(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、
複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、
複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、
前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、
直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、
を備え、
前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面において、前記へき開面と前記表面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面において、前記へき開面と前記裏面側電極の前記へき開面側の端部との間に第２の隙間が出来るようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記第１及び第２のスペーサーバーの端部が、前記表面側電極及び前記裏面側電極の前記へき開面側の端部から、前記へき開面に垂直な方向で前記へき開面から離れる方向の位置に、それぞれくるようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記第２のスペーサーバーを前記へき開面に対して突出させることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
前記へき開面において、前記第１のスペーサーバー側の前記活性層を含む、少なくとも半分の領域に前記誘電体反射膜がコーティングされ、前記第１の隙間、前記表面側電極の前記へき開面側の端部、前記第２の隙間、及び前記裏面側電極の前記へき開面側の端部に前記誘電体反射膜がコーティングされないように、前記第２のスペーサーバーを突出させる幅、及び前記誘電体反射膜の材料を進行させる方向を調整することを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、
複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、
複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、
前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、
直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、
を備え、
前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面において、前記へき開面と前記表面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面において、前記へき開面と前記裏面側電極の前記へき開面側の端部との間に第２の隙間が出来るようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記第１及び第２のスペーサーバーの端部が、前記表面側電極及び前記裏面側電極の前記へき開面側の端部から、前記へき開面に垂直な方向で前記へき開面から離れる方向の位置に、それぞれくるようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記第１のスペーサーバーを前記へき開面に対して突出させることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、
複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、
複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、
前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、
直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、
を備え、
前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面において、前記へき開面と前記表面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記表面側電極の表面において、前記表面側電極の前記へき開面側の端部と前記第１のスペーサーバーとの間に第２の隙間が出来るようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、
複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、
複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、
前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、
直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、
を備え、
前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面において、前記へき開面と前記裏面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記裏面側電極の表面において、前記裏面側電極の前記へき開面側の端部と前記第２のスペーサーバーとの間に第２の隙間が出来るようにし、
前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザの透過面及び反射面に誘電体反射膜をコーティングする半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に、不要な誘電体反射膜が付着するのを防止できる半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置のレーザダイオード（ＬＤ）を製造する時、レーザの透過面及び反射面に、低反射率の誘電体反射膜及び高反射率の誘電体反射膜をそれぞれ形成する。これにより、レーザの透過面及び反射面の破壊や劣化を防止し、レーザダイオードの特性や信頼性を向上できる。
【０００３】
そして、誘電体反射膜を形成する時には、レーザダイオード１個ずつに対して、別々に誘電体反射膜を形成するのは効率が悪い。このため、以下の第１の半導体レーザ装置の製造方法が適用されていた（例えば、特許文献１）。図１２〜図１６は、従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。なお、図１６は、図１５の破線枠内の拡大図である。
【０００４】
まず、図１２に示すように、半導体基板１００の表面１００ａ側に、レーザの誘導放出が行なわれる活性層１０２を含む半導体層１０４を形成する。
【０００５】
次に、図１３に示すように、絶縁膜やメッキ層を含む電極層１０６を、半導体層１０４の表面１０４ａにおいて全面に形成する。同様に、電極層１０６を、半導体基板１００の裏面１００ｂにおいて全面に形成する。
【０００６】
次に、半導体基板１００を矢印ａの方向に沿ってへき開する。これにより、図１４に示すように、複数のレーザダイオード１０８を含む半導体レーザバー１１０を形成する。半導体レーザバー１１０の両方のへき開面１１０ｃは、一方が透過面となり、他方が反射面となる。表面１１０ａ及びへき開面１１０ｃと交差する面は、側壁面１１０ｄである。そして、破線矢印で示された透過面及び反射面の間の距離は共振器長である。また、電極層１０６は複数のレーザダイオード１０８に跨っている。
【０００７】
次に、図１５に示すように、複数の半導体レーザバー１１０及び複数のスペーサーバー１１２を交互に積み重ねる。この際、それらの互いに隣接する半導体レーザバー１１０の表面１１０ａ及び裏面１１０ｂが対向するようにする。そして、それらのへき開面１１０ｃが同じ方向を向くようにする。また、スペーサーバー１１２の共振器長方向の長さを、半導体レーザバー１１０の破線矢印で示された共振器長よりも短くする。これにより、半導体レーザバー１１０のへき開面１１０ｃをスペーサーバー１１２に対して突出させる。そして、半導体レーザバー１１０のへき開面１１０ｃに垂直な矢印ｃの方向に、誘電体反射膜の材料を進行させる。これにより、図１６に示すように、誘電体反射膜１１４を半導体レーザバー１１０のへき開面１１０ｃにコーティングする。
【０００８】
この方法では、半導体レーザバー１１０のへき開面１１０ｃをスペーサーバー１１２に対して突出させる。このため、誘電体反射膜１１４をコーティングする際に、へき開面１１０ｃがスペーサーバー１１２の影になることはない。従って、へき開面１１０ｃの活性層１０２近くにコーティングされる誘電体反射膜１１４の厚さがばらつくのを防止できる。
【０００９】
ところが、この方法では、図１３に示すように、半導体層１０４の表面１０４ａ及び半導体基板１００の裏面１００ｂの全面に電極層１０６を形成する。このため、半導体基板１００をへき開して半導体レーザバー１１０を形成するのは難しい。また、半導体レーザバー１１０から個々のレーザダイオード１０８を分離するのも難しい。このため、半導体基板１００のへき開、及びレーザダイオード１０８の分離を容易に行いたいという要望があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−９３１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
この要望に対応するため、以下の第２の半導体レーザ装置の製造方法が適用されることになった。図１７〜図２０は、従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。なお、図２０は、図１９の破線枠内の拡大図である。
【００１２】
まず、第１の半導体レーザ装置の製造方法と同様に、半導体基板１００の表面１００a側に半導体層１０４を形成する。次に、図１７に示すように、複数の表面側電極１１６を、半導体層１０４の表面１０４ａにおいて、矢印ａの方向及び、この方向と交差する矢印ｂの方向に並ぶように互いに離して形成する。同様に、複数の裏面側電極１１８を半導体基板１００の裏面１００ｂにおいて、表面側電極１１６に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する。
【００１３】
次に、半導体基板１００を、表面側電極１１６及び裏面側電極１１８とは離れた位置において、矢印ａの方向に沿ってへき開する。これにより、図１８に示すように、複数のレーザダイオード１２０を含む半導体レーザバー１２２を形成する。半導体レーザバー１２２の両方のへき開面１２２ｃは、一方が透過面となり、他方が反射面となる。表面１２２ａ及びへき開面１２２ｃと交差する面は、側壁面１２２ｄである。そして、破線矢印で示される透過面及び反射面の間の距離は共振器長である。
【００１４】
この際、半導体レーザバー１２２の半導体層１０４の表面１０４ａにおいて、へき開面１２２ｃと表面側電極１１６のへき開面側の端部１１６ａとの間に、第１の隙間１２４が出来るようにする。同様に、半導体レーザバー１２２の半導体基板１００の裏面１００ｂにおいて、へき開面１２２ｃと裏面側電極１１８のへき開面側の端部１１８ａとの間に、第２の隙間１２６が出来るようにする。
【００１５】
次に、図１９に示すように、第１の半導体レーザ装置の製造方法と同様に、複数の半導体レーザバー１２２及び複数のスペーサーバー１１２を交互に積み重ねて、それらのへき開面１２２ｃをスペーサーバー１１２に対して突出させる。そして、半導体レーザバー１２２のへき開面１２２ｃに垂直な矢印ｃの方向に、誘電体反射膜の材料を進行させる。これにより、図２０に示すように、誘電体反射膜１１４を半導体レーザバー１２２のへき開面１２２ｃにコーティングする。
【００１６】
この課題に係る製造方法では、誘電体反射膜１１４をコーティングする時に、第１の隙間１２４、表面側電極１１６のへき開面側の端部１１６ａ、第２の隙間１２６及び裏面側電極１１８のへき開面側の端部１１８ａの近くにまで誘電体反射膜１１４の材料が回り込む。これにより、第１の隙間１２４、へき開面側の端部１１６ａ、第２の隙間１２６、及びへき開面側の端部１１８ａに不要な誘電体反射膜１１４が付着する。
【００１７】
この不要な誘電体反射膜１１４は、誘電体反射膜１１４をコーティングした後の工程で剥がれて再付着するため、半導体レーザバー１２２の外観不良の原因となる。また、この不要な誘電体反射膜１１４の存在により、半導体レーザバー１２２と冷却パッケージを接合するのが妨げられることがある。この場合、レーザを発振する時にレーザダイオード１２０の冷却が不十分となり、レーザダイオード１２０の特性不良が生じる。
【００１８】
また、表面側電極１１６がスペーサーバー１１２に対して突出しているため、表面側電極１１６において、へき開面側の端部１１８ａとスペーサーバー１１２との間に第３の隙間１２８が出来る。同様に、裏面側電極１１８がスペーサーバー１１２に対して突出しているため、裏面側電極１１８において、へき開面側の端部１１８ａとスペーサーバー１１２との間に第４の隙間１３０が出来る。従って、第３の隙間１２８及び第４の隙間１３０にも不要な誘電体反射膜１１４が付着する。これにより、上述の問題が同様に生じることがある。
【００１９】
本発明は、この課題を解決するためになされ、不要な誘電体反射膜が付着するのを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
第１の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、を備え、前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面において、前記へき開面と前記表面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面において、前記へき開面と前記裏面側電極の前記へき開面側の端部との間に第２の隙間が出来るようにし、前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記第１及び第２のスペーサーバーの端部が、前記表面側電極及び前記裏面側電極の前記へき開面側の端部から、前記へき開面に垂直な方向で前記へき開面から離れる方向の位置に、それぞれくるようにし、前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とするものである。
【００２１】
第２の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、を備え、前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面において、前記へき開面と前記表面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記表面側電極の表面において、前記表面側電極の前記へき開面側の端部と前記第１のスペーサーバーとの間に第２の隙間が出来るようにし、前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体層の表面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とするものである。
【００２２】
第３の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板の表面側に活性層を含む半導体層を形成する工程と、複数の表面側電極を前記半導体層の表面において第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶように互いに離して形成する工程と、複数の裏面側電極を前記半導体基板の裏面において前記表面側電極に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する工程と、前記半導体基板を、前記表面側電極及び前記裏面側電極とは離れた位置で前記第１の方向に沿ってへき開することにより、半導体レーザバーを形成する工程と、直方体の第１及び第２のスペーサーバーにより、前記半導体レーザバーを前記半導体層の表面側及び前記半導体基板の裏面側からそれぞれ挟みながら、前記半導体レーザバーの前記へき開面に誘電体反射膜をコーティングする工程と、を備え、前記半導体レーザバーを形成する時に、前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面において、前記へき開面と前記裏面側電極の前記へき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記裏面側電極の表面において、前記裏面側電極の前記へき開面側の端部と前記第２のスペーサーバーとの間に第２の隙間が出来るようにし、前記誘電体反射膜をコーティングする時に、前記半導体レーザバーの前記へき開面に垂直な方向を、前記へき開面の中心から前記半導体レーザバーの前記半導体基板の裏面側の方向に傾けた方向に、前記誘電体反射膜の材料を進行させることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、不要な誘電体反射膜が付着するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】実施の形態１の変形例に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図７】実施の形態２に係る半導体レーザ装置を製造方法の要部を示す工程図である。
【図８】実施の形態３に係る半導体レーザ装置を製造方法の要部を示す工程図である。
【図９】実施の形態３の変形例に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１０】実施の形態４に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１１】実施の形態４の変形例に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１２】従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図１３】従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図１４】従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図１５】従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図１６】従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。
【図１７】従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１８】従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１９】従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図２０】従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
実施の形態１．
実施の形態１は半導体レーザ装置の製造方法に関する。実施の形態１に係る半導体レーザ装置は、特に、光ディスク書き込み用などの情報処理用の装置、ＮｄドープＹＡＧ（Ｎｄ：ＹＡＧ）レーザ、ＹｂドープＹＡＧ（Ｙｂ：ＹＡＧ）レーザ、Ｙｂドープファイバーレーザ、Ｅｒドープファイバーアンプレーザ等の励起光源用の装置、及び光通信用途の装置として用いられる。これは、以下の実施の形態に係る半導体レーザ装置でも同様である。以下、実施の形態１に係る製造方法について説明する。図１〜図５は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図である。図５は、図４の破線枠内の拡大図である。
【００２８】
まず、図１に示すように、半導体基板１０の表面１０ａ側に、レーザの誘導放出が行なわれる活性層１２を含む半導体層１４を形成する。この際、気相エピタキシャル法、又は液相エピタキシャル法を用いて、活性層１２と半導体層１４を形成する。また、半導体基板１０には、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮなどが用いられ、活性層１２及び半導体層１４には、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮなどが用いられる。活性層１２及び半導体層１４には、添加不純物として、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｎなどが用いられる。
【００２９】
次に、図２に示すように、複数の表面側電極１６を半導体層１４の表面１４ａにおいて、矢印ａの方向（第１の方向）及び、矢印ａの方向と交差する矢印ｂの方向（第２の方向）に並ぶように互いに離して形成する。同様に、複数の裏面側電極１８を半導体基板１０の裏面１０ｂにおいて、表面側電極１６に対向する位置に並ぶように互いに離して形成する。この際、リフトオフ法、真空蒸着法、スパッタリング法などの方法が用いられる。
【００３０】
次に、半導体基板１０を、表面側電極１６及び裏面側電極１８とは離れた位置において、矢印ａの方向に沿ってへき開する。これにより、図３に示すように、複数のレーザダイオード２０を含む半導体レーザバー２２を形成する。半導体レーザバー２２の両方のへき開面２２ｃは、一方が透過面となり、他方が反射面となる。表面２２ａ及びへき開面２２ｃと交差する面は、側壁面２２ｄである。そして、破線矢印で示される透過面及び反射面の間の距離は共振器長である。
【００３１】
この際、半導体レーザバー２２の半導体層１４の表面１４ａにおいて、へき開面２２ｃと表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａとの間に、第１の隙間２４が出来るようにする。同様に、半導体レーザバー２２の半導体基板１０の裏面１０ｂにおいて、へき開面２２ｃと裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａとの間に、第２の隙間２６が出来るようにする。
【００３２】
次に、図４に示すように、半導体レーザバー２２及びスペーサーバー２８を交互に積み重ねる。この際、それらの互いに隣接する半導体レーザバー２２の表面２２ａ及び裏面２２ｂが対向するようにする。そして、それらのへき開面２２ｃが同じ方向を向くようにする。また、半導体レーザバー２２の上側のスペーサーバー（第１のスペーサーバー）２８及び下側のスペーサーバー（第２のスペーサーバー）２８を、半導体レーザバー２２のへき開面２２ｃに対して突出させる。
【００３３】
次に、上側のスペーサーバー２８及び下側のスペーサーバー２８により、半導体レーザバー２２を半導体層１４の表面１４ａ側及び半導体基板１０の裏面１０ｂ側からそれぞれ挟みながら、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体層１４の表面１４ａ側の方向に傾けた矢印ｅの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させる。これにより、図５に示すように、へき開面２２ｃに誘電体反射膜３０をコーティングする。
【００３４】
この方法では、半導体レーザバー２２及びスペーサーバー２８を積み重ねる時に、半導体レーザバー２２の下側のスペーサーバー２８を突出させる幅の調整を行なう。そして、誘電体反射膜３０の材料を進行させる矢印ｅの方向の調整を行なう。これにより、半導体層１４が進行する材料に対するマスクとなって、第１の隙間２４及び表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａに誘電体反射膜３０がコーティングされないようにする。そして、下側のスペーサーバー２８が進行する材料に対するマスクとなって、第２の隙間２６及び裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａに誘電体反射膜３０がコーティングされないようにする。また、へき開面２２ｃにおいて、活性層１２を含む、上側のスペーサーバー２８側の少なくとも半分の領域２２ｄに誘電体反射膜３０がコーティングされるようする。
【００３５】
従って、第１の隙間２４、表面側電極１６の端部１６ａ、第２の隙間２６、及び裏面側電極１８の端部１８ａに、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。これにより、半導体レーザバー２２の外観不良やレーザダイオード２０の特性不良を防止できる。
【００３６】
そして、へき開面２２ｃにおいて、活性領域２２ｄに誘電体反射膜３０がコーティングされる。このため、レーザダイオード２０のへき開面２２ｃにおけるレーザの透過面及び反射面の破壊や劣化を問題なく防止できる。
【００３７】
また、下側のスペーサーバー２８をマスクとして用いて、意図的に、へき開面２２ｃにおいて、上側のスペーサーバー２８側の少なくとも半分の領域２２ｄに、誘電体反射膜３０を形成する。これにより、活性層１２の近くに形成される誘電体反射膜３０の厚さがばらつくのを抑制できる。このため、レーザダイオード２０の特性不良を防止できる。
【００３８】
更に、従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法とは異なり、表面側電極１６において、へき開面側の端部１６ａと上側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。同様に、裏面側電極１８において、へき開面側の端部１８ａと下側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。
【００３９】
従って、表面側電極１６及び裏面側電極１８に不要な誘電体反射膜３０が付着するのも防止できる。これにより、半導体レーザバー２２の外観不良やレーザダイオード２０の特性不良を防止できる。
【００４０】
なお、図４に示すように、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体基板１０の裏面１０ｂ側の方向に傾けた矢印ｆの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させてもよい。これにより、半導体レーザバー２２の上側のスペーサーバー２８がマスクとなって、第１の隙間２４及び表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａに誘電体反射膜３０がコーティングされないようにできる。また、半導体レーザバー２２の半導体基板１０がマスクとなって、第２の隙間２６及び裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａに誘電体反射膜３０がコーティングされないようにできる。このため、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００４１】
そして、へき開面２２ｃに垂直な矢印ｃの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させて、誘電体反射膜３０をコーティングしてもよい。この場合にも、表面側電極１６において、へき開面側の端部１６ａと上側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。同様に、裏面側電極１８において、へき開面側の端部１８ａと下側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。このため、表面側電極１６及び裏面側電極１８に、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００４２】
また、上側のスペーサーバー２８及び下側のスペーサーバー２８を、必ずしも、へき開面２２ｃに対して突出させなくてもよい。上側のスペーサーバー２８の端部２８ａが、表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａから、へき開面２２ｃに垂直な方向でへき開面２２ｃから離れる方向の位置にくるようすればよい。そして、下側のスペーサーバー２８の端部２８ａが、裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａから、へき開面２２ｃに垂直な方向でへき開面２２ｃから離れる方向の位置にくるようすればよい。
【００４３】
このようにすれば、半導体レーザバー２２の上側のスペーサーバー２８及び下側のスペーサーバー２８は、矢印ｅの方向又は矢印ｆの方向に進行する材料に対するマスクになりうる。従って、第１の隙間２４、表面側電極１６の端部１６ａ、第２の隙間２６、及び裏面側電極１８の端部１８ａに、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００４４】
ここで、図６は、実施の形態１の変形例に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。この変形例に係る半導体レーザ装置には、従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法と同様、第１の隙間２４及び第２の隙間２６が設けられていない。
【００４５】
一方、従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法とは異なり、半導体レーザバー２２の上側のスペーサーバー２８及び下側のスペーサーバー２８をへき開面２２ｃに対して突出させている。このため、表面側電極１６において、へき開面側の端部１６ａと上側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。同様に、裏面側電極１８において、へき開面側の端部１８ａと下側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。従って、へき開面２２ｃに誘電体反射膜３０をコーティングする時に、表面側電極１６及び裏面側電極１８に、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００４６】
実施の形態２．
以下、実施の形態２に係る半導体レーザ装置の製造方法に関して、実施の形態１とは異なる点を説明する。図７は、実施の形態２に係る半導体レーザ装置を製造方法の要部を示す工程図である。
【００４７】
半導体レーザバー２２及びスペーサーバー２８を積み重ねる時、半導体レーザバー２２の上側のスペーサーバー（第１のスペーサーバー）２８の端部２８ａを、表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａの位置にくるようにし、下側のスペーサーバー（第２のスペーサーバー）２８の端部２８ａを、裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａの位置にくるようにする。
【００４８】
そして、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体層１４の表面１４ａ側の方向に傾けた矢印ｅの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させる。これにより、へき開面２２ｃに誘電体反射膜３０をコーティングする。これにより、半導体層１４が進行する材料に対するマスクとなって、第１の隙間２４及び表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａに誘電体反射膜３０がコーティングされないようにする。
【００４９】
従って、第１の隙間２４及び表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａに、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００５０】
また、従来技術に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法とは異なり、表面側電極１６において、へき開面側の端部１６ａと上側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。同様に、裏面側電極１８において、へき開面側の端部１８ａと下側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。
【００５１】
従って、表面側電極１６及び裏面側電極１８に不要な誘電体反射膜３０が付着するのも防止できる。これにより、半導体レーザバー２２の外観不良やレーザダイオード２０の特性不良を防止できる。
【００５２】
なお、誘電体反射膜３０の材料を矢印ｅの方向に進行させた場合、不要な誘電体反射膜３０が、第２の隙間２６及び裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａに付着する恐れがある。これに対応するために、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体基板１０の裏面１０ｂ側の方向に傾けた矢印ｆの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させてもよい。この場合、半導体基板１０が進行する材料に対するマスクとなって、第２の隙間２６及び裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａに、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００５３】
また、へき開面２２ｃに垂直な矢印ｃの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させて、誘電体反射膜３０をコーティングしてもよい。この場合にも、表面側電極１６において、へき開面側の端部１６ａと上側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。同様に、裏面側電極１８において、へき開面側の端部１８ａと下側のスペーサーバー２８との間に隙間が出来ることはない。このため、表面側電極１６及び裏面側電極１８に、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００５４】
実施の形態３．
以下、実施の形態３に係る半導体レーザ装置の製造方法に関して、実施の形態１とは異なる点を説明する。図８は、実施の形態３に係る半導体レーザ装置を製造方法の要部を示す工程図である。
【００５５】
半導体レーザバー２２及びスペーサーバー２８を積み重ねる時、半導体レーザバー２２のへき開面２２ｃをスペーサーバー２８に対して突出させる。そして、誘電体反射膜３０をコーティングする時に、表面側電極１６において、表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａと上側のスペーサーバー２８との間に第３の隙間３２が出来るようにする。また、裏面側電極１８の表面において、裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａと下側のスペーサーバー２８との間に第４の隙間３４が出来るようにする。
【００５６】
そして、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体レーザバーの半導体層１４の表面１４ａ側の方向に傾けた矢印ｅの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させる。これにより、半導体層１４及び表面側電極１６が進行する材料に対するマスクとなって、第１の隙間２４、表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａ及び第３の隙間３２に、誘電体反射膜３０がコーティングされないようにする。
【００５７】
従って、第１の隙間２４、表面側電極１６の端部１６ａ及び第３の隙間３２に、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００５８】
なお、誘電体反射膜３０の材料を矢印ｅの方向に進行させた場合、不要な誘電体反射膜３０が、第２の隙間２６、裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａ及び第４の隙間３４に付着する恐れがある。これに対応するために、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体レーザバー２２の半導体基板１０の裏面１０ｂ側の方向に傾けたｆ方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させてもよい。この場合、半導体基板１０及び裏面側電極１８が進行する材料に対するマスクとなって、第２の隙間２６、裏面側電極１８の端部１８ａ及び第４の隙間３４に、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００５９】
ここで、図９は、実施の形態３の変形例に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。この変形例に係る半導体レーザ装置には、従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法と同様、第１の隙間２４及び第２の隙間２６が設けられていない。この場合にも、矢印ｅの方向又は矢印ｆの方向に誘電体反射膜３０の材料を進行させるのは有効である。第３の隙間３２又は第４の隙間３４に不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００６０】
実施の形態４．
以下、実施の形態４に係る半導体レーザ装置の製造方法に関して、実施の形態１とは異なる点を説明する。図１０は、実施の形態４に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【００６１】
スペーサーバー２８を用いずに、複数の半導体レーザバー２２を重ねる。この際、それらのへき開面２２ｃが同じ方向を向くように、それらの互いに隣接する半導体レーザバー２２の表面側電極１６及び裏面側電極１８が当接するようにする。
【００６２】
そして、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体層１４の表面１４ａ側の方向に傾けた矢印ｅの方向に、誘電体反射膜３０の材料を進行させる。これにより、へき開面２２ｃに誘電体反射膜３０をコーティングする。
【００６３】
これにより、半導体層１４が進行する材料に対するマスクとなって、第１の隙間２４及び表面側電極１６のへき開面側の端部１６ａに、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００６４】
また、複数の半導体レーザバー２２の互いに隣接する半導体レーザバー２２の表面側電極１６及び裏面側電極１８がそれぞれ当接している。このため、表面側電極１６及び裏面側電極１８において、隙間が出来ることはない。
【００６５】
従って、表面側電極１６及び裏面側電極１８に不要な誘電体反射膜３０が付着するのも防止できる。これにより、半導体レーザバー２２の外観不良やレーザダイオード２０の特性不良を防止できる。
【００６６】
なお、誘電体反射膜３０の材料を矢印ｅの方向に進行させた場合、不要な誘電体反射膜３０が、第２の隙間２６及び裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａに付着する恐れがある。そこで、へき開面２２ｃに垂直な方向を、へき開面２２ｃの中心から半導体基板１０の裏面１０ｂ側の方向に傾けた矢印ｆの方向に、誘電体反射膜の材料を進行させてもよい。これにより、半導体基板１０が進行する材料に対するマスクとなって、第２の隙間２６及び裏面側電極１８のへき開面側の端部１８ａに、不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【００６７】
ここで、図１１は、実施の形態４の変形例に係る半導体レーザ装置の製造方法の要部を示す工程図である。この変形例に係る半導体レーザ装置には、従来技術に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法と同様、第１の隙間２４及び第２の隙間２６が設けられていない。この場合にも、複数の半導体レーザバー２２を、それらの互いに隣接する半導体レーザバー２２の表面側電極１６及び裏面側電極１８が当接するように重ねている。このため、表面側電極１６及び裏面側電極１８において、隙間が出来ることはない。従って、へき開面２２ｃに誘電体反射膜３０をコーティングする時に、表面側電極１６及び裏面側電極１８に不要な誘電体反射膜３０が付着するのを防止できる。
【符号の説明】
【００６８】
１０  半導体基板
１２  活性層
１４  半導体層
１６  表面側電極
１８  裏面側電極
２０  レーザダイオード
２２  半導体レーザバー
２４  第１の隙間
２６  第２の隙間
２８  スペーサーバー
３０  誘電体反射膜
３２  第３の隙間
３４  第４の隙間
【図１】
0005428605.tif 000002
【図２】
0005428605.tif 000003
【図３】
0005428605.tif 000004
【図４】
0005428605.tif 000005
【図５】
0005428605.tif 000006
【図６】
0005428605.tif 000007
【図７】
0005428605.tif 000008
【図８】
0005428605.tif 000009
【図９】
0005428605.tif 000010
【図１０】
0005428605.tif 000011
【図１１】
0005428605.tif 000012
【図１２】
0005428605.tif 000013
【図１３】
0005428605.tif 000014
【図１４】
0005428605.tif 000015
【図１５】
0005428605.tif 000016
【図１６】
0005428605.tif 000017
【図１７】
0005428605.tif 000018
【図１８】
0005428605.tif 000019
【図１９】
0005428605.tif 000020
【図２０】
0005428605.tif 000021