(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面側に設けられる第１半導体部と、
前記基板の前記一方の面側に設けられる第２半導体部と、
を備えるＭＥＭＳにおいて、
第１半導体部の側面側に設けられ、かつ前記基板表面に対して略垂直な第１面と、
第２半導体部の側面側に設けられ、かつ前記基板表面に平行な方向において第１面と対向する第２面が設けられると共に、
第２面側の表層部分は第１面側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部における第１面を含む部分と第２半導体部における第２面を含む部分とで電界効果トランジスタが構成され、
第１半導体部は、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に変形可能に構成されていることを特徴とするＭＥＭＳ。
【請求項２】
第２半導体部は、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に変形可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ。
【請求項３】
第２半導体部は、第１面と第２面との対向面の間隔が変化する方向に変形可能に構成されていることを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳ。
【請求項４】
第２面は、第２半導体部が変形した場合における応力発生部位に設けられていることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳ。
【請求項５】
第１半導体部は、第１面と第２面との対向面の間隔が変化する方向に変形可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項６】
第２半導体部の側面側には、複数の第２面が設けられ、かつ各第２面に対してそれぞれ第１面が対向するように複数の第１半導体部が設けられることによって、複数の電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項７】
第２半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたリング状の振動子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項８】
第１半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたリング状の振動子であり、
リング状の第１半導体部の外周壁面と、リング状の第２半導体部の外周壁面との対向する部位が、それぞれ第１面及び第２面であることを特徴とする請求項７に記載のＭＥＭＳ。
【請求項９】
第２半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたディスク状の振動子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１０】
第１半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたディスク状の振動子であり、
ディスク状の第１半導体部の外周壁面と、ディスク状の第２半導体部の外周壁面との対向する部位が、それぞれ第１面及び第２面であることを特徴とする請求項９に記載のＭＥＭＳ。
【請求項１１】
第１半導体部と第２半導体部により櫛歯状の構造体を形成しており、少なくともいずれか一方の少なくとも一部が前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１２】
第２半導体部には、チャネルとなる部分を挟んで、前記基板表面に平行な方向における両側に、それぞれソース電極とドレイン電極が設けられることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１３】
第２半導体部には、チャネルとなる部分を挟んで、第２半導体部の表面側にソース電極とドレイン電極のうちの一方が設けられ、裏面側に他方が設けられることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１４】
第１面はエッチングによって形成されるエッチング面であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１５】
第１面は表面が酸化された後にフッ酸により酸化膜が除去された面であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１６】
第１面はエピタキシャル成長による処理が施された面で構成されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１７】
第２面はエッチングによって形成されるエッチング面であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１８】
第２面は表面が酸化された後にフッ酸により酸化膜が除去された面であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【請求項１９】
第２面はエピタキシャル成長による処理が施された面で構成されることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一つに記載のＭＥＭＳ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電界効果トランジスタ構造を備えたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  （微小機械電気システム））が知られている（特許文献１〜４参照）。従来知られている電界効果トランジスタ構造を備えたＭＥＭＳにおいては、ゲート電極とチャネルが、基板表面に垂直な方向において対向する構成である。そのため、回路構成の設計自由度が低いという問題がある。すなわち、ゲート電極となる層と、チャネルとなる層が、基板表面に対して積み重ねられる方向に、かつ各層の間に隙間を空けて設けられる構成となるため、例えば２つのトランジスタを接続させる回路など、複雑な回路を簡単に構成することはできない。
【０００３】
ここで、ＭＥＭＳによって電界効果トランジスタ構造を構成する場合には、Ｑ値が高いというＭＥＭＳ振動子の特性を活かすことができる。すなわち、例えば、チャネルをＭＥＭＳ振動子に設けることによって、ある特定の周波数の振動時において、相互コンダクタンスを極めて大きくすることができる。これにより、特定の周波数の振動時にのみ、電流値を大幅に増幅できるという利点がある。そのため、各種センサやＲＦフィルタなどに好適に利用することができる。
【０００４】
しかしながら、従来知られている電界効果トランジスタ構造を備えたＭＥＭＳの場合、ＭＥＭＳ振動子は、基板表面に対して垂直な方向に振動する構成であり、基板表面に対して平行に振動させる用途で用いることはできない。
【０００５】
なお、基板表面に対して平行な方向に振動する振動子を備えたＭＥＭＳに関する技術も知られている（非特許文献１参照）。しかしながら、かかるＭＥＭＳをセンサなどに利用する場合には、当該ＭＥＭＳに増幅回路などの各種外部回路を接続する必要がある。ここで、ＭＥＭＳは電気機械結合係数が小さく信号の減衰が大きいという特性を有する。また、ＭＥＭＳはキャパシタンス容量が小さいという特性を有する。そのため、当該ＭＥＭＳを用いてセンサなどを構成すると、外部回路のインピーダンス（浮遊容量）が高く、ノイズが大きくなり、また、信号の減衰が大きくなってしまう問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１６７８１４号公報
【特許文献２】特開平９−２２９６８８号公報
【特許文献３】特開２００６−１５９３００号公報
【特許文献４】特開２００６−１００８１９号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｗｅｉ−Ｃｈａｎｇ  Ｌｉ，  ｅｔ  ａｌ．，「ＱＵＡＬＩＴＹ  ＦＡＣＴＯＲ  ＥＮＨＡＮＣＥＭＥＮＴ  ＩＮ  ＭＩＣＲＯＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ  ＲＥＳＯＮＡＴＯＲＳ  ＡＴ  ＣＲＹＯＧＥＮＩＣ  ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＳ」  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ  ２００９，  Ｄｅｎｖｅｒ，  ＣＯ，  ＵＳＡ，  Ｊｕｎｅ  ２１−２５，  ２００９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
【００１０】
すなわち、本発明のＭＥＭＳは、
基板と、
前記基板の一方の面側に設けられる第１半導体部と、
前記基板の前記一方の面側に設けられる第２半導体部と、
を備えるＭＥＭＳにおいて、
第１半導体部の側面側に設けられ、かつ前記基板表面に対して略垂直な第１面と、
第２半導体部の側面側に設けられ、かつ前記基板表面に平行な方向において第１面と対向する第２面が設けられると共に、
第２面側の表層部分は第１面側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部における第１面を含む部分と第２半導体部における第２面を含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、電界効果トランジスタ構造が、半導体部の側面側に形成されるゲート電極やチャネルによって構成される。従って、基板表面に垂直な方向において対向する層間で電界効果トランジスタ構造が構成される場合に比して、回路構成の設計自由度を高めることができる。
【００１２】
第２半導体部は、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に変形可能に構成されているとよい。
【００１３】
これにより、第２半導体部が基板表面に平行な方向に変形することで、第１面と第２面との位置関係を変化させることができる。
【００１４】
第２半導体部は、第１面と第２面との対向面の間隔が変化する方向に変形可能に構成されているとよい。
【００１５】
これにより、ゲート電極とチャネルとの距離を変化させることができる。なお、本発明においては、第１面と第２面は初期状態（駆動電圧が印加されていない状態）では接触していてもよいし、第２半導体部の変形の過程で、接触するように構成されていてもよい。以下においても、同様である。
【００１６】
第２面は、第２半導体部が変形した場合における応力発生部位に設けられているとよい。
【００１７】
これにより、ピエゾ抵抗効果によって、第２面部分の電気抵抗が変化する。特に、チャネルとなる部位をｎ型半導体とすることにより、ピエゾ抵抗効果に伴い、チャネルの電気抵抗を下げることが可能となる。
【００１８】
第１半導体部は、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に変形可能に構成されているとよい。
【００１９】
これにより、第１半導体部が基板表面に平行な方向に変形することで、第１面と第２面との位置関係を変化させることができる。なお、上記の通り、第２半導体部も基板表面に
平行な方向に変形する構成を採用することで、第１面と第２面との位置関係を、より多様に変化させることができる。
【００２０】
第１半導体部は、第１面と第２面との対向面の間隔が変化する方向に変形可能に構成されているとよい。
【００２１】
これにより、ゲート電極とチャネルとの距離を変化させることができる。なお、上記の通り、第２半導体部も、第１面と第２面との対向面の間隔が変化する方向に変形可能に構成することで、ゲート電極とチャネルとの距離をより効率良く変化させることができる。
【００２２】
第２半導体部の側面側には、複数の第２面が設けられ、かつ各第２面に対してそれぞれ第１面が対向するように複数の第１半導体部が設けられることによって、複数の電界効果トランジスタが構成されるとよい。
【００２３】
これにより、一つの第２半導体部に対して複数の電界効果トランジスタ構造が構成され、各種回路を構成することが可能となる。
【００２４】
第２半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたリング状の振動子であるとよい。
【００２５】
これにより、Ｑ値が高いというＭＥＭＳ振動子の特性を利用できる。また、リング状の振動子は、基板表面に平行な方向に振動するため、基板表面に対して平行に振動させる用途に用いることができる。
【００２６】
第１半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたリング状の振動子であり、
リング状の第１半導体部の外周壁面と、リング状の第２半導体部の外周壁面との対向する部位が、それぞれ第１面及び第２面であるとよい。
【００２７】
また、第２半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたディスク状の振動子であるとよい。
【００２８】
これにより、Ｑ値が高いというＭＥＭＳ振動子の特性を利用できる。また、ディスク状の振動子は、基板表面に平行な方向に振動するため、基板表面に対して平行に振動させる用途に用いることができる。
【００２９】
第１半導体部は、前記基板に対して複数の箇所で支持されると共に、第１半導体部と第２半導体部との間に駆動電圧が印加されることで前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されたディスク状の振動子であり、
ディスク状の第１半導体部の外周壁面と、ディスク状の第２半導体部の外周壁面との対向する部位が、それぞれ第１面及び第２面であるとよい。
【００３０】
また、第１半導体部と第２半導体部により櫛歯状の構造体を形成しており、少なくともいずれか一方の少なくとも一部が前記基板表面に平行な方向に振動可能に構成されているとよい。
【００３１】
第２半導体部には、チャネルとなる部分を挟んで、前記基板表面に平行な方向における
両側に、それぞれソース電極とドレイン電極が設けられるとよい。
【００３２】
第２半導体部には、チャネルとなる部分を挟んで、第２半導体部の表面側にソース電極とドレイン電極のうちの一方が設けられ、裏面側に他方が設けられることも好適である。
【００３３】
この構成を採用した場合には、チャネル幅を広くすることができるため、相互コンダクタンスを大きくすることができる。
【００３４】
第１面はエッチングによって形成されるエッチング面であるとよい。また、第１面は表面が酸化された後にフッ酸により酸化膜が除去された面であることも好適である。更に、第１面はエピタキシャル成長による処理が施された面で構成されることも好適である。
【００３５】
第２面はエッチングによって形成されるエッチング面であるとよい。また、第２面は表面が酸化された後にフッ酸により酸化膜が除去された面であることも好適である。更に、第２面はエピタキシャル成長による処理が施された面で構成されることも好適である。
【００３８】
なお、上記各構成は、可能な限り組み合わせて採用し得る。
【発明の効果】
【００３９】
以上説明したように、本発明によれば、回路構成の設計自由度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの斜視図である。
【図２】図２は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの一部破断斜視図である。
【図３】図３は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図４】図４は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図５】図５は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図６】図６は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図７】図７は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの断面図である。
【図８】図８は本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの断面図である。
【図９】図９は本発明の実施例２に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１０】図１０は本発明の実施例３に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１１】図１１は本発明の実施例４に係るＭＥＭＳの概略構成を示す図である。
【図１２】図１２は本発明の実施例５に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１３】図１３は本発明の実施例６に係るＭＥＭＳの斜視図である。
【図１４】図１４は本発明の実施例６に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１５】図１５は本発明の実施例６に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１６】図１６は本発明の実施例６に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１７】図１７は本発明の実施例６に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図１８】図１８は本発明の実施例７に係るＭＥＭＳの斜視図である。
【図１９】図１９は本発明の実施例７に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図２０】図２０は本発明の実施例７に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図２１】図２１は本発明の実施例７に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図２２】図２２は本発明の実施例８に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図２３】図２３は本発明の実施例９に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図である。
【図２４】図２４は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの斜視図である。
【図２５】図２５は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの断面図である。
【図２６】図２６は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図２７】図２７は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図２８】図２８は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図２９】図２９は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【図３０】図３０は本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００４２】
（実施例１）
図１〜図８を参照して、本発明の実施例１に係るＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  （微小機械電気システム））について説明する。
【００４３】
＜ＭＥＭＳの全体構成＞
特に、図１及び図２を参照して、本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの全体構成等につい
て説明する。
【００４４】
本実施例に係るＭＥＭＳ１００は、基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１，２２，２３，２４と、同じく基板１０の一方の面側に設けられる第２半導体部としてのリング状の振動子３１とを備えている。本実施例における基板１０は、シリコン製の基板である。
【００４５】
リング状の振動子３１は４つの支持部３２，３３，３４，３５によって４箇所で支持されている。なお、振動子３１は、リングの中心に対して、９０°間隔で支持されている。そして、これら４つの支持部３２，３３，３４，３５のうち、隣り合う支持部の間にそれぞれ第１半導体部２１，２２，２３，２４が設けられている。なお、基板１０と第１半導体部２１，２２，２３，２４との間、及び基板１０と支持部３２，３３，３４，３５との間には酸化膜１１が形成されている。
【００４６】
ここで、第１半導体部２１，２２，２３，２４における側面、及び振動子３１における側面は、いずれもエッチングによって形成される。第１半導体部２１，２２，２３，２４における各側面のうち、振動子３１に対向する部位を第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａと称する。また、振動子３１の側面のうち、第１半導体部２１，２２，２３，２４に対向する部位を第２面３１ａと称する。上記の各側面は、基板１０に対して略垂直な面（設計上は垂直な面）で構成される。従って、第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａと第２面３１ａは、それぞれ基板表面に平行な方向において対向している。
【００４７】
そして、本実施例においては、第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ及び第２面３１ａは、エッチング界面の欠陥密度が、電界効果トランジスタの動作レベルとなるように構成されている。
【００４８】
以上のような構成により、一つの第１半導体部と、当該第１半導体部の両側の支持部と、振動子３１の一部（当該第１半導体部の第１面に対向する第２面を含む部分）によって、電界効果トランジスタ構造を構成することが可能となる。
【００４９】
ここでは、その一例として、第１半導体部２１と、支持部３２，３３と、振動子３１における第１面２１ａに対向する部位の第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタ構造を構成する場合を説明する。
【００５０】
この場合、例えば、第１半導体部２１をゲート電極、支持部３２をソース電極、支持部３３をドレイン電極、第２面３１ａ側の表層部分をチャネルとする電界効果トランジスタ構造を構成させることができる。すなわち、振動子３１の本体部分をｐ型半導体で構成し、振動子３１における支持部３２との接続部付近３２ａ、及び支持部３３との接続部付近３３ａについてはｎ型半導体で構成する。そして、第１半導体部２１をゲート電極、支持部３２をソース電極、支持部３３をドレイン電極として回路を構成する。以上の構成により、ゲート電極である第１半導体部２１に電圧をかけることによって、この第１半導体部２１の第１面２１ａに対向する第２面３１ａの付近がチャネルとして機能し、電界効果トランジスタ構造が構成される。
【００５１】
また、本実施例においては、第１半導体部２１，２２，２３，２４のうちのいずれかを駆動電極として駆動電圧（直流電圧と交流電圧を重畳させた電圧）をかけることによって、振動子３１を基板１０の表面に平行な方向に振動させることができる。これにより、振動子３１は、交流電圧における特定の周波数で共振し、この特定の周波数の際に、チャネル部分における相互コンダクタンスを極めて高くすることができる。従って、特定の周波数でのみ、電流値を増幅させることが可能となる。また、駆動電圧における直流電圧値を
変更することで、振動子３１が共振する周波数を変更することも可能である。すなわち、直流電圧値を高くすると、共振周波数を低くすることができる。これにより、各種センサやＲＦフィルタなど様々なものに応用できる。
【００５２】
なお、直流電圧値を高くすると、共振周波数が低くなる理由について簡単に説明する。例えば、変位によってギャップが変化するような静電型アクチュエータの場合、動作行列において、バネと同じ効果を有する項があり、電圧を高くすると電圧の大きさの２乗に比例して当該バネのバネ定数が小さくなる（ソフトスプリング効果）ことが知られている。このように、電圧を高くすると、動作行列において、バネと同じ効果を有する項の値が小さくなり、共振周波数（（バネ定数÷質量）１／２÷２π）が小さくなる。
【００５３】
＜ＭＥＭＳの製造方法＞
図３〜図８を参照して、本発明の実施例１に係るＭＥＭＳの製造方法について説明する。図３〜図６は工程図を示しており、説明の便宜上、図３（ａ）を工程１、同図（ｂ）を工程２、同図（ｃ）を工程３、図４（ａ）を工程４、同図（ｂ）を工程５、同図（ｃ）を工程６、図５（ａ）を工程７、同図（ｂ）を工程８、同図（ｃ）を工程９、図６（ａ）を工程１０、同図（ｂ）を工程１１、同図（ｃ）を工程１２と称する。これら各工程図において、図中左側は上方から見た斜視図であり、右側は同図中のＸＸ断面図である。
【００５４】
まず、ＳＯＩウエハ２００を準備する。ＳＯＩウエハ２００は、ベース基板となる厚さ３００μｍの下部Ｓｉ層２１０と、中間層となる厚さ２μｍのＳｉＯ２層２１１と、上層である厚さ２μｍの上部ＳＯＩ層２１２とからなる３層構造の基板である。上部ＳＯＩ層２１２の表面は、単結晶Ｓｉの主面（００１）に選ばれており、伝導型はｐ型、比抵抗は１０Ωｃｍである。
【００５５】
＜＜工程１（図３（ａ））＞＞
上部ＳＯＩ層２１２上に、スピンコーターにより３０００ｒｐｍ，３０ｓｅｃの条件でレジスト２１３を塗布し、ベーク炉において９０℃，２０ｍｉｎの条件でベークする。その後、紫外線露光を４ｓｅｃ、現像を１．５ｍｉｎ行って、面領域Ｒを残し、他の領域のレジストを除去する。
【００５６】
＜＜工程２（図３（ｂ））＞＞
面領域Ｒのレジスト２１３をマスクとして、シリコン深堀エッチング装置により、上部ＳＯＩ層２１２をエッチングする。これにより、レジスト２１３と同じ平面形状を有する中間構造体２３０がＳｉＯ２層２１１上に形成される。
【００５７】
ここで、この中間構造体２３０は、円筒部２３１とこの円筒部２３１に接続された４つの支持部２３２，２３３，２３４，２３５とからなる。それぞれの支持部２３２，２３３，２３４，２３５は円筒部２３１の中心から角度を定めた場合において、隣り合う支持部間の角度がそれぞれ９０°となるように、［１００］及び［０１０］方向に沿って配置されている。
【００５８】
円筒構造の面内振動は、円周方向波数ｎと軸方向波数ｍの２つの波数により決定される。本実施例における円筒部２３１に対する支持部２３２，２３３，２３４，２３５の配置の場合には、ｎ＝２，ｍ＝１で定められる固有振動となる。円筒部２３１の内径及び外径によって、固有振動の周波数が定まる。例えば、内径１５０μｍ，外径２００μｍの場合、ｎ＝２，ｍ＝１のモードの固有振動数はおおよそ１．６ＭＨｚとなる。
【００５９】
中間構造体２３０を形成した後に、Ｆ２ガスを用いた中性粒子ビームエッチングにより、中間構造体２３０における円筒部２３１の側壁面２３１ａを０．２μｍ分だけエッチン
グする。これにより、シリコン深堀エッチング装置によるエッチングで導入された結晶欠陥が除去される。その後、レジスト２１３を専用の剥離液、あるいは酸素ガスを用いたアッシングにより除去する。
【００６０】
＜＜工程３（図３（ｃ））＞＞
支持部２３４，２３５に、イオンインランテーションによって、これら支持部２３４，２３５の比抵抗が０．０１Ωｃｍ以下になるようにリンを導入する。なお、リンが導入される領域２３４ａ，２３５ａは、支持部２３４，２３５の部位だけでなく、円筒部２３１の一部まで多少広がっていてもよい。
【００６１】
＜＜工程４（図４（ａ））＞＞
中間構造体２３０の表面を酸化して、０．１μｍ厚の酸化膜２１４を形成する。酸化方法は酸素ガスを用いたドライ酸化である。
【００６２】
＜＜工程５（図４（ｂ））＞＞
ウエハ全面に、減圧ＣＶＤ法によりポリシリコン２１５を２μｍ堆積させる。
【００６３】
＜＜工程６（図４（ｃ））＞＞
ソース電極となる支持部２３２及びドレイン電極となる支持部２３３が露出するように、ポリシリコン２１５をエッチングにより除去する。このときのエッチング装置には反応性イオンエッチング装置を用い、エッチングマスクにはレジストを用いる。その後、ボロンを固体拡散源として用いた気相拡散法により導入し、ポリシリコン２１５及びソース電極となる支持部２３２及びドレイン電極となる支持部２３３を高濃度のｎ型半導体にする。
【００６４】
＜＜工程７（図５（ａ））＞＞
ポリシリコン２１５をエッチングし、第１半導体領域２１６を形成する。エッチング装置には反応性イオンエッチング装置を用い、エッチングマスクにはレジストを用いる。第１半導体領域２１６は、中間構造体２３０における円筒部２３１の上部にオーバーハングした状態で形成する。ただし、第１半導体領域２１６を作製する際のレジストマスクのアライメント精度により、そのオーバーハング領域ができるだけ少ないように形成する。本実施例では、オーバーハング量は０．５μｍとした。
【００６５】
＜＜工程８（図５（ｂ））＞＞
ＳｉＯ２層２１１における円筒部２３１の内側の部分を、ウェットエッチングにより除去する。エッチングマスクにはレジスト用いる。この工程はＳｉＯ２層２１１に蓄えられた内部応力により、後工程で中間構造体２３０が破壊されるのを未然に防ぐ効果がある。
【００６６】
＜＜工程９（図５（ｃ））＞＞
上述したリング状の振動子３１を形成するために、下部Ｓｉ層２１０のうち、円筒部２３１の下方の部位をエッチングする。このエッチングはシリコン深堀りエッチング装置を用いて行い、マスクはレジストを用いる。
【００６７】
＜＜工程１０（図６（ａ））＞＞
ウエハをフッ酸溶液内に浸し、円筒部２３１の下部の酸化膜及び第１半導体領域２１６に被覆した酸化膜を除去する。この工程により第１半導体領域２１６と中間構造体２３０との間の酸化膜も除去される。また、中間構造体２３０のうち、円筒部２３１は４つの支持部２３２，２３３，２３４，２３５によって４箇所でのみ支持された状態となり、当該円筒部２３１は可動な状態となる。また、第１半導体領域２１６は、エッチングされずに残った酸化膜２１１を介して、下部Ｓｉ層２１０上に固定されている。なお、中間構造体
２３０のうち、４つの支持部２３２，２３３，２３４，２３５は、第１半導体領域２１６と同様に、エッチングされずに残った酸化膜２１１を介して下部Ｓｉ層２１０上に固定されている。
【００６８】
＜＜工程１１（図６（ｂ））＞＞
ウエハを酸化炉に入れ、ドライ酸化を行う。これにより、中間構造体２３０表面及び第１半導体領域２１６の表面に酸化膜２１７が形成される。本実施例において、この工程によって形成される酸化膜２１７の厚さは０．０１μｍである。
【００６９】
＜＜工程１２（図６（ｃ））＞＞
ウエハ表面から反応性イオンエッチング装置により酸化膜２１７をエッチングする。このエッチングによって、中間構造体２３０及び第１半導体領域２１６の上部に形成されていた酸化膜のみ除去される。これにより、中間構造体２３０と第１半導体領域２１６との間の酸化膜はオーバーハングした第１半導体領域２１６により酸化膜のエッチングから保護され、エッチングされずに残った状態となる。
【００７０】
その後、アルミニウム電極２１８を１μｍの厚さに形成する。このアルミニウム電極２１８のパターニングは、アルミニウム膜を蒸着により形成する際、メタルマスクを用いてアルミニウム電極２１８となる部分のみアルミニウム膜が形成されるようにする。アルミニウム電極２１８は、ゲート電極となる第１半導体領域２１６、ソース電極となる支持部２３２、及びドレイン電極となる支持部２３３において電気的接続部とするためのものである。従って、アルミニウム電極２１８の一部は、これら第１半導体領域２１６、支持部２３２，２３３上にそれぞれ形成されている。
【００７１】
以上により、トランジスタ構造を備えたＭＥＭＳが製造される。なお、第１半導体領域２１６がＭＥＭＳ１００における第１半導体部２１，２２，２３，２４に相当し、円筒部２３１が振動子３１に相当し、支持部２３２，２３３，２３４，２３５が支持部３２，３３，３４，３５に相当する。また、下部Ｓｉ層２１０が基板１０に相当する。
【００７２】
なお、この製造方法の場合には、上記の通り、円筒部２３１の上部にオーバーハングした部分が形成される。かかるオーバーハングを除去する場合には、例えば、工程６と工程７との間に、化学機械研磨によってオーバーハング部分を除去する工程を加えればよい。
【００７３】
なお、図７及び図８は上記製造方法により製造されたＭＥＭＳの断面図を示している。各図の（ｂ）に、（ａ）中に示された外観斜視図におけるＸＸ断面図を示している。
【００７４】
＜本実施例に係るＭＥＭＳの優れた点＞
以上説明したように、本実施例に係るＭＥＭＳによれば、電界効果トランジスタ構造が、半導体部の側面側に形成されるゲート電極やチャネルによって構成される。従って、基板表面に垂直な方向において対向する層間で電界効果トランジスタ構造が構成される場合に比して、回路構成の設計自由度を拡げることができる。具体的な応用例については、以下に説明する。
【００７５】
また、本実施例においては、リング状の振動子３１が駆動電圧によって振動するように構成されている。したがって、Ｑ値が高いというＭＥＭＳ振動子の特性を利用できる。つまり、特定の周波数によって振動子３１は共振し、チャネル部分の相互コンダクタンスを極めて高くすることができる。これにより、フィルタリング機能を発揮させることができる。そして、本実施例に係るリング状の振動子３１は、基板１０の表面に平行な方向に振動するため、基板１０の表面に対して平行に振動させる用途に用いることができる。
【００７６】
なお、振動子３１における応力発生部位にチャネルが形成されるため、ピエゾ抵抗効果によって、チャネル部分の電気抵抗が変化する。従って、チャネルが形成される部位をｎ型半導体とするトランジスタを構成することによって、より一層、相互コンダクタンスを高めることができる。
【００７７】
また、ＭＥＭＳ構造自体でトランジスタ回路が構成されて信号を増幅することができるため、電気機械結合係数が小さく信号の減衰が大きいという特性を有するＭＥＭＳの欠点も解消される。更に、増幅回路など各種外部回路を接続することなくトランジスタ回路が構成されるので、外部回路のインピーダンス（浮遊容量）によるノイズによる悪影響の問題もない。
【００７８】
＜その他＞
本実施例においては、半導体部の側面におけるエッチング界面の欠陥密度を、電界効果トランジスタの動作レベルとする手法として、中性粒子ビームエッチングの場合を説明した。しかしながら、半導体部の側面におけるエッチング界面の欠陥密度を、電界効果トランジスタの動作レベルとする手法としては、中性粒子ビームエッチングには限られない。例えば、ＫＯＨによるウエットエッチングを採用することもできる。また、エッチングに限られず、表面を酸化した後にフッ酸による酸化膜を除去する手法やエピタキシャル成長を利用することも可能である。
【００７９】
以下、上述したＭＥＭＳ１００を用いた各種回路の応用例（実施例２〜４）を説明する。
【００８０】
（実施例２）
図９には、本発明の実施例２が示されている。本実施例においては、ソース接地接続とした増幅回路としてＭＥＭＳ１００を用いる場合について説明する。
【００８１】
基本的な構成および作用については実施例１と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。なお、図９では、基板１０及び酸化膜１１については省略している。また、回路構成を分かり易くするために、回路図を付している。
【００８２】
本実施例においては、ＭＥＭＳ１００に２箇所のトランジスタ構造（トランジスタ部Ｔ１及びトランジスタ部Ｔ２）が構成される。
【００８３】
トランジスタ部Ｔ１は増幅用トランジスタであり、第１半導体部２１をゲート電極、支持部３３をソース電極、支持部３２をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１半導体部２１の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。このトランジスタ部Ｔ１は、振動子３１の共振周波数において高い相互コンダクタンスを示す。
【００８４】
トランジスタ部Ｔ２は負荷抵抗用トランジスタであり、第１半導体部２４をゲート電極、支持部３２をソース電極、支持部３５をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１半導体部２４の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。このトランジスタ部Ｔ２は、トランジスタ部Ｔ１と逆位相のコンダクタンス特性を有しており、トランジスタ部Ｔ１の相互コンダクタンスが最も大きくなったときに最も抵抗が大きくなる。従って、振動子３１の共振周波数において最も高い利得を有する回路となっている。
【００８５】
トランジスタ部Ｔ１の直流ゲート電圧ＶＧは、インダクタンス及びコンデンサからなるバイアス回路を通して供給され、電極となる支持部３４から供給される基板電圧ＶＢと共
に、トランジスタ部Ｔ１のチャネル生成とリング振動子の直流バイアスとして働く。
【００８６】
交流入力信号は第１半導体部２１に電気的に接続されたコンデンサを介して入力される。増幅された信号は、トランジスタ部Ｔ１のドレイン電極とトランジスタ部Ｔ２のソース電極との接続点である端子（支持部３２）に電気的に接続されたコンデンサを介して出力される。
【００８７】
（実施例３）
図１０には、本発明の実施例３が示されている。本実施例においては、ソースフォロワ接続としたインピーダンス変換回路としてＭＥＭＳ１００を用いる場合について説明する。
【００８８】
基本的な構成および作用については実施例１と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。なお、図１０では、基板１０及び酸化膜１１については省略している。また、回路構成を分かり易くするために、回路図を付している。
【００８９】
本実施例においては、ＭＥＭＳ１００に１箇所のトランジスタ構造（トランジスタ部Ｔ１）が構成される。
【００９０】
トランジスタ部Ｔ１は第１半導体部２１をゲート電極、支持部３３をソース電極、支持部３２をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１半導体部２１の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。
【００９１】
ドレイン電極となる支持部３２には直接ドレイン電圧が供給されている。ソース電極となる支持部３３は抵抗を介してグランドレベルに接地されている。トランジスタ部Ｔ１に印加する直流ゲート電圧は、支持部３３に電気的に接続されたインダクタンスを介して供給され、これは支持部３４から供給される基板電圧とともに、振動子３１の直流バイアス（ＶＧ−ＶＢ）となっている。
【００９２】
入力交流信号は第１半導体部２１に電気的に接続されたコンデンサを介して入力され、出力は支持部３３に電気的に接続されたコンデンサを介して取られる。この接続の場合、電圧増幅度はほぼ１であるが、出力抵抗が相互コンダクタンスの逆数程度になる。
【００９３】
（実施例４）
図１１には、本発明の実施例４が示されている。本実施例においては、トランジスタブリッジ接続とした回路としてＭＥＭＳ１００を用いる場合について説明する。
【００９４】
基本的な構成および作用については実施例１と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。なお、図１１（ａ）は本発明の実施例４に係るＭＥＭＳの概略構成を示す斜視図であり、基板１０及び酸化膜１１については省略している。また、回路構成を分かり易くするために、回路図を付している。また、図１１（ｂ）は等価回路図である。
【００９５】
本実施例においては、ＭＥＭＳ１００に４箇所のトランジスタ構造（トランジスタ部Ｔ１，トランジスタ部Ｔ２，トランジスタ部Ｔ３、及びトランジスタ部Ｔ４）が構成される。
【００９６】
トランジスタ部Ｔ１は、第１半導体部２１をゲート電極、支持部３３をソース電極、支持部３２をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１
半導体部２１の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。また、トランジスタ部Ｔ２は、第１半導体部２４をゲート電極、支持部３２をソース電極、支持部３５をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１半導体部２４の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。また、トランジスタ部Ｔ３は、第１半導体部２３をゲート電極、支持部３５をソース電極、支持部３４をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１半導体部２３の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。更に、トランジスタ部Ｔ４は、第１半導体部２２をゲート電極、支持部３４をソース電極、支持部３３をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１半導体部２２の側面に対向する面（第２面）の付近にチャネルが形成される。
【００９７】
これら４つのトランジスタ部Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、図１１（ｂ）に示す等価回路図における抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同じ機能を発揮する。振動子３１の位相差により、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２は逆位相で抵抗が変化し、また抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４も逆位相である。
【００９８】
一方、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ３は同位相であるため、端子となる支持部３５と支持部３３との間の電圧は振動周波数と同じとなる。通常のブリッジ回路と比較して、４つの抵抗が出力端子の電圧が最大になるように変化するので、大きな信号電圧を取得することができる。なお、振動子３１の振動励起のためのゲート電圧は、第１半導体部２１に電気的に接続されたインダクタンスを介して入力され、交流入力信号は同じく第１半導体２１に電気的に接続されたコンデンサを介して入力される。
【００９９】
（実施例５）
図１２には、本発明の実施例５が示されている。本実施例においては、上記実施例１に示したＭＥＭＳ１００の応用例であり、第１半導体部のうち、ゲート電極となるものを、リング状の振動子として構成し、第１半導体部としての振動子と第２半導体部としての振動子を近接させた構成とすることで、バンド幅可変フィルタ回路を構成する場合について説明する。
【０１００】
基本的な構成および作用については実施例１と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。なお、図１２では、基板１０及び酸化膜１１については省略している。また、回路構成を分かり易くするために、回路図を付している。
【０１０１】
本実施例に係るＭＥＭＳ１００ａにおいては、上記実施例１等で示したＭＥＭＳ１００における第１半導体部２１に相当する第１半導体部２１Ｘが、リング状の振動子によって構成されている。この第１半導体部２１Ｘは４つの支持部２２Ｘ，２３Ｘ，２４Ｘ，２５Ｘによって４箇所で支持されている。この第１半導体部２１Ｘの構造は、基本的に、上記実施例１等で示したＭＥＭＳ１００における振動子３１と同様である。また、支持部２２Ｘと支持部２３Ｘとの間、支持部２３Ｘと支持部２４Ｘとの間、支持部２４Ｘと支持部２５Ｘとの間には、それぞれ第３半導体部４１，４２，４３が設けられている。これら第３半導体部４１，４２，４３の構造は、基本的に、第１半導体部２２，２３，２４と同様である。
【０１０２】
本実施例においては、ＭＥＭＳ１００ａに１箇所のトランジスタ構造（トランジスタ部Ｔ１）が構成される。
【０１０３】
トランジスタ部Ｔ１は第１半導体部２１Ｘをゲート電極、支持部３３をソース電極、支持部３２をドレイン電極とするトランジスタである。なお、振動子３１の側面のうち第１
半導体部２１Ｘの側面２１Ｘａに対向する面（第２面３１ａ）の付近にチャネルが形成される。
【０１０４】
トランジスタ部Ｔ１のドレイン電極となる支持部３２には直接ドレイン電圧ＶＤＤが供給される。トランジスタ部Ｔ１のソース電極となる支持部３３は抵抗Ｒｓを介してグランドレベルに接地されている。トランジスタ直流ゲート電圧は、端子となる支持部２３Ｘからインダクタンスを介して供給される。
【０１０５】
リング状の振動子３１と、同じくリング状の振動子を構成する第１半導体部２１Ｘはそれぞれ振動し、各振動子の共振周波数において高い相互コンダクタンスを示す。二つのリング振動子の共振周波数は、ばね乗数、質量などを一致させ、比較的近い周波数に設定しておく。
【０１０６】
振動子３１の共振周波数は、端子である第１半導体部２４に接続されたバイアスのインダクタンスを介して供給される直流電圧によって変動させることができる。そのため、二つの振動子（振動子３１と第１半導体部２１Ｘ）の相互コンダクタンスピークに幅を持たせることができ、これがバンド幅となる。
【０１０７】
端子である第３半導体部４１と第３半導体部４３とを同電位にしており、同様に端子である第１半導体部２２と第１半導体部２４も同電位にしている。端子である支持部３４は直接グランドレベルに接地してあり、コンデンサ部Ｔ１のバックゲートの役割と振動子の電位を決定している。
【０１０８】
入力交流信号を送るための部品の電気的な接続部は、端子である第３半導体部４１と端子である第１半導体部２２に電気的に接続されたバイアスのコンデンサとの間に設ける。出力信号は端子である支持部３３に電気的に接続されたコンデンサを介して取られる。この接続の場合、実施例３の場合と同様に電圧増幅度はほぼ１であるが、出力抵抗が相互コンダクタンスの逆数程度となる。
【０１０９】
（実施例６）
図１３〜図１７には、本発明の実施例６が示されている。上記実施例１〜５では、振動子がリング形状の場合について説明した。本実施例では、振動子がディスク形状の場合について説明する。
【０１１０】
その他の構成および作用については実施例１〜５と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
【０１１１】
本実施例に係るＭＥＭＳ１００ｂにおいては、第２半導体部がディスク状の振動子３１Ｘによって構成されている。第２半導体部がリング状の振動子ではなく、ディスク状の振動子で構成されている点を除いては、上記実施例１に示した構成と同一の構成である。本実施例においても、振動子３１Ｘの側面のうち、第１半導体部２１，２２，２３，２４に対向する部位である第２面３１Ｘａは、基板１０に対して略垂直な面（設計上は垂直な面）で構成される。従って、第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａと第２面３１Ｘａは、それぞれ基板表面に平行な方向において対向している。
【０１１２】
本実施例においては、振動子３１Ｘがディスク形状であることから、上述したリング状の振動子２１に比して剛性が高く、変形しにくいが、基本的な機能については、上述した実施例１におけるＭＥＭＳ１００と同一である。
【０１１３】
なお、本実施例に係るＭＥＭＳ１００ｂにおいても、上述した実施例２〜５に示した応
用例に適用可能であることは言うまでもない。図１４は実施例２に示した回路に相当し、図１５は実施例３に示した回路に相当し、図１６は実施例４に示した回路に相当し、図１７は実施例５に示した回路に相当する。
【０１１４】
（実施例７）
図１８〜図２１には、本発明の実施例７が示されている。上記実施例１〜６では、振動子の平面形状が円形（リング形状とディスク形状）で構成され、第１面と第２面がいずれも曲面で構成される場合を示した。本実施例では、第１面と第２面がいずれも平面で構成される場合を示す。より具体的には、第１半導体部と第２半導体部によって、櫛歯状の構造体を形成する場合を示す。
【０１１５】
＜ＭＥＭＳの全体構成＞
図１８を参照して、本発明の実施例７に係るＭＥＭＳの全体構成等について説明する。
【０１１６】
本実施例に係るＭＥＭＳ１００ｄにおいても、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部としての振動子２１Ｙと、同じく基板１０の一方の面側に設けられる第２半導体部３１Ｙとを備えている。
【０１１７】
振動子２１Ｙは、平面形状がＴ字状の平板形状を呈しており、２つの支持部２２Ｙ，２３Ｙによって２箇所で支持されている。また、第２半導体部３１Ｙは、平面形状がコ字状の平板形状を呈しており、振動子２１Ｙと第２半導体部３１Ｙによって櫛歯状の構造体を形成している。なお、基板１０と振動子２１Ｙの支持部２２Ｙ，２３Ｙとの間、及び基板１０と第２半導体部３１Ｙとの間には酸化膜１１が形成されている。
【０１１８】
ここで、振動子２１Ｙにおける側面、及び第２半導体部３１Ｙにおける側面は、いずれもエッチングによって形成される。振動子２１Ｙにおける各側面のうち、支持部２３Ｙ側の側面を第１面２１Ｙａと称する。また、第２半導体部３１Ｙの側面のうち、振動子２１Ｙにおける第１面２１Ｙａに対向する部位を第２面３１Ｙａと称する。上記の各側面は、基板１０の表面に対して略垂直な面（設計上は垂直な面）で構成される。従って、第１面２１Ｙａと第２面３１Ｙａは、それぞれ基板表面に平行な方向において対向している。
【０１１９】
そして、本実施例においては、第１面２１Ｙａ及び第２面３１Ｙａは、エッチング界面の欠陥密度が、電界効果トランジスタの動作レベルとなるように構成されている。
【０１２０】
以上のような構成により、第１半導体部としての振動子２１Ｙの一部（第１面２１Ｙａを含む部分）と、第２半導体部３１Ｙの一部（第２面３１Ｙａを含む部分）によって、電界効果トランジスタ構造を構成することが可能となる。
【０１２１】
例えば、振動子２１Ｙをゲート電極、第２半導体部３１Ｙにおける第２面３１Ｙａの一部の表層部分をチャネルとし、当該チャネルの両側にそれぞれソース電極３１Ｙｃとドレイン電極３１Ｙｄを構成する電界効果トランジスタ構造を構成させることができる。
【０１２２】
なお、本実施例における振動子２１Ｙは、その先端が基板１０の表面に対して平行な方向に振り子のように振動する。従って、本実施例においても、第１面２１Ｙａと第２面３１Ｙａが接離する方向に振動子２１Ｙが振動する。そして、本実施例においても、振動子２１を駆動電極として駆動電圧（直流電圧と交流電圧を重畳させた電圧）をかけることによって、振動子２１を振動させることができる。これにより、振動子２１は、交流電圧における特定の周波数で共振し、この特定の周波数の際に、チャネル部分における相互コンダクタンスを極めて高くすることができる。従って、特定の周波数でのみ、電流値を増幅させることが可能となる。また、駆動電圧における直流電圧値を変更することで、振動子
２１が共振する周波数を変更することも可能である。すなわち、直流電圧値を高くすると、共振周波数を低くすることができる。これにより、各種センサやＲＦフィルタなど様々なものに応用できる。
【０１２３】
なお、本実施例においては、振動しない第２半導体部３１Ｙ側にチャネルを形成させる場合を示したが、振動子２１Ｙ側にチャネルを形成される構成も採用し得る。この場合には、上記実施例１等の場合と同様に、ピエゾ抵抗効果を発揮させることができる。
【０１２４】
＜ＭＥＭＳの製造方法＞
図１９〜図２１を参照して、本発明の実施例７に係るＭＥＭＳの製造方法について説明する。図１９〜図２１は工程図を示しており、説明の便宜上、図１９（ｂ）を工程１、同図（ｃ）を工程２、図２０（ａ）を工程３、同図（ｂ）を工程４、図２１（ａ）を工程５、同図（ｂ）を工程６、同図（ｃ）を工程７と称する。これら各工程図において、図中左側は上方から見た斜視図であり、右側は同図中のＸＸ断面図である。
【０１２５】
まず、ＳＯＩウエハ３００を準備する（図１９（ａ））。ＳＯＩウエハ３００は、ベース基板となる厚さ３００μｍの下部Ｓｉ層３１０と、中間層となる厚さ２μｍのＳｉＯ２層３１１と、上層である厚さ２μｍの上部ＳＯＩ層３１２とからなる３層構造の基板である。上部ＳＯＩ層３１２の表面は、単結晶Ｓｉの主面（００１）に選ばれており、伝導型はｐ型、比抵抗は１０Ωｃｍである。
【０１２６】
＜＜工程１（図１９（ｂ））＞＞
上部ＳＯＩ層３１２上に、スピンコーターにより３０００ｒｐｍ，３０ｓｅｃの条件でレジスト３１３を塗布し、ベーク炉において９０℃，２０ｍｉｎの条件でベークする。その後、紫外線露光を４ｓｅｃ、現像を１．５ｍｉｎ行って、面領域Ｒ１及び面領域Ｒ２を残し、他の領域のレジストを除去する。
【０１２７】
＜＜工程２（図１９（ｃ）＞＞
レジスト３１３をマスクとして、イオンインプランテーションを行い開口部の下方領域３１２ａの伝導タイプをｎ型にする。本実施例では比抵抗が０．０１Ω・ｃｍ以下になるようにドーピングを行う。その後、レジスト３１３を除去する。
【０１２８】
＜＜工程３（図２０（ａ））＞＞
シリコン深堀りエッチング法によって、上部ＳＯＩ層３１２をエッチングし、第１中間構造体３２０と第２中間構造体３３０を形成する。なお、第１中間構造体３２０は、最終製品では振動子２１Ｙ（ゲート電極）となる平面形状がＴ字の振動子領域３２１を備えている。また、第２中間構造体３３０は、最終製品では、それぞれソース電極３１Ｙｃ，ドレイン電極３１Ｙｄとなるソース電極領域３３１，ドレイン電極領域３３２を備えている。
【０１２９】
ここで、この工程における深堀りエッチングには中性粒子ビームエッチングを用いる。中性粒子ビームエッチングは、エッチング断面に対してダメージを与えないエッチング方法として知られている。シリコン深堀りエッチング装置によるエッチングで導入された結晶欠陥が除去され、そのエッチング界面の欠陥密度が１×１０１１ｃｍ−２・ｅＶ−１程度となり、電界効果トランジスタが動作する界面レベルとなる。
【０１３０】
なお、中性粒子ビームエッチングを用いない場合は、この工程において、酸化膜をまず１００ｎｍ程度形成し、その後でフッ酸水溶液でその酸化膜を除去して、深堀りエッチングによる表面ダメージを除去する必要がある。この工程によっても界面の欠陥密度が１×１０１１ｃｍ−２・ｅＶ−１程度となり、電界効果トランジスタを形成できるレベルとな
る。
【０１３１】
＜＜工程４（図２０（ｂ））＞＞
振動子領域３２１の下方、及び第２中間構造体３３０の一部（第１中間構造体３２０側に突出した部位）の下方の下部Ｓｉ層３１０をシリコン深堀りエッチングによりエッチングする。このときエッチングマスクはレジストを用いる。その後、フッ酸溶液中にウエハを入れ、下部Ｓｉ層３１０をエッチングしたことにより露出したＳｉＯ２層３１１をエッチングする。
【０１３２】
＜＜工程５（図２１（ａ））＞＞
第１中間構造体３２０及び第２中間構造体３３０の表面にドライ酸化により酸化膜３１４を１０ｎｍ形成する。この酸化膜３１４は、第１中間構造体３２０と第２中間構造体３３０との間における対向する側面にも形成される。
【０１３３】
＜＜工程６（図２１（ｂ））＞＞
反応性イオンエッチングにより酸化膜３１４の一部を基板表面からエッチングする。これにより、図示のように、Ｓｉ結晶面が露出する。
【０１３４】
＜＜工程７（図２１（ｃ））＞＞
Ｓｉ結晶面を露出させた部分に、アルミニウム電極３１５を１μｍの厚さに形成する。アルミニウム膜のパターニングは、アルミニウム膜を蒸着により形成する際、メタルマスクを用いてアルミニウム電極３１５となる部分のみアルミニウム膜が形成されるようにする。アルミニウム電極３１５は、ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極となる部位において電気的接続部にするためのものである。従って、アルミニウム電極３１５の一部は、ソース電極領域３３１，ドレイン電極領域３３２及びゲート電極となる振動子領域３２１上に形成されている。
【０１３５】
以下、上述したＭＥＭＳ１００ｄを用いた各種回路の応用例（実施例８，９）を説明する。
【０１３６】
（実施例８）
図２２には、本発明の実施例８が示されている。本実施例においては、ソースフォロワ接続回路としてＭＥＭＳ１００ｄを用いる場合について説明する。
【０１３７】
基本的な構成および作用については実施例８と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。なお、図２２では、基板１０の一部及び酸化膜１１の一部及び振動子２１Ｙの支持部側の構成については省略している。また、回路構成を分かり易くするために、回路図を付している。
【０１３８】
本実施例においては、ＭＥＭＳ１００ｄに１箇所のトランジスタ構造（トランジスタ部Ｔ１）が構成される。
【０１３９】
トランジスタ部Ｔ１は振動子２１Ｙをゲート電極、第２半導体部３１Ｙにおける第２面３１Ｙａの一部の表層部分をチャネルとし、当該チャネルの両側にそれぞれソース電極３１Ｙｃとドレイン電極３１Ｙｂを構成するトランジスタである。
【０１４０】
ドレイン電極３１Ｙｂには直接ドレイン電圧ＶＤＤが供給されている。ソース電極３１Ｙｃは抵抗を介してグランドレベルに接地されている。トランジスタ部Ｔ１に印加する直流ゲート電圧は、振動子２１Ｙに電気的に接続されたインダクタンスを介して供給され、これは振動子２１Ｙの直流バイアスとなる。入力交流信号Ｖｉｎは振動子２１Ｙに電気的
に接続されたコンデンサを介して入力され、出力はソース電極３１Ｙｃに接続されたコンデンサを介して取られる。
【０１４１】
振動子２１Ｙが外力等で基板１０の表面に平行な方向に変位した時、その変位信号がソース電極３１Ｙｃに電気的に接続されたコンデンサを介して出力電圧Ｖｏｕｔとして得られる。又、この振動子２１Ｙの左右の側面と第２半導体部３１Ｙの側面との間の間隔は、それぞれ異なっており、ある周波数で振動子２１Ｙは共振するように構成されている。そのため、共振周波数で高い相互インダクタンスピークが得られる。
【０１４２】
（実施例９）
図２３には、本発明の実施例９が示されている。本実施例においては、コンバータ回路としてＭＥＭＳ１００ｄを用いる場合について説明する。
【０１４３】
基本的な構成および作用については実施例７と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。なお、図２３では、基板１０の一部及び酸化膜１１の一部及び振動子２１Ｙの支持部側の構成については省略している。また、回路構成を分かり易くするために、回路図を付している。
【０１４４】
本実施例においては、ＭＥＭＳ１００ｄに３箇所のトランジスタ構造（トランジスタ部Ｔ１，トランジスタ部Ｔ２及びトランジスタ部Ｔ３）が構成され得るように構成されている。
【０１４５】
トランジスタ部Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３自体の構成については、上記実施例８の場合と同一であるので、その説明は省略する。
【０１４６】
本実施例においては、振動子２１Ｙが基板１０の表面に平行であって、かつ図中矢印Ｓ方向に変位することで、トランジスタ部Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３のそれぞれにスイッチが入るように構成されている。これにより、振動子２１Ｙの図中矢印Ｓ方向の変位がデジタル信号Ｖ１ｏｕｔ，Ｖ２ｏｕｔ，Ｖ３ｏｕｔとして得られるように構成されている。
【０１４７】
図中のグラフは、これらの相関関係を示したものである。左縦軸が電圧、右縦軸が変位、横軸が時間である。振動子２１Ｙは入力電圧Ｖｉｎに応じて変位する。振動子２１Ｙが図中矢印Ｓ方向に変位して、トランジスタ部Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３を通過するとき出力電圧Ｖ３ｏｕｔ，Ｖ２ｏｕｔ，Ｖ１ｏｕｔがグランドレベルまで低下する。通過していないとき、トランジスタのスイッチはＯＦＦであり出力値はＶＤＤとなる。
【０１４８】
各トランジスタ部Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３のドレイン電極３１Ｙｂにはそれぞれ抵抗ＲＤが電気的に接続されており、抵抗ＲＤを介してドレイン電圧が印加される。各トランジスタ部Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３におけるソース電極３１Ｙｃは直接グランドレベルに接地されている。
【０１４９】
直流ゲート電圧は、振動子２１Ｙに電気的に接続されたインダクタンスを介して供給され、これは振動子２１Ｙの直流バイアスとなる。入力交流信号Ｖｉｎは振動子２１Ｙに電気的に接続されたコンデンサを介して入力される。また、ドレイン電極３１Ｙｂと、その抵抗ＲＤ５との間から出力デジタル信号を取り出すように構成されている。トランジスタのスイッチがｏｆｆの場合、トランジスタ部分は短絡とみなすことができ、出力信号にはドレイン電圧ＶＤＤが直接出力される。トランジスタのスイッチがｏｎの場合、トランジスタは単なる抵抗とみなすことができ、そのＯＮ抵抗はドレイン電極３１Ｙｂの抵抗ＲＤ５に比べ十分に小さいため、出力電圧にはグランドの値が出力される。
【０１５０】
（実施例１０）
図２４〜図３０には、本発明の実施例１０が示されている。上記実施例１では、第２半導体部である振動子において、チャネルとなる部分を挟んで、基板表面に平行な方向における両側に、それぞれソース電極とドレイン電極が設けられる場合を示した。これに対して、本実施例では、第２半導体部である振動子において、チャネルとなる部分を挟んで、振動子の表面側にソース電極とドレイン電極のうちの一方が設けられ、裏面側に他方が設けられる場合を示す。
【０１５１】
基本的な構成および作用については実施例１と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は適宜省略する。
【０１５２】
＜ＭＥＭＳの全体構成＞
特に、図２４及び図２５を参照して、本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの全体構成等について説明する。なお、図２４は本実施例１０に係るＭＥＭＳの斜視図であり、図２５は図２４におけるＸ１−Ｘ２−Ｘ３断面図である。
【０１５３】
本実施例に係るＭＥＭＳ１００ｅにおいても、実施例１の場合と同様に、基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１，２２，２３，２４と、同じく基板１０の一方の面側に設けられる第２半導体部としてのリング状の振動子３１とを備えている。また、リング状の振動子３１は４つの支持部３２，３３，３４，３５によって４箇所で支持されている。なお、振動子３１は、リングの中心に対して、９０°間隔で支持されている。そして、これら４つの支持部３２，３３，３４，３５のうち、隣り合う支持部の間にそれぞれ第１半導体部２１，２２，２３，２４が設けられている。なお、基板１０と第１半導体部２１，２２，２３，２４との間、及び基板１０と支持部３２，３３，３４，３５との間には酸化膜１１が形成されている。
【０１５４】
ここで、第１半導体部２１，２２，２３，２４における側面、及び振動子３１における側面は、いずれもエッチングによって形成される。第１半導体部２１，２２，２３，２４における各側面のうち、振動子３１に対向する部位を第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａと称する。また、振動子３１の側面のうち、第１半導体部２１，２２，２３，２４に対向する部位を第２面３１ａと称する。上記の各側面は、基板１０に対して略垂直な面（設計上は垂直な面）で構成される。従って、第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａと第２面３１ａは、それぞれ基板表面に平行な方向において対向している。
【０１５５】
そして、本実施例においては、第１面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ及び第２面３１ａは、エッチング界面の欠陥密度が、電界効果トランジスタの動作レベルとなるように構成されている。
【０１５６】
以上のような構成により、一つの第１半導体部と、当該第１半導体部の両側の支持部と、振動子３１の一部（当該第１半導体部の第１面に対向する第２面を含む部分）によって、電界効果トランジスタ構造を構成することが可能となる。
【０１５７】
ここでは、その一例として、第１半導体部２１と、振動子３１における第１面２１ａに対向する部位の第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタ構造を構成する場合を説明する。
【０１５８】
この場合、例えば、第１半導体部２１をゲート電極、振動子３１の表面における第２面３１ａに隣接する部分をソース電極、振動子３１の裏面における第２面３１ａに隣接する部分をドレイン電極、第２面３１ａ側の表層部分をチャネルとする電界効果トランジスタ構造を構成させることができる。すなわち、振動子３１の本体部分をｐ型半導体で構成し、ソース電極となる部位とドレイン電極となる部位についてはｎ型半導体で構成する。こ
れにより、ゲート電極である第１半導体部２１に電圧をかけることによって、この第１半導体部２１の第１面２１ａに対向する第２面３１ａの付近がチャネルとして機能し、電界効果トランジスタ構造が構成される。
【０１５９】
また、本実施例においては、第１半導体部２１，２２，２３，２４のうちのいずれかを駆動電極として駆動電圧（直流電圧と交流電圧を重畳させた電圧）をかけることによって、振動子３１を基板１０の表面に平行な方向に振動させることができる。この点については、上記実施例１の場合と同様である。
【０１６０】
以上のような構成により、本実施例に係るＭＥＭＳ１００ｅの場合にも、上記実施例１の場合と同様の効果を得ることができる。また、上記実施例２〜９に示す構成においても、本実施例にように、チャネルとなる部分を挟んで、第２半導体部の表面側にソース電極を設けて、裏面側にドレイン電極を設ける構成を採用することもできる。また、チャネル部分となる部分を挟んで、第２半導体部の表面側にドレイン電極を設けて、裏面側にソース電極を設ける構成を採用することもできる。
【０１６１】
また、本実施例のように、表面と裏面にソース電極とドレイン電極（逆の場合も同様）をそれぞれ設ける場合には、ソース電極とドレイン電極を側面側に設ける場合に比べて、相互コンダクタンスを格段に大きくすることが可能となる。以下、その理由について説明する。
【０１６２】
ＭＯＳＦＥＴにおける相互コンダクタンスｇｍは、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比（Ｗ／Ｌ）の関数で表される。すなわち、チャネル幅Ｗを大きくすればするほど、また、チャネル長Ｌを小さくすればするほど、相互コンダクタンスｇｍを大きくすることができる。
【０１６３】
実施例１などのように、チャネルとなる部分を挟んで、基板表面に平行な方向における両側に、それぞれソース電極とドレイン電極が設けられる場合、チャネル幅Ｗは振動子の厚みに相当し、チャネル長Ｌはソース電極とドレイン電極との間の距離に相当する。
【０１６４】
これに対して、本実施例のように、表面と裏面にソース電極とドレイン電極をそれぞれ設ける場合、チャネル幅Ｗはチャネル領域における円周方向の長さに相当し、チャネル長Ｌは振動子の厚みに相当する。
【０１６５】
ＭＥＭＳ振動子においては、その製法上、厚みが非常に薄くなる。従って、表面と裏面にソース電極とドレイン電極をそれぞれ設ける場合の方が（Ｗ／Ｌ）は大きくなり、相互コンダクタンスｇｍを大きくすることが可能となる。
【０１６６】
＜製造方法＞
図２６〜図３０を参照して、本発明の実施例１０に係るＭＥＭＳの製造方法について説明する。図２６〜図３０は工程図を示しており、説明の便宜上、図２６（ａ）を工程１、同図（ｂ）を工程２、同図（ｃ）を工程３、図２７（ａ）を工程４、同図（ｂ）を工程５、同図（ｃ）を工程６、図２８（ａ）を工程７、同図（ｂ）を工程８、図２９（ａ）を工程９、同図（ｂ）を工程１０、図３０（ａ）を工程１１、同図（ｂ）を工程１２、同図（ｃ）を工程１３と称する。これら各工程図において、図中左側は上方から見た斜視図であり、右側は同図中のＸＸ断面図である。
【０１６７】
まず、ＳＯＩウエハ４００を準備する。ＳＯＩウエハ４００は、ベース基板となる厚さ下部Ｓｉ層４１０と、中間層となるＳｉＯ２層４１１と、上層である上部ＳＯＩ層４１２とからなる３層構造の基板である。上部ＳＯＩ層４１２の表面は、単結晶Ｓｉの主面（０
０１）に選ばれており、伝導型はｐ型である。
【０１６８】
＜＜工程１（図２６（ａ））＞＞
上部ＳＯＩ層４１２におけるソース電極となるソース電極領域Ｒに、リン（Ｐ）を注入する。ここで、後述するドレイン電極となるドレイン電極領域にコンタクトを取るために所定領域Ｒ１については、リンを深く注入する。
【０１６９】
＜＜工程２（図２６（ｂ））＞＞
最終製品において、支持部３４となる領域４１３にホウ素（Ｂ）を注入する。最終製品である支持部３４は電極として機能する。
【０１７０】
＜＜工程３（図２６（ｃ））＞＞
減圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ２を堆積し、ＳｉＯ２層４１４を形成する。
【０１７１】
＜＜工程４（図２７（ａ））＞＞
レジストパターン４１５を形成する。
【０１７２】
＜＜工程５（図２７（ｂ））＞＞
レジストパターン４１５をマスクとして、ＳｉＯ２層４１４を除去し、かつデバイス層の深堀りを行う。その後、レジストを除去することによって、平面形状がレジストパターン４１５と同じ形状を有する中間構造体４３０が形成される。この中間構造体４３０は、円筒部４３１とこの円筒部４３１に接続された４つの支持部４３２，４３３，４３４，４３５とからなる。
【０１７３】
＜＜工程６（図２７（ｃ））＞＞
中間構造体４３０の表面を酸化して、０．１μｍ厚の酸化膜４１６を形成する。
【０１７４】
＜＜工程７（図２８（ａ））＞＞
減圧ＣＶＤ法によりポリシリコン４１７を堆積させる。
【０１７５】
＜＜工程８（図２８（ｂ））＞＞
ソース電極となる支持部４３２，４３３，４３５及び電極となる支持部４３４の表面が露出するまで、ポリシリコン４１７の表面側を化学機械研磨によって除去する。
【０１７６】
＜＜工程９（図２９（ａ））＞＞
ポリシリコン４１７の一部をエッチングすることにより、最終製品において第１半導体部２１，２２，２３，２４（本実施例では、第１半導体部２１がゲート電極となる）になる第１半導体領域４１８を形成する。
【０１７７】
＜＜工程１０（図２９（ｂ））＞＞
リング状の振動子３１を形成するために、下部Ｓｉ層４１０のうち、円筒部４３１の下方の部分をエッチングする。
【０１７８】
＜＜工程１１（図３０（ａ））＞＞
ウエハをフッ酸溶液内に浸し、円筒部４３１の下部の酸化膜及び第１半導体領域４１８に被覆した酸化膜を除去する。この工程により中間構造体４３０のうち、円筒部４３１は４つの支持部４３２，４３３，４３４，４３５によって４箇所でのみ支持された状態となり、当該円筒部４３１は可動な状態となる。また、第１半導体領域４１８は、エッチングされずに残った酸化膜４１１を介して、下部Ｓｉ層４１０上に固定されている。なお、中間構造体４３０のうち、４つの支持部４３２，４３３，４３４，４３５は、第１半導体領
域４１８と同様に、エッチングされずに残った酸化膜４１１を介して下部Ｓｉ層４１０上に固定されている。
【０１７９】
＜＜工程１２（図３０（ｂ））＞＞
円筒部４３１における支持部４３２と支持部４３３との間の領域において、下部Ｓｉ層４１０側からリン（Ｐ）を注入し、最終製品においてドレイン電極となるドレイン領域４１９を形成する。
【０１８０】
＜＜工程１３（図３０（ｃ））＞＞
全体を酸化して、薄い酸化膜４２０を形成する。
【０１８１】
以上により、トランジスタ構造を備えたＭＥＭＳが製造される。
【符号の説明】
【０１８２】
１０  基板
２１，２２，２３，２４，２１Ｘ  第１半導体部
２１Ｙ  振動子
２２Ｘ，２３Ｘ，２４Ｘ，２５Ｘ  支持部
２２Ｙ，２３Ｙ  支持部
３１，３１Ｘ  振動子
３１Ｙ  第２半導体部
３２，３３，３４，３５  支持部
２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ  第１面
２１Ｙａ  第１面
３１ａ  第２面
３１Ｙａ  第２面
４１，４２，４３  第３半導体部
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ  ＭＥＭＳ
【図１】
0005558869.tif 000002
【図２】
0005558869.tif 000003
【図３】
0005558869.tif 000004
【図４】
0005558869.tif 000005
【図５】
0005558869.tif 000006
【図６】
0005558869.tif 000007
【図７】
0005558869.tif 000008
【図８】
0005558869.tif 000009
【図９】
0005558869.tif 000010
【図１０】
0005558869.tif 000011
【図１１】
0005558869.tif 000012
【図１２】
0005558869.tif 000013
【図１３】
0005558869.tif 000014
【図１４】
0005558869.tif 000015
【図１５】
0005558869.tif 000016
【図１６】
0005558869.tif 000017
【図１７】
0005558869.tif 000018
【図１８】
0005558869.tif 000019
【図１９】
0005558869.tif 000020
【図２０】
0005558869.tif 000021
【図２１】
0005558869.tif 000022
【図２２】
0005558869.tif 000023
【図２３】
0005558869.tif 000024
【図２４】
0005558869.tif 000025
【図２５】
0005558869.tif 000026
【図２６】
0005558869.tif 000027
【図２７】
0005558869.tif 000028
【図２８】
0005558869.tif 000029
【図２９】
0005558869.tif 000030
【図３０】
0005558869.tif 000031