(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長変換型の発光デバイスの製造方法であって、
−第1の波長をもつ光を発するための発光ダイオードであって、前記発光ダイオードにより発された光を受け、当該受けた光の少なくとも一部を前記第1の波長とは異なる第２の波長をもつ光へと変換するよう適応された、波長変換物質が配置されている発光面をもつ、発光ダイオードを提供するステップと、
−前記波長変換型の発光デバイスの外側表面の少なくとも一部に、前記第２の波長の光に対しては基本的に反応せず、有効な強度をもつ前記第1の波長の光による照射が光硬化型のコーティング材の硬化を誘起し、硬化すると前記第1の波長の光の少なくとも大部分を遮断するよう構成される光硬化型のコーティング材を配置するステップと、
−硬化した光遮断物質を形成するために、前記発光ダイオードを利用した前記光硬化型のコーティング材への照射により、前記光硬化型のコーティング材の少なくとも一部を硬化させるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第1の波長の光の少なくとも大部分が、硬化した前記光硬化型のコーティング材を通る前記第1の波長の光の80%より多いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
未硬化のコーティング材を除去するステップを更に含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記波長変換物質が、自立型の波長変換体に含まれていることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記自立型の波長変換体が、光透過性の接着材を用いて前記発光ダイオード上に配置され、前記光硬化型のコーティング材が、前記接着材の側面部に配置されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記光硬化型のコーティング材が、エポキシ及びポリビニール・アルコールから成るグループから選択されることを特徴とする、請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
第1の波長をもつ光を発するための発光ダイオードであって、前記発光ダイオードにより発された光の少なくとも一部を受け、前記光の少なくとも一部を、前記第1の波長とは異なる第２の波長をもつ光へと変換するよう適応された、波長変換物質が配置されている発光面をもつ、発光ダイオードを有する、波長変換型の発光デバイスであって、
−前記デバイスの外側表面の少なくとも一部が、前記第２の波長の光に対しては基本的に反応せず、有効な強度をもつ前記第1の波長の光による照射があると硬化する光硬化型のコーティング材を具備しており、
−前記光硬化型のコーティング材が、硬化後の状態において前記第1の波長の光の少なくとも大部分を遮断するよう構成されることを特徴とする、波長変換型の発光デバイス。
【請求項８】
前記第1の波長の光の少なくとも大部分が、硬化した前記光硬化型のコーティング材を通る前記第1の波長の光の80%より多いことを特徴とする、請求項７に記載の波長変換型の発光デバイス。
【請求項９】
前記波長変換物質が、自立型の波長変換体に含まれていることを特徴とする、請求項７又は８に記載の波長変換型の発光デバイス。
【請求項１０】
前記波長変換体が光透過性の接着材を用いて前記発光面に配置され、当該接着材の側面が前記光硬化型のコーティング材を具備していることを特徴とする、請求項９に記載の波長変換型の発光デバイス。
【請求項１１】
第1の波長をもつ光を発するための発光ダイオードであって、当該発光ダイオードにより発された光の少なくとも一部を受け、前記光の少なくとも一部を前記第1の波長とは異なる第２の波長をもつ光へと変換するよう適応された、波長変換物質が配置されている発光面をもつ発光ダイオードを有する、波長変換型の発光デバイスであって、
−硬化した、前記第1の波長の光の少なくとも大部分を遮断するコーティング材が、前記デバイスの外側表面上の特定の場所に選択的に配置され、
−前記特定の場所は、前記第1の波長をもつ光が前記外側表面に遭遇する位置の中から選択されるように、前記コーティング材が、前記第２の波長の光に対しては基本的に反応せず、有効な強度をもつ前記第1の波長の光による照射があると硬化するよう構成されることを特徴とする、波長変換型の発光デバイス。
【請求項１２】
前記第1の波長の光の少なくとも大部分が、硬化した前記コーティング材を通る前記第1の波長の光の80%より多いことを特徴とする、請求項１１に記載の波長変換型の発光デバイス。
【請求項１３】
前記波長変換物質が、自立型の波長変換体に含まれていることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の波長変換型の発光デバイス。
【請求項１４】
前記自立型の波長変換体が、光透過性の接着材を用いて前記発光ダイオードに接着され、前記接着材の側面が前記コーティング材を具備していることを特徴とする、請求項１３に記載の波長変換型の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自立型の波長変換体が上面に配置された発光面をもち、波長を変換する発光ダイオードを有する発光デバイスに関する。当該デバイスは、前記発光ダイオードによって発された光を受け入れ、且つ前記光の少なくとも一部を異なる波長の光へと変換するよう適応されている。本発明は、斯様なデバイスを製造する方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード(LED)は、多くのアプリケーション用の光源として普及しつつある。
【０００３】
蛍光物質及び/又は発光物質などの波長変換物質の使用により、発された波長が多くの特定の波長へと、光路中において、適応されることができる。青色光及び/又は紫外光を発するLEDが、斯様な発光ダイオード（これ以降波長変換型の発光ダイオードと呼ぶ）の光源として特に適している。何故ならば、波長変換物質は当該ダイオードによって発された光の少なくとも一部を通常吸収し、より高い波長をもつ光を発するからである（赤方偏移）。
【０００４】
波長変換物質は、LEDによって発された（しばしばポンプ光と呼ばれる）全ての光を基本的に吸収するよう適応されており、この結果、変換された波長をもつ光のみがデバイスから出力される。他の波長変換型のLEDでは、波長変換物質はポンプ光の一部を吸収し且つ変換するに過ぎず、この結果、総出力は変換された光と非変換の光との混合物である。例えば、青色光の黄色光への部分変換は結果として白味がかった総出力を生じる。
【０００５】
斯様な波長変換型のLEDの一例が、国際特許公開公報WO 2007/085977 A1、 Koninklijke Philips Electronics N.V.による、で説明されており、当該公報では、LEDチップによって発された光の一部の変換のために、セラミックの変換素子の板が当該LEDチップ上に配置されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ポンプ光の変換の程度は、波長変換物質を通過する光路の距離のファクタである。特に、波長変換物質の端部において、これは問題を生じる。端部では、ポンプ光は波長変換物質を通過した直後にデバイスを出ることがあり、これらの端部での変換の程度が低くなる。これはしばしば、変換された光の周囲に現れる非変換光のリングとして捉えられる。
【０００７】
幾つかの波長変換型のダイオードは、LEDチップの発光表面へと接着材を用いて接着される、セラミックなどの自立型の波長変換体に頼っている。斯様なダイオードでは、接着材が波長変換体とダイオードとの間にスペースを形成し、本来、接着材はLEDチップによって発されたポンプ光に対して透過性でなければならない。斯様なデバイスにおいては、幾らかのポンプ光は接着材の側面を介してデバイスを出る傾向があり、繰り返すが、変換された光の周囲に現れる非変換光のリングを生じる。
【０００８】
全変換された光が所望されるデバイスにおいては特に、このリング効果は、出力された非変換光を除去するための吸収フィルタを必要とするので、非常に所望されない。
【０００９】
この問題を解決し、減じられたリング効果をもつ、製造が容易な波長変換型の発光ダイオードを提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
非変換光の漏れが減じられた波長変換型の発光ダイオードが、非変換光によって照らされると硬化する光硬化型のコーティング材を用いることによって得られる事がわかった。硬化した状態では、当該コーティング材は、高散乱性の物質、高吸収性の物質、又は高反射性の物質など、基本的に光を遮断する物質を形成する。硬化可能なコーティング材は、波長変換型の発光ダイオードの非変換光が現れた場所、又は非変換光がデバイスから漏れ出したと推定される場所に使用されることが出来、コーティング材が硬化した後、過剰な、硬化していない材料が洗い落とされる。
【００１１】
これ故第1の態様において、本発明は波長変換型の発光ダイオードの製造方法に関し、当該方法は、発光ダイオードによって発された光を受け入れ、当該受け入れた光の少なくとも一部を第2の波長へと変換するよう適応された波長変換物質が上面に配置された発光面をもつ、第1の波長の光を発する発光ダイオードを提供するステップと、波長変換型の発光デバイスの外側表面の少なくとも一部に、有効な光強度をもつ前記第1の波長の光による照射が前記光硬化型の材料の硬化を誘起する光硬化型のコーティング材を配置するステップと、硬化した光遮断物質を形成するために、前記発光ダイオードを利用して前記材料を照らすことにより前記光硬化型の材料の少なくとも一部を硬化させるステップと、を含む。
【００１２】
通常、光遮断物質は散乱性の物質、吸収性の物質、及び反射性の物質のグループから選択される。
【００１３】
この創意に富んだ方法は、光硬化型の物質が、波長変換型のLEDの多量の非変換光が外側表面に到達する場所でのみ硬化する点で有利である。硬化した物質の散乱作用、吸収作用、又は反射作用に起因して、非変換光がデバイスから出ることが大部分防止される。
【００１４】
新たに変換される可能性を具備する非変換の光が後にデバイスへと反射して戻されるので、反射性のコーティング材が好まれる。これ故、LEDによって発された光の高いパーセンテージが変換されるので、反射性のコーティング材が斯様にデバイスの光利用効率を増す。
【００１５】
デバイスのLEDによって発された光を硬化可能な材料の硬化のために使用することは、コーティング材がデバイスの外側表面の、非変換光の光強度が効果的な硬化に対して十分強い場所のみを硬化させることを確実にする。
【００１６】
本発明の実施例においては、本方法は更に、硬化していないコーティング材を除去するステップを含む。
【００１７】
照射による硬化のステップの後に、硬化していないコーティング材を除去するステップは、コーティング材が、非変換光がデバイスを出るであろうデバイスの複数の場所にのみ存在することを確実にする。これ故コーティング材は、必要とする場所、及び変換された光がデバイスから出るのを意図せずには妨げない場所にのみ基本的に存在する。
【００１８】
本発明の実施例では波長変換物質は、自立型の波長変換体の中に含まれている。
【００１９】
波長変換物質を自立型の本体に組み込むことによって、当該自立型の本体を所望する厚さに研磨するなどにより、波長変換物質の厚さが正確に制御されることができる。
【００２０】
本発明の実施例においては斯様な自立型の波長変換体が、前記発光ダイオード上に光透過性の接着層を用いて配置され、前記光硬化型のコーティング材が、前記接着材の側面に配置される。
【００２１】
特定のタイプの波長変換型のLEDでは、波長変換体がLEDへと透過性の接着材を用いて接着される。この接着材は、LEDと波長変換体との間にスペースを通常生じる。従って接着材の側端部 が、非変換の光が容易にデバイスを出てゆくことができる窓を形成する。接着材の側端部を通る非変換の光の漏れを防ぐために、硬化可能なコーティング材をこの側端に配置し、この後当該コーティング材を硬化させることは明らかに長所である。
【００２２】
本発明の実施例では、光硬化型のコーティング材はエポキシ、及びポリビニール・アルコールから成るグループから選択される。他の光硬化型の材料も、当業者には知られている。
【００２３】
本発明の実施例では光硬化型のコーティング材は、前記波長変換物質によって変換された光に対しては、基本的に反応することはない。
【００２４】
光硬化形のコーティング材が、変換された光に対して基本的に反応しない場合、これは長所である。さもなければ、コーティング材が所望されない位置で硬化するかも知れない。
【００２５】
第2の態様では本発明は、波長変換物質が上面に配置されている発光面をもち、第1の波長をもつ光を発する発光ダイオードを有する波長変換型の発光デバイスを有し、前記発光ダイオードによって発された光の少なくとも一部を受け入れ且つ前記光の少なくとも一部を第2の波長の光へと変換するよう適応されており、前記デバイスの外側表面の少なくとも一部が、前記第1の波長の光によって照射されると硬化する光硬化型のコーティング材を具備しており、当該光硬化型のコーティング材は、硬化した状態では、散乱性の物質、吸収性の物質、及び反射性の物質のグループから選択された物質を備えている。
【００２６】
本発明のこの態様は、中間製品、即ち光硬化型のコーティング材が塗布された後で、硬化する前のデバイスに関する。
【００２７】
第3の態様では本発明は、波長変換物質が上面に配置された発光面をもつ発光ダイオードを有する、波長変換型の発光デバイスに関し、前記発光ダイオードによって発された光の少なくとも一部を受け入れ、且つ前記光の少なくとも一部を異なる波長の光へと変換するよう適応され、散乱性の物質、吸収性の物質、及び反射性の物質のグループから選択された、硬化するコーティング材が前記デバイスの外側表面の特定の場所に選択的に配置され、前記特定の場所が、前記第1の波長の光が前記側端部と遭遇する位置の中から選択される。
【００２８】
本発明のこの態様は、最終製品、即ち光硬化型のコーティング成分が硬化された後のデバイスに関する。
【００２９】
本発明が、請求項の全ての考え得る組合せに関することを更に留意されたい。
【００３０】
本発明のこれらの態様及び他の態様がここで、本発明の現在好ましい実施例を示している添付の図面を引用して詳細に説明されることであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による、波長を変換するデバイスを例示する。
【図２ａ】光硬化型のコーティング組成物を使用する前の、波長変換型の発光デバイスを例示する。
【図２ｂ】光硬化型のコーティング材が、波長変換型のデバイスの外側表面に塗布されたことを例示する。
【図２ｃ】LEDチップが活性化され、同チップの周囲にあるコーティング材が硬化する様子を示す。
【図２ｄ】未硬化のコーティング材が除去される様子を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明のデバイスの例示的な実施例が、図1に例示されている。本実施例の波長変換型のデバイス100は、発光面102に面した上向きの光をもつ発光ダイオード（LED）のチップ100を有する。自立型の波長換算体103が、透過性の接着材104を用いてダイオード101の発光面102へと光学的及び物理的に接着されている。
【００３３】
発光ダイオード101は、主に自身の発光面から、第1の波長（又は第1のピーク光強度を有する第1の波長間隔）をもつ光を発する。
【００３４】
波長変換体103は、当該ダイオード101により発された光の少なくとも一部を受け入れ、吸収し、且つ当該吸収した光を第2の、より高い波長（又は、より高い波長のピーク光強度を有する第2の波長間隔）をもつ光へと変換するよう適応されている。波長変換は、波長変換体に含まれている蛍光物質及び/又は発光物質などの波長変換物質に起因する。
【００３５】
波長変換型のデバイス100は基板120に通常、配置され、LEDチップ101は当該LEDチップを駆動するための導電線（図示せず）に通常、接続されている。
【００３６】
波長変換の程度は、光の波長変換体103を通過する経路の長さのファクタである。これ故波長変換体103を通過する光の経路が短いか、又は、例えば接着材104の側端部114など、波長変換体を通過することなく非変換光が外側表面に到達できる、デバイスの外側表面110の特定の場所では、非変換光、即ち第1の波長の光の強度が、この外側表面に到達することであろう。
【００３７】
高輝度を有する非変換光がデバイスを出るのを防ぐために、何もしないと、非変換光が当該デバイスを出るであろう位置に、コーティング材が配置される。
【００３８】
通常、斯様な位置は透過性の接着材の側端部114、及びLEDチップ101の側端部を含む。
【００３９】
本願明細書において用いられているように、発光ダイオード又はLEDは、当業者に知られているどのようなタイプの発光ダイオードをも指し、従来からある無機ベースのLED、有機ベースのLED（OLED）、及びポリマベースのLEDを含む。
【００４０】
LEDチップは、好ましくは両方の導線がチップの同じ側に置かれる「フリップ・チップ」タイプである。この設計は、デバイスの発光面上での波長変換体の配置を容易にする。しかしながら他のタイプのLEDチップも、本発明での使用に対して考察される。
【００４１】
本発明で用いられるLEDは、UV範囲から可視域を通じてIR範囲まで、いかなる色の光も発してよい。しかしながら波長変換物質は従来、赤方偏移によって光を変換するので、UV/青色の範囲の光を発しているLEDを使用することがしばしば所望される。何故ならば斯様な光は基本的に他のいかなる色にも変換できるからである。
【００４２】
本発明で用いられる波長変換物質は、好ましくは蛍光物質及び/又は発光物質であり、非変換光により励起され、緩和があると光を発する。
【００４３】
好ましい本実施例において、波長変換体は、波長変換物質から成る又は波長変換物質を有する自立型の波長変換体に加工される。
【００４４】
一実施例では自立型の波長変換体は、基本的に波長変換物質をもつ押圧されたセラミック材料、又は寸法的に安定なマトリックス材である押圧されたセラミック材料を有する。当該セラミック材料は、例えばPMMA（ポリメチルメタクリレート）、又は粒子と共にドーピングされることができ、且つ波長変換粒子を埋め込むことができた他の材料などであるが、これらに限定されることはない。別の実施例では自立型の波長変換体は、理論的な固体密度の97％以上の密度をもつセラミック材料を有する。
【００４５】
発光性のセラミック層へと形成されることができる蛍光体の例は、一般式（Lu１-x-y-a-bYxGdy）3（Al1-zGaz）5O12：CeaPrbで表されるアルミニウム・ガーネット蛍光体を含む。当該蛍光体は、例えば黄緑色の範囲の光を発するLu3Al5O12：Ce3+及びY3Al5O12：Ce3+であり、ここで、当該蛍光体は一般式（Sr1-x-yBaxCay）2-zSi5-aAlaN8-aOa：Euz2+で表され、0＜x＜1、0＜y＜1、0＜z≦0.1、0＜a≦0.2、及び0＜b≦0.1である。また、例えば赤色の範囲の光を発するSr2Si5N8：Eu2+であり、ここで、0≦a＜5、0＜x≦1、0=y=1、及び0＜z≦1である。適切なY3Al5O12：Ce3+のセラミック・スラブは、Charlotte, N.C.のBaikowskiインターナショナル社から購入できる。例えばSrSi2N2O2:Eu2+を含む（Sr1-a-bCabBac）SixNyOz：Eua2+（ここでa=0.002乃至0.2、b＝0.0乃至0.25、c=0.0乃至0.25、x=1.5乃至2.5、y=1.5乃至2.5、z=1.5乃至2.5）で表される蛍光体、例えばSrGa2S4:Eu2+、Sr1-xBaxSiO4:Eu2+を含む(Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+で表される蛍光体、及び、例えばCaS:Eu2+ とSrS:Eu2+とを含む(Ca1-xSrx)S:Eu2+（ここで0＜x≦1）を含む、他の緑色、黄色及び赤色を発する蛍光体も適する。
【００４６】
自立型の波長変換体は、平面プレート又は（LEDへ向かって平面をもつ）ドーム状の立体へと通常加工されるか、又は、デバイスのアプリケーションに適する何らかの他の形状へと加工される。本発明に用いられる平面プレート状の波長変換体は、通常10μmから1000μmまで、例えば約100μm乃至500μm、例えば大体250μmの厚みをもつ。
【００４７】
自立型の波長変換体を光学的及び物理的にLEDへと接着するときに使われる接着材は、少なくとも第1の波長をもつ非変換光に対して好ましくは基本的に透過性である。
【００４８】
使用に適する接着材の例は、アプリケーションに依存し、LEDの発光面の材料に依存し、波長変換体に依存し、及び接着材が露出される温度に依存する。
【００４９】
接着材の例としては、例えば低温溶融するガラス、エポキシ材、透過性のポリマ、及びPDMSなどのシロキサンが挙げられる。
【００５０】
発光性のセラミック層が発光デバイスに、例えばウェーハ・ボンディング、焼結、エポキシ又はシリコンなど周知の有機接着剤の薄膜層との接着、高インデックスの無機接着剤との接着、及びソル・ゲル状のガラスとの接着によって取り付けられる。
【００５１】
高インデックスの接着剤の例は、高インデックス光学ガラス、例えばショット・ガラスSF59、ショット・ガラスLaSF 3、ショット・ガラスLaSF N18、及びこれらの混合物を含む。これらのガラスは、しばしば1.8よりも大きな屈折率をもち、Schott Glass Technologies社、Duryca、Pa.から入手可能である。他の高インデックス接着剤の例としては、例えば（Ge、Sb、Ga）（S、Se）カルコゲナイド・ガラスなどの高インデックスのカルコゲナイド・ガラスと、GaP、InGaP、GaAs、及びGaNを含むが、これらに限定されることはないIII族乃至V族の半導体と、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、及びCdTeを含むが、これらに限定されることはないII族乃至VI族の半導体と、Si及びGeを含むが、これらに限定されることはないIV族の半導体及び合成物と、有機半導体、酸化タングステン、酸化チタン、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化インジウムスズ、及び酸化クロムを含むが、これらに限定されることはない金属酸化物と、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムを含むが、これらに限定されることはない金属フッ化物と、Zn、In、Mg、及びSn、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（YAG）を含むが、これらに限定されることはない金属と、リン化物合成物、ヒ化物合成物、アンチモン化合物合成物、窒素化合物合成物、高インデックスの有機化合物及び混合物と、又はこれらの合金と、が挙げられる。高インデックスの無機接着剤での接着が、2000年9月12日に出願の出願番号第09/660317、及び2001年6月12日に出願の出願番号第09/880204において、更に詳細に説明されており、両者が本願明細書に引用されている。
【００５２】
ソル・ゲル・ガラスでの接着が、米国特許公報US 6,642,618号で更に詳細に説明されており、本願明細書に引用されている。発光性のセラミックがソル・ゲル・ガラスによって、デバイスへと取り付けられる実施例において、1つ以上の材料、例えばチタン酸化物、セリウム、鉛、ガリウム、ビスマス、カドミウム、亜鉛、バリウム、又はアルミニウムが、SiO2ソル・ゲル・ガラスに含まれてもよい。これはガラスのインデックスを、発光性のセラミック及び発光デバイスのインデックスとより厳密に一致させるよう、ガラスの屈折率を増加させるためである。例えば、Y3Al5O12：Ce3+のセラミック層は約1.75と1.8との間の屈折率をもち、半導体発光デバイスのサファイヤ成長基板に取り付けられることが可能である。当該サファイヤ基板は約1.8の屈折率をもっている。接着剤の屈折率を、Y3Al5O12：Ce3+のセラミック層及びサファイヤ成長基板の屈折率と一致させることが望ましい。
【００５３】
本発明に用いられるコーティング材は、硬化すると光を遮断する、通常、散乱、吸収、又は反射する物質を形成する、光硬化型のコーティング材である。ここで用いられている「光遮断物質」とは、当該光遮断物質を透過する非変換光の少なくとも大部分、例えば80%より多くの、好ましくは95%より多くの、最も好ましくは基本的に100%を遮断する物質を指す。この目的に用いられることが可能な多くの材料の例がある。
【００５４】
通常、散乱粒子、吸収粒子、又は反射粒子は、好ましくは高い粘性を有する硬化可能な媒体中に分散されている。
【００５５】
例えば、金属酸化物などの散乱粒子、反射性の金属剥片、及び/又は吸収性の染料若しくは吸収性の色素が、硬化可能な媒体中に分散される。
【００５６】
散乱粒子が入ると媒体の濃度は、基本的に不透明なコーティングを硬化後に形成するのに、通常、十分に高い。
【００５７】
例えば、サブミクロンの直径をもつTiO2粒子が散乱粒子として用いられる。
【００５８】
光硬化型のコーティング材は、硬化に有効な光強度をもつ第1の波長の光で照射されると、局所的に硬化するよう適応されている。光硬化型のコーティング材は、第2の、変換された波長の光の照射に対しては基本的に反応しないことが更に好まれる。少なくとも、前記コーティング材の硬化を遂行するのに必要な前記第2の波長の光強度が、本発明の波長変換型のデバイスで通常実現されることができる光強度よりも高いことが好ましい。
【００５９】
光硬化型のコーティング材の硬化可能な媒体は、通常、重合可能な材料、例えばエポキシ及びポリビニール・アルコールを有するが、これらに限定されることはない。重合可能な材料は、前記第1の波長の光（即ち、非変換の光）の照射によって、本質的に反応、即ち活性化されるか、又は、光の誘起が可能な重合開始剤を代わりに有するか、若しくは追加で有する。
【００６０】
典型的な実施例では、第1の波長の光は、UV光の波長範囲か又は青色の波長範囲にあり、したがって、この波長範囲にあって特定の光強度を上回る光は重合を行うことが望まれ、一方、好ましくは緑色、黄色、及び赤色の波長範囲の光は、いかなる測定可能な程度にも重合を行わない。
【００６１】
好ましくは、コーティング材の硬化は照らされたエリアに限定されねばならない。即ち硬化の開始が、全てのコーティング材の大半の完全な硬化に至る連鎖反応等を始めてはならない。代替的には斯様な連鎖反応は、発生した場合、未硬化材料の除去が出来るよう、ゆっくり進行しなければならない。
【００６２】
ジェネラル・エレクトリック社、Waterford, N.Y.（US）のシリコン製品から入手可能なOctacatTM（登録商標）、又は3M社から入手可能なFC530、及びDentsply Caulk社、Milford （US）から入手可能であるDentsply's Prime & Bondが、斯様なUV光/青色光で硬化可能なコーティング材の限定的ではない例である。
【００６３】
図2a乃至図2dは、本発明による方法を概観的に例示している。図2aは、光硬化型のコーティング組成物を使用する前の、波長変換型の発光デバイスを例示する。
【００６４】
光硬化型のコーティング材105が、波長変換型のデバイス100の外側表面110、例えば波長変換物質の側面、接着材104の側端部114、及びLEDチップ101の側面上の所望の部分に、通常、塗布される（図2b）。
【００６５】
光硬化型のコーティング材105を伴う波長変換型のデバイス100が、本発明の考察された態様を表している点に留意する必要がある。
【００６６】
この後LEDチップ101が活性化され、照射に至り、第1の波長の光が斯様な硬化をもたらすのに十分強い光強度、即ち有効な光強度で、コーティング材料105と遭遇する位置にあるコーティング材105を硬化させる（図2c）。
【００６７】
最後に、全ての未硬化のコーティング材105がデバイスから除去されることができ、結果として波長変換型の発光デバイス100を生じ、硬化した、光を遮断（散乱、吸収、又は反射）するコーティング材115が、何もしない場合には非変換光が高輝度でデバイスを出るだろう位置に配置される（図2d）。
【００６８】
当業者は、本発明が上で説明された好ましい実施例に決して限定されないことを理解している。これに対して、多くの修正及びバリエーションが添付の請求項の範囲で可能である。例えば、1つよりも多くの、例えば2つよりも多くの発光ダイオードが、同一の自立型の波長変換体に接着されてもよい。更に上記の説明が、自立型の波長変換体に含まれている波長変換物質を主に引用しているものの、本発明はこれに限定されることはなく、波長変換物質は例えばLEDの発光面上に粉として蒸着されたスプレーでもよいことに留意されねばならない。
【図１】
0005616886.tif 000002
【図２ａ】
0005616886.tif 000003
【図２ｂ】
0005616886.tif 000004
【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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