(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの基本磁気層を呈する、非磁性部分によって磁性部分が分離されない少なくとも１つの記録用サポートを備える磁気記録デバイスであって、
前記記録用サポートは、前記記録用サポートと記録用ヘッドの書込み磁極との結合によって前記サポートの平面に対して垂直な磁性を有し、
前記磁気記録デバイスは、前記記録用サポート（４３）の平面に対して垂直な決定された磁性と、前記記録用サポート（４３）の反転磁場より大きい反転磁場と、を有し、かつ、磁気エレメント（４６）が交換による結合なしに前記記録用サポート（４３）内で単に双極磁場を生成するようにある厚さを有する非磁性体製の減結合層（４７）により前記記録用サポート（４３）から分離される、複数の磁気エレメント（４６）を備え、
前記複数の磁気エレメント（４６）は、非磁性領域（４１）によって互いから離隔され、各磁気エレメント（４６）は、前記記録用サポート（４３）への書込みオペレーションの間に、前記記録用サポート（４３）にメモリポイントを画定することを特徴とする磁気記録デバイス。
【請求項２】
前記磁気エレメント（４６）の反転磁場は、前記記録用サポート（４３）の反転磁場の１．１倍から２０倍までの範囲内、かつ特には２倍から１０倍までの範囲内であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記記録用サポート（４３）及び／または前記磁気エレメント（４６）は、幾つかの基本層を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記記録用サポート（４３）は、合金で、具体的にはＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏで製造されることを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記記録用サポート（４３）は、少なくとも１つの基本磁気二重層、具体的にはＣｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｆｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｃｏを備えることを特徴とする、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記記録用サポート（４３）は、金属と誘電体または半導体とを結合させる少なくとも２つの基本層、具体的にはＣｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／アルミナを備えることを特徴とする、請求項３に記載のデバイス。
【請求項７】
前記記録用サポート（４３）は、多結晶材料で製造されることを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記非磁性体製の減結合層（４７）は、０．５ｎｍから１５ｎｍまでの範囲内の厚さを有することを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記非磁性領域は、前記複数の磁気エレメント（４６）間の空隙（４１’）であることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記非磁性領域（４１）は、前記磁気エレメントと共に事実上平らな層を形成するように非磁性固体で製造されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記記録用サポート（４３）と前記磁気エレメント（４６）とから成るアッセンブリは、ハードディスク等の情報記憶手段の基板（１６）の表面に配置されることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記磁気エレメント（４６）は、前記情報記憶手段の基板の前記表面に接触していることを特徴とする、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記記録用サポート（４３）は、前記情報記憶手段の基板の前記表面に接触していることを特徴とする、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載のデバイスを製造するための方法であって、
非磁性部分によって磁性部分が分離されない前記記録用サポート（４３）を形成するための磁性体による１つまたは複数の層、前記非磁性体製の減結合層（４７）の蒸着と、
前記磁気エレメント（４６）のアレイの製造と、
を実装することを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記磁気エレメント（４６）のアレイの前記製造は、前記記録用サポート（４３）を形成する１つまたは複数の磁性体層の前記蒸着より前に実行されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記磁気エレメント（４６）のアレイの前記製造は、前記記録用サポート（４３）を形成する１つまたは複数の磁性体層の前記蒸着の後に実行されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記磁気エレメント（４６）のアレイを製造するために、非磁性体層（５１’）の蒸着を実装し、
前記非磁性体層（５１’）はこの後、前記磁気エレメント（４６）を形成するように意図される場所を画定することによって凹凸パターン化され、
この後、磁性体（４８’）の少なくとも１つの層が蒸着され、
これに続いて、平坦化が前記非磁性層（５１’）まで実行されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記磁気エレメント（４６）のアレイを製造するために、前記磁気エレメント（４６）が残存することを許容するように凹凸パターン化される１つまたは複数の磁性体（４８）層の蒸着、次いで非磁性体層（５１）の蒸着、続いてその平坦化を実装することを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記磁気エレメント（４６）のアレイを製造するために、物理的及び／または化学的処理による自己組織化した磁性ナノ構造体の蒸着を実装することを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記蒸着に続いて非磁性体層（５１）が蒸着され、次いで前記非磁性体層（５１）が平坦化されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明の対象は、具体的にはハードディスク等の記憶手段のための磁気記録デバイスと、その製造プロセスである。
【０００２】
面外磁化を有する媒体内にメモリポイントが記録される垂直磁気記録は、コンピュータハードディスクにおける記憶密度を（超高記憶密度へと）高めるための極めて有望な手法として認められている。この技術は、最近、この分野の大手企業、Ｓｅａｇａｔｅ、日立、東芝などによって制度化され、市場に出されている。
【０００３】
超常磁性の不安定さの問題を解決し、かつ例えば１平方インチ当たり１テラビット、即ち１ｃｍ２当たり０．１５５テラビットの超高記憶密度、これは２５ｎｍｘ２５ｎｍのメモリポイントに相当する、を達成するために、これまで様々なソリューションが考えられている。
【０００４】
最も有望なソリューションのうちの１つは、とりわけメモリポイント間の物理的分離を許容する所謂構造化されたサポートまたは「媒体」の実装である。しかしながら、このソリューションにはやっかいな制約があり、そのうちの最も重大なものの１つが様々なポイントの反転磁場の広い分散であって、これは、具体的には磁気層を構造化するステップに起因する。
【０００５】
主たる制約は、多数のグループにより観察されている前回の２００７年度Ｉｎｔｅｒｍａｇ／ＭＭＭ会議で報告された反転磁場の広い分散の存在である。この広い分散は、これらの媒体を情報記憶に適用することを厄介にする。具体的には、Ｂ．Ｄ．Ｔｅｒｒｉｓ、Ｔ．Ｔｈｏｍｓｏｎ、Ｇ．Ｈｕ共著「将来的磁気データ記憶のためのパターン化媒体」Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔ．Ｔｅｃｈ．１３、１８９〜１９６ページ、２００７年、を参照されたい。
【０００６】
層がドットへと構築される場合、ドットの保磁場は連続層の保磁場より大きくなり、かつさらに大幅に増大されることもある。このことは、例えば、Ｏ．Ｆｒｕｃｈａｒｔ、Ｊ−Ｆ．Ｎｏｚｉeｒｅｓ、Ｗ．Ｗｅｒｎｓｄｏｒｆｅｒ、Ｄ．Ｇｉｖｏｒｄ、Ｆ．Ｒｏｕｓｓｅａｕｘ、Ｄ．Ｄｅｃａｎｉｎｉ共著の論文「面内磁化によるサブマイクロメートルサイズの極薄エピタキシャルドットの保磁力強化」フィジカル・レビュー・レターズ８２、１３０５、１９９９年、に記述されている。
【０００７】
蒸着されるＣｏ／Ｐｔ多層が連続するサポートまたは媒体を形成するための保磁場は１７０ Ｏｅであるが、前記多層が４００ｎｍｘ４００ｎｍのドットとして構築される媒体を形成するために蒸着される場合、これは１０００ Ｏｅより大きくなる。例えば、Ｓ．Ｌａｎｄｉｓ、Ｂ．Ｒｏｄｍａｃｑ、Ｂ．Ｄｉｅｎｙ共著「シリコン・ドット・アレイ上に蒸着されるＣｏ／Ｐｔ多層の磁気特性」フィジカルレビューＢ６２１２２７１、２０００年、を参照されたい。この構成において、構造化されたドットはメモリポイント自体を表し、この構造の帰結として、これらのドットの反転磁場は極大になり、かつときには書込み磁極片の飽和時における磁場より大きくなることがあって、これらの媒体の使用を厄介なものにする。
【０００８】
構造化された媒体またはサポートに関連する別の困難さは、書込み／読取りヘッドがもはや平滑な連続媒体を見ずにそのフライトを妨害する場合のある窪み及びドットの連続を見るという事実にある。この制約は、例えばドット間の空間を非磁性体で充填することに存するもの等のソリューションが考案される場合があるという意味において、先に提示したものほど重要ではない。
【０００９】
媒体自身の構造化により誘発される欠陥の中でも、とりわけ幾何学的不均一さに対応するものは、特に超高記憶密度への移行に伴ってメモリポイントのサイズがますます小さくなっていく場合、制御が極めて困難である。
【００１０】
本発明の基本的考案は、プロセスの構造化によって変更されていない記録層に情報を記録し、かつ構造化された磁気エレメントを連続層の外側に位置づけることによってメモリポイントのサイズを制御し、かつ記録用サポートの書込み処理の間にメモリポイントの磁性を変更されずに留めることにある。
【００１１】
従って、本発明は、少なくとも１つの基本磁気層を呈する少なくとも１つの構造化されない記録用サポートを備える磁気記録デバイスに関し、前記記録用サポートは前記サポートの平面に対して垂直な磁性を有する。本磁気記録デバイスは、前記サポートの平面に対して垂直な磁性と記録面の反転磁場より大きい反転磁場とを有しかつ磁気エレメントが前記記録用サポート内で双極磁場を発生するように非磁性体製の減結合層により前記記録用サポートから分離される複数の磁気エレメントを備え、前記複数の磁気エレメントは非磁性領域によって互いから離隔され、各磁気エレメントは書込みオペレーションの間に前記記録面におけるメモリポイントを画定することを特徴とする。
【００１２】
情報が格納される層はドットとして構造化されないことから、その反転磁場は構造化によって変更されず、かつ添加される磁気エレメントは、製造する双極磁場に起因して連続層のメモリポイント内に磁気領域を画定する。この双極磁場は、添加される磁気エレメントの磁性に正比例し、これは単に、何らかの製造上の欠陥によってのみ僅かに影響されるその容積のみに依存する。確かに製造上の欠陥は磁気エレメントの反転磁場を大幅に変更しがちではあるが、全ての事例において、前記反転磁場は、単層または多層の構造化されない記録用サポート内に書込みヘッドにより発生される反転磁場より大きい状態を保つことで十分である。
【００１３】
磁気エレメントにより生成される磁性はエレメント間でほとんど変わらず、これは、追加の双極磁場により誘導される反転磁場についても同様である。
【００１４】
その結果、記録面のレベルでは、反転磁場の分散が既知の構造化技術に比べて著しく縮小される。
【００１５】
磁気エレメントにより生成される双極磁場は、記録用サポートを構造化することなくメモリポイントを画定することを可能にする。非磁性体製減結合層の存在は、結果的に、記録用サポート内に磁気エレメントの磁性の重複を発生させる可能性もある交換による磁気結合を回避させ、延いては磁気エレメントの磁性を保持する間の記録用サポートの書込みを可能にする。磁気エレメントは、記録用サポートの反転磁場より大きい反転磁場を有することから、書込み処理の間にその磁性を保持する。
【００１６】
これらの特徴は、米国特許出願第２００７／０１７２７０５号の教示内容とは本質的に異なる。前記出願では、データの書込みは、おそらくは粒子間交換結合を低減するように意図される減結合材によって分離される磁性粒子から成る第１の多結晶層内で発生し、かつこの書込みは、記録する働きをしかつ連続性である第２の層へ転写される。この第２の層も同様に磁性粒子で構成され、粒子間交換結合は、第１の層よりもこの第２の層において強く、よって前記転写はこれらの２層間の交換結合によって実行される。従って、２つの異なるキュリー温度を有する２つの物質（第１の層がより高いキュリー温度を有する）を実装してデバイスをこれらの２つのキュリー温度より高く加熱し、次にこれらを段階的に冷却していく必要があり、よって、一方では、各書込みオペレーション中に記録用サポートを消去することが必要となり、他方では実装が著しく複雑化する。従って、この技術は記録層の直接的書込みを許容せず、磁性が皆無でなくてはならない記録層上での交換による転写を必要とする。
【００１７】
本発明による磁気エレメントの反転磁場は、サポートの書込み中に磁気エレメントの磁場が反転することを防止するために、記録用サポートの反転磁場の少なくとも１．１倍に等しい。これは、有利には、記録用サポートの反転磁場の２倍から２０倍まで、好適には５倍から１０倍までの範囲内である。また、２０倍を超える任意の値も考えられる。
【００１８】
記録用サポート及び／または磁気エレメントは、具体的には垂直磁性を有する合金（例えば、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ）である１つまたは複数の基本層、或いは垂直磁性を有する少なくとも２つの基本磁気層（例えば、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｆｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｃｏ）或いは例えばＣｏ／アルミナ、Ｃｏ／Ｓｉである金属と誘電体（または半導体）の交互性に関連する２つの基本層を備える、垂直磁性を有する連続層であることが可能である。
【００１９】
また、記録用サポートも多結晶材料から成ることが可能である。
【００２０】
磁気エレメントと記録用サポートは、有利には、０．５ｎｍから１５ｎｍまでの範囲内（例えば、２ｎｍ）の厚さである非磁性体製の減結合層によって分離される。
【００２１】
複数の磁気エレメントを分離する非磁性領域は、磁気エレメント間の単なる空隙であり得る。
【００２２】
有利には、非磁性充填材によって分離される磁性領域を備える、ほぼ平面である構造化された層が形成される。
【００２３】
記録用サポート及び磁気エレメントから成るアッセンブリは、具体的には、ハードディスク等の情報記憶手段の表面に配置されるように意図され、第１の好適な態様では、前記磁気エレメントが基板に接触し、第２の態様では、前記記録用サポートが前記基板に接触している。
【００２４】
また、本発明は、先に定義したもの等のデバイスを製造する方法にも関する。本方法は、構造化されない記録用サポートを形成するために磁性体による１つまたは複数の基本層を蒸着することと、磁気エレメントのアレイを、好適には非磁性体減結合層により記録用サポートから分離して製造することを実装する。
【００２５】
第１の好適な変形例によれば、本方法は、磁気エレメントまたはドットのアレイの製造が１つまたは複数の基本層の前記蒸着より前に実行され、かつ非磁性体層の蒸着を実装することを特徴とする。
【００２６】
第２の変形例によれば、本方法は、磁気エレメントまたはドットのアレイの製造が、記録用サポートを形成する１つまたは複数の層の前記蒸着の後に実行されることを特徴とする。
【００２７】
磁気エレメントのアレイを製造するために、本方法は、前記磁気エレメントを形成するように意図される場所に正孔を形成するための構造化を実装することができ、この後に、磁性体の少なくとも１つの層が蒸着され、次いで、前記層の平坦化が非磁性体まで実行される。
【００２８】
磁気エレメントの前記アレイを製造するために、本方法は、前記磁気エレメントを形成するために構造化される磁性体の１つまたは複数の層の蒸着を実装することができ、この後に、非磁性体層の蒸着が実行され、続いてその平坦化が実行される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
本発明は、図面に関連して以後の説明を読めば、より良く理解されるであろう。
【図１】書込みゾーンが垂直磁性を有しかつ構造化されていない、従来技術によるハードディスクの部分断面図を表す。
【図２】図１のハードディスクの積層図を表す。
【図３】従来技術の構造化された磁気サポートまたは媒体の積層を示す部分断面図である。
【図４ａ】ハードディスク型情報記憶手段上の本発明による磁気記録デバイスの３つの実施形態を表す。
【図４ｂ】ハードディスク型情報記憶手段上の本発明による磁気記録デバイスの３つの実施形態を表す。
【図４ｃ】ハードディスク型情報記憶手段上の本発明による磁気記録デバイスの３つの実施形態を表す。
【図５ａ】本発明による磁気エレメントによって記録用サポート内に誘導される閉じ込め現象を示す。正方形形状ドットの事例に対応する。スペーサの厚さは２ｎｍである。
【図５ｂ】本発明による磁気エレメントによって記録用サポート内に誘導される閉じ込め現象を示す。直径４００ｎｍの円形形状ドットの事例に対応する。スペーサの厚さは２ｎｍである。
【図６】本発明による磁気エレメントによって記録用サポート内に誘導される閉じ込め現象を示す。正方形形状ドットの事例に対応する。スペーサの厚さは２ｎｍである。
【図７ａ】記録用サポート及び磁気エレメントが最初に反対向きの磁化を有する事例における書込みオペレーションを示す。
【図７ｂ】記録用サポート及び磁気エレメントが最初に反対向きの磁化を有する事例における書込みオペレーションを示す。
【図８ａ】記録用サポート及び磁気エレメントが最初に同じ向きの磁化を有する事例における書込みオペレーションを示す。
【図８ｂ】記録用サポート及び磁気エレメントが最初に同じ向きの磁化を有する事例における書込みオペレーションを示す。
【図８ｃ】記録用サポート及び磁気エレメントが最初に同じ向きの磁化を有する事例における書込みオペレーションを示す。
【図９ａ】既知の書込みヘッドを使用する、本発明によるデバイス上への書込みオペレーションを示す。
【図９ｂ】既知の書込みヘッドを使用する、本発明によるデバイス上への書込みオペレーションを示す。
【図１０ａ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ｂ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ｃ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ｄ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ｅ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ｆ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ｇ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１０ａ−２】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１１ａ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１１ｂ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１１ｃ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１１ｄ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【図１１ｅ】ハードディスク基板に集積される、本発明による記録用デバイスを製造する方法の２つの変形例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は既知のタイプのハードディスクを示す。このハードディスクは、構造化されない層１０８が重ね合わされたサポート１０７を呈し、読取り／書込みヘッド１００は前記構造化されない層１０８において幅１１２を有するトラックに情報を書き込みかつ前記トラックから情報を読み取る。本ハードディスクは、書込みヘッド１０２と、スクリーン１０９に隣接する読取りヘッド１１０とを備える。図１において、Ｉｅは書込みコイル１０１を介する書込み電流を示すが、これは、書込み磁極１０２を磁化して書込み層１０８の磁性１０３の向き（層平面に対して垂直）を変える働きをする。
【００３１】
書込みのために、本デバイスは、書込みが実行される垂直磁性を有する記録層１０８（１つまたは複数の基本層を呈する）と、好適には比較的保磁力の低い層１０４とを備え、前記層１０４は、書込み磁極１０２により発生される磁場を（矢印１０５で示される）そのルートに沿って書込みヘッド１０２の反転磁極１０６へ導く。この二重層システムは、書込み層により感知される磁場の振幅を増大しかつ磁場が書込み層に対して正しく垂直であることを保証するという理由で有利である。情報ポイントの書込みは、書込み電流パルスＩｅを書込みヘッド１０２の磁極片の周りの巻線１０１を介して発信することにより発生する。
【００３２】
発生される磁場は、次に、書き込まれるべき領域の磁性を２つの方向間、即ち上下間で反転する。読取りは、読取り電流Ｉｌを読取りエレメント１１０の読取り配線１１１を介して発信し、かつ読取りヘッド１１０が上向きに配向された領域１０３１及び下向きに配向された領域１０３２を通過する時点でこれらの配線１１１の終端間に渡る電圧を読み取ることによって行われる。読取りエレメント１１０の抵抗は、事実上、それがさらされる磁場に依存する。現時点でこれは、金属スピンバルブまたは磁気トンネル接合を基礎とする積層で構築される。
【００３３】
ディスクは、図２に表されているような幾つかの層による積層を呈する。例えばＮｉＰまたは別の生成物の層で覆われたガラス、アルミニウムまたはアルミニウム合金、或いはシリコン、炭化珪素または平滑な表面を呈する他の任意の物質（プラスチック、樹脂、ポリカーボネートなど製の基板）から成ってもよいハードディスク固有の基板１６上には、例えばサブレイヤ１０４で始まる幾つかの層が蒸着される。サブレイヤ１０４は、概して（保磁力が低い）軟強磁性体から成るが、例えばイナムラにより米国特許出願第２００７／０１２４７４９号において提案されているようなフェリ磁性体等の他の物質から成る場合もある。またこれは、非磁性体（例えば、ルテニウム、イリジウム、クロムなど）の１層を囲む例えば２層の軟強磁性体等の幾つかの基本層から成る場合もあり、前記非磁性体の１層は、漏れ磁場を低減するためにこれらの２つの磁気層を反強磁的に結合する。このタイプの二重層は、例えば、米国特許出願第２００３／００２２０２３号（Ｃａｒｒｅｙ）及び米国特許第６，６８６，０７０号（フタモト）に記述されている。このサブレイヤまたはこれらのサブレイヤの磁気層は、概して、合金ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏＢ、ＣｏＴａＺｒなどの非晶質透過性磁性体から成る。
【００３４】
サブレイヤ１０４は、概して、５０ｎｍから４００ｎｍまでの範囲内の厚さを有する。
【００３５】
このサブレイヤ１０４上へは、この後、中間層１４及び記録層１０８のサブレイヤ１３が蒸着される。２つの層１４及び１３の目的は、共に、サブレイヤ１０４と記録層１０８との交換による結合を防止して記録層の成長を促進することにある。中間層１４は、コンパクトな六角形または面心立方構造の非晶質物質または結晶質物質、例えばＮｉＦｅまたはＣｕＮｂ等のＮｉまたはＣｕの合金、から成ってもよい。
【００３６】
サブレイヤ１３は、例えばＲｕまたはＲｕ合金から成ってもよい。
【００３７】
記録層１０８は、例えば粒状ＣｏＰｔＣｒ合金等の垂直磁性を有する磁性体から成る。またこれは、例えばＣｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ、Ｆｅ／Ｐｔなどの垂直磁性を有する幾つかの磁気基本層から成ってもよい。
【００３８】
記録層１０８の上に重なるスーパーレイヤ１１は、概して（拡大図における下から上へ）記録層１０８へ付着される保護層１１１、次に潤滑層１１２から成る。保護層１１１は、概して、例えばスパッタリングまたは化学気相成長法（ＣＶＤ）により蒸着される主として炭素から成り、かつ潤滑層１１２は、例えばパーフルオロポリエーテルである潤滑液から成る。
【００３９】
構造化された媒体を有するこの既知のデバイスでは、記録層１０８はもはや連続性ではない。これは、構造化された層によって置換される。
【００４０】
図３は、ある例示的な構造化された媒体を提示している。
【００４１】
図中に描かれているのは、先に述べた層１０４、１４、１３及び１１であり、一方で記録層は、複数の磁性体部分２１を備える構造化された層１０８’から成る。これらの磁性体部分２１は、層１０８’の平面に対して垂直である磁性２３を有し、かつ非磁性体２２によって分離される。磁性体部分２１は、構造化された層１０８’の概して断面が正方形または円形であるメモリポイントを構成する。
【００４２】
本発明によれば、記録は重畳された２つのゾーンまたは層によって、即ち情報が格納される構造化されていない磁気サポートによって実行され、１つの層は磁気エレメントのアレイを備える。これらの２層は、スペーサを形成しかつ磁気エレメントと構造化されていない磁気サポートとの直接結合を回避することがその機能である非磁性層によって分離され、よって、磁気サポートは磁気エレメントにより発生される双極磁場にさらされる。
【００４３】
磁気エレメントまたはドットと記録用サポートとの間に非磁性のスペーシング層が存在していなければ、直接結合が存在する（かつ双極磁場を介する結合は存在しない）ことになり、その特性は完全に異なったものになると思われる。
【００４４】
このような直接結合は、実際に、本発明による双極子結合よりエネルギーが遙かに大きい交換による結合、及び記録用サポート層における磁気エレメントの磁場配位の複製を誘発する。よって、磁気エレメントの向き及び磁性が固定されていれば、磁気エレメントの磁性の向きを変更しない限りその磁気エレメントに隣接する連続層の磁性を変えることは不可能であることから、前記複製はもはやその役割を果たし得ない。
【００４５】
Ｔ．ナガハマ及び共同研究者著「ＣｏＳｍピンニングパッドを有するＮｉＦｅワイヤによる磁気領域の電気抵抗」（応用物理学ジャーナル、８７、５６４８ページ以下参照）に記述されているこのようなシステムは、磁気サポート内で磁気記録を行うことを可能にしない。
【００４６】
スペーサにより分離されるこれらの２層によるアッセンブリは、例えばハードディスク等の情報記憶手段の基板上へ配置されることが可能な記録用デバイスを形成する。これらの２層の各々は、基本層による積層から成ることが可能である。
【００４７】
図４ａから図４ｃまでは、前記記録用デバイスを備える積層の例である。これらの３事例において、記録用デバイス１２、１２’及び１２”は２つのエレメント、即ち１つ／または複数の基本層を呈する構造化されない記録用サポート４３、及び複数の磁気エレメントまたはドット４６を分離する非磁性部分４１または４１’を備える構造化された層４０から成り、矢印４２で表される磁気エレメントまたはドット４６の磁性は、情報が書き込まれる記録用サポート４３内の領域を捕捉する双極磁場を放射するように層４０の平面に対して垂直である。層４３において、矢印４４は２つの情報ポイント間の磁性（下向き）を表し、矢印４５及び４５’は、上向きに配向された情報ポイントの磁性（矢印４５）及び事実上下向きに配向された情報ポイントの磁性（矢印４５’）を表す。
【００４８】
記録用サポート４３と構造化された層４０は、非磁性層４７から成るスペーサによって分離される。図４ａでは、記録用デバイスは１２で示され、かつ構造化された層４０は情報サポート４３より下に位置づけられているが、図４ｂでは、記録用デバイスが１２’で示され、かつ構造化された層４０は情報サポート４３より上に位置づけられている。図４ｃ（記録用デバイス１２”）は、構造化された層内の２つの磁気エレメント４６を分離するスペース４１’が空であり、同時にスーパーレイヤ１１が省かれるという事実によって図４ｂとは異なる。
【００４９】
非磁性層４７の機能は、２つの磁気層４０及び４３間の交換による直接的な磁気結合を防止することにある。これは、金属（例えば、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｕなど）である可能性もあれば、非金属（例えば、ＡｌｘＯｙ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２などの酸化物）である可能性もある。その厚さは、例えば０．５ｎｍから１５ｎｍまでの範囲内、特には１ｎｍから１０ｎｍまでの範囲内であり、例えばほぼ２ｎｍに等しい。
【００５０】
情報は、構造化プロセスによって変更されていない磁気サポート４３上に記録され、メモリポイントのサイズは、磁気記録用サポートの外部にある構造化された磁気エレメントによって制御される。従って、反転プロセス、延いては反転磁場が欠陥の存在に対して高感受性であるとしても、欠陥は概して点状または小さい空間的広がりである。従って、磁気エレメントの磁性は、欠陥が存在するとしても、これらの欠陥の存在によってほとんど変更されない。従って、メモリポイントの画定にとって重要であるこの磁性は、どのナノ構造体でもほぼ同じである。以下、図５ａから図８ｃまでに関連して、これについて説明する。
【００５１】
図５ａは、垂直磁性を有する正方形断面４６の磁気エレメントによって、厚さ２ｎｍのスペーサ４７に対してこのエレメントに一致して垂直に発生される双極磁場の計算された形を表す（ラベル３）。参照数字１は、エレメント４６内の磁性の方向、この場合はエレメント４６に対して垂直でありかつ上向きの方向を示す。磁場３は２つの局所極大、即ちプラス側の３２、３３及びマイナス側の３１、３４と、３２と３３との間のプラトー域３５とを示している。
【００５２】
円形形状のドットの場合（図５ｂ）、放射磁場の形状はほとんど変更されない。
【００５３】
この誘起磁場の形状は、磁気エレメント４６のサイズにほとんど依存しない。
【００５４】
次に、垂直磁性を有する構造化されていない層について考察する。当初、この層の磁性は下向きに配向される。
【００５５】
情報を書き込むために、この磁性は、局所的に上向きに反転される。よって、書込みヘッドの作用によって核状にされる領域は、その平衡サイズを達成するまで広がる。前記平衡サイズは、概して大きすぎて超高記録密度に適合しない。例えば、垂直磁性Ｐｔ１．８ｎｍ／（Ｃｏ０．５ｎｍ／Ｐｔ１．８ｎｍ）４を有する多層、言い換えれば、バッファ層としての１．８ｎｍのＰｔによる基本層及び０．５ｎｍのＣｏ及び１．８ｎｍのＰｔによる２つの基本層の４倍の複製は、１μｍより大きいサイズの平衡領域を有する（Ｓ．Ｌａｎｄｉｓ、Ｂ．Ｒｏｄｍａｃｑ、Ｂ．Ｄｉｅｎｙ共著「シリコン・ドット・アレイ上に蒸着されるＣｏ／Ｐｔ多層の磁気特性」フィジカルレビューＢ６２、１２２７１−１２２８１（２０００年）参照）。
【００５６】
次に、図５に表示されているような磁性１を有する磁気エレメント４６はこの層４３上に、または層４３の下に、例えば図６に表示されるように層４３の下に置かれる。このエレメント４６は、連続する層４３の反転磁場より高い（少なくとも１．１倍は高い）反転磁場を有し、よってその磁性は、連続層４３を書き込むためのプロセスの間に反転しない。参照数字２５は、エレメント４６の左側の磁気層４３の磁性を示し、参照数字２６はエレメント４６上の磁性、及び参照数字２７はエレメント４６の右側の磁性を示す。曲線３は、エレメント４６によりこのエレメントに沿って垂直に放射される磁場の計算された形を示し、点線１９はエレメント４６に垂直に隣接する。
【００５７】
ある領域がエレメント上で局所的に下向きから上向きに反転されると、これは、エレメント４６の縁の垂直線の近傍に達するまで広がり、ここで、エレメント４６により放射される磁場は前記領域の壁をエネルギー的に安定させる（上向きの磁性２６は正の放射磁場にさらされ、一方でドット４６の垂直線の左側及び右側の下向きの磁性２５または２７は負の放射磁場にさらされる）。従って、前記領域はその拡大を停止し、かつ情報（反転された磁性２６）は、線１９に隣接する領域２８においてエレメント４６に沿って垂直に閉じ込められる。
【００５８】
書込みの瞬間における磁気領域のこの捕捉は、エレメント４６により放射される磁場に起因し、換言すれば、どのエレメント４６もさほど相違しないことが観察されているこのエレメント４６の磁性に起因する。さらに、連続性の（または多結晶の）磁気層４３は構造化によって損傷されない。従って、様々なメモリポイントの反転は、これらが極めて類似する反転磁場を有することに起因してサポートの表面全体で再生可能である。
【００５９】
図６において、連続層４３は、下向きに配向された垂直の初期磁性を有している。この磁性の向きは、従来の書込みヘッドによってエレメント４６上で局所的に反転される。この領域は、このエレメント４６により放射される磁場によって捕捉されることから、エレメント４６に沿って垂直に広がり、領域２８の外側へ広がらない。反転磁場による書込みは、初期状態（領域２８における下向きの磁性）を復元することを可能にする。
【００６０】
書込みプロセスの例：
複数の磁気エレメント４６は同じ向きの磁性を有し、この向きは書込みプロセスにおいて変わらない。例えばこの目的に関しては、磁気エレメント４６のこれらの反転磁場が層の反転磁場より強いことで足りる。
【００６１】
開始コンフィギュレーションとしては、次の２つを考えることができる。
【００６２】
１）非磁性層４７によって分離される構造化されていない層４３及びエレメント４６の磁性は反対向きである（図７ａ及び図７ｂ）。
【００６３】
初期状態（図７ａ）は、層が、全てが同じ向きの磁性を有する複数の磁気エレメント４６とは逆向きに磁化されている状態である。図７ｂでは、メモリポイント３５がエレメント４６の上で書き込まれている。メモリポイントを書き込むためのオペレーションは、書込みヘッドで磁化領域を核状にすることに存する。磁化領域は、移動し続けるためには磁壁が追加のエネルギーを必要とするドット４６の端の垂直線の近傍まで広がる。従って、メモリポイント３５は、反転された磁化領域内で磁気エレメント４６上に、エレメント４６に沿って垂直に閉じ込められる。この領域３５は、書き込まれるメモリポイントを構成する。
【００６４】
このメモリポイントの再書込み、換言すれば、磁性３５の上から下への反転を希望する場合は、書込みヘッドによってエレメント４６上へ、このエレメント上の磁性を反転する磁場が印加される。この印加は、印加される磁場の向き（図７ａの事例では上向き）における磁化領域の核生成及びこれに続くその広がり、またはより高い可能性としてエネルギー上の理由により領域３５の「爆縮」の何れかによって行われる。具体的には、エレメント４６の外側に位置づけられる領域は、印加される磁場の向きにその磁性を有し、かつエネルギー的に有利である。これは成長してエレメント４６の下に浸透し、領域３５のサイズを縮小して最後には「爆縮」によってこれを消滅させる。この向きに書き込みを行う際には、磁気エレメント４６の作用の下での閉じ込め現象は発生しない。
【００６５】
２）非磁性層４７によって分離される構造化されていない層４３及びエレメント４６の磁性は同じ向きである（図８ａから図８ｃ）。
【００６６】
書込みヘッドが使用される場合、反転磁化領域の配向の磁気エレメント４６に沿った垂直の並べ替えが許容され、この領域が広がる。この場合、磁性の向きは磁気エレメント４６によって領域の壁が安定化されない類のものであることから、前記領域は磁気エレメント４６の垂直線の近傍の外側へ広がることができる。一方で、この領域が隣接するエレメント４６の垂直線の近傍に達すると、図８ｂに表示されているように壁は安定化され、領域は拡大を止める。従って、書込み領域４５はドット４６の垂直線から張り出す。このメモリポイントを今度はその向きを下から上へ変えて再度書き込もうとする場合、領域はこの同じエレメント４６に沿って垂直に核状にされ、かつこの領域は、前記エレメントの垂直線の近傍に達するまで広がる。これは事実上、図７ａ及び図７ｂに記述されている状況に至る。従って、メモリポイントは、ドット４６に沿って垂直に閉じ込められた領域４５’内で書き込まれる（図８ｃ）。よって、これに続くこのメモリポイントの書込みは、図７ａ及び図７ｂに記述されたプロセスに類似する。従って、磁壁は磁気エレメント（またはドット）の端の垂直線の近傍において安定化され、この後、図７ｂの状況が成立する。
【００６７】
図９ａ及び図９ｂは、本発明による２例の媒体、即ち一方の構造化された層４０が情報キャリア層４３の下である媒体（図９ａ）、及び他方のこの構造化された層４０が上である媒体（図９ｂ）上で標準的な垂直書込みヘッドを使用する書込みプロセスを示す。書込みヘッドは、書込み磁極片５３と、書込み磁極５２と、磁場反転磁極５４とを呈する。図２、図３及び図４ａから図４ｃまでの場合と同様に、任意選択のサブレイヤ１０４は磁場を反転磁極へ向かって導くことを可能にする。矢印５１は、下側の領域が書き込まれる事例におけるこの層の磁性を表す。
【００６８】
これらの媒体の書込みは、より従来的な媒体のそれと同一であり、かつ垂直記録に一般的に使用されるものと同じ書込みヘッド５０及び磁場レベルで実行されることが可能である。図９ａは、構造化された層４０が情報キャリア層４３より下に位置づけられた事例における下側領域の書込みの略図を表し、一方で図９ｂは、これが上側に位置づけられた事例を示す。磁気エレメントまたはドットの磁性は、書込みヘッドにより放射される磁場によって影響されない（本図の事例では、上向きのままである）。書込み磁極５２は、磁極片５３の周囲の巻線（本図には示されていない）を流れる電流によって下向きに磁化される。これは、好適にはサブレイヤ１０４を介して反転磁極上で閉じる磁場を発生する。情報キャリア層４３はこの磁場にさらされ、前記磁場が層４３の反転磁場より大きければ（書込みプロセスにおいて）その磁性は反転し、メモリポイントが書き込まれる。反転磁極５４は書込み磁極より遙かに大きいサイズを有し、よって反転磁極の下におけるその磁場は遙かに弱く（磁束
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が保全される）、反転磁極５４の下に位置づけられるメモリポイントは反転しない。これは、最新の垂直記録に適合する。
【００６９】
しかしながら、相違点も留意されるべきである。即ち、メモリポイントに加えられる磁場は、書込みヘッドの書込み磁極５２により放射される（かつサブレイヤ１０４によって閉止される、または閉止されない）磁場と、磁気エレメント４６により放射される磁場との和である。
【００７０】
従って、例えば、磁気エレメント４６内の磁場が図９ａ及び図９ｂにおけるように上向きに配向されていれば、メモリポイントの磁性を下から上へ反転するために必要な磁場はＨｒ−Ｈｓに等しく、一方でこれを上から下へ反転するために必要な磁場は−Ｈｒ−Ｈｓに等しい。但し、Ｈｒはメモリポイントの磁性を反転するために印加されるべき正の磁場であり（本例では、下から上及び上から下に反転するためのこの磁場は同じであったとされていて、概してこれが実情である）、Ｈｓはドット上の上向きの磁化エレメントによって放射される正の磁場である。
【００７１】
また、本発明による記録用デバイス（記録用サポート４３及び磁気エレメント４６）を必要に応じてサブレイヤ１０４なしの積層内でも使用できることが留意される場合もある。この場合は、積層がより単純になる。例えば、記録用デバイス（記録用サポート４３及び層４０）は、（先に述べたものと同じ材料による）ハードディスク基板上へ直に蒸着されることができる。次には、サポート４３の書込みを先に指示した方法で行うことができる。
【００７２】
全ての事例において、読取りは、垂直媒体の読取りの場合と同じ方法で、即ち磁気抵抗エレメントによって、金属スピンバルブまたは現時点では磁気トンネル接合を基礎として行われる。
【００７３】
ヘッドは、磁性が上向きであるか、下向きであるかに依存してメモリポイントを読み取る。本発明の場合、メモリポイントにより放射される磁場は、磁気エレメント４６により発生される磁場によって補われる。しかしながら、磁気エレメント４６はその磁性を不変に保ち、かつ一方ではこの構造に対する読取りヘッドの高さは不変であることから、エレメント４６により放射されてメモリポイントにより放射される磁場に追加される磁場は、単に（例えば予め測定すること、または計算することによって）認識するには十分である一定シフトとして作用するに過ぎない。
【００７４】
本発明によるデバイスの製造プロセスは、当業者には既知である技術を実装する。
【００７５】
構造化された層の製造は、非磁性部分４１または４１’により分離される画定された輪郭の磁気エレメントを達成することを可能にする。
【００７６】
構造化された層が情報キャリア層より上に置かれるか、下に置かれるかに依存して、２つの製造例を図１０ａ及び図１０ｂに示す。
【００７７】
超高記録密度は、１テラビット／平方インチ以上に相当する。１テラビット／平方インチは、２５ｎｍｘ２５ｎｍの大きさ、即ち、例えばその隣接するメモリポイントから距離５ｎｍで分離される２０ｎｍｘ２０ｎｍのメモリポイントを含意する。
【００７８】
非磁性部分４１または４１’の幅は、実際には、２ｎｍから２０ｎｍまでの範囲内であるように選択されることが可能である。この幅は、好適には、隣接する磁気エレメント間の交換結合を回避するように選ばれる。
【００７９】
構造化された層４０のこの規模での構造化は、現時点では、電子リソグラフィまたはナノ印刷及びこれに続く例えば反応性乾式エッチングステップによるエッチングによって達成することができる。
【００８０】
図１０ａから図１０ｇまでは、磁気ドット４６を呈する構造化された層４０が情報キャリア層４３より上に位置づけられる事例に対応している。この第１の事例において、積層は、例えばスパッタリングによる蒸着によって、図中に表示されていないハードディスクの基板１６（図２参照）上へ製造され、即ち、「磁気的に軟らかい」サブレイヤ１０４、中間層１４、記録層への任意選択のサブレイヤ１３、情報サポート層４３、任意選択の非磁性分離層４７、続いて最後にドット４６として構築される磁気層４８が次々に蒸着される。層４３及び４８の材料は、垂直磁性を有し既知の任意方法（スパッタリング、気化、電気化学的蒸着など）で蒸着され得るものである。この第１のステップは、磁気層を構造化することに存する。このオペレーションは、例えば自らを構造化するために暴露される感光性または電気感光性の樹脂５０を広げることによって、或いはナノ印刷方法により構造化されるポリマーまたは樹脂５０（図１０ｂ）を蒸着することによって実行されることが可能である。図１０ｃは、構造化の結果５０’を表す。このパターンは、この後、エッチングにより、例えばイオンビーム乾式エッチングまたは反応性乾式エッチングにより磁気層４６に転写される（図１０ｄ）。この構造は、この後、例えばＳｉＯ２または別の誘電性或いは非磁性金属である非磁性体５１で覆われる（図１０ｅ）。例えば電子工業分野で周知の化学機械的平坦化法を使用する平坦化ステップは、非磁性体４１により分離されかつ最終的に上にスーパーレイヤ１１を蒸着することができる（図１０ｇ）磁気ドット４６のアレイを呈する構造化された層４０（図１０ｆ）を達成することを可能にする。
【００８１】
図１０ａ’及び図１０ｄ’に表示される変形例は、積層を中間層４７まで蒸着することに存する。以後、この磁気構造体（図１０ｄ’）はもはやエッチングによっては達成されず、直接蒸着によって、例えば露光樹脂またはポリマーを使用する所謂「リフトオフ」法、及びこれに続くナノ印刷によって達成される。本方法の他のステップは同一である。
【００８２】
構造化された層４０が情報サポート層４３より下に位置づけられる好適な変形例（図１１ａから図１１ｅまで）において、実装は、先の事例の場合と同様に、ハードディスクの基板１６（図示せず）上へ層１０４、１４及び１３を蒸着することである可能性がある。
【００８３】
次に、非磁性層５１’が蒸着される（図１１ａ）。これは次に、図１０ｃ及び図１０ｄを達成することを可能にした技術と同じ技術によって、ドット４６の場所に正孔を製造しかつ保全された非磁性体４１を形成すべく構造化される（図１１ｂ）。次に、この構造体上に磁性体４８’が蒸着される（図１１ｃ）。先に説明したものと同一である平坦化ステップは、非磁性体４１により分離された磁気ドット４６のアレイから成る構造化された層４０を達成することを可能にする（図１１ｄ）。層４０上には、この後、情報サポート層４３及び任意選択のスーパーレイヤ１１を蒸着することができる。この２つの変形例の各々について、磁気ドットを、ドットを直接的に構造化することによって、或いはドットの今後の場所に正孔を製造すべく非磁性層を構造化することによって等しく十分に製造できることは理解されるであろう。
【００８４】
また、組織化された磁性ナノ構造体の組織化された蒸着を、例えばＢ．Ｄ．Ｔｅｒｒｉｓ、Ｔ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ共著「データ格納媒体としてのナノ製造及び自己集合式磁気構造体」Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ：応用物理学３８（２００５年）、１９９〜２２２ページ、に記述されている技術に従った物理的及び／または化学的処理によって実行することも可能である。この蒸着に続いて、非磁性体の層５１を蒸着し、続いてその平坦化を行うことができる。
【００８５】
記録用デバイスは、機能が異なる２つの「層」、即ち一方では１つまたは複数の基本層を呈する記録用サポートであって、情報を伝送しかつ好適には、ポイントの反転磁場が長すぎることなく例えば（熱的揺らぎに直面して）１０年の持続時間を超えて情報を保持するに足る異方性を有する層と、他方では、構造化された層内に分散されかつメモリポイントを画定する領域を閉じ込める磁場を製造する磁気エレメントである層とから成る。
【００８６】
情報キャリア層４３の反転磁場及び書込みヘッドによって与えることを望む磁場に依存して、ドット４６の１つまたは複数の構成エレメントは、例えば飽和時の磁性の値を最適化するように適合化されることが可能である。
【００８７】
具体的には、記録層４３を構成する物質及びドット４６を構成する物質は、まさしく記録層４３及びドット４６の厚さと同様に全く異なるものであることが可能であり、よって、独立して最適化されることが可能である。層４３とドット４６は、事実上、ドット４６によって製造される、メモリポイントを閉じ込める働きをする双極磁場によってのみ結合される。
【００８８】
別の重要な点は、構造化を伴わない従来技術は粒子が減結合される多結晶媒体を使用し、情報ポイントは数百もの粒子を占有することにある。一般的な構造化された媒体の事例、かつ具体的には本発明による事例では、メモリポイント間の分離が物理的であって、層４３の外側に位置づけられるドット４６の構造化によって与えられることから、この層はもはや多結晶である必要がない。従って、１つまたは複数の連続する基本層を呈する連続層を採用することが可能である。
【００８９】
例：
層４３及びドット４６は、Ｃｏ／Ｐｔ二重層の積層で形成され、その反復回数は、連続するストレージ層の反転磁場より大きいドットの反転磁場を達成するように選ばれている。構造化された層のドット４６は、０．６ｎｍのＣｏである基本層と１．８ｎｍのＰｔである基本層とを備える基本二重層の連続する４つの積層（即ち、合計８層）で構成される。
【００９０】
分離層４７は、厚さが、層４３内でエレメント４６によって生成される磁場を最適化するように選ばれる、例えば厚さ２ｎｍの白金である。
【００９１】
連続層が、基本二重層の積層のドットと同様に４回反復される０．６ｎｍのＣｏと１．８ｎｍのＰｔとから成れば、層４３の反転磁場は０．０６Ｔであり、ドットのそれは少なくとも０．４Ｔに等しく、換言すれば、ドット４６の反転磁場は層４３の反転磁場の少なくとも７倍に等しい。実際に、ドットへの構造化は連続層に比べて反転磁場を大幅に増大し、かつこの反転磁場の値はドットが小さいほどさらに増大することは留意される。
【００９２】
ドット４６が２００ｎｍであって、分離層４７が厚さ２ｎｍのＰｔで製造される場合、ドットに隣接する連続層４３上へ放射される双極磁場は最大値０．０５Ｔを有し（図５ａにおける３２及び３３）、かつプラトー域３５ではほぼ０．０１５Ｔに等しい値を有する。この双極磁場の値は、分離層４７の厚さを修正することによって調整が可能である。この厚さが増大するほど、連続層４３上に放射される双極磁場は低減する。
【００９３】
層４３及び／またはドット４６は、垂直磁性を有する任意の多層、例えばＣｏＰｔ、Ｃｏ／Ｐｄ、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｆｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｃｏなどから成ることが可能である。
【００９４】
また層４３及び／またはドット４６は、金属製及び誘電体または半導体製の基本層間で交互する多層、例えばＣｏ／アルミナ、Ｃｏ／シリコンなどに基づく多層から成ってもよい。
【００９５】
また層４３及び／またはドット４６は、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔなどの垂直磁性合金、或いはＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＣｏなどのように遷移金属及び希土類を含む合金から成ってもよい。
【００９６】
記録用サポート（４３）及び磁気エレメント（４６）の同じ向きの磁性を保証するためには、デバイスを磁気エレメント４６の反転磁場より大きい強力な磁場にさらすことが可能である。記録用サポート４３が磁気エレメント４６の向きとは逆の方向性を有することが望まれる場合には、デバイスを記録用サポート４３の反転磁場より大きいが磁気エレメント４６の反転磁場より小さい強さの磁場にさらすだけで足りる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０ａ】
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【図１０ａ−２】
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【図１０ｂ】
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【図１０ｃ】
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【図１０ｄ】
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【図１０ｅ】
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【図１０ｆ】
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【図１０ｇ】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１１ｃ】
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【図１１ｄ】
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【図１１ｅ】
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