(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線間に形成された凹凸緩和部と、
前記複数の配線と前記凹凸緩和部との上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層上に形成され、光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成された液晶層とを備え、
前記反射層の前記液晶層側の面が、前記基板に対して傾斜している複数の斜面と、前記基板に対して傾斜していない複数の非斜面とで構成され、前記基板の延在方向の長さであって前記斜面の高低差と傾斜角とで定まる長さを傾斜幅としたとき、
前記複数の斜面の前記傾斜角は、いずれも０．５°より大きくかつ２．５°以下であり、
前記複数の斜面の前記傾斜幅は、前記凹凸緩和部によっていずれも５μｍ以下に形成される、
反射型液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の配線と前記凹凸緩和部との上、かつ前記平坦化層の下に、膜厚が１５０ｎｍ以下の保護膜が形成され、前記保護膜によって前記傾斜角は、いずれも２°以上に形成される、
請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線上に形成された膜厚が１５０ｎｍ以下の保護膜と、
前記保護膜上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層上に形成され、光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成された液晶層とを備え、
前記反射層の前記液晶層側の面が、前記基板に対して傾斜している複数の斜面と、前記基板に対して傾斜していない複数の非斜面とで構成され、前記基板の延在方向の長さであって前記斜面の高低差と傾斜角とで定まる長さを傾斜幅としたとき、
前記複数の斜面の前記高低差は、０．１５μｍ以下であり、
前記複数の斜面の前記傾斜角は、前記保護膜によっていずれも２°以上かつ３°以下に形成され、
前記傾斜幅は、いずれも５μｍ以下となる、
反射型液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型液晶表示装置において正反射率を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射型液晶表示装置は、光を反射する反射層を備え、反射層の反射光を利用して画像を表示する。反射型液晶表示装置としては、意図的に凹凸が形成された反射層の反射光（反射散乱光）を利用するものが一般的であるが、鏡面に近い構造の反射層の反射光（正反射光）を利用するものも提案されている。例えば、特許文献１には、鏡面反射板（１８）の反射光を利用する反射型液晶表示素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５６３３８号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
反射型液晶表示装置の反射率を向上させる観点では、反射層を液晶層の近くに配置することが好ましい。この場合、基板上に複数の配線を形成し、その上に反射層を形成し、その上に液晶層を形成することになるから、反射層の表面には、複数の配線のパターンに応じた凹凸が生じる。この凹凸は正反射の阻害要因となる。したがって、正反射光を利用する反射型液晶表示装置の製造プロセスでは、この凹凸を抑制する必要がある。
【０００５】
しかし、複数の配線と反射層との間に平坦化層を設けても、凹凸を十分に抑制することは困難である。また、半導体の製造プロセスにおいて多層配線を形成する際に用いられるＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術を導入して平坦化層又は反射層を研磨することも考えられるが、この技術は基板が円形であることを前提としているから、その導入は困難である。つまり、従来の反射型液晶表示装置において、反射層への入射光に対する反射層からの正反射光の光量比（正反射率）を十分に高くすることは困難である。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みて、正反射光を利用する反射型液晶表示装置において、研磨を要することなく、正反射率を十分に高くすることを解決課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明に係る第１の反射型液晶表示装置は、正反射光を利用する反射型液晶表示装置であり、基板と、前記基板上に形成された複数の配線と、前記複数の配線間に形成された凹凸緩和部と、前記複数の配線と前記凹凸緩和部との上に形成された平坦化層と、前記平坦化層上に形成され、光を反射する反射層と、前記反射層上に形成された液晶層とを備え、前記反射層の前記液晶層側の面は、前記基板に対して傾斜している複数の斜面と、前記基板に対して傾斜していない複数の非斜面とで構成され、前記基板の延在方向の長さであって前記斜面の高低差と傾斜角とで定まる長さを傾斜幅としたとき、前記複数の斜面の前記傾斜幅は、いずれも５μｍ以下であることを特徴とする。
「複数の配線間に形成され」は、複数の配線のうち少なくとも一組の隣り合う配線の間に形成されることを意味する。また、「傾斜角」は、斜面と基板とのなす角である。傾斜角とθとし、高低差をｄとしたとき、傾斜幅Ｌはｄ／ｔａｎθで表される。
第１の反射型液晶表示装置では、複数の配線間に形成された凹凸緩和部によって、反射層の液晶層側の面（反射面）の凹凸が抑制される。具体的には、斜面の傾斜幅Ｌが５μｍ以下に抑制される。斜面は正反射を阻害する領域であるから、正反射率を向上させるためには、傾斜幅Ｌを短くした方がよい。図４に示すように、θが一般的な角度の場合、傾斜幅Ｌが５μｍ以下であれば、十分に高い正反射率が得られる。よって、第１の反射型液晶表示装置によれば、研磨を要することなく、十分に高い正反射率を得ることができる。
なお、凹凸緩和部としては、ダミー配線を例示可能である。複数の配線の各々が電気エネルギーの供給に用いられる配線であるのに対し、ダミー配線は電気エネルギーの供給に用いられない配線である。また、反射層は、液晶層に電圧を印加するための電極を兼ねたものであってもよいし、兼ねていないものであってもよい。
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明に係る第２の反射型液晶表示装置は、正反射光を利用する反射型液晶表示装置であり、基板と、前記基板上に形成された複数の配線と、前記複数の配線上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された平坦化層と、前記平坦化層上に形成され、光を反射する反射層と、前記反射層上に形成された液晶層とを備え、前記反射層の前記液晶層側の面は、前記基板に対して傾斜している複数の斜面と、前記基板に対して傾斜していない複数の非斜面とで構成され、前記複数の斜面の傾斜角は、いずれも２°以上であり、前記保護膜の膜厚は１５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
前述のように、斜面は正反射を阻害する領域であるから、正反射率を向上させるためには、傾斜幅Ｌを短くした方がよい。第２の反射型液晶表示装置では、保護膜の膜厚を１５０ｎｍ以下とすることによって、傾斜角θが２°以上となっているから、傾斜幅Ｌが十分に短くなる。一般的な構成であれば、傾斜幅Ｌが５μｍ以下となる。よって、第２の反射型液晶表示装置によれば、研磨を要することなく、十分に高い正反射率を得ることができる。
【０００９】
第２の反射型液晶表示装置において、前記基板の延在方向の長さであって前記斜面の高低差と傾斜角とで定まる長さを傾斜幅としたとき、前記複数の斜面の前記傾斜幅は、いずれも５μｍ以下であるようにしてもよい。この場合、一般的な構成であるか否かに依存することなく、傾斜幅を５μｍ以下とすることができるから、十分に高い正反射率を得ることができる可能性が高くなる。
【００１０】
第１の反射型液晶表示装置において、前記複数の配線と前記凹凸緩和部との上に形成された保護膜を備え、前記平坦化層は前記保護膜上に形成され、前記保護膜の膜厚は１５０ｎｍ以下であるようにしてもよい。この場合には、凹凸緩和部と保護膜の膜厚との双方が、傾斜幅Ｌを５μｍ以下とすることに寄与するから、凹凸緩和部の数を低減すること、又は保護膜の膜厚を厚くすることができる。
【００１１】
また、上記の課題を解決するために、本発明に係る電子機器は、上記の各反射型液晶装置を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶表示装置１００の全体構成を示すブロック図である。
【図２】比較例に係る反射型液晶表示装置３００の要部の構造を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】傾斜角θと傾斜深さｄと傾斜幅Ｌとの関係を示す図である。
【図５】傾斜角θと正反射率との関係を示す図である。
【図６】反射型液晶表示装置１００の要部の構造を示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】正反射率と画素密度との関係を示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る反射型液晶表示装置２００の要部の構造を示す断面図である。
【図１０】反射型液晶表示装置１００又は２００を適用したパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１１】反射型液晶表示装置１００又は２００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１２】反射型液晶表示装置１００又は２００を適用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、各図においては、適宜、各部の寸法および縮尺を実際のものと異ならせてある。また、以下の説明では、本発明に直接的に関係しない部分には触れないが、これらの部分を含む形態も本発明の範囲に含まれうる。また、以下に述べる各部を構成する材料は、適宜に変更可能である。
【００１４】
＜Ａ：第１実施形態＞
＜Ａ−１：全体構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る反射型液晶表示装置１００の全体構成を示すブロック図である。図１に示されるように、反射型液晶表示装置１００は、Ｘ方向とＸ方向に直交するＹ方向とに延在する画素部１０を備える。画素部１０は、マトリクス状に配列された複数の画素Ｐを備える。反射型液晶表示装置１００はＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）を用いた高精細パネルであり、画素Ｐの密度は例えば２６９ppiである。
【００１５】
画素Ｐは、後述の反射電極２１と図示しないメモリとを備え、メモリに書き込まれた電圧に応じた階調を、反射電極２１の反射光を利用して表示する。反射型液晶表示装置１００は、総ての画素Ｐの表示階調を制御して、図示しない上位装置から供給される画像データＩＭで示される画像を画素部１０に表示する。また、反射型液晶表示装置１００は、Ｘ方向に延在する複数の走査線１１と、Ｙ方向に延在する複数のデータ線１２とを備える。複数の走査線１１の各々と複数のデータ線１２の各々とは、画素部１０において互いに交差しており、各交差に対応して画素Ｐが配置されている。
【００１６】
また、反射型液晶表示装置１００は、走査線駆動回路５１と、データ線駆動回路５２と、制御回路５３とを有する。制御回路５３は、画像データＩＭに基づいて、走査線駆動回路５１及びデータ線駆動回路５２を制御する。データ線駆動回路５２の制御では、制御回路５３からデータ線駆動回路５２へ階調信号ｇが供給される。階調信号ｇは、総ての画素Ｐの各々に指定する階調を示す信号であり、各画素Ｐに指定される階調は、最高階調から最低階調までの複数の階調のうち、いずれか１つの階調である。
【００１７】
走査線駆動回路５１は、複数の走査線１１を駆動して順次選択する回路であり、選択信号の供給によって複数の走査線１１を駆動する。選択信号は、一定の期間だけ所定レベルとなる信号であり、選択信号が所定レベルとなる期間が走査線１１間で重ならないように定められている。
【００１８】
データ線駆動回路５２は、階調信号ｇに基づいて複数のデータ線１２を駆動することにより、選択された走査線１１に対応する複数の画素Ｐに階調を指定する回路であり、データ信号の供給によって複数のデータ線１２を駆動する。一つの画素Ｐに注目すると、データ線駆動回路５２は、階調信号ｇによって当該画素Ｐに指定された階調に応じたレベルのデータ信号を、当該画素Ｐに対応する走査線１１が選択されている期間において、当該画素Ｐの反射電極２１に接続されたデータ線１２に供給することにより、当該階調に応じた電圧を当該画素Ｐのメモリに書き込む。
【００１９】
＜Ａ−２：要部の構成＞
次に、反射型液晶表示装置１００の要部について説明する。この説明に先立ち、本発明の各実施形態と対比する比較例について説明する。比較例に係る反射型液晶表示装置３００の全体構成は反射型液晶表示装置１００と同様である。次に、反射型液晶表示装置３００の要部について説明する。
【００２０】
＜Ａ−２−１：反射型液晶表示装置３００＞
図２は、比較例に係る反射型液晶表示装置３００の要部の構造を示す平面図であり、図１の領域Ｒに相当する領域内の部材のうち配線層のみを画像の表示面側から眺めたものである。図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。図３では、本発明に直接的に関係しない部分の図示を省略してある。
【００２１】
図３に示すように、反射型液晶表示装置３００は、ガラス（ＳｉＯ２）で形成された基板２２と、その上に形成された複数の薄膜トランジスタ（例えば、薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２）と、その上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成された保護膜２３と、その上に光硬化性樹脂で形成された平坦化層２４と、その上に金属で形成された複数の反射電極２１と、その上に形成された液晶層２５と、その上に金属で形成された光透過性の透過電極２６と、その上に形成された光透過性の散乱層２７とを備える。
【００２２】
複数の薄膜トランジスタの形成では、基板２２上に複数の半導体層を形成し、その上に窒化又は酸化シリコン膜でゲート絶縁膜３２を形成し、その上に複数のゲート電極３３をパターニングし、その上に層間膜３４を形成し、その上に金属で配線層を形成し、この配線層をパターニングして複数のソース配線３５ｓと複数のソース配線３５ｓとを形成する。半導体層は、ゲート電極３３との間にゲート絶縁膜３２を挟むチャネル領域３１ｃと、ゲート絶縁膜３２に形成されたコンタクトホールを通じてソース配線３５ｓの一部（ソース電極）と接するソース領域３１ｓと、ゲート絶縁膜３２に形成されたコンタクトホールを通じてドレイン配線３５ｄの一部（ドレイン電極）と接するドレイン領域３１ｄとを有する。
【００２３】
保護膜２３の膜厚は４５０ｎｍである。反射電極２１は、アルミニウムで形成され、光を反射する。反射電極２１の反射光には、正反射光が含まれる。散乱層２７は、広視野角を達成するために透過光を散乱させる層であり、例えば散乱フィルム（ＬＣＦ：Light Control Film）で形成される。画素Ｐからは、画像の表示面側から入射し、反射電極２１によって反射され、散乱層２７で散乱された光が出射する。
【００２４】
反射電極２１の液晶層２５側の面を表面Ｓとしたとき、表面Ｓには、配線層における配線パターンに起因した凹凸が生じる。したがって、図３に拡大して示すように、表面Ｓは、基板２２に対して傾斜している複数の斜面Ｓ１と、基板２２に対して傾斜していない複数の非斜面Ｓ２とで構成される。ここで、斜面Ｓ１と基板２２とがなす角を傾斜角θとし、斜面Ｓ１のＺ方向の長さ（高低差）を傾斜深さｄとし、ｄ／ｔａｎ（θ）を傾斜幅Ｌとする。Ｚ方向は、基板２２に垂直な方向であり、Ｘ方向及びＹ方向と直交する。なお、「Ｌ＝ｄ／ｔａｎ（θ）」におけるθの単位はｒａｄ（ラジアン）である。
【００２５】
図４は、傾斜角θと傾斜深さｄと傾斜幅Ｌとの関係を示す図であり、θ及びｄで定まるＬを示している。例えば、ｄ＝０．０５μｍでθ＝１°の場合の傾斜幅Ｌが約３μｍ（２．８６μｍ）であることが示されている。θとｄとＬとの組み合わせのうち、Ｌにハッチングが付されているものは、十分に高い正反射率が得られる組み合わせである。例えば、ｄ＝０．１μｍ、θ＝２°及びＬ＝２．８６μｍの組み合わせであれば、十分に高い正反射率が得られる
【００２６】
図４から明らかなように、ｄ＝０．０５μｍならばθ（Ｌ）に依らずに十分に高い正反射率が得られ、θ＝０．５°ならばｄ（Ｌ）に依らずに十分に高い正反射率が得られる。しかし、反射型液晶表示装置３００では、約０．０５μｍ≦ｄ≦約０．１５μｍかつθ＝約１．５°である。したがって、正反射率の高さは、ｄ＝約０．０５μｍの領域では十分となるが、ｄ＝約０．１５μｍの領域では不十分となる。なお、ｄにバラツキがあるのは、配線層において配線の疎密があるからである。配線が密な領域ではｄ＝約０．０５μｍとなり、配線が疎な領域ではｄ＝約０．１５μｍとなる。
【００２７】
図５は、傾斜角θと正反射率との関係を示す図である。図５に示す関係は、傾斜幅Ｌを一定（約３μｍ）に保ちつつθ（°）を変化させたときの正反射率をコノスコープ観察で測定して得られたものである。θの変化は、平坦化層２４の形成時の露光時間を制御して達成されている。図５から明らかなように、Ｌが一定の場合、正反射率はθに応じて変化する。この変化は、Ｌ＝約３μｍの場合には１°≦θ≦５°の範囲で顕著となる。また、Ｌ＝約３μｍならば、θ≦１°とすることにより、９０％以上の正反射率、すなわち十分に高い正反射率を得られる。
【００２８】
正反射率を十分に高くする方法としては、まず、ｄを十分に短く（０．０５μｍ以下に）抑制する方法が考えられる。しかし、前述したように研磨の導入は困難であるから、平坦化層２４の形成後にｄを十分に短くすることは困難である。次に、θを十分に小さく（０．５°以下に）抑制する方法が考えられる。しかし、研磨の導入は困難であるから、平坦化層２４の形成後にθを十分に小さく抑制することは困難である。
【００２９】
ところで、前述のように、正反射率は、Ｌが一定の場合にはθに応じて変化する。裏を返せば、正反射率は、Ｌが一定でない場合にはθに応じて変化しない。つまり、Ｌの変化もまた、正反射率に影響を与える。このことは、ｄ及びθが決まればＬも決まることからも明らかである。具体的には、θが一定ならば、Ｌが短いほど正反射率が向上する。つまり、Ｌは、正反射を阻害するパラメータである。例えば、図４には、θ＝１．５°の場合、正反射率の高さは、Ｌ＝１．９１μｍ又は３．８２μｍの場合に十分となり、Ｌ＝５．７３μｍ、７．６４μｍ、９．５５μｍ又は１１．４６μｍの場合に不十分となることが示されている。
【００３０】
反射型液晶表示装置３００では、θ＝約１．５°であるから、図４に示す関係から、ｄ＝約０．０５の場合にはＬ＝約１．９１μｍとなって十分に高い正反射率が得られる一方、ｄ＝約０．１５の場合にはＬ＝５．７３μｍとなって十分に高い正反射率が得られない。したがって、十分に高い正反射率を得ることはできない。これを改善するために、Ｌを十分に短く抑制した形態が各実施形態である。
【００３１】
＜Ａ−２−２：反射型液晶表示装置１００＞
図６は、反射型液晶表示装置１００の要部の構造を示す平面図であり、図１の領域Ｒ内の部材のうち配線層のみを画像の表示面側から眺めたものである。図７は、図６のＢ−Ｂ線断面図である。図７では、反射型液晶表示装置３００と共通する部分や、本発明に直接的に関係しない部分の図示を省略してある。
【００３２】
図７に示すように、反射型液晶表示装置１００は、反射型液晶表示装置３００と同様の構成を備える。ただし、反射型液晶表示装置１００は、配線層において、ソース配線３５ｓ及びドレイン配線３５ｄの他に、ダミー配線３５ｍを備える。ソース配線３５ｓ及びドレイン配線３５ｄが液晶層２５への電圧の印加に用いられる配線であるのに対し、ダミー配線３５ｍは電気エネルギーの供給に用いられない配線である。
【００３３】
ダミー配線３５ｍは複数であり、傾斜幅Ｌが５μｍ以下となるように、他の配線（例えば、ソース配線３５ｓやドレイン配線３５ｄ）の間に配置されている。例えば、図６及び図７に示すダミー配線３５ｍは、薄膜トランジスタＴｒ１のドレイン配線３５ｄと薄膜トランジスタＴｒ２のソース配線３５ｓとの間に配置されている。
【００３４】
反射型液晶表示装置１００では、複数のダミー配線３５ｍが、ソース配線３５ｓ及びドレイン配線３５ｄとともに同一材料でパターニングされる。そして、これらの配線が形成された基板２２上に、保護膜２３、平坦化層２４、反射電極２１、液晶層２５などが順次形成される。したがって、保護膜２３、平坦化層２４及び反射電極２１の形状は、ダミー配線３５ｍ上の部分が押し上げられた形状となる。
【００３５】
ところで、図４から明らかなように、θ＞０．５°の範囲では、Ｌ≦５μｍならば十分に高い正反射率が得られるが、Ｌ＞５μｍならば十分に高い正反射率を得ることができない。したがって、本実施形態では、Ｌ≦５μｍとなるように、ダミー配線３５ｍを配置している。例えば、図７に示すダミー配線３５ｍは、薄膜トランジスタＴｒ１からダミー配線３５ｍにかけて下る斜面Ｓ１と、薄膜トランジスタＴｒ２から当該ダミー配線３５ｍにかけて下る斜面Ｓ１とが、配線層の厚さに相当する分だけ下り切る前に、Ｌ≦５μｍの範囲内で互いにぶつかるように配置されている。なお、θ＞０．５°の範囲に限ってよいのは、画素がメモリを備えた高精細の反射型液晶表示装置においてθ≦０．５°とすることが困難である（θ≦０．５°の範囲をカバーする必要がない）からである。
【００３６】
結局、本実施形態では、Ｌ≦５μｍとなるようにダミー配線３５ｍを配置することにより、比較例に対して、θを変更することなく、十分に高い正反射率を得ることができる。これは、表示品位の向上に寄与する効果であり、特に、θ≦０．５°とすることが困難な場合に極めて有効である。また、この効果は、反射型液晶表示装置の高精細化にも寄与する効果でもある。その理由について、次に説明する。
【００３７】
図８は、正反射率と画素密度との関係を示す図である。図８に示す関係は、θ≦１°の場合と、θ＝２°の場合とに分けて、Ｘ方向の長さが８０μｍでＹ方向の長さが２４０μｍのアルミニウム製の反射板が１個の画素を構成する基本構成と、２個の画素を構成する２分割構成と、４個の画素を構成する４分割構成と、８個の画素を構成する８分割構成と、１６個の画素を構成する１６分割構成との各々について、波長が５５０ｎｍの光を反射板に照射したときの正反射率を測定して得られたものである。
【００３８】
図８に示すように、分割数が同一の構成の場合、θ＝２°の場合の正反射率は、θ≦１°の場合の正反射率よりも低い。つまり、正反射率には、画素内の反射板の表面の凹凸が大きいほど低下する傾向がある。一方、画素間には反射に寄与しない一定幅（図８では５μｍ）の領域がある。この領域の面積を反射板の面積から差し引いた面積が、反射に寄与する有効反射面積（図８の横軸）である。
【００３９】
単純に考えれば、正反射率は、有効反射面積を引数とした一次関数（推定値）で表される筈である。しかし、実際には、図８に示すように、推定値よりも低下することが多い。しかも、この低下の程度には、分割数が増えるほど大きくなる傾向がある。つまり、高精細化が進むほど、十分に高い正反射率を得ることが難しくなる。これに対して、反射型液晶表示装置１００は、高精細パネルでありながらも、十分に高い反射率を得ることができるのである。
【００４０】
なお、配線層において、ダミー配線３５ｍを除いた総ての配線を、Ｌ≦５μｍを充たすようにパターニングすることができれば、ダミー配線３５ｍは不要となる。しかし、実際には、そのようにパターニングすることは困難であるから、ダミー配線３５ｍが必要となる。もちろん、Ｌ≦５μｍを充たすようにパターニングされるものは、ダミー配線３５ｍでなくてもよい。つまり、ダミー配線３５ｍに代えて任意の凹凸緩和部を採用可能である。
【００４１】
＜Ｂ：第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係る反射型液晶表示装置２００の要部の構造を示す断面図であり、図２のＡ−Ａ線断面図でもある。図９では、比較例に係る反射型液晶表示装置３００と共通する部分や、本発明に直接的に関係しない部分の図示を省略してある。
【００４２】
図９に示すように、反射型液晶表示装置２００は、反射型液晶表示装置３００と同様の構成を備える。ただし、反射型液晶表示装置２００における保護膜２３の膜厚は、２°≦θ≦３°となるように定められている。具体的には、反射型液晶表示装置３００における保護膜２３の膜厚の１／３（１５０ｎｍ）以下である。このように、保護膜２３が薄膜化されているから、保護膜２３の角が鋭くなり、θが大きくなるのである。
【００４３】
反射型液晶表示装置３００では、２°≦θ≦３°であるから、一般的な構成を採る限り、Ｌ≦５μｍとなる。そして、２°≦θ≦３°かつＬ≦５μｍの場合に十分に高い正反射率を得られることは、図４から明らかである。結局、本実施形態では、２°≦θ≦３°となるように保護膜２３の膜厚を１５０ｎｍ以下とすることにより、比較例に対して、ｄを変更することなく、十分に高い正反射率を得ることができる。これは、表示品位の向上と反射型液晶表示装置の高精細化とに寄与する効果であり、特に、θ≦０．５°とすることが困難な場合に極めて有効である。
【００４４】
なお、θを大きくする方法は、保護膜２３の薄膜化に限らない。例えば、平坦化層２４の薄膜化によってθを大きくしてもよいし、平坦化層２４の形成条件を変更してもよい。つまり、平坦化層２４の形成時のリフロー条件を変更してθを大きくしてもよい。また、θ＞３°であってもよい。
【００４５】
＜Ｃ：変形例＞
上述した各実施形態では、反射電極の形成材料をアルミニウムとしたが、ＡｌＮｄのようなアルミニウム合金であってもよいし、他の材料であってもよい。
また、上述した各実施形態では、反射電極２１が、光を反射する反射層と、液晶層２５に電圧を印加するための電極とを兼ねているが、両者を別体としてもよい。
また、上述した各実施形態では、平坦化層２４の形成材料として光硬化性樹脂を例示したが、熱硬化性樹脂などの他の材料で平坦化層２４を形成するようにしてもよい。
また、反射型液晶表示装置１００の保護膜２３の膜厚を１５０ｎｍ以下とし、２°≦θ≦３°となるようにしてもよい。この場合、ダミー配線３５ｍと保護膜２３の膜厚との双方が、傾斜幅Ｌを５μｍ以下とすることに寄与するから、ダミー配線３５ｍの数を低減すること、又は保護膜２３の膜厚を厚くすることができる。
【００４６】
＜Ｄ：応用例＞
次に、上述した反射型液晶表示装置１００又は２００を適用した電子機器について説明する。
図１０は、反射型液晶表示装置１００又は２００を表示装置として採用した可搬型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する表示装置（反射型液晶表示装置１００又は２００）と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【００４７】
図１１は、反射型液晶表示装置１００又は２００を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する表示装置（反射型液晶表示装置１００又は２００）とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、表示装置に表示される画面がスクロールされる。
【００４８】
図１２は、反射型液晶表示装置１００又は２００を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する表示装置（反射型液晶表示装置１００又は２００）とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が表示装置に表示される。
【符号の説明】
【００４９】
１００，２００，３００……反射型液晶表示装置、２１……反射電極、２２……基板、３５ｓ……ソース配線、３５ｄ……ドレイン配線、３５ｍ……ダミー配線、２４……平坦化層、２５……液晶層、Ｓ１……斜面、Ｓ２……非斜面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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