(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ形成部位を囲む容器と、前記容器へまたは前記容器から光放射を伝達する光デバイスと、前記光デバイスと前記プラズマ形成部位源との間の光路に配置され、前記光デバイスと前記プラズマ形成部位との間で前記光放射を反射するリフレクタと、溶融金属を収容する槽とを含むプラズマ源を含み、
前記リフレクタは、前記槽内の前記溶融金属に前記リフレクタを接触させることによって形成される反射面を備える、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記プラズマ形成部位の見通し線内に配置され、前記光デバイスをデブリから保護するシールドをさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記溶融金属は、スズ溶融物を含む、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記プラズマ形成部位は、スズまたはリチウムを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記光デバイスは、前記プラズマ形成部位の放電領域においてプラズマを生成するレーザデバイスである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記リフレクタは、重力方向に対して傾斜した角度において前記槽内に配置される、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記槽の中で前記リフレクタが回転可能に構成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記リフレクタの前記反射面は、前記光放射の集束力を与えるために湾曲される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記リフレクタは、金またはモリブデンを含む層を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
水素ガスを供給するインレットと、
前記リフレクタを加熱するヒータと、
をさらに有する請求項１〜９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
水素ラジカルガスを供給するインレットをさらに有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
プラズマ形成部位を囲む容器と、
前記容器へまたは前記容器から放射を伝達する光デバイスと、
前記光デバイスと前記プラズマ形成部位との間の光路に配置され、前記光デバイスと前記プラズマ形成部位との間で前記放射を反射する、リフレクタと、
溶融金属を収容する槽と、
を含み、
前記リフレクタは、前記槽内の前記溶融金属に前記リフレクタを接触させることによって形成される反射面を備える、プラズマ源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  関連出願への相互参照
本願は、２００８年３月３日に出願した米国仮出願第６１／０６４３８５号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置、プラズマ源、および、光デバイスとプラズマ源との間で放射を伝達する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  極端紫外線（ＥＵＶ）または紫外光を生成する方法は、必ずしも次に限定されないが、ある材料をＥＵＶ範囲内の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）と呼ばれる1つのそのような方法では、プラズマは、1対の電極間の放電によって生成されうる。別の方法では、所望のプラズマは、レーザビームで、関連する線を放出する元素を有する材料の液滴、ストリーム、またはクラスタといったターゲット材料を照射することによって生成されうる。この後者のプロセスはレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる。
【０００５】
[0005]  これらのプロセスの各々について、プラズマは、通常、真空チャンバといった密封容器内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を用いてモニタリングされる。これらのプラズマプロセスは、ＥＵＶ放射の発生に加えて、プラズマチャンバ内に不所望の副生成物も発生しうる。この不所望の副生成物には、プラズマ形成からの熱、高エネルギーイオン、および、例えばプラズマ形成プロセスにおいて完全にイオン化されていない放射源材料の原子および／または塊といった散乱デブリが含まれうる。
【０００６】
[0006]  これらのプラズマ形成副生成物は、次に限定されないが、メトロロジディテクタの表面、プラズマ形成プロセスを撮像するために用いられる窓、および、ＬＰＰの場合であれば、レーザ入射窓といった様々なプラズマチャンバ光学要素の動作効率に潜在的に損傷を与えるかまたは動作効率を下げてしまうことがある。熱、高エネルギーイオン、および／または放射源材料デブリは、様々な方法で光学要素に損傷を与えうる。例えば、光学要素を加熱してしまうこと、光学要素を材料で被覆して光透過率を下げてしまうこと、光学要素内に進入して例えば構造的完全性および／または短波長の光を反射するミラーの能力といった光学特性に損傷を与えてしまうこと、光学要素を腐食または浸食してしまうこと、および／または光学要素内に拡散してしまうことが挙げられる。
【０００７】
[0007]  さらに、レーザ入射窓といった幾つかの光学要素は真空チャンバの一部を形成するので、これらは、プラズマチャンバ内に真空状態がある場合、応力を受けることになる。これらの要素では、堆積物と熱が相まって要素を破砕してしまい（すなわちひびを入れてしまい）、それにより真空状態が失われ、潜在的に費用のかかる修理が必要となる。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  本発明は、ＥＵＶによって引き起こされる損傷および汚染からプラズマ源内の光学部品を保護することを一態様とする。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様では、プラズマ源を囲む容器と、容器へまたは容器から光放射を伝達する光デバイスと、光デバイスとプラズマ源との間の光路に配置され、光デバイスとプラズマ源との間で光放射を反射するリフレクタとを含み、リフレクタは、動作中、溶融金属ミラーとして形成される、リソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様では、プラズマ形成部位を囲むように構成された容器と、容器へまたは容器から光放射を伝達するように構成された光デバイスと、光デバイスとプラズマ形成部位源との間の光路に配置されたリフレクタとを含むプラズマ源を含むリソグラフィ装置が提供される。リフレクタは、光デバイスとプラズマ形成部位との間で光放射を反射するように構成される。リフレクタは、動作中、溶融金属ミラーとして形成される。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様では、プラズマ形成部位を囲むように構成された容器と、容器へまたは容器から放射を伝達するように構成された光デバイスと、光デバイスとプラズマ形成部位との間の光路に配置されたリフレクタとを含むプラズマ源が提供される。リフレクタは、光デバイスとプラズマ形成部位との間で放射を反射するように構成される。リフレクタは、動作中、溶融金属ミラーとして形成される。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様では、光デバイスとプラズマ源との間で放射を伝達する方法が提供され、この方法は、容器内に密封されたプラズマ源を与えることと、容器へまたは容器から光放射を伝達するための光デバイスを与えることと、光デバイスへまたは光デバイスから光放射を反射させるための、プラズマ源の見通し線内に配置された溶融金属ミラーを与えることとを含む。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様では、光デバイスとプラズマ源内のプラズマ形成部位との間で放射を伝達する方法が提供される。この方法は、プラズマ形成部位を容器内に密封することと、光デバイスを用いて容器へまたは容器から光放射を与えることと、プラズマ形成部位の見通し線内に配置された溶融金属ミラーを用いて光デバイスへまたは光デバイスから光放射を反射させることとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
[0014]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0015]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0016]  図２は、図１のリソグラフィ装置のプラズマ源の一実施形態を概略的に示す。
【図３】[0017]  図３は、プラズマ源の一実施形態を示す。
【図４】[0018]  図４は、プラズマ源の一実施形態を示す。
【図５】[0019]  図５は、プラズマ源の一実施形態を示す。
【図６】[0020]  図６は、プラズマ源の一実施形態によるシールドの実例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１６】
[0022]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１７】
[0023]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１８】
[0024]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１９】
[0025]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２０】
[0026]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２１】
[0027]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２２】
[0028]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２３】
[0029]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばマスクと投影システムとの間といったように、リソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２４】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２５】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２６】
[0032]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２７】
[0033]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２８】
[0034]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２９】
[0035]  ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３０】
[0036]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
[0037]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３２】
[0038]  図２は、プラズマ形成部位２を囲む容器１を含むプラズマ源を概略的に示す。この容器は真空チャンバでありうる。プラズマ形成部位２は、リソグラフィ装置内にＥＵＶ放射を与えるように構成される。したがって、プラズマ形成部位２は、プラズマがプラズマ形成部位において形成されるので、プラズマ源そのものとみなされうる。図２の実施形態では、一実施形態ではレーザデバイスまたはレーザでありうる光デバイス３を用いてプラズマを点火させる。ドーズセンサといった他の光デバイス、または、他の光センサデバイスを用いてもよい。光デバイス３は、米国特許第７，２４７，８７０号に記載されるようにパルス放射源であってよい。光センサ、ドーズメータ等の他の光デバイスからまたはそれらの他の光デバイスへの放射は、本発明の実施形態にしたがって伝達することができる。光デバイス３は、容器１の外側に設けられてよく、それにより、放射は入射窓４を通り容器１（例えば真空チャンバ）内へと移動する。図２に示すように、シールド５がプラズマ形成部位２の見通し線内に配置され、かつ、光デバイス３をデブリから保護するように構成される。このようにすると、プラズマ形成部位２におけるプラズマの形成時に発生したデブリは、入射窓４に当らない、あるいは、容器内に光放射を伝達するのに関連するレンズミラーまたはレーザ光学部品といった光学部品に当らない。
【００３３】
[0039]  一実施形態では、液体スズ（Ｓｎ）ミラーの形態でありうるリフレクタ６が設けられて光放射８を反射する。リフレクタ６は、ここではレーザデバイスとして示す光デバイス３と、特に放電領域であるプラズマ形成部位２との間の光路に配置される。リフレクタ６は、光デバイス３とプラズマ形成部位２（例えばスズ（Ｓｎ）液滴ターゲット）との間で光放射８を反射するように構成される。リフレクタ６は、表面７を有するミラー形成要素によって与えられる。一実施形態ではこのミラー形成要素の表面は湾曲している。
【００３４】
[0040]  シールド５はリフレクタ６とは異なって設けられてよいが、一実施形態では、リフレクタ６自体が、場合によっては他の光要素と関連して遮蔽機能を提供しうる。
【００３５】
[0041]  プラズマ源がスズ源である場合（代案としてはリチウム源またはキセノン源が挙げられる）、リフレクタ６のミラー形成要素は、良好な濡れ特性があるようにモリブデンまたは金の表面７を有しうる。この手法の潜在的な利点は、ミラー形成要素が、プラズマ形成部位２により近くに配置されうる光放射８用の収束レンズを与えることである。したがって、光デバイス３はより効率よく焦点を合わせることができ、それにより、より良好なプラズマ発生、レーザ発散（光デバイスがレーザである場合）および位置安定性の仕様の減少をもたらす。
【００３６】
[0042]  一実施形態では、リフレクタ６の表面７は、溶融金属面である。この実施形態の潜在的な利点は、リフレクタ６を、溶融金属面の冷却特性によって、かつ、溶融金属面が問題なくデブリを吸収しうることから、特に金属がデブリに対して機能的に等価であるまたは同一である場合にデブリに対して比較的鈍感であることによって、より近くに配置することができる。本実施例では、スズ源に対して、溶融金属はスズであることが好適であり、または、ガリウムおよび／またはインジウムが添加されたスズであることがより好適である。後者の添加は、融点を下げ、かつ、モリブデンまたは金により良好な濡れ特性を与えることができる。
【００３７】
［0043］  図２では、燃料液滴ジェネレータ、カメラ、およびセンサといったコンポーネントは図示していない。リフレクタ６が液体スズの表面７によって形成される実施形態では、リフレクタ６の反射性は、表面７を汚染するＳｎデブリによる影響を受けない。リフレクタ６の表面７は平坦であっても湾曲されていてもよい。平らな表面が用いられる場合、追加の集束要素が設けられてよく、例えば、入射窓４は光を集束するために用いられるレンズでありうる。その場合、リフレクタ６は、光をプラズマ形成部位２に向けてのみ反射する。光放射に対して集束力（focusing power）を有する湾曲表面は、集束レンズをプラズマ形成部位２により近くに配置することを可能とし、それにより光放射（例えばレーザ）発散および位置安定性要件を減少するという利点を与えうる。集束レンズとプラズマ形成部位２との間の距離をさらに減少するためにはリフレクタの表面７は湾曲にされうる。
【００３８】
[0044]  図３の実施形態では、プラズマ形成部位２は、リフレクタ６が水平方向に配置されるように構成され、この場合、液体Ｓｎは単に槽６０内に保持されうる。槽６０が静止している場合、表面７（Ｓｎを含む）は重力によって平らで水平である。あるいは、図４に示すように、槽６０は垂直軸の周りを回転されて、レーザビームの（更なる）集束のために用いられうる放物面ミラー形状を形成しうる。
【００３９】
[0045]  図５に示すように、一実施形態では、基板６１といったミラー形成要素上に液体Ｓｎ膜（表面７により表される）があり、この場合、このミラー形成要素は任意の向きに傾斜されうる。この実施形態では、表面７をより滑らかにすることによって反射性が高まる。これを達成するためには、Ｓｎ面はＳｎの融点より上の温度を有するべきであり、また、Ｓｎはミラー基板面上に良好な濡れを有するべきである。表面７を濡らすためには、槽６０の中でミラー要素６１を回転させることにより溶融金属供給源が与えられる。当然ながら、他のタイプの供給源も可能であり、例えば、アウトレットからフローオーバー（flow over）面７を与えてもよい。
【００４０】
[0046]  ミラー形成基板６１の濡れ特性は、特にミラー形成面上の炭素汚染物質および酸化物といった汚染物質によって影響を受けうる。これらの汚染物質および酸化物は、水素雰囲気下で基板を加熱することにより除去することができる。
【００４１】
[0047]  図５に示すように、本実施形態はさらに、水素ガス９０用の追加のインレット９と、ヒータ１０を含む。ミラーを平滑化する必要がある場合（例えば、ＥＵＶ（プラズマ）源を作動させる前、または、動作中に効率が下がる場合）に、水素ガス９０がシステム内に供給され、ヒータ１０を作動させうる。これにより、水素雰囲気下でミラー基板６１が加熱され、その表面から汚染物質および酸化物が除去される。その後、水素ガス９０およびヒータ１０の作動を停止し、その後、ＥＵＶ（プラズマ）源を動作させることができる。次に表面を覆う任意のＳｎは良好な濡れを有することになるので、（ＩＲ）反射性の高いコーティングが形成されることになる。
【００４２】
[0048]  一実施形態では、ヒータは、ミラーをその所望の動作温度（Ｓｎの溶融温度より高いべきである）に加熱するために作動し続けてもよい。
【００４３】
[0049]  なお、正しい材料を基板６１に対して選択することによっても汚染物質および酸化物を防止することが可能でありうることに留意されたい。例えば酸化率が非常に低い材料（例えばＡｕ）を用いることを選択しうる。
【００４４】
[0050]  水素下で加熱することの1つの可能な欠点は、汚染物質および酸化物の除去が比較的遅く、また、ミラーを非常に高い温度に加熱する必要がありうるという点である。
【００４５】
[0051]  より高速でかつ低温で作用する方法は、分子の代わりに水素ラジカルを使用することである。この実施形態は、水素９０から水素ラジカルを発生させる手段をさらに含みうる。この手段は、例えば熱フィラメント１１またはＲＦ放電でありうる。この場合、ヒータ１０を用いなくてもよくなるが、ヒータはＥＵＶ照射時にコレクタの動作温度を制御するために依然として用いることができる。
【００４６】
[0052]  図６は、Ｍｏプレートレット上の純Ｓｎの濡れへの水素ラジカルを用いた処理の効果を示す。上部図である図６Ａは、Ｎ２環境下でＳｎ融点に加熱されたＳｎ液滴を有するＭｏプレートレットを示す。下部図である図６Ｂは同実験であるが、Ｈ２／Ｈ環境下にあるものを示す。結果として、Ｈ処理は、Ｍｏ上でのＳｎの良好な濡れをもたらすことが示される。両実験では熱フィラメントを加熱に用いた。一部の場合では純Ｓｎを用いてよいが、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金を用いることが好適である。この合金は、Ｓｎに類似した濡れ挙動を有するが、室温で液体であるという利点を有する。Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎを用いる場合、合金中のＧａの酸化防止のためにアルゴン環境を用いることが好適である。
【００４７】
[0053]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４８】
[0054]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４９】
[0055]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００５０】
[0056]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５１】
[0057]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００５２】
[0058]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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