(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムであって、
複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器（１，３，４）と、
前記複数の小ビームをパターン化するための偏向器（６）を有する小ビームブランカアレイ（６）と、
前記小ビームを通過させるか通過を阻止するかをするように、前記ビームブランカアレイと共同する小ビーム停止アレイ（８）と、
前記ビームブランカアレイの複数の光感知素子に信号を光伝送する制御装置と、
前記ターゲットの表面（１１）に前記パターン化された複数の小ビームを投影するための小ビームプロジェクタ（１０）と、を具備し、
前記偏向器は、前記小ビームブランカアレイのブランカの面で円形断面の複数の開口が形成されたプレートと、少なくとも１つが前記各開口を通過する前記小ビームを偏向するように、前記開口と共同する複数の丸いか凹形状のスイッチング電極と、各々が記憶素子を有する複数のメモリセルとを有し、前記複数の光感知素子は、前記複数のメモリセルに接続され、前記複数の記憶素子は、前記制御装置により制御可能であり、前記複数の光感知素子は、前記制御装置から光伝送された信号を受信するように配設され、
前記小ビーム停止アレイ（８）は、複数の貫通孔が形成された基板を有し、
前記複数の貫通孔は、各小ビームが前記小ビームブランカアレイにより偏向されたか否かに応じて、小ビームが、基板の貫通孔の通過を前記基板により阻止されるか、貫通孔の通過を果たすように、配置されており、 
前記基板の複数の貫通孔の各々は、貫通孔を通過する小ビームの断面を規定する直径の円形を有している、荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項２】
前記小ビーム停止アレイ（８）を通過した小ビームＸ方向とＹ方向との少なくとも一方の方向に偏向するための小ビーム偏向器アレイ（９）をさらに具備する請求項１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項３】
前記小ビームプロジェクタ（１０）は、前記小ビーム停止アレイを通過した小ビームの各々を前記ターゲットの表面に投影する複数の投影レンズを有する請求項１又は２の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項４】
前記小ビーム停止アレイの前記複数の貫通孔は、１０ないし３０のナノメートルの幾何学的なスポットサイズで、前記ターゲットの表面に小ビームが投影されるように、通過する小ビームを規定する請求項１乃至３のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項５】
全ての小ビームの共通のクロスオーバのない電子ビーム光学系を更に具備する請求項１乃至４のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項６】
前記複数のメモリセルのは、複数の第１の制御線と、これら第１の制御線と交差する複数の第２の制御線との交差した所に夫々形成されている請求項１乃至５のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項７】
前記複数の記憶素子の各々は、キャパシタを有する請求項１乃至６のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項８】
前記複数のメモリセルの各々は、前記記憶素子の各々に信号をロードするための少なくとも１つのスイッチング素子を有する請求項１乃至７のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項９】
前記複数のスイッチング電極は、夫々異なる方向に小ビームを偏向するように配置されている請求項１乃至８のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【請求項１０】
前記夫々異なる方向は、反対の方向である請求項９の荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子の複数の小ビーム（beamlet）のリソグラフィシステム又は検査システムのような、荷電粒子マルチ小ビームシステムのための投影系、及びこのような投影系のためのエンドモジュール（end module）に関する。
【０００２】
本発明は、より明確には、偏向デバイスに、特に、荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムでの使用のための小ビームブランカであって、このブランカは、複数のアパーチャが設けられた基板と、これらアパーチャの周りに配置された第１の電極と第２の電極とを備えた複数の偏向器と、を有し、前記偏向器は、前記アパーチャを通過する荷電粒子の小ビームを偏向するための電気信号を受信する小ビームブランカに関する。
【０００３】
本発明は、荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム、偏向方法及びターゲット面にパターンを転写する方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
一般に、多くの商業用のリソグラフィシステムは、レジストのコーティングがなされたウェーハのようなターゲットを露光するために、パターンデータを記憶し複写する手段として、マスクを使用する。また、マスクレスリソグラフィシステムでは、荷電粒子の複数の小ビームは、ターゲット上にパターンデータを描画するために使用される。これら小ビームは、必要なパターンを発生させるために、例えば、これら小ビームのオンとオフとをそれぞれ切り換えることによって、それぞれ制御される。
【０００５】
荷電粒子マルチ小ビームシステムに使用される１つのタイプのデザインは、例えば、特許文献１に開示されており、そのようなデザインでは、電子ビームは、拡大され、コリメートされ、アパーチャアレイによって複数の小ビームへと分割される。そして、得られたイメージは、縮小電子光学系によって縮小され、ウェーハ上に投影される。縮小電子光学系は、全ての小ビームを１つに集束し、縮小する（demagnify）ので、全ての小ビームが、描画され、サイズを縮小される。このデザインでは、全ての小ビームは、共通のクロスオーバで交差し、このクロスオーバは、小ビームの荷電粒子間の相互作用によりゆがみ及び解像度の低下を受ける。
【０００６】
このような共通のクロスオーバのないデザインも提案されてきており、そのようなデザインでは、複数の小ビームが、それぞれ、集束され、縮小される。しかし、このようなシステムが多くの小ビームを有するように構成されているとき、各小ビームを制御するために複数のレンズをそれぞれ与えることは、非実用的である。それぞれ制御される多くのレンズの構成は、システムに複雑さを加える。また、レンズ間のピッチは、各レンズに必要な構成要素のための余地を与えたり、それぞれの制御信号への各レンズへのアクセスを与えたりするのに十分でなければならない。このようなシステムの光学カラムの比較的高い高さは、維持される真空の体積の増加や、例えば、小ビームの流れ（drift）によって引き起こされるアライメントエラーの影響を増加させる、小ビームの長い経路のような、いくつかの欠点をもたらす。
【０００７】
小ビームの制御されたスイッチングは、小ビームブランカを使用して達成されることができる。小ビームは、制御信号によって制御されて、第１の周期中、偏向され、第２の周期中、偏向なしで継続する。もし偏向されれば、小ビームは、ビーム停止で終了する。もし偏向されなければ、小ビームは、ビーム停止を通過する。このように、「パターン化された」（patterned）小ビームが発生され、ビーム停止の後に現われる。このパターン化された小ビームは、投影レンズ系によってターゲット面上に続いて投影される。商業上許容可能なスループットで動作するように意図された高解像度リソグラフィシステムについて、このようなシステムのサイズ、複雑さ及びコストは、障害になる。
【０００８】
このような小ビームブランカの１つは、非特許文献１から知られている。この小ビームブランカは、１０２４の小ビームの個々の偏向のためのアレイとして具体的に示される。アレイは、各々が２５μｍ×２５μｍのサイズの正方形の形態である貫通孔として参照される１０２４のアパーチャを備えたシリコン基板を有する。ブランキング電極への配線接続は、孔の間を延びている。最も高い配線密度は、孔の間に７本の配線であり、各々が、所定の線幅を有し、２マイクロメートル離間されている。電極は、金メッキによって４０マイクロメートルの厚さに与えられる。このような小ビームブランカの製造は、熱により酸化されたシリコン基板に基づいている。配線パターニングの後、熱酸化物は、エッチングされる。指定された配線の金メッキの後、シリコン基板は、その底部側からエッチングされる。第１の電極は、Ｕ字の形状のデザインで形成され、グランド電極として動作する。第２の電極は、ブロック形状に形成され、スイッチング電極として機能する。個々のグランド電極は、互いに電気的に接続される。動作中、各ブランキングプレートの６４ビットのデータは、ＤＲＡＭからの並列に、１６０ナノ秒で読み出され、シフトレジスタに設定される。そして、これらは、アレイ中のスイッチング電極の各々に個々の配線によって転送される。
【０００９】
既存の荷電粒子ビーム技術は、例えば、９０ｎｍ以上の限界寸法を達成するために、像の比較的コース状のパターニングのためのリソグラフィシステムに適している。しかし、性能を改良するために成長が必要である。例えば２２ｎｍであるかなり小さな限界寸法を達成し、また、例えば毎時１０〜６０の十分なウェーハのスループットを維持することが望ましい。
【００１０】
このようなより小さな最小のフィーチャサイズの達成は、単一の荷電粒子小ビームのスポットサイズと直接関連している。縮小されたスポットサイズを有するウェーハをパターニングするために、所定の表面積をパターン化するためのより多くのスポットが必要とされる。従って、縮小されたスポットサイズでウェーハスループットを維持するために、スポット当りのパターン形成（patterning）を加速するという望みがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５，９０５，２６７号
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）のパート１、ｎｏ．１２Ｂ、ｐｐ．６０１２〜６０１７
【発明の概要】
【００１３】
本発明は、例えば２２ｎｍであるより小さな限界寸法を達成し、また、例えば毎時１０〜６０のウェーハである十分なウェーハのスループットを維持することができる複合的な小ビーム荷電粒子リソグラフィシステムを提供することを目的とする。これらの要求は、既知のブランカの制限を越えている。前記非特許文献１は、ブロック露光及びステンシルマスクを使用する予備的な試験について説明している。この文献は、ブランカ装置の解像度を進展させて、反復パターンを備えたウェーハと、ランダムパターンを備えたウェーハとを識別することについて思索している。フィーチャサイズとスループットとの間の比例関係を仮定すると、これは、反復パターンを備えたウェーハに対して２０ｎｍのノードで、毎時約３の８”（８インチ、約２０．３２センチメートル）のウェーハのスループットに達する。ランダムパターンに関して、速度は、１００ｎｍのノードに対して１００のファクタだけ、かなり低いことが示される。
【００１４】
本発明は、このようなランダムパターンを有する１２”（１２インチ、約３０．４８センチメートル）のウェーハをパターニングすることを熟考している。２２ｎｍで毎時１０のウェーハに達するために、上で引用された先行技術の推測と比較して、約１０００のスループットの増加が必要とされる。この大幅に増加したスループットは、小ビームの偏向を適切に制御するというエンジニアリングの課題に対処する。小ビームのブランキング中、誤りがリソグラフィ処理中に補正されることができないので、これはより重要になり、小ビームブランカのための仕様は、究極的に厳密である必要がある。
【００１５】
本発明の目的は、個々の偏向器への制御信号の高いデータ速度伝送を可能にするリソグラフィシステムを提供することである。
【００１６】
本発明のさらなる目的は、アレイの全てのブランカ偏向器が正確に動作するという点で、ブランカの機能品質に関する高スループット及び満たすべき要求に適したリソグラフィシステムを提供することである。
【００１７】
他の目的は、より多い小ビームの数に容易にスケール合わせ可能なリソグラフィシステムを提供することである。
【００１８】
本発明のさらなる目的は、このようなリソグラフィシステムでの使用のための偏向器、並びに、偏向器を使用するための、及びリソグラフィシステムを使用するための方法を提供することである。
【００１９】
本発明は、複数のメモリセルを与え、各セルには記憶素子が設けられており、各セルが偏向器に接続されていることによって、これらの目的の少なくも一部を満たす。本発明の洞察は、制御信号が局所的に利用可能な記憶素子へと伝送されるということにより、個々の偏向器への制御信号の伝送が増加されることができるということである。制御信号は、いったん記憶素子にロードされ、そして、ブランキング期間中に読み出されることができる。記憶素子への制御信号のこのようなローディングは、偏向器に制御信号を直接与えるよりも少ない時間を必要とすることがわかる。そして、この時間は、他の小ビームに対する偏向器に制御信号を与えるために利用可能となり、これは、非常に多くの小ビームを備えたシステムのより高いスループットを可能にする。メモリセルは、個々に、他のセルとの相互作用なしで動作することができる偏向デバイスのやや局所的な部分である。これは、それにアドレスされた制御入力に基づいて適切に動作し、特に、このような時間の開始時にセルに与えられる制御信号に基づいて、所定の時間中に動作する。
【００２０】
本発明は、複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムを提供する。このシステムは、複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器と、ターゲット面にパターン化された複数の小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、前記小ビームをパターン化するための小ビームブランカと、ターゲットの表面上に前記パターン化された複数の小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、を具備し、このリソグラフィシステムは、偏向デバイスを具備し、前記偏向デバイスは、複数のメモリセルを有し、各セルには、記憶素子が設けられており、各セルは、偏向器に接続されている。
【００２１】
第１の実施の形態では、前記記憶素子は、制御信号でロードされた後に信号出力を与えるように構成されている。これは、ブランカが、制御信号の準備から独立して時間に関して（timewise）動作することを可能にする。これは、さらに、制御信号が異なる偏向器に連続してロードされることができ、それにもかかわらず、これら偏向器が新しいブランキング期間を同時に始めることを可能にする。前記記憶素子は、信号の変化の場合には、信号出力のみを与えるように構成されることができる。代わって、前記記憶素子は、前記制御信号のリフレッシュレートに少なくとも等しい周波数を有する信号出力を与えるように構成される。好ましくは、前記記憶素子は、信号出力のリフレッシュレートよりも高い周数で、信号出力を規則的に与えるように構成される。最も適切には、前記記憶素子は、出力信号を継続的に与えるように構成される。
【００２２】
さらなる変形では、前記記憶素子は、この記憶素子に与えられるリード信号を必要とすることなく、信号出力を与えるように構成される。このようなリード信号の準備は、さらなる回路につながり、時間がかかる。記憶アレイからの１つの素子から読み出すとき、リード信号が通常必要とされる。偏向器に対して１つの記憶素子が結合している現在の実施の形態では、リード信号は不要である。
【００２３】
適切な実行では、前記記憶素子は、キャパシタである。キャパシタは、能動的なリード信号を与えることなく読み出されることができ、所定の時間期間の間信号出力を与え続ける。キャパシタは、ブランキング期間中に偏向器を偏向するためのエネルギ貯蔵部として構成されることができるが、好ましくは、制御信号それ自身の貯蔵部として構成される。キャパシタのさらなる利点は、ＭＯＳキャパシタ、トレンチキャパシタ、金属化構造体で規定されたキャパシタ（内部接続キャパシタ）、修正ＭＯＳトランジスタ、寄生キャパシタ、又は当業者に既知の他の適切なタイプとして、いくつかの位置及び構成で実行されることができるということである。特に、非常に高いデータ速度及び対応する短いブランキング期間に関して、このような寄生キャパシタは、簡単でコンパクトな構成を可能にする適切な解決策であることができる。
【００２４】
前記メモリセルは、適切には、記憶素子、特にキャパシタに制御信号をロードするためのスイッチング素子を有する。ロード動作の後、スイッチは開かれ、また、キャパシタは、所定の出力信号レベルを与える。
【００２５】
前記複数のメモリセルがアレイで配列されたとき、このようなスイッチング素子は、第１及び第２の制御線への適切な電圧の印加によって切り替えられることができる。そして、前記メモリセルは、前記制御線の交差点に位置されている。アレイへのメモリセルの組織化（organisation）は、制御線の数がかなり減らされ、かくして、偏向器の構成を単純化し、制御線に必要なスペースを減らすという利点を有する。スイッチング素子の好ましい例は、ＣＭＯＳスイッチ、すなわち、ＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタの並列組合せである。前記アレイは、さらに、電圧供給チャネルを有することができる。
【００２６】
好ましくは、前記メモリセルは、さらに、増幅器を有し、前記記憶素子は、前記増幅器の入力に結合されている。前記増幅器は、前記偏向器のスイッチング電極に駆動電圧を与える。これは、現実的でエラー強さのある（robust）解決策であることが分かる。前記記憶素子は、局所的に利用可能な増幅器の制御信号として効果的に使用される。これは、制御信号からの電圧供給の分離を可能にする。さらに、増幅器の局所的な存在は、増幅器と偏向器との間の短い距離を意味する。両方の効果は、電力の損失の減少をもたらす。電力の損失がブランカ装置での熱の散逸をもたらすので、これは、効果的である。さらに、この装置の温度の上昇は、寸法（例えば、側方への熱膨張）に影響を及ぼし、マスクレスリソグラフィシステム内の他の素子で位置合わせに関して、かくして形成されたパターン転写の均一性及び正確さに影響を及ぼす。
【００２７】
さらなる一実施の形態では、前記増幅器は、インバータを有する。前記インバータは、制御信号を増幅させるために非常に適したトポロジーである。前記インバータは、前記増幅器の出力が、前記記憶素子から受信した信号よりもデジタル形状を有するという利益上の効果を有する。言い換えれば、偏向器も、オンかオフかのどちらかである。これは、リソグラフィシステムのパターニング工程の高精度を得るための非常に重要な工程である。
【００２８】
前記アレイは、電源供給とクロックとのために、個々の分配チャネルを有することが好ましい。さらに、グランドは、適切には、別々に分配される。たとえクロック信号が制御信号内に含まれていてもよくても、クロック信号の個々の分配は、よりよい結果を与える。クロック信号は、例えば、前記増幅器に分配される。これは、増幅器が制御信号の好まくは連続的な準備から独立して時間的に動作されることができることを可能にする。
【００２９】
さらなる実施の形態では、記憶素子のローディングは、制御装置によって制御される。制御装置からの信号は、偏向デバイス中の光感知素子に光学的に伝送される。このような光伝送は、ブランカにギガビット／秒までのデータ伝送速度を容易に必要とする全ての制御信号を適切に供給する方法を与える。
【００３０】
適切には、信号は、多重送信（multiplexed）形式で光学的に伝送される。そして、デマルチプレクサ（demultiplexer）が、ブランカ装置中にある。さらに、中間メモリが、デマルチプレクシング（demultiplexing）のタイムスロット中に制御信号を記憶するためにある。適切には、これは、メモリセルのアレイに隣接して位置されている。
【００３１】
本発明の配置構成の実行では、複数のアレイがある。複数のアレイにわたる複数のメモリセルの準備は、いくつかの利点を有する。まず、個々のアレイ間のスペースが、上述された複数の分配チャネルと、デマルチプレクサ及び中間メモリとの少なくとも１つのために使用されることができる。好ましくは、１つのアレイ当たり１つのデマルチプレクサがある。さらに、スペースが、偏向デバイスに機械的支持を与えるために使用されることができる。偏向デバイスは、適切には、複数のアパーチャが設けられた半導体基板を有する。この半導体基板は、局所的に薄くされており、薄くされた領域内では、個々のアパーチャは、偏向器間にある。このような装置は、機械的に脆弱で、簡単に規則的な機械的支持なしで破損、振動などを受けやすい。適切には、アレイは、単一のサブビームから規定されたグループの小ビームの偏向に使用される。複数のサブビームが、単一の源の荷電粒子ビームから規定されることができる。
【００３２】
本発明に従う一実施の形態では、偏向器、及び他の構成要素は、列をなして構成されており、増幅器と、記憶素子と、スイッチング素子と、制御線と、分配チャネルとを含むこの偏向器、及び他の構成要素は、単一のチップか集積回路に全て一体化される。これは、明らかに、アセンブリによる複雑さと歩留り損を防ぐ。
【００３３】
本発明のアレイは、いくつかのさらなる効果的な実行で与えられることができる。これらの実行もまた、複数のメモリセルの現在の原理から独立して適用されることができる。
【００３４】
一実施の形態では、前記第１及び第２の電極の少なくとも一方は、アパーチャの形状に一致する凹形状を有する。アパーチャの形状に一致する凹形状により、アパーチャサイズと電極サイズとの両方が、かなり減少されることができる。また、かくして与えられる組合せは、小ビームを十分に偏向するように、所定の偏向の強度を備えた電場を与えることができる。十分な偏向は、ここでは、後のビーム停止アレイに向かう偏向であり、ここで小ビームが停止される。偏向の結果としての他の小ビームとのいかなる相互作用も、好ましくは防がれる。
【００３５】
適切には、第１及び第２の電極は、２つの同一のミラー像電極として設計されており、２つの電極の一方がスイッチング電極として設定され、他方がグランド電極として動作することを可能にするスイッチングエレクトロニクスで使用される。ミラー形状の電極の使用は、アレイのアドレスにさらなる自由度を与える。また、小ビームは、前方方向に偏向されてもよく、また、対向極の駆動電圧に対する必要なく後方に偏向されてもよい。代わって、駆動は、バイポーラの原理を使用して、すなわち、１つの電極上の正電圧及び反対の負電圧で実行されることができる。
【００３６】
好ましい一実施の形態では、複数の偏向器のアレイには、互いに異なる方向に偏向する第１及び第２の偏向器が設けられている。この実施の形態は、電極の向きを変えることによって、容易に実行される。これは、一般的に、偏向された小ビームが他の小ビームと干渉しない方向に小ビームを偏向するための自由を与えるのに、例えば、他の偏向されていない小ビームの経路を横切らず、例えば、電気的な斥力によって偏向されていない小ビームにも影響を及ぼさないようにするのに効果的である。小ビームが小ビームブランカに対して斜めに通過した場合には、他の小ビームとの相互作用の防止は、とても適切である。
【００３７】
特定の実行では、アレイ中の偏向器の電極は、小ビームの入射角に応じて配置される。適切には、１つのグループ中の小ビームは、各グループの収束の共通点に向かって収束するように操作される。そして、少なくともいくつかの偏向器が、適切には、収束のそのような点に等しい距離に位置する、つまり、小ビームのそのようなグループの光軸を中心とした同心円上に位置される。最も適切には、小ビームの１つグループが、１つのアレイに対応する。
【００３８】
前記小ビームマニュピレータは、グループ偏向器アレイを有することができる。また、グループ偏向器アレイは、好ましくは、非同一の偏向動作を果す個々の偏向器要素のグループ状の配置を有する。各グループ中のブランキングされていない小ビームは、好ましくは、単一の収束点に偏向される。また、小ビームの各グループは、それぞれ異なる収束点に向かって導かれる。グループ偏向器アレイは、小ビームブランカと一体化されることができ、一体化された前記グループデフレクタ／小ビームブランカは、各グループ中のブランキングされていない小ビームを共通点に収束させ、かつ、ブランキングされた小ビームを共通点に収束させないように構成されている。前記グループ偏向器アレイは、中に形成された複数のアパーチャを有するプレートと、各アパーチャに関連している電極と、を有することができ、前記電極は、前記アパーチャを通過する小ビームを偏向するための電気信号を受信する。
【００３９】
アレイ内で異なる指示を与えたとき、中央のグループが前方に偏向され、周辺のグループが後方に偏向されることが好ましいことがわかる。用語「前方に」及び「後方に」は、ここでは、マスクレスリソグラフィシステムの特定の実施の形態に従って使用される。この実施の形態では、斜め方向、すなわち小ビームブランカの面に垂直でない方向に偏向されていないとき、小ビームは小ビーム偏向器を通過する。特に、このような方向は、垂直な入射角を含んでいる。用語「前方向に」及び「さらなる前方向に」は、ここでは偏向として理解され、入射角が増加される。用語「後方に」は、ここでは偏向として理解され、入射角が減少する。
【００４０】
さらなる一実施の形態では、小ビームブランカアレイのアセンブリ及びアパーチャアレイが提供される。小ビームブランカアレイを１つのアセンブリに組み合わせることは、後の段階でのアセンブリの工程の数を減らす。このようなサブアセンブリの生成は、必要な位置合わせに達する効率的な方法であることがわかる。適切には、小ビームブランカアレイ及びアパーチャアレイの各々には、互いに位置合わせされることができる機械的なポストが設けられている。より好ましくは、しかし必ずではないが、アレイの機械的なポストは、互いに機械的に取着されている。さらなる実施の形態では、これらの機械的なポストは、少なくとも１つのアレイ間に規定される。これとともに、サブアセンブリの機械的安定性は増加される。さらなる利点は、これに関する振動の固有周波数が縮小されるということである。アレイは、適切なマイクロスケールの寸法でシリコン構造体をエッチングさせる。このような微小構造中の振動は、高い周波数を有する傾向にある。このような振動は、真空のカラム中で適切に補正されることができない。機械的なポストの準備によって、アレイは、効果的に細分される。スパン幅は、これによって縮小され、質量は増加され、かくして、機械的振動の主な減少を導く。
【００４１】
このシステムは、さらに、小ビームを成形するための成形アパーチャアレイを有することができる。前記アパーチャアレイは、複数のサブビームを規定するように構成されており、前記成形アパーチャアレイは、複数のサブ小ビームを発生させるように構成されており、前記アパーチャアレイと前記成形アパーチャアレイとは、単一のユニットに一体化されている。前記グループ偏向器アレイ及び前記成形アパーチャアレイもまた、単一のユニットに一体化されることができる。
【００４２】
前記小ビームマニュピレータは、代わって、コンデンサレンズアレイと、成形アパーチャアレイと、を有することができる。前記コンデンサレンズアレイは、好ましくは、投影レンズ系に対応する点に各サブビームを集束させるように構成されている。前記成形アパーチャアレイは、好ましくは、各集束されたから複数の小ビームを発生させるための複数のアパーチャを有し、前記複数の小ビームのブランキングされていない小ビームが、投影レンズ系に対応する点に収束する。前記アパーチャアレイは、好ましくは、複数のサブビームを規定するように構成されており、前記成形アパーチャアレイは、複数のサブビームを発生させるように構成されており、前記アパーチャアレイ及び前記成形アパーチャアレイは、好ましくは、単一のユニットに一体化されている。
【００４３】
前記小ビームマニュピレータもまた、第１及び第２のコンデンサレンズアレイと、成形アパーチャアレイと、を有することができる。前記第１のコンデンサレンズアレイは、前記第２のコンデンサレンズアレイの前の共通面に複数のサブビームを集束させるように構成されており、前記第２のコンデンサレンズアレイは、前記投影レンズ系の１つに対応する点に各サブビームを集束させるように構成されている。前記成形アパーチャアレイは、好ましくは、前記第２のコンデンサレンズアレイによって集束された各サブビームから複数の小ビームを発生させるための複数のアパーチャを有し、前記複数の小ビームのブランキングされていない小ビームが、前記投影レンズ系の１つの対応する点に収束する。
【００４４】
システムで発生された小ビームの数は、投影レンズ系の数よりも大きいことが好ましい。また、システムは、少なくとも１０，０００の投影レンズ系を有することができる。システムで発生された小ビームの数は、好ましくは、投影レンズ系の数の少なくとも３倍であり、投影レンズ系の数の１０〜２００倍であることができる。
【００４５】
本発明の他の態様によれば、少なくとも１つの荷電粒子の小ビームを偏向する方法が提供される。この方法は、偏向器に制御信号を伝送する工程と、前記制御信号に基づいて前記小ビームを偏向する工程と、を具備する。ここでの制御信号は、前記偏向器に接続されたメモリセル内の記憶素子に伝送される。
【００４６】
好ましくは、前記制御信号は、前記記憶素子に周期的に伝送される。最も適切には、前記記憶素子は、制御期間中、前記制御信号を継続的に与える。
【００４７】
一実施の形態では、前記記憶素子中の前記制御信号は、前記偏向器のスイッチング電極に駆動電圧を与える増幅器の入力として使用される。前記増幅器は、好ましくは、制御信号を評価するためのインバータを有し、前記増幅器は、デジタル出力を有する。
【００４８】
最も適切には、前記制御信号は、制御装置から、メモリセルに電気的に結合された光感知素子に光学的に伝送される。
【００４９】
本発明の他の態様によれば、少なくとも１つの荷電粒子の小ビームを使用してターゲット面へパターンを転写する方法が提供される。この方法は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームを発生させる工程と、前記小ビームをパターン化するように、所定の変調パターンに従って前記小ビームを偏向する工程と、前記ターゲット面に前記パターン化された小ビームを投影する工程と、を具備する。ここでは、前記偏向する工程は、偏向器に制御信号を伝送して、前記制御信号に基づいて前記小ビームを偏向することによって行われる。ここでの制御信号は、前記偏向器と一緒にメモリセルに位置された記憶素子に伝送される。
【００５０】
本発明のこの方法は、高いスループットのターゲットを満たし、さらに、転写されたパターンの高精度を維持することができる。この高精度は、本発明の偏向方法の高い機能品質による。結果として、ターゲット面を走査する２つのサイクルでパターンを伝送することが可能である。適切には、パターンの主な部分は、主なサイクルに伝送され、また、残りの部分は、さらなるサイクルに転送される。この「冗長走査」（redundancy scanning）の方法は、失敗の数をかなり減少させる。これは、さらなる失敗のパターン化を防ぐために、ブランカ偏向器が正確にスイッチオフされることができるこの冗長走査方法において重要である。さらに、冗長走査の実行のために個々の偏向器、又はグループの偏向器にさらなる命令を送る必要がある。冗長走査の原理は、ＷＯ−Ａ２００７／０１３８０２として公開されたＰＣＴ出願であるＰＣＴ／ＮＬ２００６／０００３８６に規定されており、この全体の内容は参照としてここに組み入れられる。
【００５１】
本発明の他の態様によれば、複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムが提供される。このシステムは、荷電粒子ビームを発生させるための少なくとも１つの荷電粒子源と、発生された前記ビームから個々の小ビームを発生させるためのアパーチャアレイと、複数の小ビームを制御可能にブランキングするための小ビームブランカと、ターゲットの表面上に複数の小ビームを投影するための投影レンズ系のアレイと、を具備し、前記小ビームブランカは、グループ状に（group-wise）配置された複数の偏向器のサブアレイを有する。
【００５２】
前記小ビームブランカは、好ましくは、中に形成された複数のアパーチャを有するプレートと、前記アパーチャを通過する小ビームを偏向するためにアパーチャに関連したスイッチング電極を含む小ビームブランカの各偏向器と、を有する。複数の偏向器の１つのグループのスイッチング電極は、好ましくは、単一線の向きに配置された電気制御線に接続されており、グループの２つの部分の各々の制御線は、好ましくは、対向方向に導かれる。各偏向器には、好ましくは、偏向器のスイッチング電極の制御のためのメモリセルが設けられており、各メモリセルは、好ましくは、２本の制御線に電気的に接続されており、各制御線は、グループのメモリセルの行又は列に共通に接続されている。前記小ビームブランカは、さらに、電圧供給チャネルを有することができる。
【００５３】
小ビームをブランキングするために小ビームが偏向される方向は、好ましくは、小ビームのグループ中の異なる小ビームに対して異なる。前記ブランキングの方向は、好ましくは、ブランキングされた小ビームの質量中心がビーム停止アレイの位置で、そのブランキングされていない小ビームの位置とほぼ同じであるような状態であるように選択される。ブランキングされた小ビームの偏向の方向もまた、動的（ダイナミック）に変更されることができ、ブランキングされた小ビームの質量中心は、ビーム停止アレイの位置で、ブランキングされていない小ビームの位置とほぼ同じである。
【００５４】
本発明の他の態様によれば、複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムが提供される。このシステムは、複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器と、ターゲット面にパターン化された小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、小ビームをパターン化するための小ビームブランカと、ターゲットの表面上にパターン化された小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、を有し、前記小ビームブランカは、複数のアパーチャが設けられた基板と、所定の変調パターンに従って前記複数のアパーチャの１つを通過する小ビームを偏向するための第１及び第２の電極を備えた偏向器と、を有し、前記電極の少なくとも一方は、凹形状を有する。
【００５５】
凹形状を有する電極の使用にはいくつかの利点がある。最も適切なのは、凹形状がアパーチャの形状に一致するということである。そして、このアパーチャは、最も適切には、ブランカの面に円形の断面を有する。好ましくは、アパーチャは、全体的に円形である。アパーチャのこのような形状は、非点収差の導入を防ぎ、ブロック形状のアパーチャに起因することができる。これは、さらに、近傍の偏向器間の相互作用を低減させる。両方の効果は、偏向器の正確さを改良するのをサポートする。さらに、これらは、偏向器のより密なパッキングを可能にするのを助ける。
【００５６】
また、本発明の他の態様によれば、複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムが提供される。このシステムは、複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器と、ターゲット面にパターン化された小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、小ビームをパターン化するための小ビームブランカと、ターゲットの表面上にパターン化された小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、を有し、前記ブランカは、複数のアパーチャが設けられた基板と、第１及び第２の偏向器と、を有し、前記第１及び第２の偏向器の各々には、所定の変調パターンに従って前記複数のアパーチャの１つを通過する小ビームを偏向するための１組の第１及び第２の電極が設けられ、前記小ビームは、前記偏向デバイスに対して所定の入射角を有し、前記入射角は、前記偏向デバイスに対して直角に規定されており、前記第１の偏向器は、小ビームをさらに前方に偏向し、かくして、前記小ビームの入射角を増加させ、また、前記第２の偏向器は、小ビームを後方に偏向し、かくして、前記小ビームの入射角を減少させる。
【００５７】
現在のリソグラフィシステムにさらに関連する説明される実施の形態は、偏向器デバイス、偏向方法、及びパターンを転送する方法を含む、本発明の他の態様のどれにも適用可能である。本発明の偏向デバイスは、マスクレスリソグラフィシステムで使用される小ビームブランカで使用するのに特に適しているが、これに限定されない。例えば、この偏向デバイスは、偏向器を描画するために効果的に適用されることができる。代わりの形態は除外されないが、マスクレスリソグラフィシステムは、適切な電子ビームシステムである。メモリセルは、好ましくは、１つの個々の偏向器に好ましくは接続される。
【００５８】
本発明のさまざまな態様が、図面に示される実施の形態を参照して以下に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、荷電粒子のマルチ小ビームリソグラフィシステムの一例の簡略化した概略図である。
【図２】図２は、図１のリソグラフィシステムのエンドモジュールの、側面からの簡略化した概略図である。
【図３】図３は、グループ偏向アレイを有するリソグラフィシステムの簡略化した概略図である。
【図４】図４は、成形アパーチャアレイをさらに有する図３のシステムの簡略化した概略図である。
【図５】図５は、２つのコンデンサアレイと成形アパーチャアレイとを有する代わりの実施の形態である。
【図６】図６は、単一のコンデンサアレイと成形アパーチャアレイとを有する他の実施の形態である。
【図７】図７は、グループ偏向アレイを有する簡略化した実施の形態である。
【図８】図８は、投影レンズ当たりの単一の小ビームの図４の実施の形態の代わりの実施の形態である。
【図９】図９は、投影レンズ当たりの単一の小ビームの図４の実施の形態の代わりの実施の形態である。
【図１０】図１０は、投影レンズ当たりの単一の小ビームの図４の実施の形態の代わりの実施の形態である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、投影レンズ当たりの複合的な複数の小ビームの概念を示す概略図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、投影レンズ当たりの複合的な複数の小ビームの概念を示す概略図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の簡略化した実施の形態を示す図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本発明の第２の実施の形態の簡略化した図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、本発明の第２の実施の形態の簡略化した図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、投影レンズ構成体当たりの複合的な複数の小ビームの効果を示す図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、投影レンズ構成体当たりの複合的な複数の小ビームの効果を示す図である。
【図１４】図１４は、修正されない、又は比較的簡単な源及び投影レンズ系の使用を可能にするさらなる実施の形態である。
【図１５】図１５は、修正されない、又は比較的簡単な源及び投影レンズ系の使用を可能にするさらなる実施の形態である。
【図１６】図１６は、小ビームブランカアレイ６の可能な配置を示す概略図である。
【図１７】図１７は、小ビームブランカアレイ６と組み合せたアパーチャアレイを示している。
【図１８Ａ】図１８Ａは、グループ偏向器アレイ又はビームブランカアレイの偏向器の実施の形態の概略図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、グループ偏向器アレイ又はビームブランカアレイの偏向器の実施の形態の概略図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、グループ偏向器アレイ又はビームブランカアレイに対する偏向器の代わりの実施の形態の概略図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、グループ偏向器アレイ又はビームブランカアレイに対する偏向器の代わりの実施の形態の概略図である。
【図２０】図２０は、第１の実施の形態での偏向器に接続されたメモリセルの回路図である。
【図２１】図２１は、第２の実施の形態での偏向器に接続されたメモリセルの回路図である。
【図２２】図２２は、偏向器の一実施の形態の概略図である。
【図２３】図２３は、偏向器のアレイの概略的な横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
以下は、単なる例によって、図面を参照して与えられる、本発明の実施の形態の説明である。
【００６１】
図１は、全ての電子小ビーム（beamlet）の共通のクロスオーバのない電子ビーム光学系に基づいた荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムの一実施の形態の簡略化した概略図である。このようなリソグラフィシステムは、例えば、米国特許第６，８９７，４５８号、第６，９５８，８０４号、第７，０８４，４１４号並びに第７，１２９，５０２号に記載されており、本発明の権利者に譲渡されたこれら全体の内容は、参照としてここに組み込まれる。図１に示される実施の形態では、リソグラフィシステムは、均質な、拡大している電子ビーム２０を発生させるための電子源１を有する。ビームのエネルギは、好ましくは、約１ないし１０ｋｅＶの範囲で比較的低く維持される。これを達成するために、加速電圧は、好ましくは、低く、また、電子源は、好ましくは、接地電位でターゲットに対して約−１ないし−１０ｋＶに維持されるが、他の設定が使用されてもよい。
【００６２】
電子源１からの電子ビーム２０は、二重のオクトポール（octopole）２を、続いて、電子ビーム２０をコリメートするためのコリメータレンズ３を通過する。続いて、電子ビーム２０は、アパーチャアレイ４に衝突し、これは、ビームの一部をブロックし、複数の小ビーム２１がアパーチャアレイ４を通過することを可能にする。アパーチャアレイは、好ましくは、貫通孔を含むプレートを有する。従って、複数の平行な電子小ビーム２１が発生される。このシステムは、非常に多くの小ビーム２１を、好ましくは約１０，０００ないし１，０００，０００の小ビームを発生させるが、もちろん、これよりも多い又は少ない小ビームを使用することも可能である。コリメートされた小ビームを発生させるために他の既知の方法が使用されてもよいことに言及する。
【００６３】
複数の電子小ビーム２１は、小ビームブランカアレイ６の面でこれら電子小ビーム２１の各々を集束するコンデンサレンズアレイ５を通過する。この小ビームブランカアレイ６は、好ましくは、これら電子小ビーム２１の少なくとも１つをそれぞれ偏向することが可能な複数のブランカを有する。コンデンサレンズアレイ５及び小ビームブランカアレイ６は、以下に詳述される。
【００６４】
続いて、電子小ビーム２１は、エンドモジュール７に入る。エンドモジュール７は、好ましくは、さまざまな構成要素を有する挿入可能で交換可能なユニットとして構成される。この実施の形態では、エンドモジュールは、ビーム停止アレイ８と、ビーム偏向器アレイ９と、投影レンズ構成体１０と、を有するが、エンドモジュールにこれらの全てが含まれる必要はなく、また、これらが異なるように配置されてもよい。エンドモジュール７は、他の機能に加えて、約２５ないし５００倍の、好ましくは、５０ないし２００倍の縮小（demagnification）を与える。わずかに小さな縮小が、パターン化された（patterned）小ビームを発生させるシステムに必要とされる。エンドモジュール７は、好ましくは、以下で説明されるように、小ビームを偏向する。エンドモジュール７を出た後、小ビーム２１は、ターゲット面に位置されたターゲット１１の表面に衝突する。リソグラフィのアプリケーションに関して、ターゲットは、通常、荷電粒子感知層、すなわちレジスト層が設けられたウェーハを有する。
【００６５】
エンドモジュール７では、電子小ビーム２１は、まず、ビーム停止アレイ８を通過する。このビーム停止アレイ８は、主に、小ビームの開放角度（opening angle）を決定する。この実施の形態では、ビーム停止アレイは、小ビームが通過することを可能にするためのアパーチャのアレイを有する。ビーム停止アレイは、基本形態において、代表的には円形の貫通孔が設けられた基板を有するが、他の形状が使用されてもよい。一実施の形態では、ビーム停止アレイ８の基板は、規則的に離間された貫通孔のアレイを備えたシリコンウェーハで形成されており、表面の帯電を防ぐように、金属の表面層で覆われることができる。一実施の形態では、金属は、ＣｒＭｏのような、自然酸化物の被膜層を形成しないタイプである。
【００６６】
一実施の形態では、ビーム停止アレイ８の経路は、小ビームブランカアレイ６の要素と位置合わせ（アライメント）されている。小ビームブランカアレイ６とビーム停止アレイ８とは、小ビーム２１をブロックするか通過させるように、一緒に協働する。小ビームブランカアレイ６が小ビームを偏向すれば、小ビームは、ビーム停止アレイ８の対応するアパーチャを通過せず、代わりに、ビーム停止アレイ８の基板によってブロックされる。しかし、小ビームブランカアレイ６が小ビームを偏向しなければ、ビーム停止アレイ８の対応するアパーチャを通過し、そして、ターゲット１１の表面上にスポットとして投影される。このようにして、個々の小ビームが、効果的にオンとオフとを切り替えられることができる。
【００６７】
次に、小ビームは、偏向していない小ビーム２１の方向にほぼ垂直なＸ方向とＹ方向との少なくとも一方に各小ビーム２１の偏向を与えるビーム偏向器アレイ９を通過する。次に、小ビーム２１は、投影レンズ構成体１０を通過して、代表的にはウェーハであるターゲット面の、ターゲット１１上に投影される。
【００６８】
ターゲット上に投影されたスポット内と投影されたスポットの間との両方の電流及び電荷の一貫性及び均質性のために、また、ビーム停止プレート８が小ビームの開放角度を主に決定するので、小ビームがビーム停止アレイに達したとき、ビーム停止アレイ８のアパーチャの直径は、好ましくは、小ビームの直径よりも小さい。一実施の形態では、ビーム停止アレイ８のアパーチャは、５ないし２０μｍの範囲の直径を有し、また、説明された実施の形態でのビーム停止アレイ８に衝突する小ビーム２１の直径は、代表的には、約１５ないし７５μｍの範囲にある。
【００６９】
現在の例でのビーム停止プレート８のアパーチャの直径は、小ビームの横断面を制限する。この直径は、３０ないし７５μｍの範囲内の直径の値、５ないし２０μｍの内の上述の値、特に好ましくは５ないし１０μｍの範囲内にある。このようにして、小ビームの中央部分のみが、ターゲット１１上への投影のために、ビーム停止プレート８を通過することが可能となる。小ビームのこの中央部分は、比較的均一な電荷密度を有する。ビーム停止アレイ８による小ビームの周囲部分のこのようなカットオフもまた、大部分は、ターゲット１１の電流量と同様に、システムのエンドモジュール７に対する小ビームの開放角度を決定する。一実施の形態では、ビーム停止アレイ８のアパーチャは、円形であり、ほぼ均一な開放角度を備えた小ビームをもたらす。
【００７０】
図２は、より詳細なエンドモジュール７の一実施の形態を示しており、ビーム停止アレイ８と、偏向器アレイ９と、ターゲット１１上に電子小ビームを投影する投影レンズ構成体１０と、を示している。小ビーム２１は、ターゲット１１上に投影され、好ましくは、直径約１０ないし３０ナノメートルの、より好ましくは約２０ナノメートルの幾何学的なスポットサイズをもたらす。このようなデザインの投影レンズ構成体１０は、好ましくは、約１００ないし５００倍の縮小を与える。この実施の形態において、図２に示されるように、小ビーム２１の中央部分は、まず、ビーム停止アレイ８を通過する（小ビームは、小ビームブランカアレイ６によって偏向されていないと仮定している）。そして、小ビームは、ビーム偏向器アレイ９の偏向系を形成するように連続して配置された１つの偏向器、又は複数の偏向器を通過する。続いて、小ビーム２１は、投影レンズ構成体１０の電気光学系を通過して、最終的に、ターゲット面でターゲット１１に衝突する。
【００７１】
投影レンズ構成体１０は、図２に示される実施の形態において、静電レンズのアレイを形成するために使用される、連続して配置された３つのプレート１２、１３、１４を有する。これらプレート１２、１３、１４は、好ましくは、これらの中に形成された複数のアパーチャを含むプレート、又は基板を有する。これらアパーチャは、好ましくは、基板を貫通している円形の孔として形成されているが、他の形状が使用されてもよい。一実施の形態では、基板は、半導体チップ産業において周知の処理工程を使用して処理されたシリコン又は他の半導体でできている。これらアパーチャは、通常、例えば、半導体形成業において既知のリソグラフィ及びエッチング技術を使用して基板に形成されることができる。使用されるリソグラフィ及びエッチング技術は、好ましくは、アパーチャの位置、サイズ及び形状の均一性を確実にするために、十分に正確に制御される。この均一性は、各小ビームの焦点と経路とをそれぞれ制御する必要性をなくす。
【００７２】
これらアパーチャの位置決めの均一性、すなわち、アパーチャ間の均一な距離（ピッチ）及び基板の表面上のアパーチャの均一な配置は、ターゲット上に均一なグリッドパターンを発生させる密集して詰められた小ビームを備えたシステムの構成を与える。一実施の形態において、アパーチャ間のピッチが５０ないし５００マイクロメートルの範囲にある場合、ピッチの偏差は、好ましくは、１００ナノメートル以下である。さらに、複数のプレートが使用される場合のシステムでは、各プレートの対応するアパーチャは、位置合わせされる。プレート間のアパーチャの位置合わせミス（misalignment）は、異なる軸に沿った焦点距離の差を引き起こし得る。
【００７３】
アパーチャのサイズの均一性は、アパーチャの位置のところに形成された静電投影レンズに均一性を与える。レンズのサイズの偏差は、集束に偏差をもたらし、この結果、いくつかの小ビームは、ターゲット面に集束し、他は、集束しない。一実施の形態では、５０ないし１５０マイクロメートルの範囲のアパーチャのサイズの場合、サイズの偏差は、好ましくは、１００ナノメートル以下である。
【００７４】
アパーチャの形状の均一性もまた、重要である。円形の孔が使用された場合、孔の丸さ（roundness）の均一性は、両軸で同じであるレンズの焦点距離をもたらす。
【００７５】
基板は、好ましくは、電極を形成するために導電性コーティングで覆われている。この導電性コーティングは、好ましくは、アパーチャのまわりのプレートの表面と、孔の内部のプレートの表面との両方を覆う各基板上に単一の電極を形成する。導電性の自然酸化物を含む金属は、好ましくは、例えば、半導体形成業において周知のプレートを使用して、プレート上に堆積された、モリブデンのような、電極に使用される。電圧は、各アパーチャの位置に形成された静電レンズの形状を制御するために、各電極に印加される。各電極は、完全なアレイのために単一の制御電圧によって制御される。従って、３つの電極で図示されたこの実施の形態では、数千のレンズに対して３つの電圧のみがある。
【００７６】
図２は、これらの電極にそれぞれ印加される電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を有するプレート１２、１３、１４を示している。プレート１２、１３の電極の間、及びプレート１３、１４の間の電圧差は、プレートの各アパーチャの位置で静電レンズを形成する。これは、互いに位置合わせされた、投影レンズ系のアレイを形成するように、アパーチャのアレイの各位置で「垂直な」静電レンズを発生させる。各投影レンズ系は、各プレートのアパーチャのアレイの対応する点に形成された静電レンズを有する。投影レンズ系を形成する静電レンズの各々は、少なくとも１つの小ビームを集束し縮小する単一の効果的な投影レンズとみなされることができ、有効焦点距離と有効縮小とを有する。単一のプレートのみが使用される場合のシステムでは、単一の電圧が、接地面と共に使用されることができ、静電レンズは、プレートの各アパーチャの位置に形成される。
【００７７】
これらアパーチャの均一性の変化は、アパーチャの位置に形成される静電レンズの変化をもたらす。アパーチャの均一性は、均一な静電レンズをもたらす。従って、３つの制御電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は、多くの電子小ビーム２１を集束し縮小する均一な静電レンズのアレイをもたらす。静電レンズの特性は、３つの制御電圧によって制御されるので、全ての小ビームの集束及び縮小量は、これらの３つの電圧の制御によって制御されることができる。このようにして、単一の共通制御信号は、非常に多くの電子小ビームを縮小し集束するための静電レンズの全体のアレイを制御するために使用されることができる。共通制御信号は、各プレートに、又は複数のプレート間の電圧差として与えられることができる。異なる投影レンズ構成体に使用されるプレートの数は、変わってもよいし、共通制御信号の数もまた、変わってもよい。アパーチャが十分に均一な配置及び寸法を有する場合、これは、少なくとも１つの共通制御信号を使用して、電子小ビームの集束及び小ビームの縮小を可能にする。図２の実施の形態では、３つの制御電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を含む３つの共通信号が、かくして、全ての小ビーム２１を集束し、縮小するために使用される。
【００７８】
投影レンズ構成体は、好ましくは、ターゲット面上に小ビームを集束するための全ての集束手段を形成する。これは、それぞれの電子小ビームの焦点と経路との少なくとも一方の補正が必要でないように、小ビームの均一な集束及び縮小を十分に与える投影レンズの均一性によって可能となる。これは、システムの構成を単純化し、システムの制御及び調節を単純化し、システムのサイズを大幅に減少させることによって、システム全体のコスト及び複雑さをかなり減少させる。
【００７９】
一実施の形態では、投影レンズが形成された場合、アパーチャの配置及び寸法は、０．０５％よりもよい焦点距離の均一性を達成するために、少なくとも１つの共通制御信号を使用して電子小ビームの集束を可能にするのに十分な許容範囲内に制御される。投影レンズ系は、所定の公称ピッチで離間されて配置され各電子小ビームは、ターゲットの表面上にスポットを形成するように集束される。プレートのアパーチャの配置及び寸法は、好ましくは、公称ピッチの０．２％未満のターゲットの表面上のスポットの空間分布の変化を達成するのに十分な許容範囲内に制御される。
【００８０】
投影レンズ構成体１０は、プレート１２、１３、１４が互いに接近して位置しており、コンパクトであるので、（電子ビーム光学系で代表的に使用される電圧と比較して）電極に使用される比較的低い電圧にもかかわらず、非常に高い電場を発生させることができる。静電レンズに関して、焦点距離は、電極間の静電場の強さによって分割されたビームのエネルギに比例するものとして評価されることができるので、これらの高い電場は、小さな焦点距離を有する静電投影レンズを発生させる。これに関して、予め１０ｋＶ／ｍｍを実現することができれば、本実施の形態は、好ましくは、第２のプレート１３と第３のプレート１４との間に２５ないし５０ｋＶ／ｍｍの範囲内の電位差を印加する。これらの電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は、好ましくは、第２のプレートと第３のプレート（１３、１４）との間の電圧の差が第１のプレートと第２のプレート（１２、１３）との間の電圧差よりも大きいように設定される。これは、レンズアパーチャ中のプレート１３、１４の間の曲がった破線によって図２に示されるように、各投影レンズ系の有効レンズ面がプレート１３、１４の間に位置されるように、プレート１３、１４の間に形成された、より強いレンズをもたらす。これは、ターゲットに近い有効レンズ面を置き、投影レンズ系がより短い焦点距離を有することを可能にする。さらに、簡略化のために、図２の小ビームは、偏向器９からとして集束されて示されるが、例えば、トレースされた光線の照射でのような、小ビーム２１の集束のより正確な描写は、レンズ系１０の実際のレンズ面が、プレート１３、１４の間にあることを示すことに言及する。また、最も下部のプレート１４とターゲット面１１との間の距離ｄ３は、短い焦点距離に対してこのデザインの非常に小さいことを可能にする。
【００８１】
電極の電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は、好ましくは、電圧Ｖ２が、小ビーム２１の荷電粒子の減速を引き起こす電圧Ｖ１よりも電子源１の電圧に近いように設定される。一実施の形態では、ターゲットは、０Ｖ（接地電位）であり、電子源は、ターゲットに対して約−５ｋＶであり、電圧Ｖ１は、約−４ｋＶであり、電圧Ｖ２は、約−４．３ｋＶである。電圧Ｖ３は、ターゲットに対して約０Ｖであり、ターゲットのトポロジーが平らでないならば、小ビームの中の妨害を引き起こし得るプレート１４とターゲットとの間の強い電場を回避する。プレート（及び投影系の他の構成要素）の間の距離は、好ましくは、小さい。この配置に関して、集束及び縮小投影レンズは、小ビームの抽出された荷電粒子の速度の減少と同様に実現される。約−５ｋＶの電圧の電子源に関して、荷電粒子は、中央電極（プレート１３）によって減速され、続いて、接地電位で所定の電圧を有する底部電極（プレート１４）によって加速される。この減速は、電極の低い電場の使用を可能にする一方、なおも、投影レンズ構成体の所望の縮小及び集束を達成する。従来のシステムで使用されているような、制御電圧Ｖ１、Ｖ２を備えた２つのみの電極よりも、制御電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を備えた３つの電極を有する利点は、小ビームの集束の制御が、小ビーム加速電圧の制御からある程度まで緩和される（decouple）ということである。この緩和は、投影レンズ系が、電圧Ｖ１を変化させることなく、電圧Ｖ２と電圧Ｖ３と間の電圧差を調節することによって調節されることができるので、起こる。従って、電圧Ｖ１と源電圧との間の電圧差は、カラムの上側部分の位置合わせの結果を縮小するように、加速電圧がほぼ一定のままであるように、大部分は不変である。
【００８２】
図２は、さらに、左から右への小ビームの偏向として図２に示された、Ｙ方向の偏向器アレイ９による小ビーム２１の偏向を示している。図２の実施の形態では、偏向器アレイ９のアパーチャは、通過する少なくとも１つの小ビームに対して示されており、電極は、＋Ｖ及び−Ｖの電圧が与えられる電極のアパーチャの対向面に設けられている。電極に電位差を与えることは、アパーチャを通過する単一又は複数の小ビームの偏向を引き起こす。電圧（又は電圧の符号）を動的（ダイナミック）に変更することによって、ここではＹ方向に走査するようにして、（単数又は複数の）小ビームが進行される（sweep）。
【００８３】
Ｙ方向に対する偏向に関して述べられたのと同様にして、Ｘ方向の偏向もまた、前方と後方との少なくとも一方に行われることができる（図２では、Ｘ方向は、紙面の内外に向かう方向である）。説明された実施の形態では、１つの偏向方向が、基板の表面全体にわたって小ビームを走査するために使用されることができ、また、基板は、走査モジュール又は走査ステージを使用して、他の方向に移動される。移動の方向は、好ましくは、Ｙ方向を横切り、Ｘ方向と一致する方向である。
【００８４】
説明されたように、互いに関連しているエンドモジュール７の偏向器及びレンズの配置は、粒子光学の技術において一般に予期されるものと異なる。代表的には、偏向器は、投影レンズの後に位置されるので、まず、集束が行なわれ、そして、集束された小ビームが偏向される。最初に小ビームを偏向し、そして、それを集束することは、図２並びに図３のシステムでのように、投影レンズの光軸に対して所定の角度で、軸に向かって投影レンズに入る小ビームをもたらす。後者の構成体は、偏向された小ビームのかなりの軸外れ（off-axis）を生じ得ることは、当業者に明らかである。
【００８５】
リソグラフィのための投影系のアプリケーションでは、小ビームは、数十ナノメートルのスポットサイズで、ナノメートルのサイズの精度で、及びナノメートルのオーダの位置精度で、極めて高い精度で集束され位置されるべきである。本発明者らは、例えば、小ビームの光軸から離れた数百ナノメートルの、集束された小ビームの偏向が、小ビームの光軸から離れるように（out-of-focus）容易にもたらすことを実現した。精度の要求を満たすために、これは、偏向量を厳しく制限するか、小ビームが、ターゲット１１の表面のところで焦点を急速に外す。
【００８６】
上述のように、リソグラフィシステムでの使用の観点で投影レンズ構成体の目的を達成するために、投影レンズ系の有効焦点距離は短く、また、投影レンズ系のレンズ面は、ターゲット面に非常に近接して位置される。かくして、投影レンズと、小ビーム偏向系のターゲット面との間に残っているスペースがほとんどない。本発明者らは、このような構成体で軸外収差（off-axis aberration）が明白に発生するにもかかわらず、焦点距離が、いかなる偏向器又は偏向系が投影レンズの前に位置されるべきであるこのような制限された大きさであるべきであることを認識した。
【００８７】
上流側の偏向器アレイ９及び下流側の投影レンズ構成体１０の図１並びに図２に示される配置は、さらに、各投影レンズ系が１つの小ビームのみ（又は少数の小ビーム）を集束する場合のシステムにおいて、特に、少なくとも約１００倍の、好ましくは約３５０倍の小ビームのサイズの減少（縮小）を与えるために、小ビーム２１の強い集束を与える。各投影レンズ系がグループの、好ましくは１０ないし１００の小ビームのグループを集束する場合のシステムでは、各投影レンズ系は、少なくとも約２５倍の、好ましくは約５０倍の縮小を与える。この高い縮小は、投影レンズ構成体１０の前（上流側）のアパーチャ及びレンズの精度に関する要求が、かなり減少され、かくして、コストを削減したリソグラフィ装置の構成を可能にするという他の利点を有する。この構成体の他の利点は、系全体のカラムの長さ（高さ）がかなり減少されることができるということある。これに関して、制限された高さの投影コラムに達するように、好ましくは、ターゲットから電子源で１メートル未満の、より好ましくは約１５０ないし７００ｍｍの高さの、焦点距離が小さく縮小ファクタの大きい投影レンズが好ましい。短いカラムのこのデザインは、リソグラフィシステムを装着したり収容したりするのをより簡単にし、また、さらに、制限されたコラムの高さ及びより短い小ビームの経路により、個々の小ビームの流れの影響を低減する。より小さな流れは、小ビームの位置合わせの問題を低減し、より簡単でそれほど高価でないデザインが使用されることを可能にする。しかし、この配置は、エンドモジュールのさまざまな構成要素にさらなる要求を課す。
【００８８】
投影系の上流側に位置された偏向系に関して、偏向された小ビームは、もはやその光軸のところで投影系を通過しない。かくして、ターゲット面に集束された偏向されていない小ビームは、偏向されたとき、ターゲット面のところで集束しない（out-of-focus）。小ビームの偏向による焦点外れの影響を制限するために、一実施の形態のエンドモジュールでは、偏向器アレイ９は、投影レンズアレイ１０にできるだけ近接して配置される。このようにして、偏向された小ビームは、これら小ビームが投影レンズアレイを通過したとき、なおも、これらの偏向していない光軸に比較的接近する。好ましくは、偏向器アレイは、投影レンズアレイ１０から０ないし約５ｍｍのところに位置されるか、好ましくは、投影レンズから絶縁して維持されながらできるだけ近接している。実際のデザインでは、配線を収容するために、０．５ｍｍの距離が使用されることができる。
【００８９】
上で説明されたような配置に関して、投影レンズ系１０の主レンズ面は、好ましくは、２つのプレート１３、１４の間に位置されている。上で説明された実施の形態によるシステムでの荷電粒子の全体のエネルギは、既に述べたように、比較的低く保たれる。電子ビームに関して、例えば、エネルギは、好ましくは、約１０ｋｅＶまでの範囲にある。このようにして、ターゲットでの熱の発生は、低減される。しかし、荷電粒子のこのような低いエネルギで、系の色収差は増加する。これは、この損傷効果を和らげる特定の手段を必要とする。これらのうちの１つは、投影レンズ構成体１０で既に述べられた比較的高い静電場である。高い静電場は、短い焦点距離を有する静電レンズの形成をもたらし、この結果、レンズは低い色収差を有する。
【００９０】
色収差は、焦点距離にほぼ比例する。色収差を低減し、かつターゲット面上に電子ビームの適切な投影を与えるために、光学系の焦点距離は、好ましくは、１ミリメートル以下に制限される。さらに、本発明によるレンズ系１０の最後のプレート１４は、レンズの内側にある焦点面のない小さな焦点距離を与えるように、非常に薄く形成される。プレート１４の厚さは、好ましくは、約５０ないし２００μｍの範囲内にある。
【００９１】
上で述べられた理由のために、比較的強い縮小を得、できるだけ低い収差を維持するように、加速電圧を比較的低く維持することが望ましい。これらの矛盾する要求を満たすために、構成体は、互いに近接した投影レンズ系のレンズを有することが想像される。この新しい概念は、投影レンズの下側電極１４が、偏向器が好ましくは投影レンズの前に位置されている影響に関して、好ましくは、ターゲット面にできるだけ近接していることを必要とする。エンドモジュール７の配置によって引き起こされる収差を緩和するための他の手段は、最小の相互距離で偏向器９と投影レンズ構成体１０とを位置することである。
【００９２】
上に示されたような、レンズアレイの相互距離は、かなり縮小化された特性である。これに関して、プレート１２、１３、１４の間の相互距離は、プレート１３の厚さと同じオーダの大きさである。好ましい一実施の形態では、これらの相互距離は、約１００ないし２００μｍの範囲にある。最後のプレート１４からターゲット面への距離は、好ましくは、短い焦点距離を与えるように、プレート間の距離よりも小さい。しかし、最小距離は、ウェーハの機械的な動きの割り当てを与えるために、プレート１４の下面とウェーハの表面との間に必要とされる。ここに示される実施の形態では、最後のプレート１４からターゲット面１４までの距離は、約５０ないし１００μｍである。一実施の形態では、プレート１３と１４との間の距離は、約２００μｍであり、プレート１４とターゲット面との間の距離は、約５０μｍである。これらの距離は、偏向された小ビームを通過させ、かつ、少なくとも１つの小ビームを集束させるように、電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３と、プレート１２、１３、１４のアパーチャ１８のサイズとに関連している。
【００９３】
図示されるようなエンドモジュール７のデザインでは、プレート１２、１３、１４の好ましくは約５ないし２０μｍの直径を有するレンズのアパーチャの直径は、ビーム停止アレイ８の同軸に位置合わせされたアパーチャの直径よりも数倍大きい。この直径は、好ましくは、約５０ないし１５０μｍの範囲にある。一実施の形態では、この直径は、約１００μｍであり、ビーム停止アレイのアパーチャの直径は、約１５μｍである。
【００９４】
さらに、本デザインでは、プレート１３の中央基板は、好ましくは、約５０ないし５００μｍの範囲の、最も厚い厚さを有する。プレート１２の基板の厚さは、好ましくは、約５０ないし３００μｍであり、また、プレート１４の基板の厚さは、相対的に最も小さく、好ましくは、５０ないし２００μｍである。一実施の形態では、プレート１３の基板の厚さは、約２００μｍであり、また、プレート１２の基板の厚さは、約１５０μｍであり、プレート１４の基板の厚さは、約１５０μｍである。
【００９５】
特定のスループット（すなわち、毎時露光されたウェーハの特定の数）を達成するのに必要な小ビームの全電流は、必要なドーズ、ウェーハの領域並びにオーバーヘッド時間（例えば、露光のために新しいウェーハを所定の位置に移動させるための時間）に依存する。ショットノイズを制限するシステムにおいて必要なドーズは、他のファクタの中でも、必要なフィーチャサイズ及び均一性、及びビームのエネルギに依存する。
【００９６】
電子ビームリソグラフィを使用してレジストに所定のフィーチャサイズ（限界寸法、すなわちＣＤ）を得るために、所定の解像度が必要とされる。この解像度は、ビームのサイズと、レジストへの電子の散乱と、酸の拡散と組み合わせた二次電子の平均自由行程と、の３つの寄与によって決定される。これらの３つの寄与は、全体のスポットサイズを決定するために、二次の関係で加算される。もちろん、これらの３つの寄与のうち、ビームのサイズ及び散乱は、加速電圧に依存する。レジストのフィーチャを解決するために、全体のスポットサイズは、所望のフィーチャサイズ（ＣＤ）と同じオーダの大きさであるべきである。ＣＤだけでなくＣＤの均一性も、実際のアプリケーションにとって重要であり、後者の要求は、実際の必要なスポットサイズを決定する。
【００９７】
電子ビーム系に関して、最大の単一のビーム電流は、スポットサイズによって決定される。小さなスポットサイズに関して、電流もまた、非常に小さい。よいＣＤの均一性を得るために、必要なスポットサイズは、高スループットを得るのに必要な電流よりもはるかに少なく単一のビーム電流を制限する。従って、多くの小ビームが必要とされる（代表的には、毎時１０のウェーハのスループットのために１０，０００以上）。電子ビーム系に関して、１つのレンズを通る全電流は、電子間のクーロン相互作用によって制限され、この結果、制限されたビームの数は、１つのレンズと１つのクロスオーバ点との少なくとも一方を通って送られることができる。従って、これは、高スループットのシステムでのレンズの数がさらに多い必要があることを意味している。
【００９８】
好ましい実施の形態では、多くの低いエネルギの小ビームの非常に密集した配置が達成され、この結果、複数の小ビームが、代表的なウェーハ露光フィールドのサイズに匹敵するサイズで所定の領域に詰められることができる。
【００９９】
プレート１２、１３、１４の複数のアパーチャのピッチは、小さな領域にできるだけ多くの静電レンズを形成するように、できるだけ小さいことが好ましい。これは、高密度な小ビームを与える。高密度の配置で互いに近接して離間された多くの小ビームもまた、ターゲット面にわたって走査されなければならない小ビームの距離を減少させる。しかし、アパーチャの所定のボアサイズのピッチの減少は、製造によって、また、アパーチャ間の小さな距離によりプレートが脆弱になりすぎるときに引き起こされる構造上の問題、及び近接レンズのフリンジの場によって引き起こされ得る収差によって、制限される。
【０１００】
マルチ小ビーム荷電粒子システムは、スポットサイズをかなり縮小し、また、同時に、システムに発生される電流をかなり増加させるように意図されている。このようにする際に、システムの電流を増加させることによって、ターゲット上の全電流もまた、ショットノイズの発達を制限するように増加されることもまた理解される。しかし、同時に、平方限界寸法当たり（すなわち、ＣＤの２乗の面積の単位当たり）のターゲット面に衝突する電子の数は、一定に維持されるべきである。これらの要求は、以下に詳述されるように、荷電粒子システムのデザインに修正を必要とする。また、最適な性能のために、例えば、代表的には、３０μｍ／ｃｍ２からの、値を２倍にするために現在行われているような、比較的高感度のレジストを備えたターゲットが必要とされる。この点に関して、実際のスポットサイズは、用語をより想像しやすいように、使用されるテキストのリマインダとして「点広がり関数」の代わりに対応していることが明示される。本発明に従う概念の他の実際の態様は、スポットサイズがＣＤサイズの大きさのオーダになるということである。
【０１０１】
縮小されたスポットサイズが所望の性能を達成するために必要とされるのみならず、小ビームの縮小された点広がり関数は、十分な露光寛容度を維持するために必要とされる。十分な露光寛容度は、近傍の小ビームの周辺のガウス形の部分によって通常引き起こされるような、露光のベースかバックグラウンドのレベルと比較して、小ビームからターゲットへのピーク露光レベルの比較的高い比率を必要とする。しかし、より小さな点広がり関数を有する小ビームを発生させるようなシステムをデザインすることは、各小ビームによってターゲットに与えられることができる荷電粒子の流れをかなり減少させる。使用される荷電粒子源の明るさに関係なく、縮小されたスポットサイズ、増加した流れ及び縮小された点広がり関数の前述の要求は、同じウェーハのスループットでの限界寸法の縮小と比較して、システムの小ビームの数をかなり線形増加させることを意味している。
【０１０２】
システムの小ビームの数のかなりの増加の要求は、マルチ小ビームリソグラフィシステムの投影光学の制限された物理的な寸法により、実用上の問題を生じる。このようなシステムの投影光学は、代表的には、例えば、システムによって露光されるターゲットのフィールドを受けるように、サイズを制限される。投影光学、すなわちエンド投影モジュールが実用的なデザインを占めることができる比較的小さな面積内で物理的に実現されることができるレンズの数には制限がある。達成される縮小された限界寸法で、既知の技術を使用してこれらの寸法内で構成されることができるレンズの数は、所望のウェーハのスループットを達成するために必要な小ビームの数よりもかなり少ない。
【０１０３】
１つの解決策は、１つのコンデンサレンズ、又は１連のコンデンサレンズを使用してアパーチャアレイ４の像を縮小し、これによって、小ビームのピッチも減少させることである。しかし、この解決策は、代表的には、全ての小ビームの共通のクロスオーバをもたらし、これは、かなりの量（大きさ）の収差を引き起こす。これは、特に、現在の要求の観点では、望ましくなく、また、この収差を打ち消すためには、システムをさらに複雑にするであろう。本発明は、小ビームの共通のクロスオーバを回避し、かくして、多くのクロスオーバのアパーチャアレイ４の像の必要な縮小を分割することによって、この欠点を回避し、これによって、各クロスオーバのエネルギを制限する。これは、システムの収差の量をより釣り合うように制限する効果を有する。これは、ターゲット上に投影するために単一の投影レンズ系に向かって複数の小ビームを導くために、例えば、グループ偏向器アレイかコンデンサレンズアレイであるシステムにアレイマニュピレータを加えることによって達成される。
【０１０４】
前述のパラグラフに導入された主要な解決策は、以下のさまざまな例に沿って図示される。これは、図１の概念に適用されるものに対応する技術の使用を可能にし、システムの収差を最小限にし、また、システムの小ビームの数の不釣り合いな増加を可能にする。投影レンズ当たり複数の小ビームを使用するこの主要な解決策は、エンドモジュール７の偏向器アレイ９の偏向動作を果す偏向された小ビームの起源の仮想点が発生されて、仮想の小ビームが描画されるという事実の認識の後に見つかった。この概念は、このような仮想の小ビームは、１つの実際の小ビームか複数の実際の小ビームによって同様に置き換えられることができるというアイディアに至る。実際には、単一の投影レンズ系を通る複合的な実際の小ビームのアプリケーションは、特に、システムの全小ビームが投影レンズ系の多重度にわたって分配されるところで、収差の量を妨害することなく、可能であるように思える。
【０１０５】
各投影レンズ系によって導かれた複数の小ビームの一部又は全てが、動作中、いかなる点でもブランキングされることができるので、本発明に従うシステムもまた、パターン化された小ビームシステムと称される。このパターン化された小ビームシステムは、一緒に配置された多くの小型化された描画システムと見なされることができる。
【０１０６】
図３は、システムの小ビームの数の増加を可能にするための、本発明に従うデザインの一実施の形態を示しており、これは、ウェーハでの増加された電流と、縮小されたスポットサイズとの少なくとも一方を与える。この実施の形態では、グループ偏向器アレイ６Ｇは、コンデンサレンズアレイ５と小ビームブランカアレイ６との間に、図１のシステムの小ビームブランカアレイ６の上に設けられているが、このグループ偏向器アレイ６Ｇは、アレイ６の下に位置されてもよい。グループ偏向器アレイ６Ｇは、ビーム停止アレイ８の開口を通って、及び各開口の下に形成された対応する投影レンズ系を通って、エンドモジュール（投影モジュール）７に向かって、グループの複数の小ビームを偏向する偏向素子のアレイを有する。
【０１０７】
グループ偏向器アレイ６Ｇは、好ましくは、アパーチャアレイ４、コンデンサレンズアレイ５及び小ビームブランカアレイ６の複数のアパーチャに対応する位置で、これらの中に形成された複数のアパーチャのアレイを備えた少なくとも１つのプレートを有する。複数の電極が、図１８並びに図１９により詳細に示されるように、各アパーチャの位置に形成されている。グループ偏向器６Ｇの各素子（要素）は、エンドモジュール７のアレイ投影レンズ系の特定の投影レンズに向かって、少なくとも１つの小ビーム２１を偏向させるように動作する。図３は、偏向器アレイ６Ｇによって偏向された３つの小ビームの３つのグループを示しており、これら３つの小ビームは、エンドモジュール７の各投影レンズ系を通って導かれる。従って、この実施の形態では、アパーチャアレイ４、コンデンサレンズアレイ５、グループ偏向器アレイ６Ｇ及び小ビームブランカアレイ６には、エンドモジュール７に形成された投影レンズ系の３倍のアパーチャがある。
【０１０８】
投影レンズ系当たり３つの小ビームが図３に示されるが、投影レンズ系当たりの他の数の小ビームも使用されることができる。また、１００まで、又はこれ以上の小ビームのグループが、各投影レンズ系によって導かれることができる。好ましい実施の形態では、７×７のアレイの４９の小ビームのグループが、各投影レンズ系によって偏向される。
【０１０９】
図３は、アレイ４、５、６Ｇ及び６がエンドモジュール７とほぼ同じサイズであるとして示しているが、これらは、特に、エンドモジュール７と比較してアレイ４、５、６Ｇ及び６のかなり多くのアパーチャを必要とする投影レンズ系当たりの多くの小ビームを有するデザインに対して、より大きいことができる。
【０１１０】
好ましくは、小ビームの開放角度を規定しているビーム停止アレイ８の複数のアパーチャは、あたかもこれらが単一の小ビームのみを制限するかのように、比較的小さい。より大きな偏向の経路を必要とするより大きなアパーチャは、ブランキングされた小ビームの部分的なブランキングのみによって引き起こされる「テール」効果をより受けやすく、小ビームをブランキングするためのビーム停止アレイ８で利用可能な制限されたスペースをさらに減少させる。
【０１１１】
原理上、小ビームの各グループは、ビーム停止アレイ８の適切なアパーチャのところか、適切な投影レンズ系の有効レンズ面のところに集中される（すなわち、これらが交差しクロスオーバする単一の点に導かれる）ことができる。実際には、ビーム停止アレイのところに小ビームを集中させることは、レンズの誤差を発生させ得、また、投影レンズの有効レンズ面のところに小ビームを集中させることは、線量の誤差を引き起こし得るので、この集中は、これらの２点の間のどこかにある。
【０１１２】
各投影レンズ系を通過する複数の小ビームを有するこのデザインでは、荷電粒子光学スリットは、小ビームの規則的なアレイからではなく、小ビームのグループの規則的なアレイからなる。小ビームは、グループ偏向器アレイ６Ｇを通過した後、小ビームブランカアレイ６によって偏向されることができることに注目する。いかなる瞬間でも、グループのいくつかのビームが、ビーム停止アレイ８の対応する開口を通って導かれて、ターゲット上に投影されることができ、また、他の小ビームは、小ビームブランカアレイ６によって、さらなる量だけ偏向される。このさらなる偏向は、これら小ビームが、ビーム停止アレイ８の開口を外すようにするので、これらは、ターゲットに到達するのをブロックされ、これによって、前述されたように、ブランキングされる、又は「スイッチがオフされる」。従って、小ビームの各グループは、ビームブランカアレイ６によって決定されたパターンを露光し、各グループは、単一のパターン化された小ビームと見なされることができる。
【０１１３】
図１１Ａ並びに図１１Ｂは、小ビームのグループの基本的な概念及び洞察を説明するための、エンドモジュール７の小ビームの経路の概略図である。図１１Ａは、投影レンズ系当たりの単一の小ビームを有するシステムを示している。ビーム停止アレイ８のアパーチャを通過した単一の小ビーム２１は、偏向器アレイ９によって偏向されて、投影レンズ構成体１０によって集束される。偏向された小ビームは、実際の小ビーム２１とは異なる起源から、所定の傾斜角度で到達する個々の「仮想」小ビームと見なされることができる。例えば、小ビーム２１が左に偏向されたとき、所定の位置から小ビーム２１の実際の起源の右に生じる仮想小ビーム２１Ｖと見なされることができ、また、同様に、小ビーム２１が右に偏向されたとき、所定の位置から小ビーム２１の実際の起源の左に生じる仮想小ビーム２１Ｖと見なされることができる。図１１Ｂは、投影レンズ系当たり３つの小ビームを有するシステムを示している。各小ビームは、個々の点から始まり、異なる角度で投影レンズ系を通過する。ネット効果は、電流が図１１Ｂのシステムでの３倍大きい以外は、単一の偏向された小ビームと同じである。偏向器アレイ９の上のアパーチャプレート８は、図示されるような複数のアパーチャ２３を有するか、単一の比較的大きなアパーチャを有するか、複合的な複数の小ビームを受けるための特定の形状を有するパターン化された開口を有することができる。
【０１１４】
図１３は、投影レンズ系当たりの複合的な複数の小ビームを備えた説明される構成体の効果を示すための概略図である。図１３Ａは、実際には、代表的には２μｍ付近であることができる大きさＷｄの正方形の偏向場を示しており、これは、１０ｎｍの幾何学的なスポットサイズの直径を備えた代表的なガウス形の小ビームスポット１６Ａを含む。偏向場を露光するためにこの小ビームスポットを使用して、およそ２０ｐｐｍの偏向場のみが、いかなる瞬間でも露光される。
【０１１５】
図１３Ｂは、提案されるデザインを有する、パターン化された小ビーム１６Ｂによって露光された偏向場を示している。偏向場の約２０％まで、理論的には、パターン化された小ビームによって同時に露光されることができる。実際には、２００倍まで、改良が、図１３Ｂによって概略的に示されるように達成されることができる。この例では、１６×１６のアレイの比較的小さなスポットが示される（アレイの表示は、明瞭にするために図面では不釣り合いに大きく見える）。１つの投影レンズによって同時に描画されることができる小ビームの数の増加は、改良された小ビームの強度と共に、例えば、投影の限界寸法の手段によって表現される、かなり進展した技術ノードで、システムのかなり高められたスループットの維持をもたらす。
【０１１６】
図１８Ａ並びに図１８Ｂは、図３のグループ偏向器アレイ６Ｇとビームブランカアレイ６との少なくとも一方の偏向器の一実施の形態の概略図である。アパーチャのアレイは、好ましくは、プレートを貫通した円形の孔として形成される。一実施の形態では、プレートは、シリコン又は他の半導体材料で形成されており、半導体産業において周知の処理工程を使用して処理されている。これらアパーチャは、例えば、半導体産業で既知のリソグラフィ及びエッチング技術を使用して形成されることができる。投影レンズ構成体１０のプレートにも同様に、使用されるリソグラフィ及びエッチング技術は、好ましくは、アパーチャの位置、サイズ及び形状の均一性を確実にするように、十分に正確に制御される。図１８Ａは、ビームブランカアレイ６又はグループ偏向器アレイ６Ｇの１つの要素を有する単一の偏向器３０Ａを示している。
【０１１７】
偏向器３Ａは、Ｗｏ×Ｗｏの寸法の割り当てられた正方形の面積内に形成されている。偏向器要素は、スイッチング電極３２と、グランド電極３４と、を有し、偏向された小ビームが通過することができる貫通孔３３が、これらの近傍に配置されている。これら電極は、この実施形態では簡単な矩形の形状として図示されているが、スイッチング電極３２は、直線状の要素であることができ、また、グランド電極３４は、Ｕ字の形状に形成されることができる。しかし、貫通孔３３の形状に一致する丸い、又は少なくとも凹形状が好ましい。このような丸いエッジのデザインは、よりコンパクトなデザインを与え、アレイの偏向器要素の構成体を簡単にし、また、いくつかの実施の形態で使用されることができるスイッチングエレクトロニクスを含むことを簡単にする。
【０１１８】
スイッチング電極３２は、アパーチャ３３を通過する小ビームを偏向するのに十分な電磁場を発生させる電気信号を受信して、小ビームは、ビーム停止アレイ８の対応するアパーチャを通過し、そして、対応する投影レンズ系を通過する（ビームブランカアレイ６もまた、小ビームを偏向しない限り、小ビームは、ビーム停止アレイ８のアパーチャを外れ、ブランキングされる）。
【０１１９】
他の実施の形態では、２つの電極は、２つの同一のミラー像電極としてデザインされ、２つの電極の一方がスイッチング電極として設定され、他方がグランド電極として動作することが可能であるように、スイッチング電極と共に使用されることができる。これは、特に、組み合せられたグループ偏向器及びビームブランカアレイを備えた実施の形態での効果である。いくつかの場合には、「さらなる前方に」よりもむしろ「後方に」偏向することが有益であることができる。２つのタイプの偏向器は、例えば、小ビームをブランキングするために「さらなる前方に」偏向するグループ偏向器／ビームブランカアレイの中央グループと、ブランキングするために「後方に」偏向する周辺のグループと混合されることができる。
【０１２０】
図１８Ｂは、偏向器要素のアレイ３０Ａの一部の概略図である。個々の電気接続は、各偏向器要素の各スイッチング電極３２に形成される。これらの配線接続は、通常のリソグラフィ及びエッチング技術を使用して、グループ偏向器アレイのプレートの表面に、伝導性構造として、例えば、電気制御線３５を形成することによって形成されることができる。図示された例において、７×７の偏向器のグループは、４９の電気制御線３５を必要とする。制御線は、好ましくは、図示されるような偏向器グループの対向側に向かって延びている。
【０１２１】
図１９Ａ並びに図１９Ｂは、図３のグループ偏向器アレイ６Ｇとビームブランカアレイ６との少なくとも一方の代わりの実施の形態の概略図である。図１９Ａは、ビームブランカアレイ６又はグループ偏向器アレイ６Ｇの１つの要素を有する単一の偏向器３０Ｂを示している。この実施の形態では、Ｗｏ×Ｗｏの寸法の制限内の利用可能なスペースが、制御線３６Ａ及び横方向に向けられた制御線３６Ｂを形成するために利用される。メモリセル３１は、好ましくは、これらの制御線の交差するところに形成される。メモリセルは、さまざまな既知の構造を使用することができ、半導体産業において周知の技術を使用して形成されることができる。メモリセルは、スイッチング電極３２に接続され、メモリセルに格納された電気信号が、メモリセルに残っている限り、スイッチング電極に与えられる。
【０１２２】
図１９Ｂは、偏向器要素３０Ｂのアレイの一部を示している。制御線は、従来のリソグラフィ及びエッチング技術を使用して、好ましくは、グループ化された偏向器６Ｇのプレートの表面に形成された、垂直及び水平な誘導バスラインとして延ばされる。図示される例では、７×７の偏向器のグループは、７×７の制御線のグリッドを必要とし、合計１４の制御線がある。制御線３６は、好ましくは、偏向器グループの適切な側に向かって、横切る方向に延びている。アレイの各メモリセルは、ＤＲＡＭ又は他の半導体メモリ技術で使用されるような、ビットライン及びワードラインのアドレス方法を使用して、対応する行と列のバスラインに電気信号を与えることによってアドレスされることができる。各メモリセルにかくして記憶された信号は、メモリセルに対応するアパーチャ３３を通過する小ビームの偏向を制御する。
【０１２３】
図２０は、図１９Ａに示されるような偏向デバイスの一部の回路図を示している。この部分は、偏向器３０に接続されたメモリセル３１を有する。このメモリセル３１は、第１及び第２の制御線３６Ａ、３６Ｂの交差する点に位置されている。これは、好ましくは、図１９Ｂに示されるようなアレイ内にある。この実施の形態では、メモリセル３１は、記憶素子１３２と、スイッチング素子１３１と、増幅器１３３と、を有する。第１の制御線３６Ａは、ここでは、データ線、すなわち記憶素子１３２に書かれている制御信号を伝達する制御線である。また、第２の制御線３６Ｂは、ここでは、新たな（fresh）制御信号で書かれることになっているアレイ内のメモリセル３１を規定している制御線である。
【０１２４】
メモリセル３１は、以下のようにして動作される。第２の制御線３６Ｂがスイッチング素子１３１に電圧を与えたとき、この素子１３１は、閉じる。結果として、第１の制
御線３６Ａにある制御信号は、スイッチング素子１３１を通過して、記憶素子１３２にロードされる。その後、第２の制御線３６Ｂの電圧が取り除かれたとき、スイッチング素子１３１が開く。記憶素子１３２は、この例ではキャパシタであり、スイッチング素子１３１の出力とグランド線との間に結合されている。キャパシタ１３２は、増幅器１３３に固有の寄生キャパシタであることができるが、代わって、内部金属（intermetal）キャパシタ、又はＭＯＳトランジスタのタイプのキャパシタのような他のタイプであってもよい。このタイプの記憶素子１３２では、制御信号は、増幅器１３３の入力に継続的に供給される。制御信号は、偏向器３０のスイッチング電極に偏向電圧を与えるように、増幅器１３３に使用される。１つの実行では、増幅器１３３は、インバータを有する。記憶素子１３２から読み出された制御信号が十分に高い限り、偏向電圧は偏向器のスイッチング電極に与えられる。この実行は、記憶素子１３２から読み出された制御信号が効果的にデジタル化されるという利点を有することがわかる。結果として、増幅器１３３は、スイッチング電極に偏向電圧を与えるか、偏向電圧を全く与えないかのどちらかである。記憶素子１３２から出力された制御信号は、漏電によりアナログプロフィールを有してもよいことが気付かれる。
【０１２５】
図２１は、代わりの構成における、図１９Ａに示されるような偏向デバイスの部分の回路図である。このメモリセル３０のスイッチング素子１３１は、図２０に示される構成でよりも大きな回路である。この実施の形態中の記憶素子１３２は、フリップフロップタイプの素子、ＳＲＡＭなどである。この素子１３２は、スイッチング素子１３１によって能動的に読み取られる。図２０の構成のように、メモリセル３１は、制御線３６Ａ及び３６Ｂの交差するところ（交差点）に与えられる。第２の制御線３６Ｂによって与えられる信号は、スイッチング素子１３１を、記憶素子１３２に制御信号をロードするためのプログラミングモードにもたらすために使用される。制御線３６Ａによって記憶素子１３２に与えられる制御信号をロードした後に、スイッチング素子１３１は、読み取りモードに戻される。この読み取りモードにおいて、制御信号は、増幅器１３３にほぼ継続的に与えられる。これは、制御線３６Ａによって得られる制御信号がそのように規定されれば、偏向電圧が、第１のブランキング期間中に偏向器に与えられることを確実にする。この実施の形態は、さらに、記憶素子１３２から読み出された制御信号が効果的にデジタル化され、第１のブランキング期間にわたって維持されるという利点を有する。
【０１２６】
本発明の一態様によれば、図１８Ｂ並びに図１９Ｂに示されるようなアレイ中の異なる複数の偏向器３０は、異なる方向に偏向させる。この態様は、適切には、図３並びに図４に示されるように、グループ偏向器アレイ６Ｇに与えられる。これは、さらに適切には、小ビームブランカ６に与えられる。
【０１２７】
グループ偏向器アレイ６Ｇは、非均一な偏向動作を果す個々の偏向器要素のグループ状の（group-wise）構成体を使用する。前記小ビームは、偏向器アレイ９又は小ビームブランカアレイ６を進行する、つまり走査することによってのように、単一方向に均一に偏向されない。各グループ内の複数の小ビームは、単一の収束点に偏向され、各グループは、異なる収束点に向かって導かれる。
【０１２８】
図２２は、本発明によって可能な「後方に」及び「さらに前方に」の偏向の概念を詳細に説明している。図２３は、単一の収束点への偏向のための可能な偏向器の配置を示している。
【０１２９】
図２２は、本発明に従うブランカの概略図である。これは、より正確には、ブランカを通って延びた鉛直面での横断面図である。ブランカは、複数のアパーチャを有するブランカアレイ６と、ビーム停止アレイ８と、を有する。参照のために、ターゲット１１もまた示されている。図は、スケールが合せられていない。明瞭にするために、小ビーム２１ａ、２１ｂ及び２１ｃのアパーチャを含むアレイのセクションのみが示される。これら小ビーム２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、１つのグループの部分を形成している。現在のブランカは、各グループの共通の収束点Ｐに向かって、小ビーム２１ａ、２１ｂ、２１ｃのグループを収束させるための小ビームマニュピレータを有するシステムのために意図されている。この共通の収束点Ｐは、小ビーム２１ａ、２１ｂ、２１ｃのグループの光軸Ｏ上に位置されている。ビームマニュピレータ中のビームを操作した結果として、小ビーム２１ａ、２１ｃは、収束している。これら小ビーム２１ａ、２１ｃは、小ビームの光線と前記光軸Ｏとの間に延びた入射角α、γを有する。破線２１ａ−、２１ａ＋、２１ｂ＋、２１ｃ−は、これら小ビームがブランキングアレイ６のブランキング偏向器で偏向されたときの、小ビーム２１ａ、２１ｂ、２１ｃの向きを示している。小ビーム２１ｃは、ここでは、向き２１ｃ−へと後方に偏向される。この入射角γは、ブランキング偏向器の動作によって減少される。小ビーム２１ｂは、効果的には、方向２１ｂ＋に向かって偏向される。さらに、小ビーム２１ｂ及び２１ｃは、少なくともこの図の面で互いに対向方向（逆方向）に偏向される。小ビーム２１ａに関して、２つの偏向方向である、後方への方向２１ａ−と、さらなる前方への方向２１ａ＋と、が示されている。この例では、さらなる前方方向２１ａ＋は、ビーム停止アレイ８を通過するので、適切ではない。しかし、これは、この図２２に示される特定の例の結果である。
【０１３０】
図２３は、ブランカアレイ６の一実施の形態の概略図である。上述したように、このアレイは、代わって、グループ偏向器アレイ６Ｇであることができる。この図は、中心に位置された光軸Ｏを中心とした個々の偏向器３０の放射状（径方向）の配置を示している。このような向きは、光学系の組合せに最も適しており、ブランカアレイ６を通過する全てのグループの小ビームは、光軸Ｏ上の共通の収束点に収束する。この実施の形態では、個々の偏向器３０の電極３２、３４は、回転されるので、偏向されたとき、小ビームは、光軸上の収束点に収束する線に沿って導かれる。径方向の線に沿ったこの偏向は、他の小ビームのいかなる妨害やビーム停止を通る偏向された小ビームのいかなる望ましくない通過も防ぐのに有益であることがわかる。小ビーム間の、及び小ビームのグループ間の側方の距離は、小ビームブランカアレイ６とビーム停止アレイ８との間の垂直距離と比較して小さく、このような妨害や望ましくない通過は、重要であり得る。この図２３は、光軸Ｏの近傍に偏向器３０のない領域を示唆しているが、これは、実施の形態の必要な特徴部分ではない。
【０１３１】
図２３は、偏向器３０が少なくとも１つの凹面の電極３２、３４を有するという本発明のさらなる態様を示している。適切には、この実施の形態でのように、両電極３２、３４は、凹形状を有する。ここには図示されないが、複数のアパーチャが、電極３２、３４の間のブランカアレイ６を通って延びている。このような凹形状は、円筒状のアパーチャに一致する形状を有する電極３２、３４をもたらす。この円筒状のアパーチャの形状は、それ自体で、非点収差のような、所定の光学収差の導入を防ぐのに適している。
【０１３２】
代わりの実施の形態では、グループ偏向器アレイ６Ｇとビームブランカアレイ６とは、１つの一体ユニット（integrated unit）に一体化されることができる。この実施の形態では、一体化されたグループ偏向器／ブランカは、ビーム停止アレイ８の特定の開口に各グループのブランキングされていない小ビームを偏向するように動作し、また、各グループのブランキングされる小ビームは、幾分強く（又は弱く、又は変更された方向に）偏向し、この結果、これらは、好ましくは小ビームのグループの適切な開口の近くに、ビーム停止アレイ８にぶつかる。グループ偏向器／ブランカは、信号が与えられなければ、小ビームをブランキングするように設定されることができ、また、信号が与えられたとき、エンドモジュールに向かって小ビームを集中させる。しかし、これは、小ビームのグループの継続的な偏向を維持するために、組み合わせられたグループ偏向器／ブランカの信号線に所定の電圧ポテンシャルを維持することを必要とする。従って、個々に制御されたアレイとして構成されたグループ偏向器アレイ６Ｇとビームブランカアレイ６とを有することが好ましく、好ましくは、互いに近傍に配置される。これは、容易に維持されるグランド電圧が小ビームを通過させるために、ビームブランカへと、制御線に印加される構成体を与え（すなわち、「通常オフの」ビームブランカアレイ）、前記グループ偏向器は、前記投影レンズ系によって小ビームのグループの偏向を維持するように、特定の単一の電圧で維持される。
【０１３３】
図４は、図３の実施の形態の代わりの形態を示しており、グループ偏向器アレイ６Ｇと、さらなる成形アパーチャアレイ１８と、を有する。成形アパーチャアレイ１８は、好ましくは、アレイ４、５、６Ｇ及び６のアパーチャに対応する位置に、これらの中に形成された複数の成形アパーチャを有する少なくとも１つのプレート、又は基板を有する。成形アパーチャアレイ１８は、他のアレイと同様に、好ましくは、シリコン又は他の半導体材料でできており、アパーチャは、好ましくは、リソグラフィ及びエッチング技術を使用して形成される。これらの技術は、好ましくは、アパーチャの位置、サイズ及び形状の均一性を確実にするように、十分に正確に制御される。成形アパーチャアレイ１８のアパーチャは、円形、正方形又は他の形状であることができる。成形アパーチャアレイ１８は、表面の帯電を防ぐために、金属の表面層で覆われることができ、一実施の形態では、金属は、ＣｒＭｏのような自然酸化物の被膜層を形成しないタイプである。
【０１３４】
これらアパーチャは、これらアパーチャにぶつかる小ビームの周辺部分を遮断することによって、各小ビームを成形するように動作する。かくして成形された小ビームは、より均一な線量分布を示す。成形アパーチャアレイ１８は、ビーム源１の虚像のではなく、アパーチャの像の描画を可能にする。この追加に関して、システムは、ビームブランカアレイ６面に小ビームを集束させることによって発生されたスポットの位置及び大きさにそれほど依存しなくなる。これは、ビームブランカアレイ６の前のレンズ系のアレイの変化又は誤りの影響を受けにくいシステムをもたらす。しかし、このシステムは、このために、小ビームの線量の変化をより受けやすくなる。
【０１３５】
成形アパーチャアレイ１８は、好ましくは、ビームブランカアレイ６の近くに、アレイ６の前か、好ましくは後に位置され、グループ偏向器アレイ６Ｇなくシステムで使用されることができる。
【０１３６】
図５は、さらに、図３並びに図４のシステムに示される同じ原理の他の実施の形態を示している。この実施の形態では、アパーチャアレイ４は、より大きな複数のサブビーム２０Ａを発生させるように製造されている。これらサブビーム２０Ａは、共通面１９上にこれらサブビームを集束させて、面１９にサブビーム当たりのクロスオーバを発生させる第１のコンデンサレンズアレイ５Ａによって、縮小される。好ましくは面１９のすぐ後に位置された第２のコンデンサレンズアレイ５Ｂは、エンドモジュール７に向かって集束された、集束したサブビーム２０Ｂを発生させる。電子光学の分野で当業者に知られているように、本実施の形態のさまざまなコンデンサレンズアレイは、単一のコンデンサレンズアレイ又は１組のコンデンサレンズアレイを有することができることが注意されるべきである。
【０１３７】
サブビーム２０Ｂは、成形アパーチャアレイ１８によって遮断され、この実施の形態では、各サブビーム２０Ｂから複数の投影小ビーム２１を発生させる。これら小ビーム２１は、小ビームブランカアレイ６を通過して、ブランキングされた小ビームは、ビーム停止アレイ８によってブロックされる。各グループのブランキングされていない小ビームは、ビーム停止アレイ８の対応する開口を通過して、投影レンズ構成体１０によってターゲット上に投影される。
【０１３８】
図５に示される実施の形態は、レンズ５Ａ及び５Ｂの組合せが、（コンデンサレンズアレイ５Ｂとエンドモジュール７との間の相対的な長距離を可能にする）より弱いレンズであることができ、また、レンズ５Ａ及び５Ｂは、かなり強いことができるという利点を有する。例えば、小ビームのエネルギが、コンデンサレンズアレイ５Ｂとエンドモジュール７との間で減少されるならば、レンズ５Ａ及び５Ｂは、強い。これは、小ビームブランカ６の強さにとって有益である。他の実施の形態では、アパーチャのアレイは、小ビーム２０Ｂの開放角度を制御するために、他の自由度を提供するように、面１９に配置される。
【０１３９】
図６は、図５のシステムの変形である他の実施の形態を示しており、サブビーム２０Ａは、エンドモジュール７に向かって、コンデンサレンズアレイ５によって直接集束される。図５の実施の形態と比較すると、この実施の形態は、サブビーム２０Ａのクロスオーバがないことにより、（余分なコンデンサレンズアレイ５Ｂを省略して）より少ない構成要素、幾分短いカラムの長さ及びより少ない色収差を有するという利点を有する。しかし、この実施の形態は、サブビームの開放角度を決定する際に、自由度の増した図５の実施の形態の効果を欠いている。
【０１４０】
図７は、システムのより簡単なバージョンを示しており、これは、グループ偏向器アレイ６Ｇと小ビームブランカアレイ、直ちに続いたアパーチャアレイ４、又はその逆を有する。
【０１４１】
図８ないし図１０は、パターン化されていない（non-patterned）小ビーム、すなわち、投影レンズ系当たり単一の小ビームを有するさまざまな他の実施の形態を示している。図８は、小ビームブランカアレイ６の近傍に（前又は後に）位置された成形アパーチャアレイ１８の追加を備えた、図１に示されるようなシステムを有する。図９は、サブビーム２０Ａ及び２０Ｂをそれぞれ集束させる２つのコンデンサレンズアレイ５Ａ及び５Ｂを備えた、図５に示されるようなシステムを有する。しかし、単一の小ビーム２１のみが、成形アパーチャアレイ１８によって各サブビーム２０Ｂから形成される。図１０は、エンドモジュール７上にサブビーム２０Ａを集束させる単一のコンデンサレンズアレイ５を備えた、図６に示されるようなシステムを有する。しかし、単一の小ビーム２１のみが、成形アパーチャアレイ１８によって各サブビーム２０Ａから形成される。
【０１４２】
図１２は、サブビーム２０Ａを発生させるためのアパーチャアレイ４Ａと、小ビーム２１を発生させるためのアパーチャアレイ４Ｂと、を備えた他の実施の形態を示している。１つのコンデンサレンズアレイ５（又は１組のコンデンサレンズアレイ）は、エンドモジュール７のビーム停止アレイ８の対応する開口に向かってサブビーム２０Ａを集束させるために、サブビームを発生させるアパーチャアレイ４Ａの後に含まれている。小ビームを発生させるアパーチャアレイ４Ｂは、好ましくは、小ビームブランカアレイ６と組み合わせられて含まれている、つまり、アレイ６の前にアレイ４Ｂと一緒に接近して、又は他の方法で周囲に配置されている。
【０１４３】
図１２Ａに個々に示されるように、１つ又は複数のコンデンサレンズは、エンドモジュール７のビーム停止アレイ８の対応する開口中に、又は開口に向かって、サブビーム２０Ａを集束する。この例では、アパーチャアレイ４Ｂは、サブビーム２０Ａから３つの小ビームを発生させて、３つの小ビームが、対応する開口のところでビーム停止アレイ８にぶつかり、３つの小ビームが、エンドモジュール７の投影レンズ系によってターゲット上に投影される。実際には、かなり多くの小ビームが、エンドモジュール７の各投影レンズ系のアパーチャアレイ４Ｂによって形成されることができる。実用的な実施の形態では、代表的には、約５０の小ビームが、単一の投影レンズ系によって導かれることができる。また、これは、２００以上に増加されることができる。図１２Ｂに示されるように、小ビームブランカアレイ６は、これらをブランキングするために、所定の時間で、小ビームのグループの個々の小ビーム２１を偏向することができる。これは、ブランキングされた小ビーム２２によって図示され、これは、開口の近くではなく、ビーム停止アレイ８上の位置に偏向される。
【０１４４】
図１２の実施の形態の図示されない変形では、アパーチャプレート４Ａ及び４Ｂは、好ましくは、小ビーム２１のグループを形成するために、一体化されたアパーチャプレート４ＡＢに一体化される。コンデンサレンズアレイ５は、好ましくは、一体化されたアパーチャプレート４ＡＢの後に位置される。このデザインは、効果的には、投影レンズ系当たりの複合的な小ビームを実現するために、単純で経済的な手段を提供する。
【０１４５】
図１４並びに図１５は、コリメータ３の色収差の問題を低減させるように意図されたシステムの概略図である。１つの解決策は、本出願の出願人の米国特許出願公開２００４／２３２３４９によって示されるような技術を適用することであり、この内容は、参照としてここに組み込まれる。この解決策によれば、レンズアレイは、コリメータ３の主面のサブビームを収束させるために、源１とコリメータ３との間のシステムに含まれる。この手段の第１の効果は、コリメータの色収差が仮想源の不鮮明さをもたらさないということである。代わりに、「シルクハット」開放角度が、収差角度と関係している。第２の効果は、サブビームが、十分な縮小を備えたコリメータの主面に描画されるならば、開放角度が大きく、従って、収差角度は、開放角度に対して小さいということである。そして、使用不可能であるか、少なくとも好ましくない角度が、アパーチャの下流側でなくされることができる。
【０１４６】
図１４は、１つの解決策を示しており、仮想源が、単一のコンデンサレンズアレイ５を使用して、ターゲット上に描画される。このコンデンサレンズアレイ５は、第１のアパーチャアレイ４Ａの近傍、及び後で、発散ビームの一部内に含まれる。かくして発生された集束したサブビームは、サブビームが分散するところから、平行な中心軸で、第２のアパーチャアレイ４Ｂに、コリメートされるようにして、コリメータアレイ１６の主面上に投影される。第２のアパーチャアレイ４Ｂは、コリメートされたサブビームの周辺部分を切り詰める（truncate）ように構成されているか、位置されているかの少なくとも一方である。ほとんど均一な電流分布を示すこれらのコリメートされたサブビームの中央部分は、第３のアパーチャアレイ４Ｃに続き、最終的に、（小ビームブランカアレイ６によってブランキングされない限り）ターゲット１１上に投影される小ビーム２１を形成する。グループ偏向器アレイ６Ｇ及び小ビームブランカアレイ６は、エンドモジュール７に向かって、最後のアパーチャアレイによって発生された小ビームのグループを導くために、前述されたように、最後のアパーチャアレイ４Ｃの後に位置されている。
【０１４７】
図１５は、図１４の代わりの形態を示しており、これは、２つのコンデンサアレイ（５Ｃ及び５）と、２つのコリメータアレイ（１５Ａ及び１５Ｂ）とを使用するより複雑な構成体を含むが、全体の伝送品質の改良を与える。図１４のものに対応する上側のシステム部分で発生されるような小ビームは、コリメータアレイ１５Ｂによって続いてコリメートされて、最後のアパーチャアレイ４Ｃによって発生された複数の小ビーム２１は、平行になる、すなわち、これら小ビームの中心軸は、平行になる。最後のアパーチャアレイ４Ｃ及びコリメータアレイ１５Ｂによって発生された、コリメートされた小ビームは、好ましくは、コリメータアレイ１５Ｂの後に位置された、コンデンサレンズアレイ５によって集束される。小ビームブランカアレイ６の前にある、又は後に続くグループ偏向器アレイ６Ｇは、内部に、又は集束されコリメートされた小ビームの焦点面の近傍に位置されている。
【０１４８】
上述の実施の形態で使用されるアレイのさらなる態様が、図１６並びに図１７に示される。図１６は、アレイアパーチャのオフセット列又は千鳥形の配列を有する、小ビームブランカアレイ６の可能な配置を示す概略図である。コンデンサレンズアレイのアパーチャ及びさまざまな実施の形態のグループ偏向器アレイもまた、この同じ構成体に一致する。これは、システムのいわゆる投影スリットのエンドモジュール７の投影レンズ系の構成体に直接的に相当するか、よく似ている。
【０１４９】
小ビームブランカアレイ６の偏向領域（面積）１７は、例えば、図１２でのように、ブランカアレイの前か後に、コンデンサレンズアレイ５のアパーチャに対する位置で示される。この実施の形態では、コンデンサレンズは、代表的には、８０％付近の非常に高い充填率で配置されており、図１２、図１２Ａ並びに図１２Ｂのアパーチャアレイ４Ａでのようなサブビームアパーチャ、又は図１７でのような一体化されたアパーチャアレイ４Ｄの円形開口は、ブランカアレイ６と組み合わせてここで投影されるようなコンデンサレンズの直径Ｄｃよりも単にわずかに小さい。この例では、コンデンサレンズの開口は、１００μｍの直径を有する。この構成体の最大の偏向領域１７は、５６μｍ×５６μｍの側面Ｓによって決定され、およそ７９μｍの直径、又は囲まれた大きさＤｓに至る。２２ｎｍの技術ノードのために、システムのスポットを位置付けるための仮想グリッドの適当なピクセル数は、４９、すなわち７×７であり、また、スポットサイズの幾何学的な直径は、２４ｎｍであり、エンドモジュール７の投影レンズ系での代表的な縮小量は、ここに示される実施の形態によれば、１００のファクタである。システムの小ビームの千鳥状の位置決めに関して、位置決めに利用可能な領域のピッチ、例えば、ブランカ偏向器は、代表的には、Ｗ１×Ｗ２の領域であり、この例では、Ｗ１は１３０μｍ、Ｗ２は１５０μｍである。しかし、代わって、レンズ当たり小ビームの実際の数、代わって表示されたスポット又はサブ小ビームは、２００以上であることができる。実際には、この数は、１４×１４の小ビームのアレイで配置された１９６の小ビームになる。
【０１５０】
図１７は、小ビームブランカアレイ６と、一体化されたアパーチャアレイ４Ｄとの好ましい組合せを示している。図１７の上側部分は、一体化されたアパーチャアレイ４Ｄを示す状面図である。この一体化されたアパーチャアレイは、Ｗ１×Ｗ２の寸法で、図１６の小ビームブランカアレイ６と同じ寸法の制限で設計されている。各フィールドは、４９の小ビームアパーチャのフィールドを有し、これは、７×７のグループで概略的に示される。図１７の下側部分は、一体化されたアパーチャアレイ４Ｄ及び小ビームブランカアレイ６を示す側面図である。一体化されたアパーチャアレイ４Ｄと小ビームブランカアレイ６との両方が、さらに好ましくは、小ビームの各グループのための単一の大きなアパーチャが設けられた厚いプレートと、各グループの個々の小ビームのための複数のより小さなアパーチャを有する薄いアレイプレートと、により構成されている。これらの厚い及び薄いプレートは、２つの別々の、接続されたプレートであるか、大きなアパーチャが小さなアパーチャに従って形成された単一のプレートであることができる。大きなアパーチャは、好ましくは、小さなアパーチャのグループを囲んでいる垂直な壁Ｖｃを形成し、大きなアパーチャ及びより小さなアパーチャのグループは、好ましくは、図示されるように同軸に配置されている。
【０１５１】
小ビームブランカアレイ６の薄いアレイプレートは、スイッチング電極、又はブランカ電極を有する。アレイ４Ｄの小ビームを与えるアパーチャは、小ビームブランカアレイ６のアパーチャよりもわずかに小さい。本発明のさらなる実施の形態に従って、アパーチャアレイ４Ｄ及び小ビームブランカアレイ６は、単一のアレイに一体化される。このさらなる一体化は、システムのカラム内の光学素子の数のさらなる減少という効果を有するが、製造がより難しく、一体化されたアパーチャアレイの精度の高い均一なアパーチャを維持するのが難しいという欠点を有する。
【０１５２】
本発明は、上に記載された所定の実施の形態を参照することによって説明されてきた。これら実施の形態は、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、当業者に周知のさまざまな変更及び代わりの形態を想到し得ることが認識されるだろう。従って、特定の実施の形態が説明されてきたが、これらは、単なる例示にすぎず、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の範囲を制限するものではない。
【符号の説明】
【０１５３】
１…電子源、２…小ビーム、６…小ビームブランカ，７…エンドモジュール、９…偏向器アレイ、３０…偏向器。３１…メモリセル、３２…スイッチング電極、１３３…増幅器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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