(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）成分及び下記の（Ｂ）成分を含有することを特徴とする液晶配向処理剤。
（Ａ）成分：下記の式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体の分子内にカルボキシル基を有するポリイミド。
（Ｂ）成分：分子内に１級アミノ基を１個と窒素含有芳香族複素環とを有し、かつ前記１級アミノ基が脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合しているアミン化合物。
【化１】
0005382351.tif 000049
（式［１］中、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は下記の式［２］を含む２価の有機基である。）
【化２】
0005382351.tif 000050
（式［２］中、Ｘ１は、１，４−フェニレン又は１，４−シクロヘキシレンであり、Ｘ２は炭素数３〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２のフルオロアルキル基、又は炭素数３〜１２のフルオロアルコキシ基である。）
【請求項２】
式［２］中のＸ２が炭素数３〜６のアルキル基、炭素数３〜６のアルコキシ基、炭素数３〜６のフルオロアルキル基、又は炭素数３〜６のフルオロアルコキシ基である請求項１に記載の液晶配向処理剤。
【請求項３】
式［１］中のＲ２が、下記の式［３］を含む２価の有機基である請求項１に記載の液晶配向処理剤。
【化３】
0005382351.tif 000051
（式［３］中、ｎは２〜１１の整数であり、１，４−シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、トランス異性体である。）
【請求項４】
式［１］中のＲ２が、下記の式［４］を含む２価の有機基である請求項１に記載の液晶配向処理剤。
【化４】
0005382351.tif 000052
（式［４］中、ｎは２〜１１の整数であり、１，４−シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、トランス異性体である。）
【請求項５】
（Ａ）成分が、式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体の有するカルボキシル基の量が、該重合体の繰り返し単位に対する平均値で０．１〜３個である請求項１〜４のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【請求項６】
（Ａ）成分が、前記の式［１］で表される繰り返し単位の構造式中、繰り返し単位の一部が下記の式［５］で表される単位を有する構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体のカルボキシル基の量が、該重合体の繰り返し単位に対する平均値で０．１〜３個である請求項１〜５のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化５】
0005382351.tif 000053
（式中、Ｒ３は４価の有機基であり、Ｒ４は２価の有機基であり、Ｒ３又はＲ４の少なくとも一方はカルボキシル基を有する。）
【請求項７】
（Ｂ）成分が、下記の式［６］で表されるアミン化合物である請求項１〜６のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化６】
0005382351.tif 000054
（式［６］中、Ｙ１は脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基を有する２価の有機基であり、Ｙ２は窒素含有芳香族複素環である。）
【請求項８】
（Ｂ）成分が、下記の式［７］で表されるアミン化合物である請求項７に記載の液晶配向処理剤。
【化７】
0005382351.tif 000055
（式［７］中、Ｙ３は炭素数１〜１０の２価の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基であり、Ｙ４は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−又は炭素数１〜１９の２価の有機基である。また、Ｙ３とＹ４が有する炭素原子の合計は１〜２０である。Ｙ５は窒素含有芳香族複素環である。）
【請求項９】
（Ｂ）成分が、式［７］のＹ３、Ｙ４、及びＹ５がそれぞれ下記に記載の基又は環から選択される組み合わせからなるアミン化合物である請求項８に記載の液晶配向処理剤。
但し、Ｙ３は、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基、炭素数１〜１０の不飽和アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、及びアダマンタン環からなる群から選ばれる１種である；
Ｙ４は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、炭素数１〜１９の炭化水素基、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＦ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、アズレン環、インデン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フェナレン環、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環、オキサゾール環、ピペラジン環、ピペリジン環、ジオキサン環、及びモルフォリン環からなる群から選ばれる１種である；
Ｙ５は、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、及びアクリジン環からなる群から選ばれる1種である。
【請求項１０】
（Ａ）成分のポリイミドの有するカルボキシル基の１モル量に対して、（Ｂ）成分を０．０１〜２モル倍量の割合で含有する請求項１〜９のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【請求項１１】
（Ａ）成分のポリイミドと（Ｂ）成分のアミン化合物とを含有する有機溶媒を加熱下に混合して得られる請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶配向処理剤から得られる液晶配向膜。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶配向膜を作製する際に用いる液晶配向処理剤、及びそれを用いた液晶表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶表示素子の液晶配向膜としては、ポリアミド酸などのポリイミド前駆体や可溶性ポリイミドの溶液を主成分とする液晶配向処理剤（液晶配向剤とも云う）を塗布し焼成した、いわゆるポリイミド系の液晶配向膜が主として用いられている。【０００３】
液晶配向膜に求められる特性のひとつとして、基板面に対する液晶分子の配向傾斜角を任意の値に保つ、いわゆる液晶のプレチルト角制御がある。このプレチルト角の大きさは、液晶配向膜を構成しているポリイミドの構造を選択することで変更できることが知られている。【０００４】
ポリイミドの構造によってプレチルト角を制御する技術の中でも、側鎖を有するジアミンをポリイミド原料の一部として用いる方法は、このジアミンの使用割合に応じてプレチルト角が大きくなるので、目的のプレチルト角に制御することが比較的容易であり、プレチルト角を大きくする手段として有用である。液晶のプレチルト角を大きくするジアミンの側鎖構造としては、ステロイド骨格（例えば特許文献１参照）、フェニル基やシクロヘキシル基などの環構造を含むものが提案されている（例えば特許文献２参照）。更には、このような環構造を側鎖に３個から４個有するジアミンも提案されている（例えば特許文献３参照）。【０００５】
一方で、液晶配向膜作製の工程において、ポリアミド酸の溶液や溶媒可溶性ポリイミドの溶液を基板に塗布する場合、工業的にはフレキソ印刷などで行うことが一般的であり、塗布液の溶媒は、ポリマーの溶解性に優れるＮ−メチル−２−ピロリドンやγ−ブチロラクトンなどに加えて、均一で欠陥の無い薄膜を形成させる目的でブチルセロソルブなどが混合されている。しかしながら、ブチルセロソルブなどの溶媒は、ポリアミック酸やポリイミドを溶解させる能力に劣る為、多量に混合すると析出が発生するという問題を有している（例えば特許文献４参照）。特に、溶媒可溶性ポリイミドの溶液では、この問題が顕著に表れる。また、前記したような側鎖を有するジアミンを使用して得られたポリイミドは、溶液の塗布均一性が低下する傾向にあるため、ブチルセロソルブなどの塗布性改善溶媒の混合量を多くする必要があり、このような溶媒の混合許容量もポリイミドの重要な特性となる。【０００６】
また、液晶表示素子の高精細化に伴い、液晶表示素子のコントラスト低下の抑制や残像現象の低減といった観点から、そこに使用される液晶配向膜においても電圧保持率が高いことや、直流電圧を印加した際の蓄積電荷が少なく、また、直流電圧により蓄積した残留電荷の緩和が早いといった特性が次第に重要となってきている。【０００７】
ポリイミド系の液晶配向膜において、直流電圧によって発生した残像が消えるまでの時間が短いものとして、ポリアミド酸やイミド基含有ポリアミド酸に加えて特定構造の３級アミンを含有する液晶配向剤を使用したもの（例えば特許文献５参照）や、ピリジン骨格などを有する特定ジアミンを原料に使用した可溶性ポリイミドを含有する液晶配向剤を使用したもの（例えば特許文献６参照）などが知られている。また、電圧保持率が高く、かつ直流電圧によって発生した残像が消えるまでの時間が短いものとして、ポリアミド酸やそのイミド化重合体などに加えて分子内に１個のカルボン酸基を含有する化合物、分子内に１個のカルボン酸無水物基を含有する化合物および分子内に１個の３級アミノ基を含有する化合物から選ばれる化合物を極少量含有する液晶配向剤を使用した液晶配向剤（例えば特許文献７参照）が知られている。【０００８】
しかしながら、近年では大画面で高精細の液晶テレビが広く実用化されており、このような用途における液晶表示素子では、それまでの文字や静止画を主として表示するディスプレイ用途と比較して、残像に対する要求はより厳しくなり、かつ過酷な使用環境での長期使用に耐えうる特性が要求されている。従って、そこに使用される液晶配向膜は従来よりも信頼性の高いものが必要となってきており、液晶配向膜の電気特性に関しても、初期特性が良好なだけでなく、例えば、高温下に長時間曝された後、さらにバックライトの紫外線に長時間曝された後であっても、良好な特性を維持することが求められている。【０００９】
【特許文献１】特開平４−２８１４２７号公報
【特許文献２】特開平９−２７８７２４号公報
【特許文献３】特開２００４−６７５８９号公報
【特許文献４】徳開平２−３７３２４号公報
【特許文献５】特開平９−３１６２００号公報
【特許文献６】特開平１０−１０４６３３号公報
【特許文献７】特開平８−７６１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、液晶配向膜にした際に、液晶のプレチルト角を大きくする特性を有しており、少ない使用割合でも液晶を垂直に配向させることができ、また、液晶配向処理剤の塗布液に貧溶媒を混合したときにも析出が発生しにくい液晶配向処理剤を提供する。これらの特性に加え、電圧保持率が高く、更に高温下に長時間曝された後であっても、直流電圧により蓄積する残留電荷の緩和が速く、かつバックライトの紫外線に長時間曝された後でも電圧保持率の低下を抑制できる液晶配向膜が得られる液晶配向処理剤を提供することにある。更には過酷な使用環境での長期使用に耐えうる信頼性の高い液晶表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記の目的を達成するべく鋭意研究を進めたところ、これを達成する新規な液晶配向処理剤を見出した。本発明はかかる知見に基づくもので、以下の要旨を有する。
（１）下記の（Ａ）成分及び下記の（Ｂ）成分を含有することを特徴とする液晶配向処理剤。
（Ａ）成分：下記の式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体の分子内にカルボキシル基を有するポリイミド。
（Ｂ）成分：分子内に１級アミノ基を１個と窒素含有芳香族複素環とを有し、かつ前記１級アミノ基が脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合しているアミン化合物。【００１２】
【化１】
0005382351.tif 000002
（式［１］中、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は下記の式［２］を含む２価の有機基である。）【００１３】
【化２】
0005382351.tif 000003
（式［２］中、Ｘ１は、１，４−フェニレン又は１，４−シクロヘキシレンであり、Ｘ２は炭素数３〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２のフルオロアルキル基、炭素数３〜１２のフルオロアルコキシ基のいずれかである。）
（２）式［１］中のＲ２が、下記の式［３］を含む２価の有機基である前記（１）記載の液晶配向処理剤。【００１４】
【化３】
0005382351.tif 000004
（式［３］中、ｎは２〜１１の整数であり、１，４−シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、トランス異性体である。）
（３）式［１］中のＲ２が、下記の式［４］を含む２価の有機基である前記（１）記載の液晶配向処理剤。【００１５】
【化４】
0005382351.tif 000005
（式［４］中、ｎは２〜１１の整数であり、１，４−シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、トランス異性体である。）
（４）（Ａ）成分が、式［１］で表される繰り返し単位の構造式からなるポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体のカルボキシル基の量が、該重合体の繰り返し単位に対する平均値で０．１〜３個である前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
（５）（Ａ）成分が、前記の式［１］で表される繰り返し単位の構造式中、繰り返し単位の一部が下記の式［５］で表される単位を有する構造式からなるポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体のカルボキシル基の量が、該重合体の繰り返し単位に対する平均値で０．１〜３個である前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。【００１６】
【化５】
0005382351.tif 000006
（式中、Ｒ３は４価の有機基であり、Ｒ４は２価の有機基であり、Ｒ３又はＲ４の少なくとも一方はカルボキシル基を有する。）
（６）（Ｂ）成分が、下記の式［６］で表されるアミン化合物である前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。【００１７】
【化６】
0005382351.tif 000007
（式［６］中、Ｙ１は脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基を有する２価の有機基であり、Ｙ２は窒素含有芳香族複素環である。）
（７）（Ｂ）成分が、下記の式［７］で表されるアミン化合物である前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。【００１８】
【化７】
0005382351.tif 000008
（式［７］中、Ｙ３は炭素数１〜１０の２価の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基であり、Ｙ４は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−又は炭素数１〜１９の２価の有機基である。また、Ｙ３とＹ４が有する炭素原子の合計は１〜２０である。Ｙ５は窒素含有芳香族複素環である。）
（８）（Ｂ）成分が、式［７］のＹ３、Ｙ４、及びＹ５がそれぞれ下記に記載の基又は環から選択される組み合わせからなるアミン化合物である前記（７）に記載の液晶配向処理剤。【００１９】
但し、Ｙ３は、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基、炭素数１〜１０の不飽和アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、及びアダマンタン環からなる群から選ばれる１種である；
Ｙ４が、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、炭素数１〜１９の炭化水素基、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＦ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、アズレン環、インデン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フェナレン環、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環、オキサゾール環、ピペラジン環、ピペリジン環、ジオキサン環、及びモルフォリン環からなる群から選ばれる１種である；
Ｙ５が、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、及びアクリジン環からなる群から選ばれる1種である。
（９）（Ａ）成分のポリイミド中に含まれるカルボキシル基の１モル量に対して、（Ｂ）成分を０．０１〜２モル倍量の割合で含有する前記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
（１０）（Ａ）成分のポリイミドと（Ｂ）成分のアミン化合物とを含有する有機溶媒を加熱下に混合して得られる前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
（１１）前記（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤から得られる液晶配向膜
（１２）前記（１１）に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の液晶配向処理剤は比較的簡便な方法で得ることができる。また、本発明の液晶配向処理剤は、液晶配向膜にした際に、液晶のプレチルト角を大きくする特性を有しており、少ない使用割合でも液晶を垂直に配向させることができる。また、液晶配向処理剤の塗布液に貧溶媒を混合したときにも析出が発生しにくい。さらに、電圧保持率が高く、かつ高温下に長時間曝された後であっても、直流電圧により蓄積する残留電荷の緩和が速い液晶配向膜を得ることができる。【００２１】
また、本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜を有する液晶表示素子は、信頼性に優れたものとなり、大画面で高精細の液晶テレビなどに好適に利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の液晶配向処理剤は、（Ａ）成分である、前記の式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体の分子内にカルボキシル基を有するポリイミド（以下、特定ポリイミドと称することもある。）、及び（Ｂ）成分である、分子内にアミノ基を１個と窒素含有芳香族複素環とを有し、かつ前記アミノ基が脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基に結合しているアミン化合物（以下、特定アミン化合物と称することもある。）を含有する液晶配向処理剤である。なお、本明細書において、上記したアミノ基（−ＮＨ２）は１級アミノ基と同義であり、以下１級アミノ基とも言う。【００２３】
本発明の液晶配向処理剤における特定ポリイミドは、側鎖にプレチルト角を高める特性がある置換基を有する特定ジアミン（以下、特定ジアミンと称することもある。）を原料に用いる。そのため、この特定ジアミンを使用した場合、得られる液晶配向処理剤が少ない使用割合でも液晶を垂直に配向させることができる。また、使用割合を少なくすることで、重合体の有機溶媒溶解性が高くなり、液晶配向処理剤の塗布液に貧溶媒を混合したときにも析出が発生しにくい。【００２４】
本発明の液晶配向処理剤において、特定アミン化合物中のアミノ基は、特定ポリイミド中のカルボキシル基と塩形成をしているか、特定ポリイミド中のカルボキシル基やカルボキシエステル基に対して水又はアルコールの脱離を伴うアミド結合をしているか、特定ポリイミド中のイミド基に対してイミド基の開環を伴う結合反応をしていると考えられる。更に、液晶配向膜を作製する際の焼成工程によって、特定ポリイミド中のカルボキシル基と塩形成をしているアミノ基は、水の脱離によりアミド結合を形成すると考えられる。その結果、本発明の液晶配向処理剤は、有機溶媒中で混合するという簡便な手段にも係わらず、得られる液晶配向膜中では、特定アミン化合物と特定ポリイミドとが効率良く結合していると考える。【００２５】
一方、特定アミン化合物中の窒素含有芳香族複素環は、その共役構造により電子のホッピングサイトとして機能するので、得られる液晶配向膜中の電荷の移動を促進する。また、液晶配向膜とした際に、窒素含有芳香族複素環と特定ポリイミド中のカルボキシル基とが塩形成や水素結合といった静電的相互作用で結ばれることで、特定ポリイミド中のカルボキシル基と特定アミン化合物中の窒素含有芳香族複素環との間で電荷の移動が起こる。更には、この特定アミン化合物は特定ポリイミドと化学結合しているため、窒素含有芳香族複素環部位に移動した電荷は、ポリイミド分子内や分子間を効率的に移動することができる。【００２６】
以上のことにより、本発明の液晶配向処理剤は、液晶配向膜にした際、液晶のプレチルト角を大きくする特性を有しており、少ない使用割合でも液晶を垂直に配向させることができる。また、液晶配向処理剤の塗布液に貧溶媒を混合したときにも析出が発生しにくい。さらに、電圧保持率が高く、かつ高温下に長時間曝された後であっても、直流電圧により蓄積する残留電荷の緩和が速い液晶配向膜を得ることができる。【００２７】
＜（Ａ）成分／特定ポリイミド＞
本発明において、（Ａ）成分である特定ポリイミドは、式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体であり、該重合体の分子内にカルボキシル基を有するポリイミドであればその構造は特に限定されない。このポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを原料とすることで比較的簡便に得られるために、式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸をイミド化させた重合体が好ましい。【００２８】
【化８】
0005382351.tif 000009
（式［１］中、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は下記の式［２］を含む２価の有機基である。）【００２９】
【化９】
0005382351.tif 000010
式［２］中、Ｘ１は、１，４−フェニレン又は１，４−シクロヘキシレンである。１，４−フェニレン又は１，４−シクロへキシレンの環には、必要に応じて置換基を有していてもよい。Ｘ２は炭素数３〜１２、好ましくは３〜６のアルキル基、炭素数３〜１２、好ましくは３〜６のフルオロアルキル基、炭素数３〜１２、好ましくは３〜６のアルコキシ基、又は炭素数３〜１２、好ましくは３〜６のフルオロアルコキシ基である。アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、およびフルオロアルコキシ基は直鎖状又は分岐状でもよいが、直鎖状が好ましく、また、適宜の置換基を有していてもよい。【００３０】
式［２］中の主鎖のベンゼン環は、式［１］の重合体の−ＮＨ−に結合されるが、ベンゼン環のおける−ＮＨ−が結合する結合位置は限定されない。具体例としては、下記の式［８］に示されるように、式［２］のＺ１に対して、２，３の位置、２，４の位置、２，５の位置、２，６の位置、３，４の位置、３，５の位置が挙げられる。なかでも、ポリアミック酸を合成する際の反応性の観点から、２，４の位置、２，５の位置、３，５の位置が好ましい。ジアミン合成の容易性も加味すると、２，４の位置、又は２，５の位置が好ましい。【００３１】
【化１０】
0005382351.tif 000011
式［２］の中でも、Ｘ１が１，４−トランス−シクロへキシレンである、下記の式［３］及び［４］で表される構造は、液晶のプレチルト角を高くすることができる効果が大きいことから好ましい。特に式［３］で表される構造が、その効果が優れているのでより好ましい。【００３２】
【化１１】
0005382351.tif 000012
式［３］中、ｎは２〜１１の整数、好ましくは２〜６の整数であり、１，４−シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、それぞれトランス異性体である。【００３３】
【化１２】
0005382351.tif 000013
式［４］中、ｎは２〜１１の整数で、好ましくはｎが２〜６の整数であり、１，４−シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、それぞれトランス異性体である。【００３４】
本発明の式［２］で表される構造の好ましい具体例は下記の式［９］〜［１２］で示すことができる。なお、式［９］〜［１２］中のｎは、それぞれ独立して２〜１１の整数が好ましく、２〜６の整数が特に好ましい。また、式［９］〜［１２］中の１，４−シクロへキシレンのシス−トランス異性は、それぞれトランス異性体である。【００３５】
【化１３】
0005382351.tif 000014
式［２］の構造を含む特定ポリイミドは、下記の式［１３］に示す特定ジアミンを原料に用いることで得ることができる。【００３６】
【化１４】
0005382351.tif 000015
（式［１３］中、Ｘ１及びＸ２は式［２］で定義したものと同定義である。）
式［１３］で表されるジアミンを製造する方法は特に限定されないが、好ましい方法としては以下の方法が挙げられる。【００３７】
【化１５】
0005382351.tif 000016
（式［１４］中、Ｘ１及びＸ２は式［２］で定義したものと同定義である。）
式［１４］のジニトロ化合物を合成し、通常の方法でニトロ基を還元してアミノ基に変換することで得られる。【００３８】
式［１４］のジニトロ化合物は、下記の式［１５］で表わされる水酸基含有化合物とジニトロクロロベンゼンなどとの反応により得ることができる。【００３９】
【化１６】
0005382351.tif 000017
（式［１５］中、Ｘ１及びＸ２は式［２］で定義したものと同定義である。）
式［３］、［４］、［９］〜［１２］の構造を含む特定ポリイミドも、上記と同様の手法で得ることができる。【００４０】
式［１］中においてＲ１及びＲ２はそれぞれ１種類であっても、それぞれ異なったＲ１及びＲ２を有し、繰り返し単位として異なった複数種を組み合わせたものでもよい。
液晶のプレチルト角を大きくするという目的では、式［２］の構造を１モル％以上用いることが好ましい。液晶を垂直に配向させるという目的では、１０モル％以上用いることが好ましく、より好ましくは、１５モル％以上である。式［３］、［４］、及び［９］〜［１２］の構造を含む特定ポリイミドも同様である。
特定ポリイミドは、上記ポリアミド酸をイミド化させる際のイミド化率を通常は１００％未満に制御することで得ることができる。
また、特定ポリイミドは、式［１］で表される繰り返し単位の構造式中に、繰り返し単位に下記の式［５］で表される構造単位を含むポリアミド酸をイミド化したものを含んでもよい。【００４１】
【化１７】
0005382351.tif 000018
（式［５］中、Ｒ３は４価の有機基であり、Ｒ４は２価の有機基であり、Ｒ３又はＲ４の少なくとも一方はカルボキシル基を有する。）
その際、イミド化率は１００％であってもよい。【００４２】
特定ポリイミドのイミド化率は、高い電圧保持率が得られるという理由から２０％以上であることが好ましく、より好ましくは４０％以上である。
特定ポリイミド中のカルボキシル基の量は、本発明の効果が効率よく得られるという理由から、ポリイミドとしての構造式の繰り返し単位に対する平均値で０．１〜４個であることが好ましく、より好ましくは０．３〜３個であり、特に好ましくは０．５〜２．５個である。この時の繰り返し単位とは、イミド化されていないアミド酸基を含んでいる単位も合わせたものである。例えば、式［１］表される繰り返し単位からなるポリアミド酸をイミド化して得られるポリイミドの場合、イミド化率が１００％未満では下記の式［１６ａ］〜［１６ｄ］の構造の組合せから構成されることが考えられるが、上記でカルボキシル基の量を算出する場合の繰り返し単位には式［１６ａ］〜［１６ｄ］の全てが含まれる。【００４３】
【化１８】
0005382351.tif 000019
【００４４】
本発明において、特定ポリイミド中のカルボキシル基の量（以下、カルボキシル基の平均値ともいう。）は、下記（ｉ）のＰと、（ii）のＱとの和として求められる。
（ｉ）イミド化していないアミド酸由来のカルボキシル基の、ポリイミドとしての構造式の繰り返し単位に対する平均値：Ｐ
（ii）前記式［５］のＲ３、Ｒ４に含まれるカルボキシル基の、ポリイミドとしての構造式の繰り返し単位に対する平均値：Ｑ
そして、上記（ｉ）のＰは、イミド化率（ｚ）を用いて下記の式（１）から算出できる。なお、イミド化率（ｚ）は、例えば、後記する＜イミド化率の測定＞から求められる。
Ｐ＝２×（１−ｚ／１００）  （１）
一方、上記（ii）のＱは、式［５］のＲ３に含まれるカルボキシル基の、ポリイミドとしての構造式の繰り返し単位に対する平均値：Ｑ１とＲ４に含まれるカルボキシル基の、ポリイミドとしての構造式の繰り返し単位に対する平均値：Ｑ２との和で求められる。
上記のＲ３、Ｒ４は、それぞれ、特定ポリイミドを得るために用いる原料の１部又は全部であるテトラカルボン酸二無水物残基（Ｒ３）、ジアミン残基（Ｒ４）である。
そのため、上記Ｑ１は、特定ポリイミドを得るために用いるテトラカルボン酸二無水物の合計モル量中における下記の式［Ｖ１］で表されるテトラカルボン酸二無水物のモル分率を用いて、下記の式（３）から算出される。【００４５】
【化１９】
0005382351.tif 000020
Ｑ１＝β１×Ｗ１／Ｗ２      （３）
ここで、β１はＲ３に含有されるカルボキシル基の個数を表し、Ｗ１は式[Ｖ１]のテトラカルボン酸二無水物のモル量であり、Ｗ２はテトラカルボン酸二無水物の合計モル量を表す。【００４６】
また、上記Ｑ２は、特定ポリイミドを得るために用いるジアミンの合計モル量における下記の式[Ｖ２]で表されるジアミンのモル分率を用いて、下記の式（４）から算出される。【００４７】
【化２０】
0005382351.tif 000021
Ｑ２＝β２×Ｗ３／Ｗ４      （４）
ここで、β２はＲ４に含有されるカルボキシル基の個数を表し、Ｗ３は式[Ｖ２]で表されるジアミンのモル量であり、Ｗ４はジアミンの合計モル量を表す。
かくして、カルボキシル基の量は下記の式（５）で求められる。
特定ポリイミド中のカルボキシル基の量
＝Ｐ＋Ｑ１＋Ｑ２
＝２×（１−ｚ／１００）＋β１×Ｗ１／Ｗ２＋β２×Ｗ３／Ｗ４    （５）【００４８】
本発明において、特定ポリイミド中のカルボキシル基の量の調整は、
（１）イミド化率を制御することで調整する手段、
（２）式［５］のＲ３又はＲ４に含まれるカルボキシル基の数、及び式［１］で表される繰り返し単位の構造式中における式［５］の比率によって調整する手段、
のいずれであってもよい。更に、（１）と（２）の手段を併用することもできる。【００４９】
式［１］におけるＲ１およびＲ２の選択の自由度という観点から（１）の手段が好ましい。特定ポリイミドのイミド化率の選択の自由度という観点から（２）の手段が好ましい。また、液晶配向膜を作製する際の焼成工程によるイミド化反応によって、特定アミン化合物が脱離する又はポリイミド鎖が切断されるといった可能性が少ないという観点から（２）の手段が好ましい。【００５０】
上記（１）の手段によって特定ポリイミド中のカルボキシル基の量を調整する場合は、式［１］におけるＲ１及びＲ２は特に限定されない。また、Ｒ１及びＲ２は式［１］中においてそれぞれ１種類であっても、それぞれ異なったＲ１及びＲ２の構造を有し、繰り返し単位として異なった複数種を組み合わせたものでもよい。
式［１］におけるＲ１の具体例を挙げるとすれば以下の通りである。【００５１】
【化２１】
0005382351.tif 000022
【００５２】
【化２２】
0005382351.tif 000023
これらのうち、Ａ−６、Ａ−１６、Ａ−１８〜Ａ−２２、Ａ−２５、Ａ−３７、Ａ−３８は、イミド化率が高いポリイミドであっても有機溶媒に対する溶解性が高いので好ましい。【００５３】
また、Ｒ１の１０モル％以上が、Ａ−１〜Ａ−２５のように脂環式構造又は脂肪族構造を有する場合は電圧保持率が向上するので好ましい。特に、Ｒ１がＡ−１、Ａ−１６、Ａ−１９から選ばれる２種類を併用したものは、電荷の緩和がより速い液晶配向膜を得ることができるので好ましい。
式［１］において、Ｒ２は、式［２］で示される構造以外の有機基を含んでいてもよい。その具体例を挙げるとすれば以下の通りである。【００５４】
【化２３】
0005382351.tif 000024
【００５５】
【化２４】
0005382351.tif 000025
【００５６】
【化２５】
0005382351.tif 000026
【００５７】
【化２６】
0005382351.tif 000027
【００５８】
【化２７】
0005382351.tif 000028
【００５９】
【化２８】
0005382351.tif 000029
【００６０】
（Ｂ−１１２及びＢ−１１３において、Ｑは−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＯＮＨ−，−ＮＨＣＯ−，−ＣＨ２−，−Ｏ−，−ＣＯ−，−ＮＨ−のいずれかを表す。）
前記（２）の手段によって特定ポリイミド中のカルボキシル基の量を調整する場合、Ｒ３又はＲ４のいずれかにカルボキシル基を有していればその構造は特に限定されない。また、カルボキシル基の数は、Ｒ３及びＲ４にそれぞれ０〜２個（ただし、Ｒ３又はＲ４のいずれか一方には少なくとも１個のカルボキシル基を有する。）が好ましい。【００６１】
ポリイミドの合成容易性、および原料の入手性の観点からはＲ４にカルボキシル基を有している方が好ましい。カルボキシル基を有するＲ4としては、Ｂ−１０２〜Ｂ−１１３が挙げられる。その際、カルボキシル基を有するＲ4は１種類であっても２種類以上を併用していてもよい。また、Ｒ４がカルボキシル基を有している場合にはＲ３の構造は特に限定されず、具体例としてはＡ−１〜Ａ−４５を挙げることができる。【００６２】
＜特定ポリイミドの製造方法＞
本発明に用いる（Ａ）成分である特定ポリイミドの製造方法は特に限定されないが、一般的には、テトラカルボン酸及びその誘導体から選ばれる１種又は複数種からなるテトラカルボン酸成分と、１種又は複数種のジアミン化合物からなるジアミン成分とを反応して、式［１］で表される繰り返し単位の構造式を有するポリアミド酸を合成し、該ポリアミド酸をイミド化してポリイミドとする方法が用いられる。【００６３】
その際、得られるポリアミド酸は、原料であるテトラカルボン酸成分とジアミン成分を適宜選択することによって単独重合体（ホモポリマー）又は共重合体（コポリマー）とすることができる。
ここで言うところのテトラカルボン酸及びその誘導体とは、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸ジハライド又はテトラカルボン酸二無水物である。なかでも、テトラカルボン酸二無水物はジアミン化合物との反応性が高いので好ましい。【００６４】
以下に、特定ポリイミドの製造方法の具体例を示す。
例えば、式［１７］で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれる少なくとも一種を含むテトラカルボン酸成分と、式［１８］で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも一種を含むジアミン成分とを、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、γ-ブチロラクトンなどの有機溶媒中で重縮合反応させてポリアミド酸を得ることができる。【００６５】
【化２９】
0005382351.tif 000030
なお、式［１７］のＲ１は、式［１］における定義と同意義である。【００６６】
【化３０】
0005382351.tif 000031
なお、式［１８］中のＲ２は、式［１］における定義と同意義である。
その際、反応温度は、−２０℃から１５０℃の任意の温度を選択することができるが、好ましくは−５℃から１００℃の範囲である。【００６７】
テトラカルボン酸成分を構成する化合物の合計モル数と、ジアミン成分を構成するジアミン化合物の合計モル数との比は、好ましくは０．８：１〜１．２：１、特に好ましくは０．９：１〜１．１：１である。このモル比が１．０に近いほど生成する重合体の重合度は大きくなる。【００６８】
また、式［１］で表される繰り返し単位の構造式中に、繰り返し単位の一部又は全てに式［５］で表される単位を有するポリアミド酸を得るためには、Ｒ１にカルボキシル基を有するテトラカルボン酸二無水物及び／又はＲ２にカルボキシル基を有するジアミンを使用すればよい。【００６９】
ポリアミド酸をイミド化させる方法としては、加熱による熱イミド化、触媒を使用する触媒イミド化が一般的であるが、比較的低温でイミド化反応が進行する触媒イミド化の方が、得られるポリイミドの分子量低下が起こりにくく好ましい。【００７０】
触媒イミド化は、ポリアミド酸を有機溶媒中において、塩基性触媒と酸無水物の存在下で攪拌することにより行うことができる。このときの反応温度は−２０〜２５０℃、好ましくは０〜１８０℃である。反応温度が高い方がイミド化は速く進行するが、高すぎるとポリイミドの分子量が低下する場合がある。塩基性触媒の量はアミド酸基の０．５〜３０モル倍、好ましくは２〜２０モル倍であり、酸無水物の量はアミド酸基の１〜５０モル倍、好ましくは３〜３０モル倍である。塩基性触媒や酸無水物の量が少ないと反応が十分に進行せず、また多すぎると反応終了後に完全に除去することが困難となる。この場合に用いる塩基性触媒としては、ピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミンなどを挙げることができ、中でもピリジンは反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。また、酸無水物としては無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができ、中でも無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。有機溶媒としては、ポリアミド酸が溶解するものであれば限定されないが、その具体例を挙げるならば、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトンなどを挙げることができる。触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。【００７１】
生成したポリイミドは、上記反応溶液を貧溶媒に投入して生成した沈殿を回収することで得られる。その際、用いる貧溶媒は特に限定されないが、例えば、メタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセロソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼン、水などを挙げることができる。貧溶媒に投入して沈殿させたポリイミドは、濾過した後、常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱乾燥して粉末とすることができる。そのポリイミド粉末を、更に有機溶媒に溶解して、再沈殿する操作を２〜１０回繰り返すと、ポリイミドを精製することもできる。一度の沈殿回収操作では不純物が除ききれないときは、この精製工程を行うことが好ましい。【００７２】
本発明に用いる特定ポリイミドの分子量は特に制限されないが、取り扱いのしやすさと、膜形成した際の特性の安定性の観点から重量平均分子量で２，０００〜２００，０００が好ましく、より好ましくは４，０００〜５０，０００である。分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエッションクロマトグラフィ）により求めたものである。【００７３】
＜（Ｂ）成分／特定アミン化合物＞
本発明に用いる（Ｂ）成分である特定アミン化合物は、分子内にアミノ基を１個と窒素含有芳香族複素環とを有し、かつ前記アミノ基が２価の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合しているアミン化合物である。
この特定アミン化合物は、分子内に含まれるアミノ基が１個のみであるので、液晶配向処理剤を調製する際や液晶配向剤の保管中に、ポリマーの析出やゲル化といった問題が起こる可能性を回避できる。【００７４】
特定アミン化合物に含まれる１級アミノ基は、特定ポリイミドとの塩形成や結合反応のしやすさの観点から、分子内において２価の脂肪族炭化水素基又は、芳香族炭化水素を含まない非芳香族環式炭化水素基に結合している必要がある。【００７５】
脂肪族炭化水素基の具体例としては、直鎖状アルキレン基、分岐構造を有するアルキレン基、不飽和結合を有する２価の炭化水素基等を挙げることができる。脂肪族炭化水素基の炭素数は好ましくは１〜２０であり、より好ましくは１〜１５であり、更に好ましくは１〜１０である。【００７６】
２価の非芳香族環式炭化水素基の具体例としてはシクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、アダマンタン環などが挙げられる。好ましくは炭素数が３〜２０からなる環であり、より好ましくは炭素数が３〜１５からなる環であり、更に好ましくは炭素数が３〜１０からなる環の非芳香族環式炭化水素基である。
特定アミン化合物に含まれる窒素含有芳香族複素環は、下記の式［２０a］、式［２０ｂ］及び式［２０ｃ］から選ばれる構造を少なくとも１個、好ましくは１個〜４個を有する芳香族環式炭化水素であり、より好ましくは1個〜4個である。【００７７】
【化３１】
0005382351.tif 000032
（式中、Ｚ２は炭素数１〜５の直鎖または分岐アルキル基である。）【００７８】
窒素含有芳香族複素環の具体例としては、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環などを挙げることができる。さらに、これら窒素含有芳香族複素環の炭素原子には、ヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい。
より好ましい特定アミン化合物としては、下記の式［６］で表されるアミン化合物である。【００７９】
【化３２】
0005382351.tif 000033
（式中、Ｙ１は脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基を有する２価の有機基であり、Ｙ２は窒素含有芳香族複素環である。）
式［６］において、Ｙ１は脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基を有する２価の有機基であれば特に限定されない。【００８０】
式［６］における好ましいＹ１としては、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基及び炭素数３〜２０の非芳香族環式炭化水素基から選ばれる１種を有する２価の有機基である。非芳香族環式炭化水素基としては、上述した構造を挙げることができる。より好ましくは炭素数１〜１５の脂肪族炭化水素基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、ノルボルネン環、アダマンタン環などが挙げられる。特に好ましくは炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基である。【００８１】
また、Ｙ１に含まれる、アミノ基に隣接しない任意の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基中の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）２−、−ＣＦ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、２価の環状炭化水素基又は複素環で置き換えられてもよく、また、任意の炭素原子に結合している水素原子は、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、環状炭化水素基、炭素数１〜１０のフッ素含有アルキル基、複素環、フッ素原子又は水酸基で置き換えられてもよい。【００８２】
２価の環状炭化水素基の具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、アズレン環、インデン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フェナレン環、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、アダマンタン環などが挙げられる。【００８３】
また、２価の複素環の具体例としては、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環などを挙げることができる。【００８４】
式［６］におけるＹ２は、窒素含有芳香族複素環であり、上述したと同様に、式［２０a］、式［２０ｂ］及び式［２０ｃ］から選ばれる少なくとも１個の構造を含有する芳香族環式炭化水素である。その具体例としては、上述した構造を挙げることができる。これらのうち、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノキサリン環、アゼピン環、ジアゼピン環、ナフチリジン環、フェナジン環、フタラジン環が好ましい。【００８５】
また、窒素含有芳香族複素環と特定ポリイミド中のカルボキシル基との塩形成や水素結合といった静電的相互作用のしやすさの観点から、Ｙ１はＹ２に含まれる式［２０ａ］、式［２０ｂ］、又は式［２０ｃ］と隣り合わない置換基と結合していることが好ましい。
さらに、式［６］のＹ２である窒素含有芳香族複素環の炭素原子は、ハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。【００８６】
式［６］における好ましいＹ１及びＹ２の組み合わせは、Ｙ１が、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基及び炭素数３〜２０の非芳香族環式炭化水素基から選ばれる１種を有する２価の有機基、Ｙ２が、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノキサリン環、アゼピン環、ジアゼピン環、ナフチリジン環、フェナジン環、フタラジン環から選ばれる。なお、Ｙ２の窒素含有芳香族複素環の炭素原子は、ハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。
さらに好ましい特定アミン化合物としては、下記の式［７］で表されるアミン化合物である。【００８７】
【化３３】
0005382351.tif 000034
（式中、Ｙ３は炭素数１〜１０の２価の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基であり、Ｙ４は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−又は炭素数１〜１９の２価の有機基である。また、Ｙ３とＹ４が有する炭素原子の合計は１〜２０である。Ｙ５は窒素含有芳香族複素環である）【００８８】
式［７］におけるＹ３は、炭素数１〜１０の２価の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基である。その具体例を挙げると、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基、炭素数１〜１０の不飽和アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、アダマンタン環などである。より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、ノルボルネン環又はアダマンタン環が挙げられる。特に好ましくは炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基である。【００８９】
Ｙ３に含まれる、アミノ基に隣接しない任意の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基中の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）２−、−ＣＦ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、２価の環状炭化水素基および複素環で置き換えられてもよく、また、任意の炭素原子に結合している水素原子は、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、環状炭化水素基、炭素数１〜１０のフッ素含有アルキル基、複素環、フッ素原子又は水酸基で置き換えられてもよい。ここで言う環状炭化水素基及び複素環は、式［６］におけるＹ１で述べた定義と同意義である。【００９０】
式［７］におけるＹ４は単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−又は炭素数１〜１９の２価の有機基である。この炭素数１〜１９の２価の有機基は、炭素原子を１〜１９個有する２価の有機基であり、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、珪素原子などを含んでいてもよい。【００９１】
Ｙ４の具体例としては、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、炭素数１〜１９の炭化水素基、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＦ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、アズレン環、インデン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フェナレン環、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環、オキサゾール環、ピペラジン環、ピペリジン環、ジオキサン環、モルフォリン環等が挙げられる。【００９２】
Ｙ４として、これらを２種以上含んでいてもよい。この２種以上含んだ具体例としては、−ＮＨ−ＣＨ２−、−ＮＨ−Ｃ２Ｈ４−、−ＮＨ−Ｃ３Ｈ６−、−ＮＨ−Ｃ４Ｈ８−、−Ｓ−ＣＨ２−、−Ｓ−Ｃ２Ｈ４−、−Ｓ−Ｃ３Ｈ６−、−Ｓ−Ｃ４Ｈ８−、−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−、−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−、−Ｏ−Ｃ４Ｈ８−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ２Ｈ４−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ３Ｈ６−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＯ−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＯ−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＯ−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ４Ｈ８−、−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−ＣＨ３−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−Ｃ４Ｈ８−、−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｓ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）−、−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−、−Ｃ６Ｈ４−Ｓ−等が挙げられる。【００９３】
式［７］におけるＹ５は、窒素含有芳香族複素環であり、式［６］のおけるＹ２の定義と同じであり、従って、Ｙ５はＹ２の定義と同じである。その具体例としては、上述したＹ２と同じ構造を挙げることができる。これらのうち、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノキサリン環、アゼピン環、ジアゼピン環、ナフチリジン環、フェナジン環、又はフタラジン環が好ましい。【００９４】
また、窒素含有芳香族複素環と特定ポリイミド中のカルボキシル基との塩形成や水素結合といった静電的相互作用のしやすさの観点から、Ｙ４はＹ５に含まれる式［２０ａ］、式［２０ｂ］又は式［２０ｃ］と隣り合わない炭素原子と結合していることが好ましい。
さらに、式［７］のＹ５である窒素含有芳香族複素環の炭素原子はハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。【００９５】
式［７］におけるＹ３、Ｙ４及びＹ５の好ましい組み合わせは、Ｙ３が、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、ノルボルネン環、又はアダマンタン環であり、Ｙ４が、単結合、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキレン基、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＦ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−ＮＨ−ＣＨ２−、−ＮＨ−Ｃ２Ｈ４−、−ＮＨ−Ｃ３Ｈ６−、−ＮＨ−Ｃ４Ｈ８−、−Ｓ−ＣＨ２−、−Ｓ−Ｃ２Ｈ４−、−Ｓ−Ｃ３Ｈ６−、−Ｓ−Ｃ４Ｈ８−、−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−、−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−、−Ｏ−Ｃ４Ｈ８−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ２Ｈ４−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ３Ｈ６−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＯ−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＯ−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＯ−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ４Ｈ８−、−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−ＣＨ３−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ２Ｈ４−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ３Ｈ６−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｃ４Ｈ８−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−Ｃ３Ｈ６−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−Ｃ４Ｈ８−、−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｓ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）−、−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−、−Ｃ６Ｈ４−Ｓ−、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、ノルボルネン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、アズレン環、インデン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環、又はフェナレン環であり、Ｙ５が、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノキサリン環、アゼピン環、ジアゼピン環、ナフチリジン環、フェナジン環、又はフタラジン環である。なお、Ｙ５の窒素含有芳香族複素環の炭素原子は、ハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。【００９６】
式［７］におけるＹ３、Ｙ４及びＹ５のより好ましい組み合わせは、Ｙ３が、炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環でありシクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、ノルボルネン環、又はアダマンタン環であり、Ｙ４が、単結合、炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）２−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−ＮＨ−ＣＨ２−、−Ｓ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−ＣＨ３−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｓ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）−、−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−、−Ｃ６Ｈ４−Ｓ−、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、ノルボルネン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、アズレン環、インデン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環、又はフェナレン環であり、Ｙ５が、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノキサリン環、アゼピン環、ジアゼピン環、ナフチリジン環、フェナジン環、又はフタラジン環である。なお、Ｙ５の窒素含有芳香族複素環の炭素原子は、ハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。【００９７】
式［７］におけるＹ３、Ｙ４及びＹ５のさらに好ましい組み合わせは、Ｙ３が、炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環であり、Ｙ４が、単結合、炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−ＮＨ−ＣＨ２−、−Ｓ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｏ−ＣＨ３−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＯ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｓ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）−、−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｃ６Ｈ４−ＮＨ−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＯ−、−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−、−Ｃ６Ｈ４−Ｓ−、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、ノルボルネン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環、フルオレン環、又はアントラセン環であり、Ｙ５が、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、又はベンゾイミダゾール環である。なお、Ｙ５の窒素含有芳香族複素環の炭素原子は、ハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。【００９８】
式［７］におけるＹ３、Ｙ４及びＹ５の特に好ましい組み合わせは、Ｙ３が、炭素数１〜５の直鎖若しくは分岐アルキレン基、シクロブタン環、又はシクロヘキサン環であり、Ｙ４が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ（ＯＨ）−、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、アントラセン環であり、Ｙ５が、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、又はピリミジン環である。なお、Ｙ５の窒素含有芳香族複素環の炭素原子は、ハロゲン原子及び／又は有機基の置換基を有していてもよく、該有機基は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含有してもよい。
本発明に用いる特定アミン化合物の具体例としては、Ｍ１〜Ｍ１５６の化合物が挙げられる。【００９９】
【化３４】
0005382351.tif 000035
【０１００】
【化３５】
0005382351.tif 000036
【０１０１】
【化３６】
0005382351.tif 000037
【０１０２】
【化３７】
0005382351.tif 000038
【０１０３】
【化３８】
0005382351.tif 000039
【０１０４】
【化３９】
0005382351.tif 000040
【０１０５】
より好ましい化合物としては、Ｍ６〜Ｍ８、Ｍ１０、Ｍ１６〜Ｍ２１、Ｍ３１〜Ｍ３６、Ｍ４０〜Ｍ４５、Ｍ４７〜Ｍ５７、Ｍ５９〜Ｍ６３、Ｍ６８、Ｍ６９、Ｍ７２〜Ｍ８２、Ｍ９５〜Ｍ９８、Ｍ１００〜Ｍ１０３、Ｍ１０８〜Ｍ１２５、Ｍ１２８〜Ｍ１３７、Ｍ１３９〜Ｍ１４３、Ｍ１４９〜Ｍ１５６が挙げられる。さらに好ましいのは、Ｍ６〜Ｍ８、Ｍ１６〜Ｍ２０、Ｍ３２〜Ｍ３６、Ｍ４０、Ｍ４１、Ｍ４４、Ｍ４９〜Ｍ５４、Ｍ５９〜Ｍ６２、Ｍ６８、Ｍ６９、Ｍ７５〜Ｍ８２、Ｍ１００〜Ｍ１０３、Ｍ１０８〜Ｍ１１２、Ｍ１１４〜Ｍ１１６、Ｍ１１８〜Ｍ１２１、Ｍ１２５、Ｍ１３４〜Ｍ１３６、Ｍ１３９、Ｍ１４０、Ｍ１４３、Ｍ１５０、Ｍ１５２〜Ｍ１５６である。【０１０６】
＜液晶配向処理剤＞
本発明の液晶配向処理剤は、通常、上記した（Ａ）成分である特定ポリイミドと（Ｂ）成分である特定アミン化合物とを有機溶媒中で混合して得られる。混合する特定ポリイミド及び特定アミン化合物は、それぞれ、１種類でもよく、複数種類を併用してもよい。【０１０７】
混合方法としては、特定ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をイミド化した反応溶液（特定ポリイミドの溶液）を用いてもよいが、通常は、精製して得られた特定ポリイミドの粉体を有機溶媒に溶解させた溶液に、特定アミン化合物を添加する方法が挙げられる。その際に用いる有機溶媒は、特定ポリイミドを溶解させる溶媒であれば特に限定されない。かかる有機溶媒の具体例を以下に挙げる。【０１０８】
例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、２−ピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどが挙げられる。これらの溶媒は２種類以上を混合して用いてもよい。【０１０９】
特定ポリイミドを有機溶媒に溶解させる際に、特定ポリイミドの溶解を促進する目的で、加熱してもよい。加熱する温度が高すぎるとポリイミドの分子量が低下する場合があるので、温度３０〜１００℃が好ましい。特定ポリイミドの溶液の濃度は特に限定されないが、特定アミン化合物と均一に混合し易いので、溶液中の特定ポリイミド濃度として１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは３〜１５質量％であり、特に好ましくは３〜１０質量％である。【０１１０】
特定アミン化合物は、上記の特定ポリイミドの溶液に直接添加しても構わないが、適当な溶媒で濃度０．１〜１０質量％の溶液にしてから添加することが好ましい。この溶媒としては、上記した特定ポリイミドの溶媒が挙げられる。
特定ポリイミドと特定アミン化合物とを有機溶媒中で混合した後に加熱することは好ましい。加熱することで、液晶配向処理剤の状態で既に結合している特定アミン化合物と特定ポリイミドの比率が増加し、液晶配向膜としたときにより効率的に電荷の移動が可能となる。混合後に加熱する場合の温度は１０〜１００℃が好ましく、より好ましくは２０〜８０℃である。
特定アミン化合物の使用量は、本発明の効果が効率よく得られ、かつ液晶配向処理剤の安定性を損なわないという理由から、特定ポリイミドに含まれるカルボキシル基の１モル量に対して０．０１〜２モル倍が好ましく、より好ましくは０．０５〜１モル倍であり、特に好ましくは０．０８〜０．８モル倍である。【０１１１】
本発明の液晶配向処理剤は、特定ポリイミド、特定アミン化合物以外に、その他の成分として、液晶配向処理剤を塗布した際の膜厚均一性や表面平滑性を向上させる溶媒や化合物、液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物などを含有してもよい。その他の成分は、特定ポリイミドと特定アミン化合物を混合する途中に添加してもよいし、これらの混合溶液に後から添加してもよい。【０１１２】
膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる溶媒の具体例としては次のものが挙げられる。【０１１３】
例えば、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ−２−プロパノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート、プロピレングリコール−１−モノエチルエーテル−２−アセテート、ジプロピレングリコール、２−（２−エトキシプロポキシ）プロパノール、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエステルなどの低表面張力を有する溶媒などが挙げられる。【０１１４】
これらの溶媒は１種類でも複数種類を混合して用いてもよい。上記のような溶媒を用いる場合は、液晶配向処理剤に含まれる溶媒全体の５〜８０質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜６０質量％である。【０１１５】
膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる化合物としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノ二オン系界面活性剤などが挙げられる。
より具体的には、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製））、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（旭硝子社製）などが挙げられる。これらの界面活性剤の使用割合は、液晶配向処理剤に含有される（Ａ）成分の１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。
液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物の具体例としては、次に示す官能性シラン含有化合物やエポキシ基含有化合物であるものが挙げられる。【０１１６】
例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１,４,７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１,４,７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３,６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３,６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、２,２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１,３,５,６−テトラグリシジル−２,４−ヘキサンジオール、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１,３−ビス（Ｎ,Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−４、４’−ジアミノジフェニルメタンなどが挙げられる。【０１１７】
これら基板との密着を向上させる化合物を使用する場合は、液晶配向処理剤に含有される特定ポリイミド成分の１００質量部に対して０．１〜３０質量部であることが好ましく、より好ましくは１〜２０質量部である。０．１質量部未満であると密着性向上の効果は期待できず、３０質量部よりも多くなると液晶の配向性が悪くなる場合がある。【０１１８】
本発明の液晶配向処理剤には、上記の他、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、特定ポリイミド以外のポリマー成分や、液晶配向膜の誘電率や導電性などの電気特性を変化させる目的の誘電体や導電物質、さらには、液晶配向膜にした際の膜の硬度や緻密度を高める目的の架橋性化合物を添加してもよい。【０１１９】
本発明の液晶配向処理剤における固形分の濃度は、目的とする液晶配向膜の膜厚によって適宜変更することができるが、欠陥のない塗膜を形成させ、且つ液晶配向膜として適切な膜厚を得ることができるという理由から１〜２０質量％とすることが好ましく、より好ましくは２〜１０質量％である。【０１２０】
＜液晶配向膜・液晶表示素子＞
本発明の液晶配向処理剤は、基板上に塗布、焼成した後、ラビング処理や光照射などで配向処理をして、又は垂直配向用途などでは配向処理無しで液晶配向膜として用いることができる。この際、用いる基板としては透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、アクリル基板やポリカーボネート基板などのプラスチック基板などを用いることができる。また、液晶駆動のためのＩＴＯ電極などが形成された基板を用いることがプロセスの簡素化の観点から好ましい。また、反射型の液晶表示素子では片側の基板のみにならばシリコンウエハー等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極はアルミ等の光を反射する材料も使用できる。【０１２１】
液晶配向処理剤の塗布方法は特に限定されないが、工業的には、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェットなどで行う方法が一般的である。その他の塗布方法としては、ディップ、ロールコーター、スリットコーター、スピンナーなどがあり、目的に応じてこれらを用いてもよい。【０１２２】
液晶配向処理剤を基板上に塗布した後の焼成は、ホットプレートなどの加熱手段により５０〜３００℃、好ましくは８０〜２５０℃で溶媒を蒸発させて、塗膜を形成させることができる。焼成後の塗膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは５〜３００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。液晶を水平配向や傾斜配向させる場合は、焼成後の塗膜をラビング又は偏光紫外線照射などで処理する。
本発明の液晶表示素子は、上記した手法により本発明の液晶配向剤から液晶配向膜付き基板を得た後、公知の方法で液晶セルを作成し、液晶表示素子としたものである。【０１２３】
液晶セル作成の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された１対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサーを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、又は、スペーサーを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが例示できる。このときのスペーサーの厚みは、好ましくは１〜３０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍである。
以上のようにして、本発明の液晶配向処理剤を用いて作製された液晶表示素子は、信頼性に優れたものとなり、大画面で高精細の液晶テレビなどに好適に利用できる。
【実施例】
【０１２４】
以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明の解釈はこれらの実施例に限定されるものではない。
本実施例で使用する略号の説明。
（テトラカルボン酸二無水物）
ＣＢＤＡ：１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
ＢＯＤＡ：ビシクロ［３，３，０］オクタン−２，４，６，８−テトラカルボン酸二無水物【０１２５】
【化４０】
0005382351.tif 000041
（ジアミン）
ＤＢＡ：３，５−ジアミノ安息香酸
ＰＢＣＨ５ＤＡＢ：１，３−ジアミノ−４−{４−〔トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロへキシル）シクロへキシル〕フェノキシ}ベンゼン
ＢＰＣＨ５ＤＡＢ：１，３−ジアミノ−４−{４−〔４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロへキシル）フェニル〕フェノキシ}ベンゼン
ＰＣＨ７ＤＡＢ：１，３−ジアミノ−４−〔４−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロへキシル）フェノキシ〕ベンゼン【０１２６】
【化４１】
0005382351.tif 000042
（特定アミン化合物）
３−ＡＭＰ：３−アミノメチルピリジン
４−ＡＭＰ：４−アミノメチルピリジン
ＡＥＰ：４−（２−アミノエチル）ピリジン
ＡＰＩ：１−（３−アミノプロピル）イミダゾール
２−ＡＭＭＰ：２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン【０１２７】
【化４２】
0005382351.tif 000043
（比較化合物）
Ｐｙ：ピリジン
ＡＰ：３−アミノピリジン
ＨＡ：へキシルアミン【０１２８】
【化４３】
0005382351.tif 000044
（有機溶媒）
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＢＣＳ：ブチルセロソルブ【０１２９】
＜ポリイミドの分子量測定＞
合成例におけるポリイミドの分子量は、センシュー科学社製  常温ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（ＳＳＣ−７２００）、Ｓｈｏｄｅｘ社製カラム（ＫＤ−８０３、ＫＤ−８０５）を用い以下のようにして測定した。
カラム温度：５０℃
溶離液：Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（添加剤として、臭化リチウム−水和物（ＬｉＢｒ・Ｈ２Ｏ）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、リン酸・無水結晶（ｏ−リン酸）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が１０ｍｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍｌ／分
検量線作成用標準サンプル：東ソー社製  ＴＳＫ  標準ポリエチレンオキサイド（分子量  約９０００,０００、１５０,０００、１００,０００、３０,０００）、および、ポリマーラボラトリー社製  ポリエチレングリコール（分子量  約１２,０００、４,０００、１,０００）。【０１３０】
＜イミド化率の測定＞
合成例におけるポリイミドのイミド化率は次のようにして測定した。ポリイミド粉末２０ｍｇをＮＭＲサンプル管（草野科学社製  ＮＭＲサンプリングチューブスタンダード  φ５）に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６、０．０５％ＴＭＳ混合品）０.５３ｍｌを添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液を日本電子データム社製ＮＭＲ測定器（ＪＮＷ−ＥＣＡ５００）にて５００ＭＨｚのプロトンＮＭＲを測定した。イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、９.５〜１０.０ｐｐｍ付近に現れるアミック酸のＮＨ基に由来するプロトンピーク積算値とを用い以下の式によって求めた。
イミド化率（％）＝（１−α・ｘ／ｙ）×１００
上記式において、ｘはアミック酸のＮＨ基由来のプロトンピーク積算値、ｙは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミック酸（イミド化率が０％）の場合におけるアミック酸のＮＨ基プロトン１個に対する基準プロトンの個数割合である。
＜カルボキシル基量の算出方法＞
先に記載した方法により算出した。【０１３１】
＜合成例１＞
ＢＯＤＡ（１４．１１ｇ，５６．３ｍｍｏｌ）、ＤＢＡ（９．１５ｇ，６０．１ｍｍｏｌ）、側鎖ジアミンとしてＰＢＣＨ５ＤＡＢ（６．５３ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（７４０ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた後、ＣＢＤＡ（３．２３ｇ，１６．５ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（５６．０）ｇを加え、４０℃で６時間反応させポリアミド酸溶液を得た。【０１３２】
このポリアミド酸溶液（３０．０ｇ）にＮＭＰを加え６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（３．７９ｇ）、ピリジン（２．９４ｇ）を加え、８０℃で３時間反応させた。この反応溶液をメタノール（４０８ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（Ａ）を得た。このポリイミドのイミド化率は４０％であり、数平均分子量は１７，３００、重量平均分子量は４６，８００であった。このポリイミドにおけるカルボキシル基の量は、繰り返し単位に対して２．００個である。【０１３３】
＜合成例２＞
ＢＯＤＡ（５．２１ｇ，２０．８ｍｍｏｌ）、ＤＢＡ（３．３７ｇ，２２．２ｍｍｏｌ）、側鎖ジアミンとしてＢＰＣＨ５ＤＡＢ（２．３８ｇ，５．５４ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（２６．２ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた後、ＣＢＤＡ（１．１９ｇ，６．０７ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（２０．０）ｇを加え、４０℃で６時間反応させポリアミド酸溶液を得た。
このポリアミド酸溶液（３０．０ｇ）にＮＭＰを加え６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（３．７４ｇ）、ピリジン（２．８９ｇ）を加え、８０℃で３時間反応させた。この反応溶液をメタノール（４１０ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（Ｂ）を得た。このポリイミドのイミド化率は４１％であり、数平均分子量は１８，３００、重量平均分子量は４９，２００であった。このポリイミドにおけるカルボキシル基の量は、繰り返し単位に対して１．９８個である。【０１３４】
＜合成例３＞
ＢＯＤＡ（３３．８７，１３５．３ｍｍｏｌ）、ＤＢＡ（１９．２３ｇ，１２６．３ｍｍｏｌ）、側鎖ジアミンとしてＰＢＣＨ５ＤＡＢ（２３．５３ｇ，５４．１ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１８５．０ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた後、ＣＢＤＡ（８．６２ｇ，４３．９ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（１５５．８ｇ）を加え、４０℃で６時間反応させポリアミド酸溶液を得た。
このポリアミド酸溶液（１００．２ｇ）にＮＭＰを加え６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（１０．８２ｇ）、ピリジン（８．３４ｇ）を加え、８０℃で３時間反応させた。この反応溶液をメタノール（１３００ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（Ｃ）を得た。このポリイミドのイミド化率は４５％であり、数平均分子量は１９，１００、重量平均分子量は５０，８００であった。このポリイミドにおけるカルボキシル基の量は、繰り返し単位に対して１．８０個である。【０１３５】
＜合成例４＞
合成例３で得たポリアミド酸溶液（２５１．２ｇ）にＮＭＰを加え６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（５３．９１ｇ）、ピリジン（４１．８ｇ）を加え、９０℃で３．５時間反応させた。この反応溶液をメタノール（３２００ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（Ｄ）を得た。このポリイミドのイミド化率は８０％であり、数平均分子量は１５，２００、重量平均分子量は４５，５００であった。このポリイミドにおけるカルボキシル基の量は、繰り返し単位に対して１．１０個である。【０１３６】
＜合成例５＞
ＢＯＤＡ（１５．０ｇ，６０ｍｍｏｌ）、ＤＢＡ（９．７４ｇ，６４ｍｍｏｌ）、側鎖ジアミンとしてＰＣＨ７ＤＡＢ（６．０９ｇ，１６ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１３１ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた後、ＣＢＤＡ（３.８８ｇ，１９.８ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（３０ｇ）を加え、４０℃で３時間反応させポリアミド酸溶液を得た。
このポリアミド酸溶液（１０．０ｇ）にＮＭＰを加え６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（１．２７ｇ）、ピリジン（０．９８ｇ）を加え、８０℃で３時間反応させた。この反応溶液をメタノール（１４０ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（Ｅ）を得た。このポリイミドのイミド化率は４６％であり、数平均分子量は２０，２００、重量平均分子量は６２，５００であった。このポリイミドにおけるカルボキシル基の量は、繰り返し単位に対して１．８８個である。【０１３７】
＜合成例６＞
ＢＯＤＡ（１５０．１ｇ，６００ｍｍｏｌ）、ＤＢＡ（６０．９ｇ，４００ｍｍｏｌ）、側鎖ジアミンとしてＰＣＨ７ＤＡＢ（１５２．２ｇ，４００ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１２９０ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた後、ＣＢＤＡ（３８．８ｇ，１９８ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（３２０ｇ）を加え、４０℃で３時間反応させポリアミド酸溶液を得た。
このポリアミド酸溶液（１０１．２ｇ）にＮＭＰを加え６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（２１．３ｇ）、ピリジン（１６．５ｇ）を加え、９０℃で３時間反応させた。この反応溶液をメタノール（１３００５ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（Ｆ）を得た。このポリイミドのイミド化率は８１％であり、数平均分子量は２０，４００、重量平均分子量は６３，０００であった。このポリイミドにおけるカルボキシル基の量は、繰り返し単位に対して０．８８個である。【０１３８】
＜実施例１＞
合成例１で得たポリイミド粉末（Ａ）（２．１２ｇ）にＮＭＰ（１２．０ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（０．６４ｇ）（３−ＡＭＰとして０．０６４ｇ）、ＮＭＰ（４．４１ｇ）、ＢＣＳ（１５．９ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。【０１３９】
＜液晶セルの作製＞
上記で得た液晶配向処理剤［１］を３×４ｃｍＩＴＯ電極付き基板のＩＴＯ面にスピンコートし、８０℃で５分間、２１０℃の熱風循環式オーブンで１時間焼成を行い、膜厚１００ｎｍのポリイミド塗膜を作製した。
この液晶配向膜付き基板を、ロール径１２０ｍｍ、レーヨン布のラビング装置にて、回転数３００ｒｐｍ、ロール進行速度２０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．３ｍｍの条件にてラビング処理をし、液晶配向膜付き基板を得た。【０１４０】
この液晶配向膜付き基板を２枚用意し、その１枚の液晶配向膜面上に６μｍのビーズスペーサーを散布した後、その上からシール剤を印刷した。もう１枚の基板を液晶配向膜面を内側にし、ラビング方向が逆向きになるようにして張り合わせた後、シール剤を硬化させて空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、アンチパラレル配向のネマチック液晶セルを得た。【０１４１】
＜プレチルト角の評価＞
上記で作製した液晶セルのプレチルト角を、プレチルト角測定装置（ＥＬＳＩＣＯＮ社製  モデル：ＰＡＳ−３０１）を用いて室温でのプレチルト角を測定した。結果は、後述する表１に示す。
また、ラビング処理をしなかった以外は上記と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
＜電圧保持率の評価＞
プレチルト角測定後の液晶セルに、８０℃の温度下で４Ｖの電圧を６０μｓ印加し、１６．６７ｍｓ後及び１６６７ｍｓ後の電圧を測定し、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として計算した。結果は、後述する表２に示す。
＜残留電荷の緩和の評価＞
電圧保持率測定後の液晶セルに、直流電圧１０Ｖを３０分印加し、１秒間短絡させた後、液晶セル内に発生している電位を１８００秒間測定した。そして、５０秒後及び１０００秒後の残留電荷を測定した。なお、測定には東陽テクニカ社製６２５４型液晶物性評価装置を用いた。結果は、後述する表３に示す。
＜高温放置後の評価＞
残留電荷測定後の液晶セルを、１００℃に設定した高温槽に７日間放置した後、電圧保持率及び残留電荷の測定を行った。結果は、後述する表２及び表３に示す。
＜紫外線照射後の電圧保持率の評価＞
上記で作製した液晶セルに、８０℃の温度下で４Ｖの電圧を６０μｓ印加し、１６．６７ｍｓ後及び１６６７ｍｓ後の電圧を測定し、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として計算した。さらに、測定後、卓上型ＵＶ硬化装置（ＨＣＴ３  Ｂ２８  ＨＥＸ−１（セン特殊光源製））により、３６５ｎｍにおける照射量が１０Ｊ/ｃｍ２の紫外線を液晶セルに照射し、同様の条件で電圧保持率を測定した。結果は、後述する表４に示す。【０１４２】
＜実施例２＞
合成例２で得たポリイミド粉末（Ｂ）（２．０２ｇ）にＮＭＰ（１１．４ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（０．６１ｇ）（３−ＡＭＰとして０．０６１ｇ）、ＮＭＰ（４．２１ｇ）、ＢＣＳ（１５．２ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[２]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[２]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４３】
＜実施例３＞
合成例３で得たポリイミド粉末（Ｃ）（２．０１ｇ）にＮＭＰ（１１．４ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（０．６０ｇ）（３−ＡＭＰとして０．０６０ｇ）、ＮＭＰ（４．１８ｇ）、ＢＣＳ（１５．１ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[３]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[３]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４４】
＜実施例４＞
合成例３で得たポリイミド粉末（Ｃ）（１．９８ｇ）にＮＭＰ（１１．２ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．９８ｇ）（３−ＡＭＰとして０．２０ｇ）、ＮＭＰ（２．８７ｇ）、ＢＣＳ（１４．９ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[４]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[４]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４５】
＜実施例５＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（０．６０ｇ）（３−ＡＭＰとして０．０６０ｇ）、ＮＭＰ（４．１６ｇ）、ＢＣＳ（１５．０ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[５]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[５]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４６】
＜実施例６＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．００ｇ）（３−ＡＭＰとして０．１０ｇ）、ＮＭＰ（３．８０ｇ）、ＢＣＳ（１５．０ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[６]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[６]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４７】
＜実施例７＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．２１ｇ）にＮＭＰ（１２．５ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．５５ｇ）（３−ＡＭＰとして０．１６ｇ）、ＮＭＰ（３．８０ｇ）、ＢＣＳ（１６．６ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[７]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[７]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４８】
＜実施例８＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（２．００ｇ）（３−ＡＭＰとして０．２０ｇ）、ＮＭＰ（２．９０ｇ）、ＢＣＳ（１５．０ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[８]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[８]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１４９】
＜実施例９＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．０３ｇ）にＮＭＰ（１１．５ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に４−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４２ｇ）（４−ＡＭＰとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４９ｇ）、ＢＣＳ（１５．２ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[９]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[９]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５０】
＜実施例１０＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＡＥＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４０ｇ）（ＡＥＰとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４４ｇ）、ＢＣＳ（１５．０ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１０]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１０]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５１】
＜実施例１１＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．４ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＡＰＩの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４０ｇ）（ＡＰＩとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４４ｇ）、ＢＣＳ（１５．１ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１１]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１１]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５２】
＜実施例１２＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．０４ｇ）にＮＭＰ（１１．６ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に２−ＡＭＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４３ｇ）（２−ＡＭＭＰとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．５１ｇ）、ＢＣＳ（１５．３ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１２]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１２]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５３】
＜比較例１＞
合成例３で得たポリイミド粉末（Ｃ）（２．１０ｇ）にＮＭＰ（１１．９ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＮＭＰ（４．９４ｇ）、ＢＣＳ（１５．９ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１３]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１３]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５４】
＜比較例２＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．０８ｇ）にＮＭＰ（１１．８ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＮＭＰ（４．８９ｇ）、ＢＣＳ（１５．６ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１４]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１４]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５５】
＜比較例３＞
合成例５で得たポリイミド粉末（Ｅ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＮＭＰ（４．７１ｇ）、ＢＣＳ（１５．０ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１５]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１５]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５６】
＜比較例４＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＰｙの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４０ｇ）（Ｐｙとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４４ｇ）、ＢＣＳ（１５．２ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１６]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１６]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５７】
＜比較例５＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（１．９８ｇ）にＮＭＰ（１１．２ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＡＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．３９ｇ）（ＡＰとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４１ｇ）、ＢＣＳ（１４．９ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１７]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１７]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５８】
＜比較例６＞
合成例４で得たポリイミド粉末（Ｄ）（２．００ｇ）にＮＭＰ（１１．３ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液にＨＡの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４０ｇ）（ＨＡとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４４ｇ）、ＢＣＳ（１５．０ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[１８]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１８]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１５９】
＜比較例７＞
合成例５で得たポリイミド粉末（Ｅ）（２．０１ｇ）にＮＭＰ（１１．４ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（０．６０ｇ）（３−ＡＭＰとして０．０６ｇ）、ＮＭＰ（４．１８ｇ）、ＢＣＳ（１５．１ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[２１]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[１９]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は垂直配向していなかった。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１６０】
＜比較例８＞
合成例６で得たポリイミド粉末（Ｆ）（２．０１ｇ）にＮＭＰ（１１．４ｇ）を加え、７０℃にて４０時間攪拌して溶解させた。この溶液に３−ＡＭＰの１０質量％ＮＭＰ溶液（１．４１ｇ）（３−ＡＭＰとして０．１４ｇ）、ＮＭＰ（３．４６ｇ）、ＢＣＳ（１５．１ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌することで、液晶配向処理剤[２０]を得た。この液晶配向処理剤に濁りや析出などの異常は見られず、樹脂成分は均一に溶解していることが確認された。
得られた液晶配向処理剤[２０]を用い、実施例１と同様に液晶セルを作製し、プレチルト角の評価を行った。結果は、後述する表１に示す。なお、ラビング処理をしなかった以外は実施例１と同様に作製した液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、液晶は均一に垂直配向していることが確認された。
また、実施例１と同様に作製した液晶セルを用いて、電圧保持率の評価、残留電荷の緩和の評価、高温放置後の評価及び紫外線照射後の電圧保持率の評価を行った。結果は、後述する表２、表３及び表４に示す。【０１６１】
【表１】
0005382351.tif 000045
【０１６２】
【表２】
0005382351.tif 000046
【０１６３】
【表３】
0005382351.tif 000047
【０１６４】
【表４】
0005382351.tif 000048
【産業上の利用可能性】
【０１６５】
本発明の液晶配向処理剤は、液晶配向膜にした際、液晶のプレチルト角を大きくする特性を有しており、少ない使用割合でも液晶を垂直に配向させることができ、また、液晶配向処理剤の塗布液に貧溶媒を混合したときにも析出が発生しにくい。さらにこれら特性に加え、電圧保持率が高く、かつ高温下に長時間曝された後であっても、直流電圧により蓄積する電荷の緩和が速く、かつバックライトの紫外線に長時間曝された後でも電圧保持率の低下を抑制できる液晶配向膜が得られる液晶配向処理剤を提供することができる。その結果、ＴＮ素子、ＳＴＮ素子、ＴＦＴ液晶素子、更には、垂直配向型の液晶表示素子などに有用である。
なお、２００７年１２月２８日に出願された日本特許出願２００７−３４０８９０号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。