(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射の検出器であって、反射金属層で覆われた基板（１０、１２、１４）と、前記放射に感応し、前記基板（１０、１２、１４）の上に懸架されたボロメータ薄膜（１６、１８、２０）を備える少なくとも１つの検出素子とを備え、前記薄膜はボロメータ材料と層の抵抗値が平方当たり３００オームから平方当たり４００オームの間である金属層とを備えており、前記基板および／または前記薄膜が、
・四分の一波長のギャップを第１の波長範囲に形成して、各々の四分の一波長のギャップが前記第１の波長範囲におけるメインピークと、前記第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲における二次ピークとを規定し、
・前記第２の波長範囲における検出器の応答が四分の一波長のギャップの二次ピークの変化よりも小さな変化をもつように、前記第２の波長範囲における各々の四分の一波長のギャップの寄与を調整する、
所定の空間分布に応じた三次元モチーフ（３０、３２）を有することを特徴とする電磁放射検出器。
【請求項２】
前記薄膜と前記基板とが部分的にほぼ平行であることを特徴とする請求項１に記載の電磁放射検出器。
【請求項３】
前記薄膜と前記基板との間の距離が少なくとも第１および第２の所定値（Ｄ１、Ｄ２）の間に分布することを特徴とする請求項２に記載の電磁放射検出器。
【請求項４】
前記薄膜と前記基板との間の様々な距離の値に対応する表面積が同一であるか、または異なっていることを特徴とする請求項２または３に記載の電磁放射検出器。
【請求項５】
前記薄膜が赤外線放射への露出により生ずる温度変化に感応するボロメータ材料を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁放射検出器。
【請求項６】
前記薄膜が３ミクロンから１４ミクロンの波長に感応することを特徴とする請求項５に記載の電磁放射検出器。
【請求項７】
前記第１および第２の距離の値がそれぞれほぼ３ミクロンと２ミクロンに等しいことを特徴とする請求項３に記載の電磁放射検出器。
【請求項８】
前記第１の距離によって基板から離隔された前記薄膜の面積の、前記第２の距離によって基板から離隔された前記薄膜の面積に対する比率が３５％と６５％の間にあることを特徴とする請求項７に記載の電磁放射検出器。
【請求項９】
前記三次元モチーフ（３０、３２）が反復的であり、それらの反復ステップが４ミクロン以下であることを特徴とする請求項５から８のいずれか一項に記載の電磁放射検出器。
【請求項１０】
前記薄膜がボロメータ薄膜であって３ミクロンから１４ミクロンの波長に感応し、前記所定の空間分布が、８から１４μｍの第１の波長範囲の前記放射を増幅するように、また、３から５μｍの第２の波長範囲の放射に対する前記検出器の応答の変化の相対的な増幅を、前記第２の波長範囲の前記放射を増幅するように共振空洞を画定することなく、最小限にするように、四分の一波長空洞を画定することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電磁放射検出器。
【請求項１１】
放射に感応する少なくとも１つの検出素子の、反射金属層で覆われた基板（１０、１２、１４）とボロメータ薄膜（１６、１８、２０）とを形成するステップであって、前記薄膜はボロメータ材料と層の抵抗値が平方当たり３００オームから平方当たり４００オームの間である金属層とを備えている、ステップと、前記基板の上に前記薄膜を懸架させるステップとを含むタイプの電磁放射検出器の製造方法であって、
前記基板および前記薄膜の形成ステップは、前記基板（１０、１２、１４）と前記薄膜（１６、１８、２０）との間の距離が、
・四分の一波長のギャップを第１の波長範囲に形成して、各々の四分の一波長のギャップが前記第１の波長範囲におけるメインピークと、前記第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲における二次ピークとを規定するようにし、
・前記第２の波長範囲における検出器の応答が四分の一波長のギャップの二次ピークの変化よりも小さな変化をもつように、前記第２の波長範囲における各々の四分の一波長のギャップの寄与を調整する、
ように、前記基板および／または前記薄膜内に三次元モチーフ（３０、３２）を作成するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記薄膜がボロメータ薄膜であって３ミクロンから１４ミクロンの波長に感応し、前記所定の空間分布が、８から１４μｍの第１の波長範囲の前記放射を増幅するように、また、３から５μｍの第２の波長範囲の放射に対する前記検出器の応答の変化の相対的な増幅を、前記第２の波長範囲の前記放射を増幅するように共振空洞を画定することなく、最小限にするように、四分の一波長空洞を画定することを特徴とする請求項１１に記載の電磁放射検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は撮像の分野に関する。本発明は特に、赤外線撮像およびボロメータによる高温測定の分野に関する。
【０００２】
より具体的には、本発明は反射基板と、電磁放射に感応する、基板上の懸架薄膜を備える少なくとも１つの検出素子とを備える検出器に関する。
【背景技術】
【０００３】
ボロメータ検出器は、懸架薄膜と一体型の感応素子のマトリクス配列を備える検出器の範疇に属する。これらの一体型の素子は各々、所定の波長範囲の電磁放射を吸収するようにされ、抵抗性加熱構造によって反射基板の上で懸架状態が保たれている薄膜を備え、これにより放射の作用による一体型の素子の加熱および一体型の素子の基板との電気的接続が可能となる。
【０００４】
本発明の文脈では、基板は薄膜の真下に位置する物理的な構成要素を意味する。一般に、基板は、構造基板を覆う不活性化層と、不活性化層を覆う反射層とから電子読取り回路が内部に作製される、いわゆる「構造」基板を含む。
【０００５】
ボロメータ検出器の場合は、薄膜は、その抵抗値が温度と共に変化する材料であるボロメータ材料を含む。次いで、基板上に作製された電子読取り回路によって、温度変化の作用によるボロメータ材料の抵抗値の変化が検出される。
【０００６】
薄膜および基板は一般に、基本的に平坦な形状に設計され、双方の間に四分の一波長のギャップが形成されるように所定距離を隔てて互いに平行に配置される。この四分の一波長のギャップには、対象の波長範囲での共振メカニズムにより検出器の応答性を最適なものにする効果がある。
【０００７】
したがって、８ミクロンから１４ミクロンの間の波長を有する放射である、周囲温度での熱赤外線放射の観測用のボロメータ検出器の場合は、薄膜と基板との距離は約２．５ミクロンに調整される。次いで、図１の曲線Ａで示すように、放射波長に対するボロメータ検出器の応答が検出される。
【０００８】
共振空洞を形成するために反射基板の上に懸架された薄膜を有するこのタイプの検出器の場合、応答性はより高次の干渉に対応する二次ピークをも有することを観察することが重要である。典型的には、前記のボロメータ検出器の場合は、狭い二次ピークが観察されるが、前述の図１の曲線Ａに示すように、高さは高く、約２．５ミクロンである。
【０００９】
しかし、このタイプの検出器の場合は、二次ピーク（１つまたは複数）が狭いことから、ピーク間の検出器の応答性は、適正に使用するには弱すぎる。
【００１０】
このタイプのセンサの検出範囲を広げるための第１のアプローチは、各々が所与の波長範囲に感応する２種類の並置、または重複された検出器構造体を使用することにある。このタイプの検出器は、特に重複構造体の場合は製造が複雑である。その上、単位表面積当たり２倍の数の感応素子を備えなければならないため、このような検出器は必然的に解像度が低下する。
【００１１】
検出範囲を拡大するための第２のアプローチは、センサの応答性に二次ピークが存在することを利用することにある。しかし、特にユーザーが例えば精密な波長に関心を集中している場合（典型的には大気汚染物質の検出の場合）を考えると、この波長はおそらく感度ピークの側にあり、その場合は同じマトリクス検出器の１つの感応ポイントから次の感応ポイントへの、および種々の検出器間の感度スペクトルの僅かな歪みによって、この波長での信号の大幅な変化が生ずるので、このアプローチは実施することが困難である。
【００１２】
このように、関心対象の波長がピーク側にある場合は、ばらつきは通常、極めて高い。したがって、この観点から検出器は不正確である。
【００１３】
したがって、メインピークよりも下の広い波長範囲での検出は、１つの検出器から別の検出器へのばらつき、および所与の検出器内でのばらつきがあるので再現性がない。
【００１４】
さらに、ユーザーが極めて狭い波長範囲に関心を集中している場合も、メインピークおよび二次ピーク外の検出器の応答性は概して弱い。したがって、ピークから離隔した波長範囲での検出器の使用は困難であり、実のところ不可能である。
【００１５】
その上、二次ピークの使用は多くの場合、バイスペクトル検出値を取得することにある。実際に、８ミクロンと１４ミクロンの間で感度を持ちつつ、３ミクロンと５ミクロンの間で高い全体の感度が必要とされ、それによりバイスペクトル検出を構成する場合を考えると、ここで困難であるのは、観察される場面のスペクトル特性によって、検出器の応答性のスペクトルが３ミクロンから５ミクロンの範囲の固有の可変性を有していることによって、この範囲での検出器に広いばらつきが生ずることである。したがって、ピークでの場面から発せられる波長を促進させるフィルタ効果が存在し、このフィルタ効果は、ピーク間の谷での場面によって発せられる波長を減衰する。したがって検出器の応答性は、場面の熱特性を比較的表現しない。この応答性は検出器間、および同じ検出器の表面上でもばらつきがある。
【００１６】
四分の一波長のギャップによって共振が得られるボロメータ検出器のさらに特異的な場合は、第３のアプローチによって、メイン共振ピークを使用して中赤外線で、すなわち波長が３ミクロンと５ミクロンの間の赤外線で最適な検出を得るための試みも行われてきた。このアプローチは、図１の曲線Ｂに示す検出器からの応答を得るために、各々の感応素子の薄膜と基板との間にこのような放射専用の四分の一波長のギャップを形成することによるものである。
【００１７】
したがって、このことはサブミクロンの四分の一波長のギャップ、ひいては感応素子から懸架された薄膜と基板との間の１ミクロン未満の最大距離を用いることを意味している。実際には、十分の一ミクロン未満の精度で調整する必要があるので、このような距離を実現することは困難である。実際に、薄膜と基板との間の距離の０．１ミクロンの誤差が応答性の約１５％の変化を生じ、そのため検出器の使用を困難にする。
【００１８】
さらに、この構成は、長い波長での検出器の感度が大幅に低下することを意味する。
【特許文献１】フランス特許第２  ７９６  １４８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、使用可能な検出範囲が広く、製造が簡単な上記のタイプの検出器を提供することによって、上記の問題を解決することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この目的のために、本発明は、反射基板と、放射に感応し、基板の上に懸架された薄膜を備える少なくとも１つの検出素子とを備える電磁放射の検出器に関する。
【００２１】
本発明によれば、薄膜および少なくとも１つの検出素子と、基板との距離が可変であり、前記距離は少なくとも１つの所定の波長範囲内の放射に対する検出器の応答性の急激な変化を最小限にするのに適した所定の空間分布を有している。
【００２２】
したがって、薄膜と基板との間の距離の変化は、検出される放射の波長、特にその勾配およびその振幅に応じて検出器の応答性を表す曲線の二次ピークの形状を調整する役割を果たし、このピークに対応する波長範囲に特定の専用の共振空洞を設ける必要がない。
【００２３】
当該距離のこのような可変性を実現するため、基板および／または懸架薄膜は三次元モチーフ(motif)を有している。
【００２４】
さらに、薄膜と基板とは部分的にほぼ平行である。
【００２５】
本発明の特定の実施形態によれば、懸架薄膜と基板との間の距離は少なくとも第１および第２の所定値の間に分布する。
【００２６】
さらに、薄膜と基板との間の様々な距離の値に対応する表面積は同一であるか、または異なっている。
【００２７】
本発明の検出器の特定の用途によれば、懸架薄膜は赤外線放射への露出により生ずる温度変化に感応するボロメータ材料を含み、これを構成する薄膜は、場合によって約３ミクロンと約１４ミクロンの間の波長に感応する。
【００２８】
この仮説によれば、懸架薄膜と基板との間の第１および第２の距離の値はそれぞれ３ミクロンおよび２ミクロンにほぼ等しい。この特定の用途によれば、第１の距離だけ基板から離隔した薄膜の面積の、第２の距離だけ基板から離隔した薄膜の面積に対する比率は約３５％と約５０％の間である。
【００２９】
本発明の１つの特徴によれば、薄膜および／または基板上に設けられた三次元モチーフは反復的であり、それらの反復ステップ（周期）は前記の構成の特定の場合、４ミクロン以下である。
【００３０】
本発明はさらに、放射に感応する少なくとも１つの検出素子を構成する反射基板と薄膜とを形成するステップと、基板の上に薄膜を懸架させるステップとを含むタイプの検出器の製造方法に関する。
【００３１】
本発明によれば、基板および薄膜を形成するステップは、所定の空間分布が少なくとも１つの所定の波長範囲内での放射検出器の応答の急激な変化を最小限にするのに適するように、基板および／または薄膜内に三次元モチーフを作成するステップを含んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明は、例としてのみ示され、添付の図面を参照した以下の説明を読むことによってさらに理解されよう。図中、同一の番号は同一または同類の要素を示す。
【００３３】
図２および図３は、熱放射および中赤外線放射の検出専用の、本発明によるボロメータ検出器を示す。この検出器は、それ自体はよく知られている電子読取り回路（図示せず）が内部に作製されるほぼ平坦な構造基板１０を備えている。
【００３４】
この検出器はさらに、厚さが１ミクロンから数ミクロンであり、誘電体材料から作製される、構造基板１０を覆う不活性化層１２を備えている。不活性化層１２は適宜、酸化シリコン、窒化シリコン、または混合材料（例えば酸窒化シリコン）などの誘電体材料の追加層（図示せず）で覆われる。
【００３５】
様々な理由から、電子回路の不活性化は従来、その不活性化特性を少なくとも局部的に変化させる危険を避けるため、一般に後続の空洞形成工程中に変化しない幾つかの層から形成される。好都合には、下にある不活性化層と適合するタイプの追加層を追加することが、エッチングによって、したがって読取り回路の特性を変化させずに、テクスチャ化をそこに形成する役割を果たす。
【００３６】
厚さが０．３ミクロンから１ミクロンの金属反射層１４も設けられ、不活性化層１２を覆う。
【００３７】
最後に、検出器は、例えば２５ミクロンから４０ミクロンの反復ステップを有するマトリクス形式で均一に配列された同一要素の複数のボロメータ薄膜１６、１８、２０を備える。これらの薄膜１６、１８、２０はほぼ平坦であり、サスペンションアーム２２〜２６によって反射層１４の上に懸架される。
【００３８】
各薄膜１６、１８、２０は厚さが数十分の一ミクロンと薄く、例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、酸化バナジウム（Ｖｏｘ）、または金属（Ｔｉ）酸化物などのボロメータ材料を含む。
【００３９】
薄膜１６、１８、２０はさらに、約３ミクロンから約１４ミクロンの波長に対する高い吸収力を有する。
【００４０】
さらに、この範囲の薄膜１６、１８、２０の吸収力は、入射放射の一次波長に実質的に依存しない。そのようにするため、薄膜は金属層（図示せず）を備え、その層の抵抗値は平方当たり約３００オームから平方当たり約４００オームの間である。薄膜は例えば特許文献１に記載されているタイプのものである。
【００４１】
構造基板１０、不活性化層１２、反射層１４、および薄膜１６、１８、２０の構成は、それ自体は公知の検出器のマトリクス構成の単体の感応素子を形成する。
【００４２】
動作時には、反射層１４は、吸収されずに吸収薄膜１６、１８、２０を透過した赤外線束（フラックス）をこれらの吸収薄膜の方向に反射し、それによって検出器の全体的な吸収力を共振機構によって高める。
【００４３】
本発明によれば、不活性化層１２は、薄膜１６、１８、２０の方向を向いた不活性化層１２の表面上に形成された薄膜１６、１８、２０と平行な表面を有し、金属反射層１４によって覆われた、段状の三次元モチーフ３０を備える。
【００４４】
これらの段状の三次元モチーフ３０、３２は薄膜１６、１８、２０から距離Ｄ１および距離Ｄ２の位置に均一に配分されている。好ましくは、距離Ｄ１とＤ２とはそれぞれ３ミクロンと２ミクロンにほぼ等しい。
【００４５】
さらに、距離Ｄ１だけ薄膜から離隔したモチーフの面積の、距離Ｄ２だけ薄膜１６、１８、２０から離隔したモチーフの面積に対する比率はほぼ４０％に等しくなるように選択される。この比率は、この特定の例示的実施形態における好都合な場合を示しており、決して好ましい典型的な比率ということではない。
【００４６】
したがって、一体型感応素子の薄膜１６、１８、２０と、距離Ｄ１によって離隔した三次元モチーフ３２とによって画定される空洞が、３ミクロンの四分の一波長用のギャップを形成することを、見ることができる。したがって、感応素子の応答性はほぼ８ミクロンからほぼ１４ミクロンの波長範囲の場合に増幅される。
【００４７】
同様に、薄膜と、距離Ｄ２によって離隔された三次元モチーフ３０とによって画定される空洞が２ミクロンの四分の一波長用のギャップを形成する。したがって、感応素子の応答性はほぼ６ミクロンからほぼ１２ミクロンの波長範囲の場合に増幅される。
【００４８】
したがって、検出器の各々の一体型感応素子内で、素子の薄膜１６、１８、２０と金属反射層１４との距離は可変である。素子のこの内部的な可変性は一体型の感応素子の全体的な応答性に対する各四分の一波長ギャップの貢献を調整する役割を果たす。
【００４９】
図４は上記のこの検出器の現象を示す。この図では、２ミクロンの距離Ｄ１で薄膜１６、１８、２０から離隔したモチーフ３０の貢献が曲線Ｃ１で示され、３ミクロンの距離Ｄ２で薄膜１６、１８、２０から離隔したモチーフ３２の貢献が曲線Ｃ２で示されている。検出器の全体的な応答性は曲線Ｃ３によって示されている。
【００５０】
中赤外線の場合について見ることができるように、距離Ｄ１とＤ２、および面積の比率の選択には、曲線Ｃ１の最小値が曲線Ｃ２の最大値に実質的に対応し、逆の場合も同様であるという効果がある。したがって、２種類の三次元モチーフの貢献を組み合わせるので、中赤外線の場合の検出器の全体的な応答性Ｃ３の可変性は低下し、中赤外線の検出をより容易に有用にする。
【００５１】
さらに、５ミクロンから８ミクロンの範囲内にある検出器の応答性である、中赤外線と熱赤外線との間の検出器の応答性の平均レベルが上昇する。したがって、この検出器は、曲線Ａ（図１）に示される応答性を有する従来技術の検出器とは異なり、約３ミクロンと１４ミクロンの間の連続的な波長範囲で使用するのに適している。
【００５２】
さらに、中赤外線で有用な検出を実現するには、サブミクロンの空洞を製造する必要がないことに注目できる。実際に、最も短い距離Ｄ１は約２ミクロンである。
【００５３】
さらに、検出器を中赤外線で有用にすることは、第１の実施形態において熱赤外線での最小の検出能力の損失が付随することに注意する必要がある。実際に、８ミクロンから１４ミクロンの範囲の全体的な応答性は、図１の曲線Ａに示す従来技術の全体的な応答性よりも５％低い。
【００５４】
好ましくは、関心対象の波長範囲内の検出器の応答性の質にとって有害な回折のメカニズムを回避するために、三次元モチーフの反復ステップが選択される。第１の実施形態による検出器の場合、３ミクロンと１４ミクロンとの間の応答性の質の劣化を回避するために、この反復ステップは１４ミクロン未満である。
【００５５】
好ましくは、検出器の製造中、モチーフは、三次元モチーフ３０、３２に対応するリソグラフィマスクを使用して、不活性化層１２の自由表面を局部的かつ部分的にエッチングすることによって（すなわち、反射層１４の堆積の前に）、不活性化層のテクスチャ化によって形成される。
【００５６】
不活性化層１２は実際に幾つかの層によって形成可能であることに注目できる。前述のように、テクスチャ化が不活性化層で実現される場合は、このテクスチャ化は層１２の不活性化特性を劣化させない。好都合には、追加の不活性化層が追加され、この層はテクスチャ化を受ける層であるため、下層の不活性化特性は保持される。不活性化特性を劣化させずに、従来の不活性化層（１つまたは複数）がテクスチャ化を受けることができる場合は、明らかに追加層を省くことができる。
【００５７】
不活性化層１２の表面のテクスチャ化を記載してきたが、他のテクスチャ化も可能であることが理解されうる。例えば、三次元モチーフは構造基板１０内に形成され、最終的には薄膜１６、１８、２０の反対側にモチーフを露呈させるために、他の層の連続的な堆積を均一にする。
【００５８】
反射基板の表面に形成された段状三次元モチーフの特定の選択により、広い赤外線範囲の検出を意図する懸架薄膜を有するボロメータ検出器の特定の実施形態を記載してきた。
【００５９】
検出器の全体的な応答性は部分的に、一体型の感応素子の薄膜と基板との間の距離の可変性によって生成される。他の特徴は、検出器の全体的な応答性、特に各種のモチーフの反射力に対する各種のモチーフの貢献を調整する役割を果たす。
【００６０】
実際に、１つのタイプのモチーフの反射力の調整は検出器の全体的な応答性に対するモチーフの貢献度を調整する。
【００６１】
例えば、図５および図６に示した第２の実施形態は、より短い距離Ｄ２によって薄膜から離隔されたモチーフ３０が反射層１４によって覆われることが相違しているのみであるが、図２および図３に示した実施形態と類似している。通常は、不活性化層１２はゼロではない反射力を有しているが、層１４の反射力よりは低い。したがって、最も離れたモチーフ３２の貢献は低減する。これは一方では、それぞれの反射力、ひいては結果として生ずる検出器の感度スペクトルを調整するための追加手段をもたらすと共に、極めて有利なことには、構造体の製造中のリソグラフィレベルを経済的なものにする効果も有する。実際に、リフレクタ（反射手段）が反射面全体に延在している一つまたは複数の実施形態では、１つのリソグラフィレベルはテクスチャ化を画定するために使用されなければならず、他のリソグラフィレベルは、（すべての構造体が短絡していないとしても）リフレクタの輪郭を定めるために使用されなければならない。記載している有利な場合は、リフレクタを画定するために必要なリソグラフィレベルは、同時に反射面のテクスチャ化を画定するためにも使用される。工程は簡略化され、したがってより経済的なものになる。
【００６２】
同様に、様々なモチーフ間の面積の比率は各種のモチーフの貢献を調整する役割を果たす。したがって、中赤外線を検出することを意図するボロメータ検出器を得るには、距離Ｄ１によって薄膜から離隔されたモチーフと、距離Ｄ２によって薄膜１６、１８、２０から離隔されたモチーフの面積の比率は、所望の応答性のタイプに応じて約３５％から約６５％の間にある。
【００６３】
例えば、第２の実施形態は、三次元モチーフが規則的な格子状に配列されていることが第１の実施形態と異なっている。したがって、２つのタイプのモチーフの面積の比率はほぼ５０％に等しい。この数値は例として示したものであり、好ましいものではない。
【００６４】
基板内に三次元モチーフを形成することによって距離の可変性が得られる実施形態を記載してきたが、代替として、この可変性を図７および図８に示したように、薄膜内に三次元モチーフを形成することによっても得られる。
【００６５】
この第３の実施形態は、図２および図３に関して記載した第１の実施形態と同一の形状および寸法を有するモチーフが薄膜内に形成されることが異なるが、前述の実施形態と同様である。
【００６６】
基板内にではなく、薄膜内にモチーフを形成することの利点の１つは、基板内の三次元モチーフ上に出現する回折メカニズムに対する検出器の感度が大幅に除去されることである。１つの欠点は製造がより複雑になることである。実際に、モチーフは基板内に形成するほうが簡単である。
【００６７】
代替として、例えば構造の簡単さと回折メカニズムの減衰との折り合いを付けるために、三次元モチーフが基板と薄膜の双方に形成される。
【００６８】
実質的に平坦なモチーフが平行な表面を有する空洞を形成する実施形態を記載してきたが、他のタイプのモチーフを使用することもできる。代替として、基板および／または薄膜の表面は、例えば正弦波のような波形の輪郭を有している。
【００６９】
薄膜と反射基板との距離の可変性は、意図する用途および検出器固有の特徴によって決定されることが明らかに理解されよう。
【００７０】
本発明は、検出周波数帯域、あるいは例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、酸化バナジウム（ＶＯｘ）、または金属（Ｔｉ）酸化物のような、撮像および基準ボロメータを製造するために使用されるボロメータ材料のタイプに関わらず、ボロメータ検出を伴う画像センサの分野で特に用途がある。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】従来技術の検出器の標準化された応答曲線のグラフである。
【図２】本発明によるボロメータ検出器の第１の実施形態の概略平面図である。
【図３】図２の検出器のＩＩＩ−ＩＩＩ面に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるボロメータ検出器の標準化された応答曲線のグラフである。
【図５】本発明によるボロメータ検出器の第２の実施形態の概略平面図である。
【図６】図５の検出器のＶＩ−ＶＩ面に沿った断面図である。
【図７】本発明によるボロメータ検出器の第３の実施形態の概略平面図である。
【図８】図７の検出器のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ面に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０  構造基板
１２  不活性化層
１４  金属反射層
１６  薄膜
１８  薄膜
２０  薄膜
２２  サスペンションアーム
２４  サスペンションアーム
２６  サスペンションアーム
３０  三次元モチーフ
３２  三次元モチーフ
【図１】
0005459996.tif 000002
【図２】
0005459996.tif 000003
【図３】
0005459996.tif 000004
【図４】
0005459996.tif 000005
【図５】
0005459996.tif 000006
【図６】
0005459996.tif 000007
【図７】
0005459996.tif 000008
【図８】
0005459996.tif 000009