(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ化合物を９質量％以上３０質量％以下、アクリル系共重合体を１０質量％以上４５質量％以下、及び無機フィラーを１５質量％以上含む樹脂組成物からなり、
前記アクリル系共重合体が、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含む、２種以上の構成単位を含み、
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のうち、少なくとも１種の成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下であり、
Ｂステージ状態において、ガラス転移温度が２６℃以上６０℃以下であり、前記アクリル系共重合体と前記エポキシ化合物とが均一相を形成し、破断伸び率が３％以下である、
接着フィルム。
【請求項２】
粘着テープと請求項１記載の接着フィルムを積層したダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項３】
前記粘着テープの粘着剤層がアクリル系共重合体を８０質量％以上含む樹脂組成物より形成され、前記アクリル系共重合体が（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含み、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上である、請求項２に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項４】
半導体ウエハの表面を、分断予定ラインに沿って所定の深さまで切削し表面保護テープを貼合する工程、
前記半導体ウエハの裏面を、前記工程で切削した所定の深さに到達するまで研削することで分断する工程、
該分割済みの半導体ウエハと請求項２又は３記載のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、
前記ダイシングダイボンディングフィルムを前記接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温でエキスパンドすることにより、ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断ラインに沿って分断する工程、及び
接着剤層付き半導体チップを得る工程、
を含む半導体部品加工方法。
【請求項５】
半導体ウエハと請求項２又は３記載のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、
前記半導体ウエハの内部に、レーザー光を照射して分断予定ラインに沿って改質領域を形成する工程、
前記接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハとダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断予定ラインに沿って分断工程、及び
接着剤層付き半導体チップを得る工程、
を含む半導体部品加工方法。
【請求項６】
半導体ウエハと請求項２又は３記載のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、
前記半導体ウエハを、レーザー光を照射して分断予定ラインに沿って分断する工程、
前記接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断ラインに沿って分断する工程、及び
接着剤層付き半導体チップを得る工程、
を含む半導体部品加工方法。
【請求項７】
半導体ウエハと請求項２又は３記載のダイシングダイボンディングフィルムとを貼合する工程、前記半導体ウエハを分断する工程、及び前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより接着フィルムを分断する工程を含み、
請求項２又は３記載のダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハと、前記ダイシングダイボンディングフィルムとを貼合し、
請求項２又は３記載のダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムを分断する、半導体部品加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着フィルム、並びにダイシングダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後の半導体ウエハを薄膜化するために半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のある半導体ウエハ加工用テープを貼り付けた後に半導体ウエハを半導体チップ単位に分断するダイシング工程、半導体ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、分断された半導体チップをピックアップする工程、さらにピックアップされた半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、又は、スタックドパッケージにおいては半導体チップ同士を積層、接着する、ダイボンディング（マウント）工程が実施される。このような製造工程において、基材フィルム上に接着フィルムと粘着テープがこの順に積層されたダイシングダイボンディングテープが使用される。【０００３】
一般に、ダイシング・ダイボンディングテープを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングテープの接着フィルムを貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及び接着フィルムをチップ単位にダイシングする。その後、ピックアップ工程にて、チップは接着フィルムとともに粘着テープから剥離してピックアップされ、マウント工程にてリードフレームやパッケージ基板等に接着フィルムを介してダイレクトに接着される。このように、ダイシングダイボンディングテープを用いることで、接着フィルム付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。
しかしながら、上記ダイシング工程では、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハと接着剤層とを一緒にダイシングするため、半導体ウエハの欠けによる歩留まり低下や、接着フィルムの切削屑による汚染が発生してしまう。【０００４】
上記の問題を解決するために、特許文献１には、半導体ウエハを完全に切断せずに、分断予定ラインに沿って所定の深さまで切削して表面保護テープを貼合し、当該半導体ウエハ裏面を切削した所定の深さに到達するまで研削することで半導体ウエハを分断する、いわゆる「先ダイシング法」によってチップを分断した後、分断済みウエハをダイシングダイボンディングフィルムに貼合した後、ダイシングダイボンディングフィルムを冷却してその接着剤層を脆くした上で、拡張することにより、接着剤層を個々のチップに対応して分断する方法が提案されている。このようなエキスパンド時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、悪影響を及ぼすことがない。
また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断可能な、所謂「ステルスダイシング法」が提案されている。例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させてシートが貼り付けられた半導体の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを冷却しつつ拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体と接着剤層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
また、レーザー加工装置を用いた半導体ウエハの切断方法の別法として、例えば、特許文献３には、半導体ウエハの裏面にダイボンディング用の接着フィルム（接着剤層）を装着する工程と、裏面に該接着フィルムが装着された半導体ウエハの接着フィルム側に伸長可能な保護粘着テープを貼着する工程と、保護粘着テープを貼着した半導体ウエハの表面からストリートに沿ってレーザー光線を照射して個々の半導体チップに分割する工程と、保護粘着テープを冷却しつつ大きく拡張（エキスパンド）して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを半導体チップ毎に破断する工程と、拡張により生じたテープの弛みを加熱収縮により除去する工程と、破断された接着フィルムが貼着されている半導体チップを保護粘着テープから離脱する工程、とを含む半導体ウエハの分割方法が提案されている。【０００５】
ところが、上記の様な冷却工程や大きな拡張を施す工程では、シートとそれを拡張する機構を包括して冷却する大掛かりなシステムや加熱収縮による弛み除去システムが不可欠であり、製造工程が煩雑で、初期投資・ランニングコストともに非常に高額とならざるを得ず、この様なシステムが広く普及しにくい要因となっている。また、拡張時の接着フィルムの割断ラインが、チップの割断ラインから部分的に逸れてしまい、チップの端部に一部接着フィルムが欠けた状態が生じる場合があり、接着信頼性の低下をもたらす問題が生じ得る。【０００６】
ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハの加工方法において、冷却機構を排することでシステムを簡略化・省エネルギー化できれば、初期投資・ランニングコストともに大幅に小さくできる。その為には、ダイシングダイボンディングフィルムの接着剤層が室温で容易に分断可能でなければならない。また、接着剤層を小さな伸び率で破断できれば、テープを大きく拡張する必要はなく、加熱収縮システムも省略できる。
ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムが室温で容易に分断可能である為には、室温において平面方向の引っ張り応力に対して脆い必要がある。一方、接着フィルムの厚み方向の応力に対して過剰に脆い場合、接着フィルム層内で剥離が生じる為、半導体チップを等間隔で拡張するとともに、所定の厚みの接着フィルムが装着した状態で半導体チップをピックアップすることができない。例えば、特許文献４には半導体ウエハの加工方法に用いられるダイシングダイボンディングフィルムが記載されている。しかし、ダイシングダイボンディングフィルムを構成する接着シートに含まれる無機フィラーの含有量が多く、大きな伸び率で破断しないと接着剤層を破断することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−５７２５７号公報
【特許文献２】特開２００４−２７３８９５号公報
【特許文献３】特開２００２−３３４８５２号公報
【特許文献４】国際公開第２００４／１０９７８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体ウエハの加工方法において、室温でエキスパンドを行っても、層内で剥離が生じないだけの充分な凝集力を有しつつ、平面方向には非常に裂けやすい接着フィルムの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題に鑑み、本発明者らは鋭意検討を行った。その結果、特定のアクリル樹脂とエポキシ化合物とを一定量含有する組成物を用いて非晶質の接着剤層を形成すると、層内で剥離が生じないだけの充分な凝集力を有しつつも、平面方向には非常に裂けやすい性質を有することを見い出した。さらに、この様な非晶質固体中に無機フィラーを分散させることで、無機フィラー表面と有機物間の相互作用を利用して更に凝集力を高めつつ、無機フィラーにより上記非晶質固体の応力緩和性を制限してより裂け易くすることができることを見い出した。本発明はこれらの知見に基づきなされたものである。【００１０】
本発明によれば、下記の手段が提供される。
（１）エポキシ化合物を９質量％以上３０質量％以下、アクリル系共重合体を１０質量％以上４５質量％以下、及び無機フィラーを１５質量％以上含む樹脂組成物からなり、
前記アクリル系共重合体が、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含む、２種以上の構成単位を含み、
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のうち、少なくとも１種の成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下であり、
Ｂステージ状態において、ガラス転移温度が２６℃以上６０℃以下であり、前記アクリル系共重合体と前記エポキシ化合物とが均一相を形成し、破断伸び率が３％以下である、
接着フィルム。
（２）粘着テープと前記（１）項記載の接着フィルムを積層したダイシングダイボンディングフィルム。
（３）前記粘着テープの粘着剤層がアクリル系共重合体を８０質量％以上含む樹脂組成物より形成され、前記アクリル系共重合体が（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含み、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上である、前記（２）項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
（４）半導体ウエハの表面を、分断予定ラインに沿って所定の深さまで切削し表面保護テープを貼合する工程、
前記半導体ウエハの裏面を、前記工程で切削した所定の深さに到達するまで研削することで分断する工程、
該分割済みの半導体ウエハと前記（２）又は（３）項記載のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、
前記ダイシングダイボンディングフィルムを前記接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温でエキスパンドすることにより、ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断ラインに沿って分断する工程、及び
接着剤層付き半導体チップを得る工程、
を含む半導体部品加工方法。
（５）半導体ウエハと前記（２）又は（３）項記載のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、
前記半導体ウエハの内部に、レーザー光を照射して分断予定ラインに沿って改質領域を形成する工程、
前記接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハとダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断予定ラインに沿って分断工程、及び
接着剤層付き半導体チップを得る工程、
を含む半導体部品加工方法。
（６）半導体ウエハと前記（２）又は（３）項記載のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、
前記半導体ウエハを、レーザー光を照射して分断予定ラインに沿って分断する工程、
前記接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断ラインに沿って分断する工程、及び
接着剤層付き半導体チップを得る工程、
を含む半導体部品加工方法。
（７）半導体ウエハと前記（２）又は（３）項記載のダイシングダイボンディングフィルムとを貼合する工程、前記半導体ウエハを分断する工程、及び前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより接着フィルムを分断する工程を含み、
前記（２）又は（３）項記載のダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハと、前記ダイシングダイボンディングフィルムとを貼合し、
前記（２）又は（３）項記載のダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムを分断する、半導体部品加工方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、先ダイシング法やステルスダイシング法といったウエハの欠けや接着剤層の切削屑による汚染のない方法を利用しつつ、大掛かりな冷却装置が無くとも、室温において、比較的小さな拡張量で接着フィルムを分断して半導体部品を容易かつ、歩留まり良く加工することができる。【００１２】
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る接着フィルムを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るダイシングダイポンディングフィルムの平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るダイシングダイポンディングフィルムの断面図である。
【図４】本発明のダイシングダイボンディングフィルム上に半導体ウエハを貼り合せた様子を模式的に説明するための概略図である。
【図５】半導体ウエハのダイシング工程又は改質領域形成工程を模式的に説明するための概略図である。
【図６】粘着テープのエキスパンド工程を模式的に説明するための概略図である。
【図７】半導体チップのピックアップ工程を模式的に説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の接着フィルムは、エポキシ化合物を９質量％以上３０質量％以下、アクリル系共重合体を１０質量％以上４５質量％以下、及び無機フィラーを１５質量％以上含む樹脂組成物からなり、前記アクリル系共重合体が、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含む、２種以上の構成単位を含み、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のうち、少なくとも１種の成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下であり、Ｂステージ状態において、ガラス転移温度が２６℃以上６０℃以下であり、前記アクリル系共重合体と前記エポキシ化合物とが均一相を形成し、破断伸び率が３％以下である。
本発明において、「Ｂステージ状態」とは、エポキシ化合物を含む接着剤が半硬化状態であることをさし、ＤＳＣ測定にて硬化前発熱量の８０％以上を保持している状態をさす。
以下、本実施形態の接着フィルムの各構成要素について図面に基づき詳細に説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではない。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る接着フィルムを示す断面図である。図１に示すように、本発明の接着フィルム１ｂは、剥離フィルム１２ｂ上に接着剤層１１ｂが積層された構成を有している。なお、接着剤層１１ｂが設けられている面とは反対の接着フィルム１ｂの面上に、更に、剥離フィルム１２ｂとは別の剥離フィルムを積層した構成の接着フィルムで、ロール状に巻いたものであってもよい。また、本発明の接着フィルムは、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。
接着フィルム１ｂは、分断された半導体チップをピックアップする際、接着剤層１１ｂを介して半導体チップ裏面に付着しており、半導体チップ同士又は半導体チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用される。
【００１６】
剥離フィルム１２ｂは、接着剤層１１ｂの取り扱い性を良くする目的で用いられる。
剥離フィルム１２ｂの材質に特に制限はなく、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。
剥離フィルム１２ｂの表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、３５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。このように表面張力の低い剥離フィルム１２ｂは、材質を適宜に選択して得ることが可能であり、またフィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。剥離フィルム１２ｂの膜厚は、通常は５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、特に好ましくは２０μｍ以上であり、通常３００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１５０μｍ以下であり、通常は５〜３００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは２０〜１５０μｍ程度である。
【００１７】
接着剤層１１ｂは、エポキシ化合物を９質量％以上３０質量％以下、アクリル系共重合体を１０質量％以上４５質量％以下、及び無機フィラーを１５質量％以上含む樹脂組成物である。前記樹脂組成物は、熱や高エネルギー線で硬化する。
【００１８】
硬化性樹脂として含む、エポキシ基を有するエポキシ化合物としては特に制限はなく、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ピロカテコール、フロログルクシノールなどの単核多価フェノール化合物のポリグリシジルエーテル化合物；ジヒドロキシナフタレン、ビフェノール、メチレンビスフェノール（ビスフェノールＦ）、メチレンビス（オルトクレゾール）、エチリデンビスフェノール、イソプロピリデンビスフェノール（ビスフェノールＡ）、イソプロピリデンビス（オルトクレゾール）、テトラブロモビスフェノールＡ、1,3-ビス（4-ヒドロキシクミルベンゼン）、1,4-ビス（4-ヒドロキシクミルベンゼン）、1,1,3-トリス（4-ヒドロキシフェニル）ブタン、1,1,2,2-テトラ（4-ヒドロキシフェニル）エタン、チオビスフェノール、スルホビスフェノール、オキシビスフェノール、フェノールノボラック、オルソクレゾールノボラック、エチルフェノールノボラック、ブチルフェノールノボラック、オクチルフェノールノボラック、レゾルシンノボラック、テルペンフェノールなどの多核多価フェノール化合物のポリグリジルエーテル化合物；エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ポリグリコール、チオジグリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ビスフェノールＡ−エチレンオキシド付加物などの多価アルコール類のポリグリシジルエーテル；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、コハク酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ダイマー酸、トリマー酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸等の脂肪族、芳香族または脂環族多塩基酸のグリシジルエステル類およびグリシジルメタクリレートの単独重合体または共重合体；N,N-ジグリシジルアニリン、ビス（4-（N-メチル-N-グリシジルアミノ）フェニル）メタン等のグリシジルアミノ基を有するエポキシ化合物；ビニルシクロヘキセンジエポキシド、ジシクロペンタンジエンジエポキサイド、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル-6-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル）アジペート等の環状オレフィン化合物のエポキシ化物；エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化スチレン−ブタジエン共重合物等のエポキシ化共役ジエン重合体、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環化合物等が挙げられる。
また、エポキシ化合物として、一部又は全部はキレート変性されている、キレート変性エポキシ樹脂を用いてもよい。キレート変性エポキシ樹脂は、金属酸化物及び／又は金属水酸化物を含むキレート成分と分子内に２つ以上のエポキシ基を有するエポキシ成分を反応させて得られるものであればよい。金属酸化物及び金属水酸化物としては、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カドミウム、酸化鉛、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、リン酸等が好ましく用いられる。
【００１９】
前記樹脂組成物において、エポキシ化合物は９質量％以上（好ましくは１６質量％以上）３０質量％以下（好ましくは２５質量％以下）含まれる。あるいは、エポキシ化合物は９〜３０質量％、好ましくは１６〜２５質量％含まれる。なお、エポキシ化合物は、分断・ピックアップ工程後、接着剤付き半導体部品を積層してから１００〜３００℃で加熱する工程を経ることで接着剤を硬化させ、半導体部品同士が接着剤を介して強固に接着した多段積層体を得るために必要となる。上記半導体部品の多段積層体化は、例えば半導体メモリーの高容量化などに用いられる一般的な方法である。上記エポキシ化合物が９質量％未満であれば、接着信頼性が不足する。上記エポキシ化合物が３０質量％を越えると、ピックアップが困難となり、歩留まりが悪化する。上記エポキシ化合物は、半導体ウエハに貼合する前に未硬化成分が十分に含まれている状態、すなわちＢステージ状態である必要がある。Ｂステージ状態であることは、ＤＳＣ測定にて硬化前発熱量の８０％以上を保持していることをもって確認できる。
【００２０】
本発明の接着フィルムに用いるアクリル系共重合体は、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含む２種以上の構成単位を含み、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のうち少なくとも１種の成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下である。このようなアクリル系共重合体を用いることにより、前記エポキシ化合物との相溶性と、Ｂステージ状態の接着フィルムのガラス転移温度を特定の範囲とすることの両立が可能となる。アクリル系共重合体に代えて、アクリル系ホモポリマーを用いると、ポリマーの結晶性が過剰となり、接着フィルムの接着力が不足する。
【００２１】
アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分において、前記アルキル基は無置換のアルキル基である。さらに、前記アルキル基の炭素数は２以下が好ましい。このようなアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基が挙げられる。このうち、メチル基及びエチル基が好ましい。
【００２２】
アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分としては、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n-プロピルメタクリレート、iso-プロピルメタクリレート、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n-プロピルアクリレート、iso-プロピルアクリレートが挙げられる。
【００２３】
前記アクリル系共重合体において、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分以外の共重合成分としては特に制限はなく、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル、アクリロニトリル、アクリロアミド、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、スチレン、ビニル基を有する化合物、などが挙げられる。
【００２４】
前記アクリル系共重合体において、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分と、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分以外の共重合成分との重合比（モル比）に特に制限はないが、３：７以上が好ましく、５：５以上がより好ましく、９：１以下が好ましく、７：３以下がより好ましく、３：７〜９：１が好ましく、５：５〜７：３がより好ましい。アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の重合比が低くすぎると、該アクリル系共重合体とエポキシ成分とがＢステージにおいて相分離状態になりやすくなる。相分離状態になると、相間界面に沿って引き裂きエネルギーが分散し、破壊経路が複雑化する為、室温での分断が困難となる。一方、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が３以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の重合比が高すぎると、共重合体が過剰に剛直な構造となる為、被着体の表面に追従しにくくなり、接着力が不足する。
【００２５】
前記樹脂組成物において、アクリル系共重合体は１０質量％以上（好ましくは２０以上、より好ましくは２５質量％以上）、４５質量％以下（好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２７質量％以下）含まれる。あるいは、アクリル系共重合体は１０〜４５質量％、好ましくは２０〜３０質量％、より好ましくは２５〜２７質量％含まれる。アクリル系共重合体の含有量が１０質量％未満の場合、接着フィルムの凝集力が不足するため接着剤層内に剥離を生じて、所定の厚みで接着フィルムを粘着テープからピックアップすることが困難になる。一方、アクリル系共重合体の含有量が４５質量％を越えると、接着フィルムの接着力が不足する。
【００２６】
本発明で用いる樹脂組成物は、前記エポキシ化合物及びアクリル系共重合体の他に、無機フィラーを１５質量％以上含む。無機フィラーの含有量は、１８質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、７５質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましく、１８〜７５質量％が好ましく、２０〜５０質量％がより好ましい。該無機フィラーの含有量が１５質量％未満だと、エキスパンド工程において接着フィルムの割断ラインが、半導体チップの割断ラインに沿って真直ぐ進行する事がより困難になる。接着フィルムの割断ラインが半導体チップの割断ラインから部分的に逸れてしまうと、チップの端部に一部接着フィルムが欠けた状態が生じ、接着信頼性の低下をもたらす。
【００２７】
無機フィラーとしては特に規定しないが、磁性を持たないもので、熱的に安定なものが好ましい。具体例として、シリカやアルミナが挙げられる。
本発明の接着フィルムにおいて、無機フィラーはなるべく均一に分散している状態が好ましく、シランカップリング剤、脂肪酸、イソシアネート化合物などで無機フィラーの表面処理を施すことで、無機フィラーを分散し易くしてもよい。
【００２８】
本発明に用いる樹脂組成物には、前記エポキシ化合物、アクリル系共重合体及び無機フィラーの以外の成分を含んでもよい。このような他の成分としては、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等、及びその混合物又は変性物等の硬化性樹脂；フェノール系樹脂（例えば、フェノールノボラック樹脂、o-クレゾールノボラック樹脂、p-クレゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂）、熱活性型潜在性エポキシ樹脂等の硬化剤；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメタクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリアクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリオレフィン等のホモポリマー、及びその混合物又は変性物；第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などの硬化促進剤；有機酸やその無水物、ジシアンジアミド、ルイス酸・塩基、硬化剤、モレキュラーシーブ、トリフェニルホスフィン系化合物が挙げられる。
【００２９】
本発明の接着フィルムのガラス転移温度が２６℃以上６０℃以下、又は２６℃〜６０℃である。本発明において、ガラス転移温度は２８℃以上が好ましく、２９℃以上がより好ましく、３２℃以下が好ましく、３１℃以下がより好ましく、２８℃〜３２℃が好ましく、２９℃〜３１℃がより好ましい。ガラス転移温度が２６℃を下回ると接着フィルムの粘性が低すぎてしまい、後述するダイシングダイボンディングフィルムの粘着テープのエキスパンド工程において、接着フィルムを分断することが困難となる。一方、ガラス転移温度が６０℃を越えると接着フィルムの粘性が高すぎてしまい、一般的なダイシングダイボンディングフィルムの貼合温度である６０℃〜８０℃の温度領域で半導体ウエハに貼合することが困難となる。かりに、８０℃を越える温度でダイシングダイボンディングフィルムの加熱貼合を試みた場合、一般的なポリオレフィン樹脂を基材に用いた粘着テープはその温度に耐えられず、粘着テープが伸びてシワ状になり、貼合不良の原因となる。
【００３０】
本発明において、接着フィルムのガラス転移温度は、ＡＲＥＳ動的粘弾性測定装置を用いて、液体窒素下で温度を昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で−３０℃から＋８０℃まで厚さ２ｍｍに積層した接着フィルムを昇温し、測定周波数１Ｈｚで損失正接（tanδ）を測定し、測定した損失正接値の極大値が現れる温度をガラス転移温度とする。
一般に、接着フィルムに対して周期的に歪εを与えると、接着フィルムが完全な弾性体であれば、それに対応する応力σは、時間的な遅れの発生はなく、同位相で現れる。しかし、接着フィルムに粘性要素が存在すると、応答に遅れ（歪の入力と応答の位相差δ）が生じる。この時間的な遅れをもった歪εと応力σは、下記の式（１）により複素弾性率（Ｅ＊）として表される。
Ｅ＊＝σ／ε
Ｅ＊＝Ｅ’＋ｉＥ’’・・・式（１）
また、前記損失正接（tanδ）は、下記の式（２）により表される。
tanδ＝Ｅ’’／Ｅ’・・・式（２）
ここで、Ｅ'は貯蔵弾性率、Ｅ’’は損失弾性率を表す。貯蔵弾性率Ｅ’は弾性的な性質を示し、損失弾性率Ｅ''や損失正接（tanδ）は粘性的、すなわちエネルギー損失の性質を示す。
このように、粘性に相当する損失弾性率Ｅ’’と弾性に相当する貯蔵弾性率Ｅ’の比（Ｅ’’／Ｅ’）で表される損失正接（tanδ）は振動吸収性を反映する。その値が大きいほど、接着フィルムの粘性が高くなり（軟らかくなり）、振動吸収性が高くなる。逆に、その値が小さいほど、接着フィルムの粘性が低くなり（硬くなり）、振動吸収性が低くなる。
【００３１】
本発明の接着フィルムにおいて、前記エポキシ化合物と前記アクリル系共重合体を含む樹脂組成物はＢステージ（ＤＳＣ測定にて硬化前発熱量の８０％以上を保持している状態）において均一相を形成する。ここで言う「均一相」とは、３００ｎｍの光線が９０％以上透過する状態又は−３０℃〜８０℃においてただ１つの損失正接ピークを有する状態をさす。エポキシ化合物とアクリル系共重合体が相分離状態を形成している場合、すなわち、損失正接ピークを２つ以上有する場合、後述するダイシングダイボンディングフィルムの粘着テープのエキスパンド工程において、接着フィルムの分断経路がエポキシ化合物相とアクリル系共重合体相の界面に沿って複雑化するため、分断に要するエネルギーが大きくなり、分断不良の原因となる。
なお、前記エポキシ化合物と前記アクリル系共重合体が均一相を形成しているかを評価するには、ＡＲＥＳ動的粘弾性測定装置を用いて、液体窒素下で温度を昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で−３０℃から＋８０℃まで厚さ２ｍｍに積層した接着フィルムを昇温し、測定周波数１Ｈｚで損失正接（tanδ）を測定することで実施することができる。
【００３２】
本発明の接着フィルムにおいて、破断伸び率は３％以下である。本発明において、破断伸び率は１％以下がより好ましい。なお、本明細書において、接着フィルムの破断伸び率はJIS  K  6251に準拠して測定され、引張試験用ダンベル（JIS  K  6251  １号型）を作成し、引張り試験機により３００ｍｍ／分の速度で引張試験を実施し、破断伸び率を測定する。
【００３３】
半導体ウエハの切断方法として、半導体ウエハを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工する工程や、切断予定ライン上の半導体ウエハ内部にレーザ光を照射して改質領域を形成する工程など、半導体ウエハを容易に切断可能とする工程を施し、その後に外力を加えるなどして半導体ウエハを切断する方法が知られている。折り目となる溝を加工する方法はハーフカットダイシング、切断予定ライン上の半導体ウエハ内部にレーザ光を照射して改質領域を形成する方法はステルスダイシングと呼ばれる（例えば、特開２００２−１９２３７０号公報、特開２００３−３３８４６７号公報など参照）。これらの方法は、特にウエハの厚さが薄い場合にチッピングなどの不良を低減する効果があり、カーフ幅を必要としないことから収率向上効果などを期待することができる。さらに、半導体ウエハを完全に切断せずに、分断予定ラインに沿って所定の深さまで切削して表面保護テープを貼合し、当該半導体ウエハ裏面を切削した所定の深さに到達するまで研削することで半導体ウエハを分断する、いわゆる「先ダイシング法」によってチップを分断した後、分断済みウエハをダイシングダイボンディングフィルムに貼合する方法も知られている。
本発明の接着フィルムは、このようなハーフカットダイシングやステルスダイシング、並びに先ダイシング法に好適に用いられる。
【００３４】
本発明のダイシングダイボンディングフィルムは、粘着テープと本発明の接着フィルムを積層した構成をとる。粘着テープとしては特に制限はなく、半導体ウエハをダイシングする際には剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際には容易に接着フィルムから剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。例えば、基材フィルム上に粘着剤層を設けたものを好適に使用できる。さらに、ダイシングダイボンディングは、図２及び３に示すように、接着フィルム１ｂと粘着テープ１ａが剥離フィルム１ｃ上に積層されてもよい。また、予め所定形状に切断（プリカット）された形態や、これが複数形成された長尺のフィルムをロール状に巻き取った形態でもよい。
【００３５】
粘着テープの基材フィルムに特に制限はなく、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、その他各種プラスチックをフィルム状に成型して用いることができる。基材フィルムの厚さに特に制限はないが、５０μｍ以上が好ましく、２００μｍ以下が好ましく、５０〜２００μｍが好ましい。
【００３６】
粘着テープの粘着剤層に使用される樹脂としては特に限定されるものではなく、粘着剤に通常使用される塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。本発明において、粘着テープの粘着剤層がアクリル系共重合体を８０％以上（８５％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９９％以下が好ましく、９５％以下がより好ましく、８５〜９９％が好ましく、９０〜９５％より好ましい）含む樹脂組成物より形成され、前記アクリル系共重合体が（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を構成単位として含み、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分のアルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上であることが、半導体チップのピックアップ性の観点から好ましい。
【００３７】
アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分において、前記アルキル基は置換アルキル基、無置換アルキル基のいずれでもよく、直鎖状、分岐及び環状アルキル基のいずれでもよい。前記アルキル基の炭素数は８以上が好ましく、９以上がより好ましく、１８以下が好ましく、１２以下がより好ましく、８〜１８が好ましく、９〜１２がより好ましい。このようなアルキル基としては、ヘプチル基、イソオクチル基、イソノニル基、ノルマルノニル基、ラウリル基、イソステアリル基、ノルマルステアリル基が挙げられる。このうち、イソノニル基、ラウリル基が好ましい。
【００３８】
アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分としては、アクリル酸ヘプチル、アクリル酸イソオクチル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸イソノニル、アクリル酸ノルマルノニル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸イソステアリル、アクリル酸ステアリルが挙げられる。
【００３９】
前記アクリル系共重合体における、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分以外の共重合成分としては特に制限はなく、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が６以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分、アクリロニトリル、アクリロアミド、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、スチレン、ビニル基を有する化合物、などが挙げられる。これらのうち、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルが好ましい。
【００４０】
前記アクリル系共重合体における、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分と、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分以外の共重合成分との重合比に特に制限はないが、６：４以上が好ましく、７：３以上がより好ましく、９：１以下が好ましく、８：２以下がより好ましく、６：４〜９：１が好ましく、７：３〜８：２がより好ましい。アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の重合比が高すぎると、ポリマー間の架橋の起点となる様な反応性基を導入することが困難となり、安定した粘着剤層の形成が困難となる。一方、アルキルエステル部分におけるアルキル基の炭素数が７以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の重合比が低すぎるとピックアップが困難となり、歩留まりが悪化する。
【００４１】
粘着剤層用の樹脂組成物には、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。
放射線重合性化合物を樹脂組成物に配合し、粘着テープに放射線を照射して硬化することより、接着フィルムから粘着テープを剥離しやすくすることができる。前記放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が用いられる。具体的には、各種（メタ）アクリル酸エステルモノマーやオリゴマー、（メタ）アクリロイルイソシアネート、ビニルモノマー等が挙げられる。
光重合開始剤を用いる場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を用いることができる。
【００４２】
本発明に用いられる粘着剤層を形成する組成物には、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤などの改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以下が好ましく、５〜３０μｍが好ましい。
【００４３】
本発明の半導体部品加工方法は、半導体ウエハと本発明のダイシングダイボンディングフィルムとを貼合する工程、前記半導体ウエハを分断する工程、及び前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより接着フィルムを分断する工程を含み、本発明のダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温（好ましくは７０℃以上、より好ましくは８０℃以上、好ましくは１００℃以下、より好ましくは９０℃以下、好ましくは７０℃〜１００℃、より好ましくは８０℃〜９０℃）で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハと、前記ダイシングダイボンディングフィルムとを貼合し、本発明のダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温（好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、好ましくは４０℃以下、より好ましくは３０℃以下、好ましくは１０℃〜４０℃、より好ましくは２０℃〜３０℃だが、人が活動する通常の環境下であれば、特別な温度コントロールはなくても良い。）で前記ダイシングダイボンディングフィルムをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムを分断する工程を含む。
【００４４】
本発明の半導体部品加工方法について、好ましい実施態様に基づき説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではない。
本発明のダイシングダイボンディングフィルムは、前記先ダイシング法に好ましく用いることができる。具体的に、本発明の半導体部品加工方法の一実施態様として、半導体ウエハの表面を、分断予定ラインに沿って所定の深さまで切削し表面保護テープを貼合する工程、前記半導体ウエハの裏面を、前記工程で切削した所定の深さに到達するまで研削することで分断する工程、該分割済みの半導体ウエハと本発明のダイシングダイボンディングフィルムとを、該ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムのガラス転移温度より高温で該半導体ウエハを加熱した状態で貼合する工程、前記ダイシングダイボンディングフィルムを接着フィルムのガラス転移温度より低温又は室温でエキスパンドすることにより、ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムを分断ラインに沿って分断する工程、及び接着剤層付き半導体チップを得る工程、を含む半導体部品加工方法が挙げられる。
【００４５】
本発明の半導体部品加工方法の別の好ましい実施態様について、図４〜７を参照して説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではない。
【００４６】
図４は、本発明のダイシングダイボンディングフィルム上に半導体ウエハを貼り合せた様子を模式的に説明するための概略図である。
図４において、ダイシングダイボンディングフィルム１に、半導体ウエハ２とリングフレーム３とが貼り合わされている。まず、図４に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１の粘着テープ１ａをリングフレーム３に貼り付け、半導体ウエハ２をダイシングダイボンディングフィルム１の接着フィルム１ｂに貼り合わせる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ２を接着フィルム１ｂに貼り合わせた後に、粘着テープ１ａとリングフレーム３とを貼り合わせてもよい。また、粘着テープ１ａとリングフレーム３との貼り合わせと、半導体ウエハ２と接着フィルム１ｂとの貼り合わせとを、同時に行ってもよい。
なお、図４において、半導体ウエハ２と、本発明のダイシングダイボンディングフィルム１とを貼合する際、ダイシングダイボンディングフィルム１の接着フィルム１ｂのガラス転移温度より高温（好ましくは７０℃以上、より好ましくは８０℃以上、好ましくは１００℃以下、より好ましくは９０℃以下、好ましくは７０〜１００℃、より好ましくは８０〜９０℃）で半導体ウエハ２を加熱することが好ましい。
【００４７】
図５は、半導体ウエハのダイシング工程又は改質領域形成工程を模式的に説明するための概略図である。
ダイシングダイボンディングフィルム１を貼り付けた半導体ウエハ２の分断予定ライン２ａに対してレーザー光１０を照射し、半導体ウエハ２を個片化し半導体チップ１１を得る。なお、レーザー光１０を照射する代わりに、ダイシングブレード等を用いて半導体チップを個片化してもよい。
または、ダイシングダイボンディングフィルム１を貼り付けた半導体ウエハ２の分断予定ライン２ａに対してレーザー光１０を照射し、改質領域を形成してもよい。
【００４８】
図６は、粘着テープのエキスパンド工程を模式的に説明するための概略図である。
図６に示すように、ダイシングされた半導体チップ１１又は改質領域を形成した半導体ウエハ１０、及び接着フィルム１ｂを保持した粘着テープ１ａをリングフレーム３の周方向に引き伸ばし、接着フィルム１ｂのガラス転移温度より低温又は室温（好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、好ましくは４０℃以下、より好ましくは３０℃以下、好ましくは１０℃〜４０℃、より好ましくは２０℃〜３０℃だが、人が活動する通常の環境下であれば、特別な温度コントロールはなくても良い。）でエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ１１又は改質領域を形成した半導体ウエハ１０、及び接着フィルム１ｂを保持した状態の粘着テープ１ａに対して、粘着テープ１ａの下面側から突き上げ部材４を上昇させ、粘着テープ１ａをリングフレーム３の周方向に引き伸ばす。改質領域を形成した場合、エキスパンド工程により分断ラインに沿って半導体ウエハは個片化し、半導体チップ１１を得る。また、エキスパンド工程により、接着フィルム１ｂを分断ラインに沿って分断するとともに、半導体チップ１１同士が一定間隔にリングフレーム３の周方向に広がり、ＣＣＤカメラ等による半導体チップ１１の認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップ１１同士が接触することによって生じる半導体チップ同士の再接着を防止することができる。
【００４９】
図７は、半導体チップのピックアップ工程を模式的に説明するための概略図である。
エキスパンド工程を実施した後、図７に示すように、粘着テープ１ａをエキスパンドした状態のままで、半導体チップ１１をピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着テープ１ａの下面側から半導体チップ１１を突き上げピン５によって突き上げるとともに、粘着テープ１ａの上面側から吸着コレット６で半導体チップ１１を吸着することで、個片化された半導体チップ１１を接着フィルム１ｂとともにピックアップする。
【００５０】
以上のように、本発明の方法により得られた半導体チップ１１を用いて、ダイボンディング工程の実施が可能となる。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップ１１とともにピックアップされた接着フィルム１ｂにより、半導体チップ１１を別の半導体部品やリードフレームやパッケージ基板等に接着することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００５２】
（１）接着フィルムの作成
＜接着フィルム１＞
エチルアクリレートとブチルアクリレートとスチレンの共重合体（重合比：エチルアクリレート／ブチルアクリレート／スチレン＝３／１／６、重量平均分子量：１０００００）４５質量％、ビスフェノールＦ型エポキシ（商品名ＲＥ３０３、日本化薬社製）１６質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）１８質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１を得た。【００５３】
＜接着フィルム２＞
プロピルメタクリレートとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートの共重合体（重合比：プロピルメタクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレート＝３．５／６／０．５、重量平均分子量：４０００００）２６質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）２５質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２８質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー２を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム２を得た。【００５４】
＜接着フィルム３＞
メチルアクリレートとスチレンとメタクリル酸の共重合体（重合比：メチルアクリレート／スチレン／メタクリル酸＝３．５／６／０．５、重量平均分子量：４０００００）４５質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）１９質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２０質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）１５質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー３を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム３を得た。【００５５】
＜接着フィルム４＞
メチルアクリレートとスチレンとメタクリル酸の共重合体（重合比：メチルアクリレート／スチレン／メタクリル酸＝６．５／３／０．５、重量平均分子量：４０００００）１０質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）１９質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２０質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）５０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー４を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム４を得た。【００５６】
＜接着フィルム５＞
エチルアクリレートとブチルアクリレートとスチレンの共重合体（重合比：エチルアクリレート／ブチルアクリレート／スチレン＝３／１／６、重量平均分子量：１０００００）１０質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）９質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）１０質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）７０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー５を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム５を得た。【００５７】
＜接着フィルム６＞
エチルアクリレートとブチルアクリレートとスチレンの共重合体（重合比：エチルアクリレート／ブチルアクリレート／スチレン＝３／１／６、重量平均分子量：１０００００）２１質量％、ビフェニルアラルキル型エポキシ（商品名：ＮＣ−３０００、日本化薬社製）３０質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）３０質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）１８質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー６を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム６を得た。【００５８】
＜接着フィルム７＞
ブチルアクリレートとアクリロニトリルとメタクリル酸の共重合体（重合比：ブチルアクリレート／アクリロニトリル／メタクリル酸＝４／５．５／０．５、重量平均分子量：４０００００）６０質量％、ビフェニルアラルキル型エポキシ（商品名：ＮＣ−３０００、日本化薬社製）９質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）１０質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー７を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム７を得た。【００５９】
＜接着フィルム８＞
プロピルメタクリレートとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートの共重合体（重合比：プロピルメタクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレート＝３．５／６／０．５、重量平均分子量：４０００００）５０質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）１４質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）１５質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー８を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム８を得た。【００６０】
＜接着フィルム９＞
ステアリルアクリクリレートと2-ヒドロキシエチルアクリレートとメタクリル酸の共重合体（重合比：ステアリルアクリクリレート／2-ヒドロキシエチルアクリレート／メタクリル酸＝９／０．５／０．５、重量平均分子量：１００００００）２６質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）２６質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２７質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー９を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム９を得た。【００６１】
＜接着フィルム１０＞
ステアリルアクリクリレートと2-ヒドロキシエチルアクリレートとメタクリル酸の共重合体（重合比：ステアリルアクリクリレート／2-ヒドロキシエチルアクリレート／メタクリル酸＝９／０．５／０．５、重量平均分子量：１００００００）４５質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）１６質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）１８質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１０を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１０を得た。【００６２】
＜接着フィルム１１＞
メチルアクリレートとスチレンとメタクリル酸の共重合体（重合比：メチルアクリレート／スチレン／メタクリル酸＝６．５／３／０．５、重量平均分子量：１０００００）４４質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）２２質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２３質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）１０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１１を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１１を得た。【００６３】
＜接着フィルム１２＞
メチルアクリレートとスチレンとメタクリル酸の共重合体（重合比：メチルアクリレート／スチレン／メタクリル酸＝６．５／３／０．５、重量平均分子量：１０００００）４５質量％、ビフェニルアラルキル型エポキシ（商品名：ＮＣ−３０００、日本化薬社製）１９質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２０質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）１５質量％の混合物をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１２を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１２を得た。【００６４】
＜接着フィルム１３＞
メチルアクリレートとスチレンの共重合体（重合比：メチルアクリレート／スチレン／＝６．５／３.５、重量平均分子量：１０００００）５質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）２１質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）２３質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）５０質量％の混合物をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１３を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１３を得た。【００６５】
＜接着フィルム１４＞
エチルアクリレートとブチルアクリレートとスチレンの共重合体（重合比：エチルアクリレート／ブチルアクリレート／スチレン＝３／１／６、重量平均分子量：１０００００）１３質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ（商品名：ＲＥ−３１０、日本化薬社製）８質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）８質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）７０質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１４を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１４を得た。【００６６】
＜接着フィルム１５＞
エチルアクリレートとブチルアクリレートとスチレンの共重合体（重合比：エチルアクリレート／ブチルアクリレート／スチレン＝３／１／６、重量平均分子量：１０００００）１０質量％、ビフェニルアラルキル型エポキシ（商品名：ＮＣ−３０００、日本化薬社製）３３質量％、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＨＦ−１、明和化成社製）３３質量％、フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ、四国化成社製）１質量％、及びシリカフィラー（商品名：Ｃ１、アドマッテックス社製）２３質量％をメチルエチルケトン／トルエン混合溶媒に分散させて得たスラリー１５を混錬し、離型処理したＰＥＴフィルム上に塗工し、１２０℃で３分間乾燥させ、接着剤層の厚さが１０μｍ、Ｂステージ状態の接着フィルム１５を得た。【００６７】
（２）ガラス転移温度の測定及びアクリル共重合体／エポキシ化合物相溶性の確認
前記接着フィルム１〜１５の接着剤層がそれぞれ厚さ２ｍｍとなるように積層し、動的粘弾性測定装置（商品名：ARES、TA  Instruments社製）を用いて、液体窒素下で温度を昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で−３０℃から＋８０℃まで昇温し、測定周波数１Ｈｚで損失正接（tanδ）を測定した。
測定した損失正接値の極大値が現れる温度をガラス転移温度とした。
さらに、測定した損失正接値の極大値が１つである場合アクリル共重合体とエポキシ化合物とが均一相を形成するものと評価し、測定した損失正接値の極大値が２つ以上ある場合アクリル共重合体とエポキシ化合物とが相分離状態にあると評価した。
結果を表１に示す。【００６８】
（３）破断伸び率の測定
接着フィルム１〜１５について、引張試験用ダンベル（JIS  K  6251  １号型）を作成し、引張り試験機（商品名：ストログラフＶ、東洋精機社製）により３００ｍｍ／分の速度で引張試験を実施し、破断伸び率を求めた。その結果を表１に示す。【００６９】
（４）接着力の測定
４×４ｍｍのシリコンチップを４×４ｍｍの接着フィルム１〜１５で銅リードフレームに接着したサンプルを用いて、３５０℃、２０秒加熱後のせん断接着力をプッシュプルゲージにより測定した。その結果を表１に示す。【００７０】
0005449622.tif 000002
【００７１】
（５）粘着テープの作成
＜基材フィルム＞
エチレン−メタクリル酸共重合体（商品名：ウルトラセンＡＮ４２１４、三井・デュポンポリケミカル社製）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルムを作製した。【００７２】
＜粘着テープ１＞
アクリル酸ヘプチルと2-ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体（重合比：アクリル酸ヘプチル／2-ヒドロキシエチルアクリレート＝９／１、重量平均分子量：４０００００）１００質量部に対して、ＴＤＩ系ポリイソシアネート（商品名：コロネートＴ、日本ポリウレタン社製）を９質量部加えた混合物を、酢酸エチルに固形分量が３０重量％となる様に分散させた後、上記基材フィルム上に加熱乾燥後の厚さが１０μｍとなるように積層した後、７７℃で２分間加熱乾燥して粘着テープ１を得た。【００７３】
＜粘着テープ２＞
アクリル酸ヘプチルと2-ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体に代えて、メタクリル酸へキシルと2-ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体（重合比：アクリル酸ヘプチル／2-ヒドロキシエチルアクリレート＝８／２、重量平均分子量：５０００００）を用いたこと以外は、粘着テープ１と同様に粘着テープ２を作成した。【００７４】
＜粘着テープ３＞
メタクリル酸へキシルと2-ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体（重合比：メタクリル酸へキシル／2-ヒドロキシエチルアクリレート＝８／２、重量平均分子量：５０００００）１００質量部に対して、光重合性硬化物としてトリメチロールプロパントリアクリレート（商品名：Ｖ２９５、大阪有機化学社製）２０質量部、ＴＤＩ系ポリイソシアネート（商品名：コロネートＴ、日本ポリウレタン社製）２質量部、光重合開始剤としてイルガキュアー１８４（商品名、日本チバガイギー社製）１質量部加えた混合物を酢酸エチルに固形分量が３０重量％となる様に分散させた後、基材フィルム上に積層した以外は、粘着テープ１と同様に粘着テープ３を得た。【００７５】
＜粘着テープ４＞
アクリル酸ヘプチルと2-ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体に代えて、アクリル酸イソオクチルと2-ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体（重合比：アクリル酸イソオクチル／2-ヒドロキシエチルアクリレート＝６／４、重量平均分子量：６０００００）を用いたこと以外は、粘着テープ１と同様に粘着テープ４を得た。【００７６】
0005449622.tif 000003
【００７７】
（６）ダイシングダイボンディングフィルムの作成
＜ダイシングダイボンディングフィルム１＞
接着フィルム１と粘着テープ１をそれぞれ直径２２０ｍｍ、２７０ｍｍの円状にカットし、接着フィルム１の接着剤層と粘着テープ１の粘着剤層とを貼り合せ、接着フィルム１のＰＥＴフィルムを介して剥離フィルム（商品名：ＳＰ−ＰＥＴ、東セロ社製）の上に積層し、図２及び３に示す形状のダイシングダイボンディングフィルム１を作成した。【００７８】
＜ダイシングダイボンディングフィルム２＞
接着フィルム２及び粘着テープ２を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム２を作成した。【００７９】
＜ダイシングダイボンディングフィルム３＞
接着フィルム２及び粘着テープ３を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム３を作成した。【００８０】
＜ダイシングダイボンディングフィルム４＞
接着フィルム２及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム４を作成した。【００８１】
＜ダイシングダイボンディングフィルム５＞
接着フィルム２及び粘着テープ４を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム５を作成した。【００８２】
＜ダイシングダイボンディングフィルム６＞
接着フィルム３及び粘着テープ４を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム６を作成した。【００８３】
＜ダイシングダイボンディングフィルム７＞
接着フィルム４及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム７を作成した。【００８４】
＜ダイシングダイボンディングフィルム８＞
接着フィルム５及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム８を作成した。【００８５】
＜ダイシングダイボンディングフィルム９＞
接着フィルム６及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム９を作成した。【００８６】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１１＞
接着フィルム７及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１１を作成した。【００８７】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１２＞
接着フィルム８及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１２を作成した。【００８８】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１３＞
接着フィルム９及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１３を作成した。【００８９】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１４＞
接着フィルム１０及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１４を作成した。【００９０】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１５＞
接着フィルム１１及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１５を作成した。【００９１】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１６＞
接着フィルム１２及び粘着テープ４を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１６を作成した。【００９２】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１７＞
接着フィルム１３及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１７を作成した。【００９３】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１８＞
接着フィルム１４及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィ
ルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１８を作成した。【００９４】
＜ダイシングダイボンディングフィルム１９＞
接着フィルム１５及び粘着テープ１を用いた以外は、ダイシングダイボンディングフィ
ルム１と同様にダイシングダイボンディングフィルム１９を作成した。【００９５】
（７）半導体ウエハの加工及び半導体チップの作成
以下に示す各工程を実施し、前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いて、半導体ウエハを加工し、半導体チップを作成した。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ（厚さ：５０μｍ、直径：２００ｍｍ）の表面に表面保護テープ（商品名：ＳＰ−５９４、古河電気工業社製）を貼合する工程
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程
（ｃ）前記ダイシングダイボンディングフィルムから接着フィルムのＰＥＴフィルム及び剥離フィルムを剥離し、図４に示すように、８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面と接着剤層とを貼合するとともに、半導体ウエハ加工用リングフレーム（商品名：ＭＤＴＦＲ、ディスコ社製）と前記ダイシングダイボンディングフィルムの粘着テープとを、前記接着フィルムの接着剤層と重ならずに露出した部分で、粘着剤層を介して貼合する工程
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程
（ｅ）図５に示すように、前記半導体ウエハの分割予定ライン２ａにレーザー光を照射して、半導体ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程
（ｆ）図６に示すように、エキスパンド部材を用いて前記ダイシングダイボンディングフィルムを拡張量（図６中のＡ）５〜１０ｍｍで、粘着テープと半導体ウエハとが重ならない部分で、室温（２５℃）で粘着テープ側から突き上げ、粘着テープ及び接着フィルムを拡張することにより、半導体ウエハ及び接着フィルムを分断予定ラインに沿って分断し、前記接着フィルムが付いた複数の半導体チップ（サイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×５０μｍ）を得る工程
（ｇ）図７に示すように、ダイシングダイボンディングフィルムの拡張状態を保ったまま、粘着テープ面よりピン５で突き上げつつ、吸着コレット６で接着フィルム１１付き半導体チップ６をピックアップする工程【００９６】
（８）加熱貼合
貼合装置（商品名：プリカットテープマウンター、大宮工業社製）を用いて半導体ウエハを80℃に加熱しつつ、ダイシングダイボンディグフィルムを半導体ウエハ及び加工用リングフレームに速度：10mm/sで貼合した。上記加熱貼合後、半導体ウエハを貼合した面を下側にして、ダイシングダイボンディングフィルムの基材フィルム背面より目視で観察した。半導体ウエハとダイシングダイボンディングとの間で部分的な剥離が生じて空気が浸入している状態が確認されたサンプルを貼合失敗とし、この様な空気の浸入が目視で確認されなかったサンプルを成功とした。
結果を表３及び４に示す。【００９７】
（９）半導体ウエハの分断試験
５ｍｍ、７ｍｍ又は１０ｍｍの拡張量で拡張後のサンプルの各チップ周辺をＣＣＤカメラを用いて観察し、分断による接着フィルム上の亀裂が、チップの４辺全てにおいて連続であったチップを分断成功チップとした。上記成功チップ以外のチップ、すなわち分断による接着フィルム上の亀裂が、チップの４辺の何れか若しくは全てにおいて不連続（つまり部分的に接着フィルムが繋がったままの状態）であったもの、又は、チップの４辺の何れか若しくは全てにおいて分断による接着フィルム上の亀裂が全く観察されなかったものを分断失敗チップとした。
上記試験を室温（２５℃）で各サンプルにつき３回行い、分断成功率を計算した。
（平均分断成功率）（％）＝
（成功チップ数）／（ダイシングダイボンディングフィルム上の総チップ数）×１００
結果を表３及び４に示す。【００９８】
（１０）ピックアップ成功率
前記（ｇ）工程において、半導体チップ及び接着フィルムが粘着テープから剥離したものの内、半導体チップが破損せず、隣接したチップ同士が癒着することなく、厚み１０μｍ±１μｍの接着フィルムが付着した状態で半導体チップをピックアップできた割合をピックアップ成功率として評価した。試行回数：１００チップ
結果を表３及び４に示す。【００９９】
（１１）半導体チップの顕微鏡観察
光学顕微鏡を用いて、ピックアップ済み半導体チップ（各サンプル１０個）の接着フィルムが積層された面を観察した。上記観察面において、半導体チップに接着フィルムに覆われていない部分がみられたチップを接着フィルムが欠けたチップと見做し、その様な欠けがみられなかったチップを成功チップと見做した。
結果を表３及び４に示す。【０１００】
0005449622.tif 000004
【０１０１】
0005449622.tif 000005
【０１０２】
本発明の接着フィルムは、半導体ウエハの加工方法に用いた場合、室温でエキスパンドを行っても、接着剤層内で剥離が生じないだけの充分な凝集力を有しつつ、平面方向には非常に裂けやすく、かつせん断接着力も信頼性が十分に確保できる水準であった。したがって、前記結果から明らかなように、本発明のダイシングダイボンディングフィルムを用いることにより、冷却工程を実施することなく、一定の厚みを有する接着フィルム付の半導体チップを効率よく得ることができ、接着信頼性も得られる。
これに対して、比較例のダイシングダイボンディングフィルム１１〜１４を用いた場合、室温でエキスパンドを行うと、接着フィルムの接着剤層を分断することができなかった。また、比較例のダイシングダイボンディングフィルム１５を用いた場合、室温でエキスパンドを行うと、接着フィルムの接着剤層を分断することは可能であるが、一定の厚みを有する接着フィルムを半導体チップに貼合させることができなかった。また、比較例のダイシングダイボンディングフィルム１６を用いた場合、８０℃でダイシングダイボンディングフィルムと半導体ウエハとを貼合することができず、より高温での貼合が必要となる。また、比較例のダイシングダイボンディングフィルム１７を用いた場合、室温でエキスパンドを行うと、接着フィルムの接着剤層を分断することは可能であるが、個片化した半導体チップをピックアップすることができなかった。また、比較例のダイシングダイボンディングフィルム１８を用いた場合、室温でエキスパンドを行うと、接着フィルムの接着剤層を分断すること、個片化した半導体チップをピックアップすることは可能であったが、接着フィルムの接着力は非常に小さく、接着信頼性の確保ができなかった。また、比較例のダイシングダイボンディングフィルム１９を用いた場合、室温でエキスパンドを行うと、接着フィルムの接着剤層を分断することは可能であったが、個片化した半導体チップをピックアップする工程の歩留まりは非常に悪かった。【０１０３】
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。【０１０４】
本願は、２０１１年７月１日に日本国で特許出願された特願２０１１−１４７７７８に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
【符号の説明】
【０１０５】
１：ダイシングダイボンディングフィルム
１ａ：粘着テープ
１ｂ：接着フィルム
１１ｂ：接着剤層
１２ｂ：剥離フィルム
１ｃ：剥離フィルム
２：半導体ウエハ
２ａ：分断予定ライン
２ｂ：改質領域形成ずみ分断予定ライン
３：リングフレーム
４：突き上げ部材
５：突き上げピン
６：吸着コレット
１０：レーザー光
１１：半導体チップ
Ａ：拡張量
【図１】
0005449622.tif 000006
【図２】
0005449622.tif 000007
【図３】
0005449622.tif 000008
【図４】
0005449622.tif 000009
【図５】
0005449622.tif 000010
【図６】
0005449622.tif 000011
【図７】
0005449622.tif 000012