(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、
前記裏打ち層は、非晶質構造を有する軟磁性膜からなり、前記軟磁性膜はＣｏＦｅ合金を含み、
前記下地層は、ＣｏとＦｅとの何れか一方又は両方を含有するＮｉＷ合金を含み、且つ、このＮｉＷ合金中のＷの含有量が３〜１０原子％、Ｃｏ及びＦｅの含有量の合計が５原子％以上４０原子％未満であり、且つ、このＮｉＷ合金の飽和磁束密度Ｍｓが２８０ｅｍｕ／ｃｍ３以上であり、なお且つ、この下地層の厚みが２〜２０ｎｍであり、
前記下地層は、前記裏打ち層に直に接しており、
前記中間層は、Ｒｕ又はＲｕ合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ＣｏＦｅ合金中のＦｅの含有量が５〜６０原子％であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行う単磁極ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録方式は、従来、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁化遷移領域付近での反磁界が小さくなるため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。
【０００３】
垂直磁気記録媒体は、非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる。非磁性基板と垂直磁気記録層との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けた場合には、いわゆる垂直２層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性裏打ち層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、これによって記録再生効率を向上させることができる。
【０００４】
また、下地層は、その上に設けられた中間層及び垂直磁気記録層の粒径や配向を決める支配的な要素であるので、磁気記録媒体の記録再生特性を決めるためには、その材料の選定が非常に重要となる。このため、下地層に用いられる各種材料が提案されている。例えば、Ｔｉ合金（例えば、特許文献１参照。）や、ＮｉＦｅＣｒ合金（例えば、特許文献２参照。）など、ｈｃｐ構造やｆｃｃ構造、またＴａなど非晶質構造などを挙げることができる。
【０００５】
また、裏打ち層と垂直磁気記録層との間に下地層を設けると、磁気ヘッドと裏打ち層の表面との間の距離が下地層の厚み分だけ長くなる。この場合、十分な書き込みを行うためには、裏打ち層を厚くする必要が生じるものの、下地層に軟磁気特性を有する材料を用いることで、裏打ち層の役割と、その上に設けられた中間層の結晶配向の両方を制御することが可能となる。
【０００６】
しかしながら、従来提案されてきた媒体構成では、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を得るには不十分であり、この問題を解決し且つ安価に製造が可能な垂直磁気記録媒体が要望されていた。
【０００７】
そこで、本出願人は、裏打ち層を構成する軟磁性膜を非晶質構造とし、下地層にＮｉＷ合金、中間層にＲｕ合金を用いた垂直磁気記録媒体を提案している（特許文献３を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第２６６９５２９号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３２３９号公報
【特許文献３】特開２００７−１７９５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、下地層は、その上に形成されるＲｕ中間層の核発生を制御する働きを有する重要な層であり、１０ｎｍ程度の厚さが必要である。しかしながら、下地層は、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間にあるため、この下地層を厚くすると、磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との磁気結合性が低くなり、オーバーライト(ＯＷ)特性が低下してしまう。
【００１０】
例えば、下地層に９４Ｎｉ６Ｗ合金を用いた場合、この９４Ｎｉ６Ｗ合金の飽和磁束密度(Ｍｓ)は２５０ｅｍｕ／ｃｍ３程度しかなく、この程度では磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との磁気結合性を高めるには不十分である。また、ＮｉＷ合金中のＷの含有量を減らすことにより、このＮｉＷ合金のＭｓを高めることができるものの、その変化量は小さい。また、それによってＲｕ中間層の核発生を制御する働きも低下してしまう。
【００１１】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、下地層のＭｓを高めつつ、中間層の核発生を制御する効果を維持することによって、優れたＯＷ特性を得ることを可能とした垂直磁気記録媒体、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は以下の手段を提供する。
（１）  少なくとも非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、
前記裏打ち層は、非晶質構造を有する軟磁性膜からなり、
前記下地層は、ＣｏとＦｅとの何れか一方又は両方を含有するＮｉＷ合金を含み、且つ、このＮｉＷ合金中のＷの含有量が３〜１０原子％、Ｃｏ及びＦｅの含有量の合計が５原子％以上４０原子％未満であり、且つ、このＮｉＷ合金の飽和磁束密度Ｍｓが２８０ｅｍｕ／ｃｍ３以上であり、なお且つ、この下地層の厚みが２〜２０ｎｍであり、
前記中間層は、Ｒｕ又はＲｕ合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（２）  前記軟磁性膜がＣｏＦｅ合金を含むことを特徴とする前項（１）に記載の垂直磁気記録媒体。
（３）  前記ＣｏＦｅ合金中のＦｅの含有量が５〜６０原子％であることを特徴とする前項（１）又は（２）に記載の垂直磁気記録媒体。
（４）  前項（１）〜（３）の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行う単磁極ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明では、下地層を構成するＮｉＷ合金にＦｅやＣｏを添加することにより、このＮｉＷ合金の飽和磁束密度Ｍｓを２８０ｅｍｕ／ｃｍ３以上に高めることが可能であり、また、その上に形成されるＲｕ又はＲｕ合金からなる中間層の核発生を制御する効果を維持することも可能である。したがって、本発明によれば、優れたＯＷ特性を有する垂直磁気記録媒体、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図２】裏打ち層の基板面内成分におけるＨＳループを示す特性図である。
【図３】本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を適用した垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１６】
（垂直磁気記録媒体）
本発明を適用した垂直磁気記録媒体は、例えば図１に示すように、非磁性基板１の両面に、裏打ち層２と、下地層３と、中間層４と、垂直磁気記録層５と、保護層６とが順に積層されてなると共に、最上層に潤滑膜７が成膜された構成となっている。なお、図１においては、非磁性基板１の片面のみを図示している。
【００１７】
このうち、非磁性基板１としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
【００１８】
また、ガラス基板としては、例えば、非晶質ガラスや、結晶化ガラスを用いることができ、さらに、非晶質ガラスとしては、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。一方、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。
【００１９】
非磁性基板１は、平均表面粗さＲａが０．８ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であることが、記録密度を高める点から好ましい。また、非磁性基板１は、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下、好ましくは０．２５ｎｍ以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させて高記録密度記録を行う点から好ましい。このように、非磁性基板１の表面を平坦化することによって、中間層４及び垂直磁気記録層５の結晶配向を高め、記録再生特性を向上させ、また、ヘッドを低浮上させることが可能となる。
【００２０】
裏打ち層２は、第１軟磁性膜８と、Ｒｕ膜９と、第２軟磁性膜１０とが順に積層された構造を有している。すなわち、この裏打ち層２は、２層の軟磁性膜８，１０の間にＲｕ膜９を挟み込むことによって、Ｒｕ膜９の上下の軟磁性膜８，１０がアンチ・フェロ・カップリング(ＡＦＣ)結合した構造を有している。これにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【００２１】
第１及び第２軟磁性膜８，１０は、例えばＣｏＦｅ合金からなる。これら軟磁性膜８，１０にＣｏＦｅ合金を用いることで、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現でき、また、後述する下地層３にＮｉＷ合金を用いることにより、更に優れた記録再生特性を得ることができる。なお、第１及び第２軟磁性膜８，１０を成膜する際は、非磁性基板１の半径方向に磁界を与えた状態で、スパッタリング法によりＣｏＦｅ合金膜を形成することが好ましい。
【００２２】
また、ＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、ＣｏＦｅ合金の非晶質化が促進され、ＮｉＷ合金の配向性を向上させることが可能となる。また、ＣｏＦｅ合金に対するＺｒ、Ｔａ、Ｎｂの添加量は、５〜１５原子％の範囲であることが好ましい。
【００２３】
ＣｏＦｅ合金中のＦｅの含有量は、５〜６０原子％の範囲であることが好ましい。Ｆｅの含有量が５原子％未満であると、飽和磁束密度Ｂｓが低くなり好ましくない。一方、Ｆｅの含有量が６０原子％を超えると、腐食性が悪化するため好ましくない。
【００２４】
裏打ち層２の厚みは、２０〜８０ｎｍの範囲であることが好ましい。裏打ち層２の厚みが２０ｎｍ未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化するために好ましくない。一方、裏打ち層２の厚みが８０ｎｍを超えると、生産性が著しく低下するために好ましくない。
【００２５】
また、裏打ち層２では、第１及び第２軟磁性膜８，１０を非晶質構造とすることで、表面粗さＲａが大きくなることを防ぐことができる。これにより、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、さらに高記録密度化が可能となる。
【００２６】
ここで、裏打ち層２を構成する第１及び第２軟磁性膜８，１０におけるＡＦＣ結合の大きさを示す指標として「Ｈｂｉａｓ」を定義したとき、裏打ち層２は、このＨｂｉａｓの値が８０（Ｏｅ）以上であることが好ましい。これにより、外磁場耐性及びＷＡＴＥ耐性を高めることが可能である。「Ｈｂｉａｓ」は、図２に示すように、飽和磁束密度をＭｓとし、飽和磁束密度Ｍｓの半値の磁界Ｍｓ/２と定義したものであり、第１及び第２軟磁性膜８，１０に上記材料を用いて、これら軟磁性膜８，１０の間に設けたＲｕ膜９の厚みを所定の厚み（例えば０．６〜０．８ｎｍ）とすることで、上記Ｈｂｉａｓの値を満足することできる。なお、図２は、裏打ち層２の基板面内成分（裏打ち層２を形成する軟磁性膜８，１０の磁化容易軸方向）におけるヒステリシス(ＭＨ)ループを示す。
【００２７】
また、第１及び第２軟磁性膜８，１０は、１０（Ｏｅ）以下、好ましくは５（Ｏｅ）以下とするのが好ましい。なお、１（Ｏｅ）は、約７９Ａ／ｍである。
【００２８】
下地層３は、その上に設けられた垂直磁気記録層５の配向や結晶サイズを制御するためのものであり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするために、また情報が記録される垂直磁気記録層５の磁化の方向をより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定するために設けられている。この作用は、特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなる。
【００２９】
また、下地層３は、ＮｉＷ合金からなり、なお且つ、ＮｉＷ合金は、ＣｏとＦｅとの何れか一方又は両方を含有し、且つ、このＮｉＷ合金中のＷの含有量が３〜１０原子％、Ｃｏ及びＦｅの含有量の合計が５原子％以上４０原子％未満であることが好ましい。
【００３０】
ＮｉＷ合金中のＷの含有量が３原子％未満又は１０原子％を越えると、垂直磁気記録媒体の配向や結晶サイズを制御する効果が低下するため好ましくない。また、Ｃｏ及びＦｅの含有量の合計が５原子％未満であると、この合金の飽和磁束密度Ｍｓを２８０ｅｍｕ／ｃｍ３以上に高めることが困難となるため好ましくない。一方、Ｃｏ及びＦｅの含有量の合計が４０原子％以上になると、垂直磁気記録媒体の配向や結晶サイズを制御する効果が低下するため好ましくない。
【００３１】
本発明では、下地層３を構成するＮｉＷ合金にＦｅやＣｏを添加することにより、このＮｉＷ合金の飽和磁束密度Ｍｓを２８０ｅｍｕ／ｃｍ３以上に高めることが可能である。また、その上に形成されるＲｕ又はＲｕ合金からなる中間層４の核発生を制御する効果を維持することも可能である。
【００３２】
なお、ＮｉＷ合金には、結晶サイズ低減及び中間層４との結晶格子サイズの整合性を高める目的で、他の元素を添加することが可能である。例えば、結晶サイズを低減する目的では、Ｂ、Ｍｎなどを添加してもよく、この場合、Ｂ、Ｍｎの含有量は６原子％以下であることが好ましい。また、中間層４との結晶格子サイズの整合性を高める目的では、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどを添加することが可能である。
【００３３】
下地層３の厚みは、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。下地層３の厚みが２ｎｍ未満であると、下地層３としての効果が不十分となり、粒径の微細化の効果を得ることができず、また配向も悪化するので好ましくない。一方、下地層３の厚みが２０ｎｍを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
【００３４】
中間層４は、垂直磁性層をｃ軸配向した柱状晶とするための層であり、その成長面はドーム状の形状を有している。このような中間層４は、例えばＲｕ又はＲｕ合金からなる。また、中間層４の厚みは、３０ｎｍ以下、好ましくは１６ｎｍ以下であることが好ましい。中間層４を薄くすることで、磁気ヘッドと裏打ち層２との間の距離が小さくなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。その結果、裏打ち層２の厚みを更に薄くすることができ、生産性を向上させることが可能となる。
【００３５】
垂直磁気記録層５は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。この垂直磁気記録層５は、少なくともＣｏとＰｔを含み、更にＳＮＲ特性改善などの目的で、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを添加してもよい。また、酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２などを挙げることができる。
【００３６】
酸化物の体積率は１５〜４０体積％であることが好ましい。この酸化物の体積率が１５体積％未満であると、ＳＮＲ特性が不十分となるため好ましくない。一方、この酸化物の体積率が４０体積％を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
【００３７】
垂直磁気記録層５のニュークリエーション磁界（−Ｈｎ）は、２．０（ｋＯｅ）以上であることが好ましい。−Ｈｎが２．０（ｋＯｅ）未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。
【００３８】
垂直磁気記録層５の厚みは、６〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。例えば、酸化物グラニュラー層の厚みがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、ＯＷ特性の悪化が生じないために好ましい。
【００３９】
なお、垂直磁気記録層５は、単層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる２層以上の構造とすることもできる。
【００４０】
保護層６は、垂直磁気記録層５の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのものであり、従来公知の材料、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものを用いることができる。保護層６の厚みは、１〜５ｎｍの範囲であることが、磁気ヘッドと媒体表面との距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
【００４１】
潤滑膜７には、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００４２】
以上のように、本発明を適用した垂直磁気記録媒体では、下地層３を構成するＮｉＷ合金にＦｅやＣｏを添加することにより、このＮｉＷ合金の飽和磁束密度Ｍｓを２８０ｅｍｕ／ｃｍ３以上に高めることが可能であり、また、その上に形成されるＲｕ又はＲｕ合金からなる中間層４の核発生を制御する効果を維持することも可能である。したがって、本発明によれば、優れたＯＷ特性を有する垂直磁気記録媒体、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することが可能である。
【００４３】
（磁気記録再生装置）
図３は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示すものである。
この磁気記録再生装置は、上記図１に示す構成を有する垂直磁気記録媒体５０と、垂直磁気記録媒体５０を回転駆動させる媒体駆動部５１と、垂直磁気記録媒体５０に情報を記録再生する磁気ヘッド５２と、この磁気ヘッド５２を垂直磁気記録媒体５０に対して相対運動させるヘッド駆動部５３と、記録再生信号処理系５４とを備えている。また、記録再生信号処理系５４は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド５２に送り、磁気ヘッド５２からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能となっている。
【００４４】
本発明を適用した磁気記録再生装置では、上記垂直磁気記録媒体の更なる高記録密度化という要望に応えるべく、垂直磁気記録層５に対する書き込み能力に優れた単磁極ヘッドを磁気ヘッド５２に用いている。そして、上記垂直磁気記録媒体では、このような単磁極ヘッドに対応するために、非磁性基板１と垂直磁気記録層５との間に裏打ち層２を設けて、単磁極ヘッドと垂直磁気記録層５との間の磁束の出入りの効率向上を図っている。
【００４５】
また、磁気記録再生装置では、再生素子として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有した、より高記録密度に適した磁気ヘッド５２を用いることができる。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本発明は、上記垂直磁気記録層５に磁気的に分離された磁気記録パターンを有する垂直磁気記録媒体に適用することも可能である。具体的に、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体としては、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を挙げることができる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００４８】
本実施例では、先ず、非磁性基板としてガラス基板（ＭＹＧ社製非晶質基板ＭＥＬ３、直径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。このガラス基板上に、７１Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−４Ｎｂ（Ｃｏ含有量７１原子％、Ｆｅ含有量２０原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｎｂ含有量４原子％）からなる第１軟磁性膜を２０ｎｍ（実施例１〜８、比較例１〜５，８，９）、Ｒｕ膜を０．８ｎｍ、７１Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−４Ｎｂからなる第２軟磁性膜を２０ｎｍ（実施例１〜８、比較例１〜５，８，９）成膜して裏打ち層を形成した。なお、比較例６では各軟磁性膜を１２．５ｎｍ、比較例７では２７．５ｎｍとした。また、これら軟磁性膜の結晶構造が非晶質構造であることをＸＲＤで確認した。
【００４９】
次に、この上に、下記表１に示すように、組成及び層厚を異ならせた下地層を成膜し、この上に、Ｒｕからなる中間層を１２ｎｍ成膜し、垂直磁気記録層として、６０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−１０ＳｉＯ２を１０ｎｍ、６５Ｃｏ−１８Ｃｒ―１４Ｐｔ−３Ｂを６ｎｍ成膜した。そして、この上に、ＣＶＤ法により４ｎｍの保護層を形成した後、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、実施例１〜８及び比較例１〜４の垂直磁気記録媒体を得た。
【００５０】
そして、これら実施例１〜８及び比較例１〜４の垂直磁気記録媒体について、記録再生特性及び上書き(ＯＷ)特性の評価を行った。その評価結果を表１に示す。また、表１には、各下地層の飽和磁束密度Ｍｓを示す。
【００５１】
【表１】
0005616606.tif 000002
【００５２】
なお、記録再生特性の評価については、記録部にシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素子を備えた磁気ヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度１０００ｋＦＣＩとして測定した。
一方、上書き特性（ＯＷ）特性の評価については、５００ｋＦＣＩの信号を書いた上に６７ｋＦＣＩの信号を書いたあとの、最初の信号の残りを測定することで評価した。評価結果を表１に示す。 
【００５３】
表１に示すように、実施例１〜８の垂直磁気記録媒体は、比較例１〜４の垂直磁気記録媒体によりもＳ／Ｎの低下を極力抑え、一方で優れたＯＷ特性が得られた。なお、比較例２では、ＯＷ特性に優れるもののＳ／Ｎが低下している。
【符号の説明】
【００５４】
１…非磁性基板  ２…裏打ち層  ３…下地層  ４…中間層  ５…垂直磁気記録層  ６…保護層  ７…潤滑膜  ８…第１軟磁性膜  ９…Ｒｕ膜  １０…第２軟磁性膜  ５０…垂直磁気記録媒体  ５１…媒体駆動部  ５２…磁気ヘッド  ５３…ヘッド駆動部  ５４…記録再生信号処理系
【図１】
0005616606.tif 000003
【図２】
0005616606.tif 000004
【図３】
0005616606.tif 000005