(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む表示領域と、
平面的に見て前記表示領域の外側に配置された端子領域と、
前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、
前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルであって、
前記駆動素子は、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を部分的に覆うソース電極とを備え、
前記端子領域には、前記ゲート電極と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子と前記ソース電極と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子とが平面的に見て交互に配列されており、
前記複数のソース端子の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線が前記中間領域に向けて延在し、
前記中間領域および前記端子領域には、前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜が設けられており、
前記中間領域には、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜が設けられており、
前記端子領域における前記無機絶縁膜の厚みは、前記中間領域における前記無機絶縁膜の厚みより小さくなっており、
前記無機絶縁膜は、前記端子領域において前記ソース端子の表面の少なくとも一部を露出させる開口部を有する、表示パネル。
【請求項２】
複数の画素を含む表示領域と、
平面的に見て前記表示領域の外側に配置された端子領域と、
前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、
前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルであって、
前記駆動素子は、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を部分的に覆うソース電極とを備え、
前記端子領域には、前記ゲート電極と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子と前記ソース電極と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子とが平面的に見て交互に配列されており、
前記複数のソース端子の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線が前記中間領域に向けて延在し、
前記中間領域には、前記ソース端子引出線を覆うように形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜を覆うように形成された有機絶縁膜とが設けられており、
前記中間領域は、前記有機絶縁膜が第１の厚みを有する中間第１領域と、前記中間第１領域と前記端子領域との間に配置され、前記有機絶縁膜が前記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する中間第２領域とを含み、
前記無機絶縁膜は、前記ソース端子の表面の少なくとも一部を露出させるように前記中間第２領域と前記端子領域との境界で途切れている、表示パネル。
【請求項３】
複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された端子領域と、
前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、
前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、
基板の表面にゲートメタル層を成膜する工程と、
前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子を形成する工程と、
前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層を成膜する工程と、
前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線を形成する工程と、
前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜を成膜する工程と、
前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜を成膜する工程と、
光を透過させない遮光部と光をそのまま透過させる開口部と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部とを有するマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光する工程と、
前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間領域と前記有機絶縁膜が薄く残る部分および前記有機絶縁膜がない部分を含む端子領域とを形成する工程と、
前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記有機絶縁膜がない部分においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記端子領域のうち前記有機絶縁膜が薄く残る部分では前記有機絶縁膜がなくなって前記無機絶縁膜の厚みが前記有機絶縁膜に覆われた領域における前記無機絶縁膜の厚みに比べて薄くなるようにする工程とを含む、表示パネルの製造方法。
【請求項４】
複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された端子領域と、
前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、
前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、
基板の表面にゲートメタル層を成膜する工程と、
前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子を形成する工程と、
前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層を成膜する工程と、
前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線を形成する工程と、
前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜を成膜する工程と、
前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜を成膜する工程と、
光を透過させない遮光部と光をそのまま透過させる開口部と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部とを有するマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光する工程と、
前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間第１領域と前記有機絶縁膜が薄く残る中間第２領域と前記有機絶縁膜がない部分である端子領域とを形成する工程と、
前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記端子領域においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記中間第２領域では前記有機絶縁膜がさらに薄くなって残るようにする工程とを含む、表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記遮光部に比べて前記膜の膜厚を薄くしたものである、請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜に複数のスリットを設けたものである、請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜の縁をジグザグ形状にしたものである、請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルおよびその製造方法に関するものである。「表示パネル」とはたとえば液晶表示パネルである。液晶表示パネル以外の表示パネルであっても、本発明は適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
ボトムゲート型のＴＦＴ素子を備える表示パネルの一種として液晶表示パネルが知られている。そのような液晶表示パネルの一例は、特開２００５−１７９２６号公報（特許文献１）に示されている。特許文献１では、ゲート電極を形成するための導電膜を利用してゲート配線が形成され、ゲート配線と直交する方向にソース配線が形成されている。ゲート配線の端にはゲート端子が形成され、ソース配線の端にはソース端子が形成されている。【０００３】
ボトムゲート型のＴＦＴ素子を備える表示パネルにおける諸問題に対処するための技術は、特開２００９−１２８７６１号公報（特許文献２）、特開平１１−１５３８０９号公報（特許文献３）、特開２００９−８０２７９号公報（特許文献４）において言及されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１７９２６号公報
【特許文献２】特開２００９−１２８７６１号公報
【特許文献３】特開平１１−１５３８０９号公報
【特許文献４】特開２００９−８０２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
端子領域における端子としては、ゲートメタル層を利用したゲート端子と、ソースメタル層を利用したソース端子とがありうる。通常は、特許文献１に示されるように、表示領域の外側の２辺を用い、複数のゲート端子と複数のソース端子とはそれぞれ別々の辺に分けて配列されている。しかし、表示領域の１つの辺に沿って複数のゲート端子と複数のソース端子との両方を配列する場合もある。以下、表示パネルの構造中の上下関係に言及する際には、基板のある側を下とし、上へ順に積層していくものと仮定する。【０００６】
ゲートメタル層はゲート絶縁膜より下側にあり、ソースメタル層はゲート絶縁膜より上側にある。ゲート端子およびゲート端子引出線に関しては、ゲート端子の表面のうち真に電気的接続に用いられる部分以外はゲート絶縁膜に覆われた状態としておけるので、後工程における各種処理時には、ゲート端子の一部およびゲート端子引出配線はゲート絶縁膜によって保護されている。【０００７】
これに対して、ソース端子およびソース端子引出線に関しては、ゲート絶縁膜より上側にあるので、ゲート絶縁膜で覆って保護するわけにはいかず、露出しがちとなる。そのため、後工程における各種処理時には、ソース端子およびソース端子引出線は傷がついたり腐食したり断線したりする可能性がある。特にソース端子引出線は通常３〜５μｍ程度の幅であって細いので断線するおそれがある。【０００８】
そこで、本発明は、表示パネルの外部接続端子をゲートメタル層とソースメタル層との組合せ配置によって１つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【０００９】
なお、ここで各用語の意味を整理する。表示領域において縦横に多数平行に延在している配線については、ＴＦＴ素子のゲート電極と電気的に接続されたものを「ゲート配線」、ＴＦＴ素子のソース電極と電気的に接続されたものを「ソース配線」と呼ぶ。端子領域においてはゲート配線、ソース配線のいずれかとそれぞれ何らかの電気的接続をするために多数の端子が形成されている。ゲートメタルを利用した端子を「ゲート端子」と呼び、ゲート端子を引き出すためにゲートメタルによって形成された配線を「ゲート端子引出線」と呼ぶ。ソースメタルを利用した端子を「ソース端子」と呼び、ソース端子を引き出すためにソースメタルによって形成された配線を「ソース端子引出線」と呼ぶ。必ずしもゲート配線の続きとしてゲート端子が形成され、ソース配線の続きとしてソース端子が形成されるわけではない。たとえば、ソース配線に対して、ゲートメタルを利用した端子、すなわち、ゲート端子が接続される場合もある。この場合、当該ソース配線と当該ゲート端子との間での電気的接続を実現する構造が設けられる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に基づく表示パネルは、複数の画素を含む表示領域と、平面的に見て上記表示領域の外側に配置された端子領域と、上記表示領域と上記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、上記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルであって、上記駆動素子は、ゲート電極と、上記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜を部分的に覆うソース電極とを備え、上記端子領域には、上記ゲート電極と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子と上記ソース電極と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子とが平面的に見て交互に配列されており、上記複数のソース端子の各々からは、上記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線が上記中間領域に向けて延在し、上記中間領域および上記端子領域には、上記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜が設けられており、上記中間領域には、上記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜が設けられており、上記端子領域における上記無機絶縁膜の厚みは、上記中間領域における上記無機絶縁膜の厚みより小さくなっており、上記無機絶縁膜は、上記端子領域において上記ソース端子の表面の少なくとも一部を露出させる開口部を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、端子領域においてソース端子引出線は無機絶縁膜に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタル層とソースメタル層との組合せ配置によって１つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における表示パネルの平面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における表示パネルの表示領域の拡大図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における表示パネルの駆動素子近傍の断面図である。
【図４】図１におけるＺ１部の拡大図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線に関する矢視断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における表示パネルの平面図である。
【図７】図６におけるＺ２部の拡大図である。
【図８】図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図９】図７におけるＩＸ−ＩＸ線に関する矢視断面図である。
【図１０】ＡＣＦ粒子を用いてソース端子とバンプとの間の接続を行なう様子の第１の説明図である。
【図１１】ＡＣＦ粒子を用いてソース端子とバンプとの間の接続を行なう様子の第２の説明図である。
【図１２】段差にＡＣＦ粒子が凝集した様子の一例の平面図である。
【図１３】段差の近傍の平面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法のフローチャートである。
【図１５】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、露光を行なう際のゲート端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、露光を行なう際のソース端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図１７】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、有機絶縁膜を現像した後の状態でのゲート端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図１８】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、有機絶縁膜を現像した後の状態でのソース端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図１９】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、有機絶縁膜をマスクとして無機絶縁膜をエッチングした後の状態でのゲート端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図２０】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、有機絶縁膜をマスクとして無機絶縁膜をエッチングした後の状態でのソース端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図２１】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、ＩＴＯ膜を全面に成膜した状態でのゲート端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図２２】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、ＩＴＯ膜を全面に成膜した状態でのソース端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図２３】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、ＩＴＯ膜をパターニングして所望部分だけを残すようにした後の状態でのゲート端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図２４】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法の途中工程で、ＩＴＯ膜をパターニングして所望部分だけを残すようにした後の状態でのソース端子予定領域近傍の様子を示す説明図である。
【図２５】本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法で用いることができるマスクの平面図である。
【図２６】本発明に基づく実施の形態４における表示パネルの製造方法のフローチャートである。
【図２７】本発明に基づく実施の形態３，４における表示パネルの製造方法で用いることができるハーフトーン部の第１の例の説明図である。
【図２８】本発明に基づく実施の形態３，４における表示パネルの製造方法で用いることができるハーフトーン部の第２の例の説明図である。
【図２９】本発明に基づく実施の形態３，４における表示パネルの製造方法で用いることができるハーフトーン部の第３の例の説明図である。
【図３０】図２９に示すハーフトーン部を用いて、有機絶縁膜の端部においてなだらかな傾斜を有する段差を形成した例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
図１〜図５を参照して、本発明に基づく実施の形態１における表示パネルについて説明する。まず、本実施の形態における表示パネルの全体を図１に示す。この表示パネルは液晶表示パネル１０１である。液晶表示パネル１０１は、ガラス基板を用いて作成されたものであり、平面的に見て中央やや上部に縦長の表示領域８１を有し、下辺の近傍にドライバ２００を備える。表示領域８１には画像を表示するための複数の画素が含まれる。表示領域８１には、図２に示すように、各画素を駆動するための駆動素子としてのＴＦＴ素子２０が配置されている。各ＴＦＴ素子２０はゲート電極２１とソース電極２２とドレイン電極２３とを備える。図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に関する矢視断面図を図３に示す。ＴＦＴ素子２０は、いわゆるボトムゲート型である。ＴＦＴ素子２０においては、基板１の上面にゲート電極２１が配置され、ゲート電極２１をゲート絶縁膜２が覆っており、ゲート絶縁膜２の上面を部分的に覆うようにソース電極２２とドレイン電極２３とが配置されている。ドレイン電極２３は画素電極に電気的に接続されている。ゲート絶縁膜２はたとえばＳｉＮxまたはＳｉＯxで形成されていてよい。
【００１４】
なお、ゲート電極２１と同材料で同時に形成された層を「ゲートメタル層」といい、ソース電極２２と同材料で同時に形成された層を「ソースメタル層」というものとする。
【００１５】
図１においては、ドライバ２００から表示領域８１の左右の各辺に向けて多数の走査信号線すなわちゲート配線群３００が延在している。ドライバ２００から表示領域８１の下辺に向けて多数のデータ信号線すなわちソース配線群４００が延在している。図１においては、ゲート配線群３００およびソース配線群４００は何もない余白の領域を指しているように見えるが、この領域においてはきわめて細い多数の配線が縞模様をなすように配列されており、そのピッチが小さすぎるために図示されずに余白のように見えているに過ぎない。ゲート配線群３００に含まれる個々の配線は、表示領域８１に含まれる各ＴＦＴ素子２０のゲート電極２１に電気信号を送るためのものであり、ソース配線群４００に含まれる個々の配線は、各ＴＦＴ素子２０のソース電極２２に電気信号を送るためのものである。ＴＦＴ素子２０を覆うように無機絶縁膜５が設けられており、無機絶縁膜５をさらに覆うように有機絶縁膜６が設けられている。無機絶縁膜５に比べて有機絶縁膜６は厚くなっている。無機絶縁膜５はたとえばＳｉＮxまたはＳｉＯxで形成されていてよい。無機絶縁膜５の厚みは０．１〜０．６μｍ程度であってよい。有機絶縁膜６はたとえば感光性のアクリル樹脂で形成されていてよい。有機絶縁膜６の厚みは１〜４μｍ程度であってよい。
【００１６】
図１におけるＺ１部を拡大したところを図４に示す。図１ではドライバ２００が重なっているが、図４ではドライバ２００を取り去った状態を示している。図４では、表示領域８１の各辺から延在する配線とドライバ２００との電気的接続を行なうための端子の列が見えている。図４に示されているのは、中間領域８２と端子領域８３との境界近傍である。端子領域８３に、ゲート端子１３とソース端子１４が配置されている。ゲート端子１３およびソース端子１４はいずれも長手方向と幅方向とを有する。ゲート端子１３およびソース端子１４は短冊形状であってもよく、長円形状であってもよい。ゲート端子１３およびソース端子１４は、図４に示すように短冊形状の四隅を面取りした八角形であってもよい。ゲート端子１３およびソース端子１４はそれぞれゲート端子引出線１５およびソース端子引出線１６より幅が広くなっている。
【００１７】
ゲート端子１３のみ、ソース端子１４のみに注目すれば、それぞれ、中間領域８２の端から一定の距離の位置において互いに平行に配置されている。ゲート端子１３は中間領域８２から遠い側に配置され、ソース端子１４は中間領域８２から近い側に配置されている。ゲート端子引出線１５およびソース端子引出線１６は、いずれも中間領域８２から端子領域８３に進入するように延在している。ゲート端子引出線１５とソース端子引出線１６とは互いに平行に配置されている。
【００１８】
本実施の形態においては、ある１本のゲート配線に対して、ゲート端子引出線およびゲート端子が電気的に接続されており、前記ある１本のゲート配線に隣接するゲート配線に対しては、ソース端子引出線およびソース端子が電気的に接続されている。さらに、ある１本のソース配線に対して、ソース端子引出線およびソース端子が電気的に接続されており、前記ある１本のソース配線に隣接するソース配線に対しては、ゲート端子引出線およびゲート端子が電気的に接続されている。
【００１９】
図４におけるＶ−Ｖ線に関する矢視断面図を図５に示す。ソースメタル層の一部がソース端子１４となっている。ソース端子１４の下側にはアイランド状のゲートメタル層４１ｔが配置されている。すなわち、ソース端子１４とゲートメタル層４１ｔとは重なり合っている。ただし、ソース端子１４とゲートメタル層４１ｔとはゲート絶縁膜２によって電気的に隔離されている。ゲート絶縁膜２はゲートメタル層４１ｔを覆うように形成されている。ソースメタル層は無機絶縁膜５に覆われている。無機絶縁膜５が開口している部分がソース端子１４である。ソース端子１４においては、ソースメタル層は、直接露出するのではなく、ＩＴＯ膜４によって覆われている。本実施の形態では、ソース端子１４の下側に配置されたゲートメタル層４１ｔは、基板１の表面からの、ゲート端子１３の高さとソース端子１４の高さとを合わせるために配置されているものである。ゲートメタル層４１ｔがこのように配置されることによって、ソース端子１４の高さが増し、ゲート端子１３の高さと近くなる。このようにすることで、ドライバ２００を実装する際の接続信頼性の向上を図っている。ただし、端子部の膜構成、膜厚によってはこのような目的のゲートメタル層４１ｔは配置しなくてもよい。
【００２０】
図５に示すように、中間領域８２においては、無機絶縁膜５の上側は有機絶縁膜６によって覆われている。無機絶縁膜５の厚みは、有機絶縁膜６に覆われている部分に比べて、有機絶縁膜６に覆われていない部分では薄くなっている。
【００２１】
本実施の形態における表示パネル１０１は、複数の画素を含む表示領域８１と、平面的に見て表示領域８１の外側に配置された端子領域８３と、表示領域８１と端子領域８３との間に介在する中間領域８２とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子としてのＴＦＴ素子２０を有する表示パネルである。前記駆動素子は、ゲート電極２１と、ゲート電極２１を覆うゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２を部分的に覆うソース電極２２とを備える。端子領域８３には、ゲート電極２１と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子１３とソース電極２２と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子１４とが平面的に見て交互に配列されている。複数のソース端子１４の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線１６が中間領域８２に向けて延在する。中間領域８２および端子領域８３には、ソース端子引出線１６を覆うように無機絶縁膜５が設けられている。中間領域８２には、無機絶縁膜５を覆うように有機絶縁膜６が設けられている。端子領域８３における無機絶縁膜５の厚みは、中間領域８２における無機絶縁膜５の厚みより小さくなっている。無機絶縁膜５は、端子領域８３においてソース端子１４の表面の少なくとも一部を露出させる開口部を有する。
【００２２】
本実施の形態における表示パネルでは、図５に示すように、端子領域８３においてソース端子引出線１６は薄い無機絶縁膜５に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタル層とソースメタル層との組合せ配置によって１つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。
【００２３】
（実施の形態２）
図６〜図９を参照して、本発明に基づく実施の形態２における表示パネルについて説明する。まず、本実施の形態における表示パネルの全体を図６に示す。この表示パネルは液晶表示パネル１０２である。図６におけるＺ２部を拡大したところを図７に示す。
【００２４】
図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に関する矢視断面図を図８に示す。図８では基板１の上にゲート端子引出線１５の断面と、ソース端子１４の断面とが見えている。ゲート端子引出線１５はゲートメタル層によって形成されている。ゲート端子引出線１５においてはゲート絶縁膜２の上側を半導体層３が覆っている。ソース端子１４の上側は透明導電膜としてのＩＴＯ膜４によって覆われている。ＩＴＯ膜４はゲート絶縁膜２の側面をも覆い、基板１の表面に達している。
【００２５】
図７におけるＩＸ−ＩＸ線に関する矢視断面図を図９に示す。液晶表示パネル１０２が備える駆動素子の拡大断面図は図３に示したものと同じであるので、駆動素子およびその各部に関する符号は図３に示したものを使用する。
【００２６】
本実施の形態における表示パネル１０２は、複数の画素を含む表示領域８１と、平面的に見て表示領域８１の外側に配置された端子領域８３と、表示領域８１と端子領域８３との間に介在する中間領域８２とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子としてのＴＦＴ素子２０を有する表示パネルである。前記駆動素子は、ゲート電極２１と、ゲート電極２１を覆うゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２を部分的に覆うソース電極２２とを備える。端子領域８３には、ゲート電極２１と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子１３とソース電極２２と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子１４とが平面的に見て交互に配列されている。複数のソース端子１４の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線１６が前記中間領域８２に向けて延在する。中間領域８２には、ソース端子引出線１６を覆うように形成された無機絶縁膜５と、無機絶縁膜５を覆うように形成された有機絶縁膜６とが設けられている。中間領域８２は、有機絶縁膜６が第１の厚みを有する中間第１領域８２ａと、中間第１領域８２ａと端子領域８３との間に配置され、有機絶縁膜６が前記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する中間第２領域８２ｂとを含む。無機絶縁膜５は、ソース端子１４の表面の少なくとも一部を露出させるように中間第２領域８２ｂと端子領域８３との境界で途切れている。
【００２７】
本実施の形態では、ゲートメタル層は単層であるものとするが、ゲートメタル層は単層に限らない。ゲートメタル層は、ＡｌまたはＡｌ合金の単層であってもよいが、その他に、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｃｕ／Ｔｉなどのような積層体であってもよい。
【００２８】
図９に示した例では、ソースメタル層はＴｉ層１６ａとＡｌ層１６ｂとの２層構造となっているが、ソースメタル層の構造はこれに限らない。ソースメタル層の構造の他の例としては、Ａｌ合金／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｃｕ／Ｔｉなどであってもよい。
【００２９】
図９に示した例では、ソース端子１４においては、ソースメタル層のうちＡｌ層１６ｂがなくなってＴｉ層１６ａのみが延在している。中間第２領域８２ｂと端子領域８３との境目においては、Ａｌ層１６ｂがエッチングによって後退しており、無機絶縁膜５がオーバーハングした構造となっている。図９に示した例では、端子領域８３においてソース端子１４を覆っているＩＴＯ膜４は、中間第２領域８２ｂと中間第１領域８２ａとの境目まで乗り上がるように延在している。ＩＴＯ膜４は、中間第２領域８２ｂの途中のいずれかの位置まで延在しているだけでもよく、中間第１領域８２ａの途中のいずれかの位置まで進入して延在していてもよい。
【００３０】
本実施の形態では、図９に示したように、ソース端子１４の下にゲートメタル層が配置されていない構造を前提に説明したが、実施の形態１と同様に、端子の膜構成、膜厚によっては、端子同士の高さを合わせるためにソース端子１４の下にゲートメタル層を配置してもよい。
【００３１】
本実施の形態における表示パネルでは、端子領域８３に近いところまでソース端子引出線１６が無機絶縁膜５および有機絶縁膜６に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタルとソースメタルとの組合せ配置によって１つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。しかも、中間第２領域８２ｂにおいては有機絶縁膜６が薄くなっているので、図１０に示すようにＡＣＦ粒子１９を用いてソース端子１４とバンプ１７との間の接続を行なうために矢印９１の向きの加圧を行なった際に、図１１に示すように、余分なＡＣＦ粒子１９が円滑に中間領域８２の方へ逃げることができ、端子領域８３と中間領域８２との境目の段差３１におけるＡＣＦ粒子１９の凝集を避けることができる。
【００３２】
なお、段差３１にＡＣＦ粒子が凝集した場合の一例の平面図を図１２に示す。ＡＣＦ粒子の径はたとえば３〜５μｍ程度であり、端子間隔（数μｍ〜数十μｍ程度）と比較して十分な大きさを有している。このような凝集は隣接端子同士のリークの原因となるため、好ましくない。
【００３３】
段差３１の近傍を平面的に見たところを図１３に示す。各端子にＩＴＯ膜４を形成する際には一旦ＩＴＯ膜を全面に形成してからその上にレジスト膜パターンを形成し、このレジスト膜パターンを用いてＩＴＯ膜４をパターニングする作業が行なわれる。たとえば部位３２は端子同士の間隙であるので、ＩＴＯ膜は除去されるべきである。しかし、段差３１における高低差が大きいと、段差３１のうちレジスト膜を除去すべき部位３２におけるレジスト膜の厚みが厚くなる。そのため、部位３２にレジスト膜が残存してしまって十分にＩＴＯ膜が除去されず、その結果、互いに隣接する配線１６１，１６２間で短絡が生じるおそれがある。しかし、本実施の形態における表示パネルでは、中間第２領域８２ｂにおいては有機絶縁膜６が薄くなっているので、段差３１における高低差を小さく抑えることができ、その結果、ＩＴＯ膜の残存による短絡不良の発生率を低減することができる。
【００３４】
（実施の形態３）
図１４〜図２５を参照して、本発明に基づく実施の形態３における表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態における表示パネルの製造方法は、実施の形態１で説明した表示パネルを得るために好適な製造方法である。本実施の形態における表示パネルの製造方法のフローチャートを図１４に示す。
【００３５】
本実施の形態における表示パネルの製造方法は、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域の外側に配置された端子領域と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、前記基板の表面にゲートメタル層を成膜する工程Ｓ１と、前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子を形成する工程Ｓ２と、前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程Ｓ３と、前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層を成膜する工程Ｓ５と、前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線を形成する工程Ｓ６と、前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜を成膜する工程Ｓ７と、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜を成膜する工程Ｓ８と、光を透過させない遮光部と光をそのまま透過させる開口部と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部とを有するマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光する工程Ｓ９と、前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間領域と前記有機絶縁膜が薄く残る部分および前記有機絶縁膜がない部分を含む端子領域とを形成する工程Ｓ１０と、前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記有機絶縁膜がない部分においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記端子領域のうち前記有機絶縁膜が薄く残る部分では前記有機絶縁膜がなくなって前記無機絶縁膜の厚みが前記有機絶縁膜に覆われた領域における前記無機絶縁膜の厚みに比べて薄くなるようにする工程Ｓ１１とを含む。
【００３６】
この表示パネルの製造方法においては、通常、工程Ｓ３でゲート絶縁膜を形成した後、かつ、工程Ｓ５でソースメタル層を形成する前に、工程Ｓ４としてゲート絶縁膜を覆うように半導体層が形成される。
【００３７】
この表示パネルの製造方法のうち工程Ｓ９から工程Ｓ１１に関して詳しく説明する。
工程Ｓ９を行なう際のゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図１５、図１６に示す。
【００３８】
ゲート端子予定領域近傍では図１５に示すように、基板１の上面においてパターニング済のゲートメタル層４１がゲート絶縁膜２、無機絶縁膜５および有機絶縁膜６の積層体に覆われている。マスク５０を通じて露光が行なわれている。マスク５０には遮光部５１と開口部５２とハーフトーン部５３とを有する。図１５においては開口部５２がのちにゲート端子となるべき領域に相当する。
【００３９】
ソース端子予定領域近傍では図１６に示すように、基板１の上面をまずゲート絶縁膜２が覆っており、その上側にソースメタル層４２がパターニングされた状態で形成されている。ソースメタル層４２を覆うように無機絶縁膜５が形成され、さらにその上を覆うように有機絶縁膜６が形成されている。図１６においては開口部５２がのちにソース端子となるべき領域に相当する。
【００４０】
工程Ｓ１０において有機絶縁膜６を現像した後の状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図１７、図１８に示す。いずれも開口部５２に相当する領域では有機絶縁膜６がなくなっており、ハーフトーン部５３に対応する領域では有機絶縁膜６が薄く残っている。
【００４１】
工程Ｓ１１において有機絶縁膜６をマスクとして無機絶縁膜５をエッチングした後の状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図１９、図２０に示す。いずれも図１７、図１８で有機絶縁膜６が薄く残っていた領域では有機絶縁膜６がなくなり、無機絶縁膜５は厚み方向に部分的にエッチング除去されて薄くなっている。有機絶縁膜が薄く残っていた領域から有機絶縁膜がなくなっているのは、有機絶縁膜はマスクの役割を果たすとはいえある程度はエッチング除去されるものであり、有機絶縁膜の元々の厚みが薄い領域では無機絶縁膜のエッチングをしている間に有機絶縁膜の厚みの全てが除去されてしまうからである。図１９に示すように、ゲート端子予定領域近傍のうち図１７で有機絶縁膜６が既になくなっていた領域では、無機絶縁膜５およびゲート絶縁膜２がなくなっている。図２０に示すように、ソース端子予定領域近傍のうち図１８で有機絶縁膜６が既になくなっていた領域では、無機絶縁膜５がなくなっている。
【００４２】
さらにＩＴＯ膜を全面に成膜した状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図２１、図２２に示す。マスク５０の開口部５２に対応する領域では、それぞれゲートメタル層４１、ソースメタル層４２に直接接するようにＩＴＯ膜４が形成されている。
【００４３】
さらに、ＩＴＯ膜をパターニングして所望部分だけを残すようにした後の状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図２３、図２４に示す。こうして、図２３に示すように、ゲート端子１３およびゲート端子引出線１５が形成され、図２４に示すように、ソース端子１４およびソース端子引出線１６が形成される。
【００４４】
図４に示したように端子領域８３にゲート端子１３とソース端子１４とを形成しようとする場合、マスク５０としてはたとえば図２５に示すようなものを使用すればよい。
【００４５】
本実施の形態における表示パネルの製造方法によれば、ハーフトーン部を有するマスクを用いて有機絶縁膜を露光する工程Ｓ９を含むので、有機絶縁膜に厚みの異なる部分を形成することができ、工程Ｓ１１ではこの厚みの差を利用して無機絶縁膜にソース端子のための開口部を形成すると同時に薄い無機絶縁膜が覆う領域を形成することができる。したがって、端子領域においてソース端子引出線は薄い無機絶縁膜に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタルとソースメタルとの組合せ配置によって１つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。言い換えれば、本実施の形態では、線幅の広いソース端子の端にほぼ重なるように無機絶縁膜の外縁が位置するように無機絶縁膜を形成することができ、線幅が狭いソース端子引出線を無機絶縁膜によって覆って保護することができるので、ソース端子引出線の断線を抑制することができる。
【００４６】
（実施の形態４）
図２６を参照して、本発明に基づく実施の形態４における表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態における表示パネルの製造方法は、実施の形態２で説明した表示パネルを得るために好適な製造方法である。本実施の形態における表示パネルの製造方法のフローチャートを図２６に示す。
【００４７】
本実施の形態における表示パネルの製造方法は、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域の外側に配置された端子領域と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、前記基板の表面にゲートメタル層を成膜する工程Ｓ１と、前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子を形成する工程Ｓ２と、前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程Ｓ３と、前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層を成膜する工程Ｓ５と、前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線を形成する工程Ｓ６と、前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜を成膜する工程Ｓ７と、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜を成膜する工程Ｓ８と、光を透過させない遮光部と光をそのまま透過させる開口部と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部とを有するマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光する工程Ｓ１９と、前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間第１領域と前記有機絶縁膜が薄く残る中間第２領域と前記有機絶縁膜がない部分である端子領域とを形成する工程Ｓ２０と、前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記端子領域においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記中間第２領域では前記有機絶縁膜がさらに薄くなって残るようにする工程Ｓ２１とを含む。
【００４８】
この表示パネルの製造方法においては、通常、工程Ｓ３でゲート絶縁膜を形成した後、かつ、工程Ｓ５でソースメタル層を形成する前に、工程Ｓ４としてゲート絶縁膜を覆うように半導体層が形成される。
【００４９】
本実施の形態では、工程Ｓ８における有機絶縁膜の厚みや露光時間を調整することによって、工程Ｓ２０の結果、中間第２領域においてもなお有機絶縁膜が薄く残るようにしている。
【００５０】
本実施の形態における表示パネルの製造方法によれば、ハーフトーン部を有するマスクを用いて有機絶縁膜を露光する工程Ｓ１９を含むので、有機絶縁膜に厚みの異なる部分を形成することができ、工程Ｓ２１ではこの厚みの差を利用して無機絶縁膜にソース端子のための開口部を形成すると同時に薄い有機絶縁膜が覆う領域を形成することができる。したがって、端子領域に近接する中間第２領域においてソース端子引出線は薄い有機絶縁膜に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタルとソースメタルとの組合せ配置によって１つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。
【００５１】
なお、実施の形態３，４のいずれにも適用可能なマスク５０のハーフトーン部５３の構造について説明する。
【００５２】
前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記遮光部に比べて前記膜の膜厚を薄くしたものであってよい。遮光性材料とはたとえばクロムである。遮光部はクロム膜で形成されたものであってよい。
【００５３】
前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜に複数のスリットを設けたものであってよい。たとえば図２７に示すように、ハーフトーン部５３は、遮光部５１を形成する材料膜の外縁部において、端子の幅方向に平行なスリットを多数設けて横縞状としてもよい。あるいは、図２８に示すように、ハーフトーン部５３は、遮光部５１を形成する材料膜の外縁部において、端子の長手方向に平行な切込みを多数設けて縦縞状としてもよい。図２７に示すハーフトーン部５３においては、遮光部分の幅が約２μｍであり、遮光部分同士の間隙は約１．５μｍである。これらの寸法は、有機絶縁膜６の膜厚などにより適切に設定すればよい。
【００５４】
前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜の縁をジグザグ形状にしたものであってよい。ここでいうジグザグ形状とは、ピッチに比べて入り込む長さが大きなジグザグ形状である。たとえば図２９に示すものであってよい。図２９に示すようなハーフトーン部であれば、ハーフトーン部の中でも部位によって透過率が異なり、透過率は徐々に変化することになるので、図３０に示すように、有機絶縁膜６の端部においてなだらかな傾斜を有する段差を形成することができる。
【００５５】
ハーフトーン部は、上述のように材料の厚みを変化させることやスリットなどを設けることによって実現することもできるが、その他に、微細パターンを設けることによっても実現可能である。微細パターンを設けることで領域全体の透過率を調整することができるからである。なお、微細パターンを設けることによって「ハーフトーン」を実現したものを「グレートーン」と呼ぶものとする。
【００５６】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、表示パネルおよびその製造方法に利用可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１  基板、２  ゲート絶縁膜、３  半導体層、４  ＩＴＯ膜、５  無機絶縁膜、６  有機絶縁膜、１３  ゲート端子、１４  ソース端子、１５  ゲート端子引出線、１６  ソース端子引出線、１６ａ  Ｔｉ層、１６ｂ  Ａｌ層、１７  バンプ、１８  ＩＣ、１９  ＡＣＦ粒子、２０  ＴＦＴ素子、２１  ゲート電極、２２  ソース電極、２３  ドレイン電極、３１  段差、３２  部位、４１，４１ｔ  ゲートメタル層、４２  ソースメタル層、５０  マスク、５１  遮光部、５２  開口部、５３  ハーフトーン部、８１  表示領域、８２  中間領域、８２ａ  中間第１領域、８２ｂ  中間第２領域、８３  端子領域、９１  矢印、１０１，１０２  液晶表示パネル、２００  ドライバ、３００  ゲート配線群、４００  ソース配線群。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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