(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に所定温度の媒体が流れる媒体流路を有し、基板を載置する載置台であって、
前記媒体の流れに対して垂直な前記媒体流路の断面は矩形であり、前記媒体流路の内面のうち、前記載置された基板から最遠方の面と、前記最遠方の面に隣接する２つの面のそれぞれにおける前記最遠方の面側の略半分とが、前記媒体流路を流れる媒体と直接接触する熱伝導阻害部材により覆われることを特徴とする載置台。
【請求項２】
前記媒体流路の内面のうち前記載置された基板からの最近の面から前記媒体流路内に向けて突出する突起状物を有することを特徴とする請求項１記載の載置台。
【請求項３】
前記突起状物は前記媒体流路における前記媒体の流れに沿って延在するフィンからなることを特徴とする請求項２記載の載置台。
【請求項４】
前記熱伝導阻害部材の厚さは１ｍｍ乃至２ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項５】
前記熱伝導阻害部材は低熱伝導材からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項６】
前記低熱伝導材は樹脂であることを特徴とする請求項５記載の載置台。
【請求項７】
前記熱伝導阻害部材は断熱材からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項８】
前記断熱材は多孔性セラミックスであることを特徴とする請求項７記載の載置台。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置が備える基板の載置台に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としてのウエハにプラズマを用いて所定の処理、例えば、エッチング処理や成膜処理を施す基板処理装置は、ウエハを収容し且つ内部にプラズマが発生する処理室と、該処理室内に配置されてウエハを載置する載置台とを備える。この基板処理装置では、プラズマによって加熱されるウエハを所望の温度に維持するために、載置台が温調機構を備えて載置されたウエハの温度を調整する。この温調機構は、例えば、載置台内に配設された媒体流路を有し、該媒体流路は内部を流れる低温媒体によって載置されたウエハの熱を吸収する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ところで、近年、表面に複数の層が形成されたウエハにおいて、処理効率化の観点から１つのエッチング処理によって該複数の層をエッチングすることが検討されている。この１つのエッチング処理では、処理室内に供給する処理ガスや処理室内の圧力を変更することなく、各エッチング対象層に応じてウエハの温度を変化させることにより、各エッチング対象層をエッチングする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２１３７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の載置台は剛性確保の観点から各部の肉厚が大きく形成されており、質量が大きい。したがって、媒体流路へ高温の媒体を供給しても該媒体から載置台へ吸収される熱量が大きいため、ウエハの温度上昇が遅れる。また、媒体流路へ低温の媒体を供給しても載置台から媒体へ吸収される熱量が大きいため、ウエハの温度降下が遅れる。
【０００６】
ここで、各部の肉厚を変化させないまま、ウエハの温度変化を促進するために、例えば、載置台におけるウエハに接触する側を熱伝導性が高い材料で構成し、且つウエハに接触しない側を熱伝導性が低い材料で構成した場合、載置台の構成が複雑化し、さらには熱膨張率の違いに起因して載置台の内部応力が高まり、載置台の耐久性が低下する虞がある。
【０００７】
本発明の目的は、構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１記載の載置台は、内部に所定温度の媒体が流れる媒体流路を有し、基板を載置する載置台であって、前記媒体の流れに対して垂直な前記媒体流路の断面は矩形であり、前記媒体流路の内面のうち、前記載置された基板から最遠方の面と、前記最遠方の面に隣接する２つの面のそれぞれにおける前記最遠方の面側の略半分とが、前記媒体流路を流れる媒体と直接接触する熱伝導阻害部材により覆われることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の載置台は、請求項１記載の載置台において、前記媒体流路の内面のうち前記載置された基板からの最近の面から前記媒体流路内に向けて突出する突起状物を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の載置台は、請求項２記載の載置台において、前記突起状物は前記媒体流路における前記媒体の流れに沿って延在するフィンからなることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の載置台は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の載置台において、前記熱伝導阻害部材の厚さは１ｍｍ乃至２ｍｍであることを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の載置台は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の載置台において、前記熱伝導阻害部材は低熱伝導材からなることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の載置台は、請求項５記載の載置台において、前記低熱伝導材は樹脂であることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の載置台は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の載置台において、前記熱伝導阻害部材は断熱材からなることを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載の載置台は、請求項７記載の載置台において、前記断熱材は多孔性セラミックスであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、載置台の内部における媒体流路の内面のうち載置された基板からの遠方の面が熱伝導阻害部材で覆われるので、載置台における載置された基板からの遠方部分（以下、単に「遠方部分」という。）を熱伝導性が低い材料で構成することなく、媒体の熱が遠方部分に吸収されるのを防止できるとともに、遠方部分の熱が媒体へ吸収されるのを防止でき、もって、載置台における載置された基板からの近辺部分（以下、単に「近辺部分」という。）が媒体の熱を積極的に吸収できると共に、媒体が近辺部分の熱を積極的に吸収できる。その結果、載置台の構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る載置台を備える基板処理装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１におけるサセプタに設けられる媒体流路の拡大断面図である。
【図３】図２の媒体流路へ高温の温度調整用媒体を供給した場合におけるサセプタの温度変化を模式的に示すグラフである。
【図４】図２の媒体流路の変形例を示す拡大断面図であり、図４（Ａ）は第１の変形例を示し、図４（Ｂ）は第２の変形例を示す。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る載置台としてのサセプタに設けられる媒体流路の拡大断面図である。
【図６】図５の媒体流路へ高温の温度調整用媒体を供給した場合におけるサセプタの温度変化を模式的に示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る載置台について説明する。
【００２２】
図１は、本実施の形態に係る載置台を備える基板処理装置の構成を概略的に示す図である。本基板処理装置は、基板としての半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）にプラズマエッチング処理を施す。
【００２３】
図１において、基板処理装置１０は、例えば、直径が３００ｍのウエハＷを収容するチャンバ１１を有し、該チャンバ１１内部には半導体デバイス用のウエハＷを載置する金属、例えば、アルミニウムからなる台状のサセプタ１２（載置台）が配置されている。基板処理装置１０では、チャンバ１１の内部側壁とサセプタ１２の側面とによって側方排気路１３が形成される。この側方排気路１３の途中には排気プレート１４が配置される。
【００２４】
排気プレート１４は多数の貫通孔を有する板状部材であり、チャンバ１１内部を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート１４によって仕切られたチャンバ１１内部の上部（以下、「処理室」という。）１５には後述するようにプラズマが発生する。また、チャンバ１１内部の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）１６にはチャンバ１１内部のガスを排出する排気管１７が接続される。排気プレート１４は処理室１５に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド１６への漏洩を防止する。
【００２５】
排気管１７にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）（ともに図示しない）が接続され、これらのポンプはチャンバ１１内部を真空引きして減圧する。なお、チャンバ１１内部の圧力はＡＰＣバルブ（図示しない）によって制御される。
【００２６】
チャンバ１１内部のサセプタ１２には第１の高周波電源１８が第１の整合器１９を介して接続され、且つ第２の高周波電源２０が第２の整合器２１を介して接続されており、第１の高周波電源１８は比較的高い周波数、例えば、４０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力をサセプタ１２に印加し、第２の高周波電源２０は比較的低い周波数、例えば、２ＭＨｚのイオン引き込み用の高周波電力をサセプタ１２に印加する。これにより、サセプタ１２は電極として機能する。また、第１の整合器１９及び第２の整合器２１は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への印加効率を最大にする。
【００２７】
サセプタ１２の上部は、大径の円柱の先端から小径の円柱が同心軸に沿って突出している形状を呈し、該上部には小径の円柱を囲うように段差が形成される。小径の円柱の先端には静電電極板２２を内部に有するセラミックスからなる静電チャック２３が配置されている。静電電極板２２には第１の直流電源２４が接続されており、静電電極板２２に正の電位の直流電力が印加されると、ウエハＷにおける静電チャック２３側の面（以下、「裏面」という。）には負電位が発生して静電電極板２２及びウエハＷの裏面の間に電界が生じ、該電界に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、ウエハＷは静電チャック２３に吸着保持される。
【００２８】
サセプタ１２の上部には、静電チャック２３に吸着保持されたウエハＷを囲うように、フォーカスリング２５がサセプタ１２の上部における段差へ載置される。フォーカスリング２５は半導電体からなり、プラズマの分布域をウエハＷ上だけでなく該フォーカスリング２５上まで拡大してウエハＷの周縁部上におけるプラズマの密度を該ウエハＷの中央部上におけるプラズマの密度と同程度に維持する。これにより、ウエハＷの全面に施されるプラズマエッチング処理の均一性を確保する。
【００２９】
また、サセプタ１２の内部には、媒体流路２６が該サセプタ１２に対して同心円状に何重にも設けられる。この媒体流路２６には、媒体供給装置（図示しない）から所定の温度の温度調整用媒体、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）が供給される。媒体流路２６へ高温の温度調整用媒体を供給した場合、該温度調整用媒体の熱がサセプタ１２へ載置されて静電吸着されたウエハＷ（以下、「載置ウエハＷ」という。）へ伝導されて該ウエハＷの温度が上昇し、媒体流路２６へ低温の温度調整用媒体を供給した場合、載置ウエハＷの熱が温度調整用媒体へ伝導されて該ウエハＷの温度が降下する。したがって、媒体流路２６へ供給される温度調整用媒体の温度を変化させることにより、ウエハＷの温度を変化させることができる。
【００３０】
チャンバ１１の天井部には、サセプタ１２と対向するようにシャワーヘッド２７が配置される。シャワーヘッド２７は、上部電極板２８と、該上部電極板２８を着脱可能に釣支するクーリングプレート２９と、該クーリングプレート２９を覆う蓋体３０とを有する。上部電極板２８は厚み方向に貫通する多数のガス孔３１を有する円板状部材からなり、半導電体であるシリコンによって構成される。また、クーリングプレート２９の内部にはバッファ室３２が設けられ、このバッファ室３２には処理ガス導入管３３が接続されており、処理ガス導入管３３は処理ガス供給装置（図示しない）に接続されている。
【００３１】
処理ガス供給装置は、例えば、各種ガスの流量比を適切に調整して混合ガスを生成し、該混合ガスを処理ガス導入管３３、バッファ室３２及びガス孔３１を介して処理室１５内部へ導入する。
【００３２】
また、シャワーヘッド２７の上部電極板２８には第２の直流電源３４が接続され、上部電極板２８へ負の電位の直流電力が印加される。このとき、上部電極板２８には陽イオンが打ち込まれ、これに伴い、上部電極板２８は（二次）電子を放出して処理室１５内部のプラズマにおける電子密度分布を改善する。
【００３３】
基板処理装置１０では、処理室１５内部へ導入された処理ガスが第１の高周波電源１８からサセプタ１２を介して処理室１５内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起されてプラズマとなる。該プラズマ中の陽イオンは、第２の高周波電源２０がサセプタ１２に印加するイオン引き込み用の高周波電力によってウエハＷに向けて引きこまれ、該ウエハＷにプラズマエッチング処理を施す。
【００３４】
図２は、図１におけるサセプタに設けられる媒体流路の拡大断面図である。
【００３５】
図２において、媒体流路２６における温度調整用媒体の流れに対して垂直な断面は矩形であり、図中横方向に関する長さ（幅）は約１０ｍｍであり、図中縦方向に関する長さ（高さ）は約２０ｍｍである。媒体流路２６の４つの内面のうち、載置ウエハＷから最遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が少なくともアルミニウムよりも熱伝導性が低い低熱伝導材、例えば、樹脂からなる低熱伝導層３５（熱伝導阻害部材）で覆われる。低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍであり、低熱伝導層３５は低熱伝導性の樹脂を底面２６ａや側面２６ｂ，２６ｃに塗布することによって形成してもよく、若しくは低熱伝導性の樹脂からなる板状体を底面２６ａや側面２６ｂ，２６ｃに貼り付けることによって形成してもよい。
【００３６】
低熱伝導層３５は、温度調整用媒体と、サセプタ１２における媒体流路２６の底面２６ａや側面２６ｂ，２６ｃの略下半分に接する部分、すなわち、サセプタ１２における載置ウエハＷからの遠方部分（以下、単に「サセプタ１２の遠方部分」という。）との間の熱伝導を抑制するため、例えば、媒体流路２６へ高温の温度調整用媒体を供給した場合、該高温の温度調整用媒体の熱がサセプタ１２の遠方部分に吸収されるのを防止できる。また、例えば、媒体流路２６へ低温の温度調整用媒体を供給した場合、サセプタ１２の遠方部分の熱が該低温の温度調整用媒体に吸収されるのを防止できる。
【００３７】
また、媒体流路２６の４つの内面のうち、載置ウエハＷから最近の内面である頂面２６ｄから、例えば、アルミニウムからなる２つのフィン３６が媒体流路２６内に向けて突出する。各フィン３６は頂面２６ｄにおいてサセプタ１２における載置ウエハＷからの近辺部分（以下、単に「サセプタ１２の近辺部分」という。）に接続され、さらに、媒体流路２６における温度調整用媒体の流れに沿って延在する。したがって、各フィン３６を介してサセプタ１２の近辺部分と媒体流路２６内の温度調整用媒体との接触面積が実質的に増加し、その結果、媒体流路２６内の温度調整用媒体の熱をサセプタ１２の近辺部分に効率良く伝導できるとともに、サセプタ１２の近辺部分の熱を媒体流路２６内の温度調整用媒体に効率良く伝達できる。
【００３８】
ところで、通常、温度調整用媒体の流れが阻害されて乱流になる場合、温度調整用媒体と、該温度調整用媒体と接触する部材との熱交換が促進され、温度調整用媒体が円滑に流れて層流を形成する場合、温度調整用媒体と、該温度調整用媒体と接触する部材との熱交換が抑制される。
【００３９】
本実施の形態では、媒体流路２６の断面における幅は約１０ｍｍであり、且つ高さは約２０ｍｍである一方、低熱伝導層３５の厚さは１ｍｍ乃至２ｍｍであり、媒体流路２６の断面において低熱伝導層３５の断面が占める面積は小さいため、該低熱伝導層３５は温度調整用媒体の流れを阻害しない。また、低熱伝導層３５が樹脂からなるため、該低熱伝導層３５は媒体流路２６の底面２６ａや側面２６ｂ，２６ｃの略下半分の摩擦抵抗を低減する。その結果、サセプタ１２の遠方部分の近傍を流れる温度調整用媒体は円滑に流れて層流を形成し、温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との熱交換が抑制される。
【００４０】
また、本実施の形態では、頂面２６ａから２つのフィン３６が媒体流路２６内に向けて突出し、各フィン３６は温度調整用媒体の流れを阻害する。その結果、サセプタ１２の近辺部分と接する温度調整用媒体の流れは阻害されて乱流になり、温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との熱交換が促進される。
【００４１】
図３は、図２の媒体流路へ高温の温度調整用媒体を供給した場合におけるサセプタの温度変化を模式的に示すグラフである。本グラフにおいて実線はサセプタ１２の近辺部分の温度を示し、破線はサセプタ１２の遠方部分の温度を示す。
【００４２】
媒体流路２６において、低熱伝導層３５は温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を抑制するため、温度調整用媒体の熱がサセプタ１２の遠方部分の温度上昇に積極的に利用されない。一方、２つのフィン３６が温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との熱交換を促進するとともに、頂面２６ｄが低熱伝導層３５で覆われず、温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との間の熱伝導が抑制されないので、温度調整用媒体の熱はサセプタ１２の近辺部分の温度上昇に積極的に利用される。
【００４３】
したがって、図３のグラフに示すように、サセプタ１２の遠方部分の温度上昇はサセプタ１２の近辺部分の温度上昇よりも遅延する反面、サセプタ１２の近辺部分の温度上昇は素早く行われる。その結果、サセプタ１２の近辺部分に接する載置ウエハＷの温度上昇が促進される。
【００４４】
また、媒体流路２６へ低温の温度調整用媒体を供給した場合、低熱伝導層３５は温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を抑制するため、温度調整用媒体はサセプタ１２の遠方部分の熱を積極的に吸収しない。一方、２つのフィン３６が温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との熱交換を促進するとともに、頂面２６ｄが低熱伝導層３５で覆われず、温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との間の熱伝導が抑制されないので、温度調整用媒体はサセプタ１２の近辺部分の熱を積極的に吸収する。
【００４５】
したがって、サセプタ１２の遠方部分の温度降下はサセプタ１２の近辺部分の温度降下よりも遅延する反面、サセプタ１２の近辺部分の温度降下は素早く行われる。その結果、サセプタ１２の近辺部分に接する載置ウエハＷの温度降下が促進される。
【００４６】
以上説明したように、本実施の形態に係る載置台としてのサセプタ１２によれば、媒体流路２６の底面２６ａの全部、及び２つの側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が低熱伝導層３５で覆われるので、サセプタ１２の遠方部分を熱導電性が低い材料で構成することなく、媒体流路２６内の温度調整用媒体の熱がサセプタ１２の遠方部分に吸収されるのを防止できるとともに、サセプタ１２の遠方部分の熱が温度調整用媒体へ吸収されるのを防止でき、もって、サセプタ１２の近辺部分が温度調整用媒体の熱を積極的に吸収できると共に、温度調整用媒体がサセプタ１２の近辺部分の熱を積極的に吸収できる。その結果、サセプタ１２の構成を複雑化させることなくサセプタ１２の近辺部分に接する載置ウエハＷの温度変化を促進することができる。
【００４７】
上述した媒体流路２６では、２つのフィン３６が頂面２６ｄから媒体流路２６内に向けて突出するが、図４（Ａ）に示すように、該２つのフィン３６を設けなくてもよい。この場合においても、媒体流路２６の底面２６ａの全部、及び２つの側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分を覆う低熱伝導層３５が温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を抑制し、その結果、サセプタ１２の近辺部分に接する載置ウエハＷの温度変化を促進することができる。
【００４８】
また、上述した媒体流路２６では、底面２６ａの全部、及び２つの側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分を低熱伝導層３５で覆うが、図４（Ｂ）に示すように、底面２６ａの全部のみを低熱伝導層３５で覆い、２つの側面２６ｂ，２６ｃを低熱伝導層３５で全く覆わなくてもよい。この場合においても、底面２６ａにおける低熱伝導層３５のみで温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を或る程度抑制することができる。
【００４９】
さらに、２つのフィン３６の代わりに、頂面２６ｄから媒体流路２６内に向けて突出するアルミニウムからなる複数のピラー（図示しない）を設けてもよい。この場合においても、サセプタ１２の近辺部分と媒体流路２６内の温度調整用媒体との接触面積が実質的に増加し、温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との熱交換が促進される。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る載置台について説明する。
【００５１】
本実施の形態は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００５２】
図５は、本実施の形態に係る載置台としてのサセプタに設けられる媒体流路の拡大断面図である。
【００５３】
図５において、媒体流路３７における温度調整用媒体の流れに対して垂直な断面形状は媒体流路２６の断面形状と同じである。媒体流路３７では、底面３７ａの全部及び２つの側面３７ｂ，３７ｃのそれぞれにおける略下半分が断熱材、例えば、多孔性セラミックスからなる断熱層３８（熱伝導阻害部材）で覆われる。断熱層３８の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍであり、断熱層３８はセラミックスを底面３７ａや側面３７ｂ，３７ｃに溶射することによって形成してもよく、若しくは多孔性セラミックスからなる板状体を底面３７ａや側面３７ｂ，３７ｃに貼り付けることによって形成してもよい。この断熱層３８は、温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を遮断する。
【００５４】
また、媒体流路３７の頂面３７ｄから、フィン３６と同様の形状を呈する２つのフィン３９が媒体流路３７内に向けて突出する。
【００５５】
図６は、図５の媒体流路へ高温の温度調整用媒体を供給した場合におけるサセプタの温度変化を模式的に示すグラフである。本グラフにおいて実線はサセプタ１２の近辺部分の温度を示し、破線はサセプタ１２の遠方部分の温度を示す。
【００５６】
媒体流路３７において、断熱層３８は温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を遮断するため、温度調整用媒体の熱がサセプタ１２の遠方部分の温度上昇に利用されず、サセプタ１２の遠方部分には、サセプタ１２の近辺部分の熱のみが伝導される。一方、２つのフィン３９が温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との熱交換を促進するとともに、頂面３７ｄが断熱層３８で覆われず、温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との間の熱伝導が遮断されないので、温度調整用媒体の熱の殆どがサセプタ１２の近辺部分の温度上昇に利用される。
【００５７】
したがって、図６のグラフに示すように、サセプタ１２の遠方部分の温度上昇は非常に緩慢に行われる反面、サセプタ１２の近辺部分の温度上昇は素早く行われる。その結果、サセプタ１２の近辺部分に接する載置ウエハＷの温度上昇が促進される。
【００５８】
また、サセプタ１２の遠方部分に伝導される熱はサセプタ１２の近辺部分の熱のみであるため、サセプタ１２の遠方部分の温度が大きく上昇しないうちに、サセプタ１２の遠方部分に伝導される熱量とサセプタ１２の遠方部分から放出される熱量とが釣り合う。したがって、サセプタ１２の遠方部分の温度はサセプタ１２の近辺部分の温度まで上昇せず、サセプタ１２の近辺部分の温度よりも低い温度のまま維持される。
【００５９】
媒体流路３７へ低温の温度調整用媒体を供給した場合、断熱層３８は温度調整用媒体とサセプタ１２の遠方部分との間の熱伝導を遮断するため、温度調整用媒体はサセプタ１２の遠方部分の熱を吸収しない。一方、２つのフィン３９が温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との熱交換を促進するとともに、頂面３７ｄが断熱層３８で覆われず、温度調整用媒体とサセプタ１２の近辺部分との間の熱伝導が遮断されないので、温度調整用媒体は主としてサセプタ１２の近辺部分の熱を吸収する。
【００６０】
したがって、サセプタ１２の遠方部分の温度降下は非常に緩慢に行われる反面、サセプタ１２の近辺部分の温度降下は素早く行われる。その結果、サセプタ１２の近辺部分に接する載置ウエハＷの温度降下が促進される。
【００６１】
なお、２つのフィン３９を設けなくてもよいこと、底面３７ａの全部のみを断熱層３８で覆うだけでもよいこと、並びに、２つのフィン３９の代わりに複数のピラーを設けてもよいことは、第１の実施の形態と同じである。
【００６２】
上述した各実施の形態では、低熱伝導層３５を塗布された樹脂や樹脂の板状体で構成し、断熱層３８を溶射された多孔性セラミックスや多孔性セラミックスからなる板状体で構成したが、耐熱性の観点から多孔性セラミックスからなる板状体を用いて断熱層３８を構成するのが好ましい。複数の板状体を積層してサセプタ１２を形成する場合、各板状体を互いに蝋付けするために、サセプタ１２の温度は約５００℃まで上昇するが、多孔性セラミックスからなる板状体は、サセプタ１２の温度が約５００℃まで上昇しても、溶融することがなく、また、焼失することもない。
【００６３】
上述した各実施の形態に係る載置台を備える基板処理装置がプラズマエッチング処理を施す基板は、半導体デバイス用のウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等を含むＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
【００６４】
なお、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６５】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理装置
１２  サセプタ
２６，３７  媒体流路
２６ａ，３７ａ  底面
２６ｂ，２６ｃ，３７ｂ，３７ｃ  側面
２６ｄ，３７ｄ  頂面
３５，３８  低熱伝導層
３６，３９  フィン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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