(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマスクのパターンを基板に順次露光転写する露光ユニットであって、
前記露光ユニットは、
前記パターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、
前記基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、
露光用光を照射する照射部と、
を有し、前記露光用光を照射することで前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する複数の露光装置本体を備え、
前記基板保持部の吸着面には、
隣り合う吸着領域を仕切るために形成され、前記基板の裏面に当接可能な仕切り壁と、
前記各吸着領域において前記基板の裏面に当接可能な複数の突起と、が設けられ、
前記複数の露光装置本体の各基板保持部の吸着面は、略同一外形寸法を有するとともに、前記各基板保持部の仕切り壁は、前記露光装置本体毎に異なる位置に形成されることを特徴とする露光ユニット。
【請求項２】
前記基板保持部の吸着面には、前記各吸着領域が吸着又は非吸着になるよう制御する吸着制御部が設けられており、
前記吸着制御部は前記露光用光の照射エリアに対応する吸着領域を他の吸着領域とは独立に制御する請求項１記載の前記露光ユニット。
【請求項３】
前記吸着制御部は前記照射エリアに対応する前記吸着領域が非吸着になるように制御する請求項２記載の前記露光ユニット。
【請求項４】
前記吸着制御部は前記露光用光の照射エリアに対応する吸着領域が他の吸着領域より減圧となるよう制御する請求項２記載の前記露光ユニット。
【請求項５】
パターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、露光用光を照射する照射部とを有し、前記露光用光を照射することで前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する複数の露光装置本体を用いて、前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光する基板の露光方法であって、前記露光方法は、
前記吸着面の隣り合う吸着領域を仕切る仕切り壁が前記露光装置本体毎に異なる位置で前記基板の裏面と当接するように、前記複数の露光装置本体によって前記基板を順次露光する工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項６】
前記露光用光の照射エリアに対応する吸着領域が他の吸着領域とは独立に制御される請求項５に記載の前記露光方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の露光装置本体を備えた露光ユニット及び基板の露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ装置やプラズマディスプレイ装置等のフラットパネルディスプレイ装置のカラーフィルタ基板やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板を製造する露光装置が種々考案されている。露光装置は、マスクをマスク保持部で保持すると共に基板を基板保持部で保持して両者を近接して対向配置する。そして、マスク側からにパターン露光用の光を照射することにより、マスクに描かれたマスクパターンを基板上に露光転写している。また、例えば、カラーフィルタ基板を製造する場合には、４つの露光装置本体を使用して、基板にＢＭ（ブラックマトリクス）層、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３つの着色層を順次露光していく。【０００３】
特許文献１、２に記載の露光装置では、基板保持部は、基板を吸着して保持する吸着面に、複数の突起（エンボス）を有するとともに、複数の吸着領域を画成するように、隣り合う吸着領域を仕切る仕切り壁を有する。そして、所定の方向での突起と仕切り壁との間隔と、隣り合う突起間の間隔とを所定の幅に設定することで、基板の撓み量をほぼ等しくし、基板の平面度を向上させて露光ムラを抑制している。また、特許文献３に記載の基板保持部では、吸引空間を囲む周縁部と、吸引空間内に設けられた複数の突起と、周縁部から突起に向けて延びる支持部と、を備え、良好な平坦度で基板を保持するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＪＰ−Ａ−２００９−２１２３４４
【特許文献２】ＪＰ−Ａ−２００９−１９８６４１
【特許文献３】ＷＯ２００６／０２５３４１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板保持部の内部には、基板を冷却するために冷却媒体が流れており、基板保持部において基板を吸着保持する際、複数の突起や仕切り壁が接触する部分と接触しない部分とでは、基板に温度変化が生じる。特に、連続した仕切り壁と接触する基板の部分では、接触しない部分との温度変化が大きくなり、仕切り壁と接触する基板付近に僅かな歪みが生じる可能性がある。このため、複数の露光装置本体を用いて複数回露光する際、仕切り壁が接触する部分の位置が各露光装置本体において一致していると、複数回露光した製品の当該位置に露光ムラや露光プロファイルのばらつきが発生するという課題があった。なお、特許文献１―３に記載の基板保持部では、上記課題について何ら考慮されていない。【０００６】
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数回の露光を完了した製品であっても仕切り壁による露光ムラや露光プロファイルのばらつきが発生するのを抑制することができる露光ユニット及び基板の露光方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、複数の前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光転写する露光ユニットであって、前記露光ユニットは、前記パターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、前記基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、露光用光を照射する照射部と、を有し、前記露光用光を照射することで前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する複数の露光装置本体を備え、前記基板保持部の吸着面にには、隣り合う吸着領域を仕切るために形成され、前記基板の裏面に当接可能な仕切り壁と、前記各吸着領域において前記基板の裏面に当接可能な複数の突起と、が設けられ、を有し、前記複数の露光装置本体の各基板保持部の吸着面は、略同一外形寸法を有するとともに、前記各基板保持部の仕切り壁は、前記露光装置本体毎に異なる位置に形成される。【０００８】
本発明の実施形態によれば、パターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、露光用光を照射する照射部とを有し、前記露光用光を照射することで前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する複数の露光装置本体を用いて、前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光する基板の露光方法であって、前記露光方法は、前記吸着面の隣り合う吸着領域を仕切る仕切り壁が前記露光装置本体毎に異なる位置で前記基板の裏面と当接するように、前記複数の露光装置本体によって前記基板を順次露光する工程を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の露光ユニットによれば、複数の露光装置本体の各吸着面に形成された仕切り壁は、露光装置本体毎に異なる位置に形成されるので、複数回の露光を完了した製品であっても仕切り壁による露光ムラや露光プロファイルのばらつきが発生するのを抑制することができる。【００１０】
また、本発明の基板の露光方法によれば、基板は、各仕切り壁が露光装置本体毎に異なる位置で基板の裏面と当接しながら、複数の露光装置本体によって順次露光されるので、複数回の露光を完了した製品であっても仕切り壁による露光ムラや露光プロファイルのばらつきが発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施例に係る露光ユニットを示す模式図である。
【図２】図１の露光ユニットに適用される近接露光装置本体を説明するための一部分解斜視図である。
【図３】図２に示す近接露光装置本体の正面図である。
【図４】図２に示すマスク保持部の拡大斜視図である。
【図５】(a)は、図１に示す基板保持部の正面図であり、(b)は、(a)のＶ部拡大図である。
【図６】図１の各近接露光装置本体の基板保持部のVIａ〜VIｄ部を重ねて示す拡大図である。
【図７】(a)〜(h)は、突起と仕切り壁の各種変形例を示す図である。
【図８】(a)〜(i)は、仕切り壁の各種変形例を示す図である。
【図９】本発明の第２実施例に係る露光ユニットを示す模式図である。
【図１０】図９の露光ユニットに適用される近接露光装置を説明するための一部分解斜視図である。
【図１１】図１０に示す近接露光装置の正面図である。
【図１２】図１０に示すマスク保持部の拡大斜視図である。
【図１３】図９に示す基板保持部の正面図である。
【図１４】(Ａ)は図１３のＡ部拡大図であり、（Ｂ）は図１３のＢ部拡大図であり、（Ｃ）は図１３のＣ部拡大図であり、(Ｄ)は図１３のＤ部拡大図である。
【図１５】図９に示す基板保持部の正面図に基板を配置した図である。
【図１６】(Ａ)〜(Ｄ)は、基板がステップ移動した際の基板の吸着状態を示す図である。
【図１７】(Ａ)〜(Ｂ)は、図９に示す基板保持部の正面図に種類の異なる基板を配置した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１実施例］
以下、本発明の第１実施例に係る露光ユニット及び基板の露光方法について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１に示すように、本発明の露光ユニット１は、第１層を露光する第１の近接露光装置本体２と、第２層を露光する第２の近接露光装置本体３と、第３層を露光する第３の近接露光装置本体４と、第４層を露光する第４の近接露光装置本体５と、を有する。なお、コーター、プリアライメント、現像等の前処理及び後処理工程に使用される装置、及び基板を搬送する搬送装置等は、図示省略している。また、第１〜第４の近接露光装置本体２、３、４、５は、後述する基板保持部の吸着面が異なる構成であればよいため、第１の近接露光装置本体２についてのみ以下で詳述する。
【００１４】
図２に示すように、第１の近接露光装置本体２は、マスクＭを保持するマスク保持部１０と、ガラス基板（被露光材）Ｗを保持する基板保持部２０と、パターン露光用の照射手段としての照明光学系３０と、基板保持部２０をＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸方向に移動し、且つ基板保持部２０のチルト調整を行う基板保持部移動機構４０と、マスク保持部１０及び基板保持部移動機構４０を支持する装置ベース５０と、を備える。
【００１５】
なお、ガラス基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」と称する。）は、マスクＭに対向配置されており、このマスクＭに描かれたマスクパターンを露光転写すべく表面（マスクＭの対向面側）に感光剤が塗布されている。また、マスクＭは、溶融石英からなり、長方形状に形成されている。
【００１６】
説明の便宜上、照明光学系３０から説明すると、照明光学系３０は、紫外線照射用の光源である例えば高圧水銀ランプ３１と、この高圧水銀ランプ３１から照射された光を集光する凹面鏡３２と、この凹面鏡３２の焦点近傍に切替え自在に配置された二種類のオプチカルインテグレータ３３と、光路の向きを変えるための平面ミラー３５，３６及び球面ミラー３７と、この平面ミラー３６とオプチカルインテグレータ３３との間に配置されて照射光路を開閉制御する露光制御用シャッター３４と、を備える。
【００１７】
そして、照明光学系３０では、露光時に露光制御用シャッター３４が開制御されると、高圧水銀ランプ３１から照射された光が、図２に示す光路Ｌを経て、マスクＭと基板Ｗの表面に対して垂直に照射され、パターン露光用の平行光として使用される。これにより、マスクＭのマスクパターンが基板Ｗ上に露光転写される。
【００１８】
マスク保持部１０は、図２〜図４に示すように、中央部に矩形形状の開口部１１ａが形成されるマスク保持部ベース１１と、マスク保持部ベース１１の開口部１１ａにＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動可能に装着されるマスク保持枠１２と、マスク保持枠１２に取り付けられ、マスクＭを吸着保持するチャック部１４と、マスク保持枠１２とチャック部とをＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動させ、このマスク保持枠１２に保持されるマスクＭの位置を調整するマスク位置調整機構１６と、を備える。
【００１９】
マスク保持部ベース１１は、装置ベース５０上に立設される支柱５１、及び支柱５１の上端部に設けられるＺ軸移動装置５２によりＺ軸方向に移動可能に支持され、基板保持部２０の上方に配置される。Ｚ軸移動装置５２は、例えば、モータ及びボールねじ等からなる電動アクチュエータ、或いは空圧シリンダ等を備え、単純な上下動作を行うことにより、マスク保持部１０を所定の位置まで昇降させる。なお、Ｚ軸移動装置５２は、マスクＭの交換や、ワークチャック２１の清掃等の際に使用される。
【００２０】
マスク位置調整機構１６は、マスク保持枠１２のＸ軸方向に沿う一辺に取り付けられる１台のＹ軸方向駆動装置１６ｙと、マスク保持枠１２のＹ軸方向に沿う一辺に取り付けられる２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘと、を備える。
【００２１】
そして、マスク位置調整機構１６では、１台のＹ軸方向駆動装置１６ｙを駆動させることによりマスク保持枠１２をＹ軸方向に移動させ、２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘを同等に駆動させることによりマスク保持枠１２をＸ軸方向に移動させる。また、２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘのどちらか一方を駆動することによりマスク保持枠１２をθ方向に移動
（Ｚ軸回りの回転）させる。
【００２２】
さらに、マスク保持部ベース１１の上面には、図４に示すように、マスクＭと基板Ｗとの対向面間のギャップを測定するギャップセンサ１７と、チャック部１４に保持されるマスクＭの取り付け位置を確認するためのマスク用アライメントカメラ１８と、が設けられる。これらギャップセンサ１７及びマスク用アライメントカメラ１８は、移動機構１９を介してＸ軸，Ｙ軸方向に移動可能に保持され、マスク保持枠１２内に配置される。
【００２３】
なお、マスク保持部ベース１１の上面には、図４に示すように、マスク保持部ベース１１の開口部１１ａのＸ軸方向の両端部に、マスクＭの両端部を必要に応じて遮蔽するマスキングアパーチャ３８が設けられる。このマスキングアパーチャ３８は、モータ、ボールねじ、及びリニアガイド等からなるマスキングアパーチャ駆動機構３９によりＸ軸方向に移動可能とされて、マスクＭの両端部の遮蔽面積を調整する。なお、マスキングアパーチャ３８は、開口部１１ａのＸ軸方向の両端部だけでなく、開口部１１ａのＹ軸方向の両端部に同様に設けてもよい。
【００２４】
基板保持部２０は、図２及び図３に示すように、基板保持部移動機構４０上に設置されており、基板Ｗを基板保持部２０に保持するための吸着面２２を上面に有するワークチャック２１を備える。なお、ワークチャック２１は、真空吸着により基板Ｗを保持している。
【００２５】
基板保持部移動機構４０は、図２及び図３に示すように、基板保持部２０をＹ軸方向に移動させるＹ軸送り機構４１と、基板保持部２０をＸ軸方向に移動させるＸ軸送り機構４２と、基板保持部２０のチルト調整を行うと共に、基板保持部２０をＺ軸方向に微動させるＺ−チルト調整機構４３と、を備える。
【００２６】
Ｙ軸送り機構４１は、装置ベース５０の上面にＹ軸方向に沿って設置される一対のリニアガイド４４と、リニアガイド４４によりＹ軸方向に移動可能に支持されるＹ軸テーブル４５と、Ｙ軸テーブル４５をＹ軸方向に移動させるＹ軸送り駆動装置４６と、を備える。そして、Ｙ軸送り駆動装置４６のモータ４６ｃを駆動させ、ボールねじ軸４６ｂを回転させることにより、ボールねじナット４６ａとともにＹ軸テーブル４５をリニアガイド４４の案内レール４４ａに沿って移動させて、基板保持部２０をＹ軸方向に移動させる。
【００２７】
また、Ｘ軸送り機構４２は、Ｙ軸テーブル４５の上面にＸ軸方向に沿って設置される一対のリニアガイド４７と、リニアガイド４７によりＸ軸方向に移動可能に支持されるＸ軸テーブル４８と、Ｘ軸テーブル４８をＸ軸方向に移動させるＸ軸送り駆動装置４９と、を備える。そして、Ｘ軸送り駆動装置４９のモータ４９ｃを駆動させ、ボールねじ軸４９ｂを回転させることにより、不図示のボールねじナットとともにＸ軸テーブル４８をリニアガイド４７の案内レール４７ａに沿って移動させて、基板保持部２０をＸ軸方向に移動させる。
【００２８】
Ｚ−チルト調整機構４３は、Ｘ軸テーブル４８上に設置されるモータ４３ａと、モータ４３ａによって回転駆動されるボールねじ軸４３ｂと、くさび状に形成され、ボールねじ軸４３ｂに螺合されるくさび状ナット４３ｃと、基板保持部２０の下面にくさび状に突設され、くさび状ナット４３ｃの傾斜面に係合するくさび部４３ｄと、を備える。そして、本実施形態では、Ｚ−チルト調整機構４３は、Ｘ軸テーブル４８のＸ軸方向の一端側（図１の手前側）に２台、他端側に１台（図２の奥手側、図３参照。）の計３台設置され、それぞれが独立して駆動制御されている。なお、Ｚ−チルト調整機構４３の設置数は任意である。
【００２９】
そして、Ｚ−チルト調整機構４３では、モータ４３ａによりボールねじ軸４３ｂを回転駆動させることによって、くさび状ナット４３ｃがＸ軸方向に水平移動し、この水平移動運動がくさび状ナット４３ｃ及びくさび部４３ｄの斜面作用により高精度の上下微動運動に変換されて、くさび部４３ｄがＺ方向に微動する。従って、３台のＺ−チルト調整機構４３を同じ量だけ駆動させることにより、基板保持部２０をＺ軸方向に微動することができ、また、３台のＺ−チルト調整機構４３を独立して駆動させることにより、基板保持部２０のチルト調整を行うことができる。これにより、基板保持部２０のＺ軸，チルト方向の位置を微調整して、マスクＭと基板Ｗとを所定の間隔を存して平行に対向させることができる。
【００３０】
さらに、第１の近接露光装置本体２には、図２及び図３に示すように、基板保持部２０の位置を検出する位置測定装置であるレーザー測長装置６０が設けられる。このレーザー測長装置６０は、基板保持部移動機構４０の駆動に際して発生する基板保持部２０の移動距離を測定するものである。
【００３１】
レーザー測長装置６０は、ステー（不図示）に固定されて基板保持部２０のＸ軸方向側面に沿うように配設されるＸ軸用ミラー６４と、ステー７１に固定されて基板保持部２０のＹ軸方向側面に沿うように配設されるＹ軸用ミラー６５と、装置ベース５０のＸ軸方向端部に配設され、レーザー光（計測光）をＸ軸用ミラー６４に照射し、Ｘ軸用ミラー６４により反射されたレーザー光を受光して、基板保持部２０の位置を計測するＸ軸測長器（測長器）６１及びヨーイング測定器（測長器）６２と、装置ベース５０のＹ軸方向端部に配設され、レーザー光をＹ軸用ミラー６５に照射し、Ｙ軸用ミラー６５により反射されたレーザー光を受光して、基板保持部２０の位置を計測する１台のＹ軸測長器（測長器）６３と、を備える。
【００３２】
そして、レーザー測長装置６０では、Ｘ軸測長器６１、ヨーイング測定器６２、及びＹ軸測長器６３からＸ軸用ミラー６４及びＹ軸用ミラー６５に照射されたレーザー光が、Ｘ軸用ミラー６４及びＹ軸用ミラー６５で反射されることにより、基板保持部２０のＸ軸，Ｙ軸方向の位置が高精度に計測される。また、Ｘ軸方向の位置データはＸ軸測長器６１により、θ方向の位置はヨーイング測定器６２により測定される。なお、基板保持部２０の位置は、レーザー測長装置６０により測定されたＸ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、及びθ方向の位置を加味して、適宜補正を加えることにより算出される。
【００３３】
図５(a)は、第１の近接露光装置本体２のワークチャック２１の吸着面を模式的に示す上面図であり、図５(b)は図５(a)のＶ部拡大図である。ワークチャック２１の吸着面２２には、独立した７つの吸着領域、即ち、第１〜第７吸着領域８０ａ，・・・，８０ｇが形成されている。中央の第１の吸着領域８０ａとその外側第２の吸着領域８０ｂは、四角形状の第１の仕切り壁８１ａによって仕切られており、第２の吸着領域８０ｂとその外側の第３の吸着領域８０ｃは、四角形状の第２の仕切り壁８２ａによって仕切られている。さらに、第３の吸着領域８０ｃとその外側の４箇所に形成された第４〜第７の吸着領域８０ｄ，８０ｅ，８０ｆ，８０ｇは、四角形状の第３の仕切り壁８３ａによって仕切られている。
【００３４】
従って、第１の吸着領域８０ａは、第１の仕切り壁８１ａによって画成され、第２の吸着領域８０ｂは、第１及び第２の仕切り壁８１ａ，８２ａとの間に画成され、第３の吸着領域８０ｃは、第２及び第３の仕切り壁８２ａ，８３ａとの間に画成される。さらに、第４〜第７の吸着領域８０ｄ，・・・，８０ｇは、第３の仕切り壁８３ａと、吸着面２２の外周縁となる周縁壁８４ａによって画成される。なお、周縁部８４ａの形状は、長方形状の基板Ｗのサイズに対応しており、基板Ｗの向きに応じて第４〜第７の吸着領域８０ｄ〜８０ｇでの吸着が行われる。
【００３５】
また、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｇ内には、各仕切り壁８１ａ，８２ａ、８３ａの高さと等しい高さを有する複数の突起８５が形成されており、各仕切り壁８１ａ，８２ａ，８３ａと突起８５は、基板Ｗの裏面に当接可能である。また、各仕切り壁８１ａ，８２ａ，８３ａと突起８５を除く部分は各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｇの低部８６となっている。  なお、仕切り壁８１ａ，８２ａ，８３ａと突起８５の加工は、エンドミル等の切削でも良いし、ショットブラスト処理でもよい。
【００３６】
さらに、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｇ内の各低部８６の表面には、複数の正負圧穴８７ａ，・・・，８７ｇが開口されている。そして、基板Ｗを吸着する時には、これら正負圧穴８７ａ、・・・、８７ｇから真空吸引することによって、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｇの各低部８６と、各仕切り壁８１ａ，８２ａ，８３ａ及び周壁部８４ａと、基板Ｗの裏面とで囲われる空間を負圧とする。基板Ｗをアンローディングする時には、基板Ｗを離しやすくするため、空間内を大気開放或いは正負圧穴８７ａ，・・・，８７ｇから正圧を導入する。なお、基板Ｗを吸着する際は、内側の第１の吸着領域８０ａから外側へ徐々に行われることでたわみを小さくすることができる。また、基板Ｗを露光する時には、正負圧穴８７ａ、・・・８７ｇによって真空吸引した状態で行われてもよいが、各吸着領域の真空吸引を部分的に又は全体的に解除した状態で行われてもよい。
【００３７】
また、吸着面２２には、ワークローダー（図示せず）によって基板Ｗをワークチャック２１に搬送する際に吸着面２２から進出する複数のピン（図示せず）が進退可能な複数のピン孔（図示せず）が形成されている。
【００３８】
なお、吸着面２２は各近接露光装置本体２，３，４，５において略同一外形寸法を有するため、図１に示すように、最も外側の周縁壁８４ａ，・・・，８４ｄの位置は、各近接露光装置本体２〜５において同じである。
【００３９】
ここで、図１に示す、第１〜第４の近接露光装置本体２〜５の第１の仕切り壁８１ａ，・・・，８１ｄ、第２の仕切り壁８２ａ，・・・，８２ｄ、及び第３の仕切り壁８３ａ，・・・，８３ｄは、それぞれ互いに異なる位置に形成されている。
【００４０】
このため、第１〜第４の近接露光装置本体２〜５を用いて、第１〜第４層の露光転写が行われる際、基板Ｗの裏面と接触する各仕切り壁８１ａ，・・・，〜８１ｄ、８２ａ，・・・，８２ｄ、８３ａ，・・・，８３ｄの位置は、それぞれ異なる。図６は、第４の近接露光装置本体５のワークチャック２１の吸着面２２に基板Ｗを載置した際の図１のVIｄ部を、第１〜第３の近接露光装置本体２〜４の第２及び第３の仕切り壁８２ａ，・・・，８２ｃ、８３ａ，・・・，８３ｃが基板Ｗと接触した位置の図１のVIａ〜VIｄ部を一点鎖線で重ねて示している。
【００４１】
このように構成された第１〜第４の近接露光装置本体２，・・・，５を用いて、基板Ｗに第１〜第４層の露光転写が行われると、仕切り壁の位置では、温度変化の影響により基板に歪が若干生じているが、仕切り壁８１ａ，・・・，〜８１ｄ、８２ａ，・・・，８２ｄ、８３ａ，・・・，８３ｄの位置が４つの露光装置本体２，・・・，５でそれぞれ異なるため、基板Ｗに露光ムラとして視認されることがなく、また、露光プロファイルのばらつきが発生するのを抑制することができる。なお、周縁壁８４ａ，・・・，８４ｄが接触する基板Ｗの位置は、基板Ｗにパターンが露光転写されるパターン領域の外側となるため、各露光装置本体２，３，４，５の周縁壁の位置が同一であっても露光精度に影響しない。
【００４２】
なお、本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００４３】
上記実施形態では、仕切り壁は直線形状の連続部分によって、突起は正方形状によってそれぞれ形成されていたが、図７及び図８に示すように種々の形状に変更されてもよい。
【００４４】
例えば、図７(a)〜(h)に示すように、仕切り壁９０は連続部分９０ａと、この連続部分９０ａの両側に連続部分９０ａと直交する方向に延びる延出部分９０ｂによって構成されてもよい。これにより、仕切り壁９０近傍での基板Ｗの非接触部分の撓みを小さくすることができ、マスクＭと基板Ｗとのギャップ量をより均一化することができ、露光ムラや露光プロファイルのばらつきを抑えることができる。
【００４５】
具体的に、図７(a)、(d)〜(h)に示すように、仕切り壁９０は、連続部分９０ａと、この連続部分９０ａの両側に位置する突起９１に向けて延びる延出部分９０ｂによって構成されてもよいし、図７(b)に示すように、仕切り壁９０の延出部分９０ｂは、仕切り壁９０の連続部分９０ａが延びる方向において隣接する突起９１間の中間位置に向けて延びるようにしてもよい。また、図７(c)に示すように、連続部分９０ａの片側における延出部分９０ｂは、突起９１に向けて延び、他方の側における延出部分９０ｂが突起９１間の中間位置に向けて延びるようにしてもよい。
【００４６】
また、図７(d)、図７(f)、図７(g)に示すように、連続部分９０ａが延びる方向で隣り合う延出部分９０ｂ間の連続部分９０ａは、エンドミルの形状によって湾曲形状に形成されてもよく、また、図７(f)に示すように、連続部分９０ａは、直線状でなく、千鳥状に繋がっていても良い。さらに、図７(c)、図７(d)、図７(e)に示すように、延出部分９０ｂは、連続部分９０ａの両側において、互いの延出する位置が異なるように形成されてもよく、図７(e)では、延出部分９０ｂの先端が突起９１を構成するように延出している。
【００４７】
さらに、図７(a)〜７(c)に示すように、仕切り壁９０近傍に位置する突起９１の間隔を、仕切り壁９０から離れた部分に位置する突起９１の間隔より短くしている。仕切り壁９０と近接する突起９１との間の間隔が大きい場合には、非接触部分の撓みが大きくなり、露光ムラが発生する可能性があったが、図７(a)〜図７(c)のように、仕切り壁９０近傍に位置する突起９１の間隔を短くすることで、非接触部分の撓みを小さくすることができ、露光ムラを抑制することができる。
【００４８】
また、図８(a)に示すように、仕切り壁９０は、連続部分９０ａと、この連続部分９０ａの両側において、連続部分９０ａから離れて連続部分９０ａと直交する方向に延びる長方形部分９０ｃとによって構成されてもよいし、図８(b)及び図８(c)に示すように、２本や３本の連続部分９０ａによって構成されてもよい。このように仕切り壁９０を複数本の連続部分９０ａによって構成することで、基板Ｗとの接触部分を分散させて温度の影響を受け難くすることで、非接触部分の撓みを小さくすることができる。
【００４９】
さらに、図８(d)―８(g)に示すように、仕切り壁９０は、連続部分９０ａと、この連続部分９０ａの片側、又は両側において、連続部分９０ａに沿って不連続に延びる長方形部分９０ｄ，９０ｅや波線部分９０ｆによって構成されてもよい。即ち、仕切り壁９０は、連続部分９０ａに対して対称であってもよいし、非対称であってもよい。
【００５０】
加えて、図８(h)に示すように、仕切り壁９０は、円形や正方形のような突起９０ｇを、仕切り壁９０を形成する方向において隣接する突起９０ｇ間の隙間を埋めるように複数列配置したり、図８(i)に示すように、突起９０ｉの間隔を狭めたりして、不連続な突起９０ｇ，９０ｉを集中させることで隣り合う吸着領域を仕切るようにしてもよい。
【００５１】
なお、各露光装置本体の仕切り壁は、基板の裏面と同じ位置で完全に重なって接触するものでなければよく、部分的に重なって接触していてもよい。また、上述した仕切り壁９０の形状は、適宜組み合わせて用いることができる。
【００５２】
また、本実施形態では、各近接露光装置本体の吸着面を異なる構成としたが、パターン領域の外側となる周縁部の幅を広く形成して吸着面をそれぞれ同一構成とし、基板の貼り付け位置を複数の近接露光装置本体で若干ずらして貼り付けるようにしてもよい。これにより、仕切り壁が露光装置本体毎に異なる位置で基板の裏面と当接するようになり、露光ムラや露光プロファイルのばらつきが発生するのを抑制することができる。なお、周縁部の幅は、複数の近接露光装置本体間で最もずれた量より広く設計される。
［第２実施例］
【００５３】
次に、本発明の第２実施例係る露光ユニット及び基板の露光方法について、図９〜図１７に基づいて詳細に説明する。
【００５４】
図９に示すように、本発明の露光ユニット１は、第１層を露光する第１の近接露光装置本体２と、第２層を露光する第２の近接露光装置本体３と、第３層を露光する第３の近接露光装置本体４と、第４層を露光する第４の近接露光装置本体５と、を有する。なお、コーター、プリアライメント、現像等の前処理及び後処理工程に使用される装置、及び基板を搬送する搬送装置等は、図示省略している。また、第１〜第４の近接露光装置本体２、３、４、５は、後述する基板保持部の吸着面が異なる構成であればよいため、第１の近接露光装置本体２についてのみ以下で詳述する。
【００５５】
図１０に示すように、第１の近接露光装置本体２は、マスクＭを保持するマスク保持部１０と、ガラス基板（被露光材）Ｗを保持する基板保持部（基板ステージ）２０と、パターン露光用の露光用光を照射する照明光学系３０と、基板保持部２０をＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸方向に移動し、且つ基板保持部２０のチルト調整を行う基板保持部移動機構４０と、マスク保持部１０及び基板保持部移動機構４０を支持する装置ベース５０と、を備える。
【００５６】
なお、ガラス基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」と称する。）は、マスクＭに対向配置されており、このマスクＭに描かれたマスクパターンを露光転写すべく表面（マスクＭの対向面側）に感光剤が塗布されている。また、マスクＭは溶融石英からなり、長方形状に形成されている。
【００５７】
説明の便宜上、照明光学系３０から説明すると、照明光学系３０は、紫外線照射用の光源である例えば高圧水銀ランプ３１と、この高圧水銀ランプ３１から照射された光を集光する凹面鏡３２と、この凹面鏡３２の焦点近傍に切替え自在に配置された二種類のオプチカルインテグレータ３３と、光路の向きを変えるための平面ミラー３５，３６及び球面ミラー３７と、この平面ミラー３６とオプチカルインテグレータ３３との間に配置されて照射光路を開閉制御する露光制御用シャッター３４と、を備える。
【００５８】
そして、照明光学系３０では、露光時に露光制御用シャッター３４が開制御されると、高圧水銀ランプ３１から照射された光が、図１０に示す光路Ｌを経て、マスク保持部１０に保持されるマスクＭ、さらには基板保持部２０に保持される基板Ｗの表面に対して垂直にパターン露光用の平行光として照射される。これにより、マスクＭのマスクパターンが基板Ｗ上に露光転写される。
【００５９】
マスク保持部１０は、図１０〜図１２に示すように、中央部に矩形形状の開口部１１ａが形成されるマスク保持部ベース１１と、マスク保持部ベース１１の開口部１１ａにＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動可能に装着されるマスク保持枠１２と、マスク保持枠１２に取り付けられ、マスクＭを吸着保持するチャック部１４と、マスク保持枠１２とチャック部とをＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動させ、このマスク保持枠１２に保持されるマスクＭの位置を調整するマスク位置調整機構１６と、を備える。
【００６０】
マスク保持部ベース１１は、装置ベース５０上に立設される支柱５１、及び支柱５１の上端部に設けられるＺ軸移動装置５２によりＺ軸方向に移動可能に支持され、基板保持部２０の上方に配置される。Ｚ軸移動装置５２は、例えば、モータ及びボールねじ等からなる電動アクチュエータ、或いは空圧シリンダ等を備え、単純な上下動作を行うことにより、マスク保持部１０を所定の位置まで昇降させる。なお、Ｚ軸移動装置５２は、マスクＭの交換や、ワークチャック２１の清掃等の際に使用される。
【００６１】
マスク位置調整機構１６は、マスク保持枠１２のＸ軸方向に沿う一辺に取り付けられる１台のＹ軸方向駆動装置１６ｙと、マスク保持枠１２のＹ軸方向に沿う一辺に取り付けられる２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘと、を備える。
【００６２】
そして、マスク位置調整機構１６では、１台のＹ軸方向駆動装置１６ｙを駆動させることによりマスク保持枠１２をＹ軸方向に移動させ、２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘを同等に駆動させることによりマスク保持枠１２をＸ軸方向に移動させる。また、２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘのどちらか一方を駆動することによりマスク保持枠１２をθ方向に移動（Ｚ軸回りの回転）させる。
【００６３】
さらに、マスク保持部ベース１１の上面には、図１２に示すように、マスクＭと基板Ｗとの対向面間のギャップを測定するギャップセンサ１７と、チャック部１４に保持されるマスクＭの取り付け位置を確認するためのマスク用アライメントカメラ１８と、が設けられる。これらギャップセンサ１７及びマスク用アライメントカメラ１８は、移動機構１９を介してＸ軸，Ｙ軸方向に移動可能に保持され、マスク保持枠１２内に配置される。
【００６４】
なお、マスク保持部ベース１１の上面には、図１２に示すように、マスク保持部ベース１１の開口部１１ａのＸ軸方向の両端部に、マスクＭの両端部を必要に応じて遮蔽するマスキングアパーチャ３８が設けられる。このマスキングアパーチャ３８は、モータ、ボールねじ、及びリニアガイド等からなるマスキングアパーチャ駆動機構３９によりＸ軸方向に移動可能とされて、マスクＭの両端部の遮蔽面積を調整する。なお、マスキングアパーチャ３８は、開口部１１ａのＸ軸方向の両端部だけでなく、開口部１１ａのＹ軸方向の両端部に同様に設けてもよい。
【００６５】
基板保持部２０は、図１０及び図１１に示すように、基板保持部移動機構４０上に設置されており、基板Ｗを基板保持部２０に保持するための吸着面２２を上面に有するワークチャック２１を備える。なお、ワークチャック２１は、真空吸着により基板Ｗを保持している。
【００６６】
基板保持部移動機構４０は、図１０及び図１１に示すように、基板保持部２０をＹ軸方向に移動させるＹ軸送り機構４１と、基板保持部２０をＸ軸方向に移動させるＸ軸送り機構４２と、基板保持部２０のチルト調整を行うと共に、基板保持部２０をＺ軸方向に微動させるＺ−チルト調整機構４３と、を備える。
【００６７】
Ｙ軸送り機構４１は、装置ベース５０の上面にＹ軸方向に沿って設置される一対のリニアガイド４４と、リニアガイド４４によりＹ軸方向に移動可能に支持されるＹ軸テーブル４５と、Ｙ軸テーブル４５をＹ軸方向に移動させるＹ軸送り駆動装置４６と、を備える。そして、Ｙ軸送り駆動装置４６のモータ４６ｃを駆動させ、ボールねじ軸４６ｂを回転させることにより、ボールねじナット４６ａとともにＹ軸テーブル４５をリニアガイド４４の案内レール４４ａに沿って移動させて、基板保持部２０をＹ軸方向に移動させる。
【００６８】
また、Ｘ軸送り機構４２は、Ｙ軸テーブル４５の上面にＸ軸方向に沿って設置される一対のリニアガイド４７と、リニアガイド４７によりＸ軸方向に移動可能に支持されるＸ軸テーブル４８と、Ｘ軸テーブル４８をＸ軸方向に移動させるＸ軸送り駆動装置４９と、を備える。そして、Ｘ軸送り駆動装置４９のモータ４９ｃを駆動させ、ボールねじ軸４９ｂを回転させることにより、不図示のボールねじナットとともにＸ軸テーブル４８をリニアガイド４７の案内レール４７ａに沿って移動させて、基板保持部２０をＸ軸方向に移動させる。
【００６９】
Ｚ−チルト調整機構４３は、Ｘ軸テーブル４８上に設置されるモータ４３ａと、モータ４３ａによって回転駆動されるボールねじ軸４３ｂと、くさび状に形成され、ボールねじ軸４３ｂに螺合されるくさび状ナット４３ｃと、基板保持部２０の下面にくさび状に突設され、くさび状ナット４３ｃの傾斜面に係合するくさび部４３ｄと、を備える。そして、本実施形態では、Ｚ−チルト調整機構４３は、Ｘ軸テーブル４８のＸ軸方向の一端側（図９の手前側）に２台、他端側に１台（図１０の奥手側、図１１参照。）の計３台設置され、それぞれが独立して駆動制御されている。なお、Ｚ−チルト調整機構４３の設置数は任意である。
【００７０】
そして、Ｚ−チルト調整機構４３では、モータ４３ａによりボールねじ軸４３ｂを回転駆動させることによって、くさび状ナット４３ｃがＸ軸方向に水平移動し、この水平移動運動がくさび状ナット４３ｃ及びくさび部４３ｄの斜面作用により高精度の上下微動運動に変換されて、くさび部４３ｄがＺ方向に微動する。従って、３台のＺ−チルト調整機構４３を同じ量だけ駆動させることにより、基板保持部２０をＺ軸方向に微動することができ、また、３台のＺ−チルト調整機構４３を独立して駆動させることにより、基板保持部２０のチルト調整を行うことができる。これにより、基板保持部２０のＺ軸，チルト方向の位置を微調整して、マスクＭと基板Ｗとを所定の間隔を存して平行に対向させることができる。
【００７１】
さらに、第１の近接露光装置本体２には、図１０及び図１１に示すように、基板保持部２０の位置を検出する位置測定装置であるレーザー測長装置６０が設けられる。このレーザー測長装置６０は、基板保持部移動機構４０の駆動に際して発生する基板保持部２０の移動距離を測定するものである。
【００７２】
レーザー測長装置６０は、ステー（不図示）に固定されて基板保持部２０のＸ軸方向側面に沿うように配設されるＸ軸用ミラー６４と、ステー７１に固定されて基板保持部２０のＹ軸方向側面に沿うように配設されるＹ軸用ミラー６５と、装置ベース５０のＸ軸方向端部に配設され、レーザー光（計測光）をＸ軸用ミラー６４に照射し、Ｘ軸用ミラー６４により反射されたレーザー光を受光して、基板保持部２０の位置を計測するＸ軸測長器（測長器）６１及びヨーイング測定器（測長器）６２と、装置ベース５０のＹ軸方向端部に配設され、レーザー光をＹ軸用ミラー６５に照射し、Ｙ軸用ミラー６５により反射されたレーザー光を受光して、基板保持部２０の位置を計測する１台のＹ軸測長器（測長器）６３と、を備える。
【００７３】
そして、レーザー測長装置６０では、Ｘ軸測長器６１、ヨーイング測定器６２、及びＹ軸測長器６３からＸ軸用ミラー６４及びＹ軸用ミラー６５に照射されたレーザー光が、Ｘ軸用ミラー６４及びＹ軸用ミラー６５で反射されることにより、基板保持部２０のＸ軸，Ｙ軸方向の位置が高精度に計測される。また、Ｘ軸方向の位置データはＸ軸測長器６１により、θ方向の位置はヨーイング測定器６２により測定される。なお、基板保持部２０の位置は、レーザー測長装置６０により測定されたＸ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、及びθ方向の位置を加味して、適宜補正を加えることにより算出される。
【００７４】
図１３は、第１の近接露光装置本体２のワークチャック２１の吸着面を模式的に示す上面図である。ワークチャック２１の吸着面２２には、独立した１３個の吸着領域、即ち、第１〜第１３吸着領域８００ａ，・・・，８００ｍが形成されている。第１の吸着領域８００ａは四角形状の第１の仕切り壁８１０ａによって仕切られており、さらに第１の吸着領域８００ａに順次隣接して第２〜第９の吸着領域８００ｂ〜８００ｉが仕切り壁８１０ｂ〜８１０ｉにより仕切られてマトリックス状に配置されている。第１の吸着領域８００ａの仕切り壁８１０ａと隣接する第２の吸着領域８００ｂの仕切り壁８１０ｂはその隣接部で共通の壁とされている。また、第１の吸着領域８００ａの仕切り壁８１０ａと隣接する第４の吸着領域８００ｄの仕切り壁８１０ｄも同様に、その隣接部で共通の壁とされている。また、その他の吸着領域についても同様とされている。
【００７５】
第１の吸着領域８００ａ〜第９の吸着領域８００ｉの周囲には第１０の周囲吸着領域８００ｊ〜第１３の周囲吸着領域８１０ｍが仕切り壁８１０ｊ〜８１０ｍにより仕切られ、長方形状に形成されている。第１０の周囲吸着領域８００ｊの仕切り壁８１０ｊと隣接する第７の吸着領域８００ｇの仕切り壁８１０ｇ、第８の吸着領域８００ｈの仕切り壁８１０ｈ及び第９の吸着領域８０ｉの仕切り壁８１０ｉはその隣接部で共通の壁とされている。その他の周囲吸着領域についても同様とされている。なお、第１０の周囲吸着領域８００ｊ〜第１３の周囲吸着領域８００ｍは、長方形状の基板Ｗのサイズに対応しており、基板Ｗの向きに応じて使用される。
【００７６】
図１４(Ａ)〜(Ｄ)は図１３のＡ部、Ｂ部、Ｃ部、Ｄ部の各々の部拡大図である。各吸着領域８００ａ，・・・，８００ｍ内には、各仕切り壁８１０ａ，・・・，８１０ｍの高さと等しい高さを有する複数の突起８５が形成されており、各仕切り壁８１０ａ，・・・，８１ｍと突起８５は、基板Ｗの裏面に当接可能である。また、各仕切り壁８１０ａ，・・・，８１０ｍと突起８５を除く部分は各吸着領域８００ａ，・・・，８００ｇの低部８６となっている。なお、各仕切り壁８１０ａ，・・・，８１０ｍと突起８５の加工は、エンドミル等の切削でも良いし、ショットブラスト処理でもよい。
【００７７】
さらに、各吸着領域８００ａ，・・・，８００ｍ内の各低部８６の表面には、複数の正負圧孔８７が開口されている。そして、基板Ｗを吸着する時には、これら正負圧孔８７から真空吸引することによって、各吸着領域８００ａ，・・・，８００ｍの各低部８６と、各仕切り壁８１０ａ，・・・，８１０ｍ及び周囲吸着領域８００ｊ，・・・，８００ｍと、基板Ｗの裏面とで囲われる空間を負圧とする。基板Ｗをアンローディングする時には、基板Ｗを離しやすくするため、空間内を大気開放或いは正負圧孔８７から正圧を導入する。
【００７８】
図１５(Ａ)に示すように、第１の近接露光装置本体２のワークチャック２１の吸着面２２（一点鎖線）に基板Ｗ（実線）を載置したものが図１５(Ｂ)である。また、図１５(Ｂ)の基板Ｗの斜線部は露光されるセルＳｅ１〜Ｓｅ４を表示したものである。この場合には基盤Ｗ所謂、縦置きで使用されるが、吸着領域として、第１の吸着領域８００ａ〜第９の吸着領域８００ｉ、第１０の周囲吸着領域８００ｊ及び第１２の周囲吸着領域８００ｌが使用される。
【００７９】
これらの吸着領域は、制御部７０（図１０参照）に設けられた吸着制御部７０ａ（図１０参照）により制御される。吸着制御部７０ａは、露光用光の照射エリアに対応する吸着領域を他の吸着領域とは独立に制御を行う。例えば、露光用光照射エリアに対応する吸着領域を非吸着に制御しても良く、また、露光用光照射エリアに対応する吸着領域を他の吸着領域より減圧制御しても良い。
【００８０】
基板ＷのセルＳｅ１〜Ｓｅ４の露光を行う場合の基板Ｗの吸着制御を図１６(Ａ)〜(Ｄ)を用いて説明する。
まず、図１６(Ａ)に示すように、露光用光がセルＳｅ１に照射されることで、セルＳｅ１が露光されるが。この時にセルＳｅ１直下（露光用光照射エリア）の第１の吸着領域８０ａ、第２の吸着領域８００ｂ、第４の吸着領域８００ｄ及び第５の吸着領域８００ｅは非吸着状態に制御される。これに対し、セルＳｅ１以外（露光用光照射エリア）を示すＬ字ライン部Ｑ１の第３の吸着領域８００ｃ、第６の吸着領域８００ｆ、第７の吸着領域８００ｇ、第８の吸着領域８００ｈ及び第９の吸着領域８００ｉは吸着状態に制御される。この場合に、第１０の周囲吸着領域８００ｊ及び第１２の周囲吸着領域８００ｌは吸着を行っても良いし行わなくとも良い。このように、露光用光照射エリア直下の吸着領域の吸着を行わないことで、吸着による基板の歪が回避可能となる。
【００８１】
次に、基板保持部移動機構４０により基板保持部２０をＸ軸方向にステップ移動し、図１６(Ｂ)に示すように、露光用光がセルＳｅ２に照射されることで、セルＳｅ２が露光されるが、この時にセルＳｅ２直下（露光用光照射エリア）の第３の吸着領域８００ｃ、第２の吸着領域８００ｂ、第６の吸着領域８００ｆ及び第５の吸着領域８００ｅは非吸着状態に制御される。これに対し、セルＳｅ２以外（露光用光照射エリア）を示すＬ字ライン部Ｑ２の第１の吸着領域８００ａ、第４の吸着領域８００ｄ、第７の吸着領域８００ｇ、第８の吸着領域８００ｈ及び第９の吸着領域８００ｉは吸着状態に制御される。
尚、この吸着領域の切り替えは、セルＳｅ１の露光終了後、セルＳｅ２へのステップ移動前に行われる。こうすることで、ステップ時に基板Ｗがずれてしまうことが防止される。
【００８２】
次に、基板保持部移動機構４０により基板保持部２０をＹ軸方向にステップ移動し、図１６(Ｃ)に示すように、露光用光がセルＳｅ３に照射されることで、セルＳｅ３が露光されるが、この時にセルＳｅ３直下（露光用光照射エリア）の第９の吸着領域８００ｉ、第８の吸着領域８００ｈ、第６の吸着領域８００ｆ及び第５の吸着領域８００ｅは非吸着状態に制御される。これに対し、セルＳｅ３以外（露光用光照射エリア）を示すＬ字ライン部Ｑ３の第７の吸着領域８００ｇ、第４の吸着領域８００ｄ、第１の吸着領域８００ａ、第２の吸着領域８００ｂ及び第１２の吸着領域８００ｌは吸着状態に制御される。
【００８３】
次に、基板保持部移動機構４０により基板保持部２０をＸ軸方向にステップ移動し、図１６(Ｄ)に示すように、露光用光がセルＳｅ４に照射されることで、セルＳｅ４が露光されるが、この時にセルＳｅ４直下（露光用光照射エリア）の第７の吸着領域８００ｇ、第８の吸着領域８００ｈ、第４の吸着領域８００ｄ及び第５の吸着領域８００ｅは非吸着状態に制御される。これに対し、セルＳｅ４以外（露光用光照射エリア）を示すＬ字ライン部Ｑ４の第１の吸着領域８００ａ、第２の吸着領域８００ｂ、第３の吸着領域８００ｃ、第６の吸着領域８００ｆ及び第９の吸着領域８００ｉは吸着状態に制御される。
【００８４】
また、上記実施形態では、ステップ前に吸着領域を切り替えたが、ステップ時に吸着領域を切り替えても良い。これは、ステップ時に、常時吸着状態の吸着領域が存在すれば良く、さらには、露光光照射エリア以外の何れかの一つの吸着領域を吸着していれば十分である。
例えば、セルＳｅ１からセルＳｅ２へのステップ時には、第７の吸着領域８００ｇ、第８の吸着領域８００ｈ及び第９の吸着領域８００ｉについては常時吸着状態のままなので、第３の吸着領域８００ｃ、第６の吸着領域８００ｆから第１の吸着領域８００ａ、第４の吸着領域８００ｄに吸着制御を切り替えることとなる。
【００８５】
さらに、図１７(Ａ)及び１７(Ｂ)では一つの基板Ｗに対して４つのセル（所謂、４面付け）を露光しているが、これに限らず、あらゆる面付けに適用可能であり。例えば、図１６(Ａ)は６面付けの基板Ｗ（横方向に長い基板）を横置きにしたもので、露光時の吸着は上記実施形態と同様に行われる。この場合に、第１１の周囲吸着領域８００ｋ及び第１３の周囲吸着領域８００ｍが使用されている。また、図１７(Ｂ)は６面付けの基板Ｗ（縦方向に長い基板）を縦置きにしたもので、露光時の吸着は上記実施形態と同様に行われる。この場合に、第１０の周囲吸着領域８００ｊ及び第１２の周囲吸着領域８００ｌが使用されている。
【００８６】
尚、吸着面２２には、ワークローダー（図示せず）によって基板Ｗをワークチャック２１に搬送する際に吸着面２２から進出する複数のピン（図示せず）が進退可能な複数のピン孔（図示せず）が形成されている。
【００８７】
このように構成された第１〜第４の近接露光装置本体２，・・・，５を用いて、基板Ｗに第１〜第４層の露光転写が行われると、仕切り壁の位置では、温度変化の影響により基板に歪が若干生じているが、基板を吸着することによる基板の歪は無くなるため、基板Ｗに露光ムラとして視認されることがなく、また、露光プロファイルのばらつきが発生するのを抑制することができる。なお、本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００８８】
上記実施形態では、第１〜第９の吸着領域８００ａ〜８００ｉが仕切り壁８１０ａ〜８１０ｉは非直線である波形状で形成され、周囲吸着領域８００ｊ，・・・，８００ｍ仕切り壁周囲吸着領域８１０ｊ，・・・，８１０ｍは直線形状の連続部分によって形成されているが、第１〜第９の吸着領域８００ａ〜８００ｉが仕切り壁８１０ａ〜８１０ｉを直線で形成し、周囲吸着領域８００ｊ，・・・，８００ｍ仕切り壁周囲吸着領域８１０ｊ，・・・，８１０ｍは非直線である波形状の連続部分で形成しても良い。また、突起は円状によってそれぞれ形成されていたが、正方形状にしても良く、種々の形状が適用可能である。
【００８９】
本出願は２００９年１１月２５日出願の日本特許出願（特願２００９−２６７９１８号）と、２０１０年１月２８日出願の日本特許出願（特願２０１０−０１６０８７号）基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【００９０】
１        露光ユニット
２        第１の近接露光装置本体
３        第２の近接露光装置本体
４        第３の近接露光装置本体
５        第４の近接露光装置本体
１０      マスク保持部
１２ｂ    開口
１４      チャック部
２０      基板保持部
２１      ワークチャック
２２      吸着面
８０ａ    第１の吸着領域
８０ｂ    第２の吸着領域
８０ｃ    第３の吸着領域
８０ｄ    第４の吸着領域
８０ｅ    第５の吸着領域
８０ｆ    第６の吸着領域
８０ｇ    第７の吸着領域
８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄ    第１の仕切り壁
８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ    第２の仕切り壁
８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄ    第３の仕切り壁
８００ａ    第１の吸着領域
８００ｂ    第２の吸着領域
８００ｃ    第３の吸着領域
８００ｄ    第４の吸着領域
８００ｅ    第５の吸着領域
８００ｆ    第６の吸着領域
８００ｇ    第７の吸着領域
８００ｈ    第８の吸着領域
８００ｉ    第９の吸着領域
８００ｊ    第１０の吸着領域
８００ｋ    第１１の吸着領域
８００ｌ    第１２の吸着領域
８００ｍ    第１３の吸着領域
８１０ａ    第１の仕切り壁
８１０ｂ    第２の仕切り壁
８１０ｃ    第３の仕切り壁
８１０ｄ    第４の仕切り壁
８１０ｅ    第５の仕切り壁
８１０ｆ    第６の仕切り壁
８１０ｇ    第７の仕切り壁
８１０ｈ    第８の仕切り壁
８１０ｉ    第９の仕切り壁
８１０ｊ    第１０の周囲仕切り壁
８１０ｋ    第１１の周囲仕切り壁
８１０ｌ    第１２の周囲仕切り壁
８１０ｍ    第１３の周囲仕切り壁
Ｍ        マスク
Ｗ        ガラス基板（被露光材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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