(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下であり、厚みが８０μｍ以上１８０μｍ以下である絶縁層と、
絶縁層の一方の面に設けられ、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下であり、厚みが１５０μｍ以上３００μｍ以下である金属材料からなる金属箔と、
絶縁層の他方の面に形成され、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下であり、厚みが１８μｍ以上７０μｍ以下である回路部分及び非回路部分と、
絶縁層、回路部分及び非回路部分上に形成した白色膜とを有し、
絶縁層上の回路部分と非回路部分の面積の総和が金属箔の面積に対して５０％以上９５％以下であり、且つ各素材の線膨張係数の関係が
絶縁層の線膨張係数＞金属箔の線膨張係数＞回路部分及び非回路部分の線膨張係数
である金属ベース回路基板。
【請求項２】
絶縁層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機フィラーで形成され、無機フィラーが絶縁層の総体積に対して４０体積％以上７０体積％以下含有されている請求項１に記載の金属ベース回路基板。
【請求項３】
硬化剤が、水酸基及びアミノ基の一方又は双方を有する物質を含む請求項１に記載の金属ベース回路基板。
【請求項４】
白色膜が白色顔料として二酸化チタンを含有し、二酸化チタンがルチル型で且つ表面が水酸化アルミニウム又は二酸化珪素で被覆されている請求項１に記載の金属ベース回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源としてＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、発光ダイオード）を使用した液晶表示装置等の、放熱性及び薄型化が要求される分野に用いられる金属ベース回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶バックライトの光源としては、ＣＣＦＬ（Ｃｏｌｄ  Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｌａｍｐ：冷陰極蛍光ランプ）やＬＥＤが挙げられる。
ＣＣＦＬは使いやすさ及び長寿命といった利点を持ち、ＬＥＤは、色再現性に優れ、高輝度、薄型であり、水銀を使用しないためにＣＣＦＬと比較して環境負荷が低く、振動や衝撃に強く、広範囲の温度領域（−４０℃〜８５℃）で使用可能であり、さらに、使用環境によっては５万時間の寿命を有するという利点を持つ。【０００３】
ＬＥＤの発光効率がＣＣＦＬと比べて低いため、液晶バックライト内部のような密閉空間ではＬＥＤ近傍の温度はＣＣＦＬと比較して高くなる傾向にある。この様な条件下では輝度が低下するので、電流値を上げる必要があるため発熱が増し、さらに温度が上昇する。
このため、ＬＥＤの温度上昇により半導体素子の劣化が促進され、ＬＥＤの寿命が短くなる。このため、ＬＥＤを実装するプリント配線板には放熱性が要求される。【０００４】
ＬＥＤ実装のプリント配線板の放熱方法としては、プリント配線板に熱伝導性材料を介して筐体へ熱を逃がす方法がある（特許文献１参照）。しかし、この方法は、プリント配線板単体での筐体への放熱が困難であり、副部材が必要となるのでコスト高になって好ましくない。【０００５】
他の放熱方法として、プリント配線板の回路パターンを兼ねた放熱部分からサーモビアを介して裏面の放熱パターンから筐体に熱を逃がす構造がある（特許文献２参照）。しかし、基板の構成が複雑であるという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−３５３３８８号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８５６号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明では、ＬＥＤバックライト用の基板において、副部材やサーモビアを用いずとも良好な放熱特性を有すること、及び反り量を抑制することで、プリント配線板の回路形成時及びＬＥＤ実装時の作業性を改善することを課題とする。
【０００７】
即ち、本発明によれば、線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下である絶縁層と、絶縁層の一方の面に設けられ、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下である金属材料からなる金属箔と、絶縁層の他方の面に形成され、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下である回路部分及び非回路部分と、絶縁層、回路部分及び非回路部分上に形成した白色膜とを有し、絶縁層上の非回路部分と回路部分の面積の総和が金属箔の面積に対して５０％以上９５％以下であり、且つ各素材の線膨張係数の関係が、絶縁層の線膨張係数＞金属箔の線膨張係数＞回路部分及び非回路部分の線膨張係数、である金属ベース回路基板が提供される。
【０００８】
また、本発明の一態様では、上記絶縁層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機フィラーで形成され、無機フィラーが絶縁層の総体積に対して４０体積％以上７０体積％以下含有されている金属ベース回路基板が提供される。
【０００９】
また、本発明の一態様では、上記硬化剤が、水酸基及びアミノ基の一方又は双方を有する物質を含む金属ベース回路基板が提供される。
【００１０】
また、本発明の一態様では、上記白色膜が白色顔料として二酸化チタンを含有し、二酸化チタンがルチル型で且つ表面が水酸化アルミニウム又は二酸化珪素で被覆されている金属ベース回路基板が提供される。
【００１１】
本発明によれば、ＬＥＤバックライト用の基板において、副部材やサーモビアを用いずとも良好な放熱特性を有するためＬＥＤの寿命を延ばすことが可能であり、且つ反り量を抑制することで、プリント配線板の回路形成時及びＬＥＤ実装時の作業性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る金属ベース回路基板の一例を模式的に示す説明図（断面図）。
【符号の説明】
【００１３】
１    金属箔
２    絶縁層
３    回路部分
４    非回路部分
５    白色膜
６    半田接合部
７    ＬＥＤパッケージ
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図を用いて本発明の一実施形態に係る金属ベース回路基板を説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る金属ベース回路基板を用いた混成集積回路モジュールを模式的に示したものであり、金属ベース回路基板の断面図を示している。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態に係る金属ベース回路基板は、金属箔１、絶縁層２、絶縁層２の金属箔１が設けられていない方の面上に形成された回路部分３と、絶縁層２の金属箔１が設けられていない方の面上に形成された非回路部分４と、絶縁層２と回路部分３及び非回路部分４上に形成された白色膜５を備えている。
図１のように、半田接合部６を介してＬＥＤパッケージ７を回路部分３上に搭載することにより、混成集積回路モジュールとなる。
【００１６】
本実施形態に係る金属ベース回路基板は、線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下である絶縁層と、絶縁層の一方の面に設けられ、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下である金属材料からなる金属箔と、絶縁層の他方の面に形成され、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下である回路部分及び非回路部分と、絶縁層、回路部分及び非回路部分上に形成した白色膜とを有している。
そして、絶縁層上の非回路部分と回路部分の面積の総和が金属箔の面積に対して５０％以上９５％以下である。そして、且つ各素材の線膨張係数の関係が、絶縁層の線膨張係数＞金属箔の線膨張係数＞回路部分及び非回路部分の線膨張係数、であることを特徴とする。
【００１７】
［回路部分及び非回路部分］
本発明において、回路部分及び非回路部分は、絶縁層上に設けられた同じ導電材料（導体金属）からなり、回路部分とは、電子・電気素子を駆動させるために電流が流れる回路部分を意味する。また、本発明において非回路部分とは、電気的には利用しない導電材料（導体金属）を意味する。
【００１８】
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、絶縁層２上の非回路部分４と回路部分３の面積の総和が５０％以上９５％以下である。
上記面積の総和が５０％以上であれば、金属ベース回路基板の反りを抑制でき、ＬＥＤを初めとする電子部品の実装が容易である。また、上記面積の総和が９５％以下であれば、回路部分と非回路部分間のスペースを十分に確保できるため、電気的信頼性を確保できる。
【００１９】
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、回路部分３及び非回路部分４の線膨張係数は１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下である。
回路部分３及び非回路部分４として採用できる導体材料としては、上記の線膨張係数を有する導体材料であれば適宜選択でき、具体的には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓi、ステンレス単体鋼乃至それらの合金がある。
これらの中でも、放熱性を考慮すると、Ｃｕ、Ａｌ、又はＣｕとＡｌの合金が特に好ましい。
【００２０】
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、回路部分３及び非回路部分４の厚みは、１８μｍ以上７０μｍ以下が好ましい。
回路部分３及び非回路部分４の厚みが１８μｍ以下であると、金属ベース基板製造時のハンドリングで皺等の問題が発生しやすくなる。また、回路部分３及び非回路部分４の厚みが７０μｍであると回路部分及び非回路部分のパターン作製時に問題が発生する。
【００２１】
［金属箔］
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、金属箔１を構成する金属材料の線膨張係数は１０ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下である。
金属箔として採用できる金属としては、上記の線膨張係数を有する金属であれば適宜選択でき、具体的には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ステンレス鋼単体乃至それらの合金がある。
これらの中でも、放熱性を考慮すると、Ｃｕ、Ａｌ、又はＣｕとＡｌの合金が特に好ましい。
【００２２】
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、金属箔１の厚みは、１５０μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。
金属箔１の厚みが１５０μｍ以上であると、金属ベース基板製造時のハンドリングで折れ等の問題を抑制することができ、液晶表示装置の薄型化の観点からは３００μｍ以下が好ましい。
【００２３】
［絶縁層］
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、絶縁層２の線膨張係数は６０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下である。
絶縁層として採用できる素材としては、上記の線膨張係数を有する絶縁材であれば適宜選択でき、具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂及びそれらの共重合体が挙げられる。
これらの中でも、耐熱性及び金属との接着性という理由からエポキシ樹脂が特に好ましい。
【００２４】
また、これら樹脂には適宜、硬化剤、無機フィラー、さらには下地への濡れ性やレベリング性の向上及び粘度低下を促進して形成時の欠陥の発生を低減する添加剤を含有することができる。
この添加剤としては、例えば、消泡剤、表面調整剤、湿潤分散剤等がある。
【００２５】
本実施形態に係る金属ベース回路基板においては、絶縁層２の厚みは、８０μｍ以上１８０μｍ以下が好ましい。
絶縁層２の厚みが８０μｍ以上であると絶縁性を確保することが容易であり、１８０μｍ以下であると均一に絶縁層を形成することが容易になる。
【００２６】
絶縁層２に用いられるエポキシ樹脂としては、エポキシ樹脂として公知なものを採用でき、例えば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネロペンチルグリコールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、トリグリシジルイソシアネレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、フェノールノボラックポリグリシジルエーテル、テトラブロムビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールヘキサフロロアセトングリシジルエーテル等のエポキシ基を含有する物質が挙げられる。
これらの中でも、耐熱性及び金属との接着性という理由から、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びビスフェノールＦジグリシジルエーテルが特に好ましい。
【００２７】
エポキシ樹脂中の塩化物イオン濃度は、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
エポキシ樹脂組成物中の塩化物イオン濃度が高くなると、高温下、高湿下、直流乃至交流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向があるためである。
【００２８】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ基と反応する水酸基又はアミノ基の一方又は双方を有する物質を含むものが望ましい。例えば、前記エポキシ樹脂の硬化剤としてのポリアミン、ポリフェノールがある。
【００２９】
エポキシ樹脂の硬化剤、特に水酸基を含有する物質を使用する場合には硬化促進剤を用いても良い。
硬化促進剤としてはイミダゾール系が好ましい。例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−メチルー４―メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニルー４−メチルイミダゾール、１−ベンジルー２−メチルイミダゾール、１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール、２，３ージヒドロー１Ｈ―ピロロ〔１，２―ａ〕ベンズイミダゾール、２−フェニルー４，５―ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４―ジアミノー６−〔２’―メチルイミダゾリルー（１’）〕―エチルーｓ―トリアジン、２，４―ジアミノー６−〔２’―ウンデシルイミダゾリルー（１’）〕―エチルーｓ―トリアジン、１−シアノメチルー２―メチルイミダゾール等が望ましい。
これらの中でも、耐湿信頼性及びTg（ガラス転位温度）の向上という理由から、２，３ージヒドロー１Ｈ―ピロロ〔１，２―ａ〕ベンズイミダゾールが特に好ましい。
【００３０】
硬化促進剤の添加量は、０．００５部以上５部以下であることが望ましい。
硬化促進剤の添加量が５部以下であればポットライフが長くなり増粘による作業性の低下を抑制でき、０．００５部以上であれば硬化時の高温加熱が短時間となり、コスト及び作業性の観点から好ましい。
【００３１】
絶縁層２に含有される無機フィラーとしては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素、窒化ホウ素、酸化マグネシウムがある。これらの中でも、電気絶縁性及び熱伝導性の観点から、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウムが特に好ましい。
【００３２】
無機フィラー中のナトリウムイオン濃度は、５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
無機フィラー中のナトリウムイオン濃度が５００ｐｐｍ以下であれば、高温下、高湿下、直流乃至交流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり難く、電気絶縁性が低下を抑制できる。
【００３３】
絶縁層２に含有される無機フィラーの含有率としては、絶縁層の総体積に対して無機フィラーが４０体積％以上７０体積％以下であること望ましい。
無機フィラーの含有率が４０体積％以上であれば十分な熱伝導率を得ることができ、７０体積％以下であれば絶縁層２の形成時に欠陥が発生し難くなり、耐電圧、密着性を損なうことがない。
【００３４】
また、無機フィラーによる増粘をさけるため２種以上の粒径の異なる無機フィラーを混合することが更に望ましい。
【００３５】
絶縁層２の硬化後の熱伝導率は、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好ましく、より好ましくは２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。
硬化後の熱伝導率が、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であれば、電子部品から発生する熱を効率よく金属ベース回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより電子部品の蓄熱を低減し、電子部品の温度上昇を小さくするとともに、長寿命の混成集積回路モジュールを提供することができる。
【００３６】
さらに、絶縁層２の破壊電圧は、ＬＥＤ等の電子部品を実装後に回路部分への電圧を印可した時の絶縁性を確保するため、１．８ｋＶ以上が好ましく、より好ましくは２ｋＶ以上である。
【００３７】
本実施形態に係る金属ベース回路基板では、金属箔を構成する金属材料の線膨張係数、絶縁層の線膨張係数、回路部分及び非回路部分の線膨張係数の関係は、
絶縁層の線膨張係数＞金属箔の線膨張係数＞回路部分及び非回路部分の線膨張係数
であるのが好ましい。
【００３８】
金属箔を構成する金属材料の線膨張係数が回路部分及び非回路部分の線膨張係数より大きいことが好ましいのは、反らせたくない回路部分の線膨張係数を小さくし、絶縁層上に回路部分及び非回路部分を形成した時の反りを抑制し、回路形成及びＬＥＤ実装時の作業性を良好に保つためである。
【００３９】
絶縁層２の非回路部分４と回路部分３載置側の面は、平滑で、光反射性が良好であることが望ましい。特に、絶縁層２における非回路部分４と回路部分３との密着面は、密着性を増加させるため、表面粗化処理、メッキ、シランカップリング処理等をすることが望ましい。
【００４０】
絶縁層２と「回路部分３及び非回路部分４」との９０℃剥離強度は、ＬＥＤ等の電子部品実装後の接続信頼性を確保するため、１ｋｇ／ｃｍ以上であるのが好ましく、さらに好ましくは１．４ｋｇ／ｃｍ以上である。
【００４１】
［白色膜］
白色膜５として使用される樹脂としては熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が１種類以上含有されることが好ましい。熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂、光硬化性樹脂としてはアクリル樹脂が好適である。
【００４２】
白色膜５として使用される樹脂には、白色顔料として二酸化チタン、硫酸バリウム、タルク、シリカ等の白色顔料が１種類以上含有されることが好ましい。
特に二酸化チタンを含有したものが、屈折率が大きく、基板の光の反射率が高いために好ましい。
【００４３】
また、二酸化チタンは、ルチル型が安定性に優れるため光触媒作用が弱く、他の構造のものに比べ樹脂成分の劣化が抑制されるので好ましい。また、光触媒作用を抑制するために表面が水酸化アルミニウム又は二酸化珪素で被覆されていることが好ましい。
【００４４】
白色顔料の含有量は、白色膜５の組成物中３０質量％以上７５質量％以下であることが好ましい。
白色顔料の含有量が３０質量％以上であれば十分な反射率を得ることができ、７５質量％以下であれば増粘によりレベリング性が低下することなく、平滑な塗膜を得ることができ反射率の低下を抑制できる。
【００４５】
白色膜５は、ＬＥＤ照射光の有効利用の点から、４００〜８００ｎｍの可視光領域に対して７０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（赤色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して７０％以上の反射率を持つことが好ましい。
【００４６】
また、白色膜５の熱伝導率は、絶縁層２の熱伝導率より小さいことが望ましい。
白色膜５の熱伝導率が絶縁層２の熱伝導率より小さければ、ＬＥＤパッケージの発熱が回路部分を介して白色膜から放熱することがないため、ＬＥＤ近傍の雰囲気温度が上昇し難く、ＬＥＤの寿命が長くなる。
【００４７】
また、金属ベース回路基板は、機械的強度を維持するため、総厚みが２６５μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
また、金属ベース回路基板は、反り量が金属ベース回路基板長さ１００ｍｍ当たり３ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
なお、本発明で用いる反り量とは、絶縁層２上の非回路部分４と回路部分３を上にして、平滑且つ平行な面に静置した場合上に凹である場合を「＋：プラス」、下に凸である場合を「−：マイナス」と定義する。反りの絶対値は金属ベース回路基板の外周の平滑且つ平行な面からの最大高さである。
【００５０】
本発明の金属ベース回路基板の外形は上下左右対称であることが望ましく、正方形乃至長方形であると更に望ましい。また、設計上の制約から外形を上下左右対称にすることが困難な場合は、回路基板の外周に切り込み等の加工を施すことが望ましい。
【００５１】
本発明の金属ベース回路基板は、副部材やサーモビアを用いずとも良好な放熱特性を有するためＬＥＤの寿命を延ばすことが可能であり、且つ反り量を抑制することで、プリント配線板の回路形成時及びＬＥＤ実装時の作業性を改善することができ、ＬＥＤバックライト用の金属ベース回路基板として産業上極めて有用である。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明にかかる実施例、比較例について、図面、表１を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限られるものではない。【００５４】
本実施例に係る金属ベース回路基板は、図１に示すように、金属箔１と、金属箔１の一方の面上に形成された絶縁層２と、絶縁層２の金属箔が設けられていない方の面上に形成された回路部分３及び非回路部分４と、絶縁層３、回路部分３及び非回路部分４上に形成した白色膜５を有する金属ベース回路基板である。なお、図の符号７は、ＬＥＤパッケージである。【００５５】
［実施例］
実施例１の金属ベース回路基板は、次のように作成した。
３５μｍ厚の銅箔上に、硬化後の厚さが１５０μｍになるように絶縁層２を形成した。
絶縁層２は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、「ＥＰＩＣＬＯＮ−８２８」）に、硬化剤としてアミン系硬化剤としてのジアミノジフェニルメタン（日本合成化工社製、「Ｈ８４Ｂ」）を加え、平均粒子径が１．２μｍの破砕状粗粒子の酸化珪素（龍森社製、「Ａ−１」）と平均粒子径が１０μｍである破砕状粗粒子の酸化珪素（林化成社製、「ＳＱ−１０」）を合わせて絶縁層中３５体積％（球状粗粒子と球状微粒子は質量比が６：４）となるように配合した。【００５６】
次に、２００μｍ厚のアルミ箔を貼り合わせ、加熱することにより絶縁層２を熱硬化させ、絶縁層２中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が５０ｐｐｍ以下である金属ベース基板を得た。【００５７】
さらに、得られた金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして回路部分と非回路部分がいろいろな総面積を持つように銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して銅製の回路部分３及び非回路部分４を形成し、金属ベース回路基板とした。【００５８】
さらに、金属ベース回路基板上に高反射率の白色膜５として白色ソルダーレジストを塗布し、熱及び紫外線で硬化した。
この時、回路部分３上のＬＥＤパッケージ実装部分には白色塗膜を形成していない。白色ソルダーレジストとしては、山栄化学社製、「ＳＳＲ−６３００Ｓ」を用いた。【００５９】
実施例１は、表１に示すように、絶縁層２上の非回路部分４と回路部分３の面積の総和を金属箔１の面積に対して７９％とし、金属箔１を構成する金属材料の線膨張係数を２３．９ｐｐｍ／℃、絶縁層２の線膨張係数を９１．３ｐｐｍ／℃、回路部分３及び非回路部分４の線膨張係数を１７．５ｐｐｍ／℃とした。【００６０】
絶縁層２の総体積に対する無機フィラーの含有率は３５％であり、絶縁層に用いた樹脂をエポキシ樹脂とし、さらに、絶縁層にはアミン系硬化剤を添加した。
表１に示すように、実施例１では、反り量が１．７ｍｍと、３ｍｍ以下の良好な値であった。【００６１】
【表１】
0005517927.tif 000002
【００６２】
実施例２は、表１に示すように、絶縁層２の総体積に対する無機フィラーの含有率を５６％にした以外は実施例１と同様に作成した。
実施例２では、反り量が１．１ｍｍと、３ｍｍ未満で良好であった。【００６３】
実施例３は、表１に示すように、絶縁層２に用いた硬化剤をフェノールノボラック（明和化成社製、「ＨＦ−４Ｍ」）にし、触媒をイミダゾール系硬化触媒（四国化成社製、「２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ[１，２−ａ]ベンズイミダゾール」）を用いた以外は実施例１と同様に作成した。
実施例３では、反り量が１．８ｍｍと、３ｍｍ未満で良好であった。【００６４】
［比較例］
比較例１は、表１に示すように、絶縁層２上の非回路部分４と回路部分３の面積の総和を金属箔１の面積に対して９８％とした以外は実施例１と同様に作成した。
比較例１では、反り量の測定どころか、回路化が不可能であった。【００６５】
比較例２は、表１に示すように、絶縁層２上の非回路部分４と回路部分３の面積の総和を金属箔１の面積に対して３０％とした以外は実施例１と同様に作成した。
比較例２では、反り量が１１．４ｍｍと、大幅な反りが生じてしまった。【００６６】
比較例３は、表１に示すように、金属箔の線膨張係数を３９．７ｐｐｍ／℃、絶縁層２で用いた硬化剤をフェノールノボラック（明和化成社製、「ＨＦ−４Ｍ」）を用いた以外は実施例１と同様に作成した。
比較例３では、反り量が４．９ｍｍと、３ｍｍを超えて生じてしまった。【００６７】
比較例４は、表１に示すように、絶縁層２の線膨張係数を１２７．５ｐｐｍ／℃、無機フィラーの体積％を０にした以外は実施例１と同様に作成した。
比較例４では、反り量が７．３ｍｍと、３ｍｍを超えて生じてしまった。【００６８】
比較例５は、表１に示すように、回路部分と非回路部分の線膨張係数を４．３ｐｐｍ／℃、絶縁層２で用いた硬化剤をアミン系硬化剤とフェノールノボラック（明和化成社製、「ＨＦ−４Ｍ」）、イミダゾール系硬化触媒（四国化成社製、「２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ[１，２−ａ]ベンズイミダゾール」）を用いた以外は実施例１と同様に作成した。
比較例５では、反り量が６．７ｍｍと、３ｍｍを超えて生じてしまった。【００６９】
比較例６は、表１に示すように、金属箔の線膨張係数を１０．５ｐｐｍ／℃、回路部分と非回路部分の線膨張係数を２３．９ｐｐｍ／℃として回路部分と非回路部分の線膨張係数を金属箔の線膨張係数より大きくし、絶縁層２で用いた硬化剤をアミン系硬化剤とフェノールノボラック（明和化成社製、「ＨＦ−４Ｍ」）にした以外は実施例１と同様に作成した。
比較例６では、反り量が９．２ｍｍと、３ｍｍを超えて生じてしまった。【００７０】
以上のように、本発明に係る金属ベース回路基板は、比較例のものに比べ基板の反り量を半分以下に抑制できる。そのため、プリント配線板の回路形成時及びＬＥＤ実装時の作業性を改善することができる。
【図１】
0005517927.tif 000003