(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、
紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を表面に有する保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
第１のチャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持する第１のウエーハ保持工程と、
該第１のチャックテーブルで保持されたウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に対応するウエーハの裏面に切削ブレードを位置づけてウエーハを円形に切削することにより、該デバイス領域と該外周余剰領域とを分離するウエーハ分離工程と、
第２のチャックテーブルで該ウエーハ分離工程が実施されたウエーハの該保護テープ側を吸引保持する第２のウエーハ保持工程と、
該第２のチャックテーブルで保持されたウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程実施後、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を表面に有するダイシングテープにウエーハの裏面を貼着するとともに、該ダイシングテープの外周部分を環状フレームに貼着してウエーハを該環状フレームで支持するウエーハ支持工程と、
該保護テープの裏面から紫外線を照射して保護テープの粘着力を低下させてから、該保護テープをウエーハの表面から剥離し、該デバイス領域と該外周余剰領域とを有するウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
該移し替え工程実施後、第３のチャックテーブルでウエーハを該ダイシングテープを介して吸引保持する第３のウエーハ保持工程と、
該第３のチャックテーブルで保持されたウエーハの該外周余剰領域が該デバイス領域を囲繞した状態で該デバイス領域及び該外周余剰領域を該分割予定ラインに沿って切削してウエーハの該デバイス領域を個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ，ＬＳＩ等のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域にそれぞれ形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハは、裏面が研削されて所定の厚さに薄化された後、ダイシング装置（切削装置）によって分割予定ラインに沿って切削することにより個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
ところで、半導体ウエーハには、半導体ウエーハ前半プロセス中におけるウエーハの割れや発塵防止のために、ウエーハの外周に面取り部が形成されている。よって、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると、ウエーハの外周に形成された面取り部が鋭利なナイフエッジ状になり、ウエーハが破損し易くなると共にオペレーターがナイフエッジで負傷する恐れがあるという問題がある。そこで、ウエーハの裏面を研削する前にウエーハの外周に形成された面取り部を除去する技術が特許第３５１５９１７号公報で提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３５１５９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウエーハの外周から面取り部を除去するために、特許文献１に開示されたようにウエーハの表面に切削ブレードの切刃を位置づけてウエーハを切削すると、ウエーハの表面に形成されたデバイスが切削屑で汚染されるという問題がある。
【０００６】
また、ウエーハの外周を円形に切削して面取り部を除去すると、ウエーハの外周が垂直な断面に形成されることから、研削工程でウエーハの裏面を研削するとウエーハの外周が研削砥石の衝撃を受け欠けが生じ易いという問題がある。
【０００７】
更に、薄く形成されたウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持するようにした後、分割予定ラインに切削ブレードを位置づけてダイシングすると、ウエーハの外周に欠けが生じて外周に位置するデバイスの品質が低下するという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの表面を切削屑で汚染しないとともにウエーハの外周に欠けを生じさせないウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によると、複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を表面に有する保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、第１のチャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持する第１のウエーハ保持工程と、該第１のチャックテーブルで保持されたウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に対応するウエーハの裏面に切削ブレードを位置づけてウエーハを円形に切削することにより、該デバイス領域と該外周余剰領域とを分離するウエーハ分離工程と、第２のチャックテーブルで該ウエーハ分離工程が実施されたウエーハの該保護テープ側を吸引保持する第２のウエーハ保持工程と、該第２のチャックテーブルで保持されたウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、該裏面研削工程実施後、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を表面に有するダイシングテープにウエーハの裏面を貼着するとともに、該ダイシングテープの外周部分を環状フレームに貼着してウエーハを該環状フレームで支持するウエーハ支持工程と、該保護テープの裏面から紫外線を照射して保護テープの粘着力を低下させてから、該保護テープをウエーハの表面から剥離し、該デバイス領域と該外周余剰領域とを有するウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、該移し替え工程実施後、第３のチャックテーブルでウエーハを該ダイシングテープを介して吸引保持する第３のウエーハ保持工程と、該第３のチャックテーブルで保持されたウエーハの該外周余剰領域が該デバイス領域を囲繞した状態で該デバイス領域及び該外周余剰領域を該分割予定ラインに沿って切削してウエーハの該デバイス領域を個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、ウエーハの表面に保護テープを貼着した後、ウエーハの裏面からデバイス領域と外周余剰領域の境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを円形に切削してデバイス領域と外周余剰領域とを分離するウエーハ分離工程を実施するので、ウエーハの表面を切削屑により汚染することがない。
【００１１】
また、外周余剰領域がデバイス領域を囲繞したまま保護テープに貼着された状態でウエーハの裏面を研削するので、研削砥石の衝撃はウエーハのデバイス領域の外周エッジ部分で緩和され、ウエーハの外周に欠けを生じさせることがない。
【００１２】
更に、ウエーハを個々のデバイスに分割する際は、外周余剰領域がデバイス領域を囲繞した状態で外周余剰領域と共にデバイス領域の分割予定ラインを切削ブレードで切削するので、デバイス領域の外周に生じる微振動が抑制されてデバイス領域に欠けが生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】保護テープ貼着工程を示す斜視図である。
【図２】チャックテーブルでウエーハを保持するウエーハ保持工程を示す斜視図である。
【図３】切削ブレードでデバイス領域と外周余剰領域との境界部を円形に切削するウエーハ分離工程を示す斜視図である。
【図４】ウエーハ分離工程を示す断面図である。
【図５】裏面研削工程を示す斜視図である。
【図６】裏面研削工程後のウエーハの断面図である。
【図７】ウエーハ支持工程の説明図である。
【図８】紫外線照射工程を示す説明図である。
【図９】保護テープ剥離工程を示す斜視図である。
【図１０】ウエーハ分割工程の説明図である。
【図１１】ピックアップ工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１に示した半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１５】
このように構成されたウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９を備えている。また、ウエーハ１１の外周にはシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００１６】
本発明のウエーハ加工方法では、ウエーハ１１の表面１１ａに形成されたデバイス１５を保護するために、図１に示すようにウエーハ１１の表面１１ａに保護テープ２３が貼着される。この保護テープ２３は、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を有する保護テープ、即ち紫外線硬化型保護テープである。
【００１７】
次いで、図２に示すように切削装置のチャックテーブル１０で保護テープ２３側を吸引保持し、デバイス領域１７と外周余剰領域１９との境界部を切削して円形分離溝を形成するウエーハ分離工程を実施する。
【００１８】
このウエーハ分離工程では、図３に示すようにチャックテーブル１０で保護テープ２３側が吸引保持されるため、ウエーハ１１の裏面１１ｂが露出する。切削ユニット１２のスピンドルハウジング１４中に回転可能に収容されたスピンドル１６の先端には切削ブレード１８が装着されており、切削ブレード１８は図示しないモータにより矢印Ａ方向に高速で回転される。
【００１９】
そして、ウエーハ１１のデバイス領域１７と外周余剰領域１９との境界部に対応するウエーハ１１の裏面１１ｂに高速回転している切削ブレード１８を位置付け、チャックテーブル１０を矢印Ｂ方向に低速で回転させながらデバイス領域１７と外周余剰領域１９との境界部を図４に示すように保護テープ２３に至る深さまで切削して円形の分離溝２０を形成し、デバイス領域１７からリング状の外周余剰領域１９を切り離す。図４において２２は面取り部を示している。
【００２０】
切削ブレード１８でウエーハ１１のデバイス領域１７と外周余剰領域１９の境界部を円形に切削するウエーハ分離工程では、ウエーハの切削屑が飛散するが、ウエーハ１１の表面１１ａは保護テープ２３で保護されているため、ウエーハ１１の表面が切削屑により汚染されることがない。
【００２１】
ウエーハ分離工程を実施後、研削装置を用いてウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する裏面研削工程を実施する。即ち、図５に示すように、研削装置のチャックテーブル２４で保護テープ２３側を吸引保持し、円形分離溝２０が形成されたウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００２２】
図５において、研削装置のスピンドル２８の先端部にはホイールマウント３０が固定されており、このホイールマウント３０には研削ホイール２６がねじ３１で装着されている。研削ホイール２６は、環状基台３２の自由端部に例えば粒径０．３〜１．０μｍのダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石３４が固着されて構成されている。
【００２３】
この裏面研削工程では、チャックテーブル２４を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール２６をチャックテーブル２４と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に６０００ｒｐｍで回転させると共に、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石３４をウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００２４】
そして、研削ホイール２６を所定の研削送り速度（例えば３〜５μｍ／秒）で下方に所定量研削送りして、ウエーハ１１のデバイス領域１７及び外周余剰領域１９に対応する裏面１１ｂを研削する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ１１の厚みを測定しながらウエーハ１１を所望の厚み、例えば５０μｍに仕上げる。
【００２５】
裏面研削の終了した状態のウエーハ１１の断面図が図６に示されている。本実施形態の裏面研削工程では、外周余剰領域１９を保護テープ２３に貼着したまま研削を遂行するため、研削砥石３４が当たる外周余剰領域１９のエッジ部分は衝撃を受けて欠けが生じ易くなるが、デバイス領域１７のエッジ部分は外周余剰領域１９が存在するため、研削砥石３４の衝撃が緩和されてデバイス領域１７の外周に欠けが生じることがない。
【００２６】
ウエーハ１１が薄く研削されると、面取り部２２は符号２２ａで示すようにナイフエッジ形状となり欠けが生じ易いが、外周余剰領域１９は後で廃棄されるため問題となることはない。
【００２７】
裏面研削工程実施後、ウエーハ１１をダイシングテープＴを介して環状フレームＦで支持するウエーハ支持工程を実施する。このウエーハ支持工程は、図７に示すように外周部分が環状フレームＦに貼着されているダイシングテープＴに、表面１１ａに保護テープ２３が貼着されている状態のウエーハ１１の裏面１１ｂを貼着することにより実施する。
【００２８】
ダイシングテープＴは、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を有する粘着テープ、即ち紫外線硬化型粘着テープである。ウエーハ支持工程を実施したことにより、ウエーハ１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦで支持されたことになる。
【００２９】
ウエーハ１１をダイシングテープＴを介して環状フレームＦで支持した後、図８に示すように保護テープ２３の裏面側から紫外線を照射して保護テープ２３の粘着力を低下させてから、図９に示すように保護テープ２３をウエーハ１１から剥離する。
【００３０】
図７に示すウエーハ保持工程、図８に示す紫外線照射工程及び図９に示す保護テープ剥離工程を合わせた工程を、デバイス領域１７と外周余剰領域１９を有するウエーハ１１をダイシングテープＴに移し替える移し替え工程と称する。
【００３１】
次いで、図３に示すような切削装置のチャックテーブル１０でダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、図１０に示すように切削ブレード１８Ａを矢印Ａ方向に高速回転させながらウエーハ１１に切り込ませると共に、図示しないチャックテーブルを矢印Ｘ１方向に加工送りしてデバイス領域１７及び外周余剰領域１９を分割予定ライン１３に沿って切削して切削溝４０を形成する。
【００３２】
第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝４０を形成したならば、チャックテーブル１０を９０度回転してから第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って同様な切削溝４０を形成することにより、ウエーハ１１のデバイス領域１７を個々のデバイス１５に分割する（ウエーハ分割工程）。
【００３３】
本実施形態のウエーハ分割工程では、外周余剰領域１９がデバイス領域１７を囲繞した状態で外周余剰領域１９と共にデバイス領域１７の分割予定ライン１３を切削ブレード１８Ａで切削するので、切削の際にデバイス領域１７の外周に生じる微振動が抑制されデバイス領域１７に欠けが生じることが無い。
【００３４】
ウエーハ分割工程が終了したウエーハ１１は、次いでデバイスピックアップ工程に供され、個々のデバイス１５がダイシングテープＴからピックアップされる。デバイスピックアップ工程では、図１１に示すようなテープ拡張装置４２によりダイシングテープＴを半径方向に拡張し、ピックアップしようとするデバイス間の間隙を広げてからデバイス１５をピックアップする。
【００３５】
図１１（Ａ）に示すように、テープ拡張装置４２は固定円筒４４と、固定円筒４４の外側に配置された駆動手段により上下方向に移動される移動円筒４６とから構成される。分割済みのウエーハ１１を支持した環状フレームＦを移動円筒４６上に搭載し、クランプ４８で固定する。この時、固定円筒４４の上面と移動円筒４６の上面とは概略同一平面状に保持されている。
【００３６】
図１１（Ａ）で矢印Ａ方向に移動円筒４６を移動すると、移動円筒４６は図１１（Ｂ）に示すように固定円筒４４に対して降下し、それに伴いダイシングテープＴは半径方向に拡張される。
【００３７】
次いで、ダイシングテープＴの下側からダイシングテープＴに紫外線を照射すると、ダイシングテープＴの粘着力が低下する。よって、ピックアップ装置５０による個々のデバイス１５のピックアップ作業を容易に且つ円滑に行うことができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０    チャックテーブル
１１    半導体ウエーハ
１２    切削ユニット
１５    デバイス
１７    デバイス領域
１８    切削ブレード
１９    外周余剰領域
２０    円形切削溝
２２    面取り部
２３    保護テープ
２４    チャックテーブル
２６    研削ホイール
３４    研削砥石
Ｔ    ダイシングテープ
Ｆ    環状フレーム
４２    テープ拡張装置
５０    ピックアップ装置
【図１】
0005545624.tif 000002
【図２】
0005545624.tif 000003
【図３】
0005545624.tif 000004
【図４】
0005545624.tif 000005
【図５】
0005545624.tif 000006
【図６】
0005545624.tif 000007
【図７】
0005545624.tif 000008
【図８】
0005545624.tif 000009
【図９】
0005545624.tif 000010
【図１０】
0005545624.tif 000011
【図１１】
0005545624.tif 000012