(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理基板が収容され、開口を囲む開口端を備える槽と、
液体、気体、又は液体と気体との両方を前記槽内に送り出す送出機構と、
前記処理基板に対して、前記液体、気体、又は気体と液体との両方が前記槽内へ送り出される位置と対向する位置から前記槽内の液体、気体、又は気体と液体との両方をそれらが前記槽の開口端からオーバーフローする以前に強制的に排出する排出手段と、を備え、
前記排出手段は、前記槽の開口に渡って配置された溝を備え、
前記溝は、前記槽の底と平行な底面と、前記底面の端縁から前記槽の開口端よりも低い位置まで延びる側面と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記送出機構は、前記排出手段により排出された液体又は気体が通過するフィルタと、
前記フィルタ通過後の液体又は気体を再び前記槽内に送りだす手段を備える請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および軽量化への要求が高まり、例えば液晶表示装置等の電子機器に実装される基板をより薄くすることが要求されている。
【０００３】
一方、液晶表示装置や半導体、プリント基板など、略平面の基板を製造する工程において、処理の面内均一性を向上させることは、製品性能向上や歩留まり向上の為に常に必要とされている。面内均一性は、基板の大きさに比べて処理槽の大きさが十分大きければ一般的に均一性は向上する。
【０００４】
例えば、液晶表示装置の製造に際しては、効率化のために、まず、一対の絶縁性基板として多面取り用の大板を用い、これら一対の絶縁性基板間に複数の表示素子を形成する。この後、軽量化等のために機械研磨もしくはケミカル研磨のいずれかによって絶縁性基板を所望の基板厚さまで研磨している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−５２３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、液晶表示装置のガラス基板の大型化や半導体でのシリコンウェハの大型化等に伴い、処理槽を大きくしたり、処理槽内で基板を揺動したりすると処理装置が大掛かりになり、基板面内や基板間での処理バラツキを小さくすることが益々困難になってきている。
【０００７】
また、液体や気体（以下液体等と記載）によってエッチングや成膜、洗浄を行う場合、液体等の流れが速い部分の基板の処理が多く進む一方で、液体等が滞留した部分の基板の処理が遅くなり、面内で処理の進行度合いが不均一になってしまうことがあった。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みて成されたものであって、基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態による基板処理装置は、処理基板が収容される槽と、前記槽内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構と、前記処理基板に対して、前記液体、気体、又は気体と液体との両方が前記槽内へ送り出される位置と対向する位置から前記槽内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基板処理装置で処理される基板の一構成例を説明するための図である。
【図２】第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図である。
【図３】図２に示す基板処理装置の送入機構の一構成例および処理液の流れの一例を説明するための図である。
【図４】図２に示す基板処理装置の処理槽に設けられた溝の他の構成例について説明するための図である。
【図５】図２に示す基板処理装置の処理槽に設けられた溝の他の構成例について説明するための図である。
【図６】図２に示す基板処理装置の処理槽に設けられた溝の他の構成例について説明するための図である。
【図７】第２実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図である。
【図８】図７に示す基板処理装置の送入機構の一構成例および処理液の流れの一例を説明するための図である。
【図９】第３実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図である。
【図１０】図９に示す基板処理装置の送入機構の一構成例および処理液の流れの一例を説明するための図である。
【図１１】第４実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図である。
【図１２】図１１に示す基板処理装置の排出管の一構成例を説明するための図である。
【図１３】図１１に示す基板処理装置の排出管の一構成例を説明するための図である。
【図１４】基板処理装置の処理槽に溝を設けない場合の処理液の流れの一例について説明するための図である。
【図１５】基板処理装置の処理槽に溝を設けない場合の処理液の流れの一例について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態の基板処理装置について、図面を参照して説明する。  
図１に、実施形態に係る基板処理装置で処理される基板の一構成例を概略的に示す。本実施形態に係る基板処理装置は、処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を、液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００１２】
本実施形態に係る基板処理装置の処理基板１は、対向するように配置された一対の略矩形状の透明絶縁性基板を有している。一対の基板は第１基板１０１Ｍと、第１基板１０１Ｍに対向して配置された第２基板１０２Ｍとを有している。第１基板１０１Ｍおよび第２基板１０２Ｍは、透明ガラス基板を備える。
【００１３】
第１基板１０１Ｍは、マトリクス状に配置された複数の画素電極（図示せず）と、画素電極の近傍に配置されたスイッチング素子とを含む第１表示領域１１０Ａと、複数の画素電極を駆動するために第１表示領域１１０Ａの周囲に延びて配置された駆動配線等の各種配線（図示せず）とを有している。第２基板１０２Ｍは、複数の画素電極に対向する対向電極を含む第２表示領域１１０Ｂを有している。
【００１４】
第１基板１０１Ｍと第２基板１０２Ｍとは、第１表示領域１１０Ａと、第２表示領域１１０Ｂとが対向するように位置合わせされ、第１基板１０１Ｍおよび第２基板１０２Ｍの間において第１表示領域１１０Ａおよび第２表示領域１１０Ｂを囲むように配置されたシール材（図示せず）によって固定されている。シール材は、後に液晶材料を封入するための封入口（図示せず）を有している。
【００１５】
図２に、第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を示す。本実施形態に係る基板処理装置は、処理基板１および液体、気体、又は液体と気体との両方が収容され、開口を囲む開口端ＴＫＡを備える処理槽ＴＫと、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す送出機構と、を備える。処理槽ＴＫは、例えば処理体を研磨するための研磨液ＬＱで満たされている。本実施形態に係る基板処理装置では、研磨液ＬＱとしてフッ酸を含む溶液を使用する。
【００１６】
処理体として上記の処理基板１を研磨処理する際には、処理基板１は、カセット等（図示せず）に並べて配置され処理槽ＴＫ内の研磨液中に浸漬される。処理基板１は、その処理面（ＸＹ平面と略平行な面）が処理槽ＴＫの底面（ＺＸ平面と略平行な面）と略直交するとともに、互いにその処理面が触れないように間隔をおいて並べて配置される。
【００１７】
処理槽ＴＫの底には、処理槽ＴＫ内に液体、気体、もしくは液体と気体との両方を送り出すための送出機構が配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びる複数の管ＴＢと、処理槽ＴＫの外部から管ＴＢに液体、気体、又は液体と気体との両方を送入する送入機構Ａ（図３に示す）とを有している。
【００１８】
本実施形態の基板処理装置は、処理基板１に対して、送出機構から液体、気体、又は気体と液体との両方が処理槽ＴＫ内へ送り出される位置と対向する位置から、処理槽ＴＫ内の液体、気体、又は気体と液体との両方をそれらが前記槽の開口端からオーバーフローする以前に強制的に排出する排出手段を備えている。本実施形態では、排出手段として処理槽ＴＫの開口にＸ方向に渡る溝１０が設けられている。溝１０は、処理槽ＴＫの底と略平行な底面１４と、底面１４のＸ方向に延びる端縁から処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡの位置までＹ方向に延びる２つの側面１２とを備え、処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡ側から底側に向かって凹んでいる。
【００１９】
図３に、本実施形態に係る基板処理装置の処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱの送入機構Ａの一構成例を示す。送入機構Ａは、処理槽ＴＫから流出した研磨液ＬＱを蓄える排液槽Ａ１と、排液槽Ａ１から排出された研磨液ＬＱのスラッジ（研磨液ＬＱ中に溶けているガラス成分が析出したもの）をろ過するフィルタＡ２と、フィルタＡ２を通過した研磨液ＬＱと気体とを管ＴＢへ排出するポンプＡ３と、を備えている。
【００２０】
管ＴＢは、例えば管ＴＢの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置された複数の送出口を有している。管ＴＢは上記のような送出口に限らず、例えば管ＴＢの軸方向（Ｚ方向）と略平行に延びる線状の送出口を有していてもよく、管ＴＢの軸方向に対して蛇行するように配置された複数の送出口を有していてもよい。
【００２１】
本実施形態に係る基板処理装置では、送入機構ＡのポンプＡ３から管ＴＢへ送入された圧縮空気が、管ＴＢの送出口から処理槽ＴＫ内に送出される。管ＴＢに送り込まれた空気は、管ＴＢの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡となって研磨液ＬＱの中を上昇して行く。このことによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００２２】
研磨液ＬＱは、処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡおよび溝１０の側面１２を越えてオーバーフローするように順次送入され、また送入機構Ａにより循環するようになっている。溝１０の側面１２を越えてオーバーフローした研磨液ＬＱは、溝１０の底面１４上を流れて排液槽Ａ１へ供給される。
【００２３】
図１４および図１５に、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱの流れの一例を説明するための図を示す。ここでは、処理槽ＴＫに溝１０が設けられていない場合について説明する。管ＴＢから排出された空気により、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱは底側から開口端ＴＫＡ側に向かって流れ、開口端ＴＫＡを越えてオーバーフローする。したがって、処理槽ＴＫのＹ方向における開口側であって、Ｘ方向およびＺ方向の中央部分で研磨液ＬＱが滞留した滞留エリアＬＱＡが生じる。
【００２４】
研磨液ＬＱの滞留エリアＬＱＡでは、処理基板１の研磨速度が遅くなるため板厚が厚くなったり、スラッジが処理基板１に再付着したりすることにより、研磨ムラが生じて製品品質の低下を招き製造歩留まりの低下を招く場合があった。
【００２５】
特に、集積回路が配置される部分の基板の厚さが不均一となった場合、基板上に配置された集積回路の実装不良が発生し、製造歩留まりが低下することがあった。また、液晶表示装置の製造工程において、一対の基板のそれぞれの厚さが不均一となった場合には、一対の基板から切り出した液晶表示装置を、フレーム等の筐体に納める際に他の部品との位置合わせが困難になることがあった。
【００２６】
研磨液ＬＱを循環させるために、処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡから研磨液ＬＱをオーバーフローさせた場合、オーバーフローする液体は処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡ近傍の液体に限られ、処理槽中央部付近の滞留エリアＬＱＡでは液体が滞留しがちであった。このため、滞留エリアＬＱＡでは研磨液ＬＱが入れ替わらず、滞留エリアＬＱＡが生じる中央部付近の基板の処理条件が周辺部と違ってしまい、均一な処理を行うことが困難となり、製品のバラツキが大きくなることがあった。
【００２７】
これに対し処理槽ＴＫに溝１０を設けると、図３に示すように、処理槽ＴＫのＸ方向およびＺ方向の中央部分で、溝１０に向かう研磨液ＬＱの流れが生じる。このことによって、研磨液ＬＱがＸ方向およびＺ方向の中央部分でも流れるようになり、処理槽ＴＫ内に滞留エリアＬＱＡが無くなる。その結果、処理基板１を均一に処理することが可能となる。
【００２８】
図４乃至図６に、溝１０の他の構成例を示す。図４乃至図６では、溝１０の側面１２の高さ（Ｙ方向の幅）が、Ｘ方向における中央部において低くなっている。図４に示す場合では、側面１２の高さが、Ｘ方向における端部から中央部へ階段状に低くなっている。図５に示す場合では、側面１２の高さが、Ｘ方向における端部から中央部へ直線的に低くなっている。図６に示す場合では、側面１２の高さが、Ｘ方向における端部から中央部へ曲線的に低くなっている。
【００２９】
このように、Ｘ方向における中央部において、溝１０の側面１２の高さを低くすると、滞留エリアＬＱＡが生じやすい処理槽ＴＫのＸ方向における中央部分で端部よりも研磨液ＬＱが排出されやすくなり、滞留エリアＬＱＡの発生を回避することができる。
【００３０】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００３１】
なお、上記実施形態では、処理槽ＴＫに２つの溝１０が設けられている例を説明したが、処理槽ＴＫの大きさや深さ、研磨液ＬＱの粘度、比重などの種類により、溝１０の数を増やしたり減らしたりして、最適な本数や溝の幅、深さを決めることが望ましい。また、図２および図３に示す溝１０は、ＹＺ平面と略平行な断面の形状が略矩形状に凹んでいるが、溝１０はＹＺ平面と略平行な断面が略台形状や略円状や略三角形状に凹んでいてもよい。
【００３２】
次に第２実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。なお以下の複数の実施形態の説明において、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
図７に本実施形態に係る基板処理装置の一構成例を示す。本実施形態に係る基板処理装置は、処理槽ＴＫの排出手段としての溝１０の構成が上述の第１実施形態に係る基板処理装置と異なっている。本実施形態では、溝１０は、処理槽ＴＫの底と略平行な底面１４と、底面１４のＸ方向に延びる端縁からＹ方向に延びる２つの側面１２とを備え、処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡ側から底側に向かって凹んでいる。側面１２がＹ方向に延びた端縁は、処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡよりも低い位置である。
【００３４】
図８に、本実施形態の基板処理装置の送入機構Ａの一構成例および研磨液ＬＱの流れの一例を示す。研磨液ＬＱは、送入機構Ａから管ＴＢへ送入された圧縮空気が、管ＴＢの送出口から処理槽ＴＫ内に送出される。管ＴＢに送り込まれた空気は、管ＴＢの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡となって研磨液ＬＱの中を上昇して行く。このことによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００３５】
研磨液ＬＱは、溝１０の側面１２を越えてオーバーフローするように送入機構Ａにより順次送入されるとともに、送入機構Ａにより循環するようになっている。溝１０の側面１２を越えてオーバーフローした研磨液ＬＱは、溝１０の底面１４上を流れて排液槽Ａ１へ供給される。本実施形態では、溝１０の側面１２の上端が、処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡよりも低くなっているため、開口端ＴＫＡを越えて研磨液ＬＱがオーバーフローすることなく、溝１０からのみ研磨液ＬＱが排出される。
【００３６】
したがって、処理槽ＴＫ内のＸ方向およびＺ方向における端部では、対流によって壁面に沿って研磨液ＬＱの下向きの流れが出来ている。処理槽ＴＫ内のＸ方向およびＺ方向における中央部では、下から上がってきた研磨液ＬＱが側面１２を越えて溝１０へオーバーフローするため滞留することなく、処理槽ＴＫ内のＸ方向およびＺ方向における端部と同じような流れが生じる。このことによって、研磨液ＬＱがＸ方向およびＺ方向の中央部分でも端部と同じように流れるようになり、処理槽ＴＫ内に滞留エリアＬＱＡが無くなる。その結果、処理基板１を均一に処理することが可能となる。
【００３７】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００３８】
なお、上述の第１実施形態と同様に、本実施形態でも処理槽ＴＫに２つの溝１０が設けられている例を説明したが、処理槽ＴＫの大きさや深さ、研磨液ＬＱの粘度、比重などの種類により、溝１０の数を増やしたり減らしたりして、最適な本数や溝の幅、深さを決めることが望ましい。
【００３９】
次に、第３実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。  
図９に、本実施形態に係る基板処理装置の一構成例を示す。本実施形態に係る基板処理装置は排出手段の構成が上述の第１実施形態と異なっている。本実施形態に係る基板処理装置は、排出手段として処理槽ＴＫのＸ方向およびＺ方向における中央部分の研磨液ＬＱを吸引する排出管２０を備えている。排出管２０は、一端が処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱに浸され、他端が吸引手段に接続されている。
【００４０】
すなわち、上述の第１実施形態および第２実施形態では、研磨液ＬＱが溝１０へオーバーフローすることを利用して処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱの滞留をなくしていたが、本実施形態では、ポンプ２２等の吸引手段を用いて排出管２０により研磨液ＬＱを強制的に吸い出して滞留をなくしている。
【００４１】
図１０に、本実施形態の基板処理装置の送入機構Ａの一構成例および研磨液ＬＱの流れの一例を示す。本実施形態の基板処理装置は、ポンプ２２により排出管２０から吸引された研磨液ＬＱは、排液槽Ａ１へ排出する。排液槽Ａ１へ蓄えられた研磨液ＬＱは、フィルタＡ２を通過してポンプＡ３により再び処理槽ＴＫへ送入される。
【００４２】
排出管２０により研磨液ＬＱを強制的に排出する事で、研磨液ＬＱの排出量を制御する事ができ、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱの流れをよりきめ細かく管理することが出来る。すなわち、処理槽ＴＫ内で研磨液ＬＱが滞留することを回避することにより、処理基板１を均一に処理することが可能となる。
【００４３】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。なお、図９および図１０では排出管２０を１本だけ描いているが、処理槽ＴＫの大きさや形状等に応じて複数の排出管２０を用いてもよい。
【００４４】
次に、第４実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。  
図１１に、本実施形態に係る基板処理装置の一構成例を示す。本実施形態に係る基板処理装置は、排出手段として研磨液ＬＱを吸引して排出する排出管３０を備えている。排出管３０は、中央部分が略Ｕ字状に屈曲している。排出管３０の両端は処理槽ＴＫの開口端ＴＫＡにより支持され、屈曲した部分が研磨液ＬＱに浸されている。排出管３０の研磨液ＬＱに浸された部分には、穴（開口）３２が設けられている。排出管３０の両端はたとえばポンプ等の吸引手段（図示せず）に接続されている。
【００４５】
処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱは、穴３２から排出管３０内へ吸引され、排出管３０の両端から吸引手段へ吸引される。吸引手段は、吸引した研磨液ＬＱを送入機構Ａの排液槽Ａ１へ排出する。排液槽Ａ１へ蓄えられた研磨液ＬＱはフィルタＡ２を通過してポンプＡ３により再び処理槽ＴＫ内へ送入される。
【００４６】
図１２に、排出管３０の穴３２の配置位置の一例を示す。この例では、排出管３０の屈曲した部分に同じ径の複数の穴３２が設けられ、穴３２は排出管３０の軸方向ＡＸにおける中央部分に多く配置されている。すなわち、単位面積当たりの穴３２により開口した面積が、排出管３０の軸方向ＡＸにおける中央部分ほど大きくなる。穴３２が多く配置された排出管３０の部分は、研磨液ＬＱの滞留が生じやすいエリアに浸される。
【００４７】
上記排出管３０により研磨液ＬＱを排出する事で、研磨液ＬＱの滞留が生じやすいエリアに研磨液ＬＱの流れを生じさせることができる。また、排出管３０により研磨液ＬＱを強制的に排出する事で、研磨液ＬＱの排出量を制御する事ができ、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱの流れをよりきめ細かく管理することが出来る。すなわち、処理槽ＴＫ内で研磨液ＬＱが滞留することを回避することにより、処理基板１を均一に処理することが可能となる。
【００４８】
図１３に、排出管３０の穴３２の配置位置の他の例を示す。この例では、排出管３０の屈曲した部分に略矩形状の複数の穴３２が設けられている。穴３２は、排出管３０の軸方向ＡＸにおける中央部分に配置されているものほど開口した面積が大きくなっている。すなわち、単位面積当たりの穴３２により開口した面積が、排出管３０の軸方向ＡＸにおける中央部分ほど大きくなる。穴３２の面積が大きい排出管３０の部分は、研磨液ＬＱの滞留が生じやすいエリアに浸される。
【００４９】
上記排出管３０により研磨液ＬＱを排出する事で、研磨液ＬＱの滞留が生じやすいエリアに研磨液ＬＱの流れを生じさせることができる。また、排出管３０により研磨液ＬＱを強制的に排出する事で、研磨液ＬＱの排出量を制御する事ができ、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱの流れをよりきめ細かく管理することが出来る。すなわち、処理槽ＴＫ内で研磨液ＬＱが滞留することを回避することにより、処理基板１を均一に処理することが可能となる。
【００５０】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００５１】
なお、穴３２の形状は、図１２および図１３に示した以外の方法でも良く、穴３２による開口密度（単位面積当たりの開口面積）が研磨液ＬＱの滞留が生じやすいエリアである槽中央部で高く、槽周辺部に近づくほど低くなっていればよい。最適な開口密度は、処理槽ＴＫの大きさや深さなどによって最適化することが望ましい。
【００５２】
また、第１実施形態乃至第４実施形態では、研磨液ＬＱ等の液体による処理を行う基板処理装置での例を示したが、処理に用いられるのは気体であってもよい。その場合、処理槽ＴＫの代わりに密閉性のある箱を用いてもかまわない。
【００５３】
また、管ＴＢから噴出するものは気体および液体のいずれか一方であってもよく、液体と気体との混合でも良い。気体は空気である必要は無く、窒素ガスなどでも良い。液体は、洗剤の入った洗浄液や酸性またはアルカリ性のエッチング液などでも良い。
【００５４】
また、第１実施形態乃至第４実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。例えば、第１実施形態に開示された排出溝１０と、第３実施形態に開示された強制的に排出する排出管２０とを備える基板処理装置であっても、上述の第１実施形態や第３実施形態に係る基板処理装置と同様の効果をえることができる。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
ＴＫ…処理槽、ＴＫＡ…開口端、ＬＱ…研磨液（処理液）、ＬＱＡ…滞留エリア、ＴＢ…管、Ａ…送入機構、Ａ１…排液槽、Ａ２…フィルタ、Ａ３…ポンプ、１…処理基板（処理体）、１０…排出溝、１２…側面、１４…底面、２０、３０…排出管、２２…ポンプ、３２…穴（開口）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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