(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長辺方向をｘ軸方向、短辺方向をｚ’軸方向、厚さ方向をｙ’軸方向とし、前記ｘ軸方向の長さＭｘが７１４μｍから７３１μｍの矩形の励振部と、前記励振部の外周に形成され前記励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、３８.４ＭＨｚで振動するメサ型のＡＴカット水晶振動片において、
前記励振部の前記ｙ’軸方向の厚さをＴｍ（μｍ）、前記励振外周部の前記ｙ’軸方向の厚さをＴｓ（μｍ）とするとき、
式
（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍが０．０９６となるメサ型のＡＴカット水晶振動片。
【請求項２】
長辺方向をｘ軸方向、短辺方向をｚ’軸方向、厚さ方向をｙ’軸方向とし、前記ｘ軸方向の長さＭｘが７２４μｍから７３５μｍの矩形の励振部と、前記励振部の外周に形成され前記励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、３８.４ＭＨｚで振動するメサ型のＡＴカット水晶振動片において、
前記励振部の前記ｙ’軸方向の厚さをＴｍ（μｍ）、前記励振外周部の前記ｙ’軸方向の厚さをＴｓ（μｍ）とするとき、
式
（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍが０．１９となるメサ型のＡＴカット水晶振動片。
【請求項３】
長辺方向をｘ軸方向、短辺方向をｚ’軸方向、厚さ方向をｙ’軸方向とし、前記ｘ軸方向の長さＭｘが７２９μｍから７３５μｍの矩形の励振部と、前記励振部の外周に形成され前記励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、３８.４ＭＨｚで振動するメサ型のＡＴカット水晶振動片において、
前記励振部の前記ｙ’軸方向の厚さをＴｍ（μｍ）、前記励振外周部の前記ｙ’軸方向の厚さをＴｓ（μｍ）とするとき、
式
（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍ が０．２４となるメサ型のＡＴカット水晶振動片。
【請求項４】
前記励振外周部の周囲を囲み且つ前記励振外周部を支持する外枠を有する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のメサ型のＡＴカット水晶振動片。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のメサ型のＡＴカット水晶振動片と、
凹部が形成され前記凹部に前記メサ型のＡＴカット水晶振動片を収容するベースと、
前記凹部を密閉するリッドと、
を備える水晶デバイス。
【請求項６】
一主面と他主面とを有する請求項４に記載のメサ型のＡＴカット水晶振動片と、
前記外枠の一主面に接合される第１面を有するリッドと、
前記外枠の他主面に接合される第２面を有するベースと、
を備える水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メサ型のＡＴカット水晶振動片及びこのメサ型のＡＴカット水晶振動片を備える水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
厚み滑り振動片の代表的なものの一つとしてＡＴカット水晶振動片が知られている。このＡＴカット水晶振動片をパッケージ内に収納した水晶デバイスは、各種の電子機器に周波数の基準源として広く採用されている。これらの水晶デバイスは小型化が進んでおり、より効率的に振動エネルギーの閉じ込め効果を得るためにＡＴカット水晶振動片の主面の外周に傾斜領域を設けるベベル加工やコンベックス加工等の曲面加工が施されている。
【０００３】
ベベル加工やコンベックス加工等の曲面加工は、特許文献１に開示されるように、一般にバレル研磨法と呼ばれる方法で水晶振動片の外周に傾斜領域を形成している。しかし、最近はウエハ工法によるＡＴカット水晶振動片の作製が進み、曲率加工を行うことが困難になった。そのため、メサ形状（段差形状）加工をＡＴカット水晶振動片に施し、曲率加工の代用としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１８６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしメサ形状のＡＴカット水晶振動片は、振動部で発生する主振動の振動エネルギーと、振動部周囲に形成される振動外周部で発生する不要振動の振動エネルギー等とが混在した状態となり、ＡＴカット水晶振動片の特性を劣化させるという問題があった。
【０００６】
本発明は、振動部の厚さ及び振動外周部の厚さを適切な値にすることで不要振動の発生が抑えられ、特性の劣化が防がれ、不良品発生率が低減されたメサ型のＡＴカット水晶振動片を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点のメサ型のＡＴカット水晶振動片は、矩形の励振部と、励振部の外周に形成され励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、３８.４ＭＨｚで振動するメサ型のＡＴカット水晶振動片において、振動部の厚さをＴｍ（μｍ）、励振外周部の厚さをＴｓ（μｍ）とするとき、式（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍが０．０４８以上であり０．２より小さい。
【０００８】
第２観点のメサ型のＡＴカット水晶振動片は、第１観点において、励振外周部の周囲を囲み且つ励振外周部を支持する外枠を有する。
【０００９】
第３観点の水晶デバイスは、第１観点に記載のメサ型のＡＴカット水晶振動片と、凹部が形成され凹部にメサ型のＡＴカット水晶振動片を収容するベースと、凹部を密閉するリッドと、を備える。
【００１０】
第４観点の水晶デバイスは、一主面と他主面とを有する第２観点に記載のメサ型のＡＴカット水晶振動片と、外枠の一主面に接合される第１面を有するリッドと、外枠の他主面に接合される第２面を有するベースと、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、振動部の大きさを適切な値にすることで不要振動の発生を抑え、不良品発生率が低減されたメサ型のＡＴカット水晶振動片を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は、水晶デバイス１００の斜視図である。  （ｂ）は、水晶デバイス１００の断面図である。  （ｃ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図２】（ａ）は、ＡＴカット水晶振動片３０の平面図である。  （ｂ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図３Ａ】（ａ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が２μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。  （ｂ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が４μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。
【図３Ｂ】（ｃ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が６μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。  （ｄ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が８μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。  （ｅ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が１０μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。
【図４】（ａ）は、水晶デバイス２００の斜視図である。  （ｂ）は、図４（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【図５】（ａ）は、リッド２１０の平面図である。  （ｂ）は、ＡＴカット水晶振動片２３０の平面図である。  （ｃ）は、ベース２２０の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１４】
（第１実施形態）
＜水晶デバイス１００の構成＞
図１（ａ）は、水晶デバイス１００の斜視図である。水晶デバイス１００は、リッド１０、ベース２０、及びベース２０内に載置されているＡＴカット水晶振動片３０（図１（ｂ）参照）により構成されている。ＡＴカットの水晶振動片は、主面が人工水晶の結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜している。このため、水晶デバイス１００の長辺方向をｘ軸方向、水晶デバイス１００の短辺方向をｚ’軸方向、水晶デバイス１００の上下方向をｙ’軸方向として説明する。また本明細書の説明としてｙ’軸方向の高低を、＋方向を高く−方向を低いと表現する。
【００１５】
ベース２０は、内側にキャビティ２４（図１（ｂ）参照）が形成されており、キャビティ２４にはＡＴカット水晶振動片３０が載置されている。また、ベース２０の底面には外部電極２１が形成されている。リッド１０は、キャビティ２４を密封するようにベース２０の＋ｙ’軸側に配置されている。リッド１０は、セラミックス、ガラス、水晶又は金属等の材料により形成される。また、ベース２０は、セラミックス、ガラス又は水晶等により形成される。
【００１６】
図１（ｂ）は、水晶デバイス１００の断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ又は後述する図１（ｃ）のＣ−Ｃの断面図になっている。ベース２０には凹部が形成されることによりキャビティ２４が形成される。キャビティ２４の下部には接続電極２２が形成されており、接続電極２２は、導通部（不図示）を通じて外部電極２１と電気的に接続されている。ＡＴカット水晶振動片３０には、励振部３１と励振部３１の外周に形成されている励振外周部３２とが形成されている。励振外周部３２は励振部３１よりも厚さが薄く形成されている。励振部３１の上下の主面には励振電極３３が形成されている。また励振外周部３２には引出電極３４が形成されており、この引出電極３４は励振電極３３と電気的に接続される。励振電極３３及び引出電極３４は、水晶の表面にクロム（Ｃｒ）層が形成され、クロム層の表面に金（Ａｕ）層を形成することにより作られている。また、引出電極３４は導電性接着剤４１を通して接続電極２２と電気的に接続される。そのため、励振電極３３は外部電極２１と電気的に接続されることになる。
【００１７】
図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。ベース２０にはキャビティ２４に２つの接続電極２２が形成されている。一方の接続電極２２はＡＴカット水晶振動片３０の励振部３１の上面に形成されている励振電極３３と電気的に接続されており、他方の接続電極２２は励振部３１の下面に形成されている励振電極３３と電気的に接続されている。
【００１８】
図２（ａ）はＡＴカット水晶振動片３０の平面図である。ＡＴカット水晶振動片３０のｘ軸方向は、水晶の結晶軸のＸ軸方向に一致している。また、ＡＴカット水晶振動片３０のｚ’軸方向は、水晶の結晶軸のＸ軸方向を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜した方向と一致している。ＡＴカット水晶振動片３０の外形のｘ軸方向の長さＧｘは例えば９９０μｍであり、ＡＴカット水晶振動片３０の外形のｚ’軸方向の長さＧｚは例えば６６８μｍである。また、励振部３１のｘ軸方向の長さをＭｘ、ｚ’軸方向の長さをＭｚとする。
【００１９】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。ＡＴカット水晶振動片３０の励振外周部３２の厚さをＴｓ、励振部３１の厚さをＴｍ、励振部３１と励振外周部３２との段差の高さをｈとする。励振部３１と励振外周部３２との段差はＡＴカット水晶振動片３０の＋ｙ’軸側の面と−ｙ’軸側の面とに形成されており、どちらの段差の高さも同じ高さに形成されている。また、段差の高さｈは正であり、励振部３１の厚さＴｍは励振外周部３２の厚さＴｓよりも大きい。励振部３１の厚さＴｍは、例えば４１．８μｍである。
【００２０】
＜励振部３１の厚さＴｍ及び励振外周部３２の厚さＴｓに関して＞
ＡＴカット水晶振動片３０の実際の製造工程では、励振部３１の長さＭｘを精度よく形成することは難しく、励振部３１の長さＭｘの製造誤差許容範囲が狭い場合には製品の不良率が上がる。そのため、励振部３１の長さＭｘは製造誤差許容範囲を広く取ることができる設計とされることが望ましい。この製造許容範囲は、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値が低くなる範囲が選択されることによりＡＴカット水晶振動片３０に発生する不要振動が抑えられるように決められる。以下、図３Ａ（ａ）から図３Ｂ（ｅ）を参照して励振部３１の長さＭｘの製造誤差許容範囲を広く取ることができる励振外周部３２の厚さＴｓ及び励振部３１の厚さＴｍの関係について説明する。
【００２１】
図３Ａ（ａ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が２μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。（Ｔｍ−Ｔｓ）が２μｍである場合は段差の高さｈが１μｍである場合に相当する。また、励振部３１の厚さＴｍが４１．８μｍである時に、励振外周部３２の厚さＴｓは３９．８μｍとなる。図３Ａ（ａ）の横軸は励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘ（μｍ）を示し、縦軸はＣＩ値を示している。
【００２２】
図３Ａ（ａ）中の黒い菱形は、振動周波数が３８．４ＭＨｚ、（Ｔｍ−Ｔｓ）が２μｍの条件における実験値を示している。実験は１つの長さＭｘの値に対して複数のＡＴカット水晶振動片３０が作製され、それぞれのＡＴカット水晶振動片３０に対してＣＩ値が求められている。図中の一点鎖線は、各長さＭｘの値におけるＣＩ値の最高値と最低値との中間値を線分で結んでいる。以下、長さＭｘの製造誤差許容範囲を考慮するための目安として、ＣＩ値の最高値と最低値との中間値が８０Ω以下となる長さＭｘの範囲をグラフより推測する。図３Ａ（ａ）では、長さＭｘが約７２３μｍより小さい時に中間値が８０Ωより低くなっている。グラフからはＣＩ値の中間値が８０Ω以下になる長さＭｘの幅Ａ１を求めることはできない。また、この時の（Ｔｍ−Ｔｓ）とＴｍとの比（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは０．０４８となる。
【００２３】
図３Ａ（ｂ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が４μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。図３Ａ（ｂ）中の黒い菱形は、振動周波数が３８．４ＭＨｚ、（Ｔｍ−Ｔｓ）が４μｍの条件における実験値を示している。（Ｔｍ−Ｔｓ）が４μｍである場合は段差の高さｈが２μｍである場合に相当する。また、励振外周部３２の厚さＴｓは３７．８μｍとなる。段差の高さｈ以外は図３Ａ（ａ）と同様であるのでその説明を省略する。図３Ａ（ｂ）では、長さＭｘが約７１４μｍから約７３１μｍの間でＡＴカット水晶振動片３０のＣＩ値の最高値と最低値との中間値が８０Ω以下になると思われる。そのため、このＣＩ値の中間値が８０Ω以下になる長さＭｘの幅Ａ２は約１７μｍと推測される。また、この時の（Ｔｍ−Ｔｓ）とＴｍとの比（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは０．０９６となる。
【００２４】
図３Ｂ（ｃ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が６μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。図３Ｂ（ｃ）中の黒い菱形は、振動周波数が３８．４ＭＨｚ、（Ｔｍ−Ｔｓ）が６μｍの条件における実験値を示している。（Ｔｍ−Ｔｓ）が６μｍである場合は段差の高さｈが３μｍである場合に相当する。また、励振外周部３２の厚さＴｓは３５．８μｍとなる。段差の高さｈ以外は図３Ａ（ａ）と同様であるのでその説明を省略する。図３Ｂ（ｃ）では、長さＭｘが約７２３μｍから約７３６μｍの間でＡＴカット水晶振動片３０のＣＩ値の最高値と最低値との中間値が８０Ω以下になると思われる。そのため、このＣＩ値の中間値が８０Ω以下になるＭｘの幅Ａ３は約１３μｍと推測される。また、この時の（Ｔｍ−Ｔｓ）とＴｍとの比（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは０．１４となる。
【００２５】
図３Ｂ（ｄ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が８μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。図３Ｂ（ｄ）中の黒い菱形は、振動周波数が３８．４ＭＨｚ、（Ｔｍ−Ｔｓ）が８μｍの条件における実験値を示している。（Ｔｍ−Ｔｓ）が８μｍである場合は段差の高さｈが４μｍである場合に相当する。また、励振外周部３２の厚さＴｓは３３．８μｍとなる。段差の高さｈ以外は図３Ａ（ａ）と同様であるのでその説明を省略する。図３Ｂ（ｄ）では、長さＭｘが約７２４μｍから約７３５μｍの間でＡＴカット水晶振動片３０のＣＩ値の最高値と最低値との中間値が８０Ω以下になると思われる。そのため、このＣＩ値の中間値が７２３Ω以下になるＭｘの幅Ａ４は約１１μｍと推測される。また、この時の（Ｔｍ−Ｔｓ）とＴｍとの比（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは０．１９となる。
【００２６】
図３Ｂ（ｅ）は、（Ｔｍ−Ｔｓ）が１０μｍである場合のＣＩ値と励振部３１のｘ軸方向の長さＭｘとの相関を示したグラフである。図３Ｂ（ｅ）中の黒い菱形は、振動周波数が３８．４ＭＨｚ、（Ｔｍ−Ｔｓ）が１０μｍの条件における実験値を示している。（Ｔｍ−Ｔｓ）が１０μｍである場合は段差の高さｈが５μｍである場合に相当する。また、励振外周部３２の厚さＴｓは３１．８μｍとなる。段差の高さｈ以外は図３Ａ（ａ）と同様であるのでその説明を省略する。図３Ｂ（ｅ）では、長さＭｘが約７２９μｍから約７３５μｍの間でＡＴカット水晶振動片３０のＣＩ値の最高値と最低値との中間値が８０Ω以下になると思われる。そのため、このＣＩ値の中間値が８０Ω以下になる長さＭｘの幅Ａ５は約６μｍと推測される。また、この時の（Ｔｍ−Ｔｓ）とＴｍとの比（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは０．２４となる。
【００２７】
製品の不良発生率を下げるためには長さＭｘの製造許容範囲は１０μｍ以上であることが好ましく、ＡＴカット水晶振動片３０が搭載された水晶発振器の諸特性に影響を及ぼさない状態にするには、ＣＩ値を８０Ω以下とすることが好ましい。図３Ａ（ａ）から図３Ｂ（ｅ）における幅Ａ１から幅Ａ５の中で１０μｍ以上となるのは（Ｔｍ−Ｔｓ）が４μｍから８μｍの場合である。この時、（Ｔｍ−Ｔｓ）とＴｍとの比（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは、０．０９６から０．１９である。また、図３Ａ（ａ）は、幅Ａ１は不明であるものの、幅Ａ２から幅Ａ５では（Ｔｍ−Ｔｓ）が小さくなるに従ってその値は大きくなっており、幅Ａ１も１０μｍ以上であると推測される。従って、（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは、０．０４８以上であれば良いと考えられる。
【００２８】
また、（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍの最大値は誤差を考えると概ね０．２よりも小さい値であれば良いと考えられる。すなわち、（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは、０．０４８以上であり０．２より小さい値であることが望ましい。つまり、振動周波数が３８．４ＭＨｚのＡＴカット水晶振動片３０においては、（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは、０．０４８以上であり０．２より小さい値である時に、長さＭｘの製造誤差許容範囲を広く取ることができ、製品の不良率を下げることができると考えられる。またこの時にＡＴカット水晶振動片３０のＣＩ値が下がり、振動部の不要振動の発生が抑えられ、特性の劣化が防止することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
ＡＴカット水晶振動片３０には外枠が形成されていても良い。以下に、外枠が形成されているＡＴカット水晶振動片を備える水晶デバイス２００について説明する。
【００３０】
＜水晶デバイス２００の構成＞
図４（ａ）は、水晶デバイス２００の斜視図である。水晶デバイス２００は、リッド２１０と、ＡＴカット水晶振動片２３０と、ベース２２０とにより構成されている。水晶デバイス２００は、上部にリッド２１０が配置され、下部にベース２２０が配置され、ＡＴカット水晶振動片２３０はリッド２１０とベース２２０とに挟まれた位置に配置されている。また、ベース２２０の下面には外部電極２２１が形成されている。リッド２１０及びベース２２０は、ガラス又は水晶等の材料で形成されている。
【００３１】
図４（ｂ）は、図４（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。ＡＴカット水晶振動片２３０は、励振部２３１と励振部２３１の外周に形成されている励振外周部２３２とが形成されており、また励振外周部２３２の周囲を囲むように外枠２３５が形成されている。励振部２３１の一主面と他主面とにはそれぞれ励振電極２３３が形成され、引出電極２３４は励振電極２３３から励振外周部２３２を通り外枠２３５に形成されている。ＡＴカット振動片２３０は、一対の励振電極２３３により電圧が印加されることにより所定の振動数で振動する。リッド２１０は外枠２３５の一主面とリッド２１０の−ｙ’軸側の面に形成されている第１面２１１において接合され、ベース２２０は外枠２３５の他主面とベース２２０の＋ｙ’軸側の面に形成されている第２面２２３において接合される。また、ベース２２０の＋ｙ’軸側の面には接続電極２２２が形成されており、接続電極２２２はＡＴカット水晶振動片２３０と接合される時に引出電極２３４と接続される。また、接続電極２２２は導通部（不図示）を通して外部電極２２１と電気的に接続されている。
【００３２】
ＡＴカット水晶振動片２３０は、励振部２３１の厚さがｔ、励振外周部２３２の厚さがＧｙになるように形成されている。励振部２３１と励振外周部２３２との段差は＋ｙ’軸側の面と−ｙ’軸側の面とに形成されており、その高さはｈである。また、ＡＴカット水晶振動片３０と同じくＡＴカット水晶振動片２３０は人工水晶で形成されており、ＡＴカット水晶振動片２３０の軸方向は、ＡＴカット水晶振動片３０の軸方向と同じである。
【００３３】
図５（ａ）は、リッド２１０の平面図である。リッド２１０は、ｘ軸方向に長軸、ｚ’軸方向に短軸がある長方形の主面を有している。また、−ｙ’軸側の面の外周部にはＡＴカット水晶振動片２３０の外枠２３５に接続されている第１面２１１が形成されており、中央部には第１面２１１に囲まれるように凹部２１２が形成されている。
【００３４】
図５（ｂ）は、ＡＴカット水晶振動片２３０の平面図である。ＡＴカット振動片２３０と外枠２３５とは接続腕２３６により接続されている。外枠２３５は励振外周部２３２を接続腕２３６で支持している。励振部２３１に形成されている励振電極２３３から引き出されている引出電極２３４は、励振外周部２３２及び接続腕２３６を通り、外枠２３５の角まで形成されている。引出電極２３４は、外枠２３５の角の接続点２３７においてベース２２０に形成されている接続電極２２２と接続される。接続点２３７は、図５（ｂ）で点線の楕円で示している外枠２３５の角の−ｙ’軸側の面に形成されている。ＡＴカット水晶振動片２３０の励振外周部２３４のｘ軸方向の長さＧｘは例えば９９０μｍであり、ＡＴカット水晶振動片２３０の励振外周部２３４のｚ’軸方向の長さＧｚは例えば７００μｍである。また、励振部２３１のｘ軸方向の長さをＭｘ、ｚ’軸方向の長さをＭｚとする。
【００３５】
図５（ｃ）はベース２２０の平面図である。ベース２２０の＋ｙ’軸側の面の外周部には、ＡＴカット水晶振動片２３０の外枠２３５と接合する面である第２面２２３が形成されており、第２面２２３の内側には凹部２２５が形成されている。ベース２２０の＋ｙ’軸側の面の第２面２２３の一部にはＡＴカット水晶振動片２３０の引出電極２３４の接続点２３７に電気的に接続する接続電極２２２が形成されている。
【００３６】
ＡＴカット水晶振動片に外枠が形成されていても、励振外周部と外枠とは接続腕で接続されているのみであり、励振外周部で発生する不要振動の振動エネルギーを大きく変化させない。そのため、（Ｔｍ−Ｔｓ）／Ｔｍは、０．０４８以上であり０．２より小さい値であることはＡＴカット水晶振動片２３０にも適用することができる。
【００３７】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０、２１０  …  リッド
２０、２２０  …  ベース
２１、２２１  …  外部電極
２２、２２２  …  接続電極
２４、２２４  …  キャビティ
３０、２３０  …  ＡＴカット水晶振動片
３１、２３１  …  励振部
３２、２３２  …  励振外周部
３３、２３３  …  励振電極
３４、２３４  …  引出電極
４０  …  封止材
４１  …  導電性接着剤
１００、２００  …  水晶デバイス
２１１  …  第１面
２１２、２２５  …  凹部
２２３  …  第２面
２３５  …  外枠
２３６  …  接続腕
２３７  …  接続点
【図１】
0005624410.tif 000002
【図２】
0005624410.tif 000003
【図３Ａ】
0005624410.tif 000004
【図３Ｂ】
0005624410.tif 000005
【図４】
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【図５】
0005624410.tif 000007