(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納する容器を支持する支持部に、前記容器の排気口より前記容器内の気体を外部に排出させる状態で、前記容器の給気口より不活性ガスを前記容器の内部に注入する注入手段が装備され、前記注入手段の作動を制御する制御手段が設けられた不活性ガス注入装置であって、
前記注入手段が、前記不活性ガスの供給流量を変更自在に構成され、
前記制御手段が、前記支持部に支持された前記容器に前記不活性ガスを供給する際には、前記供給流量を予め設定された目標流量に向けて漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成され、
前記支持部が、前記容器を保管する保管棚の収納部であり、
前記目標流量として、初期目標流量とその初期目標流量よりも少ない定常目標流量とが予め設定され、
前記制御手段が、前記支持部に支持された前記容器に前記不活性ガスを供給する際には、前記供給流量を前記初期目標流量に調整し、その後、前記供給流量を前記定常目標流量に調整すべく、前記注入手段の作動を制御し、かつ、
前記供給流量を前記初期目標流量に調整する際に、前記供給流量を前記初期目標流量に向けて漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている不活性ガス注入装置。
【請求項２】
前記制御手段が、前記支持部に前記容器が支持された直後において前記不活性ガスを最初に供給する際に、前記供給流量をゼロから前記目標流量に向けて漸増させるように構成されている請求項１記載の不活性ガスの注入装置。
【請求項３】
前記制御手段が、前記供給流量を前記初期目標流量から前記定常目標流量に変更する際には、前記供給流量を前記初期目標流量に向けて漸増させる場合における前記供給流量の単位時間当たりの変化量よりも大きな変化量にて、前記供給流量を減少させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている請求項１記載の不活性ガス注入装置。
【請求項４】
前記制御手段が、前記供給流量を前記初期目標流量から前記定常目標流量に変更した後は、設定供給時間が経過すると、設定休止時間の間は不活性ガスの供給を停止することを繰り返すべく、前記注入手段の作動を制御し、かつ、
前記設定休止時間の後で前記供給流量を前記定常目標流量に調整する際に、前記供給流量を前記定常目標流量に向けて漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている請求項１記載の不活性ガス注入装置。
【請求項５】
前記制御手段が、前記供給流量を漸増させる際に、設定待ち時間が経過するごとに前記供給流量を設定量増加させる形態で前記供給流量を漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の不活性ガス注入装置。
【請求項６】
前記設定量を変更設定する人為操作式の設定手段が設けられている請求項５記載の不活性ガス注入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を収納する容器を支持する支持部に、前記容器の排気口より前記容器内の気体を外部に排出させる状態で、前記容器の給気口より不活性ガスを前記容器の内部に注入する注入手段が装備され、前記注入手段の作動を制御する制御手段が設けられた不活性ガス注入装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
かかる不活性ガス注入装置は、基板（例えば、半導体ウェハ）にパーティクルが付着することを抑制し、また、酸素や湿度によって基板（例えば、半導体ウェハ）が適正状態から悪化することを抑制するために、基板を収納する容器に不活性ガスを注入することになる。
つまり、基板を収納する容器の給気口より不活性ガスを注入するに伴って、容器内の気体が排気口より外部に排出されて、容器内が注入される不活性ガスにて充満された状態となるため、基板（例えば、半導体ウェハ）にパーティクルが付着することや、酸素や湿度によって基板（例えば、半導体ウェハ）が適正状態から悪化することが抑制されることになる。
【０００３】
かかる不活性ガス注入装置の従来例として、容器としてのポッドに、不活性ガスとしての窒素ガスを目標流量（１０リットル／分）にて注入するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
ちなみに、特許文献１においては、給気口に、大気圧よりも少し大きい圧力にて窒素ガスが容器内に流入することを許容する弁が装備され、排気口に、大気圧よりも少し大きい圧力にて容器内の気体が流出すること許容する弁が装備されている。
そして、窒素ガスを容器内に５分間注入した後は、注入を停止した状態で保管することが記載されている。
【０００５】
つまり、特許文献１においては、ポッドを保管するポッド棚とは別の箇所に、窒素ガスを注入するためにポッドを支持するガスステーションが設けられて、ガスステーションにて窒素ガスが注入されたポッドを、ポッド棚に保管することが記載されている。
【０００６】
不活性ガス注入装置の別の従来例として、容器としてのポッドに、不活性ガスとしての窒素ガスを設定供給時間の間供給し、その後、設定停止時間の間は、窒素ガスの供給を停止し、設定停止時間が経過すると、再び、窒素ガスを設定供給時間の間供給する形態で、ポッドに窒素ガスを間欠的に供給するようにしたものがある（例えば、特許文献２（段落〔０１０１〕〜〔０１１８〕）参照。）。
【０００７】
ちなみに、特許文献２は、保管装置の棚に支持されているポッドに窒素ガスを注入する
ことが記載されている。
そして、窒素ガスをポッドに供給する際の目標流量についての説明はないが、窒素ガスをポッドに供給する際に、ガス供給バルブが開かれると、目標流量としての一定流量の窒素ガスが供給されることが記載されている。
尚、特許文献２には、窒素ガスを間欠的に供給することに代えて、窒素ガスをポッドに供給する状態を継続してもよいことも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−８６３０８号公報
【特許文献２】特開平１１−１６８１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の不活性ガス注入装置は、容器に不活性ガスを注入する際に、目標流量の不活性ガスが一挙に注入されることになるため、注入の開始時に、容器内の基板が振動して、基板の裏面に存在する溶剤が落下し、落下した溶剤が下方に位置する別の基板の表面に付着することに起因して、基板が適正状態から悪化する虞や、容器の底部に堆積しているパーティクルが浮上して、基板に付着する虞があり、改善が望まれるものであった。
尚、溶剤としては、例えば、レジスト処理の現像液等がある。
【００１０】
ちなみに、容器内の基板の振動やパーティクルの浮上は、主として、容器内の気体の圧力が急激に大きく増加した後急激に低下する現象が発生することによって生じるものであると考えることができる。
すなわち、容器に目標流量の不活性ガスを注入すると、容器内の気体が静止状態から流動状態に変化することになるが、容器内の気体は静止状態から流動状態には急激には変化することができないため、目標流量の不活性ガスが一挙に注入されると、容器内の気体の圧力が急激に大きく増加した後急激に低下する現象が発生することになる。そして、容器内の気体の圧力が急激に大きく増加した後低下する際に、容器内の気体の流れに一時的に急速な流れや乱流が発生することになる。
【００１１】
そして、容器内の気体の圧力が急激に大きく増加した後低下する現象が発生すると、容器に振動が発生して、基板が振動を起こす虞があり、また、容器内の気体の流れに一時的に急速な流れや乱流が発生すると、容器内の気体の流れによって基板が振動する虞や、容器の底部に堆積しているパーティクルが浮上する虞がある。
【００１２】
ちなみに、基板の振動発生やパーティクルの浮上の発生は、不活性ガスの注入開始後、短時間にて容器内が不活性ガスにて充満された状態となるようにすべく、目標流量を十分に大きな流量に設定すると、顕著になるものである。
【００１３】
本発明は、上記実状に鑑みて為されたものであって、その目的は、容器に不活性ガスを注入する際に、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避できる不活性ガス注入装置を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の不活性ガス注入装置は、基板を収納する容器を支持する支持部に、前記容器の排気口より前記容器内の気体を外部に排出させる状態で、前記容器の給気口より不活性ガスを前記容器の内部に注入する注入手段が装備され、前記注入手段の作動を制御する制御手段が設けられたものであって、その第１特徴構成は、
前記注入手段が、前記不活性ガスの供給流量を変更自在に構成され、
前記制御手段が、前記支持部に支持された前記容器に前記不活性ガスを供給する際には、前記供給流量を予め設定された目標流量に向けて漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成され、
前記支持部が、前記容器を保管する保管棚の収納部であり、
前記目標流量として、初期目標流量とその初期目標流量よりも少ない定常目標流量とが予め設定され、
前記制御手段が、前記支持部に支持された前記容器に前記不活性ガスを供給する際には、前記供給流量を前記初期目標流量に調整し、その後、前記供給流量を前記定常目標流量に調整すべく、前記注入手段の作動を制御し、かつ、
前記供給流量を前記初期目標流量に調整する際に、前記供給流量を前記初期目標流量に向けて漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている点を特徴とする。
【００１５】
すなわち、支持部に支持された容器に不活性ガスを供給する際に、注入手段にて容器に供給される不活性ガスの供給流量が、目標流量に向けて漸増されることになるから、容器に不活性ガスを供給する際に、容器内の気体の圧力が急激に大きく変化することがない。
つまり、注入手段にて容器に供給される不活性ガスの供給流量が漸増されると、容器内の気体が、注入される不活性ガスの供給流量に応じた流量状態に円滑に変化することになり、容器内の気体の圧力が急激に大きく変化することを抑制できるのである。
【００１６】
このように、容器に不活性ガスを注入する際に、容器内の気体の圧力が急激に大きく変化することのない状態で、容器内の気体の流動状態を注入される不活性ガスの供給流量に応じた流量状態に円滑に変化させることができるから、容器が振動して、基板が振動することを抑制でき、また、容器内の気体の急速な流れや乱流のために、基板の振動やパーティクルの浮上が発生することを抑制できるため、基板が適正状態から悪化する虞や、容器の底部に堆積しているパーティクルが浮上して、基板に付着する虞を回避できることになる。
【００１７】
要するに、本願発明の第１特徴構成によれば、容器に不活性ガスを注入する際に、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避できる不活性ガス注入装置を提供できる。
また、容器が、支持部としての保管棚の収納部に収納され、そして、保管されている容器に不活性ガスを供給する際には、供給流量が初期目標流量に調整され、その後、供給流量が初期目標流量よりも少ない定常目標流量に調整されることになる。
また、供給流量を初期目標流量に調整する際には、供給流量が初期目標流量に向けて漸増されることになる。
つまり、保管されている容器に不活性ガスを供給する際には、供給流量が初期目標流量に調整され、その後、供給流量が初期目標流量よりも少ない定常目標流量に調整されるものであるから、初期目標流量を大きな流量に設定して、不活性ガスの注入開始後、短時間にて容器内が不活性ガスにて充満された状態となるようにしながらも、定常目標流量を小さな流量に設定して、容器内が不活性ガスにて充満された状態に維持することにより、不活性ガスの消費量を抑制できることになる。
しかも、供給流量を初期目標流量に調整する際には、供給流量が初期目標流量に向けて漸増されることになるから、上記第１特徴構成の欄にて記載の如く、容器に不活性ガスを注入する際に、容器内の気体の圧力が急激に大きく変化することのない状態で、容器内の気体の流動状態を注入される不活性ガスの供給流量に応じた流量状態に円滑に変化させるようにして、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避できるのである。
要するに、本願発明の第１特徴構成によれば、容器内が不活性ガスにて充満された状態を維持しながらも、不活性ガスの消費量を抑制できる不活性ガス注入装置を提供できる。
【００１８】
本発明の不活性ガス注入装置の第２特徴構成は、上記第１特徴構成に加えて、
前記制御手段が、前記支持部に前記容器が支持された直後において前記不活性ガスを最初に供給する際に、前記供給流量をゼロから前記目標流量に向けて漸増させるように構成されている点を特徴とする。
【００１９】
すなわち、支持部に容器が支持された直後において不活性ガスを最初に供給する際に、不活性ガスの供給量がゼロから目標流量に向けて漸増されることになる。
従って、支持部に容器が支持された直後において、短時間にて容器内が不活性ガスにて充満された状態となるようにすべく、目標流量を十分に大きな流量に設定しても、基板が適正状態から悪化する虞や、容器の底部に堆積しているパーティクルが浮上して、基板に付着する虞を回避できることになる。
【００２０】
要するに、本願発明の第２特徴構成によれば、上記第１特徴構成による作用効果に加えて、支持部に容器が支持された直後において、短時間にて容器内が不活性ガスにて充満された状態となるようにすべく、目標流量を十分に大きな流量に設定しても、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避できる不活性ガス注入装置を提供できる。
【００２６】
本発明の不活性ガス注入装置の第３特徴構成は、上記第１特徴構成に加えて、
前記制御手段が、前記供給流量を前記初期目標流量から前記定常目標流量に変更する際には、前記供給流量を前記初期目標流量に向けて漸増させる場合における前記供給流量の単位時間当たりの変化量よりも大きな変化量にて、前記供給流量を減少させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている点を特徴とする。
【００２７】
すなわち、供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際には、供給流量を初期目標流量に向けて漸増させる場合における供給流量の単位時間当たりの変化量よりも大きな変化量にて、供給流量が減少されることになる。
【００２８】
つまり、供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際には、供給流量を急激に減少させても、容器に振動が発生して、基板が振動を起こす虞がなく、また、容器内の気体の流れに一時的に急速な流れが発生して、容器内の気体の流れによって基板が振動する虞や、容器の底部に堆積しているパーティクルが浮上する虞がないため、供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際には、供給流量を初期目標流量に向けて漸増させる場合における供給流量の単位時間当たりの変化量よりも大きな変化量にて、供給流量を減少させることになる。
【００２９】
そして、供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際に、供給流量を急激に減少させるようにすることにより、供給流量を定常目標流量に向けて漸減させるようにする場合に較べて、不活性ガスの消費量を抑制できることになり、ランニングコストの低下を図ることができるものとなる。
【００３０】
要するに、本発明の第３特徴構成によれば、上記第１特徴構成による作用効果に加えて、ランニングコストの低下を図ることができる不活性ガス注入装置を提供できる。
【００３１】
本発明の不活性ガス注入装置の第４特徴構成は、上記第１特徴構成に加えて、
前記制御手段が、前記供給流量を前記初期目標流量から前記定常目標流量に変更した後は、設定供給時間が経過すると、設定休止時間の間は不活性ガスの供給を停止することを繰り返すべく、前記注入手段の作動を制御し、かつ、
前記設定休止時間の後で前記供給流量を前記定常目標流量に調整する際に、前記供給流量を前記定常目標流量に向けて漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている点を特徴とする。
【００３２】
すなわち、供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更した後は、設定供給時間が経過すると、設定休止時間の間は不活性ガスの供給を停止することを繰り返す形態で、不活性ガスが容器に供給されることになる。
そして、設定休止時間の後で供給流量を定常目標流量に調整する際には、供給流量が定常目標流量に向けて漸増されることになる。
【００３３】
つまり、不活性ガスを定常目標流量にて設定供給時間に亘って容器に供給した状態において、不活性ガスの供給を停止すると、容器に存在する隙間より、容器内の不活性ガスが徐々に漏れることになるものの、その後のある程度の時間は、不活性ガスが容器に充満する状態が維持されて、基板が適正状態から悪化することを抑制できる。
したがって、供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更した後は、設定供給時間が経過すると、設定休止時間の間は不活性ガスの供給を停止することを繰り返す形態で、不活性ガスを容器に供給することにより、不活性ガスの消費量を一層抑制できることになる。
【００３４】
しかも、設定休止時間の後で供給流量を定常目標流量に調整する際には、供給流量が定常目標流量に向けて漸増されることになるから、上記第１特徴構成の欄にて記載の如く、容器に不活性ガスを注入する際に、容器内の気体の圧力が急激に大きく変化することのない状態で、容器内の気体の流動状態を注入される不活性ガスの供給流量に応じた流量状態に円滑に変化させるようにして、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避できるのである。
【００３５】
要するに、本発明の第４特徴構成によれば、上記第１特徴構成による作用効果に加えて、不活性ガスの消費量を一層抑制し、しかも、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避できる不活性ガス注入装置を提供できる。
【００３６】
本発明の不活性ガス注入装置の第５特徴構成は、上記第１〜第４特徴構成のいずれかに加えて、
前記制御手段が、前記供給流量を漸増させる際に、設定待ち時間が経過するごとに前記供給流量を設定量増加させる形態で前記供給流量を漸増させるべく、前記注入手段の作動を制御するように構成されている点を特徴とする。
【００３７】
すなわち、供給流量を漸増させる際に、設定待ち時間が経過するごとに供給流量を設定量増加させる形態で供給流量が漸増されることになるから、簡素な制御構成にて、供給流量を漸増させることができる。
【００３８】
つまり、供給流量を漸増させる際に、時間経過に伴って供給流量を連続的に増加させる形態で供給流量を漸増させることが考えられるが、この場合には、例えば、時間経過に伴って供給流量を連続的に増加させるための指令値を生成する関数発生器を備えさせて、注入手段を作動させる必要がある等、制御手段の構成が複雑になる虞がある。
【００３９】
これに対して、供給流量を漸増させる際に、設定待ち時間が経過するごとに供給流量を設定量増加させる形態で供給流量を漸増させることは、マイクロコンピュータにて構成される制御手段のプログラムにて対応することができるため、簡素な制御構成にて、供給流量を漸増させることができるのである。
【００４０】
要するに、本発明の第５特徴構成によれば、上記第１〜第４特徴構成のいずれかによる作用効果に加えて、制御構成の簡素化を図ることができる不活性ガス注入装置を提供できる。
【００４１】
本発明の不活性ガス注入装置の第６特徴構成は、上記第５特徴構成に加えて、
前記設定量を変更設定する人為操作式の設定手段が設けられている点を特徴とする。
【００４２】
すなわち、供給流量を漸増させる際には、設定待ち時間が経過するごとに供給流量を設定量増加させる形態で供給流量が漸増されるが、設定待ち時間が経過するごとに増加させる設定量を、人為操作式の設定手段にて変更設定できる。
【００４３】
したがって、例えば、容器や基板に応じて、基板が適正状態から悪化することやパーティクルが基板に付着することを回避しながらも、設定量を極力大きな量に設定する等、設定量を任意の量に設定できるため、供給流量の漸増を一層良好に行うことが可能となる。
【００４４】
要するに、本発明の第６特徴構成によれば、上記第５特徴構成による作用効果に加えて、供給流量の漸増を一層良好に行うことが可能となる不活性ガス注入装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】物品保管設備の縦断正面図
【図２】同設備の切欠き側面図
【図３】収納部の斜視図
【図４】窒素ガスの注入状態を示す説明図
【図５】窒素ガスのパージパターンを示す説明図
【図６】窒素ガスの供給流量の制御形態を示す説明図
【図７】同形態の詳細を示す説明図
【発明を実施するための形態】
【００４６】
本発明を物品保管設備に適用した場合の実施形態を図面に基づいて説明する。
（全体構成）
物品保管設備は、図１及び図２に示すように、基板を密閉状態で収容する搬送容器５０（以下、容器５０と略称する）を保管する保管棚１０、搬送手段としてのスタッカークレーン２０、及び、容器５０の入出庫部としての入出庫コンベヤＣＶを備えている。
保管棚１０及びスタッカークレーン２０が、壁体Ｋにて外周部が覆われた設置空間内に配設され、入出庫コンベヤＣＶが、壁体Ｋを貫通する状態で配設されている。
【００４７】
保管棚１０は、容器５０を支持する支持部としての収納部１０Ｓを、上下方向及び左右方向に並べる状態で複数備えて、複数の収納部１０Ｓの夫々に、容器５０を収納するように構成されており、その詳細は後述する。
【００４８】
そして、本実施形態においては、図１に示すように、物品保管設備が設置されたクリーンルームの天井部に敷設のガイドレールＧに沿って走行するホイスト式の搬送車Ｄが装備されて、このホイスト式の搬送車Ｄによって、入出庫コンベヤＣＶに対して容器５０が搬入及び搬出されるように構成されている。
【００４９】
（容器５０の構成）
容器５０は、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials Institute）規格に準拠した合成樹脂製の気密容器であり、基板としての半導体ウェハーＷ（図４参照）を収納するために用いられ、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼称されている。そして、詳細な説明は省略するが、容器５０の前面には、着脱自在な蓋体にて開閉される基板出入用の開口が形成され、容器５０の上面には、ホイスト式の搬送車Ｄにより把持されるトップフランジ５２（図４参照）が形成され、そして、容器５０の底面には、位置決めピン１０ｂ（図３参照）が係合する３つの係合溝（図示せず）が形成されている。
【００５０】
すなわち、容器５０は、図４に示すように、内部に上下方向に複数の半導体ウェハーＷを載置自在な基板支持体５３を備えたケーシング５１と、図示しない蓋体とから構成されて、ケーシング５１に蓋体を装着した状態においては、内部空間が気密状態に密閉されるように構成され、そして、収納部１０Ｓに収納された状態においては、位置決めピン１０ｂによって位置決めされるように構成されている。
【００５１】
また、図４に示すように、容器５０の底部には、後述の如く、不活性ガスとしての窒素ガスを注入するために、給気口５０ｉ、及び、排気口５０ｏが設けられ、そして、図示は省略するが、給気口５０ｉには、注入側開閉弁が設けられ、また、排気口５０ｏには、排出側開閉弁が設けられている。
【００５２】
注入側開閉弁は、スプリング等の付勢手段によって閉方向に付勢されて、給気口５０ｉに供給される窒素ガスの吐出圧力が大気圧よりも設定値高い設定開弁圧力以上となると、その圧力によって開き操作されるように構成されている。
また、排出側開閉弁は、スプリング等の付勢手段によって閉方向に付勢されて、容器５０内部の圧力が大気圧よりも設定値高い設定開弁圧力以上となったときに開き操作されるように構成されている。
【００５３】
（スタッカークレーン２０の構成）
スタッカークレーン２０は、図１に示すように、保管棚１０の前面側の床部に設置された走行レールＥに沿って走行移動自在な走行台車２１と、その走行台車２１に立設されたマスト２２と、そのマスト２２に案内される状態で昇降移動自在な昇降台２４とを備えている。
尚、図示はしないが、マスト２２の上端に設けられた上部枠２３が、壁体Ｋにて外周部が覆われた設置空間の天井側に設けた上部ガイドレールに係合して移動するように構成されている。
【００５４】
昇降台２４には、収納部１０Ｓに対して容器５０を移載する移載装置２５が装備されている。
移載装置２５は、容器５０を載置支持する板状の載置支持体２５Ａを、収納部１０Ｓの内部に突出する突出位置と昇降台２４側に引退した引退位置とに出退自在に備えて、載置支持体２５Ａの出退作動及び昇降台２４の昇降作動により、載置支持体２５Ａに載置した容器５０を収納部１０Ｓに降ろす降し処理、及び、収納部１０Ｓに収納されている容器５０を取出す掬い処理を行うように構成されている。
尚、移載装置２５は、入出庫コンベヤＣＶに対しても、降ろし処理及び掬い処理を行って、入出庫コンベヤＣＶに対する移載作業を行うことになる。
【００５５】
スタッカークレーン２０には、図示はしないが、走行経路上の走行位置を検出する走行位置検出手段、及び、昇降台２４の昇降位置を検出する昇降位置検出手段が装備されており、スタッカークレーン２０の運転を制御するクレーンコントローラ（図示せず）が、走行位置検出手段及び昇降位置検出手段の検出情報に基づいて、スタッカークレーン２０の運転を制御するように構成されている。
【００５６】
すなわち、クレーンコントローラが、入出庫コンベヤＣＶに搬入された容器５０を収納部１０Ｓに収納する入庫作業、及び、収納部１０Ｓに収納されている容器５０を入出庫コンベヤＣＶに取出す出庫作業を行うように、走行台車２１の走行作動及び昇降台２４の昇降作動、並びに、移載装置２５における載置支持体２５Ａの出退作動を制御するように構成されている。
【００５７】
（収納部１０Ｓの構成）
図３及び図４に示すように、複数の収納部１０Ｓの夫々は、容器５０を載置支持する板状の載置支持部１０ａを備えている（図１参照）。
この載置支持部１０ａは、移載装置２５の載置支持体２５Ａが上下に通過する空間を形成すべく、平面視形状がＵ字状となるように形成され、そして、その上面には、上述の位置決めピン１０ｂが起立状態で装備されている。
また、載置支持部１０ａには、容器５０が載置されているか否か（つまり、容器５０が収納部１０Ｓに収納されているか否か）を検出する一対の在荷センサ１０ｚが設けられ、それらの検出情報は、後述するマスフローコントローラ４０の運転を管理する制御手段Ｈ（図４参照）に入力されるように構成されている。
【００５８】
載置支持部１０ａには、不活性気体としての窒素ガスを容器５０の内部に供給する吐出ノズル１０ｉと、容器５０の内部から排出される気体を通流する排出用通気体１０ｏが設けられ、また、各収納部１０Ｓには、窒素ガスの供給を制御するマスフローコントローラ４０が装備されている（図２参照）。
そして、吐出ノズル１０ｉには、マスフローコントローラ４０からの窒素ガスを流動させる供給配管Ｌｉが接続され、排出用通気体１０ｏには、端部が開口された排出管Ｌｏが接続されている。
【００５９】
つまり、容器５０が載置支持部１０ａに載置支持されると、吐出ノズル１０ｉが容器５０の給気口５０ｉに嵌合状態に接続され、かつ、排出用通気体１０ｏが容器５０の排気口５０ｏに嵌合状態に接続されるように構成されている。
そして、容器５０が載置支持部１０ａに載置支持された状態において、吐出ノズル１０ｉから大気圧よりも設定値以上高い圧力の窒素ガスを吐出させることにより、容器５０の排気口５０ｏより容器内の気体を外部に排出させる状態で、容器５０の給気口５０ｉより窒素ガスを容器５０の内部に注入できるように構成されている。
【００６０】
尚、図３に示すように、供給配管Ｌｉには、手動操作式の開閉弁Ｖｉが装備されており、マスフローコントローラ４０が故障した緊急時等においては、窒素ガスの供給を停止する状態に切り替えることができるように構成されている。
【００６１】
（マスフローコントローラ４０の構成）
図３及び図４に示すように、マスフローコントローラ４０は、流入側ポート４０ｉと吐出側ポート４０ｏとを備えており、吐出側ポート４０ｏには、上述した供給配管Ｌｉが接続され、流入側ポート４０ｉには、窒素ボンベ等の窒素ガス供給源（図示せず）からの窒素ガスを導く流入配管Ｌｓが接続されている。
尚、窒素ガス供給源には、窒素ガスの供給圧力を大気圧よりも設定値以上高い設定圧力に調整するガバナや、窒素ガスの供給を断続する手動操作式の開閉弁等が装備される。
【００６２】
マスフローコントローラ４０には、流入側ポート４０ｉから吐出側ポート４０ｏに向かう内部流路を流動する窒素ガスの流量（容器５０への供給流量）を変更調節する流量調節弁、内部流路を流動する窒素ガスの流量（容器５０への供給流量）を計測する流量センサ、及び、流量調節弁の作動を制御する内部制御部が装備されている。
【００６３】
そして、内部制御部が、流量センサの検出情報に基づいて、容器５０への供給流量を上述した制御手段Ｈから指令される目標流量に調整すべく、流量調節弁を制御するように構成されている。
本実施形態においては、マスフローコントローラ４０は、内部流路を流動する窒素ガスの流量（容器５０への供給流量）を、ゼロから５０リットル／分の間で調節することになり、そして、本実施形態において用いるマスフローコントローラ４０は、全流量調節範囲において、制御手段Ｈから指令される目標流量に高速（例えば、１秒以内）で調節するように構成されている。
【００６４】
ちなみに、本実施形態においては、容器５０の排気口５０ｏより容器内の気体を外部に排出させる状態で、容器５０の給気口５０ｉより不活性ガスとしての窒素ガスを容器５０の内部に注入する注入手段Ｎが、マスフローコントローラ４０及び吐出ノズル１０ｉを主要部として構成され、上記制御手段Ｈが、注入手段Ｎの作動を制御する制御手段として機能することになる。
【００６５】
（制御手段Ｈの目標流量）
制御手段Ｈは、図４に示すように、プログラマブルロジックコントローラＰを経由して、複数の収納部１０Ｓの夫々に対応して設置されたマスフローコントローラ４０に対して目標流量を指令することになる。
尚、制御手段Ｈには、各種の情報を入力するための操作卓ＨＳが装備されている。
【００６６】
制御手段Ｈが指令する目標流量としては、容器５０が収納部１０Ｓに収納されている状態において、容器５０の内部に窒素ガスを注入すべく、マスフローコントローラ４０に対して指令される保管用の目標流量、容器５０が収納部１０Ｓに収納される直前において、吐出ノズル１０ｉを清浄化するために指令されるノズル浄化用の目標流量、及び、保管棚１０の設置時等において、吐出ノズル１０ｉや供給配管Ｌｉ等を清浄化するために指令されるクリーニング用の目標流量がある。
【００６７】
すなわち、制御手段Ｈが、図５に示すように、目標流量と供給時間とを定めた複数のパージパターンとして、ノズルパージパターンＰ１、クリーニングパターンＰ２、及び、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６を記憶している。
そして、制御手段Ｈが、保管棚１０の設置時等において、操作卓ＨＳにてクリーニング開始指令が指令されると、クリーニングパターンＰ２に応じてクリーニング用の目標流量（供給流量）を指令するように構成されている。
【００６８】
また、制御手段Ｈが、容器５０が入出庫コンベヤＣＶに搬入されると、ノズルパージパターンＰ１に応じてノズル浄化用の目標流量を指令するように構成されている。
本実施形態においては、制御手段Ｈは、容器５０が入出庫コンベヤＣＶに搬入された時点を、ホイスト式の搬送車Ｄの運転を制御する台車コントローラ（図示せず）から収納指令が通信されることによって判別するように構成されている。
つまり、台車コントローラが、容器５０を入出庫コンベヤＣＶに搬入したときに、収納指令を制御手段Ｈに指令するように構成されている。
【００６９】
さらに、制御手段Ｈが、２個の在荷センサ１０ｚが容器５０を検出しているときには、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６のうちの操作卓ＨＳにて選択された一つのパターンに応じて保管用の目標流量を指令するように構成されている。
【００７０】
ちなみに、ノズルパージパターンＰ１及びクリーニングパターンＰ２における目標流量と供給時間とは、予め基準状態に設定されているが、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６の夫々の目標流量と供給時間とは、設備の設置時に、使用者が設定することになる。
つまり、使用者は、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６の夫々の目標流量と供給時間とを操作卓ＨＳにて変更設定しながら、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６の夫々を試験的に使用して、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６のうちの好適なパターンについての目標流量と供給時間とを設定し、かつ、その好適なパターンを選択することになる。
【００７１】
（パージパターン）
次に、ノズルパージパターンＰ１、クリーニングパターンＰ２、及び、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６の夫々について、図５に基づいて説明を加える。
【００７２】
ノズルパージパターンＰ１は、上述の収納指令が指令された時点から収納前供給時間として設定された供給時間ｔ１の間、ノズル浄化用の目標流量として設定された目標流量Ｌ１にて窒素ガスを供給するパターンとして定められている。
供給時間ｔ１は、例えば、５秒に設定され、そして、目標流量Ｌ１は、例えば、３０リットル／分に設定されている。
【００７３】
クリーニングパターンＰ２は、操作卓ＨＳにてクリーニング開始指令が指令されてから設置初期供給時間として設定された供給時間ｔ２の間、クリーニング用の目標流量として設定された目標流量Ｌ２にて窒素ガスを供給するパターンとして定められている。
供給時間ｔ２は、例えば、１８００秒に設定され、そして、目標流量Ｌ２は、例えば、２０リットル／分に設定されている。
【００７４】
４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６の夫々については、保管用の目標流量として、初期目標流量と、その初期目標流量よりも少ない定常目標流量とが設定されている。
初期目標流量は、例えば、５０リットル／分に設定され、そして、定常目標流量は、例えば、５リットル／分に設定されることになるが、上述の如く、使用者によって変更設定されることになる。
【００７５】
そして、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６の夫々は、容器５０に窒素ガスを供給する際には、先ず、保管用の目標流量を初期目標流量とし、その後、保管用の目標流量を定常目標流量に変更する点が共通するが、互いに異なるパターンに定められている。
以下、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６を、第１の保管用パージパターンＰ３、第２の保管用パージパターンＰ４、第３の保管用パージパターンＰ５、及び、第４の保管用パージパターンＰ６と記載して、各パターンについて説明を加える。
【００７６】
第１の保管用パージパターンＰ３は、容器５０を収納部１０Ｓに収納することが完了した容器収納完了時点から設定供給時間ｔ３１の間、初期目標流量としての供給流量Ｌ３１にて窒素ガスを供給し、その後、定常目標流量としての供給流量Ｌ３２にて窒素ガスを供給することを、一対の在荷センサ１０ｚが容器５０の存在を検出している間は継続するパターンとして定められている。
尚、本実施形態においては、容器収納完了時点は、一対の在荷センサ１０ｚが容器５０の存在を検出した後、設定時間（例えば、２秒）が経過した時点に定められている。
【００７７】
第２の保管用パージパターンＰ４は、容器収納完了時点から設定供給時間ｔ４１の間、初期目標流量としての供給流量Ｌ４１にて窒素ガスを供給し、その後は、定常目標流量としての供給流量Ｌ４２にて窒素ガスを間欠的供給することを、一対の在荷センサ１０ｚが容器５０の存在を検出している間は継続するパターンに定められている。
【００７８】
すなわち、第２の保管用パージパターンＰ４は、初期目標流量としての供給流量Ｌ４１から定常目標流量としての供給流量Ｌ４２に変更した後は、設定供給時間ｔ４３が経過すると、設定休止時間の間は窒素ガスの供給を停止することを繰り返すパターンに定められている。
【００７９】
つまり、初期目標流量としての供給流量Ｌ４１から定常目標流量としての供給流量Ｌ４２に変更した後は、インターバル時間ｔ４２のうちの、設定供給時間ｔ４３の間は、供給流量Ｌ４２にて窒素ガスを供給し、設定休止時間ｔ４２−ｔ４３の間は、窒素ガスの供給を停止することが、一対の在荷センサ１０ｚにて容器５０を検出している間は繰り返されることになる。
ちなみに、この第２の保管用パージパターンＰ４においては、インターバル時間ｔ４２も、使用者によって変更設定されることになる。
【００８０】
第３の保管用パージパターンＰ５は、容器収納完了時点から設定供給時間ｔ５１の間、初期目標流量としての供給流量Ｌ５１にて窒素ガスを供給し、続いて、設定供給時間ｔ５２の間、定常目標流量としての供給流量Ｌ５２にて窒素ガスを供給することを基本パターンとして、この基本パターンを、一対の在荷センサ１０ｚが容器５０の存在を検出している間は繰り返すパターンに定められている。
【００８１】
第４の保管用パージパターンＰ６は、容器収納完了時点から設定供給時間ｔ６１の間、初期目標流量としての供給流量Ｌ６１にて窒素ガスを供給し、続いて、設定供給時間ｔ６３の間、定常目標流量としての供給流量Ｌ６２にて窒素ガスを間欠的に供給することを基本パターンとして、この基本パターンを、一対の在荷センサ１０ｚが容器５０の存在を検出している間は継続するパターンに定められている。
【００８２】
すなわち、第４の保管用パージパターンＰ６には、初期目標流量としての供給流量Ｌ６１にて窒素ガスを供給することを繰り返すための大インターバル時間ｔ６４、及び、定常目標流量としての供給流量Ｌ６２にて窒素ガスを間欠的に供給することを繰り返すための小インターバル時間ｔ６２が設定されている。
【００８３】
そして、容器収納完了時点及び大インターバル時間ｔ６４が経過した時点においては、設定供給時間ｔ６１の間、初期目標流量としての供給流量Ｌ６１にて窒素ガスが供給されることになり、また、初期目標流量としての供給流量Ｌ６１での窒素ガスの供給が終了した後は、設定供給時間ｔ６３の間、定常目標流量としての供給流量Ｌ４２にて窒素ガスを供給することと、設定休止時間ｔ６２−ｔ６３の間、窒素ガスの供給を停止することが繰り返されることになる。
【００８４】
ちなみに、この第４の保管用パージパターンＰ６においては、大インターバル時間ｔ６４、及び、小インターバル時間ｔ６２も、使用者によって変更設定されることになる。
【００８５】
本実施形態においては、制御手段Ｈは、収納部１０Ｓに容器５０が収納された直後において不活性ガスを最初に供給する際を含めて、容器５０の供給流量をゼロ（供給停止状態）から初期目標流量に変更する際には、容器５０の供給流量を初期目標流量に向けて漸増させるべく、目標流量を指令するように構成され、同様に、容器５０の供給流量をゼロ（供給停止状態）から定常目標流量に変更する際には、容器５０の供給流量を初期目標流量に向けて漸増させるべく、目標流量をマスフローコントローラ４０に対して指令するように構成されている。
【００８６】
また、制御手段Ｈは、容器５０への供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際には、容器５０への供給流量を初期目標流量に向けて漸増させる場合における供給流量の単位時間当たりの変化量よりも大きな変化量にて、供給流量を減少させるべく、目標流量をマスフローコントローラ４０に対して指令するように構成されている。
【００８７】
同様に、制御手段Ｈは、容器５０への供給流量を定常目標流量からゼロ（供給停止状態）に変更する際には、容器５０への供給流量を初期目標流量に向けて漸増させる場合における供給流量の単位時間当たりの変化量よりも大きな変化量にて、供給流量を減少させるべく、目標流量をマスフローコントローラ４０に対して指令するように構成されている。
【００８８】
以下、図６及び図７に基づいて、第４の保管用パージパターンＰ６を代表にして説明を加える。
図７に示すように、容器５０の供給流量を供給停止状態から初期目標流量に変更する際の目標流量が、設定単位時間Ｔｘ（例えば、１秒）経過するごとに、設定量としての設定単位量Ｌｘを増加する形態で、制御手段Ｈからマスフローコントローラ４０に対して指令されるように構成されている。
ちなみに、設定単位量Ｌｘは、例えば、３リットル／分に設定される。
【００８９】
同様に、容器５０の供給流量を供給停止状態から定常目標流量に変更する際の目標流量が、設定単位時間Ｔｘ（例えば、１秒）経過するごとに、設定単位量Ｌｘを増加する形態で、制御手段Ｈからマスフローコントローラ４０に対して指令されるように構成されている。
【００９０】
すなわち、制御手段Ｈが、容器５０への供給流量を漸増させる際に、設定待ち時間としての設定単位時間Ｔｘが経過するごとに、供給流量を設定単位量Ｌｘ増加させる形態で供給流量を漸増させるべく、マスフローコントローラ４０の作動を制御するように構成されており、その結果、図６に示すように、容器５０への供給流量を増加する最に、その供給量が漸増されることになる。
ちなみに、供給流量を設定単位量Ｌｘずつ増加させる際に、最終の段階では、設定単位量Ｌｘよりも小さな端数量となる場合があるが、その場合には、その端数量を増加させることになる。
【００９１】
また、容器５０への供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際の目標流量が、直ちに、定常目標流量を指令する形態で、制御手段Ｈからマスフローコントローラ４０に対して指令されるように構成されている。
【００９２】
同様に、容器５０への供給流量を定常目標流量からゼロ（供給停止状態）に変更する際の目標流量が、直ちに、ゼロを指令する形態で、制御手段Ｈからマスフローコントローラ４０に対して指令されるように構成されている。
【００９３】
すなわち、制御手段Ｈが、容器５０への供給流量を減少させる際には、迅速に、減少させる目標流量となるように、マスフローコントローラ４０の作動を制御するように構成されており、その結果、図６に示すように、容器５０への供給流量を減少させる際には、供給量が急速に減少されることになる。
【００９４】
尚、第３の保管用パージパターンＰ５の如く、容器５０の供給流量を定常目標流量から初期目標流量に変更する際においても、容器５０の供給流量をゼロ（供給停止状態）から初期目標流量に変更する際と同様に、制御手段Ｈが、容器５０への供給流量を漸増させるべく、マスフローコントローラ４０の作動を制御するように構成されている。
【００９５】
以上の通り、本実施形態によれば、容器５０が収納部１０Ｓに収納される際には、窒素ガスが容器５０の内部に注入されるので、容器内に収納された半導体ウェハーＷを適正状態に維持できるものとなる。
【００９６】
しかも、図６に示すように、窒素ガスを容器５０の内部に注入する際には、容器５０への供給流量を漸増させることにより、半導体ウェハーＷの振動により、半導体ウェハーＷの裏面に存在する溶剤が落下して、落下した溶剤が下方に位置する別の半導体ウェハーＷの表面に付着することに起因して、半導体ウェハーＷが適正状態から悪化する不都合や、容器５０の底部に堆積しているパーティクルが浮上して、半導体ウェハーＷに付着する不都合を抑制できる。
【００９７】
尚、本実施形態においては、設定単位量Ｌｘ及び設定単位時間Ｔｘは一定値であるが、これら設定単位量Ｌｘ及び設定単位時間Ｔｘを、使用者によって、増減設定できるようにしてもよい。
具体的には、例えば、操作卓ＨＳを、設定量としての設定単位量Ｌｘを変更設定する人為操作式の設定手段として用いて、設定単位量Ｌｘを変更設定するようにしてもよく、同様に、操作卓ＨＳを、設定単位時間Ｔｘを変更設定する設定手段として用いて、設定単位時間Ｔｘを変更設定するようにしてもよい。
【００９８】
さらに、本実施形態においては、容器５０への供給流量を漸増させる間、設定単位量Ｌｘが一定値であるが、漸次大きくする形態、漸次小さくする形態、又は、中間点までは漸次大きくしたのち漸次小さくする形態で、設定単位量Ｌｘを設定するようにしてもよく、それらの場合において、その設定単位量Ｌｘを、使用者によって、変更設定できるようにしてもよい。
具体的には、例えば、操作卓ＨＳを、設定量としての設定単位量Ｌｘを変更設定する人為操作式の設定手段として用いて、設定単位量Ｌｘを変更設定するようにしてもよい。
【０１００】
〔別の実施形態〕
（１）上記実施形態においては、窒素ガスの供給量を供給停止状態から定常目標流量に増加させる際にも、供給流量を漸増させる場合を例示したが、定常目標流量が十分小さな値の場合等においては、窒素ガスの供給量を供給停止状態から定常目標流量に増加させる際には、供給流量を漸増させることなく、一挙に増加させるようにしてもよい。
【０１０１】
（２）上記実施形態では、容器５０への供給流量を初期目標流量から定常目標流量に変更する際に、定常目標流量に一挙に変更する場合を例示したが、漸減させる形態で実施してもよい。
同様に、容器５０への供給流量を定常目標流量からゼロ（供給停止状態）に変更する際に、ゼロ（供給停止状態）に一挙に変更する場合を例示したが、漸減させる形態で実施してもよい。
【０１０２】
（３）上記実施形態では、不活性ガスとして、窒素ガスを用いる場合を例示したが、不活性ガスとしては、アルゴン等の種々のガスを使用できるものである。ちなみに、本発明における不活性ガスとは、酸素含有量が低く、絶対湿度が低いガスである必要がある。
【０１０３】
（４）上記実施形態では、容器５０への供給流量を漸増させる際に、設定待ち時間としての設定単位時間Ｔｘが経過するごとに、設定量としての設定単位量Ｌｘずつ、供給流量を増加させる場合を例示したが、供給流量を連続的に増加させる形態で実施してもよい。
【０１０４】
（５）上記実施形態では、吐出ノズル１０ｉ及び内部制御部を備えるマスフローコントローラ４０を主要部として、注入手段Ｎを構成する場合を例示したが、例えば、容器５０への供給流量を変更調節する流量調節弁、及び、容器５０への供給流量を計測する流量センサを、窒素ガスの供給路中に設けて、制御手段Ｈが、流量センサの検出情報に基づいて、流量調節弁の作動を制御する形態で実施してもよい。
この場合、吐出ノズル１０ｉ及び流量調節弁を主要部として、注入手段Ｎが構成されることになる。
【０１０５】
（６）上記実施形態では、４つの保管用パージパターンＰ３〜Ｐ６を例示したが、保管用パージパターンとしては、例えば、初期目標流量にて不活性ガスを供給することを間欠的に行うパターン等、種々のパターンを用いるようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
１０      保管棚
１０Ｓ    支持部
５０      容器
５０ｉ    給気口
５０ｏ    排気口
Ｈ        制御手段
ＨＳ      設定手段
Ｎ        注入手段
Ｔｘ      設定待ち時間
Ｌｘ      設定量
Ｗ        基板
【図１】
0005598728.tif 000002
【図２】
0005598728.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005598728.tif 000007
【図７】
0005598728.tif 000008