(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体と、
半導体集積回路を有する素子形成層と、を有し、
前記構造体は、繊維体と有機樹脂とを有し、
前記有機樹脂は、前記繊維体の表面及び隙間に設けられ、
前記構造体は、前記素子形成層と重ならない領域を有し、
前記構造体は、導電体を有し、
前記導電体は、導電体粒子を有し、
前記導電体は、前記素子形成層と重ならない領域において、前記構造体の第１の面から、該第１の面と反対側の前記構造体の第２の面まで電気的に繋がり、
前記導電体粒子は、前記繊維体の前記隙間に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記構造体の前記第１の面に、導電膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記導電膜は、前記導電体粒子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の構造体と、
第２の構造体と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体との間に、半導体集積回路を有する素子形成層と、を有し、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、それぞれ有機樹脂を有し、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体の少なくとも一方は、繊維体を有し、
前記有機樹脂は、前記繊維体の表面及び隙間に設けられ、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、前記素子形成層と重ならない領域を有し、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、導電体を有し、
前記導電体は、導電体粒子を有し、
前記導電体は、前記素子形成層と重ならない領域において、前記第１の構造体及び前記第２の構造体の第１の面から、該第１の面と反対側の前記第１の構造体及び前記第２の構造体の第２の面まで電気的に繋がり、
前記導電体粒子は、前記繊維体の前記隙間に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体の前記第１の面に、第１の導電膜を有し、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体の前記第２の面に、第２の導電膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、前記導電体粒子を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその作製方法に関し、特に、非接触で外部と信号の送受信を行
う半導体装置及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アンテナを介した無線通信により信号の送受信を行う半導体装置（非接触信号処理装置、
半導体集積回路チップ）において、静電気放電による半導体装置の破壊（静電気破壊）問
題は、半導体装置の作製工程時から、検査、製品としての使用に至るまで信頼性や生産性
の低下を招く重要な問題であり、その対策が重要となっている。
【０００３】
例えば、静電気破壊の対策として、上記半導体装置において基板や接着剤に導電性ポリマ
ー層を用いることが提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
また、静電気破壊の対策と共に小型化及び薄膜化が求められている半導体装置の外的スト
レスに対する強度を向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４１９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の市場が拡大するに伴い、その形状や必要とされる特性の要求は様々である。
また、市場の拡大により様々な場面での使用を想定すると、さらに静電気破壊に対する高
い耐性を有すると共に、外的ストレスに対する耐性を備えた半導体装置が求められている
。
【０００７】
本発明の一態様は、静電気破壊に対する耐性を向上させると共に、外部ストレスに対する
耐性を向上させることを目的とする。又は、本発明の一態様は、作製工程を簡略化し低コ
スト化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、表面に第１の導電膜が形成された第１の有機樹脂層と表面に第２の導
電膜が形成された第２の有機樹脂層の間に素子形成層を設け、当該第１の導電膜と第２の
導電膜を有機樹脂層内に形成された導電体を用いて電気的に接続させる工程において、当
該第１の有機樹脂層及び第２の有機樹脂層内に設ける導電体を、有機樹脂を硬化させる前
にペーストを浸透させ、その後有機樹脂層を硬化させることにより作製する。
【０００９】
また、本発明の一態様は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に半導体集積回路及びアン
テナを有する素子形成層を形成し、素子形成層を覆うように第１の有機樹脂層を形成し、
第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、第１の有機樹脂
層の第１の面上であって少なくとも素子形成層と重ならない領域に形成し、第１のペース
トを第１の有機樹脂層内に浸透させた後に第１の有機樹脂層を硬化させることにより、第
１の有機樹脂層の第１の面から該第１の面と反対側の第２の面に達する第１の導電体を形
成し、第１の導電体と電気的に接続し且つ素子形成層と重なるように第１の有機樹脂層上
に第１の導電膜を形成し、基板から素子形成層を剥離し、剥離面において第１の有機樹脂
層に形成された第１の導電体を露出させ、剥離面に第２の有機樹脂層を形成し、第２の有
機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第２のペーストを、第２の有機樹脂層の第１
の面上であって少なくとも剥離面において露出した第１の導電体と重なる領域に形成し、
第２のペーストを第２の有機樹脂層内に浸透させた後に第２の有機樹脂層を硬化させるこ
とにより、第２の有機樹脂層の第１の面から該第１の面と反対側の第２の面に達し、且つ
第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成し、第２の導電体と電気的に接続し
且つ素子形成層と重なるように第２の有機樹脂層上に第２の導電膜を形成することを特徴
としている。
【００１０】
また、本発明の一態様は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に第１の保護膜を形成し、
第１の保護膜上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、素子形成層
上に第２の保護膜を形成し、第２の保護膜を覆うように第１の有機樹脂層を形成し、第１
の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、第１の有機樹脂層の
第１の面上に網目状に形成し、第１のペーストを第１の有機樹脂層内に浸透させた後に第
１の有機樹脂層を硬化させることにより、第１の有機樹脂層の第１の面から第１の面と反
対側の第２の面に達する第１の導電体を形成し、基板から素子形成層を剥離し、剥離面に
おいて第１の保護膜及び第２の保護膜を選択的に除去することにより、第１の有機樹脂層
に形成された第１の導電体を露出させ、剥離面に第２の有機樹脂層を形成し、第２の有機
樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第２のペーストを、第２の有機樹脂層の第１の
面上に網目状に形成し、第２のペーストを第２の有機樹脂層内に浸透させた後に第２の有
機樹脂層を硬化させることにより、第２の有機樹脂層の第１の面から該第１の面と反対側
の第２の面に達し、且つ第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成することを
特徴としている。
【００１１】
また、本発明の一態様は、互いに対向するように設けられた第１の有機樹脂層及び第２の
有機樹脂層と、第１の有機樹脂層と第２の有機樹脂層との間に設けられた半導体集積回路
及びアンテナを有する素子形成層と、第１の有機樹脂層の第１の面に設けられた第１の導
電膜と、第２の有機樹脂層の第１の面に設けられた第２の導電膜と、第１の導電膜と電気
的に接続され第１の有機樹脂層の第１の面から該第１の面の反対側の第２の面に達する第
１の導電体と、第２の導電膜と電気的に接続され第２の有機樹脂層の第１の面から該第１
の面の反対側の第２の面に達する第２の導電体とを有し、少なくとも第１の有機樹脂層は
繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有し、第１の導電体は、繊維体を破壊せずに繊維
体の隙間を介して第１の有機樹脂層内に設けられており、第１の導電膜と第２の導電膜は
、第１の導電体と第２の導電体を介して電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１２】
なお、本明細書において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
を指す。本発明を用いて半導体素子（トランジスタ、メモリ素子やダイオードなど）を含
む回路を有する装置や、プロセッサ回路を有するチップなどの半導体装置を作製すること
ができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、素子形成層を挟持する第１の有機樹脂層と第２の有機樹脂層上
にそれぞれ設けられた導電膜を当該第１の有機樹脂層及び第２の有機樹脂層内に設けられ
たコンタクト用の導電体を介して電気的に接続することにより、静電気破壊に対する耐性
を向上させることができる。また、有機樹脂層に貫通孔を設けずに当該有機樹脂層内に導
電体を設けることができるため、外部ストレスに対する耐性を向上させることができる。
【００１４】
本発明の一態様によれば、素子形成層を挟持する第１の有機樹脂層と第２の有機樹脂層上
にそれぞれ形成された導電膜を当該第１の有機樹脂層と第２の有機樹脂層内に設けられた
導電体を用いて電気的に接続する場合であっても、第１の有機樹脂層及び第２の有機樹脂
層に貫通孔を設ける工程を省略することができるため作製工程を簡略化することができる
。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図２】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図３】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図４】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図５】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図６】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図７】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図８】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図９】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１０】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１１】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１２】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１３】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１４】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１５】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１６】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１７】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１８】半導体装置の作製方法の一例を説明する図。
【図１９】半導体装置の使用形態を説明する図。
【図２０】半導体装置の使用形態を説明する図。
【図２１】繊維体に有機樹脂が含浸された構造体内に導電膜を設けた場合の断面ＳＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置の作製方法及び当該作製方法により形成された半導体装置
の一例に関し図面を参照して説明する。
【００１８】
まず、基板１０１上に剥離層１０２を介して半導体集積回路及びアンテナを有する素子形
成層１０３を形成する（図１（Ａ）参照）。
【００１９】
基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、表面に
絶縁層が形成された金属基板などを用いることができる。また、基板１０１として、本実
施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
【００２０】
剥離層１０２は、後に基板１０１から素子形成層１０３を剥離する際に用いられる膜であ
り、例えば、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）
、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニ
ウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は
前記元素を主成分とする化合物材料からなる層を単層又は積層して形成する。珪素を含む
層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗
布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【００２１】
なお、後の工程において、基板１０１から素子形成層１０３を分離できるのであれば、剥
離層１０２を設けなくてもよい。
【００２２】
素子形成層１０３には、トランジスタや容量素子等の半導体集積回路が設けられている。
また、素子形成層１０３に設けられるアンテナの形状や長さは用いる周波数等に基づいて
選択すればよい。また、半導体集積回路上に形成した導電膜をアンテナとしてもよく、こ
の場合、半導体集積回路上に設けられたアンテナをオンチップアンテナとも呼ぶ。
【００２３】
次に、素子形成層１０３を覆うように第１の有機樹脂層１０４を形成する（図１（Ｂ）参
照）。
【００２４】
第１の有機樹脂層１０４は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、
ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成するこ
とができる。また、第１の有機樹脂層１０４として、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリ
エーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。第１の有機樹脂層
１０４は、素子形成層１０３を基板１０１から剥離する際の支持体として機能すると共に
、外的ストレスが加わることによる素子形成層１０３の破損を抑制する保護層として機能
する。
【００２５】
次に、第１の有機樹脂層１０４を硬化させる前に、当該第１の有機樹脂層１０４の表面（
第１の面）上に導電性を有するペースト１０５を選択的に形成し（図１（Ｃ）参照）、少
なくともペースト１０５の一部を第１の有機樹脂層１０４に浸透させた（しみこませた）
後、当該第１の有機樹脂層１０４を硬化する（図１（Ｄ）参照）。その結果、第１の有機
樹脂層１０４内に第１の導電体１０６を設けることができる。
【００２６】
なお、ペースト１０５は、第１の有機樹脂層１０４の表面において素子形成層１０３と重
ならない領域に形成し、第１の有機樹脂層の下方の面（第２の面（第１の面と反対側の面
））まで浸透させる。したがって、第１の導電体１０６は、第１の有機樹脂層１０４の第
１の面から第２の面まで達した（連続して設けられた）構造となる。また、第１の導電体
１０６は、コンタクト用導電体として機能する。
【００２７】
導電性を有するペースト１０５は、スクリーン印刷法等の印刷法や液滴吐出法を用いて第
１の有機樹脂層１０４上に選択的に形成することができる。本実施の形態では、素子形成
層１０３を避けた領域にペースト１０５を形成する場合を示したが、素子形成層１０３上
に保護膜等が設けられている場合には素子形成層１０３の上方（例えば、第１の有機樹脂
層１０４の全面）にペースト１０５形成してもよい。また、ペースト１０５を設ける箇所
は１つでもよいし、複数箇所にペースト１０５を設けてもよい。
【００２８】
導電性を有するペースト１０５としては、少なくとも導電体粒子、当該導電体粒子を溶解
又は分散させる有機樹脂及び硬化前の第１の有機樹脂層１０４を溶解させる溶剤を有する
導電性ペーストを用いることができる。硬化前の第１の有機樹脂層１０４を溶解させる溶
剤をペースト１０５に含有させることにより、第１の有機樹脂層１０４内にペースト１０
５を効果的にしみこませることができる。
【００２９】
導電体粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（
Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔ
ｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を
用いることができる。
【００３０】
また、ペースト１０５に含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤およ
び被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。
【００３１】
また、硬化する前の第１の有機樹脂層１０４を溶解させる溶剤として、酢酸ブチル等のエ
ステル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等を当該第
１の有機樹脂層１０４の材料を考慮して、適宜選択して用いることができる。
【００３２】
また、第１の有機樹脂層１０４内にペースト１０５を浸透させた後、第１の有機樹脂層１
０４の硬化前、硬化と同時又は硬化後に焼成を行うことによりペーストを硬化させること
が好ましい。
【００３３】
一例として、第１の有機樹脂層１０４として熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を用いる場
合、ペースト１０５として銀ペースト（銀粉、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル
、エポキシ樹脂）を用いることができる。この場合、第１の有機樹脂層１０４が硬化する
前（仮硬化状態時）に当該第１の有機樹脂層１０４上にペースト１０５を形成すると、ペ
ースト１０５に含まれる酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチルが硬化前の第１の有機
樹脂層１０４を溶解し、ペースト１０５を第１の有機樹脂層１０４内に浸透させることが
できる。その後、加熱処理を行うことにより、第１の有機樹脂層１０４を硬化すると共に
、ペースト１０５に含まれる銀を硬化させ、第１の有機樹脂層１０４内に銀を含有する導
電体１０６を設けることができる。
【００３４】
このように、第１の有機樹脂層１０４として、熱硬化性樹脂を用いた場合、加熱処理によ
り、第１の有機樹脂層１０４の硬化とペースト１０５の焼成を同時に行うことができるた
め、工程を簡略化することができる。なお、加熱処理の際に圧力を加えても（加圧しても
）よい。
【００３５】
次に、第１の有機樹脂層１０４の第１の面に第１の導電膜１０７を形成する（図１（Ｅ）
参照）。第１の導電膜１０７は、第１の導電体１０６と電気的に接続するように設ける。
【００３６】
第１の導電膜１０７は、例えば、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法
等により、チタン、モリブデン、タングステン、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、
白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、タンタル、カドミウム、亜鉛、鉄、シリコン
、ゲルマニウム、ジルコニウム、バリウムから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とす
る合金材料、化合物材料、窒化物材料、酸化物材料を用いて形成すればよい。
【００３７】
窒化物材料としては、窒化タンタル、窒化チタンなどを用いることができる。
【００３８】
酸化物材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化
物（ＩＴＳＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛等を用いることができる。また、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含むインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏ
ｘｉｄｅ））、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウム（Ｇａ）を含む酸化亜鉛、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ２）、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム
亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物
なども用いてもよい。
【００３９】
第１の導電膜１０７を設けることによって、静電気放電により印加される静電気を拡散し
て逃がす、又は電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐ（半導体装置上で局部的な電位差が
発生しないようにする）ことができるため、素子形成層１０３を構成する半導体集積回路
の静電気破壊を抑制することができる。
【００４０】
そのため、第１の導電膜１０７は、少なくとも素子形成層１０３と重なる領域に設ければ
よい。一例として、図１（Ｅ）に示すように、第１の有機樹脂層１０４の表面の全面に第
１の導電膜１０７を設けた構成とすることができる。全面に設けた場合、静電気に対して
広い領域にわたって保護することができる。
【００４１】
また、本実施の形態で示す半導体装置は、外部からの電磁波により誘導起電力を発生させ
て動作を行う（無線機能を有する）ものである。このため、第１の導電膜１０７は、静電
気による半導体集積回路の破壊を防ぐと共に、電磁波を透過させる導電材料を用いて形成
する必要がある。
【００４２】
一般に、電磁波は物質中において減衰することが知られており、この減衰は、特に導電材
料において顕著となる。このため、第１の導電膜１０７を電磁波が透過できるように膜厚
を十分に薄くする。第１の導電膜１０７の膜厚は、通信に利用される電磁波の周波数、第
１の導電膜１０７として用いる導電材料の抵抗率や透磁率に基づいて定めればよい。
【００４３】
一例として、電磁波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして、第１の導電膜１０７としてチタ
ン（抵抗率ρ：５．５×１０−７（Ω・ｍ））を用いる場合には、膜厚を少なくとも５０
０ｎｍ以下程度とする。これにより、静電気放電に起因する半導体装置の破壊を抑制する
とともに、外部との通信を良好に行うことが可能となる。
【００４４】
また、チタンより抵抗率が高い酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯとも呼ぶ）
を用いる場合には、膜厚が少なくとも７００ｎｍ以下程度の厚さとなるように形成すれば
よい。
【００４５】
また、第１の導電膜１０７の膜厚の下限は、抵抗率に基づいて決めることが好ましい。第
１の導電膜１０７として用いる導電材料の抵抗率が高い場合には、静電気を効果的に拡散
させるために、第１の導電膜１０７を厚く形成することが好ましい。
【００４６】
静電気による半導体装置の破壊を効果的に防止するためには、第１の導電膜１０７のシー
ト抵抗が１．０×１０７Ω／□以下、好ましくは１．０×１０４Ω／□以下、より好まし
くは１．０×１０２Ω／□以下となるように第１の導電膜１０７の膜厚を定めることが好
ましい。
【００４７】
つまり、静電気破壊を抑制するという観点からは第１の導電膜１０７の抵抗率を低減する
ことが好ましく、電磁波を透過させるという観点からは第１の導電膜１０７の膜厚を小さ
くすることが好ましい。そのため、第１の導電膜１０７のシート抵抗が上述の範囲となる
のであれば、膜厚をできるだけ小さくすることが好ましい。
【００４８】
なお、導電材料として抵抗率が低いチタン等を用いる場合には、膜厚を極めて薄く設けた
場合であっても、シート抵抗を十分に小さくし且つ電磁波を透過しやすくすることができ
るが、作製プロセス等を考慮すると、第１の導電膜１０７の膜厚を少なくとも１ｎｍ以上
（好ましくは３ｎｍ以上）とすればよい。また、比較的抵抗率が高いインジウム錫酸化物
等を用いる場合には、少なくとも５ｎｍ以上の厚さとすることが好ましい。
【００４９】
上述のように、静電気破壊を抑制するという観点及び電磁波を透過させる観点を考慮して
、第１の導電膜１０７に用いる材料と膜厚を制御することにより、静電気放電に起因する
半導体装置の破壊を効果的に抑制するとともに、外部との通信を良好に行うことができる
半導体装置を得ることができる。
【００５０】
次に、剥離層１０２を用いて、素子形成層１０３及び第１の有機樹脂層１０４を基板１０
１から剥離する（図２（Ａ）参照）。その結果、素子形成層１０３は、第１の有機樹脂層
１０４側に設けられた構造となる。また、剥離工程により、剥離された面（以下、「剥離
面１１５」と記す）において、第１の有機樹脂層１０４の第２の面（ここでは、剥離面１
１５）に達した第１の導電体１０６が露出する。なお、第１の導電体１０６が第２の面ま
で達していない場合や、剥離層１０２が剥離面１１５に残存する等により第１の導電体１
０６が露出していない場合には、剥離面１１５側からエッチング、研磨又はレーザー光を
照射して第１の導電体１０６を露出させればよい。
【００５１】
次に、剥離面１１５に接するように第２の有機樹脂層１０８を形成する（図２（Ｂ）参照
）。
【００５２】
第２の有機樹脂層１０８は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、
ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成するこ
とができる。また、第２の有機樹脂層１０８として、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリ
エーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。また、第１の有機
樹脂層１０４と第２の有機樹脂層１０８を同じ材料を用いて形成してもよい。
【００５３】
次に、第２の有機樹脂層１０８を硬化させる前に、当該第２の有機樹脂層１０８の表面（
第１の面）上に導電性を有するペースト１０９を選択的に形成し（図２（Ｃ）参照）、少
なくともペースト１０９の一部を第２の有機樹脂層１０８に浸透させた後、当該第２の有
機樹脂層１０８を硬化する（図２（Ｄ）参照）。その結果、第２の有機樹脂層１０８内に
第２の導電体１１０を設けることができる。
【００５４】
また、ペースト１０９は、剥離面１１５において露出した第１の導電体１０６と重なる領
域に形成し、第２の有機樹脂層１０８の第２の面（第１の有機樹脂層１０４と接する面）
まで浸透させる。したがって、第２の導電体１１０は、第２の有機樹脂層１０８の第１の
面から第２の面まで達した（連続して設けられた）構造となり、且つ第１の導電体１０６
と電気的に接続される。また、第２の導電体１１０は、コンタクト用導電体として機能す
る。
【００５５】
本実施の形態では、素子形成層１０３を避けた領域にペースト１０９を形成する場合を示
したが、素子形成層１０３上に保護膜等が設けられている場合には素子形成層１０３の上
方（例えば、第２の有機樹脂層１０８の全面）にもペースト１０９を形成してもよい。
【００５６】
ペースト１０９の材料や作製方法は、上記ペースト１０５の説明で例示したいずれかの材
料や作製方法を用いることができる。もちろん、ペースト１０５と同じ材料を用いてもよ
い。
【００５７】
次に、第２の有機樹脂層１０８の第１の面に第２の導電膜１１１を形成する（図２（Ｅ）
参照）。第２の導電膜１１１は、第２の導電体１１０と電気的に接続するように設ける。
その結果、第１の導電膜１０７と第２の導電膜１１１は、第１の導電体１０６と第２の導
電体１１０を介して電気的に接続された構成となる。
【００５８】
第２の導電膜１１１の材料や作製方法は、上記第１の導電膜１０７の説明で例示したいず
れかの材料や作製方法を用いることができる。もちろん、第１の導電膜１０７と同じ材料
を用いてもよい。
【００５９】
第２の導電膜１１１を設けることによって、静電気放電により印加される静電気を拡散し
て逃がす、又は電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐ（半導体装置上で局部的な電位差が
発生しないようにする）ことができるため、素子形成層１０３を構成する半導体集積回路
の静電気破壊を抑制することができる。
【００６０】
そのため、第２の導電膜１１１は、少なくとも素子形成層１０３と重なる領域に設ければ
よい。一例として、図２（Ｅ）に示すように、第２の有機樹脂層１０８の表面の全面に第
２の導電膜１１１を設けた構成とすることができる。全面に設けた場合、静電気に対して
広い領域にわたって保護することができる。
【００６１】
特に、第１の有機樹脂層１０４上に設けられた第１の導電膜１０７と第２の有機樹脂層１
０８上に設けられた第２の導電膜１１１を電気的に接続し等電位面とすることにより、第
１の導電膜１０７と第２の導電膜１１１を電気的に接続しないで設けた場合や、第１の有
機樹脂層１０４又は第２の有機樹脂層１０８の一方にだけ導電膜を設けた場合と比較して
、静電気の拡散を効果的に行い、電荷の局在化を効果的に防ぐことができる。その結果、
半導体集積回路の静電気破壊をより効果的に抑制することができる。
【００６２】
また、第２の導電膜１１１も第１の導電膜と同様に、電磁波が透過できるように膜厚を十
分に薄く形成する。
【００６３】
以上の工程により、半導体装置が得られる。本実施の形態で示した作製方法を用いること
により、第１の有機樹脂層１０４と第２の有機樹脂層１０８を介して電気的な接続を行う
場合であっても、第１の有機樹脂層１０４と第２の有機樹脂層１０８に貫通孔を形成する
ためのエッチング工程が不要となるため、作製工程を簡略化することができる。
【００６４】
また、本実施の形態では、第１の導電膜１０７と第２の導電膜１１１との電気的な接続を
、第１の有機樹脂層１０４内に設けられた第１の導電体１０６と第２の有機樹脂層１０８
内に設けられた第２の導電体１１０を用いて行うため、摩擦等により半導体装置の側面や
端部が選択的に摩耗した場合であっても、第１の導電膜１０７と第２の導電膜１１１の電
気的な接続不良を抑制することができる。
【００６５】
また、第１の有機樹脂層１０４が硬化する前に当該第１の有機樹脂層１０４にペースト１
０５を浸透させ、その後硬化することにより第１の有機樹脂層１０４に貫通孔を設ける工
程が不要となる。その結果、第１の導電膜１０７と第２の導電膜１１１の電気的な接続を
、第１の有機樹脂層１０４内に設けられた第１の導電体１０６と第２の有機樹脂層１０８
内に設けられた第２の導電体１１０を用いて行う場合であっても、第１の有機樹脂層１０
４、第２の有機樹脂層１０８にクラック等の亀裂が生じることを抑制できる。また、作製
工程を簡略化することができる。
【００６６】
なお、本実施の形態では、基板１０１上に剥離層１０２を介して素子形成層１０３を設け
る場合を示したが、剥離工程にかえて基板１０１を研磨することにより除去してもよい。
この場合、基板１０１上に剥離層１０２を設けずに素子形成層１０３を設け、その後基板
１０１を選択的に除去すればよい。
【００６７】
本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成又は作製方法と適宜組み合わせ
て実施することができる。
【００６８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態１で示した構成において、第１の有機樹脂層と第２の
有機樹脂層に代えて、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いる場合に関し図面を参
照して説明する。
【００６９】
まず、図３（Ａ）を参照して、構造体の構成について説明する。
【００７０】
構造体は、一定間隔をあけた経糸と一定間隔をあけた緯糸とで織られた繊維体１６０に、
有機樹脂１６１を含浸させた構成とすることができる（図３（Ａ）参照）。図３（Ａ）で
示す構造体は、繊維体１６０に当該経糸及び緯糸が存在しない領域を有しており、当該領
域に有機樹脂１６１を形成することができる。
【００７１】
繊維体１６０は、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布で
あり、部分的に重なるように配置する。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率また
はヤング率の高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊
維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポ
リパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられ
る。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊
維が挙げられる。なお、繊維体１６０は、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。
また、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。
【００７２】
また、繊維体１６０として、繊維（単糸）の束（以下、糸束と呼ぶ）を経糸及び緯糸に使
って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織
布を用いることができる。織布の場合、平織り、綾織り、しゅす織り等を適宜用いること
ができる。
【００７３】
糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。繊維糸束として、高圧水流、液体を媒体とした
高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした繊維糸
束を用いてもよい。開繊加工をした繊維糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を
削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、繊維糸束と
して低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板
形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体１６
０を薄くすることが可能となり、結果的に薄型の半導体装置を作製することができる。
【００７４】
また有機樹脂１６１として、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、
ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成するこ
とができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹
脂等の熱可塑性樹脂を用いて形成してもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理によ
り繊維体を半導体集積回路に固着することができる。なお、有機樹脂１６１はガラス転移
温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
【００７５】
有機樹脂１６１又は繊維の糸束内に、高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝導
性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等が挙げられ
る。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。導電性フィラーが
有機樹脂または繊維糸束内に含まれることにより半導体集積回路での発熱を外部に放出し
やすくなるため、半導体装置の蓄熱を抑制することが可能であり、半導体装置の破壊を低
減することができる。
【００７６】
また、繊維体１６０に有機樹脂１６１が含浸された構造体は、プリプレグとも呼ばれる。
プリプレグは、具体的には繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸
させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものである。
【００７７】
上記実施の形態において、第１の有機樹脂層と第２の有機樹脂層に代えて、繊維体に有機
樹脂が含侵された構造体を用いる場合、当該構造体の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以
下、さらには１０μｍ以上３０μｍ以下とすることが好ましい。このような厚さの構造体
を用いることで、薄型で湾曲することが可能な半導体装置を作製することができる。例え
ば、弾性率１３ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下、破断係数１４０ＭＰａの構造体を用いること
ができる。
【００７８】
次に、第１の有機樹脂層と第２の有機樹脂層に代えて、繊維体に有機樹脂が含浸された構
造体を用いる場合に関して図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）を参照して説明する。
【００７９】
まず、基板１０１上に剥離層１０２を介して半導体集積回路及びアンテナを有する素子形
成層１０３を形成し、当該素子形成層１０３を覆うように第１の構造体２０４を形成する
（図３（Ｂ）参照）。
【００８０】
第１の構造体２０４としては、繊維体１６０に有機樹脂１６１が含浸された構造体を用い
ることができる。
【００８１】
次に、繊維体１６０に含浸された有機樹脂１６１を硬化させる前に、当該第１の構造体２
０４の表面（第１の面）上に導電性を有するペースト１０５を選択的に形成し（図３（Ｃ
）参照）、少なくともペースト１０５の一部を第１の構造体２０４に浸透させた後、当該
第１の構造体２０４における有機樹脂１６１を硬化する（図３（Ｄ）参照）。
【００８２】
有機樹脂１６１を硬化する前の状態では、ペースト１０５が繊維体１６０の隙間を通り抜
けて有機樹脂１６１に浸透する。つまり、本実施の形態では、ペースト１０５を浸透させ
た後に加熱処理により有機樹脂１６１を硬化することによって、繊維体１６０に貫通孔を
設けずに（繊維体１６０を破壊せずに）、第１の構造体２０４の第１の面から第２の面に
達する第１の導電体１０６を設けることができる。その結果、第１の構造体２０４内に第
１の導電体１０６を設けたとしても、第１の構造体２０４の強度を維持することが可能と
なる。
【００８３】
その後、第２の有機樹脂層１０８に代えて繊維体に有機樹脂が含浸された第２の構造体を
用いて、上記図１（Ｅ）〜図２（Ｅ）と同様の工程を経ることによって、繊維体に有機樹
脂が含浸された構造体により素子形成層１０３が保護される構成とすることができる。な
お、第２の構造体も繊維体に有機樹脂が含浸された構造体で設けることができる。
【００８４】
このように、素子形成層１０３を覆うように繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を設け
ることによって、半導体装置に局所的荷重（点圧、線圧等）がかかっても、繊維体で圧力
が分散されるため、実装工程や湾曲による破壊を低減することができる。また、本実施の
形態を適用することによって、繊維体１６０を破壊（断線）せずに第１の導電体１０６と
第２の導電体１１０を設けることができるため、第１の構造体と第２の構造体の強度を維
持しつつ、第１の導電膜１０７と第２の導電膜１１１を電気的に接続することができる。
【００８５】
また、通常、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体に貫通孔を設ける場合には、有機樹脂
と繊維体を除去する必要があるが、本実施の形態では、エッチング等により貫通孔を設け
る必要がないため、作製工程を簡略化することができる。
【００８６】
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成又は作製方法と適宜組み
合わせて実施することができる。
【００８７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置の作製方法及び当該作製方法によ
り得られる半導体装置の一例に関し図面を参照して説明する。具体的には、第１の有機樹
脂層と第２の有機樹脂層上に形成する第１の導電膜と第２の導電膜を導電性ペーストで形
成する場合について示す。
【００８８】
まず、基板１０１上に剥離層１０２及び第１の保護膜１２１を介して半導体集積回路及び
アンテナを有する素子形成層１０３を形成した後、当該素子形成層１０３を覆うように第
２の保護膜１２２を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００８９】
第１の保護膜１２１、第２の保護膜１２２は、無機材料を有する絶縁層で形成することが
できる。例えば、第１の保護膜１２１、第２の保護膜１２２として、酸化珪素、酸化窒化
珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等を用いて形成することができる。
【００９０】
なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素原子よりも酸素原子の
数が多い物質のことを指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素原子より窒素原子の
数が多い物質のことを指す。例えば、酸化窒化珪素膜とは、その組成として、窒素原子よ
りも酸素原子の数が多く、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂ
ａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ
：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した場合に
、濃度範囲として酸素が５０〜７０原子％、窒素が０．５〜１５原子％、シリコンが２５
〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化
珪素膜とは、その組成として、酸素原子より窒素原子の数が多く、ＲＢＳ及びＨＦＳを用
いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、
シリコンが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。但
し、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化珪素を構成する原子の合計を１００原子％としたと
き、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
【００９１】
次に、第２の保護膜１２２を覆うように第１の有機樹脂層１０４を形成する（図４（Ｂ）
参照）。
【００９２】
第１の有機樹脂層１０４に代えて、上記実施の形態２で示したように繊維体に有機樹脂が
含浸された第１の構造体を用いてもよい。
【００９３】
次に、第１の有機樹脂層１０４を硬化させる前に、当該第１の有機樹脂層１０４の表面（
第１の面）上に導電性を有するペースト１０５を選択的に形成し（図４（Ｃ）参照）、少
なくともペースト１０５の一部を第１の有機樹脂層１０４に浸透させた後、当該第１の有
機樹脂層１０４を硬化する（図４（Ｄ）参照）。その結果、第１の有機樹脂層１０４内に
第１の導電体１０６を設けることができる。
【００９４】
本実施の形態では、ペースト１０５を、第１の有機樹脂層１０４の表面において素子形成
層１０３と重ならない領域及び素子形成層１０３と重なる領域に形成し、第１の有機樹脂
層１０４の下方の面（第２の面（第１の面と反対側の面））まで浸透させる。したがって
、第１の導電体１０６は、第１の有機樹脂層１０４の第１の面から第２の面に連続した構
造となる。
【００９５】
例えば、第１の有機樹脂層１０４上にペースト１０５を網目状に形成することができる（
図６（Ａ）参照）。この場合、素子形成層１０３上の第１の有機樹脂層１０４にもペース
ト１０５が浸透するが、第２の保護膜１２２を設けることによって、素子形成層１０３に
ペースト１０５が浸透することを防止できる。
【００９６】
本実施の形態において、第１の有機樹脂層１０４の表面及び内部において網目状に設けら
れた第１の導電体１０６は、コンタクト用導電体として機能すると共に、静電気放電によ
り印加される静電気を拡散して逃がす、又は電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐ導電体
として機能する。また、網目状に形成することによって、第１の導電体１０６を厚く形成
した場合であっても、電磁波を十分に透過させることができる。
【００９７】
また、第１の導電体１０６は、コンタクト用導電体として機能すると共に、静電気放電に
より印加される静電気を拡散して逃がし、電荷の局在化を防ぐ膜として機能する。
【００９８】
次に、剥離層１０２を用いて、素子形成層１０３を基板１０１から剥離する（図４（Ｅ）
参照）。その結果、素子形成層１０３は、第１の有機樹脂層１０４側に設けられた構造と
なる。
【００９９】
次に、剥離面１１５側からレーザー光を照射して第１の保護膜１２１及び第２の保護膜１
２２を選択的に除去し、第１の有機樹脂層１０４内に設けられた第１の導電体１０６を露
出させる開口部１２３を形成する（図５（Ａ）参照）。なお、レーザー光を用いて第１の
保護膜１２１及び第２の保護膜１２２を除去する代わりに、エッチングや研磨を行うこと
により第１の導電体１０６を露出させる開口部１２３を形成してもよい。
【０１００】
次に、剥離面１１５側に第２の有機樹脂層１０８を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【０１０１】
第２の有機樹脂層１０８に代えて、上記実施の形態２で示したように繊維体に有機樹脂が
含浸された第２の構造体を用いてもよい。
【０１０２】
次に、第２の有機樹脂層１０８を硬化させる前に、当該第２の有機樹脂層１０８の表面（
第１の面）上に導電性を有するペースト１０９を選択的に形成し（図５（Ｃ）参照）、少
なくともペースト１０９の一部を第２の有機樹脂層１０８に浸透させた後、当該第２の有
機樹脂層１０８を硬化する（図５（Ｄ）参照）。その結果、第２の有機樹脂層１０８内に
第２の導電体１１０を設けることができる。
【０１０３】
本実施の形態では、ペースト１０９を、剥離面１１５において露出した第１の導電体１０
６と重なる領域及び素子形成層１０３と重なる領域にも形成し、第２の有機樹脂層１０８
の下方の面（第２の面（第１の面と反対側の面））まで浸透させる。したがって、第２の
導電体１１０は、第２の有機樹脂層１０８の第１の面から第２の面に達した構造となり、
素子形成層１０３が重ならない領域において第１の導電体１０６と電気的に接続される。
【０１０４】
例えば、第２の有機樹脂層１０８上にペースト１０９を網目状に形成することができる（
図６（Ｂ）参照）。この場合、素子形成層１０３上の第２の有機樹脂層１０８にもペース
ト１０９が浸透されるが、保護膜１２１を設けることによって、素子形成層１０３にペー
スト１０９が浸透することを防止できる。
【０１０５】
第２の導電体１１０は、コンタクト用導電体として機能すると共に、静電気放電により印
加される静電気を拡散して逃がし、電荷の局在化を防ぐ膜として機能する。
【０１０６】
以上の工程により、半導体装置が得られる。本実施の形態で示した作製方法を用いること
により、第１の有機樹脂層１０４、第２の有機樹脂層１０８を硬化させた後に当該第１の
有機樹脂層１０４と第２の有機樹脂層１０８の表面に導電膜を設ける工程を省略すること
ができるため、作製工程を簡略化することができる。
【０１０７】
なお、上記説明では、ペースト１０５、ペースト１０９を網目状に設ける場合を示したが
、ペースト１０５、ペースト１０９の形状はこれに限られない。例えば、第１の有機樹脂
層１０４、第２の有機樹脂層１０８の全面にペースト１０５、ペースト１０９を形成して
もよい。
【０１０８】
また、第１の有機樹脂層１０４、第２の有機樹脂層１０８の領域毎に形成するペースト１
０５、ペースト１０９の量を制御してもよい。この場合について図７を参照して説明する
。
【０１０９】
まず、基板１０１上に剥離層１０２を介して半導体集積回路及びアンテナを有する素子形
成層１０３を形成し、当該素子形成層１０３を覆うように第１の有機樹脂層１０４を形成
する。続いて、第１の有機樹脂層１０４を硬化させる前に、当該第１の有機樹脂層１０４
の表面（第１の面）上に導電性を有するペースト１０５を形成する（図７（Ａ）参照）。
【０１１０】
ここでは、ペースト１０５を、第１の有機樹脂層１０４の表面において素子形成層１０３
と重なる領域１１９の全面と、素子形成層１０３と重ならない領域１１８に形成する。ま
た、素子形成層１０３と重なる領域１１９に形成する単位面積当たりのペースト１０５の
量を素子形成層１０３と重ならない領域１１８に形成する単位面積当たりのペースト１０
５量より少なくする。つまり、素子形成層１０３と重ならない領域１１８においては、ペ
ースト１０５を第１の有機樹脂層１０４の下方の面（第２の面）まで浸透させ、素子形成
層１０３と重なる領域１１９においては、ペースト１０５を第１の有機樹脂層１０４の下
方の面（第２の面）まで浸透させない。
【０１１１】
その結果、素子形成層１０３と重ならない領域１１８においては、第１の導電体１０６が
第１の有機樹脂層１０４の第１の面から第２の面に達し、素子形成層１０３と重なる領域
１１９においては、第１の導電体１０６が第１の有機樹脂層１０４の表面（第１の面）側
に設けられた構造となる（図７（Ｂ）参照）。
【０１１２】
その後、剥離層１０２を用いて、素子形成層１０３及び第１の有機樹脂層１０４を基板１
０１から剥離し（図７（Ｃ）参照）、剥離面１１５側に第２の有機樹脂層１０８を形成し
た後、第２の有機樹脂層１０８の表面においても、素子形成層１０３と重なる領域１１９
に形成する単位面積当たりのペースト１０９の量を素子形成層１０３と重ならない領域１
１８に形成する単位面積当たりのペースト１０９の量より少なくする（図７（Ｄ）参照）
。
【０１１３】
その結果、素子形成層１０３と重ならない領域１１８においては、第２の導電体１１０が
第２の有機樹脂層１０８の第１の面から第２の面に達して第１の導電体１０６と電気的に
接続し、素子形成層１０３と重なる領域１１９においては、第２の導電体１１０が第２の
有機樹脂層１０８の表面（第１の面）側に設けられた構造となる（図７（Ｅ）参照）。
【０１１４】
図７に示すように、ペーストを形成する領域によって量を制御することによって、有機樹
脂層に浸透させるペーストの位置を制御することができる。
【０１１５】
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成又は作製方法と適宜組み
合わせて実施することができる。
【０１１６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、同一基板上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を複数
設け、一枚の基板から複数（ここでは、縦４×横３）の半導体装置（半導体集積回路チッ
プ）を作製する方法に関して図面を参照して説明する。以下の説明において、図８、図９
は上面図の模式図であり、図１０〜図１５は図８、図９におけるＡ−Ｂ間の断面図の模式
図である。
【０１１７】
まず、基板７０１の一表面に剥離層７０２を形成し、続けて下地となる絶縁膜７０３およ
び非晶質半導体膜７０４（例えば非晶質珪素を含む膜）を形成する（図８（Ａ）、図１０
（Ａ）参照）。剥離層７０２、絶縁膜７０３および非晶質半導体膜７０４は、連続して形
成することができる。連続して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入
を防ぐことができる。なお、以下の工程において、図８（Ａ）に示された複数の点線の領
域７５０にそれぞれ半導体集積回路部及びアンテナを有する素子形成層が形成される。
【０１１８】
基板７０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板、本工程の処理温度に
耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい。このような基板であれば、そ
の面積や形状に大きな制限はないため、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状
のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形の
シリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。従って、半導体集積回路
部を大きく形成した場合であっても、シリコン基板を用いる場合と比較して低コスト化を
実現することができる。
【０１１９】
なお、本工程では、剥離層７０２を基板７０１の全面に設けているが、必要に応じて、基
板７０１の全面に剥離層を設けた後に、フォトリソグラフィ法により剥離層７０２を選択
的に設けてもよい。また、基板７０１に接するように剥離層７０２を形成しているが、必
要に応じて、基板７０１に接するように酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜等の絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に接するように剥離層７０２を形成してもよ
い。
【０１２０】
剥離層７０２は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。金属
膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウ
ム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金
材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は
、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。金
属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気下ま
たはＮ２Ｏ雰囲気下におけるプラズマ処理、酸素雰囲気下またはＮ２Ｏ雰囲気下における
加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物または酸化窒化物を設け
ることができる。また、金属膜を形成した後に、オゾン水等の酸化力の強い溶液で表面を
処理することにより、金属膜表面に当該金属膜の酸化物又は酸化窒化物を設けることがで
きる。
【０１２１】
絶縁膜７０３は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により、珪素の酸化物または珪素の窒
化物を含む膜を、単層又は積層で形成する。下地となる絶縁膜が２層構造の場合、例えば
、１層目として窒化酸化珪素膜を形成し、２層目として酸化窒化珪素膜を形成するとよい
。下地となる絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、２層
目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成
するとよい。または、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜と
して窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。
下地となる絶縁膜は、基板７０１からの不純物の侵入を防止するブロッキング膜として機
能する。
【０１２２】
半導体膜７０４は、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、２５〜２０
０ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。半導体膜７０４としては、例
えば、非晶質珪素膜を形成すればよい。
【０１２３】
次に、半導体膜７０４にレーザー光を照射して結晶化を行う。なお、レーザー光の照射と
、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用
いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により半導体膜７０４の結晶化を行ってもよい。
その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結晶質半導体膜７０４
ａ〜７０４ｄを形成し、当該半導体膜７０４ａ〜７０４ｄを覆うようにゲート絶縁膜７０
５を形成する（図１０（Ｂ）参照）。
【０１２４】
結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄの作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、まず、
プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０〜６０ｎｍの非晶質半導体膜（例えば、非晶質珪素
膜）を形成する。次に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半
導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱
結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザ
ー発振器からレーザー光を照射し、フォトリソグラフィ法を用いることよって結晶質半導
体膜７０４ａ〜７０４ｄを形成する。なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化
を行わずに、レーザー光の照射だけで非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。
【０１２５】
次に、結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄを覆うゲート絶縁膜７０５を形成する。ゲート
絶縁膜７０５は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素の酸化物又は珪素の窒化物を含む
膜を、単層又は積層して形成する。具体的には、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化
珪素膜を、単層又は積層して形成する。
【０１２６】
また、ゲート絶縁膜７０５は、半導体膜７０４ａ〜７０４ｄに対しプラズマ処理を行い、
表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの
希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを導入し
たプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行う
と、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この高密度プラズマで生成
された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを
含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化することができる。
【０１２７】
このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍ
の絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁膜
と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、プラズマ処
理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）
するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくすることが
できる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため、非常
に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固
相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良
く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【０１２８】
ゲート絶縁膜７０５は、プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし、
それに加えてプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒
化シリコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、プラズマ処理に
より形成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、
特性のばらつきを小さくすることができる。
【０１２９】
また、半導体膜に対し、連続発振レーザー光若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振する
レーザー光を照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜７０４ａ〜７
０４ｄは、そのレーザー光の走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャ
ネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてト
ランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく、
しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる。
【０１３０】
次に、ゲート絶縁膜７０５上に、導電膜を積層して形成する。ここでは、プラズマＣＶＤ
法やスパッタ法等により、２０〜１００ｎｍの厚さで形成した導電膜上に、１００〜４０
０ｎｍの厚さで形成した導電膜を積層して形成する。用いる導電膜は、タンタル（Ｔａ）
、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、
銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素又はこれらの元素を
主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をド
ーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成する。積層させる導電膜の組
み合わせの例を挙げると、窒化タンタル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタン
グステン膜、窒化モリブデン膜とモリブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タン
タルは、耐熱性が高いため、導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行
うことができる。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニ
ウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【０１３１】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極とゲ
ート配線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜７０４ａ〜７０４ｄの上方
にゲート電極７０７を形成する。
【０１３２】
次に、フォトリソグラフィ法により、レジストからなるマスクを形成して、結晶質半導体
膜７０４ａ〜７０４ｄに、イオンドープ法またはイオン注入法により、ｎ型を付与する不
純物元素を低濃度に添加する。ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用い
れば良く、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。
【０１３３】
次に、ゲート絶縁膜７０５とゲート電極７０７を覆うように、絶縁膜を形成する。絶縁膜
は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化物の無
機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。次
に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、
ゲート電極７０７の側面に接する絶縁膜７０８（サイドウォールともよばれる）を形成す
る。絶縁膜７０８は、後にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形
成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【０１３４】
次に、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、ゲート電極７０
７および絶縁膜７０８をマスクとして用いて、結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄにｎ型
を付与する不純物元素を添加して、チャネル形成領域７０６ａと、第１の不純物領域７０
６ｂと、第２の不純物領域７０６ｃを形成する（図１０（Ｃ）参照）。第１の不純物領域
７０６ｂは薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域として機能し、第２の不純物
領域７０６ｃはＬＤＤ領域として機能する。第２の不純物領域７０６ｃが含む不純物元素
の濃度は、第１の不純物領域７０６ｂが含む不純物元素の濃度よりも低い。
【０１３５】
続いて、ゲート電極７０７、絶縁膜７０８等を覆うように、絶縁膜を単層または積層して
形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する
導電膜７３１を形成する。（図１０（Ｄ）参照）。なお、薄膜トランジスタ等の素子は、
領域７５０の全面に設けた構成としても良いし、上記実施の形態で示したように、領域７
５０の一部（例えば、中心部）を除いた部分に設けた構成としても良い。
【０１３６】
絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、
珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテ
ン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成
する。ここでは、絶縁膜を２層で設けた例を示しており、１層目の絶縁膜７０９として窒
化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁膜７１０として酸化窒化珪素膜で形成することがで
きる。
【０１３７】
なお、絶縁膜７０９、７１０を形成する前、または絶縁膜７０９、７１０のうちの一方又
は両方を形成した後に、半導体膜７０４の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元
素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱ア
ニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用するとよい。
【０１３８】
導電膜７３１は、フォトリソグラフィ法により絶縁膜７０９、７１０等をエッチングして
、第１の不純物領域７０６ｂを露出させるコンタクトホールを形成した後、コンタクトホ
ールを充填するように導電膜を形成し、当該導電膜を選択的にエッチングして形成する。
なお、導電膜を形成する前に、コンタクトホールにおいて露出した半導体膜７０４ａ〜７
０４ｄの表面にシリサイドを形成してもよい。
【０１３９】
また、導電膜７３１は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、
タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、
ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元
素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウ
ムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料
、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合
金材料に相当する。
【０１４０】
次に、導電膜７３１を覆うように、絶縁膜７１１を形成し、当該絶縁膜７１１上に開口部
７１２ａ、７１２ｂを形成する（図１１（Ａ）参照）。ここでは、薄膜トランジスタ７３
０ｂ、７３０ｄのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜７３１が露出するよ
うに開口部７１２ａ、７１２ｂを形成する。絶縁膜７１１は、ＣＶＤ法、スパッタ法、Ｓ
ＯＧ法、液滴吐出法またはスクリーン印刷法等を用いて、無機材料又は有機材料により、
単層又は積層で形成する。また、絶縁膜７１１は、好適には、０．７５μｍ〜３μｍの厚
さで形成する。
【０１４１】
次に、絶縁膜７１１上にアンテナとして機能する導電膜７１３を形成し、当該導電膜７１
３上に絶縁膜７１４を形成する（図１１（Ｂ）参照）。その結果、薄膜トランジスタ及び
アンテナを含む素子形成層７５１が得られる（図８（Ｂ）参照）。ここでは、半導体集積
回路上に導電膜を直接作り込んでアンテナ（オンチップアンテナ）を形成した場合を示し
ている。
【０１４２】
導電膜７１３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、銀（
Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ
）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等から選択された元素
、又は元素を主成分とする合金材料、又は前記元素を主成分とする化合物材料からなる層
を単層又は積層して形成する。
【０１４３】
また、導電膜７１３の形状は、伝送方式に応じて適宜選択すればよい。ここでは、導電膜
７１３をコイル状として電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）
を適用する場合を示しているがこれに限られない。
【０１４４】
絶縁膜７１４は、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等を用いることがで
きる。
【０１４５】
次に、絶縁膜７０３、７０９、７１１、７１４を選択的に除去することにより開口部７１
５を形成し、剥離層７０２又は基板７０１を露出させる（図８（Ｃ）、図１１（Ｃ）参照
）。開口部７１５は、半導体集積回路及びアンテナが設けられた領域を避けた領域に形成
する。
【０１４６】
次に、絶縁膜７１４を覆うように第１の構造体７２１を形成する（図１２（Ａ）参照）。
【０１４７】
第１の構造体７２１は、繊維体７２１ａに有機樹脂７２１ｂが含浸された構造とすること
ができる。
【０１４８】
有機樹脂７２１ｂは、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマ
レイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成することがで
きる。また、有機樹脂７２１ｂとして、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミ
ド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【０１４９】
図１２（Ａ）では、開口部７１５に有機樹脂７２１ｂが充填されるように設ける。
【０１５０】
次に、有機樹脂７２１ｂを硬化させる前に、第１の構造体７２１の表面（第１の面）上に
導電性を有するペーストを選択的に形成し、少なくともペーストの一部を有機樹脂７２１
ｂに浸透させた後、当該有機樹脂７２１ｂを硬化する（図９（Ａ）、図１２（Ｂ）参照）
。その結果、第１の構造体７２１内に第１の導電体７２２を設けることができる。
【０１５１】
ここでは、ペーストを第１の構造体７２１の第１の面上において開口部７１５と重なる領
域に選択的に形成し、開口部７１５に設けられた有機樹脂７２１ｂまで浸透させる。
【０１５２】
ペーストの材料や作製方法は、上記実施の形態１においてペースト１０５の説明で例示し
たいずれかの材料や作製方法を用いることができる。
【０１５３】
また、有機樹脂７２１ｂ内にペーストを浸透させた後、有機樹脂７２１ｂの硬化と同時又
は硬化の前後に焼成を行うことによりペーストを硬化させることが好ましい。なお、有機
樹脂７２１ｂとしてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた場合、ペーストを浸透させた
後、加熱処理を行うことにより、有機樹脂７２１ｂを硬化すると共に、ペーストに含まれ
る導電体を硬化させることができる。有機樹脂７２１ｂとして、熱硬化性樹脂を用いた場
合、加熱処理により、有機樹脂７２１ｂの硬化とペーストの焼成を同時に行うことができ
るため、工程を簡略化することができる。
【０１５４】
次に、第１の構造体７２１の第１の面に第１の導電膜７２３を形成する（図９（Ｂ）、図
１３（Ａ）参照）。第１の導電膜７２３は、第１の導電体７２２と電気的に接続するよう
に設ける。
【０１５５】
第１の導電膜７２３の材料や作製方法は、上記実施の形態１において第１の導電膜１０７
の説明で例示したいずれかの材料や作製方法を用いることができる。
【０１５６】
第１の導電膜７２３を設けることによって、静電気放電により印加される静電気を拡散し
て逃がす、又は電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐことができるため、半導体集積回路
の静電気破壊を防ぐことができる。
【０１５７】
そのため、第１の導電膜７２３は、少なくとも半導体集積回路と重なる領域に設ければよ
く、例えば、図１３（Ａ）に示すように、第１の構造体７２１の表面の全面に第１の導電
膜７２３を設けた構成とすることができる。全面に設けた場合、静電気に対して広い領域
にわたって保護することができる。
【０１５８】
また、本実施の形態で示す半導体装置は、外部からの電磁波により誘導起電力を発生させ
て動作を行う（無線機能を有する）ものである。このため、第１の導電膜７２３は、静電
気による半導体集積回路の破壊を防ぐと共に、電磁波を透過させる導電材料を用いて形成
する必要がある。
【０１５９】
本実施の形態では、第１の導電膜７２３を電磁波が透過できるように十分に薄くする。第
１の導電膜７２３の膜厚は、通信に利用される電磁波の周波数、第１の導電膜７２３とし
て用いる導電材料の抵抗率や透磁率に基づいて定めればよい。
【０１６０】
例えば、第１の導電膜７２３として、チタンを用い、膜厚を５ｎｍ〜１００ｎｍ、好まし
くは１０ｎｍ〜３０ｎｍで形成する。
【０１６１】
次に、薄膜トランジスタ７３０ａ〜７３０ｄやアンテナとして機能する導電膜７１３等を
含む素子形成層７５１を基板７０１から剥離する（図１３（Ｂ）参照）。
【０１６２】
剥離する際に水やオゾン水等の水溶液で剥離する面を濡らしながら行うことによって、薄
膜トランジスタ７３０ａ〜薄膜トランジスタ７３０ｄ等の素子が静電気等によって破壊さ
れることを防止できる。また、素子形成層が剥離された基板７０１を再利用することによ
って、低コスト化を実現することができる。
【０１６３】
次に、剥離により露出した面（絶縁膜７０３の表面）を覆うように、第２の構造体７２５
を形成する（図１４（Ａ）参照）。
【０１６４】
第２の構造体７２５は、繊維体７２５ａに有機樹脂７２５ｂが含浸された構造とすること
ができる。
【０１６５】
有機樹脂７２５ｂは、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマ
レイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成することがで
きる。また、有機樹脂７２５ｂとして、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミ
ド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【０１６６】
次に、有機樹脂７２５ｂを硬化させる前に、第２の構造体７２５の表面（第１の面）上に
導電性を有するペーストを選択的に形成し、少なくともペーストの一部を有機樹脂７２５
ｂに浸透させた後、有機樹脂７２５ｂを硬化する（図１４（Ｂ）参照）。その結果、有機
樹脂７２５ｂ内に第２の導電体７２６を設けることができる。
【０１６７】
ペーストは、剥離面において露出した第１の導電体７２２と重なる領域に形成し、第２の
構造体７２５の第２の面（剥離により露出した面（絶縁膜７０３の表面）と接する面）ま
で浸透させる。したがって、第２の導電体７２６は、第２の構造体７２５の第１の面から
第２の面に達した構造となり、第１の導電体７２２と電気的に接続される。
【０１６８】
次に、第２の構造体７２５の第１の面に第２の導電膜７２７を形成する（図１５（Ａ）参
照）。第２の導電膜７２７は、第２の導電体７２６と電気的に接続するように設ける。そ
の結果、第１の導電膜７２３と第２の導電膜７２７は、第１の導電体７２２と第２の導電
体７２６を介して電気的に接続された構成となる。
【０１６９】
第２の導電膜７２７を設けることによって、静電気放電により印加される静電気を拡散し
て逃がす、又は電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐことができるため、半導体集積回路
の静電気破壊を防ぐことができる。
【０１７０】
そのため、第２の導電膜７２７は、少なくとも半導体集積回路と重なる領域に設ければよ
く、例えば、図１５（Ａ）に示すように、第２の構造体７２５の表面の全面に第２の導電
膜７２７を設けた構成とすることができる。全面に設けた場合、静電気に対して広い領域
にわたって保護することができる。
【０１７１】
特に、第１の構造体７２１上に設けられた第１の導電膜７２３と第２の構造体７２５上に
設けられた第２の導電膜７２７を電気的に接続し等電位面とすることにより、第１の導電
膜７２３と第２の導電膜７２７を電気的に接続しないで設けた場合や、第１の構造体７２
１又は第２の構造体７２５の一方にだけ導電膜を設けた場合と比較して、静電気の拡散を
効果的に行い、電荷の局在化を効果的に防ぐことができる。その結果、静電気による半導
体集積回路の破壊をより効果的に防ぐことができる。
【０１７２】
また、第２の導電膜７２７も第１の導電膜７２３と同様に、電磁波が透過できるように膜
厚を十分に薄く形成する。
【０１７３】
次に、第１の導電膜７２３が設けられた第１の構造体７２１と第２の導電膜７２７が設け
られた第２の構造体７２５に挟まれた複数の半導体集積回路及びアンテナをダイシング、
スクライビング又はレーザーカット法等により選択的に分断することによって、複数の半
導体装置を得ることができる（図９（Ｃ）、図１５（Ｂ）参照）。
【０１７４】
なお、上記説明では、第１の構造体７２１を形成する前に開口部７１５を設けた場合を示
したが、これに限られない。例えば、図１６〜図１８に示すように形成してもよい。
【０１７５】
まず、図１１（Ｂ）まで形成した後、絶縁膜７１４上に第１の構造体７２１を形成し（図
１６（Ａ）参照）、有機樹脂７２１ｂにペーストを浸透させて第１の導電体７２２を形成
する（図１６（Ｂ）参照）。続いて、第１の導電体７２２と電気的に接続するように第１
の構造体７２１上に第１の導電膜７２３を形成した後、薄膜トランジスタ７３０ａ〜７３
０ｄやアンテナとして機能する導電膜７１３等を含む素子形成層を基板７０１から剥離す
る（図１７（Ａ）参照）。
【０１７６】
次に、剥離面側からレーザー光を選択的に照射して、第１の導電体７２２を露出させる（
図１７（Ｂ）参照）。
【０１７７】
次に、剥離により露出した面（絶縁膜７０３の表面）を覆うように、第２の構造体７２５
を形成し（図１８（Ａ）参照）、有機樹脂７２５ｂにペーストを浸透させて第２の導電体
７２６を形成し、当該第２の導電体７２６と電気的に接続するように第２の構造体７２５
上に第２の導電膜７２７を形成する（図１８（Ｂ）参照）。
【０１７８】
その後、第１の導電膜７２３が設けられた第１の構造体７２１と第２の導電膜７２７が設
けられた第２の構造体７２５に挟まれた複数の半導体集積回路及びアンテナをダイシング
、スクライビング又はレーザーカット法等により選択的に分断することによって、複数の
半導体装置を得ることができる。
【０１７９】
本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書の他の実施の形態で示した半導
体装置の作製に適用することができる。
【０１８０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態を用いて形成された非接触でデータの入出力が可能で
ある半導体装置の適用例に関して図面を参照して以下に説明する。非接触でデータの入出
力が可能である半導体装置は利用の形態によっては、ＲＦＩＤタグ、ＩＤタグ、ＩＣタグ
、ＩＣチップ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグまたは無線チップともよばれる。
【０１８１】
半導体装置８００は、非接触でデータを交信する機能を有し、高周波回路８１０、電源回
路８２０、リセット回路８３０、クロック発生回路８４０、データ復調回路８５０、デー
タ変調回路８６０、他の回路の制御を行う制御回路８７０、記憶回路８８０およびアンテ
ナ８９０を有している（図１９（Ａ）参照。）。高周波回路８１０はアンテナ８９０より
信号を受信して、データ変調回路８６０より受信した信号をアンテナ８９０から出力する
回路であり、電源回路８２０は受信信号から電源電位を生成する回路であり、リセット回
路８３０はリセット信号を生成する回路であり、クロック発生回路８４０はアンテナ８９
０から入力された受信信号を基に各種クロック信号を生成する回路であり、データ復調回
路８５０は受信信号を復調して制御回路８７０に出力する回路であり、データ変調回路８
６０は制御回路８７０から受信した信号を変調する回路である。また、制御回路８７０と
しては、例えばコード抽出回路９１０、コード判定回路９２０、ＣＲＣ判定回路９３０お
よび出力ユニット回路９４０が設けられている。なお、コード抽出回路９１０は制御回路
８７０に送られてきた命令に含まれる複数のコードをそれぞれ抽出する回路であり、コー
ド判定回路９２０は抽出されたコードとリファレンスに相当するコードとを比較して命令
の内容を判定する回路であり、ＣＲＣ判定回路９３０は判定されたコードに基づいて送信
エラー等の有無を検出する回路である。
【０１８２】
次に、上述した半導体装置の動作の一例について説明する。まず、アンテナ８９０により
無線信号が受信される。無線信号は高周波回路８１０を介して電源回路８２０に送られ、
高電源電位（以下、ＶＤＤと記す）が生成される。ＶＤＤは半導体装置８００が有する各
回路に供給される。また、高周波回路８１０を介してデータ復調回路８５０に送られた信
号は復調される（以下、復調信号）。さらに、高周波回路８１０を介してリセット回路８
３０およびクロック発生回路８４０を通った信号及び復調信号は制御回路８７０に送られ
る。制御回路８７０に送られた信号は、コード抽出回路９１０、コード判定回路９２０お
よびＣＲＣ判定回路９３０等によって解析される。そして、解析された信号にしたがって
、記憶回路８８０内に記憶されている半導体装置の情報が出力される。出力された半導体
装置の情報は出力ユニット回路９４０を通って符号化される。さらに、符号化された半導
体装置８００の情報はデータ変調回路８６０を通って、アンテナ８９０により無線信号に
載せて送信される。なお、半導体装置８００を構成する複数の回路においては、低電源電
位（以下、ＶＳＳ）は共通であり、ＶＳＳはＧＮＤとすることができる。
【０１８３】
このように、通信装置から半導体装置８００に信号を送り、当該半導体装置８００から送
られてきた信号を通信装置で受信することによって、半導体装置のデータを読み取ること
が可能となる。
【０１８４】
また、半導体装置８００は、各回路への電源電圧の供給を電源（バッテリー）を搭載せず
電磁波により行うタイプとしてもよいし、電源（バッテリー）を搭載して電磁波と電源（
バッテリー）により各回路に電源電圧を供給するタイプとしてもよい。
【０１８５】
次に、非接触でデータの入出力が可能な半導体装置の使用形態の一例について説明する。
表示部３２１０を含む携帯端末の側面には、通信装置３２００が設けられ、品物３２２０
の側面には半導体装置３２３０が設けられる（図１９（Ｂ））。品物３２２０が含む半導
体装置３２３０に通信装置３２００をかざすと、表示部３２１０に品物の原材料や原産地
、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が
表示される。また、商品３２６０をベルトコンベアにより搬送する際に、通信装置３２４
０と、商品３２６０に設けられた半導体装置３２５０を用いて、該商品３２６０の検品を
行うことができる（図１９（Ｃ））。このように、システムに半導体装置を活用すること
で、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。
【０１８６】
以上の様に、上記実施の形態で示した半導体装置の適用範囲は極めて広く、広い分野の電
子機器に用いることが可能である。
【０１８７】
（実施の形態６）
上記実施の形態で示した半導体装置は、プロセッサ回路を有するチップ（以下、プロセッ
サチップ、無線チップ、無線プロセッサ、無線メモリ、無線タグともよぶ）として利用す
ることができる。上記実施の形態で示した半導体装置の用途は広範にわたり、非接触で対
象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものに
も適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包
装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活
用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図２
０を用いて説明する。
【０１８８】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するも
の（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指し、
プロセッサ回路を有するチップ１９０を設けることができる（図２０（Ａ）参照）。証書
類とは、運転免許証、住民票等を指し、プロセッサ回路を有するチップ１９１を設けるこ
とができる（図２０（Ｂ）参照）。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指し、プロセッサ回路
を有するチップ１９７を設けることができる（図２０（Ｃ）参照）。無記名債券類とは、
切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペット
ボトル等を指し、プロセッサ回路を有するチップ１９３を設けることができる（図２０（
Ｄ）参照）。書籍類とは、書物、本等を指し、プロセッサ回路を有するチップ１９４を設
けることができる（図２０（Ｅ）参照）。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等
を指し、プロセッサ回路を有するチップ１９５を設けることができる（図２０（Ｆ）参照
）。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指し、プロセッサ回路を有するチップ１９６
を設けることができる（図２０（Ｇ）参照）。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類
とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類
とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液
晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携
帯電話等を指す。
【０１８９】
このような半導体装置の設け方としては、物品の表面に貼る、或いは物品に埋め込んで設
ける。例えば、本の場合は紙に埋め込めばよく、有機樹脂からなるパッケージであれば有
機樹脂に埋め込めばよい。
【０１９０】
このように、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機
器等に半導体装置を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率
化を図ることができる。また乗物類に半導体装置を設けることにより、偽造や盗難を防止
することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別
を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物にセンサーを備えた半導体装置を埋
め込む又は取り付けることによって、生まれた年や性別または種類等はもちろん体温等の
健康状態を容易に管理することが可能となる。
【実施例１】
【０１９１】
本実施例では、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体に、導電性を有するペーストを浸透
させることにより、当該構造体内に導電体を設けた場合について説明する。
【０１９２】
まず、プリプレグを２枚用意した。プリプレグとして、ガラス繊維体に臭素化エポキシ樹
脂が含浸されたものを用いた。
【０１９３】
次に、プリプレグを２枚重ねた後、プリプレグに含まれる臭素化エポキシ樹脂を硬化させ
る前に、プリプレグの表面にスクリーン印刷法を用いて銀ペーストを形成し、当該プリプ
レグの内部に銀ペーストを浸透させた。銀ペーストとして、銀粉、酢酸２−（２−ブトキ
シエトキシ）エチル、エポキシ樹脂が含まれているものを用いた。
【０１９４】
その後、３ＭＰａの圧力を加えながら１９５℃で６０分間の熱処理を行った後、構造体の
断面から査電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｅ）による観察を行った。
【０１９５】
図２１に査電子顕微鏡で観察した構造体の断面を示す。
【０１９６】
図２１に示すように、２枚貼り合わされた構造体の上面から下面に渡って銀が設けられて
いることが観察された。また、繊維体が破壊されておらず、銀ペーストが繊維体の隙間を
通り抜けて臭素化エポキシ樹脂内に浸透したことが確認できた。つまり、有機樹脂を硬化
させる前にペーストを浸透させ、その後に有機樹脂を硬化させることによって、繊維体を
破壊することなく構造体の内部に導電体を設けることができることが確認できた。
【符号の説明】
【０１９７】
１０１    基板
１０２    剥離層
１０３    素子形成層
１０４    有機樹脂層
１０５    ペースト
１０６    導電体
１０７    導電膜
１０８    有機樹脂層
１０９    ペースト
１１０    導電体
１１１    導電膜
１１５    剥離面
１１８    領域
１１９    領域
１２１    保護膜
１２２    保護膜
１２３    開口部
１６０    繊維体
１６１    有機樹脂
１９０    チップ
１９１    チップ
１９３    チップ
１９４    チップ
１９５    チップ
１９６    チップ
１９７    チップ
２０４    構造体
７０１    基板
７０２    剥離層
７０３    絶縁膜
７０４    半導体膜
７０５    ゲート絶縁膜
７０７    ゲート電極
７０８    絶縁膜
７０９    絶縁膜
７１０    絶縁膜
７１１    絶縁膜
７１３    導電膜
７１４    絶縁膜
７１５    開口部
７２１    構造体
７２２    導電体
７２３    導電膜
７２５    構造体
７２６    導電体
７２７    導電膜
７３１    導電膜
７５０    領域
７５１    素子形成層
８００    半導体装置
８１０    高周波回路
８２０    電源回路
８３０    リセット回路
８４０    クロック発生回路
８５０    データ復調回路
８６０    データ変調回路
８７０    制御回路
８８０    記憶回路
８９０    アンテナ
９１０    コード抽出回路
９２０    コード判定回路
９３０    ＣＲＣ判定回路
９４０    出力ユニット回路
３２００    通信装置
３２１０    表示部
３２２０    品物
３２３０    半導体装置
３２４０    通信装置
３２５０    半導体装置
３２６０    商品
７０４ａ    半導体膜
７０６ａ    チャネル形成領域
７０６ｂ    不純物領域
７０６ｃ    不純物領域
７１２ａ    開口部
７２１ａ    繊維体
７２１ｂ    有機樹脂
７２５ａ    繊維体
７２５ｂ    有機樹脂
７３０ａ    薄膜トランジスタ
７３０ｂ    薄膜トランジスタ
７３０ｄ    薄膜トランジスタ
【図１】
0005427308.tif 000002
【図２】
0005427308.tif 000003
【図３】
0005427308.tif 000004
【図４】
0005427308.tif 000005
【図５】
0005427308.tif 000006
【図６】
0005427308.tif 000007
【図７】
0005427308.tif 000008
【図８】
0005427308.tif 000009
【図９】
0005427308.tif 000010
【図１０】
0005427308.tif 000011
【図１１】
0005427308.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0005427308.tif 000014
【図１４】
0005427308.tif 000015
【図１５】
0005427308.tif 000016
【図１６】
0005427308.tif 000017
【図１７】
0005427308.tif 000018
【図１８】
0005427308.tif 000019
【図１９】
0005427308.tif 000020
【図２０】
0005427308.tif 000021
【図２１】
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