(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収納する電子部品収納用パッケージに用いられ、Ｔｉを主成分とするキャップ本体部と、
前記キャップ本体部を覆うように設けられた非磁性の第１メッキ層と、
前記キャップ本体部と前記第１メッキ層との間に配置され、密着性を高めるための第２メッキ層とを備える、気密封止用キャップ。
【請求項２】
前記第１メッキ層は、Ｐを含むＮｉ系メッキ層であり、
前記Ｎｉ系メッキ層におけるＰの含有率は、８質量％以上２０質量％以下である、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項３】
前記Ｎｉ系メッキ層におけるＰの含有率は、８質量％以上１５質量％以下である、請求項２に記載の気密封止用キャップ。
【請求項４】
前記Ｎｉ系メッキ層におけるＰの含有率は、１１質量％以上１３質量％以下である、請求項３に記載の気密封止用キャップ。
【請求項５】
前記第１メッキ層は、１μｍ以上２μｍ以下の厚みを有する、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項６】
前記第１メッキ層は、無電解Ｎｉ系メッキ層である、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項７】
前記第１メッキ層は、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層である、請求項６に記載の気密封止用キャップ。
【請求項８】
前記第２メッキ層は、Ｎｉ系ストライクメッキ層である、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項９】
前記第２メッキ層は、前記第１メッキ層の厚みよりも小さい厚みを有する、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１０】
前記第２メッキ層は、０．０１μｍ以上０．３μｍ以下の厚みを有する、請求項９に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１１】
前記第２メッキ層は、電解Ｎｉ系ストライクメッキ層である、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１２】
Ｓｎ系合金を主成分とする半田層により、前記電子部品を収納するための電子部品収納部材に取り付けられる、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１３】
前記気密封止用キャップが前記電子部品収納部材に取り付けられる前の前記半田層は、６５μｍ以上の厚みを有する、請求項１２に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１４】
前記気密封止用キャップが前記電子部品収納部材に取り付けられる前の前記半田層は、６５μｍ以上１１０μｍ以下の厚みを有する、請求項１３に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１５】
前記Ｓｎ系合金を主成分とする半田層は、５質量％以上１０質量％以下のＳｂを含有する、請求項１２に記載の気密封止用キャップ。
【請求項１６】
前記電子部品を収納するためのセラミックスからなる電子部品収納部材に取り付けられる、請求項１に記載の気密封止用キャップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、気密封止用キャップに関し、特に、電子部品を収納する電子部品収納用パッケージに用いられる気密封止用キャップに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を収納する電子部品収納用パッケージに用いられる気密封止用キャップが知られている。このような気密封止用キャップは、たとえば、特開平８−２６４６７５号公報に開示されている。
【０００３】
上記特開平８−２６４６７５号公報には、半導体素子（電子部品）を収納するパッケージに用いられるセラミックス製のリッド（気密封止用キャップ）が開示されている。このセラミックス製のリッドは、所定の機械的強度を確保するために０．７ｍｍを超える厚みで形成されている。
【０００４】
また、近年、薄型化が要求される携帯電話などに内蔵される電子部品の薄型化に伴って、電子部品を収納する電子部品収納用パッケージの気密封止用キャップも薄型化することが望まれている。
【０００５】
しかしながら、上記特開平８−２６４６７５号公報に記載のセラミックス製のリッド（気密封止用キャップ）は、所定の機械的強度を確保するために少なくとも０．７ｍｍの厚みにする必要があるため、リッドを十分に薄型化することができないという問題点がある。
【発明の開示】
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、より薄型化可能な気密封止用キャップを提供することである。
【０００７】
この発明の一の局面による気密封止用キャップは、電子部品を収納する電子部品収納用パッケージに用いられ、Ｔｉを主成分とするキャップ本体部と、キャップ本体部を覆うように設けられた非磁性の第１メッキ層と、キャップ本体部と第１メッキ層との間に配置され、密着性を高めるための第２メッキ層とを備える。
【０００８】
この一の局面による気密封止用キャップでは、上記のように、Ｔｉを主成分とするキャップ本体部を設けることによって、Ｔｉの機械的強度がセラミックスの機械的強度よりも大きいので、その分、セラミックスを主成分とするキャップ本体部を設ける場合に比べて、キャップ本体部の厚みを小さくすることができる。その結果、気密封止用キャップをより薄型化することができる。また、より薄型化された気密封止用キャップを用いれば、電子部品収納用パッケージをより薄型化することができる。また、Ｔｉを主成分とするキャップ本体部およびキャップ本体部を覆うように設けられた第１メッキ層の両方が非磁性となるので、全体として非磁性の気密封止用キャップを得ることができる。これにより、磁気センサなどの電子部品にも、容易に本発明の非磁性の気密封止用キャップを用いることができる。また、第２メッキ層により、第１メッキ層がキャップ本体部から剥離するのを抑制することができる。
【０００９】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、第１メッキ層は、Ｐを含むＮｉ系メッキ層であり、Ｎｉ系メッキ層におけるＰの含有率は、８質量％以上２０質量％以下である。このように構成すれば、容易に非磁性の第１メッキ層を得ることができる。
【００１０】
この場合、好ましくは、Ｎｉ系メッキ層におけるＰの含有率は、８質量％以上１５質量％以下である。このように構成すれば、第１メッキ層の表面上に半田層を設ける場合に、半田層の良好な濡れ性を確保することができる。この場合、Ｎｉ系メッキ層におけるＰの含有率は、１１質量％以上１３質量％以下であるのがより好ましい。
【００１１】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、第１メッキ層は、１μｍ以上２μｍ以下の厚みを有する。このように２μｍ以下の厚みが小さい第１メッキ層を用いれば、気密封止用キャップの厚みが大きくなるのを抑制しながら、キャップ本体部が腐食するのを抑制することができる。
【００１２】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、第１メッキ層は、無電解Ｎｉ系メッキ層である。このように構成すれば、耐食性に優れた無電解Ｎｉ系メッキ層により、キャップ本体部が腐食するのをより抑制することができる。
【００１３】
この場合、好ましくは、第１メッキ層は、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層である。このように構成すれば、耐食性に優れた非磁性の第１メッキ層を得ることができるので、気密封止用キャップ全体として非磁性を保ちながら、キャップ本体部が腐食するのを抑制することができる。
【００１４】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、第２メッキ層は、Ｎｉ系ストライクメッキ層である。このように第２メッキ層としてＮｉ系ストライクメッキ層を用いれば、容易に、第１メッキ層とキャップ本体部との密着性を高めることができるので、第１メッキ層がキャップ本体部から剥離するのを容易に抑制することができる。
【００１５】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、第２メッキ層は、第１メッキ層の厚みよりも小さい厚みを有する。このように厚みが小さい第２メッキ層を用いれば、気密封止用キャップの厚みが大きくなるのを抑制しながら、第１メッキ層がキャップ本体部から剥離するのを抑制することができる。
【００１６】
この場合、好ましくは、第２メッキ層は、０．０１μｍ以上０．３μｍ以下の厚みを有する。このように第２メッキ層を０．０１μｍ以上０．３μｍ以下の小さい厚みで形成すれば、第２メッキ層が磁性を有する場合でも、気密封止用キャップ全体として第２メッキ層の磁性の影響が実質的に出ないようにすることができるので、気密封止用キャップ全体として非磁性を保ちながら、第２メッキ層により、第１メッキ層がキャップ本体部から剥離するのを抑制することができる。
【００１７】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、第２メッキ層は、電解Ｎｉ系ストライクメッキ層である。このように第２メッキ層として密着性に優れた電解Ｎｉ系ストライクメッキ層を用いれば、容易に、第１メッキ層がキャップ本体部から剥離するのを抑制することができる。
【００１８】
上記一の局面による気密封止用キャップは、好ましくは、Ｓｎ系合金を主成分とする半田層により、電子部品を収納するための電子部品収納部材に取り付けられる。このように構成すれば、簡易な接合材であるＳｎ系合金半田層を用いて、容易に、気密封止用キャップを電子部品収納部材に取り付けることができる。
【００１９】
この場合、好ましくは、気密封止用キャップが電子部品収納部材に取り付けられる前の半田層は、６５μｍ以上の厚みを有する。このように構成すれば、電子部品収納用パッケージにおいて、良好な気密性を確保することができる。なお、この効果については、後述する実験結果により検証済みである。
【００２０】
上記半田層が６５μｍ以上の厚みを有する構成において、好ましくは、気密封止用キャップが電子部品収納部材に取り付けられる前の半田層は、６５μｍ以上１１０μｍ以下の厚みを有する。このように構成すれば、電子部品収納用パッケージにおいて、良好な気密性を確保することができるとともに、電子部品収納用パッケージの厚みが増加するのを抑制することができる。
【００２１】
上記半田層を設ける構成において、好ましくは、Ｓｎ系合金を主成分とする半田層は、５質量％以上１０質量％以下のＳｂを含有する。このように構成すれば、気密封止用キャップを電子部品収納部材に取り付けるための半田層として、良好な耐熱性を得ることができる。
【００２２】
上記一の局面による気密封止用キャップにおいて、好ましくは、電子部品を収納するためのセラミックスからなる電子部品収納部材に取り付けられる。このように構成すれば、たとえばセラミックスの一種であるアルミナからなる電子部品収納部材の熱膨張係数（約７×１０−６／Ｋ）とＴｉからなる気密封止用キャップの熱膨張係数（約９×１０−６／Ｋ）とを近似させることができるので、温度が変動する際に、電子部品収納部材と気密封止用キャップとをほぼ同様の変化率で膨張または収縮させることができる。これにより、温度が変動する際に、電子部品収納用パッケージに生じる応力を低減させることができるので、応力に起因して電子部品収納用パッケージにクラックが発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による気密封止用キャップを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による気密封止用キャップを示す拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による気密封止用キャップを下側から見た下面図である。
【図４】本発明の一実施形態による気密封止用キャップに封止される電子部品収納部材を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による気密封止用キャップおよび電子部品収納部材からなる電子部品収納用パッケージを示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による気密封止用キャップの性能を確認した実験の実験結果を示した図である。
【図７】本発明の一実施形態による気密封止用キャップの密着性評価の方法を説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態による気密封止用キャップ１０の構成について説明する。
【００２６】
本実施形態による気密封止用キャップ１０は、図１に示すように、キャップ本体部１と、実質的にキャップ本体部１の全体を覆うように形成された無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２と、キャップ本体部１と無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２との間に配置された電解Ｎｉストライクメッキ層３とを含んでいる。なお、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２は、本発明の「第１メッキ層」の一例であり、電解Ｎｉストライクメッキ層３は、本発明の「第２メッキ層」の一例である。
【００２７】
ここで、本実施形態では、図２に示すように、キャップ本体部１は、非磁性であるＴｉからなり、約０．１ｍｍの厚みｔ１を有している。また、図３に示すように、キャップ本体部１は、平面的に見て、約４．３ｍｍの長さの各辺を有する実質的に正方形形状に形成されている。また、Ｔｉからなるキャップ本体部１の熱膨張係数（約９×１０−６／Ｋ）は、後述するアルミナからなる電子部品収納部材２０の熱膨張係数（約７×１０−６／Ｋ）と近似している。
【００２８】
無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２は、キャップ本体部１が腐食するのを抑制するために設けられている。また、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２は、約８質量％以上約２０質量％以下のＰ（リン）を含有することにより、非磁性となるように構成されている。なお、後述する半田層４の良好な濡れ性を確保するためには、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２のＰの含有率を約１５質量％以下にすることが好ましい。また、図２に示すように、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２は、約１．０μｍ以上約２．０μｍ以下の厚みｔ２を有している。ここで、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２は、耐食性を確保するためには、約１μｍの厚みを有していればよい。
【００２９】
無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２の下地層としての電解Ｎｉストライクメッキ層３は、キャップ本体部１と無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２との密着性を高めるために設けられている。また、電解Ｎｉストライクメッキ層３は、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２の厚みｔ２（約１．０μｍ以上約２．０μｍ以下）よりも小さい約０．６μｍ以下の厚みｔ３を有している。
【００３０】
また、図１に示すように、気密封止用キャップ１０の下面上には、半田層４が設けられている。半田層４は、図１および図３に示すように、平面的に見て、気密封止用キャップ１０の下面上の外周近傍に、約０．９ｍｍの幅Ｗおよび約４０μｍ以上の厚みｔ４で周状に形成されている。具体的には、半田層４は、後述する電子部品収納部材２０（図４参照）を封止する際に、電子部品収納部材２０のＡｕ層２５に対応する部分に形成されている。また、半田層４は、約５質量％以上約１０質量％以下のＳｂを含有するＳｎ系合金により構成されている。
【００３１】
次に、図４を参照して、図１に示した気密封止用キャップ１０に封止される電子部品収納部材２０の構成について説明する。
【００３２】
電子部品収納部材２０は、アルミナなどの絶縁性材料からなるセラミック基板２１と、セラミック基板２１の表面の所定の領域上に収納空間を構成するアルミナなどの絶縁性材料からなるセラミック枠体２２とを含んでいる。また、セラミック枠体２２によって囲まれた収納空間には、電子部品４０がバンプ３０を介してセラミック基板２１上に取り付けられている。また、セラミック枠体２２の上面上には、タングステン層２３、約５μｍの厚みを有するＮｉ系合金層２４および約１μｍの厚みを有するＡｕ層２５が形成されている。このＡｕ層２５は、気密封止用キャップ１０の下面上に設けられた半田層４と接合されるように構成されている。
【００３３】
次に、図１、図４および図５を参照して、本実施形態による気密封止用キャップ１０および電子部品収納部材２０からなる電子部品収納用パッケージ１００の構成について説明する。
【００３４】
電子部品収納用パッケージ１００は、電子部品収納部材２０が気密封止用キャップ１０により半田付けで封止された構造を有している。また、気密封止用キャップ１０に設けられた半田層４（図１参照）は、気密封止用キャップ１０が電子部品収納部材２０を封止した半田付け後の状態で、電子部品収納部材２０に設けられたＡｕ層２５（図１参照）に接合されて接合層４ａを形成している。本実施形態では、非磁性のセラミックスからなる電子部品収納部材２０と、Ｔｉからなるキャップ本体部１に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２を形成した非磁性の気密封止用キャップ１０とにより、全体として非磁性の電子部品収納用パッケージ１００が構成されている。
【００３５】
本実施形態では、上記のように、Ｔｉからなるキャップ本体部１を設けることによって、Ｔｉの機械的強度がセラミックスの機械的強度よりも大きいので、その分、セラミックスを主成分とするキャップ本体部を設ける場合に比べて、キャップ本体部１の厚みを小さくすることができる。その結果、気密封止用キャップ１０をより薄型化することができる。また、より薄型化された気密封止用キャップ１０を用いれば、電子部品収納用パッケージ１００をより薄型化することができる。さらに、この気密封止用キャップ１０は、キャップ本体部１が非磁性のＴｉであるので、磁気センサなど磁性の影響を受け易い電子部品を収納する電子部品収納用パッケージ１００に適している。
【００３６】
また、本実施形態では、キャップ本体部１を覆うように形成された非磁性の無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２を設けることによって、全体として実質的に非磁性の気密封止用キャップ１０を得ることができるとともに、キャップ本体部１が腐食するのを抑制することができる。
【００３７】
また、本実施形態では、キャップ本体部１と無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２との間に配置され、密着性を高めるための電解Ｎｉストライクメッキ層３を設けることによって、密着性に優れた電解Ｎｉストライクメッキ層３により、容易に、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２がキャップ本体部１から剥離するのを抑制することができる。
【００３８】
また、本実施形態では、Ｔｉからなるキャップ本体部１を含む気密封止用キャップ１０により、アルミナからなる電子部品収納部材２０を封止して電子部品収納用パッケージ１００を構成することによって、電子部品収納部材２０の熱膨張係数（約７×１０−６／Ｋ）と気密封止用キャップ１０の熱膨張係数（約９×１０−６／Ｋ）とを近似させることができるので、温度が変動する際に、電子部品収納部材２０と気密封止用キャップ１０とをほぼ同様の変化率で膨張または収縮させることができる。これにより、温度が変動する際に、電子部品収納用パッケージ１００に生じる応力を低減させることができるので、応力に起因して電子部品収納用パッケージ１００にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００３９】
（実施例）
次に、図６を参照して、上記した一実施形態による気密封止用キャップ１０の性能を確認するために行った実験について説明する。この実験では、気密封止用キャップ１０の電解Ｎｉストライクメッキ層３の厚みｔ３、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２の厚みｔ２、半田層４の組成および厚みｔ４をそれぞれ変化させた場合の、キャップ本体部１と無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２との密着性、電解Ｎｉストライクメッキ層３による磁性の影響、電子部品収納用パッケージ１００の気密性および接合層４ａの耐熱性について評価を行った。これらを評価するために、本実施形態に対応する実施例１〜５および参考例の試料を作製した。
【００４０】
（実施例１〜５および参考例の試料）
参考例による試料では、キャップ本体部１の表面上に電解Ｎｉストライクメッキ層３を設けることなくＰを１２質量％（ばらつき範囲は１１質量％以上１３質量％以下）含有する無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２を形成した。また、実施例１〜５による試料では、キャップ本体部１の表面上に電解Ｎｉストライクメッキ層３を介して、Ｐを１２質量％（ばらつき範囲は１１質量％以上１３質量％以下）含有する無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２を形成した。また、実施例１および３〜５による試料は、電解Ｎｉストライクメッキ層３の厚みｔ３の目標値が０．１μｍ（ばらつき範囲は０．０１μｍ以上０．３μｍ以下）となるように作製した。そして、実施例２による試料は、電解Ｎｉストライクメッキ層３の厚みｔ３の目標値が０．５μｍ（ばらつき範囲は０．３７μｍ以上０．５４μｍ以下）となるように作製した。
【００４１】
また、実施例１〜５による試料は、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２の厚みｔ２の目標値が１．５μｍ（ばらつき範囲は１．０μｍ以上２．０μｍ以下）となるように作製した。
【００４２】
参考例および実施例１〜４による試料では、１０質量％のＳｂを含有するＳｎ−１０Ｓｂからなる半田層４を形成した。また、実施例５による試料では、５質量％のＳｂを含有するＳｎ−５Ｓｂからなる半田層４を形成した。
【００４３】
参考例、実施例１、２および５による試料では、半田層４の厚みｔ４の目標値を７５μｍ（ばらつき範囲は６５μｍ以上８５μｍ以下）に設定した。また、実施例３による試料では、半田層４の厚みｔ４の目標値を５０μｍ（ばらつき範囲は４０μｍ以上６０μｍ以下）に設定した。そして、実施例４による試料では、半田層４の厚みｔ４の目標値を１００μｍ（ばらつき範囲は９０μｍ以上１１０μｍ以下）に設定した。また、参考例および実施例１〜５による試料は、上記以外の構成についてはいずれも同様となるように作製した。
【００４４】
（密着性の評価）
この実験では、図７に示すように、気密封止用キャップ１０が電子部品収納部材２０を封止した状態で、気密封止用キャップ１０の上面上にエポキシ接着剤５０を介して、頭部の外径が３．８ｍｍで胴部の外径が１．５ｍｍであるステンレスからなる釘６０を取り付けるとともに、電子部品収納部材２０のセラミック基板２１の下面上にエポキシ接着剤５０を介してガラスエポキシ基板７０（ＮＥＭＡ記号；ＦＲ−４）を取り付けた。そして、釘６０およびガラスエポキシ基板７０を介して電子部品収納用パッケージ１００に上下方向の引張力を作用させることにより、キャップ本体部１と無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２との密着強度を測定し、密着性の評価を行った。この実験では、密着性を○、△および×で評価し、２９Ｎ以上の密着強度を有するものには○、１９Ｎ以上２９Ｎ未満の密着強度を有するものには△、密着強度が１９Ｎ未満のものには×と評価した。
【００４５】
図６に示すように、実施例１〜５による試料では、それぞれ密着性の評価が○であり、参考例による試料では、２９Ｎ未満ではあるものの１９Ｎ以上の密着強度を有し、△の評価となった。これは、電解Ｎｉストライクメッキ層３の有無による差異であると考えられる。また、この密着性の評価から、電解Ｎｉストライクメッキ層３を設けなくても、キャップ本体部１と無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層２との間で１９Ｎ以上の密着強度を確保できるが、より良好な密着性を確保するためには、０．０１μｍ以上の厚みｔ３を有する電解Ｎｉストライクメッキ層３を設けることが好ましいと考えられる。
【００４６】
（磁性の影響評価）
この実験では、気密封止用キャップ１０の磁性について、○、△および×で評価を行い、気密封止用キャップ１０が非磁性であるものには○、ほぼ非磁性であるものには△、磁性を有するものには×と評価した。
【００４７】
参考例、実施例１および３〜５による試料では、磁性の影響評価が○であり、実施例２による試料では、△の評価となった。これは、磁性を有する電解Ｎｉストライクメッキ層３の厚みｔ３に起因するものと考えられる。具体的には、実施例２による試料では、磁性を有する電解Ｎｉストライクメッキ層３の厚みｔ３の目標値が０．５μｍ（ばらつき範囲は０．３７μｍ以上０．５４μｍ以下）であり、参考例、実施例１および３〜５による試料における電解Ｎｉストライクメッキ層３の厚みｔ３の目標値０．１μｍ（ばらつき範囲は０．０１μｍ以上０．３μｍ以下）よりも大きいため、その分、電解Ｎｉストライクメッキ層３の磁性の影響が大きくなったと考えられる。したがって、たとえば、電子部品収納用パッケージ１００に磁気センサなどの磁性の影響を受け易い電子部品４０を収納する場合には、厚みｔ３が０．３μｍ以下の電解Ｎｉストライクメッキ層３を設けることが好ましい。
【００４８】
（気密性の評価）
この実験では、気密封止された小型電子部品などの気密性を検査するファインリークテストを行い、電子部品収納部材２０が気密封止用キャップ１０により封止された電子部品収納用パッケージ１００の気密性の評価を行った。気密性の評価は、○、△および×で評価し、数百個の試料に対して不良率が０％であるものには○、不良率が２％以下であるものには△、不良率が２％よりも大きいものには×と評価した。
【００４９】
参考例、実施例１、２、４および５による試料では、それぞれ気密性の評価が○であり、実施例３による試料では、△の評価となった。これは、半田層４の厚みｔ４に起因するものと考えられ、厚みｔ４が６０μｍ以下の場合には、不良率が２％以下である一方、厚みｔ４が６５μｍ以上の場合には不良率が０％であることを確認することができた。これにより、６５μｍ以上の厚みｔ４を有するＳｎ系合金からなる半田層４を用いれば、良好な気密性を確保することが可能であると考えられる。
【００５０】
（耐熱性の評価）
この実験では、気密封止用キャップ１０により電子部品収納部材２０を封止した状態で、参考例および実施例１〜５による試料を２６０℃で加熱し、封止後の接合層４ａの融点に基づいて耐熱性の評価を行った。耐熱性の評価は、○、△および×で評価し、数百個の試料に対して不良率が０％であるものには○、不良率が１％以下であるものには△、不良率が１％よりも大きいものには×と評価した。
【００５１】
参考例および実施例１〜４による試料では、それぞれ耐熱性の評価が○であり、実施例５による試料では、△の評価となった。これは、半田層４の組成に起因するものと考えられ、Ｓｂの含有率が５質量％のＳｎ−５Ｓｂにより構成された半田層４を用いた場合には、不良率が１％以下である一方、Ｓｂの含有率が１０質量％のＳｎ−１０Ｓｂにより構成された半田層４を用いた場合には、不良率が０％であることを確認することができた。これにより、電子部品収納用パッケージ１００に収納する電子部品４０の実装温度が２６０℃以下である場合には、Ｓｂを１０質量％含有するＳｎ系合金からなる半田層４を用いれば、良好な耐熱性を確保することが可能であると考えられる。
【００５２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５３】
たとえば、上記実施形態では、キャップ本体部の一例としてＴｉからなるキャップ本体部を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、６Ａｌ−４Ｖ−Ｔｉなどのチタン合金からなるキャップ本体部であってもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、第２メッキ層の一例として電解Ｎｉストライクメッキ層３を示したが、本発明はこれに限らず、キャップ本体部と第１メッキ層との密着性を高めることができれば、たとえば、第２メッキ層として非磁性のＣｕストライクメッキ層など電解Ｎｉストライクメッキ層以外の他のメッキ層であってもよい。第２メッキ層としてＣｕストライクメッキ層を用いた場合には、第１メッキ層に加えて第２メッキ層も非磁性となるので、気密封止用キャップ全体として磁性が大きくなるのをより抑制することができる。
【００５５】
また、上記実施形態では、電子部品収納部材を気密封止用キャップにより半田付けで封止する例を示したが、本発明はこれに限らず、半田付け以外の、たとえばろう付けで電子部品収納部材を気密封止用キャップにより封止してもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、半田層の一例としてＳｂを含有するＳｎ系合金からなる半田層を示したが、本発明はこれに限らず、Ｓｂ以外の成分を含有するＳｎ系合金であってもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、本発明の気密封止用キャップが、磁気センサを収納する電子部品収納用パッケージに適していることを示したが、本発明はこれに限らず、本発明の気密封止用キャップは、水晶振動子、ＳＡＷフィルタおよび加速度センサなどの磁気センサ以外の電子部品を収納する電子部品収納用パッケージにも適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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