(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有底筒状の金属製ハウジングに収納されたコイルを発振回路により高周波発振駆動し、コイルの中心線と交差するハウジング検出面を介して被検出物に交番磁界を作用させ、当該被検出物に発生する渦電流により前記コイルに鎖交する磁束変化を通じて被検出物の存在を非接触で検出する高周波発振型近接センサであって、
前記ハウジングは、少なくも前記有底筒状の金属製ハウジングの底部に相当するハウジング検出面に磁性体領域と非磁性体領域が連続するように一体に形成されている高周波発振型近接センサ。
【請求項２】
前記ハウジング検出面のうち少なくともコイルの内径領域に対向する領域内に磁性体領域が形成されている請求項１記載の高周波発振型近接センサ。
【請求項３】
取付面にねじ嵌合するねじ部が外周面に形成されたハウジング側面が、磁性体領域に形成されている請求項１又は２記載の高周波発振型近接センサ。
【請求項４】
前記金属製ハウジングは、熱処理によって非磁性化されたオーステナイト系のステンレス鋼板の所定部位を有底筒状に塑性変形させて加工誘起変態によって強磁性のマルテンサイト相を発現させて前記ハウジング検出面に磁性体領域が形成されている請求項１乃至３のいずれか１項記載の高周波発振型近接センサ。
【請求項５】
前記金属製ハウジングは、強磁性のマルテンサイト系のステンレス鋼板を有底筒状に塑性変形させ、所定部位を加熱して加熱変態を生じさせて非磁性のオーステナイト相を発現させて、非磁性体領域が形成されている請求項１乃至３のいずれか１項記載の高周波発振型近接センサ。
【請求項６】
前記金属製ハウジングは、磁性体領域を形成する強磁性のステンレス鋼と非磁性体領域を形成する非磁性のステンレス鋼が有底筒状に接合されてなる請求項１乃至３のいずれか１項記載の高周波発振型近接センサ。
【請求項７】
前記コイルに通電することにより前記ハウジング検出面を通じて交番磁界を発生させる発振回路と、該発振回路の出力電圧に基づいてＯＮまたはＯＦＦ信号を発生させる比較回路と、該比較回路の出力を増幅する出力回路と、を備えた誘導形近接センサとして用いられる請求項１乃至６のいずれか１項記載の高周波発振型近接センサ。
【請求項８】
前記コイルに通電することにより前記ハウジング検出面を通じて交番磁界を発生させる発振回路と、該発振回路の出力をリニアに補正するリニアライザと、該リニアライザのリニア出力を増幅する出力回路と、を備えた渦電流形変位センサとして用いられる請求項１乃至６のいずれか１項記載の高周波発振型近接センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波発振型近接センサに係り、詳しくは、誘導形近接センサ若しくは渦電流形変位センサの検出距離および検出感度の向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波発振型近接センサは、工作機械、搬送機械、食品機械などのあらゆる産業分野で利用されている。近接センサ実装時にはターゲット（検出体、検出対象、検出物）との距離、平行度などが検出感度および精度に大きく影響すること、自動車、搬送業界などで、ターゲットが近接センサの検出面に接触すると、破損や故障の原因となりやすいことから、検出距離の長距離化が要求されてきている。また、ガス溶接、アーク溶接時に飛散する微粒子から近接センサを保護するために、ステンレス鋼製のハウジングをもつ近接センサが開発されている。しかし、検出面がステンレス鋼である近接センサは、検出距離が短いために検出距離の長距離化が強く要求されている。
さらに、ステンレス鋼製のハウジングをもつ渦電流形変位センサも工作機械などに多用されており、上述と同様の理由によって測定範囲の拡大が強く望まれている。
【０００３】
高周波発振型近接センサの一例を挙げると、筒状の非磁性の金属ハウジング内に円環状の溝が形成されたコアを収納し、コアの溝内には被検出体の検出面にむけてコイルが巻き付けられている。金属ケースの検出面は、合成樹脂性の保護キャップで覆われている。
【０００４】
発振回路から励振電流がコイルに流れると磁束F が発生する。この磁束F が金属製のターゲットに作用すると電磁誘導の法則によりターゲットに渦電流Ieが流れる。ターゲットと検出面との間の変位xに応じて磁束量が変化するために、ターゲットに流れる渦電流Ieが変わり、その結果としてコイルのインピーダンス（コイルの抵抗ＲとインダクタンスＬおよびＱ値）が変化して、発振回路の出力電圧が変化する。
【０００５】
誘導形近接センサの場合、発振回路の出力電圧を比較回路において基準電圧と比較することにより、コイルのインピーダンスの変化に基づいて二値のＯＮまたはＯＦＦ信号を発生させて、出力回路を通じて、その信号に対応した出力電圧Ｖs として出力させる。この出力電圧ＶsのレベルがＯＮまたはＯＦＦに切り替わる変位が検出距離Sとなる。
【０００６】
渦電流形変位センサの場合、発振回路からの出力信号はリニアライザによって変位xに比例するように変換され、出力回路を通じて出力電圧Ｖs として出力させる。この出力電圧Ｖsが変位xに比例する範囲が測定範囲Ｘとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−７４５１９号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した高周波発振型近接センサにおいては、金属ハウジングの検出面を樹脂製の保護カバーにより覆われていたため、例えばセンサの使用環境によっては使い難い場合がある。
例えば、溶接等を伴う製造現場のラインに設ける場合には火花が飛んで保護カバーが破損するおそれがある。また、食品加工現場においては、異なる部材間の隙間に水や果汁等が浸入し易く、センサ検出面のシール性や細菌の繁殖などの衛生面の管理に不安を伴う。
また、金属ハウジングにも渦電流が流れるために、コイルのインピーダンスが変化して検出距離Sや測定範囲Ｘが短くなる。そのために、検出距離Sや測定範囲Ｘを長くするためには大きなコア外径、すなわち大型の近接センサが必要になる。
【０００９】
また、近接センサは、金属ハウジングの外周面に螺旋状のねじ部が形成されており、金属板よりなる取付面に設けられたねじ孔にねじ嵌合させて組み付けられる。この金属板にもセンサの磁束Fが作用して渦電流が発生するために、金属板の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さによって検出距離Ｓや測定範囲Ｘが変化する。このため、検出距離Ｓや測定範囲Ｘが取付面の特性に依存しないことも望まれていた。
【００１０】
本発明の目的は、上記課題を解決し、シール性が高く、検出距離や測定範囲が長く、しかも取付面により検出性能が影響を受け難い高周波発振型近接センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本願発明は以下の手段を有する。
有底筒状の金属製ハウジングに収納されたコイルを発振回路により高周波発振駆動し、コイルの中心線と交差するハウジング検出面を介して被検出物に交番磁界を作用させ、当該被検出物に発生する渦電流により前記コイルに鎖交する磁束変化を通じて被検出物の存在を非接触で検出する高周波発振型近接センサであって、前記ハウジングは、少なくも前記有底筒状の金属製ハウジングの底部に相当するハウジング検出面に磁性体領域と非磁性体領域が連続するように一体に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
また、前記ハウジング検出面のうち少なくともコイルの内径領域に対向する領域内に磁性体領域が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、取付面にねじ嵌合するねじ部が外周面に形成されたハウジング側面が、磁性体領域に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、前記金属製ハウジングは、熱処理によって非磁性化されたオーステナイト系のステンレス鋼板の所定部位を有底筒状に塑性変形させて加工誘起変態によって強磁性のマルテンサイト相を発現させてハウジング検出面に磁性体領域が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、前記金属製ハウジングは、強磁性のマルテンサイト系のステンレス鋼板を有底筒状に塑性変形させ、所定部位を加熱して加熱変態を生じさせて非磁性のオーステナイト相を発現させて、非磁性体領域が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、前記金属製ハウジングは、磁性体領域を形成する強磁性のステンレス鋼と非磁性体領域を形成する非磁性のステンレス鋼が有底筒状に接合されてなることを特徴とする。
【００１７】
また、前記コイルに通電することによりハウジング検出面を通じて交番磁界を発生させる発振回路と、該発振回路の出力電圧に基づいてＯＮまたはＯＦＦ信号を発生させる比較回路と、該比較回路の出力を増幅する出力回路と、を備えた誘導形近接センサとして用いられることを特徴とする。
【００１８】
また、前記コイルに通電することによりハウジング検出面を通じて交番磁界を発生させる発振回路と、該発振回路の出力をリニアに補正するリニアライザと、該リニアライザのリニア出力を増幅する出力回路と、を備えた渦電流形変位センサとして用いられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
上述した高周波発振型近接センサを用いれば、少なくもハウジング検出面に磁性体領域と非磁性体領域が各々形成されているので、コイルへ通電することで発生するより多くの磁束が、磁性体領域を通じてより遠くまでターゲットに作用させることができるようになる。よって、近接センサを大型化することなく、小型でも感度を高めて検出距離や測定範囲を拡大することができる。
また、有底筒状の金属製ハウジングに収納されたコイルを発振回路により高周波発振駆動し、コイルの中心線と交差するハウジング検出面を介して被検出物に交番磁界を作用させるので、シール性が高く、センサ使用環境の影響を受けにくく、汎用性を向上させることもできる。
【００２０】
また、取付面にねじ嵌合するねじ部が外周面に形成されたハウジング側面が磁性体領域に形成されていると、コイルが作る磁束を磁性体領域であるハウジング側面が磁気シールドするために、ねじ部が取り付けられる金属板の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さに依存せずに、安定した検出距離や測定範囲が得られる。
【００２１】
また、ハウジングは非磁性若しくは強磁性のいずれのステンレス鋼を用いてもハウジング検出面に磁性体領域と非磁性体領域を安価に一体に形成することが可能であり、シール性を損なうことなくハウジングを製造することができるうえに、ハウジング検出面の所定部位に磁性体領域を形成して該磁性体領域に磁束が誘導されるために、ハウジングの厚さを厚くすることができるので、高信頼性を有する誘導型近接センサや渦電流形変位センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明における誘導形近接センサの構造図である。
【図２】有限要素法を適用した本発明に係る誘導形近接センサヘッドと比較例に係る誘導形近接センサヘッドの構造図である。
【図３】本発明に係る近接センサと比較例に係る近接センサのコイル６の抵抗R−変位x特性、インダクタンスL−変位x特性およびＱ値−変位x特性を示した図である。
【図４】本発明に係る近接センサと比較例に係る近接センサのターゲットに生ずる渦電流損に起因する抵抗Rt(x)−変位特性を示した図である。
【図５】本発明に係る近接センサと比較例に係る近接センサの、電子回路シミュレータに設定したコルピッツ発振回路を示した図である。
【図６】本発明と比較例に係る近接センサの出力電圧Ｖｏ−変位x特性を示したグラフ図である。
【図７】本発明と比較例に係る近接センサの検出感度ｄＶｏ／ｄx―変位x特性を示したグラフ図である。
【図８】本発明の実施形態にかかる誘導形近接センサの他の実施例を示した図である。
【図９】本発明の実施形態にかかる誘導形近接センサの他の実施例を示した図である。
【図１０】本発明の実施形態にかかる渦電流形変位センサの構造を示した図である。
【図１１】本発明の実施形態にかかる渦電流形変位センサの他の実施例を示した図である。
【図１２】本発明の実施形態にかかる渦電流形変位センサの他の実施例を示した図である。
【図１３】ハウジングの製造方法の一例を示す概略図である。
【図１４】ハウジングの製造方法の他例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
[実施例１]
以下、添付した図面を参照して本発明に係る高周波発振型近接センサの一例として誘導形近接センサについて詳細に説明する。図１は誘導形近接センサ１の構造を示す模式図である。
【００２４】
誘導形近接センサ１は、有底筒状の金属製ハウジング３に収納されたコイル６を発振回路８により高周波発振駆動し、コイル６の中心線Mと交差するハウジング検出面７を介して被検出物（ターゲット）２に交番磁界を作用させ、当該被検出物（ターゲット）２に発生する渦電流によりコイル６に鎖交する磁束変化を通じて被検出物（ターゲット）２の存在を非接触で検出する高周波発振型近接センサである。
【００２５】
ハウジング３は、少なくもハウジング検出面７に磁性体領域１３と非磁性体領域１４が各々形成されている。具体的には、ハウジング検出面７のうち少なくともコイル３の内径領域に対向する領域内に磁性体領域１３が形成されている。また、取付面にねじ嵌合するねじ部４が外周面に形成されたハウジング３の側面が、磁性体領域１３に形成されている。コイル６は、ハウジング検出面７に溝部５ａを向けて設けられたコア５の溝部５ａに巻き付けられている。
【００２６】
発振回路８から励振電流Iがコイル６に流れると磁束F が発生する。この磁束F が金属製のターゲット２に作用すると電磁誘導の法則によりターゲット２に渦電流Ieが流れる。ターゲット２とハウジング検出面７との間の変位xに応じて磁束量が変化するために、ターゲット２に流れる渦電流Ieが変わり、その結果としてコイル６のインピーダンス（コイル６の抵抗ＲとインダクタンスＬおよびＱ値）が変化して、発振回路８の出力電圧が変化する。この変化を比較回路９において基準電圧と比較することにより、二値のＯＮまたはＯＦＦ信号を発生させて、出力回路１０を通じて出力電圧Ｖs として出力させる。この出力電圧ＶsのレベルがＯＮまたはＯＦＦに切り替わる変位xが検出距離Ｓである。ハウジング検出面７の一部に設けた磁性体領域１３の存在によって、ターゲット２により多くの磁束F が、より遠くまで作用するために検出距離Sが向上する。
【００２７】
さらに、ハウジング３の側面であるねじ部４が磁性体領域１３で構成されており、コイル６が作る磁束Fを磁性体領域１３が磁気シールドするために、ねじ部４が取り付けられる金属板（図示せず）の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さに依存せずに、安定した検出距離Sが得られる。
【００２８】
ここで、ハウジング３の構造の一例についてその製法とともに説明する。図１３において、ハウジング３は、熱処理によって非磁性化されたオーステナイト系のステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０３，ＳＵＳ３０４等）が用いられる。このハウジング３の所定部位を塑性変形させて加工誘起変態によって強磁性のマルテンサイト相を発現させて磁性体領域１３が形成されている。
【００２９】
具体的には、図１３に示すように、熱処理によって非磁性化されたオーステナイト系のステンレス鋼板を絞り加工して有底筒状に成形し、ハウジング側部にねじ加工を行なってねじ部４を形成する。その後、ハウジング３を保持冶具１５に保持させたままハウジング検出面７の所定部位（コイル３の内径領域に対向する領域内）に押圧具１６を回転させながら押圧加工して、加工誘起変態によって強磁性のマルテンサイト相を発現させてハウジング検出面７の一部に磁性体領域１３が形成される。
尚、ねじ部４は、磁性体領域１３が形成された後にねじ加工を行なって形成しても良い。
【００３０】
次に、図１４はハウジング３の他例に係る構造をその製法とともに説明する。本実施例のハウジング３は、強磁性のマルテンサイト系のステンレス鋼板（例えばＳＵＳ４０３，ＳＵＳ４１０等）が用いられ、所定部位を加熱して加熱変態を生じさせて非磁性のオーステナイト相を発現させて、非磁性体領域１３が形成されている。
【００３１】
具体的には、図１４に示すように、強磁性のマルテンサイト系のステンレス鋼板をプレス加工によって絞り加工を行なって有底筒状に成形した後に、ねじ部４のねじ加工が施される。
その後、ハウジング３を保持冶具１５に保持させたまま回転させて、ハウジング検出面７の所定部位（磁性体領域外）にレーザ発生装置１７からレーザ光１８を径方向に走査しながら照射することにより、強磁性であるマルテンサイト系のステンレス鋼を熱改質によって非磁性のオーステナイト相を発現させてハウジング検出面７に非磁性体領域１４が形成される。尚、ねじ部４は、非磁性体領域１４が形成された後にねじ加工を行なって形成しても良い。
【００３２】
更には、ハウジング３の他例として、磁性体領域１３を形成する強磁性のステンレス鋼と非磁性体領域１４を形成する非磁性のステンレス鋼が接合されて形成されるようにすることも可能である。
【００３３】
次に数値電磁界解析ソフトウェア（有限要素法）適用して本発明に係るセンサヘッド部と、比較例に係るセンサヘッド部について検出距離の解析結果について対比して説明する。
【００３４】
図２（ａ）は比較例に係るハウジング３であり、ハウジング検出面７が非磁性材よりなる。図２（ｂ）は本発明に係るハウジング３であり、ハウジング検出面７に磁性体領域１３を非磁性体領域１４が形成されている。金属製ハウジング３の寸法は、Ｍ１２サイズ（１９×１０）、ハウジング３の厚さは１ｍｍ、ターゲット２は冷間圧延鋼板ＳＰＣＣでφ２５ｍｍ、厚さ１ｍｍである。コイル６の銅線は導体径０.０８ｍｍ、コイル巻数は１００回であり、銅線１本毎にその構造を入力した。
【００３５】
表１は、有限要素法の解析条件である。ハウジング３の磁性体領域の比透磁率mr ＝１００、抵抗率r ＝ ０．７２mWｍ、非磁性体領域では比透磁率mr ＝ １、抵抗率r ＝ ０．７２mWｍとした。また、ターゲット２は冷間圧延鋼板ＳＰＣＣを想定して比透磁率mr ＝２８９、抵抗率r ＝ ０．１４mWｍとした。さらに、コアの複素透磁率m'とm”を入力した。励振電流の周波数１０ｋHｚ〜１００ｋHｚ範囲におけるコイル６のインピーダンスを求めた。
【００３６】
【表１】
0005487391.tif 000002
【００３７】
図３は有限要素法によって得られた比較例と本発明に係る近接センサの特性であり、図３（ａ）はコイル６の抵抗Ｒ−変位ｘ特性、図３（ｂ）はインダクタンスL−変位ｘ特性、図３（ｃ）はＱ値−変位ｘ特性である。有限要素法の解析結果では、比較例と本発明ともに、コイル６のＱ値が最も大きくなる励振電流の周波数は４０ｋＨｚであり、図３は周波数４０ｋＨｚにおける特性である。図３（ａ）に示したように、コイル６の抵抗Rは変位ｘに対して単調減少した。また、図３（ｂ）に示したように、インダクタンスLは変位ｘに対して一定であった。したがって、図３（ｃ）に示したように、コイル６のＱ値は変位ｘに対して単調増加した。なお、コイルのＱ値は数１で、変位xに依存するコイルの抵抗R(x)は数２で表される。
【００３８】
【数１】
0005487391.tif 000003
【００３９】
【数２】
0005487391.tif 000004
【００４０】
ここに、ｆ：励振電流の周波数（Ｈｚ）、Ｌ：コイル６のインダクタンス（Ｈ）、Ｒｄｃ：コイル６の直流抵抗（Ω）、Ｒｓ：コイル６の導線の表皮効果に起因する抵抗（Ω）、Ｒｐ：コイル６の近接効果に起因する抵抗（Ω）、Ｒｃ：コア５の鉄損に起因する抵抗（Ω）、Ｒｈ：ハウジング３に生ずる渦電流損に起因する抵抗（Ω）、Ｒｔ(x)：変位xに依存するターゲット２に生ずる渦電流損に起因する抵抗（Ω）である。
【００４１】
図３（ｂ）に示したように、コイル６のインダクタンスLは変位xによらず一定である。また、コイル６の直流抵抗Rdc、コイル６の表皮効果に起因する抵抗Rs、コイル６の近接効果に起因する抵抗Rp、コア５の鉄損に起因する抵抗Rc、ハウジング３に生ずる渦電流損に起因する抵抗Rh も変位xによらず一定であり、ターゲット２の渦電流損に起因する抵抗Rt(x)だけが変位xに依存している。よって、変位xに対して、ターゲット２に生ずる渦電流損に起因する抵抗Rt(x)を増加させることが検出距離Sの長距離化につながる。
【００４２】
ターゲット２に生ずる渦電流損に起因する抵抗Rt(x)は数３で与えられる。ターゲット２に生ずる渦電流損に起因する抵抗Rt(x)は、変位xが任意の位置にあるときのコイル６の交流抵抗R（ｘ）から、変位xが無限大におけるコイル６の交流抵抗R（∞）を減じた値となる。
【００４３】
【数３】
0005487391.tif 000005
【００４４】
図４に、本発明と比較例に係る近接センサ１のターゲット２の渦電流損に起因する抵抗Rt(x)−変位x特性を示した。ターゲット２の渦電流損に起因する抵抗Rt(x)は変位xに対して単調減少した。この単調減少は、変位xが増加するとターゲット２に作用する磁束F が減少することに起因している。本発明と比較例のターゲット２の渦電流損に起因する抵抗Rt(x)を比較すると、本発明のターゲット２の渦電流損に起因する抵抗Rt(x)の方が比較例より大きい。これは、ハウジング検出面７の一部に設けた磁性体領域１３（磁束通路）の存在によって、ターゲット２により多くの磁束F が、より遠くまで作用するためである。
【００４５】
図５は、発振回路８に用いるコルピッツ発振回路１９である。有限要素法によって得られた比較例の構造および本発明のコイル６の抵抗RとインダクタンスＬの値を回路シミュレータに入力して、ターゲット２の変位xに対応した出力電圧Ｖｏを求めた。
【００４６】
表２は図５に示したコルピッツ発振回路１９の回路パラメータである。コルピッツ発振回路１９の発振周波数が４０ｋＨｚ、変位x→∞のときに出力電圧Ｖｏ＝ ５００ｍＶ一定となるように比較例の構造と本発明の近接センサの各回路パラメータを設定した。
【００４７】
【表２】
0005487391.tif 000006
【００４８】
図６は比較例と本発明の近接センサにおける出力電圧Ｖｏ−変位ｘ特性である。出力電圧Ｖｏは変位ｘに対して単調増加した。
【００４９】
図７に比較例と本発明に係る近接センサの検出感度ｄＶｏ／ｄｘ―変位ｘ特性を示した。同図は、図６に示した比較例と本発明に係る近接センサの出力電圧Ｖｏ−変位ｘ特性のデータを６次の多項式で近似して、変位ｘで微分することで求めた。検出距離Sを向上させるためには、比較回路９において安定したＯＮとＯＦＦ信号を発生させる必要がある。つまり、検出感度ｄＶｏ／ｄxを向上させることが必須である。比較例の検出距離S ＝２.０ ｍｍにおける感度ｄＶｏ／ｄｘ＝ ２８Ｖ/ｍｍを基準とすると、本発明における検出距離はS ＝ ２.５ ｍｍとなった。すなわち、本発明の近接センサは、検出距離Sが比較例に比べて１.２５倍に拡大した。この原因は、ハウジング検出面７の一部に設けた磁性体領域１３（磁束通路）の存在によって、ターゲット２により多くの磁束F が、より遠くまで作用するためである。
【００５０】
さらに、ねじ部４が磁性体領域１３で構成されており、コイル６が作る磁束Fを磁性体領域１３が磁気シールドするために、ねじ部４が取り付けられる金属板（図示していない）の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さに依存せずに、安定した検出距離Sが得られる。
【００５１】
[実施例２]
図８は、本発明の実施の形態にかかる誘導形近接センサ１の他の実施例である。ハウジング検出面７の外周縁部であるねじ部４だけを磁性体領域１３としてある。コイル６が作る磁束Fを磁性体領域１３が磁気シールドするために、ねじ部４が取り付けられる金属板（図示せず）の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さに依存せずに、安定した検出距離Sが得られる。
【００５２】
[実施例３]
図９は、誘導形近接センサ１の他の実施例である。本実施例では、ハウジング検出面７の一部分（コア５と対向する領域）だけを磁性体領域１３としてあり、他の部分は非磁性体領域１４となっている。実施例１と同様にハウジング検出面７の一部に設けた磁性体領域１３の存在によって、ターゲット２により多くの磁束F が、より遠くまで作用するようになり、検出距離Sが向上する。
【００５３】
[実施例４]
図１０は、高周波発振型近接センサの一例である渦電流形変位センサ１１の実施例である。
ステンレス鋼製のハウジング３内にコイル６が内蔵されている。発振回路８から励振電流Iがコイル６に流れると磁束F が発生する。この磁束F が金属製のターゲット２に作用すると電磁誘導の法則によりターゲット２に渦電流Ieが流れる。ターゲット２とハウジング検出面７との間の変位xに応じて磁束量が変化するために、ターゲット２に流れる渦電流Ieが変わり、その結果としてコイル６の抵抗RとインダクタンスLおよびＱ値が変化する。発振回路８からの出力信号はリニアライザ１２によって変位xに比例するように変換され、出力回路１０を通じて出力電圧Vs として出力させる。この出力電圧Vsが変位xに比例する範囲が測定範囲Xである。
上記のコイル６が発振要素の場合もターゲット２に流れる渦電流Ieが変わり、その結果としてコイル６の抵抗RとインダクタンスLおよびＱ値が変化し、この出力電圧Vsが変位xに比例する範囲が測定範囲Xとなる。
【００５４】
実施例１に示した誘導形近接センサ１と同様に、ハウジング検出面７の一部に設けた磁性体領域１３の存在によって、ターゲット２により多くの磁束F が、より遠くまで作用するようになり、測定範囲Xが向上する。さらに、ねじ部４が磁性体領域１３で構成されており、コイル６が作る磁束Fを磁性体領域１３が磁気シールドするために、ねじ部４が取り付けられる金属板（図示していない）の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さに依存せずに、安定した測定範囲Xが得られる。
【００５５】
[実施例５]
図１１は、渦電流形変位センサ１１の他の実施例である。実施例２に示した誘導形近接センサ１と同様に、ねじ部４（ハウジング検出面７の外周縁部）だけが磁性体領域１３で構成されており、コイル６が作る磁束Fを磁性体領域１３が磁気シールドするために、ねじ部４が取り付けられる金属板（図示せず）の材料特性（透磁率や抵抗率）や厚さに依存せずに、安定した測定範囲Xが得られる。
【００５６】
[実施例６]
図１２は、渦電流形変位センサ１１の他の実施例である。実施例３に示した誘導形近接センサ１と同様に、ハウジング検出面７の一部に設けた磁性体領域１３の存在によって、ターゲット２により多くの磁束F が、より遠くまで作用するようになり、測定範囲Xが向上する。
【００５７】
誘導形近接センサの実施例では、ハウジング３コイル６はコア５に内蔵されていた。しかし、これに限定されるものではなく、コア５を省略してコイル６だけでも良い。
【００５８】
また、渦電流形変位センサの実施例では、ハウジング３内にコイル６のみが設けられコイルコア５が省略されていたが、これに限定されるものではなく、コイル６はコア５に内蔵されていても良い。
【符号の説明】
【００５９】
１  近接センサ
２  ターゲット
３  ハウジング
４  ねじ部
５  コア
６  コイル
７  ハウジング検出面
８  発振回路
９  比較回路
１０  出力回路
１１  渦電流形変位センサ
１２  リニアライザ
１３  磁性体領域
１４  非磁性体領域
１５  保持冶具
１６  押圧具
１７  レーザ発生装置
１８  レーザ光
１９  コルピッツ発振回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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