(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶ウェーハの静電気除去を行った後に、水銀プローブを介して高周波を供給し前記シリコン単結晶ウェーハに逆バイアス電圧を印加することにより空乏層を形成させ、前記逆バイアス電圧と前記空乏層の容量からＣ−Ｖ特性を測定するＣ−Ｖ特性測定方法であって、
前記シリコン単結晶ウェーハがｎ型であり、
紫外線の光源と前記ｎ型シリコン単結晶ウェーハの間に、オゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記ｎ型シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成させることを特徴とするＣ−Ｖ特性測定方法。
【請求項２】
前記シリコン単結晶ウェーハの抵抗率が０．２Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＣ−Ｖ特性測定方法。
【請求項３】
オゾンガスを用いて前記シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成させた後に、静電気除去を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣ−Ｖ特性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣ−Ｖ特性測定方法に関し、より詳しくは、水銀プローブを用いてシリコン単結晶ウェーハのＣ−Ｖ特性を測定する測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン単結晶ウェーハの抵抗率を測定する方法として、Ｃ−Ｖ（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  −  ｖｏｌｔａｇｅ）特性を測定する方法が知られている。Ｃ−Ｖ特性を測定するには、試料となるシリコン単結晶ウェーハの表面にショットキー接合を形成し、逆バイアス電圧を連続的に変化させながら印加することによりシリコン単結晶ウェーハの内部に空乏層を拡げて容量を変化させる。シリコン単結晶ウェーハの表面にショットキー接合を形成するために、例えば水銀電極が用いられる。
【０００３】
水銀電極を用いてシリコン単結晶ウェーハのＣ−Ｖ特性を測定するための水銀プローブは、公知である。例えば、特許文献１には、頭部接触水銀プローブを用いることで、シリコン単結晶ウェーハの電気的特性を該ウェーハに対する汚れおよび表面欠陥を生ずることなく測定可能にするシリコン単結晶ウェーハの電気的特性測定のための水銀プローブが開示される。当該水銀プローブでは、電極となる水銀がシリコン単結晶ウェーハに上方から接触するように配置される。
【０００４】
また、特許文献２には、シリコン単結晶ウェーハの主面を下向きにして保持し、電極の水銀を下方から上方向に半導体シリコン単結晶ウェーハに接触させる水銀プローブが開示される。
【０００５】
試料となるシリコン単結晶ウェーハがｎ型の場合、予めシリコン単結晶ウェーハの表面を酸化して薄い酸化珪素膜を形成させ、この酸化珪素膜上に水銀電極を接触させることにより、Ｃ−Ｖ特性を測定することができる。
【０００６】
シリコン単結晶ウェーハ表面への薄い酸化珪素膜の形成方法は、例えば非特許文献１には、過酸化水素などの酸化剤を含有する溶液にウェーハを数分間浸漬させた後にリンスと乾燥を行う方法が開示される。また、特許文献３には、シリコン単結晶ウェーハを酸素含有雰囲気中で紫外光に曝すことにより、シリコン単結晶ウェーハの表面をオゾンガスで酸化する方法が開示される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−１４０４７８号公報
【特許文献２】ＵＳ７，２５３，６４９号公報
【特許文献３】特表２００２−５１６４８６号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ＡＳＴＭ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ  Ｆ１３９２−０２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、シリコン単結晶ウェーハを酸化した後に、水銀電極を用いて前記シリコン単結晶ウェーハのＣ−Ｖ特性を繰返し測定すると、Ｃ−Ｖ特性から算出される抵抗率が経時変化して、だんだんと低くなる傾向がある。特に、抵抗率が０．２Ωｃｍ以下の低抵抗率のｎ型シリコン単結晶ウェーハの表面をオゾンガスで酸化した場合はその傾向が顕著である。
【００１０】
本発明は上記課題を解決するために為されたものであり、水銀電極を用いてシリコン単結晶ウェーハを繰返し測定する際、抵抗率の経時変化を従来よりも抑制することのできるＣ−Ｖ特性測定方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本Ｃ−Ｖ特性測定システムは、水銀を電極としてシリコン単結晶ウェーハに接触させる水銀プローブと、該水銀プローブを介して高周波を供給し前記シリコン単結晶ウェーハに逆バイアス電圧を印加することにより空乏層を形成させるとともに該空乏層の容量を計測するＬＣＲメータと、前記逆バイアス電圧と前記空乏層の容量からＣ−Ｖ特性を算出する解析ソフトウエアと、前記シリコン単結晶ウェーハの静電気除去を行う静電気除去装置とを有することを特徴とする。
【００１２】
本Ｃ−Ｖ特性測定システムは、前記シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成させるオゾンガス発生装置をさらに有することが望ましい。
【００１３】
本発明のＣ−Ｖ特性測定方法は、シリコン単結晶ウェーハの静電気除去を行った後に、水銀プローブを介して高周波を供給し前記シリコン単結晶ウェーハに逆バイアス電圧を印加することにより空乏層を形成させ、前記逆バイアス電圧と前記空乏層の容量からＣ−Ｖ特性を測定するＣ−Ｖ特性測定方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハがｎ型であり、紫外線の光源と前記ｎ型シリコン単結晶ウェーハの間に、オゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記ｎ型シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成させることを特徴とする。
【００１４】
前記シリコン単結晶ウェーハは例えばｎ型である。前記シリコン単結晶ウェーハが０．２Ωｃｍ以下の場合、特に有効である。また、前記シリコン単結晶ウェーハがｎ型の場合、オゾンガスを用いて前記シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成させた後で、静電気除去を行うことが望ましい。
【００１５】
本発明のＣ−Ｖ特性測定方法において、紫外線の光源と前記ｎ型シリコン単結晶ウェーハの間に、オゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記ｎ型シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成させるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のＣ−Ｖ特性測定方法によると、水銀電極を用いてシリコン単結晶ウェーハを繰返し測定する際、抵抗率に影響を及ぼす静電気を予め除去することにより抵抗率の経時変化を抑制することができるので、従来よりも安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本Ｃ−Ｖ特性測定システムの一例を示す概略図である。
【図２】本発明において使用されるオゾンガス発生装置の一例を示す概略図である。
【図３】シリコン単結晶ウェーハの主表面における静電気の帯電状態（ａ）と放電状態（ｂ）を示す概略説明図である。
【図４】シリコン単結晶ウェーハにおけるＣ−Ｖ特性測定時の静電気の帯電状態（ａ）と放電状態（ｂ）の静電気により形成される空乏層に対する影響を示す概略説明図である。
【図５】静電気により形成される空乏層の容量と、逆バイアス電圧を印加して形成される空乏層の容量の関係を示す概略説明図であり、（ａ）は帯電状態及び（ｂ）は放電状態をそれぞれ示す。
【図６】シリコン単結晶ウェーハの主表面における静電気の除電の態様を示す概略説明図で、（ａ）は帯電状態及び（ｂ）は除電後の状態をそれぞれ示す。
【図７】本発明において使用される静電気除去装置の一例を示す概略図である。
【図８】水銀プローブを示す概略説明図である。
【図９】実施例１において静電気を除電したｎ型シリコンエピタキシャルウェーハを繰返し測定した結果を示すグラフである。
【図１０】比較例１においてオゾンガス発生装置で酸化膜を形成した後の静電気の経時変化を示すグラフである。
【図１１】比較例１において静電気を除電せずに、ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハを繰返し測定した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。図１は、本Ｃ−Ｖ特性測定システムの一例を示す概略図である。
【００１９】
図１において符号１はＣ−Ｖ特性測定システムである。該Ｃ−Ｖ特性測定システム１は、空気中で紫外線を照射してオゾンガスと原子状酸素を発生させ、シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成するオゾンガス発生装置１０と、放電針からプラスイオンとマイナスイオンを発生させ、シリコン単結晶ウェーハの静電気除去を行う静電気除去装置２０と、水銀を電極としてシリコン単結晶ウェーハに接触させる水銀プローブ３０と、該水銀プローブ３０に連結された測定ケーブル６１，６２を介して高周波を供給し、シリコン単結晶ウェーハに逆バイアス電圧を印加することにより空乏層を形成させるとともに該空乏層の容量を計測するＬＣＲメータ４０と、該ＬＣＲメータ４０にＧＰＩＢ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐｕｒｐｏｓｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｂｕｓ）ケーブル６３を介して接続されたＰＣ（パーソナルコンピューター）５０にインストールされ、逆バイアス電圧と空乏層の容量からＣ−Ｖ特性を算出する解析ソフトウエアとを有する。
【００２０】
ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２のＣ−Ｖ特性測定を行うには、まず図２に示すオゾンガス発生装置１０を用いて、シリコン単結晶ウェーハ（鏡面研磨ウェーハ又はエピタキシャルウェーハ）１２の主表面に厚さ約１ｎｍの酸化膜１５を形成する。オゾンガス発生装置１０は、紫外線の光源である水銀ランプ１１と、シリコン単結晶ウェーハ１２の載置部１３とを有し、水銀ランプ１１と載置部１３との間に、遮光板１４が配置されている。
【００２１】
水銀ランプ１１から照射される紫外線には、１８４．９５ｎｍの波長が含まれる。空気中で紫外線を照射すると、酸素分子は１８４．９５ｎｍの波長の光により分解し、オゾンガスと原子状酸素を生じる。
【００２２】
遮光板１４は複数枚のパンチングメタルを重ね合わしてなり、上下パンチングメタルの孔の位置がずらされている。オゾンガスと原子状酸素はパンチングメタル間の隙間と孔を通過してシリコン単結晶ウェーハ１２まで到達するが、紫外線は殆ど遮光される。この結果、ウェーハ１２が紫外線に直接曝されないので、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けなくなり、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生しなくなる。
【００２３】
オゾンガス発生装置１０を用いてシリコン単結晶ウェーハ１２の主表面に酸化膜１５を形成すると、図３（ａ）に示すように、シリコン単結晶ウェーハ１２の主表面にマイナスの静電気が帯電する。シリコン単結晶ウェーハ１２がｎ型の場合、マイナスの静電気とｎ型キャリアが反発し合い、主表面近傍に空乏層３２が形成される。
【００２４】
空乏層３２が形成された状態で水銀電極３１を形成しＣ−Ｖ特性の測定を行うと、図４（ａ）に示すように、逆バイアス電圧を印加して形成される空乏層３３と、静電気により形成される空乏層３２が直列の関係になる。そして、静電気が時間の経過とともに放電されて低下すると、図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、静電気により形成される空乏層３２の幅は、ｄ１からｄ２へとだんだん狭くなる。なお、ｄ１及びｄ２は静電気により形成される空乏層３２の幅で、ｄ１は静電気の帯電状態における空乏層３２の幅であり、ｄ２は静電気の放電状態の空乏層３２の幅である。
【００２５】
ここで、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、静電気により形成される空乏層３２の容量をＣ３２、逆バイアス電圧を印加して形成される空乏層３３の容量をＣ３３とすると、これらは直列の関係であるから、空乏層全体の容量Ｃは、
１／Ｃ＝１／Ｃ３２  ＋  １／Ｃ３３    ・・・（１）
と表される。
【００２６】
このとき、静電気が時間の経過とともに放電されて、空乏層３２の幅がｄ１
（図４（ａ））からｄ２（図４（ｂ））に小さくなると、
Ｃ３２＝Ａε０εＳｉ／ｄ      ・・・（２）
の関係から、容量Ｃ３２は大きくなる。容量Ｃ３２が大きくなると、式（１）より、空乏層全体の容量Ｃは大きくなる。ここで、Ａは電極面積、ε０は真空誘電率、εＳｉはＳｉの比誘電率である。
【００２７】
そして、空乏層全体の容量Ｃと深さＷにおける不純物濃度Ｎ（Ｗ）には、式（３）の比例関係があるから、
Ｎ（Ｗ）＝Ｃ３／（ｑε０εＳｉＡ２）／（ｄＣ／ｄＶ）・・・（３）
【００２８】
空乏層全体の容量Ｃが大きくなると、不純物濃度Ｎ（Ｗ）も大きくなる。不純物濃度Ｎ（Ｗ）に反比例する抵抗率は、逆に小さくなる。ここで、ｑは電子の電荷量である。
【００２９】
すなわち、水銀プローブ３０を用い、ｎ型のシリコン単結晶ウェーハ１２のＣ−Ｖ特性を測定して得られる抵抗率は、オゾンガスによる酸化膜形成直後は静電気の影響で高くなるが、時間の経過とともに静電気が放電されて、しだいに低くなる。この現象は、マイナスの静電気とｎ型キャリアが反発し合うｎ型のシリコン単結晶ウェーハ１２で発生する。キャリアがｐ型のシリコン単結晶ウェーハ１２ではマイナスの静電気とキャリアとの間に反発が生じないため、空乏層３２が形成されず、抵抗率の経時的な低下も発生しない。
【００３０】
また、静電気により形成される空乏層３２の容量は、ｎＦレベルであると考えられる。このため、ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２の抵抗率の高い領域では、Ｃ−Ｖ特性の測定の際に形成される空乏層３３の容量がｐＦレベルであるため、式（１）の関係より、
Ｃ＝Ｃ３３      ・・・（４）
となり、静電気により形成される空乏層３２の容量は実質的に無視することができる。
【００３１】
これに対し、ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２の抵抗率の低い領域、具体的には０．２Ωｃｍ以下の領域では、Ｃ−Ｖ特性の測定の際に形成される空乏層３３の容量がｎＦレベルまたはその近傍であるため、静電気により形成される空乏層３２の容量が無視できなくなる。
【００３２】
そこで、オゾンガス発生装置１０を用いてｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２の主表面に酸化膜１５を形成した後に、図６に示すように、シリコン単結晶ウェーハ１２の主表面に静電気が帯電している状態（図６（ａ））において静電気除去装置２０を用いて除電を行う。すると、シリコン単結晶ウェーハ１２の主表面に帯電していた静電気が除去されるので、空乏層３２も同時に消滅し（図６（ｂ））、抵抗率の経時的な低下が改善される。
【００３３】
静電気除去装置２０は、例えば図７に示すように、＋イオンを発生させる電極針２１と、−イオンを発生させる電極針２２と、電極針２１、２２に直流電圧を印加する電源２３、２４と、接地電極２５とを有し、電極針２１と電極針２２に高電圧を印加することでコロナ放電を発生させる。
【００３４】
コロナ放電が発生すると、電極針２１、２２周辺に存在している空気が電気的に分解されてイオンが発生し、このイオンで反対極性の静電気を電気的に中和することでシリコン単結晶ウェーハ１２の除電を行う。除電したｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２のＣ−Ｖ特性を測定すると、その抵抗率は殆ど経時変化しない。
【００３５】
本発明におけるＣ−Ｖ特性の測定に用いる水銀プローブ３０は、図８に示すように、電極としてシリコン単結晶ウェーハ１２に接触させた水銀電極３１に逆バイアス電圧を印加し、シリコン単結晶ウェーハ１２の表面近傍に空乏層３３を形成する。
【００３６】
シリコン単結晶ウェーハ１２への逆バイアス電圧印加や、形成された空乏層３３の容量計測は、水銀プローブ３０に測定ケーブル６１，６２を介して連結されたＬＣＲメータ４０により行われる。
【００３７】
また、ＬＣＲメータ４０の制御ならびに、逆バイアス電圧と空乏層の容量からＣ−Ｖ特性を算出する演算は、ＬＣＲメータ４０にＧＰＩＢ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐｕｒｐｏｓｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｂｕｓ）ケーブル６３を介して接続されたＰＣ（パーソナルコンピューター）５０にインストールされた解析ソフトウエアにより行われる。
【００３８】
酸化珪素膜１５上に水銀電極３１を接合し、ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２に逆バイアス電圧を連続的に変化させながら印加すると、逆バイアス電圧に応じてｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２に形成される空乏層３３が拡がり、その容量がＬＣＲメータ４０により計測される。この逆バイアス電圧と容量の関係をグラフにプロットすると、Ｃ−Ｖ特性が得られる。
【００３９】
さらに、逆バイアス電圧と容量を例えば（５）式と（６）式に代入すると、ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２の深さＷならびに、深さＷにおけるドーパント濃度Ｎ（Ｗ）を算出することができるので、単結晶中の深さ方向におけるドーパント濃度のプロファイルを得ることができる。
Ｗ＝Ａε０εＳｉ／Ｃ      ・・・（５）
Ｎ（Ｗ）＝２／（ｑε０εＳｉＡ２）＊｛ｄ（Ｃ−２）／ｄＶ｝−１・・・（６）
【００４０】
単結晶中の深さ方向におけるドーパント濃度プロファイルの中で、測定深さを指定すると、その深さにおけるドーパント濃度が得られる。また、得られたドーパント濃度をＡＳＴＭ  ＳＴＡＮＤＡＲＤＳ  Ｆ７２３等の換算式により換算することにより、ドーパント濃度を抵抗率に換算することができる。
【００４１】
このようにして得られるドーパント濃度もしくは抵抗率をｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２の同じ場所で複数回、例えば１０回連続して繰返し測定することにより、Ｃ−Ｖ特性の経時変化の大きさを変動係数として評価することができる。変動係数は例えば１０回の測定値から平均値ｘと標準偏差σを求め、（７）式を用いて算出する。なお、繰返し測定の際、水銀電極３１を測定の度にシリコン単結晶ウェーハ１２から一旦離し、再び接合させる。
【００４２】
変動係数＝１σ／ｘ＊１００（％）・・・（７）
【００４３】
ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２の静電気除去を行う静電気除去工程の後に、水銀プローブ３０を介して高周波を供給し、ｎ型シリコン単結晶ウェーハ１２に逆バイアス電圧を印加することにより空乏層を形成させ、逆バイアス電圧と空乏層の容量からＣ−Ｖ特性を測定し、抵抗率を算出すると、抵抗率の経時変化は改善されて、０．２Ωｃｍ以下の領域であってもその変動係数を１％以下にすることができる。
【実施例】
【００４４】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００４５】
［実施例１］
（抵抗率の経時変化）
直径２００ｍｍ、抵抗率０．０８Ωｃｍのｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２を準備し、オゾンガス発生装置１０を用いて、その主表面に厚さ約１ｎｍの酸化膜１５を形成する。
【００４６】
まず、ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２をオゾンガス発生装置１０内の載置部１３に置き、口径３ｍｍ、ピッチ５ｍｍ、６０°千鳥配列、厚さ１．５ｍｍの鋼種のパンチングメタルを３枚、孔の位置を少しずつずらしながら重ねて作製した遮光板１４をｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２の上に配置する。この遮光板１４は光を９９％遮るが、オゾンガスと原子状酸素の混合ガスは孔を通ってウェーハ１２に到達する。
【００４７】
次に、波長２５４ｎｍにおける出力が２８０００μＷ／ｃｍ２（６ｍｍ離隔位置）の低圧水銀ランプ１１から紫外線を５分間照射し、オゾンガスと原子状酸素の混合ガスでｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２の主表面に厚さ約１ｎｍの酸化膜１５を形成する。
【００４８】
オゾンガスを十分にパージした後、オゾンガス発生装置１０からｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２を取り出し、静電気除去装置２０で静電気を５分間除電する。この結果、除電する前に−０．２２ｋＶであった静電気が−０．０３ｋＶに改善した。
【００４９】
続いて、静電気を除電したｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２の中心部に水銀電極３１を接合し水銀プローブ３０で約３０分間連続して抵抗率を繰返し測定した。その結果を図９に表示する。図９に示すように、約３０分間で抵抗率は０．０８２７Ωｃｍから０．０７８３Ωｃｍまで０．００４４Ωｃｍ低下した。
【００５０】
約３０分間の測定のうち最初１０回について、（７）式を用いて変動係数を求めたところ、平均値０．０８１Ωｃｍ、標準偏差０．０００７６８Ωｃｍ、変動係数０．９５％であった。
【００５１】
［実施例２］
（抵抗率の変動係数）
直径２００ｍｍ、抵抗率０．１８Ωｃｍのｎ型鏡面研磨ウェーハ１２を、実施例１と同じ条件で酸化膜１５を形成し、静電気除去した後、その中心部の抵抗率を水銀プローブ３０で１０回繰返し測定し、（７）式を用いて変動係数を求めた。その結果、平均値０．１８４Ωｃｍ、標準偏差０．０００３Ωｃｍ、変動係数０．１６％であった。
【００５２】
［比較例１］
（静電気の経時変化）
実施例１と同じ条件で酸化膜１５を形成した後、静電気センサを用いてｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２主表面の静電気の経時変化を測定した。その結果を図１０に示す。図１０に示すように、約３０分の間に静電気は−０．２３ｋＶから−０．１６ｋＶまで漸減した。
【００５３】
（抵抗率の経時変化）
実施例１と同じ条件で酸化膜１５を形成した後、静電気の除電をせずに、ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２の中心部に水銀電極３１を接合し水銀プローブ３０で約３０分間連続して抵抗率を繰返し測定した。その結果を図１１に表示する。図１１に示すように、約３０分間で抵抗率は０．０９６８Ωｃｍから０．０７８７Ωｃｍまで０．０１８１Ωｃｍ低下した。
【００５４】
（抵抗率の変動係数）
約３０分間の測定のうち最初１０回について、（７）式を用いて変動係数を求めたところ、平均値０．０９Ωｃｍ、標準偏差０．００３６Ωｃｍ、変動係数４．０％であった。
［比較例２］
直径２００ｍｍ、抵抗率０．１２Ωｃｍのｎ型鏡面研磨ウェーハ１２を、実施例１と同じ条件で酸化膜１５を形成し、静電気の除去をせずに、その中心部に水銀電極３１を接合して水銀プローブ３０で抵抗率を１０回繰返し測定し、（７）式を用いて変動係数を求めた。その結果、平均値０．１２５Ωｃｍ、標準偏差０．００９７Ωｃｍ、変動係数７．８％であった。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明のＣ−Ｖ特性測定方法によると、水銀電極を用いてシリコン単結晶ウェーハを繰返し測定する際、抵抗率に影響を及ぼす静電気を予め除去することにより抵抗率の経時変化を抑制することができるので、従来よりも安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることが可能となる。
【符号の説明】
【００５６】
１０：オゾンガス発生装置、１１：水銀ランプ、１２：シリコン単結晶ウェーハ、１３：載置部、１４：     遮光板、１５：酸化膜、２０：静電気除去装置、２１、２２： 電極針、２３：電源、２５：接地電極、３０：水銀プローブ、３１：水銀電極、３２：空乏層、３３：空乏層、４０：ＬＣＲメータ、５０：ＰＣ（パーソナルコンピューター）、６１，６２：測定ケーブル、６３：ＧＰＩＢケーブル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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