(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を取り付ける半導体素子取り付け部と、外部への接続端子となる複数のアウターリードと、当該複数のアウターリードとの間を連結するように設けられ、樹脂封止工程においては樹脂の流出を防止する樹脂封止部となるタイバーとを有するリードフレームを準備するリードフレーム準備工程と、
前記半導体素子を半導体素子取り付け部に取り付ける半導体素子取り付け工程と、
前記半導体素子と前記半導体素子取り付け部とを樹脂封止用金型で覆ったのち、当該樹脂封止用金型の内部に樹脂を封入して樹脂封止型半導体装置本体を形成する樹脂封止工程と、
前記複数のアウターリードを前記タイバーから切り離すタイバー切り離し工程とを備える樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム準備工程においては、
前記複数のアウターリードと前記タイバーとの各連結部における各コーナー部のうち前記樹脂封止型半導体装置本体の側に位置する各コーナー部に、当該各コーナー部における前記アウターリードの幅を当該アウターリードの他の部分の幅に比べて狭くするとともに当該コーナーにおける前記タイバーの幅を当該タイバーの他の部分の幅に比べて狭くするような切り欠き部が設けられているリードフレームを準備し、
前記タイバー切り離し工程においては、
一方の側端辺が前記アウターリードの内側でかつ前記切り欠き部に存在するように位置し、他方の側端辺が前記アウターリードの外側に位置し、前記樹脂封止型半導体装置本体の側の端辺となる上端辺が前記切り欠き部に存在するように位置し、前記上端辺とは反対側の下端辺が前記タイバーの下端辺よりも下側に位置するように構成されたパンチ金型を用いて前記タイバーの切り離しを行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは、前記タイバーの上端辺が前記樹脂封止型半導体装置本体の下端面に近接した位置となるように前記タイバーが設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記パンチ金型の上端辺は、前記タイバーの上端辺よりも下側で、かつ前記切り欠き部に存在するように位置することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記切り欠き部は、前記アウターリードの側を当該切り欠き部の始点とし、前記タイバーの側を切り欠き部の終点としたとき、当該切り欠き部の始点から終点までが曲線を描くように形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記曲線は、円弧であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記切り欠き部は、前記アウターリードの側を当該切り欠き部の始点とし、前記タイバーの側を切り欠き部の終点としたとき、前記切り欠き部の始点から切り欠き部の終点までが複数の角部を有する直線を描くように形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記切り欠き部の始点は、前記タイバーの上端辺よりも前記樹脂封止型半導体装置本体側に設定されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体装置であって、
前記樹脂封止型半導体装置本体は、当該樹脂封止型半導体装置本体を正面側又は背面側の少なくとも一方の側から見たとき、当該樹脂封止型半導体装置本体における前記下端面が、前記複数のアウターリードの各付け根部の側から当該下端面の縁部に向かって昇り傾斜となるような傾斜面となっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記樹脂封止型半導体装置本体の前記傾斜面における前記複数のアウターリードの各付け根部には、前記樹脂封止型半導体装置を基板に実装した状態としたときに、前記複数のアウターリードの各付け根部が目視可能となるような外観検査用の切り欠き部が前記樹脂封止型半導体装置本体に形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記外観検査用の切り欠き部は、当該外観検査用の切り欠き部の内部上端面が、前記各付け根部の側から前記外観検査用の切り欠き部の開口部に向かって昇り傾斜となるような傾斜面となっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子及び当該半導体素子が取り付けられるダイパッドなどの半導体素子取り付け部を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置（例えば、非特許文献１参照。）は、各種電子機器に広く用いられている。
【０００３】
図１１は、非特許文献１に開示されている樹脂封止型半導体装置９００の外観構成を示す斜視図である。なお、図１１は外観構成を示す図であるので、内部に存在する半導体素子などは図示されていない。また、図１１に示す樹脂封止型半導体装置９００（従来の樹脂封止型半導体装置９００という。）は、シングルインライン型ブリッジダイオードであるとする。
【０００４】
従来の樹脂封止型半導体装置９００は、図１１に示すように、樹脂封止型半導体装置本体９１０と、外部への接続端子となる複数（４本）のアウターリード（第１アウターリード８２１，８２２及び第２アウターリード８２３，８２４という。）を有する。なお、図１１における符号Ｈは、樹脂封止型半導体装置本体９１０の背面側（図１において紙面の裏側）に図示しない放熱フィンを取り付ける際のネジ通し孔である。また、図１１における符号８３１は、図１では図示されていないタイバーの残存部であり、これについては後述する。
【０００５】
なお、第１アウターリード８２１，８２２及び第２アウターリード８２３，８２４の全体をひとまとめとして説明する場合には、アウターリード８２１〜８２４と表記する場合もある。
【０００６】
図１２は、従来の樹脂封止型半導体装置９００に用いられているリードフレーム８００（従来のリードフレーム８００という。）の構成を示す斜視図である。従来のリードフレーム８００は、概略的には、第１ダイパッド８１１及び第２ダイパッド８１２などからなる半導体素子取り付け部８１０と、外部への接続端子となるアウターリード８２１〜８２４と、アウターリード８２１〜８２４の間を連結するように設けられ、樹脂封止工程においては樹脂の流出を防止する樹脂封止部となるタイバー８３０と、アウターリード８２１〜８２４の各先端部を連結するように設けられ、リードフレーム８００の剛性を保持するための補助バー８４０とを有する。なお、タイバー８３０及び補助バー８４０は最終的にはアウターリード８２１〜８２４から切り離される。
【０００７】
従来の樹脂封止型半導体装置９００は、以下に示すような工程によって製造することができる。なお、以下に示す工程は概略的な工程である。
まず、図１２に示すリードフレーム８００を準備するリードフレーム準備工程を行う。次に、半導体素子（図示せず。）をリードフレーム８００の半導体素子取り付け部８１０（第１ダイパッド８１１及び第２ダイパッド８１２）に取り付ける半導体素子取り付け工程を行ったのち、樹脂封止工程を行う。樹脂封止工程は、半導体素子及び半導体素子取り付け部８１０などを樹脂封止用金型で覆ったのちに、当該樹脂封止用金型の内部に樹脂を封入して樹脂封止型半導体装置本体９１０(図１１参照。)を形成する。そして、アウターリード８２１〜８２４からタイバー８３０及び補助バー８４０を切り離すタイバー切り離し工程を行うことによって、図１１に示すような樹脂封止型半導体装置９００を製造することができる。
【０００８】
図１３は、従来の樹脂封止型半導体装置９００を製造する際のタイバー切り離し工程を説明するために主要部（アウターリード８２１〜８２４及びタイバー８３０の部分）を拡大して示す図である。なお、図１３はパンチ金型Ｐとタイバー８３０及びアウターリード８２１〜８２４との位置関係を示すものであり、樹脂封止型半導体装置本体９１０の内部の構成などは図示が省略されている。また、図１３において図１１及び図１２と同一構成要素には同一符号が付されている。
【０００９】
なお、図１３において、灰色で示す部分は樹脂封止を行った際に、タイバー８３０によりせき止められた樹脂が硬化したものであり、ダムバリとも呼ばれている。すなわち、従来の樹脂封止型半導体装置９００においては、図１３に示すように、樹脂封止型半導体装置本体９１０の下端面９１１とタイバー８３０の上端辺８３０ａとの間には上下方向（矢印ｙ−ｙ’方向）に所定の幅ｗを有する空間部が存在し、この空間部にダムバリ（ＤＢの符号を付す。）が生じる。
【００１０】
そして、アウターリード８２１〜８２４からタイバー８３０を切り離す際は、図１３に示すように、一点鎖線で示すパンチ金型Ｐを用いて、タイバー８３０を切断する。なお、図１３においては、第１アウターリード８２１とタイバー８３０との連結部における図示の右側部のみにおいてタイバー８３０を切り離す場合が図示されているが、他の部分においても同様にタイバー８３０の切り離しを行う。このような切り離し工程を行うことによって、図１１に示すような樹脂封止型半導体装置９００を製造することができる。なお、タイバー８３０の切断は、複数のパンチ金型を用いて複数個所を同時に行うようにすることも可能である。
【００１１】
ところで、図１３に示すようなタイバー切り離し工程によって、タイバー８３０を切り離す際には、ダムバリＤＢもパンチ金型Ｐによって一部が切断されるが、パンチ金型Ｐでは切断されなかったダムバリＤＢが残存する。
【００１２】
また、タイバー切り離し工程を行う際、パンチ金型Ｐを図１３に示すような位置に設定してタイバー８３０を切断すると、タイバー８３０の残存部８３１（タイバー残存部８３１という。）が生じる。このタイバー残存部８３１は、従来の樹脂封止型半導体装置９００においては、パンチ金型Ｐと個々のアウターリード及びタイバー８３０との位置合わせ上の制約などによって生じてしまうものである。
【００１３】
すなわち、図１３に示すように、例えば、第１アウターリード８２１とタイバー８３０との連結部における図示の右側の切断を行う場合、パンチ金型Ｐの左側の側端辺Ｐｄが第１アウターリード８２１の側端辺に沿った線Ｌ０（図中において破線で示す。）に一致するようにパンチ金型Ｐを配置すれば、タイバー残存部８３１が生じることなく、タイバー８３０を切り離すことができる。しかし、アウターリード８２１〜８２４の個々のアウターリードの幅の寸法などに公差があるため、アウターリード８２１〜８２４すべてにおいて正確に側端辺に沿った線Ｌ０で切断することは難しいといった問題がある。このため、従来では、図１３に示すような位置で切断している。
【００１４】
ところで、上記のように製造された樹脂封止型半導体装置９００は、電子機器の基板（図示せず。）に実装する際においては、基板に設けられている取り付け孔にアウターリード８２１〜８２４を挿し込んだのちに、半田付けなどによって固定するのが一般的である。このとき、近年の電子機器の小型化に伴い、樹脂封止型半導体装置においても、基板に実装したときの基板から樹脂封止型半導体装置本体９１０の上端面までの高さ（実装高さという。）をより低くすることが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】製品情報＞半導体製品＞ダイオード＞ブリッジダイオード＞リード挿入型、［online］、新電元工業株式会社、［平成２２年９月１６日検索］、インターネット、＜ＵＲＬ：http://www.shindengen.co.jp/product/semi/list_detail_NEW.php?category_id=01&sub_id=03&product_id=D25JAB80V＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来の樹脂封止型半導体装置９００においては、アウターリード８２１〜８２４を基板に設けられている取り付け孔に挿し込んだとき、タイバー残存部８３１がストッパーの役目をしてしまうため、アウターリード８２１〜８２４の挿し込み量が規制されて、樹脂封止型半導体装置９００の実装高さが高くなってしまうといった課題がある。
【００１７】
これを解決するための一つの方法としては、タイバー８３０の位置をできるだけアウターリード８２１〜８２４の上部（樹脂封止型半導体装置本体９１０に近い側）に設けるようにすることが考えられる。すなわち、樹脂封止型半導体装置本体９１０の下端面９１１とタイバー８３０の上端辺８３０ａとの間に生じる空間部の幅ｗ（図１３参照。）をより小さくするようにタイバー８３０を設けるようにすれば、タイバー残存部８３１も樹脂封止型半導体装置本体９１０により近づくため、樹脂封止型半導体装置９００を基板に実装したときに、樹脂封止型半導体装置９００の実装高さを低くすることができる。
【００１８】
しかしながら、タイバー８３０の位置を樹脂封止型半導体装置本体９１０により近い側に設けると、アウターリード８２１〜８２４からタイバー８３０を切り離す際、パンチ金型Ｐを高精度に配置したとしても、切断対象となる個々の樹脂封止型半導体装置９００の寸法に公差があるため、パンチ金型Ｐの上端辺Ｐａ（図１３参照。）が樹脂封止型半導体装置本体９１０に接触して樹脂封止型半導体装置本体９１０の一部を削ってしまうおそれがある。これを防止するために、パンチ金型Ｐの上端辺Ｐａが樹脂封止型半導体装置本体９１０に接触しないようにパンチ金型Ｐの位置を下方向（図１３におけるｙ’方向）に下げ過ぎると、今度は、タイバー８３０の上端辺８３０ａ付近に切り残しが生じて、アウターリード８２１〜８２４からタイバー８３０を切り離すことができないといった課題が生じてくる。
【００１９】
そこで本発明は、樹脂封止型半導体装置を基板に実装する際の実装高さを従来の樹脂封止型半導体装置に比べて低くすることが可能で、かつ、タイバーの切り離しを行う際に、タイバーを適切に切断することができる樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置用のリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
［１］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体素子を取り付ける半導体素子取り付け部と、外部への接続端子となる複数のアウターリードと、当該複数のアウターリードとの間を連結するように設けられ、樹脂封止工程においては樹脂の流出を防止する樹脂封止部となるタイバーとを有するリードフレームを準備するリードフレーム準備工程と、前記半導体素子を半導体素子取り付け部に取り付ける半導体素子取り付け工程と、前記半導体素子と前記半導体素子取り付け部とを樹脂封止用金型で覆ったのち、当該樹脂封止用金型の内部に樹脂を封入して樹脂封止型半導体装置本体を形成する樹脂封止工程と、前記複数のアウターリードを前記タイバーから切り離すタイバー切り離し工程とを備える樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記リードフレーム準備工程においては、前記複数のアウターリードと前記タイバーとの各連結部における各コーナー部のうち前記樹脂封止型半導体装置本体の側に位置する各コーナー部に、当該各コーナー部における前記アウターリードの幅を当該アウターリードの他の部分の幅に比べて狭くするとともに当該コーナーにおける前記タイバーの幅を当該タイバーの他の部分の幅に比べて狭くするような切り欠き部が設けられているリードフレームを準備し、前記タイバー切り離し工程においては、一方の側端辺が前記アウターリードの内側でかつ前記切り欠き部に存在するように位置し、他方の側端辺が前記アウターリードの外側に位置し、前記樹脂封止型半導体装置本体の側の端辺となる上端辺が前記切り欠き部に存在するように位置し、前記上端辺とは反対側の下端辺が前記タイバーの下端辺よりも下側に位置するように構成されたパンチ金型を用いて前記タイバーの切り離しを行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、アウターリードからタイバーを切り離した状態としたときに、タイバーの残存部が生じないため、アウターリードを基板の取り付け孔に挿し込むことによって樹脂封止型半導体装置を実装する際に、アウターリードの挿し込み量がタイバーの残存部によって規制されることがなくなる。これにより、樹脂封止型半導体装置の実装高さを従来の樹脂封止型半導体装置に比べて低くすることができる。また、リードフレームに上記したような切り欠き部が存在することによって、切り欠き部に対応する部分に空間部が形成されるため、タイバーを切り離すための切断パンチ金型の配置に余裕を持たせることができる。これにより、タイバーの切り離しを行う際に、タイバーを適切に切断することができる。なお、この明細書において、タイバーの上端辺又は側端辺が「切り欠き部に存在する」というのは、タイバーの上端辺又は側端辺の一部が切り欠き部にかかっている状態であることを意味している。
【００２２】
［２］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記リードフレームは、前記タイバーの上端辺が前記樹脂封止型半導体装置本体の下端面に近接した位置となるように前記タイバーが設けられていることが好ましい。
【００２３】
これによって、樹脂封止型半導体装置本体とタイバーとの間に空間部が殆ど存在しない状態となるため、ダムバリの発生を抑制することができる。なお、樹脂封止型半導体装置本体の下端面に近接した位置というのは、樹脂封止型半導体装置本体とタイバーとの間に空間部が全く存在しない状態であってもよいが、樹脂封止用金型の精度などを考慮して、０．０５ｍｍ〜０．１０ｍｍ程度の幅を有する空間部が存在していてもよい。
【００２４】
［３］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記パンチ金型の上端辺は、前記タイバーの上端辺よりも下側かつ前記切り欠き部に存在するように位置することが好ましい。
【００２５】
これにより、樹脂封止型半導体装置本体とタイバーとの間に空間部が殆ど存在しない状態であっても、パンチ金型によってアウターリードからタイバーの切り離しを行ったときに、パンチ金型が樹脂封止型半導体装置本体に接触することがなくなり、パンチ金型によって樹脂封止型半導体装置本体が削られてしまったり、タイバーに切り残しが生じたりすることを防止できる。
【００２６】
［４］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記切り欠き部は、前記アウターリードの側を当該切り欠き部の始点とし、前記タイバーの側を切り欠き部の終点としたとき、当該切り欠き部の始点から終点までが曲線を描くように形成されていることが好ましい。
【００２７】
切り欠き部をこのように形成することによって、前記コーナーにおけるアウターリードの幅を当該アウターリードの他の部分の幅に比べて狭くするとともに前記コーナーにおける前記タイバーの幅を当該タイバーの他の部分の幅に比べて狭くするような切り欠き部を形成することができる。
【００２８】
［５］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記曲線は、円弧であることが好ましい。
切り欠き部を円弧とすることにより、容易かつ適切に切り欠き部を設けることができる。
【００２９】
［６］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記切り欠き部は、前記アウターリードの側を当該切り欠き部の始点とし、前記タイバーの側を切り欠き部の終点としたとき、前記切り欠き部の始点から切り欠き部の終点までが複数の角部を有する直線を描くように形成されていることもまた好ましい。
【００３０】
切り欠き部をこのような形状とすることによっても、前記コーナーにおける前記アウターリードの幅を当該アウターリードの他の部分の幅に比べて狭くするとともに前記コーナーにおける前記タイバーの幅を当該タイバーの他の部分の幅に比べて狭くするような切り欠き部を形成することができる。
【００３１】
［７］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記切り欠き部の始点は、前記タイバーの上端辺よりも前記樹脂封止型半導体装置本体側に設定されていることが好ましい。
【００３２】
切り欠き部の始点をこのように設定することにより、アウターリードからタイバーを切り離した状態としたときに前記コーナーにおけるアウターリードの幅を当該アウターリードの他の部分の幅に比べて狭くすることができる。このため、アウターリードを基板の取り付け孔に挿し込んだとき、アウターリードの付け根部までアウターリードを挿し込むことができ、それによって、樹脂封止型半導体装置の実装高さを従来の樹脂封止型半導体装置に比べて低くすることができる。
【００３３】
［８］本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体装置であって、前記樹脂封止型半導体装置本体は、当該樹脂封止型半導体装置本体を正面側又は背面側の少なくとも一方の側から見たとき、当該樹脂封止型半導体装置本体における前記下端面が、前記複数のアウターリードの各付け根部の側から当該下端面の縁部に向かって昇り傾斜となるような傾斜面となっていることを特徴とする。
【００３４】
本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、複数のアウターリードを基板に挿し込むことによって樹脂封止型半導体装置を実装した状態としたときに、複数のアウターリードの各付け根部が外部から目視できるようになる。これによって、樹脂封止型半導体装置の外観検査すなわち複数のアウターリードが基板に対して適切に差し込まれた状態となっているか否かの検査がし易くなる。なお、複数のアウターリードが基板に対して適切に差し込まれた状態となっているか否かの検査を「実装状態の検査」という。
【００３５】
［９］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記樹脂封止型半導体装置本体の前記傾斜面における前記複数のアウターリードの各付け根部には、前記樹脂封止型半導体装置を基板に実装した状態としたときに、前記複数のアウターリードの各付け根部が目視可能となるような外観検査用の切り欠き部が前記樹脂封止型半導体装置本体に形成されていることが好ましい。
【００３６】
このように、樹脂封止型半導体装置本体は、下端面が傾斜面となっていることに加えて、当該傾斜面におけるアウターリードの各付け根部に外観検査用の切り欠き部が形成されていることにより、実装状態の検査をより確実に行うことができる。
【００３７】
［１０］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記外観検査用の切り欠き部は、当該外観検査用の切り欠き部の内部上端面が、前記各付け根部の側から前記外観検査用の切り欠き部の開口部に向かって昇り傾斜となるような傾斜面となっていることが好ましい。
【００３８】
外観検査用の切り欠き部がこのような構成となっていることにより、検査者は、実装後の樹脂封止型半導体装置を斜め上方から見るだけで、実装状態の検査を適切に行うことができ、実装状態の検査の効率化を図ることができる。検査者は実装後の樹脂封止型半導体装置を斜め上方から見るだけで、実装状態の検査を行うことができ、実装状態の検査の効率化を図ることができる。
【００３９】
［１１］本発明のリードフレームは、半導体素子を取り付ける半導体素子取り付け部と、外部への接続端子となる複数のアウターリードと当該複数のアウターリードとの間を連結するように設けられ、樹脂封止工程においては樹脂の流出を防止する樹脂封止部となるタイバーとを有する樹脂封止型半導体装置用のリードフレームであって、前記複数のアウターリードと前記タイバーとの各連結部における各コーナー部のうち前記樹脂封止型半導体装置本体の側に位置する各コーナー部に、当該各コーナーにおける前記アウターリードの幅を当該アウターリードの他の部分の幅に比べて狭くするとともに当該コーナーにおける前記タイバーの幅を当該タイバーの他の部分の幅に比べて狭くするような切り欠き部が設けられていることを特徴とする。
【００４０】
このようなリードフレームを用いて、前記［１］〜［７］のいずれかの樹脂封止型半導体装置の製造方法によって樹脂封止型半導体装置を製造することにより、前記［１］〜［７］のいずれかの樹脂封止型半導体装置の製造方法において述べた効果と同様の効果を得ることができる。なお、本発明のリードフレームにおいても、前記［２］、［４］〜［７］と同様の特徴を有することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態１に係るリードフレーム１００の構成を説明するために示す図である。
【図２】切り欠き部Ｃの寸法を説明するために示す図である。
【図３】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
【図４】樹脂封止工程において用いる樹脂封止用金型Ｍの内部における樹脂封止型半導体装置本体２１０とタイバー１３０との位置関係を模式的に示す断面図である。
【図５】タイバー切り離し工程を説明するために示す図である。
【図６】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００の外観構成を示す図である。
【図７】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００を基板６００に実装した場合の実装高さを従来の樹脂封止型半導体装置と比較するために示す図である。
【図８】複数のリードフレームが連なった状態を示す図である。
【図９】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２を説明するために示す図である。
【図１０】切り欠き部Ｃの変形例を説明するために示す図である。
【図１１】非特許文献１に開示されている樹脂封止型半導体装置９００の外観構成を示す斜視図である。
【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置９００に用いられているリードフレーム８００の構成を示す斜視図である。
【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置９００を製造する際のタイバー切り離し工程を説明するために主要部を拡大して示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、シングルインライン型ブリッジダイオードを例に説明を行う。
【００４３】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係るリードフレーム１００の構成を説明するために示す図である。なお、図１に示すリードフレーム１００は、１個の樹脂封止型半導体装置に対応するリードフレームである。
【００４４】
実施形態１に係るリードフレーム１００は、図１に示すように、半導体素子取り付け部１１０と、外部への接続端子となる複数（４本）のアウターリード（第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４という。）と、当該第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４の各リード間を連結するように設けられ、樹脂封止工程においては樹脂の流出を防止する樹脂封止部となるタイバー１３０と、第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４の各先端部を連結するように設けられ、リードフレーム１００の剛性を保持するための補助バー１４０とを有する。なお、タイバー１３０及び補助バー１４０は最終的にはアウターリード（第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４）から切り離される。
【００４５】
なお、実施形態１及び後述する実施形態２の説明においても、第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４の全体をひとまとめとして説明する場合には、アウターリード１２１〜１２４と表記する場合もある。
【００４６】
半導体素子取り付け部１１０は、第１ダイパッド１１１と第２ダイパッド１１２とを有する。第１ダイパッド１１１は、各々が１つの半導体素子（図１においては図示せず。）を載置する２つの半導体素子載置面１１１ａ，１１１ｂ及びこれら半導体素子載置面１１１ａ，１１１ｂを連結する第１連結部１１１ｃを有する。第２ダイパッド１１２は、各々が１つの半導体素子（図１においては図示せず。）を載置する２つの半導体素子載置面１１２ａ，１１２ｂ及びこれら半導体素子載置面１１２ａ，１１２ｂを連結する第２連結部１１２ｃを有する。
【００４７】
また、第１アウターリード１２１，１２２のうちの第１アウターリード１２１は、第１ダイパッド１１１と一体に形成され、先端部が矢印ｙ’方向に延在するように設けられている。また、第１アウターリード１２１，１２２のうちの第１アウターリード１２２は第２ダイパッド１１２と一体に形成され、先端部が図示の矢印ｙ’方向に延在するように設けられる。
【００４８】
一方、第２アウターリード１２３，１２４のうちの第２アウターリード１２３は、第２ダイパッド１１２とは離隔して配置されるとともに後端側に接続部１２３ａを有し、先端側が矢印ｙ’方向に延在するように配置される。また、第２アウターリード１２３，１２４のうちの第２アウターリード１２４は、第１ダイパッド１１１とは離隔して配置されるとともに後端側に接続部１２４ａを有し、先端側が矢印ｙ’方向に延在するように配置される。
【００４９】
また、タイバー１３０は、第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４に直交する方向に設けられ、第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４と一体に形成されている。そして、タイバー１３０と第１アウターリード１２１，１２２及び第２アウターリード１２３，１２４のそれぞれの連結部における矢印ｙ方向側（半導体素子取り付け部１１０側）の各コーナーには切り欠き部Ｃがそれぞれ形成されている。図１における破線円Ａ内に第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部の拡大図が示されている。なお、他の連結部も同様の構成となっている。
【００５０】
また、タイバー１３０は、半導体素子取り付け部１１０側に可能な限り近い位置に設けられる。具体的には、後述する樹脂封止工程によって樹脂封止型半導体装置本体２１０（図３（ｄ）参照。）が形成されたときに、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面に近接した位置にタイバー１３０が設けられる。これについては詳細を後述する。
【００５１】
切り欠き部Ｃは、第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部を例にとって説明すると、破線円Ａ内に示すように、切り欠き部Ｃにおけるタイバー１３０の幅が当該タイバー１３０の他の部分の幅ａに比べて狭くなるようにタイバー１３０を切り欠くことによって形成されるとともに、切り欠き部Ｃにおける第１アウターリード１２１の幅が当該第１アウターリード１２１の他の部分の幅ｂに比べて狭くなるように第１アウターリード１２１を切り欠くことによって形成されている。このような切り欠き部Ｃは、他の連結部においても同様に形成されている。
【００５２】
すなわち、切り欠き部Ｃは、同じく第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部を例にとって説明すると、第１アウターリード１２１の側を当該切り欠き部Ｃの始点Ｐｓとし、タイバー１３０の側を切り欠き部Ｃの終点Ｐｅとしたとき、当該切り欠き部Ｃの始点Ｐｓから終点Ｐｅまでが曲線（円弧とする。）を描くように切り欠くことによって形成されている。これは、他の連結部においける切り欠き部Ｃにおいても同様である。
【００５３】
図２は、切り欠き部Ｃの寸法を説明するために示す図である。図２においても、第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部における切り欠き部Ｃについて説明する。なお、実施形態１に係るリードフレーム１００においては、タイバーの幅ａは、０．８ｍｍ、アウターリード１２１〜１２４（図２においては第１アウターリード１２１）の幅ｂは、それぞれ１．０ｍｍとしている。
【００５４】
このような幅を有する第１アウターリード１２１及びタイバー１３０において、切り欠き部Ｃにおけるタイバー１３０の上端辺の延長線Ｌ１から切り欠き部Ｃの最深部までの深さｃは０．２ｍｍとし、第１アウターリード１２１の側端辺の延長線Ｌ０から切り欠き部Ｃの最深部までの深さｄも０．２ｍｍとしている。なお、このような各部の寸法（ａ＝０．８ｍｍ、ｂ＝１．０ｍｍ、ｃ＝ｄ−０．２ｍｍ）は、一例であって、これに限定されるものではない。
【００５５】
図２においては、第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部における切り欠き部Ｃの寸法について説明したが、他の連結部における切り欠き部Ｃも同様の寸法を有する。なお、このような切り欠き部Ｃを設けることにより得られる効果などについては後述する。
【００５６】
図３は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。なお、図３においては樹脂封止工程までが示されている。
図３（ａ）はリードフレームを準備するリードフレーム準備工程であり、ここで準備されるリードフレームは、図１に示すリードフレーム１００である。なお、図２においては、図面を簡素化するために一部の符号が省略されている。
【００５７】
図３（ｂ）及び図３（ｃ）は半導体素子を取り付ける半導体素子取り付け工程を示す図である。半導体素子取り付け工程は、図３（ｂ）に示すように、第１ダイパッド１１１の半導体素子載置面１１１ａ，１１１ｂに、半導体素子（ダイオード）１５１，１５２を載置した状態で固定するとともに第２ダイパッド１１２の半導体素子載置面１１２ａ，１１２ｂに、半導体素子（ダイオード）１５３，１５４を載置して固定する。
【００５８】
続いて、図３（ｃ）に示すように、第１連結接続子１６１の一方端を半導体素子１５２，１５３に接続するとともに他方端を第２アウターリード１２４の接続部１２４ａに接続して、半導体素子１５２，１５３と第２アウターリード１２４とを電気接続する。また、第２連結接続子１６２の一方端を半導体素子１５１，１５４に接続するとともに他方端を第２アウターリード１２３の接続部１２３ａに接続して、半導体素子１５１，１５４と第２アウターリード１２３とを電気接続する。
【００５９】
次に、樹脂封止工程を行う。樹脂封止工程は、図３（ｄ）に示すように、第１ダイパッド１１１及び第２ダイパッド１１２、各半導体素子１５１〜１５４、第１連結接続子１６１及び第２連結接続子１６２などを樹脂封止用金型Ｍ（図４参照。）で覆ったのち、型Ｍの内部に樹脂を封入して封入した樹脂を硬化させる。なお、図３（ｄ）における符号２１０は、樹脂が硬化することによって形成された樹脂封止型半導体装置本体を示しており、また、符号Ｈは、樹脂封止型半導体装置本体２１０の背面側に図示しない放熱フィンを取り付ける際の放熱フィン取り付け用ネジを通すためのネジ通し孔を示している。
【００６０】
ところで、上記したように、実施形態１に係るリードフレーム１００においては、タイバー１３０は、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面に近接した位置に存在するように設けられている。このため、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１（図５参照。）とタイバー１３０の上端辺１３０ａ（図５参照。）との間には空間部が殆ど形成されない。これにより、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、樹脂封止工程を行った際にダムバリＤＢは殆ど生じない。
【００６１】
図４は、樹脂封止工程において用いる樹脂封止用金型Ｍの内部における樹脂封止型半導体装置本体２１０とタイバー１３０との位置関係を模式的に示す断面図である。なお、図４は、樹脂封止用金型Ｍの内部における樹脂封止型半導体装置本体２１０とタイバー１３０との位置関係を模式的に示す図であるので、樹脂封止型半導体装置本体２１０内に存在する半導体素子及びアウターリード１２１〜１２４などの構成要素は図示を省略してある。また、図４において、ハッチングを施した部分は型であり、上型Ｍ２と下型Ｍ１とを有している。このような樹脂封止用金型Ｍを用いて樹脂封止工程を行う。なお、樹脂封止工程の各工程については図示及び詳細な説明は省略するが、概略的には、半導体素子の取り付けが終了したリードフレーム１００（図３（ｃ）参照。）を下型Ｍ１に収納したのち、上型Ｍ２を下型Ｍ１に合致させた状態として、下型Ｍ１と上型Ｍ２と間に形成される空間部に樹脂を封入して、封入した樹脂を硬化させる。
【００６２】
図４において、灰色（網掛け）で示す部分は樹脂封止型半導体装置本体２１０及びタイバー１３０である。図４に示すように、タイバー１３０は樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１に近接した位置となるため、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１とタイバー１３０の上端辺１３０ａとの間には空間部が殆ど形成されず、ダムバリは殆ど生じない。
【００６３】
なお、図４の例では、樹脂封止型半導体装置本体２１０とタイバー１３０との間は空間部が全く存在しない状態が示されている。このように、樹脂封止型半導体装置本体２１０とタイバー１３０との間は空間部が全く存在しないことが好ましいが、実際には、樹脂封止用金型Ｍの精度、リードフレーム１００の加工精度、樹脂封止用金型Ｍ内に配置されるアウターリード１２１〜１２４の配置精度などを考慮して、わずか（０．０５ｍｍ〜０．１０ｍｍ程度）の幅ｗ（図１３参照。）を有する空間部が形成されるようにしている。
【００６４】
そして、図３（ｄ）に示した樹脂封止工程が終了すると、次に、タイバー１３０の切り離しを行うタイバー切り離し工程を行う。なお、タイバー切り離し工程には、タイバー１３０をアウターリード１２１〜１２４から切り離すとともに、補助バー１４０をアウターリード１２１〜１２４から切り離す工程が含まれている。
【００６５】
図５は、タイバー切り離し工程を説明するために示す図である。なお、図５においては、アウターリード１２１〜１２４とタイバー１３０との複数の連結部のうちの１つの連結部（第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部とする。）を拡大して示す図である。図５（ａ）は第１アウターリード１２１からタイバー１３０を切り離す前の状態を示す図であり、図５（ｂ）は第１アウターリード１２１からタイバー１３０を切り離した後の状態を示す図である。また、図５においては、切り欠き部Ｃを図示の左側から順に切り欠き部Ｃ１，Ｃ２として説明する。
【００６６】
タイバー切り離し工程は、図示の一点鎖線で示す矩形状のパンチ金型Ｐを図５（ａ）に示す位置に設定して切断を行う。このとき、切り欠き部Ｃ１においては、パンチ金型Ｐの上端辺Ｐａがタイバー１３０の上端辺１３０ａの延長線Ｌ１よりも下側（矢印ｙ’方向側）で、かつ切り欠き部Ｃ１に存在するように位置し、パンチ金型Ｐの下端辺Ｐｂがタイバー１３０の下端辺１３０ｂよりも下側に位置し、パンチ金型Ｐの一方の側端辺Ｐｃが第１アウターリード１２１の内側で、かつ切り欠き部Ｃ１に存在するように位置し、他方の側端辺Ｐｄが第１リー１２１の外側に位置するようにパンチ金型Ｐを配置させた状態で切断を行う。
【００６７】
また、切り欠き部Ｃ２側においては、パンチ金型Ｐの上端辺Ｐａがタイバー１３０の上端辺１３０ａの延長線Ｌ１よりも下側で、かつ切り欠き部Ｃ２に存在するように位置し、パンチ金型Ｐの下端辺Ｐｂがタイバー１３０の下端辺１３０ｂよりも下側に位置し、パンチ金型Ｐの一方の側端辺Ｐｃがアウターリード１２１の外側に位置するようにパンチ金型Ｐを配置し、他方の側端辺Ｐｄが第１アウターリード１２１の内側で、かつ切り欠き部Ｃ２に存在するように位置するようにパンチ金型Ｐを配置させた状態で切断を行う。
【００６８】
図５（ｂ）は図５（ａ）に示すようにパンチ金型を配置してタイバー１３０を切断したあとの状態を示す図である。なお、タイバー１３０の切断は、１つのパンチ金型Ｐを用いて切り欠き部Ｃ１，Ｃ２を順番に行うことも可能であり、また、それぞれの切断位置に対応して用意された複数のパンチ金型を用いて同時に行うことも可能である。図５においては、第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部におけるタイバー１３０の切り離しについて説明したが、他の連結部においても同様にタイバーの切り離しを行うことができる。
【００６９】
リードフレーム１００に上記したような切り欠き部Ｃを形成することによって、図５に示すようなタイバー１３０の切り離しを行う際は、切り欠き部Ｃに対応する部分が空間部となることにより、パンチ金型Ｐの配置に余裕を持たせることができる。このため、パンチ金型Ｐが樹脂封止型半導体装置本体２１０を削ってしまったり、タイバー１３０の上端辺付近に切り残しが生じてしまったりするといった問題を解決することができる。
【００７０】
ところで、実施形態１に係るリードフレーム１００においては、タイバー１３０は樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１に近接した位置に存在するように設けられている。このため、樹脂封止工程を行ったときに、樹脂封止型半導体装置本体２１０とタイバー１３０との間には、ダムバリは殆ど生じないが、切り欠き部Ｃに対応する空間部にダムバリが生じる可能性がある。
【００７１】
しかし、切り欠き部Ｃに対応する空間部は、ごくわずかな空間部であるので、ダムバリの量もごくわずかであり、また、パンチ金型Ｐによるタイバー１３０の切り離しを行う際に、切り欠き部Ｃに対応する空間部に生じたダムバリの殆どが同時に切断される。仮に、切り離しを行った後においてダムバリが多少残存したとしても、残存するダムバリはごくわずかであるので容易に除去することができる。
【００７２】
以上のような工程を経ることによって実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００を製造することができる。
【００７３】
図６は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００の外観構成を示す図である。また、図７は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００を基板６００に実装した場合の実装高さを従来の樹脂封止型半導体装置９００と比較するために示す図である。実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００の外観構成は、図６に示すように、樹脂封止型半導体装置本体２１０と、アウターリード１２１〜１２４とを有する。
【００７４】
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００は、パンチ金型Ｐによってタイバー１３０の切り離し工程を行ったあとにおいて、アウターリード１２１〜１２４とタイバー１３０との連結部には、従来のようなタイバー残存部８３１（図１１参照。）が存在せず、しかも、当該連結部は個々のアウターリード１２１〜１２４の他の部分よりも狭くなっている（図６参照。）。
【００７５】
このため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００を基板６００に実装した場合、図７に示すように、樹脂封止型半導体装置２００の下端面２１１が基板６００に接する状態となるまでアウターリード１２１〜１２４を基板６００に挿し込むことができる。それによって、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００は、従来の樹脂封止型半導体装置９００に比べて、タイバー残存部８３１が存在しない分（この例においてはΔｈ）だけ実装高さを低くすることができる。
【００７６】
ところで、以上は１つの樹脂封止型半導体装置２００を製造する場合についての説明であったため、リードフレーム１００も１つの樹脂封止型半導体装置２００に対応するリードフレームを例示したが、実際には、リードフレームは複数のリードフレームが連なった状態となっている。
【００７７】
図８は、複数のリードフレームが連なった状態を示す図である。図８においては、４個分のリードフレーム（リードフレーム１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄとする。）が存在する場合を例示している。
【００７８】
このように、複数のリードフレームが連なった状態となっている場合、対向する位置に存在するリードフレーム（図８においては、リードフレーム１００Ａとリードフレーム１００Ｂ、リードフレーム１００Ｃとリードフレーム１００Ｄ）は、自身のタイバーが対向するリードフレームにおいては図１に示した補助バー１４０の役目をなしている。すなわち、リードフレーム１００Ｂのタイバー１３０は、リードフレーム１００Ａの補助バー１４０（図１参照。）の役目をなし、リードフレーム１００Ｂのタイバー１３０はリードフレーム１００Ａの補助バー（図１参照。）の役目をなしている。これは、リードフレーム１００Ｃ及びリードフレーム１００Ｄにおいても同様の構成となっている。
【００７９】
なお、各リードフレーム１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄにおいても、アウターリード１２１〜１２４とタイバー１３０との各連結部には、切り欠き部Ｃがそれぞれに形成されている。そして、各リードフレーム１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄにおいて、図３（ａ）〜（ｄ）に示すような工程を行ったあと、各リードフレーム１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄにおいて、図５で説明したタイバー切り離し工程を行うことによって、複数の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【００８０】
［実施形態２］
図９は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２の構成を示す図である。図９（ａ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２を基板６００に実装した状態とした場合の正面図であり、図９（ｂ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２を基板６００に実装した状態とした場合の側面図である。なお、図９（ｂ）は一部が断面として示されている。また、図９（ｂ）においては、図示における左側を正面側とし、図示の右側を背面側とする。
【００８１】
また、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２は、樹脂封止型半導体装置本体２１０の外観形状が異なる以外は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置２００と同様の構成となっており、また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法と同様の工程で製造することができる。
【００８２】
実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２は、図９に示すように、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１、上端面２１２及び各々の側端面２１３，２１４は、傾斜面となっている。この傾斜面は、樹脂封止工程において、ここでは図示しない型に樹脂を封入して樹脂封止型半導体装置本体２１０を形成した後に、樹脂封止型半導体装置本体２１０から上型及び下型を取り外せるような傾斜面となっている。なお、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２においては、特に、下端面２１１が傾斜面となっていることが重要であるので、下端面２１１について説明する。
【００８３】
下端面２１１は、樹脂封止型半導体装置本体２１０におけるアウターリード１２１〜１２４の各付け根部の付近を境として、正面側の縁部に向かって上昇するような傾斜面と背面側の縁部に向かって上昇するような傾斜面とを有している。なお、正面側の縁部に向かって上昇するような傾斜面を正面側傾斜面２１１ａとし、背面側の縁部に向かって上下方向の位置が徐々に高くなるよう傾斜面を背面側傾斜面２１１ｂとする。
【００８４】
また、下端面２１１における一方の傾斜面（正面側傾斜面２１１ａとする。）のアウターリード１２１〜１２４の各付け根部には、外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４が形成されている。この外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４は、アウターリード１２１〜１２４を基板６００に挿し込むことによって樹脂封止型半導体装置２０２を基板６００に実装した状態としたときに、アウターリード１２１〜１２４の各付け根部を容易に目視できるようにするためのものである。また、外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４は、当該外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４の各上端面２２１ａ〜２２４ａが、当該外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４の開口部側からアウターリード１２１〜１２４の各付け根部に向かって下降するような傾斜面となっている。
【００８５】
このように、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１が傾斜面となっていることによって、樹脂封止型半導体装置２０２を実装した状態としたときに、アウターリード１２１〜１２４の各付け根部を外部から目視することができるようになる。これによって、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２０２は、外観検査すなわち複数のアウターリードが基板に対して適切に差し込まれた状態となっているか否かの検査（実装状態の検査）がし易くなる。
【００８６】
また、樹脂封止型半導体装置本体２１０の下端面２１１が傾斜面となっていることに加えて、アウターリード１２１〜１２４の各付け根部に外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４が形成されていることにより、実装状態の検査をより確実に行うことができる。
しかも、外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４の各上端面２２１ａ〜２２４ａが、開口部側からアウターリード１２１〜１２４の各付け根部に向かって下降するような傾斜面となっているため、樹脂封止型半導体装置２０２を基板に実装した状態において実装状態を検査する際に、検査者は、実装後の樹脂封止型半導体装置２０２を斜め上方から見るだけで、実装状態の検査を適切に行うことができ、実装状態の検査の効率化を図ることができる。
【００８７】
特に、本発明の樹脂封止型半導体装置のように、タイバー１３０が樹脂封止型半導体装置本体２１０に近接した状態で設けられている場合においては、樹脂封止型半導体装置を基板に実装した状態としたときのアウターリード１２１〜１２４の基板に対する実装状態を容易に確認することができる。
【００８８】
なお、本発明は上記した実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記（１）〜（５）に示すような変形実施も可能である。
【００８９】
（１）上記した各実施形態では、切り欠き部Ｃは、切り欠き部Ｃの始点Ｐｓから切り欠き部Ｃの終点Ｐｅまでが円弧を描くように形成されたものとしたが、円弧ではなく、楕円などの曲線を描くものであってもよく、また、切り欠き部Ｃの始点Ｐｓから切り欠き部Ｃの終点Ｐｅまでが複数の角部を有する直線で形成されたものであってもよい。
【００９０】
図１０は、切り欠き部Ｃの変形例を説明するために示す図である。図１０に示す切り欠き部Ｃは、ある一つの連結部（第１アウターリード１２１とタイバー１３０との連結部とする。）に設けられる切り欠き部Ｃを示す図である。図１０に示すように、切り欠き部Ｃの始点Ｐｓから切り欠き部Ｃの終点Ｐｅまでが９０度の角部を３個有する直線で形成されたものである。図１０に示すような切り欠き部Ｃを形成した場合、パンチ金型Ｐを図１０における一点鎖線で示すように配置して、タイバー１３０を切断することにより、タイバー１３０を切り離すことができる。切り欠き部Ｃを図１０に示すような形状とすることによっても、上記した各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９１】
（２）上記した各実施形態においては、樹脂封止型半導体装置としてシングルインライン型ブリッジダイオードを例にとって説明したが、シングルインライン型ブリッジダイオードに限られるものではなく、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、サイリスターなどの３端子の樹脂封止型半導体装置にも本発明を適用することができる。
【００９２】
（３）上記した各実施形態においては、連結接続子として、板状の金属部材から作製し連結接続子１６１，１６２を用いたが、これに限定されるものではなく、連結接続子として、ワイヤー状の連結接続子を用いてもよい。この場合、半導体素子１５１，１５４と第２アウターリード１２３との接続及び半導体素子１５２，１５３と第２アウターリード１２４との接続をそれぞれワイヤーボンディングの手法で接続することができる。
【００９３】
（４）上記した実施形態２においては、樹脂封止型半導体装置本体の下端面２１１、上端面２１２及び各々の側端面２１３，２１４をそれぞれ傾斜面としたが、傾斜面とするのは下端面２１１だけであってもよく、しかも、下端面２１１において外観検査を行う際に検査者の視線方向に対向する側のみを傾斜面とすればよい。例えば、樹脂封止型半導体装置本体２１０を正面側から見て外観検査を行う場合には、図９の例においては、正面側傾斜面２１１ａのみを形成して、当該正面側傾斜面２１１ａに外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４を形成すればよい。また、樹脂封止型半導体装置本体２１０を背面側から見て外観検査を行う場合には、背面側傾斜面２１１ｂのみを形成して、当該背面側傾斜面２１１ｂに外観検査用の切り欠き部２２１〜２２４を形成すればよい。
【００９４】
（５）本発明のリードフレームは、上記各実施形態において説明した構成のリードフレーム１００に限られるものではなく、タイバーを有するリードフレームであれば種々の構成のリードフレームであってもよい。
【符号の説明】
【００９５】
１００・・・リードフレーム、１１０・・・半導体素子取り付け部、１１１・・・第１ダイパッド、１１２・・・第２ダイパッド、１２１，１２２・・・第１アウターリード、１２３，１２４・・・第２アウターリード、１３０・・・タイバー、１４０・・・補助バー、２００・・・樹脂封止型半導体装置、２１０・・・樹脂封止型半導体装置本体、２１１・・・下端面、２２１〜２２４・・・外観検査用の切り欠き部、Ｃ（Ｃ１，Ｃ２）・・・切り欠き部、Ｍ・・・型、Ｐ・・・パンチ金型、Ｐａ・・・パンチ金型の上端辺、Ｐｂ・・・パンチ金型の下端辺、Ｐｃ，Ｐｄ・・・パンチ金型の側端辺、Ｌ０・・・アウターリードの側端辺の延長線、Ｌ１・・・ダイバーの上端辺の延長線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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