(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気手段により真空排気されている真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを
導入するためのガス導入手段と、被加工試料設置手段と、前記真空容器内に高周波電力を
導入する電力導入手段とを有し、前記ガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガ
スを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、該プラズマにより前
記被加工試料の表面処理を行うドライエッチング装置において、
プラズマ着火を検出する手段及びプラズマ中のラジカル量を計測する手段と、前記被加
工試料にバイアス電力を印加する手段と、該バイアス電力印加の開始時間を制御する手段と、被加工試料の温度をモニタする手段あるいは被加工試料の温度を予想する手段とを有し、
前記被加工試料の表面処理を開始する際に、プラズマ着火から前記バイアス電力印加を
開始するまでの時間を、前記ラジカル量に応じて制御し、
前記ガス導入手段は、前記被加工試料の温度がエッチング開始から一定値に達するまでの時間のガス条件を前記被加工試料の温度が一定値に達した後のガス条件より低堆積条件に制御することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング装置において、
前記ガス導入手段として、ＣｘＦｙガスを前記真空容器内に導入する手段と、該導入さ
れるＣｘＦｙガスの流量を制御する手段とを有し、
被加工試料の温度がエッチング開始から一定値に達するまでの時間に前記真空容器内に
供給するＣｘＦｙガスの流量を、前記被加工試料の温度が一定値に達した後に前記真空容
器内に供給するＣｘＦｙガスの流量よりも小さく設定することを特徴とするドライエッチ
ング装置。
【請求項３】
請求項１から２のいずれか１項に記載のドライエッチング装置において、
プラズマ中のラジカル量に応じて、被加工試料と被加工試料を設置する電極の間に封入
するガス圧力を制御することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のドライエッチング装置において、
プラズマ中のラジカル量及び被加工試料温度に応じて、被加工試料と被加工試料を設置する電極の間に封入するガス圧力を制御することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のドライエッチング装置において、
被加工試料を設置する電極に温度制御可能なヒータが組み込まれていることを特徴とす
るドライエッチング装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のドライエッチング装置において、
被加工試料温度をモニタする手段として、真空容器側壁に非接触式温度計を有し、プラ
ズマ中のラジカル量及び前記非接触式温度計で測定した被加工試料温度に応じて、被処理
基板と被加工試料を設置する電極の間に封入するガス圧力を制御することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載のドライエッチング装置において、
被加工試料温度をモニタする手段として、該被加工試料を設置する電極に非接触式温度
計または接触式温度計を有し、プラズマ中のラジカル量及び前記非接触式温度計または接
触式温度計が測定した被加工試料温度に応じて、被加工試料と被加工試料を設置する電極
の間に封入するガス圧力を制御することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１項に記載のドライエッチング装置において、
プラズマを形成するための高周波電力、被加工試料に印加する高周波電力、被加工試料を設置する電極構造、該電極の冷却機構の内、少なくとも一つ以上の項目を考慮して処理開始からの被加工試料温度の時間依存性を計算によって予想し、所望の被加工試料温度の時間依存性となるように、被加工試料と被加工試料を設置する電極の間に封入するガス圧力を制御することを特徴とするドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエッチング工程の中でも層間絶縁膜のエッチングに用いられるドライエッチン
グ装置およびエッチング方法に関し、ＡｒＦリソグラフィー以降のレジストパターンを用
いた、ビア形成、高アスペクト比コンタクト形成、自己整合コンタクト形成、トレンチ形
成、ダマシン形成、ゲートマスク形成等においてレジストダメージを低減できる方法に関
するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、ウエハ上に形成されたトランジスタと金属配線間および金属配線
間を電気的に接続するために、トランジスタ構造の上部および配線間に形成された層間絶
縁膜に、プラズマを利用したドライエッチング方法でコンタクトホールを形成し、コンタ
クトホール内に、半導体もしくは金属を充填する。特に、９０ｎｍノード以降の高集積・
高速Ｌｏｇｉｃデバイス製造では、誘電率が低いＬｏｗ−ｋ材料である層間絶縁膜にドラ
イエッチング方法にて溝やビアを形成しＣｕを配線材料として埋め込むダマシン工程と、
より微細なパターン形成を行うために１９３ｎｍの光源を用いたＡｒＦリソグラフィーが
用いられている。ドライエッチング方法は、真空容器内に導入されたエッチングガスを外
部から印加された高周波電力によりプラズマ化し、プラズマ中で生成された反応性ラジカ
ルやイオンをウエハ上で高精度に反応させることで、レジストに代表されるマスク材料や
、ビア、コンタクトホールの下にある配線層や下地基板に対し選択的に被加工膜をエッチ
ングする技術である。
【０００３】
通常、半導体回路の配線パターン形成の際には、被加工膜上に有機膜系反射防止膜（Ｂ
ＡＲＣ）が形成され、更にその上にレジスト膜が形成される。ＢＡＲＣは、リソグラフィ
の光源であるレーザ光の干渉による異常パターン形成を防止するために用いられる。レジ
ストパターン形成後、ＢＡＲＣエッチングを行ない、その後、被加工膜のエッチング（メ
インエッチング）が行なわれる。ＢＡＲＣエッチングでは、ＢＡＲＣの材質がレジストと
同様にＣリッチであるために、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のＦリッチなフロロカーボンガス及び
Ａｒに代表される希ガス及び酸素ガスの混合ガスを導入し、０．５Ｐａから１０Ｐａの圧
力領域でプラズマを形成し、ウエハに入射するイオンエネルギーを０．１ｋＶから１．０
ｋＶの範囲で制御してエッチングを行う。
【０００４】
また、ビアやコンタクトホール形成では、プラズマガスとして、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ
２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６等のフロロカーボンガス及びＡｒに
代表される希ガス及び酸素ガス及びＣＯガス等の混合ガスを導入し、０．５Ｐａから１０
Ｐａの圧力領域でプラズマを形成し、ウエハに入射するイオンエネルギーを０．５ｋＶか
ら２．５ｋＶまで加速する。
【０００５】
これらのエッチングでは、プラズマが着火してから、十分にプラズマが成長してからウ
エハにバイアス電力を印加していた。仮にプラズマが十分に成長しない、若しくはプラズ
マ条件によってはプラズマが着火しない条件下でウエハにバイアス電力を印加した場合、
ウエハに流れ込む電流が十分確保できない若しくは全く電流が流れないために、バイアス
電力供給線路やウエハを設置する電極、若しくはウエハに異常に高い電圧がかかってしま
う。それにより、バイアス電力供給線路の絶縁破壊や電極上の溶射膜破壊、若しくはウエ
ハの割れを引き起こす可能性がある。従って、量産性の観点から通常プラズマ着火を検出
する手段（発光強度のモニタ）を設け、着火検出から一定時間後にウエハバイアス電力を
印加していた。また、ガス条件（ガス種、ガス流量）、ウエハ冷却用の裏面ガス圧力は基
本的にエッチング開始からエッチング終了まで同一条件にて処理を行っていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような、エッチング工程において、ＡｒＦリソグラフィー以降のレジスト材料は、
従来のＫｒＦレジストやｉ線レジストに比べエッチングによるレジストレートが大きいこ
と、レジストダメージに起因する表面荒れが大きいことが問題となる。
【０００７】
ＫｒＦレジストではそのエッチング耐性がＡｒＦに比べ十分に大きく、また、デバイス
の集積度もそれほど大きくなかったため、ストライエーションやラインエッジラフネスは
大きな問題とはならなかった。しかしながら、特にゲート電極形成のためのＳｉＯ２に代
表されるハードマスクエッチングや素子分離形成用マスクとして用いるＳｉＮマスクエッ
チング等仕上り寸法精度が要求されるエッチングでは、エッチング後のレジスト粗さに起
因するラインエッジラフネスの悪化はデバイス特性に大きな影響を与える。また、現在高
集積Ｌｏｇｉｃデバイス製造で導入が進められている層間絶縁膜であるＬｏｗ−ｋ材料（
ＳｉＯＣ膜）のエッチングでは、比較的高いバイアスによる高エネルギーのイオン照射や
、Ｏ２リッチなガス雰囲気でエッチング処理を行うため、パターン側壁のストライエーシ
ョン発生に加え、パターンの無いところに局所的な穴があいてしまうレジスト突き抜け現
象が発生する。
【０００８】
そこで、本発明は、ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとして用いるエ
ッチングプロセスにおいて、レジストのエッチング耐性を確保するエッチング方法ならび
に本方法を実現するエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下のいずれかの手段を用いることによりエッチング初期におけるウエハへ
のカーボン堆積を従来よりも低減し、レジストのエッチング耐性を確保する。
【００１０】
第１の手段においては、ＡｒＦレジスト等、従来のレジスト材料に比べてエッチング耐
性が低いレジスト材料を用いたエッチングプロセスにおいて、有機系反射防止膜のエッチ
ングまたは被加工層のエッチングにおけるプラズマ着火からウエハにバイアス電力を印加
するまでの時間を制御する（望ましくは１秒以内）ことにより前記の課題を解決する。
【００１１】
第２の手段においては、エッチング開始からウエハ温度が一定値に飽和するまでのガス
条件として、実際のエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のガスを用いること、または、低流
量のＣｘＦｙガスを用いることにより、前記の課題を解決する。
【００１２】
第３の手段においては、エッチング開始からある一定の時間の間、実際のエッチングで
の裏面ガス圧力を低く設定することにより、前記課題を解決する。
【００１３】
第４の手段においては、ウエハを真空容器内に搬送するまでにウエハを所望の温度まで
昇温しておくことにより、前記課題を解決する。
【００１４】
第５の手段においては、プラズマ中のラジカル量を計測し、その計測値に基づきバイア
ス電力を印加するタイミング、エッチング初期のガス条件、裏面ガス圧力等を制御するこ
とにより、前記課題を解決する。
【００１５】
第６の手段においては、ウエハに対し対向もしくは斜方もしくは裏面から、直接もしく
は間接的にウエハ表面温度をモニタすることで、上記制御を高精度に行うことができる。
【００１６】
第７の手段においては、処理条件によるウエハ表面温度のエッチング時間依存性を計算
によって予め予測し、それが所望のプロファイルとなるように手動もしくは自動でウエハ
裏面ガス圧力とその時間を設定することで、高精度なエッチングが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、エッチング耐性が弱いＡｒＦリソグラフィー以降のレジストを用いたパ
ターン形成において問題となるレジストダメージを効率的に抑制でき、レジストダメージ
に起因するレジスト突き抜けやストライエーションを改善できる。また、プラズマ中のラ
ジカルをモニタすることでエッチング雰囲気に合わせた制御が可能となり、長期安定性の
向上にも貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ウエハにバイアス電力を印加してからの時間とウエハ表面温度の関係を示す図
【図２】レジスト上に堆積したＣＦポリマーの厚さによるレジストダメージの概念図
【図３】プラズマ電力、バイアス電力、裏面ヘリウム圧力に着目したエッチングシーケンス図
【図４】裏面ヘリウム圧力とウエハ表面温度の関係を示す図
【図５】各種シーケンスにおけるトレンチ及びホールのエッチング形状を示す走査型電子顕微鏡写真
【図６】エッチング定常状態でのＣＦ堆積膜厚とフロロカーボンガスのＣ／Ｆ比の関係を示す図
【図７】エッチング開始時の低堆積ステップ導入有無によるトレンチパターンエッチング形状を示す走査型電子顕微鏡写真
【図８】放電開始からの時間と発光強度比（Ｃ２／Ｏ比）の関係を示す図
【図９】本発明の実施例２を実現するためのエッチング装置の概略図
【図１０】本発明の実施例３を実現するためのエッチングシステムの概略図
【図１１】本発明の実施例５を実現するための電極の概略図
【図１２】本発明の実施例５における裏面ヘリウム圧力制御の有無によるホールエッチング形状を示す走査型電子顕微鏡写真
【図１３】本発明の実施例１における放射温度計を誘電体部に設置する場合の概略図
【図１４】本発明の実施例１における放射温度計を用いてシリコン円板の裏面からウエハ表面温度をモニタする場合の概略図
【図１５】本発明の実施例３におけるヒータを用いた予備加熱の概略図
【図１６】本発明の実施例３におけるランプを用いた予備加熱の概略図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとして用いるエッチングプロセスに
おいて、レジストダメージを抑制する手段は、ＢＡＲＣ加工とコンタクト形成などのメイ
ンエッチングで異なる。具体的には特願２００３―３０３９６１に記載されている。それ
によれば、堆積が少ないエッチング条件にて処理を行うＢＡＲＣ加工では、イオンスパッ
タ成分を低減することが重要であり、そのために希釈ガスとして用いるＡｒの流量比を全
プラズマガス流量に対して１０％以下（望ましくは０％）とする。これにより、ＢＡＲＣ
加工後のレジスト表面がスムースとなり、次に処理をするメインエッチング条件（例えば
コンタクト加工）にてレジストダメージの程度を抑制できる。
【００２０】
一方、堆積が多いコンタクト加工では、プラズマ中の解離を抑制するためにイオン化エ
ネルギーの小さいＸｅやＫｒガスで希釈する、若しくは、通常希釈ガスとして用いるＡｒ
ガスにＸｅやＫｒを添加することが有効である。すなわち、エッチング中の堆積膜質（例
えばＸＰＳ（Ｘ-Ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で
測定したＦ／Ｃ比）がＦリッチであるほど、また、堆積量そのものが少ないほど、レジス
トダメージを抑制できる。
【００２１】
本発明では、それらの結果を鑑み、更にレジストダメージを抑制する手段を提供するも
のである。
【００２２】
エッチング初期のウエハ温度が低い条件下ではウエハ温度が上昇したエッチング定常状
態の場合に比べ堆積膜厚が厚くなる。この過剰堆積を抑制するためには大きく３つのアプ
ローチが考えられる。
【００２３】
１つめは、プラズマが着火してから、イオンを加速するために必要なバイアス電力を印
加するまでの時間を極力短くすることである。しかしながら、プラズマの成長が不十分な
時点でバイアス印加するとウエハに流れ込む電流を十分確保できず、正常時に比べ異常に
高い電圧がバイアス電力伝送線路や電極、ウエハにかかってしまうため、各部の絶縁破壊
、ウエハ割れを引き起こす恐れがある。従って、プラズマ着火をモニタし、そのモニタ値
に従ってバイアス印加のタイミングを制御することが重要である。
【００２４】
２つめは、エッチングの開始段階に低堆積条件のエッチングステップを挿入することで
ある。具体的には、メインエッチング条件で用いるＣｘＦｙガスに比べ低Ｃ／Ｆ比のガス
種を用いることである。基本的に、プラズマ形成電力が一定な条件下においては、図７に
示すようにフロロカーボンガス（ＣｘＦｙ）のＣ／Ｆ比を小さくするにともない堆積量は
低減する。従って、エッチング定常状態となっていないエッチング開始時に低Ｃ／Ｆ比ガ
スを用いることで、ウエハ温度が定常状態となるまでの間にウエハに堆積するＣＦポリマ
ーを抑制できる。その後、実際のメインエッチング条件に移行することでエッチング性能
に影響を与えることなく、レジストダメージを抑制可能である。また、同様の効果をもた
らす手段として、ＣｘＦｙガス流量の制御がある。エッチング開始時のガス流量を実エッ
チング条件のガス流量よりも低減することにより、エッチング開始時の過剰堆積を抑制で
きる。
【００２５】
３つめは、エッチング開始時に、実際のエッチング条件下での裏面ガス圧力よりも低い
圧力のステップを導入することである。これにより、エッチング初期のウエハ温度を高温
度化できる。通常、ウエハ温度を制御するためには、ウエハを設置する電極内部にフロリ
ナートなどの冷媒を流し、ウエハと電極間に熱伝導の高いヘリウムガスを封じ込めて熱接
触を向上させる。冷媒温度をある設定値に制御し、バイアス電力をウエハに印加した場合
、ウエハ温度は裏面ヘリウムガスの圧力により一意に決定される。（図４）
また、これらの手段をプラズマ中のラジカル量のモニタ値に従って制御することが有効
である。量産現場でウエハを何枚も処理する場合、処理枚数に伴い壁に堆積するＣＦ系の
ポリマーが増大するため、処理枚数に伴い壁からＣＦ系のラジカルがプラズマ中に放出さ
れる。それに従いウエハ上への堆積が次第に多くなりレジストダメージの発生が懸念され
る。しかしながら、例えばＣ２の発光強度をモニタし、その値に従ってエッチング初期に
導入するステップでのガス条件（ガス流量やガス種）やステップ時間などを制御すること
で、処理枚数に係わらず、常にレジストダメージの少ないエッチングを実現できる。
【００２６】
［実施例１］
本実施例では、プラズマ着火からバイアス電力ＯＮまでのタイミングと裏面ヘリウム導
入のタイミングを変えてレジストダメージに起因したストライエーションを低減する方法
を説明する。図１に、コンタクト加工時に測定したウエハにバイアス電力を印加してから
の時間とウエハ表面温度の関係を示す。ウエハは８インチであり、バイアス電力の設定値
は１５００Wである。この図に示すように、バイアス電力が比較的高いエッチング条件で
は、ウエハ表面温度は主にバイアス電力にて決定される。この条件下では、バイアス電力
印加前の表面温度に比べ、エッチング定常状態ではおよそ３５℃程度表面温度が高温度化
していることがわかる。また、ウエハを設置する電極には熱容量があるため、温度が飽和
するまで１０秒程度時間がかかる。本コンタクト加工条件では、レジストに対する選択比
を確保するために、エッチングガスにＡｒ、Ｃ４Ｆ６、Ｏ２、ＣＯガスの混合ガスを用い
ているが、その場合、温度が飽和するまでの時間にウエハ表面に過剰な堆積が生じること
となる。
【００２７】
図２はレジスト表面を拡大したときのエッチング時の模式図である。図２（ａ）はフロ
ロカーボン堆積膜１が少ない場合、図２（ｂ）はフロロカーボン堆積膜１が過剰な場合を
示す。次にイオンが入射して図２（ａ）や（ｂ）の表面にエネルギーを与えエッチングが
進展するが、図２（ａ）の場合は、堆積の厚さが適度であるため、イオンのエネルギーが
フロロカーボン堆積膜１でそれほど減衰されず、下地のレジスト２の表面まで到達する。
【００２８】
従って図２（ｃ）に示すように、レジスト２の表面の凹凸は図２（ａ）と同程度の状態を
保つことができる。一方、フロロカーボン堆積膜１が過剰である図２（ｂ）の場合は、凹
部分ではイオンエネルギーがそれほど減衰されないためにエッチングが進展して図２（ｃ
）の凹部分と同等の深さまでエッチングが進展するが、凸部分ではフロロカーボン堆積膜
１が厚いためにイオンのエネルギーがレジスト表面まで十分に到達できずエッチングが進
展しない。そのため、図２（ｄ）に示すように、図２（ｂ）に比べ凹凸が激しくなり、レ
ジストダメージが進展することとなる。つまり、過剰の堆積がレジストダメージの大きな
要因となるのである。ここではエッチング初期の過剰堆積を抑制するためにエッチングシ
ーケンスを変えてレジストダメージを評価した結果を述べる。ガス条件は、Ａｒを５００
ｍｌ／ｍｉｎ、Ｃ４Ｆ６を３０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ２を３６ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＯを２００ｍ
ｌ／ｍｉｎとして、そのときのガス圧力を２Ｐａに設定した。プラズマ発生用高周波電力
は本条件では４００Ｗである。
【００２９】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は評価を行った３種類のエッチングシーケンスである。（
夫々シーケンスＡ、シーケンスＢ、シーケンスＣとする。）シーケンスＡはプラズマ発生
用高周波電源出力がＯＮ（プラズマが着火）してから５秒後にウエハにバイアス電力を印
加した例である。その際、ウエハと電極の間にヘリウムガスをプラズマ着火以前から導入
しており、プラズマ着火の時点では設定圧力（１．５ｋＰａ）に対し７０％程度まで高圧
化している。この場合、プラズマ着火してからウエハにバイアス電力がＯＮするまではプ
ラズマ中で解離したガスがＣＦ系のラジカルとなり、ウエハに堆積する。さらに、裏面ヘ
リウム圧力が既に高いためにウエハ温度は低く保たれ堆積を促進する。一方、シーケンス
Ｂ、Ｃに改善後のシーケンスを示す。シーケンスＢではプラズマ着火から１秒後にバイア
スが印加され、裏面ヘリウムガスに関しては、シーケンスＡと同様である。シーケンスＣ
ではプラズマ着火から１秒後にバイアスが印加され、さらに裏面ヘリウムガスはウエハへ
バイアス印加と同時に導入されている。図４に示すように裏面ヘリウム圧力とウエハ表面
温度は密接に関係しており、圧力が高い程表面温度は低下する。変化率は本実験条件では
およそ３．３℃／０．１ｋＰａである。従って、シーケンスＣではウエハ温度もシーケン
スＡ、Ｂに比べエッチング初期で高温度化していると考えられる。
【００３０】
この３つのシーケンスにて処理を行ったときの走査電子顕微鏡像（ＳＥＭ像）を図５に
示した。膜構造は、ＡｒＦリソグラフィー対応レジスト、レーザの反射干渉による異常パ
ターン形成を抑制するための有機系反射防止膜（ＢＡＲＣ）、被加工膜であるシリコン酸
化膜、下地シリコン基板である。レジストダメージが被加工膜であるシリコン酸化膜に転
写して形成された縦筋（ストライエーション６）を観察するために、エッチング処理後の
サンプルはアッシング処理にてレジスト、ＢＡＲＣの２層を除去してある。図５（ａ）の
シーケンスＡを適用した場合は、密ホールパターン４のストライエーションとパターンが
存在しないところに孔が開く現象（ピッティング５）が多く見られ、トレンチパターン３
の荒れ具合の指標であるラインエッジラフネスが１８．１ｎｍであった。それに対し、図
５（ｂ）のシーケンスＢを適用した場合では、ストライエーション６、ピッティング５共
に若干改善し、トレンチパターン３のラインエッジラフネスは１３．１ｎｍまで改善した
。さらに図５（ｃ）のシーケンスＣを適用した場合では、ストライエーション６、ピッテ
ィング５共に改善しており、トレンチパターン３のラインエッジラフネスも９．２ｎｍと
なった。
【００３１】
なお、これらの処理を行う場合、予め予備実験を行い、各ステップで裏面ヘリウム圧力
を設定しても良いが、図９に図示したウエハと対向する誘電体１１４内に斜めに設置した
放射温度計１２８により常にウエハ表面温度をモニタし、そのモニタ値が所望の値となる
ように、裏面ヘリウム圧力を制御することも効果的である。また、ウエハ表面温度のモニ
タを行う代わりに、エッチング条件からウエハ表面温度の処理時間依存性を算出し、それ
が所望のプロファイルとなるように自動もしくは手動で裏面ヘリウム圧力を設定しても良
い。ちなみに、上記放射温度計を設置する際には、図１３の放射温度計部の拡大図に示す
ように細管４０１の奥に設置するのが良い。それによってプラズマ中で生成されたフロロ
カーボン系の堆積による温度計測定部の曇りを防止することができる。一方、図１４に示
したようにシリコン円板１１６の裏側から放射温度計を設置する方法もある。この場合、
電界による異常放電を抑制するために、石英ロッド４０２を挿入すると良い。
【００３２】
次に、エッチング初期にガス条件を変更した場合による実施例を示す。メインエッチン
グのガス条件は、Ａｒを５００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｃ４Ｆ６を３０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ２を３６
ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＯを２００ｍｌ／ｍｉｎとし、処理圧力は２Ｐａに設定した。ウエハ表
面温度が低いエッチング開始時の堆積を抑制するために、メインエッチングの前にガス条
件を変えたステップを１２秒挿入した。ガス条件はＡｒを１２５ｍｌ／ｍｉｎ、Ｃ４Ｆ６
を７．５ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ２を７ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＯを５０ｍｌ／ｍｉｎとし、圧力は０
．５Ｐａである。このときのプラズマ発生用電力はメインエッチング条件と同様に４００
Ｗとした。この条件では、メインエッチング条件に比べ堆積量が４０％低減できる。本条
件の適用前と適用後のエッチング結果を夫々図６（ａ）、（ｂ）に示した。トレンチパタ
ーン３のラインエッジラフネスは１３．６ｎｍから９．０ｎｍに低減した。ここでは、ガ
ス種を変更しないで流量、圧力を変更した条件をエッチング開始時に挿入した例を示した
が、ガス種を変更することでも効果がある。図７はＣｘＦｙガスのＣ／Ｆ比とエッチング
表面に堆積したＣＦ堆積量の関係を示したものである。この結果から明らかなように、ガ
ス種を低Ｃ／Ｆ比化することでも堆積量を低減できる。なお、バイアス電力ＯＮのタイミ
ング、裏面ヘリウムＯＮのタイミングとガス条件の変更を併せて行うことで効果を増大で
きることは言うまでもない。
【００３３】
また、過剰な堆積を抑制するという観点から、メインエッチング条件を低圧力且つ低流
量条件に変更することが望ましい。具体的には、Ａｒ流量が０ｍｌ／ｍｉｎから２００ｍ
ｌ／ｍｉｎで、ＣｘＦｙガス流量がＡｒ流量の２％から１０％の範囲内、且つ処理圧力が
０．１Ｐａから１．０Ｐａの範囲内が望ましい。
【００３４】
［実施例２］
本実施例ではプラズマ中のラジカル量をモニタし、そのモニタ値に従って、エッチング
初期の堆積抑制ステップを制御する実施例を説明する。図８は、真空容器の壁が冷たい状
態にてプラズマを着火させ、発光強度比Ｃ２／Ｏ比をモニタした結果である。ここではカ
ーボン系堆積のラジカル種としてＣ２を、また堆積種を除去するラジカル種としてＯに着
目した。放電開始から２００秒程度までは壁が冷たいためにプラズマ中のラジカルが壁に
吸着して、本来の値よりも小さい値を示しているが、それ以降では壁への吸着と壁からの
脱離がバランスし、飽和傾向を示しながらも漸増していることが分かる。すなわち、量産
現場にて同一条件にてエッチング処理を行う場合、ウエハ処理枚数が多くなるに従ってエ
ッチング初期の堆積量が多くなることを示している。実施例１で説明したように、エッチ
ング初期の堆積量を制御（抑制）することでＡｒＦリソグラフィー対応レジストのダメー
ジを低減できるが、量産現場では１枚目からＮ枚目まで如何にエッチング性能を安定に保
持するかが非常に重要となる。
【００３５】
図９は本実施例を実現するためのエッチング装置の概略図である。通常のエッチング装
置と構成は大きく変わらないが、プラズマからの発光をモニタするための発光分光計測系
が具備されている。発光分光計測系は光ファイバ１２２、モノクロメータ１２３、光電子
増倍管１２４、データサンプリングを行う計測用パソコン１２５から成っている。光電子
増倍管１２４の代わりにＣＣＤカメラを用いて複数の波長の光を同時に計測する構成でも
良い。一方、エッチング条件を制御する制御用パソコン１２７と計測用パソコン１２５の
間には、計測用パソコンから出力される計測値によってエッチング条件の自動変更を指示
するためのデータベース用パソコン１２６がある。データベースには予め対象とする発光
強度若しくは発光強度比に対してエッチング初期のエッチング条件（バイアス電力ＯＮの
タイミング、裏面ヘリウムＯＮのタイミングとガス条件）が格納されている。この制御指
針はあらかじめ実験にて規則性を求めておいても良いし、シミュレーションにより自動的
に生成することでも構わない。次に具体的な流れを示す。まず１枚目のウエハの処理を開
始する。この際、エッチング初期のエッチング条件は予め決められた条件を適用する。常
に発光分光計測系にてプラズマの発光はモニタされており、メインエッチングのステップ
に入ってからある決められた時間ｔ１での発光強度比（Ｒ１＿１）と、メインエッチング
のステップが終了する付近のある決められた時間ｔ２での発光強度比（Ｒ１＿２）をモニ
タする。また１枚目と同様の条件にて処理された２枚目のウエハからｔ１、ｔ２での発光
強度比（Ｒ２＿１、Ｒ２＿２）をモニタする。これら４つのデータの比較から、３枚目の
Ｒ３＿１を予測し、エッチング初期のステップに用いるエッチング条件を決定する。ここ
では、前のウエハまでの発光データから次に処理するウエハの発光データを予測し処理条
件を決定する方法を示したが、実際にエッチングを開始した時点での発光データからリア
ルタイムに処理条件を変更することでも同様の効果が得られる。但し、あくまでもエッチ
ング初期のウエハ温度が過渡状態にある時間帯のエッチング条件の制御であって、メイン
エッチング条件を変更するものではない。
【００３６】
［実施例３］
本実施例では、プロセス条件ではなく、処理前にウエハ温度を高温度化する実施例を説
明する。図１０はエッチングシステムの概略を示した図である。ウエハ２０６はカセット
から取り出された後アライメント調整を行う工程を経てロードロック室２０１に搬送され
真空引きされる。その後バッファ室２０２を経てエッチングを行うためのエッチングチャ
ンバ２０４に導入される。エッチング室で所定の処理が行なわれた後、ウエハはアンロー
ド室２０６より装置外に搬出される。ここでは、アライメント調整を大気中で行う例を示
したが、これは真空中で行っても構わない。本実施例の特徴は、ウエハ２０６を予め予備
過熱をしておくことである。予備加熱の手段としては、例えばバッファ室２０２の真空搬
送用ロボットのアーム２０３にヒータを設置すると良い。なお、図示されてはいないが、
バッファ室２０２のアームに設置されたヒータには、ヒータを設定温度に制御するための
制御装置が設けられている。また、当該制御装置と、図９に示すデータベース用パソコン
１２６を信号伝送線路で接続し、データベースパソコン１２６からバッファ室２０２へ最
適な設定温度を伝送するようにしても良い。また、予備加熱の方法としては、ウエハをエ
ッチングチャンバに搬送した後でも可能である。その場合には図１５に示すように電極に
埋め込まれたヒータ４０３を用いて処理前にウエハ温度を所定の温度まで高温度化してか
ら処理を開始する。一方、図１６に示すように石英に代表される誘電体１１４を介してチ
ャンバ外部からランプ４０４によって加熱を行うことも有効である。その場合、電磁波の
漏れを防ぐために導体板に穴を開けたパンチメタル４０５を設置するのが望ましい。
【００３７】
エッチング定常状態でのウエハ表面温度の上昇温度ΔＴは、ウエハ２０６に印加される
バイアス電力に起因する入熱Ｑと各部の熱抵抗（ウエハＲ１、裏面ヘリウムＲ２、電極Ｒ
３）を用いるとΔＴ＝Ｑ×Ｒ１＋Ｑ×Ｒ２＋Ｑ×Ｒ３にて決定される。従って、バイアス
電力に対し一意にΔＴが決まり、エッチング定常状態における表面温度Ｔは電極に流れる
冷媒の温度Ｔ１を用いてＴ＝Ｔ１＋ΔＴと表される。従って、少なくともエッチング定常
状態で予測されるウエハ表面温度Ｔ程度にウエハを加熱しておけば、エッチング初期での
低温度状態が回避される。また、ウエハ設置による温度低下を考慮して、予備過熱温度を
Ｔよりも高く温度制御しておくことも、エッチング初期での低温度状態を予防する上で効
果的である。電極にウエハが設置された場合、電極の温度が低いためにウエハ温度が低下
する場合があるためである。ウエハ設置と同時若しくはできるだけ早い段階でエッチング
を開始しても良い。そのため、エッチング開始のタイミングを、ウエハ設置のタイミング
を基準として制御しても良い。
【００３８】
［実施例４］
本実施例は、以下の特徴を有する半導体装置の製造方法について記載する。
【００３９】
半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層を形成す
る工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝Ｏ結合を
有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有
機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系反射防止
膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、プラズマ
の着火を検出する手段を有し、前記有機系反射防止膜および被加工層のエッチングを開始
する際にプラズマが着火してから半導体基板にバイアス電力を印加するまでの時間を前記
検出値に合わせて制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４０】
または、半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層
を形成する工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝
Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし
て前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系
反射防止膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、
前記有機系反射防止膜および被加工層のエッチングを開始する際にプラズマが定常状態に
なる前に半導体基板にバイアス電力を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法
または、上記半導体装置の製造方法において、プラズマが着火してから半導体基板にバ
イアス電力を印加するまでの時間を１秒以内とすることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【００４１】
または、半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層
を形成する工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝
Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし
て前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系
反射防止膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、
前記有機系反射防止膜および被加工層のエッチングの際に、エッチング開始から半導体基
板温度が一定値に飽和するまでの時間を該エッチング条件よりも半導体基板上の堆積量が
少なくなるようなガス条件に変更して処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４２】
または、半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層
を形成する工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝
Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし
て前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系
反射防止膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、
プラズマの着火を検出する手段を有し、前記有機系反射防止膜および被加工層のエッチン
グの際にプラズマが着火してから半導体基板にバイアス電力を印加するまでの時間を前記
検出値に合わせて制御することと、エッチング開始から半導体基板温度が一定値に飽和す
るまでの時間を該エッチング条件よりも半導体基板上の堆積量が少なくなるようなガス条
件に変更して処理することを併せて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４３】
または、半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層
を形成する工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝
Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし
て前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系
反射防止膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、
前記有機系反射防止膜および被加工層のエッチングの際にプラズマが定常状態になる前に
半導体基板にバイアス電力を印加することと、エッチング開始から半導体基板温度が一定
値に飽和するまでの時間を該エッチング条件よりも半導体基板上の堆積量が少なくなるよ
うなガス条件に変更して処理することを併せて行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【００４４】
または、半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層
を形成する工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝
Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし
て前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系
反射防止膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、
前記有機系反射防止膜および被加工層のエッチングの際に、半導体基板と半導体基板を設
置する電極の間に封入するガス圧力をメインエッチング条件での所定の圧力よりも低い圧
力に設定して処理するステップを導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４５】
または、半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に有機系反射防止層を
形成する工程と、前記有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝Ｏ
結合を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして
前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストの残膜および前記有機系反
射防止膜をマスクとして、被加工層をエッチングする半導体装置の製造方法において、前
記有機系反射防止膜および被加工層のエッチングの際に、半導体基板と半導体基板を設置
する電極の間に封入するガス圧力をメインエッチング条件での所定の圧力よりも低い圧力
に設定して処理するステップを導入し、その時間を半導体基板温度に従って制御すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４６】
または、上記６つの半導体装置の製造方法において、前記有機系反射防止膜および被加
工層のエッチングの際に、半導体基板と半導体基板を設置する電極の間に封入するガス圧
力をメインエッチング条件での所定の圧力よりも低い圧力に設定して処理するステップを
導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４７】
または、上記６つの半導体装置の製造方法において、前記有機系反射防止膜および被加工
層のエッチングの際に、半導体基板と半導体基板を設置する電極の間に封入するガス圧力
をメインエッチング条件での所定の圧力よりも低い圧力に設定して処理するステップを導
入し、その時間を半導体基板温度に従って制御することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【００４８】
または、エッチング開始から半導体基板温度が一定値に飽和するまでの時間のガス条件
をメインエッチングの条件よりも低Ｃ／Ｆ比のガスにて行うことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【００４９】
または、エッチング開始から半導体基板温度が一定値に飽和するまでの時間のガス条件
をメインエッチングの条件よりも低流量のＣｘＦｙガスにて行うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【００５０】
または、プラズマ中のラジカル量を計測する手段を有し、前記ラジカル量の変動に従って
、プラズマ着火から半導体基板にバイアス電力を印加するまでの時間を制御することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【００５１】
または、プラズマ中のラジカル量を計測する手段を有し、前記ラジカル量の変動に従っ
て、エッチング開始から半導体基板温度が一定値に飽和するまでの時間のガス条件を変更
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００５２】
または、エッチング初期のウエハバイアス電力をメインエッチングの条件よりも大きく
設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００５３】
［実施例５］
本実施例では、ウエハと電極の間に導入する裏面ヘリウム圧力をプロセス中に切り替え
てプロセス性能を向上させるエッチング方法について説明する。対象となるパターン構造
は下地エッチストップ膜が存在する構造であれば何でも良い。本実施例では、高アスペク
ト比コンタクト加工を例に説明するが、Ｌｏｗ−ｋ膜を用いたダマシン構造におけるＶｉ
ａ加工に適用しても効果的であることは言うまでもない。図４に示したように裏面ヘリウ
ムの圧力とウエハ温度には相関がある。特にバイアス電力が高いエッチングプロセスでは
、冷媒の温度を変えてもウエハ表面温度を変化させるには時間がかかってしまう。それに
対し、上記裏面ヘリウム圧力の制御は熱伝導を大きく律速するため、高速なウエハ表面温
度の変更に対し非常に有効である。
【００５４】
対象となる膜構造はＡｒＦレジスト／ＢＡＲＣ／ＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４である。まず、
ＢＡＲＣ加工の後、メインエッチング条件にて処理を行う。メインエッチングのガス条件
は、Ａｒを５００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｃ４Ｆ６を３０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ２を３４ｍｌ／ｍｉｎ
、ＣＯを２００ｍｌ／ｍｉｎとし、処理圧力は２Ｐａに設定した。プラズマ発生用高周波
電力は本条件では４００Ｗで、ウエハバイアス電力は１５００Ｗである。この場合、マス
クであるＡｒＦレジストのエッチングダメージを抑制するため、裏面圧力を１．５ｋＰａ
とした。この条件でＴＥＯＳをエッチングし、残膜が５０ｎｍとなったところで、裏面圧
力を１．５ｋＰａから所定の圧力まで低下させてオーバーエッチングを行った。一つの条
件は１．０ｋＰａ、もう一つは０．７ｋＰａである。本実施例は図１１に示す電極構造に
て評価を行った。本電極は、ヘリウムガスが流れるガス配管３０３、ヘリウム用ガス流量
計３０１、裏面ヘリウム圧力を制御するために用いる裏面圧力制御用バルブ３０２、その
バルブを駆動するために必要な制御用パソコン１２７からのバルブ開閉制御信号３０４を
伝送するための伝送経路を備えている。図示しない圧力計によって配管内の圧力を測定し
ており、上記のようにあるエッチング時間後に裏面圧力を低下させる場合には、バルブ開
閉制御信号３０４に従って裏面圧力制御用バルブ３０２を開ける。裏面ヘリウム圧力は瞬
時に低下するが、圧力計の値と設定値を比較し、設定値よりも圧力が低下した場合にはバ
ルブ開閉制御信号３０４により裏面圧力制御バルブを閉じて圧力が設定値になるように、
ヘリウム用ガス流量計３０１を用いて圧力制御を行う仕組みとなっている。本実施例の条
件下では、裏面ヘリウム圧力の切替にかかった時間は１．５ｓｅｃであった。また、裏面
ヘリウム圧力を１．５ｋＰａから１．０ｋＰａに変えることによってウエハ表面温度は１
２℃上昇し、１．５ｋＰａから０．７ｋＰａまで変えることによってウエハ表面温度は２
３℃上昇した。図１２はホールエッチング形状を示す走査電子顕微鏡写真である。図１２
（ａ）は裏面ヘリウム圧力を変更しない場合、図１２（ｂ）はオーバーエッチング時に裏
面ヘリウム圧力を１．０ｋＰａに変更した場合、図１２（ｃ）はオーバーエッチング時に
裏面ヘリウム圧力を０．７ｋＰａに変更した場合を示す。実験の結果、裏面ヘリウム圧力
を変更しない場合は下地Ｓｉ３Ｎ４膜が突き抜けてしまったのに対し、オーバーエッチン
グ時に裏面ヘリウムを低下させた場合、下地選択比が向上して突き抜けが抑制された。し
かしながら、裏面ヘリウム圧力を０．７ｋＰａまで低下させた場合にはレジストファセッ
ト部にダメージが発生してしまった。本実験では裏面ヘリウム圧力を１．５ｋＰａから１
．０ｋＰａに変更した場合でレジストダメージと下地選択比向上の両立が可能となった。
【００５５】
これは、ウエハ表面温度が上昇したことによりレジスト表面反応が化学的もしくは物理的
に進行したためと考えられる。一方、ウエハ表面温度が上昇することによって、デポの付
着係数が実効的に低減してデポがホール内部に輸送され、下地選択比が向上できたものと
考える。従って、裏面ヘリウム圧力はレジストダメージと下地選択比向上の両立ができる
最適な値に設定する必要があることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５６】
１  フロロカーボン堆積膜
２  レジスト
３  トレンチパターン
４  密ホールパターン
５  ピッティング
６  ストライエーション
１０１  真空容器
１０２  空心コイル
１０３  ガス導入管
１０４  同軸線路
１０５  整合器
１０６  ４５０ＭＨｚ電源
１０７  １３．５６ＭＨｚ電源
１０８  下部電極
１０９  被加工試料
１１０  ガス流量計
１１１  メインバルブ
１１２  コンダクタンスバルブ
１１３  アース電位導体板
１１４  誘電体
１１５  円板状導体板
１１６  シリコン円板
１１７  静電チャック部
１１８  フォーカスリング
１１９  ゲートバルブ
１２０  整合器
１２１  高周波バイアス電源
１２２  光ファイバー
１２３  モノクロメータ
１２４  光電子増倍管
１２５  計測用パソコン
１２６  データベース用パソコン
１２７  制御用パソコン
１２８  放射温度計
２０１  ロードロック室
２０２  バッファ室
２０３  真空搬送用ロボットのアーム
２０４  エッチングチャンバ
２０５  アンロードロック室
２０６  ウエハ
３０１  ヘリウム用ガス流量計
３０２  裏面圧力制御用バルブ
３０３  ガス配管
３０４  バルブ開閉制御信号
４０１  細管
４０２  石英ロッド
４０３  ヒータ
４０４  ランプ
４０５  パンチメタル
【図１】
0005411105.tif 000002
【図２】
0005411105.tif 000003
【図３】
0005411105.tif 000004
【図４】
0005411105.tif 000005
【図５】
0005411105.tif 000006
【図６】
0005411105.tif 000007
【図７】
0005411105.tif 000008
【図８】
0005411105.tif 000009
【図９】
0005411105.tif 000010
【図１０】
0005411105.tif 000011
【図１１】
0005411105.tif 000012
【図１２】
0005411105.tif 000013
【図１３】
0005411105.tif 000014
【図１４】
0005411105.tif 000015
【図１５】
0005411105.tif 000016
【図１６】
0005411105.tif 000017