(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜を有する透明電極であって、前記透明導電膜の波長１．５５μｍにおける消衰係数が０．０１以下であり、前記透明導電膜がインジウムチタン酸化物からなることを特徴とする透明電極。
【請求項２】
前記透明導電膜は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧３．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
【請求項３】
前記透明導電膜は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧５．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の透明電極。
【請求項４】
前記透明電極は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧１０．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることを特徴とする、請求項１または２に記載の透明電極。
【請求項５】
前記透明導電膜の幾何学的厚みが５〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明電極。
【請求項６】
前記透明導電膜のシート抵抗が５００Ω／ｓｑ．以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明電極。
【請求項７】
前記透明導電膜は基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の透明電極。
【請求項８】
反射防止膜を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の透明電極。
【請求項９】
前記反射防止膜が、低屈折率層と高屈折率層との積層膜であることを特徴とする請求項８に記載の透明電極。
【請求項１０】
赤外線を利用した光通信用デバイスに用いられることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の透明電極。
【請求項１１】
赤外線を利用した光通信用デバイスが、可変フィルターまたは可変レーザーであることを特徴とする請求項１０に記載の透明電極。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の透明電極を製造する方法であって、スパッタリング法を用いて、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧３．０×１０−３の条件を満たすスパッタリング雰囲気中でインジウムチタン酸化物からなる透明導電膜を成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【請求項１３】
前記スパッタリング雰囲気は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧５．０×１０−３の条件を満たすことを特徴とする、請求項１２に記載の透明導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外波長領域における透過率が良好であり、おもに赤外線を利用する光通信用デバイスに使用される透明電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、赤外線、特に１．５５μｍ近傍の赤外線を利用した光通信用デバイスの一つとして、液晶と組み合わせた可変フィルターや可変レーザーが開発されつつある。これらのデバイスでは、ＩＴＯ薄膜などを有する透明電極が用いられており、この透明電極に電圧を印加して液晶の屈折率を変化させ、フィルターのパスバンド波長やレーザー波長を変化させることを可能としている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１は可変フィルターの一例を示す概略図である。可変フィルターは、図１に示すように、シリコンウェハーなどの赤外線透過率の高い基板１上に対向電極２、ＳｉＯ２等からなる被覆層３、同じくＳｉＯ２等からなる回折格子４、Ｓｉ３ＮＸ等からなる導波路５、液晶層６、透明導電膜７、ガラス基板等の透光性基板８、さらに必要に応じて反射防止膜９が順に形成されてなる。可変フィルターの上方から入射した入射光ＩＯは、各層を透過し、特定波長の光Ｉｒのみ回折格子４面にて反射され、導波路５内で共振した後、入射光側にフィルタリングされる。その他の波長の光Ｉは、回折格子４面で反射することなく透明基板１側に透過する。ここで、透明導電膜７と対向電極２の間に電圧を印加すると液晶層６の屈折率が変化し、それによりフィルタリングされる反射光Ｉｒの波長を調節することが可能となる。
【特許文献１】特表２０００−５１４５６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このような透明導電膜、特にＩＴＯ薄膜からなる透明導電膜を有する透明電極は導電性が高く、例えばＦＰＤなどの液晶表示装置に好適に使用されるが、該透明電極を赤外波長領域で使用した場合には、その導電性に起因して光の吸収が大きくなる。すなわち、赤外波長領域では透明電極の消衰係数が大きく、光のロスが大きいことが問題となっている。
【０００５】
なお、消衰係数は次のように定義される。すなわち、物質が光を吸収する場合に透過光Ｉは、入射光強度Ｉ０、光の侵入深さＺを用いて、
Ｉ＝Ｉ０ｅ−αｚ
の関係式にしたがって減衰する。このとき、単位長さあたりの減衰を示すαを吸収係数と呼ぶ。一方、光と物質の相互作用を理論的に扱う場合には、光の電磁場の振動１回あたりの吸収量が基準となる。このため、物質による光の吸収を定義する量として消衰係数ｋが定義されている。消衰係数ｋと吸収係数α、波長λの間には、
ｋ＝α×λ／４π
という関係がある。
【０００６】
本発明は、赤外線、特に１．５５μｍ近傍の赤外線を利用した光通信用デバイスに用いられる透明電極であって、赤外線に関して消衰係数が小さく、かつ赤外線透過率の高い透明電極を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、鋭意検討した結果、透明電極に用いられる透明導電膜として、赤外波長領域における光の透過率が高い膜を用いることで前記課題を解決することを見出し、本発明として提案するものである。
【０００８】
すなわち、本発明の透明電極は、透明導電膜を有し、透明導電膜の波長１．５５μｍにおける消衰係数が０．５以下であることを特徴とする。前述したように、赤外線を利用する光通信用デバイスにおいては波長１．５５μｍの透過率が重要であり、本発明では、該波長にて消衰係数が０．５以下であることにより、透過光のロスを抑制し、赤外光透過率の高い透明電極を提供することが可能となる。
【０００９】
透明導電膜の波長１．５５μｍにおける消衰係数が０．０１以下であることが好ましい。
【００１０】
透明導電膜としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）からなるものが挙げられる。ＩＴＯは導電性が高く、前述した可変フィルターや可変レーザーなどの赤外線を利用した光通信用デバイスに好適な透明電極を提供することができる。
【００１１】
また、透明導電膜としては、インジウムチタン酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴｉＯ）からなるものも挙げられる。
【００１２】
透明導電膜は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧３．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることが好ましい。
【００１３】
透明導電膜は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧５．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることが好ましい。
【００１４】
なお、透明導電膜が、インジウムスズ酸化物からなるものである場合、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧４．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることがより好ましい。
【００１５】
また、透明導電膜がインジウムチタン酸化物からなるものである場合、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧１０．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることがより好ましい。
【００１６】
透明導電膜の幾何学的厚みは５〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００１７】
透明導電膜のシート抵抗は、５００Ω／ｓｑ．以上であることが好ましい。シート抵抗がこの範囲を満たすことにより、波長１．５５μｍにおける透過率が高いものとすることができる。
【００１８】
透明導電膜は基板上に形成され得る。
【００１９】
本発明の透明電極は、反射防止膜を有するものであってもよい。透明電極が、透明導電膜とともに反射防止膜を有する場合、入射光の反射を抑制することができるため、透明電極の赤外光透過率を向上させることが可能となる。
【００２０】
反射防止膜は、基板の表面及び裏面の両方に形成されていることが好ましい。
【００２１】
透明導電膜は、基板の表面に形成された反射防止膜の上に形成されていることが好ましい。
【００２２】
反射防止膜は、低屈折率層と高屈折率層との積層膜であることが好ましい。反射防止膜をこのような膜構成にすることにより、透明電極に良好な反射防止特性を付与することができ、透明電極の赤外光透過率のさらなる向上を図ることが可能となる。
【００２３】
本発明の透明電極は、可変フィルターや可変レーザーなどの赤外線を利用した光通信用デバイスに用いることができる。
【００２４】
本発明の透明導電膜の製造方法は、スパッタリング法を用いて、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧３．０×１０−３の条件を満たすスパッタリング雰囲気中で透明導電膜を成膜することを特徴とする。スパッタリング法により透明導電膜を成膜する際の希ガスとＯ２ガスの流量を特定の比率に調整することにより、消衰係数が小さく赤外線透過率の高い透明導電膜を得ることが可能となる。
【００２５】
スパッタリング雰囲気は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧５．０×１０−３の条件を満たすことが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の透明電極では、該透明電極を構成する透明導電膜の消衰係数が低いため、透過光のロスを抑制し、赤外光透過率の高い透明電極を提供することが可能となる。したがって、本発明の透明電極は、可変フィルターや可変レーザーなどの赤外線を利用した光通信用デバイスに好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図２は、実施形態に係る透明電極１０の断面図である。図２に示すように、透明電極１０は、基板１１と、基板１１の上に形成された反射防止膜１２と、反射防止膜１２の上に形成された透明導電膜１３とを備えている。
【００２８】
透明導電膜１３の波長１．５５μｍにおける消衰係数は、０．５以下であり、０．３以下であることが好ましく、０．１以下であることがより好ましく、０．０５以下であることがさらに好ましく、０．０１以下であることが一層好ましく、０．００５以下であることがより一層好ましい。透明導電膜１３の消衰係数が０．５を超えると、赤外透過光のロスが大きく、透明電極１０が赤外線デバイス用途に適さなくなる傾向がある。透明導電膜１３の消衰係数の下限は特に限定されないが、現実的には０．０００１以上である。なお透明導電膜１３の消衰係数は、波長１．５〜１．６μｍの全範囲でこれらの範囲を満たすことが望ましく、その場合、透明電極１０は赤外線用光通信デバイスとしてより好適に使用される。
【００２９】
透明導電膜１３の比抵抗率は特に限定されないが、透明導電膜１３の比抵抗率が小さすぎる場合は波長１．５５μｍにおける透明導電膜１３の消衰係数が大きくなる傾向がある。このため、透明導電膜１３の比抵抗率は、１０３μΩ・ｃｍ以上であることが好ましく、１０４μΩ・ｃｍ以上であることがより好ましい。一方、透明導電膜１３の比抵抗率が大きすぎる場合は、透明導電膜１３の導電性が低くなる傾向にあり、透明電極１０が特に光通信用デバイス用途に適さなくなる傾向にあるため、透明導電膜１３の比抵抗率は１０５μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
透明導電膜１３の消衰係数および比抵抗率は、例えば、スパッタリング法により透明導電膜１３を成膜する際の各ガスの流量の比率を適宜変更することにより調整することができる。具体的には、後述するように、Ｏ２ガスと希ガスの流量比を適宜変更することにより透明導電膜１３の消衰係数および比抵抗率を調整することが可能である。
【００３１】
透明導電膜１３の幾何学的厚みは、５〜２００ｎｍであることが好ましく、１０〜１００ｎｍであることがより好ましく、１０〜５０ｎｍであることがさらに好ましく、１０〜３０ｎｍであることが最も好ましい。透明導電膜１３の幾何学的厚みが５ｎｍより薄いと、透明導電膜１３のシート抵抗が高くなるため、透明電極１０が光通信用デバイスに適さなくなる傾向にあり、また透明導電膜１３の成膜が困難となる傾向がある。一方、透明導電膜１３の幾何学的厚みが２００ｎｍより厚いと、波長１．５５μｍにおける透明導電膜１３の透過率が低くなる傾向がある。
【００３２】
透明導電膜１３のシート抵抗は、５００Ω／ｓｑ．以上であることが好ましく、１ｋΩ／ｓｑ．以上であることがより好ましく、２ｋΩ／ｓｑ．以上であることがさらに好ましく、５ｋΩ／ｓｑ．以上であることが最も好ましい。透明導電膜１３のシート抵抗が５００Ω／ｓｑ．より低いと、波長１．５５μｍにおける透明導電膜１３の透過率が低くなる傾向がある。透明導電膜１３のシート抵抗の上限は特に限定されないが、透明導電膜１３のシート抵抗が高すぎる場合は、液晶等に十分に電界が加えられなくなりデバイスが機能しなくなる傾向があるため、透明導電膜１３のシート抵抗は５０ｋΩ／ｓｑ．以下であることが好ましい。なお、（シート抵抗）＝（比抵抗率）／（膜厚）の関係がある。
【００３３】
透明導電膜１３としては、ＩＴＯ膜、インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）膜、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）膜、ゲルマニウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ膜）、アンチモンドープ酸化すず（ＡＴＯ）膜などが用いられる。なかでも、導電率が高く、赤外線用光通信デバイスに好適であることからＩＴＯ膜、ＩＴｉＯ膜、を用いることが好ましく、ＩＴｉＯ膜を用いることが特に好ましい。
【００３４】
基板１１は、赤外波長領域における透過率が高いものであれば特に限定されず、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板等の透光性基板が使用できる。耐環境性、耐熱性、耐光性等の観点から基板１１はガラス基板であることが好ましい。
【００３５】
透明電極１０では、透明導電膜１３とともに反射防止膜１２が形成されているため、赤外光の反射が抑制され、それにより透明電極１０の赤外光透過率が高められている。
【００３６】
反射防止膜１２は、高屈折率層１４と低屈折率層１５との積層膜であることが好ましい。低屈折率層１５の構成材料としては、波長１．５５μｍにおける屈折率が１．６以下のＳｉＯ２、ＭｇＦ２等のフッ化物などが好適である。高屈折率層１４の構成材料としては、屈折率が１．６以上のＮｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉなどが好適である。
【００３７】
反射防止膜１２の幾何学的厚みは特に限定されないが、一般的には、反射防止膜１２の幾何学的厚みは、５〜５００ｎｍの範囲で適宜調整される。反射防止膜１２の幾何学的厚みが５ｎｍ未満であると、透明電極１０に十分な反射防止機能を付与しにくく、反射防止膜１２の成膜が困難となる傾向がある。反射防止膜１２の幾何学的厚みが５００ｎｍを超えると、反射防止膜１２の表面の表面粗さが大きくなり光が散乱しやすくなったり、反射防止膜１２の剥離や反りの問題が発生しやすくなる。
【００３８】
基板１１上に透明導電膜１３を形成するとともに、さらに基板１１の裏面に反射防止膜を形成した場合、赤外線透過率をなお一層向上させることが可能となる。
【００３９】
透明電極１０は、前述のように波長１．５５μｍにおける消衰係数が小さいため、高い透過率を有する。そのため、透明電極１０は、赤外線用デバイスに好適に用いられる。透明電極１０の波長１．５５μｍにおける透過率は、９２％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることがさらに好ましい。波長１．５５μｍにおける透明電極１０の透過率が、９２％未満であると、赤外線デバイス用途に適さなくなる傾向がある。なお、透明電極１０の透過率は、波長１．５〜１．６μｍの全範囲でこれらの範囲を満たすことが望ましく、その場合、赤外線用光通信デバイスとしてより好適である。なお、ここで透過率とは、積層体全体としての透過率をいう。
【００４０】
赤外線用デバイスにおいて、透明導電膜１３が液晶に接するようにして透明電極１０を用いる場合は、液晶と透明導電膜１３の間に、例えばポリイミド膜などの配向膜を形成することが好ましい。配向膜の厚さは特に限定されないが、一般的には１０〜５０ｎｍの範囲で調整される。
【００４１】
透明導電膜１３の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜方法を適用することが可能である。なかでも、透明導電膜１３の密着性、強度および平滑性が良好である点からスパッタリングによる成膜が好ましい。
【００４２】
スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法による透明導電膜１３の成膜は、通常、希ガスとＯ２ガスの混合ガス雰囲気下において行われる。ここで、希ガス流量とＯ２ガス流量は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧３．０×１０−３の条件を満たすように設定され、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧５．０×１０−３の条件を満たすように設定されることが好ましく、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧１０．０×１０−３の条件を満たすように設定することがさらに好ましい。（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）が３．０×１０−３未満であると、透明導電膜１３の比抵抗が小さくなる傾向にあり、その結果、波長１．５５μｍにおける透明導電膜１３の消衰係数が大きくなりやすい。
【００４３】
透明導電膜１３がインジウムスズ酸化物からなるものである場合は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧４．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることがより好ましい。
【００４４】
透明導電膜１３がインジウムチタン酸化物からなるものである場合は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≧１０．０×１０−３の条件を満たす雰囲気中でスパッタリング法により成膜されたものであることがより好ましい。
【００４５】
なお、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）の上限は特に限定されないが、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）が高すぎると透明導電膜１３の比抵抗値が大きくなり、透明電極１０が赤外線用光通信デバイス用として適さなくなるため、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）≦２０×１０−３であることが好ましい。
【００４６】
なお、希ガスとしては安価である点からアルゴンを用いることが好ましい。
【００４７】
スパッタリング法により成膜する際の基板１１の温度は特に限定されないが、基板１１の温度が高すぎる場合は、透明導電膜１３の波長１．５５μｍにおける消衰係数が大きくなる傾向があるため、基板１１の温度は４００℃以下であるが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【００４８】
（他の実施形態）
図３は、他の実施形態に係る透明電極２０の断面図である。図３に示すように、基板１１の表面に反射防止膜１２を形成すると共に、基板１１の裏面にも反射防止膜１６を形成することが好ましい。これによれば、赤外光の反射がさらに抑制され、透明電極２０の赤外光透過率をさらに高くすることができる。
【００４９】
反射防止膜１６は、高屈折率層１７と低屈折率層１８との積層膜であることが好ましい。低屈折率層１８の構成材料としては、波長１．５５μｍにおける屈折率が１．６以下のＳｉＯ２、ＭｇＦ２等のフッ化物などが好適である。高屈折率層１７の構成材料としては、屈折率が１．６以上のＮｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉなどが好適である。
【実施例】
【００５０】
以下に、本発明を実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
【００５１】
表１に示すように、ガラス基板（日本電気硝子株式会社製ＯＡ−１０：屈折率１．４７、肉厚１．１ｍｍ）の上に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜をスパッタリングにより形成した。
【００５２】
ここで、実施例１〜５および比較例１におけるＩＴＯ膜の成膜は、ＤＣスパッタリング成膜装置を用いて行った。成膜条件としては、まず５×１０−４Ｐａまで高真空にした状態で表１に記載のガス流量でスパッタガスを導入し、その後、圧力０．１Ｐａ、電力１８００Ｗ、基板温度２５０℃にてスパッタリングを行った。
【００５３】
実施例１〜５および比較例１で形成されたＩＴＯ膜の消衰係数をジェー・エー・ウーラム社製分光エリプソメータにより測定した。また、ＩＴＯ膜のシート抵抗を三菱化学製ロレスタにより測定した。比抵抗率については、シート抵抗と膜厚との関係から算出した。また透過率は、前記ガラス基板上に、ＩＴＯ膜、ポリイミド配向膜、並びに反射防止膜としてのＳｉＯ２膜（１．５５μｍにおける屈折率（以下、同様）＝１．４６）とＮｂ２Ｏ５膜（屈折率＝２．２６）との積層体が表１に記載の順序および膜厚で形成されている透明電極に対して、配向膜側から波長１．５５μｍの光を入射した場合の透過率をシミュレーションにより求めた。これらの結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
0005621184.tif 000002
【００５５】
表１から明らかなように、実施例１〜５の透明電極は、該透明電極を構成する透明導電膜の波長１．５５μｍにおける消衰係数が小さいため、透明電極の透過率が高いことがわかる。一方、比較例の透明電極は、透明導電膜の波長１．５５μｍにおける消衰係数が著しく大きいため、該透明電極の透過率が低いことがわかる。
【００５６】
また、下記表２に示すように、ＩＴＯ膜の成膜時の酸素流量を変化させた実施例６及び７を作成した。
【００５７】
さらに、透明導電膜としてＩＴｉＯ膜をガラス基板（日本電気硝子株式会社製ＯＡ−１０：屈折率１．４７、肉厚１．１ｍｍ）の上に形成し、下記表３に示す積層構造の透明電極を実施例８〜１７として作成した。ＩＴｉＯ膜の成膜は、ＤＣスパッタリング成膜装置を用いて行った。成膜条件としては、まず５×１０−４Ｐａまで高真空にした状態で表１に記載のガス流量でスパッタガスを導入し、その後、圧力０．１Ｐａ、電力１８００Ｗ、基板温度２５０℃にてスパッタリングを行った。
【００５８】
また、実施例８〜１７についても実施例１〜５と同様の手順でＩＴｉＯ膜の消衰係数、シート抵抗を測定し、比抵抗率を算出した。また、透過率をシミュレーションした。
【００５９】
実施例６〜１７の結果を、実施例１〜５及び比較例１の結果と共に下記表２及び表３並びに図４及び図５に示す。
【００６０】
【表２】
0005621184.tif 000003
【００６１】
【表３】
0005621184.tif 000004
【００６２】
表２及び表３並びに図４及び図５に示す結果から、透明導電膜の種類にかかわらず、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）を３×１０−３以上とすることによって、透明導電膜の消衰係数を小さくすることができることがわかる。
【００６３】
表２及び図４に示す結果から、透明導電膜がＩＴＯ膜である場合は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）を４×１０−３以上とすることによって、透明導電膜の消衰係数をより小さくすることができることがわかる。
【００６４】
また、表２及び表３並びに図４及び図５に示す結果から、透明導電膜の種類にかかわらず、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）を５×１０−３以上とすることによって、透明導電膜の消衰係数をさらに小さくすることができることがわかる。
【００６５】
表３及び図５に示す結果から、透明導電膜がＩＴｉＯ膜である場合は、（Ｏ２ガス流量）／（希ガス流量）を１０×１０−３以上とすることによって、透明導電膜の消衰係数を特に小さくすることができることがわかる。
【００６６】
また、表２及び表３に示す結果から、透明導電膜をＩＴｉＯ膜にすることにより、透明導電膜がＩＴＯ膜であるときよりさらに消衰係数を小さくできることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の透明電極は、可変フィルターや可変レーザーなどの赤外線を利用した光通信用デバイスに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】可変フィルターの一例を示す概略断面図である。
【図２】実施形態に係る透明電極の断面図である。
【図３】他の実施形態に係る透明電極の断面図である。
【図４】透明導電膜がＩＴＯ膜である場合の消衰係数の測定結果を表すグラフである。
【図５】透明導電膜がＩＴｉＯ膜である場合の消衰係数の測定結果を表すグラフである。
【符号の説明】
【００６９】
１  基板
２  対向電極
３  被覆層
４  回折格子
５  導波路
６  液晶層
７  透明導電膜
８  透光性基板
９  反射防止膜
１０  透明電極
１１  基板
１２  反射防止膜
１３  透明導電膜
１４  低屈折率層
１５  高屈折率層
１６  反射防止膜
１７  低屈折率層
１８  高屈折率層
【図２】
0005621184.tif 000005
【図３】
0005621184.tif 000006
【図４】
0005621184.tif 000007
【図５】
0005621184.tif 000008
【図１】
0005621184.tif 000009