(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク用ガラス基板の主表面上の１μｍ四方の測定領域をＡＦＭを用いて測定して得られる、直交する２方向（ｘ，ｙ）それぞれに対して９．７６ｎｍ間隔の高さ（Ｚ）を基に、傾斜の二乗の平均値（式（１）で算出される二乗平均平方根傾斜Ｓｄｑを二乗した値；但し、Ａは測定領域の面積）と傾斜の二乗の値（式（２）で算出される傾斜ｄｑを二乗した値）を算出した場合に、
前記傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であって、かつ、前記傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下であることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板。
【数１】
0005612235.tif 000005
【数２】
0005612235.tif 000006
【請求項２】
前記傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１０％以下であることを特徴とする、
請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
アモルファスガラスからなることを特徴とする、
請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項４】
ガラス転移温度が６５０℃以上のガラスからなることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
前記主表面の算術平均粗さRaが０．１５ｎｍ以下であることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項６】
請求項１〜５に記載された磁気ディスク用ガラス基板の表面に少なくとも磁気記録層が成膜されたことを特徴とする、
磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置(ＨＤＤ：Hard Disk Drive)が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁気記録層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッドで磁気記録層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板として、金属基板（アルミニウム基板）等に比べて塑性変形し難い性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられる。【０００３】
また、ハードディスク装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。例えば、磁気記録層における磁化方向を基板の面に対して垂直方向にする垂直磁気記録方式を用いて、磁気記録情報エリア（記録ビット）の微細化が行われている。垂直磁気記録方式の磁気ディスクは、金属基板やガラス基板上に順に、例えば、付着層、軟磁性層（ＳＵＬ：Soft Under Layer）、下地層、磁気記録層、保護層、潤滑層などが成膜されている。垂直磁気記録方式を採ることによって、１枚のディスク基板における記憶容量を増大させることができる。さらに、記憶容量の一層の増大化のために、磁気ヘッドの記録再生素子部をさらに突き出すことによって磁気記録層との距離を極めて短くして、情報の記録再生の精度をより高める（Ｓ／Ｎ比を向上させる）ことも行われている。なお、このような磁気ヘッドの記録再生素子部の制御はＤＦＨ（Dynamic Flying Height)制御機構と呼ばれ、この制御機構を搭載した磁気ヘッドはＤＦＨヘッドと呼ばれている。このようなＤＦＨヘッドと組み合わされてＨＤＤに用いられる磁気ディスク用ガラス基板は、磁気ヘッドやそこからさらに突き出された記録再生素子部との衝突や接触を避けるために、基板の表面凹凸は極めて小さくなるように作製されている。【０００４】
一方、磁気ディスク用ガラス基板の表面形状が、基板上に成膜した磁気記録層における磁性粒の特定の結晶面、例えばＣｏ（００２）面やＲｕ（００２）面の結晶配向分散（Δθ50；結晶の垂直方向からのずれ）に影響を及ぼすことが知られている。Δθ50は、Ｘ線回折装置でθ／２θの測定を行ない、磁気記録層の結晶面のピークトップから２θ値を測定し、２θを固定してθスキャンを行なった場合のピークの半値幅として算出される。この結晶配向分散Δθ50は、磁化容易軸の分散を示す指標であり、この値は小さいほど好ましい。Δθ50を改善する（ゼロに近付ける）ことによって、磁気特性を良好にし、信号対雑音比（ＳＮＲ）を向上させることが可能となるため、記録密度を一層高めることが可能となる。【０００５】
結晶配向分散（Δθ50）に関し、引用文献１には、磁気記録層の結晶配向分散（Δθ50）の向上およびＳＮＲ向上を目的として、表面粗さＲａを基準にするのではなく、二乗平均平方根傾斜角の値を所定値以下（例えば５度以下、より好ましくは３度以下）とした磁気ディスク用ガラス基板が記載されている。
また、引用文献２には、表面粗さＲａについてＲａ≦０．１５ｎｍを満たし、かつ平均傾斜角を２度以下とした磁気ディスク用ガラス基板が記載されている。この基板を採用することで、Δθ50を低減して媒体ノイズ（１３０Ｇｂｐｓｉ相当のＴＭＲヘッドを用いて８２５ｋｂｐｉの線記録密度で評価）を低減できるとしている。なお、線記録密度が８２５ｋｂｐｉである場合、記録ビット長（以下、線記録密度に基づく計算値を示す。）は３０ｎｍ程度である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１４０５８４号
【特許文献２】特開２００８−２９３５５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、本願発明者が、上述した各引用文献に記載されている通り、磁気ディスク用ガラス基板（以下、単に「基板」ともいう。）の主表面の表面粗さや、主表面の二乗平均平方根傾斜角（又は、平均傾斜角）の値を所定値以下とした基板を用いて磁気ディスクを作製したところ、主表面の表面粗さや、二乗平均平方根傾斜角の値を十分に小さくし、Δθ50を十分に小さくしたにも関わらず、高記録密度化された磁気ディスクに対して再生信号のＳＮＲが必ずしも向上しない場合があることがわかった。つまり、基板の主表面の表面粗さや二乗平均平方根傾斜角の値がある程度まで低下するにつれて、その基板を基にして作製した磁気ディスクの再生信号のＳＮＲは良好になっていくが、その程度よりもさらに主表面の表面粗さや二乗平均平方根傾斜角を低下させても磁気ディスクの再生信号のＳＮＲは向上しない場合があることがわかった。【０００８】
近年では、例えば６００ＧＢ／Ｐ以上の高記録密度を達成するために、磁気ヘッドの記録再生素子部の突き出し量が増加し、磁気ディスクとの間の間隙が極めて小さくなった結果、従来以上の高記録密度による書き込みが可能となっている。今後、さらなる磁気ディスクの高記録密度化が進むと考えられており、高記録密度化された磁気ディスクからの再生信号のＳＮＲの向上がさらに重要な要素になると考えられる。【０００９】
そこで、本発明は、従来よりも高記録密度化された磁気ディスクの再生信号のＳＮＲを向上させることができる磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者らは、主表面の表面粗さや主表面の二乗平均平方根傾斜角（又は、平均傾斜角）の値を十分に小さくしたにも関わらず、高記録密度化された磁気ディスクのＳＮＲの向上が見られなかった原因について明らかにすべく、様々な基板の主表面の表面性状を詳細に調査した。その結果、主表面の表面粗さや主表面の二乗平均平方根傾斜角（又は、平均傾斜角）の値が同程度であっても磁気ディスクの再生信号のＳＮＲが異なる場合があることが判明した。
そこで、様々な基板の表面形状について、主表面の傾斜角の平均値（二乗平均平方根傾斜角や平均傾斜角）ではなく、個々の傾斜の値に着目したところ、高記録密度化された磁気ディスクのＳＮＲが相対的に低い傾向を示す基板の主表面については、所定値以上の微小間隔の傾斜の頻度が高いことがわかった。なお、傾斜とは、例えば、基板の主表面上の表面性状において、主表面上の所定の微小間隔の２点を採り上げた場合に、その２点における高さの変化量を微小間隔の長さで除した値である。【００１１】
本願発明者らは、主表面の傾斜のバラツキによって大きな傾斜が部分的に存在する場合に磁気ディスクのＳＮＲが向上しない理由について、以下のように考察している。
すなわち、基板の主表面に大きな傾斜が存在すると、その大きな傾斜が存在する基板上の位置の直上に成膜される磁気記録層の結晶配向方向が垂直方向から大きく傾き、あるいは結晶が適切にエピタキシャル成長せずに欠陥となると考えられるが、このような問題は、従来の記録ビット長（例えば、上述した３０ｎｍ程度）の場合には再生ノイズとして顕在化しなかったと考えられる。この点について、図１を参照して説明する。図１は、記録ビット長が長い場合（Ｃ１）と、記録ビット長が短い場合（Ｃ２）とで、基板上に傾斜が大きい部位が存在する場合の影響を説明するための図である。図１のＣ１に示すように記録ビット長が長い場合には、基板上で大きな傾斜となっている位置の直上に、垂直方向から大きく傾き、あるいは欠陥となった磁性粒が存在する場合であっても、１つの記録ビット長に含まれる他の多くの磁性粒が正しい磁界を形成しているため、全体として正しい信号が読み出され、信号品質に影響を与えないと推定される。
一方、高記録密度化によって、図１のＣ２に示すように記録ビット長が短くなると、基板上で大きな傾斜となっている位置の直上に、垂直方向から大きく傾き、あるいは欠陥となった磁性粒が存在する場合、その磁性粒による影響が相対的に高くなり、その磁性粒を含む領域からの再生信号が正しくなくなる（つまり、ノイズとなる）可能性が高くなる。つまり、記録ビット長が短い場合には、基板の主表面に大きな傾斜が部分的に存在することに起因して磁気ディスクのＳＮＲが向上しないと推定される。磁気ディスクのＳＮＲが向上しないという問題は、例えば２０００ｋｂｐｉ以上の線記録密度（例えば、凡そ１２．７０ｎｍ以下の記録ビット長）で記録されるようになったことで初めて顕在化したものであると考えられる。特に高記録密度化された磁気ディスクについては記録ビット長が極めて短くなるため、上記問題が顕著となる。【００１２】
なお、本願発明者らは、高記録密度化された磁気ディスクの再生信号のＳＮＲに差が生じた磁気ディスクのΔθ50について比較したが、顕著な差は見られなかった。ＳＮＲに影響を及ぼす大きな傾斜の基板上の部位が全体から見れば僅かであるため、Δθ50を算出する際にＸ線回折装置では検出されなかったものと考えられる。つまり、Δθ50はＸ線回折装置で観察されるピークの半値幅であるが、これは磁化容易軸のばらつきを示す一指標に過ぎず、例えば同じ半値幅であってもＸ線強度が低い領域でのθの拡がりの広狭に応じて磁化容易軸のばらつきが異なると考えられる。【００１３】
本願発明者らは、基板の主表面に大きな傾斜が部分的に存在する場合に、従来再生ノイズとして顕在化しなかった理由としてさらに、付着層及びＳＵＬの合計膜厚（つまり、アモルファス層の膜厚）が大きかったためであると考えている。この点について、図２を参照して説明する。図２は、基板と磁気記録層の間の膜厚が厚い場合（Ｃ１）と、膜厚が薄い場合（Ｃ２）とで、基板上に傾斜が大きい部位が存在する場合の影響を説明するための図である。
従来は、スパッタリング等により成膜される付着層（例えば、ＣｒＴｉ）やＳＵＬ（例えば、ＦｅＣｏＴａＺｒ）等のアモルファス金属層の合計膜厚が比較的大きい（例えば、５０ｎｍ程度以上）ため、基板上に部分的に大きな傾斜となっている不整な部位が存在する場合であっても、成膜後にはその不整な部位がアモルファス金属の膜が基板上の不整な部位を整える（つまり、傾斜を低下させる）効果があり、それによって、磁気記録層における磁性粒の結晶の配向が良好なものになっていたと考えられる（図２のＣ１）。
しかしながら、近年、ＳＵＬ自体の磁性に起因するノイズを低減する目的で、例えば３０ｎｍ以下の程度にＳＵＬを薄膜化すること等が行われており、基板上の不整な部位の傾斜を低下させる効果が薄れてきている（図２のＣ２）。そのため、磁気ディスクのＳＮＲが向上しないという上述した問題がより一層顕在化している。【００１４】
本発明者らは上記考察に基づき、鋭意研究した結果、磁気ディスク用ガラス基板の主表面の表面性状において、所定の値以上の傾斜の頻度を制限することで上記課題を解決できることを見出し、発明を完成させるに至った。
より具体的には、本発明の第１の観点は、１０ｎｍ間隔で主表面の傾斜のサンプルを取得した場合に、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であって、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下であることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板である。【００１５】
上記磁気ディスク用ガラス基板は、上記傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１０％以下であることが好ましい。【００１６】
上記磁気ディスク用ガラス基板は、アモルファスガラスであることが好ましい。【００１７】
上記磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス転移温度が６５０℃以上のガラスからなることが好ましい。【００１８】
上記磁気ディスク用ガラス基板は、前記主表面の算術平均粗さRaが０．１５ｎｍ以下であることが好ましい。【００１９】
本発明の第２の観点は、上記磁気ディスク用ガラス基板の表面に少なくとも磁気記録層が成膜されたことを特徴とする、磁気ディスクである。【００２０】
本発明の第３の観点は、一対の平坦な主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板において、前記主表面の上方に磁気記録層を成膜して磁気ディスクとした後、当該磁気記録層に対して２０００ｋｂｐｉ以上の線記録密度で信号の書き込みを行ったときの再生信号の信号対雑音比が良好なレベルとなるように、１０ｎｍ間隔で前記主表面の傾斜のサンプルを取得した場合の傾斜の二乗の平均値の最大値が決定され、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度の最大値が決定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクによれば、高記録密度化された磁気ディスクの再生信号のＳＮＲを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】記録ビット長が長い場合と記録ビット長が短い場合とで、磁気ディスク用ガラス基板上に傾斜が大きい部位が存在する場合の影響を説明するための図。
【図２】基板と磁気記録層の間の膜厚が厚い場合と膜厚が薄い場合とで、基板上に傾斜が大きい部位が存在する場合の影響を説明するための図。
【図３】磁気ディスク用ガラス基板の主表面の傾斜の測定方法を説明するための図。
【図４】第１研磨処理で使用される研磨装置（両面研磨装置）の分解斜視図。
【図５】第１研磨処理で使用される研磨装置（両面研磨装置）の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
［磁気ディスク用ガラス基板］
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。アモルファスのアルミノシリケートガラスとするとさらに好ましい。
【００２５】
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成を限定するものではないが、本実施形態のガラス基板は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ２を５０〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５〜３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、ならびにＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５及びＨｆＯ２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
【００２６】
また、本実施形態のガラス基板は好ましくは、質量％表示にて、ＳｉＯ２を５７〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を５〜２０％、（ただし、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計量が７４％以上）、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＴｉＯ２を合計で０％を超え、６％以下、Ｌｉ２Ｏを１％を超え、９％以下、Ｎａ２Ｏを５〜１８％（ただし、質量比Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが０．５以下）、Ｋ２Ｏを０〜６％、ＭｇＯを０〜４％、ＣａＯを０％を超え、５％以下（ただし、ＭｇＯとＣａＯの合計量は５％以下であり、かつＣａＯの含有量はＭｇＯの含有量よりも多い）、ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜３％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであってもよい。
【００２７】
また、本実施形態のガラス基板は、酸化物基準の質量％で、
ＳｉＯ２：４５．６０〜６０％、
Ａｌ２Ｏ３：７〜２０％、
Ｂ２Ｏ３：１．００以上８％未満、
Ｐ２Ｏ５：０．５０〜７％、
ＴｉＯ２：１〜１５％、
ＲＯの合計量：５〜３５％（ただしＲはＺｎ及びＭｇ）、であってもよい。
この場合、ＣａＯの含有量が３．００％以下、ＢａＯの含有量が４％以下であり、ＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３およびＳｂ２Ｏ３およびＣｌ−、ＮＯ−、ＳＯ３−、Ｆ−成分を含有しないガラス組成（第２のガラス組成）を用いることも好ましい。このようなガラスに結晶化処理を施すことによって、主結晶相としてＲＡｌ２Ｏ４、Ｒ２ＴｉＯ４、（ただしＲはＺｎ、Ｍｇから選択される１種類以上）から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、結晶化度が１５％以下であり、比重が２．９５以下である結晶化ガラスとすることができる。
すなわち、ＳｉＯ２：４５．６０〜６０％、およびＡｌ２Ｏ３：７〜２０％、およびＢ２Ｏ３：１．００〜８％未満、およびＰ２Ｏ５：０．５０〜７％、およびＴｉＯ２：１〜１５％、およびＲＯの合計量：５〜３５％（ただしＲはＺｎ及びＭｇ）の各成分を含有し、ＣａＯの含有量が３．００％以下、ＢａＯの含有量が４％以下であり、ＰｂＯ成分、Ａｓ２Ｏ３成分およびＳｂ２Ｏ３成分およびＣｌ−、ＮＯ−、ＳＯ２−、Ｆ−成分を含有せず、主結晶相としてＲＡｌ２Ｏ４、Ｒ２ＴｉＯ４、（ただしＲはＺｎ、Ｍｇから選択される１種類以上）から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、結晶化度が１５％以下であり、比重が２．９５以下であることを特徴とする結晶化ガラスであってもよい。
【００２８】
また、本実施形態で用いられるガラスの組成は、例えば、
ＳｉＯ２：３５〜６５モル％、
Ａｌ２Ｏ３：５〜２５モル％、
ＭｇＯ：１０〜４０モル％、
ＴｉＯ２：５〜１５モル％、である。
このとき、上記組成の合計が少なくとも９２モル％以上であるガラス組成（第１のガラス組成）が好ましい。このようなガラスに結晶化処理を施すことによって、主結晶がエンスタタイト及び／又はその固溶体となる結晶化ガラスとすることができる。
【００２９】
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板は、円環状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、例えば、公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板として好適である。
【００３０】
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の主表面は、凡そ１０ｎｍ間隔で傾斜のサンプルを取得した場合に、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であって、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度は１５％以下である。より好ましくは、傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度は１０％以下である。主表面をこのような形状にすることで、主表面上において大きな傾斜が形成されている部位が極めて少なくなるため、磁気ディスク用ガラス基板上に形成される磁気記録層の結晶配向が主表面に対する垂直方向から大きく傾いたり、適切に結晶が成長しないということがほとんどない。
なお、ガラス基板の主表面の傾斜のばらつきを小さくしたことのみでは、本発明の課題を達成することができない。主表面の傾斜のばらつき（傾斜の分散等）を小さくすることで、主表面における大きな傾斜の頻度も小さくなる傾向はあるが、傾斜自体の分布は正規分布に従うとは限らないため、同程度の傾斜のばらつきの場合でも、大きな傾斜が含まれる頻度が大きく異なる場合が発生しうる。大きな傾斜が含まれる頻度が大きくなると、大きな傾斜が存在する部位の磁気信号がノイズとなる可能性がある。そこで、傾斜の二乗の平均値が所定値以下であることに加え、傾斜の二乗の値が一定量以上である頻度を低減させることで、主表面上で大きな傾斜が少ないガラス基板を得ることができる。
特に、高記録密度化された磁気ディスクについては記録ビット長が非常に短くなるが、その場合であっても、磁気ディスクの再生信号のＳＮＲが良好となる。
【００３１】
磁気ディスク用ガラス基板（以下、単に「基板」という。）の主表面の傾斜の測定方法について説明する。主表面の傾斜を測定するに当たっては、ＡＦＭ（原子力顕微鏡）を用いて行う。ＡＦＭによって観察されるデータは、基板の測定面(x-y平面)内で等間隔に並んだ高さZ(x,y)のデータである。
例えば、図３に示すように、基板の主表面上で１μｍ×１μｍの測定領域を、x方向及びy方向にそれぞれ５１２個に分割した位置の高さZ(x,y)の値を測定し、凡そ１０ｎｍ(より正確には9.76nm)間隔のZ(x,y)の値を基に、下記式１に基づいて二乗平均平方根傾斜Sdqを算出する。
本発明の「傾斜の二乗の平均値」は、二乗平均平方根傾斜Sdqの二乗をとった値である。
【００３２】
【数１】
0005612235.tif 000002
【００３３】
一方、隣接するサンプリング位置の微小間隔（凡そ１０ｎｍ）についての主表面の傾斜dqは、下記式２で表される。
本発明の「傾斜の二乗の値」は、傾斜dqの二乗をとった値である。
【００３４】
【数２】
0005612235.tif 000003
【００３５】
なお、隣接するサンプリング位置の距離は、高記録密度化された磁気ディスクの記録ビット長に近いことが好ましい。記録ビット長に近い分解能で傾斜を測定することで、測定値と、磁気記録層の１記録ビットに含まれる磁性粒の結晶配向との間で相関がとりやすくなり、ひいては再生信号のＳＮＲとの相関もとりやすくなる。例えば、サンプリング位置の間隔は、想定する記録ビット長（例えば２０００ｋｂｐｉ以上の記録密度では、凡そ１２．７０ｎｍ以下）の半分〜２倍程度とすることが好ましい。
本発明において、例えば「傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下である」とは、主表面上で取得された傾斜の二乗の値のサンプルに対して、傾斜の二乗の値が０．００４以上であるサンプルの数の比率（あるいは割合）が１５％以下であることを意味する。
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板は、凡そ１０ｎｍの間隔でサンプリングを行った場合に、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であって、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下であるため、このガラス基板を基に磁気ディスクを作製したときには、磁気ディスクのＳＮＲが向上する。
【００３６】
なお、上述したように、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板をアモルファスガラスとすることは、主表面を高精度に平滑化することが可能となり、大きな角度の傾斜の頻度を低下させやすくする点からも好ましい。また、上述したアモルファスガラスを化学強化することで表層に圧縮応力層を形成し、磁気ディスク用ガラス基板の耐衝撃性を高めることができる。
【００３７】
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板は、結晶化ガラス（クリスタルガラス）であってもよい。結晶化ガラスとすることによって、ガラス基板の硬度を高めて耐衝撃性を高めることができる。
【００３８】
［磁気ディスク用ガラス基板の製造方法］
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、処理毎に説明する。ただし、各処理の順番は適宜入れ替えてもよい。
【００３９】
（１）ガラス素板の成形および粗研削処理
例えばフロート法によって板状ガラスを形成した後、この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状のガラス素板が切り出される。フロート法の代わりに、例えば上型と下型を用いたプレス成形によってガラス素板を成形してもよい。なお、ガラス素板は、これらの方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することもできる。
なお、ガラス素板の両主表面に対して、必要に応じて、遊離砥粒を用いた粗研削加工を行ってもよい。
【００４０】
（２）内孔形成処理
例えば円筒状のドリルを用いて、ガラス素板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス素板とする。
【００４１】
（３）形状加工処理
内孔形成処理の後、端部（外周端部及び内周端部）に面取り部を形成する形状加工処理が行われる。形状加工処理では、円環状のガラス素板の外周端部及び内周端部に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いた砥石等によって面取りが施され、面取り部が形成される。また、このとき同時に外径及び内径を調整してもよい。
【００４２】
（４）端面研磨処理
次に、円環状のガラス素板の端面研磨が行われる。
端面研磨では、ガラス素板の内周側の側壁面（端面）及び外周側の側壁面（端面）をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウムや酸化ジルコニウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス素板の側壁面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。
【００４３】
（５）精研削処理
精研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて円環状のガラス素板の主表面に対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ〜１００μｍ程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間に円環状のガラス素板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス素板と各定盤とを相対的に移動させることで、ガラス素板の両主表面を研削することができる。定盤としては、その表面にダイヤモンド等の砥粒が樹脂で固定された固定砥粒が貼り付けられているものを使用することができる。
【００４４】
（６）第１研磨（主表面研磨）処理
次に、研削されたガラス素板の主表面に第１研磨が施される。第１研磨による取り代は、例えば１μｍ〜５０μｍ程度である。第１研磨は、固定砥粒による研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、うねり、微小うねりの調整を目的とする。第１研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させた酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒など（粒子サイズ：直径１〜２μｍ程度）が用いられる。
【００４５】
（６−１）研磨装置
第１研磨処理で使用される研磨装置について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、第１研磨処理で使用される研磨装置（両面研磨装置）の分解斜視図である。図５は、第１研磨処理で使用される研磨装置（両面研磨装置）の断面図である。なお、この研磨装置と同様の構成は、上述した研削処理に使用される研削装置においても適用できる。
【００４６】
図４に示すように、研磨装置は、上下一対の定盤、すなわち上定盤４０および下定盤５０を有している。上定盤４０および下定盤５０の間に円環状のガラス素板Ｇが狭持され、上定盤４０または下定盤５０のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス素板Ｇと各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス素板Ｇの両主表面を研磨することができる。
【００４７】
図４及び図５を参照して研磨装置の構成をさらに具体的に説明する。
研磨装置において、下定盤５０の上面および上定盤４０の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド１０が取り付けられている。キャリア３０は、外周部に設けられて太陽歯車６１及び内歯車６２に噛合する歯部３１と、ガラス素板Ｇを収容し保持するための１または複数の孔部３１とを有する。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、中心軸ＣＴＲを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するともに、ガラス素板Ｇ（ワーク）を１または複数を収容し保持する。下定盤５０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス素板Ｇと下定盤５０とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車６１がＣＣＷ（反時計回り）の方向に回転すれば、キャリア３０はＣＷ（時計回り）の方向に回転し、内歯車６２はＣＣＷの方向に回転する。その結果、研磨パッド１０とガラス素板Ｇの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス素板Ｇと上定盤４０とを相対的に移動させてよい。
【００４８】
上記相対運動の動作中には、上定盤４０がガラス素板Ｇに対して（つまり、鉛直方向に）所定の荷重で押圧され、ガラス素板Ｇに対して研磨パッド１０が押圧される。また、図示しないポンプによって研磨液（スラリー）が、研磨液供給タンク７１から１または複数の配管７２を経由してガラス素板Ｇと研磨パッド１０の間に供給される。この研磨液に含まれる研磨材によってガラス素板Ｇの主表面が研磨される。
なお、研磨パッドには、任意の材料を用いることができるが、ポリウレタンの樹脂ポリシャからなる研磨パッドを用いることが好ましい。
【００４９】
なお、この研磨装置では、ガラス素板Ｇに対する所望の研磨負荷を設定する目的で、ガラス素板Ｇに与えられる上定盤４０の荷重が調整されることが好ましい。荷重は、高研磨速度達成の観点から５０ｇ／ｃｍ２以上が好ましく、７０ｇ／ｃｍ２以上がより好ましく、９０ｇ／ｃｍ２以上がさらに好ましい。またスクラッチ低減及び品質安定化の観点から、研磨荷重は１８０ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、１６０ｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、１４０ｇ／ｃｍ２以下がさらに好ましい。すなわち、荷重は、５０ｇ／ｃｍ２〜１８０ｇ／ｃｍ２が好ましく、７０ｇ／ｃｍ２〜１６０ｇ／ｃｍ２がより好ましく、９０ｇ／ｃｍ２〜１４０ｇ／ｃｍ２がさらに好ましい。
【００５０】
研磨加工時の研磨液の供給速度は、研磨パッド１０、研磨液の組成及び濃度、ガラス素板Ｇの大きさによって異なるが、研磨速度を向上させる観点から５００〜５０００ｍｌ／分が好ましく、より好ましくは１０００〜４５００ｍｌ／分であり、さらに好ましくは１５００〜４０００ｍｌ／分である。研磨パッド１０の回転数は１０〜５０ｒｐｍが好ましく、２０〜４０ｒｐｍがより好ましく、２５〜３５ｒｐｍがさらに好ましい。
【００５１】
第１研磨処理では、ガラス素板の主表面の表面凹凸について、粗さ(Ra)を０．５ｎｍ以下とし、かつマイクロウェービネス(MW-Rq)を０．５ｎｍ以下とするように研磨が行われる。ここで、マイクロウェービネスは、主表面の領域における波長帯域１００〜５００μｍの粗さとして算出されるＲＭＳ（Ｒｑ）値で表すことができ、例えば、光学式の表面形状測定装置を用いて計測できる。
主表面の粗さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１により規定される算術平均粗さRaで表され、例えば、ＡＦＭで計測できる。本願においては、１μｍ×１μｍ角の測定エリアにおいて、５１２×５１２ピクセルの解像度で測定したときの算術平均粗さRaを用いることができる。
【００５２】
（７）化学強化処理
次に、第１研磨後のガラス素板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硫酸ナトリウムの混合液等を用いることができる。
このように、ガラス素板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス素板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス素板が強化される。
【００５３】
（８）第２研磨処理
次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス素板に対して、第１研磨と同様の両面研磨装置を用いて、最終研磨が実施される。このとき、樹脂ポリシャは軟質ポリシャ（スウェード）の研磨パッド（例えば、アスカーＣ硬度で７５の発泡ポリウレタン）が用いられる。研磨パッドの硬度は、アスカーＣ硬度で６０〜９０の範囲内とすることが好ましい。この第２研磨処理は、上述した第１研磨処理で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えばガラス基板主表面の表面粗さをＲａで０．１５ｎｍ以下の平滑な鏡面に仕上げるための鏡面研磨加工である。研磨液としてはコロイダルシリカ（平均粒径(D50)：１０〜５０ｎｍ）を分散したＲＯ水とし、硫酸アルミニウムを所定の含有量で添加して溶かしたものを使用する。硫酸アルミニウムの濃度は、０．００１〜１モル／Ｌとすると好ましい。なおここで、平均粒径（Ｄ５０）とは、光散乱法により測定された粒度分布における粉体の集団の全体積を１００％として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが５０％となる点の粒径を言い、例えば、粒子径・粒度分布測定装置で測定して得られる値である。
次いで、同じ両面研磨装置をそのまま用いてリンス処理を行う。リンス処理では、例えば、研磨パッドとガラス基板との間に供給する処理液をＲＯ水とし、硫酸アルミニウムを適量で添加して溶かしたものを使用する。硫酸アルミニウムの濃度は上記と同様でよい。
上記リンス処理を終えたガラス基板を洗浄槽に浸漬して、超音波洗浄して乾燥することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。なお、酸性の洗浄液での洗浄では主表面が荒れてしまい、主表面の傾斜角のバラツキが悪化するため、中性もしくはアルカリ性の洗浄液を使用するのがよい。なお、中性またはアルカリ性の洗浄液を使用するとき、洗浄液のｐＨは６〜１１の範囲内とすることが好ましい。また、ｐＨが５以下の酸性の洗浄液は用いないことが好ましい。
第２研磨処理及びリンス処理、そして洗浄を経ることによって、主表面上での傾斜のバラツキが少なく、かつ大きい傾斜の頻度が少ない磁気ディスク用ガラス基板が得られる。すなわち、凡そ１０ｎｍ間隔で傾斜のサンプルを取得した場合に、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であって、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１０％以下となる磁気ディスク用ガラス基板が得られる。なお、主表面の傾斜の大きさについては、研磨時間、リンス時間、及び洗浄時間によって適宜調整することができる。
【００５４】
以上、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を処理毎に説明したが、処理の順序は、上述した順序に限られない。また、化学強化処理は、その用途あるいはガラス組成によっては、省いてもよい。
【００５５】
［磁気ディスク］
磁気ディスクは、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体である。
磁気ディスクは、例えば、磁気ディスク用ガラス基板（以下、適宜「基板」という。）の主表面上に、その主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁気記録層、保護層、潤滑層が積層された構成を有する。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板主表面上に付着層から磁気記録層まで順次成膜する。付着層としては例えばＣｒＴｉ、下地層としては例えばＣｒＲｕを用いることができる。磁気記録層としては、ＣｏＰｔ系合金を用いることができる。上記成膜後、例えばＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばＰＦＰＥ（ポリフルオロポリエーテル）をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
また、付着層と磁気記録層との間には、ＳＵＬ（軟磁性層）、シード層、中間層などを、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法などの公知の成膜方法を用いて形成してもよい。上記各層の詳細については、例えば特開２００９−１１０６２６号公報段落［００２７］〜［００３２］を参照できる。
なお、前述のとおり、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板を用いることで、ＳＵＬの膜厚が３０ｎｍ以下であっても高いＳＮＲを得ることができる。
【００５６】
なお、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成は、必須成分として、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ならびに、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ土類金属酸化物を含み、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＣａＯの含有量のモル比（ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．２０以下であって、ガラス転移温度が６５０℃以上であってもよい。このような組成の磁気ディスク用ガラス基板は、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に好適である。
【００５７】
エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクについては、高Ｋｕ磁性材料を用いて磁気記録層を形成することが好ましいと考えられている。例えば、磁気記録層はＦｅ及び／又はＣｏと、Ｐｔとの合金を主成分とする磁性材料を含むＬ１０規則合金とすることができる。このような磁気記録層を得るには、基板の主表面に、Ｆｅ及び／又はＣｏと、Ｐｔとの合金を主成分とする磁性材料を成膜した後、規則化させるためのアニール処理を行う。ここで、上記アニール処理は通常５００℃超の高温で行われる。したがって、基板を構成するガラスが耐熱性に乏しいものであると、高温下で変形し平坦性が損なわれる。これに対し上記組成の基板は、優れた耐熱性（ガラス転移温度として６５０℃以上）を示すものであるため、アニール処理後も、高い平坦性を維持することができる。
【００５８】
なお、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板は、結晶化ガラスであってもよい。
結晶化処理により結晶化ガラスとする場合は、例えば以下のような処理を行えばよい。具体的には、例えば、複数のガラス基板のそれぞれのガラス基板間にディスク状のセッターと呼ばれる板を挟んで、加熱炉に入れて熱処理を行う。セッターはセラミックス製とすることができる。熱処理では、例えば核形成温度で所定時間保持し、その後結晶成長温度で所定時間保持することによりガラス基板を結晶化させる。核形成および結晶成長の温度や時間は、ガラス基板のガラス組成によって適宜設定すればよい。加熱後の冷却では、ガラス基板に歪みや撓みが発生しないように、徐冷速度を調整することが好ましい。
結晶化したガラス基板は、例えば、粉末Ｘ線回折法で得られた回折強度分布を用いて結晶化の有無を判定することができる。なお、結晶相の平均結晶粒径は１０ｎｍ以下の結晶を析出させることがガラス基板の主表面の表面粗さを小さくする点で好ましい。
結晶化されたガラス（以降、結晶化ガラスという）は、非晶質のガラスを加熱することでガラス内部に結晶を析出させた構成の材料であり、非晶質のガラスとは区別され得る。
本実施形態においては、結晶化処理後のガラス基板のヤング率としては、１００ＧＰａ以上、より好ましくは１２０ＧＰａ以上であることが好ましい。こうすることで、抗折強度や耐衝撃性が高いガラス基板とすることができる。前記結晶化処理後のガラス基板の抗折強度は、耐衝撃性を向上させる観点から７ｋｇｆ以上であることが好ましく、特に８ｋｇｆ以上であることが好ましい。こうすることで、１００００ｒｐｍ以上の高速回転のＨＤＤ（ハードディスクドライブ装置）向けとして好適な磁気ディスク用ガラス基板とすることができる。
【００５９】
［実施例、比較例］
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の効果を確認するために、製造した磁気ディスク用ガラス基板から２．５インチの磁気ディスクを作製した。作製した磁気ディスク用ガラス基板のガラスの組成１は、下記の通りである。
（ガラスの組成１）
質量％表示で、ＳｉＯ２を６５．０８％、Ａｌ２Ｏ３を１５．１４％、Ｌｉ２Ｏを３．６１％、Ｎａ２Ｏを１０．６８％、Ｋ２Ｏを０．３５％、ＭｇＯを０．９９％、ＣａＯを２．０７％、ＺｒＯ２を１．９８％、Ｆｅ２Ｏ３を０．１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであり、ガラス転移温度が５１０℃である。
【００６０】
［実施例、比較例の磁気ディスク用ガラス基板の作製］
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の各処理を順序通りに行った。
ここで、
（１）のガラス素板の成形は、プレス成形方法を用いた。粗研削では、アルミナ系遊離砥粒を用いた。
（４）の端面研磨では、酸化セリウムを遊離砥粒として用いて、研磨ブラシにより研磨した。
（５）の精研削では、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めた固定砥粒を定盤に貼り付けた研削装置を用いて研削した。
（６）の第１研磨では、図４及び図５の研磨装置を用いて６０分間研磨した。平均粒径１μｍの酸化セリウム砥粒、研磨パッドとして硬質ウレタンパッドを使用した。
（７）の化学強化では、化学強化液として硝酸カリウム（６０重量％）と硝酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用い、化学強化液の温度を３５０℃とし、予め２００℃に予熱されたガラス素板を化学強化液内に４時間浸漬させた。
（８）の第２研磨は、図４及び図５と同様の別の研磨装置を用いて行った。ポリシャを軟質ポリシャ（スウェード）の研磨パッド（アスカーＣ硬度で７５の発泡ポリウレタン）を用いた。研磨液としてはコロイダルシリカ（平均粒径(D50):３０ｎｍ）を分散したＲＯ水とし、硫酸アルミニウムを０．０１モル／Ｌの含有量で添加して溶かしたものを使用した。荷重１００ｇ／ｃｍ２、研磨取代を５μｍとした。次いで、同じ研磨装置をそのまま用いてリンス処理を行った。リンス処理では、研磨パッドとガラス基板との間に供給する処理液をＲＯ水とし、硫酸アルミニウムを０．０１モル／Ｌの含有量で添加して溶かしたものを使用した。荷重１００ｇ／ｃｍ２、処理時間５分とした。上記リンス処理を終えたガラス基板を、中性洗剤、アルカリ性の洗浄液（ｐＨ：１０以下）、純水、ＩＰＡ、でそれぞれ満たした洗浄槽に浸漬して超音波洗浄し、その後ＩＰＡ（蒸気乾燥）にて乾燥した。これにより、磁気ディスク用ガラス基板を得た。作製された磁気ディスク用ガラス基板は公称２．５インチサイズ（内径２０ｍｍ、外径６５ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍ）の磁気ディスク用の基板である。
【００６１】
第２研磨における研磨時間及び洗浄時間によって主表面の傾斜を調整し、それによって、表１の実施例及び比較例の磁気ディスク用ガラス基板を得た。作製した磁気ディスク用ガラス基板の主表面の表面性状をＡＦＭを用いて測定した。図３に関連付けて説明したように、作製した磁気ディスク用ガラス基板の主表面上の１μｍ×１μｍの測定領域をx方向及びy方向にそれぞれ５１２個に分割した位置の高さを測定し、約１０ｎｍ(正確には、1000/512*5=9.76nm)間隔での傾斜の二乗の平均値、及び傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度を算出した。なお、測定位置は、中心から２２ｍｍの主表面上とし、２回の測定結果の平均値を算出した。
その結果、傾斜の二乗の平均値が０．００２５より大きいもの、及び、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であるが傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％を超えるものについては、比較例（表１の比較例１，２）とし、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であり、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下であるものを実施例（表１の実施例１，２）とした。
なお、実施例の磁気ディスク用ガラス基板について、ＡＦＭを用いて、１μｍ×１μｍ角の測定エリアにおいて、５１２×５１２ピクセルの解像度で算術平均粗さRaを測定したところ、いずれも０．１５ｎｍ以下であった。
【００６２】
［実施例、比較例の磁気ディスクの作製］
次に、比較例及び実施例の磁気ディスク用ガラス基板を基に磁気ディスクを作製した。
なお、磁気ディスク用ガラス基板に対する成膜は以下の通り行った。まず、真空引きを行った成膜装置を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板上に付着層／ＳＵＬ／前下地層／下地層／磁気記録層／補助記録層／保護層／潤滑層を順次成膜した。なお、断らない限り成膜時のＡｒガス圧は０．６Ｐａで行った。付着層としては、Ｃｒ−５０Ｔｉを４ｎｍ成膜した。ＳＵＬとしては、０．７ｎｍのＲｕ層を挟んで、９２Ｃｏ−３Ｔａ−５Ｚｒをそれぞれ１０ｎｍ成膜した。前下地層としては、Ｎｉ−１０Ｗを８ｎｍ成膜した。下地層としては、０．６ＰａでＲｕを１０ｎｍ成膜した上に５ＰａでＲｕを１０ｎｍ成膜した。磁気記録層としては、３Ｐａで９０（７２Ｃｏ−１０Ｃｒ−１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ２）−５（ＴｉＯ２）を１５ｎｍ成膜した。補助記録層としては、６２Ｃｏ−１８Ｃｒ−１５Ｐｔ−５Ｂを６ｎｍ成膜した。保護層としては、ＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて４ｎｍ成膜し、表層を窒化処理した。潤滑層としては、ディップコート法によりＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いて１ｎｍ形成した。
以上の製造工程により、比較例及び実施例の磁気ディスク用ガラス基板に対応する磁気ディスクを得た。
磁気記録層の磁性粒の粒径（直径）を平面ＴＥＭにて調査したところ、平均８ｎｍであった。また、断面ＴＥＭにて成膜状態を確認したところ、ＣｒＴｉとＳＵＬはアモルファス状態で粒界等は見えなかったが、ＮｉＷから補助記録層までは粒界が観察され、カラム状に結晶成長している様子が観察された。
【００６３】
［実施例、比較例の磁気ディスクの評価］
以下の条件にて、作製した磁気ディスクについて再生信号のＳＮＲ（信号対雑音比）を測定した。なお、ＤＦＨ機構搭載ヘッドを使用した。ＤＦＨ機構により、記録再生素子部の先端と磁気ディスク表面との距離は１ｎｍとなるように設定した。
・信号書き込み時の線記録密度：２０００ｋｂｐｉ
・磁気ディスクの回転数：５４００ｒｐｍ
【００６４】
なお、Ｒｅｆ（基準）を比較例１のＳＮＲとしたときに、ＳＮＲの評価基準は以下とした。○及び○○、○○○が合格である。
○○○：Ｒｅｆ＋０．５［ｄＢ］  ≦  ＳＮＲ
○○：Ｒｅｆ＋０．３［ｄＢ］  ≦  ＳＮＲ
○：Ｒｅｆ  ＜  ＳＮＲ  ＜  Ｒｅｆ＋０．３［ｄＢ］
×：Ｒｅｆ同等以下
【００６５】
【表１】
0005612235.tif 000004
【００６６】
表１の結果から、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であり、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下である実施例については、磁気ディスクとして良好なＳＮＲが得られたことがわかる。傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１０％以下である実施例については、磁気ディスクとしてさらに良好なＳＮＲが得られたことがわかる。これは、実施例の磁気ディスク用ガラス基板上の傾斜が全体的に小さく、かつ大きな傾斜が含まれる頻度が少ないため、実施例の磁気ディスク用ガラス基板上に形成される磁気記録層の結晶配向が主表面に対する垂直方向から大きく傾いたり、適切に結晶が成長しないということがほとんどないためである。
【００６７】
［異なるガラス組成での評価］
次に、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の効果をさらに確認するために、上記組成１とは異なる組成２の磁気ディスク用ガラス基板から２．５インチの磁気ディスクを作製した。磁気ディスク用ガラス基板の作製方法は、組成１の場合（つまり、上記（１）〜（８））と同じである。ガラスの組成２は、下記の通りである。なお、ガラスの組成２は、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に使用されるガラスの組成として好ましい。
（ガラスの組成２）
ＳｉＯ２を６５モル％（６４．７質量％）、Ａｌ２Ｏ３を６モル％（１０．１３質量％）、Ｌｉ２Ｏを１モル％（０．５質量％）、Ｎａ２Ｏを９モル％（９．２４質量％）、ＭｇＯを１７モル％（１１．３５質量％）、ＣａＯを０モル％（０質量％）、ＳｒＯを０モル％（０質量％）、ＢａＯを０モル％（０質量％）、ＺｒＯ２を２モル％（４．０８質量％）
なお、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＣａＯの含有量のモル比（ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））は０であり、ガラス転移温度が６７１℃のアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
【００６８】
上記ガラス組成２のガラスを基に、第２研磨処理における研磨時間を実施例１の場合と同様にした磁気ディスク用ガラス基板を作製した（実施例６）。その結果、実施例１と同様に、傾斜の二乗の平均値が０．００２５以下であり、かつ傾斜の二乗の値が０．００４以上である頻度が１５％以下であった。よって、実施例６を基に磁気ディスクを作製した場合も、実施例１の場合と同様に、磁気記録層の結晶配向が主表面に対する垂直方向から大きく傾いたり、適切に結晶が成長しないということがほとんどないと考えられ、実施例１と同様の良好なＳＮＲが得られることが期待できる。
【００６９】
以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのは勿論である。
【符号の説明】
【００７０】
１０    研磨パッド
３０    キャリア
４０    上定盤
５０    下定盤
６１    太陽歯車
６２    内歯車
７１    研磨液供給タンク
７２    配管
【図１】
0005612235.tif 000007
【図２】
0005612235.tif 000008
【図３】
0005612235.tif 000009
【図４】
0005612235.tif 000010
【図５】
0005612235.tif 000011