(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、
前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１の急速昇降温熱処理を行う工程と、
前記第１の急速昇降温熱処理を行ったシリコンウェーハを、希ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２の急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
【請求項２】
少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、
前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し、前記第１の温度範囲で前記アンモニア系ガス雰囲気を希ガス雰囲気に切り替えて、更に、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ（以下、単にウェーハともいう）に対して熱処理を行うシリコンウェーハの熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス形成用基板として用いられるシリコンウェーハは、デバイス活性領域となるウェーハの表面近傍（以下、表層部という）において、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）やＬＳＴＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ  Ｄｅｆｅｃｔｓ）等のボイド欠陥を低減させて無欠陥とする努力が求められている。
【０００３】
近年、このようなシリコンウェーハを高生産性で製造する方法として、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ（以下、前記鏡面研磨された表面を研磨面ともいう）に、急速昇降温熱処理（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ：以下、単にＲＴＰともいう）を行う技術が知られている。
【０００４】
このような技術として、特許文献１には、主としてアルゴンまたはヘリウムである酸素含有ガス雰囲気（本願発明でいう不活性ガス雰囲気）中で約１１７５℃を超える温度において、約５０００ｐｐｍａ未満の酸素分圧下、６０秒未満の時間、ウェーハを加熱する熱処理方法が開示されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法は、アルゴンまたはヘリウム等の不活性ガス雰囲気でＲＴＰを行うため、ウェーハの表層部のボイド欠陥を大きく低減することが可能であるが、このような不活性ガス雰囲気や水素等の還元性ガス雰囲気において、１１７５℃を超えるような高温下でＲＴＰを行う場合には、前記ＲＴＰ前にウェーハの研磨面に形成されている自然酸化膜の影響によりＲＴＰ後の研磨面の表面粗さが悪化するという問題がある。
【０００６】
このような問題に対し、特許文献２には、ウェーハ表面上の自然酸化膜をフッ酸処理により除去した後、ＲＴＰ装置を用いて、水素１００％あるいは水素を１０％以上含有するアルゴンの混合ガス雰囲気下で熱処理することで、ウェーハ表面のマイクロラフネスを小さくし、ウェーハ表面に存在するボイド欠陥をも除去することができる熱処理方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００１−５０９３１９号公報
【特許文献２】特開２０００−９１３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような特許文献２に記載の方法は、フッ酸処理によってウェーハ表面のシリコン原子に水素が終端されるため、前記表面に自然酸化膜が形成されにくい状態となる。従って、前記ＲＴＰを行ってもウェーハ表面における表面粗さの悪化を抑制することができる。
しかしながら、ウェーハの表層部に存在するボイド欠陥をＲＴＰで消滅させるためには、前記不活性ガス雰囲気や還元性ガス雰囲気にて、最低でも１０００℃以上の高温熱処理が必要であり、このような高温下では、シリコン原子に終端された水素原子の結合が切れやすくなり、ウェーハ表面にシリコン原子が露出しやすくなる。このように露出したシリコン原子は不安定であり、他の原子と反応しやすい状態となっている。
【０００９】
そのため、例えば、前記雰囲気中に他の反応性ガス（窒素等）が存在すると、これが露出したシリコン原子と反応して結合し、更には、その結合が前記雰囲気によってエッチングされるという現象が繰り返し発生するため、ウェーハの表面形状が変化し、表面粗さが悪化するという問題がある。
【００１０】
更に、前記雰囲気に微量の酸素が含まれている場合には、前記露出したシリコン原子と酸素が反応して、ウェーハ表面にアイランド状に酸化膜が形成され、この酸化膜は前記雰囲気によってエッチングされるが、当該エッチングされた部分には凹形状のピットが形成されてしまうという問題もある。
以上の問題は、ＲＴＰにおける熱処理温度が高くなるほどより顕著となるものであるが、その一方で熱処理温度が高くなるほど、ウェーハの表層部のボイド欠陥の消滅力が高くなるという利点を有している。
【００１１】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１の急速昇降温熱処理を行う工程と、前記第１の急速昇降温熱処理を行ったシリコンウェーハを、希ガス（窒素ガスを除く、希ガスをいう。以下、同様。）雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２の急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し、前記第１の温度範囲で前記アンモニア系ガス雰囲気を希ガス雰囲気に切り替えて、更に、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるＲＴＰ装置の一例を示す断面概念図である。
【図２】第１の実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用される第１のＲＴＰの熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。
【図３】第１の実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用される第２のＲＴＰの熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。
【図４】第２の実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるＲＴＰにおける熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。
【図５】第２の実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるＲＴＰにおける熱処理シーケンスの他の一例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。
（第１の実施形態）
本実施形態に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面（研磨面）をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１のＲＴＰを行う工程と、前記第１のＲＴＰを行ったシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２のＲＴＰを行う工程と、を備える。
【００１７】
このように、前記フッ化水素系溶液により洗浄したシリコンウェーハに対して、更に、アンモニア系ガス雰囲気中でＲＴＰを行うことで、前記研磨面のシリコン原子に窒素も終端させることができる。そのため、前記研磨面のシリコン原子と水素との結合力を更に高めることができる。
従って、１３００℃以上１４００℃以下の高温下であっても前記結合が切れにくく安定した状態とすることができる。
よって、雰囲気中に他の反応性ガス（窒素等）が存在しても、シリコン原子と当該反応性ガスとの結合を抑制することができるため、ウェーハの研磨面の表面粗さの悪化を抑制することができる。また、前記雰囲気に微量の酸素が含まれている場合であっても、酸素とシリコン原子との反応を抑制することができるため、凹形状のピットの発生も抑制することができる。
【００１８】
前記鏡面研磨されたシリコンウェーハは、主に、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という）により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出して製造される。
ＣＺ法によるシリコン単結晶インゴットの育成は周知の方法で行う。
具体的には、シリコン単結晶インゴットは、石英ルツボに充填したシリコン原料を加熱してシリコン融液とし、該シリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら種結晶を引上げて、種結晶にネック部、クラウン部及び直胴部を結晶成長させて、その後、シリコン融液から切り離すことで育成することができる。
次に、周知の方法により、前記育成したシリコン単結晶インゴットを切り出して、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハに加工する。
具体的には、シリコン単結晶インゴットの直胴部を内周刃又はワイヤソーによりウェーハ状に切り出し、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨等の加工を行う。
【００１９】
前記フッ化水素系溶液により洗浄する工程は、周知の方法（前記溶液に少なくともウェーハの研磨面を浸漬させる方法、前記ウェーハを回転させながら前記研磨面に前記溶液をスピンコートする方法等）により行うことができる。好ましくは、前記ウェーハの研磨面を浸漬させる方法が生産性及びコスト面において好適である。
【００２０】
前記フッ化水素系溶液による洗浄は、前記ウェーハの研磨面を１分以上１０分以下の間、前記溶液に接触させて行うことが好ましい。
このような洗浄時間とすることで、生産性の低下を抑制しつつ、効率よく前記研磨面のシリコン原子を水素で終端させることができる。
【００２１】
前記フッ化水素系溶液は、主に、フッ酸溶液（ＨＦ）、バッファードＨＦ溶液（ＮＨ４Ｆ＋ＨＦ）が含まれる。
【００２２】
図１は、本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるＲＴＰ装置の一例を示す断面概念図である。
図１に示すＲＴＰ装置１０は、ウェーハＷを収容して熱処理を施すための反応室２０と、反応室２０内に設けられ、ウェーハＷを保持するウェーハ保持部３０と、ウェーハＷを加熱する加熱部４０と、を備える。ウェーハＷがウェーハ保持部３０に保持された状態では、反応室２０の内壁とウェーハＷの表面（デバイス形成面）Ｗ１側とで囲まれた空間である第１空間２０ａと、反応室２０の内壁と表面Ｗ１側に対向するウェーハＷの裏面Ｗ２側とで囲まれた空間である第２空間２０ｂとが形成される。
【００２３】
反応室２０は、第１空間２０ａ及び第２空間２０ｂ内に雰囲気ガスＦＡ（実線矢印）を供給する供給口２２と、前記供給した雰囲気ガスＦＡを第１空間２０ａ及び第２空間２０ｂから排出する排出口２６と、を備える。反応室２０は、例えば、石英で構成されている。
【００２４】
ウェーハ保持部３０は、ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部をリング状に保持するサセプタ３２と、サセプタ３２を保持すると共に、ウェーハＷの中心を軸としてサセプタ３２を回転させる回転体３４とを備える。サセプタ３２及び回転体３４は、例えば、ＳｉＣで構成されている。
【００２５】
加熱部４０は、ウェーハ保持部３０に保持されたウェーハＷの表面Ｗ１の上方及び裏面Ｗ２の下方の反応室２０外に配置され、ウェーハＷを両面から加熱する。加熱部４０は、例えば、複数のハロゲンランプ５０で構成されている。
【００２６】
図１に示すＲＴＰ装置１０を用いて、ＲＴＰを行う場合は、反応室２０に設けられた図示しないウェーハ導入口より、ウェーハＷを反応室２０内に導入して、ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部をウェーハ保持部３０のサセプタ３２上にリング状に保持し、雰囲気ガスＦＡを供給すると共に、ウェーハＷを回転させながら、加熱部４０によってウェーハＷを加熱することで行う。
【００２７】
アンモニア系ガス雰囲気中、急速昇温し保持する第１の温度範囲は、９００℃以上１２５０℃以下であることが好ましい。
前記第１の温度範囲が９００℃未満である場合には、前記研磨面のシリコン原子に窒素を終端させることが難しいため、後の第２のＲＴＰにおいて前記研磨面の表面粗さの悪化を抑制することが難しい。前記第１の温度範囲が１２５０℃を超える場合には、アンモニア系ガスによりウェーハの研磨面がエッチングされてしまい、表面粗さが悪化する。
前記アンモニア系ガスは、アンモニアガス（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）が含まれる。
【００２８】
前記アンモニア系ガス雰囲気によるＲＴＰは、４００℃以下の温度範囲で保持された図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内に前記洗浄したシリコンウェーハを投入し、前記第１の温度範囲に急速昇温することが好ましい。
このような温度範囲で投入することにより、前記第１のＲＴＰにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、反応室２０内への投入時の急激な温度変化によるスリップの発生を抑制することができる。
【００２９】
図２は、本実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用される第１のＲＴＰの熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。
前記第１のＲＴＰに用いられる熱処理シーケンスは、図２に示すように、温度Ｔ０（例えば、２００℃）で保持された図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内に少なくとも半導体デバイスが形成される表面Ｗ１側が鏡面研磨され、フッ化水素系溶液により洗浄したウェーハＷを設置し、前記第１空間２０ａ及び第２空間２０ｂ内にアンモニア系ガスを供給する。
【００３０】
次に、温度Ｔ０（℃）から９００℃以上１２５０℃以下（温度Ｔ１（℃））の第１の温度範囲まで、昇温速度ΔＴｕ１（℃／秒）で急速昇温し、温度Ｔ１（℃）にて所定時間ｔ１（秒）一定に保持した後、例えば、温度Ｔ０（℃）まで、降温速度ΔＴｄ１（℃／秒）で急速降温する。
なお、温度Ｔ０、Ｔ１は、図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内にウェーハＷを設置した場合において、ウェーハ保持部３０の下方に設置された図示しない放射温度計によって測定されたウェーハＷの表面温度（放射温度計がウェーハＷの径方向に複数配置されている場合はその平均温度）である。
【００３１】
前記第２のＲＴＰは、不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このような雰囲気でＲＴＰを行うことで、ボイド欠陥の消滅力を高くすることができる。
前記第２のＲＴＰをアンモニア系ガス雰囲気で行う場合には、アンモニア系ガスによりウェーハの研磨面がエッチングされてしまい、表面粗さが悪化する。
また、前記第２のＲＴＰを水素等の還元性ガス雰囲気で行う場合には、前記表面Ｗ１から酸素が外方拡散しやすくなるため、デバイス活性領域となるウェーハの表層部の酸素濃度が低下し、後の半導体デバイス形成時の熱処理においてスリップが発生しやすくなる。
前記不活性ガスは、アルゴンガス（Ａｒ）が好適に用いられる。
【００３２】
前記第２のＲＴＰは、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持することが好ましい。
前記第２の温度範囲が１３００℃未満である場合には、ボイド欠陥の消滅力が低下する。前記第２の温度範囲が１４００℃を超える場合には、シリコンの融点に近くなるため、シリコンウェーハが軟化又は融解する可能性がある。
前記第２の温度範囲は、前記ＲＴＰを行うために使用するＲＴＰ装置としての装置寿命の観点から１３００℃以上１３８０℃以下であることがより好ましい。
【００３３】
前記第２のＲＴＰは、４００℃以下の温度範囲で保持された図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内に前記第１のＲＴＰを行ったシリコンウェーハを投入し、前記第２の温度範囲に急速昇温することが好ましい。
このような温度範囲で投入することにより、前記第２のＲＴＰにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、反応室２０内への投入時の急激な温度変化によるスリップの発生を抑制することができる。
【００３４】
図３は、本実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用される第２のＲＴＰの熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。
前記第２のＲＴＰに用いられる熱処理シーケンスは、図３に示すように、温度Ｔ０（例えば、２００℃）で保持された図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内に少なくとも半導体デバイスが形成される表面Ｗ１側が鏡面研磨され、前記第１のＲＴＰを行ったウェーハＷを設置し、前記第１空間２０ａ及び第２空間２０ｂ内に不活性ガスを供給する。
【００３５】
次に、温度Ｔ０（℃）から１３００℃以上１４００℃以下（温度Ｔ２（℃））の第２の温度範囲まで、昇温速度ΔＴｕ２（℃／秒）で急速昇温し、その後、温度Ｔ２（℃）にて所定時間ｔ２（秒）一定に保持した後、例えば、温度Ｔ０（℃）まで、降温速度ΔＴｄ２（℃／秒）で急速降温する。
なお、温度Ｔ２は、図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内にウェーハＷを設置した場合において、ウェーハ保持部３０の下方に設置された図示しない放射温度計によって測定されたウェーハＷの表面温度（放射温度計がウェーハＷの径方向に複数配置されている場合はその平均温度）である。
【００３６】
前記第１及び第２のＲＴＰにおける昇温速度ΔＴｕ１、ΔＴｕ２は、１０℃／秒以上１５０℃／秒以下であることが好ましい。
このような昇温速度とすることで、前記ＲＴＰにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、急速昇温時の急激な温度変化による接触痕やスリップの発生を抑制することができる。
【００３７】
前記第１及び第２のＲＴＰにおける降温速度ΔＴｄ１、ΔＴｄ２は、１０℃／秒以上１５０℃／秒以下であることが好ましい。
このような降温速度とすることで、前記ＲＴＰにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、急速降温時の急激な温度変化による接触痕やスリップの発生を抑制することができる。
【００３８】
前記第１のＲＴＰにおける９００℃以上１２５０℃以下の温度範囲（温度Ｔ１（℃））の保持時間ｔ１は、１秒以上１０秒以下であることが好ましい。
このような保持時間ｔ１とすることで、生産性の低下を抑制しつつ、効率よく研磨面のシリコン原子を窒素で終端させることができる。
前記第２のＲＴＰにおける１３００℃以上１４００℃以下の温度範囲（温度Ｔ２（℃））の保持時間ｔ２は、１秒以上３０秒以下であることが好ましい。
このような保持時間ｔ２とすることで、生産性の低下を抑制しつつ、効率よくボイド欠陥の消滅を図ることができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
本実施形態に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し、前記第１の温度範囲で前記アンモニア系ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に切り替えて、更に、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。
すなわち、本実施形態に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、第１の実施形態における第１のＲＴＰ及び第２のＲＴＰを、連続した一回のＲＴＰで行う点が異なる。
その他は、第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００４０】
本実施形態に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、上述したような構成を備えているため、前述した第１の実施形態の効果に加えて、前記第１のＲＴＰを行う工程を一つ削減することができるため、生産性の向上及びコストダウンを図ることができる。
【００４１】
図４は、本実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるＲＴＰにおける熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。
前記ＲＴＰに用いられる熱処理シーケンスは、図４に示すように、温度Ｔ０（例えば、２００℃）で保持された図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内に少なくとも半導体デバイスが形成される表面Ｗ１側が鏡面研磨され、更に、フッ化水素系溶液により洗浄したウェーハＷを設置し、第１空間２０ａ及び第２空間２０ｂ内にアンモニア系ガスを供給する。
次に、温度Ｔ０（℃）から９００℃以上１２５０℃以下（温度Ｔ１（℃））の第１の温度範囲まで、昇温速度ΔＴｕ２（℃／秒）で急速昇温することで窒素を終端させる。その後、連続して、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））で前記アンモニア系ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に切り替えて、前記第１空間２０ａ及び前記第２空間２０ｂ内に供給する。
次に、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））から１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲（温度Ｔ２（℃））まで、昇温速度ΔＴｕ２（℃／秒）で更に急速昇温し、前記第２の温度範囲（温度Ｔ２（℃））にて所定時間ｔ２（秒）一定に保持した後、例えば、温度Ｔ０（℃）まで、降温速度ΔＴｄ２（℃／秒）で急速降温を行う。
【００４２】
図５は、本実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるＲＴＰにおける熱処理シーケンスの他の一例を示す概念図である。
前記アンモニア系ガス雰囲気から不活性ガス雰囲気への切替えは、図５に示すように、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））で一定に保持した状態で行うことが好ましい。
すなわち、温度Ｔ０（例えば、２００℃）で保持された図１に示すようなＲＴＰ装置１０の反応室２０内に少なくとも半導体デバイスが形成される表面Ｗ１側が鏡面研磨され、更に、フッ化水素系溶液により洗浄したウェーハＷを設置し、第１空間２０ａ及び第２空間２０ｂ内にアンモニア系ガスを供給する。
【００４３】
次に、温度Ｔ０（℃）から９００℃以上１２５０℃以下（温度Ｔ１（℃））の第１の温度範囲まで、昇温速度ΔＴｕ２ａ（℃／秒）で急速昇温し、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））で所定時間（ｔ１ａ（秒））保持することで窒素を終端させる。その後、連続して、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））で前記アンモニア系ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に切り替えて、更に、所定時間（ｔ１ｂ（秒））一定に保持し、その後、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲（温度Ｔ２（℃））まで昇温速度ΔＴｕ２ｂ（℃／秒）で更に急速昇温し、前記第２の温度範囲（温度Ｔ２（℃））にて所定時間ｔ２（秒）一定に保持した後、例えば、温度Ｔ０（℃）まで、降温速度ΔＴｄ２（℃／秒）で急速降温を行う。
【００４４】
本実施形態に係わるシリコンウェーハの熱処理方法を図５に示すような熱処理シーケンスで行う場合には、生産性は若干低下するものの、図４に示すような熱処理シーケンスよりも窒素を多く終端させることが可能となり、更に、ガス切り替えの際、反応室２０内から前記アンモニア系ガスを完全に排出させやすくなる。従って、１２５０℃を超える高温下でウェーハの研磨面がアンモニア系ガスに晒される危険性が少なくなるため、前記研磨面における表面粗さの悪化を抑制することができる。
【００４５】
前記アンモニア系ガス雰囲気にて、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））を保持する保持時間（ｔ１ａ（秒））は、１秒以上５秒以下であり、前記切り替え後、不活性ガス雰囲気中、前記第１の温度範囲（温度Ｔ１（℃））を保持する保持時間（ｔ１ｂ（秒））は、１秒以上５秒以下であることが好ましい。
このような保持時間とすることで、生産性の低下を抑制しつつ、効率よく窒素を終端させることができる。
【００４６】
前記ＲＴＰにおける昇温速度ΔＴｕ２ａ、ΔＴｕ２ｂは、１０℃／秒以上１５０℃／秒以下であることが好ましい。
このような昇温速度とすることで、前記ＲＴＰにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、かつ、急速昇温時の急激な温度変化による接触痕やスリップの発生を抑制することができる。
なお、昇温速度ΔＴｕ２ａ及びΔＴｕ２ｂは、１０℃／秒以上１５０℃／秒以下であれば同じ昇温速度であってもよく、異なる昇温速度であってもよい。
【００４７】
前記第１の実施形態と第２の実施形態は、前記研磨面に効率よく窒素を終端させるという観点から考えると、第１の実施形態で示すように、第１のＲＴＰと第２のＲＴＰを個別に行うことが好ましい。このような構成とすることで、第２のＲＴＰ後の表面粗さを向上させることができる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。
（試験１）
ＣＺ法によりｖ／Ｇ（ｖ：引上速度、Ｇ：単結晶内の引上軸方向の温度勾配）を制御して空孔型点欠陥が存在する領域を有するシリコン単結晶インゴットを製造し、該領域から切り出して得られた両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ（直径３００ｍｍ、面方位｛１００｝、厚さ７７５μｍ、酸素濃度１．２〜１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）を、濃度５％のフッ酸溶液にウェーハ全体を浸漬し、一定時間（５分間）洗浄させた後、純水洗浄して乾燥させた。
次に、前記洗浄を行ったサンプルに対して、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、図２に示すような熱処理シーケンスにて温度Ｔ１（℃）を変化させた第１のＲＴＰを行った。
具体的には、２００℃で保持された反応室内に前記洗浄したウェーハを投入し、雰囲気として、アンモニアガス（ＮＨ３）を供給し、昇温速度（ΔＴｕ１）７５℃／秒で、温度Ｔ１（℃）を８００℃、９５０℃、１１００℃、１２５０℃、１３００℃と変化させて各々急速昇温し、温度Ｔ１（℃）を各々１０秒間保持した後に、降温速度（ΔＴｄ１）９０℃／秒で２００℃まで急速降温させた（第１のＲＴＰ）。
【００４９】
次に、前記第１のＲＴＰを行った各々のサンプルに対して、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、図３に示すような熱処理シーケンスにて温度Ｔ２（℃）を更に変化させた第２のＲＴＰを行い、アニールウェーハを作製した。
具体的には、２００℃で保持された反応室内に前記第１のＲＴＰを行ったウェーハを投入し、雰囲気として、アルゴンガス（Ａｒ）を供給し、昇温速度（ΔＴｕ２）７５℃／秒で、温度Ｔ２（℃）を１２５０℃、１３００℃、１３５０℃と変化させて各々急速昇温し、温度Ｔ２（℃）を各々１５秒間保持した後に、降温速度（ΔＴｄ２）９０℃／秒で５００℃まで急速降温させた（第２のＲＴＰ）。なお、このアルゴンガス（Ａｒ）には、反応室内に設置された酸素濃度計による測定において０．１ｐｐｍ以下の非常に微量の酸素が含まれていることが分かっている。
【００５０】
得られたアニールウェーハの半導体デバイス形成面における表面粗さをＡＦＭ（Atomic Force Microscope）を用いて、ＲＭＳ（測定範囲：３μｍ×３μｍ）を評価した。
また、半導体デバイス形成面における凹形状のピットの発生状況をＡＦＭ画像から評価した。
更に、ウェーハ表面から深さ５μｍまでの表層部における欠陥密度に関し、ＬＳＴＤスキャナ（Ｌａｓｅｒ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ Ｄｅｆｅｃｔ
Ｓｃａｎｎｅｒ）にて波長６８０ｎｍで評価した。
また、参考例として前記洗浄前のウェーハの半導体デバイス形成面における表面粗さを、同様に、ＡＦＭを用いて、ＲＭＳ（測定範囲：３μｍ×３μｍ）を評価した。
本試験における試験条件及び評価結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
0005583070.tif 000002
【００５２】
表１に示すように、温度Ｔ１が８００℃又は１３００℃である場合（比較例１から３、比較例７から９）は、第２のＲＴＰ後の表面粗さが悪化する傾向が認められる。また、温度Ｔ１が８００℃である場合（比較例１から３）は、凹形状のピットの発生が認められる。更に、温度Ｔ２が１２５０℃である場合（比較例１、４、５、６、７）は、欠陥密度が高くなる傾向が認められる。
従って、温度Ｔ１を９００℃以上１２５０℃以下として、更に、温度Ｔ２を１３００℃以上とすることで、表面粗さの悪化を抑制することができ、凹形状のピットも発生せず、かつ、欠陥密度が低いことが認められる。
【００５３】
（試験２）
前記洗浄を行った各々のサンプルに対して、図１に示すようなＲＴＰ装置１０を用いて、図４に示すような熱処理シーケンスにて温度Ｔ１（℃）及び温度Ｔ２（℃）を試験１と同様の条件で変化させたＲＴＰを行い、アニールウェーハを作製した。その他は、試験１と同様であるため説明を省略する。
具体的には、２００℃で保持された反応室内に前記洗浄したウェーハを投入し、雰囲気として、アンモニアガス（ＮＨ３）を供給し、温度Ｔ１を８００℃、９５０℃、１１００℃、１２５０℃、１３００℃と変化させて、昇温速度（ΔＴｕ２）７５℃／秒で、各々温度Ｔ１まで急速昇温し、その後、温度Ｔ１にて、雰囲気をアンモニアガス（ＮＨ３）からアルゴンガス（Ａｒ）に切り替えて、温度Ｔ２を１２５０℃、１３００℃、１３５０℃と更に変化させて、昇温速度（ΔＴｕ２）７５℃／秒で、各々温度Ｔ２まで急速昇温し、温度Ｔ２で１５秒間保持した後に、降温速度（ΔＴｄ２）９０℃／秒で５００℃まで急速降温させた。なお、このアルゴンガス（Ａｒ）には、反応室内に設置された酸素濃度計による測定において０．１ｐｐｍ以下の非常に微量の酸素が含まれていることが分かっている。
得られたアニールウェーハの半導体デバイス形成面における表面粗さ、凹形状のピットの発生状況及び欠陥密度をそれぞれ試験１と同様な方法にて測定した。
表２に、試験２における評価結果を示す。
【００５４】
【表２】
0005583070.tif 000003
【００５５】
表２に示すように、試験２では、試験１と比べると表面粗さが若干程度（ＲＭＳにして、０．０１〜０．０３ｎｍ程度）粗くなる傾向が認められるが、試験２においても試験１と同様な傾向が認められる。すなわち、温度Ｔ１が８００℃又は１３００℃である場合（比較例１０から１２、比較例１６から１８）は、第２のＲＴＰ後の表面粗さが悪化する傾向が認められる。また、温度Ｔ１が８００℃である場合（比較例１０から１２）は、凹形状のピットの発生が認められる。更に、温度Ｔ２が１２５０℃である場合（比較例１０、１３、１４、１５、１６）は、欠陥密度が高くなる傾向が認められる。
【００５６】
従って、試験２においても試験１と同様に、温度Ｔ１を９００℃以上１２５０℃以下として、更に、温度Ｔ２を１３００℃以上とすることで、表面粗さの悪化を抑制することができ、凹形状のピットも発生せず、かつ、欠陥密度が低いことが認められる。
【符号の説明】
【００５７】
１０  ＲＴＰ装置
２０  反応室
３０  ウェーハ保持部
４０  加熱部
【図１】
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【図２】
0005583070.tif 000005
【図３】
0005583070.tif 000006
【図４】
0005583070.tif 000007
【図５】
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