(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン材料を精製する装置において、
炭化ケイ素を有する耐火セメントを含んでおり、熱伝導性が良好な少なくとも１種類の第１耐火材料を用いて形成され、上表面が平面である少なくとも１個の底部を備える炉と、
前記底部を冷却するための手段と、
前記底部と前記シリコン材料との間に配置され、アルミナ、石英、ジルコニア若しくはシリカ又はそれらの材料のうちの２種以上で構成される混合物を含んでおり熱伝導性が良好でない少なくとも１種類の第２耐火材料を含む粉体から作られる防御要素とを備え、
前記防御要素は表面がポケット型形状をしており、前記シリコン材料を受け取るようにしてあり、
前記底部の内部または下側に配置された巻線を備えており、電流を誘導することにより前記シリコン材料を加熱するための手段と
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記底部は、内側に冷却用流体が流れるパイプに横断されており、該パイプは、前記第２耐火材料、炭化ケイ素系材料を含む第３耐火材料、または良好な導電性材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記巻線は、冷却用流体が内部を流れる中空管である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記防御要素は、少なくとも前記表面の部位に、炭素をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記シリコン材料の自由表面に向けられたプラズマトーチをさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記炉は、前記底部の外周に金属外壁を備えており、
該外壁を冷却するための手段を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記外壁は、冷却用流体を流す空洞を備えた単一金属部である
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
シリコン材料を精製するための方法において、
炭化ケイ素を有する耐火セメントを含んでおり、熱伝導性が良好な少なくとも１種類の第１耐火材料を用いて形成され、上表面が平面である少なくとも１個の底部を備える炉を準備するステップと、
該炉に、アルミナ、石英、ジルコニア若しくはシリカ又はそれらの材料のうちの２種以上で構成される混合物を含んでおり熱伝導性が良好でない少なくとも１種類の第２耐火材料を含む粉体から作られる防御要素を配置するステップと、
前記シリコン材料を受け取るポケット型表面を形成することにより、前記炉に前記粉体を分散させるステップと、
前記防御要素上に前記シリコン材料を載置するステップと、
前記底部を冷却するステップと、
前記底部の内部または下側に配置された巻線を備える誘導加熱手段により前記シリコン材料を加熱するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電効果により発電するセルを形成するために用いるシリコンの製造に関する。このシリコンは、冶金級シリコンよりも高純度であり、一般的にソーラーグレードシリコンまたはＳＯＧシリコンと呼ばれる。
【背景技術】
【０００２】
光電池に利用されるシリコンは、一般的にマイクロエレクトロニクスで必要とされる純度（不純物含有量：十億分の１程度）よりも低くなるような、不純物をある程度含む純度（不純物含有量：百万分の１程度）でも構わないため、光電池技術に利用されるシリコンは、基本的にマイクロエレクトロニクス産業で生じたスクラップから取得される。
【０００３】
光電池製品に用いるシリコン生産の第二シリコン供給源として、冶金的手法で使用するために生産されたシリコンを精製することがすでに提案されている。冶金的手法で使用されるシリコンは、基本的に、鉄、チタン、ホウ素、リンなどの不純物が数パーセント含まれており、それらを除去する必要がある（それらの含有率を下げる必要がある）。
【０００４】
たとえば、特許文献１がシリコン精製方法を開示している。その方法では、シリカ壁（ＳｉＯ2）を有する高温の炉の中にあるシリコンメルトの表面にアークプラズマを照射する。高速なプラズマにより、シリコンメルトがプラズマの電力に依存して運動するように設定される。耐火材料で構成された壁を有する高温の炉は、近年の冶金産業で使用される工業的炉の一つである。
【０００５】
この技術の欠点は、高温の炉の周囲にあるコイルを用いた電磁励起により予め加熱されたシリコンが、プラズマによる追加熱する必要があるという事実にある。この追加熱は、一般的に数百度であり、この追加熱により、シリコンメルトがシリカ壁の融解温度に達し得る。実際にシリカの融解温度は、シリコンの融解温度よりもほぼ２００度高い。壁が融解した場合、金属漏出の発生可能性があるため、そのような技術の導入には安全確保に対する危険が伴う。
【０００６】
シリカ壁の厚さを増加させる対策が考えられる。しかしながらこの対策を用いた場合、シリコンを加熱するために使用する誘導励磁巻線が使用できなくなる。このことは、この技術の能力にかかわる問題である。実際に、高温の炉の壁の厚さには、多くても数センチ前後であるという制限がある。
【０００７】
堅固な理由により一般的に固定化しているが、高温の炉が有する他の欠点は、炉の内部のシリコンメルトが偶然に凝固した場合、冷却過程により生じるシリコンの膨張が炉を破壊することになり、修復できなくなるという事実にある。この欠点は、特に産業上の利用における不安の種となっている。実際にシリコンは、冷却過程および特に液相から固相に変化する過程で非常に膨張するという特徴を有する数少ない金属の一つである。シリコン密度は、液体状態である２．６から固体状態である２．３４前後へ減少する。冷却過程中に生じる膨張は、十分に炉を破壊し得る。
【０００８】
高温の誘導炉において、炉のまわりの誘導巻線の回転回数は、比較的少ない。この分野における一様な道理では一般的に、６回から１２回前後巻いている螺旋が、炉の高さを横切るようにして配置される。その螺旋の各一巻きは、またこの分野における一様な道理および電気的絶縁の理由により、炉の高さに沿ってお互いに離れて配置してある。したがって、たとえ巻線自体が冷却されたとしても（たとえば、螺旋の内側に水を流す方法により）、炉の外壁を冷却するためには十分でない。具体的に言うと、炉の高さを横切るようにして配置された螺旋の各一巻きの間隔が存在するため、炉の外壁を冷却するためには十分でない。
【０００９】
高温の誘導炉を使用する場合の欠点を排除するために、シリコン精製に低温の誘導炉（または分割炉）を使用することがすでに提案されている。ＣＮＲＳが提出したフランスの特許文献２は、シリコン精製装置を開示している。そのシリコン精製装置は、巻線に囲われた低温の分割炉を用いており、シリコンメルトを乱れ攪拌するように構成された方法を利用しており、不純物を削除するように誘導プラズマトーチがシリコンメルトの表面に照射される。耐火材料を用いた構成要素をシリコンメルトと低温の炉との間に配置し、シリコンメルトの高温維持を可能にしている。このような構成は、精製シリコン生産のコスト削減を実現する。この生産コストは、基本的に、処理時間に依存しており、つまり、得られるであろうシリコンメルトの温度に依存している。
【００１０】
しかしながら、このような精製装置の欠点は、低温の分割炉を製造することが特に困難であり高価であるという事実にある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】欧州特許出願公開第０４５９４２１号明細書
【特許文献２】仏国特許出願公開第２８７１１５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、シリコン精製装置を提供することを目的としており、特に、低温の炉を用いており光発電に利用されるシリコン精製装置を提供することを目的としており、従来から存在する低温の誘導炉に関する欠点を有さないシリコン精製装置を提供することを目的としている。
【００１３】
また本発明は、不純物を除去するためにシリコンメルトの表面に向けて照射するプラズマトーチ利用に適合した解決策を提供することを目的としている。
【００１４】
さらに本発明は、偶然にまたは自発的にシリコンメルトが冷却されて凝固が生じた場合における装置の安全性を改善することを目的としている。
【００１５】
これらの目的のすべてまたは一部などを達成するために、本発明は、良好な熱伝導体である少なくとも１種類の第１耐火材料により構成される少なくとも１個の底部を備えた炉と；前記底部を冷却する手段と；良好な熱伝導体でなく、前記炉とシリコン材料との間に配置される少なくとも１種類の第２耐火材料により構成される防御要素と；前記底部の内側または下側に配置された巻線を有し、前記シリコン材料を加熱する手段とを備えるシリコン材料を精製する装置を提供する。
【００１６】
実施の形態において、底部には、内部に冷却用流体が流されるパイプが横断しており、パイプは前記第２耐火材料、第３耐火材料または導電材料で構成されている。
【００１７】
実施の形態において、巻線は、内部に冷却用流体が流される中空管である。
【００１８】
実施の形態において、防御要素は、少なくとも第２耐火材料を有する粉体であり、表面がポケット型に構成されており、シリコン材料受けとして用いられる。
【００１９】
実施の形態において、防御要素は、さらに少なくとも表面の高さの部位に炭素を有する。
【００２０】
実施の形態において、底部は、さらに材料側の表面が丸みを帯びた形状である。
【００２１】
実施の形態において、防御要素は、丸みを帯びた形状の表面を覆う部分を有しており、この部分は、１０％以内で一定の厚さを有している。
【００２２】
実施の形態において、巻線は、丸みを帯びた形状の表面の形状に対応する。
【００２３】
実施の形態において、装置は、材料の自由面に照射されるプラズマトーチをさらに備える。
【００２４】
実施の形態において、炉は、底部の外周に金属外壁をさらに備え、装置は、外壁を冷却する手段を備える。
【００２５】
実施の形態において、外壁は、冷却用流体を流すための空洞を備える単一金属部に対応する。
【００２６】
さらに本発明は、良好な熱伝導体である少なくとも１種類の第１耐火材料により構成される少なくとも１個の底部を備えた炉を供給するステップと；炉内に、良好な熱伝導体ではない少なくとも１種類の第２耐火材料により構成される防御要素を配置するステップと；前記防御要素上に材料を載せるステップと；前記底部を冷却するステップと；前記底部の内側または下側に配置された巻線を有する加熱手段を誘導することにより前記材料を加熱するステップとを備えるシリコン材料を精製するための方法を提供する。
【００２７】
実施の形態において、防御要素は、少なくとも第２耐火材料を有する粉体に対応し、方法は、材料を載せるためのポケット型表面を形成することにより炉内の粉体を分散させる。
【００２８】
本発明に関する上記の目的および他の目的、特徴、及び効果は、図１及び図２に関連する具体的な実施の形態に関する以下の非限定的記述に基づいて、具体的に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に関するシリコン精製装置の実施の形態に基づく概略断面図である。
【図２】本発明に関するシリコン精製装置の実施の形態に基づく概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
明確にするために、それぞれの図における同じ構成要素には、同じ参照番号を付してある。本発明の理解に有用な構成要素のみ、図に示されており以下に記載されている。具体的には、プラズマトーチに使用される気体だけでなくプラズマトーチに使用される詳細構成についても詳細に記載していないが、本発明は、従来のプラズマトーチ精製方法に対応している。さらに、誘導巻線の励起頻度および励起強度は詳細に説明されていないが、本発明はさらに、このような頻度および強度を決定する通常の技術に対応している。
【００３１】
本発明の特徴は、冷却用底部を備える炉とシリコンメルトを加熱するための誘導手段とを提供することにある。この底部は、下面または床面とも呼ばれるが、耐火材料で形成されている。この誘導手段は、底部の内側または下側に配置されるコイルを備えている。炉の冷却用外壁が存在する場合、炉の冷却用外壁は、炉の製造を簡素化する非分割型になるように形成され得る。本発明の他の特徴は、熱伝導性が良好でない耐火材料で形成された防御要素が低温炉とシリコンメルトとの間に配置されている事実にある。この構成により、シリコンメルトを高温に保つことが可能となる。
【００３２】
図１は、シリコンメルトｓを含んでいる炉５を備える精製装置の実施の形態を概略的に示している。炉５は、円形土台を有する円筒形外壁１０を備えており、この円筒形外壁１０は、たとえば、銅またはステンレス鋼などの金属材料で構成されている。外壁１０は、冷却用流体（たとえば、水または空気）を流す空洞１２を含んでいる。この装置は、空洞１２内の冷却用流体の流れを制御する構成要素１４を備えている。炉５は、底部２０を備えている。底部２０は、床面または下面とも呼ばれ、たとえば炭化ケイ素を用いた耐火セメントで構成されており、対向する上下の平面２１、２２を備えている。上側平面２１はシリコンメルトｓ側に配置されており、下側平面２２はシリコンメルトｓの反対側に配置されている。たとえば、銅などの良好な導電性材料で構成されている平らな巻線２３又はコイルが、底部２０の内部に配置されている。巻線２３は、低周波数発生器２４（Ｇ）（基本的に、数十ヘルツから数万ヘルツ）による供給をうける。巻線２３を通して電流が流れた場合、シリコンメルトｓの誘導加熱が行われる。底部２０の部位に直接的に巻線２３を配置することにより、巻線２３とシリコンメルトｓとの間に効果的な電磁カップリングを形成することができる。底部２０は、冷却用流体（たとえば、水）を内部に流す冷却パイプ２６が横断する構成であってもよい。冷却パイプ２６は、上側平面２１と巻線２３との間に配置され、巻線２３に到達する熱流を減少させる。パイプ２６は、たとえば、円形断面または矩形断面を有しており、たとえば炭化ケイ素系材料などの熱伝導性の良好な耐火材料で形成されていてもよい。パイプ２６は、コイル２３が発生する電磁場を実質的に有利に通過させる。このような構成により、精製プロセスの効率が改善される。しかしながら、コストを低減し及び／又は製造プロセスを容易にするために、パイプ２６は、たとえば銅またはステンレス鋼などの熱伝導性および導電性が良好な材料で形成される構成でもよい。２個のパイプ２６間の最小距離は、少なくとも２又は３ミリメートルであり、その構成により、コイル２３が発生する電磁場の障害を制限し、十分な出力が得られるようにする。精製装置は、パイプ２６内の冷却用流体の流れを制御する構成要素２８を備えている。
【００３３】
変形例として、巻線２３が上側平面２１よりに配置される構成でもよい。つまり、巻線２３が上側平面２１と冷却用パイプ２６との間に配置される構成でもよい。
【００３４】
他の変形例として、巻線２３を、たとえば水などの冷却用流体を内部に流す中空管とする構成であってもよい。この場合、底部２０は、巻線２３の内部を流れる冷却用流体により直接冷却される。したがって、冷却用パイプ２６を省略する構成でもよい。
【００３５】
他の変形例として、巻線２３が、底部２０の下側平面２２近傍にあたる底部２０の下側に配置される構成でもよい。
【００３６】
他の変形例として、冷却用パイプ２６が、少なくとも部分的に上側平面２１から突出した状態で底部２０内に配置される構成でもよい。
【００３７】
熱伝導性が良好でない耐火材料で形成された防御要素３０は、炉５とシリコンメルトｓとの間に配置される。防御要素３０を形成する材料を選択することにより、防御要素３０が融解したシリコンと化学的反応を起こさないよう、又はほとんど起こさないようにする。たとえば防御要素３０は、アルミナ、石英、ジルコニア又はシリカなどの耐火材料の粉体であってもよく、またはそれらのうちの２種以上で構成される混合物の粉体であってもよい。防御要素３０をシリコン精製用のシリカのみに基づいて形成することの利点は、精製プロセスに際してシリコンメルトｓ内に浸かることになる防御要素３０自身から生じる不純物の混入を最小限に抑えることができるという事実にある。防御要素３０を形成する粉体は、手動で又は供給ホッパーを介して、炉５内に配置され得る。次にこの粉体は、できる限り小さくなるように押し固められる。また、シリコンメルトｓを受けることになるポケット型表面３２となるように押し固められる。このポケット型表面３２として、たとえば、円錐形、球形、又は楕円形などのできる限り連続的な形状が考えられる。このような目的のために、非常に細かいグレードの粉体の利用が考えられる。たとえば、１０マイクロメータ以下のグレードの粉体を利用することが考えられる。防御要素３０を非焼結粉体を用いて形成することにより、シリコンメルトｓを受けることになる防御要素３０の表面３２が容易に形成できる。実際に、炉５内の表面３２に一旦配置された粉体は、プランジャを介して粉体を押圧することにより、たとえばポケット型などの形状へと非常に容易に形成され得る。
【００３８】
防御要素３０は、シリコンメルトｓから底部２０および外壁１０までの熱流を制限するために十分な厚みを備えている。一例として、防御層３０の最小厚みは、少なくとも１ミリメートルより厚く、好ましくは５ミリメートルより厚い。さらに防御要素３０は、シリコンメルトｓと外壁１０と炉５の底部２０との間の直接的接触を防止する。この構成により、シリコンメルトを高温に維持することが可能であるにもかかわらず、たとえばステンレス鋼などの低コスト金属を用いて外壁１０を形成することが可能になる。さらに、防御要素３０を形成するために粉体を利用することにより、融解したシリコンが不用意に冷却される事態を防ぐことができる。実際に、シリコンが凝固する場合、膨張して防御要素３０を押圧することになる。全体的に粉末状態である防御要素３０は、容易に変形しがちであり、外壁１０と炉５の底部２０とのひずみを減少させる。
【００３９】
変形例として、防御要素３０は、たとえばグラファイトなどの炭素粉末を含む構成でもよい。この炭素粉末は、防御要素３０の残りの部分に混合される構成でもよく、防御要素３０が有する表面３２の部位に純粋な炭素粉末層を形成する構成でもよい。炭素は、シリコンメルトｓの融解シリコンに含まれる不純物であり炭素と反応する傾向がある不純物（特に、鉄および／又はホウ素）を毛細管現象により取り除くために利用され得る。一例として、防御要素３０の表面３２を覆う層を形成するように炭素が配置された場合、処理中に、防御要素３０が有する表面３２の部位に炭化ケイ素層が形成されることを観察できる。
【００４０】
他の変形例として、シリコンメルトｓが防御要素３０とは直接的に接触しない構成であってもよい。実際に、シリコンメルトｓが、たとえばシリカなどの耐火材料により形成される仲介炉の中に入れられる構成であってもよい。この場合、この仲介炉が防御要素３０と接触することになる。この仲介炉は、単一部で形成される構成でもよく、互いに繋がる複数部で形成される構成でもよい。
【００４１】
他の変形例として、防御要素３０は、堅固な単一部で形成される構成でもよく、互いに繋がる複数部で形成される構成でもよい。たとえば、防御要素３０は、耐火材料の粉体を焼結することにより形成される。その後に防御要素３０は、外壁１０及び底部２０と接触するように炉５内に配置され、シリコンメルトｓを受け取る内容量が設定される。
【００４２】
図２は、炉５の他の実施の形態を示しており、底部２０の上側平面２１が丸みを帯びた形をしており、たとえば、楕円形部分、球面部分、円錐部分などに対応している。防御要素３０は、１種類の耐火材料または数種類の耐火材料の粉体を用いて、底部２０の上側平面２１上に一様に配置される層を形成する構成であってもよい。一例として、防御層３０の厚みは、１０％以内の範囲で一定であり、少なくとも１ミリメートルより厚く、好ましくは５ミリメートルよりも厚い。この構成により、シリコンメルトｓと底部２０との間の熱交換がより良好に制御可能になるという効果が得られる。底部２０は、一定の厚みを有する構成でもよく、底部２０の下側平面２２が上側平面２１の形状と同様に丸みを帯びた形状となる構成であってもよい。
【００４３】
この実施の形態では、コイル２３が底部２０の下側平面２２の下側に配置されており、効果的な形状を呈する。変形例として、コイル２３が底部２０内に配置され、たとえば、底部２０の上側平面２１近傍に配置され、その形状を呈する構成でもよい。
【００４４】
この実施の形態の変形例では、外壁１０なしでも十分であるように底部２０の湾曲が形成される構成であってもよい。炉５は、それにより、直接的に底部２０の位置で保持されることになる。
【００４５】
前述した実施の形態において、炉５の寸法および特に防御要素３０の寸法は、直径Ｄおよび高さｈの円筒形容量中にシリコンメルトｓが一般的に含まれるような寸法であり、高さｈと直径Ｄとの間の比が０．５より小さくなる寸法である。高さｈと直径Ｄとの間の比は、０．１より小さい構成が好ましい。
【００４６】
前述した実施の形態は、誘導プラズマトーチ３５を備えており、プラズマフレームｆがシリコンメルトｓの自由表面に触れるように配置されている。プラズマトーチ３５を保持する装置は図示されていない。プラズマは、プラズマジーンガスのフリーラジカル及びイオンで形成される媒体を、シリコンメルトの自由表面近傍に生成する。したがって、生成された媒体は活性が極めて強く、シリコンメルト表面に存在する不純物がプラズマの反応性ガスと結合して、プラズマメルト表面温度で気体（又は、反対に固体）となる。本装置全体は調節大気下で維持されているため、不純物を含む分子の排除が段階的に実行可能となる。
【００４７】
たとえばプラズマトーチ３５は、反応性ガスｇｒの取入口３６をプラズマトーチの中央部に備えており、補助ガスｇａ（たとえばアルゴン）の取入口３７を同心円状に備えている。プラズマガスｇｐ（たとえば、これもアルゴン）が、補助ガスｇａに対して同心円状でさらに送気される。誘導コイル３８は、プラズマトーチ３５の自由端を囲っており、誘導プラズマを生成する。コイル３８は基本的に、１メガヘルツ程度である周波数の交流電流により活性化される。この周波数は、発生器３９が生じる周波数である。不要物と選択的に反応させるために、同時に又は連続的に異なる複数の反応性ガスをプラズマに送り込む従来のような構成でもよい。
【００４８】
前述した実施の形態の炉５は、たとえば底部２０の基底部または中央部に、キャスティング装置４０を配置する構成でもよい。たとえばキャスティング装置４０は、防御要素３０の下に存在するはね蓋またはすべり弁などの手段により最初閉められているポートにより形成されている。防御要素３０は、キャスティング装置４０と融解中および精製中のシリコンとの直接的な接触を有利に防止する。キャスティング装置４０は、焼結シリコン洗浄装置またはストッパロッド部を備える構成でもよい。変形例として、キャスティング装置４０がない構成でもよい。その場合に炉５は、炉の内容物の下方移動を可能にする図示されない回転要素の上に配置される構成でもよい。
【００４９】
前述した精製装置の例により実現されるシリコン精製方法の一例を、以下に説明する。
【００５０】
まず最初に、防御要素３０は炉５内に配置される。防御要素３０が一定の粉体で構成されている場合、防御要素３０はある形状に形成され得る。その後に防御要素３０が、粉体、チップまたはシリコンスクラップで形成されたシリコン材料ｓで満たされる。一例として、防御要素３０には２００から４００ｋｇの材料が配置される。シリコンは半導体であるため、次第に導体となり（約８００度）コイル２３を用いた手段による誘導により加熱可能となる前段階として、予加熱することが必要である。
【００５１】
たとえばプラズマトーチ３５は、まず固体シリコン材料を予加熱して、炉５のコイル２３が生じる低周波数領域と対応可能な温度にまで固体シリコン材料を導くように稼働される。この予加熱期間中に使用されるガスは、アルゴンであることが好ましい。プラズマの熱伝導性を増加させるために、反応性ガスとして水素が用いられる構成でもよく、この場合、シリコン材料の予加熱が加速される。
【００５２】
この始動期間の終了時には、シリコンが完全に融解されている。この融解状態を維持するために必要なパワーは、基本的に、炉５のコイル２３から供給される。
【００５３】
第二期間においては、図１および図２の矢印で示した方向に、融解シリコンの乱れ攪拌が実行される。また、不純物除去に適した一以上の反応性ガスがプラズマ中に送気される。この不純物は、シリコンメルトｓの表面の反応性ガスと結合することにより、揮発性の気体となる。
【００５４】
第三期間として、不活性化または欠陥によってポリシリコンとしての光起電力を高める作用を有する元素を用いて、たとえば水素などを用いて、上記のようにして精製されたシリコンがドープ処理されるようにしてもよい。
【００５５】
一旦精製されたシリコンであり、必要に応じてドープ処理されたシリコンは、キャスティング装置４０を介して炉５から排出される。または、炉５を傾斜させることにより、取り出される。新たなシリコン材料処理のために炉５に追加される固体シリコン片の融解効果を高めるために、融解シリコンの一部を炉５内に残すように構成してもよい。
【００５６】
高流動性を有する（１５００℃における粘度が６．８８．１０-3パスカル秒しかない）液状のシリコンメルトｓに電磁界を形成することにより、不純物が凝集されて効果的な攪拌を実行することが可能となり、融解された表面から不純物の２次的“すくい取り”を実行することが可能になる。出願人は、シリコンメルトｓ内の電磁力が基本的に垂直方向となることをシミュレーションにより既に示している。この事実は、攪拌に適しているため、シリコン精製に適している。この事実はまた、炉５の浅い形状に起因する比較的厚みの小さい融解シリコンに対しても有効である。シリコンメルトｓの直径Ｄ（小さな値である高さｈに関連している）は、効果的な表面“蒸発現象”による精製を可能にする直径であり、処理すべきシリコン材料それぞれに対して十分量のシリコンを処理することが可能な直径である。さらに、炉５が比較的小さな厚みであるため、炉を傾けることでほぼ全ての融解シリコンを容易に取り除くことが可能となる。
【００５７】
当業者が想到するであろう種々の変形および修正を本発明に追加してもよいということは、いうまでもない。特に使用されるガスは、除去すべき不純物に応じて選択すればよい。さらに、本装置が有する複数の異なる要素の寸法は、上記の機能的示唆および本明細書に基づいて当業者が考え得る範囲内で決定される。具体的には、円形基底部を有する円筒形の炉が記載されているが、テーパ加工された炉または矩形の炉または矩形の基底部を用いる構成でもよい。さらに、プラズマトーチを用いた精製方法が記載されているが、他の適応する方法を用いて融解シリコンの精製を行う構成であってもよい。具体的には、融解シリコンへ反応性ガスの気泡を直接的に送り込むシステムを用いる構成でもよい。
【図１】
0005415285.tif 000002
【図２】
0005415285.tif 000003