(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナと、
前記アンテナに接続され、ｎ段（ｎは２以上の自然数）のチャージポンプを有する昇圧回路と、
前記昇圧回路からの出力電圧が入力される論理回路と、を有し、
前記ｎ段のチャージポンプは、それぞれ、容量素子とダイオードとを有し、
前記ｎ段のチャージポンプの各出力電圧は参照電圧と比較され、
前記比較した結果に基づいて、いずれかの段の前記チャージポンプの出力電圧が前記論路回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アンテナと、
前記アンテナに接続され、ｎ段（ｎは２以上の自然数）のチャージポンプ及び前記ｎ段のチャージポンプの間に設けられたスイッチを有する昇圧回路と、
前記昇圧回路からの出力電圧が入力される論理回路と、を有し、
前記スイッチは、前記ｎ段のチャージポンプの各間に設けられ、
前記ｎ段のチャージポンプは、それぞれ、容量素子とダイオードとを有し、
前記ｎ段のチャージポンプの各出力電圧は参照電圧と比較され、
前記比較した結果に基づいて前記スイッチのオン又はオフが選択され、いずれかの段のチャージポンプの出力電圧が前記論路回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置を有することを特徴とするＩＣラベル、ＩＣタグ、ＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関する。特に無線通信によりデータの交信が可能な半導体装置、所
謂ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用ＩＣ
チップ（ＩＤチップ、トランスポンダともいう）に関する。
【０００２】
なお、ここでいう半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指
すものとする。
【背景技術】
【０００３】
近年、ユビキタス情報社会と言われるように、いつ、どのような状態でも情報ネットワー
クにアクセスできる環境整備がなされている。このような環境の中、個々の対象物にＩＤ
（個体識別番号）を与えることで、その対象物の履歴を明確にし、生産、管理に役立てる
といった個体認識技術が実用化に向けて研究が行われている。その中でも、無線通信によ
り、外部通信装置（以下、通信装置という。またリーダライタ、コントローラ、インテロ
ゲータ、質問器ともいわれる）とデータの交信をおこなう、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術を利用した半導体装置（以下、半
導体装置という。またＩＤチップ、ＩＣチップ、トランスポンダともいわれる）が普及し
始めている。
【０００４】
半導体装置は、アンテナより、通信装置より送信された無線信号を受信する。アンテナは
、無線信号を受信することで、交流電圧の信号（以下、交流信号という）を生成する。交
流信号は、整流化が行われる整流回路により直流電圧の信号（以下、直流信号という）に
変換される。直流信号は、定電圧回路（レギュレータ、または電源回路ともいう）に入力
され、電源電圧Ｖｄｄが生成される。定電圧回路で生成された電源電圧Ｖｄｄは、半導体
装置を構成する複数の回路に供給される。
【０００５】
特許文献１には、アンテナで受信する無線信号のエネルギー効率を高めるため、チャージ
ポンプ方式の昇圧回路によって直流信号を昇圧し、充放電回路において電力が蓄積させた
後に、ＲＦ送信回路に供給する構成について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−４３５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体装置はアンテナで無線信号を受信することで生成される電荷を保持するのに容量素
子を設ける構成をとる。半導体装置において容量素子を設ける構成とすることは電源安定
化、電力蓄積に有効な手段である。電源安定化のために容量素子を用いる場合、保持する
電荷量を多くするには容量素子の面積を大きくするか、容量素子における保持電圧を高く
する必要がある。実際に半導体装置に組み込む時には、できる限り小面積で作製すること
がコスト、用途、消費電力の面で優位になる。電荷保持量の増加を行うためにチャージポ
ンプによる昇圧を行い、高電圧下で電荷を容量素子に蓄える方法が考えられる。
【０００８】
特許文献１に記載のチャージポンプ方式による昇圧回路は、昇圧回路の最終段の電圧が出
力される。そのため昇圧回路に入力する電力が定まると、出力電圧は一意に決まる。しか
しながら、入力される電圧により出力電圧が一意に決まる関係は、入力電力が変化する半
導体装置では扱いが困難である。半導体装置はリーダ／ライタとの距離ｒが変化すること
で、通信装置から供給される電力は凡そＰ∝１／ｒ４で変化する。無線通信によりデータ
の交信が可能な半導体装置は一般的な電子機器とは異なり、一定の電力を供給される環境
下で使用されるものではなく、通信距離に応じて供給電力の変化する環境下での使用が主
である。
【０００９】
半導体装置は、供給電力に依存して回路内で生成される電源電圧を決定する。通信装置と
半導体装置の距離が近い場合、生成される電源回路への供給電圧は高くなる。一方で、通
信装置と半導体装置の距離が離れるにつれて生成される電源回路への供給電圧は低くなる
。このように半導体装置の生成電圧は、半導体装置と通信装置の距離に依存したばらつき
がある。通常、昇圧回路の出力は最終段のみにしか設けられていないため、任意の入力電
力に対して一意の出力電圧に定まる。本発明は、供給される電力を効率的に用いるための
チャージポンプ方式の昇圧回路を具備し、通信装置との通信距離が大きくなっても動作す
ることのできる半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、供給される電力を効率的に用いるために複数のチャージポンプより構成される
昇圧回路を具備する半導体装置において、当該昇圧回路の出力段を調整する機構を具備す
ることを特徴とする。具体的には、本発明の半導体装置は、アンテナと、ダイオード及び
容量素子より構成される複数のチャージポンプと、当該チャージポンプ間に設けられたス
イッチとを具備する昇圧回路と、参照電圧を生成する参照電圧源回路と、コンパレータを
有する電圧比較回路と、を有し、昇圧回路が具備する複数のチャージポンプの各々の出力
電圧を、コンパレータを用いて参照電圧と比較する。参照電圧と昇圧回路が具備する複数
のチャージポンプの各々の出力電圧の大小関係により、コンパレータの出力信号に基づい
て昇圧回路のスイッチのオン又はオフを切り替えて出力を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体装置は、供給される電力を効率的に用いるためのチャージポンプ方式の昇
圧回路を具備することにより、通信装置との通信距離が大きくなっても動作することがで
きる。昇圧回路が、少ないチャージポンプの段数で昇圧を完了する場合、所望の昇圧を行
ったチャージポンプの段数より後段を使用しない。昇圧回路は必要とされる出力電圧以上
の昇圧を行わないため、昇圧回路は昇圧動作時に電力の損失を最小限に止めることができ
、昇圧回路の最適化、消費電力の削減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１を説明するための図。
【図２】実施の形態１を説明するための図。
【図３】実施の形態１を説明するための図。
【図４】実施の形態１を説明するための図。
【図５】実施の形態１を説明するための図。
【図６】実施の形態１を説明するための図。
【図７】実施の形態１を説明するための図。
【図８】実施の形態１を説明するための図。
【図９】実施の形態１を説明するための図。
【図１０】実施の形態２を説明するための図。
【図１１】実施の形態２を説明するための図。
【図１２】実施の形態２を説明するための図。
【図１３】実施の形態２を説明するための図。
【図１４】実施の形態３を説明するための図。
【図１５】実施の形態３を説明するための図。
【図１６】実施の形態４を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施の形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、
本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうるこ
とは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の半導体装置の構成について、図１に示すブロック図を用いて説明する。なお本実
施の形態においては、無線通信によりデータの交信が可能な半導体装置、所謂ＲＦＩＤ（
Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用ＩＣチップ（ＩＤ
チップ、ＩＣチップ、トランスポンダともいう）として利用する場合について説明する。
【００１５】
図１の半導体装置１００は、アンテナ１１０、昇圧回路１０１、参照電圧源回路１０２、
電圧比較回路１０３、スイッチコントローラ１０４、出力切替スイッチ１０５、及び論理
回路１０６によって構成される。
【００１６】
図１の半導体装置はアンテナ１１０で信号の送受信と電力源である電波の受信を行う。昇
圧回路１０１は受信された電波から電圧を生成し、半導体装置の電源電圧となる電圧より
も高い電圧を生成する機能を有する。参照電圧源回路１０２は入力電圧を降圧することに
より、一定の出力電圧を得るための回路であり、電圧比較回路１０３に入力する参照電圧
を生成する機能を有する。電圧比較回路１０３は参照電圧源回路１０２で生成された参照
電圧と昇圧回路１０１が含む複数のチャージポンプの各出力電圧に基づく電圧を比較し、
電圧比較結果である論理信号（出力信号ともいう）を生成する機能、及び昇圧回路１０１
内に設けられたスイッチのオンまたはオフの制御を行う機能を有する。スイッチコントロ
ーラ１０４は電圧比較回路１０３の比較結果である論理信号を基に出力切替スイッチ１０
５のオンまたはオフの制御を行うための制御信号を出力する機能を有する。出力切替スイ
ッチ１０５は複数のスイッチを有し、スイッチコントローラ１０４から与えられる制御信
号により、どのスイッチを開閉されるか制御される。出力切替スイッチ１０５のスイッチ
の数は、昇圧回路１０１が含む複数のチャージポンプと同じ個数が必要となる。論理回路
１０６は、出力切替スイッチ１０５で選択された昇圧回路１０１の出力電圧が供給される
。論理回路１０６は半導体装置として機能するものであればよく、一例としては、復調回
路、変調回路、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（
Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏ
ｒｙ）を有する構成とすればよい。また論理回路１０６の動作としては、アンテナ１１０
で受信した信号は、昇圧回路１０１で昇圧される。そして、昇圧された信号が論理回路に
おける復調回路で復調され、命令に応じたデータによってＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭにおい
て演算または読み出しが行われる。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭにおいて演算または読み出さ
れたデータは、変調回路で変調され、アンテナ１１０より通信装置に送信される構成とす
ればよい。
【００１７】
なお、図１において、アンテナ１１０の形状は、特に限定されない。つまり、半導体装置
１００におけるアンテナ１１０に適用する信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方
式又はマイクロ波方式等を用いることができる。伝送方式は、実施者が適宜使用用途を考
慮して選択すればよく、伝送方式に伴って最適な長さや形状のアンテナを設ければよい。
【００１８】
例えば、伝送方式として、電磁結合方式又は電磁誘導方式（例えば、１３．５６ＭＨｚ帯
）を適用する場合には、電界密度の変化による電磁誘導を利用するため、アンテナとして
機能する導電膜を輪状（例えば、ループアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアン
テナ）に形成する。
【００１９】
また、伝送方式としてマイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、
２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電波の波長を考慮してア
ンテナとして機能する導電膜の長さや形状を適宜設定すればよく、アンテナとして機能す
る導電膜を、線状（例えば、ダイポールアンテナ）、平坦な形状（例えば、パッチアンテ
ナ）等に形成することができる。また、アンテナとして機能する導電膜の形状は線状に限
られず、電磁波の波長を考慮して曲線状や蛇行形状またはこれらを組み合わせた形状で設
けてもよい。
【００２０】
なお、半導体装置と通信装置との通信方式は、単方向通信または双方向通信であって、空
間分割多重化方式、偏波面分割多重化方式、周波数分割多重化方式、時分割多重化方式、
符号分割多重化方式、直交周波数分割多重化方式のいずれも用いることができる。
【００２１】
なお、半導体装置と通信装置との搬送波の周波数は、サブミリ波である３００ＧＨｚ以上
３ＴＨｚ未満、ミリ波である３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ未満、マイクロ波である３ＧＨ
ｚ以上３０ＧＨｚ未満、極超短波である３００ＭＨｚ以上３ＧＨｚ未満、超短波である３
０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ未満、短波である３ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ未満、中波である３
００ｋＨｚ以上３ＭＨｚ未満、長波である３０ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ未満、及び超長波
である３ｋＨｚ以上３０ｋＨｚ未満のいずれの周波数も用いることができる。また、半導
体装置と通信装置との搬送波の変調方式は、アナログ変調であってもデジタル変調であっ
てよく、振幅変調、位相変調、周波数変調、及びスペクトラム拡散のいずれであってもよ
い。望ましくは、振幅変調、または、周波数変調にするとよい。
【００２２】
次に、図１に示した昇圧回路１０１の構成例について図２に示す。なお図２においては、
一例として、４段構成であり、４つのチャージポンプを具備する昇圧回路の構成について
示す。本発明は、４段構成であり、４つのチャージポンプを具備する昇圧回路に限定され
るものではなく、ｎ段（ｎは２以上の自然数）構成であり、ｎ個のチャージポンプを具備
する構成としてもよい。
【００２３】
図２に示す昇圧回路１０１は、入力配線２００、第１のチャージポンプ２０１、第２のチ
ャージポンプ２０２、第３のチャージポンプ２０３、第４のチャージポンプ２０４、第１
のｎチャネル型トランジスタ２０５、及び第２のｎチャネル型トランジスタ２０６を有す
る。アンテナ１１０からの出力が入力される入力配線２００は、第１のチャージポンプ２
０１乃至第４のチャージポンプ２０４の入力端子に電気的に接続される。第１のチャージ
ポンプ２０１の出力端子は第２のチャージポンプ２０２の入力端子に電気的に接続される
。また第２のチャージポンプ２０２の出力端子は、第１のｎチャネル型トランジスタ２０
５の第１端子に電気的に接続される。また第１のｎチャネル型トランジスタ２０５の第２
端子は、第３のチャージポンプ２０３の入力端子に電気的に接続される。第３のチャージ
ポンプ２０３の出力端子は、第２のｎチャネル型トランジスタ２０６の第１端子に電気的
に接続される。第２のｎチャネル型トランジスタ２０６の第２端子は、第４のチャージポ
ンプ２０４の入力端子に電気的に接続される。また、第４のチャージポンプ２０４の出力
端子は、出力切替スイッチ１０５に電気的に接続される。また、第１のチャージポンプ２
０１乃至第４のチャージポンプ２０４の出力電圧を出力する第１の出力配線２２３、第２
の出力配線２２４、第３の出力配線２２５、第４の出力配線２２６は出力切替スイッチ１
０５に電気的に接続される。また、第１のｎチャネル型トランジスタ２０５、及び第２の
ｎチャネル型トランジスタ２０６のゲートには、トランジスタのオン又はオフを制御する
ために電圧比較回路１０３の出力配線４１８、出力配線４１９が電気的に接続されている
。
【００２４】
第１のｎチャネル型トランジスタ２０５及び第２のｎチャネル型トランジスタ２０６は、
昇圧回路１０１におけるチャージポンプの段数を切り換えるスイッチとして機能するもの
である。言い換えると、第１のｎチャネル型トランジスタ２０５及び第２のｎチャネル型
トランジスタ２０６は、昇圧回路１０１における複数のチャージポンプのうち実際に昇圧
するために用いるチャージポンプの個数を切り換えるスイッチであり、また、昇圧回路１
０１における出力段を切り換えるスイッチとして機能するものである。第１のｎチャネル
型トランジスタ２０５及び第２のｎチャネル型トランジスタ２０６のゲートは、電圧比較
回路１０３の出力配線４１８及び出力配線４１９が電気的に接続され、電圧比較回路１０
３の出力配線４１８及び出力配線４１９からの信号によって第１のｎチャネル型トランジ
スタ２０５及び第２のｎチャネル型トランジスタ２０６の第１端子と第２端子間のチャネ
ルの開閉を行う。また、複数のチャージポンプの各々の間に設けられるスイッチは、複数
のチャージポンプ毎に設ける構成でも良いし、１つのチャージポンプごとに設ける構成と
してもよい。スイッチを複数のチャージポンプ毎に設ける構成とすることで、スイッチの
個数を削減でき、半導体装置の小型化が図れる。またスイッチを１つのチャージポンプご
とに設ける構成とすることにより、所望の出力電圧を得ることを容易にすることができる
。
【００２５】
なお、トランジスタは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を
有する素子であり、ドレインとソースの間にチャネルを有しており、ドレインとチャネル
とソースとを介して電流を流すことができる。ここで、ソースとドレインとは、トランジ
スタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを
限定することが困難である。そこで、本明細書においては、ソース及びドレインとして機
能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては
、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合がある。
【００２６】
図２に示す昇圧回路１０１を構成する第１のチャージポンプ２０１乃至第４のチャージポ
ンプ２０４は、一例として、第１の容量素子２０７、第２の容量素子２０８、第１のダイ
オード２１５、第２のダイオード２１６を有する構成を示している。第１のチャージポン
プ２０１において、第１の容量素子２０７の第１の電極は、入力配線２００と電気的に接
続される。また、第１の容量素子２０７の第２の電極は、第１のダイオード２１５の第２
の電極と、第２のダイオード２１６の第１の電極に電気的に接続される。第１のダイオー
ド２１５の第１の電極はグラウンド電位に電気的に接続されている。また、第２のダイオ
ード２１６は、第２のチャージポンプの第１のダイオード２１５の第１の電極に電気的に
接続される。なお、第２のチャージポンプ２０２においては、第２のダイオード２１６の
第２の電極が、第３のチャージポンプの第１のダイオード２１５の第１の電極に、第１の
ｎチャネル型トランジスタ２０５を介して電気的に接続されている。第３のチャージポン
プ２０３においては、第２のダイオード２１６の第２の電極が、第４のチャージポンプの
第１のダイオード２１５の第１の電極に、第２のｎチャネル型トランジスタ２０６を介し
て電気的に接続されている。第２の容量素子２０８の第１の電極は、第１のチャージポン
プの出力である第２のダイオード２１６の第２の電極に電気的に接続される。また第２の
容量素子２０８の第２の電極は、グラウンド電位に電気的に接続される。
【００２７】
なお、図２に示す容量素子は２つの端子を用いて電気的な接続が行われている。その場合
、容量素子の一方の電極を第１の電極と呼び、他方の電極を第２の電極と呼ぶ。また、図
２に示すダイオードは２つの端子を用いて電気的な接続が行われている。その場合、ダイ
オードの陽極を第１の電極と呼び、ダイオードの陰極を第２の電極と呼ぶ。
【００２８】
チャージポンプは、入力される電圧よりも高い電圧を出力する機能を有する回路である。
また、昇圧回路が含むチャージポンプの個数を増加させるほど高い電圧に昇圧することが
可能である。
【００２９】
次に図１に示した参照電圧源回路１０２の構成例について図３に示す。
【００３０】
第１のチャージポンプ２０１のみを使用した場合、チャージポンプは整流回路として動作
する。半導体装置には通信装置より高周波数の電磁波により電力が供給されるため、アン
テナ１１０で得られる起電力は交流電圧である。参照電圧源回路１０２は整流された直流
電圧が必要となるため、第１のチャージポンプ２０１の出力が電圧供給源として参照電圧
源回路１０２に入力される。
【００３１】
図３に示すように参照電圧源回路１０２は、入力配線３００、第１のｐチャネル型トラン
ジスタ３０１、第２のｐチャネル型トランジスタ３０２、第３のｐチャネル型トランジス
タ３０３、第１のｎチャネル型トランジスタ３０４、第２のｎチャネル型トランジスタ３
０５、第１の抵抗素子３０６、第２の抵抗素子３０７、第１のダイオード３０８、第２の
ダイオード３０９、第３のダイオード３１０、で構成される。昇圧回路１０１からの出力
電圧が入力される入力配線３００は第１のチャージポンプの出力配線２２３と電気的に接
続される。また入力配線３００はそれぞれ、第１のｐチャネル型トランジスタ３０１乃至
第３のｐチャネル型トランジスタ３０３の第１端子に電気的に接続される。また第１のｐ
チャネル型トランジスタ３０１、第２のｐチャネル型トランジスタ３０２、のゲート電極
は、第２のｐチャネル型トランジスタ３０２の第２端子に電気的に接続される。第１のｐ
チャネル型トランジスタ３０１の第２端子は、第１のｎチャネル型トランジスタ３０４の
第１端子、ゲート電極、第２のｎチャネル型トランジスタ３０５のゲート電極に電気的に
接続される。第２のｎチャネル型トランジスタ３０５の第１端子は、第２のｐチャネル型
トランジスタ３０２の第２端子に電気的に接続され、第２のｎチャネル型トランジスタ３
０５の第２端子は、第１の抵抗素子３０６、第２のダイオード３０９を介してグラウンド
電位に電気的に接続される。第１のｎチャネル型トランジスタ３０４の第２端子は、第１
のダイオード３０８を介してグラウンド電位に電気的に接続される。第３のｐチャネル型
トランジスタ３０３の第２端子は、出力配線３１１に電気的に接続され、また、第２の抵
抗素子３０７、第３のダイオード３１０を介してグラウンド電位に電気的に接続される。
また、第１のダイオード３０８乃至第３のダイオード３１０の第２の電極がグラウンド電
位に電気的に接続される。図３に示す接続の回路を構成することにより、参照電圧源回路
１０２は昇圧回路１０１からの入力電圧を降圧して、電圧比較回路１０３に供給する参照
電圧を生成することができる。
【００３２】
次に図１に示した電圧比較回路１０３の構成例について図４に示す。
【００３３】
図４に示す電圧比較回路１０３は、昇圧回路１０１を構成する複数のチャージポンプの個
数に応じた第１の電圧比較回路４０１、第２の電圧比較回路４０２、第３の電圧比較回路
４０３、第４の電圧比較回路４０４で構成される。そして、第１の電圧比較回路４０１乃
至第４の電圧比較回路４０４の入力端子に第１のチャージポンプ２０１の出力配線２２３
、第２のチャージポンプ２０２の出力配線２２４、第３のチャージポンプ２０３の出力配
線２２５、第４のチャージポンプ２０４の出力配線２２６が電気的に接続される。また、
第１の電圧比較回路４０１の出力配線４１７、第２の電圧比較回路４０２の出力配線４１
８、第３の電圧比較回路４０３の出力配線４１９、第４の電圧比較回路４０４の出力配線
４２０は、スイッチコントローラ１０４に電気的に接続される。
【００３４】
第１の電圧比較回路４０１は、第１の抵抗素子４０５、第２の抵抗素子４０６、及び第１
のコンパレータ４０７を有する構成である。第１の抵抗素子４０５は、第１のチャージポ
ンプ２０１の出力配線２２３、第２の抵抗素子４０６、及び第１のコンパレータ４０７の
反転入力端子に電気的に接続される。第２の抵抗素子４０６は接地される。第１のコンパ
レータ４０７の非反転入力端子は参照電圧源回路１０２の出力に電気的に接続される。な
お、第１のチャージポンプ２０１の出力電圧が第１の抵抗素子４０５及び第２の抵抗素子
４０６で抵抗分割されることにより得られる電圧を、第１のチャージポンプ２０１の出力
電圧に基づく電圧Ｖ＿１という。
【００３５】
同様に第２の電圧比較回路４０２は、第３の抵抗素子４０８、第４の抵抗素子４０９、及
び第２のコンパレータ４１０を有する構成である。第３の抵抗素子４０８は第２のチャー
ジポンプ２０２の出力配線２２４、第４の抵抗素子４０９、及び第２のコンパレータ４１
０の反転入力端子に電気的に接続される。第２のコンパレータ４１０の非反転入力端子は
参照電圧源回路１０２の出力に電気的に接続される。第３の電圧比較回路４０３は、第５
の抵抗素子４１１、第６の抵抗素子４１２、及び第３のコンパレータ４１３を有する。第
５の抵抗素子４１１は第３のチャージポンプ２０３の出力配線２２５、第６の抵抗素子４
１２、及び第３のコンパレータ４１３の反転入力端子に電気的に接続される。第３のコン
パレータ４１３の非反転入力端子は参照電圧源回路１０２の出力に電気的に接続される。
第４の電圧比較回路４０４は、第７の抵抗素子４１４、第８の抵抗素子４１５、及び第４
のコンパレータ４１６を有する。第７の抵抗素子４１４は第４のチャージポンプ２０４の
出力配線２２６、第８の抵抗素子４１５、及び第４のコンパレータ４１６の反転入力端子
に電気的に接続される。第４のコンパレータ４１６の非反転入力端子は参照電圧源回路１
０２の出力に電気的に接続される。なお、第２のチャージポンプ２０２の出力電圧が第３
の抵抗素子４０８及び第４の抵抗素子４０９で抵抗分割されることにより得られる電圧を
、第２のチャージポンプ２０２の出力電圧に基づく電圧Ｖ＿２という。なお、第３のチャ
ージポンプ２０３の出力電圧が第５の抵抗素子４１１及び第６の抵抗素子４１２で抵抗分
割されることにより得られる電圧を、第３のチャージポンプ２０３の出力電圧に基づく電
圧Ｖ＿３という。なお、第４のチャージポンプ２０４の出力電圧が第７の抵抗素子４１４
及び第８の抵抗素子４１５で抵抗分割されることにより得られる電圧を、第４のチャージ
ポンプ２０４の出力電圧に基づく電圧Ｖ＿４という。
【００３６】
なお、昇圧回路１０１の出力段を切り換える第１のｎチャネル型トランジスタ２０５、第
２のｎチャネル型トランジスタ２０６のゲート電極には、上述したように、第２の電圧比
較回路４０２の出力配線４１８、第３の電圧比較回路４０３の出力配線４１９が電気的に
接続される。図２の昇圧回路１０１の構成において、第１のチャージポンプ２０１と第２
のチャージポンプ２０２の間には、ｎチャネル型トランジスタを設けない構成について示
しているが、これは昇圧回路１０１の出力電圧を確保するためである。
【００３７】
具体的に説明すると、例えば、第２のチャージポンプ２０２の出力が、昇圧回路１０１の
出力電圧とする場合を考える。このとき各チャージポンプの出力電圧に基づく電圧と参照
電圧の関係は、Ｖｒｅｆを参照電圧とすると、Ｖ＿１＜Ｖ＿２＜Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿３＜Ｖ＿
４であり、この関係を維持する限り昇圧回路の出力段の切り換えは行われない。一方、第
３のチャージポンプ２０３の出力電圧に基づく電圧Ｖ＿３が参照電圧Ｖｒｅｆより小さく
、第４のチャージポンプ２０４の出力電圧に基づく電圧Ｖ＿４が参照電圧Ｖｒｅｆより大
きいとき、すなわちＶ＿１＜Ｖ＿２＜Ｖ＿３＜Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿４の関係の時、第２のチャ
ージポンプ２０２の出力から第３のチャージポンプ２０３の出力に切り換えられる。また
、第２のチャージポンプ２０２の出力電圧に基づく電圧Ｖ＿２が参照電圧Ｖｒｅｆよりも
大きくなるとき、すなわちＶ＿１＜Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿２＜Ｖ＿３＜Ｖ＿４の関係の時、第２
のチャージポンプ２０２の出力から第１のチャージポンプ２０１の出力に昇圧回路１０１
の出力段が切り換えられる。本実施の形態では昇圧回路１０１の出力段の切り換えを行う
スイッチコントローラ１０４が、出力段の次段までの出力電圧に基づく電圧に応じて、チ
ャージポンプの出力段選択の制御信号として使用する構成としている。昇圧回路１０１の
出力段として第１のチャージポンプ２０１が選択されている場合には、常に第２のチャー
ジポンプ２０２の出力電圧を電圧比較回路１０３により監視している必要があるため、第
１のチャージポンプ２０１と第２のチャージポンプ２０２との間にトランジスタ等を用い
たスイッチを設け、電気的に切り離しを行う必要はない。そのため、本実施の形態では第
１のチャージポンプ２０１と第２のチャージポンプ２０２の間にはｎチャネル型トランジ
スタを設置することなく動作することができ、トランジスタ数の削減といった効果を見込
むことができる。
【００３８】
なお本明細書にて用いる第１、第２、第３、乃至第Ｎ（Ｎは自然数）という用語は、構成
要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記す
る。
【００３９】
第１のチャージポンプ２０１の出力配線２２３から出力された電圧が第１の電圧比較回路
４０１に入力され、第１の抵抗素子４０５及び第２の抵抗素子４０６、によって抵抗分割
された第１の抵抗素子４０５と第２の抵抗素子４０６との間のノードの中間電圧（Ｖ＿１
）と、参照電圧源回路１０２から供給される電圧（Ｖｒｅｆ）を第１のコンパレータ４０
７により比較し、その大小関係により第１のコンパレータ４０７の出力信号が決定する。
同様にして、Ｖ＿２乃至Ｖ＿４とＶｒｅｆにより、第２のコンパレータ４１０、第３のコ
ンパレータ４１３、及び第４のコンパレータ４１６の出力信号を決定していく。第１乃至
第４のコンパレータの出力は”ｈｉｇｈ”（高電位信号、または単にＨ信号ともいう）、
または、”ｌｏｗ”（低電位信号、または単にＬ信号ともいう）のデジタル信号である。
【００４０】
次に図１に示したスイッチコントローラ１０４の構成例について図５に示す。
【００４１】
図５に示したスイッチコントローラ１０４は、第１のエクスクルシブ−オア（Ｅｘ−ＯＲ
：Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ−ＯＲ）回路５０１、第２のＥｘ−ＯＲ回路５０２、第３のＥｘ−
ＯＲ回路５０３を有する。Ｅｘ−ＯＲ回路は、入力された２つの信号が同じであればＬ信
号、異なる場合にはＨ信号を出力する回路である。
【００４２】
第１のＥｘ−ＯＲ回路５０１は、第１の電圧比較回路４０１の出力配線４１７、第２の電
圧比較回路４０２の出力配線４１８、が入力側の端子に電気的に接続される。第２のＥｘ
−ＯＲ回路５０２は、第２の電圧比較回路４０２の出力配線４１８、第３の電圧比較回路
４０３の出力配線４１９、が入力側の端子に電気的に接続される。第３のＥｘ−ＯＲ回路
５０３は、第３の電圧比較回路４０３の出力配線４１９、第４の電圧比較回路４０４の出
力配線４２０、が入力側の端子に電気的に接続される。またスイッチコントローラ１０４
より、第４の電圧比較回路４０４の出力配線４２０の信号と、第１のＥｘ−ＯＲ回路５０
１乃至第３のＥｘ−ＯＲ回路５０３の出力信号と、が出力される、第１のコントローラ出
力配線５０４乃至第４のコントローラ出力配線５０７は、出力切替スイッチ１０５に電気
的に接続される。
【００４３】
次に図１に示した出力切替スイッチ１０５の構成例について図６に示す。出力切替スイッ
チ１０５は、第３のｎチャネル型トランジスタ６０１、第４のｎチャネル型トランジスタ
６０２、第５のｎチャネル型トランジスタ６０３、第６のｎチャネル型トランジスタ６０
４を有する構成である。第３のｎチャネル型トランジスタ６０１は、第１端子に第１のチ
ャージポンプ２０１の出力配線２２３が電気的に接続され、第２端子に第１の出力配線６
０５が電気的に接続され、ゲートに第１のコントローラ出力配線５０４が電気的に接続さ
れる。第４のｎチャネル型トランジスタ６０２は、第１端子に第２のチャージポンプ２０
２の出力配線２２４が電気的に接続され、第２端子に第２の出力配線６０６が電気的に接
続され、ゲートに第２のコントローラ出力配線５０５が電気的に接続される。第５のｎチ
ャネル型トランジスタ６０３は、第１端子に第３のチャージポンプ２０３の出力配線２２
５が電気的に接続され、第２端子に第３の出力配線６０７が電気的に接続され、ゲートに
第３のコントローラ出力配線５０６が電気的に接続される。第６のｎチャネル型トランジ
スタ６０４は、第１端子に第４のチャージポンプ２０４の出力配線２２６が電気的に接続
され、第２端子に第４の出力配線６０８が電気的に接続され、ゲートに第４のコントロー
ラ出力配線５０７が電気的に接続される。
【００４４】
第３のｎチャネル型トランジスタ６０１乃至第６のｎチャネル型トランジスタ６０４は、
第１のチャージポンプ２０１乃至第４のチャージポンプ２０４の出力電圧の論理回路１０
６への開閉スイッチとして機能する。昇圧回路１０１における複数のチャージポンプのう
ち、出力段は常に、選択される１つの段のみとなる。
【００４５】
次に昇圧回路１０１が具備するチャージポンプの段数切り換え（出力段切り換え）の動作
について説明する。
【００４６】
通信装置より送信された受信信号を半導体装置がアンテナによって受信する。受信信号よ
り得られる電力は通信装置が出力する電力が一定の場合、通信装置と半導体装置の距離に
依存しており、距離が近いほど半導体装置の供給される電力は大きくなる。
【００４７】
通信装置と半導体装置との距離が近い場合、半導体装置が受け取る電力は非常に大きくな
る。このとき昇圧回路を構成する１つのチャージポンプを用いて生成される電圧Ｖｉｎは
高く、昇圧回路を構成するチャージポンプの個数は少数でも半導体装置内の回路が動作す
るために必要な電圧を得ることができる。
【００４８】
一方、通信装置と半導体装置との距離が遠い場合、半導体装置が受け取る電力は非常に小
さくなる。このとき昇圧回路を構成する１つのチャージポンプを用いて生成される電圧Ｖ
ｉｎは低く、昇圧回路を構成するチャージポンプの個数は多数でなければ半導体装置内の
回路が動作するために必要な電圧が得られない。
【００４９】
昇圧回路におけるチャージポンプの段数（昇圧回路１０１における複数のチャージポンプ
のうち、実際に昇圧するために用いるチャージポンプの個数）は参照電圧Ｖｒｅｆと、第
１のチャージポンプ２０１乃至第４のチャージポンプ２０４の各出力を電圧比較回路で比
較した結果からスイッチコントローラ１０４によって適切な出力段が選ばれ、切り換えら
れる。
【００５０】
上述の構成をとることにより、本発明の半導体装置は通信装置との距離が変化し、供給電
力量が変化した場合に、その時の通信距離に応じて昇圧回路の出力段を選択し、最適な出
力電圧を得ることができる。
【００５１】
次にチャージポンプの出力電圧の状態に合わせて昇圧回路の出力段を選択する具体的な動
作について説明する。
【００５２】
昇圧回路の出力切替の具体的な動作を図７乃至図９を用いて説明する。図７乃至図９に示
す図は、第１のチャージポンプ２０１、第２のチャージポンプ２０２、第３のチャージポ
ンプ２０３、第４のチャージポンプ２０４、第１のスイッチ７０１、第２のスイッチ７０
２、第３のスイッチ７０３、第４のスイッチ７０４、第５のスイッチ７０５、第６のスイ
ッチ７０６、第１のチャージポンプの出力配線２２３、第２のチャージポンプの出力配線
２２４、第３のチャージポンプの出力配線２２５、及び第４のチャージポンプの出力配線
２２６を有する。なお、図７乃至図９では、各スイッチのオン又はオフの動作について説
明するものであるため、昇圧回路についての回路等を詳細に図示しない。また、図７乃至
図９ではｎチャネル型トランジスタの電気的接続を表現するため、ｎチャネル型トランジ
スタの表記をスイッチの表記にして取り扱い、スイッチのオンまたはオフで電気的な接続
を説明するものとする。
【００５３】
図７乃至図９に示す各ブロックの接続について簡単に説明する。図７（Ａ）に示すように
第１のチャージポンプ２０１乃至第４のチャージポンプ２０４は、アンテナ１１０と電気
的に接続される。第１のチャージポンプ２０１は、第２のチャージポンプ２０２に電気的
に接続される。第２のチャージポンプ２０２は、第１のスイッチ７０１を介して第３のチ
ャージポンプ２０３に電気的に接続される。第３のチャージポンプ２０３は、第２のスイ
ッチ７０２を介して第４のチャージポンプ２０４に電気的に接続される。第１のチャージ
ポンプ２０１乃至第４のチャージポンプ２０４の出力配線２２３乃至出力配線２２６は各
々、第３のスイッチ７０３乃至第６のスイッチ７０６に電気的に接続される。
【００５４】
なお、図７乃至図９の説明では、第ｎ段のチャージポンプの出力電圧をＶｎ、参照電圧源
回路の出力電圧をＶｒｅｆと表記する。一例としては、第１のチャージポンプ２０１を第
１段とし出力電圧はＶ１、第４のチャージポンプ２０４を第４段とし出力電圧はＶ４とな
る。また電圧比較回路１０３での第１のチャージポンプ２０１の出力電圧に基づく電圧は
Ｖ＿１、第４のチャージポンプ２０４の出力電圧に基づく電圧はＶ＿４となる。
【００５５】
まず、Ｖ＿１＜Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿２＜Ｖ＿３＜Ｖ＿４の場合、図７（Ａ）に示す各スイッチ
のオン又はオフは図７（Ｂ）に示すようになる。電圧比較回路１０３における第１のコン
パレータ４０７の出力配線４１７がＨ信号、第２のコンパレータ４１０の出力配線４１８
、第３のコンパレータ４１３の出力配線４１９、及び第４のコンパレータ４１６の出力配
線４２０がＬ信号となる。第１のスイッチ７０１のオン又はオフを制御するための信号は
、第２のコンパレータ４１０の出力配線４１８の信号と同じであり、第２のスイッチ７０
２のオン又はオフを制御するための信号は、第３のコンパレータ４１３の出力配線４１９
の信号と同じであるので、各々Ｌ信号が加えられる第１のスイッチ７０１及び第２のスイ
ッチ７０２はオフになる。そのため、第３のチャージポンプ２０３及び第４のチャージポ
ンプ２０４は電気的に接続されていない状態となるため電力供給は行われず、第３のチャ
ージポンプ２０３及び第４のチャージポンプ２０４からの出力電圧も得られない。また、
図５で説明したスイッチコントローラ１０４において、第１のコントローラ出力配線５０
４の信号はＨ信号、第２のコントローラ出力配線５０５乃至第４のコントローラ出力配線
５０７の信号はＬ信号となる。よって、第３のスイッチ７０３はオンになり、第４のスイ
ッチ７０４、第５のスイッチ７０５、及び第６のスイッチ７０６はオフになる。すなわち
、第１のチャージポンプ２０１の出力電圧Ｖ１のみが得られる。
【００５６】
次にＶ＿１＜Ｖ＿２＜Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿３＜Ｖ＿４の場合、各スイッチのオン又はオフは図
８（Ａ）に示すようになる。第１のコンパレータ４０７の出力配線４１７、及び第２のコ
ンパレータ４１０の出力配線４１８がＨ信号、第３のコンパレータ４１３の出力配線４１
９、及び第４のコンパレータ４１６の出力配線４２０がＬ信号となる。第１のスイッチ７
０１のオン又はオフを制御するための信号は、第２のコンパレータ４１０の出力配線４１
８の信号と同じであり、第２のスイッチ７０２のオン又はオフを制御するための信号は、
第３のコンパレータ４１３の出力配線４１９の信号と同じであるので、Ｈ信号が加えられ
る第１のスイッチ７０１はオン、Ｌ信号が加えられる第２のスイッチ７０２はオフとなる
。そのため、第３のチャージポンプ２０３は第１のチャージポンプ２０１及び第２のチャ
ージポンプ２０２と電気的に接続されている状態となり出力電圧が得られる。すなわち、
第３のチャージポンプ２０３の出力電圧は、半導体装置と通信装置間との距離が変化し供
給電力が増加または減少した際に、昇圧回路の出力段を切り換えることで得られるもので
ある。一方、第４のチャージポンプ２０４は第１のチャージポンプ２０１乃至第３のチャ
ージポンプ２０３と電気的に接続されていない状態となり電力供給は行われず、第４のチ
ャージポンプ２０４からの出力電圧も得られない。また、図５で説明したスイッチコント
ローラ１０４において、第２のコントローラ出力配線５０５の信号はＨ信号、第１のコン
トローラ出力配線５０４、第３のコントローラ出力配線５０６、及び第４のコントローラ
出力配線５０７信号はＬ信号となる。よって、第４のスイッチ７０４はオンになり、第３
のスイッチ７０３、第５のスイッチ７０５、及び第６のスイッチ７０６はオフになる。す
なわち、第２のチャージポンプ２０２の出力電圧Ｖ２のみが得られる。
【００５７】
Ｖ＿１＜Ｖ＿２＜Ｖ＿３＜Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿４の場合、各スイッチのオン又はオフは図８（
Ｂ）に示すようになる。第１のコンパレータ４０７の出力配線４１７、第２のコンパレー
タ４１０の出力配線４１８、及び第３のコンパレータ４１３の出力配線４１９がＨ信号、
第４のコンパレータ４１６の出力配線４２０がＬ信号となる。第１のスイッチ７０１のオ
ン又はオフを制御するための信号は、第２のコンパレータ４１０の出力配線４１８の信号
と同じであり、第２のスイッチ７０２のオン又はオフを制御するための信号は、第３のコ
ンパレータ４１３の出力配線４１９の信号と同じであるので、Ｈ信号が加えられる第１の
スイッチ７０１及び第２のスイッチ７０２は共にオンとなる。そのため、第３のチャージ
ポンプ２０３及び第４のチャージポンプ２０４は第１のチャージポンプ２０１及び第２の
チャージポンプ２０２と電気的に接続されている状態となり出力電圧が得られる。すなわ
ち、第４のチャージポンプ２０４の出力電圧は、半導体装置と通信装置間の距離が変化し
供給電力が増加または減少した際に、昇圧回路の出力段を切り換えることで得られるもの
である。また、図５で説明したスイッチコントローラ１０４において、第３のコントロー
ラ出力配線５０６の信号はＨ信号、第１のコントローラ出力配線５０４、第２のコントロ
ーラ出力配線５０５、及び第４のコントローラ出力配線５０７の信号はＬ信号となる。よ
って、第５のスイッチ７０５はオンになり、第３のスイッチ７０３、第４のスイッチ７０
４、及び第６のスイッチ７０６はオフになる。すなわち、第３のチャージポンプ２０３の
出力電圧Ｖ３のみが得られる。
【００５８】
Ｖ＿１＜Ｖ＿２＜Ｖ＿３＜Ｖ＿４＜Ｖｒｅｆの場合、各スイッチのオン又はオフは図９に
示すようになる。第１のコンパレータ４０７の出力配線４１７、第２のコンパレータ４１
０の出力配線４１８、第３のコンパレータ４１３の出力配線４１９、及び第４のコンパレ
ータ４１６の出力配線４２０がＨ信号となる。第１のスイッチ７０１のオン又はオフを制
御するための信号は、第２のコンパレータ４１０の出力配線４１８の信号と同じであり、
第２のスイッチ７０２のオン又はオフを制御するための信号は、第３のコンパレータ４１
３の出力配線４１９の信号と同じであるので、Ｈ信号が加えられる第１のスイッチ７０１
及び第２のスイッチ７０２は共にオンとなる。そのため、第３のチャージポンプ２０３及
び第４のチャージポンプ２０４は第１のチャージポンプ２０１及び第２のチャージポンプ
２０２と電気的に接続されている状態となり出力電圧が得られる。すなわち、第４のチャ
ージポンプ２０４の出力電圧は、半導体装置と通信装置間の距離が変化し供給電力が増加
または減少した際に、昇圧回路の出力段を切り換えることで得られるものである。また、
図５で説明したスイッチコントローラ１０４において、第４のコントローラ出力配線５０
７の信号はＨ信号、第１のコントローラ出力配線５０４、第２のコントローラ出力配線５
０５、及び第３のコントローラ出力配線５０６の信号はＬ信号となる。よって、第６のス
イッチ７０６はオンになり、第３のスイッチ７０３、第４のスイッチ７０４、及び第５の
スイッチ７０５はオフになる。すなわち、第４のチャージポンプ２０４の出力電圧Ｖ４の
みが得られる。
【００５９】
第３のスイッチ７０３乃至第６のスイッチ７０６のうちの１つがオンになることで、論理
回路１０６への昇圧回路１０１からの出力が得られる。スイッチコントローラ１０４及び
出力切替スイッチ１０５を図５及び図６のように構成することで、第３のスイッチ７０３
乃至第６のスイッチ７０６のうち２つ以上のスイッチは同時にオンにならず、複数のチャ
ージポンプからの出力をなくすことができる。
【００６０】
なお、Ｖｒｅｆ＜Ｖ＿１＜Ｖ＿２＜Ｖ＿３＜Ｖ＿４の場合、各スイッチのオン又はオフは
図７（Ａ）に示すようになる。第１のコンパレータ４０７の出力配線４１７、第２のコン
パレータ４１０の出力配線４１８、第３のコンパレータ４１３の出力配線４１９、及び第
４のコンパレータ４１６の出力配線４２０がＬ信号となる。このとき、第３のスイッチ７
０３乃至第６のスイッチ７０６はＬ信号となるので、第３のスイッチ７０３乃至第６のス
イッチ７０６はオフになる。そのため、昇圧回路１０１を構成する第１のチャージポンプ
２０１乃至第４のチャージポンプ２０４から論理回路１０６への出力は行われない。
【００６１】
ただし、スイッチコントローラ１０４内の論理回路の構成を変更することで、出力数を増
減させることは可能である。また、電圧比較回路内の２つの抵抗素子の抵抗比を変更する
ことでチャージポンプの比較用電圧が変化するため、比較用電圧値を調整する場合は抵抗
値を変更すれば良い。なお、「昇圧回路の出力段」とは、実際に昇圧するために用いられ
た複数のチャージポンプのうち最終段に位置するチャージポンプに相当する。例えば、図
７（Ｂ）の場合は第１のチャージポンプ２０１、図８（Ａ）の場合は第２のチャージポン
プ２０２、図８（Ｂ）の場合は第３のチャージポンプ２０３、図９の場合は第４のチャー
ジポンプ２０４が、昇圧回路１０１の出力段に相当する。
【００６２】
以上のような構成をとることで、半導体装置と通信装置との距離に依存する電圧値を一定
の値に制御することが可能となる。これにより、半導体装置の昇圧回路における電力損失
の軽減とともに、動作距離範囲の拡大を行うことができる。
【００６３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で述べた半導体装置を構成するトランジスタの作製例
について説明する。本実施の形態では特に、絶縁基板上に形成された半導体膜によりトラ
ンジスタを作製し、半導体装置を具備する半導体装置とする形態について説明する。
【００６４】
基板１９０１の一表面に剥離層１９０２を形成し、続けて下地となる絶縁膜１９０３お
よび非晶質半導体膜１９０４（例えば非晶質珪素を含む膜）を形成する（図１０（Ａ））
。剥離層１９０２、絶縁膜１９０３および非晶質半導体膜１９０４は、連続して形成する
ことができる。連続して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入を防ぐ
ことができる。
【００６５】
基板１９０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板、本工程の処理温
度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい。このような基板であれば
、その面積や形状に大きな制限はないため、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩
形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円
形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。従って、シリコン基
板と比較して集積回路部やアンテナを大きく形成した場合であっても、低コスト化を実現
することができる。
【００６６】
なお、本工程では、剥離層１９０２を基板１９０１の全面に設けているが、必要に応じ
て、基板１９０１の全面に剥離層を設けた後に、フォトリソグラフィ法により剥離層１９
０２を選択的に設けてもよい。また、基板１９０１に接するように剥離層１９０２を形成
しているが、必要に応じて、基板１９０１に接するように酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、酸化
窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、窒化酸化珪素（Ｓｉ
ＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に接するように剥離層１９０２
を形成してもよい。
【００６７】
剥離層１９０２は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。
金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル
（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ
）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オス
ミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする
合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材
料は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することが
できる。金属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素
雰囲気下またはＮ２Ｏ雰囲気下におけるプラズマ処理、酸素雰囲気下またはＮ２Ｏ雰囲気
下における加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物または酸化窒
化物を設けることができる。また、金属膜を形成した後に、オゾン水等の酸化力の強い溶
液で表面を処理することにより、金属膜表面に当該金属膜の酸化物又は酸化窒化物を設け
ることができる。
【００６８】
絶縁膜１９０３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等により、珪素の酸化物また
は珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層で形成する。下地となる絶縁膜が２層構造の場
合、例えば、１層目として窒化酸化珪素膜を形成し、２層目として酸化窒化珪素膜を形成
するとよい。下地となる絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜として酸化珪素膜を形
成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪
素膜を形成するとよい。または、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、２層目
の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成す
るとよい。下地となる絶縁膜は、基板１９０１からの不純物の侵入を防止するブロッキン
グ膜として機能する。
【００６９】
半導体膜１９０４は、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、
２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。半導体膜１９０４
としては、例えば、非晶質珪素膜を形成すればよい。
【００７０】
次に、非晶質の半導体膜１９０４にレーザー光を照射して結晶化を行う。なお、レーザ
ー光の照射と、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する
金属元素を用いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により非晶質の半導体膜１９０４の
結晶化を行ってもよい。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして
、半導体膜１９０４ａ〜１９０４ｄを形成し、当該半導体膜１９０４ａ〜１９０４ｄを覆
うようにゲート絶縁膜１９０５を形成する（図１０（Ｂ））。
【００７１】
半導体膜１９０４ａ〜１９０４ｄの作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、まず、
プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０〜６０ｎｍの非晶質半導体膜（例えば、非晶質珪素
膜）を形成する。次に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半
導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱
結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザ
ー発振器からレーザー光を照射し、フォトリソグラフィ法を用いることよって半導体膜１
９０４ａ〜１９０４ｄを形成する。なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化を
行わずに、レーザー光の照射だけで非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。
【００７２】
レーザー発振器としては、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム）やパル
ス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。ここで用い
ることができるレーザービームは、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマレーザーなど
の気体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、Ｙ
ＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、
ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレー
ザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅蒸
気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振されるものを用いるこ
とができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から
第４高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例え
ば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３
高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのパワー密度は０．０１
〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そし
て、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、単結晶のＹＡＧ
、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは
多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドー
パントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種
添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、またはＴｉ：サファイ
アレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを
行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。
１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜がレーザーによ
って溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発
振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連
続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得る
ことができる。
【００７３】
次に、半導体膜１９０４ａ〜半導体膜１９０４ｄを覆うゲート絶縁膜１９０５を形成す
る。ゲート絶縁膜１９０５は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物又は
珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層して形成する。具体的には、酸化珪素膜、酸化窒
化珪素膜、窒化酸化珪素膜を、単層又は積層して形成する。
【００７４】
また、ゲート絶縁膜１９０５は、非晶質の半導体膜１９０４ａ〜半導体膜１９０４ｄに
対し高密度プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば
、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒
素、水素などの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起
は、マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することがで
きる。この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）
や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は
窒化することができる。
【００７５】
このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎ
ｍの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁
膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プ
ラズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しく
は窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくす
ることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないた
め、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の
表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均
一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００７６】
ゲート絶縁膜１９０５は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いて
も良いし、それに加えてプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シ
リコン、窒化シリコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密
度プラズマで形成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジ
スタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
【００７７】
また、半導体膜に対し、連続発振レーザー光若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振す
るレーザー光を照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜１９０４ａ
〜１９０４ｄは、そのレーザー光の走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向
をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わ
せてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小
さく、しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる。
【００７８】
次に、ゲート絶縁膜１９０５上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する
。ここでは、第１の導電膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、２０〜１００ｎ
ｍの厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導
電膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）
等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形
成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材
料により形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タン
タル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモ
リブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の
導電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができ
る。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリ
ブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【００７９】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極と
ゲート配線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜１９０４ａ〜１９０４ｄ
の上方にゲート電極１９０７を形成する。
【００８０】
次に、フォトリソグラフィ法により、レジストからなるマスクを形成して、半導体膜１
９０４ａ〜１９０４ｄに、イオンドープ法またはイオン注入法により、ｎ型を付与する不
純物元素を低濃度に添加する。ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用い
れば良く、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。
【００８１】
次に、ゲート絶縁膜１９０５とゲート電極１９０７を覆うように、絶縁膜を形成する。
絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化
物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成す
る。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチング
して、ゲート電極１９０７の側面に接する絶縁膜１９０８（サイドウォールともよばれる
）を形成する。絶縁膜１９０８は、後にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉ
ｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【００８２】
次に、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、ゲート電極１
９０７および絶縁膜１９０８をマスクとして用いて、半導体膜１９０４ａ〜１９０４ｄに
ｎ型を付与する不純物元素を添加して、チャネル形成領域１９０６ａと、第１の不純物領
域１９０６ｂと、第２の不純物領域１９０６ｃを形成する（図１０（Ｃ））。第１の不純
物領域１９０６ｂは薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域として機能し、第２
の不純物領域１９０６ｃはＬＤＤ領域として機能する。第２の不純物領域１９０６ｃが含
む不純物元素の濃度は、第１の不純物領域１９０６ｂが含む不純物元素の濃度よりも低い
。
【００８３】
続いて、ゲート電極１９０７、絶縁膜１９０８等を覆うように、絶縁膜を単層または積
層して形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機
能する導電膜１９３１を形成する。その結果、薄膜トランジスタ１９３０ａ〜１９３０ｄ
を含む素子層が得られる（図１０（Ｄ））。
【００８４】
絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等
により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシ
クロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積
層で形成する。ここでは、絶縁膜を２層で設けた例を示しており、１層目の絶縁膜１９０
９として窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁膜１９１０として酸化窒化珪素膜で形成
することができる。
【００８５】
なお、絶縁膜１９０９、１９１０を形成する前、または絶縁膜１９０９、１９１０のう
ちの一方又は両方を形成した後に、半導体膜１９０４ａ〜１９０４ｄの結晶性の回復や半
導体膜に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行う
とよい。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用する
とよい。
【００８６】
導電膜１９３１は、フォトリソグラフィ法により絶縁膜１９０９、１９１０等をエッチ
ングして、第１の不純物領域１９０６ｂを露出させるコンタクトホールを形成した後、コ
ンタクトホールを充填するように導電膜を形成し、当該導電膜を選択的にエッチングして
形成する。なお、導電膜を形成する前に、コンタクトホールにおいて露出した半導体膜１
９０４ａ〜１９０４ｄの表面にシリサイドを形成してもよい。
【００８７】
また、導電膜１９３１は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ
）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニ
ッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ
）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれら
の元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミ
ニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む
材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含
む合金材料に相当する。導電膜１９３１は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（
Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）
膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン
、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アル
ミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜１９３１を形
成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムや
アルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元
素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜がで
きていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとる
ことができる。
【００８８】
次に、導電膜１９３１を覆うように、絶縁膜１９１１を形成する（図１１（Ａ））。絶
縁膜１９１１は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ法、液滴吐出法またはスクリーン
印刷法等を用いて、無機材料又は有機材料により、単層又は積層で形成する。また、絶縁
膜１９１１は、好適には、０．７５μｍ〜３μｍの厚さで形成する。
【００８９】
次に、絶縁膜１９１１の表面にアンテナとして機能する導電膜１９１２を選択的に形成
する（図１１（Ｂ））。
【００９０】
導電膜１９１２は、フォトリソグラフィ法により絶縁膜１９１１をエッチングして、導
電膜１９３１を露出させるコンタクトホールを形成した後、コンタクトホールを充填する
ように導電膜を形成し、当該導電膜を選択的にエッチングして形成する。
【００９１】
また導電膜１９１２は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷
等の印刷法、メッキ処理等を用いて、導電性材料により形成すればよい。導電性材料は、
アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（
Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）
から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、
単層構造又は積層構造で形成する。
【００９２】
例えば、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜１９１２を形成する
場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導
電性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子として
は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか
一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができ
る。スクリーン印刷法を用いて形成することにより、工程の簡略化が可能となり低コスト
化を図ることができる。
【００９３】
次に、アンテナとして機能する導電膜１９１２を覆うように絶縁膜１９１３を形成する
（図１２（Ａ））。
【００９４】
絶縁膜１９１３は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン
印刷法等により、シリコンの酸化物やシリコンの窒化物等の無機材料（例えば、酸化珪素
膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜等）、ポリイミド、ポリアミド、ベン
ゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層また
は積層で形成する。
【００９５】
次に、薄膜トランジスタ１９３０ａ〜１９３０ｄやアンテナとして機能する導電膜１９
１２を含む素子形成層を基板１９０１から剥離する。
【００９６】
まず、レーザー光を照射することにより開口部１９１８を形成する（図１２（Ｂ））。
続いて、素子形成層の一方の面（ここでは、絶縁膜１９１７の表面）を第１のシート材１
９２０に貼り合わせた後、物理的な力を用いて基板１９０１から素子形成層を剥離する（
図１３（Ａ））。第１のシート材１９２０としては、ホットメルトフィルム等を用いるこ
とができる。また、後に第１のシート材１９２０を剥離する場合には、熱を加えることに
より粘着力が弱まる熱剥離テープを用いることができる。
【００９７】
なお、剥離する際に水やオゾン水等の水溶液で剥離する面を濡らしながら行うことによ
って、薄膜トランジスタ１９３０ａ〜薄膜トランジスタ１９３０ｄ等の素子が静電気等に
よって破壊されることを防止できる。また、素子形成層が剥離された基板１９０１を再利
用することによって、低コスト化を実現することができる。
【００９８】
次に、素子形成層の他方の面（基板１９０１から剥離により露出した面）に、第２のシ
ート材１９２１を設ける（図１３（Ｂ））。第２のシート材１９２１は、ホットメルトフ
ィルム等を用い、加熱処理と加圧処理の一方又は両方を行うことにより素子形成層の他方
の面に貼り合わせることができる。また、第１のシート材１９２０として熱剥離テープを
用いた場合には、第２のシート材１９２１を貼り合わせる際に加えた熱を利用して剥離す
ることができる。
【００９９】
次に、第２のシート材１９２１上に設けられた素子形成層をダイシング、スクライビン
グ又はレーザーカット法等により選択的に分断することによって、複数の半導体装置を得
ることができる。第２のシート材１９２１として、プラスチック等の可撓性を有する基板
を用いることによって可撓性を有する半導体装置を作製することができる。
【０１００】
なお、本実施の形態では、基板１９０１上に薄膜トランジスタやアンテナ等の素子を形
成した後、当該基板１９０１から剥離することによって可撓性を有する半導体装置を作製
する場合について示したが、これに限られない。例えば、基板１９０１上に剥離層１９０
２を設けずに図１３（Ａ）、図１０（Ａ）の工程を適用することにより、基板１９０１上
に薄膜トランジスタやアンテナ等の素子が設けられた半導体装置を作製することができる
。
【０１０１】
なお本実施の形態では、アンテナを半導体素子と同じ基板上に形成する例について説明
したが、この構成に限定されない。半導体素子を形成した後、別途形成したアンテナを、
集積回路と電気的に接続するようにしても良い。この場合、アンテナと集積回路との電気
的な接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｖｅ  Ｆｉｌｍ））や異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ））等で圧着させることにより電気的に接続することができる
。また、他にも、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半
田接合等を用いて接続を行うことも可能である。
【０１０２】
なお、本実施の形態は、本明細書の実施の形態の技術的要素と組み合わせて行うことがで
きる。
【０１０３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、半導体装置を構成するトランジスタの作製例について、実施の形態２
で説明した構成とは異なる構成について説明する。本実施の形態では特に、単結晶シリコ
ンにより半導体装置を構成するトランジスタを作製する形態について図１４、図１５を用
いて説明する。
【０１０４】
まず、図１４（Ａ）を用いて、トランジスタの作製工程について説明する。単結晶シリ
コンからなるシリコン基板２６０１を用意する。そして、ｎ型の導電性が付与されたシリ
コン基板の主面（素子形成面または回路形成面）の素子形成領域にｐ型ウェル２６０２を
選択的に形成する。また、シリコン基板の裏面を研磨する等の手法によって薄くすること
も可能である。予め、シリコン基板を薄膜化することによって、半導体装置を軽量で薄型
な半導体装置を作製することができる。
【０１０５】
次いで、第１の素子形成領域と第２の素子形成領域とを区画するための素子分離領域と
なるフィールド酸化膜２６０３を形成する。フィールド酸化膜２６０３は厚い熱酸化膜で
あり、公知のＬＯＣＯＳ法を用いて形成すればよい。なお、素子分離法は、ＬＯＣＯＳ法
に限定されず、例えば素子分離領域はトレンチ分離法を用いてトレンチ構造を有していて
もよいし、ＬＯＣＯＳ構造とトレンチ構造の組み合わせであってもよい。
【０１０６】
次いで、シリコン基板の表面を、例えば熱酸化させることによってゲート絶縁膜２６０
４を形成する。ゲート絶縁膜２６０４は、ＣＶＤ法を用いて形成してもよく、酸化窒化珪
素膜や酸化珪素膜や窒化珪素膜やそれらの積層膜を用いることができる。
【０１０７】
次いで、ポリシリコン層２６０５ａとシリサイド層２６０５ｂとの積層膜を全面に形成
し、リソグラフィ技術およびドライエッチング技術に基づき積層膜を形成することによっ
てゲート絶縁膜上にポリサイド構造を有するゲート電極２６０５を形成する。ポリシリコ
ン層２６０５ａは低抵抗化するために予め、１０２１／ｃｍ３程度の濃度でリン（Ｐ）を
ドープしておいても良いし、ポリシリコン膜を形成した後で濃いｎ型不純物を拡散させて
も良い。また、シリサイド層２６０５ｂを形成する材料はモリブデンシリサイド（ＭｏＳ
ｉｘ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉｘ）、チ
タンシリサイド（ＴｉＳｉｘ）などを適用することが可能であり、公知の方法に従い形成
すれば良い。
【０１０８】
なおゲート電極の側壁にサイドウォールを形成してもよい。例えば、酸化珪素からなる
絶縁材料層を全面にＣＶＤ法にて堆積させ、かかる絶縁材料層をエッチバックすることに
よってサイドウォールを形成すればよい。エッチバックの際に自己整合的にゲート絶縁膜
を選択的に除去してもよい。
【０１０９】
次いで、ソース領域およびドレイン領域を形成するために、露出したシリコン基板にイ
オン注入を行う。ｐチャネル型ＦＥＴを形成すべき素子形成領域をレジスト材料で被覆し
、ｎ型不純物であるヒ素（Ａｓ）やリン（Ｐ）をシリコン基板に注入してソース領域２６
１３及びドレイン領域２６１４を形成する。また、ｎチャネル型ＦＥＴを形成すべき素子
形成領域をレジスト材料で被覆し、ｐ型不純物であるボロン（Ｂ）をシリコン基板に注入
してソース領域２６１５及びドレイン領域２６１６を形成する。
【０１１０】
次いで、イオン注入された不純物の活性化および、イオン注入によって発生したシリコ
ン基板における結晶欠陥を回復するために、活性化処理を行う。
【０１１１】
そして、活性化後に層間絶縁膜や、ソース電極またはドレイン電極となるメタル配線等
を形成する。層間絶縁膜２６１７は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法を用いて酸化シリ
コン膜や酸化窒化シリコン膜などを形成する。なお、さらにその上にリンガラス（ＰＳＧ
）、あるいはボロンガラス（ＢＳＧ）、もしくはリンボロンガラス（ＰＢＳＧ）の層間絶
縁膜が形成してもよい。
【０１１２】
メタル電極２６１９、メタル電極２６２１、メタル電極２６２０、メタル電極２６２２
は、層間絶縁膜２６１７とゲート絶縁膜２６０４にそれぞれのＦＥＴのソース領域及びド
レイン領域に達するコンタクトホールを形成した後に形成するもので、低抵抗材料として
通常良く用いられるアルミニウムを用いると良い。また、アルミニウムとチタンの積層構
造としても良い。
【０１１３】
なお、コンタクト穴は、電子線直接描画技術によって形成してもよい。電子線直接描画
は、ポジ型の電子線描画用レジストを層間絶縁膜２６１７上の全面に形成し、電子線が照
射された部分を現像液によって溶解させる。そして、コンタクト穴が形成される箇所のレ
ジストに穴が空き、レジストをマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、所定
の位置の層間絶縁膜２６１７とゲート絶縁膜２６０４がエッチングされてコンタクト穴を
形成することができる。以上のようにして、ｐチャネル型トランジスタ２６５１、ｎチャ
ネル型トランジスタ２６５２を、単結晶基板を用いて作製することができる（図１４（Ａ
））。
【０１１４】
次に図１４（Ｂ）に示すように層間膜２６２４を形成する。そして層間膜２６２４をエ
ッチングしコンタクトホールを形成し、メタル電極２６２２の一部を露出させる。層間膜
２６２４は樹脂には限定せず、ＣＶＤ酸化膜など他の膜であっても良いが、平坦性の観点
から樹脂であることが望ましい。また、感光性樹脂を用いて、エッチングを用いずにコン
タクトホールを形成しても良い。次に層間膜２６２４上に、コンタクトホールを介してメ
タル電極２６２２と接する配線２６２５を形成する。
【０１１５】
次にアンテナとして機能する導電膜２６２６を、配線２６２５と接するように形成する
。導電膜２６２６は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロ
ム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、
タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を用いて形成することができる。導電膜
２６２６は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された
膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。導電膜２６２６
は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。
【０１１６】
導電膜２６２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の
印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、めっき法、フォトリソグラフィ法、蒸着法等を用
いて形成することができる。
【０１１７】
なお本実施の形態では、アンテナを半導体素子と同じ基板上に形成する例について説明
したが、この構成に限定されない。半導体素子を形成した後、別途形成したアンテナを、
集積回路と電気的に接続するようにしても良い。この場合、アンテナと集積回路との電気
的な接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｖｅ  Ｆｉｌｍ））や異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ））等で圧着させることにより電気的に接続することができる
。また、他にも、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半
田接合等を用いて接続を行うことも可能である。
【０１１８】
次に図１５に示すように、アンテナとして機能する導電膜２６２６を覆うように保護膜
２６２７を形成する。保護膜２６２７は、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜、ある
いは窒化酸化シリコン膜で形成されている。また、窒化シリコン膜等の代わりに有機樹脂
膜、若しくは保護膜の上に有機樹脂膜を積層してもよい。有機樹脂材料として、ポリイミ
ド、ポリアミド、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などを用いることができる。
有機樹脂膜を用いる利点は、膜の形成方法が簡単である点や、比誘電率が低いので寄生容
量を低減できる点、平坦化するのに適している点などがある。勿論、上述した以外の有機
樹脂膜を用いても良い。
【０１１９】
そして、図１５に示すように、フィルム２６２８によって覆い、半導体装置を完成させる
ことができる。フィルム２６２８の表面には、水分や酸素等の侵入を防ぐために、保護膜
を形成しても良い。保護膜は、珪素を有する酸化物、又は珪素を有する窒化物によって形
成することができる。また、フィルムには半導体装置のブースターアンテナとなるパター
ンが形成されていてもよい。
【０１２０】
このように単結晶基板上に形成された半導体装置は、軽量でより小型化された製品を提供
することができる。またこのような半導体装置は小型化された半導体装置を作成すること
ができ、トランジスタ特性のばらつきも小さいため、好適である。
【０１２１】
なお、本実施の形態は、本明細書の実施の形態の技術的要素と組み合わせて行うことがで
きる。
【０１２２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の用途について説明する。本発明の半導体装置
は、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等）
、包装用容器類（包装紙やボトル等）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等）、乗
物類（自転車等）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、
生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札等の物品に設ける、いわゆるＩＣラベル、Ｉ
Ｃタグ、ＩＣカードとして使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表
示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）
及び携帯電話等を指す。
【０１２３】
なお、本明細書において、ＩＣカードとは、プラスチック製カードに薄片化した半導体
集積回路（ＩＣチップ）を埋設して情報を記録できるようにしたカードである。データを
読み書きする方式の違いによって「接触式」と「非接触式」に分けられる。非接触式カー
ドにはアンテナが内蔵されており、微弱な電波を利用して端末と交信することができるも
のである。また、ＩＣタグとは、物体の識別に利用される微小なＩＣチップ（特にこの用
途のＩＣチップを「ＩＣチップ」ともいう。）に自身の識別コードなどの情報が記録され
ており、電波を使って管理システムと情報を送受信する能力をもつものをいう。数十ミリ
メートルの大きさで、電波や電磁波で読み取り器と交信することができる。本発明の無線
通信によりデータの交信を行う半導体装置に使うＩＣタグの態様はさまざまであり、カー
ド形式のものや、ラベル類（ＩＣラベルという）、証書類などがある。
【０１２４】
本実施の形態では、図１６を参照して、本発明の応用例、及びそれらを付した商品の一
例について説明する。
【０１２５】
図１６（Ａ）は、本発明に係る半導体装置を有する半導体装置の完成品の状態の一例で
ある。ラベル台紙３００１（セパレート紙）上に、半導体装置３００２を内蔵した複数の
ＩＣラベル３００３が形成されている。ＩＣラベル３００３は、ボックス３００４内に収
納されている。また、ＩＣラベル３００３上には、その商品や役務に関する情報（商品名
、ブランド、商標、商標権者、販売者、製造者等）が記されており、一方、内蔵されてい
る半導体装置には、その商品（又は商品の種類）固有のＩＤナンバーが付されており、偽
造や、商標権、特許権等の知的財産権侵害、不正競争等の不法行為を容易に把握すること
ができる。また、半導体装置内には、商品の容器やラベルに明記しきれない多大な情報、
例えば、商品の産地、販売地、品質、原材料、効能、用途、数量、形状、価格、生産方法
、使用方法、生産時期、使用時期、賞味期限、取扱説明、商品に関する知的財産情報等を
入力しておくことができ、取引者や消費者は、簡易な読み取り装置によって、それらの情
報にアクセスすることができる。また、生産者側からは容易に書換え、消去等も可能であ
るが、取引者、消費者側からは書換え、消去等ができない仕組みになっている。
【０１２６】
図１６（Ｂ）は、半導体装置３０１２を内蔵したラベル状のＩＣタグ３０１１を示して
いる。ＩＣタグ３０１１を商品に備え付けることにより、商品管理が容易になる。例えば
、商品が盗難された場合に、商品の経路を辿ることによって、その犯人を迅速に把握する
ことができる。このように、ＩＣタグを備えることにより、所謂トレーサビリティに優れ
た商品を流通させることができる。
【０１２７】
図１６（Ｃ）は、本発明に係る半導体装置３０２２を内包したＩＣカード３０２１の完
成品の状態の一例である。上記ＩＣカード３０２１としては、キャッシュカード、クレジ
ットカード、プリペイドカード、電子乗車券、電子マネー、テレフォンカード、会員カー
ド等のあらゆるカード類が含まれる。
【０１２８】
なお図１６（Ｃ）に示したＩＣカードにおいては、半導体装置を構成するトランジスタと
して薄膜トランジスタを用いることにより、図１６（Ｄ）に示すように折り曲げた形状に
変形させたとしても使用することができる。
【０１２９】
図１６（Ｅ）は、無記名債券３０３１の完成品の状態を示している。無記名債券３０３
１には、半導体装置３０３２が埋め込まれており、その周囲は樹脂によって成形され、半
導体装置を保護している。無記名債券３０３１は、本発明に係るＩＣラベル、ＩＣタグ、
ＩＣカードと同じ要領で作成することができる。なお、上記無記名債券類には、切手、切
符、チケット、入場券、商品券、図書券、文具券、ビール券、おこめ券、各種ギフト券、
各種サービス券等が含まれるが、勿論これらに限定されるものではない。また、紙幣、硬
貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本発明の半導体装置３０３２を設けることに
より、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することが
できる。
【０１３０】
また、ここでは図示しないが、書籍、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣
類、生活用品類、電子機器等に本発明の半導体装置を設けることにより、検品システム等
のシステムの効率化を図ることができる。また乗物類に半導体装置を設けることにより、
偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個
々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に無線タグを埋め
込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。
【０１３１】
以上、本発明の半導体装置は物品（生き物を含む）であればどのようなものにでも設け
て使用することができる。
【０１３２】
なお、本実施の形態は、本明細書の実施の形態の技術的要素と組み合わせて行うことがで
きる。すなわち、半導体装置と通信装置との距離に依存する電圧値を一定の値に制御する
ことが可能となる。これにより、半導体装置の昇圧回路における電力損失の軽減とともに
、動作距離範囲の拡大を行うことができる。
【符号の説明】
【０１３３】
１００    半導体装置
１０１    昇圧回路
１０２    参照電圧源回路
１０３    電圧比較回路
１０４    スイッチコントローラ
１０５    出力切替スイッチ
１０６    論理回路
１１０    アンテナ
２００    入力配線
２０１    チャージポンプ
２０２    チャージポンプ
２０３    チャージポンプ
２０４    チャージポンプ
２０５    ｎチャネル型トランジスタ
２０６    ｎチャネル型トランジスタ
２０７    容量素子
２０８    容量素子
２１５    ダイオード
２１６    ダイオード
２２３    出力配線
２２４    出力配線
２２５    出力配線
２２６    出力配線
３００    入力配線
３０１    ｐチャネル型トランジスタ
３０２    ｐチャネル型トランジスタ
３０３    ｐチャネル型トランジスタ
３０４    ｎチャネル型トランジスタ
３０５    ｎチャネル型トランジスタ
３０６    抵抗素子
３０７    抵抗素子
３０８    ダイオード
３０９    ダイオード
３１０    ダイオード
３１１    出力配線
４０１    電圧比較回路
４０２    電圧比較回路
４０３    電圧比較回路
４０４    電圧比較回路
４０５    抵抗素子
４０６    抵抗素子
４０７    コンパレータ
４０８    抵抗素子
４０９    抵抗素子
４１０    コンパレータ
４１１    抵抗素子
４１２    抵抗素子
４１３    コンパレータ
４１４    抵抗素子
４１５    抵抗素子
４１６    コンパレータ
４１７    出力配線
４１８    出力配線
４１９    出力配線
４２０    出力配線
５０１    Ｅｘ−ＯＲ回路
５０２    Ｅｘ−ＯＲ回路
５０３    Ｅｘ−ＯＲ回路
５０４    コントローラ出力配線
５０５    コントローラ出力配線
５０６    コントローラ出力配線
５０７    コントローラ出力配線
５０８    信号配線
６０１    ｎチャネル型トランジスタ
６０２    ｎチャネル型トランジスタ
６０３    ｎチャネル型トランジスタ
６０４    ｎチャネル型トランジスタ
６０５    出力配線
６０６    出力配線
６０７    出力配線
６０８    出力配線
７０１    スイッチ
７０２    スイッチ
７０３    スイッチ
７０４    スイッチ
７０５    スイッチ
７０６    スイッチ
１９０１    基板
１９０２    剥離層
１９０３    絶縁膜
１９０４    半導体膜
１９０５    ゲート絶縁膜
１９０７    ゲート電極
１９０８    絶縁膜
１９０９    絶縁膜
１９１０    絶縁膜
１９１１    絶縁膜
１９１２    導電膜
１９１３    絶縁膜
１９１７    絶縁膜
１９１８    開口部
１９２０    シート材
１９２１    シート材
１９３１    導電膜
１９５０    領域
１９５１    素子層
２６０１    シリコン基板
２６０２    ｐ型ウェル
２６０３    フィールド酸化膜
２６０４    ゲート絶縁膜
２６０５    ゲート電極
２６１３    ソース領域
２６１４    ドレイン領域
２６１５    ソース領域
２６１６    ドレイン領域
２６１７    層間絶縁膜
２６１９    メタル電極
２６２０    メタル電極
２６２１    メタル電極
２６２２    メタル電極
２６２４    層間膜
２６２５    配線
２６２６    導電膜
２６２７    保護膜
２６２８    フィルム
２６５１    ｐチャネル型トランジスタ
２６５２    ｎチャネル型トランジスタ
３００１    ラベル台紙
３００２    半導体装置
３００３    ＩＣラベル
３００４    ボックス
３０１１    ＩＣタグ
３０１２    半導体装置
３０２１    ＩＣカード
３０２２    半導体装置
３０３１    無記名債券
３０３２    半導体装置
１９０４ａ    半導体膜
１９０４ｂ    半導体膜
１９０４ｃ    半導体膜
１９０４ｄ    半導体膜
１９０６ａ    チャネル形成領域
１９０６ｂ    不純物領域
１９０６ｃ    不純物領域
１９３０ａ    薄膜トランジスタ
１９３０ｂ    薄膜トランジスタ
１９３０ｃ    薄膜トランジスタ
１９３０ｄ    薄膜トランジスタ
２６０５ａ    ポリシリコン層
２６０５ｂ    シリサイド層
【図１】
0005583248.tif 000002
【図２】
0005583248.tif 000003
【図３】
0005583248.tif 000004
【図４】
0005583248.tif 000005
【図５】
0005583248.tif 000006
【図６】
0005583248.tif 000007
【図７】
0005583248.tif 000008
【図８】
0005583248.tif 000009
【図９】
0005583248.tif 000010
【図１０】
0005583248.tif 000011
【図１１】
0005583248.tif 000012
【図１２】
0005583248.tif 000013
【図１３】
0005583248.tif 000014
【図１４】
0005583248.tif 000015
【図１５】
0005583248.tif 000016
【図１６】
0005583248.tif 000017