(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載する半導体素子搭載面を有するダイパッド、前記ダイパッドと一体に形成され前記半導体素子搭載面から離隔する第１方向に延在する第１リード及び前記ダイパッドとは離隔して配置されるとともに接続部を有し第１方向に延在する第２リードを備えるフレーム部と、
前記半導体素子搭載面に固定された前記半導体素子と、
一方端が前記半導体素子に接合されるとともに他方端が前記第２リードの前記接続部に接合され、前記半導体素子と前記第２リードとを電気接続する連結接続子とを備え、
前記樹脂封止型半導体装置を正面から見たとき、前記第１リードを前記半導体素子搭載面よりも手前側に位置させるために前記ダイパッドと前記第１リードとの間に形成する屈曲部が、前記ダイパッドの部分から形成されている樹脂封止型半導体装置であって、
前記樹脂封止型半導体装置は、シングルインライン型ブリッジダイオードであって、
前記ダイパッドとして、各々が１つの半導体素子を搭載する２つの半導体素子搭載面及びこれらを前記第１方向側で連結する第１連結部を有する第１ダイパッド及び各々が１つの半導体素子を搭載する２つの半導体素子搭載面及びこれらを第１方向とは反対の第２方向側で連結する第２連結部を有する第２ダイパッドを備え、
前記第１ダイパッドにおける前記第１連結部及び前記第２ダイパッドにおける前記第２連結部には、それぞれ別の屈曲部が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記第１連結部及び前記第２連結部には、放熱フィン取り付け用ネジとの絶縁性を確保するための窪みが形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シングルインライン型ブリッジダイオードは、従来より各種電源装置に広く用いられている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００３】
図７は、従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００を説明するために示す図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）はシングルインライン型ブリッジダイオード９００の斜視図であり、図７（ｃ）はシングルインライン型ブリッジダイオード９００の断面図である。なお、図７（ｂ）においては樹脂９８０を透明化してシングルインライン型ブリッジダイオード９００を図示している。
【０００４】
従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００は、図７に示すように、第１ダイパッド９１０、第２ダイパッド９２０、第１リード９１６，９２６及び第２リード９４０，９３０を備えるフレーム部と、半導体素子９７２，９７６，９７４，９７８（後述する図８（ｂ）参照。）と、第１連結接続子９５０及び第２連結接続子９６０とを備える。
【０００５】
第１ダイパッド９１０は、各々が１つの半導体素子９７２，９７６を搭載する２つの半導体素子搭載面９１２，９１３及びこれらを連結する第１連結部９１４を有する。また、第２ダイパッド９２０は、各々が１つの半導体素子９７８，９７４を搭載する２つの半導体素子搭載面９２２，９２３及びこれらを連結する第２連結部９２４を有する（後述する図８（ａ）及び図８（ｂ）参照。）。
第１リード９１６は、第１ダイパッド９１０と一体に形成され半導体素子搭載面９１２から離隔する第１方向Ａに延在する。また、第１リード９２６は、第２ダイパッド９２０と一体に形成され半導体素子搭載面９２２から離隔する第１方向Ａに延在する。
第２リード９４０は、第１ダイパッド９１０とは離隔して配置されるとともに接続部９４２を有し第１方向Ａに延在する。また、第２リード９３０は、第２ダイパッド９２０とは離隔して配置されるとともに接続部９３２を有し第１方向Ａに延在する。
【０００６】
半導体素子９７２は、半導体素子搭載面９１２に固定され、半導体素子９７６は、半導体素子搭載面９１３に固定され、半導体素子９７８は、半導体素子搭載面９２２に固定され、半導体素子９７４は、半導体素子搭載面９２３に固定されている。
第１連結接続子９５０は、一方端が半導体素子９７６，９７８に接合されるとともに他方端が第２リード９４０の接続部９４２に接合され、半導体素子９７６，９７８と第２リード９４０とを電気接続する。
第２連結接続子９６０は、一方端が半導体素子９７２，９７４に接合されるとともに他方端が第２リード９３０の接続部９３２に接合され、半導体素子９７２，９７４と第２リード９３０とを電気接続する。
第１ダイパッド９１０、第２ダイパッド９２０、第１連結接続子９５０及び第２連結接続子９６０は、それぞれ板状の金属部材から作製されている。
【０００７】
第１リード９１６，９２６は、シングルインライン型ブリッジダイオード９００を正面から見たとき、第１リード９１６，９２６を半導体素子搭載面９１２，９１３，９２２，９２３よりも手前側に位置させるために各ダイパッド（第１ダイパッド９１０及び第２ダイパッド９２０）と第１リード９１６，９２６との間に屈曲部９１８、９２８が形成されている。なお、本発明において、正面側とは、放熱フィンを取り付ける面とは反対側の面をいう。
【０００８】
上記のように構成された従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００は、以下のようにして組み立てることができる。
図８は、従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００を組み立てる方法を示す図である。図８（ａ）〜図８（ｅ）は各工程図である。
【０００９】
まず、図８（ａ）に示すように、フレーム部の元になるリードフレームを準備する。このとき、第１リード９１６，９２６と、第２リード９３０，９４０とはタイバー９０６，９０８により一体化されている。これは、シングルインライン型ブリッジダイオード９００を組み立てる際のハンドリングを容易にするためである。また、樹脂封止工程においてタイバーを、樹脂流出を防止する樹脂封止部として機能させるためである。
【００１０】
次に、図８（ｂ）に示すように、各半導体素子載置面９１２，９２３，９１３，９２２に、半導体素子９７２，９７４，９７６，９７８を載置した状態でこれらを接合・固定する。
【００１１】
次に、図８（ｃ）に示すように、第１連結接続子９５０の一方端を半導体素子９７６，９７８に接合するとともに他方端を第２リード９４０の接続部９４２に接合して、半導体素子９７６，９７８と第２リード９４０とを電気接続する。また、第２連結接続子９６０の一方端を半導体素子９７２，９７４に接合するとともに他方端を第２リード９３０の接続部９３２に接合して、半導体素子９７２，９７４と第２リード９３０とを電気接続する。
【００１２】
次に、図８（ｄ）に示すように、フレーム部と、半導体素子９７２，９７４，９７６，９７８と、第１連結接続子９５０及び第２連結接続子９６０とを金型で覆った後、当該金型の内部に樹脂を封入して樹脂を硬化させる。
【００１３】
最後に、図８（ｅ）に示すように、パンチ切断により第１リード９１６，９２６及び第２リード９３０，９４０のそれぞれをタイバー９０６，９０８から切り離す。
【００１４】
このようにして、従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００を組み立てることができる。
【００１５】
上記のように構成され、上記のようにして製造されたシングルインライン型ブリッジダイオード９００によれば、半導体素子を搭載する各ダイパッド（第１ダイパッド９１０及び第２ダイパッド９２０）が奥側に位置するため、シングルインライン型ブリッジダイオードの背面側に取り付けられる放熱フィンと半導体素子との間隔が小さくなり、優れた放熱性能が得られる。
【００１６】
また、従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００によれば、各リード（第１リード９１６，９２６及び第２リード９３０，９４０）が手前側に位置するため、放熱フィンと各リードとの間隔が大きくなり、優れた絶縁性能が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【非特許文献１】製品情報＞半導体製品＞ダイオード＞ブリッジダイオード＞リード挿入型、［online］、新電元工業株式会社、［平成２２年９月１６日検索］、インターネット、＜ＵＲＬ：http://www.shindengen.co.jp/product/semi/list_detail_NEW.php?category_id=01&sub_id=03&product_id=D25JAB80V＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
ところで、近年の電子機器の小型化が進展するに伴い、上記したシングルインライン型ブリッジダイオードにおいても、リードの延在方向に沿った高さが低いこと、すなわち低背化の要求が高まっており、そのような要求を満たすシングルインライン型ブリッジダイオードを提供したいという課題が存在する。なお、このような課題は、シングルインライン型ブリッジダイオードの場合だけに存在する課題ではなく、樹脂封止型半導体装置全般にわたって存在する課題である。
【００１９】
そこで、本発明は、上記した課題に鑑みてなされたもので、従来の樹脂封止型半導体装置における優れた放熱性能及び優れた絶縁性能を低下させることなく、従来の樹脂封止型半導体装置よりも低背化の要求を満たすことが可能な樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
［１］本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を搭載する半導体素子搭載面を有するダイパッド、前記ダイパッドと一体に形成され前記半導体素子搭載面から離隔する第１方向に延在する第１リード及び前記ダイパッドとは離隔して配置されるとともに接続部を有し第１方向に延在する第２リードを備えるフレーム部と、前記半導体素子搭載面に固定された前記半導体素子と、一方端が前記半導体素子に接合されるとともに他方端が前記第２リードの前記接続部に接合され、前記半導体素子と前記第２リードとを電気接続する連結接続子とを備える樹脂封止型半導体装置であって、前記樹脂封止型半導体装置を正面から見たとき、前記第１リードを前記半導体素子搭載面よりも手前側に位置させるために前記ダイパッドと前記第１リードとの間に形成する屈曲部が、前記ダイパッドの部分から形成されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、半導体素子を搭載するダイパッドが奥側に位置するため、放熱フィンと半導体素子との間隔が小さくなり、優れた放熱性能が得られる。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、各リード（第１リード及び第２リード）が手前側に位置するため、放熱フィンと各リードとの間隔が大きくなり、優れた絶縁性能が得られる。
さらにまた、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、ダイパッドと第１リードとの間に形成する屈曲部が、ダイパッドの部分から形成されているため、各リード（第１リード及び第２リード）の延在方向に沿った高さを従来の樹脂封止型半導体装置の場合よりもより一層低くすることが可能となる。その結果、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、従来の樹脂封止型半導体装置よりも低背化の要求を満たすことが可能となる。
【００２２】
なお、本明細書において、「屈曲部がダイパッドの部分から形成されている」とは、屈曲部を形成する前のフレーム部を第１方向を下にした状態で正面から見たとき、屈曲部が、少なくともダイパッドのどこかの部分が存在する高さ位置の部分から形成されていることを意味するものとする。
【００２３】
［２］本発明の樹脂封止型半導体装置は、シングルインライン型ブリッジダイオードであって、前記ダイパッドとして、各々が１つの半導体素子を搭載する２つの半導体素子搭載面及びこれらを前記第１方向側で連結する第１連結部を有する第１ダイパッド及び各々が１つの半導体素子を搭載する２つの半導体素子搭載面及びこれらを第１方向とは反対の第２方向側で連結する第２連結部を有する第２ダイパッドを備え、前記第１ダイパッドにおける前記第１連結部及び前記第２ダイパッドにおける前記第２連結部には、それぞれ別の屈曲部が形成されていることを特徴とする。
【００２４】
このような構成とすることにより、シングルインライン型ブリッジダイオードにおいても、本発明の樹脂封止型半導体装置の効果を得ることができる。また、その場合に、各リード（第１リード及び第２リード）の延在方向Ａに沿った高さをより一層低くすることが可能となる。
【００２５】
［３］本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記第１連結部及び前記第２連結部には、放熱フィン取り付け用ネジとの絶縁性を確保するための窪みが形成されていることを特徴とする。
【００２６】
このような構成とすることにより、第１連結部及び第２連結部に屈曲部を設けた場合であっても、第１連結部又は第２連結部と放熱フィン取り付け用ネジとの間の絶縁性を確保することが可能となる。
【００２７】
［４］本発明の樹脂封止型半導体装置は、２つの半導体素子（例えば、ダイオードなど。）を備える樹脂封止型半導体装置であって、前記第２リードとして、２つの第２リードを備え、前記連結接続子として、一方端が一方の半導体素子に接合されるとともに他方端が一方の第２リードの接続部に接合され、前記一方の半導体素子と前記一方の第２リードとを電気接続する第１連結接続子と、一方端が他方の半導体素子に接合されるとともに他方端が他方の第２リードの接続部に接合され、前記他方の半導体素子と前記他方の第２リードとを電気接続する第２連結接続子とを備えることを特徴とする。
【００２８】
このような構成とすることにより、２つの半導体素子を備える樹脂封止型半導体装置においても、本発明の樹脂封止型半導体装置の効果を得ることができる。
【００２９】
［５］本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記樹脂封止型半導体装置は、３端子の半導体素子を備える半導体装置であって、前記第２リードとして、２つの第２リードを備え、前記連結接続子として、一方端が前記半導体素子の第１領域に接合されるとともに他方端が一方の第２リードの接続部に接合され、前記半導体素子の前記第１領域と前記一方の第２リードとを電気接続する第１連結接続子と、一方端が前記半導体素子の前記第１領域とは異なる第２領域に接合されるとともに他方端が他方の第２リードの接続部に接合され、前記半導体素子の前記第２領域と前記他方の第２リードとを電気接続する第２連結接続子とを備えることを特徴とする。
【００３０】
このような構成とすることにより、３端子の半導体素子（例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、サイリスターなど。）を備える樹脂封止型半導体装置においても、本発明の樹脂封止型半導体装置の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００を説明するために示す図である。
【図２】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００を組み立てる方法を示す図である。
【図３】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００を説明するために示す図である。
【図４】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００を組み立てる方法を示す図である。
【図５】実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００を説明するために示す図である。
【図６】実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００を組み立てる方法を示す図である。
【図７】従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００を説明するために示す図である。
【図８】従来のシングルインライン型ブリッジダイオード９００を組み立てる方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００３３】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００を説明するために示す図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）は樹脂封止型半導体装置１００の斜視図であり、図１（ｃ）は樹脂封止型半導体装置１００の断面図である。なお、図１（ｂ）においては樹脂１８０を透明化して樹脂封止型半導体装置１００を図示している。
【００３４】
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００は、図１に示すように、第１ダイパッド１１０、第２ダイパッド１２０、第１リード１１６，１２６及び第２リード１４０，１３０を備えるフレーム部と、半導体素子１７２，１７６，１７４，１７８（後述する図２（ｂ）参照。）と、第１連結接続子１５０及び第２連結接続子１６０とを備える。実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００は、シングルインライン型ブリッジダイオードである。
【００３５】
第１ダイパッド１１０は、各々が１つの半導体素子１７２，１７６を搭載する２つの半導体素子搭載面１１２，１１３及びこれらを第１方向側で連結する第１連結部１１４を有する。第２ダイパッド１２０は、各々が１つの半導体素子１７８，１７４を搭載する２つの半導体素子搭載面１２２，１２３及びこれらを第１方向とは反対の第２方向側で連結する連結する第２連結部１２４を有する。
第１リード１１６は、第１ダイパッド１１０と一体に形成され半導体素子搭載面１１２から離隔する第１方向Ａに延在する。第１リード１２６は、第２ダイパッド１２０と一体に形成され半導体素子搭載面１２２から離隔する第１方向Ａに延在する。
第２リード１４０は、第１ダイパッド１１０とは離隔して配置されるとともに接続部１４２を有し第１方向Ａに延在する。第２リード１３０は、第２ダイパッド１２０とは離隔して配置されるとともに接続部１３２を有し第１方向Ａに延在する。
【００３６】
半導体素子１７２は、半導体素子搭載面１１２に固定され、半導体素子１７６は、半導体素子搭載面１１３に固定され、半導体素子１７８は、半導体素子搭載面１２２に固定され、半導体素子１７４は、半導体素子搭載面１２３に固定されている。
第１連結接続子１５０は、一方端が半導体素子１７６，１７８に接合されるとともに他方端が第２リード１４０の接続部１４２に接合され、半導体素子１７６，１７８と第２リード１４０とを電気接続する。
第２連結接続子１６０は、一方端が半導体素子１７２，１７４に接合されるとともに他方端が第２リード１３０の接続部１３２に接合され、半導体素子１７２，１７４と第２リード１３０とを電気接続する。
【００３７】
第１リード１１６，１２６を半導体素子搭載面１１２，１１３，１２２，１２３よりも手前側に位置させるために第１ダイパッド１１０と第１リード１１６との間に形成する屈曲部１１８及び第２ダイパッド１２０と第２リード１２６との間に形成する屈曲部１２８が、各ダイパッド（第１ダイパッド１１０及び第２ダイパッド１２０）の部分から形成されている。
【００３８】
第１ダイパッド１１０における第１連結部１１４及び第２ダイパッドにおける第２連結部１２８には、それぞれ別の屈曲部が形成されていることを第２ダイパッド１２０における第２連結部１２４には、別の屈曲部が形成されている。
【００３９】
第１連結部１１４及び第２連結部１２４には、放熱フィン取り付け用ネジとの絶縁性を確保するための窪みが形成されている。
【００４０】
上記のように構成された実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００は、以下のようにして組み立てることができる。
図２は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００を組み立てる方法を示す図である。図２（ａ）〜図２（ｅ）は各工程図である。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、フレーム部の元になるリードフレームを準備する。このとき、第１リード１１６，１２６と、第２リード１３０，１４０とはタイバー１０６，１０８により一体化されている。これは、樹脂封止型半導体装置１００を組み立てる際のハンドリングを容易にするためである。また、樹脂封止工程においてタイバー１０６を、樹脂流出を防止する樹脂封止部として機能させるためである。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、各半導体素子載置面１１２，１２３，１１３，１２２に、半導体素子（ダイオード）１７２，１７４，１７６，１７８を載置した状態で固定する。
【００４３】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１連結接続子１５０の一方端を半導体素子１７６，１７８に接合するとともに他方端を第２リード１４０の接続部１４２に接合して、半導体素子１７６，１７８と第２リード１４０とを電気接続する。また、第２連結接続子１６０の一方端を半導体素子１７２，１７４に接合するとともに他方端を第２リード１３０の接続部１３２に接合して、半導体素子１７２，１７４と第２リード１３０とを電気接続する。
【００４４】
次に、図２（ｄ）に示すように、フレーム部と、半導体素子１７２，１７４，１７６，１７８と、第１連結接続子１５０及び第２連結接続子１６０とを図示しない金型で覆った後、当該金型の内部に樹脂を封入して樹脂を硬化させる。
【００４５】
最後に、図２（ｅ）に示すように、パンチ切断により第１リード１１６，１２６及び第２リード１３０，１４０のそれぞれをタイバー１０６，１０８から切り離す。
【００４６】
このようにして、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００を組み立てることができる。
【００４７】
上記のように構成され、上記のようにして製造された実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００によれば、半導体素子を搭載する各ダイパッド（第１ダイパッド１１０及び第２ダイパッド１２０）が奥側に位置するため、樹脂封止型半導体装置の背面側に取り付けられる放熱フィンと半導体素子との間隔が小さくなり、優れた放熱性能が得られる。
また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００によれば、各リード（第１リード１１６，１２６及び第２リード１３０，１４０）が手前側に位置するため、放熱フィンと各リードとの間隔が大きくなり、優れた絶縁性能が得られる。
さらにまた、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００によれば、ダイパッド（第１ダイパッド１１０及び第２ダイパッド１２０）と第１リード１１６，１２６との間に形成する屈曲部が、各ダイパッドの部分（第１連結部１１４の部分）から形成されているため、各リード（第１リード及び第２リード）の延在方向Ａに沿った高さが従来の樹脂封止型半導体装置（シングルインライン型ブリッジダイオード９００）よりも低く、従来の樹脂封止型半導体装置（シングルインライン型ブリッジダイオード９００）の場合よりも低背化の要求を満たすことが可能となる。
【００４８】
また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００によれば、第１ダイパッド１１０における第１連結部１１４及び第２ダイパッド１２０における第２連結部１２４には、それぞれ別の屈曲部が形成されているため、各リード（第１リード及び第２リード）の延在方向Ａに沿った高さをより一層低くすることが可能となる。
【００４９】
また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００によれば、第１連結部１１４及び第２連結部１２４には、放熱フィン取り付け用ネジとの絶縁性を確保するための窪みが形成されているため、第１連結部１１４及び第２連結部１２４に屈曲部を設けた場合であっても、第１連結部１１４又は第２連結部１２４と放熱フィン取り付け用ネジとの間の絶縁性を確保することが可能となる。
【００５０】
［実施形態２］
図３は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００を説明するために示す図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）は樹脂封止型半導体装置２００の斜視図であり、図３（ｃ）は樹脂封止型半導体装置２００の断面図である。なお、図３（ｂ）においては樹脂２８０を透明化して樹脂封止型半導体装置２００を図示している。
図４は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００を組み立てる方法を示す図である。図４（ａ）〜図４（ｅ）は各工程図である。
【００５１】
実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００は、基本的には実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００と同様の構成を有するが、樹脂封止型半導体装置が２つの半導体素子２７２，２７４を備える樹脂封止型半導体装置である点で実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合とは異なる。
【００５２】
すなわち、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００は、２つの半導体素子２７２，２７４を備える樹脂封止型半導体装置であって、第２リードとして、２つの第２リード２３０，２４０を備え、連結接続子として、一方端が一方の半導体素子２７２に接合されるとともに他方端が一方の第２リード２３０の接続部２３２に接合され、一方の半導体素子２７２と一方の第２リード２３０とを電気接続する第１連結接続子２５０と、一方端が他方の半導体素子２７４に接合されるとともに他方端が他方の第２リード２４０の接続部２４２に接合され、他方の半導体素子２７４と他方の第２リード２４０とを電気接続する第２連結接続子２６０とを備える。
【００５３】
このように、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００は、樹脂封止型半導体装置が２つの半導体素子２７２，２７４を備える樹脂封止型半導体装置である点で実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合とは異なるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合と同様に、第１リードを半導体素子搭載面よりも手前側に位置させるためにダイパッドと第１リードとの間に形成する屈曲部２１８が、ダイパッド２１０の部分から形成されているため、従来の半導体装置における優れた放熱性能及び優れた絶縁性能を低下させることなく、従来の半導体装置の場合よりも低背化の要求を満たすことが可能となる。
【００５４】
なお、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２００は、樹脂封止型半導体装置が２つの半導体素子２７２，２７４を備える樹脂封止型半導体装置である点以外の点は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合と同様であるため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００が有する効果のうち該当する効果を有する。
【００５５】
［実施形態３］
図５は、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００を説明するために示す図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は樹脂封止型半導体装置３００の斜視図であり、図５（ｃ）は樹脂封止型半導体装置３００の断面図である。なお、図５（ｂ）においては樹脂３８０を透明化して樹脂封止型半導体装置３００を図示している。
図６は、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００を組み立てる方法を示す図である。図６（ａ）〜図６（ｅ）は各工程図である。
【００５６】
実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００は、基本的には実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００と同様の構成を有するが、樹脂封止型半導体装置が３端子の半導体素子３７２を備える樹脂封止型半導体装置である点で実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合とは異なる。
【００５７】
すなわち、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００は、３端子の半導体素子３７２を備える樹脂封止型半導体装置であって、第２リードとして、２つの第２リード３３０，３４０を備え、連結接続子として、一方端が半導体素子３７２の第１領域に接合されるとともに他方端が一方の第２リード３３０の接続部３３２に接合され、半導体素子３７２の第１領域と一方の第２リード３３０とを電気接続する第１連結接続子３５０と、一方端が半導体素子３７２の第１領域とは異なる第２領域に接合されるとともに他方端が他方の第２リード３４０の接続部３４２に接合され、半導体素子３７２の第２領域と第２リード３４０とを電気接続する第２連結接続子３６０とを備える。
【００５８】
このように、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００は、樹脂封止型半導体装置が３端子の半導体素子３７２を備える樹脂封止型半導体装置である点で実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合とは異なるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合と同様に、第１リードを半導体素子搭載面よりも手前側に位置させるためにダイパッドと第１リードとの間に形成する屈曲部３１８が、ダイパッド３１０の部分から形成されているため、従来の半導体装置における優れた放熱性能及び優れた絶縁性能を低下させることなく、従来の半導体装置の場合よりも低背化の要求を満たすことが可能となる。
【００５９】
なお、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３００は、樹脂封止型半導体装置が３端子の半導体素子３７２を備える樹脂封止型半導体装置である点以外の点は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００の場合と同様であるため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１００が有する効果のうち該当する効果を有する。
【００６０】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００６１】
（１）上記した実施形態１においては、シングルインライン型ブリッジダイオードを用いて本発明の樹脂封止型半導体装置を説明し、上記した実施形態２においては、２つの半導体素子を備える樹脂封止型半導体装置を用いて本発明の樹脂封止型半導体装置を説明し、上記した実施形態３においては、３端子の半導体素子を備える樹脂封止型半導体装置を用いて本発明の樹脂封止型半導体装置を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。シングルインライン型ブリッジダイオード、２つの半導体素子を備える樹脂封止型半導体装置及び３端子の半導体素子を備える樹脂封止型半導体装置以外の樹脂封止型半導体装置に本発明の適用することもできる。
【００６２】
（２）上記した各実施形態においては、連結接続子として、板状の金属部材から作製した連結接続子１５０，１６０，２５０，２６０，３５０，３６０を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。連結接続子として、ワイヤー状の連結接続子を用いてもよい。この場合、半導体素子と第２リードの接続部との接続をワイヤーボンディングの手法で接続することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１００，２００，３００…樹脂封止型半導体装置、１０６，１０８，２０６，２０８，３０６，３０８，９０６，９０８…タイバー、１１０，９１０…第１ダイパッド、１２０，９２０…第２ダイパッド、１１２，１１３，１２２，１２３，２１２，３１２，９１２，９１３，９２２，９２３…半導体素子搭載面、１１４，９１４…第１連結部、１１６，１２６，９１６，９２６…第１リード，１１８，１２８，２１８，３１８…屈曲部、１２４，９２４…第２連結部、１３０，１４０，２３０，２４０，３３０，３４０，９３０，９４０…第２リード、１３２，１４２，２３２，２４２、３３２，３４２，９３２，９４２…接続部、１５０，２５０，３５０，９５０…第１連結接続子、１６０，２６０，３６０，９６０…第２連結接続子、１７２，１７４，１７６，１７８，２７２，２７４，３７２，９７２，９７４，９７６，９７８…半導体素子、２１０，３１０…ダイパッド、１８０，２８０，３８０，９８０…樹脂、９００…シングルインライン型ブリッジダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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