(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の表面の突出山部高さＲｐｋが０．０３５μｍ以下である圧延銅箔であり、
前記表面に、以下の条件で粗化処理を行って粗化粒子を形成し；
・めっき浴組成  Ｃｕ：１５ｇ／Ｌ、Ｃｏ：８．５ｇ／Ｌ、Ｎｉ：８．６ｇ／Ｌ
・処理液ｐＨ：２．５
・処理温度：３８℃
・電流密度：２０Ａ／ｄｍ2
・めっき時間：２．０秒
続いて、前記銅箔を、ポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、
ライン状のマークを印刷した印刷物を露出した前記ポリイミド樹脂基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
前記撮影で得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して撮影した、観察地点−明度グラフにおいて、
前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）が４０以上であり、観察地点―明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる圧延銅箔。
【数１】
0005427943.tif 000005
【請求項２】
少なくとも一方の表面のコア部のレベル差Ｒｋが０．１３μｍ以下である請求項１に記載の圧延銅箔。
【請求項３】
少なくとも一方の表面の突出谷部深さＲｖｋが０．１２μｍ以下である請求項１又は２に記載の圧延銅箔。
【請求項４】
前記突出山部高さＲｐｋが０．０２７μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の圧延銅箔。
【請求項５】
前記コア部のレベル差Ｒｋが０．１μｍ以下である請求項２〜４のいずれかに記載の圧延銅箔。
【請求項６】
前記突出谷部深さＲｖｋが０．１μｍ以下である請求項３〜５のいずれかに記載の圧延銅箔。
【請求項７】
厚みが６〜３５μｍである請求項１〜６のいずれかに記載の圧延銅箔。
【請求項８】
前記銅箔とフィルム厚２５μｍのポリイミドフィルムとを積層した幅３ｍｍ以上５ｍｍ以下の片面銅張積層板の試料に対し、前記ポリイミドフィルム面を内側とした１８０°密着曲げを行ったときに、前記銅箔が破断するまでの曲げ回数が３回以上である請求項１〜７のいずれかに記載の圧延銅箔。
【請求項９】
前記銅箔が破断するまでの曲げ回数が５回以上である請求項８に記載の圧延銅箔。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の圧延銅箔の少なくとも一方の表面に、粗化処理により粗化粒子が形成された表面処理銅箔であって、前記銅箔を、ポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、
ライン状のマークを印刷した印刷物を露出した前記ポリイミド樹脂基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
前記撮影で得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して撮影した、観察地点−明度グラフにおいて、
前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）が４０以上であり、観察地点―明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる表面処理銅箔。
【数２】
0005427943.tif 000006
【請求項１１】
前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが５．０以上となる、請求項１０に記載の表面処理銅箔。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載の圧延銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板。
【請求項１３】
請求項１０又は１１に記載の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の積層板を用いたプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層板の回路に用いられる銅箔及びそれを用いた積層板に関し、特に銅箔をエッチングした後の樹脂の透明性が要求される分野に好適な圧延銅箔、表面処理銅箔、積層板及びプリント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化に伴い、信号の高周波化が進んでおり、それに伴い信号配線として用いられるフレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣ）にも高周波対応が求められてきている。信号が高周波化すると、信号電流は配線の表面近傍を伝播するために、ＦＰＣの配線部材として用いられる銅箔の表面が粗いと信号の損失が大きくなる。そのため高周波対応の銅箔には表面の平滑性が求められる。
また、ＦＰＣをＬＣＤとＡＣＦ接合する際に、ＦＰＣのベースとなる樹脂層（例えば、ポリイミド）越しにＣＣＤカメラでマーカー位置を確認し、接合位置合わせを行う。このため樹脂層の透明度が低いと位置合わせができない。
ＦＰＣの樹脂層は、銅箔と樹脂層とを接合した後にエッチングによって銅層を除去したものである。そのため樹脂層表面は、銅箔表面の凹凸を転写したレプリカとなっている。つまり、銅箔表面が粗いと樹脂層表面も粗くなり、光を乱反射するために透明度が低下する。このため、樹脂層の光透過性を改善するためには、銅箔の樹脂層との接着面を平滑にする必要がある。
一般に、銅箔の樹脂層との接着面は、接着強度を増すために粗化めっき処理される。銅箔の表面粗さに比べて粗化処理のめっき粒子が大きいことから、銅箔表面を平滑にする手段として、これまで主としてめっき条件の改良が行われてきた。
【０００３】
このような技術として、例えば、特許文献１には、銅箔表面にクロム及び亜鉛のイオンまたは酸化物から形成され、少なくとも０．５％のシランを含有する水溶液を用いて処理される付着層を持つ銅箔が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−３９１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された実証サンプルの密着強度は比較サンプルである粗い銅箔と比較すると接着強度は低い値にとどまっている。このように、粗化粒子を過度に微細化すると樹脂層との密着強度が低下することから、粗化めっきの改良による平滑化には限界があった。このため、樹脂層と銅箔との密着強度の確保と、樹脂層の視認性の向上とを両立することが困難となっている。
本発明は、従来と同じ粗化めっきを施した場合にも平滑な表面を有し、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れた圧延銅箔、表面処理銅箔、積層板及びプリント基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は鋭意研究を重ねた結果、粗化めっきの母材となる圧延銅箔の表面を所定の手段で平滑化した圧延銅箔を用いることで、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性が良好となることを見出した。より詳細には、当該平滑性を示す指標として突出山部高さＲｐｋ、或いは、表面の突出谷部深さＲｖｋを用い、これらを所定値以下に制御した圧延銅箔を用いることで、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性が良好となることを見出した。
【０００７】
以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、少なくとも一方の表面の突出山部高さＲｐｋが０．０３５μｍ以下である圧延銅箔である。
【０００８】
本発明に係る圧延銅箔の一実施形態においては、少なくとも一方の表面のコア部のレベル差Ｒｋが０．１３μｍ以下である。
【０００９】
本発明に係る圧延銅箔の別の一実施形態においては、少なくとも一方の表面の突出谷部深さＲｖｋが０．１２μｍ以下である。
【００１０】
本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記突出山部高さＲｐｋが０．０２７μｍ以下である。
【００１１】
本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記コア部のレベル差Ｒｋが０．１μｍ以下である。
【００１２】
本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記突出谷部深さＲｖｋが０．１μｍ以下である。
【００１３】
本発明に係る圧延銅箔は別の一側面において、少なくとも一方の表面の突出谷部深さＲｖｋが０．１２μｍ以下である圧延銅箔である。
【００１４】
本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、厚みが６〜３５μｍである。
【００１５】
本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記銅箔とフィルム厚２５μｍのポリイミドフィルムとを積層した幅３ｍｍ以上５ｍｍ以下の片面銅張積層板の試料に対し、前記ポリイミドフィルム面を内側とした１８０°密着曲げを行ったときに、前記銅箔が破断するまでの曲げ回数が３回以上である。
【００１６】
本発明に係る圧延銅箔の更に別の実施形態においては、前記銅箔が破断するまでの曲げ回数が５回以上である。
【００１７】
本発明は更に別の一側面において、本発明の圧延銅箔の少なくとも一方の表面に、粗化処理により粗化粒子が形成された表面処理銅箔であって、前記銅箔を、ポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影で得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して撮影した、観察地点−明度グラフにおいて、前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）が４０以上であり、観察地点―明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる表面処理銅箔である。
【数１】
0005427943.tif 000002
【００１８】
本発明の表面処理銅箔は一実施形態において、前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが５．０以上となる。
【００１９】
本発明は更に別の一側面において、本発明の圧延銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板である。
【００２０】
本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板である。
【００２１】
本発明は更に別の一側面において、本発明の積層板を用いたプリント基板である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、従来と同じ粗化めっきを施した場合にも平滑な表面を有し、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れた圧延銅箔、表面処理銅箔、積層板及びプリント基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】Ｂｔ及びＢｂを定義する模式図である。
【図２】ｔ１及びｔ２及びＳｖを定義する模式図である。
【図３】明度曲線の傾き評価の際の、撮影装置の構成及び明度曲線の傾きの測定方法を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
〔圧延銅箔、表面処理銅箔の形態及び製造方法〕
本発明において使用する圧延銅箔は、樹脂基板と接着させて積層体を作製し、エッチングにより部分的に銅箔を除去することで使用される圧延銅箔に有用である。
通常、銅箔の、樹脂基板と接着する面、即ち粗化面には積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理を施して表面処理銅箔とすることができる。この粗化処理は銅−コバルト−ニッケル合金めっきや銅−ニッケル−りん合金めっき等により行うことができる。
本発明に係る圧延銅箔にはＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂ等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。例えば、上記元素を１０〜２０００ｐｐｍ含む銅合金、好ましくは１０〜５００ｐｐｍ含む銅合金が含まれる。上記元素の濃度が高くなる（例えば合計で１０質量％以上）と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは５０％ＩＡＣＳ以上、より好ましくは６０％ＩＡＣＳ以上、更に好ましくは８０％ＩＡＣＳ以上である。また銅箔厚みは特に限定されないが、好ましくは５〜５０μｍ、さらに好ましくは６〜３５μｍである。
【００２５】
本発明の圧延銅箔は、少なくとも一方の表面の突出山部高さＲｐｋが０．０３５μｍ以下である。突出山部高さＲｐｋはＪＩＳＢ０６７１に規定されている線形負荷曲線による高さ特性の指標であり、コア部の上にある突出山部の平均高さを示す。圧延銅箔の表面の平滑性が向上すると、樹脂層に接着して除去された後の樹脂層の視認性が良好となる。また、銅箔表面が平滑であっても鋭い凹凸がある場合は、凹凸のエッジ部に粗化めっきが過剰に電着するために粗化後の粗さが不均一となり、当該樹脂層の視認性が不良となる。凹凸のエッジ部への過剰な電着を防止するため粗化めっきの電着を少なくすると、樹脂層との接着性が不良となってしまう。このため、本発明の圧延銅箔は、表面の突出山部高さＲｐｋが０．０３５μｍ以下に制御されており、表面から突き出した突起が小さく且つ少ない。このような構成により、銅箔の表面にめっき処理を行ったときの異常電着の起点となる材料表面の鋭い凹凸を良好に制御しつつ、樹脂との密着性を確保することができる。突出山部高さＲｐｋは、好ましくは０．０２７μｍ以下であり、より好ましくは０．０２５μｍ以下である。
【００２６】
本発明の圧延銅箔は、少なくとも一方の表面の突出谷部深さＲｖｋが０．１２μｍ以下であってもよい。突出谷部深さＲｖｋはＪＩＳＢ０６７１に規定されている線形負荷曲線による高さ特性の指標であり、コア部の下にある突出谷部の平均深さを示す。表面の突出谷部深さＲｖｋが０．１２μｍ以下に制御されていると、表面から窪んだ溝が小さく且つ少なくなり、上述の表面の突出山部高さＲｐｋの制御と同様の理由により、銅箔の表面にめっき処理を行ったときの異常電着の起点となる材料表面の鋭い凹凸を良好に制御しつつ、樹脂との密着性を確保することができる。突出谷部深さＲｖｋは、好ましくは０．１μｍ以下であり、より好ましくは０．０８μｍ以下である。
【００２７】
本発明の圧延銅箔は、更に、少なくとも一方の表面のコア部のレベル差Ｒｋが０．１３μｍ以下であってもよい。コア部のレベル差ＲｋはＪＩＳＢ０６７１に規定されている線形負荷曲線による高さ特性の指標であり、コア部の上側レベルと下側レベルの差を示す。表面のコア部のレベル差Ｒｋが０．１３μｍ以下に制御されていると、表面の凹凸のばらつきが少なくなり、銅箔の表面にめっき処理を行ったときの異常電着の起点となる材料表面の鋭い凹凸を良好に制御しつつ、樹脂との密着性を確保することができる。コア部のレベル差Ｒｋは、好ましくは０．１μｍ以下であり、より好ましくは０．０８μｍ以下である。
【００２８】
本発明の圧延銅箔の製造方法としては、まず溶解炉で原料を溶解し、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯をインゴットに鋳造する。その後、熱間圧延、冷間圧延、及び、焼鈍を適宜行い、所定の厚みを有する箔に仕上げる。熱処理後には、熱処理時に生成した表面酸化膜を除去するために、表面の酸洗や研磨等を行ってもよい。最終冷間圧延では、熱処理後の材料を繰り返し圧延機に通板（パス）することで所定の厚みに仕上げる。本発明の圧延銅箔の製造方法では、最終冷間圧延工程の最終圧延パスにおける油膜当量を１７０００以下、最終圧延パスの直前の圧延パスにおける油膜当量を１５０００以下、更にその直前の圧延パスにおける油膜当量を１００００以下とし、且つ、最終冷間圧延工程において、最終圧延パスの直前で圧延平行方向の６０度光沢度Ｇが４００以上かつ算術平均傾斜Δａが０．１以下になるように調整した後、最終圧延パスを行うことが重要である。ここで、「６０度光沢度Ｇ」は、ＪＩＳ Ｚ８７４１で定義された６０度鏡面光沢である。また、「算術平均傾斜Δａ」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４で定義された値であり、測定曲線を一定間隔ΔＸで区切り、各区間内における測定曲線の終始点を結ぶ線分の傾きの絶対値を求め、その値を平均したものである。
また、油膜当量は下記の式で規定される。
油膜当量＝｛（圧延油粘度［ｃＳｔ］）×（通板速度［ｍｐｍ］＋ロール周速度［ｍｐｍ］）｝／｛（ロールの噛み込み角［ｒａｄ］）×（材料の降伏応力［ｋｇ／ｍｍ2］）｝
圧延油粘度［ｃＳｔ］は４０℃での動粘度である。
油膜当量を制御するためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
油膜当量を制御することによって、材料表面の変形がロールによって拘束され、圧延による厚みの変化に伴う表面粗さの増加を抑制するとともに、表面形状を制御することができる。また、最終圧延パスの直前で光沢度Ｇを高く且つΔａを小さくすることで、突出山部高さＲｐｋ、コア部のレベル差Ｒｋ、突出谷部深さＲｖｋをそれぞれ所望の範囲に制御できる。最終パス直前で光沢度Ｇが低い、又は、Δａが大きいと、最終パスで材料表面を平滑にしても、前パスまでに形成された深い凹凸が残留するため、所望の表面形状が得られない。
【００２９】
また、油膜当量が小さい場合には、圧延に用いる圧延ロール表面の凹凸が材料表面に転写しやすいため、圧延ロール表面も平滑であるのが好ましい。このため、本発明の圧延銅箔の製造方法で用いる圧延ロールは、ロールの回転軸に平行な方向に測定したときの平均粗さＲａが０．１μｍ以下であるのが好ましい。
【００３０】
本発明の圧延銅箔を、粗化処理面側から樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム等を使用する事ができる。
【００３１】
貼り合わせの方法は、ポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で圧延銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層板を製造することができる。
【００３２】
（曲げ回数）
本発明の圧延銅箔は、銅箔とフィルム厚２５μｍのポリイミドフィルムとを、３００℃で１時間の加熱プレスを用いて圧着させて積層した幅３ｍｍ以上５ｍｍ以下の片面銅張積層板の試料に対し、ポリイミドフィルム面を内側とした１８０°密着曲げを行ったときに、銅箔が破断するまでの曲げ回数が３回以上であるのが好ましく、５回以上であるのがより好ましい。このような条件を満たすように屈曲性が良好であれば、ＬＣＤモジュール用ＦＰＣとして好適に用いることができる。
【００３３】
（Ｓｖ値）
「Ｓｖ」の値は、次のようにして求める。まず、銅箔をポリイミド基材樹脂の両面に貼り合わせた後、エッチングで両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、印刷物を前記ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影する。撮影によって得られた画像について、観察されたライン状のマークが伸びる方向に対して垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定し、観察地点−明度グラフを作成する。このグラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差は明るさの諧調差であり、これをΔＢ（＝Ｂｔ−Ｂｂ）としたとき、ΔＢが４０以上となるように明るさの諧調を設定する。また、明度曲線とＢｔの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点をｔ２としたとき、Ｓｖの値は以下の式（１）で定義される。
【数２】
0005427943.tif 000003
なお、前記観察位置-明度グラフにおいて、横軸は位置情報（ピクセル×０．１）、縦軸は明度（階調）の値を示す。
ここで、「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」、「明度曲線のボトム平均値Ｂｂ」、及び、後述の「ｔ１」、「ｔ２」、「Ｓｖ」について、図を用いて説明する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に、マークの幅を約０．３ｍｍとした場合のＢｔ及びＢｂを定義する模式図を示す。マークの幅を約０．３ｍｍとした場合、図１（ａ）に示すようにＶ型の明度曲線となる場合と、図１（ｂ）に示すように底部を有する明度曲線となる場合がある。いずれの場合も「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」は、マークの両側の端部位置から５０μｍ離れた位置から３０μｍ間隔で５箇所（両側で合計１０箇所）測定したときの明度の平均値を示す。一方、「明度曲線のボトム平均値Ｂｂ」は、明度曲線が図１（ａ）に示すようにＶ型となる場合は、このＶ字の谷の先端部における明度の最低値を示し、図１（ｂ）の底部を有する場合は、約０．３ｍｍの中心部の値を示す。
図２に、ｔ１及びｔ２及びＳｖを定義する模式図を示す。「ｔ１（ピクセル×０．１）」は、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点並びにその交点の位置を示す値（前記観察地点−明度グラフの横軸の値）を示す。「ｔ２（ピクセル×０．１）」は、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点並びにその交点の位置を示す値（前記観察地点−明度グラフの横軸の値）を示す。このとき、ｔ１およびｔ２を結ぶ線で示される明度曲線の傾きについては、ｙ軸方向に０．１ΔＢ、ｘ軸方向に（ｔ１−ｔ２）で計算されるＳｖ（階調／ピクセル×０．１）で定義される。なお、横軸の１ピクセルは１０μｍ長さに相当する。また、Ｓｖは、マークの両側を測定し、小さい値を採用する。さらに、明度曲線の形状が不安定で上記「明度曲線とＢｔとの交点」が複数存在する場合は、最もマークに近い交点を採用する。
ＣＣＤカメラで撮影した上記画像において、マークが付されていない部分では高い明度となるが、マーク端部に到達したとたんに明度が低下する。ポリイミド基板の視認性が良好であれば、このような明度の低下状態が明確に観察される。一方、ポリイミド基板の視認性が不良であれば、明度がマーク端部付近で一気に「高」から「低」へ急に下がるのではなく、低下の状態が緩やかとなり、明度の低下状態が不明確となってしまう。
このため、本発明の表面処理銅箔を貼り合わせて除去したポリイミド基板に対し、マークを付した印刷物を下に置き、ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影した上記マーク部分の画像から得られる観察地点−明度グラフにおいて描かれるマーク端部付近の明度曲線の傾きを制御するのが好ましい。より詳細には、明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値（前記観察地点−明度グラフの横軸の値）をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値（前記観察地点−明度グラフの横軸の値）をｔ２としたときに、上記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となるのが好ましい。このような構成によれば、基板樹脂の種類や厚みの影響を受けずに、ＣＣＤカメラによるポリイミド越しのマークの識別力が向上する。このため、視認性に優れるポリイミド基板を作製することができ、電子基板製造工程等でポリイミド基板に所定の処理を行う場合のマーキングによる位置決め精度が向上し、これによって歩留まりが向上する等の効果が得られる。Ｓｖは好ましくは３．９以上、より好ましくは５．０以上である。Ｓｖの上限は特に限定する必要はないが、例えば７０以下、３０以下、１５以下、１０以下である。このような構成によれば、マークとマークで無い部分との境界がより明確になり、位置決め精度が向上して、マーク画像認識による誤差が少なくなり、より正確に位置合わせができるようになる。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【００３５】
実施例１〜１７及び比較例１〜３、５、８〜９として、各圧延銅箔を以下のように準備した。
まず、表１に記載の組成の銅インゴットを製造し、熱間圧延を行った後、冷間圧延と３００〜８００℃の温度に設定した焼鈍炉における焼鈍とを一回以上繰り返した後、冷間圧延を行って１〜２ｍｍ厚の圧延板を得た。この圧延板を３００〜８００℃の温度に設定した焼鈍炉で焼鈍して再結晶させ、表１に記載の厚みまで最終冷間圧延した。このとき、実施例１〜１７については最終冷間圧延工程において、最終圧延パスにおいて油膜当量が１７０００以下、最終圧延パスの直前の圧延パスにおける油膜当量を１５０００以下、更にその直前の圧延パスにおける油膜当量を１００００以下となるように圧延条件を整え、最終圧延パスの直前で圧延平行方向の６０度光沢度Ｇ及びΔａが表１に記載の値になるように圧延条件を整えて行った。表１において、最終圧延パスにおける油膜当量を「最終パス油膜当量」、最終圧延パスの直前の圧延パスにおける油膜当量を「最終１パス前油膜当量」、更にその直前の圧延パスにおける油膜当量を「最終２パス前油膜当量」と記載している。
また、比較例１〜３、５、８〜９については表１に記載の条件で最終冷間圧延を行った。
また、このとき用いた圧延ロールは、ロールの回転軸に平行な方向に測定したときの平均粗さＲａが０．０８μｍであった。
【００３６】
粗化処理の条件は以下のように設定した。粗化処理の条件は、実用上十分なピール強度が得られるものとして一般的にＦＰＣ用途で用いられているものとした。
・めっき浴組成：Ｃｕ１５ｇ／Ｌ、Ｃｏ８．５ｇ／Ｌ、Ｎｉ８．６ｇ／Ｌ
・処理液ｐＨ：２．５
・処理温度：３８℃
・電流密度：２０Ａ／ｄｍ2
・めっき時間：２．０秒
【００３７】
上述のようにして作製した実施例及び比較例の各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
【００３８】
・表面特性；
銅箔表面の突出山部高さＲｐｋ、コア部のレベル差Ｒｋ及び突出谷部深さＲｖｋについては、それぞれ小坂研究所製表面粗さ測定機ＳＥ−３４００を用いて測定した。送り速度は０．１ｍｍ／ｓ、基準長さ０．２５ｍｍ、評価長さ１．２５ｍｍ、カットオフ値０．２５ｍｍの条件で、圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定を行った。なお、測定環境温度は２３〜２５℃とした。
【００３９】
・ピール強度（接着強度）；
ＰＣ−ＴＭ−６５０に準拠し、引張り試験機オートグラフ１００で常態ピール強度を測定し、上記常態ピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上を積層基板用途に使用できるものとした。
【００４０】
・曲げ性；
各銅箔とフィルム厚２５μｍのポリイミドフィルムとを、３００℃で１時間の加熱プレスを用いて圧着させて積層した幅３ｍｍ以上５ｍｍ以下の片面銅張積層板の試料を作製し、ポリイミドフィルム面を内側とした１８０°密着曲げを行ったときに、銅箔が破断するまでの曲げ回数を測定した。
【００４１】
・視認性（Ｓｖ値）；
表１の銅箔サンプルの片面に、粗化処理として、以下の条件でめっき処理を行った。
・めっき浴組成  Ｃｕ：１５ｇ／Ｌ、Ｃｏ：８．５ｇ／Ｌ、Ｎｉ：８．６ｇ／Ｌ
・処理液ｐＨ：２．５
・処理温度：３８℃
・電流密度：２０Ａ／ｄｍ2
・めっき時間：２．０秒
粗化処理後の銅箔をポリイミドフィルム（カネカ製厚み５０μｍ）の両面に貼り合わせ、銅箔を塩化第二鉄水溶液で溶解除去してサンプルフィルムを作製した。次に、ライン状の黒色マークを印刷した印刷物をサンプルフィルムの下に敷いて、印刷物をサンプルフィルム越しにＣＣＤカメラで撮影し、撮影によって得られた画像について、観察されたライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定した。このように測定した観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線の傾き（角度）を測定した。この時用いた測定装置の構成及び明度曲線の傾きの測定方法を示す模式図を図３に示す。また、ΔＢ、ｔ１、ｔ２、Ｓｖは、図２で示すように、下記の撮影装置で測定した。なお、横軸の１ピクセルは１０μｍ長さに相当する。そして、明度曲線の傾きであるＳｖを求める別の方法としては、明度曲線のグラフにおける１ピクセルと１階調の長さの比率を３．５：５（明度曲線のグラフにおける１ピクセルの長さ：明度曲線のグラフにおける１階調の長さ＝３．５（ｍｍ）：５（ｍｍ））とした明度曲線のグラフにおいて、ｔ１、ｔ２、Ｓｖの値を算出することもできる。
撮影装置は、ＣＣＤカメラ、マークを付した紙を下に置いたポリイミド基板を置くステージ（白色）、ポリイミド基板の撮影部に光を照射する照明用電源、撮影対象のマークが付された紙を下に置いた評価用ポリイミド基板をステージ上に搬送する搬送機を備えている。測定に用いた撮影装置一式の主な仕様を以下に示す。
・撮影装置：株式会社ニレコ製シート検査装置Ｍｕｊｉｋｅｎ
・ＣＣＤカメラ：８１９２画素（１６０ＭＨｚ）、１０２４階調デジタル（１０ビット）
・照明用電源：高周波点灯電源
・照明：蛍光灯（３０Ｗ）
なお、図３に示された明度について、０は「黒」を意味し、明度２５５は「白」を意味し、「黒」から「白」までの灰色の程度（白黒の濃淡、グレースケール）を２５６階調に分割して表示している。
上記各試験の条件及び評価を表１に示す。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
（評価結果）
実施例１〜１７は、いずれもＲｐｋが０．０３５μｍ以下、Ｒｖｋが０．１２μｍ以下であり、曲げ性、ピール強度及び樹脂の視認性がいずれも良好であった。特に、Ｒｋが０．１３μｍ以下となったものは視認性が良好であった。
比較例１〜３、５、８〜９は、いずれもＲｐｋが０．０３５μｍを超え、Ｒｋが０．１３μｍを超え、Ｒｖｋが０．１２μｍを超えており、樹脂の視認性が不良であった。また、樹脂との密着性、曲げ性において不良であるものもあった。
【要約】
【課題】従来と同じ粗化めっきを施した場合にも平滑な表面を有し、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れた圧延銅箔、表面処理銅箔、積層板及びプリント基板を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面の突出山部高さＲｐｋが０．０３５μｍ以下である圧延銅箔。
【選択図】図１【図２】
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【図１】
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【図３】
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