(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に形成されるベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層上に形成され、信号線路対を構成する第１および第２の配線パターンと、
前記第１および第２の配線パターンの少なくとも一部を覆うように前記ベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、
前記第１および第２の配線パターンの上方に位置しかつ前記金属支持基板に電気的に接続されるように前記カバー絶縁層上に設けられるグランド層とを備え、
前記第１の配線パターンは、第１および第２の線路を有し、
前記第２の配線パターンは、第３および第４の線路を有し、
前記第１および第２の線路の一端部側が互いに電気的に接続されるとともに、前記第１および第２の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、
前記第３および第４の線路の一端部側が互いに電気的に接続されるとともに、前記第３および第４の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、
前記第１および第２の線路のいずれか一方が前記第３および第４の線路の間に配置され、前記第３および第４の線路のいずれか一方が前記第１および第２の線路の間に配置され、
前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路と前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路とが交差する第１の交差領域と、
前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路と前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路とが交差する第２の交差領域とが設けられ、
前記第１の交差領域に配置される前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分が分断され、前記第１の交差領域に配置される前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路の部分が前記ベース絶縁層上で前記分断された第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分の間を通るように配置され、
前記カバー絶縁層は、第１および第２の貫通孔を有し、前記第１の交差領域において前記第１および第２の配線パターンを覆うように設けられる第１のカバー部を含み、
前記グランド層は、前記第１のカバー部上に設けられ、前記グランド層の他の領域から電気的に分離された第１の接続領域を有し、
前記分断された第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分の一方は、前記第１のカバー部の前記第１の貫通孔を通して前記第１の接続領域に電気的に接続され、前記分断された第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分の他方は、前記第１のカバー部の前記第２の貫通孔を通して前記第１の接続領域に電気的に接続されることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記カバー絶縁層は、第３および第４の貫通孔を有し、前記第２の交差領域において前記第１および第２の配線パターンを覆うように設けられる第２のカバー部を含み、
前記グランド層は、前記第２のカバー部上に設けられ、前記グランド層の他の領域から電気的に分離された第２の接続領域をさらに含み、
前記第２の交差領域に配置される前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路の部分が分断され、前記第２の交差領域に配置される前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分が前記ベース絶縁層上で前記分断された前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路の部分の間を通るように配置され、
前記分断された前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路の部分の一方は、前記第２のカバー部の前記第３の貫通孔を通して前記第２の接続領域に電気的に接続され、前記分断された前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路の部分の他方は、前記第２のカバー部の前記第４の貫通孔を通して前記第２の接続領域に電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記グランド層の前記第１および第２の接続領域を除く他の領域が、前記金属支持基板に電気的に接続されたことを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記カバー絶縁層の厚みは、前記ベース絶縁層の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第１の線路の一端部側または前記第２の線路の一端部側から分岐する第５の線路と、
前記第１の線路の他端部側または前記第２の線路の他端部側から分岐する第６の線路と、
前記第３の線路の一端部側または前記第４の線路の一端部側から分岐する第７の線路と、
前記第３の線路の他端部側または前記第４の線路の他端部側から分岐する第８の線路とをさらに備え、
前記第５の線路の幅および前記第６の線路の幅の各々は、前記第１の線路の幅と前記第２の線路の幅との合計であり、前記第７の線路の幅および前記第８の線路の幅の各々は、前記第３の線路の幅と前記第４の線路の幅との合計であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
金属支持基板上にベース絶縁層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層上に信号線路対を構成する第１および第２の配線パターンを形成する工程と、
前記第１および第２の配線パターンの少なくとも一部を覆うように前記ベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、
前記第１および第２の配線パターンの上方に位置しかつ前記金属支持基板に電気的に接続されるように前記カバー絶縁層上にグランド層を形成する工程とを備え、
前記第１および第２の配線パターンを形成する工程は、
前記第１の配線パターンが第１および第２の線路からなるとともに前記第２の配線パターンが第３および第４の線路からなり、前記第１および第２の線路の一端部側が互いに電気的に接続され、前記第１および第２の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、前記第３および第４の線路の一端部側が互いに電気的に接続され、前記第３および第４の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、前記第１の配線パターンの前記第１および第２の線路のいずれか一方が前記第２の配線パターンの前記第３および第４の線路の間に位置し、前記第２の配線パターンの前記第３および第４の線路のいずれか一方が前記第１の配線パターンの前記第１および第２の線路の間に位置し、前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路と前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路とが第１の交差領域において交差しかつ前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路と前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路とが第２の交差領域において交差し、前記第１の交差領域に配置される前記第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分が分断され、前記第１の交差領域に配置される前記第２の配線パターンの前記第３または第４の線路の部分が前記ベース絶縁層上で前記分断された第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分の間を通るように配置されるように、前記第１および第２の配線パターンを前記ベース絶縁層上に形成する工程とを含み、
前記カバー絶縁層を形成する工程は、第１および第２の貫通孔を有しかつ前記第１の交差領域において前記第１および第２の配線パターンを覆うように第１のカバー部を形成する工程を含み、
前記グランド層を形成する工程は、前記第１のカバー部上に前記グランド層の他の領域から電気的に分離された第１の接続領域を形成する工程を含み、
前記第１および第２の配線パターンを形成する工程は、
前記分断された第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分の一方を前記第１のカバー部の前記第１の貫通孔を通して前記第１の接続領域に電気的に接続し、かつ前記分断された第１の配線パターンの前記第１または第２の線路の部分の他方を前記第１のカバー部の前記第２の貫通孔を通して前記第１の接続領域に電気的に接続する工程をさらに含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
図１１は、従来のサスペンション基板（例えば特許文献１参照）の縦断面図である。
【０００４】
このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ１２および読取用配線パターンＲ１２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
【０００５】
第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ１２および読取用配線パターンＲ１２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用配線パターンＲ１２の上方位置で書込用配線パターンＷ１１が形成され、書込用配線パターンＷ１２の上方位置で読取用配線パターンＲ１１が形成されている。
【０００６】
上下に位置する読取用配線パターンＲ１１と書込用配線パターンＷ１２との間の距離、および上下に位置する読取用配線パターンＲ１２と書込用配線パターンＷ１１との間の距離は、ともにＬ２である。
【０００７】
上記構成を有するサスペンション基板９１０においては、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２と読取用配線パターンＲ１１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２と読取用配線パターンＲ１２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２に書込み電流が流れる場合には、読取用配線パターンＲ１１，Ｒ１２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。そのため、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２と読取用配線パターンＲ１１，Ｒ１２との間のクロストークを低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、磁気ディスクの記録密度の向上およびＰＭＲ（垂直磁気記録）方式の導入等により、書込み時に大きな電流が必要とされる。それにより、磁気ヘッドおよびサスペンション基板の配線パターンの低インピーダンス化が求められる。
【００１０】
本発明の目的は、配線パターンの特性インピーダンスが低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
［Ａ］本発明
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、金属支持基板と、金属支持基板上に形成されるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成され、信号線路対を構成する第１および第２の配線パターンと、第１および第２の配線パターンの少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、第１および第２の配線パターンの上方に位置しかつ金属支持基板に電気的に接続されるようにカバー絶縁層上に設けられるグランド層とを備え、第１の配線パターンは、第１および第２の線路を有し、第２の配線パターンは、第３および第４の線路を有し、第１および第２の線路の一端部側が互いに電気的に接続されるとともに、第１および第２の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第３および第４の線路の一端部側が互いに電気的に接続されるとともに、第３および第４の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第１および第２の線路のいずれか一方が第３および第４の線路の間に配置され、第３および第４の線路のいずれか一方が第１および第２の線路の間に配置され、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが交差する第１の交差領域と、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが交差する第２の交差領域とが設けられ、第１の交差領域に配置される第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分が分断され、第１の交差領域に配置される第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分がベース絶縁層上で分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の間を通るように配置され、カバー絶縁層は、第１および第２の貫通孔を有し、第１の交差領域において第１および第２の配線パターンを覆うように設けられる第１のカバー部を含み、グランド層は、第１のカバー部上に設けられ、グランド層の他の領域から電気的に分離された第１の接続領域を有し、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の一方は、第１のカバー部の第１の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続され、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の他方は、第１のカバー部の第２の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続されるものである。
【００１２】
その配線回路基板においては、第１の配線パターンの第１および第２の線路のいずれか一方が第２の配線パターンの第３および第４の線路の間に配置され、第２の配線パターンの第３および第４の線路のいずれか一方が第１の配線パターンの第１および第２の線路の間に配置される。この場合、第１の線路の一側面および他側面ならびに第２の線路の一側面および他側面のうち３つの側面と、第３の線路の一側面および他側面ならびに第４の線路の一側面および他側面のうち３つの側面とが互いに対向する。それにより、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの対向面積が大きくなる。したがって、第１および第２の配線パターンのキャパシタンスが大きくなる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスが低減される。
【００１３】
また、第１および第２の配線パターンは、ベース絶縁層を挟んで金属支持基板と対向し、カバー絶縁層を挟んでグランド層と対向する。それにより、第１および第２の配線パターンのキャパシタンスがさらに大きくなる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスがさらに低減される。
【００１４】
また、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが交差する第１の交差領域と、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが交差する第２の交差領域とが設けられ、第１の交差領域に配置される第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分が分断され、第１の交差領域に配置される第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分がベース絶縁層上で分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の間を通るように配置され、カバー絶縁層は、第１および第２の貫通孔を有し、第１の交差領域において第１および第２の配線パターンを覆うように設けられる第１のカバー部を含み、グランド層は、第１のカバー部上に設けられ、グランド層の他の領域から電気的に分離された第１の接続領域を有し、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の一方は、第１のカバー部の第１の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続され、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の他方は、第１のカバー部の第２の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続される。
【００１５】
この場合、第１の交差領域において、第１の配線パターンの第１および第２の線路の電気的接続性を維持しつつ第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とを交差させることができる。したがって、簡単な構成で第１〜第４の線路を所望の位置に配置することができる。
【００１６】
また、第１の交差領域において、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分が、グランド層の一部である第１の接続領域を介して電気的に接続されるので、他の層を別個に形成する必要がなく、製造工程の複雑化が抑制される。
【００１７】
（２）カバー絶縁層は、第３および第４の貫通孔を有し、第２の交差領域において第１および第２の配線パターンを覆うように設けられる第２のカバー部を含み、グランド層は、第２のカバー部上に設けられ、グランド層の他の領域から電気的に分離された第２の接続領域をさらに含み、第２の交差領域に配置される第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分が分断され、第２の交差領域に配置される第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分がベース絶縁層上で分断された第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分の間を通るように配置され、分断された第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分の一方は、第２のカバー部の第３の貫通孔を通して第２の接続領域に電気的に接続され、分断された第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分の他方は、第２のカバー部の第４の貫通孔を通して第２の接続領域に電気的に接続されてもよい。
【００１８】
この場合、第２の交差領域において、第２の配線パターンの第３および第４の線路の電気的接続性を維持しつつ第２の配線パターンの第３または第４の線路と第１の配線パターンの第１または第２の線路とを交差させることができる。したがって、簡単な構成で第１〜第４の線路を所望の位置に配置することができる。
【００１９】
また、第２の交差領域において、分断された第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分が、グランド層の一部である第２の接続領域を介して電気的に接続されるので、他の層を別個に形成する必要がなく、製造工程の複雑化が抑制される。
【００２０】
また、第１および第２の交差領域において、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分および分断された第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分が同様の構成で接続される。したがって、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの平衡性が確保される。その結果、第１の配線パターンおよび第２の配線パターンにおいて良好な伝送特性が得られる。
【００２１】
（３）グランド層の第１および第２の接続領域を除く他の領域が、金属支持基板に電気的に接続されてもよい。この場合、グランド層の帯電が防止される。それにより、第１および第２の配線パターンにおける伝送特性の悪化が防止される。
【００２２】
（４）カバー絶縁層の厚みは、ベース絶縁層の厚みよりも小さくてもよい。この場合、カバー絶縁層の厚みを小さくすることにより、グランド層と第１および第２の配線パターンとの距離が小さくなる。それにより、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスをより低減することができる。また、ベース絶縁層上に他の配線パターンが形成されている場合に、ベース絶縁層の厚みを維持しつつカバー絶縁層の厚みを小さくすることにより、他の配線パターンの特性インピーダンスを低減することなく、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスを低減することができる。
【００２３】
（５）第１の線路の一端部側または第２の線路の一端部側から分岐する第５の線路と、第１の線路の他端部側または第２の線路の他端部側から分岐する第６の線路と、第３の線路の一端部側または第４の線路の一端部側から分岐する第７の線路と、第３の線路の他端部側または第４の線路の他端部側から分岐する第８の線路とをさらに備え、第５の線路の幅および第６の線路の幅の各々は、第１の線路の幅と第２の線路の幅との合計であり、第７の線路の幅および第８の線路の幅の各々は、第３の線路の幅と第４の線路の幅との合計であってもよい。
【００２４】
この場合、第１の配線パターンにおいて、第１および第２の線路の一体的な特性インピーダンスと、第５および第６の線路の各々の特性インピーダンスとが等しくなる。同様に、第２の配線パターンにおいて、第３および第４の線路の一体的な特性インピーダンスと、第７および第８の線路の各々の特性インピーダンスとが等しくなる。それにより、第１および第２の配線パターンにおける伝送損失が低減される。
【００２５】
（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、金属支持基板上にベース絶縁層を形成する工程と、ベース絶縁層上に信号線路対を構成する第１および第２の配線パターンを形成する工程と、第１および第２の配線パターンの少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、第１および第２の配線パターンの上方に位置しかつ金属支持基板に電気的に接続されるようにカバー絶縁層上にグランド層を形成する工程とを備え、第１および第２の配線パターンを形成する工程は、第１の配線パターンが第１および第２の線路からなるとともに第２の配線パターンが第３および第４の線路からなり、第１および第２の線路の一端部側が互いに電気的に接続され、第１および第２の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第３および第４の線路の一端部側が互いに電気的に接続され、第３および第４の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第１の配線パターンの第１および第２の線路のいずれか一方が第２の配線パターンの第３および第４の線路の間に位置し、第２の配線パターンの第３および第４の線路のいずれか一方が第１の配線パターンの第１および第２の線路の間に位置し、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが第１の交差領域において交差しかつ第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが第２の交差領域において交差し、第１の交差領域に配置される第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分が分断され、第１の交差領域に配置される第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分がベース絶縁層上で分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の間を通るように配置されるように、第１および第２の配線パターンをベース絶縁層上に形成する工程とを含み、カバー絶縁層を形成する工程は、第１および第２の貫通孔を有しかつ第１の交差領域において第１および第２の配線パターンを覆うように第１のカバー部を形成する工程を含み、グランド層を形成する工程は、第１のカバー部上にグランド層の他の領域から電気的に分離された第１の接続領域を形成する工程を含み、第１および第２の配線パターンを形成する工程は、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の一方を第１のカバー部の第１の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続し、かつ分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の他方を第１のカバー部の第２の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続する工程をさらに含むものである。
【００２６】
その製造方法においては、第１の配線パターンの第１および第２の線路のいずれか一方が第２の配線パターンの第３および第４の線路の間に配置され、第２の配線パターンの第３および第４の線路のいずれか一方が第１の配線パターンの第１および第２の線路の間に配置される。この場合、第１の線路の一側面および他側面ならびに第２の線路の一側面および他側面のうち３つの側面と、第３の線路の一側面および他側面ならびに第４の線路の一側面および他側面のうち３つの側面とが、互いに対向する。それにより、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの対向面積が大きくなる。したがって、第１および第２の配線パターンのキャパシタンスが大きくなる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスが低減される。
【００２７】
また、第１および第２の配線パターンは、ベース絶縁層を挟んで金属支持基板と対向し、カバー絶縁層を挟んでグランド層と対向する。それにより、第１および第２の配線パターンのキャパシタンスがさらに大きくなる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスがさらに低減される。
［Ｂ］参考形態
（１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、金属支持基板と、金属支持基板上に形成されるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成され、信号線路対を構成する第１および第２の配線パターンと、第１および第２の配線パターンの少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、第１および第２の配線パターンの上方に位置するようにカバー絶縁層上に設けられるグランド層とを備え、第１の配線パターンは、第１および第２の線路を有し、第２の配線パターンは、第３および第４の線路を有し、第１および第２の線路の一端部側が互いに電気的に接続されるとともに、第１および第２の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第３および第４の線路の一端部側が互いに電気的に接続されるとともに、第３および第４の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第１および第２の線路のいずれか一方が第３および第４の線路の間に配置され、第３および第４の線路のいずれか一方が第１および第２の線路の間に配置されるものである。
また、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが交差する第１の交差領域と、第１の配線パターンの第１または第２の線路と第２の配線パターンの第３または第４の線路とが交差する第２の交差領域とが設けられ、第１の交差領域に配置される第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分が分断され、第１の交差領域に配置される第２の配線パターンの第３または第４の線路の部分がベース絶縁層上で分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の間を通るように配置され、カバー絶縁層は、第１および第２の貫通孔を有し、第１の交差領域において第１および第２の配線パターンを覆うように設けられる第１のカバー部を含み、グランド層は、第１のカバー部上に設けられ、グランド層の他の領域から電気的に分離された第１の接続領域を有し、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の一方は、第１のカバー部の第１の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続され、分断された第１の配線パターンの第１または第２の線路の部分の他方は、第１のカバー部の第２の貫通孔を通して第１の接続領域に電気的に接続されてもよい。
（２）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、金属支持基板上にベース絶縁層を形成する工程と、ベース絶縁層上に信号線路対を構成する第１および第２の配線パターンを形成する工程と、第１および第２の配線パターンの少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、カバー絶縁層上にグランド層を第１および第２の配線パターンの上方に位置するように形成する工程とを備え、第１および第２の配線パターンを形成する工程は、第１の配線パターンが第１および第２の線路からなるとともに第２の配線パターンが第３および第４の線路からなり、第１および第２の線路の一端部側が互いに電気的に接続され、第１および第２の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第３および第４の線路の一端部側が互いに電気的に接続され、第３および第４の線路の他端部側が互いに電気的に接続され、第１の配線パターンの第１および第２の線路のいずれか一方が第２の配線パターンの第３および第４の線路の間に位置し、第２の配線パターンの第３および第４の線路のいずれか一方が第１の配線パターンの第１および第２の線路の間に位置するように、第１および第２の配線パターンをベース絶縁層上に形成する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスが低減される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】書込用配線パターンの構成を示す模式図である。
【図３】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２の交差領域の詳細を示す平面図および断面図である。
【図５】書込用配線パターンの線路の連結部分を模式的に示す平面図である。
【図６】サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。
【図７】サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。
【図８】サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。
【図９】書込用配線パターンの他の構成例を示す図である。
【図１０】書込用配線パターンのさらに他の構成例を示す図である。
【図１１】従来のサスペンション基板の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその製造方法について説明する。
【００３１】
（１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。サスペンション本体部１０上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧＮが形成されている。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、一対の信号線路対を構成する。また、読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、一対の信号線路対を構成する。
【００３２】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２の端部には５つの電極パッド２１，２２，２３，２４，２５が形成されている。
【００３３】
サスペンション本体部１０の他端部には５つの電極パッド３１，３２，３３，３４，３５が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読込用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、タング部１２上の電極パッド２５とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３５とは、グランドパターンＧＮにより電気的に接続されている。後述のように、グランドパターンＧＮは、サスペンション本体部１０に電気的に接続されている。
【００３４】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読込み時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００３５】
（２）書込用配線パターン
次に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の構成について説明する。図２は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の構成を示す模式図である。
【００３６】
図２に示すように、書込用配線パターンＷ１は、線路ＬＡ１〜ＬＡ５により構成される。電極パッド２１に線路ＬＡ１が接続され、電極パッド３１に線路ＬＡ２が接続される。
【００３７】
線路ＬＡ３，ＬＡ４の一端部は、線路ＬＡ１に一体化する。線路ＬＡ３の他端部と線路ＬＡ５の一端部とが交差領域ＣＮ１において電気的に接続される。交差領域ＣＮ１の詳細については後述する。線路ＬＡ４，ＬＡ５の他端部は、線路ＬＡ２に一体化する。
【００３８】
書込用配線パターンＷ２は、線路ＬＢ１〜ＬＢ５により構成される。電極パッド２２に線路ＬＢ１が接続され、電極パッド３２に線路ＬＢ２が接続される。
【００３９】
線路ＬＢ３，ＬＢ４の一端部は、線路ＬＢ１に一体化する。線路ＬＢ３の他端部と線路ＬＢ５の一端部とが交差領域ＣＮ２において電気的に接続される。交差領域ＣＮ２の詳細については後述する。線路ＬＢ４，ＬＢ５の他端部は、線路ＬＢ２に一体化する。
【００４０】
書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ４および書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４，ＬＢ５は、互いに平行に配置されるとともに、線路ＬＢ４，ＬＢ５間に線路ＬＡ３が位置し、線路ＬＡ３，ＬＡ４間に線路ＬＢ５が位置するように配置される。書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３は、交差領域ＣＮ２において書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３，ＬＢ５の端部間を通って延び、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ５は、交差領域ＣＮ１において書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ５の端部間を通って延びる。
【００４１】
図３は、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図である。図３に示すように、サスペンション本体部１０上にベース絶縁層４１が形成される。ベース絶縁層４１上に、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ３，ＬＡ４，ＬＢ４，ＬＢ５、およびグランドパターンＧＮが並列に形成される。グランドパターンＧＮは、ベース絶縁層４１に形成されるスルーホールＴＨ１を通してサスペンション本体部１０に電気的に接続される。
【００４２】
読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧＮを覆うように、ベース絶縁層４１上に第１のカバー絶縁層４２が形成される。第１のカバー絶縁層４２上において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方の領域にグランド層４３が形成される。グランド層４３を覆うように、第１のカバー絶縁層４２上に第２のカバー絶縁層４４が形成される。
【００４３】
グランド層４３は、第１のカバー絶縁層４２に形成されるスルーホールＴＨ２を通してグランドパターンＧＮに電気的に接続される。これにより、グランド層４３がグランドパターンＧＮを介してサスペンション本体部１０に電気的に接続される。なお、グランド層４３がグランドパターンＧＮを介さずにサスペンション本体部１０に直接接続されてもよい。
【００４４】
図４（ａ）は、図２の交差領域ＣＮ１の詳細を示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００４５】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、線路ＬＢ５の両側に線路ＬＡ３の端部および線路ＬＡ５の端部が配置される。線路ＬＡ３の端部および線路ＬＡ５の端部には、円形の接続部Ｇ１，Ｇ２がそれぞれ設けられる。接続部Ｇ１，Ｇ２上の第１のカバー絶縁層４２の部分に、貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２がそれぞれ形成される。第１のカバー絶縁層４２の貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２を埋めるように、例えば銅からなる接続層Ｔ１，Ｔ２がそれぞれ形成される。
【００４６】
グランド層４３には環状の開口ＯＰが形成される。これにより、グランド層４３の他の領域から電気的に分離された長円状の領域ＲＧ１が、接続層Ｔ１上から接続層Ｔ２上に延びるように設けられる。これにより、線路ＬＡ３，ＬＡ５が接続層Ｔ１，Ｔ２を介してグランド層４３の領域ＲＧ１にそれぞれ電気的に接続される。すなわち、グランド層４３の領域ＲＧ１を介して線路ＬＡ３，ＬＡ５が互いに電気的に接続される。
【００４７】
接続部Ｇ１の直径は線路ＬＡ３の幅より大きいことが好ましく、接続部Ｇ２の直径は線路ＬＡ５の幅より大きいことが好ましい。また、接続層Ｔ１（貫通孔Ｈ１１）の横断面における直径は線路ＬＡ３の幅より大きいことが好ましく、接続層Ｔ２（貫通孔Ｈ１２）の横断面における直径は線路ＬＡ５の幅より大きいことが好ましい。それにより、線路ＬＡ３，ＬＡ５間の電気的接続性が十分に確保される。
【００４８】
また、接続層ＲＧ１の幅ＷＣは、接続層Ｔ１，Ｔ２の間において、一定であることが好ましい。その場合、接続層ＲＧ１における伝送損失が低減される。
【００４９】
また、接続部Ｇ１，Ｇ２の形状は、円形に限らず、楕円形、三角形、四角形または扇形等の他の形状であってもよい。また、接続層Ｔ１，Ｔ２（貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２）の横断面形状は、円形に限らず、楕円形、三角形、四角形または扇形等の他の形状であってもよい。また、接続層ＲＧ１の形状は、長円形に限らず、長方形等の他の形状であってもよい。
【００５０】
なお、交差領域ＣＮ２は、交差領域ＣＮ１と同様の構成を有する。すなわち、グランド層４３の他の領域から分離された領域ＲＧ１を介して線路ＬＢ３，ＬＢ５が互いに電気的に接続される。
【００５１】
次に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を構成する各線路の幅について説明する。図５（ａ）には、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ１，ＬＡ３，ＬＡ４の連結部分が模式的に示され、図５（ｂ）には、線路ＬＡ２，ＬＡ４，ＬＡ５の連結部分が模式的に示される。
【００５２】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ１，ＬＡ２の幅ｗ１，ｗ２は互いに等しい。線路ＬＡ３，ＬＡ４，ＬＡ５の幅ｗ３，ｗ４，ｗ５は互いに等しく、線路ＬＡ１，ＬＡ２の幅ｗ１，ｗ２よりも小さい。
【００５３】
線路ＬＡ３，ＬＡ４，ＬＡ５の幅ｗ３，ｗ４，ｗ５は、線路ＬＡ１，ＬＡ２の幅ｗ１，ｗ２のそれぞれ２分の１であることが好ましい。その場合、線路ＬＡ３，ＬＡ４，ＬＡ５における特性インピーダンスと線路ＬＡ１，ＬＡ２の各々における特性インピーダンスとがほぼ等しくなる。それにより、書込用配線パターンＷ１における伝送損失が低減される。
【００５４】
同様に、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ１，ＬＢ２の幅は互いに等しい。線路ＬＢ３，ＬＢ４，ＬＢ５の幅は互いに等しく、線路ＬＢ１，ＬＢ２の幅よりも小さい。
【００５５】
線路ＬＢ３，ＬＢ４，ＬＢ５の幅は、線路ＬＢ１，ＬＢ２の幅のそれぞれ２分の１であることが好ましい。その場合、線路ＬＢ３，ＬＢ４，ＬＢ５における特性インピーダンスと線路ＬＢ１，ＬＢ２の各々における特性インピーダンスとがほぼ等しくなる。それにより、書込用配線パターンＷ２における伝送損失が低減される。
【００５６】
なお、書込用配線パターンＷ１において良好な伝送特性が得られるのであれば、線路ＬＡ１〜ＬＡ５の幅ｗ１〜ｗ５が任意の値に設定されてもよい。同様に、書込用配線パターンＷ２において良好な伝送特性が得られるのであれば、線路ＬＢ１〜ＬＢ５の幅が任意の値に設定されてもよい。
【００５７】
（３）書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンス
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスは、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスが大きいほど小さくなる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスは、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が大きいほど大きくなる。
【００５８】
すなわち、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が大きいほど、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなる。
【００５９】
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、図３に示したように、書込用配線パターンＷ１を構成する線路ＬＡ３，ＬＡ４および書込用配線パターンＷ２を構成する線路ＬＢ４，ＬＢ５が、互いに平行に配置されるとともに、線路ＬＢ４，ＬＢ５間に線路ＬＡ３が位置し、線路ＬＡ３，ＬＡ４間に線路ＬＢ５が位置するように配置される。この場合、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ４の一側面と書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ５の一側面とが互いに対向し、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ５の他側面と書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３の一側面とが互いに対向し、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３の他側面と書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４の一側面とが互いに対向する。このように、書込用配線パターンＷ１の複数の面と書込用配線パターンＷ２の複数の面とが互いに対向する。
【００６０】
一方、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２がそれぞれ一本の線路からなる場合には、書込用配線パターンＷ１の一側面と書込用配線パターンＷ２の一側面とが互いに対向するのみである。したがって、本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２がそれぞれ一本の線路からなる場合と比べて、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が全体として大きくなり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなる。
【００６１】
また、本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が第１のカバー絶縁層４２を挟んでグランド層４３と対向し、ベース絶縁層４１を挟んでサスペンション本体部１０と対向する。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスがさらに大きくなる。その結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスがさらに小さくなる。
【００６２】
また、第１のカバー絶縁層４２の厚みｔ１が小さいほど、グランド層４３と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間の距離が小さくなり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスが大きくなる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなる。同様に、ベース絶縁層４１の厚みｔ２が小さいほど、サスペンション本体部１０と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間の距離が小さくなり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスが大きくなる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなる。
【００６３】
ただし、ベース絶縁層４１の厚みｔ２を小さくすると、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の特性インピーダンスも小さくなる。磁気ディスクから情報を適正に読み取るために、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２には比較的大きい特性インピーダンスが要求される。そこで、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の特性インピーダンスを磁気ディスクからの情報の読み取りに適した値に維持しつつ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを十分に小さくするために、第１のカバー絶縁層４２の厚みｔ１がベース絶縁層４１の厚みｔ２よりも小さいことが好ましい。
【００６４】
（４）サスペンション基板の製造方法
次に、サスペンション基板１の製造方法について説明する。図６〜図８は、サスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。ここでは、図３に示した書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ３，ＬＡ４，ＬＢ４，ＬＢ５およびその周辺部分（以下、伝送領域と呼ぶ）の製造工程、および図４に示した交差領域ＣＮ１の製造工程について説明する。図６（ａ）〜図８（ｇ）の上段に伝送領域の製造工程を示し、下段に交差領域ＣＮ１の製造工程を示す。なお、図６〜図８においては、グランドパターンＧＮの図示が省略される。
【００６５】
まず、図６（ａ）に示すように、例えばステンレスからなるサスペンション本体部１０上に接着剤を用いて例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１を積層する。
【００６６】
サスペンション本体部１０の厚みは例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。サスペンション本体部１０の材料としては、ステンレスに代えてアルミニウム等の他の金属または合金等を用いてもよい。
【００６７】
ベース絶縁層４１の厚みは例えば１μｍ以上１５μｍ以下であり、２μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましい。ベース絶縁層４１の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００６８】
次に、図６（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１上に例えば銅からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を形成する。伝送領域においては、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ４および書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４，ＬＢ５が、互いに平行に配置されるとともに、線路ＬＢ４，ＬＢ５間に線路ＬＡ３が位置し、線路ＬＡ３，ＬＡ４間に線路ＬＢ５が位置するように配置される。
【００６９】
交差領域ＣＮ１においては、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ５および書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ５が形成される。線路ＬＡ３，ＬＡ５の端部には、接続部Ｇ１，Ｇ２が形成される。
【００７０】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００７１】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みは例えば２μｍ以上１６μｍ以下であり、３μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＢ１，ＬＢ２の幅は例えば５μｍ以上２５０μｍ以下であり、８μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。線路ＬＡ３〜ＬＡ５，ＬＢ３〜ＬＢ５の幅は例えば５μｍ以上２００μｍ以下であり、８μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。接続部Ｇ１，Ｇ２の直径は例えば３０μｍ以上３００μｍ以下であり、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の材料としては、銅に限らず、金（Ａｕ）またはアルミニウム等の他の金属、もしくは銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００７２】
次に、図６（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うようにベース絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる第１のカバー絶縁層４２を形成する。第１のカバー絶縁層４２の厚みは例えば３μｍ以上２６μｍ以下であり、４μｍ以上２１μｍ以下であることが好ましい。第１のカバー絶縁層４２の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００７３】
次に、図７（ｄ）に示すように、交差領域ＣＮ１において、線路ＬＡ３，ＬＡ５の接続部Ｇ１，Ｇ２上の第１のカバー絶縁層４２の部分に、例えばレーザを用いたエッチングまたはウェットエッチングにより貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２を形成する。貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２の直径は例えば２０μｍ以上２００μｍ以下であり、４０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００７４】
次に、図７（ｅ）に示すように、交差領域ＣＮ１において、第１のカバー絶縁層４２の貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２を埋めるように例えば銅からなる接続層Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成する。接続層Ｔ１，Ｔ２の材料としては、銅に限らず、金もしくはアルミニウム等の他の金属、または銅合金もしくはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００７５】
次に、図８（ｆ）に示すように、第１のカバー絶縁層４２上において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方の領域に例えば銅からなるグランド層４３を形成する。この場合、交差領域ＣＮ１，ＣＮ２において、グランド層４３に環状の開口ＯＰを形成することにより、接続層Ｔ１上から接続層Ｔ２上に延びるグランド層４３の領域ＲＧ１をグランド層４３の他の領域から分離する。グランド層４３の厚みは、例えば１μｍ以上１６μｍ以下であり、２μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。グランド層４３の領域ＲＧ１の面積は、例えば３２００μｍ２以上１８００００μｍ２以下であり、５０００μｍ２以上８００００μｍ２以下であることが好ましい。グランド層４３の材料としては、銅に限らず、金もしくはアルミニウム等の他の金属、または銅合金もしくはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００７６】
また、グランド層４３の材料としては、サスペンション本体部１０の材料よりも導電性が高い材料を用いることが好ましい。この場合、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の特性インピーダンスを磁気ディスクからの情報の読み取りに適した値に維持しつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスをより十分に小さくすることができる。
【００７７】
次に、図８（ｇ）に示すように、グランド層４３を覆うように、第１のカバー絶縁層４２上に例えばポリイミドからなる第２のカバー絶縁層４４を形成する。第２のカバー絶縁層４４の厚みは例えば３μｍ以上２６μｍ以下であり、４μｍ以上２１μｍ以下であることが好ましい。第２のカバー絶縁層４４の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。このようにして、サスペンション基板１が完成する。
【００７８】
（５）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、同一平面上において、書込用配線パターンＷ１を構成する線路ＬＡ３，ＬＡ４および書込用配線パターンＷ２を構成する線路ＬＢ４，ＬＢ５が、互いに平行に配置されるとともに、線路ＬＢ４，ＬＢ５間に線路ＬＡ３が位置し、線路ＬＡ３，ＬＡ４間に線路ＬＢ５が位置するように配置される。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが低減される。
【００７９】
また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が第１のカバー絶縁層４２を挟んでグランド層４３と対向し、ベース絶縁層４１を挟んでサスペンション本体部１０と対向する。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスがさらに大きくなる。その結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスがさらに低減される。
【００８０】
また、本実施の形態では、交差領域ＣＮ１において書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ５がグランド層４３の領域ＲＧ１を介して電気的に接続され、交差領域ＣＮ２において書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３，ＬＢ５がグランド層４３の領域ＲＧ１を介して電気的に接続される。
【００８１】
この場合、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ５間を通るように書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ５を配置することができ、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３，ＬＢ５間を通るように書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３を配置することができる。それにより、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ４と書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４，ＬＢ５とを交互にかつ平行に配置することができる。したがって、簡単な構成で、電極パッド２１，３１と電極パッド２２，３２との間の電気的接続性を確保しつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを低減することができる。
【００８２】
また、グランド層４３の領域ＲＧ１を介して書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ４および書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４，ＬＢ５がそれぞれ接続されるので、他の層が別途形成される場合に比べて、製造工程の複雑化が抑制される。
【００８３】
また、交差領域ＣＮ１の構成と交差領域ＣＮ２の構成とが同様であるので、交差領域ＣＮ１における伝送損失と交差領域ＣＮ２における伝送損失とが互いにほぼ等しい。したがって、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との間に大きな伝送特性の差が生じることがない。その結果、磁気ディスクへの書込み動作を適正に行うことができる。
【００８４】
また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方にグランド層４３が形成されるので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の下方にグランド層４３が形成される場合に比べて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における信号の伝送特性が良好になる。仮に、ベース絶縁層４１上にグランド層４３が形成され、第１のカバー絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成された場合、グランド層４３の開口ＯＰ上において第１のカバー絶縁層４２に凹凸が生じる。それに伴い、第１のカバー絶縁層４２上に形成される書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に凹凸が生じる。そのため、信号の反射等が生じることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における信号の伝送特性が悪化する。それに対して、ベース絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成され、第１のカバー絶縁層４２上にグランド層４３が形成されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に凹凸が生じることが防止される。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００８５】
（６）他の実施の形態
（６−１）
電極パッド２１，２２，３１，３２の位置等に応じて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の構成および交差領域の位置等を適宜変更してもよい。
【００８６】
図９は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の他の構成例を示す図である。図９の例では、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４が交差領域ＣＮ３を介して線路ＬＢ６に電気的に接続される。交差領域ＣＮ３の構成は、交差領域ＣＮ１，ＣＮ２の構成と同様である。線路ＬＢ６は線路ＬＢ２に一体化する。また、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ２が線路ＬＡ３に接続され、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ４と線路ＬＢ６との間を通るように配置される。
【００８７】
このような場合も、電極パッド２１，３１と電極パッド２２，３２との間の電気的接続性を確保しつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを低減することができる。
【００８８】
（６−２）
上記実施の形態では、交差領域ＣＮ１において書込用配線パターンＷ１の部分がグランド層４３の領域ＲＧ１に電気的に接続され、交差領域ＣＮ２において書込用配線パターンＷ２の部分がグランド層４３の領域ＲＧ１に電気的に接続されるが、これに限らず、交差領域ＣＮ１，ＣＮ２において共通の書込用配線パターンの部分がグランド層４３の領域ＲＧ１に電気的に接続されてもよい。
【００８９】
図１０は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のさらに他の構成例を示す図である。図１０の例では、交差領域ＣＮ１，ＣＮ２において書込用配線パターンＷ１の部分がグランド層４３の領域ＲＧ１に電気的に接続される。具体的には、交差領域ＣＮ２において、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３がグランド層４３の領域ＲＧ１に電気的に接続されるとともに、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ１，ＬＡ４がグランド層４３の領域ＲＧ１に電気的に接続される。これにより、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ１，ＬＡ３，ＬＡ４がグランド層４３の領域ＲＧ１を介して互いに電気的に接続される。
【００９０】
このような場合も、電極パッド２１，３１と電極パッド２２，３２との間の電気的接続性を確保しつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを低減することができる。
【００９１】
（７）参考形態
上記実施の形態では、交差領域ＣＮ１において線路ＬＡ３，ＬＡ５がグランド層４３の領域ＲＧ１を介して互いに電気的に接続され、交差領域ＣＮ２において線路ＬＢ３，ＬＢ５がグランド層４３の領域ＲＧ１を介して互いに電気的に接続されるが、線路ＬＡ３，ＬＡ５が他の方法で互いに電気的に接続されてもよく、線路ＬＢ３，ＬＢ５が他の方法で互いに電気的に接続されてもよい。
【００９２】
例えば、線路ＬＡ３，ＬＡ５がサスペンション本体部１０の一部領域を介して互いに電気的に接続されてもよく、線路ＬＢ３，ＬＢ５がサスペンション本体部１０の一部領域を介して互いに電気的に接続されてもよい。また、線路ＬＡ３，ＬＡ５を互いに電気的に接続するための他の導体層が別途形成されてもよく、線路ＬＢ３，ＬＢ５を互いに電気的に接続するための他の導体層が別途形成されてもよい。
【００９３】
（８）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９４】
上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第２の配線パターンの例であり、第１のカバー絶縁層４２がカバー絶縁層、ならびに第１および第２のカバー部の例である。
【００９５】
また、グランド層４３の領域ＲＧ１が第１および第２の接続領域の例であり、線路ＬＡ３，ＬＡ５が第１の線路の例であり、線路ＬＡ４が第２の線路の例であり、線路ＬＢ３，ＬＢ５が第３の線路の例であり、線路ＬＢ４が第４の線路の例であり、線路ＬＡ１が第５の線路の例であり、線路ＬＡ２が第６の線路の例であり、線路ＬＢ１が第７の線路の例であり、線路ＬＢ２が第８の線路の例であり、交差領域ＣＮ１が第１の交差領域の例であり、交差領域ＣＮ２が第２の交差領域の例であり、貫通孔Ｈ１１が第１および第３の貫通孔の例であり、貫通孔Ｈ１２が第２および第４の貫通孔の例である。
【００９６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【符号の説明】
【００９８】
１  サスペンション基板
１０  サスペンション本体部
４１  ベース絶縁層
４２  第１のカバー絶縁層
４３  グランド層
４４  第２のカバー絶縁層
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｔ１、Ｔ２  接続層
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
ＬＡ１〜ＬＡ５，ＬＢ１〜ＬＢ５  線路
ＣＮ１，ＣＮ２  交差領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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