(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のダイオードを直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源のＵ相ラインに接続されるＵ相用直列回路、一対のダイオードを直列接続しその両ダイオードの相互接続点が前記三相交流電源のＶ相ラインに接続されるＶ相用直列回路、一対のダイオードを直列接続しその両ダイオードの相互接続点が前記三相交流電源のＷ相ラインに接続されるＷ相用直列回路を有し、前記三相交流電源の電圧を直流電圧に変換して出力する第１の整流回路と、
前記三相交流電源のＵ相ライン，Ｖ相ライン，Ｗ相ラインにそれぞれ設けられたＵ相用リアクトル，Ｖ相用リアクトル，およびＷ相用リアクトルと、
前記第１の整流回路の出力電圧が印加される一対のコンデンサの直列回路と、
前記Ｕ相用直列回路の両ダイオードの相互接続点と前記各コンデンサの相互接続点との間に接続された双方向性のＵ相用スイッチと、
前記Ｖ相用直列回路の両ダイオードの相互接続点と前記各コンデンサの相互接続点との間に接続された双方向性のＶ相用スイッチと、
前記Ｗ相用直列回路の両ダイオードの相互接続点と前記各コンデンサの相互接続点との間に接続された双方向性のＷ相用スイッチと、
前記Ｕ相用スイッチを前記Ｕ相用リアクトルに流入するＵ相電流の半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、前記Ｖ相用スイッチを前記Ｖ相用リアクトルに流入するＶ相電流の半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、前記Ｗ相用スイッチを前記Ｗ相用リアクトルに流入するＷ相電流の半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、かつ互いに同期しないタイミングで、オン，オフする制御手段と、
前記三相交流電源の電圧を直流電圧に変換する三相ダイオードブリッジ接続の第２の整流回路と、
前記第２の整流回路の出力電圧および前記各コンデンサの直列回路に生じる電圧が印加される出力用の平滑コンデンサと、
前記第２の整流回路および前記各コンデンサの直列回路と前記平滑コンデンサとの間の通電路に設けられた直流リアクトルと、
を備え、前記各コンデンサの直列回路に生じる電圧を出力とすることを特徴とする三相整流装置。
【請求項２】
前記制御手段による前記Ｕ相用スイッチ、前記Ｖ相用スイッチ、前記Ｗ相用スイッチのオン，オフタイミングを当該装置の負荷の大きさに応じて決定するための複数のオン，オフタイミングデータが記憶された記憶手段、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の三相整流装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記Ｕ相用スイッチ、前記Ｖ相用スイッチ、前記Ｗ相用スイッチを、前記記憶手段内の各オン，オフタイミングデータのうち当該装置の負荷の大きさに合致するオン，オフタイミングデータに基づき、または当該装置の負荷の大きさに対応するオン，オフタイミングデータを前記記憶手段内の各オン，オフタイミングデータから算出しこの算出したオン，オフタイミングデータに基づき、オン，オフする、
ことを特徴とする請求項２記載の三相整流装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、三相交流電源の電圧を整流して直流電圧に変換する三相整流装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
三相交流電源の電圧を整流して直流電圧に変換する整流回路は、一対のダイオードを直列接続してなる３つの直列回路を有し、これら直列回路の各ダイオードの相互接続点が三相交流電源の各相ラインに接続される。そして、この整流回路の出力端に平滑コンデンサが接続され、その平滑コンデンサに負荷が接続される。【０００３】
三相交流電圧は位相が互いに１２０°異なる３つの相電圧からなり、これら相電圧により、各直列回路のそれぞれ正側ダイオードを通って平滑コンデンサに電流が流れ、その平滑コンデンサから各直列回路のそれぞれ負側ダイオードを通って電流が流れる。【０００４】
このような整流回路の例として、入力電流に含まれる高調波成分を抑制するため、入力側の各相ラインにリアクトルを挿入接続するとともに、これらリアクトルに対する閉回路形成用の複数のスイッチ手段を接続し、これらスイッチ手段を高周波スイッチングさせることにより、入力電流波形を正弦波に追従させる三相アクティブフィルタ方式を採用したものがある（例えば特許文献１）。この方式は短絡対象として仮想中性点が設けられており，短絡素子の耐電圧を低くでき、リアクトルにかかる電圧も低いのでdi/dtが小さく、良好なアクティブフィルタ特性を実現することができる。【０００５】
同様に、交流電源側の入力ラインにリアクトルを挿入接続し、このリアクトルに対する閉回路形成用のスイッチ素子を接続し、このスイッチ素子のオンにより交流電源からリアクトルに強制電流を流し、その強制電流をスイッチ素子のオフへの切換えにより整流回路を通して平滑コンデンサに流入させることにより、力率の改善を図るようにした直流電源装置がある（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２８５７０９４号公報
【特許文献２】特開２００２−１９９７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した特許文献１の三相アクティブフィルタ方式の整流回路は、高周波スイッチングを行うため、高周波スイッチングノイズが発生したり、リアクトルとして高周波電流に対応し得る部品の採用が必要になるなどの課題がある。【０００８】
また、特許文献２の直流電源装置は、単相交流電源には有効な高調波低減手段であるが、三相交流電源には適用できない。【０００９】
この発明の三相整流装置は、小形のリアクトルの採用ですみ、しかも高周波スイッチングノイズが少なく、高調波の低減効果が向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の三相整流装置は、
一対のダイオードを直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源のＵ相ラインに接続されるＵ相用直列回路、一対のダイオードを直列接続しその両ダイオードの相互接続点が前記三相交流電源のＶ相ラインに接続されるＶ相用直列回路、一対のダイオードを直列接続しその両ダイオードの相互接続点が前記三相交流電源のＷ相ラインに接続されるＷ相用直列回路を有し、前記三相交流電源の電圧を直流電圧に変換して出力する第１の整流回路と、
前記三相交流電源のＵ相ライン，Ｖ相ライン，Ｗ相ラインにそれぞれ設けられたＵ相用リアクトル，Ｖ相用リアクトル，およびＷ相用リアクトルと、
前記第１の整流回路の出力電圧が印加される一対のコンデンサの直列回路と、
前記Ｕ相用直列回路の両ダイオードの相互接続点と前記各コンデンサの相互接続点との間に接続された双方向性のＵ相用スイッチと、
前記Ｖ相用直列回路の両ダイオードの相互接続点と前記各コンデンサの相互接続点との間に接続された双方向性のＶ相用スイッチと、
前記Ｗ相用直列回路の両ダイオードの相互接続点と前記各コンデンサの相互接続点との間に接続された双方向性のＷ相用スイッチと、
前記Ｕ相用スイッチを前記Ｕ相用リアクトルに流入するＵ相電流の半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、前記Ｖ相用スイッチを前記Ｖ相用リアクトルに流入するＶ相電流の半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、前記Ｗ相用スイッチを前記Ｗ相用リアクトルに流入するＷ相電流の半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、かつ互いに同期しないタイミングで、オン，オフする制御手段と、
前記三相交流電源の電圧を直流電圧に変換する三相ダイオードブリッジ接続の第２の整流回路と、
前記第２の整流回路の出力電圧および前記各コンデンサの直列回路に生じる電圧が印加される出力用の平滑コンデンサと、
前記第２の整流回路および前記各コンデンサの直列回路と前記平滑コンデンサとの間の通電路に設けられた直流リアクトルと、
を備え、前記各コンデンサの直列回路に生じる電圧を出力とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の三相整流装置によれば、小形のリアクトルの採用ですみ、しかも高周波スイッチングノイズが少なく、高調波に対する低減効果が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、この発明の一実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、一実施形態における各相電流の波形および各スイッチのオン，オフパターンを示す波形図である。
【図３】図３は、図２におけるオン，オフパターンの非同期を説明するための波形図である。
【図４】図４は、一実施形態における相電流が負荷の大きさに応じて異なる状態を示す波形図である。
【図５】図５は、一実施形態における負荷の大小とオン，オフタイミングデータとの関係を示す図である。
【図６】図６は、一実施形態における負荷の大きさに応じて異なる相電流のフーリエ解析図である。
【図７】図７は、図６のフーリエ解析図に各高調波次数の限度値を追記した図である。
【図８】図８は、一実施形態の変形例の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照して説明する。  
図１に示すように、三相交流電源１のＲ，Ｓ，Ｔの３つの相ラインに三相整流装置１０が接続され、その三相整流装置１０の出力電圧（後述のコンデンサ１４，１５の直列回路に生じる電圧）が直流リアクトル２を介して出力用の平滑コンデンサ３に印加される。なお、コンデンサ１４，１５の容量を大きくすれば、出力用の平滑コンデンサ３を不要とすることもできる。この場合、コンデンサ１４，１５の直列回路の両端がそのまま出力となる。しかしながら、大容量のコンデンサ１４，１５のみとするよりも、平滑コンデンサ３を設けてコンデンサ１４，１５の容量を小さくした方がコスト的に有利となる。
【００１４】
そして、平滑コンデンサ３に負荷４が接続される。また、三相交流電源１と三相整流装置１０との間の各相ラインに電流センサ５ｕ，５ｖ，５ｗが設けられ、これら電流センサに電流検出回路６が接続される。電流検出回路６は、電流センサ５ｕ，５ｖ，５ｗを介して相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを検出する。
【００１５】
直流リアクトル２、平滑コンデンサ３、電流センサ５ｕ，５ｖ，５ｗ、および電流検出回路６は、三相整流装置１０に付属の機器である。
【００１６】
三相整流装置１０は、整流回路１２を有する。整流回路１２は、一対のダイオード１２ｕ１，１２ｕ２を直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源１のＵ相ラインに接続されるＵ相用直列回路、一対のダイオード１２ｖ１，１２ｖ２を直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源１のＶ相ラインに接続されるＶ相用直列回路、一対のダイオード１２ｗ１，１２ｗ２を直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源１のＷ相ラインに接続されるＷ相用直列回路を有し、三相交流電源１の三相交流電圧を直流電圧に変換して出力する。
【００１７】
三相交流電源１と整流回路１２との間の各相ラインに、高調波低減用の複数のＵ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗがそれぞれ設けられる。
【００１８】
整流回路１２の出力電圧が、互いに等容量の一対のコンデンサ１４，１５の直列回路に印加される。このコンデンサ１４，１５の直列回路に生じる直流電圧が、三相整流装置１０の出力となる。
【００１９】
そして、コンデンサ１４，１５の相互接続点（以下、仮想中性点という）と整流回路１２のＵ相用直列回路における各ダイオードの相互接続点との間に、双方向性のＵ相用スイッチ１３ｕが接続される。仮想中性点と整流回路１２のＶ相用直列回路における各ダイオードの相互接続点との間に、双方向性のＶ相用スイッチ１３ｖが接続される。仮想中性点と整流回路１２のＷ相用直列回路における各ダイオードの相互接続点との間に、双方向性のＷ相用スイッチ１３ｗが接続される。
【００２０】
Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗは、それぞれ、２つのＮ型のＭＯＳＦＥＴ２１，２２の直列回路およびこれらＭＯＳＦＥＴ２１，２２をオン，オフ駆動するための駆動回路２３を有する。
【００２１】
各駆動回路２３は、制御部３０からの指令に応じてＭＯＳＦＥＴ２１，２２を共に同じタイミングでオン，オフ駆動する。ＭＯＳＦＥＴ２１，２２がオンすることにより、Ｕ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗから各仮想中性点へと向かう電流はＭＯＳＦＥＴ２１のドレイン・ソース間、ＭＯＳＦＥＴ２２のソース−ドレイン間、およびＭＯＳＦＥＴ２２の寄生ダイオードを通って流れ、各仮想中性点からＵ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗへと向かう電流はＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン・ソース間、ＭＯＳＦＥＴ２１のソース−ドレイン間、およびＭＯＳＦＥＴ２１の寄生ダイオードを通って流れる。
【００２２】
制御部３０は、整流回路１２の出力電圧により動作して各駆動回路２３を制御するもので、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのＭＯＳＦＥＴ２１，２２に対するオン，オフタイミングデータが記憶されたメモリ（記憶手段）３０ａを有するとともに、主要な機能として次の（１）（２）の手段を有する。
【００２３】
（１）上記電流検出回路６で検出される各相電流から負荷４の大きさを検出する負荷検出セクション（負荷検出手段）。  
（２）三相交流電源１からＵ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗに流入する相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを監視し、その各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗの半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのＭＯＳＦＥＴ２１，２２をオン，オフする制御セクション（制御手段）。具体的には、各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗの半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、かつメモリ３０ａ内の各オン，オフタイミングデータのうち上記負荷検出セクションで検出される負荷の大きさに合致するオン，オフタイミングデータに基づき、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのＭＯＳＦＥＴ２１，２２をオン，オフする。負荷検出セクションで検出される負荷の大きさに合致するオン，オフタイミングデータがメモリ３０ａ内に無い場合は、負荷検出セクションで検出される負荷の大きさに対応するオン，オフタイミングデータをメモリ３０ａ内の各オン，オフタイミングデータから直線補完により算出し、算出したオン，オフタイミングデータに基づき、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのＭＯＳＦＥＴ２１，２２をオン，オフする。
【００２４】
次に、作用について説明する。  
図２に示すように、相電流Ｉｕの半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、Ｕ相用スイッチ１３ｕのＭＯＳＦＥＴ２１，２２がオン，オフする。０°〜６０°期間では、零クロス点の０°から離れるに従い、オン期間が徐々に短くなってオフ期間が徐々に長くなる。１２０°〜１８０°期間では、零クロス点の１８０°に近づくに従い、オン期間が徐々に長くなってオフ期間が徐々に短くなる。そして、ＭＯＳＦＥＴ２１，２２のオン期間では三相交流電源１からＵ相用リアクトル１１ｕに強制電流が流れ（電流増加期間）、その強制電流がＭＯＳＦＥＴ２１，２２のオフ期間において整流回路１２および直流リアクトル２を通って平滑コンデンサ３に流入する。図２におけるＩＬｕは、Ｕ相用リアクトル１１ｕに流れる電流を示している。
【００２５】
同様に、相電流Ｉｖの半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、Ｖ相用スイッチ１３ｖのＭＯＳＦＥＴ２１，２２がオン，オフする。相電流Ｉｗの半周期の０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間において、Ｗ相用スイッチ１３ｗのＭＯＳＦＥＴ２１，２２がオン，オフする。
【００２６】
このようなＵ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのオン，オフ制御を行うことにより、Ｕ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗを設けていることによる高調波低減効果を得ながら、従来の高周波スイッチングを行う整流回路に比べて高周波スイッチングノイズの発生を少なくすることができ、ひいてはＵ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗとして小形で電流・インダクタンス容量が大きい低周波リアクトルを採用した三相アクティブフィルタを構成できる。Ｕ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗが小形になれば、三相整流装置２０が搭載される機器の小型化が図れる。
【００２７】
オン，オフ制御する０°〜６０°期間および１２０°〜１８０°期間は、１つの相のオン，オフ制御が他の２つの相の電流波形に及ぼす影響が少ない期間である。この期間を選定していることにより、高周波スイッチングノイズの低減効果および高調波の低減効果が大きくなる。
【００２８】
一方、３つのＵ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのうち、２つスイッチのオン，オフ制御が重なる期間が存在するため、２つのスイッチが同時にオンすると２つの相の電流増加が重畳した形で残りの１つの相に影響し、高調波の増加の原因となってしまう。この不具合を解消するため、３つのＵ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗが互いに同期しないタイミングでオン，オフされる。すなわち、図３に斜線で示すように、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのオン期間が互いにずれることにより、上記の期間選定と合せて、高調波低減の効果がさらに増大する。
【００２９】
また、相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗのレベルについては、図４に示すように、負荷の大きさに応じて異なる。このため、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのオン，オフタイミングｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，ｔ５，ｔ６…を決定するためのオン，オフタイミングデータとして、負荷の大きさ別に用意された複数種が、制御部３０のメモリ３０ａに記憶されている。
【００３０】
すなわち、図５に示すように、例えば３つの負荷Ａ，Ｂ，Ｃについて、最大相電流Ａmaxを得るためのオン，オフタイミングデータ、最大相電流Ｂmaxを得るためのオン，オフタイミングデータ、最大相電流Ｃmaxを得るためのオン，オフタイミングデータがそれぞれメモリ３０ａに記憶されている。そして、電流検出回路６の検出電流から負荷４の大きさが検出され、その検出された負荷に合致するオン，オフタイミングデータがメモリ３０ａから読出される。
【００３１】
ただし、実際の負荷４の大きさは様々である。図４に示すように、負荷Ｂと負荷Ｃとの間の負荷Ｈについては、メモリ３０ａ内に適合するオン，オフタイミングデータが無い。そこで、検出負荷の大きさに合致するオン，オフタイミングデータがメモリ３０ａ内に無い場合は、検出負荷の大きさに対応するオン，オフタイミングデータが、メモリ３０ａ内の各オン，オフタイミングデータに基づく直線補完により算出される。
【００３２】
具体的には、図５に示すように、負荷Ｂ，Ｃ間の負荷Ｈについて見ると、負荷Ｂの場合のタイミングｔ１と負荷Ｃの場合のタイミングｔ１との間を直線でつなぎ、その直線上の負荷Ｈに見合う点が、負荷Ｈの場合のタイミングｔ１として算出される。そして、算出されたオン，オフタイミングデータに基づき、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのオン，オフ制御が実行される。
【００３３】
負荷の大きさに応じて相電流がどのように異なるかの例として、所定負荷のときの相電流Ｉｕａ、その所定負荷の半分の負荷のときの相電流Ｉｕｂをフーリエ（ＦＦＴ）解析図として図６に示している。また、この図６のフーリエ解析図にＩＥＣ６１０００−３−２に相当する各高調波次数の限度値（ＩＥＣ）を追記したのが図７であり、いずれの負荷・次数においても適合している。
【００３４】
なお、Ｕ相用スイッチ１３ｕ，Ｖ相用スイッチ１３ｖ，Ｗ相用スイッチ１３ｗのオン期間を互いにずらすためのオン，オフタイミングについては、メモリ３０ａ内のオン，オフタイミングデータに基づいて設定してもよいが、実際の制御中において、オンしているスイッチがあれば、そのスイッチがオフするまで他のスイッチのオンを遅延させるようにしてもよい。
【００３５】
また、負荷検出手段として電流センサ５ｕ，５ｖ，５ｗおよび電流検出回路６を用いたが、図１に破線で示すように、平滑コンデンサ３と負荷４との間の通電ラインに抵抗７を挿入接続し、その抵抗７の両端に電流検出回路８を接続し、負荷４に流れる電流を抵抗７に生じる電圧から検出し、その検出電流に基づいて負荷４の大きさを検出する構成としてもよい。
【００３６】
さらに、図８に示すように、整流回路１２と同様の三相ダイオードブリッジ接続の整流回路（第２の整流回路）９に、直流リアクトル２を介して平滑コンデンサ３が接続された一般的な整流装置がすでに存在する場合、その整流回路９に対し、本発明の三相整流装置１０を新たに並列接続する構成としてもよい。
【００３７】
整流回路９は、一対のダイオード９ｕ１，９ｕ２を直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源１のＵ相ラインに接続されるＵ相用直列回路、一対のダイオード９ｖ１，９ｖ２を直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源１のＶ相ラインに接続されるＶ相用直列回路、一対のダイオード９ｗ１，９ｗ２を直列接続しその両ダイオードの相互接続点が三相交流電源１のＷ相ラインに接続されるＷ相用直列回路を有し、三相交流電源１の三相交流電圧を直流電圧に変換して出力する。
【００３８】
すなわち、既存の機器に対し、高調波低減対策を目的とした三相整流装置１０の後付けが可能になる。この場合、相電流のうち、半波の振幅が大きい中央付近（６０°〜１２０°期間または２４０°〜３００°期間）の電流の一部が、Ｕ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗを通らずに整流回路９の方に流れるので、Ｕ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗを電流容量に対して磁束容量の小さいものにすることができる。つまり、Ｕ相用リアクトル１１ｕ，Ｖ相用リアクトル１１ｖ，Ｗ相用リアクトル１１ｗがさらに小形となる。
【００３９】
その他、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、要旨を変えない範囲で種々変形実施可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
この発明の三相整流装置は、三相交流電源に接続される機器への搭載が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１…三相交流電源、２…直流リアクトル、３…平滑コンデンサ、４…負荷、１０…三相整流装置、１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ…リアクトル、１２…整流回路、１３ｕ…Ｕ相用スイッチ、１３ｖ…Ｖ相用スイッチ、１３ｗ…Ｗ相用スイッチ、１４，１５…コンデンサ、２１，２２…ＭＯＳＦＥＴ、２３…駆動回路、３０…制御部、３０ａ…メモリ（記憶手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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