(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、
第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、
前記絶縁層に外表面から孔を形成し、第１の電気回路を露出させる孔形成工程、
露出させた第１の電気回路から前記孔をメッキ金属で充填して金属柱を形成する金属柱形成工程、
前記絶縁層の外表面及び前記金属柱の頂部に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程、
前記樹脂皮膜の外表面から少なくとも該樹脂皮膜の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝及び／又は孔を形成することにより回路パターンを形成する回路パターン形成工程、
前記樹脂皮膜の表面及び前記回路パターンの表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程、
前記樹脂皮膜を前記絶縁層から除去する皮膜除去工程、及び、
前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する回路パターンの部分及び前記金属柱の露出部分にメッキ膜を形成して前記絶縁層に第２の電気回路を形成すると共に、この絶縁層の第２の電気回路と前記回路基板の第１の電気回路とを前記金属柱を介して層間接続するメッキ工程、
を備える多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
回路パターン形成工程では、回路パターンの底面から金属柱の頂部が露出し、かつ突出するように回路パターンを形成し、この金属柱の頂部を覆うように形成された第２電気回路の部分を電極用パッド部とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
回路パターン形成工程では、回路パターンの底面から金属柱の頂部が露出し、かつ突出しないように回路パターンを形成する請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
金属柱形成工程において、回路パターンの底面となる位置までメッキ金属を充填することにより、回路パターン形成工程において、金属柱の頂部が露出し、かつ突出しないようにする請求項３に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
金属柱形成工程の後、回路パターンの底面となる位置まで金属柱の頂部を除去することにより、回路パターン形成工程において、金属柱の頂部が露出し、かつ突出しないようにする請求項３に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、
第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、
前記絶縁層に外表面から孔を形成し、第１の電気回路を露出させる孔形成工程、
露出させた第１の電気回路から前記孔をメッキ金属で充填して金属柱を形成する金属柱形成工程、
前記絶縁層の外表面及び前記金属柱の頂部に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程、
前記樹脂皮膜の外表面から少なくとも該樹脂皮膜の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝及び／又は孔を形成することにより回路パターンを形成する回路パターン形成工程、
前記樹脂皮膜の表面及び前記回路パターンの表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程、
前記樹脂皮膜を前記絶縁層から除去する皮膜除去工程、及び、
無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する回路パターンの部分及び前記金属柱の露出部分にメッキ膜を形成して前記絶縁層に第２の電気回路を形成すると共に、この絶縁層の第２の電気回路と前記回路基板の第１の電気回路とを前記金属柱を介して層間接続するメッキ工程、
を備え、
前記金属柱形成工程において、回路パターンの底面となる位置に到達しない位置までメッキ金属を充填することにより、前記回路パターン形成工程では、金属柱の頂部が回路パターンの底面から突出しないように回路パターンを形成し、前記皮膜除去工程では、金属柱の頂部が回路パターンの底面より後退した位置で露出するように樹脂皮膜を除去し、
絶縁層の外表面から回路パターンの底面までの距離をｄ１、回路パターンの底面から金属柱の頂部までの距離をｄ２としたときに、０＜ｄ２≦ｄ１×３０％である多層回路基板の製造方法。
【請求項７】
金属柱形成工程では、露出させた第１の電気回路から無電解メッキによりメッキ膜を成長させることにより、孔をメッキ金属で充填する請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項８】
金属柱形成工程では、絶縁層の表面、孔の内壁面、及び露出させた第１の電気回路の表面にメッキ触媒を被着させ、メッキ触媒被着部に無電解メッキを施した後、電解メッキを施すことにより、孔をメッキ金属で充填し、その後、絶縁層の表面を含む絶縁層の外表面側に析出したメッキ金属を除去する請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項９】
樹脂皮膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂皮膜である請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法により製造された多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板の技術分野に属し、アディティブ法を用いた多層回路基板の製造方法及び該製造方法により製造された多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話をはじめとする携帯情報端末機器、コンピュータ及びその周辺機器、各種情報家電機器、等の電気機器においては、高機能化が急速に進行している。それに伴い、これら電気機器に搭載される回路基板には電気回路の高密度化がますます要求されている。このような回路基板の高密度化を実現するために、より狭い線幅及び線間隔を有する回路を正確に形成する方法が求められている。高密度化された配線においては、配線間における短絡やマイグレーションの発生が生じ易くなる。また、細い幅の配線においては、配線の機械的強度が低下して、衝撃等により回路切れが生じ易くなる。さらに、積層数が増えることにより、回路形成面に生じる凹凸が大きくなることにより微細回路の形成が困難になる。
【０００３】
従来から、回路基板の回路の形成方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法は、金属箔張積層板の表面の回路を形成したい部分以外の金属箔を除去（サブトラクティブ）することにより、回路を形成する方法である。一方、アディティブ法は、絶縁基材上の回路を形成したい部分のみに無電解メッキを施すことにより、回路を形成する方法である。
【０００４】
一般に、サブトラクティブ法は、厚膜の金属箔をエッチングすることにより、回路形成部分のみに金属箔を残す方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになる。一方、アディティブ法は、金属配線を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成することができるために金属を浪費しない。この点からも、アディティブ法は好ましい回路形成方法である。
【０００５】
従来の代表的なアディティブ法の一つであるフルアディティブ法は、例えば次のようにして行われる。まず、絶縁基材の表面にメッキ触媒を被着させる。次に、メッキ触媒の上にフォトレジスト層を形成する。次に、所定の回路パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト層の表面を露光する。次に、回路パターンを現像する。そして、現像により形成された回路パターンの表面に無電解メッキを施すことにより、回路パターンの部分に金属配線を形成する。このような工程により絶縁基材に電気回路が形成される。
【０００６】
前述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材の表面全体にメッキ触媒が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層が高精度に現像された場合は、フォトレジストで保護されていない部分のみにメッキ膜を形成させることができる。しかし、フォトレジスト層が高精度に現像されなかった場合には、本来回路を形成したくない部分に不要にメッキ膜が形成される可能性がある。これは、絶縁基材の表面全体にメッキ触媒が被着されるために起こる。不要に形成されたメッキ膜は、隣接する回路間に短絡やマイグレーションを引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔が狭い回路を形成する場合にはより生じ易くなる。
【０００７】
このような問題に対処するために、例えば特許文献１に記載されている次のような技術を適用することが考えられる。まず、絶縁基材上に樹脂の保護膜をコーティングする。次に、前記保護膜でコーティングされた絶縁基材上に機械加工あるいはレーザービームの照射により回路パターンに対応した溝及びスルーホールを描画形成する。次に、前記絶縁基材全面に活性化層を形成する。次に、前記樹脂保護膜を剥離することにより、溝及びスルーホールの内壁面のみに活性化層を残留させる。そして、前記絶縁基材にメッキを施すことにより、前記活性化された溝及びスルーホールの内壁面のみに選択的に導電層を形成する。
【０００８】
この技術に関連して、本願出願人は、無電解メッキのためのメッキ触媒を、例えば回路パターンの部分やスルーホールの内壁面等、無電解メッキをしたい部分のみに高精度に残留させる発明についてすでに特許出願をした（特願２００８−１１８８１８及びこれを基礎とする特願２００９−１０４０８６等）。この特許出願に係る回路形成方法を図５を参照して説明する。
【０００９】
まず、図５Ａに示すように、絶縁基材ａの表面に樹脂皮膜ｂをコーティングする。次に、図５Ｂに示すように、樹脂皮膜ｂでコーティングされた絶縁基材ａ上に、所望の回路パターンの溝ｃやスルーホールｄを形成する。なお、図５Ｂでは、溝ｃの底面は絶縁基材ａの表面に一致しているが、溝ｃを絶縁基材ａの表面より深く掘り下げても構わない。次に、図５Ｃに示すように、溝ｃ及びスルーホールｄの表面、並びに樹脂皮膜ｂの表面にメッキ触媒ｅを被着させる。ここで、メッキ触媒は、その前駆体を含む概念である。次に、図５Ｄに示すように、樹脂皮膜ｂを剥離することにより、溝ｃ及びスルーホールｄの表面のみにメッキ触媒ｅを残留させる。そして、図５Ｅに示すように、メッキ触媒ｅを残留させた部分のみに無電解メッキ膜ｆを形成することにより、溝ｃ及びスルーホールｄの内壁面のみに精度よく導電層が形成された回路基板ｘが得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭５８−１８６９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、近年、高密度化された多層回路基板の製造方法として、各層の電気回路を逐次に一層ずつ形成し、層間接続用孔としてのビアホールを形成しながら積層するビルドアップ法が知られている。しかしながら、そのようなビルドアップ法に、図５Ａ〜図５Ｅで説明したようなアディティブ法を適用すると、以下に説明するような問題が生じる場合がある。この問題を図６を参照して説明する。
【００１２】
まず、図６Ａに示すように、第１の電気回路ｈが形成された回路基板ｇを準備する。なお、図６Ａでは、回路ｈは回路基板ｇの上面に載っているが、回路基板ｇの上面に埋設されていてもよい。また、第１回路ｈの形成方法もここでは問わない。次に、図６Ｂに示すように、第１回路ｈが形成された回路基板ｇの上面に絶縁層ｉを形成する。次に、図６Ｃに示すように、絶縁層ｉの上面（外表面）に樹脂皮膜ｊを形成する。次に、図６Ｄに示すように、形成した樹脂皮膜ｊの外表面からレーザー加工をすることにより、樹脂皮膜ｊの厚み以上の深さの回路パターンｋ及び層間接続用の孔ｍを形成する。回路パターンｋは、配線用の溝や電極用パッド部用の孔等を含んで構成されている。また、層間接続用孔ｍは、回路基板ｇの第１回路ｈまで到達しており、該第１回路ｈを露出させている。
【００１３】
次に、図６Ｅに示すように、樹脂皮膜ｊの表面、回路パターンｋの表面、層間接続用孔ｍの表面、及び露出した第１回路ｈの表面にメッキ触媒ｎを被着させる。なお、後述する無電解メッキの観点からは、第１回路ｈの表面にわざわざメッキ触媒ｎを被着させる必要はないが、絶縁層ｉの全体にメッキ触媒ｎを被着させることで作業の容易化が図られる。次に、図６Ｆに示すように、樹脂皮膜ｊを絶縁層ｉから除去する。そして、図６Ｇに示すように、絶縁層ｉを無電解メッキに供することにより、メッキ触媒ｎが残留する回路パターンｋの部分に無電解メッキ膜を形成して絶縁層ｉに第２の電気回路ｐを形成する。また、層間接続用孔ｍの底部の第１回路ｈから無電解メッキ膜を成長させることにより、層間接続用孔ｍをメッキ金属で充填して金属柱ｑを形成する。その結果、絶縁層ｉの第２回路ｐと回路基板ｇの第１回路ｈとが金属柱ｑを介して層間接続される。
【００１４】
ところが、このように回路パターンｋの部分と層間接続用孔ｍの部分とを同時に無電解メッキで導体形成しようとすると、回路部分の配線用溝は線幅が微細で深さが浅く、またパッド部用孔も深さが浅いので、どちらも短時間で導体形成が完了するが、層間接続用孔は径が配線用溝の線幅よりも大きく、かつ深さが回路部分よりも深いので、メッキ金属が充填するのに長時間がかかる。したがって、回路部分の導体形成が完了した時点で無電解メッキを終了すると、図６Ｇに例示したように、層間接続用孔の金属充填が不十分となり、回路と層間接続用孔との接続不良の原因となる。逆に、層間接続用孔が十分金属充填されるまで無電解メッキを続けると、回路部分の導体形成が過剰となって短絡等が起り易くなる。また、層間接続用孔の金属充填が短時間で完了するように層間接続用孔の容積を縮小することが考えられ、そのために、層間接続用孔の深さを浅くしたり、層間接続用孔の径を小さくすることが提案される。しかし、前者は、回路基板の設計上困難な場合が多く、実現が難しい。また、後者は、層間接続用孔と回路との接触面積が小さくなり、層間接続の信頼性が低下する。仮に、層間接続用孔の径を回路パターンの配線用溝の幅と同じかそれ以下に小さくすると、金属充填が短時間で完了するが、その際、メッキ膜が層間接続用孔の内壁面及び底部から成長することに加えて、回路パターン側からも成長してくるので、金属柱の内部にボイドが発生し易くなる。
【００１５】
本発明は、ビルドアップ法により多層回路基板を製造するに際してアディティブ法を適用した場合における上記問題点を解決しようとするものであり、微細な回路パターンと層間接続用孔とが混在していても、層間接続用孔の金属充填が十分かつ良好に行われ、かつ回路部分の過剰な導体形成を回避することができる多層回路基板の製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
すなわち、本発明の多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、前記絶縁層に外表面から孔を形成し、第１の電気回路を露出させる孔形成工程、露出させた第１の電気回路から前記孔をメッキ金属で充填して金属柱を形成する金属柱形成工程、前記絶縁層の外表面及び前記金属柱の頂部に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程、前記樹脂皮膜の外表面から少なくとも該樹脂皮膜の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝及び／又は孔を形成することにより回路パターンを形成する回路パターン形成工程、前記樹脂皮膜の表面及び前記回路パターンの表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程、前記樹脂皮膜を前記絶縁層から除去する皮膜除去工程、及び、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する回路パターンの部分及び前記金属柱の露出部分にメッキ膜を形成して前記絶縁層に第２の電気回路を形成すると共に、この絶縁層の第２の電気回路と前記回路基板の第１の電気回路とを前記金属柱を介して層間接続するメッキ工程、を備える。
【００１７】
上記構成によれば、回路パターンを形成する前の絶縁層形成工程と孔形成工程と金属柱形成工程とにより、予め層間接続用孔だけをメッキ金属で充填するので、回路部分の過剰な導体形成を気にすることなく、層間接続用孔の金属充填を時間をかけて十分に行うことができる。また、回路パターンがまだ形成されていないので、メッキ膜が回路パターン側から成長してくることがなく、ボイドの発生が抑制された良好な金属充填が実現する。そして、層間接続用孔の金属充填を完了した後に、皮膜形成工程と回路パターン形成工程と触媒被着工程と皮膜除去工程とメッキ工程とにより、図５Ａ〜図５Ｅで説明したようなアディティブ法で回路部分の導体形成を行うので、短時間で微細な導体を精度よく形成することができ、回路部分に導体を過剰に形成することが回避される。以上により、微細な回路パターンと層間接続用孔とが混在していても、アディティブ法を良好に適用しつつ、ビルドアップ法により多層回路基板を支障なく製造することができる。
【００１８】
金属柱形成工程で形成する「金属柱」は、電気回路を構成する導体層に比べて厚みが大きく、電気回路に略垂直方向に突設された導電性の凸部であればよく、その形状は特に限定されない。例えば、円柱や角柱のような断面形状が一定の柱状の他、断面形状が長さ方向に変化する円錐台状や角錐台状のものも含まれる。
【００１９】
回路パターン形成工程で形成する回路パターンの「溝」は、主として配線用の溝であり、「孔」は、例えば電極用パッド部用の孔である。ただし、状況に応じて、層間接続用孔（先に金属充填を完了したものとは別の層間接続用孔）であってもよい。
【００２０】
回路パターン形成工程で樹脂皮膜の厚みと同じ深さの溝及び／又は孔を形成したときは、回路パターンは絶縁層の外表面の上に留まるので、電気回路を構成する導体層は絶縁層の外表面の上に載る状態となる。一方、樹脂皮膜の厚みを超える深さの溝及び／又は孔を形成したときは、回路パターンの一部又は全部は絶縁層の外表面より掘り下げられた位置に位置するので、電気回路を構成する導体層は絶縁層の外表面に一部又は全部が埋設される状態となる。後者の場合、導体層の厚みを大きくできて、回路の機械的強度を確保できる。また、導体層の絶縁層からの突出量をなくす又は減らすことができて、回路を保護すること、回路の絶縁層からの脱落を抑制すること、回路形成面に生じる凹凸をなくす又は減らすことが可能となる。
【００２１】
本発明では、回路パターン形成工程で、回路パターンの底面から金属柱の頂部が露出し、かつ突出するように回路パターンを形成し、この金属柱の頂部を覆うように形成された第２電気回路の部分を電極用パッド部とすることが好ましい。金属柱の頂部がパッド部の導体層に食い込んで、アンカー効果によりパッド部の脱落が効果的に抑制され、実装部品の重みに十分耐え得るパッド部が得られるからである。
【００２２】
また、本発明では、回路パターン形成工程で、回路パターンの底面から金属柱の頂部が露出し、かつ突出しないように回路パターンを形成してもよい。この場合は、金属柱の頂部の上に形成される導体層が絶縁層の外表面から突出することが回避でき、回路形成面に生じる凹凸をなくすことが可能となる。
【００２３】
その場合に、金属柱形成工程において、回路パターンの底面となる位置までメッキ金属を充填することにより、回路パターン形成工程において、金属柱の頂部が露出し、かつ突出しないようにすることが可能である。つまり、回路パターンの底面が絶縁層の外表面と一致する場合は、金属柱を絶縁層の外表面まで成長させればよい。一方、回路パターンの底面が絶縁層の外表面より掘り下げられた位置にある場合には、金属柱を絶縁層の外表面まで成長させるのではなく、それより手前の高さで成長を止めるのである。これにより、回路パターン形成工程より前の金属柱形成工程の段階で、回路パターンの底面から金属柱の頂部が突出しないようにすることが容易に達成できる。
【００２４】
あるいは、金属柱形成工程の後、回路パターンの底面となる位置まで金属柱の頂部を除去することにより、回路パターン形成工程において、金属柱の頂部が露出し、かつ突出しないようにすることも可能である。これにより、金属柱の頂部の位置を修正して、回路パターンの底面から金属柱の頂部が突出しないようにすることが確実に達成できる。
【００２５】
また、本発明の多層回路基板の製造方法の別の態様は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、前記絶縁層に外表面から孔を形成し、第１の電気回路を露出させる孔形成工程、露出させた第１の電気回路から前記孔をメッキ金属で充填して金属柱を形成する金属柱形成工程、前記絶縁層の外表面及び前記金属柱の頂部に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程、前記樹脂皮膜の外表面から少なくとも該樹脂皮膜の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝及び／又は孔を形成することにより回路パターンを形成する回路パターン形成工程、前記樹脂皮膜の表面及び前記回路パターンの表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程、前記樹脂皮膜を前記絶縁層から除去する皮膜除去工程、及び、無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する回路パターンの部分及び前記金属柱の露出部分にメッキ膜を形成して前記絶縁層に第２の電気回路を形成すると共に、この絶縁層の第２の電気回路と前記回路基板の第１の電気回路とを前記金属柱を介して層間接続するメッキ工程、を備え、前記金属柱形成工程において、回路パターンの底面となる位置に到達しない位置までメッキ金属を充填することにより、前記回路パターン形成工程では、金属柱の頂部が回路パターンの底面から突出しないように回路パターンを形成し、前記皮膜除去工程では、金属柱の頂部が回路パターンの底面より後退した位置で露出するように樹脂皮膜を除去し、絶縁層の外表面から回路パターンの底面までの距離をｄ１、回路パターンの底面から金属柱の頂部までの距離をｄ２としたときに、０＜ｄ２≦ｄ１×３０％である。
【００２６】
この別の態様によれば、回路パターン形成工程で、金属柱の頂部が回路パターンの底面から突出しないように回路パターンが形成される。また、皮膜除去工程で、金属柱の頂部が回路パターンの底面より後退した位置で露出するように樹脂皮膜が除去される。この場合も、金属柱の頂部の上に形成される導体層が絶縁層の外表面から突出することが回避でき、回路形成面に生じる凹凸をなくすことが可能となる。
【００２７】
しかも、絶縁層の外表面から回路パターンの底面までの距離（つまり回路パターンの深さ）をｄ１、回路パターンの底面から金属柱の頂部までの距離（つまり金属柱の頂部が回路パターンの底面より後退した深さ）をｄ２としたときに、０＜ｄ２≦ｄ１×３０％であるから、前記後退の深さｄ２は回路パターンの深さｄ１に比べて小さい。そのため、回路部分の導体形成と層間接続用孔の金属充填とを十分良好に行うことができ、回路と層間接続用孔とを十分良好に接続することができる。
【００２８】
また、金属柱形成工程において、回路パターンの底面となる位置に到達しない位置までメッキ金属を充填することにより、回路パターン形成工程では、金属柱の頂部が回路パターンの底面から突出せず、皮膜除去工程では、金属柱の頂部が回路パターンの底面より後退した位置で露出するようにしたから、回路パターン形成工程及び皮膜除去工程より前の金属柱形成工程の段階で、金属柱の頂部が回路パターンの底面から突出しないようにすることが容易に達成できる。
【００２９】
本発明では、金属柱形成工程で、露出させた第１の電気回路から無電解メッキによりメッキ膜を成長させることにより、孔をメッキ金属で充填することができる。導体である電気回路を、無電解メッキのメッキ核に利用するので、合理的に金属柱を形成できる。
【００３０】
また、本発明では、金属柱形成工程で、絶縁層の表面、孔の内壁面、及び露出させた第１の電気回路の表面にメッキ触媒を被着させ、メッキ触媒被着部に無電解メッキを施した後、電解メッキを施すことにより、孔をメッキ金属で充填し、その後、絶縁層の表面を含む絶縁層の外表面側に析出したメッキ金属を除去してもよい。絶縁層の表面を含む絶縁層の外表面側に形成した無電解メッキ層を、電解メッキで必要な給電層に利用するので、合理的に金属柱を形成できる。
【００３１】
本発明では、樹脂皮膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂皮膜であることが好ましい。このような樹脂皮膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂皮膜を容易かつ良好に除去できる。樹脂皮膜を除去するときに樹脂皮膜を崩壊させると、その樹脂皮膜に被着したメッキ触媒が飛散し、飛散したメッキ触媒が絶縁層に再被着してその部分に不要なメッキ膜が形成される問題がある。絶縁層表面から樹脂皮膜を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が防止できる。
【００３２】
そして、本発明の多層回路基板は、以上のような製造方法により製造された多層回路基板である。したがって、微細な回路パターンと層間接続用孔とが混在していても、層間接続用孔の金属充填が十分かつ良好に行われて、回路と層間接続用孔との接続が良好で、かつ回路部分の過剰な導体形成が回避されて、短絡等が起り難い多層回路基板が得られる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、微細な回路パターンと層間接続用孔とが混在していても、アディティブ法を良好に適用しつつ、ビルドアップ法により多層回路基板を支障なく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態に係る多層回路基板における電気回路の構成及び層間接続用孔の配置等を示すための部分平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う端面図であって、第１実施形態に係る多層回路基板の製造方法における（Ａ）回路基板準備工程、（Ｂ）絶縁層形成工程、（Ｃ）孔形成工程、（Ｄ）金属柱形成工程、（Ｅ）皮膜形成工程、（Ｆ）回路パターン形成工程、（Ｇ）触媒被着工程、（Ｈ）皮膜除去工程、及び（Ｉ）メッキ工程を示す図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ線に沿う端面図であって、第２実施形態に係る多層回路基板の製造方法における（Ａ）回路基板準備工程、（Ｂ）絶縁層形成工程、（Ｃ）孔形成工程、（Ｄ）金属柱形成工程、（Ｅ）皮膜形成工程、（Ｆ）回路パターン形成工程、（Ｇ）触媒被着工程、（Ｈ）皮膜除去工程、及び（Ｉ）メッキ工程を示す図である。
【図４】図１のＩ−Ｉ線に沿う端面図であって、第３実施形態に係る多層回路基板の製造方法における（Ａ）回路基板準備工程、（Ｂ）絶縁層形成工程、（Ｃ）孔形成工程、（Ｄ）金属柱形成工程、（Ｅ）皮膜形成工程、（Ｆ）回路パターン形成工程、（Ｇ）触媒被着工程、（Ｈ）皮膜除去工程、及び（Ｉ）メッキ工程を示す図である。
【図５】アディティブ法による回路基板の回路の形成を説明するための工程図である。
【図６】ビルドアップ法により多層回路基板を製造するに際してアディティブ法を適用した場合の問題を説明するための工程図である。
【図７】図１のＩ−Ｉ線に沿う端面図であって、第４実施形態に係る多層回路基板の製造方法における（Ａ）回路基板準備工程、（Ｂ）絶縁層形成工程、（Ｃ）孔形成工程、（Ｄ）金属柱形成工程、（Ｅ）皮膜形成工程、（Ｆ）回路パターン形成工程、（Ｇ）触媒被着工程、（Ｈ）皮膜除去工程、及び（Ｉ）メッキ工程を示す図である。
【図８】第４実施形態の特徴を説明するため、図７の符号Ｘで囲んだ部分の拡大図である。
【図９】第１実施形態をより詳細に説明するため、図２の（Ｃ）孔形成工程、（Ｅ）皮膜形成工程、（Ｇ）触媒被着工程の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る多層回路基板１における電気回路２６の構成及び層間接続用孔２１（ないし金属柱２２）の配置等を示すための部分平面図である。図示したように、本実施形態においては、電気回路２６と層間接続用孔２１であるビアホールとが相互に接続している多層回路基板１が製造される。回路２６は、線幅の微細な配線２６ａと、電極用パッド部２６ｂとを含む。電極用パッド部２６ｂは、層間接続用孔２１に重ねて設けられている。
【００３６】
図１中のＩ−Ｉ線は、図２〜図４の端面図の切断箇所を示す。図２中、符号１０は回路基板、符号１１は第１電気回路、符号２０は絶縁層、符号２１は層間接続用孔、符号２２は金属柱、符号２３は樹脂皮膜、符号２４は回路パターン、符号２５はメッキ触媒、符号２６は第２電気回路を示す。図２Ｉに示すように、この多層回路基板１においては、回路基板１０に形成された第１電気回路１１と、回路基板１０の上に積層された絶縁層２０に形成された第２電気回路２６とが、絶縁層２０に形成された層間接続用孔２１（ないし金属柱２２）を介して層間接続されている。
【００３７】
＜回路基板準備工程＞
本実施形態の製造方法においては、まず、図２Ａに示すように、第１電気回路１１が形成された回路基板１０を準備する（回路基板準備工程）。なお、図２Ａでは、第１回路１１は回路基板１０の上面に載っているが、回路基板１０の上面に埋設されていてもよい。また、第１回路１１の形成方法もここでは問わない。例えばサブトラクティブ法やアディティブ法等の従来から知られた回路形成方法で形成されたものでよい。さらに、回路基板は、片面のみに回路形成されたものでも、あるいは両面とも回路形成されたものでもよい。また、多層回路基板であってもよい。
【００３８】
回路基板１０としては、従来から多層回路基板の製造に使用される各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。回路基板１０の形態としては、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等、特に限定されない。回路基板１０の厚みも特に限定されず、例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合は、１０〜５００μｍ、好ましくは２０〜２００μｍ程度の厚みである。その他、回路基板１０の詳しい説明は、次に記載する絶縁層２０の詳しい説明に準じて同様である。
【００３９】
＜絶縁層形成工程＞
次に、図２Ｂに示すように、第１回路１１が形成された回路基板１０の上面（回路形成面）に絶縁層２０を形成する（絶縁層形成工程）。この絶縁層２０の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等、樹脂溶液塗布により形成したもの等が挙げられる。前記絶縁層２０の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。また、前記絶縁層２０としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。絶縁層２０は、例えば、回路基板１０の上面に、シート、フィルム、あるいはプリプレグを積層し、加圧して張り合わせた後、硬化させることで形成できるし、加熱加圧により硬化させることでも形成できる。また、絶縁層２０は、回路基板１０の上面に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより形成することもできる。また、金型及び枠型等を用いて絶縁層となる材料を入れて、加圧し、硬化させることで三次元形状の成形体等を形成してもよいし、シート、フィルム、あるいはプリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを、回路基板１０の上面に積層し、加圧張り合わせた後、硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより三次元形状の成形体等を形成してもよい。
【００４０】
前記絶縁層２０は、従来から多層回路基板の製造に使用される各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、従来から多層回路基板の製造に使用される、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。
【００４１】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、上記各エポキシ樹脂および樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。
【００４３】
前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
また特に限定されないが、レーザー加工により回路パターンを形成することから、１００ｎｍ〜４００ｎｍ波長領域でのレーザー光の吸収率が良い樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００４５】
また、前記絶縁基材（絶縁層）には、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザー加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキと樹脂との密着性を向上することが可能である。
【００４６】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また、特に限定はされないが、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には０．０１μｍ〜１０μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜５μｍの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
【００４７】
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４８】
また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００５０】
また、例えば、回路基板１０及び絶縁層２０としてプリプレグを用いる場合には、回路基板１０の上面（回路形成面）に絶縁層２０を重ね合わせ、加熱プレスすることにより積層し硬化させてもよい。
【００５１】
なお、回路基板１０を構成する素材の種類及び樹脂の種類等と、絶縁層２０を構成する素材の種類及び樹脂の種類等とは、互いに異なっていてもよい。ただし、回路基板１０と絶縁層２０とを良好に密着させ積層させる観点からは、互いになじみの良い種類同士とすることが好ましく、典型的には同じ種類同士とすることがより好ましい。
【００５２】
＜孔形成工程＞
次に、図２Ｃに示すように、絶縁層２０の上面（外表面）からレーザー加工することにより、絶縁層２０に層間接続用孔２１を形成する（孔形成工程）。このとき、層間接続用孔２１は、回路基板１０の第１回路１１まで到達しており、該第１回路１１を露出させている。その他、レーザー加工及びその周辺技術の詳しい説明は、他の工程で記載するレーザー加工及びその周辺技術の詳しい説明に準じて同様である。
【００５３】
なお、レーザー加工により露出させた第１回路１１の上には、絶縁層２０の樹脂残渣であるスミア（図示せず）が残る。スミアは導通不良の原因となるため、デスミア処理により除去することが好ましい。デスミア処理としては、例えば、過マンガン酸溶液に浸漬することによりスミアを溶解除去する等の公知の方法が限定なく用いられる。ただし、状況に応じて、デスミア処理を省略することもできる。
【００５４】
＜金属柱形成工程＞
次に、図２Ｄに示すように、露出させた第１回路１１から、無電解メッキ又は電解メッキにより、前記層間接続用孔２１をメッキ金属で充填して、層間接続用孔２１に金属柱２２を形成する（金属柱形成工程）。なお、無電解メッキの場合は、第１回路１１がメッキ核として機能し、第１回路１１からメッキ膜が成長する。一方、電解メッキの場合は、絶縁層２０の表面、孔２１の内壁面、及び露出させた第１回路１１の表面にメッキ触媒を被着させ、メッキ触媒被着部に無電解メッキを施した後、電解メッキを施すことにより、孔２１をメッキ金属で充填し、その後、絶縁層２０の表面を含む絶縁層２０の外表面側に析出したメッキ金属を除去する。
【００５５】
金属柱２２の形状、大きさ、間隔等は特に限定されない。具体的には、例えば、略円柱状であって、高さが５〜２００μｍ程度、底面の直径が１０〜５００μｍ程度の金属柱２２が好ましく実現可能である。なお、角柱状や円錐台状あるいは角錐台状等の金属柱２２でも構わない。
【００５６】
なお、図２Ｄは、この金属柱形成工程で、金属柱２２が絶縁層２０の上面（外表面）の高さまで成長した場合を示している。
【００５７】
ただし、これに限らず、金属柱形成工程で、金属柱２２が絶縁層２０の上面に到達しない位置まで成長してもよい。もっとも、後述する回路パターン形成工程で形成される回路パターン２４の底面となる位置を超えて金属柱２２が成長することを条件とする。
【００５８】
このような方法によれば、後述する皮膜形成工程で樹脂皮膜２３を形成する前に、第１回路１１と第２回路２６とを層間接続する層間接続用孔２１に、ボイドの発生が抑制された良好な金属柱２２を十分量充填して形成することができる。
【００５９】
＜皮膜形成工程＞
次に、図２Ｅに示すように、絶縁層２０の外表面及び金属柱２２の頂部に樹脂皮膜２３を形成する（皮膜形成工程）。樹脂皮膜（レジスト）２３は、後述する皮膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。樹脂皮膜２３は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層２０の上面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂皮膜が好ましい。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解し得る可溶型樹脂からなる皮膜や、所定の液体（膨潤液）で膨潤し得る膨潤性樹脂からなる皮膜等が挙げられる。なお、膨潤性樹脂皮膜には、所定の液体に対して実質的に溶解せず、膨潤により絶縁層２０の表面から容易に剥離するような樹脂皮膜だけではなく、所定の液体に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により絶縁層２０の表面から容易に剥離するような樹脂皮膜や、所定の液体に対して溶解し、その溶解により絶縁層２０の表面から容易に剥離するような樹脂皮膜も含まれる。このような樹脂皮膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂皮膜を容易かつ良好に除去できる。樹脂皮膜を除去するときに樹脂皮膜を崩壊させると、その樹脂皮膜に被着したメッキ触媒が飛散し、飛散したメッキ触媒が絶縁層に再被着してその部分に不要なメッキ膜が形成される問題がある。絶縁層表面から樹脂皮膜を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が防止できる。
【００６０】
樹脂皮膜２３の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、絶縁層２０の上面（外表面）に、樹脂皮膜２３を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂皮膜を絶縁層２０の表面に転写する方法等が挙げられる。また、別の方法としては、絶縁層２０の上面（外表面）に、予め形成された樹脂皮膜２３からなる樹脂フィルムを貼り合せる方法等も挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００６１】
樹脂皮膜２３を形成するための材料としては、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層２０の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂であれば特に限定なく用いられ得る。好ましくは、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような膨潤度の樹脂が用いられる。なお、膨潤度が低すぎる場合には、樹脂皮膜が剥離しにくくなる傾向がある。
【００６２】
なお、樹脂皮膜の膨潤度（ＳＷ）は、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝｛（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）｝×１００（％）」の式で求められる。
【００６３】
このような樹脂皮膜は、絶縁層２０の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥する方法や、支持基材にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される皮膜を絶縁層２０の表面に転写する方法等により容易に形成され得る。
【００６４】
エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の樹脂皮膜を容易に形成することができる。
【００６５】
なお、このような樹脂皮膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような皮膜であることが好ましい。このような、皮膜を用いた場合には、後述する触媒被着工程における液性条件と、後述する皮膜除去工程における液性条件とを相異させることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては樹脂皮膜２３は絶縁層２０に対する高い密着力を維持し、皮膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に樹脂皮膜２３を剥離除去することができる。
【００６６】
さらに具体的には、例えば、後述する触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、後述する皮膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で樹脂皮膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記樹脂皮膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂皮膜であることが好ましい。
【００６７】
このような樹脂皮膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下「ＤＦＲ」と記す場合がある）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型のシート等が挙げられる。
【００６８】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマーや、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、あるいはポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量、架橋度又はゲル化度等を調整することにより、所望のアルカリ膨潤度を有する樹脂皮膜を形成することができる。また、皮膜除去工程において用いる所定の液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂皮膜も容易に形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して樹脂皮膜を膨潤させて、絶縁層２０の表面から樹脂皮膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは、カルボキシル基１個当たりのポリマー分子量である。
【００６９】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００７０】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さ過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に多過ぎる場合）には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、無電解メッキの前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大き過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に少な過ぎる場合）には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００７１】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜５０万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大き過ぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さ過ぎる場合には粘度が低下するために樹脂皮膜の厚みを均一に維持することが困難になると共に、無電解メッキの前処理液に対する耐性も低下する傾向がある。
【００７２】
また、ＤＦＲとしては、例えば、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられ得る。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されるような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成工業社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００７３】
さらに、その他の樹脂皮膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）や、フェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製の「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００７４】
樹脂皮膜２３は、絶縁層２０の表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁層２０の表面に貼り合わせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００７５】
樹脂皮膜２３の厚みとしては、例えば、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。また、０．１μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。厚みが厚過ぎる場合は、微細な回路パターン２４をレーザー加工や機械加工等により形成する際に精度が低下する傾向がある。また、厚みが薄過ぎる場合は、均一な膜厚の樹脂皮膜２３を形成し難くなる傾向がある。
【００７６】
また、前記樹脂皮膜２３として、例えば、酸等量が１００〜８００程度のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂（カルボキシル基含有アクリル系樹脂）を主成分とする樹脂皮膜もまた好ましく用いられ得る。
【００７７】
さらに、上記のものの他に、前記樹脂皮膜２３として、次のようなものもまた好適である。すなわち、前記樹脂皮膜を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂皮膜が形成された絶縁基材（回路基板や絶縁層等）を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の皮膜除去工程、例えば、樹脂皮膜が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂皮膜（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（例えばｐＨ１〜３）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐え得ることが必要である。なお、耐え得るとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。皮膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００７８】
以上のような観点から、前記樹脂皮膜２３として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。公知技術として、特開平７−２８１４３７、特開２０００−２３１１９０、特開２００１−２０１８５１等が挙げられる。（ａ）単量体の一例として、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）単量体の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（１個）有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定することができる。また、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。
【００７９】
樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましく、１００〜６００がさらに好ましい。酸当量が低すぎると、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する。酸当量が高すぎると剥離性が低下する。また、（ａ）単量体の組成比率は５〜７０質量％が好ましい。
【００８０】
樹脂組成物は、メイン樹脂（バインダー樹脂）として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーや、その他の添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は、熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。分子量としては、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、５，０００〜５０，０００が好ましい。重量平均分子量が小さいと膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する。また分子量が大きいとアルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００８１】
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加することが考えられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを２種類以上含むことも可能である。モノマーの例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等がある。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００８２】
フィラーは特に限定されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。また、レジストの好ましい厚みは、０．１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００８３】
その他の添加剤として、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００８４】
次に説明する回路パターン形成工程では、樹脂皮膜２３は、レーザー加工等されるため、レジスト材料にレーザーによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザー加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザーなどが選定される。これらのレーザー加工機は種々の固有の波長を持っており、この波長に対してＵＶ吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザーは微細加工に適しており、レーザー波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料（樹脂皮膜２３の材料）としては、これらの波長に対して、ＵＶ吸収率が相対的に高いことが望ましい。ＵＶ吸収率が高くなるほど、レジスト２３の加工がきれいに仕上がり、生産性の向上が図れる。もっとも、これに限らず、ＵＶ吸収率の相対的に低いレジスト材料を選定するほうがよい場合もあり得る。ＵＶ吸収率が低くなるほど、ＵＶ光がレジスト２３を通過するので、その下の絶縁層２０の加工にＵＶエネルギーを集中させることができ、絶縁層２０が加工しにくい材料である場合等に特に好ましい結果が得られる。このように、レジスト２３のレーザー加工のしやすさ、絶縁層２０のレーザー加工のしやすさ、およびこれらの関係等に応じて、レジスト材料を設計することが好ましい。
【００８５】
＜回路パターン形成工程＞
次に、図２Ｆに示すように、樹脂皮膜２３の上面（外表面）から少なくとも該樹脂皮膜２３の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝及び／又は孔を形成することにより回路パターン２４を形成する（回路パターン形成工程）。回路パターン２４は、レーザー加工、切削加工又は型押加工等により形成される。また、回路パターン２４の溝は、主として配線２６ａ（図１参照）用の溝であり、回路パターン２４の孔は、例えば電極用パッド部２６ｂ（図１参照）用の孔である。また、状況に応じて、回路パターン２４は、層間接続用孔（すでに金属柱形成工程で金属柱２２が形成された孔２１とは別の層間接続用孔）を含んでもよい。この場合において、樹脂皮膜２３の厚みの分だけ回路パターン２４を形成した場合は、図２Ｆの左の金属柱２２に示すように、絶縁層２０は掘り込まれず、絶縁層２０の上面（外表面）に回路パターン２４が載った状態となる。一方、樹脂皮膜２３の厚みの分を超えて回路パターン２４を形成した場合には、図２Ｆの右及び中央の金属柱２２，２２に示すように、絶縁層２０が掘り込まれて、絶縁層２０の上面（外表面）に回路パターン２４が埋設された状態となる。
【００８６】
回路パターン２４における配線２６ａ用の溝の幅は特に限定されない。なお、レーザー加工を用いた場合には線幅２０μｍ以下のような微細な溝も容易に形成できる。
【００８７】
回路パターン２４を形成する方法は特に限定されない。具体的には、レーザー加工、ダイシング加工等による切削加工、型押加工等が用いられる。高精度の微細な回路パターン２４を形成するためには、レーザー加工が好ましい。レーザー加工によれば、レーザーの出力（エネルギー又はパワー）を制御することにより、絶縁層２０の掘り込み深さ等を容易に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられ得る。
【００８８】
このように所定の回路パターン２４を形成することにより、後に無電解メッキ膜が付与されて第２電気回路２６が形成される部分が規定される。
【００８９】
なお、図２Ｆは、この回路パターン形成工程で、回路パターン２４の底面から、先の金属柱形成工程で形成された金属柱２２の頂部が露出し、かつ突出するように回路パターン２４を形成した場合を示している。これは、後述するように、レーザー加工により絶縁層２０を掘り込んだときに、絶縁層２０を構成する樹脂等は容易に除去され得るが、金属柱２２を構成するメッキ金属は除去され難いことにより起る。
【００９０】
＜触媒被着工程＞
次に、図２Ｇに示すように、樹脂皮膜２３の表面及び回路パターン２４の表面にメッキ触媒２５を被着させる（触媒被着工程）。つまり、回路パターン２４が形成された表面及び回路パターン２４が形成されなかった表面の全体にメッキ触媒２５を被着するのである。なお、後述する無電解メッキの観点からは、金属柱２２の表面にわざわざメッキ触媒２５を被着させる必要はないが、絶縁層２０の全体にメッキ触媒２５を被着させることで作業の容易化が図られる。ここで、メッキ触媒２５は、その前駆体を含む概念である。
【００９１】
メッキ触媒２５は、後述するメッキ工程において無電解メッキ膜を形成したい部分のみに該メッキ膜を形成させるために予め付与される触媒である。メッキ触媒２５としては、無電解メッキ用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられ得る。また、予めメッキ触媒２５の前駆体を被着させ、樹脂皮膜２３の除去後にメッキ触媒２５を生成させてもよい。メッキ触媒２５の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等の他、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【００９２】
メッキ触媒２５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。
【００９３】
はじめに、回路パターン２４が形成された絶縁層２０の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁層２０の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これによりメッキ触媒２５である金属パラジウムが析出する。
【００９４】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム＆ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。
【００９５】
このような触媒被着処理により、図２Ｇに示したように、樹脂皮膜２３の表面及び回路パターン２４の表面にメッキ触媒２５を被着させることができる。
【００９６】
＜皮膜除去工程＞
次に、図２Ｈに示すように、樹脂皮膜２３を絶縁層２０から除去する（皮膜除去工程）。つまり、樹脂皮膜２３が可溶型の樹脂でなる場合は、有機溶剤やアルカリ溶液を用いて樹脂皮膜２３を溶解し、絶縁層２０の表面から除去する。また、樹脂皮膜２３が膨潤性の樹脂でなる場合は、所定の液体を用いて樹脂皮膜２３を膨潤させ、絶縁層２０の表面から剥離して除去する。
【００９７】
この皮膜除去工程によれば、絶縁層２０において回路パターン２４が形成された部分の表面のみにメッキ触媒２５を残留させることができる。一方、樹脂皮膜２３の表面に被着されたメッキ触媒２５は、樹脂皮膜２３と共に絶縁層２０から除去される。ここで、絶縁層２０から除去されたメッキ触媒２５が飛散して絶縁層２０の表面に再被着することを防ぐ観点から、樹脂皮膜２３は、絶縁層２０から除去されるときにバラバラに崩壊することなく全体が連続したまま除去され得るものが好ましい。
【００９８】
樹脂皮膜２３を溶解又は膨潤させる液体としては、回路基板１０、絶縁層２０及びメッキ触媒２５を実質的に分解や溶解させることなく、樹脂皮膜２３が容易に絶縁層２０から溶解除去又は剥離除去され得る程度に溶解又は膨潤させ得る液体であれば特に限定なく用いられ得る。このような樹脂皮膜除去用液体は、樹脂皮膜２３の種類や厚み等により適宜選択され得る。具体的には、例えば、レジスト樹脂として、光硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、有機溶剤、又はアルカリ水溶液のレジスト除去剤等が用いられる。また、例えば、樹脂皮膜２３がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合、あるいは、樹脂皮膜２３として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物である場合、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられ得る。
【００９９】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、樹脂皮膜２３が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていること、あるいは、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物から形成されていること、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような樹脂皮膜は、ｐＨ１１〜１４、好ましくはｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬等することにより、容易に溶解又は膨潤し、溶解除去又は剥離除去される。なお、溶解性又は剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより除去してもよい。
【０１００】
樹脂皮膜２３を除去させる方法としては、例えば、樹脂皮膜除去用液体に、樹脂皮膜２３で被覆された絶縁層２０を所定の時間浸漬する方法等が挙げられる。また、溶解除去性又は剥離除去性を高めるために、浸漬中に超音波照射すること等が特に好ましい。なお、剥離除去又は溶解除去し難い場合等には、例えば、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１０１】
＜メッキ工程＞
次に、図２Ｉに示すように、絶縁層２０に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒２５が残留する回路パターン２４の部分及び金属柱２２の露出部分に無電解メッキ膜を形成して前記絶縁層２０に第２電気回路２６を形成する。併せて、この絶縁層２０の第２回路２６と回路基板１０の第１回路１１とを前記金属柱２２を介して層間接続する（メッキ工程）。このような無電解メッキ処置により、回路パターン２４が形成された部分のみに精度よく無電解メッキ膜が析出する。
【０１０２】
無電解メッキ処理の方法としては、部分的にメッキ触媒２５が被着された絶縁層２０を無電解メッキ液に浸漬して、メッキ触媒２５が被着された部分のみに無電解メッキ膜を析出させるような方法が用いられ得る。
【０１０３】
無電解メッキに用いられる金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらのうちでは、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１０４】
無電解メッキ膜の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【０１０５】
メッキ工程により、絶縁層２０の表面のメッキ触媒２５が残留する部分のみに無電解メッキ膜が析出する。そのために、第２回路２６を形成したい部分のみに精度よく導体層を形成することができる。一方、回路パターン２４を形成していない部分に対する無電解メッキ膜の析出を抑制することができる。したがって、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な配線２６ａを複数本形成するような場合でも、隣接する配線２６ａ間に不要なメッキ膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１０６】
このようなメッキ工程により、絶縁層２０の表面のレーザー加工された部分のみに無電解メッキ膜を析出させることができる。これにより、絶縁層２０の表面に新たに第２回路２６が形成されると共に、この絶縁層２０の第２回路２６と回路基板１０の第１回路１１とが、層間接続用孔２１ないし金属柱２２を介して層間接続される。
【０１０７】
このような工程を経てあるいは繰り返すことにより、図１に示したような、絶縁層２０の表面に第２回路２６を有する多層回路基板１が製造される。そして、この多層回路基板１においては、各層において電気回路１１，２６と層間接続用孔２１とが相互に接続していると共に、各層の電気回路１１，２６同士が層間接続用孔２１を介して層間接続している。
【０１０８】
本実施形態で説明した製造方法を用いれば、絶縁層２０に対する回路パターン２４の深さを調整することにより、第２回路２６の膜厚や深さを自由に調整できる。例えば、第２回路２６を絶縁層２０の深い部分に形成することや、複数の第２回路２６を相互に深さの異なる位置に形成することができる。また、絶縁層２０の深い部分に第２回路２６を形成することにより、厚みの厚い回路２６を形成することができる。厚膜の回路は断面積が大きいために、高い強度及び電気容量を有する。
【０１０９】
本実施形態の製造方法においては、回路パターン２４を形成する前の絶縁層形成工程と孔形成工程と金属柱形成工程とにより、予め層間接続用孔２１だけをメッキ金属で充填するので、第２回路２６の過剰な導体形成を気にすることなく、層間接続用孔２１の金属充填を時間をかけて十分に行うことができる。また、層間接続用孔２１の金属充填時には、回路パターン２４がまだ形成されていないので、メッキ膜が回路パターン側から成長してくることがなく、ボイドの発生が抑制された良好な金属充填が実現する。そして、層間接続用孔２１の金属充填を完了した後に、皮膜形成工程と回路パターン形成工程と触媒被着工程と皮膜除去工程とメッキ工程とにより、アディティブ法で第２回路２６の導体形成を行うので、短時間で微細な導体を精度よく形成することができ、第２回路２６に導体を過剰に形成することが回避される。以上により、微細な回路パターン２４と層間接続用孔２１とが混在していても、アディティブ法を良好に適用しつつ、ビルドアップ法により多層回路基板１を支障なく製造することができる。
【０１１０】
本実施形態の製造方法においては、回路パターン形成工程で、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が突出するように回路パターン２４を形成し（図２Ｆ参照）、この金属柱２２の頂部を覆うように形成された第２電気回路２６の部分を電極用パッド部２６ｂとすることが好ましい（図１参照）。金属柱２２の頂部がパッド部２６ｂの導体層に食い込んで、アンカー効果によりパッド部２６ｂの絶縁層２０からの脱落が効果的に抑制され、実装部品の重みに十分耐え得るパッド部２６ｂが得られるからである。
【０１１１】
本実施形態の製造方法においては、金属柱形成工程で、露出させた第１の電気回路１１から無電解メッキによりメッキ膜を成長させることにより、層間接続用孔２１をメッキ金属で充填することができる。導体である電気回路１１を、無電解メッキのメッキ核に利用するので、合理的に金属柱２２を形成できる。
【０１１２】
また、本実施形態の製造方法においては、金属柱形成工程で、絶縁層２０の表面、層間接続用孔２１の内壁面、及び露出させた第１の電気回路１１の表面にメッキ触媒２５を被着させ、メッキ触媒被着部に無電解メッキを施した後、電解メッキを施すことにより、層間接続用孔２１をメッキ金属で充填し、その後、絶縁層２０の表面を含む絶縁層２０の外表面側に析出したメッキ金属を除去してもよい。絶縁層２０の表面を含む絶縁層２０の外表面側に形成した無電解メッキ層を、電解メッキで必要な給電層に利用するので、合理的に金属柱２２を形成できる。
【０１１３】
本実施形態の製造方法においては、樹脂皮膜２３は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層２０から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂皮膜であることが好ましい。このような樹脂皮膜２３を用いることにより、絶縁層２０表面から樹脂皮膜２３を容易かつ良好に溶解除去又は剥離除去することができる。樹脂皮膜２３を除去するときに樹脂皮膜２３を崩壊させると、その樹脂皮膜２３に被着したメッキ触媒２５が飛散し、飛散したメッキ触媒２５が絶縁層２０に再被着してその部分に不要なメッキ膜が形成される問題がある。絶縁層２０表面から樹脂皮膜２３を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が防止できる。
【０１１４】
本実施形態の製造方法により製造された多層回路基板１は、微細な回路パターン２４と層間接続用孔２１とが混在していても、層間接続用孔２１の金属充填が十分かつ良好に行われて、回路１１，２６と層間接続用孔２１との接続が良好で、かつ回路部分の過剰な導体形成が回避されて、短絡等が起り難い多層回路基板１が得られる。したがって、アディティブ法を良好に適用しつつ、ビルドアップ法により多層回路基板１を支障なく製造することができる。その結果、形状精度の高い電気回路２６が形成された多層回路基板１が提供される。このような多層回路基板１の製造方法を用いることにより、配線２６ａの幅及び配線２６ａの間隔が狭いＩＣサブストレート、携帯電話用プリント配線板、立体回路基板等の用途に用いられる多層回路基板１を製造することができる。
【０１１５】
なお、多層回路基板の製造方法においては、樹脂皮膜２３に蛍光性物質を含有させることにより、上述した皮膜除去工程の後、検査対象面に紫外光や近紫外光を照射することによる蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査することができる。本実施形態の多層回路基板の製造方法においては、配線２６ａの線幅及び配線２６ａの間隔が極端に小さい金属配線２６ａを形成することができる。このような場合においては、例えば、隣接する金属配線２６ａ間の樹脂皮膜２３が完全に除去されずに残留することが懸念される。金属配線２６ａ間に樹脂皮膜２３が残留した場合には、その部分にメッキ膜が形成されてしまい、マイグレーションや短絡の原因になり得る。このような場合、樹脂皮膜２３に蛍光性物質を含有させ、皮膜除去工程の後、皮膜除去面に所定の発光源を照射して皮膜２３が残留している部分のみを蛍光性物質により発光させることにより、皮膜除去不良の有無や皮膜除去不良の箇所を検査することができる。
【０１１６】
本検査工程に用いられる樹脂皮膜２３に含有させうる蛍光性物質は、所定の光源により光を照射することにより発光特性を示すものであればとくに限定されない。その具体例としては、例えば、Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｉｎｅ、Ｅｏｓｉｎｅ、Ｐｙｒｏｎｉｎｅ  Ｇ等が挙げられる。
【０１１７】
本検査工程により蛍光性物質からの発光が検出された部分は、樹脂皮膜２３が残留する部分である。したがって、発光が検出された部分を除去することにより、その部分にメッキ膜が形成されることを抑制できる。これにより、マイグレーションや短絡の発生を未然に抑制することができる。
【０１１８】
［第２実施形態］
図３を参照して、本発明の第２実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ又は相当する構成要素には同じ符号を用い、その説明は省略し、第２実施形態の特徴部分のみ説明を加える。
【０１１９】
この第２実施形態では、図３Ｄに示すように、金属柱形成工程において、金属柱２２が絶縁層２０の上面の高さまで成長していない。代わりに、金属柱２２は、回路パターン２４の底面となる位置までメッキ膜が成長されて構成されている。すなわち、金属柱２２を絶縁層２０の外表面まで成長させるのではなく、それより手前の高さで成長を止めるのである。これにより、回路パターン形成工程より前の金属柱形成工程の段階で、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が露出し、かつ突出しないようにすることが容易に達成できる。そして、図３Ｆに示すように、回路パターン形成工程において、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が露出し、かつ突出しないように回路パターン２４が形成される。この結果、図３Ｉに示すように、メッキ工程において、金属柱２２の頂部の上に形成される導体層が絶縁層２０の上面（外表面）から突出することが回避でき、絶縁層２０の回路２６形成面に生じる凹凸をなくす又は減らすことが可能となる。したがって、積層数が増えても、回路形成面に生じる凹凸が大きくならず、微細回路の形成が可能となる。
【０１２０】
あるいは、第１実施形態の図２Ｄに示したように、金属柱形成工程で、金属柱２２を絶縁層２０の上面の高さまで成長させた後に、回路パターン２４の底面となる位置まで金属柱２２の頂部を例えばソフトエッチング等により除去することにより、図３Ｆに示すように、回路パターン形成工程において、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が突出しないように回路パターン２４を形成することも可能である。これにより、金属柱２２の頂部の位置を修正して、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が突出しないようにすることが確実に達成できる。
【０１２１】
［第３実施形態］
図４を参照して、本発明の第３実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ又は相当する構成要素には同じ符号を用い、その説明は省略し、第３実施形態の特徴部分のみ説明を加える。
【０１２２】
この第３実施形態では、図４Ｆに示すように、回路パターン形成工程において、樹脂皮膜２３の厚みと同じ深さの溝及び／又は孔を形成して、回路パターン２４を絶縁層２０の上面から掘り下げていない。代わりに、回路パターン２４の底面を絶縁層２０の上面に一致させている。この結果、図４Ｉに示すように、メッキ工程において、第２回路２６は絶縁層２０の上面に載った状態となる。しかしながら、微細な回路パターン２４と層間接続用孔２１とが混在していても、アディティブ法を良好に適用しつつ、ビルドアップ法により多層回路基板１を支障なく製造することができる、という本発明の特徴は何ら影響されるものではない。
【０１２３】
［第４実施形態］
図７を参照して、本発明の第４実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ又は相当する構成要素には同じ符号を用い、その詳しい説明は省略する。また、材料の説明は省略し、工程のみ説明する。
【０１２４】
＜回路基板準備工程＞
本実施形態の製造方法においては、まず、図７Ａに示すように、第１電気回路１１が形成された回路基板１０を準備する（回路基板準備工程）。
【０１２５】
＜絶縁層形成工程＞
次に、図７Ｂに示すように、第１回路１１が形成された回路基板１０の上面（回路形成面）に絶縁層２０を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１２６】
＜孔形成工程＞
次に、図７Ｃに示すように、絶縁層２０の上面（外表面）からレーザー加工することにより、絶縁層２０に層間接続用孔２１を形成する（孔形成工程）。このとき、層間接続用孔２１は、回路基板１０の第１回路１１まで到達しており、該第１回路１１を露出させている。
【０１２７】
＜金属柱形成工程＞
次に、図７Ｄに示すように、露出させた第１回路１１から、無電解メッキ又は電解メッキにより、前記層間接続用孔２１をメッキ金属で充填して、層間接続用孔２１に金属柱２２を形成する（金属柱形成工程）。
【０１２８】
この第４実施形態では、図７Ｄに示すように、金属柱形成工程において、金属柱２２が絶縁層２０の上面の高さまで成長していない。メッキ金属は、回路パターン形成工程で形成される回路パターン２４の底面となる位置に到達しない位置まで充填されている。
【０１２９】
＜皮膜形成工程＞
次に、図７Ｅに示すように、絶縁層２０の外表面及び金属柱２２の頂部に樹脂皮膜２３を形成する（皮膜形成工程）。
【０１３０】
＜回路パターン形成工程＞
次に、図７Ｆに示すように、樹脂皮膜２３の上面（外表面）から少なくとも該樹脂皮膜２３の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝及び／又は孔を形成することにより回路パターン２４を形成する（回路パターン形成工程）。回路パターン２４は、レーザー加工、切削加工又は型押加工等により形成される。
【０１３１】
この第４実施形態では、図７Ｆに符号Ａで示すように、回路パターン形成工程において、金属柱２２の上に樹脂皮膜２３が残る。つまり、金属柱形成工程において、金属柱２２が回路パターン２４の底面となる位置まで成長していないから残るのである。この残った樹脂皮膜２３は後の皮膜除去工程において除去される。これにより、この回路パターン形成工程では、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出しないように回路パターン２４が形成される。あるいは、回路パターン形成工程において、金属柱２２を覆う樹脂皮膜２３を金属柱２２の頂部が露出するまで除去してもよい。つまり、金属柱２２の上部においては、樹脂皮膜２３を回路パターン２４の底面よりも深く掘り下げるのである。これによっても、この回路パターン形成工程では、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出せず、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面より後退した位置で露出するように回路パターン２４が形成されることになる。この第４実施形態ではいずれでもよい。
【０１３２】
＜触媒被着工程＞
次に、図７Ｇに示すように、樹脂皮膜２３の表面及び回路パターン２４の表面にメッキ触媒２５を被着させる（触媒被着工程）。
【０１３３】
＜皮膜除去工程＞
次に、図７Ｈに示すように、樹脂皮膜２３を絶縁層２０から除去する（皮膜除去工程）。これにより、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面より後退した位置で露出する。
【０１３４】
＜メッキ工程＞
次に、図７Ｉに示すように、絶縁層２０に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒２５が残留する回路パターン２４の部分及び金属柱２２の露出部分に無電解メッキ膜を形成して前記絶縁層２０に第２電気回路２６を形成する。金属柱２２の露出部分にはメッキ触媒２５が残留していないが、金属柱２２の金属を起点に無電解メッキ膜が形成され成長する。併せて、この絶縁層２０の第２回路２６と回路基板１０の第１回路１１とを前記金属柱２２を介して層間接続する（メッキ工程）。
【０１３５】
この第４実施形態では、図７Ｆに示すように、回路パターン形成工程で、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出しないように回路パターン２４が形成される。また、皮膜除去工程で、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面より後退した位置で露出するように樹脂皮膜が除去される。この結果、図７Ｉに示すように、金属柱２２の頂部の上に形成される導体層が絶縁層２０の外表面から突出することが回避でき、絶縁層２０の回路２６形成面に生じる凹凸をなくす又は減らすことが可能となる。
【０１３６】
より詳しくは、図８に拡大して示すように、絶縁層２０の外表面から回路パターン２４の底面までの距離（つまり回路パターン２４の深さ）をｄ１、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部までの距離（つまり金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面より後退した深さ）をｄ２としたときに、０＜ｄ２≦ｄ１×３０％である。
【０１３７】
このように、絶縁層２０の外表面から回路パターン２４の底面までの距離（回路パターン２４の深さ）をｄ１、回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部までの距離（後退の深さ）をｄ２としたときに、０＜ｄ２≦ｄ１×３０％であるから、前記後退の深さｄ２は回路パターン２４の深さｄ１に比べて小さい。そのため、回路２６部分の導体形成と層間接続用孔２１の金属充填とを十分良好に行うことができ、回路２６と層間接続用孔２１とを十分良好に接続することができる。
【０１３８】
なお、ｄ１の値やｄ２の値、あるいは回路パターン２４における配線２６ａ用の溝の幅や電極用パッド部２６ｂ用の孔のサイズ等に応じて、０＜ｄ２≦ｄ１×３０％に代えて、０＜ｄ２≦ｄ１×２０％や０＜ｄ２≦ｄ１×４０％等でもよい。
【０１３９】
また、金属柱形成工程において、回路パターン２４の底面となる位置に到達しない位置までメッキ金属を充填することにより、回路パターン形成工程では、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出せず、皮膜除去工程では、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面より後退した位置で露出するようにしたから、回路パターン形成工程及び皮膜除去工程より前の金属柱形成工程の段階で、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出しないようにすることが容易に達成できる。
【０１４０】
以上により、回路パターン２４を絶縁層２０の上面から掘り下げる場合において、第１実施形態は、金属柱２２の頂部が絶縁層２０の上面と同じ高さ〜回路パターン２４の底面超えの高さの場合（回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が突出する場合）の態様、第２実施形態は、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面と同じ高さの場合（回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が突出しない場合）の態様、第４実施形態は、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面未満の高さの場合（回路パターン２４の底面から金属柱２２の頂部が突出しない場合）の態様である。
【０１４１】
［第１実施形態の追加説明］
次に、図９を参照して、第１実施形態の（Ｃ）孔形成工程、（Ｅ）皮膜形成工程、（Ｇ）触媒被着工程をより詳細に説明する。
【０１４２】
第１実施形態の金属柱形成工程で説明したように、金属柱２２は、円錐台状や角錐台状でも構わない。図９Ｃは、第１実施形態の（Ｃ）孔形成工程において、絶縁層２０の上面側の径が第１回路１１側の径よりも大きい形状の層間接続用孔２１が形成された場合を示している。そのため、図９Ｅに示すように、第１実施形態の（Ｅ）皮膜形成工程において、絶縁層２０の上面及び金属柱２２の頂部に樹脂皮膜２３を形成した時点では、層間接続用孔２１に充填された金属柱２２もまた絶縁層２０の上面側の径が第１回路１１側の径よりも大きい形状となっている。つまり、金属柱２２の上部が下部よりも大径となっている。
【０１４３】
すると、図９Ｅに矢印で示すように、回路パターン形成工程で樹脂皮膜２３の上面からレーザー照射したときに、金属柱２２の大径部が陰になり、絶縁層２０において除去されない部分が金属柱２２の側部に生じる。その結果、図９Ｇに示すように、第１実施形態の（Ｇ）触媒被着工程において、回路パターン２４の表面にメッキ触媒２５を被着させた時点では、絶縁層２０において除去されなかった部分２０ａにメッキ触媒２５が被着される。
【０１４４】
そのため、金属柱２２の側面にはメッキ触媒２５が被着されず、金属柱２２の側面には無電解メッキ膜が析出しない。つまり、金属柱２２の側面は第２電気回路２６と接触せず、金属柱２２と第２電気回路２６とが接続不良を起こす可能性がある。もっとも、図２Ｉに示したように、金属柱２２の頂面に析出した無電解メッキ膜と、回路パターン２４内に析出した無電解メッキ膜とがつながれば問題はない。しかし、回路パターン２４の底面から突出した金属柱２２の頂部の縁にはメッキ触媒２５が乗り難く、したがってメッキが形成され難いので、金属柱２２の頂面に析出した無電解メッキ膜と、回路パターン２４内に析出した無電解メッキ膜とはつながり難いのである。
【０１４５】
したがって、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出する第１実施形態の場合は、上部が下部よりも大径の金属柱２２は避けたほうが好ましい。特に、金属柱２２を絶縁層２０の上面の高さまで成長させる場合は、上部が下部よりも大径の金属柱２２は避けたほうが好ましい。これに対し、金属柱２２の頂部が回路パターン２４の底面から突出しない第２実施形態及び第４実施形態の場合は、上部が下部よりも大径の金属柱２２でも金属柱２２と第２電気回路２６との接続不良の問題はない。
【０１４６】
以下、本発明を実施例を通してさらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。
【実施例】
【０１４７】
（Ａ）回路基板準備工程：硬化した銅張積層板（パナソニック電工株式会社製の「Ｒ１５１５Ｔ」）の銅箔をエッチング除去して所定の電気回路が形成された回路基板（厚み：５００μｍ）を準備した。
【０１４８】
（Ｂ）絶縁層形成工程：この回路基板の回路形成面上にエポキシ樹脂シートでなる絶縁層を積層させた。すなわち、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の「８５０Ｓ」）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製の「ＤＩＣＹ」）と、硬化促進剤としての２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製の「２Ｅ４ＭＺ」）と、無機フィラーとしての溶融シリカ（電気化学工業株式会社製の「ＦＢ１ＳＤＸ」）と、シランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製の「Ａ−１８７」）と、溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）とを含む樹脂組成物からなるシート（厚み：６０μｍ）を、前記回路基板の回路形成面上に載置し、さらに、この樹脂組成物からなるシートの外表面にＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製の「ＴＮ１００」）を載置し、この積層体を、０．４Ｐａ、１００℃で、１分間、加圧加熱成形し張り合わせた後、さらに、１７５℃で、９０分間、加熱硬化した後に、前記シートを硬化させた。その後、ＰＥＴフィルムを剥離することにより、回路基板の上に絶縁層を積層させた積層体を得た。
【０１４９】
（Ｃ）孔形成工程：前記絶縁層に対して、外表面から、レーザー加工を行うことにより、５０μｍの径の孔を第１回路の上に形成し、第１回路を露出させた。レーザー加工は、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたレーザー光照射装置（ＥＳＩ社製の「ＭＯＤＥＬ５３３０」）を用いて行った。
【０１５０】
（Ｄ）金属柱形成工程：孔を形成した後、基板を硫酸系のエッチング液に３５℃で５分間浸漬し、基板の孔の形成により露出した第１回路の表面の酸性クリーナー処理を行った。さらに、水洗いをした後に、基板の孔形成箇所に金属柱を形成するために、無電解銅メッキ液（上村工業株式会社製の「ＳＰ−２」）に、７０℃、７〜８時間、基板を浸漬し、孔の底部の第１電気回路部からメッキを析出成長させて金属柱を形成した。
【０１５１】
（Ｅ）皮膜形成工程：次に、絶縁層の外表面にスピンコート法を用いて、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより、２μｍ厚の樹脂皮膜を形成した。
【０１５２】
（Ｆ）回路パターン形成工程：次に、樹脂皮膜が形成された積層体に対して、レーザー加工により所定の位置に幅２０μｍ、深さ１５μｍの微細溝を回路パターンとして形成した。なお、レーザー加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。
【０１５３】
（Ｇ）触媒被着工程：次に、レーザー加工された積層体をクリーナーコンディショナー（Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬した後、水洗した。そして、付着されるスズ−パラジウムコロイドの分解を抑制するために、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト（株）製）を用いてプリディップ工程を行った。そして、キャタリスト液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬し、無電解銅メッキの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で樹脂皮膜が形成された積層体に吸着させた。
【０１５４】
（Ｈ）皮膜除去工程：次に、スズ−パラジウムコロイドが吸着された積層体を、５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬することにより、表面のＳＢＲ皮膜を膨潤させることにより、樹脂皮膜を剥離除去した。次に、積層体表面に紫外光を照射した。このとき、紫外光の照射により部分的に蛍光発光が認められた。蛍光部分が認められた部分は、布でラビングすることにより除去した。
【０１５５】
（Ｉ）メッキ工程：次に、積層体をアクセレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、積層体を無電解メッキ液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬させて無電解銅メッキ処理を行った。これにより、厚み３μｍの無電解銅メッキ膜が析出した。さらに、前記回路溝を埋めるまで、無電解銅メッキ処理（フィルアップめっき）を行った。
【０１５６】
上述のような無電解メッキ処理された積層体表面をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、レーザー加工された溝部分には、無電解メッキ膜により形成された金属配線が高精度に形成されていることが確認できた。
【０１５７】
なお、樹脂皮膜の膨潤度は、以下のように測定した。すなわち、離型紙上に、絶縁基材上に樹脂皮膜を形成するために塗布したＳＢＲサスペンジョンを塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより、エポキシ樹脂基板に形成した厚みと同様の厚みである、２μｍ厚の皮膜を形成した。そして、形成された皮膜を強制的に剥離したものを試料とした。そして、得られた試料０．０２ｇ程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量ｍ’とする。そして、秤量された試料を２０±２℃の水酸化ナトリウム５％水溶液１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。そして、遠心分離器を用いて１０００Ｇで約１０分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量ｍとする。得られた、膨潤前重量ｍ’及び膨潤後重量ｍから、「膨潤度ＳＷ＝（ｍ−ｍ’）／ｍ’×１００（%）」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、ＪＩＳ  Ｌ１０１５  ８．２７（アルカリ膨潤度の測定方法）に準じて行った。このとき、得られた膨潤度は約７５０％であった。
【符号の説明】
【０１５８】
１      多層回路基板
１０    回路基板
１１    第１電気回路
２０    絶縁層
２１    層間接続用孔
２２    金属柱
２３    樹脂皮膜
２４    回路パターン
２５    メッキ触媒
２６    第２電気回路
２６ａ  配線
２６ｂ  電極用パッド部
【図１】
0005411829.tif 000002
【図２】
0005411829.tif 000003
【図３】
0005411829.tif 000004
【図４】
0005411829.tif 000005
【図５】
0005411829.tif 000006
【図６】
0005411829.tif 000007
【図７】
0005411829.tif 000008
【図８】
0005411829.tif 000009
【図９】
0005411829.tif 000010