(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体層と、
前記第１導電型の半導体層の下の活性層と、
前記活性層の下の第２導電型の半導体層と、
前記第２導電型の半導体層の下の反射層と、
前記反射層上の偏光誘導パターンと、
前記反射層と前記第２導電型の半導体層との間に、前記第２導電型の半導体層とオーミック接触を形成するオーミック層と、を有し、
前記偏光誘導パターンは、前記第１導電型の半導体層、前記活性層、前記第２導電型の半導体層、前記反射層が積層される方向と垂直な面内において、第１の方向及び前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って規則性を持って配置され、前記第１の方向の規則性と前記第２の方向の規則性が互いに異なり、
前記オーミック層の底面は、前記反射層の上面及び前記偏光誘導パターンの上面と接することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記偏光誘導パターンは、前記第１の方向に沿ってライン状に形成され、前記第２の方向に沿って離隔して配置される複数個のパターンを含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記偏光誘導パターンは、ストライプ形状を形成する複数個のパターンを含む請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記偏光誘導パターンは、前記第１の方向の長さと前記第２の方向の長さが異なるように形成される複数個のパターンを含む請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記偏光誘導パターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、前記第１の方向に沿って配置される周期と前記第２の方向に沿って配置される周期がそれぞれ異なる複数個のパターンを含む請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記偏光誘導パターンは、前記第１及び第２の方向に垂直する第３方向に向かって前記反射層内に突出する複数個の突出パターンを含む請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記オーミック層と一体に形成された突出パターンが前記偏光誘導パターンを形成する請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記オーミック層は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、ＧＺＯ、ＩｒＯｘまたはＲｕＯｘのうち少なくとも一つを含む請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記オーミック層は金属材質で形成され、前記オーム層の厚さは１ｎｍ〜３０ｎｍである請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記オーミック層は非金属材質で形成され、前記オーム層の厚さは１０ｎｍ〜３００ｎｍである請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記反射層及び前記第２導電型の半導体層の間に電流遮断層を含む請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１導電型の半導体層上にアンドープ半導体層を含み、前記アンドープ半導体層に光結晶構造が形成された請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記反射層は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のうち少なくとも一つを含む金属または合金を含む請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記偏光誘導パターンは、前記反射層と異なる屈折率を有する請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記偏光誘導パターンは、酸化物、窒化物及びフッ化物からなる群から選択される物質を少なくとも一つ含む請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記偏光誘導パターンは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＭＺＯ、ＧＺＯ、ＲｕＯｘ、ＩｒＯｘ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳＯＧ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉ３Ｎ４からなる郡から選択される物質を少なくとも一つ含む請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記偏光誘導パターンは、前記反射層と異なる金属材質で形成された請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１８】
前記偏光誘導パターンは、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ及びＲｈからなる群から選択される物質を少なくとも一つ含む請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の発光素子と、
前記発光素子が搭載されるパッケージ本体と、
前記発光素子と電気的に接続される電極層と、
を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に配置される請求項１〜１８のいずれかに記載の発光素子と、を含む発光モジュールを含むことを特徴とする照明システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、電流を光に変換する半導体発光素子である。近年、発光ダイオードは、輝度が徐々に増加して、ディスプレー用光源、自動車用光源及び照明用光源としての使用が増加している。また、蛍光物質を利用したり様々な色の発光ダイオードを組み合わせたりすることで、効率の高い白色光を発光する発光ダイオードの具現も可能である。
【０００３】
発光ダイオードの輝度は、活性層の構造、光を外部に効果的に抽出できる光抽出構造、発光ダイオードに使用された半導体材料、チップのサイズ、発光ダイオードを囲むモールディング部材の種類などの様々な条件に左右される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、新規な構造を有する発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【０００５】
本発明の実施形態は、特定方向の偏光成分が多量放出される発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【０００６】
本発明の実施形態は、発光効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態による発光素子は、発光構造物と複数の偏光器とを含み、発光構造物は、第１導電型の半導体層と、第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する活性層とを含む。このとき、第１の方向による前記偏光器間の距離と第２の方向による前記偏光器間の距離とが互いに異なる。
【０００８】
本発明の実施形態による発光素子の製造方法は、第２導電型の半導体層、活性層及び第１導電型の半導体層を形成する段階と、第２導電型の半導体層上にオーム層を形成する段階と、オーム層上に複数の偏光器を形成する段階と、偏光器上に反射層を形成する段階と、反射層上に第２の電極を形成する段階と、第１導電型の半導体層に第１の電極を形成する段階とを含む。このとき、第１の方向による偏光器間の距離と第２の方向による偏光器間の距離とが互いに異なる。
【０００９】
本発明の実施形態による発光素子パッケージは、発光素子と、発光素子が搭載されるパッケージ本体と、発光素子と電気的に接続される電極層とを含む。発光素子は、発光構造物と複数の偏光器とを含み、発光構造物は、第１導電型の半導体層、第２導電型の半導体層、及び第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む。このとき、第１の方向による偏光器間の距離と第２の方向による偏光器間の距離とが互いに異なる。
【００１０】
本発明の実施形態による照明システムは、基板と、基板上に配置される発光素子とを含む発光モジュールを含む。発光素子は、発光構造物と複数の偏光器とを含み、発光構造物は、第１導電型の半導体層、第２導電型の半導体層、及び第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む。このとき、第１の方向による偏光器間の距離と第２の方向による偏光器間の距離とが互いに異なる。  
【発明の効果】
【００１１】
本発明の照明システムによると、発光モジュールから放出される光の進行経路上に光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも何れか一つが配置され、所望の光学的効果を得ることができる。
【００１２】
また、本発明の照明システムは、特定方向の偏光成分が優勢な光を高い効率で放出できる発光素子または発光素子パッケージを含むことで、優れた特性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】活性層及び反射層と垂直に振動する双極子源（ｄｉｐｏｌｅ  ｓｏｕｒｃｅ）の場合、活性層と反射層の間の距離の変化による双極子源の減衰率（Ｄａｍｐｉｎｇ  Ｒａｔｅ）を示すグラフである。
【図２】活性層及び反射層と平行に振動する双極子源の場合、活性層と反射層の間の距離の変化による双極子源の減衰率を示すグラフである。
【図３】第１の実施形態による発光素子の断面図である。
【図４】第１の実施形態の変形例による発光素子の断面図である。
【図５】第２の実施形態による発光素子の断面図である。
【図６】第３の実施形態による発光素子の断面図である。
【図７】第４の実施形態による発光素子の断面図である。
【図８】本発明の実施形態による発光素子の偏光誘導パターンを例示した平面図である。
【図９】本発明の実施形態による発光素子の偏光誘導パターンを例示した平面図である。
【図１０】本発明の実施形態による発光素子の偏光誘導パターンを例示した平面図である。
【図１１】第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【図１２】第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【図１３】第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【図１４】第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【図１５】第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【図１６】第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【図１７】実施形態による発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【図１８】実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含むバックライトユニットの斜視図である。
【図１９】実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含む照明ユニットの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施形態の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの「上（ｏｎ）」 にまたは「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「他の層を介在させて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることの両方を含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準に説明する。
【００１５】
図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張または省略されたりまたは概略的に示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映するものではない。
【００１６】
以下、添付の図面を参照しながら実施形態による発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムについて詳細に説明する。
【００１７】
実施形態では、順に積層される第２導電型の半導体層、活性層及び第１導電型の半導体層を含む発光半導体層と、発光半導体層の上側（すなわち、第１導電型の半導体層の上）に配置された第１の電極と、発光半導体層の下側（すなわち、第２導電型の半導体層の下）に配置された第２の電極とを含む垂直型発光素子が例示される。ここで、第２の電極は、発光半導体層の下側に一つの層として形成されてもよい。
【００１８】
垂直型発光素子において、第２導電型の半導体層と第２の電極の間に反射率の高い反射層を形成して、発光効率を高めることができる。
【００１９】
また、反射層が形成された垂直型発光素子では、活性層と反射層の間の距離が非常に近いため、活性層から放出される光の波長よりも活性層と反射層の間の距離が短い。よって、活性層と反射層の間の距離を変化させることによって量子干渉効果が発生して、発光素子の光学的特性を変化させることができる。例えば、活性層と反射層の間の距離の変化によって、発光素子から放出される光において双極子源（Ｄｉｐｏｌｅ  ｓｏｕｒｃｅ）の減衰率（Ｄａｍｐｉｎｇ  ｒａｔｅ）が変化する。
【００２０】
図１及び図２は、活性層と反射層の間の距離の変化によって、発光素子から放出される光の双極子源の振動方向による減衰率が変化する特性を説明する図である。
【００２１】
ここで、減衰率は、発光素子で電子がエネルギーを受ける時から光の形でエネルギーを放出する時までの時間の逆数を意味する。減衰率が増加すると、双極子源が光を放出する過程に進行する確率が増加して、内部量子効率を向上させることができる。
図１及び図２を参照すると、発光素子から放出される光の減衰率は、活性層と反射層の間の距離（Ｇａｐ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ、Ｄ）と発光素子を構成する物質の屈折率及び発光素子から放出される波長によって変化する。
【００２２】
図１及び図２で、Ｙ軸は減衰率を示し、下端のＸ軸は活性層と反射層の間の距離Ｄを示し、上端のＸ軸は活性層と反射層の間の距離Ｄをλ／ｎで割った相対的な値を示す。ここで、λは発光素子から放出される光のピーク波長であり、ｎは発光素子を構成する物質の屈折率である。
【００２３】
すなわち、発光素子を構成する物質の屈折率ｎと発光素子から放出される光のピーク波長λが一定であると仮定すると、活性層と反射層の間の距離Ｄが変化することによって、発光素子から放出される光の双極子源の振動方向による減衰率が変化する。
【００２４】
図１及び図２では、４５０ｎｍのピーク波長λを有する青色光を放出し、屈折率ｎが２．４６であるＧａＮ基盤の発光素子が例示されており、上端のＸ軸で１．０の値は下端のＸ軸の１８８．３ｎｍ（＝４５０ｎｍ／２．４６）に対応する。
【００２５】
図１に示すように、ｘ-ｙ平面に垂直（すなわち、活性層及び反射層に垂直）に振動する双極子源の場合、活性層と反射層の間の距離が短いほど、減衰率が増加する。図２に示すように、ｘ-ｙ平面に平行（すなわち、活性層及び反射層に平行）に振動する双極子源の場合、特定距離（例えば、５０ｎｍ）で減衰率が最大値を示す。
【００２６】
このように、垂直型発光素子では、活性層と反射層の間の距離が発光素子から放出される光の波長より短いため、活性層と反射層の間の距離変化によって光学的特性が変化することができる。
【００２７】
図１及び２を参照して、活性層と反射層の間の距離Ｄを変化させることでｘ-ｙ平面に垂直に振動する双極子源とｘ-ｙ平面に平行に振動する双極子源の減衰率を変化させることができることを説明した。これから説明される実施形態では、第２導電型の半導体層と反射層の間に偏光誘導パターンを形成することで、活性層から放出される光のｘ方向に振動する双極子源とｙ方向に振動する双極子源の減衰率を変化させて、特定方向の偏光成分が優勢な光が放出されることを説明する。
【００２８】
図３は、第１の実施形態による発光素子の側断面図である。
【００２９】
図３を参照すると、第１の実施形態による発光素子は、第２の電極１０と、第２の電極１０上に形成された反射層２０と、反射層２０上に形成された偏光誘導パターン８０などの偏光器（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）と、反射層２０及び偏光誘導パターン８０上に形成されたオーム層２５と、オーム層２５上に形成された第２導電型の半導体層３０と、第２導電型の半導体層３０上に形成された活性層４０と、活性層４０上に形成された第１導電型の半導体層５０と、第１導電型の半導体層５０上に形成された第１の電極７０とを含む。また、第１導電型の半導体層５０上には、第１の電極７０と離隔したアンドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）半導体層６０が形成されてもよい。
【００３０】
詳しく説明すると、第２の電極１０は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）または不純物が注入された半導体基板（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＧａＮなど）で形成されてもよい。第２の電極１０は、第１の電極７０と共に、活性層４０に電源を提供する。
【００３１】
反射層２０は、第２の電極１０上に形成される。反射層２０は、部分的にオーム層２５と接触してもよく、反射率の高い銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のうち少なくとも一つを含む金属または合金で形成されてもよい。
【００３２】
そして、第２の電極１０と反射層２０の間には、両層の間の界面接合力を強化させるために、接合金属層（図示せず）が形成されてもよい。このような接合金属層は、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などを含んでもよい。
【００３３】
偏光誘導パターン８０は、反射層２０の上且つびオーム層２５の下に形成される。偏光誘導パターン８０の側面は、少なくとも一部分が反射層２０に取り囲まれるように形成されてもよい。
【００３４】
偏光誘導パターン８０は、反射層２０と相違する屈折率を有する非金属材質または金属材質で形成されてもよい。
【００３５】
具体的に説明すると、偏光誘導パターン８０は、酸化物（Ｏｘｉｄｅ）、窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）またはフッ化物（Ｆｌｏｕｒｉｄｅ）のうち何れか一つの非金属材質で形成されてもよいが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ-Ｔｉｎ-Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ-Ｚｉｎｃ-Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ-Ｚｉｎｃ-Ｏｘｉｄｅ）、ＭＺＯ（Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ-Ｚｉｎｃ-Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ-Ｚｉｎｃ-Ｏｘｉｄｅ）、ＲｕＯｘ、ＩｒＯｘ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳＯＧ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉ３Ｎ４のうち少なくとも一つで形成されてもよい。
【００３６】
または、偏光誘導パターン８０は、反射層２０と相違する金属材質、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈのうち少なくとも一つで形成されてもよい。
【００３７】
図３を参照すると、本実施形態における偏光誘導パターン８０は、反射層２０に垂直な方向（図面の負のｚ軸方向）に反射層２０内に突出形成され、且つ互いに離隔した複数の突出パターンを含んでもよい。
【００３８】
しかし、実施形態がこれに限定されるものではない。例えば、偏光誘導パターン８０が電気伝導性を有する材質で形成されて偏光誘導パターン８０を介して電流が流れる場合には、図４に示すように、反射層２０の全面に偏光誘導パターン８２が形成されることもできる。すなわち、偏光誘導パターン８２が、一体に連結されて反射層２０の全面に対応して形成される平面部分８２ａと、この平面部分８２ａから反射層２０内に突出する複数の突出パターン８２ｂとを含んでもよい。
【００３９】
反射層２０と偏光誘導パターン８０により、活性層４０から放出される光の偏光が調節される。すなわち、発光素子から放出される光が特定方向の偏光成分を多量有するようにする。
【００４０】
すなわち、実施形態による発光素子は、放出される光の波長より短い距離に偏光誘導パターン８０を配置することで、自発放出（ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）過程によって特定方向の偏光成分が優勢な光が放出されるようにする。偏光器を用いてランダムな偏光を有する光から特定方向の偏光成分を選択する方法には、光効率が減少する問題がある。一方、本実施形態では、光自体において特定方向の偏光成分が優勢であるようにして、上述した光効率の減少を防止することができる。すなわち、本実施形態によると、特定方向の偏光成分が優勢な光を効率良く放出することができる。
【００４１】
反射層２０上にオーム層２５が形成される。このようなオーム層２５は、図３に示すように、反射層２０及び偏光誘導パターン８０上に形成されてもよい。
【００４２】
オーム層２５は、第２の電極１０と第２導電型の半導体層３０の間にオーミック接触を形成して、両層の間に電流が円滑に流れるようにすることで、発光素子の発光効率を高めることができる。
【００４３】
オーム層２５は、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘまたはＲｕＯｘのうち少なくとも一つを含んでもよい。
【００４４】
一方、オーム層２５が金属材質で形成される場合、オーム層２５は１ｎｍ〜３０ｎｍの厚さで形成されてもよい。金属材質は、薄い薄膜である場合に透光性を有するため、光がオーム層２５に吸収されて損失されるのを最小限に抑えることができるからである。オーム層２５が透光性を有する非金属材質で形成される場合、オーム層２５の厚さは１０ｎｍ〜３００ｎｍであってもよい。
【００４５】
オーム層２５上には、第２導電型の半導体層３０が形成される。第２導電型の半導体層３０は、例えば、ｐ型半導体層として具現されてもよいが、ｐ型半導体層はＩｎｘＡｌｙＧａ１-ｘ-ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されてもよく、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングされてもよい。
【００４６】
第２導電型の半導体層３０上には、活性層４０が形成される。活性層４０は、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料を含んで形成してもよく、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ、ＭＱＷ）、量子点構造または量子線構造のうち何れか一つで形成されてもよい。
【００４７】
活性層４０は、第１導電型の半導体層５０及び第２導電型の半導体層３０から提供される電子及び正孔の再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）過程で発生するエネルギーによって光を生成することができる。
【００４８】
活性層４０上には、第１導電型の半導体層５０が形成される。第１導電型の半導体層５０は、例えば、ｎ型半導体層を含んでもよいが、ｎ型半導体層はＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されてもよく、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのｎ型ドーパントがドーピングされてもよい。
【００４９】
一方、第２導電型の半導体層３０の下に、ｎ型またはｐ型半導体層がさらに形成されてもよい。また、第１導電型の半導体層５０がｐ型半導体層で、第２導電型の半導体層３０がｎ型半導体層で具現されてもよい。これによって、発光素子はｎｐ接合、ｐｎ接合、ｎｐｎ接合及びｐｎｐ接合構造のうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限定されるものではない。
【００５０】
第１導電型の半導体層５０上には、アンドープ（Ｕｎｄｏｐｅｄ）半導体層６０が形成される。アンドープ半導体層６０は、第１導電型の半導体層５０及び第２導電型の半導体層３０に比べて、電気伝導性の低い半導体層を意味する。例えば、アンドープ半導体層６０は、アンドープＧａＮ層であってもよい。
【００５１】
第１の電極７０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）のうち少なくとも一つを含んで単層または多層構造で形成されてもよく、ワイヤなどによって外部電源から伝達された電源を発光素子に提供することができる。
【００５２】
図５は、第２の実施形態による発光素子を示す図である。ただし、第２の実施形態の説明において第１の実施形態と重複する説明は省略する。
【００５３】
図５を参照すると、第２の実施形態による発光素子は、第２の電極１０と、第２の電極１０上に形成された反射層２０と、反射層２０上に突出パターン８４が形成されたオーム層２５と、オーム層２５上に形成された第２導電型の半導体層３０と、第２導電型の半導体層３０上に形成された活性層４０と、活性層４０上に形成された第１導電型の半導体層５０と、第１導電型の半導体層５０上に形成された第１の電極７０とを含む。また、第１導電型の半導体層５０上には、アンドープ半導体層６０が形成されてもよい。
【００５４】
第２の実施形態による発光素子において、オーム層２５と一体に形成された突出パターン８４が偏光誘導パターンを形成する。すなわち、本実施形態では、オーム層２５に突出パターン８４が一体に形成され、オーム層２５がオーミック接合のための層として機能すると共に偏光誘導パターンとして機能する。
【００５５】
突出パターン８４は、反射層２０の方に突出し、所定間隔を置いて形成されてもよい。すなわち、突出パターン８４は、下面及び側面が反射層２０の内部に向かって突出するように形成される。
【００５６】
突出パターン８４は、例えば、オーム層２５を形成した後、選択的にエッチングして形成してもよいが、これに限定されるものではない。
【００５７】
図６は、第３の実施形態による発光素子を示す図である。ただし、第３の実施形態の説明において第１の実施形態と重複する説明は省略する。
【００５８】
図６を参照すると、第３の実施形態による発光素子は、第２の電極１０と、第２の電極１０上に形成された反射層２０と、反射層２０上に形成された偏光誘導パターン８０と、反射層２０及び偏光誘導パターン８０上に形成されたオーム層２５と、オーム層２５上に形成された第２導電型の半導体層３０と、第２導電型の半導体層３０上に形成された活性層４０と、活性層４０上に形成された第１導電型の半導体層５０と、第１導電型の半導体層５０上に形成された第１の電極７０と、第１導電型の半導体層５０上に形成されたアンドープ半導体層６０とを含む。
【００５９】
本実施形態で、アンドープ半導体層６０には柱または孔形状の光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造６３が形成されてもよい。本実施形態では、孔６１が形成された例が示されている。
【００６０】
柱または孔６１は、５０ｎｍ〜３０００ｎｍの間隔をおいて配置され、所定の波長帯を有する光を選択的に透過または反射させることで、発光素子から放出される光の抽出効率を高める。
【００６１】
または、アンドープ半導体層６０には、ランダムなラフネス（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ；凹凸形状）が例えばウェットエッチングにより形成されてもよく、これに限定されるものではない。
【００６２】
一方、図面には図３の偏光誘導パターン８０が具備された発光素子の例が示されているが、図４及び図５の発光素子のアンドープ半導体層６０上に光結晶構造６３が形成されてもよい。
【００６３】
また、アンドープ半導体層６０を取り除き、第１導電型の半導体層５０上に光結晶構造６３を形成することも可能である。
【００６４】
図７は、第４の実施形態による発光素子を示す図である。ただし、第４の実施形態の説明において第１の実施形態と重複する説明は省略する。
【００６５】
図７を参照すると、第４の実施形態による発光素子は、第２の電極１０と、第２の電極１０上に形成された反射層２０と、反射層２０上に形成された偏光誘導パターン８０と、反射層２０及び偏光誘導パターン８０上に形成されたオーム層２５と、オーム層２５上に形成された電流遮断層（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＣＢＬ）２８と、オーム層２５及び電流遮断層２８上に形成された第２導電型の半導体層３０と、第２導電型の半導体層３０上に形成された活性層４０と、活性層４０上に形成された第１導電型の半導体層５０と、第１導電型の半導体層５０上に形成された第１の電極７０と、第１導電型の半導体層５０上に形成されたアンドープ半導体層６０とを含む。
【００６６】
電流遮断層２８は、第１の電極７０と垂直方向に少なくとも一部が重畳するように、オーム層２５及び第２導電型の半導体層３０の間に形成されてもよい。これによって、電流遮断層２８は、第２の電極１０と第１の電極７０の間の最短経路に電流が集中される現象を防止して、発光素子の全領域内に電流が均一に広がるようにすることで、発光効率の向上に寄与することができる。
【００６７】
電流遮断層２８は、第２導電型の半導体層３０とショットキー接触を形成する材質、電気絶縁性を有する材質またはオーム層２５に比べて低い電気伝導性を有する材質で形成されてもよい。例えば、電流遮断層２８は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯｘ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒのうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限定されるものではない。
【００６８】
図８〜図１０は、実施形態による発光素子における偏光誘導パターンを例示した断面図である。
【００６９】
図８〜図１０に示す偏光誘導パターン８０、８６、８８は、ｘ-ｙ平面上での形状を示したものであって、上側方向からの図である。ただし、図８〜図１０に示す偏光誘導パターン８０、８６、８８は例示的なものであって、実施形態が限定されるものではない。
【００７０】
また、図８〜図１０では、図３の第１の実施形態で説明したように、反射層２０上に互いに離隔した偏光誘導パターン８０、８６、８８が形成された例が示されている。しかし、図４の突出パターン８２ａまたは図５の突出パターン８４が図８〜図１０に示したような形状を有してもよい。
【００７１】
また、図８〜図１０で偏光誘導パターン８０、８６、８８と反射層２０のパターンが互いに逆になった場合も実施形態に含まれることができる。
【００７２】
図８を参照すると、反射層２０上に偏光誘導パターン８０がライン（ｌｉｎｅ）状に形成される。
【００７３】
偏光誘導パターン８０は、第１の方向に形成されたライン状に一定間隔離隔して複数個が形成される。偏光誘導パターン８０は第１の方向に沿って延長されて、第１の方向と垂直である第２の方向に沿って一定間隔離隔して配置される。
【００７４】
例えば、偏光誘導パターン８０は、ｙ方向に延長されたライン状に、ｘ方向に沿って離隔して複数個が配置されてもよい。これにより、偏光誘導パターン８０がストライプ形状を有することができる。
【００７５】
図９を参照すると、反射層２０上に、第１の方向の長さと第１の方向に垂直な第２の方向の長さとが異なる偏光誘導パターン８０が形成される。
【００７６】
例えば、偏光誘導パターン８６は、ｙ方向の長さｒｙがｘ方向の長さｒｘより大きく形成される。図示のように、偏光誘導パターン８６はｙ方向の長さが長い楕円形状に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【００７７】
図１０を参照すると、反射層２０上に、第１の方向と、第１の方向に垂直な第２の方向とにそれぞれ相違する間隔で偏光誘導パターン８８が配置される。
【００７８】
例えば、偏光誘導パターン８８は円形に形成され、ｘ方向の間隔ａｘがｙ方向の間隔ａｙより小さく形成されてもよい。偏光誘導パターン８８は、三角形、四角形などの多角形に形成されてもよい。
【００７９】
すなわち、図８〜図１０に示したような偏光誘導パターン８０、８６、８８は、第１の方向及び第２の方向に一定の規則性を有して形成されるが、第１の方向の規則性と第２の方向の規則性は互いに相違するように形成されてもよい。
【００８０】
以下では、第１の実施形態による発光素子の製造方法について詳しく説明する。
【００８１】
図１１〜図１６は、第１の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。
【００８２】
図１１を参照すると、成長基板１５上にアンドープ半導体層６０、第１導電型の半導体層５０、活性層４０及び第２導電型の半導体層３０を順次に成長させて形成する。
【００８３】
成長基板１５は、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅのうち少なくとも一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【００８４】
このような層は、例えば、成長基板１５上に有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）、化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）、プラズマ気相成長法（Ｐｌａｓｍａ‐Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）、分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ、ＭＢＥ）、水素化物気相エピタキシー（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ、ＨＶＰＥ）などの方法を利用して形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【００８５】
一方、第１導電型の半導体層５０と成長基板１５の間には、格子定数差の緩和のために、バッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ、図示せず）がさらに形成されてもよい。
【００８６】
図１２を参照すると、第２導電型の半導体層３０上に、オーム層２５を形成する。
【００８７】
オーム層２５は、例えば、ＰＥＣＶＤ、電子ビーム（Ｅ‐ｂｅａｍ）蒸着、スパッタリングなどの蒸着方式で形成してもよい。
【００８８】
図１３を参照すると、オーム層２５上に偏光誘導パターン８０を形成する。
【００８９】
偏光誘導パターン８０は、フォトリソグラフィ工程または蒸着方法を利用して形成してもよい。
【００９０】
偏光誘導パターン８０をフォトリソグラフィ工程により形成する場合、先に金属層または非金属層を形成し、この金属層または非金属層をエッチング工程などで選択的に取り除くことで、偏光誘導パターン８０を形成してもよい。
【００９１】
また、偏光誘導パターン８０を蒸着方法により形成する場合、先に偏光誘導パターン８０に対応するパターンマスクを形成し、このパターンマスクをオーム層２５上に配置した後、蒸着を実施することで偏光誘導パターン８０を形成してもよい。
【００９２】
また、金属層または非金属層を形成した後、ウェットエッチングによりラフネス形状（凹凸形状）に偏光誘導パターン８０を形成してもよい。
【００９３】
図１４を参照すると、オーム層２５及び偏光誘導パターン８０上に反射層２０を形成し、反射層２０上に第２の電極１０を形成する。
【００９４】
反射層２０は、メッキまたは蒸着により形成されてもよい。
【００９５】
第２の電極１０は、メッキまたは蒸着により形成されてもよく、予めシート（ｓｈｅｅｔ）の形で用意された後、反射層２０上にボンディングされてもよい。
【００９６】
一方、第２の電極１０と反射層２０の間には、界面接合力の向上のために接合金属層（図示せず）がさらに形成されてもよい。
【００９７】
図１４及び図１５を参照すると、成長基板１５を取り除く。
【００９８】
成長基板１５は、例えば、レーザリフトオフ（Ｌａｓｅｒ  Ｌｉｆｔ  Ｏｆｆ、ＬＬＯ）工程により除去されたり、エッチング工程により除去されてもよい。
【００９９】
このとき、成長基板１５を取り除く工程及びその後続工程は図１４の発光素子の下面に行われるため、図１５及び図１６では、図１４の発光素子を１８０度覆した状態で説明する。
【０１００】
図１５及び図１６を参照すると、第１導電型の半導体層５０の上面が少なくとも一部露出されるようにエッチング工程を行った後、露出された第１導電型の半導体層５０上に第１の電極７０を形成することで、第１の実施形態による発光素子を提供することができる。
【０１０１】
図１７は、本発明の実施形態による発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【０１０２】
図１７を参照すると、実施形態による発光素子パッケージは、本体１２０と、本体１２０に設けられた第１の電極層１３１及び第２の電極層１３２と、本体１２０に設けられて第１の電極層１３１及び第２の電極層１３２と電気的に接続される、実施形態による発光素子１００と、発光素子１００を囲むモールディング部材１４０とを含む。
【０１０３】
本体１２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されてもよく、発光素子１００の周囲に傾斜面が形成されてもよい。
【０１０４】
第１の電極層１３１及び第２の電極層１３２は互いに電気的に分離され、発光素子１００に電源を提供する。また、第１の電極層１３１及び第２の電極層１３２は、発光素子１００で発生した光を反射して光効率を増加させることができ、発光素子１００で発生した熱を外部に排出することもできる。
【０１０５】
発光素子１００は、本体１２０上に設けられたり、第１の電極層１３１または第２の電極層１３２上に設けられてもよい。
【０１０６】
発光素子１００は、第１の電極層１３１及び第２の電極層１３２と、ワイヤ方式、フリップチップ方式またはダイボンディング方式のうち何れか一つにより電気的に接続されることもできる。
【０１０７】
モールディング部材１４０は、発光素子１００を囲んで保護することができる。また、モールディング部材１４０には蛍光体が含まれ、発光素子１００から放出された光の波長を変化させることができる。
【０１０８】
発光素子パッケージは、このように開示された実施例の発光素子のうち少なくとも一つを、一つまたは複数個搭載してもよいが、これに限定されるものではない。実施形態による発光素子パッケージは、複数個が基板上に配列され、発光素子パッケージから放出される光の経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置されてもよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材はバックライトユニットとして機能したり照明システムとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、街路灯などを含むことができる。
【０１０９】
図１８は、本発明の実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含むバックライトユニットを示す図である。ただし、図１８のバックライトユニット１１００は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。
【０１１０】
図１８を参照すると、バックライトユニット１１００は、下部カバー１１４０と、下部カバー１１４０内に配置された光ガイド部材１１２０と、光ガイド部材１１２０の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール１１１０とを含む。また、光ガイド部材１１２０の下には、反射シート１１３０が配置されてもよい。
【０１１１】
下部カバー１１４０は、光ガイド部材１１２０、発光モジュール１１１０及び反射シート１１３０を収納できるように、上面が開口された箱（ｂｏｘ）形状に形成されてもよく、金属材質または樹脂材質で形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【０１１２】
発光モジュール１１１０は、基板７００と、基板７００に搭載された複数の発光素子パッケージ６００を含む。複数の発光素子パッケージ６００は、光ガイド部材１１２０に光を提供することができる。実施形態で、発光モジュール１１１０は、基板７００上に発光素子パッケージ６００が設けられた例が示されているが、実施形態による発光素子が直接設けられることも可能である。
【０１１３】
図示のように、発光モジュール１１１０は、下部カバー１１４０の内側面のうち少なくとも何れか一つに配置されてもよく、これにより光ガイド部材１１２０の少なくとも一つの側面に向かって光を提供することができる。
【０１１４】
ただし、発光モジュール１１１０は、下部カバー１１４０内で光ガイド部材１１２０の下に配置されて、光ガイド部材１１２０の底面に向かって光を提供することもでき、これはバックライトユニット１１００の設計によって様々に変形可能であり、これに限定されるものではない。
【０１１５】
光ガイド部材１１２０は下部カバー１１４０内に配置されてもよい。光ガイド部材１１２０は、発光モジュール１１１０から提供された光を面光源にして、表示パネル（図示せず）に案内することができる。
【０１１６】
光ガイド部材１１２０は、例えば、導光板（Ｌｉｇｈｔ  Ｇｕｉｄｅ  Ｐａｎｅｌ、ＬＧＰ）であってもよい。導光板は、例えばＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂のうち一つで形成されてもよい。
【０１１７】
光ガイド部材１１２０の上側には光学シート１１５０が配置されてもよい。
【０１１８】
光学シート１１５０は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも一つを含んでもよい。例えば、光学シート１１５０は、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートが積層されて形成されてもよい。この場合、拡散シートは、発光モジュール１１１０から出射された光を均一に拡散させ、拡散した光は集光シートにより表示パネル（図示せず）に集光されることができる。このとき、集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、輝度上昇シートは、集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。集光シートは、例えば、水平または／及び垂直プリズムシートであってもよい。また、輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルム（Ｄｕａｌ  Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｆｉｌｍ）であってもよい。また、蛍光シートは、蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムであってもよい。
【０１１９】
光ガイド部材１１２０の下には反射シート１１３０が配置されてもよい。反射シート１１３０は、光ガイド部材１１２０の下面を通して放出される光を光ガイド部材１１２０の出射面に向かって反射することができる。
【０１２０】
反射シート１１３０は、反射率の良好な樹脂材質、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【０１２１】
図１９は、本発明の実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含む照明ユニットを示す図である。ただし、図１９の照明ユニット１２００は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。
【０１２２】
図１９を参照すると、照明システム１２００は、ケース本体１２１０と、ケース本体１２１０に設けられた発光モジュール１２３０と、ケース本体１２１０に設けられて外部電源から電源の提供を受ける連結端子１２２０とを含む。
【０１２３】
ケース本体１２１０は、放熱特性が良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成されてもよい。
【０１２４】
発光モジュール１２３０は、基板７００と、基板７００に搭載される少なくとも一つの発光素子パッケージ６００とを含む。実施形態で、発光モジュール１１１０としては、基板７００上に発光素子パッケージ６００が設けられた例が示されているが、実施形態による発光素子１００が直接設けられることも可能である。
【０１２５】
基板７００は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般のプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）、メタルコア（Ｍｅｔａｌ  Ｃｏｒｅ）ＰＣＢ、軟性（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢなどを含むこともできる。
【０１２６】
また、基板７００は、光を効率的に反射する材質で形成されたり、表面が光を効率的に反射する色、例えば白色、銀色などで形成されてもよい。
【０１２７】
基板７００上には、少なくとも一つの発光素子パッケージ６００が搭載される。発光素子パッケージ６００は、それぞれ少なくとも一つの発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）を含んでもよい。発光ダイオードは、赤色、緑色、青色または白色の有色光をそれぞれ発光する有色発光ダイオード及び紫外線（ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ、ＵＶ）を発光するＵＶ発光ダイオードを含んでもよい。
【０１２８】
発光モジュール１２３０は、色感及び輝度を得るために、様々な発光ダイオードの組合せを有するように配置されてもよい。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置してもよい。また、発光モジュール１２３０から放出される光の進行経路上には、蛍光シートがさらに配置されてもよく、蛍光シートは発光モジュール１２３０から放出される光の波長を変化させる。例えば、発光モジュール１２３０から放出される光が青色波長帯を有する場合、蛍光シートには黄色蛍光体が含まれてもよく、発光モジュール１２３０から放出された光は蛍光シートを通過して、最終的に白色光に見える。
【０１２９】
接続端子１２２０は、発光モジュール１２３０と電気的に接続され、電源を供給することができる。図１９に示すように、接続端子１２２０はソケット方式で外部電源に回して嵌合されるが、これに限されるものではない。例えば、接続端子１２２０はピン（ｐｉｎ）形状に形成されて外部電源に挿入されることや、配線によって外部電源に接続されることも可能である。
【０１３０】
本発明の照明システムによると、発光モジュールから放出される光の進行経路上に光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも何れか一つが配置され、所望の光学的効果を得ることができる。
【０１３１】
以上で説明したように、本実施形態の照明システムは、特定方向の偏光成分が優勢な光を高い効率で放出できる発光素子または発光素子パッケージを含むことで、優れた特性を有することができる。また、反射層を中心に様々な実施形態を説明したが、偏光誘導パターンは、活性層との距離が活性層から放出される光の波長より短いように活性層の周囲に位置した層に形成されることができる。
【０１３２】
以上の実施形態で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれ、必ず一つの実施形態だけに限定されるものではない。さらに、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態の属する分野における通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に係る内容は本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【０１３３】
また、以上で実施形態を中心に説明したが、これはただの例示であって、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲内で以上に例示されない様々な変形と応用が可能であることを理解できるはずである。例えば、実施形態に具体的に示された各構成要素は変形して実施できるものである。そして、このような変形と応用に係る差異は添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１３４】
１０    第２の電極
２０    反射層
２５    オーム層
３０    第２導電型の半導体層
４０    活性層
５０    第１導電型の半導体層
６０    アンドープ半導体層
７０    第１の電極
８０    偏光誘導パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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