(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能な感光体と、前記感光体を帯電位置で帯電処理する帯電手段と、前記帯電手段に対して前記感光体の正規の帯電極性の帯電電圧を印加する帯電電圧印加手段と、前記帯電手段と前記感光体との間に流れる直流電流を検出する電流検出手段と、前記帯電手段により帯電処理された前記感光体を露光して静電像を形成する像露光手段と、前記感光体に形成された静電像をトナーで現像して前記感光体にトナー画像を形成する現像手段と、前記感光体に形成されたトナー画像を転写位置で被転写体に転写させる転写手段と、前記転写手段に流れる電流が所定の値となるように前記感光体の正規の帯電極性とは逆極性の転写電圧を印加する転写電圧印加手段と、前記感光体の回転方向において前記転写位置よりも下流且つ前記帯電位置よりも上流で前記感光体に光を照射して前記感光体を除電する感光体除電手段と、画像形成時に前記帯電手段に印加する前記帯電電圧を制御する制御手段と、を有する画像形成装置において、
前記制御手段は、非画像形成時に、それぞれ直流電圧値が異なる複数の試験電圧を印加し、それぞれの前記試験電圧を印加して帯電された前記感光体の表面が前記転写電圧が印加された前記転写手段の転写位置を通過した後に前記感光体除電手段によって光を照射されて前記帯電位置に到達したときに、前記帯電手段に所定の直流電圧を印加した状態で前記電流検出手段によって前記帯電手段と前記感光体との間に流れる直流電流をそれぞれ検出し、それぞれ検出された前記直流電流値に基づいて前記帯電電圧の直流電圧値を設定する帯電電圧設定制御を行うことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
複数の転写材に連続して形成したトナー像を転写する場合における転写材間に相当する複数の感光体上の領域に亘って前記帯電電圧設定制御を行い、
前記帯電電圧設定制御において、前記試験電圧の直流電圧の絶対値を段階的に低くして前記複数の感光体上の領域に分割して複数の前記試験電圧を印加し、
前記複数の試験電圧のうち一の試験電圧を印加して帯電された前記感光体の表面が前記転写電圧が印加された前記転写手段の転写位置を通過した後に前記感光体除電手段によって光を照射されて前記帯電位置に到達したときに、前記帯電手段に所定の直流電圧を印加した状態で前記電流検出手段によって検出された直流電流値と、直流電圧値を変更した後の試験電圧を印加して帯電された前記感光体の表面が前記転写電圧が印加された前記転写手段の転写位置を通過した後に前記感光体除電手段によって光を照射されて前記帯電位置に到達したときに、前記帯電手段に所定の直流電圧を印加した状態で前記電流検出手段によって検出された直流電流値と、の差分が所定の値以上となった場合に、その変更の直前に前記帯電手段に印加していた試験電圧の直流電圧値に基づいて前記帯電電圧の直流電圧値を設定するとともに前記試験電圧の印加を停止することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式を用いた複写機、プリンタ、ファクシミリ装置などの画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式を用いた複写機、プリンタ、ファクシミリ装置などの画像形成装置は、像担持体として一般的に回転可能なドラム型とされる電子写真感光体（感光体）を有する。そして、その感光体を所定の極性・電位に一様に帯電処理し、帯電処理した感光体を露光して静電潜像を形成し、この静電潜像をトナー像として現像し、そのトナー像を感光体から紙などの転写材に転写し、定着させる。
【０００３】
斯かる画像形成装置において、明暗のはっきりした画像を連続して形成した後に、写真のハイライト部にみられるようなハーフトーン画像を形成すると、本来なら一様であるべきハーフトーン画像の中に前回形成した画像のパターンが浮き出る現象がある。この現像を「ゴースト」と呼ぶ。
【０００４】
一般的に、静電潜像の形成時には、負帯電性の感光体の表面は一様に例えば−５００Ｖに帯電処理される。この感光体の表面が画像情報に応じて露光され、露光部分の電位が略−１００Ｖとされる。そして、現像時には露光部分と非露光部分との電位差によりトナーが露光部分に付着させられて、静電潜像が現像される。その後、転写材側をプラスに帯電させて、トナー像を感光体から転写材へと転写させる。そのため、転写工程後には、感光体の表面の電位が全体的にプラス方向に変化し、露光部分の電位は−５０Ｖとなる。この工程が繰り返し行われると、露光前に感光体を一様にマイナスに帯電処理しようとしても電位差が解消されず、その部分だけ感光体の表面の電位がプラス方向に遷移し、濃いトナー像が形成されてしまうことがある。
【０００５】
このようなゴーストを防止するために、感光体除電手段として前露光手段を有する画像形成装置がある。前露光手段としては、ＬＥＤを感光体の回転軸方向に整列させたアレイ状の光源を使用するのが一般的である。又、前露光手段としては、電荷を完全に除去するために感光体の主感度波長領域と同じ波長域を使用しているものが多い（特許文献１、特許文献２）。
【０００６】
前露光手段による除電は、感光体の特性上、その効果を発揮するのは、転写工程後の感光体の表面の電位が帯電バイアスと同じ極性になっている場合のみである。つまり、感光体は、露光することにより、帯電でチャージされた電位をキャンセルすることはできても、帯電でチャージされた電位から反転した電位はキャンセルできない。
【０００７】
例えば、負帯電性の感光体において、転写工程後の感光体の表面の電位が−５０Ｖであれば、前露光手段によってその電位をキャンセルすることが可能である。しかし、転写工程後の感光体の表面電位が＋５０Ｖとなった場合には、前露光手段による除電は不可能である。
【０００８】
従って、転写バイアスが大きく、転写工程後に感光体の表面の電位が反転する場合には、画像パターンのない白地部の感光体の表面の電位のみが反転してしまう。そのため、画像パターンのない白地部の感光体の表面の電位がプラス方向に遷移し、上述のゴーストとは逆に、画像パターンのない白地部に濃いトナー像が形成されてしまうことがある。これにより、画像パターンを形成してから感光体の１周後の画像に影響を与える。この現像を「転写ポジメモリ」と呼ぶ。
【０００９】
転写ポジメモリを防止するために、前露光手段ではなく、放電により感光体の表面の電位を直接除電する手段を設けた画像形成装置がある（特許文献３）。又、転写ポジメモリが発生しないような転写バイアスの設定にする方法も提案されている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１―１３３８２５号公報
【特許文献２】特開２００３―３０７９７９号公報
【特許文献３】特開平９−２２１６５号公報
【特許文献４】特開平８−２９２６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、放電により感光体の表面の電位を直接除電する手段は、小型化が難しいため、例えば直径の小さい感光体を使用する画像形成装置においては、それを設置するスペースを確保するのが困難である。
【００１２】
又、転写ポジメモリが発生しないような転写バイアスの設定にする方法には、次のような問題がある。即ち、転写バイアスは、本来、感光体上のトナー像を電位差によって転写材に転移させるためのものであり、転写バイアスを小さくすることは、転写効率に影響を与える。従って、転写バイアスの設定は、極力、転写効率を最適化するように設定するのが好ましい。又、転写バイアスの設定は、感光体の膜厚などによっても最適値が変わるため、感光体の寿命を通じて最適な転写バイアスを予め画像形成装置本体に設定するのには限界がある。
【００１３】
従って、本発明の目的は、転写効率を維持しつつ、簡易な構成で、転写ポジメモリを抑制することのできる画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的は本発明に係る画像形成装置にて達成される。要約すれば、本発明は、回転可能な感光体と、前記感光体を帯電位置で帯電処理する帯電手段と、前記帯電手段に対して前記感光体の正規の帯電極性の帯電電圧を印加する帯電電圧印加手段と、前記帯電手段と前記感光体との間に流れる直流電流を検出する電流検出手段と、前記帯電手段により帯電処理された前記感光体を露光して静電像を形成する像露光手段と、前記感光体に形成された静電像をトナーで現像して前記感光体にトナー画像を形成する現像手段と、前記感光体に形成されたトナー画像を転写位置で被転写体に転写させる転写手段と、前記転写手段に流れる電流が所定の値となるように前記感光体の正規の帯電極性とは逆極性の転写電圧を印加する転写電圧印加手段と、前記感光体の回転方向において前記転写位置よりも下流且つ前記帯電位置よりも上流で前記感光体に光を照射して前記感光体を除電する感光体除電手段と、画像形成時に前記帯電手段に印加する前記帯電電圧を制御する制御手段と、を有する画像形成装置において、前記制御手段は、非画像形成時に、それぞれ直流電圧値が異なる複数の試験電圧を印加し、それぞれの前記試験電圧を印加して帯電された前記感光体の表面が前記転写電圧が印加された前記転写手段の転写位置を通過した後に前記感光体除電手段によって光を照射されて前記帯電位置に到達したときに、前記帯電手段に所定の直流電圧を印加した状態で前記電流検出手段によって前記帯電手段と前記感光体との間に流れる直流電流をそれぞれ検出し、それぞれ検出された前記直流電流値に基づいて前記帯電電圧の直流電圧値を設定する帯電電圧設定制御を行うことを特徴とする画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、転写効率を維持しつつ、簡易な構成で、転写ポジメモリを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用し得る画像形成装置の一例の概略断面図である。
【図２】図１の画像形成装置の画像形成部の感光体の周囲の構成を示す概略断面図である。
【図３】感光体の層構成を説明するための模式図である。
【図４】本発明に従う転写ポジメモリ抑制制御の一例の全体シーケンスを説明するためのフローチャート図である。
【図５】本発明に従う帯電バイアス下限算出制御の一例のタイミングチャート図である。
【図６】転写ポジメモリが発生するまでの感光体の電位の推移を示す模式図である。
【図７】本発明に従う帯電バイアス下限算出制御の一例のフローチャート図である。
【図８】本発明に従う帯電バイアス下限算出制御の他の例のタイミングチャート図である。
【図９】本発明に従う濃度制御の一例のフローチャート図である。
【図１０】本発明に従う濃度制御の一例のタイミングチャート図である。
【図１１】本発明に従う転写ポジメモリ抑制制御の概略制御ブロック図である。
【図１２】濃度センサーの動作を説明するための概略断面図である。
【図１３】（Ａ）濃度センサーの清掃機構の平面図、（Ｂ）（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。
【図１４】帯電ローラと感光体との間に流れる直流電流（帯電電流）と、帯電バイアスの設定との関係の一例を示すグラフ図である。
【図１５】パッチトナー像の濃度の検出結果と像露光装置のレーザー光量との関係の一例を示すグラフ図である。
【図１６】本発明に従う帯電バイアス下限算出制御の他の例のフローチャート図である。
【図１７】本発明に従う帯電バイアス下限算出制御の他の例のタイミングチャート図である。
【図１８】本発明に従う帯電バイアス下限算出制御の一例のフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る画像形成装置を図面に則して更に詳しく説明する。
【００１８】
実施例１
１．画像形成装置の全体構成及び動作
図１は、本発明に係る画像形成装置の一実施例の概略構成を示す。本実施例の画像形成装置１００は、フルカラー画像の形成が可能な、中間転写方式を採用したタンデム型の画像形成装置である。
【００１９】
画像形成装置１００は、画像出力部１Ｐを有する。画像出力部１Ｐは、４個の画像形成部１０（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ）、給紙ユニット２０、中間転写ユニット３０、定着ユニット４０及び制御ユニット（制御処理部）２００を有する。
【００２０】
４個の画像形成部（第１、第２、第３、第４の画像形成部）１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄは、トナー支持材（被転写体）であるエンドレズベルト型の中間転写体、即ち、中間転写ベルト３１の画像転写面の移動方向に沿って並置されている。本実施例では、４個の画像形成部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄは、それぞれが形成する画像の色が異なるが、その構成は実質的に同一である。
【００２１】
各画像形成部１０は、像担持体としての回転可能なドラム型の電子写真感光体（感光体）、即ち、感光体ドラム１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）を有する。感光体１１は、その中心で軸支され、駆動手段により図示矢印Ｒ１方向（反時計方向）に所定のプロセススピード（周速）で回転駆動される。感光体１１の外周面に対向して、その回転方向に、次の各手段が配置されている。先ず、帯電手段としての帯電部材である帯電ローラ１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）が配置されている。次に、像露光手段（情報書き込み手段）としての像露光装置（レーザスキャナユニット）１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）が配置されている。次に、現像手段としての現像装置１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）が配置されている。次に、クリーニング手段としてのクリーニング装置１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ）が配置されている。
【００２２】
画像形成時には、帯電ローラ１２により感光体１１の表面に均一な帯電量の電荷が与えられる。帯電ローラ１２は、感光体１１に接触しており、この接触部が感光体１１を帯電処理する帯電位置となる。本実施例では、帯電ローラ１２には、帯電電圧印加手段（バイアス印加手段）としての帯電電源から、直流電圧である帯電電圧（帯電バイアス）が印加される。これによって、感光体１１の表面は負極性に一様に帯電される。尚、帯電電圧としては、直流電圧と交流電圧とを重畳した振動電圧を用いることもできる。
【００２３】
帯電した感光体１１は、像露光装置１３により、記録画像信号に応じて変調したレーザービームなどの光線で露光（像露光）される。これによって、感光体１１の表面に静電潜像（静電像）が形成される。
【００２４】
ここで、感光体１１としては、長寿命化を図ることが可能な非晶質シリコン系感光体か、熱により硬化させるのではなく電子線によって硬化させる電子線硬化型感光体を用いることが好ましい。
【００２５】
各感光体１１上に形成された静電潜像は、現像剤としてイエロー、シアン、マゼンタ、ブラック各色のトナーを収納した現像装置１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄによってそれぞれ現像される。本実施例では、現像装置１４は、現像剤担持体（現像部材）としての回転可能な円筒型の現像スリーブを有する。現像スリーブには、現像電圧印加手段（バイアス印加手段）としての現像電源から、直流電圧である現像電圧（現像バイアス）が印加される。この現像電圧により現像スリーブと感光体１１との間に形成される電界の作用で、感光体１１上の静電潜像にトナーが転移し、感光体１１上にトナー像（現像剤像）が形成される。本実施例では、現像装置１４は、反転現像方式により現像を行う。即ち、一様に帯電された感光体１１上における、露光によって電荷が減衰した露光部（明部）に、感光体１１の帯電極性（本実施例では負極性）と同極性に帯電したトナーを付着させることで現像を行う。尚、現像電圧としては、直流電圧と交流電圧とを重畳した振動電圧を用いることもできる。
【００２６】
各感光体１１上に形成されたトナー像は、各１次転写部（１次転写位置）Ｎ１（Ｎ１ａ、Ｎ１ｂ、Ｎ１ｃ、Ｎ１ｄ）において、中間転写ベルト３１に転写（１次転写）される。
【００２７】
中間転写ベルト３１に転写されずに感光体１１上に残ったトナー（転写残トナー）は、感光体１１の表面の移動方向において１次転写部Ｎ１の下流側において、クリーニング装置１５により掻き落とされて、清掃される。
【００２８】
ここで、クリーニング装置１５としては、カウンターブレード方式のものが好適に使用される。カウンターブレード方式では、感光体１１の表面の移動方向の上流側に自由端を向けて感光体１１に当接させられる板状のクリーニング部材であるクリーニングブレードを用いる。本実施例では、クリーニングブレードの自由長は８ｍｍである。又、クリーニングブレードは、ウレタンを主体とした弾性体の材料で作製される弾性ブレードであり、感光体１１に対して線圧約３５ｇ／ｃｍの押圧力で当接させられる。
【００２９】
例えば、フルカラー画像の形成時には、上述のようにして４個の感光体１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄにそれぞれイエロー、シアン、マゼンタ、ブラックのトナー像が形成される。そして、各トナー像が、各１次転写部Ｎ１において、順次に中間転写ベルト３１上に重ね合わせて転写される。
【００３０】
中間転写ベルト３１上に形成されたトナー像は、２次転写部（２次転写位置）Ｎ２において、所定のタイミングで２次転写部Ｎ２まで搬送されてきた転写材Ｐに、一括して転写（２次転写）される。
【００３１】
ここで、給紙ユニット２０は、転写材Ｐを収納するためのカセット２１ａ、２１ｂ及び手差しトレイ２７、カセット内又は手差しトレイより転写材Ｐを１枚ずつ送り出すためのピックアップローラ２２ａ、２２ｂ及び２６を有する。又、給紙ユニット２０は、各ピックアップローラから送り出された転写材Ｐをレジストローラまで搬送するための給紙ローラ対２３及び給紙ガイド２４を有する。更に、給紙ユニット２０は、画像形成部の画像形成タイミングに合わせて転写材Ｐを２次転写部Ｎ２へ送り出すためのレジストローラ２５ａ、２５ｂを有する。
【００３２】
又、中間転写ユニット３０は、無端ベルト状の中間転写体である中間転写ベルト３１を有する。中間転写ベルト３１の材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＶｄＦ（ポリフッ化ビニリデン）などが好適に用いられる。本実施例では、中間転写ベルト３１としては、厚さ１００μｍのポリイミド製のベルトを用いた。中間転写ベルト３１は、駆動ローラ３２、テンションローラ３３及び従動ローラ３４に掛け回されている。駆動ローラ３２は、中間転写ベルト３１に駆動を伝達する。テンションローラ３３は、付勢手段としてのバネの付勢によって中間転写ベルト３１に適度な張力を与える。従動ローラ３４は、２次転写手段としての２次転写部材である２次転写ローラ３６との間で中間転写ベルト３１を挟んで２次転写部Ｎ２を形成する。駆動ローラ３２とテンションローラ３３との間に１次転写平面３１Ａが形成される。中間転写ベルト３１は、駆動ローラ３２によって駆動が伝達されて、図示矢印Ｒ２（時計方向）に所定の周速で回転（周回移動）する。
【００３３】
駆動ローラ３２は、金属ローラの表面に数ｍｍの厚さのゴム（ウレタン又はクロロプレン）をコーティングして中間転写ベルト３１とのスリップを防いでいる。駆動ローラ３２は、駆動手段としてのパルスモータ（図示せず）によって回転駆動される。中間転写ベルト３１を挟んで各感光体１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと対向するように、中間転写ベルト３１の内周面側に、１次転写手段としての１次転写部材である１次転写ローラ３５（３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ）が配置されている。１次転写ローラ３５が中間転写ベルト３１を感光体１１に向けて押圧することによって、感光体１１と中間転写ベルト３１とのニップによって１次転写部Ｎ１が形成される。各１次転写ローラ３５には、それぞれ１次転写電圧印加手段（バイアス印加手段）としての１次転写電源から、トナーの正規の帯電極性（本実施例では負極性）とは逆極性の直流電圧である１次転写電圧が印加される。これにより１次転写部Ｎ１に形成される電界の作用により、感光体１１から中間転写ベルト３１へとトナー像が転写される。中間転写ベルト３１を挟んで従動ローラ３４に対向するように、中間転写ベルト３１の外周面側に、２次転写ローラ３６が配置されている。２次転写ローラ３６と中間転写ベルト３１とのニップによって２次転写部Ｎ２が形成される。２次転写ローラ３６は中間転写体に対して適度な圧力で加圧されている。２次転写ローラ３６には、２次転写電圧印加手段（バイアス印加手段）としての２次転写電源から、トナーの正規の帯電極性（本実施例では負極性）とは逆極性の直流電圧である２次転写電圧が印加される。これにより２次転写部Ｎ２に形成される電界の作用により、中間転写ベルト３１から転写材Ｐへとトナー像が転写される。
【００３４】
尚、中間転写ベルト３１の表面の移動方向において２次転写部Ｎ２の下流且つ最上流の１次転写部Ｎ１ａの上流側に位置して、中間転写ベルト３１の画像形成面をクリーニングするための中間転写体クリーニング手段としてのベルトクリーナ３７が配置されている。ベルトクリーナ３７には、クリーニング部材としてのクリーニングブレードやブラシローラ、及び廃トナーを収納する廃トナーボックスなどが設けられていてよい。ベルトクリーナ３７は、中間転写ベルト３１上の２次転写残トナーを清掃する。
【００３５】
トナー像が転写された転写材Ｐは、次に定着ユニット４０へと搬送される。ここで、定着ユニット４０は、内部にハロゲンヒーターなどの熱源を備えた定着ローラ４１ａと、定着ローラ４１ａに加圧される加圧ローラ４１ｂとを有する。加圧ローラ４１ｂにも熱源を備えていてよい。又、定着ユニット４０は、上記ローラ対のニップ部へ転写材Ｐを導くためのガイド４３、上記ローラ対から排出されてきた転写材Ｐを更に装置外部に導き出すための内排紙ローラ４４及び外排紙ローラ４５などを有する。
【００３６】
転写材Ｐは、定着ユニット４０でトナー像が定着された後に、画像形成装置１００の外部に排出される。これにより、一連の画像形成動作が終了する。
【００３７】
制御手段としての制御ユニット（制御処理部）２００は、上記各ユニット内の機構の動作を制御するための制御基板やモータドライブ基板などを有する。
【００３８】
更に、画像形成装置１００は、環境検知手段としての環境センサー５０を有する。環境センサー５０は、装置内で熱源となる定着ユニット４０などの影響を受けずに装置周囲の環境温度、湿度が正確に測定できるような位置に配置されている。本実施例では、環境センサー５０は、中間転写ベルトユニット３０を挟んで定着ユニット４０と離隔された位置に配置されている。この環境センサー出力に基づいて、装置の様々な制御が行われる。
【００３９】
２．トナー
トナーの特性としては、重量平均粒径が５〜８μｍであることが、良好な画像を形成する上で好ましい。重量平均粒径が、この範囲内であれば、十分な解像性を有し、鮮明で高画質の画像を形成でき、静電力よりも付着力や凝集力が小さくなり、種々のトラブルが低減する。非磁性トナー粒子の重量平均粒径は、ふるい分け法、沈降法、光子相関法などの種々の方法によって測定することができる。ここでは、測定装置としてコールター社製のコールターマルチサイザー（商品名）を用いた。測定方法は、次の通りである。特級又は１級塩化ナトリウムを用いて１％ＮａＣｌ水溶液を調製（例えば、コールターサイエンティフイックジャパン社製の商品名：ＩＳＯＴＯＮ−ＩＩを使用）する。電解水溶液１００〜１５０ｍＬ中に分散剤として界面活性剤、好ましくはアルキルベンゼンスルホン酸塩を０．１〜５ｍＬ加え、更に測定試料であるトナーを２〜２０ｍｇ加える。試料を懸濁した電解液を超音波分散機で約１〜３分間分散処理し、１００μｍアパーチャーを用いてトナーの体積、個数を測定し、体積分布と個数分布とを算出する。そして、重量平均粒径を体積分布から求める（各チャンネルの中央値をチャンネル毎の代表値とする）ことにより、非磁性トナー粒子の重量平均粒径を測定することができる。
【００４０】
非磁性トナー粒子は、従来知られている製法によって製造することができる。非磁性トナー粒子は、構成材料を加熱溶融により均一化し、これを冷却固化し、これを粉砕することによりトナー粒子を製造する粉砕法によっても製造することができる。しかし、この粉砕法で得られるトナー粒子は一般に不定形であるため、略球形形状とするには機械的、熱的又は何らかの特殊な処理を行うことが必要であり、前述した範囲の重量平均粒径とするには球形化処理後のトナー粒子を分級することが必要となる。そこで、前述した非磁性トナー粒子の好ましい製造法として重合法を採用することが好ましい。
【００４１】
３．１次転写ローラ
本実施例では、１次転写部Ｎ１に設置する１次転写ローラ３５として、ウレタンスポンジローラを使用した。本実施例では、中間転写ベルト３１の周速は３００ｍｍ／ｓｅｃであり、１次転写部Ｎ１のスラスト方向（中間転写ベルトの移動方向と略直交する方向）の幅は３３０ｍｍである。
【００４２】
本実施例では、感光体１１上のトナーの電荷保持量は３０μＣ／ｇである。又、本実施例では、１次転写時に１次転写ローラ３５の芯金に対して４０μＡの電流が流れるように１次転写電圧を印加する。この電流量は、通常環境として温度／湿度が２３℃／６０％の環境で設定した適性電流値である。但し、この電流量は、環境変動によるトナーの電荷保持量などの変動により変化させるのが好ましい。
【００４３】
本実施例では、１次転写ローラ３５の具体的な構成は次のとおりである。１次転写ローラ３５は、１ｋＶの電圧印加で５×１０7Ωの電気抵抗値を有する。又、１次転写ローラ３５は、外径が１６ｍｍ、芯金の直径が８ｍｍのウレタンスポンジローラである。このウレタンスポンジローラの製造方法においては、ポリウレタン形成材料として、ポリオール成分、ポリイソシアネート成分、発泡剤、及び所望により用いられる導電性付与剤、触媒、整泡剤などを含有するものが使用される。又、このウレタンスポンジローラは、ポリウレタンスポンジからなる導電性のウレタンスポンジ層と芯金などの金属部材とを構成部材とするものである。その構造は、硫黄快削鋼などの鋼材に亜鉛などのメッキを施した金属部材やアルミニウム、ステンレス鋼などの金属部材の一部又は全体を、導電性ポリウレタンスポンジ層で被覆したものである。これは、導電性ポリウレタンスポンジを所定の形状に成形した後接着する方法などを用いて作製することができる。その接着層としては、導電性塗料からなる接着剤やホットメルトシートなどの公知の材料を用いることができる。
【００４４】
４．帯電ローラ
本実施例では、帯電ローラ１２は、その表層を、カーボンブラックなどの導電剤を分散して混入させた１〜２ｍｍの厚さを有する導電性ゴムで形成し、画像形成時の帯電ムラを抑制するためにその電気抵抗値を１０5〜１０7Ωｃｍに制御している。そして、帯電ローラ１２は、その弾性を利用してギャップを作らずに感光体１１に接触させ（接触式帯電手段）、低電圧で感光体１１を帯電させる。或いは、帯電ローラ１２は、次のような構成であってもよい。ポリエーテルエステルアミドなどのイオン導電性の高分子化合物を含有し、電気抵抗値を１０5〜１０7Ωｃｍに制御したＡＢＳ樹脂を射出成形により導電性支持体の表面に０．５〜１ｍｍ被覆して抵抗調整層とする。該抵抗調整層の表面に、酸化スズなどの導電性微粒子を分散した熱可塑性樹脂組成物からなる保護層を順次形成する。帯電電圧を印加するための導電性支持体としては金属製軸部材を用いる。この軸部材は、軸受け部と、電圧印加用軸受け部と、外径が１４ｍｍの被覆部とが一体で構成される。被覆部の周面上には、ポリエーテルエステルアミドなどのイオン導電性の高分子化合物を含有した熱可塑性樹脂であるＡＢＳ樹脂の、体積抵抗値１０5〜１０7Ωｃｍの抵抗調整層が、射出成形で０．５〜１ｍｍの厚みで被覆成形加工される。
【００４５】
５．クリーニング装置の周囲の構成
図２は、代表として１つの画像形成部１０のクリーニング装置１５の周囲の構成を示す。本実施例では、全ての画像形成部１０において、クリーニング装置１５の周囲の構成は実質的に同一である。
【００４６】
クリーニング装置１５は、クリーニング容器１０９と、このクリーニング容器１０９に保持され、感光体１１の表面に当接しているクリーニングブレード１１０と、スクリュー１１１と、を有する。本実施例では、クリーニングブレード１１０は、厚み３ｍｍのウレタンゴムで構成されている。
【００４７】
感光体１１の回転方向において１次転写位置よりも下流側且つ帯電位置よりも上流側の位置に、感光体除電手段（前露光手段）として前露光装置（クリーナ前露光装置、光除電装置）１１２が配設されている。特に、本実施例では、クリーニング装置１５よりも感光体１１の回転方向上流側の位置に配設されている。
【００４８】
尚、感光体除電手段（前露光手段）として、クリーニング装置１５よりも感光体１１の回転方向下流側に、更にクリーナ後露光装置を配置しても良い。
【００４９】
本実施例では、前露光装置１１２は、光源としてのＬＥＤを感光体１１の回転軸方向に整列させたアレイ状光源で構成されている。又、本実施例では、前露光装置１１２は、光源波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍにピークを有し、感光体１１の表面における光量が０．１Ｌｕｘ・ｓｅｃ〜５０Ｌｕｘ・ｓｅｃの範囲で制御可能であり、光源に印加する電圧を調整することで光量を調節できる。
【００５０】
感光体１１は、図示矢印Ｒ１方向に所定の速度（周速）で回転駆動され、前露光装置１１２によってその表面が除電された後、帯電ローラ１２によってその表面が一様に帯電される。そして、感光体１１の表面に像露光装置１３によって画像露光が照射されると、感光体１１の表面には画像情報に対応する静電潜像（静電像）が形成される。
【００５１】
６．感光体
次に、図３をも参照して、感光体１１について更に詳しく説明する。
【００５２】
本実施例で用いた感光体１１は、支持体１１Ａの上に、下引き層１１Ｂ、電荷発生層１１Ｃ、電荷輸送層１１Ｄ、表面層１１Ｅの順で積層構成された有機感光体である。
【００５３】
感光体１１の支持体１１Ａとしては、導電性を示すものであって硬度の測定に影響を与えない範囲内のものであれば、特に制限なく使用することができる。例えば、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、亜鉛及びステンレスなどの金属や合金をドラム状に成形したものなどが使用できる。
【００５４】
下引き層１１Ｂは、感光層の接着性改良、塗工性改良、支持体１１Ａの保護、支持体１１Ａ上の欠陥の被覆、支持体１１Ａからの電荷注入性改良、又は感光層の電気的破壊に対する保護などのために形成される。下引き層１１Ｂの材料としては、ポリビニルアルコール、ポリ−Ｎ−ビニルイミダゾール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、エチレン−アクリル酸共重合体、カゼイン、ポリアミド、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン、共重合ナイロン、にかわ及びゼラチンなどを用いることができる。これらを適当な溶剤に溶解し、支持体１１Ａ上に塗布する。その際、下引き層１１Ｂの膜厚としては、０．１〜２μｍが好ましい。
【００５５】
下引き層１１Ｂの上に感光層を形成する。電荷発生層１１Ｃと電荷輸送層１１Ｄとを機能分離し積層させた積層型感光層を形成する場合には、下引き層１１Ｂ上に電荷発生層１１Ｃ、電荷輸送層１１Ｄの順で積層する。
【００５６】
ここで、電荷発生層１１Ｃに用いる電荷発生物質としては、セレン−テルル、ピリリウム、チアピリリウム系染料、又各種の中心金属及び結晶系、より具体的には例えばα、β、γ、ε及びＸ型などの結晶型を有するフタロシアニン化合物、アントアントロン顔料、ジベンズピレンキノン顔料、ピラントロン顔料、トリスアゾ顔料、ジスアゾ顔料、モノアゾ顔料、インジゴ顔料、キナクリドン顔料、非対称キノシアニン顔料、キノシアニン及び特開昭５４−１４３６４５号公報に記載のアモルファスシリコンなどが挙げられる。本実施例では、高画質を実現するために感度を高くできるフタロシアニン化合物を用いた電荷発生層１１Ｃを用いた。
【００５７】
積層型感光体の場合、電荷発生層１１Ｃは、上記電荷発生物質を０．３〜４倍量の結着樹脂及び溶剤とともにホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ボールミル、サンドミル、アトライター及びロールミルなどの方法を用いて分散させ、該分散液を下引き層１１Ｂ上に塗布し乾燥させることにより形成させるか、又は上記電荷発生物質の単独組成からなる膜を蒸着法などを用いることにより下引き層１１Ｂ上に形成させる。電荷発生層１１Ｃの膜厚は、５μｍ以下であることが好ましく、特に０．１〜２μｍの範囲であることが好ましい。
【００５８】
上記結着樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体及び共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００５９】
本実施例における表面層１１Ｅは、上述した連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を重合或いは架橋させることにより形成することができる。表面層１１Ｅは、電荷発生層１１Ｃ上に電荷輸送層１１Ｄとして形成されているか、若しくは電荷発生層１１Ｃ上に電荷輸送物質と結着樹脂からなる電荷輸送層１１Ｄを形成させた後にその上に保護層として形成されている。いずれの場合も、正孔輸送性化合物を含有する溶液を製膜し、該正孔輸送性化合物を重合或いは架橋し、膜を硬化させることにより表面層１１Ｅを形成することができる。溶液を製膜する方法としては、例えば浸漬コーティング法、スプレイコーティング法、カーテンコーティング法及びスピンコーティング法などの塗布法を用いて行うことができる。中でも効率性／生産性の点から、浸漬コーティング法が好ましい。又、蒸着、プラズマその他の公知の製膜方法も適用できる。
【００６０】
上記重合或いは架橋は、熱や可視光、紫外線などの光、更に放射線などを用いて行うことができる。例えば、上記正孔輸送性化合物及び必要によっては重合開始剤を含有させた表面層用の塗工液を用いて形成した膜に、熱を加えるか光や放射線を照射することにより、表面層１１Ｅを形成することができる。中でも放射線を用いるのがより好ましい。なぜなら放射線による重合は重合開始剤を特に必要としないからである。これにより、非常に高純度な三次元マトリックスの表面層１１Ｅを作製することができ、良好な電子写真特性を示す感光体１１を得ることができる。上記放射線とは電子線又はγ線などである。電子線を照射する場合には、スキャニング型、エレクトロカーテン型、ブロードビーム型、パルス型及びラミナー型などの加速器を用いて行うことができる。ＨＵと弾性変形率との値が特定の範囲にあり、電気特性及び機械的劣化に対する耐久性を向上させた感光体１１を得る上で、電子線の照射条件を考慮することは重要である。例えば、加速電圧は２５０ＫＶ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ＫＶ以下である。又、照射線量は０．１Ｍｒａｄから１００Ｍｒａｄの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５Ｍｒａｄから２０Ｍｒａｄの範囲である。加速電圧が上記を越えると電気特性の劣化が起こる。又、照射線量が上記範囲よりも少ない場合には表面層１１Ｅの硬化が不十分となり、一方照射線量が多い場合には電気特性の劣化が起こる。
【００６１】
更に、表面層１１Ｅをより硬化させるために、電子線による重合反応時に熱を加えるとよい。熱を加えるタイミングとしてはラジカルが存在する間に感光体１１が一定の温度になっていれば良いため、電子線照射前、照射中、照射後、いずれの段階で加熱してもよい。加熱温度は、感光体１１の温度が室温〜２５０℃となるように調整すればよい。より好ましくは５０℃〜１５０℃である。温度が上記範囲よりも高い場合には、感光体１１の材料に劣化が生じるからである。加温する時間は、その温度にもよるが、おおよそ数秒から数十分程度であるとよい。
【００６２】
照射及び加温時の雰囲気は、大気中、窒素及びヘリウムなどの不活性ガス中、真空中のいずれの場合であっても構わない。酸素によるラジカルの失活を抑制することができるという点で、不活性ガス中或いは真空中が好ましい。
【００６３】
上記正孔輸送性化合物を電荷輸送層１１Ｄとして用いた場合の膜厚は、１〜５０μｍが好ましく、特には３〜３０μｍが好ましい。
【００６４】
又、上記正孔輸送性化合物を電荷発生層１１Ｃ／電荷輸送層１１Ｄ上に保護層として用いた場合、その下層に当たる電荷輸送層１１Ｄは次のようにして形成することができる。
【００６５】
適当な電荷輸送物質、例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリスチリルアントラセンなどの複素環や縮合多環芳香族を有する高分子化合物や、ピラゾリン、イミダゾール、オキサゾール、トリアゾール、カルバゾールなどの複素環化合物、トリフェニルメタンなどのトリアリールアルカン誘導体、トリフェニルアミンなどのトリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体、スチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの低分子化合物などを、適当な結着樹脂（上述した電荷発生層の箇所で説明したのと同様な樹脂が適用できる）とともに溶剤に分散／溶解し、該溶液を上述の公知の方法を用いて電荷発生層１１Ｃ上に塗布し乾燥させることにより形成する。この場合の電荷輸送物質と結着樹脂の比率は、両者の全重量を１００とした場合に電荷輸送物質の重量は２０〜１００であることが好ましく、より好ましくは３０〜１００である。電荷輸送物質の量がそれ以下であると、電荷輸送能が低下し、感度低下及び残留電位の上昇などの問題が生ずる。保護層が形成された積層型感光体における電荷輸送層１１Ｄの膜厚は、１〜５０μｍが好ましく、より好ましくは３〜３０μｍである。又、この時の表面層１１Ｅの膜厚は０．５〜１０μｍが好ましく、より好ましくは１〜７μｍである。本実施例では、電荷輸送層１１Ｄは１８μｍ、表面層１１Ｅは５μｍの膜厚の感光体を用いた。
【００６６】
７．転写ポジメモリ抑制制御
（ａ）原理
先ず、本実施例における転写ポジメモリ抑制制御の原理について説明する。
【００６７】
本実施例では、画像形成装置１００は、帯電ローラ１２から感光体１１に流れる直流電流（帯電電流）を検出する帯電電流検出手段としての電流計（検出回路）２０２（図１１）を有する。そして、帯電電圧設定制御として、この電流計２０２を用いて感光体１１の電位の情報を検出して、所定の転写バイアスの設定において転写ポジメモリを発生させることのない帯電バイアスの設定を決定する制御を行う（帯電バイアス下限算出制御）。即ち、帯電バイアスの設定（Ｖｄ設定）を切り替えて感光体１１を帯電処理し、これにより感光体１１の電位の切り替わった領域が、感光体１１と帯電ローラ１２とが対向する帯電位置を通過する際の帯電電流を、電流計２０２により検出する。そして、その検出結果に基づいて、画像形成時における帯電バイアスの設定を制御する。
【００６８】
例えば、上述の帯電バイアス（試験電圧）を切り替えて帯電電流を検出する動作は、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスを少なくとも５段階に変化させて行うことができる。そして、それぞれの帯電電流の差分を算出することで、画像形成時の帯電バイアスの設定を制御することができる。
【００６９】
これにより、本実施例では、画像形成装置１００の環境や感光体１１の劣化状況に応じて、リアルタイムで、転写ポジメモリを消失させるのに必要な帯電バイアスの値を算出し、画像形成時の帯電バイアスを設定することが可能となる。そのため、転写バイアスの設定を変更することにより画像に影響を与えることを防止することが可能となる。従って、転写バイアスの設定を変更した際に発生することのある濃度低下や、画像ボソ、ガサなどを防止することが可能になる。更に、本実施例では、帯電ローラ１２を、感光体１１の電位の情報を検出する手段として用いるので、特別な手段を配置することなく、当該情報を検出することが可能であり、画像形成装置１００の構成の簡易化を図ることができる。
【００７０】
（ｂ）転写ポジメモリ抑制制御の全体シーケンス
次に、本実施例における転写ポジメモリ抑制制御の全体シーケンスについて説明する。
【００７１】
尚、以下の説明では、代表として１つの画像形成部１０における動作を説明するが、本実施例では、全ての画像形成部１０で同じ動作が行われる。典型的には、転写ポジメモリ抑制制御は、全ての画像形成部１０で実質的に同じタイミングで実行されるが、異なるタイミングで実行されてもよい。
【００７２】
又、本実施例では、帯電バイアスの極性は負極性であるが、以下の説明では、帯電バイアスの値に関して「低い」、「下げる」などのその大小関係について言及する場合は、便宜上、その絶対値に注目していうものとする。
【００７３】
図４は、本実施例における転写ポジメモリ抑制制御の全体の流れを示す。図５は、転写ポジメモリ抑制制御で実行される帯電バイアス下限算出制御における帯電ローラ１２、現像装置１４、１次転写ローラ３５へのバイアス印加、像露光装置１３、前露光装置１１２による露光、感光体１１の回転のオン／オフのタイミングを示す。又、図１１は、本実施例の転写ポジメモリ抑制制御の概略制御態様を示す。
【００７４】
図１１に示すように、本実施例では、転写ポジメモリ抑制制御における画像形成装置１００の各部の動作の制御や情報処理は、画像形成装置１００の動作を統括的に制御する制御手段としての制御処理部（制御ユニット）２００が行う。本実施例では、画像形成装置１００は、使用量検知手段として出力枚数（画像形成枚数）をカウントするカウンター（カウンターメモリ）２０３を有する。カウンター２０３は、制御処理部２００に接続されている。又、制御処理部２００には、電流計２０２、帯電電源２０１などが接続されている。
【００７５】
図４を参照して、先ず、画像形成装置１００は、画像形成動作を開始し、画像形成動作を継続している（Ｓ１０１）。制御処理部２００は、画像形成動作中に、カウンター２０３による出力枚数のカウント結果により、帯電バイアス下限算出制御を実行するか否かを判断する（Ｓ１０２）。本実施例では、画像形成動作中でも、所定の出力枚数毎に１回、非画像形成時として画像形成動作を中断して、帯電バイアス下限算出制御を実行する。この帯電バイアス下限算出制御を実行する間隔は、画像形成装置１００の置かれている環境や画像形成装置１００のトータルの出力枚数によって変更することが可能である。通常、出力枚数約５００枚〜５０００枚に１回の制御を行うことが望ましい。本実施例では、画像形成装置１００のトータルの出力枚数に関わらず、１０００枚に１回の制御を行うように設定した。
【００７６】
制御処理部２００は、カウンター２０３によりカウントされた出力枚数が１０００枚に達したと判断すると、帯電バイアス下限算出制御を実行する（Ｓ１０３）。この際、帯電ローラ１２、現像装置１４、１次転写ローラ３５などに印加されるバイアス、並びに、像露光装置１３、前露光装置１１２が一度オフ状態になり、画像形成動作は一度中断される。この時、感光体１１は回転を継続する（図５参照）。
【００７７】
制御処理部２００は、帯電バイアス下限算出制御において、転写ポジメモリが発生しない帯電バイアスの下限値を決定する。即ち、帯電バイアス下限算出制御では、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定を切り替えることにより、感光体１１上に何段かの帯電電位の異なる領域を形成する。そして、帯電電位の異なるそれぞれの領域が再び帯電ローラ１２に到達した際に、それぞれの領域に関して、電流計２０２により帯電電流を検出する。この帯電電流は、それぞれの領域において、帯電ローラ１２の電位（印加電圧の直流成分の値）と、帯電ローラ１２に到達した感光体１１の表面の電位との電位差（帯電コントラスト）によって流れる。この検出された帯電電流から、転写工程後の感光体１１の電位を予測し、転写ポジメモリが発生するか否かを判断する。即ち、電流計２０２を用いて検出した帯電電流の変化に基づいて、どの帯電バイアスの設定において帯電電流が急激に変化したかを検出する。そして、帯電電流が急激に変化した帯電バイアスの設定が、転写ポジメモリ発生が発生し始める帯電バイアスの下限値であるとして決定する。詳しくは後述するように、帯電コントラストは、電流計２０２を用いて検出される帯電位置を通過する際の感光体１１の電位に対応する（図６参照）。
【００７８】
次に、制御処理部２００は、濃度制御を実行する（Ｓ１０４）。濃度制御では、帯電バイアス下限算出制御で決定した帯電バイアスの下限値に帯電バイアスを固定し、画像濃度が所定の値になるように、画像形成条件として像露光装置１３によるレーザー露光量を変更して、画像濃度の調整を行う。
【００７９】
濃度制御における画像濃度の調整方法は、従来一般的に行われているものと同様である。即ち、感光体１１上に形成した複数のパッチ状の静電潜像を現像し、現像したパッチ状のトナー像（パッチトナー像）を中間転写ベルト３１に転写し、そのパッチトナー像の濃度を、濃度センサーによって検出する。但し、本実施例では、この際、帯電バイアスの設定は、帯電バイアス下限算出制御で求められた転写ポジメモリの発生を抑制できる帯電バイアスの下限値に固定し、像露光装置１３により照射するレーザーの光量のみを変更する。このようにして、複数の静電潜像の形成条件を変えた画像濃度検知用の試験画像（基準トナー像）であるパッチ画像を作成し、所定の画像濃度になる静電潜像の形成条件を見つける。そして、画像形成時の像露光装置１３によるレーザー露光量の設定を決定する。
【００８０】
以上で、転写ポジメモリ抑制制御の一連の制御は終了する。Ｓ１０４の濃度制御の終了後は、画像形成動作を再開し、画像形成動作を継続する（Ｓ１０１）。
【００８１】
ここで、図６を参照して、帯電バイアス下限算出制御について更に説明すると、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定を切り替えることにより、感光体１１の電位はそれに応じてリニアに変動する。しかし、１次転写ローラ３５に印加する１次転写バイアスを、転写電流が一定になるように定電流設定にし、その転写電流を固定にした場合は、１次転写部Ｎ１を通過した後の感光体１１の電位は、必ずしもリニアには変動しない。そのため、帯電バイアスが低過ぎると、感光体１１の電位が反転してしまう領域が存在する。
【００８２】
１次転写部Ｎ１を通過した後に感光体１１の電位が反転していない場合は、前露光装置１１２を通過した後の感光体１１の電位は、前露光装置１１２により除電されてほぼ０Ｖに収束する。従って、１次転写部Ｎ１を通過した後に感光体１１の電位が反転していない場合は、前露光装置１１２を通過した後の感光体１１の電位と帯電ローラ１２の電位との電位差（帯電コントラスト）はほぼ一定である。そして、ほぼ同じ帯電電流が帯電ローラ１２から感光体１１へ流れる。
【００８３】
しかし、１次転写部Ｎ１を通過した後に感光体１１の電位が反転している場合は、感光体１１の電位が反転してしまっているため前露光装置１１２によっては除電できず、前露光装置１１２を通過した後の感光体１１の電位は反転したままである。従って、１次転写部Ｎ１を通過した後に感光体１１の電位が反転している場合は、前露光装置１１２を通過した後の感光体１１の電位と帯電ローラ１２の電位との電位差（帯電コントラスト）は、上記感光体１１の電位が反転していない状態とは異なる。即ち、感光体１１の電位が反転している場合は、反転していない場合よりも多くの帯電電流が帯電ローラ１２から感光体１１へ流れる。
【００８４】
そこで、本実施例では、感光体１１の電位が反転しているか否かを判断するために、帯電ローラ１２から感光体１１へ流れる帯電電流の変化を、帯電バイアスの設定を切り替えながら検出し、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの下限値を見つける制御を行う。これが帯電バイアス下限算出制御である。
【００８５】
図１４は、帯電ローラ１２から感光体１１へ流れる帯電電流と帯電バイアスの設定との関係を示す。帯電バイアスを下げていくことによって、ある帯電バイアスの設定で、１次転写部Ｎ１を通過した後の感光体１１の電位が帯電バイアスの極性とは逆の電位に反転してしまう（転写ポジメモリ）。一般的には、感光体１１の電位が反転していない場合は、前露光装置１１２によって感光体１１の電位が除電されるため、前露光装置１１２を通過した後の感光体の電位はほぼ０Ｖに収束する。従って、この場合、帯電位置を通過する際の帯電電流にはほとんど差が出ない。しかし、感光体１１の電位が反転してしまった場合は、前露光装置１１２を通過しても感光体の電位は除電しきれないため、帯電位置を通過する際の帯電電流は急激に増加する。この急激な帯電電流の変化を検出することによって、転写ポジメモリが発生する帯電バイアスの設定の下限値を検出することが可能である。
【００８６】
（ｃ）濃度センサー
次に、濃度制御に用いられる濃度センサーについて説明する。
【００８７】
図１２に示すように、転写材Ｐの搬送方向において２次転写ローラ３６と案内部材２９との間に濃度センサー７７が配置されている。濃度センサー７７は検知部１２０を有し、検知部１２０の検知面１２０Ａは中間転写ベルト３１に対向する側（正面側）に露出している。又、濃度センサー７７は、転写材Ｐの搬送方向において２次転写ローラ３６の上流側近傍に配置されている。
【００８８】
検知部１２０は、検知面１２０Ａから検知光Ｓを照射する。検知光Ｓは、中間転写ベルト３１に向けて出射され、その反射光Ｈが検知部１２０で受光される。濃度センサー７７は、反射光Ｈの光量を測定することが可能である。
【００８９】
反射光Ｈは、中間転写ベルト３１により反射された反射光と、中間転写ベルト３１に形成されたパッチトナー像により反射された反射光とで、各々光量が異なる。又、パッチトナー像により反射された反射光は、パッチトナー像の濃度に応じて光量が変化する。
【００９０】
濃度センサー７７が反射光Ｈの光量を測定した測定結果は、制御処理部２００に送られる。制御処理部２００は、反射光Ｈの光量の測定結果により、中間転写ベルト３１により反射された反射光であるか、中間転写ベルト３１に形成されたパッチトナー像により反射された反射光であるかを区別する。又、制御処理部２００は、パッチトナー像の濃度を、パッチトナー像により反射された反射光の光量によって測定する。
【００９１】
一般的には、制御処理部２００は、測定されたパッチトナー像の濃度に応じて帯電バイアス、像露光装置１３の露光量、現像バイアスなどを制御し、中間転写ベルト３１上の画像濃度を調整することができる。しかし、本実施例では、転写ポジメモリの発生を抑制するため、画像濃度を調整する際に帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスは、帯電バイアス下限算出制御で決定した帯電バイアスの下限値に固定する。そして、像露光装置１３の露光量を変更することによって、画像濃度を調整する。
【００９２】
尚、例えば、図１３に示すように、濃度センサー７７の清掃機構を設けることができる。濃度センサー７７は、検知光Ｓを照射する光源及び反射光Ｈを受光するセンサーなどを有する検知部１２０が、筐体３００の内部に固定される。検知光Ｓ及び反射光Ｈが透光する面が検知面１２０Ａである。そして、板状のシャッター３１０が、回動軸３１２を中心に回動自在に筐体３００に取り付けられている。シャッター３１０は、図示しない駆動機構によって回動し、検知部１２０の検知面１２０Ａを開閉する。シャッター３１０の下面には、検知部１２０の検知面１２０Ａに対応する部分に、フェルトなどからなる清掃部材３１４が張り付けられている。又、清掃部材３１４は検知面１２０Ａの全面に接触している。従って、シャッター３１０が閉じられているときは、検知面１２０Ａの全面が清掃部材３１４で覆われて露出してない。又、シャッター３１０には、シャッター３１０の開放方向に張出部３１０Ａが形成されている。制御処理部２００の制御により、中間転写ベルト３１に形成されたパッチトナー像の濃度を測定する場合、シャッター３１０を開き、検知面１２０Ａを露出させる。そして、検知面１２０Ａから中間転写ベルト３１に向けて検知光Ｓを出射し、反射光Ｈを受光する。又、測定及び検知が終了すると、シャッター３１０を閉じる。シャッター３１０の開閉動作に伴い、清掃部材３１４が検知面１２０Ａを摺接し、検知面１２０Ａを清掃する。
【００９３】
（ｄ）帯電バイアス下限算出制御
次に、本実施例の転写ポジメモリ抑制制御における帯電バイアス下限算出制御について更に詳しく説明する。図７は、本実施例における帯電バイアス下限算出制御の流れを示す。
【００９４】
先ず、制御処理部２００は、カウンター２０３による出力枚数のカウント結果が所定カウント枚数に達すると、帯電バイアス下限算出制御を実行する。この際、制御処理部２００は、帯電ローラ１２、現像装置１４、１次転写ローラ３５などに印加されるバイアス、並びに、像露光装置１３、前露光装置１１２を一度オフ状態とし、画像形成動作を一度中断する。この時、感光体１１の回転は継続する（Ｓ２０１）。
【００９５】
その後、制御処理部２００は、帯電ローラ１２に所定の初期帯電バイアス（帯電電位）Ｖｄ−ｉｎｔを印加させる。本実施例では、この初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔは、当該制御の直前まで設定していた帯電バイアスの設定とした。但し、この初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔは、当該制御の初期設定となるだけのものなので、自由に設定することができる。又、制御処理部２００は、この際、１次転写ローラ３５にも、当該制御の直前まで設定していた１次転写バイアスの設定で、１次転写バイアスを印加させる。又、制御処理部２００は、前露光装置１１２もオンにし、感光体１１が除電されている状態にする。そして、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔの印加時に帯電位置を通過した感光体１１の表面が１次転写部Ｎ１を通過し、前露光装置１１２を通過し、再び帯電位置に戻ってくる。このタイミングで、帯電ローラ１２と感光体１１との間に流れる初期帯電電流Ｉｄｃ−ｉｎｔを、電流計２０２を用いて検出する（Ｓ２０２）。
【００９６】
次に、制御処理部２００は、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定を、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔより１０Ｖ低いＶｄ−ｉｎｔ−１０に設定する（Ｓ２０３）。そして、Ｓ２０２の動作と同様の動作により、帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔ−１０の印加時の感光体１１の表面に対し、帯電ローラ１２と感光体１１との間に流れる帯電電流Ｉｄｃを、電流計２０２を用いて検出する（Ｓ２０４）。但し、この際、帯電ローラ１２と感光体との間に流れる帯電電流Ｉｄｃを測定する間は、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定は、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔに戻される。これは、検出条件を全て一定に保つためである。
【００９７】
次に、制御処理部２００は、Ｓ２０２〜Ｓ２０４の動作で検出した初期帯電電流Ｉｄｃ−ｉｎｔと帯電電流Ｉｄｃとから、その差分であるΔＩｄｃ＝Ｉｄｃ−Ｉｄｃ−ｉｎｔを算出する（Ｓ２０５）。制御処理部２００は、算出結果を、記憶手段として制御処理部２００が備える記憶部に記憶させる。
【００９８】
次に、制御処理部２００は、ΔＩｄｃ＜２μＡを満たすか否かを判断する（Ｓ２０６）。制御処理部２００は、Ｓ２０６の判断においてΔＩｄｃ≧２μＡである場合には、既にＶｄ−ｉｎｔ−１０で転写ポジメモリが発生していると判定し、帯電バイアスの設定の下限値はＶｄ−ｉｎｔであると制御処理部２００の記憶部に記憶させる（Ｓ２０７）。制御処理部２００は、濃度制御を実行する際に、帯電バイアスの設定の下限値は記憶部に記憶されているＶｄ−ｉｎｔであると判断する。これにより、帯電バイアスをＶｄ−ｉｎｔ以下には下げないような範囲で濃度調整を行う。
【００９９】
一方、制御処理部２００は、Ｓ２０６の判断においてΔＩｄｃ＜２μＡである場合には、帯電バイアスの設定を、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０より更に１０Ｖ下げ、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×２に設定し（Ｓ２０８）、Ｓ２０４と同様の動作を行う（Ｓ２０９）。この際、Ｓ２０４と同様に、帯電ローラ１２と感光体との間に流れる帯電電流Ｉｄｃ’を測定する間は、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定は、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔに戻される。次に、制御処理部２００は、Ｓ２０５と同様に、初期帯電電流Ｉｄｃ−ｉｎｔと帯電電流Ｉｄｃ’とから、その差分であるΔＩｄｃ’＝Ｉｄｃ’−Ｉｄｃ−ｉｎｔを算出する（Ｓ２１０）。制御処理部２００は、算出結果を、制御処理部２００の記憶部に記憶する。次に、制御処理部２００は、Ｓ２０６と同様に、ΔＩｄｃ’＜２μＡを満たすか否かを判断する（Ｓ２１１）。制御処理部２００は、Ｓ２１１の判断にてΔＩｄｃ’≧２μＡである場合には、既にＶｄ−ｉｎｔ−１０×２で転写ポジメモリが発生していると判定し、帯電バイアスの設定の下限値はＶｄ−ｉｎｔ−１０であると制御処理部２００の記憶部に記憶させる（Ｓ２１２）。制御処理部２００は、濃度制御を実行する際に、帯電バイアスの設定の下限値は記憶部に記憶されているＶｄ−ｉｎｔ−１０であると判断する。一方、制御処理部２００は、Ｓ２１１の判断においてΔＩｄｃ’＜２μＡである場合には、帯電バイアスの設定を、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×２より更に１０Ｖ下げ、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×３に設定して、引き続き上記と同様の動作を行う。
【０１００】
以後、制御処理部２００は、上述のような帯電バイアスの設定を変更して電流計２０２で帯電電流を測定する動作を、算出した差分ΔＩｄｃがΔＩｄｃ≧２μＡとなるまで繰り返す。制御処理部２００は、ΔＩｄｃ≧２μＡとなった時点で、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの設定の下限値を、制御処理部２００の記憶部に記憶させる（Ｓ２１３、Ｓ２１４、Ｓ２１５、Ｓ２１６、Ｓ２１７）。即ち、図１８に示すように、制御処理部２００は、帯電バイアスの設定を変更して電流計２０２で帯電電流を測定する動作を、算出した差分ΔＩｄｃがΔＩｄｃ≧２μＡとなるまでｎ回（ｎは１以上の自然数）繰り返す。制御処理部２００は、ｎ回目にΔＩｄｃ≧２μＡとなった時点で、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの設定の下限値Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×（ｎ−１）を、制御処理部２００の記憶部に記憶させる。制御処理部２００は、濃度制御を実行する際に、帯電バイアスの設定の下限値は記憶部に記憶されているＶｄ−ｉｎｔ−１０×（ｎ−１）であると判断する。
【０１０１】
このように、本実施例では、帯電バイアス下限算出制御において、帯電ローラ１２に印加する直流電圧の絶対値を段階的に低くしていく。そして、当初の直流電圧の値に対応して検出された電流の値と各変更後の直流電圧の値に対応して検出された電流の値との差を算出する。その結果、その算出した値が所定の値以上となった場合に、その変更の直前に帯電ローラ１２に印加していた直流電圧の値を、画像形成時に帯電電源２０１により帯電ローラ１２に印加する直流電圧の設定とする。
【０１０２】
尚、本実施例では、帯電バイアスの設定を１０Ｖずつ下げていったが、画像形成装置１００の設定や制御時間などを考えて、自由に変更することが可能である。
【０１０３】
又、本実施例では、転写ポジメモリの発生する領域まで帯電バイアスの設定を下げていったが、帯電バイアスの実使用範囲でない設定まで下げる必要はない。実使用範囲の帯電バイアスの設定で転写ポジメモリが発生しなければ、それ以下の帯電バイアスの設定については制御を省いても良い。本実施例では、画像流れ、感光体の削れを抑制するなどの観点から、帯電バイアスを極力下げて設定するために、帯電バイアスの設定を転写ポジメモリが発生する領域まで下げていった。
【０１０４】
又、本実施例では、帯電バイアスを１段階で１０Ｖ下げ、ΔＩｄｃを算出し、転写ポジメモリが発生するか否かを判断して、再度帯電バイアスの設定を下げるという制御を行った。しかし、生産性などの観点から、図８に示すように、予め帯電バイアスの設定を何段階かに切り替えて、感光体上に何パターンかの電位領域を形成することができる。そして、それらの電位領域が帯電位置を通過する際に、帯電ローラ１２と感光体との間に流れる帯電電流Ｉｄｃ、Ｉｄｃ’、Ｉｄｃ’’を一括して連続的に測定する。この場合、制御処理部２００は、ΔＩｄｃ、ΔＩｄｃ’、ΔＩｄｃ’’を一括して算出して、転写ポジメモリが発生する帯電バイアスの設定を判断することができる。
【０１０５】
又、本実施例では、非画像形成時として、連続画像形成動作中に、一度画像形成動作を中断して帯電バイアス下限算出制御を行った。しかし、帯電バイアス下限算出制御は、非画像形成時として、画像形成装置１００の電源をオンとした後の準備動作時、画像形成動作の前の準備動作時（前回転動作時）、画像形成動作の後の整理動作時（後回転動作時）などに行っても良い。即ち、帯電バイアス下限算出制御は、転写材に転写して出力する画像を所定の数だけ形成する毎に、画像形成動作を行っていない時又は連続画像形成中に画像形成動作を中断して行うことができる。
【０１０６】
又、帯電バイアスの設定の下限値を決定した後、画像形成動作に移っても良い。但し、本実施例では、帯電バイアス下限算出制御において帯電バイアスの設定の下限値を検出した後、直ぐに濃度制御に移行する。
【０１０７】
（ｅ）濃度制御
次に、本実施例の転写ポジメモリ抑制制御における濃度制御について更に詳しく説明する。図９は、本実施例における濃度制御の流れを示す。又、図１０は、濃度制御における帯電ローラ１２、現像装置１４、１次転写ローラ３５へのバイアス印加、像露光装置１３、前露光装置１１２による露光、感光体１１の回転のオン／オフのタイミングを示す。
【０１０８】
前述のように、本実施例における濃度制御は、一般的な濃度制御と同様であるが、帯電バイアスを帯電バイアス下限算出制御で算出した下限値に設定して行う。
【０１０９】
先ず、制御処理部２００は、帯電バイアス下限算出制御が終了すると、帯電ローラ１２、現像装置１４、１次転写ローラ３５などに印加されるバイアス、並びに、像露光装置１３、前露光装置１１２を一度オフ状態とし、画像形成動作を一度中断する。この時、感光体１１の回転は継続する（Ｓ３０１）。
【０１１０】
次に、制御処理部２００は、帯電バイアス下限算出制御で決定された下限値に帯電バイアスを設定し、感光体１１の帯電動作を行わせる（Ｓ３０２）。
【０１１１】
次に、制御処理部２００は、中間転写ベルト３１上にパッチトナー像を形成するために、現像装置１４を駆動させ、所定の現像バイアスを印加させ、１次転写ローラ３５に所定の転写バイアスを印加させる。本実施例では、転写ポジメモリの発生条件を帯電バイアス下限算出制御時に合わせるため、転写電流を一定にする定電流制御を行う。但し、転写電圧を一定に保つ定電圧制御回路であっても良い。そして、制御処理部２００は、前露光装置１１２による感光体１１の除電動作を行わせた状態で、像露光装置１３の露光量（レーザー光量）を５段階に振って、パッチトナー像を形成させる（Ｓ３０３）。
【０１１２】
各感光体１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄに各色毎に５段階の濃度で形成されたパッチトナー像は、全て中間転写ベルト３１に転写される。そして、この各色のパッチトナー像の濃度が、濃度センサー７７によって測定される（Ｓ３０４）。制御処理部２００は、像露光装置１３のレーザー光量とパッチトナー像の濃度のとの関係を算出し、所定の濃度とするためのレーザー光量を決定する（Ｓ３０５）。
【０１１３】
以後、制御処理部２００は、画像形成条件として、像露光装置１３のレーザー光量を、Ｓ３０５で決定したレーザー光量に固定し、又帯電バイアスの設定を帯電バイアス下限算出制御で決定した帯電バイアスの設定にして、画像形成動作を行わせる（Ｓ３０６）。
【０１１４】
Ｓ３０６で画像形成条件を決定した後に、濃度制御は終了し、再び通常の画像形成動作へ戻る。
【０１１５】
尚、本実施例では、像露光装置１３のレーザー光量を比較的大きく５段階に振り、パッチトナー像を各色毎に５個ずつ形成することによって、像露光装置１３のレーザー光量の適正値を算出した。しかし、像露光装置１３のレーザー光量のターゲットのおおよその予想が可能な場合は、ターゲットのレーザー光量付近で細かくレーザー光量を振って、レーザー光量の算出の精度を上げることができる。図１５は、本実施例で用いたパッチトナー像の濃度と像露光装置１３のレーザー光量との関係を示す。パッチトナー像の濃度と像露光装置１３のレーザー光量とは必ずしも比例関係ではないため、本実施例では、所定のレーザー光量に対応するサンプリング間隔において線形補間して、所定のレーザー光量を決定した。本実施例では、一度に５段階に像露光装置１３のレーザー光量を振り、一度のパッチトナー像の形成動作により濃度制御を行った。しかし、より濃度制御の精度を上げるために、例えば、次のような制御を行っても良い。即ち、１回目は比較的大きく像露光装置１３のレーザー光量を振ってパッチトナー像を形成して所定の濃度が得られるレーザー光量のおおよその予測をする。そして、もう一度パッチトナー像を形成して、レーザー光量の詳細な設定を決める。
【０１１６】
又、本実施例では、帯電バイアス下限算出制御の後に続けて濃度制御を行ったが、これらの動作は必ずしも連動している必要はない。帯電バイアス下限算出制御は、転写ポジメモリが発生する帯電バイアスの設定の下限値を見つける制御であって、濃度制御は当該下限値に応じた帯電バイアスの設定で出力画像の濃度制御を行うものである。つまり、帯電バイアス下限算出制御で検出した帯電バイアスの設定の下限値を制御処理部２００の記憶部に記憶しておき、次に必要な段階において濃度制御を行っても良い。
【０１１７】
以上、本実施例によれば、転写工程後の感光体の電位の変化によって発生する転写ポジメモリを、本来の画像に影響する転写バイアスの設定を変化させることなく抑制する。即ち、本来の画像に影響する転写バイアスの設定を変化させるのではなく、あくまで現状の転写バイアスの設定において、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの設定条件を簡易な方法で見極める。そして、このような帯電バイアスの設定において画像形成を行うことで、本来の画像に影響を与えることなく、転写ポジメモリの発生を抑制することができる。又、本実施例によれば、特別な感光体除電手段を必要としないので、安価で、省スペース化が図れる方法で、転写ポジメモリの発生を抑制することができる。従って、本実施例によれば、転写効率を維持しつつ、簡易な構成で、転写ポジメモリを抑制することができる。
【０１１８】
実施例２
次に、本発明に係る他の実施例について説明する。本実施例の画像形成装置の基本的な構成及び動作は実施例１のものと同じである。従って、実施例１の画像形成装置のものと同一又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【０１１９】
本実施例では、非画像形成時として、実施例１のように画像形成動作を一度中断して帯電バイアス下限算出制御を行うのではなく、画像形成動作中の紙間（非画像形成領域）を利用して帯電バイアス下限算出制御を行う。
【０１２０】
（ａ）帯電バイアス下限算出制御
本実施例の転写ポジメモリ抑制制御における帯電バイアス下限算出制御について説明する。図１６は、本実施例における帯電バイアス下限算出制御の流れを示す。図１７は、帯電バイアス下限算出制御における帯電ローラ１２、現像装置１４、１次転写ローラ３５へのバイアス印加、像露光装置１３、前露光装置１１２による露光、感光体１１の回転のオン／オフのタイミングを示す。
【０１２１】
先ず、制御処理部２００は、装置本体の操作部（図示せず）において画像形成動作の開始ボタンが押されると、通常の画像形成動作を開始させる。
【０１２２】
そして、制御処理部２００は、帯電バイアス下限算出制御を開始すると、連続画像形成中に、転写材Ｐと転写材Ｐとの間に対応する非画像形成領域、所謂、紙間において、現在の画像形成条件の設定で初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔを帯電ローラ１２に印加させる。この際、制御処理部２００は、１次転写ローラ３５にも、現在の画像形成条件の設定で１次転写バイアスを印加させる。又、制御処理部２００は、前露光装置１１２もオンにし、感光体１１が除電されている状態にする。そして、紙間部分に対応する、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔの印加時に帯電位置を通過した感光体１１の表面が１次転写部Ｎ１を通過し、前露光装置１１２を通過し、再び帯電位置に戻ってくる。このタイミングで、帯電ローラ１２と感光体１１との間に流れる初期帯電電流Ｉｄｃ−ｉｎｔを、電流計２０２を用いて検出する（Ｓ４０１）。
【０１２３】
次に、制御処理部２００は、上記初期帯電電流を測定した紙間の次の紙間に対応する感光体１１の表面に対し、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定を、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔより１０Ｖ低いＶｄ−ｉｎｔ−１０に設定する（Ｓ４０２）。そして、Ｓ４０１の動作と同様の動作により、帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔ−１０の印加時の感光体１１の表面に対し、帯電ローラ１２と感光体１１との間に流れる帯電電流Ｉｄｃを、電流計２０２を用いて検出する（Ｓ４０３）。但し、この際、帯電ローラ１２と感光体との間に流れる帯電電流Ｉｄｃを測定する間は、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定は、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔに戻される。これは、検出条件を全て一定に保つためである。
【０１２４】
次に、制御処理部２００は、Ｓ４０１〜Ｓ４０３の動作で検出した初期帯電電流Ｉｄｃ−ｉｎｔと帯電電流Ｉｄｃとから、その差分であるΔＩｄｃ＝Ｉｄｃ−Ｉｄｃ−ｉｎｔを算出する（Ｓ４０４）。制御処理部２００は、算出結果を、記憶手段として制御処理部２００が備える記憶部に記憶させる。
【０１２５】
次に、制御処理部２００は、ΔＩｄｃ＜２μＡを満たすか否かを判断する（Ｓ４０５）。制御処理部２００は、Ｓ４０５の判断においてΔＩｄｃ≧２μＡである場合には、既にＶｄ−ｉｎｔ−１０で転写ポジメモリが発生していると判定し、帯電バイアスの設定の下限値はＶｄ−ｉｎｔであると制御処理部２００の記憶部に記憶させる（Ｓ４０６）。制御処理部２００は、濃度制御を実行する際に、帯電バイアスの設定の下限値は記憶部に記憶されているＶｄ−ｉｎｔであると判断する。これにより、帯電バイアスをＶｄ−ｉｎｔ以下には下げないような範囲で濃度調整を行う。
【０１２６】
一方、制御処理部２００は、Ｓ４０５の判断においてΔＩｄｃ＜２μＡである場合には、帯電バイアスの設定を、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０より更に１０Ｖ下げ、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×２に設定し（Ｓ４０７）、Ｓ４０３と同様の動作を行う（Ｓ４０８）。この際、Ｓ４０３と同様に、帯電ローラ１２と感光体との間に流れる帯電電流Ｉｄｃ’を測定する間は、帯電ローラ１２に印加する帯電バイアスの設定は、初期帯電バイアスＶｄ−ｉｎｔに戻される。次に、制御処理部２００は、Ｓ４０４と同様に、初期帯電電流Ｉｄｃ−ｉｎｔと帯電電流Ｉｄｃ’とから、その差分であるΔＩｄｃ’＝Ｉｄｃ’−Ｉｄｃ−ｉｎｔを算出する（Ｓ４０９）。制御処理部２００は、算出結果を、制御処理部２００の記憶部に記憶する。次に、制御処理部２００は、Ｓ４０５と同様に、ΔＩｄｃ’＜２μＡを満たすか否かを判断する（Ｓ４１０）。制御処理部２００は、Ｓ４１０の判断にてΔＩｄｃ’≧２μＡである場合には、既にＶｄ−ｉｎｔ−１０×２で転写ポジメモリが発生していると判定し、帯電バイアスの設定の下限値はＶｄ−ｉｎｔ−１０であると制御処理部２００の記憶部に記憶させる（Ｓ４１１）。制御処理部２００は、濃度制御を実行する際に、帯電バイアスの設定の下限値は記憶部に記憶されているＶｄ−ｉｎｔ−１０であると判断する。一方、制御処理部２００は、Ｓ４１０の判断においてΔＩｄｃ’＜２μＡである場合には、帯電バイアスの設定を、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×２より更に１０Ｖ下げ、Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×３に設定して、引き続き上記と同様の動作を行う。
【０１２７】
以後、制御処理部２００は、上述のような帯電バイアスの設定を変更して電流計２０２で帯電電流を測定する動作を、算出した差分ΔＩｄｃがΔＩｄｃ≧２μＡとなるまで繰り返す。制御処理部２００は、ΔＩｄｃ≧２μＡとなった時点で、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの設定の下限値を、制御処理部２００の記憶部に記憶させる（Ｓ４１２、Ｓ４１３、Ｓ４１４、Ｓ４１５、Ｓ４１６）。即ち、制御処理部２００は、帯電バイアスの設定を変更して電流計２０２で帯電電流を測定する動作を、算出した差分ΔＩｄｃがΔＩｄｃ≧２μＡとなるまでｎ回（ｎは１以上の自然数）繰り返す。制御処理部２００は、ｎ回目にΔＩｄｃ≧２μＡとなった時点で、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの設定の下限値Ｖｄ−ｉｎｔ−１０×（ｎ−１）を、制御処理部２００の記憶部に記憶させる。制御処理部２００は、濃度制御を実行する際に、帯電バイアスの設定の下限値は記憶部に記憶されているＶｄ−ｉｎｔ−１０×（ｎ−１）であると判断する（図１８参照）。
【０１２８】
尚、本実施例では、帯電バイアスの設定を１０Ｖずつ下げていったが、画像形成装置１００の設定や制御時間などを考えて、自由に変更することが可能である。
【０１２９】
又、本実施例では、転写ポジメモリの発生する領域まで帯電バイアスの設定を下げていったが、帯電バイアスの実使用範囲でない設定まで下げる必要はない。実使用範囲の帯電バイアスの設定で転写ポジメモリが発生しなければ、それ以下の帯電バイアスの設定については制御を省いても良い。本実施例では、画像流れ、感光体の削れを抑制するなどの観点から、帯電バイアスを極力下げて設定するために、帯電バイアスの設定を転写ポジメモリが発生する領域まで下げていった。
【０１３０】
又、本実施例では、全ての紙間において、帯電バイアスを切り替え、帯電ローラ１２と感光体１１との間に流れる帯電電流を測定した。しかし、濃度制御に移行するまでに、転写ポジメモリの発生する帯電バイアスの設定の下限値が算出できれば問題ない。そのため、出力枚数の何枚かに１回の紙間だけで帯電電流を測定するようにしてもよい。例えば、出力枚数の１０００枚に１回の頻度で濃度制御を実行するような画像形成装置１００であれば、出力枚数の５０枚毎に１回の紙間で、帯電バイアス下限算出制御を行うようにしてもよい。又、通常の紙間で充分に帯電ローラ１２と感光体１１との間に流れる帯電電流を測定することができない場合は、帯電電流の測定を行う際には紙間を少し広げ、その間に帯電電流の測定を行っても良い。即ち、帯電バイアス下限算出制御は、複数の転写材に転写して出力する複数の画像を連続して形成している間に行うことができる。そして、当該制御において、電流計２０２による電流の検出は、異なる転写材間の期間に対応する感光体１１の領域を、各値の直流電圧の印加によりそれぞれ帯電処理することで行うことができる。
【０１３１】
又、帯電バイアスの設定の下限値を決定した後、画像形成動作に移っても良い。但し、本実施例では、帯電バイアス下限算出制御において帯電バイアスの設定の下限値を検出した後、直ぐに濃度制御に移行する。
【０１３２】
（ｂ）濃度制御
本実施例の転写ポジメモリ抑制制御における濃度制御は、実施例１と同じである。
【０１３３】
以上、本実施例によれば、実施例１と同様に、転写効率を維持しつつ、簡易な構成で、転写ポジメモリを抑制することができる。
【符号の説明】
【０１３４】
１１          感光体
１２          帯電ローラ
１３          露光装置
１４          現像装置
１５          クリーニング装置
３１          中間転写ベルト
７７          濃度センサー
１００        画像形成装置
２００        制御処理部
２０１        帯電電源
２０２        電流計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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