(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後、デバイスに形成された電極に連通する貫通電極を埋設するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを接合する補強プレート装着工程と、
補強プレートが接合されたウエーハの補強プレート側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに研削するウエーハ研削工程と、
該ウエーハ研削工程が実施され表面に補強プレートが接合されたウエーハの裏面からデバイスに形成された電極に連通する電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、該ビアホールの外周面に絶縁膜を形成した後に、ビアホールに貫通電極を埋設する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施されたウエーハの裏面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハの裏面に貼着された保護テープ側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの表面に接合されている補強プレートを研削することにより耐熱性ボンド剤を残存させてウエーハの表面から補強プレートを除去する補強プレート除去工程と、
該補強プレート除去工程が実施されたウエーハの表面に残存しているボンド剤を除去するボンド剤除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該補強プレート除去工程を実施した後に、ウエーハの裏面に貼着されている保護テープ側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイス分割するウエーハ分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該保護テープは環状のフレームに装着されたダイシングテープであって、該ダイシングテープにウエーハが貼着された状態で該補強プレート除去工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後、デバイスに形成された電極に連通する貫通電極を埋設するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより半導体デバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体デバイスが形成されたマザーウエーハの表面に積層デバイスを積層し、積層デバイスに設けられた電極をマザーウエーハの表面に形成された半導体デバイスに設けられた電極に接続する積層半導体装置が実用化されている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
上述した積層半導体装置においては、装置の小型化、高機能化を図るため、マザーウエーハの表面に積層する積層デバイスが形成された積層ウエーハは裏面を研削して数十μmの厚みに形成し、その後積層ウエーハの裏面から表面に形成された電極に連通する貫通孔（ビアホール）を設け、このビアホールに貫通電極を埋設する。このように積層ウエーハの加工においては、ビアホールを設けて電極を埋設する前に積層ウエーハの裏面を研削して数十μmの厚みに形成するので、積層ウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するために、積層ウエーハの裏面を研削する前に積層ウエーハの表面にボンド剤を介して補強プレートを接合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４９６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、積層デバイスが設けられた積層ウエーハにおいては、上述したように表面にボンド剤を介して補強プレートを接合し裏面を研削した後、積層デバイスに電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、このビアホールに貫通電極を埋設する。このレーザー加工によるビアホールの穿孔においては積層ウエーハが加熱されるため、積層ウエーハの表面に補強プレートを接合するボンド剤は２５０℃前後の温度に耐えられる材料を用いる必要がある。このため、積層ウエーハの表面にボンド剤を介して補強プレートを接合してウエーハの裏面を研削した後、補強プレートを積層ウエーハから除去する際に、補強プレートを２５０℃以上の温度に加熱し、積層ウエーハに負荷がかからないように補強プレートをウエーハの表面に沿ってスライドさせながら離脱するので、生産性が悪いという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの表面に補強プレートを接合した状態でウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成し、デバイスに貫通電極を埋設した後に、ウエーハの表面に接合された補強プレートを容易に除去することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後、デバイスに形成された電極に連通する貫通電極を埋設するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを接合する補強プレート装着工程と、
補強プレートが接合されたウエーハの補強プレート側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに研削するウエーハ研削工程と、
該ウエーハ研削工程が実施され表面に補強プレートが接合されたウエーハの裏面からデバイスに形成された電極に連通する電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、該ビアホールの外周面に絶縁膜を形成した後に、ビアホールに貫通電極を埋設する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施されたウエーハの裏面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハの裏面に貼着された保護テープ側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの表面に接合されている補強プレートを研削することにより耐熱性ボンド剤を残存させてウエーハの表面から補強プレートを除去する補強プレート除去工程と、
該補強プレート除去工程が実施されたウエーハの表面に残存しているボンド剤を除去するボンド剤除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
上記補強プレート除去工程を実施した後に、ウエーハの裏面に貼着されている保護テープ側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイス分割するウエーハ分割工程を実施する。
また、上記保護テープは環状のフレームに装着されたダイシングテープであって、該ダイシングテープにウエーハが貼着された状態で上記補強プレート除去工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるウエーハの加工方法においては、補強プレートが耐熱性ボンド剤を介して接合されたウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに研削し、ウエーハ研削工程が実施され表面に補強プレートが接合されたウエーハの裏面からデバイスに形成された電極に連通する電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、該ビアホールの外周面に絶縁膜を形成した後に、ビアホールに貫通電極を埋設する電極形成工程を実施した後に、ウエーハの裏面に保護テープを貼着し、ウエーハの裏面に貼着された保護テープ側を研削装置のチャックテーブル上に保持してウエーハの表面に接合されている補強プレートを研削することにより耐熱性ボンド剤を残存させてウエーハの表面から補強プレートを除去し、ウエーハの表面に残存しているボンド剤を除去するので、ウエーハの表面に接合されている補強プレートを除去するためにウエーハに負荷がかかることがない。従って、ウエーハの表面から補強プレートを離脱するために補強プレートを２５０℃以上の温度に加熱し、ウエーハに負荷がかからないように補強プレートをウエーハの表面に沿ってスライドさせながら離脱する作業が不要となり生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における補強プレート装着工程の説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるウエーハ研削工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における電極形成工程が実施されたウエーハの裏面側から視た斜視図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における保護テープ貼着工程の説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における補強プレート除去工程を示す説明図。
【図７】図６に示す補強プレート除去工程が実施されたウエーハの斜視図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるボンド剤除去工程が実施されたウエーハの斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるウエーハ支持工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるウエーハ分割工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるウエーハ分割工程を示す説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ分割工程によって分割されたデバイスの斜視図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態におけるウエーハ支持工程を示す説明図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態における補強プレート除去工程を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハの斜視図が示されている。図１に示すウエーハ２は、厚みが例えば４００μmの円板状のシリコンウエーハからなり、表面２aに格子状に形成されたストリート２１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２がそれぞれ形成されている。このように形成されたデバイス２２の表面には、複数の電極２２１が突出して設けられている。
【００１４】
以下、上述したウエーハ２の裏面を研削して所定の厚みに形成した後、デバイス２２に形成された電極２２１に連通する貫通電極を埋設するウエーハの加工方法の第1の実施形態について説明する。
先ず、複数のデバイス２２が設けられたウエーハ２の表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを接合する補強プレート装着工程を実施する。即ち、図２に示すようにウエーハ２の表面２aに厚みが例えば５００μmの円板状のシリコン基板からなる補強プレート３の表面３aを例えば２５０℃の高温に耐えられるエポキシ系のボンド剤４を介して接合する。なお、補強プレートとしては加工性がよいシリコン基板を用いることが望ましい。また、ボンド剤４の厚みは例えば２０μmに設定されている。
【００１５】
上述した補強プレート装着工程を実施したならば、補強プレート３が接合されたウエーハ２の補強プレート３側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハ２の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに研削するウエーハ研削工程を実施する。このウエーハ研削工程は、図示の実施形態においては図３に示す研削装置を用いて実施する。図３に示す研削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物の被加工面を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持し図３において矢印Aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。
【００１６】
上述した研削装置５を用いてウエーハ研削工程を実施するには、チャックテーブル５１の上面（保持面）に上述した補強プレート装着工程が実施されたウエーハ２の表面２aに接合された補強プレート３の裏面３b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル５１上に補強プレート３を介してウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル５１上に補強プレート３を介して吸引保持されたウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル５１上にウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を矢印Aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を矢印Bで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめてウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール５２４を例えば１μm／秒の研削送り速度で下方に研削送りすることによりウエーハ２の裏面２bを研削し、その厚みを例えば３０μmに形成する。
【００１７】
以上のようにして、ウエーハ研削工程が実施されたウエーハ２は厚みが３０μmと極めて薄く形成されるが、表面に剛性の高い補強プレート３が接合されているので湾曲することはない。なお、上述したウエーハ研削工程を実施したならば、表面に補強プレート３が接合されたウエーハ２の裏面からデバイス２２に形成された電極２２１に連通する貫通電極を形成する電極形成工程を実施する。この電極形成工程は、例えば特開２００４−１１９５９３号公報に開示されている技術によって実施することができる。即ち、図４に示すようにウエーハ２の裏面からデバイス２２に形成された電極２２１（図１参照）に連通する電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、このビアホールの外周面に絶縁膜を形成した後に、ビアホールに貫通電極２２２を埋設する。
【００１８】
上述したように電極形成工程を実施したならば、ウエーハ２の裏面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施する。即ち、図５の(a)および(b)に示すようにウエーハ２の裏面２bに塩化ビニール等からなる保護テープ６を貼着する。
【００１９】
次に、ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ６側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハ２の表面に接合されている補強プレート３を研削してウエーハ２の表面から補強プレート３を除去する補強プレート除去工程を実施する。この補強プレート除去工程は、上記図３に示す研削装置５を用いて実施することができる。研削装置５を用いて補強プレート除去工程を実施するには、図６に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）にウエーハ２の裏面２bに貼着された保護テープ６側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル５１上に保護テープ６を介してウエーハ２を吸引保持する。従って、ウエーハ２の表面に接合されている補強プレート３の裏面３bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に補強プレート３が接合されているウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を矢印Aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を矢印Bで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめてウエーハ２の表面に接合されている補強プレート３の裏面３bに接触せしめ、研削ホイール５２４を例えば１μm／秒の研削送り速度で下方に例えば５００μm研削送りする。この結果、厚みが５００μmの補強プレート３が研削されて、図７に示すようにウエーハ２の表面２aから補強プレート３が除去される。
【００２０】
上述した補強プレート除去工程においては、ウエーハ２の表面に接合されている補強プレート３を研削して除去するので、ウエーハ２に負荷がかかることがない。従って、上述した従来技術のようにウエーハ２の表面から補強プレート３を離脱するために補強プレート３を２５０℃以上の温度に加熱し、ウエーハ２に負荷がかからないように補強プレート３をウエーハ２の表面に沿ってスライドさせながら離脱する作業が不要となり生産性が向上する。なお、補強プレート除去工程が実施された状態においては、ウエーハ２の表面２aには、上記補強プレート装着工程においてウエーハ２の表面２aに補強プレート３の表面３aを接合したボンド剤４が残存している。
【００２１】
次に、図７に示すようにウエーハ２の表面２aに残存しているボンド剤４を例えばメチルエチルケトンの溶剤によって除去する（ボンド剤除去工程）。この結果、図８に示すようにウエーハ２の表面２aに残存しているボンド剤４が除去され、表面２aに形成されたデバイス２２が露出せしめられる。
【００２２】
上述したボンド剤除去工程を実施したならば、ウエーハ２の裏面に貼着されている保護テープ６側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図示の実施形態においては図９の（ａ）および（ｂ）に示すように、環状のフレーム７の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ８の表面にウエーハ２の裏面に貼着されている保護テープ６側を貼着する。なお、ダイシングテープ８は、図示の実施形態においては厚みが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００２３】
次に、ウエーハ２をストリート２１に沿って切断し個々のデバイス２２に分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図示の実施形態においては図１０に示す切削装置を用いて実施する。図１０に示す切削装置９は、被加工物を保持するチャックテーブル９１と、該チャックテーブル９１に保持された被加工物を切削する切削手段９２と、該チャックテーブル９１に保持された被加工物を撮像する撮像手段９３を具備している。チャックテーブル９１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図１０において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００２４】
上記切削手段９２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング９２１と、該スピンドルハウジング９２１に回転自在に支持された回転スピンドル９２２と、該回転スピンドル９２２の先端部に装着された切削ブレード９２３を含んでおり、回転スピンドル９２２がスピンドルハウジング９２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印Cで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード９２３は、図示の実施形態においては粒径３μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、厚みが２０μｍに形成されている。上記撮像手段９３は、スピンドルハウジング９２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００２５】
上述した切削装置９を用いてウエーハ分割工程を実施するには、図１０に示すようにチャックテーブル９１上にウエーハ２の裏面に貼着されている保護テープ６が貼着されたダイシングテープ８側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ８を介してウエーハ２をチャックテーブル９１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル９１上にダイシングテープ８を介して保持されたウエーハ２は、表面２aが上側となる。このようにして、ウエーハ２をダイシングテープ８を介して吸引保持したチャックテーブル９１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段９３の直下に位置付けられる。
【００２６】
チャックテーブル９１が撮像手段９３の直下に位置付けられると、撮像手段９３および図示しない制御手段によってウエーハ２の加工すべき領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段９３および図示しない制御手段は、ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と切削ブレード９２３との位置合わせを行うためのアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、ウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート２１に対しても、同様に加工領域のアライメントが遂行される。
【００２７】
以上のようにしてチャックテーブル９１上に保持されているウエーハ２の加工領域を検出するアライメントが行われたならば、ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル９１を切削ブレード９２３の下方である加工領域の加工開始位置に移動する。そして、図１１の(a)で示すようにウエーハ２の加工すべきストリート２１の一端（図１１の(a)において左端）が切削ブレード９２３の直下より所定量右側に位置するように位置付ける（加工送り開始位置位置付け工程）。このようにしてウエーハ２を加工領域の加工開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード９２３を矢印Cで示す方向に回転しつつ図１１の(a)において２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図１１の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード９２３の外周縁の下端がウエーハ２の裏面に貼着されている保護テープ６に達する位置に設定されている。
【００２８】
次に、図１１の(a)に示すように切削ブレード９２３を矢印Cで示す方向に例えば２００００rpmの回転速度で回転しつつ、チャックテーブル９１を図１１の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に例えば５０〜１５０mm／秒の加工送り速度で加工送りする。この結果、ウエーハ２は、ストリート２１に沿って切断される（積層ウエーハ分割工程）。そして、チャックテーブル９１に保持されたウエーハ２の他端（図１１の(b)において右端）が切削ブレード９２３の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル９１の移動を停止する。そして、切削ブレード９２３を上昇させ２点鎖線で示す退避位置に位置付ける。
【００２９】
以上のようにして、ウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２１に沿って上記ウエーハ分割工程を実施したならば、チャックテーブル９１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された各ストリート２１に沿って上記ウエーハ分割工程を実施する。この結果、ウエーハ２はストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割される。このようにしてウエーハ２がストリート２１に沿って個々に分割されたデバイス２２は、ダイシングテープ８に貼着された保護テープ６から剥離される。ダイシングテープ８に貼着された保護テープ６から剥離されたデバイス２２には、図１２に示すように電極２２１に連通する貫通電極２２２が埋設されている。このようにして得られたデバイス２２は、次工程である例えばマザーボードに接合する実装工程に送られる。
【００３０】
次に、本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態においても上記第１の実施形態における補強プレート装着工程とウエーハ研削工程および電極形成工程を上述したように実施する。そして、上記保護テープ貼着工程においては、図１３に示すように電極形成工程が実施されたウエーハ２の裏面２bを環状のフレーム７の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ８の表面に貼着する。従って、第２の実施形態においては、表面に補強プレート３が接合されたウエーハ２の裏面２bを貼着したダイシングテープ８が保護テープとして機能する。
【００３１】
上述したように、電極形成工程が実施されたウエーハ２の裏面２bを環状のフレーム７の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ８の表面に貼着したならば、上述した第１の実施形態におけるウエーハの表面に接合されている補強プレートを研削し、ウエーハの表面から補強プレートを除去する補強プレート除去工程を実施する。この補強プレート除去工程は、上記第１の実施形態と同様に図３に示す研削装置５を用いて実施することができる。研削装置５を用いて補強プレート除去工程を実施するには、図１４に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）にウエーハ２の裏面２bが貼着された保護テープとして機能するダイシングテープ８側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル５１上にダイシングテープ８を介してウエーハ２を吸引保持する。従って、ウエーハ２の表面に接合されている補強プレート３の裏面３bが上側となる。なお、図１４においては、ダイシングテープ８が装着された環状のフレーム７を省いて示しているが、環状のフレーム７はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。このようにチャックテーブル５１上に補強プレート３が接合されているウエーハ２がダイシングテープ８を介して吸引保持したならば、上記図６に示す実施形態と同様にチャックテーブル５１を矢印Aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を矢印Bで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめてウエーハ２の表面に接合されている補強プレート３の裏面３bに接触せしめ、研削ホイール５２４を例えば１μm／秒の研削送り速度で下方に例えば５００μm研削送りする。この結果、厚みが５００μmの補強プレート３が研削されて、ウエーハ２の表面２aから補強プレート３が除去される。
【００３２】
なお、補強プレート除去工程が実施された状態においては、上記第1の実施形態における図７に示すようにウエーハ２の表面２aには、上記補強プレート装着工程においてウエーハ２の表面２aに補強プレート３の表面３aを接合したボンド剤４が残存している。そこで、上記第1の実施形態と同様にウエーハ２の表面２aに残存しているボンド剤４を例えばメチルエチルケトンの溶剤によって除去するボンド剤除去工程を実施する。そして、上記第1の実施形態におけるウエーハ分割工程を実施することにより、ウエーハ２を個々デバイス２２に分割する。
【符号の説明】
【００３３】
２：ウエーハ
２２：デバイス
２２１：電極
２２２：貫通電極
３：補強プレート
４：ボンド剤
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
６：保護テープ
７：環状のフレーム
８：ダイシングテープ
９：切削装置
９１：切削装置のチャックテーブル
９２：切削手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図７】
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