(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
半導体ウェハに液状樹脂組成物からなる接着剤を塗布する工程と、
前記の塗布された液状樹脂組成物から前記溶剤を揮発し接着剤層を形成する揮発工程と、
半導体ウェハをダイシングして半導体素子を切り出す工程と、
を備える半導体素子の製造方法であって、
該半導体ウェハに液状樹脂組成物からなる接着剤を塗布する工程において使用される液状樹脂組成物が、
グリシジル基を有する化合物（Ａ）、
フェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）、
化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の反応を促進する化合物（Ｃ）、
及び
溶剤（Ｄ）、
を含み、
前記化合物（Ｂ）が、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物で、分子量が１０００以下である化合物（Ｂ１）とフェノール性水酸基を２個以上有する化合物で、分子量が１５００以上５０００以下の化合物（Ｂ２）との両方を含有し、
化合物（Ｃ）が溶剤（Ｄ）に溶解する下記の一般式（１）で示される化合物であり、
前記塗布工程における液状樹脂組成物のＧＰＣ測定における分子量２００以上の面積（ａ）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ）の割合（ｂ／ａ）が、
（ｂ／ａ）＞０．６
の関係を満たし、
前記揮発工程後の接着剤層のＧＰＣ測定における分子量２００以上の面積（ａ’）に対する、分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ’）の割合（ｂ’／ａ’）と、前記（ｂ／ａ）との割合［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］が
［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］＞０．７
の関係を満たすことを特徴とする接着剤層付き半導体素子の製造方法。
【化１】
0005382484.tif 000004
（式中、Ｐはりん原子、Ｒ１はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の芳香族基、又はアルキル基、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族基、Ｙは単結合であるか、単結合でない場合はエーテル基、スルホン基、スルフィド基、カルボニル基から選ばれる置換基又は炭素原子数１〜１３で構成される有機基を表す。ｎおよびｍは、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１を示す。）
【請求項２】
前記液状樹脂組成物が、密閉した容器中で、２５℃、７２時間放置する前後での粘度変化率が２０％以下である請求項１に記載の接着剤層付き半導体素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の製造方法で得られた接着剤層付き半導体素子を支持体に搭載する工程と、搭載後すぐにワイヤボンドを行う工程の順に半導体パッケージを組み立てることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液状樹脂組成物から構成される接着剤を用いた接着剤層付き半導体素子の製造方法および半導体パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話、携帯情報端末、ＤＶＣ（デジタルビデオカメラ）などの高機能化、小型化、軽量化の進展は著しいものがあり、半導体パッケージの高機能化、小型化、軽量化が強く求められている。そこで半導体パッケージの高機能化のため機能の異なる複数の半導体素子、または同一機能の複数の半導体素子を１つのパッケージに搭載する、小型化、軽量化のため半導体素子の大きさとパッケージの大きさを可能な限り近づけるといった試みがなされてきている。このため半導体素子の薄型化はより進み、半導体素子と金属または有機基板などの支持体とのワイヤボンドパッドの距離は益々近くなってきている。
従来の半導体組立工程におけるダイアタッチ工程では、支持体に液状のダイアタッチ材を塗布して室温で半導体素子を搭載後加熱硬化することで半導体素子を支持体に接着していたが、半導体素子表面やワイヤボンドパッドへのダイアタッチ材の付着の問題、ダイアタッチ材のブリード（ダイアタッチ材の液状成分のみ毛細管現象で伝わる現象）による汚染問題が無視できなくなってきている。
そこで液状のダイアタッチ材の替わりにフィルム状のダイアタッチ材を用い、フィルム状のダイアタッチ材を支持体に貼り付けた後、加熱しながら半導体素子を搭載する方法、半導体ウエハ裏面にフィルム状ダイアタッチ材を貼り付けた状態でダイシングシートに貼り付けた後個片化することで得られたダイアタッチ材付き半導体素子を加熱しながら支持体に搭載する方法、ダイシングシート機能を有するダイアタッチフィルムに半導体ウエハを貼り付け個片化することで得られたダイアタッチ材付き半導体素子を加熱しながら支持体に搭載する方法などが採用されている。（例えば、特許文献１、２参照。）
【０００３】
一方、半導体素子の更なる多層化、半導体パッケージの更なる薄型化のため半導体素子のみならず支持体の薄型化も進んでいる。薄型の支持体を用いた場合、半導体構成材料の熱膨張率の差に基づくパッケージの反りがより顕著になる。また半導体デバイスの高速化のため配線間の寄生容量に起因する信号伝搬速度の低下による伝送遅延を少なくする目的で層間絶縁膜に低誘電率の絶縁膜の適用が行われているが一般に低誘電率の絶縁膜は機械的強度が弱く、半導体素子の反りは時には絶縁膜の破壊の原因となる場合がでてきた。
ここで半導体パッケージまたは半導体素子の反りは、各構成部材の熱膨張率の差により生じるので、フィルム状のダイアタッチ材を使用する場合に半導体素子を搭載する温度を下げることが望まれる。フィルム状のダイアタッチ材の半導体素子搭載温度を下げるためにはガラス転移温度の低い熱可塑成分を使用するか、低分子量の成分を増やす必要があり、その結果室温付近においてもタック（べたつき）が発生してしまう。
室温付近のべたつきはしばしばピックアップ性（半導体素子をダイシングシートから取る工程）の悪化の原因となり、またピックアップした半導体素子を一旦別のステージに置く工程（例えば、特許文献３、４、５参照。）でステージに張り付く原因となる。
ここで室温においてタックのない材料については、ウエハレベルチップサイズパッケージの封止材としていくつかの試みが提案されている。（例えば、特許文献６、７、８参照。）これらの発明では半田等のバンプの付いたウエハに樹脂組成物を塗布し加熱処理することで室温においてタックのない状態にした後、個片化しているが、次の工程で封止と半田接合を同時に行うため半田の融点以上の温度で接合する必要があった。
このように低温で搭載可能ながらも室温ではべたつきのない接着剤層付き半導体素子の要求に対し満足のいく接着剤層として用いる液状樹脂組成物はなかった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９４１７７号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７３２１号公報
【特許文献３】特開平６−１３２３２７号公報
【特許文献４】特開平７−２０１８９７号公報
【特許文献５】特開２０００−２５２３０３号公報
【特許文献６】特開２０００−１７４０４４号公報
【特許文献７】特開２００１−０９３９４０号公報
【特許文献８】特開２００３−２１２９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、支持体への搭載を低温で行うことが可能で、かつ室温ではべたつきのない接着剤層付き半導体素子の製造方法及び該接着剤層付き半導体素子を用いた半導体パッケージの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記［１］〜［３］に記載の本発明により達成される。
［１］少なくとも、半導体ウェハに液状樹脂組成物からなる接着剤を塗布する工程と、前記の塗布された液状樹脂組成物から前記溶剤を揮発し接着剤層を形成する揮発工程と、半導体ウェハをダイシングして半導体素子を切り出す工程とを備える半導体素子の製造方法であって、該半導体ウェハに液状樹脂組成物からなる接着剤を塗布する工程において使用される液状樹脂組成物が、グリシジル基を有する化合物（Ａ）、フェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の反応を促進する化合物（Ｃ）及び溶剤（Ｄ）を含み、前記化合物（Ｂ）が、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物で、分子量が１０００以下である化合物（Ｂ１）とフェノール性水酸基を２個以上有する化合物で、分子量が１５００以上５０００以下の化合物（Ｂ２）との両方を含有し、化合物（Ｃ）が溶剤（Ｄ）に溶解する下記の一般式（１）で示される化合物であり、前記塗布工程における液状樹脂組成物のＧＰＣ測定における分子量２００以上の面積（ａ）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ）の割合（ｂ／ａ）が、
（ｂ／ａ）＞０．６
の関係を満たし、
前記揮発工程後の接着剤層のＧＰＣ測定における分子量２００以上の面積（ａ’）に対する、分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ’）の割合（ｂ’／ａ’）と、前記（ｂ／ａ）との割合［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］が
［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］＞０．７
の関係を満たすことを特徴とする接着剤層付き半導体素子の製造方法。
【化１】
0005382484.tif 000002
（式中、Ｐはりん原子、Ｒ１はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の芳香族基、又はアルキル基、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族基、Ｙは単結合であるか、単結合でない場合はエーテル基、スルホン基、スルフィド基、カルボニル基から選ばれる置換基又は炭素原子数１〜１３で構成される有機基を表す。ｎおよびｍは、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１を示す。）
［２］前記液状樹脂組成物が、密閉した容器中で、２５℃、７２時間放置する前後での粘度変化率が２０％以下である上記［１］に記載の接着剤層付き半導体素子の製造方法。
［３］上記［１］又は［２］に記載の製造方法で得られた接着剤層付き半導体素子を支持体に搭載する工程と、搭載後すぐにワイヤボンドを行う工程の順に半導体パッケージを組み立てることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、支持体に低温で搭載可能かつ室温でべたつきのない接着剤層付き半導体素子の製造方法及び該接着剤層付き半導体素子を用いた半導体パッケージの製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の液状樹脂組成物は、グリシジル基を有する化合物（Ａ）、フェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の反応を促進する化合物（Ｃ）、および溶剤（Ｄ）を含み、化合物（Ｃ）が溶剤（Ｄ）に溶解することを特徴とする液状樹脂組成物であって、支持体への接着剤層付き半導体素子の搭載を低温で行うことが可能で、かつ室温ではべたつきのない接着剤層付き半導体素子の接着剤層に用いられる液状樹脂組成物を提供するものである。ここで、支持体とは、リードフレーム、有機基板などが挙げられる。
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
本発明で使用するグリシジル基を有する化合物（Ａ）としては、室温で固形のエポキシ樹脂で、１分子内にグリシジル基を２個以上有するものが好ましく、軟化点が４０℃以上８０℃以下のものがさらに好ましい。軟化点がこれより低い場合にはウエハの一方の面に塗布加熱処理した後の２５℃でのタック力が０．０５Ｎより高くなる恐れがあり、これより高い場合には８０℃でのタック力が１Ｎに満たない恐れがある。このようなエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、その他トリフェニルメチン骨格を有するエポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、アントラセン骨格を有するエポキシ樹脂などが挙げられるが、結晶性を有するものは液状樹脂組成物中であるいはウエハの一方の面に塗布加熱処理後に析出する恐れがあるので注意が必要である。
【００１０】
フェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）としては、フェノール性水酸基を有する化合物であれば特に限定されないが、室温で固形であるフェノール樹脂で、分子量１０００以下である化合物（Ｂ１）と分子量１５００以上５０００以下である化合物（Ｂ２）を含むことが好ましい。ここで分子量とはＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により測定した数平均分子量（Ｍｎ）の値である。化合物（Ｂ）として分子量が１０００以下である化合物（Ｂ１）のみを使用した場合には、ウエハの一方の面に塗布し加熱処理した後の、２５℃でのタック力、８０℃でのタック力、２５℃での接着強度は優れるものの１３０℃での接着強度、１７５℃での接着強度が低くなりすぎ接着剤層付き半導体素子を支持体に搭載した後硬化を行わずにワイヤボンドを行うとワイヤボンド時に半導体素子が動いてしまいワイヤボンド不良が発生する、樹脂封止時に半導体素子が剥離するなどの不具合が発生する場合がある。また、分子量１５００以上５０００以下である化合物（Ｂ２）を併用することで接着剤層付き半導体素子を支持体に搭載した後の１３０℃、１７５℃での接着強度が良好になる。逆に化合物（Ｂ）として化合物（Ｂ２）のみを使用した場合には、ウエハの一方の面に塗布し加熱処理した後の８０℃でのタック力が悪化し、低温での搭載ができなくなってしまう。好ましい化合物（Ｂ１）と化合物（Ｂ２）との比率は（Ｂ１）／（Ｂ２）が０．１〜９であり、より好ましくは０．６〜７であり、さらに好ましい比率は０．８〜３である。
【００１１】
化合物（Ｂ１）としては、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物で分子量が１０００以下であればとくに限定されず、以下のような化合物が挙げられる。ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのフェノールまたはその誘導体とホルムアルデヒドとの反応により得られる化合物、フェノールまたはその誘導体とベンズアルデヒドとの反応により得られる化合物、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、その他ナフタレン骨格を有するもの、アントラセン骨格を有するもので１分子内にフェノール性水酸基（ナフトール型水酸基など芳香族環に直接結合した水酸基を含むものとする）を２個以上有する化合物などが挙げられる。化合物（Ｂ１）の軟化点が高くてもエポキシ樹脂と混合した場合、混合物の軟化点としては下がるので例えば軟化点
が１５０℃位のものでも問題なく使用することが可能である。
【００１２】
化合物（Ｂ２）としては、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物で分子量が１５００以上５０００以下であればとくに限定されないが、特に好ましく用いられるものはモノマー成分としてヒドロキシスチレンを含む化合物であり、ヒドロキシスチレン単独あるいはヒドロキシスチレンと共重合可能な化合物とラジカル重合もしくはイオン重合することで得られるポリヒドロキシスチレンまたはヒドロキシスチレン共重合体で分子量が１５００以上５０００以下のものである。より好ましくはポリヒドロキシスチレンまたはドロキシスチレン共重合体で分子量が１５００以上３０００以下のものであり、なかでも分散度（ＧＰＣで求めた重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比）が１．５以下のものは低温での搭載性と搭載後の１３０℃および１７５℃での接着強度の両立が容易にできるので特に好ましく用いられる。より好ましい分散度は１．３以下である。
化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の割合は、グリシジル基１に対してフェノール性水酸基が０．７から１．３となることが好ましい。より好ましい割合はグリシジル基１に対してフェノール性水酸基が０．９から１．１である。
【００１３】
本発明では化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の反応を促進する化合物（Ｃ）を使用する。使用可能な化合物（Ｃ）としてはイミダゾール類、リン系化合物などが挙げられ、リン系化合物が好ましい。
化合物（Ｃ）は溶剤(Ｄ)に溶解することが好ましい。化合物（Ｃ）が溶剤（Ｄ）に溶解しない場合には化合物（Ｃ）が液状樹脂組成物中に固形の状態で存在することになり、塗布後の表面が平滑にならず、個片化時に不具合が発生する（チップが飛ぶなど）恐れがあると共に、支持体に搭載する際にエアが残る恐れがある。ここで溶解するとは、化合物（Ｃ）と溶剤（Ｄ）を重量比で１：２の割合で攪拌器と冷却管を有するフラスコに投入し１００℃で１時間攪拌した後室温まで冷却し、さらに密閉可能な透明なガラス容器移し−３５℃から−４５℃の冷凍庫にて１２時間から２４時間冷却した後取出し室温まで戻った状態で濁りまたは固形分が観察されないことである。
【００１４】
特に好ましい化合物（Ｃ）としてリン系化合物である一般式（１）で示される化合物（Ｃ１）が挙げられる。これは化合物（Ｃ１）がγ−ブチロラクトンなどの溶剤に対して良好な溶解性を示すと共に液状樹脂組成物として良好な保存性を示すからである。化合物（Ｃ１）は特開２００１−２７８９５３や特開２００４−２３１７６５に記載の方法にて得ることが可能である。すなわち２価フェノール化合物と、脱ハロゲン化水素を助ける塩基、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物や、ピリジン、トリエチルアミンなどの有機塩基を、アルコールなどの溶媒に溶解し、続いて、適当な溶媒に溶解したテトラ置換ホスホニウムのハライドを添加して反応させ、最終的には、再結晶や再沈殿などの操作により固形分として取り出す方法や、テトラ置換ホスホニウムの水酸化物とフェノール化合物を、有機溶媒中で反応させる方法、テトラ置換ボレートとフェノール化合物を熱反応させた後、アルコールなどの溶媒中で加熱反応させる方法、フェノール化合物とテトラ置換ホスホニウムのハライドを水中で攪拌し不均一系のままアルカリ金属水酸化物の水溶液を添加する方法などである。
一般式（１）のＰはりん原子、Ｒ１としては、置換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基が好ましく、Ｘとしては、置換もしくは無置換の芳香族基が好ましく、Ｙは単結合であるか、単結合でない場合はエーテル基、スルホン基、スルフィド基、カルボニル基から選ばれる置換基または炭素原子数１〜１３で構成される有機基が好ましい。最も好ましいのは一般式（１）のＹがスルホン基の場合である。具体的には、テトラホスフォニウムと４，４−ビスフェノールＳとの錯体などが挙げられる。
【００１５】
また使用する溶剤（Ｄ）は、液状樹脂組成物をスクリーン印刷、ステンシル印刷、スピンコートなどでウエハの一方の面に塗布するので熱硬化性樹脂を溶解させるとともに沸点
が１００℃以上であることが好ましく、２４０℃以下が好ましい。熱硬化性樹脂が溶解しない場合には、塗布後の表面が平滑にならず、個片化時に不具合が発生する（チップが飛ぶなど）恐れがあると共に、支持体に搭載する際にエアが残る恐れがある。また使用する溶剤の沸点が１００℃以下の場合には塗布作業時に揮発による粘度変化が著しく厚みの不均一、かすれ等の原因となる恐れがあり、沸点が２４０℃より高い場合には加熱処理後の揮発分量が多くなりすぎ、べたつきが残る可能性がある。
【００１６】
このような溶剤（Ｄ）としては使用する熱硬化性樹脂の溶解性が十分であれば特に限定されないが、半導体用途であるためハロゲン系の溶剤は好ましくない。また第１アミン、第２アミンを含むアミン系溶剤などの液状樹脂組成物の保存性を悪化させるようなものは好ましくない。使用可能な溶剤（Ｄ）は以下のようなものでこれらは単独での使用も複数種を併用することも可能である。
例えば、オクタン、２，２，３−トリメチルペンタン、ノナン、２，２，５−トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、ｐ−シメン、ｏ−ジエチルベンゼン、ｍ−ジエチルベンゼン、ｐ−ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ビシクロヘキシル、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、１−ブタノール、イソブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−ノナノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール、１−デカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、α−テルピネオール、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、２−ブテン−１，４−ジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、ペンチルフェニルエーテル、ｏ−メトキシトルエン、ｍ−メトキシトルエン、ｐ−メトキシトルエン、ベンジルエチルエーテル、ジオキサン、１，２−ジエトキシエタン、１，２−ジブトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、１−メチルグリセリンエーテル、２−メチルグリセリンエーテル、１，２−ジメチルグリセリンエーテル、１，３−ジメチルグリセリンエーテル、トリメチルグリセリンエーテル、１−エチルグリセリンエーテル、１，３−ジエチルグリセリンエーテル、トリエチルグリセリンエーテル、アセタール、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、ギ酸ブチル、ギ酸ペンチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセタート、酢酸ｓｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセタート、２−エチルヘキシルアセタート、酢酸シクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、イソ吉草酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、γ−ブチロラクトン、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、エチレングリコールモノギ酸エステル、エチレングリコールモノ酪酸エステル、ジエチレングリコールモノアセタート、モノアセ
チン、炭酸ジエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−（メトキシエトキシ）エタノール、２−イソプロポキシエタノール、２−ブトキシエタノール、２−（イソペンチルオキシ）エタノール、２−(ヘキシルオキシ)エタノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、Ｎ−エチルモルホリン、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、２−メトキシエチルアセタート、２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル。なかでも好ましい溶剤（Ｄ）は、沸点が１５０℃以上２２０℃以下のものであり、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、３−メトキシブチルアセタート、２−エチルブチルアセタート、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、２−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジアセトンアルコール、２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタートなどが挙げられる。特に好ましいものは、γ−ブチロラクトンを主成分とするものである。
【００１７】
本発明の液状樹脂組成物には、熱可塑性樹脂を使用することも可能である。熱可塑性樹脂を使用すると硬化物の架橋密度が下がり、硬化物の弾性率を低くすることが可能となる。好ましい熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、（メタ）アクリル酸エステルの重合物などが挙げられ、特にエチル（メタ）アクリレートまたはブチル（メタ）アクリレートを主成分とし、グリシジル（メタ）アクリレート、アクリロニトリルなどを共重合した化合物は好適に用いられる。ただしこれら熱可塑性樹脂は分子量が高く使用量が多くなりすぎるとウエハの一方の面に塗布し加熱処理した後の８０℃でのタック力が１Ｎに満たなくなる恐れがある。また、ウエハの一方の面に塗布し加熱処理した後の８０℃でのタック力を良好なレベルに保つためガラス転移温度の低い熱可塑性樹脂を使用することも可能であるが、この場合にはウエハの一方の面に塗布し加熱処理した後の２５℃でのタック力が０．０５Ｎを越えたり、支持体に搭載した接着剤層付き半導体素子の１３０℃および１７５℃での接着力が低くなりすぎたりする恐れがある。このため熱可塑性樹脂を使用する場合には化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）と熱可塑性樹脂の合計に対して４０重量％以下にする必要がある。より好ましくは３０重量％以下である。
【００１８】
ここで一般に紫外線などのエネルギー線により反応を開始する光開始剤を配合した樹脂組成物は良く知られているが、本発明では液状樹脂組成物の塗布、加熱処理、ダイシング、半導体素子搭載といった一連の作業が通常は蛍光灯による照明の下で行われるので光開始剤を含むことはできない。光開始剤を含む場合には、例えばスピンコートによる液状樹脂組成物塗布の工程において樹脂組成物の粘度が経時変化し安定した厚みの接着剤層を得ることが困難になる恐れがある。
【００１９】
すなわち本発明で用いる液状樹脂組成物は、ＧＰＣ測定における分子量２００以上の面積（ａ）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ）の割合（ｂ／ａ）が、（ｂ／ａ）＞０．６を満たす液状樹脂組成物である。好ましくは（ｂ／ａ）＞０．７であり、より好ましくは（ｂ／ａ）＞０．８である。（ｂ／ａ）がこれよりも小さいと加熱処理の８０℃でのタック力が不十分になり、接着剤層付き半導体素子のマウント性が悪くなる可
能性がある。ここでＧＰＣの測定はＷａｔｅｒｓ社製アライアンス（２６９５セパレーションズモデュール、２４１４リフラクティブインデックスディテクター、ＴＳＫゲルＧＭＨＨＲ−Ｌｘ２＋ＴＳＫガードカラムＨＨＲ−Ｌｘ１、移動相：ＴＨＦ、１．０ｍｌ／分）を用い、カラム温度４０．０℃、示差屈折率計内温度４０．０℃、サンプル注入量１００μｌ、サンプル濃度１〜５ｍｇ／ｍｌにて行った。分子量の検量線はショーデックススタンダードＳＬ−１０５［昭和電工（株）製］を用いて作成した。
さらに本発明の液状樹脂組成物は、ウエハの一方の面に５０μｍの厚さに塗布し１２０℃１０分間加熱処理した後の接着剤層のＧＰＣ測定における分子量２００以上の面積（ａ’）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ’）の割合を（ｂ’／ａ’）とする時、上記（ｂ／ａ）との比［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］が次の関係を満たすことが好ましい。
［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］＞０．７
［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］が、これよりも小さいと加熱処理後の８０℃でのタック力が不十分になり、接着剤層付き半導体素子のマウント性が悪くなる可能性がある。
【００２０】
また液状樹脂組成物をスピンコートによりウエハの一方の面に塗布する場合には、液状樹脂組成物中にミクロンサイズの固形物が存在すると加熱処理後の接着剤層表面の平滑性が悪化、ピンホールボイドの発生などの原因となるので好ましくない。液状樹脂組成物作製時には１０μｍのフィルターによりろ過することが好ましく、より好ましくは１０μｍのフィルターによりろ過した後に３μｍのフィルターによりろ過することであり、特に好ましいのはさらに１μｍのフィルターによりろ過することである。またフィラーを使用することはできない。液状樹脂組成物の粘度は１Ｐａ・ｓ以上４０Ｐａ・ｓ以下が好ましい。これより低くても高くてもスピンコート後に良好な厚みの接着剤層を得ることができないためである。ここで粘度の値はＥ型粘度計［東機産業（株）製、３度コーン］を用いて２５℃、２．５ｒｐｍで測定した値である。より好ましい粘度範囲は２Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下であり、さらに好ましいのは２Ｐａ・ｓ以上１５Ｐａ・ｓ以下である。
また、液状樹脂組成物を密閉した容器中で２５℃７２時間放置する前後での粘度変化率が２０％以下であることが好ましい。粘度変化率が２０％以上となると液状樹脂組成物をウエハに塗布する作業性やスピンコート後の厚み精度に問題が生じる恐れがある。
【００２１】
さらに本発明の液状樹脂組成物には、必要によりカップリング剤、レベリング剤、消泡剤、界面活性剤等を使用することも可能である。
本発明の液状樹脂組成物は、例えば加熱装置ならびに攪拌器を備えた混合装置内で化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、溶剤（Ｄ）、必要に応じ熱可塑性樹脂を加熱混合することで均一な液体を得た後室温まで冷却し、化合物（Ｃ）と溶剤との溶液、カップリング剤などの添加剤を加え更に混合することにより製造することができる。
【００２２】
本発明の液状樹脂組成物は、ワイヤボンド用のボンディングパッドを有する半導体ウエハの裏面（回路面の裏）または回路の書かれていないウエハの一方の面（複数の半導体素子を積層して作製する半導体パッケージにおいて下段の半導体素子のボンディングワイヤのループ高さを確保するために回路の書かれていないチップをスペーサーとして使用する場合）に塗布して使用するが、以下、半導体ウエハを使用した場合にて説明を行う。通常半導体ウエハは厚みを制御する目的でダイシング工程前に裏面研削を行うが、液状樹脂組成物の塗布は裏面研削の後に行う。液状樹脂組成物の塗布方法としてはスクリーン印刷、ステンシル印刷、スピンコートなどによる方法が可能であるが、塗布厚みの安定性、表面の平滑性の観点からスピンコートにより塗布されることが好ましい。スピンコートは公知の方法にて行うことが可能である。すなわちバックグラインドテープ（裏面研削時にウエハの回路面を保護する目的で回路面に貼り付けるテープ）を貼り付けた状態のウエハをウエハ裏面が上になるようにスピンコーターにセットし１５℃以上４０℃以下で液状樹脂組成物をウエハの中央部に供給しウエハを回転させることで液状樹脂組成物をウエハ裏面全
体に均一に塗布する方法である。使用するバックグラインドテープは後述する加熱処理工程があるので耐熱性に優れるものが好ましく、ウエハサポート機能（裏面研磨後に薄くなったウエハの反り、変形を抑制する機能）を有するものも好ましい。スピンコートの温度がこれより低い場合には液状樹脂組成物の粘度が高くなり塗布後の厚みが均一にならない場合があるので好ましくなく、これより高い場合には液状樹脂組成物の揮発による粘度変化が塗布厚みの不均一性の原因となりうるので好ましくない。より好ましい温度範囲は２０℃以上３０℃以下で、より安定した塗布厚みを得るためには±２℃に制御した環境での塗布が好ましい。ウエハの回転数は使用する液状樹脂組成物の粘度、塗布する温度、目的とする塗布厚みに依存するが、通常３００ｒｐｍ以上１００００ｒｐｍ以下で行う。液状樹脂組成物の供給はウエハ停止状態で行い徐々に回転数を上げる方法や、３００ｒｐｍといった低回転で回転している状態で供給し必要であればさらに回転数を上げていく方法も可能である。
【００２３】
次に液状樹脂組成物を塗布した半導体ウエハの加熱処理を行う。加熱処理は熱板上での処理、オーブン中での処理、リフロー炉での処理等が可能であり、処理温度は２００℃以下が好ましく、より好ましいのは１５０℃以下である。低温での処理の方が処理後の反りが小さいからである。また処理時間に関しては３０分以下が好ましい。処理時間がこれより長い場合には、生産性が悪くなると共に処理後の反りの面でも不利になる。特に好ましい加熱処理条件は１５０℃以下、１５分以下である。
加熱処理後の接着剤層の厚みは２００μｍ以下が好ましく、より好ましい厚みは５μｍ以上５０μｍ以下である。厚みの制御は塗布条件の調整および液状樹脂組成物の粘度の調整により可能である。例えば低粘度の液状樹脂組成物を使用すればより薄い接着剤層を得ることが可能であるし、塗布方法としてスピンコートを使用する場合には塗布時の回転数をあげることでより薄い接着剤層を得ることが可能となる。フィルム状のダイアタッチ材を用いる場合には目的とする厚みのフィルムを準備しなくてはならないが、塗布条件の調整および液状樹脂組成物の粘度の調整により厚みの制御が可能な点は本発明の利点の一つである。
【００２４】
加熱処理後に揮発分が多量に接着剤層に含まれる場合には、後述する接着剤層のべたつきの原因、ピックアップ性の悪化の原因、支持体への搭載時のボイドの原因となりうるので、液状樹脂組成物をウエハ裏面に５０μｍの厚みで塗布した後１２０℃で１０分間加熱処理した後の揮発分が１重量％以下であることが好ましい。ここで塗布後の液状樹脂組成物の厚みは非接触の厚み計にて測定した値であり、揮発分とは液状樹脂組成物が５０±５μｍに塗布されたウエハを１２０±５℃に制御した乾燥機中で１０±１分間加熱処理した後、取り出したウエハが冷却される前にスパチュラにてサンプリングした接着剤層５〜３０ｍｇを、熱天秤法（ＴＧＡ）で室温から３００℃まで１０℃／分で昇温して測定した重量減少曲線における２００℃での重量減少率である。より好ましい重量減少率は０．５重量％以下であり、特に好ましいのは０．２重量％以下である。
【００２５】
また接着剤層は室温でタック（べたつき）がないことが好ましい。べたつきがある場合にはダイシングシートに貼り付けるウエハマウント工程において搬送不良が発生する恐れがあるとともに後述するピックアップ工程においても不具合が発生する恐れがある。このため液状樹脂組成物をウエハ裏面に５０μｍの厚みで塗布した後１２０℃で１０分間加熱処理した後の接着剤層はべたつきの指標となる２５℃でのタック力が０．０５Ｎ以下であることが好ましい。タック力はタック力測定機（ＲＨＥＳＣＡ社製）を用いプローブ下降速度（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｓｐｅｅｄ）３０ｍｍ／ｍｉｎ、テスト速度６００ｍｍ／ｍｉｎ、密着荷重（Ｐｒｅｌｏａｄ）０．２Ｎ、密着保持時間（Ｐｒｅｓｓ  Ｔｉｍｅ）１．０秒、プローブ５．１ｍｍφ（ＳＵＳ３０４）で測定した値である。すなわち液状樹脂組成物が５０±５μｍに塗布されたウエハを１２０±５℃に制御した乾燥機中で１０±１分間加熱処理し冷却後、接着剤層が下になるようにダイシングシート（住友ベークライト
（株）製、ＦＳＬ−Ｎ４００３）に張り付けダイシングソーにて６×６ｍｍにダイシングすることで得られた６×６ｍｍに個片化された接着剤層付き半導体素子の一部を手でダイシングシートから剥がし上記タック力測定法にて接着剤層側のタック力を２５℃にて測定したものである。
接着剤層付きウエハの接着剤層の厚み精度は、±５μm以内が好ましく、より好ましい
のは±３μm以内である。ここで厚み精度とはチップ面内の凹凸の変化をレーザー粗さ計
で測定した表面プロファイルの平均値からの隔たりである。厚み精度がこれより大きい場合には安定した厚みを得られないからである。
【００２６】
次に接着剤層付き半導体ウエハをダイシングシートに貼り付け個片化する。用いるダイシングシートは市販のものを使用可能である。個片化は通常ダイシングソーなどの専用装置を用いて行い、接着剤層付き半導体素子を得る。ここで前述のように接着剤層の平滑性が十分でない場合には接着剤層とダイシングシートの間にエアが残る場合があり、このためダイシング時にチップ欠け（チップのエッジ部分が欠けてしまう現象）、チップクラック（チップのエッジ部分にクラックがはいる現象）、チップ飛び（ダイシング時にチップがダイシングシートから外れてしまう現象）などが起こり、接着剤層付き半導体素子の歩留まり悪化の原因となる場合がある。
このようにして得られた接着剤層付き半導体素子はダイシングシートに張り付いた状態で（ダイシングシートはウエハリングに貼り付けられている）ダイボンダーにセットし、ピックアップ（ダイシングシートから半導体素子を取る工程）し加熱下で支持体に搭載される。ピックアップ時には接着剤層付き半導体素子とダイシングシートとの界面で剥がれる必要があり、接着剤層のタック力が０．０５Ｎより大きい場合にはピックアップできない、ピックアップ時に半導体素子がずれて正しい位置に搭載できない、接着剤層の一部がダイシングシートに残る等の問題が生じる恐れがある。
【００２７】
接着剤層付き半導体素子を搭載する支持体とはリードフレーム、有機基板などであり、半導体素子を積層する場合にはリードフレーム、有機基板などに搭載された第２の半導体素子である。半導体素子搭載温度は２００℃以下が好ましく、より好ましいのは１５０℃以下である。高温での半導体素子搭載はしばしば反りの原因となるからである。また半導体素子搭載時には荷重をかけるが、荷重はダイボンダーの種類により支配される。一部ＬＯＣボンダーのように半導体素子あたり２０Ｎほどの荷重をかけられる機種もあるが、通常は３〜５Ｎ程度の荷重で行われる。半導体素子の薄型化、機械的強度の低い半導体素子を考慮すると５Ｎ以下、より好ましくは１〜４Ｎで搭載できることが好ましい。搭載時間（半導体素子を支持体に加圧している時間）は生産性の観点から１０秒以下がこのましく、より好ましいのは３秒以下で、特に好ましいのは１秒以下である。このように半導体素子を低温で搭載するためには、液状樹脂組成物をウエハ裏面に５０μｍの厚みで塗布した後１２０℃で１０分間加熱処理した後の接着剤層の８０℃でのタック力が１Ｎ以上であることが好ましい。これは加熱処理後の接着剤層の８０℃でのタック力の異なる種々の接着剤層付き半導体素子を用いてＰＢＧＡ基板への搭載実験を行った結果、８０℃でのタック力が１Ｎ以上であれば搭載後の接着面積が９０％以上を確保できるのに対し、１Ｎに満たない場合には接着面積が９０％に満たないことが多かったからである。ここで搭載後の接着面積はＰＢＧＡ基板に搭載後の半導体素子を手で引き剥がし半導体素子の面積に対する接着部分の面積で確認した。接着していた部分はＰＢＧＡ基板表面が多少白っぽくざらついた感じになるのに対し、非接着部分は表面が平滑で搭載前と変化がないので目視で容易に識別可能である。８０℃でのタック力は、液状樹脂組成物が５０±５μｍに塗布されたウエハを１２０±５℃に制御した乾燥機中で１０±１分間加熱処理し冷却後、接着剤層が下になるようにダイシングシート［住友ベークライト（株）製、ＦＳＬ−Ｎ４００３］に張り付けダイシングソーにて６×６ｍｍにダイシングすることで得られた６×６ｍｍに個片化された接着剤層付き半導体素子の一部を手でダイシングシートから剥がし上記タック力測定法にて樹接着剤層側のタック力を８０℃にて測定したものである。
【００２８】
また上記６×６ｍｍに個片化された接着剤層付き半導体素子をダイボンダー上でピックアップしボンド加重１．０Ｎ、 基板加熱温度１３０℃、搭載時間８秒（基板表面の温度
が１３０℃まで昇温する時間７秒を含む）の条件でＰＢＧＡ基板（パッケージサイズ３５×３５ｍｍ、コア材：ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ソルダーレジスト：ＰＳＲ４０００ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造（株）製）、厚み０．５６ｍｍ）に搭載した接着力測定用サンプルの２５℃での接着力が１０Ｎ以上であることが好ましい。接着力の測定はダイシェアテスター（Ｄａｇｅ社製、シリーズ４０００）にて行った値である。接着力がこれより低い場合には搬送中に半導体素子が脱落する恐れがある。より好ましくは２０Ｎ以上であり、さらに好ましいのは５０Ｎ以上である。
次に支持体に搭載された半導体素子と支持体を電気的に接続する目的でワイヤボンドを行う。ワイヤボンドの条件は特に限定されず、市販のワイヤボンダーを用いて通常の条件で行うことができるが前述の反りの問題を考慮すると低温で行うことが好ましい。特に好ましいワイヤボンド温度は１５０℃以下である。ここで上記接着力測定用サンプル（６×６ｍｍに個片化した接着剤層付き半導体素子をＰＢＧＡ基板に搭載しただけで接着剤層の硬化は行っていない）の１３０℃での接着力が１０Ｎ以上であれば、接着剤層付き半導体素子を支持体に搭載した後、接着剤の硬化を行うことなくワイヤボンドすることが可能なのでより好ましい。特に好ましい１３０℃での接着力は３０Ｎ以上である。これ以上であればワイヤボンド工程においてワイヤボンド不良（ワイヤが着かない、ワイヤの接合強度が低いなど）が生じないためである。
【００２９】
ワイヤボンドの次に樹脂封止工程を行う。通常はエポキシ樹脂にフィラーを分散させたトランスファー成形用封止材が使用される。使用可能なトランスファー成形用封止材は特に限定されないが、環境問題よりアンチモン化合物、臭素化化合物を使用していないものが好ましい。より好ましいものはビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂および／またはビフェニルアラルキル型フェノール樹脂を使用した封止材でアンチモン化合物、臭素化化合物を使用していないものである。ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂および／またはビフェニルアラルキル型フェノール樹脂を使用した封止材はアンチモン化合物、臭素化化合物を使用しなくても良好な耐燃性（ＵＬ試験Ｖ−０）を示すとともに良好な耐リフロークラック性を示すからである。
樹脂封止は通常１６０℃〜１８０℃で行われる。このためワイヤボンド後の半導体素子の支持体への接着力が低すぎる場合には樹脂封止工程中に半導体素子の剥離が生じたり、半導体素子が流されたりする危険性がある。このため上記接着力測定用サンプル（６×６ｍｍに個片化した接着剤層付き半導体素子をＰＢＧＡ基板に搭載しただけで接着剤層の硬化は行っていない）の１７５℃（一般的な樹脂封止温度）での接着力が１Ｎ以上であることが好ましい。特に好ましいのは３Ｎ以上である。これ以上の接着力であれば樹脂封止中に剥離等の不具合が発生しないからである。
樹脂封止を行ったのち、必要に応じポストモールド硬化を行い、支持体としてリードフレームを使用するものの場合には必要に応じリード加工、外装めっきなどを施し半導体パッケージを得る。また支持体として有機基板を用いる場合には必要に応じ半田ボールアタッチ等を行うことにより半導体パッケージを得る。
【００３０】
ここで本発明において使用する液状樹脂組成物は、ウエハの一方の面に５０μｍの厚さに塗布し１２０℃１０分間加熱処理した後の、揮発分が１重量％以下で、２５℃でのタック力が０．０５Ｎ以下で、８０℃でのタック力が１Ｎ以上で、厚み精度は、±５μm以内
であり、６×６ｍｍに個片化した後ＰＢＧＡ基板にボンド加重１．０Ｎ、 基板加熱温度
１３０℃、搭載時間８秒（基板表面の温度が１３０℃まで昇温する時間７秒を含む）で搭載した接着強度測定用サンプルの２５℃での接着強度が１０Ｎ以上、１３０℃での接着強度が１０Ｎ以上、１７５℃での接着強度が１Ｎ以上であることが好ましい。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例を用いて本発明の説明を行うが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
［化合物（Ｃ）の合成］
攪拌装置および冷却管付きの１リットルのセパラプルフラスコにビスフェノールＳ（日華化学工業（株）製  ＢＰＳ−Ｎ（４，４’−ビスフェノールＳを主成分とする））３ 
７． ５ｇ（０．１５モル）、テトラフェニルホスホニウムプロマイド４ １． ９ｇ（０
．１モル）、イオン交換水１００ｍｌを仕込み、１００℃で攪拌し、さらに内部が不溶なまま、攪拌しながら水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を予め５０ｍｌのイオン交換水で溶解した溶液を添加した。しばらく攪拌を継続した後、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶６８．５ｇを得た。（以下化合物Ｃ１）化合物Ｃ１は、ＮＭＲ、元素分析の結果から、テトラフェニルホスホニウム１分子と４，４’−ピスフェノールＳとが、モル比１：１．５で錯化した化合物であることが確認された。合成の収率は９６．１％であった。
【００３３】
［促進剤溶液の調整］
攪拌装置および冷却管付きの１リットルのセパラプルフラスコに５０ｇの化合物Ｃ１と１００ｇのγ−ブチロラクトンを仕込み１００℃で１時間攪拌した後室温まで冷却した。冷却後密閉可能な透明なガラス容器移し−４０℃の冷凍庫（実温−３６℃から−４０℃）にて１８時間保管した後室温に取り出し２時間後目視により外観を確認したところ極わずかに黄色がかった透明であった。（以下促進剤溶液１）
化合物Ｃ１のかわりにトリフェニルホスフィン［ケイ・アイ化成（株）製ＰＰ３６０］５０ｇとγ−ブチロラクトン１００ｇを用いて同様に外観を確認したところ下部３分の１程度まで白色の結晶状の化合物が観察された。（以下促進剤溶液２）
【００３４】
［液状樹脂組成物の調整］
・液状樹脂組成物Ａ
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７０℃、
エポキシ当量２１０）                                          ３７．１ｇ
フェノールアラルキル樹脂（分子量６１２、軟化点７５℃、
水酸基当量１７５）                                            １２．６ｇ
ポリヒドロキシスチレン（分子量２０８０、分散度１．２６）
１２．６ｇ
γ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）                          ３７．０ｇ
上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、１５０℃１時間攪拌することで淡黄色透明の液体を得た。これを室温まで冷却した後に以下の原料を添加し、室温で３０分攪拌後、１μｍのメッシュにてろ過することで液状樹脂組成物Ａを得た。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                  ０．２８ｇ
促進剤溶液１                                                ０．５７ｇ
得られた液状樹脂組成物Ａの粘度は４Ｐａ・ｓであった。なお粘度の測定はＥ型粘度計［東機産業（株）製、３度コーン］を用いて２５℃、２．５ｒｐｍでの値である（以下に示す粘度も同様に測定した）。
【００３５】
・液状樹脂組成物Ｂ
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７０℃、
エポキシ当量２１０）                                          １７．４ｇ
フェノールアラルキル樹脂（分子量６１２、軟化点７５℃、
水酸基当量１７５）                                              ５．９ｇ
ポリヒドロキシスチレン（分子量２０８０、分散度１．２６）
５．９ｇ
アクリル系ポリマー（エチルアクリレート／アクリロニトリル
／グリシジルアクリレート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド
＝７４／２０／１／５の共重合体、分子量：４９万、Ｔｇ：１５℃）
９．６ｇ
γ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）                          ６０．７ｇ
上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、１５０℃１時間攪拌することで淡黄色透明の液体を得た。これを室温まで冷却した後に以下の原料を添加し、室温で３０分攪拌後、１μｍのメッシュにてろ過することで液状樹脂組成物Ｂを得た。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                  ０．１３ｇ
促進剤溶液１                                                ０．２７ｇ
得られた液状樹脂組成物Ｂの粘度は１１Ｐａ・ｓであった。
【００３６】
・液状樹脂組成物Ｃ
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７０℃、
エポキシ当量２１０）                                          １９．０ｇ
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（軟化点５２℃、
エポキシ当量２３８）                                          １９．０ｇ
フェノールアラルキル樹脂（分子量６１２、軟化点７５℃、
水酸基当量１７５）                                            １２．１ｇ
ポリヒドロキシスチレン（分子量２０８０、分散度１．２６）
１２．１ｇ
γ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）                          ３７．０ｇ
上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、１５０℃１時間攪拌することで淡黄色透明の液体を得た。これを室温まで冷却した後に以下の原料を添加し、室温で３０分攪拌後、１μｍのメッシュにてろ過することで液状樹脂組成物Ｃを得た。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                  ０．２８ｇ
促進剤溶液１                                                ０．５７ｇ
得られた液状樹脂組成物Ｃの粘度は４Ｐａ・ｓであった。
【００３７】
・液状樹脂組成物Ｄ
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７０℃、
エポキシ当量２１０）                                          ３７．１ｇ
フェノールアラルキル樹脂（分子量６１２、軟化点７５℃、
水酸基当量１７５）                                            １２．６ｇ
ポリヒドロキシスチレン（分子量２０８０、分散度１．２６）
１２．６ｇ
γ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）                          ３７．４ｇ
上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、１５０℃１時間攪拌することで淡黄色透明の液体を得た。これを室温まで冷却した後に以下の原料を添加し、室温で３０分攪拌後、１μｍのメッシュにてろ過することで液状樹脂組成物Ｄを得た。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                  ０．２８ｇ
得られた液状樹脂組成物Ｄの粘度は５Ｐａ・ｓであった。
【００３８】
・液状樹脂組成物Ｅ
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７０℃、
エポキシ当量２１０）                                          ３７．１ｇ
フェノールアラルキル樹脂（分子量６１２、軟化点７５℃、
水酸基当量１７５）                                            １２．６ｇ
ポリヒドロキシスチレン（分子量２０８０、分散度１．２６）
１２．６ｇ
γ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）                          ３７．０ｇ
上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、１５０℃、１時間攪拌することで淡黄色透明の液体を得た。これを室温まで冷却した後に以下の原料を添加し、室温で３０分攪拌することで液状樹脂組成物Ｅを得た。なお促進剤溶液２は前述のように白色化合物が析出しているので添加前にスパチュラにて攪拌を行い、また目詰まりするためろ過は行っていない。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                  ０．２８ｇ
促進剤溶液２                                                ０．５７ｇ
得られた液状樹脂組成物Ｅの粘度は５Ｐａ・ｓであった。
【００３９】
［実施例１］
液状樹脂組成物Ａを密閉容器に入れ２５℃７２時間放置後粘度の測定を行った。
２０ｍｇの液状樹脂組成物Ａを６ｍｌのテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦ）に溶解しＧＰＣの測定を行った。ＧＰＣの測定はＷａｔｅｒｓ社製アライアンス（２６９５セパレーションズモデュール、２４１４リフラクティブインデックスディテクター、ＴＳＫゲルＧＭＨＨＲ−Ｌｘ２＋ＴＳＫガードカラムＨＨＲ−Ｌｘ１、移動相：ＴＨＦ、１．０ｍｌ／分）を用い、カラム温度４０．０℃、示差屈折率計内温度４０．０℃、サンプル注入量１００μｌの条件にて行った。分子量の検量線はショーデックススタンダードＳＬ−１０５［昭和電工（株）製］を用いて作成した。得られたＧＰＣチャートの分子量２００以上の面積（ａ）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ）の割合（ｂ／ａ）を算出した。
【００４０】
また液状樹脂組成物Ａを用いて６インチウエハ（回路が書かれていないベアシリコン、厚み６２５μｍ）１枚および８インチウエハ（銅０．５％のアルミパッドを有しパッシベーションはＳｉＮ、厚み３５０μｍ）１枚に塗布後の厚みが５０±５μｍになるようにスピンコートし、１２０℃に調整した乾燥機中で１０分間加熱処理することで接着剤層付きウエハを得た。スピンコートはスピンコーター［ミカサ（株）製、 １Ｈ−ＤＸ］を用い
て行った。スピンコート後の厚みは非接触の厚み計で測定し、５０±５μｍになっていない場合にはスピンコート条件を変更することで上記範囲に入るようにした。
６インチウエハは加熱処理後すぐに接着剤層の一部をスパチュラにてかき集め、揮発分の測定用サンプルとした。揮発分はＴＧＡ（示差熱天秤）にてサンプル重量１０ｍｇ、室温から昇温速度１０℃／分で測定し、２００℃における重量減少率の値である。加熱後すぐにサンプリングを行ったのは、室温まで冷却されると接着剤層が固形になりサンプリングが困難になる場合があるからである。またサンプリングを行った以外の部分を用いて外観チェックを目視で行った。外観チェックはピンホールボイド、異物の数をチェックした。また接着剤層の厚みは接触式厚みゲージを用いてウエハと接着剤層の合計の厚みを測定し、前もって測定しておいたウエハの厚みを差し引くことにより接着剤層の厚みを算出した。さらに厚み精度に関しては、レーザー３次元測定機［日立土浦エンジニアリング（株）製］を用い、揮発分測定用にサンプリングした部位を通らず、接着剤層付きウエハの中心を通るように１５０ｍｍの長さで測定を行った。
【００４１】
次に接着剤層付き６インチウエハおよび８インチウエハをダイシングシート［住友ベークライト（株）製、ＦＳＬ−Ｎ４００３］に張り付け夫々６×６ｍｍ、１０．５×１０．５ｍｍに個片化した。６×６ｍｍに個片化した６インチウエハの一部を手でダイシングシートから剥がし接着剤層の２５℃および８０℃でのタック力測定用に用いた。タック力の測定はタック力測定機（ＲＨＥＳＣＡ社製）を用いプローブ下降速度（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｓｐｅｅｄ）３０ｍｍ／ｍｉｎ、テスト速度６００ｍｍ／ｍｉｎ、密着荷重（Ｐｒｅｌｏａｄ）０．２Ｎ、密着保持時間（Ｐｒｅｓｓ  Ｔｉｍｅ）１．０秒、プローブ５．１ｍｍφ（ＳＵＳ３０４）で行った。
また同様に手で剥がした６×６ｍｍに個片化した接着剤層付き半導体素子３個を６ｍｌ
のＴＨＦに浸漬し、２５℃で６０分間浸透することでＧＰＣ測定用サンプルとした。上記と同様の条件で測定したＧＰＣチャートから分子量２００以上の面積（ａ’）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ’）の割合（ｂ’／ａ’）を算出し、［（ｂ’／ａ’）／（ｂ／ａ）］の値を算出した。
さらに以下の項目についても後述のように評価を行った。
【００４２】
・接着力
６×６ｍｍに個片化した接着剤層付きウエハをダイボンダーに取り付けイジェクターピン高さ３５０μｍ（ダイシングフィルム下面を０）, ピックアップタイム５００ｍｓの条件でピックアップしボンド加重１．０Ｎ、 基板加熱温度１３０℃８秒（基板表面の温度
が１３０℃まで昇温する時間７秒を含む）の条件でＰＢＧＡ基板（パッケージサイズ３５×３５ｍｍ、コア材：ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ソルダーレジスト：ＰＳＲ４０００ＡＵＳ３０８［太陽インキ製造（株）製］、厚み０．５６ｍｍ）に搭載した。搭載後のサンプル（硬化は行っていない）の接着力を室温、１３０℃、１７５℃で測定した。接着力の測定はダイシェアテスター（Ｄａｇｅ社製、シリーズ４０００）にて行った。・ボイド、初期剥離
１０．５×１０．５ｍｍに個片化した接着剤層付きウエハをダイボンダーに取り付けイジェクターピン高さ３５０μｍ（ダイシングフィルム下面を０）、ピックアップタイム５００ｍｓの条件でピックアップしボンド加重２．９Ｎ、基板加熱温度１３０℃８秒（昇温時間含む）の条件でＰＢＧＡ基板（パッケージサイズ３５×３５ｍｍ、コア材：ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ソルダーレジスト：ＰＳＲ４０００ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造（株）製）、厚み０．５６ｍｍ）に搭載した後（硬化は行わずに）、以下の条件でワイヤボンドを行った。
ワイヤボンダー：Ｅａｇｌｅ６０（ＡＳＭ社製）
金線：ＳＧＳ−Ｈ、２５μｍ（住友金属鉱山（株）製）
ワイヤボンド温度：１３０℃
ボンディング荷重：４５ｇ
超音波パワー：１２０（１２８ｋＨｚ）
ワイヤボンドを行った後、ビフェニルアラルキルエポキシを使用したエポキシ系封止樹脂［住友ベークライト（株）製、ＥＭＥ−Ｇ７７０］にて封止し１７５℃４時間ポストモールド硬化を行った。ポストモールド硬化後のＰＢＧＡパッケージを透過型の超音波探傷装置にて観察することでボイドおよび初期剥離の発生を確認した。ボイドおよび初期剥離はチップの面積に対する超音波不透過部分（黒色部分）の面積の割合（％）で確認した。・半田リフロー試験
ボイド、初期剥離の観察を行ったパッケージを８５℃６０％ＲＨにて１６８時間吸湿処理を施した後、２６０℃以上の時間が１０秒以上になるように設定したＩＲリフロー装置を３回通した後、透過型の超音波探傷装置にてクラックの発生具合を観察した。試験に用いたパッケージ４個中、クラックの発生しているパッケージ数で示した。
測定結果を表１に示す。
【００４３】
［実施例２］
上記液状樹脂組成物Ｂを用いた以外は実施例１と同様に評価を行った。
［実施例３］
上記液状樹脂組成物Ｃを用いた以外は実施例１と同様に評価を行った。
【００４４】
［比較例１〜３］
液状樹脂組成物Ｄ及びＥを用いて実施例１と同様に評価を行った。
なお比較例１ではワイヤボンド時に半導体素子が動いてしまいワイヤボンドを行うことができなかったので、ワイヤなしの状態で封止を行ったがボイド、初期剥離の観察を行うために透過型の超音波探傷装置にて測定したところ封止中に半導体素子が流されているこ
とが確認されたため、ボイド、初期剥離および半田リフロー性の評価はできなかった。
比較例２ではスピンコート後に多数の筋状の欠陥が見られたが評価は継続した。
【００４５】
比較例３では、接着力測定用サンプルを作成する際に、実施例１の条件ではＰＢＧＡ基板に搭載できなかったので（搭載後基板を傾けると接着剤ごとチップが落ちた）ボンド加重２０．０Ｎ、 基板加熱温度２００℃１７秒（昇温時間を含む）に変更した。さらに半
田リフロー性試験用ＰＢＧＡを組み立てる際にも実施例１の条件ではＰＢＧＡ基板に搭載できなかったので（搭載後基板を傾けると接着剤ごとチップが落ちた）ボンド加重２０．０Ｎ、 基板加熱温度２００℃１７秒（昇温時間を含む）に変更した。
評価結果を表１に示す。
【００４６】
実施例１は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、１．８Ｎであり、ピックアップ性が良好で、半導体素子搭載後に硬化を行わなくてもワイヤボンド可能であった。封止後のパッケージにおいてもボイド、剥離の発生もなく、半田リフロー後にクラックが生じていない。
実施例２は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、３．０Ｎであり、ピックアップ性が良好で、半導体素子搭載後に硬化を行わなくてもワイヤボンド可能であった。封止後のパッケージにおいてもボイド、剥離の発生もなく、半田リフロー後にクラックが生じていない。
【００４７】
実施例３は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、１．５Ｎであり、ピックアップ性が良好で、半導体素子搭載後に硬化を行わなくてもワイヤボンド可能であった。封止後のパッケージにおいてもボイド、剥離の発生もなく、半田リフロー後にクラックが生じていない。
実施例４は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、２．３Ｎであり、ピックアップ性が良好で、半導体素子搭載後に硬化を行わなくてもワイヤボンド可能であった。封止後のパッケージにおいてもボイド、剥離の発生もなく、半田リフロー後にクラックが生じていない。
実施例５は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、２．５Ｎであり、ピックアップ性が良好で、半導体素子搭載後に硬化を行わなくてもワイヤボンド可能であった。封止後のパッケージにおいてもボイド、剥離の発生もなく、半田リフロー後にクラックが生じていない。
【００４８】
比較例１は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、１．８Ｎであり、ピックアップ性は良好であったが、化合物（Ｂ２）（分子量１５００以上５０００以下のフェノール性水酸基を有する化合物）を含まないため１３０℃での接着力、１７５℃での接着力が低く、半導体素子搭載後に硬化を行わない場合にはワイヤボンド時に半導体素子が動いてしまいワイヤボンド不可能であった。ワイヤボンドができなかったのでワイヤボンド無しで封止を行ったが封止中に半導体素子が流されてしまいボイド、剥離の観察、半田リフロー後のクラックの観察を行うことができなかった。
【００４９】
比較例２は、スピンコート／加熱処理後の揮発分が少なく、外観が良好であり、厚み精度も良好であった。また２５℃および８０℃でのタック力がそれぞれ０．０２Ｎ、２．１Ｎであり、ピックアップ性は良好であったが、化合物（Ｂ２）（分子量１５００以上５０
００以下のフェノール性水酸基を有する化合物）を含まず、熱可塑性樹脂を多量に含むためＧＰＣ測定により得られた分子量２００以上の面積（ａ）に対する分子量２００以上５０００以下の面積（ｂ）の割合（ｂ／ａ）が０．４８であり、１３０℃、１７５℃での接着力が低く、半導体素子搭載後に硬化を行わなくてもワイヤボンドは可能であったが、封止後には半導体素子の剥離が観察され、半田リフロー後に全パッケージでクラックが生じていた。
【００５０】
【表１】
0005382484.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明により、支持体に低温で搭載可能かつ室温でべたつきのない接着剤層付き半導体素子が提供可能となり、さらには該接着剤層付き半導体素子を用いた半導体パッケージを提供することが可能となる。