(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とするジエン鉄錯体化合物。
0005527348.tif 000039
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ１およびＲ２は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000040
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
【請求項２】
下記一般式（Ｉ）、
0005527348.tif 000041
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ１およびＲ２は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000042
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるジエン鉄錯体化合物と脱保護剤とを反応させる工程を備えることを特徴とするサンショール類の製造方法。
【請求項３】
前記脱保護剤が、セリウム（ＩＶ）化合物、トリメチルアミンＮ−オキシド、ピリジンＮ−オキシド、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、ジクロロジシアノベンゾキノンおよび過酸化水素からなる群から選ばれるものである請求項２記載のサンショール類の製造方法。
【請求項４】
下記一般式（ＩＩＩ）、
0005527348.tif 000043
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が２−シアノエチル基を表す。）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させることにより前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える請求項２または３記載のサンショール類の製造方法。
【請求項５】
前記アルデヒド化合物を、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる請求項４記載のサンショール類の製造方法。
【請求項６】
下記一般式（ＩＩＩ）、
0005527348.tif 000044
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が２−シアノエチル基を表す。）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を４−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させて、下記一般式（ＩＶ）、
0005527348.tif 000045
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ５およびＲ６は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（Ｖ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000046
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式（ＩＶ）で表されるジエン鉄錯体化合物を加水分解したのちに、下記一般式（ＶＩ）、
0005527348.tif 000047
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるアミンと反応させて前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える請求項２または３記載のサンショール類の製造方法。
【請求項７】
前記アルデヒド化合物を４−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる請求項６記載のサンショール類の製造方法。
【請求項８】
下記一般式（ＩＩＩ）、
0005527348.tif 000048
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が２−シアノエチル基を表す。）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を４−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させて、下記一般式（ＶＩＩ）、
0005527348.tif 000049
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＶＩＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000050
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式（ＶＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を、下記一般式（ＶＩ）、
0005527348.tif 000051
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるアミンと反応させて前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える請求項２または３記載のサンショール類の製造方法。
【請求項９】
前記アルデヒド化合物を４−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる請求項８記載のサンショール類の製造方法。
【請求項１０】
下記式（ＩＸ）、
0005527348.tif 000052
で表される化合物と、３−シアノプロピルトリフェニルホスホニウム塩、または、４−（１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−イルスルホニル）ブタンニトリルとを反応させ、前記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程をさらに備える請求項４〜９のいずれか一項記載のサンショール類の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サンショール類の製造方法および該製造方法に有用な中間体であるジエン鉄錯体化合物に関し、詳しくは、短工程でかつ高立体選択的にサンショール類を製造することのできるサンショール類の製造方法および該製造方法に有用な中間体である新規なジエン鉄錯体化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
サンショール類は，生薬「サンショウ」の主要成分である。近年になってγ−サンショールがＴＲＰＶ１賦活などの作用を有することが報告され、医薬化学上の脚光を浴びている。
【０００３】
γ−サンショール、δ−サンショールを初めとするサンショール類は、トリエン部位に由来する不安定構造が故に、物質単体として恒常的に製造・供給することが困難であった。従来は、サンショウエキスを原料としてシリカゲルおよびＯＤＳカラムクロマトグラフィーによってサンショール類が単離・精製されてきた。
【０００４】
γ−サンショール、δ−サンショールの全合成は過去に報告されていないが、それらの類縁体であるα−サンショールの全合成が報告されている（非特許文献１、非特許文献２参照）。非特許文献１および２記載の方法は、どちらもＷｉｔｔｉｇ反応によってトリエン部分を構築する方法である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Sonnet P. E., J. Org. Chem., 34,1147-1149(1969)
【非特許文献２】Crombie L., Fisher D., TetrahedronLett., 26, 2481-2484(1985)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、非特許文献１および２記載の方法は、収率もＥ／Ｚ選択性も低く、実用的な合成方法とは言い難いものであった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、短工程でかつ高立体選択的にサンショール類を製造することのできるサンショール類の製造方法および該製造方法に有用な安定中間体である新規なジエン鉄錯体化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の新規なジエン鉄錯体化合物を用いることで、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明のジエン鉄錯体化合物およびサンショール類の製造方法は、下記の［１］〜［１０］である。
【００１０】
［１］下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とするジエン鉄錯体化合物。
0005527348.tif 000002
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ１およびＲ２は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000003
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
【００１１】
［２］下記一般式（Ｉ）、
0005527348.tif 000004
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ１およびＲ２は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000005
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるジエン鉄錯体化合物と脱保護剤とを反応させる工程を備えることを特徴とするサンショール類の製造方法。
【００１２】
［３］前記脱保護剤が、セリウム（ＩＶ）化合物、トリメチルアミンＮ−オキシド、ピリジンＮ−オキシド、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、ジクロロジシアノベンゾキノンおよび過酸化水素からなる群から選ばれるものである［２］のサンショール類の製造方法。
【００１３】
［４］下記一般式（ＩＩＩ）、
0005527348.tif 000006
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が２−シアノエチル基を表す。）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させることにより前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える［２］または［３］のサンショール類の製造方法。
【００１４】
［５］前記アルデヒド化合物を、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる［４］のサンショール類の製造方法。
【００１５】
［６］下記一般式（ＩＩＩ）、
0005527348.tif 000007
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が２−シアノエチル基を表す。）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を４−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させて、下記一般式（ＩＶ）、
0005527348.tif 000008
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ５およびＲ６は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（Ｖ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000009
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式（ＩＶ）で表されるジエン鉄錯体化合物を加水分解したのちに、下記一般式（ＶＩ）、
0005527348.tif 000010
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるアミンと反応させて前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える［２］または［３］のサンショール類の製造方法。
【００１６】
［７］前記アルデヒド化合物を４−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる［６］のサンショール類の製造方法。
【００１７】
［８］下記一般式（ＩＩＩ）、
0005527348.tif 000011
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が２−シアノエチル基を表す。）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を４−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させて、下記一般式（ＶＩＩ）、
0005527348.tif 000012
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＶＩＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000013
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式（ＶＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を、下記一般式（ＶＩ）、
0005527348.tif 000014
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるアミンと反応させて前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える［２］または［３］のサンショール類の製造方法。
【００１８】
［９］前記アルデヒド化合物を４−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる［８］のサンショール類の製造方法。
【００１９】
［１０］下記式（ＩＸ）、
0005527348.tif 000015
で表される化合物と、３−シアノプロピルトリフェニルホスホニウム塩、または、４−（１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−イルスルホニル）ブタンニトリルとを反応させ、前記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程をさらに備える［４］〜［９］のいずれかのサンショール類の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、短工程でかつ高立体選択的にサンショール類を製造することのできるサンショール類の製造方法および該製造方法に有用な中間体であるジエン鉄錯体化合物を提供することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
［ジエン鉄錯体化合物］
本発明のジエン鉄錯体化合物は、下記一般式（Ｉ）、
0005527348.tif 000016
（式中、ＡはＣＯ、Ｐ（ＲＡ）３、ＣＮ、ＮＯ、ＳＯ（ＲＡ）３またはＮ（ＲＡ）２を表し、ＲＡは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ１およびＲ２は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式（ＩＩ）で表される構造をとる。）
0005527348.tif 000017
（式中、Ｒは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。）
で表されるものである。なお、式（ＩＩ）中、波線部分は、シス（Ｚ）、トランス（Ｅ）の立体異性体のいずれかであることを表し、好ましくはトランス体である下記式（ＩＩ’）である。式（Ｖ）、式（ＶＩＩＩ）の波線部分についても同様にシス（Ｚ）、トランス（Ｅ）の立体異性体のいずれかであることを表し、好ましくはトランス体である。
0005527348.tif 000018
【００２３】
上記ＲＡが表す、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、メチル基が好ましい。また、上記炭素数６〜１２のアリール基としては、フェニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−チエニル基、３−チエニル基等が挙げられ、フェニル基が好ましい。
【００２４】
上記ジエン鉄錯体化合物を脱保護剤と反応させることにより、簡便に、γ−サンショール、δ−サンショール、ヒドロキシ−γ−サンショール等のサンショール類を製造することができる。上記脱保護剤としては、硝酸セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）などのセリウム（ＩＶ）化合物、トリメチルアミンＮ−オキシド、ピリジンＮ−オキシド、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、ジクロロジシアノベンゾキノン、過酸化水素等が挙げられ、好適なものとしては、セリウム（ＩＶ）化合物、トリメチルアミンＮ−オキシド、ピリジンＮ−オキシドが挙げられ、少ない副生成物でサンショール類を製造できることからトリメチルアミンＮ−オキシドが最も好ましい。
【００２５】
また、サンショール類は、不安定であり、特にγ−サンショール、δ−サンショールは曝光下で顕著に分解（異性化など）が生じるが、上記本発明のジエン鉄錯体化合物は、比較的安定であり、光による異性化などを生じにくい。その為、本発明のジエン鉄錯体化合物を保存し、必要時に脱保護反応を行うことによりサンショール類を製造することができる。
【００２６】
［サンショール類の製造方法］
本発明のサンショール類の製造方法は、上記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物と脱保護剤とを反応させることを特徴とするものである。脱保護剤としては、硝酸セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）などのセリウム（ＩＶ）化合物、トリメチルアミンＮ−オキシド、ピリジンＮ−オキシド、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、ジクロロジシアノベンゾキノン、過酸化水素等が挙げられ、好適なものとしては、セリウム（ＩＶ）化合物、トリメチルアミンＮ−オキシド、ピリジンＮ−オキシドが挙げられ、副生成物の発生を抑えながらサンショール類を製造できることからトリメチルアミンＮ−オキシドが最も好ましい。
脱保護剤との反応温度は、特に制限はなく、−２０〜５０℃で反応を行うことが好ましい。また、反応時間は、好ましくは１時間以内である。
【００２７】
本発明のサンショール類の製造方法は、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程（Ａ）と、
得られたアルデヒド化合物を、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させることにより、上記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程（Ｂ）と、
得られた一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程（Ｃ）と、を備えることが好ましい。
【００２８】
〈工程（Ａ）〉
上記工程（Ａ）の反応の一例は、下記式で表すことができる。下記反応式は、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、ＡがＣＯ、Ｒ４が２−シアノエチル基であるものを用いた場合である。
0005527348.tif 000019
還元剤としては、水素化トリ（エトキシ）アルミニウムリチウム、水素化トリ（ｓｅｃ−ブチル）ホウ素リチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム  （ＤＩＢＡＬ−Ｈ）等が挙げられ、ＤＩＢＡＬ−Ｈが好ましい。好適な反応形態としては、トルエンなどの有機溶媒中、−８０〜−２０℃に冷却しながら、一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物に対して、１．０〜２．０当量のＤＩＢＡＬ−Ｈを用いて還元反応を行うことが挙げられる。
【００２９】
上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物は、例えば式中、ＡがＣＯである化合物を例にとると、下記式、
0005527348.tif 000020
で表される化合物１から、Ｗｉｔｔｉｇ反応等により合成することができる。Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応、Ｊｕｌｉａ−Ｌｙｔｈｇｏｅオレフィン合成等を使い分けることにより、幾何異性体を作り分けることもできる。
Ｗｉｔｔｉｇ反応は、例えば、Wittig, G.; Schollkopf, U. Ber. 1954, 87, 1318.、Maryanoff, B. E. et al. Chem. Rev. 1989,89,863.等の文献記載の方法を参考に行うことができる。
Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応は、例えば、Horner, L.; Hoffmann, H. M. R.; Wippel,H. G.; Klahre, G. Ber. 1959, 92, 2499. 、Maryanoff, B. E.; Reitz, A. B. Chem. Rev.1989,89,863. 、Kelly, S. E. Comprehensive Organic Synthesis 1991,1,729.等の文献記載の方法を参考に行うことができる。
Ｊｕｌｉａ−Ｌｙｔｈｇｏｅオレフィン合成は、例えば、Julia, M.; Paris, J. M. Tetrahedron Lett. 1973,4833、Blakemore, P. R.JCS PerkinTrans. 1 2002, 2563等の文献記載の方法を参考に行うことができる。
なお、上記化合物１は、市販試薬として容易に入手可能な２，４−ヘキサジエナ−ルとＦｅ３（ＣＯ）１２等の鉄錯体とを加熱攪拌するなどして容易に合成可能である。
【００３０】
〈工程（Ｂ）〉
上記工程（Ｂ）の反応の一例は、下記式で表すことができる。下記反応式は、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、ＡがＣＯ、Ｒ４が２−シアノエチル基であるものを用いて、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させた場合である。
0005527348.tif 000021
上記化合物（トリカルボニル［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄）とともに、下記式で表される異性体（３−ｇｅｏ）が得られることがあるが、この異性体がなるべく少ない方が好ましい。下記式で表される異性体は、例えばシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより容易に分離することができる。さらに上記化合物（トリカルボニル［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄）を再結晶することにより純度を上げることができる。再結晶は、溶媒としてヘキサン／エーテル類を用いることが好ましい
0005527348.tif 000022
【００３１】
上記アルデヒドと、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドとの反応は、例えば、Ｅ選択的Ｈｏｎｏｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応によることができる。即ち、アルコール類、ＴＨＦ、１，２−ジメトキシエタン、ＤＭＳＯなどの有機溶媒に（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを溶解し、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、炭酸カリウム、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）、トリエチルアミン、塩化リチウム、ＮａＨＭＤＳ（ナトリウムビス（トリメチルシリル）アミド）などの塩基を作用させてアニオンを発生させる。ここに上記アルデヒド化合物を加え、一定時間、好ましくは１〜８時間、より好ましくは１〜５時間反応させる。反応温度は特に限定されず、−８０度から加熱還流まで適宜採用できる。立体選択性が高まることから、塩基としては塩化リチウムが好ましい。
【００３２】
（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドは、下記式で表される化合物である。
0005527348.tif 000023
（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドは、例えば、市販試薬として容易に入手可能な４−ブロモクロトン酸エチルを原料に、トリエチルホスファイトとの反応、加水分解、アミド化を経て合成することができる。このような合成経路の一例は、下記式により表すことができる。下記式で表される合成経路は、４−ブロモクロトン酸エチルとトリエチルホスファイトとの反応を、１３０℃加熱下で行い、４−ホスホノクロトン酸トリエチルを得る。次に、得られた４−ホスホノクロトン酸トリエチルを水酸化カリウムにより加水分解して、４−ジエチルホスホノクロトン酸を得て、イソブチルアミンとのアミド化反応を行って、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを得るというものである。
0005527348.tif 000024
【００３３】
〈工程（Ｃ）〉
一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程については、上記と同様である。
【００３４】
また、本発明のサンショール類の製造方法は、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程（Ａ）と、
得られたアルデヒド化合物を、４−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させることにより、上記一般式（ＩＶ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程（Ｄ）と、
得られた一般式（ＩＶ）で表されるジエン鉄錯体化合物を加水分解したのちに、一般式（ＶＩ）で表されるアミンと反応させて前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程（Ｅ）と、
得られた一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程（Ｃ）と、を備えることが好ましい。
【００３５】
〈工程（Ｄ）〉
上記工程（Ｄ）は、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、および、（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを用いずに、４−ホスホノクロトン酸トリエチルを用いる以外は、上記工程（Ｂ）と同様である。
【００３６】
〈工程（Ｅ）〉
上記工程（Ｅ）において、まず、一般式（ＩＶ）で表されるジエン鉄錯体化合物のエステル結合を加水分解する。加水分解の方法は特に限定されず、公知の方法によることができる。
次に、加水分解により得られたカルボキシル基と一般式（ＶＩ）で表されるアミンとをアミド化反応させて、一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る。アミド化反応は、一般的な方法により行なうことができるが、ヨウ化Ｎ−メチル−２−クロロピリジニウムを用いてアミンとの縮合反応を行う方法や、水溶性カルボジイミド（１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩等）などの水溶性縮合剤と、ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ）とを組み合わせて使用して縮合反応を行う方法が好ましい。
【００３７】
なお、上記一般式（ＶＩ）で表されるアミンは公知の方法で合成できる。例えば、上記アミンのうちＲがヒドロキシ基のもの、即ち、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピルアミンは、１，２−エポキシ−２−メチルプロパン（ＥＭＰ）に対して１．１等量のベンジルアミンを反応させた後、接触水素化反応で脱保護することにより得られる。上記反応は、例えば、Candice Menzzi-Smarrito et al., J. Agric. Food Chem. 57, 1982 (2009)記載の方法を参考に行うことができる。
【００３８】
また、本発明のサンショール類の製造方法は、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程（Ａ）と、
得られたアルデヒド化合物を、４−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させることにより、上記一般式（ＶＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程（Ｆ）と、
得られた一般式（ＶＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物と、一般式（ＶＩ）で表されるアミンとを反応させて前記一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程（Ｇ）と、
得られた一般式（Ｉ）で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程（Ｃ）と、を備えることが好ましい。
【００３９】
〈工程（Ｆ）〉
上記工程（Ｆ）は、（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、（Ｅ）−Ｎ−（２−メチル−２−ヒドロキシ−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、および、（Ｅ）−Ｎ−（２，２−ジメチル−プロピル）−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを用いずに、４−ジエチルホスホノクロトン酸を用いる以外は、上記工程（Ｂ）と同様である。
【００４０】
〈工程（Ｇ）〉
上記工程（Ｇ）は、上記工程（Ｅ）におけるアミド化反応と同様にして行うことができる。
【００４１】
また、本発明のサンショール類の製造方法は、上記工程に加えて、
下記式（ＩＸ）、
0005527348.tif 000025
で表される化合物と、３−シアノプロピルトリフェニルホスホニウム塩、または、４−（１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−イルスルホニル）ブタンニトリルとを反応させ、前記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程（Ｈ）をさらに備えることが好ましい。
【００４２】
〈工程（Ｈ）〉
上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物は、例えば式中、ＡがＣＯである化合物を例にとると、下記式、
0005527348.tif 000026
で表される化合物１から、３−シアノプロピルトリフェニルホスホニウム塩を用いたＷｉｔｔｉｇ反応、または、４−（１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−イルスルホニル）ブタンニトリルを用いたＪｕｌｉａ−Ｋｏｃｉｅｎｓｋｉオレフィン化反応によって合成することができる。Ｊｕｌｉａ−Ｋｏｃｉｅｎｓｋｉオレフィン化反応は、例えば、P.J. Kocienski, et al., Synlett, 1998, 26等の文献記載の方法を参考に行うことができる。Ｗｉｔｔｉｇ反応により、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、Ｒ４が２−シアノエチル基であるものを選択的に合成することができる。
また、Ｊｕｌｉａ−Ｋｏｃｉｅｎｓｋｉオレフィン化反応により、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、Ｒ３が２−シアノエチル基であるもの（即ち、Ｅ，Ｅ，Ｅ−トリエン骨格を有するもの）を選択的に合成することができる。
その後、得られた一般式（ＩＩＩ）で表されるジエン鉄錯体化合物を用いて、上記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）を適宜経ることにより、δ−サンショール類を製造することができる。
【実施例】
【００４３】
［実験例１］
トリカルボニル［（２，３，４，５−η）−（２Ｅ，４Ｅ）−ヘキサ−２，４−ジエナ−ル］鉄の合成
0005527348.tif 000027
室温下、２，４−ヘキサジエナ−ル（１．８１ｍＬ）を、トルエン（３０ｍＬ）中、Ｆｅ３（ＣＯ）１２（５．７ｇ）を懸濁した溶液に加え、混合液を６０℃で２４時間攪拌した。その後、反応液を８０℃で１時間攪拌した。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン→ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１）にかけ、得られた粗精製物を減圧下濃縮乾固して、油状のトリカルボニル［（２，３，４，５−η）−（２Ｅ，４Ｅ）−ヘキサ−２，４−ジエナ−ル］鉄を２．８４ｇ得た（収率は７０．８％）。
【００４４】
得られた化合物のデータは下記の通り。
1H-NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 1.26 (1H, dd, J=4.4, 8.3Hz), 1.51 (3H, d,J=6.1Hz), 1.70 (1H, dq, J=8.7, 6.1Hz), 5.30 (1H, dd, J=5.1, 8.7Hz), 5.77 (1H,dd, J=5.1, 8.3Hz), 9.26 (1H, d, J=4.4Hz);
ESI-LRMS:m/z: +ESI 259 [M+Na]+, 237 [M+H]+, -ESI 235 [M-H]-;
ESI-HRMS:m/z: 258.9666 (Calcd for C9H8O4FeNa:258.9670).
【００４５】
［実験例２−１］
トリカルボニル  ［（６，７，８，９−η）−（４Ｚ，６Ｅ，８Ｅ）−デカ−４，６，８−トリエンニトリル］鉄の合成
0005527348.tif 000028
１）３−シアノプロピルトリフェニルホスホニウムブロマイド（ＰＰｈ３Ｐ＋（ＣＨ２）３ＣＮ  Ｂｒ−）（１２．３ｇ、３０．０ｍｏｌ）とＴＨＦ（３０ｍＬ）の混合液を０℃に冷却し、ＴＨＦ（３０ｍＬ）に懸濁したナトリウムヘキサメチルジシラジド（ＮａＨＭＤＳ）（１．０ｍｏｌ／Ｌ）を加えた。得られた赤色〜橙色の溶液を同温度で３０分間攪拌した。攪拌を停止し、ＮａＢｒが完全に沈殿して分離するまで１時間ほど室温で静置し、イリド溶液を得た。
【００４６】
２）トリカルボニル  ［（２，３，４，５−η）−（２Ｅ，４Ｅ）−ヘキサ−２，４−ジエナ−ル］鉄（４．２０ｇ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に溶解した溶液に、アルゴン雰囲気下、−７８℃、０．５ｍｏｌ／Ｌの上記イリド溶液（６０．０ｍＬ）を滴下した。その後、反応溶液を−７８℃下、１時間攪拌した。反応液の温度を徐々に上げながら１．５時間攪拌し、−２０℃とした。次に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、水層を酢酸エチルにて抽出した。有機層は、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５：１）にかけ、トリカルボニル  ［（６，７，８，９−η）−（４Ｚ，６Ｅ，８Ｅ）−デカ−４，６，８−トリエンニトリル］鉄を４．６１ｇ得た（収率９０．４％）。
【００４７】
得られた化合物のデータは下記の通り。
1H-NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 1.42-1.45 (4H, m), 1.75 (1H,dd, J=9.6, 10.7 Hz),2.36-2.47 (4H, m), 5.07 (1H, dd, J=4.9, 7.3 Hz), 5.19 (1H, dd, J=4.9, 8.2 Hz),5.32 (1H, td, J=7.3, 10.7 Hz), 5.54 (1H, t, J=10.7 Hz); 
13C-NMR (CDCl3, 100MHz),δ: 17.05, 19.18, 23.83, 54.48, 57.60, 82.40, 85.97,119.13, 125.14, 134.15, 212.05;
ESI-MS m/z:+ESI 310 [M+Na]+, 288 [M+H]+, -ESI 286 [M-H]-;
HRESI-MS m/z:310.0143 (Calcd for C13H13NO3FeNa: 310.0143);
IR (KBr):cm-1: 2033, 1952, 625, 568.
【００４８】
［実験例２−２〜２−５］
使用する塩基、溶媒、温度を下記表１に記載のように変えた以外は、上記実験例２−１と同様に反応を行った。トリカルボニル［（６，７，８，９−η）−（４Ｚ，６Ｅ，８Ｅ）−デカ−４，６，８−トリエンニトリル］鉄の収率を下記表１に示す。
【００４９】
【表１】
0005527348.tif 000029
【００５０】
［実験例３−１］
４−ホスホノクロトン酸トリエチルの合成
0005527348.tif 000030
４−ブロモクロトン酸エチル（７．０ｍＬ）を、１２０〜１３０℃下、６０分間かけてトリエチルホスファイト（９．９ｍＬ）に加えた。エチルブロマイドの発生が止まった後、反応液を同様の温度下で３時間攪拌した。混合液を冷却し、減圧下濃縮した。残渣を減圧下（１７−２１ｈＰａ），１５０〜２１０℃で蒸留精製して３つのフラクションに分けた。そのうち、１６５〜１７０℃のフラクションから、無色油状の４−ホスホノクロトン酸トリエチルを得た。
【００５１】
得られた化合物のデータは下記の通り。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 1.27-1.35 (9H, t×3), 2.74 (2H, dd,J = 7.8, 22.9Hz), 4.08-4.22 (6H, m), 5.96 (1H, ddd, J = 1.4, 4.8,13.8Hz), 6.88 (1H, td, J = 7.8, 22.9Hz).
【００５２】
［実験例３−２］
４−ジエチルホスホノクロトン酸の合成
0005527348.tif 000031
４−ホスホノクロトン酸トリエチル（５．５３ｇ）の水溶液３６ｍＬに対して、水酸化カリウム（１．６９ｇ）の水溶液３６ｍＬを室温下、加え、反応液を３時間攪拌した。混合液をジクロロメタンで洗浄した後、水層を濃塩酸でｐＨ２とし，ジクロロメタン（５５０ｍＬ）で抽出した。得られた有機層を、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮乾固して白色固体の４−ジエチルホスホノクロトン酸４．４１ｇを得た。
【００５３】
得られた化合物のデータは下記の通り。
Melting Point73.0-75.0oC, 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 1.33 (6H, t, J = 7.1Hz), 2.79 (2H, dd, J= 8.0, 23.0Hz), 4.11-4.18 (4H, m), 5.97 (1H, dd, J = 5.1, 15.5Hz), 6.94(1H, td, J = 7.8, 23.0Hz).
【００５４】
［実験例３−３］
（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドの合成
0005527348.tif 000032
４−ジエチルホスホノクロトン酸（５．０ｇ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（５．２ｇ）、ＨＯ−Ｂｔ（ヒドロキシベンゾトリアゾール）（４．６ｇ）をジクロロメタン（３６．５ｇ）に溶解し、アルゴン雰囲気下５分攪拌した。混合液にイソブチルアミン（４．９ｍＬ）を加えて、室温下６時間攪拌した。飽和炭酸ナトリウム水溶液を反応液に加えて、水層をジクロロメタンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル→酢酸エチル／メタノール＝１０／１）にかけ、無色の粘性油状の目的物を得た。
【００５５】
得られた化合物のデータは下記の通り。
H-NMR (CDCl3,400 MHz) δ: 0.92 (6H, d, J = 6.8Hz), 1.32(6H, t, J = 7.1Hz), 1.80 (1H, m), 2.72 (2H, dd, J = 7.8, 23.3Hz),3.15 (2H, t, J = 6.6Hz), 4.08-4.16 (4H, m), 5.55 (1H, brs), 5.97 (1H,dd, J = 4.9, 15.0Hz), 6.74 (1H, td, J = 7.8, 23.3Hz); 13C-NMR(CDCl3, 100 MHz),δ: 164.9 (d, J = 2.5Hz), 132.6 (d,J = 10.7Hz), 128.4 (d, J = 13.2Hz), 62.2 (d, J = 6.6Hz),46.9 (s), 30.1 (d, J = 139.8Hz), 28.5 (s), 20.1 (s), 16.4 (d, J =5.8Hz); ESI-MS m/z: +ESI 278 [M+H]+ -ESI 276 [M-H]-.HRESI-MS m/z: 355.0250 (Calcd for C12H25O4NP:278.1513). IR (film): cm-1: 3476, 3288, 1677, 1628, 1554, 1244, 1023.
【００５６】
［実験例４−１］
トリカルボニル  ［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄の合成
0005527348.tif 000033
１）トリカルボニル［（６，７，８，９−η）−（４Ｚ，６Ｅ，８Ｅ）−デカ−４，６，８−トリエンニトリル］鉄（１００．２ｍｇ）のトルエン溶液（２．５ｍＬ）に、−２０℃、アルゴン雰囲気下ＤＩＢＡＬ−Ｈ（０．５２ｍＬ）を滴下した。反応混合液を−２０℃で１時間攪拌した。反応液に１ｍｏｌ／Ｌ塩酸を加え５分攪拌し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、アルデヒド化合物を得た。
２）（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド（１２６．５ｍｇ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）２ｍＬに溶解し、アルゴン雰囲気下、ＮａＨＭＤＳ（ナトリウムビストリメチルシリルアミド）のＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、０．５ｍＬ）を加えて、混合液を−２０℃で１５分間、室温で１０分間攪拌した。当該混合液を、上記アルデヒドのＴＨＦ溶液（１．０ｍＬ）に、−２０℃下、加えた。その後、反応液を−２０℃から０℃にして４時間攪拌した。１ｍｏｌ／Ｌの塩酸を加えて反応を停止し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、得られた残存物をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝４／１）にかけて、目的物を得た（２７．６ｍｇ）。また、下記異性体３−ｇｅｏも得た（５１．４ｍｇ）。
その後、目的物をヘキサン／ジエチルエーテルから再結晶し、黄色固体の目的物を精製した。
0005527348.tif 000034
【００５７】
得られた化合物のデータは下記の通り。
トリカルボニル［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄： Melting Point 73.5-75.5oC(hexane/Et2O), 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 0.92 (6H, d, J = 6.8Hz), 1.36 (1H, m), 1.42 (3H,d, J = 5.8Hz), 1.75-1.85 (1H, m), 1.88 (1H, dd, J = 8.7, 10.5Hz), 2.21-2.27(4H, m), 3.17 (2H, t, J = 6.5Hz), 5.03 (1H, dd, J = 5.1, 8.2Hz), 5.14 (1H, dd,J = 5.1, 8.7Hz), 5.30 (1H, td, J = 6.3, 10.5Hz), 5.41 (1H, t, J = 10.5Hz), 5.49(1H, brs), 5.77 (1H, d, J = 15.1Hz), 6.05 (1H, td, J = 6.3, 15.1Hz), 6.16 (1H,dd, J = 10.7, 15.1Hz), 7.19 (1H, dd, J = 10.7, 15.1Hz); 13C-NMR(CDCl3, 100 MHz), δ:212.37, 166.23, 141.57, 140.98, 131.49, 129.57, 128.85, 122.26, 85.47, 82.23,57.08, 56.24, 46.91, 32.41, 28.62, 27.15, 20.10, 19.17; ESI-MS m/z:+ESI 436 [M+Na]+, 414 [M+H]+, -ESI 412 [M-H]-.HRESI-MS m/z: 414.1357 (Calcd for C21H28NO4Fe:414.1362). IR (film): cm-1: 3290, 2037, 1966.
【００５８】
異性体： 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ:0.93 (6H, d, J = 6.87Hz), 1.33 (1H, m), 1.42 (3H, d, J = 5.8Hz),1.81 (1H, m), 1.88 (1H, dd, J = 9.6Hz), 2.22 (2H, dd, J = 7.1,14.0Hz), 2.41 (2H, dd, J = 7.4, 14.0Hz), 3.18 (2H, t, J = 6.7Hz),5.03 (1H, dd, J = 4.9, 7.8Hz), 5.14 (1H, dd, J = 4.9, 9.6Hz),5.32 (1H, td, J = 7.1, 10.7Hz), 5.41 (1H, dd, J = 9.6, 10.7Hz),5.49 (1H, brs), 5.77 (1H, td, J = 7.8, 10.6Hz), 5.84 (1H, d, J =14.7Hz), 6.12 (1H, dd, J = 10.6, 11.5Hz), 7.52 (1H, dd, J = 11.5,14.7Hz); ESI-MS m/z: +ESI 436 [M+Na]+, 414 [M+H]+,-ESI 412 [M-H]-. HRESI-MS m/z: 414.1357 (Calcd for C21H28NO4Fe:414.1362). 
【００５９】
［実験例４−２］
トリカルボニル［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄の合成
0005527348.tif 000035
１）トリカルボニル［（６，７，８，９−η）−（４Ｚ，６Ｅ，８Ｅ）−デカ−４，６，８−トリエンニトリル］鉄（１．０２ｇ）のトルエン溶液（２５ｍＬ）に、−２０℃、アルゴン雰囲気下ＤＩＢＡＬ−Ｈ（０．５２ｍＬ）を滴下した。反応混合液を−２０℃で１時間攪拌した。反応液に１ｍｏｌ／Ｌ塩酸を加え１５分攪拌し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、アルデヒド化合物を得た。
２）（Ｅ）−Ｎ−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド（１．９６ｇ）、ＭＳ４Ａ（モレキュラーシーブス  ４Ａ）（５．６１ｇ）および水酸化リチウム（６０９．９ｍｇ）のＴＨＦ懸濁液を室温下、１．５時間攪拌した。該ＴＨＦ溶液に上記アルデヒドのＴＨＦ溶液（１０ｍＬ）を加え、２時間還流した。
反応液をシリカゲルカラムにかけ、酢酸エチルで溶出し、減圧下濃縮して、粗生成物を得た。残存物をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝５／１→２／１）にかけ、淡黄色油状の目的物を得た（８２５．９ｍｇ）。
【００６０】
［実験例４−３〜４−７］
上記２）において、使用する塩基、温度を下記表２に記載のように変えた以外は、上記実験例４−２と同様に反応を行った。異性体３−ｇｅｏ（３ｇと表記）、トリカルボニル［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄（３と表記）の収率を下記表１に示す。表２中、Ａは、トリカルボニル［（６，７，８，９−η）−（４Ｚ，６Ｅ，８Ｅ）−デカ−４，６，８−トリエンニトリル］鉄のことである。
【００６１】
【表２】
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【００６２】
［実験例５−１］
（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミドの合成
0005527348.tif 000037
トリカルボニル［（１０，１１，１２，１３−η）−（２Ｅ，４Ｅ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミド］鉄（３９．８ｍｇ）と、トリメチルアミン−Ｎ−オキシド（１５０．８ｍｇ）の混合物に対して、窒素雰囲気、室温下、アセトニトリル（１．０ｍＬ）を加えた。混合物を１時間攪拌した。反応液をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１／１）にかけ、有機溶媒を濃縮乾固し，白色固体として目的物を得た（２０．６ｍｇ）。
【００６３】
得られた化合物のデータは下記の通り。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 0.92 (6H, d, J = 6.7Hz), 1.78 (3H, d, J= 7.7Hz), 1.79 (1H, m), 2.24 (2H, dd, J = 7.5, 14.0Hz), 2.32 (2H, dd, J = 7.0,14.8Hz), 3.17 (2H, t, J = 6.7Hz), 5.37 (1H, td, J = 7.5, 10.4Hz),5.49 (1H, brs), 5.72 (1H, td, J = 7.0, 13.4Hz), 5.76 (1H, d, J =15.0Hz), 5.99-6.21 (5H, m), 6.33 (1H, dd, J = 11.3, 13.4Hz), 7.18 (1H,dd, J = 11.3, 15.0Hz).
【００６４】
［実験例５−２］
（２Ｅ，４Ｚ，８Ｚ，１０Ｅ，１２Ｅ）−Ｎ−イソブチルテトラデカ−２，４，８，１０，１２−ペンタエナミドの合成
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上記異性体３−ｇｅｏ（４２．８ｍｇ）とトリメチルアミン−Ｎ−オキシド（７５．１ｍｇ）の混合物に対して、窒素雰囲気、室温下、アセトニトリル（１．０ｍＬ）を加えた。混合物を１時間攪拌した。混合液にトリメチルアミン−Ｎ−オキシド（８６．８ｍｇ）を加え１０分間攪拌した。反応液をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１／１）にかけ、有機溶媒を濃縮乾固し，白色固体として目的物を得た（２４．０ｍｇ）。
【００６５】
得られた化合物のデータは下記の通り。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 0.93 (6H, d, J = 6.5Hz), 1.78 (3H, d, J= 6.8Hz), 1.81 (1H, m), 2.24 (2H, dd, J = 7.3, 14.6Hz), 2.41 (2H, dd, J = 7.3,14.6Hz), 3.18 (2H, t, J = 6.5Hz), 5.37 (1H, td, J = 7.3, 10.9Hz),5.49 (1H, brs), 5.69-5.81 (2H, m), 5.83 (1H, t, J = 14.9Hz), 6.02 (1H, d, J= 10.9Hz), 6.08-6.20 (3H, m), 6.34 (1H, dd, J = 10.9, 12.6Hz), 7.53 (1H,dd, J = 12.6, 14.9Hz).