(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基材と、
Ｎｉ又はＣｏ系の金属材料を含む溶射電極層と、
Ｎｉ、Ｃｒ又はＣｏの少なくとも１つの金属材料を含む多孔体からなり、前記セラミックス基材と前記溶射電極層の間に挿入された中間溶射層と、を有することを特徴とする電極構造体。
【請求項２】
前記中間溶射層は、グラファイト又は樹脂を含む溶射層であることを特徴とする請求項１に記載の電極構造体。
【請求項３】
前記セラミックス基材は、ハニカム構造を有する担体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極構造体。
【請求項４】
前記中間溶射層のヤング率は、１０〜５０Ｐａであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電極構造体。
【請求項５】
前記中間溶射層の金属部分の面積率は、１０〜５０％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電極構造体。
【請求項６】
前記中間溶射層の厚さは、０．０５〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電極構造体。
【請求項７】
セラミックス基材を用意する工程と、
該セラミックス基材の上に、Ｎｉ、Ｃｒ及びＣｏのいずれか１つと、グラファイト又は樹脂との組み合わせの複合粉末を含む材料を溶射し、多孔体の中間溶射層を形成する工程と、
該中間溶射層の上に、Ｎｉ又はＣｏ系の金属材料を含む材料を溶射し、溶射電極層を形成する工程と、を有することを特徴とする電極構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造体及びその製造方法に関し、特に、セラミックス基材と、Ｎｉ又はＣｏ系の金属材料を含む溶射電極層とを備える電極構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、セラミックスと金属との間に応力緩和層を設けて接合したセラミックスと金属の接合体において、当該応力緩和層が、ニッケル又は銅のいずれかより成る低ヤング率の金属層を基体とし、金属層の中央部に低熱膨張率のタングステンやモリブデン等の金属を分散させた分散層の三層構造から成るセラミックスと金属の接合体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかる特許文献１に記載のセラミックスと金属の接合体は、高温雰囲気下で使用しても、接合界面からの剥離や接合部の緩みを生ぜず、長時間の連続使用を可能とする高い接合強度と優れた耐久性を備えることを目的として、上述のような構成をとっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１３５７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、応力緩和層が三層構造を有するため、その製造工程が複雑であり、また接合部の数が多くなるため、接合面での剥離のおそれも生じるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、簡素な構造と製造方法でありながら、基材に発生する応力を緩和させ、基材の破壊を防止するとともに、高温使用環境下での十分な耐性を有する電極構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る電極構造体は、セラミックス基材と、
Ｎｉ又はＣｏ系の金属材料を含む溶射電極層と、
Ｎｉ、Ｃｒ又はＣｏの少なくとも１つの金属材料を含む多孔体からなり、前記セラミックス基材と前記溶射電極層の間に挿入された中間溶射層と、を有することを特徴とする。
【０００８】
これにより、多孔体からなる中間溶射層をセラミックス基材と溶射電極層との間に設けることにより、セラミックス基材と溶射電極層との熱膨張率の差により生じる応力を緩和させ、基材の破壊を防止することができるとともに、耐熱性の金属材料を中間用溶射層に用いるので、十分な耐熱性を持たせることができる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明に係る電極構造体において、
前記中間溶射層は、グラファイト又は樹脂を含む溶射層であることを特徴とする。
【００１０】
これにより、金属材料を多孔体として構成することができ、複雑な構造や加工を用いることなく、中間溶射層のヤング率を低減させ、応力を緩和する機能を備えさせることができる。
【００１１】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係る電極構造体において、
前記セラミックス基材は、ハニカム構造を有する担体であることを特徴とする。
【００１２】
これにより、電極構造体を、応力等により破壊され易い通電加熱式触媒の担体として利用することができ、加熱と通電により迅速な排ガス処理等の化学的処理を行うことができる。
【００１３】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係る電極構造体において、
前記中間溶射層のヤング率は、１０〜５０Ｐａであることを特徴とする。
【００１４】
これにより、中間溶射層に十分な応力緩和機能を持たせることができ、セラミックス基材の破損を確実に防止することができる。
【００１５】
第５の発明は、第１〜４のいずれかの発明に係る電極構造体において、
前記中間溶射層の金属部分の面積率は、１０〜５０％であることを特徴とする。
【００１６】
これにより、多孔体のポーラス部分の割合を十分に大きくすることができ、中間溶射層に十分な応力緩和機能を持たせることができる。
【００１７】
第６の発明は、第１〜５のいずれかの発明に係る電極構造体において、
前記中間溶射層の厚さは、０．０５〜１ｍｍであることを特徴とする。
【００１８】
これにより、中間溶射層の厚さを十分な厚さとし、溶射電極層から発生する引っ張り応力を十分に吸収することができる。
【００１９】
第７の発明に係る電極構造体の製造方法は、セラミックス基材を用意する工程と、
該セラミックス基材の上に、Ｎｉ、Ｃｒ及びＣｏのいずれか１つと、グラファイト又は樹脂との組み合わせの複合粉末を含む材料を溶射し、多孔体の中間溶射層を形成する工程と、
該中間溶射層の上に、Ｎｉ又はＣｏ系の金属材料を含む材料を溶射し、溶射電極層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
これにより、簡素な工程で、セラミックス基材を応力により破損することなく、耐熱性の高い電極構造体を製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、セラミックス基材を応力により破壊を防止しつつ、高い耐熱性を有する電極構造体とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る電極構造体の全体構成の一例を示した断面図である。
【図２】比較参考例として従来の電極構造体の一例を示した図である。図２（Ａ）は、従来の電極構造体の断面図を示した図である。図２（Ｂ）は、溶射電極層１３０を形成後の従来の電極構造体を模式的に示した図である。
【図３】本実施形態に係る電極構造体の製造方法の一例を示した図である。図３（Ａ）は、セラミックス基材用意工程の一例を示した図である。図３（Ｂ）は、溶射中間層形成工程の一例を示した図である。図３（Ｃ）は、溶射電極層形成工程の一例を示した図である。
【図４】本実施例に係る電極構造体の溶射中間層２０の材料の一例を示した拡大図である。
【図５】本実施例に係る電極構造体の溶射後の溶射中間層２０の状態の一例を示した拡大図である。図５（Ａ）は、溶射中間層２０の表面組織の一例を示した拡大図である。図５（Ｂ）は、電極構造体の断面組織の一例を示した拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態に係る電極構造体の全体構成の一例を示した断面図である。図１において、本実施形態に係る電極構造体は、セラミックス（ＳｉＣ）基材１０と、溶射中間層２０と、溶射電極層３０とを備える。
【００２５】
本実施形態に係る電極構造体は、セラミックス基材１０の上に溶射中間層２０が積層され、更に溶射中間層２０の上に溶射電極層３０が形成された３層構造となっている。
【００２６】
セラミックス基材１０は、ＳｉＣ（Silicon  Carbide、炭化ケイ素）からなる基材である。セラミックス基材１０は、ハニカム構造体として構成され、六角柱の多孔体が配列された蜂の巣のような構造を有する。セラミックス基材１０は、かかるハニカム構造により、孔に触媒を空気と連通可能に担持することができ、触媒の担体として用いることができる。ＳｉＣ自体は、応力に対しても十分な強度を有する材料であるが、セラミックス基材１０は、上述の多孔性のハニカム構造を有するため、応力に弱く、破損し易い状態で構成されることになる。
【００２７】
溶射電極層３０は、溶射により形成される導電膜である。溶射電極層３０は、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉを含む金属材料から構成され、例えば、Ｃｏ合金系、Ｎｉ−高Ｃｒ合金系を含むＮｉ系合金等の金属材料から構成される。本実施形態に係る電極構造体は、−４０℃〜９５０℃程度の温度変化が発生する環境下での使用を想定しており、溶射電極層３０は、そのような高温の９５０℃程度の温度に耐えて、電極として機能できる性質を有することが要求される。具体的には、必要な電気伝導性を有しつつ、耐熱性及び耐酸化性を有することが要求される。
【００２８】
溶射電極層３０は、表面に端子を取り付けることが可能なように、厚さとしては４００μｍ以上の厚さで形成されてよい。なお、端子は、例えば、ステンレス等の金属材料が用いられて、溶射電極層３０の表面に接合されて設けられてよい。
【００２９】
溶射電極層３０は、溶射により形成される。溶射は、金属材料を加熱溶融させて微粒子状にし、溶融した微粒子状の金属材料を被覆対象物に吹き付けて衝突させ、扁平につぶれた微粒子を凝固・堆積することにより皮膜を形成する。溶射により溶射電極層３０を形成すると、溶射電極層３０が凝固したときには、溶融時よりも体積が小さくなり、溶射電極層３０が縮まる方向に引っ張り応力が発生する。ここで、溶射電極層３０の材料として用いられるＣｏ、Ｎｉ合金の線膨張係数は、１３×１０−６／℃であり、セラミックス基材１０の材料として用いられるＳｉＣの線膨張係数は４×１０−６／℃であるから、両者の間には大きな線膨張係数の差がある。
【００３０】
図２は、比較参考例として従来の電極構造体の一例を示した図である。図２（Ａ）は、従来の電極構造体の断面構成を示した図である。図２（Ａ）において、セラミックス基材１１０の上に、溶射電極層１３０が形成されている。溶射電極層１３０は、上述のように、溶射によりセラミックス基材１１０の上に積層して形成される。
【００３１】
図２（Ｂ）は、溶射電極層１３０を形成後の従来の電極構造体を模式的に示した図である。図２（Ａ）で説明したように、セラミックス基材１１０上に直接形成された溶射電極層１３０は、急冷凝固する過程で、引っ張りの内部応力を蓄積し、セラミックス基材１３０に引っ張り応力を加える。この場合、溶射電極層１３０の厚さがあまり厚くなければ、セラミックス基材１３０は、引っ張り応力に耐えることができるが、溶射電極層１３０が厚く形成され、例えば、４００μｍ以上の厚さに形成された場合には、セラミックス基材１３０は、加えられた引っ張り応力に耐えることができなくなる。その場合には、図２（Ｂ）に示すように、セラミックス基材１３０が破壊されてしまい、電極構造体として製作することができなくなってしまう。
【００３２】
図１に戻る。そこで、本実施形態に係る電極構造体においては、図１に示すように、セラミックス基材１０と、溶射電極層３０との間に、溶射中間層２０を挿入した構成としている。
【００３３】
溶射中間層２０は、複数のポーラス（孔又は気孔）を有する多孔体として構成された溶射層である。多孔体として構成されているため、金属材料から構成されていても、溶射電極層３０のように、緻密な連続体からなる通常の溶射皮膜とは異なり、ヤング率の低い、弾性を有する溶射皮膜として構成することができる。
【００３４】
溶射中間層２０は、上述の９５０℃程度の高温に耐えることができる耐酸化性と電気伝導性を有する金属材料を用いることができ、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ系合金等を用いることができる。これらの金属材料を、グラファイト又は樹脂との複合粉末又は混合粉末とすることにより、溶射材料とすることができる。例えば、Ｎｉ−グラファイト、Ｃｒ−グラファイト、Ｎｉ−ポリエステル、Ｃｒ−ポリエステルの複合粉末、Ｃｏ系合金とポリエステルの複合粉末等を溶射材料として用いることができる。また、これらの複合粉末と、溶射電極層３０の金属材料として用いられているＣｏ又はＮｉ合金との混合粉末を溶射材料として用いてもよい。
【００３５】
つまり、溶射層の金属を、通常の溶射皮膜のように緻密な連続体とせず、グラファイトやポリエステル等の変形能が大きく、高温（例えば、９５０℃）で昇華する材料をＮｉ、Ｃｒ又はＣｏ系合金と複合化して溶射することで、金属が連続的に堆積せず、ポーラスを含む皮膜を得ることができる。そして、この皮膜を、セラミックス基材１０と溶射電極層３０との間に挿入して設けることにより、セラミックス基材１０と溶射電極層３０との応力緩和を、組成ではなく皮膜構造により達成することができる。
【００３６】
ここで、高温で昇華する材料をＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ合金との複合材料として選択するのは、溶射中間層２０をポーラス構造に構成した後は、グラファイトやポリエステル等の材料は、消滅させることができるのであれば、消滅させることが好ましいからである。つまり、本実施形態に係る電極構造体は、９５０℃程度の高温の環境下で使用されることが考えられるが、そのような高温下での使用中に、グラファイトやポリエステル等の一部が昇華して固体から気体となり、消滅してしまうのであれば、その方が好ましいからである。グラファイトやポリエステル等の非金属の材料は、溶射中間層２０内の金属が溶射中に密に配置されることを防ぎ、ポーラス構造の形成に寄与するが、それ以外には特に溶射中間層２０の機能に付加価値を生み出すものではない。むしろ、溶射中間層２０は、溶射電極層３０から供給された電流をセラミックス基材１０に通電する役割があるため、電気伝導性は高い方が好ましく、半金属的なグラファイトや、絶縁体の樹脂が残るよりは、消滅する方が好ましい。よって、Ｎｉ、Ｃｒ又はＣｏ系合金と複合粉末を構成して後に溶射中間層２０となる材料は、高温で昇華する材料を選択するようにしてもよい。
【００３７】
また、Ｎｉ、Ｃｒ又はＣｏ系合金とグラファイト又はポリエステルとを複合化して複合粉末としたのは、単なる粉末の混合では、比重差のため、均一なポーラスを有する溶射皮膜を得ることが困難であるからである。よって、本実施例に係る電極構造体及びその製造方法においては、グラファイト又はポリエステルの粒子を、Ｎｉ、Ｃｒ又はＣｏ系合金でめっきしたり、造粒化した複合粉末を用いることとしている。
【００３８】
溶射中間層２０のヤング率は、例えば、１０〜５０ＧＰａの範囲であってもよい。溶射電極層３０のヤング率は、１００〜２００ＧＰａの範囲にある場合が多いので、溶射中間層２０は、溶射電極層３０の１／２０〜１／２のヤング率を有することとなり、溶射電極層３０で発生した引っ張り応力を大幅に緩和することが可能となる。
【００３９】
溶射中間層２０の金属部分の面積率は、例えば、１０〜５０％の範囲であってもよい。溶射電極層３０は、金属部分がほぼ１００％であるので、溶射中間層２０は、溶射電極層３０と比較すると、ポーラスが多い多孔体の構造を有しており、引っ張り応力を十分に緩和できる構造となっている。
【００４０】
溶射中間層２０の膜厚は、例えば、０．０５〜１ｍｍの範囲であってもよく、好ましくは、０．１〜１ｍｍの範囲であってもよい。溶射中間層２０の膜厚は、厚ければ厚い程確実に応力緩和力を高めることができるが、ヤング率が十分に低い材料を用いることにより、必要な膜厚を薄くすることができる。このように、溶射中間層２０の膜厚は、溶射中間層２０のヤング率との関係で定められてよく、溶射電極層３０に加わる引っ張り応力を目標値以下とすることができれば、用途に応じて種々の厚さに構成することができる。
【００４１】
次に、本実施形態に係る電極構造体の製造方法の一例について説明する。図３は、本実施形態に係る電極構造体の製造方法の一例を示した図である。
【００４２】
図３（Ａ）は、セラミックス基材用意工程の一例を示した図である。セラミックス基材用意工程においては、電極形成の対象となるセラミックス基材１０が用意される。セラミックス基材１０は、例えば、ＥＨＣ（Electrical  Heated  Catalyst、電気加熱触媒）用セラミックス担体が用いられ、多孔体として構成されていてもよい。また、多孔体の構造は、種々の構造体であってよいが、例えば、ハニカム構造体であってもよい。
【００４３】
図３（Ｂ）は、溶射中間層形成工程の一例を示した図である。溶射中間層形成工程においては、セラミックス基材１０の上に、溶射中間層２０が積層形成される。溶射中間層２０に用いられる材料は、Ｎｉ、Ｃｒ及びＣｏ系金属のいずれか１つと、グラファイト又はポリエステル等の樹脂との複合粉末を含む材料が用いられる。具体的には、例えば、Ｎｉ−グラファイト、Ｃｒ−グラファイト、Ｎｉ−ポリエステル、Ｃｒ−ポリエステルのいずれかの複合粉末であってもよいし、これらの複合粉末と、溶射電極層３０の材料であるＣｏ又はＮｉ合金との混合粉末であってもよい。
【００４４】
なお、ＥＨＣ用の電極構造体としては、ショットキー特性（半導体と金属との間で、電流が流れやすい性質）が必要で、ＳｉＣ基材１０に対しては、Ｎｉが有効であると言われている。しかしながら、純Ｎｉの場合、高温酸化耐性がやや劣るため、酸化耐性を改善したＮｉ−高Ｃｒ合金粉末と、Ｎｉ−グラファイト複合粉末とを混合し、溶射中間層２０の材料としてもよい。ここで、Ｎｉ−高Ｃｒ合金は、Ｃｒ含有率が３０％以上の合金であり、酸化耐性が向上した性質を有する。また、Ｎｉ−高Ｃｒ合金に混合する複合粉末としては、Ｃｒ−グラファイト複合粉末を用いることも有効である。このような混合粉末の場合、その配合比により、気孔率及びヤング率を調整することができる。
【００４５】
このような材料を用いて、溶射により溶射中間層２０の形成を行うが、溶射は、例えば、材料を２０００℃に加熱して溶融し、溶融した材料をセラミック基材１０に衝突させて冷却凝固することにより行われる。溶射は、極めて短時間で行われるので、グラファイトやポリエステルが昇華することなく、金属材料が適度な間隔を保つ役割を果たし、ポーラス状の溶射中間層２０が形成される。溶射中間層２０の特性は、例えば、図１において説明した特性であってよい。
【００４６】
溶射中間層２０の形成により、十分な応力緩和力を有する導電膜が、セラミック基板１０上に形成されることになる。
【００４７】
図３（Ｃ）は、溶射電極層形成工程の一例を示した図である。溶射電極層形成工程においては、溶射中間層２０の上に、溶射電極層３０が積層形成される。溶射電極層３０の形成は、Ｃｏ、Ｎｉ合金系の金属材料を用いて、通常の溶射により形成されてよい。例えば、溶射時の粒子温度も、溶射中間層２０の形成時と同様に、２０００℃程度であってよい。Ｃｏ、Ｎｉ系合金の線膨張係数は１３×１０−６／℃であり、ＳｉＣの線膨張係数４×１０−６／℃と大きな差があり、両者の直接積層だと、急冷凝固時に、大きな引っ張り応力を生じるが、溶射中間層２０を介しているため、応力が溶射中間層２０に吸収され、セラミックス基板１０には、応力は殆ど伝達されない。なお、Ｃｏ、Ｎｉ合金系のヤング率は１００〜２００ＧＰａであるが、多孔体の溶射中間層２０のヤング率は１０〜５０ＧＰａであるので、大きな応力緩和効果がある。
【００４８】
このように、本実施形態に係る電極構造体の製造方法によれば、何層にも及ぶ複雑な積層構造や、複雑な加工を行うことなく、材料のみ変更した溶射工程を追加することにより、容易に酸化耐性の高い電極構造体を製造することができる。
【実施例】
【００４９】
図４は、本発明の実施例に係る電極構造体の溶射中間層２０の材料の一例を示した拡大図である。本実施例においては、溶射中間層２０の材料として、Ｎｉ−２５ｗｔ％グラファイトの複合粉末を用いた。図４において、Ｎｉ−グラファイト粉末を拡大した図が示されている。なお、本実施例における各構成要素の参照符号は、今まで説明した実施形態に対応する構成要素には、同一の参照符号を付すものとする。
【００５０】
図４において、グラファイト２１の粒子の周囲を、Ｎｉ２２が表面を覆うように被覆された状態が示されている。なお、Ｎｉメッキされたグラファイト２１以外の場所は、空間２３が示されている。このように、グラファイト２１の粒子の周囲を、Ｎｉ２２でメッキしたＮｉ−グラファイトの複合粉末を材料として用いた。
【００５１】
図５は、本実施例に係る電極構造体の溶射後の溶射中間層２０の状態の一例を示した拡大図である。図５（Ａ）は、溶射中間層２０の表面組織の一例を示した拡大図であり、図５（Ｂ）は、電極構造体の断面組織の一例を示した拡大図である。
【００５２】
図５（Ａ）において、Ｎｉ２２と、グラファイト２１がランダムに分散して存在している状態が示されている。Ｎｉ２２及びグラファイト２１は、ほぼ均一に分散しており、また両者の存在しない場所は、ポーラス２４となっている。
【００５３】
このように、溶射中間層２０は、ポーラス２４を含む構造を有し、これにより、低ヤング率を実現できる構造となっていることが分かる。
【００５４】
図５（Ｂ）において、電極構造体の断面構成拡大図が示されており、図１で示した構成と同様に、下層から順に、セラミックス基板１０と、溶射中間層２０と、溶射電極層３０が積層されている。溶射中間層２０の皮膜に着目すると、分散したＮｉ２２が白い部分で示されている。その他の部分は、ポーラス２４及びグラファイト２１であり、溶射中間層２０が、Ｎｉ２２を分散させた多孔体構造を有することが分かる。これにより、溶射電極層３０とセラミックス基板１０との線膨張係数の差から生じる引っ張り応力を、溶射中間層２０で緩和吸収することができる。
【００５５】
なお、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す溶射中間層２０の皮膜のヤング率を測定した結果、約３０ＧＰａであり、応力緩和層として有効であることが確認できた。
【００５６】
また、この溶射中間層２０の皮膜の上に、Ｃｏ合金、Ｎｉ−高Ｃｒ合金をＨＶＯＦ溶射（High  Velocity  Oxygen  Fuel、高速フレーム溶射）にて４００μｍ形成させ、ＲＴ（Room  Temperature、室温）９５０℃で熱サイクル試験を行った結果、セラミック基材１０、溶射電極層３０の皮膜に割れ等の異常は観察されなかった。
【００５７】
このように、本実施例に係る電極構造体により、本実施形態に係る電極構造体及びその製造方法が、セラミック基材１０の破壊を有効に防止できることが示された。
【００５８】
なお、本実施例においては、Ｎｉ−グラファイトの複合粉末の例を挙げて説明したが、樹脂を用いた複合粉末や、ＣｒやＣｏ系合金を用いた場合も、図４に示したように、グラファイト又は樹脂の粒子の周囲を、金属材料がメッキしたように被覆した複合粉末の材料となる。また、溶射後も、図５（Ａ）、（Ｂ）に示したような、金属材料が均一に分散するとともに、ポーラス２４及びグラファイト２１又は樹脂が存在した多孔体構造となる。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、高温環境下で用いる電極が必要なセラミックス部品に幅広く利用することができ、例えば、電気加熱型触媒用セラミック担体等に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１０、１１０    セラミックス基材
２０    溶射中間層
２１    グラファイト
２２    Ｎｉ
２３    空間
２４    ポーラス
３０、１３０    溶射電極層
【図１】
0005487949.tif 000002
【図２】
0005487949.tif 000003
【図３】
0005487949.tif 000004
【図４】
0005487949.tif 000005
【図５】
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