(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための第１のレシピと前記基板が処理される処理室を保守するための第２のレシピを実行する制御手段と、前記第２のレシピの動作を設定する設定画面を表示する操作部と、を備えた基板処理装置であって、
前記操作部は、前記設定画面上で、前記第２のレシピの数及び名称、経過時間、及び前記第２のレシピのインターバル時間のうち少なくとも一つ以上を設定可能に構成されており、
前記制御手段は、前記第１のレシピを実行して、前記処理室内の温度を所定の温度に維持しつつ基板処理を終了させてから、前記第２のレシピを実行する指示を受付けると、次の基板処理で使用する基板が投入されない状態で前記インターバル時間に達したら、前記第２のレシピを実行して、前記次の基板処理で処理される基板が投入される前に、前記処理室内の温度を前記基板処理と同じ前記所定の温度に維持し、
前記第２のレシピ実行後、前記インターバル時間内に次の基板処理を実行させる前記第１のレシピを開始する指示を受付けると、前記第１のレシピを開始する
基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、基板処理装置の状態が、前記第１のレシピを実行開始できる環境となったレディー状態である間、前記インターバル時間毎に、前記第２のレシピが繰り返し実行されるように制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１のレシピと前記第２のレシピとの違いは、前記基板を載置する載置部を上下させる機構部の上下動作の有無である請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１のレシピの処理条件と前記第２のレシピの処理条件との違いは、前記処理室内に流すガスが、処理ガスと不活性ガスの違いである請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１のレシピの処理条件と前記第２のレシピの処理条件とでは、ガス流量、圧力、温度のうちいずれかが異なる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
第１のレシピを実行して基板を処理する処理工程と、第２のレシピを実行して前記基板を処理する準備を行う準備工程を有する半導体製造装置管理方法であって、
前記準備工程では、
前記第２のレシピの数及び名称、経過時間、及び前記第２のレシピのインターバル時間のうち少なくとも一つ以上を設定し、
前記第１のレシピを実行して、処理室内の温度を所定の温度に維持しつつ基板を処理する工程を終了してから次の基板処理が開始されるまでに、前記基板を処理する工程が終了してからのインターバル時間を計測し、前記計測された前記インターバル時間に基づいて、前記基板が処理される処理室を保守するための第２のレシピを実行して、次の基板処理で処理される基板が搬入される前に、前記処理室内の温度を前記基板処理と同じ前記所定の温度に維持されるように制御し、
前記第２のレシピ実行後、前記インターバル時間内に次の基板処理を実行させる前記第１のレシピを開始する指示を受付けると、前記第１のレシピを開始する半導体製造装置管理方法。
【請求項７】
第１のレシピを実行して基板を処理する処理工程と、第２のレシピを実行して前記基板を処理する準備を行う準備工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記準備工程は、
前記第２のレシピの数及び名称、経過時間、及び前記第２のレシピのインターバル時間のうち少なくとも一つ以上を設定し、
前記第１のレシピを実行して、処理室内の温度を所定の温度に維持しつつ基板を処理する工程が終了してから次の基板処理が開始されるまでに、前記基板を処理する工程が終了してからのインターバル時間を計測し、前記計測された前記インターバル時間に基づいて、前記基板が処理される処理室を保守するための第２のレシピを実行して、次の基板処理で処理される基板が搬入される前に、前記処理室内の温度を前記基板処理と同じ前記所定の温度に維持し、
前記第２のレシピ実行後、前記インターバル時間内に次の基板処理を実行させる前記第１のレシピを開始する指示を受付けると、前記第１のレシピを開始する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体基板やガラス基板等を処理する基板処理装置及び半導体製造装置管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来，処理対象の基板が，基板処理装置内に存在しない場合（例えば，基板処理が終了
した後），処理室は，非稼働状態として放置されている。処理室は，次に処理される基板
が装置内に投入された後，必要に応じて加熱処理される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら，各生産処理間の間隔が空いてしまうと，処理室内の温度が下がりすぎて
，最初の基板処理結果と，連続処理後の基板処理結果との間に，差が生じてしまう。また
，処理室の内部や移載室にあるボートに，有機物質などが付着してしまい，結果として品
質の低下を招く。
【０００４】
本発明は，所定の生産処理（ロット処理又はバッチ処理）間であって非稼働状態にある
時間に関わらず，基板処理の品質に差が生じることを防ぐことができる基板処理装置を提
供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために，本発明に係る基板処理装置は，基板を処理するための第１の
レシピを実行する制御手段を備え、前記第１のレシピを実行して所定の基板処理を終了させてから、次の基板処理で使用する基板が投入されない状態で所定時間達したら、前記基板が処理される処理室を保守するための第２のレシピを実行する。
【０００６】
好適には，前記制御手段は，所定時間毎に，第２のレシピが繰り返し実行されるように
制御する。
【０００７】
また，本発明に係る半導体製造装置管理方法は，第１のレシピを実行して基板を処理す
る工程と，第２のレシピを実行して前記基板を処理する準備を行う工程とを有する半導体
製造装置管理方法であり，前記基板を処理する準備を行う工程では，基板を処理する処理
室内に投入された基板を処理するための第１のレシピに基づいて実行される基板処理が終
了してから次の基板処理が開始される前に，前記基板処理が終了してからの経過時間を計
測し，前記計測された経過時間に基づいて，前記処理室を保守するための第２のレシピが
実行されるように制御する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置によれば，各生産処理間であって，基板処理装置に処理対象
の基板が投入されていない時間に，処理室を保守するためのレシピを実行することにより
，基板の品質に差が生じることを解消し，基板を処理するためのレシピを実行した結果に
ついて信頼性のある基板処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
まず，本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を説明する。
図１は，本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるインライン型の半導体製
造装置１の概略的な構成図である。図１の構成では，ウエハ搬送用ロボットやプロセスチ
ャンバが複数台，及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された並列冗長の構
成となっている。また，この半導体製造装置は基板（ウエハ）を搬送するキャリアを用い
ている。
【００１０】
図１において，インライン型の半導体製造装置１は２チャンネルで構成されており，基
本的には次のような機能をもつ複数のモジュール（第１の処理モジュール２及び第２の処
理モジュール３）によって構成されている。第１の処理モジュール２は，プロセスチャン
バＰＭ１及びバキュームロックチャンバＶＬ１を有し，第２の処理モジュール３は，プロ
セスチャンバＰＭ２及びバキュームロックチャンバＶＬ２を有する。つまり，半導体製造
装置１は，プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２
との間には，それぞれ，ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２が設けられ，バキュームロック
チャンバＶＬ１，ＶＬ２には，それぞれ，真空ロボットハンドラＴＨ１，ＴＨ２との上段
にバッファスロットＬＳを備え下段にクーリングステージＣＳを備える多段型のスロット
とが設けられている。さらに，大気ローダＬＭには，アライナＡＵとローダハンドラＬＨ
が内蔵されている。また，バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と大気ローダＬＭと
の間にはローダドアＬＤ１，ＬＤ２が設けられている。
【００１１】
各モジュールの機能をさらに詳しく説明する。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２（処理
室）は，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの化学
処理反応によってウエハに所定の処理を施し，そのウエハに付加価値を与える機能を有し
ている。さらに，ガスの導入や排気処理，炉内の温度制御，及びプラズマ放電処理などそ
れぞれの成膜方式に合わせた機能も有している。
【００１２】
バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は，真空／大気圧のチャンバ内圧力を制御す
ることができ，プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へウエハを搬入搬出するためのロボット
を装備している。さらに，バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は，ウエハを保持す
ることができる多段型のスロットを内部に備えている。例えば，２段型のスロットの場合
は，上段でウエハを保持するためのバッファスロットＬＳと下段でウエハをクーリングす
るためのクーリングステージＣＳとを備えている。
【００１３】
大気ローダＬＭは，各ロードロックチャンバ（つまり，バキュームロックチャンバＶＬ
１，ＶＬ２）へウエハを搬入搬出することができるロボットを装備している。また，搬送
時のウエハずれを補正してウエハのノッチ（ウエハの方向を決める切れ込み）を一定方向
に合わせるためのアライナＡＵの機構を内蔵している。さらに，大気ローダＬＭは，ロー
ドポートＬＰ１，ＬＰ２との間でウエハ搬入搬出を行うローダハンドラＬＨを備えている
。
【００１４】
導入ポートとしてのは，半導体製造装置１の外部との間で
ウエハを収納した（複数枚保持できる）キャリアとしてのカセットＣＳ１，ＣＳ２を受け
渡しする（導入する）ことができる機能を備えている。さらに，カセットＣＳ１，ＣＳ２の表面のキャリアＩＤは，ロードポートＬＰ１，ＬＰ２において，リード／ライトされるように構成
されている。
【００１５】
図１に示すような半導体製造装置１の構成において，プロセスチャンバＰＭ１の一式と
バキュームロックチャンバＶＬ１の一式を対にし，プロセスチャンバＰＭ２の一式とバキ
ュームロックチャンバＶＬ２の一式を別の対にして，複数ラインを大気ローダＬＭに接続
する。図１の半導体製造装置１の構成では２ラインとなっているが，さらに多くのライン
で構成してもよい。
【００１６】
また，図１に示す半導体製造装置１には，制御用コントローラ（図２を参照して後述）
が接続されており，その制御用コントローラは搬送制御やプロセス制御などを実行する手
段を有している。
【００１７】
図２は，図１に示す半導体製造装置１を制御するための制御用コントローラの構成を示
すブロック図である。
図２において，制御用コントローラ１１（制御手段）は，操作部１２と統括制御コント
ローラ１３とＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５がＬＡＮ回線１６で接続されている
。また，統括制御コントローラ１３にはＶＬロボットコントローラ１３ａ，大気ロボット
コントローラ１３ｂ，ＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに，ＰＭＣ（１）１４に
は，ＭＦＣ１４ａ，ＡＰＣ１４ｂ，温度調節器１４ｃ，バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続さ
れている。なお，ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラで
あり，ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャ
コントローラである。また，温度調節器１４ｃはプロセスチャンバ内の温度の制御を行う
ものであり，バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するため
の入出力ポートである。また，ＰＭＣ（２）１５も同様な構成となっている。
【００１８】
操作部１２は，システム制御コマンドの指示，モニタ表示，ロギングデータ，アラーム
解析，及びパラメータ編集などの画面を表示する表示部と，前記表示部に備えられた画面
（操作画面）を介して所定の入力手段により入力された指示データや各種レシピ（基板を
処理するための生産処理レシピ（第１のレシピ），処理室を保守するための保守レシピ（
第２のレシピ）等）を格納する記憶部とを有している。また，統括制御コントローラ１３
は，システム全体の運用制御，ＶＬロボットコントローラ１３ａの制御，大気ロボットコ
ントローラ１３ｂの制御，ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御するＶＬ排気系制御
を行う。
【００１９】
次に，図２に示す制御用コントローラ１１の一般的な運用例について説明する。操作部
１２からの運用開始指示（後述するロット処理要求）を受けた統括制御コントローラ１３
は，ウエハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示する。該当するウエハがキ
ャリアからバキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから，バ
キュームロックチャンバＶＬの排気制御（つまり，ポンプやバルブの制御）を実施する。
そして，バキュームロックチャンバＶＬが所定の負圧力に達したところでウエハを該当する
ＰＭＣ（つまり，ＰＭＣ（１）１４またはＰＭＣ（２）１５）に搬送し，ウエハに付加価値を
与えるため生産処理レシピの実行指示を行う。なお，統括制御コントローラ１３，ＰＭＣ
（１）１４，ＰＭＣ（２）１５は，それぞれメモリ（一時記憶部）を有しており，上記運用
開始指示以前にレシピやパラメータがメモリーにダウンロードされる。また，各種パラメータ
や各種レシピは，図示しない外部記憶部に格納されてもよい。
【００２０】
次に，半導体製造装置１で，装置スタンバイ中（ロット開始待ち中）に，プロセスチャ
ンバＰＭ１，ＰＭ２内の雰囲気を保持するための保守レシピが実行されるタイミングを説
明する。
【００２１】
図３は，半導体製造装置１の状態遷移を示す図である。
図３に示すように，半導体製造装置１は，アイドル状態，スタンバイ処理中状態，スタ
ンバイ状態，ラン状態及び異常終了状態を遷移する。アイドル状態は，待機状態である。
例えば，アイドル状態では，材料カセットを受け入れたり，レシピを指定することが可能
である。スタンバイ処理中状態は，選択されている生産処理レシピが，実行開始できるよ
うな環境を整えている状態である。スタンバイ処理中状態は，単に，スタンバイ状態とも
いう。スタンバイ（レディー）状態は，現在選択されている生産処理レシピが，実行開始
（ラン）できる環境となった状態である。ラン状態は，現在選択されている生産処理レシ
ピが実行中である状態である。異常終了状態は，当該状態以外の状態で，リセット，アボート
など，正常に終了しなかった場合に遷移する状態である。
【００２２】
まず，半導体製造装置１が起動されると，アイドル状態になる。アイドル状態において
，操作部１２からのスタンバイ要求を受け付けると，半導体製造装置１は，スタンバイ処
理中状態に遷移する。スタンバイ処理中状態において，スタンバイ処理が完了すると，半
導体製造装置１は，スタンバイ（レディー）状態に遷移する。スタンバイ（レディー）状
態において，操作部１２からのアイドル要求を受け付けると，半導体製造装置１は，アイ
ドル状態に戻る。また，スタンバイ（レディー）状態において，操作部１２からのロット
処理（生産処理）要求を受け付けると，半導体製造装置１は，ラン状態になって基板処理
を実行する。ラン状態において，ロット処理が完了すると，半導体製造装置１は，スタン
バイ（レディー）状態に戻る。
【００２３】
アイドル状態，スタンバイ処理中状態，スタンバイ（レディー）状態及びラン状態の少
なくともいずれかの状態において，異常終了が発生すると，半導体製造装置１は，異常終
了状態に遷移する。異常終了状態において，操作部１２からのアイドル要求を受け付ける
と，半導体製造装置１は，アイドル状態に遷移する。
【００２４】
保守レシピは，スタンバイ（レディー）状態で実行される。
次に，スタンバイ（レディー）状態において，保守レシピが実行されるタイミングを詳
細に説明する。
【００２５】
図４は，半導体製造装置１の状態と，基板処理が終了してからの経過時間に基づいて実
行される保守レシピの動作との関係を示す図である。なお，図４では，保守レシピの動作
だけが示されており，生産処理レシピの動作は省略されている。また，図４では，保守レ
シピとして，ウォームアップレシピ１，ウォームアップレシピ２及びウォームアップレシ
ピ３が実行される例が示されているが，保守レシピの数は本例に限定されない。
【００２６】
図４に示すように，半導体製造装置１は，ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５（以
降，ＰＭＣ（１）１４等ともいう）が起動されるとアイドル状態に遷移し，スタンバイ要
求を受け付けるとスタンバイ状態に遷移する。スタンバイ処理が正常に終了すると，統括
制御コントローラ１３は，ＰＭＣ（１）１４等に対して，ウォームアップレシピの開始を
指示する。ＰＭＣ（１）１４等は，当該指示を受け付けると，監視タイマの計時を開始し，
保守レシピとしてウォームアップレシピ１を，繰り返し実行する。
【００２７】
スタンバイ処理が正常に終了してからＴ１時間が経過すると，ＰＭＣ（１）１４等は，
ウォームアップレシピ１を終了し，保守レシピとしてウォームアップレシピ２を，繰り返
し実行する。
【００２８】
Ｔ１時間及びＴ２時間の監視は，ＰＭＣ（１）１４等により行われる。ここで，ＰＭＣ
（１）１４等は，統括制御コントローラ１３からの指示なしにＴ１時間又はＴ２時間が経
過した場合，ウォームアップレシピ１〜ウォームアップレシピ３を実行する。
【００２９】
スタンバイ処理が正常に終了してからＴ２時間が経過すると，ＰＭＣ（１）１４等は，
ウォームアップレシピ２を終了し，保守レシピとしてウォームアップレシピ３を，繰り返
し実行する。
【００３０】
例えば，Ｔ１は６０分であり，Ｔ２は１２０分である。即ち，スタンバイ（レディー）
状態に遷移してから６０分が経過するまでは，ウォームアップレシピ１が繰り返し実行さ
れ，６０分経過時から１２０分経過時までは，ウォームアップレシピ２が繰り返し実行さ
れ，１２０分が経過した以降は，ウォームアップレシピ３が繰り返し実行される。
【００３１】
統括制御コントローラ１３は，操作部１２からロット処理要求を受け付けると，ＰＭＣ
（１）１４等に対して，実行中の保守レシピの停止を指示する。ＰＭＣ（１）１４等は，
停止指示を受け付けると，保守レシピの実行を停止する。なお，ＰＭＣ（１）１４等は，
保守レシピの実行途中に停止指示を受け付けた場合，実行中の保守レシピを途中で停止さ
せずに，最後まで実行する。
【００３２】
統括制御コントローラ１３は，保守レシピの停止を指示すると，生産処理レシピの開始を
指示する。ＰＭＣ（１）１４等は，開始指示を受け付けると，生産処理レシピの実行を
開始する。したがって，半導体製造装置１は，スタンバイ（レディー）状態からラン状
態に遷移する。ロット処理が終了すると，半導体製造装置１は，ラン状態からスタンバイ
（レディー）状態に遷移し，統括制御コントローラ１３が，保守レシピの開始を指示する
。ＰＭＣ（１）１４等は，開始指示を受け付けると，監視タイマの計時を開始する。この
ように，制御用コントローラ１１は，生産処理レシピに基づいて実行される基板処理の後
であって当該基板処理の次の基板処理の前に，当該基板処理が終了してからの経過時間に
基づいて，保守レシピが実行されるように指示する。
【００３３】
保守レシピは，スタンバイ（レディー）状態において，上記のタイミングとは異なるタ
イミングでも実行される。
図５は，半導体製造装置１の状態と，図４とは異なるタイミングに基づいて実行される
保守レシピの動作との関係を示す図である。なお，図５では，保守レシピの動作だけが示
されており，生産処理レシピの動作は省略されている。また，図５では，保守レシピとし
て，ウォームアップレシピ１が実行される例が示されている。
【００３４】
図５に示すように，保守レシピは，スタンバイ（レディー）状態において，所定時間毎
に，繰り返し実行される。より具体的には，半導体製造装置１が，スタンバイ状態又はラ
ン状態からスタンバイ（レディー）状態に遷移すると，統括制御コントローラ１３が，ウ
ォームアップレシピ１の開始を指示する。ＰＭＣ（１）１４等は開始指示を受け付けると
，監視タイマの計時を開始する。監視タイマの計時を開始してからＴ１時間が経過すると
，ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は，保守レシピとしてウォームアップレシピ１
を実行する。ウォームアップレシピ１の実行が終了すると，ＰＭＣ（１）１４等は，監視
タイマの計時を，再度，開始する。
【００３５】
上述したような保守レシピの動作は，操作部１２を用いて設定可能である。
図６は，操作部１２が表示する保守レシピ設定画面２０であって，図４に示される保守
レシピの動作を設定する場合を例示する図である。
図６に例示するように，操作部１２には，保守レシピ設定画面２０が表示され，ユーザ
がこの保守レシピ設定画面２０を介して，保守レシピの動作を設定できるようになってい
る。保守レシピの設定は，プロセスチャンバ毎に可能である。即ち，プロセスチャンバＰ
Ｍ１とプロセスチャンバＰＭ２とで，同一の保守レシピが設定されてもよいし，異なる保
守レシピが設定されてもよい。
【００３６】
保守レシピ設定画面２０は，レシピ数設定部２２，レシピ名称設定部２４，経過時間設
定部２６及びインターバル設定部２８を有する。レシピ数設定部２２には，動作する保守
レシピの数が設定される。レシピ名称設定部２４には，動作する保守レシピの名称が設定
される。経過時間設定部２６には，レシピ名称設定部２４において設定された保守レシピ
が動作する時間が，スタンバイ（レディー）状態に遷移してからの経過時間として設定さ
れる。インターバル設定部２８については，後述する。
【００３７】
図６に示される設定例では，レシピ数は３であり，第１の保守レシピとしてウォームア
ップレシピ１が，最終の生産処理レシピの実行が終了してから０〜６０分の間実行され，
第２の保守レシピとしてウォームアップレシピ２が，当該生産処理レシピの実行が終了し
てから６０分〜１２０分の間実行され，第３の保守レシピとしてウォームアップレシピ３
が，当該生産処理レシピの実行が終了してから１２０分経過した以降実行される。
【００３８】
なお，図６に示される保守レシピ設定画面２０では，時間毎に，最大３つの保守レシピ
が設定可能であるが，保守レシピの最大数は，本例に限定されない。即ち，保守レシピ設
定画面２０では，４以上の保守レシピが設定可能であってもよい。
【００３９】
図７は，操作部１２が表示する保守レシピ設定画面２０であって，図５に示される保守
レシピの動作を設定する場合を例示する図である。
図７に例示するように，インターバル設定部２８に値を設定することで，保守レシピが
所定時間毎に実行される。即ち，インターバル設定部２８には，レシピ名称設定部２４に
おいて設定された保守レシピが動作するインターバル時間が，設定される。図７に示され
る設定例では，レシピ数は１であり，第１の保守レシピとしてウォームアップレシピ１が
，最終の生産処理レシピの実行が終了してから１０分後に実行され，さらに，当該ウォー
ムアップレシピ１の実行が終了してから１０分後に再度実行されて，ウォームアップレシ
ピ１の実行が繰り返される。
【００４０】
図８は，本発明の実施形態に係る半導体製造装置１の全体動作（Ｓ１０）を示すシーケ
ンス図であって，保守レシピの動作が図６のように設定されている場合を示す図である。
図８に示すように，半導体製造装置１が起動されると半導体製造装置１はアイドル状態
に遷移し，ステップ１００（Ｓ１００）において，操作部１２は，ＰＭＣ（１）１４及び
ＰＭＣ（２）１５と接続し，保守レシピ設定画面２０（図６）を介して設定された値を含
む装置パラメータを，統括制御コントローラ１３，ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１
５に対して送信（ダウンロード）する。
【００４１】
操作部１２がスタンバイ要求を受け付けると，半導体製造装置１はスタンバイ状態に遷
移する。即ち，ステップ１０２（Ｓ１０２）において，操作部１２は，統括制御コントロ
ーラ１３に対してスタンバイ要求を出力する。
ステップ１０４（Ｓ１０４）において，統括制御コントローラ１３は，ＰＭＣ（１）１
４及びＰＭＣ（２）１５に対してスタンバイ要求を出力する。
【００４２】
ステップ１０６（Ｓ１０６）において，ＰＭＣ（１）１４等は，スタンバイ処理が正常
終了した旨を示すスタンバイ完了通知を，統括制御コントローラ１３に対して出力する。
統括制御コントローラ１３は，スタンバイ完了通知を受け付けると，ステップ１０８（
Ｓ１０８）において，スタンバイ完了通知を操作部１２に対して出力する。これにより，
半導体製造装置１は，スタンバイ状態からスタンバイ（レディー）状態に遷移する。
【００４３】
ステップ１１０（Ｓ１１０）及びステップ１１６（Ｓ１１６）において，統括制御コン
トローラ１３は，ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５に対して，保守レシピの開始を
指示する。
【００４４】
ステップ１１２（Ｓ１１２）及びステップ１１８（Ｓ１１８）において，ＰＭＣ（１）
１４及びＰＭＣ（２）１５は，装置パラメータを参照する。装置パラメータには，最初の
時間帯に動作する保守レシピとして，ウォームアップレシピ１が設定されている。したが
って，ＰＭＣ（１）１４等は，操作部１２に対して，ウォームアップレシピ１のダウンロ
ード要求を行う。
ステップ１１４（Ｓ１１４）及びステップ１２０（Ｓ１２０）において，ＰＭＣ（１）
１４及びＰＭＣ（２）１５は，操作部１２からウォームアップレシピ１をダウンロードす
る。
【００４５】
ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は，ダウンロードを終了すると，スタンバイ（
レディー）状態に遷移してから６０分経過するまでウォームアップレシピ１を実行する。
また，ＰＭＣ（１）１４等は，６０分が経過するとウォームアップレシピ２をダウンロー
ドし，遷移後６０〜１２０分の間，ウォームアップレシピ２を実行する。また，ＰＭＣ（
１）１４等は，１２０分が経過するとウォームアップレシピ３をダウンロードし，遷移後
１２０分経過以降，ウォームアップレシピ３を実行する。このように，ＰＭＣ（１）等は
，ロット処理が開始されるまで，保守レシピの実行を繰り返す。
【００４６】
ステップ１２２（Ｓ１２２）において，操作部１２がロット処理要求を受け付けると，
操作部１２は，統括制御コントローラ１３に対してロット処理の開始を要求する。これに
より，半導体製造装置１は，スタンバイ（レディー）状態からラン状態に遷移する。
【００４７】
ステップ１２４（Ｓ１２４）において，統括制御コントローラ１３は，ＰＭＣ（１）１
４及びＰＭＣ（２）１５に対して，保守レシピの停止を指示する。ＰＭＣ（１）１４等は
，保守レシピの実行の繰り返しを停止する。ただし，ＰＭＣ（１）１４等は，実行中の保
守レシピについては，当該保守レシピを完了させてから終了する。
【００４８】
ステップ１２６（Ｓ１２６）において，統括制御コントローラ１３は，ＰＭＣ（１）１
４及びＰＭＣ（２）１５に対して，生産処理レシピの開始を指示する。ＰＭＣ（１）１４
等は，生産処理レシピの開始指示を受け付けると，生産処理レシピを実行する。
【００４９】
ステップ１２８（Ｓ１２８）において，ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は，生
産処理レシピを完了すると，統括制御コントローラ１３に対して，生産処理レシピの終了
通知を送信する。
統括制御コントローラ１３は，生産処理レシピの終了通知を受け付けると，ステップ１
３０（Ｓ１３０）において，ロット処理完了通知を操作部１２に対して出力する。これに
より，半導体製造装置１は，ラン状態からスタンバイ（レディー）状態に遷移する。
【００５０】
ステップ１３２（Ｓ１３２）において，統括制御コントローラ１３は，ＰＭＣ（１）１
４及びＰＭＣ（２）１５に対して，保守レシピの開始を指示する。その後，Ｓ１１０及び
Ｓ１１６以降の処理と同様にして，保守レシピが実行される。
【００５１】
図９は，本発明の実施形態に係る半導体製造装置１の全体動作（Ｓ２０）を示すシーケ
ンス図であって，保守レシピの動作が図７のように設定されている場合を示す図である。
なお，図９に示された各処理のうち，図８に示された処理と実質的に同一のものには同一
の符号が付されている。
図９に示すように，ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は，Ｓ１１２及びＳ１２０
の処理で，ウォームアップレシピ１をダウンロードすると，所定期間毎に，設定された保
守レシピを実行する。例えば，ＰＭＣ（１）１４等は，スタンバイ（レディー）状態に遷
移してから１０分経過すると，保守レシピとしてのウォームアップレシピ１を実行し，ウ
ォームアップレシピ１の終了後さらに１０分経過すると，ウォームアップレシピ１を再度
実行する。このように，ＰＭＣ（１）等は，ロット処理が開始するまで，保守レシピの実
行を繰り返す。尚、保守レシピは、生産処理レシピと同じ処理条件が好ましい。なぜなら、
ロット処理間のプロセスチャンバＰＭ内の雰囲気がロット処理中のプロセスチャンバＰＭ内
雰囲気と同じになるためである。更に、ロット処理中のプロセスチャンバＰＭ内雰囲気と
同じ雰囲気になることを条件として、例えば、加熱時間を短くしたり長くしたり任意に異なる
処理条件を設定できる。また、プロセス処理用ガスを一切流さず不活性ガスしか流さないなどのように、生産処理レシピと異なる処理条件でも構わない。そうすると、プラズマを生成する
プロセスの場合、サセプタ上にウエハを載置させずに生産処理レシピを実行させるとプラズマによるサセプタへのダメージが懸念されるがそのプラズマによるダメージが抑えられる。
【００５２】
したがって，プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の温度が，生産処理時には例えば９０
０℃以上に上がり，生産処理後には常温近くまで下がる条件の下で，生産処理の間隔があ
いてしまう場合においても，プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の雰囲気が整えられる（所
定の温度に維持される）ので，生産レシピの設定を替えたり，生産処理開始前にダミー処
理又は前処理を実行したりする作業を省くことができる。これにより，生産処理開始の時
間が短縮可能となる。つまり，本実施形態では，ラン状態ですぐに生産処理レシピを実行
できるようにしているので，ラン状態でダミー処理又は前処理を実行する場合と比較して
，装置の生産性が向上する。また，保守レシピは，通常の生産処理レシピと同様にして作
成可能であるので，圧力やガスバルブ／ＭＦＣなどの制御も，保守レシピにより設定可能
となる。保守レシピを実行する際には、プロセスチャンバＰＭにはウエハが無いので、サセプタ上下動などプロセスチャンバＰＭ内での機構動作を設定しないような運用ができる。つまり、処理条件や機構部等の設定項目を変更することにより種々の運用が可能となる。例えば、処理条件を生産処理レシピと同じ処理条件としておき、機構部等の設定を動かさないように変更する。そうすると機構部を無駄に動かし、消耗や劣化等を抑えることができる。また，本実施形態においては，インライン型の半導体製造装置について述べたが，クラスタ型の半導体製造装置についても本発明が適用できるのはいうまでもない。
【００５３】
次に，本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を説明する。
基板処理装置は，一例として，半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理装置を実施
する半導体製造装置として構成されている。なお，以下の説明では，基板処理装置として
基板に酸化，拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置を適用した実施例について述
べる。
【００５４】
図１０は，本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の斜視図を示す。
また，図１１は，図１０に示す基板処理装置１００の側面透視図を示す。
図１０及び図１１に示されているように，シリコン等からなるウエハ（基板）２００を
収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用
されている本発明の実施形態に係る基板処理装置１００は，筐体１１１を備えている。筐
体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部
としての正面メンテナンス口１０３が開設され，この正面メンテナンス口１０３を開閉す
る正面メンテナンス扉１０４，１０４がそれぞれ建て付けられている。
【００５５】
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が
筐体１１１の内外を連通するように開設されており，ポッド搬入搬出口１１２はフロント
シャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている
。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４
が設置されており，ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするよう
に構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）
によって搬入され，かつまた，ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００５６】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には，回転式ポッド棚（基板収容器載
置棚）１０５が設置されており，回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管す
るように構成されている。すなわち，回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内
で間欠回転される支柱１１６と，支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持さ
れた複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており，複数枚の棚板１１７はポ
ッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００５７】
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には，ポッド
搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており，ポッド搬送装置１１８は，ポ
ッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａ
と搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており
，ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続
動作により，ロードポート１１４，回転式ポッド棚１０５，ポッドオープナ（基板収容器
蓋体開閉機構）１２１との間で，ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００５８】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には，サブ筐体１１９が後端にわたっ
て構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９
内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対，垂直
方向に上下二段に並べられて開設されており，上下段のウエハ搬入搬出口１２０，１２０
には一対のポッドオープナ１２１，１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１
２１はポッド１１０を載置する載置台１２２，１２２と，ポッド１１０のキャップ（蓋体
）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３，１２３とを備えている。ポッド
オープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構
１２３によって着脱することにより，ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように
構成されている。
【００５９】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的
に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構
（基板移載機構）１２５が設置されており，ウエハ移載機構１２５は，ウエハ２００を水
平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載
装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１
２５ｂとで構成されている。図１０に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベ
ータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部
との間に設置されている。これら，ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装
置１２５ａの連続動作により，ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５
ｃをウエハ２００の載置部として，ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を
装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００６０】
移載室１２４の後側領域には，ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成
されている。待機部１２６の上方には，処理室２０２が設けられている。処理室２０２の
下端部は，炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている
。
【００６１】
図１０に模式的に示されているように，耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待
機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保
持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された
連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けら
れており，シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し，処理室２０２の下端部
を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており，複
数枚（例えば，５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列
させた状態で，それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００６２】
図１０に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５
ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には，清浄化した雰囲気もし
くは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで
構成されたクリーンユニット１３４が設置されており，ウエハ移載装置１２５ａとクリー
ンユニット１３４との間には，図示はしないが，ウエハの円周方向の位置を整合させる基
板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
【００６３】
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は，ノッチ合わせ装置１
３５及びウエハ移載装置１２５ａ，待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に，
図示しないダクトにより吸い込まれて，筐体１１１の外部に排気がなされるか，もしくは
クリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され，再度クリ
ーンユニット１３４によって，移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
【００６４】
次に，本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の動作について説明する。
図１０及び図１１に示されているように，ポッド１１０がロードポット１１４に供給さ
れると，ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され，ロードポ
ート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッ
ド搬入搬出口１１２から搬入される。
【００６５】
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送
装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され，一時的に保管された後，棚板１１７
から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され，一時的に保管された後，棚板
１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか，もし
くは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際，ポッド
オープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられて
おり，移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され，充満されている。例えば，移載
室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより，酸素濃度が２０
ｐｐｍ以下と，筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されて
いる。
【００６６】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１
１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに，そのキ
ャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され，ウエハ出し入れ口を開放される。
【００６７】
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると，ウエハ２００はポッド１
１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じて
ピックアップされ，図示しないノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後，移載室
１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され，ボート２１７に装填（チャージング）され
る。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に
戻り，次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００６８】
この一方（上段又は下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によ
るウエハのボート２１７への装填作業中に，他方（下段又は上段）のポッドオープナ１２
１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送
されて移載され，ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される
。
【００６９】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると，炉口シャッタ１４
７によって閉じられていた処理室２０２の下端部が，炉口シャッタ１４７によって，開放
される。続いて，ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボー
トエレベータ１１５によって上昇されることにより，処理室２０２内へ搬入（ローディン
グ）されて行く。
【００７０】
ローディング後は，処理室２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後
は，図示しないノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き，概上述の逆の手順
で，ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払出される。
【００７１】
次に，基板処理装置１００の構成要素を制御するＰＭＣ３４について説明する。
図１２は，ＰＭＣ３４を中心としたハードウェア構成を示す。
ＰＭＣ３４（制御手段）は，ＣＰＵ１４０，ＲＯＭ（read-only memory）１４２，ＲＡ
Ｍ（random-access memory）１４４，入出力装置３６との間でのデータの送受信を行う送
受信処理部１４６，温度制御部１５０，ガス制御部１５２，圧力制御部１５４，搬送制御
部（図示せず），及び温度制御部１５０等とのＩ／Ｏ制御を行うＩ／Ｏ制御部１４８を有
する。ＣＰＵ１４０は，上述した入出力装置３６の操作画面で作成又は編集され，ＲＡＭ
１４４等に記憶されているレシピに基づいて，基板を処理するための制御データ（制御指
示）を，温度制御部１５０，ガス制御部１５２及び圧力制御部１５４に対して出力する。
なお，ＣＰＵ１４０は，図示しない搬送制御部に対しても同様に制御指示を出力する。
【００７２】
ＲＯＭ１４２及びＲＡＭ１４４には，シーケンスプログラム，複数のレシピ，入出力装
置３６より入力される入力データ（入力指示），レシピのコマンド及びレシピの履歴デー
タ等が格納される。なお，ＰＭＣ３４には，ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等により
実現される記憶装置（不図示）が含まれてもよく，この場合，該記憶装置には，ＲＡＭ１
４４に格納されるデータと同様のデータが格納される。
【００７３】
入出力装置３６は，操作画面からのオペレータ（ユーザ）の入力データ（入力指示）を
受け付ける入力部１６０，ＲＡＭ１４４等に格納されているデータ等を表示する表示部１
６２，入力部１６０に受け付けられた入力データが後述する表示制御部１６４により送受
信処理部１４６に送信されるまでの間記憶する一時記憶部１６６，入力部１６０からの入
力データ（入力指示）を受け付け，該入力データを表示部１６２もしくは送受信処理部１
４６に送信する表示制御部１６４を有する。なお，後述するように，表示制御部１６４は
，送受信処理部１４６を介してＣＰＵ１４０によるＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４に格納
された複数のレシピのうち任意のレシピを実行させる指示（実行指示）を受け付けるよう
になっており，また表示部１６２は，表示制御部１６４からの指示により指示された任意
のレシピを操作画面に表示するようになっている。
【００７４】
温度制御部１５０は，上述した処理室２０２の外周部に設けられたヒータ３３８により
該処理室２０２内の温度を制御する。ガス制御部１５２は，処理室２０２のガス配管３４
０に設けられたＭＦＣ（マスフローコントローラ）３４２からの出力値に基づいて処理室
２０２内に供給する反応ガスの供給量等を制御する。圧力制御部１５４は，処理室２０２
の排気配管３４４に設けられた圧力センサ３４６の出力値に基づいてバルブ３４８を開閉
することにより処理室２０２内の圧力を制御する。このように，温度制御部１５０等は，
ＣＰＵ１４０からの制御指示に基づいて基板処理装置１００の各部（ヒータ３３８，ＭＦ
Ｃ３４２及びバルブ３４８等）の制御を行う。
【００７５】
例えば，入出力装置３６の入力部１６０により，レシピを設定する為のデータが入力さ
れると，該入力データ（入力指示）は，記憶部１６６に格納されると共に表示制御部１６
４を介して表示部１６２に表示され，さらに表示制御部１６４によりＰＭＣ３４の送受信
処理部１４６に送信される。ＣＰＵ１４０は，該入力データをＲＡＭ１４４に格納し，例
えばＲＯＭ１４２に格納されたレシピの設定入力を確定させる。ＣＰＵ１４０は，シーケ
ンスプログラムを起動し，該シーケンスプログラムに従って，例えばＲＡＭ１４４に格納
されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで，ステップが逐次実行され，Ｉ／Ｏ制
御部１４８を介して温度制御部１５０，ガス制御部１５２，圧力制御部１５４，及び搬送
制御部に対して基板を処理するための制御指示が送信される。温度制御部１５０等は，主
制御指示からの制御指示に従って基板処理装置１００内の各部（ヒータ３３８，ＭＦＣ３
４２及びバルブ３４８等）の制御を行う。これにより，上述したウエハ２００の処理が行
われる。
【００７６】
図１３は，基板処理装置１００の状態と，所定時間毎に繰り返し実行される保守レシピ
の動作との関係を示す図である。なお，図１３では，保守レシピの動作だけが示されてお
り，生産処理レシピの動作は省略されている。
【００７７】
図１３に示すように，本実施形態に係る基板処理装置１００では，プロセス処理実行以
外の時間，即ち基板処理装置１００がラン以外の状態である時間に，保守レシピとしての
オートメンテナンスレシピが実行される。オートメンテナンスレシピは，処理室２０２の
内部に堆積した累積膜厚やウエハの移載室１２４にあるボート２１７に付着した有機物質などの汚染物質を除去するためのレシピである。
【００７８】
より具体的には，オートメンテナンスレシピには，「Ｂｏａｔ  ＬＯＡＤ」「ＰＵＲＧ
Ｅ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ」及び「Ｂｏａｔ  ＵＮＬＯＡＤ」の各指定が含まれる。「Ｂｏａ
ｔ  ＬＯＡＤ」では，少なくともボート２１７を載置する部分が処理室２０２内へ搬入される。「ＰＵＲＧＥ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ」では，クリーニングが実行される。「Ｂｏａｔ  ＵＮＬＯＡＤ」では，少なくともボート２１７を載置する部分が処理室２０２の外部へ払出される。ここで、ボートの材質など種々の理由によりボート２１７が載置されない場合がある。
【００７９】
基板処理装置１００のＰＭＣ３４は，基板処理(バッチ処理)が終了した後、基板処理装置１００の状態がラン状態からラン以外の状態に遷移すると，監視タイマの計時を開始する。ＰＭＣ３４は，計時を開始してからＴ３時間が経過すると，オートメンテナンスレシピを実行する。ＰＭＣ３４は，オートメンテナンスレシピの実行が終了すると，再度，監視タイマの計時を開始する。したがって，オートメンテナンスレシピは，基板処理装置１００がラン以外の状態である間，所定時間毎に繰り返し実行される。
【００８０】
ＰＭＣ３４は，次生産処理の投入指示を受け付けると，オートメンテナンスレシピが実
行が終了した後に，次の生産処理を開始する。即ち，オートメンテナンスレシピの実行途
中に次生産投入指示を受け付けた場合，実行中のオートメンテナンスレシピは，途中で停
止されず，最後まで実行される。ここで、オートメンテナンスレシピの処理が終了して監視タイマの計時中（つまり、オートメンテナンスレシピが実行されていない時)に、次生産処理の投入指示を受け付けると、すぐに次生産処理でされる基板が投入され、基板処理(バッチ処理)が開始されるのは言うまでもない。
【００８１】
本実施形態において、一定時間放置されると、処理室２０２の内部やウエハ移載室１２４にあるボート２１７に有機物質等の汚染物質が付着してしまうが、定期的にクリーニングが実行されるので、次の生産処理を開始時には生産処理開始前にのみ(一度だけ)クリーニングする運用に比べより早くウエハ処理の実行が可能となる。本願における実施形態においては、保守レシピを終了後、所定時間内に次の生産処理を開始する場合、すぐに次の生産処理を実施できる。一方、次の生産処理開始前に一度だけクリーニングする運用の場合、どれくらい放置されたか(放置時間)や装置の機差など最適な処理条件を異ならせる不確定な要素が多いため、最適な条件を算出するのが極めて困難であり、結局、次の生産処理の開始が遅延する。また、一度だけクリーニングを行う運用では、都度クリーニング条件を設定する必要がある。従い、生産処理開始前に、クリーニングを一度だけ行うのは、運用上好ましくはない。したがって，基板処理装置１００が生産計画等によりしばらく使用されなかった後に再び使用される場合においても，ユーザが，使用前にクリーニングレシピを実行させる必要がない。また，基板処理装置１００が生産処理を行っていない間，保守レシピが実行されるので，ユーザが使用前にクリーニングレシピを実行しなくても，製品ウエハが汚染されることを防止することができる。また，保守レシピを複数備え，保守レシピのそれぞれに所定の条件が設定されて実行してもよい。なお、本実施形態においても，図６，図７に示すような設定画面にて設定して実行するのは言うまでもない。尚、オートメンテナンスレシピは、Purge Cleaningステップの時間の設定変更、クリーニング用ガスや不活性ガスの流量の設定変更、その他、温度や圧力などの設定も任意に変更できるのは言うまでも無い。また、クリーニングする箇所でこのような処理条件の設定変更をしてもよい。
【００８２】
図１４は、本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置１００の処理室２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００８３】
図１４に示されるように、処理室２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状である。ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２ ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０２が形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。尚、図１４においてはボート２１７を載置されてない状態を示しているが、ウエハ２００が搭載されていないボート２１７も処理室２０２内に装入しても良い。
【００８４】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリングが設けられている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００８５】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気管２３１が設けられると共にガス供給管２３２、１７０、１７１、１７２、１７３、１７４がそれぞれ貫通するよう設けられている。ガス供給管１７０、１７１、１７２、１７３、１７４は、クリーニング用ガスまたは不活性ガスを供給するための管である。ガス供給管２３２は、基板処理用ガス又は不活性ガスを供給するための管である。
【００８６】
排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ（図示せず）および圧力調整装置としてのＡＰＣバルブ２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０２内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力検出器には、圧力制御部１５４が電気的に接続されており、圧力制御部１５４は圧力検出器により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２により処理室２０２内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００８７】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリングが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０２と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、図示しないボート２１７を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
【００８８】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ（図示せず）が設置されている。ヒータ２０６と温度検出器には、電気的に温度制御部１５０が接続されており、温度検出器により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０２内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００８９】
この処理室２０２の構成において、クリーニング用ガスは、ガス供給管１７０、１７１、１７２、１７３、１７４のいずれかにより処理室２０２に導入される。この際、上記全てのガス供給官からクリーニング用ガスを供給してもよいし、ガス供給官１７０だけクリーニング用ガスを供給し、他のガス供給官１７１，１７２，１７３，１７４は不活性ガスを供給してもよい。また、ガス供給管２３２より不活性ガスが処理室２０２に導入される。これらの供給ガスは、ガス流量制御部１５２により図示しないバルブやＭＦＣが制御されて供給されるように構成されている。また、処理室２０２内のガスは、ガス排気管２３１に接続された真空排気装置２４６により、処理室２０２から排気される。
【００９０】
ガス流量制御部１５２、圧力制御部１５４、駆動制御部１５６、温度制御部１５０は、基板処理装置全体を制御する主制御部１４０に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部１５２、圧力制御部１５４、駆動制御部１５６、温度制御部１５０、主制御部１４０は、図１２におけるＰＭＣ３４に相当するコントローラ２４０として構成されている。
【００９１】
次に、上記構成に係る処理室２０１を用いて、基板処理装置１００にウェハ２００が投入されていないときにクリーニングする方法について説明する。クリーニングは、前述したオートメンテナンスレシピを実行することによって行われる。尚、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。まず、基板処理（バッチ処理）終了後、所定の時間までに次の基板処理（バッチ処理）で使用するウェハ２００(ウェハ２００を収納したキャリア)が投入されない場合に、コントローラ２４０は、オートメンテナンスレシピを実行する。
【００９２】
図１４に示されるように、ボート２１７を載置しない状態でボート２１７を支持する部分のみが、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０２に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリングを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。処理室２０２内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０２内の圧力は、図示しない圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器としてのＡＰＣバルブ２４２がフィードバック制御される。また、処理室２０２内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０２内が所望の温度分布となるように図示しない温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。これまでが、図１３におけるBoat LOADステップである。ここで、図１４では、ボート２１７が無いが、当然ボート２１７を処理室２０２に搬入（ボートローディング）してもよいのは言うまでもない。
【００９３】
クリーニング用ガスが、ガス供給管１７０、１７１、１７２、１７３、１７４から処理室２０２内に導入される。導入されたこれらのクリーニング用ガスは、処理室２０２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。これらクリーニング用ガスは、処理室２０２内を通過する際に、処理室２０２の下部や壁面などいたるところと接触し、汚染物質を除去する。また、供給管１７０、１７１、１７２、１７３、１７４内もクリーニングされる。予め設定された時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から各ガス供給管から不活性ガスが供給され、処理室２０２内が不活性ガスで置換されると共に、処理室２０２内の圧力が常圧に復帰される。これが、図１３におけるPURGE  Cleaningステップである。
【００９４】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、少なくともボート２１７を保持する部分が、マニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。これが、図１３におけるBoat UNLOADステップである。
【００９５】
尚、上記PURGE  Cleaningステップにおいては、更に複数のステップで構成されても良い。例えば、クリーニングする箇所によりクリーニング処理条件を異なる設定をしておくことで実現できる。処理室２０２の基板処理を行う部分と基板処理を行わない処理室２０２の下部とで処理条件を異なるようにしても良い。また、ガス供給管１７０、１７１、１７２、１７３、１７４、２３２をそれぞれクリーニングする場合、処理室２０２の壁面をクリーニングする条件とは異なる処理条件でエッチングするようにしても良い。処理室２０２の壁面だけでなく、インナーチューブ２０４やボート２１７についても同様に下部と上部では、クリーニングする条件を変更するようにしても良い。
【００９６】
PURGE  Cleaningステップを複数のステップで構成した場合の一例を挙げる。PURGE  Cleaningステップ１で基板処理を行わない処理室２０２の下部をクリーニングする条件を設定し、PURGE  Cleaningステップ２で処理室２０２の壁面だけでなく、インナーチューブ２０４やボート２１７についてクリーニングする条件を設定し、PURGE  Cleaningステップ３でガス供給管１７０、１７１、１７２、１７３、１７４、２３２をそれぞれクリーニングする条件を設定する。尚、ガス供給管毎にPURGE  Cleaningステップを構成しても構わない。具体的には、上記PURGE  Cleaningステップ１からPURGE  Cleaningステップ３それぞれにおいて、例えば、クリーニング用ガスの流量や処理室２０２の圧力やステップ時間などの設定を変更することが可能である。
【００９７】
なお，本発明に係る基板処理装置は，半導体製造装置だけではなく，ＬＣＤ装置などの
ガラス基板を処理する装置にも適用されうる。また，本発明に係る基板処理装置は，炉内
の処理を限定せず，ＣＶＤ，ＰＶＤ，酸化膜，窒化散を形成する処理，及び金属を含む膜
を形成する処理を含む成膜処理を行うことができる。さらに，本発明に係る基板処理装置
は，露光装置，リソグラフィ装置，塗布装置，プラズマを利用したＣＶＤ装置などにも適
用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るインライン型の半導体製造装置１の概略的な構成図である。
【図２】半導体製造装置１を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【図３】半導体製造装置１の状態遷移を示す図である。
【図４】半導体製造装置１の状態と，基板処理が終了してからの経過時間に基づいて実行される保守レシピの動作との関係を示す図である。
【図５】半導体製造装置１の状態と，図４とは異なるタイミングに基づいて実行される保守レシピの動作との関係を示す図である。
【図６】操作部１２が表示する保守レシピ設定画面２０であって，図４に示される保守レシピの動作を設定する場合を例示する図である。
【図７】操作部１２が表示する保守レシピ設定画面２０であって，図５に示される保守レシピの動作を設定する場合を例示する図である。
【図８】本発明の実施形態に係る半導体製造装置１の全体動作（Ｓ１０）を示すシーケンス図であって，保守レシピの動作が図６のように設定されている場合を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る半導体製造装置１の全体動作（Ｓ２０）を示すシーケンス図であって，保守レシピの動作が図７のように設定されている場合を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１００の斜視図を示す。
【図１１】基板処理装置１００の側面透視図を示す。
【図１２】ＰＭＣ３４を中心としたハードウェア構成を示す。
【図１３】基板処理装置１００の状態と，所定時間毎に繰り返し実行される保守レシピの動作との関係を示す図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態で好適に用いられる基板処理装置１００の処理室２０２の概略構成図である。
【符号の説明】
【００９９】
１ 半導体製造装置
１１ 制御用コントローラ
１２ 操作部
１３ 統括制御コントローラ
１４ ＰＭＣ（１）
１５ ＰＭＣ（２）
２０ 保守レシピ設定画面
３４ ＰＭＣ
３６ 入出力装置
１００ 基板処理装置
２０２ 処理室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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