(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、
基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、
テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、
前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、
前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、
前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置され、
前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットと、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に、前記第２のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットと、を有し、
前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置され、
前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した２列のインプリントブロックが形成され、前記２列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成され、
前記搬送領域には、前記インプリント処理ステーションの各インプリントユニットに対して、基板とテンプレートを搬送する搬送ユニットを有することを特徴とする、インプリントシステム。
【請求項２】
前記塗布ユニットは、前記第１のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものであることを特徴とする、請求項１に記載のインプリントシステム。
【請求項３】
前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第１のレジスト膜が形成された基板上に供給するものであることを特徴とする、請求項１または２に記載のインプリントシステム。
【請求項４】
前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有していることを特徴とする、請求項３に記載のインプリントシステム。
【請求項５】
テンプレートの表面に離型剤の蒸気を供給して、当該表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ユニットが、前記離型剤処理ブロックに設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントシステム。
【請求項６】
前記離型剤成膜ユニットは、テンプレートに対して水蒸気を供給する機能を有していることを特徴とする、請求項５に記載のインプリントシステム。
【請求項７】
インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、
前記インプリントシステムは、
基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、
テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、
前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、
前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、
前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置され、
前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットと、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に、前記第２のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットと、を有し、
前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置され、
前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した２列のインプリントブロックが形成され、前記２列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成され、
前記搬送領域には、前記インプリント処理ステーションの各インプリントユニットに対して、基板とテンプレートを搬送する搬送ユニットを有し、
前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第１のレジスト膜を形成すると共に、前記テンプレート処理ステーションにおいて複数のテンプレートの表面に離型剤を成膜し、
前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第１のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送し、
前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行してわれることを特徴とする、インプリント方法。
【請求項８】
前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布されることを特徴とする、請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記テンプレート洗浄ブロックにおいて、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面が洗浄されることを特徴とする、請求項７又は８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
第１のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有することを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載のインプリント方法をインプリントシステムによって実行させるように、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステム、当該インプリントシステムを用いたインプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。そして、このレジストパターンをマスクとして、ウェハ上の被処理膜のエッチング処理が行われ、その後レジスト膜の除去処理などが行われて、所定の被処理膜のパターンが形成される。
【０００３】
上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【０００４】
そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）をウェハ上に形成したレジスト膜の表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト膜の表面に直接パターンの転写を行うものである（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４３９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、現状、テンプレートの表面に所定の微細なパターンを形成するのは技術的に困難である。すなわち、テンプレート上に、高いアスペクト比の深い溝を有するパターンを形成するのが困難な状況にある。かかるテンプレートを用いて上述したインプリント処理を行うと、ウェハ上に薄い膜厚のレジストパターンが形成される。この場合、その後ウェハ上の被処理膜のエッチング処理を行う際に、レジストパターンが十分な耐エッチング性能を発揮できず、被処理膜のパターンを適切に形成できない。
【０００７】
そこで、上述のインプリント処理を行う前に、予めウェハの被処理膜上に他のレジスト膜を形成しておくことが考えられる。かかる場合、インプリント処理を行うことで形成されたレジストパターンをマスクとして、他のレジスト膜をエッチング処理し、他のレジストパターンを形成する。そうすると、これら２つのレジストパターンが一体となって十分な耐エッチング性能を発揮し、被処理膜のパターンを適切に形成することができる。
【０００８】
しかしながら、他のレジスト膜の形成処理とインプリント処理とでは、ウェハ１枚当たりに要する処理時間が異なる。他のレジスト膜は、例えばウェハ上に塗布液を塗布した後、当該塗布液を焼成することで形成される。この場合、ウェハ１枚当たりに要する処理時間が短く、現状の装置では、例えば１時間当たり２００枚のウェハに対して、他のレジスト膜の形成処理を行うことができる。一方、インプリント処理では、ウェハ上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対するテンプレートのパターンの転写が複数回、例えば１００回行われる。このため、ウェハ１枚当たりに要する処理時間が長く、現状の装置では、例えば１時間当たり２０枚のウェハに対してインプリント処理を行うのが限界である。
【０００９】
このように処理時間が異なる２つの処理を連続して行うと、インプリント処理を行っている間、他のレジスト膜の形成処理を停止せざるをえない。したがって、複数のウェハに対して所定のレジストパターンを連続的に効率よく形成することは現実的に困難であり、半導体デバイスの量産化に対応できない。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、
基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、
テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、
前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、
前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、
前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置され、
前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットと、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に、前記第２のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットと、を有し、
前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置され、
前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した２列のインプリントブロックが形成され、前記２列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成され、
前記搬送領域には、前記インプリント処理ステーションの各インプリントユニットに対して、基板とテンプレートを搬送する搬送ユニットを有することを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、一の基板処理ステーションに対して、インプリント処理ステーションには、第２のレジスト膜の形成と所定のレジストパターンの形成（以下、「インプリント処理」という場合がある）を行うインプリントユニットが複数配置されている。このため、基板処理ステーションで複数の基板上に第１のレジスト膜を形成し、当該基板処理ステーションからインプリント処理ステーションに第１のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーションにはテンプレート処理ステーションが接続されているので、当該テンプレート処理ステーションからインプリント処理ステーションに離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対するインプリント処理を各インプリントユニットで並行して行うことができる。このため、基板処理ステーションにおける処理時間とインプリントユニットにおける処理時間が異なる場合でも、基板処理ステーションにおける基板の処理を停止させることなく、基板を連続して適切に処理することができる。したがって、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。
【００１４】
また、前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置されていてもよい。
【００１６】
前記塗布ユニットは、前記第１のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものであってもよい。
【００１８】
前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第１のレジスト膜が形成された基板上に供給するものであってもよい。
【００１９】
前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有していてもよい。
【００２２】
テンプレートの表面に離型剤の蒸気を供給して、当該表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ユニットが、前記離型剤処理ブロックに設けられていてもよい。
【００２３】
前記離型剤成膜ユニットは、テンプレートに対して水蒸気を供給する機能を有していてもよい。
【００２４】
別な観点による本発明は、インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、
前記インプリントシステムは、
基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、
テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、
前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、
前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、
前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置され、
前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットと、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に、前記第２のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットと、を有し、
前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置され、
前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した２列のインプリントブロックが形成され、前記２列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成され、
前記搬送領域には、前記インプリント処理ステーションの各インプリントユニットに対して、基板とテンプレートを搬送する搬送ユニットを有し、
前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第１のレジスト膜を形成すると共に、前記テンプレート処理ステーションにおいて複数のテンプレートの表面に離型剤を成膜し、
前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第１のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送し、
前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行してわれることを特徴としている。
【００２５】
前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布されるようにしてもよい。
【００２６】
前記テンプレート洗浄ブロックにおいて、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面が洗浄されてもよい。
【００２７】
さらに第１のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有していてもよい。
【００２８】
また別な観点による本発明によれば、前記インプリント方法をインプリントシステムによって実行させるように、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２９】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図５】テンプレートの斜視図である。
【図６】レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図８】加熱ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１１】離型剤塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】保持部材の構成の概略を示す平面図である。
【図１３】離型剤塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１４】リンスユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１５】前洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】前洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１７】後洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１８】後洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１９】加熱ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図２０】ウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の各工程を示したフローチャートである。
【図２１】ウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の各工程におけるウェハとテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示し、（ｅ）はウェハ上に第１のレジスト膜が形成された様子を示し、（ｆ）はウェハ上に第２のレジスト膜が形成された様子を示し、（ｇ）はウェハ上の第２のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｈ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｉ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。
【図２２】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２３】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２４】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す平面図である。
【図２５】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図２６】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図２７】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図２８】密着剤の成膜ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるインプリントシステム１の構成の概略を示す平面図である。図２〜図４は、インプリントシステム１の構成の概略を示す側面図である。
【００３３】
本実施の形態のインプリントシステム１では、図５に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
【００３４】
インプリントシステム１は、図１に示すように複数、例えば２５枚の基板としてのウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション２と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた基板処理ステーションとしてのウェハ処理ステーション３と、テンプレートＴを用いてウェハＷ上に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットを複数備えたインプリント処理ステーション４と、テンプレートＴに所定の処理を複数の処理ユニットを備えたテンプレート処理ステーション５と、複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション６と、一体に接続した構成を有している。ウェハ搬入出ステーション２、ウェハ処理ステーション３、インプリント処理ステーション４と、テンプレート処理ステーション５と、テンプレート搬入出ステーション６は、この順でＹ方向（図１の左右方向）に並べて配置されている。
【００３５】
ウェハ搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション２は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。なお、本実施の形態において、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷ上にはエッチング処理の対象となる被処理膜（図示せず）が予め形成されている。
【００３６】
ウェハ搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なウェハ搬送体１２が設けられている。ウェハ搬送体１２は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとウェハ処理ステーション３との間でウェハＷを搬送できる。
【００３７】
ウェハ処理ステーション３には、その中心部に搬送ユニット２０が設けられている。この搬送ユニット２０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば４つの処理ブロックＧ１〜Ｇ４が配置されている。ウェハ処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、ウェハ搬入出ステーション２側から第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２が順に配置されている。処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、ウェハ搬入出ステーション２側から第３の処理ブロックＧ３、第４の処理ブロックＧ４が順に配置されている。ウェハ処理ステーション３のウェハ搬入出ステーション２側には、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット２１が配置されている。ウェハ処理ステーション３のインプリント処理ステーション４側には、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット２２と、ウェハＷを一時的に保管するバッファカセット２３が配置されている。
【００３８】
搬送ユニット２０は、ウェハＷを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット２０は、処理ブロックＧ１〜Ｇ４内に配置された後述する各種処理ユニット、トランジションユニット２１、２２、及びバッファカセット２３に対してウェハＷを搬送できる。
【００３９】
第１の処理ブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷ上に塗布液としての第１のレジスト液を塗布する塗布ユニットとしてのレジスト塗布ユニット３０、３１が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＧ２も同様に、レジスト塗布ユニット３２、３３が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＧ１及び第２の処理ブロックＧ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室３４、３５がそれぞれ設けられている。
【００４０】
第３の処理ブロックＧ３には、図４に示すようにウェハＷの温度を調節する温度調節ユニット４０、４１、ウェハＷを加熱処理する加熱ユニット４２、４３が下から順に４段に重ねられている。
【００４１】
第４の処理ブロックＧ４にも、第３の処理ブロックＧ３と同様に、温度調節ユニット５０、５１、ウェハＷを加熱処理する加熱ユニット５２、５３が下から順に４段に重ねられている。
【００４２】
インプリント処理ステーション４には、図１に示すように２列のインプリントブロックＥ１、Ｅ２が配置されている。第１のインプリントブロックＥ１はインプリント処理ステーション４の正面側（図１のＸ方向負方向側）に配置され、第２のインプリントブロックＥ２はインプリント処理ステーション４の背面側（図１のＸ方向正方向側）に配置されている。２列のインプリントブロックＥ１、Ｅ２の間には、ウェハＷとテンプレートＴを搬送するための搬送領域Ｅ３が形成されている。
【００４３】
第１のインプリントブロックＥ１には、複数、例えば５基のインプリントユニット６０がＹ方向に並べて配置されている。また、各インプリントユニット６０の搬送領域側Ｅ３には、ウェハＷとテンプレートＴの受け渡しを行うトランジションユニット６１が配置されている。
【００４４】
第２のインプリントブロックＥ２にも、第１のインプリントブロックＥ１と同様に、複数、例えば５基のインプリントユニット６０とトランジションユニット６１がＹ方向に並べて配置されている。
【００４５】
なお、インプリントユニット６０の数は、ウェハ処理ステーション３における処理時間とインプリントユニット６０の処理時間に基づいて設定される。すなわち、ウェハ処理ステーション３では、例えば１時間当たり２００枚のウェハＷに対してウェハ処理を行うことができる。一方、インプリントユニット６０では、例えば１時間当たり２０枚のウェハＷに対してインプリント処理を行う。したがって、本実施の形態では、インプリント処理ステーション４に１０基のインプリントユニット６０が設けられている。
【００４６】
搬送領域Ｅ３には、ウェハＷを保持して搬送するウェハ搬送ユニット７０と、テンプレートＴを保持して搬送するテンプレート搬送ユニット７１が設けられている。ウェハ搬送ユニット７０とテンプレート搬送ユニット７１は、互いに干渉しないように配置されている。
【００４７】
ウェハ搬送ユニット７０は、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送ユニット７０は、搬送領域Ｅ３内を移動し、ウェハ処理ステーション３とトランジションユニット６１と間でウェハＷを搬送できる。
【００４８】
同様にテンプレートユニット７１も、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在な搬送アームを有している。テンプレート搬送ユニット７１は、搬送領域Ｅ３内を移動し、テンプレート搬入出ステーション５とトランジションユニット６１との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００４９】
テンプレート処理ステーション５には、その中心部に搬送ユニット８０が設けられている。この搬送ユニット８０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば６つの処理ブロックＦ１〜Ｆ６が配置されている。テンプレート処理ステーション５の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、テンプレート搬入出ステーション６側から第１の処理ブロックＦ１、第２の処理ブロックＦ２が順に配置されている。テンプレート処理ステーション５のテンプレート搬入出ステーション６側には、第３の処理ブロックＦ３が配置され、テンプレート処理ステーション５のインプリント処理ステーション４側には、第４の処理ブロックＦ４とバッファカセット８１が配置されている。テンプレート処理ステーション５の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、テンプレート搬入出ステーション６側から第５の処理ブロックＦ５、第６の処理ブロックＦ６が順に配置されている。搬送ユニット８０は、これらの処理ブロックＦ１〜Ｆ６内に配置された後述する各種処理ユニット及びバッファカセット８１に対してテンプレートＴを搬送できる。なお、本実施の形態においては、処理ブロックＦ１〜Ｆ４で離型剤処理ブロックを構成し、処理ブロックＦ５、Ｆ６でテンプレート洗浄ブロックを構成している。
【００５０】
第１の処理ブロックＦ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートＴに離型剤を塗布する離型剤塗布ユニット９０、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット９１が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＦ２も同様に、離型剤塗布ユニット９２、リンスユニット９３が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＦ１及び第２の処理ブロックＦ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室９４、９５がそれぞれ設けられている。
【００５１】
第３の処理ブロックＦ３には、図３に示すようにテンプレートＴに対して紫外線を照射し、テンプレートＴ上に離型剤が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する前洗浄ユニット１００、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット１０１、１０２、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット１０３、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット１０４、１０５が下から順に６段に重ねられている。
【００５２】
第４の処理ブロックＦ４にも、第３の処理ブロックＦ３と同様に、前洗浄ユニット１１０、温度調節ユニット１１１、１１２、トランジションユニット１１３、加熱ユニット１１４、１１５が下から順に６段に重ねられている。
【００５３】
第５の処理ブロックＦ５には、図４に示すように使用後のテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄する後洗浄ユニット１２０、１２１、洗浄後のテンプレートＴの表面Ｔ１を検査する検査ユニット１２２が下から順に３段に重ねられている。
【００５４】
第６の処理ブロックＦ６にも、第５の処理ブロックＦ５と同様に、後洗浄ユニット１３０、１３１、検査ユニット１３２が下から順に３段に重ねられている。なお、後洗浄ユニット１２０、１２１、１３０、１３１は、テンプレートＴの裏面Ｔ２もさらに洗浄してもよく、検査ユニット１２２、１３２は、テンプレートＴの裏面Ｔ２もさらに検査してもよい。
【００５５】
テンプレート搬入出ステーション６には、図１に示すようにカセット載置台１４０が設けられている。カセット載置台１４０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション６は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
【００５６】
テンプレート搬入出ステーション６には、Ｘ方向に延伸する搬送路１４１上を移動可能なテンプレート搬送体１４２が設けられている。テンプレート搬送体１４２は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴとテンプレート処理ステーション５との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００５７】
次に、上述したウェハ処理ステーション３のレジスト塗布ユニット３０〜３３の構成について説明する。レジスト塗布ユニット３０は、図６に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２００を有している。
【００５８】
ケーシング２００内の中央部には、ウェハを保持して回転させるスピンチャック２１０が設けられている。スピンチャック２１０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック２１０上に吸着保持できる。
【００５９】
スピンチャック２１０には、シャフト２１１を介して回転駆動部２１２が設けられている。この回転駆動部２１２により、スピンチャック２１０は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００６０】
スピンチャック２１０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ２１３が設けられている。カップ２１３の下面には、回収した液体を排出する排出管２１４と、カップ２１３内の雰囲気を排気する排気管２１５が接続されている。
【００６１】
図７に示すようにカップ２１３のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール２２０が形成されている。レール２２０は、例えばカップ２１３のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール２２０には、アーム２２１が取り付けられている。
【００６２】
アーム２２１には、ウェハＷ上に第１のレジスト液を供給するレジスト液ノズル２２２が支持されている。アーム２２１は、ノズル駆動部２２３により、レール２２０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル２２２は、カップ２１３のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２２４からカップ２１３内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷ上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２２１は、ノズル駆動部２２３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル２２２の高さを調節できる。なお、本実施の形態において、塗布液としての第１のレジスト液には、例えばカーボンを有するレジスト液が用いられる。また、塗布液として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜形成用の塗布液を用いてもよい。
【００６３】
なお、レジスト塗布ユニット３１〜３３の構成は、上述したレジスト塗布ユニット３０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６４】
次に、上述したウェハ処理ステーション３の加熱ユニット４２、４３、５２、５３の構成について説明する。加熱ユニット４２は、図８に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２３０を有している。
【００６５】
ケーシング２３０内の底面には、ウェハＷが載置される載置台２３１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くように載置台２３１の上面に載置される。載置台２３１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２３２が設けられている。昇降ピン２３２は、昇降駆動部２３３により上下動できる。載置台２３１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２３４が形成されており、昇降ピン２３２は、貫通孔２３４を挿通するようになっている。また、載置台２３１の上面には、ウェハＷを加熱する熱板２３５が設けられている。熱板２３５の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板２３５を所定の設定温度に調節できる。なお、この熱板２３５は、ウェハＷの上方、例えば後述する蓋体２４０の天井面に設けてもよい。また、ウェハＷの上方と下方に熱板２３５を設けてもよい。
【００６６】
載置台２３１の上方には、上下動自在の蓋体２４０が設けられている。蓋体２４０は、下面が開口し、載置台２３１と一体となって処理室Ｋを形成する。蓋体２４０の上面中央部には、排気部２４１が設けられている。処理室Ｋ内の雰囲気は、排気部２４１から均一に排気される。
【００６７】
なお、加熱ユニット４３、５２、５３の構成は、上述した加熱ユニット４２の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６８】
また、温度調節ユニット４０、４１、５０、５１の構成についても、上述した加熱ユニット４２と同様の構成を有し、熱板２３５に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット４２における蓋体２４０を省略してもよい。
【００６９】
次に、上述したインプリント処理ステーション４のインプリントユニット６０の構成について説明する。インプリントユニット６０は、図９に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）とテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２５０を有している。
【００７０】
ケーシング２５０内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部２５１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部２５１の上面に載置される。ウェハ保持部２５１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２５２が設けられている。昇降ピン２５２は、昇降駆動部２５３により上下動できる。ウェハ保持部２５１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２５４が形成されており、昇降ピン２５２は、貫通孔２５４を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部２５１は、当該ウェハ保持部２５１の下方に設けられた移動機構２５５により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
【００７１】
図１０に示すようにウェハ保持部２５１のＸ方向負方向（図１０の下方向）側には、Ｙ方向（図１０の左右方向）に沿って延伸するレール２６０が設けられている。レール２６０は、例えばウェハ保持部２５１のＹ方向負方向（図１０の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１０の右方向）側の外方まで形成されている。レール２６０には、アーム２６１が取り付けられている。
【００７２】
アーム２６１には、ウェハＷ上に第２のレジスト液を供給するレジスト液ノズル２６２が支持されている。レジスト液ノズル２６２は、例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル２６２には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル２６２の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル２６２は、第２のレジスト液の供給タイミング、第２のレジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
【００７３】
アーム２６１は、ノズル駆動部２６３により、レール２６０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル２６２は、ウェハ保持部２５１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２６４からウェハ保持部２５１上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２６１は、ノズル駆動部２６３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル２６２の高さを調整できる。
【００７４】
ケーシング２５０内の天井面であって、ウェハ保持部２５１の上方には、図９に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部２７０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部２５１とテンプレート保持部２７０は、ウェハ保持部２５１に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部２７０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部２７０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック２７１を有している。チャック２７１は、当該チャック２７１の上方に設けられた移動機構２７２により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートＴは、ウェハ保持部２５１上のウェハＷに対して所定の向きに回転し昇降できる。
【００７５】
テンプレート保持部２７０は、チャック２７１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源２７３を有している。光源２７３からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源２７３からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
【００７６】
なお、インプリントユニット６０内には、トランジションユニット６１との間でウェハＷを搬送するウェハ搬送機構（図示せず）と、トランジションユニット６１との間でテンプレートＴを搬送するテンプレート搬送機構（図示せず）とが設けられている。また、テンプレート搬送機構は、テンプレートＴの表裏面を反転させるように回動自在に構成されている。
【００７７】
次に、上述したテンプレート処理ステーション５の離型剤塗布ユニット９０、９２の構成について説明する。離型剤塗布ユニット９０は、図１１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２８０を有している。
【００７８】
ケーシング２８０内の中央部には、テンプレートＴを保持して回転させる保持部材２８１が設けられている。保持部材２８１の中央部分は下方に窪み、テンプレートＴを収容する収容部２８２が形成されている。収容部２８２の下部には、テンプレートＴの外形より小さい溝部２８２ａが形成されている。したがって、収容部２８２内では、溝部２８２ａによってテンプレートＴの下面内周部は保持部材２８１と接しておらず、テンプレートＴの下面外周部のみが保持部材２８１に支持されている。収容部２８２は、図１２に示すようにテンプレートＴの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部２８２には、側面から内側に突出した突出部２８３が複数形成され、この突出部２８３により、収容部２８２に収容されるテンプレートＴの位置決めがされる。また、搬送ユニット８０の搬送アームから収容部２８２にテンプレートＴを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部２８２と干渉するのを避けるため、収容部２８２の外周には、切欠き部２８４が４箇所に形成されている。
【００７９】
保持部材２８１は、図１１に示すようにカバー体２８５に取り付けられ、保持部材２８１の下方には、シャフト２８６を介して回転駆動部２８７が設けられている。この回転駆動部２８７により、保持部材２８１は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００８０】
保持部材２８１の周囲には、テンプレートＴから飛散又は落下する離型剤Ｓを受け止め、回収するカップ２９０が設けられている。カップ２９０の下面には、回収した離型剤Ｓを排出する排出管２９１と、カップ２９０内の雰囲気を排気する排気管２９２が接続されている。
【００８１】
図１３に示すようにカップ２９０のＸ方向負方向（図１３の下方向）側には、Ｙ方向（図１３の左右方向）に沿って延伸するレール３００が形成されている。レール３００は、例えばカップ２９０のＹ方向負方向（図１３の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１３の右方向）側の外方まで形成されている。レール３００には、アーム３０１が取り付けられている。
【００８２】
アーム３０１には、テンプレートＴ上に離型剤を供給する離型剤ノズル３０２が支持されている。アーム３０１は、ノズル駆動部３０３により、レール３００上を移動自在である。これにより、離型剤ノズル３０２は、カップ２９０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３０４からカップ２９０内のテンプレートＴの中心部上方まで移動できる。また、アーム３０１は、ノズル駆動部３０３によって昇降自在であり、離型剤ノズル３０２の高さを調整できる。なお、離型剤の材料には、ウェハ上の第２のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
【００８３】
なお、例えば保持部材２８１の溝部２８２ａ内に、洗浄液、例えば有機溶剤を噴射する洗浄液ノズルを設けてもよい。この洗浄液ノズルからテンプレートＴの裏面Ｔ２に洗浄液を噴射することによって、当該裏面Ｔ２を洗浄することができる。
【００８４】
なお、離型剤塗布ユニット９２の構成は、上述した離型剤塗布ユニット９０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００８５】
次に、上述したテンプレート処理ステーション５のリンスユニット９１、９３の構成について説明する。リンスユニット９１は、図１４に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３１０を有している。
【００８６】
ケーシング３１０内の底面には、テンプレートＴを浸漬させる浸漬槽３１１が設けられている。浸漬槽３１１内には、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするための有機溶剤が貯留されている。
【００８７】
ケーシング３１０内の天井面であって、浸漬槽３１１の上方には、テンプレートＴを保持する保持部３１２が設けられている。保持部３１２は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック３１３を有している。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くようにチャック３１３に保持される。チャック３１３は、昇降機構３１４により昇降できる。そして、テンプレートＴは、保持部３１２に保持された状態で浸漬槽３１１に貯留された有機溶剤に浸漬され、当該テンプレートＴ上の離型剤がリンスされる。
【００８８】
保持部３１２は、チャック３１３に保持されたテンプレートＴの上方に設けられたガス供給部３１５を有している。ガス供給部３１５は、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方、すなわちチャック３１３に保持されたテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けることができる。これにより、浸漬槽３１１でリンスされたテンプレートＴの表面Ｔ１を乾燥させることができる。なお、リンスユニット９１には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。
【００８９】
なお、リンスユニット９３の構成は、上述したリンスユニット９１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００９０】
次に、上述したテンプレート処理ステーション５の前洗浄ユニット１００、１１０の構成について説明する。前洗浄ユニット１００は、図１５に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３２０を有している。
【００９１】
ケーシング３２０内には、テンプレートＴを吸着保持するチャック３２１が設けられている。チャック３２１は、テンプレートＴの表面Ｔ１が上方を向くように、その裏面Ｔ２を吸着保持する。チャック３２１の下方には、チャック駆動部３２２が設けられている。このチャック駆動部３２２は、ケーシング３２０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール３２３上に取付けられている。このチャック駆動部３２２により、チャック３２１はレール３２３に沿って移動できる。
【００９２】
ケーシング３２０内の天井面であって、レール３２３の上方には、チャック３２１に保持されたテンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部３２４が設けられている。紫外線照射部３２４は、図１６に示すようにＸ方向に延伸している。そして、テンプレートＴがレール３２３に沿って移動中に、紫外線照射部３２４から当該テンプレートＴの表面Ｔ１に紫外線を照射することで、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。
【００９３】
なお、前洗浄ユニット１１０の構成は、上述した前洗浄ユニット１００の構成と同様であるので説明を省略する。
【００９４】
次に、上述したテンプレート処理ステーション５の後洗浄ユニット１２０、１２１、１３０、１３１の構成について説明する。後洗浄ユニット１２０は、図１７に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３３０を有している。
【００９５】
ケーシング３３０内の底面には、テンプレートＴが載置される載置台３３１が設けられている。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くように載置台３３１の上面に載置される。載置台３３１内には、テンプレートＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３３２が設けられている。昇降ピン３３２は、昇降駆動部３３３により上下動できる。載置台３３１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔３３４が形成されており、昇降ピン３３２は、貫通孔３３４を挿通するようになっている。
【００９６】
図１８に示すように載置台３３１のＸ方向負方向（図１８の下方向）側には、Ｙ方向（図１８の左右方向）に沿って延伸するレール３４０が設けられている。レール３４０は、例えば載置台３３１のＹ方向負方向（図１８の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１８の右方向）側の外方まで形成されている。レール３４０には、アーム３４１が取り付けられている。
【００９７】
アーム３４１には、テンプレートＴ上に洗浄液を供給する洗浄液ノズル３４２が支持されている。洗浄液ノズル３４２は、例えばテンプレートＴの一辺寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。なお、洗浄液には、例えば有機溶剤や純水が用いられ、有機溶剤としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ジブチルエーテル、シクロヘキサンなどが用いられる。
【００９８】
アーム３４１は、ノズル駆動部３４３により、レール３４０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル３４２は、載置台３３１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３４４から載置台３３１上のテンプレートＴの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートＴの表面Ｔ１上をテンプレートＴの辺方向に移動できる。また、アーム３４１は、ノズル駆動部３４３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル３４２の高さを調整できる。
【００９９】
ケーシング３３０内の天井面であって、載置台３３１の上方には、テンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部３４５が設けられている。紫外線照射部３４５は、載置台３３１に載置されたテンプレートＴの表面Ｔ１に対向してするように配置され、当該テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線を照射することができる。
【０１００】
なお、後洗浄ユニット１２１、１３０、１３１の構成は、上述した後洗浄ユニット１２０の構成と同様であるので説明を省略する。
【０１０１】
なお、上述したテンプレート処理ステーション５の加熱ユニット１０４、１０５、１１４、１１５の構成は、図１９に示すようにウェハ処理ステーション３における加熱ユニット４２、４３、５２、５３の構成と同様であるので説明を省略する。
【０１０２】
また、テンプレート処理ステーション５の温度調節ユニット１０１、１０２、１１１、１１２の構成についても、上述した加熱ユニット１０４と同様の構成を有し、熱板２３５に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット１０４における蓋体２４０を省略してもよい。
【０１０３】
以上のインプリントシステム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、インプリントシステム１におけるウェハ処理、テンプレート処理、インプリント処理等を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部３５０にインストールされたものであってもよい。
【０１０４】
本実施の形態にかかるインプリントシステム１は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム１で行われるウェハ処理、テンプレート処理インプリント処理等について説明する。図２０は、これらウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の主な処理フローを示し、図２１は、各工程におけるウェハＷとテンプレートＴの状態を示している。
【０１０５】
先ず、テンプレート搬送体２２によって、テンプレート搬入出ステーション６のカセット載置台１４０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、テンプレート処理ステーション５のトランジションユニット１０３に搬送される（図２０の工程Ａ１）。なお、テンプレートカセットＣＴ内のテンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されている。
【０１０６】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは、前洗浄ユニット１００に搬送され、チャック３２１に吸着保持される。続いて、チャック駆動部３２２によってテンプレートＴをレール３２３に沿って移動させながら、紫外線照射部３２４から当該テンプレートＴに紫外線が照射される。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射され、図２１（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図２０の工程Ａ２）。
【０１０７】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは離型剤塗布ユニット９０に搬送され、保持部材２８１に受け渡される。続いて、離型剤ノズル３０２をテンプレートＴの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートＴを回転させる。そして、回転中のテンプレートＴ上に離型剤Ｓを供給し、遠心力により離型剤ＳをテンプレートＴ上で拡散させて、図２１（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓを塗布する（図２０の工程Ａ３）。
【０１０８】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは加熱ユニット１０４に搬送される。加熱ユニット１０４に搬入されたテンプレートＴは、昇降ピン２３２に受け渡され、載置台２３１に載置される。続いて、蓋体２４０が閉じられ、テンプレートＴは熱板２３５によって例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、図２１（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓが焼成される（図２０の工程Ａ４）。
【０１０９】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは温度調節ユニット２１１に搬送され、テンプレートＴが所定の温度に調節される。
【０１１０】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴはリンスユニット９１に搬送され、保持部３１２に保持される。続いて、保持部３１２を下降させ、テンプレートＴを浸漬槽３１１に貯留された有機溶剤に浸漬させる。所定時間経過すると、離型剤Ｓの未反応部のみが剥離し、図２１（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される（図２０の工程Ａ５）。その後、保持部３１２を上昇させ、ガス供給部３１５から気体ガスをテンプレートＴに吹き付け、その表面Ｔ１を乾燥させる。なお、離型剤Ｓの未反応部とは、離型剤ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１と化学反応して当該表面Ｔ１と吸着する部分以外をいう。
【０１１１】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴはトランジションユニット１１３に搬送される。続いて、搬送ユニット７０によって、テンプレートＴはインプリント処理ステーション４に搬送される。ここで、上述した工程Ａ１〜Ａ５を繰り返し行い、複数のテンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜し、複数のテンプレートＴが連続的にインプリント処理ステーション４に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション４にテンプレートＴを搬送する前に、バッファカセット８１において、離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴを一時的に保管してもよい。
【０１１２】
その後、テンプレート搬送ユニット７１によって、テンプレートＴはトランジションユニット６１に搬送される。続いて、インプリントユニット６０内のテンプレート搬送機構によって、テンプレートＴはインプリントユニット６０内に搬送される（図２０の工程Ａ６）。このとき、テンプレート搬送機構によって、テンプレートＴの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートＴの裏面Ｔ２が上方に向けられる。インプリントユニット６０に搬入されたテンプレートＴは、テンプレート保持部２７０のチャック２７１に吸着保持される。
【０１１３】
このようにテンプレート処理ステーション５においてテンプレートＴに所定の処理を行い、インプリントユニット６０へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション２において、ウェハ搬送体１２により、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＷからウェハＷが取り出され、ウェハ処理ステーション３のトランジションユニット２１に搬送される（図２０の工程Ａ７）。なお、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷは、その被処理面が上方を向くように収容されている。
【０１１４】
その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷはレジスト塗布ユニット３０に搬送され、スピンチャック２１０に受け渡される。続いて、レジスト液ノズル２２２をウェハＷの中心部上方まで移動させると共に、ウェハＷを回転させる。そして、回転中のウェハＷ上に第１のレジスト液を供給し、遠心力により第１のレジスト液をウェハＷ上で拡散させて、ウェハＷの表面全面に第１のレジスト液を塗布する（図２０の工程Ａ８）。
【０１１５】
その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷは加熱ユニット４２に搬送される。加熱ユニット４２に搬入されたウェハＷは、昇降ピン２３２に受け渡され、載置台２３１に載置される。続いて、蓋体２４０が閉じられ、ウェハＷは熱板２３５によって例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、ウェハＷ上の第１のレジスト液が焼成され、図２１（ｅ）に示すようにウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１が形成される（図２０の工程Ａ９）。なお、第１のレジスト膜Ｒ１は、例えば１０ｎｍの膜厚で形成される。
【０１１６】
その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷは温度調節ユニット４０に搬送され、ウェハＷが所定の温度、例えば常温に調節される。
【０１１７】
その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷはトランジションユニット２２に搬送される。続いて、搬送ユニット７０によって、ウェハＷはインプリント処理ステーション４に搬送される。ここで、上述した工程Ａ７〜Ａ９を繰り返し行い、複数のウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を形成し、複数のウェハＷが連続的にインプリント処理ステーション４に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション４にウェハＷを搬送する前に、バッファカセット２３において、第１のレジスト膜Ｒ１が形成されたウェハＷを一時的に保管してもよい。
【０１１８】
その後、搬送ユニット７０によって、ウェハＷはトランジションユニット６１に搬送される。続いて、インプリントユニット６０内のウェハ搬送機構によって、ウェハＷはインプリントユニット６０内に搬送される（図２０の工程Ａ１０）。
【０１１９】
インプリントユニット６０に搬入されたウェハＷは、昇降ピン２５２に受け渡され、ウェハ保持部２５１上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部２５１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル２６２をウェハＷの径方向に移動させ、図２１（ｆ）に示すようにウェハＷ上に第２のレジスト液を塗布し、第２のレジスト膜Ｒ２を形成する（図２０の工程Ａ１１）。このとき、制御部３５０により、レジスト液ノズル２６２から供給される第２のレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布される第２のレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布される第２のレジスト液の量は少なくなるように制御される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上に第２のレジスト液が塗布される。なお、第２のレジスト膜Ｒ２は、例えば５０ｎｍの膜厚で形成される。
【０１２０】
ウェハＷ上に第２のレジスト膜Ｒ２が形成されると、ウェハ保持部２５１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部２７０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図２１（ｆ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させる。テンプレートＴは所定の位置まで下降し、テンプレートＴの表面Ｔ１がウェハＷ上の第２のレジスト膜Ｒ２に押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源２７３から光が照射される。光源２７３からの光は、図２１（ｇ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上の第２のレジスト膜Ｒ２に照射され、これにより第２のレジスト膜Ｒ２は光重合する。このようにしてウェハＷ上の第２のレジスト膜Ｒ２にテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図２０の工程Ａ１２）。
【０１２１】
その後、図２１（ｈ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型剤Ｓが塗布されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。その後、ウェハＷは、昇降ピン２５２によってウェハ搬送機構に受け渡され、インプリントユニット６０から搬出され、トランジションユニット６１に搬送される（図２０の工程Ａ１３）。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によってウェハ処理ステーション３に搬送された後、ウェハ搬送体１２によってウェハカセットＣＷに戻される。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばインプリントシステム１の外部において、図２１（ｉ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
【０１２２】
以上の工程Ａ１０〜Ａ１３を繰り返し行い、一のテンプレートＴを用いて、複数のウェハＷ上にレジストパターンＰをそれぞれ形成する。そして、所定枚数のウェハＷに対して工程Ａ１０〜Ａ１３が行われると、テンプレートＴが交換される。すなわち、テンプレート搬送機構によってテンプレートＴの表裏面が反転された後、テンプレートＴはインプリントユニット６０から搬出され、トランジションユニット６１に搬送される（図２０の工程Ａ１４）。
【０１２３】
なお、テンプレートＴを交換するタイミングは、テンプレートＴの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハＷに異なるパターンＰを形成する場合にも、テンプレートＴが交換される。例えばテンプレートＴを１回使用する度に当該テンプレートＴを交換してもよい。また、例えば１枚のウェハＷ毎にテンプレートＴを交換してもよいし、例えば１ロット毎にテンプレートＴを交換してもよい。
【０１２４】
その後、テンプレートＴは、搬送ユニット７０によってテンプレート処理ステーション５のトランジションユニット１１３に搬送された後、搬送ユニット８０によって後洗浄ユニット１２０に搬送される。後洗浄ユニット１２０に搬送されたテンプレートＴは、昇降ピン３３２に受け渡され、載置台３３１に載置される。続いて、紫外線照射部３４５からテンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。そうすると、テンプレートＴ上の離型剤Ｓが気化してそのほとんどが除去される。所定時間経過後、紫外線の照射を停止し、洗浄液ノズル３４２をテンプレートＴの辺方向に移動させながら、当該テンプレートＴ上に残存する離型剤Ｓに対して洗浄液を供給する。こうして、テンプレートＴ上の離型剤Ｓが除去され、表面Ｔ１が洗浄される（図２０の工程Ａ１５）。なお、洗浄液として純水を用いる場合、テンプレートＴの表面Ｔ１にウォーターマークが付着するのを避けるため、その後有機溶剤であるＩＰＡを用いてさらに洗浄するのが好ましい。なお、後洗浄ユニット１２０では、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２も洗浄してもよい。
【０１２５】
その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは、検査ユニット１２２に搬送される。そして、検査ユニット１２２において、例えば干渉縞の観察等により、テンプレートＴの表面Ｔ１が検査される（図２０の工程Ａ１６）。なお、検査ユニット１２２では、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２も検査してもよい。
【０１２６】
その後、テンプレートＴは、搬送ユニット８０によってトランジションユニット１０３に搬送され、テンプレート搬送体１４２によってテンプレートカセットＣＴに戻される。なお、検査ユニット１２２の検査結果が良好な場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が適切に洗浄され、且つその表面Ｔ１が劣化していない場合には、テンプレートカセットＣＴに戻されたテンプレートＴは、インプリントユニット１内で再度使用される。一方、検査ユニット１２２の検査結果が悪い場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が劣化している場合には、テンプレートＴはインプリントユニット１の外部に搬出される。
【０１２７】
このようにして、インプリントシステム１において、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
【０１２８】
以上の実施の形態によれば、インプリントシステム１において、図２１（ｉ）に示したようにウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１と、第２のレジスト膜Ｒ２のレジストパターンＰが形成される。そして、その後インプリントシステム１の外部のエッチング処理ユニット（図示せず）において、第２のレジスト膜Ｒ２のレジストパターンＰをマスクとして、第１のレジスト膜Ｒ１をエッチング処理してレジストパターンを形成する。そうすると、これら第１のレジスト膜Ｒ１のレジストパターンと第２のレジスト膜Ｒ２のレジストパターンＰが一体となって十分な耐エッチング機能を発揮する。したがって、ウェハＷ上の被処理膜を適切にエッチング処理して、当該被処理膜のパターンを適切に形成することができる。
【０１２９】
以上の実施の形態によれば、一のウェハ処理ステーション３に対して、インプリント処理ステーション４には、インプリントユニット６０が複数配置されている。このため、ウェハ処理ステーション３で複数のウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を形成し、当該ウェハ処理ステーション３からインプリント処理ステーション４に第１のレジスト膜Ｒ１が形成された複数のウェハＷを連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーション３にはテンプレート処理ステーション５が接続されているので、当該テンプレート処理ステーション５からインプリント処理ステーション４に離型剤Ｓが成膜された複数のテンプレートＴを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーション４では、各テンプレートＴを用いた各ウェハＷに対するインプリント処理を各インプリントユニット６０で並行して行うことができる。このため、ウェハ処理ステーション３における処理時間とインプリントユニット６０における処理時間が異なる場合でも、ウェハ処理ステーション３におけるウェハ処理を停止させることなく、ウェハＷを連続して適切に処理することができる。したがって、ウェハＷ上に所定のレジストパターンＰを適切且つ効率よく形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
【０１３０】
また、テンプレート処理ステーション５内に、離型剤処理ブロックを構成する処理ブロックＦ１〜Ｆ４が設けられているので、インプリントシステム１内でテンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜しつつ、テンプレートＴをインプリントユニット６０に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートＴが劣化する前、あるいは複数のウェハＷ上に異なるレジストパターンＰを形成する場合でも、インプリントユニット６０内のテンプレートＴを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを適切に形成することができる。
【０１３１】
また、テンプレート処理ステーション５内には、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックＦ５、Ｆ６が設けられ、例えば後洗浄ユニット１２０、１２１、１３０、１３１が設けられているので、インプリントシステム１内で使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄することができる。これによって、インプリントユニット１内でテンプレートＴを再度使用することができる。
【０１３２】
さらに、テンプレート処理ステーション５内に、検査ユニット１２２、１３２が設けられているので、洗浄後のテンプレートＴの表面Ｔ１を検査することができる。そして、この検査結果に基づいて、例えば当該テンプレートＴをインプリントユニット１内で再度使用したり、あるいはインプリントユニット１の外部に搬出する等を決定することができる。これによって、テンプレートＴを有効利用することができると共に、インプリントユニット１内で不良なテンプレートＴを使用することが無くなるので、複数のウェハＷ上に所定のレジストパターンＰを適切に形成することができる。
【０１３３】
また、ウェハ処理ステーション３では、レジスト塗布ユニット３０においてウェハＷ上に第１のレジスト液を塗布した後、加熱ユニット４２においてウェハＷ上の第１のレジスト液を焼成している。したがって、ウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を適切に形成することができる。
【０１３４】
なお、以上の実施の形態のテンプレート処理ステーション５には、離型剤処理ブロックを構成する処理ブロックＦ１〜Ｆ４と、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックＦ５、Ｆ６の両方が設けられていたが、例えば図２２に示すように、テンプレート処理ステーション５内に離型剤処理ブロックである処理ブロックＦ１〜Ｆ４のみを設けてもよい。この場合、前記実施の形態の工程Ａ１５、Ａ１６が省略され、使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄はインプリントシステム１の外部で行われる。また、かかる場合、処理ブロックＦ３、Ｆ４をそれぞれ処理ブロックＦ５、Ｆ６の位置に移動させて配置し、処理ブロックＦ３、Ｆ４の位置にテンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニットをそれぞれ設けてもよい。
【０１３５】
以上の実施の形態のインプリントシステム１では、ウェハ搬入出ステーション２、ウェハ処理ステーション３、インプリント処理ステーション４、テンプレート処理ステーション５、テンプレート搬入出ステーション６が水平方向に並べて配置されていたが、図２３〜図２７に示すようにテンプレート処理ステーション５は、ウェハ処理ステーション３の上方に積層されて配置されていてもよい。また、テンプレート搬入出ステーション６は、ウェハ搬入出ステーション２の上方に積層されて配置されていてもよい。かかる場合、インプリントシステム１の占有面積を小さくすることができ、その製造コストを低廉化することができる。
【０１３６】
なお、テンプレート処理ステーション５及びテンプレート搬入出ステーション６と、ウェハ処理ステーション３及びウェハ搬入出ステーション２との上下関係は本実施の形態に限定されず、ウェハ処理ステーション３及びウェハ搬入出ステーション２を上層に配置してもよい。但し、インプリントユニット６０内では、テンプレートＴがウェハＷの上方に配置されるので、本実施の形態のようにテンプレート処理ステーション５及びテンプレート搬入出ステーション６を上層に配置するのが好ましい。
【０１３７】
また、本実施の形態においても、テンプレート処理ステーション５内に、離型剤処理ブロックである処理ブロックＦ１〜Ｆ４のみを設け、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックＦ５、Ｆ６を省略してもよい。この場合、前記実施の形態の工程Ａ１５、Ａ１６が省略され、使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄はインプリントシステム１の外部で行われる。
【０１３８】
なお、これらウェハ搬入出ステーション２、ウェハ処理ステーション３、インプリント処理ステーション４、テンプレート処理ステーション５、テンプレート搬入出ステーション６の構成は、前記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【０１３９】
以上の実施の形態では、テンプレート処理ステーション５において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布した後、当該離型剤Ｓを加熱して焼成していたが、離型剤Ｓを焼成する代わりに光を照射してもよい。かかる場合、テンプレートＴ上の離型剤Ｓに対して、波長が例えば３５０ｎｍ〜２５００ｎｍの光が照射される。そうすると、テンプレートＴの表面Ｔ１と離型剤Ｓの活性基を強固且つ密に化学結合させることができ、テンプレートＴの表面Ｔ１と離型剤Ｓとの密着性が向上する。すなわち、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓを短時間で密着させることができる。
【０１４０】
また、テンプレート処理ステーション５において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布した後、離型剤Ｓを焼成する代わりにアルコール処理をしてもよい。かかる場合、テンプレートＴ上の離型剤Ｓにアルコールが塗布される。そうすると、離型剤ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１と強固且つ密に化学反応し、テンプレートＴの表面Ｔ１と離型剤Ｓとの密着性が向上する。なお、アルコールはアルコール類であればよく、エタノール以外の他のアルコールを用いてもよい。例えばメタノール、プローパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノールを用いてもよく、あるいはこれらのアルコールの混合物を用いてもよい。また、アルコールの濃度は特に限定されないが、１００％であることが好ましい。
【０１４１】
以上の実施の形態のインプリントシステム１において、各処理ユニットの構成は前記実施の形態に限定されず、各処理を行うことができる構成であれば、種々の構成を取り得る。例えば以上の実施の形態のリンスユニット９１、９３では、浸漬層３１１に貯留された有機溶剤にテンプレートＴを浸漬することで離型剤Ｓをリンスしていたが、図１１及び図１３に示した離型剤塗布ユニット９０と同様の構成を有するリンスユニットを用いてもよい。かかる場合、離型剤塗布ユニット９０の離型剤ノズル３０２に代えて、テンプレートＴ上に離型剤Ｓのリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズルが用いられる。そして、このリンスユニットでは、回転中のテンプレートＴ上に有機溶剤が供給し、テンプレートＴの表面Ｔ１全面をリンスする。所定時間経過すると、離型剤Ｓの未反応部のみが剥離し、テンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される。その後、有機溶剤の供給を停止した後、さらにテンプレートＴを回転させ続け、その表面Ｔ１を振り切り乾燥させる。このようにして、テンプレートＴ上の離型剤Ｓがリンスされる。
【０１４２】
前記した実施の形態では、図２０のフローでも示したように、ウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１が形成された後は、インプリント処理ステーション４にウェハＷが搬送され、その後第２のレジスト膜Ｒ２が形成される。
【０１４３】
しかしながら、テンプレートＴを第２のレジスト膜Ｒ２に接触させて転写パターンＣを転写した際に、テンプレートＴの表面に離型剤Ｓが成膜されていても、第２のレジスト膜Ｒ２がテンプレートＴ側に付着する可能性も否定できない。かかる場合に鑑みて、第２のレジスト膜Ｒ２のウェハＷ側への密着性、定着生を向上させる処理を、第２のレジスト膜Ｒ２の形成前に予め行なっておくことが好ましい。
【０１４４】
たとえば第２のレジスト膜Ｒ２の材料が、たとえばＵＶ硬化性樹脂の場合、第１のレジスト膜Ｒ１の表面に、当該ＵＶ硬化性樹脂との密着性を向上させる、シランカップリング剤などの密着剤を塗布して成膜しておくことが好ましい。このような塗布処理は、図２０のフローに即して言えば、たとえば第１のレジスト液を焼成した後（工程Ａ９の後）に行なうとよい。
【０１４５】
そしてそのような密着剤を塗布するにあたっては、第１のレジスト膜Ｒ１を形成する第１のレジスト液の塗布を行なった、図６に示したような塗布ユニット３０〜３３と同じ構成を持った塗布装置を用いることができる。そしてそのように密着剤を塗布した後、必要に応じてウェハＷを加熱し、さらには必要に応じて冷却し、その後にインプリントユニット６０に搬入し、以後図２０に示したフローと同様に、第２のレジスト膜Ｒ２の形成処理（工程Ａ１１）を実施すればよい。
【０１４６】
またそのように第１のレジスト膜Ｒ１の表面に密着剤を成膜する際、前記した塗布ユニット３０のような液体を塗布する装置ではなく、密着剤の蒸気をウェハＷ表面に供給して成膜するようにしてもよい。
【０１４７】
図２８は、その際に使用する密着剤の塗布ユニットとしての成膜ユニット４５０の構成の概略を示している。この成膜ユニット４５０は、たとえば塗布ユニット３０〜３３の一部に代えて、基板処理ステーション３に搭載される。
【０１４８】
成膜ユニット４５０は、図２８に示すようにウェハＷが載置される載置台４６０と、当該載置台４６０の上方に設けられた蓋体４６１とを有している。蓋体４６１は、例えば昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、蓋体４６１の下面は開口している。そして、蓋体４６１と載置台４６０とが一体となって、密閉された処理空間Ｋを形成できるようになっている。
【０１４９】
載置台４６０には、ウェハＷの表面（たとえば第１のレジスト膜Ｒ１の形成面）が上方を向くように当該ウェハＷが載置される。載置台４６０の上面には、ウェハＷの温度を制御する温度制御板４７０が設けられている。温度制御板４７０は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、ウェハＷを所定の温度に調節できる。載置台４６０内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン４７１が設けられている。昇降ピン４７１は、昇降駆動部４７２により上下動できる。載置台４６０の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔４７３が形成されおり、昇降ピン４７１は、貫通孔４７３を挿通するようになっている。
【０１５０】
また、蓋体４６１の天井面には、ウェハＷ上に密着剤の蒸気と水蒸気を供給するガス供給管４９０が設けられている。ガス供給管４９０には、密着剤の蒸気を供給する密着剤供給源４９１と、水蒸気を供給する水蒸気供給源４９２が接続されている。また、ガス供給管４９０には、密着剤供給源４９１から供給される密着剤の蒸気と、水蒸気供給源４９２から供給される水蒸気の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４９３が設けられている。
【０１５１】
密着剤供給源４９１は、内部に液体状の密着剤を貯留している。また、密着剤剤供給源４９１には、当該密着剤供給源４９１内に窒素ガスを供給するガス供給管（図示せず）が接続されている。密着剤供給源４９１では、内部に窒素ガスが供給されることで液体状の密着剤が気化して、密着剤の蒸気が生成される。この密着剤の蒸気は、前記窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給管４９０に供給さる。
【０１５２】
水蒸気供給源４９２は、例えば内部に水を貯留している。そして、例えばこの水を加熱して気化させて、水蒸気が生成される。
【０１５３】
蓋体４６１の側面には、処理空間Ｋの雰囲気を排気する排気管４９４が接続されている。排気管４９４には、処理空間Ｋの雰囲気を真空引きする排気ポンプ４９５が接続されている。
【０１５４】
かかる構成を有する成膜ユニット４５０を用いて密着剤を第１のレジスト膜Ｒ１の表面に成膜するには、たとえば図２０に示した工程Ａ９の後に、ウェハＷが塗布ユニット４５０に搬送される。搬送されたウェハＷは、昇降ピン４７１に受け渡され、載置台４６０に載置される。このとき、載置台４６０上のウェハＷは、温度制御板４７０によって所定の温度、例えば５０℃に温度調節される。続いて、蓋体４６１が下降し、当該蓋体４６１と載置台４６０とで密閉された処理空間Ｋが形成される。その後、ガス供給管４９０から処理空間Ｋに密着剤の蒸気が供給される。供給された密着剤の蒸気は、ウェハＷの表面上に堆積する。その後、ガス供給管４９０から処理空間Ｋに水蒸気が供給され、当該水蒸気はウェハＷ上に堆積した密着剤に供給される。
【０１５５】
水蒸気が供給されるとウェハＷ上に堆積した密着剤の分子が加水分解され、さらにウェハＷの表面と密着剤分子が脱水縮合により結合される。これによってウェハＷ上に形成された第１のレジスト膜Ｒ１と、その上に形成される第２のレジスト膜Ｒ２との密着性が向上する。なお、ウェハＷ上に密着剤を成膜した後、処理空間Ｋの雰囲気を不活性ガス、例えば窒素ガスに置換してもよい。
【０１５６】
このように密着剤の蒸気を供給して、ウェハＷ表面に密着剤を成膜する方式によれば、液体の密着剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンスする必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。
【０１５７】
なお上記した例では、載置台４６０上のウェハＷは、温度制御板４７０によって所定の温度、例えば５０℃に温度調節されていたが、必ずしもそのように常温よりも高い温度にウェハＷを温度調整する必要がなく、常温、たとえば２０℃〜２５℃のまま成膜してもよい。
【０１５８】
また上記した例では、積極的に水蒸気を供給して加水分解を促進するようにしたが、そのように積極的に水蒸気を供給しなくとも、周囲の雰囲気中の水分によって、加水分解が行なわれ、前記した脱水縮合による結合反応は実現される。
【０１５９】
なお第１のレジスト膜Ｒ１の塗布にあたっても、レジスト液の蒸気をウェハＷ上に供給して、ウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を形成するようにしてもよい。この場合、第１のレジスト膜Ｒ１は、前記したような密着性を高める効果を有するものが好ましい。
【０１６０】
さらにまた、前記実施の形態では、離型剤塗布ユニット９０を採用し、テンプレートＴの表面に対して、液状の離型剤Ｓを離型剤ノズル３０２により、いわゆるスピンコーティング法によって塗布し、その後焼成して離型剤を成膜するようにしていたが、これに代えて、前記した成膜ユニット４５０のように、離型剤の蒸気をテンプレートＴの表面に供給して成膜する方式の、離型剤成膜ユニットを採用してもよい。
【０１６１】
このような離型剤の蒸気を供給する離型剤成膜ユニットは、構造的には成膜ユニット４５０と同一のものを用いることができ、密着剤供給源４９１に代えて、離型剤（たとえばシランカップリング剤）を貯留した離型剤供給源を使用すればよい。そして水蒸気を供給するための水蒸気供給源４９２は、そのままこれを使用することができる。
【０１６２】
このように離型剤の蒸気を供給して、テンプレートＴ表面に離型剤を成膜する方式によれば、液体の離型剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンス、焼成する必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。
【０１６３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１６４】
１    インプリントシステム
２    ウェハ搬入出ステーション
３    ウェハ処理ステーション
４    インプリント処理ステーション
５    テンプレート処理ステーション
６    テンプレート搬入出ステーション
３０〜３３  レジスト塗布ユニット
４２、４３、５２、５３  加熱ユニット
６０  インプリントユニット
３５０  制御部
４５０  成膜ユニット
Ｅ１、Ｅ２  インプリントブロック
Ｅ３  搬送領域
Ｆ１〜Ｆ６  処理ブロック
Ｃ    転写パターン
Ｐ    レジストパターン
Ｒ１    第１のレジスト膜
Ｒ２    第２のレジスト膜
Ｓ    離型剤
Ｔ    テンプレート
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0005411201.tif 000013
【図１３】
0005411201.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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