(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と前記ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでおり、前記フレーム部が、互いに対向している複数の凹部を有している、パッケージと、
前記複数の凹部の各々に設けられた導体パターンと、
前記複数の凹部にはめ込まれた端部を有しているとともに、前記導体パターンに電気的に接続されたヒューズ素子とを備え、
前記ベース部の上面には、前記ヒューズ素子の直下に位置した溝が設けられているとともに、前記ヒューズ素子の前記端部で挟まれた箇所が前記溝の縁と線状に接触していることを特徴とするヒューズ装置。
【請求項２】
前記ヒューズ素子が、複数のサブ素子を含んでいることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。
【請求項３】
前記複数のサブ素子が並列接続されていることを特徴とする請求項２記載のヒューズ装置。
【請求項４】
前記パッケージの下面に設けられているとともに前記ヒューズ素子に電気的に接続された複数の実装脚部をさらに備えていることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載のヒューズ装置と、
前記ヒューズ装置に電気的に接続された配線基板とを備えた電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒューズ素子を有するヒューズ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ヒューズ装置は、例えば、定格以上の電流から電気回路などを保護するものであり、定格以上の電流が流れるとその電流によって発生されたジュール熱により溶融および切断されるヒューズ素子を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ヒューズ装置は、電気的経路におけるヒューズ素子自体の抵抗値に対して他の構成部分の抵抗値を低減させることにより、過電流状態における特性をさらに向上させることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、ヒューズ装置は、パッケージと、導体パターンと、ヒューズ素子とを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数の凹部を有している。導体パターンは、複数の凹部の各々に設けられている。ヒューズ素子は、複数の凹部にはめ込まれた端部を有しているとともに、導体パターンに電気的に接続されている。ベース部の上
面には、ヒューズ素子の直下に位置した溝が設けられているとともに、ヒューズ素子の端部で挟まれた箇所が溝の縁と線状に接触している。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、電子装置は、ヒューズ装置と、ヒューズ装置と電気的に接続された配線基板と、を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一つの態様によれば、ヒューズ装置は、パッケージと、導体パターンと、ヒューズ素子とを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数の凹部を有している。導体パターンは、複数の凹部の各々に設けられている。ヒューズ素子は、複数の凹部にはめ込まれた端部を有しているとともに、導体パターンに電気的に接続されている。ヒューズ装置は、このような構成を含んでいることにより、過電流状態における特性に関して向上されている。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、ヒューズ装置用部品は、パッケージと、導体パターンとを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数のヒューズ素子実装用凹部を有している。導体パターンは、複数のヒューズ素子実装用凹部の各々に設けられている。ヒューズ装置用部品は、このような構成を含んでいることにより、過電流状態における特性が向上され
たヒューズ装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるヒューズ装置の透視斜視図を示している。
【図２】図１に示されたヒューズ装置のＡ−Ａにおける縦断面図を示している。
【図３】図１に示されたヒューズ装置のＢ−Ｂにおける縦断面図を示している。
【図４】図１に示されたヒューズ装置のＣ−Ｃにおける縦断面図を示している。
【図５】図１に示されたヒューズ装置の分解斜視図を示している。
【図６】図１に示されたヒューズ装置の平面透視図を示している。
【図７】図３に示されたヒューズ素子３の他の例を示している。
【図８】図１に示されたヒューズ装置の抵抗成分を示している。
【図９】本発明の第２の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。
【図１０】図９に示されたヒューズ装置のＡ−Ａにおける縦断面図を示している。
【図１１】図９に示されたヒューズ装置のＢ−Ｂにおける縦断面図を示している。
【図１２】図９に示されたヒューズ装置の平面透視図を示している。
【図１３】本発明の第２の実施形態におけるヒューズ装置と比較形態におけるヒューズ装置とを示している。
【図１４】図１１に示されたヒューズ素子３の他の例を示している。
【図１５】図１１に示されたヒューズ装置の他の例を示している。
【図１６】本発明の第３の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。
【図１７】図１６に示されたヒューズ装置の平面透視図を示している。
【図１８】本発明の第４の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。
【図１９】図１８に示されたヒューズ装置のＡ−Ａにおける縦断面図を示している。
【図２０】本発明の第５の実施形態におけるヒューズ装置の平面透視図を示している。
【図２１】図２０に示されたヒューズ装置の縦断面図を示している。
【図２２】本発明の第６の実施形態におけるヒューズ装置の平面透視図を示している。
【図２３】図２２に示されたヒューズ装置のＢ−Ｂにおける縦断面図を示している。
【図２４】本発明の第７の実施形態におけるヒューズ装置の平面透視図を示している。
【図２５】図２４に示されたヒューズ装置を説明する図である。
【図２６】本発明の第８の実施形態におけるヒューズ装置を説明する図である。
【図２７】本発明の第９の実施形態におけるヒューズ装置の透視斜視図である。
【図２８】本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第１の例を示す図である。
【図２９】図２８に示された端子部分の第２の例を示す図である。
【図３０】図２８に示された端子部分の第３の例を示す図である。
【図３１】図２８に示された端子部分の第４の例を示す図である。
【図３２】図２８に示された端子部分の第５の例を示す図である。
【図３３】図２８に示された端子部分の第６の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態におけるヒューズ装置は、図１から図６までに示されているように、パッケージ１と、パッケージ１に設けられた複数の導体パターン２と、複数の導体
パターン２に電気的に接続されたヒューズ素子３と、パッケージ１に接合されたカバー部材４と、端子６，７とを含んでいる。図１において、ヒューズ装置は、仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。図１において、カバー部材４は、内部構造を示すことを目的に、透視された状態で示されている。図１において、内部構造が、破線によって示されている。
【００１３】
パッケージ１は、ベース部１１と、ベース部１１の上に設けられたフレーム部１２とを含んでいる。ベース部１１およびフレーム部１２は、例えば、実質的にセラミックスからなるとともに、焼成によって一体的に形成されている。
【００１４】
フレーム部１２は、互いに対向している複数の凹部１２１および１２２を有している。複数の凹部１２１および１２２は、キャビティ部１３を挟むように設けられているとともに、パッケージ１のキャビティ部１３を介して互いに対向している。複数の凹部１２１および１２２の各々は、下方向に窪んでいるとともに、ヒューズ素子３がはめ込まれるようにヒューズ素子３に対応する形状を有している。本実施形態における“凹部”とは、ヒューズ素子３がはめ込まれる空間を有している構造のことをいう。
【００１５】
複数の導体パターン２は、複数の凹部１２１および１２２の各々に設けられている。導体パターン２は、図４における拡大図に示されているように、例えば、縦断面において矩形状を有する凹部１２１を構成する側面および底面に設けられている。導体パターン２は、凹部１２２においても同様に設けられている。複数の導体パターン２は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいる。
【００１６】
ヒューズ素子３は、パッケージ１のキャビティ部１３に設けられているとともに、複数の凹部１２１および１２２にはめ込まれた端部３１および３２を有している。ヒューズ素子３は、四角柱形状を有している。図３および図４に示されているように、ヒューズ素子３は、長手方向に対して垂直に切断するような縦断面において四角形状を有している。図３において、ヒューズ素子３とベース部１１との接点が符号１４によって示されている。
【００１７】
ヒューズ素子３は、キャビティ部１３におけるベース部１１の上面に線状に接触している。図６において、ヒューズ素子３のベース部１１に対する接触部分１４が、点線によって模式的に示されている。“線状に接触している”とは、図３における拡大図に示されているように、縦断面において点接触していることをいう。
【００１８】
図４に示されているように、ヒューズ素子３は、導電性接合材１０によって導体パターン２に固定されているとともに、導体パターン２に電気的に接続されている。導電性接合材１０は、縦断面において、ヒューズ素子３を囲むようにヒューズ素子３の表面に設けられている。導電性接合材１０は、ヒューズ素子３と導体パターン２との間の抵抗値に比べてヒューズ素子３の縦断面における抵抗値が大きくなるように設けられている。
【００１９】
カバー部材４は、パッケージ１の上端に接合されているとともに、ヒューズ素子３を覆っている。キャビティ部１３は、カバー部材４によって気密封止されている。
【００２０】
端子６および７は、各々、対応している導体パターン２に電気的に接続されているとともに、パッケージ１のベース部１１の下面に設けられている。端子６および７は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいる導体パッドである。本実施形態におけるヒューズ装置は、表面実装型の装置である。
【００２１】
図７に示されているように、本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３の他の例は、縦断面において円形状を有している。ヒューズ素子３は、縦断面において、ベース部１１に点接触している。すなわち、ヒューズ素子３は、円柱形状を有しているとともに、ベース部１１に線状に接触している。
【００２２】
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３の端部３１および３２が、フレーム部１２の凹部１２１および１２２にはめ込まれていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３の実装位置の精度に関して向上されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３と導体パターン２との電気的接続に関して改善されており、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００２３】
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３がフレーム部１２の凹部１２１および１２２にはめ込まれていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３の実装工程が簡略化されており、生産性に関して向上されている。
【００２４】
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３が、ベース部１１に線状に接触していることにより、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子３からベース部１１への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子３を流れる電流によって発生されたジュール熱の損失に関して低減されており、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００２５】
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３の端部３１および３２が、フレーム部１２の凹部１２１および１２２にはめ込まれていることにより、本実施形態のヒューズ装置は、例えば、ヒューズ素子３が導電性接合材によってパッケージ１に実装されている構造であれば、適切な量の導電性接合材をヒューズ素子３の端部３１および３２に設けることができ、ヒューズ素子３と導体パターン２との電気的接続部分における抵抗値を低減させることができる。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態において適切な電圧がヒューズ素子３に加わることとなり、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００２６】
図８に示されているように、ヒューズ装置は、ヒューズ素子３の抵抗成分Ｒ３に加えて、ヒューズ素子３と導体パターン２との接続部分における抵抗成分Ｒ１０およびＲ２０と、導体パターン２と端子６との間の電気的経路における抵抗成分Ｒ８と、導体パターン２と端子７との間の電気的経路における抵抗成分Ｒ９とを有している。ヒューズ素子３に加わる電圧は、抵抗成分Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ２０に対するヒューズ素子３の抵抗成分Ｒ３の大きさによって決定される。本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３の接続部分の抵抗成分Ｒ１０Ｒおよび２０を低減させることができ、端子６と端子７との間に加わる電圧に対するヒューズ素子３に加わる電圧を増大させることができる。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して改善されている。
【００２７】
（第２の実施形態）
図９から図１４を参照して、本発明の第２の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第２の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、パッケージ１のベース部１１の構造である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００２８】
パッケージ１のベース部１１は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部１１の上面に設けられているとともにヒューズ素子３の直下に位置している溝１５である。
【００２９】
“伝熱抑制”とは、図１３に模式的に示されているように、比較形態におけるヒューズ素子３０からベース部１１０への伝熱に比べて、本実施形態におけるヒューズ素子３からベース部１１への伝熱が低減されていることをいう。比較形態は、例えば、ヒューズ素子３０がベース部１１０に面接触している構造である。ヒューズ素子３０がベース部１１０に面接触することにより、ヒューズ素子３０によって発生された熱がベース部１１０に逃げやすくなり、ヒューズ素子３０が、予め設計された過電流値によって破断しない可能性がある。本実施形態において、例えば、ヒューズ素子３が、比較形態におけるヒューズ素子３０と同様の形状であったとしても、本実施形態のベース部１１が、溝１５を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３からベース部１１への伝熱に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して改善されている。
【００３０】
ヒューズ素子３は、図１２に示されているように、平面透視において、ベース部１１の上面に線状に接触している。図１２において、ヒューズ素子３のベース部１１に対する接触部分１４が、点線によって模式的に示されている。ヒューズ素子３が、ベース部１１に線状に接触していることにより、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子３からベース部１１への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００３１】
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部１１が溝１５を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、溶断されたヒューズ素子３の一部分が溝１５内において被着され得る構造を有している。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、信頼性に関して向上されている。
【００３２】
図１４に示されているように、本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３の他の例は、縦断面において円形状を有している。ヒューズ素子３は、縦断面において、ベース部１１に２点で接触している。
【００３３】
図１５を参照して、本実施形態の他の例におけるヒューズ装置について説明する。他の例におけるヒューズ装置は、溝１５に設けられた金属パターン５をさらに含んでいる。金属パターン５は、ヒューズ素子３が溶断されたときに、ヒューズ素子３の一部分である溶融金属に関して比較的濡れ性の良いものである。他の例におけるヒューズ装置は、金属パターン５を含んでいることにより、溶断金属が溶断されたヒューズ素子３に再び付着する可能性に関して低減されている。従って、他の例におけるヒューズ装置は、信頼性に関して向上されている。
【００３４】
（第３の実施形態）
図１６および図１７を参照して、本発明の第３の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第３の実施形態のヒューズ装置において第２の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、溝１８が設けられている領域である。その他の構成は、第２の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００３５】
溝１８は、ヒューズ素子３の溶断箇所の直下に設けられているとともに、ヒューズ素子３より大きい幅を有している。ヒューズ素子３の“溶断箇所”とは、ヒューズ素子３に過電流が流れた場合に、溶融して切断される部分のことをいう。図１７において、溶断箇所が、点線記号によって示されている。ヒューズ素子３の幅とは、ヒューズ素子３の太さのことをいい、溝１８の幅とは、仮想のｙ軸方向における溝１８の大きさのことをいう。
【００３６】
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部１１が、ヒューズ素子３の溶断箇所の直
下に設けられた溝１８を有していることによって、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３の溶断箇所からベース部１１への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００３７】
（第４の実施形態）
図１８および図１９を参照して、本発明の第４の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第４の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子３のパッケージ１への取り付け構造である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００３８】
ヒューズ素子３は、全体的にパッケージ１のベース部１１から離間しており、両端部３１および３２においてパッケージ１のフレーム部１２に固定されている。
【００３９】
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子３が全体的にパッケージ１のベース部１１から離間していることにより、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子３からベース部１１への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００４０】
（第５の実施形態）
図２０および図２１を参照して、本発明の第５の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第５の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、パッケージ１におけるベース部１１の構造である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００４１】
パッケージ１のベース部１１は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部１１の内部に設けられているとともにヒューズ素子３の直下に位置している空洞部１６である。空洞部１６は、減圧状態であることが好ましい。
【００４２】
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部１１が空洞部１６を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３からパッケージ１の下面への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００４３】
（第６の実施形態）
図２２および図２３を参照して、本発明の第６の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第６の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、パッケージ１におけるベース部１１の上面の構造である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００４４】
パッケージ１のベース部１１は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部１１の上面に設けられているとともにヒューズ素子３の配置方向に形成された溝１７である。図２２において、ヒューズ素子３の“配置方向”とは、仮想のｘ軸方向である。“配置方向に形成された”とは、図２２において、仮想のｘ軸方向に延びるように形成されていることをいう。溝１７は、平面視において、ヒューズ素子３の配置領域を挟むように設けられている。
【００４５】
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部１１が溝１７を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子３によって発生される熱の伝導に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００４６】
（第７の実施形態）
図２４および図２５を参照して、本発明の第７の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第７の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子３の構成である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００４７】
ヒューズ素子３は、互いに並列接続された複数のサブ素子３１−３４を含んでいる。図２５の上段に示されているように、ヒューズ装置の全体における定格電流が、例えば、５アンペア（Ａ）であるとする。複数のサブ素子３１−３４の各々が互いに同じ定格電流の場合、図２５の下段に示されているように、複数のサブ素子３１−３４の各々は、１．２５Ａの定格電流を有している。
【００４８】
一般的に、例えば製造ばらつき等を考慮すると、より定格電流の小さなヒューズ素子の方が溶断電流に対する感度が高い。本実施形態のヒューズ装置において、装置全体の定格電流が、互いに並列接続された複数のサブ素子３１−３４によって実現されていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流に対する感度に関して向上されている。
【００４９】
端子６から端子７に過電流が流れる場合、まず、複数のサブ素子３１−３４のいずれか一つが溶断される。ここでは、例えば、サブ素子３１が溶断されるとする。サブ素子３１が溶断されることにより、残りのサブ素子３２−３４の各々には、定格電流より遥かに大きな電流が流れることとなり、サブ素子３２−３４の各々は、短時間で溶断される。
【００５０】
（第８の実施形態）
図２６を参照して、本発明の第８の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第８の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子３の構成である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
【００５１】
ヒューズ素子３は、互いに電気的に独立している複数のサブ素子３１−３３を含んでいる。複数のサブ素子３１−３３の各々は、互いに異なる定格電流を有している。
【００５２】
本実施形態のヒューズ装置において、複数のサブ素子３１−３３の各々が、互いに電気的に独立しているとともに、互いに異なる定格電流を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、選択性に優れている。
【００５３】
本実施形態のヒューズ装置を配線基板に実装した電子装置は、複数のサブ素子３１−３３のうち、電子装置の用途に応じて、配線基板の配線パターンを任意のパターンに形成することによって、作製することができる。このような電子装置は、パソコン、携帯端末または自動車のヒューズボックス等に用いることができる。そして、このヒューズ装置について、複数のサブ素子３１−３３を適当に選択するように、配線基板の配線パターンを設計することができる。配線基板を設計するものにとっては、配線基板の配線パターンと接続されるヒューズ装置の複数のサブ素子３１−３３を自由に選択して、配線基板の配線パターンを設計することができ、配線基板の設計の自由度を向上させることができる。
【００５４】
（第９の実施形態）
図２７を参照して、本発明の第９の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第９の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、複数の実装脚部８を有している点である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒュ
ーズ装置と同様である。
【００５５】
複数の実装脚部８は、パッケージ１の下面に設けられているとともに、ヒューズ素子３に電気的に接続されている。複数の実装脚部８は、実質的に導電性材料からなる。
【００５６】
本実施形態におけるヒューズ装置は、複数の実装脚部８をさらに含んでいることにより、パッケージ１を介してヒューズ素子３から実装基板へ伝導される熱に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
【００５７】
（端子部分の例）
図２８を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第１の例について説明する。図２８においては、端子６について示されているが、端子７についても同様の構造である。導体パターン２と端子６とは、キャスタレーション導体９１によって電気的に接続されている。
【００５８】
図２９を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第２の例について説明する。導体パターン２と端子６とは、ビア導体９２によって電気的に接続されている。
【００５９】
図３０を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第３の例について説明する。導体パターン２と端子６とは、複数のビア導体９３によって電気的に接続されている。
【００６０】
図３１を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第４の例について説明する。図３０に示された第３の例と異なる点は、複数のビア導体９３に接続されている介在導体層９４を有している点である。
【００６１】
図３２を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第５の例について説明する。導体パターン２と端子６とは、キャスタレーション導体９１およびビア導体９２によって電気的に接続されている。
【００６２】
図３３を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第６の例について説明する。端子６は、導体パターン２に電気的に接続された金属ポスト９５の下端である。
【符号の説明】
【００６３】
１  パッケージ
１１  ベース部
１２  フレーム部
２  導体パターン
３  ヒューズ素子
４  カバー部材
６，７  端子
【図１】
0005618699.tif 000002
【図２】
0005618699.tif 000003
【図３】
0005618699.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005618699.tif 000006
【図６】
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【図７】
0005618699.tif 000008
【図８】
0005618699.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0005618699.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0005618699.tif 000017
【図１７】
0005618699.tif 000018
【図１８】
0005618699.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
0005618699.tif 000024
【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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