(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メンブレン層と、
前記メンブレン層を支持する中間酸化膜層と、
前記中間酸化膜層を支持する支持基板層と、
前記中間酸化膜層と前記支持基板層とを貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出するメンブレン層の箇所にパターンが形成されたステンシルパターン領域とを備え、
前記支持基板層に位置する前記貫通孔の部分は、前記中間酸化膜層から離れるにつれ断面積が大きく形成されているステンシルマスクの製造方法であって、
前記中間酸化膜層から離れるにつれ断面積が大きく形成されている前記貫通孔の部分は、前記中間酸化膜層と反対に位置する前記支持基板層の表面に感光層を形成し、部分的に光の透過量が異なるグレースケールマスクを用いたパターン露光、現像のパターニング処理により得るようにし、
前記パターン露光の際、遮光部分の形状が異なる複数枚のグレースケールマスクを用い、ドーズ量を変化させた露光を複数回行なう、
ことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステンシルマスク及びステンシルマスクの製造方法に関する。
特に裏面エッチング加工、リソグラフィーによるパターニングに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ステンシルマスクを用いた荷電粒子ビームの転写方法について研究がなされている。ステンシルマスクの転写技術とは、自立薄膜（メンブレン）にステンシルパターンを形成し、メンブレンに入射した荷電粒子はメンブレン内に吸収、もしくは散乱され、ステンシルパターンを通過した荷電粒子を利用する技術である。
【０００３】
前記メンブレン内のステンシルパターンは微細化が進み、その製造工程のパターン検査においては走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:ＳＥＭ)が多く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９-２３１３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＥＭによる裏面開口部観察を行なう事が出来るステンシルマスク構造が求められていた。
【０００６】
しかしながら従来構造のステンシルマスクにおいては、孔形に対して深さ方向のアスペクト比が高く、そのウエハを裏面からＳＥＭ等で観察すると、対象物から放出された２次電子が孔形側壁に吸収され検出器まで届かず、撮像困難であった。
本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、本発明の目的は、裏面からのＳＥＭ観察を容易に行なえるステンシルマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る本願発明は、メンブレン層と、前記メンブレン層を支持する中間酸化膜層と、前記中間酸化膜層を支持する支持基板層と、前記中間酸化膜層と前記支持基板層とを貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に露出するメンブレン層の箇所にパターンが形成されたステンシルパターン領域とを備え、前記支持基板層に位置する前記貫通孔の部分は、前記中間酸化膜層から離れるにつれ断面積が大きく形成されているステンシルマスクの製造方法であって、前記中間酸化膜層から離れるにつれ断面積が大きく形成されている前記貫通孔の部分は、前記中間酸化膜層と反対に位置する前記支持基板層の表面に感光層を形成し、部分的に光の透過量が異なるグレースケールマスクを用いたパターン露光、現像のパターニング処理により得るようにし、前記パターン露光の際、遮光部分の形状が異なる複数枚のグレースケールマスクを用い、ドーズ量を変化させた露光を複数回行なうことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
孔形を有するウエハのＳＥＭによる観察において、前記支持基板層に位置する前記貫通孔の部分が、前記中間酸化膜層から離れるにつれ断面積が大きく形成されている特徴から、放出された２次電子が孔形側壁に吸収される事を防ぎ検出器まで届くようになりＳＥＭの撮像が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の高アスペクト比穴形を有するステンシルマスク断面の説明図
【図２】本願発明の一つの実施形態に係る多層型ステンシルマスク断面の説明図
【図３】本願発明の一つの実施形態に係る多層型ステンシルマスク製造方法の裏面リソグラフィーにおける断面説明図
【図４】ステンシルマスク製造方法の表面リソグラフィーにおける断面説明図
【図５】本願発明の一つの実施形態に係る多層型ステンシルマスク製造方法の裏面リソグラフィー時に使用するグレースケールマスクの上面説明図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、従来のステンシルマスクとその製造方法を示した後に、本発明の多層型ステンシルマスクの製造方法について説明を行う。
【００１１】
まず従来のステンシルマスクについて図１の断面図を用いて説明する。従来のステンシルマスクは厚さ数μm〜数十μmのメンブレン層３を有し、メンブレン層３は中間酸化膜層２と支持基板層１からなる支持層により保持されている。
中間酸化膜層２と支持基板層１とを貫通する貫通孔１０が設けられ、貫通孔１０は均一の内径で形成されている。
貫通孔１０内に露出するメンブレン層３の箇所にパターンが形成されたステンシルパターン領域１１が形成されている。
【００１２】
次に本発明の多層型ステンシルマスクについて図２の断面図を用いて説明する。本発明の多層型ステンシルマスクはメンブレン層３を有し、メンブレン層３は中間酸化膜層２と支持基板層１からなる支持層により保持されている。
中間酸化膜層２と支持基板層１とを貫通する貫通孔９が設けられ、貫通孔９内に露出するメンブレン層３の箇所にメンブレン層３がパターン状に除去されたステンシルパターン領域１１が形成されている。
支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されている。
本実施の形態では、支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きくなる断面階段状に形成されている。
また、本実施の形態では、支持基板層１に位置する貫通孔９の部分で中間酸化膜層２の近傍の部分は、中間酸化膜層２に位置する貫通孔９の部分と同一の断面積で形成されている。
【００１３】
次に、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きくなる断面階段状に形成された支持基板層１に位置する貫通孔９の部分の製造方法を図３の断面図を用いて説明する。
まず支持基板層１上にスピンナー等を用いてフォトレジストを塗布し露光する。露光時には、図３に示すように、特定パターンの粗密を場所により変化させた領域６、７、８（光の透過量が異なる領域６、７、８）を有するグレースケールマスク５を用いる。その後ドライエッチングを行いパターニングを行なう。この際グレースケールマスク５によりレジストに対する紫外線のドーズ量が変化しており、現像後のレジスト膜厚が部分的に変化している事から、場所により段階的にエッチングが進む。この作用を用いて支持基板層１を断面階段状にエッチングする。
なお、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きくなる貫通孔９の部分の形状は階段状に限定されず、パターン露光の際に用いるグレースケールマスクのパターン密度分布によって、例えば、テーパ状など任意の形状に形成可能である。
その際に、遮光部分の形状が異なる複数枚のグレースケールマスクを用い、ドーズ量を変化させ露光を複数回行なうことで、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きくなる貫通孔９を形成してもよい。
【００１４】
本発明の多層型ステンシルマスクは、支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されているので、ＳＥＭによる裏面からの観察時にメンブレン層に照射された電子線により発生した２次電子が、支持基板層側壁に衝突する事無く検出器に取り込まれる。この為裏面観察が容易になり、コントラストが取り易くなる、ステンシルパターン領域１１が小さくなり裏面開口部が同時に小さくなった際にも観察可能である。
【実施例】
【００１５】
以下、本発明のステンシルマスクの一例として、メンブレン層３の厚さが１０μｍ、支持基板層１の厚さが７２５μｍかつ３層の断面階段状構造を有した多層型ステンシルマスクについて例示する。
【００１６】
まず、厚さ７２５μｍからなる支持基板層１、厚さ０．５μｍの中間酸化膜層２、厚さ１０μｍのメンブレン層３からなる直径が２００ｍｍΦのＳｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ基板（以下ＳＯＩ基板と称する）を用意する。支持基板層と活性層の材料はシリコン単結晶とした。基板サイズは本発明を制限するものではなく、一般にウエハプロセスで使われる大きさである３，４,６,１２インチでも可能である。
【００１７】
次に、メンブレン層３の上に電子線感応性ポジレジスト１２（ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレ−ト系）感度：３００μＣ／ｃｍ2）を３０００ｎｍの膜厚になるようにスピンコート法により塗布し、電子線感応性ポジレジスト１２上に電子線照射量が３００μＣ／ｃｍ2となるように電子線照射し現像した。（図４）
【００１８】
次に、同パターンをエッチングマスクにしてフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、中間酸化膜層２が露出するまでエッチングを行い、さらに酸素プラズマにより電子線感応性レジスト層を剥離後、アンモニア過水等により洗浄をおこない、パターン加工済み２００ｍｍΦのＳＯＩ基板を得た。
【００１９】
次に、パターン加工済みＳＯＩ基板の支持基板層１上にフォトレジストをスピンナー等で塗布して厚さが５０μｍの感光層４を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、メンブレン開口用レジストパターンを形成する。露光時にはレジストのドーズ量に差を付ける為、特定パターンの粗密を場所により変化させた領域６、７、８（光の透過量が異なる領域６、７、８）を有するグレースケールマスク５を用いて紫外線露光した。
【００２０】
次に、メンブレン開口用レジストパターンをエッチングマスクにしてフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、中間酸化膜層２をエッチングストッパー層として支持基板層１をエッチングし開口部９を形成した後、さらにＨＦ溶液に浸漬してドライエッチングにより露出した中間酸化膜層２を除去した。
【００２１】
次に洗浄を行った。このとき洗浄処理として、アンモニア：過酸化水素水：純水の比を１：１：５程度に混合し、７０度に過熱したアンモニア過水に１０分間浸漬し、純水オーバーフローのリンスを行い、フッ酸処理および再度オーバーフロー処理を行い、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ベーパ乾燥を行った。
【００２２】
以上より、メンブレン層の厚さが１０μｍ、支持層が断面階段状で裏面からのＳＥＭ観察が容易に行なえるステンシルマスクを得ることができた。
【００２３】
本発明によれば、裏面開口寸法が極小になり支持基板層厚のホール径に対するアスペクト比が高くなった際にも、断面階段状の段数や段の高さを調整する事により、裏面に照射した電子線による２次電子が支持基板層側面に衝突することを防げる為、裏面からのＳＥＭ観察が容易になる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明の多層型ステンシルマスクはステンシルマスクにおける検査工程に利用可能である。特にアスペクト比が高く撮像し難い先端品の裏面ＳＥＭ観察への利用が期待される。
【符号の説明】
【００２５】
１…支持基板層
２…中間酸化膜層
３…メンブレン層
４…紫外線感応性ネガレジスト
５…グレースケールマスク
６…特定パターンの粗密を小とし、低遮光性を有するグレースケールマスク部
７…特定パターンの粗密を中とし、中遮光性を有するグレースケールマスク部
８…特定パターンの粗密を大とし、高遮光性を有するグレースケールマスク部
９…中間酸化膜層２と支持基板層１とを貫通する貫通孔
１０…中間酸化膜層２と支持基板層１とを貫通する貫通孔
１１…メンブレン層内パターン
１２…電子線感応性ポジレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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