(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハなどのようなターゲット上に、イメージまたはイメージ・パターンを投影するためのリソグラフィ・システムであって、
前記イメージまたはイメージ・パターンの投影によりターゲットの中に蓄積されたエネルギーが、前記ターゲットの局所的なおよび／または全体的な加熱による膨張が予め規定された適切な値に制限されるように、前記ターゲットから除去され、
そのような熱の除去が、熱吸収材料の、固体から液体への相遷移の使用により実現され、この熱吸収材料は、この熱吸収材料を含む支持構造により前記ターゲットと熱的な接触状態にされ、
前記支持構造は、上面側を有し、この上面側は、前記ターゲットを支持するバールを含んでおり、
前記ターゲットを処理する目的で、相を維持する液体またはペーストが前記上面側とターゲットの間に供給されること
を特徴とするリソグラフィ・システム。
【請求項２】
下記特徴を有する請求項１に記載のシステム：
前記バールは、前記支持構造の少なくとも一部に組み込まれている。
【請求項３】
下記特徴を有する請求項１ないし２の何れか１項に記載のシステム：
上面図で見たとき、バールで作られた表面積のパーセンテージは、１％または約１％である。
【請求項４】
下記特徴を有する請求項１ないし３の何れか１項に記載のシステム：
前記熱吸収材料は、室温で相転移を生ずる。
【請求項５】
下記特徴を有する請求項１ないし４の何れか１項に記載のシステム：
前記支持構造は、フレーム構造を有し、且つ、
前記熱吸収材料は、前記ターゲットと熱的な接触状態にされるフレーム構造の中に含まれている。
【請求項６】
下記特徴を有する請求項５に記載のシステム：
前記支持構造は、内部のグリッド構造を有している。
【請求項７】
下記特徴を有する請求項１ないし６の何れか１項に記載のシステム：
前記支持構造は、平坦な基準面をもたらす底部レイヤを有している。
【請求項８】
下記特徴を有する請求項１から９の何れか１項に記載のシステム：
前記支持構造は、シリコンウエハを有している。
【請求項９】
下記特徴を有する請求項１ないし８の何れか１項に記載のシステム：
前記支持構造は、トップ・レイヤを有し、
このトップ・レイヤは、電気的に絶縁性のレイヤである。
【請求項１０】
下記特徴を有する請求項７及び９に記載のシステム：
前記トップ・レイヤは、前記平坦な基準面に対して平行に配置されている。
【請求項１１】
下記特徴を有する請求項１ないし１０の何れか１項に記載のシステム：
前記熱吸収材料は、前記リソグラフィ・システムの運転温度に対応する温度で、相遷移を生ずる。
【請求項１２】
リソグラフィ・システムの中で、支持構造の上面にターゲットを配置することにより、ターゲットの温度を安定化する方法であって、 
前記支持構造には、固体から液体への相遷移を用いて、ターゲットから熱を除去することにより、ターゲットの温度を安定化させる熱吸収材料が備えられ、
この熱吸収材料は、前記ターゲットと熱的な接触状態にされ、
相を維持する流体またはペーストが、前記支持構造の上面側と前記ターゲットとの間に供給されること
を特徴とする方法。
【請求項１３】
下記特徴を有する請求項１２に記載の方法：
前記支持構造の上面側は、前記ターゲットを支持するバールを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハなどのようなターゲット表面上に、イメージ・パターンを投影するためのリソグラフィ・システムに係る。
【背景技術】
【０００２】
そのようなシステムは、例えばマスク・ライターの形態で、または、WO 2004 038509 におけるようなリソグラフィの形態で、一般的に知られている。後者のシステムにより示されるこれらの例において、パターンが付与されるターゲットに、フォトン、またはイオン及び電子などのような荷電粒子が照射される。そのような粒子またはフォトンのエネルギー負荷のために、それらを引き出すまたは放出するやり方に起因して、ターゲットが少なくとも局所的に加熱される。そのような加熱は、本発明の一部として展開された洞察によれば、その処理による影響下で、ターゲットの膨張が予め規定された値を超えた場合に問題となる。一般的に認められているところによれば、高いスループットを求めて絶えず継続中の今日の開発において、加熱が問題となる。
【０００３】
本発明の根底にある一般的なアイディアとして、熱の増大及び処理されるターゲットからの除去は、全ての種類のリソグラフィにおいて問題となることが理解される。これは、例えば、絶えず減少するノードのサイズ、および／または、より厳しいオーバーレイの規定のためであり、そしてまた、今日出現しつつある、真空タイプのリソグラフィにおいても、問題となる。
【０００４】
かくして、正確さ及び小型化を追求する今日の開発に際して、全てのタイプのリソグラフィが、熱の誘発の問題を取り扱うことになる。その例は、従来のリソグラフィのような、マスクに基づくものや、あるいは、“Scalpel”のような、マスクに基づく電子ビーム・リソグラフィなどである。そのような熱の誘発は、ターゲットの温度の不安定性をもたらす場合があり、実際に、ウエハなどのようなターゲットの膨張の不安定性をもたらす。これに関して、留意すべきことは、ターゲット上へのパターンの転写のやり方に関係なく、正確さ、特にウエハの中のオーバーレイのアスペクトに関する正確さが、そのようなパターンの解像度の増大に伴い、より一層クリティカルになることである。
【０００５】
パターニングの正確さのコントロールにおける重要な問題は、露光の間、ターゲットの温度安定性をコントロールすることである。それ故に、処理されるウエハからの熱放散の、迅速で且つ適切なやり方を実現することは、従来のまたは他のマスクに基づくリソグラフィ、及びマスクレス・リソグラフィの双方において、重要なアスペクトである。
【０００６】
また、処理中のウエハからの熱の除去に関するソリューションを見出すことを、リソグラフィに対して促している他の事情は、リソグラフィの現行の方法に見出され、そのリソグラフィは、仕様についての要求の増大に伴い、現在の大気中でのターゲットの処理から、ターゲットのＥＵＶ処理で予想されることがあるように、その真空処理の方へ切り替わりつつある。そのような遷移が意味するところは、今日知られている熱伝達の方法は、最早、適用されることが可能ではなく、熱伝達の新しい方法が要求されている、と言うことである。
【０００７】
一般的に、次のように言うことが可能である：即ち、ウエハまたはそれと同様なターゲットへの熱の誘発より、ターゲットが膨張し、それが、例えば前記ターゲット上のダイの実際の位置及び寸法と予想された位置及び寸法の間の差をもたらし、それが、ターゲット上での露光パターンの誤差をもたらすことになる。
【０００８】
しかしながら、ここで留意すべきことは、スループットとは別に、クリティカルな寸法もまた、ショット・ノイズとの間の関係を介して、ターゲットの温度安定性に影響を与えると言うことであり：要求されるクリティカルな寸法が小さくなるに伴い、ドーズが大きくなる。
【０００９】
例えば、予め規定された範囲内での、パターンの正確な位置決めは、通常、ターゲットが、恐らくは異なるタイプのリソグラフィ装置により処理される様々なステージを考慮すれば、非常に重要である。これに関する主要なソリューションは、ウエハから熱を取り除いて、それにより膨張を制限し、少なくとも、位置決め誤差の大きさをコントロールすることである。しかしながら、熱の除去の既知のプラクティスは、今日の及び将来の直接描画及び他のリソグラフィ・システムで発生する熱を除去するために、不十分であるように見える。それは、例えば、マスクレス電子ビーム・リソグラフィでは、ダイ一個当り、あるいはスリット当り、数十万の荷電粒子ビームのオーダーになることがある。そのようなことは、システムのスループットが譲歩されない場合には、特に不十分である。
【００１０】
熱の除去の様々なやり方が、出願人により評価されたところ、それに関係する主要な問題は、熱が吸収される容量、及び、その移送、即ちウエハ裏に配置された熱吸収金属ブロックへの移送のスピード、の双方にあるように思われる。後者の現象は、従来技術において、知られていて、多くの場合、熱拡散率と言う用語で呼ばれていて、それは、かくして、多くの場合に不十分であることが認められている。
【００１１】
そのような評価されたケースにおいて、しばしば、吸収ボディの寸法が既に問題となっている場合に、熱吸収能力が消化されてしまうか、あるいは、熱の移送が遅過ぎて、ターゲットの熱の水準は、許容しがたい程に高くなるかのいずれかである。熱が吸収される容量に関して、留意すべきことは、銅のような金属は、優れた拡散率を示すにも拘わらず、ターゲットで誘発された熱を吸収するために要求される体積を考慮すると、使用されることが可能ではないと言うことである。また、冷却水を使用するような、熱の除去の他の例もまた、リソグラフィ・システムの多くの今日の及び将来のタイプに対して不適切であると思われる。
【００１２】
かくして、本発明の目的は、ウエハからの熱の移送及び吸収のためのコンパクトな手段、即ち真空中で使用可能であって、好ましくは室温で使用可能な手段を提供することにある。
【００１３】
従来技術において知られているソリューションは、投影されるパターンのソフトウエア・コントロールによる、熱膨張の予測を有していて、それは、例えば、米国特許出願公開 US 2002/0147507 号により示されている。この文献は、電子ビームの位置、そしてそれによりウエハ加熱をコントロールするための、適応性カルマン・フィルタ（adaptive, Kalman filter）の使用を教えていて、恐らくは、リアル・タイムのプロセス・コントロールで実施される。この技術は、しかしながら、現代のリソグラフィ・システムにより要求される、温度安定性及び熱の除去の基本的な問題に取り組んでいない。
【００１４】
米国特許出願公開 US 2005/0186517 号は、ウエハ・チャックの膨張を解放する当初のストレスの後で、ウエハの膨張に対して反対のストレスを生じさせることを教えている、それによって、ウエハとチャックの間で好ましくないスリップが生ずる前に、ウエハの許容される加熱の量を、潜在的に倍増する。
【００１５】
国際出願 PCT/US01/26772 号にはウエハ・クランプが開示されている。このウエハ・クランプは、ターゲット上で荷電粒子ビームにより誘発された熱の移送のために、好ましくも、使用されている。この既知のデバイスにおいて、支持構造の上へのウエハのクランピングは、ウエハと支持構造の間に取り付けられたクランピング・コンポーネントに対して「一つまたはそれ以上の」相遷移を適用することにより、実施される。この相遷移は、「プロセスの全体に亘って、様々なオペレーションを容易にし」、且つ、「ウエハに、容易に負荷が加えられ且つ構造から開放されることを可能にすること」を確保する。クランピング・コンポーネントは、液体または気体の形態で適用され、支持構造のアクティブ冷却によって固体状態に変えられ、それによって、前記構造へのウエハのソリッドなクランピングを実現するようになっている。クランピングのそのようなやり方は、基本的に、ウエハを接着すると呼ばれることが可能であると、ここで、判断される。
【００１６】
この既知のデバイスは、「ウエハ冷却を要求するプロセスにおいて特に有用である」と、指摘されている。特に、「クランピング装置は、コンポーネントとウエハの間大きい接触領域のため、クランピング・コンポーネントの高い熱的な伝導性のために、真空中での効率の良い冷却をもたらす」。しかしながら、この背景技術文献は、一時間当りのウエハに関して非常に高いスループットを有する現代の装置で生ずるような、冷却のやり方については、何も言っていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】国際公開第 WO 2004/038509 号パンフレット
【特許文献２】米国特許出願公開第 US 2002/0147507 号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第 US 2005/0186517 号明細書
【特許文献４】国際出願 PCT/US01/26772 号公報
【特許文献５】米国特許出願公開第 US 2005/0128448 A1 号公報
【特許文献６】国際公開第 WO 2007/013802 A1 号パンフレット
【特許文献７】欧州特許出願公開第 EP 1 548 502 A1 号明細書
【発明の概要】
【００１８】
本発明は、先に説明したような、熱伝達の問題に対するソリューションを提供する。即ち、スペースの限られた量の中で、相対的に高い能力及び迅速な熱の移送を有し、直接描画リソグラフィ・マシンのステージの中に冷却対象のターゲットを装入しあるいは配置するプロセスを過度に複雑にすることがないソリューションを提供する。
【００１９】
これに関して、本発明の特徴は、以下にある。即ち、前記イメージまたはイメージ・パターンの投影により、ターゲットの中に蓄積されエネルギーが、前記ターゲットの局所的な及び全体的な加熱による膨張が、予め規定された適切な値に制限されるようなやり方で、前記ターゲットから除去され、ここで、そのような熱の除去は、前記ターゲットと熱的な接触状態にある熱吸収材料の相遷移の使用により実現される。
【００２０】
かくして、本発明により、リソグラフィ・ターゲットから熱を吸収するために、相遷移がそれ自体で効果的に用いられることが可能であることが、理解される。相遷移においては、多かれ少なかれ、遷移中の材料の温度が、少なくとも実質的に一定に止まり、即ち、前記材料に対して熱が継続的に加えられても、前記相遷移の外側と比べて相対的に遥かに少ない程度でしか変化しない。驚くことに、熱の除去の目的のために、この現象を用いることにより、リソグラフィ・ターゲットの冷却の、非常にコンパクトで且つ洗練されたやり方が実現される。
【００２１】
しかしながら、本発明の根底にあるアスペクトとして見出されたところによれば、そのような相遷移の間に温度の過大な上昇を伴うことなく優れた熱吸収の能力をもたらす材料は、極めて限られた熱拡散率を有している場合があり、それは、特に、一時的に相遷移を経験したレイヤにおいて、そのようになる。その効果は、材料ボディの全体的な熱拡散率が、前記第一の通過レイヤにより決定されると言うことである。それ故に、本発明の更なるアスペクトでは、優れた熱吸収能力を備えたそのような材料が、相対的に優れた熱移送の係数を有する更なる材料と組み合わされる。
【００２２】
本発明のこのアスペクトの第一の実施形において、組み合わされた材料は、溶液の中で、最も好ましくはエマルジョンの中で、第一の材料と混合される。更なる本願の好ましい実施形態において、組み合わされた材料は、ハニカム状の構造であって、好ましくは、熱吸収材料を完全に密閉する。本発明の更なるアスペクトによれば、これらの二つの実施形態が結合される。そのような熱伝導材料は、例えば金属粒子の形態の溶液の場合に、例えば金属であっても良い。
【００２３】
本発明の更なるアスペクトによれば、前記相遷移は、好ましくは、本発明に基づいて既に改良されたリソグラフィ・マシンの、運転温度に対応する温度で生ずる。それによりまた、マシンの全体的な運転に関する取扱い上及び機能上のアスペクトを強化する。より特別な実施形態において、そのような相遷移は、室温付近の温度で生ずることになる。上記の要求の全てに適合させるために、本発明によれば、ヘキサデカンが熱吸収材料として使用される。
【００２４】
ヘキサデカンまたは他の何れかの液体熱吸収材料を使用するに当たって、前記相遷移の使用のために、大半のタイプのリソグラフィ・マシンにより誘発された熱を吸収するために、材料の非常に限られた量のみが、要求される。材料は、それ故に、原則として、例えばウエハの裏側に単に接着されるだけで良く、ここで、非常に限られた厚さのレイヤが、温度の過大な上昇を伴うことなく、熱吸収のために十分である場合もある。
【００２５】
ヘキサデカンのような材料の、一見非常に驚くべき選択（熱のコンダクタンスが非常に悪い、即ち、シリコンは１４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるのに対して、ヘキサデカンは０．１４４Ｗ／（ｍ・Ｋ）である）に対する理由は、事実、先に説明されている：本発明は、ヘキサデカンのような悪い熱伝導の材料が、もし、それらが相遷移条件の中またはその近傍で使用された場合に、且つ、もし、それらが非常に良い熱伝導材料で具現化された表面拡大構造と組み合わされ場合に、熱吸収材料として、好ましくも使用されることが可能であると言うことを教えている。
【００２６】
本発明の更なるアスペクトによれば、熱吸収材料は、ポーラスな構造で、リソグラフィ・マシンに含まれ、典型的に、先に挙げた熱伝導性の材料からなる。そのような場合において、その構造は、ターゲット（例えばウエハ）と熱的な接触状態に置かれる。しかしながら、本発明はまた、原則として、ウエハなどのようなターゲットにも係り、その裏側に、例えば、エッチング技術を用いて実現されたポーラスな構造（例えば、ボア・ホールにより）が設けられている。このやり方によって、接触表面が、中間の熱伝導性の材料を必要とすることなく、大幅に増大される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、リソグラフィ・ターゲットを、ここではウエハの上面図として、概略的に示し、また、誘発される加熱によりその上に引き起こされる効果を示している。
【図２Ａ】図２Ａは、材料の相遷移の温度特性を示していて、これらの材料は、本発明において好ましくも使用されるものである。
【図２Ｂ】図２Ｂは、材料の相遷移の温度特性を示していて、これらの材料は、本発明において好ましくも使用されるものである。
【図３】図３は、リソグラフィ・システムの関係する部分の第一の実施形態を示し、このシステムは、好ましくも、リソグラフィ・ターゲットからの熱の除去に適合されている。
【図４】図４は、図３と同様であるが、しかしながら、本発明の第二の実施形態の概略図であって、その中において、この場合には、流体の熱吸収材料が、ターゲットに接触されたフレーム構造の中に含まれている。
【図５】図５は、図４の構造の概略的な上面図であって、その一部が分解図で描かれ、内部のグリッド構造を示している。
【図６】図６は、ウエハ、及び本発明に基づいて使用されることがあるチャックによる支持の概略図である。
【図７】図７は、図４及び５に沿って示された原理のワークアウトを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明が、例として、本発明に基づくマスクレス・リソグラフィ・システムの、以下の実施形態で更に説明される。  
これらの図において、対応する構造的な特徴、即ち少なくとも機能的に対応する構造的な特徴は、同一の参照符号で示されている。
【００２９】
図１は、ターゲットを、ここではウエハ１の形態で、示している、このウエハは、例えばリソグラフィ装置の荷電粒子ビームのカラム、またはリソグラフィのための他の種類のビーム・ソースに対して、経路４に従って移動する。この経路は、ここで、レンズ・アセンブリまたはスリット２の中心を指していて、ウエハの幾つかのフィールド６を通る。
【００３０】
前記荷電粒子ビームの入射によりウエハに誘発される熱のために、ウエハが膨張することになる。この膨張は、ダイ６の予想された位置及び寸法と、ダイ７の実際の位置及び寸法の間の差をもたらす。この差は、ウエハ上での露光パターンの重ね合わせの誤差をもたらすことになる、
ここで、本発明によれば、前記ウエハからの熱の除去は、材料の中での相遷移を用いることにより実現される。この材料は、ここで、相変化材料とも呼ばれ、例えば、図４の実施形態のいずれかにより示されるように、前記ターゲット１と熱的な接触状態にある。
【００３１】
図２は、そのような相遷移の原理を示していて、図２Ａにおいては、熱吸収手段の、固体状態“Ｓｏｌ”から液体状態“Ｌｉｑ”への遷移により、、図２Ｂにおいては、液体状態“Ｌｉｑ”から気体状態“Ｇａｓ”へ遷移により、示している。両方の図において、吸収手段の温度Ｔが、照射された荷電粒子ビームにより誘発された熱Ｈ（単位：ジュール）に対して示されている（単位：ケルビン）。これから分かるように、固相から液体への、または、液体から気体への遷移の間、温度Ｔは、熱Ｈの量の増大に従い、原則として変化せず、実際、かなり遅い速度でのみ増大する。
【００３２】
上記の効果が、本発明により、ターゲットから吸収手段への熱の移送及び蓄積のためのプラクティスにおいて、好ましくも用いられる。優れた熱移送係数が、ターゲットと熱吸収体の間に要求される、
上記に対して補足的に、大きな熱移送係数、及び前記リソグラフィ装置内のターゲットの周囲の温度に近い相遷移温度の双方を、好ましくは有する材料が、使用される。相遷移温度が室温付近であることが、最も好ましい。
【００３３】
熱吸収体に対する更なる要求は、本発明によれば、毒性が無いことなどの特徴、それが使用される真空に耐える能力、及び、ＣＭＯＳ技術との調和性である。
【００３４】
上記の点において、見出されたところによれば、仮に存在するとしても、僅かな材料のみが、本願において要求される特徴の組み合わせを、完全な形でもたらすと言うことである。本発明は、それ故に、熱吸収体としての使用のための良好な且つ好ましい材料として、金属またはシリコンなどのような相対的に高い熱移送係数を備えた粒子を含有するエマルジョンを提案する。そのような材料は、接着力により、ターゲットのボトム側に比較的容易に接着され、且つ、限られた量のスペースしか必要としない。これに関して、数ミクロンのレイヤで十分である。
【００３５】
好ましいエマルジョン材料は、ヘキサデカンである。しかしながら、グリセロール（Ｃ３Ｈ８Ｏ３；グリセリン（glycerin, glycerine）とも呼ばれ；また、余り一般的ではないが、プロパン−１，２，３トリオール（propane-1,2,3-triol）、１，２，３−プロパトリオール（1,2,3-propanetriol）、１，２，３−トリハイドロプロパン（1,2,3-trihydroxypropane）、グリセロール（glyceritol）、グリチル・アルコール（glycyl alcohol）、シティフルオル（citifluor）ＡＦ２；グロコレン（grocolene））もまた、使用されることが可能であり、特に、以下において示されるように、密封された形態で使用されることが可能である。
【００３６】
本発明は、相遷移により、熱吸収材料の熱伝達能力が最小値まで減少すると言う発見に、取り組む。そのようなことが意味するのは、相変化または熱吸収材料の非常に薄いレイヤのみが、使用されることが可能であると言うことである。この問題を克服するため、同じ熱吸収材料が依然として使用され、しかしながら、表面拡大手段との組み合わせで使用される。
【００３７】
図３は、本発明に基づく第一の実施形態を示し、これは、本発明の原理を実現する直接的なやり方を例示している。この図において、参照符号１は、ウエハの形態によるターゲットの断面であり、これに対して、参照符号１０は、本発明により規定される要求を満足するエマルジョンを示している。
【００３８】
図４は、他の実施形態を示し、前記ターゲットのためのポーラスなキャリアを示し、そのポアの中に熱吸収体が保持されている。このやり方の場合には、熱吸収体とターゲットの間の大きい接触領域が、前記中間キャリアにより作り出される。
【００３９】
例えば、図４の中に示されているようなポーラスなタイプのキャリアが好ましく、それは、エマルジョンが固体状態から流体状態に変わると、エマルジョンに対する熱移送の係数が大きく減少すると言う発想に基づいている。ポーラスなキャリアは、ターゲット自体、または図４の中に示されているように別個のフレームの何れであっても良いが、そのポーラスなキャリアにより、熱が、上側のゾーンで既に液化された熱吸収剤をバイパスし、かくして、相遷移のプロセスの中の何れの瞬間においても、増大された熱の移送を確保する。事実、キャリアは、熱吸収剤の流体化された部分に対して、改善された熱的なコンダクタンスを有している、と言うことが可能である。
【００４０】
金属またはシリコン（即ちウエハ材料）などのような適切な熱伝導材料を使用することにより、全体のフレームの均一な加熱が、実際に、容易に、実現されることになり、それによって、熱吸収材料が、大きく拡大された表面領域に亘って、適切に接触されることが確保される。正方形の孔またはボアは、エッチングにより実現されることが可能である。それらは、この例において、寸法が５０ｘ５０μｍあるいは以下で、壁の厚さが５ミクロンあるいはそれ以下である。
【００４１】
図５は、図４により示されているような、可能性があるヘキサデカン・フレームの断面図を示している。図の左側の部分は、例えばウエハのような構造の全体的な図であり、これに対して、図の右側の部分はその一部を示していて、それは、ウエハ内でのダイのサイズに適用される。この例において、  ２６ｘ３３ｍｍ  のダイに対して、正方形のボアの数は、かくして、  （２６＊３３ｍｍ）／（５０＋５μｍ）２＝２８３，６４０  個となる。
【００４２】
フレームの目的は、ＰＣＭの使用可能な領域を増大させることにある。ニュートンの伝導の法則によれば、  Ｑ＝（ｋ＊Ａ／Ｌ）＊ｄＴ  であって、所定量の熱Ｑを距離Ｌに亘って移送するために要求される温度差ｄＴは、表面Ａの増大に従い減少する。ウエハ１２の底面で、深さｈで、孔１２Ａをエッチングすることにより、領域  Ｗ＊Ｗ  当りの使用可能な表面が、示された幾何学的形状に対して、  ｈ＊４＊Ｗ  に増大する。対応する計算はまた、断面で見た時に、少なくともほとんど矩形のボアを備えた好ましいフレームにも適用される。
【００４３】
そのようなものは、前記矩形構造を形成する壁の幅と比べてかなり小さい幅の、そのような形状の側面で実現され、それは、好ましくは、５から１５の範囲内の比率を有し、好ましくは約１０である。かくして、例えば  ５０ｘ５μｍ  のサイズのボアまたは開口が可能である。これらの例は、相対的に長く引き伸ばされた開口により、表面領域を増大させる原理を制限することはない。熱吸収手段による前記構造の可能性のある充填の程度が、それにより増大される、好ましくは、表面領域の範囲６０％から９０％までの範囲内の、例えば約７５％の値に設定される。
【００４４】
図６は、ウエハ及びウエハ・チャックの概略図を示し、これは、例えば、本発明に基づいて、使用されることが可能である。パーティクルによるウエハの裏側のコンタミネイションの影響を減らすために、ウエハが、バール（burl：節）１３の上に置かれる。バール１３を用いることにより、ウエハ１とバール１３の間にパーティクルが存在する機会が最小化される。ウエハの平坦度の欠如による焦点の誤差を最小化するために、ウエハ１は、前記バールにより作られた非常に平坦度の高いテーブルの上に吸着される。これに関して、静電的なクランプ１４が使用され、それは、好ましくも、ステージの真空条件に適合している。
【００４５】
しかしながら、原則として、他の知られているまたは新しいタイプのクランプも、同様に使用されることが可能である。それらの例を、以下において示す。採用される吸着力に対して、典型的な値は、約０．１バールそれ以下であって、採用される吸着のやり方に依存している。ウエハとクランプの間の材料の絶縁性は、ウエハとクランプの間の実現可能な吸着力を決定する。最大の許容可能なクランプ電圧は、ブレークスルー電圧により限定され、また、材料及び製造プロセスにも依存する。もちろん、クランピング他のやり方もまた、本発明の有意性を失うことなく、採用されることが可能である。
【００４６】
この提案されたクランピングのやり方を用いて、更なる最適化のために、流体が、バールが設けられたレイヤとターゲットの間に供給されることも可能であろう。しかしながら、それは、熱コンダクタンスを改善することに関して要求される機能のために、熱吸収材料とは大きく異なっている。これに関して、相遷移の発生は、この材料に対して、大いに好ましくないであろう。
【００４７】
熱が、このやり方において、ｘ及びｙ方向に、遠くまでは伝えられないことがあり、そのために、バールの数が、現在の一般的なプラクティスと比べてかなり増大されることが分かった。バールは、好ましくは、従来の静電的なクランピング用のバールと比べてかなり小さく作られる。また、バールの全面積も、従来のもの、即ちクランピングのみの機能を備えたもの、または、熱の伝導のそのような追加機能が少なくとも無いものと比べて、かなり大きく作られる。これに関して、ターゲットとバールの間の全接触表面は、全ターゲット表面の１％から５％の範囲内であって、好ましくは約１％である。このこと及びバールの増大された数は、バールとウエハの間に捕捉される粒子の増大されるが容認されるリスクを意味しており、それは、ウエハの平坦度を損なうことになる。
【００４８】
図７は、図４及び５に沿って示された原理の、一つの可能性のある実施形態を概略的に示している。この図において、熱伝導フレームは、アッパー側１５を有するウエハにより構成され、このウエハは、約１ミクロンの高さのバールの場合、バール１５Ｂが作り出されるようにエッチングが行われる。ウエハの反対側１５Ａは、熱吸収材料を保持するためのボアが作り出されるようにエッチングされる。
【００４９】
図７に示されている底部レイヤ１６は、第一のレイヤの底面に取り付けられたフレーム閉鎖レイヤを示していて、ここでは、第二のウエハにより実現されている。このように、熱吸収材料は、真空からシールされ、その中で、この例におけるように、熱吸収材料が非常にしばしば機能する。図７の中に示されたフレームの上に存在するトップレイヤ１７は、熱的な伝導性を有し且つ電気的に絶縁性のレイヤである。そのようなレイヤは、表面バールを含む表面への、例えばスパッタリングにより形成される。この場合には、Ｘμｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）材料が使用されているが、そのようなものは、本発明によれば、例えば酸化ベリリウム（ＢｅＯ）であっても良い。このようにして、図７は、図４に沿って示された原理を実行するための、相対的に優位性のあるやり方を示している。
【００５０】
閉鎖プレート１６は、相変化材料をエッチングされたフレームの中に保つために使用され、真空環境へのガス放出を防止し、構造に強度をもたらし、且つ、平坦な基準面として使用される。
【００５１】
以上において説明されたようなコンセプト及び関係する全ての細部から離れて、本発明は、以下のクレームのセットの中で規定されているような全ての特徴に関係し、並びに、添付された図面から当業者により直接的且つ明白に導き出されることが可能である全ての細部に関係している。クレームの以下のセットにおいて、図の中の構造に対応する何れの参照符号も、先の用語の意味を固定するものではなく、クレームを理解する際の補助のために、単に先の用語の意味の例を示すために含まれていて、その理由のために、括弧の中に示されている。
【図１】
0005384339.tif 000002
【図２Ａ】
0005384339.tif 000003
【図２Ｂ】
0005384339.tif 000004
【図３】
0005384339.tif 000005
【図４】
0005384339.tif 000006
【図５】
0005384339.tif 000007
【図６】
0005384339.tif 000008
【図７】
0005384339.tif 000009