(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と樹脂からなる絶縁層とが積層された配線基板であって、
配線基板表面となる一方の面とその反対側の他方の面とを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の一方の面に表面が露出して設けられた第１のパッドと、
前記第１の絶縁層の他方の面に設けられた、前記第１のパッドに隣接する第１の配線と、
前記第１の絶縁層に設けられた、前記第１のパッドの裏面を露出する開口部と、
前記開口部内に設けられた、一端が前記第１のパッドの裏面に接続され、他端が前記第１の配線と一体に設けられたビアと、
前記第１の絶縁層の他方の面側に積層された他の絶縁層と他の配線層と、を有し、
前記第１のパッドと前記第１の配線との間に配置された前記第１の絶縁層の厚さが、前記第１の絶縁層以外の全ての絶縁層における隣接する配線の間に配置された絶縁層の厚さよりも薄いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１のパッドは、表面が露出されるように前記第１の絶縁層中に埋設され、裏面及び側面が前記第１の絶縁層に接していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１のパッドは、裏面が前記第１の絶縁層の一方の面と接するように、前記第１の絶縁層の一方の面上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の絶縁層の一方の面上に、前記第１のパッドの表面を露出する第１のソルダーレジスト層が設けられていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１のソルダーレジスト層の厚さは、前記第１のパッドの厚さと等しいことを特徴とする請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１のパッドと前記第１の配線との間に配置された前記第１の絶縁層の厚さは、５μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層以外の全ての絶縁層における隣接する配線の間に配置された絶縁層の厚さは、２５μｍ〜４５μｍであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記配線基板表面の反対面である配線基板裏面に第２のパッドが設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項９】
前記配線基板裏面に前記第２のパッドを露出する第２のソルダーレジスト層が設けられていることを特徴とする請求項８記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に係り、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化できると共に、コストを低減することのできる配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化したものとして、コアレス基板と呼ばれる配線基板がある。コアレス基板は、コア基板を有していないため、コア基板付ビルドアップ配線基板（コア基板の両面にビルドアップ構造体を形成した配線基板）と比較して、強度が低いため、反りが発生しやすい。このような、コアレス基板の反りを低減可能なものとして、図１に示すような配線基板２００がある。
【０００３】
図１は、従来の配線基板の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の配線基板２００は、ソルダーレジスト層２０１，２１５と、パッド２０２と、樹脂層２０３，２１１と、ビア２０４，２０８，２１２と、配線２０５，２０９と、補強用絶縁層２０７と、電子部品搭載用パッド２１３とを有する。
【０００５】
ソルダーレジスト層２０１は、パッド２０２を配置するための貫通部２１８を有する。パッド２０２は、外部接続端子２６１が配設される接続面２０２Ａを有している。パッド２０２は、パッド２０２の接続面２０２Ａとソルダーレジスト層２０１の面２０１Ａとが略面一となるように、貫通部２１８に設けられている。パッド２０２は、外部接続端子２６１を介して、実装基板２６０（例えば、マザーボード）と電気的に接続されるパッドである。パッド２０２の材料としては、例えば、Ａｕ層と、Ｎｉ層とを順次積層されたＡｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。
【０００６】
樹脂層２０３は、ソルダーレジスト層２０１の面２０１Ｂ（面２０１Ａの反対側のソルダーレジスト層２０１の面）と、パッド２０２の面２０２Ｂの大部分とを覆うように設けられている。樹脂層２０３は、パッド２０２の面２０２Ｂの一部を露出する開口部２１９を有する。
【０００７】
ビア２０４は、開口部２１９に設けられている。ビア２０４は、配線２０５と一体に構成されており、その下端はパッド２０２と接続されている。配線２０５は、樹脂層２０３の面２０３Ａに設けられている。配線２０５は、ビア２０４の上端と接続されている。ビア２０４及び配線２０５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【０００８】
補強用樹脂層２０７は、配線２０５の大部分を覆うように、樹脂層２０３の面２０３Ａに設けられている。補強用樹脂層２０７は、補強部材であるガラスクロスに樹脂を含浸させた構成とされている。そのため、補強用樹脂層２０７の厚さは、他の樹脂層２０３，２１１の厚さ（例えば、３５μｍ）よりも厚い。補強用樹脂層２０７の厚さは、例えば、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。補強用樹脂層２０７は、配線２０５の一部を露出する開口部２２１を有する。開口部２２１は、例えば、レーザ加工により形成する。
【０００９】
ビア２０８は、開口部２２１に設けられている。ビア２０８は、配線２０９と一体に構成されており、その下端は配線２０５と接続されている。配線２０９は、補強用樹脂層２０７の面２０７Ａに設けられている。配線２０９は、ビア２０８の上端と接続されている。ビア２０８及び配線２０９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００１０】
樹脂層２１１は、配線２０９の大部分を覆うように、補強用樹脂層２０７の面２０７Ａに設けられている。樹脂層２１１は、配線２０９の一部を露出する開口部２２３を有する。
【００１１】
ビア２１２は、開口部２２３に設けられている。ビア２１２は、電子部品搭載用パッド２１３と一体に構成されており、その下端は配線２０９と接続されている。電子部品搭載用パッド２１３は、樹脂層２１１の面２１１Ａに設けられている。電子部品搭載用パッド２１３は、電子部品２５０（例えば、半導体チップやチップコンデンサ等）が搭載される接続面２１３Ａを有する。ビア２１２及び電子部品搭載用パッド２１３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００１２】
ソルダーレジスト層２１５は、接続部２１３Ａを露出する開口部２２５を有する。ソルダーレジスト層２１５は、樹脂層２１１の面２１１Ａを覆うように設けられている。
【００１３】
上記構成とされた配線基板２００は、補強部材であるガラスクロスに樹脂を含浸させた補強用樹脂層２０７を有する構成とされているため、強度が向上し、樹脂層２０３，２１１と、ビア２０４，２０８，２１２及び配線２０５，２０９との熱膨張係数の差により発生する配線基板２００の反りを低減することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−９６２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の配線基板２００では、樹脂層２０３，２１１よりも厚さの厚い補強用樹脂層２０７（厚さは、例えば、５０μｍ〜１００μｍ）を設けることで、樹脂層２０３，２１１と、ビア２０４，２０８，２１２及び配線２０５，２０９との熱膨張係数の差により発生する配線基板２００の反りを低減していたため、配線基板２００の厚さ方向のサイズが大型化してしまうという問題があった。
【００１６】
また、ガラスクロスに樹脂を含浸させた補強用樹脂層２０７は、高価であるため、配線基板２００のコストが増加してしまうという問題があった。
【００１７】
さらに、補強用樹脂層２０７に開口部２２１を形成する際、レーザがガラスクロスを貫通するのに時間を要するため、配線基板２００の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００１８】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化して配線基板の反りを低減できると共に、コストを低減することのできる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本配線基板は、複数の配線層と樹脂からなる絶縁層とが積層された配線基板であって、配線基板表面となる一方の面とその反対側の他方の面とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の一方の面に表面が露出して設けられた第１のパッドと、前記第１の絶縁層の他方の面に設けられた、前記第１のパッドに隣接する第１の配線と、前記第１の絶縁層に設けられた、前記第１のパッドの裏面を露出する開口部と、前記開口部内に設けられた、一端が前記第１のパッドの裏面に接続され、他端が前記第１の配線と一体に設けられたビアと、前記第１の絶縁層の他方の面側に積層された他の絶縁層と他の配線層と、を有し、前記第１のパッドと前記第１の配線との間に配置された前記第１の絶縁層の厚さが、前記第１の絶縁層以外の全ての絶縁層における隣接する配線の間に配置された絶縁層の厚さよりも薄いことを要件とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化して配線基板の反りを低減できると共に、配線基板のコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来の配線基板の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図３】シミュレーションにより絶縁層の厚さＴ１と絶縁層の厚さＴ２，Ｔ３とを変化させて際の配線基板の反り量を示す図である。
【図４】図３に示すシミュレーション結果をグラフ化した図である。
【図５】本発明の実施の形態の第１変形例に係る配線基板の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態の第２変形例に係る配線基板の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【００２４】
図２を参照するに、本実施の形態の配線基板１０は、コアレス基板であり、絶縁層１７と、電子部品搭載用パッド１８と、ビア１９，２４，２８と、配線２２と、絶縁層２３，２７と、配線２５，２９と、ソルダーレジスト層３１とを有する。
【００２５】
絶縁層１７は、電子部品１１が搭載される電子部品搭載用パッド１８とビア１９とを内設すると共に、配線２２を配設するための絶縁層である。絶縁層１７の面１７Ａ（電子部品１１が搭載される側の面）は、電子部品搭載用パッド１８の接続面１８Ａと略面一とされている。絶縁層１７は、電子部品搭載用パッド１８と対向する部分の絶縁層１７を貫通するように形成された開口部３５を有する。電子部品搭載用パッド１８と絶縁層１７の面１７Ｂ（絶縁層１７の面１７Ａの反対側に位置する面）に設けられた配線２２との間に配置された部分の絶縁層１７の厚さＴ１は、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２、及び配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３より薄くなるように構成されている。
【００２６】
このように、電子部品搭載用パッド１８と絶縁層１７の面１７Ｂ（絶縁層１７の面１７Ａの反対側に位置する面）に設けられた配線２２との間に配置された部分の絶縁層１７の厚さＴ１が、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２、及び配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３より薄くなるよう構成することにより、配線基板１０の厚さ方向のサイズを小型化して配線基板１０の反り（ビア１９，２４，２８及び配線２２，２５，２９と絶縁層２３，２７との間の熱膨張係数の差に起因する反り）を低減することができる。なお、絶縁層１７の厚さＴ１を５μｍよりも薄くすることは、絶縁層１７の製造上技術的に困難である。また、絶縁層１７の厚さＴ１を絶縁層２３、２７の厚さＴ２，Ｔ３よりも厚くした場合、配線基板１０の反りを十分に低減することができない。
【００２７】
なお、電子部品搭載用パッド１８と配線２２との間はビア１９で直接接続されるため、絶縁層１７の厚さＴ１を薄くしても配線基板１０の電気特性に及ぼす影響はほとんどない。仮に、絶縁層１７の面１７Ａに、面１７Ａ上を引き回される配線を形成した場合、絶縁層１７の面１７Ｂに形成される配線２２との短絡防止の為や、電気特性を考慮した設計上の問題から絶縁層１７の厚さＴ１を薄くすることは困難である。しかし、本実施の形態の配線基板１０では、絶縁層１７の面１７Ａには、電子部品搭載用パッド１８のみが設けられており、電子部品搭載用パッド１８は、ビア１９により電子部品搭載用パッド１８の直下に配置された部分の配線２２に直接接続されている。よって、電子部品搭載用パッド１８と配線２２の接続のために絶縁層１７の面１７Ａを引き回される配線を設ける必要がない。このため、本実施の形態の配線基板１０では、絶縁層１７の厚さＴ１を薄くしても短絡や電気特性に関する問題が発生しない。よって、反り対策のために、絶縁層１７の厚さＴ１を好適に調整することができる。
【００２８】
絶縁層１７の厚さＴ１を薄くした場合、平面視した状態において、電子部品搭載用パッド１８と、他の電子部品搭載用パッド１８と接続された他の配線２２とが重複しないように形成するとよい。これにより、電子部品搭載用パッド１８と、他の電子部品搭載用パッド１８と接続された他の配線２２との絶縁性を確保することができる。
【００２９】
また、図２では、絶縁層２７の面２７Ａにパッド部４１のみ設けられるよう図示したが、実際には、絶縁層２７の面２７Ａには、他の配線２９が形成されている。また、電子部品搭載用パッド１８の直径は、５０μｍ〜１５０μｍと小さいのに対し、外部接続端子用のパッド部４１の直径は２００μｍ〜１０００μｍと大きい。図２では、パッド部４１と、他のパッド部４１と接続される配線２５とを平面視した場合、パッド部４１と、他のパッド部４１と接続される配線２５とが重ならないように図示したが、実際には、平面視した際、パッド部４１と、他のパッド部４１と接続される配線２５との重複は必ず生じる。これらのことから、絶縁層２７の面２７Ａに形成された配線２９及びパッド部４１と配線２５との絶縁性確保のため、先に説明した絶縁層１７のように絶縁層２７の厚さＴ３を薄くすることは不可能である（言い換えれば、絶縁層１７のように絶縁層２７の厚さＴ３を薄くして、配線基板１０の反り量の絶対値を小さくすることは不可能である。）。
【００３０】
また、従来の配線基板２００の反りを低減するために、配線基板２００に設けられていた高価、かつ加工しにくい補強用樹脂層２０７（図１参照）を設けることなく、配線基板１０の反りを低減することが可能となるため、配線基板１０のコスト（製造コストも含む）を低減することができる。絶縁層１７としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂よりなる樹脂層を用いることができる。
【００３１】
図３は、シミュレーションにより絶縁層の厚さＴ１と絶縁層の厚さＴ２，Ｔ３とを変化させた際の配線基板の反り量を示す図であり、図４は、図３に示すシミュレーション結果をグラフ化した図である。図３及び図４において、配線基板にマイナスの反り量が発生した場合、図２に示す配線基板１０の中央部は、配線基板１０の外周部よりも下方に位置する。また、図３及び図４において、配線基板にプラスの反り量が発生した場合、図２に示す配線基板１０の中央部は、配線基板１０の外周部よりも上方に位置する。また、図３に示す絶縁層１７の厚さＴ１が０μｍとは、絶縁層１７を設けなかった場合（配線２２の一部が電子部品搭載用パッド１８として機能する場合）を示している。
【００３２】
ここで、図３及び図４を参照して、シミュレーションにより得られた絶縁層の厚さＴ１と絶縁層の厚さＴ２，Ｔ３とを変化させて際の配線基板の反り量について説明する。なお、図３及び図４に示す結果を得る際のシミュレーションでは、絶縁層１７，２３，２７としてエポキシ樹脂を用い、電子部品搭載用パッド１８、ビア１９，２４，２８、及び配線２２，２５，２９の材料としてＣｕを用いた。
【００３３】
配線基板１０は、その反り量の絶対値が２００μｍ以下の場合に製品として機能させることができる。よって、図４に示すように、配線基板１０を製品として機能させる場合、配線基板１０に設けられた絶縁層１７の厚さＴ１を、例えば、５μｍ〜２０μｍにするとよい。但し、配線基板１０への電子部品１１の実装性や、配線基板１０のマザーボードへの実装性から、配線基板１０の反り量は、絶対値で８０μｍ以下がよい。つまり、配線基板１０に設けられた絶縁層１７の厚さＴ１は、例えば、５μｍ〜１５μｍが好適である。
【００３４】
また、配線基板１０の薄型化及び反り量を考慮した場合、絶縁層２３，２７の厚さＴ２，Ｔ３は、例えば、２５μｍ〜４５μｍにすることができる。さらに、絶縁層２３，２７の絶縁性を考慮した場合、絶縁層２３，２７の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍが好適である。
【００３５】
なお、実際に配線基板１０の試作品を作製したところ、シミュレーション結果に準じた反り抑制結果が得られた。
【００３６】
電子部品搭載用パッド１８は、電子部品１１が搭載（接続）される接続面１８Ａを有する。電子部品搭載用パッド１８は、接続面１８Ａと絶縁層１７の面１７Ａとが略面一となるように、絶縁層１７に内設されている。電子部品搭載用パッド１８としては、例えば、接続面１８Ａ側からＡｕ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｎｉ層（例えば、厚さ５μｍ）とを順次積層させたＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。この場合、Ａｕ層に電子部品１１が搭載される。
【００３７】
ビア１９は、絶縁層１７に形成された開口部３５に設けられている。ビア１９は、一方の端部が電子部品搭載用パッド１８と接続されている。ビア１９は、配線２２と一体的に構成されており、電子部品搭載用パッド１８と配線２２とを電気的に接続している。
【００３８】
配線２２は、絶縁層１７の面１７Ｂ（面１７Ａの反対側に位置する絶縁層１７の面）に設けられている。配線２２は、ビア１９と一体的に構成されている。ビア１９及び配線２２は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。ビア１９及び配線２２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００３９】
絶縁層２３は、配線２２の大部分を覆うように、絶縁層１７の面１７Ｂに設けられている。絶縁層２３は、ビア２４を内設すると共に、配線２５を形成するための絶縁層である。絶縁層２３は、配線２２の一部を露出する開口部３６を有する。開口部３６は、ビア２４を配設するためのものである。絶縁層２３の面２３Ａ（絶縁層１７と接触する側とは反対側の絶縁層２３の面）には、配線２５が配設されている。配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２は、配線２２，２５間の絶縁性を確保する必要があるため、絶縁層１７の厚さＴ１よりも厚くなるように構成されている。具体的には、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２は、例えば、２５μｍ〜４５μｍとすることができる。絶縁層２３としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂よりなる樹脂層を用いることができる。
【００４０】
ビア２４は、絶縁層２３に形成された開口部３６に設けられている。ビア２４は、一方の端部が配線２２と接続されている。ビア２４は、絶縁層２３の面２３Ａに設けられた配線２５と一体的に構成されている。ビア２４は、配線２２と配線２５とを電気的に接続している。
【００４１】
配線２５は、絶縁層２３の面２３Ａ（絶縁層１７と接触する面とは反対側の絶縁層２３の面）に設けられている。配線２５は、ビア２４と一体的に構成されている。ビア２４及び配線２５は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。ビア２４及び配線２５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４２】
絶縁層２７は、配線２５の大部分を覆うように、絶縁層２３の面２３Ａに設けられている。絶縁層２７は、ビア２８を内設すると共に、配線２９を形成するための絶縁層である。絶縁層２７は、配線２５の一部を露出する開口部３８を有する。開口部３８は、ビア２８を配設するためのものである。絶縁層２７の面２７Ａ（絶縁層２３と接触する側とは反対側の絶縁層２７の面）には、配線２９が配設されている。配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３は、配線２５，２９間の絶縁性を確保する必要があるため、絶縁層１７の厚さＴ１よりも厚くなるように構成されている。具体的には、配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３は、例えば、２５μｍ〜４５μｍとすることができる。絶縁層２７としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂よりなる樹脂層を用いることができる。
【００４３】
ビア２８は、絶縁層２７に形成された開口部３８に設けられている。ビア２８は、一方の端部が配線２５と接続されている。ビア２８は、絶縁層２７の面２７Ａに設けられた配線２９と一体的に構成されている。ビア２８は、配線２５と配線２９とを電気的に接続している。
【００４４】
配線２９は、絶縁層２７の面２７Ａ（絶縁層２３と接触する面とは反対側の絶縁層２７の面）に設けられている。配線２９は、絶縁層２７を介して、配線２５の一部と対向するように配置されている。配線２９は、ビア２８と一体的に構成されている。配線２９は、外部接続端子１４（例えば、はんだボール）が配設されるパッド部４１を有する。パッド部４１は、外部接続端子１４を介して、マザーボード等の実装基板１３と電気的に接続される部分である。配線２９は、ビア２８と一体的に構成されている。ビア２８及び配線２９は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。ビア２８及び配線２９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４５】
ソルダーレジスト層３１は、パッド部４１を除いた部分の配線２９を覆うように、絶縁層２７の面２７Ａに設けられている。ソルダーレジスト層３１は、パッド部４１を露出する開口部３１Ａを有する。
【００４６】
本実施の形態の配線基板によれば、電子部品搭載用パッド１８と配線２２との間に配置された部分の絶縁層１７（電子部品搭載用パッド１８と配線２２との間の絶縁性の確保が不要な部分の絶縁層１７）の厚さＴ１を、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３（配線２２，２５間の絶縁性を確保することの必要な部分の絶縁層）の厚さＴ２、及び１つの絶縁層２７を介して対向配置された配線２５，２９間に配置された部分の絶縁層２７（配線２５，２９間の絶縁性を確保することの必要な部分の絶縁層）の厚さＴ３より薄くすることにより、配線基板１０の厚さ方向のサイズを小型化して配線基板１０の反りを低減することができる。
【００４７】
また、高価、かつ開口部の形成しにくいガラスクロスに樹脂を含浸させた補強用樹脂層２０７（図１参照）を用いることなく、配線基板１０の反りを低減することが可能となるため、配線基板１０のコスト（製造コストも含む）を低減することができる。
【００４８】
図５は、本発明の実施の形態の第１変形例に係る配線基板の断面図である。図５において、図２に示す配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４９】
図５を参照するに、本実施の形態の第１変形例の配線基板５０は、本実施の形態の配線基板１０に設けられた絶縁層１７の代わりに絶縁層５１を設けた以外は配線基板１０と同様に構成される。
【００５０】
絶縁層５１は、配線基板１０に設けられた絶縁層１７のうち、接続面１８Ａから接続面１８Ａとは反対側に位置する電子部品搭載用パッド１８の面１８Ｂとの間に配置された部分の絶縁層１７をなくした以外は絶縁層１７と同様に構成される。絶縁層５１の面５１Ａは、電子部品搭載用パッド１８の接続面１８Ｂと略面一とされている。絶縁層５１の面５１Ｂ（面５１Ａの反対側に配置された絶縁層５１の面）には、配線２２及び絶縁層２３が設けられている。
【００５１】
このような構成とされた配線基板５０は、先に説明した配線基板１０と同様な効果を得ることができる。
【００５２】
図６は、本発明の実施の形態の第２変形例に係る配線基板の断面図である。図６において、図５に示す配線基板５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５３】
図６を参照するに、本実施の形態の第２変形例の配線基板５５は、本実施の形態の第１変形例の配線基板５０の構成に、さらにソルダーレジスト層５６を設けた以外は配線基板５０と同様に構成される。
【００５４】
ソルダーレジスト層５６は、絶縁層５１の面５１Ａに設けられている。ソルダーレジスト層５６は、電子部品搭載用パッド１８が収容される開口部５６Ａを有する。ソルダーレジスト層５６は、電子部品搭載用パッド１８の接続面１８Ａを露出している。ソルダーレジスト層５６の厚さは、電子部品搭載用パッド１８の厚さと略等しくなるように構成されている。ソルダーレジスト層５６としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等からなる樹脂層を用いることができる。
【００５５】
上記構成とされた配線基板５５は、後述する図７及び図８に示す工程において、めっき用のレジスト膜６２の替わりに、開口部５６Ａを有したソルダーレジスト層５６を形成し、次いで、開口部５６Ａに電子部品搭載用パッド１８を形成し、その後、ソルダーレジスト層５６を残した状態で、後述する図１０〜図１５に示す工程と同様な処理を行うことにより製造することができる。
【００５６】
図７〜図１５は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図７〜図１５において、本実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５７】
図７〜図１５を参照して、本実施の形態の配線基板１０の製造方法について説明する。始めに、図７に示す工程では、導電性を有した支持体６１の面６１Ａに、開口部６２Ａを有しためっき用のレジスト膜６２を形成する。このとき、開口部６２Ａは、電子部品搭載用パッド１８の形成領域に対応する部分の支持体６１の面６１Ａを露出するように形成する。具体的には、開口部６２Ａを有したレジスト膜６２は、例えば、感光性レジストを塗布し、その後、感光性レジストを露光及び現像することで形成する。支持体６１としては、例えば、金属板（例えば、Ｃｕ板）や金属箔（例えば、Ｃｕ箔）等を用いることができる。
【００５８】
次いで、図８に示す工程では、開口部６２Ａに露出された部分の支持体６１上に電子部品搭載用パッド１８を形成する。具体的には、電子部品搭載用パッド１８としてＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜を用いた場合、例えば、支持体６１を給電層とする電解めっき法により、支持体６１の面６１Ａ上にＡｕ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｎｉ層（例えば、厚さ５μｍ）とを順次積層させることで電子部品搭載用パッド１８を形成する。
【００５９】
なお、Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜の代わりに、めっき法により形成されたＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ積層膜を電子部品搭載用パッド１８として用いてもよい。
【００６０】
次いで、図９に示す工程では、図８に示すレジスト膜６２を除去する。次いで、図１０に示す工程では、電子部品搭載用パッド１８の一部を露出する開口部３５を有した絶縁層１７を形成する。絶縁層１７としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂よりなる樹脂層を用いることができる。絶縁層１７は、例えば、エポキシ樹脂フィルム或いはポリイミド樹脂フィルムを積層させることで形成できる。また、開口部３５は、例えば、レーザ加工法により形成することができる。
【００６１】
電子部品搭載用パッド１８と絶縁層１７の面１７Ｂ（絶縁層１７の面１７Ａの反対側に位置する面）に設けられた配線２２との間に配置された部分の絶縁層１７の厚さＴ１は、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２、及び配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３より薄くなるように構成されている。
【００６２】
このように、電子部品搭載用パッド１８と絶縁層１７の面１７Ｂ（絶縁層１７の面１７Ａの反対側に位置する面）に設けられた配線２２との間に配置された部分の絶縁層１７の厚さＴ１が、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２、及び配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３より薄くなるよう構成することにより、配線基板１０の厚さ方向のサイズを小型化して配線基板１０の反り（ビア１９，２４，２８及び配線２２，２５，２９と絶縁層２３，２７との間の熱膨張係数の差に起因する反り）を低減することができる。なお、絶縁層１７の厚さＴ１を５μｍよりも薄くすることは、絶縁層１７の製造上技術的に困難である。また、絶縁層１７の厚さＴ１を絶縁層２３、２７の厚さＴ２，Ｔ３よりも厚くした場合、配線基板１０の反りを十分に低減することができない。
【００６３】
なお、電子部品搭載用パッド１８と配線２２との間はビア１９で直接接続されるため、絶縁層１７の厚さＴ１を薄くしても配線基板１０の電気特性に及ぼす影響はほとんどない。仮に、絶縁層１７の面１７Ａに、面１７Ａ上を引き回される配線を形成した場合、絶縁層１７の面１７Ｂに形成される配線２２との短絡防止の為や、電気特性を考慮した設計上の問題から絶縁層１７の厚さＴ１を薄くすることは困難である。しかし、本実施の形態の配線基板１０では、絶縁層１７の面１７Ａには、電子部品搭載用パッド１８のみが設けられており、電子部品搭載用パッド１８は、ビア１９により電子部品搭載用パッド１８の直下に配置された部分の配線２２に直接接続されている。よって、電子部品搭載用パッド１８と配線２２の接続のために絶縁層１７の面１７Ａを引き回される配線を設ける必要がない。このため、本実施の形態の配線基板１０では、絶縁層１７の厚さＴ１を薄くしても短絡や電気特性に関する問題が発生しない。よって、反り対策のために、絶縁層１７の厚さＴ１を好適に調整することができる。
【００６４】
また、従来の配線基板２００の反りを低減するために、配線基板２００に設けられていた高価、かつ加工しにくい補強用樹脂層２０７（図１参照）を設けることなく、配線基板１０の反りを低減することが可能となるため、配線基板１０のコスト（製造コストも含む）を低減することができる。
【００６５】
配線基板１０の反りの許容範囲を８０μｍ以下とした場合、絶縁層１７の厚さＴ１は、５μｍ〜１５μｍの範囲内で適宜選択することが可能である。なお、絶縁層１７の厚さＴ１を５μｍよりも薄くすることは、絶縁層１７の製造上技術的に困難である。また、絶縁層１７の厚さＴ１を１５μｍよりも厚くした場合、配線基板１０の反りの好適な許容範囲である８０μｍを超えてしまう。
【００６６】
次いで、図１１に示す工程では、ビア１９及び配線２２を同時に形成する。ビア１９及び配線２２は、例えば、セミアディティブ法により形成する。具体的には、無電解めっき法により、図１０に示す構造体の上面側を覆うようにシード層（例えば、Ｃｕ層）を形成し、次いで、シード層（図示せず）上に配線２２の形成領域に対応する部分に開口部（図示せず）を有したレジスト膜（図示せず）を形成する。次いで、シード層を給電層とする電解めっき法により、開口部に露出された部分のシード層上にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜）を析出成長させ、その後、レジスト膜を除去し、次いで、めっき膜に覆われていない部分のシード層を除去することで、ビア１９及び配線２２を同時に形成する。
【００６７】
次いで、図１２に示す工程では、先に説明した図１０及び図１１に示す工程と同様な手法により、開口部３６を有した絶縁層２３、ビア２４、及び配線２５を順次形成する。絶縁層２３としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂よりなる樹脂層を用いることができる。また、配線２２と配線２５との間に配置された部分の絶縁層２３の厚さＴ２は、絶縁層１７の厚さＴ１よりも厚くなるように構成されている。具体的には、絶縁層２３の厚さＴ２は、例えば、２５μｍ〜４５μｍとすることができる。ビア２４及び配線２５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６８】
次いで、図１３に示す工程では、先に説明した図１０及び図１１に示す工程と同様な手法により、開口部３８を有した絶縁層２７、ビア２８、及び配線２９を順次形成する。絶縁層２７としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂よりなる樹脂層を用いることができる。また、配線２５と配線２９との間に配置された部分の絶縁層２７の厚さＴ３は、絶縁層１７の厚さＴ１よりも厚くなるように構成されている。具体的には、絶縁層２７の厚さＴ３は、例えば、２５μｍ〜４５μｍとすることができる。ビア２８及び配線２９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６９】
次いで、図１４に示す工程では、絶縁層２７の面２７Ａに、パッド部４１を除いた部分の配線２９を覆うように開口部３１Ａを有したソルダーレジスト層３１を形成する。開口部３１Ａは、パッド部４１を露出するように形成する。
【００７０】
次いで、図１５に示す工程では、図１４に示す支持体６１を除去する。これにより、配線基板１０が製造される。なお、図１５では、製造工程上、図２に示す配線基板１０の上下を反転させた状態で図示する。
【００７１】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００７２】
例えば、上記説明した配線基板１０，５０，５５は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）のほか、パッド部４１にピンを接合したＰＧＡ（Pin Grid Array）や、パッド部４１自体を外部接続端子としたＬＡＧ（Land Grid Array）としても使用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、コアレス基板に適用できる。
【符号の説明】
【００７４】
１０，５０，５５  配線基板
１１  電子部品
１３  実装基板
１４  外部接続端子
１７，２３，２７，５１  絶縁層
１７Ａ，１７Ｂ，１８Ｂ，２３Ａ，２７Ａ，５１Ａ，５１Ｂ，６１Ａ  面
１８  電子部品搭載用パッド
１８Ａ  接続面
１９，２４，２８  ビア
２２，２５，２９  配線
３１，５６  ソルダーレジスト層
３１Ａ，３５，３６，３８，５６Ａ，６２Ａ  開口部
４１  パッド部
６１  支持体
６２  レジスト膜
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３  厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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