(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのチャンバーにおいて、
処理容積部を規定するチャンバー筐体と、
前記処理容積部中に配置される基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されるエッジリングであって、処理の間、前記基板をその周辺部で支持するようにしたエッジリングと、
前記基板を加熱するための第１の熱源と、
前記エッジリングの温度を変えるための第２の熱源と、
エッジリング熱プローブおよび基板熱プローブと、
前記エッジリングに隣接して位置決めされる熱質量であって、熱質量を冷却する流体を含有する少なくとも１つのチャネルを備える熱質量と、
前記第１の熱源、前記第２の熱源、前記エッジリング熱プローブおよび前記基板熱プローブはコントローラに接続されて、前記エッジリングを前記基板とは独立して加熱、冷却して、前記エッジリングと前記基板間の温度差を低減することと、
前記エッジリングと前記熱質量とは相対的に移動可能であって、前記エッジリングが基板を支持していないときに、前記熱質量は近接する前記エッジリングを冷却して前記エッジリングが新たな基板を支持可能な状態にすることと、
を備えるチャンバー。
【請求項２】
前記第１の熱源は、前記基板を加熱するため、加熱素子の配列と反射体を備える、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項３】
前記第２の熱源は、放射加熱器、伝導性熱源、抵抗加熱器、誘導加熱器、およびマイクロ波加熱器のうちの１つである、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項４】
冷却ガスを前記エッジリングの方へ向けるように構成されるガス噴出口をさらに含む、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項５】
前記第１の熱源および熱質量は、前記エッジリングの反対側に配置される、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項６】
前記第１の熱源および熱質量は、前記エッジリングの同じ側に配置される、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項７】
前記熱質量は、反射体プレートを含む、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項８】
前記熱質量は、環状体の形状である、請求項１に記載のチャンバー。
【請求項９】
基板を処理するための急速熱処理チャンバーにおいて、
処理容積部を規定するチャンバー筐体と、
前記処理容積部中に配置される基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されるエッジリングであって、処理の間、前記基板をその周辺部で支持するようにしたエッジリングと、
前記基板を加熱するための第１の熱源と、
前記エッジリングの温度を変えるための第２の熱源と、
エッジリング熱プローブおよび基板熱プローブと、
前記エッジリングに隣接して位置決めされる熱質量であって、熱質量を冷却する流体を含有する少なくとも１つのチャネルを備える熱質量と、
前記エッジリングと前記熱質量とは相対的に移動可能であって、前記エッジリングが基板を支持していないときに、前記熱質量は近接する前記エッジリングを冷却して前記エッジリングが新たな基板を支持可能な状態にすることと、
を備えるチャンバー。
【請求項１０】
冷却ガスを前記エッジリングの方へ向けるように構成されるガス噴出口をさらに含む、請求項９に記載の急速熱処理チャンバー。
【請求項１１】
前記第１の熱源および熱質量は、前記エッジリングの反対側に配置される、請求項１０に記載の急速熱処理チャンバー。
【請求項１２】
前記第１の熱源は、前記基板を加熱するため、加熱素子の配列と反射体を備える、請求項１０に記載の急速熱処理チャンバー。
【請求項１３】
前記熱質量は、環状体の形状である、請求項１１に記載の急速熱処理チャンバー。
【請求項１４】
前記熱質量は、反射体プレートを含む、請求項１１に記載の急速熱処理チャンバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、半導体処理の分野に関する。より詳しくは、本発明は、半導体基板を熱処理するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンまたは他のウェハーからの集積回路の製作は、層を堆積させるステップ、層をフォトリソグラフィでパターン形成するステップ、およびパターン形成された層をエッチングするステップに係る多くのステップを伴う。イオン注入は、半導体シリコンに活性領域をドープするために使用される。製作順序はまた、注入損傷を回復させてドーパントを活性化すること、結晶化、熱酸化および窒化、ケイ素化、化学的気相堆積、気相ドーピング、熱洗浄、ならびに他の理由を伴う多くの用途のためにウェハーの熱アニールも伴う。シリコン技術の初期段階でのアニールは典型的には、アニール炉で長期間にわたって複数ウェハーを加熱するステップを伴ったけれども、急速熱処理（ＲＴＰ）は、これまで以上に小さな回路特徴のためにこれまで以上に厳しい要件を満足するために使用されることが多くなってきた。ＲＴＰは典型的には、集積回路が形成されているウェハーの前面に向けられる高輝度ランプの配列からの光をウェハーに照射することによって単一ウェハーチャンバーで行われる。放射は、ウェハーによって少なくとも部分的に吸収され、ウェハーを例えば６００℃より上の、またはいくつかの応用では１０００℃より上の所望の高温まで素早く加熱する。放射加熱は、例えば１分以下、または数秒さえもの比較的短期間にわたってウェハーを制御可能にかつ均一に加熱するために素早く作動され、停止される。ＲＴＰチャンバーは、約５０℃／秒以上の速度で、例えば１００〜１５０℃／秒および２００〜４００℃／秒の速度でウェハーを均一に加熱する能力がある。ＲＴＰチャンバーでの典型的な下降（冷却）速度は、８０〜１５０℃／秒の範囲にある。ＲＴＰチャンバーで行われるいくつかのプロセスは、セ氏数度未満の基板を横断する温度変化を必要とする。
【０００３】
急速熱処理は、毎回単一の半導体に取り組むので、最適な加熱および冷却手段が、最適なＲＴＰ性能に必要である。基板の熱処理の間に基板温度均一性を最適化することが、望ましい。温度均一性は、膜堆積、酸化物成長およびエッチングなどの温度活性化ステップのために基板上の均一なプロセス変数（例えば、層厚さ、抵抗、エッチング深さ）を提供する。加えて、基板温度均一性は、反り、欠陥発生およびスリップなどの熱応力誘起基板損傷を防止するために必要である。例えば、１１５０℃では、４インチシリコンウェハーでの約５℃の中心からエッジの温度差は、転位形成およびスリップを誘起する可能性がある。温度勾配はまた、他の原因によって誘起されることもある。例えば、基板は、基板の表面積または体積に係る空間的変更のために不均一な放射率を有することもある。これらの変更は、バイポーラトランジスタのための埋め込み層などの、フォトリソグラフィによってパターン形成された膜または局所的にドープされた領域を伴うこともある。加えて、基板温度勾配は、処理チャンバー設計に関連する局所ガス冷却または加熱効果ならびに処理の間に基板表面で生じることもある不均一な吸熱または発熱反応によって誘起されることもある。改善された温度均一性を提供するＲＴＰチャンバーを提供することは、望ましいことになる。
【０００４】
上述のように、ＲＴＰは通常、基板を横断する実質的に均一な温度プロファイルを必要とする。現況技術のプロセスでは、温度均一性は、裏側の反射面が熱を基板に戻すように反射しながら表側で基板を加熱するように構成されるレーザー、ランプの配列などの熱源を制御することによって改善されることもある。放射率測定および補償手法が、基板を横断する温度勾配を改善するために使用されてきた。
【０００５】
半導体産業が発展するにつれて、ＲＴＰの間の温度均一性への要求もまた、増加する。いくつかのプロセスでは、基板のエッジの内側約２ｍｍから実質的に小さい温度勾配を有することが、重要である。特に、約１℃から１．５℃の温度偏差で約２００℃から約１３５０℃の間の温度に基板を加熱することが、必要なこともある。現況技術のＲＴＰシステムは、とりわけ基板のエッジの近くで、この種の均一性に達することが困難である。ＲＴＰシステムでは、エッジリングは通常、周辺部の近くで基板を支持するために使用される。エッジリングおよび基板は、基板のエッジの近くで重なり合って、複雑な加熱状況を作り出す。一態様では、基板は、エッジの近くで異なる熱的性質を有することもある。これは、パターン形成された基板について、またはシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板について最も顕著である。別の態様では、基板およびエッジリングは、エッジの近くで重なり合い、単に基板の温度を測定し、調節するだけではエッジの近くで均一な温度プロファイルを達成することは困難である。基板の熱的および光学的性質に対するエッジリングの熱的性質次第で、基板の温度プロファイルは一般に、エッジハイかまたはエッジローである。
【０００６】
図１は、ＲＴＰチャンバーで処理される基板の２種類のよく見られる温度プロファイルを概略的に例示する。縦軸は、基板について測定される温度を表す。横軸は、基板のエッジからの距離を表す。プロファイル１は、基板のエッジが最も高い温度測定結果を有するエッジハイのプロファイルである。プロファイル２は、基板のエッジが最も低い温度測定結果を有するエッジローのプロファイルである。現況技術のＲＴＰシステムで基板のエッジの近くの温度偏差を取り除くことは、困難である。
【０００７】
残留熱は、ウェハーを処理後ＲＴＰチャンバーに残る。悪影響を受ける部品の１つは、ウェハー支持部（別名エッジリング）である。熱いエッジリングに起因してウェハーを破損する／反らせることを避け、ウェハー均一性を改善するために、ウェハーは、エッジリングに置かれる前に加熱されなければならず、全体的なスループットの減少をもたらす。ウェハーは、破損または反りを避けるためにエッジリング温度のすぐ近くまで加熱されなければならない。反対に、エッジリングは、エッジリングとウェハーとの間の温度の差を最小限にするという同じ所望の効果を達成するために冷却されることもある。
【０００８】
エッジリング温度を制御することの別の恩恵は、ウェハー処理の間に観察される。エッジリング温度は、エッジリングとウェハーとの間の温度の差を最小限にするために加熱されまたは冷却されることもある。この制御は、ウェハーおよびエッジリングの重なりによってもたらされる不連続のより良好な管理を可能にすることになる。これは、放射がエッジリングよりも大きな面積に広がるので、現在のＲＴＰランプアセンブリでは同様にうまくすることができない。熱源は、実質的にエッジリングだけに放射するように適合でき、それでエッジリング加熱は、全プロセスサイクルの間にウェハーに対してその変化する放射熱特性に適応するように変えることができる。
【０００９】
従って、温度均一性の改善のためのＲＴＰで使用される装置および方法の必要性がある。
【発明の概要】
【００１０】
本発明の実施形態は一般に、急速熱プロセスの間に基板へのより均一な加熱を達成するための装置および方法を提供する。
【００１１】
一実施形態では、基板を処理するためのチャンバーは、処理容積部を規定するチャンバー筐体と、処理容積部中に配置される基板支持部と、基板支持部上に配置されるエッジリングであって、基板の周辺部で基板を支持するように構成されるエッジリングと、基板を加熱するように構成される第１の熱源と、エッジリングの温度を変えるように構成される第２の熱源と、熱質量を加熱または冷却する流体を含有する少なくとも１つのチャネルを伴う、エッジリングに隣接して位置決めされる熱質量とを含む。
【００１２】
一実施形態では、第２の熱源および熱質量の温度は、独立に制御される。ある実施形態では、エッジリングは、熱質量に近接してエッジリングを位置決めすることによって冷却される。一実施形態では、第２の熱源は、放射加熱器、伝導性熱源、抵抗加熱器、誘導加熱器、およびマイクロ波加熱器のうちの１つである。
【００１３】
ある種の実施形態では、チャンバーはさらに、冷却ガスをエッジリングの方へ向けるように構成されるガス噴出口を含む。一実施形態では、第１の熱源および熱質量は、エッジリングの反対側に配置される。他の実施形態では、第１の熱源および熱質量は、エッジリングの同じ側に配置される。
【００１４】
ある実施形態では、熱質量は、反射体プレートを含む。熱質量は、環状体の形状であってもよい。
【００１５】
別の実施形態では、急速熱処理チャンバーは、チャンバー容積部を規定するチャンバー本体と、チャンバー容積部中に配置される温度制御エッジリングであって、処理されている基板と基板の周辺部の近くで熱的に結合される温度制御エッジリングと、主として基板の温度を変えるために構成される第１の熱源と、主として温度制御エッジリングを加熱するために構成される第２の熱源と、プレートを加熱または冷却するためのガスまたは液体を含有する少なくとも１つのチャネルを有する、エッジリングに隣接するプレートとを含む。
【００１６】
一実施形態では、急速熱処理チャンバーはさらに、温度制御エッジリングを冷却するように構成される冷却デバイスを含む。ある実施形態では、第１の熱源およびプレートは、温度制御エッジリングの反対側に配置される。ある実施形態では、エッジリングは、プレートに近接していることによって冷却される。１つまたは複数の実施形態では、第１の熱源、第２の熱源およびプレートの温度は、独立に制御される。
【００１７】
本発明の別の態様は、基板を目標温度まで均一に加熱または冷却するための方法に関連し、第１の熱源に接続される処理チャンバーに基板を位置決めするステップと、基板の周辺部をエッジリングに熱的に結合するステップと、第１の熱源を使って基板の表面を加熱または冷却するステップと、エッジリングに隣接する温度制御プレートを使って目標温度とは異なるリング温度にエッジリングを維持するステップであって、温度制御プレートはプレートを加熱または冷却するためにガスまたは液体を含有するチャネルを伴う、ステップとを含む。その方法はさらに、パージガスを使用してエッジリングを冷却するステップを伴う。
【００１８】
本発明の上で列挙された特徴が、詳細に理解できるように、上で簡潔に要約された本発明のより詳しい記述が、実施形態を参照することによってなされてもよく、実施形態のいくつかは、添付の図面で例示される。しかしながら、本発明は、他の同等に効果的な実施形態を認めてもよいので、添付の図面は、この発明の典型的な実施形態を例示し、従ってこの発明の範囲を制限すると考えられるべきではないことが留意されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】ＲＴＰチャンバーで処理される基板の２種類のよく見られる温度プロファイルを概略的に例示する図である。
【図２】本発明の一実施形態に従う急速熱処理システムの断面図を概略的に例示する図である。
【図３】本発明の別の実施形態に従う急速熱処理システムの断面図を概略的に例示する図である。
【図４】本発明の一実施形態に従うエッジリングの断面図を概略的に例示する図である。
【図５】チャネルを通って加熱または冷却流体を提供するためにプレートを通るチャネルを有するプレートの上平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明は、急速熱プロセスの間に基板への均一な加熱の達成を支援するための装置および方法を提供する。より詳しくは、本発明の実施形態は、基板を横断する温度均一性を改善するために、急速熱プロセスの間に基板を支持するエッジリングの温度を制御するための装置および方法を提供する。
【００２１】
図２は、本発明の一実施形態に従う急速熱処理システム１０の断面図を概略的に例示する。急速熱処理システム１０は、その中で円板状基板１２をアニールするために構成される処理容積部１４を規定するチャンバー本体３５を含む。チャンバー本体３５は、ステンレス鋼でできていてもよく、石英で裏打ちされてもよい。処理容積部１４は、急速熱処理システム１０の石英窓１８上に配置される加熱アセンブリ１６によって放射加熱されるように構成される。一実施形態では、石英窓１８は、水冷されてもよい。
【００２２】
基板１２に処理容積部１４への通路を提供するスリットバルブ３０が、チャンバー本体３５の側部に形成されてもよい。ガス注入口４４は、処理容積部１４に処理ガス、パージガスおよび／または洗浄ガスを提供するためにガス源４５に接続されてもよい。真空ポンプは、処理容積部１４を排気するために排出口５４を通って処理容積部１４に流体接続されてもよい。
【００２３】
円形チャネル２２は、チャンバー本体３５の底部の近くに形成される。磁気回転子２１は、円形チャネル２２中に配置される。管状ライザー３９は、磁気回転子２１上に乗っているまたはさもなければ結合される。基板１２は、管状ライザー３９上に配置されるエッジリング２０によって周辺エッジで支持される。磁気固定子２３は、磁気回転子２１の外部に位置付けられ、チャンバー本体３５を通って磁気的に結合されて、磁気回転子２１のそれ故にエッジリング２０およびその上に支持される基板１２の回転を誘起する。磁気固定子２３はまた、磁気回転子２１の高さを調節するように構成されてもよく、このようにして処理されている基板１２を持ち上げる。追加の磁気回転および高さの情報は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，８００，８３３号で入手できる。
【００２４】
チャンバー本体３５は、基板１２の裏側の近くに反射体プレート２７を包含してもよい。反射体プレート２７は、基板１２の放射率を高めるために基板１２の裏側と向かい合う光反射面２８を有する。一実施形態では、反射体プレート２７は、水冷されてもよい。反射面２８および基板１２の裏側は、反射空洞１５を規定する。一実施形態では、反射体プレート２７は、処理されている基板１２の直径よりもわずかに大きい直径を有する。例えば、もし急速熱処理システム１０が、１２インチ基板を処理するように構成されるならば、反射体プレート２７の直径は、約１３インチであってもよい。
【００２５】
パージガスは、パージガス源４６に接続されるパージガス注入口４８を通って反射体プレート２７に提供されてもよい。反射体プレート２７に放出されるパージガスは、とりわけ熱が基板１２へ戻るように反射されない開口２５の近くで反射体プレート２７の冷却を助ける。パージガスはまた、パイロメータプローブ２４および反射体プレート２７に堆積する、上流プロセスから生成される汚染物質の拡散に対抗すると思われる。
【００２６】
一実施形態では、外側リング１９は、処理容積部１４から反射空洞１５を分離するためにチャンバー本体３５とエッジリング２０との間に結合されてもよい。反射空洞１５および処理容積部１４は、異なる環境を有してもよい。
【００２７】
加熱アセンブリ１６は、加熱素子３７の配列を含んでもよい。加熱素子３７の配列は、ＵＶランプ、ハロゲンランプ、レーザーダイオード、抵抗加熱器、マイクロ波給電加熱器、発光ダイオード（ＬＥＤ）、または任意の他の適切な加熱素子で、単独または組合せのどちらであってもよい。加熱素子３７の配列は、反射体本体５３に形成される縦穴に配置されてもよい。一実施形態では、加熱素子３７は、六角形パターンで配列されてもよい。冷却チャネル４０は、反射体本体５３に形成されてもよい。水などの冷却液は、注入口４１から反射体本体５３に入り、加熱素子３７の配列を冷却する縦穴に隣接して進み、出口４２から反射体本体を出てもよい。
【００２８】
加熱素子３７の配列は、加熱素子３７の配列の加熱効果を調節する能力があるコントローラ５２に接続される。一実施形態では、加熱素子３７の配列は、多重同心円帯によって基板１２を加熱するために複数の加熱グループに分割されてもよい。各加熱グループは、基板１２の半径を横断する所望の温度プロファイルを提供するために独立に制御されてもよい。加熱アセンブリ１６の詳細な記述は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，３５０，９６４号および第６，９２７，１６９号で見いだすことができる。
【００２９】
本明細書で使用されるように、急速熱処理またはＲＴＰは、約５０℃／秒以上の速度で、例えば１００から１５０℃／秒、および２００から４００℃／秒の速度でウェハーを均一に加熱する能力がある装置またはプロセスのことである。ＲＴＰチャンバーでの典型的な下降（冷却）速度は、８０〜１５０℃／秒の範囲にある。ＲＴＰチャンバーで行われるいくつかのプロセスは、セ氏数度未満の基板を横断する温度変化を必要とする。このように、ＲＴＰチャンバーは、これらの速度で急速加熱する能力がある加熱システムおよび加熱制御システムを有さない他の種類の熱チャンバーから急速熱処理チャンバーを区別する、１００から１５０℃／秒、および２００から４００℃／秒に至るまでの速度で加熱する能力があるランプまたは他の適切な加熱システムおよび加熱システム制御を包含しなければならない。
【００３０】
一実施形態では、主としてエッジリング２０を加熱するように構成されるエッジリング加熱アセンブリ３８は、加熱素子３７の配列の外側に配置されてもよい。エッジリング加熱アセンブリ３８は、エッジリング加熱アセンブリ３８の加熱電力を調節することができるコントローラ５２に接続される。エッジリング加熱アセンブリ３８は、加熱素子３７の配列から独立に制御可能であり、それ故に基板１２の温度から独立にエッジリング２０の温度を制御する。一実施形態では、エッジリング加熱アセンブリ３８は、加熱素子３７の配列の加熱グループのうちの１つであってもよい。
【００３１】
急速熱処理システム１０はさらに、異なる半径方向位置で基板１２の熱的性質を測定するように構成される複数の熱プローブ２４を含む。一実施形態では、複数の熱プローブ２４は、基板１２の異なる半径方向部分の温度または他の熱的性質を検出するために反射体プレート２７に形成される複数の開口２５に光学的に結合され、中に配置される複数のパイロメータであってもよい。類似の熱プローブの詳細な記述は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，７５５，５１１号で見いだすことができる。複数の熱プローブ２４は、基板１２を横断する半径方向熱的プロファイルを提供するように加熱素子３７の配列への電力供給を調節するために閉ループ制御を実施することができるコントローラ５２と接続される。
【００３２】
急速熱処理システム１０はさらに、エッジリング２０の近くで反射体プレート２７の開口３２に結合され、中に配置されるエッジリング熱プローブ３１を含む。エッジリング熱プローブ３１は、エッジリング２０の温度または他の熱的性質を測定するように構成されるパイロメータであってもよい。エッジリング熱プローブ３１は、エッジリング加熱アセンブリ３８に接続されるコントローラ５２と接続される。コントローラ５２は、エッジリング熱プローブ３１からの測定結果を単独でまたはウェハー熱プローブ２４と組み合わせて使用してエッジリング加熱アセンブリ３８に閉ループ制御を実施してもよい。一実施形態では、エッジリング２０は、熱プロセスの間に基板１２から独立に所望の温度まで加熱されてもよい。
【００３３】
ガス噴出口４７は、エッジリング２０を冷却するためにエッジリング２０の近くに配置されてもよい。一実施形態では、ガス噴出口４７は、同じパージガス源４６をパージガス注入口４８と共有してもよい。ガス噴出口４７は、エッジリング２０を冷却するためにエッジリング２０の方に向けられ、ヘリウムなどの冷却ガスを放出してもよい。ガス噴出口４７は、コントローラ５２によって制御されてもよいバルブ４９を通ってパージガス源４６に接続されてもよい。従って、コントローラ５２は、エッジリング２０の閉ループ温度制御にガス噴出口４７の冷却効果を包含してもよい。
【００３４】
エッジリング２０は、基板温度プロファイルを改善するために、処理されている基板１２の熱的性質に応じて熱質量、放射率および吸収率などの熱的性質を有するように設計されてもよい。エッジリング２０の熱的性質は、異なる材料、異なる厚さおよび異なる被膜を選択することによって変更されてもよい。エッジリング設計の詳細な記述は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第７，１２７，３６７号で見いだすことができる。一実施形態では、エッジリング２０は、ニッケル被膜を備えるシリコンから作られてもよい。
【００３５】
急速熱プロセスの間に、基板１２は、スリットバルブ３０を通って処理容積部１４に転送され、エッジリング２０によって支持されてもよい。磁気回転子２１は、基板１２を回転させ、基板１２を所望の高さに位置決めしてもよい。ほとんどのプロセスの間、目的は、基板１２を均一に目標温度まで急速加熱することである。本発明の一実施形態では、基板１２への熱伝達は主に、加熱素子３７の配列の放射ならびに所望の温度に加熱されるエッジリング２０からの伝導および／または放射から来ている。基板１２を横断する均一な温度プロファイルは、加熱素子３７の配列を制御することによっておよび通常基板１２のための目標温度とは異なる所望の温度にエッジリング２０を保つことによって達成されてもよい。
【００３６】
加熱素子３７の配列を制御することは、複数の熱プローブ２４を使用して半径を横断して基板１２の温度を測定することによって実施されてもよい。一実施形態では、複数の熱プローブ２４は、基板１２の半径に対応して反射体プレート２７を横断して均等に分配されてもよい。複数の熱プローブ２４からの測定温度は、コントローラ５２によってサンプリングされる。コントローラ５２は、基板１２の半径を横断する温度が均一になるように加熱素子３７の配列を調節するために測定温度を使用してもよい。一実施形態では、コントローラ５２は、複数の同心円帯によって加熱素子３７の配列を調節してもよい。多重帯によって加熱素子を制御する詳細な記述は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，７５５，５１１号および米国特許出願公開第２００６／００６６１９３号として公開される米国特許出願第１１／１９５，３９５号で見いだすことができる。
【００３７】
一実施形態では、エッジリング２０と基板１２の周辺部との間の熱交換は、基板１２のエッジの近くの温度プロファイルを調節するために使用される。熱交換は、基板１２とエッジリング２０との間の伝導および／または放射によって達成されてもよい。一実施形態では、熱交換は、基板１２の目標温度とは異なる温度までエッジリング２０を加熱することによって実施されてもよい。
【００３８】
一実施形態では、所望の温度が、プロセス要件ならびにエッジリング２０および基板１２の両方の熱的性質に応じてエッジリング２０のためにあらかじめ定められてもよい。一実施形態では、エッジリング２０のあらかじめ定められる所望の温度は、基板１２の目標温度とは約１０℃から約１５℃異なる。一実施形態では、エッジリング２０のあらかじめ定められる所望の温度は、基板１２の目標温度より高くてもよい。別の実施形態では、エッジリング２０のあらかじめ定められる所望の温度は、基板１２の目標温度より低くてもよい。所望のエッジリング温度は、熱伝達モデリング（伝導性、放射性、対流性）かまたは実験結果から決定されてもよい。いずれの場合にも、基板および／またはエッジリングの光学的性質が、変えられ、ウェハーの温度均一性が、測定される。これらの実験の結果は、基板で最良の均一性を達成するためにエッジリングの所望の温度プロファイルの予測につながる。
【００３９】
別の実施形態では、エッジリング２０のための所望の温度は、基板１２およびエッジリング２０のその場での熱測定結果に応じて動的かつ調節可能であってもよい。
【００４０】
エッジリング２０を加熱することは、主としてエッジリング加熱アセンブリ３８を使用することによって達成されてもよい。閉ループ制御は、エッジリング熱プローブ３１の測定結果からエッジリング２０の温度を調節することによってコントローラ５２によって達成されてもよい。エッジリング２０の温度の調節は、エッジリング加熱アセンブリ３８の電力供給および／またはガス噴出口４７からの冷却ガスの流量を調節することによって達成されてもよい。一実施形態では、エッジリング２０は、過熱され、次いでガス噴出口４７からの冷却ガスで所望の温度まで冷却されてもよい。
【００４１】
本発明の一実施形態では、ガス噴出口４７のための冷却ガスは、１つの基板を処理した後、次の基板の搬入より前に、約１００℃と約２００℃との間までエッジリング２０を冷却するために使用されてもよい。
【００４２】
本発明の方法は、スパイクアニールに対して２℃未満の３シグマ温度均一性を提供することができる。本発明の方法は、１３５０℃に至るまでの高温ソークアニールに対して１℃未満の３σ温度均一性を提供する。一実施形態では、本発明の方法は、約１℃から約１．５℃の温度偏差で約２００℃から約１３５０℃の間の温度に基板を加熱する能力があると思われる。
【００４３】
急速熱処理システム１０のエッジリング加熱素子３８は、複数の加熱ランプとして例示される。例えば固体加熱器（すなわち、ＬＥＤ）、レーザー加熱器、誘導加熱器、およびマイクロ波加熱器、電気加熱器（例えば、抵抗加熱）などの他の適切な加熱デバイスは、本発明の急速熱処理システムで使用できる。
【００４４】
その上、エッジリング加熱素子は、エッジリングの真下、エッジリングの側部などの他の適切な位置に位置決めされてもよい。図３は、エッジリング２０の下に位置決めされるエッジリング加熱素子５１を有する急速熱処理システム１００の断面図を概略的に例示する。
【００４５】
別の実施形態では、基板は、熱処理の間に裏側から加熱されてもよい。例となる裏側加熱チャンバーは、表側（作製側）が上を向く状態で周辺部によって基板を支持するためのエッジリングを含んでもよい。加熱素子３７に類似の加熱素子の配列は、基板を裏側から加熱できるようにエッジリングの真下に位置決めされてもよい。複数のプローブは、熱処理の間に基板の温度プロファイルを測定するためにエッジリングの上に基板の半径を横断して位置決めされてもよい。エッジリングを独立に加熱するための専用のエッジリング加熱器は、エッジリングの近く、エッジリングの真下、エッジリングの上、またはエッジリングの側部に位置決めされてもよい。エッジリングの温度を測定するように構成されるエッジリングプローブは、エッジリングに隣接して位置決めされてもよい。コントローラは、基板の温度プロファイルおよびエッジリングの温度をその場で制御するためにエッジリング加熱器、エッジリングプローブ、加熱素子の配列および複数のプローブに接続されてもよい。
【００４６】
図４は、本発明の一実施形態に従うエッジリング１１０の断面図を概略的に例示する。エッジリング１１０は、基板１２を支持するように構成される傾斜リップ１１１を有する。エッジリング１１０は、基板１２との接触面積を低減するように設計される。基板１２とエッジリング１１０との間の接触面積を低減することによって、基板１２のエッジの近くの加熱条件を簡略化でき、エッジハイ／ロー効果を低減できる。その上、接触面積を低減することはまた、処理チャンバーでの微粒子汚染も低減する。
【００４７】
図５は、本発明の１つまたは複数の実施形態による反射体プレート２７を概略的に例示し、ここで反射体プレート２７は、チャネル壁５９によって規定されるチャネル５８を含有する。これらの実施形態では、反射体プレート２７は、注入口５６および排出口５７を有し、液体またはガスは、図で表示される矢印の経路に沿って反射体プレートを通って流れることができる。他の実施形態では、注入口および排出口は、逆にされ、それによって反射体プレートを通る液体またはガスの流れを逆にする。これらの実施形態の液体またはガスは、反射体プレートが以下でさらに述べられるようにエッジリングを加熱または冷却するために使用できるように、反射体プレートを冷却する、反射体プレートを加熱する、または反射体プレートの温度を制御するために用いることができる。
【００４８】
このように、１つまたは複数の実施形態によると、図２および３で示される装置では、エッジリング２０は、エッジリングと反射体プレートとの間の温度差を減らすためにエッジリングの温度に影響を及ぼすのに十分な程度まで加熱または冷却される反射体プレート２７に近接していることによって加熱または冷却される。一実施形態では、基板の処理の間に、基板およびエッジリングが、基板を取り除くのに十分に（例えば、約５００℃）冷却された後、基板は、チャンバーから取り除かれ、エッジリングは、反射体プレートに近接するように移動され、反射体プレートは、冷却されていて、エッジリングを約１００℃にごく近い温度まで冷却する。エッジリングを約１００℃まで冷却することで、すぐに室温の新しい基板を冷却されたエッジリング上に置くことが可能となり、それは、基板処理スループットを増加させることになる。これはまた、反射体プレートの一部をエッジリングに近接するまたは触れるように移動させることによって成し遂げられることでもあり得る。このように、エッジリングの温度は、１）基板処理の間にウェハー温度均一性を制御するためおよび２）スループットを高めるために基板処理後にウェハーがチャンバーにないときエッジリングを冷却するための、プロセスの２つの部分の間に制御できる。加熱／冷却プレートに近接するエッジリングの移動は、チャンバー内で上下に移動するように適合される基板支持部を使用することによって成し遂げられることもあり得る。
【００４９】
このように、反射体プレートは、エッジリングの温度を変えるために使用できる熱質量である。追加の実施形態では、エッジリング２０は、温度調整ガスおよび温度制御反射体プレートへの近接の組合せによって加熱または冷却することができる。他の実施形態では、別個の熱質量またはプレートが、エッジリング２０に隣接して提供されてもよい。ある種の実施形態では、熱質量は、反射体プレートとエッジリングとの間に位置付けることができる。そのような実施形態では、熱質量が反射体プレート２７と干渉しないように、熱質量は、環状体またはドーナツ形の形状であることが望ましいこともある。上で述べられた実施形態に類似して、流体チャネルは、冷却または加熱流体が熱質量を通って流れることを許容するために熱質量中に提供されてもよい。
【００５０】
上の議論は、基板を横断する均一な温度プロファイルを達成することに焦点を合わせられるが、不均一な温度プロファイルがまた、本発明の装置および方法を使用して達成されることもあり得る。
【００５１】
この明細書全体にわたって「一実施形態」、「ある種の実施形態」、「１つまたは複数の実施形態」または「ある実施形態」への言及は、実施形態に関連して述べられる特定の特徴、構造、材料、または特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に包含されることを意味する。このように、この明細書全体にわたってさまざまな場所での「１つまたは複数の実施形態では」、「ある種の実施形態では」、「一実施形態では」または「ある実施形態では」などの語句の出現は、必ずしも本発明の同じ実施形態に言及していない。さらに、特定の特徴、構造、材料、または特性は、１つまたは複数の実施形態で任意の適切な方法で組み合わされてもよい。
【００５２】
本発明は本明細書で、特定の実施形態を参照して述べられたけれども、これらの実施形態は、本発明の原理および応用の単に実例にすぎないことが理解されるべきである。さまざまな変更および変形が、本発明の精神および範囲から逸脱することなく本発明の方法および装置になされてもよいことは、当業者には明らかであろう。このように、本発明は、添付の特許請求の範囲およびそれらの同等なものの範囲内である変更および変形を伴うことが意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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