(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートを接触させて凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記被処理基板に向けて前記硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる吐出部と、
前記被処理基板が載置されるステージと、
所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させる移動部と、
滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する観察部と、を備え、
前記テンプレートに形成された前記パターンは、前記硬化性樹脂材料に所望の凹凸を転写するための第１パターンと、前記硬化性樹脂材料の滴下位置を観察するための第２パターンとを有して構成され、
前記観察部は、前記第２パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察するインプリント装置。
【請求項２】
前記第２パターンの凹部の幅に対する凹部の深さの比が、第１パターンの凹部の幅に対する凹部の深さの比よりも小さい請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記吐出部には、略一定のピッチで前記硬化性樹脂材料を吐出する吐出口が形成され、
前記第２パターンの凹部同士の間隔は、前記吐出口のピッチと略等しい請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記第２パターンの凸部が格子状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記観察部による観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料が適切な位置に滴下されているかを判別する判別部と、
前記判別部により滴下位置が不適と判別された場合に、硬化性樹脂材料に転写されたパターンを検査する検査部をさらに備える請求項１〜４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記観察部による観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料の滴下位置のずれ量を検出するずれ検出部と、
前記ずれ量を前記移動部にフィードバックして、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させる制御部と、をさらに備える請求項１〜５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記テンプレートに形成された前記パターンは、前記硬化性樹脂材料に所望の凹凸を転写するための第１パターンと、前記硬化性樹脂材料の滴下位置を観察するための第２パターンとを有して構成され、
前記硬化性樹脂材料を吐出部から吐出して前記被処理基板に向けて滴下させ、
所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために、前記被処理基板が載置されるステージと、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させ、
滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記第２パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察するインプリント方法。
【請求項８】
前記第２パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料との観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料の滴下位置のずれ量を検出し、
前記ずれ量を、次回以降の前記ステージと前記吐出部との相対的な移動にフィードバックさせる請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写する凹凸板の製造方法であって、
前記テンプレートに形成された前記パターンは、前記硬化性樹脂材料に所望の凹凸を転写するための第１パターンと、前記硬化性樹脂材料の滴下位置を観察するための第２パターンとを有して構成され、
前記硬化性樹脂材料を吐出部から吐出して前記被処理基板に向けて滴下させ、
所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために、前記被処理基板が載置されるステージと、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させ、
滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記第２パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する凹凸板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料との観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料の滴下位置のずれ量を検出し、
前記ずれ量を、次回以降の前記ステージと前記吐出部との相対的な移動にフィードバックさせる請求項９に記載の凹凸板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造技術としてナノインプリント・リソグラフィ技術（以下、単にナノインプリンティング）が知られている。ナノインプリンティングは、半導体集積回路のパターンが形成されたテンプレートを半導体ウェハに塗布されたレジスト材料（硬化性樹脂材料）に接触させることによって、当該テンプレートに形成されているパターンをレジスト材料に転写する技術である。
【０００３】
硬化性樹脂材料は、ディスペンサーなどの吐出部から半導体ウェハに向けて滴下されて塗布される。テンプレートの形状に形成されているパターンをより正確に転写するために、パターンの形状や位置に合わせて、硬化性樹脂材料の滴下量や滴下位置の制御が行われる。
【０００４】
このような硬化性樹脂材料塗布においては、硬化性樹脂材料の滴下位置が意図した位置からずれてしまった場合に、そのずれをなるべく早く検知することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６５４００号公報
【特許文献２】特許第４４８１６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、硬化性樹脂材量の滴下位置のずれをなるべく早く検知することのできるインプリント装置、インプリント方法および凹凸基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明の一態様によれば、インプリント装置は、硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、被処理基板に滴下された硬化性樹脂材料に、テンプレートを接触させて凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置である。インプリント装置は、吐出部と、ステージと、移動部と、観察部と、を備える。吐出部は、被処理基板に向けて硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる。ステージには、被処理基板が載置される。移動部は、所望の位置に硬化性樹脂材料を滴下させるためにステージと吐出部とを相対的に移動させる。観察部は、滴下された硬化性樹脂材料とパターンとが平面的に重なる状態で、テンプレートを接触させる前にパターンと滴下された硬化性樹脂材料とを観察する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１−１】図１−１は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。
【図１−２】図１−２は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。
【図１−３】図１−３は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態のインプリント装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、吐出部の概略構成を示す図であって、吐出口側から見た図である。
【図４】図４は、ウェハの平面図であって、ショット配置を説明するための図である。
【図５−１】図５−１は、テンプレートのモニタ用パターンが形成された部分を拡大した部分拡大平面図である。
【図５−２】図５−２は、図５−１に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図５−３】図５−３は、テンプレートに形成されたデバイス用パターンとモニタ用パターンの断面構成を示す図である。
【図６】図６は、第１観察装置による観察結果の例を示す図である。
【図７】図７は、インプリント制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図８−１】図８−１は、レジスト材料が適切な位置に滴下されていると判別部が判断する場合の観察結果を説明する図である。
【図８−２】図８−２は、図８−１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。
【図９−１】図９−１は、レジスト材料が不適切な位置に滴下されていると判別部が判断する場合の観察結果を説明する図である。
【図９−２】図９−２は、図９−１に示すＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。
【図１０】図１０は、インプリント装置によるレジスト材料の塗布から転写されたパターンの検査の流れを説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１は、インプリント装置がずれ量をフィードバックする流れを説明するためのフローチャートである。
【図１２−１】図１２−１は、第１の実施の形態の変形例１におけるモニタ用パターンでの観察結果を示す図である。
【図１２−２】図１２−２は、変形例１にかかるテンプレートの断面構成を示す図であって、図１２−１に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。
【図１３−１】図１３−１は、第１の実施の形態の変形例２におけるモニタ用パターンでの観察結果を示す図である。
【図１３−２】図１３−２は、変形例２にかかるテンプレートの断面構成を示す図であって、図１３−１に示すＥ−Ｅ線に沿った矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかるインプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施の形態）
まず、ナノインプリンティングによる一般的な転写工程について説明する。図１−１〜図１−３は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。図２は、インプリント装置の概略構成を示すブロック図である。なお、ここでは一例として、紫外線照射によりレジスト（光硬化性樹脂材料）を硬化させる光ナノインプリントについて説明するが、本実施形態は加熱によりレジスト（熱硬化性樹脂材料）を硬化させる熱ナノインプリンティングにも適用できる。
【００１１】
転写工程では、まず、図１−１に示すように、加工対象のウェハ１００（被処理基板の一例）にレジスト材料１０１（硬化性樹脂材料の一例）が塗布される。インプリント装置１は、ウェハ１００に対してレジスト材料１０１を吐出する吐出部１６３を有する。
【００１２】
テンプレート１０２に凹凸で形成されたパターンに基づいて、レジスト材料１０１の滴下位置が定められる。例えば、パターンの密度が高い部分では滴下密度を大きくし、パターンの密度が低い部では滴下密度を小さくする。
【００１３】
続いて、レジスト材料１０１が塗布されたウェハ１００にテンプレート１０２が接触される。すると、毛細管現象によりテンプレート１０２に形成されているパターンの凹部にレジスト材料１０１が入り込む。レジスト材料１０１が凹部に十分に入り込んだ後、図１−２に示すようにテンプレート１０２の上方から紫外線が照射される。なお、ウェハ１００にテンプレート１０２をプレスしてもよい。
【００１４】
テンプレート１０２は、紫外線（ＵＶ光）を透過する石英などの材質で構成されており、テンプレート１０２の上方から照射されたＵＶ光はテンプレート１０２を透過してレジスト材料１０１に照射される。レジスト材料１０１はＵＶ光照射により硬化する。
【００１５】
レジスト材料１０１の硬化後、テンプレート１０２が離型される。これにより、図１−３に示すように、ウェハ１００上のレジスト材料１０１に、テンプレート１０２に形成されたパターンが転写される。
【００１６】
次に、インプリント装置１について詳細に説明する。インプリント装置１は、インプリント部２とインプリント制御部３とを備えて構成される。インプリント制御部３は、インプリント部２の制御を行う。
【００１７】
インプリント部２においては、ステージ１６６、テンプレート１０２、移動部１６５、吐出部１６３、ＵＶ光源１６７、撮像装置１８１などが同一チャンバー１６２内に配置されている。さらに、チャンバー１６２をステージ定盤１６８及び除振台１７０が支えている。
【００１８】
ウェハ１００は、チャンバー１６２内のステージ１６６上に載置される。ステージ１６６は、移動部１６５が駆動することでチャンバー１６２内を移動可能とされている。ステージ１６６は、チャンバー１６２内を移動することで、吐出部１６３の下や、テンプレート１０２の下や、撮像装置１８１の下にウェハ１００を移動させる。また、レジスト材料１０１が吐出部１６３から滴下される際には、所望の位置にレジスト材料１０１が滴下されるように、ウェハ１００を移動させる。なお、移動部１６５は、例えばモータである。
【００１９】
吐出部１６３は、レジスト材料１０１をインクジェット方式でウェハ１００上に塗布する。図３は、吐出部１６３の概略構成を示す図であって、吐出口１６３ａ側から見た図である。吐出部１６３には、レジスト材料１０１を液滴として吐出する複数の吐出口１６３ａが二列に配列されている。吐出部１６３は、複数の吐出口１６３ａを有することで、一度に複数の液滴を吐出することができる。
【００２０】
図４は、ウェハ１００の平面図であって、ショット配置を説明するための図である。インプリント部２のインプリント機構はステップ＆リピート方式、すなわち、図４に示す１つのショット領域Ａごとにインプリントを行う。具体的には、１つのショット領域Ａへのレジスト材料１０１の塗布、パターンの転写が行われると、ウェハ１００が移動されて、例えば隣接する他のショット領域Ａへのレジスト材料１０１の塗布、パターンの転写が行われる。すなわち、吐出部１６３は、１度に１ショット分のレジスト材料１０１をウェハ１００に向けて滴下させる。
【００２１】
テンプレート１０２には、凹凸で作成されたパターンが形成されている。インプリント部２のインプリント機構はステップ＆リピート方式であるため、テンプレート１０２には、１ショット分の凹凸が形成されている。テンプレート１０２に形成されるパターンには、ウェハ１００から個片化された最終製品を半導体集積回路として機能させるために必要となるデバイス用パターン（第１パターン）と、レジスト材料１０１がウェハ１００上の適切な位置に滴下されているか否かを観察するためのモニタ用パターン（第２パターン）とが含まれる。モニタ用パターンは、ショット領域のうち、デバイス用パターンが形成されていない領域に形成される。すなわち、モニタ用パターンによって転写されるパターンは、半導体集積回路としての機能には略無関係に形成されるものである。
【００２２】
図５−１は、テンプレート１０２のモニタ用パターン１０６が形成された部分を拡大した部分拡大平面図である。図５−２は、図５−１に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。図５−３は、テンプレート１０２に形成されたデバイス用パターン１０５とモニタ用パターン１０６の断面構成を示す図である。
【００２３】
図５−１，５−２に示すように、モニタ用パターン１０６は、凸部１０６ａと凹部１０６ｂとがライン状に交互に形成されて構成される。なお、図５−１では、明確化のために凸部１０６ａを黒く塗りつぶして示しているが、実際に塗料などを塗布しているわけではない（他の図でも同様）。モニタ用パターン１０６の凸部１０６ａが形成されるピッチＬ２は、吐出部１６３に吐出口１６３ａが形成されるピッチＬ１（図３を参照）と略等しくなっている。
【００２４】
また、図５−３に示すように、モニタ用パターン１０６の凹部１０６ｂの幅Ｌ３に対する深さＬ４の比が、デバイス用パターン１０５の凹部１０５ｂの幅Ｌ５に対する深さＬ６の比に比べて小さくなっている（すなわち、Ｌ４／Ｌ３＜Ｌ６／Ｌ５となる）。これは、モニタ用パターン１０６の凹部１０５ｂは、後に詳説するが、レジスト材料１０１の滴下位置を観察するために、デバイス用パターン１０５の凹部１０６ｂに比べて幅が広く形成される。そのため、毛細管現象によって凹部１０６ｂにレジスト材料１０１が入り込もうとする力が弱くなる。そこで、凹部１０６ｂを浅く形成して、凹部１０６ｂにレジスト材料１０１がより確実に入り込むようにしているため、上述したように、Ｌ４／Ｌ３＜Ｌ６／Ｌ５となる。
【００２５】
撮像装置１８１は、第１撮像装置（観察部）１８１ａと第２撮像装置１８１ｂとを有して構成される。第１撮像装置１８１ａは、ウェハ１００へのレジスト材料１０１の滴下位置を観察するためのものである。第１撮像装置１８１ａは、例えば、ＣＣＤカメラである。撮像装置１８１は、テンプレート１０２に形成されたモニタ用パターン１０６と、ウェハ１００に滴下されたレジスト材料１０１とを平面的に重ねた状態で撮像する。なお、図２では、第１撮像装置１８１ａがＵＶ光源１６７からのＵＶ光の照射の邪魔になる位置に配置されているが、ＵＶ光の照射を行う間はＵＶ光の照射の邪魔にならない位置に移動するように構成すればよい。
【００２６】
図６は、第１撮像装置１８１ａによる観察結果の例を示す図である。テンプレート１０２は、石英などで構成されているため、テンプレート１０２とレジスト材料１０１を重ねて、テンプレート１０２側から撮像した場合であっても、テンプレート１０２を通してレジスト材料１０１を観察することができる。モニタ用パターン１０６の凸部１０６ａは、吐出部１６３に吐出口１６３ａが形成されるピッチＬ１と略等しいピッチで形成されているので、凸部１０６ａ同士の間、すなわち凹部１０６ｂの略中央部分にレジスト材料１０１が重なる。しかし、吐出部１６３への吐出口１６３ａを形成する精度が低い場合や、ウェハ１００を移動させる精度が低い場合などには、レジスト材料１０１の滴下位置が凹部１０６ｂの中央部分からずれてしまう場合がある。
【００２７】
ここで、凸部１０６ａ同士の間隔、すなわち凹部１０６ｂの幅Ｌ２−１を、ウェハ１００上に規定量で滴下されたレジスト材料１０１の平面的な外径Ｌ２−２と略等しくすれば、滴下位置が僅かにずれた場合でも、レジスト材料１０１と凸部１０６ａが重なるので、滴下位置のずれを判別しやすくなる。
【００２８】
次に、レジスト材料１０１の滴下位置のずれの観察についてより詳細に説明する。図７は、インプリント制御部３の概略構成を示すブロック図である。インプリント制御部３は、観察制御部５と、判別部６と、第１記憶部７と、検査部８と、検出部１０と、第２記憶部１１と、フィードバック制御部１２と、を有して構成される。
【００２９】
観察制御部５は、第１撮像装置１８１ａを制御して、レジスト材料１０１の滴下位置を観察させる。観察制御部５は、ウェハ１００とテンプレート１０２とが平面的に重なる状態で、ウェハ１００上のレジスト材料１０１とテンプレート１０２とを第１撮像装置１８１ａに撮像させる。特に、モニタ用パターン１０６とレジスト材料１０１とを撮像させる。観察制御部５は、適切な位置にレジスト材料１０１が滴下され、かつ、移動部１６５によってステージ１６６が誤差なく移動されると仮定した場合に、滴下されたレジスト材料１０１がモニタ用パターン１０６の凹部１０６ｂと重なるように、移動部１６５に対して位置指令を生成し、ウェハ１００を移動させる。また、ウェハ１００にテンプレート１０２が接触される前に第１撮像装置１８１ａによる撮像が行われる。
【００３０】
テンプレート１０２がウェハ１００に接触される前であれば、テンプレート１０２とウェハ１００との間には隙間があるため、凹部１０５ｂ，１０６ｂに入り込んでいない状態でレジスト材料１０１が撮像される。撮像された情報は、第１撮像装置１８１ａから判別部６および検出部１０に送信される。
【００３１】
判別部６は、第１撮像装置１８１ａに撮像された情報に基づいて、レジスト材料１０１がウェハ１００上の適切な位置に滴下されているか否かを判別する。
【００３２】
図８−１は、レジスト材料１０１が適切な位置に滴下されていると判別部６が判断する場合の観察結果を説明する図である。図８−２は、図８−１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。図９−１は、レジスト材料１０１が不適切な位置に滴下されていると判別部６が判断する場合の観察結果を説明する図である。図９−２は、図９−１に示すＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。
【００３３】
本実施の形態ではモニタ用パターン１０６の凸部１０６ａが形成されるピッチＬ２（図６を参照）は、吐出部１６３に吐出口１６３ａが形成されるピッチＬ１（図３を参照）と略等しくなっているので、レジスト材料１０１は、図８−１に示すように、凸部１０６ａの間に位置することとなる。また、凹部１０６ｂの幅Ｌ２−１を、ウェハ１００上に規定量で滴下されたレジスト材料１０１の平面的な外径Ｌ２−２と略等しくすることで、凸部１０６ａとレジスト材料１０１との隙間を無くすことができる。判別部６は、図８−１，８−２に示すように、モニタ用パターン１０６の凹部１０６ｂとレジスト材料１０１が重なっていない場合に、そのレジスト材料１０１が適切な位置に滴下されたと判別する。また、図９−１，９−２に示すように、レジスト材料１０１と凸部１０６ａが重なっている場合に、判別部６は、レジスト材料１０１が適切な位置に滴下されていないと判別する。
【００３４】
そして、図４に示すような複数のショット領域Ａに対して、レジスト材料１０１の塗布が行われるたびに、テンプレート１０２を接触させる前に、滴下位置の判別が判別部６によって繰り返される。
【００３５】
モニタ用パターン１０６が形成された領域でレジスト材料１０１の滴下位置にずれがあれば、デバイス用パターン１０５が形成された領域でもレジスト材料１０１の滴下位置にずれが生じていると考えられる。レジスト材料１０１は、デバイス用パターン１０５の密度などに応じて、塗布量や滴下位置が制御されているため、レジスト材料１０１の滴下位置がずれるとパターンの転写に不具合が生じる場合がある。
【００３６】
そこで、検査部８は、第１記憶部７に記憶された判別結果を用いた所定の基準に基づいて、レジスト材料１０１が適切な位置に滴下されなかったために、デバイス用パターン１０５が適切に転写されなかったおそれのあるショット領域Ａ（不具合の可能性のあるショット領域Ａ）を抽出する。例えば、図６に示す複数のレジスト材料１０１のうち、所定の割合（例えば、３割）以上のレジスト材料１０１が適切な位置に滴下されていない場合には、そのときのショット領域Ａを不具合の可能性があるショット領域Ａとして抽出しておく。例えば、インプリント部２のチャンバー１６２内では、ウェハ１００に対してヘリウムガスの吹き付けなどが行われている。このヘリウムガスの吹き付けが強すぎる場合には、多くのレジスト材料１０１で滴下位置がずれてしまい、転写されたパターンに不具合が生じる場合がある。
【００３７】
なお、上記所定の基準は、さまざまに変更可能である。また、ショット領域Ａの抽出は、各ショット領域Ａへのパターンの転写が終了するたびに実行されてもよいし、ウェハ１００全体へのパターンの転写（図４に示すすべてのショット領域Ａへの転写）が終了してから実行されてもよい。
【００３８】
検査部８は、不具合の可能性があるショット領域Ａに対して、デバイス用パターン１０５によってレジスト材料１０１に転写されたパターンを検査する。例えば、転写されたパターンの欠けの有無などを検査する。具体的には、不具合の可能性があるショット領域Ａを、第２撮像装置１８１ｂを用いて検査する。ここで、第２撮像装置１８１ｂには、第１撮像装置１８１ａよりも高精細に撮像可能な撮像装置が用いられる。例えば、第２撮像装置１８１ｂとして顕微鏡を用いることができる。デバイス用パターン１０５は、モニタ用パターン１０６よりも細かく形成されるので、第１撮像装置１８１ａよりも高精細に撮像可能な第２撮像装置１８１ｂを用いる。
【００３９】
図１０は、インプリント装置１によるレジスト材料１０１の塗布から転写されたパターンの検査の流れを説明するためのフローチャートである。まず、ウェハ１００上にレジスト材料１０１が塗布される（ステップＳ１）。次に、ウェハ１００と、吐出部１６３と、テンプレート１０２との相対的な位置関係を検知し（ステップＳ２）、ウェハ１００をテンプレート１０２と重なる位置に移動させる（ステップＳ３）。
【００４０】
次に、テンプレート１０２とレジスト材料１０１とが撮像され（ステップＳ４）、レジスト材料１０１の滴下位置が適切であるか否かが判別され、不具合の可能性があるショット領域Ａが抽出される（ステップＳ５）。
【００４１】
次に、不具合の可能性があるショット領域Ａが抽出されていれば（ステップＳ６，Ｙｅｓ）、そのショット領域Ａでレジスト材料１０１に転写されたパターンの検査が行われる（ステップＳ７）。不具合の可能性があるショット領域Ａが抽出されていなければ（ステップＳ６，Ｎｏ）、レジスト材料１０１に転写されたパターンの検査は行われない。また、不具合の可能性があるショット領域Ａが抽出されていた場合でも、抽出されたショット領域Ａ以外のショット領域Ａにはパターンの検査は行われない。
【００４２】
検出部１０は、第１撮像装置１８１ａに撮像された情報に基づいて、レジスト材料１０１の滴下位置のずれ量を算出する。図８−１に示すように、適切な位置に滴下された場合には、レジスト材料１０１と凸部１０６ａとの間に隙間がほとんど形成されない。そのため、ずれ量は０となる。一方、図９−１に示すようにレジスト材料１０１の滴下位置にずれがある場合には、レジスト材料１０１と凸部１０６ａとの重なりがずれ量Ｌ７となる。検出部１０は、算出したずれ量を第２記憶部１１に記憶させる。
【００４３】
フィードバック制御部１２は、第２記憶部１１に記憶されたずれ量を、次回以降のステージ１６６の移動にフィードバックする。例えば、図６に示す複数のレジスト材料１０１のほとんどでずれ量が算出された場合には、移動部１６５によるステージ１６６の移動制御になんらかの誤差が生じているものと考えられる。そこで、例えば、算出されたずれ量の平均を誤差量として、移動部１６５に対する位置指令に加減するフィードバックを行うことで、誤差の影響を抑えてレジスト材料１０１を滴下させることができる。このような誤差は、移動部１６５やステージ１６６を構成する部材の撓みや、吐出部１６３への吐出口１６３ａの形成精度など、インプリント装置１に固有の要因によって生じる場合がある。
【００４４】
図１１は、インプリント装置１がずれ量をフィードバックする流れを説明するためのフローチャートである。ステップＳ４までは、図１０と同様であるので詳細な説明を省略する。ステップＳ４の後に、検出部１０によってずれ量が算出され（ステップＳ１１）、ずれ量が算出された場合には（ステップＳ１２，Ｙｅｓ）、次回のインプリントでのステージ１６６の移動量にずれ量がフィードバックされ（ステップＳ１３）、インプリントが順次（ステップ＆リピート方式で）繰り返される（ステップＳ１４）。ずれ量が算出されない場合には（ステップＳ１２，Ｎｏ）、ステージ１６６の移動量に対するフィードバックがなされずに、インプリントが順次繰り返される（ステップＳ１４）。
【００４５】
以上説明したように、テンプレート１０２をウェハ１００に接触させる前に、レジスト材料１０１の滴下位置に基づいて不具合の可能性があるショット領域Ａを抽出することができる。また、不具合の可能性があるショット領域Ａに対してのみ転写されたパターンの検査を行うので、すべてのショット領域Ａに対して検査する場合に比べて、工数の削減を図ることができ、インプリントの効率の向上を図ることができる。
【００４６】
また、算出されたずれ量をステージ１６６の移動にフィードバックするので、インプリント装置１の固有の要因によって生じる滴下位置のずれについて、次回以降のインプリント工程において補正することができるので、転写されたパターンへの不具合の発生を抑えることができる。
【００４７】
なお、本実施の形態では、インプリントによって半導体集積回路（半導体基板）を製造する工程を例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）などの、表面に細かな凹凸が形成された凹凸板の製造にも適用することができる。すなわち、凹凸板の表面に形成される細かな凹凸を、インプリントによって形成する場合にも、本実施の形態を適用することができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、インプリント制御部３が、不具合の可能性があるショット領域Ａを抽出して検査するための構成（判別部６、第１記憶部７、検査部８、第２撮像装置１８１ｂ）と、ずれ量をフィードバックするための構成（検出部１０、第２記憶部１１、フィードバック制御部１２）とを両方有しているが、いずれか一方のみを有する構成であっても構わない。
【００４９】
図１２−１は、第１の実施の形態の変形例１におけるモニタ用パターン１０６での観察結果を示す図である。図１２−２は、変形例１にかかるテンプレート１０２の断面構成を示す図であって、図１２−１に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。
【００５０】
本変形例では、矢印Ｘに沿ってウェハ（ステージ）を移動させる移動部１６５（図７も参照）の最小稼動ピッチと略等しいピッチＬ８でモニタ用パターン１０６の凸部１０６ａが形成されている。ステージ１６６が最小稼動ピッチの１ピッチを移動するタイミングでレジスト材料１０１を滴下することで、凹部１０６ｂと重なる位置にレジスト材料１０１を滴下することができる。この場合に、レジスト材料１０１と凸部１０６ａとが重なる場合には、移動部１６５の最小稼動ピッチに誤差が生じていると考えられる。そこで、その誤差をフィードバックした位置指令が生成されるように構成すれば、適切な位置にレジスト材料１０１を滴下させることができ、転写されるパターンでの不具合の発生を抑えることができる。
【００５１】
図１３−１は、第１の実施の形態の変形例２におけるモニタ用パターン１０６での観察結果を示す図である。図１３−２は、変形例２にかかるテンプレート１０２の断面構成を示す図であって、図１３−１に示すＥ−Ｅ線に沿った矢視断面図である。
【００５２】
本変形例では、モニタ用パターン１０６の凸部１０６ａを格子状に形成している。例えば、凸部１０６ａのピッチを縦横それぞれ上述したＬ２とＬ８にし、ステージ１６６が最小稼動ピッチの１ピッチを移動するタイミングでレジスト材料１０１を滴下すれば、図１３−１に示すように凸部１０６ａに形成された凹部１０６ｂにレジスト材料１０１が重なるようになる。
【００５３】
このように、凸部１０６ａを格子状に形成すれば、レジスト材料１０１の滴下位置のずれを二次元的に検出できるようになり、不具合の可能性があるショット領域Ａの抽出や、ずれ量のフィードバックの精度の向上を図ることができる。
【００５４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
１  インプリント装置、２  インプリント部、３  インプリント制御部、５  観察制御部、６  判別部、７  第１記憶部、８  検査部、１０  検出部、１１  第２記憶部、１２  フィードバック制御部、１００  ウェハ（被処理基板）、１０１  レジスト材料（硬化性樹脂材料）、１０１  硬化性樹脂材料、１０２  テンプレート、１０５  デバイス用パターン（第１パターン）、１０５ａ  凸部、１０５ｂ  凹部、１０６  モニタ用パターン（第２パターン）、１０６ａ  凸部１０６ｂ  凹部、１６２  チャンバー、１６３  吐出部、１６３ａ  吐出口、１６５  移動部、１６６  ステージ、１６７  ＵＶ光源、１６８  ステージ定盤、１７０  除振台、１８１  撮像装置、１８１ａ  第１撮像装置（観察部）、１８１ｂ  第２撮像装置。
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図６】
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【図７】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１３−１】
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【図１３−２】
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