(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブピンと、
前記プローブピンの先端部を接触させる電極パッドが設けられた測定対象物が設置される台座部と、
前記プローブピンと前記測定対象物の少なくとも一方を往復振動させる振動発生部と、
前記プローブピンの先端部が前記台座部に設置された前記測定対象物に接触したときの前記プローブピンと前記電極パッドとの間の導通状態を計測する導通状態計測部と、
前記導通状態の値に基づいて、前記値が予め設定されたしきい値を越えた場合に、前記振動発生部による往復振動を停止させる制御部と、
を備え、
前記振動発生部は、前記プローブピンの先端部を前記台座部上で前記測定対象物に相対的に摺動させる往復振動を発生させ、
前記導通状態計測部は、前記振動発生部が発生させる往復振動の振幅中央において前記導通状態の値を取得するプローバ装置。
【請求項２】
前記導通状態計測部によって計測される値は、前記プローブピンと前記測定対象物との電気抵抗値又は電気抵抗値と相関関係を有する値である請求項１記載のプローバ装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記振動発生部による往復振動を停止させるときに、前記振動発生部による振動の振幅を徐々に小さくする制御を行う請求項１又は２記載のプローバ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記プローブピンが前記測定対象物に接触する以前に前記振動発生部による振動を開始する請求項１乃至３のいずれか一項記載のプローバ装置。
【請求項５】
台座部上に設置された測定対象物が備える電極パッドとプローブピンとを接触させて前記プローブピンと前記測定対象物の少なくとも一方を振動させつつ、
前記振動の振幅中央において前記プローブピンと前記電極パッドとの間の導通状態を計測し、
前記導通状態の値に基づいて、前記値が予め設定されたしきい値を越えた場合に、前記振動を停止させ、
その後、前記プローブピンを用いた測定対象物の測定を行うプローブ測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、プローバ装置及びプローブ測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ上に形成された半導体集積回路の回路動作や特性を測定するためのプローバ装置が種々知られている。このようなプローバ装置は、一般的に測定対象物となる半導体集積回路に設けられた電極パッドにプローブピンの先端部を接触させて、各種の測定を行う。このとき、電極パッドに表面酸化膜が形成されていることがある。プローブピンは、この表面酸化膜を貫通しなければ、プローブピンと電極パッドとの導通状態が確保できず、測定のための信号経路が形成されない。
【０００３】
従来、電極パッドの表面上の誘電体層を貫通して信号経路を形成する集積回路用プローブカードが知られている。具体的に、プローブピンを振動させてくぼみを形成し、次いで弱い増速駆動でプローブピンを電極パッドに接触させて信号経路を形成する集積回路用プローブカードが知られている（例えば、特許文献１）。このような集積回路用プローブカードは、電極パッドに表面酸化膜が形成されている場合にも適用することができると考えられる。
【０００４】
また、被試験ウェハに微小な超音波振動を与え、探針に装着した超音波ピックアップによって探針とウェハとの接触を検出するプローバ装置が知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−９３５７４号公報
【特許文献２】特開平１−１７１２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記のような集積回路用プローブカードは、振動により表面酸化膜にくぼみを設けた後、さらに、そのくぼみにプローブピンを押し込むことによって信号経路の電気的な接続を獲得する。このため、電極パッドに必要以上に深い傷、広い傷を付けてしまうおそれがある。また、プローブピンを押し込む動作を伴うことから、集積回路上の配線にダメージを与えてしまうおそれもある。さらに、前記のようなプローバ装置は、プローブピン（探針）とウェハとの接触状態を把握することはできるが、電極パッドの表面酸化膜が破壊され、プローブピンとウェハ（測定対象物）との導通が確保されたか否かの確認は困難である。
【０００７】
そこで、本明細書開示のプローバ装置及びプローブ測定方法は、プローブピンと測定対象物との導通状態を確保しつつ、測定対象物の過度の損傷を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書開示のプローバ装置は、プローブピンと、前記プローブピンの先端部を接触させる電極パッドが設けられた測定対象物が設置される台座部と、前記プローブピンと前記測定対象物の少なくとも一方を往復振動させる振動発生部と、前記プローブピンの先端部が前記台座部に設置された前記測定対象物に接触したときの前記プローブピンと前記電極パッドとの間の導通状態を計測する導通状態計測部と、前記導通状態の値に基づいて、前記値が予め設定されたしきい値を越えた場合に、前記振動発生部による往復振動を停止させる制御部と、を備え、前記振動発生部は、前記プローブピンの先端部を前記台座部上で前記測定対象物に相対的に摺動させる往復振動を発生させ、前記導通状態計測部は、前記振動発生部が発生させる往復振動の振幅中央において前記導通状態の値を取得する。
【０００９】
また、本明細書開示のプローブ測定方法は、台座部上に設置された測定対象物が備える電極パッドとプローブピンとを接触させて前記プローブピンと前記測定対象物の少なくとも一方を振動させつつ、前記振動の振幅中央において前記プローブピンと前記電極パッドとの間の導通状態を計測し、前記導通状態の値に基づいて、前記値が予め設定されたしきい値を越えた場合に、前記振動を停止させ、その後、前記プローブピンを用いた測定対象物の測定を行う。
【００１０】
プローブピンの先端部と測定対象物部の少なくともいずれか一方を振動させ、両者を相対的に摺動する状態としつつ、プローブピンと電極パッドとの導通状態を監視する。そして、プローブピンと電極パッドとの導通が確認されたときは、即座に振動を停止する。これにより、測定対象物の過度の損傷を抑制することができる。プローブピンと電極パッドとの導通が確認された後は、測定対象物に対する各種測定を行う。
【発明の効果】
【００１１】
本明細書開示のプローバ装置、プローブ測定方法によれば、プローブピンと測定対象物との導通状態を確保しつつ、測定対象物の過度の損傷を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施例１のプローバ装置の一例を示す概念図である。
【図２】図２は、プローバ装置が備える検出回路の一例を示すブロック図である。
【図３】図３は、振動発生部が発生させる正弦波の一例を示す説明図である。
【図４】図４は、プローブピンが電極パッドに接触して摺動するときのエネルギ状態の説明図である。
【図５】図５は、実施例１のプローバ装置における制御の一例を示すフロー図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、表面酸化膜が破壊される様子を時系列的に示す説明図である。
【図７】図７は、実施例１のプローバ装置において発信される信号及び観測される信号の一例を示す説明図である。
【図８】図８は、実施例２のプローバ装置における制御の一例を示すフロー図である。
【図９】図９は、実施例２のプローバ装置において発信される信号及び観測される信号の一例を示す説明図である。
【図１０】図１０は、プローブピン側を振動させる例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては細部が省略されて描かれている場合もある。
【実施例１】
【００１４】
図１は、実施例１のプローバ装置１００の一例を示す概念図である。図１は、プローバ装置１００を側方から見た状態を模式的に示している。図２は、プローバ装置１００が備える導通状態計測部の一例である検出回路部１０８を示すブロック図である。
【００１５】
プローバ装置１００は、測定対象物が設置されるステージ１０１を備えている。測定対象物は、例えば、電極パッド１１１ａが設けられた半導体ウェハ１１１である。電極パッド１１１ａには、のちに詳述するように、プローブピン１０５の先端部１０５ａを接触させる。ステージ１０１は、ＸＹＺの方向に移動することができる。このステージ１０１は、台座部の一例である。この例では、ステージ１０１上に振動発生部１０２が設けられており、この振動発生部１０２上に測定対象物が設置されて測定対象物に往復振動が付与される。振動発生部１０２は、後述するプローブピン１０５の先端部１０５ａをステージ１０１上で半導体ウェハ１１１に相対的に摺動させる往復振動を発生させる。具体的には、図３に示すような正弦波（又は余弦波）による振動を付与する。
【００１６】
ステージ１０１の上方には、プローブカード取付台１０４が設けられている。プローブカード取付台１０４に装着されたプローブカード１０３は、複数のプローブピン１０５を備えている。各プローブピン１０５の先端部１０５ａは、ステージ１０１上に設置された測定対象物が備える電極パッド１１１ａと接触できるようにプローブカード１０３の中心側に位置している。プローブカード１０３には、測定機器１０６が電気的に接続されている。測定機器１０６は、後述する制御部１０９に電気的に接続されている。
【００１７】
プローバ装置１００は、振動発振器１０７、検出回路部１０８、制御部１０９を備える。振動発振器１０７は、振動発生部１０２と電気的に接続されている。また、振動発振器１０７は、検出回路部１０８及び制御部１０９と電気的に接続されている。
【００１８】
検出回路部１０８は、上述のように導通状態計測部の一例である。検出回路部１０８は、プローブピン１０５の先端部１０５ａがステージ１０１上に設置された測定対象物に接触したときのプローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通状態の値（導通状態を判定するための値）を計測し、取得する。すなわち、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通状態を計測する。検出回路部１０８が取得する値（導通状態の値）は、プローブピン１０５と測定対象物（電極パッド１１１ａ）との電気抵抗値Ｒである。なお、電気抵抗値Ｒと相関関係を有する値、すなわち、Ｖ＝ＩＲの関係式で表現される電圧値Ｖや電流値Ｉを取得するようにしてもよい。要は、前記の導通状態を判定することができるものであればどのようなものであってもよい。検出回路部１０８は、上記のように振動発振器１０７と電気的に接続されており、振動発振器１０７から同期信号を受け取る。また、検出回路部１０８は、制御部１０９と電気的に接続されている。
【００１９】
検出回路部１０８のブロック図を図２に示す。検出回路部１０８は、抵抗測定回路１０８ａを備えている。抵抗測定回路１０８ａは、検出信号に基づいて電気抵抗値Ｒを算出し、算出した抵抗値を制御部１０９へ出力する。本実施例における検出回路部１０８は、遅延回路１０８ｂを備えている。この遅延回路１０８ｂは、のちに詳述するように、抵抗値測定のタイミングを振動発生部１０２の振動と同期させるために設けられており、振動発振器１０７が発する同期信号に基づいて抵抗値測定のタイミングを算出する。抵抗値測定回路１０８ａは、遅延回路１０８ｂが算出したタイミングに基づいて抵抗値を測定する。具体的に、検出回路部１０８は、振動発振器１０７が発生させる振動発生部１０２の正弦波による往復振動の振幅中央Ｃにおいて電気抵抗値Ｒを取得する。
【００２０】
ここで、振動発振器１０７が振動発生部１０２に付与する正弦波と、検出回路部１０８が電気抵抗値Ｒを測定するタイミングについて説明する。図３は、振動発生部１０２が発生させる正弦波の一例を示す説明図である。正弦波は、±Ａずつ、合計２Ａの振幅を有している。また、周期はＴ（秒）、周波数はｆ（Ｈｚ）である。このような正弦波は、図３中、参照符号ａ１で示す点で速度ｖが０となる。同様に図３中、参照符号ａ２で示す点でも速度ｖが０となる。一方、参照番号ａ３で示す点で速度は最大ｖｍａｘとなる。
【００２１】
図４は、プローブピン１０５が電極パッド１１１ａに接触して摺動するときのエネルギ状態の説明図である。具体的には、プローブピン１０５の振動エネルギによって電極パッド１１１ａに形成された表面酸化膜１１２を破壊する様子について説明するものである。なお、本実施例では、実際には振動発生部１０２が振動するが、プローブピン１０５は、振動発生部１０２上に設置された半導体ウェハ１１１の電極パッド１１１ａに接触する。このため、プローブピン１０５は、電極パッド１１１ａに対して、摺動するように振動することになる。
【００２２】
このようなプローブピン１０５の電極パッド１１１ａに対する押圧荷重をＰとする。また、プローブピン１０５の先端部１０５ａと表面酸化膜１１２との摩擦係数をμとする。そして、振動発生部１０２の振動の速度、すなわち、プローブピン１０５の振動の速度をｖ（＝２πｆ）とする。すると、プローブピン１０５の振動エネルギＥは、
Ｅ＝μＰｖ        式１
となる。
【００２３】
上記式１において、速度ｖが変化すれば、その変化に伴って振動エネルギが変化する。ここで、上述したように、図３において、参照番号ａ３を付した点、すなわち、振幅中央Ｃにおいて最も速度ｖが大きく、振動エネルギが大きいことになる。従って、振幅中央Ｃの表面酸化膜１１２がプローブピン１０５の先端部１０５ａによって最も早く、最も深く切削される。この振幅中央Ｃは、振動発生部１０２が振動していない状態のときの、プローブピン１０５の先端部１０５ａの直下に位置している。
【００２４】
検出回路部１０８は、表面酸化膜１１２が最も早く、最も深く切削される箇所において電気抵抗値Ｒを測定する。すなわち、検出回路部１０８は、プローブピン１０５の先端部１０５ａが振幅中央Ｃにおいて電気抵抗値Ｒを測定する。これにより、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通状態を確保しつつ、電極パッド１１１ａを含む半導体ウェハ１１１の過度の損傷を抑制することができる。すなわち、表面酸化膜１１２が破壊されたと判断できる終点を適切に検出するため、過度の損傷を抑制することができる。また、測定機器１０６による測定も、表面酸化膜１１２が最も早く、最も深く切削された振幅中央Ｃで行うようにする。
【００２５】
プローバ装置１００は、検出回路部１０８を検出状態に切り替える切替スイッチ（ＳＷ）１１０を備えている。この切替ＳＷ１１０がオン状態となると、プローブピン１０５と半導体ウェハ１１１に設けられた電極パッド１１１ａとの間の電気抵抗値Ｒを測定できるようになる。
【００２６】
制御部１０９は、検出回路部１０８で計測し、取得した電気抵抗値Ｒに基づいて、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとが導通状態となったか否かを判断する。具体的には、制御部１０９は、予め設定されたしきい値を記憶しており、このしきい値と電気抵抗値Ｒとを比較する。この比較の結果、電気抵抗値Ｒがしきい値を越え、導通状態となったか否かの判断を行う。そして、制御部１０９は、導通状態となったと判断する場合に、振動発振器１０７による往復振動を停止させる。ここで、制御部１０９は、振動発振器１０７による往復振動を停止させるときに、振動発振器１０７による振動発生部１０２の振動の振幅を徐々に小さくする制御を行う。そして、最終的に振幅中央Ｃに収束させ、そのまま測定機器１０６による測定を行うようにすることができる。
【００２７】
なお、電気抵抗値Ｒの場合、値が予め設定されたしきい値を越えるとは、電気抵抗値Ｒがしきい値よりも小さい値となることを意味する。値として電流値Ｉを用いる場合は、電流値Ｉがしきい値よりも大きい値となることを意味する。値として電圧値Ｖを用いる場合は、電圧値Ｖがしきい値よりも小さい値となることを意味する。
【００２８】
つぎに、図５乃至７を参照しつつプローバ装置１００の制御の一例（プローブ測定方法）を示す。図５は、プローバ装置１００の制御の一例を示すフロー図である。図６（Ａ）〜（Ｃ）は、表面酸化膜１１２が破壊される様子を時系列的に示す説明図である。図７は、ローブ装置１００において発信される信号及び観測される信号の一例を示す説明図である。
【００２９】
プローバ装置１００は、制御部１０９によってその動作の制御が行われる。まず、測定対象物である半導体ウェハ１１１をステージ１０１上に設けられた振動発生部１０２上に載置する。そして、プローバ装置１００は、まず、ステップＳ１において、プローブピン１０５を半導体ウェハ１１１の電極パッド１１１ａにコンタクトさせる。なお、このとき、制御部１０９は、プローブピン１０５が半導体ウェハ１１１の電極パッド１１１ａに接触する以前に振動発生部１０２による振動を開始しておいてもよい。すなわち、後述するステップＳ２、Ｓ３の処理の後にステップＳ１の処理を行うようにしてもよい。このように予め振動を開始しておくことにより、プローブピン１０５の電極パッド１１１ａに対する荷重、振動が一か所に集中してしまうことを抑制することができる。これにより、滑らかにプローブピン１０５と電極パッド１１１ａ（表面酸化膜１１２）とを相互に摺動した状態へと移行させることができる。これにより、測定対象物たる半導体ウェハ１１１の過度の損傷を抑制することができる。
【００３０】
ステップ１におけるコンタクト動作についで、ステップＳ２において、切替スイッチ（ＳＷ）１１０をオン状態に切り替える。これにより、プローバ装置１００における電気抵抗値Ｒを測定できる状態となる。
【００３１】
つぎに、ステップＳ３において、制御部１０９は、振動発振器１０７に指令を発し、振動発生部１０２において、振動を発生させる。なお、上述のように、予め振動を発生させておいてもよい。
【００３２】
振動が開始されると、図６（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、表面酸化膜１１２がプローブピン１０５によって徐々に切削される。すなわち、図６（Ａ）に示すように表面酸化膜１１２が削られていない状態から、図６（Ｂ）に示すように振幅中央Ｃの近傍から順に深く切削される。そして、最終的に図６（Ｃ）に示すように、振幅中央Ｃの近傍において表面酸化膜１１２が切削されて電極パッド１１１ａの表面が露出する。図６（Ｃ）に示すような状態となれば、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通が確保される。このように、振動発生部１０２が振動することにより、プローブピン１０５と表面酸化膜１１２とは、摺動状態となるが、この間にステップＳ４の電気抵抗値Ｒの取得を行う。すなわち、振動と同期させて、電気抵抗値Ｒの取得を行う。
【００３３】
ここで、図７を参照しつつ、振動と電気抵抗値Ｒの取得との同期について説明する。図７中、（ａ）は、振動波形の同期信号を示している。（ｂ）は、電気抵抗値Ｒの取得信号を示している。（ｃ）は、検出された電気抵抗値Ｒを示している。（ｄ）は、しきい値を示している。（ｅ）は、終了信号を示している。
【００３４】
（ａ）に示す同期信号は、正弦波が−(マイナス)側から＋（プラス）側へ移行する時点で発信される。そして、（ｂ）に示す取得信号は、同期信号の発信から半周期だけ遅延させて発せられる。このような信号の遅延は、図２に示す遅延回路１０８ｂによって算出される。このようにして取得信号は、正弦波の振幅中央Ｃとなるときに発せられるようになる。取得信号が発せられると、そのタイミングで時間ｇの間に電気抵抗値Ｒが測定され、取得される。
【００３５】
そして、ステップＳ５において、（ｃ）で示される電気抵抗値Ｒは、（ｄ）でしめされるしきい値と比較される。ステップＳ５において、Ｎｏと判断したときは、ステップＳ４に戻り、再びステップＳ５の判断を行う。すなわち、電気抵抗値Ｒとしきい値との比較を行う。
【００３６】
プローブピン１０５の往復振動が継続されると、表面酸化膜１１２は徐々に切削され、除去される。そして、この間、ステップＳ４、ステップＳ５の処理を繰り返す。すると、図７中、参照符号Ｘ１を付して示すように、電気抵抗値Ｒがしきい値よりも小さい値を示すようになる。このように、電気抵抗値Ｒがしきい値よりも小さい値となったら、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとが導通状態となったと判断され、（ｅ）で示す終了信号が発せられる。このとき、ステップＳ５においてＹｅｓと判断されることになる。
【００３７】
終了信号が発せられたら、ステップＳ６において振動を停止させる。このとき、振動発生部１０２よる振動の振幅を徐々に小さくする。そして、最終的には、プローブピン１０５の先端分１０５ａを振幅中央Ｃに収束させる。これは、振幅中央Ｃの近傍の表面酸化膜１１２が最も深く切削された状態となっており、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通が確保し易いことを考慮したものである。仮に、急激に振動を停止させると、プローブピン１０５は、その慣性力によって振幅中央Ｃ以外の位置に停止してしまうおそれが高まる。振動の振幅を徐々に小さくすることにより、スムーズにプローブピン１０５の先端部１０５ａを振幅中央Ｃに収束させることができる。
【００３８】
ステップＳ６における振動停止が完了した後は、ステップＳ７に進む。ステップＳ７では、切替スイッチ（ＳＷ）１１０をオフに切り替える。そして、ステップＳ８へ進む。ステップＳ８では、測定機器１０６による半導体ウェハ１１１の各種測定、試験が行われる。
【００３９】
以上説明したようなプローバ装置を用い、プローブ測定方法を実施することにより、プローブピン１０５と測定対象物である半導体ウェハ１１１（電極パッド１１１ａ）との導通状態を確保しつつ、半導体ウェハ１１１（電極パッド１１１ａ）の過度の損傷を抑制することができる。
【実施例２】
【００４０】
つぎに、実施例２について、図８を参照しつつ説明する。実施例におけるプローバ装置１００の概略構成は、実施例１の場合と同様である。従って、プローバ装置１００の構成についての詳細な説明は省略する。実施例１と実施例２とが異なるのは、制御部１０９が行う制御である。
【００４１】
ステップＳ１１〜Ｓ１３は実施例１について説明した図５におけるステップＳ１〜Ｓ３と同様の措置であるで、その詳細な説明は省略する。また、ステップＳ１４における第一回目電気抵抗値取得との措置は、実施例１におけるステップＳ４における措置と同様である。すなわち、図７を参照しつつ説明したように、振動と同期させて電気抵抗値Ｒを取得する。ステップＳ１４で電気抵抗値Ｒを取得した後は、ステップＳ５と同様に電気抵抗値Ｒとしきい値との比較を行う。ステップＳ１５でＮｏと判断したときは、ステップＳ１４へ戻る。ステップＳ１５でＹｅｓと判断したときは、ステップＳ１６へ進む。このステップＳ１６の措置は、ステップＳ６における措置と同様であるのでその詳細な説明は省略する。
【００４２】
ステップＳ１６の措置が終了した後は、ステップＳ１７に進む。ステップＳ１７では、実施例１とは異なり、第二回目の電気抵抗値Ｒを取得する。このステップＳ１７の第二回目電気抵抗値取得がステップＳ１４の第一回目電気抵抗値取得と異なる点は、以下の如くである。すなわち、ステップＳ１４では、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとが相対的に摺動している状態、振動している状態で電気抵抗値Ｒを取得している。これに対し、ステップＳ１７では、振動が停止した状態で電気抵抗値Ｒを取得している。このように停止した状態で電気抵抗値Ｒを取得することにより、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通状態をより正確に把握することができる。ステップＳ１７で電気抵抗値Ｒを取得した後は、ステップＳ１８でしきい値との比較を行う。その結果、Ｎｏと判断したときは、ステップＳ１３へ戻り、再び、振動による表面酸化膜２の破壊を行って、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通を確保する。一方、ステップＳ１８でＹｅｓと判断したとき、すなわち、プローブピン１０５と電極パッド１１１ａとの導通が確認された後は、ステップＳ１９へ進む。ステップＳ１９の措置は、ステップＳ７の措置と共通するので、その詳細な説明は省略する。そして、ステップＳ２０では、ステップＳ８と同様に、測定機器１０６による半導体ウェハ１１１の各種測定、試験が行われる。
【実施例３】
【００４３】
つぎに、実施例３について、図９を参照しつつ説明する。図９中、（ｆ）は、電気抵抗値Ｒの取得タイミングを示している。（ｇ）は、検出された電気抵抗値Ｒを示している。（ｈ）は、しきい値を示している。（ｉ）は、終了信号を示している。実施例３が、実施例１と異なる点は、以下の如くである。実施例１では、図７で示すように振動の振幅と同期させて電気抵抗値Ｒが取得されている。これに対し、実施例３では、図９に示すように、非常に短い間隔、例えば、実施例１における時間ｇよりも短い間隔で連続的に電気抵抗値Ｒを取得する。
【００４４】
このように短い周期で電気抵抗値Ｒを取得して、これと、しきい値を比較するようにしてもよい。この場合、実施例１のように、同期信号が不要となるので、遅延回路１０８ｂを省略することができる。この場合であっても、参照符号Ｘ２で示すように電気抵抗値Ｒがしきい値を越えたタイミングで終了信号を発し、振動を停止させる。これにより、プローブピン１０５と測定対象物である半導体ウェハ１１１（電極パッド１１１ａ）との導通状態を確保しつつ、半導体ウェハ１１１（電極パッド１１１ａ）の過度の損傷を抑制することができる。
【００４５】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。例えば、上記実施例は、測定対象物を載置するステージ１０１上に振動発生部１０２を設け、測定対象物側を振動させている。これに対し、図１０に示すプローバ装置２００のように、振動発振器１０７をプローブカード１０３へ接続して、プローブピン側を振動させるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１００、２００…プローバ装置
１０１…ステージ
１０２…振動発生部
１０３…プローブカード
１０４…プローブカード取付台
１０５…プローブピン
１０５ａ…先端部
１０６…測定機器
１０７…振動発振器
１０８…検出回路部
１０９…制御部
１１０…切替スイッチ（ＳＷ）
１１１…半導体ウェハ
【図１】
0005497609.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005497609.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005497609.tif 000011