(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層を含むＦＦＳモード液晶表示装置であって、
各画素領域は、相互に交差するゲートラインとデータラインによって、前記下部基板に規定され、
前記ラインの交差部には、ドレイン電極、ソース電極及びチャネル領域を含むスイッチング素子が配置されていて、
前記ＦＦＳモード液晶表示装置は、さらに、
前記液晶層に電圧を印加して光透過量を調節するために、前記ゲートライン及び前記データラインを含む領域全体の上部に少なくとも第１層間絶縁層を介して形成される透明共通電極と、
前記透明共通電極と接続される構造で前記データラインと前記スイッチング素子の一部を含む前記ゲートラインの上部に形成された導電性反射構造物と、
前記透明共通電極と前記導電性反射構造物の上部に少なくとも第２層間絶縁層を介して前記各画素領域内に形成された透明画素電極を備え、該透明画素電極は、内部に多数のスリットを含み、前記スイッチング素子のドレイン電極と接続されるように形成され、
前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子の一部を覆うように形成され、
前記透明画素電極のうち、前記ゲートラインと前記データラインと、前記スイッチング素子のそれぞれに隣接する部分の少なくとも一部は、前記導電性反射構造物に重層されることを特徴とする、ＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項２】
前記導電性反射構造物は、前記ゲートラインと前記データラインを覆う構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項３】
前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子のドレイン電極の一部領域を除いた前記スイッチング素子を含むとともに、前記データラインと前記ゲートラインの上部に格子型構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項４】
前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子のドレイン電極領域とチャネル領域の一部を除いた前記スイッチング素子を覆うとともに、前記データラインと前記ゲートラインの上部に格子型構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項５】
前記導電性反射構造物は、前記ドレイン電極のエッジ領域の少なくとも一部と重層されることを特徴とする請求項１に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項６】
前記透明画素電極の前記多数のスリットは、前記ゲートラインと一定の角度を成し、前記液晶層を配列するためのラビング方向は、前記ゲートラインの方向に対して平行とすることを特徴とする請求項１に記載のＦＦＳモードの液晶表示装置。
【請求項７】
下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入される液晶層とを含み、
前記下部基板には、相互に交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ラインの交差部には、ドレイン電極、ソース電極及びチャネル領域を含むスイッチング素子が配置されているＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法であって、
前記下部基板上にゲートラインとゲート電極を形成する段階と、
前記ゲートラインとゲート電極を含む基板の上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上部にドレイン電極、ソース電極及びチャネル領域を含むスイッチング素子とデータラインを形成する段階と、
前記スイッチング素子とデータラインを含む結果物の上部に少なくとも第１絶縁層を介して前記スイッチング素子の一部を除いて全体的に透明共通電極を形成する段階と、
前記透明共通電極と接続されるように、前記データラインと前記ゲートライン及び前記スイッチング素子の一部領域の上部に導電性反射構造物を形成する段階と、
前記導電性反射構造物を含む結果物の上部に少なくとも第２絶縁層を介して前記各画素領域内に形成された透明画素電極を形成する段階を備え、該透明画素電極は、その内部に多数のスリットを含み、前記ドレイン電極と接続され、
前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子の一部領域の上部を覆うように形成され、
前記透明画素電極の形成時に、前記ゲートラインと前記データラインと、前記スイッチング素子のそれぞれに隣接する前記透明画素電極部分の少なくとも一部は、前記導電性反射構造物に重層されるように形成することを特徴とする、ＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電性反射構造物は、前記ゲートラインと前記データラインを覆う構造で形成されることを特徴とする請求項７に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子のドレイン電極の一部領域を除いた前記スイッチング素子を含むとともに、前記データラインと前記ゲートラインの上部に格子型構造で形成されることを特徴とする請求項７に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子のドレイン電極とチャネル領域の一部を除いた前記スイッチング素子を含み、前記データラインと前記ゲートラインの上部に格子型構造で形成されることを特徴とする請求項７に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性反射構造物は、前記ドレイン電極のエッジ領域の少なくとも一部と重層されることを特徴とする請求項７に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記透明画素電極の前記多数のスリットは、前記ゲートラインと一定の角度を成し、前記液晶層を配列するためのラビング方向は、前記ゲートラインの方向を基準にして一定の角度を維持することを特徴とする請求項７に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、開口率を向上させ、内部反射率を増加させて、野外視認性を向上させたＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＦＦＳモード（Fringe Field Switching Mode）液晶表示装置は、ＩＰＳモード（In-Plane Switching Mode）液晶表示装置における低い開口率及び透過率を改善させるために提案されたものである。
【０００３】
ＦＦＳモード液晶表示装置は、共通電極（対電極）及び画素電極を備え、共通電極（対電極）及び画素電極は、透明な導電体で形成されることで、ＩＰＳモード液晶表示装置に比べて開口率及び透過率を高めることが可能である。また、共通電極と画素電極との間隔を上・下部ガラス基板間の間隔より狭く形成することによって、共通電極と画素電極との間にフリンジフィールドが形成される。これにより、電極の上部に存在する液晶分子までもすべて動作するようにして、透過率を一層向上させることができる。
【０００４】
ＦＦＳモード液晶表示装置に関する従来技術は、例えば、本出願人によって出願されて登録された特許文献１、特許文献２、特許文献３などに開示されている。
【０００５】
これら特許文献のうち、特許文献２に記載の発明は、透明共通電極と、透明共通電極の上部に絶縁層を介して離隔配置される透明画素電極とを備える。液晶層を配置するためのラビングを行う方向は、ゲートラインの方向を基準にして５°以内にし、データラインと透明画素電極との間に透明共通電極の一端部が配置される。特許文献２において、データラインを基準にして透明共通電極と透明画素電極との間隔を調節し、データライン付近の開口率及び光透過率を向上させることができる発明を開示している。
【０００６】
また、特許文献３は、データラインの幅及び配置、及びデータライン付近での透明共通電極及び透明画素電極の各々の電極幅、電極配置関係などを調節することによって、データライン付近での液晶駆動と、画素領域の中心における液晶駆動が各々異なる液晶駆動モードで駆動するようにする。これにより、特許文献３記載の発明のＦＦＳモード液晶表示装置は、データラインの上部に形成された遮光膜を除去することができると共に、光の漏れ現象を防止することが可能となる。
【０００７】
しかしながら、前述のような特許文献２及び特許文献３は、野外視認性を高め、開口率を高め、且つ低電力化を図ることが可能であるなどの様々な点において、効果的であるが、依然として改善すべき問題点がある。
【０００８】
まず、遮光膜の縮小及び除去によって上下板のラミネートマージンが減少し、混色の発生可能性があるので、不良率を増加させる要因になるといった問題点がある。特許文献３は、データラインの段差、特にラビングを行う方向とは反対側の段差ではラビングが完全に行われない。従って、ラビング方向のデータラインの反対側の部分において光の漏れ現象が発生する可能性がある。
【０００９】
従って、前述したような問題点を解決するために、新しいＦＦＳモード液晶表示装置が求められている。
【００１０】
【特許文献１】大韓民国特許第３４１，１２３号
【特許文献２】大韓民国特許第８５５，７８２号
【特許文献３】大韓民国特許第８４９，５９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記問題点を解決するために、本発明の目的は、新しい積層構造、デザインを有するＦＦＳモード液晶表示装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、データ遮光膜を最小限にする、もしくは除去して、開口率の向上とともに、低電力化を図ることが可能なＦＦＳモード液晶表示装置を提供することである。
【００１３】
本発明の他の目的は、ゲートライン、データラインなど透過領域以外の領域をできるだけ多く反射領域として活用することが可能なように導電性反射領域を形成することによって、野外視認性を向上させることである。
【００１４】
本発明の他の目的は、光の漏れ現象、混色現象などを最小化することができ、画面の品質を向上させることができるＦＦＳモード液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の第１態様によるＦＦＳモード液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ラインの交差部には、ドレイン電極、ソース電極及びチャネル領域を含むスイッチング素子が配置されているＦＦＳモード液晶表示装置であって、前記液晶層に電圧を印加して光透過量を調節するために、前記ゲートライン及び前記データラインを含む領域全体の上部に少なくとも第１層間絶縁層を介して形成される透明共通電極と、前記透明共通電極と接続される構造で前記データラインと前記スイッチング素子の一部を含む前記ゲートラインの上部に形成された導電性反射構造物と、前記透明共通電極と前記導電性反射構造物の上部に少なくとも第２層間絶縁層を介して前記各画素領域内に形成された透明画素電極を備え、該透明画素電極はその内部に多数のスリットを含み、前記スイッチング素子のドレイン電極と接続されることを特徴とする。
【００１６】
好ましくは、前記透明画素電極のエッジ部分は、前記導電性反射構造物と少なくとも一部分が互いに重層（オーバーラップ）される。
【００１７】
好ましくは、前記透明画素電極の前記多数のスリットは、前記ゲートラインと一定の角度を有し、前記液晶層を配列するためのラビング方向は、前記ゲートラインの方向に対して平行とする。
【００１８】
好ましくは、前記導電性反射構造物は、前記透明画素電極と前記スイッチング素子のドレイン電極との接続のために、ドレイン電極の一部領域を除いて形成される。
【００１９】
また、好ましくは、前記導電性反射構造物は、前記スイッチング素子のドレイン電極の一部領域とチャネル領域を除いて形成される。
【００２０】
本発明の第２態様によるＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法は、下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入される液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ラインの交差部には、ドレイン電極、ソース電極及びチャネル領域を含むスイッチング素子が配置されているＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法であって、前記下部基板上にゲートラインとゲート電極を形成する段階と、前記ゲートラインとゲート電極を含む基板の上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上部にドレイン電極、ソース電極及びチャネル領域を含むスイッチング素子とデータラインを形成する段階と、前記スイッチング素子とデータラインを含む結果物の上部に少なくとも第１絶縁層を介して前記スイッチング素子の一部を除いて全体的に透明共通電極を形成する段階と、前記透明共通電極と接続されるように、前記データラインと前記ゲートライン及び前記スイッチング素子の一部領域の上部に導電性反射構造物を形成する段階と、前記導電性反射構造物を含む結果物の上部に少なくとも第２絶縁層を介して前記各画素領域内に形成された透明画素電極を形成する段階を備え、該透明画素電極は、その内部に多数のスリットを含み、前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、透明共通電極、透明画素電極、導電性反射構造物をデータライン、ゲートライン、ドレイン電極との配置構造を最適化することによって、開口率と反射度を最適化することができる構造を提供することができる。
【００２２】
また、本発明によれば、上部基板の遮光膜をできるだけ低減するか、または遮光膜を全く使用しないことによって、開口率を向上することができ、低電力化を図ることができる。
【００２３】
また、本発明は、ゲートライン、データラインなど透過領域以外の領域をできるだけ多く反射領域として活用することができるように、導電性反射構造物で反射領域を形成することによって、野外視認性を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明によれば、光の漏れ現象、混色現象などを最小化することができ、画面の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。
【図２ａ】それぞれ図１のＡ−Ａ’に沿う断面図である。
【図２ｂ】それぞれ図１のＢ−Ｂ’に沿う断面図である。
【図２ｃ】それぞれ図１のＣ−Ｃ’に沿う断面図である。
【図３ａ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図３ｂ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図３ｃ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図３ｄ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図３ｅ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図３ｆ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図３ｇ】本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造過程を説明するための図である。
【図４】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。
【図５ａ】図４のＡ−Ａ’に沿う断面図である。
【図５ｂ】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の製造過程において導電性反射構造物の形成工程を示す平面図である。
【図６】本発明のさらに別の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施することができる程度に詳しく説明するために、本発明の好ましい実施例を添付の図面を参照して説明する。
本発明の実施例に係る液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、下部基板と上部基板との間に挿入された液晶層とを含み、下部基板には、液晶層に電圧を印加するために相互交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定されている。
【００２７】
図１は、本発明の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。図２a乃至図２cは、それぞれ図１のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、及びＣ−Ｃ’に沿う断面図である。
【００２８】
図１、図２a乃至図２cを参照すれば、本実施例のＦＦＳモード液晶表示装置は、下部基板１００上にゲートライン１２０とデータライン１５０が交差するように配列され、ゲートライン１２０とデータライン１５０の交差部には、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）が配置される。
【００２９】
ゲートライン１２０とデータライン１５０によって規定された各単位画素領域内には、液晶層に電圧を印加して光透過量を調節するために、透明共通電極１７０と透明画素電極２００が配され、透明共通電極１７０と透明画素電極２００の間には、層間絶縁層１９０が離隔して配されている。透明画素電極２００は、多数のスリットを備えたスリットタイプの電極であり、スリットは、データライン１５０と相対する方向に配されている。透明共通電極１７０の形状は特に限定されないが、好ましくは、プレート形状である。
【００３０】
また、透明共通電極１７０の上部には、反射率と開口率を向上させるために、前記透明共通電極１７０と接続される形態で導電性反射構造物１８０が配置される。
【００３１】
下部基板１００の上部には、所定距離をもって離隔され、上部基板（図示せず）が形成されており、上部基板（図示せず）には、カラーフィルタ及びオーバーコートを備え、 多数の液晶分子を含む液晶層（図示せず）を介して下部基板１００とラミネートされる。
【００３２】
本実施例の主な特徴の１つは、透明共通電極１７０と透明画素電極２００及び導電性反射構造物１８０の配置構造にある。透明共通電極１７０と透明画素電極２００の形状だけでなく、ゲートライン１２０、データライン１５０、各層間絶縁層１６０、１９０の積層構造と配置構造についても、適切に最適化される。従って、本発明の目的が最大限に実現される。
【００３３】
特に、透明共通電極１７０は、各単位画素領域に分離して形成されない。しかし、透明共通電極１７０は、スイッチング素子（またはドレイン電極１５０ａ）の一部の領域（図３ｄ参照）を除いて、データライン１５０、ゲートライン１２０を含む全体領域の上部に形成される構造を有する。すなわち、スイッチング素子（またはドレイン電極１５０ａ）の一部領域（図３ｄ参照）に透明共通電極１７０の形成されない領域が存在するようになる。これは、後にスイッチング素子のドレイン電極１５０ａと透明画素電極２００が接続される部分であるので、透明共通電極１７０の形成が除外されることが好ましい。
【００３４】
透明共通電極１７０を介して外部から電圧が印加され、各単位画素領域に伝達されるので、このような構造は、抵抗が減少し、大画面の液晶表示装置に有利である。本実施例では、透明共通電極１７０、透明画素電極２００、ゲートライン１２０、データライン１５０、各層間絶縁層１６０、１９０の配置構造、積層位置が調節されることにより、透明共通電極１７０の構造は、基板全体を通じて連結される構造を有するようになる。
【００３５】
本実施例では、基板１００の上部にゲートライン１２０、ゲート絶縁層１３０、活性層１４０、及びデータライン１５０が形成され、その上部に、透明共通電極１７０が層間絶縁層１６０を介在して基板の全体に形成される。導電性反射構造物１８０は、透明共通電極１７０と接続されて形成される。層間絶縁層１９０は、導電性反射構造物１８０の上部に形成され、透明画素電極２００は、その上部に積層される構造を有する。
【００３６】
このような構造は、全体液晶表示装置の開口率を画期的に広くすることができるという効果がある。
【００３７】
一方、透明画素電極２００の多数のスリットは、ゲートライン１２０と一定の角度θを成すと、データラインの周辺部の光の漏れ現象を防止することができる。液晶層を配列するためのラビング方向が、ゲートラインの方向と実質的に平行に維持される場合、上記一定の角度θは、１乃至１５度に維持される。
【００３８】
特に、上記角度θは、液晶の駆動時に最大透過率とＶ−Ｔ曲線の傾きを考慮して調節することができ、好ましくは、約７度に維持される。
【００３９】
一方、透明共通電極１７０と接続される構造で形成された導電性反射構造物１８０は、反射率が相対的に優れたアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金（ＭｏＷ）、銀（Ａｇ）、銀合金、タングステン（Ｗ）のうちすくなくとも１つを含む合金を利用して形成することができる。導電性反射構造物１８０は、透明共通電極１７０の上部に直接接触する方式で形成されて、透明共通電極１７０の抵抗を減少させる役割と、光の漏れと混色を防止する役割を担うと共に、反射構造物の役割をも担うようになる。
【００４０】
本実施例では、導電性反射構造物１８０自体の形状の最適化のみならず、導電性反射構造物１８０と他の構造物（透明共通電極１７０、透明画素電極２００、データライン１５０、ゲートライン１２０、ドレイン電極１５０ａなど）との配置構造の最適化によって、開口率と反射度を最適化することができる。
【００４１】
液晶表示装置の上部から基板を見る場合、導電性反射構造物１８０は、データライン１５０、ゲートライン１２０などの上部に入射される光の内部反射を増加させるために形成される。そうすることで、内部反射を向上させ、開口率を増加させて、屋外視認性を向上させることが可能となる。一方、ゲートライン１２０及びデータライン１５０と対応する上部基板には、遮光領域が形成されないことが好ましい。すなわち、上部基板の遮光領域が、全く形成されなくてもよく、上部基板の遮光領域が、スイッチング素子に対応する一部領域にのみ形成されてもよい。
【００４２】
好ましくは、導電性反射構造物１８０は、各単位画素領域が互いに連結される構造を有する。すなわち、導電性反射構造物１８０は、基板全体を通じて連結される構造を有する。導電性反射構造物１８０は、ゲートライン１２０とデータライン１５０の上部及び一部領域を除いた（スイッチング素子の一部領域にのみ導電性反射構造物の未形成領域が存在する形態である）スイッチング素子領域の上部に透明共通電極１７０と接続するように形成される。導電性反射構造物１８０が形成される領域は、外部反射量、抵抗減少などと直接的な関係がある。特に本実施例に係る積層構造では、導電性反射構造物１８０と他の構造物（透明共通電極１７０、透明画素電極２００、データライン１５０、ゲートライン１２０、ドレイン電極１５０ａなど）との配置関係に応じて、開口率、反射量、抵抗などが変化するため、適切な範囲を探すことが必要である。
【００４３】
一方、このような導電性反射構造物１８０の配置関係は、本実施例の具体的な積層構造においても、好ましく適用可能である。詳細には、透明共通電極１７０は画素領域全体に形成され（透明共通電極はスイッチング素子の一部領域には形成されない）、この透明共通電極に接続される形態で導電性反射構造物１８０は形成される。そして、多数のスリットを有する透明画素電極は、これらの上部に絶縁膜を介して各単位画素に形成される構造である。好ましくは、導電性反射構造物１８０は、スイッチング素子のドレイン電極１５０ａの領域の一部を除き、データライン１５０とゲートライン１２０の上部に格子型構造で形成される（図４参照）。もしくは、導電性反射構造物１８０は、スイッチング素子のドレイン電極１５０ａとチャネル領域の一部を除き、データライン１５０とゲートライン１２０の上部に格子型構造で形成される（図１参照）。このような構造のさらなる他の例は、図６及び図７に開示される。
【００４４】
導電性反射構造物１８０とデータライン１５０、ゲートライン１２０及びドレイン電極１５０ａとの関係をさらに詳しく説明する。導電性反射構造物１８０は、データライン１５０とゲートライン１２０を内部に含む形態で形成され、透明画素電極２００と部分的に重層（オーバーラップ）する構造Ｄ4、Ｄ5を有することが好ましい（図２ｂ、図２ｃ参照）。Ｄ４、Ｄ５は、隣接する２つの画素電極２００の間に発生する横電界による光の漏れを防止するためのもので、工程能力を考慮して０．１乃至５．０μmで形成されることが好ましく、より好ましくは、０．５乃至２．０μmで形成される。
【００４５】
一方、データライン１５０及びゲートライン１２０を内部に含む形態（覆う構造）で導電性反射構造物１８０を形成することにより、反射率と透過率を適切に調整するとともに、光の漏れ及び混色を防止する。これらの光の漏れ及び混色は、データライン１５０とゲートライン１２０の段差に起因するラビングの方向により、上記ライン周辺部で発生する。
【００４６】
一方、導電性反射構造物１８０は、ドレイン電極１５０ａのエッジ領域の少なくとも一部と重層（オーバーラップ）することが好ましい。図１の挿入図において、Ｄ1、Ｄ2、Ｄ３は、導電性反射構造物１８０がドレイン電極１５０ａのエッジ領域と重層（オーバーラップ）する距離を示している。Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は、工程能力を考慮して０．５乃至５．０μmに維持されることが好ましい。Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を図１のように重層（オーバーラップ）することは、工程時に段差などに起因して発生する光の漏れ現象を防止するためのもので、このような重層（オーバーラップ）部分は、必ず必要なものではなく、他の変形例も可能である。その変形例は、図６及び図７と関連説明に開示する。
【００４７】
本発明者は、ゲートライン１２０と平行な方向でラビングが行われる時に、ゲートライン１２０の部分（スイッチング素子のドレイン領域と重層（オーバーラップ）する領域（Ｒ）を含む）において不完全なラビング工程によって光の漏れが発生することを確認した。このような問題点は、導電性反射構造物１８０とゲートライン１２０のエッジ領域の一部を重層（オーバーラップ）させることによって解決可能であった。
【００４８】
以下、図１、図２ａ乃至図２ｃ、図３ａ乃至図３ｇを参照して本発明の液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００４９】
まず、下部基板１００上に導電性に優れた不透明金属を蒸着し、パターニングして、ゲートライン１２０を形成する（図３ａ）。
【００５０】
ゲートライン１２０を覆うようにゲート絶縁膜１３０を蒸着した後、ゲート絶縁膜１３０上にａ−Ｓｉ層と、ｎ＋ａ−Ｓｉ層を連続蒸着した後、パターニングして活性層１４０を形成する（図３ｂ）。
【００５１】
また、活性層１４０上に金属層を蒸着した後、パターニングしてデータライン１５０とソース電極１５０、ドレイン電極１５０ａを形成し、その上に第１層間絶縁層１６０を蒸着する（図３ｃ）。
【００５２】
次に、透明導電層を蒸着し、これをパターニングして透明共通電極１７０を形成する。この場合、透明共通電極１７０は、各単位画素領域とは分離して形成されずに、基板全体と連結される構造を有することは、前述した通りである（図３ｄ）。
【００５３】
その後、反射率が相対的に優れた金属を蒸着した後、パターニングして導電性反射構造物１８０を形成する。導電性反射構造物１８０は、各単位画素領域が互いに連結される構造を有し、金属の抵抗によって１００Å乃至７０００Åの厚さの金属を蒸着し、これをパターニングして形成することができる（図３ｅ）。
【００５４】
次に、透明共通電極１７０と導電性反射構造物１８０の上部に第２層間絶縁層１９０を形成し、ドレイン電極１５０ａの一部分が露出されるように、コンタクトホール（ＣＮ）を形成した後、層間絶縁層１９０上に透明導電層を蒸着する（図３ｆ）。
【００５５】
その後、透明導電層をパターニングして、スリット形態の透明画素電極２００を形成する（図３ｇ）。この際、コンタクトホール（ＣＮ）に挿入蒸着される透明導電層によってドレイン電極１５０ａと透明画素電極２００が連結される。
【００５６】
一方、上部基板には、遮光領域（図示せず）が形成されるが、本実施例によれば、スイッチング素子と対応する上部基板にのみ遮光領域を形成してもよく、又は全く形成されなくてもよい。従来技術によれば、ゲートライン１２０とデータライン１５０の上部にも遮光領域が形成されるのに対し、本実施例では、データライン１５０及び／またはゲートライン１２０と対応する上部基板２００には遮光領域が形成されない。遮光領域の形成領域が減少すれば、相対的に開口率が増加することは自明である。
【００５７】
図４は、本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。図５ａは、図４のＡ−Ａ’に沿う断面図であり、図５ｂは、本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の製造過程において導電性反射構造物の形成工程を示す平面図である。
【００５８】
説明の便宜のために、図１の実施例との差異点を主として説明すれば、主な差異は、導電性反射構造物１８０の領域にある。
【００５９】
図４、図５ａ、及び図５ｂを参照すれば、導電性反射構造物１８０は、スイッチング素子のドレイン電極１５０ａ領域を除いてチャネル１４０領域を含み、データライン１５０とゲートライン１２０の上部に格子型構造で形成される。
【００６０】
本実施例によれば、チャネル１４０領域の上部にも導電性反射構造物１８０を形成することによって、反射領域をさらに拡大可能であることは勿論であり、上部基板に形成される遮光膜を全く形成しなくてもよい。すなわち、図１の実施例の場合に比べて、遮光膜で形成すべき部分がさらに狭くなることは勿論であり、図４の場合は、遮光膜を全く形成しない点において、さらに有利である。
【００６１】
図６及び図７は、本発明のさらに別の実施例に係る液晶表示装置の下部基板に形成された画素領域の一部を示す平面図である。
【００６２】
説明の便宜のために、図１及び図４の実施例との差異点を主として説明すれば、主な差異は、導電性反射構造物１８０の領域にある。
【００６３】
図６と図１との主な差異点は、図１の基本的な構造において、図６の導電性反射構造物１８０がドレイン電極１５０ａのエッジの一部領域にのみ形成されることである。
【００６４】
また、図７と図４との主な差異点は、図４の基本的な構造において図７の導電性反射構造物１８０が電極１５０ａのエッジの一部領域にのみ形成されることである。
【００６５】
図６及び図７の構造は、図１及び図４の構造より開口率を向上させるには効果的である。導電性反射構造物１８０の領域が減少するに従い、開口率は向上する。但し、この場合にも、スイッチング素子においてゲートラインと隣接するドレイン領域は、導電性反射構造物１８０によって重層（オーバーラップ）させることができ、このような構造によって光の漏れが効果的に遮断される。これは、前述した通りである。
【符号の説明】
【００６６】
１００  下部基板
１２０  ゲートライン
１３０  ゲート絶縁層
１５０  データライン
１６０  層間絶縁膜
１９０  層間絶縁膜
１７０  透明共通電極
１８０  導電性反射構造物
２００  透明画素電極
【図１】
0005616072.tif 000002
【図２ａ】
0005616072.tif 000003
【図２ｂ】
0005616072.tif 000004
【図２ｃ】
0005616072.tif 000005
【図３ａ】
0005616072.tif 000006
【図３ｂ】
0005616072.tif 000007
【図３ｃ】
0005616072.tif 000008
【図３ｄ】
0005616072.tif 000009
【図３ｅ】
0005616072.tif 000010
【図３ｆ】
0005616072.tif 000011
【図３ｇ】
0005616072.tif 000012
【図４】
0005616072.tif 000013
【図５ａ】
0005616072.tif 000014
【図５ｂ】
0005616072.tif 000015
【図６】
0005616072.tif 000016
【図７】
0005616072.tif 000017