(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品パッケージを製造するための方法であって、
（ｉ）電子部品が配置される主面Ａおよびそれに対向する主面Ｂを有し、該主面Ａの電子部品配置領域にて貫通穴が設けられた金属箔を用意する工程、
（ｉｉ）電子部品を前記金属箔に配置する工程であって、前記貫通穴の開口部が電子部品の電極で蓋される形態となるように該電子部品を前記電子部品配置領域に配置する工程、
（ｉｉｉ）前記電子部品を覆うように前記金属箔の前記主面Ａ側に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｉｖ）前記金属箔の前記主面Ｂ側に金属めっき層を形成する工程
を含んで成り、
前記工程（ｉｖ）では、乾式めっき法を実施した後で湿式めっき法を実施して前記金属めっき層を形成しており、該金属めっき層によって前記金属箔の前記貫通穴が充填され、該金属めっき層と該金属箔とが一体化されることを特徴とする、電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｉ）の前記金属箔として前記電子部品の位置決め手段が設けられた金属箔を用意し、それによって、前記工程（ｉｉ）では該位置決め手段を利用して前記電子部品を前記電子部品配置領域に配置しており、
前記位置決め手段としては、前記電子部品配置領域を取り囲むように前記金属箔上に設けた土手状支持部材、または、前記金属箔をザグリ加工して前記電子部品配置領域に設けた陥凹部を用いることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記電子部品の前記電極が、前記金属箔の前記貫通穴の開口部よりも大きい電極面を有することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記乾式めっき法を実施することによって、前記貫通穴を介して前記電子部品の前記電極に直接的に接合する乾式めっき層を形成し、また
前記湿式めっき法を実施することによって、前記乾式めっき層に直接的に接合する湿式めっき層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記乾式めっき層として、前記貫通穴の輪郭形状に沿った屈曲形態を有する層を形成することを特徴とする、請求項４に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記湿式めっき層として、前記貫通穴を全て満たして前記金属箔上に厚みを有する層を形成することを特徴とする、請求項４に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記乾式めっき法を実施して１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さの乾式めっき層を形成する一方、前記湿式めっき法を実施して１μｍ〜１０μｍ厚さ（前記貫通穴の設置領域以外の領域における厚さ）の湿式めっき層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記乾式めっき法としてスパッタリングを実施する一方、前記湿式めっき法として電気めっきを実施することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記一体化した金属箔および前記金属めっき層をパターニング処理に付すことによって、金属配線層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｉｉ）で配置する前記電子部品として発光素子を含み、
前記工程（ｉｉｉ）では前記封止樹脂層の形成に代えて、前記発光素子上に蛍光体層を配置し、該発光素子および該蛍光体層を覆うように透明樹脂層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１１】
電子部品パッケージであって、
封止樹脂層、
前記封止樹脂層に埋設された電子部品、および
前記封止樹脂上に形成され、かつ、前記電子部品の電極に接合されている金属配線層
を有して成り、
前記金属配線層が、前記電子部品の電極に対して直接的に接合した金属めっき層および該金属めっき層と一体化した金属箔から構成されており、また
前記金属めっき層が、乾式めっき層と湿式めっき層とから成る２層構造を有し、該乾式めっき層が前記電子部品の前記電極に直接的に接合するように屈曲した形態を有する一方、該湿式めっき層が該屈曲した形態に起因して形成された該乾式めっき層の窪み部を満たして前記金属箔上に厚みを有する形態を有し、また
前記乾式めっき層と前記電極との接触界面サイズが該電極の電極面よりも小さいことを特徴とする、電子部品パッケージ。
【請求項１２】
前記電子部品を取り囲むように前記金属箔上に設けられた土手状支持部材、または、前記電子部品が少なくとも部分的に収容されるように設けられた前記金属箔の陥凹部を更に有して成ることを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１３】
前記金属めっき層の厚さ（前記乾式めっき層の前記窪み部以外の領域における厚さ）が、前記金属箔の厚さよりも薄いことを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１４】
前記金属箔が１８μｍ〜１０００μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１５】
前記乾式めっき層が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有する一方、前記湿式めっき層が１μｍ〜１０μｍの厚さ（前記乾式めっき層の前記窪み部以外の領域における厚さ）を有することを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ
【請求項１６】
前記金属箔がＣｕおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成り、
前記乾式めっき層がＴｉ、Ｃｒ、ＮｉおよびＣｕから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成り、また
前記湿式めっき層がＣｕ、ＮｉおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１７】
前記金属箔と前記乾式めっき層と前記湿式めっき層とが同種の金属材料を含んで成ることを特徴とする、請求項１６に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１８】
前記金属配線層に対して設けられたレジスト層を更に有していることを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１９】
前記金属配線層の少なくとも一部が前記電子部品パッケージの放熱部材となっていることを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２０】
前記電子部品として発光素子を有して成り、また
前記封止樹脂層に代えて、前記発光素子上に蛍光体層が設けられ、該発光素子および該蛍光体層を覆う透明樹脂層が設けられていることを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージおよびその製造方法に関する。より詳細には、本発明は電子部品を備えたパッケージ品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の進展に伴い、エレクトロニクス分野では様々な実装技術が開発されている。例示すると、ＩＣやインダクタなどの電子部品の実装技術（パッケージング技術）として、回路基板やリードフレームを用いた実装技術が存在する。つまり、一般的な電子部品のパッケージ形態としては「回路基板を用いたパッケージ」および「リードフレームを用いたパッケージ」などが存在する。【０００３】
「回路基板を用いたパッケージ」（図１４（ａ）参照）は、回路基板上に電子部品が実装された形態を有している。かかるパッケージの種類としては「ワイヤボンディング型（Ｗ／Ｂ型）」と「フリップチップ型（Ｆ／Ｃ型）」とが一般に存在する。「リードフレーム・タイプ」（図１４（ｂ）参照）は、リードやダイパッドなどから成るリードフレームを含んだ形態を有している。リードフレーム・タイプのパッケージ、回路基板を用いたパッケージともに、各種の電子部品がはんだ付けなどでボンディングされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７９２７９２２号公報
【特許文献２】米国特許第７２０２１０７号公報
【特許文献３】特表２００８−５２２３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の技術においては、放熱特性および高密度実装における接続信頼性の点で十分ではないという問題がある。【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされてものであり、放熱特性および高密度実装における接続信頼性の向上を実現する電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法は、
（ｉ）電子部品が配置される主面Ａおよびそれに対向する主面Ｂを有し、主面Ａの電子部品配置領域にて貫通穴が設けられた金属箔を用意する工程、
（ｉｉ）電子部品を金属箔に配置する工程であって、金属箔に設けられた貫通穴の開口部が電子部品の電極で蓋されるように電子部品を主面Ａにおける電子部品配置領域に配置する工程、
（ｉｉｉ）電子部品を覆うように金属箔の主面Ａ側に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｉｖ）金属箔の主面Ｂ側に金属めっき層を形成する工程
を含んで成り、
工程（ｉｖ）では、乾式めっき法を実施した後で湿式めっき法を実施して金属めっき層を形成しており、金属めっき層によって金属箔の貫通穴が充填され（又は埋められ）、金属めっき層と金属箔とが一体化されることを特徴とする。【０００８】
また、本発明の一態様に係る電子部品パッケージは、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、および
封止樹脂上に形成され、かつ、電子部品の電極に接合されている金属配線層
を有して成り、
金属配線層が、電子部品の電極に対して直接的に接合した金属めっき層およびその金属めっき層と一体化した金属箔から構成されており、また
金属めっき層が、乾式めっき層と湿式めっき層とから成る２層構造を有し、乾式めっき層が電子部品の電極に直接的に接合するように屈曲した形態を有する一方、湿式めっき層が屈曲した形態に起因して形成された“乾式めっき層の窪み部”を満たして金属箔上に厚みを有する形態を有し、また
乾式めっき層と電極との接触界面サイズが電極の電極面よりも小さいことを特徴とする。【０００９】
本発明の電子部品パッケージによれば、電子部品に、直接、金属めっき層を形成することにより、放熱特性および高密度実装における接続信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図２】図２は本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図３】図３は算術平均粗さＲａの説明図である。
【図４】図４は本発明の電子部品パッケージの製造方法（第１実施形態）を模式的に示した工程断面図である。
【図５】図５は本発明の電子部品パッケージの製造方法（第１実施形態）を模式的に示した工程断面図である。
【図６】図６は本発明の電子部品パッケージの製造方法（第２実施形態）を模式的に示した工程断面図である。
【図７】図７は複数の電子部品パッケージ前駆体を得る際の態様を模式的に表した模式図法（第３実施形態）である。
【図８】図８は本発明の電子部品パッケージの製造方法（第４実施形態）を模式的に示した工程断面図である。
【図９】図９は本発明の電子部品パッケージの構成を模式的に示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明における「面接合（もしくは直接接合）」を説明するための模式図である。
【図１１】図１１は第１実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図１２】図１２は第２実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図１３】図１３は第４実施形態に従った本発明の電子部品パッケージ（発光素子パッケージ）の構成を模式的に示した断面図である。
【図１４】図１４は従来技術の電子部品パッケージの構成態様を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（本発明の基礎となった知見）
本発明者は、「背景技術」の欄において記載した従来のパッケージ技術に関し、以下の問題が生じることを見出した。
【００１２】
「回路基板を用いたパッケージ」（図１４（ａ）参照）は、高密度実装を実現できるものの、回路基板を用いているので放熱性の点では課題を残している。また、基板コスト自体も無視できず、コスト的には必ずしも満足のいくものとはいえない。更に、そもそもワイヤーボンディグやフリップチップ実装を行うためのコストも無視できず、更なるコスト低減が望まれている（例えば、フリップチップ実装では高価なマウンターが必要である）。
【００１３】
「リードフレーム・タイプ」（図１４（ｂ）参照）は、リードフレームで微細な加工が困難であるため、高密度な実装には向かない。更に両タイプともに、はんだ付けがなされているので、全体を樹脂で封止した場合、いわゆる“はんだフラッシュ”の問題が懸念され、接続信頼性の点では必ずしも満足のいくものとはいえない。つまり、モジュール実装はんだ付けにおける加熱に際して、パッケージ内の部品接合に用いられているはんだ材料が、再溶融してしまい、微細な隙間に浸み出たり（フラッシュ）、短絡を起こしたりする虞がある。
【００１４】
本発明はかかる事情に鑑みて為されたものである。即ち、本発明の主たる目的は、好適な放熱特性および接続信頼性を満たすと共に、低廉な実装コストを実現できるパッケージング技術を提供することである。
【００１５】
このため、本願発明者らは、従来技術の延長線上で対応するのではなく、新たな方向で対処することによって上記目的の達成を試みた。その結果、上記目的が達成された電子部品パッケージおよびその製造方法の発明に至った。具体的には、本発明の一態様では、電子部品パッケージを製造するための方法であって、
（ｉ）電子部品が配置される主面Ａおよびそれに対向する主面Ｂを有し、主面Ａの電子部品配置領域にて貫通穴が設けられた金属箔を用意する工程、
（ｉｉ）電子部品を金属箔に配置する工程であって、金属箔に設けられた貫通穴の開口部が電子部品の電極で蓋されるように電子部品を主面Ａにおける電子部品配置領域に配置する工程、
（ｉｉｉ）電子部品を覆うように金属箔の主面Ａ側に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｉｖ）金属箔の主面Ｂ側に金属めっき層を形成する工程
を含んで成り、
工程（ｉｖ）では、乾式めっき法を実施した後で湿式めっき法を実施して金属めっき層を形成しており、金属めっき層によって金属箔の貫通穴が充填され（又は埋められ）、金属めっき層と金属箔とが一体化されることを特徴とする。
【００１６】
かかる本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法の特徴の１つは、電子部品配置領域にて貫通穴が設けられた金属箔を用いると共に、金属めっき層によって金属箔の貫通穴が充填され、金属めっき層と金属箔とが一体化するように乾式めっき法および湿式めっき法を逐次的に実施して金属めっき層を形成することである。
【００１７】
本発明の一態様では、上記製造方法によって得られる電子部品パッケージも提供される。かかる電子部品パッケージは、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、および
封止樹脂上に形成され、かつ、電子部品の電極に接合されている金属配線層
を有して成り、
金属配線層が、電子部品の電極に対して直接的に接合した金属めっき層およびその金属めっき層と一体化した金属箔から構成されており、また
金属めっき層が、乾式めっき層と湿式めっき層とから成る２層構造を有し、乾式めっき層が電子部品の電極に直接的に接合するように屈曲した形態を有する一方、湿式めっき層が屈曲した形態に起因して形成された“乾式めっき層の窪み部”を満たして金属箔上に厚みを有する形態を有し、また
乾式めっき層と電極との接触界面サイズが電極の電極面よりも小さいことを特徴とする。
【００１８】
本発明の一態様に係る電子部品パッケージの特徴の１つは、金属配線層が、「電子部品の電極に対して直接的に接合した金属めっき層」および「その金属めっき層と一体化した金属箔」から構成されており、金属めっき層においては乾式めっき層が電子部品の電極に直接的に接合するように屈曲した形態を有する一方、湿式めっき層がその屈曲した形態に起因して形成された窪み部を満たして金属箔上に厚みを持った形態を有し、かつ、乾式めっき層と電極との接触界面サイズが電極の電極面よりも小さいことである。
【００１９】
上述したように、本発明の一態様に従えば、望ましい放熱特性および接続信頼性を達成できると共に、低廉な実装コストのパッケージングが実現される。
【００２０】
“放熱特性”についていえば、本発明の一態様ではワイヤボンディングやバンプを介した実装が為されておらず（即ち、パッケージがワイヤボンディングレス・バンプレスとなっており）、金属配線層を介して効率よく放熱されるようになっている。特に、本発明の一態様における金属配線層は、金属箔が含まれているので、より厚く設けることが容易であり、放熱特性を特に高くすることができる。つまり、金属配線層を構成する金属箔ならびに金属めっき層（乾式めっき層および湿式めっき層）は熱伝導性の高い銅などの材質から形成でき、かつ、“厚みの大きい金属配線層”として設けることができるので、それを介して効率よく熱を外部へと逃がすことができる。
【００２１】
また、本発明の一態様では“はんだ付け”を行わずにパッケージングを達成しており、即ち“はんだ材料”を用いないパッケージが実現されている。それゆえ、“はんだフラッシュ”なる不都合は回避されており、その点で“接続信頼性”の向上を図ることができる。
【００２２】
更には、本発明の一態様に係るパッケージは“基板レス構造”となっている。“基板レス”ゆえ、基板を用いていないので、その分だけ低コスト製造に寄与する。また、ワイヤーボンディングやフリップチップ実装などと比べて簡易なプロセスでパッケージングできるので、その点でも低コスト化を図ることができる。さらに、“厚みの大きい金属箔”を利用することで、“厚みの大きい金属配線層”を短時間で形成でき、その点でも低コスト化を図ることができる。
【００２３】
以下にて、本発明の一態様に係る電子部品パッケージおよびその製造方法を詳細に説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。
【００２４】
［本発明の製造方法］
まず、本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｆ）および図２（ａ）〜（ｃ）に本発明の一態様に係る製造方法に関連したプロセスを模式的に示している。本発明の一態様に係る製造方法は、まず工程（ｉ）として、図１（ａ）に示すように「電子部品が配置される主面Ａおよびそれに対向する主面Ｂを有し、その主面Ａの電子部品配置領域４０にて貫通穴３０が設けられた金属箔１０」を用意する。
【００２５】
図示するように、金属箔１０の主面Ａには電子部品配置領域４０が設けられており、その電子部品配置領域４０に貫通穴３０が少なくとも１つ設けられている。本発明において「電子部品配置領域」とは、後刻の工程（ｉｉ）にて電子部品を配置する“金属箔の表面領域”、つまり、電子部品と重なる“金属箔領域”である。
【００２６】
金属箔１０の材質としては、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｆｅ（鉄）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｔａ（タンタル）およびＡｕ（金）から成る群から選択される少なくとも１種の金属材料を含んで成るものであってよい。特に、“貫通穴の形成”などを含む加工プロセスの容易さの点からＣｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）が好ましい。金属箔１０の厚さは、好ましくは９μｍ〜２０００μｍ、より好ましくは１８μｍ〜１０００μｍ、更に好ましくは２００μｍ〜５００μｍ（例えば、約３００μｍ）である。金属箔１０は、粗化面を有していることが好ましく、具体的には、金属箔１０の主面Ａ（電子部品配置領域４０を形成する面）が粗化面となっていることが好ましい（図１（ｂ）の右側図参照）。これによって、後刻の“封止樹脂層の形成”プロセスにおいて、金属箔１０の粗化面に対して封止樹脂層６０が形成されることになり（図１（ｃ）の右側図参照）、封止樹脂層の樹脂材が粗化面に食い込むので金属箔と封止樹脂層との接着力が増し、信頼性の高いパッケージを実現することができる。
【００２７】
尚、本発明において『粗化面』とは、金属箔の主面Ａが粗い面（微細な凹凸面）となっていることを意味しており、例えば金属箔１０の表面の算術平均粗さＲｚが５．０μｍ以上、好ましくは７．０μｍ以上となっていることを実質的に意味している（その上限値は特に制限はないものの、例えば１０．０μｍ以下である）。ここで、本明細書でいう「表面粗さを表すＲｚ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定されている粗さ“Ｒｚ”のことを指している。つまり、本発明における『Ｒｚ』は、図３に示すような粗さ曲線（本発明でいうと「金属箔の主面Ａの断面形状プロファイル」）からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から5番目までの山頂の標高(Yp)の絶対値の平均値と、最も低い谷底から5番目までの谷底の標高(Yv)の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう（JIS B0601:1994参照）。
【００２８】
貫通穴３０は、フォトリソグラフィーを利用して金属箔１０にエッチング処理を施すことによって設けることができる。あるいは、金属箔１０にレーザを照射して穴加工を施すことによっても設けることができる。さらには、パンチング加工（打ち抜き加工）などの機械的加工処理によっても貫通穴３０を設けることができる。貫通穴３０の形状は、例えば金属箔の上方から見た平面形状が“円形”となるようなものでよい。しかしながら、貫通穴３０の形状は、“円形”に特に限定されるものではなく、楕円形、長円形、矩形などの他の形状も可能である。
【００２９】
貫通穴３０の孔サイズは、電子部品の電極サイズよりも小さいことが好ましい。なぜなら、後刻の工程において、金属箔１０の貫通穴３０の開口部が電子部品の電極で蓋される形態となるように電子部品を配置するからである。つまり、貫通穴３０の開口面サイズ（即ち、上述のような金属箔の上方から見た場合の貫通穴の平面形状の面積）が電子部品の電極面サイズ（即ち、同様に見た場合の電極の平面形状の面積）よりも小さいことが好ましい。例えば、貫通穴３０の開口面サイズは、電子部品の電極面サイズの好ましくは４０％〜９５％程度であり、より好ましくは６０％〜９０％程度である。
【００３０】
工程（ｉ）に引き続いて工程（ｉｉ）を実施する。つまり、図１（ｂ）に示すように、少なくとも１種類の電子部品５０を金属箔１０に配置する。具体的には、金属箔１０に設けられた貫通穴３０の開口部（特に主面Ａ側における開口面）が電子部品の電極５５で蓋される形態となるように電子部品配置領域に電子部品５０を配置する。
【００３１】
工程（ｉｉ）では、貫通穴３０の開口面と電子部品５０の電極面とが相互に重なるように電子部品５０を配置する。ここでいう『・・・蓋される形態となるように・・・』といった用語は、貫通穴３０を金属箔の下側（つまり、主面Ｂ側から見た場合に反対側が見えないように電極５５が貫通穴３０の開口面（特に主面Ａ側における開口面）を塞いでいる態様を意味している。
【００３２】
電子部品５０は、エレクトロニクス実装分野で用いられる回路部品・回路素子であって、貫通穴３０の開口面より大きい電極を有していれば、特に制限はない。あくまでも例示にすぎないが、かかる電子部品の種類としては、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。
【００３３】
工程（ｉｉ）に引き続いて工程（ｉｉｉ）を実施する。つまり、図１（ｃ）に示すように、電子部品５０を覆うように主面Ａ側の金属箔１０上に封止樹脂層６０を形成し、電子部品パッケージ前駆体１００’を得る。
【００３４】
封止樹脂層６０は、樹脂原料をスピンコート法やドクターブレード法などにより金属箔１０の電子部品配置面に塗布した後で熱処理や光照射などに付すことによって設けることができる（即ち、塗布した樹脂原料を熱硬化または光硬化させることによって封止樹脂層６０を設けることができる）。あるいは、別法にて金属箔１０の電子部品配置面に対して樹脂フィルムなどを貼り合わせることによって封止樹脂層６０を設けてもよい。さらには、未硬化状態の粉体状もしくは液状の封止樹脂を金型に充填し、加熱硬化により封止樹脂層６０を設けることができる。
【００３５】
封止樹脂層６０の材質は、絶縁性を供するものであればいずれの種類の材質であってもよく、例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などであってよい。封止樹脂層６０の厚さは、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度、より好ましくは１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ程度である。
【００３６】
工程（ｉｉｉ）に引き続いて工程（ｉｖ）を実施する。つまり、図１（ｄ）および図１（ｅ）に示すように、金属箔１０の主面Ｂ側に金属めっき層７０を形成する。具体的には、「金属箔の表面」、「貫通穴の内壁」および「貫通穴の一端にて蓋をする電子部品の電極露出面」と接合するように、金属めっき層７０を形成する。
【００３７】
図示するように、まず、金属箔１０の主面Ｂ側に対して乾式めっき法を実施し（図１（ｄ）参照）、次いで、湿式めっき法を実施することによって（図１（ｅ）参照）、金属めっき層７０を形成する。これにより、金属箔１０の貫通穴３０を金属めっき層７０で埋め、金属めっき層７０と金属箔１０とを相互に一体化させる。
【００３８】
これにつき換言すれば、乾式めっき法を実施することによって、貫通穴を介して電子部品の電極に直接的に接合する乾式めっき層７０’を形成し、次いで、湿式めっき法を実施することによって乾式めっき層に直接的に接合する湿式めっき層７０”を形成し、それによって、金属めっき層７０と金属箔１０とを一体化させる（図１（ｄ）および図１（ｅ）参照）。
【００３９】
図１（ｄ）に示すように、乾式めっき層７０’としては、貫通穴３０の輪郭形状に沿った屈曲形態を有した層を形成することが好ましい。つまり、乾式めっき法を実施して非常に薄い層を形成することが好ましく、それによって、電子部品パッケージ前駆体１００’の輪郭形状に沿った形態の乾式めっき層７０’を形成することが好ましい。一方、図１（ｅ）に示すように、湿式めっき層７０”としては、貫通穴３０を全て満たして金属箔１０上に厚みを有する層を形成することが好ましい。つまり、湿式めっき法を実施して相対的に厚い層を形成することが好ましく、それによって、金属箔１０の貫通穴３０を埋めることが好ましい。
【００４０】
本発明の製造方法は、「金属箔および電子部品の電極の露出面に対してダイレクトに金属層を形成する」といったプロセス的特徴を有している。特に、“厚みの大きい金属箔”を利用するので、金属めっき層の厚さは貫通穴を充填して埋めるだけの厚さがあればよく、短時間で厚い金属層を設けることができる。それゆえ、電子部品の電極と接合した金属めっき層および金属めっき層と接合して一体化した金属箔を「放熱部材」などとして好適に利用することができる。また、製造プロセスの点では、乾式めっき法を実施するからこそ、後刻の湿式めっき法で貫通穴の内部をボイドなく充填し、かつ、密着力良く形成できるといえる。
【００４１】
乾式めっき法は、真空めっき法（ＰＶＤ法）と化学気相めっき法（ＣＶＤ法）とを含んでおり、真空めっき法（ＰＶＤ法）が更にスパッタリング、真空蒸着およびイオンプレーディングなどを含んで成る。一方、湿式めっき法は、電気めっき法（例えば電解めっき）、化学めっき法および溶融めっき法などを含んで成る。ある好適な一態様として、本発明の製造方法では、乾式めっき法としてスパッタリングを実施し、湿式めっき法として電気めっき法（例えば電解めっき）を実施してよい。
【００４２】
乾式めっき法によって形成される乾式めっき層７０’（図１（ｄ）参照）と、湿式めっき法によって形成される湿式めっき層７０”（図１（ｅ）参照）の２層から構成される金属めっき層７０は、その形成工程において、「金属箔１０の表面」、「貫通穴３０の内壁」および「電子部品の電極露出面５５」に沿って形成され、かつ、徐々に厚みを増していくことになるが、その厚さは少なくとも貫通穴３０の内部を充填して埋めるだけの厚さがあればよい。それゆえ、貫通穴３０の外部における金属めっき層７０の厚さは金属箔１０の厚さより薄いことが好ましい。これにより、厚みの大きい金属箔を出発材料とすることで、電子部品の電極と接合した金属めっき層、および金属めっき層と接合して一体化した金属箔を厚く、かつ、短時間に設けることができる。好ましくは、乾式めっき法を実施して１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さの乾式めっき層７０’を形成する一方、湿式めっき法を実施して１μｍ〜１０μｍ厚さ（貫通穴の設置領域以外の領域における厚さ（図１（ｅ）参照））の湿式めっき層７０”を形成する。つまり、乾式めっき層７０’は非常に薄いのに対して、湿式めっき層７０”は厚く設けられる。湿式めっき層７０”がそのように厚く設けられるので、貫通穴３０の内部をボイドなく充填できる。
【００４３】
乾式めっき法によって形成される乾式めっき層７０’は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＣｕ（銅）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。一方、湿式めっき法によって形成される湿式めっき層７０”は、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。金属箔１０、乾式めっき層７０’および湿式めっき層７０”が同種の金属材料を含んで成ることが好ましい。接続信頼性に優れたパッケージとすることができるからである。１つ例示すると、金属箔１０、乾式めっき層７０’および湿式めっき層７０”が全て、少なくとも銅成分を含んでなるものであってよい（例えば、金属箔１０が銅箔であって、乾式めっき層７０’が下記のＣｕ薄膜層を含んでおり、湿式めっき層７０”が銅層となっていてよい）。
【００４４】
あくまでも一例にすぎないが、乾式めっき層７０’は、単一層として形成することに限らず、複数の層として形成してもよい。例えば、乾式めっき層７０’としては、スパッタリングによりＴｉ薄膜層とＣｕ薄膜層とを形成してよい（より具体的には、Ｔｉ薄膜層を形成した後にＣｕ薄膜層を形成してよい）。この場合、かかる２層構造のスパッタ層上に湿式めっき層７０”としてＣｕめっき層を電解めっきで形成することが好ましい。
【００４５】
金属箔１０およびそれと一体化した乾式めっき法および湿式めっき法で形成された金属めっき層７０はパターニング処理に付すことが好ましい。具体的には、図１（ｆ）に示すように、金属箔および金属めっき層をパターニング処理することによって、金属配線層８０を形成することが好ましい。換言すれば、パターンニング処理によって所望の配線形成（例えば、取り出し電極を含む所望の配線パターン形成）を行うことができる。かかるパターンニング処理自体は、エレクトロニクス実装分野で用いられている処理であれば特に制限はない。例えば、レジスト形成〜露光・現像〜エッチングなどを実施するフォトリソグラフィーを利用することによって所望のパターニング処理を実施してよい。
【００４６】
なお、金属配線層には、電子部品の電極と接合された金属配線層の他に、電子部品の電極に接しない金属配線層が存在しても良いことは言うまでもない。封止樹脂面や電子部品の電極露出面以外から直接放熱させることができるからである。
【００４７】
金属箔および金属めっき層のパターニング処理後においては、かかるパターン化された金属配線層に対してレジスト層を形成することが好ましい。例えば、図２（ａ）に示すように、金属配線層８０を部分的に覆うように封止樹脂層の表面上にてソルダーレジスト層９０を形成することが好ましい。かかるソルダーレジスト層９０の形成は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジスト形成と同様であってよい。
【００４８】
以上のような工程を経ることによって（例えば図２（ｂ）に示すようなダイシング処理なども付加的に経ることによって）、最終的には図２（ｃ）に示すような電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００４９】
本発明の製造方法は、種々のプロセス態様で実施することができる。以下それについて説明する。
【００５０】
（第１実施形態）
第１実施形態に従った本発明の製造方法のプロセスを図４（ａ）〜（ｇ）および図５（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００５１】
かかる実施形態では、工程（ｉ）において「電子部品の位置決め手段が設けられた金属箔」を用意することを特徴としている。具体的には、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、金属箔１０に設けられる位置決め手段として「電子部品配置領域を取り囲むように金属箔上に設けた土手状支持部材２０」を用いる。
【００５２】
「土手状支持部材２０」は、図４（ａ）〜（ｇ）に示す態様から分かるように、電子部品を支持するものでもあり、それゆえ、“電子部品支持体”と称すこともできる。土手状支持部材２０は、電子部品配置領域４０を取り囲むように隆起した形態で設けられ、“電子部品の配置工程”における電子部品の位置決めに供するものであれば、特に制限はない。例えば、土手状支持部材２０の材質は、樹脂および／または金属などであってよい。土手状支持部材２０の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などを挙げることができる。この場合、土手状支持部材２０は、樹脂原料をパターン形状に印刷することによって設けることができる。あるいは、感光性を有する樹脂原料を用い、エレクトロニクス実装分野で用いられている露光・現像などを実施するフォトリソグラフィーを利用することによって設けてもよい。また、電子部品支持体２０の金属材料としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、もしくはそれらの合金などを挙げることができる。この場合、土手状支持部材２０は、金属めっきをパターン形状に施すことによって設けることができる。あるいは、金属箔１０の主面Ａに対して金属めっきを全面的に施し、次いで、フォトリソグラフィーを利用してパターン形状にエッチングすることによって設けてもよい。後刻の“電子部品の配置”プロセスにて電子部品のリワーク性を確保する観点から、土手状支持部材２０は電子部品に対して粘着性を有していないことが好ましい。土手状支持部材２０の高さは、“電子部品の配置工程”において実質的に電子部品を位置決めしてズレを防止するだけの高さがあればよく、電子部品配置領域４０の底面からみて電子部品の高さよりも低いことが好ましい（例えば、土手状支持部材２０の高さは、５０〜５００μｍ程度であってよい）。尚、かかる第１実施形態において、土手状支持部材２０は、貫通穴３０の形成前に設けてよいし、あるいは、貫通穴３０の形成後に設けてもよい。
【００５３】
かかる第１実施形態では、図４（ｃ）に示すように、土手状支持部材２０で囲まれた電子部品配置領域４０上に電子部品５０が配置される。つまり、金属箔上において土手状支持部材２０に嵌り込むように電子部品５０を配置する。換言すれば、土手状支持部材２０で囲まれた空間領域に収まるように電子部品５０を配置するともいえる。これにより、電子部品５０をより正確に電子部品配置領域に配置することができ、金属箔１０の貫通穴３０が電子部品の電極５５で好適に蓋されることになる。
【００５４】
電子部品５０を配置した後の工程は、上述した態様と同様であり、封止樹脂層６０の形成、金属めっき層７０（７０’、７０”）の形成を経ることによって、所望の電子部品パッケージ１００を得ることができる（図５参照）。尚、例えば図４（ｃ）に示す態様から分かるように、土手状支持部材２０は、配置された電子部品５０を保持固定する機能も有しているので、第１実施形態では、電子部品の配置後のプロセス処理をより安定的に実施することができる。
【００５５】
（第２実施形態）
第２実施形態に従った本発明の製造方法のプロセスを図６（ａ）〜（ｆ）に示す。
【００５６】
かかる実施形態では、工程（ｉ）において「電子部品の位置決め手段（実施形態１とは異なる位置決め手段）が設けられた金属箔」を用意することを特徴としている。具体的には、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、金属箔１０に設けられる位置決め手段として「金属箔をザグリ加工して電子部品配置領域に設けた陥凹部２５」を用いる。
【００５７】
この第２実施形態では、金属箔上に土手状支持部材２０を別途設けることなく、電子部品５０をより正確に金属箔の電子部品配置領域に配置することができる。つまり、陥凹部２５を利用することによって、金属箔１０の貫通穴３０が電子部品の電極５５で確実に蓋されるように電子部品を配置することができる。
【００５８】
具体的には、工程（ｉ）では、金属箔１０をザグリ加工して陥凹部２５を形成し、その陥凹部２５を電子部品配置領域４０として用いる（図６（ａ））。そして、図６（ｂ）に示すように、陥凹部２５により形成された電子部品配置領域４０上に電子部品５０を配置する。図示されるように、金属箔の陥凹部２５に少なくとも部分的に嵌り込むように電子部品５０を配置する。換言すれば、陥凹部２５により形成された空間領域に収まるように電子部品５０を配置する。これにより、電子部品５０をより正確に金属箔の電子部品配置領域に位置付られ、金属箔１０の貫通穴３０が電子部品の電極５５で蓋される形態が得られる。
【００５９】
尚、例えば図６（ｂ）に示す態様から分かるように、陥凹部２５は、配置された電子部品５０を保持固定する機能をも有しているので、電子部品配置後のプロセス処理をより安定的に実施することができる。
【００６０】
陥凹部２５の深さ寸法Ｌ１は、特に制限するわけではないが、金属箔１０の厚みＬ２の好ましくは５％〜５０％程度、より好ましくは１０％〜３０％程度であってよい（図６（ａ）参照）。かかる深さ寸法であると、陥凹部２５によって特に好適に電子部品５０を保持固定することが可能となる。
【００６１】
電子部品５０を配置した後の工程は、上述した態様と同様である。つまり、封止樹脂層６０の形成、金属めっき層７０（７０’、７０”）の形成などを経ることによって、所望の電子部品パッケージ１００が得られることになる。
【００６２】
（第３実施形態）
かかる第３実施形態は、「複数の電子部品パッケージの一括製造」に適した実施形態である。つまり、かかる実施形態に従えば、複数の電子部品パッケージを一括して製造することができる。具体的には、工程（ｉ）では、パッケージ前駆体領域を複数備えた金属箔を用いる。例えば、「電子部品配置領域を取り囲むように金属箔上に設けた土手状支持部材２０」または「金属箔をザグリ加工して電子部品配置領域に設けた陥凹部２５」などの位置決め手段を複数有する金属箔を用いる。そして、工程（ｉｉ）では、複数のパッケージ前駆体領域の各々にて位置付けられるように、複数の電子部品パッケージにそれぞれ用いられる電子部品を各々配置する（図７参照）。このような工程を経ることによって、結果的に「複数の前駆体が一体化した電子部品パッケージ前駆体」を一括して得ることができる。従って、最終的には、ダイシング処理を行うと（図７参照）、複数個の電子部品パッケージが得られることになる。つまり、工程（ｉｖ）の後において、“複数のパッケージ前駆体領域”がそれぞれ別個に分かれるようにダイシング処理することによって、複数個の電子部品パッケージを得ることができる。
【００６３】
（第４実施形態）
かかる第４実施形態は、「発光素子パッケージの製造」に適した実施形態である。本発明は、電子部品に発光素子が含まれる場合（つまり、工程（ｉｉ）において電子部品配置領域に配置する電子部品として発光素子が含まれている場合）であっても、好適に発光素子パッケージ品の製造を行うことができる。かかる場合、封止樹脂層の形成として、蛍光体層および透明樹脂層の形成を行う。具体的には、金属箔１０に配置された発光素子５０上に蛍光体層４４を配置し、次いで、発光素子および蛍光体層を覆うように透明樹脂層４６を形成する（図８（ａ）〜（ｃ）参照）。蛍光体層の形成および透明樹脂層の形成自体は、常套的なＬＥＤパッケージ製造で一般に用いられている方法と同様であってよい。以降の工程は、上記第１実施形態または第２実施形態と同様なプロセスを実施する（図８（ｄ）〜（ｈ）参照）。これによって、最終的に所望の発光素子パッケージ形態を有する電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００６４】
［本発明の電子部品パッケージ］
次に、本発明の一態様に係る電子部品パッケージについて説明する。本発明の一態様に係る電子部品パッケージは、上記製造方法で得られるパッケージである。
【００６５】
図９に、本発明の一態様に係る電子部品パッケージ１００の構成を模式的に示す。図示されるように、電子部品パッケージ１００は、封止樹脂層６０、電子部品５０、および、電子部品の電極５５に接合されている金属配線層８０を有して成る。
【００６６】
図９に示されるように、電子部品５０は封止樹脂層６０に埋設されている。特に本発明の電子部品パッケージでは電子部品５０が封止樹脂層６０と面一状態でその封止樹脂層６０に埋設されている。つまり、「電子部品５０の表面」と「封止樹脂層６０の表面」とが実質的に同一平面上にある。より好ましくは、電子部品の電極部分５５が封止樹脂層６０と面一状態となっている（つまり、電子部品の電極５５の表面と封止樹脂層６０の表面とが実質的に同一平面上にあることが好ましい）。
【００６７】
図９に示されるように、金属配線層８０は、電子部品の電極に接合された金属めっき層７０、および金属めっき層に接合された金属箔１０から成る。さらに、金属めっき層７０は「相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層（７０”）」と「相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層（７０’）」とから成る２層構造を有している。具体的には、電子部品の電極５５および金属箔１０に直接的に接合するように乾式めっき層７０’が設けられており、その乾式めっき層７０’上に湿式めっき層７０”が設けられている。これから分かるように、本発明でいう「相対的に外側に位置付けられた」といった表現は「電子部品の電極露出面」に対してより遠位に位置していることを実質的に意味する一方、「相対的に内側に位置付けられた」といった表現は、「電子部品の電極露出面」に対してより近位に位置していることを実質的に意味している。
【００６８】
金属配線層８０に含まれている金属箔１０（または別の観点でとらえると、封止樹脂層と接着した状態で設けられている金属箔１０）は、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｆｅ（鉄）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｔａ（タンタル）、およびＡｕ（金）から成る群から選択される少なくとも１種の金属材料を含んで成る。特に、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）が好ましい。金属箔１０の厚さは、好ましくは９μｍ〜２０００μｍ、より好ましくは１８μｍ〜１０００μｍ（例えば、約３００μｍ）である。金属箔１０が粗化面を有している場合、同じく図９に示すように、粗化面が封止樹脂層６０と接合するように金属箔１０が封止樹脂層６０に覆われていることが好ましい。尚、上述した通り、『粗化面』とは、金属箔の表面の算術平均粗さＲｚが５．０μｍ以上、好ましくは７．０μｍ以上となっていることを実質的に意味している。
【００６９】
本発明のパッケージでは、１種類以上の電子部品５０が封止樹脂層６０に埋設されている。そのような電子部品としては、例えば、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。特に本発明では、電子部品の電極部分５５が封止樹脂層６０と面一状態となっていることが好ましく、その電極部分５５と接合するように金属めっき層７０が設けられている。
【００７０】
電子部品が埋設されている封止樹脂層６０は、例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを含んで成る。かかる封止樹脂層の厚さは、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度、より好ましくは１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ程度である。
【００７１】
本発明の電子部品パッケージにおいては、相対的に厚い金属箔１０が用いられていることが好ましい。逆の見方をすれば、金属めっき層７０の厚さが、金属箔１０の厚さより薄いことが好ましい。このように本発明では金属箔１０が厚いので、厚い金属配線層８０が結果として好適に実現されている。かかる電子部品パッケージにおいて「電子部品の電極」と「金属箔」とが「金属めっき層」を介して相互に電気接続されており、これにより金属配線層の好適な配線形態が実現されている。このような配線形態においては、電子部品が発熱する場合、その熱を金属めっき層や金属箔を介して好適に放熱させることができる効果が奏され得る。
【００７２】
尚、金属めっき層７０を構成する乾式めっき層７０’は非常に薄いものであるのに対して（好ましくはナノオーダーの厚さを有し得る）、湿式めっき層７０”は厚く（好ましくはミクロンオーダーの厚さを有し得る）、金属めっき層７０の大部分は湿式めっき層７０”が占めている。例示すると、乾式めっき層７０’が好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さ（例えば約３００ｎｍのＴｉ及び約６００ｎｍのＣｕの厚さ）を有する一方、湿式めっき層７０”が好ましくは１〜１０μｍ程度となっている。
【００７３】
特に本発明の電子部品パッケージ１００では、乾式めっき層７０’は電子部品の電極５５に直接的に接合するように屈曲した形態を有し得る（図９下側図参照）。その一方、湿式めっき層７０”は、かかる屈曲した形態に起因して形成された「乾式めっき層７０’の窪み部」を満たして金属箔上に厚み（より具体的にはその上に設けられた乾式めっき層７０’上にて厚み）を有する形態を有し得る（図９下側図参照）。
【００７４】
乾式めっき層７０’は、乾式めっき法によって形成されたものであり、それゆえ、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＣｕ（銅）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、乾式めっき層５０’の材質は、その他の金属材料、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金や、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｓｎ（スズ）およびＷ（タングステン）などから成る群から選択される少なくとも１種を含んで成るものであってよい。尚、乾式めっき層は、応力緩和層としても機能し得るので、その点でも本発明のパッケージは接続信頼性に優れているといえる。一方、湿式めっき層７０”は、湿式めっき法によって形成されたものであり、それゆえ、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、湿式めっき層７０”の材質は、その他の金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種を含んで成るものであってよい。しかしながら“放熱特性”を特に重視する場合では、湿式めっき層７０”の材質は熱伝導性が高く放熱特性に効果的に寄与するものが好ましく、それゆえＣｕ（銅）が特に好ましい。接続信頼性に優れたパッケージとする観点からは、金属箔１０、乾式めっき層７０’および湿式めっき層７０”が同種の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、乾式めっき層７０’は、単一層として形成することに限らず、複数の層であってもよい。例えば、乾式めっき層７０’は、Ｔｉからなる乾式めっき層とその上にＣｕからなる乾式めっき層とから構成された２層構造を有していてもよい。
【００７５】
図９に示す態様から分かるように、本発明の電子部品パッケージ１００では、金属配線層８０と電子部品の電極５５とは金属めっき層７０によって相互にダイクレクトに“面接合”（もしくは“直接接合”）しており、それによって、金属配線層８０と電子部品５０とが電気的に相互接続されている。ここでいう『面接合（もしくは直接接合）』とは、各要素の主面同士（上側面・下側面）が相互に接触する態様、特に、各要素の主面同士（上側面・下側面）が相互に重なり合う範囲で全て接触する態様（特に金属箔の貫通穴の範囲内において全て接触する態様）を実質的に意味している。具体的には、“電子部品の電極の主面（金属箔の貫通穴から露出する下側の主面）”と“金属箔の貫通穴の内部に位置づけられる金属めっき層の主面（上側主面）”とが相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を意味している。換言すれば、本明細書で用いる『面接合（もしくは直接接合）』とは、金属箔の貫通穴の内部に位置づけられる金属めっき層（特にはその乾式めっき層）および電子部品の電極部分の主面領域同士が全接触する態様を意味している（つまり、図１０における“下側主面領域Ａ”と“上側主面領域Ｂ”とが全て接触する態様に相当する）。
このような“面接合（もしくは直接接合）”であるがゆえ、本発明の電子部品パッケージ１００では、電子部品５０の熱を電極５５に面接合（もしくは直接接合）した金属めっき層７０およびそれと接合して一体化した厚い金属箔１０を介して効率よく外部へと逃がすことができる。つまり、金属めっき層７０および厚い金属箔１０は、ヒートシンクとしても機能しており、パッケージの放熱対策に特に効果的に寄与し得る。
【００７６】
電子部品の電極５５と金属配線層８０の面接合（もしくは直接接合）である形態は、ワイヤーボンディングやバンプを介在した実装の場合と比較して、熱伝導を阻害する介在物がなく、格段に効率よく放熱される形態になっている。このように、本発明のパッケージは、優れた放熱特性を有し得るので、電子部品の特性や動作寿命が増す効果がもたらされ得、また、熱に起因した“電子部品や封止樹脂の変性・変色”なども効果的に防止され得る。また、“面接合（もしくは直接接合）”ゆえ、ワイヤーやバンプを介した電気接続の場合と比較して電気抵抗にも優れている。そのため、本発明のパッケージでは、より大きな電流を流すことができる効果なども奏され得る。例えば、ＬＥＤパッケージなどの発光素子パッケージの場合を例にとると、高放熱特性や大電流などに起因して、より高輝度な発光素子パッケージを本発明で実現できる。
【００７７】
更には図示するように、本発明の電子部品パッケージ１００では、乾式めっき層７０’と電極５５との接触界面サイズが電極５５の電極面よりも小さくなっている。例えば、「乾式めっき層７０’と電極５５との接触界面サイズ」は、電子部品の電極面サイズの好ましくは４０％〜９５％程度であり、より好ましくは６０％〜９０％程度となっている。
【００７８】
尚、本発明においてはパッケージ品としてより好適な態様となるようにレジスト層が設けられていてもよい。つまり、金属配線層に対してレジスト層が設けられていてよい。より具体的には、図９に示すように金属配線層８０を少なくとも部分的に覆うようにソルダーレジスト層９０が設けられていることが好ましい。かかるソルダーレジスト層９０は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジストと同様であってよい。
【００７９】
電子部品パッケージ品の製造方法にて「土手状支持部材２０」が位置決め手段として用いられた場合では、図１１に示されるように、封止樹脂層６０内に土手状支持部材２０が埋設されている。かかる場合、好ましくは土手状支持部材２０が封止樹脂層６０と面一状態でその封止樹脂層６０に埋設されている。つまり、好ましくは「土手状支持部材２０の表面」と「封止樹脂層６０の表面」とが実質的に同一平面上にある。電子部品５０も同様に“面一”となっているので、かかる電子部品パッケージ品１００の好適な態様では、「土手状支持部材２０の表面」と「封止樹脂層６０の表面」とが実質的に同一平面上にあると共に、「電子部品５０の表面」と「封止樹脂層６０の表面」とが実質的に同一平面上になっている。あくまでも例示にすぎないが、土手状支持部材２０の高さ寸法は、５０〜５００μｍ程度であり得る。
【００８０】
図１１に示される電子部品パッケージ品１００では、電子部品５０は、位置決め手段、即ち、土手状支持部材２０に起因して、封止樹脂層６０の上側表面により近い位置に埋設されている。それゆえ、電子部品５０からの熱が封止樹脂層の上側表面を介して放熱され易くなっている。つまり、かかる態様では、より厚い金属配線層８０の観点だけでなく、封止樹脂層６０内における電子部品５０の配置レベルの観点からも、望ましい高放熱特性を好適に実現することができる。また、土手状支持部材２０が金属材料などの熱伝導性の高い材料から構成されている場合では、かかる土手状支持部材２０を、金属配線層８０と同様にヒートシンクとして機能させることができ、パッケージの更なる放熱対策に効果的に寄与し得る。一方、土手状支持部材２０が樹脂材料から構成されている場合では、かかる土手状支持部材２０を応力緩和部材として用いることができ、電子部品パッケージ品において生じ得る応力を減じる効果が奏され得る。
【００８１】
電子部品パッケージ品の製造方法にて「陥凹部２５」が位置決め手段として用いられた場合では、図１２に示されるように、封止樹脂層６０と金属配線層８０との境界面の少なくとも一部に凹面が形成されている。かかる場合、好ましくは電子部品５０がかかる凹面２５に収まるように設けられている。かかる電子部品パッケージ品では、電子部品が全体的に金属配線層８０に近接したものとなり（好ましくは、電子部品の電極以外の部分が金属配線層８０と直接的に接触した形態となり得）、それゆえ、電子部品からの熱を金属配線層８０を介して更に好適に放熱させることができる。
【００８２】
尚、凹面２５の窪み寸法Ｌ１は、特に制限するわけではないが、金属配線層８０の金属箔部分１０の厚みＬ２の好ましくは５％〜５０％程度、より好ましくは１０％〜３０％程度であってよい（図１２参照）。かかる深さ寸法であると、陥凹部２５によって特に好適に電子部品５０が保持固定され得る。
【００８３】
本発明の電子部品パッケージは発光素子パッケージとして構成することが可能である。つまり、電子部品として発光素子が含まれる場合では、図１３に示すような発光素子パッケージの構成とすることができる。かかる発光素子パッケージ品１００では、蛍光体層および透明樹脂層が設けられていることが好ましい。具体的には、「電子部品および電子部品支持体を埋設している封止樹脂層」に代えて、図１３に示すように、「発光素子５０上に形成された蛍光体層４４」および「発光素子５０および蛍光体層４４を覆うように形成された透明樹脂層４６」が設けられていることが好ましい。これによって、本発明の電子部品パッケージ１００として発光素子パッケージ品を実現できる。かかる“蛍光体層”および“透明樹脂層”の材質・厚さなどは、一般的なＬＥＤパッケージにて常套的に用いられているものを採用してよい。尚、本明細書において『発光素子』とは、光を発する素子であって、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）およびそれらを含む電子部品のことを実質的に意味している。従って、本発明における『発光素子』は、「ＬＥＤのベアチップ（即ちＬＥＤチップ）」のみならず、「ＬＥＤチップがモールドされたディスクリート・タイプ」をも包含した態様を表すものとして用いている。尚、ＬＥＤチップに限らず、半導体レーザーチップなども用いることができる。
【００８４】
図示されるように、発光素子パッケージの場合、乾式めっき層７０’および／または土手状支持部材２０を“反射層”として好適に用いることができる。かかる場合、発光素子の直下または直近に“反射層”が位置付けられるので、発光素子から発された下向きの光を反射層（電子部品支持体）で効率的に反射させることができる。つまり、“下向きに発された光”を上方へと向けることが可能となる。このような高反射特性を特に重視するならば、乾式めっき層７０’および／または土手状支持部材２０は、Ａｇ（銀）およびＡｌ（アルミニウム）などから成る群から選択される金属を含んで成ることが好ましい。
【００８５】
発光素子からの光取出しの点でいえば、土手状支持部材２０が設けられている電子部品パッケージは封止樹脂層の上側表面からの光取り出しの点でも優れている。具体的には、かかる電子部品パッケージでは、土手状支持部材２０に起因して、発光素子５０が樹脂層（特に上記の透明樹脂層４６）内において、その上側表面により近い位置に埋設されている。従って、本発明の発光素子パッケージは、樹脂層の上側表面（光取出し面）からの光取出し効率が向上し得る（図１３参照）。
【００８６】
最後に、本発明は下記の態様を有するものであることを確認的に付言しておく。
第１態様：電子部品パッケージを製造するための方法であって、
（ｉ）電子部品が配置される主面Ａおよびそれに対向する主面Ｂを有し、主面Ａの電子部品配置領域にて貫通穴が設けられた金属箔を用意する工程、
（ｉｉ）電子部品を前記金属箔に配置する工程であって、貫通穴の開口部が電子部品の電極で蓋される形態となるように電子部品を電子部品配置領域に配置する工程、
（ｉｉｉ）電子部品を覆うように金属箔の主面Ａ側に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｉｖ）金属箔の主面Ｂ側に金属めっき層を形成する工程
を含んで成り、
工程（ｉｖ）では、乾式めっき法を実施した後で湿式めっき法を実施して金属めっき層を形成しており、金属めっき層によって金属箔の貫通穴が充填され、金属めっき層と金属箔とが一体化されることを特徴とする、電子部品パッケージの製造方法。
第２態様：上記第１態様において、工程（ｉ）の金属箔として電子部品の位置決め手段が設けられた金属箔を用意し、それによって、工程（ｉｉ）では位置決め手段を利用して電子部品を電子部品配置領域に配置しており、
位置決め手段としては、電子部品配置領域を取り囲むように金属箔上に設けた土手状支持部材、または、金属箔をザグリ加工して電子部品配置領域に設けた陥凹部を用いることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第３態様：上記第１態様または第２態様において、電子部品の電極が、金属箔の貫通穴の開口部よりも大きい電極面を有することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第４態様：上記第１態様〜第３態様のいずれかにおいて、乾式めっき法を実施することによって、貫通穴を介して電子部品の電極に直接的に接合する乾式めっき層を形成し、また
湿式めっき法を実施することによって、乾式めっき層に直接的に接合する湿式めっき層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第５態様：上記第４態様において、乾式めっき層として、貫通穴の輪郭形状に沿った屈曲形態を有する層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第６態様：上記第４態様または第５態様において、湿式めっき層として、貫通穴を全て満たして金属箔上に厚みを有する層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第７態様：上記第１態様〜第６態様のいずれかにおいて、乾式めっき法を実施して１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さの乾式めっき層を形成する一方、湿式めっき法を実施して１μｍ〜１０μｍ厚さ（貫通穴の設置領域以外の領域における厚さ）の湿式めっき層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第８態様：上記第１態様〜第７態様のいずれかにおいて、乾式めっき法としてスパッタリングを実施する一方、湿式めっき法として電気めっきを実施することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第９態様：上記第１態様〜第８態様のいずれかにおいて、一体化した金属箔および金属めっき層をパターニング処理に付すことによって、金属配線層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１０態様：上記第１態様〜第９態様のいずれかにおいて、
工程（ｉｉ）で配置する電子部品として発光素子を含み、
工程（ｉｉｉ）では封止樹脂層の形成に代えて、発光素子上に蛍光体層を配置し、発光素子および蛍光体層を覆うように透明樹脂層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１１態様：電子部品パッケージであって、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、
封止樹脂上に形成され、かつ、電子部品の電極に接合されている金属配線層
を有して成り、
金属配線層が、電子部品の電極に対して直接的に接合した金属めっき層および金属めっき層と一体化した金属箔から構成されており、また
金属めっき層が、乾式めっき層と湿式めっき層とから成る２層構造を有し、乾式めっき層が電子部品の電極に直接的に接合するように屈曲した形態を有する一方、湿式めっき層が屈曲した形態に起因して形成された乾式めっき層の窪み部を満たして金属箔上に厚みを有する形態を有し、また
乾式めっき層と電極との接触界面サイズが電極の電極面よりも小さいことを特徴とする、電子部品パッケージ。
第１２態様：上記第１１態様において、電子部品を取り囲むように金属箔上に設けられた土手状支持部材、または、電子部品が少なくとも部分的に収容されるように設けられた金属箔の陥凹部を更に有して成ることを特徴とする電子部品パッケージ。
第１３態様：上記第１１態様または第１２態様において、金属めっき層の厚さ（乾式めっき層の窪み部以外の領域における厚さ）が、金属箔の厚さよりも薄いことを特徴とする電子部品パッケージ。
第１４態様：上記第１１態様〜第１３態様のいずれかにおいて、金属箔が１８μｍ〜１０００μｍの厚さを有することを特徴とする電子部品パッケージ。
第１５態様：上記第１１態様〜第１４態様のいずれかにおいて、乾式めっき層が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有する一方、湿式めっき層が１μｍ〜１０μｍの厚さ（乾式めっき層の窪み部以外の領域における厚さ）を有することを特徴とする電子部品パッケージ。
第１６態様：上記第１１態様〜第１５態様のいずれかにおいて、
金属箔がＣｕおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成り、
乾式めっき層がＴｉ、Ｃｒ、ＮｉおよびＣｕから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成り、また
湿式めっき層がＣｕ、ＮｉおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージ。
第１７態様：上記第１６態様において、金属箔と乾式めっき層と湿式めっき層とが同種の金属材料を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージ。
第１８態様：上記第１１態様〜第１７態様のいずれかにおいて、金属配線層に対して設けられたレジスト層を更に有していることを特徴とする電子部品パッケージ。
第１９態様：上記第１１態様〜第１８態様のいずれかにおいて、金属配線層の少なくとも一部が電子部品パッケージの放熱部材となっていることを特徴とする電子部品パッケージ。
第２０態様：上記第１１態様〜第１９態様のいずれかにおいて、電子部品として発光素子を有して成り、また
封止樹脂層に代えて、発光素子上に蛍光体層が設けられ、発光素子および蛍光体層を覆う透明樹脂層が設けられていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００８７】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の態様が考えられることを当業者は容易に理解されよう。
【実施例】
【００８８】
本発明に従って電子部品パッケージを作製した。【００８９】
《使用材料》
パッケージ製造に使用した主たる部材は、次の通りである。
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以下のプロセスを実施して、電子部品パッケージを作製した。【００９０】
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【００９１】
上記プロセスを実施することによって“基板レス”、“ワイヤボンディングレス・バンプレス”、“はんだ材料を用いない”パッケージを得ることができた。
また、「電子部品の電極露出面」に対してバンプレスの金属めっき層を厚い金属箔と一体化させて形成することができ、その金属めっき層および厚い金属箔をヒートシンクとして好適に利用できることも確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、エレクトロニクス実装分野の各種用途に好適に用いることができる。例えば、本発明は、電源パッケージ（ＰＯＬコンバータ、例えば降圧型ＤＣ-ＤＣコンバータ）、ＬＥＤパッケージや部品内蔵モジュールなどに好適に適用することができる。
【関連出願の相互参照】
【００９３】
本出願は、日本国特許出願第２０１２−２７９９６９号（出願日：２０１２年１２月２１日、発明の名称「電子部品パッケージおよびその製造方法」）に基づくパリ条約上の優先権を主張する。当該出願に開示された内容は全て、この引用により、本明細書に含まれるとする。
【符号の説明】
【００９４】
１０  金属箔
２０  土手状支持部材
２５  陥凹部
３０  貫通穴
４０  電子部品配置領域
５０  電子部品
５５  電子部品の電極
６０  封止樹脂層
４４  蛍光体層
４６  透明樹脂層
７０  金属めっき層
７０’  乾式めっき層
７０”  湿式めっき層
８０  金属配線層
９０  レジスト層
１００’  電子部品パッケージ前駆体
１００  電子部品パッケージ
【要約】
本発明の電子部品パッケージを製造するための方法は、（ｉ）電子部品が配置される主面Ａおよびそれに対向する主面Ｂを有し、主面Ａの電子部品配置領域にて貫通穴が設けられた金属箔を用意する工程、（ｉｉ）電子部品を前記金属箔に配置する工程であって、貫通穴の開口部が電子部品の電極で蓋される形態となるように電子部品を電子部品配置領域に配置する工程、（ｉｉｉ）電子部品を覆うように金属箔の主面Ａ側に封止樹脂層を形成する工程、ならびに、（ｉｖ）金属箔の主面Ｂ側に金属めっき層を形成する工程を含んで成る。工程（ｉｖ）では、乾式めっき法を実施した後で湿式めっき法を実施して金属めっき層を形成しており、金属めっき層によって金属箔の貫通穴が充填され、金属めっき層と金属箔とが一体化される。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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