(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップを含み、レチクルによる焼き付け単位となるブロックを複数個配置した半導体ウェーハに、前記各ブロックにおいて、特定のチップのコーナーに隣接するスクライブラインに確認パターンを形成する工程と、
前記半導体ウェーハを支持体上に支持する工程と、
前記半導体ウェーハ端から第１の長さ前記支持体上に突出させた第１のダイシングラインで、前記半導体ウェーハを、ダイシングする工程と、
前記確認パターンが検出された前記スクライブラインは、前記半導体ウェーハ端から前記第１の長さとは異なる第２の長さ前記支持体上に突出させた第２のダイシングラインで、前記半導体ウェーハを、ダイシングする工程とを有し、
前記第２のダイシングラインは、前記特定のチップに接し、少なくとも一対となっており、互いに直交する交点を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記特定のチップを挟む互いに直交する２組の前記第２のダイシングラインとなるようにダイシングすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のダイシングラインで、前記半導体ウェーハを、ダイシングする工程において、前記第２の長さを前記第１の長さより短くなるようにダイシングする工程と、
前記第１の長さと前記第２の長さを、ダイボンダーに備えられたカメラでスキャンする工程と
を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の長さと前記第２の長さの違いから前記第２のダイシングラインの前記交点の位置を特定する工程と、
前記検出された前記交点から基準となる前記特定のチップの位置を決定する工程と、
前記特定のチップを基準にして、ウェーハ試験において良品或いは不良品と判定されたチップの位置の照合を行う工程と、
前記良品と判定されたチップのみ取り出してダイボンディングする工程と
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、例えば、半導体ウェーハに占める位置基準に用いる非製品チップを不要にするための手段に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハをウェーハ状態で一次試験（ＰＴ）を終了したのち、ダイシング工程により分割個片化半導体チップを分割個片化して、一次試験で良品と判定された半導体チップのみをピックアップして、ダイボンディングしている。
【０００３】
ここで、図１８乃至図２６を参照して、従来の半導体装置の製造工程を説明する。図１８は、従来の半導体装置の製造方法におけるウェーハプロセスの説明図であり、図１８（ａ）に示すように、マトリクス状に半導体チップパターン５２が配置されたウェーハレチクル５１の所定の位置に基準チップパターン５３を設定する。基準チップパターン５３の設定位置は任意であるが、通常はコーナーに配置する。この基準チップパターン５３は、通常の製品チップと異なる特定の回路パターンを有している。
【０００４】
次いで、図１８（ｂ）に示すように、ウェーハレチクル５１のパターンを半導体ウェーハ６０の全面にステップアンドリピートで焼き付ける。図１８（ｃ）は、ウェーハレチクル５１のパターンを焼き付けた半導体ウェーハ６０の概念的平面図である。
【０００５】
図１９は、ウェーハと基準チップの関係を示す平面図であり、各転写単位毎にそのコーナーに基準チップ６１が焼きつけられる。図において階段状の太線の枠で示すように、ウェーハ６０内の基準チップ６１に対するチップ有効領域を決定する。
【０００６】
図２０は、ウェーハ一次試験における基準チップ及びチップ有効領域の決定方法の説明図である。まず、
ａ１．位置合わせのために予めウェーハ６０に形成したノッチ６３が一次試験装置内でウェーハ６０の手前（図において真下）にくるようにアライメントする。次いで、
ｂ１．ウェーハ６０の周辺の任意の３点Ａ，Ｂ，Ｃからウェーハ中心を求める。次いで、
ｃ１．ウェーハ中心から予め設定した座標に移動して左上の基準チップを求める。次いで、
ｄ１．ウェーハプロセスで設定された基準チップ６１に対して有効エリア情報により一次試験を行うための有効領域を識別する。
【０００７】
図２１はウェーハ一次試験とＰＴＭＡＰの説明図であり、図２１（ａ）に示すようにウェーハ６０の有効領域内の全ての半導体チップ６２に対して一次試験を行う。なお、図においては、縦に配列された３個の半導体チップを同時に一個のプローブカード６４を用いて試験を行う状態を示している。
【０００８】
図２１（ｂ）はＰＴＭＡＰの概念的説明図であり、一次試験の結果、良品と判定された良品チップ６５と不良品と判定された不良品チップ６６をマップ化してＰＴＭＡＰを作成する。この時、製品チップと異なった回路パターンを有する基準チップ６１は、不良品チップとしてマップ化する。
【０００９】
図２２は、ダイシング工程におけるウェーハの状態の説明図であり、ウェーハリング７０に固定されたウェーハ支持シート７１上に半導体ウェーハ６０を支持した状態を示している。まず、
ａ２．ダイシング装置内において、半導体ウェーハ６０のノッチ６３が手前にくるようにアライメントする。次いで、
ｂ２．同じ行に配置された任意の２つの半導体チップＡ，Ｂから水平の割り出しを行い、半導体ウェーハ６０の角度ズレθをアライメント装置により補正する。次いで、
ｃ２．半導体ウェーハ６０の端部から順にダイシングを実施する。
【００１０】
ダイシング長さは、半導体ウェーハ６０全体をカバーするように、ウェーハサイズより片側３ｍｍ程度長くカットするように設定する（ラウンドカット）。なお、位置補正を行うために、設定した半導体チップが実際の半導体チップと１列ズレの誤認識を考慮して上下、左右に一ライン分だけ余分にダイシングを行うケースもある。
【００１１】
図２３は、具体的なダイシング工程の説明図であり、回転式ダイシングブレード７２を用いて、ウェーハリング７０に固定されたウェーハ支持シート７１上に支持された半導体ウェーハ６０を端部から順にカットしていく。
【００１２】
図２４は、ダイボンディング工程におけるＰＴＭＡＰとの照合工程の説明図である。ここでは、半導体ウェーハ６０上の基準チップ６１と、ＰＴＭＡＰ上の基準チップとを照合し、一次試験の結果の良品チップ６５に対応した製品チップのみをピックアップして、ダイボンディングを実施する。なお、基準チップ６１はＰＴＭＡＰ上では不良品チップと見做されているのでピックアップされることはない。
【００１３】
図２５は、具体的なダイボンディング工程の説明図であり、図２５（ａ）に示すように、ダイシングが終了した半導体ウェーハ６０を支持するウェーハリング７０に対して、エキスパンド治具８１を上昇させてウェーハ支持シート７１を伸展させる。或いは、ウェーハリング７０をエキスパンド治具８１に対して降下させても良い。
【００１４】
図２５（ｂ）に示すように、ウェーハ支持シート７１が伸展するとダイシングラインの間隔が広がって半導体チップ６２は互いに離間する。なお、このように、ウェーハ支持シート７１が伸展した状態では、半導体ウェーハ６０の任意の３点からウェーハ中心位置や基準チップ５４の位置を特定することはできない。
【００１５】
次いで、図２５（ｃ）に示すように、突き上げニードル８２によってピックアップ対象となった良品チップ６５を突き上げるとともに、吸着コレット８３を下降させて、良品チップ６５を真空吸引により吸着したのち、吸着コレット８３を上昇させる。以降は、そのまま、ダイボンディングするか或いは搬送用トレーに収容する。
【００１６】
図２６は、以上の従来の半導体装置の製造工程を纏めたフロー図であり、まず、
ｓ１．ウェーハプロセスにおいて、レチクルのパターンをウェーハ全面にステップアンドリピートで焼き付ける。この時、レチクル内の有効チップ領域に基準チップのパターンを付与する。次いで、
ｓ２．ウェーハ一次試験（ＰＴ）により、ウェーハ有効領域全面に一次試験を実施して製品チップの良否を判定する。この時、ルールに基づいて決定した基準チップ（スタートチップ）を基準にして、良否結果についてのマップ（ＰＴＭＡＰ）を作成する。次いで、
ｓ３．ダイシングにより、有効チップ領域が全てカットされるようにダイシングを実施する。次いで、
ｓ４．ダイボンディングを行う。この時、基準チップを目視及びダイボンダーのカメラで識別して、ＰＴＭＡＰと照合し、良品チップのみをダイボンディングする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開昭５７−０９５６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、ウェーハプロセスでは、位置合わせ等のために製品チップとは異なる基準チップを配置しており、その部分には製品チップのパターンを配置することができず、その分だけ製品チップの有効数が低下し、製造コストが上昇するという問題がある。
【００１９】
また、基準チップを配置しただけでは、ウェーハ支持シートが伸展した状態では、ウェーハの任意の３点からウェーハ中心位置や基準チップの位置を特定することはできないという問題がある。なお、ダイボンダーのチップ識別用カメラで基準チップを識別しようとしても、チップ識別用カメラはチップ外形単位で識別するものであり、製品チップと同じチップ外形を有する基準チップを識別することはできない。
【００２０】
したがって、本発明は、製品チップと異なる基準チップを不要にするとともに、ダイシング後の工程における照合の基準となるスタートチップの識別を容易にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
開示する一観点からは、複数のチップを含み、レチクルによる焼き付け単位となるブロックを複数個配置した半導体ウェーハに、前記各ブロックにおいて、特定のチップのコーナーに隣接するスクライブラインに確認パターンを形成する工程と、前記半導体ウェーハを支持体上に支持する工程と、前記半導体ウェーハ端から第１の長さ前記支持体上に突出させた第１のダイシングラインで、前記半導体ウェーハを、ダイシングする工程と、前記確認パターンが検出された前記スクライブラインは、前記半導体ウェーハ端から前記第１の長さとは異なる第２の長さ前記支持体上に突出させた第２のダイシングラインで、前記半導体ウェーハを、ダイシングする工程とを有し、前記第２のダイシングラインは、前記特定のチップに接し、少なくとも一対となっており、互いに直交する交点を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２６】
開示の半導体装置の製造方法によれば、製品チップと異なる基準チップが不要になるとともに、ダイシング後の工程における照合の基準となるスタートチップの識別が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態のウェーハレチクルの概念的平面図である。
【図２】本発明の実施の形態の半導体ウェーハの概念的平面図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるダイシングラインの説明図である。
【図４】本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程のフロー図である。
【図５】本発明の実施例１の半導体装置の製造方法におけるウェーハプロセスの説明図である。
【図６】本発明の実施例１におけるチップ有効領域を示す平面図である。
【図７】本発明の実施例１のウェーハ一次試験における確認パターン及びチップ有効領域の決定方法の説明図である。
【図８】本発明の実施例１におけるウェーハ一次試験とＰＴＭＡＰの説明図である。
【図９】本発明の実施例１のダイシング工程における確認パターンの検出方法の説明図である。
【図１０】本発明の実施例１における半導体ウェーハのθ補正の説明図である。
【図１１】本発明の実施例１におけるダイシング状態の説明図である。
【図１２】本発明の実施例１のダイボンディング工程におけるＰＴＭＡＰとの照合工程の説明図である。
【図１３】本発明の実施例２におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図である。
【図１４】本発明の実施例３におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図である。
【図１５】本発明の実施例４におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図である。
【図１６】本発明の実施例５におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図である。
【図１７】本発明の実施例５におけるスタートチップ検出工程の説明図である。
【図１８】従来の半導体装置の製造方法におけるウェーハプロセスの説明図である。
【図１９】ウェーハと基準チップの関係を示す平面図である。
【図２０】ウェーハ一次試験における基準チップ及びチップ有効領域の決定方法の説明図である。
【図２１】ウェーハ一次試験とＰＴＭＡＰの説明図である。
【図２２】ダイシング工程におけるウェーハの状態の説明図である。
【図２３】具体的なダイシング工程の説明図である。
【図２４】ダイボンディング工程におけるＰＴＭＡＰとの照合工程の説明図である。
【図２５】具体的なダイボンディング工程の説明図である。
【図２６】従来の半導体装置の製造工程を纏めたフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
ここで、図１乃至図４を参照して本発明の実施の形態の半導体ウェーハを説明する。図１は、ウェーハレチクルの概念的平面図である。ウェーハレチクル１に設けるチップパターンを全て製品チップパターン２とし、任意の製品チップパターン２のコーナーに隣接するスクライブライン３に確認パターン４を形成する。なお、図においては、典型的位置として、左上のコーナーに設けた例を示している。
【００２９】
図２は、半導体ウェーハの概念的平面図であり、半導体チップ６とともに、各転写単位毎にそのコーナーに確認パターン７が焼きつけられる。図において階段状の太線の枠が、半導体ウェーハ５内の確認パターン７に対するチップ有効領域となる。
【００３０】
図３は、ダイシングラインの説明図であり、半導体ウェーハ５をウェーハリング８に固定したウェーハ支持シート９上に固着して、ダイシングブレード等でダイシングする。この時、基準となるスタートチップ１０に接する確認パターン７を切断する互いに直交する少なくとも一対のダイシングライン１１，１２のウェーハ端からの突出長さを他のダイシングライン１３，１４のウェーハ端からの突出長さと異なるように設定する。
【００３１】
この場合、異なる長さに設定するのは、一方のウェーハ端における突出長さでも良いし或いは両方のウェーハ端の突出長さでも良い。また、スタートチップ１０を挟む２対のダイシングラインのウェーハ端からの突出長さを他のダイシングライン１３，１４のウェーハ端からの突出長さと異なるように設定しても良い。
【００３２】
図４は、本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程のフロー図であり、まず、
Ｓ１．ウェーハプロセスにおいて、レチクルのパターンをウェーハ全面にステップアンドリピートで焼き付ける。この時、レチクル内の有効チップ領域のスクライブラインに確認パターンを付与する。
【００３３】
次いで、
Ｓ２．ウェーハ一次試験（ＰＴ）により、ウェーハ有効領域全面に一次試験を実施して製品チップの良否を判定する。この時、まず、半導体ウェーハの外周の任意の３点からウェーハ中心を求め、指定座標に移動してルールに基づいて決定したレチクルパターンのコーナーの確認パターンを検出する。次いで、一次試験を実施し、ルールに基づいて決定したレチクルパターンのコーナーの確認パターンを基準にして、良否結果についてのマップ（ＰＴＭＡＰ）を作成する。
【００３４】
次いで、
Ｓ３．ダイシングにより、有効チップ領域が全てカットされるようにダイシングを実施する。この時、まず、製品チップの２点から傾きθの補正を行った後、半導体ウェーハの外周の任意の３点からウェーハ中心を求め、指定座標に移動してルールに基づいて決定したレチクルパターンのコーナーの確認パターンを検出する。次いで、基準となるスタートチップに接する確認パターンを切断する互いに直交する少なくとも一対のダイシングラインのウェーハ端からの突出長さを他のダイシングラインのウェーハ端からの突出長さと異なるようにダイシングする。
【００３５】
次いで、
Ｓ４．ダイボンディングを行う。この時、目視或いはダイボンダーのカメラにより他の長さの異なるダイシングラインの交点からルール化された位置に配置された基準となるスタートチップを検出し、スタートチップとＰＴＭＡＰとの照合を行う。ＰＴＭＡＰと照合の結果、良品チップのみをダイボンディングする。
【００３６】
このように、本発明の実施の形態においては、製品チップとは異なった回路パターンの基準チップを用いることなく、スクライブラインに設けた確認パターンに隣接する製品チップをスタートチップにしているので、製品チップの有効数が低下することがない。
【００３７】
また、ダイボンディング工程におけるスタートチップの確認は、ダイシングラインのウェーハ端からの突出長さの違いで確認しているので、ウェーハ支持シートが伸展した状態でも、スタートチップの位置を容易に確認することができる。
【実施例１】
【００３８】
以上を前提として、次に、図５乃至図１２を参照して、本発明の実施例１の半導体装置の製造工程を説明する。図５は、本発明の実施例１の半導体装置の製造方法におけるウェーハプロセスの説明図であり、図５（ａ）に示すように、マトリクス状に半導体チップパターン２２が配置されたウェーハレチクル２１のスクライブラインの所定の位置に確認パターン２３を設定する。確認パターン２３の設定位置は任意であるが、通常はレチクルパターンのコーナーに配置する。なお、半導体チップパターン２２は、全て製品チップを製造するための回路パターンを有している。
【００３９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ウェーハレチクル２１のパターンをウェーハ３０の全面にステップアンドリピートで焼き付ける。図５（ｃ）は、ウェーハレチクル２１のパターンを焼き付けた半導体ウェーハ３０の概念的平面図であり、ウェーハレチクル２１に対応する転写単位毎に、左上の製品チップとなる半導体チップ３１に隣接するスクライブラインに確認パターン３２が焼き付けられる。
【００４０】
図６は、チップ有効領域を示す平面図であり、各転写単位毎に左上の半導体チップ３１に隣接するスクライブラインに確認パターン３２が焼き付けられており、図において階段状の太線の枠で示すように、半導体ウェーハ３０内のルールに基づいて決定した位置にある確認パターン３２に対するチップ有効領域を決定する。
【００４１】
図７は、ウェーハ一次試験における確認パターン及びチップ有効領域の決定方法の説明図である。まず、
ａ１．位置合わせのために予め半導体ウェーハ３０に形成したノッチ３３が一次試験装置内で半導体ウェーハ３０の手前（図において真下）にくるようにアライメントする。次いで、
ｂ１．半導体ウェーハ３０の周辺の任意の３点Ａ，Ｂ，Ｃからウェーハ中心を求める。次いで、
ｃ１．ウェーハ中心から予め設定した座標に移動して左上のブロックの確認パターン３２を求める。次いで、
ｄ１．ウェーハプロセスで設定された確認パターン３２に対して有効エリア情報により一次試験を行うための有効領域を識別する。
【００４２】
図８はウェーハ一次試験とＰＴＭＡＰの説明図であり、図８（ａ）に示すように半導体ウェーハ３０の有効領域内の全ての半導体チップに対して一次試験を行う。なお、図においては、縦に配列された３個の半導体チップを同時に一個のプローブカード３４を用いて試験を行う状態を示している。
【００４３】
図８（ｂ）はＰＴＭＡＰの概念的説明図であり、一次試験の結果、良品と判定された良品チップ３５と不良品と判定された不良品チップ３６をマップ化してＰＴＭＡＰを作成する。この時、確認パターン３２に隣接する半導体チップ３１を基準となるスタートチップとしてマップを作成する。
【００４４】
図９は、ダイシング工程における確認パターンの検出方法の説明図であり、ウェーハリング４０に固定されたウェーハ支持シート４１上に半導体ウェーハ３０を支持した状態を示している。まず、
ａ２．ダイシング装置内において、半導体ウェーハ３０のノッチ３３が手前にくるようにアライメントする。次いで、
ｂ２．半導体ウェーハ３０の周辺の任意の３点Ａ，Ｂ，Ｃからウェーハ中心を求める。次いで、
ｃ２．ウェーハ中心から予め設定した座標に移動して左上の転写単位のコーナーの確認パターン３２を検出する。
【００４５】
図１０は、半導体ウェーハのθ補正の説明図であり、まず、
ａ３．ダイシング装置内において、半導体ウェーハ３０のノッチ３３が手前にくるようにアライメントする。次いで、
ｂ３．同じ行に配置された任意の２つの半導体チップＡ，Ｂから水平の割り出しを行い、半導体ウェーハ３０の角度ズレθをアライメント装置により補正する。次いで、
ｃ３．半導体ウェーハ３０の端部から順にダイシングを実施する。
【００４６】
図１１は、ダイシング状態の説明図であり、通常のラウンドカットは、ウェーハサイズ＋片側３ｍｍ程度オーバーするようにダイシングするが、確認パターンが検出されたスクライブラインのダイシングライン４２，４３は、片側だけ他のダイシングライン４４，４５より長くダイシングする。例えば、半導体ウェーハ３０の直径を３００ｍｍとすると、ウェーハリング４０の内径は４００ｍｍであり、通常のラウンドカットは、ウェーハサイズ＋片側３ｍｍ程度オーバーするようにダイシングする。しかし、確認パターンが検出されたスクライブラインのダイシングライン４２，４３は上側及び左側がウェーハサイズより３０ｍｍ程度長くなるようにダイシングする。この段階で、確認パターン３２は消失する。
【００４７】
図１２は、ダイボンディング工程におけるＰＴＭＡＰとの照合工程の説明図であり、ウェーハ３０上の隣接するスクライブラインに確認パターン３２が形成されたスタートチップ３７をダイシングライン４２，４３の長さの違いで目視で判別する。
【００４８】
以降は、図示を省略するが、従来と同様に、ダイシングが終了したウェーハ３０を支持するウェーハリング４０に対して、エキスパンド治具を上昇させてウェーハ支持シート４１を伸展させる。或いは、ウェーハリング４０をエキスパンド治具に対して降下させても良い。
【００４９】
次いで、良品チップ３５に対応した製品チップのみ突き上げニードルによって突き上げるとともに、吸着コレットを下降させて、良品チップ３５を真空吸引により吸着したのち、吸着コレットを上昇させてダイボンドする。
【００５０】
このように、本発明の実施例１においてはスタートチップを決定するために、製品チップと異なる基準チップではなく、確認パターンを隣接するスクライブラインに設けているだけであるので、製品チップの有効数が減少することがない。
【００５１】
また、ダイボンディング工程におけるスタートチップの判別は、ダイシングラインの長さの違いで行っているので、ダイシングラインの特定が容易になり、ウェーハ支持シートが伸展した状態でもスタートチップの位置を目視で容易に判別することができる。
【実施例２】
【００５２】
次に、図１３を参照して、本発明の実施例２の半導体装置の製造工程を説明するが、ダイシングラインの状態が異なるだけで、他の構成は上記の実施例１と同様であるので、ダイシング工程後の半導体ウェーハの平面図のみ示す。
【００５３】
図１３は、本発明の実施例２におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図であり、スタートチップ３７に隣接するダイシングライン４２，４３を半導体ウェーハ３０の両側で３０ｍｍ、他のダイシングライン４４，４５より長くする。
【００５４】
本発明の実施例２においても、スタートチップ３７に隣接するダイシングライン４２，４３が、他のダイシングライン４４，４５と長さが両側で異なるので、ダイシングラインの特定がより容易になる。その結果、ウェーハ支持シートが伸展した状態でもスタートチップ３７の位置を目視で容易に判別することができる。
【実施例３】
【００５５】
次に、図１４を参照して、本発明の実施例３の半導体装置の製造工程を説明するが、ダイシングラインの状態が異なるだけで、他の構成は上記の実施例１と同様であるので、ダイシング工程後の半導体ウェーハの平面図のみ示す。
【００５６】
図１４は、本発明の実施例３におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図であり、スタートチップ３７は挟む上下・左右２対のダイシングライン４２１，４２２，４３１，４３２を半導体ウェーハ３０の片側で３０ｍｍ、他のダイシングライン４４，４５より長くする。
【００５７】
本発明の実施例３においても、スタートチップ３７に隣接するダイシングライン４２１，４２２，４３１，４３２が、他のダイシングライン４４，４５と長さが異なる。したがって、ウェーハ支持シートが伸展した状態でもスタートチップ３７の位置を目視でより容易に判別することができる。
【実施例４】
【００５８】
次に、図１５を参照して、本発明の実施例４の半導体装置の製造工程を説明するが、ダイシングラインの状態が異なるだけで、他の構成は上記の実施例１と同様であるので、ダイシング工程後の半導体ウェーハの平面図のみ示す。
【００５９】
図１５は、本発明の実施例４におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図であり、スタートチップ３７は挟む上下・左右２対のダイシングライン４２１，４２２，４３１，４３２を半導体ウェーハ３０の両側で３０ｍｍ、他のダイシングライン４４，４５より長くする。
【００６０】
本発明の実施例４においても、スタートチップ３７に隣接するダイシングライン４２１，４２２，４３１，４３２が、他のダイシングライン４４，４５と長さが両側で異なるので、ダイシングラインの特定がより容易になる、また、ウェーハ支持シートが伸展した状態でもスタートチップ３７の位置を目視でより容易に判別することができる。
【実施例５】
【００６１】
次に、図１６及び図１７を参照して、本発明の実施例５の半導体装置の製造工程を説明するが、ダイシングラインの状態が異なるだけで、他の構成は上記の実施例１と同様である。図１６は、本発明の実施例５におけるダイシング工程後の半導体ウェーハの概念的平面図であり、スタートチップ３７に隣接するダイシングライン４２，４３を半導体ウェーハ３０の片側で他のダイシングライン４４，４５より短くする。即ち、ダイシングライン４２，４３は、片側において、通常の３ｍｍオーバーとなり、他方は３０ｍｍオーバーとなるようにダイシングし、他のダイシングライン４４，４５はウェーハの両側で３０ｍｍオーバーとなるようにダイシングする。
【００６２】
図１７は、本発明の実施例５におけるスタートチップに検出工程の説明図である。ダイボンダーに設置されたカメラ４６で半導体ウェーハ３０の外周のウェーハ支持シート４１の切り込みをスキャンすることによって、短いダイシングライン４２，４３を特定することができる。それによって、短いダイシングライン４２，４３の交点に隣接する半導体チップをスタートチップ３７として特定することができる。
【００６３】
本発明の実施例５においては、目視ではなくカメラ４６を用いてダイシングラインを特定しているので、スタートチップ３７の位置を自動的に特定することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１，２１  ウェーハレチクル
２  製品チップパターン
３  スクライブライン
４，２３  確認パターン
５，３０  半導体ウェーハ
６  半導体チップ
７，３２  確認パターン
８，４０  ウェーハリング
９，４１  ウェーハ支持シート
１０，３７  スタートチップ
１１，１２，４２，４２１，４２２，４３，４３１，４３２  ダイシングライン
１３，１４，４４，４５  ダイシングライン
２２  半導体チップパターン
３１  半導体チップ
３３  ノッチ
３４  プローブカード
３５  良品チップ
３６  不良品チップ
４６  カメラ
５１  ウェーハレチクル
５２  半導体チップパターン
５３  基準チップパターン
６０  半導体ウェーハ
６１  基準チップ
６２  半導体チップ
６３  ノッチ
６４  プローブカード
６５  良品チップ
６６  不良品チップ
７０  ウェーハリング
７１  ウェーハ支持シート
７２  回転式ダイシングブレード
８１  エキスパンド治具
８２  突き上げニードル
８３  吸着コレット
【図１】
0005621395.tif 000002
【図２】
0005621395.tif 000003
【図３】
0005621395.tif 000004
【図４】
0005621395.tif 000005
【図５】
0005621395.tif 000006
【図６】
0005621395.tif 000007
【図７】
0005621395.tif 000008
【図８】
0005621395.tif 000009
【図９】
0005621395.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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