(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップが集積されているｎ種（ｎは２以上）のウェハを積層して３次元ウェハ積層体を作製し、該積層体をチップ毎に分離することで３次元積層チップを作製する方法であって、
ウェハをその種類1〜n毎にウェハグループ[W1]〜[Wn]に分け、
積層に用いるウェハとして前記ウェハグループ[W1]〜[Wn]からそれぞれ１枚のウェハW11〜Wn1を選択する際に、予め設定した閾値を下回る平均良品率を持つウェハグループ[Wi]については、複数枚の同種ウェハWi1〜Wijを積層したものを、該ウェハグループ[Wi]の前記１枚のウェハとして扱い、
事前検査で良品判定された前記複数枚の同種ウェハのチップを活性化し、該チップに対応する積層位置にある他の前記複数枚の同種ウェハにおけるチップを該チップの良否に関わらず非活性化し、
前記非活性化後、前記１枚のウェハ同士を積層して前記３次元ウェハ積層体とする、
３次元積層チップ作製方法。
【請求項２】
各ウェハのチップは、貫通ビアにより構成される信号線及び電源線をチップ中央領域及びチップ周囲領域にそれぞれ備えており、
積層時、各ウェハにおける各チップをそれぞれの貫通ビアにより積層方向に接続させる、請求項１に記載の３次元積層チップ作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハレベルでの３次元積層チップの良品率を向上させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ積層法では、多数のLSIチップが集積されているｎ種（ここではｎ枚）のウェハを逐次積層して3Dウェハ積層体を作製し、これを分離することで3D積層LSIを作製する。
【０００３】
このウェハレベルでの３D積層LSIでは、ウェハ単位で積層するため、各ウェハに含まれる良品LSIのみを選択して積層することができず、よって積層ウェハの良品率は各ウェハの良品率の積となり、著しく減少する。このため、良品率を向上させる積層方法を考える必要がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「Handbook of 3D Integration Volume 1」Edited by Philip Garrou, Ghristopher Bower and Peter Ramm, WILEY-VCH, Verlag GmbH & Co. KGaA, pp225 12.1.7 Yield Issue
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、１つ以上のウェハのグループを形成し、この中から良品数を多くする組合せを選んで積層する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するものとして、多数のチップが集積されているｎ種（ｎは１以上）のウェハを積層して３次元ウェハ積層体を作製し、これをチップ毎に分離することで３次元積層チップを作製するウェハ積層法であって、
積層に用いるウェハとして、ｎ種についてそれぞれ枚数がM1, M2, …Mn枚のウェハグループから１枚ずつ選択し、
この選択の際に、積層前に事前検査で特定されている各ウェハ上の各チップの良否判断に基づき、各ウェハの良品パターンを比較してある閾値以上の良品率を示す３次元積層チップの組み合わせを選択する、方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】２枚のウェハの積層によるLSIの合成問題について説明するための図。
【図２】２枚のウェハの積層によるLSIの合成問題について説明するための別の図。
【図３】本発明に従った１つのウェハグループからの２枚のウェハ選択について説明するための図。
【図４】１つのウェハグループからの２枚のウェハの逐次選択について説明するための図。
【図５】１つのウェハグループからの２枚のウェハ選択の最適解について説明するための図。
【図６】１つのウェハグループからの２枚のウェハの近似解について説明するための図。
【図７】本発明に従った２つのウェハグループからの２枚のウェハ選択について説明するための図。
【図８】２つのウェハグループからの２枚のウェハの近似解及び最適解選択について説明するための図。
【図９】４つのウェハグループからの４枚のウェハ選択による近似解及び最適な積層例について説明するための図。
【図１０】LSIを非活性化する方法例を示す図。
【図１１】良品LSIのみからなる冗長システム例を示す図。
【図１２】複数のウェハグループからそれぞれ１枚ずつウェハを選択する場合について説明するための図。
【図１３】複数のウェハグループのうちのあるウェハグループから複数枚のウェハを選択する場合について説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
まず、本発明を説明する上で、
・複数枚の同種ウェハから成る１ウェハグループ（ウェハ群）から、適宜の手法により同種ウェハを選択して積層することにより、良品率を向上させる方法
・グループ間でウェハ種類が異なる複数のウェハグループ（１グループ内のウェハは同種）から、適宜の手法により異種のウェハを各グループから選択して積層することにより、良品率を向上させる方法
を考える。
【０００９】
まず、ウェハレベルの良品検査でウェハ中の各LSIの良否が判断できているものとし、不良品と判断されたLSIは電源ヒューズを切断するなどして非活性化されているもの、つまり動作不能とされて積層したことによる弊害が無視できるものとする。
【００１０】
ここでは、最初に図１及び図２に示すように、２枚のウェハを積層する場合について考える。次に、これを拡張し、３枚以上のウェハを積層させる場合について良品率向上を行う。図１に示した各ウェハには、例えば、TSV(Through Silicon Via)等の貫通ビアにより構成される信号線及び電源線を中央領域及び周囲領域にそれぞれ備えたLSIチップがプリントされている。積層時、各ウェハのチップはこれら貫通ビアにより積層方向に接続されて、３D積層LSIとなる。
【００１１】
１．良品の定義
図１及び図２に示すように２枚のウェハを積層した場合には、上下の対応するLSI、つまり積層されるLSI  ｘ，ｙが良品（○）か不良品（×）かに従って次の４通りの組合せが考えられる。
（ｘ，ｙ）＝（○，○）、（○，×）、（×，○）、（×，×）
【００１２】
２．「２枚のウェハ」の組合せ
２−１．「同種」のLSIを２個積層し、１個のLSIとして動作させる。
これにより良品率を向上させる。
この場合、
良品は（ｘ，ｙ）＝（○，○）、（○，×）、（×，○）
不良品は（ｘ，ｙ）＝（×，×）
の組合せとなる。
【００１３】
２−２．「異種」のLSIを２個積層し、夫々独立に動作させる。
出来上がる積層LSIの良品数を最大にするウェハの組合せを選択する。
この場合、
良品は（ｘ，ｙ）＝（○，○）
不良品は（ｘ，ｙ）＝（○，×）、（×，○）、（×，×）
の組合せとなる。
【００１４】
２−３．同種のウェハを構成する場合、ここでは次のことを仮定する。
（１）同種のウェハを構成する各LSIの動作に必要な入出力線や電源線は、貫通電極で結ばれていて、２つのウェハは積層接続が可能とする。また、対応する電極１と電極２が出力端子となるときには、どちらの値を有効とするかを動的または静的に制御できる機構を有する。必要であれば外部からこの制御を行う出力制御線を用いる。
（２）ウェハ１を構成する各LSIと、ウェハ２を構成する対応するつまり真下にある各LSIは、サイズ、入出力仕様、動作機能等が同一であるように設計、製造されている。勿論、１つのウェハが異なる回路のLSI又は異なるデバイスのLSIでウェハが構成されていてもよく、また１つのウェハ上に異なる機能のLSIが混在していてもよい。積層されるウェハ間で上下のLSIが同種であればよい。
【００１５】
例えば、LSIの良品率をα（＝０〜１）とすると、２つのウェハを積層したとき、上下の対応するLSIが
（Ａ）２つとも良品である確率は、                  α2         [0.81]
（Ｂ）良品と不良品の組み合わせである確率は、      2α(1-α)    [0.18]
（Ｃ）どちらも不良品ある確率は、                  (1-α)2      [0.01]
（Ｄ）少なくともいずれか一方が良品である確率は、  (2α-α2)    [0.99]
となる。[ ]内はα＝0.9としたときの値であり、どちらも不良である確率は0.01であり、１つのウェハの場合と比較して、十分の１となり、良品率は0.99に向上する。
【００１６】
２つのウェハ上の対応するLSIのどちらも不良である確率と１つのウェハ上のLSIの不良確率との比は、
(1-α)2／(1-α)＝(1-α)
となる。また、一般に、ｎ枚のウェハを重ねたとき、対応するLSIがすべて不良となる確率は(1-α)ｎとなり、ウェハ１枚での不良確率との比は、
(1-α)n／(1-α)＝(1-α)n-1
となる。例えば、前述の例では、n=3とすると、比は、(1-α)2＝0.01となり、不良確率は1000分の１となる。
【００１７】
以上は、ウェハをランダムに選択した場合の確率であるが、本発明によれば、更に良品率を向上させることができる。
【００１８】
３．「１つのウェハグループ」からの「２枚の同種ウェハ」の組合せ
図３に示すように、同種のウェハを一つのグループとし、この中から２枚の組合せを選ぶ。１グループ内から例えばランダムに２枚を選択する方法でも、それらを積層することにより、２枚の積層ウェハから良品率の高い積層LSIチップを得ることができる。良品率をαとすると、対応するLSIの両方が不良品である確率は(1-α)2であるから、例えば、α=0.9とすると、不良品率は0.1から0.01に改善される。
【００１９】
３−１．ランダム選択
ウェハを特に選別しないで組み合わせる場合を考える。すなわち、１グループから、任意のウェハの組W１とW2をランダムに選び、W1のLSIiが良品の場合には、このLSIiを活性化し、W2の対応するLSIiを非活性化して積層する。これにより良品組合せ（○，×）が得られる。
【００２０】
３−２．逐次選択
あるウェハW2iとその次に生産されるウェハW2i+1を組み合わせる場合を考える。図４に示したように、W2iのウェハレベルの検査で各LSIが良品か否かを判定する（ステップ1）。この場合、ウェハW2iについて、良品との検査結果を得たものはそのまま選択対象とし、不良品との検査結果を得たものは非活性化する。次に、これと組み合わせるウェハW2i+1を検査する（ステップ２）。W2i+1のLSIについては、対応するW2iのLSIが良品であれば、無条件に（良品であるか否かに拘わらず）非活性化する（ステップ２）。これらを積層することにより良品組合せ（○，×）が得られる（ステップ３）。この場合、W2i+1のLSIのテストは不要であり、検査段階での非活性化が可能なため、工数が削減できる。後は、ウェハを各LSIへ分割し、ステップ１、２で共に不良品のLSIのみ不良品とする（ステップ４）。
【００２１】
３−３．最適解
Ｎ（偶数とする）枚のウェハの集合Wから、良品が前述のランダム選択或いは逐次選択より大きくなるようなＮ／２組のウェハの組合せを選択する方法を示す。具体的には、Wiの集合Wから２つのウェハを取り出して、良品数を数える。次にWの残りから２つのウェハを取り出して良品数を数える。このような取り出し方の中で、良品数が最大となるような組み合わせを見出す。但し、この場合、良品LSIを積層して動作させるときには、一方を非活性化する必要がある。
【００２２】
図５に示したように、Wi (i=1,2, …,N)を点（ノード）とした完全グラフを考える。WiとWjを結ぶ辺（枝）の重みGijをWiとWjを積層した場合の良品数（または不良品数）とする。このとき、辺の重みGijの総和が最大となるような組み合わせを求める。この問題は、一般のグラフに対する最大重みマッチング問題に帰着され、Edmonds らのアルゴリズム（J. Edmonds, "Paths, trees, and flowers, Canadian Journal of Mathematics", vol.17, pp.449-467, 1965.）によって、ウェハ数Nに関して多項式時間で解くことができることが知られている。
【００２３】
３−４．近似解
図６に示したように、図５と同様に各ウェハWi (i=1,2, …,N)を点とした完全グラフを形成し、WiとWjを結ぶ辺の重みGijをWiとWjを積層した場合の良品数（または不良品数）とした上で、以下のGreedyな方法によって近似的に選択解を得ることもできる。この場合は最適解と比較すると計算量が少なくなるという利点がある。
（１）完全グラフの辺の中で、もっとも重みGij（良品数）の大きい辺を選ぶ。
（２）選ばれた辺の両端のノードWi, Wjを除去する。このとき、残りのグラフも完全グラフになる。
（３）以上を辺の数が１になるまで繰り返す。
【００２４】
図６の具体例に当て嵌めて説明すると、
（１）最も重みの大きい辺W2-W3 (G23=45)を選ぶ。
（２）残りのW1, W4, W5, W6から成る完全グラフから、最も重みの大きいW1-W5 (G15=40)を選ぶ。
（３）残りが１ペアのみ(W4-W6)となるので、選択動作を終了する。
【００２５】
全てのペアが定まった後は(W2-W3, W1-W5, W4-W6)の各組合せについて、これらの組合せにおいて、対応するLSIの良品のみの組の一方を非活性化し、他方を活性化する。
【００２６】
３−５．３枚以上のLSIチップの積層
以上説明した２枚のウェハの組合せ手法は、同種ウェハの１グループから３枚以上（N）のウェハを選択して積層する場合にも適用でき、これにより良品率を更に高めることもできる。この場合は、グループ内に含まれるLSIがNの倍数である必要がある。ランダムな選択は演算なしでできるが、近似解や最適解を得るには計算量が多く、活性／非活性化の処理も複雑となる。
【００２７】
４．「２つのウェハグループ」からの「２枚の同種ウェハ」又は「２枚の異種ウェハ」の組合せ
ここでは、上述した１つのウェハグループから２枚のウェハの組合せを取得する手法とは異なり、図７に示したように２つのウェハグループから２枚のウェハの組合せを取得する手法について説明する。
【００２８】
まず、偶数個のウェハを２つのウェハグループ１（W＝{Wi}）及びウェハグループ２（V＝{Vi}）に分ける。WのウェハWiとVのウェハVｊが同種の場合と異種の場合があるが（一グループ内の各ウェハは同種）、同じアルゴリズムが適用できる。但し、良品の定義は、図１及び図２に示したようにそれぞれ異なる。
【００２９】
尚、同種の場合、
・グループ分けの際に、図１０の方法で、グループ１、２のどちらかを活性化、他方を非活性化できるようにする
・または、組合せが決定した後、図１１の方法で一方を活性化、他方を非活性化にする
【００３０】
４−１．ランダム選択
２つのウェハグループから、ランダムに１枚ずつウェハを選択して、積層する。同種の場合は、前述の３−１と同様な結果となり、良品率は改善される。
【００３１】
４−２．最適解
図８に示したように、ウェハグループWに属するウェハWiとウェハグループVに属するウェハVjの組から成る完全２部グラフを合成し、各辺の重みGを該辺の両端のウェハを組み合わせたときのLSIの良品数とする。同種ウェハWi，Vjの場合では少なくとも一方のLSIが良品の場合が良品、異種ウェハWi，Vjの場合では両方のLSIが共に良品の場合のみ良品となる。
【００３２】
このとき、良品数を最大にすることは、このグラフに関する最大マッチング問題となり、例えばハンガリアン法で解くことができる（H.W.Kuhn, "The Hungarian method for the assignment problem", Naval Research Logistics Quarterly 2, pp83-97, 1955）。同種の場合、２つの積層されるLSIが両方とも良品である場合には、どちらか一方を静的または動的に非活性化する必要がある。
【００３３】
４−３．近似解
上述の４−２による最適解ではなく、前述の３−４と同様な方法（Greedyな方法）の近似解で組合せを決める。計算量を削減できる利点がある。
【００３４】
５．「３つ以上のウェハグループ」からの「３枚以上のウェハ」の組合せ
ここでは、図９に示すように、ウェハ（W1, W2, … Wm）を積層して、前述の最適化の考えを用いて、歩留りのよいシステムを構成する方法について説明する。LSIをｎ枚積層したチップでは、各LSIの良品率をα1、α2, … ,αnとすると、チップの良品率は、各LSIの良品率の積：α1α2… αnとなり、著しく減少する。初めにウェハを切断して、個々のLSIの良否を判定してから良品（KGD、Known Good Device）のみを組み合わせれば、良品の積層LSIが得られるが、ウェハレベルで最初に積層する方が工程コストは著しく削減できる。しかし、この場合、積層されたLSIの良品率が問題となる。例えば各αiが0.9、n=10とした場合、良品率は0.910=ほぼ0.35と約１／４に低下する。本発明によれば、このウェハレベルで積層する場合での良品率を向上することができる。
【００３５】
５−１．ランダム選択
前述した４−１のランダム選択手法に基づき、次の最適解を求める手法の中で、最大マッチング問題の解を求めないで、ランダムな選択を採用する。
【００３６】
５−２．最適解
以下のように動的計画法の考えに基づいて最適解を得る。尚、図９は、４つのウェハグループからの４枚のウェハ選択による最適な積層例を示す。
【００３７】
（１）第i層のウェハWiの集合を{Wi}と記す。{W1}と{W2}の組合せから、４−２で述べた最大マッチング問題を解く方法（例えばハンガリアン法）を使って、この組合せの中で最大の良品数を得る組合せを得る。この結果から得られる集合を{W1-2}とする。{W2}の各ウェハ、W2i、の各LSIと対応するW1jのLSIの組が良品であるLSIを、改めて{W1-2}の良品と定義する。良品の定義は同種と異種で異なることは図２に示したとおりである。
【００３８】
（２）次に、{W1-2}と{W3}の中から、１と同様に最大の良品が得られる組合せを見つける。この組み合わせを{W1-2-3}と記す。このとき、{W3}のウェハの各LSIと組合わされた{W1-2}のウェハのLSIの組合せが、図２に従って良品であるとみなされるものを、改めて{W1-2-3}の良品と定義する。
【００３９】
（３）以上の手続きを最後のウェハグループまで繰り返す。この結果の組合せを{W1-2-…-m}と記す。このｍ層の組合せがウェハレベルでの最大の良品数をもつ最適な組合せとなる。
【００４０】
５−３．近似解
前述の５−２で最大マッチング問題の最適解を例えばハンガリアン法を使用して求めるかわりに、前述の近似解を用いる方法である。これにより計算量を減らすことができる。
【００４１】
６．活性化／非活性化の方法
以上説明した方法により同種のLSIを積層する場合、両方とも不良品であれば、積層したLSIも不良品であり、一方が良品、他方が不良品である場合には、良品を活性化し、不良品を非活性化する必要がある。また、両方が良品である場合には、一方を静的または動的に活性化し、他方を静的または動的に不活性化する必要がある。
【００４２】
まとめると以下のような手法が考えられる。
・不良LSIの非活性化
電源断（非活性化するLSIのヒューズを焼き切る）とする。検査段階での非活性化が可能である。
・良品LSI（同種の場合のみ必要）の非活性化
−恒久的に非活性化
図１０Ａ、Ｂ：電源断（非活性化するLSIにおいて、電源線に接続されたヒューズを焼き切る）
−外部より活性／非活性を制御
図１０Ｂ：外部への電源接続をLSI毎に一方の電源接続をヒューズを焼き切ることにより別とし、外部よりどのLSIを生かすかを電源のオン・オフにより制御
図１０Ｃ：パワーゲーティングにより制御線をLSI毎に別とし、外部よりどのLSIを生かすかを制御またはLSI内部の電源コンバータを非活性化
【００４３】
より具体的には、まず、図１０Ａは「静的」に活性／非活性にする方法を示し、図示した例では、活性化するLSIのヒューズ２を断とし、ヒューズ１を通して電源が接続される。不活性化するLSIのヒューズ１を断として、電源Vddをアースする。なお、ヒューズ２は、電源線が高抵抗でアースされている場合などでは不要となり、ヒューズ１だけでこの制御を行うことができる
【００４４】
図１０Ｂ及び図１０Ｃは「動的」に活性／非活性にする方法を示し、図１０Ｂでは一方のLSIのヒューズ１を断、他方のLSIのヒューズ２を断とすることにより、外部の電源を供給するか否かで活性／非活性を制御する。つまり、LSI１，２で異なる電源に接続するように一方のヒューズを断とする。図１０Ｃも同様であるが、この場合は内部の電源回路（DCコンバータやパワーゲーティング回路など）を制御線で制御できるようになっていて、外部から活性／非活性を制御する。つまり、LSI１，２で異なる制御線に接続するように一方のヒューズを断とする。
【００４５】
７．冗長システム
同種のウェハを組み合わせる場合、良品LSIのみから成る組に対しては、一方を動作させ、他方をスタンバイ用のLSIとする冗長システムを構成して動作させることもできる。特に、良品率が高いときには、良品同士の組合せの数も多くなり、この方法がより有効になる。外部より活性／非活性を制御できるそれぞれ良品の積層LSIにおいて、以下のクールスタンバイ又はホットスタンバイが考えられる。
【００４６】
クールスタンバイ：
図１１Ａ及び図１１Ｂに示したように、前述した図１０Ｂ及び図１０Ｃのような動的非活性化方法を用いて、非活性化されたLSIと活性化されたLSIの組を形成し、外部から活性／非活性が制御できるものとする。普段は活性化されたLSIのみが動作するが、故障が検出された場合には電源や制御線を用いて、活性化／非活性化LSIを反転させる。動作時には電力消費は少ないが、反転時には、時間がかかるのと、レジスタの値なども復元が難しく、連続した動作を保障できないため、再スタートさせる必要があるなどの欠点がある。
【００４７】
ホットスタンバイ：
図１１Ｃに示したように、両方とも活性化し、一方の出力線をオン、他方をオフ（フローティング）としおき、故障検出時には出力線のオン・オフを反転させる。常に両方が動作しているため電力消費が倍になる欠点があるが、レジスタなどの記憶装置のデータも同じものが保持されていて反転時には続行に時間があまりかからない、という利点がある。
【００４８】
８．良品を多く含むウェハの取り扱い
良品率が高いウェハ、つまり良品率が予め設定したある閾値以上のウェハについては（極端な例としては全LSIが良品のウェハ）、積層して良品率を改善する対象から除外して、単独で利用し、一方、残りのウェハに対して前述の方法を適用して良品率を向上させる。
【００４９】
この場合、偶数個のウェハが必要なグループからの選択アルゴリズムにおいては、残りのウェハが複数個であるように選択する。また、２グループ以上からの選択においては、各グループから等しい数だけ除外する。
【００５０】
より具体的には、以下の方法が考えられる。
（１）単独で使用する良品率の閾値αtは、残りのウェハの組合せで得られるウェハのうちで最高の良品率以上となるように順次良品率の高いウェハを取り除いて計算する。この場合は、あらかじめ、すべてのウェハを検査した後、前述の方法を実行する必要があり、また、計算時間がかかる。
【００５１】
（２）閾値αtをあらかじめ設定しておく。検査段階でこの閾値以上の良品を含むウェハは良品ウェハとしてそのまま製造ラインを通し、αt以下の良品率のウェハに対して、前述の方法を実行する。
【００５２】
９．良品率の向上
以上説明した本発明による良品率向上を大きくまとめると以下のようになる。
（１）多数のチップが集積されているｎ種（ここではｎ枚）のウェハを逐次積層して３次元ウェハ積層体を作製し、これを分離することで３次元積層チップを作製する。
（２）積層に用いるウェハは、ｎ種についてそれぞれウェハ枚数がM１、M2,、、Mn枚のウェハグループから１枚ずつ選択する。
（３）各ウェハ上の各チップの良否は積層前に事前検査で特定されているものとする。
（４）ウェハ積層したとき、積層方向に重ねられるチップのすべてが良品であるとき、良品の３次元積層チップとする。
（５）３次元積層チップの良品率を向上させるのに、それぞれのウェハグループから積層に用いるウェハを選択するとき、各ウェハの良品パターンを比較して前述した各種選択手法に基づき最も高い３次元積層チップの良品率を示す組み合わせを計算して、３次元ウェハ積層を行う。
【００５３】
１０．良品率の更なる向上
以上説明した本発明において、図１２に例示したように、各ウェハグループ（{W1}〜{Wn}）からそれぞれ１枚ずつ選んでこれを積層化する場合、事前に検査して得られた各ウェハの良品チップ分布の情報に基づき、積層ウェハの良品率を最大にする組み合わせを選択するが、この積層ウェハの良品率は構成されるウェハの中で最悪の良品率を持つウェハにより律即されることは容易に類推される。
【００５４】
そこで、図１３に例示したように、良品率の悪い、つまり予め設定した閾値を下回る平均良品率を持つウェハグループ[Wi]については、同じウェハグループの中から複数のウェハWi1〜Wij（i=ウェハグループ番号、j=ウェハ番号）を取り出してこれを積層化して、このウェハグループ（例えばW1）について全体として良品率を上げたウェハ積層体[Wi1〜Wij]を形成する。この場合、同じウェハグループの中から積層化するウェハの選択においては、積層方向に対する良品分布の論理和を適用することで、別途定めたある閾値以上の良品率を持つウェハ積層体[Wi1〜Wij]を構成できるように選択する。
【００５５】
そして、選択したウェハで構成されるウェハ積層体{Wi1〜Wij}をこのウェハグループの一つのウェハとして用いて、他のウェハグループから選択したウェハと積層させて最終的な積層ウェハとする。最終的な積層ウェハ構成は、{W1〜Wi-1, {Wi1〜Wij}, Wi+1〜Wn}になる。勿論、良品率の悪いウェハグループが複数あれば、それら各ウェハグループについて上記と同様に複数枚のウェハを選択する。
【００５６】
図１３の例では、ウェハグループ{W1}から２枚のウェハ{W11,W12}（W12は図中W1'と表記）を取り出して、他のウェハグループ{W2}, {W3}, {W4}から選択した各１枚のウェハと積層させる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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