(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の基材に、少なくとも１層の硬化性の樹脂の層を形成させて複合基材とした後、表面にパターンが形成されたマザースタンパに対して、該複合基材の該硬化性の樹脂の層側を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程（１）、活性エネルギー線を照射、または加熱して該複合基材の一部を硬化させる工程（２）、および、前記基材及び／または複合基材を打ち抜き加工する工程（３）を有し、
前記パターン形成部分の内側に打抜加工部を形成するように前記基材または複合基材を打ち抜いた後、該打抜加工部を用いて前記マザースタンパと前記複合基材との位置合わせを行い、その後前記マザースタンパに対して前記複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程（１）、および該複合基材の一部を硬化させる工程（２）を行うことを特徴とする樹脂スタンパの製造方法。
【請求項２】
前記硬化性の樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂であり、前記工程（２）が、活性エネルギー線を照射して複合基材の一部を硬化させる工程であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂スタンパの製造方法。
【請求項３】
前記工程（３）において、前記パターン形成部分の外側に周縁部を形成するように前記複合基材を打ち抜くことを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂スタンパの製造方法。
【請求項４】
前記基材が、圧縮成形時の基材温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂スタンパの製造方法。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、前記硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して複合基材を得る工程と、前記マザースタンパに対して該複合基材を押し付けて圧縮成形し該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程と、活性エネルギー線を照射して該複合基材の一部を硬化させる工程および該複合基材を前記硬化の途中または後に打ち抜き加工する工程を、この順で連続して行うことを特徴とする請求項４に記載の樹脂スタンパの製造方法。
【請求項６】
前記基材が、圧縮成形時の基材温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂スタンパの製造方法。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、前記硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して複合基材を得る工程と、前記パターン形成部分の内側に打抜加工部を形成するように前記複合基材を打ち抜く工程と、該打抜加工部を用いて前記マザースタンパと位置合わせを行った後前記マザースタンパに対して前記複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程と、該複合基材の一部を硬化させる工程を、この順で連続して行うことを特徴とする請求項６に記載の樹脂スタンパの製造方法。
【請求項８】
表面にパターンが形成されたマザースタンパに対し、少なくとも１層の硬化性の樹脂の層を有してなる複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写するとともに、前記複合基材を打ち抜き加工して樹脂スタンパを製造する装置であって、
前記マザースタンパに対してカッター部材が移動自在に設けられ、前記カッター部材の近傍に前記カッター部材の先方側に光を照射する照射装置と透光押圧基盤が設置され、
前記マザースタンパと前記カッター部材との間に前記複合基材が介挿自在にされ、前記カッター部材と前記マザースタンパとの間に配置された前記複合基材を前記透光押圧基盤と前記マザースタンパとで挟み込み、マザースタンパ側の所望のパターンを前記複合基材に転写するとともに、前記照射装置から光を前記複合基材に照射して前記硬化性の樹脂の層を硬化できるように、かつ、前記カッター部材により前記複合基材を前記硬化性の樹脂の層の硬化の前後あるいは前記硬化性の樹脂の層の硬化と同時に打ち抜き加工自在に構成されてなることを特徴とする樹脂スタンパの製造装置。
【請求項９】
表面にパターンが形成されたマザースタンパに対し、少なくとも１層の硬化性の樹脂の層を有してなる複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写するとともに、前記複合基材を打ち抜き加工して樹脂スタンパを製造する装置であって、
前記マザースタンパに対してカッター部材が移動自在に設けられ、前記カッター部材の近傍に加熱部材が設けられ、前記外周カッター部と内周カッター部との間に押圧基盤が設置され、
前記マザースタンパと前記カッター部材との間に前記複合基材が介挿自在にされ、
前記カッター部材と前記マザースタンパとの間に配置された前記複合基材を前記押圧基盤と前記マザースタンパとで挟み込み、マザースタンパ側の所望のパターンを前記複合基材に転写するとともに、前記加熱装置からの熱により前記硬化性の樹脂の層を硬化できるように、かつ、前記カッター部材により前記複合基材を前記硬化性の樹脂の層の硬化の前後あるいは前記硬化性の樹脂の層の硬化と同時に打ち抜き加工自在に構成されてなることを特徴とする樹脂スタンパの製造装置。
【請求項１０】
前記カッター部材が、前記樹脂製の複合基材の中央部を打ち抜く内周カッター刃を有する内周カッター部を備えてなることを特徴とする請求項８または９に記載の樹脂スタンパの製造装置。
【請求項１１】
前記カッター部材が、外周カッター刃を有する外周カッター部と該外周カッター部の内側に配置された内周カッター刃を有する内周カッター部とを具備する構造とされてなることを特徴とする請求項８または９に記載の樹脂スタンパの製造装置。
【請求項１２】
前記マザースタンパの周囲に該マザースタンパの位置決めを行うとともに前記複合基材を打ち抜いた前記カッター刃を案内する摺動サポート部材が設けられてなることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の樹脂スタンパの製造装置。
【請求項１３】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法による樹脂スタンパを用い、基体上に形成した薄膜に対して、または、基体上に形成されているマスク層の上に形成した薄膜に対して前記樹脂スタンパのパターンを押し付けてインプリントすることを特徴とするインプリント方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基体として、磁性膜を基体上に備えた磁気記録媒体を適用し、前記薄膜に形成したパターンを利用して前記磁性膜の一部を除去するか、もしくは、非磁性化することを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンが転写されているとともに中心部または端部等に位置合わせ用の孔
部が形成された樹脂スタンパを製造する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大されその重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特にＭＲヘッド、およびＰＲＭＬ技術の導入以来面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなども導入され１年に約１００％ものペースで増加を続けている。これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。
最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）の低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。しかし、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００３】
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮＲを確保することがむずかしいという問題がある。
【０００４】
このような熱揺らぎの問題やＳＮＲの確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、あるいは隣接トラック間に非磁性部を形成して、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされている。このような技術を以下にディスクリートトラック法と呼ぶ。
ディスクリートトラック型磁気記録媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。  この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と磁気的に分断された磁気記録領域が形成されている。
この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
【０００５】
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法とがある（例えば、特許文献２，特許文献３参照。）。このうち、後者の方法をしばしばプレエンボス法または基板加工型と呼ぶ。プレエンボス法は媒体表面に対する物理的加工が媒体形成前に完了するため、製造工程が簡略化でき、かつ媒体が製造工程において汚染しにくいという利点があるが、その一方で、基板に形成された凹凸形状が成膜された膜にも引き継がれることになるため、媒体上を浮上しながら記録再生を行う記録再生ヘッドの浮上姿勢、浮上高さが安定しないという問題点があった。
【０００６】
一方、半導体デバイスについては、微細化の一層の加速による高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムＬＳＩという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。このような背景において、半導体デバイスプロセスのコアテクノロジーであるリソグラフィ技術は微細化が進むにつれ、装置が高価になってきている。
現在、光露光リソグラフィは最小線幅が１３０ｎｍであるＫｒＦレーザーリソグラフィから、より高解像度なＡｒＦレーザーリソグラフィへの移行が始まりつつある。
そして、ＡｒＦレーザーリソグラフィの量産レベルでの最小線幅は１００ｎｍであるのに対して、２００３年には９０ｎｍ、２００５年には６５ｎｍ、２００７年には４５ｎｍデバイス製造が始まろうとしている。
このような状況でより微細な技術として期待されているのがＦ２  レーザー（Ｆ２  エキシマレーザー）リソグラフィや極端紫外線露光リソグラフィ（ＥＵＶＬ；Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、電子線縮小転写露光リソグラフィ（ＥＰＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、Ｘ線リソグラフィである。そして、これらのリソグラフィ技術は４０ｎｍ〜７０ｎｍのパターン作製に成功している。
しかし、微細化の進歩につれ、露光装置自身の初期コストが指数関数的に増大していることに加え、使用光波長と同程度の解像度を得るためのマスクの価格が急騰している問題があり、安価でありながら、１０ｎｍ程度の解像度を有する加工技術としてナノインプリントリソグラフィが注目されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特表２００４−５０４７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ディスクリートトラック型磁気記録媒体は、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に記録用の磁性層を形成し、さらにその表面を保護膜層で覆ったうえ、潤滑層を形成した構造を有している。このような構造の磁気記録媒体では、保護膜層が薄くなるほどヘッドと磁性層との距離が短くなるため、ヘッドでの信号の出入力が大きくなり、記録密度も高めることができる。また、トラック内のピット密度は凹凸状の保護膜層表面を走るヘッドの浮上高さにより定まる。従って、いかにして安定したヘッド浮上を保つかは、高記録密度を達成するためには重要な課題である。
通常のスパッタ成膜法による磁気記録媒体の形成方法によれば、基板の凹凸形状がそのまま磁性層や保護膜層に引き継がれる。凹凸基板に形成した磁性層表面にスパッタ成膜法により保護膜層を形成すると、基板の凹凸形状を倣いつつ凹部により厚く凸部にはやや薄く保護膜層が堆積する。
従って、安定したヘッド浮上を保ちつつ、ヘッドをなるべく磁性層に近接させて、しかも隣接するトラックとの信号の相互干渉を防ぐような凹凸パターンが求められる。
【０００８】
このような精密形状の凹凸パターンを非磁性基板に製造しようとする場合、通常はＮｉ合金などの基板に精密加工により所望の形状のパターンを形成したＮｉ合金スタンパを用いることがなされている。このＮｉ合金スタンパであれば、微細凹凸の転写精度が良好であり、多数枚の非磁性基板の製造のために長期間適用しても、スタンパの損耗や損傷が生じ難い特徴を有する。
【０００９】
ところが、Ｎｉ合金スタンパは、長寿命である反面、単価が高い問題があり、長寿命であるがために（数１０００枚〜数万枚）もの数の基板を加工可能であるが、スタンプの際に雰囲気中に塵埃や疵などが生じていて、これらをスタンプ装置が挟んだ状態でスタンプした場合、塵埃や疵などがそのまま基板に転写される結果、パターン欠陥を生じる問題がある。そして、仮に塵埃や疵などが原因となってパターン欠陥が生じているという状況を検査の際に見落とすと、Ｎｉ合金スタンパの交換までの間に数１０００枚〜数万枚もの数の基板を不良品としてしまう問題があった。
【００１０】
このような問題点を解決するため本願発明者は、Ｎｉ合金のスタンパに代えて樹脂製のスタンパを磁気記録媒体の凹凸パターン形成用に用いることを考えている。樹脂製のスタンパであるならば、Ｎｉ合金のスタンパに比して寿命は短いものの遙かに安価に製造可能であると考えられ、樹脂製のスタンパであるならば逆にスタンプ時に塵埃や疵に起因してパターン欠陥を生じたとしても、樹脂製のスタンパの交換時期が短く、不良の磁気記録媒体を大量に製造してしまうという問題を回避することができる。
また、半導体分野において、現在半導体デバイスの出発材料の主流となっている大面積のウェハーに対応する大面積のスタンパを現在インプリントスタンパとして広く用いられているＮｉ合金を材料として作製することは、生産性やコストの点から非常に困難であるという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、Ｎｉ合金基板のスタンパを用いることなく低コストで提供可能な樹脂スタンパを安価に製造することができる技術の提供を目的とする。更に、樹脂スタンパはＮｉ合金スタンパよりも安価であるが寿命が短いので、樹脂スタンパの交換は従来のＮｉ合金スタンパよりも頻度が高くなり、そのため誤って大量の不良品を生み出すことなく交換するのでパターンを転写する磁気記録媒体などの製品の大量の不良を生み出しにくい特徴がある。
本発明は、また、上述の樹脂スタンパを安価に製造することができる装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
１）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、樹脂製の基材に、少なくとも１層の硬化性の樹脂の層を形成させて複合基材とした後、表面にパターンが形成されたマザースタンパに対して、該複合基材の該硬化性の樹脂の層側を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程（１）、活性エネルギー線を照射、または加熱して該複合基材の一部を硬化させる工程（２）、および、前記基材及び／または複合基材を打ち抜き加工する工程（３）を有し、前記パターン形成部分の内側に打抜加工部を形成するように前記基材または複合基材を打ち抜いた後、該打抜加工部を用いて前記マザースタンパと前記複合基材との位置合わせを行い、その後前記マザースタンパに対して前記複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程（１）、および該複合基材の一部を硬化させる工程（２）を行うことを特徴とする。
【００１３】
２）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、前記硬化性の樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂であり、前記工程（２）が、活性エネルギー線を照射して複合基材の一部を硬化させる工程であることを特徴とする。
３）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、前記工程（３）において、前記パターン形成部分の外側に周縁部を形成するように前記複合基材を打ち抜くことを特徴とする。
４）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、前記基材が、圧縮成形時の基材温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートであることを特徴とする。
５）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、前記熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、前記硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して複合基材を得る工程と、前記マザースタンパに対して該複合基材を押し付けて圧縮成形し該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程と、活性エネルギー線を照射して該複合基材の一部を硬化させる工程および該複合基材を前記硬化の途中または後に打ち抜き加工する工程を、この順で連続して行うことを特徴とする。
【００１４】
樹脂スタンパの製造方法は、４）に記載の複合基材が、前記熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、前記硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷する工程によって得られることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造方法は、４）に記載の熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートとして、波長２００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を２０％以上透過するフィルムまたはシートを用いることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造方法は、先に記載の硬化性の樹脂として、（メタ）アクリロイル基、オキセタニル基、シクロヘキセンオキサイド基およびビニルエーテル基から選ばれる１種以上を有する樹脂を用いることを特徴とする。
【００１５】
６）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、前記基材が、圧縮成形時の基材温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材であることを特徴とする１）〜５）のいずれかに記載の樹脂スタンパの製造方法に関する。
樹脂スタンパの製造方法は、先に記載の熱可塑性樹脂のフィルムまたはシートが、片面に易接着処理をした、厚さ５〜１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造方法は、先に記載のマザースタンパの材質がガラス、石英またはニッケル電鋳品であることを特徴とする。
【００１６】
樹脂スタンパの製造方法は、先に記載のマザースタンパの材質がニッケル電鋳品であり、該マザースタンパと逆側から活性エネルギー線を照射して前記複合基材の一部を硬化させることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造方法は、先に記載の活性エネルギー線が２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線であることを特徴とする。
７）本発明の樹脂スタンパの製造方法は、前記熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、前記硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して複合基材を得る工程と、前記パターン形成部分の内側に打抜加工部を形成するように前記複合基材を打ち抜く工程と、該打抜加工部を用いて前記マザースタンパと位置合わせを行った後前記マザースタンパに対して前記複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程と、該複合基材の一部を硬化させる工程を、この順で連続して行うことを特徴とする。
【００１８】
８）本発明の樹脂スタンパの製造装置は、表面にパターンが形成されたマザースタンパに対し、少なくとも１層の硬化性の樹脂の層を有してなる複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写するとともに、前記複合基材を打ち抜き加工して樹脂スタンパを製造する装置であって、前記マザースタンパに対してカッター部材が移動自在に設けられ、前記カッター部材の近傍に前記カッター部材の先方側に光を照射する照射装置と透光押圧基盤が設置され、前記マザースタンパと前記カッター部材との間に前記複合基材が介挿自在にされ、前記カッター部材と前記マザースタンパとの間に配置された前記複合基材を前記透光押圧基盤と前記マザースタンパとで挟み込み、マザースタンパ側の所望のパターンを前記複合基材に転写するとともに、前記照射装置から光を前記複合基材に照射して前記硬化性の樹脂の層を硬化できるように、かつ、前記カッター部材により前記複合基材を前記硬化性の樹脂の層の硬化の前後あるいは前記硬化性の樹脂の層の硬化と同時に打ち抜き加工自在に構成されてなることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造装置は、先に記載の前記照射装置が、連続パルス発光のＵＶ照射装置であることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造装置は、先に記載の連続パルス発光のＵＶ照射装置のランプが、石英キセノンランプであることを特徴とする。
樹脂スタンパの製造装置は、先に記載の照射装置が、３６０〜３７０ｎｍの波長を発光するＬＥＤランプであることを特徴とする。
【００１９】
９）本発明の樹脂スタンパの製造装置は、表面にパターンが形成されたマザースタンパに対し、少なくとも１層の硬化性の樹脂の層を有してなる複合基材を押し付けて圧縮成形し、該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写するとともに、前記複合基材を打ち抜き加工して樹脂スタンパを製造する装置であって、前記マザースタンパに対してカッター部材が移動自在に設けられ、前記カッター部材の近傍に加熱部材が設けられ、前記外周カッター部と内周カッター部との間に押圧基盤が設置され、前記マザースタンパと前記カッター部材との間に前記複合基材が介挿自在にされ、前記カッター部材と前記マザースタンパとの間に配置された前記複合基材を前記押圧基盤と前記マザースタンパとで挟み込み、マザースタンパ側の所望のパターンを前記複合基材に転写するとともに、前記加熱装置からの熱により前記硬化性の樹脂の層を硬化できるように、かつ、前記カッター部材により前記複合基材を前記硬化性の樹脂の層の硬化の前後あるいは前記硬化性の樹脂の層の硬化と同時に打ち抜き加工自在に構成されてなることを特徴とする。
１０）本発明の樹脂スタンパの製造装置は、先のいずれかに記載のカッター部材が、前記樹脂製の複合基材の中央部を打ち抜く内周カッター刃を有する内周カッター部を備えてなることを特徴とする。
１１）本発明の樹脂スタンパの製造装置は、先に記載のカッター部材が、外周カッター刃を有する外周カッター部と該外周カッター部の内側に配置された内周カッター刃を有する内周カッター部とを具備する構造とされてなることを特徴とする。
１２）本発明の樹脂スタンパの製造装置は、先に記載のマザースタンパの周囲に該マザースタンパの位置決めを行うとともに前記樹脂製の複合基材を打ち抜いた前記カッター刃を案内する摺動サポート部材が設けられてなることを特徴とする。
【００２０】
１３）本発明のインプリント方法は、先に記載の製造方法による樹脂スタンパを用い、基体上に形成した薄膜に対して、または、基体上に形成されているマスク層の上に形成した薄膜に対して前記樹脂スタンパのパターンを押し付けてインプリントすることを特徴とする。
インプリント方法は、先に記載の樹脂スタンパを用いてインプリントする際、６０ＭＰａ以下の圧力でインプリントすることを特徴とする。
インプリント方法は、先に記載の薄膜のインプリント前の厚さを５０〜５００ｎｍとすることを特徴とする。
インプリント方法は、先に記載の薄膜が、芳香族化合物、脂環式化合物、ケイ素化合物、のうちの少なくとも１つを含む硬化性樹脂からなる薄膜であることを特徴とする。
１４）本発明のインプリント方法は、先に記載の基体として、磁性膜を基体上に備えた磁気記録媒体を適用し、前記薄膜に形成したパターンを利用して前記磁性膜の一部を除去するか、もしくは、非磁性化することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、マザースタンパのパターンを樹脂製の複合基材に転写することができ、パターンを備えた樹脂スタンパを安価に得ることができる。この樹脂スタンパを用いてインプリント法により例えば磁気記録媒体の薄膜にパターンを形成することにより、薄膜のパターンを利用して磁性膜の一部をパターン除去するかもしくはパターンに沿って非磁性化することができ、磁性膜のパターン化を行うことができる。この樹脂スタンパであるならば、従来のインプリント法に用いていた電鋳法のＮｉ合金スタンパなどの精密な金属スタンパよりも遙かに安価にインプリント法を実施することができるようになり、磁気記録媒体の磁性膜のパターン化などをこれまで以上に安価に実現できるようになる。
また、樹脂スタンパ自体はＮｉ合金版などの精密な金属版よりも安価であるので、磁気記録媒体の薄膜にパターンを形成するなどの用途に用いた場合、塵埃などの噛み込みによりスタンパ自体を交換する頻度が高くなった場合であっても安価な樹脂製スタンパであれば安易に交換することができ、Ｎｉ合金スタンパより頻繁に交換しても製造コストが上昇するおそれは低い。従って例えば、Ｎｉ合金スタンパのような金属スタンパに比べ、樹脂スタンパを頻繁に交換しながら磁気記録媒体を製造するならば、仮に製造時に塵埃の噛み込みなどの影響により不良を生じたとしても、Ｎｉ合金版を用いて大量に磁気記録媒体を製造しようとした場合に比べ、不良品を大量に生産してしまうおそれを少なくすることができる。
【００２２】
本発明によれば、パターンの転写と共にカッター部材により基材の打ち抜きも行うので、目的の形状の転写パターンを有し、目的の形状の樹脂スタンパを容易に得ることができる。パターンの転写にあっては、マザースタンパのパターンを樹脂製の複合基材に押し付けて圧縮成形してから活性エネルギー線か熱により硬化性の樹脂を硬化させてパターン転写するので、微細なパターンであっても正確に転写することができ、目的の形状の精密なパターンを有した樹脂スタンパを得ることができる。
【００２３】
本発明において、波長２００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を２０％以上透過するフィルム又はシートを用い、その上に硬化性の官能基を有する硬化性樹脂層を有するならば、硬化性樹脂に活性エネルギー線が到達する際の障害とならず、硬化性の樹脂に活性エネルギー線を充分に照射できるので、硬化性樹脂層を確実に硬化することができ、微細なパターンであっても確実な転写ができる。
【００２４】
本発明の樹脂スタンパの製造装置によれば、マザースタンパのパターンを樹脂製の複合基材に転写することができ、樹脂製の基材または複合基材を打ち抜いて目的の外形にできるので、目的のパターンを有し、目的の形状の樹脂スタンパを製造することができる。
本発明の製造装置に備えるカッター部材として内周カッター刃あるいは外周カッター刃を備えた構成とすることにより、基材において転写したパターンの内側あるいは外側を打ち抜いて目的の形状の樹脂スタンパを製造することができる。
前記マザースタンパの周囲に摺動サポート部材を設けて基材を打ち抜いた前記内周カッター刃あるいは前記外周カッター刃を案内することにより、打ち抜き位置や打ち抜き形状などの打ち抜き精度を高めることができる。
【００２５】
先に説明した樹脂スタンパを用いてインプリントにより基体上の薄膜にパターンを転写することにより、正確なパターンの転写ができる。
先のインプリントを行う際、６０ＭＰａ以下の圧力でインプリントすることにより、正確なパターン転写ができる。また、硬化性樹脂の薄膜の厚さを５０〜５００ｎｍとするならば、インプリントにより正確な形状のパターン転写ができる。
先に説明の樹脂スタンパを用いてインプリントによるパターンの転写を基体上に磁性膜を備えた磁気記録媒体の薄膜に対して行うならば、基体上の薄膜に正確なパターン転写ができるので、このパターンを利用して磁性膜の一部を除去したり、磁性膜の一部を非磁性化することにより、先のパターンに応じて磁気記録媒体の磁性膜に磁気記録ができる領域と磁気記録ができない領域の区分ができる。これにより、形成するパターンの一例として磁気記録トラックを区分するパターンとするならば、ディスクリートトラック型磁気記録媒体として正確なトラックパターンが形成されたものを得ることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明を実施するための最良の形態を、図を用いて以下に詳細に説明するが、本発明は以下に説明する実施の形態に制限されるものではない。
図１〜図９は、本発明の第１の実施形態の樹脂スタンパの製造装置を示すもので、この形態の製造装置は、図１に示す如く、第１の取付盤１に支持された上型セット２と第２の取付盤３に支持された下型セット５を具備して構成されている。ここで第１の取付盤１は図示略の油圧シリンダなどの上下移動用アクチュエータ装置に支持されて上下に移動自在に設けられ、第２の取付盤３は図示略の基台上に設置されて固定されている。
前記第１の取付盤１の上方には円盤状のカッターセット部材６が図示略の油圧シリンダなどの上下移動用アクチュエータ装置に支持されて上下に移動自在に設けられ、このカッターセット部材６の底面外周部側に円筒状の外周カッター部７が設けられ、カッターセット部材６の底面中央部に丸棒状の内周カッター部８が設けられ、これら外周カッター部７と内周カッター部８とからカッター部材９が構成されている。また、前記外周カッター部７の先端部側にリング状の外周カッター刃７Ａが下向きに形成され、内周カッター部８の先端部側に内周カッター刃８Ａが形成されている。
【００２７】
前記外周カッター部７は取付盤１の外周部に形成されている透孔１ａを介して取付盤１の下方側に延出され、内周カッター部８は取付盤１の中央に形成されている透孔１ｂを介して取付盤１の下方側に延出され、取付盤１に対するカッターセット部材６の上下移動に応じて外周カッター部７と内周カッター部８とが上下移動するように構成されている。
前記外周カッター刃７Ａの断面は三角形状に形成されており、円筒状の外周カッター部７の内周面７ａをそのまま延長した形状の切刃面７ｂと、外周カッター部７の外方に向いて傾斜する外側刃面７ｃを有している。前記内周カッター刃８Ａは、丸棒状の内周カッター部８の外周面をそのまま延長した形状の切刃面８ｂと、内周カッター部８の先端部に形成されている断面逆Ｖ字型のすり鉢状の凹部８ｃからなる切刃形状とされている。
【００２８】
前記取付盤１の下方側であって、前記外周カッター部７と内周カッター部８との間の部分には、光源サポート機構１０と照射装置１１とが設けられ、照射装置１１は、以下のような活性エネルギー線を照射することができる。照射できる活性エネルギー線としては、紫外線などの光線（光エネルギー）、電子線、Ｘ線、α線、β線、γ線、中性子線などの放射線などを例示できるが、特に波長２００ｎｍから４００ｎｍの紫外線を用いることが、工業的には光源等の種類が豊富であり好ましい。
紫外線の光源としては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ，ＬＥＤランプ、キセノンランプ等を用いることが出来る。この場合、樹脂スタンパの作製であるので、紫外線硬化中に樹脂スタンパの温度が上がらないことが望ましく、長波長の活性エネルギー線の含まれていないＬＥＤランプや連続パルス発光を行える石英キセノンランプがより好ましい。
【００２９】
照射装置１１の下方には枠状のサポート部材１２が設置され、このサポート部材１２の下方側に円盤状のガラス盤などの透光押圧基盤１５が設けられている。前記光源サポート部材１０と照射装置１１とサポート部材１２と透光押圧基盤１５が取付盤１に一体化されており、第１の取付盤１の上下移動に応じて透光押圧基盤１５が上下移動するように構成されている。
【００３０】
一方、第２の取付盤３の上には、同一高さの円筒状の内側摺動サポート部材１６と円筒状の外側摺動サポート部材１７が設けられ、これらの間には円盤状の受け台１８が上下に摺動自在に嵌め込まれ、受け台１８はその下方側に設けられたバネ部材などの弾性部材２０により支持されている。この受け台１８の上には、摺動サポート部材１６、１７よりも若干上方に突出するようにドーナツ円盤状のマザースタンパ２１が設置されている。
このマザースタンパ２１はその上面側に転写するべきパターンが形成されたものである。本発明の実施の形態ではディスクリートトラック型磁気記録媒体の表面に凹凸パターンを形成するための樹脂製スタンパを製造しようとするので、マザースタンパ２１の表面にはディスクリートトラック型磁気記録媒体の表面に形成する薄膜の凹凸パターンが形成されている。
また、前記内側サポート部材１６の中心部には、前記ロッド状の内周カッター刃８Ａを挿入可能な凹部１６ａが形成されている。
【００３１】
図１に示す構成の製造装置で樹脂製のスタンパを製造するには、目的の樹脂スタンパの基になるシート状の基材に少なくとも１層の硬化性の樹脂層を形成した複合基材を用意する。
この複合基材の一例として、図５に示す３層構造のシート状の複合基材２５を用いることができる。この形態において複合基材２５はフィルム状の硬質層（基材）２５ａと軟質樹脂層２５ｂと硬化性樹脂層２５ｃとからなる。
硬質層（基材）２５ａは、紫外線透過率が高く、打ち抜き時に変形しにくい材料を用いることが好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどの芳香族ポリエステル、ゼオノア（商品名、日本ゼオン（株）製）、ＴＯＰＡＳ（商品名、ポリプラスチックス（株）製）、ＡＲＴＯＮ（商品名、ＪＳＲ（株）製）、アペル（商品名、三井化学（株）製）などのシクロオレフィンポリマー、芳香族ポリカーボネート、脂環式ポリイミドなどの硬質熱可塑性樹脂、及びポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテン、ポリスチレン，ＰＭＭＡなどのポリオレフィン系熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化性樹脂フィルムなどの樹脂材料からなる。また、硬質層２５ａの厚さは１０〜３０００μｍ程度とすることができる。
軟質樹脂層２５ｂは、紫外線透過率が高く、本発明の樹脂スタンパを用いてインプリントする際にはインプリントされる基体のうねりに追従する柔軟性を持つ材料を用いることが好ましく、「シリコーンゴム、ウレタンゴム、ポリプロピレンフィルム」などの樹脂材料からなる。また、軟質樹脂層２５ｂの厚さは１０〜１０００μｍ程度とすることができる。
なお、３層構造のシート状の複合基材２５において硬質層２５ａのうねりが小さい場合は軟質樹脂層２５ｂを略して硬質層２５ａと硬化性樹脂層２５ｃとからなる２層構造の基材とすることができる。
【００３２】
硬化性樹脂層２５ｃは、（メタ）アクリロイル基、アリル基、ビニル基、オキセタニル基、グリシジル基、シクロヘキセンオキサイド基、ビニルエーテル基などの硬化性基を持つ、少なくとも１種以上の樹脂からなり、（メタ）アクリロイル基、オキセタニル基、シクロヘキセンオキサイド基、ビニルエーテル基など活性エネルギー線による硬化の速い硬化性基を持つ樹脂からなることが特に好ましい。
ここで用いることのできる（メタ）アクリロイル基を持つ樹脂の例としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸−ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチルなどのモノ（メタ）アクリレート類、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリンなどの（メタ）アクリルアミド類、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート類、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、Ｎ−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂に（メタ）アクリル酸を付加させたいわゆるエポキシ（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。
【００３３】
アリル基を持つ樹脂の例としては、エチレングリコールモノアリルエーテル、アリルグリシジルエーテルなどのアリルエーテル類、酢酸アリル、安息香酸アリルなどのモノアリルエステル類、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリルなどのジアリルエステル類、オリゴプロピレンテレフタレートなどのオリゴエステル類にアリルアルコールを反応させたアリルエステル樹脂類、ジアリルアミンなどが挙げられる。
【００３４】
ビニル基を持つ樹脂の例としては、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどのモノビニルエーテル類や、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニルなどのモノビニルエステル類、アジピン酸ジビニルなどのジビニルエステル類、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミドなどのＮ−ビニルアミド類、スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレンなどのスチレン誘導体、エチレングリコールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，９−ノナンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテルなどのジビニルエーテル類、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテルなどの多官能ビニルエーテル類や、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニルなどのジビニルアリール類などを挙げることができる。
【００３５】
オキセタニル基を持つ樹脂の例としては３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−メタクリロキシメチルオキセタンなどのモノオキセタニル化合物、東亞合成（株）社製アロンオキセタンＯＸＴ−１２１（商品名）、ＯＸ−ＳＱ（商品名）、新日鐵化学（株）社製ＯＸＴＰ（商品名）、ＯＸＢＰ（商品名）などの多官能オキセタン樹脂などが挙げられる。
グリシジル基を持つ樹脂の例としてはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、Ｎ−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などを挙げることができる。
【００３６】
シクロヘキセンオキサイド基を持つ樹脂の例としてはダイセル化学工業（株）社製セロキサイド２０２１Ｐ（商品名）、セロキサイド３０００（商品名）、ＥＨＰＥ３１５０（商品名）、ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ（商品名）があげられる。
また、光硬化性樹脂層２５ｃの厚さは０．０５〜５０μｍ程度とすることができ、波長４００ｎｍ以下の紫外線を２０％以上透過することが好ましい。
【００３７】
上記複合基材の２つめの例として、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートの一部または全部に、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材を挙げることもできる。
このフィルムまたはシートの材料としては、平滑性が優れ活性エネルギー線を２０％以上透過できるものなら使用することができ、具体的には上記硬質層２５ａとして示した材料を使用でき、表面平滑性と強度耐熱性の点でポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。また、活性エネルギー線の透過率の点からはシクロオレフィンポリマーが好ましい。
また、液状の硬化性樹脂を塗布する面は、易接着処理を行うことが望ましく、このような易接着処理としては接着性樹脂の塗布、プラズマ処理、コロナ放電処理があるが接着性樹脂を塗布する方法が特に好ましい。
【００３８】
フィルムまたはシートの膜厚としては、５〜１０００μｍが良く、より好ましくは１０〜３００μｍである。膜厚が薄すぎると強度の点で問題となるし、厚すぎる場合には活性エネルギー線の透過率が低くなったり、柔軟性が無くなりフィルム搬送時に問題が出やすくなる。また、フィルムまたはシートは所定の形状にカットされたものを使用することもできるが、量産性を考慮すると長尺状のものを使用することが好ましい。長尺状のものはロール等への巻き取りの観点から厚みに制限があり、例えば、ＰＥＴフィルムとしては厚膜のものとして１８８μｍ厚のものが市販されているが、これ以上の厚みのものを使用することもできる。
またこれらのフィルムまたはシートには位置移動するために両端に搬送のための穴を開けておいても良い。
硬化性樹脂の塗布または印刷方法としては、バーコーターによる印刷や粘度の程度によりスクリーン印刷やグラビア印刷、バーコーターによる印刷を採用することが出来る。特に連続生産を考えるとスクリーン印刷、グラビア印刷が好ましい。塗布する膜厚としては、０．５〜５０μｍ、より好ましくは２〜３０μｍが望ましく、波長４００ｎｍ以下の紫外線を２０％以上透過することが好ましい。膜厚が薄すぎる場合には、膜厚を均等に塗布することが難しく、また厚すぎる場合には、活性エネルギー線による硬化に時間がかかるようになる。
【００３９】
塗布または印刷形状としては連続的に帯状に塗布または印刷しても良いし、インプリントする部分のみを間歇的に行っても良い。
また、用いることの出来る硬化性の樹脂としては紫外線により硬化できる官能基を有し、無溶媒または溶媒に溶解した状態で用いる。溶媒に溶解している場合には塗布または印刷後、熱をかけて溶媒を除いてから活性エネルギー線硬化ナノインプリントを行う。
また、塗布または印刷は次の工程の直前に行う必要は必ずしも無く、予め塗布または印刷を行った後、塗布面にカバーフィルムを貼り、ロール状に巻き取ったドライフィルムとして、打ち抜き工程で用いることが出来る。
【００４０】
硬化性の樹脂としては、上記硬化性樹脂層２５ｃとして示したものを用いることができる。
このような方法を用いれば、前記熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、前記硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して複合基材を得る工程と、後述する前記マザースタンパに対して該複合基材を押し付けて圧縮成形し該複合基材に前記マザースタンパのパターンを転写する工程と、光等の活性エネルギー線を照射して該複合基材の一部を硬化させる工程および該複合基材を前記硬化の途中または後に打ち抜き加工する工程を、この順で連続して行うことができる。この場合、光を照射して該複合基材の一部を硬化させる工程と、該複合基材を前記硬化の途中または後に打ち抜き加工する工程とを同一の装置で一体的に行うことが効率の点で好ましい。
なお、この例の如く２つめの例としてのフィルム状の複合基材を用いてインプリントを行う方法の種々の例については、後に図２３〜図２４を基に再度説明する。
【００４１】
上記複合基材の３つめの例として、圧縮成形時の基材温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートに、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材を、転写工程（１）を行う前に予め、パターン形成部分の内側に打抜加工部を形成するように打ち抜いたものも例示することができる。
または、この例における複合基材として、圧縮成形時の基材温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートを、パターン形成部分の内側に打抜加工部を形成するように打ち抜いた後に、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材を例示することもできる。
打ち抜き前に塗布または印刷する場合には、予め塗布または印刷を行った後、塗布面にカバーフィルムを貼り、ロール状に巻き取ったドライフィルムとして、打ち抜き工程で用いることが出来る。
また、打ち抜き後に塗布または印刷する場合にも、塗布面にカバーフィルムを貼り、ロール状に巻き取って、転写工程に供しても良い。塗布または印刷時に、打ち抜いた穴から硬化性樹脂が裏周りする場合があるが、これは溶媒で拭き取るか、接着性フィルムを貼付、剥離し接着性フィルムのほうに硬化性樹脂を吸着させて除くことが好ましい。
【００４２】
この方法によれば、基材に位置合わせのための穴を空けてから後述する圧縮成形と硬化を行うので、パターンの位置精度も良く、パターン転写率が良好で、微細なパターン形状であっても正確なパターンが転写された樹脂スタンパを得ることができる。
基材または複合基材に設けた前記打抜加工部を用いて複合基材とマザースタンパとの位置合わせを行うには、例えばマザースタンパの受部にセンターピンを設置し、そのセンターピンがマザースタンパの中心穴と基材の打抜加工部を貫通するようにマザースタンパと複合基材をセットすればよい。
尚、この方法を用いる場合は、後述する、パターン形成部分の外側に周縁部を形成するように複合基材を打ち抜く工程を省略して、複数のパターンが転写されたフィルムまたはシート形状のままで樹脂スタンパとして利用することもできる。
なお、この例の如く３つめの例としてのフィルム状の複合基材を用いてインプリントを行う方法の種々の例については、後に図２５〜図２６を基に再度説明する。
【００４３】
前記構成のシート状の複合基材２５をその光硬化性樹脂層２５ｃを下向きにして図１に示す如くマザースタンパ２１と透光押圧基盤１５の間に挟み込み、第１の取付盤１を下降させて透光押圧基盤１５を介して複合基材２５をマザースタンパ２１の表面に規定の圧力で押し付ける。押し付ける圧力は、０．０１〜６０ＭＰａであることが好ましい。
【００４４】
このマザースタンパ２１はＮｉ合金などの精密加工が可能な材料であって、現状の成形加工技術で微細な凹凸を精密に形成することができる材料から成るメタルプレートなどを適用できる。
この操作によりマザースタンパ２１の表面に形成されている微細凹凸の逆パターンである微細凹凸パターンを複合基材２５の光硬化性樹脂層２５ｃに転写することができる。（以上を転写工程（１）と称する。）
また、マザースタンパ２１の表面に複合基材２５を押しつけた状態のまま、照射装置１１から紫外光を照射し、光硬化性樹脂層２５ｃを硬化させる。（以上を硬化工程（２）と称する。）
【００４５】
この硬化の前に、もしくは硬化が終了したならば、あるいは硬化が進行している段階において図６に示す如くカッターセット部材６を下降させて外周カッター部７と内周カッター部８を下降させ、外周カッター刃７Ａと内周カッター刃８Ａにより複合基材２５から円板状の樹脂製のスタンパ３０を打ち抜く。（以上を打ち抜き加工工程（３）と称する。）
この打ち抜き時において外周カッター刃７が円筒状の摺動サポート部材１７の外周の延長面に沿って摺動しつつ複合基材２５を打ち抜くとともに、内周カッター刃８は摺動サポート部材１６の内側に沿って摺動しつつ複合基材２５を打ち抜くので、正確な位置にて複合基材２５を打ち抜くことができ、目的通りの内径寸法と外径寸法のドーナツ円盤状のスタンパ３０を得ることができる。
また、図６に示す如く複合基材２５を打ち抜いてスタンパ３０となった部分を除く部分において、内周カッター刃８Ａにより打ち抜かれた複合基材２５の中心部２５Ａは摺動サポート部材１６の中心の凹部１６ａ側に排出され、外周カッター刃７Ａにより打ち抜かれた複合基材２５の外周部２５Ｂは摺動サポート部材１７の外周側に排出される。
ここで、摺動サポート部材１６の凹部１６ａの内径は内周カッター刃８Ａの外径とほぼ等しい大きさとされているので、複合基材２５を打ち抜く際、凹部１６ａの内周縁に沿って複合基材２５を無理なく正確な位置で内周カッター刃８Ａにより打ち抜くことができ、打ち抜き精度を高めることができる。また、摺動サポート部材１７の外径は外周カッター刃７Ａの内径とほぼ等しい大きさとされているので、複合基材２５を打ち抜く際、摺動サポート部材１７の外周縁に沿って複合基材２５を無理なく正確な位置で外周カッター刃７Ａにより打ち抜くことができ、打ち抜き精度を高めることができる。よって内周円の形状及び位置精度と外周円の形状及び位置精度がいずれも高い目的のドーナツ円盤状に複合基材２５を打ち抜くことができる。
【００４６】
図６に示す如く複合基材２５を打ち抜き後、図７に示す如く取付盤１とカッターセット部材６とを上昇させると、外周カッター刃７Ａと内周カッター刃８Ａの間に挟まれた状態でスタンパ３０が持ち上がるので、図８に示す如く取付盤１に対してカッターセット部材６を上昇させて外周カッター刃７Ａと内周カッター刃８Ａをスタンパ３０から外すように移動し、更に、先端部に折曲部３１ａを有する取出ロッド３１などの剥離手段を用いてスタンパ３０を取り出すことができる。この取出時において、外周カッター刃７Ａと内周カッター刃８Ａをスタンパ３０から既に外しており、スタンパ３０は透光押圧基盤１５のみに密着した状態であるので、取出ロッド３１によりスタンパ３０を容易に剥離することができる。
【００４７】
スタンパ３０を透光押圧基盤１５から取り外したならば、他の別の複合基材２５を図９に示す如く透光押圧基盤１５とマザースタンパ２１の間にセットし、再度図２〜図８を基に先に説明した順序で押圧加工工程、紫外線照射工程、打ち抜き加工工程を施して先の説明の場合と同様にスタンパ３０を得ることができ、以上の操作を繰り返し行うことにより、スタンパ３０を大量生産することができる。
【００４８】
上述の如く製造したスタンパ３０については、ディスクリートトラック型磁気記録媒体の製造用に用いることができる。この種の磁気記録媒体として、非磁性基板の表面に磁性層や保護層を形成したものを例示することができる。
【００４９】
例えば、上記のような非磁性基板の表面に形成される磁性層は、面内磁気記録層でも垂直磁気記録層でもかまわない。これら磁気記録層は主としてＣｏを主成分とする合金から形成するのが好ましい。
例えば、面内磁気記録媒体用の磁気記録層としては、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層からなる積層構造が利用できる。
垂直磁気記録媒体用の磁気記録層としては、例えば軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる裏打ち層と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜と、必要によりＲｕ等の中間膜、及び６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２  合金からなる磁性層を積層したものを利用することができる。
【００５０】
磁気記録層の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とする。磁気記録層は使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。磁性層の膜厚は再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の磁性層膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。
通常、磁気記録層はスパッタ法により薄膜として形成するが、例えばこの時磁気記録層に凹凸形状が形成される。
磁気記録層の表面には保護膜層が形成されている。保護膜層としては、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アモルファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層やＳｉＯ２  、ＺｒＯ２、ＴｉＮなど、通常用いられる保護膜層材料を用いることができる。また、保護膜層が２層以上の層から構成されていてもよい。
保護膜層３の膜厚は１０ｎｍ未満とする必要がある。保護膜層の膜厚が１０ｎｍを越えるとヘッドと磁性層との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなるからである。
通常、保護膜層はスパッタ法により形成されるが、この時前述の凹凸に倣って凹凸を有する保護膜層が形成される。また、凹部の保護膜の厚さは凸部の保護膜の厚さよりも大きくなる傾向にある。
【００５１】
前記構造の磁気記録媒体の微細凹凸形成用に本発明で得られたスタンパ３０を適用することができる。本発明で得られる樹脂製のスタンパ３０は従来のＮｉ合金スタンパよりも安価であるので、樹脂スタンパの交換は従来のＮｉ合金スタンパよりも頻度を高くすることができ、そのため誤って大量の磁気記録媒体の不良品を生み出すことなく交換できるので不良を生み出しにくい特徴を有する。
【００５２】
図１０（Ａ）、（Ｂ）は図１〜図９を基に先に説明した樹脂スタンパの製造装置を具体的にユニット化した装置に組み込んで構成した場合の一例構造を示す構成図であり、図１１はその要部拡大断面図である。
このユニット構成例では、操作盤４０と制御盤４１が本体基台４２に備えられ、本体基台４２の上に４本の支柱４２Ａが立設され、それら支柱４２Ａの上端部に天盤４５が支持され、天盤４５の下面中央側にシリンダ装置４６が下向きに設けられ、前記本体基台４２と前記シリンダ装置４６との間に先に説明した樹脂スタンパの製造装置と同等の機能を有する樹脂スタンパの製造装置が組み込まれた構成とされている。
【００５３】
前記本体基台４２の上に、下部ダイセット４７が設置され、その中央部上に肉厚の円筒状のパンチ（摺動サポート部材）４８が設置され、それを取り囲むようにドーナツ盤状のストリップ部材４９が設けられ、その上方側にドーナツ盤状の上部ダイ（外周カッター部）５０が設置され、この上部ダイ５０の内側に透光押圧基盤５１と内部パンチ（内周カッター部）５２が設けられ、上部ダイの５０の内側であって透光押圧基盤５１の上に照射装置５３が設けられている。また、上部ダイ５０と内部パンチ５２はいずれも上部ダイセット５４に一体化され、この上部ダイセット５４が先のシリンダ装置４６の出力ロッド４６ａに接続されて上下移動自在に支持されているので、上部ダイ（外周カッター部）５０と内部パンチ（内周カッター部）５２をシリンダ装置４６により上下移動できるように構成されている。
図１０（Ｂ）に示す構成の装置において、ドーナツ盤状の上部ダイ５０の内周縁が樹脂製の複合基材２５の外周側を打ち抜く外周カッター刃５０Ａとなり、内部パンチ５２の先端部が樹脂製の複合基材２５の中央部を打ち抜く内周カッター刃５２Ａとなる。
また、パンチ４８の上面側に先に説明したマザースタンパ２１が設置され、その上面側に転写するべきパターンが形成されている。また、上部ダイ５０及び透光押圧基盤５１とを上昇させた状態において、これらとパンチ４８との間に樹脂製の複合基材２５を介挿できるように構成されている。
【００５４】
この例において照射装置５３は複数のＬＥＤなどの発光素子を備えて構成され、下向きに紫外線などの特定波長の光を照射できるように構成されている。透光押圧基盤５１はアクリル盤などの透光性の部材から構成され、パターン転写時の圧力を受けるとともに、照射装置５３からの特定波長の光を透過させて複合基材２５側に到達させる機能を有する。
【００５５】
図１０（Ｂ）と図１１は樹脂スタンパの製造装置において、これらの図の中央側に上下方向に描いた１点鎖線を境界とする半断面として別々の動作状態を示しており、境界を示す１点鎖線の左側に上部ダイ５０及び透光押圧基盤５１を上昇させて複合基材２５を設置した状態を示し、境界を示す１点鎖線の右側に上部ダイ５０及び透光押圧基盤５１を下降させて複合基材２５を打ち抜いた状態を示している。
図１０（Ｂ）と図１１に示す状態に示されるように、複合基材２５を透光押圧基盤５１とマザースタンパ２１で挟み込み、マザースタンパ２１のパターンを転写するとともに、複合基材２５を打ち抜き成形し、更に照射装置５３から紫外光を照射することで、複合基材２５の光硬化層を硬化させることができる。この後、上部ダイ５０及び透光押圧基盤５１を上昇させるならば、複合基材２５を打ち抜いてパターンを転写した樹脂スタンパ３０を得ることができる。
その他の作用効果については先に説明した実施形態の樹脂スタンパの製造装置の場合と同様である。
【００５６】
図１２は磁性層に微細凹凸を形成してなるディスクリートトラック型磁気記録媒体の製造方法の一例を工程順に説明するための図である。
図１２（Ａ）に示す如くガラスなどからなる基板８０の上下両面に磁性層８１と保護膜８２とが積層された構造の磁気記録媒体素材８３を製造する。次に、この磁気記録媒体素材８３の上下両面にスピンコート法などの方法により図１２（Ｂ）に示す如くレジスト層８４を積層形成し、このレジスト層８４の表面にインプリント法により先の樹脂スタンパ３０を用いて版押しすることにより、図１２（Ｃ）に示す如くレジスト層８４に例えば平面視同心円状の凹凸部８４ａを転写形成する。そして、この凹凸部８４ａを介してエッチングによりレジスト層８４と保護膜８２と磁性層８１とを順次加工してゆくと、図１２（Ｄ）に示す如く磁性層８１に凹凸部８１ａを形成したディスクリートトラック型磁気記録媒体素材を得ることができ、この素材両面に保護膜８５を形成することで図１２（Ｅ）に示すディスクリートトラック型磁気記録媒体８６を得ることができる。
この例の如くレジスト層８４に微細凹凸８４ａを形成する際に前述の樹脂スタンパ３０を用いることで前述の如く正確な同心円形状の微細凹凸８４ａを形成することができ、この微細凹凸８４ａを基に磁性層８１に正確な同心円状の凹凸部８１ａを形成して磁性膜８１のトラック分割を行うことができる。
なお、図１２（Ｄ）に示すディスクリートトラック型磁気記録媒体において保護膜８５を必要に応じて平坦化しても差し支えない。
また、前述のインプリントを行う場合の圧力は一例として６０ＭＰａ以下の圧力とすることができる。この圧力は圧縮力／スタンパ面積として算出することができ、換言すると、プレス装置で検出した加重をスタンパ面積で割ることで求めることができる。
【００５７】
ところで、ここまで説明した例にあっては、複合基材２５を樹脂スタンパ３０よりも外径の大きな基材として説明したが、複合基材２５は目的とする樹脂スタンパ３０に対して任意の形状とすることができる。
図１３に示す如く予め基材５５を円盤状の外形としておき、この基材５５の中心部に円形状の孔部５５ａのみを形成するように打ち抜いて樹脂スタンパ５５Ａを形成しても良いし、図１４に示す如く中心部に円形状の孔部５６ａを有するドーナツ盤状の基材５６から、外周部５６ｂと内周部５６ｃを両方打ち抜いて樹脂スタンパ５６Ａを形成しても良い。
勿論、孔部５５ａは円形に限らず矩形状や多角形状でも良い。
更に、図１５に示す如く中心部に円形状の孔部５７ａを有する正方形状の基材５７から、外周部５７ｂと内周部５７ｃを両方打ち抜いて樹脂スタンパ５７Ａを形成しても良く、図１６に示す如く中心部に円形状の孔部５８ａを有する長方形状の基材５８（目的とする樹脂スタンパの直径より短辺側の幅を数ｍｍ程度小さく形成した長方形状の基材）から、外周部５８ｂと内周部５８ｃを両方打ち抜いて樹脂スタンパ５８Ａを形成しても良い。
この例の如く目的とする樹脂スタンパの直径より短辺側の幅を数ｍｍ程度小さく形成した長方形状の基材５８から打ち抜いて得られた樹脂スタンパ５８Ａであるならば、外周部５８ｂが完全な円形ではなく、外周部５８ｂの一部に直線部分が含まれるので、この直線部分を介して樹脂スタンパ５８Ａをチャックして把持する際のチェック部分とすることができる。
次に、図１７に示す如く長尺のテープ状であって、一定間隔で円形状の孔部５９ａが複数形成された基材５９を用い、この基材５９から一定間隔の孔部５９ａに対応した位置を囲むように外周部５９ｂと内周部５９ｃを両方打ち抜いて複数の樹脂スタンパ５９Ａを形成しても良い。図１６に示す如く長尺のテープ状の基材５９を用いることにより、基材５９から連続して複数の樹脂スタンパ５９Ａを製造することができる。
この図１７に示す構造の基材５９であるならば、隣接する樹脂スタンパ５９Ａどうしの間の部分にスリットや切り込み部を形成しておき、基材５９に形成した樹脂スタンパ５９Ａを分離しやすくしておいても良い。
【００５８】
図１８は、本発明に係る樹脂スタンパを半導体装置の製造工程におけるパターン露光法に適用する例について説明するためのもので、図１８（Ａ）に示す如くフッ素樹脂などの剥離製の良好な長方形状の樹脂製の基材６０の４隅部に半導体露光装置用位置決めステッパのガイドピンのための透孔６１を形成しておき、この基材６０の一部に目的のパターン６２を先に説明したマスタースタンパ２１からの転写技術を用いて転写形成して樹脂スタンパ６３が形成されてなる。
この例では例えば半導体装置形成用のＳｉウエハなどの半導体基板６５の上に紫外線硬化樹脂などからなるレジスト層をスピンコート塗布し、このレジスト層をパターニングする際に本発明に係る樹脂スタンパを適用することができる。
半導体露光装置のステッパのガイドピンを基材６０の透孔６１に挿入して目的の半導体基板６５に対し、その表面の規定位置に整列状態で複数のパターンを形成する場合、基材６０を位置決めして基材６０に形成したパターン６２を半導体基板６５上の目的の位置に位置合わせした後、先に説明した方法を利用してパターン６２を半導体基板６５上のレジスト層に押し付けて目的の第１回目のパターンを転写してパターン部６２ａを形成する。
【００５９】
この第１回目のパターン転写を終了したならば、半導体装置のステッパなどの位置決め装置を利用して半導体基板６５に対して基材６０を横方向に規定位置まで移動させ、その位置にて再度パターン６２を用いて第２回目の転写を行って第２のパターン部６２ａを形成する。この操作を半導体基板６５上にて必要回数繰り返し行うことで図１８（Ｂ）に示す如く横一列のパターン部６２ａを形成する。
この後、図１８（Ｃ）、（Ｄ）に示す如く順次パターン転写を行うことにより、半導体基板６５の目的の領域のレジスト層の全てにパターン部６２ａを転写することができる。
このパターニングしたレジスト層を備えた半導体基板６５を後工程としてのエッチング工程にて処理することにより半導体基板上に目的の処理を施すことができる。
【００６０】
このようなレジスト層へのパターニング処理は、従来の一般的な半導体製造工程であれば、半導体製造装置のステッパが半導体基板の位置決めを行った後、フォトマスクを用いた露光処理により必要な区画毎に順次露光処理を行い、更に現像処理を行って凹凸形成などのパターニングを行っているが、本発明に係る樹脂スタンパを用いて版押しにより凹凸などの規定のパターン部６２ａをレジスト層に形成することにより、従来より低コストでレジスト層のパターニングができるようになる。これにより半導体装置の製造工程の低コスト化を図ることができる。
【００６１】
図１９〜図２２は、本発明に係る樹脂スタンパの製造を行う場合、熱により硬化する樹脂を備えた基材を用いる場合の実施形態について説明するためのものである。
この形態において用いる基材としては、先の形態において用いた複合基材２５において、硬質層２５ａと軟質樹脂層２５ｂはそのまま使用し、硬化性樹脂層２５ｃとして先に説明した光硬化性樹脂に代えて熱硬化性の樹脂を用いれば良い。
熱硬化性樹脂については、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸−ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチルなどのモノ（メタ）アクリレート類、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリンなどの（メタ）アクリルアミド類、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート類、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、Ｎ−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂に（メタ）アクリル酸を付加させたいわゆるエポキシ（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル樹脂、エチレングリコールモノアリルエーテル、アリルグリシジルエーテルなどのアリルエーテル類、酢酸アリル、安息香酸アリルなどのモノアリルエステル類、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリルなどのジアリルエステル類、オリゴプロピレンテレフタレートなどのオリゴエステル類にアリルアルコールを反応させたアリルエステル樹脂などのアリル樹脂、あるいは、ジアリルアミン、
ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどのモノビニルエーテル類や、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニルなどのモノビニルエステル類、アジピン酸ジビニルなどのジビニルエステル類、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミドなどのＮ−ビニルアミド類、スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレンなどのスチレン誘導体、エチレングリコールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，９−ノナンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテルなどのジビニルエーテル類、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテルなどの多官能ビニルエーテル類や、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニルなどのジビニルアリール類などのビニル樹脂、
３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−メタクリロキシメチルオキセタンなどのモノオキセタニル化合物、東亞合成（株）社製アロンオキセタンＯＸＴ−１２１（商品名）、ＯＸ−ＳＱ（商品名）、新日鐵化学（株）社製ＯＸＴＰ（商品名）、ＯＸＢＰ（商品名）などの他官能オキセタン樹脂などのオキセタン樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、Ｎ−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸などを適用することができる。
【００６２】
この形態において用いる樹脂スタンパの製造装置は、熱硬化性の硬化性樹脂層を有する基材７０にマザースタンパ２１のパターンを転写し、打ち抜き加工するための装置として構成されている。
先の例と同様に摺動サポート部材１６、１７が設けられ、それらの上部側にマザースタンパ２１が設置され、マザースタンパ２１の下方であって、摺動サポート部材１６、１７の間に冷却盤７３が設置されるとともに、マザースタンパ２１の上方側に基材７０の中心部のみを打ち抜くための内周カッター刃７５を備えた内周カッター部７６が備えられ、先の形態において設けられていた外周カッター部が略されて構成されている。
また、この形態においては、先の形態において設けられていた第１の取付盤１の代わりに内周カッター部７６を案内するための加熱盤７７が設けられており、この加熱盤７７と内周カッター部７６の両方が上下に移動自在に設けられ、マザースタンパ２１に対して接近離間できるように構成されている。先の加熱盤７７はヒータを内蔵した構成であり、ヒータに通電するか否か、あるいは通電量に応じて加熱盤７７の温度を制御できるように構成されている。
【００６３】
この形態の装置において、マザースタンパ２１のパターンを基材７０に転写して基材７０を打ち抜くためには、加熱盤７７を上昇させてマザースタンパ２１と離間した状態において、基材７０を加熱盤７７とマザースタンパ２１との間に基材７０を挟み込み、図２０に示す如く加熱盤７７を介して基材７０をマザースタンパ２１に押し付ける。
この操作により基材７０にはマザースタンパ２１のパターンが転写されるとともに、基材７０が熱硬化することによりそのパターンが固定される。
この後、加熱盤７７のヒータへの通電を停止して基材７０の温度を下げ冷却盤７３により基材７０の温度を基材７０を構成する樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度まで下げた後、図２１に示す如く内周カッター刃７５を下降させて基材７０の中心部を打ち抜き加工する。本発明において用いるガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、示差走査熱量計を用いてＪＩＳ  Ｋ７１２１に記載の方法で測定することができる。
【００６４】
打ち抜き加工後、図２２に示す如く内周カッター刃７５と加熱盤７７を上昇させると、基材７０を取り出すことができる。基材７０を取り出した後、再度加熱盤７７のヒータに通電してから代わりの未加工の基材７０をマザースタンパ２１の上にセットして再度図１９に示す工程に戻り、同様な工程を経ることで、繰り返し基材７０のパターン転写と打ち抜き加工を行うことができる。
【００６５】
図２３（Ａ）〜（Ｃ）は上述した複合基材の２つめの例として、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートの基材９０の一部に、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材９１とそれを用いたインプリント法を例示するための図である。
図２３（Ａ）に示す如く複合基材９１として、映画用フィルム形状の如く長尺の帯状であって、幅方向両端側に所定の間隔で位置決め用のスリット状の孔９２を複数備えた基材９０に対し、基材９０の中央側に矩形状の硬化性の液状の樹脂層９３をスクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷法により必要数、基材９０の長さ方向に間歇的に形成する。尚、この印刷は長さ方向に間歇的に形成した場合を例示しているが、全面的に印刷していてもよい。そして、先の実施の形態において説明した樹脂スタンパの製造装置を用いてマザースタンパを版押しするとともにエネルギー線を照射して液状樹脂を硬化する工程を行い、先の形態において形成したパターンや凹凸部と同様のパターン部９４を図２３（Ｂ）に示す如く転写形成する。この後、パターン部９４の中央部のみ孔状の打抜加工部９５  を形成することで図２３（Ｃ）に示す状態とすることができるので、この後必要に応じて、最終的に目的とする円板形状に打ち抜き専用の装置を用いて打ち抜き成形することができ、ドーナツ円盤状の製品を得ることができる。
【００６６】
図２４（Ａ）〜（Ｃ）は上述した複合基材の２つめの変形例として、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートの基材１００の一部に、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材１０１とそれを用いたインプリント法を例示するための図である。
図２４（Ａ）に示す如く複合基材１０１として、映画用フィルム形状の如く長尺の帯状であって、幅方向両端側に所定の間隔で位置決め用のスリット状の孔１０２を複数備えた基材１００に対し、基材１００の中央側に矩形状の硬化性の液状の樹脂層１０３をスクリーン印刷などの印刷法により必要数、基材１００の長さ方向に間歇的に形成する。尚、この印刷は長さ方向に間歇的に形成した場合を例示しているが、全面的に印刷していてもよい。そして、先の実施の形態において説明した樹脂スタンパの製造装置を用いてマザースタンパを版押しするとともにエネルギー線を照射して液状樹脂を硬化させ、図２４（Ｂ）に示す如く先の形態において形成したパターンや凹凸部と同様のパターン部１０４を転写形成する。この後に必要に応じて円板状に打ち抜き処理も施すことができる。また、これとは別に、パターン部１０４の中央部のみ打抜加工部１０５を形成し、図２４（Ｃ）に示す状態とした後、最終的に目的とする円板状に打ち抜き成形することができる。また、パターン部１０４の転写形成と、打抜加工部１０５の形成とを、例えば図１〜図１１に記載の方法を使って同一の装置で一体的に行うことが生産効率の点で好ましい。
なお、これらの図２３、図２４を基に説明した方法において、基材９０、１００として片面に易接着処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、その厚みを５〜１８８μｍとして実施することもできる。
【００６７】
図２５（Ａ）〜（Ｃ）は上述した複合基材を用いる場合の他の例として、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートの基材１１０の一部に、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材１１１とそれを用いたインプリント法を例示するための図である。
図２５（Ａ）に示す如く複合基材１１１として、映画用フィルム形状の如く長尺の帯状であって、幅方向両端側に所定の間隔で位置決め用のスリット状の孔１１２を複数備えた基材１１０に対し、基材１１０の中央側に矩形状の硬化性の液状の樹脂層１１３をスクリーン印刷などの印刷法により必要数、基材１１０の長さ方向に間歇的に形成する。尚、この印刷は長さ方向に間歇的に形成した場合を例示しているが、全面的に印刷していてもよい。次に、図２５（Ｂ）に示す如く形成しようとするパターン部の中心に打抜加工部１１６を形成し、次に、先の実施の形態において説明した樹脂スタンパの製造装置を用いてマザースタンパを版押しするとともにエネルギー線を照射して液状樹脂を硬化させ、先の形態において形成したパターンや凹凸部と同様のパターン部１１５を図２５（Ｃ）に示すように転写形成するとともに必要に応じて円板状に打ち抜き処理を施すことができる。
この例の如く先に打抜加工部１１６を形成後、この打抜加工部１１６を利用してマザースタンパとの位置合わせを行った後、マザースタンパを版押しするとともにエネルギー線を照射して液状樹脂を硬化させるインプリント処理を行うことで、パターン形成位置の正確な位置決めができる。
尚、上記の打抜加工部１１６の形成と、パターン部１１５の形成とを、同一の装置で一体的に行うことが生産効率の点で好ましい。
【００６８】
図２６（Ａ）〜（Ｃ）は上述した複合基材を用いる場合の他の例として、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の硬化物のフィルムまたはシートの基材１２０の一部に、硬化性の樹脂を液状で塗布または印刷して得られる複合基材１２１を用いたインプリント法を例示するための図である。
図２６（Ａ）に示す如く複合基材１２１として、映画用フィルム形状の如く長尺の帯状であって、幅方向両端側に所定の間隔で位置決め用のスリット状の孔１２２を複数備えた基材１２０に対し、図２６（Ａ）または（Ｂ）に示す如く形成しようとするパターン部の中心に先に打抜加工部１２６を形成し、次に図２６（Ｂ）あるいは（Ｃ）に示す如く基材１２０の中央側に矩形状の硬化性の液状の樹脂層１２３をスクリーン印刷などの印刷法により必要数、基材１２０の長さ方向に間歇的に形成して複合基材１２１とする。尚、この印刷は長さ方向に間歇的に形成した場合を例示しているが、全面的に印刷していてもよい。そして、先の実施の形態において説明した樹脂スタンパの製造装置を用いてマザースタンパを版押しするとともにエネルギー線を照射して液状樹脂を硬化させるインプリント法を実施し、先の形態において形成したパターンや凹凸部と同様のパターン部１２５を図２６（Ｃ）に示すように転写形成するとともに、必要に応じて最終形態の製品形状に打ち抜き処理を施すこともできる。
この例の如く先に打抜加工部１２６を形成後、この打抜加工部１２６を利用してマザースタンパとの位置合わせを行った後、マザースタンパを版押しするとともにエネルギー線を照射して液状樹脂を硬化させるインプリント処理を行うことで、パターン形成位置の正確な位置決めができる。
【実施例】
【００６９】
＜積層フィルムの作製＞
フェノールノボラック系エポキシアクリレート溶液ＫＡＹＡＲＡＤ  ＰＮＡ−１７０Ｈ（商品名、日本化薬（株）製）１００ｇに光ラジカル重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（商品名、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）２．０ｇを加えてよく混合し、表１に示す硬質フィルム上に塗布後、８０℃の熱風オーブン中で６０分間乾燥し、積層フィルムＡ−Ｅを作製した。表１にフィルムＡ−Ｅの構成を示す。
【００７０】
【表１】
0005427389.tif 000002
【００７１】
＜樹脂スタンパの作製＞
図１０と図１１に示す装置にマザースタンパ２１をパターン面を上にしてセットし、前記の如く作製した積層フィルムＡ−Ｅを幅７０ｍｍにカットしたものをエポキシアクリレート溶液塗布面を下にしてセットした。
金型を締め、マザースタンパ２１を圧力３０ＭＰａで積層フィルムに１０秒間押し付けたのち、照射装置１１（波長３６５ｎｍのＬＥＤランプ）の照度を１５ｍＷ／ｃｍ２に調整して、圧力をかけたままＵＶ光を１０秒間照射した。ＵＶ光の照射をやめ、内周カッター刃５２Ａでパターンの中央に径１２ｍｍの円状の穴を開けると同時に、外周カッター刃５０Ａにより外形を円形に抜き打ち加工した後、上部ダイセット５４を上昇させて金型を開放し、サンプルを取り出して樹脂スタンパＡ１−Ｅ１を作製した。
得られた樹脂スタンパＡ１−Ｅ１について、レーザー顕微鏡を用いてパターンの転写率を、また測定顕微鏡を用いて内周打ち抜き部分のパターン中心からのずれと真円度を測定した結果を表２に示す。表２に示す如く精度の良い打ち抜き加工を実施できることが明らかである。
表２に示すパターン転写率とは、無作為に抽出した１００箇所でパターンを観察し、（設計通りに転写できていた箇所の数）／（観察した箇所の数）を意味する。また、後述の表３に示すパターン転写率も同様である。
また、真円度とは、打抜加工部の径を約７２゜間隔の５箇所で測定し、その最大値と最小値の差を求めた値である。
【００７２】
【表２】
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【００７３】
図１０と図１１に示す装置のカッター刃５０Ａ、５２Ａはステンレス鋼の刃先を用い、透光押圧基盤５１のサイズ（幅、奥行き１００ｍｍ、厚さ４０ｍｍの強化ガラス製）のものを用いた。マザースタンパ２１は、厚さ０．３ｍｍ、内径１６ｍｍ、外径６３．５ｍｍのＮｉ電鋳製のドーナツ盤の表面に凹凸高さ８０ｎｍ、凸部幅１２０ｎｍ、凹部幅８０ｎｍの同心円パターンを形成したものを用いた。
【００７４】
＜レジスト膜付ＨＤ基板の作製＞
洗浄済みのＨＤ（ハードディスク）用ガラス基板（オハラ（株）製、外径１．８９インチ）をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。
さらに該基板上に６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（ａｔ％）層を加熱なしで５０ｎｍ、Ｒｕを０．８ｎｍ、ついで６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（ａｔ％）層を５０ｎｍ成膜し、軟磁性裏打ち層を形成した。
次いで、Ｒｕからなる配向制御膜を２０ｎｍ、６５Ｃｏ−１０Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）からなる酸化物グラニュラー記録層を１２ｎｍ、カーボンからなる保護膜を４ｎｍ形成した。
次に、保護膜まで形成した媒体（ＨＤ基板）を真空チャンバ内から取り出し、表面にレジスト（ＰＡＫ−０１−６０：商品名、東洋合成工業（株）製）をスピンコーターを用いて振り切り回転数２０００ｒｐｍで塗布した。塗布した後に約８０℃のホットプレート上で３分間乾燥した。反射・透過式膜厚計でレジストの膜厚を測定したところ約８０ｎｍであった。
【００７５】
＜樹脂スタンパを用いたＨＤ基板上のレジスト膜のインプリント＞
東芝機械（株）製ナノインプリント装置ＳＴ−２００のダイセット（ガイドピン付）に、先の例で作製したＨＤ基板（レジスト面上）、先の例で作製した樹脂スタンパ（パターン面下）をこの順にセットして、前記ナノインプリント装置の所定の位置にセットした。
プレス力０．６ＭＰａで１０秒間プレスした後、プレス力を変えないまま波長３６５ｎｍのＬＥＤランプで照度１５ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を照射し、金型を開放してＨＤ基板を取り出した。
取り出したＨＤ基板から樹脂スタンパを剥がし取り、レーザー顕微鏡でパターン転写率を、測定顕微鏡でＨＤ基板中心からのパターンのずれを測定した。ＨＤ基板の中心は、測定顕微鏡を用いてＨＤ基板の穴上で約７２゜間隔の５点から等距離にある点として求めた。また、パターンの中心を同心円状の最内周上で約７２゜間隔の５点から等距離にある点として、同様に求めた。このようにして求めたＨＤ基板の中心とパターンの中心の２点間の距離をパターンのずれとして測定した。
その結果を表３に示す。表３に示す結果の如く、本発明方法と装置により製造された樹脂スタンパを用いてＨＤ基板上のレジスト膜にインプリント法を実施することにより、良好なパターン転写率でパターンを転写できることが判明した。
【００７６】
【表３】
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【００７７】
＜樹脂スタンパを用いたＨＤ基板上のレジスト膜のインプリント繰り返し試験＞
樹脂スタンパとして先の樹脂スタンパＣ１を１００枚作製した。この樹脂スタンパを用いて毎回新しい樹脂スタンパと交換しながら先の例と同様にＨＤ基板上へのＵＶインプリントを１００回行い、表面検査装置を用いてダストの噛み込み、キズによる不良を観察したところ不良率は１枚／１００枚であった。
【００７８】
＜紫外線透過率の低いフィルムを用いた場合の例＞
硬質フィルムとしてカプトン５００Ｈ（ポリイミドフィルム商品名、東レ・デュポン（株）製、厚み１２５μｍ、引っ張り弾性率３．４ＧＰａ、紫外線透過率＜３０％）を用いて樹脂スタンパを作製した他は先の例と同様にＨＤ基板へのＵＶインプリントを行ったところ、ＨＤ基板への転写率＜１０％であった。
【００７９】
＜引っ張り伸びの小さいフィルムを用いた場合の例＞
明成化学工業（株）製ＵＣＥ−５  １０ｇにジャパンエポキシレジン（株）製エピコートＹＸ８０００  １．４ｇ、四国化成工業（株）製キュアゾール１Ｂ２ＰＺ
０．０５ｇを加えて混合し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上にキャストした後、８０℃、６０分、１２０℃、１８０分で加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して熱硬化性樹脂フィルムＦを作製した。フィルムＦの厚みは引っ張り弾性率は３．０ＭＰａ、引っ張り伸びは２％、ＵＶ透過率は３０％以上であった。
【００８０】
硬質フィルムとして前述の熱硬化性樹脂フィルムＦを使用した以外は先の例と同様に樹脂スタンパを作製したところ、樹脂スタンパにクラックが生じた。
＜引っ張り弾性率の低いフィルムを用いた場合の例＞
硬質フィルムとしてポリエチレンフィルム（厚み１００μｍ、引っ張り弾性率１．０Ｇｐａ）を用いた以外は先の例と同様にして樹脂スタンパを作製したところ、真円度は６０μｍ以上であった。
【００８１】
＜Ｎｉスタンパを用いた場合の例＞
前述のＨＤ媒体の代わりに紫外光を透過可能な、洗浄済みのＨＤ用ガラス基板（オハラ（株）製、外径１．８９インチ）を用い、スタンパとして、先の例で作製したものと同様のパターンを有するＮｉ電鋳スタンパ（厚み０．３ｍｍ、内径１２ｍｍ、外径６３．５ｍｍのドーナツ状）を用いて、スタンパの交換を行わなかったこと以外は先の例と同様にして１００枚のＨＤ媒体上のレジスト膜へのＵＶインプリントを行った。このとき、不良率は５２枚／１００枚であった。
これは、製造の途中において塵埃等の噛み込みにより不良を生じた結果、それ以降にインプリント法により製造された試料に大量に不良品が生じたことを示している。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る樹脂製スタンパの製造装置の第１実施形態を示す断面図。
【図２】同第１実施形態の製造装置において樹脂製の基材にマザースタンパを押圧した状態を示す断面図。
【図３】同第１実施形態の製造装置に適用される透光押圧基盤の底面図。
【図４】同第１実施形態の製造装置に適用されるマザースタンパ部分の平面図。
【図５】同第１実施形態の製造装置により打ち抜かれる樹脂製基材の断面図。
【図６】同第１実施形態の製造装置により樹脂製基材を打ち抜いた状態を示す断面図。
【図７】同第１実施形態の製造装置により樹脂製基材を打ち抜いた後の状態を示す断面図。
【図８】同第１実施形態の製造装置により打ち抜いた樹脂製スタンパを取り出す状態を示す断面図。
【図９】同第１実施形態の製造装置に再度別の樹脂製基材をセットした状態を示す断面図。
【図１０】本発明に係る樹脂製スタンパの製造装置をユニット化した装置の一例を示す構成図。
【図１１】図１０に示す製造装置の部分断面図。
【図１２】磁性層に微細凹凸を形成してなるディスクリートトラック型磁気記録媒体の製造方法の一例の工程説明図。
【図１３】本発明において用いる基材の第２の例を示す平面図。
【図１４】本発明において用いる基材の第３の例を示す平面図。
【図１５】本発明において用いる基材の第４の例を示す平面図。
【図１６】本発明において用いる基材の第５の例を示す平面図。
【図１７】本発明において用いる基材の第６の例を示す平面図。
【図１８】本発明方法を半導体装置製造用の半導体基板のパターニングに適用した例を示す説明図。
【図１９】本発明の樹脂スタンパの製造装置において熱硬化性樹脂の基材を用いる場合の装置構成を示す図。
【図２０】同装置において基材をマザースタンパに押し付けた状態を示す説明図。
【図２１】同装置において基材を打ち抜く工程を示す説明図。
【図２２】同装置において樹脂スタンパを取り出す状態を示す説明図。
【図２３】本発明を長尺フィルム状の基材に適用した場合のインプリント法について示す第１の例を示す説明図。
【図２４】本発明を長尺フィルム状の基材に適用した場合のインプリント法について示す第２の例を示す説明図。
【図２５】本発明を長尺フィルム状の基材に適用した場合のインプリント法について第３の例を示す説明図。
【図２６】本発明を長尺フィルム状の基材に適用した場合のインプリント法について第４の例を示す説明図。
【符号の説明】
【００８３】
１…第１の取付盤、３…第２の取付盤、６…カッターセット部材、７…外周カッター部、７Ａ…外周カッター刃、８…内周カッター部、８Ａ…内周カッター刃、９…外周カッター部、１０…光源サポート部、１１…照射装置、１５…透光押圧基盤、１６、１７…摺動サポート部材、１８…受部、２０…弾性部材、２１…マザースタンパ、２５…複合基材、２５ａ…硬質層（基材）、２５ｂ…軟質接着層、２５ｃ…光硬化性樹脂層、  ４８…パンチ（摺動サポート部材）、５０…上部ダイ（外周カッター部）、５０Ａ…外周カッター刃、５１…透光押圧基盤、５２…内部パンチ（内周カッター部）、５２Ａ…内周カッター刃、５３…照射装置、５５、５６、５７、５８、５９、６０、７０…基材、７１…マザースタンパ、７５…内周カッター刃、７６…内周カッター部、７７…加熱盤、  ９０、１００、１１０、１２０…基材、９１、１０１、１１１、１２１…複合基材、９３、１０５、１１５、１２５…パターン部、９５、１０６、１１６、１２６…打抜加工部、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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