(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気複合構成部材または電子複合構成部材（１）であって、
少なくとも、第１接合部品（２）と第２接合部品（３）と第３接合部品（４）とを含み、
前記第１接合部品は、エレクトロニクスモジュールないしは半導体素子、または、回路支持体、または、打ち抜き板、または、ボンディングワイヤないしはボンディング細線、または、基板であり、
前記第２接合部品および前記第３接合部品は、エレクトロニクスモジュールないしは半導体素子、または、回路支持体、または、基板、または、冷却体（５）であり、
前記第１接合部品と前記第２接合部品とのあいだに、前記第１接合部品および前記第２接合部品の双方に固定に接続された、開放孔を有する第１焼結成形体（６）が収容されており、該第１焼結成形体（６）は銀金属から成るかまたは銀金属薄片を含み、
前記第１接合部品および／または前記第２接合部品は、前記第１焼結成形体（６）に溶接されており、
前記第１接合部品と前記第３接合部品とのあいだまたは前記第２接合部品と前記第３接合部品とのあいだに、前記第１焼結成形体と同様に形成された第２焼結成形体（７）が収容されており、該第２焼結成形体は、隣接する接合部品に溶接されている
ことを特徴とする電気複合構成部材または電子複合構成部材。
【請求項２】
電気複合構成部材または電子複合構成部材（１）の製造方法において、
少なくとも、エレクトロニクスモジュールないしは半導体素子または回路支持体または打ち抜き板またはボンディングワイヤないしはボンディング細線または基板である、第１接合部品（２）と、エレクトロニクスモジュールないしは半導体素子または回路支持体または基板または冷却体（５）である、第２接合部品（３）および第３接合部品（４）とを用意し、
前記第１接合部品と前記第２接合部品とのあいだに、銀金属から成るかまたは銀金属薄片を含みかつ開放孔を有する第１焼結成形体（６）を収容し、該第１焼結成形体を前記第１接合部品および前記第２接合部品の双方に固定に接続し、
前記第１接合部品および／または前記第２接合部品を、前記第１焼結成形体に溶接し、
前記第１接合部品と前記第３接合部品とのあいだまたは前記第２接合部品と前記第３接合部品とのあいだに、前記第１焼結成形体と同様に形成された第２焼結成形体（７）を収容し、該第２焼結成形体を、隣接する接合部品に溶接する
ことを特徴とする電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
【請求項３】
前記第１接合部品および前記第２接合部品を前記第１焼結成形体の２つの対向面に配置する、請求項２記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
【請求項４】
前記第１接合部品および／または前記第２接合部品を、補助材料（１５）を用いてまたは補助材料（１５）を用いずに、前記第１焼結成形体に溶接する、請求項２または３記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
【請求項５】
前記第１接合部品および／または前記第２接合部品を、超音波溶接により、補助材料（１５）を用いてまたは補助材料（１５）を用いずに、前記第１焼結成形体に溶接する、請求項２から４までのいずれか１項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
【請求項６】
前記第２焼結成形体を前記第１接合部品または前記第２接合部品に、ならびに、前記第１焼結成形体を前記第１接合部品または前記第２接合部品に、共通のプロセスステップまたは別個のプロセスステップで、配置する、請求項２から５までのいずれか１項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
【請求項７】
１つの焼結体を複数の焼結成形体に個別化する、請求項２から６までのいずれか１項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、請求項８の上位概念記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法に関する。
【０００２】
ＪＦＥＴ，ＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴまたはダイオードのようなパワー半導体とパワーエレクトロニクスモジュールの回路支持体との接合、および、基板／ヒートシンクへの回路支持体の接合は、典型的には軟質はんだ技術によって実現される。新しいＥＵ立法に基づき、将来的には鉛を含有する軟質はんだ合金（Ｓｎ６３Ｐｂ３７およびＳｎ５Ｐｂ９５）の使用は禁止されることになっている。代替合金としてのＳｎＡｇＣｕベースの鉛フリー軟質はんだ合金は限定的にしか使用することができない。なぜなら、このＳｎＡｇＣｕベースの鉛フリーの軟質はんだ合金は、特に受動的および能動的な温度変化の負荷のもとでは、信頼性の点で制限されているからである。代替手段としての合金である高融点の軟質はんだは、取り扱いに対して脆弱すぎるか（Ｂｉ９７，５Ａｇ２．５）、または、高価すぎる（Ａｕ８０Ｓｎ２０）。
【０００３】
耐高温ならびに高信頼性の接合技術の代替手段として、接合部品どうしを銀ペーストを用いて焼結することが公知である。この技術は低温接合技術ＮＴＶと称される。ここでは２つの異なる実施手段、つまりＥＰ２２４６２６Ｂ１に記載されているような銀金属薄片の焼結と、ＷＯ２００５／０７９３５３Ａ２に記載されているような銀金属ナノ粒子の焼結とが区別される。というのは、焼結粒子は、はんだプロセスとは異なり、焼結時に液相に至らない（つまり溶融しない）からである。
【０００４】
銀金属薄片の焼結時には、粉体ワックス（Mahlwachs）を燃焼させるための大気中の酸素、約２４０℃の温度、ならびに、約４０ＭＰａの高圧が必要となる。銀金属ナノ粒子の焼結は、約１００ｋＰａから５ＭＰａまでの範囲の格段に低い圧力によって焼結プロセスを実施する手段を提供する。ただし、ナノ粒子を焼結する場合にも、銀金属薄片を焼結する場合と同様に、酸素ならびに約２８０℃のプロセス温度は必要である。これに加えて、公知の銀金属とナノ粒子とのペースト状配合物は、銀金属薄片ベースのペースト状配合物よりも高い有機成分、例えば溶剤および／またはバインダ等を含む。公知の方法では、焼結ペーストが第１接合部品および／または第２接合部品に直接に被着され、その後、熱作用のもとで、これらの接合部品どうしが互いにプレスされる。焼結ペーストを用いたプロセスを行うには、焼結層を通して大きな気体体積を交換しなければならないという課題、すなわち、酸素は接合箇所に達しなければならないし、溶剤および燃焼／酸化された有機物は排出されなければならないという課題が存在する。このため、特に所望される低いプロセス圧力のもとで大面積の接合を行う場合には、断裂の形成がひどくなる。
【０００５】
発明の開示
本発明の基礎となる課題は、電気複合構成部材または電子複合構成部材、ならびに、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法を提供し、接合時の断裂形成を回避できるようにすることである。なお、複合構成部材は低コストに製造でき、温度変化に対する耐性を有することが望ましい。
【０００６】
この課題は、請求項１の特徴を有する電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、請求項８の特徴を有する電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法によって解決される。本発明の有利な実施形態は従属請求項に記載されている。明細書、特許請求の範囲、図面等に開示された各特徴は、単独でも任意に組み合わせても、本発明の対象となりうる。なお、反復を避けるために、装置発明に関して開示された特徴は方法発明としても請求されうるものとし、また、方法発明に関して開示された特徴も同様に装置発明として請求されうるものとする。
【０００７】
本発明の基礎となる技術思想は、少なくとも２つの接合部品どうしを従来技術のごとく焼結ペーストを用いて焼結固定するのではなく、焼結ペーストを用いずに、あらかじめ形成されている貫通した開放孔を有する焼結成形体と接合部品とを固定的に接続することにある。有利には、使用される焼結成形体（焼結フィルム）の厚さは、接合部品の積層方向で見て約１０μｍから約３００μｍまでの範囲にあるか、またはそれ以上である。このような焼結成形体は、後の接合部品との接合プロセスにおいて、例えばはんだ付け、溶接、接着等によって形成される接合箇所の換気および排気に利用可能な、安定した気体チャネルが既に組み込まれているという利点を有する。多孔性の焼結成形体を取り付け部材ないし嵌め込み部材として使用することは、接合部品と焼結成形体とを接合する焼結プロセスにポジティブに作用し、特に、シリコンパワー半導体と回路支持体、または、回路支持体とヒートシンクなど、大面積の接合部品と焼結成形体とを焼結する場合に有利である。また、焼結成形体を介して、打ち抜き板を接合することもできる。
【０００８】
焼結成形体を使用することのさらなる利点は、接合箇所を設計する際の自由度が拡張されることである。なぜなら、焼結成形体は、接合部品のうち少なくとも一方、有利には双方よりも大きな面積を有することができ、および／または、従来技術のごとく焼結ペーストを用いて接合部品どうしを焼結する場合よりも格段に広い間隔をあけて配置することができるからである。これにより特に、温度変化耐性が向上するので有利である。
【０００９】
本発明は、多くの電気的および／または電子的な用途に使用することができる。特に有利には、機械／電気変換（発電機、整流器）、電気／電気変換（ＡＣ／ＡＣコンバータ、ＤＣ／ＤＣコンバータ）、電気／機械変換（電気駆動装置、インバータ）などの多様なエネルギ変換に必要とされるパワーエレクトロニクスモジュールにおいて使用される。さらに、自動車のジェネレータにおける整流や、電気駆動装置、ＤＣ／ＤＣコンバータ、パルスインバータ、ハイブリッドＦＣ／Ｅドライブ、光電変換器などの制御のために相応に構成されたパワーエレクトロニクスモジュールとして使用することもできる。これに代えてまたはこれに加えて、本発明により、高い損失電力を有する個々の素子をそれぞれ別個のパッケージで打ち抜き板上に接合することも可能であり、こうして本発明は例えば完全に鉛フリーの解決手段としてプリント回路板技術に利用可能となる。
【００１０】
特に有利には、本発明は、半導体レーザダイオードを備える構造体において、または、特に高温で使用されるＭＥＭＳやセンサにおいて使用される。さらなる適用分野は、レーダー用の半導体発光ダイオードおよび高周波半導体である。
【００１１】
複合構成部材の特に有利な実施形態においては、焼結成形体が銀金属、特に銀金属薄片から製造されているか、および／または、銀金属、特に銀金属薄片を含んでいる。銀金属から製造された焼結成形体、または、銀金属を含む焼結成形体は、導電性および熱伝導性が高い点で有利である。さらに銀は、気体チャネルを形成する複数の貫通した開放孔を実現するのにも適している。
【００１２】
少なくとも２つの接合部品を焼結成形体に接合するには種々の手段が存在するが、本発明においては、２つの接合部品に対して同一の手法を選択することも異なる手法を選択することもできる。第１の選択手段によれば、第１接合部品および／または第２接合部品が焼結ペーストなしで焼結成形体とともに焼結される。焼結成形体を少なくとも１つの接合部品に結合すなわち焼結するには、充分な圧力および温度を適用するだけでよい。
【００１３】
これに代えて、第１接合部品および／または第２接合部品を、有利にはんだペースト、はんだ粉末、はんだ成形体（これら全体をはんだ材料と称する）を用いて、焼結成形体にはんだ付けすることもできる。はんだ材料は熱作用によって液相へ移行し、焼結成形体と少なくとも１つの接合部品とを接合する。特に有利には、はんだ材料は鉛フリーのはんだペーストであるが、鉛を含むはんだペースト、特に標準はんだペーストを用いることもできる。使用される焼結成形体は多孔性構造のためにローバストなはんだ接合の達成に良好に適している。これは特に、現行のはんだ材料と、少なくとも部分的に銀金属、特に銀薄片から製造される焼結成形体との良好なぬれ性に基づいている。"粉末状の"焼結成形体は、後になって電気複合構成部材または電子複合構成部材を使用する際に純粋なはんだ材料に作用する熱的機械的応力を大幅に低減する。有利には、使用されるはんだ材料、特にはんだペーストは、接合部品ならびにデポ（Depot）として機能する焼結成形体の双方に印刷または塗布されてもよいし、これに代えて焼結成形体の両側に印刷または塗布されてもよいし、さらに代えて焼結成形体の一方側と一方の接合部品にのみ印刷または塗布されてもよい。はんだ付けプロセスで生じた気体は焼結成形体の開放孔によって形成される気体チャネルを介して最適に放出される。また、はんだ付けプロセスに先行するはんだペースト印刷プロセスにおいて、ＳＭＤ部品の実装およびこれに続くリフローはんだを接合箇所にはんだデポとして被着することもできる。この場合、接合箇所では融剤の塗布が必要とされるだけである。焼結成形体の多孔性構造により、融剤系の排気に対する充分な手段が実現される。
【００１４】
少なくとも一方の接合部品と焼結成形体とを接合する別の手段として、接合部品と焼結成形体とを接着剤、特に導電性接着剤によって、接着することができる。この場合、有利には、銀を含む接着剤または銀の充填された接着剤が使用され、焼結成形体内の理想的な接合面に塗布される。
【００１５】
さらに、少なくとも一方の接合部品と焼結成形体とを、特に摩擦溶接、超音波溶接、抵抗溶接によって結合することもできる。有利には銀を含む焼結成形体あるいは銀から成る焼結成形体の表面が、溶接プロセスによって、少なくとも一方の接合部品、有利には双方の接合部品と最適に結合される。
【００１６】
第１接合部品および第２接合部品の構成に関しては、種々の複合構成部材をもたらす種々の可能性が存在する。特に有利には、第１接合部品は電子素子、有利には半導体素子、特に有利にはパワー半導体であり、焼結成形体によって、第２接合部品、特に回路支持体（プリント回路板）と接続することができる。同様に、回路支持体として構成された第１接合部品を、焼結成形体によって、特に銅製の基板として構成された第２接合部品と接続することも可能である。有利には、銅製の基板は、ヒートシンクとして機能するか、または、ヒートシンクとして用いられる冷却体に接続されている。また、冷却体（第１接合部品）を、焼結成形体によって基板（第２接合部品）に接続することも可能である。さらに、焼結成形体によって、少なくとも１つのボンディングワイヤまたは少なくとも１つのボンディングリボンを、別の接合部品である電子回路素子、有利には半導体素子、特にパワー半導体素子に接続するか、または、電気回路素子の回路支持体に接続する（コンタクトする）ことができる。この場合、焼結成形体は、動作信頼性を高める。同様に、第１接合部品を例えば電気素子、特に打ち抜き板（リードフレーム）とすることができ、焼結成形体によって、第２接合部品、特に回路支持体、より正確に言えば回路支持体の金属に接続することができる。従来は、打ち抜き板が直接にプリント回路板（回路支持体）上にはんだ付けされていたので、閉鎖された孔または中空室（ブローホール）が生じることが多かった。さらに公知のプロセス制御では接合ギャップが変動しやすく、したがって温度負荷または温度変化の負荷があると信頼性が必ずしも保証されていなかった。なお、必要に応じて、第１接合部品と第２接合部品の種々の組み合わせを実現することができる。
【００１７】
焼結成形体の使用は、接合部品を２つしか有さない複合構成部材に制限されているわけではない。例えば、２つ以上の焼結成形体によって１つの複合構成部材を製造することも考えられ、この場合それぞれ１つずつの焼結成形体によって少なくとも２つの接合部品が互いに固定される。このようにして３つ以上の接合部品を含むサンドイッチ構造を形成することができ、接合部品および焼結成形体は有利には積層方向で積層される。したがって、例えば、パワー半導体によって構成された第２接合部品の両側を、それぞれ１つの焼結成形体によって、第１接合部品および第３接合部品を構成する回路支持体に接続させることができ、これによってパワー半導体は回路支持体の間にサンドイッチ状に収容され、回路支持体とパワー半導体との間にそれぞれ１つずつ焼結成形体が位置することになる。なお、サンドイッチ構造は、必ずしも１つのプロセスステップにおいて実現しなければならないわけではなく、例えば２つ以上のステップで製造することもできる。
【００１８】
本発明は、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法、有利にはこれまで説明した複合構成部材の製造方法にも関する。本発明の方法の核心となるのは、少なくとも２つの接合部品を、有利には焼結ペーストを用いずに、有利には、鉛フリーのはんだ材料、特にはんだペーストを用いて、あるいは、銀を含む導電性接着剤を用いて、あるいは、摩擦溶接、超音波溶接、抵抗溶接などによって、開放孔を有する焼結成形体（焼結フィルム）に直接に焼結することである。本発明の方法の利点は、焼結成形体の貫通した開放孔の構造によって、接合プロセス（焼結プロセス）の際に気体を放出させ、また必要に応じて酸素などの気体を接合箇所に供給して、断裂の発生を回避できることである。有利には、排気および給気は接合部品の側方から、つまり接合部品の積層方向に対して横断方向に行われる。
【００１９】
本発明の特徴および利点を、図示の有利な実施例に則して、以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】パワーエレクトロニクスモジュールの複合構成部材を示す図である。
【図２】２つの接合部品を接続するための焼結成形体の断面図である。
【図３】２つの接合部品を含む電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造プロセスの概略図である。
【図４】３つの接合部品と２つの焼結成形体とを含む電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造プロセスの概略図である。
【００２１】
図中、同じ要素および同様の機能を有する要素には同じ参照番号を付してある。
【００２２】
図１には電子複合構成部材１が示されている。当該の電子複合構成部材１は、第１接合部品２と、第２接合部品３と、第３接合部品４とを含む。図１の実施例では、第１接合部品２はパワー半導体素子、特にＩＧＢＴであり、第２接合部品３は回路支持体であり、第３接合部品４は銅基板である。この銅基板はさらに冷却体５（ヒートシンク）に取り付けられている。
【００２３】
第１接合部品２と第２接合部品３とのあいだには、積層方向Ｓで見て約５０μｍの厚さを有する第１焼結成形体６が配置されている。第１接合部品２および第２接合部品３は、第１焼結成形体６の対向する２つの面にはんだペースト（またははんだ粉末またははんだ成形体）を用いたはんだ付けによって取り付けられている。第１焼結成形体６は銀焼結材料から形成されている。第２接合部品３は、さらに、第１焼結成形体６と同様に形成された第２焼結成形体７を介して、第３接合部品４に接合されており、第２接合部品３と第３接合部品４とははんだ付けによって第２焼結成形体７に固定に接合されている。これに代えて、第１焼結成形体６と第２焼結成形体７との形状を相互に異なるように構成してもよい。
【００２４】
図１の実施例では、第３接合部品４は冷却体５に直接にはんだ付けされている。これに代えて、図示されてはいないが、第３接合部品４と冷却体５とのあいだに別個の焼結成形体を配置してこれらを焼結ペーストなしで直接に焼結してもよいし、はんだ付けまたは接着または溶接によって固定してもよい。
【００２５】
図１に示されているように、基板として構成されている第３接合部品４には、第１接合部品２および第２接合部品３および第１焼結成形体６を含むいわゆる積層体型デバイスを包囲するプラスティックケーシング８が固定されている。当該の積層体型デバイスは弾性を有する保護物質９によって包囲されている。当該の保護物質９を通してプラスティックケーシング８の外側へ接続線１０，１１が引き出されており、これらの接続線１０，１１は第１焼結成形体６を介してこの第１焼結成形体６に接触している第２接合部品（回路支持体）３に固定されている。
【００２６】
図２には、銀薄片から製造された第１焼結成形体６の構造が示されている。図２からは複数の開放孔が見て取れる。これらの開放孔は気体チャネルを形成しており、当該の気体チャネルを通って気体が或る接合箇所から外部へまたは別の接合箇所へ流れる。有利には、側方すなわち積層方向Ｓに対する横断方向（図１を参照）で、開放孔またはこの開放孔によって形成されている気体チャネルから気体が発生し、これによって、特にはんだ付けプロセスにおける断裂の発生が回避される。
【００２７】
図３には、図右方の電気複合構成部材または電子複合構成部材１を製造するプロセスが概略的に示されている。電子複合構成部材１は、図上方の第１接合部品２および図下方の第２接合部品３と、この２つの接合部品のあいだにサンドイッチ式に挟み込まれる焼結成形体６とを含む。例えば、第１接合部品２はチップであり、第２接合部品３は回路支持体である。これに代えて、第１接合部品２が回路支持体であり、第２接合部品３が基板、特に銅基板および／または冷却体（ヒートシンク）であってもよい。また、特許請求の範囲に記載した第１接合部品２および第２接合部品３の組み合わせも可能である。図３の実施例では、第１焼結成形体６の２つの面に、まず、はんだ材料１２、特にはんだペーストまたははんだ成形体がデポとして被着される。有利には、はんだ付けの前に、接合箇所に融剤材料が塗布される。積層方向Ｓにおける積層の後、２つの接合部品２，３および第１焼結成形体６およびはんだ材料１２が、接合プロセス１３、ここでははんだ付けプロセスにかけられる。はんだ材料１２のはんだ付けに対する気体交換は第１焼結成形体６の開放孔の全体積にわたって生じる。
【００２８】
別の接合プロセスも図３によって説明可能である。例えば、第２接合部品３は回路支持体、特に金属、典型的には銅または銅合金の回路支持体であり、第１接合部品２は打ち抜き板、典型的には銅または銅合金の打ち抜き板である。この場合には、接着剤１４，特に銀を含む接着剤１４が、例えば、第２接合部品３に印刷または塗布される。必要に応じて、第１焼結成形体６は、第１接合部品２である打ち抜き板の反対側において、接着剤デポとともに配置されてもよい。これに代えて、接着剤１４を、後続のプロセス、例えば被着プロセスにおいて、接着剤デポとして被着してもよい。続いて、第１接合部品２は、接着剤１４上に載置され、所定の温度および／または圧力の作用のもとで硬化プロセスにかけられる。接着剤１４またはその成分は第１焼結成形体６の開放孔構造によってガス抜き可能である。
【００２９】
これに代えて、さらに、少なくとも１つの接合部品２，３を溶接によって第１焼結成形体６に接合することもできる。ただし、溶接プロセスは、必ずしも補助材料１５を用いて行われなくてよい。補助材料を省略する場合には、図３の補助材料１５のデポは必要ない。
【００３０】
図４では、図右方に、全部で３つの接合部品２，３，４を有し、接合部品２，３間に第１焼結成形体６を、接合部品３，４間に第２焼結成形体７を有する、電気複合構成部材または電子複合構成部材１が示されている。例えば、第１接合部品２および第３接合部品４は回路支持体であり、中央に配置される第２接合部品３はパワー半導体である。サンドイッチ構造は必ずしも１回の共通の接合プロセスによる必要はなく、２段階の連続する接合プロセスによって実現されてもよい。例えば、第１接合部品２，第１焼結成形体６，第２接合部品３を接合した後、第２焼結成形体７および第３接合部品４を接合してもよいし、これに代えて、まず第３接合部品４，第２焼結成形体７，第２接合部品３を接合した後、第１焼結成形体６および第１接合部品２を接合してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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