(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置を含む、基板を処理する複数の処理装置と、基板の中心位置を調節する位置調節装置と、前記塗布処理装置と前記位置調節装置に対して基板を搬送する基板搬送装置と、前記各装置の動作を制御する制御部とを有する基板処理システムであって、
前記基板搬送装置は、基板の径より大きい曲率半径で基板の周縁部に沿って湾曲するアーム部と、前記アーム部から内側に突出し、基板の裏面を保持する保持部と、を備え、
前記位置調節装置は、基板の裏面の中心部を保持し、回転自在及び水平移動自在な載置台と、基板を回転させながら載置台上の基板の中心位置を検出する位置検出部と、を備え、
前記塗布処理装置は基板の裏面の中心部を保持する他の載置台を備え、
前記制御部は、前記位置検出部の検出結果に基づいて前記載置台上の基板の中心位置と前記載置台の中心位置とのずれ量を求めて、前記載置台に保持された基板の中心位置が前記アーム部の中心位置に合致するように、
前記載置台の鉛直軸回りの回転によって載置台上の基板を回転させて、平面視において、載置台の前記水平移動する際の移動方向と平行な方向であって、かつ前記アーム部の中心を通る直線上に基板の中心を位置させ、次いで載置台を前記移動方向に水平移動させてから、前記アーム部が前記載置台上の基板を受け取り、当該基板を前記塗布処理装置に搬送して、前記アーム部に保持される基板の中心位置と前記他の載置台の中心位置が合致するように、前記アーム部と前記他の載置台との間で基板の受け渡しが行われるように制御することを特徴とする、基板処理システム。
【請求項２】
前記保持部は、当該保持部と基板との間の摩擦力によって基板を保持することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記保持部の先端部には、真空ポンプに接続される吸引口が形成され、
前記保持部は、前記吸引口からの吸引によって基板を保持することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記塗布液は、ポリイミド溶液であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記塗布処理装置を含む処理装置が鉛直方向に多段に積層された処理ブロックと、
前記位置調節装置と他の処理装置が鉛直方向に多段に積層された他の処理ブロックと、
前記他の処理ブロックの前記位置調節装置と前記他の処理装置に対して基板を搬送する他の基板搬送装置と、を有し、
前記他の基板搬送装置は、基板の径より大きい曲率半径で基板の周縁部に沿って湾曲する他のアーム部と、前記他のアーム部から内側に突出し、基板の裏面を保持する他の保持部と、を備えたことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記他の保持部は、当該他の保持部と基板との間の摩擦力によって基板を保持することを特徴とする、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記他の保持部の先端部には、真空ポンプに接続される吸引口が形成され、
前記他の保持部は、前記吸引口からの吸引によって基板を保持することを特徴とする、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記複数の処理装置は、
基板の温度を調節する温度調節装置と、
前記塗布処理装置で前記塗布液が塗布された基板を熱処理し、当該基板上に塗布膜を形成する熱処理装置と、
前記熱処理装置で形成された基板の周縁部上の前記塗布膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置と、を含み、
前記基板搬送装置は、前記温度調節装置、前記熱処理装置及び前記周縁部洗浄装置に対して基板を搬送することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項９】
基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置を含む、基板を処理する複数の処理装置と、基板の中心位置を調節する位置調節装置と、前記塗布処理装置と前記位置調節装置に対して基板を搬送する基板搬送装置と、前記各装置の動作を制御する制御部とを有する基板処理システムを用いた基板処理方法であって、
前記基板搬送装置は、基板の径より大きい曲率半径で基板の周縁部に沿って湾曲するアーム部と、前記アーム部から内側に突出し、基板の裏面を保持する保持部と、を備え、
前記位置調節装置は、基板の裏面の中心部を保持し、回転自在及び水平移動自在な載置台と、基板を回転させながら載置台上の基板の中心位置を検出する位置検出部と、を備え、
前記塗布処理装置は基板の裏面の中心部を保持する他の載置台を備え、
前記基板処理方法は、
前記位置調節装置において、前記位置検出部の検出結果に基づいて前記載置台上の基板の中心位置と前記載置台の中心位置とのずれ量を求めて、前記載置台に保持された基板の中心位置が前記アーム部の中心位置に合致するように、
前記載置台の鉛直軸回りの回転によって載置台上の基板を回転させて、平面視において、載置台の前記水平移動する際の移動方向と平行な方向であって、かつ前記アーム部の中心を通る直線上に基板の中心を位置させ、次いで載置台を前記移動方向に水平移動させる位置調節工程と、
その後、前記基板搬送装置を用いて基板の周縁部が前記アーム部に接触していない状態で前記位置調節装置から基板を搬出して当該基板を前記塗布処理装置に搬送する搬送工程と、を有し、
前記搬送工程の後に、前記アーム部に保持される基板の中心位置と前記他の載置台の中心位置が合致するように、前記アーム部と前記他の載置台との間で基板の受け渡しが行われることを特徴とする、基板処理方法。
【請求項１０】
前記塗布液は、ポリイミド溶液であることを特徴とする、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記保持部は、当該保持部と基板との間の摩擦力によって基板を保持することを特徴とする、請求項９または１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記保持部の先端部には、真空ポンプに接続される吸引口が形成され、
前記保持部は、前記吸引口からの吸引によって基板を保持することを特徴とする、請求項９または１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記複数の処理装置は、
基板の温度を調節する温度調節装置と、
前記塗布処理装置で前記塗布液が塗布された基板を熱処理し、当該基板上に塗布膜を形成する熱処理装置と、
前記熱処理装置で形成された基板の周縁部上の前記塗布膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置と、を含み、
前記基板処理方法は、
前記位置調節工程の前に、前記温度調節装置において、基板の温度を所定の温度に調節する第１の温度調節工程と、
前記塗布処理装置において基板上に前記塗布液を塗布した後、前記熱処理装置において、基板を熱処理して当該基板上に塗布膜を形成する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記温度調節装置において、基板の温度を所定の温度に調節する第２の温度調節工程と、
前記第２の温度調節工程の後、前記位置調節装置において、基板の中心位置を調節する他の位置調節工程と、
前記他の位置調節工程の後、前記周縁部洗浄装置において、基板の周縁部上の前記塗布膜を洗浄除去する周辺部洗浄工程と、を有し、
前記温度調節装置、前記熱処理装置及び前記周縁部洗浄装置に対する基板の搬送は、前記基板搬送装置を用いて基板の周縁部が前記アーム部に接触していない状態で行われることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィ処理を行い、ウェハ上のポリイミド膜にビアホールなどの所定のパターンを形成することが行われている。すなわち、ウェハ上にポリイミド溶液を塗布してポリイミド膜を形成する塗布処理、当該ポリイミド膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたポリイミド膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上のポリイミド膜に所定のパターンが形成される。
【０００３】
これらの一連のフォトリソグラフィ処理は、通常、ウェハを処理する各処理装置やウェハを搬送する搬送装置などを搭載した塗布現像処理システムを用いて行われる（特許文献１）。
【０００４】
ところで、ウェハに処理を施す際には、ウェハは処理装置の所定の位置に正確に配置されなければならない。このウェハの位置合わせは、例えばウェハを保持して各処理装置に搬送を行うピンセット（以下、「搬送アーム」という。）にて行われる。この場合、搬送アームの基板保持部にガイドを設けて、ウェハを受け取る際に基板保持部までウェハを滑らせることにより位置合わせを行う（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−４６０１０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５８１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ポリイミド溶液は高粘度であるため、上述した塗布処理が行われる塗布処理装置においてウェハ上にポリイミド溶液を塗布した後、塗布処理装置からウェハを搬出する際には、まだポリイミド膜の乾燥状態は不十分である。そのため、搬送アームでウェハを搬送する間に、搬送アームにウェハの周縁部が接触して当該搬送アームにポリイミド膜が付着してしまうおそれがある。このようにポリイミド膜が搬送アームに付着すると、その付着物がシステム内に飛散したり、あるいは他のウェハに転写されたりして、パーティクル汚染を引き起こす要因になる。
【０００７】
そこで、発明者らは、ウェハの周縁部が搬送アームに接触しない状態でウェハを搬送することを試みた。しかしながら、かかる場合、搬送アームのガイドが機能せず、ウェハの位置決めをすることができない。そして、例えば処理装置に搬入される前に搬送アームの中心位置とウェハの中心位置がずれている場合、ウェハは処理装置の所定の位置に正確に配置されない。このため、当該処理装置においてウェハを適切に処理することができない。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、搬送アームへの塗布膜の付着を抑制しつつ、基板を適切に処理することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置を含む、基板を処理する複数の処理装置と、基板の中心位置を調節する位置調節装置と、前記塗布処理装置と前記位置調節装置に対して基板を搬送する基板搬送装置と、前記各装置の動作を制御する制御部とを有する基板処理システムであって、
前記基板搬送装置は、基板の径より大きい曲率半径で基板の周縁部に沿って湾曲するアーム部と、前記アーム部から内側に突出し、基板の裏面を保持する保持部と、を備え、
前記位置調節装置は、基板の裏面の中心部を保持し、回転自在及び水平移動自在な載置台と、基板を回転させながら載置台上の基板の中心位置を検出する位置検出部と、を備え、
前記塗布処理装置は基板の裏面の中心部を保持する他の載置台を備え、
前記制御部は、前記位置検出部の検出結果に基づいて前記載置台上の基板の中心位置と前記載置台の中心位置とのずれ量を求めて、前記載置台に保持された基板の中心位置が前記アーム部の中心位置に合致するように、
前記載置台の鉛直軸回りの回転によって載置台上の基板を回転させて、平面視において、載置台の前記水平移動する際の移動方向と平行な方向であって、かつ前記アーム部の中心を通る直線上に基板の中心を位置させ、次いで載置台を前記移動方向に水平移動させてから、前記アーム部が前記載置台上の基板を受け取り、当該基板を前記塗布処理装置に搬送して、前記アーム部に保持される基板の中心位置と前記他の載置台の中心位置が合致するように、前記アーム部と前記他の載置台との間で基板の受け渡しが行われるように制御することを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、先ず、位置調節装置において、載置台に保持された基板の中心位置がアーム部の中心位置に合致するように調節される。そうすると、その後基板搬送装置によって位置調節装置から基板が搬出される際、載置台からアーム部の適切な位置に基板を受け渡すことができる。すなわち、アーム部の中心位置と基板の中心位置が合致し、アーム部に基板が接触しない。その後、基板搬送装置によって処理装置に基板を搬送し、当該処理装置において基板に処理を行う。このとき、アーム部の適切な位置に基板が保持されているので、処理装置内では、基板は所定の位置に正確に配置される。このため、処理装置において基板を適切に処理することができる。その後、基板搬送装置によって処理装置から基板が搬出される際も、上述したようにアーム部の適切な位置に基板が保持される。このため、基板搬送装置においてアーム部に基板が接触しない。したがって、基板上の塗布膜がアーム部に付着することがなく、従来のようにパーティクル汚染を引き起すことがない。以上のように本発明によれば、搬送アームへの塗布膜の付着を抑制しつつ、基板を適切に処理することができる。
【００１２】
前記保持部は、当該保持部と基板との間の摩擦力によって基板を保持してもよい。また、前記保持部の先端部には、真空ポンプに接続される吸引口が形成され、前記保持部は、前記吸引口からの吸引によって基板を保持してもよい。
【００１３】
前記複数の処理装置は、前記位置調節装置で中心位置が調節された基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置を含んでもよい。
【００１４】
前記塗布液は、ポリイミド溶液であってもよい。なお、ポリイミド溶液とは、ポリイミド前駆体、例えばポリアミド酸を溶媒に溶解させた溶液である。
【００１５】
前記基板処理システムは、前記塗布処理装置を含む処理装置が鉛直方向に多段に積層された処理ブロックと、前記位置調節装置と他の処理装置が鉛直方向に多段に積層された他の処理ブロックと、前記他の処理ブロックの前記位置調節装置と前記他の処理装置に対して基板を搬送する他の基板搬送装置と、を有し、前記他の基板搬送装置は、基板の径より大きい曲率半径で基板の周縁部に沿って湾曲する他のアーム部と、前記他のアーム部から内側に突出し、基板の裏面を保持する他の保持部と、を備えていてもよい。かかる場合、前記他の保持部は、当該他の保持部と基板との間の摩擦力によって基板を保持してもよい。また、前記他の保持部の先端部には、真空ポンプに接続される吸引口が形成され、前記他の保持部は、前記吸引口からの吸引によって基板を保持してもよい。
【００１６】
前記複数の処理装置は、基板の温度を調節する温度調節装置と、前記塗布処理装置で前記塗布液が塗布された基板を熱処理し、当該基板上に塗布膜を形成する熱処理装置と、前記熱処理装置で形成された基板の周縁部上の前記塗布膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置と、を含み、前記基板搬送装置は、前記温度調節装置、前記熱処理装置及び前記周縁部洗浄装置に対して基板を搬送してもよい。
【００１７】
別な観点による本発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置を含む、基板を処理する複数の処理装置と、基板の中心位置を調節する位置調節装置と、前記塗布処理装置と前記位置調節装置に対して基板を搬送する基板搬送装置と、前記各装置の動作を制御する制御部とを有する基板処理システムを用いた基板処理方法であって、
前記基板搬送装置は、基板の径より大きい曲率半径で基板の周縁部に沿って湾曲するアーム部と、前記アーム部から内側に突出し、基板の裏面を保持する保持部と、を備え、
前記位置調節装置は、基板の裏面の中心部を保持し、回転自在及び水平移動自在な載置台と、基板を回転させながら載置台上の基板の中心位置を検出する位置検出部と、を備え、
前記塗布処理装置は基板の裏面の中心部を保持する他の載置台を備え、
前記基板処理方法は、
前記位置調節装置において、前記位置検出部の検出結果に基づいて前記載置台上の基板の中心位置と前記載置台の中心位置とのずれ量を求めて、前記載置台に保持された基板の中心位置が前記アーム部の中心位置に合致するように、
前記載置台の鉛直軸回りの回転によって載置台上の基板を回転させて、平面視において、載置台の前記水平移動する際の移動方向と平行な方向であって、かつ前記アーム部の中心を通る直線上に基板の中心を位置させ、次いで載置台を前記移動方向に水平移動させる位置調節工程と、
その後、前記基板搬送装置を用いて基板の周縁部が前記アーム部に接触していない状態で前記位置調節装置から基板を搬出して当該基板を前記塗布処理装置に搬送する搬送工程と、を有し、
前記搬送工程の後に、前記アーム部に保持される基板の中心位置と前記他の載置台の中心位置が合致するように、前記アーム部と前記他の載置台との間で基板の受け渡しが行われることを特徴としている。
【００２０】
前記塗布液は、ポリイミド溶液であってもよい。
【００２１】
前記保持部は、当該保持部と基板との間の摩擦力によって基板を保持してもよい。また、前記保持部の先端部には、真空ポンプに接続される吸引口が形成され、前記保持部は、前記吸引口からの吸引によって基板を保持してもよい。
【００２２】
前記複数の処理装置は、基板の温度を調節する温度調節装置と、前記塗布処理装置で前記塗布液が塗布された基板を熱処理し、当該基板上に塗布膜を形成する熱処理装置と、前記熱処理装置で形成された基板の周縁部上の前記塗布膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置と、を含み、前記基板処理方法は、前記位置調節工程の前に、前記温度調節装置において、基板の温度を所定の温度に調節する第１の温度調節工程と、前記塗布処理装置において基板上に前記塗布液を塗布した後、前記熱処理装置において、基板を熱処理して当該基板上に塗布膜を形成する熱処理工程と、前記熱処理工程の後、前記温度調節装置において、基板の温度を所定の温度に調節する第２の温度調節工程と、前記第２の温度調節工程の後、前記位置調節装置において、基板の中心位置を調節する他の位置調節工程と、前記他の位置調節工程の後、前記周縁部洗浄装置において、基板の周縁部上の前記塗布膜を洗浄除去する周辺部洗浄工程と、を有し、前記温度調節装置、前記熱処理装置及び前記周縁部洗浄装置に対する基板の搬送は、前記基板搬送装置を用いて基板の周縁部が前記アーム部に接触していない状態で行われてもよい。なお、第１の温度調節工程と第２の温度調節工程における所定の温度とは、例えば常温である。
【００２３】
また別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２４】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、搬送アームへの塗布膜の付着を抑制しつつ、基板を適切に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】塗布処理装置と廃液回収装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】塗布部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】位置調節装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図８】搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図９】搬送アームの保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図１０】搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１１】位置調節装置においてウェハの中心位置を調節する様子を示した説明図であり、（ａ）はチャックが所定の位置に待機する様子を示し、（ｂ）は搬送アームからチャックにウェハが受け渡された様子を示し、（ｃ）は位置検出部によってウェハの中心位置が検出される様子を示し、（ｄ）はウェハを鉛直軸周りに回動させた様子を示し、（ｅ）はウェハをＸ方向に移動させた様子を示す。
【図１２】塗布処理装置において、搬送アームからスピンチャックにウェハが受け渡される様子を示す説明図である。
【図１３】他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図１４】他の実施の形態にかかる搬送アームの保持部の構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す平面図である。図２及び図３は、塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。
【００２８】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィ処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００２９】
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、水平方向のＸ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１１には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００３０】
カセットステーション２には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３の所定の装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３１】
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば４つの処理ブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１の処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２の処理ブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、他の処理ブロックとしての第３の処理ブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、他の処理ブロックとしての第４の処理ブロックＧ４が設けられている。
【００３２】
例えば第１の処理ブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理装置が鉛直方向に積層されている。例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、３１、後述する塗布処理装置３３で排出された廃液を回収する廃液回収装置３２、ウェハＷ上に塗布液としてのポリイミド溶液を塗布して塗布膜としてのポリイミド膜を形成する塗布処理装置３３、ウェハＷの周縁部上のポリイミド膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置３４が下から順に５段に重ねられている。なお、ポリイミド溶液は、ポリイミド前駆体、例えばポリアミド酸を溶媒に溶解させた溶液である。
【００３３】
現像処理装置３０、３１は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数、例えば４つ有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。なお、廃液回収装置３２、塗布処理装置３３、周縁部洗浄装置３４の詳細な構成については後述する。
【００３４】
例えば第２の処理ブロックＧ２には、図２に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョン装置４１、ウェハＷの中心位置を調節する位置調節装置４２、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４３が鉛直方向と水平方向に並べて設けられている。なお、熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、位置調節装置４２及び周辺露光装置４３の数や配置は、任意に選択できる。本実施の形態においては、例えば第２の処理ブロックＧ２は鉛直方向に４層に分けて設けられている。例えば第２の処理ブロックＧ２において、第１の処理ブロックＧ１の現像処理装置３０、３１に対応する位置の層には、熱処理装置４０が配置されている。例えば第１の処理ブロックＧ１の廃液回収装置３２に対応する位置の層には、熱処理装置４０とアドヒージョン装置４１が配置されている。例えば第１の処理ブロックＧ１の塗布処理装置３３に対応する位置の層には、熱処理装置４０と位置調節装置４２が配置されている。例えば第１の処理ブロックＧ１の周縁部洗浄装置３４に対応する位置の層には、熱処理装置４０、位置調節装置４２及び周辺露光装置４３が配置されている。
【００３５】
熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。位置調節装置４２の詳細な構成について後述する。
【００３６】
例えば第３の処理ブロックＧ３には、図２及び図３に示すようにウェハＷを受け渡すための受け渡し装置５０、５２、５４、５６とウェハＷの温度を調節する温度調節装置５１、５３、５５が設けられている。これら装置５０〜５６は下からこの順に配置されている。また、第３の処理ブロックＧ３の最下層には、廃液回収装置３２で回収した廃液や周縁部洗浄装置３４から排出される廃液を一旦貯留し、当該廃液を塗布現像処理システム１の外部に排出するための廃液排出装置６０が配置されている。廃液排出装置６０には、廃液を一旦貯留するためのタンク（図示せず）や、廃液を排出するためのポンプ（図示せず）などが設けられている。
【００３７】
また、第４の処理ブロックＧ４には、ウェハＷを受け渡すための受け渡し装置７０、７２、７４、７６とウェハＷの温度を調節する温度調節装置７１、７３、７５が設けられている。これら装置７０〜７６は下からこの順に配置されている。
【００３８】
図１に示すように第１の処理ブロックＧ１〜第４の処理ブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えば基板搬送装置としてのウェハ搬送装置８０が配置されている。
【００３９】
ウェハ搬送装置８０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、鉛直軸周り（θ方向）及び鉛直方向に移動自在な搬送アーム８１を有している。ウェハ搬送装置８０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２、第３の処理ブロックＧ３及び第４の処理ブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００４０】
ウェハ搬送装置８０は、例えば図２に示すように鉛直方向に複数基、例えば４基配置され、例えば各処理ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。なお、本実施の形態では、複数のウェハ搬送装置８０は、第２の処理ブロックＧ２が分割された４層に対応する位置にそれぞれ設けられている。
【００４１】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３の処理ブロックＧ３と第４の処理ブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置９０が設けられている。
【００４２】
シャトル搬送装置９０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３の処理ブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４の処理ブロックＧ４の受け渡し装置７２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４３】
図１に示すように第３の処理ブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、他の基板搬送装置としてのウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、鉛直軸周り（θ方向）及び鉛直方向に移動自在な搬送アーム１０１を有している。ウェハ搬送装置１００は、ウェハＷを支持した状態で鉛直方向に移動して、第３の処理ブロックＧ３内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００４４】
また、第４の処理ブロックＧ４のＸ方向正方向側の隣にも、他の基板搬送装置としてのウェハ搬送装置１０２が設けられている。ウェハ搬送装置１０２は、例えばＸ方向、鉛直軸周り（θ方向）及び鉛直方向に移動自在な搬送アーム１０３を有している。ウェハ搬送装置１０２は、ウェハＷを支持した状態で鉛直方向に移動して、第４の処理ブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。なお、ウェハ搬送装置１０２は、後述するウェハ搬送装置１１０の搬送性能が高い場合には省略することができる。
【００４５】
インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、鉛直軸周り（θ方向）及び鉛直方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４の処理ブロックＧ４内の所定の装置、受け渡し装置１１１及び露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。
【００４６】
次に、上述した塗布処理装置３３の構成について説明する。塗布処理装置３３は、図４及び図５に示すように内部を密閉することができる処理容器１３０を有している。処理容器１３０のウェハ搬送領域Ｄ側の側面には、図５に示すようにウェハＷの搬入出口１３１が例えば４箇所に形成されている。これら搬入出口１３１は、後述する塗布部１４０〜１４３に対応する位置にそれぞれ形成されている。
【００４７】
処理容器１３０の内部には、例えばウェハＷ上にポリイミド溶液を塗布する４つの塗布部１４０〜１４３が設けられている。塗布部１４０〜１４３は、Ｙ方向負方向（図５の左方向）側からＹ方向正方向（図５の右方向）側にこの順で並べて配置されている。
【００４８】
図５に示すように塗布部１４０〜１４３のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１５０が形成されている。レール１５０は、例えば塗布部１４０のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方から塗布部１４３のＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１５０には、２本のアーム１５１、１５２が取り付けられている。ここで、Ｘ方向負方向側に設けられたアーム１５１を第１のアーム１５１といい、Ｘ方向正方向側に設けられたアーム１５２を第２のアーム１５２という。
【００４９】
第１のアーム１５１には、図４及び図５に示すようにポリイミド溶液を吐出する塗布液ノズルとしての第１のポリイミドノズル１５３が支持されている。第１のアーム１５１は、図５に示すノズル駆動部１５４により、レール１５０上を移動自在である。これにより、第１のポリイミドノズル１５３は、塗布部１４０のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部１５５から各塗布部１４０、１４１内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム１５１は、ノズル駆動部１５４によって昇降自在であり、第１のポリイミドノズル１５３の高さを調節できる。第１のポリイミドノズル１５３には、図６に示すように供給管１５６を介して、第１のポリイミドノズル１５３にポリイミド溶液を供給するポリイミド供給装置１５７が接続されている。
【００５０】
なお、待機部１５５では、第１のポリイミドノズル１５３が待機中、当該第１のポリイミドノズル１５３の先端部が収容され洗浄される。この第１のポリイミドノズル１５３の洗浄は、例えばポリイミド溶液のリンス液によって行われる。そして、第１のポリイミドノズル１５３の洗浄によって発生する廃液は、例えば待機部１５５に接続された排液管１５８から排出され、廃液回収装置３２で回収される。
【００５１】
第２のアーム１５２には、図４及び図５に示すようにポリイミド溶液を吐出する塗布液ノズルとしての第２のポリイミドノズル１６０が支持されている。第２のアーム１５２は、図５に示すノズル駆動部１６１により、レール１５０上を移動自在である。これにより、第２のポリイミドノズル１６０は、塗布部１４３のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１６２から各塗布部１４２、１４３内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、第２のアーム１５２は、ノズル駆動部１６１によって昇降自在であり、第２のポリイミドノズル１６０の高さを調節できる。なお、上述したポリイミド供給装置１５７は、第２のポリイミドノズル１６０にも接続され、当該第２のポリイミドノズル１６０にポリイミド溶液を供給する。
【００５２】
また、待機部１６２では、第２のポリイミドノズル１６０が待機中、当該第２のポリイミドノズル１６０の先端部が収容され洗浄される。この第２のポリイミドノズル１６０の洗浄は、例えばリンス液によって行われる。そして、第２のポリイミドノズル１６０の洗浄によって発生する廃液は、例えば待機部１６２に接続された排液管１６３から排出され、廃液回収装置３２で回収される。
【００５３】
塗布部１４０には、図６に示すようにウェハＷの裏面の中心部を保持して回転させる他の載置台としてのスピンチャック１７０が設けられている。スピンチャック１７０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１７０上に吸着保持できる。
【００５４】
スピンチャック１７０は、シャフト１７１に取り付けられている。スピンチャック１７０の下方には、このシャフト１７１を介して例えばモータやシリンダなどを備えた回転駆動部１７２が設けられている。この回転駆動部１７２により、スピンチャック１７０は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降可能になっている。
【００５５】
スピンチャック１７０の下方側には、シャフト１７１を囲むようにカップベース１７３が設けられている。カップベース１７３は、スピンチャック１７０に保持されたウェハＷの裏面側に落下する液体を受け止め、回収することができる。カップベース１７３には、回収した廃液を排出するための排液管１７４が接続されている。
【００５６】
スピンチャック１７０の下方であって、カップベース１７３上には、ウェハＷの裏面にリンス液を噴射するバックリンスノズル１７５、１７５が例えば２箇所に設けられている。バックリンスノズル１７５には、リンス液供給源１７６に連通するリンス液供給管１７７が接続されている。リンス液供給源１７６には、ポリイミド溶液のリンス液が貯留されている。
【００５７】
カップベース１７３の外周部には、断面形状が山形、すなわち上方に凸に突出した形状のガイドリング１７８が設けられている。このガイドリング１７８の外周部は下方側に屈曲して延伸している。
【００５８】
スピンチャック１７０、スピンチャック１７０に保持されたウェハＷ、及びガイドリング１７８の側方には、これらスピンチャック１７０、ウェハＷ及びガイドリング１７８を囲むようにカップ１８０が設けられている。カップ１８０は、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止めることができ、回収することができる。
【００５９】
カップ１８０は、上面にスピンチャック１７０が昇降できるようにウェハＷよりも大きい開口部が形成されていると共に、内周側面とガイドリング１７８の外周縁との間に排出路をなす隙間１８１が形成されている。
【００６０】
また、カップ１８０の下部には、カップ１８０内の雰囲気を排気すると共に、カップ１８０内の廃液を回収する気液分離部１８２が環状に形成されている。気液分離部１８２には、ガイドリング１７８の外周部と、カップ１８０の底面に設けられた仕切壁１８３とにより屈曲路が形成されている。そして、この屈曲路により気液分離部１８２で気体と液体が分離される。すなわち、気液分離部１８２は、仕切壁１８３によって、カップ１８０内の廃液を排出するための外側領域１８４と、カップ１８０内の雰囲気を排気するための内側領域１８５に区画されている。外側領域１８４には、カップ１８０内の廃液を排出する排液管１８６が接続されている。また内側領域１８５には、カップ１８０内の雰囲気を排気するための排気管１８７が接続されている。
【００６１】
カップ１８０の下方には、カップベース１７３とカップ１８０内で回収された廃液を収集し、廃液回収装置３２に排出するための廃液容器１９０が設けられている。廃液容器１９０の上面には、カップベース１７３で回収した廃液を排出する排液管１７４と、カップ１８０内で回収した廃液を排出する排液管１８６とが接続されている。また、廃液容器１９０の下面には、後述する廃液回収装置３２の鉛直配管２０２が接続されている。
【００６２】
なお、塗布部１４１、１４２、１４３の構成については、上述した塗布部１４０と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
また、周縁部洗浄装置３４は、上述した塗布処理装置３３の構成とほぼ同様の構成を有している。周縁部洗浄装置３４は、塗布処理装置３３のポリイミドノズル１５３、１６０に代えて、スピンチャック１７０に保持されたウェハＷの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズルを有している。エッジリンスノズルは、各塗布部１４０〜１４３にそれぞれ個別に設けられていてもよい。また、各塗布部１４０〜１４３の廃液容器１９０で回収される廃液は、直接、廃液排出装置６０に排出される。周縁部洗浄装置３４のその他の構成は、塗布処理装置３３の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６４】
次に、上述した廃液回収装置３２の構成について説明する。廃液回収装置３２は、図４に示すように処理容器２００を有している。
【００６５】
処理容器２００の内部には、塗布処理装置３３からの廃液を回収する廃液回収部としての回収タンク２０１が設けられている。回収タンク２０１は、鉛直配管２０２及び傾斜配管２０３を介して、上述した廃液容器１９０と接続されている。鉛直配管２０２は、廃液容器１９０から鉛直下方に延伸して設けられている。傾斜配管２０３は、鉛直配管２０２の端部から回収タンク２０１に所定の角度で傾斜して延伸して設けられている。この所定の角度は、傾斜配管２０３内を廃液が詰まることなく円滑に流れる角度であって、例えば水平方向から１５度以上である。また、回収タンク２０１には、塗布処理装置３３の待機部１５５、１６２からの廃液を排出する排液管１５８、１６３も接続される。
【００６６】
処理容器２００の内部には、回収タンク２０１から廃液を排出させるためのポンプ２０４が設けられている。回収タンク２０１には排液管２０５が接続され、図３に示すように排液管２０５は廃液排出装置６０に連通している。そして、ポンプ２０４によって回収タンク２０１から廃液排出装置６０に廃液が排出され、さらに廃液排出装置６０内のポンプによって当該廃液排出装置６０から塗布現像処理システム１の外部に廃液が排出される。
【００６７】
なお、処理容器２００の内部には、回収タンク２０１の内部を洗浄する洗浄機構（図示せず）や、回収タンク２０１から排出される廃液の不純物を除去するためのフィルタ（図示せず）などが設けられていてもよい。
【００６８】
次に、上述した位置調節装置４２の構成について説明する。位置調節装置４２は、図７に示すように内部を密閉することができる処理容器２１０を有している。処理容器２１０のウェハ搬送領域Ｄ側の側面には、ウェハＷの搬入出口２１１が形成されている。
【００６９】
処理容器２１０内には、ウェハＷの裏面の中心部を吸着保持する、載置台としてのチャック２２０が設けられている。すなわち、チャック２２０はウェハＷの周縁部を保持しない。チャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをチャック２２０上に吸着保持できる。
【００７０】
チャック２２０には、チャック駆動部２２１が設けられている。チャック駆動部２２１は、処理容器２２０内の底面に設けられ、Ｘ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール２２２上に取付けられている。このチャック駆動部２２１により、チャック２２０はレール２２２に沿って移動自在であると共に、鉛直軸周りに回動自在になっている。なお、本実施の形態では、チャック駆動部２２１とレール２２２が本発明の移動機構を構成している。
【００７１】
また、処理容器２１０内には、チャック２２０に保持されたウェハＷの中心位置を検出する位置検出部２２３が設けられている。位置検出部２２３は、例えばウェハＷの周縁部を撮像するＣＣＤカメラを有し、チャック２２０に保持されたウェハＷの中心位置、すなわちウェハＷの中心部の所定の位置からのずれ量を検出できる。そして、位置検出部２２３で検出された検出結果に基づいて、後述する制御部３００によってチャック駆動部２２１の駆動を制御し、チャック２２０を所定量移動させる。具体的には、チャック２２０に保持されたウェハＷの中心位置が後述するウェハ搬送装置８０のアーム部２３０に保持されるウェハＷの中心位置に合致するように、チャック２２０を移動させる。
【００７２】
次に、上述したウェハ搬送装置８０の搬送アーム８１の構成について説明する。搬送アーム８１は、図８に示すように略３／４円環状に構成されたアーム部２３０を有している。アーム部２３０は、ウェハＷの径より大きい曲率半径でウェハＷの周縁部に沿って湾曲している。アーム部２３０には、当該アーム部２３０から内側に突出し、ウェハＷの周縁部裏面を保持する保持部２３１が複数箇所、例えば４箇所に設けられている。保持部２３１の先端部には、図９に示すように樹脂製のＯリング２３２が設けられている。このＯリング２３２がウェハＷの周縁部裏面と接触し、当該Ｏリング２３２とウェハＷとの間の摩擦力によって、保持部２３１はウェハＷの周縁部裏面を保持する。そして、搬送アーム８１は、この保持部２３１上にウェハＷを水平に保持することができる。また、アーム部２３０の曲率半径がウェハＷの径より大きいので、ウェハＷの周縁部はアーム部２３０に接触しない。さらに、保持部２３１がウェハＷの周縁部裏面を保持しているため、保持部２３１とウェハＷとの間でパーティクルが発生しても、従来のようにウェハの側面を保持する場合に比べて、当該パーティクルがウェハＷの表面側に回り込み難い。したがって、ウェハＷの表面を清浄に保つことができる。
【００７３】
アーム部２３０の基端部には、図８に示すようにアーム部２３０と一体に形成され、且つアーム部２３０を支持する支持部２３３が設けられている。支持部２３３にはアーム駆動部（図示せず）が設けられている。このアーム駆動部によって、搬送アーム８１は、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在になっている。
【００７４】
次に、上述したウェハ搬送装置１００、１０２の搬送アーム１０１、１０３の構成について説明する。搬送アーム１０１は、図１０に示すように略Ｃ字型に構成された他のアーム部としてのアーム部２４０を有している。アーム部２４０は、ウェハＷの径より大きい曲率半径でウェハＷの周縁部に沿って湾曲している。アーム部２４０には、当該アーム部２４０から内側に突出し、ウェハＷの周縁部裏面を保持する保持部２４１が複数箇所、例えば３箇所に設けられている。保持部２４１の先端部には、図９に示したＯリング２３２と同様の樹脂製のＯリング２４２が設けられている。このＯリング２４２がウェハＷの周縁部裏面と接触し、当該Ｏリング２４２とウェハＷとの間の摩擦力によって、保持部２４１はウェハＷの周縁部裏面を保持する。そして、搬送アーム１０１は、この保持部２４１上にウェハＷを水平に保持することができる。また、アーム部２４０の曲率半径がウェハＷの径より大きいので、ウェハＷの周縁部はアーム部２４０に接触しない。さらに、保持部２４１がウェハＷの周縁部裏面を保持しているため、保持部２４１とウェハＷとの間でパーティクルが発生しても、従来のようにウェハの側面を保持する場合に比べて、当該パーティクルがウェハＷの表面側に回り込み難い。したがって、ウェハＷの表面を清浄に保つことができる。なお、保持部２４１は、本発明における他の保持部を構成している。
【００７５】
アーム部２４０の基端部には、図１０に示すようにアーム部２４０と一体に形成され、且つアーム部２４０を支持する支持部２４３が設けられている。支持部２４３にはアーム駆動部（図示せず）が設けられている。このアーム駆動部によって、搬送アーム１０１は、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在になっている。
【００７６】
なお、搬送アーム１０３の構成は、上述した搬送アーム１０１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００７７】
以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、塗布現像処理システム１におけるウェハ処理を実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００７８】
次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。
【００７９】
先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが、カセットステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３の例えば受け渡し装置５４に搬送される。
【００８０】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって温度調節装置５３に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第２の処理ブロックＧ２のアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第３の処理ブロックＧ３の温度調節装置５５に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。
【００８１】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第２の処理ブロックＧ２の位置調節装置４２に搬送される。位置調節装置４２では、ウェハＷの中心位置が調節される。ここでは、温度調節装置５５からウェハ搬送装置８０によって搬送されるウェハＷの中心位置が所定の位置よりずれている場合において、位置調節装置４２内で行われる位置調節について図１１に基づいて説明する。
【００８２】
位置調節装置４２では、図１１（ａ）に示すように搬送アーム８１のアーム部２３０にウェハＷが適切な位置に保持されるように、すなわちアーム部２３０の中心位置とウェハＷの中心位置が合致するようにウェハＷの中心位置が調節される。このように位置調節された後のウェハＷの中心位置を、位置調節装置４２においてホーム位置Ｐとする。そして、チャック２２０は、当該チャック２２０の中心部ＣＣがホーム位置Ｐに位置するように待機している。
【００８３】
このようにチャック２２０が待機している状態で、図１１（ｂ）に示すように搬送アーム８１からチャック２２０にウェハＷが受け渡される。このとき、ウェハＷの中心部ＣＷは、ホーム位置Ｐ（チャック２２０の中心位置ＣＣ）からずれている。
【００８４】
その後、チャック駆動部２２１によりレール２２２に沿ってウェハＷを移動させ、図１１（ｃ）に示すように位置検出部２２３がウェハＷの周縁部を撮像できる位置にウェハＷが配置される。その後、チャック駆動部２２１によってウェハＷを回転させながら、位置検出部２２３によってウェハＷの中心位置、すなわちウェハＷの中心部ＣＷのずれ量ＴＸ、ＴＹが検出される。なお、ＴＸ、ＴＹはチャック２２０の中心位置ＣＣからのずれ量であって、ＴＸはＸ方向のずれ量であり、ＴＹはＹ方向のずれ量である。
【００８５】
その後、位置検出部２２３の検出結果に基づいて、制御部３００によってウェハＷの中心位置が調節される。具体的には、図１１（ｄ）に示すようにＴＹがゼロになるようにウェハＷを鉛直軸周りに回動させる。
【００８６】
その後、チャック駆動部２２１によって、図１１（ｅ）に示すようにウェハＷの中心部ＣＷがホーム位置Ｐに位置するようにウェハＷをＸ方向に移動させる。このようにして、ウェハＷの中心位置の調節が完了する。そして、チャック２２０から搬送アーム８１にウェハＷが受け渡される。このとき、搬送アーム８１のアーム部２３０の中心位置とウェハＷの中心位置が合致するように、ウェハＷは搬送アーム８１に保持される。すなわち、ウェハＷの周縁部はアーム部２３０に接触していない。
【００８７】
このようにウェハ搬送装置８０の搬送アーム８１に受け渡されたウェハＷは、次に塗布処理装置３３に搬送され、例えば搬送アーム８１から塗布部１４０のスピンチャック１７０に受け渡される。このとき、塗布処理装置３３内では、図１２に示すようにアーム部２３０に保持されたウェハＷの中心位置とスピンチャック１７０の中心位置が合致するように、搬送アーム８１からスピンチャック１７０にウェハＷが受け渡される。
【００８８】
その後、第１のポリイミドノズル１５３をウェハＷの中心部上方まで移動させる。続いてスピンチャック１７０に保持されたウェハＷを回転駆動部１７２によって回転させると共に、第１のポリイミドノズル１５３からウェハＷの中心部にポリイミド溶液を供給する。ウェハＷ上に供給されたポリイミド溶液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの表面の全体に拡散し、ウェハＷの表面にポリイミド溶液が塗布される。その後、第１のポリイミドノズル１５３からのポリイミド溶液の供給を停止した後、引き続きウェハＷを回転させる。そして、ウェハＷ上のポリイミド溶液の膜厚を調整し、当該ポリイミド溶液を乾燥させて、ウェハＷ上にポリイミド膜が形成される。なお、ウェハＷ上にポリイミド膜を形成した後、バックリンスノズル１７５からウェハＷの裏面にリンス液を噴射し、当該ウェハＷの裏面を洗浄してもよい。
【００８９】
なお、第１のポリイミドノズル１５３からウェハＷ上にポリイミド溶液を塗布する際、ウェハＷから飛散するポリイミド溶液はカップ１８０内又はカップベース１７３に回収される。また、バックリンスノズル１７５からウェハＷの裏面にリンス液を塗布する際、発生する廃液はカップベース１７３又はカップ１８０内に回収される。そして、カップ１８０やカップベース１７３で回収された廃液は、廃液容器１９０、鉛直配管２０２及び傾斜配管２０３を介して、回収タンク２０１に排出される。このとき、鉛直配管２０２と傾斜配管２０３が所定の傾斜を有しているので、鉛直配管２０２と傾斜配管２０３内を廃液は詰まることなく円滑に流れる。
【００９０】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって塗布処理装置３３から搬出される。このとき、図１２に示した場合と同様に、スピンチャック１７０に保持されたウェハＷの中心位置とアーム部２３０に保持されるウェハＷの中心位置が合致するように、スピンチャック１７０から搬送アーム８１にウェハＷが受け渡される。したがって、ウェハＷの周縁部がアーム部２３０に接触しない状態で、ウェハＷは搬送アーム８１に保持される。
【００９１】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第４の処理ブロックＧ４の温度調節装置７５に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。
【００９２】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第２の処理ブロックＧ２の位置調節装置４２に搬送される。位置調節装置４２では、ウェハＷの中心位置が調節される。ここでのウェハＷの中心位置の調節は、図１１で説明したウェハＷの中心位置の調節と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００９３】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって周縁部洗浄装置３４に搬送される。このとき、周縁部洗浄装置３４内では、搬送アーム８１のアーム部２３０に保持されたウェハＷの中心位置とスピンチャック１７０に保持されるウェハＷの中心位置が合致するように、搬送アーム８１からスピンチャック１７０にウェハＷが受け渡される。
【００９４】
その後、エッジリンスノズルをウェハＷの周縁部上方まで移動させる。続いてスピンチャック１７０に保持されたウェハＷを回転駆動部１７２によって回転させると共に、エッジリンスノズルからウェハＷの周縁部にリンス液を供給する。このリンス液によってウェハＷの周縁部上のポリイミド膜が除去され、当該ウェハＷの周縁部が洗浄される。
【００９５】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって周辺露光装置４３に搬送され、周辺露光処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第３の処理ブロックＧ３の受け渡し装置５６に搬送される。
【００９６】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置９０によって第４の処理ブロックＧ４の受け渡し装置７２に搬送される。
【００９７】
その後ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送装置１１０によって露光装置４に搬送され、露光処理される。
【００９８】
次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって露光装置４から第４の処理ブロックＧ４の受け渡し装置７０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第２の処理ブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第１の処理ブロックＧ１の現像処理装置３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第２の処理ブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。
【００９９】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８０によって第３の処理ブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置２１によって所定のカセット載置板１１のカセットＣに搬送される。こうして、ウェハＷ上のポリイミド膜に所定のパターンが形成され、一連のフォトリソグラフィ処理が終了する。
【０１００】
以上の実施の形態によれば、温度調節装置５５におけるウェハＷの温度調節後、位置調節装置４２において、チャック２２０に保持されたウェハＷの中心位置が搬送アーム８１のアーム部２３０に保持されるウェハＷの中心位置に合致するように調節される。そうすると、ウェハ搬送装置８０によって位置調節装置４２からウェハＷを搬出する際、チャック２２０からアーム部２３０の適切な位置にウェハＷを受け渡すことができる。すなわち、アーム部２３０の中心位置とウェハＷの中心位置が合致するように、ウェハＷが搬送アーム８１に受け渡される。またその後、ウェハ搬送装置８０によって塗布処理装置３３にウェハＷを搬送する際にも、アーム部２３０に保持されたウェハＷの中心位置とスピンチャック１７０に保持されるウェハＷの中心位置が合致するように、アーム部２３０からスピンチャック１７０に適切にウェハＷを受け渡すことができる。したがって、スピンチャック１７０に保持されたウェハＷ上にポリイミド溶液を適切に塗布してポリイミド膜を形成することができる。
【０１０１】
また、温度調節装置７５におけるウェハＷの温度調節後も、位置調節装置４２においてウェハＷの中心位置が調節される。そうすると、ウェハ搬送装置８０によって位置調節装置４２からウェハＷを搬出する際、チャック２２０から搬送アーム８１のアーム部２３０の適切な位置にウェハＷを受け渡すことができる。またその後、ウェハ搬送装置８０によって周縁部洗浄装置３４にウェハＷを搬送する際にも、アーム部２３０からスピンチャック１７０の適切な位置にウェハＷを受け渡すことができる。したがって、スピンチャック１７０に保持されたウェハＷの周縁部上の適切な位置にリンス液を供給して、当該周縁部を適切に洗浄することができる。
【０１０２】
さらに、位置調節装置４２においてウェハＷの中心位置が調節されるので、その後ウェハ搬送装置８０によってウェハＷを搬送中、アーム部２３０の中心位置とウェハＷの中心位置が合致するようにウェハＷは搬送アーム８１に保持される。そして、このとき搬送アーム８１の保持部２３１とウェハＷとの間には摩擦力が発生するので、ウェハＷは保持部２３１からずれることなく搬送アーム８１に保持される。したがって、アーム部２３０にウェハＷの周縁部が接触することがない。すなわち、塗布処理装置３３から熱処理装置４０へのウェハＷの搬送、熱処理装置４０から温度調節装置７５へのウェハＷの搬送、温度調節装置７５から位置調節装置４２へのウェハＷの搬送、位置調節装置４２から周縁部洗浄装置３４へのウェハＷの搬送において、アーム部２３０にウェハＷの周縁部が接触しない。したがって、ウェハＷ上のポリイミド膜がアーム部２３０に付着することがなく、従来のようにパーティクル汚染を引き起すことがない。特にウェハ上に高粘度の塗布液（例えば本実施の形態のポリイミド溶液）を塗布すると搬送アームに塗布膜が付着し易くなるため、本実施の形態は特に高粘度の塗布液を用いる場合に有用である。
【０１０３】
以上の実施の塗布現像処理システム１の位置調節装置４２は、第２の処理ブロックＧ２に配置されていたが、図１３に示すように他の処理ブロックとしての第３の処理ブロックＧ３及び第４の処理ブロックＧ４に配置されていてもよい。かかる場合、上述した温度調節装置５５、７５からの位置調節装置４２へのウェハＷの搬送は、ウェハ搬送装置８０に代えて、ウェハ搬送装置１００、１０２が用いられる。そうすると、稼働率が高いウェハ搬送装置８０によるウェハＷの搬送を一部省略することができる。また、第２の処理ブロックＧ２において位置調節装置４２が配置されていた位置に、処理時間の長い熱処理装置４０を別途配置することができる。したがって、ウェハ処理全体のスループットを向上させることができる。
【０１０４】
なお、かかる場合でも、ウェハ搬送装置１００、１０２の搬送アーム１０１、１０３におけるアーム部２４０の曲率半径がウェハＷの径より大きいので、ウェハＷの周縁部はアーム部２４０に接触しない。したがって、ウェハＷ上のポリイミド膜がアーム部２４０に付着することがなく、従来のようにパーティクル汚染を引き起すことがない。
【０１０５】
以上の実施の形態では、位置調節装置４２において、チャック２２０に保持されたウェハＷを鉛直軸周りに回動させると共にＸ方向に移動させていたが、当該ウェハＷをＸ方向及びＹ方向の水平方向の２方向に移動させてもよい。すなわち、位置検出部２２３によって検出されたウェハＷの中心部ＣＷのずれ量ＴＸ、ＴＹに基づいて、ウェハＷをＸ方向及びＹ方向に移動させてもよい。かかる場合、例えばチャック駆動部２２１がＹ方向に伸縮することで、チャック２２０に保持されたウェハＷをＹ方向に移動させてもよい。
【０１０６】
また、以上の実施の形態の周縁部洗浄装置３４には、塗布処理装置３３のポリイミドノズル１５３、１６０と同様の塗布液ノズルが設けられていてもよい。かかる場合、周縁部洗浄装置３４の塗布液ノズルとしては、例えば塗布液としてのレジスト液を供給するレジストノズルが設けられる。そして、ウェハＷ上にレジストノズルからレジスト液が供給され、当該ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【０１０７】
さらに、以上の実施の形態の塗布処理装置３３においても、周縁部洗浄装置３４と同様に、ウェハＷの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズルが設けられていてもよい。
【０１０８】
以上の実施の形態では、塗布液としてポリイミド溶液を用いた場合について説明したが、本発明は、ポリイミド溶液だけでなく、他の塗布液、イメージセンサ等の製造で用いられるカラーレジストなどの高粘度の塗布液に対しても好適に適用することができる。
【０１０９】
以上の実施の形態では、搬送アーム８１、１０１において、ウェハＷを保持する保持部２３１、２４１はそれぞれＯリング２３２、２４２を有していたが、本発明はこれに限定されない。保持部２３１、２４１は、当該保持部２３１、２４１とウェハＷの周縁部裏面との間に摩擦力が発生すればよく、Ｏリング２３２、２４２の代わりに他の吸着パッド等を有していてもよい。もしくは、図１４に示すように保持部２３１の先端部に吸引口３１０を形成し、保持部２３１は吸引口３１０からの吸引によってウェハＷを保持してもよい。かかる場合、吸引口３１０は、真空配管３１１を介して真空ポンプ３１２に接続される。なお、保持部２４１においても、同様に真空ポンプ３１２に接続される吸引口３１０が形成されてもよい。
【０１１０】
さらに上述したように本発明は特に高粘度の塗布液を用いる場合に有用であるが、本発明は、比較的低粘度の塗布液、例えば通常のレジストや、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜用処理液やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜用処理液に対しても好適に適用することができる。かかる場合でも、塗布膜が搬送アームに付着するのを防止し、パーティクル汚染を防止することができる。
【０１１１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１１２】
１    塗布現像処理システム
３３  塗布処理装置
３４  周縁部洗浄装置
４０  熱処理装置
４２  位置調節装置
５１、５３、５５、７１、７３、７５  温度調節装置
８０  ウェハ搬送装置
８１  搬送アーム
１００  ウェハ搬送装置
１０１  搬送アーム
１０２  ウェハ搬送装置
１０３  搬送アーム
１５３  第１のポリイミドノズル
１６０  第２のポリイミドノズル
１７０  スピンチャック
２２０  チャック
２２１  チャック駆動部
２２２  レール
２２３  位置検出部
２３０  アーム部
２３１  保持部
２３２  Ｏリング
２４０  アーム部
２４１  保持部
２４２  Ｏリング
３００  制御部
３１０  吸引口
３１２  真空ポンプ
Ｇ１  第１の処理ブロック
Ｇ２  第２の処理ブロック
Ｇ３  第３の処理ブロック
Ｇ４  第４の処理ブロック
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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