(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル表示装置のフレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造であって、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むフレキシブル基板上の第１層と、
前記ＴＦＴからの信号を受信する前記ＴＦＴに接続されたピクセル電極を含む前記第１層上に設けられた第２層と、
前記ピクセルによって表示された光をフィルタするカラーフィルタを含む第３層とを有し、
前記第３層は、前記カラーフィルタが前記ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第１層における歪みを補償し、
前記ピクセル電極は、前記ピクセルの製造の間に前記ＴＦＴに関して前記ピクセル電極が横方向に変位することが可能な形状であり、前記変位は前記フレキシブル基板における歪みによって生じたものである、ピクセル構造。
【請求項２】
前記電極及びＴＦＴ間の前記接続は、前記電極と前記電極間のビアコネクタを有する請求項１記載のピクセル構造。
【請求項３】
前記電極及び前記ＴＦＴ間の最大の横方向の変位は、前記電極の寸法と前記ビアコネクタの差の半分より小さい請求項２記載のピクセル構造。
【請求項４】
前記第２層及び第３層間に設けられたディスプレー媒体であって、前記ディスプレー媒体は前記ピクセル電極の信号に応答する請求項１乃至３のいずれかに記載のピクセル構造。
【請求項５】
前記ディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体を含む請求項４記載のピクセル構造。
【請求項６】
前記ディスプレー媒体は、液晶媒体を含む請求項４記載のピクセル構造。
【請求項７】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）を含む請求項１乃至６のいずれかに記載のピクセル構造。
【請求項８】
前記ＴＦＴは、有機半導体を含む請求項１乃至７のいずれかに記載のピクセル構造。
【請求項９】
前記有機半導体は、溶液処理された有機半導体を含む請求項８記載のピクセル構造。
【請求項１０】
フレキシブル表示装置であって、
フレキシブル基板上に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する第１層と、
前記第１層上に設けられ複数のピクセル電極を有する第２層であって、前記ピクセル電極はそれぞれ各ＴＦＴに接続されて前記各ＴＦＴからの信号を受信する第２層と、
画像を表示するディスプレー媒体であって、前記第２層上に設けられ、前記ピクセル電極の信号に応答するディスプレー媒体と、
複数のカラーフィルタを有して前記ディスプレー上に表示された画像をフィルタする第３層とを有し、
前記第３層は、前記カラーフィルタがそれぞれ各ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第２層に対して位置調整され、前記位置調整は、前記フレキシブル基板における歪みによって生じる前記第１層における歪みを補償し、前記ピクセル電極及び前記カラーフィルタの少なくともいくつかは前記ＴＦＴに対して調整位置から外れ、
各ピクセル電極は、それぞれ前記表示装置の製造の間に前記ＴＦＴに関して横方向に変位することができる形状であり、前記変位は前記フレキシブル基板における歪みによって生じている、フレキシブル表示装置。
【請求項１１】
前記ピクセル電極と前記各ＴＦＴ間の前記接続は、前記電極と前記ＴＦＴ間のビアコネクタを有する請求項１０記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１２】
前記ピクセル電極に対する前記ビアコネクタの横方向の位置は、前記アレイ全域で少なくとも５μｍ、１０μｍ及び２０μｍによって変化する請求項１１記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１３】
前記電極と前記ＴＦＴ間の最大の横方向の変位は、前記電極の寸法と前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい請求項１２記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１４】
前記ディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体を含む請求項１０乃至１３のいずれかに記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１５】
前記ディスプレー媒体は、液晶ディスプレー媒体を含む請求項１０乃至１３のいずれかに記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１６】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を含む請求項１０乃至１５のいずれかに記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１７】
前記ＴＦＴは、有機半導体を含む請求項１０乃至１６のいずれかに記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１８】
前記有機半導体は、溶液処理された有機半導体である請求項１７記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１９】
表示装置のピクセルを製造するときの歪みを補償する方法であって、
前記ピクセルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むフレキシブル基板上の第１層と、前記第１層上に配置され、前記ＴＦＴからの信号を受信する前記ＴＦＴに接続されたピクセル電極を含む第２層と、前記ピクセルによって表示される光をフィルタするカラーフィルタを有する第３層とを有し、
前記方法は、前記フィルタを前記電極に位置調整し、前記電極を前記ＴＦＴに接続し、前記電極と前記ＴＦＴの相対的な調整位置からの外れを許容するようにし、
前記ピクセル電極は、前記ピクセルの製造の間に前記ＴＦＴに関して前記ピクセル電極が横方向に変位することが可能な形状であり、前記変位は前記フレキシブル基板における歪みによって生じたものである、方法。
【請求項２０】
フレキシブル基板の製造方法であって、
複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む第１層をフレキシブル基板上に堆積し、
前記第１層上に第２層を堆積し、前記第２層は複数のピクセル電極を含み、各ピクセル電極はそれぞれ前記第１層及び第２層間の各ビアコネクタによって各ＴＦＴに接続され、
前記第２層上に画像を表示するディスプレー媒体を堆積し、前記ディスプレー媒体は前記ピクセル電極の信号に応答し、
前記第２層に第３層を位置調整し、前記第３層は前記ディスプレー媒体に表示される画像をフィルタする複数のカラーフィルタを含み、
前記第２層上に前記第３層を堆積し、前記第３層は前記カラーフィルタのそれぞれが各ピクセル電極に実質的に位置調整されるように第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じる前記第１層における歪みを補償し、
前記第１層上に導体材料を堆積し、前記複数のピクセル電極を規定するように前記導体材料のパターンを形成することを有し、前記ピクセル電極は、前記ピクセル電極と前記ＴＦＴとが互いに横方向に変位できるような形状であり、前記変位は前記フレキシブル基板の歪みによって生じる、方法。
【請求項２１】
最大の横方向の変位は、前記電極の寸法と前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記ディスプレー媒体上にフィルタ材料を堆積し、
前記フィルタ材料にパターンを形成して前記複数のカラーフィルタを規定するようにし、前記カラーフィルタがそれぞれ各ピクセル電極に実質的に位置調整されている請求項２０又は２１記載の方法。
【請求項２３】
パターンを形成することは、パターンが規定されるように前記第１層の第１領域を光源に露光し、前記第１領域が露光できる第１位置から前記層の第２位置が露光できる第２位置まで前記基板を平行移動するステップアンドリピート露光処理を実行することを含む請求項２０、２１、２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記第１位置と前記第２位置間の距離は、前記ピクセル電極のピッチの整数倍である請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記第１位置及び前記第２位置の距離は、前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第１層における歪みを補正するように選択される請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
前記光源はレーザーであり、前記材料はレーザーアブレーションされたものである請求項２３、２４、２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記露光は、フォトリソグラフィー処理を含む請求項２３、２４、２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記材料は、前記層上にパターンが形成された前記材料を印刷することによって実質的に同時に堆積されてパターンが形成される請求項２０、２１、２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
位置調整することは、前記第３層における特徴を前記第２層における対応する特徴に対して位置調整する請求項２０乃至２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記特徴は、前記層の１以上の隅に設けられる層マーカーを含む請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
位置調整することは、前記第２層の前記堆積の間に前記表示装置の位置を表す位置データを測定して格納し、
前記データを用いて前記第３層の前記堆積の間に前記表示装置の位置を制御することを有する請求項２０乃至２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
前記ディスプレー媒体は、電気泳動媒体である請求項２０乃至３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
前記ディスプレー媒体は、液晶媒体である請求項２０乃至３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）を含む請求項２０乃至３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３５】
前記ＴＦＴは、有機半導体を含む請求項２０乃至３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３６】
前記有機半導体は、溶液処理された有機半導体である請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
フレキシブル表示装置に用いられるピクセルであって、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むフレキシブル基板上の第１層と、
前記第１層上に設けられ、前記ＴＦＴに接続されて前記ＴＦＴからの信号を受信するピクセル電極を含む第２層とを有し、
前記ピクセル電極は、このピクセル電極が前記ピクセルの製造間に前記ＴＦＴに関して横方向に変位できるような形状であり、前記変位は前記フレキシブル基板の変位によって生じる、ピクセル。
【請求項３８】
前記電極とＴＦＴ間の接続は、前記ピクセル電極と前記ＴＦＴ間のビアコネクタを含む請求項３７記載のピクセル。
【請求項３９】
前記電極と前記ＴＦＴ間の最大の横方法の変位は、前記電極の寸法と前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい請求項３８記載のピクセル。
【請求項４０】
前記ピクセルによって表示される光をフィルタするカラーフィルタを含む第３層を有し、
前記第３層は、前記カラーフィルタが前記ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第２層に対して位置調整され、
前記位置調整は、前記フレキシブル基板における歪みによって生じる前記第１層におけるゆがみを補償する、請求項３７、３８、３９のいずれかに記載のピクセル。
【請求項４１】
前記第２層及び第３層間に設けられたディスプレー媒体を含み、前記ディスプレー媒体は、前記ピクセル電極の信号に応答する請求項３７乃至４０のいずれかに記載のピクセル。
【請求項４２】
前記ディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体を含む請求項４１記載のピクセル。
【請求項４３】
前記ディスプレー媒体は、液晶媒体を含む請求項４１記載のピクセル。
【請求項４４】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）を含む請求項３７乃至４３のいずれかに記載のピクセル。
【請求項４５】
前記ＴＦＴは、有機半導体を含む請求項３７乃至４４のいずれかに記載のピクセル。
【請求項４６】
前記有機半導体は、溶液処理された有機半導体である請求項４５記載のピクセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、フレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造、前記ピクセル構造を有する表示装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）及び電気泳動表示装置のような多くのディスプレー技術は、フルカラー画像を表示するためにカラーフィルタの使用に頼っている。また、白色電界発光に基づく例えば有機又は無機ＬＥＤのようないくつかの発光ディスプレー技術は、フルカラー画像を表示するためにカラーフィルタの使用に頼っている。一般に、表示装置は、電子信号がディスプレー媒体に適用されるピクセル電極のパターンによって規定されるピクセルのアレイを有している。パッシブマトリクス表示装置においては、各ピクセル電極は、表示装置の全域で配線に直接に接続される。アクティブマトリクス表示装置においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が、ピクセル電極の電圧信号を制御するために使用される。フルカラー表示装置において、各ピクセルは、それぞれが例えば赤、緑及び青のような特定の基本色の表示を受け持つ３以上のサブピクセルからなる。画面前方において良好な性能を達成するため、カラーフィルタのパターンは、ピクセル電極のパターンについて位置調整する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
現在の技術は、画素カラーフィルタの製造に頼り、画素カラーフィルタは、バックプレーンのピクセルに対して慎重に位置調整される。一旦カラーフィルタとピクセルが位置調整されると、カラーフィルタを積層基板にラミネートする工程が実行される。しかしながら、カラーフィルタを下層のピクセルに対して位置調整するこの方法は、フレキシブル基板を組み込んだ装置に使用することはできない。このことは、基板の種々の処理段階で生じるフレキシブル基板に付随する歪みのレベルによるものである。最適化されたカラー画像化を達成し、高い開口比を維持するため、カラーフィルタは、基板上のピクセルパターンに対して非常に正確に位置調整されなければならない。
【０００４】
ＷＯ２００４／１００１１７において、ピクセルのアレイが開示され、電子画像装置内の不規則なアレイに従って配置されている。干渉効果を避けるため、ピクセルは、画像内の異なったパターンと用意に相互作用しないようなパターンで配置される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
先行する加工段階において歪められた基板において、最上部のピクセル電極パターンに対して画素カラーフィルタを位置調整するという課題に取り組む、本発明の実施の形態を説明する。開示された方法は、歪み耐性ピクセル構造を組み込み、歪まない最上部のピクセルパターンを規定することによって、ソース及びドレインのパターンが形成された電極に関して最上部のピクセル電極が意図的に調整位置から外れることを許容する。
【０００６】
本発明は、フレキシブル表示装置のフレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造を提供し、フレキシブル基板上の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する第１層、前記第１層上に配置され、前記ＴＦＴに接続されて前記ＴＦＴからの信号を受信するピクセル電極を有する第２層、前記ピクセルによって表示される光をフィルタするカラーフィルタを有する第３層を有し、前記第３層は前記カラーフィルタが実質的に前記ピクセル電極に対して位置調整されるように第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じる前記第１層の歪みを補償する。
【０００７】
ピクセル構造は、下層のソース・ドレインのパターンが形成された電極に関して最上部のピクセル電極が調整位置から外れることを許容することによって、フレキシブル基板における歪みを補償するピクセルを提供するが、カラーフィルタをピクセル電極に対して位置調整する。このことによって、フィルタが電極に対して位置調整されているので、このようなピクセルのアレイは他によっては可能なよりも高品質の画像を提供する。
【０００８】
本発明の実施形態においては、前記ピクセル電極は、このピクセル電極が前記ピクセルの製造の間に前記ＴＦＴに関して横方向に変位することができ、前記変位は前記フレキシブル基板の歪みによって生じることが好ましい。好ましくは、前記電極とＴＦＴ間の接続は、前記電極と前記ＴＦＴ間のビアコネクタを有する。
【０００９】
実施形態においては、前記電極及び前記ＴＦＴ間の最大の横方向の変位は、前記電極の寸法及び前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい。
【００１０】
好ましくは、ピクセル構造は、前記第２層及び第３層間に設けられたディスプレー媒体をさらに含み、前記ディスプレー媒体は、前記ピクセル電極の信号に応答する。実施形態においては、前記ディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体又は液晶媒体を含む。
【００１１】
実施形態においては、ピクセル構造の基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はプリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を含む。実施形態においては、前記ＴＦＴは、有機半導体であり、溶液処理された有機半導体を含む。
【００１２】
また、本発明は、フレキシブル基板上に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む第１層、前記第１層の上に設けられ、複数のピクセル電極を含み、前記ピクセル電極はそれぞれ各ＴＦＴに接続され、前記各ＴＦＴからの信号を受信する第２層、画像を表示し、前記第２層上に設けられ、前記ピクセル電極の信号に応答するディスプレー媒体、前記ディスプレーに表示された画像をフィルタする複数のカラーフィルタを含む第３層を有し、前記第３層は、前記カラーフィルタのそれぞれが各ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板の歪みによって生じる前記第１層における歪みを補償し、少なくともいくつかの前記ピクセル電極及びカラーフィルタは前記ＴＦＴとの調整位置から外れている。
【００１３】
ソース・ドレインのパターンが形成された下層の電極に関して最上部のピクセルが調整位置から外れることを許容するが、カラーフィルタをピクセル電極に対して位置調整することによって、表示装置は他では可能でないような高い品質の画像を提供することができる。調整位置から外れることは、下層のフレキシブル基板における歪みを補償する。
【００１４】
本発明の実施形態において、前記ピクセル電極は、それぞれこのピクセル電極が前記表示装置の製造の間に前記ＴＦＴに関して横方向に変位できるような形状とされ、前記変位は前記フレキシブル基板における歪みによって生じる。
【００１５】
実施形態において、前記ビアコネクタの前記ピクセル電極に対する横方向の位置は、前記アレイの全域で少なくとも５μｍ、１０μｍ又は２０μｍごとに変化する。
【００１６】
好ましくは、前記電極と前記ＴＦＴ間の最大の横方向の変位は、前記電極と前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい。
【００１７】
好ましくは、フレキシブル表示装置のディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体又は液晶媒体を含む。好ましくは、フレキシブル表示装置の基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はプリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を含む。好ましくは、前記フレキシブル表示装置の前記ＴＦＴは、有機半導体であり、溶液処理された有機半導体を含む。
【００１８】
また、本発明は、表示装置に用いるピクセルの製造時に歪みを補償する方法であって、前記ピクセルは、フレキシブル基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する第１層、前記第１層の上に設けられ、前記ＴＦＴに接続されたピクセル電極を含み、前記ＴＦＴからの信号を受信する第２層、前記ピクセルによって表示された光をフィルタするカラーフィルタを含む第３層を有し、前記方法は、前記フィルタを前記電極に位置調整し、前記電極を前記ＴＦＴに接続し、前記電極と前記ＴＦＴが互いに調整位置から外れることを許容する。
【００１９】
前記方法は、下層のソース・ドレインのパターンが形成された電極に関して最上部のピクセル電極が調整位置から外れることを許容するが、カラーフィルタをピクセル電極に対して位置調整する。このような方法を使用し、このようなピクセルを含む表示装置は、現在可能なよりも高い品質を有する画像を表示することを可能にする。
【００２０】
また、本発明は、フレキシブル表示装置の製造方法であって、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む第１層をフレキシブル基板上に堆積し、前記第１層上に第２層を堆積し、前記第２層は複数のピクセル電極を含み、前記ピクセル電極はそれぞれ各ＴＦＴに前記第１層及び第２層間のビアコネクタを介して接続され、画像を表示するディスプレー媒体を前記第２層上に堆積し、前記ディスプレー媒体は前記ピクセル電極の信号に応答し、第３層を前記第２層に対して位置調整し、前記第３層は前記ディスプレー媒体に表示される画像をフィルタする複数のカラーフィルタを含み、前記第３層を前記第２層上に堆積し、前記第３層はカラーフィルタがそれぞれ各ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じる第１層における歪みを補償する。
【００２１】
下層のソース・ドレインのパターンが形成された電極に関して最上部のピクセルが調整位置から外れることを許容するが、カラーフィルタをピクセル電極に対して位置調整することによって、この方法によって製造された表示装置は、他によっては得られないような高品質の画像を提供する。調整位置から外れることは、下層のフレキシブル基板における歪みを補償する。
【００２２】
実施形態において、フレキシブル基板の製造方法において第２層を堆積することは、前記第１層の上に導体材料を堆積し、前記複数のピクセル電極を規定するように前記導体材料にパターンを形成することを有し、前記ピクセル電極は前記ピクセル電極及び前記ＴＦＴが互いに横方向に変位することができるような形状に形成され、前記変位はフレキシブル基板における歪みによって生じる。好ましくは、最大の横方向の変位は、前記電極の寸法及び前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい。
【００２３】
好ましくは、第３層を堆積することは、フィルタ材料を前記ディスプレー媒体上に堆積し、前記複数のカラーフィルタを規定するように前記フィルタ材料にパターンを形成することを含み、前記カラーフィルタはそれぞれ各ピクセル電極に対して実質的に位置調整されている。
【００２４】
好ましくは、パターンを形成するステップは、前記層の第１領域を光源で露光してパターンを規定し、前記基板を前記第１領域が露光され得る第１位置から前記層の第２領域が露光され得る第２位置に平行移動させることを含むステップアンドリピート露光処理を実行することを含む。好ましくは、前記第１位置と前記第２位置の距離は、前記ピクセル電極のピッチの整数倍である。さらに、前記第１位置及び前記第２位置の距離は、前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第１層における歪みを位置調整するように選択される。
【００２５】
実施形態において、前記光源はレーザーであり、前記物質はレーザアブレーションがなされたものである。又は、前記露光は、フォトリソグラフィー法による処理を含む。又は、前記材料は、前記材料を前記層上にパターンを形成するように印刷することによって、実質的に同時に堆積されパターンを形成される。
【００２６】
好ましくは、位置調整のステップは、前記第２層の堆積の間に前記表示装置の位置を表す位置データを測定して格納し、前記データを用いて前記第３層の前記堆積の間に前記表示装置の位置を制御することを含む。
【００２７】
フレキシブル表示装置の製造方法の実施形態において、前記ディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体又は液晶ディスプレー媒体を含む。好ましくは、前記基板は、プリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を含む。好ましくは、前記ＴＦＴは、有機半導体を含み、溶液処理された有機半導体であることが好ましい。
【００２８】
また、本発明は、フレキシブル基板のピクセルであって、フレキシブル基板の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する第１層、前記第１層の上に設けられ、前記ＴＦＴからの信号を受信するように前記ＴＦＴに接続されたピクセル電極を有する第２層を有し、前記ピクセル電極は、このピクセル電極が前記ピクセルの製造の間に前記ＴＦＴに関して横方向に移動することができるようなパターンに形成され、前記変位は前記フレキシブル基板における歪みによって生じる。
【００２９】
好ましくは、前記電極とＴＦＴ間の接続は、前記ピクセル電極と前記ＴＦＴ間のビアコネクタを有する。好ましくは、前記電極と前記ＴＦＴ間の最大の横方向の変位は、前記電極の寸法と前記ビアコネクタの径の差の半分より小さい。
【００３０】
実施形態において、フレキシブル表示装置のピクセルは、前記ピクセルによって表示される光をフィルタするカラーフィルタを含む第３層を有し、前記第３層は、前記カラーフィルタが前記ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第１層におけるゆがみを補償する。
【００３１】
好ましくは、ディスプレー媒体は、前記第２層と前記第３層間に設置され、前記ディスプレー媒体は前記ピクセル電極の信号に応答する。好ましくは、前記ディスプレー媒体は、電気泳動ディスプレー媒体又は液晶媒体である。好ましくは、前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）を含む。好ましくは、前記ＴＦＴは、有機半導体を含み、溶液処理された有機半導体である。
【００３２】
本発明の他の実施形態によると、フレキシブル基板上のフルカラーアクティブマトリクス画素表示装置の構造が開示され、第１レベル上のＴＦＴのアレイ、それぞれビアホール配線によってＴＦＴの電極に接続された第２レベル上のピクセル電極のアレイ、第３レベル上のカラーフィルタのアレイを有し、対応するＴＦＴ及び／又はピクセル電極に関する各サブピクセルにおけるビアホール配線の位置は、下層の基板のゆがみによってアレイ全域で変化する。本発明は、高精度及び高相対位置調整を有する周期的又は準周期的アレイとしてピクセル電極とカラーフィルタを形成することを許容するが、フレキシブル基板上の各ＴＦＴが正確なサブピクセル電極に接続されることを確保している。
【００３３】
本発明は、フレキシブルアクティブマトリクス基板上にカラーフィルタアレイのパターンを形成するときに生じる映像アーチファクトの問題に対処している。フレキシブルアクティブマトリクス基板上にＴＦＴのアレイを製造するとき、アレイ全域でソース・ドレインとゲート電極間の寄生容量の変化を避けるため、アレイ全域でソース・ドレイン電極に関するＴＦＴのゲート電極を正確に位置調整することが好ましい。このことは、下層のソース・ドレインの最上部にゲート電極（トップゲート構成）、下層のゲートアレイの最上部にソース・ドレインアレイ（ボトムゲート構成）のパターンを形成するとき、それぞれ基板の歪みをそれぞれ補償することを求める。これらの歪みは、例えば温度変化、基板の機械的取扱又は水蒸気のような化学媒質に暴露した結果、ゲート及びソース・ドレイン電極層を処理するステップにおいて生じ得る。
【００３４】
基板の歪みの結果、ＴＦＴの位置はアレイ全域で周期的ではなくなる。ピクセル電極のアレイとカラーフィルタがＴＦＴのそれぞれに関して固定された位置になるように位置調整されていると、ピクセル電極がソース・ドレイン及びゲート電極としてそれぞれ同一レベルに規定された従来の構成では望ましいものであるが、人間の眼が準周期アレイのピッチの空間的変化に非常に敏感であるため、映像アーチファクトを招来しかねない。また、ピクセル電極とカラーフィルタピクセルの調整位置からの外れは、カラーフィルタが隣接するピクセル・サブピクセルに属するピクセル電極と空間的にオーバーラップするような画像アーチファクトを招来することがある。
【００３５】
本願発明による構造は、ピクセル電極とカラーフィルタに関するピクセルＴＦＴの位置がそれぞれ変化することを許容することによって、この問題に対処するものである。ＴＦＴとは異なるデバイスのレベルにピクセル電極を形成することによって、本発明は、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルを周期的又は準周期的アレイに高い精度及び正確な相対的な位置調整で形成し、基板の歪みが存在してもＴＦＴのソース・ドレイン及びゲート電極が互いに正確な位置調整を維持するようにする。
【００３６】
本発明の他の実施形態によると、フレキシブル基板上にフルカラーアクティブマトリクス画素ディスプレーを製造する方法であって、第１レベル上のＴＦＴのアレイ、それぞれビアホール配線によってＴＦＴの電極に接続された第２レベル上のピクセル電極のアレイ、第３レベル上のカラーフィルタのアレイを有し、対応するＴＦＴ及び／又はピクセル電極に関する各サブピクセルのビアホール配線の位置は、下層の基板の歪みによってアレイ全域で変化する。
【００３７】
本発明のこの観点による好ましい実施形態によると、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルのアレイのパターンを形成する技術は、基板に成型ビーム光又はレーザー放射するステップアンドリピート露光である。パターン形成は、レーザーアブレーションの過程、又は基板上の材料の光誘起化学又は物理変化の過程による。
【００３８】
ＴＦＴのアレイの最大歪みが、各ビアホールの配線が正しいサブピクセル電極（ピクセル電極のアレイは、全基板にわたって周期的である）に接続された状態を維持できる最大許容ゆがみを記述する臨界歪みｘｃより小さいなら、ステップアンドリピート露光は、好ましくは、規定されたピクセルのピッチによる周期的なパターンの光に基板を露光し、前記ピクセルピッチの整数倍である固定された平行移動距離によって後続する露光の間に基板を平行移動することを含む。好ましくは、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルのパターン形成のため、同一のピクセルピッチ及び同一の固定平行移動距離が使用される。カラーフィルタピクセルのパターンは、好ましくは、ピクセル電極のレベル上で規定されたグローバル位置調整マークを用いることによって、ピクセル電極のパターンに関して位置調整される。
【００３９】
ＴＦＴのアレイの最大歪みが、各ビアホールの配線が正しいサブピクセル電極（ピクセル電極のアレイは、全基盤にわたって周期的である）に接続された状態を維持できる最大許容ゆがみを記述する臨界歪みｘｃより大きいなら、ステップアンドリピート露光は、好ましくは、光のパターンに基板を露光し、露光された領域のそれぞれにおいて各ビアホール配線が正しいサブピクセル電極に接続された状態が維持されることが確保されるように選択された種々の距離によって後続する露光の間に基板を平行移動することを含む。
【００４０】
本発明のこの観点の一つの実施形態によると、各ステップアンドリピート露光は周期的であり、ＴＦＴのアレイの歪みに対する補償は、基板が後続する露光の間に平行移動される平行移動距離を変化させることによってのみ達成される。好ましくは、ピクセル電極及びカラーフィルタ電極のパターン形成のため、同一ピクセルピッチ及び平行移動距離の同一の組が用いられる。カラーフィルタピクセルのパターンは、好ましくは、ピクセル電極のレベル上に規定されたグローバル位置調整マークの一組を用いることによって、ピクセル電極のパターンに関して位置調整される。
【００４１】
本発明のこの観点の他の実施形態によると、各ステップアンドリピート露光のパターンは非周期的であり、ＴＦＴのアレイのゆがみに対する補償は、後続する露光の間に基板が平行移動される距離を変化させることによって、また、後続する露光の間に境界における映像アーチファクトが最小になるように、各ステップアンドリピート露光パターンにおける可変ピクセル距離の一組を選択することによって達成される。好ましくは、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルのパターン形成のために、ピクセル距離及び平行移動距離の同一の組が使用される。カラーフィルタピクセルのパターンは、好ましくは、ピクセル電極のレベル上で規定されるグローバル位置調整マークの一組を用いることによって、ピクセルのパターンに関して位置調整される。
【００４２】
本発明の理解の助けになるように、例示及び添付図面の参照として特定の実施形態が記載される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、ピクセル電極アレイ及びディスプレー媒体を有するバックプレーンを組み込んだモノクロ表示装置を形成する処理を示す。
【図２】図２は、歪みのない基板上にピクセル電極アレイ、ディスプレー媒体及び画素カラーフィルタを有するバックプレーンを組み込んだカラー表示装置の概略図である。
【図３】図３は、歪んだサブストレート上にピクセルアレイ電極、ディスプレー媒体及び画素カラーフィルタを有するバックプレーンを組み込み、カラーフィルタアレイは下層のピクセル電極アレイに関して位置調整されていないカラー表示装置の概略図である。
【図４】図４は、歪んだサブストレート上にピクセルアレイ電極、ディスプレー媒体及び画素カラーフィルタを有するバックプレーンを組み込み、カラーフィルタアレイは本発明にしたがって下層のピクセル電極アレイに関して位置調整されているカラー表示装置の概略図である。
【図５】図５は、本発明にしたがって正しく位置調整された歪みのない基板上に最上部のピクセル電極及びカラーフィルタを組み込んだ電子装置の上面図を示す。
【図６】図６は、意図的に調整位置から外れた歪んだ基板上に設けられた最上部のピクセル電極を組み込んだ電子装置を示す。
【図７】図７は、基板の端部の基板マーカーを示す。
【図８】図８は、歪んだ基板上に設けられた最上部のピクセル電極を込み、カラーフィルタは最上部のピクセル電極に位置調整されている電子装置を示す。
【図９】図９は、最上部のピクセルの中心からビアホール及び基板面上におけるピクセル電極の両方についての許容歪みのレベルを示す。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
例：基板歪みを克服することによりフレキシブル表示装置上のカラーフィルタを処理する方法。
【００４５】
好ましい実施形態は、本発明にしたがって、フレキシブル電子装置が、最上部のピクセル電極の下層のアレイに対して位置調整する方法を用いてディスプレー媒体の層の上にカラーフィルタアレイを設ける工程によって形成されることが開示されている。最上部のピクセル電極の位置に対して上の前記カラーフィルタを位置合わせするこの工程によって、歪んだフレキシブル基板の歪み補正についての補償が可能になる。
【００４６】
本発明の主要な実施形態によると、図１は、多層基板スタックの種々の層の形成を示す。導体材料が、ソース及びドレイン電極２、３を形成するように基板１上に堆積されてパターンが形成される。基板は、ガラス又はポリマーフィルムであるが、好ましくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）のようなプラスチック基板が用いられる。パターンが形成された導体層２、３は、ＰＥＤＯＴのような導電性ポリマー、又は金又は銀のような金属材料を含む。例えば、スピン、ディップ、ブレード、バー、スロットダイ、又はスプレーコーティング、インクジェット、グラビア、オフセット又はスクリーン印刷、又はフォトリソグラフィーやレーザーアブレーションのような削り取るパターン形成に続く蒸着やスパッタリングのような真空ベースの堆積によって堆積されてパターンが形成されるが、これらに限定されない。
【００４７】
ソース及びドレイン層を形成するように導体層にパターンが形成されると、基板及びパターンが形成された電極上に半導体材料４の層が堆積される。半導体層は、有機又は無機材料であるが、好ましくはペンタセン、ポリアリール、ポリフルオレン、ピリチオフェン誘導体のような共役有機半導体からなるが、これらの限られない。広範囲の印刷技術が半導体材料を堆積するのに用いられるが、これらは、インクジェット印刷、ソフトリソグラフィー印刷（J. A. Rogers et al., Appl. Phys. Lett. 75, 1010 (1999); S. Brittain et al., Physics World May 1998, p. 31）、スクリーン印刷（Z. Bao, et al., Chem. Mat. 9, 12999 (1997)）、フォトリソグラフィーパターニング（WO 99/10939参照）、オフセット印刷、ブレードコーティング又はディップコーティング、カーテンコーティング、メニスカスコーティング、スプレーコーティング、押し出しコーティングを含むが、これらに限られない。
【００４８】
ゲート誘電材料５の層は、積層基板上に堆積される。いかなる有機又は無機誘電体も使用できるが、半導体ポリマーとの組み合わせにはポリイソブチレン、ピロビニルフェノール、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）又はポリスチレンのようなポリマー誘電体が好まれる。誘電材料は、スプレー又はブレードコーディングの技術によって連続層の形状に堆積されるが、これらに限られない。しかしながら、好ましくは、スプレーコーティングの技術が使用される。
【００４９】
誘電層の堆積は、ゲート電極及び配線ライン６の堆積及びパターン形成に引き継がれる。ゲート電極の材料は、金のような無機材料のパターンが形成された薄膜、又は銀や金の印刷可能な無機ナノ粒子のパターン、ポリスチレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のような導電性ポリマーである。ゲート電極は、スパッタリング又は蒸着技術、スピン、ディップ、ブレード、バー、スロットダイ、グラビア、オフセット又はスクリーン印刷のような溶液処理技術を使用して堆積されるが、これらに限定されない。好ましくは、ゲート電極は、インクジェット印刷の溶液処理技術を使用して堆積される。又は、ゲート電極は、フォトリソグラフィーパターニング（ＷＯ９９／１０９３９）又はレーザーアブレーションのような技術によってパターンが形成される。
【００５０】
また、フォトリソグラフィー又はレーザーアブレーションパターニングによる削り取るパターニングものような他の低価格パターン形成技術も、ゲート電極及び配線ラインのパターンを形成するのに使用される。特に好ましいパターン形成の技術は、選択的レーザーアブレーションパターニング（ＳＬＡＰ）（特許出願番号ＧＢ０５１３９１５．９に記載されている）である。ＳＬＡＰの技術は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造の製造のために短パルスレーザーを用いてデバイスの細かい構造を作成する方法である。レーザーアブレーションを組み込んだこの技術は、短パルスレーザの画像領域ごとに単一ショットを使用し、ＴＦＴデバイスの細かい特徴を作成するために下層の最上部の金属材料にパターン形成する。例としては、下層のゲート電極、アクティブ半導体及び導体ソース・ドレイン電極層を有するトップゲート有機ＴＦＴの金ゲート電極のパターン形成である。この技術は、半導体層及びソース・ドレイン電極のようなこれらの鋭敏な素子の性能を破壊したり実質的に劣化させたりすることなく実行することができる。このことは短パルス幅によるもので、極短レーザビームのエネルギーの全てが材料に入射し、アブレーションされる層内で吸収され、実質的な熱化が実際に生じる前にアブレーションの作用になり、下部の層の分解及びアブレーションを招来することができる。この技術は、デバイスの種々のレベルにおいて金属電極及び敗戦のパターン形成に使用することができ、特にソース・ドレイン及びゲート電極、及び共通電極層のパターン形成に使用することができる。
【００５１】
ゲート電極及び配線及びデータラインの堆積の後、少なくとも１つのさらなる誘電体材料５の層が堆積される。誘電体材料は、スピンコーティング、インクジェット印刷、スプレーコーティング、ローラーコーティングスプレー又はブレードコーティングのような技術によって連続層の形状に溶液から堆積されるが、これらに限られない。また、誘電体材料は、蒸着又は化学蒸着のような蒸気層堆積技術を用いても堆積される。誘電材料は、好ましくは、下部の層に分解が生じないように堆積される。このことを達成する方法は、出願人による前の特許出願ＷＯ０１／４７０４３に開示されている。これによると、トランジスタを形成する方法として、トランジスタの第１層を形成するために第１溶媒の溶液から第１材料を堆積し、続いて第１溶媒に第１位材料が溶解している間に、第１材料が実質的に不溶解な第２溶媒の溶液から第２材料を第１材料上に堆積することによってトランジスタの第２層を形成することが開示されている。第２誘電層として使用できる適切な溶液処理できる誘電体材料は、キシレンに溶解されたポリスチレンである。加えて、パリレンは化学蒸気相堆積によって堆積される誘電体材料の例である。
【００５２】
次に、誘電体層５を通って下層のドレイン電極３に通じるビアホール配線７について説明する。ビアホール開口７及びビア製造、選択的な層の除去のような他の選択的な接続形成は、ＷＯ０１／４７０４３の３２乃至３９ページに図１２乃至１５を参照して記載されているが、これらは参照により本願に組み込まれる。
【００５３】
導電ポリマーのような導電材料は、ビアホールに堆積されて下層のドレイン電極と最上部のピクセル間の電気接続を形成するが、このことがビアホール８を埋めることと同時に行われることは、図１ｂに示されている。
【００５４】
最上レベルのピクセル電極は（図１ｂに示されるように）導電性ポリマーのインクジェット印刷のような直接書き込み印刷技術を用いてパターンが形成されたフィルムとして堆積される。ピクセル電極は、ビアホール配線８を介してＴＦＴの下層のドレイン電極３に接続することが求められる（図１ｂ参照）。
【００５５】
そして、ディスプレー媒体１０は、図１ｃ）に示されるように、下層のパターンが形成された導体の最上部のピクセル電極層の上に堆積されラミネートされる。好ましくは、電気泳動ディスプレー媒体又は反射又は透過液晶ディスプレー媒体のような放出（光放出）ディスプレー又は反射又は透過ディスプレー媒体は、デバイス構造内に組み込まれ、下層のバックプレーンの上に位置する。ディスプレー媒体は、フレキシブルバックプレート基板の上に直接に連続して堆積される。好ましくは、ディスプレー媒体は、反射又は放出ディスプレー媒体であるが、これは、ピクセル電極がＴＦＴとは異なるレベルに形成された本構造の場合、ＴＦＴがその寸法に関らず高い開口比を達成することができるためである。例えば、ポリマー光放出ディスプレー媒体の場合、光学活性ポリマーは、透明封入層に続く最上部ピクセル位置のアクティブ又はパッシブマトリクス上で溶液でコートされるか又はインクジェットで印刷される。電気泳動ディスプレー媒体の場合には、電気泳動インクのフィルムがフレキシブルバックプレーンの最上部の基板の上に堆積される。
【００５６】
最後に、図２に示されるように、カラーフィルタ１１が下層の媒体ディスプレー層の最上部にラミネートされる。カラーフィルタは、スピンコート、ネガフォトレジストのような溶液処理技術によって堆積されてパターンが形成されるが、これらに限られず、さらにフォトリソグラフィーとこれに続くエッチングによってパターンが形成される。又は、カラーフィルタ材料は、インクジェット印刷のような直接書き込み技術によって堆積される。基板がピクセル電極９のパターンが基板全域にわたって標準ピッチで配置されるような堅いものであると、カラーフィルタアレイはそのパターンを形成するために同一のパターンを用いることによって正確に位置調整される。先行技術にしたがうカラーフィルタを組み込んだ積層デバイス構造は、図２に示されている。
【００５７】
図３は、最上部のピクセル電極の位置がＴＦＴのソース・ドレイン・ゲートパターンに関して正確に位置調整された歪みのある基板を示す。ＴＴＦアレイは、処理の間に寸法が不安定になる基板の歪みによって歪みが生じると、カラーフィルタアレイは先行技術の方法にしたがい周期的アレイ上にパターンとして形成され、特定ピクセルのカラーフィルタは近接するデバイスの最上部のピクセル電極上に一部堆積され、オーバーラップ領域１２及び関連する画像アーチファクトを招来する。
【００５８】
これに対して、本発明を利用する効果は図４に示されている。図４の最上部ピクセル電極は、ＴＦＴアレイのソース・ドレイン・ゲートパターンに関して意図的に調整位置から外されている。例えば、ピクセル電極のアレイは、下層のＴＦＴアレイの歪みに関らずに標準、周期的、準周期的格子上に規定される。そして、カラーフィルタは、同一の標準、規則的及び準準周期的格子上にカラーフィルタのパターンを形成することによって最上部のピクセルに対して位置調整がなされるので、カラーフィルタ及び最上部のピクセル電極が互いに正確に位置調整される。
【００５９】
デバイスの上面図が図５に示され、最上部のピクセル電極を下層のＦＥＴ（ソース電極１５を有する）のドレインパッド１６に電気的に接続する最上部のピクセル電極１４及びビアホール１３の重なりを示している。
【００６０】
図６に示されるように、種々の先行する処理段階の結果として、フレキシブル基板は歪みを受ける。フレキシブル基板を格納するため、最上部のピクセルパターンは、基板上のソース・ドレインパターンに位置調整されるように歪みが補正されることができる。このことにより、最上部のピクセルパターンに歪みが生じ、画素カラーフィルタとの位置調整が不可能になる。最上部のピクセル電極層は、下層のデバイスの素子に対して調整位置から外れるように堆積される。しかしながら、最上部のピクセル電極が下層のデバイス素子に対して位置調整から外れることは、デバイス自体の性能には影響しない。ピクセル電極１４内のビアホール配線１３の位置の変化を生じるが、隣接するピクセル電極に接続することなしに各ピクセル電極の領域内にビアホールが残るほどＴＦＴアレイの歪みの十分に小さければ、デバイスの性能には影響しない。デバイスの良好な性能のため、重なったデバイスのカラーフィルタは、最上部のピクセル電極に位置調整されていることが望ましい。したがって、ディスプレー媒体の堆積後、最上部のピクセル電極の位置は記憶されて格納され、重なったカラーフィルタはピクセル電極の位置に位置調整される。この結果は、最上部のピクセル電極とカラーフィルタの両方が下層のデバイスの特徴に関して調整位置から外れるが、デバイスの性能に影響しない。
【００６１】
最上部のピクセル電極に対するカラーフィルタの位置調整は、多数の方法によって達成される。最上部のピクセル電極の位置を表すデータは格納され、重なったカラーフィルタを最上部のピクセル電極に対してそれ自体で位置調整するように使用される。又は、図７に示すように、基板マーカーがピクセル電極の位置を決めるために利用され、各基板の隅に位置する基板マーカー１７によってカラーフィルタがそれ自身で位置調整されるよう利用されてきた。
【００６２】
ピクセル電極がソース・ドレイン及びゲート電極とそれぞれ同一レベルに規定される従来の配置のように、ピクセル電極及びカラーフィルタのアレイがＴＦＴのそれぞれに関する固定位置に位置調整されるなら、映像アーチファクトを招来するが、これは、人間の目が準周期的アレイのピッチの変化に非常に敏感だからである。また、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルの調整位置からのどのような外れも、カラーフィルタが隣接するピクセル・サブピクセルに属するピクセル電極に空間的に重なるような映像アーチファクトを招来する。
【００６３】
本発明に従う構造は、ピクセルＴＦＴの位置をピクセル電極とカラーフィルタのそれぞれの電極に関して変化させることによって、この問題に対処するものである。ＴＦＴとは異なるレベルにピクセル電極を形成することによって、本発明は、基板の歪みの存在の下で互いに関してＴＦＴのソース・ドレイン及びゲート電極の正確な位置合わせを維持することができ、一方、周期的又は準周期的アレイ上にピクセル電極及びカラーフィルタピクセルを高い精度で正確な相対位置調整で形成することができる。
【００６４】
図８は、カラーフィルタが下層のピクセル電極に対して自身で位置調整されたデバイス構造を示す。
【００６５】
最上部のピクセル電極はＴＦＴに対して固定されていないように位置調整された第１実施形態で議論された例において、最上部のピクセル電極パターンを規定するために周期的なステップアンドリピートのパターン形成工程を単に使用することによって、耐えることのできる歪みのレベルが最大になる。
【００６６】
周期的なパターン形成についての最大許容歪みは、ビアの径及びピクセルの寸法によって規定される。歪みによってビアがピクセル電極の周辺外に移動するようなことを生じないうちは、最上部のピクセル電極パターンは、ピクセルパターンがピクセル寸法の整数倍だけ平行移動される単純なステップアンドレピートパターン形成工程によって規定される。
【００６７】
さらに、このこと、グラフによって図９に示されるように、ピクセルは寸法ｘ及びｙを有し、ビア径はＺである。ＴＦＴ（歪みに応じて実際に移動する）に対する固定位置に保持されたビアの位置、最上部のピクセル電極パターンは、固定的であることができる。この技術は、アクティブ領域の最大歪みがｘ方向に（Ｚ−ｘ）／２、ｙ方向に（Ｚ−ｙ）／２より小さい限り有効である。この場合の最上部のピクセルパターンは、標準繰返し周期的パターンとして規定される。
【００６８】
好ましくは、ピクセル電極とカラーフィルタアレイのパターン形成は、基板を規定されたピクセルピッチを有する周期的な光のパターンに露光し、後続する露光の間に前記ピクセルピッチの整数倍の固定平行移動距離を平行移動することを含む。ステップアンドレピート露光は、ピクセル電極及びカラーフィルタ物質のフォトリソグラフィーパターン形成及びレーザーアブレーションを含む。好ましくは、ピクセル電極とカラーフィルタピクセルのパターン形成のために、ピクセルピッチの整数倍である同一のピクセルピッチ及び同一の固定平行移動距離が使用される。カラーフィルタピクセルのパターンは、好ましくは、ピクセル電極のレベル上で規定されたグローバル位置調整マークの一組を用いることによって位置調整される。
【００６９】
歪みが最大歪み値を超えると、ビアは１以上の最上部のピクセル電極に接続される。
【００７０】
この場合、最大歪みはｘ方向に（Ｚ−ｘ）／２、ｙ方向に（Ｚ−ｙ）／２を超え、単純な周期繰り返しパターンは、ディスプレー上の各ピクセルが単一ビアを介してのみ接続することを許容しない。したがって、局所的な位置調整が使用されなければならず、最上部のピクセルパターンはこれを受け入れるようにディスプレー全域で調整されなければならない。この結果は、非周期的パターンである。局所的な歪み補正は、各サブピクセルが正確に位置調整されるように最上部のピクセル及びカラーフィルタパターンをうまく規定することができる唯一の方法である。しかしながら、この場合においても、ビアホール配線の位置をピクセル電極の領域内で変化することを許容することによって、カラーフィルタアレイの完全に周期的なアレイからの変位を最小に保つことができる。
【００７１】
好ましくは、ピクセル電極及びカラーフィルタアレイのパターン形成は、露光領域において光のパターンに基板を露光し、各露光領域において各ビアホール配線が正しいサブピクセル電極に接続されていることが確保されるように選択された可変距離によって後続して露光される間に基板を平行移動するステップアンドリピート露光を含む。
【００７２】
各ステップアンドリピート露光のパターンは、好ましくは、周期的であり、ＴＦＴのアレイの歪みの補正は、基板がピクセル電極のパターン形成のために後続する露光の間に平行移動される平行移動距離を変化させることのみによって達成される。好ましくは、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルのパターン形成のために、同一のピクセルピッチ及び同一の平行移動距離の一組が使用される。カラーフィルタピクセルのパターンは、好ましくは、ピクセル電極のレベル上で規定されたグローバル位置調整パターンの一組を用いることによって、ピクセル電極のパターンに関して位置調整される。
【００７３】
本発明のこの観点の他の実施形態によると、各ステップアンドリピート露光のパターンは非周期的であり、ＴＦＴのアレイのゆがみの補正は、後続する露光の間に基板が平行移動される距離を変化させることによって、また、後続する露光間に境界における映像アーチファクトが最小になるように各ステップアンドリピート露光における可変ピクセル距離の一組を選択することによって達成される。好ましくは、ピクセル電極及びカラーフィルタピクセルのパターン形成のために、同一のピクセル距離の組及び平行移動距離が使用される。カラーフィルタピクセルのパターンは、好ましくは、ピクセル電極のレベルにおいて規定されるグローバル位置調整マークを使用することによってピクセル電極のパターンに関して位置調整される。
【００７４】
カラーフィルタアレイのパターン形成は、３以上の個別のパターン形成ステップから構成され、上述のことが３以上のパターン形成ステップに該当する。
【００７５】
ピクセル電極及びカラーフィルタアレイのパターン形成のため、直接印刷、従来のフォトリソグラフィー、インプリント等の技術のようなステップアンドリピート以外の技術が使用されることができる。
【００７６】
ＴＦＴについては、ソース及びドレイン電極が形成されるレベルとは異なるところにピクセル電極が形成されるボトムゲートＴＦＴのようなトップゲート構造以外が使用されることができる。また、本発明は、ピクセル電極とカラーフィルタアレイがアドレス配線のアレイの最上部に形成される必要があるパッシブマトリクスディスプレーにも適用される。
【００７７】
本発明は、前述の例に限られない。本発明の種々の観点は、個々で記載された概念の全ての新規で独創的な観点とここで記載された特徴の全ての新規で独創性のある組み合わせを含む。
【００７８】
半導体層には、１０−３ｃｍ２／Ｖｓを超える、好ましくは１０−２ｃｍ２／Ｖｓを超える適切な電界効果移動度を示す真空又は溶液処理が可能な共役ポリマー又はオリゴマー材料が使用される。好ましい材料は、例えばH. E. Kats, J. Mater. Chem. 7, 369 (1997)、又はZ. Bao, Advanced Materials 12, 227 (2000)に概説がある。他の可能性には、可溶性側鎖（L. G. Laquindanum, et. al., J. Am. Chem. Soc. 120. 664 (1998)）、溶液から自己集合する有機無機ハイブリッド材料（C. R. Kagan, et. al., Science 286, 946 (1999)）、ＣｄＳｅナノ粒子のような溶液堆積の無機半導体（B. A. Ridlay, et. al., Science 286, 746 (1999)）又は向き半導体ナノワイヤ（X. Duan, Nature 425, 274 (2003)）を含む。
【００７９】
上述の構造は、同一基板における他の導体及び／又は半導体構造、例えば配線によって補うことができる。上述のような多数構造は、同一基板上に形成することができ、集積回路を形成するように電気的導体によって互いに接続することができる。
【００８０】
出願人は、個々で記載した各個別の特徴を別々に、また、２以上のこのような特徴の組み合わせを、当業者が本明細書全体に基づいて実現できるようなこのような特徴又は組み合わせの範囲において、このような特徴又は特徴の組み合わせが開示された問題を解決するかどうかに関らず、請求範囲を限定することなく開示する。出願人は、本発明の観点がこのような個別の特徴又は特徴の組み合わせからなることを言明する。前述の記載において、当業者が発明の範囲内において種々の変更ができることが明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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