(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランス（５４）を収容するためのランプベースエレメントであって、
前記トランス（５４）を収容するトランスチャンバー（５２）を有しており、
前記トランス（５４）がトランスチャンバー（５２）内に完全に収容され、
前記トランス（５４）は、
前記トランス（５４）の第１の巻線（５８）を備えたトランスコア（５６）を取り囲むトランスハウジング（６０）と、
前記トランス（５４）の前記トランスハウジング（６０）を取り囲む第２の巻線（８８）とを有しており、
前記第２の巻線（８８）の巻線端部（９４，９６）がそれぞれ前記トランス（５４）のコンタクトピン（９０，９２）を用いて前記トランスハウジング（６０）に固定されており、
前記トランス（５４）の前記コンタクトピン（９０，９２）は、開放側（６２）に対向しているトランスチャンバー（５２）のコンタクト形成面（８２）を通って引き出され、
中央コンタクトエレメント（６６）が、前記トランスチャンバー（５２）内で次のように構成されている、すなわち前記中央コンタクトエレメント（６６）のトランスコンタクト領域（１１４）が前記トランスハウジング（６０）から引き出される前記トランス（５４）の第１の巻線（５８）とのコンタクト形成のために前記トランスチャンバー（５２）内に配設され、さらなるランプコンタクト領域（６８）が高圧放電ランプ（１）とのコンタクト形成のために前記トランスチャンバー（５２）外に配設されるように構成されていることを特徴とするランプベースエレメント。
【請求項２】
前記トランスチャンバー（５２）の開口側（６２）を仕切るトランスチャンバー（５２）の外皮面が、２つの長手側（１０８）と２つの短手側（１１２，１３８）を有し、それらが実質的に相互に直角に配置されている、請求項１記載のランプベースエレメント。
【請求項３】
前記中央コンタクトエレメント（６６）のランプコンタクト領域（６８）が中央コンタクトリング（３４）に収容され、該中央コンタクトリングはトランスチャンバー（５２）の長手側（１０８）における長手方向で成形され、それによってリング軸線（７０）がトランス（５４）のコンタクトピン（９０，９２）と平行に延在し、リング表面（６４）がトランスチャンバー（５２）の開口側（６２）と面一となるように遮蔽されている、請求項２記載のランプベースエレメント。
【請求項４】
中央コンタクトリング（３４）の中央に漏斗状部（７６）が形成され、該漏斗状部はリング軸線（７０）に沿ってトランスチャンバー（５２）の開放側（６２）の基準面方向で中央コンタクトエレメント（６６）のランプコンタクト領域（６８）に向かう方向で先細になっている、請求項３記載のランプベースエレメント。
【請求項５】
前記中央コンタクトリング（３４）はリング下方側（７５）でリングスプリング（７８）と該リングスプリングよりも大きな半径を有している環状のエネルギー配向装置（８０）を有し、該エネルギー配向装置は、それぞれランプベース（１４）との接続形成のために先細形状の断面を有している、請求項３又は４記載のランプベースエレメント。
【請求項６】
トランスチャンバー（５２）のコンタクト形成面（８２）においてコンタクトピン（９０，９２）がコンタクトプレート（１２２，１２４）と接続形成している、請求項１から５いずれか１項記載のランプベースエレメント。
【請求項７】
前記ランプベースエレメント（３２）のコンタクト形成面（８２）に少なくとも１つのアライメントピン（８４，８６）が形成されている、請求項１から６いずれか１項記載のいずれか１項記載のランプベースエレメント。
【請求項８】
高圧放電ランプ（１）の収容のためのランプベースであって、
支持プレート（２４）を有しており、
前記高圧放電ランプ（１）とは反対側の支持プレート（２４）の支持側（２６）に、円筒状の中央ドーム（２８）が中央で成型されており、
前記ランプベースは、中央コンタクトリング（３４）を備えた、請求項１から７いずれか１項記載のランプベースエレメント（３２）を有しており、
前記ランプベースエレメント（３２）は、前記中央コンタクトリング（３４）のリング下側（７５）でもって中央ドーム頭部側（３６）に当接し、中央ドーム（２８）に固定されていることを特徴とするランプベース。
【請求項９】
ランプベース（１４）に埋設されているプラグソケット（４２）のコンタクトピン（４６，４８）が支持側（２６）から突出し、前記支持プレート（２４）に対して平行に離間されて配置されているボード（５０）の切欠部に係合し、前記円筒状の中央ドーム（２８）がボード（５０）の切欠部を通って延在している、請求項８記載のランプベース。
【請求項１０】
前記中央ドーム（２８）はリード導体（１０）を収容するリード導体チャネル（１８４）を有しており、該リード導体チャネルは中央ドーム（２８）の中央軸線（３０）に沿って延在し、ランプベースエレメント（３２）の漏斗状部（７６）に向けて開口している、請求項８または９記載のランプベース。
【請求項１１】
請求項３から５いずれか1項記載のランプベースエレメントと、
請求項８から１０いずれか１項記載のランプベース（１４）とを備えた放電ランプ。
【請求項１２】
前記ランプベースエレメント（３２）のリングスプリング（７８）とエネルギー配向装置（８０）が、中央ドーム（２８）の環状溝（１７６）と収容溝（１８２）にそれぞれ挿入されている、請求項１１記載の放電ランプ。
【請求項１３】
ベースカバー（１７４）がランプベース（１４）を取り囲み、前記ベースカバー（１７４）はランプベース（１４）との機械的な接続のためにリングスプリング（１９２）と環状のエネルギー配向装置（１９０）を構成し、それらがそれぞれランプベースエレメント（３２）の環状溝（１９６）と環状収容部（１９４）に挿入されている、請求項１１または１２記載の放電ランプ。
【請求項１４】
ランプベースエレメント（３２）の少なくとも１つのアライメントピン（８４，８６）が少なくとも１つのボード（５０）のピン収容部に挿入されている、請求項１１から１３いずれか１項記載の放電ランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念によるトランス、この種のトランスを備えた請求項９記載のランプベースエレメント、この種のランプベースエレメントを備えた請求項２３記載のランプベースないしランプベース、この種のランプベースを備えた請求項３２記載の放電ランプに関している。
【背景技術】
【０００２】
この種のトランスは例えば高圧放電ランプの放電媒体内でのガス放電を点弧するための高圧パルスを生成するための点弧用トランスとして用いられる。
【０００３】
欧州特許出願公開第第１  ５１１  １３１  号明細書からは、高圧放電ランプ用のランプベース内に収容されているトランスが公知である。このトランスは、トランスハウジングの周りに巻回されている一次巻線を有しており、この一次巻線は、トランスハウジングから離間する方向に向けて配向されている。このトランスの二次巻線は、トランスハウジング内部に配設されており、この巻線端部はトランスハウジングを介して外方へ案内されている。この場合の欠点は、トランスの一次巻線と二次巻線の巻線端部が機械的な耐性を僅かしか有さず、そのため外部からの機械的な影響に対する保護のために、ランプベース内部への取付け前に、例えばコストのかかる、いわゆるトランストレイへ支承されていなければならない。これ以外にもさらなる欠点として、高い材料コストが上げられる。なぜならランプベース全体とトランスは、高圧放電ランプの作動中に発生する高い温度のために、十分な耐熱性のある高価なプラスチックからなっているからである。
【０００４】
発明の開示
本発明の課題は、低コストで製造ができ、かつ外部からの影響に対しても堅固な、トランス、ランプベースエレメント、ランプベース、放電ランプを提供することである。
【０００５】
この課題は、請求項１の特徴部分に記載のトランス、請求項９の特徴部分に記載のランプベースエレメント、請求項２３の特徴部分に記載のランプベース、請求項３２の特徴部分に記載の放電ランプによって解決される。
【０００６】
その他の特に有利な実施形態は従属請求項に記載されている。
【０００７】
本発明によるランプベース内に取付けるためのトランスはトランスハウジングを有しており、このトランスハウジングは、第１の巻線を備えたトランスコアを取り囲んでいる。トランスハウジングを取り囲むために第２の巻線が配設されており、該第２の巻線は有利な形式で少なくとも１つのコンタクトエレメントによってトランスハウジングに固定されている。
【０００８】
この解決手段によれば、トランス、特に第２の巻線が高い機械的な耐性を有するという利点が得られ、これによってトランスが揺れに強くなる。
【０００９】
コンタクトエレメントは、トランスハウジングの収容部へ有利に収容されたコンタクトピンとして構成されている。その場合トランスの第２の巻線は、第２のコンタクトピンによって機械的に固定され、電気的にコンタクト形成され得る。これによりトランスの第２の巻線は容易に固定可能であり、さらに非常に堅固である。
【００１０】
第２の巻線はフラットリボン巻線として構成されていてもよい。それぞれの巻線端部に固定収容部を有する。この収容部を貫通するようにコンタクトピンは引き出される。この種のフラットリボン巻線は、簡単に製造可能であり、トランスにも簡単に取付けることが可能である。
【００１１】
有利には、コンタクトピンはそれぞれほぼ中央においてクリップ縁部を有しており、フラットな帯状巻線はこのクリップ縁部とトランスハウジングの間に配設される。それにより、フラットな帯状巻線は、非常に堅固に機械的に固定される。
【００１２】
有利には、トランスハウジングはほぼ楕円状の断面を有する。この場合トランスハウジングの長さは最大高さよりも長い。
【００１３】
トランスとランプベースの簡単な取付けのために、コンタクトピンはトランスハウジングの主頂点から外方に向けて放射状に同方向に配向されている。
【００１４】
本発明によれば、ランプベースエレメントはトランスの収容のために設けられている。この手段は次のような利点を有している。すなわち、ランプベースエレメントとトランスが別個の構成部材として実質的にランプベースから物理的に分離されており、例えばコスト的にも安価で比較的高い熱膨張係数を有するプラスチックから製造可能である。
【００１５】
本発明の有利な構成によれば、ランプベースエレメントは、トランスの保護のためにトランスを完全に収容するトランスチャンバーを有している。
【００１６】
この場合トランスのコンタクトピンは、例えばボードとの簡単なコンタクト形成を可能にするために、開放側に対峙するトランスチャンバーのコンタクト形成面を貫通して案内される。
【００１７】
本発明の別の構成例によれば、中央コンタクトエレメントがトランスチャンバー内に次のように設けられる。当該中央コンタクトエレメントのトランスコンタクト領域が、トランスハウジングから案内されるトランスの第１巻線のコンタクト形成のために内部に配設され、さらに中央コンタクトエレメントのランプコンタクト領域が特に高圧放電ランプとのコンタクト形成のためにトランスチャンバー外に配設される。
【００１８】
電気的な絶縁のために有利には、ランプベースエレメントのトランスチャンバーのチャンバー内室がトランスの収容後に封入材料ないし被包材料でもって封入ないし被包されてもよい。
【００１９】
前記封入ないし被包材料として有利には低コストなシリコンラバーが挙げられる。
【００２０】
トランスチャンバーは有利には外皮面を有し、この外皮面は２つの長手側と２つの側面を有している。この場合側面は、相互に実質的に矩形に配置されている。
【００２１】
有利な構成では、中央コンタクトエレメントのランプコンタクト領域が中央コンタクトリング内に収容される。中央コンタクトリングは、中央で、トランスチャンバー長手側の長手方向において当該長手側に次のように成型されている。すなわち当該中央コンタクトリングのリング軸線がトランスのコンタクトピンに対してほぼ並列に延在し、中央コンタクトリングのリング上側がトランスチャンバーの開放側とほぼ面一になるように遮蔽されている。これにより、トランスはランプベース内へのランプベースエレメントの組み込みの際に、例えば高圧放電ランプと簡単にコンタクト可能になる。
【００２２】
中央コンタクトリングのほぼ中央において漏斗状部が形成されていてもよい。この漏斗状部は、リング軸線に沿って、トランスチャンバーから離れる方向に向く開放側の基準面方向において中央コンタクトエレメントのランプコンタクト領域まで先細となっている。この漏斗状部によって、高圧放電ランプの取付けの際の例えばリード導体の簡単な収容が可能となる。
【００２３】
有利には、中央コンタクトリングはそれぞれランプベースとの接続のために、リング下方側において、リングスプリングと、該リングスプリングよりも大きな半径を有する環状のエネルギー配向装置を形成する。このエネルギー配向装置は、ランプベースエレメントとランプベースとの容易な超音波溶接のために用いられる。
【００２４】
トランスチャンバーのコンタクト形成面では外方からコンタクトピンがコンタクトプレートに接続されてもよい。このコンタクトプレートは例えばボードとのフラットなコンタクト形成を可能にする。
【００２５】
コンタクトプレートは、トランスチャンバーの長手方向でそれぞれ区分毎に外方に向けて突出し、これによって簡単な例えば他のエレメントとの当該領域での溶接を容易に可能にする。
【００２６】
有利には、コンタクトプレートはそれぞれ区分毎に外皮面の側面から突出する固定エレメントに達していてもよい。この固定エレメントはランプベースとランプベースエレメントの組付けの際の保護として用いられ得る。
【００２７】
ランプベースとランプベースエレメントとの簡単な取付けのために、ランプベースエレメントのコンタクト形成面には少なくとも１つのアライメントピンが形成されていてもよい。
【００２８】
本発明によれば、ランプベース、特に高圧放電ランプの収容のためのランプベースは、支持体プレートを有している。この場合支持体プレートの高圧放電ランプとは反対側の支持側には、円筒状の中央ドームが成型されていてもよい。この中央ドームにおいてはランプベースエレメントのリング下側がほぼ中央ドームの頭部側に接し、当該中央ドームに固定されている。この解決手段により、多分割のランプベースが実現される。この多分割のランプベースは、簡単に取付け可能であり、例えば異なる材料からなっていてもよい。
【００２９】
プラグソケットは、コストがかからないように側方から支持体プレートを区分毎に取り囲む外皮面の区分に一体的に形成されていてもよい。
【００３０】
ランプベースの別の有利な構成によれば、ランプベース内に埋設される差込みブッシュのコンタクトピンが支持体プレートから突出し、支持体プレートの領域内に配設されるボードの切欠き内へ簡単に係合する。これにより、コンタクトピンとボードとの電気的及び機械的な接続が可能となる。
【００３１】
円筒状の中央ドームは有利にはボードの切欠きを貫通して延在する。
【００３２】
トランスの簡単な電気的コンタクト形成とランプベースエレメントとランプベースとの固定のために、ランプベースエレメントのコンタクトプレートは、ボードと容易に電気的及び機械的に接続され得る。
【００３３】
有利には、ランプベースエレメントのリングスプリングとエネルギー配向装置は、中央ドームのそれぞれ１つの環状溝に埋設され、それによってランプベースエレメントがランプベースと超音波溶接手法によって非常に堅固に接続され得る。
【００３４】
中央ドームは例えば給電用チャネルを有し、この給電チャネルは、例えば給電チャネル内へもたらされる高圧放電ランプの給電をランプベースエレメントの中央コンタクトエレメントにつなぐためにランプベースエレメントの漏斗状部内へ開口している。
【００３５】
このランプベースは、ベースカバーによって取り囲まれており、この場合このベースカバーは、リングスプリングと環状のエネルギー配向装置を形成し、それぞれランプベースエレメントの環状溝に埋設される。このリングスプリングとエネルギー配向装置によって、ベースカバーは簡単にランプベースと接続され得る。
【００３６】
有利には、ボードは、ランプベースエレメントのコンタクトピン領域に接合延在部を有し、これによって、ボード及び／又はランプベースエレメントの体積変化が温度変動に基づいて簡単に補償できる。
【００３７】
位置固定のためにランプベースエレメントの少なくとも１つのアライメントピンがボードの少なくとも１つのピン収容部内に埋設される。
【００３８】
その製造が容易に可能な本発明による放電ランプは前述のランプベースを有している。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例による高圧放電ランプの側面図
【図２】本発明の実施例によるランプベースの側面図
【図３】本発明の実施例によるランプベースエレメントの側面図
【図４ａ】本発明の実施例によるトランスの透視図
【図４ｂ】図４ａによるトランスの断面図
【図５】本発明の実施例によるランプベースエレメント
【図６】本発明の実施例によるランプベースエレメントの下方図
【図７】本発明の実施例によるランプベースの平面図
【図８】本発明の実施例によるランプベースの側面図
【００４０】
実施例の説明
図１には、有利には自動車前照灯用に用いられる有利な実施例による高圧放電ランプ１の側面図が示されている。この高圧放電ランプは、ガラス性の外管２によって取り囲まれた石英からなる放電容器４と、その中に配設されているガス放電の点弧のための電極６，８を有している。これらの電極６，８は、それぞれ、前記放電容器４から引き出されるリード導体１０ない１２と、電気的なエネルギーの供給のために接続されている。
【００４１】
前記外管２と放電容器４は、ランプベース１４に載置されており、このランプベース１４は、図１には図示されていないトランスが組込まれたランプベースエレメントと共に構成されている。
【００４２】
図２には、本発明の実施例による図１のランプベース１４のいわゆる頭部が示されている。このランプベース１４はベースカバーなしで示されている。ランプベース１４は、図２の下方のベース側１６において基準リング１８を下方に向けて突出している保持ロッド２０と共に図１による高圧放電ランプ１の位置固定のために形成する。基準リング１８は、この場合円筒状のウエブ２２を介して保持ロッド２０に対向する側でランプベース１４の支持体プレート２４に接続される。この支持体プレート２４は、基準リング１８とは反対側の支持体側２６に、ほぼ中央に配設される円筒状の中央ドーム２８を有し、該中央ドーム２８は実質的にベース長手軸線３０に沿って延在している。ランプベースエレメントないしベースエレメント３２は（これらは以下で図３に基づいて詳細に説明する）、ベースエレメント３２にて構成される中央コンタクト３４を介して中央ドーム２８のドーム端面３６に接続される。
【００４３】
支持体プレート２４は、ほぼ矩形状の周面を有している。この場合図２の左方側にある、ランプベース１４の外皮面区分４０には、高圧放電ランプ１の電気的なコンタクト形成のためのプラグソケット４２が一体的に形成されている。このプラグソケット４２は、ベースエレメント３２の中央コンタクトリング３４の高さまで外方に突出している。プラグソケット４２のプラグ収容部は、図２の左方側にて当該プラグソケット４２の端面側からアクセス可能である。ランプベース１４には、コンタクトピン４６，４８が埋設されており、これらのコンタクトピン４６，４８は、プラグソケット４２から外皮面区分４０と支持体プレート２４を介して延在し、ほぼ外皮面区分４０と中央ドーム２８の間で支持体プレート２４の支持体側２６からベース長手軸線３０に対して実質的に平行に突出している。これらのコンタクトピンのワイヤ長さは、総じて異なっていてもよい。それにより、図２の右方側のコンタクトピン４８は例えば外皮面区分４０まで、より広い間隔を有している。
【００４４】
実質的にランプベース１４の支持体プレート２４の支持体側２６に対して平行に間隔を空けてリードフレームないしボード５０が配設されている。このリードフレーム５０は、図では視認できない２つの切欠部を有し、これらの切欠部を貫通してピンが引き出されている。それにより、ボード５０とコンタクトピン４６，４８との間には、いわゆるPin-in-hole接合が形成される。その場合前記コンタクトピン４６，４８は、ボード５０の切欠部内にセルフロック又は緩み止めされて収容されるか、ボード５０と付加的に例えば溶接される。このボード５０は、中央において当該図面では見ることのできない切欠部領域を有しており、この切欠部領域を貫通して中央ドーム２８が案内されている。前記コンタクトピン４６，４８に対してさらに付加的にボード５０がベースエレメント３２によって位置固定される。このことは以下の明細書でさらに図面に基づいて詳細に説明する。
【００４５】
図３には本発明の実施例によるベースエレメント３２が側面図で描写されている。この図面の一部は破断図で示されている。このベースエレメント３２のトランスチャンバー５２内には、トランス５４が完全に収容されている。
【００４６】
このトランス５４はトランスコア５６を有し、該トランスコア５６は一次巻線ないし二次巻線５８によって巻回されている。この場合二次巻線５８はほぼ楕円状の断面を有しているトランスハウジング６４によって取り囲まれている。
【００４７】
トランス６０は、図３の上方にあるトランスチャンバー５２の開放側６２を介して挿入される。この開放側６２は、ベースエレメント３２の中央コンタクトリング３４のリング表面側６４と同じ平面内にある。
【００４８】
図１に示されている高圧放電ランプ１と、トランス５４との電気的なコンタクトを形成するための中央コンタクトエレメント６６が、ベースエレメント３２に設けられており、この場合図には示されていない、中央コンタクトエレメント６６のトランスコンタクト領域が、トランスハウジング６０から引き出されたトランス５４の二次巻線５８とのコンタクト形成のためにトランスチャンバー５２内に配設され、中央コンタクトエレメント６６のランプコンタクト領域６８は中央コンタクトリング３４内に設けられている。中央コンタクトエレメント６６のこの配置構成は、さらに以下の明細書で図面に基づき詳細に説明する。中央コンタクトリング３４は、中央コンタクトエレメント６６のランプコンタクト領域６８において、図１の高圧放電ランプ１のリード導体１０との溶接のためにリング表面側６４に向けて開放されている。
【００４９】
中央コンタクトエレメント６６のランプコンタクト領域６８はさらに、図１のリード導体１０の引き出しのために、中央コンタクトリング３４のリング軸線７０に沿って延在する貫通開口部７２を有している。この貫通孔部７２では、リング下側７５からリング軸線７０に沿って延在し当該貫通孔部７２の方向に向かって先細となっている漏斗状部７６が開口している。この漏斗上部７６は図１の高圧放電ランプ１の取付けの際のリード導体１０の簡単な収容のために用いられる。
【００５０】
中央コンタクトリング３４のリング下側７５には図２のランプベース１４の中央ドーム２８との接続のために、それぞれリング軸線７０の周りでリングスプリング７８と比較的大きな直径を有する環状のエネルギー配向装置８０が形成されている。このエネルギー配向装置８０は超音波溶接のために用いられる。
【００５１】
トランスチャンバー５２の開口側６２に対向しているコンタクト形成側８２は、図３において下方に向けて突出し相互にずらされた２つのアライメントピン８４，８６を有しており、これらのピンは図２中のボード５０上でベースエレメント３２の固定を支援している。
【００５２】
図３のベースエレメント３２は、例えばＰＰＳポリフェニレンスルフィドプラスチック材料からの射出成形部材であってもよい。
【００５３】
図４ａではトランス５４が透視図で示されている。トランスハウジング６０を巻回する銅からなるフラットリボン巻線は、前記トランス５４の二次巻線ないし一次巻線８８として用いられる。フラットリボンの代わりに円形ワイヤを一次巻線とすることも考えられる。
【００５４】
楕円状の断面を有するトランスハウジング６０は、最大高よりも長い長さを有する。２つのコンタクトピン９０，９２は、トランスハウジング６０のメインの頂点から半径方向外側に向けて１つの共通の方向に突出している。この場合これらのコンタクトピン９０，９２は、一次巻線８８のそれぞれ１つの巻線端部９４ないし９６をトランスハウジング６０に固定し、電気的にコンタクトする。
【００５５】
図４ｂには、巻線端部９４，９６の拡大断面図が図４ａのコンタクトピン９０，９２と共に示されている。コンタクトピン９０，９２は、トランスハウジング６０のピン収容部９８に挿入され、例えば締まりばめ処理または接着剤を用いた緩み止めを施される。コンタクトピン９０，９２のピン長手軸線９９に関してほぼ中央に、締め付け突出部１００が形成され、この締め付け突出部はコンタクトピン９０，９２のピン長手軸線９９に対して垂直方向に形成されたほとんどフラットな締め付け面１０２を有する。この締め付け面１０２とトランスハウジング６０との間に、一次巻線８８の巻線端部９４，９６がそれぞれ締め付けられる。これらの巻線端部９４，９６は、それぞれ１つの貫通孔部１０６を有しており、この貫通孔部を通ってそれぞれのコンタクトピン９０，９２が引き出されている。付加的な固定のために、前記巻線端部９４，９６は、それぞれのコンタクトピン９０，９２と共に蝋付けされる。巻線端部９４，９６と一次巻線８８は、コンタクトピン９０，９２によって、応力結合、材料結合及び／又は形状結合的に固定され、電気的にコンタクトされる。これにより、一次巻線８８の製造過程において、従来よりも低い精度で巻回を実施することが可能となる。なぜなら、巻線単独で行われていたトランスハウジング６０への一次巻線８８の固定がもはや不要となるからである。一次巻線８８は、コンタクトピン９０，９２によって非常に堅固となり、機械的な耐性も高いものを有している。これによりトランス５４は揺れにも強くなり、そのため従来技法のように保護目的でいわゆるトランストレイに収容する必要性がなくなる。これは付加的な高いコストの原因となっていた。なぜならそれは一方ではトランスをそれにフィットさせる手間がかかり、他方ではほこりや材料ダストの除去のための定期的なクリーニングも必要としていたからである。トランス５４の処理能力のレベルアップによって、輸送及び物流コストが従来技法に比べて著しく低減された。また製造過程における取扱いもより簡易になり、製造と取付けも確実となる。
【００５６】
図５には、図３による実施例の開放側６２から見たベースエレメント３２の平面図が示されている。ここでは中央コンタクトエレメント６６の配置構成が明らかにされている。中央コンタクトエレメント６６の舌状のランプコンタクト領域６８は、図５の図面では下方に向けてやや斜めの方向でトランスチャンバー５２の長手側１０８まで延在し、そこで中央コンタクトリング３４が形成される。ランプコンタクト領域６８では、中央コンタクトエレメント６６の中央区分１１０が実質的に長手側１０８に埋設され、図５においてトランスチャンバー５２の下方側面１１２まで延在している。中央コンタクトエレメント６６は長手側１０８においてトランスコンタクト領域１１４と共にほぼ側面１１２に沿ってトランスチャンバー５２内に突出する。中央コンタクトエレメント６６のトランスコンタクト領域１１４の領域内には二次巻線５８（図３参照）の巻線端部１１６がトランスハウジング６０から引き出され、トランスコンタクト領域１１４と例えば溶接の形態で電気的に接続される。
【００５７】
中央コンタクトエレメント６６は例えばＸ５ＣｒＮｉ１８１０からなり、挿入部材としてプラスチック射出成形によって形成されたベースエレメント３２内へ統合されていてもよい。
【００５８】
図５から明らかなように、中央コンタクトリング３４は、実質的にトランスチャンバー５２長手側の長手方向中央において成型されている。この中央コンタクトリング３４と長手側１０８との接続領域は、接続ウエブ１１８を介して補強されている。トランスチャンバー５２の長手側１０８は、中央コンタクトエレメント６６の中央区分１１０の領域において拡幅されている。これは中央コンタクトエレメント６６を十分に埋設できるようにするためである。
【００５９】
中央コンタクトリング３４は、リング表面側６４から後退した円形の内部区分１２０を有しており、これによって、中央コンタクトエレメント６６のランプコンタクト領域６８は露出される。
【００６０】
図６は当該実施例によるベースエレメント３２の下方側を示している。この場合アライメントピン８４，８６は、ベースエレメント３２のコンタクト形成面８２においてずらされて配置されていることが識別できる。コンタクトプレート１２２，１２４は、図４ａのトランス５４のコンタクトピン９０，９２との電気的なコンタクト形成のためにベースエレメント３２のコンタクト形成面８２に設けられている。これらのコンタクトプレート１２２，１２４はコンタクト形成面８２に設けられており、当該コンタクト形成面８２は図２によるボード５０に対してフラットな載置が可能となるようにほぼ扁平な面を有している。ベースエレメント３２の横方向縁部１２５，１２６においては、コンタクトプレート１２２，１２４が当該ベースエレメント３２から外方へ突出したコンタクト区分１２７ないし１２８を有し、これらのコンタクト区分１２７，１２８は、図２のボード５０との抵抗スポット溶接またはレーザー溶接のために設けられている。前記コンタクトピン９０，９２はコンタクト形成面８２を貫通して引き出され、それぞれコンタクトプレート１２２，１２４の相互に向き合ったコンタクト舌部１３０ないし１３２に蝋付けされている。これらのコンタクト舌部１３０，１３２は、コンタクトピン９０，９２の容易な収容のためにそれぞれ貫通開口部１３４ないし１３６を有している。コンタクトピン９０，９２の蝋付けによってトランスチャンバー５２（図５参照）は、気密にシールされる。それぞれのコンタクトプレート１２２，１２４から突出したコンタクト区分１２７，１２８は、ベースエレメント３２の側面１１２，１３８に形成されている固定エレメント１４０，１４２によって区分毎に側方で仕切られている。これらの固定エレメント１４０，１４２により、コンタクトプレート１２２，１２４は、例えばベースエレメント３２の取付の際に生じる機械的な負荷から良好に保護され、それによって当該ベースエレメント３２をバルク品としても処理できる。固定エレメント１４０，１４２は図５においても示されている。コンタクトプレート１２２，１２４は、ベースエレメント３２のプラスチック射出成形の後で取り付けてもよいし、代替的に挿入部材として成形してもよい。
【００６１】
図４ａのコンタクトピン９０，９２の締め付け突出部１００は、一次巻線８８の固定の他に付加的に、挿入された状態において一次巻線８８をトランスチャンバー５２の内壁１４３からベースエレメント３２方向へ離間させるためのスペーサーとして使用してもよい（図３参照）。
【００６２】
コンタクトピン９０，９２を介したコンタクトプレート１２２，１２４とトランス５４（図６参照）とのコンタクト形成によって、従来技術のように一次巻線８８との電気的なコンタクト形成のためのレーザー溶接過程や例えばボード５０（図２参照）との直接的な機械的接続はもはや不要である。なぜなら一次巻線８８はコンタクトプレート１２２，１２４を介してボード５０とコンタクト可能になるからである。レーザー溶接過程の省略によって、レーザー溶接過程のために必要とされていた手間とコストのかさむ一次巻線８８のニッケルコーティングは不要になる。
【００６３】
図３によるベースエレメント３２のトランスチャンバー５２内のトランス５４の電気的な絶縁のために、トランスチャンバー５２とトランス５４の内壁１４３の間の空間が封入ないし被包材料、例えば低コストなシリコンラバー（Wacker Chemie社のElastosil RT 745など)によって封入ないし被包される。この封入ないし被包の前にベースエレメント３２と図３のトランスは、基材、例えばWacker Chemie社のＲＴＶ２−シリコンについて定められるＧ７９０で下地処理され、図３及び図５に記載の二次巻線５８の巻線端部１１６が中央コンタクトエレメント６６のトランスコンタクト領域１１４と共に蝋付けされてもよい。前記封入材料は、例えば図２のランプベース１４の熱膨張係数よりも十倍高い熱膨張係数を問題なく有し得る。なぜなら封入材料を収容するベースエレメント３２の大半がランプベース１４から物理的に分離されているからである。
【００６４】
図７には、本発明の実施例によるランプベース１４の下方側がベースカバーなしで、ボードないし基板５０とベースエレメント３２とプラグソケット４２と共に描写されている。ベースエレメント３２はコンタクトプレート１２２、１２４の突出するコンタクト区分１２７，１２８を介して抵抗スポット溶接又は代替的なレーザー溶接を用いてボード５０に溶接される。それに必要となる溶接領域１４４，１４６は、この場合ベースエレメント３２（図６）のコンタクト形成面８２とボード５０の間で実質的に突出したコンタクト区分１２７，１２８の領域に存在する。溶接によって一方ではベースエレメント３２がボード５０と物理的に接続され、他方ではトランス５４の一次巻線８８（図３）とボード５０が電気的にコンタクトされる。
【００６５】
前記ボード（基板）５０は、ベースエレメント３２のコンタクトピン９０，９２の領域において膨張ジョイント１５２，１５４を有する。これらの膨張ジョイント１５２，１５４は、ベースエレメント３２の下方領域において図７中のボード右方側１５６から実質的に直角方向にフィンガー状に延びている。膨張ジョイント１５２，１５４によって例えば図１の高圧放電ランプ１の作動中の温度変化に基づく基板ないしボード５０の体積変化や、溶接されたコンタクト区分１２７，１２８を介してボード５０へ移行するベースエレメント３２のシリコン封入材の膨張が補償され得る。膨張ジョイント１５２，１５４のさらなる機能は、それらがベースエレメント３２のコンタクト形成面から突出しているケース（図６参照）ではコンタクトピン９０，９２を収容できる点にある。これにより、ボード５０へのコンタクト形成面のほぼフラットな載置がそのようなケースにおいても可能となる。
【００６６】
ベースエレメント３２に形成されるアライメントピン８４，８６（これらは図７中溶接領域１４６，１４８のほぼ近傍に配設される）とボード５０との形状結合（部材の形状に基づく結合）によって、ベースエレメント３２とボード５０との間の熱的及び動的なエネルギーの交換による溶接領域１４６，１４８の負担軽減が可能となる。
【００６７】
図７と図２の総合的な見解によって明らかとなることは、外部から容易にアクセス可能な自由空間１５８が実質的に基板５０と、ランプベース１４の外皮面区分４０と、中央ドーム２８とベースエレメント３２によって限定されることである。この自由空間１５８を介して基板ないしボード５０は容易に電気的な構成部品を実装することができる。ここに用いられる電気的な構成部品は例えばコンデンサ１６０（これは図７において中央ドーム２８の下方で基板５０に固定され図２からわかるようにベースエレメント３２の高さのほぼ半分である）、抵抗１６２，サプレッサダイオード１６４、その他の種々の電子構成部品１６６などである。コンタクトピン４６，４８がボード５０から突出している自由空間１５８の領域には、例えばボード５０から突出する様々なワイヤのカッティングのための直径ｄ＝１０ｍｍのカッティングブレードに対しても十分なスペースが設けられている。前記ボード５０と自由空間１５８の広大な寸法によって、複数の導体線路１６８を例えばスペース不足に基づいて構成部品１６０〜１６６とボード５０の間を縫って引き出す必要性がなくなる。前記ボード５０はさらに、例えば図には示されていないがコンタクト形成点１７０，１７２の間に設けることのできるチョークなどのさらなる構成部品の集積化に対する著しい面積パフォーマンスも備えている。
【００６８】
図１のハロゲン放電ランプ１のリターンコンダクタないし給電線１２は、コンタクト形成点１７２を通ってPin-in-hole接続として引き出され、それらを介してさらにボード５０に溶接される。
【００６９】
図８には、本願実施例による中央ドーム２８、ベースエレメント３２、ベースカバー１７４の側方断面図がこれらの構成要素間の接続の詳細な説明のために示されている。中央ドーム２８はベースエレメント３２の中央コンタクトリング３４のリングスプリング７８の収容のためにドーム端面３６に環状溝１７６を有しており、この環状溝は次のように構成されている。すなわちリングスプリング７８のリング外方面１７８のみが実質的に溝壁面１８０に当接し、それによってリングスプリング７８と環状溝１７６が適合的に形成される。
【００７０】
中央コンタクトリング３４の先細形状のエネルギー配向装置８０は、中央ドーム２８のドーム端面３６において同じように先細形状に形成された収容溝１８２を形成する。前記エネルギー配向装置８０により、中央コンタクトリング３４が中央ドーム２８と超音波溶接方式を介して溶接される。この超音波溶接は一方では接続部材の高い高圧耐性を引き出し、他方ではそれによって僅かな幾何学的製造許容誤差が達成され得る。高周波な超音波変動による負担は、中央コンタクトリング３４の領域にしか作用しない。図３によるトランスチャンバー５２内のシリコンラバーはその高い慣性に基づいて超音波振動の影響を受けない。図１の放電容器４が既にランプベース１４に取り付けられているならば、その結果として放電容器４との相互作用はほとんど存在しない。なぜなら超音波エネルギーの関与が僅かだからである。超音波溶接に代えてエネルギー配向装置８０と収容溝１８２との間の接続を例えばＤｅｌｏ社のＤｅｌｏＤｕｏｐｏｘのような２Ｋ−エポキシ樹脂を用いた接着材ジョイントによって実現してもよい。
【００７１】
図８の中央ドーム２８は図１の放電容器４のリード導体１０収容のためのリード導体チャネル１８４を有している。この場合リード導体チャネル１８４は、中央ドーム２８のベース長手軸線３０に沿って延在し、中央コンタクトリング３４の漏斗状部７６の方向に開口している。リード導体１０は、リード導体チャネル１８４と漏斗状部７６を介して中央コンタクトエレメント６６の貫通孔部７２を通って引き出され、溶接ピーク１８６によって中央コンタクトエレメント６６と溶接され、それによって電気的なコンタクト形成と機械的な接続がなされる。
【００７２】
図８中のベースカバー１７４は一部のみが示されている。このベースカバー１７４は円筒状のカバー介在部１８８を介して中央コンタクトリング３４と固定的に接続される。カバー介在部軸線１８９は、ここでは中央ドーム２８のベース長手軸線３０に存在している。前記カバー介在部１８８とベースエレメント３２との接続についてはエネルギー配向装置１９０とリングスプリング１９２が中央コンタクトリング３４に相応して、中央コンタクトリング３４に配向された介在部下方側１９３にて形成される。この場合エネルギー配向装置１９０とリングスプリング１９２は、収容溝１９４と環状溝１９６に収容される。それらの溝はそれぞれ中央コンタクトリング３４のリング上側６４に形成され、収容溝１８２と中央ドーム２８の環状溝１７６に相応している。収容溝１９４と環状溝１９６は図８においてしか描写されていない。
【００７３】
カバー介在部１８８においては、中央において介在部下側１９３から収容領域１９６が後退している。この終了領域１９６により溶接ピーク１８６が収容され、それによってカバー介在部１８８から離間される。溶接ピーク１８６までの溶接はカバー介在部１８８とベースカバー１７４によって高圧に対して絶縁される。
【００７４】
カバー介在部１８８はベースカバー１７４の円筒状収容部１９８に差し込まれ、これと固定的に例えば接着剤によって接続される。
【００７５】
ベースカバー１７４は低コストなプラスチック材料、例えばＰＡ６６からなり、カバー介在部１８８はベースエレメント３２に相応してＰＰＳからなる。
【００７６】
ランプベース１４の密封のために当該ランプベース１４は図１からも明らかなようにベースカバー１７４によって完全に取り囲まれている。
【００７７】
図７において実装されたボード５０は、コンタクトピン４６，４８のピンインホール接続を介してプラグソケット４２と、図１の高圧放電ランプ１のリード導体１２と、ベースエレメント３２の溶接領域１４４，１４６に固定されている。従来技法によるボードの固定のためのいわゆる加熱変形は省かれる。
【００７８】
ランプベース１４の簡単で多分割な構造によって、ランプベース１４の３つまたは４つの個別構成要素を介した許容誤差は従来技法に比べて増えることはない。
【００７９】
ここでは別個のベースエレメントを有する多分割に構成されたランプベースが開示されており、その場合ベースエレメント内にはトランスが収容され、このトランスでは少なくとも１つの巻線がコンタクトピンを介して固定される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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