(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を試料上に照射し、発生する二次荷電粒子線を利用する荷電粒子線応用装置であって、
複数の荷電粒子線を形成する荷電粒子線形成部と、
前記複数の荷電粒子線を前記試料上に照射させる少なくとも一つのレンズと前記複数の荷電粒子線を前記試料上で走査する偏向器からなる一次光学系と、
前記複数の荷電粒子線の照射により、前記試料上の複数箇所から発生する複数の二次荷電粒子線を個別に検出する信号検出部と、
前記複数の二次荷電粒子線を前記信号検出部に入射させる二次光学系と、
前記試料を載置し、前記試料を移動可能なステージと、
前記信号検出部の出力に基づく画像を表示する画像表示部と、
前記複数の荷電粒子線が前記試料表面に照射される位置を調整する第一の調整部とを有し、
前記ステージ上に複数の基準マークを有し、
前記複数の基準マークは、前記複数の荷電粒子線のそれぞれに対応し、
前記第一の調整部は、前記画像表示部に表示される前記基準マークに前記複数の荷電粒子線が同時に照射された結果得られる複数の画像に基づき、前記複数の荷電粒子線が前記試料上に照射される位置を調整する
荷電粒子線応用装置。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記試料の特性に基づき決められた、前記一次光学系、前記信号検出部、及び前記ステージの少なくとも１つの動作条件を記憶する記憶部を更に有し、
前記第一の調整部は、記憶された前記動作条件を参照し、前記複数の荷電粒子線が前記試料上に照射される位置を調整する
荷電粒子線応用装置。
【請求項３】
請求項２記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記動作条件は、前記ステージの移動速度である
荷電粒子線応用装置。
【請求項４】
請求項１記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記複数の荷電粒子線を形成する前記荷電粒子線形成部は、それぞれ少なくとも二つの荷電粒子線を通過させるための開口を持つ、少なくとも二つの荷電粒子線選択部と、前記荷電粒子線選択部を機械的に回転させる機械動作制御部とからなり、
前記第一の調整部は、前記機械動作制御部である
荷電粒子線応用装置。
【請求項５】
請求項１記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記複数の荷電粒子線を形成する前記荷電粒子線形成部は、少なくとも二つの荷電粒子線を通過させる荷電粒子線選択部と、前記荷電粒子線選択部と接触して配置された、前記荷電粒子線選択部と熱膨張率の異なる部材とから構成されると共に、
前記荷電粒子線形成部の温度を制御する温度制御部を更に有し、
前記第一の調整部は、前記温度制御部である
荷電粒子線応用装置。
【請求項６】
請求項１記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記複数の二次荷電粒子線が前記信号検出部に照射される位置を調整するための第二の調整部を有する
荷電粒子線応用装置。
【請求項７】
請求項６記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記第二の調整部は、電磁レンズからなる
荷電粒子線応用装置。
【請求項８】
請求項６記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記試料の特性を基に決められた、前記一次光学系、前記信号検出部、前記ステージの動作条件を記憶する記憶部を更に有し、
前記第一の調整部は、記憶された前記動作条件を参照し、前記複数の荷電粒子線が前記試料上に照射される位置を調整する
荷電粒子線応用装置。
【請求項９】
荷電粒子線を試料上に照射し、発生する二次荷電粒子線を利用する荷電粒子線応用装置であって、
複数の荷電粒子線を形成する荷電粒子線形成部と、
前記複数の荷電粒子線を前記試料上に照射させる一つ以上のレンズと前記複数の荷電粒子線を前記試料上で走査する偏向器からなる一次光学系と、
前記複数の荷電粒子線の同時照射により、前記試料上の複数箇所から発生する複数の二次荷電粒子線を個別に検出する信号検出部と、
前記複数の二次荷電粒子線を前記信号検出部に入射させる二次光学系と、
前記試料を載置し、前記試料を移動可能なステージと、
複数の二次荷電粒子線を個別に検出した前記信号検出部の出力に基づき、画像を表示する画像表示部と、
複数の二次荷電粒子線を個別に検出した前記信号検出部の出力に基づき、前記複数の二次荷電粒子線各々が前記信号検出部に照射される位置を調整する第二の調整部とを有し、
前記第二の調整部は、前記試料から発生した前記複数の二次荷電粒子が前記信号検出部に到達するまでの回転量及び拡大率を調整する
荷電粒子線応用装置。
【請求項１０】
請求項９記載の荷電粒子線応用装置であって、
前記第二の調整部は、電磁レンズからなる
荷電粒子線応用装置。
【請求項１１】
複数の荷電粒子線を形成し、
移動可能なステージ上の試料に前記荷電粒子線を照射し、発生する二次荷電粒子線を利用して前記試料を検査する試料検査方法であって、
前記ステージ上に、前記複数の荷電粒子線各々に対応する複数の基準マークを形成しておき、
前記複数の荷電粒子線各々を対応する前記複数の基準マークに同時に照射し、
一次光学系を用い、前記複数の荷電粒子線を前記ステージに照射し、
前記試料上の複数箇所から発生した複数の二次荷電粒子線を二次光学系を用いて信号検出部に到達させ、前記複数の二次荷電粒子線を個別に検出し、
検出された前記複数の二次荷電粒子線の検出信号を処理して得た取得画像を画像表示部に表示し、
前記複数の基準マークの前記取得画像を用いて、前記複数の荷電粒子線が前記ステージに照射されるそれぞれの照射位置を測定し、
測定された前記照射位置に基づき、前記一次光学系を調整する
試料検査方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の試料検査方法であって、
検査される前記試料の特性に基づき、前記一次光学系、前記信号検出部、前記ステージの少なくとも１つを含む検査条件を決定する
試料検査方法。
【請求項１３】
請求項1２記載の試料検査方法であって、
前記検査条件は、前記ステージの移動速度である
試料検査方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の試料検査方法であって、
前記試料の特性に基づき決定された、前記一次光学系、前記信号検出部、前記ステージの少なくとも１つを含む検査条件を記憶しておき、
記憶された前記検査条件を基に、前記一次光学系を調整する
試料検査方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の試料検査方法であって、
前記複数の二次荷電粒子線が前記信号検出部に照射される位置を測定し、
当該測定結果を基に、前記二次荷電粒子線の前記信号検出部への照射位置を調整する
試料検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は荷電粒子線応用装置に係り、特にマルチビームを用い、高速且つ高精度な検査を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や磁気ディスクの製造プロセスにおいて、試料上に電子ビームやイオンビームなどの荷電粒子線(以下、一次ビームと呼ぶ)を照射し、発生した二次電子等の二次荷電粒子(以下、二次ビーム)の信号を取得し、試料上に形成されたパターンの形状や寸法を測定する電子線測長装置、欠陥の有無を調べる電子線検査装置などが用いられている。
【０００３】
このような荷電粒子線応用装置において、試料を処理する速度、即ち検査速度の向上は欠陥検出感度の向上とともに重要な課題である。この課題を克服するため、ビームの本数を複数にしたマルチビーム型の荷電粒子線応用装置が提案されている。このようなマルチビーム型の荷電粒子線応用装置ではビーム調整が重要であり、例えば特許文献１には、マルチビーム型電子線装置において、回転レンズの使用あるいはマルチ開口板を光軸まわりで回転させることにより、試料上でのビーム配置と試料面の座標軸を一致させる電子ビーム調整方法が開示されている。
【０００４】
一方、従来、マルチビームを使用する技術は、マスクレス露光装置の分野において活用されてきた。マルチビームを露光装置に使用する場合、各々のビームが露光を分担する範囲が定められており、描画パターンを正確に把握する必要があるため、露光スポットや露光スポットの走査領域の正確な調整が必須である。例えば特許文献2では、露光スポットの規定位置からのずれを予め測定して各ビームに対して補正を施す手段を提示している。
【０００５】
【特許文献１】WO2002/037527号公報
【特許文献２】特開2005-277128号報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
荷電粒子線により、例えば半導体等の形状や欠陥の有無を高速に検査する場合、ステージを一方向に連続的に移動させながら一次ビームをラスタ走査する。このような複数の一次ビームを試料上に走査するマルチビーム型の電子線検査装置におけるラスタ走査の概略と、発生する課題を、図2を使用して説明する。尚、図2においてはマルチビームの本数を5本としたが、ビームの本数によらず課題は同様である。
【０００７】
図2(a)は一次ビームが試料表面到達時に理想的に配置された場合のラスタ走査を説明する図である。5本の一次ビーム200a、200b、200c、200d、200eの試料上における軌跡をそれぞれ矢印で示した。任意の時刻において、5本の一次ビーム200a~eの位置をステージ進行方向に対して垂直な方向に投影したときの一次ビーム間隔202a、202b、202c、202dは等しい。一次ビーム200a、200b、200c、200d、200eは、それぞれ偏向幅201a、201b、201c、201d、201eで試料上をラスタ走査する。このとき、偏向幅201a~201eは等幅であり、ビーム間隔202a~202dと等しい。同時に、ステージは、図中矢印で示したステージ進行方向に連続移動し、5本の一次ビームによってビーム間隔202a~202d或いは偏向幅201a~201eの5倍の視野幅203が余すところなく走査される。尚、一次ビームの数によらず、複数の一次ビームで試料上を余すところなくラスタ走査可能である。
【０００８】
しかし、一次ビームが試料表面において理想的な配置からはずれると、図2(a)のように切れ目や重なりなくラスタ走査することができなくなる。一次ビームの配置ずれの例を図2(b)~図2(d)に示す。
【０００９】
図2(b)は一次ビームが試料表面において理想的な配置から回転した場合である。5本の一次ビーム200a~200eの位置をステージ進行方向に対して垂直な方向に投影したときの一次ビーム間隔202a~202dは、図2(a)と違い等幅ではない。偏向幅201a~201e及び偏向方向(ステージ進行方向に対して垂直な方向)が図2(a)と同一であるとすると、一次ビームが二重に照射される領域204、また、一次ビームが照射されない領域205が発生する。更に、視野幅203は図2(a)より狭くなる。偏向幅201a~201eを図2(a)より広くとれば、一次ビームが照射されない領域205はなくなるが、二重に照射される領域204が増加する。逆に、偏向幅201a~201eを図2(a)より狭くとれば、一次ビームが二重に照射される領域204はなくなるが、照射されない領域205が増加する。
【００１０】
図2(c)は一次ビームが試料表面において理想的な配置より拡がった場合である。偏向幅201a~201e及び偏向方向(ステージ進行方向に対して垂直な方向)は図2(a)と同一であるとすると、視野幅203は図2(a)より拡がるが、一次ビームが照射されない領域205が発生する。偏向幅201a~201eを図2(a)より広くとれば、一次ビームが照射されない領域205はなくなり、切れ目なく検査を行うことが可能となる。しかし、一次光学系の総合の倍率が高くなるためビーム径を十分に絞れなくなる、また、偏向幅201a~201eの拡大により偏向収差が増大する、などの原因により、所望の分解能を得られない可能性がある。逆に、一次ビームが試料表面において理想的な配置より狭い場合は、図示しないが、一次ビームが二重に照射される領域が増大する。偏向幅を狭めれば切れ目なく検査を行うことが可能だが、視野幅が狭まるという問題が発生する。
【００１１】
図2(d)は一次ビーム偏向方向がステージ進行方向に対して垂直な方向からずれた場合である。偏向幅201a~201eは図2(a)と同一であるとすると、一次ビームが照射されない領域205が発生する。偏向幅201a~201eを図2(a)より広くとれば、一次ビームが照射されない領域205はなくなり、切れ目なく検査を行うことが可能となる。しかし、偏向幅201a~201eの拡大により偏向収差が増大するため、所望の分解能を得られない可能性がある。
【００１２】
本発明の目的は、マルチビームを使用する荷電粒子線応用装置において、検査条件によって試料表面における一次ビームの配置が変化した場合でも、高速且つ高精度のキャリブレーションが可能な構成、並びにそれを用いた検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の第一の形態では、マルチビーム型の荷電粒子線応用装置において、試料表面における一次のマルチビームの配置を、基準マークの画像を取得し、理想状態からのずれ量を計測し、電子光学系の調整によってこのずれを補正する手段を提供する。また、本発明の別の形態では、電子光学系の光学パラメータ以外の装置パラメータを可変とし、これらの調整により理想状態からのずれを補正する手段を提供する。
【００１４】
図2(b)~図2(d)の影響を避けるためには、検査実行の前に、試料表面における一次マルチビームの配置の理想的な配置からのずれを測定し、調整すること、すなわち一次マルチビームのキャリブレーションが必要である。
【００１５】
特に、電子線検査装置では、試料の特性に応じて試料表面における電界や、試料に印加する電圧などの検査条件を変更する。それぞれの検査条件によって、試料表面における一次のマルチビームの配置が変化するため、上述のキャリブレーションが必須である。
【００１６】
本発明においては、移動可能なステージ上の試料に荷電粒子線を照射し、発生する二次荷電粒子線を利用して前記試料を検査する試料検査方法として、複数の荷電粒子線を形成し、一次光学系を用いて、この複数の荷電粒子線を試料に照射し、試料上の複数箇所から発生した複数の二次荷電粒子線を二次光学系を用いて信号検出部に到達させて個別に検出し、検出された複数の二次荷電粒子線の検出信号を処理して試料の画像を表示部に表示し、表示された試料の画像を用いて、複数の荷電粒子線が試料上に照射されるそれぞれの照射位置を測定し、測定されたそれぞれの照射位置に基づき、一次光学系を調整することにより、一次のマルチビームのキャリブレーションを行う。
【００１７】
更に、複数の二次荷電粒子線が信号検出部に照射される量を測定し、この測定結果を基に、二次荷電粒子検出部における複数の二次荷電粒子線の照射位置を調整することにより、複数の二次ビームのキャリブレーションを行う。
【００１８】
なお、本明細書においては、電子線検査装置における各種の検査条件に対応した条件を、荷電粒子線応用装置の場合には動作条件と呼ぶ場合があることに留意されたい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、マルチビームを用いた荷電粒子線応用装置において、試料の特性に応じた検査条件等の変更に対応して、試料上の一次のマルチビームのキャリブレーションを行い、更には、二次荷電粒子検出部における複数の二次ビームのキャリブレーションを行うことにより高い欠陥検出感度と高い検査速度を両立させ得る荷電粒子線応用装置、及び検査方法を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一の要素には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、電子線を使用した半導体パターンの検査に関する実施例を示すが、イオンビームを使用する場合、或いは磁気ディスクの検査を実施する場合においても本実施例を適用でき、その効果は同等である。また、測定装置などの他の荷電粒子線応用装置に本実施例を適用できる。
【実施例１】
【００２１】
図1は、第１の実施例に係るマルチビーム型の電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【００２２】
まず、装置構成について説明する。電子銃101は、仕事関数の低い物質よりなる陰極102、陰極102に対して高い電位を持つ陽極105、陰極と陽極の間に形成される加速電界に磁場を重畳する電磁レンズ104からなる。本実施例では、大きな電流が得やすく電子放出も安定したショットキー型の陰極を用いた。電子銃101から一次電子ビーム103が引出される下流方向には、図1に示すように、コリメーターレンズ107、同一基板に複数の開口を配列したアパーチャーアレイ108、複数の開口を有するレンズアレイ109、ビームセパレーター111、対物レンズ112、走査偏向用偏向器113、ステージ117、二次電子検出器121a~121c等を配置して構成している。さらに、電子光学系には、電流制限用絞り、一次ビームの中心軸(光軸)調整用アライナ、収差補正器等も付加されている(図示せず)。ステージ117は上にウェハ115を載置して移動する。
【００２３】
ウェハ115には後述するように負の電位(以下、リターディング電位と称する)を印加する。図示していないが、ウェハ115とステージ117の間にはウェハと導通の取れた状態でウェハホルダが介在し、このウェハホルダにリターディング電源118aを接続してウェハホルダ、およびウェハ115に所望の電圧を印加する構成としている。
【００２４】
ウェハ115から電子銃方向側には、表面電界制御電極114を設置している。走査偏向用偏向器113には走査信号発生装置137、表面電界制御電極114には表面電界制御電源118bを接続している。電子銃101、コリメーターレンズ107、レンズアレイ109、ビームセパレーター211、対物レンズ212、リターディング電源118a、及び表面電界制御電源118bの各部には、光学系制御回路139が接続し、さらに光学系制御回路139にはシステム制御部135が接続している。ステージ117にはステージ制御装置138が接続し、さらに、二次電子検出器121a~121c、走査偏向用偏向器113も同様にシステム制御部135に接続している。システム制御部135には記憶装置132、演算部133、欠陥判定部134が配置され、画像表示装置136が接続している。また、図示していないが、制御系、回路系以外の構成要素は真空容器内に配置しており、真空排気して動作させていることは言うまでもない。また、真空外からウェハをステージ上に配置するウェハ搬送系が具備されていることも言うまでもない。ステージ上には電子光学条件の調整や調整状態の測定に用いる基準マーク116が備わっている。
【００２５】
次に、この電子線検査装置を使用したウェハパターン検査について説明する。
【００２６】
電子源102から放出された一次ビーム103は、電磁レンズ204による集束作用を受けながら陽極105の方向に加速され、第一の電子源像106(ビーム径が極小になる点)を形成する。図示しないが、一般的な電子銃によく見られるように電子銃101には絞りを配置しており、所望の電流範囲の電子ビームが絞りを通過するように構成している。陽極105、電磁レンズ104に印加する電流、電圧等を変えれば、絞りを通過する一次ビームの電流量を所望の電流量に調節することが可能となっている。また、図示しないが電子銃102とコリメーターレンズ107の間には一次電子ビームの光軸を補正するアライナが配置され、電子ビームの中心軸が絞りや電子光学系に対してずれている場合に補正できる構成となっている。第一の電子源像106を光源としてコリメーターレンズ107は一次ビームを略平行に整える。本実施形態においてコリメーターレンズ107は電磁レンズである。本実施例においてアパーチャーアレイ108は5つの開口を有し、一次ビームは5本に分割される。図1においては、このうち3本のビームについて図示する。分割された一次ビームはレンズアレイ109によって個別に集束され、複数の第二の電子源像110a,110b,110cが形成される。レンズアレイ109は、それぞれ複数の開口を有する3枚の電極からなり、このうち中央の電極に電圧を印加することにより、開口部を通過する一次ビームに対してアインツェルレンズとして作用するものである。
【００２７】
レンズアレイ109により個別に集束された一次ビーム103はビームセパレーター111内を通過する。ビームセパレーター111は、一次ビーム103と二次ビーム120を分離する目的で使用され、本実施形態においては、一次ビームの入射方向に対して概略垂直な面内に互いに直交する磁場と電場を発生させ、通過する電子に対してそのエネルギーに対応した偏向角度を与えるウィーンフィルターを採用した。本実施形態においては、一次ビームが直進するように磁場と電場の強さを設定し、さらに、反対方向から入射する二次電子ビームに対しては所望の角度に偏向するように電磁場の強さを調節・制御する。また、ビームセパレーター111の位置については、一次ビームに対する収差の影響を考慮して、影響を低減するために一次ビームの第二の電子源像110a,110b,110cの高さに合わせて配置している。対物レンズ113は電磁レンズであり、第二の電子源像110a,110b,110cを縮小投影する。
【００２８】
走査偏向用の偏向器113は、対物レンズ中に静電8極型で構成、設置されている。走査信号発生装置137により偏向器113に信号が入力されると、中を通過する5本の一次ビームは、略同一方向に且つ略同一角度だけ偏向作用を受け、試料であるウェハ115をラスタ走査する。このとき、理想的には一次ビーム103のウェハ115上での配置は図2(a)のようになっている。
【００２９】
ウェハ115にはリターディング電源118aにより負の電位が印加されており、一次ビームを減速させる電界が形成される。リターディング電源118a、および表面電界制御電源118bは他の光学素子、即ち、電子銃101、コリメーターレンズ107、レンズアレイ109、ビームセパレーター111、対物レンズ112と同様に、光学系制御回路139を介してシステム制御部135により統一的に制御される。ステージ117はステージ制御装置138により制御される。システム制御部135はウェハ115上の所定の領域を、ステージ進行方向に並んだ1ストライプずつ検査すべく、走査信号発生装置137およびステージ制御装置138は統一的に制御され、予めキャリブレーションが施される。キャリブレーションの詳細に関しては後述する。なお、本実施例の検査装置では、検査実行時にはステージが連続に移動していて、走査による偏向とステージ移動の組合せにより、一次ビームが帯状の領域を順次走査するように制御される。この帯状領域は所定の検査領域を分割したものであり、複数の帯状領域を走査することによって所定の検査領域全体が走査される。
【００３０】
ウェハ115の表面に到達した5本の一次ビームは、試料表面付近の物質と相互に作用する。これにより、反射電子、二次電子、オージェ電子等の二次的な電子が試料から発生し、二次ビーム120となる。
【００３１】
表面電界制御電極114は、ウェハ115の表面付近の電界強度を調整し、二次ビーム120の軌道を制御するための電極である。ウェハ115に対向して設置され、ウェハ115に対して正電位または負電位または同電位が表面電界制御電源118bにより印加される。表面電界制御電源118bにより表面電界制御電極114に印加される電圧は、ウェハ115の種類や観察対象に応じて適した値に調整する。例えば、発生した二次ビーム120を積極的にウェハ115の表面に戻したい場合には、表面電界制御電源118bには負電圧を印加する。逆に、二次ビーム120がウェハ115の表面に戻らないよう、表面電界制御電源118bには正電圧を印加することもできる。
【００３２】
表面電界制御電極114の通過後、二次ビーム120は、対物レンズ112の集束作用を受け、さらに二次ビームに対しては偏向作用を持つビームセパレーター111により、一次ビームの軌道と分離され、検出器121a、121b、121cに到達する。検出された信号は増幅回路130a、130b、130cにより増幅され、A/D変換機131によりデジタル化され、システム制御部135内の記憶装置132に画像データとして一旦格納される。その後、演算部133が画像の各種統計量の算出を行い、最終的には欠陥判定部134が予め求めておいた欠陥判定条件に基づき欠陥の有無を判定する。判定結果は画像表示装置136に表示される。以上の手順で、ウェハ115内の検査すべき領域を端から順にパターン検査できる。
【００３３】
次に、本実施例における一次のマルチビームのキャリブレーションの詳細を説明する。
【００３４】
一次ビームのキャリブレーションの実行前は、一次ビーム103のウェハ115上での配置は、理想配置である図2(a)からずれ、図2(b)~2(d)、或いはそれらの組み合わせになっている可能性がある。このずれ量を計測し、許容範囲内に収めることが一次マルチビームのキャリブレーションの目的である。
【００３５】
キャリブレーション実行時には、基準マーク116が視野内に入るようステージ117を移動する。検査実行時は1方向への偏向とステージ移動の組合せにより帯状の領域を走査するが、キャリブレーション実行中はステージ117を移動させず、偏向方向を検査中の偏向方向及びその垂直方向の2方向とし、静止画像を取得する。
【００３６】
図3(a)は、ステージ117の基準マーク116付近の平面図である。検査実行時ステージ進行方向をx方向、その垂直方向をy方向とし、一次ビームの中心軸(光軸)に対応する位置を原点とする。基準マーク300a~300eの配置はそれぞれ図2における一次ビーム200a~200eに対応する。図3において、理想走査範囲301a~301eに対し、例えば走査範囲302a~302eで画像が取得されたとする。この取得画像では、各基準マークは画像の中心からずれ、回転し、理想と異なる大きさで観測される。この原因であり、キャリブレーションにより調整すべき対象は、(1)一次ビーム配置の回転、(2)一次ビーム配置の拡大或いは縮小、(3)一次ビーム配置全体のシフト、(4)偏向幅のずれ、(5)偏向方向のずれの5項目である。
【００３７】
以下、5本の一次ビームのうち、代表として基準マーク300bに関するビーム(一次ビーム200b)について説明する。キャリブレーション中はステージ117を固定であるが、検査実行時にはx方向にステージ移動を行い、走査範囲302bのうち、一点鎖線で示した直線ABの範囲が走査される。従って、一次ビーム200bにより走査される範囲は、A、Bのy軸投影した範囲に含まれる領域304となる。従って、キャリブレーション完了の判断は、各ビームに関しA、Bのy座標を求め、その距離が定めた許容範囲に収まっていることにより行う。ただし、図2に示したように、偏向方向が理想とずれている場合においてもA、Bのy座標は許容範囲に入る可能性があるため、偏向については別途条件を定める。
【００３８】
基準マーク300bの原点からの距離をr0b、x軸からの角度をθ0bとすると、基準マーク300bの座標、すなわち理想走査範囲301bの中心座標は、
(r0b cos (θ0b), r0b sin (θ0b))である。
【００３９】
上記(1)~(5)のうち(1)~(3)により、走査範囲302bの中心座標303が基準マーク300bの座標からずれる。この様子を図3(b)に示す。全体の配置が理想状態よりθrだけ回転すると、走査範囲302bの中心のx軸からの角度はθ 0b+θrとなる。光学系の倍率が理想状態と異なるときにも、結果的には取得画像が理想状態からずれる。光学系の倍率が理想状態の倍率と比較してM倍に拡大、あるいは縮小されているとすると、全体の配置は理想状態のM倍となり、原点から走査範囲302bの中心までの距離はM×r0bとなる。図3(b)では、Mは1以下で、理想状態より縮小されると仮定しているため、原点から走査範囲302bの中心までの距離は理想状態より短くなる。更に、ビーム全体の配置のシフト量を考慮する必要がある。ビーム全体の配置が理想状態より(Δsx , Δsy)だけシフトすると仮定する。上記のずれを全て考慮すると、走査範囲302bの中心座標は(M×r0b cos（θ0b+θr）+Δsx, M×r0b sin（θ0b+θr)+Δsy)に変化する。従って、(1)~(3)による配置のずれ量は、
【００４０】
【数１】
0005497980.tif 000002
【００４１】
【数２】
0005497980.tif 000003
となる。
【００４２】
一方、(4),(5)により、取得画像の見え方が変化する。この様子を図3(c)に示す。偏向幅が理想状態f0のMd倍のとき、取得画像において、偏向幅Md×f0に対して基準マーク300bの寸法はmとなり、その比はm/(Md×f0)である。理想状態の時にはその比はm/f0であるので、実寸の1/Mdであるように観測される。同様にΔx , Δyも実際の寸法の1/Mdであるように観測される。また、偏向方向のずれ角がθdである場合には、基準マークがθd回転して観測される。従って、取得画像で観測される見かけの配置のずれ量は、
【００４３】
【数３】
0005497980.tif 000004
【００４４】
【数４】
0005497980.tif 000005
となる。また、偏向幅変化により生じる理想走査範囲301bと走査範囲302bの大きさの差は、ΔS=(Md-1)f0であり、偏向方向変化による点Aと点Bにおけるx座標の差はΔxd=M×f0×sin(θd)である。従って、偏向についてのキャリブレーション完了条件は、ΔS及びΔxdが許容範囲に収まることである。
【００４５】
式[1]、[2]、[3]、[4]において、θr、M、Δsx、Δsy、Md、θdは全一次ビーム(本実施例では5本)に関して共通のパラメータである。従って、マルチビームを形成する全ての一次ビームにより取得される(本実施例では5つの)画像から偏向幅倍率Md、及び偏向方向ずれ角θdをそれぞれ計測し、全一次ビーム(本実施例では5本)に関して上述の見かけの配置のずれ量(Δx', Δy')をそれぞれ求め、式[1]、[2]、[3]、[4]の連立方程式から上述のθr、M、Δsx、Δsyをマルチビームを形成する全てのビームに関して並列して導出でき、同時にA,Bのy座標を求めることができる。
【００４６】
マルチビームを形成する全てのビームに関して並列して θr、M、Δsx、Δsyを走査信号発生装置137、光学系制御回路139にフィードバックして光学条件を変化させ、A,Bのy座標、ΔS、及びΔxdを、マルチビームを形成する全ての一次ビームに関して同時に許容範囲に収めるまで繰り返し、キャリブレーションを完了する。尚、本実施例においては偏向方向のずれ角θd及び偏向幅倍率Mdはx方向、y方向で同一である場合を想定したが、x方向とy方向でそれぞれ異なる場合についてもパラメータを増加させて同様にキャリブレーション可能である。
【００４７】
更に、許容範囲を広くとった場合には、偏向幅を変化させることによって、一部電子線が二重に照射される領域ができることを許容して切れ目なく走査させること、あるいは逆に電子線が照射されない領域を作るように走査させることも可能である。
【００４８】
次に、上述のキャリブレーションを行う手順を図15、図16、図4、図5、および図6を使用して説明する。
【００４９】
キャリブレーションは検査条件設定後に実施される。電子線検査装置では、試料の特性に応じて検査条件、すなわち動作条件を変更して検査を実施する必要があるため、各検査条件を記憶装置132に保存する。検査条件によって試料表面における一次のマルチビームの配置が変化するため、上述のキャリブレーションはこの検査条件ごとに実施する必要がある。そこで、本実施例においては、記憶装置132に保存されている検査条件を読み出し、それぞれの検査条件ごとにキャリブレーションを実行し、キャリブレーションの結果を記憶装置132に保存する。
【００５０】
図15は検査条件設定手順のフローチャートである。オペレーターが図1の画像表示装置136に表示された検査条件設定ボタンをクリックする(ステップ1500)と、画像表示装置136に図16に示したような検査条件設定画面が表示される。検査条件501は、ウェハの種類、一次ビームの試料入射エネルギー、電流量、表面電界強度などの一次光学系の要素と、画素サイズなど検出器の要素やステージ移動速度などである。一次光学系の要素を変化させると電子光学条件が変化し、検出器の要素及びステージ移動速度を変化させると、欠陥を検出する際のSN比が変化するため、各条件に対応する一次光学系のパラメータをそれぞれ記憶装置132に保存しておく必要がある。オペレーターは検査条件501に条件を入力し、ファイル名500に検査条件の名前を入力して検査条件を決定し、決定ボタン1603を押す(ステップ1501)。
【００５１】
これにより、検査条件501に対応した電子光学条件である各種パラメータ502が決定される。パラメータ502では、Gは電子銃101に印加される電圧、Lは光学系のレンズ電流、ALは各種アライナ、STは非点補正器、Vは各種電圧、Sは静電レンズの印加電圧を表し、各記号の後に付く数字は各要素の個数を示す。ただし、これらの全ての要素を図1中に図示しているわけではない。パラメータ502が決定されると、システム制御部135は電子銃101に印加される電圧、電子銃内部の引き出し電極（図示せず）、リターディング電源118a、表面電界制御電源118b、電子銃内に磁場を重畳する電磁レンズ104、コリメーターレンズ107、レンズアレイ109、対物レンズ112、ビームセパレーター111、走査偏向用偏向器113、および各種アライナ(図示せず)への出力電流、出力電圧を決定する。検査条件を決定したら、マルチビームを形成する全てのビームに関し、並列してキャリブレーションを実行する(ステップ1502)。キャリブレーションの終了により、検査条件の設定も終了する(ステップ1503)。尚、本実施例では、検査条件設定とキャリブレーションを連続して実施するが、検査条件のみ予め決めておき、キャリブレーションはあとから実施しても良い。
【００５２】
図4は一次ビームのキャリブレーション手順のフローチャートである。オペレーターが図1の画像表示装置136に表示されたキャリブレーションボタンをクリックする(ステップ400)と、基準マーク116が視野内に入るよう、ステージ117が移動する。尚、キャリブレーション実行中はステージ117を移動させず、偏向方向を検査中の偏向方向及びその垂直方向の2方向とし、静止画像を取得する。ステージ117の移動が終了すると、画像表示装置136に図5に示したような検査条件選択画面が表示される。検査条件選択画面の構成は、基本的に図16に示した検査条件設定画面と同様であり、検査条件ファイル名500、検査条件501、各種パラメータ502、取込ボタン503により構成される。オペレーターが検査条件ファイル名500を入力、または選択して読み出すと、システム制御部135は電子銃101に印加される電圧、電子銃内部の引き出し電極（図示せず）、リターディング電源118a、表面電界制御電源118b、電子銃内に磁場を重畳する電磁レンズ104、コリメーターレンズ107、レンズアレイ109、対物レンズ112、ビームセパレーター111、走査偏向用偏向器113、および各種アライナ(図示せず)への出力電流、出力電圧を決定する。
【００５３】
取込ボタン503をクリックして検査条件を決定する(ステップ401)と、画像表示装置136に図6に示すようなキャリブレーション画面が表示される。キャリブレーション画面は、主に、図3における基準マーク300a~300eの各一次ビームによる取得画像600、パラメータ表示部分601から構成される。オペレーターは、表示された情報をもとに、画素の欠け、重複の許容画素数を許容範囲入力ボックス602に入力する(ステップ402)。オペレーターが図6中の開始ボタン603をクリックすると、許容範囲入力ボックス602に入力した数値(以下、許容数値)が記憶装置132に保存される(ステップ403)。マルチビームを形成する全ての一次ビームを基準マーク300a~300eの付近に照射し、発生した各二次ビームを検出器121a~121cで検出し、増幅回路130a~130cで増幅し、A/D変換機131よりデジタル化し、記憶装置132に基準マーク300a~300eの画像データ(以下、画像データAと呼ぶ)として保存する(ステップ404)。このとき同時に、表示装置136には取得画像600として表示される。
【００５４】
記憶装置132には、一次ビームの配置が理想的である場合に取得されるべき基準マーク300a~300eの画像(以下、画像データBと呼ぶ)があらかじめ保存されている。そこで、演算部133が画像データAを画像データBと比較することにより、一次ビームのキャリブレーションに必要なパラメータを全ての画像に関して同時に抽出する(ステップ405)。
【００５５】
演算部133は抽出されたパラメータと記憶装置132に保存された許容数値を比較し、マルチビームを形成する全ての一次ビームに関してずれの量が許容範囲以内であると判断するまでマルチビームを形成する全ての一次ビームに関して並列して電子光学条件をフィードバックする(ステップ406)。フィードバックは、抽出されたパラメータと記憶装置132に保存された許容数値の比較によって走査信号発生装置137及び光学系制御回路139に出力する値を再計算し再出力する(ステップ407)ことで実施する。これが繰り返され、演算部133が画像データAと画像データBを比較した結果、マルチビームを形成する全てのビームに関して画像ずれの量が許容範囲以内であると判断したとき、或いはオペレーターが許容範囲内であると判断したときに一次ビームのキャリブレーションは完了する(ステップ408)。一次ビームのキャリブレーション完了の判断406は、オペレーターが手動でキャリブレーションを繰り返し、自分で判断してもよいし、あるいは、あらかじめ繰り返し回数をオペレーターが入力し、繰り返し回数内に所望の条件になれば完了、ならなければエラーを表示して終了するように制御系を構成してもよい。
【実施例２】
【００５６】
図7は本発明の第二の実施例に係る電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【００５７】
本実施例における装置構成は、第一の実施例における装置構成と比較すると、二次光学系に電磁レンズ700が追加されており、試料であるウェハ115から発生した二次電子の像を二次電子検出器121a~121c上に拡大投影する構成となっている。対物レンズ112及び電磁レンズ700の効果により、二次ビーム120は回転、あるいは拡大(縮小)し、この回転及び拡大の量は、一次ビームがウェハ115表面に到達する際の配置と同様に、検査条件ごとに変化する。そこで、本実施例では、一次ビームのキャリブレーションと同時に二次のマルチビームのキャリブレーションを実行するための構成を示す。
【００５８】
図8は、二次電子検出器の平面概略図である。二次のマルチビームの回転が理想的である場合、図8(a)に示すように、二次ビーム検出器到達位置800a~800eは二次電子検出器801a~801eの位置と一致する。しかし、対物レンズ112及び電磁レンズ700の効果により回転すると、図8(b)に示すように、二次電子検出器801a~801eの位置からずれる。また、拡大率が合わないときには、図8(c)に示すように二次ビーム検出器到達位置800a~800eは二次電子検出器801a~801eに収まらずにはみ出してしまう。このため、二次電子検出器801a~801eにて検出される二次電子電流は理想状態と比較して減少し、取得画像の明るさが不十分になるという問題が発生する。
【００５９】
二次ビーム検出器到達位置800a~800eが二次電子検出器801a~801eの位置と一致するときに二次電子検出器に入射する電流量が最大になるので、検出器の電流を測定し、最大となる位置を探すよう電磁レンズ700にフィードバックをかけ、二次ビームキャリブレーションが実行できる。
【００６０】
また、二次のマルチビーム各々のキャリブレーションを実行し、各二次電子検出器801a~801eに流れる電流が最大となる場合でも、二次光学系収差などの影響のため、取得画像の明るさに差が生じている可能性がある。そこで、本実施例では、二次電子検出器801a~801eで取得される電流に差が生じる場合、検出器のゲインを変化させて補償する。
【００６１】
次に、上述の二次ビームキャリブレーションを実行する手順を説明する。二次ビームキャリブレーションは、一次ビームキャリブレーションの後に連続して実行すればよい。
【００６２】
図9は二次キャリブレーション手順のフローチャートである。オペレーターが図1の画像表示装置136に表示されたキャリブレーションボタンをクリックする(ステップ400)と、基準マーク116が視野内に入るよう、ステージ117が移動する。ステージ117の移動が終了すると、画像表示装置136に図5に示したような検査条件選択画面が表示される。検査条件501ごとに電子光学条件が大きく変わることは第一の実施例にて説明したとおりである。オペレーターは、図5に示す画面を通じ、記憶装置132に保存されている検査条件ファイル名500を入力、または選択して読み出す。これにより、システム制御部135は各種出力電流、出力電圧を決定する。決定ボタン503をクリックして検査条件を決定する(ステップ401)と、画像表示装置136に図10に示すようなキャリブレーション画面が表示される。キャリブレーション画面は、主に、図3における基準マーク300a~300eの各一次ビームによる取得画像600、パラメータ表示部分601から構成される。図10を図6と比較すると、パラメータ表示部分601に二次ビーム電流表示部1000が追加されている。オペレーターは、表示された情報をもとに、画素の欠け、重複の許容画素数を許容範囲入力ボックス602に入力する(ステップ402)。オペレーターが図6中の開始ボタン603をクリックすると、許容範囲入力ボックス602に入力した数値(以下、許容数値)が記憶装置132に保存される(ステップ403)。マルチビームを形成する全ての一次ビームを基準マーク300a~300eの付近に照射し、発生した各二次ビームを検出器121a~121cで検出し、増幅回路130a~130cで増幅し、A/D変換機131よりデジタル化し、記憶装置132に基準マーク300a~300eの画像データ(以下、画像データAと呼ぶ)として保存する。このとき同時に、表示装置136に取得画像600として表示される(ステップ404)。尚、キャリブレーション実行中はステージ117を移動させず、偏向方向を検査中の偏向方向及びその垂直方向の2方向とし、静止画像を取得する。
【００６３】
記憶装置132には、一次ビームの配置が理想的である場合に取得されるべき基準マーク300a~300eの画像(以下、画像データBと呼ぶ)があらかじめ保存されている。そこで、演算部133が画像データAを画像データBと比較することにより、一次ビームのキャリブレーションに必要なパラメータを全ての画像に関して同時に抽出する(ステップ405)。
【００６４】
演算部133は抽出されたパラメータと記憶装置132に保存された許容数値を比較し、マルチビームを形成する全てのビームに関してずれの量が許容範囲以内であると判断するまでマルチビームを形成する全ての一次ビームに関して並列して光学条件をフィードバックする(ステップ406)。フィードバックは、抽出されたパラメータと記憶装置132に保存された許容数値の比較によって走査信号発生装置137及び光学系制御回路139に出力する値を計算し出力することで実施する。これが繰り返され、演算部133が画像データAと画像データBを比較した結果、マルチビームを形成する全てのビームに関して画像ずれの量が許容範囲以内であると判断したとき、或いはオペレーターが許容範囲内であると判断したときに一次ビームのキャリブレーションは完了する(ステップ408)。
【００６５】
一次ビームキャリブレーションが終了すると、直ちに二次ビームキャリブレーションが開始される。各二次電子検出器801a~801eで取得される二次電子電流を同時に測定し(ステップ900)、記憶装置132に保存する。これをシステム制御部135より光学系制御回路139にフィードバックをかけながら繰り返し、演算部133が保存された電流量を比較して、それぞれの電流が最大となる地点を探す(ステップ901)。最大となる地点が見つかったら、演算部133が各二次電子検出器801a~801eにて取り込まれた二次電子電流を比較し、最終的な出力が一定となるように検出器のゲインを調整する(ステップ902)。演算部133が出力値を比較した結果、均一になるまで繰り返し(ステップ903)、均一になったと判断したとき、或いはオペレーターが判断したときに全キャリブレーションを終了する。キャリブレーション完了の判断903は、あらかじめ繰り返し回数をオペレーターが入力し、繰り返し回数内に所望の条件になれば完了、ならなければエラーを表示して終了するように制御系を構成してもよいし、あるいは、このとき取得画像600より各ビームによる画像をオペレーター自身が見ることができるので、オペレーターが手動でキャリブレーションを繰り返し、自分で判断してもよい。また、一次ビーム、二次ビームの初期ずれが大きい場合、二次ビームキャリブレーション終了後再度一次ビームキャリブレーションに戻り、より高精度にフィードバックをかける構成としてもよい。
【００６６】
実施例１、２においては、一次ビームのキャリブレーションを電子光学条件の変化により実行する例を示した。以下に示す実施例３、４では、電子光学条件の変化に加え、機械的な条件の変化によりキャリブレーションを実行する例について示す。尚、以下に示す実施例では、簡単のため第一の実施例1において使用した電子線検査装置の概略構成図(図1)を基にするが、第二の実施例に基づいて構成しても効果を失うことはない。
【実施例３】
【００６７】
図11は本発明の第三の実施例に係る電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【００６８】
本実施例における装置構成は、第一の実施例における装置構成と比較すると、アパーチャーアレイ1100、機械動作制御ユニット1101が追加されている。荷電粒子線選択部であるアパーチャーアレイ108及び1100、及びレンズアレイ109は機械動作制御ユニット（部）1101に接続し、システム制御部135の制御によってそれぞれ機械的に回転可能である。図12(a)、(b)はそれぞれアパーチャーアレイ108及び1100の平面概略図である。ここで、図12には図示しなかったが、レンズアレイ109の開口もアパーチャーアレイ108と同様であり、レンズアレイ109はアパーチャーアレイ108の回転に伴って回転する。アパーチャーアレイ108、1100にはそれぞれ少なくとも二個の開口が形成される。
【００６９】
図12においては、(1)図12(a)における開口群1200a~1200e)と図12(b)における開口群1203a~1203e)、(2)図12(a)における開口群1201a、1201b、1201d、1201e)と図12(b)における開口群1204a、1204b、1204d、1204e、(3)図12(a)における開口群1202a、1202b、1202d、1202e、と図12(b)における開口群1205a、1205b、1205d、1205eは、それぞれの開口の配置が1対1に対応しており、(1)~(3)のうち、ある一つの開口群の座標が一致するようにアパーチャーアレイ108あるいは1100を回転させると、他の開口群の開口位置が一致しないように配置されている。ただし、本実施例においては、マルチビームの本数を5本と考え、中心軸(光軸)における開口1200c及び1203cは上述の(1)~(3)のいずれの場合も開口は一致する。上述の(1)~(3)は、一次ビームの間隔がそれぞれ異なる。また、上述の(1)~(3)のいずれかの開口を一致させるようアパーチャーアレイ108と1100を相対的に回転させた状態で、更に両方を回転させて開口の角度を変化させることによって回転を選ぶことができる。従って、ウェハ115表面における一次ビームの配置を調整することが可能であり、第一及び第二の実施例で示した電子光学系の調整のみによるキャリブレーションに加え、機械的な調整によるキャリブレーション機能を付与することが可能となる。
【実施例４】
【００７０】
図13は本発明の第4の実施例に係る電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【００７１】
本実施例における装置構成は、第一の実施例における装置構成と比較すると、温度制御ユニット1300が追加されている。アパーチャーアレイ108、及びレンズアレイ109は温度制御ユニット1300に接続し、システム制御部135の制御によってそれぞれ温度を制御可能である。図14に本実施例におけるアパーチャーアレイ108の平面概略図を示す。図14において、アパーチャーアレイ108には、アパーチャーアレイ108とは異なる熱膨張係数を持つ材質で作成された部材である外部リング1400が設置されている。アパーチャーアレイ108と外部リング1400は突起部1402と突起部1401で接触し、また、温度制御ユニット1300が接続され、温度制御の実施が可能である。温度制御ユニット1300を高温に設定すると、アパーチャーアレイ108は熱膨張により点線で示した矢印の方向に拡がり、ビーム間隔が変化する。このとき、外部リング1400も膨張するが、アパーチャーアレイ108と熱膨張係数が異なるため、突起部1402と突起部1401の間で膨張率に差が生じ、結果的に実線で示した矢印の方向に力が加わる。従って、温度の管理によって回転及び一次ビームの間隔を変化させることが可能となり、第一及び第二の実施例で示した電子光学系の調整のみによるキャリブレーションに加え、温度制御によるキャリブレーション機能を付与することが可能となる。ここで、図14には図示しなかったが、レンズアレイ109もアパーチャーアレイ108と同様の構成とし、アパーチャーアレイ108と同様に熱膨張する構成とする。
【００７２】
以上に示した各実施例においては、電子線を使用した半導体パターンの検査に関する例を示したが、イオンビームを使用する場合、或いは磁気ディスクの検査を実施する場合、更には計測を実施する場合においても本発明の効果は失わない。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】第1の実施例に係るマルチビーム型の電子線検査装置の構成を説明する図。
【図２】本発明の課題となる一次ビーム配置のずれを説明する図。
【図３】第1の実施例に係る一次ビームのキャリブレーション方法を説明する図。
【図４】第1の実施例に係る一次ビームのキャリブレーション手順のフローチャートを示す図。
【図５】第1の実施例に係る一次ビームのキャリブレーション実行時の検査条件選択画面を示す図。
【図６】第1の実施例に係る一次ビームのキャリブレーション画面を示す図。
【図７】第2の実施例に係るマルチビーム型の電子線検査装置の構成を説明する図。
【図８】第2の実施例に係る二次電子検出器の平面概略図。
【図９】第2の実施例に係るキャリブレーション手順のフローチャートを示す図。
【図１０】第2の実施例に係るキャリブレーション画面を示す図。
【図１１】第3の実施例に係るマルチビーム型の電子線検査装置の構成を説明する図。
【図１２】第3の実施例におけるアパーチャーアレイ108及び1100の平面概略図。
【図１３】第4の実施例に係るマルチビーム型の電子線検査装置の構成を説明する図。
【図１４】第4の実施例におけるアパーチャーアレイ108の平面概略図。
【図１５】第1の実施例に係る検査条件設定手順のフローチャートを示す図。
【図１６】第1の実施例に係る検査条件設定画面を示す図。
【符号の説明】
【００７４】
101…電子銃、102…陰極、103…一次ビーム、104…電子銃レンズ、105…陽極、106…第一の陰極像、107…コリメーターレンズ、108…アパーチャーアレイ、109…レンズアレイ、110a…、110b、110c…第二の陰極像、111…ビームセパレーター、112…対物レンズ、113…偏向器、114…表面電界制御電極、115…ウェハ、116…基準マーク、117…ステージ、118a…リターディング電源、118b…表面電界制御電源、120…二次ビーム、121a…二次電子検出器、121b…二次電子検出器、121c…二次電子検出器、130a、130b、130c…増幅回路、131…A/D変換機、132…記憶装置、133…演算部、134…欠陥判定部、135…ステム制御部、136…画像表示装置、137…走査信号発生装置、138…ステージ制御装置、139…光学系制御回路、200a、200b、200c、200d、200e…一次ビーム、201a、201b、201c、201d、201e…偏向幅、202a、202b、202c、202d…ステージ進行方向に対して垂直な方向に投影した一次ビーム間隔、203…視野幅、204…一次ビームが二重に照射される領域、205…一次ビームが照射されない領域、300a、300b、300c、300d、300e…基準マーク、301a、301b、301c、301d、301e…理想走査範囲、302a、302b、302c、302d、302e…走査範囲、303…走査範囲302bの中心座標、304…A、Bのy軸投影した範囲に含まれる領域、400…キャリブレーション開始ステップ、401…検査条件選択ステップ、402…許容範囲決定ステップ、403…キャリブレーション実行開始ステップ、404…画像データAの取得及び保存ステップ、405…画像データAと画像データBの比較によるパラメータ抽出ステップ、406…一次ビームキャリブレーション完了判定ステップ、407…再計算及び再出力ステップ、407…キャリブレーション完了ステップ、500…検査条件ファイル名、501…検査条件、502…各種パラメータ、503…取込ボタン、600…取得画像、601…パラメータ表示部分、602…許容範囲入力ボックス、603…開始ボタン、700…電磁レンズ、800a、800b、800c、800d、800e…二次ビーム検出器到達位置、801a、801b、801c、801d、801e…二次電子検出器、900…二次電子電流測定ステップ、901…最大電流探索ステップ、902…検出器ゲイン調整ステップ、903…電流量均一判定ステップ、904…キャリブレーション完了ステップ、1000…二次ビーム電流表示部、1100…アパーチャーアレイ、1101…機械動作制御ユニット、1200a、1200b、1200c、1200d、1200e…アパーチャーアレイ108の開口群、1201a、1201b、1201d、1201e…アパーチャーアレイ108の開口群、1202a、1202b、1202d、1202e…アパーチャーアレイ108の開口群、1203a、1203b、1203c、1203d、1203e…アパーチャーアレイ1100の開口群、1204a、1204b、1204d、1204e…アパーチャーアレイ1110の開口群、1205a、1205b、1205d、1205e…アパーチャーアレイ1100の開口群、1300…温度制御ユニット、1400…外部リング、1401…アパーチャーアレイ108突起部、1402…外部リング1400突起部、1500…検査条件設定開始ステップ、1501…検査条件設定ステップ、1502…キャリブレーションステップ、1503…検査条件設定完了判定ステップ、1600…決定ボタン。
【図１】
0005497980.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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