は、前記金属基材フィルム１に熱伝導率の高い銅を用いているので、効率よく全面に拡散する。また、この金属基材フィルム１に拡散した熱の一部は、その先に接続する接着剤層２に伝熱し、更にその先の熱伝導部パターン３Ｈに伝熱して空気中に放熱する。
【００５７】
接着剤層２の熱伝導率は０．１９Ｗ／ｍ・Ｋ程度であるが、その厚さ（経路長Ｌ）が１２μｍ程度と薄く、また、その伝熱面積Ａがある程度確保されているので、熱抵抗θは小さくなり放熱に寄与することができる。
【００５８】
次に、前記熱伝導経路とは異なる、第２の伝熱経路と放熱について図４を用いて説明する。熱伝導部位１２を構成する金属基材フィルム１に伝熱し拡散した熱は、この金属基材フィルム１に当接している他の部位の金属基材フィルム１に伝熱して紙面貫通方向を含む全面に拡散し空気中に放熱される。この他の部位の金属基材フィルム１は熱伝導率の高い銅で形成されているので効率よく熱拡散し、また面積が広いので効率よく空気中に放熱することができる。
【００５９】
次に、前記熱伝導経路とは異なる、第３の伝熱経路と放熱について図４を用いて説明する。熱伝導部位１２を構成する金属基材フィルム１に伝熱し拡散した熱は、この金属基材フィルム１に当接している他の部位の金属基材フィルム１に伝熱し、その先に接続する接着剤層２に伝熱し、更にその先のグランドパターン３Ｅ（図１（Ａ）参照）に伝熱する。
【００６０】
そして、更にその先に接続する熱伝導率の高いアルミニウムで形成されたフレーム１８に伝熱して拡散し空気中に放熱される。この第３の伝熱経路には、熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ程度の接着剤層２が介在するが、その厚さが１２μｍ程度と薄く、またグランドパターン３Ｅの面積はある程度広くすることができるので、熱抵抗θを小さくして放熱に寄与することができる。
【００６１】
次に、前記熱伝導経路とは異なる、第４の伝熱経路と放熱について図４を用いて説明する。半導体チップ１０に拡散した熱は、熱伝導率の高い金で形成された金バンプ１１に伝熱し、その先の熱伝導率の高い銅で形成したインナーリード３Ｂと第１のグランド配線３Ｆ及びグランドパターン３Ｅの順に伝熱され（図１（Ａ）参照）、その先に接続するフレーム１８に伝熱して拡散し空気中に効率よく放熱される。この第４の伝熱経路の構成部材は、全て熱伝導率が高いので、効率よく伝熱し放熱することができる。
【００６２】
また、グランドパターン３Ｅに伝熱した熱の一部は、その先に接続する第２のグランド配線３Ｇに伝熱し（図１（Ａ）参照）、更にその先の熱伝導部パターン３Ｈに伝熱して空気中に放熱され、また更にその先に接続するネジ１９を経由してフレーム１８に伝熱し放熱される。
【００６３】
ところで、グランドパターン３Ｅは、第１のグランド配線３Ｆを経由してインナーリードで半導体チップ１０に接続され、他方ではフレーム１８に接続しているので、インナーリードを半導体チップ１０のグランド端子と接続する。この接続によってアースの機能を持たせることができる。
【００６４】
また、グランドパターン３Ｅには、第２のグランド配線３Ｇが接続され、更にその先には熱伝導部パターン３Ｈが接続している。そして、この熱伝導部パターン３Ｈは、ネジ１９を介してフレーム１８に接続しているので、グランド配線の一部を成している。そして、熱伝導部パターン３Ｈは、半導体チップ１０の天面側を覆うように形成されているので、半導体チップ１０から発生する電磁ノイズを吸収し遮蔽する効果がある。
【００６５】
また、金属基材フィルム１と導電パターン３Ａは、マイクロストリップ構造を呈しているので、電磁ノイズを吸収し遮蔽する効果がある。また、半導体チップ１０と導電パターン３Ａは、熱伝導部パターン３Ｈ、金属基材フィルム１及びフレーム１８によって、挟み込まれているので、更に電磁ノイズを吸収し遮蔽する効果がある。
【００６６】
（変形例）
図４に示す熱伝導部位１２の湾曲を防ぐ方法について説明する。図７に示すように、熱伝導部位１２を構成する金属基材フィルム１と他の部位の金属基材フィルム１との間に、熱伝導率の高い銅などの金属を用いた金属スペーサ２０を挿入する。この金属スペーサ２０の厚さを調整することにより、熱伝導部位１２の湾曲を防ぐことができる。
【００６７】
このように熱伝導部位１２の湾曲を防ぐことによって、熱伝導部位１２の金属基材フィルム１と半導体チップ１０の天面の間に出来る隙間を小さくすることができる。そのため、その隙間に介在する熱伝導グリス１７の厚さが薄くなり、熱抵抗を小さくすることができるので、更に伝熱効率をよくして放熱効率を高めることができる。
【００６８】
また、金属スペーサ２０は、その面積を大きくして当接面積を大きくし、伝熱しやすくすることが好ましい。そしてまた、この金属スペーサ２０の両面の表面粗さと、上下に当接する金属基材フィルム１の表面粗さによって、微細な隙間ができるので、この当接面にも熱伝導グリス１７を塗布して組み付けることがより好ましい。
【００６９】
なお、以上の実施形態において、金属基材フィルム１は本発明の基材の一例であり、第１主面１ａは本発明の一方主面の一例であり、第２主面１ｂは本発明の他方主面の一例であり、接着剤層２は本発明の絶縁層の一例であり、導体層３のインナーリード３Ｂ以外の部分は本発明の積層部の一例であり、第１の外部接続端子３Ｃは本発明の端子の一例であり、半導体チップ１０は本発明の電子部品の一例であり、インナーリード３Ｂは本発明の実装部の一例であり、ネジ１９は本発明の固定部材の一例である。
【００７０】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００７１】
本願発明の配線板は、半導体チップ以外の適宜な電子部品が実装されてよい。また、半導体装置は、ディスプレイに利用されるものに限定されず、種々の用途に利用されてよい。
【００７２】
スリットは、矩形の３辺を構成する形状に限定されない。例えば、半円状に形成されていてもよい。また、スリットは、矩形の３辺を構成する形状である場合に、角部が面取りされてもよい。
【００７３】
スリットは、端子を囲むように形成されるものに限定されない。例えば、スリットは、屈曲する配線の屈曲部のみを囲むものであってもよいし、グランドパターンのみを囲むものであってもよい。換言すれば、導体層のパターン、及び、導体層のパターンとスリットとの相対関係は適宜に設定されてよい。
【００７４】
電子部品（半導体チップ）は、導体層のいずれの面に対して実装されてもよい。例えば、実施形態において、半導体チップ１０が金属基材フィルム１とは反対側に実装されていても、金属基材フィルム１が半導体チップ１０を覆うことによるシールドの効果などが期待できる。
【００７５】
金属基材フィルムを折り返した状態に保持する固定部材は、ネジに限定されない。また、金属基材フィルムを折り返した状態に保持する固定部材は、金属基材フィルムをフレームなどに固定する機能を兼ね備えるものに限定されない。例えば、接着剤により金属基材フィルムが折り返された状態に保持され、さらに、他の接着剤若しくはネジにより金属基材フィルムがフレームに固定されてもよい。
【００７６】
本発明の第２の観点の配線板においては、基材は、金属により形成されていなくてもよい。例えば、基材は、絶縁性の樹脂により形成されていてもよい。この場合であっても、折り返されて電子部品（半導体チップ）に対向する領域において、基材に積層された金属層が設けられていれば、半導体チップの熱の熱伝導性の向上若しくは半導体チップのシールドの効果が期待できる。なお、この場合において、金属層は、基材の導体層が設けられる面に積層されていてもよいし、その背面に積層されていてもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１      金属基材フィルム
１ａ    第１主面
１ｂ    第２主面
２      接着剤層
３      導体層
３Ａ    導電パターン
３Ｂ    インナーリード
３Ｃ    第１の外部接続端子
３Ｄ    第２の外部接続端子
３Ｅ    グランドパターン
３Ｆ    第１のグランド配線
３Ｇ    第２のグランド配線
３Ｈ    熱伝導部パターン
３Ｊ    配線
４      配線板
５      開口
６      第１のスリット
７      第２のスリット
７Ａ    軟質樹脂
８      ソルダーレジスト
１０    半導体チップ
１１    金バンプ
１２    熱伝導部位
１３    半導体装置
１４    封止樹脂
１５    ネジ用貫通穴
１６    ディスプレイパネル
１７    熱伝導グリス
１８    フレーム
１８ａ  台座部
１９    ネジ
１９Ａ  雌ねじ穴
２０    金属スペーサ
２２    スプロケットホール
２３    第１の折り曲げ部位
２４    第１の外部接続端子形成領域
２５    第２の外部接続端子形成領域
２６    半導体モジュール
２７    ディスプレイ装置
２８    第２の折り曲げ部位
ａ      折り曲げ範囲
【図１】
0005466966.tif 000002
【図２】
0005466966.tif 000003
【図３】
0005466966.tif 000004
【図４】
0005466966.tif 000005
【図５】
0005466966.tif 000006
【図６】
0005466966.tif 000007
【図７】
0005466966.tif 000008