(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムオンパッケージアーキテクチャを含むモバイルプラットフォームを有し、
前記システムオンパッケージアーキテクチャは複数のレイヤのスタックとして構成され、該複数のレイヤのスタックは、
第１の形状適合可能な材料を有する、前記複数のレイヤのスタックの第１レイヤと、
前記第１レイヤと面接触している第２の形状適合可能な材料を有する、前記複数のレイヤのスタックの第２レイヤと、
前記第２レイヤと面接触している第３の材料を有する、前記複数のレイヤのスタックの第３レイヤと、
前記複数のレイヤのスタック中に組み込まれた１つ以上の電子コンポーネントとを有し、
前記第１の形状適合可能な材料、前記第２の形状適合可能な材料、又は両方は、無線周波数信号を送れるように構成された、装置。
【請求項２】
１つ以上の電子コンポーネントから発生する熱を放熱するように構成された放熱要素をさらに有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記放熱要素は前記第１レイヤと前記第２レイヤとの間に配置される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の形状適合可能な材料と前記第２の形状適合可能な材料とは同じ材料である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の形状適合可能な材料と前記第２の形状適合可能な材料とは異なる材料である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の形状適合可能な材料、前記第２の形状適合可能な材料、又は両方はポリマーを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の形状適合可能な材料、前記第２の形状適合可能な材料、又は両方は有機又はポリマー材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記放熱要素は導電性材料又は有向導電体を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
前記導電性材料は、銅、アルミニウム、ＫＯＶＡＲ、真鍮、及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）よりなるグループから選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記有向導電体は、２次元の平面に沿って熱を放熱するように構成されたグラファイトを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記１つ以上の電子コンポーネント間のノイズ、クロストーク、または両方を低減するように構成され、前記複数のレイヤのスタック間に配置された絶縁構造をさらに有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記絶縁構造はスタックされたビアパターンを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記絶縁構造は、周期的構成で配置された複数の要素を含み、前記絶縁構造の動作特性は前記複数の要素の前記周期的構成の周期に関連する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ノイズは、前記１つ以上の電子コンポーネントにより生じる無線周波数ノイズ、デジタルノイズのハーモニクス、又は両方を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第３の材料は前記第１及び第２の形状適合可能な材料と異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
システムオンパッケージアーキテクチャを含むモバイルプラットフォームを形成するステップを有し、
前記システムオンパッケージアーキテクチャは複数のレイヤのスタックとして構成され、該複数のレイヤのスタックは、
第１の形状適合可能な材料を有する、複数のレイヤのスタックの第１レイヤを設けるステップと、
前記第１レイヤと面接触している第２の形状適合可能な材料を有する、複数のレイヤのスタックの第２レイヤを設けるステップと、
前記第２レイヤと面接触している第３の材料を有する、複数のレイヤのスタックの第３レイヤを設けるステップと、
前記複数のレイヤのスタック中に１つ以上の電子コンポーネントを組み込むステップとを有し、
前記第１の形状適合可能な材料、前記第２の形状適合可能な材料、又は両方は、無線周波数信号を送れるように構成された、方法。
【請求項１７】
前記第１と第２の形状適合可能な材料の間に放熱要素を構成するステップをさらに有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記放熱要素は前記第１レイヤと前記第２レイヤとの間に配置される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の形状適合可能な材料と前記第２の形状適合可能な材料とは同じ材料である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の形状適合可能な材料と前記第２の形状適合可能な材料とは異なる材料である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の形状適合可能な材料、前記第２の形状適合可能な材料、又は両方はポリマーを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の形状適合可能な材料、前記第２の形状適合可能な材料、又は両方は有機又はポリマー材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記放熱要素は導電性材料又は有向導電体を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記導電性材料は、銅、アルミニウム、ＫＯＶＡＲ、真鍮、及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）よりなるグループから選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記有向導電体は、２次元の平面に沿って熱を放熱するように構成されたグラファイトを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記１つ以上の電子コンポーネント間のノイズ、クロストーク、または両方を低減するように構成された絶縁構造を、前記複数のレイヤのスタック間に構成するステップをさらに有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２７】
前記絶縁構造はスタックされたビアパターンを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記絶縁構造は複数の要素を含み、前記複数のレイヤのスタック間に前記絶縁構造を構成するステップは、周期的構成前記複数の要素を構成するステップを含み、前記絶縁構成の動作特性は前記複数の要素の前記周期的構成の周期に関連する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記前記ノイズは、前記１つ以上の電子コンポーネントにより生じる無線周波数ノイズ、デジタルノイズのハーモニクス、又は両方を含む、請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、集積回路設計に関し、より具体的には、性能の改善、温度管理の集積、及びＳＦＦ−ＳＯＰ環境における干渉の緩和のうち１つ以上を伴う、スモールフォームファクタ（ＳＦＦ）、システムオンパッケージ（ＳＯＰ）アーキテクチャに関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイルプラットフォームはサイズがより小さくなり、効率的な通信のためのより多くの電子及び無線機能を組み込んでいる。所望のすべての電子機能を将来のスモールフォームファクタ（ＳＦＦ）モバイルプラットフォームに入れるため、組み込みシステムオンパッケージ（ＳＯＰ）アーキテクチャが開発されている。
【０００３】
現在、マルチレイヤ基板材料とキャビティとを用いて、相異なるアクティブコンポーネント及びパッシブコンポーネント組み込み手法が開発されている。ラジオ周波数（ＲＦ）機能の組み込みには適さない低コストの材料を用いるデバイス組み込み手法が開発されている。「集積パッシブデバイス」を組み込むアプローチが開発されている。これは生産とアセンブリのコストを大きくするので、低コスト材料系を使う意義が小さくなる。さらに、マルチスタンダード無線システムの場合、ＲＦ性能とサイズの縮小が達成困難である。また、ＲＦ−ＩＰＤ（集積パッシブデバイス）もシリコン、低温焼成多相セラミック（ＬＴＣＣ）、ガラス、及びその他の材料上で利用され、ＲＦ接続用の低コスト材料系に組み込まれる。これにより、アセンブリと生産のコストが大幅に増加し、他のコンポーネントを組み込んだり近くでシールドしたりすると、複雑なパッシブ構造の性能が悪化／変化する。
【０００４】
他方、デジタル基板材料よりコストが高いと思われる高性能材料を利用している。これらの材料により、複雑なＲＦパッシブデザインをマルチレイヤ材料環境に組み込むことができる。現在のＳＯＰ構造では、温度管理問題やノイズ管理問題はまだ解決されていない。ＳＦＦ−ＳＯＰ環境においてノイズを緩和する従来の電磁的バンドギャップ構造は、大きなスペースを取り、ＳＯＰサイズが大きくなる。これらのアプローチには両方ともクロストーク熱問題がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態による装置は、システムオンパッケージアーキテクチャを含むスモールフォームファクタモバイルプラットフォームを有し、前記システムオンパッケージアーキテクチャはレイヤのスタックとして構成され、該レイヤのスタックは、第１の形状適合材料を有する第１レイヤと、第２の形状適合材料を有する第２レイヤと、第３の材料を有する第３レイヤと、前記レイヤのスタック中に組み込まれた１つ以上の電子コンポーネントとを有し、前記第１の形状適合材料、前記第２の形状適合材料、又は両方は、高周波数信号をルーティングできるように構成される。
【０００６】
他の一実施形態による方法は、システムオンパッケージアーキテクチャを含むスモールフォームファクタモバイルプラットフォームを形成するステップを有し、前記システムオンパッケージアーキテクチャはレイヤのスタックとして構成され、該レイヤのスタックは、第１の形状適合材料を有する第１レイヤを設けるステップと、第２の形状適合材料を有する第２レイヤを設けるステップと、第３の材料を有する第３レイヤを設けるステップと、前記レイヤのスタック中に１つ以上の電子コンポーネントを組み込むステップとを有し、前記第１の形状適合材料、前記第２の形状適合材料、又は両方は、高周波数信号をルーティングできるように構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明のいろいろな実施形態による、高性能ポリマーレイヤと低性能ポリマーレイヤが材料のスタックを形成するＳＯＰの断面を示す図である。
【図２】本開示のいろいろな態様による、高性能ポリマーレイヤと低性能ポリマーレイヤの両方が材料のスタックを形成するＳＯＰの他の断面を示す図である。
【図３ａ】本開示のいろいろな態様による絶縁構造を組み込んだＳＯＰの断面を示す図である。
【図３ｂ】図３ａの線ＡとＢに沿って取った、垂直方向の周期的マイクロビア構造ＡとＢを示す図である。
【図３ｃ】図３ａの線Ｃに沿って取った、水平方向の周期的構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
定義
高性能材料：高性能材料は、低性能材料の特性に対して、低損失、低熱膨張係数（ＣＴＥ）を含む優れた電気的特性を発揮する材料である。
【０００９】
本開示のいろいろな態様による装置を開示する。該装置は、システムオンパッケージアーキテクチャを含むスモールフォームファクタモバイルプラットフォームを有し、前記システムオンパッケージアーキテクチャはレイヤのスタックとして構成され、該レイヤのスタックは、第１の形状適合材料を有する第１レイヤと、第２の形状適合材料又はその他の任意の硬い有機材料を有する第２レイヤと、第３の材料を有する第３レイヤと、前記レイヤのスタック中に組み込まれた１つ以上の電子コンポーネントとを有し、前記第１の形状適合材料、前記第２の形状適合材料、又は両方は、高周波数信号をルーティングできるように構成される。
【００１０】
本開示のいろいろな態様による装置を開示する。該装置は、さらに、１つ以上の電子コンポーネントから生じる熱を放熱するように構成された放熱要素を含み、その放熱要素は第１レイヤと第２レイヤとの間に構成される。放熱要素は、金属などの高導電性材料、又は有向導電体を含む、高導電性材金属は、銅、アルミニウム、ヒートシンク材料であるＫＯＶＡＲ、真鍮、シリコンカーバイド、その他の材料（金、銀など）よりなるグループから選択でき、有向導電体は２次元平面に沿って熱を放熱するように構成されたグラファイトを含み得る。さらに、本装置は、第１の形状適合材料と第２の形状適合材料は同じ材料である、又は異なる材料であるとの特徴を有し得る。さらに、本装置は、第１の形状適合材料、第２の形状適合材料、又は両方が、液晶ポリマーなどのポリマーを含み、又は硬い有機又はポリマー材料であってもよい。
【００１１】
本開示のいろいろな態様による装置を開示する。該装置は、前記１つ以上の電子コンポーネント間に構成された垂直フィルタリング構造をさらに有する。垂直フィルタリング構造は、フィルタリング特性を画定できる垂直フィルタリング構造の周期的構成で構成された、スタックされたビアパターンを含み得る。本装置は、前記垂直フィルタリング構造が、前記１つ以上の電子コンポーネントにより生じるラジオ周波数ノイズ、デジタルノイズのハーモニクス、又は両方をフィルタ又は絶縁するように構成されているとの特徴を含み得る。さらに、本装置は、前記第３の材料は前記第１及び第２の形状適合材料と異なるとの特徴を含み得る。
【００１２】
本開示のいろいろな態様による方法を開示する。該方法は、システムオンパッケージアーキテクチャを含むスモールフォームファクタモバイルプラットフォームを形成するステップを有し、前記システムオンパッケージアーキテクチャはレイヤのスタックとして構成され、該レイヤのスタックは、第１の形状適合材料を有する第１レイヤを設けるステップと、第２の形状適合材料を有する第２レイヤを設けるステップと、第３の材料を有する第３レイヤを設けるステップと、前記レイヤのスタック中に１つ以上の電子コンポーネントを組み込むステップとを有し、前記第１の形状適合材料、前記第２の形状適合材料、又は両方は、高周波数信号をルーティングできるように構成される。
【００１３】
本開示のいろいろな態様による方法を開示する。該方法は、第１と第２の形状適合材料の間に放熱要素を構成するステップを有し、その放熱要素は第１レイヤと第２レイヤとの間に構成できる。第１の形状適合材料と第２の形状適合材料は同じ材料でも異なる材料でもよい。例えば、第１の形状適合材料、第２の形状適合材料、又は両方が、液晶ポリマーなどのポリマーを含み、又は硬い有機又はポリマー材料であってもよい。放熱要素は、金属などの高導電性材料、又は有向導電体を含み、高導電性金属は、銅、アルミニウムよりなるグループから選択でき、有向導電体は２次元平面に沿って熱を放熱するように構成されたグラファイトを含み得る。
【００１４】
本開示のいろいろな態様による方法を開示する。該方法は、１つ以上の電子コンポーネントの間に垂直フィルタリング構造を構成するステップを有し、垂直フィルタリング構造はスタックされたビアパターンを含み得る。前記垂直フィルタリング構造の構成は、周期的であり、フィルタ特性を画定できる。垂直フィルタリング構造は、前記１つ以上の電子コンポーネントにより生じるラジオ周波数ノイズ、デジタルノイズのハーモニクス、又は両方をフィルタ又は絶縁するように構成され得る。考えているスモールフォームファクタＳＯＰが許容すれば、垂直フィルタリングを水平周期フィルタリングと組み合わせてもよい。
【００１５】
本発明の上記の目的、機能、及び特徴と、動作方法と、関連構成要素の機能と、パーツの組み合わせと、生産の経済性とは、本出願の出願書類を構成する、添付した図面を参照して以下の説明と特許請求の範囲を検討すれば明らかになるだろう。図面中、対応するパーツには同じ参照数字を付した。しかし、言うまでもないが、図面は例示と説明を目的としたものであり、本発明を限定することを意図したものではない。本明細書と特許請求の範囲において、「１つの」、「前記」との記載は別段の記載がなければ、複数の場合も含む。
【００１６】
図１は、本開示のいろいろな態様による、高性能ポリマーレイヤと低性能ポリマーレイヤの両方が材料のスタックを形成するＳＯＰの断面を示す図である。１００で示した異種スタックアップ（stackup）は、１つ以上の高性能材料レイヤ１０５と、１つ以上の低性能材料レイヤ１１０とを含む。非限定的な例によると、高性能材料１０５は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）と、ロジャーズＲＸＰと、広い周波数範囲にわたり低性能材料１１０と比較して電気的に優れた特性を発揮するその他の材料と、などのポリマーである。低損失タンジェントは、高性能材料１０５のファクタであり、回路信号の損失と質またはＱファクタとに直接関係する。こうした特徴により、ＬＣＰなどの高性能材料により、高周波信号ルーティングとパッシブ（passives）とができる。低性能材料１１０は、ＡＢＦ（Ajinomoto  Build-up  Film）、ＦＲ４、ＢＴ、またはその他の有機材料などのポリマーを含み得る。
【００１７】
ＬＣＰなどの高性能材料１０５は、低性能材料１１０よりも柔軟（flexible  or  pliable）であってもよい。高性能材料１０５は柔軟なので、これらのレイヤは電気的コンポーネントの周りに形状適合（conform）し、電気的コンポーネントは高性能材料のレイヤ間に組み込まれる。ある態様では、スタックアップ（stackup）のレイヤは、高性能材料１０５と低性能材料１１０との両方を含んでいてもよい。この場合、電気的及び／又はＲＦコンポーネントは、ＳＯＰのあるレイヤ上に、低性能材料に隣接する高性能材料のレイヤ内に配置され得る。
【００１８】
非限定的な実施例によると、図１に示したスタックアップは厚さが０．５ｍｍより小さくてもよい。ＳＯＰの垂直方向の大きさは、基板を薄くすることにより、小さくできる。この場合、組み込みＩＣ設計は、必要なら、基板を薄くした効果と、ポリマー材料環境の効果とがあるように、最適化してもよい。
【００１９】
ある態様では、スタックアップは、１タイプのレイヤのみを含む同種のスタックアップであってもよい。例えば、高性能材料のレイヤと、低性能材料のレイヤとを含み得る。
【００２０】
スタックアップは、異なる電気的及び／又はラジオ周波数コンポーネントを含む、異なるアクティブＩＣコンポーネント１１５を含んでいてもよく、これらは高性能材料１０５のレイヤの間に配置できる。非限定的例によると、異なる電気的ＩＣは、ＧａＡｓパワーアンプなどのパワーアンプ（ＰＡ）１２０を含み得る。さらに、異なるラジオ周波数ＩＣには、ＲＦＩＣとＢＢ／ＭＡＣ  ＩＣ１２５などの２つの高集積度ＩＣを組み合わせたチップセットが含まれ得る。これらは、ＩＥＥＥ８０２．１１ｎとＩＥＥＥ８０２．１１ａ／ｂ／ｇ標準の下で動作する。別の無線標準で動作する他のチップセットを用いることもできる。これらのＩＣは、無線アプリケーションで用いられるものに限定されず、メモリ、汎用プロセッサ、特定用途ＩＣ、及びＳＯＣなどのＩＣを含み得る。スタックアップは、１つ以上のパッシブコンポーネント１３０も含み得る。これは、エネルギーを（生まずに）消費するラジオ周波数（ＲＦ）コンポーネント、又はパワーゲインのないコンポーネントのいずれかであり得る。ＲＦパッシブコンポーネントの例には、キャパシタ、インダクタ、抵抗、トランス、高阻止マルチバンドＲＦフィルタ、マルチプレクサ、及びバラン（baluns）が含まれ得る。アンテナ１３５などの他のパッシブコンポーネントを、マルチレイヤメタルのレイヤ内に組み込んで、より高いＲＦ性能を実現できる。ＲＦＩＣ１２５などのシリコン集積シングルチップからのＲＦ信号は、高性能材料１０５のレイヤを用いてルーティングされ、一方デジタル信号は、金属ライン１４０により低性能材料１１０のレイヤを用いてルーティングできる。
【００２１】
本開示のいろいろな態様において、ＬＣＰマルチ金属基板レイヤ構造を用いて、ＲＦアクティブを組み込み、組み込みＲＦパッシブを作るために、高性能液晶ポリマー（ＬＣＰ）材料をロールしたもの（rolled  version）を用いることができる。ＬＣＰをロールしたものは、一般的に元のＬＣＰ材料よりも安価である。これにより、組み込まれたアクティブコンポーネントの周りのＬＣＰタイプレイヤにおいて、最適化された高性能パッシブコンポーネントを設計することにより、ＳＯＰフォームファクタを（ｘ、ｙ、ｚすべての方向において）最小化できる。ＬＣＰタイプ材料により、基板材料は組み込まれたアクティブコンポーネントの周りに形状適合（conform）し、組み込まれたアクティブコンポーネントの周りに表面保護をする必要が減る。ＬＣＰタイプ材料の薄い（厚さ≦２５μｍ）レイヤを、効率的にＲＦ、アナログ、及びデジタル信号の分配をするための再分配レイヤとして用いることができる。スタックアップに低コストＡＢＦタイプ材料を用いて、デジタル機能を追加的に組み込んでもよい。
【００２２】
本開示のいろいろな態様によると、１００で示したＳＯＰを、１つ以上の放熱要素（heat  dissipating  elements）を含めて、修正してもよい。１つ以上の放熱要素は、高性能材料のみ、又は低性能材料のみを有する材料のスタックなどの、同質の材料スタック内に配置してもよい。１つ以上の放熱要素は、高性能材料と低性能材料との両方を有するスタックなどの、異質の材料スタック内に配置してもよい。図１に示したように、ヒートシンク材料１５０などの１つ以上の放熱要素は、アクティブコンポーネントにより発生する熱を外に出すように、ハイパワーアクティブコンポーネントの近くに配置できる。非限定的な実施例では、放熱要素はアクティブコンポーネントの上のレイヤにあるか、又はアクティブコンポーネント上に直接取り付けられる。放熱要素は、高性能材料のレイヤ間に、又は高性能レイヤと低性能レイヤとの間に配置してもよい。放熱要素は、金属などの高導電率材料であってもよく、銅、アルミ、ＫＯＶＡＲ（ＫＯＶＡＲはCarpenter  Technology  Corporationの商標であり、ある温度範囲にわたり直接的に機械的結合ができるように、ホウケイ酸塩ガラスと同じ熱膨張率を有するように設計されたニッケルコバルト鉄合金である）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）を含み、又はグラファイトなどの指向性導電体であってもよい。それをパターンを介してスタックした異なる放熱要素の組み合わせを、以下に説明するように、最適シートシンク構造を実現するために用いることができる。１つ以上の放熱要素がスモールフォームファクタＳＯＰ中にあるこの構成により、外部ヒートシンクの必要性は小さくなる、又は無くなる。
【００２３】
本開示のいろいろな態様によると、高性能ＬＣＰの形状適合特性（conformable  properties）のため、薄い熱材料（thermal  materials）のシートをＬＣＰタイプ材料に組み込んでもよい。（ＰＡなどの）パワー散逸が大きいＩＣの下に、銅、グラファイト、ＫＯＶＡＲ、シリコンカーバイド、真鍮その他の材料の薄いシートを組み込んで、ＳＯＰ中の熱管理を可能とし、以前としてＳＦＦ特性を維持することができる。ＬＣＰを材料の周りに設定して、形状適合（conform）させ、ボイド（voids）やギャップが無いＳＯＰを作ることができる。グラファイト材料はX-Yほう高に熱を散逸し、ある場合には、熱を放熱要素／金属ビア（後述する）に伝導し、組み込みSOP構造から熱を取り出すために組み込み得る。
【００２４】
図２は、本開示のいろいろな態様による、高性能ポリマーレイヤと低性能ポリマーレイヤの両方が材料のスタックを形成するＳＯＰの他の断面を示す図である。図２は、図１と似ているが、基板上にマウントされたパワーアンプ１２０、ＧａＡｓＰＡが示されている。ＧａＡｓＰＡなどの小型ＩＣコンポーネントの場合、基板上で大きな面積を占めないので、組み込まれている必要はない。モールディングレイヤ２０５は、マウントされたコンポーネント上に配置され、ＳＯＰを密閉して保護する。
【００２５】
図３ａは、本開示のいろいろな態様による絶縁構造を組み込んだＳＯＰの断面を示す図である。ベリースモールフォームファクタＳＯＰにおけるノイズカップリングとクロストークの問題を低減する組み込み絶縁構造が構成されている。上記の放熱構造と同様に、絶縁構造は、高性能材料のみ、又は低性能材料のみを有する材料のスタックなどの、同質の材料スタック内に配置してもよい。また、絶縁構造は、高性能材料と低性能材料との両方を有するスタックなどの、異質の材料スタック内に配置してもよい。図３ａには、ＩＣ１（３０５）、ＩＣ２（３１０）、及びＩＣ３（３１５）を示したが、これらはＳＯＰの高性能材料間に配置されている。また、高性能材料のレイヤ無いに組み込まれた１つ以上のパッシブコンポーネント３２０を示した。絶縁構造３２５をＳＯＰに組み込んで、そのＳＯＰにおけるノイズカップリングとクロストークの問題を低減できる。
【００２６】
図３ｂは、図３ａの線ＡとＢに沿って取った、垂直周期的マイクロビア構造ＡとＢを示す図である。垂直マイクロビア構造３３０を構成し、要素同士のノイズカップリング／クロストークを低減する。垂直構造の周期性を変えることにより、クロストーク絶縁の特性を合わせることができる。図３ｃは、図３ａの線Ｃに沿って取った、水平方向の周期的絶縁構造３３５を示す図である。垂直方向と水平方向の両方の構造を組み合わせて、完全なＳＯＰ環境における絶縁を改善できる。ＲＦノイズやデジタルノイズのハーモニクスを絶縁するため、これらの絶縁構造を用いて、無線機能ブロックやデジタル機能ブロックを取り囲んでもよい。
【００２７】
本開示のある態様では、絶縁構造のために、ファラデーケージと、パターン化した金属を用いた水平電子バンドギャップ（ＥＢＧ）構造とを用いる。さらに、垂直周期構造を水平ＥＧＢ金属パターンと組み合わせて、ＳＯＰの所望の部分の周りに効果的なノイズ低減器を形成できる。
【００２８】
現在のところ最も実際的で好ましい実施形態と思われるものに基づいて本発明を例示を目的として詳細に説明したが、言うまでもなく、かかる詳細は単に例示を目的としたものである。本発明は開示の実施形態に限定されず、逆に添付した請求項の精神と範囲内の修正や等価物を含むものである。言うまでもなく、例えば、本発明では、可能な限り、どの実施形態の特徴を他の実施形態の特徴と組み合わせることができる。
【図１】
0005612121.tif 000002
【図２】
0005612121.tif 000003
【図３ａ】
0005612121.tif 000004
【図３ｂ】
0005612121.tif 000005
【図３ｃ】
0005612121.tif 000006