(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ＩＣチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ＩＣチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板の製造方法であって、
前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで、導体部を露出させる開口部を形成する穴あけ工程と、
前記穴あけ工程後、前記開口部内のスミアを除去するデスミア工程と、
前記デスミア工程後、前記最外層の樹脂絶縁層の表面において露出している前記フィラーの存在量を、前記最外層の樹脂絶縁層の内部における前記フィラーの存在量よりも減少させるフィラー減少工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記導体部は、ＩＣチップを接続するための接続端子であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記接続端子上には、その一部が前記最外層の樹脂絶縁層から突出するように柱状端子が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記フィラー減少工程では、前記最外層の樹脂絶縁層の表面に対して、水圧が１００ｋｇｆ／ｃｍ２以上の高圧水洗処理を施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記フィラー減少工程では、前記最外層の樹脂絶縁層の表面に対して超音波洗浄処理を施すことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂を用いて形成されるものであり、
前記フィラー減少工程後、前記最外層の樹脂絶縁層を加熱して硬化させる熱キュア工程をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ＩＣチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ＩＣチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板であって、
前記最外層の樹脂絶縁層において前記チップ搭載面側の表面における前記フィラーの存在量は、前記最外層の樹脂絶縁層の内部における前記フィラーの存在量よりも少ないことを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板においては、コア基板として、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。
【０００４】
近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するために、多層配線基板を、コア基板を有さない基板とすることが提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載の多層配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長を短くしたものであるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【０００５】
ところで、特許文献１の多層配線基板では、ＩＣチップ搭載面側における最外層の樹脂絶縁層が内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂材料を用いて形成されている。また、この種の多層配線基板においては、樹脂絶縁層上に形成される無電解めっき層との密着性を向上させる目的や熱膨張率を下げる目的などのために、シリカフィラーが樹脂絶縁層に添加されたものが実用化されている。さらに、多層配線基板において、最外層の樹脂絶縁層にはＩＣチップを接続するための接続端子が形成されており、その接続端子上にはんだバンプを介してＩＣチップがフリップチップ接続されている。そして、最外層の樹脂絶縁層とＩＣチップとの隙間には、はんだバンプの熱疲労寿命等を向上させるために、液状硬化性樹脂であるアンダーフィル材が充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１１７７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、最上層の樹脂絶縁層にシリカフィラーが含まれる場合、その樹脂絶縁層の表面にシリカフィラーが露出するため、アンダーフィル材の流れ性が悪くなる。詳しくは、樹脂絶縁層は疎水性の材料であり、シリカフィラーは親水性の材料である。また、樹脂絶縁層の表面に流し込むアンダーフィル材も疎水性の材料であるため、樹脂絶縁層の表面にて露出するシリカフィラーの存在量が多いと、シリカフィラーが抵抗となってアンダーフィル材が流れ難くなる。このため、樹脂絶縁層とＩＣチップとの隙間全体にアンダーフィル材が充填されるまでの時間が長くなったり、その隙間にボイドが発生したりするといった問題が生じてしまう。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、最外層の樹脂絶縁層とＩＣチップとの隙間をアンダーフィル材にて確実に封止することができる多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ＩＣチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ＩＣチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板の製造方法であって、前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで、導体部を露出させる開口部を形成する穴あけ工程と、前記穴あけ工程後、前記開口部内のスミアを除去するデスミア工程と、前記デスミア工程後、前記最外層の樹脂絶縁層の表面において露出している前記フィラーの存在量を、前記最外層の樹脂絶縁層の内部における前記フィラーの存在量よりも減少させるフィラー減少工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００１０】
従って、手段１に記載の発明によると、穴あけ工程にて最外層の絶縁樹脂層に開口部が形成され、デスミア工程にてその開口部内のスミアが除去される。その後、フィラー減少工程により、最外層の樹脂絶縁層の表面において露出しているフィラーの一部が除去されるため、そのフィラーの存在量が減少する。このように、最外層の樹脂絶縁層の表面において、フィラーを減少させることにより、アンダーフィル材の流れ性が向上される。この結果、樹脂絶縁層とＩＣチップとの隙間にボイドを発生させることなく、アンダーフィル材による封止を短時間で確実に行うことができる。
【００１１】
具体的には、フィラー減少工程において、最外層の樹脂絶縁層の表面に対して、水圧が１００ｋｇｆ／ｃｍ２以上の高圧水を用いた高圧水洗処理を施してもよく、超音波を用いた超音波洗浄処理を施してもよく、アルカリ洗浄を施してもよい。例えば高圧水洗処理と超音波洗浄処理とを併用、即ち高圧水に超音波を伝搬させた状態で洗浄処理を実施してもよい。このような処理によって、樹脂絶縁層の表面に露出しているフィラーを洗い落とすことができ、樹脂絶縁層の表面のフィラーを減少させることができる。
さらには、高圧水洗処理とアルカリ洗浄とを併用したり、超音波洗浄処理とアルカリ洗浄とを併用したり、高圧水洗処理と超音波洗浄処理とアルカリ洗浄とを併用したりすることもできる。これらの場合には、物理的な処理と化学的な処理とが同時に行われることになるため、フィラー減少処理の効果を増すことができる。
【００１２】
なお、高圧水としては、水圧が３００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることがより好ましい。また、フィラーを確実に減少させるためには、常温で１分以上継続して高圧水洗処理を行うことが好ましい。
最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで露出する導体部としては種々のものがあり特に限定されないが、例えば、ＩＣチップを接続するための接続端子が好適例として挙げられる。導体部はＩＣチップ以外の電子部品（チップコンデンサ等）を接続するための接続端子であってもよい。このような接続端子上には、その一部が最外層の樹脂絶縁層から突出するように柱状端子が形成されていてもよい。なお、導体部は電子部品との電気的接続を目的とするものに限られず、電気的接続を目的としないもの（例えば位置合わせ用導体部など）であってもよい。
【００１３】
フィラー減少工程後には、最外層の樹脂絶縁層を加熱して硬化させる熱キュア工程が行われる。ここで、熱キュア工程をフィラー減少工程の前に行うと、樹脂絶縁層の硬化によってフィラーが固定されてしまう。このため、高圧水洗処理や超音波洗浄処理等にて樹脂絶縁層の表面からフィラーを洗い落とすことが困難となる。これに対して、本発明では、熱キュア工程の前にフィラー減少工程を行っているので、樹脂絶縁層が比較的軟らかく、その表面におけるフィラーを確実に減少させることができる。
【００１４】
上記製造方法によって製造される多層配線基板では、最外層の樹脂絶縁層の表面において露出しているフィラーの一部が除去され、そのフィラーの残量が少なくなる。つまり、最外層の樹脂絶縁層においてチップ搭載面側の表面におけるフィラーの残量（存在量）は、最外層の樹脂絶縁層の内部におけるフィラーの残量（存在量）よりも少なくなっている。
【００１５】
また、最外層の樹脂絶縁層における開口部は、レーザ穴加工で形成されるため、その壁面におけるフィラーの突出量は、樹脂絶縁層の表面におけるフィラーの突出量よりも少なくなっている。従って、フィラー減少工程にて洗い落とされるフィラーの量は、開口部の壁面よりも樹脂絶縁層の表面の方が多くなる。従って、最外層の樹脂絶縁層の表面におけるフィラーの残量（存在量）は、開口部の壁面におけるフィラーの残量（存在量）よりも少なく、開口部の壁面におけるフィラーの残量（存在量）は、裏面におけるフィラーの残量（存在量）よりも少なくなる。
【００１６】
さらに、最外層の樹脂絶縁層において、フィラーが脱落して形成された凹部がその表面に残存して露出しているフィラーの個数に対して５０％以上の割合で存在することが好ましい。このようにすると、最外層の樹脂絶縁層の表面においてアンダーフィル材の流れ性を十分に確保することができる。
【００１７】
積層構造体を構成する複数の樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。各樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、樹脂絶縁層に含まれるフィラーとしては、シリカ、チタニア、アルミナなどの無機酸化物からなるフィラーが挙げられる。特に、シリカフィラーは誘電率が低く、線膨張率が低いため、樹脂絶縁層にシリカフィラーを添加すると、多層配線基板の品質をより高めることができる。
そして上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ＩＣチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ＩＣチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板であって、前記最外層の樹脂絶縁層において前記チップ搭載面側の表面における前記フィラーの存在量は、前記最外層の樹脂絶縁層の内部における前記フィラーの存在量よりも少ないことを特徴とする多層配線基板がある。
従って、手段２に記載の発明によると、最外層の樹脂絶縁層の表面におけるフィラーの存在量が同層内部に比べて相対的に少ないことから、アンダーフィル材の流れ性が向上される。この結果、樹脂絶縁層とＩＣチップとの隙間にボイドを発生させることなく、アンダーフィル材による封止を短時間で確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施の形態の半導体パッケージを示す概略断面図。
【図２】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図３】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図４】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】樹脂絶縁層の表面におけるＳＥＭ写真を示す模式図。
【図１１】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】本実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】別の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】別の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２０】
図１に示されるように、本実施の形態の半導体パッケージ１０は、多層配線基板１１とＩＣチップ１２とからなるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）である。なお、半導体パッケージ１０の形態は、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
【００２１】
多層配線基板１１は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板であって、同じ樹脂絶縁材料を主体とした樹脂絶縁層２１，２２，２３,２４，２５と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した配線積層部３０（積層構造体）を有している。各樹脂絶縁層２１〜２５は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。また、各樹脂絶縁層２１〜２５には、シリカフィラーが添加されている。
【００２２】
多層配線基板１１において、配線積層部３０の上面３１（チップ搭載面）側には、ＩＣチップ１２を接続するための複数の接続端子４１がアレイ状に配置されている。配線積層部３０において上面３１側の最外層となる樹脂絶縁層２５は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層である。この樹脂絶縁層２５には、複数の接続端子４１を露出させるための開口部４３が形成されている。接続端子４１の表面上には、複数のはんだバンプ４４が配設されている。各はんだバンプ４４は、ＩＣチップ１２の面接続端子２８に電気的に接続されている。なお、配線積層部３０の上面３１において、各接続端子４１及び各はんだバンプ４４が形成される領域は、ＩＣチップ１２を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２９である。
【００２３】
一方、配線積層部３０の下面３２上には、マザーボード接続用の複数の接続端子４５がアレイ状に配置されている。また、各接続端子４５の表面上には、複数のはんだバンプ４７が配設されており、はんだバンプ４７により、多層配線基板１１は図示しないマザーボード上に実装される。
【００２４】
各樹脂絶縁層２１〜２４には、それぞれビア穴３３及びビア導体３４が設けられている。各ビア穴３３は、円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層２１〜２５に対してレーザ加工を施すことで形成される。各ビア導体３４は、上面３１側に行くに従って拡径した導体であって、各導体層２６、接続端子４１及び接続端子４５を相互に電気的に接続している。
【００２５】
また、本実施の形態の多層配線基板１１において、最外層の樹脂絶縁層２５とＩＣチップ１２との隙間にアンダーフィル材４９が充填され、ＩＣチップ１２の接続部分（接続端子４１、はんだバンプ４４、及び面接続端子２８）がアンダーフィル材４９で封止されている。さらに、多層配線基板１１では、最外層の樹脂絶縁層２５においてシリカフィラーが表面から露出している。本実施の形態では、樹脂絶縁層２５の表面におけるシリカフィラーの存在量が内層側のシリカフィラーの存在量よりも少なくなっており、最外層の樹脂絶縁層２５の表面におけるアンダーフィル材４９の流れ性が確保されている。
【００２６】
以下、本実施の形態における多層配線基板１１の製造方法について説明する。
【００２７】
先ず、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層２１〜２５及び導体層２６をビルドアップして配線積層部３０を形成する。
【００２８】
詳述すると、図２に示されるように、支持基板５０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層５１を形成することにより、支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１からなる基材５２を得る。そして、基材５２の下地樹脂絶縁層５１の上面に、積層金属シート体５４を配置する。ここで、下地樹脂絶縁層５１上に積層金属シート体５４を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体５４が下地樹脂絶縁層５１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体５４は、２枚の銅箔５５，５６（一対の金属箔）を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっき）を介して銅箔５５、銅箔５６が配置された積層金属シート体５４が形成されている。
【００２９】
その後、基材５２上において、積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層２１を配置し、樹脂絶縁層２１を貼り付ける（図３参照）。この樹脂絶縁層２１は、積層金属シート体５４と密着するとともに、積層金属シート体５４の周囲領域において下地樹脂絶縁層５１と密着することで、積層金属シート体５４を封止する。
【００３０】
そして、例えばエキシマレーザやＵＶレーザやＣＯ２レーザなどを用いてレーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層２１の所定の位置にビア穴３３を形成する（図４）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００３１】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴３３内にビア導体３４を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１上に導体層２６をパターン形成する（図５参照）。
【００３２】
また、他の樹脂絶縁層２２〜２５及び導体層２６についても、上述した樹脂絶縁層２１及び導体層２６と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１上に積層していく（図６参照）。そして、最外層の樹脂絶縁層２５に対してレーザ穴加工を施すことにより、ＩＣチップ１２を接続するための接続端子４１を露出させる開口部４３を形成する（穴あけ工程）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液やＯ２プラズマなどにて各開口部４３内のスミアを除去するデスミア工程を行う（図７参照）。このデスミア工程を行うと、最外層の樹脂絶縁層２５の表面や開口部４３の壁面が粗化されて微細な凹凸からなる粗化面となる。また、樹脂絶縁層２５の表面や開口部４３の壁面には、シリカフィラー５７が露出している。
【００３３】
デスミア工程後、最外層の樹脂絶縁層２５の表面において露出しているシリカフィラー５７を減少させるフィラー減少工程を実施する。具体的には、図８に示されるように、樹脂絶縁層２５の表面に対して高圧水Ｗ１を吹き付けて洗浄する高圧水洗処理を行う。なお、高圧水Ｗ１の水圧は５００ｋｇｆ／ｃｍ２であり、常温にて２分程度継続して洗浄処理を行う。この結果、図９に示されるように、樹脂絶縁層２５の表面や開口部４３の壁面から露出しているシリカフィラー５７が洗い落とされる。ここでは、表面がより多く露出（表面積の半分以上が露出）しているシリカフィラー５７が除去され、樹脂絶縁層２５に埋まり込んでいるシリカフィラー５７については樹脂絶縁層２５に残る。また、樹脂絶縁層２５の表面には、シリカフィラー５７が脱落することで凹部５８が形成される。
【００３４】
フィラー減少工程後、樹脂絶縁層２５の表面におけるシリカフィラー５７の存在量（残量）は、樹脂絶縁層２５の内部におけるシリカフィラー５７の存在量（残量）よりも少なくなる。本発明者は、フィラー減少工程の前後で樹脂絶縁層２５の表面のＳＥＭ写真を撮影し、それらＳＥＭ写真に基づいて、シリカフィラー５７の存在量が減少していることを確認した。具体的には、樹脂絶縁層２５表面のＳＥＭ写真５９（図１０参照）において対角線Ｌ１を引き、その対角線Ｌ１上にて占めるシリカフィラー５７の長さ（対角線Ｌ１上に重なる各シリカフィラー５７の幅を加算した距離）を測定する。その測定結果に基づいて、シリカフィラー５７の存在量が減少していることを確認した。なお、フィラー減少工程を行う前では、樹脂絶縁層２５の表面と内部とにおけるシリカフィラー５７の存在量は等しい。また、フィラー減少工程後には、樹脂絶縁層２５の表面側のみシリカフィラー５７の存在量が減少する。従って、樹脂絶縁層２５の表面におけるシリカフィラー５７の存在量は、内部におけるシリカフィラー５７の存在量よりも少なくなる。
ここでは、樹脂絶縁層２５の表面でのアンダーフィル材４９の流れ性の良否を判定する指標として、樹脂絶縁層２５の表面に対するアンダーフィル材４９の接触角を用いた。この接触角が小さくなるほど、アンダーフィル材４９が樹脂絶縁層２５の表面と馴染みやすくなり、アンダーフィル材４９が濡れ広がりやすくなる。
本実施形態において実際に測定したところ、フィラー減少工程前では、樹脂絶縁層２５の表面及び内部におけるシリカフィラー５７の存在量は約８３％であり、接触角は約２４°であった。これに対し、フィラー減少工程後では、樹脂絶縁層２５の表面におけるシリカフィラー５７の存在量は約３７％に減少し、接触角も約１１°に減少した。なお、上述した高圧水洗処理において高圧水Ｗ１の水圧、温度、時間等の諸条件を適宜変更し、フィラー減少工程後の樹脂絶縁層２５の表面におけるシリカフィラー５７の存在量を調整した。そして、樹脂絶縁層２５とＩＣチップ１２との隙間にボイドを発生させない程度の好適な流れ性を得るためには、当該存在量を約３０％以上約７０％以下の範囲に設定すればよいという結果を得た。このような好適範囲における接触角は、約１０°以上約２０°以下であった。
【００３５】
フィラー減少工程後、各樹脂絶縁層２１〜２５を加熱加圧して硬化させる熱キュア工程を実施する。なお、本実施の形態では、各樹脂絶縁層２１〜２５について、各層を形成する度に、ある程度硬化させるプリキュア工程を行った上で、熱キュア工程で最終的に硬化させている。
【００３６】
上述したビルドアップ工程によって、基材５２上に積層金属シート体５４、樹脂絶縁層２１〜２５及び導体層２６を積層した配線積層体６０を形成する。なお図１１に示されるように、配線積層体６０において積層金属シート体５４上に位置する領域が、多層配線基板１１の配線積層部３０となる部分である。
【００３７】
ビルドアップ工程後、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する。この際、図１１に示すように、配線積層部３０とその周囲部６１との境界（図１１では矢印で示す境界）において、配線積層部３０の下方にある基材５２（支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１）ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２１にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部６１の除去によって、下地樹脂絶縁層５１と樹脂絶縁層２１との密着部分が失われる。この結果、配線積層部３０と基材５２とは積層金属シート体５４のみを介して連結した状態となる。
【００３８】
ここで、図１２に示されるように、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２１）の下面３２上にある銅箔５５を露出させる。そして、図１３に示されるように、配線積層部３０（樹脂絶縁層２１）の下面３２上にある銅箔５５に対してエッチングによるパターニングを行うことにより、樹脂絶縁層２１上に接続端子４５を形成する。
【００３９】
続くはんだバンプ形成工程では、樹脂絶縁層２４上に形成された複数の接続端子４１上に、ＩＣチップ接続用のはんだバンプ４４を形成する（図１４参照）。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各接続端子４１上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各接続端子４１上にはんだバンプ４４を形成する。同様に、樹脂絶縁層２１上に形成された複数の接続端子４５上に、はんだバンプ４７を形成する。以上の工程を経て、多層配線基板１１が製造される。
【００４０】
その後、多層配線基板１１のＩＣチップ搭載領域２９にＩＣチップ１２を載置する。このとき、ＩＣチップ１２側の面接続端子２８と、多層配線基板１１側のはんだバンプ４４とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各はんだバンプ４４をリフローすることにより、面接続端子２８とはんだバンプ４４とが接合され、多層配線基板１１にＩＣチップ１２が搭載される。
【００４１】
さらに、最外層の樹脂絶縁層２５とＩＣチップ１２との隙間に、液状硬化性樹脂であるアンダーフィル材４９を流し込む。このとき、樹脂絶縁層２５の表面には、アンダーフィル材４９の流動抵抗となるシリカフィラー５７が少なくなっているので、樹脂絶縁層２５とＩＣチップ１２との隙間全体に効率よく充填される。この結果、図１に示されるように、多層配線基板１１とＩＣチップ１２との接続部がアンダーフィル材４９によって封止された半導体パッケージ１０が製造される。
【００４２】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４３】
（１）本実施の形態では、フィラー減少工程において、最外層の樹脂絶縁層２５の表面にて露出しているシリカフィラー５７の一部が除去され、そのフィラー５７の存在量が減少される。このように、最外層の樹脂絶縁層２５の表面におけるシリカフィラー５７を減少させることで、その樹脂絶縁層２５の表面でのアンダーフィル材４９の流れ性が向上される。この結果、樹脂絶縁層２５とＩＣチップ１２との隙間にボイドを発生させることなく、アンダーフィル材４９による封止を短時間で確実に行うことができる。
【００４４】
（２）本実施の形態では、フィラー減少工程において高圧水洗処理が行われるので、シリカフィラー５７を洗い流すのと同時に、樹脂絶縁層２５の表面や開口部４３の内壁に付着している異物（樹脂カスなど）を除去することができる。
【００４５】
（３）本実施の形態では、樹脂絶縁層を硬化させる熱キュア工程の前にフィラー減少工程が実施されるので、樹脂絶縁層２５が比較的軟らかい状態でその表面のシリカフィラー５７を確実に減少させることができる。
【００４６】
（４）本実施の形態の多層配線基板１１では、最外層の樹脂絶縁層２５が内層側の各樹脂絶縁層２２〜２４と同じビルドアップ材で形成されているので、最外層の樹脂絶縁層２５が別の樹脂絶縁材料で形成される場合と比較して、配線積層部３０での熱膨張係数差による影響が軽減される。この結果、多層配線基板１１の反りを抑えることができる。
【００４７】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００４８】
・上記実施の形態では、フィラー減少工程において、高圧水洗処理を行っていたが、この高圧水洗処理の代わりに超音波洗浄処理を行ってもよい。また、高圧水に超音波を伝搬させた状態で洗浄処理を実施してもよい。このようにしても、樹脂絶縁層２５の表面において、シリカフィラー５７を減少させることができ、アンダーフィル材４９の流れ性を向上させることができる。
【００４９】
・上記実施の形態では、コアを有さない多層配線基板１１に具体化するものであったが、コア基板の両面にビルドアップ層（配線積層部）を形成した多層配線基板に本発明を具体化してもよい。
【００５０】
・本発明は、例えば、図１５、図１６に示す別の実施の形態における多層配線基板１１Ａのように具体化してもよい。この多層配線基板１１Ａでは、導体部の構造が上記実施形態のものと異なっている。即ち、上記実施形態のものにおける導体部は、ソルダーレジストとして機能する樹脂絶縁層２５の下に配置された複数の接続端子４１であった。複数の接続端子４１の表面上に、銅めっきからなる複数の柱状端子６１（銅ポスト）が形成されている。これらの柱状端子６１は、その一部が開口部４３を介して最外層の樹脂絶縁層２５から突出している。柱状端子６１の外表面はニッケル／金めっき層６２によって被覆されている。以下、その製造方法について説明する。まず、上記実施形態の手順に従い、フィラー減少工程までの工程を実施し、さらに熱キュア工程を実施する。ここで、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２５の開口部４３内及び樹脂絶縁層２５を覆う全面めっき層を形成する。そして、樹脂絶縁層２５の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことで、めっきレジストを形成する。この後、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行い、柱状端子６１を形成する（図１５参照）。次いで、めっきレジスト及び全面めっき層を除去した後、その上にエッチングレジストを形成してから、ダイシングによる配線積層体６０の切断を行う。この後、基材同士の分離、下面３２側のパターニング、上面３１側のエッチングレジストの除去を行ったうえで、柱状端子６１及び接続端子４５に対して無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施す。この結果、柱状端子６１及び接続端子４５の表面に、それぞれニッケル／金めっき層６２を形成し、図１６の多層配線基板１１Ａを完成させる。
次に、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５１】
（１）手段２の多層配線基板の製造方法において、常温で１分以上継続して前記高圧水洗処理を行うことを特徴とすることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００５２】
（２）手段２の多層配線基板の製造方法において、前記高圧水洗処理では、高圧水に超音波を伝搬させた状態で洗浄することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００５３】
（３）手段１乃至４のいずれかの多層配線基板の製造方法において、前記フィラーは、シリカフィラーであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００５４】
（４）複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ＩＣチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ＩＣチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板であって、前記最外層の樹脂絶縁層において、前記チップ搭載面側の表面における前記フィラーの存在量は、前記内層側の樹脂絶縁層と接する裏面における前記フィラーの存在量よりも少ないことを特徴とする多層配線基板。
【００５５】
（５）技術的思想（４）において、前記最外層の樹脂絶縁層において、前記ＩＣチップを接続するための接続端子を露出させる開口部が形成され、前記表面における前記フィラーの存在量は、前記開口部の壁面における前記フィラーの存在量よりも少なく、前記開口部の壁面における前記フィラーの存在量は、前記裏面における前記フィラーの存在量よりも少ないこと特徴とする多層配線基板。
【００５６】
（６）技術的思想（４）または（５）において、前記最外層の樹脂絶縁層において、前記表面から前記フィラーが脱落して形成された凹部が、前記表面に残存して露出している前記フィラーの個数に対して５０％以上の割合で存在すること特徴とする多層配線基板。
【符号の説明】
【００５７】
１１，１１Ａ…多層配線基板
１２…ＩＣチップ
２１〜２５…樹脂絶縁層
２６…導体層
３０…積層構造体としての配線積層部
３１…チップ搭載面としての上面
４１…導体部としての接続端子
４３…開口部
４９…アンダーフィル材
５７…フィラーとしてのシリカフィラー
６１…柱状端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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