(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極およびドレイン電極を同一面上に有する半導体ダイと、
第１の共用コネクタに接続された第１の複数のフィンガー部を有する第１の導電性クリップであって、前記第１の共用コネクタは、前記半導体ダイの同一面上で前記ソース電極と電気的および機械的に接続され、前記半導体ダイの外縁を超えて外側に延出するフランジを構成する、該第１の導電性クリップと、
第２の共用コネクタに接続された第２の複数のフィンガー部を有し、前記ドレイン電極と電気的および機械的に接続された第２の導電性クリップと、
前記半導体ダイを包み込む不動態被膜であって、他のハウジング要素無しに前記半導体ダイを保護可能な不動態材料から形成される該不動態被膜と
を備える半導体パッケージ。
【請求項２】
前記半導体ダイは、３価の窒化物系半導体から形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記３価の窒化物系半導体は、ＩｎＡｌＧａＮ系合金であることを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、フィンガー部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記各電極のフィンガー部は、互いに間に入り込むように配置されていることを特徴とする請求項４記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
制御電極と、この制御電極と電気的および機械的に接続された導電性クリップとをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
電流検知電極と、この電流検知電極と電気的および機械的に接続された電流検知クリップとをさらに備えることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記半導体ダイは、第１の制御電極、この第１の制御電極と電気的および機械的に接続された第１の導電性制御クリップ、第２の制御電極、ならびにこの第２の制御電極と電気的および機械的に接続された第２の導電性制御クリップを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
電流検知電極と、この電流検知電極と電気的および機械的に接続された第１の電流検知導電性クリップとをさらに備えていることを特徴とする請求項８記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記第１および第２の導電性クリップは、導電性の接着剤を介して、それぞれ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的および機械的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記導電性の接着剤は、金とスズの合金からなることを特徴とする請求項１０記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記導電性の接着剤は、半田または導電性のポリマーからなることを特徴とする請求項１０記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記不動態被膜は、ポリマーからなることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記ポリマーは、ポリシロキサンであることを特徴とする請求項１３記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
それぞれフィンガー部を含むソース電極およびドレイン電極を同一面上に有する半導体ダイと、
第１の共用コネクタを有する第１の導電性クリップであって、前記第１の共用コネクタは前記半導体ダイの前記同一面上で前記ソース電極と電気的および機械的に接続され、前記半導体ダイの外縁を超えて外側に延出するフランジを構成する、該第１の導電性クリップと、
前記ドレイン電極と電気的および機械的に接続された第２の導電性クリップと、
を備える半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記半導体ダイを包み込む不動態被膜をさらに備えていることを特徴とする請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記半導体ダイは、３価の窒化物系半導体から形成されていることを特徴とする請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記３価の窒化物系半導体は、ＩｎＡｌＧａＮ系合金であることを特徴とする請求項１７記載の半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記各電極のフィンガー部は、互いに間に入り込むように配置されていることを特徴とする請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項２０】
制御電極と、この制御電極と電気的および機械的に接続された導電性クリップとをさらに備えていることを特徴とする請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項２１】
電流検知電極と、この電流検知電極と電気的および機械的に接続された電流検知クリップとをさらに備えていることを特徴とする請求項２０記載の半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記半導体ダイは、第１の制御電極、この第１の制御電極と電気的および機械的に接続された第１の導電性制御クリップ、第２の制御電極、ならびにこの第２の制御電極と電気的および機械的に接続された第２の導電性制御クリップを備えていることを特徴とする請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項２３】
電流検知電極と、この電流検知電極と電気的および機械的に接続された電流検知クリップとをさらに備えていることを特徴とする請求項２２記載の半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記第１および第２の導電性クリップは、導電性の接着剤を介して、それぞれ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的および機械的に接続されていることを特徴とする請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記導電性の接着剤は、半田または導電性のポリマーからなることを特徴とする請求項２４記載の半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記導電性の接着剤は、金とスズの合金からなることを特徴とする請求項２４記載の半導体パッケージ。
【請求項２７】
前記不動態被膜は、ポリマーからなることを特徴とする請求項１６記載の半導体パッケージ。
【請求項２８】
前記ポリマーは、ポリシロキサンであることを特徴とする請求項２７記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、米国特許仮出願第６０／６０９，５９７号（２００４年９月１３日出願，発明の名称：「次世代高性能パワーデバイス用微細接続パッケージ」）に基づくものであって、右出願の開示内容を組み入れており、かつ同出願による優先権を主張するものである。
【０００２】
本発明は、半導体パッケージ、およびこのパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体ダイ（半導体回路）の最新世代は、小型で、かつハイパワーである。したがって、このような半導体ダイ用の半導体パッケージは、小型にすることができ、新世代パワー半導体デバイスに低抵抗で接続できるものであり、かつエンドユーザが使いやすいピン配列と外部端子を有するものでなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされてもので、小型の半導体ダイに対応して小型にすることができ、かつユーザが使いやすいピン配列と外部端子を有する半導体パッケージを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体パッケージは、第１の電極、第２の電極、前記第１の電極と電気的かつ機械的に接続された第１の導電性クリップ、および前記第２の電極と電気的かつ機械的に接続された第２の導電性クリップを有する半導体ダイを備えている。
【０００６】
本発明の一様相においては、半導体ダイを被覆するのに、不動態被膜を用いる。不動態被膜は、第１および第２の導電性クリップの少なくとも一部をも被覆するのが好ましい。不動態被膜とは、成形用化合物等からなるハウジングを用いることなく、半導体ダイを保護しうる誘電体ポリマーの薄膜である。この不動態被膜に適する材料は、ポリシロキサン系のポリマーである。
【０００７】
本発明のもう一つの様相においては、各電極は、対応する導電性クリップのフィンガー部（指のような形状の部分）に電気的および機械的に接続される複数のフィンガー部を有している。
【０００８】
本発明に係る半導体パッケージは、ＩｎＡｌＧａＮ系合金（例えばＧａＮやＡｌＧａＮ）等の３価の窒化物系パワー半導体デバイスに最も適している。このようなパワー半導体デバイスは、非常に小型で、しかも低抵抗接続が要求されるハイパワー機能を有するからである。また、本発明の半導体パッケージは、公知の技術によっては、外部の要素と接続することができない小型のシリコンベースのデバイスにも同様に適用しうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の上記以外の特徴および効果は、添付の図面を参照して行う、以下の説明から明らかになると思う。
【００１０】
図１に示すように、本発明に係るパッケージに用いる半導体ダイ10は、半導体本体９、第１の電極（ソース電極またはドレイン電極）12、および第２の電極（ドレイン電極またはソース電極）14を備えている。両電極12,14は、半導体本体９の同一の面に設けられている。また、各電極12,14は、それぞれ、互いに入り込むようなパターンで延びるフィンガー部16,18を有している。フィンガー部16,18は、それぞれ、共用給電部20,22に電気的に接続されている。
【００１１】
半導体ダイ10は、第１の制御電極（第１のゲート電極）24、第２の制御電極（第２のゲート電極）26、第１の電流検知電極28、および第２の電流検知電極29を備える双方向のパワーデバイスである。米国特許出願第１１／０５６，０６２号は、双方向パワー半導体デバイスの一例を記載している。
【００１２】
半導体ダイ10は、ＩｎＡｌＧａＮ系合金（例えばＧａＮやＡｌＧａＮ）から形成された３価の窒化物系パワー半導体デバイスである。半導体ダイ10は、例えば、３価の窒化物系ショットキーデバイス、または金属絶縁体半導体ヘテロジャンクション電界効果トランジスタ（ＭＩＳＨＦＥＴ）や金属酸化物半導体ヘテロジャンクション電界効果トランジスタ（ＭＯＳＨＦＥＴ）のような高電子モビリティートランジスタ（ＨＥＭＴ）その他の３価の窒化物系ヘテロジャンクション電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）とすることができる。
【００１３】
半導体ダイ10の大きさは、概ね、１．８mm×３．６mmである。半導体ダイ10は、電流検知機能を有する双方向のスイッチングデバイスとするのが好ましい。
【００１４】
半導体ダイの性能を高めるには、半導体ダイの電極を、体積の大きな外部要素に接続する必要がある。さもないと、広がり抵抗が蓄積されるからである。
【００１５】
また、半導体ダイが小型の場合には、電極の幅が狭いため、公知の表面実装技術によっては、ユーザが直接接触することはできない。したがって、パッケージ化する際には、エンドユーザが、公知の製造環境において取り扱えるように、電極の大きさと配置を変えなければならない。
【００１６】
パワー半導体デバイスにおいては、性能がかなり損なわれることを甘受して、電極の幅を０．８mm以下としても、回路基板の導電性パッドに直接接続するのは困難である。さらに、一辺が３．６mm以下の半導体ダイにおいては、電極の幅を０．８mmに縮小した場合でも、４個を超える電極を設けることは不可能である。
【００１７】
本発明に係る半導体パッケージは、幅が約０．８mm以下の電極を有する半導体ダイに適している。本発明に係る半導体パッケージは、微細形状のクリップボンディング技術を用いることによって、電極の配置に拘らず、小型の半導体ダイへの接続を可能とする。導電性クリップは、比較的薄く形成し（０．１００mm以下のオーダー）、かつ半導体の保護および半田との濡れ性改善のために、銅めっきを施すのが好ましい。
【００１８】
図２に示すように、本発明に係る半導体パッケージ30は、半導体本体９、第１の電極12と電気的および機械的に連結された第１の導電性クリップ32、および第２の電極14と電気的および機械的に連結された第２の導電性クリップ34を備えている。
【００１９】
第１の導電性クリップ32のフィンガー部33は、第１の電極12のフィンガー部16と電気的および機械的に連結されている。また、第２の導電性クリップ34のフィンガー部35は、第２の電極14のフィンガー部18と電気的および機械的に連結されている。フィンガー部33,35は、それぞれ、外部リードとして働く第１および第２の共用コネクタ31,37と接続されている。
【００２０】
また、半導体パッケージ30は、第１の制御電極24と電気的および機械的に接続された第１の導電性クリップ36、第２の制御電極26と電気的および機械的に接続された第２の導電性クリップ38、第１の電流検知電極28と電気的および機械的に接続された第１の電流検知導電性クリップ40、ならびに第２の電流検知電極29と電気的および機械的に接続された第２の電流検知導電性クリップ42を備えている。
【００２１】
図３〜図６に示すように、半導体パッケージ30は、少なくとも半導体ダイ10を被覆する不動態被膜44によって保護されている。導電性クリップ32,34,36,38,40,42も、外部の要素（例えば回路基板の導電性パッド）との接続に必要な部分を除いて、不動態被膜44によって保護されている。不動態被膜44は、半導体ダイ10を保護することのできる材料から形成されている。このため、半導体パッケージ30は、成形用化合物その他の材料から形成されるハウジングを必要としない。
【００２２】
導電性クリップ32,34,36,38,40,42は、半導体パッケージ30用の外部コネクタまたは外部リードとして働くことに留意するべきである。各導電性クリップ32,34,36,38,40,42は、外部の要素（例えば回路基板の導電性パッド）との接続に用いる部分を有している。図２〜図６に示すように、導電性クリップ32,34,36,38,40,42における外部接続用の部分は、半導体ダイ10の外縁を超えて延出しており、この部分の表面（外部接続面）46は、拡張されている。外部接続面４６は、他の部分の外部接続面と共面をなすようにするのが好ましい。
【００２３】
したがって、表面実装が不可能な小型の半導体ダイでも、回路基板の導電性パッドと接続しうるようになる。外部接続面46は、半導体ダイ10から離間して設けるのが好ましい。他の回路要素を接続した後に、接続のために流し込んだ材料の残留物を除去したり、回路基板の導電性パッドと外部接続面46との接続を検査したりできるからである。
【００２４】
導電性クリップ32,34,36,38,40,42は、半田や導電性エポキシ樹脂等の導電性の接着剤48を介して、半導体ダイ10の各電極と電気的および機械的に接続されている。この外、導電性クリップ32,34,36,38,40,42は、冷間圧接によって、半導体ダイ10の各電極と直接接続させることもできる。
【００２５】
導電性クリップ32,34,36,38,40,42は、金属製のクリップを微細加工する技術を用いて、リードフレームの一部とすることもできる。この場合には、まず導電性クリップをスタンプ加工し、ついで、大きな部分をパンチング等によって除去する。この後、レーザ切削、レーザ研磨、エッチング等によって微細加工を施す。なお、パンチングをレーザ切削、レーザ研磨、エッチング等と置き換えることもできる。
【００２６】
リードフレームを形成した後は、半田付けしうるように、銅や、無電解ニッケルに浸漬した金（ＥＮｉＧ）によって、めっきを施すのが好ましい。
【００２７】
リードフレームの一部としての導電性クリップ32,34,36,38,40,42を、適当な電極に電気的および機械的に接続する際には、導電性の接着剤を、半導体ダイ10の電極、またはリードフレームに蒸着する。すなわち、半田のような導電性接着剤を、ペースト状にして、半導体ダイ10の電極、またはリードフレームに蒸着する。この際、リードフレームは、半田付けの前に、溶融した半田に浸漬することもできる。本発明の半導体パッケージに好適な半田は、金（８０重量％）と錫（２０重量％）からなる半田である。
【００２８】
半導体ダイとリードフレームは、どのような方法で互いに半田付けしたとしても、その後、半田の再流動工程にかけて、導電性クリップ32,34,36,38,40,42を適当な電極に接続する。半田の再流動工程は、適当な環境（減圧酸素、真空、フォーミングガス（水素と窒素の混合ガス）等）の下において、レーザによる半田付け技術を用いて行う。
【００２９】
半導体ダイとリードフレームを互いに半田付けした後は、必要に応じて、洗浄工程にかけ、ついで、半導体ダイとリードフレームの組立て体を不動態被膜で被覆する。半導体ダイとリードフレームの組立て体を不動態被膜で覆うには、ポリシロキサン系ポリマー等の適当な不動態被膜の材料に浸漬し、その後、必要に応じて、不動態被膜を硬化させる。
【００３０】
ついで、リードフレームから、各導電性クリップを切り出すことによって、本発明に係る半導体パッケージが得られる。レーザ切削、レーザ研磨、エッチング等は、微細加工が可能であるため、導電性クリップの切り出しに適している。
【００３１】
本発明に係る半導体パッケージは、工程数が多いため複雑な面もあるが、複数の工程にわたって、同じレーザ装置を使用しうるため、必ずしもコスト高にはならない。なお、レーザを用いると、材料を１分当たり１０ｍ以上の速度で切削することができるため、製造を迅速に行うことができる。
【００３２】
以上、本発明を特定の実施形態に即して説明してきたが、当業者であれば、他の変形例も容易に想起しうると思われる。本発明の技術的範囲は、本明細書による開示に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載のみによって画定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージにおける半導体ダイの平面図である。
【図２】図１の半導体ダイに用いられる半導体パッケージの底面図である。
【図３】図２の３−３方向から視た側面図である。
【図４】図２の４−４方向から視た側面図である。
【図５】図２の５−５線に沿う断面図である。
【図６】図２の６−６線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
９  半導体本体
10  半導体ダイ
12  第１の電極
14  第２の電極
16,18  フィンガー部
20,22  共用給電部
24  第１の制御電極
26  第２の制御電極
28  第１の電流検知電極
29  第２の電流検知電極
30  半導体パッケージ
32  第１の導電性クリップ
34  第２の導電性クリップ
33  フィンガー部
35  フィンガー部
31,37  共用コネクタ
36  第１の導電性クリップ
38  第２の導電性クリップ
40  第１の電流検知導電性クリップ
42  第２の電流検知導電性クリップ
44  不動態被膜
46  外部接続面
48  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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