(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波構造において、
フィルタとして構成された第１の高周波コンポーネント（ＦＲＸ）と、
前記フィルタが配置された信号経路（ＲＸ）と、
前記フィルタがアースに接続されている少なくとも１つのアース接続部（ＭＡ）と、
前記アース接続部と電磁的に結合する結合素子（ＫＥ）とを有しており、
前記結合素子によって出力結合された電流が前記フィルタの信号経路（ＲＸ）へ供給される、高周波構造。
【請求項２】
第１の高周波コンポーネント（ＦＲＸ）が有する信号経路とは別の信号経路（ＴＸ）を有し、前記フィルタとともに前記アース接続部（ＭＡ）を介して共通のアースに接続された第２の高周波コンポーネント（ＦＴＸ）をさらに含んでいる、請求項１に記載の高周波構造。
【請求項３】
少なくとも１つの前記アース接続部（ＭＡ）は有限の接続インダクタンスを有しており、
前記結合素子（ＫＥ）は結合インダクタンスとして構成されている、請求項１または２に記載の高周波構造。
【請求項４】
前記結合素子（ＫＥ）と結合する前記アース接続部は前記構造のアース接続部（ＭＡ）の全体の一部であるにすぎず、
前記アース接続部のインダクタンス（ＬＫ）は前記構造の各アース接続部の合計のインダクタンスよりも大きく、
前記アース接続部のインダクタンスと前記結合素子のインダクタンスとの間のインダクタンス比率は１よりも小さく設定される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項５】
１つまたは複数の前記コンポーネント（ＦＲＸ，ＦＴＸ）は多層基板（ＳＵ）の上に配置されており、
前記結合素子（ＫＥ）および前記アース接続部（ＭＡ）の少なくとも一部は前記多層基板で導体区域、導体ループ、アース平面、スルーホールコンタクト、またはこれらの要素の組み合わせとして構成されている、請求項１から４までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項６】
前記結合素子（ＫＥ）は少なくとも１つの導体ループを形成している、請求項１から５までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項７】
前記アース接続部はスルーホールコンタクトである、請求項１から６までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項８】
前記アース接続部は導体ループを含んでいる、請求項１から７までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項９】
前記結合素子（ＫＥ）は、少なくとも区域的にスルーホールコンタクトとして構成された前記アース接続部（ＭＡ）の周囲で案内される少なくとも１つの導体ループを形成している、請求項１から８までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１０】
前記結合素子（ＫＥ）と前記アース接続部は互いに並列に案内される導体区域またはスルーホールコンタクトとして施工されている、請求項１から９までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１１】
前記結合素子（ＫＥ）から前記アース接続部までの間隔は他のアース接続部（ＭＡ）までの間隔よりも短い、請求項１０に記載の高周波構造。
【請求項１２】
前記結合素子（ＫＥ）は前記コンポーネントのうちの１つ（ＦＲＸ）の信号経路（ＲＸ）で直列に配線されている、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１３】
前記結合素子（ＫＥ）は前記コンポーネントのうちの１つ（ＦＲＸ）の信号経路（ＲＸ）に対して並列に配線されている、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１４】
両方の前記コンポーネントは高周波フィルタ（ＦＲＸ，ＦＴＸ）として構成されており、共通のアンテナ（Ａ）と配線されている、請求項２から１３までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１５】
両方の前記コンポーネントはそれぞれ高周波フィルタ（ＦＲＸ，ＦＴＸ）として構成されて送受切換器をなすように配線されており、前記結合素子（ＫＥ）は前記送受切換器のＲＸ経路へ結合電流を供給する、請求項２から１３までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１６】
１つまたは複数の前記コンポーネント（ＦＲＸ，ＦＴＸ）は多層基板（ＳＵ）の上に配置されるとともにこれを介して配線されており、
前記多層基板は複数の誘電体層を含んでおり、これらの誘電体層の間にそれぞれ構造化された金属被覆平面が配置されており、
前記多層基板は多層セラミック、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、ガラスファイバ強化エポキシ樹脂、有機ラミネート、またはガラスラミネートの中から選択されている、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１７】
前記第１および前記第２のコンポーネントは高周波フィルタ（ＦＲＸ，ＦＴＸ）として構成されており、
前記高周波フィルタは互いに独立してＳＡＷ、ＢＡＷ、誘電セラミックフィルタ、またはＬＣフィルタをなしている、請求項２から１５までのいずれか１項に記載の高周波構造。
【請求項１８】
フィルタとして構成されて信号経路（ＲＸ）に配置された高周波コンポーネント（ＦＲＸ）が回路周辺部のアースに接続されるアース接続部のインダクタンスを補償する方法において、
前記アース接続部（ＭＡ）は有限のインダクタンスを生じており、
前記アース接続部と結合する結合素子（ＫＥ）が設けられることによって、前記アース接続部を介してアース電流が流れ出るときの前記アース接続部のインダクタンスに依存する阻止帯抑圧への影響が抑圧され、前記アース電流（ＩＴＧ）によって前記結合素子で結合電流（−ＩＴＧ）が誘導されて前記コンポーネントの信号経路（ＲＸ）に供給される、方法。
【請求項１９】
共通のアース接続部と接続された第２の高周波コンポーネント（ＦＲＸ）に対する第１の高周波コンポーネント（ＦＴＸ）の絶縁のために適用され、
前記第１のコンポーネント（ＦＴＸ）は前記アース接続部を介しての通電によって前記第２のコンポーネント（ＦＲＸ）に電圧降下を誘導し、
前記アース接続部と結合する結合素子（ＫＥ）によってアース電流（ＩＴＧ）から結合電流（−ＩＴＧ）が誘導されて前記第２のコンポーネント（ＦＲＸ）の信号経路（ＲＸ）へ供給され、それにより前記第１のコンポーネント（ＦＴＸ）のアース電流によって生成される電圧降下を少なくとも部分的に補償する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記アース接続（ＭＡ）は複数の回線を介して行われ、
少なくとも１つの回線を含んでいる前記アース接続部の部分は前記結合素子（ＫＥ）と結合し、結合電流（−ＩＴＧ）は前記第２のコンポーネントの信号経路（ＲＸ）へ直列に供給される、請求項１８または１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
送受切換器は、ＦＤＤ（周波数分割復信）法で送信信号と受信信号を分離する役目をするものであり、送信機および受信機としての役目をする末端機器のフロントエンドで、受動的な周波数分割回路として利用される。送受切換器では両方の帯域通過フィルタがさまざまな方策によって相互に配線されていてよく、それによって同時の送信と受信が可能になる。送受切換器の開発における目的は、クロストークを最低限に抑えることにある。そのためには、送信経路と受信経路の間の絶縁部が可能な限り大きくなければならない。
【背景技術】
【０００２】
小型化が進み、多帯域用途の結果として複雑性が増すにつれて、モバイル末端機器用の送受切換器はモジュールに統合されるようになっている。小型化に伴う一般的な問題点は、そうしたモジュールが送受切換器の限られたアース接続しか許容しないという点にある。モジュール面積が限られているため、有限数の、すなわち限られた数のスルーホールコンタクトしか可能でないからである。
【０００３】
送受切換器は、共通の支持基板の上で帯域通過フィルタとして構成された２つの高周波コンポーネントを有する構造を備える、離散したコンポーネントとして施工されていてよい。米国特許出願公開第７０５３７３１Ｂ２号明細書より、基板とその上に配置された送信フィルタおよび受信フィルタを含むチップとを備える、このような送受切換器が公知である。各々のフィルタは、ここでは電気音響共振器のラダー型構造を含んでいる。あるいは送受信切換器は、これとは違ったフィルタ技術で具体化された個別フィルタを有することもでき、あるいは、それぞれ異なるフィルタ技術を利用する個別フィルタを含むこともできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第７０５３７３１Ｂ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上に挙げた特許文献１から知られているとおり、不十分なアース接続は送信／受信絶縁の明らかな低下を引き起す。アースに向かって流れ出る電流が、アース接続のインダクタンスを介して電圧降下を生成し、アース接続が不十分であると、この電圧降下が当該アースに接続されたすべての信号経路に影響を及ぼすからである。インダクタンスを介してのこうした電圧降下は、送受切換器の他の配線やパッケージの構造を通じて惹起される基本絶縁にベクトル加算される。
【０００６】
あるいは、たとえばフィルタのような単一の高周波コンポーネントでは、コンポーネントの不十分なアース接続によって、特に選択性などの特性が広帯域で劣化する可能性がある。
【０００７】
本発明の課題は、少なくとも１つの高周波コンポーネントを備える構造において、上に挙げた不十分なアース接続と結びついた欠点を回避することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この課題は、本発明によると請求項１に記載の構造によって解決される。本発明の好ま
しい実施形態、ならびに２つの高周波コンポーネントを絶縁する方法は、その他の請求項から読み取ることができる。
【０００９】
入力部および出力部と接続された信号経路を有するフィルタとして構成された第１の高周波コンポーネントを有し、少なくとも１つのアース接続部によってたとえばＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄプリント回路板）などの回路周辺部にあるアースに接続された高周波構造が提供される。この構造は、アース接続部と電磁的に結合する結合素子を有している。アース接続部を通って電流が流れるときに結合素子で誘導される結合電流は、フィルタの信号経路へ供給される。
【００１０】
このとき結合電流の出力結合と供給は、アース接続部を通って電流が流れたとき、アース接続部のインダクタンスによって惹起される電圧降下およびその信号経路に対する影響が補償されるように行われるのが好ましい。
【００１１】
特に高周波フィルタの場合、アース接続部の有限のインダクタンスは阻止帯域で極を生成し、ないしは既存の極を場合により望ましくない位置へ変位させ、それによってフィルタの選択特性が被害をうけることになる。こうした現象は、提案される構造によって完全に補償することができる。
【００１２】
１つの特別な態様では、共通のアースを有し、共通のアース接続部によって回路周辺部にあるアースに接続された第１および第２の高周波コンポーネントを備える高周波構造が提供される。この場合、アース接続部のうちの少なくとも１つと電磁的に結合する結合素子が設けられる。このとき結合素子により、アース接続部を通って電流が流れたときに結合電流を出力結合し、両方のコンポーネントのうちの１つの信号経路へと供給する。このとき出力結合と供給は、アース接続部を通って電流が流れたとき、アース接続部のインダクタンスによって惹起される電圧降下が低減されるように行われ、特に補償されるように行われるのが好ましい。そうした電圧降下は信号経路にも作用して、普通ならば絶縁を劣化させてしまうからである。
【００１３】
提案される高周波構造は、「不良な」アースを備えるどのようなコンポーネントでも適用することができ、ないしは、アース接続部が有限の接続インダクタンスを有している共通のアースを備える高周波コンポーネントで適用することができる。そしてアース接続部のインダクタンスを、結合インダクタンスとして施工された結合素子との結合のために利用することができる。アース電流によって惹起される信号経路での電圧降下を補償することで、両方のコンポーネントの間のクロストークを明らかに低減することができ、もしくは、最適化の後には完全に防止することさえできる。そうすると両方のコンポーネントは、いわゆる基本絶縁すなわち設計形式によって惹起される両方のコンポーネント間の有限の絶縁によって生成される、わずかなレベルのクロストークしか示さなくなる。
【００１４】
あるコンポーネントのアース接続部とは、当該コンポーネントと、一方または両方のコンポーネントを含む構造のアース接続部とのアース接続を含んでいる電気回線を意味している。すなわちアース接続には、「良好な」外部アースへの相応の電気接続を保証するすべてのコンポーネントが寄与する。このときアース接続は、ボンディングワイヤ、スタッドバンプ、はんだバンプ、または通常のはんだ付け個所を介して行われていてよい。
【００１５】
これに加えて、両方のコンポーネントが取り付けられて配置されていてよい基板の内部に配置された電気接続部がある。基板の内部のアース接続部は、特に、場合により多層である基板の１つまたは複数の誘電性層を通過する、少なくとも１つのスルーホールコンタクトを含んでいる。これに加えてアース接続部は、基板の内部で２つの誘電性層の間にそこに設けられた構造化された金属被覆平面に構成された条導体区域を含むことができる。
金属被覆平面には、長く延びる条導体区域または平坦に構成された導体面ないし金属被覆面が設けられていてよい。長く延びる条導体区域は、折れ曲げられたり折り返されたりして延びることもできる、直線状の導体区域が組み合わされてなっていてよい。導体区域から、または導体区域とスルーホールコンタクトから、アース接続部のインダクタンスを高めるために巻回部が後から形成されていてもよい。スルーホールコンタクトを含んでいる少なくとも１つのアース接続部は、結合素子と結合することができる有限のインダクタンスを有している。
【００１６】
基板アースへの、もしくはモジュール基板として構成された基板の場合にあっては高周波構造を含むモジュールが組み付けられるべき配線板のアースへの、本構造のアース接続部は、ないし両方のコンポーネントのアース接続部は、複数の並列の導体案内部を含むことができ、１つの導体案内部は、導体区域とスルーホールコンタクトとを含むことができる１つの導電接続部をなす。
【００１７】
複数の導体案内部を備えるアース接続部では、当該導体案内部の少なくとも一部が結合のために利用され、以下においてはこれを結合性アース接続部と呼ぶ。結合性アース接続部のインダクタンスは、構造のアース接続部全体のインダクタンスよりも大きいのが好ましい。結合性アース接続部のインダクタンスは、信号経路の結合素子のインダクタンスよりも小さく設定されるのが好ましい。
【００１８】
結合素子は、結合性アース接続部と同じく導体区域の形態で、これから形成される導体ループ、アース平面、スルーホールコンタクト、金属被覆面などが組み合わされてなっていてよい。十分なインダクタンスを設定するために、結合素子は少なくとも１つの導体ループを含んでいるのが好ましい。結合性アース接続部も、少なくとも１つの導体ループを含むことができる。結合性アース接続部および結合素子の導体ループは、基板において１つの共通の長軸に沿って配置されるように案内されるのが好ましい。
【００１９】
結合素子の導体ループは、少なくとも区域的にスルーホールコンタクトとして構成された結合性アース接続部の周囲で案内されていてよい。しかしながら結合素子および結合性アース接続部は、互いに並列に案内される導体区域またはスルーホールコンタクトとして施工されていてもよい。
【００２０】
結合素子から結合性アース接続部までの間隔は、構造の他のアース接続部の他の導体案内部までの間隔よりも短いのが好ましい。
【００２１】
誘導性結合において結合素子は、クロストークが低減されるべきコンポーネントの信号経路で直列に配線されていてよい。このことは、信号経路が少なくとも区域的に結合性アース接続部の近傍を案内されることによって具体化されていてよい。
【００２２】
高周波構造の１つの好ましい実施形態では、両方のコンポーネントは高周波フィルタとして構成されており、共通のアンテナと配線されている。それに応じて、高周波構造は送受切換器またはダイプレクサであってよい。
【００２３】
送受切換器において共通のアンテナは、送信経路として構成された第１の信号経路、および受信経路として構成された第２の信号経路と接続されており、両方の信号経路の各々に１つの高周波フィルタが配置されている。
【００２４】
高周波構造は、特に、多層セラミック、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ低温同時焼成セラミック）、ＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ高温同時焼成セラミック）、ガラ
スファイバ強化エポキシ樹脂、有機ラミネート、またはガラスラミネートから選択された多層基板の上に配置されている。結合素子および結合性アース接続部は、多層基板の内部に配置されているのが好ましい。
【００２５】
２つの高周波フィルタを高周波コンポーネントとして含む構造では、これらのフィルタはＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ表面弾性波）、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅバルク弾性波）、誘電性セラミックフィルタ、またはＬＣフィルタとして、互いに独立して選択される。
【００２６】
提案される構造により、共通のアース接続部を備える２つの高周波コンポーネントを絶縁する方法を具体化することができ、両方のコンポーネントの共通のアース接続部は有限のインダクタンスを備えており、両方のコンポーネントのうち第１のコンポーネントはアース接続部を通る電流によって第２のコンポーネントに電圧降下を誘導し、アース接続部の少なくとも一部と結合する結合素子によって、アース電流により結合電流が誘導されて第２のコンポーネントの信号経路へ供給され、それにより、第１のコンポーネントのアース電流により生成される電圧降下を少なくとも部分的に補償する。
【００２７】
次に、実施例と添付の図面を参照しながら、本発明について詳しく説明する。各図面は純粋に模式的に作成されているので、これらから絶対的な寸法表示も相対的な寸法表示も読み取ることはできない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】２つの高周波コンポーネントと、共通の理想的なアース接続部とを備える公知の構造である。
【図１Ｂ】送受切換器として構成された構造である。
【図１Ｃ】実際の有限のインダクタンスが生じるアース接続部を備える、送受切換器として構成された構造である。
【図２】本発明の一般的な実施例である。
【図３】結合素子が結合インダクタンスとして構成されている実施形態である。
【図４】部分アース接続部だけが結合素子と結合している実施形態である。
【図５】誘導性結合素子の第１の具体化形態である。
【図６】誘導性結合素子の別の具体化形態であり、結合素子はコイルの巻回として構成されている。
【図７】２つのループを備える結合素子、および１つのループを備える結合性アース接続部である。
【図８】結合素子を備える送受切換器と備えていない送受切換器のクロストークである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１Ａは、共通のアース接続部ＭＡＧを介してアースに接続された２つのコンポーネントＢＥ１およびＢＥ２を備える構造を、もっとも一般的な形態で示している。各々のコンポーネントは、独自の信号経路ＳＰ１，ＳＰ２を有している。アース接続部は図示しているように理想化されており、したがって抵抗もインダクタンスもない。
【００３０】
図１Ｂは、高周波構造の考えられる実施形態として、第１および第２のコンポーネントが送信フィルタＦＴＸおよび受信フィルタＦＲＸによって具体化された送受切換器を示している。第１の信号経路は送信ユニットＴＸから共通のアンテナＡへ、送信フィルタＦＴＸを通って延びている。第２の信号経路はアンテナＡから受信フィルタＦＲＸを通って、受信分路ＲＸへと延びている。この送受切換器も、理想的なアース接続部ＭＡを備えるように図示されている。
【００３１】
図１Ｃは、アース接続部が有限の接続インダクタンスＬＡを有する送受切換器を示している。信号が送信ユニットから第１の信号経路を通って流れると、このとき同時にアース電流も生成され、これがアース接続部を介して、およびそれに伴って接続インダクタンスＬＡを介してアースへと流れ出る。このときインダクタンスＬＡはアース接続部を介して電圧降下を引き起す。この電圧降下は、アースが不良である場合、ないしは接続インダクタンスが高すぎる場合、第２の信号経路でＲＸ分岐ＲＸを巡ってアンテナＡへと流れる信号に、信号を加算するように作用する。これをクロストークと呼ぶ。
【００３２】
図２は、個々の高周波コンポーネントにおいて、ここではフィルタＦＲＸにおいて、不良なアース接続および特にこれと結びついた高い接続インダクタンスＬＡのマイナスの作用が、結合素子ＫＥによって、および出力結合された信号の信号経路ＲＸへの戻し供給によってすでに低減ないし抑圧される、提案される高周波構造の一般的な実施形態を示している。そのために、接続インダクタンスＬＡが生じるアース接続部に対して空間的な近傍に取り付けられた結合素子ＫＥが設けられる。フィルタＦＲＸからアース接続部を介して流れ出る電流は結合素子ＫＥで結合電流を誘導し、この誘導電流が適当な仕方で信号経路ＲＸへ入力結合される。図面では、結合が行われる個所が破線で記号により示されている。
【００３３】
図３は、共通のアース接続を有する、（受信）フィルタＦＲＸと、送信フィルタとして構成された別の第２の高周波コンポーネントＦＴＸとを備える、ここでは送受切換器として施工された構造を示している。さらに、このような結合素子ＫＥの高周波構造への考えられる配線が図示されている。この実施形態では結合素子ＫＥは、接続インダクタンスＬＡを生じるアース接続部の導体に対して空間的な近傍に取り付けられた、別のインダクタンスないしはインダクタンスを生じる導体で構成されている。受信経路ＲＸとの配線は、結合素子ＫＥがインダクタンスとして構成されて受信分路ＲＸで直列に配線されることによって、簡単な仕方で行われる。そして送信分路ＴＸに電流ＩＴＸが流れると、その一部は送信分路のアース電流ＩＴＧとして共通のアース接続部ないし接続インダクタンスＬＡを介して流れ出る。誘導性結合を介して、空間的に隣接する結合素子ＫＥは結合電流−ＩＴＧを生成し、この結合電流は理想的なケースでは、接続インダクタンスないしアース接続部を介して流れ出る電流ＩＴＧと等しい。送信分路ＴＸ（第１の信号経路）を通って電流が流れると、第２の信号経路（受信経路）におけるわずかなクロストークにつながる有限の基本絶縁に基づいて、受信経路では、この有限の基本絶縁に基づくクロストークに呼応するＴＸ／ＲＸクロストーク電流ＩＴＲが生成される。基本絶縁を通じて印加されるこの第１の部分電流に、第２の信号経路（受信経路ＲＸ）の「不良な」アース接続部を介して印加されるクロストーク電流ＩＴＧが加算される。
【００３４】
結合電流ＩＴＧが相応に入力結合されれば、アース電流によってクロストークされるこの電流割合をちょうど補償することができる。すると第２の信号経路ＲＸの出力部には、有限の基本絶縁に基づいて回避することのできないクロストーク電流ＩＴＲだけしか流れない。
【００３５】
結合電流を逆の極性で信号経路へ供給することも原則として可能なのは当然であり、その場合、クロストークの補償は得られないが、「良好すぎる」アース接続部のマイナスの効果を補償できる可能性がある。
【００３６】
さらに別の結合素子（図面には示さず）を介して別の結合電流を出力結合し、別の信号経路（たとえば送信フィルタの信号経路）へ入力結合することも可能である。このようにして、接続インダクタンスのマイナスの効果を両方の信号経路で補償することができる。
【００３７】
接続インダクタンスＬＡ、結合素子ＫＥ、および両方の結合性インダクタンスの間の結合比率が適切に設定されていれば、アース電流により惹起されるクロストークの全面的な補償につながる所望の値に合わせて、結合電流を正確に調整することができる。
【００３８】
図４は、結合電流の程度を調整することが可能となる実施形態を示している。そのために、第１および第２のコンポーネントないしここでは送信フィルタＦＴＸおよび受信フィルタＦＲＸで構成される高周波構造のアース接続部全体が、共通の１つのアースを起点として、アース（ＰＣＢのアース）に向かって並列に案内される複数のアース接続分路に分割されており、いわば複数の導体区域に分割されている。アースに向かって案内されるこれらの接続部のうち少なくとも１つが、結合性の接続インダクタンスＬＫとして利用される。アースへと案内される導体の数やそのインダクタンスＬＫに応じて、所与の総インダクタンスで、結合性の接続インダクタンスＬＫの大きさを調整することができる。結合性の接続インダクタンスＬＫ、および結合性でない他のアース接続部の残余インダクタンスＬＲは、アース接続部の残余インダクタンスＬＲよりもＬＫのほうがはるかに大きくなるように調整される（ＬＫ＞＞ＬＲ）。
【００３９】
結合素子ＫＥによって出力結合される結合電流ＩＴＧの大きさを調整するさらに別の方法の要諦は結合素子のインダクタンス値にあり、ならびに、結合性インダクタンスＬＫと結合素子ＫＥの間の結合比率にある。
【００４０】
この解決法は、ただ１つの高周波コンポーネントを備える構造でも具体化することができる。
【００４１】
図５は、結合素子の具体的な構成を示している。このケースについては、高周波構造が基板ＳＵに組み付けられていることが想定されており、第１および第２のコンポーネントのアース接続部ＭＡは、実質的に、基板ＳＵを通過するスルーホールコンタクトを介して具体化されている。第１および第２の信号経路ＲＸ，ＴＸも、基板を通るように案内されるのが好ましい。アース接続部ＭＡに寄与するこれらのスルーホールコンタクトおよびこれと接続された導体案内部のうち少なくとも１つが、結合インダクタンスＬＫを提供するために利用される。そのために受信経路ＲＸの１つの導体区域は、インダクタンスを生じる両方の条導体区域の間で十分な結合を行えるように、結合性の接続インダクタンスＬＫに対して隣接して並列に案内されている。
【００４２】
図示した構造により、結合素子から出力結合されてＲＸ分路（受信分路ＲＸ）へ入力結合される結合電流が、共通のアース接続部ＭＡ全体を通じて受信分路ＲＸでクロストークを補償する所望の極性で得られる。図面では、第１および第２の高周波コンポーネントは、第１および第２の高周波コンポーネントのための共通のハウジングをなすことができるコンポーネントＢＥとして図示されている。
【００４３】
図６は、結合素子ＫＥをいっそう高いインダクタンスで具体化することができる、結合素子の別の実施形態を示している。そのために受信経路ＲＸは、結合素子ＫＥをなす条導体ループを備えるように施工されている。このとき条導体ループは、アース接続部ＭＡの一部である、結合インダクタンスＬＫを生じる導体区域の周囲で案内されている。この場合、これよりも多い数の条導体ループを結合インダクタンスＬＫの導体区域の周囲に位置させ、そのようにして、両方の結合性インダクタンスのインダクタンス比率を所望の仕方で調整することが可能である。
【００４４】
結合インダクタンスおよび結合素子のさらに別の改良された実施形態が、図７に示されている。ここでは、結合インダクタンスＬＫとして利用されるアース接続部の部分だけでなく、結合素子ＫＥとしての役目をする受信経路ＲＸの導体区域も、導体区域のそれぞれ
のインダクタンスを高めるために、巻回部を備えるように施工されている。
【００４５】
図７では、受信経路は同一方向に案内される２つの巻回部を備えるように施工されている。これらの巻回部（ループ）の各々は、基板ＳＵの内部で直線状の条導体区域が組み合わされてなっていてよい。結合インダクタンスＬＫが生じるアース接続部の部分も、両方のループの間で受信経路に同じ巻回方向で巻きつくループを同じく形成している。このようにして、結合素子ＫＥのインダクタンスと結合インダクタンスＬＫとの間の比率を１よりも大きく設定することができ、それにより、物理的に最大限実現可能である１よりも低い結合率ですませることができ、それにもかかわらず、ほぼ１の好ましい結合比率が得られる。
【００４６】
アース接続部が事実上完全に基板ＳＵの内部で、スルーホールコンタクトを含む導体案内部の形態で具体化されている本発明による高周波構造の実施形態では、総インダクタンスの大きさはたとえば１０ｐＨの範囲であるのに対して、そのうち結合に利用される部分は、すなわち結合インダクタンスＬＫは、約０．５ｎＨの範囲で選択される。そして、すでに述べた約５の好ましい結合比率が結合素子と結合インダクタンスの間で選択されれば、有限の接続インダクタンスにもかかわらずスルーホールコンタクトの数が低減されている現代の送受切換器において、通常であれば接続インダクタンスでの電圧降下によって惹起されるクロストークの完全な補償をすることができる。
【００４７】
図８は、一方は結合素子を備えるように施工され（曲線２）、もう一方は結合素子を備えないで施工された（曲線１）ほぼ同一構造の２つの送受切換器の、周波数に対してプロットされたクロストークを示している。ここでは一例としてクロストークを１１ｄＢだけ所望の範囲内で低減できることがわかる（約８４９メガヘルツ付近の矢印参照）。比較的高い周波数でクロストークがところどころ高くなっているという事実は、送受切換器の機能にとって重要ではない。公知の送受切換器で発生する、アース接続部のインダクタンスに基づいて生成されるクロストークは、特に、図面ではちょうどクロストークが低減されている領域に相当する送信経路ＴＸの周波数領域で起こる。残りのクロストークは、両方のフィルタの間の有限の基本絶縁にのみ帰せられるものであり、それはデザインやハウジングの技術に起因するものであって、インダクタンスを生じるアース接続部により生成されるクロストークとは関係ない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
いくつかの実施例だけを用いて、および特に送受切換器の例を用いて本発明を説明してきたが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。むしろ本発明は、共通のアース接続および特に共通のモジュールアースを介して相互に接続された第１および第２の高周波コンポーネントからなる種々の構造に適用することができる。本発明は、特に、アース接続部が少ない個数の条導体案内部を介して具体化されている構造にとって好ましく、および特に、第１および第２の高周波コンポーネントが配置された共通の基板を通る少ない個数のスルーホールコンタクトを通じて具体化されている構造にとって好ましい。不良な基板ないしモジュールアースを有しているために高いクロストークを示す構造も好ましい。
【００４９】
このとき、アース接続部の少なくとも一部が結合素子と結合することができ、それにより結合電流を出力結合し、第２のコンポーネントの信号経路へ戻るように結合して、アース接続部での電圧降下により引き起される両方のコンポーネントの間のクロストークを補償するようになっていさえすれば、アース接続部および結合素子の厳密な実施形態は任意に変更することができる。本発明の好適な用途は、送受切換器を統合したモジュールであり、たとえば送信増幅器を備えるフロントエンドモジュール、能動的または受動的に配線された複数の送受切換器を備えるフロントエンドモジュール、ならびに一式のトランシー
バモジュールなどである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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