(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に配置された光硬化型のシール材によって一対の基板が相互に接着されてなる電気光学装置であって、
前記一対の基板の一方の基板上に、
該一方の基板上で平面的に見て、前記シール材と重なる領域に形成された複数の遮光層を備え、
前記シール材と重なる領域において、前記複数の遮光層のうち一の遮光層より上層側に形成された他の遮光層は、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一の遮光層と重なると共に、前記他の遮光層の外形は、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一の遮光層の内側に収まるように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の遮光層の各々は、前記一方の基板の前記複数の遮光層が形成された面とは反対側から入射する光が、前記シール材に到達するように設けられた開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記シール材と重なる領域における所定の面積内において、前記開口部が占める割合が前記シール材と重なる領域全体に亘って揃うように形成されていることを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の遮光層は、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の遮光層は、前記画素領域において画素毎に島状に形成された反射型の画素電極と同一膜から形成されたダミー配線を含むことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置には、例えば、一対の基板間に電気光学物質の一例である液晶が挟持された液晶パネルがある。一対の基板は、紫外光（ＵＶ）硬化性を有するＵＶ硬化型シール材によって貼り合わされる。例えば特許文献１では、このような液晶パネルに対して、両面側（即ち液晶パネルの表側と裏側）から紫外光を照射することにより、シール材の硬化を迅速且つ確実に行うことができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−６３６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように液晶パネルの両面側から紫外光を照射する場合、紫外光は基板上に形成された遮光性を有する素子及び配線等が形成された領域によって規定される開口部を透過してシール材に照射される。液晶パネルのような電気光学装置では、基板上に形成される素子及び配線等の高集積化が進んでいる。そのため、基板上において、紫外光が透過可能な開口部が占める割合が減少してしまい、シール材に十分な量の紫外光を照射することが困難であるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、積層構造の高集積化と、シール材の効率的な硬化を両立することにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に配置された光硬化型のシール材によって一対の基板が相互に接着されてなる電気光学装置であって、前記一対の基板の一方の基板上に、該一方の基板上で平面的に見て、前記シール材と重なる領域に形成された複数の遮光層を備え、前記シール材と重なる領域において、前記複数の遮光層のうち一の遮光層より上層側に形成された他の遮光層は、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一の遮光層と重なると共に、前記他の遮光層の外形は、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一の遮光層の内側に収まるように形成されている。
【０００７】
本発明の電気光学装置は、複数の画素が配列されてなる画素領域の周辺に位置するシール領域に配置された、例えば紫外光硬化樹脂等の、光硬化型のシール材により、一対の基板が相互に接着されてなる。
【０００８】
シール領域には、層間絶縁膜を介して互いに重なるように複数の遮光層が形成されている。遮光層は層間絶縁膜に比べて光透過率の低い積層構造である限りにおいて限定されず、例えば導電性材料から形成されていてもよいし、絶縁性材料から形成されていてもよい。具体的には、データ線や走査線、導電層間に生じる電界を遮断するためのシールド配線、画素の保持特性を向上させるために設けられた蓄積容量を構成する容量配線、所定の電位を供給するための電源線、並びにこれらのダミー配線などを含む各種配線及び素子である。
【０００９】
本発明では特に、複数の遮光層のうち一の遮光層の外形形状が、一の遮光層より上層側に形成された他の遮光層の外形形状より広くなるように形成されている。つまり、複数の遮光層は、上層側に配置されているもの程、面積が小さくなる。このように遮光層を形成することによって、基板の裏面側からシール材を硬化するための紫外光が照射された場合であっても、最下層に配置された遮光層によっては遮光されるものの、その上層側に配置された遮光層によっては遮光されない。
【００１０】
補足して説明すると、理想的には互いに重なる複数の遮光層の外形形状を完全に同一に形成すれば、上層側に形成された遮光層によって紫外光が遮光されることはない。しかしながら、複数の遮光層の外形形状を完全に同一に形成することは、遮光層を形成するさいのパターニング精度を鑑みても現実的ではない。本発明では、積極的に上層側の遮光膜を下層側の遮光膜に比べて外形形状が狭くなるように形成することによって、上側に形成された遮光膜によって紫外光が遮光されることを確実に防止することができる。
【００１１】
複数の遮光層の各々は、一方の基板の複数の遮光層が形成された面とは反対側から入射する光（即ち、シール材を硬化させるための紫外光）が、シール材に到達するように設けられた開口部を有する。
【００１２】
この場合、開口部は、シール材と重なる領領域における所定の面積内において、開口部が占める割合がシール材と重なる領域全体に亘って揃うように形成されているとよい。ここで「揃うように」とは、シールド領域のうち同一面積を有する複数の領域において、開口部が占める割合が互いに近づくように形成されていれば足りる趣旨であって、完全に同一である場合に限定されない。このように開口部を形成することによって、シール領域に形成されたシール材に対して均一な強度で硬化用の紫外光を照射することができるため、シール材を均等に硬化させることができる。その結果、一対の基板間の歪みを抑制し、水分の内部への侵入を効果的に防止することができるため、高品位な電気光学装置を実現することができる。
【００１３】
複数の遮光層は、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層を含んでもよい。ここで、導電層は、例えば導電性材料から形成されていてもよいし、絶縁性材料から形成されていてもよく、具体的には、データ線や走査線、導電層間に生じる電界を遮断するためのシールド配線、画素の保持特性を向上させるために設けられた蓄積容量を構成する容量配線、所定の電位を供給するための電源線、並びにこれらのダミー配線などを含む各種配線及び素子が含まれる。
【００１４】
また、複数の遮光層は、前記画素領域において画素毎に島状に形成された反射型の画素電極と同一膜から形成されたダミー配線を含んで形成されていてもよい。ここで、同一膜とは同一の成膜工程によって形成される膜を意味しており、画素電極及び接続線が完全に同一の膜であることのみを意味するものではない。画素電極及び接続線は、互いに電気的に接続されていなくともよいし、厚さ等の各種条件が異なっていてもよい。この場合、ダミー配線は画素電極と同様に光反射性を有する材料(例えばアルミニウムなど)から形成される。このような反射性を有する遮光層に紫外光が照射されると、紫外光は反射され、周辺の配線及び素子等に損傷や変質等を生じさせてしまうおそれがある。その点、本発明では上述のように、上層側に形成された遮光層に紫外光が照射されないため、このようなおそれを効果的に排除することができる。
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、高集積化の進んだ積層構造においても、シール材を効率的に硬化することができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００１７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置の断面構造を示す拡大断面図である。
【図５】比較例に係る典型的な液晶装置の断面構造を示す拡大断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【図７】本実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２０】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、本発明に係る「一対の基板」の一例である。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、電気光学物質の一例である液晶が封入されることにより液晶層５０が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。画像表示領域１０ａは、本発明に係る「画素領域」の一例であり、シール材５２は、本発明に係る「シール材」の一例である。
【００２３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外光硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外光照射により硬化させられたものである。尚、製造プロセスについては後に詳述する。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されていてもよい。
【００２４】
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側には、サンプリング回路７が設けられている。この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域には、走査線駆動回路１０４が設けられている。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００２７】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００２８】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。尚、対向基板２０上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、カラーフィルタが形成されていてもよい。対向基板２０において対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００２９】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３０】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００３１】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３２】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００３３】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００３４】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００３５】
続いて、図４を参照して、本実施形態に係る電気光学装置の断面構造について詳説する。図４は、本実施形態に係る電気光学装置の断面構造を示す拡大断面図である。
【００３６】
ＴＦＴアレイ基板１０上のうち画像表示領域１０ａには、下層側から走査線１１、蓄積容量７０を構成する一方の電極である容量電極７１、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を遮光するための遮光膜１５及び画素電極９ａが積層されている。これらの層間には、層間絶縁膜１２及び１３等が形成されており、互いに電気的に絶縁されている。尚、画像表示領域１０ａには、図４に示した積層構造以外にも例えばデータ線６やＴＦＴ３０が形成されているが、ここでは説明の便宜上、図示を省略している。
【００３７】
ＴＦＴアレイ基板１０上のうちシール材５２が配置された領域であるシール領域１０ｂには、画像表示領域１０ａに形成された走査線１１、容量電極７１、遮光膜１５及び画素電極９ａと同一膜から形成されたダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´が形成されている。ここで、「同一膜から形成された」とは、同一の成膜工程によって形成される膜を意味しており、完全に同一の膜であることのみを意味するものではなく、互いに電気的に接続されていなくともよいし、厚さ等の各種条件が異なっていてもよい。このように同一膜から形成されているため、ダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´は、走査線１１、容量電極７１、遮光膜１５及び画素電極９ａと同一の材料から形成されている。例えば、反射型の画素電極９ａは光反射性を有するアルミニウムから形成されているので、ダミー配線９ａ´もまたアルミニウムから形成されている。尚、ダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´は、それぞれ本発明に係る「遮光層」の一例である。
【００３８】
シール領域１０ｂに形成されたダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに重なるように形成されている。本実施形態では特に、ダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´は、上層側に配置されているもの程、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときの面積が小さくなるように（即ち、外形形状が小さくなるように）形成されている。このようにダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´を形成することにより、本実施形態に係る液晶装置を製造する過程において、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側（即ち、画素電極９ａ等が設けられていない側）からシール材５２を硬化するために照射される紫外光は、最下層に形成されたダミー配線１１´によってのみ遮光され、上層側に形成されたダミー配線７１´、１５´及び９ａ´によっては遮光されない（図４に示す矢印を参照）。尚、製造時において、シール材５２を硬化するための紫外光は対向基板２０側からも照射されるが、シール領域１０ｂにおいては対向基板２０上には配向膜２３が形成されているに過ぎないため、対向基板２０側から照射される紫外光は遮光されることなくシール材５２に到達する。尚、本実施形態に係る液晶装置の製造方法については、後述する。
【００３９】
ダミー配線１１´は、ＴＦＴアレイ基板１０上において裏側から平面的に見た場合に、紫外光が透過可能な開口部１１ａを有している。ＴＦＴアレイ基板１０側から照射される紫外光は、当該開口部１１ａを透過することによってシール材５２に到達し、シール材５２を硬化させる。尚、開口部１１ａは、紫外線が照射された際に、シールド領域１０ｂ全体に亘ってシール材５２がムラなく（即ち、均一に）硬化するように適宜設けられるとよい。例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、シール領域１０ｂにおいてストライプ状に形成されていてもよいし、格子状に形成されていてもよい。要するに、ダミー配線１１´の機能を確保できる範囲において、シール材５２が好適に硬化されるように紫外線が透過可能な形状に形成されているとよい。このように開口部１１ａを形成することによって、シール領域１０ｂに形成されたシール材５２に対して均一な強度で硬化用の紫外光を照射することができるため、シール材５２を均等に硬化させることができ、水分の内部への侵入を効果的に防止することが可能となるため、高品位な液晶装置を実現することができる。
【００４０】
ここで、図５を参照して、比較例に係る典型的な液晶装置の断面構造について説明する。図５は、比較例に係る典型的な液晶装置の断面構造を示す拡大断面図である。
【００４１】
典型的な液晶装置では、シール領域１０ｂに形成されるダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´の外形形状は揃えられていない。そのため、ＴＦＴアレイ基板１０の裏側から照射された紫外光は最下層に配置されたダミー配線１１´を透過しても、その上層側に設けられたダミー配線７１´、１５´及び９ａ´によって遮光されてしまい、シール材５２に到達する紫外光は微小になってしまう（図５に示す矢印を参照）。
【００４２】
その点、本実施形態に係る液晶装置では、上層側に形成されたダミー配線７１´、１５´及び９ａ´によって紫外光が遮光されることなくシール材５２に照射することができるので、ダミー配線がシール領域１０ｂに高密度に形成されている場合であっても、シール材５２を効率的に硬化することができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００４３】
＜製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、例えばシリコン基板、石英基板、ガラス基板等の基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ2（窒素）等の不活性ガス雰囲気下、約８５０〜１３００℃、より好ましくは１０００℃の高温で熱処理し、後に実施される高温プロセスにおいて基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。
【００４５】
続いて、このように処理された基板１０の全面に、例えば、アルミニウムや銅などの光反射性を有する導電性材料からなる金属膜を、スパッタリング法などにより形成した後、例えばエッチング処理により、図４に示したようなパターンの走査線１１及びダミー配線１１´を形成する。
【００４６】
続いて、図６（ｂ）に示すように、走査線１１及びダミー配線１１´上に層間絶縁膜１２を形成する。このように走査線１１及びダミー配線１１´並びに層間絶縁膜１２を形成するのと同様に、絶縁膜と導電層を適宜パターニングすることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上に、走査線１１、容量電極７１、遮光膜１５及び画素電極９ａ、並びにダミー配線１１´、７１´、１５´及び９ａ´を形成する。そして、画素電極９ａ及びダミー配線９ａ´上に配向膜１６を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造が完成する。
【００４７】
続いて図６（ｃ）に示すように、積層構造が形成されたＴＦＴアレイ基板１０は、別途用意された対向基板２０と、シール材５２を介して貼り合わされる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には液晶などの電気光学物質（図不示）が封入される。図６（ｃ）の矢印で示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の両面側から紫外線を照射することにより、シール材５２が硬化し、液晶装置が完成する。この際、紫外光は図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において上層側に形成された遮光膜（即ち、ダミー配線７１´、１５´及び９ａ´など）によって遮られないため、シール材５２を効率的に硬化させることができる。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態では、シール材５２を硬化させるための紫外光がシール材５２に効率的に到達するようにＴＦＴアレイ基板１０上の配線がレイアウトされている。このような配線レイアウトを採用することにより、高集積化の要請のもとでも高品位な液晶装置を実現することができる。
【００４９】
＜電子機器＞
次に、図７を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクターに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクターのライトバルブとして用いられている。図７は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。
【００５０】
図７に示すように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００５１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００５４】
尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００５５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５６】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…シール領域、１１…走査線、１５…遮光層、２０…対向基板、５０…液晶層、５２…シール材、７１…容量電極、１００…液晶装置
【図１】
0005621283.tif 000002
【図２】
0005621283.tif 000003
【図３】
0005621283.tif 000004
【図４】
0005621283.tif 000005
【図５】
0005621283.tif 000006
【図６】
0005621283.tif 000007
【図７】
0005621283.tif 000008