(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、第１電極と発光機能層と透明導電性を有する第２電極とを有し前記第２電極側に光を射出する有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子が光を射出する領域である画素領域において前記第２電極側に形成されたカラーフィルターと、
前記画素領域以外の領域である遮光領域に形成された隔壁と、
を有する有機ＥＬ装置であって、
前記カラーフィルターは、赤色光を透過させる赤色カラーフィルターと緑色光を透過させる緑色カラーフィルターと青色光を透過させる青色カラーフィルターとの３色のカラーフィルターのいずれかであり、
前記３色のカラーフィルターのうちの少なくとも１色の前記カラーフィルターが前記隔壁の少なくとも一部を構成し、
前記隔壁の少なくとも前記基板側は、前記赤色カラーフィルターで構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記発光機能層は白色光を発光する発光機能層であり、
前記第２電極は半透過反射性材料からなり、
前記基板と前記発光機能層との間には反射層が形成されており、
前記第２電極と前記反射層との間には光共振構造が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記有機ＥＬ素子と前記カラーフィルターとの間には無機材料層を含む保護層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記保護層は、前記有機ＥＬ素子側に形成された有機材料からなる平坦化層と前記カラーフィルター側に形成された無機材料層とを含む層であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
基板上の画像表示領域に、島状の第１電極と発光機能層と透明導電性材料からなる第２電極とを順に積層して有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、
前記画像表示領域を、平面視で前記第１電極に含まれる画素領域と前記画素領域以外の領域である遮光領域に区画して、さらに前記画素領域を赤色画素領域と緑色画素領域と青色画素領域との３種類の画素領域に区画する第２の工程と、
前記赤色画素領域と前記遮光領域に赤色着色層を形成する第３の工程と、
前記緑色画素領域に緑色着色層を形成し、かつ、前記青色画素領域に青色着色層を形成する第４の工程と、
を記載の順に実施することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第４の工程は、前記緑色画素領域と該緑色画素領域を囲む環状の領域に前記緑色着色層を形成し、かつ、前記青色画素領域と該青色画素領域を囲む環状の領域に前記青色着色層を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
基板上の画像表示領域に、島状の第１電極と発光機能層と透明導電性材料からなる第２電極とを順に積層して有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、
前記画像表示領域を、平面視で前記第１電極に含まれる画素領域と前記画素領域以外の領域である遮光領域に区画し、さらに前記画素領域を赤色画素領域と緑色画素領域と青色画素領域との３種類の画素領域に区画する第２の工程と、
前記赤色画素領域と前記遮光領域のうち前記赤色画素領域に隣接する領域に赤色着色層を形成する第３の工程と、
前記緑色画素領域と前記遮光領域のうち前記緑色画素領域に隣接する領域に緑色着色層を形成する第４の工程と、
前記青色画素領域と前記遮光領域のうち前記青色画素領域に隣接する領域に青色着色層を形成する第５の工程と、
を記載の順に実施する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記赤色画素領域と前記遮光領域のうち前記赤色画素領域に隣接する領域、及び、前記第４の工程で前記緑色着色層が形成されずかつ前記第５の工程で前記青色着色層が形成されない領域、に前記赤色着色層を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面型の表示装置として、陽極（第１電極）と少なくとも有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層を含む発光機能層と陰極（第２電極）とを積層して形成される有機ＥＬ素子を、画像表示領域内に規則的に配置してなる有機ＥＬ装置が注目されている。そして該有機ＥＬ装置の利用分野として、携帯電話機の表示画面、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）等の、小型化が要求される分野が開拓されつつある。かかる小型の有機ＥＬ装置においては、有機ＥＬ素子とカラーフィルターとの合せずれを低減するために、カラーフィルターを有機ＥＬ素子が形成された基板に形成するオンチップカラーフィルターの採用が考慮されつつある。
【０００３】
有機ＥＬ素子が形成された基板上にカラーフィルターを形成する場合、金属からなるブラックマトリクスを隔壁として用いる構成が提示されている（例えば特許文献１参照）。すなわち、Ｃｒ（クロム）あるいはＡｌ（アルミニウム）等の金属薄膜をパターニングして平面視で網状（格子状）の隔壁を形成することで有機ＥＬ素子の発光が隣り合う他の有機ＥＬ素子の発光領域から射出される現象を低減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０２７２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の有機ＥＬ装置は、製造過程において金属薄膜の形成工程、及びパターニング工程を余分に必要としており、製造コストの増加につながるという課題があった。また、耐熱性の低い有機ＥＬ素子に対する影響が懸念されるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかる有機ＥＬ装置は、基板と、上記基板上に形成された、第１電極と発光機能層と透明導電性を有する第２電極とを有し上記第２電極側に光を射出する有機ＥＬ素子と、上記有機ＥＬ素子が光を射出する領域である画素領域において上記第２電極側に形成されたカラーフィルターと、上記画素領域以外の領域である遮光領域に形成された隔壁と、を有する有機ＥＬ装置であって、上記カラーフィルターは、赤色光を透過させる赤色カラーフィルターと緑色光を透過させる緑色カラーフィルターと青色光を透過させる青色カラーフィルターとの３色のカラーフィルターのいずれかであり、上記３色のカラーフィルターのうちの少なくとも１色の上記カラーフィルターが上記隔壁の少なくとも一部を構成し、上記隔壁の少なくとも上記基板側は、上記赤色カラーフィルターで構成されていることを特徴とする。
【０００８】
このような構成であれば、隔壁を金属等の遮光性材料を用いて別途形成する場合に比べて薄膜形成工程及びパターニング工程を低減できる。したがって、有機ＥＬ装置の信頼性を向上させることができる。また、製造コストも低減できる。
【００１０】
赤色カラーフィルターは、赤色光を除く２原色光すなわち緑色光と青色光に対して高い遮光性を有している。したがってこのような構成であれば、遮光領域から射出される光を充分に低減でき、表示品質を向上できる。
【００１３】
［適用例２］上述の有機ＥＬ装置であって、上記発光機能層は白色光を発光する発光機能層であり、上記第２電極は半透過反射性材料からなり、上記基板と上記発光機能層との間には反射層が形成されており、上記第２電極と上記反射層との間には光共振構造が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１４】
このような構成であれば、光共振構造により特定の波長範囲の光を強調した後、カラーフィルターによりさらに色純度の向上した光として射出させることができる。したがって、発光機能層のパターニング工程を省略でき製造コストをより一層低減できる。
【００１５】
［適用例３］上述の有機ＥＬ装置であって、上記有機ＥＬ素子と上記カラーフィルターとの間には無機材料層を含む保護層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１６】
無機材料層は高い封止性を有するため、このような構成であれば、カラーフィルターの製造過程及び有機ＥＬ装置の完成後において有機ＥＬ素子を保護できる。したがって、有機ＥＬ装置の信頼性を向上できる。
【００１７】
［適用例４］上述の有機ＥＬ装置であって、上記保護層は、上記有機ＥＬ素子側に形成された有機材料からなる平坦化層と上記カラーフィルター側に形成された無機材料層とを含む層であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１８】
このような構成であれば、無機材料層により封止性を確保しつつ、上述の光共振構造の形成に伴う段差を平坦化層で解消できる。したがって、有機ＥＬ装置の信頼性を維持しつつ表示品質を向上できる。
【００１９】
［適用例５］本適用例にかかる電子機器は、上述の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、表示品質と信頼性が向上した表示部を有する電子機器を低コストで得ることができる。
【００２１】
［適用例６］本適用例にかかる有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上の画像表示領域に、島状の第１電極と発光機能層と透明導電性材料からなる第２電極とを順に積層して有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、上記画像表示領域を、平面視で上記第１電極に含まれる画素領域と上記画素領域以外の領域である遮光領域に区画して、さらに上記画素領域を赤色画素領域と緑色画素領域と青色画素領域との３種類の画素領域に区画する第２の工程と、上記赤色画素領域と上記遮光領域に赤色着色層を形成する第３の工程と、上記緑色画素領域に緑色着色層を形成し、かつ、上記青色画素領域に青色着色層を形成する第４の工程と、を記載の順に実施することを特徴とする。
【００２２】
このような製造方法であれば、遮光性材料層の形成とパターニングを行うことなく隣り合う画素領域間に隔壁を形成できる。したがって、有機ＥＬ素子に対する影響及び製造コストを低減しつつカラー表示可能な有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００２３】
［適用例７］上述の有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記第４の工程は、上記緑色画素領域と該緑色画素領域を囲む環状の領域に上記緑色着色層を形成し、かつ、上記青色画素領域と該青色画素領域を囲む環状の領域に上記青色着色層を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００２４】
このような製造方法であれば、緑色画素領域の周囲の遮光領域及び青色画素領域の周囲の遮光領域に、赤色着色層を含む２層の透明着色層からなる隔壁を形成できる。したがって、より一層表示品質の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００２５】
［適用例８］本適用例にかかる有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上の画像表示領域に、島状の第１電極と発光機能層と透明導電性材料からなる第２電極とを順に積層して有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、上記画像表示領域を、平面視で上記第１電極に含まれる画素領域と上記画素領域以外の領域である遮光領域に区画し、さらに上記画素領域を赤色画素領域と緑色画素領域と青色画素領域との３種類の画素領域に区画する第２の工程と、上記赤色画素領域と上記遮光領域のうち上記赤色画素領域に隣接する領域に赤色着色層を形成する第３の工程と、上記緑色画素領域と上記遮光領域のうち上記緑色画素領域に隣接する領域に緑色着色層を形成する第４の工程と、上記青色画素領域と上記遮光領域のうち上記青色画素領域に隣接する領域に青色着色層を形成する第５の工程と、を記載の順に実施する有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の工程は、上記赤色画素領域と上記遮光領域のうち上記赤色画素領域に隣接する領域、及び、上記第４の工程で上記緑色着色層が形成されずかつ上記第５の工程で上記青色着色層が形成されない領域、に上記赤色着色層を形成する工程であることを特徴とする。
【００２６】
このような製造方法であれば、遮光性材料層の形成とパターニングを行うことなく隣り合う画素領域間に隔壁を形成できる。したがって、有機ＥＬ素子に対する影響及び製造コストを低減しつつカラー表示可能な有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００２８】
このような製造方法であれば、遮光領域の全域に少なくとも一層の透明着色層を形成できる。したがって、遮光領域から光が射出されることを低減でき、より一層表示品質の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成を示す図。
【図２】有機ＥＬ装置の画像表示領域内における画素電極等の配置の態様を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の画像表示領域内における画素電極等の配置の態様を示す模式平面図。
【図４】第１の実施形態の有機ＥＬ装置のＹ方向の断面を示す模式断面図。
【図５】第１の実施形態の有機ＥＬ装置のＸ方向の断面を示す模式断面図。
【図６】画素電極の外縁部を拡大して示す模式断面図。
【図７】カラーフィルターの分光透過特性を示す図。
【図８】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の模式平面図。
【図９】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置において、カラーフィルターが形成される領域を該カラーフィルターの色毎に示す図。
【図１０】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置のＸ方向の断面を示す模式断面図。
【図１１】第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の模式平面図。
【図１２】第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１３】第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１４】第５の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１５】第５の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１６】第１の実施形態の有機ＥＬ装置を部品として組み込んだ電子機器を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法等について、図面を参照しつつ述べる。なお、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせてある。
【００３１】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の回路構成を示す図である。なお、後述する各実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成も図１に示す構成と同様である。有機ＥＬ装置１は、規則的に形成された複数の有機ＥＬ素子５０の発光を個別に制御して、画像表示領域１００にカラー画像を形成するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。画像表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２と該走査線と直交するようにＹ方向に延在する複数の信号線１０４と該信号線と平行に延在する複数の電源供給線１０６が形成されている。そして、上記３種類の配線で囲まれる区画毎に画素４６が形成されている。
【００３２】
各々の画素４６は、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスター）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画像信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が供給される有機ＥＬ素子５０とを備えている。上述の各ＴＦＴは、いわゆる高温ポリシリコンプロセスを用いて形成されている。そして各有機ＥＬ素子５０は、第１電極としての画素電極（陽極）５２（図５参照）と、画像表示領域１００の全域に形成された第２電極としての陰極５６（図５参照）と、同じく画像表示領域１００の全域に形成された少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層５４（図３参照）とで構成されている。
【００３３】
画素４６は、赤色光を射出する赤色画素４６Ｒと緑色光を射出する緑色画素４６Ｇと青色光を生成する青色画素４６Ｂとの計３種類があり、画像表示領域１００内に規則的に形成されている。具体的には、Ｙ方向には同一の色を生成する画素４６が並び、Ｘ方向には上述の３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が規則的に形成されている。なお、画素４６は、かかる諸要素で構成される機能的な概念である。一方、後述する画素領域４２（図２等参照）は、赤色光、緑色光、青色光の３原色光の何れかの光を射出（発光）できる最小の単位領域を示す平面的な概念である。
【００３４】
画像表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、信号線１０４には信号線駆動回路１３０から画像信号が供給され、電源供給線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。なお、走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００３５】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から画素電極５２に駆動電流が流れ、さらに発光機能層５４を介して陰極５６に駆動電流が流れる。発光機能層５４は駆動電流の大きさに応じて発光する。その結果、該発光機能層を備える個々の有機ＥＬ素子５０、そして該有機ＥＬ素子を備える個々の画素４６は、該駆動電流の大きさに応じて光を射出する。その結果、３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が規則的に形成されている画像表示領域１００にカラー画像が形成される。
【００３６】
夫々の画素４６の発光色（３原色のいずれか）は、後述するように、所定の波長範囲の光を透過させ他の波長範囲の光を遮光するカラーフィルター９０（図３等参照）によって生成される。したがって、個々の有機ＥＬ素子５０は、３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で共通である。なお、以下の記載において、単に「画素４６」とした場合、上述の３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の総称とする。
【００３７】
本実施形態及び後述する各実施形態の記載において、画素４６の構成要素である、カラーフィルター９０（図３参照）、画素領域４２（図２参照）、画素電極５２（図２参照）等についても、３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に合せてＲ，Ｇ，Ｂの符号が付与されている。そして符号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を省略して単に「カラーフィルター９０」のように記載した場合は、「画素４６」と同様に総称とする。
【００３８】
各々の画素４６は、所定の範囲内において任意の強度の光（３原色光の何れかの光）を生成できるため、Ｘ方向に並ぶ３つの画素４６の組み合わせは任意の色（色度）の光を生成できる。かかる３つの画素４６の組み合わせを「画素」として、上述の個々の画素４６を「サブ画素」と定義することもできるが、本明細書では３原色光の何れかの光を生成できる最小単位を「画素４６」としている。
【００３９】
図２〜図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の構成等を示す図である。図２は、有機ＥＬ装置１の画像表示領域１００内を拡大して示す模式平面図である。図４は、図２のＹ方向における断面を示す模式断面図である。図５は、図２のＸ方向における断面を示す模式断面図である。図３、図６及び図７は後述する。以下、図２〜図７を用いて、有機ＥＬ装置１の構成等について述べる。
【００４０】
図２は、有機ＥＬ装置１の画像表示領域１００（図１参照）内における画素電極５２等の配置の態様、及び赤色カラーフィルター９０Ｒの形成領域（形成されている領域）を示す模式平面図である。図３は、有機ＥＬ装置１の画像表示領域１００内における画素電極５２等の配置の態様、及び緑色カラーフィルター９０Ｇの形成領域と青色カラーフィルター９０Ｂの形成領域を示す模式平面図である。有機ＥＬ装置１及び後述する各実施形態の有機ＥＬ装置は、後述する遮光領域４３を含む画像表示領域１００の全面に、少なくとも１層のカラーフィルター９０が形成されている。
【００４１】
図２及び図３に示すように、画像表示領域１００内には、平面視で方形の画素電極５２が規則的に形成されている。そして、各々の画素電極５２には、画素領域４２が該画素電極に平面視で含まれるように区画されている。具体的には、平面視において、画素電極５２から該画素電極の外縁部を占める若干の幅を有する環状の領域を除いた領域が画素領域４２である。なお、上述したように、画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、画素電極５２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と１対１で対応している。
【００４２】
画像表示領域１００内において画素領域４２に含まれない領域、すなわち隣り合う画素領域４２を隔てる領域が、遮光領域４３である。上述したように画素領域４２は画素電極５２に含まれる領域である。したがって、画素電極５２の外縁部すなわち上述の環状の領域は、遮光領域４３に含まれる。有機ＥＬ装置１では、画素電極５２がマトリクス状に形成されているため、遮光領域４３は格子状となる。なお、画素電極５２の配置の態様はマトリクス状に限定されず、他の態様、例えば千鳥状の配置も可能である。
【００４３】
各画素領域４２の寸法は略１４μｍ×略４μｍである。そして隣り合う画素領域４２間を隔てる遮光領域４３の幅は略１μｍである。したがって、画素領域４２は、中心間寸法で略１５μｍ×略５μｍとなるように形成されている。上述したように本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、個々の有機ＥＬ素子５０を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２等を構成する半導体層７１（図４参照）が高温ポリシリコンプロセスで形成されている。したがって、駆動用ＴＦＴ１１２等の素子が小型化かつ小面積化されている。そのため、上述の略１４μｍ×略４μｍという小面積の画素領域４２内に、１つの画素４６を構成するスイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０と駆動用ＴＦＴ１１２とを形成することが可能となっている。
【００４４】
画素領域４２は、有機ＥＬ素子５０内で生じた発光が射出される領域である。上述の発光は、カラーフィルター９０及び後述する光共振構造により３原色光の何れかに該当する光とされた後に射出される。上述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１及び後述する各実施形態の有機ＥＬ装置（以下「有機ＥＬ装置１等」と称する。）においては、発光機能層５４及び陰極５６は画像表示領域１００の全面に形成されている。したがって、画素電極５２の形成領域と発光が生じる領域は一致する。
【００４５】
しかし、上述したように、有機ＥＬ装置１等では光共振構造とカラーフィルター９０を併用して３原色光を得ている。そして画素電極５２の外縁部では画素電極５２の層厚がばらつくため、共振長が変動する。すなわち、光共振構造を好適に形成できない。その結果、該外縁部では、波長分布が３原色光の各々の波長分布から外れる光が生じ得る。そのため、有機ＥＬ装置１等においては、平面視において画素電極５２から外縁部を除いた領域を画素領域４２と定義し、外縁部は遮光領域４３に含めている。
【００４６】
図２においてハッチングが施された領域が、赤色カラーフィルター９０Ｒの形成領域である。そして、図３においてハッチングが施された領域が、緑色カラーフィルター９０Ｇの形成領域と青色カラーフィルター９０Ｂの形成領域である。ここで、カラーフィルターの形成材料について説明する。有機ＥＬ装置１等のカラーフィルター９０は、顔料等が分散されたネガ型のアクリル等の樹脂すなわち透明着色層をパターニングして形成されている。
【００４７】
各々のカラーフィルター９０には、各画素４６の発光色に合せた顔料が混入されている。赤色カラーフィルター９０Ｒには、赤色光に相当する波長範囲の光、すなわち波長が略６１０ｎｍ〜略７５０ｎｍの範囲内の光を透過させ、それ以外の波長範囲の光を吸収する材料が分散されている。緑色カラーフィルター９０Ｇには、緑色光に相当する波長範囲の光、すなわち波長が略５００ｎｍ〜略５６０ｎｍの範囲内の光を透過させ、それ以外の波長範囲の光を吸収する材料が分散されている。青色カラーフィルター９０Ｂには、青色光に相当する波長範囲の光、すなわち波長が略４３５ｎｍ〜略４８０ｎｍの範囲内の光を透過させ、それ以外の波長範囲の光を吸収する材料が分散されている。
【００４８】
図２に示すように、赤色カラーフィルター９０Ｒは、緑色画素領域４２Ｇ及び青色画素領域４２Ｂを除く全域に形成されている。すなわち、赤色カラーフィルター９０Ｒは、遮光領域４３の全域、及び赤色画素領域４２Ｒに形成されている。一方、図３に示すように、緑色カラーフィルター９０Ｇ及び青色カラーフィルター９０Ｂは、赤色カラーフィルター９０Ｒに比べると局所的に形成されている。具体的には、平面視で画素電極５２（Ｇ，Ｂ）と該画素電極を囲む所定の幅の環状の領域（外側の二点鎖線で表示）に重なるように形成されている。したがって、緑色カラーフィルター９０Ｇ及び青色カラーフィルター９０Ｂは、対応する画素領域４２（Ｂ，Ｇ）上と、遮光領域４３の内の画素領域４２（Ｂ，Ｇ）に隣接する領域、すなわち該画素領域を囲む環状の領域にのみ形成されている。
【００４９】
有機ＥＬ装置１等では、カラーフィルター９０が隔壁４４（図５等参照）を兼ねている。すなわち、有機ＥＬ装置１等においては、隔壁４４がカラーフィルター９０で構成されている。なお、段落（０００３）等で述べたように、隔壁４４とは、画素領域４２を除く領域から有機ＥＬ素子５０の発光が射出されることを低減するために形成される要素である。画像表示領域１００の全域に形成されたカラーフィルター９０の内、画素領域４２と重ならない領域すなわち遮光領域４３に形成されている部分が隔壁４４となる。したがって、カラーフィルター９０の内、画素領域４２に形成されている部分が狭義のすなわち本来のカラーフィルター９０として機能している。上述したようにカラーフィルター９０は透明着色層である。画像表示領域１００の全域に形成された透明着色層のうち、画素領域４２と重なる部分がカラーフィルター９０と定義され、遮光領域４３と重なる部分が隔壁４４と定義されるとも言える。
【００５０】
本明細書では、平面図では「４４」の符号は用いず全て「９０」の符号を用いている。そして断面図では、広義のカラーフィルターのうち、遮光領域４３に形成されており隔壁として機能している部分には、「４４（９０）」の符号を付与している。そして明細書中の記載は「隔壁４４」としている。
【００５１】
図２に示すように、赤色カラーフィルター９０Ｒは、赤色画素領域４２Ｒ及び遮光領域４３の全域に形成されている。すなわち、緑色画素領域４２Ｇ及び青色画素領域４２Ｂの外周線に至るまで形成されている。そして、有機ＥＬ装置１においては、赤色カラーフィルター９０Ｒが他の２種類のカラーフィルター９０（Ｇ，Ｂ）よりも先に形成されている。したがって、緑色画素領域４２Ｇを囲む環状の領域には、下層（素子基板１０側）が赤色カラーフィルター９０Ｒであり上層が緑色カラーフィルター９０Ｇである積層体が形成されている。同様に、青色画素領域４２Ｂを囲む環状の領域には、下層（素子基板１０側）が赤色カラーフィルター９０Ｒであり上層が青色カラーフィルター９０Ｂである積層体が形成されている。一方、赤色画素領域４２Ｒを囲む環状の領域には、赤色カラーフィルター９０Ｒのみが形成されている。
【００５２】
本発明の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置１等は、隔壁４４をカラーフィルター９０で構成することで、黒色顔料を分散等させた透明樹脂、あるいはＡｌ等金属材料からなるブラクックマトリクスを別途形成することなく、画素領域４２を除く領域から発光が射出されることを低減している。そのため、フォトリソグラフィー工程すなわち成膜工程とパターニング工程すなわちウェットエッチング工程が少なくとも１回分は低減されている。その結果、耐食性、耐熱性の低い有機ＥＬ素子５０に加えられる負荷が低減されており、有機ＥＬ装置の信頼性の向上に寄与している。
【００５３】
さらに、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１では、遮光領域４３の全域に赤色カラーフィルター９０Ｒを形成することで、画素電極５２の外縁部における共振長の変動にも対応し、表示品質を向上している。
【００５４】
図４は、有機ＥＬ装置１のＹ方向の断面を示す模式断面図である。具体的には図２におけるＡ−Ａ’線の断面とＢ−Ｂ’線の断面とＣ−Ｃ’線の断面を接合して示す図であり、Ｘ方向に並べられている３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の断面を接合して示す図である。なお、本図ではスイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０については図示を省略している。以下、素子基板１０側から順に説明する。
【００５５】
素子基板１０は石英ガラスからなる。有機ＥＬ装置１等は、素子基板１０側とは反対の側に光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。したがって、素子基板１０は透明性を要しない。しかし、素子基板１０は駆動用ＴＦＴ１１２等を高温ポリシリコンプロセスにより形成する際の基体としても機能している。そのため、略１０００度までの加熱に耐え、かつ該加熱時に不純物を析出しないことが必要である。かかる条件を満足すべく、素子基板１０には石英ガラスが用いられている。
【００５６】
素子基板１０の、対向基板１１側の面上には、３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に対応するように、駆動用ＴＦＴ１１２が形成されている。上述したように、スイッチング用ＴＦＴ１０８等は図示を省略している。かかる対向基板１１側を、以下の記載においては「上面」、「上方」あるいは「上側」と称する。
【００５７】
駆動用ＴＦＴ１１２は、ポリ（多結晶）シリコンからなる半導体層７１とゲート絶縁膜７９とゲート電極７５とで構成されている。半導体層７１の構成材料であるポリシリコンは上述したように高温プロセスで形成されており、移動度等が向上している。ゲート電極７５はＡｌ（アルミニウム）等からなり、上述の走査線１０２と同一の層をパターニングして形成されている。ゲート絶縁膜７９は、ＳｉＯn（酸化シリコン）あるいはＳｉＮn（窒化シリコン）あるいはＳｉＯmＮn（酸窒化シリコン）からなり、画像表示領域１００の全面に形成されている。
【００５８】
半導体層７１は、ゲート電極７５と対向する部分であるチャネル領域７２と、該チャネル領域の両側の領域であるソース領域７３及びドレイン領域７４と、からなる。駆動用ＴＦＴ１１２の上面には、ＳｉＯn等からなる第１の層間絶縁膜６１が形成されている。第１の層間絶縁膜６１の、上述のソース領域７３及びドレイン領域７４と重なる領域には（該第１の層間絶縁膜を選択的に除去して）第１のコンタクトホール６７が形成されている。そして、該第１のコンタクトホールに埋設されるようにソース電極７７及びドレイン電極７８が形成されている。
【００５９】
ソース電極７７及びドレイン電極７８の上面には、ＳｉＯn等からなる第２の層間絶縁膜６２が形成されている。そしてドレイン電極７８の上面には、該第２の層間絶縁膜を選択的に除去して第２のコンタクトホール６８が形成されている。そして、平面視で該第２のコンタクトホールの形成領域及びその周囲の若干の領域を除く領域に反射層６３が形成されている。反射層６３は、Ａｌ等の反射性の高い金属材料層をパターニングして形成されている。各反射層６３は、ＳｉＯn等の無機材料からなる反射層保護層６４で覆われている。そして、各反射層６３の上面には該反射層保護層を介して画素電極５２が形成されている。
【００６０】
画素電極５２はＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の透明導電性材料からなり、第２のコンタクトホール６８を介してドレイン電極７８と接続している。したがって、画素電極５２は駆動用ＴＦＴ１１２と導通し、電源供給線１０６から供給される駆動電流を後述する発光機能層５４に供給できる。
【００６１】
図示するように有機ＥＬ装置１の画素電極５２の層厚は、画素４６の発光色により異なっている。具体的には、赤色画素４６Ｒの赤色画素電極５２Ｒの層厚は略１００ｎｍであり、緑色画素４６Ｇの緑色画素電極５２Ｇの層厚は略６０ｎｍであり、青色画素４６Ｂの青色画素電極５２Ｂの層厚は略２０ｎｍである。かかる層厚の差は、共振（共振現象）を利用して、所定の波長分布の光を強調するため設定されている。すなわち、画素電極５２の層厚と発光機能層５４の層厚と反射層保護層６４の層厚との和が、夫々の画素４６が射出すべき波長範囲の光を強調するために好適な長さとなるように設定されている。
【００６２】
画素電極５２は、フォトリソグラフィー工程、具体的にはＩＴＯ薄膜の成膜工程とパターニング工程の組み合わせ、を計３回繰り返して形成される。
１回目のフォトリソグラフィー工程は、膜厚４０ｎｍのＩＴＯ薄膜を素子基板１０上の全面に形成した後、第２のコンタクトホール６８の近傍の領域及び将来的に赤色画素電極５２Ｒが形成される領域に該薄膜を残し、他の領域から該薄膜を選択的に除去する工程である。
２回目のフォトリソグラフィー工程は、膜厚４０ｎｍのＩＴＯ薄膜を素子基板１０上の全面に形成した後、第２のコンタクトホール６８の近傍の領域及び将来的に赤色画素電極５２Ｒが形成される領域及び将来的に緑色画素電極５２Ｇが形成される領域に該薄膜を残し、他の領域から該薄膜を選択的に除去する工程である。
３回目のフォトリソグラフィー工程は、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ薄膜を素子基板１０上の全面に形成した後、第２のコンタクトホール６８の近傍の領域及び将来的に３種類の画素電極５２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のいずれか形成される領域に該薄膜を残し、他の領域から該薄膜を選択的に除去する工程である。
【００６３】
ここで、ＩＴＯ薄膜のパターニングはＷＥＴエッチングで行われるため、画素電極５２の外縁部は層厚が徐々に薄くなる。また、赤色画素４６Ｒ及び緑色画素４６Ｇの画素電極５２（Ｒ，Ｇ）では、先に形成されたＩＴＯ薄膜の端部により段差が生じてしまい、上述の共振長を好適な距離に形成できない。そこで有機ＥＬ装置１では、かかる外縁部を画素領域４２には含めずに遮光領域４３に含めている。そして、かかる外縁部に平面視で重なるように隔壁４４を形成して、好適ではない波長範囲の光が射出されることを低減している。上述したように、隔壁４４はカラーフィルター９０のうち遮光領域４３に形成されている部分である。
なお後述するように、隔壁４４は２層のカラーフィルター９０の積層体で構成されている場合もあるが、本図では全て単層のカラーフィルター９０で構成されているように図示している。
【００６４】
画素電極５２の上面には、発光機能層５４と陰極５６が、画像表示領域１００の全域にわたって形成されている。画素電極５２と発光機能層５４と陰極５６とで、有機ＥＬ素子５０が構成される。なお、以下の記載において、素子基板１０の上面から反射層６３の下面に至るまで間を素子層１２と称する。
【００６５】
陰極５６は、ＬｉＦ（フッ化リチウム）あるいはＣａ（カルシウム）等からなる電子注入バッファー層（符号無し）と導電層（符号無し）の積層体である。そして画像表示領域１００内の全域で同電位であり、画像表示領域の外側で素子基板１０上に形成された陰極配線（不図示）と導通している。導電層はＩＴＯあるいはＡｌ、ＡｇＭｇ（銀−マグネシウム合金）等の金属薄膜からなり、半透過反射性すなわち照射された光の略５０％を透過し、残りを反射する性質を有している。そのため、反射層６３と陰極５６との間には、マイクロキャビティすなわち光共振構造が構成される。有機ＥＬ素子５０は、かかる光共振構造により、発光機能層５４内で生じた白色光を共振させつつ、対向基板１１を介して射出できる。
【００６６】
発光機能層５４は素子基板１０側から順に、画素電極５２から正孔を注入し易くするための正孔注入層と、注入された正孔を発光層へ輸送し易くするための正孔輸送層と、通電によりすなわち正孔と電子の結合により発光する有機ＥＬ層と、陰極５６から注入された電子を有機ＥＬ層へ輸送し易くするための電子輸送層と、陰極５６から電子を注入し易くするための電子注入層と、の計５層が積層されて形成されている。
【００６７】
有機ＥＬ層は、上述の結合により白色光を発光する層であり、低分子系有機ＥＬ材料あるいは高分子系有機ＥＬ材料で形成されている。上述したように、有機ＥＬ層は３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で共通である。有機ＥＬ装置１等は、上述の光共振構造とカラーフィルター９０とで白色光を３原色光の何れかの光とした上で射出している。したがって、機能的概念としての画素４６は、有機ＥＬ素子５０と、素子基板１０上に形成された駆動用ＴＦＴ１１２等の素子と共に、カラーフィルター９０も含んでいる。
【００６８】
陰極５６の上面には、保護層９４を介してカラーフィルター９０及び隔壁４４が形成されている。保護層９４は、素子基板１０側から順にアクリル等の有機材料からなる平坦化層９２とＳｉＯn等の無機材料からなる封止層９３とを積層して形成されている。平坦化層９２は、主として画素電極５２の外縁部の段差、及び隣り合う画素電極５２間の段差を低減する機能を果たしている。封止層９３は、主として水分あるいはエッチング液等が有機ＥＬ素子５０等の形成領域に浸入する現象を低減する機能を果たしている。
カラーフィルター９０及び隔壁４４の上面には、オーバーコート層９５及び充填層９６を介して対向基板１１が接着されている。対向基板１１は透明性を要するが耐熱性は要しないため、通常のガラスあるいはプラスチック等で形成することができる。有機ＥＬ装置１等は、対向基板１１と素子基板１０と該一対の基板間に形成された各要素で構成されている。さらに、対向基板１１の上面に偏光板等を配置しても良い。
【００６９】
画素電極５２は、第２のコンタクトホール６８の周辺領域を除いては、平面視で反射層６３に収まるようにパターニングされている。したがって、かかる周辺領域を除いては、発光機能層５４内で生じた光は、反射層６３と陰極５６との間で共振して特定の波長範囲の光が強調された後、陰極５６を透過してカラーフィルター９０側に射出される。そして、カラーフィルター９０で３原色光の夫々の波長範囲に含まれない光が吸収されて、より一層色純度の向上した光となって対向基板１１側から射出される。その結果、有機ＥＬ装置１の画像表示領域１００には、高品質の画像が形成される。
【００７０】
上述したように、画素電極５２の外縁部では共振長が変動するため、目的とする光の波長範囲から外れた光が生じ得る。そのため、有機ＥＬ装置１等では、カラーフィルター９０の周囲を平面視で囲む遮光領域４３に該カラーフィルターを構成要素とする隔壁４４を形成して、目的外の光が射出されることを低減している。
【００７１】
図５は、Ｘ方向の断面図であり図２に示すＤ−Ｄ’線における断面を示す模式断面図である。本図では、カラーフィルター９０の上方に形成されるオーバーコート層９５及び対向基板１１等の図示を省略している。また、素子基板１０の表面から反射層６３に至るまでの各要素を、素子層１２（図４参照）として簡略化して図示している。なお、以下の説明において、一部の要素については記載を省略している。
【００７２】
図示するように、陰極５６の上方には、平坦化層９２と封止層９３とが積層されてなる保護層９４を介してカラーフィルター９０と隔壁４４が形成されている。上述したように、カラーフィルター９０は、顔料が分散等されたアクリル樹脂、すなわち透明着色層からなる。該透明着色層は、分散等される顔料を変更することで任意の色にできる。すなわち、任意の波長範囲の光を透過させ、他の波長範囲の光を吸収させることが可能な透明着色層を得ることができる。
【００７３】
上述したように、カラーフィルター９０は、画素領域４２では狭義のカラーフィルター９０として機能し、遮光領域４３では隔壁４４として機能している。そして有機ＥＬ装置１では、赤色カラーフィルター９０Ｒ（赤色カラーフィルター９０Ｒとなる透明着色層、すなわち赤色着色層）が、遮光領域４３の全域に形成されている。したがって全ての隔壁４４は、少なくとも一部が赤色カラーフィルター９０Ｒで構成されている。
【００７４】
具体的には、赤色画素領域４２Ｒの周囲の隔壁４４は、赤色カラーフィルター９０Ｒ（符号は「４４（９０）」）のみで構成されている。緑色画素領域４２Ｇの周囲の隔壁４４は、下層の赤色カラーフィルター９０Ｒ（符号は「４４（９０）」）と上層の緑色カラーフィルター９０Ｇ（符号は「４４（９０）」）とで構成される２層構造を有している。青色画素領域４２Ｂの周囲の隔壁４４は、下層の赤色カラーフィルター９０Ｒ（符号は「４４（９０）」）と上層の青色カラーフィルター９０Ｂ（符号は「４４（９０）」）とで構成される２層構造を有している。かかる構成により、有機ＥＬ装置１においては、画素電極５２の外縁部における共振長の変動によって生じる、目的とする光の波長範囲から外れた光が、対向基板１１を介して射出される現象が低減されている。以下、かかる画素電極５２の外縁部における共振長の変動等を説明する。
【００７５】
図６は、画素電極５２の外縁部を拡大して示す模式断面図である。図６（ａ）は、図５に示すＥの部分、すなわち赤色画素電極５２Ｒの外縁部を拡大して示す図である。図６（ｂ）は、図５に示すＦの部分、すなわち緑色画素電極５２Ｇの外縁部を拡大して示す図である。双方の図とも、反射層６３の下層には第２の層間絶縁膜６２のみを図示しており、第２の層間絶縁膜６２から素子基板１０に至る各要素は図示を省略している。また、陰極５６の上層に形成される各要素も図示を省略している。
【００７６】
上述したように、画素電極５２はＩＴＯの薄膜を積層して形成されている。したがって、図６（ａ）に示すように、赤色画素電極５２Ｒの外縁部（すなわち赤色画素領域４２Ｒを囲む環状の領域）には、第１の段差領域８１と第２の段差領域８２とからなる段差領域８０が形成される。第１の段差領域８１において、赤色画素電極５２Ｒは、２層目のＩＴＯ薄膜と３層目のＩＴＯ薄膜の積層体で構成されている。第２の段差領域８２において、赤色画素電極５２Ｒは、３層目のＩＴＯ薄膜のみで構成されている。
また、図６（ｂ）に示すように、緑色画素電極５２Ｇの外縁部（すなわち緑色画素領域４２Ｇを囲む環状の領域）には、段差領域８０が形成される。段差領域８０において、緑色画素電極５２Ｇは、３層目のＩＴＯ薄膜のみで構成されている。
【００７７】
図４に示すように、緑色画素電極５２Ｇは、外縁部及び第２のコンタクトホール６８の近傍を除くと、２層目のＩＴＯ薄膜と３層目のＩＴＯ薄膜とが積層されて形成されている。かかる２層のＩＴＯ薄膜の層厚は、該２層を合せた層厚と発光機能層５４の層厚と反射層保護層６４の層厚との和、すなわち合計の層厚が、緑色光を共振により強調可能な厚さ（長さ）となるように設定されている。また、青色画素電極５２Ｂは、３層目のＩＴＯ薄膜で形成されている。３層目のＩＴＯ薄膜の層厚は、該３層目のＩＴＯ薄膜の層厚と発光機能層５４の層厚と反射層保護層６４の層厚との和、すなわち合計の層厚が、青色光を共振により強調可能な厚さ（長さ）となるように設定されている。
【００７８】
したがって、赤色画素領域４２Ｒを囲む所定の幅の環状の領域では緑色光及び青色光が共振により強調されつつ陰極５６を介して対向基板１１（図４参照）側に射出される。同様に、緑色画素領域４２Ｇを囲む所定の幅の環状の領域では青色光が共振により強調されつつ陰極５６を介して対向基板１１（図４参照）側に射出される。また、拡大図の提示は省略しているが、青色画素領域４２Ｂを囲む所定の幅の環状の領域では、青色画素電極５２Ｂの層厚の変動により、主として青色光よりも短波長側の光が強調されて射出される。かかる場合において、赤色カラーフィルター９０Ｒ（赤色カラーフィルター９０Ｒとなる透明着色層）は緑色光及び該緑色光よりも短波長側の光を遮光（遮断）する機能が高いため、隔壁４４としての機能を充分に果たすことができる。
【００７９】
図７は、カラーフィルター９０となる、顔料を分散させたネガ型の感光性アクリル材料の波長−透過率特性すなわち分光透過特性を、Ｒ，Ｇ，Ｂの色毎に示す図である。図示するように、赤色カラーフィルター９０Ｒは、緑色光及び青色光に対して高い遮光性（カットオフ特性）を有している。したがって、３原色光を用いてカラー画像を形成する有機ＥＬ装置においては、隔壁４４を赤色カラーフィルター９０Ｒで構成することで、好適でない波長の光が射出されることを充分に低減できる。「充分」とは、黒色顔料が分散等された樹脂材料あるいはＡｌ等の金属材料で形成された隔壁４４を用いた場合と比べて、殆んど変わらないレベルということである。
【００８０】
また、隔壁４４をカラーフィルター９０で形成することで、隔壁４４をカラーフィルター９０とは異なる材料で別途形成する場合に比べて製造コストを低減できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、表示品質を維持した上で低コスト化が図られている。また、隔壁を上述の材料等で別途形成する場合に比べて薄膜の形成工程、及びパターニング工程が少なくとも１回分は減少しているため有機ＥＬ素子５０等に対する影響も低減されており、信頼性も向上している。
【００８１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置としての有機ＥＬ装置について図８〜１０を用いて説明する。図８は、第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２の画像表示領域１００（図１参照）内における画素４６、画素電極５２等の配置の態様とカラーフィルター９０が形成される領域を示す模式平面図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と類似した構成を有している。素子層１２等の構成は同一であり、カラーフィルター９０及び隔壁４４の構成と、画素電極５２のＹ方向の間隔が有機ＥＬ装置１と異なっている。そこで、共通する構成要素には同一の符号を付与して、説明は一部省略する。また、回路図及びＹ方向の断面図は省略する。
【００８２】
図８に示すように、そして上述の有機ＥＬ装置１と同様に、有機ＥＬ装置２は画像表示領域１００内において規則的に形成された３原色に対応する３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を有している。各々の画素４６は、画素電極５２と平面視で該画素電極内に収まる画素領域４２（二点鎖線で図示）を有している。画像表示領域１００内における画素領域４２以外の領域が、遮光領域４３である。画素電極５２がマトリクス状に形成されているため、遮光領域４３の平面形状は、Ｘ方向に延在する帯状の部分とＹ方向に延在する帯状の部分とを有する格子状となる。
【００８３】
画像表示領域１００内の全域には少なくとも一層のカラーフィルター９０が形成されている。該カラーフィルターは広義のカラーフィルター９０であり、赤、緑、青のうちのいずれかの顔料が分散等された透明着色層である。上述の有機ＥＬ装置１と同様に、かかる透明着色層のうち画素領域４２に形成された部分が本来の（狭義の）カラーフィルター９０となり、遮光領域４３に形成された部分が隔壁４４（図１０参照）となる。
【００８４】
有機ＥＬ装置２においては、Ｙ方向に隣り合う画素４６間の間隔がＸ方向に隣り合う画素４６間の間隔よりも大きく形成されている。したがって、遮光領域４３のうちＸ方向に延在する部分の幅がＹ方向に延在する部分の幅よりも広くなっている。個々の画素４６をサブ画素として３色の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の集合を「画素」と定義した場合、隣り合う「画素」のＹ方向の間隔が同一「画素」内における「サブ画素」間の間隔よりも広く形成されていると考えることもできる。そして３色のカラーフィルター９０のうち、緑色カラーフィルター９０Ｇと青色カラーフィルター９０Ｂは、対応する画素領域４２と該画素領域を囲む環状の領域にのみ形成されている。一方、赤色カラーフィルター９０Ｒは遮光領域４３のうち、Ｙ方向に隣り合う画素４６間を隔てる領域、すなわちＸ方向に延在する帯状の領域にも形成されている。
【００８５】
図９は、本実施形態の有機ＥＬ装置２における（広義の）カラーフィルター９０の形成領域を、該カラーフィルターの色毎に示す図である。図９（ａ）は赤色カラーフィルター９０Ｒの形成領域を示す図であり、図９（ｂ）は緑色カラーフィルター９０Ｇの形成領域を示す図であり、図９（ｃ）は青色カラーフィルター９０Ｂの形成領域を示す図である。本図において二点鎖線で囲まれた方形の領域は、個々の画素４６を「サブ画素」と定義した場合に１つの「画素」が含まれる領域（範囲）である。したがって、かかる二点鎖線で囲まれた領域は、任意の波長分布の光（すなわち任意の色の光）を任意の強度で射出できる最小の領域である。
【００８６】
図示するように、緑色カラーフィルター９０Ｇの形成領域と青色カラーフィルター９０Ｂの形成領域は、上述の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１における該形成領域と類似している。すなわち、平面視で、画素電極５２（Ｇ，Ｂ）と該画素電極を囲む所定の幅の環状の領域に重なるように形成されている。ただし、有機ＥＬ装置１における該形成領域とは異なり、緑色カラーフィルター９０Ｇと青色カラーフィルター９０Ｂの形成領域は、双方の画素電極（Ｇ，Ｂ）が平面視で対向する領域において一部重なり合っている。
【００８７】
一方、赤色カラーフィルター９０Ｒの形成領域は、有機ＥＬ装置１における該形成領域とは異なっている。すなわち赤色カラーフィルター９０Ｒは、緑色画素４６Ｇと青色画素４６ＢとがＸ方向に隣り合う部分には形成されていない。また、緑色画素領域４２Ｇ及び青色画素領域４２Ｂに隣接する領域にも形成されていない。画素４６がＹ方向に隣り合う部分の遮光領域４３、すなわち遮光領域４３のうちＸ方向に延在する部分において、赤色カラーフィルター９０Ｒは中央部分のみ形成されており、両脇の部分には形成されていない。したがって、各々の画素領域４２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を囲む環状の領域、すなわち各々の画素領域４２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に隣接する領域には、単層のカラーフィルター９０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成されている。
【００８８】
かかる態様の（広義の）カラーフィルター９０は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１のカラーフィルター９０と比較すると、形成が容易であるという利点を有している。赤色カラーフィルター９０Ｒを、該赤色カラーフィルターの外周線と緑色画素領域４２Ｇの外周線あるいは青色画素領域４２Ｂの外周線とが一致するようにパターニングする必要がないため、フォトリソグラフィー工程の難易度が低減されている。そのため、本実施形態の有機ＥＬ装置２は、製造コストの低減という効果が得られる。
【００８９】
図１０は、図８のＥ−Ｅ’線における断面を示す模式断面図であり、有機ＥＬ装置２のＸ方向における模式断面図である。図示するように、広義のカラーフィルター９０は、対応する画素領域４２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を、該画素領域を囲む環状の領域も含めて完全に覆うように形成されている。そして、画素領域４２と重なる部分が狭義のカラーフィルター９０として機能しており、画素領域４２間の遮光領域４３と重なる部分が隔壁４４（符号は「４４（９０）」）として機能している。したがって、上述の有機ＥＬ装置１と同様に有機ＥＬ素子５０が形成された後のフォトリソグラフィー工程、すなわち有機ＥＬ素子５０を覆う保護層９４の上面における成膜工程及びパターニング工程が低減されている。その結果、耐食性、耐熱性の低い有機ＥＬ素子５０に加えられる負荷が低減されており、有機ＥＬ装置の信頼性の向上に寄与している。
【００９０】
また、図示するように、本実施形態の有機ＥＬ装置２は、狭義のカラーフィルター９０すなわち画素領域４２上のカラーフィルター９０と、隔壁４４と、が連続した透明着色層で構成されている。すなわち、隔壁４４のみが別途形成されておらず、Ｘ方向に隣り合う画素領域４２間に細かいパターンが形成されていない。そのためカラーフィルター９０及び隔壁４４の保護層９４に対する密着性が向上しており、信頼性が向上している。
【００９１】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置２は、緑色画素電極５２Ｇの外縁部の遮光性、すなわち緑色画素領域４２Ｇを囲む環状の領域における遮光性が問題となる。上述したように緑色画素領域４２Ｇを囲む環状の領域では、共振長の変動により緑色光よりも短波長側の光が強調される傾向がある。しかし、上述の図７に示すように緑色カラーフィルター９０Ｇ（緑色着色層）は、赤色カラーフィルター９０Ｒには若干劣るものの青色光に対して充分な遮光性を有している。そのため緑色画素４６Ｇの性能には殆んど影響はない。そのため、本実施形態の有機ＥＬ装置２は、上述の効果と相まって、充分に低コスト化と信頼性の向上が達成されている。
【００９２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態にかかる、電気光学装置としての有機ＥＬ装置について説明する。図１１は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置３の画像表示領域１００（図１参照）内における画素４６、画素電極５２の配置の態様とカラーフィルター９０が形成される領域を示す模式平面図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置３は、上述の有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２と類似した構成を有しており、（広義の）カラーフィルター９０及び隔壁４４の構成のみが異なっている。そこで、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明は一部省略するとともに、回路図及びＹ方向の断面図は図示を省略する。また、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置３のＸ方向における断面図は、図１０に示す第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２の断面図と略同一である。そこで、本実施形態の有機ＥＬ装置３の説明は、図１１の模式平面図のみを用いて行う。
【００９３】
図１１に示すように、有機ＥＬ装置３は、上述の各実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、画像表示領域１００内において規則的に形成された３原色に対応する３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を有している。各々の画素４６は、上述の有機ＥＬ装置１の画素４６と同様に反射層６３（図４参照）と陰極５６（図４参照）との間に光共振構造を有しており、画素電極５２の層厚は射出する光（の色）に合せて形成されている。有機ＥＬ装置３において発光機能層５４（図１０参照）内で生じる白色光は、該光共振構造とカラーフィルター９０により特定の波長範囲の光とされた後に射出される。各々の画素４６は、画素電極５２と、平面視で該画素電極内に収まる画素領域４２を有している。隣り合う画素領域４２の間隔は、Ｘ方向とＹ方向で同一である。したがって、遮光領域４３の幅、すなわちＸ方向に延在する帯状の部分の幅とＹ方向に延在する帯状の部分の幅は同一となる。
【００９４】
図示するように、有機ＥＬ装置３のカラーフィルター９０は、平面視で、Ｙ方向に延在する帯状に形成されている。なお、本図におけるカラーフィルター９０は広義のカラーフィルター９０である。カラーフィルター９０の幅すなわちＸ方向の寸法は、画素電極５２のＸ方向のピッチ（本実施形態の有機ＥＬ装置３では略５μｍ）を超えている。そしてカラーフィルター９０は、Ｙ方向に延在する中心線が対応する画素電極５２のＹ方向に延在する中心線と略一致するように形成されている。したがって、図１１においてハッチングを施した領域、すなわちＸ方向に隣り合う画素電極５２間の領域では、異なる色のカラーフィルター９０が積層される。
【００９５】
したがって、有機ＥＬ装置３のＸ方向の断面図は、切断位置を問わず、図１０に示す第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２の断面図と略同一となる。すなわち、隔壁４４（図１０参照）の少なくとも一部は、互いに異なる色の２層のカラーフィルター９０が積層されて形成されている。上述したようにカラーフィルター９０は３原色光の何れかに相当する波長範囲の光を透過させ、他の波長範囲の光は吸収する機能を有している。したがって、異なる色の２層のカラーフィルター９０が積層されてなる層は広い波長範囲の光に対して吸収性を有しており、高い遮光性を有している。
【００９６】
本実施形態の有機ＥＬ装置３は、カラーフィルター９０が、画素電極５２のＸ方向にピッチよりも広い幅を有する帯状のパターンの組み合わせで構成されている点に特徴がある。高精細なパターニングを実施しないため、パターニング工程の難易度がより一層低減されている。また、３種類（３色）のカラーフィルター９０を同一形状にパターニングできるため、フォトマスクを３色で共通化できる。
【００９７】
そして上述したように、異なる色に対応する画素領域４２間を隔てる隔壁４４の少なくとも一部が２色のカラーフィルター９０を積層して形成されているため、高い遮光性を有している。また、カラーフィルター９０がＹ方向に延在する帯状の部分のみで構成されているため、密着性がより一層向上している。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置３は、表示品質及び信頼性を維持しつつより一層の低コスト化が達成されている。
【００９８】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態として、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法の対象は、上述の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１である。そして、本実施形態、及び後述する第５の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法は、カラーフィルター９０の形成工程に特徴がある。素子層１２を構成する駆動用ＴＦＴ１１２（図４参照）及び有機ＥＬ素子５０（図４参照）等の各要素は、公知の技術で形成される。そこで、本実施形態及び後述する第５の実施形態に関しては、保護層９４が形成された段階から説明する。また、上述の第１の実施形態において説明した構成要素については、説明の記載を一部省略する。後述する第５の実施形態においても同様とする。
【００９９】
図１２及び図１３は、第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。上記の２図においては、上述の図５と同様に、素子基板１０の表面から反射層６３に至るまでの各要素が、素子層１２（図４参照）として簡略化して図示されている。なお、上述の有機ＥＬ素子５０を形成する工程が本実施形態における第１の工程である。したがって、本実施形態の説明は、第２の工程の説明から開始する。なお、第１の工程が実施された後、すなわち有機ＥＬ素子５０の形成後、該有機ＥＬ素子の上面に平坦化層９２と封止層９３を積層して保護層９４を形成する工程が実施されている。以下、工程順に説明する。
なお、本実施形態及び後述する第５の実施形態の説明に用いる図（図１２〜図１５）において、パターニングされた後の透明着色層（３５，３６，３７）については、「４４（９０）」又は「９０」の符号を付与している。
【０１００】
まず第２の工程として、図１２（ａ）に示すように、画像表示領域１００内を平面視で画素電極５２に含まれる領域であり有機ＥＬ素子５０が光を射出する領域である画素領域４２と、該画素領域以外の領域である遮光領域４３と、に区画する。そして画素領域４２を、該画素領域から射出される光の色に合せて赤色画素領域４２Ｒと緑色画素領域４２Ｇと青色画素領域４２Ｂとに区画する。
【０１０１】
次に第３の工程として、赤色画素領域４２Ｒと遮光領域４３に赤色着色層３５を形成する。まず、図１２（ｂ）に示すように、保護層９４上の全面に赤色着色層３５を形成する。赤色着色層３５は、赤色の顔料すなわち波長が略６１０ｎｍ〜略７５０ｎｍの範囲内の光を透過させ、それ以外の波長範囲の光を吸収する材料が分散されたネガ型の感光性アクリルからなる層である。次に、該赤色着色層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、赤色画素領域４２Ｒ及び遮光領域４３の２つの領域を除く領域から該赤色着色層を選択的に除去する。そして、選択的に残された赤色着色層３５にポストベーク処理すなわち加熱処理を施して硬化させる。このようにして、図１２（ｃ）に示すように、上述の２つの領域にのみ赤色着色層３５を残留させる。
【０１０２】
上述したように、パターニングされた後の赤色着色層３５には、「４４（９０）」又は「９０」の符号を付与している。パターニングされた後の赤色着色層３５は、上述の第１〜第３の実施形態における広義の赤色カラーフィルター９０Ｒに相当する。赤色着色層３５のうち、赤色画素領域４２Ｒに残された部分は赤色カラーフィルター９０Ｒとして機能する。そして、遮光領域４３に残された部分は、該赤色着色層の単層で、或いは他の色の透明着色層と積層された状態で隔壁４４として機能する。なお、フォトリソグラフィー法とは、対象となる薄膜に露光工程とエッチング工程を順に実施してパターニングする手法である。本実施形態では対象となる薄膜が感光性アクリルであるため、現像工程がエッチング工程を兼ねている。
【０１０３】
次に第４の工程として、緑色画素領域４２Ｇに緑色着色層３６を形成し、青色画素領域４２Ｂに青色着色層３７を形成する。上述したように、緑色着色層３６は波長が略５００ｎｍ〜略５６０ｎｍの範囲内の光を透過させ、それ以外の波長範囲の光を吸収する材料が分散された層であり、青色着色層３７は波長が略４３５ｎｍ〜略４８０ｎｍの範囲内の光を透過させ、それ以外の波長範囲の光を吸収する材料が分散された層である。
【０１０４】
まず、図１３（ｄ）に示すように、保護層９４上（及び先に形成された赤色カラーフィルター９０Ｒ上）の全面に緑色着色層３６を形成する。そして次に、該緑色着色層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、緑色画素領域４２Ｇ及び該緑色画素領域を囲む環状の領域の２つの領域を除く領域から該緑色着色層を選択的に除去する。そして、ポストベーク処理によりパターニングされた後の該緑色着色層を硬化させて、図１３（ｅ）に示すように上述の２つの領域に緑色着色層３６を形成する。
なお、上述のパターニング時において、下層に形成されている赤色カラーフィルター９０Ｒ及び隔壁４４は既に硬化されているため、エッチング液（すなわち現像液）により損なわれることはない。
【０１０５】
ここで上述の環状の領域とは、該当する画素領域４２から連続し、かつ、隣り合う他の画素領域４２には達しない領域である。したがって、緑色着色層３６は、緑色画素領域４２Ｇを平面視で含む島状の領域に残るようにパターニングされる。かかる残された緑色着色層３６のうち、平面視で緑色画素領域４２Ｇと重なる部分が、狭義の緑色カラーフィルター９０Ｇとして機能する。そして、残された緑色着色層３６のうちの緑色画素領域４２Ｇを囲む環状の領域と重なる部分が、隔壁４４として機能する。上記第３の工程において、緑色画素領域４２Ｇの周囲には、該緑色画素領域の外周線に至るまで赤色着色層３５が残されている。したがって、上述の環状の領域、すなわち緑色画素領域４２Ｇを囲む遮光領域４３には、下層の赤色着色層３５と上層の緑色着色層３６とからなる隔壁４４が形成される。
【０１０６】
次に、図１３（ｆ）に示すように保護層９４上（及び先に形成された赤色カラーフィルター９０Ｒ等の上）の全面に青色着色層３７を形成する。そして図１３（ｇ）に示すように、該青色着色層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、青色画素領域４２Ｂ及び該青色画素領域を囲む環状の領域の２つの領域を除く領域から該青色着色層を選択的に除去する。すなわち、青色画素領域４２Ｂ及び該青色画素領域を囲む環状の領域に青色着色層３７を残す。そして、ポストベーク処理により、パターニングされた後の青色着色層３７を硬化させる。パターニングされた後の青色着色層３７のうち、平面視で青色画素領域４２Ｂと重なる部分が、狭義の青色カラーフィルター９０Ｂとして機能する。そして、残された青色着色層３７のうちの青色画素領域４２Ｂを囲む環状の領域と重なる部分が、隔壁４４として機能する。上記第３の工程において、青色画素領域４２Ｂの周囲には該青色画素領域の外周線に至るまで赤色着色層３５が残されている。したがって、上述の環状の領域すなわち青色画素領域４２Ｂを囲む遮光領域４３には、下層の赤色着色層３５と上層の青色着色層３７とからなる隔壁４４が形成される。
【０１０７】
以上の工程により、各画素領域４２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にはカラーフィルター９０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成され、該画素領域を囲む遮光領域には、１層又は２層の透明着色層（３５，３６，３７）が形成される。かかる透明着色層（３５，３６，３７）が隔壁４４として機能する。なお、赤色カラーフィルター９０Ｒの形成後、緑色カラーフィルター９０Ｇの形成と青色カラーフィルター９０Ｂの形成は、どちらを先に実施してもかまない。
【０１０８】
本実施形態の製造方法によれば、各々の画素領域４２（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にはカラーフィルター９０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成され、隣り合う画素領域４２間を隔てる平面視で格子状の遮光領域４３には隔壁４４が形成される。そして該隔壁のうち、緑色画素領域４２Ｇを囲む環状の部分と青色画素領域４２Ｂを囲む環状の部分は、２層の透明着色層が積層された態様となる。透明着色層は、特定の波長範囲の光以外の光を吸収する層である。したがって、かかる２層の透明着色層が積層された構造は高い遮光性、すなわち広い波長範囲の光を吸収する機能を有している。
【０１０９】
本実施形態の製造方法であれば、かかる高い遮光性を有する隔壁４４を遮光性材料層の成膜工程、及び該遮光性材料層のパターニング工程を実施することなく形成できる。すなわち、成膜工程及びフォトリソグラフィー工程における加熱処理及び湿式処理である現像処理等を実施することなく隔壁４４を形成できる。したがって、カラーフィルター９０と素子基板１０との間に位置する有機ＥＬ素子５０に対して上述の加熱処理等が与える影響を低減でき、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を製造できる。また、成膜工程等の実施の回数を低減できるため、製造コストを低減しつつ、かかる信頼性の向上した有機ＥＬ装置を製造できる。
【０１１０】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態にかかる電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図１４及び図１５は、第５の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の製造方法の対象は、上述の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２である。
【０１１１】
上記２図においては、上述の図１２、図１３と同様に、素子基板１０の表面から反射層６３に至るまでの各要素を素子層１２（図４参照）として簡略化して図示している。上述したように本実施形態の製造方法については、上述の第４の実施形態の製造方法の説明と同様に、有機ＥＬ素子５０を形成する第１の工程の実施後、該有機ＥＬ素子の上面に保護層９４が形成された段階から工程順に説明する。
【０１１２】
まず第２の工程として、図１４（ａ）に示すように、画像表示領域１００内を画素電極５２に含まれる領域であり有機ＥＬ素子５０が光を射出する領域である画素領域４２と、該画素領域以外の領域である遮光領域４３と、に区画する。そして画素領域４２を、該画素領域から射出される光の色に合せて赤色画素領域４２Ｒと緑色画素領域４２Ｇと青色画素領域４２Ｂとに区画する。
【０１１３】
次に第３の工程として、図９（ａ）に示す領域、すなわち赤色画素領域４２Ｒ、及び、遮光領域４３のうち赤色画素領域４２Ｒに隣接する領域とＹ方向に延在する帯状の部分（Ｙ方向に隣り合う画素領域４２間を隔てる部分）の中央部分に、赤色着色層３５を形成する。まず図１４（ｂ）に示すように、保護層９４上の全面に赤色着色層３５を形成する。そして該赤色着色層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、図１４（ｃ）に示すように、上述の領域（図９（ａ）に示す領域）に赤色着色層３５を残す。そして、残された赤色着色層３５にポストベーク処理を行って硬化させる。かかる硬化された赤色着色層３５のうち、赤色画素領域４２Ｒと重なる部分が、（狭義の）赤色カラーフィルター９０Ｒとして機能する。
【０１１４】
次に第４の工程として、緑色画素領域４２Ｇと遮光領域４３のうち緑色画素領域４２Ｇに隣接する領域に緑色着色層３６を形成する。まず図１５（ｄ）に示すように、保護層９４上（及び、先に形成された赤色カラーフィルター９０Ｒ等の上）の全面に緑色着色層３６を形成する。そして次に、緑色着色層３６をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、図１５（ｅ）に示すように、上述の２つの領域以外にのみ緑色着色層３６を残す。そして、残された緑色着色層３６にポストベーク処理を行って、該緑色着色層を硬化させる。かかる硬化された緑色着色層３６のうち、緑色画素領域４２Ｇと重なる部分が、（狭義の）緑色カラーフィルター９０Ｇとして機能する。そして、遮光領域４３と重なる部分が隔壁４４として機能する。
【０１１５】
緑色着色層３６を形成する領域は、図９（ｂ）において示す広義の意味での緑色カラーフィルター９０Ｇが形成されている領域である。具体的には、緑色画素領域４２Ｇと該緑色画素領域を囲む環状とを合せた領域である。該環状の領域は、外縁部が最終的に他の色のカラーフィルター９０と重なる領域である。すなわち、上述の外縁部は、平面視で青色画素領域４２Ｂと対向する辺においては、後述する第５の工程において形成される（広義の）青色カラーフィルター９０Ｂと重なる領域である。そして他の３辺においては、第３の工程で形成されている（広義の）赤色カラーフィルター９０Ｒと重なる領域である。したがって図示するように、パターニングされた後の緑色着色層３６は、赤色画素領域４２Ｒと緑色画素領域４２Ｇとの間の遮光領域４３の中央において、先に形成されていた赤色着色層３５の端部と重なり合う。
【０１１６】
次に第５の工程として、青色画素領域４２Ｂと遮光領域４３のうち青色画素領域４２Ｂに隣接する領域に青色着色層３７を形成する。まず図１５（ｆ）に示すように、保護層９４上（及び、先に形成された赤色カラーフィルター９０Ｒ等の上）の全面に青色着色層３７を形成する。そして次に、青色着色層３７をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、図１５（ｇ）に示すように、上述の２つの領域以外にのみ青色着色層３７を残す。そして、残された青色着色層３７にポストベーク処理を行って硬化させる。かかる硬化された青色着色層３７のうち、青色画素領域４２Ｂと重なる部分が、（狭義の）青色カラーフィルター９０Ｂとして機能する。そして、遮光領域４３と重なる部分が隔壁４４として機能する。
【０１１７】
青色着色層３７を形成する領域は、図９（ｃ）において示す広義の青色カラーフィルター９０Ｂが形成されている領域である。具体的には、青色画素領域４２Ｂと該青色画素領域を囲む環状とを合せた領域である。該環状の領域は、外縁部が先に形成されている広義のカラーフィルター９０と重なる領域である。すなわち、上述の外縁部は、平面視で緑色画素領域４２Ｇと対向する辺においては、上述の第４の工程において形成された緑色着色層３６すなわち広義の緑色カラーフィルター９０Ｇと重なる領域である。そして他の３辺においては、第３の工程で形成された赤色着色層３５すなわち広義の赤色カラーフィルター９０Ｒと重なる領域である。したがって図示するように、パターニングされた後の青色着色層３７は、赤色画素領域４２Ｒと青色画素領域４２Ｂとの間の遮光領域４３の中央においては先に形成されていた赤色着色層３５の端部と重なり合う。そして、緑色画素領域４２Ｇと青色画素領域４２Ｂとの間の遮光領域４３の中央においては先に形成されていた緑色着色層３６の端部と重なり合う。
【０１１８】
以上の工程で、各々の画素領域４２に該画素領域の射出する光の色に対応する（狭義の）カラーフィルター９０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成される。そして、隣り合う該画素領域４２を隔てる遮光領域４３には隔壁４４が形成される。
【０１１９】
本実施形態の製造方法であれば、隔壁４４を遮光性材料層の成膜工程、及び該遮光性材料層のパターニング工程を実施することなく形成できる。すなわち、成膜工程及びフォトリソグラフィー工程における加熱処理及び湿式処理である現像処理等を実施することなく隔壁４４を形成できる。したがって、カラーフィルター９０と素子基板１０との間に位置する有機ＥＬ素子５０に対して上述の加熱処理等が与える影響を低減でき、信頼性が向上した有機ＥＬ装置を製造できる。そして、有機ＥＬ装置の製造コストも低減できる。
【０１２０】
また本実施形態の製造方法であれば、遮光領域４３内においてカラーフィルター９０の外縁部が互いに重なり合った隔壁４４を形成できる。かかる構成の隔壁４４は、先に形成されたカラーフィルター９０の外縁部が後に形成されたカラーフィルター９０の外縁部で覆われているため、密着性が向上している。したがって、カラーフィルター９０及び隔壁４４の信頼性も向上した有機ＥＬ装置を形成できる。
【０１２１】
（電子機器）
図１６は、上述の第１の実施形態の有機ＥＬ装置１を部品として組み込んだ種々の電子機器を示す図である。なお、上述の有機ＥＬ装置１の他に、第２の実施形態の有機ＥＬ装置２あるいは第３の実施形態の有機ＥＬ装置３を部品として用いることもできる。
図１６（ａ）は電子機器としてのヘッドマウントディスプレイへの適用例を示す模式図である。ヘッドマウントディスプレイ２６０は、バンド２６１、光学系収納部２６２及び有機ＥＬ装置１を備えている。このように有機ＥＬ装置１は画像表示器として利用可能である。
図１６（ｂ）はリア型プロジェクターへの適用例を示す模式図である。リア型プロジェクター２７０は、筐体２７１に、合成光学系２７３、ミラー２７４、ミラー２７５、スクリーン２７６、及び有機ＥＬ装置１を備えている。このように有機ＥＬ装置１は画像表示器として利用可能である。
図１６（ｃ）はフロント型プロジェクター（モバイルミニプロジェクター）への適用例を示す模式図である。フロント型プロジェクター２８０は、筐体２８２に光学系２８１及び有機ＥＬ装置１を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。なお、モバイルミニプロジェクターとして扱う場合、スクリーン２８３に代えて白い壁に映すようにすると、スクリーン２８３を省略することが可能となり、より持ち運び易いモバイルミニプロジェクターを提供することが可能となる。このように有機ＥＬ装置１は画像表示器として利用可能である。
【０１２２】
上述したように、第１〜第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１〜３はカラーフィルター９０の形成に要するフォトリソグラフィー工程が低減されているため、低コスト化及び信頼性の向上が図られている。したがって、かかる有機ＥＬ装置１〜３を種々の電子機器に適用することで、低価格でかつ高品質な電子機器を提供することが可能となる。
【０１２３】
本発明の実施の形態は、上述の各実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１２４】
（変形例１）
上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（１〜３）において、反射層６３は画素電極５２毎にパターニングされている。しかし反射層６３を第２のコンタクトホール６８の近辺以外はパターニングせずに、第２の層間絶縁膜６２上の略全面に形成する態様も可能である。このような態様であれば、画素領域４２と遮光領域４３との間の段差を低減できる。その結果、カラーフィルター９０の層厚の均一性を向上でき、有機ＥＬ装置の表示品質を向上できる。
【０１２５】
（変形例２）
上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（１〜３）において、有機ＥＬ素子５０（具体的には陰極５６）とカラーフィルター９０との間に形成される保護層９４は、有機ＥＬ素子５０側から順にアクリル等の有機材料からなる平坦化層９２とＳｉＯn等の無機材料からなる封止層９３とを積層して形成されている。しかし保護層９４の構成は、かかる２層の積層体に限定されるものではない。例えば、平坦化層９２と陰極５６の間に無機材料からなる層をさらに形成する態様も可能である。かかる構成であれば封止性等を向上でき、有機ＥＬ装置の信頼性を向上できる。
また封止層９３を、ＣＶＤ等の真空成膜法で形成した層とウェット成膜法で形成した層との積層体としてもよい。平坦性が向上するため、カラーフィルター９０の層厚の均一性を向上でき表示品質を向上できる。
【０１２６】
（変形例３）
上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（１〜３）において、画素電極５２と反射層６３は別個に形成されている。しかし、画素電極５２に反射層を兼ねさせる構成も可能である。そのような構成であれば成膜工程及びパターニング工程を少なくとも１回ずつは低減できるため、製造コストを低減できる。
【符号の説明】
【０１２７】
１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、２…第２の実施形態の有機ＥＬ装置、３…第３の実施形態の有機ＥＬ装置、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…素子層、３５…赤色着色層、３６…緑色着色層、３７…青色着色層、４２…画素領域、４２Ｂ…青色画素領域、４２Ｇ…緑色画素領域、４２Ｒ…赤色画素領域、４３…遮光領域、４４…隔壁、４６…画素、４６Ｂ…青色画素、４６Ｇ…緑色画素、４６Ｒ…赤色画素、５０…有機ＥＬ素子、５２…第１電極としての画素電極、５２Ｂ…青色画素電極、５２Ｇ…緑色画素電極、５２Ｒ…赤色画素電極、５４…発光機能層、５６…第２電極としての陰極、６１…第１の層間絶縁膜、６２…第２の層間絶縁膜、６３…反射層、６４…反射層保護膜、６７…第１のコンタクトホール、６８…第２のコンタクトホール、７１…半導体層、７２…チャネル領域、７３…ソース領域、７４…ドレイン領域、７５…ゲート電極、７７…ソース電極、７８…ドレイン電極、７９…ゲート絶縁膜、８０…段差領域、８１…第１の段差領域、８２…第の段差領域、９０…カラーフィルター、９０Ｂ…青色カラーフィルター、９０Ｇ…緑色カラーフィルター、９０Ｒ…赤色カラーフィルター、９２…平坦化層、９３…封止層、９４…保護層、９５…オーバーコート層、９６…充填層、１００…画像表示領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線、２６０…ヘッドマウントディスプレイ、２６１…バンド、２６２…光学系収納部、２７０…リア型プロジェクター、２７１…筐体、２７３…合成光学系、２７４…ミラー、２７５…ミラー、２７６…スクリーン、２８０…フロント型プロジェクター、２８１…光学系、２８２…筐体、２８３…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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