(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
添加物としてニオブを含有し、焼結体中に含まれる全金属元素がインジウムとニオブである酸化インジウム焼結体であって、ニオブの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が１〜４％の範囲であり、相対密度が９８％以上であり、バルク抵抗が０．５ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体。
【請求項２】
上記添加物に加えて、スズを含有し、焼結体中に含まれる全金属元素がインジウムとニオブとスズである酸化物インジウム焼結体であって、スズの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が０．０１〜０．２％の範囲であり、相対密度が９９．５％以上であり、バルク抵抗が０．５ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の酸化インジウム焼結体。
【請求項３】
添加物としてニオブを含有し、膜中に含まれる全金属元素がインジウムとニオブである酸化インジウム透明導電膜であって、ニオブの原子数の透明導電膜中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が１〜４％の範囲であり、抵抗率が８×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、キャリア濃度が６×１０２０ｃｍ−３以下であり、波長１２００ｎｍでの透過率が８７％以上であり、波長４００ｎｍでの透過率が７０％以上であることを特徴とする酸化インジウム透明導電膜。
【請求項４】
上記添加物に加えて、スズを含有し、膜中に含まれる全金属元素がインジウムとニオブとスズである酸化インジウム透明導電膜であって、スズの原子数の透明導電膜中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が０．０１〜０．２％の範囲であり、抵抗率が８×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、キャリア濃度が６×１０２０ｃｍ−３以下であり、波長１２００ｎｍでの透過率が８７％以上であり、波長４００ｎｍでの透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項３に記載の酸化インジウム透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は酸化インジウム系酸化物焼結体及び酸化インジウム系透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜として、スズを添加した酸化インジウム（以下、ＩＴＯと称する）が、その低抵抗率、高透過率という優れた特性を有するために、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）等の電極材料として、広く使用されている。【０００３】
透明導電体の用途は、フラットパネルディスプレイ以外にも各種あるが、その中でも、近年は太陽電池の光入射面側の窓層電極材料としての需要が高まってきている。
太陽電池の分光感度は、結晶シリコン型で約１２００ｎｍまで、ＣＩＧＳ (Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系) 型では約１３００ｎｍまでであるため、このような長波長領域まで、高透過率であることが求められている。また、アモルファスシリコン太陽電池では、分光感度が約３００ｎｍまでの短波長まであるために、透明導電膜の透過率は短波長域まで高いことが要求される。
しかしながら、ＩＴＯを太陽電池の窓層電極材料に使用すると、ＩＴＯは低抵抗率である利点の反面、キャリア濃度が高いために、波長１２００ｎｍ付近以上の長波長領域における透過率が劣り、太陽光の長波長領域を有効に利用できないので、太陽電池の変換効率が悪くなってしまう問題がある。【０００４】
ＩＴＯ以外の透明導電膜としては、酸化インジウムに酸化亜鉛を添加したものが知られている。しかしながら、酸化亜鉛を添加した酸化インジウムは、基板無加熱で比較的良好な膜が得られるが、亜鉛を含んでいるために、耐湿性に劣り、長期安定性が充分でなく、短波長透過率が低いという問題がある。
このような状況の下、短波長及び長波長域においても高透過率であって、かつ低抵抗率の材料の候補として、本発明では、ニオブを添加した酸化インジウム（以下、ＩＮｂＯと称する）に着目した。
ＩＮｂＯに関連したこれまでの報告としては、以下の文献が挙げられる。【０００５】
特許文献１には、Ｉｎ２Ｏ３にニオブ等を添加することで、低抵抗の透明導電膜が得られることが示されている。しかしながら、これらの材料の焼結体が、スパッタリングターゲットとして必要な特性を有することが重要であるにもかかわらず、ターゲット特性に関しては一切記載がない。
また、特許文献１には、スパッタ成膜で得られた膜の一部の電気的及び光学的特性についてされている。しかしながら、キャリア濃度や波長５５０ｎｍ以外の短波長及び長波長域での透過率については開示されていない。
さらに、基板温度が３００°Ｃという成膜条件は、通常の太陽電池用透明導電膜製造プロセスとしては許容できない程度の高温であり、さらには、スパッタ時のガスが酸素とアルゴンの比率１：９というのは通常条件とは非常に異なった酸素濃度の高い混合気体を用いていることが示されている。【０００６】
特許文献２には、ニオブを添加したＩｎ２Ｏ３について示されている。しかしながら、明細書には、Ｉｎ２Ｏ３にニオブをドープする場合、スズ成分と併用して用いることが得られる物の低抵抗化に極めて効果的であることが示されており、実施例には、Ｉｎ２Ｏ３へのニオブの単独添加の例はなく、ニオブを添加した場合には必ずスズも一緒で、かつ、少なくとも３．５ｗｔ％以上の高濃度で添加することが記載されている。
このように、特許文献２にはＩｎ２Ｏ３へニオブを単独添加することは具体的に示されておらず、また、併せてスズを添加する場合であっても、スズを微量添加しようとするものではない。【０００７】
また、特許文献２では、スパッタガスが純アルゴンであり、酸素を添加していないことからすると、膜を構成する酸化物の一部が還元されて金属成分となり易く、透過率は低くなることが推測できる。しかしながら、得られた膜の透過率については、波長５５０ｎｍにおける結果のみの記載しかなく、短波長及び長波長域での透過率は不明である。また、基板温度についても、３５０°Ｃと高温で行われている。【０００８】
特許文献３には、インジウム原子、アンチモン原子及び酸素原子、又はこれらに亜鉛原子を加えた酸化インジウムの結晶構造を有する導電性酸化物粒子が記載されており、このアンチモンの代わりにニオブを用いることが記載されている。そして、Ｎｂ／Ｉｎのモル比は０．０１〜０．１０の範囲とされている。
しかしながら、この特許文献３は、微粒子塗布による成膜方法であり、後述する本件発明のターゲット用の焼結体及び該焼結体を用いてスパッタ成膜により得た透明導電膜とは、無関係の技術と言える。
なお付言するならば、インジウムにニオブを単独添加した導電性酸化物粒子の具体例はなく、アンチモンとニオブを同時添加した実施例が、同文献３の表２に記載されている。しかし、この表２に記載されている実施例では、最も低い比抵抗値で３．１Ωｃｍである。この数値は、低比抵抗を達成するには、極めて不十分であると言わざるを得ない。これは、アンチモンの代替として使用するニオブ添加量が少ないことに原因があると考えられる。
いずれにしても、特許文献３は、後述する本願発明とは乖離があることは明らかである。参考までに掲載する。【０００９】
特許文献４には、酸化インジウム粉末を主成分として、酸化タングステン粉末を添加して焼結し、高密度の焼結体を作製することが記載され、この酸化タングステンの代替として、ケイ素、チタン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、スズがあると述べている。しかし、実施例は殆ど酸化タングステンの添加に終始し、代替元素の具体例は１例しかない。
この１例の場合、単独添加した場合に、どの程度の添加量とするのか、複数添加する場合には、どの程度の添加にするのか、はっきりしない。また、いずれも密度向上を狙いとするもので、比抵抗がいかなるものになるのか、全く不明である。羅列した代替元素の具体性に欠け、代替元素から構成される透明導電体用ターゲットとしては、開示に値する技術とは言えない。【００１０】
非特許文献１には、ニオブを添加したＩｎ２Ｏ３をＰＬＤ（パルスレーザーデポジション）法で成膜した時の基板温度と膜の電気的及び光学的特性の一部についての記載がある。しかしながら、基板温度が低い場合には、抵抗率が非常に高く、キャリア濃度が高くなることが示されている。また、基板温度が２００°Ｃ以上では、キャリア濃度が１０２１ｃｍ−３台と非常に高い値となっており、長波長領域の透過率が非常に低いことが想定されるが、波長１１００ｎｍまでの測定結果しか記載されていない。また、短波長での透過率が低く、基板温度が低い場合には、一段と低くなることが示されている。【００１１】
非特許文献２には、ニオブを添加したＩｎ２Ｏ３をＰＬＤ法で成膜した場合の酸素濃度と膜の電気的及び光学的特性の一部についての記載がある。しかしながら、結果は全て基板温度が４００°Ｃという非常に高温での条件で行われたもので、抵抗率が低い場合にはキャリア濃度も高くなっているため、長波長域の透過率が低くなることが想定されるが、波長９００ｎｍまでの測定結果しか示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平２−３０９５１１号公報
【特許文献２】特開平３−１５１０７号公報
【特許文献３】特開２００２−２７４８４８号公報
【特許文献４】特開２００６−２２３７３号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Journal of Crystal Growth 310 (2008) 4336-4339
【非特許文献２】Materials Chemistry and Physics 112 (2008) 136-139
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、基板無加熱での成膜によって得られる透明導電膜であって、低抵抗率でありながら、キャリア濃度を低くすることによって、短波長及び長波長領域において高透過率の特性を有する酸化インジウム系酸化物焼結体及酸化インジウム系透明導電膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは鋭意研究した結果、酸化インジウムにニオブを適量添加することで、低抵抗率及び高透過率を高くすることができることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜を提供できる。【００１６】
１．添加物としてニオブを含有する酸化インジウム焼結体であって、ニオブの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が１〜４％の範囲であり、相対密度が９８％以上であり、バルク抵抗が０．９ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体
２．上記添加物に加えて、スズを含有する酸化インジウム焼結体であって、スズの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が０．０１〜０．２％の範囲であり、相対密度が９９．５％以上であり、バルク抵抗が０．９ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする上記１に記載の酸化インジウム焼結体【００１７】
３．添加物としてニオブを含有する酸化インジウム透明導電膜であって、ニオブの原子数の透明導電膜中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が１〜４％の範囲であり、抵抗率が８×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、キャリア濃度が６×１０２０ｃｍ−３以下であり、波長１２００ｎｍでの透過率が８７％以上であり、波長４００ｎｍでの透過率が７０％以上であることを特徴とする酸化インジウム透明導電膜
４．上記添加物に加えて、スズを含有する酸化インジウム透明導電膜であって、スズの原子数の透明導電膜中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が０．０１〜０．２％の範囲であり、抵抗率が８×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、キャリア濃度が６×１０２０ｃｍ−３以下であり、波長１２００ｎｍでの透過率が８７％以上であり、波長４００ｎｍでの透過率が７０％以上であることを特徴とする上記３に記載の酸化インジウム透明導電膜
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、低抵抗率かつ低キャリア濃度で、長波長領域まで高透過率の透明導電膜を提供できるので、これらの透明導電膜を太陽電池用窓層として使用した際に、太陽光の長波長領域を有効に利用でき、太陽電池の変換効率を高めることができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明において、酸化物焼結体中または透明導電膜中における添加元素の含有量は、添加元素の原子数の、焼結体または透明導電膜中の全金属元素の原子数の総和に対する比率で規定する。
例えば、インジウム−酸素からなる酸化物焼結体にニオブを添加した場合には、焼結体中に含まれる全金属元素はインジウムとニオブになるので、インジウムの原子数をＩｎ、ニオブの原子数をＮｂで表すと、｛Ｎｂ／（Ｉｎ＋Ｎｂ）×１００｝が、ニオブの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率となる。
【００２０】
同様に、インジウム−酸素からなる酸化物焼結体にニオブに加えてスズを添加した場合には、焼結体中に含まれる全金属元素はインジウムとニオブとスズになるので、インジウムの原子数をＩｎ、ニオブの原子数をＮｂ、スズの原子数をＳｎで表すと、｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｎｂ＋Ｓｎ）×１００｝が、スズの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率となる。
【００２１】
本発明における酸化物焼結体中又は酸化物透明導電膜中のニオブの原子数の焼結体または透明導電膜中の全金属元素の原子数の総和に対する比率は１〜４％の範囲であることが好ましい。
ニオブの原子数の比率が１％未満であると、電子を放出してキャリア濃度を増加させるドーパントが少なすぎるため、キャリア濃度が低く、その酸化物焼結体から作製される膜が低抵抗率とならない。一方、ニオブの原子数の比率が４％を超えると、添加したニオブからの電子放出が充分行われず、中性不純物散乱が大きくなり、移動度の低下により高抵抗率な膜となってしまう。
【００２２】
本発明における酸化物焼結体中又は酸化物透明導電膜中のスズの原子数の比率は０．０１〜０．２％の範囲であることが好ましい。
スズの原子数の比率が０．０１％未満であると、酸化インジウム焼結体の密度を十分に上げることができない。一方、スズの原子濃度が０．２％を超えると、更なる焼結密度の向上は得られず、キャリア濃度が増加して、長波長域での透過率を低下させることになる。
【００２３】
本発明において、焼結体の相対密度は、スズ無添加の場合は９８％以上とし、所定濃度のスズを添加した場合は９９．５％以上とする。また、バルク抵抗は０．９ｍΩ・ｃｍ以下、好ましくは０．５ｍΩ・ｃｍ以下とする。
このように焼結体に相対密度を高く、バルク抵抗を低くすることによって、スパッタ時の異常放電の防止や長時間スパッタ時に発生するノジュールやアーキングを抑制する効果が得られる。
【００２４】
本発明によって得られる透明導電膜の抵抗率は８×１０−４Ω・ｃｍ以下にし、キャリア濃度は６×１０２０ｃｍ−３以下にする。
このような低抵抗率の膜にすることにより、太陽電池用電極として有用であり、また、キャリア濃度を一定値以下に抑えることにより、長波長領域での透過率を高く保つことができる。
さらに、本発明によって得られる透明導電膜は、ドーパントとして所定濃度のニオブを用いることから、酸化亜鉛を添加した酸化インジウムの透明導電膜に比べて、短波長領域においても高透過率のものが得られる。
【００２５】
本発明の酸化インジウム焼結体及び透明導電膜は、例えば、以下の方法で作製することができる。
まず、原料粉として、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、また必要に応じて、酸化スズ(ＳｎＯ２)を用いる。
これらの原料粉は比表面積が１０ｍ２／ｇ程度のものを使用するのが好ましい。比表面積が小さいと粒径が大きくなり、焼結体の密度が十分に上がらないからである。
【００２６】
次に、これらの原料粉を所定の濃度比になるように秤量し、混合を行う。混合が不十分であると、焼結体に各成分が偏析し、高抵抗率領域と低抵抗率領域が存在してしまう。特に、高抵抗率領域で、スパッタ成膜時に帯電によるアーキング（異常放電）が発生するため、これを解消するために十分な混合が必要である。
例えば、スーパーミキサーで大気中、回転数２０００〜４０００ｒｐｍ、回転時間３〜５分混合することができる。原料紛は酸化物であるために雰囲気ガスは、特に原料の酸化を防止する必要がないので、アルゴン等の高価なガスを使用する必要はなく、大気中でも特に問題はない。
混合方法としては、他にボールミルによる長時間混合の方法を用いることができる。また、その他の方法でも原料の均一混合という目的を達成することができるものであれば、どのような方法を用いて特に問題はない。
【００２７】
次に、微粉砕を行う。ここで、微粉砕前に仮焼工程を入れても良く、仮焼をすることで焼結密度を向上させることができる。
微粉砕は、原料紛の各組成を焼結体中で均一に分散させるためである。十分に微粉砕が行われないと、粒径の大きい原料粉が存在して、場所により組成ムラが生じることになり、スパッタ成膜時の異常放電の原因となる。
具体的には、仮焼粉をアトライターにジルコニアビーズと共に投入し、回転数２００〜４００ｒｐｍ、回転時間２〜４時間微粉砕を行うことができる。微粉砕は、原料紛の粒径が平均粒径（Ｄ５０）で１μｍ以下、好ましくは０．６μｍ以下となるまで行うことが望ましい。
【００２８】
次に、造粒を行う。これにより、原料紛の流動性を良くして、プレス成型時の充填状況を良好なものにすることができる。微粉砕した原料を固形分４０〜６０％のスラリーとなるように水分量を調整して造粒を行う。この際、入口温度は１８０〜２２０°Ｃ、出口温度は１１０〜１３０°Ｃに設定することが好ましい。
【００２９】
その後、プレス成型を行う。造粒粉を４００〜８００ｋｇｆ／ｃｍ２の面圧、１〜３分保持の条件でプレス成形することができる。面圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ２未満とすると、高密度の成形体を得ることができないからである。一方、面圧力８００ｋｇｆ／ｃｍ２超にしても、更なる高密度は得られず、無駄なエネルギーやコストを要するので、生産上好ましくない。
【００３０】
次に、静水圧加圧装置（ＣＩＰ）で１７００〜１９００ｋｇｆ／ｃｍ２の面圧、１〜３分保持の条件で成形し、その後、電気炉にて酸素雰囲気中、１４００〜１６００°Ｃで１０〜３０時間保持することで焼結を行う。これによって、酸化物焼結体を作製することができる。
【００３１】
焼結体の密度は、アルキメデス法で測定後、理論密度で除することによって、相対密度を求めることができる。また、焼結体のバルク抵抗は４端子法で測定することができる。
【００３２】
次に、得られた焼結体は、研削等により所定形状のスパッタリングターゲットに加工することができる。そして、これを酸素が微量添加されたアルゴン雰囲気中、０．５Ｐａの圧力下、ガラス基板を加熱せずに、スパッタリングにより成膜して透明導電膜を得ることができる。
【００３３】
膜の抵抗率や移動度はホール測定で求めることができる。また、透過率は分光透過率計で測定することができる。
【実施例】
【００３４】
(実施例１) 
平均粒径が約２．０μｍの酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）原料粉及び酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）原料粉を、ニオブの原子数の全金属元素の原子数の総和に対する比率が１％となるように秤量した後、スーパーミキサーで、大気中、回転数３０００ｒｐｍ、回転時間３分間混合した。
その後、アトライターにこの混合粉をジルコニアビーズと共に投入し、回転数３００ｒｐｍ、回転時間３時間微粉砕を行い、平均粒径（Ｄ５０）を０．８μｍとした。微粉砕した原料を固形分５０％のスラリーとなるように水分量を調整し、入口温度を２００°Ｃ、出口温度を１２０°Ｃに設定して造粒を行った。【００３５】
さらに、この造粒粉を６００ｋｇｆ／ｃｍ２の面圧、１分保持の条件でプレス成形した後、静水圧加圧装置（ＣＩＰ）で１８００ｋｇｆ／ｃｍ２の面圧、１分保持の条件で成形した。その後、この成形品を電気炉において酸素雰囲気中、１５５０°Ｃ、２０時間保持することで焼結を行った。得られた焼結体の相対密度は９８．７％、バルク抵抗は０．４７ｍΩ・ｃｍであった。【００３６】
この焼結体を直径６インチ、厚さ６ｍｍの円板状に研削等してスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットをスパッタ装置内にセットして、酸素を１％添加したアルゴン雰囲気中、０．５Ｐａの圧力下、スパッタパワー1ｋＷ、無加熱のガラス基板上にスパッタリングにより成膜して透明導電膜を得た。
この膜のホール測定を行ったところ、抵抗率は０．７９ｍΩ・ｃｍ、キャリア濃度は４．０×１０２０ｃｍ−３、膜の透過率は波長１２００ｎｍに対して８７．９％、波長４００ｎｍに対して７０．１％であった。実施例１の代表的な条件及び結果を、まとめて表１に示す。【００３７】
【表１】
0005411945.tif 000002
【００３８】
(実施例２〜４、比較例１〜２)
焼結体の製造方法及び透明導電膜の製造方法は、実施例１と同様とし、ニオブの原子濃度（原子数）の比率のみを変化させた。すなわち、実施例２ではニオブの原子濃度を２．０％、実施例３ではニオブの原子濃度を３．０％、実施例４ではニオブの原子濃度を４．０％とした。また、比較例１ではニオブの原子濃度を０．５％、比較例２ではニオブの原子濃度を５．０％とした。【００３９】
得られた焼結体及び膜の特性の結果を表１に示す。これら結果から、ニオブの原子数の比率が１〜４％の範囲外になると、抵抗率が高くなるため、透明導電膜の性質として好ましくないことが分かる。また、スズの添加がない場合でも、相対密度が９８．７％以上と比較的高密度であることが分かる。【００４０】
（比較例３）
焼結体の製造方法の中で、焼結体の焼結温度を１３５０°Ｃとした以外は、実施例１と同様とした。得られた焼結体の相対密度は９７．３％と低いものであった。また、バルク抵抗は１．２ｍΩ・ｃｍと高いものであった。この結果は、表には示さないが、バルク抵抗値を下げるためには、適度な焼結温度が必要であることが分かった。【００４１】
(実施例５〜９、比較例４〜６)
焼結体の製造方法及び透明導電膜の製造方法は実施例１と同様とし、ニオブの原子数の比率を２．０％とし、スズの原子濃度の比率を変化させた。すなわち、実施例５ではスズの原子濃度を０．０１％、実施例６ではスズの原子濃度を０．０５％、実施例７ではスズの原子濃度を０．１０％、実施例８ではスズの原子濃度を０．１５％、実施例９ではスズの原子濃度を０．２０％とした。また、比較例４ではスズの原子濃度を０．００５％、比較例５ではスズの原子濃度を０．５０％、比較例６ではスズの原子濃度を１．００％とした。得られた焼結体及び膜の特性の結果を、同様に表１に示す。【００４２】
これらの結果から、実施例１のようにスズ濃度がゼロの場合であっても、相対密度が９８．７％と比較的高いが、更にスズを適切濃度以上添加することで、相対密度が９９．７％以上と、より高密度になることが分かる。
一方、スズの原子数の比率が０．５％以上になると、相対密度の向上は飽和してくるとともに、得られる膜のキャリア濃度が増加して、波長１２００nmにおける透過率が低下することが分かる。【００４３】
（比較例７）
焼結体材料は、酸化亜鉛を添加した酸化インジウムとして、平均粒径が約２．０μｍの酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）原料粉と酸化亜鉛（ＺｎＯ）原料粉を、亜鉛の原子数の亜鉛とインジウムの原子数の総和に対する比率が１０％となるように秤量した。以降の焼結体の製造方法及び透明導電膜の製造方法は実施例１と同様とした。【００４４】
得られた焼結体の相対密度は９８．０％、バルク抵抗は０．４８ｍΩ・ｃｍであった。膜の抵抗率は０．４８ｍΩ・ｃｍ、キャリア濃度は６．１×１０２０ｃｍ−３、膜の透過率は波長１２００ｎｍに対して８３．９％、波長４００ｎｍに対して６１．２％であった。このように焼結体の組成が異なる場合には、キャリア濃度が６．１×１０２０ｃｍ−３となり、本願発明の条件を逸脱し、目的とする特性が得られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明のニオブを微量添加した酸化インジウム焼結体は、高密度であることから、スパッタリングターゲットとして使用した場合に、その表面にノジュールが発生することを抑制し、スパッタリング時の異常放電を防止することができる。
また、本発明の酸化インジウム焼結体はバルク抵抗率が低いので、スパッタリングによって形成される膜の抵抗率を低くすることができ、透明導電膜形成用として有用である。
さらに、本発明の酸化インジウム透明導電膜は抵抗率が低く、かつ、短波長領域から長波長領域の広域に亘って透過率が高いので、太陽電池用透明導電膜として極めて有用である。