(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の成膜面と重力方向とが平行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により膜を形成する成膜室と；
電圧が印加されるカソードをなしているシャワープレートが両側に配置されたカソードユニットと、前記各シャワープレートのそれぞれに対向かつ離間して配置された一対のアノードと、を有する電極ユニットと；
前記基板を支持し、前記カソードユニットとこれに対向する前記アノードとの間に前記基板を搬送する搬送部と；
を有し、
前記電極ユニットが、前記アノードを前記カソードユニットに対して接近・離間する方向に移動させる駆動部を有し、前記シャワープレートと前記アノードとの離間距離が可変であって、
前記アノードは、前記基板から離間した位置にある状態と、前記基板に当接する位置にある状態とを有する
ことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。
【請求項２】
前記アノードが前記カソードユニットに対して接近する間に、前記基板に前記アノードが当接しながら移動することによって、前記基板の成膜面と前記カソードユニットとの離間距離が制御されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池製造装置。
【請求項３】
前記カソードユニットが、２系統のガス供給路をさらに有し；
前記ガス供給路のそれぞれが、対応する前記各シャワープレートに接続され、前記シャワープレートの一方から放出される成膜ガスの流量や種類が他方とは独立して制御される；
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池製造装置。
【請求項４】
前記カソードユニットの周縁部において、前記成膜ガスを排気する排気ダクトが配されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池製造装置。
【請求項５】
前記搬送部が、前記基板の前記成膜面に当接する第一挟持片と、前記基板の背面に当接する第二挟持片とを有し；
前記第一挟持片と前記第二挟持片とにより前記基板が挟持され；
前記アノードが前記カソードユニットに対して接近する際に、前記第一挟持片が前記第二挟持片から離間し；
前記アノードが前記カソードユニットに対して離間する際に、前記第一挟持片が前記第二挟持片に接近する
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜太陽電池製造装置。
【請求項６】
前記アノードに、前記基板の温度を制御するための温度制御部が内蔵されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池製造装置に関する。
本願は、２００８年６月６日に、日本に出願された特願２００８−１４９９３４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
現在の太陽電池は、単結晶Ｓｉ型および多結晶Ｓｉ型がその大半を占めているが、Ｓｉの材料不足などが懸念されている。そこで、近年では、製造コストが低くて材料不足のリスクが小さい、薄膜Ｓｉ層が形成された薄膜太陽電池の需要が高まっている。さらに、ａ-Ｓｉ（アモルファスシリコン）層のみを有する従来型の薄膜太陽電池に加えて、最近では、ａ-Ｓｉ層とμｃ-Ｓｉ（マイクロクリスタルシリコン）層とを積層することにより、光電変換効率の向上を図ったタンデム型薄膜太陽電池の需要が高まっている。
この薄膜太陽電池の薄膜Ｓｉ層（半導体層）の成膜には、プラズマＣＶＤ装置を用いることが多い。この種のプラズマＣＶＤ装置としては、枚葉式ＰＥ−ＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）装置、インライン型ＰＥ−ＣＶＤ装置、バッチ式ＰＥ−ＣＶＤ装置などが存在する。【０００３】
薄膜太陽電池としての変換効率を考慮すると、上記タンデム型太陽電池のμｃ-Ｓｉ層は、ａ-Ｓｉ層と比較して約５倍程度の膜厚（１．５μｍ程度）を成膜する必要がある。また、μｃ-Ｓｉ層は、良質なマイクロクリスタル膜を均一に形成する必要があるため、成膜速度を速くするにも限界がある。したがって、これを補うべく、バッチ処理数の増加などにより生産性を向上させることが求められている。すなわち、低成膜速度でかつ高スループットを実現できる装置が求められている。【０００４】
また、生産性の向上を図ると共に、大型化する基板にも高精度に成膜可能なＣＶＤ装置として、基板の成膜面が重力方向と略並行を成すように配置された状態で成膜を施す縦型ＣＶＤ装置がある。この縦型ＣＶＤ装置のなかには、基板を支持するための支持壁（ホルダ）が一対垂設されているキャリア（搬送部）を有するものがある。各支持壁は、互いに略並行な状態となるように配設されている。キャリアは、各支持壁に基板を支持した状態で、その面方向に沿って移動し、基板を成膜室内に搬送する。成膜室には、各基板を加熱するためのヒータが設けられている。このヒータは、搬送されてきた一対の基板の間に配設されている。また、成膜室の両側壁には、内面側に高周波電極（カソード）がそれぞれ配設されている。この高周波電極に給電することによって、成膜室に供給される成膜ガスがプラズマ化される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２７０６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板に薄膜Ｓｉ層を成膜する場合、基板と高周波電極との隙間を５〜１５ｍｍ程度の範囲において、任意の間隔（例えば５ｍｍ）に設定する必要がある。
しかしながら、上述の従来技術では、キャリアに垂設された支持壁に基板を支持させ、この状態で成膜室に基板を搬送するので、キャリアのガタなどを考慮すると、基板と高周波電極との隙間を５ｍｍ程度に設定するのが困難である。この隙間が大きくなると、薄膜Ｓｉ層の品質が低下してしまうおそれがある。
また、キャリアによって成膜室に搬送されてきた基板と高周波電極との隙間を５ｍｍ程度に設定できたとしても、この隙間が装置の大きさを考えると微小であるため、成膜室からの基板の出し入れ作業が行い難い。このため、従来では、アノードとなるバックプレートを基板と一体として搬送する場合もあったが、搬送対象が大型化することにより、搬送機構が大型化していた。【０００７】
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、形成される膜の品質向上を図りつつ成膜室からの基板の出し入れを容易にし、生産性を向上させることができる薄膜太陽電池製造装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決して係る目的を達成するために以下の手段を採用した。
（１）本発明の薄膜太陽電池製造装置は、基板の成膜面と重力方向とが平行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により膜を形成する成膜室と；電圧が印加されるカソードをなしているシャワープレートが両側に配置されたカソードユニットと、前記各シャワープレートのそれぞれに対向かつ離間して配置された一対のアノードと、を有する電極ユニットと；前記基板を支持し、前記カソードユニットとこれに対向する前記アノードとの間に前記基板を搬送する搬送部と；を有し、前記電極ユニットが、前記アノードを前記カソードユニットに対して接近・離間する方向に移動させる駆動部を有し、前記シャワープレートと前記アノードとの離間距離が可変であって、前記アノードは、前記基板から離間した位置にある状態と、前記基板に当接する位置にある状態とを有する。
【０００９】
上記（１）に記載の薄膜太陽電池製造装置によれば、成膜室に基板を出し入れする際には、アノードとカソードユニットとの隙間を大きく設定できる。一方、基板の成膜面に膜を形成する際には、アノードとカソードユニットとの隙間を小さく設定し、結果的に基板とカソードユニットとの隙間を小さく、具体的には例えば５ｍｍ程度に設定できる。このため、形成される膜の品質向上を図りつつ、成膜室からの基板の出し入れを容易にし、生産性を向上させることが可能になる。
また、基板を出し入れする際に基板がアノードやカソードユニットに接触して損傷するのを防止できる。【００１０】
上記（１）の場合、カソードが基板の成膜面に対して成膜ガスを供給するシャワープレートに相当する。従ってカソードとシャワープレートとを別個に設ける必要がなくなり、薄膜太陽電池製造装置の簡素化、及び低コスト化が図れる。
【００１１】
また、上記（１）の場合、比較的移動させるのが困難なカソードユニットを２つの基板の間、つまり、成膜室の略中央に配設する一方、比較的移動させるのが容易なアノードを２つの基板の外側、つまり、成膜室の側面寄りに配置している。そして、アノードを駆動部により移動可能とすることで、基板とカソードユニットとの離間距離を制御している。このため、カソードユニットを移動させる場合と比較して、薄膜太陽電池製造装置の複雑化を抑えることができ、この装置の製造コストを低減できる。
【００１２】
（２）前記アノードが前記カソードユニットに対して接近する間に、前記基板に前記アノードが当接しながら移動することによって、前記基板の成膜面と前記カソードユニットとの離間距離が制御されてもよい。
【００１３】
上記（２）の場合、基板搬送時には基板とアノードとが分離され、アノードを搬送することなく基板を搬送できる。また、基板の成膜面に膜を形成する際に、アノードと基板との間に何ら介在させないようにできる。このため、基板とアノードとの間で効率よく熱交換を行える。
【００１８】
（３）前記カソードユニットが、２系統のガス供給路をさらに有し；前記ガス供給路のそれぞれが、対応する前記各シャワープレートに接続され、前記シャワープレートの一方から放出される成膜ガスの流量や種類が他方とは独立して制御されてもよい。
【００１９】
上記（３）の場合、薄膜太陽電池製造装置の使用状況に応じて各々シャワープレートから放出される成膜ガスを独立して制御できる。そのため、各カソードユニットとアノードとの間に配された基板に形成される膜の品質に差が表れるのを防止できる。また、各カソードユニットとアノードとの間に配された基板に、それぞれ異なる被膜を形成することも可能になり、成膜方法のバリエーションを増大させることができる。
【００２０】
（４）前記カソードユニットの周縁部において、前記成膜ガスを排気する排気ダクトが配されてもよい。
【００２１】
上記（４）の場合、基板の全周から成膜ガス（排ガス）を排気できる。このため、排気効率を向上させられる。
また、排気ダクトを用いて排気させることで、例えば、基板の成膜面に膜を形成する際に発生した反応副生成物（パウダー）なども、容易に回収できる。この場合、排気ダクトの内壁に反応副生成物（パウダー）を付着・堆積させることで、反応副生成物（パウダー）を含まない比較的クリーンな成膜ガスを排気させることが可能になる。
【００２２】
（５）前記搬送部が、前記基板の前記成膜面に当接する第一挟持片と、前記基板の背面に当接する第二挟持片とを有し；
前記第一挟持片と前記第二挟持片とにより前記基板が挟持され；
前記アノードが前記カソードユニットに対して接近する際に、前記第一挟持片が前記第二挟持片から離間し；
前記アノードが前記カソードユニットに対して離間する際に、前記第一挟持片が前記第二挟持片に接近する構成としてもよい。
【００２３】
上記（５）の場合、アノードの移動に伴って、容易に基板をカソードユニットに対して接近・離間させることができる。
【００２４】
（６）上記（１）に記載の薄膜太陽電池製造装置では、前記アノードに、前記基板の温度を制御するための温度制御部が内蔵されてもよい。
【００２５】
上記（６）の場合、基板の温度を効率よく制御することが可能になる。より具体的には、基板を効率的に加熱するだけでなく、長時間の成膜処理作業に伴って基板が温まりすぎた場合などにおいて、アノードを基板の放熱媒体として用いることも可能になる。このため、成膜処理作業の時間経過に関わらず基板を所望の温度に一定に保つことが可能になり、より高品質な成膜を施すことができる。
【発明の効果】
【００２６】
上記（１）に記載の薄膜太陽電池製造装置によれば、前記アノードと前記カソードとの離間距離を制御できるので、成膜室に基板を出し入れする際には、アノードとカソードユニットとの隙間を大きく設定できる。一方、基板の成膜面に膜を形成する際には、アノードとカソードユニットとの隙間を小さく設定し、結果的に基板とカソードユニットとの隙間を小さく、具体的には例えば５ｍｍ程度に設定できる。このため、形成される膜の品質向上を図りつつ、成膜室からの基板の出し入れを容易にし、生産性を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の薄膜太陽電池製造装置で製造される薄膜太陽電池の一例を示した概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置の概略平面図である。
【図３Ａ】本実施形態の成膜室の斜視図である。
【図３Ｂ】同成膜室を別の角度から見た場合の斜視図である。
【図３Ｃ】同成膜室の側面図である。
【図４Ａ】本実施形態の電極ユニットの斜視図である。
【図４Ｂ】同電極ユニットを別の角度から見た場合の斜視図である。
【図４Ｃ】同電極ユニットの変形例を示す図であって、その一部を分解した斜視図である。
【図４Ｄ】本実施形態の電極ユニットのカソードユニットおよびアノードユニットの部分断面図である。
【図５Ａ】本実施形態の仕込・取出室の斜視図である。
【図５Ｂ】同仕込・取出室を別の角度から見た場合の斜視図である。
【図６】本実施形態のプッシュ−プル機構の概略構成図である。
【図７Ａ】本実施形態の基板脱着室の概略構成を示す斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ａにおける正面図である。
【図８】本実施形態の基板収容カセットの斜視図である。
【図９】本実施形態のキャリアの斜視図である。
【図１０】上記薄膜太陽電池製造装置を用いた本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１）である。
【図１１】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（２）である。
【図１２】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（３）である。
【図１３】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（４）である。
【図１４】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（５）である。
【図１５Ａ】本実施形態のプッシュ−プル機構の動きを示す説明図である。
【図１５Ｂ】本実施形態のプッシュ−プル機構の動きを示す説明図である。
【図１６】上記薄膜太陽電池製造装置を用いた薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（６）である。
【図１７】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（７）である。
【図１８】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（８）であり、基板が電極ユニットに挿入されたときの概略断面図である。
【図１９】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（９）である。
【図２０】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（１０）である。
【図２１】同太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（１１）であり、基板が電極ユニットにセットされたときの部分断面図である。
【図２２】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（１２）である。
【図２３】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（１３）である。
【図２４】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（１４）である。
【図２５】同薄膜太陽電池の製造方法の続きの過程を示す説明図（１５）である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置について、図１〜図２５に基づいて説明する。
（薄膜太陽電池）
図１は、本発明の薄膜太陽電池製造装置で製造される薄膜太陽電池１００の一例を、模式的に示した断面図である。図１に示すように、薄膜太陽電池１００は、その表面を構成する基板Ｗ（例えばガラス基板など）と；この基板Ｗ上に設けられた透明導電膜からなる上部電極１０１と；アモルファスシリコンからなるトップセル１０２と；このトップセル１０２と後述するボトムセル１０４との間に設けられた透明導電膜からなる中間電極１０３と；マイクロクリスタルシリコンからなるボトムセル１０４と；透明導電膜からなるバッファ層１０５と；金属膜からなる裏面電極１０６と；が積層して構成されている。つまり、薄膜太陽電池１００は、アモルファスシリコン／マイクロクリスタルシリコンタンデム型太陽電池である。このようなタンデム構造の薄膜太陽電池１００では、短波長光をトップセル１０２で吸収するとともに、長波長光をボトムセル１０４で吸収することで、発電効率の向上を図ることができる。
【００２９】
トップセル１０２は、ｐ層（１０２ｐ）、ｉ層（１０２ｉ）、ｎ層（１０２ｎ）の３層構造をなし、それぞれがアモルファスシリコンで形成されている。ボトムセル１０４は、ｐ層（１０４ｐ）、ｉ層（１０４ｉ）、ｎ層（１０４ｎ）の３層構造をなし、それぞれが、マイクロクリスタルシリコンで構成されている。
【００３０】
このような構成を有する薄膜太陽電池１００では、太陽光に含まれる光子というエネルギー粒子がｉ層に当たると、光起電力効果により、電子と正孔（ｈｏｌｅ）とが発生し、電子はｎ層へ向かって移動するとともに、正孔はｐ層に向かって移動する。この、光起電力効果により発生した電子/正孔を上部電極１０１と裏面電極１０６とから取り出すことで、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。
【００３１】
トップセル１０２とボトムセル１０４との間に中間電極１０３を設けることにより、トップセル１０２を通過してボトムセル１０４に到達する光の一部が、中間電極１０３で反射して再びトップセル１０２側に入射する。そのため、セルの感度特性が向上し、発電効率の向上が図れる。
【００３２】
また、基板Ｗ側から入射した太陽光は、各層を通過した後、裏面電極１０６で反射される。本実施形態の薄膜太陽電池１００では、光エネルギーの変換効率を向上させるために、上部電極１０１に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と光の閉じ込め効果とを目的としたテクスチャ構造が採用されている。
【００３３】
（薄膜太陽電池製造装置）
図２は、本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置の概略平面図である。図２に示すように、この薄膜太陽電池製造装置１０は、複数の基板Ｗに対してマイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル１０４（半導体層）を同時に成膜可能な成膜室１１と；この成膜室１１に搬入される成膜処理前基板Ｗ１（基板Ｗ）、及び成膜室１１から搬出された成膜処理後基板Ｗ２（基板Ｗ）を同時に収容可能な仕込・取出室１３と；成膜処理前基板Ｗ１および成膜処理後基板Ｗ２をキャリア（搬送部）２１（図９参照）に脱着する基板脱着室１５と；基板Ｗをキャリア２１から脱着するための基板脱着ロボット１７と；基板Ｗを別の処理室に搬送するために収容する基板収容カセット１９と；を備えている。本実施形態では、成膜室１１、仕込・取出室１３および基板脱着室１５で構成される基板成膜ライン１６が、４つ設けられている。基板脱着ロボット１７は、床面に敷設されたレール１８上を移動できるようになっている。これにより、全ての基板成膜ライン１６への基板Ｗの受け渡しを、１台の基板脱着ロボット１７で行えるようになっている。さらに、成膜室１１と仕込・取出室１３とが一体化して基板成膜モジュール１４を構成しており、トラックに積載可能な大きさを有している。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｃは、成膜室の概略構成図である。図３Ａが斜視図、図３Ｂが図３Ａとは別の角度からの見た場合の斜視図、図３Ｃが側面図である。
これら図３Ａ〜図３Ｃに示すように、成膜室１１は、箱型に形成されている。成膜室１１の、仕込・取出室１３と接続される第一側面２３には、基板Ｗが搭載されたキャリア２１が通過可能なキャリア搬出入口２４が、３箇所形成されている。これらキャリア搬出入口２４には、これらキャリア搬出入口２４を開閉するシャッタ２５がそれぞれ設けられている。シャッタ２５を閉じた場合、キャリア搬出入口２４は気密性を確保して封止される。第一側面２３と対向する第二側面２７には、基板Ｗに成膜を施すための電極ユニット３１が３基取り付けられている。これら電極ユニット３１は、成膜室１１から着脱可能である。成膜室１１の第三側面下部２８には、成膜室１１内の空間を真空排気するための真空ポンプ３０が、排気管２９を介して接続されている（図３Ｃ参照。図３Ａ及び図３Ｂでは図示略）。
【００３５】
図４Ａ〜図４Ｄは、電極ユニット３１の概略構成図である。図４Ａが斜視図、図４Ｂが図４Ａとは別の角度から見た場合の斜視図である。図４Ｃは、電極ユニット３１の変形例を示す斜視図である。図４Ｄが、カソードユニットおよびアノード（対向電極）の部分断面図である。
電極ユニット３１は、成膜室１１の第二側面２７に形成された３箇所の開口部２６に着脱可能である（図３Ｂ参照）。電極ユニット３１は、下部（底板部６２）の四隅に車輪６１が１つずつ設けられており、床面上を移動可能である。車輪６１が取り付けられた底板部６２上には、側板部６３が鉛直方向に沿って立設されている。この側板部６３は、成膜室１１の第二側面２７の開口部２６を閉塞できる大きさを有している。
図４Ｃの変形例に示すように、車輪６１付きの底板部６２は、カソードユニット６８やアノードユニット９０等が取り付けられた側板部６３と分離・接続可能な台車６２Ａとしてもよい。この場合、電極ユニット３１を成膜室１１に接続した後に、カソードユニット６８やアノードユニット９０等が取り付けられた側板部６３から台車６２Ａを分離し、共通の台車６２Ａとして、他の電極ユニット３１の移動に使用できる。
【００３６】
電極ユニット３１の側板部６３は、成膜室１１の壁面の一部を成している。側板部６３の一方の面（成膜室１１の内部を向く面）６５には、成膜処理時に基板Ｗの両面に配置されるアノード６７とカソードユニット６８とが設けられている。本実施形態の電極ユニット３１は、カソードユニット６８を間に挟んでその両側に離間して配置された一対のアノード６７を備えている。そして、一つの電極ユニット３１で２枚の基板Ｗを同時に成膜できるようになっている。成膜処理時の各基板Ｗは、鉛直方向と略並行を成して対向するように、カソードユニット６８の両面側にそれぞれ配置されている。２枚のアノード６７は、各基板Ｗの厚さ方向外側に、各基板Ｗとそれぞれ対向した状態で配置されている。
【００３７】
側板部６３の他方の面６９には、アノード６７を駆動するための駆動機構（駆動部）７１と、成膜を施す際にカソードユニット６８に給電するためのマッチングボックス７２と、が取り付けられている。さらに、側板部６３には、カソードユニット６８に成膜ガスを供給する配管用の接続部（不図示）が形成されている。
【００３８】
２枚（一対）のアノード６７には、基板Ｗの温度を制御する温度制御部として、ヒータＨが内蔵されている。これら２枚のアノード６７とヒータＨとでアノードユニット９０が構成されている。また、２枚のアノード６７，６７は、側板部６３に設けられた駆動機構７１により、互いに接近・離間する方向（水平方向）に移動可能であり、基板Ｗとカソードユニット６８との間の離間距離が制御可能である。具体的には、基板Ｗの成膜を施す前は、２枚のアノード６７，６７がカソードユニット６８に向かって移動して、基板Ｗと当接する。さらに、２枚のアノード６７，６７がカソードユニット６８に接近する方向に移動して、基板Ｗとカソードユニット６８との離間距離が、所望の距離に調節される。その後、成膜を行い、成膜終了後には、アノード６７，６７が、互いに離間する方向に移動して、アノード６７と基板Ｗとが互いに離間し、基板Ｗを電極ユニット３１から容易に取り出すことができる。すなわち、アノード６７は、基板Ｗに当接する位置にある状態と、基板Ｗから離間した位置にある状態と、を有する。
さらに、アノード６７は、駆動機構７１にヒンジ（不図示）を介して取りつけられている。これにより、電極ユニット３１を成膜室１１から引き抜いた状態で、アノード６７のカソードユニット６８側を向いた面６７Ａが、側板部６３の一方の面６５と略平行になるまで開閉するように回動できる。つまり、アノード６７は平面視において略９０°回動できるようになっている（図４Ａ参照）。
【００３９】
カソードユニット６８は、シャワープレート（カソード）７５と、カソード中間部材７６と、排気ダクト７９と、浮遊容量体８２とを有している。
カソードユニット６８には、各アノード６７と対向する面にそれぞれ小孔（不図示）が複数形成された一対のシャワープレート７５が配置されており、この小孔から成膜ガスが基板Ｗに向かって噴出される。このシャワープレート７５，７５は、前記マッチングボックス７２と電気的に接続されたカソード（高周波電極）をなしている。２枚のシャワープレート７５，７５の間には、マッチングボックス７２と電気的に接続されたカソード中間部材７６が設けられている。すなわち、シャワープレート７５は、カソード中間部材７６の両側面に、このカソード中間部材７６と電気的に接続された状態で配置されている。
【００４０】
カソード中間部材７６とシャワープレート（カソード）７５は、導電体で形成されている。高周波は、カソード中間部材７６を介してシャワープレート（カソード）７５に印加される。このため、プラズマ発生のために２枚のシャワープレート７５，７５に印加される電圧は、同電位・同位相となる。
カソード中間部材７６は、図示しない配線によって前記マッチングボックス７２と電気的に接続されている。カソード中間部材７６とシャワープレート７５との間には、空間部７７が形成されている。そして、ガス供給装置（不図示）より、この空間部７７に成膜ガスが導入されるようになっている。一対の空間部７７は、これらの間に介在するカソード中間部材７６で分離され、それぞれのシャワープレート７５、７５毎に対応して別々に形成されている。そのため、各シャワープレート７５、７５から放出されるガスの流量や種類を独立して制御できる。すなわち、空間部７７は、ガス供給路の役割を有している。本実施形態にあっては、各空間部７７のそれぞれが、シャワープレート７５、７５毎に対応して別々に形成されているので、カソードユニット６８は、２系統のガス供給路を有している。
【００４１】
カソードユニット６８の周縁部には、その略全周に亘って中空状の排気ダクト７９が設けられている。この排気ダクト７９には、成膜空間８１内の成膜ガスや反応副生成物（パウダー）を排気ダクト７９に導入し排気するための排気口８０が形成されている。具体的には、成膜を施す際に基板Ｗとシャワープレート７５との間に形成される成膜空間８１に面して、排気口８０が形成されている。排気口８０は、カソードユニット６８の周縁部に沿って複数形成されており、全周に亘って略均等に排気できるように構成されている。
カソードユニット６８の下部に配された排気ダクト７９には、成膜室１１へ向いた面に開口部α（不図示）が形成されている。この開口部αによって、成膜空間８１から排気された成膜ガスなどが、成膜室１１内へ排出される。成膜室１１内へ排出されたガスは、成膜室１１の側面下部２８に設けられた排気管２９より外部へ排気される（図３Ｃ参照）。
排気ダクト７９とカソード中間部材７６の間には、誘電体および／もしくはこの誘電体の積層空間を有する浮遊容量体８２が設けられている。
排気ダクト７９は、接地電位に接続されている。排気ダクト７９は、カソード７５およびカソード中間部材７６からの異常放電を防止するためのシールド枠としても機能する。
【００４２】
さらに、カソードユニット６８の周縁部には、排気ダクト７９の外周部からシャワープレート（カソード）７５の外周部に至る部位を覆うように、一対のマスク７８が設けられている。これらマスク７８は、キャリア２１に設けられた後述する挟持部５９の挟持片５９Ａ（図９、図２１参照）を被覆すると共に、成膜空間８１内の成膜ガスや反応副生成物（パウダー）を排気ダクト７９に導くためのガス流路Ｒを形成している。すなわち、マスク７８とシャワープレート７５との間、およびマスク７８と浮遊容量体８２との間にガス流路Ｒが形成されている。
【００４３】
成膜室１１と仕込・取出室１３との間、および、仕込・取出室１３と基板脱着室１５との間をキャリア２１が移動できるように、複数本の移動レール３７が成膜室１１〜基板脱着室１５間に敷設されている（図２参照）。移動レール３７は、成膜室１１と仕込取出室１３との間で分離され、シャッタ２５を閉じることで、キャリア搬出入口２４が密閉される。
【００４４】
図５Ａ及び図５Ｂは、仕込・取出室１３の概略斜視図である。図５Ａが斜視図、図５Ｂが、図５Ａとは別の角度から見た場合の斜視図である。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、仕込・取出室１３は、箱型に形成されている。第一側面３３は、成膜室１１の第一側面２３と気密性を確保して接続されている。第一側面３３には、３つのキャリア２１が挿通可能な開口部３２が形成されている。第一側面３３と対向する第二側面３４は、基板脱着室１５に接続されている。第二側面３４には、基板Ｗが搭載されたキャリア２１が通過可能なキャリア搬出入口３５が、３箇所形成されている。キャリア搬出入口３５には、気密性を確保できるシャッタ３６が設けられている。各移動レール３７は、仕込・取出室１３と基板脱着室１５との間で分離されており、シャッタ３６を閉じることで、キャリア搬出入口３５が密閉される。
【００４５】
仕込・取出室１３には、移動レール３７に沿って成膜室１１と仕込・取出室１３との間でキャリア２１を移動させるためのプッシュ−プル機構３８が設けられている。図６に示すように、このプッシュ−プル機構３８は、キャリア２１を係止する係止部４８と；係止部４８の両端に設けられ、移動レール３７と略平行に配された一対のガイド部材４９と；係止部４８を両ガイド部材４９に沿って移動させるための移動装置５０と；を備えている。
【００４６】
さらに、仕込・取出室１３内には、成膜処理前基板Ｗ１および成膜処理後基板Ｗ２を同時に収容するための移動機構（不図示）が設けられている。この移動機構は、平面視において、キャリア２１を移動レール３７の敷設方向と略直交する方向に向かって所定距離移動させる。
仕込・取出室１３の第三側面下部４１には、仕込・取出室１３内を真空排気するための真空ポンプ４３が、排気管４２を介して接続されている（図５Ｂ参照）。
【００４７】
図７Ａ及び図７Ｂは、基板脱着室の概略構成図である。図７Ａが斜視図、図７Ｂが正面図である。図７Ａ及び図７Ｂに示すように、基板脱着室１５は、枠状体からなり、仕込・取出室１３の第二側面３４に接続されている。この基板脱着室１５では、移動レール３７に配されているキャリア２１に対して、成膜処理前基板Ｗ１の取り付けと、成膜処理後基板Ｗ２の取り外しが行われる。基板脱着室１５には、キャリア２１が３個並列配置できるようになっている。
【００４８】
図２に示すように、基板脱着ロボット１７は、駆動アーム４５を有している。駆動アーム４５は、その先端にて基板Ｗを吸着できるようになっている。また、駆動アーム４５は、基板脱着室１５に配されたキャリア２１と基板収容カセット１９との間で移動できるようになっており、基板収容カセット１９から成膜処理前基板Ｗ１を取り出し、さらには基板脱着室１５に配されたキャリア２１に成膜処理前基板Ｗ１を取り付けることができる。また、駆動アーム４５は、基板脱着室１５に戻ってきたキャリア２１から成膜処理後基板Ｗ２を取り外し、基板収容カセット１９へ搬送することもできる。
【００４９】
図８は、基板収容カセット１９の斜視図である。図８に示すように、基板収容カセット１９は箱型に形成されており、基板Ｗを複数枚収容可能な大きさを有している。そして、この基板収容カセット１９内には、基板Ｗがその成膜面を水平にした状態で上下方向に複数枚積層されて収容できるようになっている。また、基板収容カセット１９下部の四隅にはキャスター４７が設けられており、別の処理装置へと容易に移動できるようになっている。
【００５０】
図９は、基板Ｗを搬送するキャリアの斜視図である。図９に示すように、キャリア２１は、基板Ｗを取り付けることができる額縁状のフレーム５１を２枚備えている。つまり、一つのキャリア２１に対して２枚の基板Ｗを取り付けることができる。２枚のフレーム５１，５１は、その上部において連結部材５２により連結されている。連結部材５２の上面には、移動レール３７に載置される複数の車輪５３が設けられている。これらの車輪５３が移動レール３７上を転がることで、キャリア２１が移動レール３７に沿って移動できるようになっている。フレーム５１の下部には、キャリア２１が移動する際に、基板Ｗの揺れを抑制するためのフレームホルダ５４が設けられている。このフレームホルダ５４の下端は、各室の底面上に設けられた断面凹状のレール部材５５に嵌合されている。レール部材５５は、平面視した場合に、移動レール３７に沿って配されている。フレームホルダ５４を複数のローラで構成すれば、より安定な搬送が可能となる。
【００５１】
フレーム５１は、それぞれ、周縁部５７と挟持部５９とを有している。フレーム５１に形成された開口部５６に、基板Ｗの成膜面が露出される。そして、この開口部５６の周縁部５７において、挟持部５９が基板Ｗを両面側から挟持して固定するようになっている。そして、基板Ｗを挟持している挟持部５９には、バネなどにより付勢力が働いている。また、図２１に示すように、挟持部５９は、基板Ｗの表面ＷＯ（成膜面）および裏面ＷＵ（背面）にそれぞれ当接する狭持片５９Ａ，５９Ｂを有している。これらの挟持片５９Ａと挟持片５９Ｂとの間の離間距離は、前記バネなどを介して可変可能である。つまり、この離間距離は、アノード６７の移動に応じて、挟持片５９Ａが挟持片５９Ｂに対して接近・離間する方向に沿って可変可能である（詳細は後述する）。ここで、一本の移動レール３７上には、１個のキャリア２１（１対（２枚）の基板Ｗを保持できる１個のキャリア２１）が取り付けられている。つまり、成膜室１１、仕込・取出室１３および基板脱着室１５で構成される一組の基板成膜ライン１６には、３個（３対６枚の基板が保持される）のキャリア２１が取り付けられている。
【００５２】
本実施形態の薄膜太陽電池製造装置１０では、上述した基板成膜ライン１６が４組配置され、一つの成膜室１１に３個のキャリア２１が収容されるため、２４枚の基板Ｗを略同時に成膜できる。
【００５３】
（薄膜太陽電池の製造方法）
次に、本実施形態の薄膜太陽電池製造装置１０を用いて、基板Ｗに成膜する方法を説明する。この説明においては、一組の基板成膜ライン１６の図面を用いるが、他の三組の基板成膜ライン１６も略同一の流れで基板Ｗを成膜する。
まず、図１０に示すように、成膜処理前基板Ｗ１を複数枚収容した基板収容カセット１９を所定の位置に配置する。
【００５４】
続いて、図１１に示すように、基板脱着ロボット１７の駆動アーム４５を動かして、基板収容カセット１９から成膜処理前基板Ｗ１を一枚取り出して、基板脱着室１５内のキャリア２１に取り付ける。この時、基板収容カセット１９に水平方向に配置された成膜処理前基板Ｗ１の向きを鉛直方向に変えて、キャリア２１に取り付ける。この動作をもう一度繰り返し、一つのキャリア２１に２枚の成膜処理前基板Ｗ１を取り付ける。
さらにこの動作を繰り返して、基板脱着室１５内の残り二つのキャリア２１にも、成膜処理前基板Ｗ１をそれぞれ取り付ける。つまり、この段階で成膜処理前基板Ｗ１を６枚取り付ける。
【００５５】
続いて、図１２に示すように、成膜処理前基板Ｗ１が取り付けられた３個のキャリア２１を各移動レール３７に沿って略同時に移動させ、仕込・取出室１３内に収容する。仕込・取出室１３にキャリア２１を収容した後、仕込・取出室１３のキャリア搬出入口３５のシャッタ３６を閉じる。その後、仕込・取出室１３の内部を、真空ポンプ４３を用いて真空状態に保持する。
【００５６】
続いて、図１３に示すように、３個のキャリア２１を平面視において各移動レール３７が敷設された方向と直交する方向に前記移動機構を用いてそれぞれ所定距離移動させる。
【００５７】
続いて、図１４に示すように、成膜室１１のシャッタ２５を開状態にし、成膜室１１で成膜が終了した成膜処理後基板Ｗ２が取り付けられたキャリア２１Ａを、仕込・取出室１３にプッシュ−プル機構３８を用いて移動させる。この時、成膜処理前基板Ｗ１を保持したキャリア２１と、成膜処理後基板Ｗ２を保持したキャリア２１Ａとが、平面視した場合、交互に並列する。そして、この状態を所定時間保持することで、成膜処理後基板Ｗ２に蓄熱されている熱が成膜処理前基板Ｗ１に伝熱される。つまり、成膜処理前基板Ｗ１が加熱される。
【００５８】
ここで、プッシュ−プル機構３８の動きを説明する。ここでは、成膜室１１内のキャリア２１Ａを仕込・取出室１３内へ移動させる際の動きを説明する。
図１５Ａに示すように、プッシュ−プル機構３８の係止部４８に対し、成膜処理後基板Ｗ２が取り付けられたキャリア２１Ａを係止させる。そして、係止部４８に取り付けられている移動装置５０の移動アーム５８を揺動させる。この時、移動アーム５８の長さは可変する。すると、キャリア２１Ａを係止した係止部４８が、ガイド部材４９に案内されながら移動し、図１５Ｂに示すように、キャリア２１Ａが成膜室１１から仕込・取出室１３内へと移動する。このように構成することで、キャリア２１Ａを駆動させるための駆動源を成膜室１１内に設けることが不要になる。
【００５９】
続いて、図１６に示すように、キャリア２１およびキャリア２１Ａを前記移動機構により移動レール３７と直交する方向に移動させ、成膜処理前基板Ｗ１を保持したキャリア２１を、それぞれの移動レール３７の位置まで移動させる。
【００６０】
続いて、図１７に示すように、プッシュ−プル機構３８を用いて成膜処理前基板Ｗ１を保持した各キャリア２１を成膜室１１内に移動させ、移動完了後にシャッタ２５を閉じる。成膜室１１内は、真空状態が保持されている。この時、各キャリア２１に取り付けられた成膜処理前基板Ｗ１は、それらの面方向に沿って移動し、成膜室１１内において、アノード６７とカソードユニット６８との間に、成膜処理前基板Ｗ１の表面ＷＯが鉛直方向と略並行を成すように挿入される（図１８参照）。
【００６１】
続いて、図１８及び図１９に示すように、２枚のアノード６７を前記駆動機構７１により互いが接近する方向に移動させて、成膜処理前基板Ｗ１の裏面ＷＵに対してアノード６７を当接させる。
【００６２】
図２０に示すように、さらに駆動機構７１を駆動させると、アノード６７に押されるように成膜処理前基板Ｗ１がカソードユニット６８側に向かって移動する。さらに、成膜処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８のシャワープレート７５との隙間が所定距離（成膜距離）になるまで成膜処理前基板Ｗ１を移動させる。この成膜処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８のシャワープレート７５との隙間（成膜距離）は、５〜１５ｍｍの範囲内であり、例えば５ｍｍ程度とするのがよい。
【００６３】
この時、成膜処理前基板Ｗ１の表面ＷＯ側に当接しているキャリア２１の挟持部５９の挟持片５９Ａは、成膜処理前基板Ｗ１の移動（アノード６７の移動）に伴って、挟持片５９Ｂから離間する方向に向かって変位する。この時、成膜処理前基板Ｗ１は、アノード６７と挟持片５９Ａとの間に挟持される。アノード６７がカソードユニット６８から離間する方向に向かって移動した際、挟持片５９Ａには、図示されないバネなどの復元力が作用するため、この挟持片５９Ａは、挟持片５９Ｂ側に向かって変位する。
【００６４】
成膜処理前基板Ｗ１がカソードユニット側６８に向かって移動すると、挟持片５９Ａがマスク７８に当接し、この時点でアノード６７の移動が停止する（図２１参照）。
図２１に示すように、マスク７８は、挟持片５９Ａの表面と基板Ｗの外縁部を覆うと共に、挟持片５９Ａもしくは基板Ｗの外縁部と密接するよう形成されている。すなわち、マスク７８と、挟持片５９Ａもしくは基板Ｗの外縁部との合わせ面は、シール面の役割を有している。そのため、これらマスク７８と、挟持片５９Ａもしくは基板Ｗの外縁部との間から、成膜ガスがアノード６７側にほとんど漏れないようになっている。これにより、成膜ガスが広がる範囲が制限され、不要な範囲、つまり、アノード６７や基板Ｗの外縁部への膜の形成を防止できる。さらに、マスク７８が電極ユニット３１と一体で成膜室１１から分離できるので、マスク８９のクリーニングが容易になる。この結果、薄膜太陽電池製造装置１０の稼働率が向上する。
【００６５】
成膜処理前基板Ｗ１の移動は、その外縁部がマスク７８に当接することによって停止する。そのため、マスク７８とシャワープレート７５との間隙、およびマスク７８と排気ダクト７９との間隙、つまり、ガス流路Ｒの厚さ方向の流路寸法は、成膜処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８との隙間が所定距離となるように設定されている。
別の形態として、マスク７８を排気ダクト７９に対して弾性体を介して取り付けることによって、基板Ｗとシャワープレート（カソード）７５の距離を、駆動機構７１のストロークによって任意に変更することもできる。上記の実施形態では、マスク７８と基板Ｗとが当接するものとしたが、成膜ガスの通過を制限するような微少な間隔を空けるように、マスク７８と基板Ｗとを配置させても良い。
【００６６】
続いて、カソードユニット６８のシャワープレート７５から成膜ガスを噴出させるとともに、マッチングボックス７２を起動させて、カソードユニット６８のカソード７６に電圧を印加する。これにより、成膜空間８１内にプラズマを発生させ、成膜処理前基板Ｗ１の表面ＷＯに成膜を施す。この時、アノード６７に内蔵されているヒータＨ（例えば電熱線など）により、成膜処理前基板Ｗ１が所望の温度に加熱される。
【００６７】
アノード６７は、成膜処理前基板Ｗ１が所望の温度に達すると加熱を停止する。しかしながら、シャワープレート（カソード）７５に電圧が印加されて成膜空間８1にプラズマが発生すると、時間の経過に伴い、このプラズマからの入熱により、アノード６７の加熱を停止しても成膜処理前基板Ｗ１の温度が所望の温度よりも上昇してしまうおそれがある。この場合、アノード６７を、温度上昇しすぎた成膜処理前基板Ｗ１を冷却するための放熱板としても機能させることができる。したがって、成膜処理前基板Ｗ１は、成膜処理時間の時間経過に関わらず所望の温度に調整される。
一度の成膜処理工程で複数の層を成膜する際には、供給する成膜ガス材料を所定時間毎に切り替えることで実施できる。
【００６８】
成膜中および成膜後に、成膜空間８１のガスや反応副生成物（パウダー）は、ガス流路Ｒを介して、カソードユニット６８の周縁部に形成された排気口８０より排気ダクト７９へと流入する。このうち、排気ダクト７９へ流入したガスは、カソードユニット６８の下部に配された排気ダクト７９の開口部αを通過し、成膜室１１の側面下部２８に設けられた排気管２９から外部へと排気される。一方、成膜を施す際に発生した反応副生成物（パウダー）は、排気ダクト７９の内壁面に付着・堆積させることで回収・処分できる。
成膜室１１内の全ての電極ユニット３１において、上述した処理と同じ処理を実行するので、６枚の基板全てに対して同時に成膜処理を施すことができる。
【００６９】
そして、成膜処理が終了したら、駆動機構７１により２枚のアノード６７を互いに離間する方向に移動させ、成膜処理後基板Ｗ２およびフレーム５１（挟持片５９Ａ）を元の位置に戻す（図１９参照）。すなわち、成膜が終了し、キャリア２１を移動させる段階になると、挟持片５９Ａの露出面８５からマスク７８が外れる。
さらにアノード６７を互いに離間する方向に移動させることで、成膜処理後基板Ｗ２とアノード６７とが離間する（図１８参照）。
【００７０】
続いて、図２２に示すように、成膜室１１のシャッタ２５を開き、各キャリア２１を仕込・取出室１３内へプッシュ−プル機構３８を用いて移動させる。この時、仕込・取出室１３内は排気され、次に成膜される成膜処理前基板Ｗ１を取り付けたキャリア２１Ｂが既に配置されている。そして、仕込・取出室１３内で成膜処理後基板Ｗ２の蓄熱を成膜処理前基板Ｗ１へ伝熱し、成膜処理後基板Ｗ２の温度を下げる。
【００７１】
続いて、図２３に示すように、各キャリア２１Ｂを成膜室１１内へと移動させた後、前記移動機構により各キャリア２１を移動レール３７の位置まで戻す。
【００７２】
続いて、図２４に示すように、シャッタ２５を閉じた後、仕込・取出室１３内を大気圧とし、シャッタ３６を開いて、各キャリア２１を基板脱着室１５内へと移動させる。
【００７３】
続いて、図２５に示すように、基板脱着室１５内において各成膜処理後基板Ｗ２を基板脱着ロボット１７により各キャリア２１から取り外し、基板収容カセット１９へと移動させる。全ての成膜処理後基板Ｗ２の取り外しが完了したら、基板収容カセット１９を次工程の場所まで移動させることで、成膜処理が終了する。
【００７４】
したがって、上述の実施形態によれば、アノード６７がカソード（シャワープレート７５）に対して接近・離間する方向に沿って移動するので、成膜室１１内に基板Ｗを出し入れする際には、アノード６７とカソード（シャワープレート７５）との隙間を大きく設定できる。一方、基板Ｗに薄膜Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により成膜する際には、成膜処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８のシャワープレート７５との隙間を所定距離（成膜距離）となるように小さく設定できる。具体的には、この所定距離を５ｍｍ程度に設定できる。このため、成膜の品質向上を図りつつ、成膜室１１内からの基板Ｗの出し入れを容易にし、生産性を向上させることが可能になる。また、基板Ｗを出し入れする際に、基板Ｗがアノード６７やカソードユニット６８に接触して損傷するのを防止できる。
【００７５】
さらに、比較的移動させるのが困難なカソードユニット６８を２つの基板Ｗの間、つまり、成膜室１１内の略中央に配設している。一方、比較的移動させるのが容易なアノード６７を、２つの基板Ｗの外側、つまり、成膜室１１内の側面側に配置している。そして、アノード６７を駆動機構７１により移動可能とすることで、基板Ｗとカソードユニット６８との離間距離を制御している。このため、カソードユニット６８を移動させる場合と比較して、薄膜太陽電池製造装置１０の複雑化を抑えることができ、薄膜太陽電池製造装置１０の製造コストを低減することができる。
【００７６】
また、成膜を施す際は、電極ユニット３１の２枚のアノード６７を駆動機構７１により互いに接近する方向に移動させて、アノード６７と成膜処理前基板Ｗ１の裏面ＷＵとが当接される。さらに、駆動機構７１を駆動させてアノード６７に押されるように、成膜処理前基板Ｗ１がカソードユニット６８側に向かって移動させられる。アノード６７はヒータＨを内蔵し、これらアノード６７とヒータＨとでアノードユニット９０が構成されている。このため、成膜を施す際に、アノード６７と基板Ｗとの間に何ら介在させることがないので、効率的に基板Ｗを加熱できる。また、長時間の成膜作業に伴って基板Ｗが温まりすぎた場合であっても、アノード６７を基板Ｗの放熱媒体として用いることができる。よって、成膜処理時間の時間経過に関わらず、基板Ｗを所望の温度に一定に保つことが可能になり、より高品質な成膜を施すことができる。
【００７７】
そして、カソードユニット６８の周縁部には、略全周に亘って中空状の排気ダクト７９が設けられている。これによって、基板Ｗの全周から成膜ガス（排ガス）を排気できる。このため、排気効率を向上させることが可能になる。
また、排気ダクト７９を用いて排気させることで、例えば、成膜を施す際に発生した反応副生成物（パウダー）なども容易に回収できる。この反応副生成物（パウダー）は、排気ダクト７９の内壁面に付着させることで回収・処分できる。このため、成膜室１１の側面下部２８に設けられた排気管２９から外部へと排気される成膜ガスを、反応副生成物（パウダー）を含まない比較的クリーンな状態にすることが可能になる。
【００７８】
そして、キャリア２１に設けられた挟持部５９は、基板Ｗの表面ＷＯおよび裏面ＷＵに当接する狭持片５９Ａ，５９Ｂを有する。これら挟持片５９Ａ，５９Ｂの離間距離は、バネなどを介して可変可能、つまり、アノード６７の移動に応じて挟持片５９Ａが挟持片５９Ｂに対して接近近接・離間する方向に沿って移動可能に構成されている。このため、アノード６７の移動に伴って、容易に基板Ｗをカソードユニット６８に対して接近近接・離間させることができる。
【００７９】
また、シャワープレート７５，７５がマッチングボックス７２と接続されたカソード（高周波電極）となっているので、カソードとシャワープレート７５とを別個に設ける必要がなくなる。その結果、薄膜太陽電池製造装置１０の簡素化、低コスト化を図ることが可能になる。
【００８０】
さらに、カソードユニット６８は、シャワープレート（カソード）７５と、カソード中間部材７６と、排気ダクト７９と、浮遊容量体８２とを有している。一対のシャワープレート７５は、カソード中間部材７６の両側面に、このカソード中間部材７６と電気的に接続された状態で配置されている。そして、カソード中間部材７６とシャワープレート（カソード）７５は導電体で形成され、高周波はカソード中間部材７６を介して各シャワープレート（カソード）７５に印加される。ゆえに、一対のシャワープレート７５，７５には、プラズマ発生のための同電位・同位相の電圧が印加される。
このため、一対のシャワープレート（カソード）７５，７５をそれぞれ別個に制御することなく、容易に同電位・同位相の電圧を印加することが可能になる。このため、電圧制御装置などの構成を簡略化することができ、薄膜太陽電池製造装置１０の低コスト化を図ることができる。
【００８１】
空間部７７（ガス供給路）はカソード中間部材７６で分離され、それぞれのシャワープレート７５、７５毎に対応して別々に形成されている。そのため、各シャワープレート７５、７５から放出されるガスを、独立して制御できる。このため、薄膜太陽電池製造装置１０の使用状況に応じて、各々のシャワープレート７５から放出される成膜ガスを独立して制御し、それぞれ基板Ｗの膜の品質に差が表れるのを防止できる。また、カソードユニット６８の両側に配される各基板Ｗに、それぞれ異なる被膜を形成することも可能になり、成膜方法のバリエーションを増大させることができる。
【００８２】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な形状や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１０  薄膜太陽電池製造装置
１１  成膜室
２１  キャリア（搬送部）
５９  挟持部
５９Ａ  挟持片（第一挟持片）
５９Ｂ  挟持片（第二挟持片）
６７  アノード
６８  カソードユニット
７１  駆動機構（駆動部）
７５  シャワープレート兼カソード
７６  カソード中間部材
７７  空間部（ガス供給路）
７９  排気ダクト
８０  排気口
８１  成膜空間
８２  浮遊容量体
Ｈ  ヒータ（温度制御部）
Ｒ  ガス流路
Ｗ  基板
Ｗ１  成膜処理前基板
Ｗ２  成膜処理後基板
ＷＯ  表面（成膜面）
ＷＵ  裏面（背面）
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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