(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線層とが積層されて形成された配線基板であって、
絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれた配線層と、
前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記配線層に接続されると共に、前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面側に埋め込まれた接続パッドとを有し、
前記接続パッドは、外層側に配置された第１金属層と、前記第１金属層の内層側の面に配置された中間金属層と、前記中間金属層の内層側の面に配置された第２金属層とを含み、前記中間金属層の周縁部は、前記第１金属層及び第２金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっており、
前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面に、前記接続パッドの前記第１金属層側の面が露出しており、
前記接続パッドの側面と前記第２金属層側の面が、前記配線基板の表面となる前記絶縁層に被覆されており、かつ、前記第２金属層に前記ビア導体が接続されており、
前記中間金属層の硬度は、前記第１金属層及び第２金属層の硬度より高いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、同じ金属から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１金属層及び第２金属層は銅から形成され、前記中間金属層はニッケル、パラジウム、クロム、鉄、モリブデン、及びマンガンのいずれかより形成されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記接続パッドは前記第１金属層の外層側の面に形成された表面処理層を含み、
前記表面処理層は、外側から順に金層／ニッケル層、外側から順に金層／パラジウム層／ニッケル層、外側から順に金層／パラジウム層、金層、錫層、及び酸化防止剤のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線基板はコア基板をもたないコアレス配線基板であり、前記絶縁層が基板として機能することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記接続パッドの外層側の接続面が前記絶縁層の外面と同一位置又はそれより内層側に沈み込む位置に配置されているか、あるいは、前記接続パッドの前記第１金属層が前記絶縁層の外面から外側に突出するバンプ電極となっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
支持基板の上に、開口部が設けられたレジストを形成する工程と、
電解めっきにより、前記レジストの開口部に、下から順に、第１金属層、中間金属層及び第２金属層を含む金属積層部を形成する工程であって、前記中間金属層の硬度が前記第１金属層及び第２金属層の硬度より高く設定される工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記第１金属層及び第２金属層を前記中間金属層に対して選択的にウェットエッチングすることにより、前記中間金属層の周縁部を前記第１金属層及び第２金属層の外周部から外側に突き出る突出部とする工程と、
前記金属積層部を埋め込む絶縁層を前記支持基板の上に形成する工程と、
前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記第２金属層に接続される配線層を前記絶縁層の上に形成する工程と、
前記支持基板を除去することにより、前記第１金属層、前記中間金属層及び前記第２金属層を含む接続パッドを得る工程とを有すること特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、同じ金属から形成されることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属積層部を形成する工程において、
前記第１金属層を形成する前に、前記レジストの開口部にめっき層を形成し、
前記支持基板を除去する工程は、前記支持基板を除去した後に、前記めっき層を除去することを含み、
前記接続パッドを得る工程において、前記接続パッドは前記絶縁層の外面から内層側に沈み込んで形成されることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記開口部が設けられたレジストを形成する工程の後に、
前記レジストの開口部内の前記支持基板に凹部を形成する工程をさらに有し、
前記金属積層部を形成する工程において、
前記第１金属層は前記凹部を埋め込んで形成され、
前記接続パッドを得る工程において、前記接続パッドの第１金属層は前記絶縁層から外側に突出して形成されることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属層及び第２金属層は銅から形成され、前記中間金属層はニッケル、パラジウム、クロム、鉄、モリブデン、及びマンガンのいずれかより形成されることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体チップが実装される半導体パッケージに適用できる配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップを実装するための半導体パッケージとして適用される配線基板がある。そのような配線基板は、基板の上にビルドアップ工法によって配線層を積層することに基づいて製造される。
【０００３】
特許文献１には、表面の誘電体層の開口部内にパッドを有する配線基板において、パッドの裏面側にパッド本体の外縁から内層方向に開口部の壁に沿って形成される壁面導体部を設けることにより、パッドと誘電体層との界面を起点に発生するクラックを防止することが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、支持基板の上に電極及びそれに接続される配線部を積層して形成した後に、支持基板を除去することにより配線基板を得ることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４４１０８号公報
【特許文献２】特開２００７−１３０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
後述する関連技術で説明するように、半導体チップが実装された配線基板の接続パッド（銅パッド）がはんだバンプを介して実装基板に実装されて電子部品モジュールが構成される。そのような電子部品モジュールでは、特に配線基板がコアレスタイプの場合、信頼性試験として落下試験を行うと、接続パッド周りから内層側にクラックが発生しやすく、使用時に十分な信頼性が得られない問題がある。
【０００７】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、接続パッド周りから内層側にクラックが発生することを防止できる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、絶縁層と配線層とが積層されて形成された配線基板であって、絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた配線層と、前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記配線層に接続されると共に、前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面側に埋め込まれた接続パッドとを有し、前記接続パッドは、外層側に配置された第１金属層と、前記第１金属層の内層側の面に配置された中間金属層と、前記中間金属層の内層側の面に配置された第２金属層とを含み、前記中間金属層の周縁部は、前記第１金属層及び第２金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっており、前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面に、前記接続パッドの前記第１金属層側の面が露出しており、前記接続パッドの側面と前記第２金属層側の面が、前記配線基板の表面となる前記絶縁層に被覆されており、かつ、前記第２金属層に前記ビア導体が接続されており、前記中間金属層の硬度は、前記第１金属層及び第２金属層の硬度より高いことを特徴とする。
【０００９】
本発明の配線基板の接続パッドは、中間金属層が第１金属層及び第２金属層によって挟まれた構造を含み、中間金属層の硬度は第１金属層及び第２金属層の硬度より高く設定されている。
【００１０】
本発明では、半導体チップが実装された配線基板の接続パッドをはんだバンプなどによって実装基板に接続する場合に、接続パッドの外層側の第１金属層（例えば銅層）にクラックが発生するとしても、硬度が高い中間金属層（例えばニッケル層）でクラックの進行を止めることができる。従って、配線基板を実装する際の電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
本発明の好適な態様では、接続パッドの中間金属層の周縁部は、第１金属層及び第２金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっている。あるいは、第１金属層及び第２金属層の周縁部が、中間金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっていてもよい。
【００１２】
このようにして、接続パッドの側面に段差（凹凸）を設けることにより、接続パッドと絶縁層との界面から発生するクラックが内層側に進行することを防止することができる。
【００１３】
特に、硬度の高い中間金属層の周縁部を突出部とすることにより、接続パッドの側面で発生するクラックの内層側への進行をより確実に止めることができる。
【００１４】
コアレス配線基板に本発明の接続パッドの構造を適用することが好ましい。コアレス配線基板は、支持基板の上に接続パッドを含むビルドアップ配線が形成された後に、支持基板が除去されて製造される。従って、接続パッドは絶縁層に埋め込まれた状態で形成されるため、接続パッド周りから内層側にクラックが発生しやすい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明の配線基板では、接続パッド周りから内層側にクラックが進行することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は関連技術の配線基板を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図３】図３は本発明の第１実施形態の第１変形例の配線基板を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の第２変形例の配線基板を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の第３の製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は本発明の第２実施形態の第１変形例の配線基板を示す断面図である。
【図１３】図１３は本発明の第２実施形態の第２変形例の配線基板を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１７】図１７（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１８】図１８は本発明の第３実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図１９】図１９は本発明の第３実施形態の第１変形例の配線基板を示す断面図である。
【図２０】図２０は本発明の第３実施形態の第２変形例の配線基板を示す断面図である。
【図２１】図２１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２２】図２２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図２３】図２３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（関連技術）
本発明の実施形態を説明する前に本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図１は関連技術の配線基板を示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、関連技術の配線基板１００では、絶縁層２００の外面側に接続パッドＣが埋設されて形成されている。接続パッドＣは銅層の外層側にニッケル／金層などのコンタクト層が形成されて構成される。
【００２０】
接続パッドＣの内層側の絶縁層２００には接続パッドＣに接続されるビア導体３００が設けられている。ビア導体３００の内層側には絶縁層２００に埋設された配線層４００が形成されている。このようにして、接続パッドＣはビア導体３００を介して配線層４００に接続されている。
【００２１】
また、接続パッドＣには外側に突出するはんだバンプ５００が設けられる。
【００２２】
配線基板１００はコア基板をもたないコアレス配線基板であり、絶縁層２００が基板として機能する。コアレス配線基板は支持基板の上に接続パッドを含むビルドアップ配線を形成した後に、支持基板を除去することに基づいて製造される。このため、配線基板１００の接続パッドＣは絶縁層２００に埋め込まれた状態で形成される。
【００２３】
そのような配線基板１００では、接続パッドＣと反対側のチップ用接続パッド（不図示）に半導体チップが実装され、接続パッドＣに接続されたはんだバンプ５００が実装基板（マザーボード）（不図示）の接続電極に接続されて実装される。このようにして、半導体チップが実装された配線基板１００が実装基板に実装されることにより電子部品モジュールが構成される。
【００２４】
そのような電子部品モジュールでは、信頼性試験として落下試験（ドロップテスト）が行われる。つまり、電子部品モジュールを所定回数で落下させ、配線基板１００と実装基板とのはんだバンプ５００を介した電気接続などに異常がないか加速劣化試験が行われる。
【００２５】
主要部が銅層から形成される接続パッドＣを備えたコアレスタイプの配線基板１００では、接続パッドＣ周りから内層側にクラックが発生しやすい問題がある。
【００２６】
つまり、図1に示すように、接続パッドＣと絶縁層２００との界面から内層側の絶縁層２００にクラックが発生することがある。あるいは、接続パッドＣ自体にクラックが発生し、内層側のビア導体３００やその周りにクラックが進行することがある。
【００２７】
これは、配線基板１００のはんだバンプ５００を実装基板にリフローはんだ付けする際などの加熱処理での熱応力の発生が影響しており、接続パッドＣ周りに応力集中が起こり内層側に向けてクラックが発生しやすいからである。
【００２８】
配線基板１００の接続パッド周りから内層側にクラックが進行すると、電子部品モジュールの製造歩留りや信頼性の低下の要因になるため、クラックの発生を防止できる新規な構造の配線基板が望まれる。
【００２９】
（第１の実施の形態）
図２〜図４は本発明の第１実施形態の配線基板を示す断面図、図５〜図１０は同じく配線基板の製造方法を示す断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、第１実施形態の配線基板１では、絶縁層３０の内層側に配線層４０が埋め込まれて形成されている。配線層４０の外層側の絶縁層３０にはビアホールＶＨが設けられており、ビアホールＶＨには配線層４０に接続されるビア導体ＶＣが充填されている。
【００３１】
また、ビア導体ＶＣの外層側の絶縁層３０に接続パッドＣが埋め込まれており、接続パッドＣはビア導体ＶＣに接続されている。このようにして、接続パッドＣはビア導体ＶＣを介して配線層４０に接続されている。
【００３２】
接続パッドＣはその接続面Ｃｘを除く主要部が絶縁層３０の外面３０ｘ側に埋め込まれており、接続面Ｃｘが絶縁層３０から露出している。そして、接続パッドＣはその接続面Ｃｘが絶縁層３０の外面３０ｘから深さｄで内層側に沈み込んだ状態で絶縁層３０に埋設されている。
【００３３】
つまり、絶縁層３０の外面３０ｘ側に深さｄの凹部３０ａが設けられており、その凹部３０ａの底面側の絶縁層３０に接続パッドＣが埋め込まれて、接続パッドＣの接続面Ｃｘが凹部３０ａの底面に配置されている。
【００３４】
なお、「外層側」とは、配線基板１内の外側方向（図２（ａ）では下側）を示し、「内層側」とは、配線基板１内の内側方向（図２（ａ）では上側）を示す。
【００３５】
特に図示されていないが、配線層４０は内層側（接続パッドＣと反対側）に任意の積層数で積層されている。
【００３６】
後述する第２実施形態のように、絶縁層３０に凹部３０ａを設けずに、接続パッドＣの接続面Ｃｘと絶縁層３０の外面３０ｘとが同一の高さ位置に配置されて同一面を構成するようにしてもよい。あるいは、後述する第３実施形態のように、接続パッドＣが絶縁層３０の外面３０ｘから外側に突き出るバンプ電極として形成されてもよい。
【００３７】
つまり、接続パッドＣの少なくとも一部が絶縁層３０の外面３０ｘ側に埋め込まれて、接続パッドＣが外部接続電極として機能すればよい。
【００３８】
次に、接続パッドＣの構造について説明する。接続パッドＣは、外層側の第１金属層２０とその内層側の面（図２（ａ）では上面）に配置された中間金属層２２と、中間金属層２２の内層側の面（図２（ａ）では上面）に配置された第２金属層２４と、第１金属層２０の外層側の面（図２（ａ）では下面）に配置された表面処理層１６とにより構成される。
【００３９】
表面処理層１６としては、コンタクト層を形成してもよいし、酸化防止剤を形成してもよい。コンタクト層を形成する場合は、ニッケル層／金層（外面側が金層）、ニッケル層／パラジウム層／金層（外面側が金層）、パラジウム層／金層（外側が金層）、金層、又は錫（Ｓｎ）層などから形成される。
【００４０】
また、酸化防止剤を形成する場合は、イミダゾール化合物からなるＯＳＰ(Organic Solder Passivation)が使用される。酸化防止剤（ＯＳＰ）は、接続パッドＣの接続面Ｃｘ（銅）の酸化を防止し、接続パッドＣにはんだバンプなどを加熱処理して搭載する際に消失する。なお、表面処理層１６を省略した形態としてもよい。
【００４１】
このように、接続パッドＣは中間金属層２２が第１金属層２０及び第２金属層２４で挟まれた構造を含む。
【００４２】
さらに、中間金属層２２は第１金属層２０及び第２金属層２４の面積（径）より大きく設定されてそれらから外側にはみ出して配置されており、中間金属層２２の外周部の位置が第１金属層２０及び第２金属層２４の外周部の位置より外側に配置されている。これにより、中間金属層２２の周縁部が第１金属層２０及び第２金属層２４の外周部から外側に突き出る突出部Ｐとなっている。このようにして、配線基板１の接続パッドＣでは、中間金属層２２が突出部Ｐを備えることでその側面に段差（凹凸）が設けられている。
【００４３】
接続パッドＣは円状や四角状などからなり、中間金属層２２の突出部Ｐはその外周に沿って設けられている。接続パッドＣは島状に配置されていてもよく、配線層に繋がってその一端に配置されていてもよい。接続パッドＣが島状に配置される場合は、中間金属層２２の突出部Ｐはリング状に繋がって配置される。
【００４４】
また、中間金属層２２の硬度は、第1、第２金属層２０，２４の硬度より高く設定されている。以下に示す硬度はモース硬度である。
【００４５】
好適な例としては、中間金属層２２はニッケル（Ｎｉ）（硬度：４．０）から形成され、第１金属層２０及び第２金属層２４は銅（Ｃｕ）（硬度：３．０）から形成される。第１金属層２０及び第２金属層２４として、銅の他に、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）（共に硬度：２．５０）などの金属配線材料を使用してもよい。
【００４６】
中間金属層２２は第１、第２金属層２０，２４より硬度が高い金属であればよく、ニッケルの他に、パラジウム（Ｐｄ）（硬度：４．７５）、クロム（Ｃｒ）（硬度：８．５０）、鉄（Ｆｅ）（硬度：４．００、）モリブデン（Ｍｏ）（硬度：５．５０）、マンガン（Ｍｎ）（硬度：６．００）、コバルト（Ｃｏ）（硬度：５．００）、チタン（Ｔｉ）（硬度：６．００）などを使用することができる。
【００４７】
なお、図２（ａ）では、側面が段差形状の４層構造の接続パッドＣを例示するが、積層数は任意に設定することができる。その場合、図２（ａ）の接続パッドＣの上に中間金属層２２とそれより面積が小さい第２金属層２４とが交互に積層される。
【００４８】
図２（ｂ）には図２（ａ）の配線基板１の接続パッドＣにはんだバンプ４６が搭載された様子が示されている。そして、関連技術で説明したように、接続パッドＣと反対側のチップ用接続パッド（不図示）に半導体チップ（不図示）がフリップチップ接続された後に、配線基板１がはんだバンプ４６を介して実装基板（マザーボード）の接続電極に実装されて、電子部品モジュール（不図示）が構成される。
【００４９】
関連技術で説明したように、そのような電子部品モジュールでは、信頼性試験として落下試験（ドロップテスト）が行われる。本実施形態の配線基板１では、接続パッドＣの中間金属層２２は、第１金属層２０及び第２金属層２４より硬度が高く設定されて、かつ第１金属層２０及び第２金属層２４の外周部から外側（横方向）に突き出る突出部Ｐを備えている。
【００５０】
これにより、図２（ｂ）に示すように、落下試験を行う際に、接続パッドＣの第１金属層２０（銅）にクラックが発生するとしても、硬度が高い中間金属層２２でクラックの内層側への進行を止めることができる。
【００５１】
また、接続パッドＣの第１金属層２０と絶縁層３０との界面から内層側にクラックが発生するとしても、硬度の高い中間金属層２２の突出部Ｐでクラックの内層側への進行を止めることができる。中間金属層２２は硬度が高いのでそれ自身にクラックが生じにくいためである。
【００５２】
このように、本実施形態の配線基板１では、接続パッドＣ周りから内層側にクラックが進行することが防止されるので、電子部品モジュールの製造歩留りを向上させることができると共に、電子部品モジュールが組み込まれた電子機器（携帯電話など）を使用する際に高い信頼性が得られる。
【００５３】
前述した関連技術と同様に、第１実施形態では、コア基板をもたないコアレスタイプの配線基板１を例示しており、絶縁層３０が基板として機能する。後述する製造方法で説明するように、配線基板１は支持基板の上に接続パッドを含むビルドアップ配線を形成した後に、支持基板を除去することに基づいて製造される。このため、配線基板１の接続パッドＣは絶縁層３０に埋め込まれた状態で形成される。
【００５４】
特にコアレスタイプの配線基板１では、接続パッドＣ周りからクラックが発生しやすい傾向があるため、コアレスタイプの配線基板に本実施形態の接続パッドＣの構造を適用することが好ましい。必要に応じて、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁基板（コア基板）をもつリジットタイプの配線基板の接続パッドに適用することも可能である。
【００５５】
なお、本実施形態の配線基板１の接続パッドＣの構造は、実装基板に接続される接続パッドばかりではなく、半導体チップが接続される反対側のチップ用接続パッドに適用してもよい。
【００５６】
図３には第１実施形態の第１変形例の配線基板１ａが示されている。
【００５７】
図３に示すように、第１実施形態の第１変形例の配線基板１ａでは、図２（ａ）の配線基板１の接続パッドＣとは逆に、接続パッドＣの中間金属層２２は第１金属層２０及び第２金属層２４より小さい面積（径）でそれらの中央部に配置されており、第１金属層２０及び第２金属層２４の外周部の位置が中間金属層２２の外周部の位置より外側に配置されている。
【００５８】
これにより、第１金属層２０及び第２金属層２４の各周縁部が中間金属層２２の外周部から外側（横方向）に突き出る突出部Ｐとなっている。このようにして、第１変形例の配線基板１ａの接続パッドＣでは、第１、第２金属層２０，２４が突出部Ｐを備えることでその側面に段差（凹凸）が設けられている。
【００５９】
さらに、図２（ａ）の配線基板１と同様に、接続パッドＣの中間金属層２２（ニッケルなど）の硬度は第１金属層２０及び第２金属層２４（銅など）の硬度より高く設定されている。図３において、その他の要素は図２（ａ）と同一であるのでその説明を省略する。
【００６０】
第１変形例の配線基板１ａの接続パッドＣは、硬度の高い中間金属層２２を内部に備えるので、接続パッドＣの第１金属層２０にクラックが発生するとしても、中間金属層２２でクラックの進行を止めることができる。
【００６１】
また、第１変形例の配線基板１ａでは、硬度が低い方の第１、第２金属層２０，２４が突出部Ｐを備えている。このため、接続パッドＣと絶縁層３０との界面から発生するクラックの進行防止効果は図２（ａ）の配線基板１より弱いが、接続パッドＣの側面に段差を設けているため、クラックが内層側に進行しにくい構造とすることができる。
【００６２】
第１変形例の配線基板１ａの接続パッドＣにおいても、積層数は任意に設定することができる。その場合、図３の接続パッドＣの上に、中間金属層２２とそれより面積が大きい第２金属層２４とが相互に積層される。
【００６３】
図４には第１実施形態の第２変形例の配線基板１ｂが示されている。図４に示すように、第２変形例の配線基板１ｂの接続パッドＣでは、中間金属層２２と第１金属層２０及び第２金属層２４とは同一面積（径）で配置されてその側面がストレート形状となっており、側面に段差は設けられていない。
【００６４】
第２変形例の配線基板１ｂの接続パッドＣにおいても、積層数は任意に設定することができる。その場合、図４の接続パッドＣの上に、中間金属層２２とそれと同一面積の第２金属層２４とが交互に積層される。
【００６５】
第２変形例の配線基板１ｂは、同様に、接続パッドＣの第１金属層２０にクラックが発生する際に、硬度の高い中間金属層２２によってクラックが内層側に進行することを防止することができる。
【００６６】
第２変形例の配線基板１ｂでは、接続パッドＣの側面がストレート形状であるため、接続パッドＣと絶縁層３０との界面から発生するクラックの進行を防止する効果は少ない。
【００６７】
しかしながら、第２変形例の配線基板１ｂでは、接続パッドＣの側面を段差形状に加工する必要がないので、製造プロセスが簡易になり、低コストで製造することができる。
【００６８】
配線基板の構造や実装方法によってクラックの発生しやすい箇所は異なるので、クラックの発生しやすい箇所及び製造コストを鑑みて、接続パッドＣの側面の形状を選択すればよい。
【００６９】
次に、第１実施形態の配線基板の製造方法について説明する。
【００７０】
（第１実施形態の配線基板の第１の製造方法）
第１実施形態の配線基板の第１の製造方法では、図５（ａ）に示すように、まず、支持基板として銅板１０を用意する。支持基板として銅板１０を例示するが、電解めっきのめっき給電経路として機能し、かつウェットエッチングなどで容易に除去できる部材であればよく、各種の金属板や金属箔などの導電材料を使用できる。以下の他の実施形態においても同様である。
【００７１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、接続パッドが配置される部分に開口部１２ａが設けられたレジスト１２を銅板１０の上に形成する。フォトリソグラフィによってレジスト１２に対して露光・現像を行うことにより開口部１２ａが形成される。レジスト１２は、ドライフィルムレジストを貼付してもよいし、あるいは、液状レジストを塗布してもよい。
【００７２】
続いて、図５（ｃ）に示すように、銅板１０をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、レジスト１２の開口部１２ａの底部にポケットめっき層１４を形成する。ポケットめっき層１４としては、厚みが５〜１５μｍの銅層が使用される。ポケットめっき層１４は、前述した図２（ａ）の配線基板１で説明したように、接続パッドＣを絶縁層３０の外面３０ｘから深さｄで内層側に沈み込ませるために形成される。
【００７３】
次いで、図５（ｄ）に示すように、同様な電解めっきにより、レジスト１２の開口部１２ａ内のポケットめっき層１４の上に表面処理層１６（コンタクト層）を形成する。表面処理層１６の好適な例としては、下から順に、金（Ａｕ）層（厚み：０．００５〜０．５μｍ）／ニッケル（Ｎｉ）層（厚み：０．００５〜１０μｍ）が形成される。なお、金層とニッケル層との間にパラジウム（Ｐｄ）層（厚み：０．００５〜０．５μｍ）をさらに形成して表面処理層１６としてもよい。
【００７４】
さらに、図５（ｅ）に示すように、同様な電解めっきにより、レジスト１２の開口部１２ａ内の表面処理層１６の上に、厚みが０．５〜１５μｍの第１銅層２０（第１金属層）を形成する。
【００７５】
次いで、図６（ａ）に示すように、同様な電解めっきにより、レジスト１２の開口部１２ａ内の第１銅層２０の上に、厚みが５〜１５μｍのニッケル層２２（中間金属層）を形成する。
【００７６】
続いて、図６（ｂ）に示すように、同様な電解めっきにより、レジスト１２の開口部１２ａ内のニッケル層２２の上に、厚みが５〜１５μｍの第２銅層２４（第２金属層）を形成する。
【００７７】
その後に、図６（ｃ）に示すように、レジスト１２を除去する。これにより、銅板１０の上に、下から順に、ポケットめっき層１４、表面処理層１６、第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）及び第２銅層２４（第２金属層）から構成される金属積層部５が得られる。後述するように、本実施形態では、金属積層部５のうち、表面処理層１６、第１銅層２０、ニッケル層２２及び第２銅層２４によって接続パッドが構成される。
【００７８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、図６（ｃ）の構造体の第１銅層２０及び第２銅層２４を酢酸系の処理液で１〜２μｍエッチングすることにより、それらの表面を粗化面Ａ（部分拡大図）にする。
【００７９】
さらに、金属積層部５を硫酸過水液（硫酸と過酸化水素水の混合液（Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2））で処理することにより、第１銅層２０及び第２銅層２４をニッケル層２２に対して選択的に厚みの途中までウェットエッチングする。
【００８０】
ニッケル層２２は硫酸過水液でのエッチンレートが低いため、ニッケル層２２の上下の第１、第２銅層２０，２４の周縁側が内側にサイドエッチンングされて後退し、ニッケル層２２の周縁部が第１、第２銅層２０，２４の外周部から外側に突き出る突出部Ｐとなる。
【００８１】
第１、第２銅層２０，２４のサイドエッチング量、すなわちニッケル層２２の突出部Ｐの突出長さは２〜１５μｍに設定される。
【００８２】
このとき、ポケットめっき層１４（銅）も同時に内側にエッチングされる。また、表面処理層１６（金層／ニッケル層）は硫酸過水液でのエッチンレートが低いため、表面処理層１６も第１、第２銅層２０，２４及びポケットめっき層１４から外側に突出した状態となる。
【００８３】
なお、図２（ａ）の配線基板１において、第１金属層２０、中間金属層２２及び第２金属層２０として他の金属の組み合わせを使用する場合は、選択的にウェットエッチングできる金属の組み合わせが採用される。
【００８４】
次いで、図７（ａ）に示すように、エポキシ樹脂などの樹脂シートを銅板１０及び金属積層部５の上に熱圧着して第１絶縁層３０を形成する。これにより、金属積層部５は第１絶縁層３０に埋設される。あるいは、樹脂シートの代わりに液状樹脂を塗布した後に、加熱処理を行って硬化させることにより、第１絶縁層３０を形成してもよい。
【００８５】
金属積層部５の第１、第２銅層２０，２４はその表面が粗化面Ａ（図６（ｄ））となっているので、第１絶縁層３０はアンカー効果によって金属積層部５に密着よく形成される。
【００８６】
さらに、図７（ｂ）に示すように、レーザなどで第１絶縁層３０を加工することにより、金属積層部５に到達する第１ビアホールＶＨ１を形成する。
【００８７】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１に充填された第１ビア導体ＶＣ１を介して金属積層部５（第２銅層２４）に接続される第１配線層４０を第１絶縁層３０の上に形成する。第１配線層４０は例えばセミアディティブ法により形成される。詳しく説明すると、まず、第１絶縁層３０上及び第１ビアホールＶＨ１内に無電解めっきにより銅などからなるシード層（不図示）を形成する。
【００８８】
さらに、第１配線層４０が配置される部分に開口部が設けられためっきレジスト（不図示）をシード層の上に形成する。続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、第１ビアホールＶＨ１内からめっきレジストの開口部に銅などからなる金属めっき層を形成する。さらに、めっきレジストを除去した後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をエッチングすることにより第１配線層４０が得られる。
【００８９】
次いで、図８（ａ）に示すように、さらに同様な工程を繰り返すことにより、第１配線層４０上に第２ビアホールＶＨ２を備えた第２絶縁層３２を形成した後に、第２ビアホールＶＨ２に充填された第２ビア導体ＶＣ２を介して第１配線層４０に接続される第２配線層４２を第２絶縁層３２の上に形成する。
【００９０】
同じく図８（ａ）に示すように、さらに同様な工程を繰り返すことにより、第２配線層４２上に第３ビアホールＶＨ３を備えた第３絶縁層３４を形成した後に、第３ビアホールＶＨ３に充填された第３ビア導体ＶＣ３を介して第２配線層４２に接続される第３配線層４４を第３絶縁層３４の上に形成する。
【００９１】
その後に、図８（ｂ）に示すように、第３配線層４４の接続部（チップ用接続パッド）上に開口部３６ａが設けられたソルダレジスト３６を第３絶縁層３４の上に形成する。
【００９２】
これにより、銅板１０の上に、接続パッドを得るための金属積層部５を含む４層のビルドアップ配線が形成される。
【００９３】
次いで、図８（ｃ）に示すように、銅板１０を硫酸過水液又はアルカリエッチング液などでウェットエッチングして除去し、連続して、金属積層部５の最下のポケットめっき層１４（銅層）をウェットエッチングして除去する。
【００９４】
これにより、第１絶縁層３０の下面と、金属積層部５の表面処理層１６（最下が金層）が露出する。ポケットめっき層１４（銅層）は表面処理層１６の金層に対して選択的にエッチングできるため、表面処理層１６を腐食させることなく露出させることができる。
【００９５】
このようにして、銅板１０と金属積層部５の最下のポケットめっき層１４が連続してエッチングされて除去される。これにより、第１絶縁層３０の外面３０ｘ側に深さｄの凹部３０ａが形成される。
【００９６】
そして、第１絶縁層３０の凹部３０ａの底面側に、下から順に、表面処理層１６、第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）及び第２銅層２４（第２金属層）から構成される接続パッドＣが埋め込まれて配置される。
【００９７】
以上のようにして、接続パッドＣの接続面Ｃｘは、ポケットめっき層１４の厚み分（深さｄ）だけ第１絶縁層３０の外面３０ｘから内層側に沈み込んで配置される。
【００９８】
以上により、図８（ｃ）に示すように、前述した図２（ａ）の配線基板１と実質的に同一の配線基板が製造される。
【００９９】
なお、図８（ｃ）では、薄膜の表面処理層１６の周縁部が第１、第２銅層２０，２４（第１、第２金属層）から外側に突出しているが、図６（ｄ）の工程で表面処理層１６を選択的にウェットエッチングすることにより、表面処理層１６の外周部が第１、第２銅層２０，２４（第１、第２金属層）と同一位置に配置されるようにしてもよい。
【０１００】
また、第１の製造方法では、ポケットめっき層１４を銅層から形成するので、第１絶縁層３０の凹部３０ａの側面が第１、第２銅層２０，２４と同一位置に配置される。
【０１０１】
前述した図３の第１変形例の配線基板１ａを製造する場合は、前述した図６（ｄ）の工程において、第１、第２銅層２０，２４をエッチングする代わりに、ニッケル層２２を第１、第２銅層２０，２４に対して選択的にウェットエッチングすることにより、第1銅層２０及び第２銅層２４の周縁部を突出部Ｐにすればよい。ニッケル層２２のエッチャントとしては、硝酸過水液（硝酸と過酸化水素水の混合液（ＨＮＯ3／Ｈ2Ｏ2））が使用される。
【０１０２】
また、前述した図４の第２変形例の配線基板１ｂを製造する場合は、前述した図６（ｄ）の工程において、金属積層部５のサイドエッチングの工程を省略して、側面がストレート形状の金属積層部５から接続パッドＣを形成すればよい。
【０１０３】
（第１実施形態の配線基板の第２の製造方法）
図９は第１実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図である。
【０１０４】
第１実施形態の配線基板の第２の製造方法が第１の製造方法と異なる点は、ポケットめっき層１４としてニッケル層を用いることである。
【０１０５】
すなわち、前述した図５（ｃ）のポケットめっき層１４を形成する工程において、銅層の代わりにニッケル層を形成する。そして、図５（ｄ）〜図８（ｂ）と同一工程を遂行することにより図９（ａ）の構造体が得られる。
【０１０６】
第２の製造方法では、ポケットめっき層１４がニッケル層から形成されるので、第１、第２銅層２０，２４をサイドエッチングする際に、ポケットめっき層１４は接続パッドを構成するためのニッケル層２２と同一位置に配置される。
【０１０７】
さらに、図９（ｂ）に示すように、銅板１０を硫酸過水液でウェットエッチングして除去する。このとき、銅板１０はポケットめっき層１４（ニッケル層）に対して選択的にエッチングされてポケットめっき層１４（ニッケル層）が残される。
【０１０８】
その後に、ポケットめっき層１４（ニッケル層）を硝酸過水液で表面処理層１６（最下が金層）に対して選択的にウェットエッチングして除去する。これにより、接続パッドＣの最下の表面処理層１６が腐食することなく露出する。
【０１０９】
以上により、図９（ｃ）に示すように、前述した図２（ａ）の配線基板１と実質的に同一の配線基板が製造される。
【０１１０】
第２の製造方法では、ポケットめっき層１４をニッケル層から形成するので、第１絶縁層３０の凹部３０ａの側面はニッケル層２２（中間金属層）と外周部と同一位置に配置される。
【０１１１】
（第１実施形態の配線基板の第３の製造方法）
図１０は第１実施形態の配線基板の第３の製造方法を示す断面図である。
【０１１２】
図１０（ａ）に示すように、第１実施形態の配線基板の第３の製造方法が第２の製造方法と異なる点は、前述した第２の製造方法の図９（ａ）において表面処理層１６を省略することにある。
【０１１３】
すなわち、前述した第１実施形態の図５（ｃ）のポケットめっき層１４を形成する工程で銅層の代わりにニッケル層を形成し、図５（ｄ）の工程で表面処理層１６を省略する。そして、第１実施形態の図５（ｅ）〜図８（ｂ）と同一工程を遂行することにより図１０（ａ）の構造体が得られる。
【０１１４】
さらに、図１０（ｂ）に示すように、銅板１０を硫酸過水液又はアルカリエッチング液などでポケットめっき層１４（ニッケル層）に対して選択的にウェットエッチングして除去した後に、ポケットめっき層１４（ニッケル層）を接続パッドＣの第１銅層２０に対して選択的にウェットエッチングして除去する。これにより、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）を腐食させることなく露出させることができる。
【０１１５】
図１０（ｂ）のように、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）が露出した状態で配線基板として使用してもよい。
【０１１６】
あるいは、図１０（ｃ）に示すように、接続パッドＣの第１銅層２０の露出面に表面処理層１６を形成してもよい。前述したように、表面処理層１６として無電解めっきなどによりニッケル層／金層（外面側が金層）、ニッケル層／パラジウム層／金層（外面側が金層）、パラジウム層／金層（外側が金層）、金層、又は錫（Ｓｎ）層などのコンタクト層が形成される。
【０１１７】
又は、表面処理層１６として、酸化防止剤（ＯＳＰ）を形成してもよい。
【０１１８】
図１０（ｂ）及び（ｃ）においてその他の要素は図２（ａ）と同一であるのでその説明を省略する。
【０１１９】
（第２の実施の形態）
第２実施形態の配線基板の特徴は、第１実施形態の図２（ａ）の配線基板１において、接続パッドＣの接続面Ｃｘが絶縁層３０の外面３０ｘと同一面を構成するように同一の高さに配置されることにある。
【０１２０】
第２実施形態では、第１実施形態と同一要素及び同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【０１２１】
（第２実施形態の配線基板の第１の製造方法）
図１１は本発明の第２実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図である。
【０１２２】
第２実施形態の配線基板の第１の製造方法では、前述した第１実施形態の図５（ｃ）においてポケットめっき層１４を省略する。そして、図５（ｄ）〜図８（ｂ）と同一工程を遂行することにより、図１１（ａ）の構造体が得られる。これにより、図１１（ａ）に示すように、銅板１０上において、接続パッドＣの表面処理層１６の外面と第１絶縁層３０の外面とが同一面を構成するように同一の高さ位置に配置される。
【０１２３】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、銅板１０を接続パッドＣの表面処理層１６（最下が金層）に対して選択的にウェットエッチングして除去する。これにより、接続パッドＣの表面処理層１６を腐食させることなく露出させることができる。
【０１２４】
そして、接続パッドＣの接続面Ｃｘが第１絶縁層３０の外面３０ｘとが同一面を構成するように同一の高さに配置される。
【０１２５】
以上により、第２実施形態の配線基板２が得られる。第２実施形態の配線基板２は第１実施形態の配線基板１（図２（ａ））と同様な効果を奏する。
【０１２６】
図１２には第２実施形態の第１変形例の配線基板２ａが示されている。図１２に示すように、図１１（ｂ）の配線基板２において、第１実施形態の第１変形例の配線基板１ａと同様に、第１、第２銅層２０，２４（第１、第２金属層）の周縁部がニッケル層２２（中間金属層）の外周部より外側に突き出る突出部Ｐとしてもよい。この場合は、第１、第２銅層２０，２４をサイドエッチングする代わりに、ニッケル層２２をサイドエッチングすればよい。
【０１２７】
図１３には第２実施形態の第２変形例の配線基板２ｂが示されている。図１３に示すように、図１１（ｂ）の配線基板２において、第１実施形態の第２変形例の配線基板１ｂと同様に、接続パッドＣの側面をストレート形状としてもよい。この場合は、第１、第２銅層２０，２４又はニッケル層２２をサイドエッチングする工程を省略すればよい。
【０１２８】
（第２実施形態の配線基板の第２の製造方法）
図１４〜図１５は第２実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図である。第２実施形態の配線基板の第２の製造方法の特徴は、銅板１０を除去する際のエッチングストップ層として銅板１０上の全体にわたってニッケル層を形成し、かつポケットめっき層１４及び表面処理層１６を省略することにある。
【０１２９】
第２実施形態の配線基板の第２の製造方法では、図１４（ａ）に示すように、銅板１０上の全体にわたって厚みが０．５〜５μｍのエッチングストップ用ニッケル層１１を電解めっきなどにより形成する。次いで、図１４（ｂ）に示すように、接続パッドが配置される部分に開口部１２ａが設けられたレジスト１２をエッチングストップ用ニッケル層１１の上に形成する。
【０１３０】
次いで、図１４（ｃ）に示すように、レジスト１２の開口部１２ａ内のエッチングストップ用ニッケル層１１の上に、第１実施形態で形成したポケットめっき層１４及び表面処理層１６を省略し、電解めっきによって第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）及び第２銅層２４（第２金属層）を順に形成して金属積層部５を得る。第２の製造方法では、金属積層部５がそのまま接続パッドとなる。
【０１３１】
続いて、図１４（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に、レジスト１２を除去し、第１、第２銅層２０，２４の表面を粗化する。さらに、第１銅層２０及び第２銅層２４を硫酸過水液でニッケル層２２及びエッチングストップ用ニッケル層１１に対して選択的にウェットエッチングすることにより、ニッケル層２２の周縁部を突出部Ｐとする。
【０１３２】
次いで、図１４（ｄ）の構造体に対して、第１実施形態の図７（ａ）〜図８（ｂ）と同一工程を遂行することにより、図１５（ａ）の構造体が得られる。
【０１３３】
さらに、図１５（ｂ）に示すように、銅板１０を硫酸過水液又はアルカリエッチング液などでエッチングストップ用ニッケル層１１に対して選択的にエッチングして除去した後に、露出したエッチングストップ用ニッケル層１１を硝酸過水液で接続パッドＣの第１銅層２０に対して選択的にエッチングして除去する。
【０１３４】
これにより、金属積層部５から接続パッドＣが得られ、接続パッドＣの第１銅層２０の下面が露出する。そして、接続パッドＣの接続面Ｃｘと第１絶縁層３０の外面３０ｘとが同一面を構成するように同一の高さ位置に配置される。
【０１３５】
このように、表面処理層１６（金層／ニッケル層など）の代わりに、銅板１０の上にエッチングストップ用ニッケル層１１を形成することにより、接続パッドＣの第１銅層２０を腐食させることなく露出させることができる。
【０１３６】
図１５（ｂ）のように、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）が露出した状態で配線基板として使用してもよい。
【０１３７】
あるいは、図１５（ｃ）に示すように、第１実施形態の図１０（ｃ）と同様に、接続パッドＣの第１銅層２０の露出面に無電解めっきなどでコンタクト層（ニッケル層／金層、ニッケル層／パラジウム層／金層、パラジウム層／金層、金層、又は錫層など）を形成して表面処理層１６としてもよい。あるいは、酸化防止剤（ＯＳＰ）を形成して表面処理層１６としてもよい。
【０１３８】
図１５（ｂ）及び（ｃ）においてその他の要素は、第１実施形態の図２（ａ）と同一であるのでその説明を省略する。
【０１３９】
（第３の実施の形態）
第３実施形態の配線基板の特徴は、第１実施形態の図２（ａ）の配線基板１において、接続パッドＣが絶縁層３０の外面３０ｘから外側に突出するバンプ電極として形成されることにある。
【０１４０】
第３実施形態では、第１実施形態と同一要素及び同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【０１４１】
（第３実施形態の配線基板の第１の製造方法）
図１６〜図１７は本発明の第３実施形態の配線基板の第１の製造方法を示す断面図である。
【０１４２】
第３実施形態の配線基板の第１の製造方法では、図１６（ａ）に示すように、接続パッドが配置される部分に開口部１２ａが設けられたレジスト１２を銅板１０の上に形成する。
【０１４３】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、レジスト１２の開口部１２ａを通して、銅板１０を厚み方向にエッチングすることにより凹部１０ａを形成する。銅板１０の凹部１０ａは接続パッドをバンプ電極として突出させるために設けられ、その深さは５〜５０μｍに設定される。銅板１０の凹部１０ａは下方に曲面状に突出して形成される。
【０１４４】
続いて、図１６（ｃ）に示すように、レジスト１２の開口部１２ａ内の銅板１０の凹部１０ａに電解めっきにより表面処理層１６を形成する。表面処理層１６は、第１実施形態と同様に、下から順に、金層／ニッケル層、金層／パラジウム層／ニッケル層、又は錫層などから形成される。
【０１４５】
さらに、図１６（ｄ）に示すように、レジスト１２の開口部１２ａの表面処理層１６の上に、電解めっきにより、第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）、第２銅層２４（第２金属層）を順に形成する。
【０１４６】
これにより、レジスト１２の開口部１２ａ内の銅板１０の凹部１０ａ上に、表面処理層１６、第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）、及び第２銅層２４（第２金属層）から構成される金属積層部５が形成される。第１の製造方法では、金属積層部５がそのまま接続パッドとして使用される。
【０１４７】
次いで、図１７（ａ）に示すように、図１６（ｄ）の構造体からレジスト１２を除去することにより金属積層部５を露出させる。
【０１４８】
さらに、図１７（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１、第２銅層２０，２４の表面を粗化した後に、第１銅層２０及び第２銅層２４を硫酸過水液でニッケル層２２に対して選択的にウェットエッチングする。これにより、ニッケル層２２の周縁部を第１、第２銅層２０，２４の外周部から外側に突き出る突出部Ｐとする。
【０１４９】
次いで、図１７（ｂ）の構造体に対して、第１実施形態の図７（ａ）〜図８（ｂ）と同一工程を遂行することにより、図１７（ｃ）の構造体が得られる。
【０１５０】
次いで、図１７（ｃ）の構造体から銅板１０を硫酸過水液で金属積層部５の表面処理層１６（最下が金層）に対して選択的にエッチングして除去する。これにより、図１８に示すように、金属積層部５が接続パッドＣとなり、接続パッドＣの最下の表面処理層１６が露出する。以上により、第３実施形態の配線基板３が得られる。
【０１５１】
第３実施形態の配線基板３は、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）が第１絶縁層３０の外面３０ｘから外側に突き出るバンプ電極として形成され、第１銅層２０（第１金属層）の外面側に表面処理層１６が形成されている。接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）は下方に曲面状に突出して形成される。
【０１５２】
第３実施形態の配線基板３は、第１実施形態の配線基板１（図２（ａ）と同様な効果を奏する。なお、前述した図１７（ｂ）の工程で表面処理層１６をサイドエッチングすることにより、表面処理層１６の外周部が第１、第２銅層２０，２４と同一位置に配置されるようにしてもよい。
【０１５３】
図１９には、第３実施形態の第１変形例の配線基板３ａが示されている。図１９に示すように、第１実施形態の第１変形例の配線基板１ａと同様に、図１８の配線基板３において、第１銅層２０及び第２銅層２４の周縁部をニッケル層２２の外周部から外側に突き出る突出部Ｐとしてもよい。
【０１５４】
図１９の第１変形例の配線基板３ａを製造する場合は、前述した図１７（ｂ）の工程において、第１、第２銅層２０，２４をサイドエッチングする代わりに、ニッケル層２２をサイドエッチングすることにより、第１、第２銅層２０，２４の周縁部を突出部Ｐにすればよい。
【０１５５】
図２０には、第３実施形態の第２変形例の配線基板３ｂが示されている。図２０に示すように、第１実施形態の第２変形例の配線基板１ｂと同様に、図１８の配線基板３において、接続パッドＣの第１、第２銅層２０，２４とニッケル層２２とが同一面積で形成されて、接続パッドＣの側面がストレート形状となっていてもよい。
【０１５６】
図２０の第２変形例の配線基板３ｂを製造する場合は、前述した図１７（ｂ）において、第１、第２銅層２０，２４又はニッケル層２２のサイドエッチング工程を省略すればよい。
【０１５７】
（第３実施形態の配線基板の第２の製造方法）
図２１〜図２３は本発明の第３実施形態の配線基板の第２の製造方法を示す断面図である。第３実施形態の配線基板の第２の製造方法の特徴は、前述した第３実施形態の配線基板の第１の製造方法において、レジスト１２の開口部１２ａ内の銅板１０の凹部１０ａに表面処理層１６の代わりにエッチングストップ用ニッケル層を形成することにある。
【０１５８】
図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、前述した第３実施形態の配線基板の第１の製造方法と同様に、銅板１０の上に開口部１２ａが設けられたレジスト１２を形成した後に、レジスト１２の開口部１２ａ内の銅板１０に凹部１０ａを形成する。
【０１５９】
次いで、図２１（ｃ）に示すように、電解めっきによって銅板１０の凹部１０ａの内面に、表面処理層１６の代わりにエッチングストップ用ニッケル層１３を形成する。さらに、図２１（ｄ）に示すように、レジスト１２の開口部１２ａのエッチングストップ用ニッケル層１３の上に、電解めっきにより、第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）、第２銅層２４（第２金属層）を順に形成する。
【０１６０】
これにより、レジスト１２の開口部１２ａ内の銅板１０の凹部１０ａにエッチングストップ用ニッケル層１３、第１銅層２０（第１金属層）、ニッケル層２２（中間金属層）、及び第２銅層２４（第２金属層）から構成される金属積層部５が形成される。第２の製造方法では、金属積層部層５のうち、第１銅層２０、ニッケル層２２及び第２銅層２４が接続パッドを構成する。
【０１６１】
次いで、図２２（ａ）に示すように、レジスト１２を除去し、第１、第２銅層２０，２４の表面を粗化する。さらに、第１、第２銅層２０，２４を硫酸過水液でニッケル層２２に対して選択的にウェットエッチングすることにより、ニッケル層２２の周縁部を第１、第２銅層２０，２４の外周部から外側に突き出る突出部Ｐとする。さらに、図２２（ａ）の構造体に対して、第１実施形態の図７（ａ）〜図８（ｂ）と同一工程を遂行することにより、図２２（ｂ）の構造体が得られる。
【０１６２】
続いて、図２２（ｃ）に示すように、銅板１０を硫酸過水液でエッチングストップ用ニッケル層１３に対して選択的にエッチングして除去する。
【０１６３】
さらに、図２３（ａ）に示すように、エッチングストップ用ニッケル層１３を硝酸過水液で第１銅層２０に対して選択的にエッチングして除去する。これにより、接続パッドＣが得られ、その第１銅層２０の下面が露出する。
【０１６４】
このように、表面処理層１６（Ｎｉ層／金層など）の代わりにエッチングストップ用ニッケル層１３を形成することにより、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）を腐食させることなく露出させることができる。
【０１６５】
このようにして、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）が第１絶縁層３０の外面３０ｘから外側に突出するバンプ電極として形成される。
【０１６６】
図２３（ａ）のように、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）が露出した状態で、第３実施形態の配線基板３として使用してもよい。
【０１６７】
あるいは、図２３（ｂ）の配線基板３のように、第１実施形態の図１０（ｃ）と同様に、接続パッドＣの第１銅層２０の露出面に無電解めっきなどでコンタクト層（ニッケル層／金層、ニッケル層／パラジウム層／金層、パラジウム層／金層、金層、又は錫層など）を形成して表面処理層１６としてもよい。又は、酸化防止剤（ＯＳＰ）を形成して表面処理層１６としてもよい。
【０１６８】
図２３（ｂ）及び（ｃ）においてその他の要素は図２（ａ）と同一であるのでその説明を省略する。
【符号の説明】
【０１６９】
１，１ａ，１ｂ，２，２ａ，２ｂ，３，３ａ，３ｂ…配線基板、５…金属積層部、１０…銅板（支持基板）、１０ａ，３０ａ…凹部、１１，１３…エッチングストップ用ニッケル層、１２…レジスト、１２ａ，３６ａ…開口部、１４…ポケットめっき層、１６…表面処理層、２０…第１銅層（第１金属層）、２２…ニッケル層（中間金属層）、２４…第２銅層（第２金属層）、３０…絶縁層（第１絶縁層）、３０ｘ…外面、３２…第２絶縁層、３４…第３絶縁層、３６…ソルダレジスト、４０…配線層（第１配線層）、４２…第２配線層、４４…第３配線層、４６…はんだバンプ、Ａ…粗化面、Ｃ…接続パッド、Ｃｘ…接続面、Ｐ…突出部、ＶＨ，ＶＨ１，ＶＨ２，ＶＨ３…ビアホール、ＶＣ，ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＣ３…ビア導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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