(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージキャリアボードの製造方法において、
金属層が配置された支持板を提供し、
該金属層上にはパターン化ドライフィルム層が形成され、該パターン化ドライフィルム層は金属層の一部を露出させ、
該パターン化ドライフィルム層を電気メッキマスクとして、表面処理層を該パターン化ドライフィルム層の露出した部分の該金属層上に電気メッキし、
金属層の一部を露出させるため、該パターン化ドライフィルム層を除去し、
該表面処理層をエッチングマスクとして、該金属層の該表面処理層が被覆されていない部分をエッチングすることにより、パターン化金属層を形成し、
該支持板を形成するステップは、
２個の該金属層を提供し、該金属層は接着剤によって他の該金属層上に部分的に結合され、
該金属層上に導電層をそれぞれ形成し、
接着層及び該接着層上に位置する絶縁層を該導電層上にそれぞれラミネートし、
該接着剤を除去することにより、２個の独立しており、かつその上に該金属層がそれぞれ配置された該支持板を形成し、それぞれの該支持板は、順次積層された該絶縁層、該接着層及び該導電層をそれぞれ含み、かつそれぞれの該金属層はそれぞれの該導電層上に位置する、ことを特徴とするパッケージキャリアボードの製造方法。
【請求項２】
該導電層の材質はニッケルを含むことを特徴とする、ことを特徴とする請求項１記載のパッケージキャリアボードの製造方法。
【請求項３】
該導電層を形成する方法は電気メッキ法を含むことを特徴とする、ことを特徴とする請求項１記載のパッケージキャリアボードの製造方法。
【請求項４】
該表面処理層の材質はニッケル又は銀を含むことを特徴とする、ことを特徴とする請求項１記載のパッケージキャリアボードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はパッケージ構造及びその製造方法に関し、特にパッケージキャリアボード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップパッケージの目的は、チップの適切な信号経路、熱経路、及び構造保護を提供することである。伝統的なワイヤーボンディング（wire bonding）技術は通常リードフレーム（lead frame）を採用してチップのキャリア（carrier）とする。チップの接点密度が次第に高まるにつれ、リードフレームは更に高い接点密度を提供することができず、高い接点密度を具備するパッケージキャリアボード（package carrier）を利用することによりこれに代え、金属ワイヤー、若しくはバンプ等のメディアにより、チップをパッケージキャリアボードに密封する。
【０００３】
一般的には、パッケージキャリアボードの製作は、通常コア（core）誘電体層を以ってコア材料とし、フルアディティブ法（fully additive process）、セミアディティブ法（semi-additive process）、サブトラクティブ法（subtractive process）、若しくはその他の方式が利用され、複数のパターン化回路層とパターン化誘電体層をコア誘電体層に交互に重ねる。このようにして、コア誘電体層はパッケージキャリアボードの全体の厚さの大きな割合を占めることとなる。したがって、コア誘電体層を有効に減少させなければ、パッケージ構造の薄型化に極めて大きな障害を発生させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は厚さが比較的薄いパッケージキャリアボード及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため本発明は以下の手段を備える。
【０００６】
本発明の第１の発明は、パッケージキャリアボードの製造方法であって、金属層が配置された支持板を提供し、金属層上にはパターン化ドライフィルム層が形成され、パターン化ドライフィルム層は金属層の一部を露出させ、パターン化ドライフィルム層を電気メッキマスクとして、表面処理層をパターン化ドライフィルム層の露出した部分の金属層上に電気メッキし、金属層の一部を露出させるため、パターン化ドライフィルム層を除去し、表面処理層をエッチングマスクとして、金属層の表面処理層が被覆されていない部分をエッチングすることにより、パターン化金属層を形成する。
【０００７】
また、本発明の本発明の実施例によると、支持板を形成するステップは、２個の金属層を提供し、金属層は接着剤によって他の金属層上に部分的に結合され、金属層上に導電層をそれぞれ形成し、接着層及び接着層上に位置する絶縁層を導電層上にそれぞれラミネートし、接着剤を除去することにより、２個の独立しており、かつその上に金属層がそれぞれ配置された支持板を形成し、それぞれの支持板は、順次積層された絶縁層、接着層及び導電層をそれぞれ含み、かつそれぞれの金属層はそれぞれの導電層上に位置する。
【０００８】
また、本発明の本発明の実施例によると、導電層の材質はニッケルを含む。
【０００９】
また、本発明の本発明の実施例によると、導電層を形成する方法は電気メッキ法を含む。
【００１０】
また、本発明の本発明の実施例によると、表面処理層の材質はニッケル又は銀を含む。
【００１１】
また、本発明の第２の発明は、チップを搭載するのに適したパッケージキャリアボードにおいて、パッケージキャリアボードは、上面を有する支持板と、支持板上に配置され、かつ上面の一部が露出したパターン化金属層と、パターン化金属層上に配置された表面処理層を含み、チップは表面処理層上に配置され、かつ表面処理層と電気的に接続されている。
【００１２】
また、本発明の本発明の実施例によると、支持板は順次積層された絶縁層、接着層及び導電層を含み、パターン化金属層は導電層上に位置し、かつ導電層の一部を露出させる。
【００１３】
また、本発明の本発明の実施例によると、表面処理層の材質はニッケル又は銀を含む。
【００１４】
また、本発明の本発明の実施例によると、チップはワイヤーボンディングにより表面処理層に電気的に接続される。
【００１５】
また、本発明の本発明の実施例によると、チップはフリップチップボンディング法により表面処理層に電気的に接続される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によるパッケージキャリアボードは次の構成を含むので以下の効果を有する。すなわち、パターン化金属層と表面処理層が、チップのチップホルダを載置すること並びに電気的に接続されたパットの用に供され、かつ、チップのモールディングプロセスの完了に続き支持板を取り除くので、厚さが比較的薄いパッケージキャリアボード及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図１Ｃ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図１Ｄ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図１Ｅ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図１Ｆ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図１Ｇ】本発明の実施例の一種であるパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。
【図２Ａ】図１Ｇのパッケージキャリアボードのチップの製造工程の断面の説明図である。
【図２Ｂ】図１Ｇのパッケージキャリアボードのチップの製造工程の断面の説明図である。
【図２Ｃ】図１Ｇのパッケージキャリアボードのチップの製造工程の断面の説明図である。
【図３】図１Ｇのパッケージキャリアボードが搭載するチップの断面の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の特徴と利点を明確で分かりやすくするため、以下図面を参照して説明する。図１Ａから図１Ｇは本発明の実施例の一つのパッケージキャリアボードの製造方法の断面の説明図である。図１Ｄを参照し、本実施例のパッケージキャリアボードの製造方法に従って、まず支持板１２０ａを提供する。この支持板１２０ａには既に金属層１１０ａが配置されている。
【００１９】
より詳細には、支持板１２０ａを形成するステップは以下のステップを含む。まず、図１Ａを参照し、二つの金属層１１０ａ、１１０ｂを提供する。この金属層１１０ａは接着剤１０によって部分的に金属層１１０ｂに接合され、金属層１１０ａの材質は銅、アルミニウム、銀、金、若しくはその他の高い熱伝導性を有する金属を含む。
【００２０】
次に、図１Ｂを参照し、金属層１１０ａに導電層１２２ａを形成し、また金属層１１０ｂに導電層１２２ｂを形成する。ここで、導電層１２２ａ、１２２ｂを形成する方法は電気メッキ法を含み、また導電層１２２ａ、１２２ｂの材料は例えばニッケルである。
【００２１】
そして、図１Ｃを参照し、接着層１２４ａ及び接着層１２４ａ上に位置する絶縁層１２６ａを導電層１２２ａにラミネートし、接着層１２４ｂ及び接着層１２４ｂ上に位置する絶縁層１２６ｂを導電層１２２ｂにラミネートする。ここで絶縁層１２６ａ、１２６ｂの材質は例えばガラス繊維樹脂である。また、絶縁層１２６ａ、接着層１２４ａ及び導電層１２２ａは支持板１２０ａを構成して、絶縁層１２６ｂ、接着層１２４ｂ及び導電層１２２ｂは他の支持板１２０ｂを構成する。
【００２２】
最後に、図１Ｄを参照し、接着剤１０を除去することにより、２個の独立しており、かつその上に金属層１１０ａ（若しくは１１０ｂ）が配置された支持板１２０ａ（若しくは１２０ｂ）を形成する。ここで支持板１２０ａは順次積層された絶縁層１２６ａ、接着層１２４ａ、及び導電層１２２ａにより構成され、金属層１１０ａは導電層１２２ａ上に位置し、かつ導電層１２２ａの一部を露出させる。このようにして、支持板１２２ａ及びその上の金属層１１０ａの製造が完了する。
【００２３】
なお、本実施例は対称方式を採用して２個の支持板１２０ａ、１２０ｂ及びそれらの上の金属層１１０ａ、１１０ｂを形成するので、接着層１２４ａ、１２４ｂ及びそれらの上の絶縁層１２６ａ、１２６ｂを金属層１１０ａ、１１０ｂにラミネートする過程において、ラミネートした後の構造が歪む問題を有効に回避することができる。
【００２４】
また、本実施例は対称方式を採用して２個の支持板１２０ａ、１２０ｂ及びそれらの上の金属層１１０ａ、１１０ｂを形成するので、板を分離させた後（すなわち接着剤１０を除去した後）、２個のそれぞれ独立した構造を同時に得ることができ、製造時間を効果的に低減し、生産性を高めることができる。
【００２５】
次に、図１Ｅを参照し、金属層１１０ａにパターン化ドライフィルム層１３０を形成し、このパターン化ドライフィルム層１３０は金属層１１０ａの一部を露出させる。
【００２６】
その後、図１Ｆを参照し、パターン化ドライフィルム層１３０を電気メッキマスクとして、表面処理層１４０をパターン化ドライフィルム層１３０の露出した部分の金属層１１０ａに電気メッキする。ここで表面処理層１４０の材質は例えばニッケル若しくは銀である。
【００２７】
最後に、図１Ｇを参照し、パターン化ドライフィルム層１３０を除去し、金属層１１０ａの一部を露出させる。次に、表面処理層１４０をエッチングマスクとして、金属層１１０ａの表面処理層１４０が被覆されていない部分をエッチングすることにより、パターン化金属層１１０ａ’を形成する。これにてパッケージキャリアボード１００の製造が完了する。
【００２８】
構造においては再び図１Ｇを参照し、パッケージキャリアボード１００は支持板１２０ａ、パターン化金属層１１０ａ’、及び表面処理層１４０を含む。支持板１２０ａは順次積層された絶縁層１２６ａ、接着層１２４ａ及び導電層１２２ａを含み、かつ支持板１２０ａは上面１２１を具備する。パターン化金属層１１０ａ’は支持板１２０ａに配置され、かつ表面１２１の一部を露出させ、パターン化金属層１１０ａ’は導電層１２２ａの上に位置し、導電層１２２ａの一部を露出させる。表面処理層１４０はパターン化金属層１１０ａ’の上に配置され、表面処理層１４０の材質は例えばニッケル若しくは銀である。
【００２９】
図２Ａから図２Ｃは、図１Ｇのパッケージキャリアボードがチップを積載する製造プロセス工程の断面の説明図である。まず、図２Ａを参照し、本実施例におけるパッケージキャリアボード１００はチップ２０を積載するのに適しており、チップ２０は接着層３０を介してパターン化金属層１１０ａ’上の表面処理層１４０に配置され、チップ２０はボンディングワイヤ４０を介して表面処理層１４０と電気的に接続される。すなわち、本実施例のチップ２０はワイヤーボンディングにより表面処理層１４０に電気的に接続される。ここでチップ２０は集積回路チップであり、例えばグラフィックチップ、メモリチップ等のシングルチップ若しくはチップモジュールであり、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）チップである。
【００３０】
次に、図２Ｂを参照し、モールディングプロセスを行い、パッケージコロイド５０（package colloid）をパッケージボード１００に形成するため、パッケージコロイド５０はチップ２０、接着層３０、ボンディングワイヤ４０、パッケージキャリアボード１００の表面処理層１４０とパターン化金属層１１０ａ’をカプセル化（encapsulate）し、かつ支持板１２０ａの部分的な上面１２１を塞ぐ。
【００３１】
最後に、図２Ｃを参照し、パッケージキャリアボード１００の支持板１２０を除去し、パターン化金属層１１０ａ’の底面１１２を露出させ、パッケージコロイド５０の下面５２をパターン化金属層１１０ａ’の底面１１２と実質的に合わせる。これにてパッケージ構造２００ａの製造が終了し、パッケージ構造２００ａは例えばクアッド・フラット・ノーリード（quad flat no-lead, QFN）形態のパッケージ構造である。
【００３２】
本実施例のパッケージキャリアボード１００は次の構成を含む。パターン化金属層１１０ａ’と表面処理層１４０が、チップ２０のチップホルダ（即ちチップ２０の位置）を載置すること並びに電気的に接続されたパット（即ちボンディングワイヤ４０の配置場所）の用に供され、かつチップ２０を完成させるモールディングプロセスの後、支持板１２０ａを除去し、パッケージ構造２００ａの完成品を構成する。
【００３３】
すなわち、支持板１２０ａはモールディングプロセスの後除去され、パッケージ構造２００ａにおけるパッケージキャリアボード１００はパターン化金属層１１０ａ’及び表面処理層１４０を残す。したがって、周知の多層パターン化回路層とパターン化誘電体層をコア誘電体層に交互に積層することにより構成したパッケージキャリアボードと比べ、本実施例が採用したパッケージキャリアボード１００は、完成した後のパッケージキャリアボード２００が比較的薄いパッケージの厚さを具備するようさせることができる。
【００３４】
また、チップ２０は表面処理層１４０に配置されるので、チップ２０が発生する熱を金属材質の表面処理層１４０とパターン化金属層１１０ａ’に直接伝送することで迅速に外部に伝え、チップの使用効率と使用寿命を高めるだけでなく、パッケージ構造２００ａの熱発散効果も高めることができる。
【００３５】
特筆すべきは、ここで言及したチップ２０の具体化はワイヤーボンディングにより、パッケージキャリアボード１００の表面処理層１４０に電気的に接続しているが、本発明は決してチップ２０とパッケージキャリアボード１００の結合の形態に限定されない。その他、図３を参照した他の実施例では、チップ２５は複数のバンプ６０を介してフリップチップボンディング法により表面処理層１４０に電気的に接続することができる。すなわち、上述したチップ２０とパッケージキャリアボード１００の結合形態は例示のためだけのものであり、本発明を限定するものではない。
【００３６】
要約すると、本発明のパッケージキャリアボードは、パターン化金属層と表面処理層が、チップのチップホルダを載置すること並びに電気的に接続されるパットの用に供され、かつチップのモールディングプロセスの完了に続き、支持板を取り除くので、パッケージの厚さが比較的薄いパッケージ構造の完成品を構成する。
【００３７】
本発明は実施例を以って上述のように明らかにされたが、これらの記載は本発明を限定するものではなく、任意の技術領域において通常の知識を有する者が、本発明の精神と範囲内から逸脱することなく、修正や変形をする場合には、本発明の保護の範囲は特許請求の範囲に定めたものを基準とするものとする。
【符号の説明】
【００３８】
１０    接着剤
２０、２５    チップ
３０、 １２４ａ、１２４ｂ    接着層
４０    ボンディングワイヤ
５０    パッケージコロイド
５２    下面
６０    バンプ
１００    パッケージキャリアボード
１１０ａ、１１０ｂ    金属層
１１０ａ’    パターン化金属層
１１２    底面
１２０ａ、１２０ｂ    支持板
１２１    上面
１２２ａ、１２２ｂ    導電層
１２６ａ、１２６ｂ    絶縁層
１３０    パターン化ドライフィルム層
１４０    表面処理層
２００ａ、２００ｂ    パッケージ構造
【図１Ａ】
0005620971.tif 000002
【図１Ｂ】
0005620971.tif 000003
【図１Ｃ】
0005620971.tif 000004
【図１Ｄ】
0005620971.tif 000005
【図１Ｅ】
0005620971.tif 000006
【図１Ｆ】
0005620971.tif 000007
【図１Ｇ】
0005620971.tif 000008
【図２Ａ】
0005620971.tif 000009
【図２Ｂ】
0005620971.tif 000010
【図２Ｃ】
0005620971.tif 000011
【図３】
0005620971.tif 000012