(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀ナノインクを含む伝導性インクを用いてロールツーロール印刷方法によって製造された印刷アンテナと、
前記伝導性インクの他に、半導体ナノ線と高分子物質を攪拌して製造された半導体インク、および半導体物質との仕事関数の差異によって前記半導体インクとの整流性接触を形成することが可能な前記銀ナノインクより低い仕事関数の導体インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって製造された印刷ダイオードと、
前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって製造された印刷キャパシタとを含み、
前記印刷アンテナによって交流が入力され、前記印刷ダイオードおよび前記印刷キャパシタによって直流が出力されることを特徴とする、ロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項２】
前記伝導性インクは銀ナノインクを含み、前記銀ナノインクは銀含量が１０〜７０ｗｔ％であり、前記銀ナノインクの粘度は３００〜１０００ｃＰ(centi-Poise)であることを特徴とする、請求項１に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項３】
前記半導体ナノ線は、ＺｎＯナノ線、ＧａＡｓナノ線、ＩｎＡｓナノ線、およびＳｉナノ線のいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項４】
前記ＺｎＯナノ線は、Ｚｎアセテート、Ｃｏアセテート、およびトリオクチルアミンを２００〜５００℃の温度と１〜４００ａｔｍの圧力で合成して製造されることを特徴とする、請求項３に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項５】
前記ＧａＡｓナノ線は、窒素で充填された空間でＡｓ（ＳｉＭｅ３）３、Ｂｉナノ結晶、トルエン、オレイン酸、トリオクチルアミン、およびＧａＣｌ３を合成して製造されることを特徴とする、請求項３に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項６】
前記ＩｎＡｓナノ線は、窒素で充填された空間でＡｓ（ＳｉＭｅ３）３、Ｂｉナノ結晶、トルエン、オレイン酸、トリオクチルアミン、およびＩｎＣｌ３を合成して製造されることを特徴とする、請求項３に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項７】
前記Ｓｉナノ線は、モノフェニルシランおよびドデカンチオールでコートされた金ナノ粒子を合成して製造されることを特徴とする、請求項３に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項８】
前記高分子物質は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ、ポリピロール、ＭＥＨ−ＰＰＶ、およびＰ３ＨＴのいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項９】
前記導体インクは、インクに製造可能なＡｇ−Ｃｓ、Ａｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ｍｇ、およびＡｇ−Ｃａ合金のいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項１０】
前記印刷キャパシタは、前記伝導性インクの他に、無機物と高分子物質を攪拌して製造された誘電体インクを用いて製造されることを特徴とする、請求項１に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項１１】
前記高分子物質は、アクリレート系、エポキシ系、およびフェノール系高分子物質のいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項１２】
前記無機物は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＴｉＯ３、Ｓｉ３Ｎ４、およびＴａ２Ｏ５のいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器。
【請求項１３】
ロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器の製造方法において、
前記製造方法は、
銀ナノインクを含む伝導性インクを用いてロールツーロール印刷方法によって印刷アンテナを製造する段階と、
前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって下部電極を印刷する段階と、前記下部電極上に、半導体ナノ線と高分子物質を攪拌して製造された半導体インクを用いて半導体層を印刷する段階と、前記半導体層上に、半導体物質との仕事関数の差異によって前記半導体インクとの整流性接触を形成することが可能な前記銀ナノインクより低い仕事関数の導体インクを用いて上部電極を印刷する段階とによって、複数の印刷ダイオードを製造する段階と、
前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって複数の印刷キャパシタを製造する段階と、
前記伝導性インクを用いて前記印刷アンテナ、前記複数の印刷ダイオードおよび前記複数の印刷キャパシタを連結する配線を印刷する段階とを含み、
前記ＲＦ印刷整流器は、前記印刷アンテナによって交流が入力され、前記印刷ダイオードおよび前記印刷キャパシタによって直流が出力されるように製造されることを特徴とする、ロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の印刷キャパシタを製造する段階は、
前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって下部電極を印刷する段階と、
前記下部電極上に、無機物と高分子物質を攪拌して製造された誘電体インクを印刷する段階と、
前記誘電体インク上に、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって上部電極を印刷する段階とを含むことを特徴とする、請求項１３に記載のロールツーロール印刷方式を用いた倍電圧回路形式のＲＦ印刷整流器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ロールツーロール印刷方式を用いたＲＦ(Radio Frequency)印刷整流器およびその製造方法に係り、さらに詳しくは、伝導性インク、半導体インク、誘電体インクおよび導体インクを用いてロールツーロール印刷方式によって製造された印刷整流器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、デジタルカメラ、ＤＶＤ、ＰＤＰ、ＬＣＤなどのデジタル家電製品の市場が成長するにつれて、半導体およびその他の精密電子部品の製造工程および装置に対する要求も大きく変化している。ＩＣ、電子部品およびディスプレイの市場に加えて、ドナーアクセプタ型の有機太陽電池、酸化チタン、酸化亜鉛などを含む色素増感太陽電池(dye-sensitized solar cells)、および燃料電池などのエネルギー分野においても、新製品の実用化を迎えているので、生産工程の単純化と工程費用を減らすための研究が行われている。
【０００３】
印刷電子デバイス技術は、既存の電子製品を生産する方式とは異なり、新聞や雑誌、ポスターなどの印刷物の製作に使用してきた印刷技術を電子部品の製造に適用する技術である。印刷電子デバイス技術を用いてＲＦＩＤタグを製作する技術が開発されている。
【０００４】
従来の手動型ＲＦＩＤタグは、リーダー機から供給されるＲＦ電力を、誘導性結合方式を採用したアンテナを用いて交流電圧を誘起し、誘起された交流電圧をシリコンベースの整流器とキャパシタを用いて直流電圧に変換することにより、タグ動作に必要な電力を供給する。このようなアンテナと整流器との組み合わせを「レクテナ(Rectenna)」と呼ぶ。
【０００５】
１３．５６ＭＨｚ帯域のＲＦＩＤに用いられるＨＦ(High
Frequency)アンテナは、主に銅箔をエッチングして製造されており、結晶型シリコンをベースとした整流器は、シリコンダイオードおよびキャパシタから構成され、低周波からＵＨＦ(Ultra High Frequency)領域に至るまでの高いＤＣ転換率を示しており、大部分の手動型ＲＦＩＤタグのエネルギー供給源として用いられている。
【０００６】
ところが、このようなシリコンと無機酸化物をベースとした整流器は、超低価の印刷ＲＦＩＤタグの製造に使用するには工程上互換性が劣るという問題点があって、１００％印刷技術を用いて製造された印刷整流器が要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、ロールツーロール印刷方法で製造され、１３．５６ＭＨｚの交流を介して１０Ｖ以上の直流を供給することが可能なＲＦ印刷整流器を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、前記ＲＦ印刷整流器の製造に必須的な印刷ダイオードおよび印刷キャパシタの製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、前記ＲＦ印刷ダイオードの製造に用いられる伝導体インク、半導体インク、誘電体インクおよび導体インクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、伝導性インクを用いてロールツーロール印刷方法によって製造された印刷アンテナと、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって製造された印刷ダイオードと、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって製造された印刷キャパシタとを含み、前記印刷アンテナによって交流が入力され、前記印刷ダイオードおよび前記印刷キャパシタによって直流が出力されることを特徴とする、ロールツーロール印刷方式を用いたＲＦ印刷整流器を提供する。
【００１０】
前記伝導性インクは銀ナノインクを含み、前記銀ナノインクは銀含量が１０〜７０ｗｔ％であり、前記銀ナノインクの粘度は３００〜１０００ｃＰ(centi-Poise)であることを特徴とする。
前記印刷ダイオードは、前記伝導性インクの他に、半導体ナノ線と高分子物質を攪拌して製造された半導体インク、および仕事関数の差異によって前記半導体インクとの整流性接触を形成することが可能な低い仕事関数の導体インクを用いて製造されることを特徴とする。
【００１１】
前記半導体ナノ線は、ＺｎＯナノ線、ＧａＡｓナノ線、ＩｎＡｓナノ線、およびＳｉナノ線のいずれか一つを含むことを特徴とする。
前記ＺｎＯナノ線は、Ｚｎアセテート、Ｃｏアセテート、およびトリオクチルアミンを２００〜５００℃の温度と１〜４００ａｔｍの圧力で合成して製造されることを特徴とする。
【００１２】
前記ＧａＡｓナノ線は、窒素で充填された空間でＡｓ（ＳｉＭｅ;３）３、Ｂｉナノ結晶、トルエン、オレイン酸、トリオクチルアミン、およびＧａＣｌ３を合成して製造されることを特徴とする。
前記ＩｎＡｓナノ線は、窒素で充填された空間でＡｓ（ＳｉＭｅ
;３）３、Ｂｉナノ結晶、トルエン、オレイン酸、トリオクチルアミン、およびＩｎＣｌ３を合成して製造されることを特徴とする。
【００１３】
前記Ｓｉナノ線は、モノフェニルシラン(Monophenylsilane)およびドデカンチオール(dodecanthiol)でコートされた金ナノ粒子を合成して製造されることを特徴とする。
前記高分子物質は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ、ポリピロール、ＭＥＨ−ＰＰＶ、およびＰ３ＨＴのいずれか一つを含むことを特徴とする。
【００１４】
前記導体インクは、インクに製造可能なＡｇ−Ｃｓ、Ａｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ｍｇ、およびＡｇ−Ｃａ合金のいずれか一つを含むことを特徴とする。
前記印刷キャパシタは、前記伝導性インクの他に、無機物と高分子物質を攪拌して製造された誘電体インクを用いて製造されることを特徴とする。
【００１５】
前記高分子物質は、アクリレート系、エポキシ系、およびフェノール系高分子物質のいずれか一つを含むことを特徴とする。
前記無機物は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＴｉＯ３、Ｓｉ３Ｎ４、およびＴａ２Ｏ５のいずれか一つを含むことを特徴とする。
【００１６】
また、上記目的を達成するために、本発明の他の観点によれば、ロールツーロール印刷方式を用いたＲＦ印刷整流器の製造方法において、前記製造方法は、伝導性インクを用いてロールツーロール印刷方法によって印刷アンテナを製造する段階と、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって複数の印刷ダイオードを製造する段階と、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって複数の印刷キャパシタを製造する段階と、前記伝導性インクを用いて前記印刷アンテナ、前記複数の印刷ダイオードおよび前記複数の印刷キャパシタを連結する配線を印刷する段階とを含み、前記ＲＦ印刷整流器は、前記印刷アンテナによって交流が入力され、前記印刷ダイオードおよび前記印刷キャパシタによって直流が出力されるように製造されることを特徴とする、ロールツーロール印刷方式を用いたＲＦ印刷整流器の製造方法を提供する。
【００１７】
前記複数の印刷ダイオードを製造する段階は、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって下部電極を印刷する段階と、前記下部電極上に、半導体ナノ線と高分子物質を攪拌して製造された半導体インクを用いて半導体層を印刷する段階と、前記半導体層上に、仕事関数の差異によって前記半導体インクとの整流性接触を形成することが可能な低い仕事関数の導体インクを用いて上部電極を印刷する段階とを含むことを特徴とする。
【００１８】
前記複数の印刷キャパシタを製造する段階は、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって下部電極を印刷する段階と、前記下部電極上に、無機物と高分子物質を攪拌して製造された誘電体インクを印刷する段階と、前記誘電体インク上に、前記伝導性インクを用いて前記ロールツーロール印刷方法によって上部電極を印刷する段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るＲＦ印刷整流器は、ローツーロール印刷工程および１００％印刷工程を用いて製造されることにより、ＨＦ帯域で直流１０Ｖ以上を安定的に整流することができ、工程費用が低いうえ、工程効率が非常に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施例に係るＲＦ印刷整流器の倍電圧回路図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＨＦ帯域の印刷アンテナを示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係る酸化亜鉛ナノ線のＳＥＭ測定結果を示す図である。
【図４】本発明の一実施例に係る倍電圧回路図である。
【図５】本発明の一実施例に係る酸化亜鉛ナノ線のＸＲＤ分析結果を示す図である。
【図６】本発明の一実施例に係るロールツーロール工程を用いて印刷したＨＦ帯域（１３．５６ＭＨｚ）の第１アンテナを示す図である。
【図７】本発明の一実施例に係るロールツーロール工程を用いて印刷したＨＦ帯域（１３．５６ＭＨｚ）の第２アンテナを示す図である。
【図８】本発明の一実施例に係る印刷ダイオードの電圧−電流グラフである。
【図９】本発明の一実施例に係る印刷ダイオードの直流整流特性を示すグラフである。
【図１０】本発明の一実施例に係るＲＦ印刷整流器の直流整流特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明で使用される用語は、現在広く用いられる一般な用語を選択したが、特定の場合は出願人が任意に選定した用語もあり、この場合、該当する発明の詳細な説明部分においてその意味を記載したので、単純な用語の名称ではなく、用語が持つ意味で本発明を把握しなければならない。
【００２２】
以下、本発明の好適な実施例を添付図面を参照して説明するが、本発明の特徴および範囲はこれらの実施例に限定されない。
本発明において、ロールツーロール印刷方法とは、銅張積層板（ＦＣＣＬ）を裁断せず、そのまま回転ロールに巻いて使用する印刷方法を意味する。
【００２３】
本発明において、ロールツーロールプリンター用伝導性インクとは、アンテナおよび電極部分に使用される銀ナノインクを含み、銀ナノゲルを用いて製造される。前記銀ナノインクにおける銀の含量は、１０〜７０ｗｔ％であり、好ましくは２０〜５０ｗｔ％である。前記銀ナノインクの粘度は、３００〜１０００ｃＰであり、好ましくは４００〜５００ｃＰである。銀ナノゲルの場合は、韓国特許出願第１０−２００７−００７９８９７号で製造された銀ナノゲルを用いて伝導性インクを製造したものである。ＲＦＩＤタグのアンテナ性能を実現するために、伝導性インクは、０．８〜１５ｍΩ／□／ｍｉｌの伝導性を有し、好ましくは０．８〜５ｍΩ／□／ｍｉｌの伝導性を有する。
【００２４】
本発明において、印刷アンテナとは、図２に示すように、銀ナノインクを原料物質として用い、ロールツーロールグラビア印刷工程を用いて製造した１００％印刷アンテナを意味し、１３．５６ＭＨｚのＲＦＩＤタグに交流電力を供給するための用途で用いられる。
【００２５】
本発明において、半導体ナノ線とは、図３に示すように、Ｓｉ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｚｎなどの半導体の前駆体を用いて高温高圧で製造された無機物半導体ナノ線を意味し、ドーピング物質としてはＣｏ、Ｂ、Ａｌ、Ｐ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａを含む。
【００２６】
本発明において、半導体インクとは、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡＳ、またはＩｎＡｓナノ線と高分子物質としてのポリアニリン、ＰＥＤＯＴ、ポリピロール、ＭＥＨ−ＰＰＶ、Ｐ３ＨＴを意味する。
【００２７】
本発明において、誘電体インクとは、無機物と高分子のハイブリッド形態のインクであって、誘電率が１０以上でなければならず、印刷の際に基板との接着力、広がり性などに優れなければならない。絶縁インクに用いられる高分子の組成としては、ポリイミド、ポリメタメチルアクリレート、エポキシ、ポリエステル、ポリビニルフェノール、フェノキシなどのアクリレート系、エポキシ系、フェノール系がある。また、無機物の組成としては、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＴｉＯ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５などがある。
【００２８】
本発明において、低い仕事関数の導体インクとは、半導体物質との仕事関数の差異によって半導体インクとの整流性接触を形成することが可能な物質であり、１次電極印刷のための銀より低い仕事関数を持つ導体を意味し、インクに製造可能なＡｇ−Ｃｓ、Ａｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｇ−Ｃａ合金などの導体インクの種類を意味する。
【００２９】
本発明において、印刷ダイオード２０１、２０２、２０３とは、ロールツーロール印刷用に製作された銀ナノインクを用いてプラスチックフィルム上に下部電極を印刷し、銀電極上にロールツーロール印刷方法またはパッド印刷方法を用いて半導体インクを印刷し、その上にロールツーロール印刷方法またはパッド印刷方法を用いて上部電極として低い仕事関数の金属インクを印刷して製作された素子を意味する。製造されたダイオードは、整流比が１０３〜１０４であり、ＨＦ領域で２０Ｖの交流入力電圧状態で５Ｖ以上の整流が可能である。
【００３０】
本発明において、印刷キャパシタ３０１、３０２、３０３とは、銀ナノインクを用いてロールツーロール印刷方法で下部電極を印刷した後、銀電極上に誘電体インクを印刷し、しかる後に、さらに銀ナノインクを用いて電極を印刷して製造された１００％印刷キャパシタを意味する。製造されたキャパシタは、面積に応じてキャパシタンスが変化するが、一般に０．０１ｎＦ〜１０ｎＦである。製造されたキャパシタの単位面積当たりキャパシタンスは一般に０．１〜１００ｎＦ／ｃｍ２である。
【００３１】
本発明において、ＲＦ印刷回路とは、倍電圧回路として用いられる印刷整流器であって、図１に示すように、少なくとも一つの印刷アンテナ１００、複数の印刷ダイオード２０１、２０２、２０３および複数の印刷キャパシタ３０１、３０２、３０３を含み（例えば、３つのダイオードおよび３つのキャパシタ）、配線は銀ナノインクを印刷して製造する。本発明に係る印刷整流器は図４に示した倍電圧回路のように製造できるが、本発明は前記倍電圧回路に限定されない。前記ＲＦ印刷整流器はＨＦ帯域で２０Ｖの交流入力電圧状態で直流１０Ｖ以上を得ることができる。
以下、本発明を下記の実施例を参照してより詳細に説明する。
【実施例１】
【００３２】
Ｚｎアセテート（２．６６ｍｏｌ）とＣｏアセテート（０．３０ｍｏｌ）を反応器に仕込み、トリオクチルアミン（２５ｍＬ）を添加した後、反応温度を３１０℃で３０分間超臨界状態で攪拌し、反応が終了すると、反応器の壁面に緑色で塗布される。この緑色で塗布された物質が、コバルトでドープされた酸化亜鉛ナン線である。塗布された緑色酸化亜鉛ナノ線にエタノールを添加して分散させ、遠心分離機を用いて、溶媒と、最終合成された、コバルトでドープされた酸化亜鉛ナノ線とを分離する。図３は合成された酸化亜鉛ナノ線の走査電子顕微鏡写真である。
【００３３】
図５は酸化亜鉛ナノ線のＸ線回折分析結果を示す。分離された、コバルトでドープされた酸化亜鉛ナノ線は、パウダー形態であり、コバルトでドープされた酸化亜鉛ナノ線と、伝導性高分子として知られているポリアニリンを１：５の比率で攪拌してインクとして製作する。
【実施例２】
【００３４】
窒素の下でＡｓ（ＳｉＭｅ３）３とＧａＣｌ３がトリオクチルアミン（ＴＯＡ）に溶けているＢｉナノ結晶を準備した後、Ｂｉ（III）２−エチルヘキサノエートをジオクチルエーテルとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）に溶かし、しかる後に、ＮａＢＨ４をエチレンジアミンに溶かして添加すると、溶けない溶媒によってＢｉナノ結晶が析出する。
【００３５】
ナノ線成長のためにＡｓ（ＳｉＭｅ３）３８．６μＬ、Ｂｉナノ結晶１．７ｍｇ、トルエン３００μＬ、オレイン酸２４μＬ、トリオクチルアミン８５０μＬの反応物を、窒素で充填されたグローブボックス内でＧａＣｌ３１４．３ｍｇ、ミリスチン酸５．６ｍｇ、ＴＯＡ２．５ｍＬが溶けている熱い溶液（３４０℃）に添加した後、攪拌する。溶媒の温度が４０℃に降温するが、さらに３４０℃に昇温して５分間さらに攪拌してＧａＡｓナノ線が成長すると、反応が終了する。
【実施例３】
【００３６】
ＩｎＣｌ３１８ｍｇ、Ａｓ（ＳｉＭｅ３）３８．６μＬ、Ｂｉナノ結晶１．７ｍｇ、トルエン３００μＬ、オレイン酸２４μＬ、およびトリオクチルアミン（ＴＯＡ）８５０μＬを、窒素入りのグローブボックス内でＴＯＡ２．５ｍＬにミリスチン酸５．６ｍｇを溶かした熱い溶液（３４０℃）に添加した後、攪拌する。反応物の添加後に溶媒の温度が４０℃に降温するが、さらに温度を３４０℃に昇温して５分間さらに攪拌してＩｎＡｓナノ線が成長すると、反応が終了する。
【実施例４】
【００３７】
グローブボックス内でモノフェニルシラン（２７２ｍＭ）をベンゼンに溶解させた後、ドデカンチオールでコートされた金ナノ粒子（１ｍｇ／ｍＬ）を添加する。この際、金とシリコンの比率は１：１０００である。まず、超臨界の圧力を３．４ＭＰａに維持した状態で製造された溶液を０．５ｍＬ／ｍｉｎの速度で反応器に１０ｍＬ添加した後、超臨界温度を４６０℃まで加熱すると、圧力は６．９ＭＰａまで増加する。この際、反応を終了し、反応器の温度と圧力が室温と待機状態になると、反応器にクロロホルムを添加して分散させた後、シリコンナノ線を得る。
【実施例５】
【００３８】
Ｎ−メチル−２−ピロリドンにドープされていないポリアニリンを溶解させた溶液（３ｍＬ）にＣｓ（ＣＨ３ＣＯＯ）２（０．１ｇ）、フェニルヒドラジン（０．２ｍＬ）および銀ナノゲル（１ｇ）を添加した後、分散させてインクとして製作する。製作されたインクは、２〜５０ｍΩ／□／ｍｉｌの伝導性を有し、前記ロールツーロールプリンター用伝導性インクに比べて低い仕事関数を持つ。
【実施例６】
【００３９】
前記ロールツーロールプリンター用伝導性インクを用いてグラビア印刷によって図６および図７の相異なるパターンでロールツーロールアンテナを製作し、その特性を分析した。その結果は下記の表１に示す。
【表１】
0005479451.tif 000002
【実施例７】
【００４０】
ロールツーロールプリンター用伝導性インクを用いてグラビア印刷機によってＰＥＴフィルム上に電極を１００〜２ｍｍ２で印刷し、さらに実施例１で製造したＺｎＯ半導体インクを用いて８０〜１ｍｍ２で半導体層を印刷した後、８０℃〜１５０℃で１０分〜１時間焼結し、しかる後に、さらに低い仕事関数の導体インクで８０〜１ｍｍ２で電極を印刷して印刷ダイオードを製造する。
【００４１】
製造された印刷ダイオードは、半導体特性分析器で測定し、図８に示すように整流比が１０３〜１０４であり、図９に示すように非常に安定的にＨＦ帯域で直流３〜６Ｖに整流することができる。
【実施例８】
【００４２】
伝導性インクを用いて１００〜１ｍｍ２の大きさで電極をロールツーロールグラビア印刷工程によって印刷した後、誘電体インクをグラビア印刷によって９０〜１ｍｍ２の大きさで電極を印刷することにより、キャパシタンス０．０１ｎＦ〜１０ｎＦのキャパシタを印刷方法で製造することができる。
【実施例９】
【００４３】
実施例３、実施例４、実施例５の印刷アンテナ、印刷ダイオード、印刷キャパシタを図１のＲＦ印刷整流器回路のようにＰＥＴフィルム上に印刷し、銀ナノインクを用いて配線を印刷して製作されたＲＦ印刷整流器（図４に示した倍電圧回路）を製作する。図１０に示すように、前記ＲＦ印刷整流器（倍電圧回路）はＨＦ帯域の交流２０Ｖを１０Ｖ以上の直流に整流することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
以上、本発明の好適な実施例について説明の目的で開示したが、当業者であれば、添付した特許請求の範囲に開示された本発明の精神と範囲から逸脱することなく、様々な変形、追加または置換を加え得ることを理解するであろう。
したがって、本発明の範囲は、上述した実施例に限定されず、添付した特許請求の範囲およびこれら特許請求の範囲と均等な全ての技術的思想を含む。
【符号の説明】
【００４５】
１００：印刷アンテナ
２０１、２０２、２０３：印刷ダイオード
３０１、３０２、３０３：印刷キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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