(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ捕捉レンズモジュールであって、
被写体側からイメージ側に順に配置された第一レンズ素子、第二レンズ素子、及び、第
三レンズ素子を有する第一複合レンズと、
被写体側からイメージ側に順に配置された第四レンズ素子、第五レンズ素子、及び、第
六レンズ素子を有する第二複合レンズと、
前記第一複合レンズと前記第二複合レンズとの間のスペーサと、からなり、
前記第一複合レンズ及び前記第二複合レンズは、被写体側からイメージ側に前記第一複合レンズ及び前記第二複合レンズの順に配置され、
前記第一レンズ素子の曲率半径は正値で、前記第三レンズ素子の曲率半径は正値で、前
記第四レンズ素子の曲率半径は負値で、前記第六レンズ素子の曲率半径は正値であり、
前記第一レンズ素子のアッベ数は５６以上で、前記第三レンズ素子のアッベ数は３０以下であることを特徴とするイメージ捕捉レンズモジュール。 
【請求項２】
前記第二レンズ素子と前記第五レンズ素子は、屈折率が１．６より大きい高屈折率のウェハレベル基板を含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージ捕捉レンズモジュール。 
【請求項３】
前記第一、第三、第四、第六レンズ素子は、リフロー可能、及び、ＵＶ硬化高分子化合
物であることを特徴とする請求項１に記載のイメージ捕捉レンズモジュール。 
【請求項４】
さらに、０．５ ＜｜ＥＦＬg1／ＥＦＬg1g2｜＜ ０．８を満たし、前記ＥＦＬg1は 前記第一複合レンズの有効焦点距離で、前記ＥＦＬg1g2は前記第一と第二複合レンズの有効焦点距離であることを特徴とする請求項１に記載のイメージ捕捉レンズモジュール。
【請求項５】
前記第一レンズ素子は、近軸線上で前記被写体側に面する凸面を有する平凸レンズで、
前記第二レンズ素子は、光学平行板で、前記第三レンズ素子は、近軸線上で前記イメージ
側に面する凹面を有する平凹レンズで、前記第四レンズ素子は、近軸線上で前記被写体側
に面する凹面を有する平凹レンズで、前記第五レンズ素子は、光学平行板で、前記第六レ
ンズ素子は、近軸線上で前記イメージ側に面する凹面を有する平凹レンズであることを特徴とする請求項１に記載のイメージ捕捉レンズモジュール。
【請求項６】
さらに、前記第二複合レンズ後方に位置し、イメージセンサに用いるカバーガラスを有
し、前記第一複合レンズ、前記第二複合レンズ、及び、前記カバーガラスは、被写体側か
らイメージ側に順に配置されることを特徴とする請求項１に記載のイメージ捕捉レンズモジュール。
【請求項７】
イメージ捕捉システムであって、
ウェハレベルのパッケージイメージ捕捉レンズモジュールとＣＭＯＳイメージセンサチッ
プと、からなり、前記イメージ捕捉レンズモジュールは、
被写体側からイメージ側に順に配置された第一レンズ素子、第二レンズ素子、及び、第
三レンズ素子を有する第一複合レンズと、
被写体側からイメージ側に順に配置された第四レンズ素子、第五レンズ素子、及び、第
六レンズ素子を有する第二複合レンズと、
前記第一複合レンズと前記第二複合レンズ間のスペーサと、
前記第二複合レンズ後方に位置し、イメージセンサに用いるカバーガラスと、
それぞれ、前記イメージセンサ装置に結合され、一つ、或いは、それ以上の画素をアド
レスし、選択された画素からデータを取り出す行デコーダと列デコーダと、
前記列デコーダに結合され、アナログ電気表現をデジタルイメージに転換するアナログ
デジタルコンバータ（ＡＤＣ）と、
前記アナログデジタルコンバータにより転換されたデジタルイメージデータを保存する
出力バッファと、
からなり、
前記カバーガラスが、前記第一複合レンズ、前記第二複合レンズと共に、被写体側からイメージ側に前記第一複合レンズ、前記第二複合レンズ、前記カバーガラスの順に配置され、
前記第一レンズ素子の曲率半径は正値で、前記第三レンズ素子の曲率半径は正値で、前
記第四レンズ素子の曲率半径は負値で、前記第六レンズ素子の曲率半径は正値で、
前記第一レンズ素子のアッベ数は５６以上で、前記第三レンズ素子のアッベ数は３０以下であることを特徴とするイメージ捕捉システム。 
【請求項８】
前記第一、第三、第四、第六レンズ素子は、リフロー可能、及び、ＵＶ硬化高分子化合物であることを特徴とする請求項７に記載のイメージ捕捉システム。
【請求項９】
さらに、０．５ ＜｜ＥＦＬg1／ＥＦＬg1g2｜＜ ０．８を満たし、前記ＥＦＬg1は前記第一複合レンズの有効焦点距離で、前記ＥＦＬg1g2第一と第二複合レンズの有効焦点距離であることを特徴とする請求項７に記載のイメージ捕捉システム。
【請求項１０】
前記第一レンズ素子は、近軸線上で前記被写体側に面する凸面を有する平凸レンズで、
前記第二レンズ素子は、光学平行板で、前記第三レンズ素子は、近軸線上で前記イメージ
側に面する凹面を有する平凹レンズで、前記第四レンズ素子は、近軸線上で前記被写体側
に面する凹面を有する平凹レンズで、前記第五レンズ素子は、光学平行板で、前記第六レ
ンズ素子は、近軸線上で前記イメージ側に面する凹面を有する平凹レンズであることを特徴とする請求項７に記載のイメージ捕捉システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージ捕捉レンズモジュールに関するものであって、特に、高性能のウェハレベルパッケージイメージ捕捉レンズモジュールとイメージ捕捉システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高解像度の電子画像センサを用いるデジタルカメラは、通常、イメージ捕捉レンズモジュール等の高解像光学素子を必要とする。携帯電子製品のカメラモジュールの設計と製造は、非常に難易度が高い。その要因としては、生産量が大きいこと、価格が継続的に低下していること、サイズに制限があること、およびパフォーマンスと機能に対する要求が変化していることが重要なものである。
【０００３】
デジタルカメラモジュール上のイメージ捕捉レンズは、シーンを撮像装置上に合焦させることができ、一つのデジタルカメラモジュール上に、僅か１個のレンズか、或いは、デジタルカメラモジュール内に４個のレンズを有し、百万画素以上の解像度を有するものである。コストを減少させるため、レンズの材質は、一般に、プラスチックを使用する。しかし、高品質のデジタルカメラの場合、通常、優れた光学特性を有するガラス製の第一レンズを用いる。
【０００４】
特許文献１を参照し、その内容全体を本明細書に組み入れるものとする。特許文献１は、僅か２個の分離したレンズからなる微小イメージ捕捉レンズを開示し、これらのレンズは小型で、その収差を最適に補正されたものである。
【０００５】
特許文献２を参照し、その内容全体を本明細書に参照として組み入れるものとする。特許文献２は、３個のレンズ素子からなる結像レンズを開示し、これらの３個のレンズは被写体側から順に、正、負、及び、正の屈折率を有する。
【０００６】
また、特許文献３を参照し、その内容全体を本明細書に参照として組み入れるものとする。収差が補正され、短い光路長を有し、信頼性のあるバック焦点を有し、高温環境下で安定した光学特性を有するレンズを特許文献３は開示する。
【０００７】
図１は、公知の結像レンズの構成を示す図である。図１を参照すると、結像レンズは、第一絞りＳ１、第一接合型複合レンズ１０、第二絞りＳ２、及び、第二接合型複合レンズ２０、を含み、これらが、被写体側からイメージ側に順に配置される。第一接合型複合レンズ１０は、被写体側からイメージ側に順に配置される第一レンズＬ１、第二レンズＬ２、及び、第三レンズＬ３を有する。第二接合型複合レンズ２０は、被写体側からイメージ側に順に配置される第四レンズＬ４、第五レンズＬ５、及び、第六レンズＬ６を有する。カバーガラス３０は、第二接合型複合レンズ２０とイメージ感知素子４０の間に挿入される。従来は、結像レンズは、ウェハレベルのパッケージ技術によりパッケージされる。しかし、光学特性の劣化、基板材料の制限、レンズ複製プロセスの制限、及び、レンズモジュールの光心の照準誤差等、公知のウェハレベルのパッケージイメージ捕捉レンズモジュールには、幾つかの問題がある。更に、公知のツーピース式ウェハレベルのパッケージレンズモジュールは、二メガピクセル（２Ｍ）、或いは、三メガピクセル（３Ｍ）ＣＭＯＳイメージセンサチップと整合するのに十分ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６８１３１００号明細書
【特許文献２】米国特許第６９７７７７９号明細書
【特許文献３】特開２００８−２８７００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、イメージ捕捉レンズモジュールとイメージ捕捉システムを提供し、上述の問題を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態は、イメージ捕捉レンズモジュールを提供し、被写体側からイメージ側に順に配置された第一レンズ素子、第二レンズ素子、及び、第三レンズ素子を有する第一複合レンズと、被写体側からイメージ側に順に配置された第四レンズ素子、第五レンズ素子、及び、第六レンズ素子を有する第二複合レンズと、第一複合レンズと第二複合レンズ間のスペーサと、からなり、第一複合レンズ、第二複合レンズ、及び、カバーガラスは、被写体側からイメージ側に順に配置され、第一レンズ素子の曲率半径は正値で、第三レンズ素子の曲率半径は正値で、第四レンズ素子の曲率半径は負値で、第六レンズ素子の曲率半径は正値で、第一レンズ素子のアッベ数は５５以上で、第三レンズ素子のアッベ数は３０以下である。
【００１１】
本発明の実施形態は、更に、イメージ捕捉システムを提供し、ウェハレベルのパッケージイメージ捕捉レンズモジュールとＣＭＯＳイメージセンサチップと、からなり、イメージ捕捉レンズモジュールは、被写体側からイメージ側に順に配置された第一レンズ素子、第二レンズ素子、及び、第三レンズ素子を有する第一複合レンズと、被写体側からイメージ側に順に配置された第四レンズ素子、第五レンズ素子、及び、第六レンズ素子を有する第二複合レンズと、第一複合レンズと第二複合レンズ間のスペーサと、第二複合レンズ後方に位置し、イメージセンサに用いるカバーガラスと、からなり、第一複合レンズ、第二複合レンズ、及び、カバーガラスは、被写体側からイメージ側に順に配置される。イメージセンサ装置に結合された行デコーダと列デコーダは、それぞれ、一つ、或いは、それ以上の画素をアドレスし、選択された画素からデータを取り出す。アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）は列デコーダに結合され、アナログ電気表現をデジタルイメージに転換する。出力バッファは、アナログデジタルコンバータにより転換されたデジタルイメージデータを保存する。第一レンズ素子の曲率半径は正値で、第三レンズ素子の曲率半径は正値で、第四レンズ素子の曲率半径は負値で、第六レンズ素子の曲率半径は正値で、第一レンズ素子のアッベ数は５５以上で、第三レンズ素子のアッベ数は３０以下である。
【発明の効果】
【００１２】
ウェハレベルのパッケージ捕捉レンズモジュールの高さを減少するため、高屈折率の基板（例えば、屈折率が１．６以上）が用いられ、高い光学パフォーマンスを維持する。よって、レンズモジュールの光路長は、携帯電話等に挿入するのに十分短い。公知技術と比較すると、イメージ捕捉レンズモジュールの高さは減少する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】公知の結像レンズの構成を示す図である。
【図２Ａ】本発明の第一実施形態によるイメージ捕捉レンズモジュールの積層型複合レンズ構造を示す図である。
【図２Ｂ】第一実施形態によるＣＭＯＳイメージセンサチップ上の焦点画像のイメージ捕捉レンズモジュールの空間周波数に沿った改善された変調分布を示す図である。
【図２Ｃ】第一実施形態の顕著に高いＭＴＦ値（７０本／ｍｍと１４０本／ｍｍ条件下）を有するイメージ捕捉レンズモジュールの接線方向(Ｔ)と半径方向(Ｓ)の測定結果を示す図である。
【図３Ａ】本発明の第二実施形態によるイメージ捕捉レンズモジュールの積層型複合レンズ構造を示す図である。
【図３Ｂ】第二実施形態によるＣＭＯＳイメージセンサチップ上の焦点画像の空間周波数に沿った改善された変調分布を示す図である。
【図３Ｃ】第二実施形態の顕著に高いＭＴＦ値（７０本／ｍｍと１４０本／ｍｍ条件下）を有するイメージ捕捉レンズモジュールの接線方向(Ｔ)と半径方向(Ｓ)の測定結果を示す図である。
【図４Ａ】本発明の第三実施形態によるイメージ捕捉レンズレンズモジュールの積層型複合レンズ構成を示す図である。
【図４Ｂ】第三実施形態によるＣＭＯＳイメージセンサチップ上の焦点画像の空間周波数に沿った改善された変調分布を示す図である。
【図４Ｃ】第三実施形態の顕著に高いＭＴＦ値（７０本／ｍｍと１４０本／ｍｍ条件下）を有するイメージ捕捉レンズモジュールの接線方向(Ｔ)と半径方向(Ｓ)の測定結果を示す図である。
【図５】本発明のイメージ捕捉システムの実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図２Ａは、本発明の第一実施形態によるイメージ捕捉レンズモジュールの積層型複合レンズ構造を示す図である。図２Ａを参照すると、ＶＧＡグレードの解像度を有するイメージ捕捉レンズモジュール１００は、被写体側からイメージ側に順に配列された第一複合レンズ１１０、第二複合レンズ１２０、及び、イメージセンサに用いるカバーガラス１３０、からなる。第一複合レンズ１１０は、被写体側からイメージ側に順に配列された第一レンズ素子１１１、第二レンズ素子１１３、及び、第三レンズ素子１１５、からなる。第二複合レンズ１２０は、被写体側からイメージ側に順に配列された第四レンズ素子１２１、第五レンズ素子１２３、及び、第六レンズ素子１２５、からなる。カバーガラス１３０を有するイメージセンサ（図示しない）が第二複合レンズ１２０後方に位置する。一つの実施形態においては、第一レンズ素子の曲率半径は正値で、第三レンズ素子の曲率半径は正値で、第四レンズ素子の曲率半径は負値で、第六レンズ素子の曲率半径は正値である。別の実施形態においては、第一レンズ素子のアッベ数は５５以上で、第三レンズ素子のアッベ数は３０以下である。
【００１５】
第一実施形態において、イメージ捕捉レンズモジュール１００の６個のレンズ１１１、１１３、１１５、１２１、１２３、及び、１２５は、以下の式を満たす。
【００１６】
【数１】
0005612952.tif 000002
【００１７】
式１中、ｒは光軸からの距離であり、Ｚは、光軸からの距離がｒである、非球面レンズ表面上の点から、非球面表面頂点の接平面までの垂線の長さである。Ｃは、光軸に近い非球面レンズ表面の曲率（１／曲率半径（Ｒ））である。ｋは偏心度（eccentricity）である。Ａiは第ｉ番目の非球面係数である。
【００１８】
また、被写体側の第一レンズ素子とイメージ側の第三レンズ素子は非球面で、被写体側の第四レンズ素子とイメージ側の第六レンズ素子も非球面である。第一実施形態のシミュレーション光路を図２Ａに示す。ＣＭＯＳイメージセンサチップ上の合焦画像は、測定した空間周波数（spatial frequency）全体にわたって、改善された変調分布（modulation distribution）を有し、図２Ｂで示される。レンズのＭＴＦ曲線を、線数／ミリメートルで表す詳細な空間周波数レベルを一定にしてプロットした。その結果、第一実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール１００は、明らかにに高いＭＴＦ値（７０本／ｍｍと１４０本／ｍｍ条件下）を有する。接線方向(Ｔ)と半径方向(Ｓ)の測定結果を、それぞれ図２Ｃに示す。
【００１９】
表１は、第一実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール１００のレンズ構成材料の光軸上での曲率半径Ｒi(ｉ＝１，２，３・・・，１１)、厚さＴi(ｉ＝１，２，３・・・，１１)、屈折率、及び、アッべ数を示す。表２は、第一実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール１００のレンズ構成材料の非球面表面係数を示す。
【００２０】
【表１】
0005612952.tif 000003
【００２１】
【表２】
0005612952.tif 000004
【００２２】
別の実施形態においては、さらに以下の式を満たす。
【００２３】
【数２】
0005612952.tif 000005
【００２４】
図３Ａは、本発明の第二実施形態のイメージ捕捉レンズモジュールの積層型複合レンズ構造を示す図である。図３Ａを参照すると、イメージ捕捉レンズモジュール２００は、被写体側からイメージ側に順に配置された第一複合レンズ２１０、第二複合レンズ２２０、及び、イメージセンサに用いられるカバーガラス２３０、からなる。第一複合レンズ２１０は、被写体側からイメージ側に順に配置された第一レンズ素子２１１、第二レンズ素子２１３、及び、第三レンズ素子２１５、からなる。第二複合レンズ２２０は、被写体側からイメージ側に順に配置された第四レンズ素子２２１、第五レンズ素子２２３、及び、第六レンズ素子２２５、からなる。カバー３３０を有するイメージセンサ（図示しない）が第二複合レンズ２２０後方に位置する。一つの実施形態においては、第一レンズ素子の曲率半径は正値で、第三レンズ素子の曲率半径は負値で、第四レンズ素子の曲率半径は負値で、第六レンズ素子の曲率半径は負値である。他の実施形態においては、第一レンズ素子のアッベ数は５５以上で、第三レンズ素子のアッベ数は３０以下である。
【００２５】
第二実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール２００の六個のレンズ２１１、２１３、２１５、２２１、２２３、及び、２２５は、以下の式を満たす。
【００２６】
【数３】
0005612952.tif 000006
【００２７】
式１中、ｒは光軸からの距離であり、Ｚは、光軸からの距離がｒである、非球面レンズ表面上の点から、非球面表面頂点の接平面までの垂線の長さである。Ｃは、光軸に近い非球面レンズ表面の曲率（１/曲率半径（Ｒ））である。ｋは偏心度（eccentricity）である。Ａiは第ｉ番目の非球面係数である。
【００２８】
別の実施形態中、被写体側の第一レンズ素子とイメージ側の第三レンズ素子は非球面で、被写体側の第四レンズ素子とイメージ側の第六レンズ素子も非球面である。第二実施形態のシミュレーション光路も図３Ａで示される。ＣＭＯＳイメージセンサチップ上の合焦画像は、測定した空間周波数（spatial frequency）全体にわたって、改善された変調分布（modulation distribution）を有し、図３Ｂで示される。レンズのＭＴＦ曲線を、線数／ミリメートルで表す詳細な空間周波数レベルを一定にしてプロットした。その結果、第二実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール２００は、明らかに高いＭＴＦ値（７０本／ｍｍと、１４０本／ｍｍ条件下）を有する。接線方向(Ｔ)と半径方向(Ｓ)の測定結果は、それぞれ、図３Ｃに示す。
【００２９】
表３は、第二実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール２００のレンズ構成材料の光軸上での曲率半径Ｒi(ｉ＝１，２，３・・・，１１) 、厚さＴi(ｉ＝１，２，３・・・，１１)、屈折率、及び、アッべ数を示す。表４は、第二実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール２００のレンズ構成材料の非球面表面係数を示す。
【００３０】
【表３】
0005612952.tif 000007
【００３１】
【表４】
0005612952.tif 000008
【００３２】
図４Ａは、本発明の第三実施形態のイメージ捕捉レンズモジュールの積層型複合レンズ構造を示す図である。図４Ａを参照すると、イメージ捕捉レンズモジュール３００は、被写体側からイメージ側に順に配置された第一複合レンズ３１０、第二複合レンズ３２０、及び、イメージセンサに用いられるカバーガラス３３０、からなる。第一複合レンズ３１０は、被写体側からイメージ側に順に配置された第一レンズ素子３１１、第二レンズ素子３１３、及び、第三レンズ素子３１５、からなる。第二複合レンズ３２０は、被写体側からイメージ側に順に配置された第四レンズ素子３２１、第五レンズ素子３２３、及び、第六レンズ素子３２５、からなる。カバー３３０を有するイメージセンサ（図示しない）が第二複合レンズ３２０後方に位置する。一実施形態中、第一レンズ素子の曲率半径は正値で、第三レンズ素子の曲率半径は負値で、第四レンズ素子の曲率半径は負値で、第六レンズ素子の曲率半径は負値である。他の実施形態中、第一レンズ素子のアッベ数は５５以上で、第三レンズ素子のアッベ数は３０以下である。
【００３３】
【数４】
0005612952.tif 000009
（式１）
【００３４】
式１中、ｒは光軸からの距離であり、Ｚは、光軸からの距離がｒである、非球面レンズ表面上の点から、非球面表面頂点の接平面までの垂線の長さである。Ｃは、光軸に近い非球面レンズ表面の曲率（１/曲率半径（Ｒ））である。ｋは偏心度（eccentricity）である。Ａiは第ｉ番目の非球面係数である。
【００３５】
別の実施形態中、被写体側の第一レンズ素子とイメージ側の第三レンズ素子は非球面で、被写体側の第四レンズ素子とイメージ側の第六レンズ素子も非球面である。第二実施形態のシミュレーション光路も図４Ａで示される。ＣＭＯＳイメージセンサチップ上の合焦画像は、測定した空間周波数（spatial frequency）全体にわたって、改善された変調分布（modulation distribution）を有し、図４Ｂで示される。レンズのＭＴＦ曲線を、線数／ミリメートルで表す詳細な空間周波数レベルを一定にしてプロットした。その結果、第三実施形態のイメージ捕捉レンズモジュール３００は、明らかに高いＭＴＦ値（７０本／ｍｍと、１４０本／ｍｍ条件下）を有する。接線方向(Ｔ)と半径方向(Ｓ)の測定結果は、それぞれ、図４Ｃに示す。
【００３６】
表５は、第三実施形態のイメージ捕捉レンズモジュールのレンズ構成材料の光軸上での曲率半径Ｒi(ｉ＝１，２，３・・・，１１)、厚さＴi(ｉ＝１，２，３・・・，１１)、屈折率、及び、アッべ数を示す。表６は、第三実施形態のイメージ捕捉レンズモジュールのレンズ構成材料の非球面表面係数を示す。
【００３７】
【表５】
0005612952.tif 000010
【００３８】
【表６】
0005612952.tif 000011
【００３９】
注意すべきことは、第二レンズ素子と第五レンズ素子は、高屈折率のウェハレベル基板を含むことである。例えば、ウェハレベル基板の屈折率は１．６より大きく、ウェハレベル基板のアッべ数は３５より小さい。一実施形態中、第二レンズ素子と第五レンズ素子のウェハレベル基板は、重ランタンフリント（ＬaＳＦ)、ランタンフリント（ＬaＦ)、重バリウムフリント（ＢaＳＦ)、フリント（Ｆ)、及び、その他の最適な光学材料である。第一、第三、第四、第六レンズ素子は、リフロ可能、及び、ＵＶ硬化材料、例えば、透明硬化シリコン樹脂、或いは、熱硬化性樹脂である。例えば、第一と第三レンズ素子は、アレイ形式で、ウェハレベルの第二レンズ素子の両側面上に製造される。第四と第六レンズ素子は、アレイ形式で、ウェハレベルの第五レンズ素子の両側面上に製造される。第一、第三、第四、及び、第六レンズ素子は、鋳造か、或いは、リソグラフィ等の他の技術により形成される。第一、第三、第四、及び、第六レンズ素子は、直接、第二と第五レンズ素子上に、それぞれ形成されるか、接着層により間接的に接着される。
【００４０】
本発明の更に別の実施形態により、ウェハレベル実装されたイメージ捕捉レンズモジュール１００、２００、または３００と、ＣＭＯＳイメージセンサチップと、を含むイメージ捕捉システムが提供される。例えば、このイメージ捕捉システムは、デジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）の用途に用いることができる。ウェハレベル実装された、イメージ捕捉レンズモジュールとＣＭＯＳイメージセンサチップとは、他の周辺ユニット、例えば、行デコーダと列デコーダ、アナログデジタルコンバータ（以下、「ＡＤＣ」という）、及び、デジタル信号プロセッサ等と容易に一体化して、シリコンチップ上でシステムを形成することが可能である。図５は、イメージ捕捉システム５００の例を示す図である。イメージ捕捉システム５００は、イメージ捕捉レンズモジュール１００、２００、または３００と、ＣＭＯＳイメージセンサチップとからなるウェハレベル実装品５１０を有する。行デコーダ５２０と列デコーダ５４０とが用いられて、任意の一つまたは複数の画素にアドレスし、選択された画素からデータを取り出す。ＡＤＣ５６０は列デコーダ５４０に結合され、アナログ信号を受信し、アナログ信号をデジタル信号に転換する。出力バッファ５８０はＡＤＣに接続され、ＡＤＣにより変換されたデジタル信号を格納する。
【００４１】
ウェハレベル実装された捕捉レンズモジュールの高さを減少させるため、高屈折率の基板（例えば、屈折率が１．６以上）が用いられ、高い光学パフォーマンスを維持する。よって、レンズモジュールの光路長は、携帯電話等に挿入するのに十分短い。公知技術と比較すると、イメージ捕捉レンズモジュールの高さは減少する。
【００４２】
本発明では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の技術的範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【符号の説明】
【００４３】
１０      第一接合式複合レンズ
２０      第二接合式複合レンズ
３０      カバーガラス
４０      イメージ感知素子
Ｌ１      第一レンズ
Ｌ２      第二レンズ
Ｌ３      第三レンズ
Ｌ４      第四レンズ
Ｌ５      第五レンズ
Ｌ６      第六レンズ
Ｓ１      第一絞り
Ｓ２      第二絞り
１００、２００、３００      イメージ捕捉レンズモジュール；
１１０、２１０、３１０      第一複合レンズ
１１１、２１１、３１１      第一レンズ素子
１１３、２１３、３１３      第二レンズ素子
１１５、２１５、３１５      第三レンズ素子
１２０、２２０、３２０      第二複合レンズ
１２１、２２１、３２１      第四レンズ素子
１２３、２２３、３２３      第五レンズ素子
１２５、２２５、３２５      第六レンズ素子
１３０、２３０、３３０      カバーガラス
５００      イメージ捕捉システム
５１０      ウェハレベルパッケージング
５２０      行デコーダ
５４０      列デコーダ
５６０      アナログデジタルコンバータ(ＡＤＣ)
５８０      出力バッファ
【図１】
0005612952.tif 000012
【図２Ａ】
0005612952.tif 000013
【図２Ｂ】
0005612952.tif 000014
【図２Ｃ】
0005612952.tif 000015
【図３Ａ】
0005612952.tif 000016
【図３Ｂ】
0005612952.tif 000017
【図３Ｃ】
0005612952.tif 000018
【図４Ａ】
0005612952.tif 000019
【図４Ｂ】
0005612952.tif 000020
【図４Ｃ】
0005612952.tif 000021
【図５】
0005612952.tif 000022