(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面間に貫通した貫通孔又は第１主面に開口した凹部として形成された収容部を有する板状のコア基板と、該収容部内に収容された部品と、該収容部と該部品との間隙を閉塞する充填部と、を備えた配線基板の製造方法であって、
複数の前記コア基板が連結されてなる連結コア部と、該連結コア部の外側に配置されると共に孔部が形成された外側部と、を備えたコア基板集合体を準備するコア基板集合体準備工程と、
前記外側部の前記第１主面側に、閉塞部材を密着して、前記孔部の該第１主面側の開口部を塞ぐ閉塞工程と、
前記収容部の各々に前記部品を配置する部品配置工程と、
前記第１主面上に、フィルム状の絶縁材を配置する絶縁材配置工程と、
前記絶縁材を加熱押圧して、該絶縁材の一部を前記収容部内に充填するとともに、前記充填部を形成する絶縁材充填工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁材充填工程後に、前記閉塞部材を、前記第１主面から剥離する閉塞部材剥離工程を備え、
前記閉塞部材剥離工程は、絶縁材が固化する前に行うか、又は、絶縁材を軟化させて行う請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記コア基板集合体は、光学的位置検知を行うための光学標識を前記外側部に備え、且つ、該光学標識は、孔部に対して連結コア部寄りに配置されており、
前記閉塞工程では、前記孔部の前記第１主面側の開口部を塞ぎつつ、前記光学標識を覆わないように、前記閉塞部材を密着する請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁材配置工程では、前記絶縁材を、連結コア部を覆いつつ、前記閉塞部材に接触しないように配置する請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記閉塞部材剥離工程の後に、前記収容部に充填された絶縁材を硬化させる絶縁材硬化工程を備える請求項２乃至４のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法に関する。更に詳しくは、部品を内蔵した配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、搭載される半導体集積回路素子のスイッチングノイズ低減及び動作電源電圧の安定化等の目的でコンデンサを内蔵した配線基板が知られているように、各種部品を配線基板の内部に内蔵させた配線基板が知られている。このような配線基板の製造に際しては、予めコア基板に形成された収容部に部品を配置した後、コア基板の収容部と部品との間隙を閉塞し、収容部内に部品を固定する方法が採用される。このような技術として下記特許公報１が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１０３７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に開示されるように、コア基板に形成された収容部に部品（特許文献１におけるセラミック副コア）を収容した後、これらの間隙である溝埋め部を充填形成する方法が知られている。この充填形成に際しては、特許文献１に示されるように、フィルム状の絶縁材を用い、この絶縁材を加熱により流動性を付与すると共に、この流動状態において絶縁材を押圧して、前記間隙に充填する方法が採用される場合がある。
【０００５】
このような加熱押圧により絶縁材を充填する方法は、作業性及び充填性の両面において優れた効果を発揮するものの、絶縁材の流れ出しを制御し難いという側面がある。このため、例えば、充填を要する部位の近傍に孔部を有すると、この孔部へ絶縁材が流れ込んでしまう場合があり、その後、孔部内へ充填剤を除去する工程の付加を要する等の作業性低下を招くことがある。このため、充填を要する部位の近傍に孔部を有する場合であっても、孔部への絶縁材の流れ込みを確実に防止できる配線基板の製造方法が求められる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、加熱押圧して絶縁材を充填する工程を備えた配線基板の製造方法において、必要な部位へ確実に絶縁材を充填しつつ、意図しない部位への絶縁材の流れ込みを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下に示す通りである。
〔１〕主面間に貫通した貫通孔又は第１主面に開口した凹部として形成された収容部を有する板状のコア基板と、該収容部内に収容された部品と、該収容部と該部品との間隙を閉塞する充填部と、を備えた配線基板の製造方法であって、
複数の前記コア基板が連結されてなる連結コア部と、該連結コア部の外側に配置されると共に孔部が形成された外側部と、を備えたコア基板集合体を準備するコア基板集合体準備工程と、
前記外側部の前記第１主面側に、閉塞部材を密着して、前記孔部の該第１主面側の開口部を塞ぐ閉塞工程と、
前記収容部の各々に前記部品を配置する部品配置工程と、
前記第１主面上に、フィルム状の絶縁材を配置する絶縁材配置工程と、
前記絶縁材を加熱押圧して、該絶縁材の一部を前記収容部内に充填するとともに、前記充填部を形成する絶縁材充填工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
〔２〕前記絶縁材充填工程後に、前記閉塞部材を、前記第１主面から剥離する閉塞部材剥離工程を備え、
前記閉塞部材剥離工程は、絶縁材が固化する前に行うか、又は、絶縁材を軟化させて行う前記〔１〕に記載の配線基板の製造方法。
〔３〕前記コア基板集合体は、光学的位置検知を行うための光学標識を前記外側部に備え、且つ、該光学標識は、孔部に対して連結コア部寄りに配置されており、
前記閉塞工程では、前記孔部の前記第１主面側の開口部を塞ぎつつ、前記光学標識を覆わないように、前記閉塞部材を密着する前記〔１〕又は〔２〕に記載の配線基板の製造方法。
〔４〕前記絶縁材配置工程では、前記絶縁材を、連結コア部を覆いつつ、前記閉塞部材に接触しないように配置する前記〔１〕乃至〔３〕のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
〔５〕前記閉塞部材剥離工程の後に、前記収容部に充填された絶縁材を硬化させる絶縁材硬化工程を備える前記〔２〕乃至〔４〕のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、加熱押圧して絶縁材を充填する場合に、必要な部位へ確実に絶縁材を充填させつつ、意図しない部位への絶縁材の流れ込みを防止できる。
閉塞部材剥離工程を備え、この閉塞部材剥離工程を、絶縁材が固化する前に行うか、又は、絶縁材を軟化させて行う場合は、閉塞部材を確実に剥離して除去できる。また、閉塞部材の剥離に伴う絶縁材（既に収容部内に充填された絶縁材等）への負担を抑制できる。
ビルドアップ部形成工程をさらに備え、ビルドアップ部を構成する絶縁層及び充填部は、共に樹脂及び無機フィラーを含有し、絶縁層全体に含まれる無機フィラーの質量割合をＲ１とし、且つ、充填部全体に含まれる無機フィラーの質量割合をＲ２とした場合に、Ｒ１＜Ｒ２である場合は、前述の必要な部位へ確実に絶縁材を充填させつつ、意図しない部位への流れ込みが防止されるという作用をより効果的に得ることができる。
光学標識を外側部に備え且つ光学標識が孔部に対して連結コア部寄りに配置されており、閉塞工程では、孔部の第１主面側の開口部を塞ぎつつ、光学標識を覆わないように、閉塞部材を密着する場合は、光学標識上を絶縁材で覆うことができる。これによって、後工程で絶縁材を研磨する際に、光学標識が欠損することを防止できる。
絶縁材配置工程で絶縁材が連結コア部を覆いつつ、閉塞部材に接触しないように配置される場合は、絶縁材の流動をより確実に制御して、閉塞部材上を絶縁材が不必要に覆うことを抑制できる。
閉塞部材剥離工程の後に、収容部に充填された絶縁材を硬化させる絶縁材硬化工程を備える場合は、不必要な絶縁材を除去したうえで、絶縁材を硬化させることとなり、後工程における作業性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本製造方法により製造できる配線基板の一例の断面図である。
【図２】本製造方法の概要を模式的に示す説明図である。
【図３】本製造方法において行うことができる他の工程を模式的に説明する説明図である。
【図４】閉塞工程前におけるコア基板集合体の平面視状態を説明する説明図である。
【図５】絶縁材充填工程後におけるコア基板集合体の平面視状態を説明する説明図である。
【図６】図４のＸ−Ｘ’断面における模式的な断面図である。
【図７】部品としての積層セラミックコンデンサの一例の模式的な断面図である。
【図８】積層セラミックコンデンサの一の導体層の形状を説明する平面図である。
【図９】積層セラミックコンデンサの他の導体層の形状を説明する平面図である。
【図１０】積層セラミックコンデンサの表面導体層の形状を説明する平面図である。
【図１１】本実施例に用いた製造方法を説明する説明図である。
【図１２】図１１に続く工程の説明図である。
【図１３】図１２に続く工程の説明図である。
【図１４】図１３に続く工程の説明図である。
【図１５】図１４に続く工程の説明図である。
【図１６】図１５に続く工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明について、図面を参照しながら以下詳細に説明する。尚、本発明の配線基板の製造方法はコア基板集合体ＡＧを用いた製造方法であるため、図２〜６ではコア基板集合体ＡＧを示して説明するが、図１１〜図１６では、細部をより詳細に図示するために便宜上、１つのコア基板１１を示して説明する。また、以下では、コア基板１１に限らず、各部は図中上面を第１主面ＭＰ１側とし、下面を第２主面ＭＰ２側として説明する。
【００１１】
本発明の主面ＭＰ１、ＭＰ２間に貫通した貫通孔又は第１主面ＭＰ１に開口した凹部として形成された収容部１１１を有する板状のコア基板１１と、該収容部１１１内に収容された部品１２と、該収容部１１１と該部品１２との間隙を閉塞する充填部１５と、を備えた配線基板１の製造方法であって、
複数の前記コア基板１１が連結されてなる連結コア部ＡＧ１１と、該連結コア部ＡＧ１１の外側に配置されると共に孔部ＡＧ１４が形成された外側部ＡＧ１３と、を備えたコア基板集合体ＡＧを準備するコア基板集合体準備工程ＰＲ１と、
前記外側部ＡＧ１３の前記第１主面ＭＰ１側に、閉塞部材３を密着して、前記孔部ＡＧ１４の該第１主面ＭＰ１側の開口部ＡＧ１４ｓを塞ぐ閉塞工程ＰＲ２と、
前記収容部１１１の各々に前記部品１２を配置する部品配置工程ＰＲ３と、
前記第１主面ＭＰ１上に、フィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置する絶縁材配置工程ＰＲ４と、
前記絶縁材Ｓ１５を加熱押圧して、該絶縁材Ｓ１５の一部を前記収容部１１１内に充填するとともに、前記充填部１５を形成する絶縁材充填工程ＰＲ５と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
［１］配線基板
前記「配線基板（１）」は、コア基板１１と、部品１２と、充填部１５と、を備える（図１参照）。
前記「コア基板（１１）」は、絶縁材料から構成された板状体であり、配線基板１の厚さ方向における中心部をなす。コア基板１１を構成する絶縁材料としては絶縁性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。また、コア基板１１には、補強材（ガラス繊維等の補強繊維）及び充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー）等が含まれてもよい。即ち、例えば、コア基板１１としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化樹脂板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板等の耐熱性樹脂板などを用いることができる。また、このコア基板１１は、複層化されていてもよく、更には、内部に配線層（内層パターン）を有していてもよい。
【００１３】
このコア基板１１は、第１主面ＭＰ１と第２主面ＭＰ２とを有する板状の基板である。また、後述する部品１２を収容するための収容部１１１を備える。収容部１１１は、第１主面ＭＰ１と第２主面ＭＰ２との間に貫通した貫通孔、又は、第１主面ＭＰ１に開口した凹部（有底凹部）からなる。収容部１１１の平面形状は特に限定されず、例えば、略四角形（四角形、角部が面取りされた四角形等が含まれる）であってもよく、略円形（真円形状、楕円形状等が含まれる）などであってもよい。
また、収容部１１１の内壁面（内側壁面）は、充填部１５と内壁面との密着性を向上させるための各種処理が施されていてもよい。このような処理としては、過マンガン酸カリウム等による粗化処理や、絶縁材Ｓ１５と収容部１１１の内壁面との両方の材料に対して親和性を有するカップリング剤によるカップリング処理等が挙げられる。
【００１４】
前記「部品（１２）」は、前記コア基板１１の収容部１１１内に収容された部品である。この部品１２としては、収容部１１１内に搭載可能であればどのような部品であってもよく、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、抵抗及びトランジスタ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、本方法は、コンデンサに適しており、特に積層セラミックコンデンサに好適である。
【００１５】
積層セラミックコンデンサは、図７〜１０に例示されるように、セラミック層１２１と、導体層１２２と、貫通導体１２３と、表面導体層１２４と、を備える。
セラミック層１２１は、絶縁性セラミック材料から構成されている。この絶縁性セラミック材料としては、各種ガラス（ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス等）、アルミナ、シリカ、窒化珪素、及び窒化アルミニウム等が挙げられる。これらの絶縁性セラミック材料は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。即ち、例えば、前記ガラスと、そのガラス内に分散含有された他の絶縁性セラミック材料からなるフィラーと、を含むガラスセラミック絶縁性材料等が挙げられる。より具体的にはフィラーを４０〜６０質量部添加したガラスセラミック絶縁材料（ガラスを１００質量部とする）等が挙げられる。
【００１６】
一方、導体層１２２を構成する材料は導電性を有すればよく特に限定されないが、通常、金属から構成される。この構成金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｌ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
この導体層１２２には、少なくとも２種の導体層１２２ａ及び導体層１２２ｂが含まれる。導体層１２２ａは、導体層１２２ａ同士は貫通導体１２３のうちの貫通導体１２３ａによって接続されている。一方、導体層１２２ｂ同士は貫通導体１２３のうちの貫通導体１２３ｂによって接続されている。これらの導体層１２２ａと導体層１２２ｂは、図７に例示されるように交互に配置される。更に、図７に示されるように、積層セラミックコンデンサの表裏には、各々表面導体層１２４を備える。表面導体層１２４は、貫通導体１２３のうちの貫通導体１２３ａ及び貫通導体１２３ｂを各々積層セラミックコンデンサの表面に導出する外部電極パッド（メタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂ）と、この外部電極パッドを取り囲むメタライズ層１２４ｃとを備える。
【００１７】
貫通導体１２３は、積層セラミックコンデンサの積層方向に貫通されて配置されると共に、前記導体１２２ａ同士を電気的に接続する貫通導体１２３ａと、前記導体１２２ｂ同士を電気的に接続する貫通導体１２３ｂと、を有する。これらの貫通導体１２３は、各々導体層１２４によって、積層セラミックコンデンサの外へと導出される。通常、貫通導体１２３が有する貫通導体１２３ａ及び貫通導体１２３ｂのうちのいずれか１種は、電源端子として機能され、他方がグランド端子として機能される。
【００１８】
尚、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック層１２１と、導体層１２２と、貫通導体１２３と、は同時焼成によって得ることができる。
また、積層セラミックコンデンサに限られず、収容される部品１２とコア基板１１やビルドアップ部１３等との導通は、部品１２の一方の主面側のみから行ってもよく、図１に例示されるように、両主面ＭＰ１、ＭＰ２側から行ってもよい。
【００１９】
前記「充填部（１５）」は、収容部１１１と部品１２との間隙１６に絶縁材Ｓ１５が充填されてなる部分、又は、充填された後に硬化されてなる部分である。この充填部１５は、通常、硬化された硬化樹脂と、硬化樹脂内に分散・含有された無機フィラーとを含む。この充填部１５は、部品１２をコア基板１１内に固定すると共に、部品１２とコア基板１１との間の熱膨張差を緩和する機能を有する。また、後述するように、ビルドアップ部１３を備える場合には、ビルドアップ部１３が備える絶縁層１３１と、この充填部１５とは、連続し、一体に構成されている。
尚、間隙１６は、部品１２の体積に対して余剰な収容部１１１の内容積である。
【００２０】
この充填部１５の具体的な熱膨張特性は限定されないが、前記緩和する機能をより得易いことから、充填部１５のガラス転移温度以上の温度領域（通常Ｔｇ〜２４０℃）における熱膨張係数の値（ＣＴＥα２）と、充填部１５のガラス転移温度以下の温度領域（通常２５℃〜Ｔｇ）における熱膨張係数の値（ＣＴＥα１）と、の差の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下（｜ＣＴＥα２−ＣＴＥα１｜≦５０ｐｐｍ／℃）であることが好ましい。更に、前記ＣＴＥα２は、９０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、６０ｐｐｍ／℃以下がより好ましい。
尚、前記ガラス転移温度は、熱機械分析装置（ＴＭＡ、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に規定される）により得られる値である。
【００２１】
前記「絶縁材（Ｓ１５）」は、加熱押圧されて、収容部１１１と部品１２との間隙１６に充填されて充填部１５となる。通常、この絶縁材Ｓ１５は、収容部１１１と部品１２との間隙１６に充填された後、硬化される。
絶縁材Ｓ１５を構成する成分は特に限定されないが、通常、硬化可能な硬化性樹脂と、硬化性樹脂内に分散・含有された無機フィラーとが含まれる。このうち硬化性樹脂の種類は特に限定されず、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。また、これらの硬化性樹脂が有する硬化特性は、熱硬化性であってもよく、光硬化性であってもよく、これらが併用された硬化特性を有してもよい。
【００２２】
また、無機フィラーを構成する無機成分としては、シリカ及びアルミナ等の低熱膨張性セラミック；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛等の誘電性セラミック；窒化アルミナ、窒化ホウ素、炭化硅素、窒化珪素等の耐熱性セラミック；ホウケイ酸系ガラス等のガラス等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、低熱膨張性のセラミックフィラーが好ましく、更にはシリカが好ましい。
【００２３】
絶縁材Ｓ１５を構成する硬化性樹脂と無機フィラーとの配合は特に限定されないが、硬化性樹脂と無機フィラーと合計を１００質量％とした場合に、無機フィラーは５３〜８０質量％が好ましく、５８〜７８質量％がより好ましく、６３〜７３質量％が特に好ましい。
また、絶縁材Ｓ１５は、フィルム状をなしている。その厚さは特に限定されず、収容部１１１の大きさに応じて適宜の厚さとすることができるものの、２００〜４００ｍｍが好ましい。
【００２４】
尚、絶縁材Ｓ１５は、１層のみで用いてもよく、また、必要に応じて、例えば、上記好ましい厚さを得るために２層以上を積層・併用することができる。更に、絶縁材Ｓ１５は、その表面に保護フィルムを備えることができる。保護フィルムを備えることで、絶縁材Ｓ１５を汚損から守ることができる。更に、この保護フィルムを用いることで、後述する充填に際しては、加熱加圧を行う部材への付着を防止できる。
【００２５】
また、この配線基板１は、前記各部に加えて、ビルドアップ部１３を備えることができる。ビルドアップ部は１３の構成は特に限定されないが、通常、絶縁層１３１と導体層１３２とが交互に積層された複層構造をなす部分である。このビルドアップ部１３は、第１主面ＭＰ１側、及び、第２主面ＭＰ２側、のいずれか一方にのみ備えてもよいが、通常、その両面に備える。更に、ビルドアップ部１３の外表面には更にレジスト層１３４を備えることができる。
【００２６】
このビルドアップ部１３を備える場合、ビルドアップ部１３を構成する絶縁層１３１の構成は特に限定されないが、前記充填部１５と同様に、硬化された硬化樹脂と、硬化樹脂内に分散・含有された無機フィラーとを含むことができる。これらの各々の材料については前記絶縁材Ｓ１５において例示した各種材料を同様に利用することができる。
また、ビルドアップ部１３を備える場合であって、その絶縁層１３１が、充填部１５と同様に、硬化樹脂と、硬化樹脂内に分散・含有された無機フィラーとを含む場合、絶縁層１３１全体に含まれる無機フィラーの質量割合をＲ１とし、且つ、充填部１５全体に含まれる無機フィラーの質量割合をＲ２とした場合に、Ｒ１＜Ｒ２であることが好ましい。即ち、絶縁層１３１の方が、充填部１５よりも無機フィラーの質量割合が低いことが好ましい。この質量割合は、Ｒ２／Ｒ１として表した場合に、１．１〜２．５が好ましく、１．４〜２．２がより好ましく、１．７〜１．９が特に好ましい。
【００２７】
［２］製造工程
複数の前記コア基板１１が連結されてなる連結コア部ＡＧ１１と、該連結コア部ＡＧ１１の外側に配置されると共に孔部ＡＧ１４が形成された外側部ＡＧ１３と、を備えたコア基板集合体ＡＧを準備するコア基板集合体準備工程ＰＲ１と、
前記外側部ＡＧ１３の前記第１主面ＭＰ１側に、閉塞部材３を密着して、前記孔部ＡＧ１４の該第１主面ＭＰ１側の開口部ＡＧ１４ｓを塞ぐ閉塞工程ＰＲ２と、
前記収容部１１１の各々に前記部品１２を配置する部品配置工程ＰＲ３と、
前記第１主面ＭＰ１上に、フィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置する絶縁材配置工程ＰＲ４と、
前記絶縁材Ｓ１５を加熱押圧して、該絶縁材Ｓ１５の一部を前記収容部１１１内に充填するとともに、前記充填部１５を形成する絶縁材充填工程ＰＲ５と、を備える。
【００２８】
前記「コア基板集合体準備工程（ＰＲ１）」は、コア基板集合体ＡＧを準備する工程である。コア基板集合体ＡＧは、連結コア部ＡＧ１１と、外側部ＡＧ１３と、を有する板状の基板である（図４及び図６参照）。
連結コア部ＡＧ１１は、外側部ＡＧ１３よりも内側に配置される部位である。この連結コア部ＡＧ１１は、通常、四角形状を呈する。この連結コア部ＡＧ１１には、コア基板１１以外の他部を有してもいてもよい。この他部としては、コア基板１１同士の間に挟まれた裁断しろ部等が挙げられる。また、コア基板集合体ＡＧは、通常、前記コア基板１１と同じ材質からなる。
前記配線基板１は、１つのコア基板１１を用いて１つの配線基板１を製造することもできるが、通常、コア基板１１の集合体を用いて、一括して、複数の配線基板１が連結された状態に形成し、得られた複数の配線基板１の集合体から分割して１つの配線基板１を得る。
【００２９】
前記外側部ＡＧ１３は、連結コア部ＡＧ１１の外側に配置される部分である。外側部ＡＧ１３は、（１）図４に例示されるように、連結コア部ＡＧ１１の４辺の全てから延設されて、連結コア部ＡＧ１１を取り囲む形態とすることができる。また、（２）連結コア部ＡＧ１１が有する４辺のうちの対向された２辺のみから延設されて、連結コア部ＡＧ１１を挟む形態とすることができる。更に、その他の形態であってもよい。
【００３０】
また、この外側部ＡＧ１３は、孔部ＡＧ１４を備える。孔部ＡＧ１４は、外側部ＡＧ１３を貫通して、形成された孔である。この孔部ＡＧ１４は、通常、配線基板１の製造過程において、コア基板集合体ＡＧ全体を固定するための位置決め用のガイドピンに挿通する等して利用される。即ち、より具体的には、ガイドピンを挿通するためのガイドホール等が挙げられる。
この孔部ＡＧ１４は、１つのみを有してもよく、２つ以上を有してもよいが、通常、前記用途から複数の孔部ＡＧ１４を備えている。孔部ＡＧ１４を複数備える場合であって、前記（１）のように、外側部ＡＧ１３が連結コア部ＡＧ１１の全周を取り囲む形態である場合には、外周部ＡＧ１３の全周に孔部ＡＧ１４を備えてもよく、図４に例示されるように、外周部ＡＧ１３のうちの対向する２辺側にのみ備えてもよい。また、前記（２）のように、外側部ＡＧ１３が連結コア部ＡＧ１１の対向２辺を挟む形態である場合には、通常、外側部ＡＧ１３の２辺側に孔部ＡＧ１４を備える。
【００３１】
前記「閉塞工程（ＰＲ２）」は、外側部ＡＧ１３の第１主面ＭＰ１側に、閉塞部材３を密着して、孔部ＡＧ１４の第１主面ＭＰ１側の開口部ＡＧ１４ｓを塞ぐ工程である。
前記閉塞部材３の構成及び材質などは特に限定されず、また、どのようにして閉塞部材３を密着させてもよく、開口部ＡＧ１４ｓを塞ぐことができればよい。この閉塞部材３としては、各種の貼着用物を用いることが好ましい。貼着用物とは、少なくとも一面に貼着性（粘着性、接着性など）を有し、通常、貼着性を有する貼着層とこれを支持する支持層（樹脂フィルム、紙など）とを備えたフィルム状を呈する。貼着性を有することにより、貼着用物自体の位置ずれを防止して、各工程においてより確実に孔部ＡＧ１４への絶縁材Ｓ１５の侵入を防止できる。貼着用物としては、マスキングテープ、ラバー等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３２】
また、これらの貼着用物の厚さは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。この範囲では、後述する絶縁材充填工程ＰＲ５において、加熱押圧されて流動された絶縁材Ｓ１５が貼着用物よりも外側へ流れ出ることを堰き止める作用を発揮することができるため好ましい。この厚さは、上記観点から、４０〜７０μｍがより好ましく、５０〜６０μｍが更に好ましい。
【００３３】
また、この閉塞工程ＰＲ２は、孔部ＡＧ１４の第１主面ＭＰ１側の開口部ＡＧ１４ｓを塞ぐことができればよく、その他のことについて特に限定されない。即ち、例えば、（１）図５に例示されるように、外側部ＡＧ１３のうちの孔部ＡＧ１４を備える部分にのみ、長尺状テープを複数枚貼着して閉塞することができる（図５は、コア基板集合体ＡＧの四辺に各々１枚の長尺状テープを用いて閉塞を行った例である）。また、（２）予め外側部ＡＧ１３のうちの孔部ＡＧ１４を備える部分に対応した形状（連結コア部ＡＧ１１に対応した部分が刳り貫かれた形状、又は、収容部１１１に各々対応した部分が刳り貫かれた形状等）に加工された閉塞部材３を貼着して閉塞することができる。更に、（３）連結コア部ＡＧ１１を覆う（収容部１１１を覆う）形状の閉塞部材３を貼着した後、部品配置工程ＰＲ３を行う前に、収容部１１１へ部品１２の収容を可能にするために、対応する部位を切除することもできる。更には、これらの（１）〜（３）以外の方法で閉塞を行ってもよい。
【００３４】
更に、コア基板集合体ＡＧは、光学的位置検知を行うための光学標識ＡＧ１５を備えることができる。この光学標識ＡＧ１５はどのような形態のものであってもよく、例えば、光反射特性を有してもよく、光吸収特性を有してもよく、更には、その他の光学的位置検知に必要な特性を有することができる。この光学標識ＡＧ１５を有する場合、コア基板集合体ＡＧのどこに備えてもよいが、通常、外側部ＡＧ１３に備える。また、外側部ＡＧ１３は、前述の通り、孔部ＡＧ１４を備えるが、光学標識ＡＧ１５は、孔部ＡＧ１４に対して、外周寄りに備えてもよく、また、内周寄りに備えてもよい。内周寄りに備えるとは、即ち、外側部ＡＧ１３のうちの孔部ＡＧ１４に対して連結コア部ＡＧ１１寄りに配置されることを意味する。
このように、光学標識ＡＧ１５を備える場合であって、特に外側部ＡＧ１３のうちの孔部ＡＧ１４に対して連結コア部ＡＧ１１寄りに光学標識ＡＧ１５を備える場合、工程ＰＲ２では、孔部ＡＧ１４の第１主面ＭＰ１側の開口部ＡＧ１４ｓを塞ぎつつ、光学標識ＡＧ１５は覆わないように、閉塞部材３を密着することが好ましい。光学標識ＡＧ１５を覆わないことにより、後工程で絶縁材を研磨する際に、光学標識が欠損する事を防止できる（図５参照）。
【００３５】
前記「部品配置工程（ＰＲ３）」は、収容部１１１の各々に前記部品１２を配置する工程である。部品１２の配置はどのように行ってもよいが、通常、第１主面ＭＰ１側から、収容部１１１内に部品１２を載置して行う。尚、コア基板集合体ＡＧの第２主面ＭＰ２には、通常、貼着性を有する底部シートが、その貼着面を第１主面ＭＰ１側に向けて貼着されている。このため、収容部１１１が貫通孔である場合には、その収容部１１１は有底化されていると共に、部品１２を載置した場合には、部品１２が底部シートに貼り付いて固定される。
【００３６】
前記「絶縁材配置工程（ＰＲ４）」は、第１主面ＭＰ１上に、フィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置する工程である。この絶縁材配置工程ＰＲ４では、連結コア部ＡＧ１１を覆うように絶縁材Ｓ１５を配置する。また、閉塞部材３を覆ってもよく、覆わなくてもよいが、覆わないことが好ましく、更には、絶縁材Ｓ１５が、連結コア部ＡＧ１１を覆いつつ、閉塞部材３に接触しないように配置することがより好ましい。但し、外側部ＡＧ１３のうちの閉塞部材３により覆われていない部分は覆ってもよい。
また、この工程ＰＲ４では、この際に、複数枚の絶縁材Ｓ１５を用いてもよいが、通常、１枚の絶縁材Ｓ１５を用いて充填が必要な部位を覆うように配置する。１枚の絶縁材Ｓ１５を用いた方が作業性がよい。
【００３７】
前記「絶縁材充填工程（ＰＲ５）」は、絶縁材Ｓ１５を加熱押圧して、絶縁材Ｓ１５の一部を収容部１１１内に充填するとともに、充填部１５を形成する工程である。
この加熱押圧は、加熱及び押圧（加圧）を行うことを意味しており、通常、加熱及び押圧を同時に行うものである。但し、加熱及び押圧を同時に行う時間を有すればよく、加熱又は押圧のうちのいずれか一方を先に行った後に、他方を追加して行うことにより、加熱及び押圧を同時に行う時間を形成してもよい。尚、絶縁材Ｓ１５の十分な流動性を確保できるのであれば、加熱を行った後、加熱を停止して押圧を行うこともできる。加熱押圧における加熱条件及び加圧条件は特に限定されず、用いる絶縁材Ｓ１５の特性及び量により適宜の条件とすることが好ましい。
また、押圧は、バッチ式プレス機で行ってもよいが、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機等を用いることが好ましい。
【００３８】
また、加熱押圧により、収容部１１１内（収容部１１１と部品１２との間隙１６）に充填される絶縁材Ｓ１５は少なくとも一部であり、その全部を充填してもよいが、通常、より完全な充填を行うために収容部１１１と部品１２との間隙１６の容積よりも体積の大きな絶縁材Ｓ１５を用いて充填を行う。このため、絶縁材Ｓ１５の一部のみが充填され、絶縁材Ｓ１５の余剰分は、コア基板集合体ＡＧの表面に沿って広がることとなる。
更に、絶縁材Ｓ１５は、充填を完了し、加圧を停止し、更に、加熱を停止することにより、絶縁材Ｓ１５自体の温度が低下し、絶縁材Ｓ１５が固化して充填部１５を形成してもよいが、絶縁材Ｓ１５を硬化させて充填部１５とすることができる。従って、後工程で絶縁材Ｓ１５の硬化を行う場合には、絶縁材充填工程ＰＲ５で充填して得られた充填部１５は、硬化前の充填部１５（以下、「硬化前充填部」ともいう）である。
【００３９】
また、本発明の製造方法では、前記絶縁材充填工程を行った後に、閉塞部材３を、第１主面ＭＰ１から剥離する閉塞部材剥離工程ＰＲ６を備えることができる。
閉塞部材剥離工程を備える場合には、どのように閉塞部材３の剥離を行ってもよいが、絶縁材Ｓ１５が固化する前に行うか、又は、絶縁材Ｓ１５を軟化させて行う。これにより、閉塞部材３をより確実且つ作業性よく剥離できる。また、閉塞部材の剥離に伴う絶縁材の他部への負担を抑制できる。即ち、閉塞部材３に隣接された領域にある固化された絶縁材Ｓ１５にひび割れ等を来すことなく剥離を行うことができる。尚、前記絶縁材Ｓ１５を軟化させて剥離を行う場合、この剥離は、絶縁材Ｓ１５を軟化させつつ行ってもよく、また、絶縁材Ｓ１５を軟化させた後、絶縁材Ｓ１５の軟化状態を維持して剥離を行ってもよい。
更に、前記閉塞部材剥離工程ＰＲ６を行った後には、収容部１１１に充填された絶縁材Ｓ１５を硬化させる絶縁材硬化工程ＰＲ７を備えることができる。この工程における硬化条件等は特に限定されず、用いる絶縁材Ｓ１５の特性に応じた硬化を行うことが好ましい。
【実施例】
【００４０】
以下、部品１２として積層セラミックコンデンサを用いた配線基板１の製造方法について実施例により具体的に説明する。但し、本発明は本実施例において利用する条件等に拘束されるものではない。
【００４１】
本実施例で製造される配線基板１は、図１に示すように、コア基板１１のうち半田バンプ１３５の下部領域に、部品１２としての積層セラミックコンデンサを有する。積層セラミックコンデンサ１２は、半田バンプ１３５（Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｚｎ系の半田等）の下部領域に配置されることで、半田バンプ１３５に接続される半導体集積回路素子のスイッチングノイズの低減及び動作電源電圧を安定化できる。更に、半導体集積回路素子と積層セラミックコンデンサ１２との間の配線長を短縮でき、配線のインダクタンス成分を減少させることができる。
【００４２】
コア基板１１は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂で板状に構成される。コア基板１１内には配線パターン（内層パターン）が形成されてもよい。また、半田バンプ１３５の下部領域を含む位置には、主面ＭＰ１、ＭＰ２間を貫通する収容部１１１（貫通孔）が形成され、その内部には積層セラミックコンデンサ１２が収容される。
【００４３】
収容部１１１内で積層セラミックコンデンサ１２とコア基板１１との隙間１６をなす空間には、絶縁材Ｓ１５が充填・硬化されて充填部１５をなす。充填部１５は、各主面ＭＰ１、ＭＰ２側に形成されたビルドアップ部１３の最下層の絶縁層１３１ａと連続・一体に形成されており、積層セラミックコンデンサ１２をコア基板１１に固定すると共に、積層セラミックコンデンサ１２とコア基板１１との面内方向及び厚さ方向の線膨張係数差を自身の弾性変形により吸収する。また、絶縁層１３１ａと連続・一体に構成され、コア基板１１とビルドアップ部１３とは密着性が高く構成されている。
【００４４】
コア基板１１の両主面ＭＰ１、ＭＰ２上に設けられたビルドアップ部１３は、複数の絶縁層１３１と複数の導体層１３２とが交互に積層された構造を有する。導体層１３２は、銅めっきからなり、必要に応じたパターニングがなされる。各導体層１３２間は、必要に応じてビア導体１３３によって層間接続され、両主面ＭＰ１、ＭＰ２間における導通を確保する。
【００４５】
絶縁層１３１は、エポキシ樹脂及びシリカフィラーを含む。絶縁層１３１は導体層１３２同士の間を絶縁すると共に、層間接続のためのビア導体１３３が貫通形成されている。配線基板の主面ＭＰ１１、ＭＰ１２の最表層には、レジスト層１３４を各々備える。レジスト層１３４には、層下の導体層１３２ａを必要に応じて露出させるための開口を有する。
【００４６】
更に、コア基板１１及び絶縁層１３１を貫通するスルーホール１３６が形成され、その内壁にはスルーホール導体１３７を備える。スルーホール導体１３７内は、エポキシ樹脂及びシリカフィラーを含む穴埋め材１３８によって閉塞されている。更に、スルーホール導体１３７の端部には銅めっきからなる蓋導体１３９を備える。
【００４７】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態を説明する。
（１）コア基板集合体準備工程ＰＲ１
縦４１５ｍｍ×横４１５ｍｍ×厚み０．８ｍｍのガラス繊維強化エポキシ樹脂板で構成され、収容部１１１として主面ＭＰ１、ＭＰ２間に貫通した収容部１１１としての貫通孔を有し、両主面がパターニングされ、光学標識ＡＧ１５が形成された厚み３５μｍの銅めっき製のコア基板導体層１１２を備えたコア基板１１（コア基板１１は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂板からなるコア層１１３と、その両主面ＭＰ１、ＭＰ２に形成された導体層１１２とを備える）が複数連結されてなるコア基板集合体ＡＧを用意する（図２、図４、図６参照）。
【００４８】
このコア基板集合体ＡＧは、コア基板１１が複数連結されてなる、縦３３２ｍｍ×横３３２ｍｍの四角形状の連結コア部ＡＧ１１を有する。更に、連結コア部ＡＧ１１は、その四辺が幅４１．５ｍｍ（図４におけるＤ３の距離）に延設されてなる外側部ＡＧ１３によって取り囲まれている。
この外側部ＡＧ１３のうちの対向する２辺部分には、貫通孔である孔部ＡＧ１４が孔設されている。この孔部ＡＧ１４（孔部ＡＧ１４の中心）は、コア基板集合体ＡＧの外側端から１５ｍｍ内側（連結コア部ＡＧ１１寄り）に配置されている（図４におけるＤ１の距離）。
また、連結コア部ＡＧ１１の四隅には光学標識ＡＧ１５を各隅に１つずつ合計４つを備える（図４及び図６参照）。各光学標識ＡＧ１５（光学標識ＡＧ１５の中心）は、コア基板集合体ＡＧの外側端から３０ｍｍ内側（連結コア部ＡＧ１１寄り）に配置されている（図４におけるＤ２の距離）。
【００４９】
更に、コア基板集合体ＡＧが備える収容部１１１は一辺１４ｍｍ且つ四隅にフィレットを有する平面視四角形状の孔であり、その内壁面は過マンガン酸カリウムによる粗化処理が施され、後の充填部１５との密着性が十分に確保されるように処理が施される。また、コア基板導体層１１２のうちの第１主面ＭＰ１側のコア基板導体層１１２には、銅粗化処理（マイクロエッチング法及び黒化処理等）が施されている。
加えて、コア基板集合体ＡＧの第２主面ＭＰ２側には、貼着面を有する貼着シート２が貼着されており、収容部１１１内に貼着面が露出されている。
【００５０】
尚、貼着シート２は、基材層２１と貼着層２２とから構成される。基材層２１としては、ＰＥＴ等のポリエステル及びポリイミド等の樹脂シートを用いることができる。また、粘着層２２としては、シリコン系貼着剤、アクリル系貼着剤、熱可塑性ゴム系貼着剤等を用いることができる。また、貼着シート２による貼着力は、幅２５ｍｍの貼着シート２を試料として測定されたＪＩＳ  Ｚ０２３７の１８０°引きはがし法による粘着力が８．０Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００５１】
（２）閉塞工程ＰＲ２
閉塞部材３として、マスキングテープ９を用い、外側部ＡＧ１３の第１主面ＭＰ１側に、このマスキングテープ９を密着して、孔部ＡＧ１４の第１主面ＭＰ１側の開口部ＡＧ１４ｓを塞ぐ。このマスキングテープ９は、幅４０ｍｍ×厚さ４０μｍであり、コア基板集合体ＡＧの各辺各々よりも１０ｍｍ程度長く裁断して用いる。更に、図５に示すように、１本のマスキングテープで１辺の孔部ＡＧ１４の５つ全てを塞ぐ。また、マスキングテープ９の余剰部分は折り返して、マスキングテープ同士の貼着面を貼り合わせてテープ端処理を行う。更に、図５に示すように、外側部ＡＧ１３のうちの孔部ＡＧ１４を有さない対向した２辺にも、マスキングテープ９を貼着する。尚、このマスキングテープ９は、基材層と貼着層とから構成され、前記貼着シートと同様なものを用いることができる。また、マスキングテープ９は、前記光学標識ＡＧ１５を覆わないように貼着される。
【００５２】
（３）部品配置工程ＰＲ３
上記（２）までに得られたマスキングテープ９が貼着されたコア基板集合体ＡＧの収容部１１１内に、積層セラミックコンデンサ１２をマウント装置で収容し、収容部１１１内に露出された貼着シート２の貼着面（貼着層２２）に積層セラミックコンデンサ１２を固着する。収容は収容部１１１の内壁面から等間隔となるように、積層セラミックコンデンサ１２は中央部に収容され、収容部１１１の内壁面と積層セラミックコンデンサ１２との間には幅１ｍｍ隙間１６が形成される。この間隙１６には、後工程において絶縁材Ｓ１５が充填されることとなる。
【００５３】
収容する積層セラミックコンデンサ１２（図７〜１０参照）は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの略矩形平板状を呈し、四隅が面取りされている。また、同時焼成によって形成された各々複数のセラミック層１２１と導体層１２２と貫通導体１２３と、焼成後に金属めっき被覆された表面導体層１２４と、を備える。チタン酸バリウムを含む誘電体から構成されるセラミック層１２１と、金属ニッケルを含む金属導体から構成される導体層１２２とは、交互に積層される。導体層１２２は、電源側導体層１２２ａと、グランド側導体層１２２ｂと、を有し、各々セラミック層１２１により隔てられて直流的に分離されて積層方向に交互に配列される。導体層１２２のうちの電源側導体層１２２ａは、貫通導体１２３のうちの電源側貫通導体１２３ａにより接続される。一方、グランド側導体層１２２ｂは、グランド側貫通導体１２３ｂにより接続される。
【００５４】
また、積層セラミックコンデンサ１２の各主面ＭＰ１、ＭＰ２には、各々、表面導体層１２４を備える。この表面導体層１２４は、電源側導体層１２２ａ又はグランド側導体層１２２ｂから導出されたメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂを備える。更に、このメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂを取り囲むようにメタライズ層１２４ｃを備える。
更に、積層セラミックコンデンサ１２は、第１主面ＭＰ１側のメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂ及びメタライズ層１２４ｃのみ（第２主面ＭＰ２側には施されていない）に銅粗化処理が施されている。第２主面ＭＰ２側は、貼着シート２の貼着面に貼着されるが、銅粗化処理が施されていないため、粗化凹凸に貼着剤が埋まることがない。
【００５５】
（４）絶縁材配置工程ＰＲ４
絶縁材Ｓ１５を、前記（３）までに積層セラミックコンデンサ１２が収容部１１１に収容されたコア基板集合体ＡＧの第１主面ＭＰ１上に配置する。この絶縁材Ｓ１５は、エポキシ樹脂とシリカフィラーとを含有し、これらの合計を１００質量％とした場合に、シリカフィラーの割合が６８質量％である（この割合は、硬化後においても実質的に変化しないものであり、充填部１５のシリカフィラーの質量割合Ｒ２に等しい）。尚、後述するように、ビルドアップ部１３を構成する絶縁層１３１はシリカフィラーの割合Ｒ１が３８質量％であり、Ｒ１＜Ｒ２である。また、絶縁材Ｓ１５には、離型シート１５１が付されており、配置後には第１主面ＭＰ１側に位置される。この離型シート１５１があることによって加熱押圧時に、プレス機に絶縁材Ｓ１５が付着することを防止できる。
【００５６】
この絶縁材配置工程ＰＲ４では、縦３３２ｍｍ×横３３２ｍｍであるコア基板連結部ＡＧ１１よりも大きく、且つ、マスキングテープ９に囲まれた内側領域である縦３８５ｍｍ×横３８５ｍｍよりも小さい、縦３８０ｍｍ×横３８０ｍｍの絶縁材Ｓ１５を用いる。また、絶縁材Ｓ１５の厚さは４００μｍ（２００μｍ厚の絶縁材を２層積層して使用）であり、ビルドアップ層１３の作製に用いる絶縁層用のもの（４０μｍ）よりも厚く形成されている。具体的には、絶縁材Ｓ１５の厚さは、ビルドアップ層１３の硬化前の絶縁層の厚さに対しては２倍以上１０倍以下程度が好ましい。
更に、絶縁材Ｓ１５は、コア基板連結部ＡＧ１１の全面を覆いつつ、マスキングテープ９と接しないように配置される。更に、前記光学標識ＡＧ１５は覆って配置される。
【００５７】
（５）絶縁材充填工程ＰＲ５
前記（４）で配置された絶縁材Ｓ１５を前記離型シート１５１が付されたままの状態で、真空ラミネーション法を実現するラミネート機により、減圧雰囲気下で加熱押圧される。この加熱押圧は、第１主面ＭＰ１及び第２主面ＭＰ２の両側からローラーにより施されることによって、コア基板１１の第１主面ＭＰ１に絶縁材Ｓ１５が圧着されると共に、絶縁材Ｓ１５の一部が収容部１１１と積層セラミックコンデンサ１２との間隙１６にも充填されることとなる。加熱温度は１００℃とし、加圧条件は０．７ＭＰａとする。これにより、絶縁材Ｓ１５は、収容部１１１と積層セラミックコンデンサ１２との間隙１６の全部に十分に充填される（第２主面ＭＰ２側からの再充填の必要はない）。
【００５８】
（６）閉塞部材剥離工程ＰＲ６
前記（５）の絶縁材充填工程ＰＲ５の後、絶縁材Ｓ１５が放冷して固化する前に素早く、マスキングテープ９の全てを剥離する。固化前に剥離を行ったために、コア基板集合体ＡＧ上に残存される絶縁材Ｓ１５にひび割れなどを来すことなく剥離できる。
【００５９】
（７）絶縁材硬化工程ＰＲ７
温度１７０℃の硬化炉内を通過させて、絶縁材Ｓ１５を加熱硬化する。これにより、収容部１１１と積層セラミックコンデンサ１２との間隙１６に充填された絶縁材Ｓ１５も硬化されて、充填部１５となる。
【００６０】
（８）研磨工程ＰＲ８
前記（７）までに得られた絶縁材Ｓ１５の硬化された不要部分を除去するために、コア基板重合体ＡＧの第１主面ＭＰ１側を研磨して、コア基板１１の第１主面ＭＰ１側のコア基板導体層１１２を露出させた（ＰＲ８について図１２〜１３参照）。尚、通常、研磨にはベルトサンダーが使用される。光学標識ＡＧ１５が絶縁材Ｓ１５に覆われていない場合、光学標識の欠損を防止するためには細かな研磨条件の制御が必要になり、作業性が悪くなる。しかしながら、光学標識が絶縁材に覆われていると、細かな研磨条件の制御が不要となり、光学標識が欠損する心配もない。
【００６１】
（９）ビルドアップ工程ＰＲ９（図１３〜１６参照）
前記（８）までに得られたコア基板集合体ＡＧの両主面ＭＰ１、ＭＰ２に各々ビルドアップ層１３を形成する。各ビルドアップ層１３は、公知のビルドアップ法（セミアディティブ法やフォトリソグラフィ技術などを組み合わせた工程）を用いて形成できる。
具体的には、前記（８）までに得られたコア基板集合体ＡＧの第１主面ＭＰ１側に、ビルドアップ部絶縁層１３１となる未硬化絶縁層Ｓ１３１を積層する。未硬化絶縁層Ｓ１３１は、エポキシ樹脂とシリカフィラーとを含有し、これらの合計を１００質量％とした場合に、シリカフィラーの割合が３８質量％である（この割合は、硬化後においても実質的に変化しないものであり、絶縁層１３１のシリカフィラーの質量割合Ｒ１に等しい）。尚、未硬化絶縁層Ｓ１３１の厚さは４０μｍである。
次いで、未硬化絶縁層Ｓ１３１を、前記絶縁材Ｓ１５の硬化と同様にして、加熱押圧して圧着した後、加熱硬化して絶縁層１３１とする。
次いで、第２主面ＭＰ２側の表面を銅粗化処理したうえで、第２主面ＭＰ２側にも、第１主面ＭＰ１側と同様にして絶縁層１３１を形成する。
【００６２】
次いで、レーザビアプロセス又はフォトビアプロセス等の手法により、絶縁層１３１にビア孔１３３Ｈを穿設して、ビア孔１３３Ｈ内に直下の積層セラミックコンデンサ１２のメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂを露出させる。更に、コア基板１１の第１主面ＭＰ１と第２主面ＭＰ２とを貫通するスルーホール１３６をドリル等により穿設する。更に、過マンガン酸カリウム等を用いたデスミア処理（樹脂残渣除去処理）により、ビア孔１３３Ｈ内に露出された導体表面を洗浄する。その後、銅めっき（無電解銅めっき後に電解銅めっき）を全面に施して、ビア孔１３３Ｈ内を充填したビア導体１３３を形成すると共に、スルーホール１３６の内面にスルーホール導体１３７を形成する。
【００６３】
その後、スルーホール導体１３７の内側に樹脂製穴埋め材１３８を充填し、更に、銅めっきを施すことにより、蓋導体１３９を形成する。次いで、この時点で両主面ＭＰ１及びＭＰ２に露出されている銅めっきをパターニングして、ビルドアップ部１３の導体層１３２を形成する。
次いで、必要に応じてビルドアップ部１３の絶縁層１３１及び導体層１３２を前記と同様にして、交互に積層形成して、ビルドアップ部１３を積層形成する。
【００６４】
その後、レジスト層１３４を形成した後、レジスト層１３４を穿設して、両主面ＭＰ１、ＭＰ２の両レジスト層１３４下の導体層１３２ａを必要に応じて露出させる。更に、これらの露出された導体層１３２ａの表面にＮｉ−Ａｕめっきが施され、第１主面ＭＰ１側の導体層１３２ａ上のＮｉ−Ａｕめっき表面に半田バンプ１３５を形成して、配線基板１が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の製造方法により得られる配線基板は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に利用される。
【符号の説明】
【００６６】
ＭＰ１；第１主面、ＭＰ２；第２主面、
１；配線基板、
１１；コア基板、１１１；収容部、１１２；導体層（コア基板導体層）、１１３；コア層、
１２；部品（積層セラミックコンデンサ）、
１２１；セラミック層、１２２、１２２ａ、１２２ｂ；導体層、１２３、１２３ａ、１２３ｂ；貫通導体、１２４；表面導体層、１２４ａ、１２４ｂ；メタライズパッド、１２４ｃ；メタライズ層、
１３；ビルドアップ部、１３１；絶縁層、Ｓ１３１；未硬化絶縁層、１３２；導体層、１３３；ビア導体、Ｈ１３３；ビア孔、１３４；レジスト層、１３５；半田バンプ、１３６；スルーホール、１３７；スルーホール導体、１３８；穴埋め材（スルーホール導体内穴埋め材）、１３９；蓋導体、
１５；充填部、Ｓ１５；絶縁材、１５１；離型シート、
１６；間隙（収容部と部品との間隙）、
２；貼着シート、２１；基材層、２２；貼着層、
３；閉塞部材、
ＡＧ；コア基板集合体、ＡＧ１１；連結コア部、ＡＧ１３；外側部、ＡＧ１４；孔部（ガイドホール）、ＡＧ１４ｓ；開口部（ガイドホール開口部）、ＡＧ１５；光学標識、
ＰＲ１；コア基板集合体準備工程、ＰＲ２；閉塞工程、ＰＲ３；部品配置工程、ＰＲ４；絶縁材配置工程、ＰＲ５；絶縁材充填工程、ＰＲ６；閉塞部材剥離工程、ＰＲ７；絶縁材硬化工程、ＰＲ８；研磨工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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