(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理室内の圧力を安定化させるための方法であって、
基板を処理するための上側電極及び下側電極であって、処理室ギャップを形成する上側電極及び下側電極を提供することと、
前記上側電極及び前記下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第１のメカニズムを提供することと、
閉じ込めリングのセットを提供することと、
前記閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第２のメカニズムを提供することと、
異なる前記処理室ギャップの値に対応する複数の前記閉じ込めリング間の間隔とプラズマ空間からのガス流出量である導通性との関係を表す導通性曲線を決定することと、
前記閉じ込めリングのセットの複数の前記閉じ込めリング間の間隔を前記異なる処理室ギャップの値に相関させることと、
前記処理室ギャップの第１の値を指定することと、
前記第１のメカニズムを移動させることによって、前記処理室ギャップを前記第１の値に調整することと、
前記相関を使用して、現在の閉じ込めリング位置からの複数の前記閉じ込めリング間の間隔を決定することと、
前記第２のメカニズムを移動させることによって、前記複数の前記閉じ込めリング間の間隔を使用して前記閉じ込めリングのセットを新しい閉じ込めリング位置に調整することと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の導通性曲線は、実測によって得られたものである、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記相関は、前記プラズマ処理室内の基板上の圧力毎に決定される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記上側電極は移動可能である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記下側電極は移動可能である、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記プラズマ処理室内の圧力を、閉ループ制御により圧力調整することを備える方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記圧力調整は、ターボポンプの排気速度を制御することによって実施される、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記圧力調整は、前記閉じ込めリングの間のギャップを調整することによって実施される、方法。
【請求項９】
処理室内の圧力を安定化させるように構成された装置であって、
基板を処理するための上側電極及び下側電極であって、処理室ギャップを形成する上側電極及び下側電極と、
前記上側電極及び前記下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第１のメカニズムと、
閉じ込めリングのセットと、
前記閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第２のメカニズムと、
を備え、
異なる前記処理室ギャップの値に対応する複数の前記閉じ込めリング間の間隔とプラズマ空間からのガス流出量である導通性との関係を表す導通性曲線を決定し、
前記閉じ込めリングのセットの複数の前記閉じ込めリング間の間隔を前記異なる処理室ギャップの値に相関させ、
前記処理室ギャップの第１の値を指定し、
前記第１のメカニズムを移動させることによって、前記処理室ギャップを前記第１の値に調整し、
前記相関を使用して、現在の閉じ込めリング位置からの複数の前記閉じ込めリング間の間隔を決定し、
前記第２のメカニズムを移動させることによって、前記複数の前記閉じ込めリング間の間隔を使用して前記閉じ込めリングのセットを新しい閉じ込めリング位置に調整する、
装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記複数の導通性曲線は、実測によって得られたものである、装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の装置であって、
前記相関は、前記プラズマ処理室内の基板上の圧力毎に決定される、装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の装置であって、
前記上側電極は移動可能である、装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の装置であって、
前記下側電極は移動可能である、装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の装置であって、更に、
前記プラズマ処理室内の圧力を、閉ループ制御により圧力調整する装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置であって、
前記圧力調整は、ターボポンプの排気速度を制御することによって実施される、装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の装置であって、
前記圧力調整は、前記閉じ込めリングの間のギャップを調整することによって実施される、装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
プラズマ処理の進歩が、半導体業界の成長を促してきた。半導体業界は、競争の激しい市場である。異なる処理条件で基板を処理することができる能力は、メーカを、競争相手よりも一歩秀でさせることができるであろう。したがって、メーカらは、基板処理を向上させるための方法及び／又は配置構成を見出すために、時間及び資源を投じてきた。
【０００２】
基板処理の実施に用いることができる代表的な処理システムとして、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）処理システムが挙げられる。プラズマ処理システムは、プロセスパラメータの範囲内の処理を可能にするように構築することができる。しかしながら、近年では、処理対象デバイスのタイプがより高性能化し、より正確なプロセス制御が必要になっている。例えば、処理対象デバイスは、より小型化し、より幅狭の特徴を持つようになっており、より良い歩留まりのためには、プラズマ密度及び基板全域にわたる均一性などのプラズマパラメータを、より正確に制御する必要があるであろう。プラズマ密度及び均一性に影響を及ぼすプロセスパラメータの例として、エッチング室内におけるウエハエリアの圧力制御が挙げられる。
【０００３】
半導体デバイスの製造は、プラズマ処理室内でプラズマを用いる複数ステップのプロセスを必要とするであろう。半導体デバイスのプラズマ処理の間、プラズマ処理室は、通常、プロセスのステップごとに所定の圧力に維持される。所定の圧力は、当業者に周知のように、機械的な真空ポンプ、ターボポンプ、閉じ込めリングの配置、及び／又はこれらの組み合わせを用いることによって実現することができる。
【０００４】
従来的には、バルブアセンブリを用いて排気ターボポンプを絞り調整することによって、プラズマ処理室内を所定の圧力条件を維持するための圧力制御を達成することができるであろう。代わりは又は追加として、閉じ込めリングアセンブリの閉じ込めリング間のギャップを調整することによって、プラズマ処理室のプラズマ生成エリア内（例えば、２つの電極によって封じ込まれ且つ閉じ込めリングによって囲われた領域）の圧力を制御することができるであろう。ギャップの調整は、プラズマ生成領域からの排出ガスの流速を制御し、その結果として圧力に影響を及ぼすことができる。プラズマ生成領域からのガス流の全体的な導通性は、閉じ込めリングの数及び閉じ込めリング間のギャップのサイズを非限定的に含む幾つかの要素に依存することができる。
【０００５】
それぞれ異なる圧力を伴うであろう複数ステップで基板を処理する必要性を鑑みると、プラズマ処理システム内の圧力を効率良く制御する能力の向上が強く望まれていることがわかる。
【発明の概要】
【０００６】
本発明は、一実施形態において、プラズマ処理室内の圧力を安定化させるための方法に関する。方法は、基板を処理するための上側電極及び下側電極であって、処理室ギャップを形成する上側電極及び下側電極を提供することと、上側電極及び下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第１のメカニズムを提供することと、を含む。方法は、更に、閉じ込めリングのセットを提供することと、その閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第２のメカニズムを提供することと、を含む。方法は、尚も更に、異なる高さ値の処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線を決定することと、閉じ込めリングのセットの閉じ込めリング位置（ＣＲＰ）オフセット値を異なる高さ値の処理室ギャップに相関させることと、処理室ギャップの第１の高さ値を指定することと、第１のメカニズムを移動させることによって、処理室ギャップを第１の高さ値に調整することと、相関を使用して、現在のＣＲＰからの第１のＣＲＰオフセット値を決定することと、第２のメカニズムを移動させることによって、第１のＣＲＰオフセット値を使用して開ループ方式で閉じ込めリングのセットを新しいＣＲＰに調整することと、を含む。
【０００７】
上記の概要は、本明細書に開示される発明の多くの実施形態のうちの１つのみに関するものであり、特許請求の範囲に明記される発明の範囲を制限することを意図していない。本発明のこれらの及びその他の特徴は、発明の詳細な説明において、以下の図面との関連のもとで更に詳しく後述される。
【０００８】
本発明は、限定目的ではなく例示目的で添付の図面に示されており、図中、類似の参照符号は、同様の構成要素を指すものとする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態にしたがって、上側電極アセンブリと下側電極アセンブリとの間に調整可能ギャップを提供するように構成されたプラズマ処理システムを示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態にしたがって、所定の圧力について閉じ込めリング位置（ＣＲＰ）を処理室ギャップの関数として表わしたグラフである。
【図３】本発明の実施形態にしたがって、異なる処理室ギャップについて経験的に導かれる複数の導通性曲線（導通性対閉じ込めリング位置を明らかにしている）を示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態にしたがって、処理室ギャップを調整可能なリアルタイムなウエハエリア圧力制御のための方法４００の簡易な工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、添付の図面に例示されたような幾つかの実施形態を参照にして、本発明が詳細に説明される。以下の説明では、本発明の完全な理解を可能にするために、多くの詳細が明記されている。しかしながら、当業者ならば明らかなように、本発明は、これらの一部または全部の詳細を伴わずとも実施することができる。また、本発明が不必要に不明瞭になるのを避けるため、周知のプロセスステップ及び／又は構造の詳細な説明は省略される。
【００１１】
発明の実施形態にしたがって、プラズマ処理パラメータに対する迅速な制御を実現するようにプラズマ処理システムを構成するための方法及び装置が提供される。一部のプラズマ処理システムでは、処理室ギャップ（即ち、上側電極と下側電極との間のギャップ）は、レシピパラメータであり、ステップごとに変わるであろう。これらのプラズマ処理システムでは、処理室ギャップを調整するために下側電極アセンブリを移動させるように構成されたメカニズムを提供することができる。その他のプラズマ処理システムでは、上側電極アセンブリを移動させることができる。本明細書における開示では、処理室は、移動する下側電極を有するものと想定される。しかしながら、本明細書の発明の実施形態は、（代わりに又は追加として）上側電極が移動可能な処理室にも等しく当てはまることを理解されるべきである。
【００１２】
レシピ要件に応じて処理室ギャップが移動されると、プラズマ処理領域の体積が変化する。この体積の変化は、プラズマ生成領域内の圧力に影響を及ぼし、圧力の変化を調整するための補正を必要とする。先行技術では、言及されたように、排気ターボポンプの上流のスロットルバルブの位置を制御し、且つ／又は閉じ込めリングの位置を制御して閉じ込めリング間のギャップを変化させ、プラズマ生成領域から排出されるガスの導通性を変化させることによって、圧力制御が実現される。
【００１３】
一般に、閉じ込めリングギャップは、プランジャ（図１の１３１を参照せよ）の位置を適切に制御することによって調整することができる。プランジャの上り工程では、リング１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、及び１１０ｅの間のギャップが拡大される。リング１１０ｅの下向きの動きは下側電極によって拘束され、リング１１０ｄの下向きの動きはリング１１０ｅによって拘束され、以下同様であるので、プランジャの下り工程では、リング１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、及び１１０ｅは、下側のリングから始まって、順次畳み合わされていく。閉じ込めリングアセンブリは、当該分野において周知であり、本明細書ではこれ以上詳述されない。
【００１４】
先行技術において圧力制御が望まれるときは、閉ループ制御システムが用いられるのが一般的である。一例では、プラズマ生成領域内の圧力が測定され且つ／又は導出され、次いで、プロセスレシピによって求められる所望の圧力と比較される。もし相違がある場合は、プランジャ１３１は、閉じ込めリングギャップを変化させ、閉じ込めリングギャップを通る導通性を制御することによって、プラズマ生成領域内の圧力に影響を及ぼすために、上向きに又は下向きに適切に移動される。これらの測定−調整−測定−調整サイクルは、所望の圧力設定点が実現されるまで段階的に実施される。
【００１５】
先行技術のアプローチは、電極が固定されている処理室にとっては満足のいくものであるが、移動する下側電極を伴う処理室にとっては満足のいくものではないことが判明している。これらの処理室において、下側電極の再配置に起因してプラズマ生成処理領域の体積が急激に変化すると、閉ループ制御アルゴリズムは、再び制御を達成しようと奮闘するので、閉ループ圧力制御は、一時的な喪失状態になるであろう。閉ループ制御アルゴリズムは、たとえ調整プロセスを開始するために迅速に制御を取り戻した場合でも、下側電極の急激な再配置によって引き起こされた圧力の大幅な且つ急激な変化ゆえに、圧力を所望の設定点に安定させるためにかなり長い時間を費やすであろう。この長い圧力再安定化期間の間、基板の処理は、事実上中断される。もし圧力再安定化期間が過度に長いと、生産性が損なわれる恐れがある。
【００１６】
発明の実施形態では、下側電極（又は上側電極）の再配置の結果として生じるプラズマ生成領域内の圧力の大幅な且つ急激な変化を迅速に補正するための新規の圧力制御アルゴリズムが提供される。本出願の発明者は、所定の圧力において、処理室ギャップ（即ち、上側電極と下側電極との間の距離）が、（プランジャの位置によって決定される）閉じ込めリング位置に（厳密ではないが）おおよそ線形的に関係していることを認識している。本出願の発明者は、また、各処理室ギャップにおいて、閉じ込めリングを通る導通性（リットル／秒で表わされる）が、（プランジャの位置によって決定される）閉じ込めリング位置に（厳密ではないが）おおよそ線形的に関係していることも認識している。
【００１７】
更に、発明者は、ギャップが変化する間も導通性と閉じ込めリング位置との間のおおよそ線形的な関係がおおよそ維持されることを認識している。導通性対閉じ込めリング位置の曲線を様々な処理室ギャップについてグラフで表わすことによって、各導通性曲線は、実質的に線形であることを示され、更に、これらの導通性曲線は、実質的に平行である。
【００１８】
これらの関係から、発明者は、これらの関係によって与えられる閉じ込めリング再配置パラメータを使用し、閉じ込めリングを迅速に再配置して、プラズマ生成領域内の圧力をおおよその所望の設定点に迅速に持ってくる、おおよその開ループ制御戦略が用いられてよいことを認識している。開ループ方式でおおよその再配置がなされたら、圧力を所望の圧力設定点に迅速に持ってくるために、より微細な閉ループ制御戦略が用いられてよい。開ループによる再配置は、おおよその再配置に過ぎず、正確な圧力制御のために頼ることができるものではないので、様々な処理室ギャップにおける導通性対閉じ込めリング位置の非線形性は、支障なく無視することができる。この重要な認識によって、計算が大いに簡略化され、おおよその開ループ再配置プロセスが迅速化される。
【００１９】
一実施形態において、発明者は、１つの導通性曲線から別の導通性曲線へのオフセットを計算することによって、且つその計算されたオフセット量だけ閉じ込めリング位置を移動させることによって、処理室ギャップの変化に対するおおよその圧力補正が迅速になされると推測している。おおよその圧力補正が実施されたら、圧力を所望の圧力設定点に安定させるために、閉ループ制御に引き継ぐことができる。このように、圧力補正は、２つの段階、即ち、１）事前に導出された導通性データをもとに計算されたオフセット値を使用して閉じ込めリングが迅速に移動される第１の開ループ段階と、２）導出圧力設定点を実現するための後続の閉ループ段階とで実現される。
【００２０】
図面及び（先行技術のメカニズムと発明の実施形態とを対比させた）以下の議論を参照にして、本発明の特徴及び利点をより良く理解することができる。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態にしたがって、上側電極アセンブリと下側電極アセンブリとの間に調整可能なギャップを提供するように構成されたプラズマ処理システムの簡略図を示している。プラズマ処理システム１００は、１倍周波数、２倍周波数、若しくは３倍周波数の容量放電システムであってよい、又は異なるプラズマ生成技術及び／若しくはプラズマ維持技術を用いるプラズマシステムであってよい。図１の例では、無線周波数は、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、及び６０ＭＨｚを含むがこれらに限定されない。
【００２２】
図１の例では、プラズマ処理システム１００は、一実施形態において、上側電極アセンブリ１０２と下側電極アセンブリ１０４とを伴うように構成することができる。上側電極アセンブリ１０２及び下側電極アセンブリ１０４は、処理室ギャップ１０６によって互いから隔てられる。上側電極アセンブリ１０２は、接地が可能な又はＲＦ電源（不図示）によって電力供給を受けることが可能な上側電極を含むことができる。
【００２３】
プラズマ処理の際は、処理済みのガス（不図示）を処理室ギャップ１０６に供給することができる。処理室ギャップ１０６に供給される処理済みガスは、下側電極アセンブリ１０４に供給されるＲＦ電力によってプラズマ状態に励起させることができる。処理室ギャップ１０６内のプラズマは、少なくとも閉じ込めリングのセット（１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、及び１１０ｅ）で構成することが可能な閉じ込めリングアセンブリ１０８によって閉じ込めることができる。閉じ込めリングアセンブリは、閉じ込めリング（１１０ａ〜ｅ）の間のギャップを制御するための、プランジャ１３１を含むギャップ制御メカニズム１１２を伴うように構成することも可能である。処理室ギャップ１０６（即ち、プラズマ生成領域）内の排出ガスは、閉じ込めリングのセット（１１０ａ〜ｅ）の間の閉じ込めリングギャップを通り抜けることができる。これらの排出ガスは、真空ポンプ（図解を簡単にするため不図示である）によってスロットルバルブを通じて処理室から排出させることができる。
【００２４】
一実施形態では、下側電極アセンブリ１０４は、下側電極アセンブリ１０４の上下移動を可能にするために、ピストン１１４と作動メカニズム１１６とを伴うように構成することが可能である。その結果、プラズマ生成領域内の体積が変化し、圧力の変化が引き起こされ、したがって、閉じ込めリングの再配置による補正が必要になる。
【００２５】
図１を参照すると、所定のステップのレシピ要件に対応するために下側電極アセンブリ１０４を移動させる際に、閉じ込めリングアセンブリ１０８も下側電極アセンブリ１０４の運動に相応して移動し、閉じ込めリングアセンブリ１０８間のギャップを変化させるであろう。したがって、プラズマ生成領域内の圧力は、プラズマ生成領域の体積の急激な変化によってのみならず、閉じ込めリングギャップの変化によっても変わる。
【００２６】
既定の圧力（例えば、下側電極の移動前に存在していた圧力）を維持するためには、閉じ込めリングアセンブリ１０８の位置を調整し、排出ガスの導通性（リットル／秒で表わされる）を変化させることによって、下側電極の移動の結果として生じるプラズマ生成領域体積の変化及び／又は閉じ込めリングギャップの変化を補正する必要があるであろう。
【００２７】
図２は、本発明の実施形態にしたがって、所定の圧力について閉じ込めリング位置（ＣＲＰ）を処理室ギャップの関数として表わしたグラフを示している。図２は、理解を促すために、図１との関連のもとで論じられる。
【００２８】
図２に示されるように、縦軸は、任意の計数単位で表わされる閉じ込めリング位置として示されている。一実装形態では、任意の計数単位は、プランジャ１３１の上下移動を制御するために用いられるサーボモータのサーボモータ目盛であってよい。横軸は、処理室ギャップをミリメートル（ｍｍ）で表わして示している。グラフ線２１０は、所定の圧力について、閉じ込めリング位置と処理室ギャップとの間の線形関係を示している。
【００２９】
図３は、本発明の実施形態にしたがって、経験的に導かれる複数の導通性曲線（導通性対閉じ込めリング位置を明らかにしている）を異なる処理室ギャップについて示している。
【００３０】
図３に示されるように、縦軸は、毎秒リットル（Ｌ／ｓ）で表わされる導通性として示されている。横軸は、やはり任意の計数単位で表わされる閉じ込めリング位置（ＣＲＰ）として示されている。グラフ線３１０は、処理室ギャップ値１．８８センチメートル（ｃｍ）の場合の導通性曲線である。グラフ線３２０は、処理室ギャップ値２．３４ｃｍの場合の導通性曲線である。グラフ線３３０は、処理室ギャップ値２．８ｃｍの場合の導通性曲線である。グラフ線３４０は、処理室ギャップ値３．１ｃｍの場合の導通性曲線である。
【００３１】
図３から、幾つかの所見を述べることができる。第１に、曲線は、処理室動作の範囲、即ち４リットル／秒より先の範囲では、実質的に線形である。第２に、これらの曲線は、実質的に平行であり、これは、ギャップが変化するときに導通性と閉じ込めリング位置との間の線形関係が実質的に保たれることを示している。第３に、任意の所定の所望の導通性（図２の１１リットル／秒など）について、処理室ギャップの変化に起因する導通性の変化は、単純に、ある曲線から別の曲線までのｘ軸オフセットの量だけ閉じ込めリングを移動させることによって補正することができる。図２を参照すると、処理室ギャップが２．３４ｃｍ（曲線３２０）から１．８８ｃｍ（曲線３１０）まで移動される際の導通性の変化は、（点３４４と点３４２との間の）オフセットに等しい量だけ閉じ込めリング位置を移動させることによって補正することができる。閉じ込めリング位置をオフセット（点３４２と点３４４との間の差）だけ移動させることは、導通性曲線３１０をおおよそ移動させて導通性曲線３２０に重ね合わせる効果がある。こうすることで、ギャップ変化に起因する導通性変化は補正され、開ループ方式でおおよその導通性補正が実現される。
【００３２】
一実施形態において、現在の処理室ギャップ位置は、「Ｘ」で表わすことができる。処理室ギャップの変化は、＋／−「Ｙ」であり、現在のＣＲＰは、「Ａ」で表わすことができる。新しい処理室ギャップ及び新しいＣＲＰは、次のように計算することができる。
新しい処理室ギャップ位置＝Ｘ＋／−Ｙ    （式１）
新しいＣＲＰ＝Ａ＋／−（Ｍ×Ｙ）    （式２）
ここで、Ｍは、図３の導通性曲線から決定される傾きである。
【００３３】
上記からわかるように、それぞれの処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線は、一実施形態では、経験的に導くことができる。複数の導通性曲線は、有効導通性範囲にわたって比較的線形であり、一実施形態では、約Ｍの傾きが得られる。処理室ギャップの調整を補うために、所定のウエハエリア圧力についてオフセットＣＲＰ値を決定することができる。或いは、処理室ギャップをオフセットに相関させるために、単純なルックアップテーブルを用いることができる。開ループ式のおおよその調整を円滑にするためには、ルックアップテーブルによって提供される値をもとに、特定の処理室ギャップに対応するオフセットを得る且つ／又は推定することができる。
【００３４】
図４は、本発明の実施形態にしたがって、処理室ギャップを調整可能なリアルタイムなウエハエリア圧力制御のための方法４００の簡易な工程図を示している。
【００３５】
ステップ４０２において、一実施形態では、異なる処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線を経験的に決定することができる。ステップ４０４では、プロセスレシピの一部として新しい処理室ギャップが指定される。ステップ４０６では、現在の閉じ込めリング位置からのオフセットを決定することができる。このオフセットは、図３との関連のもとで既に論じられている。計算及び／又はルックアップテーブルの参照を単純化するために、一実施形態では、全ての処理室ギャップの基準となる任意に選択された基準処理室ギャップを用いることができる。
【００３６】
オフセットが得られたら、閉じ込めリングを迅速に（しかしながらおおよそ）再配置するために、オフセット値を使用する開ループ方式で閉じ込めリング位置を調整することができる（ステップ４０８）。この迅速な再配置は、下側電極の移動によって引き起こされるプラズマ生成領域体積の変化及び閉じ込めリングギャップの変化をおおよそ補正する。おおよその再配置が達成されたら、プラズマ生成領域内の圧力を更に正確に所望の設定点圧力に定めるために、先行技術でなされたような、微細な（しかしながらより低速な）閉ループ制御を用いることができる。圧力が再び安定化されたら、先行技術において知られる技術を使用して、（異なるステップにおける圧力変化を補正するなどのために）その他の圧力変化を達成することができる。
【００３７】
上記からわかるように、発明の実施形態は、２ステップのプロセスで閉じ込めリングを迅速に再配置することによって、圧力補正の迅速な実施を可能にする。第１のステップでは、閉じ込めリングは、事前に取得された導通性データ（様々な処理室ギャップについて導通性を閉じ込めリング位置に相関させたデータ）から得られるオフセット値を使用して、開ループ方式で迅速に再配置される。第２のステップでは、圧力をより正確に所望の値に安定化させるために、従来の閉ループ制御を用いることができる。移動する電極によって引き起こされる圧力の変化を迅速に補正することによって、圧力安定化のステップを短縮し、生産性の向上をもたらすことができる。更に、発明の実施形態は、異なる処理室ギャップ及び異なる圧力設定をそれぞれ要求するステップからステップへと処理が進む間もプラズマの着火を維持する能力を向上させる又は可能にすることができる。
【００３８】
本発明は、幾つかの実施形態の観点から説明されてきたが、本発明の範囲に含まれるものとして、代替、置換、及び等価の形態がある。また、本発明の方法及び装置を実現する多くの代替の方法があることも留意されるべきである。更に、本発明の実施形態は、その他の応用においても有用性を見出すことができる。要約の部分は、便宜のために提供されたものであり、文字数制限ゆえに、読むことの便宜を図って記載されており、特許請求の範囲を制限するためには用いられるべきではない。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲に含まれるものとして、このようなあらゆる代替、置換、及び等価の形態を含むものと解釈されることを意図している。
例えば、本発明は以下の適用例として実施可能である。
（１）プラズマ処理室内の圧力を安定化させるための方法であって、
基板を処理するための上側電極及び下側電極であって、処理室ギャップを形成する上側電極及び下側電極を提供することと、
前記上側電極及び前記下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第１のメカニズムを提供することと、
閉じ込めリングのセットを提供することと、
前記閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第２のメカニズムを提供することと、
異なる高さ値の前記処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線を決定することと、
前記閉じ込めリングのセットの閉じ込めリング位置（ＣＲＰ）オフセット値を前記異なる高さ値の前記処理室ギャップに相関させることと、
前記処理室ギャップの第１の高さ値を指定することと、
前記第１のメカニズムを移動させることによって、前記処理室ギャップを前記第１の高さ値に調整することと、
前記相関を使用して、現在のＣＲＰからの第１のＣＲＰオフセット値を決定することと、
前記第２のメカニズムを移動させることによって、前記第１のＣＲＰオフセット値を使用して開ループ方式で前記閉じ込めリングのセットを新しいＣＲＰに調整することと、
を備える方法。
（２）適用例（１）に記載の方法であって、
前記複数の導通性曲線は、経験的に決定される、方法。
（３）適用例（２）に記載の方法であって、
前記複数の導通性曲線は、前記相関のために、有効導通性範囲にわたって前記ＣＲＰと線形であるものと想定される、方法。
（４）適用例（１）に記載の方法であって、
前記相関は、所定の基板エリア圧力について実施される、方法。
（５）適用例（１）に記載の方法であって、更に、
前記処理室ギャップの基準値を選択することを備える方法。
（６）適用例（１）に記載の方法であって、
前記上側電極は移動可能である、方法。
（７）適用例（１）に記載の方法であって、
前記下側電極は移動可能である、方法。
（８）適用例（１）に記載の方法であって、更に、
前記プラズマ処理室のために閉ループ方式の微細な圧力調整を提供することを備える方法。
（９）適用例（８）に記載の方法であって、
前記微細な圧力調整は、ターボポンプの排気速度を制御することによって実施される、方法。
（１０）適用例（８）に記載の方法であって、
前記微細な圧力調整は、前記閉じ込めリングの間のギャップを調整することによって実施される、方法。
（１１）  コンピュータ可読コードを具現化されたプログラム格納媒体を備える製品であって、前記コンピュータ可読コードは、処理室内の圧力を安定化させるように構成され、
異なる高さ値の処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線を決定するためのコンピュータ可読コードと、
閉じ込めリングのセットの閉じ込めリング位置（ＣＲＰ）オフセット値を前記異なる高さ値の前記処理室ギャップに相関させるためのコンピュータ可読コードと、
前記処理室ギャップの第１の高さ値を指定するためのコンピュータ可読コードと、
上側電極及び下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第１のメカニズムを移動させることによって、前記処理室ギャップを前記第１の高さ値に調整するためのコンピュータ可読コードと、
前記相関を使用して、現在のＣＲＰからの第１のＣＲＰオフセット値を決定するためのコンピュータ可読コードと、
前記閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第２のメカニズムを移動させることによって、前記第１のＣＲＰオフセット値を使用して開ループ方式で前記閉じ込めリングのセットを新しいＣＲＰに調整するためのコンピュータ可読コードと、
を備える製品。
（１２）適用例（１１）に記載の製品であって、
前記複数の導通性曲線は、経験的に決定される、製品。
（１３）適用例（１２）に記載の製品であって、
前記複数の導通性曲線は、前記相関のために、有効導通性範囲にわたって前記ＣＲＰと線形であるものと想定される、製品。
（１４）適用例（１１）に記載の製品であって、
前記相関は、所定の基板エリア圧力について実施される、製品。
（１５）適用例（１１）に記載の製品であって、更に、
前記処理室ギャップの基準値を選択するためのコンピュータ可読コードを備える製品。
（１６）適用例（１１）に記載の製品であって、
前記上側電極は移動可能である、製品。
（１７）適用例（１１）に記載の製品であって、
前記下側電極は移動可能である、製品。
（１８）適用例（１１）に記載の製品であって、更に、
前記プラズマ処理室のために閉ループ方式の微細な圧力調整を提供するためのコンピュータ可読コードを備える製品。
（１９）適用例（１８）に記載の製品であって、
前記微細な圧力調整は、ターボポンプの排気速度を制御することによって実施される、製品。
（２０）適用例（１８）に記載の製品であって、
前記微細な圧力調整は、前記閉じ込めリングの間のギャップを調整することによって実施される、製品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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