(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品パッケージを製造するための方法であって、
電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように該電子部品が該封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を形成し、
前記パッケージ前駆体に対して乾式および湿式のめっき処理法を逐次的に施して複数の金属めっき層を形成する工程と、該複数の金属めっき層の少なくとも２つに対してパターニング処理を施す工程とを組み合わせて実施し、それによって、階段状の金属めっき層を得ることを特徴とする、電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
先行する一方の前記パターニング処理後に形成された前記金属めっき層または先行する一方の前記パターニング処理に付された前記金属めっき層を、後続する他方の前記パターニング処理に際して行うエッチングにてエッチング阻止部材として利用することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記階段状の金属めっき層の形成が、
（ｉ）前記電極が露出する前記封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉ）前記第１金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉｉ）前記第２金属めっき層に対してパターニング処理を施し、前記第１金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ａを形成する工程、
（ｉｖ）前記金属めっきパターン層Ａおよび前記局所的に露出した前記第１金属めっき層に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層を形成する工程、
（ｖ）前記第３金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層を形成する工程、
（ｖｉ）前記第４金属めっき層に対してパターニング処理を施し、前記第３金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ｂを形成する工程、ならびに
（ｖｉｉ）前記露出している前記第３金属めっき層およびその直下に位置する局所的な前記第１金属めっき層を除去する工程
を含んで成ることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｖｉ）の前記金属めっきパターン層Ｂの形成に際して実施するエッチングにおいて、前記工程（ｉｖ）で形成された前記第３金属めっき層を該エッチングの阻止部材として用いることを特徴とする、請求項３に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記階段状の金属めっき層の形成が、
（ｉ）’前記電極が露出する前記封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉ）’前記第１金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉｉ）’前記第２金属めっき層の主面に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層を形成する工程、
（ｉｖ）’前記第３金属めっき層に対してパターニング処理を施し、前記第２金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ａ’を形成する工程、
（ｖ）’前記 金属めっきパターン層Ａ’および前記局所的に露出する前記第２金属めっき層に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層を形成する工程、
（ｖｉ）’前記第４金属めっき層に対してパターニング処理を施し、前記第１金属めっき層および第３金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ｂ’を形成する工程、ならびに
（ｖｉｉ）’前記露出している前記第１金属めっき層および前記第３金属めっき層を除去する工程
を含んで成ることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｖｉ）’の前記金属めっきパターン層Ｂの形成に際して実施するエッチングにおいて、前記工程（ｉｖ）’で形成された前記第３金属めっき層の前記金属めっきパターン層Ａ’を該エッチングの阻止部材として用いることを特徴とする、請求項５に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｖｉｉ）の前記除去に際しては、前記第１金属めっき層および前記第３金属めっき層に対して溶解除去作用を有するものの、前記第２金属めっき層および前記第４金属めっき層に対して溶解除去作用を有しないエッチャントを用いることを特徴とする、請求項３に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記乾式めっき法としてスパッタリングを実施する一方、前記湿式めっき法として電気めっきを実施することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記乾式めっき法を実施することによって厚み１００ｎｍ〜１０００ｎｍの前記第１金属めっき層および第３金属めっき層を形成する一方、
前記湿式めっき法を実施することによって厚み５μｍ〜２０μｍの前記第２金属めっき層および厚み１４μｍ〜５００μｍの前記第４金属めっき層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記パッケージ前駆体の形成に際しては、前記電子部品の電極面と前記封止樹脂層とが面一状態となるように該電子部品が前記封止樹脂層に埋設された前記パッケージ前駆体を得ることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記パッケージ前駆体の形成に際しては、前記電子部品の埋設に加えて金属パターン層が前記封止樹脂層に埋設され、それによって、該金属パターン層の主面および該電子部品の前記電極面と該封止樹脂層とが面一状態となった該パッケージ前駆体を得ることを特徴とする、請求項１０に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記パッケージ前駆体の形成は、
（ａ）粘着性キャリアに貼り付けられるように前記電子部品を該粘着性キャリアに配置する工程、
（ｂ）前記電子部品を覆うように前記粘着性キャリア上に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｃ）前記封止樹脂層から前記粘着性キャリアを剥離することによって、該封止樹脂層の表面から前記電子部品の前記電極を露出させる工程
を含んで成ることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記パッケージ前駆体の形成に際しては、前記電子部品の埋設に加えて金属パターン層が前記封止樹脂層に埋設され、それによって、該金属パターン層の主面および該電子部品の前記電極面と該封止樹脂層とが面一状態となった該パッケージ前駆体を得ており、
前記工程（ａ）では、前記粘着性キャリアに貼り付けられるように金属パターン層を該粘着性キャリアに設けた後、該金属パターン層と重ならない領域において前記電子部品を該粘着性キャリアに配置することを特徴とする、請求項１２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記金属パターン層が光沢面を有しており、前記剥離前においては該金属パターン層の該光沢面が前記粘着性キャリアと接していることを特徴とする、請求項１３に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記金属パターン層が粗化面を有しており、該粗化面が前記封止樹脂層と接合するように該金属パターン層が該封止樹脂層に覆われていることを特徴とする、請求項１３に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ａ）で配置する前記電子部品として発光素子が含まれており、
前記工程（ｂ）では前記封止樹脂層の形成として、前記発光素子上に蛍光体層を配置し、該発光素子および該蛍光体層を覆うように透明樹脂層を形成することを特徴とする、請求項１２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１７】
電子部品パッケージであって、
封止樹脂層、
前記封止樹脂層に埋設された電子部品、および
前記電子部品に電気的に接続された階段状の金属めっきパターン層
を有して成り、
前記階段状の金属めっきパターン層は、相対的に内側に位置付けられた内側めっきパターンと相対的に外側に位置付けられた外側めっきパターンとから構成されており、該内側めっきパターンが該外側めっきパターンから露出することによって前記金属めっきパターン層が階段形状をなしていることを特徴とする、電子部品パッケージ。
【請求項１８】
前記内側めっきパターンが第１金属めっき層および第２金属めっき層から成る一方、前記外側めっきパターンが第３金属めっき層および第４金属めっき層から成り、それによって、前記階段状の金属めっきパターン層が全体として４層構造を有していることを特徴とする、請求項１７に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１９】
前記内側めっきパターンでは前記第１金属めっき層が乾式めっき層を成す一方、前記第２金属めっき層が湿式めっき層を成し、また
前記外側めっきパターンでは前記第３金属めっき層が乾式めっき層または湿式めっき層を成す一方、前記第４金属めっき層が湿式めっき層を成すことを特徴とする、請求項１８に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２０】
前記乾式めっき層として設けられている前記第１金属めっき層と前記第３金属めっき層とが同じ金属材料を含んで成り、また
前記湿式めっき層として設けられている前記第２金属めっき層と前記第４金属めっき層とが同じ金属材料を含んで成ることを特徴とする、請求項１９に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２１】
前記乾式めっき層が、チタン、クロム、ニッケル、タングステン、銅および合金から成る群から選択される少なくとも１種類の材質を含んで成る一方、
前記湿式めっき層が、銀、銅、ニッケル、チタンおよびアルミニウムから成る群から選択される少なくとも１種類の材質を含んで成ることを特徴とする、請求項２０に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２２】
前記第１金属めっき層および前記第３金属めっき層がそれぞれ１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さを有し、前記第２金属めっき層が５μｍ〜２０μｍの厚さを有し、また、前記第４金属めっき層が１４μｍ〜５００μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１８に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２３】
前記電子部品の電極が前記封止樹脂層と面一状態となるように該電子部品が該封止樹脂層に埋設されていることを特徴とする、請求項１７に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２４】
前記封止樹脂層に埋設された金属パターン層を更に有して成り、
前記金属パターン層が前記封止樹脂層と面一状態となるように該金属パターン層が該封止樹脂層に埋設されていることを特徴とする、請求項１７に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２５】
前記階段状の金属めっきパターン層および／または前記金属パターン層の少なくとも一部が前記電子部品パッケージの放熱部材となっていることを特徴とする、請求項２４に記載の電子部品パッケージ。
【請求項２６】
前記電子部品として発光素子が含まれており、
前記封止樹脂層として、前記発光素子上に蛍光体層が設けられ、該発光素子および該蛍光体層を覆う透明樹脂層が設けられていることを特徴とする、請求項１７に記載の電子部品パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージおよびその製造方法に関する。より詳細には、本発明は電子部品を備えたパッケージ品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の進展に伴い、エレクトロニクス分野では様々な実装技術が開発されている。例示すると、ＩＣやインダクタなどの電子部品の実装技術（パッケージング技術）として、回路基板やリードフレームを用いた実装技術が存在する。つまり、一般的な電子部品のパッケージ形態としては「回路基板を用いたパッケージ」および「リードフレームを用いたパッケージ」などが存在する。【０００３】
「回路基板を用いたパッケージ」（図１５（ａ）参照）は、回路基板上に電子部品が実装された形態を有している。かかるパッケージの種類としては「ワイヤボンディング型（Ｗ／Ｂ型）」と「フリップチップ型（Ｆ／Ｃ型）」とが一般に存在する。「リードフレーム・タイプ」（図１５（ｂ）参照）は、リードやダイパッドなどから成るリードフレームを含んだ形態を有している。リードフレーム・タイプのパッケージ、回路基板を用いたパッケージともに、各種の電子部品がはんだ付けなどでボンディングされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７９２７９２２号公報
【特許文献２】米国特許第７２０２１０７号公報
【特許文献３】特表２００８−５２２３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の技術においては、放熱特性および高密度実装における接続信頼性の点で十分ではないという問題がある。【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、放熱特性および高密度実装における接続信頼性の向上を実現する電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法は、
電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように、電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を形成し、
かかるパッケージ前駆体に対して乾式および湿式のめっき処理法を逐次的に施して複数の金属めっき層を形成する工程と、かかる複数の金属めっき層の少なくとも２つに対してパターニング処理を施す工程とを組み合わせて実施し、それによって、階段状の金属めっき層を得ることを特徴とする。【０００８】
また、本発明の一態様に係る電子部品パッケージは、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、および
電子部品に電気的に接続された階段状の金属めっきパターン層
を有して成り、
階段状の金属めっきパターン層は、相対的に内側に位置付けられた内側めっきパターンと相対的に外側に位置付けられた外側めっきパターンとから構成されており、内側めっきパターンが外側めっきパターンから露出して金属めっきパターン層が階段形状をなしていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子部品パッケージによれば、電子部品に、直接、金属めっき層を形成することにより、放熱特性および高密度実装における接続信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は本発明の電子部品パッケージ製造方法の概念を示した模式図である。
【図２】図２は第１実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図３】図３は第１実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図４】図４は第２実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図５】図５は第２実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図６】図６は第３実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図７】図７は第３実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図８】図８は算術平均粗さＲａの説明図である。
【図９】図９は「複数の電子部品設置領域を有する金属パターン層」の態様を模式的に表した模式図である。
【図１０】図１０は本発明に従った発光素子パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図１１】図１１は本発明の電子部品パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図１２】図１２は本発明における「面接触（直接接合もしくは面接合）」を説明するための模式図である。
【図１３】図１３は本発明の電子部品パッケージ（金属パターン層を付加的に備えた電子部品パッケージ）の構成を模式的に示した断面図である。
【図１４】図１４は本発明に従った発光素子パッケージ形態の電子部品パッケージの構成を示した断面図である。
【図１５】図１５は従来技術の電子部品パッケージの構成態様を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（本発明の基礎となった知見）
本発明者は、「背景技術」の欄において記載した従来のパッケージ技術に関し、以下の問題が生じることを見出した。
【００１２】
「回路基板を用いたパッケージ」（図１５（ａ）参照）は、高密度実装を実現できるものの、回路基板を用いているので放熱性の点では課題を残している。また、基板コスト自体も無視できず、コスト的には必ずしも満足のいくものとはいえない。更に、そもそもワイヤーボンディグやフリップチップ実装を行うためのコストも無視できず、更なるコスト低減が望まれている（例えば、フリップチップ実装では高価なマウンターが必要である）。
【００１３】
「リードフレーム・タイプ」（図１５（ｂ）参照）は、リードフレームで微細な加工が困難であるため、高密度な実装には向かない。更に両タイプともに、はんだ付けがなされているので、全体を樹脂で封止した場合、いわゆる“はんだフラッシュ”の問題が懸念され、接続信頼性の点では必ずしも満足のいくものとはいえない。つまり、モジュール実装はんだ付けにおける加熱に際して、パッケージ内の部品接合に用いられているはんだ材料が、再溶融してしまい、微細な隙間に浸み出たり（フラッシュ）、短絡を起こしたりする虞がある。
【００１４】
尚、電極をファイン形成する方法としては、レジストにパターンを形成した後、めっきにて回路を形成するセミアディティブ法があるが、めっきの高さを均一にすることが難しい。特に階段状の電極を形成するには、それぞれのめっき後に研磨が必要となり、コストがかかるという問題もあった。
【００１５】
本発明はかかる事情に鑑みて為されたものである。即ち、本発明の主たる目的は、好適な放熱特性および接続信頼性を満たすと共に、低廉な実装コストを実現できるパッケージング技術を提供することである。
【００１６】
このため、本願発明者らは、従来技術の延長線上で対応するのではなく、新たな方向で対処することによって上記目的の達成を試みた。その結果、上記目的が達成された電子部品パッケージおよびその製造方法の発明に至った。具体的には、本発明の一態様では、
電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように、電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を形成し、
かかるパッケージ前駆体に対して乾式および湿式のめっき処理法を逐次的に施して複数の金属めっき層を形成する工程と、かかる複数の金属めっき層の少なくとも２つに対してパターニング処理を施す工程とを組み合わせて実施し、それによって、階段状の金属めっき層を得ることを特徴とする、電子部品パッケージの製造方法が提供される。
【００１７】
かかる本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法の特徴の１つは、電子部品の電極露出面に対して「乾式めっきおよび湿式めっきの２種類のめっき処理法を施して複数の金属めっき層を形成すること」と「複数の金属めっき層の少なくとも２層にパターニング処理を施すこと」との組合せによって、全体として階段状の金属めっき層を形成することに存する。
【００１８】
また、本発明の一態様では、上記製造方法によって得られる電子部品パッケージも提供される。かかる電子部品パッケージは、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、および
電子部品に電気的に接続された階段状の金属めっきパターン層
を有して成り、
階段状の金属めっきパターン層は、相対的に内側に位置付けられた内側めっきパターンと相対的に外側に位置付けられた外側めっきパターンとから構成されており、内側めっきパターンが外側めっきパターンから露出して金属めっきパターン層が階段形状をなしていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の一態様に係る電子部品パッケージの特徴の１つは、金属めっきパターン層が内側めっきパターンと外側めっきパターンとの２つのパターンから構成されており、内側めっきパターンが外側めっきパターンから局所的に露出する形態となることに起因して“階段形状”が形成されていることに存する。
【００２０】
上述したように、本発明の一態様に従えば、望ましい放熱特性および接続信頼性を達成できると共に、低廉な実装コストのパッケージングが実現される。
【００２１】
“放熱特性”についていえば、本発明の一態様ではワイヤーボンディングやバンプを介した実装が為されておらず（即ち、パッケージがワイヤボンディングレス・バンプレスとなっており）、電子部品からの熱が金属めっき層（金属めっきパターン層）を介して効率良く放熱されるようになっている。特に、金属めっき層（金属めっきパターン層）を熱伝導性の高い銅などの材質から形成でき、かつ、“厚みの大きい金属めっき層”として設けることができるので、それを介して効率よく熱を外部へと逃がすことができる。また、本発明では“はんだ付け”を行わずにパッケージングを達成しており、即ち“はんだ材料”を用いないパッケージが実現されている。それゆえ、“はんだフラッシュ”なる不都合は回避されており、その点で“接続信頼性”の向上を図ることができる。
【００２２】
また、本発明の一態様に係る製造方法では、全面めっき後にサブトラクティブ法でパターンを形成することを通じて“階段形状の金属めっき部”を得ており、めっき高さのばらつきを防止でき、また、研磨が必要なくなるために低コスト製造が可能となる。更に、階段状の金属めっき部分は、“ファインライン部”と“高放熱部”との両立に寄与する。具体的には、階段状の金属めっき部分は、ファインラインが必要とされる電子部品上のめっき厚みをより薄くファインにできる一方、発熱の大きい電子部品上のめっき厚みをより厚くできるので、高密度実装性と放熱性とを好適に両立することができる。
【００２３】
更には、本発明の一態様に係るパッケージは“基板レス構造”となっている。この“基板レス”は、基板を用いていないので、その分だけ低コスト製造に寄与する。また、ワイヤーボンディングやフリップチップ実装などと比べて簡易なプロセスでパッケージングできるので、その点でも低コスト化を図ることができる。
【００２４】
以下にて、本発明の一態様に係る電子部品パッケージおよびその製造方法を詳細に説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。
【００２５】
［本発明の製造方法］
まず、本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法について説明する。本発明の一態様に係る製造方法では、図１に示されるように、「電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体」に対して乾式および湿式の金属めっき処理法を施す工程と、金属めっき層の少なくとも２層にパターニング処理する工程とを組み合わせて実施することによって“階段状の金属めっき層”を得ている。
【００２６】
より具体的には、まず、「電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように少なくとも１種類の電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体」を形成する。次いで、「パッケージ前駆体にて電子部品の電極が露出している封止樹脂層面に対して乾式および湿式のめっき処理法を逐次的に施して複数の金属めっき層を形成する工程」と、「かかる複数の金属めっき層の少なくとも２つに対してパターニング処理を施す工程」とを組み合わせて実施し、それによって、階段状の金属めっき層を得る。
【００２７】
例えば、電子部品の電極が露出している封止樹脂層面に対して（１）乾式めっき法 → （２）湿式めっき法 → （３）乾式めっき法あるいは湿式めっき法 → （４）湿式めっき法を実施すると共に、かかる金属めっき処理で得られるめっき層のうちの２層に対してパターニング処理を施す。例えば、上記（２）および上記（４）で得られる２つのめっき層をパターニング処理（タイプＩ）するか、あるいは、上記（３）および上記（４）で得られる２つのめっき層をパターニング処理（タイプＩＩ）する。
【００２８】
特に上記（４）で得られるめっき層のパターニング処理に際しては、その直近に形成された金属めっき層（即ち、上記（４）のめっき処理で得られた金属めっき層）に対して溶解除去作用を有するものの、それよりも前に行われためっき法で形成された金属めっき層（即ち、上記（３）のめっき処理で得られた金属めっき層）に対しては溶解除去作用を有しないエッチャントが使用されることが好ましい。つまり、例えば金属めっき層の形成工程として（１）乾式めっき法 → （２）湿式めっき法 → （３）乾式めっき法 → （４）湿式めっき法を実施する場合、（４）の湿式めっき法で形成された金属めっき層に対して溶解除去作用を有するものの、（３）の乾式めっき法で形成された金属めっき層に対しては溶解除去作用を有しないエッチャントを用いてパターニング処理を行うことが好ましい。換言すれば、これは（３）の乾式めっき法で形成される金属めっき層がエッチャントに対しては溶解除去されず、パターニング処理のストッパー材（エッチング阻止部材）として機能し得ることを意味している。つまり、本発明は好ましくは以下の態様を含んでいる：
・先行する一方のパターニング処理後に形成された金属めっき層（『上記タイプＩの態様でいえば（２）の湿式めっき法で得られた金属めっき層をパターニング処理した後に形成された（３）の乾式めっき法で形成された金属めっき層）』または『先行する一方のパターニング処理に付された後の金属めっき層（上記タイプＩＩの態様でいえば、（３）の乾式めっき法で形成された金属めっき層に対してパターニング処理を施して得られるパターン層）』を、後続する他方のパターニング処理に際して実施されるエッチングの阻止部材として用いる（上記タイプＩおよびタイプＩＩの態様でいえば（４）の湿式めっき法で形成される金属めっき層に対して行うパターニング処理で実施するエッチングのエッチャント阻止部材として用いる）。
【００２９】
このように本発明では、乾式および湿式の金属めっき処理法を逐次的に施すと共に、それにより形成される金属めっき層の少なくとも２層に対してパターニング処理を選択的に施すことによって “階段状の金属めっき層”を得ている。
【００３０】
尚、本発明で用いる「階段状の金属めっき層」の“階段状”とは、複数のサブめっき層から構成される金属めっき層が全体として肉厚部と肉薄部とを備えた形態を有することを意味している。換言すれば、本発明においては、電子部品の電極部に電気的に接続している金属めっき層（特に複数のサブめっき層から構成される金属めっき層）がステップ状に異なる厚みを有している。
【００３１】
本発明の製造方法は、種々の具体的な実施形態で実現することができる。以下それについて説明する。
【００３２】
（第１実施形態）
第１実施形態に従った本発明の製造方法のプロセスを図２（ａ）〜（ｋ）および図３（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００３３】
かかる実施形態では、階段状の金属めっき層の形成が、
（ｉ）電極面が露出する封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉ）第１金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉｉ）第２金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第１金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ａを形成する工程、
（ｉｖ）金属めっきパターン層Ａおよび局所的に露出した第１金属めっき層に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層を形成する工程、
（ｖ）第３金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層を形成する工程、
（ｖｉ）第４金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第３金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ｂを形成する工程、ならびに
（ｖｉｉ）露出している第３金属めっき層およびその直下に位置する局所的な第１金属めっき層を除去する工程
を含んで成ることを特徴とする。
【００３４】
かかる第１実施形態をより具体的に説明していく。まず、パッケージ前駆体の形成工程を実施する。かかるパッケージ前駆体の形成は、粘着性キャリアに貼り付けられるように電子部品を粘着性キャリアに配置する工程と、電子部品を覆うように粘着性キャリア上に封止樹脂層を形成する工程、ならびに、封止樹脂層から粘着性キャリアを剥離して封止樹脂層の表面から電子部品の電極を露出させる工程を含んで成ることが好ましい。
【００３５】
具体的に説明すると、まず図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０を配置する。つまり、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０を実装する。かかる電子部品３０の配置は、その電極部分３５が粘着性キャリア２０と接するように行うことが好ましい。これによって、後刻の剥離操作において電子部品３０の電極３５を好適に露出させることができる。
【００３６】
電子部品３０は、エレクトロニクス実装分野で用いられる回路部品・回路素子であれば、いずれの種類のものを用いてよい。あくまでも例示にすぎないが、かかる電子部品の種類としては、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。
【００３７】
粘着性キャリア２０は、例えば、基板と粘着層とから構成されたキャリアシートであってよい。つまり、図２（ａ）に示すように、支持基材２４上に粘着層２６が設けられた２層構造のキャリアシートを用いてよい。後刻で好適な離型処理を行う点でいえば、支持基材２４は可撓性を有していることが好ましい。
【００３８】
支持基材２４としては、後刻に行われる“電子部品の配置”や“封止樹脂層の形成”などのプロセスに支障をきたすものでなければ、いずれのシート状部材であってもよい。例えば、支持基材２４の材質は、樹脂、金属および／またはセラミックなどであってよい。支持基材２４の樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリカーボネートなどを挙げることができる。支持基材２４の金属としては、例えば、鉄、銅、アルミニウムもしくはそれらの合金などを挙げることができる（１つ例示すると、ＳＵＳなどのステンレス材であってよい）。支持基材２４のセラミックスとしては、例えば、アパタイト、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ホウ素等を挙げることができる。支持基材自体の厚さは、“シート状”ゆえ、好ましくは０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ、より好ましくは０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ（例えば、０．２ｍｍ）である。
【００３９】
一方、粘着層２６は、電子部品に対して粘着性を有するものであれば特に制限はない。例えば、粘着層自体は、アクリル樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、シリコーン樹脂系粘着剤およびエポキシ樹脂系接着剤から成る群から選択される少なくとも１種以上の接着性材料を含んで成るものであってよい。粘着層２６の厚さは、好ましくは２μｍ〜５０μｍ、より好ましくは５μｍ〜２０μｍ（例えば１０μｍ）である。尚、粘着層２６としては、粘着両面テープを用いてもよい（例えばＰＥＴフィルムなどの樹脂薄層の両主面に対して接着剤層が形成されたテープを用いてもよい）。
【００４０】
粘着性キャリア２０上への電子部品の配置に引き続いて、図２（ｃ）に示すように、電子部品３０を覆うように粘着性キャリア２０上に封止樹脂層４０を形成し、電子部品封止体を得る。封止樹脂層４０は、樹脂原料をスピンコート法やドクターブレード法などにより粘着性キャリア２０の粘着面に塗布した後で熱処理や光照射などに付すことによって設けることができる（即ち、塗布した樹脂原料を熱硬化または光硬化させることによって封止樹脂層４０を設けることができる）。あるいは、別法にて粘着性キャリア２０の粘着面に対して樹脂フィルムなどを貼り合わせることによって封止樹脂層４０を設けてもよい。さらには、未硬化状態の粉体状もしくは液状の封止樹脂を金型に充填し、加熱硬化により封止樹脂層４０を設けることができる。
【００４１】
封止樹脂層４０の材質は、絶縁性を供するものであればいずれの種類の材質であってもよく、例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などであってよい。封止樹脂層４０の厚さは、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度、より好ましくは１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ程度である。
【００４２】
封止樹脂層の形成に引き続いて、図２（ｄ）に示すように、電子部品封止体から粘着性キャリア２０を剥離する。これによって、封止樹脂層４０の表面から電子部品３０の電極３５を露出させ、パッケージ前駆体１００’を得る。
【００４３】
パッケージ前駆体１００’を得ることに引き続いて、工程（ｉ）および（ｉｉ）を実施する。つまり、図２（ｅ）に示すように、電極面が露出する封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層５０'を形成し、次いで、第１金属めっき層５０'の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層５０''を形成する。かかる工程は、「電子部品の電極露出面に対してダイレクトに金属層を形成する」といったプロセス的特徴を有している。特に第２金属めっき層５０''は厚く設けることができる。かかる工程では、乾式めっき法を実施するからこそ、後刻の湿式めっき法で厚くかつ密着力良くめっき層を形成できるといえる。
【００４４】
乾式めっき法は、真空めっき法（ＰＶＤ法）と化学気相めっき法（ＣＶＤ法）とを含んでおり、真空めっき法（ＰＶＤ法）が更にスパッタリング、真空蒸着およびイオンプレーディングなどを含んで成る。一方、湿式めっき法は、電気めっき法（例えば電解めっき）、化学めっき法および溶融めっき法などを含んで成る。ある好適な一態様として、本発明の製造方法では、乾式めっき法としてスパッタリングで形成し、湿式めっき法として電気めっき法（例えば電解めっき）で形成してよい。
【００４５】
好ましくは、乾式めっき法を実施して１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さの第１金属めっき層５０'を形成し（図２（ｅ）参照）、次いで、湿式めっき法を実施して１８μｍ〜５００μｍ厚さの第２金属めっき層５０''を形成する（図２（ｆ）参照）。つまり、第１金属めっき層５０'は非常に薄いのに対して、その第１金属めっき層５０'上に第２金属めっき層５０''が厚く設けられる。第２金属めっき層５０''がそのように厚く設けられるので、全体として金属めっき層を厚くすることができる。
【００４６】
乾式めっき法によって形成される第１金属めっき層５０'は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｃｕ（銅）および合金（例えばそれらの少なくとも２種類の金属元素から構成される合金）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。一方、湿式めっき法によって形成される第２金属めっき層５０''は、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。
【００４７】
工程（ｉ）および（ｉｉ）に引き続いて工程（ｉｉｉ）を実施する。つまり、図２（ｇ）に示すように、第２金属めっき層５０''に対してパターニング処理を施し、第１金属めっき層５０'が局所的に露出する金属めっきパターン層Ａを形成する。パターニング処理は、図２の右側に示すように、所定パターンのレジストの形成を通じて行うことができる。かかるパターンニング処理自体は、エレクトロニクス実装分野で用いられている処理であれば特に制限はない。例えば、レジスト形成〜露光・現像〜エッチングなどを実施するフォトリソグラフィーを利用することによって所望のパターニング処理を実施してよい。具体的にいえば、まず第２金属めっき層上にレジストを全面に形成した後、レジストを所定のパターン形状にパターニングする。その後、かかる所定パターンのレジストを介してエッチング処理などを施して第２金属めっき層を局所的に除去し、金属めっきパターン層Ａを形成する（レジストは最終的には剥離除去する）。
【００４８】
工程（ｉｉｉ）に引き続いて工程（ｉｖ）を実施する。つまり、図２（ｈ）に示すように、金属めっきパターン層Ａ（即ち、パターンニング処理された第２金属めっき層５０''）および局所的に露出した第１金属めっき層５０'に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層５０'''を形成する。ここで実施する「乾式めっき法」および「湿式めっき法」は、上記工程（ｉ）および（ｉｉ）で説明しためっき法と同様であってよい。
【００４９】
図２（ｉ）に示すように、かかる工程（ｉｖ）では金属めっきパターン層Ａの表面輪郭に沿って局所的に屈曲形態を有するように第３金属めっき層５０'''が形成される。
【００５０】
工程（ｉｖ）に引き続いて工程（ｖ）を実施する。つまり、図２（ｉ）に示すように、第３金属めっき層５０'''の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層５０''''を形成する。ここで実施する「湿式めっき法」も、上記工程（ｉｉ）で説明しためっき法と同様であってよい。
【００５１】
図２（ｉ）に示すように、かかる工程（ｖ）では、屈曲形態に起因して局所的に形成された第３金属めっき層５０'''の窪み部を満たすと共に、その第３金属めっき層５０'''上にて厚みを有するように第４金属めっき層５０''''が形成されることが好ましい。
【００５２】
工程（ｖ）に引き続いて工程（ｖｉ）を実施する。つまり、図２（ｊ）に示すように、第４金属めっき層５０''''に対してパターニング処理を施し、第３金属めっき層５０'''が局所的に露出する金属めっきパターン層Ｂを形成する。ここで実施するパターニング処理は、上記工程（ｉｉｉ）で説明した処理と同様であり得る。
【００５３】
図２（ｊ）に示すように、金属めっきパターン層Ｂでは、「屈曲形態に起因して局所的に形成された第３金属めっき層の窪み部」よりも外側に位置する領域「Ｐ」がその窪み部よりも大きく除去されるパターン形態を有していることが好ましい。
【００５４】
かかる金属めっきパターン層Ｂの形成では、第４金属めっき層５０''''に対して溶解除去作用を有するものの、第３金属めっき層５０'''に対しては溶解除去作用を有しないエッチャントを用いる。別の見方をすれば、第３金属めっき層５０'''は、工程（ｖｉ）で用いるエッチャントに対しては溶解除去されず、工程（ｖｉ）のパターニング処理のストッパー材（エッチング阻止部材）として機能し得る。例えば、第４金属めっき層５０''''が銅から成り、第３金属めっき層５０'''がＴｉ（チタン）から成る場合、工程（ｖｉ）で用いる選択性を有するエッチャントとしては「過酸化水素を主成分とするエッチャント（例えば三菱ガス化学（株）のＷＬＣ-Ｔ）」を用いることができる。
【００５５】
工程（ｖｉ）に引き続いて工程（ｖｉｉ）を実施する。つまり、図２（ｋ）に示すように、露出している第３金属めっき層５０'''およびその直下に位置する局所的な第１金属めっき層５０'を除去する。
【００５６】
かかる除去処理は、第１金属めっき層５０'および第３金属めっき層５０'''に対して溶解除去作用を有するものの、第２金属めっき層５０''および第４金属めっき層５０''''に対しては溶解除去作用を有しないエッチャントを用いることが好ましい。例えば、第２および第４の金属めっき層５０''および５０''''が銅から成り、第１および第３の金属めっき層５０'および５０'''がＴｉ（チタン）から成る場合、工程（ｖｉｉ）の除去処理で用いるエッチャントとしては「過酸化水素を主成分とするエッチャント（例えば、三菱ガス化学（株）のＷＬＣ-Ｔ）」を用いてよい。
【００５７】
除去される部分は、あくまでも「露出している第３金属めっき層」と「第３金属めっき層の直下に位置する局所的な第１金属めっき層」といっためっき部の表面部分である。より具体的には、「露出している第３金属めっき層」とは、先行する工程（ｖｉ）のパターニング処理で露出することになった第３金属めっき層５０'''の局所的な部分に相当する。一方、「第３金属めっき層の直下に位置する局所的な第１金属めっき層」は、第３金属めっき層５０'''の下方に位置し、かつ、その第３金属めっき層５０'''と直接的に接している第１金属めっき層５０'の局所的な部分（例えば図２（ｊ）の「Ｑ」部分）に相当する。
【００５８】
以上のパッケージ前駆体の形成工程および工程（ｉ）〜（ｖｉｉ）を経ることによって、第１〜第４のサブ金属めっき層から成る「階段状の金属めっき層５０」が得られる（図２（ｋ）参照）。
【００５９】
階段状の金属めっき層５０が得られた後においては、かかる金属めっき層に対してレジスト層６０を形成することが好ましい。例えば、図３（ａ）に示すように、金属めっきパターン層５０を部分的に覆うように封止樹脂層の表面（粘着性キャリアの剥離によって露出した表面）上にてソルダーレジスト層６０を形成することが好ましい。かかるレジスト層６０の形成は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジスト形成と同様であってよい。
【００６０】
かかる工程を経ることによって（例えば図３（ｂ）に示すようなダイシング処理なども付加的に経ることによって）、最終的には図３（ｃ）に示すような電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００６１】
（第２実施形態）
第２実施形態に従った本発明の製造方法のプロセスを図４（ａ）〜（ｋ）および図５（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００６２】
かかる実施形態では、階段状の金属めっき層の形成が、
（ｉ）’電極面が露出する封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉ）’第１金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉｉ）’第２金属めっき層の主面に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層を形成する工程、
（ｉｖ）’第３金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第２金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ａ’を形成する工程、
（ｖ）’ 金属めっきパターン層Ａ’および局所的に露出する第２金属めっき層に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層を形成する工程、
（ｖｉ）’第４金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第１金属めっき層および第３金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ｂ’を形成する工程、ならびに
（ｖｉｉ）’局所的に露出している第１金属めっき層および第３金属めっき層を除去する工程
を含んで成る。
【００６３】
第２実施形態では、図４（ａ）〜４（ｆ）に示すように、パッケージ前駆体１００’の形成工程ならびに工程（ｉ）’および（ｉｉ）’は、第１実施形態におけるパッケージ前駆体１００の形成工程ならびに工程（ｉ）および（ｉｉ）と同じである。
【００６４】
工程（ｉｉ）’に引き続いて工程（ｉｉｉ）’を実施する。つまり、図４（ｇ）に示すように、第２金属めっき層５０''の主面に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層５０'''を形成する。かかる乾式または湿式のめっき法自体は第１実施形態で説明しためっき処理と同様であってよい。つまり、例えば乾式めっき処理としてスパッタリングを実施し、湿式めっき法として電気めっき法（例えば電解めっき）を実施してよい。
【００６５】
第３金属めっき層５０'''は、パターニング処理されていない第２金属めっき層５０''上に対して全体的に形成されるので、第２金属めっき層５０''は図示するようにフラットな層形態を有し得る。
【００６６】
工程（ｉｉｉ）’に引き続いて工程（ｉｖ）’を実施する。つまり、図４（ｈ）に示すように、第３金属めっき層５０'''に対してパターニング処理を施し、第２金属めっき層５０''が局所的に露出する金属めっきパターン層Ａ’を形成する。パターニング処理自体は、第１実施形態で説明した態様と同様、所定のレジスト・パターンを用いたフォトリソグラフィーを利用して行うことができる。
【００６７】
工程（ｉｖ）’に引き続いて工程（ｖ）’を実施する。つまり、図４（ｉ）に示すように、金属めっきパターン層Ａ’および局所的に露出する第２金属めっき層５０''に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層５０''''を形成する。特に第４金属めっき層５０''''は、図示するように、第２金属めっき層５０''上の金属めっきパターン層Ａ’（即ち、第３金属めっきパターン層５０'''）を包み込むように形成することが好ましい。
【００６８】
工程（ｖ）’に引き続いて工程（ｖｉ）’を実施する。つまり、図４（ｊ）に示すように、第４金属めっき層５０''''に対してパターニング処理を施し、第１金属めっき層５０'および第３金属めっき層５０'''が局所的に露出する金属めっきパターン層Ｂ’を形成する。ここで実施するパターニング処理自体は、第１実施形態で説明した態様と同様、所定のレジスト・パターンを用いたフォトリソグラフィーを利用して行うことができる。
【００６９】
図４（ｊ）に示すように、金属めっきパターン層Ｂ’では、金属めっきパターン層Ａ’の離隔部分「Ｒ」よりも外側に位置する領域「Ｓ」がそのＲ部分よりも広く除去されたパターン形態を有していることが好ましい。
【００７０】
かかる金属めっきパターン層Ｂ’の形成では、第１実施形態で説明した態様と同様、第４金属めっき層５０''''（より好ましくは第４金属めっき層５０''''のみならず第２金属めっき層５０''）に対して溶解除去作用を有するものの、第３金属めっき層５０'''（より好ましくは第３金属めっき層５０'''のみならず第１金属めっき層５０'）に対しては溶解除去作用を有しないエッチャントを用いる。別の見方をすれば、第３金属めっき層５０'''は、工程（ｖｉ）’で用いるエッチャントに対しては溶解除去されず、工程（ｖｉ）’のパターニング処理のストッパー材（エッチング阻止部材）として機能し得る。尚、第１実施形態と同様、例えば第４金属めっき層５０''''および第２金属めっき層５０''が銅から成り、第３金属めっき層５０'''がＴｉ（チタン）から成る場合、工程（ｖｉ）’で用いるエッチャントとしては「過酸化水素を主成分とするエッチャント（例えば、三菱ガス化学（株）のＷＬＣ-Ｔ）」を用いることができる。
【００７１】
工程（ｖｉ）’に引き続いて工程（ｖｉｉ）’を実施する。つまり、図４（ｋ）に示すように、露出している第１金属めっき層５０'および第３金属めっき層５０'''を除去する。
【００７２】
除去される部分は、あくまでも「露出している第１金属めっき層」および「露出している第３金属めっき層」といっためっき部の表面部分である。より具体的には、「露出している第３金属めっき層」とは、先行する工程（ｖｉ）’のパターニング処理で露出することになった第３金属めっき層５０'''および第１金属めっき層５０'のそれぞれの局所的な露出部分に相当する。尚、第１実施形態と同様、かかる除去処理は、第１金属めっき層５０'および第３金属めっき層５０'''に対して溶解除去作用を有するものの、第２金属めっき層５０''および第４金属めっき層５０''''に対しては溶解除去作用を有しないエッチャントを用いることが好ましい。例えば、第２および第４の金属めっき層５０''および５０''''が銅から成り、第１および第３の金属めっき層５０'および５０'''がＴｉ(チタン)から成る場合、工程（ｖｉｉ）’の除去処理で用いるエッチャントとしては「過酸化水素を主成分とするエッチャント（例えば、三菱ガス化学（株）のＷＬＣ-Ｔ）」を用いてよい。
【００７３】
以上のパッケージ前駆体の形成工程および工程（ｉ）’〜（ｖｉｉ）’を経ることによって、第１〜第４のサブ金属めっき層から成る「階段状の金属めっき層５０」が得られることになる（図４（ｋ）参照）。そして、階段状の金属めっき層５０が得られた後においては、第１実施形態と同様、ソルダーレジスト層６０の形成、ダイシング処理などを得ることによって（図５（ａ）および図５（ｂ）参照）、最終的には図５（ｃ）に示すような電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００７４】
（第３実施形態）
第３実施形態に従った本発明の製造方法の主たるプロセスを図６（ａ）〜（ｌ）または図７（ａ）〜（ｋ）に示す。かかる第３実施形態は、パッケージ前駆体１００’の形成工程において、金属パターン層１０を粘着性キャリア２０に設けた後、その金属パターン層１０と重ならない領域において電子部品３０を粘着性キャリア２０に配置することを特徴としている。
【００７５】
具体的にはまず、図６（ａ）または図７（ａ）に示すように、金属パターン層１０を粘着性キャリア２０上に設ける。つまり、粘着性キャリア２０に対して貼り付けられるように金属パターン層１０を設ける。かかる金属パターン層１０は、パターン化処理が施された金属層である。このような金属パターン層１０の金属材質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種の金属材料を含んで成るものであってよい。金属パターン層１０の厚みは、好ましくは５μｍ〜１００μｍ、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍ（例えば１８μｍ）である。
【００７６】
金属パターン層１０における“パターニング”は、粘着性キャリア２０への設置前に行ってもよいし、あるいは、粘着性キャリア２０への設置後に行ってもよい。つまり、以下の（１）および（２）のいずれかの態様で金属パターン層１０を粘着性キャリア２０に設けてよい。
（１）予めパターニング処理された金属箔を粘着性キャリアに貼り付け、それによって、粘着性キャリア上に金属パターン層を設ける。
（２）金属箔または金属層を粘着性キャリア上に設けた後で金属箔または金属層をパターニング処理に付し、それによって、粘着性キャリア上に金属パターン層を設ける。
尚、金属パターン層のパターニング処理自体は、エレクトロニクス実装分野で用いられている処理であれば特に制限はない。例えば、レジスト形成〜露光・現像〜エッチングなどを実施するフォトリソグラフィーを利用することによってパターニング処理してよい。更にいえば、特に上記（１）の場合では、パンチング加工（打ち抜き加工）などの機械的加工処理によって金属箔をパターン形成してもよい。
【００７７】
金属パターン層１０を設けた後は電子部品３０の配置を行う。つまり、図６（ｂ）または図７（ｂ）示すように、金属パターン層１０と重ならないキャリア領域に対して少なくとも１種類の電子部品３０を配置する。つまり、金属パターン層１０と重ならない範囲で粘着性キャリア２０に対して電子部品３０を貼り付ける。
【００７８】
電子部品３０の配置に際しては、金属パターン層１０を認識パターンとして用いてよい。つまり、金属パターン層１０の少なくとも一部をアライメントマークとして用いてもよい（図６の右上図参照）。例えば、電子部品３０を配置する際の位置決めに金属パターン層のアライメントマークを用いることができる。これによって、所望の電子部品３０を正確に位置付けることができ、信頼性の高いパッケージを実現することができる。尚、アライメントマーク自体は、それを意図して金属パターン層１０のパターンに予め含めておいてもよいし、あるいは、別の目的で形成したパターン部分をそのままアライメントマークとして利用してもよい。また、このような金属パターン層１０のアライメントマークは、電子部品の位置決めに用いることに限定されず、他の用途の位置決めに用いることも可能である。
【００７９】
電子部品３０を配置した後は、封止樹脂層の形成を実施する。つまり、図６（ｃ）または図７（ｃ）に示すように、金属パターン層１０および電子部品３０を覆うように粘着性キャリア２０上に封止樹脂層４０を形成し、電子部品封止体を得る。次いで、図６（ｄ）または図７（ｄ）に示すように、電子部品封止体から粘着性キャリア２０を剥離し、それによって、封止樹脂層４０の表面から電子部品３０の電極３５を露出させると共に、金属パターン層１０を露出させる。
【００８０】
ここで、第３実施形態では、金属パターン層１０の存在によって粘着性キャリア２０の好適な剥離が達成されている。より具体的には、封止樹脂層４０と粘着性キャリア２０との接合面にて局所的に介在する金属パターン層１０の存在によって、封止樹脂層４０に対する粘着性キャリア２０の全体的な離型性を向上させている。これは、「金属パターン層１０と粘着性キャリア２０との接合面ａ」が「封止樹脂層４０と粘着性キャリア２０との接合面ｂ」よりも減じられた接合力を供することに起因している(図６の右側真ん中図参照)。つまり、金属パターン層１０と粘着性キャリア２０との接合面に「減じられた接合力が供される接合面ａ」を局所的に介在させ、それによって、封止樹脂層４０に対する粘着性キャリア２０の剥離性向上を全体として図っている。換言すれば、本発明においては封止樹脂層４０と粘着性キャリア２０との接合面にて局所的に介在する金属パターン層１０が“離型促進部材”または“離型補助部材”として機能している。
【００８１】
このように第３実施形態では金属パターン層１０に起因して「粘着性キャリア２０と封止樹脂層４０との全体的な離型性」が効果的に図られているので、粘着性キャリア２０の剥離操作を好適に行うことができる。
【００８２】
尚、粘着性キャリアの剥離を更により好適に行うために、光沢面を有する金属パターン層を用いることが好ましい。具体的には、剥離前において金属パターン層１０の光沢面１０Ａが粘着性キャリア２０と接するような形態にしておくことが好ましい（図６の右側下図参照）。つまり、金属パターン層の配置に際しては、金属パターン層１０の光沢面１０Ａが粘着性キャリア２０（特に粘着層２６）と接するように金属パターン層１０を粘着性キャリア２０上に設けることが好ましい。このような金属パターン層１０の“光沢面”が好適に利用されると、「金属パターン層１０と粘着性キャリア２０との接合面ａ」における接合力を更に減じることができ、結果的に「封止樹脂層４０に対する粘着性キャリア２０の剥離性」を更に向上させることができる。
【００８３】
また、“光沢面”に加えて又はそれに代えて、粗化面１０Ｂを有する金属パターン層１０を用いることが好ましい。かかる場合、粗化面１０Ｂが封止樹脂層４０と接合するように金属パターン層１０が封止樹脂層４０に覆われる形態にしておくことが好ましく（図６の右側下図参照）、それによって、粘着性キャリア２０の剥離を更により好適に行うことができる。つまり、金属パターン層１０の粗化面１０Bが露出面となるように（即ち、粗化面１０Ｂに対向する主面が粘着性キャリアと接するように）金属パターン層１０を粘着性キャリア２０上に設けることが好ましい。そして、かかる露出した粗化面１０Ｂに対して封止樹脂層４０が供されることになるので、粗化面１０Ｂと封止樹脂層４０とが相互に接合するように金属パターン層１０が封止樹脂層４０に覆われる。このような金属パターン層１０の“粗化面”が存在すると、それに起因して金属パターン層１０と封止樹脂層４０との接合力が増すことになり（封止樹脂層４０の樹脂材が粗化面１０Ｂに食い込むように存在するので金属パターン層と封止樹脂層との接合力が増し）、結果的に、粘着性キャリア２０の剥離を更により好適に行うことができる。
【００８４】
特に好ましい態様としては金属パターン層が“光沢面”および“粗化面”を有している。つまり、金属パターン層１０が“光沢面１０Ａ”および“粗化面１０Ｂ”を有し、“光沢面１０Ａ”が粘着性キャリア２０と接すると共に、粗化面１０Ｂと封止樹脂層４０とが相互に接合するように金属パターン層１０が封止樹脂層４０に覆われていることが好ましい。かかる場合、「金属パターン１０と封止樹脂層４０との密着性向上」および「封止樹脂層４０と粘着性キャリア２０との剥離性向上」の双方を図ることができる。
【００８５】
尚、本発明において『粗化面』とは、金属パターン層の主面が粗い面（微細な凹凸面）となっていることを意味しており、例えば金属パターン層１０の表面の算術平均粗さＲｚが５．０μｍ以上、好ましくは７．０μｍ以上となっていることを実質的に意味している（その上限値は特に制限はないものの、例えば１０．０μｍ以下である）。また、本明細書において『光沢面』とは、金属パターン層の主面が平滑面となっていることを意味しており、例えば金属パターン層１０の表面の算術平均粗さＲａが０．３μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下（Ｒｚが２．０μｍ以下、好ましくは１．０μｍ以下）となっていることを実質的に意味している（つまり、金属パターン層の光沢面の算術平均粗さＲａが０（０を除く）〜０．３μｍ、好ましくは０（０を除く）〜０．２μｍとなっている）。ここで、本明細書でいう『算術平均粗さ（Ｒａ）』とは、図８に示すような粗さ曲線（本発明でいうと「金属パターン層の表面の断面形状プロファイル」）から、その平均線の方向に基準長さＬだけ抜き取り、この抜き取り部分における平均線から測定曲線までの偏差の絶対値を合計して得られる値を平均化したものを実質的に意味している。また、ここでいう「表面粗さを表すＲｚ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定されている粗さ“Ｒｚ”のことを指している。つまり、本発明における『Ｒｚ』は、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から5番目までの山頂の標高(Yp)の絶対値の平均値と、最も低い谷底から5番目までの谷底の標高(Yv)の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう（JIS B0601:1994参照）。
【００８６】
以上のような粘着性キャリアの剥離によってパッケージ前駆体が得られると、それ以降の工程は、上記の第１実施形態または第２実施形態と同様のプロセス処理が施され（例えば、図６（ｅ）〜（ｌ）および図７（ｅ）〜（ｋ）参照）、“階段状の金属めっき層”が得られることになる。そして、階段状の金属めっき層が得られた後は、上記態様と同様にソルダーレジスト層形成、ダイシング処理などを得ることによって、最終的な電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００８７】
（第４実施形態）
かかる第４実施形態は、「複数の電子部品パッケージの一括製造」に適した実施形態である。つまり、かかる実施形態に従えば、複数の電子部品パッケージを一括して製造することができる。かかる場合、金属パターン層として「複数の開口形態を備えた金属パターン層」を用いることが好ましい。具体的には、パッケージ前駆体形成工程では、粘着性キャリアに設けられる金属パターン層として「電子部品設置領域を複数有する金属パターン層」を用いることが好ましい（図９参照）。例えば、「複数の電子部品設置領域を有する金属パターン層」として「各電子部品を設置するためのスペースを備えた金属パターンがそれぞれアレイ状に複数配置された金属パターン層１０」を用いてよい。そして、複数の電子部品設置領域の各々にて位置付けられるように、複数の電子部品パッケージにそれぞれ用いられる電子部品を各々配置する（即ち、電子部品設置領域の各々にて露出する局所的な粘着性キャリア領域に対して各々の電子部品を配置する）。このような工程を経ることによって、結果的に、「複数の前駆体が一体化した電子部品パッケージ前駆体」を一括して得ることができる。従って、最終的には、乾式および湿式の金属めっき処理法を逐次的に施すと共に、それにより形成される金属めっき層の少なくとも２層に対してパターニング処理を施して“階段状の金属めっき層”を得ることを行った後、ダイシング処理を施すと複数個の電子部品パッケージを得ることができる。つまり、“階段状の金属めっき層”が得られた後に“金属パターン層の複数の電子部品設置領域”がそれぞれ別個に分かれるようにダイシング処理すると、複数個の電子部品パッケージを得ることができる。
【００８８】
（第５実施形態）
かかる第５実施形態は、「発光素子パッケージの製造」に適した実施形態である。本発明は、電子部品に発光素子が含まれる場合（つまり、パッケージ前駆体形成工程において粘着性キャリアに配置する電子部品として発光素子が含まれている場合）であっても、好適に発光素子パッケージ品の製造を行うことができる。かかる場合、封止樹脂層の形成として、蛍光体層および透明樹脂層の形成を行う。具体的には、粘着性キャリアに配置された発光素子上に蛍光体層４４を配置し、次いで、発光素子および蛍光体層を覆うように透明樹脂層４６を形成する（図１０（ａ）〜（ｃ）参照）。蛍光体層の形成および透明樹脂層の形成自体は、常套的なＬＥＤパッケージ製造で一般に用いられている方法と同様であってよい。以降の工程は、上記第１実施形態または第２実施形態と同様なプロセスを実施する（図１０（ｄ）〜（ｈ）参照）。これによって、最終的に所望の発光素子パッケージ形態を有する電子部品パッケージを得ることができる。
【００８９】
［本発明の電子部品パッケージ］
次に、本発明の一態様に係る電子部品パッケージについて説明する。本発明の一態様に係る電子部品パッケージは、上記の製造方法で得られるパッケージである。
【００９０】
図１１に、本発明の一態様に係る電子部品パッケージの構成を模式的に示す。図示されるように、電子部品パッケージ１００は、封止樹脂層４０、電子部品３０、「電子部品に接続されている階段状の金属めっきパターン層５０」を有して成る。
【００９１】
図示されるように、階段状の金属めっきパターン層５０は、相対的に内側に位置付けられた内側めっきパターンと相対的に外側に位置付けられた外側めっきパターンとから構成されており、内側めっきパターンが外側めっきパターンから局所的に露出することによって金属めっきパターン層が階段形状をなしている。
【００９２】
また本発明では、図１１にて示されるように、内側めっきパターンが電子部品（特にその電極３５）と直接的に接合するように設けられており、その上に外側めっきパターンが設けられている。これから分かるように、本発明でいう「内側めっきパターン」における“内側”といった表現は「電子部品の電極露出面」に対してより近位に位置していることを実質的に意味する一方、「外側めっきパターン」における“外側”といった表現は「電子部品の電極露出面」に対してより遠位に位置していることを実質的に意味している。
【００９３】
本発明の電子部品パッケージでは、電子部品３０は封止樹脂層４０に埋設されている。特に本発明では電子部品３０が封止樹脂層４０と面一状態でその封止樹脂層４０に埋設されていることが好ましい。つまり、「電子部品３０の表面」と「封止樹脂層４０の表面」とが実質的に同一平面上にある。電子部品３０についていえば、特に電子部品の電極部分３５が封止樹脂層４０と面一状態となっていることが好ましい（つまり、電子部品の電極３５の表面と封止樹脂層４０の表面とが実質的に同一平面上にあることが好ましい）。
【００９４】
封止樹脂層４０に埋設されている電子部品３０としては、例えば、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。尚、封止樹脂層４０は、例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを含んで成るものであってよい。かかる封止樹脂層の厚さは、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度、より好ましくは１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ程度である。
【００９５】
特に図１１の拡大図に示されるように、階段状の金属めっきパターン層は４層構造を有していることが好ましい。具体的には、内側めっきパターンが第１金属めっき層５０'および第２金属めっき層５０''から成る一方、外側めっきパターンが第３金属めっき層５０'''および第４金属めっき層５０''''から成り、それによって、階段状の金属めっきパターン層５０が全体として４層構造を有していることが好ましい。例えば、内側めっきパターンでは第１金属めっき層５０'が乾式めっき層を成す一方、第２金属めっき層５０''が湿式めっき層を成し、また、外側めっきパターンでは第３金属めっき層５０'''が乾式めっき層または湿式めっき層を成す一方、第４金属めっき層５０''''が湿式めっき層を成している。
【００９６】
本発明の電子部品パッケージ１００では、乾式めっき層が、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）および合金（例えばそれらの少なくとも２種類の金属元素から構成される合金）から成る群から選択される少なくとも１種類の材質を含んで成ることが好ましい。一方、湿式めっき層は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）から成る群から選択される少なくとも１種類の材質を含んで成ることが好ましい。特に乾式めっき層として設けられている第１金属めっき層と第３金属めっき層とが同じ金属材料を含んで成り、また、湿式めっき層として設けられている第２金属めっき層と第４金属めっき層とが同じ金属材料を含んで成るものであってよい。例えば、乾式めっき層として設けられている第１金属めっき層５０'と第３金属めっき層５０'''とが同じ金属材料としてＴｉ（チタン）を含んで成る一方、湿式めっき層として設けられている第２金属めっき層５０''と第４金属めっき層５０''''とが同じ金属材料として銅を含んで成る。尚、「放熱特性」を特に重視する場合、湿式めっき法で形成される厚い第２金属めっき層５０''および／または第４金属めっき層５０''''の材質は熱伝導性が高く放熱特性に効果的に寄与するものが好ましく、それゆえ銅（Ｃｕ）が特に好ましい。
【００９７】
乾式めっき法で形成される金属めっき層（即ち、例えば第１金属めっき層５０'および第３金属めっき層５０'''）は非常に薄いものであるのに対して（好ましくはナノオーダーの厚さを有し得る）、湿式めっき法で形成される金属めっき層（即ち、例えば第２金属めっき層５０''および第４金属めっき層５０''''）は厚いものである（好ましくはミクロンオーダーの厚さを有し得る）。従って、内側めっきパターンにて第１金属めっき層５０'が乾式めっき層を成し、第２金属めっき層５０''が湿式めっき層を成し、また、外側めっきパターンにて第３金属めっき層５０'''が乾式めっき層を成し、第４金属めっき層５０''''が湿式めっき層を成す場合、階段状の金属めっきパターン層５０の大部分は湿式めっき層が占めている。
【００９８】
ある好適な態様を例示すると、乾式めっき法で形成する第１金属めっき層５０'は好ましくは１００ｎｍ〜１５００ｎｍ厚さ、より好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さ（例えば３００ｎｍのＴｉ層と１０００ｎｍのＣｕ層の２構造）を有する。一方、湿式めっき法で形成する第２金属めっき層５０''が２μｍ〜３０μｍ、好ましくは５μｍ〜２０μｍ程度である。そして、乾式めっき法で形成する第３金属めっき層５０'''は好ましくは１００ｎｍ〜１５００ｎｍ厚さ、より好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さ（例えば３００ｎｍのＴｉ及び１０００ｎｍのＣｕの厚さ）を有し、湿式めっき法で形成する場合の第４金属めっき層５０''''が好ましくは１４μｍ〜５００μｍ厚さ（例えば１６μｍ〜４７０μｍ厚さ）、より好ましくは３０μｍ〜２３０μｍ程度である。このように第２と第４の金属めっき層の合計厚みが１６〜５３０μｍ程度、より好ましくは３５〜２５０μｍ程度であって、湿式めっき層が厚く設けられているので、全体として厚い金属めっき層が好適に実現されている。
【００９９】
図１１に示す態様から分かるように、本発明の電子部品パッケージ１００では、階段状の金属めっきパターン層５０と電子部品３０（特にその電極部分３５）とは相互にダイクレクトに（直接的に）面接触（直接接合もしくは面接合）しており、それによって、金属めっきパターン層５０と電気部品３０とが電気的に相互接続されている。乾式めっき層を成す第１金属めっき層５０'と第３金属めっき層５０'''が非常に薄いので（例えば熱抵抗・電気抵抗が実質的に無視できるほど非常に薄いので）、湿式めっき層を成す厚い第２金属めっき層５０''および第４の金属めっき層５０''''が、電子部品（特にその電極部分３５）とダイクレクトに（直接的に）面接触（直接接合もしくは面接合）しているとみなすことができる。ここでいう『面接触（直接接合もしくは面接合）』とは、各要素の主面同士（上側面・下側面）が相互に接触する態様、特に、各要素の主面同士（上側面・下側面）が相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を実質的に意味している。具体的には、“電子部品（特にその電極部分）の主面（封止樹脂層から露出する下側の主面）”と“金属めっきパターン層の主面（上側主面）”とが相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を意味している。換言すれば、本明細書で用いる『面接触（直接接合もしくは面接合）』とは、金属めっきパターン層および電子部品（特にその電極部分）の主面領域のうち相互に重なる領域同士が全接触する態様を意味している（つまり、図１２における“下側主面領域Ａ”と“上側主面領域Ｂ”とが全て接触する態様に相当する）。
【０１００】
このように“面接触（直接接合もしくは面接合）”であるがゆえ、電子部品からの熱を金属めっきパターン層５０を介して効率よく外部へと逃がすことができる。特に、面接触している金属めっきパターン層５０は、上述のように厚く設けられているので、ヒートシンクとして好適に機能し、パッケージの放熱対策に特に効果的に寄与し得る。
【０１０１】
本発明のパッケージは、このように優れた放熱特性を有し得るので、電子部品の特性や動作寿命が増す効果がもたらされ得、また、熱に起因した“電子部品や封止樹脂の変性・変色”なども効果的に防止され得る。また、“面接触（直接接合もしくは面接合）”ゆえ、ワイヤやバンプを介した電気接続の場合と比較して電気抵抗にも優れている。そのため、本発明のパッケージでは、より大きな電流を流すことができる効果なども奏され得る。例えば、ＬＥＤパッケージなどの発光素子パッケージの場合を例にとると、高放熱特性や大電流などに起因して、より高輝度な発光素子パッケージを本発明で実現できる。
【０１０２】
尚、本発明の金属めっき層は、階段状である。それゆえ、“相対的に厚い部分”を特に放熱性が要求される電子部品の下方に設けることができる一方、ファインな金属めっき配線が要求されるところは“相対的に薄い部分”にすることができる。つまり、図１１でいうと、電子部品Ａが、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）またはインダクタなどの高放熱タイプである場合、その電子部品Ａの電極部の下方領域に“階段状の金属めっき層の相対的に厚い部分”を位置付ける一方、それ以外のファインな金属めっき配線が要求される領域には“階段状の金属めっき層の相対的に薄い部分”を位置付けることができる。
【０１０３】
尚、本発明においてはパッケージ品としてより好適な態様となるようにレジスト層が設けられていてもよい。つまり、金属めっきパターン層に対してレジスト層が設けられていてよい。より具体的には、図１１に示すように、金属めっきパターン層を少なくとも部分的に覆うようにソルダーレジスト層６０が設けられていることが好ましい。かかるレジスト層６０は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジストと同様であってよい。
【０１０４】
本発明の電子部品パッケージ１００は、上記の第３実施形態の製法で得られたものである場合、金属パターン層１０を有して成る。かかる場合、図１３に示すように、金属パターン層１０が封止樹脂層４０と面一状態となるように金属パターン層１０が封止樹脂層４０に埋設されていることが好ましい。特に本発明では金属パターン層１０および電子部品３０が封止樹脂層４０と面一状態でその封止樹脂層４０に埋設されていることが好ましい。つまり、「金属パターン層１０の表面」と「封止樹脂層４０の表面」とが実質的に同一平面上にあると共に、「電子部品３０の電極表面」と「封止樹脂層４０の表面」とが実質的に同一平面上にあることが好ましい。
【０１０５】
封止樹脂層に埋設されている金属パターン層１０は、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種の金属材料を含んで成る。金属パターン層１０の厚みは、好ましくは５μｍ〜１００μｍ、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍ（例えば１８μｍ）である。金属パターン層１０が光沢面を有している場合、図１３に示すように、光沢面１０Ａが封止樹脂層４０と面一となるように金属パターン層１０が封止樹脂層４０に埋設されていることが好ましい。また、金属パターン層１０が粗化面１０Ｂを有している場合、同じく図１３に示すように、粗化面１０Ｂが封止樹脂層４０と接合するように金属パターン層１０が封止樹脂層４０に覆われていることが好ましい。尚、上述した通り、『光沢面』とは、金属パターン層の表面の算術平均粗さＲａが０．３μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下となっていることを実質的に意味しており、『粗化面』とは、金属パターン層の表面の算術平均粗さＲｚが５．０μｍ以上、好ましくは７．０μｍ以上となっていることを実質的に意味している。
【０１０６】
また、パッケージ製造過程において金属パターン層を認識パターンとして用いた場合、金属パターン層１０の少なくとも一部に「アライメントマークとしてのパターン部分」を有している。より具体的にいえば、図１３に示すように「アライメントマークの金属パターン部分１０」が封止樹脂層４０に埋設されている。好ましくは「アライメントマークの金属パターン部分１０」が封止樹脂層４０と面一状態となるように埋設されている。
【０１０７】
本発明のパッケージでは、例えば「電子部品の電極」と「金属パターン層」とが金属めっきパターン層の少なくとも一部を介して相互に電気接続されていることが好ましい。これにより好適な配線形態が実施され得る。換言すれば、金属めっきパターン層が適当な配線形態をとることによって、電子部品の電極３５と金属パターン層１０とが間接的に相互接続され得る。このような配線形態においては、電子部品が発熱する場合、その熱を金属めっき層１０を介して好適に放熱させることができる効果が奏され得る。
【０１０８】
本発明の電子部品パッケージ１００は、上記の第５実施形態の製法で得られたものである場合、図１４に示すような構成を好ましくは有している。つまり、電子部品３０として発光素子が含まれ、電子部品パッケージが発光素子パッケージ品となる場合、蛍光体層および透明樹脂層が設けられている。具体的には、「電子部品を埋設している封止樹脂層」として、図１４に示すように、「発光素子３０上に形成された蛍光体層４４」および「発光素子３０および蛍光体層４４を覆うように形成された透明樹脂層４６」が設けられていることが好ましい。これによって、本発明の電子部品パッケージ１００として発光素子パッケージ品を実現できる。かかる“蛍光体層”および“透明樹脂層”の材質・厚さなどは、一般的なＬＥＤパッケージにて常套的に用いられているものを採用してよい。尚、本明細書において『発光素子』とは、光を発する素子であって、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）およびそれらを含む電子部品のことを実質的に意味している。従って、本発明における『発光素子』は、「ＬＥＤのベアチップ（即ちＬＥＤチップ）」のみならず、「ＬＥＤチップがモールドされたディスクリート・タイプ」をも包含した態様を表すものとして用いている。尚、ＬＥＤチップに限らず、半導体レーザーチップなども用いることができる。
【０１０９】
電子部品に発光素子が含まれるパッケージの場合、乾式めっき法で形成した第１金属めっき層５０'を「反射層」として好適に用いることができる。かかる場合、発光素子の直下に「反射層」が位置付けられるので、発光素子から発された下向きの光を反射層（乾式めっき法で形成した第１金属めっき層５０'）で効率的に反射させることができる。つまり、「下向きに発された光」を上方へと向けることが可能となる。このような高反射特性を特に重視するならば、第１金属めっき層５０'は、Ａｇ（銀）およびＡｌ（アルミニウム）などから成る群から選択される金属を含んで成る乾式めっき層であることが好ましい。
【０１１０】
最後に、本発明は下記の態様を有するものであることを確認的に付言しておく。
第１態様：電子部品パッケージを製造するための方法であって、
電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を形成し、
パッケージ前駆体に対して乾式および湿式のめっき処理法を逐次的に施して複数の金属めっき層を形成する工程と、複数の金属めっき層の少なくとも２つに対してパターニング処理を施す工程とを組み合わせて実施し、それによって、階段状の金属めっき層を得ることを特徴とする、電子部品パッケージの製造方法。
第２態様：上記第１態様において、先行する一方の前記パターニング処理後に形成された金属めっき層または先行する一方のパターニング処理に付された金属めっき層を、後続する他方の前記パターニング処理に際して行うエッチングにてエッチング阻止部材として利用することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第３態様：上記第１態様または第２態様において、
前記階段状の金属めっき層の形成が、
（ｉ）電極（電極面）が露出する封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉ）第１金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉｉ）第２金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第１金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ａを形成する工程、
（ｉｖ）金属めっきパターン層Ａおよび局所的に露出した第１金属めっき層に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層を形成する工程、
（ｖ）第３金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層を形成する工程、
（ｖｉ）第４金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第３金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ｂを形成する工程、ならびに
（ｖｉｉ）露出している第３金属めっき層およびその直下に位置する局所的な第１金属めっき層を除去する工程
を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第４態様：上記第３態様において、工程（ｖｉ）の金属めっきパターン層Ｂの形成に際して実施するエッチングにおいて、工程（ｉｖ）で形成された第３金属めっき層をエッチングの阻止部材として用いることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第５態様：上記第１態様または第２態様において、階段状の金属めっき層の形成が、
（ｉ）’電極（電極面）が露出する封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して第１金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉ）’第１金属めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して第２金属めっき層を形成する工程、
（ｉｉｉ）’第２金属めっき層の主面に対して乾式めっき法または湿式めっき法を全面的に実施して第３金属めっき層を形成する工程、
（ｉｖ）’第３金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第２金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ａ’を形成する工程、
（ｖ）’金属めっきパターン層Ａ’および局所的に露出する第２金属めっき層に対して湿式めっき法を全面的に実施して第４金属めっき層を形成する工程、
（ｖｉ）’第４金属めっき層に対してパターニング処理を施し、第１金属めっき層および第３金属めっき層を局所的に露出させる金属めっきパターン層Ｂ’を形成する工程、ならびに
（ｖｉｉ）’露出している第１金属めっき層および第３金属めっき層を除去する工程
を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第６態様：上記第５態様において、工程（ｖｉ）’の金属めっきパターン層Ｂの形成に際して実施するエッチングにおいて、工程（ｉｖ）’で形成された第３金属めっき層の金属めっきパターン層Ａ’を該エッチングの阻止部材として用いることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第７態様：上記第３態様〜第６態様のいずれかにおいて、工程（ｖｉｉ）または工程（ｖｉｉ）’の除去に際しては、第１金属めっき層および第３金属めっき層に対して溶解除去作用を有するものの、第２金属めっき層および第４金属めっき層に対して溶解除去作用を有しないエッチャントを用いることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第８態様：上記第１態様〜第７態様のいずれかにおいて、乾式めっき法としてスパッタリングを実施する一方、湿式めっき法として電気めっきを実施することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第９態様：上記第１態様〜第８態様のいずれかにおいて、乾式めっき法を実施することによって厚み１００ｎｍ〜１０００ｎｍの第１金属めっき層および第３金属めっき層を形成する一方、
湿式めっき法を実施することによって厚み５μｍ〜２０μｍの第２金属めっき層および厚み１４μｍ〜５００μｍの第４金属めっき層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１０態様：上記第１態様〜第９態様のいずれかにおいて、パッケージ前駆体の形成に際しては、電子部品の電極面と封止樹脂層とが面一状態となるように電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を得ることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１１態様：上記第１０態様において、パッケージ前駆体の形成に際しては、電子部品の埋設に加えて金属パターン層が封止樹脂層に埋設され、それによって、金属パターン層の主面および電子部品の電極面と封止樹脂層とが面一状態となったパッケージ前駆体を得ることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１２態様：上記第１態様〜第１１態様のいずれかにおいて、パッケージ前駆体の形成は、
（ａ）粘着性キャリアに貼り付けられるように電子部品を該粘着性キャリアに配置する工程、
（ｂ）電子部品を覆うように粘着性キャリア上に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｃ）封止樹脂層から粘着性キャリアを剥離することによって、封止樹脂層の表面から電子部品の電極を露出させる工程
を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１３態様：上記第１１態様に従属する上記第１２態様において、工程（ａ）では、粘着性キャリアに貼り付けられるように金属パターン層を粘着性キャリアに設けた後、金属パターン層と重ならない領域において電子部品を粘着性キャリアに配置することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１４態様：上記第１３態様において、金属パターン層が光沢面を有しており、剥離前においては該金属パターン層の光沢面が粘着性キャリアと接していることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１５態様：上記第１３態様または第１４態様において、金属パターン層が粗化面を有しており、粗化面が封止樹脂層と接合するように金属パターン層が封止樹脂層に覆われていることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１６態様：上記第１２態様〜第１５態様のいずれかにおいて、工程（ａ）で配置する電子部品として発光素子が含まれており、
工程（ｂ）では封止樹脂層の形成として、発光素子上に蛍光体層を配置し、発光素子および蛍光体層を覆うように透明樹脂層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
第１７態様：電子部品パッケージであって、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、および
電子部品に電気的に接続された階段状の金属めっきパターン層
を有して成り、
階段状の金属めっきパターン層は、相対的に内側に位置付けられた内側めっきパターンと相対的に外側に位置付けられた外側めっきパターンとから構成されており、内側めっきパターンが外側めっきパターンから露出することによって金属めっきパターン層が階段形状をなしていることを特徴とする、電子部品パッケージ。
第１８態様：上記第１７態様において、内側めっきパターンが第１金属めっき層および第２金属めっき層から成る一方、外側めっきパターンが第３金属めっき層および第４金属めっき層から成り、それによって、階段状の金属めっきパターン層が全体として４層構造を有していることを特徴とする電子部品パッケージ。
第１９態様：上記第１８態様において、内側めっきパターンでは第１金属めっき層が乾式めっき層を成す一方、第２金属めっき層が湿式めっき層を成し、また
外側めっきパターンでは第３金属めっき層が乾式めっき層または湿式めっき層を成す一方、第４金属めっき層が湿式めっき層を成すことを特徴とする電子部品パッケージ。
第２０態様：上記第１９態様において、乾式めっき層として設けられている第１金属めっき層と第３金属めっき層とが同じ金属材料を含んで成り、また
湿式めっき層として設けられている第２金属めっき層と第４金属めっき層とが同じ金属材料を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージ。
第２１態様：上記第２０態様において、乾式めっき層が、チタン、クロム、ニッケル、タングステン、銅および合金から成る群から選択される少なくとも１種類の材質を含んで成る一方、
湿式めっき層が、銀、銅、ニッケル、チタンおよびアルミニウムから成る群から選択される少なくとも１種類の材質を含んで成ることを特徴とする電子部品パッケージ。
第２２態様：上記第１８態様〜第２１態様のいずれかにおいて、第１金属めっき層および第３金属めっき層がそれぞれ１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さを有し、第２金属めっき層が５μｍ〜２０μｍの厚さを有し、また、第４金属めっき層が１４μｍ〜５００μｍの厚さを有することを特徴とする電子部品パッケージ。
第２３態様：上記第１７態様〜第２２態様のいずれかにおいて、電子部品の電極が封止樹脂層と面一状態となるように電子部品が封止樹脂層に埋設されていることを特徴とする電子部品パッケージ。
第２４態様：上記第１７態様〜第２３態様のいずれかにおいて、封止樹脂層に埋設された金属パターン層を更に有して成り、
金属パターン層が封止樹脂層と面一状態となるように金属パターン層が封止樹脂層に埋設されていることを特徴とする電子部品パッケージ。
第２５態様：上記第２４態様において、階段状の金属めっきパターン層および／または金属パターン層の少なくとも一部が電子部品パッケージの放熱部材となっていることを特徴とする電子部品パッケージ。
第２６態様：上記第１７態様〜第２５態様のいずれかにおいて、電子部品として発光素子が含まれており、
封止樹脂層として、発光素子上に蛍光体層が設けられ、発光素子および蛍光体層を覆う透明樹脂層が設けられていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【０１１１】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の態様が考えられることを当業者は容易に理解されよう。
【０１１２】
例えば、本発明の製造方法では、剥離した粘着性キャリアを再利用してもよい。つまり、本発明では、後刻に行われる別の電子部品パッケージ製造にて「一旦使用した粘着性キャリア」を用いることができる。
【実施例】
【０１１３】
本発明に従って電子部品パッケージを作製した。【０１１４】
《使用材料》
パッケージ製造に使用した「粘着性キャリア（粘着フィルム）」などは、次の通りである。
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【０１１５】
以下のプロセスを実施して、電子部品パッケージを作製した。
0005624700.tif 000003
【０１１６】
上記プロセスを実施することによって“基板レス”、“ワイヤボンディングレス・バンプレス”、“はんだ材料を用いない”パッケージを得ることができた。また、かかるパッケージにおいては「電子部品の電極露出面」と接続されるバンプレスの厚い階段形状の金属めっきパターン層が形成され、かかる階段状の金属めっきパターン層の厚い局所的部分をヒートシンクとして用いることができる一方、その薄い局所的部分をファインラインとして用いることができることを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明は、エレクトロニクス実装分野の各種用途に好適に用いることができる。例えば、本発明は、電源パッケージ（ＰＯＬコンバータ、例えば降圧型ＤＣ-ＤＣコンバータ）、ＬＥＤパッケージや部品内蔵モジュールなどに好適に適用することができる。
【関連出願の相互参照】
【０１１８】
本出願は、日本国特許出願第２０１２−２７９８４２号（出願日：２０１２年１２月２１日、発明の名称「電子部品パッケージおよびその製造方法」）に基づくパリ条約上の優先権を主張する。当該出願に開示された内容は全て、この引用により、本明細書に含まれるとする。
【符号の説明】
【０１１９】
１０  金属パターン層
１０Ａ  金属パターン層の光沢面
１０Ｂ  金属パターン層の粗化面
２０  粘着性キャリア
２４  粘着性キャリアの支持基板
２６  粘着性キャリアの粘着層
３０  電子部品
３５  電子部品の電極
４０  封止樹脂層
４４  蛍光体層
４６  透明樹脂層
５０  金属めっき層
５０'  第１金属めっき層
５０''  第２金属めっき層
５０'''  第３金属めっき層
５０''''  第４金属めっき層
６０  レジスト層
１００’  電子部品パッケージ前駆体
１００  電子部品パッケージ
Ｐ  「第２金属めっき層の屈曲形態に起因して局所的に形成された第３金属めっき層の窪み部」よりも外側に位置する領域
Ｑ  露出する第３金属めっき層の直下に位置する局所的な第１金属めっき層
Ｒ  金属めっきパターン層Ａ’の離隔部分
Ｓ  金属めっきパターン層Ａ’の離隔部分Ｒよりも外側に位置する領域
【要約】
本発明の電子部品パッケージを製造するための方法は、電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように電子部品が該封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を形成する。特に電子部品パッケージの製造方法では、パッケージ前駆体に対して乾式および湿式のめっき処理法を逐次的に施して複数の金属めっき層を形成する工程と、その複数の金属めっき層の少なくとも２つに対してパターニング処理を施す工程とを組み合わせて実施し、それによって、階段状の金属めっき層を得る。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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