(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に封入された液晶材料とが備えられ、
絵素がマトリクス状に配置され、
前記第１基板には、複数の走査信号線と、
前記走査信号線と交差する複数の映像信号線と、
前記走査信号線及び前記映像信号線に電気的に接続された複数のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の各々に電気的に接続され、前記各絵素に対応して設けられた絵素電極とが設けられ、
前記第２基板には、共通電極が設けられた液晶表示装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一方における、前記絵素に対応した領域内には、前記液晶材料の配向を制御するための配向制御部が設けられており、
前記走査信号線と、前記絵素電極とは平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記配向制御部と、前記絵素電極と重なっている前記走査信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっており、
前記走査信号線は、平面視において、前記配向制御部から、前記走査信号線の幅方向にはみ出すことなく形成されており、
前記絵素電極の前記走査信号線と平行な方向の長さが、前記絵素電極の前記映像信号線と平行な方向の長さよりも長く、
前記走査信号線は、前記絵素電極と平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記配向制御部と、前記走査信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっており、
前記複数の絵素電極のうち１つの絵素電極に着目したとき、
当該絵素電極は、当該絵素電極と重なっている前記走査信号線によって駆動されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向制御部が、突起であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向制御部が、前記絵素電極の切り欠きであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記配向制御部が、前記共通電極の切り欠きであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板には、蓄積容量線と蓄積容量対向電極とが形成されており、
前記蓄積容量線の主たる部分が、平面視において、隣接する前記絵素電極の間の領域に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の絵素電極のうちの１つの絵素電極に着目したとき、
前記蓄積容量線のうち、当該絵素電極に接続された蓄積容量対向電極と対向する蓄積容量線は、当該絵素電極と平面視において重なっているのに対して、
蓄積容量線のうち、当該絵素電極に接続された蓄積容量対向電極と対向しない蓄積容量線は、当該絵素電極と平面視において重なっていないことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１基板には、反射膜が設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射膜と前記スイッチング素子とが平面視において重なっていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射膜と前記走査信号線とが平面視において重なっていることを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、特には、いわゆる横長絵素電極を有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表示装置として、液晶表示装置、中でもアクティブマトリクス型の液晶表示装置が広く用いられている。
【０００３】
そして、このアクティブマトリクス型の液晶表示装置には、その各絵素にスイッチング素子が設けられ、このスイッチング素子を制御するために、複数本の走査信号線と映像信号線とが互いに交差するように設けられている。そして、前記走査信号線と映像信号線との交点に前記スイッチング素子が設けられるとともに、各々のスイッチング素子に接続された絵素電極が、前記各絵素に対応して設けられている。
【０００４】
（配向モード）
ここで、前記液晶表示装置における、液晶分子の配向モードには種々のモードが提案されている。以下、液晶分子の配向モードについて説明する。
【０００５】
液晶分子の配向モードには、例えば、液晶分子が約９０度ねじれる配向モードであるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードや、液晶分子が基板に対して垂直に近い方向に配向するモードであるＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等、種々の配向モードが提案されている。
【０００６】
そして、特に前記ＶＡモードなどにおいて、前記液晶表示装置には、液晶分子の配向方向を制御するための配向規制部が設けられる場合がある。以下、図１２に基づいて説明する。ここで、図１２は、液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。
【０００７】
例えば前記ＶＡモードにおいては、視野角依存性を向上させるために、１個の絵素に、複数の配向領域、すなわちマルチドメインが設けられる場合がある。そして、かかるマルチドメインを形成するために、突起や画素の切り欠き穴などが設けられる場合がある。以下、具体的に説明する。
【０００８】
すなわち、液晶表示装置１０は、図１２に示すように、対向する第１基板２２と第２基板２４とに液晶材料２８が挟持された構造を有している。そして、前記第１基板２２には、絶縁膜７０を介して絵素電極６０が設けられており、その上層には、さらに配向膜１１２が設けられている。
【０００９】
他方、前記第２基板２４には、カラーフィルター（図示せず）やブラックマトリクス（図示せず）とともに、対向電極としての共通電極９０が設けられている。そして、前記共通電極９０の上層には、さらに配向膜１１４が設けられている。
【００１０】
ここで、前記図１２に示す液晶表示装置１０においては、前記第２基板２４に、前記配向制御部１００としてのリブ（リベット）１００ａが設けられている。
【００１１】
ここで、リブ１００ａとは、第２基板２４上に設けられた突起物であり、円錐台の形状を有している。そして、前記図１２は、ほぼ１個の絵素１４に相当する領域を示しており、前記配向制御部１００は、１個の絵素１４について１個設けられている。
【００１２】
前記配向制御部１００が設けられた液晶表示装置については、例えば下記特許文献１に、各サブ画素（サブ絵素）の中心部分にリブを設ける技術が開示されている。
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００７−１５６３２８号公報（公開日：２００７年６月２１日）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開平１１−１６７１２７号公報（公開日：１９９９年６月２２日）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、例えば前記従来の構成特許文献１に記載の構成では、光透過率が低下しやすいとの問題点がある。
【００１４】
すなわち、前記配向制御部１００としてのリブ１００ａは、樹脂等種々の材料で形成されるところ、一般的にその光透過率が低い。
【００１５】
そのため、前記絵素１４において、前記リブ１００ａが設けられている部分は、前記リブ１００ａが設けられていないその他の部分に比べ、光の透過率が低くなっている。さらに、リブ形成部は液晶材料の配向方向の境界であり、液晶分子が好ましくない方向に配向し易い。そのため、リブ形成部については光透過が不十分になり、所望する表示が得られないことがある。
【００１６】
したがって、前記構成の液晶表示装置では、液晶表示装置全体としての光透過率や表示品位が低下するという問題点がある。
【００１７】
（切り欠き）
また、前記配向制御部１００を、前記リブ１００ａ等の突起物としてではなく、電極の切り欠きにより設ける構成も考えられる。液晶表示装置１０の概略構成を示す断面図である図１３の（ａ）及び（ｂ）に基づいて説明する。
【００１８】
図１３の（ａ）は、前記図１２に示した配向制御部１００としてのリブ１００ａの代わりに、切り欠き１００ｂが、前記第２基板２４の前記共通電極９０に設けられた液晶表示装置１０の構成を示している。
【００１９】
ここで前記切り欠き１００ｂとは、共通電極９０等の前記絵素１４領域内の電極について、その一部分が切り抜かれて形成された欠落部を意味する。
【００２０】
また、前記切り欠きは、前記絵素１４における第２基板２４ではなく、例えば、第１基板２２に設けることもできる。具体的には、前記図１３の（ｂ）に示すように、共通電極９０と対向する絵素電極６０に設けることもできる。
【００２１】
ここで、前記切り欠きは、その切り欠きが前記第１基板２２若しくは前記第２基板２４のいずれかに設けられても、又は、両基板のいずれにも設けられても、液晶表示装置１０全体として、光透過率低下の原因となる。
【００２２】
すなわち、かかる切り欠きが設けられた部分では、液晶材料２８に電圧が印加されにくいので、ＯＮ時に所望の光透過率が得られにくいためである。
【００２３】
以上のように、配向制御部が設けられた液晶表示装置では、光透過率が低下しやすいという問題点がある。
【００２４】
（縦長の絵素電極）
つぎに、液晶表示装置における絵素の形状について説明する。
【００２５】
一般に、絵素の形状は縦長形状であり、それに伴って、かかる絵素に備えられる絵素電極の形状も、縦長の形状を有していた。以下、図１４の（ａ）に基づいて説明する。図１４の（ａ）は、カラー表示が可能な液晶表示装置１０における絵素１４の配置を示す図である。
【００２６】
前記図１４の（ａ）に示すように、カラー表示においては、絵素１４は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）をそれぞれ表示する３種類が設けられる。
【００２７】
そして、前記Ｒの絵素１４、Ｇの絵素１４、及び、Ｂの絵素１４の３個の絵素１４が一組となって、１個の画素１６を形成している。
【００２８】
ここで、前記画素１６は、液晶表示装置１０の観者に対してより自然な映像を表示する等の観点から、一般的におよそ正方形とされる。そして、多くの場合、液晶表示装置１０は、横長の長方形であるために、信号線の本数の多い方が前記長方形の長辺に引き出されるように、前記絵素１４は、縦長形状とされていた。
【００２９】
具体的には、前記画素１６を縦向きに３分割し、それぞれを、前記Ｒの絵素１４、Ｇの絵素１４、及び、Ｂの絵素１４として、絵素１４の形状を縦長としていた。これによって、縦方向の信号線（映像信号線３５）は１個の画素１６について３本、横方向の信号線（走査信号線３２）は１個の画素１６について１本となり、長方形の横長の辺に対して引き出される信号線の本数の方が、縦辺に対して引き出される本数よりも多くなっていた。
【００３０】
また、絵素電極６０は、前記絵素１４のほぼ全域に形成されるため、前記絵素１４の形状が上述のように縦長になるのに応じて、絵素電極６０の形状も縦長となる。
【００３１】
（横長の絵素電極）
前記の縦長の絵素電極６０に対して、横長の絵素電極６０を有する構成も提案されている。これは、映像信号線３５の本数を削減して、低消費電力化を図ることなどをその目的としている。以下、図１４の（ｂ）に基づいて説明する。図１４の（ｂ）は、前記図１４の（ａ）と同様に、カラー表示が可能な液晶表示装置１０における絵素１４の配置を示す図である。
【００３２】
前記図１４の（ｂ）に示すように、横長の絵素電極６０を有する液晶表示装置１０では、１個の画素１６が、前記縦向きではなく、横向きに３分割され、横長の絵素１４が１個の画素１６内に３個形成されている。そして、その各々の絵素１４が、前記Ｒの絵素１４、Ｇの絵素１４、及び、Ｂの絵素１４となっている。
【００３３】
そして、前記絵素１４の形状が横長になるのに応じて、前記絵素電極６０の形状も横長となっている。
【００３４】
前記構成を採ることによって、横方向の信号線である走査信号線３２は１個の画素１６について３本に増加するものの、縦方向の信号線である映像信号線３５を１個の画素１６について１本に削減することができる。そして、一般に走査信号線３２用のドライバよりも電力消費が多く、製造コストの高い映像信号線３５用のドライバを削減することができるため、低消費電力化と製造コスト削減とが可能になるというものである。
【００３５】
さらに、走査信号線３２用のドライバの回路構成は、映像信号線３５用のドライバの回路構成に比べて複雑ではないため、基板上に走査信号線３２や映像信号線３５を形成する際に、同じ基板上に回路形成することで、さらなる製造コスト削減も可能である。
【００３６】
また、走査信号線３２用のドライバの回路構成は、映像信号線３５用のドライバの回路構成に比べて複雑ではないため、ドライバの実装領域を縮小することができ、液晶表示装置１０の小型化に貢献することができる。
【００３７】
また、走査信号線３２用のドライバの回路構成は、映像信号線３５用のドライバの回路構成に比べて複雑ではないため、走査信号線３２用のドライバの回路と映像信号線３５用のドライバの回路を１個のドライバに形成することも容易である。この場合、ドライバの数を削減できるので、液晶表示装置１０の小型化だけでなく、ドライバの実装コスト低減にも貢献できる。
【００３８】
前記横長の絵素電極を有する液晶表示装置については、例えば前記特許文献２に開示がある。すなわち、前記特許文献２には、製造コスト低減、低消費電力化を目的として、走査信号線方向に長い絵素電極を有する液晶表示装置が開示されている。
【００３９】
ここで、液晶容量は前記絵素電極と前記共通電極との間に液晶材料を介して生じる容量であり、印加電圧や温度により誘電率、すなわち容量が変動するという特性をもつ。蓄積容量は前記液晶容量と並列に設けられ、液晶容量の変動による絵素電位変動を抑え、表示品位を向上させる働きをする。
【００４０】
以下、横長の絵素電極を有する液晶表示装置の概略構成を示す図である図１５及び図１６に基づいて説明する。ここで、図１５に示す液晶表示装置と、図１６に示す液晶表示装置とでは、いずれも走査信号線３２が隣接する絵素電極６０の間に形成されている点で共通する。
【００４１】
ただし、図１５に示す液晶表示装置１０と、図１６に示す液晶表示装置１０とでは、蓄積容量の形成方法が異なる。すなわち、図１５に示す液晶表示装置１０では、蓄積容量線３６が前記絵素電極６０の中心部に形成され、それと重なる位置に形成された蓄積容量対向電極４０との間で、蓄積容量が形成される。
【００４２】
これに対して、前記図１６に示す液晶表示装置１０では、蓄積容量線３６は形成されておらず、隣接する絵素電極６０の間に形成された前記走査信号線３２と、それと重なる位置に形成された蓄積容量対向電極４０との間で、蓄積容量が形成される（ＣＳオンゲート方式）。
【００４３】
前記図１５及び図１６に示すように、いずれの液晶表示装置１０においても、上記横長の絵素電極６０を有する液晶表示装置１０では、走査信号線３２を隣接する絵素電極６０の間に設けた場合、かかる走査信号線３２と絵素電極６０とが近接する距離が長くなる。その結果、液晶表示装置１０では、前記絵素電極６０と走査信号線３２とが互いに面する領域（図１５に示す領域Ｒ４０参照）で斜め電界が発生し、それに起因する表示ムラ（配向異常）が発生しやすい。
【００４４】
また、図１６に示す構成においては、必要な蓄積容量を得るために、比較的大きな走査信号線面積が必要になるため、表示品位と高開口率の両立が難しいという課題がある。
【００４５】
以上、上記の横長の絵素電極では、走査信号線を、隣接する絵素電極間に設けることには問題がある。
【００４６】
そこで、前記走査信号線を、前記絵素電極の間ではなく、絵素電極内、言い換えると、絵素電極と平面視において重なり合うように設ける構成が考えられる。
【００４７】
しかしながら、かかる構成では、開口率が低下し、液晶表示装置全体としての光透過率が低下しやすいという問題点がある。
【００４８】
すなわち、走査信号線は、一般にメタルで形成されているため、光を透過しにくい。そのため、前記走査信号線が絵素内に形成されると、かかる部分は表示に寄与せず、開口率の低下を招くというものである。
【００４９】
そこで、本発明は、前記の各課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配向制御部が設けられた液晶表示装置において、開口率の低下を抑制し、高開口率で明るい表示を実現することにある。
【００５０】
また、液晶のドライバ数や実装コストを抑制し、製造コストの低い液晶表示装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００５１】
本発明の液晶表示装置は、前記課題を解決するために、
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に封入された液晶材料とが備えられ、
絵素がマトリクス状に配置され、
前記第１基板には、複数の走査信号線と、
前記走査信号線と交差する複数の映像信号線と、
前記走査信号線及び前記映像信号線に電気的に接続された複数のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の各々に電気的に接続され、前記各絵素に対応して設けられた絵素電極とが設けられ、
前記第２基板には、共通電極が設けられた液晶表示装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一方の、前記絵素に対応した領域内には、前記液晶材料の配向を制御するための配向制御部が設けられており、
前記走査信号線及び前記映像信号線のうちの、少なくともいずれか一方の信号線と、前記絵素電極とは平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記配向制御部と、前記絵素電極と重なっている前記信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっていることを特徴とする。
【００５２】
また、本発明の液晶表示装置は、前記走査信号線と、前記絵素電極とは平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記配向制御部と、前記絵素電極と重なっている前記走査信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっており、
前記走査信号線は、平面視において、前記配向制御部から、前記走査信号線の幅方向にはみ出すことなく形成されていることを特徴とする。
【００５３】
前記の構成によれば、絵素内において、配向制御部と信号線とが重なっている。
【００５４】
ここで、配向制御部とは、前記液晶材料に含まれる液晶分子を所望の方向に配向させるためのものである。具体的には、前記配向制御部としては、前記基板上に、前記液晶材料に面するように形成された突起や、前記液晶材料に面する電極に形成された切り欠き等が例示される。
【００５５】
そして、平面視において前記配向制御部が形成された領域は、先に説明した通り、前記配向制御部が形成されていない領域に比べて、光透過率が低くなりやすい。
【００５６】
他方、前記走査信号線や前記映像信号線などの信号線は、一般にメタル材料で形成されている。そのため、平面視において前記信号線が形成された領域は、前記信号線が形成されていない領域に比べて、光透過率が低くなる。
【００５７】
ここで、前記構成の液晶表示装置では、前記配向制御部と前記信号線とが、平面視において重なっている。
【００５８】
したがって、絵素を平面視した際、光透過率の低い領域や、表示に悪影響を与える領域の面積を少なくすることができる。
【００５９】
その結果、前記構成によれば、配向制御部が設けられた液晶表示装置において、開口率の低下を抑制し、高開口率で明るく、表示品位の高い表示を実現することが出来る。
【００６０】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記絵素電極の前記走査信号線と平行な方向の長さが、前記絵素電極の前記映像信号線と平行な方向の長さよりも長く、
前記走査信号線は、前記絵素電極と平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記配向制御部と、前記走査信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっていることとできる。
【００６１】
前記の構成によれば、絵素電極の走査信号線と平行な方向の長さが、映像信号線と平行な方向の長さよりも長くなっている。すなわち、いわゆる横長絵素電極の構成を有しており、先に説明した通り、かかる構成では映像信号線の本数を削減することができる。
【００６２】
よって、一般に電力消費が多く、製造コストの高い映像信号線のドライバを削減することができるため、ドライバ数や実装コストを抑制し、製造コストが低く、低消費電力である液晶表示装置を実現することができる。
【００６３】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記配向制御部を、突起とすることができる。
【００６４】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記配向制御部を、前記絵素電極の切り欠きとすることができる。
【００６５】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記配向制御部を、前記共通電極の切り欠きとすることができる。
【００６６】
前記の構成によれば、基板に突起等の造形物を付加するのみ、又は、電極をパターニングする際に切り欠きを形成するのみで、容易に配向制御部を形成することができる。
【００６７】
また、突起は、他方の基板の膜面（配向膜面）にも接触するように形成しても良い。この場合、突起は配向制御部としてだけでなく、両基板のギャップを狭持するスペーサとしても機能する。そのため、セルギャップ狭持のためにスペーサを新たに持つ必要がなく、また、両基板を貼り合せる際に、プラスチックビーズなどのスペーサを散布する必要もない。このため製造コストを低減することもできる。
【００６８】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記絵素が複数個のサブピクセルに分割されており、
当該サブピクセルに対応して、前記絵素電極が複数個のサブピクセル電極に分割されており、
当該サブピクセル電極が、サブピクセル電極接続部により、電気的に接続されていることとできる。
【００６９】
前記の構成によれば、絵素を複数の領域に分割して、その各々の領域において液晶材料に含まれる液晶分子の配向を制御することができる。
【００７０】
したがって、開口率や応答速度などの表示特性に関して、その要求特性に応じた自由度の高い液晶表示装置の設計が可能となる。
【００７１】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記サブピクセル電極接続部と、前記走査信号線とが、平面視において、絶縁層を介して少なくとも一部が重なっていることとできる。
【００７２】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記サブピクセル電極接続部は、前記走査信号線と重なる領域において、前記走査信号線を覆っていることとできる。
【００７３】
前記の構成によれば、サブピクセル電極接続部と前記走査信号線とが、平面視において重なっている、より好ましくは、走査信号線がサブピクセル電極接続部に覆われている。
【００７４】
言い換えると、前記走査信号線の端辺の少なくとも一部が、平面視において、サブピクセル電極接続部に覆われている。
【００７５】
したがって、走査信号線の端辺から生じる斜め電界の影響により、液晶分子の配向が乱れ、それによって光漏れ等の表示不良（コントラスト低下）が発生することを抑制することができる。
【００７６】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記絵素電極は、前記走査信号線と、平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記複数の絵素電極のうち１つの絵素電極に着目したとき、
当該絵素電極は、当該絵素電極と重なっている前記走査信号線によって駆動されていることとできる。
【００７７】
前記の構成によれば、絵素電極が隣接する走査信号線によって駆動される場合に生じやすい不具合の発生を抑制することができる。
【００７８】
すなわち、絵素電極が隣接する走査信号線によって駆動される場合、当該絵素電極に接続されているスイッチング素子が、隣接する絵素電極と重なりやすくなる。そのため、隣接する絵素電極間で、寄生容量が発生しやすかった。
【００７９】
これに対し、上記本発明の構成では、当該絵素電極が当該絵素電極と重なっている走査信号線によって駆動されているので、上記寄生容量が発生しにくい。
【００８０】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記第１基板には、蓄積容量線と蓄積容量対向電極とが形成されており、
前記蓄積容量線の主たる部分が、平面視において、隣接する前記絵素電極の間の領域に形成されていることとできる。
【００８１】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記複数の絵素電極のうちの１つの絵素電極に着目したとき、
前記蓄積容量線のうち、当該絵素電極に接続された蓄積容量対向電極と対向する蓄積容量線は、当該絵素電極と平面視において重なっているのに対して、
蓄積容量線のうち、当該絵素電極に接続された蓄積容量対向電極と対向しない蓄積容量線は、当該絵素電極と平面視において重なっていないこととできる。
【００８２】
前記の構成によれば、蓄積容量線が隣接する絵素電極の間に形成されているので、蓄積容量線が形成されることによる開口率の低下を抑制することができる。
【００８３】
さらに当該絵素電極に接続された蓄積容量対向電極と対向していない側の蓄積容量線と重ならないので、隣接する絵素に接続されている蓄積容量対向電極、すなわち隣接絵素との容量結合による電位変動を抑制できる。
【００８４】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記第１基板には、反射膜が設けられていることとできる。
【００８５】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記反射膜と前記スイッチング素子とが平面視において重なっていることとできる。
【００８６】
また、本発明の液晶表示装置は、
前記反射膜と前記走査信号線とが平面視において重なっていることとできる。
【００８７】
前記の構成によれば、第１基板に反射膜が設けられているので、反射・透過両用型の液晶表示装置を実現することができる。
【００８８】
また、前記反射膜が、一般的に遮光性を有するスイッチング素子や走査信号線と、平面視において重なっているので、前記反射膜を設けることによる開口率の低下を抑制することができる。
【００８９】
さらに、スイッチング素子上に反射膜を設置した場合、スイッチング素子に入射する外光に対する遮光膜として機能する。外光がスイッチング素子の半導体層に入射した場合、導電現象が生じ、オフ特性が劣化するため、スイッチング素子上に遮光膜を設置することが望ましいが、本構成では、遮光膜を新たに設置する必要がない。さらに、反射膜はスイッチング素子が配置される基板上に設置されるため、他方の基板に設置する場合と比較して、貼り合せ時のアライメントずれを考慮する必要がない。そのため、遮光膜を不必要に大きくする必要がなく、開口率の低下することを回避できる。
【発明の効果】
【００９０】
本発明の液晶表示装置は、以上のように、第１基板及び第２基板のうちの少なくとも一方における、絵素に対応した領域内には、液晶材料の配向を制御するための配向制御部が設けられており、走査信号線及び映像信号線のうちの、少なくともいずれか一方の信号線と、絵素電極とは平面視において絶縁材料を介して重なっており、配向制御部と、前記絵素電極と重なっている前記信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっている。
【００９１】
また、本発明の液晶表示装置は、前記走査信号線と、前記絵素電極とは平面視において絶縁材料を介して重なっており、
前記配向制御部と、前記絵素電極と重なっている前記走査信号線とは、平面視において、少なくとも一部が重なっており、
前記走査信号線は、平面視において、前記配向制御部から、前記走査信号線の幅方向にはみ出すことなく形成されていることを特徴とする。
【００９２】
それゆえ、配向制御部が設けられた液晶表示装置において、開口率の低下を抑制し、高開口率で明るい表示を実現するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面に相当する図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面に相当する図である。
【図４】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図８】本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図９】本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図１１】液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図１２】液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図１３】液晶表示装置の概略構成を示す断面図であり、（ａ）は切り欠きが共通電極に形成されている構成を示し、（ｂ）は切り欠きが絵素電極に形成されている構成を示している。
【図１４】絵素電極の配置を示す図であり、（ａ）は縦長の配置を示し、（ｂ）は横長の配置を示している。
【図１５】液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図１６】液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図１７】液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０    液晶表示装置
１４    絵素
１５    サブピクセル
１６    画素
２２    第１基板
２４    第２基板
２８    液晶材料
３２    走査信号線
３５    映像信号線
３６    蓄積容量線
３８    駆動蓄積容量線  （蓄積容量線）
３９    隣接蓄積容量線  （蓄積容量線）
４０    蓄積容量対向電極
５０    スイッチング素子
６０    絵素電極
６３    サブピクセル電極
６５    サブピクセル電極接続部
７０    絶縁膜          （絶縁材料）
９０    共通電極
１００    配向制御部
１００ａ  リブ            （配向制御部）
１００ｂ  切り欠き        （配向制御部）
１００ｃ  切り欠き        （配向制御部）
１３０    反射膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００９５】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について図に基づいて説明すると以下の通りである。
【００９６】
（絵素の概略構成）
図１は、本実施の形態の液晶表示装置１０の概略構成を示す図である。
【００９７】
前記図１に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１０は、いわゆるアクティブマトリクス型の液晶表示装置１０であり、先に説明した通り、各絵素１４にスイッチング素子５０が設けられている。具体的には、各絵素１４にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）素子が、前記スイッチング素子５０（ゲート電極５２、ソース電極５４、ドレイン電極５６）として設けられている。
【００９８】
そして、このスイッチング素子５０を制御するために、複数本の走査信号線３２と映像信号線３５とが互いに交差するように設けられており、その走査信号線３２と映像信号線３５との交点に前記スイッチング素子５０が設けられている。
【００９９】
また、前記走査信号線３２と平行な方向に、蓄積容量線３６が設けられている。
【０１００】
そして、前記映像信号線３５と蓄積容量線３６とによって画されるおおよそ長方形の領域が絵素１４とされ、かかる領域に絵素電極６０が設けられている。すなわち、本実施の形態の絵素１４においては、映像信号線３５と走査信号線３２とによって画される領域が絵素１４とはならず、前記走査信号線３２は、自らが駆動する前記絵素１４の内部に設けられている。
【０１０１】
詳しくは、前記走査信号線３２は、隣接する前記蓄積容量線３６の間のほぼ中心に位置しており、その結果絵素１４の映像信号線３５の延伸方向（図１に示すＹ方向（縦方向））におけるほぼ中央の位置に、前記蓄積容量線３６の延伸方向（図１に示すＸ方向（横方向））と平行に設けられている。
【０１０２】
（横長電極）
そして、本実施の形態における絵素電極６０は、横長の形状を有している。
【０１０３】
すなわち、本実施の形態の液晶表示装置１０では前記走査信号線３２と前記蓄積容量線３６とは前記横方向（矢印Ｘ）に設けられ、他方前記映像信号線３５は前記縦方向（矢印Ｙ）に設けられている。そして、絵素１４を画する前記蓄積容量線３６と前記映像信号線３５との関係において、隣接する蓄積容量線３６間の間隔よりも、隣接する映像信号線３５間の間隔の方が長くなっている。
【０１０４】
その結果、およそ蓄積容量線３６と映像信号線３５とによって画される絵素１４が横長の形状となり、それに応じて前記絵素電極６０の形状も横長となっている。
【０１０５】
（サブピクセル）
前記絵素１４の構成について、より詳しく説明する。
【０１０６】
本実施の形態の液晶表示装置１０は、前記絵素１４が３個のサブピクセル１５（サブピクセル１５ａ・１５ｂ・１５ｃ）に分けられている。
【０１０７】
すなわち、前記横長の絵素１４が、その長辺方向において、ほぼ均等に３個のサブピクセル１５に分けられている。
【０１０８】
そして、前記絵素電極６０も、前記各サブピクセル１５ａ・１５ｂ・１５ｃに対応して、ほぼ均等な大きさの３個のサブピクセル電極６３ａ・６３ｂ・６３ｃに分割されている。
【０１０９】
具体的には、各サブピクセル電極６３は、ほぼ正方形に形成されており、サブピクセル電極６３ａとサブピクセル電極６３ｂとの間、及び、サブピクセル電極６３ｂとサブピクセル電極６３ｃとの間には、絵素電極６０が切り抜かれた領域である、切り抜き領域Ｒ１が形成されている。
【０１１０】
そして、前記切り抜き領域Ｒ１により分け隔てられたサブピクセル電極６３ａとサブピクセル電極６３ｂとは、サブピクセル電極接続部６５を設けることで、少なくとも１つのコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極５６と３つのサブピクセルとを電気的に接続している。
【０１１１】
また、同様に、サブピクセル電極６３ｂとサブピクセル電極６３ｃとも、前記サブピクセル電極接続部６５によって接続されている。
【０１１２】
ここで前記サブピクセル電極接続部６５とは、前記横長の絵素１４における長辺方向、すなわちＸ方向に延伸されたメタル配線であり、前記絵素電極６０と同一層・同一材料で形成されている。そして、前記絵素電極６０における前記切り抜き領域Ｒ１が形成された部分の、隣接するサブピクセル電極６３の間に設けられ、該隣接するサブピクセル電極６３を電気的に接続するものである。
【０１１３】
そして本実施の形態においては、前記サブピクセル電極接続部６５は、横長の絵素１４における短辺方向のほぼ中心位置に、前記横長の絵素１４の長辺方向とほぼ平行な方向に設けられている。
【０１１４】
このサブピクセル電極接続部６５が設けられる位置については、後に説明する配向制御部１００との関係においてさらに説明する。
【０１１５】
（寸法例）
つぎに、前記図１に基づいて、本実施の形態における液晶表示装置１０について、各配線等の寸法例について説明する。なお、以下に説明する各寸法は例示であり、かかる構成に限定されるものではない。
【０１１６】
まず、絵素電極６０に関して説明する。本実施の形態においては、絵素１４は前記の通り３個のサブピクセルに分割されており、それに伴って、絵素電極６０も３個のサブピクセル電極６３に分割されている。
【０１１７】
そして、１個のサブピクセル電極６３の前記Ｙ方向の長さｄ１は５９ｕｍ、Ｘ方向の長さｄ２は５７ｕｍである。
【０１１８】
また、前記各サブピクセル電極６３を接続する前記サブピクセル電極接続部６５の長さ（前記Ｘ方向の長さ）ｄ３は８．５ｕｍであり、前記サブピクセル電極接続部６５の幅（前記Ｙ方向の長さ）ｄ４は１０ｕｍである。ここで、前記サブピクセル電極接続部６５の長さ（前記Ｘ方向の長さ）ｄ３は、隣接するサブピクセル電極６３を分け隔てる前記切り抜き領域Ｒ１の幅（前記Ｘ方向の長さ）と同じである。
【０１１９】
つぎに、各配線について説明する。まず、走査信号線３２の幅ｄ１１は６ｕｍ、映像信号線３５の幅ｄ１２は４ｕｍ、蓄積容量線３６の幅ｄ１３は７ｕｍ、蓄積容量対向電極４０の幅ｄ１４は４ｕｍである。
【０１２０】
なお、上記各寸法は上記値に限定されず、例えば、前記サブピクセル電極接続部６５の幅ｄ４を７ｕｍとしたり、蓄積容量線３６の幅ｄ１３を５ｕｍとしたりすることができる。
【０１２１】
（断面構成）
つぎに、前記図１のＡ−Ａ線断面に相当する図である図２に基づいて、本実施の形態の液晶表示装置１０の断面構成、特には配向制御部１００について説明する。
【０１２２】
本実施の形態の液晶表示装置１０は、図２にその断面の概略構成を示すように、対向する２枚の基板（第１基板２２、第２基板２４）に液晶材料２８が液晶層として挟持された構造を有している。
【０１２３】
また、前記液晶表示装置１０では、前記第１基板２２と第２基板２４との間隔（ギャップ）を制御するために、柱状スペーサ１２０（図１）が設けられている。具体的には、前記図１に示すように、長方形の各絵素１４の４隅近傍における表示に寄与しない領域に前記柱状スペーサ１２０が設けられている。
【０１２４】
（第１基板）
そして、いわゆるアレイ側の基板である第１基板２２には、前記走査信号線３２と蓄積容量線３６とが形成されている。その上層には、絶縁膜７０としての、ゲート絶縁膜７２が形成されている。
【０１２５】
そして、前記ゲート絶縁膜７２の上層には、前記蓄積容量線３６と平面視において重なる位置に、蓄積容量対向電極４０が形成されている。
【０１２６】
そして、前記蓄積容量対向電極４０の上層には、層間絶縁膜として機能する、保護膜７４及び保護膜７６を介して、絵素電極６０が形成されている。
【０１２７】
また、前記絵素電極６０の上層には、前記液晶材料２８との界面に、配向膜１１２が設けられている。
【０１２８】
ここで、前記走査信号線３２及び前記蓄積容量線３６は、ともに、いわゆるＧ層（ゲート層）メタルＭ１で前記第１基板上の同じ層に形成されている。そして、かかるＧ層メタルＭ１としては、例えば、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ等があげられる。
【０１２９】
また、前記蓄積容量対向電極４０は、いわゆるＳ層（ソース層）メタルＭ２で前記第１基板上における、前記映像信号線３５と同じ層に形成されている。そして、かかるＳ層メタルＭ２としては、例えば、Ｍｏ／ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ等があげられる。
【０１３０】
また、前記保護膜７４などの絶縁材料としての絶縁膜７０の材質は、絶縁性を有していれば、特には限定されないが、例えば、無機膜単層、有機膜単層、又は、有機と無機との２層膜として構成することが可能である。
【０１３１】
（第２基板）
つぎに、第２基板について説明する。
【０１３２】
いわゆるカラーフィルター側の基板である第２基板２４には、各絵素に対応してブラックマトリクス８８が形成されるとともに、各色に対応したカラーフィルター８０が形成されている。そして、かかるカラーフィルター８０上には、共通電極９０が形成されている。
【０１３３】
また、前記共通電極９０の上層には、前記液晶材料２８との界面に、配向膜１１４が設けられている。
【０１３４】
（配向制御部）
ここで、本実施の形態における配向制御部１００について説明する。
【０１３５】
本実施の形態の前記第２基板２４における、前記サブピクセル電極６３に対応した位置には突起（リブ）が設けられており、かかる突起が配向制御部１００として機能している。
【０１３６】
具体的には、本実施の形態の液晶表示装置１０は、いわゆる垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードで構成されている。そして、前記配向制御部１００が設けられることによって、前記液晶材料２８に含まれる液晶分子の配向方向が、全方位的に連続的に変化しやすくなる。また、前記ＶＡモードにおいては、前記配向膜１１２・１１４に対してラビング等の配向処理が施されていないため、前記配向制御部１００はより重要になる。
【０１３７】
より具体的には、前記突起は、前記図１及び図２に示すように、おおよそ六角錐台の形状を有している。そして、前記図１に示すように、かかる六角錐台の底面における対向する平行な２辺間の距離（リブ径ｄ２０）は１３ｕｍである。
【０１３８】
なお、前記配向制御部１００としての突起の形状は、前記の形状に限定されず、例えば円錐、円錐台、三角錐、円柱等種々の形状とすることができる。また、前記突起の寸法も、前記の寸法には限定されず、種々の大きさとすることが可能である。
【０１３９】
また、前記配向制御部は、第２基板２４に形成されることに限定されず、例えば第１基板２２に形成することも可能である。
【０１４０】
また、前記液晶の配向モードも、前記ＶＡモードには限定されず、例えばＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｓｅｌｆ−Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード等の他のモードとすることもできる。例えば、液晶表示装置１０がＯＣＢモードとして構成される場合には、前記配向制御部１００は、スプレイ配向からベンド配向に転移する際のベンド核発生部として用いられる場合もある。かかる場合には、前記配向制御部１００は、後に説明する電極の切り欠きとして形成されることもある。
【０１４１】
（配向制御部と走査信号線）
つぎに、本実施の形態における前記配向制御部１００と走査信号線３２との位置関係について説明する。
【０１４２】
本実施の形態の液晶表示装置では、前記図１に示すように、平面視において、前記配向制御部１００と前記走査信号線３２とは重なり合っている。詳しくは、前記図２に示すように、前記走査信号線３２は、前記配向制御部１００の下層領域（図２に示す領域Ｒ２０）内に形成されている。すなわち、平面視において、前記配向制御部１００から、前記走査信号線３２の幅方向にはみ出すことなく形成されている。
【０１４３】
なお、前記配向制御部１００と前記走査信号線３２との位置関係は、前記の構成には限定されず、例えば、平面視において、前記走査信号線３２の一部が前記配向制御部１００と重なり合う構成としても良い。
【０１４４】
（走査信号線とサブピクセル電極接続部）
つぎに、本実施の形態における前記走査信号線３２と前記サブピクセル電極接続部６５との位置関係について説明する。
【０１４５】
すなわち、前記図１に示すように、平面視において、前記走査信号線３２と前記サブピクセル電極接続部６５とは重なり合っている。詳しくは、前記走査信号線３２は、前記サブピクセル電極接続部６５の下層領域内に形成されている。すなわち、平面視において、前記走査信号線３２は、その幅方向において、前記サブピクセル電極接続部６５の幅方向に対してはみ出すことなく形成されている。言い換えると、前記走査信号線３２と前記サブピクセル電極接続部６５とが重なる領域では、平面視において、前記走査信号線３２は、前記サブピクセル電極接続部６５で覆われている。
【０１４６】
サブピクセル電極接続部は、その両側のサブピクセルに対応した配向制御部の影響を受け易く、好ましくない配向を取る場合がある。高コントラストなど高品位の表示を要求されている表示装置においては、サブピクセル接続部を遮光して、表示に寄与しないようにすることが望ましい。さらに、好ましくは貼り合せ時のアライメントずれを考慮せずに済む為、サブピクセル接続部が形成される基板に設けた遮光膜で遮光することが望ましい。
【０１４７】
（蓄積容量線）
つぎに、蓄積容量線３６について説明する。本実施の形態における蓄積容量線３６は、先に説明した通り、横方向であるＸ方向に延設されている。そして、前記縦方向であるＹ方向において隣接した絵素１４（絵素電極６０）の間の領域に、平面視において、その主たる部分が位置するように設けられている。また、前記蓄積容量線３６と蓄積容量を形成するための蓄積容量対向電極４０が、ゲート絶縁膜７２を介して、前記蓄積容量線３６の上層の対応する位置に形成されている。
【０１４８】
以下図２に基づいてより詳しく説明する。
【０１４９】
すなわち、前記蓄積容量線３６を、自らの絵素１４（当該絵素）に対応した（当該絵素と電気的に接続された蓄積容量対向電極と対向する）蓄積容量線３６である駆動蓄積容量線３８と、隣接した絵素１４に対応した蓄積容量線３６である隣接蓄積容量線３９とに分けた場合、その主たる部分が隣接した絵素１４の間の領域に形成される点は共通するが、絵素電極６０との重なり方が相違する。
【０１５０】
具体的には、前記駆動蓄積容量線３８は当該絵素電極６０と重なるのに対して（図２の領域Ｒ１０参照）、前記隣接蓄積容量線３９は当該絵素電極６０とは重ならない（図２の領域Ｒ１２参照）。
【０１５１】
なお、前記蓄積容量対向電極４０は、絵素電極６０と接続されることにより、絵素電極６０と同電位になっている。
【０１５２】
すなわち、前記図１のＢ−Ｂ線断面に相当する図である図３に示すように、前記絵素電極６０と前記蓄積容量対向電極４０とは、前記保護膜７４・７６を貫通するコンタクトホール６８で電気的に接続されている。
【０１５３】
（他のサブピクセル配置）
前記サブピクセルの他の配置例について図４から図７に基づいて説明する。図４から図７は、上記実施の形態について、サブピクセルの配置を変更した液晶表示装置１０の概略構成を示す図である。
【０１５４】
すなわち、図４に示す液晶表示装置１０では、絵素１４が前記Ｘ方向において２個のサブピクセル１５に分割され、それに伴って、絵素電極６０も２個のサブピクセル電極６３に分割されている。
【０１５５】
そして、２個のサブピクセル電極６３ａとサブピクセル電極６３ｂとがサブピクセル電極接続部６５により接続されている。
【０１５６】
また、前記配向制御部１００としてのリブ１００ａも、各サブピクセル１５に対して１個、各サブピクセル電極６３のほぼ中心に対応する位置に設けられている。
【０１５７】
前記サブピクセル１５の配置の仕方の他の例としては、前記図５に示す配置や図６に示す配置が考えられる。
【０１５８】
すなわち、図５に示す液晶表示装置１０では、絵素１４が前記Ｘ方向において６個のサブピクセル１５に分割され、さらに前記Ｙ方向に２個のサブピクセル１５に分割されている。それによって、絵素１４は、１２個のサブピクセル１５に分割されている。
【０１５９】
そして、それに伴って、絵素電極６０も１２のサブピクセル電極６３に分割されている。
【０１６０】
そして、隣接するサブピクセル電極６３は、前記サブピクセル電極接続部６５により接続されている。
【０１６１】
ここで、前記図５に示す例では、サブピクセル電極６３がＸ方向のみならず、Ｙ方向においても複数個配列されている。そのため、前記サブピクセル電極接続部６５も、図４に示した一方向（Ｘ方向）のみに形成されるのではなく、Ｙ方向にも形成されている。
【０１６２】
また、前記図６に示す例では、サブピクセル１５がＸ方向に６個、さらにＹ方向に３個配置されている。それによって、絵素電極６０も、先に図５に示した例よりもさらに小さな１８個のサブピクセル電極６３で構成されている。
【０１６３】
なお、以上例示した各構成においても、先に説明した配向制御部１００としてのリブ１００ａが、分割によって生じた各々のサブピクセル電極６３のほぼ中心に対応する位置に設けられている。
【０１６４】
また、絵素１４におけるサブピクセル１５の配置は前記各例示に限定されるものではなく、他にも種々のバリエーションが可能である。
【０１６５】
また、サブピクセルに分割する際に形成するサブピクセルの個数は、当該液晶表示装置に要求される特性に応じて決定することができる。
【０１６６】
具体的には、例えば、開口率と応答速度との関係において、開口率をより重視する場合には、サブピクセルの数を少なくし、１個のサブピクセルの大きさを大きくする。
【０１６７】
これに対して、応答速度をより重視する場合には、サブピクセルの数を多くし、１個のサブピクセルの大きさを小さくする等が考えられる。
【０１６８】
また、サブピクセルの形は、特には限定されないが、正方形に近い方が好ましい。これは、サブピクセルに設けられた配向制御部から、サブピクセルの周辺領域までの距離に関し、その周辺位置による前記距離の変動幅を小さくすることができるためである。このような構成では、サブピクセル内での液晶材料の配向乱れ、特には、周辺領域での配向乱れの発生を抑制することができる。
【０１６９】
（サブピクセル無し）
なお、前記絵素１４は、必ずしも複数のサブピクセル１５に分割される必要はなく、例えば、図７に示すように、絵素１４を１個の絵素電極６０で形成しても良い。
【０１７０】
このような構成では、サブピクセル電極６３が形成されていないため、サブピクセル電極６３同士を接続するためのサブピクセル電極接続部６５も形成されていない。
【０１７１】
また、配向制御部１００としてのリブ１００ａも、各絵素１４に１個、絵素電極６０のほぼ中心に対応する位置に設けられている。
【０１７２】
〔実施の形態２〕
本発明の第２の実施の形態について図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。図８は、本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【０１７３】
なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１７４】
本実施の形態の液晶表示装置１０は、前記実施の形態１の液晶表示装置１０の構成と比べて、配向制御部１００が、突起であるリブ１００ａでははく、先に図１３の（ａ）及び（ｂ）に基づいて説明したような、電極の切り欠きとして形成されている点が相違する。
【０１７５】
すなわち、前記第１の実施の形態においては、配向制御部１００は、前記図１２に基づいて説明したような、第２基板に設けられた突起すなわちリブ１００ａとして形成されていた。
【０１７６】
これに対し、本実施の形態においては、前記配向制御部１００は、前記図１３の（ａ）に示したような共通電極９０に形成された切り欠き１００ｂとして形成されている。
【０１７７】
そして、かかる切り欠き１００ｂが形成される位置は、先に説明したリブ１００ａと同様に、各サブピクセル電極のほぼ中心に対応する位置である。
【０１７８】
（切り欠き形状）
また、かかる切り欠き１００ｂの形状は、前記図８に示したような長方形型には限定されず、例えば、正方形型、丸型、三角形型、バツ印型、＋字型、Ｖ字型、Ｗ字型等種々の形状が考えられる。
【０１７９】
（切り欠き位置）
なお、前記切り欠きは、第２基板２４の共通電極９０に形成される構成に限定されず、例えば、先に図１３の（ｂ）に基づいて説明したように、第１基板の絵素電極６０（サブピクセル電極６３）に形成することもできる。
【０１８０】
〔実施の形態３〕
つぎに本発明の第３の実施の形態について図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。図９は、本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【０１８１】
なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記各実施の形態と同じである。また、説明の便宜上、前記の各実施の形態の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１８２】
本実施の形態の液晶表示装置１０は、反射・透過両用型の液晶表示装置として構成されている点が特徴である。
【０１８３】
すなわち、前記各実施の形態の液晶表示装置１０では、液晶表示装置１０内部に光反射層は形成されておらず、透過光専用の構成であった。
【０１８４】
これに対して本実施の形態の液晶表示装置１０では、図９に示すように、絵素１４内に反射膜１３０が設けられている。これによって、外光を利用した反射型の表示が可能となる。
【０１８５】
そして、本実施の形態においては、前記絵素１４内に、前記反射膜１３０が設けられた領域と、反射膜１３０が設けられていない領域とが存在するため、反射型及び透過型の両方での表示が可能となっている。
【０１８６】
以下、具体的に説明する。本実施の形態の液晶表示装置１０においては、形状の異なる反射膜１３０ａ及び反射膜１３０ｂが前記反射膜１３０として設けられている。
【０１８７】
具体的には、反射膜１３０ａは、３個のサブピクセル電極６３の中で、前記スイッチング素子５０としてのＴＦＴと接続されているサブピクセル電極６３ａと重なるように形成されている。
【０１８８】
他方、反射膜１３０ｂは、前記３個のサブピクセル電極６３の中で、前記サブピクセル電極６３ａ以外のサブピクセル電極６３、具体的にはサブピクセル電極６３ｂ及びサブピクセル電極６３ｃと重なるように形成されている。より具体的には、前記各サブピクセル電極６３ｂ・６３ｃの範囲内において、前記走査信号線３２と重なるように形成されている。
【０１８９】
本実施の形態においては、反射膜１３０を前記位置に配置することによって、開口率の低下を抑制している。
【０１９０】
すなわち、前記スイッチング素子５０としてのＴＦＴが形成されている領域（図９に示す領域Ｒ３０参照）、及び、前記走査信号線３２が形成されている領域（図９に示す領域Ｒ３２）は、一般的にメタル配線が形成されており、表示に資さないいわゆる非開口領域である。
【０１９１】
そして、前記の構成によれば、反射膜１３０が、非開口領域であるＴＦＴ上（Ｒ３０）及び走査信号線上（Ｒ３２）に形成されているので、反射膜１３０を形成することによる開口率の低下を抑制することができる。
【０１９２】
なお、前記反射膜１３０が形成される部分やその大きさ等は、前記図９等に基づいて説明した構成に特には限定されない。
【０１９３】
また、前記反射膜１３０を形成する層は、特には限定されないが、例えば、前記図２に示す保護膜７６とサブピクセル電極６３との間等に形成することができる。
【０１９４】
なお、本発明は前記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１９５】
また、前記の説明においては、いわゆる横長絵素電極の構成を前提として説明したが、本発明の液晶表示装置は、かかる構成には限定されず、例えば、縦長絵素電極を有する構成としても良い。かかる縦長絵素電極が備えられた液晶表示装置１０の概略構成を図１０に示す。
【０１９６】
図１０に示すように、絵素電極６０が縦長となる場合は、液晶表示装置１０の外観構成は、ほぼ前記図１に示した液晶表示装置１０を９０度回転させた外観構成となる。以下、横長絵素電極との相違点を中心に、具体的な構成を説明する。
【０１９７】
図１０に示す液晶表示装置１０では、前記走査信号線３２及び蓄積容量線３６は前記横長絵素電極での構成と同様にＸ方向に、他方、映像信号線３５はＹ方向に延伸されている。そして、前記蓄積容量線３６と映像信号線３５とで画される絵素１４の領域が、Ｙ方向（縦方向）に長くなっている。
【０１９８】
そして、この縦長の絵素１４において、Ｙ方向に直列状に並んだ３個のサブピクセル１５ａ・１５ｂ・１５ｃが設けられ、その各々に対応してサブピクセル電極６３ａ・６３ｂ・６３ｃが形成されている。また、隣接するサブピクセル電極は、前記横長絵素電極の場合と同様に、サブピクセル電極接続部６５で接続されている。
【０１９９】
そして、絵素電極６０と重なり合う走査信号線３２は、詳しくは、前記３個のサブピクセル電極６３ａ・６３ｂ・６３ｃの中の中心に位置するサブピクセル電極６３ｂと平面視において重なっている。
【０２００】
また、この縦長絵素電極を有する構成では、蓄積容量を形成するための蓄積容量対向電極４０は、前記サブピクセル１５ａに形成されたスイッチング素子５０としてのＴＦＴ素子のドレイン電極５６から延設されている。
【０２０１】
他方、前記蓄積容量線３６は、前記蓄積容量対向電極４０と重なり合う面積を大きくするために、前記サブピクセル１５ｃの領域に対してその幅が拡大されている。
【０２０２】
なお、先に説明した横長絵素電極の構成とした場合には、映像信号線の本数の削減が可能であり、引いてはそのドライバの数を抑制することができる。
【０２０３】
すなわち、従来の（縦長絵素電極の）液晶表示装置１０の概略構成を示す平面図である図１７に示すように、従来の液晶表示装置１０では、フレキシブルプリント配線基板等の接続基板１６０が接続される液晶表示装置１０の長辺端に、走査用ドライバＩＣ１５２と、複数個の映像信号用ドライバＩＣ１５４とが設けられている。
【０２０４】
これに対し、横長絵素電極の液晶表示装置１０の概略構成を示す平面図である図１１に示すように、横長絵素電極の液晶表示装置１０では、映像信号線３５用のドライバを削減することができる。そして、かかるドライバの削減が可能であるので、引いては、図１１に示すように、走査用ドライバＩＣ１５２と映像信号用ドライバＩＣ１５４とを統合し、一体として形成することも可能となる。そして、一体化された走査、映像信号用統合ドライバＩＣ１５６が１個、前記液晶表示装置１０の長辺端に設けられた簡素化された構成が可能となる。
【０２０５】
そして、かかる周辺領域の簡素化は、例えばモノリシックが採用された液晶表示装置１０において製造上の利点を有する。
【０２０６】
また、前記の説明においては、サブピクセル電極接続部は、サブピクセル電極のＸ方向又はＹ方向における中心位置に設けられていたが、かかるサブピクセル電極接続部の位置は、かかる位置に限定されず、例えば、サブピクセル電極の端部に沿って設けることも可能である。
【０２０７】
また、リブや切り欠き等の前記配向制御部の位置は、前記の説明においては、絵素電極６０やサブピクセル電極６３の中心位置に対応する部分に形成されていたが、配向制御部の位置は、かかる位置には限定されず、任意の位置に、任意の個数を設けることができる。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
特に携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、パーソナルナビ、携帯ゲーム機等の比較的小型であって、低消費電力かつ高い表示品位が望まれる液晶表示装置において、好適に利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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