(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する回路基板と、
前記実装面に実装された実装部品と、
前記実装面上に形成され、前記実装部品を被覆する封止体であって、前記封止体の主面から前記実装面に向かって形成されたトレンチを備え、前記トレンチは前記実装面側の第１の側壁部と前記主面側の第２の側壁部から構成された側壁を有し、前記実装面に対して垂直かつ前記トレンチの延伸方向に対して垂直な面による断面において、前記第１の側壁部は前記実装面に対して第１の傾きを有し、前記第１の側壁部と前記第２の側壁部の接続点を第１の点とし、前記第２の側壁部と前記主面の接続点を第２の点としたときに、前記第１の点と前記第２の点を結ぶ直線は、前記実装面に対して前記第１の傾きより小さい第２の傾きを有し、前記封止体の側面は前記実装面に対する傾きが前記実装面から前記主面の間で一定である封止体と、
前記封止体を被覆するシールドであって、前記トレンチ内に形成された内部シールド部と、前記主面、前記側面及び前記内部シールド部上に配設された外部シールド部とを有するシールドと
を具備する回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記第１の点は、前記実装部品のうち、前記トレンチに隣接して配置される実装部品の前記実装面から高さよりも、前記実装面からの高さが高い位置にある
回路モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記実装部品は複数の実装部品を含み、
前記トレンチは、前記複数の実装部品を互いに隔てるように形成されている
回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装部品が回路基板に実装され、封止された回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板に実装された実装部品の周囲を、合成樹脂等からなる封止体によって封止した回路モジュールが利用されている。ここで、実装部品が無線通信素子である場合等に、封止体の表面を導電体で被覆し、電磁波に起因する障害（以下、電磁障害）に対するシールドとして利用するものが存在する。電磁障害には、例えば、干渉や不要輻射等がある。シールドを設けることによって、シールド内の実装部品が発する電磁波に起因するシールド外の電子機器等に対する電磁障害を防止し（Emission改善）、あるいはシールド内の実装部品に対するシールド外からの電磁波に起因する電磁障害が防止される（イミュニティ向上）。
【０００３】
さらに、回路基板に複数の実装部品が実装される場合、実装部品間の電磁障害を防止するため、実装部品の間を隔てるようにシールドを配設した回路モジュールも開発されている。実装部品は上述のように封止体によって被覆されているため、封止体を部分的に除去してトレンチ（溝）を形成し、当該トレンチ内に導電体を形成することにより実装部品間のシールドとすることができる。導電体は例えば、導電性樹脂ペーストをトレンチに充填することにより形成することが可能である。
【０００４】
例えば特許文献１には、モールド樹脂層にスリットを形成し、当該スリット内に導電性樹脂を充填することによって電子部品間のシールドとする回路モジュールが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２２５６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、封止体に形成されたトレンチに導電性樹脂ペーストを充填する際、トレンチが狭く、充填が不十分となる場合がある。トレンチ内に確実にシールドが形成されないと、所期のシールド効果を得ることができない。特に近年、回路モジュールの小型化が進み、トレンチの幅を十分に広くすることも困難となりつつある。小型の回路基板上に多数の実装部品を実装する上でもトレンチの幅を広くすると実装部品の実装面積が制限される。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、シールド効果に優れると共に、小型化に適した回路モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールは、回路基板と、実装部品と、封止体と、シールドとを具備する。
上記回路基板は、実装面を有する。
上記実装部品は、上記実装面に実装されている。
上記封止体は、上記実装面上に形成され、上記実装部品を被覆する封止体であって、上記封止体の主面から上記実装面に向かって形成されたトレンチを備え、上記トレンチは上記実装面側の第１の側壁部と上記主面側の第２の側壁部から構成された側壁を有し、上記実装面に対して垂直かつ上記トレンチの延伸方向に対して垂直な面による断面において、上記第１の側壁部は上記実装面に対して第１の傾きを有し、上記第１の側壁部と上記第２の側壁部の接続点を第１の点とし、上記第２の側壁部と上記主面の接続点を第２の点としたときに、上記第１の点と上記第２の点を結ぶ直線は、上記実装面に対して上記第１の傾きより小さい第２の傾きを有する。
上記シールドは、上記封止体を被覆するシールドであって、上記トレンチ内に形成された内部シールド部と、上記主面及び上記内部シールド部上に配設された外部シールド部とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。
【図２】同回路モジュールの平面図である。
【図３】同回路モジュールの断面図である。
【図４】同回路モジュールの封止体を示す平面図である。
【図５】同回路モジュールの封止体を示す断面図である。
【図６】同回路モジュールの封止体を示す拡大断面図である。
【図７】同回路モジュールのトレンチの形状を示す模式図である。
【図８】同回路モジュールのトレンチの形状を示す模式図である。
【図９】同回路モジュールのトレンチの形状を示す模式図である。
【図１０】同回路モジュールのトレンチの形状を示す模式図である。
【図１１】同回路モジュールのトレンチの形状を示す模式図である。
【図１２】同回路モジュールのトレンチの形状と実装部品の高さの関係を示す模式図である。
【図１３】同回路モジュールのシールドを示す拡大断面図である。
【図１４】同回路モジュールの製造方法を示す模式図である。
【図１５】同回路モジュールの製造方法を示す模式図である。
【図１６】比較例に係る回路モジュールの模式図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る回路モジュールの模式図である。
【図１８】比較例に係る回路モジュールの模式図である。
【図１９】本発明の実施形態に係る回路モジュールの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る回路モジュールは、回路基板と、実装部品と、封止体と、シールドとを具備する。
上記回路基板は、実装面を有する。
上記実装部品は、上記実装面に実装されている。
上記封止体は、上記実装面上に形成され、上記実装部品を被覆する封止体であって、上記封止体の主面から上記実装面に向かって形成されたトレンチを備え、上記トレンチは上記実装面側の第１の側壁部と上記主面側の第２の側壁部から構成された側壁を有し、上記実装面に対して垂直かつ上記トレンチの延伸方向に対して垂直な面による断面において、上記第１の側壁部は上記実装面に対して第１の傾きを有し、上記第１の側壁部と上記第２の側壁部の接続点を第１の点とし、上記第２の側壁部と上記主面の接続点を第２の点としたときに、上記第１の点と上記第２の点を結ぶ直線は、上記実装面に対して上記第１の傾きより小さい第２の傾きを有する。
上記シールドは、上記封止体を被覆するシールドであって、上記トレンチ内に形成された内部シールド部と、上記主面及び上記内部シールド部上に配設された外部シールド部とを有する。
【００１１】
シールドは、トレンチの形成後に封止体をシールド材料によって被覆することにより形成することが可能であり、シールド材料がトレンチ内に充填されることにより内部シールド部が形成される。ここで、トレンチが上記形状を有している場合、トレンチ内へのシールド材料の充填性が高く、トレンチ内に確実にシールド材料を充填することが可能であるため、内部シールド部によるシールド効果を確実に発生させることが可能である。また、この構成によれば、第２の側壁部における内部シールド部の厚みが大きくなり、この点でもシールド効果を大きくすることが可能である。さらに、上記構成によれば実装部品と内部シールド部が接近するが、シールド材料は封止体を構成する封止材料に比較して熱伝導性が高いため、実装部品の熱が内部シールド部を介して放熱されやすくなる。
【００１２】
上記第１の点は、上記実装部品のうち、上記トレンチに隣接して配置される実装部品の上記実装面から高さよりも、上記実装面からの高さが高い位置にあってもよい。
【００１３】
トレンチに隣接して配置される実装部品は、トレンチに露出することを防止するため、トレンチから一定の距離を確保して実装される必要がある。トレンチの側壁が一定の傾きを有する場合、トレンチの幅（側壁の間隔）を大きくすると、その分だけ実装部品を離間して実装する必要がある。これに対し、本発明のようにトレンチの側壁が一定の傾きを有しない場合、第２の側壁部の間隔を大きくしても、第１の側壁部の間隔が大きくならず、実装部品を離間して実装する必要がない。即ち、実装部品の高密度な実装が可能である。
【００１４】
上記実装部品は複数の実装部品を含み、
上記トレンチは、上記複数の実装部品を互いに隔てるように形成されていてもよい。
【００１５】
この構成によれば、トレンチを挟んで実装された実装部品間の電磁障害を、トレンチ内に形成された内部シールド部によって防止することが可能である。上述のように本発明においてはトレンチと実装部品の間隔を維持したまま、第２の側壁部の間隔を大きくし、即ち内部シールド部の厚みを大きくすることが可能であるから、実装部品の高密度な実装を可能としつつ、実装部品間の電磁障害を有効に防止することが可能である。
【００１６】
本発明の実施形態に係る回路モジュールについて説明する。
【００１７】
［回路モジュールの構成］
図１は、本実施形態に係る回路モジュール１００の斜視図であり、図２は回路モジュール１００の平面図である。また、図３は回路モジュール１００の断面図であり、図２のＡ−Ａ線における断面図である。なお各図において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は互いに直交する方向を示す。
【００１８】
図１乃至図３に示すように、回路モジュール１００は、回路基板１０１、実装部品１０２、封止体１０３及びシールド１０４を備える。回路モジュール１００の大きさや形状は特に限定されないが、例えば数十ｍｍ角で厚さ数ｍｍの直方体形状であるものとすることができる。
【００１９】
回路基板１０１は、実装部品１０２等が実装される基板である。回路基板１０１は、ガラスエポキシ系材料や絶縁性セラミック材料等の絶縁性材料からなる層が積層された多層基板であるものとすることができ、その層内には、図示しない層内配線が形成されているものとすることができる。以下、回路基板１０１の、実装部品１０２が実装される側の面を実装面１０１ａとする。なお、上記Ｘ方向及びＹ方向は実装面１０１ａに対して平行であり、即ちＸ−Ｙ平面は実装面１０１ａと平行であるものとする。
【００２０】
実装面１０１ａには、図３に示すように表層導体１０５が配設されている。表層導体１０５は、導電性材料からなり、実装面１０１ａ上に塗布され、硬化された導電性ペーストであってもよく、実装面１０１ａ上にメッキ等により形成された金属膜であってもよい。表層導体１０５は、実装面１０１ａ上において、後述するトレンチ１０６に沿って配設されているものとすることができる。
【００２１】
表層導体１０５は、回路基板１０１内の層内配線に接続され、この層内配線を介して実装部品１０２に電気的に接続されているものとすることができる。具体的には、表層導体１０５は、回路モジュール１００のグランド端子に電気的に接続され、即ち回路モジュール１００のグランド電位と同電位であるものとすることができる。
【００２２】
実装部品１０２は、実装面１０１ａに実装された部品であり、例えば、集積回路（ＩＣ）、コンデンサ、インダクタ、抵抗、水晶振動子、デュプレクサ、フィルタ、パワーアンプ等である。実装部品１０２は、はんだＨによるはんだ接合によって実装面１０１ａに実装されているものとすることができる。図２に示すように、回路基板１０１には、複数の実装部品１０２が実装されるものとすることができる。なお、実装部品１０２の数や配置は特に限定されない。
【００２３】
封止体１０３は、封止材料からなり、実装面１０１ａ上において実装部品１０２を被覆する。封止材料は例えば、シリカやアルミナが添加されたエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂である。封止体１０３は、実装部品１０２が実装面１０１ａに実装された後、流体状の封止材料が実装部品１０２の周囲に充填され、硬化されたものとすることができる。
【００２４】
図４は、封止体１０３を示す平面図であり、図２におけるシールド１０４を省略した図である。図５は、封止体１０３を示す断面図であり、図３におけるシールド１０４を省略した図である。これらの図に示すように、封止体１０３にはトレンチ１０６が形成されている。以下、封止体１０３の主面を主面１０３ａとする。
【００２５】
トレンチ１０６は、主面１０３ａから実装面１０１ａに向かって封止体１０３が溝状に除去され、形成されたものとすることができる。トレンチ１０６の形成方法やトレンチ１０６の詳細については後述するが、トレンチ１０６は図４に示すように、複数の実装部品１０２の間に、実装部品１０２を隔てるように形成されているものとすることができる。トレンチ１０６の延伸方向（Ｘ−Ｙ平面におけるトレンチ１０６の延びる方向）は、実装部品１０２の種類や配置に応じて図４に示すように複数の方向となる。例えば図４におけるＡ−Ａ線との交差箇所におけるトレンチ１０６の延伸方向はＹ方向であり、Ｂ−Ｂ線と交差箇所におけるトレンチ１０６の延伸方向はＸ方向である。
【００２６】
シールド１０４は、導電性材料であるシールド材料からなり、電磁障害に対するシールドとして機能する。シールド材料は例えば、ＡｇやＣｕ等の導電性粒子を含有するエポキシ樹脂等の導電性樹脂であるものとすることができる。
【００２７】
シールド１０４は、図３に示すように、内部シールド部１０４ａと外部シールド部１０４ｂを有する。内部シールド部１０４ａは、トレンチ１０６内に形成され、トレンチ１０６を介して表層導体１０５に当接し、表層導体１０５に電気的に接続されているものとすることができる。
【００２８】
外部シールド部１０４ｂは、封止体１０３の主面１０３ａ（図５参照）及び内部シールド部１０４ａ上に配設されている。外部シールド部１０４ｂは内部シールド部１０４ａと連続しており、内部シールド部１０４ａを介して表層導体１０５に電気的に接続されている。上述のように表層導体１０５は回路モジュール１００のグランドであるものとすることができ、シールド１０４はグランド電位であるものとすることができる。
【００２９】
回路モジュール１００は、以上のような全体構成を有する。回路モジュール１００においては、シールド１０４によって電磁障害が防止される。具体的には、外部シールド部１０４ｂによって、回路モジュール１００の外部から実装部品１０２への電磁障害、又は実装部品１０２から回路モジュール１００の外部への電磁障害が防止される。また、内部シールド部１０４ａによって、実装部品１０２の相互間の電磁障害が防止される。
【００３０】
［トレンチ及びシールドについて］
トレンチ１０６の詳細について説明する。図６はトレンチ１０６を示す断面図であり、図５の拡大図である。図６は、図２におけるＡ−Ａ線で示す封止体１０３等の断面図であり、この断面は、実装面１０１ａ（Ｘ−Ｙ平面）に対して垂直かつトレンチ１０６の延伸方向（ここではＹ方向）に対して垂直な面（Ｘ−Ｚ平面）である。
【００３１】
図６に示すようにトレンチ１０６は、第１側壁部１０６ａと第２側壁部１０６ｂから構成された側壁を備える。第１側壁部１０６ａはトレンチ１０６の側壁において、実装面１０１ａ側の部分であり、側壁のうち実装面１０１ａ側から一定の傾きを有する部分である。第２側壁部１０６ｂはトレンチ１０６の側壁において主面１０３ａ側の部分であり、側壁のうち第１側壁部１０６ａと傾きが連続しない部分である。
【００３２】
図７は、トレンチ１０６の側壁を示す模式図であり、図７（ａ）は図６と同一の断面を示す。図７（ａ）に示すように、第１側壁部１０６ａと第２側壁部１０６ｂの接続点を点Ｐ１とし、第２側壁部１０６ｂと主面１０３ａの接続点をＰ２とする。また、点Ｐ１と点Ｐ２を結ぶ直線を直線Ｌとする。
【００３３】
図７（ｂ）は、第１側壁部１０６ａと線Ｌの傾きを示す模式図である。同図に示すように、第１側壁部１０６ａの実装面１０１ａに対する傾きを傾きＡ１とし、実装面１０１ａに対する直線Ｌ２の傾きを傾きＡ２とすると、傾きＡ２は傾きＡ１より小さい。
【００３４】
トレンチ１０６は、第１側壁部１０６ａと第２側壁部１０６ｂは上記関係を満たすものであればよい。図８乃至図１１は、本実施形態に係るトレンチ１０６の各種形状を示す断面図及び模式図であり、実装面１０１ａ（Ｘ−Ｙ平面）に対して垂直かつトレンチ１０６の延伸方向（ここではＹ方向）に対して垂直な面（Ｘ−Ｚ平面）の断面を示す。
【００３５】
図８及び図９に示すように、第２側壁部１０６ｂは曲面状であってもよく、図１０に示すように、第１側壁部１０６ａ及び第２側壁部１０６ｂの一部が実装面１０１ａに対して垂直であってもよい。また、図１１に示すように、第１側壁部１０６ａのみが実装面１０１ａに対して垂直であってもよい。いずれの場合であっても、直線Ｌの傾きは、第１側壁部１０６ａの実装面１０１ａに対する傾きより小さい。
【００３６】
さらに、トレンチ１０６において、点Ｐ１はトレンチ１０６に隣接する実装部品１０２の実装高よりも高い位置に存在するものが好適である。図１２は、点Ｐ１と実装部品１０２の実装高の関係を示す模式図である。同時に示すように、点Ｐ１の高さ（実装面１０１ａからの高さ）を高さＨ１とし、トレンチ１０６に隣接する実装部品１０２の実装高（実装面１０１ａからの高さ）を高さＨ２とすると、高さＨ１が高さＨ２より高い位置に存在する。上述した各形状のトレンチ１０６においても同様である。
【００３７】
上述のように、封止体１０３を被覆するようにシールド１０４が形成される。具体的にはトレンチ１０６の内部に内部シールド部１０４ａが形成され、封止体１０３の主面１０３ａ（図５参照）及び内部シールド部１０４ａ上に外部シールド部１０４ｂが配設される。
【００３８】
図１３は、シールド１０４を示す拡大断面図である。同図に示すように、内部シールド部１０４ａはトレンチ１０６内に形成され、第１側壁部１０６ａ及び第２側壁部１０６ｂに隙間無く形成される。上述のように、第２側壁部１０６ｂは線Ｌの傾きが第１側壁部１０６ａの傾きより小さくなるように形成されているので、第２側壁部１０６ｂ間の内部シールド部１０４ａは、第１側壁部１０６ａ間の内部シールド部１０４ａより大きい厚みを有する。
【００３９】
［製造方法］
［回路モジュールの製造方法］
回路モジュール１００の製造方法について説明する。図１４及び図１５は回路モジュール１００の製造方法を示す模式図である。なお、回路モジュール１００は、ひとつの回路基板上に複数が同時に製造され、各回路モジュール１００に分割されるものとすることができるが、以下ではそのうちの一つの回路モジュール１００について説明する。
【００４０】
図１４（ａ）に示すように、回路基板１０１の実装面１０１ａに、実装部品１０２を実装する。実装は、はんだ接合等の各種実装方法によってすることができる。なお、実装面１０１ａには、予め表層導体１０５が配設されている。
【００４１】
続いて、図１４（ｂ）に示すように、実装面１０１ａ上において、実装部品１０２を被覆するように、封止材料Ｆを充填する。封止材料Ｆの充填は例えば真空印刷によって行うことができる。その後、封止材料Ｆを硬化させ、封止材料Ｆからなる封止体１０３を形成する。封止材料Ｆの硬化は例えばベーキングによって行うことができる。
【００４２】
続いて、図１４（ｃ）に示すように、封止体１０３を回路モジュール１００毎にハーフカットする。封止体１０３のハーフカットは例えばダイサーによってすることができる。
【００４３】
続いて、図１５（ａ）に示すように、封止体１０３にレーザーＬを照射し、走査する。レーザーＬの照射により封止体１０３が線状に除去され、図１５（ｂ）に示すようにトレンチ１０６が形成される。レーザーＬの走査経路によって、図４に示すような形状（線形）を有するトレンチ１０６が形成される。
【００４４】
ここで、レーザーＬの照射方法によって、上述したような第１側壁部１０６ａ及び第２側壁部１０６ｂを有するトレンチ１０６を形成することが可能である。例えば、レーザーＬを照射する際のレーザーの焦点を主面１０３ａからずらすことによって、レーザーＬを拡散させ、上記形状を有するトレンチ１０６を形成することが可能である。また、レーザーＬの走査後に、既に形成されたトレンチの周囲にさらにレーザーＬを照射し、上記形状を有するトレンチ１０６を形成することも可能である。
【００４５】
続いて、図１５（ｃ）に示すように、封止体１０３上にシールド材料Ｓを配置する。シールド材料Ｓは、封止体１０３上に導電性樹脂ペーストを塗布することによって配置することができる。この際、シールド材料Ｓがトレンチ１０６内に充填される。その後、シールド材料Ｓをベーキング等によって硬化させ、シールド１０４とする。
【００４６】
続いて、シールド１０４及び回路基板１０１を、回路モジュール１００毎に裁断（フルカット）する。シールド１０４及び回路基板１０１の裁断は例えばダイサーによってすることができる。これにより、図３に示すように、回路モジュール１００が作製される。上述のように、シールド材料Ｓは、封止体１０３におけるトレンチ１０６の形成後に封止体１０３上に配置されるため、トレンチ１０６の形状によって内部シールド部１０４ａの形状が決定される。
【００４７】
［効果］
本実施形態に係る回路モジュール１００は次のような効果を有する。まず、トレンチ１０６内に確実に内部シールド部１０４ａを形成することが可能である。トレンチ１０６の第２側壁部１０６ｂは線Ｌの傾きが第１側壁部１０６ａの傾きより小さくなるように形成されているので、第２側壁部１０６ｂ間の間隔が広い。このため、シールド材料（導電性樹脂ペースト）をトレンチ１０６内に確実に充填することが可能である。
【００４８】
また、第２側壁部１０６ｂ間に形成された内部シールド部１０４ａの厚さが大きくなるため、内部シールド部１０４ａのシールド効果が大きくなる。図１６は比較例に係る回路モジュール２００のトレンチ周辺の模式図、図１７は本実施形態に係る回路モジュール１００のトレンチ周辺の模式図である。
【００４９】
図１６に係る回路モジュール２００は、回路基板２０１、実装部品２０２、封止体２０３及びシールド２０４を有する。回路基板２０１の実装面２０１ａには表層導体２０５が配設されていると共に実装部品２０２が実装され、実装部品２０２は封止体２０３によって被覆されている。封止体２０３にはトレンチ２０６が形成され、シールド２０４はトレンチ２０６内に形成された内部シールド部２０４ａと封止体２０３の主面及び内部シールド部２０４ａ上に配設された外部シールド部２０４ｂを有する。同図に示すように、回路モジュール２００においては、デッドスペースＲが存在する。
【００５０】
これに対し、図１７に示す本実施形態に係る回路モジュール１００においては、上記のようなデッドスペースが存在せず、内部シールド部１０４ａの厚みが大きくなるため、回路モジュール２００に比較してシールド効果を大きくすることが可能である。さらに、同図に示すように、回路モジュール１００においては、実装部品１０２と内部シールド部１０４ａの距離（図中矢印）が回路モジュール２００より接近する。シールド１０４を構成するシールド材料は一般に封止体１０３を構成する封止材料に比べて熱伝導性が高いため、実装部品１０２からの熱が内部シールド部１０４ａを通じて放熱されやすくなる。
【００５１】
さらに、回路基板１０１における実装部品１０２の高密度の実装が可能である。図１８は比較例に係る回路モジュール２００のトレンチ周辺の模式図、図１９は本実施形態に係る回路モジュール１００のトレンチ周辺の模式図である。
【００５２】
図１８に示すように、回路モジュール２００において、実装部品２０２がトレンチ２０６から露出することを防止するため、実装部品２０２とトレンチ２０６の間は所定の距離（距離Ｄ１）を設ける必要がある。このため、シールド材料の充填性を向上させるためにトレンチ２０６の幅を大きくすると、トレンチ２０６を挟んだ実装部品２０２間の距離（距離Ｄ２）は大きくなる。
【００５３】
これに対し、図１９に示すように回路モジュール１００においては、トレンチ１０６の第２側壁部１０６ｂ間の幅を大きくしても、第１側壁部１０６ａ間の幅は第２側壁部１０６ｂ間の幅より小さい。このため、実装部品１０２とトレンチ１０６の距離を比較例と同一の距離Ｄ１とした場合であっても、トレンチ１０６を挟んだ実装部品１０２間の距離（距離Ｄ３）は距離Ｄ２に比べて小さくなる。これは特に、上述した点Ｐ１が実装部品１０２の実装高（高さＨ２）より高い場合に有効である。このように回路モジュール１００では実装部品１０２の高密度の実装が可能である。
【００５４】
［変形例］
上記実施形態において、シールド材料は導電性樹脂であるものとして説明したが、メッキにより封止体上に形成される金属膜であってもよい。この場合であっても、本発明においてはメッキ液がトレンチ内に侵入しやすくなり、トレンチ内に確実に内部シールド部を形成することが可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１００…回路モジュール
１０１…回路基板
１０２…実装部品
１０３…封止体
１０４…シールド
１０４ａ…内部シールド部
１０４ｂ…外部シールド部
１０５…表層導体
１０６…トレンチ
１０６ａ…第１側壁部
１０６ｂ…第２側壁部
【要約】
【課題】シールド効果に優れると共に、小型化に適した回路モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明に係る回路モジュールは、回路基板と、実装部品と、封止体と、シールドとを具備する。回路基板は、実装面を有する。実装部品は、実装面に実装されている。封止体は、実装面上に形成され、実装部品を被覆する封止体であって、封止体の主面から実装面に向かって形成されたトレンチを有し、トレンチは実装面側の第１の側壁部と主面側の第２の側壁部から構成された側壁を有し、第１の側壁部は第１の傾きを有し、第１の側壁部と第２の側壁部の接続点を第１の点とし、第２の側壁部と主面の接続点を第２の点としたときに、第１の点と第２の点を結ぶ直線は、第１の傾きより小さい第２の傾きを有する。シールドは、封止体を被覆するシールドであって、トレンチ内に形成された内部シールド部と、主面及び内部シールド部上に配設された外部シールド部とを有する。
【選択図】図６【図１】
0005517378.tif 000002
【図２】
0005517378.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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