(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を偏光光学系を介して光ディスクの信号記録面に集光し、該信号記録面からの戻り光を前記偏光光学系を介して光検出器で検出する光ピックアップ装置において、
前記半導体レーザ素子を所定の偏光強度比をもった光を出射するように配設し、
前記偏光光学系に含まれるビームスプリッタ及び立ち上げミラーに、前記レーザ光の入射光に対して偏光強度及び位相差を制御して円偏光に変換する成膜部材を設け、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の前記ビームスプリッタに対するＳ偏光、Ｐ偏光の強度をそれぞれＥｓ、Ｅｐとし、
前記ビームスプリッタでのＳ偏光、Ｐ偏光の反射率（％）をそれぞれＲｓ１、Ｒｐ１、反射後のＰ偏光位相からＳ偏光位相を引いた値である反射位相差（°）をδ１とし、
前記立ち上げミラーでのＳ偏光、Ｐ偏光の反射率（％）をそれぞれＲｓ２、Ｒｐ２、反射後のＰ偏光位相からＳ偏光位相を引いた値である反射位相差（°）をδ２とした場合、
Ｅｐ＞Ｅｓ、
Ｒｓ１＞Ｒｐ１、
６０≦Ｒｓ１≦１００、
０．９５≦ＥｓＲｓ１Ｒｐ２／ＥｐＲｐ１Ｒｓ２≦１．０５、
９０（２ｎ−１）−１０≦｜δ１−δ２｜≦９０（２ｎ−１）＋１０
（ｎ＝１，２）
を満たすことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
Ｒｐ２≧９０且つＲｓ２≧９５であることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
０．９５≦ＥｓＲｓ１／ＥｐＲｐ１≦１．０５であることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
１．１Ｒｐ１≦Ｒｓ１≦３Ｒｐ１且つ１．１Ｅｓ≦Ｅｐ≦３Ｅｓであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記成膜部材は多層誘電体膜であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置に内蔵され、ＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤなどの光ディスクの記録・再生を行う光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップ装置は、光源である半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を対物レンズによって光ディスクの信号記録面上に集光させることで、情報の記録（書き込み）や消去を行ったり、信号記録面からの反射光（戻り光）を光検出器で検出することによって、情報の再生を行う装置である。【０００３】
光ディスク装置の小型化に伴って、光ピックアップ装置の小型化の技術も様々な観点から提案されている。その一つとして、特許文献１には、ビームスプリッタ又は立ち上げミラーに位相差を制御する成膜部材を設けることによって、波長板を省略する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２６５５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、情報を記録する場合、多くの光量が必要であるため、ビームスプリッタの反射率を上げて光ディスクへ向かう光量を多くする必要がある。また、情報を再生する場合に、光ディスクの複屈折の影響を低減するために、光ディスクには円偏光の光を集光させる必要がある。ビームスプリッタの反射率を上げる場合には、反射光のＰ／Ｓ偏光分離が大きくなってしまうので、特許文献１の構成では光ディスクに向かう光のＰ／Ｓ比を１に近づけることが難しい。したがって、ビームスプリッタの反射率を上げると光ディスクに向かう光が円偏光にならなくなり、情報を記録／再生するのに必要な仕様に達しない。【０００６】
本発明は、波長板を省略し、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光をビームスプリッタ及び立ち上げミラーによって、Ｐ／Ｓ偏光分離した場合に、できるだけ光量を減少させずに円偏光に変換できる光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を偏光光学系を介して光ディスクの信号記録面に集光し、該信号記録面からの戻り光を前記偏光光学系を介して光検出器で検出する光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子を所定の偏光強度比をもった光を出射するように配設し、前記偏光光学系に含まれるビームスプリッタ及び立ち上げミラーに、前記レーザ光の入射光に対して偏光強度及び位相差を制御して円偏光に変換する成膜部材を設け、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の前記ビームスプリッタに対するＳ偏光、Ｐ偏光の強度をそれぞれＥｓ、Ｅｐとし、前記ビームスプリッタでのＳ偏光、Ｐ偏光の反射率（％）をそれぞれＲｓ１、Ｒｐ１、反射後のＰ偏光位相からＳ偏光位相を引いた値である反射位相差（°）をδ１とし、前記立ち上げミラーでのＳ偏光、Ｐ偏光の反射率（％）をそれぞれＲｓ２、Ｒｐ２、反射後のＰ偏光位相からＳ偏光位相を引いた値である反射位相差（°）をδ２とした場合、
Ｅｐ＞Ｅｓ、
Ｒｓ１＞Ｒｐ１、
６０≦Ｒｓ１≦１００、
０．９５≦ＥｓＲｓ１Ｒｐ２／ＥｐＲｐ１Ｒｓ２≦１．０５、
９０（２ｎ−１）−１０≦｜δ１−δ２｜≦９０（２ｎ−１）＋１０
（ｎ＝１，２）
を満たすことを特徴とする。【０００８】
この構成によると、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光をビームスプリッタ及び立ち上げミラーによって、Ｐ／Ｓ偏光分離した場合においても、できるだけ光量を減少させずに円偏光に変換することができる。【０００９】
また上記の光ピックアップ装置において、立ち上げミラーにおいてできるだけ光量を減少させないためには、
Ｒｐ２≧９０且つＲｓ２≧９５
であることが望ましい。【００１０】
また上記の光ピックアップ装置において、立ち上げミラーに入射する光のＰ／Ｓ比をできるだけ１に近づけておく観点から、
０．９５≦ＥｓＲｓ１／ＥｐＲｐ１≦１．０５
であることが望ましい。【００１１】
また上記の光ピックアップ装置において、
１．１Ｒｐ１≦Ｒｓ１≦３Ｒｐ１且つ１．１Ｅｓ≦Ｅｐ≦３Ｅｓ
であることが望ましい。【００１２】
また上記の光ピックアップ装置において、前記成膜部材の具体例としては、多層誘電体膜が挙げられる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光をビームスプリッタ及び立ち上げミラーによって、Ｐ／Ｓ偏光分離した場合においても、できるだけ光量を減少させずに円偏光に変換することができる。その結果、ビームスプリッタ及び立ち上げミラーに波長板の機能をもたせることができ、偏光光学系において波長板を省略することができる。したがって、部品点数を削減でき、組み立て工数の削減及び光ピックアップ装置の小型化に繋がる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の光ピックアップ装置の偏光光学系の平面図である。
【図２】本発明の光ピックアップ装置の偏光光学系の正面図である。
【図３】実施例１のビームスプリッタにおける波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフである。
【図４】実施例１のビームスプリッタにおける波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。
【図５】実施例１の立ち上げミラーにおける波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフである。
【図６】実施例１の立ち上げミラーにおける波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。
【図７】実施例２のビームスプリッタにおける波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフである。
【図８】実施例２のビームスプリッタにおける波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。
【図９】実施例２の立ち上げミラーにおける波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフである。
【図１０】実施例２の立ち上げミラーにおける波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、本発明の光ピックアップ装置の偏光光学系の平面図、図２は、本発明の光ピックアップ装置の偏光光学系の正面図である。
【００１６】
光ピックアップ装置１０は、半導体レーザ素子（レーザダイオード）１１と、回折格子１２と、ビームスプリッタ１３と、コリメートレンズ１４と、立ち上げミラー１５と、対物レンズ１６と、光検出器（フォトディテクタ）１７とを備えている。
【００１７】
半導体レーザ素子１１は、所定の偏光強度比をもった光を出射するように配設されている。この偏光強度比は後述する成膜部材の設計にも影響するので、相互の関係を最適化する必要がある。回折格子１２は、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光を複数本のレーザ光に分離するものである。ビームスプリッタ１３は、回折格子１２からの複数本のレーザ光をＰ偏光とＳ偏光との間に位相差（以下ＰＳ位相差という）を発生させて反射するとともに、戻り光（光ディスクからの反射光）を透過するものである。
【００１８】
コリメートレンズ１４は、ビームスプリッタ１３からの複数本のレーザ光を平行光に変換するものである。立ち上げミラー１５は、コリメートレンズ１４からの平行光をＰＳ位相差を発生させて円偏光に変換するとともに直角に折り曲げるように反射して、対物レンズ１６側へ導出するものである。対物レンズ１６は、立ち上げミラー１５で反射された光を光ディスクへ集光するものである。なお、光ディスクで反射された反射光（戻り光）は、光検出器１７で受光される。
【００１９】
ビームスプリッタ１３及び立ち上げミラー１５は、ガラスなどの母材の反射面に、成膜部材（不図示）としての多層誘電体膜（誘電体膜を複数層積層したもの）が蒸着などによって積層されて形成される。これにより、多層誘電体膜に入射して反射又は透過したレーザ光は、入射光に対して偏光強度及び位相差が変化する。そこで、本発明ではこの偏光強度及び位相差を制御して円偏光に変換するように設計する。この偏光強度及び位相差は多層誘電体膜の屈折率、膜厚、積層構造によって決まるので、それらの最適な組み合わせを選択することで制御できる。例えば、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を交互に積層し、それぞれの膜厚と積層回数を最適化することで所望の偏光強度及び位相差を得ることができる。
【００２０】
このような構成の光ピックアップ装置１０において、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光は、回折格子１２で複数のレーザ光に分離された後、ビームスプリッタ１３でコリメートレンズ１４方向に反射され、直角に折り曲げられる。このビームスプリッタ１３で反射されたレーザ光は、コリメートレンズ１４で平行光にされた後、立ち上げミラー１５の反射面で反射されることにより円偏光に変換されるとともに直角に折り曲げられ、対物レンズ１６を介して回転駆動される光ディスクの信号記録面へ集光（照射）される。これにより、光ディスクに対して情報の書き込み（記録）や消去を行うことができる。
【００２１】
一方、この光ディスクの信号記録面からの反射光（戻り光）は、対物レンズ１６を透過し、立ち上げミラー１５の反射面で反射され、コリメートレンズ１４及びビームスプリッタ１３を透過して光検出器１７で検出される。これにより、光ディスクに記憶（記録）された情報の再生を行うことができる。
【００２２】
ここで、本発明の目的（半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光をビームスプリッタ１３及び立ち上げミラー１５によって、Ｐ／Ｓ偏光分離した場合においても、できるだけ光量を減少させずに円偏光に変換すること）を達成するための条件を検討する。
【００２３】
以下では、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光のビームスプリッタ１３に対するＳ偏光、Ｐ偏光の強度をそれぞれＥｓ、Ｅｐとし、ビームスプリッタ１３でのＳ偏光、Ｐ偏光の反射率（％）をそれぞれＲｓ１、Ｒｐ１、反射後のＰ偏光位相からＳ偏光位相を引いた値である反射位相差（°）をδ１とし、立ち上げミラー１５でのＳ偏光、Ｐ偏光の反射率（％）をそれぞれＲｓ２、Ｒｐ２、反射後のＰ偏光位相からＳ偏光位相を引いた値である反射位相差（°）をδ２とする。
【００２４】
まず、ビームスプリッタ１３においてできるだけ光量を減少させないためには、高反射率を確保する必要があり、そのためにはＳ偏光をＰ偏光より強くすればよい。したがって、ここではＲｓ１＞Ｒｐ１、６０≦Ｒｓ１≦１００とする。また、Ｅｓ、Ｅｐはビームスプリッタ１３で生じるＲｓ１とＲｐ１の強度比をできるだけキャンセルしたいためＥｐ＞Ｅｓとする。これには、半導体レーザ素子１１を光軸に対して所定の回転角で回転させて配設すればよい。
【００２５】
また、光ディスクに向かう光を円偏光にするための第１条件として、光ディスクに向かう光のＰ／Ｓ比（偏光強度比）を約１にする必要があるため、ここでは０．９５≦ＥｓＲｓ１Ｒｐ２／ＥｐＲｐ１Ｒｓ２≦１．０５とする。立ち上げミラー１５はビームスプリッタ１３と光を折り曲げる方向が９０°異なっているため偏光成分が入れ替わり、ＥｓＲｓ１Ｒｐ２が光ディスクに向かう光のＰ偏光強度を、ＥｐＲｐ１Ｒｓ２が光ディスクに向かう光のＳ偏光強度を表している。この数値範囲は、光ディスクの読み書きのために光ピックアップ装置に要求される仕様に基づいている。つまり、この数値範囲内であれば、光ディスクの読み書きに問題が生じない。
【００２６】
また、光ディスクに向かう光を円偏光にするための第２条件として、光ディスクに向かう光のＳ偏光とＰ偏光の位相差を約９０°にする必要があるため、ここでは９０（２ｎ−１）−１０≦｜δ１−δ２｜≦９０（２ｎ−１）＋１０  （ｎ＝１，２）とする。この数値範囲は、上述したように、光ディスクの読み書きのために光ピックアップ装置に要求される仕様に基づいている。
【００２７】
上記の条件を全て満たすことにより、本発明の目的（半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光をビームスプリッタ１３及び立ち上げミラー１５によって、Ｐ／Ｓ偏光分離した場合においても、できるだけ光量を減少させずに円偏光に変換すること）を達成することができる。
【００２８】
その結果、ビームスプリッタ１３及び立ち上げミラー１５に波長板の機能をもたせることができ、偏光光学系において波長板を省略することができる。したがって、部品点数を削減でき、組み立て工数の削減及び光ピックアップ装置の小型化に繋がる。
【００２９】
なお、立ち上げミラー１５においてできるだけ光量を減少させないためには、Ｒｐ２≧９０且つＲｓ２≧９５であることが望ましい。また、立ち上げミラー１５に入射する光のＰ／Ｓ比をできるだけ１に近づけておく観点から、０．９５≦ＥｓＲｓ１／ＥｐＲｐ１≦１．０５であることが望ましい。
【００３０】
また、より高い反射率を得るためには、Ｓ偏光の反射率をＰ偏光の反射率の１．１倍以上（Ｒｓ１≧１．１Ｒｐ１）とすることが好ましい。また、ビームスプリッタ１３で反射後のＰ偏光成分とＳ偏光成分の強度比を１にするためには、Ｓ偏光の反射率Ｒｓ１とＰ偏光の反射率Ｒｐ１の比をキャンセルするために、Ｅｐ≧１．１Ｅｓであることが好ましい。一方、Ｒｓ１とＲｐ１の差が大きすぎるとＥｐとＥｓの差も大きくする必要があり、結果としてビームスプリッタ１３反射後の光量（Ｅｓ×Ｒｓ１＋Ｅｐ×Ｒｐ１）２を低減させてしまう。そのためＲｓ１≦３Ｒｐ１、Ｅｐ≦３Ｅｓとするのが望ましい。したがって１．１Ｒｐ１≦Ｒｓ１≦３Ｒｐ１、１．１Ｅｓ≦Ｅｐ≦３Ｅｓを満足することが好ましい。
【００３１】
以下、上記の光ピックアップ装置１０の実施例について説明する。実施例ではＢＤに対して使用する４０５ｎｍの波長の光について検討する。
【実施例】
【００３２】
（実施例１）
実施例１では、Ｅｐ：Ｅｓ＝３：２となるように半導体レーザ素子１１を配設する。ビームスプリッタ１３の成膜部材としては、母材側から順に、１４８．３３ｎｍ厚のＳｉＯ２、８６．４２ｎｍ厚のＴｉＯ２、７７．０７ｎｍ厚のＳｉＯ２、２７．３１ｎｍ厚のＴｉＯ２、３５ｎｍ厚のＳｉＯ２、２８．０１ｎｍ厚のＴｉＯ２、２２９．０７ｎｍ厚のＳｉＯ２、２７．８８ｎｍ厚のＴｉＯ２、６８．８９ｎｍ厚のＳｉＯ２、２０ｎｍ厚のＴｉＯ２、６３．３４ｎｍ厚のＳｉＯ２、２０．３８ｎｍ厚のＴｉＯ２、２６４．７７ｎｍ厚のＳｉＯ２、２４．６３ｎｍ厚のＴｉＯ２、１２９．３４ｎｍ厚のＳｉＯ２、１０７．６９ｎｍ厚のＴｉＯ２、８３．３２ｎｍ厚のＳｉＯ２、６１．９５ｎｍ厚のＴｉＯ２、２６．０７ｎｍ厚のＳｉＯ２からなる１９層を積層して形成する。４０５ｎｍの光に対するＳｉＯ２の屈折率は１．４８、同じくＴｉＯ２の屈折率は２．５４である。【００３３】
また、立ち上げミラー１５の成膜部材としては、母材側から順に、３９．８１ｎｍ厚のＴｉＯ２、７５．８４ｎｍ厚のＳｉＯ２、３９．９２ｎｍ厚のＴｉＯ２、７６．０８ｎｍ厚のＳｉＯ２、４０．０４ｎｍ厚のＴｉＯ２、７６．５３ｎｍ厚のＳｉＯ２、４０．３８ｎｍ厚のＴｉＯ２、７７．９５ｎｍ厚のＳｉＯ２、４１．５９ｎｍ厚のＴｉＯ２、８２．６５ｎｍ厚のＳｉＯ２、４５．２３ｎｍ厚のＴｉＯ２、９３．７２ｎｍ厚のＳｉＯ２、５０．０４ｎｍ厚のＴｉＯ２、９９．２３ｎｍ厚のＳｉＯ２、４９．４８ｎｍ厚のＴｉＯ２、９５．０２ｎｍ厚のＳｉＯ２、４９．１６ｎｍ厚のＴｉＯ２、９８．４２ｎｍ厚のＳｉＯ２、５５．６７ｎｍ厚のＴｉＯ２、１０５．４９ｎｍ厚のＳｉＯ２、５２．４２ｎｍ厚のＴｉＯ２、９８．３８ｎｍ厚のＳｉＯ２、６２．９１ｎｍ厚のＴｉＯ２、３８．８２ｎｍ厚のＳｉＯ２からなる２４層を積層して形成する。【００３４】
図３は、ビームスプリッタ１３における波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフであり、図４は、ビームスプリッタ１３における波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。図３では、Ｐ偏光の反射率を実線で、Ｓ偏光の反射率を破線で示している。【００３５】
図３に示すように、ビームスプリッタ１３における４０５ｎｍの光のＰ偏光の反射率（Ｒｐ１）は、約５２％であり、Ｓ偏光の反射率（Ｒｓ１）は、約８０％である。また、図４に示すように、ビームスプリッタ１３における４０５ｎｍの光の反射位相差（δ１）は、約１５０°である。【００３６】
図５は、立ち上げミラー１５における波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフであり、図６は、立ち上げミラー１５における波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。図５では、Ｐ偏光の反射率を実線で、Ｓ偏光の反射率を破線で示している。【００３７】
図５に示すように、立ち上げミラー１５における４０５ｎｍの光のＰ偏光の反射率（Ｒｐ２）は、約９８％であり、Ｓ偏光の反射率（Ｒｓ２）は、約１００％である。また、図６に示すように、立ち上げミラー１５における４０５ｎｍの光の反射位相差（δ２）は、約６０°である。【００３８】
上記の結果より、光ディスクに向かう光のＰ／Ｓ比は、ＥｓＲｓ１Ｒｐ２／ＥｐＲｐ１Ｒｓ２＝１．０１となり、光ディスクに向かう光のＳ偏光とＰ偏光の位相差は、｜δ１−δ２｜＝９０°となる。この結果は、円偏光となる理論値であるＰ／Ｓ＝１、｜δ１−δ２｜＝９０°にほぼ等しいので、円偏光のレーザ光が光ディスクに照射されていると言える。なお、光ディスクに向かう光量は、（０．４×０．８×０．９８）＋（０．６×０．５２×１．００）＝０．６３となる。【００３９】
また、Ｒｐ２≧９０且つＲｓ２≧９５を満たすことから、立ち上げミラー１５において光量がほとんど減少していないと言える。さらに、０．９５≦ＥｓＲｓ１／ＥｐＲｐ１≦１．０５を満たすことから、立ち上げミラー１５に入射する光のＰ／Ｓ比が１に近いと言える。【００４０】
また、１．１Ｒｐ１≦Ｒｓ１≦３Ｒｐ１且つ１．１Ｅｓ≦Ｅｐ≦３Ｅｓを満たしているため、ビームスプリッタ１３での反射後の光量損失も最小限に留めている。【００４１】
（実施例２）
実施例２では、Ｅｐ：Ｅｓ＝１．２７：１となるように半導体レーザ素子１１を配設する。ビームスプリッタ１３の成膜部材としては、母材側から順に、１４８．１８ｎｍ厚のＳｉＯ２、８３．２２ｎｍ厚のＴｉＯ２、９２．６ｎｍ厚のＳｉＯ２、２３．０４ｎｍ厚のＴｉＯ２、３５ｎｍ厚のＳｉＯ２、２７．０８ｎｍ厚のＴｉＯ２、２２８．２４ｎｍ厚のＳｉＯ２、３０．８２ｎｍ厚のＴｉＯ２、４０．９９ｎｍ厚のＳｉＯ２、２２．３５ｎｍ厚のＴｉＯ２、３８３．５６ｎｍ厚のＳｉＯ２、３５．１２ｎｍ厚のＴｉＯ２、１００．４１ｎｍ厚のＳｉＯ２、１１３．１２ｎｍ厚のＴｉＯ２、１０３．１６ｎｍ厚のＳｉＯ２、４７．９９ｎｍ厚のＴｉＯ２、４６．７６ｎｍ厚のＳｉＯ２からなる１７層を積層して形成する。【００４２】
また、立ち上げミラー１５の成膜部材としては、母材側から順に、４２．９７ｎｍ厚のＴｉＯ２、６４．９３ｎｍ厚のＳｉＯ２、３３．２２ｎｍ厚のＴｉＯ２、２５．１１ｎｍ厚のＳｉＯ２、４３．１６ｎｍ厚のＴｉＯ２、６７．７５ｎｍ厚のＳｉＯ２、１３２．８２ｎｍ厚のＴｉＯ２、７４．３９ｎｍ厚のＳｉＯ２、４５．１２ｎｍ厚のＴｉＯ２、７７．４ｎｍ厚のＳｉＯ２、４５．５８ｎｍ厚のＴｉＯ２、８２．０２ｎｍ厚のＳｉＯ２、４６．５ｎｍ厚のＴｉＯ２、８８．４９ｎｍ厚のＳｉＯ２、４６．７ｎｍ厚のＴｉＯ２、９３．１９ｎｍ厚のＳｉＯ２、４６．９７ｎｍ厚のＴｉＯ２、９６．６５ｎｍ厚のＳｉＯ２、４８．４１ｎｍ厚のＴｉＯ２、１００．８３ｎｍ厚のＳｉＯ２、５１．５９ｎｍ厚のＴｉＯ２、１０４．６ｎｍ厚のＳｉＯ２、５１．３１ｎｍ厚のＴｉＯ２、９５ｎｍ厚のＳｉＯ２、５７．６８ｎｍ厚のＴｉＯ２、１１７．８１ｎｍ厚のＳｉＯ２、４８．５２ｎｍ厚のＴｉＯ２、２１５．３４ｎｍ厚のＳｉＯ２からなる２８層を積層して形成する。【００４３】
図７は、ビームスプリッタ１３における波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフであり、図８は、ビームスプリッタ１３における波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。図７では、Ｐ偏光の反射率を実線で、Ｓ偏光の反射率を破線で示している。【００４４】
図７に示すように、ビームスプリッタ１３における４０５ｎｍの光のＰ偏光の反射率（Ｒｐ１）は、約６０％であり、Ｓ偏光の反射率（Ｒｓ１）は、約８０％である。また、図８に示すように、ビームスプリッタ１３における４０５ｎｍの光の反射位相差（δ１）は、約１５０°である。【００４５】
図９は、立ち上げミラー１５における波長に対するＰ偏光とＳ偏光の４５°反射率を示すグラフであり、図１０は、立ち上げミラー１５における波長に対する４５°反射位相差を示すグラフである。図９では、Ｐ偏光の反射率を実線で、Ｓ偏光の反射率を破線で示している。【００４６】
図９に示すように、立ち上げミラー１５における４０５ｎｍの光のＰ偏光の反射率（Ｒｐ２）は、約９４％であり、Ｓ偏光の反射率（Ｒｓ２）は、約１００％である。また、図１０に示すように、立ち上げミラー１５における４０５ｎｍの光の反射位相差（δ２）は、約６０°である。【００４７】
上記の結果より、光ディスクに向かう光のＰ／Ｓ比は、ＥｓＲｓ１Ｒｐ２／ＥｐＲｐ１Ｒｓ２＝０．９９となり、光ディスクに向かう光のＳ偏光とＰ偏光の位相差は、｜δ１−δ２｜＝９０°となる。この結果は、円偏光となる理論値であるＰ／Ｓ＝１、｜δ１−δ２｜＝９０°にほぼ等しいので、円偏光のレーザ光が光ディスクに照射されていると言える。なお、光ディスクに向かう光量は、（０．４４×０．８×０．９４）＋（０．５６×０．６×１．００）＝０．６７となる。【００４８】
また、Ｒｐ２≧９０且つＲｓ２≧９５を満たすことから、立ち上げミラー１５において光量がほとんど減少していないと言える。さらに、０．９５≦ＥｓＲｓ１／ＥｐＲｐ１≦１．０５を満たすことから、立ち上げミラー１５に入射する光のＰ／Ｓ比が１に近いと言える。【００４９】
また、１．１Ｒｐ１≦Ｒｓ１≦３Ｒｐ１且つ１．１Ｅｓ≦Ｅｐ≦３Ｅｓを満たしているため、ビームスプリッタ１３での反射後の光量損失も最小限に留めている。【００５０】
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではない。例えば、上記実施例はＢＤに対応する光ピックアップ装置であったが、ＤＶＤやＣＤに対応するものでもよく、また、ＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤのうち２種類、あるいは３種類の光ディスクに対応するものであってもよい。【００５１】
また、多層誘電体膜として、ＳｉＯ２に替えて、例えば、ＭｇＦ２、ＡＬ２Ｏ３等であってもよく、ＴｉＯ２に替えて、例えば、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３とＴｉＯ２の混合物等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の光ピックアップ装置は、ＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤなどの光ディスクの記録・再生に利用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  光ピックアップ装置
１１  半導体レーザ素子
１２  回折格子
１３  ビームスプリッタ
１４  コリメートレンズ
１５  立ち上げミラー
１６  対物レンズ
１７  光検出器
【図１】
0005382124.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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