(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に透明導電層及び金属層の積層からなる第一の導電層を形成し、
第一の多階調マスクを用いて、第一のレジストを形成し、前記第一のレジストを用いて、前記透明導電層及び前記金属層をエッチングしてゲート電極、及び画素電極となる画素領域を形成し、前記ゲート電極上にレジストの一部を残存させるように前記第一のレジストをアッシングし、
残存させた前記第一のレジストを用いて、前記画素領域上の前記金属層をエッチングして、前記透明導電層からなる前記画素電極を形成し、
前記絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を形成し、
第二の多階調マスクを用いて、第二のレジストを形成し、前記第二のレジストを用いて、前記画素電極上の前記ゲート絶縁膜、前記半導体層及び前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層をエッチングしてコンタクトホールを形成し、前記ゲート電極上にレジストの一部を残存させるように第二のレジストをアッシングし、
残存させた前記第二のレジストを用いて、前記半導体層及び前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層をエッチングして、前記ゲート電極と重なる島状の前記半導体層及び前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を形成し、
前記絶縁基板上に第二の導電層を形成し、
第三のマスクを用いて、第三のレジストを形成し、
前記第三のレジストを用いて、前記第二の導電層をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極を形成し、さらに前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層をエッチングしてソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記絶縁基板上に保護膜を形成し、
裏面露光法によって、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に第四のレジストを形成し、前記第四のレジストをリフロー処理することによって、前記第四のレジストを前記ソース電極及び前記ドレイン電極の端部を覆うように形状変化させ、
前記画素電極上の前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記画素電極と接続する保持容量を有し、
前記保持容量の上部電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一の材料で、
前記保持容量の下部電極は前記ゲート電極と同一材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上に透明導電層及び金属層の積層からなる第一の導電層を形成し、
第一の多階調マスクを用いて、第一のレジストを形成し、
第一のレジストを用いて、前記透明導電層及び前記金属層をエッチングしてソース電極、ドレイン電極、及び画素電極となる画素領域を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上にマスクの一部を残存させるように前記第一のレジストをアッシングし、
残存させた前記第一のレジストを用いて、前記画素領域上の前記金属層をエッチングして、前記透明導電層からなる画素電極を形成し、
前記絶縁基板上に一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を形成し、
裏面露光法によって、前記ソース電極及びドレイン電極上に第二のレジストを形成し、前記第二のレジストをリフロー処理することによって、前記第二のレジストを前記ソース電極及び前記ドレイン電極の端部を覆うように形状変化させ、
前記第二のレジストを用いて、前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層をエッチングし、
前記絶縁基板上に半導体層を形成し、
第二のマスクを用いて、第三のレジストを形成し、
前記第三のレジストを用いて、前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層及び前記半導体層を前記ソース電極と前記ドレイン電極の間及び前記ソース電極と前記ドレイン電極上に存在するように、エッチングし、
前記絶縁基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を形成し、
第三の多階調マスクを用いて、第四のレジストを形成し、
前記第四のレジストを用いて、前記ゲート絶縁膜及び前記導電膜をエッチングして、島状の導電膜を形成し、前記半導体層上にレジストの一部を残存させるように前記第四のレジストをアッシングし、
残存させた前記第四のレジストを用いて、前記島状の導電膜をエッチングして、ゲート電極を形成し、
前記絶縁基板上に保護膜を形成し、
裏面露光法によって、前記ゲート電極、前記ソース電極及びドレイン電極上に、第五のレジストを形成し、前記五のレジストをリフロー処理することによって、前記第五のレジストを前記ゲート絶縁膜を覆うように形状変化させ、
前記第五のレジストを用いて、前記画素電極上の前記保護膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記画素電極と接続する保持容量を有し、
前記保持容量の上部電極は前記ゲート電極と同一の材料で、
前記保持容量の下部電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体膜を利用した薄膜トランジスタで構成された回路を有する半導体装置及
びその作製方法に関する。また、本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビやパーソナルコンピュータのディスプレイ、携帯電話など広く普及している表示装
置の多くは、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタ（以下、アモルファスシリコンＴ
ＦＴと呼ぶ。）をスイッチング素子として利用した液晶表示装置が用いられている。
このアモルファスシリコンＴＦＴは、特許文献１のように従来５枚のフォトマスクを用い
、公知のフォトリソグラフィ工程によってガラス基板上に形成される。
【０００３】
ここで述べた５枚のフォトマスクは、ゲート電極を形成するための第一のフォトマスクと
、半導体層を分離するための第二のフォトマスクと、ソース電極及びドレイン電極を形成
するための第三のフォトマスクと、保護絶縁膜に開口を設けるための第四のフォトマスク
と、画素電極を形成するための第五のフォトマスクからなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５３２８３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトマスクを用いるフォトリソグラフィ工程は、フォトレジストの塗布、プリベーク、
フォトマスクを用いた露光工程、現像工程、リンス工程、ポストベーク工程、エッチング
工程、レジスト剥離工程などからなる。更にこれらに加えて洗浄工程や検査工程など、多
数の工程が含まれる。このように多数の工程が必要なため、一回のフォトリソグラフィ工
程には多大なコストと時間がかかる。
【０００６】
また、液晶ディスプレイは高精細化及び高視野角化が進み、画素構造はより小さく、画素
を構成するパターンはより細くなる傾向にある。それに伴い製造過程でより高度な精密さ
が要求される。特に、フォトマスクで形成されるパターンがより細かくなるにつれ、別の
フォトマスクとの位置ずれがこれまで以上に歩留まりに大きく影響することとなる。
【０００７】
上述した課題を解決するため、本発明はフォトマスク数を削減できる半導体装置及びその
作製方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、従来の５枚フォトマスクプロセスによる工程数を削減するために、合計４枚若
しくは３枚のフォトマスクと裏面露光技術を用いて製造した半導体装置及びその作製方法
に関する。
【０００９】
本発明では、第一の導電層として透明導電層及び金属層の積層を用いることを特徴とし、
第一の導電層を、第一の多階調マスクを用いることでゲート電極や画素電極として用いる
ことを特徴とする。
【００１０】
また本発明では、第二の多階調マスクで、コンタクトホールの形成と、半導体層の加工を
行うことを特徴とする。
【００１１】
さらに本発明では、裏面露光法及びリフロー技術を用いることにより、フォトマスクを一
枚減らすことを特徴とする。なお、本発明では、半導体装置及びその作製方法にもＥＬ表
示装置の作製にも用いることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、下記に述べる効果が実現できる。
【００１３】
従来の５枚フォトマスクを用いた作製方法に較べマスク数を減らすことで、フォトマスク
の位置合わせの回数が減り、別のフォトマスク同士との位置ずれによる歩留まりの低下が
抑えられる。
【００１４】
またフォトマスク数を減らすことで、フォトリソグラフィ工程の一部が省略できる。よっ
て、工程にかかるコストの削減とスループットの向上につながる。
【００１５】
さらにフォトリソグラフィ工程の一部を削除することにより、その工程で生じうる汚染（
コンタミネーションやパーティクル）が防げる。よって、歩留まりや信頼性が向上する。
【００１６】
本発明は、半導体装置作製プロセスにおいてフォトマスク数を削減することであり、即ち
、本発明のプロセスによって作製することで、工程にかかる時間及びコストを削減するこ
とができる。従来のアモルファスシリコンＴＦＴが一般的に５枚フォトマスクで製造され
ているのに対し、本発明では３枚フォトマスクまたは４枚フォトマスクでＴＦＴを作製す
ることが可能であり、製造時間及び製造コストを削減させることが可能である。
【００１７】
また、その他にも、ＴＦＴを絶縁膜で完全に覆うことで、素子の信頼性を向上させること
ができる。
チャネル部の表面が露出していると、基板及び雰囲気中の周辺環境に起因する不純物、例
えばボロン，燐等がチャネル部に侵入する。これらはドナーになりうるので、ＴＦＴのオ
フリーク電流が大きくなり、ＴＦＴのしきい値電圧が変化する悪影響が予想されるが、Ｔ
ＦＴを絶縁膜によって完全に覆うことで、このことは抑制できる。また、保護膜は、ボト
ムゲート型であればソース電極及びドレイン電極の酸化防止の機能を果たし、トップゲー
ト型であればゲート電極の酸化防止の機能を果たすことになる。
【００１８】
加えて、従来の画素電極が積層最上面に形成される構造と比較して、本発明では保護絶縁
膜及びゲート絶縁膜より下でかつ、その開口領域底面に位置する。そのため、ゲート絶縁
膜及び保護絶縁膜が隔壁として機能し、隣り合う画素電極との間での電界相互作用が減少
する。即ち、クロストークの抑制に寄与する。さらには、従来画素電極と信号線との間に
は層間膜として保護膜のみが、形成されていた。しかし、本発明においてはさらにゲート
絶縁膜も加わることから、信号線と画素電極間での寄生容量を低減することが可能となる
。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図２】実施の形態１に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図３】実施の形態１に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図４】実施の形態１に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図５】実施の形態１に係る液晶パネルを説明する断面図
【図６】実施の形態２に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図７】リフロー処理におけるフォトレジスト形状変化の平面図
【図８】実施の形態３に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図９】実施の形態３に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明する断面図
【図１０】実施の形態４に係る液晶パネルを説明する断面図
【図１１】実施の形態１に係るＴＦＴ基板を示す平面図
【図１２】実施の形態３に係るＴＦＴ基板を示す平面図
【図１３】実施の形態５に係る電子機器の一例を示す図
【図１４】実施の形態５に係る電子機器の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で
実施することが可能である。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の
形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２１】
（実施の形態１）
表示形態の一形態として液晶表示装置を用いて説明する。
図１１は実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板平面図である。走査線１１０１と
信号線１１０２で区切られた領域が一つの画素となり、画素において、画素電極が形成さ
れる領域を画素領域という。画素左下部には画素のスイッチング素子であるＴＦＴ１１０
３がある。ＴＦＴのオン／オフ信号は走査線１１０１から入力され、画像信号は信号線１
１０２から入力される。ＴＦＴ１１０３と画素電極１０５はコンタクトホール１１３ａを
介して電気的に接続しており、信号線から入力される画像信号はＴＦＴがオンであればＴ
ＦＴを介して画素電極に伝達される。画素右上部には保持容量１１０４が形成される。保
持容量１１０４は画素電極１０５に入力された画像信号を次の信号が入力されるまで保持
する役割を有する。図１１において点線Ａ―Ｂで示した箇所が、図１乃至６の画素部ＴＦ
Ｔの断面図に相当する。基板１００は基板端部においてＦＰＣ（フレキシブル・プリント
・サーキット）と電気的に接続する端子接続部１１０５を有する。点線Ｃ―Ｄで示した箇
所が、図１乃至６の端子接続部の断面図に相当する。
【００２２】
本発明の４枚フォトマスクプロセスを用いた逆スタガＴＦＴを図１乃至図４に示す。
【００２３】
図１（ａ）において、例えばガラスなどの絶縁基板１００上に透明導電層１０１と金属層
１０２からなる第一の導電層をスパッタリング法により積層形成する。この工程は連続的
に行われ、マルチチャンバーを用いて連続スパッタリングを行うことも可能である。
【００２４】
あるいは、本発明の構成において透明導電層１０１は金属層１０２の下層に形成されてい
るので、市販されているＩＴＯ（インジウム錫酸化物）付きガラスを用いて金属層１０２
のみをスパッタ法により形成することも可能である。
【００２５】
透明導電層１０１の材料としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を使用する。この透明
導電層１０１の一部は後に画素電極となる。また、金属層１０２は、主として電極または
配線となるものでアルミニウムなどの低抵抗金属材料が好ましい。また、１層目をモリブ
デン（Ｍｏ）、２層目をアルミニウム（Ａｌ）、３層目をモリブデン（Ｍｏ）の積層、若
しくは、１層目をチタン（Ｔｉ）、２層目をアルミニウム（Ａｌ）、３層目をチタン（Ｔ
ｉ）の積層、さらに若しくは、１層目をモリブデン（Ｍｏ）、２層目にネオジム（Ｎｄ）
を微量に含むアルミニウム（Ａｌ）、３層目をモリブデン（Ｍｏ）の積層などのように、
高融点金属をバリア層として使用し、アルミニウムを挟んだ積層構造としても良い。この
ように金属層１０２を積層構造にすることでアルミニウムのヒロック発生が抑えられる。
【００２６】
なお、図にはないが基板１００と透明導電層１０１の間に下地膜として、酸化珪素、窒化
珪素、酸化窒化珪素などを形成しても良い。下地膜を形成することによって、ガラス基板
から素子へ可動イオンや不純物等が拡散することが抑えられ、素子の特性劣化の防止に効
果がある。
【００２７】
図１（ｂ）において、フォトレジスト１０３を形成する。ここでフォトレジスト１０３は
、第一の導電層上に形成され、第一の多階調マスク２０１で露光し、現像される。
【００２８】
通常のフォトマスクは光を透過する基板上に金属でパターンが形成されている。そのため
、この金属からなるパターンは遮光部となる。また、金属からなるパターンが形成されて
いない部分は透過部となる。一方、多階調マスクは、通常のフォトマスクが透過部と遮光
部のみを有するのに対し、それに加えて中間透過部分が形成されていることに特徴がある
。この中間透過部分の形成方法には、ハーフトーン露光技術とグレートーン露光技術に分
類される。
【００２９】
グレートーン露光技術は透過部分に解像度以下のスリットを形成し、そのスリットによっ
て光の一部を遮ることで、中間透過を実現する。一方、ハーフトーン露光技術は中間透過
部に中間透過膜を形成することで実現する。このような多階調マスクで露光されたフォト
レジストは露光部分、半露光部分、未露光部分がそれぞれ形成される。半露光部分のフォ
トレジストを現像するとその厚みは露光部分と未露光部分のフォトレジストの中間になる
。
【００３０】
なお、フォトレジストにはポジ型とネガ型がある。ポジ型のフォトレジストであれば、現
像時に露光部分のフォトレジストは除去され、未露光部分のフォトレジストが残る。ネガ
型のフォトレジストであれば、反対に露光部分のフォトレジストが残り、未露光部分のフ
ォトレジストが除去される。解像度の点からはポジ型が好ましいが、ネガ型であってもパ
ターン形成できることはいうまでもない。本発明の実施の形態は、ポジ型フォトレジスト
で説明する。
【００３１】
第一の多階調マスク２０１は遮光部２０１ａと、半透過部２０１ｂを有し、現像されるフ
ォトレジスト１０３は二段階の異なる厚みを有する。第一の導電層を残す箇所はフォトレ
ジスト１０３ａのように厚くなるよう設計する。一方、透明導電層１０１を単層として用
いる箇所は、フォトレジスト１０３ｂのように薄くなるようにする。ここでは、後にゲー
ト電極、保持容量の下部電極、端子接続部の配線となる箇所には厚いフォトレジスト１０
３ａを形成し、画素電極及び端子接続部のコンタクトホールとなる箇所には薄いフォトレ
ジスト１０３ｂを形成する。
【００３２】
このフォトレジスト１０３ａ及び１０３ｂをレジストマスクとして、第一の導電層をエッ
チングする。エッチングの手法には、気相中で行うドライエッチング法と液相中で行うウ
ェットエッチング法があるが、この場合どちらを用いてもよい。
【００３３】
次に、フォトレジスト１０３にアッシング（灰化）処理を施す。即ち、図１（ｃ）のよう
に、厚く形成したフォトレジスト１０３ａは、その領域を覆ったまま表面からアッシング
され、フォトレジスト１０４として残存する。一方、薄く形成したフォトレジスト１０３
ｂは、この処理により完全に除去され、その下の金属層１０２が露出する。このように多
階調マスクで形成したフォトレジスト１０３を用いることで、追加のフォトマスクを用い
ることなく、フォトレジスト１０４を形成することができる。
【００３４】
図２（ａ）において、フォトレジスト１０４をレジストマスクとしてエッチングを行い、
露出している金属層１０２を除去する。その結果、画素部においては透明導電層１０１の
単層からなる画素電極１０５が形成され、端子接続部においてコンタクトホール１０６が
形成される。また、フォトレジスト１０４が形成されている第一の導電層もその端部がエ
ッチングされる。これはフォトレジスト１０４がアッシング処理によりフォトレジスト１
０３ａよりも接地面積が小さくなり、第一の導電層の端部が露出しているためである。従
って、フォトレジスト１０４からはみ出した金属層１０２も同時にエッチングされる。こ
れにより透明導電層１０１より金属層１０２の幅が狭くなる階段形状が形成され、後に形
成される絶縁膜の被覆性が向上する。
【００３５】
透明導電層１０１を残し、金属層１０２のみをウェットエッチングで除去する場合には、
透明導電層と金属層とで選択比の高いエッチング溶液を使用する。金属層１０２として、
１層目をモリブデン（Ｍｏ）、２層目をアルミニウム（Ａｌ）、３層目をモリブデン（Ｍ
ｏ）の積層、若しくは、１層目をモリブデン（Ｍｏ）、２層目にネオジム（Ｎｄ）を微量
に含むアルミニウム（Ａｌ）、３層目をモリブデン（Ｍｏ）の積層などを用いる場合には
、例えばリン酸、硝酸、酢酸及び水から成る混酸によって行うこともできる。しかもこの
混酸を用いれば、均一に良好な順テーパー形状を与えることができる。このようにウェッ
トエッチングは、テーパー形状による被覆性向上に加え、エッチング液によるエッチング
、純水によるリンス、乾燥という簡単な工程でありながらもスループットが高いので、上
記金属層のエッチングに用いることが適している。
【００３６】
図２（ｂ）において、使用したフォトレジストを剥離除去する。以上の工程により透明導
電層単層からなる画素電極１０５、とコンタクトホール１０６、そして第一の導電層から
なるゲート電極１０７と保持容量部１１の下部電極１０８、端子接続部１２の配線が形成
される。また、図にはないが同時に走査線も形成される。以上が第一の多階調マスク２０
１によるフォトリソグラフィ工程である。
【００３７】
次に図２（ｃ）のように、ゲート絶縁膜１０９、Ｉ型半導体層１１０及び一導電性を付与
する不純物元素を有する半導体膜、特にｎ＋型半導体層１１１を成膜する。ゲート絶縁膜
１０９は、例えば窒化珪素膜や酸化窒化珪素膜、あるいはこれらの積層よりなる。Ｉ型半
導体層１１０は導電性を附与する不純物をドープしないノンドープの非晶質半導体層であ
り、ｎ＋型半導体層１１１は五価の元素、例えばリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）を添加しｎ型
の導電性を附与した非晶質半導体層である。これらは、公知のＣＶＤ法により形成する。
【００３８】
なお、ＴＦＴの特性を安定させるためにはゲート絶縁膜１０９とＩ型半導体層１１０との
界面を制御する必要がある。加えて、Ｉ型半導体層１１０とｎ＋型半導体層１１１の界面
も良好なオーミックコンタクトをする必要がある。そこで、マルチチャンバー型のＣＶＤ
装置を用いて、真空状態を破らずにゲート絶縁膜１０９乃至ｎ＋型半導体層１１１を連続
して成膜するのが好ましい。また、ゲート絶縁膜１０９が積層構造の場合、Ｉ型半導体層
１１０に近いゲート絶縁膜からは大気開放せずに連続成膜すればよい。
【００３９】
次に図２（ｄ）のように、遮光部２０２ａと半透過部２０２ｂを有する第二の多階調マス
ク２０２を用いて、異なる厚みを有するフォトレジスト１１２を形成する。即ち、前記Ｉ
型半導体層１１０及びｎ＋型半導体層１１１を残す箇所には厚いフォトレジスト１１２ａ
を形成し、これらの層を除去してゲート絶縁膜１０９だけを残す箇所には薄いフォトレジ
スト１１２ｂを形成する。
【００４０】
フォトレジスト１１２をレジストマスクとして、ドライエッチングを行う。その結果、図
３（ａ）のようにフォトレジスト１１２で覆っていない箇所の透明導電層１０１は露出し
、コンタクトホール１１３ａと１１３ｂが形成する。このコンタクトホール１１３ａは画
素ＴＦＴと画素電極１０５を接続する役割を、コンタクトホール１１３ｂは画素電極１０
５と後に形成する保持容量の上部電極１２０を接続する役割を有する。
【００４１】
次にフォトレジスト１１２からアッシング処理によりフォトレジスト１１４を形成する。
このように多階調マスクを用いることで、追加のフォトマスクを用いることなく、フォト
レジスト１１４を形成することができる。このフォトレジスト１１４をレジストマスクと
して、Ｉ型半導体層１１０及びｎ＋型半導体層１１１を加工する。この加工は、ＣＦ４及
びＯ２又はＳＦ６及び／若しくはＯ２ガスを用いたＲＩＥモードのドライエッチング法で
行うことができる。
【００４２】
図３（ｂ）において、フォトレジスト１１４を剥離除去し、Ｉ型半導体層１１０及びｎ＋
型半導体層１１１の島（アイランド）１１５を形成する。走査線上に半導体層を残してい
た場合、デバイスの構造上、光による電流リークやライン間の短絡につながる可能性があ
るので、デバイスの信頼性及び産業上の利用可能性に鑑み、余分な半導体層は除去してお
くことが望ましい。
以上が第二の多階調マスク２０２によるフォトリソグラフィ工程となる。
【００４３】
次に、第二の導電層１１６をスパッタ法で形成し、第三のフォトマスク（図示せず）を用
いてフォトレジスト１１７を形成したのが図３（ｃ）である。このフォトレジスト１１７
をレジストマスクとして第二の導電層１１６をウェットエッチングしたのが図４（ａ）に
なる。加工された第二の導電層１１６はそれぞれソース電極１１８、ドレイン電極１１９
と保持容量部の上部電極１２０を形成する。図にはないが、このとき信号線も同時に形成
される。
なお、第二の導電層１１６の材料は金属層１０２と同様な主として電極または配線となる
ものでアルミニウムなどの低抵抗金属材料が好ましく、１層目をモリブデン（Ｍｏ）、２
層目をアルミニウム（Ａｌ）、３層目をモリブデン（Ｍｏ）の積層、若しくは、１層目を
チタン（Ｔｉ）、２層目をアルミニウム（Ａｌ）、３層目をチタン（Ｔｉ）の積層、さら
に若しくは、１層目をモリブデン（Ｍｏ）、２層目にネオジム（Ｎｄ）を微量に含むアル
ミニウム（Ａｌ）、３層目をモリブデン（Ｍｏ）の積層などのように、高融点金属をバリ
ア層として使用し、アルミニウムを挟んだ積層構造としても良い。
【００４４】
さらに、フォトレジスト１１７をマスクとして、ｎ＋型半導体層１１１をドライエッチン
グして分離する。分離されたｎ＋型半導体層はそれぞれソース領域１２１及びドレイン領
域１２２を形成する。
【００４５】
この状態から、ソース電極１１８及びドレイン電極１１９のウェットエッチングを行うと
、図４（ａ）に示すようにソース電極１１８及びドレイン電極１１９の端部がソース領域
１２１及びドレイン領域１２２の端部より後退するステップ形状となる。これによりフォ
トマスク数を増やすことなく後述する保護絶縁膜１２３の被覆性を向上させたり、ゲート
電極１０７とソース電極１１８及びドレイン電極１１９の間に発生する不要な寄生容量を
低減させたりする効果が得られる。なお、ドライエッチングによって非ステップ形状で形
成することも可能である。
【００４６】
使用したフォトレジスト１１７を剥離除去した後、図４（ｂ）のように、保護絶縁膜１２
３を成膜する。保護絶縁膜１２３は、例えば窒化珪素膜や酸化窒化珪素膜、あるいはこれ
らの積層よりなる。その後、第４のフォトマスク（図示せず）を用いて、フォトレジスト
１２４を形成する。このフォトレジスト１２４をレジストマスクとして保護絶縁膜１２３
とゲート絶縁膜１０９のエッチングを行う。図４（ｃ）のように、保護絶縁膜１２３及び
ゲート絶縁膜１０９を除去して、画素電極１０５を露出させた開口領域１２５とＦＰＣと
のコンタクトホール１２６を形成する。開口領域１２５には後に形成する配向膜（図示せ
ず）を除けば光を減衰させる層が存在しないため、光透過率が向上し、高い輝度を達成す
ることができる。
【００４７】
図５（ａ）に対向基板と張り合わせた後の基板に対し直交に電圧を印加する縦電界方式の
液晶パネルの断面図を示す。なお、図１〜４と共通の符号はそのまま使用する。透明な対
向基板５００とＴＦＴが形成された基板１００は向かい合わせに配置する。対向基板５０
０上には画素ＴＦＴや配線を遮光するためブラックマトリクス５０１を形成し、隣接する
画素を分離して光の干渉や外部からの光の反射を防止する。ブラックマトリクス５０１は
金属膜、あるいは黒色樹脂膜からなるが、黒色樹脂膜のほうが所望の電界分布に悪影響を
与えないためより好ましい。カラーフィルター５０２はブラックマトリクス５０１によっ
て分離された領域に赤、青、緑に分けて形成する。
【００４８】
さらに透明導電層からなる対向電極５０４を形成し、画素電極１０５との間に電界が形成
できるようにする。基板間隔を維持するためにスペーサー５０５を形成する。対向基板５
００とＴＦＴが形成された基板１００の間には液晶５１０が挟まれ、シール材５０６は基
板の周辺を囲って一対の基板を接着しており、それにより基板間に液晶５１０が封じられ
る。またそれぞれの基板の液晶に接する面には配向膜（図示せず）が形成されている。こ
こで、対向電極５０４と画素電極１０５の間隔を一定にするためカラーフィルター５０２
と対向電極５０４の間に有機樹脂からなる平坦化膜５０３を形成することで電極の凹凸に
起因する不均一な電界が生じることを防ぐことができる。
【００４９】
ＴＦＴが形成された基板１００の端部には外部回路への端子接続部が形成されている。画
素ＴＦＴへ接続している端子接続部への配線１２７は第一の導電層で形成できる。また、
この配線１２７に形成したコンタクトホール１２６に導電性粒子５０７を含有する樹脂接
着剤５０８を充填し、外部回路に接続しているＦＰＣ５０９と電気的接続を行う。なお、
配線１２７は図５（ｂ）に示すように第二の導電層を用いる配線１２８として形成するこ
とも可能である。どちらの場合も、同じく４枚フォトマスクで端子接続部を作製すること
ができる。
【００５０】
このように、本発明を用いることで４枚のフォトマスクプロセスで外部回路への端子接続
部も含めた個々の画素部に対応して薄膜トランジスタを配置しているアクティブマトリク
ス基板を形成することが可能になる。なお、本実施の形態では４枚のフォトマスクプロセ
スを用いて図５の液晶表示装置を作製する例を示したが図４（Ｃ）の画素電極１０５上に
発光層、対向電極を積層したＥＬ表示装置の作製方法にも適用することができる。
【００５１】
（実施の形態２）
次に図６及び図７において、本発明の３枚フォトマスクプロセスを説明する。本プロセス
においてソース電極及びドレイン電極の形成までは、実施の形態１の図１（ａ）乃至図４
（ａ）で述べた４枚フォトマスクプロセスと同様である。よって省略する。
【００５２】
図６（ａ）において、窒化珪素膜等からなる保護絶縁膜１２３を基板全面にＣＶＤ法で形
成する。その後、裏面露光法（背面露光法）を用いて、基板裏面より露光工程を行うこと
で、第一及び第二の導電層が存在する部分の上にフォトレジスト６０１を形成する。ここ
で、透明導電膜が単層で形成され、かつ第二の導電層からなる電極で覆われていない箇所
は光が透過するため、フォトレジストが形成されないことが重要である。
【００５３】
図６（ｂ）において、前述した裏面露光により形成したフォトレジスト６０１に熱処理を
加え、リフロー（Ｒｅ−Ｆｌｏｗ）処理させることによって、フォトレジストの端部を距
離ΔＷだけ僅かに広げたフォトレジスト６０２を形成する。
【００５４】
ここで、リフロー処理とはフォトレジストを加熱あるいは有機溶媒の蒸気にさらすことに
よって、その形状を変化させる手法である。図７にリフロー処理における画素ＴＦＴ部の
フォトレジスト形状変化の平面図を示す。リフロー処理を行うと、フォトレジストに流動
性が生じ、図７（ａ）の点線部７０１にあるフォトレジストが、図７（ｂ）の点線部７０
２まで外側に広がる。この広がりはフォトレジストの下面の形状を反映するものの、有機
溶媒の種類、有機溶媒の蒸気の温度、有機溶媒の蒸気にさらす時間、ＴＦＴ基板の温度等
によって精密に制御される。
【００５５】
図６（ｃ）において、リフロー処理したフォトレジスト６０２をレジストマスクとして、
ゲート絶縁膜１０９及び保護絶縁膜１２３を加工する。これにより、透明導電層からなる
画素電極１０５が露出し、開口領域６０３が形成される。また、ソース電極及びドレイン
電極の端部や配線の端部が完全に保護絶縁膜１２３に覆われることで、素子の信頼性が向
上する。このように裏面露光とリフロー技術を用いることで、フォトマスクを一枚節約す
ることが可能になり、４回目のフォトリソグラフィ工程の一部を省略することができる。
【００５６】
なお、この実施の形態を用いた場合も、実施の形態１と同じく、外部端子への端子接続部
が形成できることは言うまでもない。
【００５７】
このように、本発明を用いることで３枚のフォトマスクプロセスで外部回路への端子接続
部も含めたアクティブマトリクス基板を形成することが可能になる。
なお、本実施の形態においては、実施の形態１と同一の材料を用いることができる。
【００５８】
（実施の形態３）
本発明を用いたトップゲート型ＴＦＴの３枚フォトマスクプロセスについて説明する。図
１２は実施の形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板平面図である。走査線１２０１と信
号線１２０２で区切られた領域が一つの画素領域となる。画素左下部には画素のスイッチ
ング素子であるＴＦＴ１２０３がある。ＴＦＴのオン／オフ信号は走査線１２０１から入
力され、画像信号は信号線１２０２から入力される。ＴＦＴと画素電極８１１は電気的に
接続しており、信号線から入力される画像信号はＴＦＴがオンであればＴＦＴを介して画
素電極８１１に伝達される。画素右上部には保持容量１２０４が形成される。保持容量１
２０４は画素電極８１１に入力された画像信号を次の信号が入力されるまで保持する役割
を有する。図１２において点線Ａ―Ｂで示した箇所が、図８又は図９の断面図に相当する
。基板８０３は基板端部においてＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）と電気
的に接続する端子接続部１２０５を有する。点線Ｃ―Ｄで示した箇所が、図８又は図９の
端子接続部の断面図に相当する。
【００５９】
まず始めに実施の形態１の図１（ａ）又は図２（ｂ）と同様に、多階調露光技術を用いて
透明導電層８０４並びに金属層８０５、金属層８０６及び金属層８０７を加工する。次に
、その上に一導電性を付与する不純物元素を有する半導体膜、特にｎ＋型半導体層８０８
を形成する。さらに裏面露光技術を用いて、加工された金属層８０５、金属層８０６及び
金属層８０７の上部のみにフォトレジスト８０９を残し、画素ＴＦＴ部８００、保持容量
部８０１、端子接続部８０２をそれぞれ形成する（図８（ａ））。このフォトレジストを
リフロー処理した後にエッチングを施し、ｎ＋型半導体層８０８をソース領域とドレイン
領域に分離する（図８（ｂ））。
【００６０】
さらに、全面にＩ型半導体層８１２を形成した後、通常のフォトマスクを用いて画素ＴＦ
Ｔ部のみフォトレジスト８１３を形成し、ｎ＋型半導体層８０８とＩ型半導体層８１２を
加工して、図８（ｃ）のように形状を得る。この工程において、ｎ＋型半導体層８０８及
びＩ型半導体層８１２はアイランド化する。つまり、ＴＦＴ部以外のｎ＋型半導体層８０
８及びＩ型半導体層８１２は除去する。信号線及び走査線上に半導体層を残していた場合
、デバイスの構造上、光による電流リークやライン間の短絡につながる可能性があるので
、デバイスの信頼性及び産業上の利用可能性を鑑み、このｎ＋型半導体層８０８及びＩ型
半導体層８１２は除去しておくことが望ましい。
【００６１】
その後、ゲート絶縁膜８１４、並びに導電層８１５を形成する。さらに多階調露光技術を
もちいて、二段階の高さ異なる厚みを有するフォトレジスト８１６を形成する。図９（ａ
）には、厚いフォトレジストを８１６ａ、薄いフォトレジストを８１６ｂと表記した。次
に図９（ｂ）のようにアッシング処理を行い、画素ＴＦＴ部８００、保持容量部８０１に
はレジスト８１７を残留させ、端子接続部８０２のフォトレジストはこの過程で完全に除
去する。
【００６２】
その後、レジスト８１７を用いて導電層８１５をエッチングし、ゲート電極８１９を形成
する。そして、保護絶縁膜８１８を全面に形成し、フォトレジストを裏面露光法によって
形成し、リフロー処理後にエッチングすることによって開口領域を形成する（図９（ｃ）
）。ここまでのプロセスによって完成したトップゲート型ＴＦＴ基板の上面図が図１２で
ある。
なお、本実施の形態においては、実施の形態１と同一の材料を用いることができる。
【００６３】
（実施の形態４）
実施の形態１では、非晶質半導体層を用いたＴＦＴを示したが、本発明の実施の形態では
、微結晶半導体層を用いたＴＦＴの例を示す。図１０にその断面図を示す。本実施の形態
では、実施の形態１におけるＩ型半導体層１１０を、微結晶半導体層１１０ａと非晶質半
導体層１１０ｂの積層とする。尚、ここで述べる形態は、実施の形態１から実施の形態３
のいずれにおいても適用が可能である。
【００６４】
微結晶半導体層１１０ａは、チャネルとして機能する。微結晶半導体層１１０ａは、周波
数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上の
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓ
ｉ２Ｈ６などの水素化珪素を水素で希釈して形成する。また水素化珪素及び水素に加え、
ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で
希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水
素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましく
は１００倍とする。なお、水素化珪素の代わりに、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ
Ｃｌ４、ＳｉＦ４等を用いることができる。また、非晶質半導体層１１０ｂは、実施の形
態１に示したＩ型半導体層１１０を用いれば良く、ＴＦＴのオフ電流低減、微結晶半導体
層１１０ａの酸化防止、及び、ソース領域又はドレイン領域形成の際など、バッファ層と
して機能する。
【００６５】
また、実施の形態１におけるｎ＋型半導体層１１１の代わりにｎ＋型の微結晶半導体層（
図示せず）を用いることも可能である。チャネルとソース電極又はドレイン電極間の寄生
抵抗を低く抑えることが可能なため、オン電流の向上が実現出来る。
【００６６】
（実施の形態５）
本発明の半導体装置および電子機器として、テレビ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴ
ーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響
再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、
ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子
書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉ
ｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを
備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図１３および図１４に示す。
【００６７】
図１３（ａ）はデジタルカメラであり、本体２０００、表示部２００１、撮像部、操作キ
ー２００２、シャッターボタン２００３等を含む。なお、図１３（ａ）は表示部２００１
側からの図であり、撮像部は示していない。本発明によって、より安価な表示部を有し、
且つ、信頼性の高いデジタルカメラが実現できる。
【００６８】
図１３（ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２００４、筐体２００５、
表示部２００６、キーボード２００７、外部接続ポート２００８、ポインティングデバイ
ス２００９等を含む。本発明によって、より安価な表示部を有し、且つ、信頼性の高いノ
ート型パーソナルコンピュータを実現することができる。
【００６９】
図１３（ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置等）
であり、本体２０１０、筐体２０１１、表示部Ａ２０１２、表示部Ｂ２０１３、記録媒体
（ＤＶＤ等）読込部２０１４、操作キー２０１５、スピーカ部２０１６等を含む。表示部
Ａ２０１２は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２０１３は主として文字情報を表示す
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明
によって、より安価な表示部を有し、且つ、信頼性の高い画像再生装置を実現することが
できる。
【００７０】
また、図１３（ｄ）は表示装置であり、筐体２０１７、支持台２０１８、表示部２０１９
、スピーカ２０２０、ビデオ入力端子２０２１などを含む。この表示装置は、上述した実
施の形態で示した作製方法により形成したＴＦＴをその表示部２０１９および駆動回路に
用いることにより作製される。なお、表示装置には液晶表示装置、発光装置などがあり、
具体的にはコンピュータ用、テレビ受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置
が含まれる。本発明によって、より安価な表示部を有し、且つ、信頼性の高い表示装置、
特に２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置を実現することができる。
【００７１】
また、図１４で示す携帯電話機３０００は、操作スイッチ類３００４、マイクロフォン３
００５などが備えられた本体（Ａ）３００１と、表示パネル（Ａ）３００８、表示パネル
（Ｂ）３００９、スピーカ３００６等が備えられた本体（Ｂ）３００２とが、蝶番３０１
０で開閉可能に連結されている。表示パネル（Ａ）３００８と表示パネル（Ｂ）３００９
は、回路基板３００７と共に本体（Ｂ）３００２の筐体３００３の中に収納される。表示
パネル（Ａ）３００８および表示パネル（Ｂ）３００９の画素部は筐体３００３に形成さ
れた開口窓から視認できるように配置される。
【００７２】
表示パネル（Ａ）３００８と表示パネル（Ｂ）３００９は、その携帯電話機３０００の機
能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パネル（Ａ）３
００８を主画面とし、表示パネル（Ｂ）３００９を副画面として組み合わせることができ
る。
【００７３】
本発明によって、より安価な表示部を有し、且つ、信頼性の高い携帯情報端末を実現する
ことができる。
【００７４】
本実施の形態に係る携帯電話機３０００は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変
容し得る。例えば、蝶番３０１０の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話
機としても良い。また、操作スイッチ類３００４、表示パネル（Ａ）３００８、表示パネ
ル（Ｂ）３００９を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏すること
ができる。また、表示部を複数個、備えた情報表示端末に本実施の形態の構成を適用して
も、同様な効果を得ることができる。
【００７５】
以上の様に、本発明を実施する、実施の形態１乃至４のいずれか一の作製方法を用いて、
様々な電子機器を完成させることができる。
【符号の説明】
【００７６】
１００  基板
１０１  透明導電層
１０２  金属層
１０３、１０４  フォトレジスト
１０５  画素電極
１０６  コンタクトホール
１０７  ゲート電極
１０８  保持容量部の下部電極
１０９  ゲート絶縁膜
１１０  Ｉ型半導体層
１１０ａ  微結晶半導体層
１１０ｂ  非晶質半導体層
１１１  ｎ＋型半導体層
１１２、１１４  フォトレジスト
１１３ａ、１１３ｂ  コンタクトホール
１１５  アイランド
１１６  第二の導電層
１１７  フォトレジスト
１１８  ソース電極
１１９  ドレイン電極
１２０  保持容量部の上部電極
１２１  ソース領域
１２２  ドレイン領域
１２３  保護絶縁膜
１２４  フォトレジスト
１２５  開口領域
１２６  ＦＰＣとのコンタクトホール
１２７、１２８  外部端子への配線
２０１  第一の多階調マスク
２０２  第二の多階調マスク
２０１ａ、２０２ａ  遮光部
２０１ｂ、２０２ｂ  半透過部
５００  対向基板
５０１  ブラックマトリクス
５０２  カラーフィルター
５０３  平坦化膜
５０４  対向電極
５０５  スペーサー
５０６  シール材
５０７  導電性粒子
５０８  樹脂接着剤
５０９  ＦＰＣ
６０１、６０２  フォトレジスト
６０３  開口領域
８００  画素ＴＦＴ部
８０１  保持容量部
８０２  端子接続部
８０３  基板
８０４  透明導電層
８０５、８０６、８０７  金属層
８０８  ｎ＋型半導体層
８０９、８１０  フォトレジスト
８１１  画素電極
８１２  Ｉ型半導体層
８１３、８１６、８１７  フォトレジスト
８１４  ゲート絶縁膜
８１５  導電層
８１８  保護絶縁膜
８１９  ゲート電極
１１０１、１２０１  走査線
１１０２、１２０２  信号線
１１０３、１２０３  ＴＦＴ
１１０４、１２０４  保持容量
１１０５、１２０５  端子接続部
【図１】
0005595569.tif 000002
【図２】
0005595569.tif 000003
【図３】
0005595569.tif 000004
【図４】
0005595569.tif 000005
【図５】
0005595569.tif 000006
【図６】
0005595569.tif 000007
【図７】
0005595569.tif 000008
【図８】
0005595569.tif 000009
【図９】
0005595569.tif 000010
【図１０】
0005595569.tif 000011
【図１１】
0005595569.tif 000012
【図１２】
0005595569.tif 000013
【図１３】
0005595569.tif 000014
【図１４】
0005595569.tif 000015