(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性バンプを半導体ウェハの表面に備えその半導体ウェハ上に設けられる応力補償組成物であって、
第１の屈折率を有する芳香性エポキシ樹脂と、
石英またはシリカと、
第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有する脂肪性エポキシ樹脂と、
露光時にエポキシ組成物の重合を開始する光開始剤と
を含み、
エポキシ組成物は、エポキシ組成物の屈折率と石英またはシリカの屈折率とを一致させるように芳香性エポキシ樹脂と脂肪性エポキシ樹脂とを混合して生成されていることを特徴とする応力補償組成物。
【請求項２】
請求項１記載の応力補償組成物を用いて導電性バンプを形成する方法であって、
主面（１２）および前記主面上に設けられたボンド・パッド（１３）を有する基板（１１）と、前記ボンド・パッド（１３）上に形成された第１導電性バンプ（２６）とを設ける段階と、
前記応力補償組成物を用いて、前記主面および前記第１導電性バンプ（２６）上に応力補償層（２１）を形成する段階と、
前記第１導電性バンプを露出するため前記応力補償層（２１）に開口を形成する段階と、
前記第１導電性バンプ上に第２導電性バンプを形成する段階と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の応力補償組成物を用いて導電性バンプを形成する方法であって、
主面（１２）および前記主面上に設けられたボンド・パッド（１３）を有する基板を設ける段階と、
前記応力補償組成物を用いて、前記主面および前記ボンド・パッド（１３）上に応力補償層（２１）を形成する段階と、
前記ボンド・パッド（１３）を露出するため前記応力補償層（２１）に開口を形成する段階と、
前記ボンド・パッド上に第１導電性バンプを形成する段階と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の方法を用いて形成される導電性バンプを備えた半導体部品。
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
【０００１】  本発明は、一般に、半導体部品(semiconductor component)に関し、さらに詳しくは、半導体部品における応力除去(stress relief)に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体製造業者は、プリント回路板，ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)基板，リードフレームなどの基板を電気接触するために、半導体チップ上に導電性バンプを形成する場合が多い。導電性バンプ(conductive bumps)を利用する利点には、ウェハ・レベルのパッケージングを行うことができること、入出力（Ｉ／Ｏ）密度の向上（これによるデバイス「フットプリント(footprint)」の小型化），相互接続の短縮による信号伝搬速度の向上，垂直高さ(vertical profile)の縮小およびデバイスの軽量化が含まれる。【０００３】  一般に、導電性バンプは、基板上にマスキング材料またはステンシル材料の層を被着させ、半田マスクに開口部を形成し、開口部内に導電性ペーストを設けて、導電性ペーストをリフローして導電性バンプを形成することによって形成される。次に、導電性バンプを含む半導体ウェハは、プリント回路板などの支持基板に装着される。機械的応力からの損傷を防ぐために、応力補償層(stress compensation layer)は半導体ウェハ上に形成される。一つの方法では、応力補償層は、樹脂トランスファ成形プロセスを利用して半導体ウェハの表面を封入することによって形成される。この方法の欠点として、樹脂内に空気泡が閉じ込められることや、半導体ウェハの圧迫が含まれる。別の方法では、ウェハの表面上に再分布誘電体(redistribution dielectric)を導入する。この方法の欠点は、パッケージの信頼性を向上させるためには、大きなバンプを形成しなければならないことである。この結果、導電性バンプの大型化に伴い、Ｉ／Ｏカウント密度は低下する。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  従って、光露光可能な(photoimageable)応力補償層を有する半導体部品を有することは有利である。また、応力補償層が半導体部品上に存在する半田接合部の熱膨張係数（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion）と一致する熱膨張係数を有することはさらに有利である。
【実施例】
【０００５】  図面を簡単かつ明瞭にするため、図面における要素は必ずしも縮尺通りではなく、異なる図面における同じ参照番号は同じ要素を表すものとする。【０００６】
一般に、本発明は、感光性(photosensitive)応力補償層を有する半導体部品，この半導体部品を製造する方法および感光性応力補償材料の組成物を提供する。感光性応力補償材料は、プロセスの複雑度またはボンドパッド・フットプリント(bondpad footprint)を増加せずに、最大４００マイクロメートル（μｍ）のバンプ高さを有する導電性バンプの形成を可能にする。本発明の応力補償材料(stress compensation material)は感光性があり、そのため、露光可能な(photoimageable)手法を利用して開口部または穴(via)を材料に形成できる。この材料は感光性があるので、光画定可能(photodefinable)ともいう。この特性の他に、感光性応力補償材料は、基板とバンプ下材料(underbump material)またはボンド・パッドとの間に形成される半田接合部の熱膨張係数（ＣＴＥ）と一致する熱膨張係数を有する。
【０００７】
本発明の一態様は、光画定可能な応力補償層の組成物である。なお、応力補償材料の特性は、エポキシ樹脂の特性によって影響され、そのため、エポキシ樹脂は半田接合部のＣＴＥに近いＣＴＥと、信頼性試験中に寸法安定性(dimensional stability)を確保するガラス転移温度(glass transition temperature)と、熱サイクル中に大きな応力に寄与しない弾性係数と、１パーセント以上の破断伸び(elongation at break)と、低い吸湿性(moisture absorption)とを有することが望ましい。ただし、これらの特性は一つのエポキシ樹脂では存在しない。従って、光画定可能な応力補償材料を生成するために、エポキシ樹脂および充填剤(fillers)の混合物からなるエポキシ樹脂の配合が発明された。一例として、光画定可能な応力補償材料は、充填剤入りエポキシ樹脂(filled epoxy)からなる。
【０００８】
本発明の一実施例に従って、光画定可能な応力補償材料は、エポキシ樹脂，希釈剤(diluent)，充填剤および光開始剤(photoinitiator)を合成することによって形成される。好ましくは、エポキシ樹脂は、適切な応力補償組成物を生成するように調合または調整可能な特性を有する芳香性エポキシ樹脂(aromatic epoxy)である。一例として、芳香性エポキシ樹脂は、ビスフェノールＦジエポキシド(bisphenol F diepoxide)である。別の適切な芳香性エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡジエポキシドである。ビスフェノールＦジエポキシド・ポリマは、約５８ｐｐｍ／℃(parts permillion per degree Celsius)のＣＴＥと、約５０キロセンチポアズ（ＫＣｐ：kiloCentipoise)の粘度と、約１３５℃のガラス転移温度と、約１．５８の屈折率とを有する。ビスフェノールＦジエポキシドのＣＴＥは、半田接合部のＣＴＥよりも高く、そのため、３０〜４５ｐｐｍ／℃程度のＣＴＥを有するエポキシ組成物を生成するために、充填剤がビスフェノールＦジエポキシドに追加される。適切な充填剤は、硼珪酸ガラス(borosilicate glass)であるが、硼珪酸ガラスが１．５２〜１．５４の範囲の屈折率を有するためである。ただし、充填剤の屈折率は、約１．５８の屈折率を有するエポキシ樹脂の屈折率よりも低い。他の適切な充填剤には、石英，シリカ，球状ガラス・ビーズ(spherical glass beads)などがある。
【０００９】
エポキシ組成物と充填剤との間の屈折率を一致させるため、芳香性エポキシ樹脂の屈折率よりも低い屈折率を有する脂肪性エポキシ樹脂(aliphatic epoxy)などの希釈剤が芳香性エポキシ樹脂と合成され、エポキシ組成物を形成する。ビスフェノールＦジエポキシドと合成可能な脂肪性エポキシ樹脂の適切なクラスは、脂環エポキシ樹脂(cycloaliphatic epoxies)である。脂肪性エポキシ樹脂の例には、ジグリシジル−１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート(diglycidyl-1, 2-cyclohexanedicarboxylate)，酸化リモネン(limonene oxide)および３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(3,4-epoxycyclohexylmethyl3,4-epoxycyclohexane carboxylate)がある。なお、脂肪性エポキシ樹脂はビスフェノールＦジエポキシドの粘度よりも低い粘度を有するので、エポキシ組成物の粘度はビスフェノールＦジエポキシドの粘度よりも低いことに留意されたい。さらに、硬化した脂肪性エポキシ樹脂は耐湿性が悪く、脆弱であるため、脂肪性エポキシ樹脂の量は、これらのパラメータがエポキシ組成物に悪影響を及ぼさないように調整すべきであることに留意されたい。
【００１０】
光開始剤は、光などの放射の露光時に、エポキシ組成物の重合(polymerization)を開始する。光開始剤は、陽イオン光開始剤(cationic photoinitiator)または遊離基光開始剤(free-radical photoinitiator)でもよい。紫外線（ＵＶ）光の存在下では、陽イオン光開始剤は、エポキシ樹脂の重合を開始する強酸を発生する。すなわち、強酸はエポキシ組成物の架橋(cross-linking)を促進する。遊離基光開始剤は、エポキシ・アクリレートのアクリレート部分に作用することにより、エポキシ・アクリレートの重合を開始する。
【００１１】  一実施例に従って、光開始剤は、例えば、トリアリル・スルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート(triaryl sulfonium hexafluorophosphate)塩などのオニウム塩(onium salt)と、例えば、プロピレン・カーボネート(propylene carbonate)などの溶媒との混合物である、陽イオン光開始剤である。適切なトリアリル・スルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート塩は、ビスｐジフェニルスルホニウムフェニルサルフィド・ヘキサフルオロホスフェート(bis-p-diphenylsulfoniumphenylsulfide hexafluorophosphate)と、ジフェニルフェニルチオフェニルサルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート(diphenylphenylthiophenylsulfonium hexafluorophosphate)との組合せである。一例として、陽イオン光開始剤は、５０重量パーセントのオニウム塩と、５０重量パーセントの溶媒とによって構成される。【００１２】
エポキシ樹脂の陽イオン光架橋(cationic photocrosslinking)は、ＵＶ放射が陽イオン光開始剤と反応して、強酸を形成した結果である。この強酸は、エポキシ樹脂モノマー(epoxy monomer)の環を開いて、反応性陽イオン種(reactive cationic species)を形成し、その結果、エポキシ樹脂の重合が生じる。
【００１３】
陽イオン光開始剤の別の例では、光画定可能な応力補償材料は、エポキシ樹脂，希釈剤，エポキシ・アクリレート，架橋剤(cross-linker)，充填剤および陽イオン光開始剤を合成することによって形成される。エポキシ・アクリレートは、光画定可能な応力補償層の光露光性(photoimageability)を向上させ、エポキシ・アクリレート・モノマと、例えば、トリアクリレート(triacrylate)などの架橋剤と混合することによって形成される。具体的には、光画定可能な応力補償材料は、約１５重量パーセントの芳香性エポキシ樹脂と、約３２．６重量パーセントの希釈剤または脂環エポキシ樹脂と、約４７．５重量パーセントのエポキシ・アクリレートとトリアクリレートとの混合物と、約４．７重量パーセントの陽イオン光開始剤とによって構成される。好ましくは、エポキシ樹脂は、Ciba Geigy Corporation社製の商品名GY 281として販売されるビスフェノールＦジエポキシドであり；脂環エポキシ樹脂は、Union Carbide Corporation社製の商品名ERL 4221として販売される３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサン・カルボキシレートであり；エポキシ・アクリレートとトリアクリレートとの混合物は、UCB Chemical Corporation社製の商品名Ebecryl 9636として販売される、７０重量パーセントのアクリレート化ビスフェノールＦと３０重量パーセントのトリメチルオルプロパントリアクリレート(trimethylolpropanetriacrylate)であり；充填剤は、硼珪酸ガラスであり；陽イオン光開始剤は、UCB Chemical Corporation社製の商品名Uvacure 1590として販売される、５０重量パーセントのトリアリル・スルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート塩と５０重量パーセントの１，２プロピレン・カーボネートである。特に、トリアリル・スルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート塩は、ビスｐジフェニルスルホニウムフェニルサルフィド・ヘキサフルオロホスフェートと、ジフェニルフェニルチオフェニルサルホニウム・ヘキサフルオロホスフェートの組合せである。なお、エポキシ樹脂の配合は３０〜８０重量パーセントの充填剤を含有してもよいことを理解されたい。
【００１４】  陽イオン光開始剤のさらに別の例では、光画定可能な応力補償材料は、希釈剤，充填剤および陽イオン光開始剤を合成することによって形成され、ここで充填剤は石英またはシリカである。【００１５】
遊離基光開始剤の実施例に従って、光画定可能な応力補償材料は、エポキシ樹脂，エポキシ・アクリレート，希釈剤，充填剤および遊離基光開始剤を合成することによって形成される。遊離基光開始剤の実施例に従って、遊離基光開始剤は、開始剤と、アミン協力剤(amine synergist)との混合物である。一例として、開始剤は、イソプロピルチオキサントン(isopropylthioxanthone)であり、アミン協力剤は、エチルｐ−（ヂメチルアミノ）ベンゾエート(ethyl p-(dimethylamino)benzoate)である。適切な混合物は、１：１の重量比のイソプロピルチオキサントンとエチルｐ−（ヂメチルアミノ）ベンゾエートの混合物である。例えば、この混合物は、約５０重量パーセントのイソプロピルチオキサントンと、５０重量パーセントのエチルｐ−（ヂメチルアミノ）ベンゾエートによって構成される。
【００１６】
好ましくは、エポキシ樹脂は、適切な応力補償組成物を生成するように調合または調整可能な特性を有する芳香性エポキシ樹脂である。一例として、芳香性エポキシ樹脂は、ビスフェノールＦジエポキシドであり、エポキシ・アクリレートはEbecryl 9636である。別の適切な芳香性エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡジエポキシドである。
【００１７】
エポキシ組成物と充填剤との間の屈折率を一致させるため、芳香性エポキシ樹脂の屈折率よりも低い屈折率を有する脂肪性エポキシ樹脂が芳香性エポキシ樹脂と合成され、エポキシ組成物を形成する。ビスフェノールＦジエポキシドと合成可能な脂肪性エポキシ樹脂の適切なクラスは、脂環エポキシ樹脂である。
【００１８】
アクリレートの光架橋は、ＵＶ放射が遊離基光開始剤とが反応して、アミン引抜(amine abstraction)により遊離基を発生した結果である。次に、遊離基はアクリレートと反応して、エポキシ樹脂を溶けにくくする網(network)を形成する（光内位添加(photointercalation)）。
【００１９】
本発明の別の態様は、導電性バンプの形成において応力補償組成物を利用することである。図１は、本発明の別の実施例による初期の製造段階における半導体部品１０の拡大断面図である。図１に示すのは、例えば、表面１２を有する半導体ウェハなどの基板１１である。誘電材料の層１４は、表面１２上に形成され、開口部は、ボンド・パッド１３が形成される箇所にて誘電層１４に形成される。当業者であれば理解されるように、半導体ウェハは、トランジスタ，ダイオード，集積回路，受動性素子などの回路素子を収容する複数の半導体チップからなる。ボンド・パッド１３は、集積回路または半導体デバイスの適切な領域に電気接触する。なお、回路素子は図１では図示されていないことに留意されたい。
【００２０】  ボンド・パッド１３は、誘電層１４における開口部によって露出される表面１２の部分に形成される。再分布構造(redistribution structure)１６は、ボンド・パッド１３および誘電層１４の部分に形成される。図１に示す実施例に従って、再分布構造１６は、誘電材料の層１８がその上に形成された導電材料の層１７によって構成される。導電層１７の適切な材料には、銅，アルミニウムなどが含まれる。誘電層１８の適切な材料には、ポリイミド，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）などが含まれる。再分布構造１６は、細ピッチの周辺構造から粗ピッチのエリア・アレイ構造に、ボンド・パッドを再分布する。従って、再分布構造１６は、ボンド・パッド拡張を提供すべく機能する。再分布構造１６について、絶縁材料１８上に配置された導電層１７として図説したが、これは本発明を制限するものではないことを理解されたい。例えば、再分布構造１６は、複数の絶縁または非導電層によって分離された複数の導電層によって構成できる。【００２１】  複数の穴(via)１９は、導電層１７のバンプ領域を露出するために、絶縁層１８に形成される。導電層１７のバンプまたはバンプ領域は、導電性バンプが形成される領域である。【００２２】  ここで図２を参照して、上記の光画定可能な応力補償材料の層２１は、再分布構造１６の上に設けられる。応力補償層２１は、穴１９を埋める。フォトリソグラフィ方法を利用して、開口部２２は応力補償層２１に形成され、導電層１７のバンプ領域を露出する。【００２３】  ここで図３を参照して、任意のバンプ下メタライゼーション層(underbump metallization layer)２３は、導電層１７の露出部分、すなわち、導電層１７の露出したボンド・パッド領域に形成される。【００２４】  例えば、半田ペーストなどの導電性ペースト２４は、応力補償層２１上に設けられる。好ましくは、導電性ペースト２４は、応力補償層２１の表面および開口部２２内に供給(dispense)，拡散(spread)あるいは流入(flood)される。応力補償層２１に導電性ペースト２４を塗布し、また応力補償層２１の開口部２２を実質的に埋めるために、スキージ(squeegee)または他の適切な器具が用いられる。余分な導電性ペーストは、応力補償層２１の表面から除去される。【００２５】  ここで図４を参照して、導電性ペースト２４はリフローされ、導電性バンプ２６を形成する。導電性バンプ２６は、導電性ペースト２４が半田ペーストである場合には、半田バンプともいう。追加の導電性ペースト２７は、応力補償層２１および導電性バンプ２６の上に設けられる。追加の導電性ペーストを適用する目的は、導電性バンプの高さを増加することである。あるいは、半田ボールが導電性バンプ２６上に設けられる。【００２６】  ここで図５を参照して、導電性ペーストはリフローされ、導電性バンプ２６上に導電性バンプ２８を形成する。導電性バンプ２８は、導電性バンプ２６と溶融して、導電性バンプ２９を形成する。本実施例では、応力補償層２１は、ウェハ上の応力を除去するだけでなく、導電性バンプ２８の形成のためのステンシルとしても機能する。【００２７】  図６は、本発明のさらに別の実施例による初期の製造段階における半導体部品４０の拡大断面図である。なお、同じ要素を表すために、図面において同じ参照番号が用いられていることを理解されたい。図６に示すのは、例えば、表面１２と、表面１２上のボンド・パッド１３および誘電層１４とを有する半導体ウェハなどの基板１１である。再分布構造１６は、ボンド・パッド１３および誘電層１４の部分に形成される。本実施例に従って、再分布構造１６は、非導電材料の層１８がその上に設けられた導電材料の層１７によって構成される。複数の穴１９は、非導電層１８に形成され、導電層１７の部分を露出する。任意のバンプ下メタライゼーション層４２は、導電層１７の露出部分に形成される。【００２８】  ここで図７を参照して、半田マスク材料の層４１は、再分布構造１６およびバンプ下メタライゼーション層４２上に形成される。半田マスク層４１は、バンプ下メタライゼーション層４２の部分を露出すべく開口部４３が半田マスク層４１に形成されるようにパターニングされる。なお、半田マスク層４１はステンシルとして機能し、またステンシルとして用いられる材料は本発明を制限するものではないことを理解されたい。例えば、ステンシルは、フォトレジスト，応力補償材料などでもよい。例えば、半田ペーストなどの導電性ペースト４４は、半田マスク層４１上および開口部４３内に設けられる。導電性ペーストを設けるための方法については、図３を参照して説明した。余分な導電性ペーストは、半田マスク層４１の表面から除去される。【００２９】  ここで図８を参照して、半田マスク層４１は除去され、導電性ペーストはリフローされて、導電性バンプ４６を形成する。導電性ペースト４４が半田ペーストである場合、導電性バンプ４６は半田バンプともいう。導電性バンプ４６は洗浄され、光画定可能な応力補償材料の層４７が導電性バンプ４６および再分布構造１６の上に設けられる。フォトリソグラフィ方法を利用して、開口部４９は応力補償層４７に形成される。【００３０】  ここで図９を参照して、導電性バンプ４６上に第２セットの導電性バンプ５１が形成される。導電性バンプ５１は導電性バンプ４６と溶融して、バンプ構造５２を形成する。なお、本発明を利用して、約３００ミクロン以上の全高を有するバンプが形成できることを理解されたい。あるいは、半田ボールが導電性バンプ４６上に設けられる。【００３１】
以上、光画定可能な応力補償層を有する半導体部品と、この応力補償層の化学組成物が提供されたことを理解されたい。光画定可能な応力補償層は、屈折率が充填剤の屈折率と一致したエポキシ樹脂の配合を含む。この屈折率を一致させることにより、応力補償層は、非一致配合では不可能であった厚さで光露光が可能になり、ＵＶ光などの放射に露光した応力補償層の部分が重合し、一方、露光していない部分は容易に除去できる。従って、厚いエポキシ樹脂の膜、すなわち、最大２００μｍ厚の膜を形成でき、これらの厚い膜に穴を形成できる。
【００３２】  本発明の特定の実施例について図説してきたが、更なる修正および改善は当業者に想起される。なお、本発明は図示の特定の形式に制限されず、特許請求の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しないあらゆる修正を網羅するものとする。例えば、導電性バンプ１６は、プリント配線基板，フレックス回路(flex circuits)，メタライゼーションされたセラミックまたはガラスなどの上に形成できる。さらに、導電性バンプは、半田パウダと固体半田フラックスの組合せを利用して形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例による初期の製造段階における半導体部品の拡大断面図である。
【図２】  応力補償層が形成された図１の半導体部品の拡大断面図である。
【図３】  以降の製造段階における図２の半導体ウェハの拡大断面図である。
【図４】  以降の製造段階における図３の半導体ウェハの拡大断面図である。
【図５】  以降の製造段階における図４の半導体ウェハの拡大断面図である。
【図６】  本発明の別の実施例による初期の製造段階における半導体部品の拡大断面図である。
【図７】  以降の製造段階における図６の半導体ウェハの拡大断面図である。
【図８】  以降の製造段階における図７の半導体ウェハの拡大断面図である。
【図９】  以降の製造段階における図８の半導体ウェハの拡大断面図である。
【符号の説明】  １０  半導体部品
１１  基板
１２  表面
１３  ボンド・パッド
１４  誘電層
１６  再分布構造
１７  導電層
１８  誘電層（絶縁層）
１９  穴
２１  応力補償層
２２  開口部
２３  バンプ下メタライゼーション層
２４  導電性ペースト
２６  導電性バンプ
２７  導電性ペースト
２８  導電性バンプ
２９  導電性バンプ
４０  半導体部品
４１  半田マスク層
４２  バンプ下メタライゼーション層
４３  開口部
４４  導電性ペースト
４６  導電性バンプ
４７  応力補償層
４９  開口部
５１  導電性バンプ
５２  バンプ構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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