(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動部及び前記振動部を囲むように配置されている枠部を含む中間基板と、
前記中間基板の一方の主面に前記振動部を覆うように積層されている第１の基板と、
前記中間基板の他方の主面に前記振動部を覆うように積層されている第２の基板と、
を含み、
前記中間基板は、
前記振動部の前記一方の主面側に設けられている第１の励振電極と、
前記振動部の前記他方の主面側に設けられている第２の励振電極と、
前記枠部の前記一方の主面側から前記他方の主面側に貫通している第３の貫通穴と、
前記第３の貫通穴を通り、前記第１の励振電極と電気的に接続されている第１の配線と、
前記他方の主面側に設けられ、前記第２の励振電極と電気的に接続されている第２の配線と、
を含み、
前記第２の基板は、
前記第２の基板の一方の主面から該一方の主面とは反対側の他方の主面に貫通している第１の貫通穴および第２の貫通穴と、
前記第１の貫通穴の内部に設けられ、前記第１の配線と電気的に接続されている第３の配線と、
前記第２の貫通穴の内部に設けられ、前記第２の配線と電気的に接続されている第４の配線と、
を含み、
前記中間基板は、
前記振動部と前記枠部とを接続している第１の接続部および第２の接続部と、
を含み、
前記枠部は、
薄板部と、
前記薄板部よりも厚みが厚く、前記薄板部の外縁に設けられている厚板部と、
を含み、
前記第１の貫通穴は、前記薄板部の前記他方の主面と対向し、
前記第２の貫通穴は、前記薄板部の前記他方の主面と対向していることを特徴とする振動デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電デバイスは、より一層の小型化が要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有する水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで３層の基板を互いに接合することにより封止する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、上記封止技術では、基板間の接合部で導通をとっているため、接合方法が限られてしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−９４３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、接合方法の自由度が高く、キャパシタンスの上昇を防ぎ、安定した振動周波数を得ることのできる圧電デバイスおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法は、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスの製造方法であって、
（ａ）前記中間基板に、
圧電振動部と、
前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
前記圧電振動部と前記枠部とを接続し、互いに異なる位置に第１の接続部および第２の接続部と、
を形成する工程と、
（ｂ）前記圧電振動部の上面に第１の励振電極と、
前記圧電振動部の下面に第２の励振電極と、
一方の端部が前記第１の励振電極と電気的に接続され、他方の端部が前記枠部の下面に延びる第１の配線と、
前記第２の励振電極と電気的に接続された第２の配線と、
を形成する工程と、
（ｃ）前記下側基板の上面から下面を貫通し、互いに異なる位置に第１の貫通穴および第２の貫通穴を設ける工程と、
（ｄ）前記上側基板と前記中間基板とを接合する工程と、
（ｅ）前記第１の配線の前記他方の端部と、前記第１の貫通穴とが重複し、前記第２の配線と前記第２の貫通穴とが重複するように、前記下側基板と前記中間基板とを接合する工程と、
（ｆ）前記第１の貫通穴に第１の導電性材料を圧入することにより、当該第１の導電性材料を前記第１の配線と接続させ、かつ前記第１の貫通穴を塞ぎ、第２の貫通穴に第２の導電性材料を圧入することにより、当該第１の導電性材料を前記第１の配線と接続させ、かつ前記第２の貫通穴を塞ぐ工程と、
を含む。
【０００７】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法において、
前記工程（ａ）は、前記中間基板の前記枠部の上面から下面を貫通する第３の貫通穴を形成することをさらに含み、
前記工程（ｂ）では、前記第１の配線を前記第３の貫通穴にとおすことによって、前記他方の端部を前記枠部の下面に延ばすことができる。
【０００８】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法において、
前記第１の接続部は、前記圧電振動部の相互に反対側の両端部の一方を接続し、
前記第２の接続部は、前記両端部の他方を接続していることができる。
【０００９】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法において、
前記工程（ｆ）の前に、前記第１の貫通穴および前記第２の貫通穴の各々の内表面に導電層を形成する工程と、
を含むことができる。
【００１０】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法において、
前記工程（ａ）は、前記枠部の内枠領域に薄板部を形成することをさらに有し、
前記第３の貫通穴は、前記薄板部に設けられることができる。
【００１１】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法において、
前記工程（ａ）は、前記枠部の内枠領域に薄板部を形成することをさらに有し、
前記工程（ｄ）では、前記薄板部の外側の厚板部において、前記上側基板と前記中間基板とを接合し、
前記工程（ｅ）では、前記厚板部において、前記下側基板と前記中間基板とを接合することができる。
【００１２】
本発明に係る圧電デバイスは、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
圧電振動部と、
前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
前記圧電振動部と前記枠部とを接続し、互いに異なる位置に設けられた第１の接続部および第２の接続部と、
前記圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極と、
前記圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極と、
一方の端部が前記第１の励振電極と電気的に接続され、他方の端部が前記枠部の下面に延びる第１の配線と、
前記第２の励振電極と電気的に接続された第２の配線と、
を有し、
前記下側基板は、その上面から下面を貫通し、互いに異なる位置に設けられた第１の貫通穴および第２の貫通穴を有し、
前記第１の配線は、前記第１の貫通穴をとおって、前記下側基板の下面に延びており、
前記第２の配線は、前記第２の貫通穴をとおって、前記下側基板の下面に延びている。
【００１３】
本発明に係る圧電デバイスにおいて、
前記枠部は、前記枠部の内枠領域に設けられた薄板部と、その外側に設けられた厚板部をさらに有し、
前記第１の貫通穴は、前記第１の接続部と前記厚板部との間の前記薄板部の下方に設けられ、
前記第２の貫通穴は、前記第２の接続部と前記厚板部との間の前記薄板部の下方に設けられていることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（Ａ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す下面図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、第１の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図８】図８は、第２の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図９】図９は、第２の変形例に係る圧電デバイスを示す断面図である。
【図１０】図１０は、第３の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、第３の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、第３の変形例に係る圧電デバイスを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１．圧電デバイス
本実施の形態に係る圧電デバイス１００は、下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む。まず、中間基板および下側基板について図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図２を参照しながら具体的に説明する。
【００１６】
１．１．中間基板
図１（Ａ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスに用いられる中間基板を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、中間基板の下面図である。図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図であり、図１（Ａ）、図１（Ｂ）におけるII-II切断面に対応する図であ
る。
【００１７】
中間基板１０は、圧電振動部１１と、圧電振動部１１の周囲を取り囲む枠部１２と、圧電振動部１１と枠部１２とを接続し、互いに異なる位置に設けられた第１の接続部１５および第２の接続部１６と、圧電振動部１１の上面に設けられた第１の励振電極１３と、圧電振動部１１の下面に設けられた第２の励振電極１４と、第１の励振電極１３と電気的に接続されている第１の配線２３と、第２の励振電極と電気的に接続されている第２の配線３３と、を有する。
【００１８】
中間基板１０は、第１の接続部１５および第２の接続部１６以外の領域において、圧電振動部１１と枠部１２とが接触しないように、たとえばＵ字型のスリット１７ａ，１７ｂ
を有する。中間基板１０において、スリット１７ａ，１７ｂの内側の領域が圧電振動部１１として機能し、スリット１７ａ，１７ｂの外側の領域が上側基板２０および下側基板３０と接合するための枠部１２として機能することができる。本実施の形態では、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、圧電振動部１１は、Ｚ’軸に平行な２つの端部のそれぞれが、第１の接続部１５および第２の接続部１６によって、支持されている。
【００１９】
中間基板１０は、段差構造を有している。具体的には、図２に示すように、枠部１２の外側の領域に上下方向に最も厚い厚板部が設けられている。そして圧電振動部１１の領域が最も薄く形成されている。第１の接続部１５および第２の接続部１６は、圧電振動部１１と同じ厚さでもよいし、圧電振動部１１から枠部１２にかけて上下面において傾斜して徐々に厚くなっている。圧電振動部１１は、枠部１２の上下方向において中心に位置する。このような形状を有することにより、上側基板２０と下側基板３０との間に空洞ができて圧電振動部１１の振動が可能となる。
【００２０】
枠部１２は、第１の配線２３および第２の配線３３が上側基板２０と下側基板３０に接触しないために、第１の凹部１２ａ、及び第２の凹部１２ｂを有する。第１の凹部１２ａは中間基板１０の上面及び下面に設けられ、その上面から下面を貫通する第３の貫通穴１９を有する。第２の凹部１２ｂは、第１の凹部１２ａと圧電振動部１１を挟んで対向する側であって、枠部１２の下面に設けられる。
【００２１】
圧電振動部１１は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。圧電振動部１１、第１の接続部１５、第２の接続部１６、および枠部１２は、水晶基板からなることが好ましく、基板面がＸ軸に平行でＸ軸の回りに回転切断して作製されるＡＴカットの水晶基板である。また、圧電振動部１１は、音叉型水晶振動片であってもよい。
【００２２】
第１の励振電極１３は、中間基板１０の上面に圧電振動部１１と接触するように設けられ、第２の励振電極１４は、中間基板１０の下面に圧電振動部１１と接触するように設けられている。第１の励振電極１３は、第１の接続部１５上に設けられた第１の配線２３から引き出されて、圧電振動部１１上に延出している。第２の励振電極１４は、第２の接続部１６の下面に設けられた第２の配線３３から引き出されて、圧電振動部１１の下面に延出している。
【００２３】
第１の配線２３は、第１の接続部１５上から枠部１２の第１の凹部１２ａ上に延びている。さらに第１の配線２３は、第３の貫通穴１９の内部を貫通して中間基板１０の下面に延び、そして第１の貫通穴２５の上方に延びている。第１の貫通穴２５については、後で詳述する。
【００２４】
第２の配線３３は、第２の接続部１６の下面から枠部１２の第２の凹部１２ｂに延び、そして第２の貫通穴２６の上方に延びている。第２の貫通穴２６については、後で詳述する。
【００２５】
第１の励振電極１３、第２の励振電極１４、第１の配線２３、および第２の配線３３の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造であることができる。
【００２６】
１．２．全体の構成
図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。上側基板２０および下側基板３０の材質は、絶縁性の材質であれば特に限定されないが、材質の熱膨張差を考慮すると中間基板と同一の材質であることが好ましく、たとえば水晶からなることができる。
【００２７】
下側基板３０は、第１の貫通穴２５と、第２の貫通穴２６とを有する。第１の貫通穴２５は、第３の貫通穴１９の下方であって、第１の接続部１５の下方に設けられている。第２の貫通穴は、枠部１２の下面に設けられた第２の配線３３の下方に設けられている。
【００２８】
第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の形状は、平面視において、たとえば下方に向かって径が大きくなる円形状であることができ、下側基板３０の上面から下面に貫通している。
【００２９】
下側基板３０は、その下面に設けられた第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を有する。第１の外部端子３２は、第１の貫通穴２５を取り囲む領域に設けられている。第２の外部端子３４は、第２の貫通穴２６を取り囲む領域に設けられている。
【００３０】
さらに圧電デバイス１００は、第１の配線２３と第１の外部端子３２とを電気的に接続する第３の配線３５と、第２の配線３３と第１の外部端子３４とを電気的に接続する第４の配線３６とをさらに含み、圧電振動部１１は、第３の配線３５および第４の配線３６により上側基板２０及び下側基板３０内に封止されている。第３の配線３５および第４の配線３６の材質としては、たとえば金等の導電性材料からなることができる。
【００３１】
第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、圧電デバイス１００を外部の機器とを電気的に接続するために用いられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板２０の長手方向に対向する端部にそれぞれ設けられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＮｉ・Ａｕ膜を有する多層構造であることができる。
【００３２】
本実施の形態に係る圧電デバイス１００においては、第１の励振電極１３と第１の外部端子３２とを電気的に接続するための第１の配線２３および第３の配線３５を、圧電デバイス１００の内部においてのみ引き回している。これにより、断線の頻度を低減することができる。
【００３３】
２．圧電デバイスの製造方法
次に本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法について説明する。図３〜図６は、本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法を示す図である。
【００３４】
（１）まず、上側基板２０、中間基板１０、および下側基板３０を準備する（図３参照）。中間基板１０は、圧電振動部１１と、枠部１２と、第１の接続部１５と、第２の接続部１６と、第１の励振電極１３と、第２の励振電極１４と、第１の配線２３と、第２の配線３３と、第３の貫通穴１９と、を有する。下側基板３０は、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６を有する。下側基板３０は、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６を有する。第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６は、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したウェットエッチングやドライエッチングまたはサンドブラスト加工により設けられることができる。
【００３５】
ここで中間基板１０の作製方法の一例について説明する。
【００３６】
まず、水晶板を準備し、枠部１２の領域の内部を段階的に薄板化して、圧電振動部１１となる領域を所望の厚さに形成する。たとえばウェットエッチングを用いることにより、所望の厚さにすることができる。ウェットエッチングを用いることにより、同時に第１の凹部１２ａおよび第２の凹部１２ｂを形成することができる。なお、ドライエッチングを
用いてもよい。
【００３７】
次に、スリット１７ａ、１７ｂを形成して、圧電振動部１１および枠部１２を分離する。スリット１７ａ、１７ｂは、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したウェットエッチングにより設けられる。
【００３８】
次に、第１の励振電極１３、第２の励振電極１４、第１の配線２３、および第２の配線３３をたとえば蒸着法やスパッタ法等により設ける。
【００３９】
次に、圧電振動部１１の周波数を調整する。周波数の調整は、圧電振動部１１を振動させて周波数を検出しながら、第１の励振電極１３または第２の励振電極１４の厚みを変えることにより行う。具体的には、第１の配線２３および第２の配線３３に、一対のプローブを接触させて電圧を印加することにより圧電振動部１１を振動させる。そして検出された周波数に基づいて、第１の励振電極１３または第２の励振電極を薄膜化する。薄膜化は、公知の方法を用いて行われるが、たとえばアルゴンプラズマ６０を第１の励振電極１３または第２の励振電極の表面に照射することにより行われることができる。このとき、第１の励振電極１３をたとえば蒸着法等により厚膜化することにより周波数の調整を行ってもよい。
【００４０】
以上の工程により中間基板１０を作製することができる。
【００４１】
（２）次に、上側基板２０および下側基板３０と、中間基板１０とを接合する（図４参照）。接合は、直接接合、陽極接合等の公知の方法で行うことができるが、直接接合を適用することが好ましい。接合する２枚の基板のうち少なくとも一方の接合部にプラズマを照射し、当該接合部を活性化させる。その後、２枚の基板を張り合わせて接合することにより、加熱による応力の発生を軽減して振動数を安定化させることができる。接合する際の位置合わせは、第１の貫通穴２５が第３の貫通穴１９と重複し、第２の貫通穴２６が第２の配線３３の端部と重複するように行われる。また、接合は、絶縁性接着剤を用いて行っても良い。
【００４２】
（３）次に、第１の貫通穴２５に第３の配線３５を形成し、第２の貫通穴２６に第４の配線３６を形成する（図６参照）。第３の配線３５および第４の配線３６は、かしめ工法により形成される。具体的には、図５に示すように、第１の貫通穴２５には第１の導電性材料５０を圧入して埋め込み、第２の貫通穴２６には第２の導電性材料５１を圧入して埋め込むことにより、第１の配線２３と接続された第３の配線３５と、第２の配線３３と接続された第４の配線３６を形成することができる。かつ、この工程において、圧電振動部１１は、第３の配線３５および第４の配線３６により、上側基板２０及び下側基板３０内に封止される。第１の導電性材料５０および第２の導電性材料５１としては、加圧により変形可能な材料であれば特に限定されないが、たとえば金等からなるバンプであることができる。
【００４３】
（４）次に、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を、第３の配線３５および第４の配線３６と接触するように設ける。
【００４４】
以上の工程により、圧電デバイス１００を得ることができる（図２参照）。
【００４５】
本実施の形態にかかる圧電デバイス１００の製造方法によれば、かしめ工法によって第３の配線３５および第４の配線３６を形成している。これにより、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４と、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４との電気的接続のための配線の形成と、封止工程とを同時に行うことができ、工程数を削減することが
できる。
【００４６】
また本実施の形態にかかる圧電デバイス１００の製造方法によれば、接合面を配線が通らないため、接合方法の制約がなく、基板同士の直接接合、又は絶縁膜を介す拡散接合等、基板材料に適した接合方法を適用することができる。また、たとえば接合方法の都合上、下側基板３０と中間基板１０とが離れている場合であっても、かしめ工法によって第３の配線３５および第４の配線３６を形成することにより、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４と、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４とを容易に接続させることができる。
【００４７】
また、圧電デバイスの内部でのみ配線を引き回しているため、キャパシタンスの上昇を防ぎ、温度依存性が低く、安定した振動周波数の得られる圧電デバイスを製造することができる。
【００４８】
３．変形例
次に本実施の形態にかかる圧電デバイスの製造方法の変形例について説明する。
【００４９】
３．１．第１の変形例
図７は、第１の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。第１の変形例に係る圧電デバイスの製造方法は、下側基板３０の第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の表面に導電層５２をさらに形成する工程を含む。具体的には、下側基板３０と中間基板１０とを接合する前に導電層５２を、たとえば蒸着法やスパッタ法、無電解めっき等によって形成することができる。
【００５０】
導電層５２の材料としては、下側基板３０との密着性の高い材質が好ましく、下側基板３０としてたとえば水晶板を用い、第３の配線３５および第４の配線３６の材料として金を用いる場合には、下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造を用いることが好ましい。これにより、第３の配線３５および第４の配線３６の密着性を向上させ、確実に封止することができる。
【００５１】
第３の配線３５および第４の配線３６は、導電層５２に接触するように、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の内部に設けられる。
【００５２】
他の製造工程および構成については、本実施の形態に係る圧電デバイスおよびその製造方法と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
３．２．第２の変形例
図８および図９は、第２の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。第２の変形例に係る圧電デバイス２００の製造方法では、下側基板３０の第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６のそれぞれに、２回に分けて導電性材料を埋め込んでいる点で、本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法と異なる。具体的には以下のとおりである。
【００５４】
上述した工程（２）までを行った後に、第１の貫通穴２５に第３の配線１３５を形成し、第２の貫通穴２６に第４の配線１３６を形成する。第３の配線１３５および第４の配線１３６は、第３の配線３５および第４の配線３６と同様に、かしめ工法により形成されるが、図８に示すように、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の内部の一部のみに設けられている。
【００５５】
次に、図９に示すように、第３の配線１３５と接続するように第５の配線１３７を設け
、第４の配線１３６と接続するように第６の配線１３８を設ける。第５の配線１３７および第６の配線１３８は、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の内部に、導電性材料を圧入することにより、第３の配線３５または第４の配線３６の下に形成される。導電性材料としては、たとえば半田を用いることができる。
【００５６】
これにより、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の大きさに適した配線を設けることができ、封止精度を高めることができる。
【００５７】
次に、上述した工程（４）と同様に、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を、第５の配線１３７および第６の配線１３８と接触するように設ける。
【００５８】
以上の工程により、第２の変形例に係る圧電デバイス２００を得ることができる（図９参照）。
【００５９】
他の製造工程および構成については、本実施の形態に係る圧電デバイスおよびその製造方法と同様であるので説明を省略する。
【００６０】
３．３．第３の変形例
図１０〜図１２は、第３の変形例に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。第３の変形例に係る圧電デバイス３００は、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の上部１２５，１２６の径が中間基板側に向かって大きくなっている点で、本実施の形態に係る圧電デバイス１００と異なる。また、第３の変形例に係る圧電デバイス３００は、第１の凹部１２ａおよび第２の凹部１２ｂが設けられていない点においても、本実施の形態に係る圧電デバイス１００と異なる。具体的には以下のとおりである。
【００６１】
下側基板３０に第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６を設ける際に、上面および下面の双方から、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したウェットエッチングまたはサンドブラスト加工を施すことにより、図１０に示すように、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の上部１２５，１２６を形成することができる。
【００６２】
第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の上部１２５，１２６は、上部１２５，１２６の径が中間基板側に向かって大きくなっており、たとえばテーパ形状であってもよい。また、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の上部１２５，１２６は、中間基板１０の下側に延びている第１の配線２３および第２の配線３３に下側基板３０が接触しないように、その形状が決定される。即ち、本実施の形態では、第１の凹部１２ａおよび第２の凹部１２ｂを形成することにより、第１の配線２３および第２の配線３３に下側基板３０が接触するのを防いでいたが、第３の変形例では、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６が上部１２５，１２６を有するため、第１の凹部１２ａおよび第２の凹部１２ｂを形成することなく、第１の配線２３および第２の配線３３に下側基板３０が接触するのを防ぐことができる。したがって、中間基板１０の製造工程を簡略化することができる。
【００６３】
また、第３の変形例において上側基板２０は、中間基板１０側に凹部２１を有する。これにより、中間基板１０の上面における第１の配線２３と上側基板２０とが接触するのを防ぐことができる。
【００６４】
次に、図１１に示すように、下側基板３０の第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の表面に導電層５２を形成する。
【００６５】
導電層５２は、たとえば、蒸着法やスパッタ法、無電解めっき等によって形成することができる。導電層５２の材料としては、下側基板３０との密着性の高い材質が好ましく、
下側基板３０としてたとえば水晶板を用い、第３の配線３５および第４の配線３６の材料として金を用いる場合には、下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造を用いることが好ましい。これにより、第３の配線３５および第４の配線３６の密着性を向上させ、確実に封止することができる。
【００６６】
次に、上述した工程（３）と同様に、第３の配線３５および第４の配線３６を、導電層５２に接触するように、第１の貫通穴２５および第２の貫通穴２６の内部に設ける。
【００６７】
次いで上述した工程（４）と同様に、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を第３の配線３５および第４の配線３６と接触するように設ける。
【００６８】
以上の工程により、第３の変形例に係る圧電デバイス３００を製造することができる（図１２参照）。
【００６９】
他の製造工程および構成については、本実施の形態に係る圧電デバイスおよびその製造方法と同様であるので説明を省略する。
【００７０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば圧電振動部として音叉型振動子を用いてもよい。また、複数の中間基板１０が基板面方向に配列されたウエハを用いて、上述した製造方法を実施し、その後に上側基板、中間基板、下側基板を切断分離することにより、上述した圧電デバイス１００を得ることもできる。
【００７１】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７２】
１０…中間基板、  １１…圧電振動部、  １２…枠部、  １２ａ…第１の凹部、  １２ｂ…第２の凹部、  １３…第１の励振電極、  １４…第２の励振電極、  １５…第１の接続部、  １６…第２の接続部、  １７ａ，１７ｂ…スリット、  １９…第３の貫通穴、  ２０…上側基板、  ２３…第１の配線、  ２５…第１の貫通穴、  ２６…第２の貫通穴、  ３０…下側基板、  ３２…第１の外部端子、  ３３…第２の配線、  ３４…第２の外部端子、  ３５…第３の配線、  ３６…第４の配線、  ５０，５１…導電性材料、  ５２…導電層、  １００…圧電デバイス、  １２５…第１の貫通穴の上部、  １２６…第２の貫通穴の上部、  １３５…第３の配線、  １３６…第４の配線、  １３７…第５の配線、  １３８…第６の配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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