(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板に対して抵抗溶接によって固定される導電性の非球面レンズ付きキャップの製造方法であって、
前記キャップは、
本体部と、
前記本体部から離間する方向へ前記本体部に連結した基端から延出する鍔部と、
を備え、
前記鍔部は、抵抗溶接時に電極が載置される載置面を有し、
前記載置面と前記本体部の外周面の境界近傍には窪みが形成されており、
前記載置面は、前記本体部の前記外周面を下方に延長させた仮想線より外側においてＲ面を有しておらず、
切削刃物によってステンレス鋼からなる母材を加工して、前記本体部と前記鍔部を一体として製造する切削工程と、
非球面レンズを前記キャップ内部に設ける工程と、
を備える非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項２】
前記窪みは、前記本体部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項３】
前記切削工程において、前記キャップの前記本体部の内側に前記非球面レンズを配置するための配置面を形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項４】
前記切削工程において、前記鍔部の前記載置面の背面側に突起を形成することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項５】
前記窪みの深さをＤ、前記本体部の前記窪みが形成される部分の肉厚をＷ５とした場合、０％＜Ｄ／Ｗ５×１００％＜５０％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項６】
前記窪みが形成される長さは、２００μｍ以内であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項７】
前記窪みの深さＤとした場合、０＜Ｄ＜１００μｍであることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項８】
前記切削工程は、前記本体部の前記外周面を面出しするステップ、基準面としての前記外周面よりも内側まで前記母材を切削して前記窪みを形成するステップ、前記鍔部の上面を面出しするステップ、を有しており、
前記各ステップは共通の切削刃物を用いて切削することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の非球面レンズ付きキャップの製造方法。
【請求項９】
半導体光素子と、
前記半導体光素子が実装された実装基板と、
前記実装基板に対して抵抗溶接によって固定され、前記半導体光素子を内部に収納する導電性のキャップと、
前記キャップによって直接又は間接的に保持された非球面レンズと、
を備える光源モジュールの製造方法であって、
前記キャップは、
本体部と、
前記本体部から離間する方向へ前記本体部に連結した基端から延出する鍔部と、
を備え、
前記鍔部は、抵抗溶接時に電極が載置される載置面を有し、
前記載置面と前記本体部の外周面の境界近傍には窪みが形成されており、
前記載置面は、前記本体部の前記外周面を下方に延長させた仮想線より外側においてＲ面を有しておらず、
切削刃物によってステンレス鋼からなる母材を加工して、前記本体部と前記鍔部を一体として製造する切削工程と、
前記非球面レンズを前記キャップ内部に設ける工程と、
前記鍔部の前記載置面と前記実装基板とを電極で挟み込み、抵抗溶接によりキャップを実装基板に固着する工程と、
を備える光源モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記窪みは、前記本体部に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の光源モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記窪みの深さをＤ、前記本体部の前記窪みが形成される部分の肉厚をＷ５とした場合、０％＜Ｄ／Ｗ５×１００％＜５０％であり、
前記窪みが形成される長さは、２００μｍ以内であり、
０＜Ｄ＜１００μｍであることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の光源モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非球面レンズ付きキャップの製造方法及び光源モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信に代表されるように幅広い分野で光技術は活用されている。光技術というカテゴリに含まれるキーデバイスとしては、半導体レーザ素子、及び半導体受光素子といった半導体光素子が代表的である。
【０００３】
特許文献１には、半導体レーザ素子で発生する熱を効率よく拡散させるための構造が開示されている。特許文献１では、半導体レーザ素子の寿命特性を向上させるため、半導体レーザ素子を実装基板上に実装した後、キャップで気密封止し、半導体レーザ素子を外界から保護する。
【０００４】
キャップを実装基板上に固定させる方法としては様々な方法がある。そのうちの１つとしては抵抗溶接と呼ばれる方法がある。抵抗溶接を採用した場合、互いに位置決めされた実装基板及びキャップを一対の電極で挟み、この状態で電極間を通電させて実装基板に対してキャップを接合させる。なお、キャップは筒状体であることから、キャップに鍔部を設け、この鍔部と実装基板間を一対の電極で挟持し、この状態でキャップの鍔部と実装基板間を通電させる方法が一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−４８９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、抵抗溶接によって実装基板にキャップを固着させる場合には、電極をキャップの鍔部上に意図したように配置させることが重要である（なお、この意義は、実施形態における説明からより明らかになる）。
【０００７】
高性能レンズを保持するためのキャップは、切削加工によって製造されることが多い。しかしながら、特に大量生産時には、使用に応じた加工刃物の磨耗等によって意図したようにキャップの外形を出すことは難しい場合がある。より具体的には、切削刃物の磨耗によってキャップの外形は各キャップ間でばらついてしまう。
【０００８】
このようにキャップの外形が意図しないものになった場合、抵抗溶接時にキャップを実装基板上に固定させようとしたとしても、電極をキャップの鍔部上に意図したように配置することができない場合がある（例えば、後述の図５に示す比較例のような場合がある）。
【０００９】
このように、キャップの製造誤差（キャップ外形のばらつき）に起因して、キャップの鍔部上に電極を意図したように配置することができない場合がある。
【００１０】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、キャップの製造誤差に起因して、キャップの鍔部上に電極を意図したように配置できなくなることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様にかかる非球面レンズ付きキャップの製造方法は、実装基板に対して抵抗溶接によって固定される導電性の非球面レンズ付きキャップの製造方法であって、前記キャップは、本体部と、前記本体部から離間する方向へ前記本体部に連結した基端から延出する鍔部と、を備え、前記鍔部は、抵抗溶接時に電極が載置される載置面を有し、前記載置面と前記本体部の外周面の境界近傍には窪みが形成されており、前記載置面は、前記本体部の前記外周面を下方に延長させた仮想線より外側においてＲ面を有しておらず、切削刃物によってステンレス鋼からなる母材を加工して、前記本体部と前記鍔部を一体として製造する切削工程と、前記非球面レンズを前記キャップ内部に設ける工程と、を備える。
【００１２】
また、本発明の第２の態様にかかる光源モジュールの製造方法は、半導体光素子と、前記半導体光素子が実装された実装基板と、前記実装基板に対して抵抗溶接によって固定され、前記半導体光素子を内部に収納する導電性のキャップと、前記キャップによって直接又は間接的に保持された非球面レンズと、を備える光源モジュールの製造方法であって、前記キャップは、本体部と、前記本体部から離間する方向へ前記本体部に連結した基端から延出する鍔部と、を備え、前記鍔部は、抵抗溶接時に電極が載置される載置面を有し、前記載置面と前記本体部の外周面の境界近傍には窪みが形成されており、前記載置面は、前記本体部の前記外周面を下方に延長させた仮想線より外側においてＲ面を有しておらず、切削刃物によってステンレス鋼からなる母材を加工して、前記本体部と前記鍔部を一体として製造する切削工程と、前記非球面レンズを前記キャップ内部に設ける工程と、前記鍔部の前記載置面と前記実装基板とを電極で挟み込み、抵抗溶接によりキャップを実装基板に固着する工程と、を備える。
【００１３】
載置面と外周面の境界近傍に窪みを形成することによって、製造誤差に起因してキャップの鍔部上に電極を意図したように配置できなくなることを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、キャップの製造誤差に起因して、キャップの鍔部上に電極を意図したように配置できなくなることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる光通信モジュールの概略的な断面構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる光源モジュールを斜視した概略的な模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかるキャップの概略的な断面構成を示す模式図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態にかかる光源モジュールの製造方法を示す概略的な工程図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態にかかる光源モジュールの製造方法を示す概略的な工程図である。
【図５】本発明の第１の実施形態にかかる比較例を説明するための説明図である。
【図６】本発明の第２の実施形態にかかる筒体の概略的な断面構成を示す模式図である。
【図７】本発明の第３の実施形態にかかる筒体の概略的な断面構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、各実施の形態は、説明の便宜上、簡略化されている。図面は簡略的なものであるから、図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。図面は、もっぱら技術的事項の説明のためのものであり、図面に示された要素の正確な大きさ等は反映していない。同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略するものとする。上下左右といった方向を示す言葉は、図面を正面視した場合を前提として用いるものとする。
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
図１乃至５を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、光通信モジュールの概略的な断面構成を示す模式図である。図２は、光源モジュールを斜視した概略的な模式図である。図３は、キャップの概略的な断面構成を示す模式図である。図４Ａ及びＢは、光源モジュールの製造方法を示す概略的な工程図である。図５は、比較例を説明するための説明図である。
【００１８】
図１に示すように、光通信モジュール１００は、コネクタ３０、アイソレータ３１、光ファイバ３２、及び光源モジュール（光モジュール）５０を有する。光源モジュール５０は、実装基板１、リードピン２、台座３、半導体レーザ素子（半導体光素子）４、半導体受光素子（半導体光素子）５、キャップ１０、レンズ（光学部品）２０、及び封止ガラス２５を有する。なお、レンズ２０を保持した状態のキャップ１０をレンズユニット（光学ユニット）と呼ぶこともある。
【００１９】
光通信モジュール１００は、半導体レーザ素子４から出力されたレーザ光を、光ファイバ３２のコア３２ａにレンズ２０を介して入力させる。光通信モジュール１００は、半導体レーザ素子４を変調して駆動し、外部から伝達される電気信号に応じた光信号を光ファイバ３２に入力させる。
【００２０】
なお、半導体レーザ素子４と光ファイバ３２間には軸線ＡＸ（レンズ２０の光軸ＡＸに等しい）に沿って延在する光路が形成されている。半導体レーザ素子４からの出射光は、軸線ＡＸに沿って前方に伝播し、レンズ２０によってレンズ作用を受け、アイソレータ３１を通過し、光ファイバ３２のコア３２ａに光結合される。なお、光ファイバ３２は、ｙ軸に沿って延在する線状体であり、コア３２ａがクラッド３２ｂによって囲まれた構造を有する。コア３２ａの屈折率は、クラッド３２ｂの屈折率よりも高い。これによって、光ファイバ３２に入力された光は、コア３２ａに閉じ込められた状態で、コア３２ａ内を伝播する。
【００２１】
光源モジュール５０は、コネクタ３０を介して光ファイバ３２に取り付けられる。光源モジュール５０は、光ファイバ３２のコア３２ａに光結合される光を出力する。
【００２２】
以下、図１乃至図３を参照してより具体的に説明する。
【００２３】
実装基板１は、金属（例えば、銅）からなる板状部材である。実装基板１の背面には、抵抗溶接時に電極が配置される。実装基板１を形成する導電材料は、キャップ１０を形成する導電材料とは異なる。換言すると、実装基板１を形成する導電材料の抵抗値は、キャップ１０を形成する導電材料の抵抗値とは異なる。なお、実装基板１上には、台座３、半導体レーザ素子４、及び半導体受光素子５が実装されている。
【００２４】
リードピン２は、金属からなる棒状部材である。リードピン２は、実装基板１に形成された貫通孔内に挿通され、絶縁材料（軟質ガラス等）によって実装基板１とは電気的に絶縁された状態で実装基板１によって保持される。
【００２５】
台座３は、半導体レーザ素子４が固定される。台座３は、実装基板１と同様に金属であっても良いし、他の材料であっても良い。台座３は、実装基板１と一体成形されていても良い。
【００２６】
半導体レーザ素子４は、半導体層が積層されて形成されたチップ状の半導体光素子である。半導体レーザ素子４は、駆動電流に応じて所定波長のレーザ光を出力する。なお、半導体レーザ素子４の種類は任意である。半導体レーザ素子４は、面発光型のレーザ素子であっても良いし、端面発光型のレーザ素子であっても良い。
【００２７】
半導体受光素子５は、入射光量に応じた量の電流を生成するチップ状の半導体光素子である。半導体受光素子５は、半導体レーザ素子４の活性層の反射端から漏れる漏れ光を受光する。半導体受光素子５からの出力に応じて半導体レーザ素子４の駆動状態を制御することができる。
【００２８】
なお、半導体レーザ素子４は、ボンディングワイヤーを介してリードピン２に接続される。同様に、半導体受光素子５も、ボンディングワイヤーを介してリードピン２に接続される。ここでは、半導体レーザ素子４のために２本のリードピン２を用意し、半導体受光素子５のために２本のリードピン２を用意している。半導体レーザ素子４及び半導体受光素子５は、実装基板１からは電気的に絶縁されている。
【００２９】
キャップ１０は、抵抗溶接によって実装基板１上に固定される。キャップ１０は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる母材が切削刃物によって加工されることで製造される。キャップ１０を切削加工で製造することによって、プレス加工の場合と比べて、キャップ１０の高い加工精度を保持することができる。この点は、非球面レンズをキャップ１０に保持させる場合には特に有利である。なお、鉄ニッケル合金のプレス加工によってキャップ１０を製造しても良い。
【００３０】
キャップ１０は、筒部１１、及び鍔部１２を有する。筒部１１は、軸線ＡＸに沿って延在し、軸線ＡＸに沿う光路を囲む。筒部１１の外周面は、実質的に平坦である。他方、筒部１１の内周面は、筒部１１の肉厚の変化に応じて非平坦である。
【００３１】
筒部１１は、頂端から基端に向かって肉厚が肉厚Ｗ１〜Ｗ５に変化する。肉厚Ｗ２と肉厚Ｗ３の相違によって、筒部１１の内周面には、レンズ２０が配置される配置面１３が形成される。
【００３２】
肉厚Ｗ４は、前方に近づくに従って肉厚が厚くなる。肉厚Ｗ４の筒部１１の内周面は、前方に近づくに従って内側へ傾斜する。換言すると、筒部１１には、前方に近づくに従って内側へ傾斜する傾斜面１４が形成されている。
【００３３】
なお、肉厚Ｗ１と肉厚Ｗ２の相違によって好適に封止ガラス２５の注入空間を確保できる。また、キャップ１０は、非常に薄肉である（肉厚Ｗ５＝２００μｍ程度である）。
【００３４】
鍔部１２は、筒部１１に連結した基端から外側へ延在する。鍔部１２は、実装基板１の上面に対向配置される背面、この背面とは反対にある前面を有する板状の部分である。また、鍔部１２の上面視形状は輪状である。なお、図１の状態のとき、鍔部１２は、実装基板１に接合された状態であり、その背面は外部から視認することは難しい。
【００３５】
本実施形態では、筒部１１と鍔部１２の境界近傍に溝（窪み）１５が形成されている。これによって、キャップ１０の製造誤差に起因して、抵抗溶接時にキャップ１０の鍔部１２上に電極を意図したように配置できなくなることを抑制することができる。この点は、後述の説明から明らかになる。
【００３６】
なお、溝１５の深さＤは、０＜Ｄ＜１００μｍが好ましい。溝１５の深さＤは、０＜Ｄ＜１０μｍであると好ましい。つまり、０％＜肉厚Ｗ５/溝１５の深さＤ＜５０％を満足すると良く、０％＜肉厚Ｗ５/溝１５の深さＤ＜１０％を満足すると更に良い。キャップ１０の肉厚は、最低１００μｍ程度保持すると良い。従って、Ｗ５＝２００μｍの場合、逃げ加工深さは１００μｍ程度とすると良い。加工長さについては、最大２００μｍ程度とすれば良い。
【００３７】
レンズ２０は、平板状の非球面レンズであり、平板部２１の両面にレンズ部２２が形成されている。各レンズ部２２のレンズ面は非球面である。レンズ２０は、キャップ１０の内側に完全に収納されている。レンズ２０の材料は、樹脂であってもガラスであっても良い。
【００３８】
配置面１３に配置されたレンズ２０は、レンズ２０の側面と筒部１１の内周面とによって形成された空間内に低融点ガラス（固着手段）２５を充填することでキャップ１０に対して固着される。レンズ２０をキャップ１０内に取り付けることによって、半導体レーザ素子４が配置される空間は閉じられる。上述のように、キャップ１０は、母材が切削加工されることで製造される。従って、比較的高精度にキャップ１０に対してレンズ２０を位置決めできる。
【００３９】
図２は、光源モジュール５０を斜視した模式図である。光源モジュール５０は、キャップ１０の上面視形状は円状である。筒部１１の上面視形状は円状である。鍔部１２の上面視形状は輪状である。溝１５は、円を描くように延在する。なお、実装基板１の上面視形状も円状である。
【００４０】
図３に、抵抗溶接によって実装基板１に対して固着される前のキャップ１０を示す。
【００４１】
図３に示すように、抵抗溶接前、鍔部１２の背面１２ｂには突起１６が形成されている。突起１６は、キャップ１０の全周に亘る範囲で形成されている。突起１６の背面視形状は輪状である。突起１６を形成する斜面は、鍔部１２の側面に連結している。このように突起１６を設けることによって、抵抗溶接時、十分な接合強度及び気密性を確保しながら、キャップ１０を実装基板１上に固着させることができる。なお、気密封止することで、半導体レーザ素子４の特性劣化を抑制することができる。
【００４２】
突起１６は、抵抗溶接時に流される大電流によって溶ける。従って、抵抗溶接後、図１に示すように突起１６は、鍔部１２の背面１２ｂには残存していない。突起１６の高さ、幅を所望の値に設定することによって抵抗溶接時に好適に気密封止することができる。
【００４３】
図３に示すように、溝１５は、筒部１１（筒部１１の外周面１１ａ）と鍔部１２（鍔部１２の上面１２ａ）の境界に位置する。換言すると、溝１５は、筒部１１の外周面１１ａと鍔部１２の上面１２ａの間に形成される。更に換言すると、上面１２ａは、溝１５を介して、外周面１１ａに接続される。
【００４４】
溝１５は、筒部１１の外周面１１ａが部分的に切削されることで形成され、筒部１１の周方向に沿って輪状に延在する。
【００４５】
外周面１１ａの切削によって形成された露出面１５ａの断面視形状はＣ字状である。この露出面１５ａには、外側に向かって下方に傾斜し、外端が上面１２ａに連結するＲ面（アール面）が形成されている。ここでは、Ｒ面は、外周面１１ａを下方に延長させた仮想線よりも外側には形成されていない。なお、鍔部１２の上面１２ａには電極が載置されるため、これを載置面と呼ぶこともある。
【００４６】
図４Ａ及びＢを参照しながら、光源モジュール５０の製造方法について説明する。
【００４７】
まず、図４Ａ（ａ）に示すように、切削刃物によってステンレス鋼からなる母材を加工してキャップ１０を製造する。ここでは、共通の切削刃物を用いて、筒部１１の外周面１１ａを面出しし、基準面としての外周面１１ａよりも内側まで母材を切削して溝１５を形成し、その後、鍔部１２の上面１２ａを面出しする。このように外周面１１ａ、溝１５、上面１２ａは、連続的に共通の切削刃物によって形成される。この製造方法によれば、キャップ１０の量産性を高めることができる。
【００４８】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すように、レンズ２０をキャップ１０に取り付ける。そして、封止ガラス２５を充填し、レンズ２０をキャップ１０に対して固着させる。なお、レンズ２０をキャップ１０に対して嵌合させることで、レンズ２０をキャップ１０に対して固着させても良い。
【００４９】
次に、図４Ｂ（ｃ）に示すように、予め半導体レーザ素子４等が実装された実装基板１上にキャップ１０を載置する。この状態で調芯をし、実装基板１に対してキャップ１０を位置決めする。なお、通常のアセンブリ技術（いわゆる後工程）によって予め実装基板１に対して半導体レーザ素子４等は実装されているものとする。
【００５０】
次に、図４Ｂ（ｄ）に示すように、上部電極４０と下部電極４１で、積層された実装基板１とキャップ１０を、キャップ１０の鍔部１２部分で挟み込む。そして、上部電極４０を下方に押し付けながら、上部電極４０と下部電極４１間に電流を流す。このようにして、キャップ１０は、実装基板１に対して固着される。
【００５１】
上述のように、本実施形態では、筒部１１と鍔部１２の境界近傍に溝１５を形成している（図３参照）。これによって、キャップ１０の製造誤差に起因して、抵抗溶接時にキャップ１０の鍔部１２上に電極４０を意図したように配置できなくなることを抑制することができる。
【００５２】
上述の効果をより具体的に理解するため、図５及び図６の比較例を参照して更に説明する。図５に示す比較例では、筒部１１と鍔部１２の境界近傍に溝１５が形成されていない。この場合、図５に模式的に示すように、上部電極４０が、鍔部１２の上面１２ａ上に意図したように配置することができない場合がある。
【００５３】
キャップ１０は切削加工によって製造されているため、切削刃物（切削工具）の磨耗等によってキャップ１０の製造には誤差が含まれ得る。ここでは、筒部１１の外周面１１ａと鍔部１２の上面１２ａを共通の切削刃物で面出しする過程で、両者の間にＲ面（アール面）１７が形成されている。本発明者らの検討により、Ｒ面１７の形成によって様々な問題点が生じていることが明らかになっている。
【００５４】
第１の問題点としては、Ｒ面１７によって上部電極４０が鍔部１２の上面１２ａに載置できない状態のまま抵抗溶接すると、極めて小さい面積の接点を介して上部電極４０からキャップ１０に大電流を流す必要が生じる。
【００５５】
このようにキャップ１０に対する上部電極４０の接触面積を十分に確保できない場合、キャップ１０に対する上部電極４０の接触面積を十分に確保できた場合と比較して、上部電極４０の表面の酸化速度が速まってしまう。上部電極４０の表面の酸化が進行すると、上部電極４０の表面を研磨等して上部電極４０の通電性を高める必要が高い頻度で発生してしまう。
【００５６】
第２の問題点としては、Ｒ面１７によって上部電極４０が鍔部１２の上面１２ａに載置できない状態のまま抵抗溶接すると、上部電極４０からＲ面１７に押し付けられる力が筒部１１にも伝達し、レンズ２０の保持状態が変化してしまうおそれがある。個々の光源モジュール５０間でレンズ２０の保持状態が変化してしまうと、個々の光源モジュール５０間で特性にばらつきが生じ、均一な特性を維持することができない。具体的には、個々の光源モジュール５０間で、焦点距離、光ファイバに対する光結合率にばらつきが生じてしまう。
【００５７】
第３の問題点としては、Ｒ面１７によって上部電極４０が鍔部１２の上面１２ａに載置できない状態のまま抵抗溶接すると、実装基板１に対するキャップ１０の気密封止による気密性が劣化してしまうおそれがある。これは、鍔部１２の先端まで十分な電流が流れないことが原因として考えられる。
【００５８】
本実施形態では、上述のように、筒部１１と鍔部１２の境界近傍に溝１５を形成している。これによって、キャップ１０の製造誤差に起因して、抵抗溶接時にキャップ１０の鍔部１２上に電極を意図したように配置できなくなることを抑制することができる。そして、上述の各問題点が生じることを効果的に抑制できる。
【００５９】
具体的には、上部電極４０のメンテナンスに要する労力が増大することを抑制することができる。なお、電極を表面研磨することが必要になるまでの抵抗溶接回数が従来よりも３倍程度になったことが確認できている。また、個々の光源モジュール５０間で特性にばらつきが生じ、光源モジュール５０の特性が不均一になることを抑制することができる。また、キャップ１０による半導体レーザ素子４の気密性が劣化することを抑制することができる。
【００６０】
〔第２の実施の形態〕
図６を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。図６は、筒体の概略的な断面構成を示す模式図である。
【００６１】
本実施形態では、溝１５の深さが第１の実施形態とは異なる。このような場合であっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、外周面１１ａを下方に延長させた仮想線よりも外側にＲ面が形成されている。この場合であっても、溝１５によってＲ面のはみ出し量は低減されているため、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
〔第３の実施の形態〕
図７を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。図７は、筒体の溝１５の部分拡大図である。図７（ａ）に示すような場合に加えて、図７（ｂ）に示すように溝１５を形成しても良い。このような場合であっても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図７（ｂ）の場合は、溝１５は、紙面を正面視して下方に延在している。
【００６３】
本発明の技術的範囲は上述の実施形態に限定されるべきものではない。キャップは、切削加工以外の方法によって製造されていても良い。レンズは、非球面レンズに限らない。レンズをキャップと一体的に成形させても良い。抵抗溶接時に用いる電極の下角に対して、面加工（Ｃ面加工等）を施しても良い。キャップ内に収納される半導体光素子は、半導体レーザ素子に限らない。実装基板は、全体が導電性を有する必要はない。絶縁基板の表面に導電層を形成させて実装基板を形成しても良い。
【符号の説明】
【００６４】
１００    光通信モジュール
５０    光源モジュール
１    実装基板
２    リードピン
３    台座
３    第
４    半導体レーザ素子
５    半導体受光素子
１０    キャップ
１１    筒部
１１ａ    外周面
１２    鍔部
１２ａ    上面
１３    配置面
１４    傾斜面
１５    溝
１５ａ    露出面
１６    突起
２０    レンズ
２１    平板部
２２    レンズ部
２５    封止ガラス
３０    コネクタ
３１    アイソレータ
３２    光ファイバ
４０    上部電極
４１    下部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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