(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号端子と、グラウンド端子とを有する電子部品と、
第１及び第２の主面を有し、前記電子部品が前記第１の主面に実装されている実装基板と、
前記実装基板の前記第２の主面上に形成されており前記信号端子に接続されている信号電極と、
前記実装基板の前記第２の主面上に形成されており前記グラウンド端子に接続されているグラウンド電極と、
前記実装基板の前記第２の主面の一部を覆うように形成されている絶縁層とを備え、
前記絶縁層は、前記信号電極の前記グラウンド電極と対向している端部を覆わないように形成されており、前記絶縁層は、前記信号電極の前記グラウンド電極と対向していない端部の少なくとも一部の上を覆うように形成されている、電子モジュール。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記信号電極の前記グラウンド電極と対向している端部から隔離して形成されている、請求項１に記載の電子モジュール。
【請求項３】
前記グラウンド電極は、前記グラウンド電極の前記信号電極と対向している端部が前記絶縁層により覆われるように形成されている、請求項１または２に記載の電子モジュール。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記グラウンド電極の前記絶縁層から露出している部分が複数形成されるように設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子モジュール。
【請求項５】
前記実装基板は、樹脂製またはセラミック製である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子モジュール。
【請求項６】
前記絶縁層は、樹脂製またはセラミック製である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子モジュール。
【請求項７】
前記電子部品は、前記信号端子として入力端子と出力端子とを有するフィルタである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子モジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子モジュールを搭載した通信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子モジュール及びそれを備える通信機に関する。特には、本発明は、電子部品が一方の主面に実装されている実装基板を備え、実装基板の他方の主面の一部が絶縁層により覆われている電子モジュール及びそれを備える通信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、コンデンサ、インダクタ、高周波フィルタ、半導体素子などの電子部品が樹脂基板やセラミック基板に実装された、電子モジュールが広く利用されている。例えば、下記の特許文献１には、このような電子モジュールの一例が記載されている。【０００３】
図１２は、特許文献１に記載されている電子モジュールの略図的断面図である。図１２に示すように、電子モジュール１００は、電子部品の一種である半導体素子１０１と、半導体素子１０１が一方の主面１０２ａに実装されている基板１０２とを備えている。基板１０２の他方の主面１０２ｂには、半導体素子１０１に接続されている複数の電極１０３が形成されている。この複数の電極１０３には、グラウンド電位に接続されているグラウンド電極と、信号の入出力に関わる信号電極とが含まれている。電子モジュール１００においては、基板１０２の主面１０２ｂの上には、ソルダーレジスト層１０４が形成されている。このソルダーレジスト層１０４により、全ての電極１０３の周縁部が覆われている。これにより、複数の電極１０３が短絡しないようにされている。複数の電極１０３のそれぞれの上には、半田ボール１０５が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４３３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電子モジュール１００のように、全ての電極１０３の周縁部をソルダーレジスト層１０４により覆った場合、電子モジュール１００の電気的特性が悪化するという問題があった。【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電気的特性が優れた電子モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子モジュールは、電子部品と、実装基板と、信号電極と、グラウンド電極と、絶縁層とを備えている。電子部品は、信号端子と、グラウンド端子とを有する。実装基板は、第１及び第２の主面を有する。実装基板の第１の主面には、電子部品が実装されている。信号電極は、実装基板の第２の主面上に形成されている。信号電極は、信号端子に接続されている。グラウンド電極は、実装基板の第２の主面上に形成されている。グラウンド電極は、グラウンド端子に接続されている。絶縁層は、実装基板の第２の主面の一部を覆うように形成されている。絶縁層は、信号電極のグラウンド電極と対向している端部を覆わないように形成されており、前記絶縁層は、前記信号電極の前記グラウンド電極と対向していない端部の少なくとも一部の上を覆うように形成されている。
【０００８】
本発明に係る電子モジュールのある特定の局面では、絶縁層は、信号電極のグラウンド電極と対向している端部から隔離して形成されている。この構成によれば、信号電極とグラウンド電極との間の間隔をより大きくできる。よって、信号電極とグラウンド電極との間で発生する静電容量の大きさをより小さくできる。従って、この信号電極とグラウンド電極との間で発生する静電容量を介して信号電極からグラウンド電極へと信号が伝送されることをより効果的に抑制することができる。その結果、電子モジュールの電気的特性をより向上させることができる。【０００９】
本発明に係る電子モジュールの他の特定の局面では、グラウンド電極は、グラウンド電極の信号電極と対向している端部が絶縁層により覆われるように形成されている。この構成によれば、グラウンド電極を大きくすることができる。従って、電子モジュールのグラウンドを強化することができる。【００１１】
本発明に係る電子モジュールのさらに他の特定の局面では、絶縁層は、グラウンド電極の絶縁層から露出している部分が複数形成されるように設けられている。すなわち、この構成では、複数のグラウンド電極が一体に形成されている。従って、グラウンドをより強化することができる。また、グラウンド電極と、グラウンド電位との間の寄生インピーダンスを小さくすることができる。【００１２】
本発明に係る電子モジュールのさらに別の特定の局面では、実装基板は、樹脂製またはセラミック製である。【００１３】
本発明に係る電子モジュールのまた他の特定の局面では、絶縁層は、樹脂製またはセラミック製である。【００１４】
本発明に係る電子モジュールのまた別の特定の局面では、電子部品は、信号端子として入力端子と出力端子とを有するフィルタである。【００１５】
本発明に係る通信機は、上記本発明に係る電子モジュールを搭載している。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、絶縁層は、信号電極のグラウンド電極と対向している端部を覆わないように形成されている。このため、絶縁層の形成精度などを考慮して信号電極を大きく形成する必要がないため、信号電極とグラウンド電極との間の間隔を大きくできる。よって、信号電極とグラウンド電極との間で発生する静電容量の大きさを小さくできる。従って、この信号電極とグラウンド電極との間で発生する静電容量を介して信号電極からグラウンド電極へと信号が伝送されることを抑制することができる。その結果、電子モジュールの電気的特性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明を実施した一実施形態に係る通信機の略図的回路図である。
【図２】図２は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサモジュールの略図的側面図である。
【図３】図３は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサモジュールにおけるプリント配線基板の第２の主面の略図的平面図である。
【図４】図４は、比較例に係るデュプレクサモジュールにおけるプリント配線基板の第２の主面の略図的平面図である。
【図５】図５は、実施形態に係るデュプレクサモジュールの送信側フィルタ部の通過特性と、比較例に係るデュプレクサモジュールの送信側フィルタ部の通過特性とを示すグラフである。
【図６】図６は、実施形態に係るデュプレクサモジュールの受信側フィルタ部の通過特性と、比較例に係るデュプレクサモジュールの受信側フィルタ部の通過特性とを示すグラフである。
【図７】図７は、実施形態に係るデュプレクサモジュールのアイソレーション特性と、比較例に係るデュプレクサモジュールのアイソレーション特性とを示すグラフである。
【図８】図８は、実施形態に係るデュプレクサモジュールの送信側信号端子におけるＶＳＷＲと、比較例に係るデュプレクサモジュールの送信側信号端子におけるＶＳＷＲとを示すグラフである。
【図９】図９は、実施形態に係るデュプレクサモジュールの第１及び第２の受信側信号端子におけるＶＳＷＲと、比較例に係るデュプレクサモジュールの第１及び第２の受信側信号端子におけるＶＳＷＲとを示すグラフである。
【図１０】図１０は、実施形態に係るデュプレクサモジュールのアンテナ端子におけるＶＳＷＲと、比較例に係るデュプレクサモジュールのアンテナ端子におけるＶＳＷＲとを示すグラフである。
【図１１】図１１は、第１の変形例に係るデュプレクサモジュールにおけるプリント配線基板の第２の主面の略図的平面図である。
【図１２】図１２は、特許文献１に記載されている電子モジュールの略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示す通信機１を例に挙げて説明する。但し、通信機１は、単なる例示である。本発明に係る通信機は、通信機１に何ら限定されない。また、本発明に係る電子モジュールは、通信機１に搭載されたデュプレクサモジュール２に何ら限定されない。
【００１９】
図１は、本実施形態の通信機１の略図的回路図である。図１に示すように、通信機１には、電子モジュールとしてのデュプレクサモジュール２が搭載されている。具体的には、通信機１には、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路が含まれる。デュプレクサモジュール２は、このＲＦ回路に設けられている。
【００２０】
デュプレクサモジュール２は、ＵＭＴＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）のようなＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）方式に対応した携帯電話機である通信機１において、信号の受信と送信とを同時に行うために、通信機１のＲＦ回路に用いられるものである。具体的には、デュプレクサモジュール２は、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２に対応するデュプレクサモジュールである。ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２においては、送信周波数帯（Ｔｘ帯）が１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚであり、受信周波数帯（Ｒｘ帯）が１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚである。
【００２１】
図１に示すように、デュプレクサモジュール２は、アンテナ端子１１と、送信側信号端子１２と、第１及び第２の受信側信号端子１３ａ，１３ｂとを有する。
【００２２】
アンテナ端子１１と第１及び第２の受信側信号端子１３ａ，１３ｂとの間には、受信側フィルタ部２０が接続されている。本実施形態では、受信側フィルタ部２０は、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型のフィルタ部である。受信側フィルタ部２０は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている。
【００２３】
一方、アンテナ端子１１と送信側信号端子１２との間には、送信側フィルタ部３０が接続されている。本実施形態では、送信側フィルタ部３０は、ラダー型弾性波フィルタ部により構成されている。
【００２４】
具体的には、送信側フィルタ部３０は、アンテナ端子１１と送信側信号端子１２との間に直列に接続されている複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４を有する。これら複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４により直列腕３１が構成されている。直列腕３１とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３が接続されている。これら並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３により並列腕３２〜３４が構成されている。並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とグラウンド電位との間には、第２のインダクタＬ２が接続されている。一方、並列腕３４においては、並列腕共振子Ｐ３とグラウンド電位との間に、第３のインダクタＬ３が接続されている。
【００２５】
送信側フィルタ部３０と受信側フィルタ部２０との間の接続点２１と、アンテナ端子１１との間に、接続点２２がある。そして、接続点２２とグラウンド電位との間には、インピーダンス整合用の第１のインダクタＬ１が接続されている。
【００２６】
次に、図２等を参照しながら、デュプレクサモジュール２の具体的装置構成について説明する。図２は、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の略図的側面図である。
【００２７】
図２に示すように、デュプレクサモジュール２は、電子部品４０と、電子部品４０が実装されている、実装基板としての樹脂製のプリント配線基板６０とを備えている。なお、本実施形態では、プリント配線基板６０が樹脂製である例について説明するが、プリント配線基板６０は、セラミック製であってもよい。
【００２８】
電子部品４０は、フィルタチップ４１と、フィルタチップ４１がフリップチップ実装されているセラミック基板４２とを備えている。フィルタチップ４１は、セラミック基板４２上に設けられた封止樹脂４３により封止されている。なお、フィルタチップ４１は、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタチップであってもよいし、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタチップであってもよいし、バルク弾性波を利用したバルク弾性波フィルタチップであってもよい。
【００２９】
電子部品４０には、送信側フィルタ部３０と受信側フィルタ部２０との少なくとも一部が形成されている。電子部品４０の裏面４０ａには、図１に示す信号端子１４ａ〜１４ｄと、送信側フィルタ部３０や受信側フィルタ部２０などをグラウンド電位に接続する複数のグラウンド端子とが形成されている。信号端子１４ａは、送信側フィルタ部３０の出力信号端子であると共に受信側フィルタ部２０の入力信号端子である。信号端子１４ｂは、送信側フィルタ部３０の入力信号端子である。信号端子１４ｃ，１４ｄは、受信側フィルタ部２０の第１及び第２の出力平衡信号端子である。
【００３０】
図３は、プリント配線基板６０の第２の主面６０ｂの略図的平面図である。なお、図３は、デュプレクサモジュール２の上面から透視した状態を示した図である。図３に示すように、プリント配線基板６０の第２の主面６０ｂ上には、信号端子１４ａ〜１４ｄに接続されている信号電極６２ａ〜６２ｄが形成されている。具体的には、信号電極６２ａは、送信側フィルタ部３０の出力信号端子であると共に受信側フィルタ部２０の入力信号端子である信号端子１４ａ（図１を参照）に接続されている。信号電極６２ｂは、送信側フィルタ部３０の入力信号端子である信号端子１４ｂ（図１を参照）に接続されている。信号電極６２ｃは、受信側フィルタ部２０の第１の出力平衡信号端子である信号端子１４ｃ（図１を参照）に接続されている。信号電極６２ｄは、受信側フィルタ部２０の第２の出力平衡信号端子である信号端子１４ｄ（図１を参照）に接続されている。すなわち、信号電極６２ａは、アンテナ端子１１である。信号電極６２ｂは、送信側信号端子１２である。信号電極６２ｃは、第１の受信側信号端子１３ａである。信号電極６２ｄは、第２の受信側信号端子１３ｂである。
【００３１】
また、プリント配線基板６０の第２の主面６０ｂ上には、電子部品４０の複数のグラウンド端子に接続されている、ひとつのグラウンド電極６３が形成されている。
【００３２】
図２及び図３に示すように、実装基板としてのプリント配線基板６０は、第１及び第２の主面６０ａ，６０ｂを有する。電子部品４０は、プリント配線基板６０の第１の主面６０ａに実装されている。プリント配線基板６０の第２の主面６０ｂ上には、第２の主面６０ｂの一部を覆うように絶縁層６１が形成されている。なお、この絶縁層６１は、絶縁材料からなる層である限りにおいて特に限定されない。絶縁層６１は、樹脂製であってもよいし、セラミック製であってもよい。本実施形態においては、具体的には、絶縁層６１は、レジスト樹脂により形成されている。
【００３３】
図３において、斜線部が、絶縁層６１が形成されている部分を示す。図３に示すように、本実施形態において、絶縁層６１は、信号電極６２ａ〜６２ｄのグラウンド電極６３と対向している端部６２ａ１，６２ｂ１，６２ｃ１，６２ｄ１を覆わないように形成されている。より具体的には、絶縁層６１は、信号電極６２ａ〜６２ｄのグラウンド電極６３と対向している端部６２ａ１，６２ｂ１，６２ｃ１，６２ｄ１から隔離して形成されている。一方、絶縁層６１は、グラウンド電極６３の信号電極６２ａ〜６２ｄと対向している端部６３ａ〜６３ｄを覆うように形成されている。換言すれば、グラウンド電極６３は、グラウンド電極６３の信号電極６２ａ〜６２ｄと対向している端部６３ａ〜６３ｄが絶縁層６１により覆われるように形成されている。また、絶縁層６１は、グラウンド電極６３における絶縁層６１から露出している部分である、グラウンド端子部が複数形成されるように設けられている。具体的には、本実施形態では、グラウンド端子部６４ａ〜６４ｅが形成されている。すなわち、本実施形態では、複数のグラウンド端子部６４ａ〜６４ｅがひとつのグラウンド電極６３により構成されている。このようにすることにより、デュプレクサモジュール２のグラウンドを強化することができる。また、グラウンド端子部６４ａ〜６４ｅと、グラウンド電位との間の寄生インピーダンスを小さくすることができる。
【００３４】
本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の比較例として、信号電極と絶縁層の構成以外は実施形態に係るデュプレクサモジュール２と同様の構成を有するデュプレクサモジュールを用意した。図４に比較例に係るデュプレクサモジュールにおけるプリント配線基板の第２の主面の略図的平面図を示す。図４は、比較例に係るデュプレクサモジュールの上面から透視した状態を示した図である。なお、説明の便宜上、比較例においても、本実施形態と実質的に同様の機能を有する部材を共通の記号で参照する。
【００３５】
図４に示すように、比較例は、絶縁層６１−１が信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１のグラウンド電極６３と対向している端部６２ａ１−１，６２ｂ１−１，６２ｃ１−１，６２ｄ１−１を覆うように形成されている点で本実施形態と異なる。
【００３６】
図５に、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の送信側フィルタ部３０の通過特性と、比較例に係るデュプレクサモジュールの送信側フィルタ部の通過特性とを示す。図５に示す結果から明らかなように、送信側フィルタ部の通過帯域である送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）の高域側に位置する受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）において、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の方が、比較例に係るデュプレクサモジュールよりも大きな減衰量を有する。具体的には、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）において、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２では、最も小さな減衰量が４３．０ｄＢであり、比較例に係るデュプレクサモジュールでは、最も小さな減衰量が４１．７ｄＢであり、本実施形態の方が、比較例よりも受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）における最も小さな減衰量が１．３ｄＢ大きかった。
【００３７】
図６に、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の受信側フィルタ部２０の通過特性と、比較例に係るデュプレクサモジュールの受信側フィルタ部の通過特性とを示す。図６に示す結果から明らかなように、受信側フィルタ部の通過帯域である受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）の低域側に位置する送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）において、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の方が、比較例に係るデュプレクサモジュールよりも大きな減衰量を有する。具体的には、送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）において、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２では、最も小さな減衰量が５３．３ｄＢであり、比較例に係るデュプレクサモジュールでは、最も小さな減衰量が５１．０ｄＢであり、本実施形態の方が、比較例よりも送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）における最も小さな減衰量が２．３ｄＢ大きかった。
【００３８】
図７に、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２のアイソレーション特性と、比較例に係るデュプレクサモジュールのアイソレーション特性とを示す。ここで、図７に示すアイソレーション特性は、送信側信号端子１２と第１及び第２の受信側信号端子１３ａ，１３ｂとの間のアイソレーション特性である。
【００３９】
図７に示す結果から明らかなように、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）と送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）とのいずれにおいても、本実施形態の方が、比較例よりもアイソレーション特性が優れていることが分かる。具体的には、送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）における最も小さな減衰量は、本実施形態では、５６．５ｄＢであり、比較例では、５２．５ｄＢであり、本実施形態の方が、比較例よりも、送信周波数帯における最も小さな減衰量が４．０ｄＢ大きかった。また、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）における最も小さな減衰量は、本実施形態では、４８．９ｄＢであり、比較例では、４６．６ｄＢであり、本実施形態の方が、比較例よりも、受信周波数帯における最も小さな減衰量が２．３ｄＢ大きかった。
【００４０】
図８に、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の送信側信号端子１２における電圧定在波比（ＶＳＷＲ：  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ）と、比較例に係るデュプレクサモジュールの送信側信号端子におけるＶＳＷＲとを示す。図９に、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２の第１及び第２の受信側信号端子１３ａ，１３ｂにおけるＶＳＷＲと、比較例に係るデュプレクサモジュールの第１及び第２の受信側信号端子におけるＶＳＷＲとを示す。図１０に、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２のアンテナ端子１１におけるＶＳＷＲと、比較例に係るデュプレクサモジュールのアンテナ端子におけるＶＳＷＲとを示す。
【００４１】
図８〜図１０に示すように、本実施形態では、送信側信号端子１２、第１及び第２の受信側信号端子１３ａ，１３ｂ、アンテナ端子１１のいずれにおけるＶＳＷＲも、比較例よりも良好であった。具体的には、図８に示すように、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２では、送信側信号端子１２において、送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）におけるＶＳＷＲの最大値は、１．４９であったのに対して、比較例に係るデュプレクサモジュールでは、送信側信号端子において、送信周波数帯（１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ）におけるＶＳＷＲの最大値は、１．６９であった。図９に示すように、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２では、第１及び第２の受信側信号端子１３ａ，１３ｂにおいて、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）におけるＶＳＷＲの最大値は、１．３８であったのに対して、比較例に係るデュプレクサモジュールでは、受信側信号端子において、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）におけるＶＳＷＲの最大値は、１．５６であった。図１０に示すように、本実施形態に係るデュプレクサモジュール２では、アンテナ端子１１において、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）におけるＶＳＷＲの最大値は、１．３８であったのに対して、比較例に係るデュプレクサモジュールでは、アンテナ端子において、受信周波数帯（１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）におけるＶＳＷＲの最大値は、１．５６であった。
【００４２】
以上の結果から、絶縁層６１が信号電極６２ａ〜６２ｄのグラウンド電極６３と対向している端部６２ａ１，６２ｂ１，６２ｃ１，６２ｄ１を覆わないように絶縁層６１を形成することにより、優れた電気的特性を実現できることが分かる。この理由としては、以下の理由が考えられる。
【００４３】
樹脂やセラミックからなる絶縁層６１は、一般的に絶縁材料を印刷した後に硬化させることにより形成される。このため、絶縁層６１の形成に際しては、絶縁材料の印刷位置ずれ、硬化時の絶縁材料の収縮などを考慮する必要がある。よって、図３と図４との比較から分かるように、比較例のように信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１の端部６２ａ１−１〜６２ｄ１−１が絶縁層６１−１で覆われるように絶縁層６１−１を形成する場合、上記位置ずれや収縮などを考慮して、信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１を大きく形成する必要がある。例えば、図４に示す比較例では、図３に示す本実施形態の信号電極６２ａ〜６２ｄよりも、信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１の各辺の長さを１００μｍ以上大きく形成している。
【００４４】
比較例のように信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１を大きく形成した場合、信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１とグラウンド電極６３との間の距離が短くなる。このため、比較例では、信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１とグラウンド電極６３との間で発生する静電容量が大きくなる。よって、この静電容量を介して伝送される信号が増大する。その結果、送信側フィルタ部及び受信側フィルタ部の通過帯域外における減衰量が小さくなったり、アイソレーション特性が悪化したりする。
【００４５】
特に、使用する周波数帯が高周波数であるほど、静電容量の影響が大きくなる。よって、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２に対応するデュプレクサモジュールなどでは特に影響が大きくなり、帯域外減衰量やアイソレーション特性などの電気的特性が悪化することとなる。
【００４６】
また、比較例のように信号電極６２ａ−１〜６２ｄ−１とグラウンド電極６３との間で発生する静電容量が大きくなると、通過帯域内におけるインピーダンスの整合性が悪化する。この結果、比較例では、ＶＳＷＲが悪化している。
【００４７】
一方、本実施形態のように、絶縁層６１が信号電極６２ａ〜６２ｄのグラウンド電極６３と対向している端部６２ａ１，６２ｂ１，６２ｃ１，６２ｄ１を覆わないように形成されている場合、信号電極６２ａ〜６２ｄを大きく形成する必要がない。よって、信号電極６２ａ〜６２ｄとグラウンド電極６３との間の距離を長くすることができる。このため、信号電極６２ａ〜６２ｄとグラウンド電極６３との間で発生する静電容量を小さくすることができる。従って、送信側フィルタ部及び受信側フィルタ部の通過帯域外における減衰量を大きくでき、アイソレーション特性を向上でき、さらに良好なＶＳＷＲ特性を得ることができる。すなわち、良好な電気的特性を実現することができる。
【００４８】
また、本実施形態のデュプレクサモジュール２は、上記の点以外にも、比較例のデュプレクサモジュールよりも優れている点を有する。
【００４９】
まず、本実施形態のように、実装基板としてのプリント配線基板６０が樹脂製であり、絶縁層６１がレジスト樹脂からなる場合、信号電極６２ａ〜６２ｄとグラウンド電極６３との表面の平坦度が高く、接続安定性を高めることができるという点である。
【００５０】
レジスト樹脂からなる絶縁層６１を形成する場合、レジスト樹脂を印刷した後に、レジスト樹脂を熱硬化させる。このレジスト樹脂の熱硬化の工程において、レジスト樹脂が収縮することに起因して、樹脂製のプリント配線基板６０が変形し、プリント配線基板６０及びその第２の主面６０ｂ上に形成されている信号電極６２ａ〜６２ｄ及びグラウンド電極６３の平坦度が低下する。ここで、レジスト樹脂の収縮に起因するプリント配線基板６０の変形の度合いは、絶縁層６１の面積が小さくなるほど小さくなる。本実施形態では、上述の通り、絶縁層６１が信号電極６２ａ〜６２ｄのグラウンド電極６３と対向している端部６２ａ１，６２ｂ１，６２ｃ１，６２ｄ１を覆わないように形成されているため、絶縁層６１の面積が小さい。従って、レジスト樹脂の熱硬化の工程におけるレジスト樹脂の収縮に起因するプリント配線基板６０の変形の度合いを小さくすることができる。従って、信号電極６２ａ〜６２ｄ及びグラウンド電極６３の平坦度を高く保つことができる。
【００５１】
また、本実施形態のデュプレクサモジュール２は、比較例のデュプレクサモジュールよりも、異方性導電ゴム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｒｕｂｂｅｒ）を接続端子として利用した測定装置を使用した電気的特性の測定を高い測定安定性で行い得る。本実施形態のデュプレクサモジュール２のように、端子がＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプの電子モジュールの製造工程における不具合品の特性選別工程において、電気的特性を測定する際に、異方性導電ゴムを使用することがある。詳細には、測定治具の上に、シリコンゴムと金属ピンとからなる異方性導電ゴムと電子モジュールとを配置し、電子モジュールの上面側から加圧することで、電子モジュールと測定治具との間を電気的に導通させる。電子モジュールと測定治具との間は、異方性導電ゴムを構成するシリコンゴムが電子モジュールを介して加圧されて収縮し、シリコンゴムに埋め込まれた金属ピンを介して測定治具と電子モジュールの端子とが物理的に接触することにより導通する。
【００５２】
ここで、比較例のデュプレクサモジュールでは、プリント配線基板の第２の主面に形成されている全ての電極の周縁部が絶縁層により覆われている。このため、電極の表面は絶縁層の凹部に位置する。よって、各電極と測定治具との間の導通を図るために、絶縁層の厚みの分だけ大きくシリコンゴムを変形させなければならない。
【００５３】
一方、本実施形態のデュプレクサモジュール２では、プリント配線基板６０の第２の主面６０ｂに形成されている信号電極６２ａ〜６２ｄの周縁部は、絶縁層６１によって覆われていない。すなわち、信号電極６２ａ〜６２ｄと絶縁層６１とは、離間して形成されている。よって、比較例と比べて、信号電極６２ａ〜６２ｄと測定治具との間の導通を図るために必要なシリコンゴムの変形度合いは、比較例よりも少なくてよい。このため、測定安定性が向上する。
【００５４】
さらに、本実施形態では、グラウンド端子部６４ａ〜６４ｅがグラウンド電極６３として一体に形成されているため、グラウンド電極６３の露出部であるグラウンド端子部６４ａ〜６４ｅのうちのひとつでも測定治具と導通すればよい。従って、測定安定性がより向上する。
【００５５】
以下、上記実施形態の変形例について説明する。以下の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５６】
（第１の変形例）
図１１は、第１の変形例に係るデュプレクサモジュールにおけるプリント配線基板６０の第２の主面６０ｂの略図的平面図である。なお、図１１は、第１の変形例に係るデュプレクサモジュールの上面から透視した状態を示した図である。
【００５７】
上記実施形態では、信号電極６２ａ〜６２ｄのそれぞれの全体が絶縁層６１により覆われていない例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図１１に示すように、絶縁層６１は、信号電極６２ａ〜６２ｄのグラウンド電極６３と対向していない端部６２ａ２，６２ｂ２，６２ｃ２，６２ｄ２のうちの少なくとも一部の上を覆うように形成されていてもよい。すなわち、絶縁層６１は、信号電極６２ａ〜６２ｄにおける、他のいずれの電極とも対向していない端部の上も覆うように形成されている。換言すれば、絶縁層６１は、信号電極６２ａ〜６２ｄのうち、プリント配線基板６０の周辺部に位置する部分の上を覆うように形成されている。このようにすることにより、デュプレクサモジュール２を通信機１のＲＦ回路に実装する際に、熱応力により、信号電極６２ａ〜６２ｄが剥がれることが効果的に抑制される。
【００５８】
もちろん、本変形例においても、信号電極６２ａ〜６２ｄの端部６２ａ１〜６２ｄ１は、絶縁層６１により覆われていないため、上記実施形態と同様に、電気的特性の向上、電極平坦度の向上、電気的測定の測定安定性の向上という各効果が奏される。
【００５９】
（その他の変形例）
上記実施形態では、実装基板としてのプリント配線基板が樹脂製である場合について説明した。但し、実装基板は、セラミック製であってもよい。また、絶縁層もセラミック製であってもよい。
【００６０】
上記実施形態では、電子部品がひとつのデュプレクサを有するものである例について説明したが、本発明において、電子部品の種類は特に限定されない。電子  モジュールは、複数のデュプレクサが搭載されたもの、複数の高周波フィルタが搭載されたもの、トリプレクサなどが搭載されたもの、デュプレクサやトリプレクサと高周波フィルタとが搭載されたもの、デュプレクサやトリプレクサとパワーアンプが搭載されたものであってもよい。また、電子部品は、コンデンサ、インダクタ、半導体素子などであってもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１…通信機
２…デュプレクサモジュール
１１…アンテナ端子
１２…送信側信号端子
１３ａ…第１の受信側信号端子
１３ｂ…第２の受信側信号端子
１４ａ〜１４ｄ…信号端子
２０…受信側フィルタ部
２１，２２…接続点
３０…送信側フィルタ部
３１…直列腕
３２〜３４…並列腕
４０…電子部品
４０ａ…電子部品の裏面
４１…フィルタチップ
４２…セラミック基板
４３…封止樹脂
６０…プリント配線基板
６０ａ…プリント配線基板の第１の主面
６０ｂ…プリント配線基板の第２の主面
６１…絶縁層
６２ａ〜６２ｄ…信号電極
６２ａ１〜６２ｄ１…信号電極のグラウンド電極と対向している端部
６２ａ１−１〜６２ｄ１−１…端部
６２ａ２〜６２ｄ２…信号電極のグラウンド電極と対向していない端部
６３…グラウンド電極
６３ａ〜６３ｄ…グラウンド電極の信号電極と対向している端部
６４ａ〜６４ｅ…グラウンド端子部
Ｐ１〜Ｐ３…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ４…直列腕共振子
Ｌ１…第１のインダクタ
Ｌ２…第２のインダクタ
Ｌ３…第３のインダクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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