(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるオルガノシロキサン化合物：
【化１】
0005449643.tif 000031
式中、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、及びＬ４はそれぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基または置換もしくは非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基を表し、Ｍ１及びＭ２はそれぞれ独立して、−ＮＬ５Ｌ６またはＬ７（Ｌ５、Ｌ６、及びＬ７はそれぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２−Ｃ３０ヘテロアリール基を表し、Ｌ５及びＬ６は互いに連結して置換または非置換の環を形成していてもよい）を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基、または置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基を表し、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、及びＢ４はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基を表し、ｎは０〜５の整数であり、ｌ及びｌ’はそれぞれ１であり、ｍ及びｍ’はそれぞれ独立して０〜３の整数であり、
前記の各アルキル基、アルコキシ基、各アリール基、ヘテロアリール基、アリーレン基、及びヘテロアリーレン基がそれぞれ有していてもよい置換基が、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨの置換基を有していてもよいＣ１−Ｃ２０のアルキル基；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨの置換基を有していてもよいＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨの置換基を有していてもよいＣ６−Ｃ３０のアリール基；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨの置換基を有していてもよいＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基；及び−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨの置換基を有していてもよいＣ５−Ｃ２０のシクロアルキル基：からなる群より選択される。
【請求項２】
前記のＬ１、Ｌ２、Ｌ３、及びＬ４がそれぞれ独立して、フェニレン基、ハロゲン化フェニレン基、シアノフェニレン基、ジシアノフェニレン基、（トリフルオロメトキシ）フェニレン基、（Ｃ１−Ｃ１０）のアルコキシフェニレン基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−トリレン基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クメニレン基、メシチレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニレン基、フェノキシフェニレン基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニレン基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニレン基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニレン基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニレン基、アントリルフェニレン基、ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチレン基、ハロゲン化ナフチレン基、シアノナフチレン基、ビフェニレニレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、アセナフチレニレン基、フェナレニレン基、フルオレニレン基、アントラキノリレン基、メチルアントリレン基、フェナントリレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、エチルクリセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、クロロペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ペンタセニレン基、テトラフェニレニレン基、ヘキサフェニレン基、ヘキサセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、トリナフチレニレン基、ヘプタフェニレン基、ヘプタセニレン基、ピラントレニレン基、オバレニレン基、カルバゾリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）カルバゾリレン基、あ基、インドリレン基、プリニレン基、ベンズイミダゾリレン基、キノリニレン基、ベンゾチオフェニレン基、フェノチアジニレン基、ピロリレン基、ピラゾリレン基、イミダゾリレン基、イミダゾリニレン基、オキサゾリレン基、チアゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピリジレン基、ピリダジニレン基、ピリミジニレン基、ピラジニレン基、及びチアントレニレン基からなる群より選択される基である請求項１に記載のオルガノシロキサン化合物。
【請求項３】
前記のＬ５、Ｌ６、及びＬ７がそれぞれ独立して、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、（トリフルオロメトキシ）フェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）フェニル基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クメニル基、メシチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニル基、アントリルフェニル基、ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチル基、ハロゲン化ナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、（Ｃ１−１０のアルキル）カルバゾリル基、チエニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、フェノチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チアントレニル基、カルバゾリル基、ベンズオキサゾリル基、フェノチアジニル基、５Ｈ−ジベンズアゼピニル基、及び５Ｈ−トリベンズアゼピニル基からなる群より選択される基である請求項１または２に記載のオルガノシロキサン化合物。
【請求項４】
前記のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６がそれぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）シクロへキシル基、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、（トリフルオロメトキシ）フェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）フェニル基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クメニル基、メシチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニル基、アントリルフェニル基、ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチル基、ハロゲン化ナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、及びカルバゾリル基からなる群より選択される基である請求項１〜３のいずれか１項に記載のオルガノシロキサン化合物。
【請求項５】
前記のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、及びＢ４がそれぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）シクロへキシル基、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、（トリフルオロメトキシ）フェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）フェニル基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−またはｐ−クメニル基、メシチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニル基、アントリルフェニル基、ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチル基、ハロゲン化ナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、及びヘプタセニル基からなる群より選択される基である請求項１〜４のいずれか１項に記載のオルガノシロキサン化合物。
【請求項６】
下記式（２）〜（６）、（１１）、（１２）、及び（１４）〜（２１）で示される請求項１に記載のオルガノシロキサン化合物。
【化２】
0005449643.tif 000032
【化３】
0005449643.tif 000033
【請求項７】
第１電極、第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極の間に介在する有機膜を備える有機発光素子であって、前記有機膜が請求項１〜６のいずれか１項に記載のオルガノシロキサン化合物を含む有機発光素子。
【請求項８】
前記有機膜が、発光層または正孔輸送層である請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記第１電極及び前記第２電極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群より選択される少なくとも１つの層をさらに備える請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極；第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極；または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極なる積層構造を有する請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記発光層が、赤色光、緑色光、青色光もしくは白色光を発するリン光ドーパントまたは蛍光ドーパントを含む請求項８または１０に記載の有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オルガノシロキサン化合物及びこれを含む有機発光素子に係り、より詳細には、溶解性及び熱安定性に優れたフィルムを形成可能なオルガノシロキサン化合物、及び当該オルガノシロキサン化合物を含んでなる、駆動電圧、効率、色純度特性等に優れた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子は、自発光型素子であって、視野角が広くコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所を持っている。前記発光素子には、発光層に無機化合物を使用する無機発光素子と有機化合物を使用する有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｅｉｃｅ：ＯＬＥＤ）があるが、有機発光素子は、無機発光素子に比べて輝度、駆動電圧、及び応答速度特性に優れ、多色化が可能であるという点で優れており多くの研究が行われている。
【０００３】
有機発光素子は、一般的に、アノード／有機発光層／カソードといった積層構造を有しており、アノード／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／カソードまたはアノード／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／カソードのような多様な構造も有しうる。
【０００４】
有機発光素子の有機発光層として使用する物質は、有機膜の製造方法によって真空蒸着性物質と溶液塗布性物質に分けられる。真空蒸着性物質は、５００℃以下で１．３×１０−４Ｐａ（１０−６Ｔｏｒｒ）以上の蒸気圧を有する必要があり、主に分子量１２００以下の低分子物質であるのが望ましい。溶液塗布性物質は、溶剤に対する溶解性が高く、溶液として製造可能でなければならず、主に芳香族環または複素環を含んでなる。
【０００５】
真空蒸着法を使用して有機発光素子を製造する場合、真空システムの使用が必要であるために製造コストが高く、天然色ディスプレイ用ピクセルを定義するためにシャドーマスクを使用する場合、高解像度のピクセルを製造し難い等の問題点がある。
【０００６】
一方、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、スピンコーティング等の溶液塗布法の場合には、製造が容易で製造コストも低く、ベルでシャドーマスクを使用する場合より相対的に高い解像度を得ることができる。
【０００７】
しかし、溶液塗布法に使用できる物質の場合、青色発光分子の性能が、熱安定性、色純度等の点において真空蒸着法に使用できる物質に比べて劣っている。また、前記性能が優秀な場合にも、有機膜として製造した後、順次結晶化することにより結晶サイズが可視光線波長の範囲に該当し、可視光線を散乱させて白濁現象を示す恐れがあり、また、ピンホール等が形成されて素子の劣化を招きやすいという問題点があった。
【０００８】
例えば、特許文献１には、有機発光素子用の、縮合多環式炭化水素、環集合炭化水素等が開示されているが、熱安定性が低いという問題点があった。一方、特許文献２には、有機発光素子用の、芳香族炭化水素からなる基を有する有機シラン化合物が開示されている。当該化合物は、溶剤に対する溶解性は優秀であるが、溶液塗布法により製造したフィルムの性質が優秀でなく、これを採用した有機発光素子の性能は満足のできるレベルには達していない。
【０００９】
したがって、熱安定性等が優秀であり、かつ優秀な有機膜の生成が可能な青色発光化合物の開発、及び当該青色発光化合物を使用し、駆動電圧、輝度、効率、色純度特性等に優れる有機発光素子の開発が依然として要求されている。
【特許文献１】米国特許第４，６７２，２６５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，３０７，０８３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記従来技術の問題点を解決するために、本発明が解決しようとする第１の技術的課題は、オルガノシロキサン化合物を提供することである。
【００１１】
本発明が解決しようとする第２の技術的課題は、駆動電圧、効率、色純度特性等に優れる有機発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記の技術的課題を解決するために、鋭意検討した結果、特定の構造を有するオルガノシロキサン化合物、及びそれを含む有機発光素子により上記課題を解決可能であることを見いだし本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、本発明は、
（Ｉ）下記一般式（１）で示されるオルガノシロキサン化合物（以下、これを「オルガノシロキサン化合物（１）」と略記することがある）：
【００１４】
【化１】
0005449643.tif 000002
【００１５】
式中、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、及びＬ４はそれぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基または置換もしくは非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基を表し、Ｍ１及びＭ２はそれぞれ独立して、−ＮＬ５Ｌ６またはＬ７（Ｌ５、Ｌ６、及びＬ７はそれぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基または置換もしくは非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基を表し、Ｌ５及びＬ６は互いに連結して置換または非置換の環を形成していてもよい）を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基、または置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基を表し、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、及びＢ４はそれぞれ独立して、水素、置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基を表し、ｎは０〜５の整数であり、ｌ及びｌ’はそれぞれ独立して０または１であり、ｍ及びｍ’はそれぞれ独立して０〜３の整数である、並びに
（ＩＩ）第１電極、第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極の間に介在する有機膜を備える有機発光素子であって、前記有機膜がのオルガノシロキサン化合物（１）を含む有機発光素子、
である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、溶液塗布法で製造する場合、有機膜の熱安定性が劣る従来の有機発光素子とは異なり、溶解性及び熱安定性に優れ、なおかつ安定した有機膜の形成が可能なオルガノシロキサン化合物を提供することが可能であり、当該オルガノシロキサン化合物を含んでなる、駆動電圧、効率、色純度等に優れた有機発光素子を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１８】
上記一般式（１）において、前記の各アルキル基、アルコキシ基、各アリール基、ヘテロアリール基、アリーレン基、及びヘテロアリーレン基がそれぞれ有していてもよい置換基としては、例えば、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ等の置換基を有していてもよいＣ１−Ｃ２０のアルキル基；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ等の置換基を有していてもよいＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ等の置換基を有していてもよいＣ６−Ｃ３０のアリール基；−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ等の置換基を有していてもよいＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基；及び−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ等の置換基を有していてもよいＣ５−Ｃ２０のシクロアルキル基；からなる群より選択される少なくとも１つであることが望ましいが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
上記一般式（１）において、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、及びＬ４がそれぞれ独立して表す置換もしくは非置換のアリーレン基または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ハロゲン化フェニレン基、シアノフェニレン基、ジシアノフェニレン基、（トリフルオロメトキシ）フェニレン基等の（Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ）フェニレン基、ｏ−、ｍ−、もしくはｐ−トリレン基、ｏ−、ｍ−、もしくはｐ−クメニレン基、メシチレン基等の（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニレン基、フェノキシフェニレン基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニレン基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニレン基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニレン基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニレン基、アントリルフェニレン基、ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチレン基、ハロゲン化ナフチレン基、シアノナフチレン基、ビフェニレニレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、アセナフチレニレン基、フェナレニレン基、フルオレニレン基、アントラキノリレン基、メチルアントリレン基、フェナントリレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、エチルクリセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、クロロペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ペンタセニレン基、テトラフェニレニレン基、ヘキサフェニレン基、ヘキサセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、トリナフチレニレン基、ヘプタフェニレン基、ヘプタセニレン基、ピラントレニレン基、オバレニレン基、カルバゾリレン基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）カルバゾリレン基、チエニレン基、インドリレン基、プリニレン基、ベンズイミダゾリレン基、キノリニレン基、ベンゾチオフェニレン基、フェノチアジニレン基、ピロリレン基、ピラゾリレン基、イミダゾリレン基、イミダゾリニレン基、オキサゾリレン基、チアゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピリジレン基、ピリダジニレン基、ピリミジニレン基、ピラジニレン基、またはチアントレニレン基等が挙げられるが、これらの基に限定されるものではない。
【００２０】
望ましくは、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、及びＬ４はそれぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニレン基、置換もしくは非置換のナフチレン基、置換もしくは非置換のアントリレン基、置換もしくは非置換のフェナントリレン基、置換もしくは非置換のフルオレニレン基、置換もしくは非置換のカルバゾリレン基、置換もしくは非置換のチエニレン基、または置換もしくは非置換のチアゾリレン基である。
【００２１】
上記一般式（１）において、Ｌ５、Ｌ６、及びＬ７がそれぞれ独立して表す、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基としては、例えば、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、（トリフルオロメトキシ）フェニル基等の（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）フェニル基、ｏ−、ｍ−、もしくはｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−、もしくはｐ−クメニル基、メシチル基等の（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニル基、アントリルフェニル基、ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチル基、ハロゲン化ナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、（Ｃ１−１０のアルキル）カルバゾリル基、チエニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、フェノチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チアントレニル基、カルバゾリル基、ベンズオキサゾリル基、フェノチアジニル基、５Ｈ−ジベンズアゼピニル基、または５Ｈ−トリベンズアゼピニル基等が挙げられるが、これらの基に限定されるものではない。なお、Ｌ５及びＬ６は互いに同じ基であってもよい。
【００２２】
望ましくは、Ｌ５、Ｌ６、及びＬ７はそれぞれ独立して、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジル基、ベンゾチオフェニル基、チアトレニル基、カルバゾリル基、ベンズオキサゾリル基、フェノチアジニル基、５Ｈ−ジベンズアゼピニル基、または５Ｈ−トリベンズアゼピニル基である。
【００２３】
Ｍ１及びＭ２がそれぞれ独立して表す−ＮＬ５Ｌ６におけるＬ５及びＬ６が互いに連結して置換または非置換の環を形成する場合において、−ＮＬ５Ｌ６が表す基としては、例えば、１−インドリル基、７−プリニル基、１−ベンズイミダゾリル基、１−ピラゾリル基、１−イミダゾリル基、１−イミダゾリニル基、１−トリアゾリル基、１−テトラゾリル基、９−カルバゾリル基、９−カルボリニル基、１０−フェノチアジニル基、１０−フェノキサジニル基、１−ピロリジニル基、１−ピラゾリジニル基、１−イミダゾリジル基、１−ピペリジニル基、１−ピペラジニル基、４−モルホリニル基、または下記式（Ａ）もしくは（Ｂ）で示される基等が挙げられるが、これらの基に限定されるものではない。これらの中でも、１−カルバゾリル基、下記式（Ａ）及び（Ｂ）で示される基であるのが望ましい。
【００２４】
【化２】
0005449643.tif 000003
【００２５】
上記一般式（１）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、及びＢ４がそれぞれ独立して表す置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等の（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル基、または（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）シクロへキシル基等が挙げられ、置換もしくは非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、（トリフルオロメトキシ）フェニル基等の（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）フェニル基、ｏ−、ｍ−、またはｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−、もしくはｐ−クメニル基、メシチル基等の（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）フェニル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンジル）フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル基、（（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）シクロへキシル）フェニル基、アントリルフェニル基、ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニリル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ナフチル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ナフチル基、ハロゲン化ナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルキル）ビフェニレニル基、（Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ）ビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、またはカルバゾリル基等が挙げられるが、これらの基に限定されるものではない。
【００２６】
上記一般式（１）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６がそれぞれ独立して表す置換もしくは非置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられるが、これらの基に限定されるものではない。なお、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６並びに／またはＢ１、Ｂ２、Ｂ３、及びＢ４は互いに同じ基であってもよい。
【００２７】
オルガノシロキサン化合物（１）の具体例としては、下記式（２）〜（２５）で示される化合物（以下、これらをそれぞれ「化合物（２）」〜「化合物（２５）」と略記することがある）等が挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００２８】
【化３】
0005449643.tif 000004
【００２９】
【化４】
0005449643.tif 000005
【００３０】
【化５】
0005449643.tif 000006
【００３１】
次に、第１電極、第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極の間に介在する有機膜を備える有機発光素子における、当該有機膜がオルガノシロキサン化合物（１）である有機発光素子について説明する。
【００３２】
オルガノシロキサン化合物（１）は、分子内にアリール基、エテニレン基、ヘテロアリール基等を有し、且つ極性基であるシロキサン基を有しており、当該化合物は溶剤に対する溶解度が優秀でありながらも、当該化合物を発光素子に使用した場合、素子の駆動電圧が減少し、効率が増大しうる。したがって、オルガノシロキサン化合物（１）を含む有機膜は有機発光素子における発光層または正孔輸送層として有用である。
【００３３】
本発明による有機発光素子の構造は非常に多様であり、前記第１電極と第２電極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群より選択される１つ以上の層をさらに備えていてもよい。
【００３４】
より具体的には、本発明による有機発光素子の具現例は、図１Ａ〜１Ｃに記載した通りである。図１Ａの有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を持ち、図１Ｂの有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を持ち、図１Ｃの有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を持つ。この時、前記発光層は、本発明によるオルガノシロキサン化合物を（１）含む。
【００３５】
本発明による有機発光素子の発光層は、赤色光、緑色光、青色光もしくは白色光を発するリン光ドーパントまたは蛍光ドーパントを含む。このうち、前記リン光ドーパントとしては、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、及びＴｍからなる群より選択される少なくとも１つの元素を含む有機金属化合物等が挙げられる。
【００３６】
以下、本発明による有機発光素子の製造方法を、図１Ｃに示す有機発光素子を参照して説明する。
【００３７】
まず、基板の上部に、高い仕事関数を持つ第１電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法により形成して第１電極を形成する。前記第１電極はアノードでありうる。ここで、基板としては、通常、有機発光素子の製造において使われる基板を使用することが可能であるが、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性、防水性等に優れるガラス基板または透明プラスチック基板を使用するのが望ましい。第１電極用物質としては、例えば、透明で伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が挙げられる。
【００３８】
次いで、前記第１電極上に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法等の方法を利用して正孔注入層（ＨＩＬ）を形成する。
【００３９】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造、及び熱的特性等によって異なるが、一般的に蒸着温度は１００〜５００℃の範囲であるのが望ましく、真空度は、１．３×１０−６〜１．３×１０−１Ｐａ（１０−８〜１０−３Ｔｏｒｒ）の範囲であるのが望ましく、蒸着速度は、０．０１〜１０ｎｍ／ｓｅｃ（１００Å／ｓｅｃ）の範囲であるのが望ましく、膜厚は、通常、１ｎｍ（１０Å）〜５μｍ範囲であるのが望ましい。
【００４０】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造、熱的特性等によって異なるが、コーティング速度は、２０００〜５０００ｒｐｍの範囲であるのが望ましく、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、８０〜２００℃の範囲であるのが望ましい。
【００４１】
前記正孔注入層物質としては、特別に制限されず、例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物またはＡｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，６７７（１９９４）に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、溶解性伝導性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファスルホン酸）、またはＰａｎｉ／ＰＳＳ（ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート））等を使用できる。
【００４２】
【化６】
0005449643.tif 000007
【００４３】
前記正孔注入層の厚さは、１０〜１０００ｎｍ（１００〜１００００Å）の範囲であるのが望ましく、１０〜１００ｎｍ（１００〜１０００Å）の範囲であるのがより望ましい。前記正孔注入層の厚さが１０ｎｍ（１００Å）未満である場合には、正孔注入特性が低下し、前記正孔注入層の厚さが１０００ｎｍ（１００００Å）を超過する場合には、駆動電圧が上昇するため、いずれの場合も望ましくない。
【００４４】
次いで、前記正孔注入層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法等の方法を利用して正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成する。真空蒸着法またはスピンコーティング法よって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
【００４５】
前記正孔輸送層物質としては、特別に制限されず、正孔輸送層に使われている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）等の芳香族縮合環を持つ一般的なアミン誘導体などが使われる。
【００４６】
前記正孔輸送層の厚さは、５〜１００ｎｍ（５０〜１０００Å）の範囲であるのが望ましく、１０〜６０ｎｍ（１００〜６００Å）の範囲であるのがより望ましい。前記正孔輸送層の厚さが５ｎｍ（５０Å）未満である場合には、正孔輸送特性が低下し、前記正孔輸送層の厚さが１００ｎｍ（１０００Å）を超過する場合には、駆動電圧が上昇するため、いずれの場合も望ましくない。
【００４７】
次いで、前記正孔輸送層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法等の方法を利用して発光層（ＥＭＬ）を形成する。真空蒸着法またはスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
【００４８】
前記発光層は、前述したように本発明によるオルガノシロキサン化合物（１）を含む。この時、オルガノシロキサン化合物（１）に適した公知のホスト材料と共に使う。かかるホスト材料としては、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム）、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、またはＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））等を使用できる。
【００４９】
【化７】
0005449643.tif 000008
【００５０】
一方、発光層形成材料として、本発明によるオルガノシロキサン化合物（１）以外にも公知の多様なドーパントを使用できる。かかる蛍光ドーパントとしては、例えば、出光社製のＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５、林原社製のＣ５４５Ｔ、ＵＤＣ社製のＲＤ６１等を使用でき、リン光ドーパントとしては、例えば、赤色リン光ドーパントであるＰｔＯＥＰ、ＵＤＣ社製のＲＤ６１、緑色リン光ドープ剤であるＩｒ（ＰＰｙ）３（ここで、ＰＰｙは２−フェニルピリジンである）、青色リン光ドーパントであるＦ２Ｉｒｐｉｃ等を使用できる。
【００５１】
ドーピング濃度は特別に制限されないが、通常、ホスト１００質量部を基準として前記ドーパントの含有量は０．０１〜１５質量部の範囲である。
【００５２】
前記発光層の厚さは、１０〜１００ｎｍ（１００〜１０００Å）の範囲であるのが望ましく、２０〜６０ｎｍ（２００〜６００Å）の範囲であるのがより望ましい。前記発光層の厚さが１０ｎｍ（１００Å）未満である場合には、発光特性は低下し、前記発光層の厚さが１００ｎｍ（１０００Å）を超過する場合には、駆動電圧が上昇するため、いずれの場合も望ましくない。
【００５３】
発光層にリン光ドーパントと共に使用する場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するために、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法等の方法を利用して正孔阻止層（ＨＢＬ）を形成する。真空蒸着法またはスピンコーティング法により正孔阻止層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。正孔阻止材料としは、公知の化合物が使用可能であり、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、特開平１１−３２９７３４号公報に記載されている正孔阻止材料、ＢＣＰ等を挙げることができる。
【００５４】
前記正孔阻止層の厚さは５〜１００ｎｍ（５０〜１０００Å）の範囲であるのが望ましく、１０〜３０ｎｍ（１００〜３００Å）の範囲であるのがより望ましい。前記正孔阻止層の厚さが５ｎｍ（５０Å）未満である場合には、正孔阻止特性が低下し、前記正孔阻止層の厚さが１００ｎｍ（１０００Å）を超過する場合には、駆動電圧が上昇するため、いずれの場合も望ましくない。
【００５５】
次いで、電子輸送層（ＥＴＬ）を、真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法等の方法を利用して形成する。真空蒸着法またはスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。前記電子輸送層材料としては、電子注入電極（カソード）から注入された電子を安定に輸送する機能を行うものであって、例えば、キノリン誘導体、特に、Ａｌｑ３、ＴＡＺ等の公知の材料を使用してもよい。
【００５６】
【化８】
0005449643.tif 000009
【００５７】
前記電子輸送層の厚さは１０〜１００ｎｍ（１００〜１０００Å）の範囲であるのが望ましく、２０〜５０ｎｍ（２００〜５００Å）の範囲であるのが望ましい。前記電子輸送層の厚さが１０ｎｍ（１００Å）未満である場合には、電子輸送特性が低下し、前記電子輸送層の厚さが１００ｎｍ（１０００Å）を超過する場合には、駆動電圧が上昇するため、いずれの場合も望ましくない。
【００５８】
また、電子輸送層の上部に、負極から電子の注入を容易にする機能を持つ物質である電子注入層（ＥＩＬ）を積層してもよい。
【００５９】
電子注入層としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ等の電子注入層形成材料として公知の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
【００６０】
前記電子注入層の厚さは０．１〜１０ｎｍ（１〜１００Å）の範囲であるのが望ましく、０．５〜５ｎｍ（５〜５０Å）の範囲であるのがより望ましい。前記電子注入層の厚さが０．１ｎｍ（１Å）未満である場合には、電子注入特性が低下し、前記電子注入層の厚さが１０ｎｍ（１００Å）を超過する場合には、駆動電圧が上昇するため、いずれの場合も望ましくない。
【００６１】
最後に、電子注入層の上部に、真空蒸着法、スパッタリング法等の方法を利用して第２電極を形成する。前記第２電極はカソードとして使われうる。前記第２電極形成用金属としては、低い仕事関数を持つ金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を使用できる。具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等を挙げることができる。また前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯ等を使用した透過型カソードを使用してもよい。
【００６２】
本発明の有機発光素子は、図１Ｃに図示した、第１電極、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、及び第２電極からなる構造の有機発光素子だけでなく、多様な構造を有する有機発光素子（例えば、以下の実施例でさらに詳細に説明する図１Ａに示す有機発光素子等）を含むことは言うまでもない。
【００６３】
オルガノシロキサン化合物（１）の製造は、一般的な有機合成、及び単離、精製の方法を利用することにより行うことができる。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明を実施例等を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等により何ら限定されるものではない。
【００６５】
なお、合成した各化合物は、１Ｈ−ＮＭＲ及び質量分析計（Ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を利用してその構造を同定した。
【００６６】
まず、各化合物の製造に使用する中間体の合成方法、及びオルガノシロキサン化合物（１）の製造方法について説明する。
【００６７】
＜合成例１：［中間体Ｂ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｂ）］の合成＞
【００６８】
【化９】
0005449643.tif 000010
【００６９】
＜合成例１−１：［中間体Ａ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ａ）］の合成＞
４−ブロモベンジルブロマイド（１２ｍｍｏｌ、３ｇ）をＰ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３（１８ｍｍｏｌ、４．５ｇ）と混合して、１８５℃で６時間攪拌した。反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却して粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製して３．１３ｇ（収率８５％）の中間体Ａを得た。
【００７０】
＜合成例１−２：［中間体Ｂ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｂ）］の合成
上記合成例１と同様にして得られた中間体Ａ（４．３９ｍｍｏｌ、１．２８６ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に溶解させた後、水素化ナトリウム（６．５７ｍｍｏｌ、０．１５７ｇ）を添加して５０℃で１時間反応させた後、得られた反応混合物中に、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド（３．６６ｍｍｏｌ、１ｇ）を滴下して、７０℃で１日間反応させた後、エタノール（２０ｍｌ）を添加して減圧下に乾燥した後、メチレンクロライド（２００ｍｌ）を添加し分液した。得られた上層を水（５０ｍｌ）で２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製して中間体Ｂを１．１７ｇ（収率７７％）得た。
【００７１】
＜合成例２：［中間体Ｃ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｃ）］の合成＞
【００７２】
【化１０】
0005449643.tif 000011
【００７３】
上記合成例１−２の方法において、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドに代えて４−（Ｎ，Ｎ−フェニルナフチルアミノ）ベンズアルデヒドを使用した以外は同様にして中間体Ｃを１．１８ｇ（収率６８％）得た。
【００７４】
＜合成例３：［中間体Ｆ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｆ）］の合成
【００７５】
【化１１】
0005449643.tif 000012
【００７６】
＜合成例３−１：［中間体Ｄ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｄ）］の合成
ブロモベンゼン（１９．１０ｍｍｏｌ、３ｇ）、銅粉末（４．６０ｍｍｏｌ、０．３ｇ）、カルバゾール（２２．９０ｍｍｏｌ、３．８３ｇ）、炭酸カリウム（３４．３５ｍｍｏｌ、４．７５ｇ）、及びｏ−ジクロロベンゼン（１５０ｍｌ）を混合した後、１８５℃で４８時間攪拌した。得られた反応混合物を常温まで冷却し、次いで、クロロホルム（１００ｍｌ）を加えて濾過した後、有機溶媒を減圧下で除去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、２．３ｇ（収率５６％）の中間体Ｄを得た。
【００７７】
＜合成例３−２：［中間体Ｅ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｅ）］の合成
上記合成例３−１の方法と同様にして得られた中間体Ｄ（３６．６ｍｍｏｌ、７．８４ｇ）をＤＭＦ（１００ｍｌ）に溶かして得られた溶液に、塩化ホスホリル（３６．６ｍｍｏｌ、５．６１ｇ）を徐々に加えた後、１００℃で５時間攪拌した。得られた反応混合物を常温まで冷却し、ジクロロメタン（１００ｍｌ）を加えて分液して得られた上層を水（５０ｍｌ）で２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、８．０１ｇ（収率９０％）の中間体Ｅを得た。
【００７８】
＜合成例３−３：［中間体Ｆ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｆ）］の合成
上記合成例１−２の方法において、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドに代えて上記合成例３−１と同様にして得られた中間体Ｄを使用したこと以外は同様にして中間体Ｆを０．８９ｇ（収率６１％）得た。
【００７９】
＜合成例４：［中間体Ｊ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｊ）］の合成
【００８０】
【化１２】
0005449643.tif 000013
【００８１】
＜合成例４−１：［中間体Ｇ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｇ）］の合成
９，１０−ジブロモアントラセン（７．０４ｍｍｏｌ、２．３６ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に溶解させた後、ｎ−ブチルリチウム（７．７０ｍｍｏｌ、４．８ｍｌ、１．６Ｍ溶液）を−７８℃で徐々に添加し、添加終了後、さらに、−７８℃で２０分間反応させた後、得られた反応混合物に、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（７．０４ｍｍｏｌ、１．３１ｇ）を−７８℃で徐々に添加して徐々に温度を常温まで高め、常温で２４時間反応させた後、水（５０ｍｌ）及びジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加して攪拌した後、分液して得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、１．９４ｇ（収率７２％）の中間体Ｇを得た。
【００８２】
＜合成例４−２：［中間体Ｈ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｈ）］の合成
上記合成例４−１と同様にして得られた中間体Ｇ（１０．６ｍｍｏｌ、４．０６ｇ）、炭酸カリウム（１５．９ｍｍｏｌ、２．２ｇ）、２−ブロモナフタレン（９．６６ｍｍｏｌ、２ｇ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６．６ｍｍｏｌ、７．８４ｇ）を、テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）及び水（２０ｍｌ）に溶解させた後、８５℃で１５時間攪拌した。得られた反応混合物を常温まで冷却し、ジエチルエーテル（１００ｍｌ）を用いて分液し、得られた有機層を水（５０ｍｌ）で２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、２．７８ｇ（収率７６％）の中間体Ｈを得た。
【００８３】
＜合成例４−３：［中間体Ｉ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｉ）］の合成
上記合成例４−１の方法において、９，１０−ジブロモアントラセンに代えて、上記合成例４−２と同様にして得られた中間体Ｈを使用したこと以外は同様にして中間体Ｉを２．０９ｇ（収率６９％）得た。
【００８４】
＜合成例４−４：［中間体Ｊ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｊ）］の合成
上記合成例４−２の方法において、中間体Ｇに代えて上記合成例４−３と同様にして得られた中間体Ｉを使用し、且つ２−ブロモナフタレンに代えて１，４−ジブロモベンゼンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｊを２．３５ｇ（収率５３％）得た。
【００８５】
＜合成例５：［中間体Ｍ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｍ）］の合成
【００８６】
【化１３】
0005449643.tif 000014
【００８７】
＜合成例５−１：［中間体Ｋ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｋ）］の合成
上記合成例４−２の方法において、２−ブロモナフタレンに代えてブロモベンゼンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｋを２．５１ｇ（収率７８％）得た。
【００８８】
＜合成例５−２：［中間体Ｌ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｌ）］の合成
上記合成例４−１の方法において、９，１０−ジブロモアントラセンに代えて上記合成例５−１と同様にして得られた中間体Ｋを使用したこと以外は同様にして中間体Ｌを１．９５ｇ（収率７３％）得た。
【００８９】
＜合成例５−３：［中間体Ｍ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｍ）］の合成
上記合成例４−２の方法において、中間体Ｇに代えて上記合成例５−２と同様にして得られた中間体Ｌを使用し、且つ２−ブロモナフタレンに代えて１，４−ジブロモベンゼンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｍを２．３３ｇ（収率５９％）得た。
【００９０】
＜合成例６：［中間体Ｏ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｏ）］の合成
【００９１】
【化１４】
0005449643.tif 000015
【００９２】
＜合成例６−１：［中間体Ｎ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｎ）］の合成
上記合成例４−１の方法において、９，１０−ジブロモアントラセンに代えて９−ブロモアントラセンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｎを１．６１ｇ（収率７５％）得た。
【００９３】
＜合成例６−２：［中間体Ｏ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｏ）］の合成
上記合成例４−２の方法において、中間体Ｇに代えて上記合成例６−１と同様にして得られた中間体Ｎを使用し、且つ２−ブロモナフタレンに代えて１，４−ジブロモベンゼンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｏを１．９９ｇ（収率６２％）得た。
【００９４】
＜合成例７：［中間体Ｐ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｐ）］の合成
【００９５】
【化１５】
0005449643.tif 000016
【００９６】
上記合成例３−１の方法において、ブロモベンゼンに代えて１，４−ジブロモベンゼンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｐを２．５３ｇ（収率４５％）得た。
【００９７】
＜合成例８：［中間体Ｑ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｑ）］の合成
【００９８】
【化１６】
0005449643.tif 000017
【００９９】
上記合成例１−２の方法において、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドに代えて９−アントラセンカルボックスアルデヒドを使用したこと以外は同様にして中間体Ｑを０．８８ｇ（収率６７％）得た。
【０１００】
＜合成例９：［中間体Ｒ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｒ）］の合成
【０１０１】
【化１７】
0005449643.tif 000018
【０１０２】
合成例１−２の方法において、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒに代えてベンゾフェノンを使用したこと以外は同様にして中間体Ｒを０．８７ｇ（収率７１％）得た。
【０１０３】
＜実施例１：化合物（２）の合成＞
【０１０４】
【化１８】
0005449643.tif 000019
【０１０５】
上記合成例１と同様にして得られた中間体Ｂ（２．００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解させた後、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム（２．１０ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に添加し、添加終了後、さらに−７８℃で１時間反応させた後、得られた反応混合物に、１，３−ジクロロテトラメチルジシロキサン（０．９８ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に添加し、徐々に温度を常温まで高め、常温で１０時間反応させた後、水（５０ｍｌ）及びジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加して攪拌した後、分液して得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して上記式（２）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（２））を合成した。
【０１０６】
＜実施例２：化合物（３）の合成＞
上記実施例１の方法において、１，３−ジクロロテトラメチルジシロキサンに代えて１，５−ジクロロヘキサメチルトリシロキサンを使用したこと以外は同様にして上記式（３）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（３））を合成した。
【０１０７】
＜実施例３：化合物（４）の合成＞
上記実施例１の方法において、１，３−ジクロロテトラメチルジシロキサンに代えて１，７−ジクロロオクタメチルテトラシロキサンを使用したこと以外は同様にして化学式（４）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物４）を合成した。
【０１０８】
＜実施例４：化合物（５）の合成＞
【０１０９】
【化１９】
0005449643.tif 000020
【０１１０】
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例２と同様にして得られた中間体Ｃを使用したこと以外には同様にして上記式（５）のオルガノシロキサン化合物（化合物（５））を合成した。
【０１１１】
＜実施例５：化合物（６）の合成＞
【０１１２】
【化２０】
0005449643.tif 000021
【０１１３】
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例３と同様にして得られた中間体Ｆを使用したこと以外は同様にして上記式（６）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（６））を合成した。
【０１１４】
＜実施例６：化合物（７）の合成＞
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例４と同様にして得られた中間体Ｊを使用したこと以外は同様にして化学式（７）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（７））を合成した。
【０１１５】
＜実施例７：化合物（８）の合成＞
【０１１６】
【化２１】
0005449643.tif 000022
【０１１７】
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例５と同様にして得られた中間体Ｍを使用したこと以外は同様にして上記式（８）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（８））を合成した。
【０１１８】
＜実施例８：化合物（９）の合成＞
【０１１９】
【化２２】
0005449643.tif 000023
【０１２０】
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例６と同様にして得られた中間体Ｏを使用したこと以外は同様にして上記式（９）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（９））を合成した。
【０１２１】
＜実施例９：化合物（１０）の合成＞
【０１２２】
【化２３】
0005449643.tif 000024
【０１２３】
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例７と同様にして得られた中間体Ｐを使用したこと以外は同様にして上記式（１０）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（１０））を合成した。
【０１２４】
＜実施例１０：化合物（１１）の合成＞
【０１２５】
【化２４】
0005449643.tif 000025
【０１２６】
上記実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例８と同様にして得られた中間体Ｑを使用したこと以外は同様にして上記式（１１）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（１１））を合成した。
【０１２７】
＜実施例１１：化合物（１２）の合成＞
【０１２８】
【化２５】
0005449643.tif 000026
【０１２９】
実施例１の方法において、中間体Ａに代えて上記合成例９と同様にして得られた中間体Ｒを使用したこと以外は同様にして上記式（１２）で示されるオルガノシロキサン化合物（化合物（１２））を合成した。
【０１３０】
＜比較例１＞
ベンジルホスホン酸ジエチルエステル（４．３９ｍｍｏｌ、１ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に溶解させた後、水素化ナトリウム（６．５７ｍｍｏｌ、０．１５７ｇ）を添加して５０℃で１時間反応させた後、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド（３．６６ｍｍｏｌ、１ｇ）を滴下して７０℃で一日間反応させた後、得られた反応混合物に、エタノール（２０ｍｌ）を添加して減圧下で乾燥した後、メチレンクロライド（２００ｍｌ）を添加し分液した。得られた上層を水（５０ｍｌ）で２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して下記式（ａ）の構造を持つ比較化合物（ａ）を７８％の収率で調製した。
【０１３１】
【化２６】
0005449643.tif 000027
【０１３２】
＜比較例２＞
上記合成例１と同様にして得られた中間体Ｂ（２．００ｍｍｏｌ、０．８２４ｇ）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解させた後、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム（２．１０ｍｍｏｌ、１．２３ｍｌ、１．７Ｍ溶液）を−７８℃で徐々に添加し、添加終了後、−７８℃でさらに１時間反応させた後、ジクロロジフェニルシラン（０．９８ｍｍｏｌ、０．２４８ｇ）を−７８℃で徐々に添加して徐々に温度を常温まで高め、常温で１０時間反応させた後、水（５０ｍｌ）及びジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加して攪拌した後、分液して得られた上層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過して濾液を乾燥した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して下記式（ｂ）を持つ比較化合物（ｂ）を０．５３ｇ（収率６４％）調製した。
【０１３３】
【化２７】
0005449643.tif 000028
【０１３４】
＜評価例１：比較化合物（ａ）及び（ｂ）並びに化合物（２）〜（１２）の発光特性評価＞
比較化合物（ａ）及び（ｂ）並びに化合物（２）〜（１２）の吸収スペクトル及びＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）スペクトルを評価することによって、各化合物の発光特性を評価した。まず、化合物（２）の０．２ｍＭトルエン溶液を調製し、紫外分光光度計（商品名「ＵＶ−３５０」、株式会社島津製作所製）を利用して吸収スペクトルを測定した。同様の操作を、化合物（３）〜（１２）並びに比較化合物（ａ）及び（ｂ）に対して実施した。一方、化合物（２）の１０ｍＭトルエン溶液を調製し、キセノンランプが装着されているＩＳＣ  ＰＣ１スペクトロフルオロメーターを利用して、ＰＬスペクトルを測定した。同様の操作を、化合物（３）〜（１２）並びに比較化合物（ａ）及び（ｂ）に対して実施した。その結果を下記の表１に示す。
【０１３５】
【表１】
0005449643.tif 000029
【０１３６】
＜評価例２：比較サンプル（ａ）及び（ｂ）並びにサンプル（２）〜（１２）の素子特性評価＞
比較化合物（ａ）を発光層のドーパントとして使用して、次のような構造を持つ有機発光素子を製作した：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（５０ｎｍ（５００Å））／比較化合物（ａ）及びＰＶＫ（４８ｎｍ（４８０Å））／ＴＡＺ（２０ｎｍ（２００Å））／ＬｉＦ（１ｎｍ（１０Å））／Ａｌ（２００ｎｍ（２０００Å））。
【０１３７】
アノードは、コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２０ｎｍ（１２００Å））のＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズで切って、イソプロピルアルコールと純水の中で各５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶオゾン洗浄して使用した。前記基板の上部にバイエル社製のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（商品名「ＡＩ４０８３」）をコーティングして、１２０℃で５時間熱処理して５０ｎｍ（５００Å）の正孔注入層を形成した。前記正孔注入層の上部に、ＰＶＫ０．１ｇと前記比較化合物（ａ）０．０１ｇとを混合した混合物（ＰＶＫ１００質量部当たり比較化合物（ａ）は１０質量部である）をスピンコーティングした後、１１０℃で２時間熱処理して４８ｎｍ（４８０Å）厚さの発光層を形成した。この後、前記発光層の上部にＴＡＺ化合物をスピンコーティングした後、１１０℃で２時間熱処理して、２０ｎｍ（２００Å）厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部にＬｉＦ  １ｎｍ（１０Å）（電子注入層）とＡｌ（２００ｎｍ（２０００Å））（カソード）を順次、真空蒸着して、図１Ａに示すような有機発光素子を製造した。これを比較サンプル（ａ）という。
【０１３８】
上記の比較サンプル（ａ）の製造方法において、比較化合物（ａ）に代えて、比較化合物（ｂ）及び化合物（２）〜（１２）をそれぞれ使用したこと以外は同様にして有機発光素子を製作した。これを、それぞれ比較サンプル（ｂ）及びサンプル（２）〜（１２）という。
【０１３９】
比較サンプル（ａ）及び（ｂ）並びにサンプル（２）〜（１２）に対して、ＰＲ６５０（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ．を利用して駆動電圧、色純度、及び効率をそれぞれ評価した結果を下記の表２に示す。
【０１４０】
【表２】
0005449643.tif 000030
【０１４１】
上記表２より、本発明によるサンプル（２）〜（１２）の素子特性は、従来品である比較サンプル（ａ）及び（ｂ）に比して優秀であるということが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明のオルガノシロキサン化合物は、溶解性及び熱安定性に優れたフィルムを形成可能であり、有機発光素子の関連技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１Ａ】本発明による有機発光素子の構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明による有機発光素子の構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明による有機発光素子の構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ａ】
0005449643.tif 000034
【図１Ｂ】
0005449643.tif 000035
【図１Ｃ】
0005449643.tif 000036