(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＥＭ観察により測定した平均粒径（メジアン径）が２００ｎｍ以下のペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含むセラミック粉末であって、
該チタン酸バリウムのＴＥＭ観察により測定される双晶欠陥の割合が１０％未満であり、結晶格子におけるｃ／ａが１．００７５以上である、セラミック粉末。
【請求項２】
前記チタン酸バリウムの双晶欠陥の割合が５〜９％である、請求項１に記載のセラミック粉末。
【請求項３】
前記チタン酸バリウムの結晶格子におけるｃ／ａが１．００７５〜１．０１０４である、請求項１又は２に記載のセラミック粉末。
【請求項４】
前記チタン酸バリウムの平均粒径が８０〜１５０ｎｍである、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック粉末。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック粉末の焼結体からなる誘電体層と、内部電極層とを交互に積層させてなる、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に薄層誘電体層を使用した積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）において有用な、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含むセラミック粉末及び当該セラミック粉末を使用して得られるＭＬＣＣに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Multi-Layer Ceramic Capacitor）は、携帯機器、通信機器等の様々な電子機器に用いられている。
【０００３】
近年、ＭＬＣＣ等の電子部品は小型化、高性能化の流れが著しく、例えばＭＬＣＣの場合、小型化と大容量化が著しい。ＭＬＣＣの容量は、ＭＬＣＣの素地を構成する誘電体層の積層数に比例し、誘電体層一層あたりの厚みに反比例するので、誘電体層の厚みを、例えば１μｍ以下に薄くしつつ、積層数を増やすことが望まれている。
【０００４】
このような誘電体層の形成材料たるセラミック粉末として、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末が広く用いられている。
【０００５】
性能や信頼性を確保する観点から、また物理的にも、前記の誘電体層の厚みを薄くするためには、チタン酸バリウム粉末を微細化することが重要である。
【０００６】
ここで、誘電体層の薄層化に適したチタン酸バリウム系化合物の合成方法として、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合し、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る方法が提案されている（特許文献１）。
【０００７】
特許文献１の方法で得られるチタン酸バリウム系化合物粉末は、その平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、１０％以上の粒子の内部に双晶欠陥が存在し、粒度分布の標準偏差が２０以下であることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１３２０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１記載の方法で得られるセラミック粉末のように、セラミック粉末を微細化すると、ＭＬＣＣの寿命特性に重要な役割を担う粒界の誘電体層１層あたりの数が増える為、ＭＬＣＣの寿命特性が良好になるが、一方でセラミック粉末が微細化すると、その表面積が増えて誘電率が低下する（チタン酸バリウムのサイズ効果）現象が起きる。
【００１０】
このため微細化しない場合と同じ静電容量を得るためには、誘電体層の厚みを薄くしなければならず、この場合には誘電体層の単位厚みあたりに掛かるＤＣ電解が上昇するので、ＭＬＣＣの寿命特性が悪化してしまう。従って、ＭＬＣＣの容量と寿命特性の両立を図ることが望まれている。
【００１１】
そこで本発明は、特に１μｍ以下の薄層誘電体層の形成に有用であり、容量と寿命特性の両立を達成したＭＬＣＣを製造可能な、ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を提供し、これにより容量及び寿命特性に優れたＭＬＣＣ製品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、平均粒径が一定以下で、かつ双晶欠陥の含有割合が一定の値未満であり、結晶格子のｃ／ａが一定値以上とテトラゴナリティ（正方晶度）の高いチタン酸バリウムを含むセラミック粉末が、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するにいたった。
【００１３】
すなわち本発明は、ＳＥＭ観察により測定した平均粒径（メジアン径）が２００ｎｍ以下のペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含むセラミック粉末であって、該チタン酸バリウムのＴＥＭ観察により測定される双晶欠陥の割合が１０％未満であり、結晶格子におけるｃ／ａが１．００７５以上である、セラミック粉末である。
【００１４】
前記チタン酸バリウムは、その双晶欠陥の割合が５〜９％であり、結晶格子におけるｃ／ａが１．００７５〜１．０１０４であり、平均粒径が８０〜１５０ｎｍであることが好ましい。このような範囲にある本発明のセラミック粉末を使用すると、容量と寿命特性に優れたＭＬＣＣを生産することができる。
【００１５】
さらに本発明のＭＬＣＣは、本発明のセラミック粉末の焼結体からなる誘電体層と、内部電極層とを交互に積層させてなるものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、特に１μｍ以下の薄層誘電体層の形成に有用であり、容量と寿命特性の両立を達成したＭＬＣＣを製造可能な、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末が提供され、このセラミック粉末を使用することで、容量及び寿命特性に優れたＭＬＣＣが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、双晶欠陥を形成しているチタン酸バリウム粒子を示す模式図である。
【図２】図２は、本発明の積層セラミックコンデンサの概略縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
上述の通り、本発明のセラミック粉末はペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムを含み、そのチタン酸バリウムの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により測定した平均粒径（メジアン径）は２００ｎｍ以下である。
【００１９】
前記平均粒径は、チタン酸バリウムの粉末サンプルをＳＥＭ観察し、ｎ＝５００として、そのメジアン径をとることで求められる。
【００２０】
平均粒径が２００ｎｍよりも大きいと、厚み１μｍ以下で、かつ平滑で信頼性の高い誘電体層を得ることができない。
【００２１】
また平均粒径は通常８０ｎｍ以上であり、誘電体層の薄層化の観点から好ましくは８０〜１５０ｎｍである。なお、平均粒径の調整方法については後述する。
【００２２】
次に、前記ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムは、その透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により測定される双晶欠陥の割合が１０％未満である。双晶欠陥の割合は、前記チタン酸バリウムの粉末をＴＥＭ観察し、ｎ＝１００として双晶を形成しているものをカウントすることにより測定する。双晶欠陥を形成しているチタン酸バリウム粒子の模式図を図１に示す。
【００２３】
本発明の効果の観点からは、前記双晶欠陥の割合は５〜９％であることが好ましい。なお、双晶欠陥の割合の調整方法については後述する。
【００２４】
前記ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムの結晶格子におけるｃ／ａは、前述の通り１．００７５以上である。ｃ／ａは、公知の粉末Ｘ線回折法によりチタン酸バリウムの回折ピークを測定し、得られた回折ピークをリートベルト法で解析し、ａ軸とｃ軸の格子定数を算出することにより求めることができる。
【００２５】
このようにチタン酸バリウムのテトラゴナリティ（正方晶度）が高く、かつ平均粒径が一定以下である本発明のセラミック粉末は、誘電率と加速寿命の関係を両立することができ、これを使用して容量及び寿命特性に優れたＭＬＣＣを製造することができる。
【００２６】
以上の観点からは、ｃ／ａは１．００７５〜１．０１０４であることが好ましい。なお、ｃ／ａの調整方法については後述する。
【００２７】
次に、本発明のセラミック粉末の製造方法について説明する。当該製造方法は、前記粉末の主成分を構成するチタン酸バリウムが以上説明した種々のパラメータを達成することができる限り特に限定されないが、例えば以下のように種々の条件、要因を考慮、調整して製造することができる。
【００２８】
一般的に、まずチタン原料とバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成し、これを熱処理して焼成することによりセラミック粉末とし、必要に応じて粒径の調整のために粉砕処理を行い、さらに必要に応じて種々の添加化合物と混合する。
【００２９】
前記のチタン酸バリウムの合成方法としては従来種々の方法が知られており、例えばゾルゲル法、水熱法、固相法等が知られている。
【００３０】
これらのうち、ゾルゲル法や水熱法は双晶欠陥の発生を抑制し、またｃ／ａの値を低下させる傾向がある。
固相法は、双晶欠陥の発生を多くし、またｃ／ａの値を高くする傾向がある。
双晶欠陥の割合を１０％未満とするため、本発明においては水熱法を採用することが好ましい。
【００３１】
さらに合成されたチタン酸バリウムにおける、バリウムとチタンとの比（Ｂａ／Ｔｉ）は、ストイキオメトリーより僅かに大きいとｃ／ａの値を高め、僅かに小さいとｃ／ａの値を低くする傾向がある。双晶欠陥の割合にはあまり影響しない。
【００３２】
さらに前記の熱処理は、本発明においては、加熱処理と水熱処理の二段階に分けて行うことが好ましい。
【００３３】
前記加熱処理の温度が高い又は時間が長いと、双晶欠陥の発生割合が高まり、ｃ／ａの値が高くなる傾向があり、反対に加熱処理の温度が低い又は時間が短いと、双晶欠陥の発生が抑制され、またｃ／ａの値が低くなる傾向がある。
【００３４】
加熱処理を加えることでチタン酸バリウムを焼成し、粒子を成長させて、所望の平均粒径を有するチタン酸バリウム粉末を得る。またこの加熱処理によって、チタン酸バリウムの双晶欠陥の割合及び結晶格子のｃ／ａの値が高まる。
【００３５】
前記加熱処理の条件は特に限定されないが、通常５００〜１２００℃／０．５〜４時間の条件で、好ましくは７８０〜８７０℃／２〜３時間の条件である。またこの加熱処理は、大気雰囲気下で行ってもよいし、Ｎ２等の雰囲気下で行ってもよい。
【００３６】
このように一定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって、粒子成長の度合いを制御して、所望の平均粒径が達成される。焼成する前は、チタン酸バリウム粉末の平均粒径は通常１０〜８５ｎｍであるが、この加熱処理（焼成）により、通常８０〜２００ｎｍまで成長し、誘電率が高くなる。
【００３７】
以上説明した加熱処理により、チタン酸バリウムの双晶欠陥の割合を調整し、また結晶格子のｃ／ａの値を高めることができる。
【００３８】
前記加熱処理（焼成）を経たチタン酸バリウムは、続いて水熱処理に付される。この水熱処理は、前記チタン酸バリウム粉末を水や所定の水溶液等の液に投入し、液を媒体として前記粉末に熱エネルギーを付与することにより実現される。
【００３９】
水熱処理温度は１００℃以上が好ましく、１００℃未満ではチタン酸バリウムのテトラゴナリティを高める効果はあまり期待できない。なお、水熱処理温度は、通常２００℃以下である。
【００４０】
水熱処理の時間には特段制限はないが、１時間以上であれば充分な水熱処理を行うことができ、通常２４時間以下である。
【００４１】
また、水熱処理時の圧力は１ＭＰａ以上であれば充分な効果が期待できる。
さらに、水熱処理のｐＨは通常１２〜１２．５である。
【００４２】
さらに、水熱処理用の液は水であっても構わないが、好ましくは前記ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムのＡサイト金属イオン、すなわちバリウムイオンを所定濃度で含む水溶液、望ましくは、処理粉末に含まれるＡサイト金属のモル数の０．１倍以上のＡサイト金属イオンを含む水溶液を使用する。
【００４３】
水熱処理を終えた後、チタン酸バリウム粉末を乾燥し、そして必要に応じて粉砕処理し、粒径を調節したり、あるいは分級処理と組み合わせることでその粒径を整える。
【００４４】
この粉砕処理は湿式でも乾式でもよいが、乾燥凝集の観点から乾式粉砕が好ましい。なお、乾式粉砕を行うと、ｃ／ａの値が低下する傾向がある。双晶欠陥の割合にはあまり影響しない。
【００４５】
本発明においては、以上の各操作における傾向を踏まえたうえで、個々の条件等を適宜調節・設定して、本発明で規定される平均粒径、双晶欠陥割合及びｃ／ａ値を満たすペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末を製造する。
【００４６】
特に本発明においては、水熱法によりチタン酸バリウムを製造し、製造されたチタン酸バリウムを５００〜１２００℃／０．５〜４時間の条件で加熱処理し、加熱処理されたチタン酸バリウムを１００〜２００℃／１〜２４時間／ｐＨ１２〜１２．５の条件で水熱処理して、必要に応じて水熱処理されたチタン酸バリウムに乾式粉砕処理を行って、チタン酸バリウム粉末を得ることが好ましい。
【００４７】
本発明のセラミック粉末は、例えば以上のようにして得られるチタン酸バリウム粉末を含んでおり、後述するように、必要に応じて種々の添加化合物を含む。
【００４８】
例えば以上説明したようにして得られる本発明のセラミック粉末は、平均粒径が小さく、これを使用して、厚み１μｍ以下の誘電体層を有する高品質なＭＬＣＣを製造することができる。製造されたＭＬＣＣは、十分な静電容量を有し、また製品寿命特性に優れる。
【００４９】
次に、本発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサを説明する。図２は、本発明の積層セラミックコンデンサ１の概略縦断面図である。
【００５０】
積層セラミックコンデンサ１は、規格で定められたチップ寸法及び形状（例えば１．０×０．５×０．５ｍｍの直方体）を有するセラミック焼結体１０と、セラミック焼結体１０の両側に形成される一対の外部電極２０とから概ね構成される。セラミック焼結体１０は、チタン酸バリウムの粒子結晶を主成分とし、内部に誘電体層１２と内部電極層１３とが交互に積層されてなる積層体１１と、積層方向上下の最外層として形成されるカバー層１５とを有している。
【００５１】
積層体１１は、静電容量や要求される耐圧等の仕様に応じて、２枚の内部電極層１３で挟まれる誘電体層１２の厚さが１μｍ以下（例えば９００ｎｍ程度）であって、全体の積層数が数十〜数百の高密度多層構造を有している。
【００５２】
積層体１１の最外層部分に形成されるカバー層１５は、誘電体層１２及び内部電極層１３を外部からの湿気やコンタミ等の汚染から保護し、それらの経時的な劣化を防ぐ。
【００５３】
積層セラミックコンデンサ１は、例えば次のようにして製造される。まず、チタン酸バリウムを主成分とする微粒子の原料粉末を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥、粉砕して誘電体粉末（本発明のセラミック粉末）を調製する。前記添加化合物としては例えば、Ｍｇ，Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｃｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ｌｉ，Ｂ，Ｎａ又はＫの酸化物が挙げられる。これらの添加化合物は通常、チタン酸バリウム１モルに対して、合計で０．０１〜０．１モル添加される。
【００５４】
調製した誘電体粉末をポリビニルブチラール樹脂等のバインダ及びエタノール等の有機溶剤で湿式混合し、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に厚み１μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。そして、誘電体グリーンシートの表面に、有機バインダを含む金属導電ペーストをスクリーン印刷やグラビア印刷により印刷することで内部電極層１３のパターンを配置する。前記金属として、コストの観点からニッケルが広く採用されている。
【００５５】
なお、前記金属導電ペーストには共材として、平均粒径が５０ｎｍ以下のチタン酸バリウムを均一に分散させてもよい。その後、例えば１５ｃｍ×１５ｃｍの大きさに打ち抜いて揃えられた誘電体グリーンシートを内部電極層１３と誘電体層１２とが互い違いになるように所定層数だけ積層する。積層した誘電体グリーンシートの上下にカバー層１５となるカバーシートを圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットし、その後に外部電極２０となるＮｉ導電ペーストをカットした積層体の両側面に塗布して乾燥させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１の成型体が得られる。
【００５６】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサ１の成型体を、約３５０℃のＮ２雰囲気中で脱バインダした後に、Ｎ２、Ｈ２、Ｈ２Ｏの混合ガス（酸素分圧が約１．０×１０−１１ＭＰａ）において１１００〜１２８０℃で１０分〜２時間焼成することで、積層セラミックコンデンサ１が得られる。
【００５７】
得られた積層セラミックコンデンサ１において、内部電極層１３は誘電体層１２の長さ方向両端面に端縁が交互に露出するように埋設されており、内部電極層１３の端縁に露出した部分が、外部電極２０と接続している。
【００５８】
また、前記誘電体層１２の厚みは通常３μｍ以下、好ましくは０．５〜１μｍであり、前記内部電極層１３の厚みは通常０．５〜３μｍである。本発明のセラミック粉末においては、その主成分であるチタン酸バリウムの平均粒径が２００ｎｍ以下にコントロールされているため、このような薄層誘電体層であっても、その表面において優れた平滑性が達成され、ショート等の不具合が起きにくい積層セラミックコンデンサが得られる。
【００５９】
さらに前記焼成により、前記誘電体粉末の主成分であるチタン酸バリウムからなるコア部と、前記添加化合物及びチタン酸バリウムの固溶体からなるシェル部とを有するコア−シェル構造の粒子が形成されることにより誘電体層に良好な温度特性が付与され、ＭＬＣＣが周辺環境の温度変化にさらされても、静電容量等の性能がほとんど変化しない。
【実施例】
【００６０】
（実施例１）
ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム粉末を以下の手法で得た。
【００６１】
先ず、平均粒径が５０ｎｍの酸化チタン粒子が分散したスラリーに水酸化バリウム塩を混合し、１２０℃／４８時間、ｐＨ１３の条件で水熱反応させてチタン酸バリウム粉末を得た。
【００６２】
その後、この粉末に対して、Ｎ２雰囲気中で８００℃／３時間の条件で加熱処理（焼成）を施し、さらに加熱処理した粉末を再度、１００℃、ｐＨ；１２、２４時間の条件で水熱処理した。得られたチタン酸バリウムのバリウムとチタンとの比（Ｂａ／Ｔｉ）は１．００１０であり、平均粒径は１２５ｎｍであり、双晶欠陥を含む粒子の割合は全体の９％であり、ｃ／ａは１．００８５であった。
【００６３】
なお平均粒径については、粉末サンプルをＳＥＭ観察し、５００個の粒子について粒径を測定し、そのメジアン径を平均粒径とした。
【００６４】
双晶割合については、粉末サンプルをＴＥＭ観察し、１００個の粒子について双晶を形成しているものをカウントすることにより、その割合を求めた。
さらにｃ／ａは、粉末Ｘ線回折法を行い、リートベルト解析を実施することで求めた。
【００６５】
得られたチタン酸バリウム粉末を原料に、X7R系誘電体組成｛（１００BaTiO3−１．２５Ｈｏ２Ｏ３−１．２ＭｇＯ−０．２５ＭｎＯ２−１．３ＳｉＯ２）；単位  ｍｏｌ｝にてセラミック粉末を得て、常法によりＭＬＣＣの成型物を作製し、これを焼成炉内で、Ｎ２ベースでＨ２濃度が０．７５％の雰囲気、焼成温度；１２００℃で焼成し、１．０×１．０×０．５ｍｍの形状で、誘電体層数５０層、ニッケル内部電極層数５１、誘電体層１層の厚み１μｍのＭＬＣＣを作製した。
【００６６】
作製されたＭＬＣＣについて、その電気的特性（比誘電率、誘電損失及び寿命）を評価したところ、比誘電率（εγ）は３２５０、誘電損失（ｔａｎδ）は３．５０％、加速寿命試験における平均故障時間は５６０分であった（ｎ＝１００）。
【００６７】
なお、加速寿命試験は、105℃、E=50V/μmの条件下で実施した。比誘電率と寿命の関係は、本条件で試験した結果、平均故障時間をy、比誘電率をｘとした場合、ｙ≧1020×x-5の関係がなりたてば、合格（○）と判定した。
【００６８】
以上の結果を下記表１及び２にまとめる。なお、焼成後のＭＬＣＣをＴＥＭにより構造解析した結果、用いたＭＬＣＣにおいて、その製造に用いたセラミック粉末原料の双晶欠陥の割合と同等な割合で双晶欠陥が含まれることが確認された。
【００６９】
（比較例１）
平均粒径が５０ｎｍの酸化チタン粒子が分散したスラリーに水酸化バリウム塩を混合し、１２０℃／４８時間、ｐＨ１３の条件で水熱反応させてチタン酸バリウム粉末を得た。
【００７０】
その後、このチタン酸バリウム粉末に対して、Ｎ２雰囲気中で８００℃／３時間の条件で加熱処理（焼成）を施し、さらに焼成後のチタン酸バリウム粉末を１００℃、ｐＨ；１２、２４時間の条件で水熱処理した。
【００７１】
得られたチタン酸バリウムを気流式乾式粉砕機（ジェットミル）により解砕してチタン酸バリウム粉末を得た。得られたチタン酸バリウム粉末のバリウムとチタンとの比（Ｂａ／Ｔｉ）は１．００１０であり、平均粒径は１１５ｎｍであり、双晶欠陥を含む粒子の割合は全体の９％、ｃ／ａは１．００７３であった。
【００７２】
このチタン酸バリウム粉体を原料に、実施例１と同一組成にてセラミック粉末を調製し、常法によりＭＬＣＣ成型物を得て、これを焼成炉内で実施例１と同様の条件で焼成し、誘電体層数５０層、ニッケル内部電極層数５１、誘電体層の１層厚み１μｍのＭＬＣＣを作製した。得られたＭＬＣＣについて、その電気的特性を評価したところ、比誘電率（εγ）は３２５０、誘電損失（ｔａｎδ）は７．２０％、加速寿命試験における平均故障時間は２６０分と、寿命特性が不十分なＭＬＣＣであった。
【００７３】
以上の結果を下記表１及び２にまとめる。なお、焼成後のＭＬＣＣをＴＥＭにより構造解析した結果、用いたＭＬＣＣにおいて、その製造に用いたセラミック粉末原料の双晶欠陥の割合と同等な割合で双晶欠陥が含まれることが確認された。
【００７４】
（実施例２〜６、比較例２〜５）
チタン酸バリウムの合成における水熱反応条件、熱処理前後の平均粒径、各種熱処理条件、粉砕条件、バリウムとチタンとの比（Ｂａ／Ｔｉ）、双晶欠陥の生成比率、及びｃ／ａの値を下記表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にしてチタン酸バリウム粉末を製造した。
【００７５】
得られたチタン酸バリウム粉末を原料として、実施例１と同一組成にてセラミック粉末を調製し、常法によりＭＬＣＣの成型物を得て、これを焼成炉内で実施例１と同様の条件で焼成し、ニッケル内部電極層数５１、誘電体層の１層厚み１μｍのＭＬＣＣを作成した。得られたＭＬＣＣについて、その電気的特性を評価した。
【００７６】
結果を下記表２に示す。なお、全ての例において、焼成後のＭＬＣＣをＴＥＭにより構造解析した結果、用いたＭＬＣＣにおいて、その製造に用いたセラミック粉末原料の双晶欠陥の割合と同等な割合で双晶欠陥が含まれることが確認された。
【００７７】
【表１】
0005484506.tif 000002
【００７８】
例えば実施例１及び比較例１の比較により、粉砕を行うと、チタン酸バリウム粉末の平均粒径が小さくなり、双晶欠陥割合に影響はなく、ｃ／ａが小さくなることが分かる。
【００７９】
また比較例５より、チタン酸バリウム粉末の製造条件によっては、ｃ／ａが達成できないことが分かる。
【００８０】
【表２】
0005484506.tif 000003
【符号の説明】
【００８１】
１  積層セラミックコンデンサ
１０  セラミック焼結体
１１  積層体
１２  誘電体層
１３  内部電極層
１５  カバー層
２０  外部電極
【図１】
0005484506.tif 000004
【図２】
0005484506.tif 000005