(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
前記基板上のベース層に、底部と上部開口部と前記底部から前記上部開口部まで延びる側壁とを有する構造を形成する工程であって、前記構造の前記底部と前記側壁は第１材料を含む、構造を形成する工程と、
第１流量でエッチャントに流すことにより、前記エッチャントと前記第１材料との反応副生成物からなる犠牲層を形成して前記構造の前記上部開口部を閉塞する工程と、
前記基板を前記エッチャントに曝し続けることにより、前記エッチャントの活性種を、前記犠牲層を通って前記犠牲層の上面から拡散させ、前記犠牲層下の前記第１材料と更に反応させる工程と、
前記犠牲層を前記基板から除去する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記エッチャントを更に反応させる前記工程が、前記第１材料と反応して前記副生成物を生成することにより前記第１材料を除去するように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
エッチャントを流すことにより、犠牲層を形成する前記工程が、前記第１流量を調整して、前記構造の前記上部開口部近傍のエッチ速度と前記構造の底部近傍のエッチ速度との比を調整することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチャントが、第１処理ガスと第２処理ガスを含み、前記第１流量を調整することが、前記第１処理ガスの流量を調整することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１材料が、窒化シリコン、酸化シリコン、及びこれらの材料の組み合わせのうちの１つを含み、前記エッチャントが、フッ素、窒素、及び水素を含むソースガスを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
エッチャントを流すことにより、犠牲層を形成する前記工程が、前記エッチャントから生成されたプラズマに前記基板を曝すことを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマが、遠隔生成されて、前記基板が配置された処理チャンバに送られる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマが、前記基板が配置された処理チャンバ内でその場で生成される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
基板を処理する方法であって、
前記基板上のベース層に、底部と上部開口部と前記底部から前記上部開口部まで延びる側壁とを有する構造を形成する工程であって、前記構造の前記底部と前記側壁は第１材料を含む、構造を形成する工程と、
前記構造の上部開口部を広げる工程であって、
前記基板をエッチャントに曝すことにより、前記エッチャントと前記第１材料との反応副生成物からなる犠牲層を形成して前記構造の前記上部開口部を閉塞することと、
前記基板を前記エッチャントに曝し続けることにより、前記エッチャントの活性種を、前記犠牲層を通って前記犠牲層の上面から拡散させ、前記犠牲層下の前記第１材料と更に反応させることと、
前記犠牲層を前記基板から除去することと
を含む、上部開口部を広げる工程と、
第２材料を堆積させて、前記構造に充填する工程と
を含む方法。
【請求項１０】
前記エッチャントを更に反応させることが、前記第１材料と反応して前記副生成物を生成することにより前記第１材料を除去するように構成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記犠牲層を形成することが、
前記副生成物で前記上部開口部を閉塞することができる前記エッチャントと前記第１材料との間の反応速度を決定することと、
前記エッチャントを前記第１流量で流して、前記上部開口部を閉塞することができる反応速度を得ることと、を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上部開口部を広げる前記工程が、更に、前記エッチャントの１以上の処理ガスの流量を調整して、前記第１材料と前記エッチャントとの反応速度を調整することを含み、
大きな反応速度は、前記構造の上部と前記構造の下部との間の除去率の大きな比と、大きな拡幅量と、に相当する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１材料が、窒化シリコン、酸化シリコン、及びこれらの材料の組み合わせのうちの１つを含み、
前記エッチャントが、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びアンモニア（ＮＨ３）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及び水素（Ｈ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びフッ化水素（ＨＦ）の混合物、他の同様のフッ素、窒素、及び水素を含むソースガスのうちの１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２材料が、配線用導電材料、相変化メモリセルに充填されるゲルマニウム−セレン−テルル（ＧＳＴ）、及び金属ゲートに充填されるゲート金属のうちの１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記犠牲層を除去することが、前記基板をアニールすることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
上部開口部を広げる前記工程の前に、前記基板を覆うようにライナー層を堆積させる工程を更に含み、前記ライナー層が前記第１材料を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
基板を処理する方法であって、
前記基板を処理チャンバ内に配置する工程であって、前記基板上のベース層には、底部と上部開口部と前記底部から前記上部開口部まで延びる側壁とを有する構造が形成されており、前記構造の前記底部と前記側壁は第１材料を含む、配置する工程と、
第１処理ガスを前記処理チャンバに流して犠牲層を形成することで、前記構造の上部開口部を閉塞する工程と、
前記上部開口部を閉塞した後、前記第１処理ガスを流し続け、前記第１処理ガスの活性種を、前記犠牲層を通って前記犠牲層の上面から拡散させ、前記第１材料と反応させる工程と、
前記基板をアニールして前記犠牲層を前記構造から除去する工程と
を含む方法。
【請求項１８】
前記第１処理ガスと前記第１材料との間の反応による副生成物により形成される犠牲層で前記構造の前記上部開口部を閉塞できる前記第１処理ガスと前記第１材料との間の反応速度を決定する工程を更に含み、
前記第１処理ガスが、前記第１材料と反応して前記副生成物を生成することにより前記第１材料を除去するように調整される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記反応速度を決定する工程が、前記第１処理ガスの流量を決定することを含み、
前記流量が大きいときは、反応速度が大きくなり、かつ、前記構造の上部と前記構造の下部との間の除去率が大きくなり、結果、前記犠牲層を除去した後の上部開口部の幅が広がり、
流量が小さいときは、反応速度が小さくなり、かつ、前記構造の上部と前記構造の下部との間の除去率が小さくなり、結果、前記犠牲層を除去した後の上部開口部の幅を狭くなる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１処理ガスが、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びアンモニア（ＮＨ３）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及び水素（Ｈ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びフッ化水素（ＨＦ）の混合物、他の同様のフッ素、窒素、及び水素を含むソースガスのうちの１つを含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、半導体基板を処理する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、トレンチ及びビアの断面形状を、トレンチ及びビアへの充填を行なう前に変形させる方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の寸法が縮小し続けていることにより、製造中に半導体基板に形成されるトレンチ構造又はビア構造が益々狭くなっており、アスペクト比が高くなっている。開口部が狭くなり、かつアスペクト比が高くなると、普通、後続の材料充填プロセスが困難となり、且つ非常に難しい解決課題が生じる。その結果、狭い開口部が充填プロセス中に閉塞されてしまうため、ボイドが充填材料に形成され易くなる。
【０００３】
問題は、ライナー層、バリア層、又はシード層が充填プロセスに必要とされる場合に大きくなる。ライナー層、バリア層、又はシード層は、普通、トレンチ構造又はビア構造に、物理化学気相堆積（ＰＶＤ）プロセスを使用して堆積させる。トレンチ表面又はビア表面を被覆するカバレッジを完全にするために、普通、オーバーハングがトレンチ又はビアの入口近傍に形成される。オーバーハングは、次の材料充填を行なう際の閉塞状態を悪化させて、充填時に発生するボイドを増加させてしまう。
【０００４】
図１Ａ〜１Ｂは、トレンチ及びビアの充填における問題を模式的に示している。図１Ａは、基板１０の部分側部断面図を模式的に示している。トレンチ構造２は第１材料１内に形成される。次に、バリア層３を、トレンチ構造２を覆うように堆積させる。バリア層３の厚みは、トレンチ構造２の入口８の近傍で大きく、バリア層はオーバーハング４を入口８の近傍に形成する。オーバーハング４は入口８を更に狭くする。
【０００５】
図１Ｂは、図１Ａの基板１０の材料充填結果を模式的に示している。入口８は、トレンチ構造２の残りの部分への充填が行なわれる前に充填材料５によって閉塞されて、トレンチ構造２内にボイド６を形成してしまう。ボイド６は、普通、充填材料５が配線用の導電材料（銅又はアルミニウム）である場合、ゲルマニウム−セレン−テルル（ＧＳＴ）を充填して相変化メモリセルを形成する場合、及びゲート金属を充填して金属ゲートを形成する場合に、特に望ましくない。
【０００６】
従来の形成プロセスでは、普通、スパッタリングプロセスを使用して、充填材料５を堆積させる前に、入口８を変形させる。図１Ｃに示すように、プラズマチャンバ内で生成される正に帯電したアルゴンイオンのような正イオン６が基板１０に向かって加速される。これらの正イオン６は、加速中に運動量を獲得し、基板１０の上面を叩く。これらのイオン６は、オーバーハング４を物理的に削って、変形後断面形状７に示すように、入口８の幅を広げる。しかしながら、これらのイオン６は、オーバーハング４の外側にある他の領域も叩いて基板１０にダメージを与える。更に、剥離したパーティクルがスパッタリング中に発生すると、クリーニングプロセスを追加する必要があり、後続の処理の潜在的な汚染源になりうる。
【０００７】
したがって、トレンチ及びビアの断面形状を材料充填前に、効率を高めながら、かつダメージを小さくしながら変形させる方法及び装置が必要になる。
【発明の概要】
【０００８】
本発明の実施形態は、概して、半導体基板を処理する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、トレンチ及びビアへの充填を行なう前に、トレンチ及びビアの断面形状を変形させる方法及び装置に関するものである。
【０００９】
一実施形態は基板を処理する方法を提供し、本方法は、基板上にトレンチ構造を形成する工程であって、トレンチ構造の側壁が第１材料を含むトレンチ構造を形成する工程と、基板をエッチャントに曝すことにより、犠牲層を形成してトレンチ構造の上部開口部を閉塞する工程であって、犠牲層が、エッチャントと第１材料との反応副生成物を含む工程と、基板をエッチャントに曝し続けることにより、エッチャントを第１材料と更に反応させる工程と、犠牲層を基板から除去する工程とを含む。
【００１０】
別の実施形態は基板を処理する方法を提供し、本方法は、基板上にトレンチ構造を形成する工程であって、トレンチ構造の側壁が第１材料を含む工程と、トレンチ構造の上部開口部を広げる工程であって、基板をエッチャントに曝すことにより、犠牲層を形成してトレンチ構造の上部開口部を閉塞するもので、犠牲層が、エッチャントと第１材料との反応副生成物を含む工程と、基板をエッチャントに曝し続けることにより、エッチャントを第１材料と更に反応させる工程と、犠牲層を基板から除去する工程と、第２材料を堆積させてトレンチ構造に充填する工程とを含む。
【００１１】
更に別の実施形態は基板を処理する方法を提供し、本方法は、トレンチ構造を有する基板を処理チャンバ内に配置する工程であって、トレンチ構造の側壁が第１材料を含む工程と、第１処理ガスを処理チャンバに流して犠牲層を形成することにより、トレンチ構造の上部開口部を閉塞する工程と、上部開口部を閉塞した後、第１処理ガスを流し続ける工程と、基板をアニールしてトレンチ構造から犠牲層を除去する工程とを含む。
【００１２】
本発明の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上に簡単に要約した本発明の更に詳細な説明を、添付図面に幾つかが示されている実施形態を参照することにより行う。しかしながら、添付図面は、本発明の代表的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではなく、本発明は他の同様に効果的な実施形態を包含することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】図１Ａは、トレンチ及びビアの充填における問題を模式的に示している。
【図１Ｂ】図１Ｂは、トレンチ及びビアの充填における問題を模式的に示している。
【図１Ｃ】図１Ｃは、トレンチ及びビアの断面形状を変形させる従来の方法を模式的に示している。
【図２】図２Ａ及びＢは、本発明の一実施形態によりトレンチ断面形状を材料充填前に変形させる方法を模式的に示している。
【図３】図３は、本発明の一実施形態による、トレンチ断面形状を変形させるプロセスを示す模式的フローチャートである。
【図４】図４は、本発明の一実施形態による、トレンチ断面形状を変形させるチャンバの模式側面図である。
【図５】図５Ａ〜Ｃは、本発明の別の実施形態による、トレンチ断面形状を変形させる方法を模式的に示している。
【００１４】
理解を容易にするために、同じ参照番号を出来る限り使用して、複数の図に共通する同じ構成要素を示している。一実施形態において開示される構成要素は、特に断らなくとも他の実施形態において有利に利用できる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態は概して、半導体基板を処理する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、トレンチ及びビアの断面形状を、トレンチ及びビアへの充填を行なう前に変形させる方法及び装置に関するものである。
【００１６】
本発明の一実施形態では、トレンチ構造をエッチャントに曝すことにより、犠牲層を形成してトレンチ構造の上部開口部を閉塞する。一実施形態では、エッチャントは、当該エッチャントを第１材料と反応させ、犠牲層を形成する副生成物を生成することにより第１材料を除去するように調製される。犠牲層でエッチャントがトレンチ構造の側壁に達するのを抑制することにより、トレンチ構造の上部開口部の近傍から更に多量の材料を除去することができる。トレンチ構造の断面形状を変形させて、犠牲層を基板から除去した後にトレンチ構造が幅広の開口部を有するようにする。
【００１７】
従来のスパッタリングによるトレンチ断面形状の変形と比較すると、本発明の方法では、処理対象の基板が物理的なダメージに曝されることがない。一実施形態では、ドライエッチング方法を使用して犠牲層を形成する。犠牲層は、同じドライエッチングチャンバ内でアニールすることにより除去することができるので、効率が高まり、かつ相互汚染が低減される。
【００１８】
本発明の方法及び装置を使用することにより、その上にライナー層、バリア層、及び／又はシード層が堆積されたトレンチ構造及びビア構造上の、形成直後のトレンチ構造及びビア構造の断面形状を変形させることができる。
【００１９】
図２Ａ〜２Ｂは、本発明の一実施形態によるトレンチ断面形状を、材料充填前に変形させる方法を模式的に示している。図３は、図２Ａ〜２Ｂに示すトレンチの断面形状を変形させるプロセス３０を示す模式フローチャートである。
【００２０】
プロセス３０のブロック３２は、図２Ａに示すように、基板２０のベース層２１内にトレンチ構造２２を形成する工程を含む。一実施形態では、ベース層２１、従ってトレンチ構造２２の側壁は第１材料を含む。別の実施形態では、トレンチ構造２２を形成する工程は、第１材料を有するライナー層、バリア層、又はシード層２３を、基板２０を覆うように堆積させる工程を含むことができる。
【００２１】
図２Ａに示すように、トレンチ構造２２は、上部開口部２４の近傍に形成されるオーバーハング２４ａを有する。
【００２２】
プロセス３０のブロック３４は、基板２０をエッチャントに曝すことにより、犠牲層２５を形成してトレンチ構造２２の上部開口部２４を閉塞する工程を含む。一実施形態では、エッチャントは、当該エッチャントを第１材料と反応させ、第１材料との反応に由来する副生成物を生成することにより、第１材料をエッチング除去するように調製される。犠牲層２５は、エッチャントと第１材料との反応により生成される副生成物を含む。
【００２３】
一実施形態では、犠牲層２５を形成する工程は、第１材料とエッチャントとの反応速度を大きくする工程を含む。第１材料とエッチャントとの反応速度を大きくすると、副生成物がトレンチ構造２２内に一様に形成される前に、副生成物が上部開口部２４の近傍に迅速に形成されるようになる。
【００２４】
一実施形態では、第１材料とエッチャントとの反応速度を大きくする工程は、エッチャントの１種類以上の処理ガスの流量を大きくすることにより行なうことができる。
【００２５】
一実施形態では、犠牲層２５を形成する工程は、目標とするトレンチ断面形状に従って、第１材料とエッチャントとの反応速度を決定する工程を含む。反応速度を大きくすることは、トレンチ構造２２の上部とトレンチ構造２２の下部との間の除去量の比が高くなることに相当する。反応速度を小さくすることは、上部と下部との間の除去量の比が低くなることに相当する。したがって、反応速度を大きくすると、側壁の開口角度が大きくなり、反応速度を小さくすると、側壁の開口角度が小さくなる。
【００２６】
プロセス３０のブロック３６では、図２Ａに示すように、基板２０をエッチャントに曝し続けることにより、エッチャントを第１材料と更に反応させることができる。
【００２７】
犠牲層２５で上部開口部が閉塞された後、エッチャントの活性種２６は、犠牲層２５を通って犠牲層２５の上面から拡散し、当該犠牲層下の第１材料と反応し続けることができる。しかしながら、拡散距離は、トレンチ構造２２の側壁に沿って大きく変化する。したがって、これにより上部開口部２４の周りのエッチングが高速に進行し、トレンチ構造２２の側壁に沿ったエッチングが大幅に遅れる。
【００２８】
一実施形態では、エッチャントの流量は、犠牲層２５で上部開口部２４が閉塞された後も同じままでよい。別の実施形態では、エッチャントの流量は、閉塞後に調整してもよい。
【００２９】
一実施形態では、上部開口部の幅は、エッチング時間を変化させることにより所望の広さとすることができる。
【００３０】
プロセス３０のブロック３８では、犠牲層２５を除去し、トレンチ構造２２の変形断面形状２７を露出させる。
【００３１】
一実施形態では、犠牲層２５を除去することは、基板２０をアニールして犠牲層２５を蒸発させることを含むことができる。一実施形態では、犠牲層２５を除去することは、犠牲層２５が形成され、且つエッチングが継続されるのと同じチャンバ内で行なうことができる。
【００３２】
別の実施形態では、犠牲層２５を除去することは、犠牲層２５を溶媒に溶解させることを含む。一実施形態では、溶媒は水とすることができる。
【００３３】
図２Ａは、上部開口部の近傍に形成されるオーバーハングを有するトレンチ構造の一実施例を示しているが、本発明の実施形態は、比較的真っ直ぐな壁を有するトレンチ構造のような、オーバーハングの無いトレンチ構造を変形させるために適用することができる。
【００３４】
上述のように、除去可能な副生成物を生成するいずれのエッチング方法も、本発明の実施形態に使用することができる。具体的には、エッチャントは、エッチング対象の材料に応じて選択することができる。エッチャントの組成は、プロセス要件により決定することもできる。
【００３５】
一実施形態では、ドライエッチング方法を本発明の実施形態に従って使用する。本発明の実施形態では、フッ素、窒素、及び水素を含むソースガスとすることができるエッチャントを使用することができる。
【００３６】
一実施形態では、エッチャントは、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びアンモニア（ＮＨ３）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及び水素（Ｈ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びフッ化水素（ＨＦ）の混合物のうちの１つ、又は他の同様のフッ素、窒素、及び水素を含むソースガスを含む。
【００３７】
一実施形態では、エッチャントは、ＣｌＦ３、ＣＨ３Ｆ、ＣＨＦ３、及び同様の化合物のようなフッ素含有ソースガスを含む。
【００３８】
本発明の一実施形態では、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びアンモニア（ＮＨ３）の混合物を含むドライエッチングエッチャントのプラズマを生成し、三フッ化窒素及びアンモニアのプラズマに曝して、酸化シリコン、シリコン、又は窒化シリコンを含む側壁を有するトレンチ構造及び／又はビア構造を変形させる。一実施形態では、プラズマは、離れた場所で生成し、エッチングチャンバに流し込むことができる。別の実施形態では、プラズマは、エッチングチャンバ内でその場で発生させることができる。
【００３９】
図４は、本発明の一実施形態による、トレンチ断面形状を変形させる処理チャンバ１００の模式側面図である。
【００４０】
処理チャンバ１００は、チャンバ本体１１２の上端に配置される蓋アセンブリ２００と、チャンバ本体１１２内に少なくとも部分的に配置される支持アセンブリ３００とを備える。処理チャンバは更に、Ｕ字形断面のリモート電極を有するリモートプラズマジェネレータ１４０を含む。処理チャンバ１００及び関連ハードウェアは、１種類以上のプロセスに適合した材料、例えばアルミニウム、陽極酸化アルミニウム、ニッケルめっきアルミニウム、ニッケルめっきアルミニウム６０６１−Ｔ６、ステンレス鋼、ならびにこれらの材料の組み合わせ、及び合金により形成されることが好ましい。
【００４１】
支持アセンブリ３００は、チャンバ本体１１２内に部分的に配置される。支持アセンブリ３００は、ベローズ３３３で覆われたシャフト３１４により上下させる。チャンバ本体１１２は、当該チャンバ本体の側壁に形成されるスリットバルブ開口部１６０を含むことにより、チャンバ１００の内部への進入を可能にしている。スリットバルブ開口部１６０は、選択的に開閉して、ウェハハンドリングロボット（図示せず）のチャンバ本体１１２内部への進入を可能にしている。ウェハハンドリングロボットは当業者には公知であり、いずれの適切なロボットを使用してもよい。一実施形態では、スリットバルブ開口部１６０を介して、ウェハを、プロセスチャンバ１００に搬入すること、及びプロセスチャンバ１００から隣接する搬送チャンバ及び／又はロードロックチャンバ（図示せず）に、又はクラスターツール内の別のチャンバに搬送することができる。例示的なクラスターツールとして、限定されないが、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズ社から市販されているＰＲＯＤＵＣＥＲＴＭプラットフォーム、ＣＥＮＴＵＲＡＴＭプラットフォーム、ＥＮＤＵＲＡＴＭプラットフォーム、及びＥＮＤＵＲＡＳＬＴＭプラットフォームを挙げることができる。
【００４２】
チャンバ本体１１２は更に、当該チャンバ内に形成される流路１１３を含み、この流路を通して熱伝導流体を流すことができる。熱伝導流体は加熱流体又は冷媒とすることができ、熱伝導流体を使用して処理中及び基板搬送中にチャンバ本体１１２の温度を制御する。チャンバ本体１１２の温度は、ガス又は副生成物がチャンバ側壁に凝縮する望ましくない事態を防止するために重要である。例示的な熱伝導流体には、水、エチレングリコール、又はこれらの混合物が含まれる。例示的な熱伝導流体として窒素ガスも挙げられる。
【００４３】
チャンバ本体１１２は更に、支持アセンブリ３００を取り囲み、かつ修理及び清掃のために取り外すことができるライナー１３３を含む。ライナー１３３は、アルミニウムのような金属、又はセラミック材料により作製されることが好ましい。しかしながら、プロセスに適合するいずれの材料を使用してもよい。ライナー１３３は、ビーズを吹き付けて、当該ライナーの上に堆積するどのような材料の接着力も強化することができるので、チャンバ１００を汚染してしまう材料の剥離を防止することができる。ライナー１３３は、通常、１つ以上の開口部１３５と、当該ライナー内に形成されて真空システムと流体連通する排気流路１２９とを含む。開口部１３５が流路となって、ガスを排気流路１２９に流し込むことができ、排気流路がライナー１３３を貫通する流路となるので、ガスをチャンバ１００から流出させることができる。
【００４４】
真空システムは、真空ポンプ１２５及びスロットルバルブ１２７を備えることにより、チャンバ１００内のガス流を調整することができる。真空ポンプ１２５は、チャンバ本体１１２に配置される真空ポート１３１に接続されて、ライナー１３３内に形成される排気流路１２９と流体連通する。真空ポンプ１２５及びチャンバ本体１１２は、スロットルバルブ１２７によって選択的に遮断されて、チャンバ１００内のガス流を調整する。「ガス」という用語は、特に断らない限り、単数形も複数形も同じ意味に使用され、１種類以上の前駆体ガス、反応ガス、触媒ガス、キャリアガス、パージガス、クリーニングガス、これらの組み合わせ、ならびにチャンバ本体１１２に導入される他のあらゆる流体を指す。
【００４５】
蓋アセンブリ２００は、互いに積層された多数の構成部品を含む。例えば、蓋アセンブリ２００は、蓋周縁部２１０と、ガス供給アセンブリ２２０と、上部プレート２５０とを備える。蓋周縁部２１０は、蓋アセンブリ２００を構成する部品の重量を支えるように設計され、チャンバ本体１１２の上面に接続されて内部チャンバ部品への接近を可能にする。ガス供給アセンブリ２２０は、蓋周縁部２１０の上面に接続されて、蓋周縁部２１０と最小限の熱接触を行なうように配置される。蓋アセンブリ２００の構成部品は、高い熱伝導性及び低い熱抵抗を有する材料、例えば高い仕上げ面を有するアルミニウム合金で構成されることが好ましい。好ましくは、これらの部品の熱抵抗は約５×１０−４ｍ２Ｋ／Ｗ未満である。
【００４６】
ガス供給アセンブリ２２０は、ガス供給プレート２２５又はシャワーヘッドを備えることができる。ガス供給パネル（図示せず）は、通常、１種類以上のガスをチャンバ１００に供給するために使用される。使用される一又は複数の特定のガスは、チャンバ１００内で行なわれるプロセスに応じて決定される。例えば、代表的なガスとして、１種類以上の前駆体ガス、還元ガス、触媒ガス、キャリアガス、パージガス、クリーニングガス、又はこれらのいずれかの混合物、又は組み合わせを挙げることができる。通常、１種類以上のガスがチャンバ１００に導入されて、蓋アセンブリ２００、次いでチャンバ本体１１２に、ガス供給アセンブリ２２０を通って流れ込む。電子式開閉バルブ及び／又は流量制御機構（図示せず）を使用して、ガス供給部からチャンバ１００へのガスの流れを制御することができる。
【００４７】
一態様では、ガスはガス供給パネルからチャンバ１００に供給され、この場合、ガスラインが２つの別のガスラインに分かれ、これらのガスラインで、上述のように、複数種類のガスをチャンバ本体１１２に供給する。プロセスによって変わるが、どのような多種類のガスもこのようにして供給することができ、かつチャンバ１００内で混合することができるか、又はこれらのガスがチャンバ１００に供給される前に混合することができる。
【００４８】
図４を更に参照するに、蓋アセンブリ２００は、更に、蓋アセンブリ２００内に反応種のプラズマを生成する電極２４０を含むことができる。この実施形態では、電極２４０は、上部プレート２５０に支持されて、当該プレート２５０から電気的に絶縁されている。アイソレータフィラーリング（図示せず）を電極２４０の下部の周りに配置して、電極２４０を上部プレート２５０から分離する。図４に示すように、環状アイソレータ（図示せず）をアイソレータフィラーリングの上部の周りに配置して上部プレート２５０の上面に載せる。次に、環状アイソレータ（図示せず）を電極２４０の上部の周りに配置して、電極２４０を、蓋アセンブリ２００の他の構成部品から電気的に絶縁する。これらのリング、アイソレータフィラー、及び環状アイソレータの各々は、酸化アルミニウム又は他のいずれかの絶縁性のプロセス適合材料により作製することができる。
【００４９】
電極２４０が電源３４０に接続されるのに対し、ガス供給アセンブリ２２０は接地される。したがって、１種類以上のプロセスガスのプラズマが、電極２４０とガス供給アセンブリ２２０との間に形成される容積内で衝突する。プラズマは、ブロッカープレートにより形成される容積内に収容することもできる。ブロッカープレートアセンブリが無い状態では、プラズマは、電極２４０とガス供給アセンブリ２２０との間で衝突し、且つその間に収容される。いずれの実施形態においても、プラズマは、蓋アセンブリ２００内に適切に閉じ込められるか、又は収容される。
【００５０】
ガスを活性化して反応種を生成し、反応種のプラズマを維持することができるいずれの電源も使用することができる。例えば、高周波（ＲＦ）、直流（ＤＣ）、交流（ＡＣ）、又はマイクロ波（ＭＷ）を利用する高出力放電技術を使用することができる。活性化は、熱変換法、ガスブレークダウン法、高強度光源（例えば、ＵＶエネルギー）により、又はＸ線源に曝露することにより行なうこともできる。別の構成として、リモートプラズマジェネレータのようなリモート活性化源を使用して、反応種のプラズマを生成することができ、これらの反応種は次いでチャンバ１００内に供給される。例示的なリモートプラズマジェネレータは、ＭＫＳインスツルメンツ社、及びアドバンストエネルギーインダストリーズ社のようなベンダーから入手することができる。好適には、ＲＦ電源が電極２４０に接続される。
【００５１】
プロセスガス、及びチャンバ１００内で行なわれる処理によっては、ガス供給アセンブリ２２０は加熱してもよい。一実施形態では、例えば抵抗加熱ヒータのような加熱素子２７０がガス供給アセンブリ２２０に接続される。一実施形態では、加熱素子２７０は管状部材であり、ガス供給アセンブリ２２０の上面に圧入される。ガス供給アセンブリ２２０の上面は、加熱素子２７０の外径よりもわずかに短い幅を有する溝又は陥没通路を含むので、締まりばめを利用して加熱素子２７０が溝内に保持される。
【００５２】
ガス供給アセンブリ２２０及びブロッカーアセンブリ２３０を含む供給アセンブリの構成部品のそれぞれは互いに対して熱伝導可能に接続されているので、加熱素子２７０によってガス供給アセンブリ２２０の温度が調整される。処理チャンバについての更なる詳細は、２００５年２月２２日に出願された米国特許出願第１１／０６３，６４５号を参照することができ、この特許出願は、本明細書において参照されることにより本明細書に組み込まれる。
【００５３】
処理チャンバ１００は、真空を破壊することなく基板表面の加熱及び冷却を行なう必要があるプラズマ支援ドライエッチングプロセスを実行するために特に有用である。一実施形態では、処理チャンバ１００を使用して、基板上の１種類以上の酸化物を選択的に除去することができる。
【００５４】
説明を簡単かつ容易にするために、アンモニア（ＮＨ３）及び三フッ化窒素（ＮＦ３）のガス混合物を使用して処理チャンバ１００内で行なわれる、１種類以上の酸化シリコンを除去する例示的なドライエッチングプロセスを次に説明する。処理チャンバ１００は、単一の処理環境内で加熱及び冷却の全てが行なわれ、かつアニールプロセスを含む基板加熱及び基板冷却の両方に有利である他に、プラズマ処理の利点を生かした全てのドライエッチングプロセスに有利であると考えられる。
【００５５】
図４を参照するに、ドライエッチングプロセスは、例えば半導体基板のような基板１１０を処理チャンバ１００に搬入することにより始まる。基板は通常、チャンバ本体１１２にスリットバルブ開口部１６０を通って搬入され、支持部材３１０の上面に配置される。基板１１０は、支持部材３１０の上面に吸着させることができる。好適には、基板１１０は、支持部材３１０の上面に真空引きすることにより吸着させることができる。次に、支持部材３１０がまだ処理位置に配置されていない場合、支持部材３１０をチャンバ本体１１２内の処理位置へと上昇させる。チャンバ本体１１２は、５０℃〜８０℃の温度、更に好ましくは約６５℃の温度に維持されることが好ましい。チャンバ本体１１２のこの温度は、熱伝導媒質を流路１１３に流すことにより維持される。
【００５６】
基板１１０は、６５℃以下の温度、例えば１５℃〜５０℃度に、支持アセンブリ３００内に形成される流路に熱伝導媒質又は冷媒を流すことにより冷却される。一実施形態では、基板は室温未満の温度に維持される。別の実施形態では、基板は２２℃〜４０℃の温度に維持される。通常、支持部材３１０を約２２℃未満の温度に維持して、上述の所望の基板温度に到達させる。支持部材３１０を冷却するために、支持アセンブリ３００内に形成される流路に冷媒を流す。冷媒を継続的に流すことが、支持部材３１０の温度の制御を向上させるために好ましい。冷媒は、５０容積パーセントのエチレングリコール及び５０容積パーセントの水であることが好ましい。言うまでもなく、基板の所望の温度が維持される限り、水及びエチレングリコールは、どのような比でも使用することができる。
【００５７】
エッチングガス混合物をチャンバ１００に導入して、基板１１０の表面上の種々の酸化物を選択的に除去する。一実施形態では、次に、アンモニアガス及び三フッ化窒素ガスをチャンバ１００に導入して、エッチングガス混合物を生成する。チャンバに導入される各ガスの量は変えることができ、かつ例えば除去する厚さ、クリーニングされる基板の形状寸法、プラズマの閉じ込め性能、チャンバ本体１１２の閉じ込め性能、並びにチャンバ本体１１２に接続される真空システムの性能を向上させるために調整することができる。
【００５８】
エッチングガス混合物の比を予め決定しておくことにより、基板表面上の種々の酸化物を選択的に除去することができる。一実施形態では、エッチングガス混合物に含まれる成分の比を調整することにより、熱酸化物、堆積酸化物、及び／又は自然酸化物のような種々の酸化物を一様に除去することができる。一実施形態では、エッチングガス混合物に含まれる三フッ化窒素に対するアンモニアのモル比は、種々の酸化物を一様に除去するために設定することができる。一態様では、複数種のガスを添加して、三フッ化窒素対アンモニアのモル比が少なくとも１：１であるガス混合物を供給することができる。別の態様では、ガス混合物のモル比は、少なくとも約３：１（アンモニア：三フッ化窒素）である。好適には、複数種のガスをチャンバ１００に、５：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜３０：１のモル比で導入する。更に好適には、ガス混合物のモル比は、約５：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜約１０：１である。ガス混合物のモル比は、約１０：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜約２０：１の範囲でもよい。
【００５９】
パージガス又はキャリアガスをエッチングガス混合物に添加してもよい。例えば、アルゴン、ヘリウム、水素、窒素、又はこれらのガスの混合物のようないずれの適切なパージ／キャリアガスも使用することができる。通常、エッチングガス混合物全体は、約０．０５容積％〜約２０容積％のアンモニア及び三フッ化窒素である。残りの部分がキャリアガスである。一実施形態では、反応ガスの前に、まずパージガス又はキャリアガスをチャンバ本体１１２に導入して、チャンバ本体１１２内の圧力を安定させる。
【００６０】
チャンバ本体１１２内の作動圧力は変えることができる。通常、この圧力は、約５００ｍＴｏｒｒ〜約３０Ｔｏｒｒに維持される。好適には、圧力は、約１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒに維持される。更に好適には、チャンバ本体１１２内の作動圧力は、約３Ｔｏｒｒ〜約６Ｔｏｒｒに維持される。
【００６１】
約５〜約６００ワットのＲＦ電力を電極２４０に印加して、ガス供給アセンブリ２２０に含まれる容積部２６１、２６２、及び２６３内でガス混合物のプラズマを励起する。好適には、ＲＦ電力は１００ワット未満である。更に好適には、電力を印加するときの周波数は非常に低く、例えば１００ｋＨｚ未満である。好適には、この周波数は約５０ｋＨｚ〜約９０ｋＨｚの範囲である。
【００６２】
プラズマエネルギーによりアンモニアガス及び三フッ化窒素ガスが解離して反応種を生成し、これらの反応種が混合して、非常に高い反応性を示すフッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）化合物及び／又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）がガス相で形成される。次に、これらの分子を、ガス供給プレート２２５の孔２２５Ａを介してガス供給アセンブリ２２０に流し、処理対象の基板表面と反応させる。一実施形態では、まずキャリアガスをチャンバ１００に導入し、キャリアガスのプラズマを生成し、次に、反応ガス、すなわちアンモニアガス及び三フッ化窒素ガスをプラズマに添加する。
【００６３】
理論に拘束されないが、エッチャントガス、すなわちＮＨ４Ｆ及び／又はＮＨ４Ｆ・ＨＦが酸化シリコン表面と反応して、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム（ＮＨ４）２ＳｉＦ６、ＮＨ３、及びＨ２Ｏ生成物を形成すると考えられる。ＮＨ３及びＨ２Ｏは、処理条件では蒸気であり、チャンバ１００から真空ポンプ１２５により排気される。具体的には、揮発性ガスは、チャンバ１００から真空ポート１３１を通って真空ポンプ１２５に流入する前に、ライナー１３３内に形成された開口部１３５を通って排気流路１２９に流入する。（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から成る薄膜が基板表面に残される。この反応メカニズムは以下のように要約することができる。
ＮＦ３＋３ＮＨ３→ＮＨ４Ｆ＋ＮＨ４Ｆ・ＨＦ＋Ｎ２
６ＮＨ４Ｆ＋ＳｉＯ２→（ＮＨ４）２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ＋４ＮＨ３
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６＋熱→２ＮＨ３＋２ＨＦ＋ＳｉＦ４
【００６４】
薄膜が基板表面に形成された後、支持部材３１０を、加熱ガス供給プレート２２５に極めて近いアニール位置に上昇させることができる。ガス供給プレート２２５から放出される熱で、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から成る薄膜が分解又は昇華し、揮発性のＳｉＦ４、ＮＨ３、及びＨＦ生成物が形成される。次に、これらの揮発性の生成物を、上述のように、真空ポンプ１２５によりチャンバ１００から排気する。通常、７５℃以上の温度を使用して、薄膜を基板１１０から効果的に昇華させるか、又は除去する。好適には、約１１５℃〜約２００℃のような１００℃以上の温度を使用する。
【００６５】
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６から成る薄膜を分解して当該薄膜の揮発性成分を生成するための熱エネルギーをガス供給プレート２２５から循環又は放出させる。上述のように、加熱素子２７０は、ガス供給プレート２２５にじかに接続されており、作動されると供給プレート２２５及び当該供給プレート２２５と熱接触する部品を約７５℃〜２５０℃の温度に加熱する。一態様では、供給プレート２２５は、１００℃〜１５０℃の温度に、例えば約１２０℃に加熱される。
【００６６】
上面に薄膜を有する基板１１０の上面と供給プレート２２５との間の距離は、臨界値ではなく、日常的に得られる経験値である。当業者であれば、下地基板にダメージを与えることなく、効率的かつ効果的に薄膜を蒸発させるために必要な間隔を容易に決定することができる。しかしながら、約０．２５４ｍｍ（１０ミル）〜５．０８ｍｍ（２００ミル）の間隔が効果的であると考えられる。
【００６７】
膜を基板から除去した後、処理チャンバ１００をパージし、排気する。次に、支持アセンブリ３００を搬出入位置に下降させ、基板の吸着を解除し、スリットバルブ開口部１６０を通って基板を搬出することにより、処理済み基板をチャンバ本体１１２から取り出す。
【実施例】
【００６８】
エッチングの間に、２ｓｃｃｍのＮＦ３、１０ｓｃｃｍのＮＨ３、及び２，５００ｓｃｃｍのアルゴンから成るガス混合物を真空チャンバに導入した。ガス混合物のプラズマを、１００ワットの電力を使用して励起した。１，５００ｓｃｃｍのアルゴンをチャンバの下部に供給して底部をパージする。５０ｓｃｃｍのアルゴンを基板支持体の周縁領域近傍に供給して周縁部をパージする。チャンバ圧力は約６Ｔｏｒｒに維持され、基板温度は約２２℃であった。基板を１２０秒間エッチングした。
【００６９】
アニール中、基板と加熱チャンバ蓋との間隔は７５０ミルであり、蓋温度は１２０℃であった。基板を約６０秒間アニールした。約５０オングストローム分の材料を基板表面から除去した。アニールによる影響は観察されなかった。エッチング速度は約０．４６オングストローム／秒（２８Å／分）であった。観察されたエッチング均一性は、５０Åをエッチングする場合に約５％であった。
【００７０】
特に断らない限り、本明細書及び請求項において使用される成分、特性、反応条件などの量を表わす全ての数値は概略値と理解するべきである。これらの概略値は、本発明によって得られるように探求される所望の特性、及び測定誤差に基づいており、少なくとも、報告される有効数字の桁数で且つ通常の丸め演算を適用することにより解釈されるべきである。更に、温度、圧力、間隔、モル比、流量などを含む本明細書において表現される種々の量の全てを更に最適化して、所望のエッチング選択性及びパーティクル除去性能を達成することができる。
【００７１】
シリコンエッチング方法及び装置に関する更に別の記載は、「Oxide Etch with NH3-NF3 Chemistry」と題する米国特許出願公開第２００７／０１２３０５１（代理人整理番号８８０２．Ｐ０２）を参照することができ、この特許出願は、本明細書において参照されることにより本明細書に組み込まれる。
【００７２】
図５Ａ〜５Ｂは、本発明の別の実施形態によるトレンチの断面形状の変形を模式的に示している。
【００７３】
図５Ａに示すように、トレンチ構造５２が基板５０に形成される。トレンチ構造５２は、第１材料を含む第１層５３を貫通するように、かつ第２材料を含む第２層５１に食い込むように形成される。トレンチ構造５２の側壁５２ａは、上部に第１材料を、下部に第２材料を含む。
【００７４】
基板５０をエッチャントに曝すことにより、基板５０を覆うように犠牲層５４を形成して、トレンチ構造５２の上部開口部５２ｂを閉塞する。一実施形態では、エッチャントは、当該エッチャントを第１及び第２材料と反応させ、この第１材料及び第２材料との反応により副生成物を生成することにより、第１材料及び第２材料の両方をエッチングするように調製される。犠牲層５４は、エッチャントと第１材料との反応、及びエッチャントと第２材料との反応により生成される副生成物を含む。
【００７５】
一実施形態では、エッチャントは、第２材料をエッチングするよりもずっと速く第１材料をエッチングする。図５Ａに示すように、エッチャントが第１材料と速く反応し、犠牲層５４が、第１材料を含む上部開口部５２ｂを閉塞するのに対し、エッチャントは第２材料とゆっくりと反応するので、犠牲層５４は、トレンチ構造５２の底面部分に近づくにつれて非常に薄くなる。
【００７６】
一実施形態では、第１材料は酸化シリコンを含み、第２材料は低ｋ材料を含み、エッチャントはアンモニア及び三フッ化窒素から成る混合物を含み、この混合物は、低ｋ材料をエッチングするよりもずっと速く酸化シリコンをエッチングする。
【００７７】
上述のプロセス３０と同様に、エッチャントを基板５０に継続的に流して、犠牲層５４を通り抜けて拡散させることにより、第１材料及び第２材料と更に反応させることができる。したがって、更に多くの量の材料をエッチングすることができる。しかしながら、エッチング速度は側壁５２に沿って下降するにつれて遅くなる。一実施形態では、エッチング時間及び／又はエッチャント流量を変えて、トレンチ幅を理想的に広げることができる。
【００７８】
次に、犠牲層５４を除去すると、図５Ｂに示すように、変形トレンチ断面形状５７が露出する。元のトレンチ断面形状は、図５Ｂの破線で示される。元のトレンチ断面形状と変形トレンチ断面形状５７とを比較すると、相対的に多くの量の材料がトレンチ構造５２の上部から除去されて、上部開口部の幅が広くなっていることが分かる。
【００７９】
一実施形態では、犠牲層５４の形成、エッチングの継続、及び犠牲層５４の除去は、図４の処理チャンバ１００のような同じ処理チャンバ内で行なうことができる。
【００８０】
図５Ｃは、続いてライナー膜５５及び充填材料５６を形成したときの基板５０を模式的に示している。トレンチ断面形状の幅が広がると、ボイドを発生することなくトレンチ構造５２内に充填材料５６を形成することができる。
【００８１】
本明細書においてドライエッチング方法を説明したが、エッチング対象の材料と反応して副生成物を生成することにより作用する全ての適切なエッチャントを、本発明の実施形態に従って使用することができる。
【００８２】
本発明の実施形態は、トレンチ及び／又はビアの断面形状の変形を必要とするあらゆる状況において使用することができる。例えば、本発明の実施形態を使用して、銅又はアルミニウムのような導電材料を堆積させてチップ配線を形成する前に、トレンチ及びビアの断面形状を変形させることができる。本発明の実施形態を使用して、ゲルマニウム−セレン−テルル（ＧＳＴ）を充填して相変化メモリセルを形成する前に、トレンチ及びビアの断面形状を変形させることもできる。本発明の実施形態を使用して、ゲート金属を充填してトランジスタを形成する前に、トレンチ及び／又はビアの断面形状を変形させることもできる。
【００８３】
これまでの記述は、本発明の実施形態に関して行なわれているが、本発明の基本的範囲から逸脱しない範囲で本発明の他の実施形態及び更なる実施形態を想到することができ、本発明の範囲は特許請求の範囲により規定される。
【図１Ａ】
0005518239.tif 000002
【図１Ｂ】
0005518239.tif 000003
【図１Ｃ】
0005518239.tif 000004
【図２】
0005518239.tif 000005
【図３】
0005518239.tif 000006
【図４】
0005518239.tif 000007
【図５】
0005518239.tif 000008