(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
空隙配置構造体に被測定物を保持し、
前記被測定物が保持された前記空隙配置構造体に電磁波を照射し、
前記空隙配置構造体で散乱された電磁波を検出し、
少なくとも１つのパラメータに基づいて前記被測定物の特性を測定する測定方法であって、
前記パラメータが、特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率の被測定物の存在による変化量を含み、
前記特定の周波数が、前記空隙配置構造体を透過した電磁波の透過率の周波数特性におけるディップ波形の極小点以外の周波数、または、前記空隙配置構造体で反射された電磁波の反射率の周波数特性におけるピーク波形の極大点以外の周波数であることを特徴とする、測定方法。
【請求項２】
前記特定の周波数が、前記ディップ波形の極小点または前記ピーク波形の極大点よりも高周波側または低周波側の周波数である、請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
前記特定の周波数が、前記ディップ波形内または前記ピーク波形内の周波数である、請求項２に記載の測定方法。
【請求項４】
前記特定の周波数が、前記ディップ波形内または前記ピーク波形内の半値全幅（ＦＷＨＭ）よりも外側の周波数である、請求項３に記載の測定方法。
【請求項５】
前記特定の周波数が、前記ディップ波形以外の周波数または前記ピーク波形以外の周波数であり、
前記特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率が、
前記ディップ波形に隣接し、且つ、ディップ波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）の両端の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率よりも高い部分の周波数特性、または、
前記ピーク波形に隣接し、且つ、ピーク波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）の両端の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率よりも低い部分の周波数特性における比率である、請求項２に記載の測定方法。
【請求項６】
前記パラメータが、前記ディップ波形または前記ピーク波形の幅の被測定物の存在による変化量を含む、請求項１に記載の測定方法。
【請求項７】
前記空隙配置構造体が、擬似ＴＥ１１モード共振現象を生じる構造体である、請求項１に記載の測定方法。
【請求項８】
前記空隙配置構造体が、擬似ＴＥ１０モード共振現象を減少させる構造体である、請求項１に記載の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物質の特性を分析するのに、空隙配置構造体に被測定物を保持して、その被測定物が保持された空隙配置構造体に電磁波を照射し、その散乱スペクトルを解析して被測定物の特性を測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、物質の特性を分析するのに、空隙配置構造体に被測定物を保持して、その被測定物が保持された空隙配置構造体に電磁波を照射し、その透過率スペクトルを解析して被測定物の特性を測定する方法が用いられている。具体的には、例えば、被測定物であるタンパク質などが付着した金属メッシュフィルターに、テラヘルツ波を照射して透過率スペクトルを解析する手法が挙げられる。【０００３】
このような電磁波を用いた透過率スペクトルの解析手法の従来技術として、特開２００８−１８５５５２号公報（特許文献１）には、空隙領域を有する空隙配置構造体（具体的には、メッシュ状の導体板）と、空隙配置構造体の表面上に保持された被測定物と、被測定物に向かって電磁波を照射する電磁波照射部と、空隙配置構造体を透過した電磁波を測定する電磁波検出部とで構成され、電磁波照射部から空隙配置構造体に向かって投影される電磁波が、空隙領域を含む平面に対して傾斜して入射され、測定値の周波数特性に生じたディップ波形の位置が、被測定物の存在により移動することに基づいて被測定物の特性を測定する方法が開示されている（特開２００８−１８５５５２号公報の図３、図９）。【０００４】
しかし、照射する上記電磁波の周波数を一定範囲で変化させたときの上記透過率から得られる透過率スペクトルにおいて、ディップ波形の最小値に対応する周波数の変化量（逆ピークのシフト量）から被測定物を定量する測定方法では、微量（特に１００ｎｇ／ｍｍ2程度以下）の被測定物に対しては、逆ピークのシフト量が僅かとなって検出限界量(周波数分解能)より小さくなってしまうため、定量することが困難であった（特開２００８−１８５５５２号公報の図９参照）。また、このような方法においては、周波数の情報を取得するための機構が必要であるため、例えば分光装置のような大型で制御が難しい測定機器が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１８５５５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の事情に鑑み、測定感度が向上し、より微量の被測定物を測定することのできる被測定物の特性を測定する方法を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、被測定物の特性を簡便に測定する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、空隙配置構造体に被測定物を保持し、
上記被測定物が保持された上記空隙配置構造体に電磁波を照射し、
上記空隙配置構造体で散乱された電磁波を検出し、
少なくとも１つのパラメータに基づいて上記被測定物の特性を測定する測定方法であって、
上記パラメータが、特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率の被測定物の存在による変化量を含むことを特徴とする、測定方法である。【０００８】
上記特定の周波数は、周波数特性のディップ波形の極小点以外の周波数、または、ピーク波形の極大点以外の周波数であることが好ましい。【０００９】
また、上記特定の周波数は、上記空隙配置構造体（１）を透過した電磁波の透過率の周波数特性におけるディップ波形の極小点以外の周波数、または、上記空隙配置構造体（１）で反射された電磁波の反射率の周波数特性におけるピーク波形の極大点以外の周波数であることが好ましい。【００１０】
また、上記特定の周波数は、上記ディップ波形内または上記ピーク波形内の周波数であることが好ましい。【００１１】
また、上記特定の周波数は、上記ディップ波形内または上記ピーク波形内の半値全幅（ＦＷＨＭ）よりも外側の周波数であることが好ましい。【００１２】
上記特定の周波数が、前記ディップ波形以外の周波数または上記ピーク波形以外の周波数であり、
上記特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率は、
上記ディップ波形に隣接し、且つ、ディップ波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）の両端の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率よりも高い部分の周波数特性、または、
上記ピーク波形に隣接し、且つ、ピーク波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）の両端の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率よりも低い部分の周波数特性における比率であることが好ましい。【００１３】
上記パラメータは、上記ディップ波形または上記ピーク波形の幅の被測定物の存在による変化量を含むことが好ましい。【００１４】
上記空隙配置構造体は、擬似ＴＥ１１モード共振現象を生じる構造体であることが好ましい。また、上記空隙配置構造体は、擬似ＴＥ１０モード共振現象を減少させる構造体であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、被測定物が保持された空隙配置構造体に、特定の周波数の電磁波を照射したときの透過率の被測定物の存在による変化量をパラメータとして、被測定物の特性を測定することにより、測定感度が向上し、より微量の被測定物を測定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の測定方法を説明するための模式図である。
【図２】本発明で用いる空隙配置構造体（金属メッシュフィルター）の格子構造を説明するための模式図である。
【図３】本発明において定義される透過率スペクトルの各変数の説明図である。
【図４】（ａ）は、実施例１の透過率スペクトルを示すグラフである。（ｂ）は(ａ）の部分拡大図である。
【図５】図４の透過率スペクトルにおける周波数１．００ＴＨｚ、１．０３ＴＨｚ、１．０５ＴＨｚの電磁波の透過率をアルブミン量に対してプロットしたグラフである。
【図６】実施例２のシミュレーションで想定した空隙配置構造体等の配置を説明するための断面模式図である。
【図７】（ａ）は、実施例２のシミュレーション計算により得られた透過率スペクトルを示す。（ｂ）は、実施例２のシミュレーション計算により得られた反射率スペクトルを示す。（ｃ）は、（ａ）のディップ波形の極大点付近の拡大図を示す。（ｄ）は、（ｂ）のピーク波形の極小点付近の拡大図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の測定方法の一例を図１を用いて説明する。図１は、本発明の測定装置２の全体構造と、測定装置２における空隙配置構造体１の配置を模式的に示す図である。図１に示すように、この測定装置２は、電磁波を発生して照射する照射部２１と、空隙配置構造体１を透過した電磁波を検出する検出部２２とを備えている。また、照射部２１の動作を制御する照射制御部２３、検出部２２の検出結果を解析する解析処理部２４、および、解析処理部２４の解析結果を表示する表示部２５を備えている。なお、照射制御部２３は、検出のタイミングを同期させる目的で、解析処理部２４にも接続されていても良い。
【００１８】
図１では、散乱が透過である場合、すなわち電磁波の透過率を測定する場合を示しているが、本発明において「散乱」とは、前方散乱の一形態である透過や、後方散乱の一形態である反射などを含む広義の概念を意味し、好ましくは透過や反射である。さらに好ましくは、０次方向の透過や０次方向の反射である。
【００１９】
なお、一般的に、回折格子の格子間隔をｄ（本明細書では空隙部の間隔）、入射角をｉ、回折角をθ、波長をλとしたとき、回折格子によって回折されたスペクトルは、
ｄ（ｓｉｎ  ｉ  −ｓｉｎ  θ）＝ｎλ  …（１）
と表すことができる。上記「０次方向」の０次とは、上記式（１）のｎが０の場合を指す。ｄおよびλは０となり得ないため、ｎ＝０が成立するのは、ｓｉｎ  ｉ−  ｓｉｎ  θ＝０の場合のみである。従って、上記「０次方向」とは、入射角と回折角が等しいとき、つまり電磁波の進行方向が変わらないような方向を意味する。
【００２０】
上記のような測定装置２において、照射部２１は、照射制御部２３の制御の下、電磁波を発生・放射する。照射部２１から放射された電磁波は、空隙配置構造体１に照射され、空隙配置構造体１を透過した電磁波が検出部２２で検出される。検出部２２において検波された電磁波は、電気信号として解析処理部２４に転送され、透過率の周波数特性（透過率スペクトル）として目視できる形式で表示部２５に表示される。
【００２１】
このような、本発明の測定方法で用いられる電磁波は、空隙配置構造体の構造に応じて散乱を生じさせることのできる電磁波であれば特に限定されず、電波、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等のいずれも使用することができ、その周波数も特に限定されるものではないが、好ましくは１ＧＨｚ〜１ＰＨｚであり、さらに好ましくは２０ＧＨｚ〜１２０ＴＨｚの周波数を有するテラヘルツ波である。また、直線偏光の電磁波であることが好ましい。具体的な電磁波としては、例えば、短光パルスレーザを光源として、ＺｎＴｅ等の電気光学結晶の光整流効果により発生するテラヘルツ波や、高圧水銀ランプやセラミックランプから放射される赤外線や、半導体レーザーから出射される可視光や光伝導アンテナから放射される電磁波が挙げられる。
【００２２】
本発明において、被測定物の特性を測定するとは、被測定物となる化合物の定量や誘電率等の各種の定性などを行うことであり、例えば、溶液中等の微量の被測定物の含有量を測定する場合や、被測定物の同定を行う場合が挙げられる。具体的には、例えば、被測定物の溶解した溶液に空隙配置構造体を浸漬し、被測定物を空隙配置構造体の表面に付着させた後に溶媒や余分な被測定物を洗浄し、空隙配置構造体を乾燥してから、上述のような測定装置を用いて被測定物の特性を測定する方法が挙げられる。またポリマーなどで構成されたシート状の基材に被測定物を付着させ、シート状の基材に空隙配置構造体を密着させてから、上述のような測定装置を用いて被測定物の特性を測定する方法が挙げられる。
【００２３】
本発明において用いられる空隙配置構造体とは、電磁波を照射したときに散乱を生じるような構造体であれば特に限定されないが、好ましくは準周期構造体や周期構造体である。準周期構造体とは、並進対称性は持たないが配列には秩序性が保たれている構造体のことである。準周期構造体としては、例えば、１次元準周期構造体としてフィボナッチ構造、２次元準周期構造体としてペンローズ構造が挙げられる。周期構造体とは、並進対称性に代表される様な空間対称性を持つ構造体のことであり、その対称の次元に応じて１次元周期構造体、２次元周期構造体、３次元周期構造体に分類される。１次元周期構造体は、例えば、ワイヤーグリッド構造、１次元回折格子などが挙げられる。２次元周期構造体は、例えば、メッシュフィルタ、２次元回折格子などが挙げられる。これらの周期構造体のうちでも、２次元周期構造体が好適に用いられる。具体的には、少なくとも１つの配列方向に規則的に配列された空隙部を有する空隙配置構造体などが挙げられる。
【００２４】
２次元周期構造体としては、例えば、図２に示すようなマトリックス状に一定の間隔で空隙部が配置された板状構造体（格子状構造体）が挙げられる。図２（ａ）に示す空隙配置構造体１は、その主面１０ａ側からみて正方形の空隙部１１が、該正方形の各辺と平行な２つの配列方向（図中の縦方向と横方向）に等しい間隔で設けられた板状構造体である。
【００２５】
空隙配置構造体の空隙部の寸法や形状は、測定方法や、空隙配置構造体の材質特性、使用する電磁波の周波数等に応じて適宜設計されるものであり、その範囲を一般化するのは難しいが、前方散乱された電磁波を検出する場合、図２（ａ）に示す空隙配置構造体１では、図２（ｂ）にｓで示される空隙部の格子間隔が、測定に用いる電磁波の波長の１０分の１以上、１０倍以下であることが好ましい。空隙部の格子間隔ｓがこの範囲以外になると、散乱が生じにくくなる場合がある。また、空隙部の孔サイズとしては、図２（ｂ）にｄで示される空隙部の孔サイズが、測定に用いる電磁波の波長の１０分の１以上、１０倍以下であることが好ましい。空隙部の孔サイズがこの範囲以外になると、透過（前方散乱）する電磁波の強度が弱くなって信号を検出することが難しくなる場合がある。
【００２６】
また、空隙配置構造体の厚みは、測定方法や、空隙配置構造体の材質特性、使用する電磁波の周波数等に応じて適宜設計されるものであり、その範囲を一般化するのは難しいが、前方散乱された電磁波を検出する場合、測定に用いる電磁波の波長の数倍以下であることが好ましい。構造体の厚みがこの範囲よりも大きくなると、前方散乱する電磁波の強度が弱くなって信号を検出することが難しくなる場合がある。
【００２７】
また、空隙配置構造体は、その個々の空隙部を導波管とみなした場合に、電磁波を照射することにより擬似ＴＥ１１モード共振現象を生じる構造体であることが好ましい。ここで、擬似ＴＥ１１モード共振現象の用語は、ＴＥ１１モードの共振現象およびＴＥ１１モードに類似したモードの共振現象を含む意味で用いられる。空隙配置構造体が擬似ＴＥ１１モード共振現象を生じる構造体であることにより、鋭いディップ波形を得ることができるという利点がある。
【００２８】
また、空隙配置構造体は、その個々の空隙部を導波管とみなした場合に、電磁波を照射することにより擬似ＴＥ１０モード共振現象を減少させる構造体であることが好ましい。ここで、擬似ＴＥ１０モード共振現象を減少させる構造体とは、空隙部の形状が正方形や凹型や台形である。好ましくは凹型や台形である。より好ましくは台形である。ここで、擬似ＴＥ１０モード共振現象の用語は、ＴＥ１０モードの共振現象およびＴＥ１０モードに類似したモードの共振現象を含む意味で用いられる。空隙配置構造体が擬似ＴＥ１０モード共振現象を減少させる構造体であることにより、鋭いディップ波形を得ることができるという利点がある。
【００２９】
上記測定装置２において、空隙配置構造体の周波数特性に生じたディップ波形などが、被測定物の存在により変化することに基づいて被測定物の特性を測定することができる。
【００３０】
図２（ａ）において、空隙部１１の横の配列方向をＹ軸とし、縦の配列方向をＸ軸とする。また、Ｘ−Ｙ平面に垂直な方向をＺ軸とする。空隙配置構造体１に照射される電磁波の進行方向は、図２（ａ）に示されるＺ軸方向であり、電磁波の偏光方向は、図２（ａ）に示されるＸ軸方向である。
【００３１】
本発明において、空隙配置構造体に被測定物を保持する方法としては、種々公知の方法を使用することができ、例えば、空隙配置構造体に直接付着させてもよく、支持膜等を介して付着させてもよい。測定感度を向上させ、測定のばらつきを抑えることにより再現性の高い測定を行う観点からは、空隙配置構造体の表面に直接被測定物を付着させることが好ましい。
【００３２】
空隙配置構造体に被測定物を直接付着させる場合としては、空隙配置構造体の表面と被測定物との間で直接的に化学結合等が形成される場合だけでなく、予め表面にホスト分子が結合された空隙配置構造体に対して、該ホスト分子に被測定物が結合されるような場合も含まれる。化学結合としては、共有結合（例えば、金属―チオール基間の共有結合など）、ファンデルワールス結合、イオン結合、金属結合、水素結合などが挙げられ、好ましくは共有結合である。また、ホスト分子とは、被測定物を特異的に結合させることのできる分子などであり、ホスト分子と被測定物の組み合わせとしては、例えば、抗原と抗体、糖鎖とタンパク質、脂質とタンパク質、低分子化合物（リガンド）とタンパク質、タンパク質とタンパク質、一本鎖ＤＮＡと一本鎖ＤＮＡなどが挙げられる。
【００３３】
空隙配置構造体に被測定物を直接付着させる場合、少なくとも一部の表面が導体で形成された空隙配置構造体を用いることが好ましい。空隙配置構造体１の少なくとも一部の表面とは、図２（ａ）に示す主面１０ａ、側面１０ｂ、空隙部側面１１ａのうちいずれかの一部の表面である。
【００３４】
ここで、導体とは、電気を通す物体（物質）のことであり、金属だけでなく半導体も含まれる。金属としては、ヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基などの官能基を有する化合物の官能基と結合することのできる金属や、ヒドロキシ基、アミノ基などの官能基を表面にコーティングできる金属、ならびに、これらの金属の合金を挙げることができる。具体的には、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム、シリコン、ゲルマニウムなどが挙げられ、好ましくは金、銀、銅、ニッケル、クロムであり、さらに好ましくは金である。金、ニッケルを用いた場合、特に被測定物がチオール基（−ＳＨ基）を有する場合に該チオール基を空隙配置構造体の表面に結合させることができるため有利である。また、ニッケルを用いた場合、特に被測定物がヒドロキシ基（―ＯＨ）やカルボキシル基（―ＣＯＯＨ）を有する場合に該官能基を空隙配置構造体の表面に結合させることができるため有利である。また、半導体としては、例えば、ＩＶ族半導体（Ｓｉ、Ｇｅなど）や、ＩＩ−ＶＩ族半導体（ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯなど）、ＩＩＩ−Ｖ族半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮなど）、ＩＶ族化合物半導体（ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体（ＣｕＩｎＳｅ2など）などの化合物半導体、有機半導体が挙げられる。
【００３５】
また、支持膜等を介して付着させる場合として、具体的には、空隙配置構造体の表面にポリアミド樹脂等の支持膜を貼付して被測定物を該支持膜に付着させる方法や、支持膜に換えて、気密または液密な容器を用いて、流体または流体に分散させた物質を測定する方法が挙げられる。
【００３６】
本発明の測定方法においては、上述のようにして求められる空隙配置構造体の周波数特性に関する、少なくとも１つのパラメータに基づいて、被測定物の特性が測定される。本発明は、このパラメータが、特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率の被測定物の存在による変化量を含むことを特徴とする。
【００３７】
上記特定の周波数は、前記空隙配置構造体（１）を透過した電磁波の透過率の周波数特性におけるディップ波形の極小点以外の周波数、または、前記空隙配置構造体（１）で反射された電磁波の反射率の周波数特性におけるピーク波形の極大点以外の周波数であることが好ましい。また、上記特定の周波数は、上記ディップ波形の極小点またはピーク波形の極大点よりも高周波側または低周波側であることが好ましい。
【００３８】
また、上記特定の周波数は、ディップ波形内の極小点を除く周波数、または、ピーク波形内の極大点を除く周波数であることが好ましい。
【００３９】
ここで、ディップ波形とは、照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率（例えば、電磁波の透過率）が相対的に大きくなる周波数範囲において、空隙配置構造体の周波数特性（例えば、透過率スペクトル）に部分的に見られる谷型（下に凸）の部分の波形である。また、ピーク波形とは、照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率（例えば、電磁波の反射率）が相対的に小さくなる周波数範囲において、空隙配置構造体の周波数特性（例えば、反射率スペクトル）に部分的に見られる山型（上に凸）の波形である。
【００４０】
本発明において、ディップ波形とは、上記谷型の波形の極小点を含み、その極小点の両側の極大点間の波形を意味する。また、ピーク波形とは、上記山型の波形の極大点を含み、その極大点の両側の極小点間の波形を意味する。例えば、図３に示すように、周波数特性が透過率スペクトルである場合のディップ波形とは、透過率が極小値（Ｔdip）となるピークの周波数ｆｘの前後で透過率が極大値（Ｔpeak1、Ｔpeak2）となる周波数ｆpeak1とｆpeak2の間のスペクトルである。
【００４１】
なお、図３においては、ディップよりも低周波側のピークにおける周波数ｆpeak1での透過率（極大値）をＴpeak1、ディップより高周波側のピークにおける周波数ｆpeak2での透過率（極大値）をＴpeak2、ディップの逆ピークにおける周波数ｆｘでの透過率（極小値）をＴdipとする。また、Ｔpeak1とＴpeak2を結ぶ直線とｆｘの交点をＴ’とし、Ｔ’とＴdipの中間値［（Ｔ’＋Ｔdip）／２］をディップ波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）における透過率（ＴFWHM）とする。
【００４２】
また、上記特定の周波数は、上記ディップ波形内または上記ピーク波形内の半値全幅（ＦＷＨＭ）よりも外側の周波数であることが好ましい。例えば、周波数特性が透過率スペクトルである場合、上記特定の周波数は、図３に示す半値全幅（ＦＷＨＭ）の周波数を除く、周波数ｆpeak1とｆpeak2の間の周波数であることが好ましい。空隙配置構造体に１００ｎｇ／ｍｍ2程度以下の量で保持された被測定物を測定する場合、透過率スペクトル等のディップ波形の極小点付近、または、反射率スペクトル等のピーク波形の極大点付近は、被測定物の存在によってあまり透過率が変化しない傾向があるためである。
【００４３】
また、上記特定の周波数が、上記ディップ波形以外の周波数または上記ピーク波形以外の周波数である場合、上記特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率（電磁波の透過率や反射率など）は、上記ディップ波形に隣接し、且つ、ディップ波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）の両端の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率よりも高い部分（例えば、図３のｆpeak1の低周波側においてＴFWHMよりも上側の部分や、ｆpeak2の高周波側においてＴFWHMよりも上側の部分）の周波数特性、または、上記ピーク波形に隣接し、且つ、ピーク波形の半値全幅（ＦＷＨＭ）の両端の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率よりも低い部分の周波数特性における比率であることが好ましい。
【００４４】
被測定物の種類や空隙配置構造体の形状などによっては、微量の被測定物の量に応じて照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率（透過率や反射率等）が最も変化する電磁波の周波数が、ディップ波形やピーク波形の範囲外の周波数である場合もある。この場合でも、ディップ波形やピーク波形に隣接する一定範囲内の周波数における透過率をパラメータとした方が、その範囲外の周波数における透過率をパラメータとするよりも、高感度に検出を行うことができるためである。
【００４５】
上記パラメータは、電磁波の周波数を一定範囲で変化させたときに得られる透過率スペクトルのディップ波形またはピーク波形の幅の被測定物の存在による変化量を含むことが好ましい。ディップ波形またはピーク波形の幅とは、例えば、透過率スペクトルにおけるディップ波形に関しては、特定の透過率に対応するディップ波形の周波数の差である。具体的には、例えば、図３に示す透過率スペクトルにおけるディップ波形の半値全幅（図３のＦＷＨＭ：ＴFWHMにおけるディップ波形の幅）などが挙げられる。
【００４６】
被測定物が保持された空隙配置構造体に電磁波を照射し、その透過率スペクトルを解析して被測定物の特性を測定する方法において、被測定物の量が少なくなればなる程、ディップ波形の極小値またはピーク波形の極大値の位置（周波数）の変化が僅かとなって検出が難しくなる傾向がある。本発明の測定方法では、ディップ波形の極小値またはピーク波形の極大値の位置（周波数）シフト以外の測定パラメータを利用することで、測定感度を向上させる（検出限界量を下げる）効果がある。
【００４７】
特定の周波数における照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率（電磁波の透過率や反射率など）についての変化量のみをパラメータとする場合には、連続した周波数での透過率の測定を毎回行う必要がなく、測定に用いる機器に周波数情報を取得する為の機構等が不要となるため、測定機構の簡便化や小型化、測定時間の短縮などの効果が得られる。
【００４８】
さらに、１つの特定の周波数の電磁波透過率の被測定物の存在による変化量をパラメータとしても、測定が困難な被測定物などに対しては、複数の特定の周波数の電磁波透過率の被測定物の存在による変化量を測定パラメータとして組み合わせることによって、被測定物の特性をさらに高感度に測定出来る場合がある。このようにして組み合わせられるパラメータとしては、上述のような各周波数の電磁波の透過率の被測定物の存在による変化量、ディップ波形またはピーク波形の幅の被測定物の存在による変化量だけでなく、ディップ波形の極小点またはピーク波形の極大点の周波数の被測定物の存在による変化量などを組み合わせてもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００５０】
（実施例１）
本実施例において、空隙配置構造体として、図２の模式図に示すような正方格子配列した正方形の孔を有し、全体がＮｉで形成された金属メッシュフィルター（以下、ＭＭＦと略す。）を使用した。このＭＭＦの格子間隔（図２（ｂ）のｓ）は２６０μｍ、孔サイズ（図２（ｂ）のｄ）は１８０μｍ、厚みは２０μｍであり、全体の形状は直径１４ｍｍの円盤状である。このＭＭＦは、擬似ＴＥ１１モード共振現象を生じる構造体である。このようなＭＭＦを用いてウシ血清アルブミンを被測定物とした測定を行った。【００５１】
まず、インクジェットプリンターを用いて０．１重量％のウシ血清アルブミン水溶液をＭＭＦの表面に直接塗布した。インクジェットプリンターは３５．５μｍ四方当り１ショット（＝１４ｐＬ）の液滴が吐出され、ショット数を制御して重ね塗りすることで、ＭＭＦ上に塗布されるウシ血清アルブミン水溶液の量を６７５ｐｇ／ｍｍ2〜１６８８ｐｇ／ｍｍ2の間で制御した。このウシ血清アルブミン水溶液が塗布されたＭＭＦを乾燥容器内で一晩自然乾燥させた。【００５２】
ＭＭＦ表面が乾燥したことを確認した後、ウシ血清アルブミン塗布済ＭＭＦの透過率スペクトルをテラヘルツ時間領域分光法（ＴＨｚ−ＴＤＳ）を用いて測定した。尚、周波数分解能は１５ＧＨｚで各試料について測定を行った。対照として、ウシ血清アルブミン水溶液の代わりに純水を塗布したＭＭＦ（ウシ血清アルブミンの塗布量が０ｎｇ／ｍｍ2）についても同様に、ＭＭＦを用意し測定を行った。各量のウシ血清アルブミンが塗布されたＭＭＦについて５回測定を行った際の平均の透過率スペクトルを図４に示す（図４（ｂ）は図４（ａ）のディップ波形周辺の拡大図）。【００５３】
図４（ａ）、図４（ｂ）に示される透過率スペクトルの形状からみて、アルブミン量が数ｎｇ／ｍｍ2程度以下の微量である場合、ディップ波形の逆ピークの周波数（ｆｘ）は全く変化していない。しかし、主に周波数約０．９５ＴＨｚ以上の透過率スペクトルにおいて透過率の大きさに変化がみられる。そのスペクトルの変化は、周波数１．０ＴＨｚ付近においてアルブミン量の変化に比例する傾向が図４（ｂ）の拡大図から見受けられる。【００５４】
次に、図４の結果に対して、０．８ＴＨｚ〜１．２ＴＨｚの各周波数における透過率を、試料量（アルブミン量）に対してプロットし、被測定物の量を検出できているか調べた。その結果、０．９８ＴＨｚ〜１．０８ＴＨｚの周波数領域において、被測定物の量を部分的に検出できていることが分かった。図５は、図４の透過率スペクトルにおける周波数１．００ＴＨｚ、１．０３ＴＨｚ、１．０５ＴＨｚの電磁波の透過率をアルブミン量に対してプロットしたグラフである。図５に示されるように、周波数１．０３ＴＨｚにおける透過率は、周波数１．００ＴＨｚおよび１．０５ＴＨｚにおける透過率よりも、アルブミン量との相関性が高く、また、エラーバーの重なりなく、０ｐｇ／ｍｍ2〜１６８８ｐｇ
／ｍｍ2まで全て分離して検出できていることが分かる。【００５５】
（実施例２）
以下の空隙配置構造体をモデルとして、ＣＳＴ社製の電磁界シミュレーターＭｉｃｒｏＳｔｒｉｐｅｓ（登録商標）を用いて反射率のシミュレーションを行った。【００５６】
本実施例において、モデルとした空隙配置構造体は図２（ａ）の模式図に示すような正方格子配列した正方形の孔を有し、全体が銅で形成された板状の構造体である。この空隙配置構造体の格子間隔（図２（ｂ）に示されるｓ）は２６０μｍ、孔サイズ（図２（ｂ）に示されるｄ）は１８０μｍ、厚みは６０μｍであり、全体の形状は１．３ｍｍ四方の板状体である。【００５７】
このような空隙配置構造体が、図６に示すように、４６０μｍの間隔を空けて配置された２枚のポート３１，３２の間に設置されたモデルについてのシミュレーションを行った。ポート３１と空隙配置構造体の重心１２との距離は２３０μｍである。また、ポート３２と空隙配置構造体の重心との距離は２３０μｍである。ポート３１は１．３ｍｍ四方の主面を有する厚さ１０μｍの板状体であり、光源及び空隙配置構造体を反射した光量の測定部材を兼ねる。ポート３２は、１．３ｍｍ四方の主面を有する厚さ１０μｍの板状体であり、空隙配置構造体を透過した光量の測定部材である。そして、孔の内側に厚さ１．５μｍで誘電体（εr＝２．４）が均一に
付着している場合と、何も付着していない場合について、シミュレーションを行った。【００５８】
計算により得られた透過率スペクトルを図７（ａ）に、反射率スペクトルを図７（ｂ）に示す。図７（ａ）のディップ波形の極大点付近の拡大図を図７（ｃ）に、図７（ｂ）のピーク波形の極小点付近の拡大図を図７（ｄ）に示す。図７（c）、図７（d）に示す透過率スペクトル及び反射率スペクトルについて、誘電体が付着することで、透過率スペクトル中のディップ波形の極大点付近の透過率、および、反射率スペクトル中のピーク波形の極小点付近の反射率が変化していることが分かる。【００５９】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６０】
１  空隙配置構造体、１０ａ  主面、１０ｂ  側面、１１  空隙部、１１ａ  空隙部側面、１２  重心、２  測定装置、２１  照射部、２２  検出部、２３  照射制御部、２４  解析処理部、２５  表示部、３１，３２  ポート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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