(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、複数の微細枝部を含む画素電極と、
を含み、前記画素電極は、隣接する前記微細枝部の間の間隔が第１距離の第１領域、隣接する前記微細枝部の間の間隔が前記第１距離より大きい第２距離の第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間に位置し、前記微細枝部の間の間隔が前記第１領域側から前記第２領域側に向かって段階的に大きくなる第３領域を含む、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１領域の前記微細枝部のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は第１ピッチであり、前記第２領域の前記微細枝部のピッチは第２ピッチであり、前記第１ピッチは前記第２ピッチより小さい、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域における前記微細枝部の幅は一定である、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記微細枝部の幅は３．５μｍ〜４．５μｍである、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１領域は前記第２領域より面積が大きい、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１領域は前記画素電極面積の６０〜７０％を占める、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第３領域は前記画素電極面積の１５〜２５％を占める、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第３領域は前記画素電極面積の１５〜２５％を占める、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１距離は２．５μｍ〜３．５μｍであり、前記第２距離は３．５μｍ〜４．５μｍである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第３領域における前記微細枝部の間の距離は０．２μｍ〜０．３μｍずつ段階的に変化する、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１距離は２．５μｍ〜３．５μｍであり、前記第２距離は４．５μｍ〜５．５μｍである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第３領域における前記微細枝部の間の距離は０．２μｍ〜０．３μｍずつ段階的に変化する、請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記微細枝部の幅は３．５μｍ〜４．５μｍである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記画素電極は、前記微細枝部の長さ方向が互いに異なる複数の副領域に分れ、前記各副領域は、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域を含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記画素電極は互いに分離されている第１副画素電極及び第２副画素電極を含み、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極はそれぞれ複数の微細枝部を含み、
前記第２副画素電極は、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域を含む、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、１つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受ける、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１基板上に形成されるデータ線及びゲート線をさらに含み、
前記第１副画素電極は、第１スイッチング素子を通じて前記データ線及び前記ゲート線に接続され、
前記第２副画素電極は、第２スイッチング素子を通じて前記データ線及び前記ゲート線に接続され、
前記第２副画素電極は、第３スイッチング素子を通じて降圧キャパシタと接続される、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記画素電極は、前記複数の微細枝部の端を接続する接続部をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記接続部の幅は、前記微細枝部の幅の２．５倍以下である、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第１基板上に形成され、スイッチング素子を通じて前記画素電極と接続されるデータ線及びゲート線をさらに含み、
前記接続部は、前記ゲート線と少なくとも一部分が重畳する、請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記接続部は、前記ゲート線と前記ゲート線の幅方向に完全に重畳する、請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第１基板上に形成され、共通電圧を伝達する維持電極線をさらに含み、
前記接続部は、前記維持電極線と少なくとも一部分が重畳する、請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第１基板上に形成され、スイッチング素子を通じて前記画素電極と接続されるデータ線及びゲート線をさらに含み、
前記接続部は、前記ゲート線と少なくとも一部分が重畳する、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記接続部は、前記ゲート線と前記ゲート線の幅方向に完全に重畳する、請求項２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記第１基板上に形成され、共通電圧を伝達する維持電極線をさらに含み、
前記接続部は、前記維持電極線と少なくとも一部分が重畳する、請求項２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第１基板上に形成され、共通電圧を伝達する維持電極線をさらに含み、
前記接続部は、前記維持電極線と少なくとも一部分が重畳する、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置のうちの１つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成されている２枚の基板と、その間に入っている液晶層とを含む。液晶表示装置は、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の方向を決定して入射光の偏光を制御することにより映像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置中でも、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下に位置する基板の主面に対して垂直となるように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｏｄｅ）液晶表示装置が、コントラスト比が大きく、広い基準視野角の実現が容易であることで、脚光を浴びている。
【０００４】
このような垂直配向モード液晶表示装置で広視野角を実現するために、１つの画素に液晶の配向方向が異なる複数のドメイン（ｄｏｍａｉｎ）を形成することができる。
【０００５】
このように複数のドメインを形成する手段として、電界生成電極に微細スリットなどの切開部を形成するか、または電界生成電極上に突起を形成するなどの方法を使用する。この方法は、切開部または突起の周縁（ｅｄｇｅ）と、これに対向する電界生成電極との間にフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）が形成され、このフリンジフィールドに対して直交する方向に液晶分子の長軸方向が配向され、これにより複数のドメインを形成することができる。
【０００６】
一方、垂直配向方式の液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が悪い傾向にあり、これを解決するために、１つの画素を２つの副画素に分割し、２つの副画素の電圧を異ならせる方法が提示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第2009-0042167号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第2003-071952号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、電界生成電極に複数の微細スリットが形成された液晶表示装置の視認性を向上させると共に、テクスチャなどの表示不良を減少させることにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、電界生成電極に複数の微細スリットが形成された液晶表示装置の輝度を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成され、複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、画素電極は、隣接する微細枝部の間の間隔が第１距離の第１領域、隣接する微細枝部の間の間隔が第１距離より大きい第２距離の第２領域、及び第１領域と第２領域との間に位置し、微細枝部の間の間隔が段階的に変化する第３領域を含む。
【００１１】
第１領域の微細枝部のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は第１ピッチであり、第２領域の微細枝部のピッチは第２ピッチであり、第１ピッチは第２ピッチより小さいものであってもよい。
【００１２】
第１領域、第２領域、及び第３領域における微細枝部の幅は一定であってもよい。
【００１３】
微細枝部の幅は、３．５μｍ〜４．５μｍであってもよい。
【００１４】
第１領域は、第２領域より面積が大きいものであってもよい。
【００１５】
第１領域は、画素電極面積の６０〜７０％を占めるものであってもよい。
【００１６】
第３領域は、画素電極面積の１５〜２５％を占めるものであってもよい。
【００１７】
第１距離は２．５μｍ〜３．５μｍであり、第２距離は３．５μｍ〜４．５μｍであってもよい。
【００１８】
第３領域における微細枝部の間の距離は、０．２μｍ〜０．３μｍずつ段階的に変化してもよい。
【００１９】
第１距離は２．５μｍ〜３．５μｍであり、第２距離は４．５μｍ〜５．５μｍであってもよい。
【００２０】
画素電極は、微細枝部の長さ方向が互いに異なる複数の副領域に分割され、各副領域は、第１領域、第２領域、及び第３領域を含むものであってもよい。
【００２１】
画素電極は、互いに分離されている第１副画素電極及び第２副画素電極を含み、第１副画素電極と第２副画素電極の電圧は互いに異なるものであってもよい。
【００２２】
第１副画素電極と第２副画素電極はそれぞれ複数の微細枝部を含み、第２副画素電極は、第１領域、第２領域、及び第３領域を含むものであってもよい。
【００２３】
第１副画素電極と第２副画素電極は、１つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けてもよい。
【００２４】
第１基板上に形成されているデータ線及びゲート線をさらに含み、第１副画素電極は第１スイッチング素子を通じてデータ線及びゲート線に接続され、第２副画素電極は第２スイッチング素子を通じてデータ線及びゲート線に接続され、第２副画素電極は第３スイッチング素子を通じて降圧キャパシタと接続されるものであってもよい。
【００２５】
画素電極は、複数の微細枝部の端を接続する接続部をさらに含むものであってもよい。
【００２６】
接続部の幅は、微細枝部の幅の２．５倍以下であってもよい。
【００２７】
第１基板上に形成され、スイッチング素子を通じて画素電極と接続されるデータ線及びゲート線をさらに含み、接続部はゲート線と少なくとも一部分が重畳してもよい。
【００２８】
接続部は、ゲート線とゲート線の幅方向に完全に重畳してもよい。
【００２９】
第１基板上に形成され、共通電圧を伝達する維持電極線をさらに含み、接続部は維持電極線と少なくとも一部分が重畳してもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の実施形態によれば、第２副画素電極の微細枝部の間の間隔またはスリットの幅が異なる２つの領域の間に、微細枝部の間の間隔が段階的に変化する領域を設けることにより、テクスチャの発生を最小化して透過率を高めることができる。
【００３１】
また、第２副画素電極の各副領域において、微細枝部の間の間隔が狭い領域の面積を、微細枝部の間の間隔が大きい領域より大きくすることにより、輝度を向上させることができる。
【００３２】
さらに、各画素電極または副画素電極の微細枝部の端を接続する接続部の幅を限定し、ゲート線または維持電極線と重畳させることで、テクスチャを減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の構造と２つの副画素に対する等価回路を概略的に示した図面である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【図４】図３に示した液晶表示板組立体の画素電極を示した平面図である。
【図５】図３の液晶表示板組立体のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する等価回路図である。
【図７】本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【図８】図７の液晶表示板組立体のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【図１０】図９に示した液晶表示板組立体の画素電極及びゲート導電体を示した配置図である。
【図１１】図９の液晶表示板組立体のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の相異な形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【００３５】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して表した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという場合、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるという場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００３６】
最初に、本発明の一実施形態による液晶表示装置について、図１及び図２を参照して詳細に説明する。
【００３７】
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の構造と２つの副画素に対する等価回路を概略的に示した図面である。
【００３８】
図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐａｎｅｌ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、ゲート駆動部（ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ）４００、及びデータ駆動部（ｄａｔａ  ｄｒｉｖｅｒ）５００を含む。
【００３９】
液晶表示板組立体３００は、複数の信号線（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍと、これに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）ＰＸとを含む。図２に示した構造から見れば、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部基板１００と上部基板２００、及び下部基板１００と上部基板２００の間に注入されている液晶層３を含む。
【００４０】
信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）は、下部基板１００に設けられており、ゲート信号（“走査信号”ともいう）を伝達する複数のゲート線Ｇ１〜Ｇｎと、データ電圧を伝達する複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍとを含む。ゲート線Ｇ１〜Ｇｎは、ほぼ行方向（図の左右方向）に延び、互いにほぼ平行であり、データ線Ｄ１〜Ｄｍは、ほぼ列方向に延び（図の上下方向）、互いにほぼ平行である。
【００４１】
各画素ＰＸ、例えば、ｉ番目（ｉ＝１、２、…、ｎ）ゲート線Ｇｉとｊ番目（ｊ＝１、２、…、ｍ）データ線Ｄｊとに接続された画素ＰＸは、一対の副画素を含み、各副画素は液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｌｃｈ、Ｃｌｃｌをそれぞれ含む。２つの副画素は、ゲート線Ｇ１〜Ｇｎ、データ線Ｄ１〜Ｄｍ、及び液晶キャパシタＣｌｃｈ、Ｃｌｃｌと接続されたスイッチング素子（図示せず）をさらに含む。
【００４２】
液晶キャパシタＣｌｃｈ、Ｃｌｃｌは、下部基板１００の副画素電極１９１ｈ、１９１ｌと上部基板２００の共通電極２７０とを２つの端子とし、副画素電極１９１ｈ、１９１ｌと共通電極２７０との間の液晶層３は誘電体として機能する。一対の副画素電極１９１ｈ、１９１ｌは互いに分離されており、１つの画素電極を成す。共通電極２７０は、上部基板２００の全面に形成されており、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界のない状態でその長軸が２つの基板の表面に対して垂直となるように配向されることができる。図２とは異なる構成として、共通電極２７０を下部基板１００に設けることもでき、この時には画素電極と共通電極２７０の少なくとも１つを線状または棒状に形成することができる。
【００４３】
一方、色表示を実現するためには、各画素ＰＸが基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを固有に表示する（空間分割）か、あるいは各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示する（時間分割）ようにして、これら基本色の空間的、時間的な作用で所望の色が認識されるようにする。基本色の例としては赤色、緑色、青色など三原色がある。図２は、空間分割の一例であって、各画素ＰＸが上部基板２００の領域に基本色のうちの１つを表示するカラーフィルタ２３０を備えることを示している。図２とは異なって、カラーフィルタ２３０は下部基板１００の副画素電極１９１ｈ、１９１ｌ上または下に形成してもよい。
【００４４】
基板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が設けられており、２つの偏光子の偏光軸は直交するように配置することができる。
【００４５】
さらに図１に示すように、データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線Ｄ１〜Ｄｍと接続され、データ電圧をデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【００４６】
ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線Ｇ１〜Ｇｎと接続され、スイッチング素子を導通させることができるゲートオン電圧Ｖｏｎと、遮断させることができるゲートオフ電圧Ｖｏｆｆとの組み合わせからなるゲート信号をゲート線Ｇ１〜Ｇｎに印加する。
【００４７】
次に、図３〜図５を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【００４８】
図３は、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図４は、図３に示した液晶表示板組立体の画素電極を示した平面図であり、図５は、図３の液晶表示板組立体のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【００４９】
本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部基板１００と上部基板２００、及びこれら２つの基板（１００、２００）の間に入っている液晶層３を含む。基板（１００、２００）の外側面には偏光子（図示せず）を設けることができる。
【００５０】
まず、上部基板２００について説明する。
【００５１】
絶縁基板２１０の上に共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体または金属などで形成することができる。共通電極２７０の上には配向膜（図示せず）を形成してもよい。
【００５２】
下部基板１００と上部基板２００との間に入っている液晶層３は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、液晶分子は、電界のない状態でその長軸が２つの基板１００、２００の表面に対して垂直となるように配向することもできる。
【００５３】
次に、下部基板１００について説明する。
【００５４】
絶縁基板１１０の上に複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１、複数の降圧ゲート線１２３、及び複数の維持電極線１２５を含む複数のゲート導電体が形成されている。
【００５５】
ゲート線１２１及び降圧ゲート線１２３は主に図の横方向に延び、ゲート信号を伝達する。ゲート線１２１は上下に突出した第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌを含み、降圧ゲート線１２３は上に突出した第３ゲート電極１２４ｃを含む。第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌは互いに接続して１つの突出部を成す。
【００５６】
維持電極線１２５も主に図の横方向に延び、共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧を伝達する。維持電極線１２５は、上下に突出した維持電極１２９、ゲート線１２１とほぼ垂直に下に延びた一対の縦部１２８、及び一対の縦部１２８の端を互いに接続する横部１２７を含む。横部１２７は下に拡張された維持拡張部１２６を含む。
【００５７】
ゲート導電体１２１、１２３、１２５の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
【００５８】
ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質または結晶質ケイ素などで作られる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に図の縦方向に延び、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌに向かって延び出ており、互いに接続されている第１半導体１５４ｈと第２半導体１５４ｌ、及び第２半導体１５４ｌと接続された第３半導体１５４ｃを含む。
【００５９】
線状半導体１５１の上には複数の線状オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６１が形成されており、第１半導体１５４ｈの上には第１オーミックコンタクト部材１６３ｈ、１６５ｈが形成され、第２半導体１５４ｌ及び第３半導体１５４ｃの上にもそれぞれ第２オーミックコンタクト部材（図示せず）及び第３オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。第１オーミックコンタクト部材１６５ｈは線状オーミックコンタクト部材１６１から突出している。
【００６０】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５ｈの上には、複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１、複数の第１ドレイン電極１７５ｈ、複数の第２ドレイン電極１７５ｌ、及び複数の第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が形成されている。
【００６１】
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１及び降圧ゲート線１２３と交差する。各データ線１７１は、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌに向かって延び、‘Ｓ’字状を成す第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌを含む。
【００６２】
第１ドレイン電極１７５ｈ、第２ドレイン電極１７５ｌ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、ソース電極に一部が取り囲まれる棒状の一端部と、一端部から引き出される幅が広く形成された他端部とを含む。第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌの棒状の一端部は、第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌによって一部が取り囲まれている。第２ドレイン電極１７５ｌの幅が広い他端部は、さらに延びて‘Ｕ’字状に曲がった第３ソース電極１７３ｃを成す。第３ドレイン電極１７５ｃの幅が広い他端部１７７ｃは維持拡張部１２６と重畳して降圧キャパシタＣｓｔｄを成し、棒状の一端部は第３ソース電極１７３ｃによって一部が取り囲まれている。
【００６３】
第１／第２／第３ゲート電極（１２４ｈ／１２４ｌ／１２４ｃ）、第１／第２／第３ソース電極（１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃ）、及び第１／第２／第３ドレイン電極（１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃ）は、第１／第２／第３島型半導体（１５４ｈ／１５４ｌ／１５４ｃ）と共に１つの第１／第２／第３薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）（Ｑｈ／Ｑｌ／Ｑｃ）を形成し、薄膜トランジスタのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、各ソース電極（１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃ）と各ドレイン電極（１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃ）との間の各半導体（１５４ｈ／１５４ｌ／１５４ｃ）に形成される。
【００６４】
半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）を含む線状半導体１５１は、ソース電極（１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ）とドレイン電極（１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）との間のチャネル領域を除いては、データ導電体（１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）及びその下部のオーミックコンタクト部材（１６１、１６５ｈ）と実質的に同一の平面形状を有する。つまり、半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）を含む線状半導体１５１には、ソース電極（１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ）とドレイン電極（１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）との間をはじめとして、データ導電体（１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）によって覆われずに露出した部分がある。
【００６５】
データ導電体（１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）及び露出した半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）部分の上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁物で作られる下部保護膜１８０ｐが形成されている。
【００６６】
下部保護膜１８０の上にはカラーフィルタ２３０が位置する。カラーフィルタ２３０は、第１薄膜トランジスタＱｈ、第２薄膜トランジスタＱｌ、及び第３薄膜トランジスタＱｃなどが位置する所を除いた大部分の領域に位置して形成されている。また、カラーフィルタ２３０は、隣接するデータ線１７１の間に沿って図の縦方向に長く延びることもできる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示するように構成することができる。
【００６７】
カラーフィルタ２３０が位置しない領域及びカラーフィルタ２３０の一部の上には遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が位置する。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）とも呼ばれ、光漏れを防ぐ。遮光部材２２０は、第１薄膜トランジスタＱｈ、第２薄膜トランジスタＱｌ、及び第３薄膜トランジスタＱｃなどが位置する領域を覆う部分、及びデータ線１７１に沿って延びる部分を含む。遮光部材２２０は、第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌの上に位置する開口部２２７、第１ドレイン電極１７５ｈの幅が広い他端部の上に位置する開口部２２６ｈ、第２ドレイン電極１７５ｌの幅が広い他端部の上に位置する開口部２２６ｌ、及び第３薄膜トランジスタＱｃの上に位置する開口部２２８を含むことができる。このように、遮光部材２２０が除去された開口部（２２６ｈ、２２６ｌ、２２７、２２８）は、液晶表示装置の製造工程中に薄膜トランジスタなどの不良検査を可能にする。
【００６８】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には上部保護膜１８０ｑが形成されている。
【００６９】
下部保護膜１８０ｐ及び上部保護膜１８０ｑには、第１ドレイン電極１７５ｈの幅が広い他端部と、第２ドレイン電極１７５ｌの幅が広い他端部とをそれぞれ露出する複数のコンタクトホール（１８５ｈ、１８５ｌ）が形成されている。コンタクトホール（１８５ｈ、１８５ｌ）は、遮光部材２２０の開口部２２６ｈ、２２６ｌの内部に位置する。
【００７０】
上部保護膜１８０ｑの上には、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌを含む画素電極が形成されている。
【００７１】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは列方向に隣接する。第２副画素電極１９１ｌの高さは、第１副画素電極１９１ｈの高さより高く、約１倍〜３倍であり得る。
【００７２】
第１副画素電極１９１ｈの全体的な形状は四角形であり、横幹部及び縦幹部を含む十字幹部１９５ｈ、外周部に位置する外周幹部１９６ｈ、及び十字幹部１９５ｈの縦幹部の下端から下に突出した突出部１９２ｈを含む。
【００７３】
第２副画素電極１９１ｌの全体的な形状も四角形であり、横幹部及び縦幹部を含む十字幹部１９５ｌ、上端横部１９６ｌａ、下端横部１９６ｌｂ、十字幹部１９５ｌの縦幹部の上端から上に突出した突出部１９２ｌ、及び第１副画素電極１９１ｈの左右に位置する左右縦部１９３ｌａ、１９３ｌｂを含む。左右縦部１９３ｌａ、１９３ｌｂを形成することにより、データ線１７１と第１副画素電極１９１ｈとの間の容量性結合、つまり、カップリング（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を防止することができる。
【００７４】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌそれぞれは、十字幹部（１９５ｈ、１９５ｌ）によって４つの副領域に分かれる。第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、各副領域で十字幹部（１９５ｈ、１９５ｌ）から外側に斜めに延びる複数の微細枝部（１９９ｈ、１９９ｌ）を含み、隣接する微細枝部（１９９ｈ、１９９ｌ）の間には微細スリット（９１ｈ、９１ｌ）が位置する。微細枝部（１９９ｈ、１９９ｌ）または微細スリット（９１ｈ、９１ｌ）がゲート線１２１と成す角は、約４５度または１３５度とすることができる。隣接する２つの副領域の微細枝部（１９９ｈ、１９９ｌ）または微細スリット（９１ｈ、９１ｌ）は互いに直交するように配置することもできる。
【００７５】
図４を参照すれば、第２副画素電極１９１ｌの各副領域は、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅ＷＨが相対的に狭い第１領域ＨＡと、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅ＷＬが相対的に大きい第２領域ＬＡ、及び微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅ＷＭが段階的に（ｇｒａｄｕａｌｌｙ）変わる第３領域ＭＡを含む。したがって、第３領域ＭＡにおける微細枝部１９９ｌのピッチまたは微細スリット９１ｌのピッチは、第１領域ＨＡから第２領域ＬＡに近くなるほど次第に大きくなる。第１領域ＨＡ、第２領域ＬＡ、及び第３領域ＭＡにおける微細枝部１９９ｌの幅または微細スリット９１ｌの間の間隔は一定であってもよい。例えば、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの間の間隔は約３．５〜４．５μｍ、さらに具体的に約４μｍとすることができる。
【００７６】
第２副画素電極１９１ｌの各副領域において、第１領域ＨＡは第２領域ＬＡより面積が大きい。特に、第１領域ＨＡが各副領域の全体面積の約６０〜７０％を占める場合、液晶表示装置の透過率を高めることでき、さらに具体的には、第１領域ＨＡが各副領域の全体面積の約６１．５％の場合、視認性及び透過率が最も高めることができる。
【００７７】
第３領域ＭＡは、各副領域の全体面積の約１５〜２５％を占めるように構成することができる。
【００７８】
第１領域ＨＡにおいて、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅ＷＨは約２．５〜３．５μｍ、さらに具体的には約３μｍとすることができ、微細枝部１９９ｌのピッチまたは微細スリット９１ｌのピッチは５〜７μｍ、さらに具体的には約６μｍとすることができる。第２領域ＬＡにおいて、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅ＷＬは約３．５〜５．５μｍ、さらに具体的には約４〜５μｍとすることができ、微細枝部１９９ｌのピッチまたは微細スリット９１ｌのピッチは６〜９μｍ、さらに具体的には約７〜８μｍとすることができる。また、第３領域ＭＡにおいて、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅ＷＭは約０．２〜０．３μｍ、さらに具体的には約０．２５μｍずつ段階的に変化するように構成できる。ここで提示された数値は例示的なものであって、液晶層３のセルギャップ、種類及び特性などの設計要素によって変更することができる。
【００７９】
第１副画素電極１９１ｈの突出部１９２ｈは、コンタクトホール１８５ｈを通じて第１ドレイン電極１７５ｈからデータ電圧の印加を受け、第２副画素電極１９１ｌの突出部１９２ｌはコンタクトホール１８５ｌを通じて第２ドレイン電極１７５ｌからデータ電圧の印加を受ける。この時、第２副画素電極１９１ｌが印加を受けるデータ電圧は、第１副画素電極１９１ｈが印加を受けるデータ電圧より小さくすることができる。
【００８０】
第１副画素電極１９１ｈ、第２副画素電極１９１ｌ、及び上部保護膜１８０ｑの上には配向膜（図示せず）を形成することができる。
【００８１】
データ電圧が印加された第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、上部基板２００の共通電極２７０と共に電界を生成することによって、２つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射した光の偏光の変化程度が変わり、このような偏光の変化は偏光子によって透過率の変化として現れ、液晶表示装置は映像を表示する。
【００８２】
一方、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌが含む微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの長辺は、電界を歪曲して微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの長辺に対して直交する方向に電界の水平成分を形成する。液晶分子の傾斜方向は、各スリットの影響により決定される電界の水平成分によって決定される。したがって、液晶分子が、最初は微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの辺に対して垂直の方向に傾こうとする。しかし、隣接する微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの長辺による電界の水平成分の方向が反対であり、微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの幅が狭いため、互いに反対方向に傾こうとする液晶分子が共に微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの長さ方向に対して平行な方向に傾く。
【００８３】
本発明の実施形態において、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、微細枝部１９９ｈ、１９９ｌまたは微細スリット９１ｈ、９１ｌの長さ方向が互いに異なる４つの副領域を含むので、液晶層３の液晶分子が傾く方向も４方向全部になる。このように液晶分子が傾く方向を多様にすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００８４】
第１副画素電極１９１ｈと共通電極２７０は、その間の液晶層３と共に第１液晶キャパシタＣｌｃｈを成し、第２副画素電極１９１ｌと共通電極２７０は、その間の液晶層３と共に第２液晶キャパシタＣｌｃｌを成し、第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
【００８５】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、維持電極１２９をはじめとする維持電極線１２５と重畳して第１ストレージキャパシタＣｓｔｈ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｌを成し、第１ストレージキャパシタＣｓｔｈ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｌは、それぞれ第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌの電圧維持能力を強化する。
【００８６】
本発明の実施形態おいては、第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌの電圧が異なる場合がある。このように第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌの電圧が異なると、第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌに作用する電圧が異なるので、輝度も変わる。したがって、第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌの電圧を適切に合わせれば、側面視認性を向上することができる。第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌの電圧が異なる場合の動作については、以下で詳細に説明する。
【００８７】
本発明の実施形態において、第２副画素電極１９１ｌの各副領域は、微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅が広い領域と狭い領域とを含む。微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅が狭いほど液晶層３内の電界の強さが大きくなるので、第２液晶キャパシタＣｌｃｌ内でも液晶分子の傾いた程度が異なる２つ以上の領域が生じ、輝度が領域によって変わる。したがって、側面視認性をさらに向上することができる。
【００８８】
また、第２副画素電極１９１ｌの各副領域において、微細枝部１９９ｌのピッチまたは微細スリット９１ｌのピッチが異なる２つの領域ＨＡ、ＬＡが隣接するとき、その境界でテクスチャが生じることがある。本実施形態では微細枝部１９９ｌのピッチ及び微細スリット９１ｌのピッチが異なる２つの領域ＨＡ、ＬＡの間に、ピッチが段階的に変わる第３領域ＭＡを設けることによって、液晶分子の配列を制御し、テクスチャの発生を最小化している。
【００８９】
本実施形態では、画素電極が第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌを含んでおり、このうち第２副画素電極１９１ｌが、微細枝部１９９ｌのピッチまたは微細スリット９１ｌのピッチが相対的に大きい領域ＬＡと、相対的に小さい領域ＨＡ、及びその中間に微細枝部のピッチまたは微細スリットのピッチが段階的に変わる領域ＭＡを含むことを例示している。これに対して、一つの画素ＰＸに含まれる画素電極が２つの副画素電極に分割されない場合にも、視認性の改善及びテクスチャの減少のために、同様の構成を適用することができる。この場合、画素電極は、図４に示したような第１副画素電極１９１ｈまたは第２副画素電極１９１ｌの構造と同一の構造を有することができ、データ線から１つの薄膜トランジスタを通じてデータ電圧を伝達することができる。
【００９０】
本発明の他の実施形態によれば、１つの副画素電極が微細枝部のピッチまたは微細スリットのピッチが互いに異なる２つ以上の領域を含むように構成できる。勿論、この場合にも、微細枝部のピッチまたは微細スリットのピッチが互いに異なる隣接する２つの領域の間には、微細枝部のピッチまたは微細スリットのピッチが段階的に変化する中間領域を配置することができる。
【００９１】
図示してはいないが、下部基板１００の上には、下部基板１００と上部基板２００との間の間隔、つまり、セルギャップを維持するための間隔材（ｓｐａｃｅｒ）（図示せず）をさらに設けてもよい。
【００９２】
次に、本発明の一実施形態による液晶表示装置の回路図的構造及び動作について、上述した図１〜図５、及び図６を参照して説明する。
【００９３】
図６は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する等価回路図である。
【００９４】
図６を参照すれば、図１〜図５に示した液晶表示装置は、上述した通り、ゲート線１２１、維持電極線１２５、降圧ゲート線１２３、及びデータ線１７１を含む信号線、及び接続された画素ＰＸを含む。
【００９５】
画素ＰＸは、第１、第２、及び第３スイッチング素子Ｑｈ、Ｑｌ、Ｑｃ、第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃｈ、Ｃｌｃｌ、第１及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｈ、Ｃｓｔｌ、そして降圧キャパシタＣｓｔｄを含む。ここで、第１スイッチング素子Ｑｈと第１薄膜トランジスタＱｈ、第２スイッチング素子Ｑｌと第２薄膜トランジスタＱｌ、そして第３スイッチング素子Ｑｃと第３薄膜トランジスタＱｃは、それぞれ同一の符号を付するものとする。
【００９６】
第１スイッチング素子Ｑｈ及び第２スイッチング素子Ｑｌはそれぞれゲート線１２１及びデータ線１７１に接続され、第３スイッチング素子Ｑｃは降圧ゲート線１２３に接続されている。
【００９７】
第１スイッチング素子Ｑｈ及び第２スイッチング素子Ｑｌは、下部基板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線１２１と接続され、入力端子はデータ線１７１と接続され、出力端子は、第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃｈ、Ｃｌｃｌと第１及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｈ、Ｃｓｔｌとそれぞれ接続されている。
【００９８】
第３スイッチング素子Ｑｃも下部基板１００に設けられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、制御端子は降圧ゲート線１２３と接続され、入力端子は第２液晶キャパシタＣｌｃｌと接続され、出力端子は降圧キャパシタＣｓｔｄと接続されている。
【００９９】
第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌは、それぞれ第１スイッチング素子Ｑｈ及び第２スイッチング素子Ｑｌと接続された第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと、上部基板２００の共通電極２７０とが重畳して形成される。第１ストレージキャパシタＣｓｔｈ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｌは、維持電極１２９をはじめとする維持電極線１２５と、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌとが重畳して形成される。
【０１００】
降圧キャパシタＣｓｔｄは、第３スイッチング素子Ｑｃの出力端子と維持電極線１２５とに接続されており、下部基板１００に具備された維持電極線１２５と第３スイッチング素子Ｑｃの出力端子とが絶縁体を介在して重畳して形成される。
【０１０１】
まず、ゲート線１２１にゲートオン電圧Ｖｏｎが印加されると、これに接続された第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌが導通する。
【０１０２】
これにより、データ線１７１のデータ電圧は、導通した第１スイッチング素子Ｑｈ及び第２スイッチング素子Ｑｌを通じて、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌに同一の電圧が印加される。第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌは、共通電極２７０の共通電圧Ｖｃｏｍと第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの電圧の差に応じて充電されるので、第１液晶キャパシタＣｌｃｈの充電電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｌの充電電圧も互いに同一である。この時、降圧ゲート線１２３にはゲートオフ電圧Ｖｏｆｆが印加される。
【０１０３】
次のゲート線１２１にゲートオフ電圧Ｖｏｆｆが印加されると同時に、降圧ゲート線１２３にゲートオン電圧Ｖｏｎが印加されると、ゲート線１２１に接続された第１スイッチング素子Ｑｈ及び第２スイッチング素子Ｑｌは遮断され、第３スイッチング素子Ｑｃは導通する。そのために、第２スイッチング素子Ｑｌの出力端子と接続された第２副画素電極１９１ｌの電荷が降圧キャパシタＣｓｔｄに流れ、第２液晶キャパシタＣｌｃｌの電圧が下降する。
【０１０４】
本実施形態による液晶表示装置がフレーム反転（ｆｒａｍｅ  ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）で駆動され、現在フレームでデータ線１７１に共通電圧Ｖｃｏｍを基準として極性が正（＋）のデータ電圧が印加されることを例として説明すれば、直前フレームが終わった後に、降圧キャパシタＣｓｔｄには負（−）の電荷が充電されるようになる。現在フレームで第３スイッチング素子Ｑｃが導通すると、第２副画素電極１９１ｌの正（＋）の電荷が第３スイッチング素子Ｑｃを通じて降圧キャパシタＣｓｔｄに流れ、降圧キャパシタＣｓｔｄには正（＋）の電荷が充電され、第２液晶キャパシタＣｌｃｌの電圧は下降するようになる。次のフレームでは、反対に第２副画素電極１９１ｌに負（−）の電荷が充電された状態で第３スイッチング素子Ｑｃが導通することにより、第２副画素電極１９１ｌの負（−）の電荷が降圧キャパシタＣｓｔｄに流れて降圧キャパシタＣｓｔｄには負（−）の電荷が充電され、第２液晶キャパシタＣｌｃｌの電圧も下降するようになる。
【０１０５】
このように本実施形態によれば、データ電圧の極性に関係なしに第２液晶キャパシタＣｌｃｌの充電電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃｈの充電電圧より常に低くすることができる。したがって、第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌの充電電圧を異なるようにすることで、液晶表示装置の側面視認性を向上することができる。
【０１０６】
本実施形態とは異なって、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの第１スイッチング素子Ｑｈ及び第２スイッチング素子Ｑｌは、互いに異なるデータ線に接続されて異なるデータ電圧の印加を受けるように構成することが可能であり、また、互いに異なる時間に１つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けるように構成することもできる。この場合、第３スイッチング素子Ｑｃ及び降圧キャパシタＣｓｔｄなどは省略することも可能である。
【０１０７】
次に、図７及び図８を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について説明する。上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略する。
【０１０８】
図７は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図８は、図７の液晶表示板組立体のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【０１０９】
図７及び図８に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部基板１００と上部基板２００、及びこれら２つの基板１００、２００の間に注入された液晶層３を含む。
【０１１０】
まず、下部基板１００について説明する。
【０１１１】
絶縁基板１１０の上に上部に突出した複数のゲート電極１２４をそれぞれ含む複数のゲート線１２１が形成され、その上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０の上には複数の島型半導体１５４が形成されている。
【０１１２】
半導体１５４の上には複数対の島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５が形成されており、島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５とが形成されている。データ線１７１はゲート電極１２４に向かって延び、Ｕ字状に曲がったソース電極１７３を含む。
【０１１３】
ドレイン電極１７５は、縦部、横部１７６、及び拡張部１７７を含む。縦部はゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。横部１７６は、縦部と直交方向に交差し、ゲート線１２１と平行に図の左右方向に延びている。拡張部１７７は、横部１７６の一端部に位置し、他の層との接触のために面積が広い。
【０１１４】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出した半導体１５４部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０にはドレイン電極１７５の拡張部１７７を露出する複数のコンタクトホール１８５が形成されている。
【０１１５】
保護膜１８０の上には複数の画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１の形状は、上述した実施形態で説明した第１副画素電極１９１ｈまたは第２副画素電極１９１ｌの形状と類似している。画素電極１９１は、下端の突出部１９７でコンタクトホール１８５によってドレイン電極１７５と接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。
【０１１６】
画素電極１９１の上には配向膜１１が形成されている。
【０１１７】
次に、上部基板２００について説明すると、基板２１０の上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する開口部２２５を含む。
【０１１８】
基板２１０及び遮光部材２２０の上には複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０によって取り囲まれた領域内に大部分が存在し、画素電極１９１の列に沿って長く延びる形状とすることができる。本実施形態とは異なって、カラーフィルタ２３０は下部基板１００に配置することもできる。
【０１１９】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には蓋膜２５０が形成されており、蓋膜２５０の上にはＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで作られた共通電極２７０が全面に形成されている。共通電極２７０の上には配向膜２１が塗布されている。
【０１２０】
２つの配向膜１１、２１は垂直配向膜であってもよい。
【０１２１】
画素電極１９１は、データ線１７１からデータ電圧の印加を受け、共通電圧の印加を受けた共通電極２７０と共に液晶層３に電界を生成する。このことにより、液晶層３の液晶分子３１は生成された電界に応答して、その長軸が電界の方向に直交する方向になるように配向方向を変えようとする。
【０１２２】
本実施形態による画素電極１９１も微細スリット９１によって液晶分子３１が傾く方向はほぼ４方向となり、互いに異なる方向に延びる微細スリット９１によって４つの副領域に分れる。各副領域は、微細枝部１９９または微細スリット９１のピッチが相対的に狭い第１領域ＨＡ、微細枝部１９９のピッチまたは微細スリット９１のピッチが相対的に大きい第２領域、及び微細枝部１９９のピッチまたは微細スリット９１のピッチが段階的に変わる第３領域ＭＡを含む。本実施形態による画素電極１９１の微細枝部１９９及び微細スリット９１にも、上述した実施形態における第２副画素電極１９１ｌの微細枝部及び微細スリットに対する多様な特徴及び効果が適用できる。
【０１２３】
次に、図９、図１０及び図１１を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について説明する。上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略する。
【０１２４】
図９は、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１０は、図９に示した液晶表示板組立体の画素電極及びゲート導電体を示した配置図であり、図１１は、図９の液晶表示板組立体のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。
【０１２５】
図９、図１０及び図１１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体は上述した図３、図４及び図５に示した液晶表示板組立体とほとんど同一であるので、図３、図４及び図５の液晶表示板組立体と異なる点を中心に説明する。
【０１２６】
まず、上部基板２００を構成する絶縁基板２１０の上に共通電極２７０が形成されており、下部基板１００と上部基板２００との間には液晶層３が注入されている。
【０１２７】
次の下部基板１００について説明すれば、絶縁基板１１０の上に複数のゲート線１２１、複数の降圧ゲート線１２３、及び複数の維持電極線１２５ａを含む複数のゲート導電体が形成されている。
【０１２８】
維持電極線１２５ａは、ゲート線１２１のすぐ上に位置し、主に図の左右方向に延びており、共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧を伝達する。維持電極線１２５ａは、下に拡張された維持拡張部１２６ａ、ゲート線１２１とほぼ直交する方向であって図の上方向に長く延びた一対の第１縦部１２８ａ、一対の第１縦部１２８ａの端を接続する横部１２７ａ、横部１２７ａの一部が上下に拡張された維持電極１２９ａ、及び第１縦部１２８ａの端から上に延びた一対の第２縦部１２８ｂを含む。
【０１２９】
ゲート導電体１２１、１２３、１２５ａの上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【０１３０】
ゲート絶縁膜１４０の上には複数の線状半導体（図示せず）が形成され、その上には複数の線状オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。線状半導体１５１は、第１半導体１５４ｈ、第２半導体１５４ｌ、及び第２半導体１５４ｌと接続された第３半導体１５４ｃを含む。第２半導体１５４ｌの上には第２オーミックコンタクト部材１６５ｌが形成されている。
【０１３１】
オーミックコンタクト部材１６５ｌの上には、複数のデータ線１７１、複数の第１ドレイン電極１７５ｈ、複数の第２ドレイン電極１７５ｌ、及び複数の第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が形成されている。
【０１３２】
データ導電体１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ及び露出した半導体１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ部分の上には下部保護膜１８０ｐが形成されており、その上にはカラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０が位置する。遮光部材２２０は開口部２２６ｈ、２２６ｌ、２２７、２２８を含む。
【０１３３】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には上部保護膜１８０ｑが形成されている。
【０１３４】
本実施形態とは異なって、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の少なくとも１つは上部基板２００に形成することができ、この場合、上部保護膜１８０ｑは省略可能である。カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の少なくとも１つを上部基板２００に形成する場合、下部保護膜１８０ｐの上には有機物からなる上部保護膜（図示せず）を形成するか、または下部保護膜１８０ｐの代わりに有機膜（図示せず）を形成することができる。
【０１３５】
上部保護膜１８０ｑの上には、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌを含む画素電極が形成されている。
【０１３６】
第１副画素電極１９１ｈは、十字幹部１９５ｈ、上端横接続部１９６ｈａ、下端横接続部１９６ｈｂ、上端横接続部１９６ｈａと下端横接続部１９６ｈｂとを上下に接続する左側及び右側の縦接続部１９４ｈ、及び十字幹部１９５ｈの縦幹部の下端から下に突出した突出部１９２ｈを含む。上端横接続部１９６ｈａ、下端横接続部１９６ｈｂ、左側及び右側の縦接続部１９４ｈは、第１副画素電極１９１ｈの外周枠部分を構成する。
【０１３７】
第２副画素電極１９１ｌの全体的な形状も第１副画素電極１９１ｈと類似している。第２副画素電極１９１ｌは、十字幹部１９５ｌ、上端横接続部１９６ｌａ、下端横接続部１９６ｌｂ、上端横接続部１９６ｌａ、及び下端横接続部１９６ｌｂを上下に接続する左側及び右側の縦接続部１９４ｌ、及び十字幹部１９５ｌの縦幹部の上端から上に突出した突出部１９２ｌを含む。上端横接続部１９６ｌａ、下端横接続部１９６ｌｂ、左側及び右側の縦接続部１９４ｌは、第２副画素電極１９１ｌの外周枠部分を構成する。
【０１３８】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、それぞれの十字幹部１９５ｈ、１９５ｌ及び外周枠部分によって四つの副領域に分れ、各副領域は十字幹部１９５ｈ、１９５ｌから外側に斜めに延びる複数の微細枝部１９９ｈ、１９９ｌ及び微細スリット９１ｈ、９１ｌを含む。複数の微細枝部１９９ｈ、１９９ｌの端は外周枠部分によって接続される。
【０１３９】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの外周枠部分を成す上端横接続部１９６ｈａ、１９６ｌａ、下端横接続部１９６ｈｂ、１９６ｌｂ、及び左右側縦接続部１９４ｈ、１９４ｌの幅Ｗｅは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの微細枝部１９９ｈ、１９９ｌの幅Ｗｂの約２．５倍以下であり得る。この時、図９及び図１０に示したものとは異なって、第２副画素電極１９１ｌの各副領域の微細枝部１９９ｌの間の間隔または微細スリット９１ｌの幅は、位置によって変わることなく一定にすることもできる。
【０１４０】
第１副画素電極１９１ｈの上端横接続部１９６ｈａは、維持電極線１２５ａの横部１２７ａと完全に重畳し、維持電極線１２５ａの横部１２７ａの外周縁内に位置するように構成される。また、下端横接続部１９６ｈｂは、維持電極線１２５ａと完全に重畳して、維持電極線１２５ａの外周縁内に位置するように構成される。同様に、第２副画素電極１９１ｌの下端横接続部１９６ｌｂは、維持電極線１２５ａの横部１２７ａと完全に重畳して、下端横接続部１９６ｌｂは維持電極線１２５ａの横部１２７ａの外周縁内に位置するように構成される。第１副画素電極１９１ｈの上端横接続部１９６ｈａ、下端横接続部１９６ｈｂ、及び第２副画素電極１９１ｌの下端横接続部１９６ｌｂは、その一部だけが維持電極線１２５ａまたは維持電極線１２５ａの横部１２７ａと重畳するように構成することもできる。
【０１４１】
第１副画素電極１９１ｈの左右側縦接続部１９４ｈは、維持電極線１２５ａの一対の第１縦部１２８ａと一部重畳し、第２副画素電極１９１ｌの左右側縦接続部１９４ｌは、維持電極線１２５ａの一対の第２縦部１２８ｂと一部重畳している。この第１副画素電極１９１ｈの左右側縦接続部１９４ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの左右側縦接続部１９４ｌは、維持電極線１２５ａの一対の第１縦部１２８ａ及び一対の第２縦部１２８ｂと完全に重畳するように構成することもできる。
【０１４２】
第２副画素電極１９１ｌの上端横接続部１９６ｌａは、降圧ゲート線１２３と完全に重畳して、上端横接続部１９６ｌａは降圧ゲート線１２３の外周縁内に位置するように構成される。
【０１４３】
このように、維持電極線１２５ａ及び降圧ゲート線１２３などと少なくとも一部が重畳する第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの上端横接続部１９６ｈａ、１９６ｌａ、下端横接続部１９６ｈｂ、１９６ｌｂ、及び左右側縦接続部１９４ｈ、１９４ｌを形成し、その幅を微細枝部１９９ｈ、１９９ｌの幅の２．５倍以下にすることにより、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌの周縁領域におけるテクスチャを減らすことができる。
【０１４４】
図７及び図８に示した液晶表示板組立体においても、画素電極１９１は、画素電極１９１の微細枝部１９９の端を接続する横接続部（図示せず）及び縦接続部（図示せず）をさらに含むことができ、このような横接続部または縦接続部は、ゲート線１２１または共通電圧を伝達する維持電極線（図示せず）と一部または完全に重畳してテクスチャを減らすことができる。また、横接続部または縦接続部の幅は、微細枝部１９９の幅の約２．５倍以下とすることができる。
【０１４５】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれらに限定されず、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【０１４６】
３  液晶層
１００  下部基板
１１０、２１０  基板
１２１  ゲート線
１２３  降圧ゲート線
１２５  維持電極線
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４、１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ  半導体
１６１、１６３、１６５、１６３ｈ、１６５ｈ  オーミックコンタクト部材
１７１  データ線
１７３、１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ  ソース電極
１７５、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ  ドレイン電極
１８０、１８０ｐ、１８０ｑ  保護膜
１８５、１８５ｈ、１８５ｌ  コンタクトホール
１９１、１９１ｈ、１９１ｌ  画素電極
２００  上部基板
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２７０  共通電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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