(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一表面上に形成された電子素子と、
前記一表面上で、前記電子素子が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線を介して前記電子素子と電気的に接続された、第一のパッドと、
前記一表面上で、前記電子素子が形成された領域および前記第一のパッドが形成された領域とは異なる領域に設けられ、前記第一のパッド間を横切る第二の接続配線を介して前記電子素子と電気的に接続された、第二のパッドと、を具備しており、
前記第一のパッド間において、前記第二の接続配線の前記基板とは反対側の表面が、前記第一のパッドの前記基板とは反対側の表面よりも前記基板側に位置しており、
前記一表面に前記第一のパッド間を横切る溝が形成されており、該溝内に前記第二の接続配線が形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第一のパッドの前記基板とは反対側の表面が、前記一表面よりも前記基板から離間していることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記第一のパッドは前記基板の前記一表面上に配置された台座部上に形成され、前記台座部は前記電子素子と略同一の構成を有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
前記電子素子は発光素子である、請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記電子素子は発熱抵抗体または受光素子である、請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記第一のパッドおよび前記第二のパッドは、交互に前記基板上に並ぶ請求項４記載の電子装置。
【請求項７】
プリント配線基板と、
前記プリント配線基板上に位置し、前記第一の接続パッドと前記第二の接続パッドとがそれぞれ一列に並ぶように配列した請求項６記載の複数の電子装置と、
を具備する光プリントヘッド。
【請求項８】
前記複数の電子装置のうち、
隣接する２つの電子装置にて互いに向かい合う端部において、
一方の端部に最も近接するパッドは前記第一の接続パッドであり、他方の端部に最も近接するパッドは前記第二の接続パッドである、請求項７記載の光プリントヘッド。
【請求項９】
請求項８に記載の光プリントヘッドと、
前記第一および第二のパッドに電気的に接続されており、画像情報に基づいて前記発光素子を駆動する駆動回路と、
前記発光素子からの光を集光する集光手段と、
前記集光手段によって集光された光によって露光されて潜像を形成する感光手段と、
前記感光手段に現像剤を供給する現像剤供給手段と、
前記感光手段上において前記現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写手段と、
前記記録シートに転写された現像剤の画像を定着させる定着手段と、を含む画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置として電子写真プリンタがある。この電子写真プリンタの露光装置として複数の発光素子を含んで構成される光プリンタヘッドがある。
【０００３】
また、画像形成装置としてサーマルプリンタがある。このサーマルプリンタの露光装置として、複数の発熱抵抗体を含んで構成されるサーマルヘッドがある。
【０００４】
また、画像入力装置としてスキャナやデジタルカメラ等がある。これらの装置の画像入力部として、複数の受光素子を含んで構成されるイメージセンサがある。
【０００５】
このような光プリンタヘッド、サーマルヘッド、またはイメージセンサ等の画像の解像度を向上するためには、発光素子、発熱抵抗体、または受光素子等の電子素子の配置間隔を小さくする必要がある。電子素子を密に配置するにしたがい、ワイヤボンディングのためのパッドも密に配置する必要がある。
【０００６】
そこで、パッドを複数段に配列させ、隣接するパッドが互いに異なる段となるように配列させている（特許文献１または２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３４９３４３号公報
【特許文献２】特開平８−２７９５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
装置のさらなる小形化を図るためには、パッドの形状やパッド間の間隔も小さくなる傾向にある。このようにパッドの形状やパッド間の間隔が小さくなると、ボンディングワイヤを供給するキャピラリが、パッドからはみ出し、パッド間に位置する配線に衝突して配線が損傷したり、あるいはボンディングワイヤがはみ出して配線とパッド間がショートしたりする場合があった。その結果、導通信頼性が低下するという問題があった。
【０００９】
したがって本発明の目的は、導通信頼性の高い電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電子装置に係る一実施形態は、基板と、前記基板の一表面上に形成された電子素子と、前記一表面上で、前記電子素子が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線を介して前記電子素子と電気的に接続された、第一のパッドと、前記一表面上で、前記電子素子が形成された領域および前記第一のパッドが形成された領域とは異なる領域に設けられ、前記第一のパッド間を横切る第二の接続配線を介して前記電子素子と電気的に接続された、第二のパッドと、を具備しており、前記第一のパッド間において、前記第二の接続配線の前記基板とは反対側の表面が、前記第一のパッドの前記基板とは反対側の表面よりも前記基板側に位置していることを特徴とする。
【００１１】
このような構成により、第一のパッド間において、第二の接続配線の表面と第一のパッドの表面とを、基板の厚み方向に離間させて、ボンディングワイヤ等の接続部材を供給するキャピラリが第二の接続配線を損傷したり、接続部材がはみ出して第二の接続配線と第一のパッドとをショートさせたりするのを抑制することができ、その結果、導通信頼性を向上できる。
【００１２】
本発明の画像形成装置に係る一実施形態は、上記電子装置と、前記第一および第二のパッドに電気的に接続されており、画像情報に基づいて前記発光素子を駆動する駆動回路と、前記発光素子からの光を集光する集光手段と、前記集光手段によって集光された光によって露光されて潜像を形成する感光手段と、前記感光手段に現像剤を供給する現像剤供給手段と、前記感光手段上において前記現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写手段と、前記記録シートに転写された現像剤の画像を定着させる定着手段と、を含む。
【００１３】
本発明の画像形成装置に係る他の実施形態は、上記電子装置と、前記第一および第二のパッドに電気的に接続されており、画像情報に基づいて前記発熱抵抗体を駆動する駆動回路と、を含む。
【００１４】
本発明の画像入力装置に係る一実施形態は、上記電子装置と、前記第一および第二のパッドに電気的に接続されており、光パターンに対応して前記受光素子で発生した電気信号の演算処理を行なう演算回路と、を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置の導通信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す斜視図である。
【図３】本発明の電子装置としての、第１の実施の形態の発光装置１を示す断面図である。
【図４】発光装置１を示す断面図である。
【図５】本発明の電子装置としての、第２の実施の形態の発光装置１’を示す断面図である。
【図６】発光装置１’を示す断面図である。
【図７】本発明の電子装置としての、第３の実施の形態の発光装置４１を示す平面図である。
【図８】図７の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た発光装置４１の断面図である。
【図９】図７の切断面線Ｖ−Ｖから見た発光装置４１の断面図である。
【図１０】図７に示される発光装置４１の等価回路を示す回路図である。
【図１１】発光装置４１を有する画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。
【図１２】光プリントヘッド１１０の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図１３】（ａ）は図１３に示す光プリントヘッド１１０を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）とは異なる態様の光プリントヘッド１１０を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の電子装置に係る実施の形態の一例を示す斜視図である。電子装置１００は、基板１０２と、電子素子１０３と、第一の接続配線１０４と、第二の接続配線１０５と、第一のパッド１０６と、第二のパッド１０７とを含んで構成される。
【００１８】
電子素子１０３は、発光素子、受光素子、または発熱素子等である。発光素子としては、ＬＥＤ、ＬＤおよび発光サイリスタ等が挙げられる。受光素子としては、フォトダイオード等が挙げられる。発熱素子としては発熱抵抗体等が挙げられる。電子素子１０３は、基板１０２上に複数個が設けられている。これらの複数の電子素子１０３は同じ種類のものであってもよく、異なる種類のものであってもよい。
【００１９】
第一のパッド１０６は、所定間隔をあけて列状に配列されている。第一のパッド１０６は、第一の接続配線１０４を介して電子素子１０３と電気的に接続されている。第一の接続パッド１０６は、外部回路と電子素子１０３とを電気的に接続するため、ワイヤや半田等の入出力用の接続部材が接続される。
【００２０】
また、第二のパッド１０７は、列状に配列した第一のパッド１０６に沿って列状に配列されており、個々の第二のパッド１０７は、第一のパッド１０６間に対応するように配置されている。第二のパッド１０７は、隣接する第一のパッド１０６同士の間を横切るように配設された第二の接続配線を介して電子素子１０３と電気的に接続されている。第二のパッド１０７は、外部回路と電子素子１０３とを電気的に接続するため、ボンディングワイヤや半田等の入出力用の接続部材が接続される。
【００２１】
このような構成により、複数の第一のパッド１０６および第二のパッド１０７を、接続部材を接続するのに必要な面積を維持しながら、高密度に配置することができる。
【００２２】
図１の例では、第一のパッド１０６は、基板１０２上に形成した台座部１０８上に形成されている。つまり、第一のパッド１０６の上面が、第一のパッド１０６間に形成された第二の接続配線１０５の上面よりも高い位置にある。このような構成により、電子装置１００の導通信頼性を高めることができる。すなわち、第一のパッド１０６に、ボンディングワイヤや半田等の接続部材を接続する際、接続部材がはみ出して第二の接続配線１０５と第一のパッド１０６とがショートするのを抑制することができる。あるいは、第一のパッド１０６に、ボンディングワイヤや半田等の接続部材を接続する際、接続部材を供給するキャピラリが第二の接続配線１０５に接触して第二の接続配線１０５を損傷するのを抑制することができる。
【００２３】
台座部１０８は絶縁体であってもよく、導電体であってもよい。台座部１０８を用いる代わりに、第一のパッド１０６を厚く形成してもよい。
【００２４】
図２は、本発明の電子装置に係る実施の形態の他の例を示す斜視図である。電子装置１０１において、電子装置１００と同じ部位には同じ符号を付している。電子装置１０１において、第一のパッド１０６間に位置する基板１０２の上面に凹部１０９が形成されている。そして、この凹部１０９の側面および底面に第二の接続配線１０５が形成されている。つまり、第一のパッド１０６の上面が、第一のパッド１０６間に形成された第二の接続配線１０５の上面よりも高い位置にある。このような構成により、図１の電子装置１００と同様、電子装置１０１の導通信頼性を高めることができる。
【００２５】
なお、上述した図１の電子装置１００に示すような台座部１０８等を設ける手段、および図２の電子装置１０１に示すような凹部１０９等を設ける手段を組み合わせてもよい。この場合、第一のパッド１０６の上面と第二の接続配線１０５の上面との距離が、より大きくなり、導通信頼性をより高めることができる。
【００２６】
次に本発明の電子装置について、具体的な適用例を示す。図３は、本発明の電子装置としての、第１の実施の形態の発光装置１を示す断面図である。図４は、発光装置１を示す断面図である。発光装置１は、基板２と、電子素子としての発光素子３と、台座部４と、アノード用配線６と、カソード用配線７と、ワイヤボンディングのためのボンディングパッド８とを含んで構成される。
【００２７】
基板２は、板状であって、ｎ型半導体から成る。電子素子に相当する発光素子３は、基板２の厚み方向Ｚ（以下、厚み方向Ｚという）の一表面２ａ上の、基板２の幅方向Ｘ（以下、幅方向Ｘという）の一方Ｘ１の端部寄りに形成される。発光素子３は、本実施の形態ではｐｎ構造を有する発光ダイオードから成り、発光素子本体１１と、第１電極１２と、絶縁層１５の発光素子本体１１に重なって形成される部分とを含んで構成される。発光素子３は、しきい電圧を超える電位差をアノードとカソードとの間に与えることによって発光する。
【００２８】
発光素子本体１１は、第１のｎ型半導体層１６と、第１のｐ型半導体層１７と、オーミックコンタクト層２０とがそれぞれこの順に積層されて、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。発光素子本体１１は、基板２から厚み方向Ｚの一方Ｚ１に離間するほど先細状に形成される。
【００２９】
具体的には、基板２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体およびＩＶ族半導体などの結晶成長が可能な半導体基板であり、たとえば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、シリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）などの半導体材料によって形成される。
【００３０】
第１のｎ型半導体層１６は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成される。
【００３１】
第１のｐ型半導体層１７は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。
【００３２】
オーミックコンタクト層２０は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成されるｐ型半導体層であり、第１電極１２とのオーミック接合を行うためのものである。
【００３３】
台座部４は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上の発光素子３が形成される領域とは異なる領域に形成される。台座部４は、基板２の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部寄りに形成される。台座部４は、本実施の形態では厚み方向Ｚおよび幅方向Ｘに垂直な配列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置されるアノード用台座部と、カソード用台座部３５と、第２電極１４とを含む。アノード用台座部と、カソード用台座部３５とを総称する場合、または不特定のものを指定する場合には、単に台座部４という場合がある。台座部４は、台座部本体２２と、絶縁層１５の台座部本体２２に重なって形成される部分とを含んで構成される。
【００３４】
台座部本体２２は、本実施の形態では発光素子本体１１の各半導体層とそれぞれ同じ厚みを有する半導体層を積層して形成される。台座部本体２２は、発光素子本体１１と同じ材料を用いた層構成を成すので、対応する層については発光素子本体１１の各半導体層と同一の名称を付す。
【００３５】
台座部本体２２は、第１のｎ型半導体層２４と、第１のｐ型半導体層２５と、オーミックコンタクト層２８とがそれぞれこの順に積層されて、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。台座部本体２２は、四角錘台状に形成される。
【００３６】
絶縁層１５は、発光素子本体１１の表面と、台座部本体２２の表面と、基板２の表面とを厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆って形成される。絶縁層１５は、電気絶縁性および透光性ならびに平坦性を有する無機材料によって形成される。絶縁層１５は、チッ化シリコンおよび酸化シリコンなどによって形成される。
【００３７】
発光素子３と台座部４とは、発光装置１の小形化を実現するために可能な限り近接して配置される。発光素子３と台座部４との間隔Ｗ１は、たとえば１０μｍ〜２００μｍに選ばれる。
【００３８】
発光素子本体１１のオーミックコンタクト層２０の厚み方向Ｚの一表面２０ａ上に積層された絶縁層１５の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第１貫通孔３１が形成される。またカソード用台座部３５と基板２の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部との間に形成される絶縁層１５の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第２貫通孔３３が形成される。
【００３９】
第１電極１２は、第１貫通孔３１内およびこの第１貫通孔３１を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第１電極１２は、発光素子３のアノードに相当する。第２電極１４は、第２貫通孔３３内およびこの第２貫通孔３３を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第２電極１４は、基板２を介して第１のｎ型半導体層１６に電気的に接続されるので、発光素子３のカソードに相当する。第１、第２電極１２，１４は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。
【００４０】
台座部４の厚み方向Ｚの一表面４ａ上には、ボンディングワイヤの一端が接続されるボンディングパッド８が形成される。発光装置１は、ボンディングワイヤを介して、他の装置と電気的に接続される。ボンディングパッド８は、アノード用台座部の厚み方向Ｚの一表面上の全面にわたって形成されるアノード用ボンディングパッドＡと、カソード用台座部３５の厚み方向Ｚの一表面４ａ上に形成されるカソード用ボンディングパッドＣとを含む。以後アノード用ボンディングパッドＡと、カソード用台座部３５の厚み方向Ｚの一表面４ａ上に形成されるカソード用ボンディングパッドＣとを総称する場合、および不特定のものを示す場合には、単にボンディングパッド８という場合がある。
【００４１】
アノード用配線６は、第１電極１２とアノード用ボンディングパッドＡとの間を、絶縁層１５の表面に沿って延びる。アノード用配線６は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。アノード用ボンディングパッドＡは、アノード用配線６を介して第１電極１２と電気的に接続される。すなわちアノード用ボンディングパッドＡは、発光素子３のアノードに相当する。
【００４２】
カソード用配線７は、第２電極１４とカソード用ボンディングパッドＣとの間を、絶縁層１５の表面に沿って延びる。カソード用配線７は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。カソード用ボンディングパッドＣは、カソード用配線７を介して第２電極１４と電気的に接続される。すなわちカソード用ボンディングパッドＣは、発光素子３のカソードに相当する。発光素子３のカソードをグランドに接続する場合には、このカソード用ボンディングパッドＣとグランドとの間をボンディングワイヤによって接続すればよい。
【００４３】
第１電極１２、第２電極１４、アノード用配線６、カソード用配線７、アノード用ボンディングパッドＡ、およびカソード用ボンディングパッドＣは、それぞれ金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）および金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）などによって形成される。
【００４４】
発光素子本体１１および台座部本体２２は、基板２の一表面２ａ上に第１のｎ型半導体層１６，２４、第１のｐ型半導体層１７，２５、オーミックコンタクト層２０，２８をそれぞれ形成するための半導体材料を、エピタキシャル成長および化学気相成長（ＣＶＤ）法などによって順次積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。したがって、一連の製造プロセスにおいて、発光素子本体１１および台座部本体２２を同時に形成することができるので、製造工程を増加させないで台座部本体２２を形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００４５】
絶縁層１５は、前述したチッ化シリコンなどの無機材料をプラズマCVD法により成膜した後、第１、第２貫通孔３１，３３をフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。
【００４６】
第１、第２電極１２，１４、アノード用配線６、カソード用配線７、アノード用ボンディングパッドＡ、およびカソード用ボンディングパッドＣは、絶縁層１５を形成した後、蒸着法などによって導電性材料を絶縁層１５の表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、同時に形成される。したがって、第１、第２電極１２，１４と、アノード用配線６、カソード用配線７、アノード用ボンディングパッドＡ、およびカソード用ボンディングパッドＣの厚みは、ほぼ等しく形成される。
【００４７】
本実施の形態では、発光素子３と台座部４とは同じ工程において作製されるので、発光素子３とアノード用ボンディングパッドＡとカソード用ボンディングパッドＣとの厚みはほぼ同じである。またアノード用配線６、およびカソード用配線７は、それぞれ絶縁層１５の表面に沿って形成されるので、アノード用ボンディングパッドＡとカソード用ボンディングパッドＣの厚み方向Ｚの一表面に関して基板２寄りに形成される。したがってアノード用ボンディングパッドＡとカソード用ボンディングパッドＣの厚み方向Ｚの一表面は、発光装置１において基板２の一表面２ａから最も離間した位置に形成される。すなわちボンディングパッド８の厚み方向Ｚの基板２とは反対側の一表面８ａは、発光素子３の厚み方向Ｚの基板２とは反対側の表面を含む厚み方向Ｚに垂直な仮想一平面１０上、または前記仮想一平面１０に関して基板２とは反対側に、すなわち前記仮想一平面１０よりも基板２から離間して形成される。またアノード用配線６、およびカソード用配線７は、前記仮想一平面１０に関して基板２寄りに、すなわち前記仮想一平面１０よりも基板２に近接して形成される。発光素子３の厚み方向Ｚの一表面３ａとボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａとの基板２の一表面２ａからの高さＨは、たとえば２μｍ〜１０μｍに選ばれる。
【００４８】
そして、これらの複数のボンディングパッド８は、例えば、図１で示した電子装置１００の第一のパッド１０６および第二のパッド１０７と同様に、基板２の表面に、所定の間隔をあけて列状に配列した第一のパッド群と、この第一のパッド群に沿って、各第一のパッド間に対応するように列状に配列した第二のパッド群とを備えるように配列される。なお、これらの第一のパッド群および第二のパッド群を構成するボンディングパッド８において、アノード用ボンディングパッドＡ、カソード用ボンディングパッドＣの配置位置は特に限定されない。
【００４９】
この第二のパッド群に、アノード用ボンディングパッドＡが設けられている場合、アノード用ボンディングパッドＡは、第一のパッド群の隙間を横切るように配設されたアノード用配線により、発光素子３と電気的に接続される。この場合、アノード用配線は、図１で示した電子装置１００の第二の接続配線１０５に相当する。
【００５０】
このような構成により、ボンディングパッド８をワイヤボンディングに必要な面積を保持しながら高密度に配設することができるとともに、第二の接続配線としてのアノード用配線の導通信頼性を高めることができる。
【００５１】
また、ボンディングパッド８は、厚み方向Ｚの一表面８ａが発光装置１において基板２の一表面２ａから最も離間した位置に形成されるので、発光素子３と台座部４とが近接して配置されているとしても、ボンディングワイヤを接続する工程においてキャピラリが厚み方向Ｚの一方Ｚ１から基板２に向けて台座部４に近接するときに、発光素子３と衝突しにくくなる。またボンディングパッド８は、発光素子３から離間した位置に形成される台座部４に設けられるので、ボンディングワイヤを接続するときに発光素子３に直接的に衝撃が伝わらず、発光素子３に与える衝撃を抑制することができる。これによってボンディングワイヤを接続する工程において発光素子３に損傷を与えることを抑制することができ、発光装置１の長寿命化を図ることができるとともに発光装置１を備える機器の歩留りを向上することができる。
【００５２】
本実施の形態では、発光素子本体１１は、ｎ型半導体層から成る基板２の一表面２ａ上にｎ型半導体層、ｐ型半導体層がこの順に順次積層されて形成されるとしたけれども、ｎ型半導体層をｐ型半導体層に置換し、ｐ型半導体層をｎ型半導体層に置換した構成であってもよい。
【００５３】
また本実施の形態では、発光素子３は、発光ダイオードから成るとしたけれども、発光サイリスタによって構成されてもよい。この場合には、図５および図６に示した、本発明の電子装置としての第２の実施の形態の発光装置１’のように、発光素子本体１１のオーミックコンタクト層２０と第１のP型半導体層１７の間に第２のN型半導体１８と第２のP型半導体１９を挿入し、ゲート用台座部３４を用意し、発光素子本体１１と同様にオーミックコンタクト層２０と第１のP型半導体層１７の間に第２のN型半導体１８と第２のP型半導体１９を挿入し、ゲート用配線５を用意する。この場合に、発光素子本体と同じ層構造の台座部本体を形成すると、前述したように発光素子本体と台座部本体とを一連の工程において同時に作製することができる。
【００５４】
また本実施の形態では、ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの基板２からの間隔は、発光素子３の厚みと等しくなるが、ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの基板２からの間隔を、発光素子３の厚みよりも大きくなるように台座部４またはボンディングパッド８を形成してもよい。この場合であっても、ボンディングワイヤを接続する工程においてキャピラリが発光素子３に衝突することを抑制することができる。
【００５５】
また本実施の形態では、発光素子３と台座部４とを近接して配置するとしたけれども、ボンディングワイヤを接続するときに発光素子３に加わる衝撃を緩和するために、発光素子３と台座部４とを離間して配置するようにしてもよい。ただし発光素子３と台座部４との間隔Ｗ１が大きすぎると、電気信号が劣化したり、装置が大形になるので、発光素子３と台座部４との間隔Ｗ１は、たとえば１０μｍ〜２００μｍに選ばれる。
【００５６】
図７は、本発明の電子装置としての、第３の実施の形態の発光装置４１の平面図である。図８は、図７の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た発光装置４１の断面図である。図９は、図７の切断面線Ｖ−Ｖから見た発光装置４１の断面図である。発光装置４１は、発光素子アレイ４２と、複数の台座部Ｄと、複数の制御信号伝送配線ＧＨと、アノード用配線６と、ゲート用配線５と、カソード用配線７と、第１絶縁層４３と、第２絶縁層４４と、複数のボンディングパッド８とを含んで構成される。本実施の形態の発光装置４１の構成において、前述の第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’の構成と対応する構成については、同一の符号を付す。
【００５７】
発光素子アレイ４２は、ｎ（記号ｎは、２以上の整数）個の発光素子ブロックＢを含んで構成される。各発光素子ブロックＢは、それぞれｍ（記号ｍは、２以上の整数）個の発光素子Ｔを含んで構成される。すなわち発光素子アレイ４２は、ｎ×ｍ個の発光素子Ｔを含んで構成される。本実施の形態では、ｍ＝４である。各発光素子Ｔは、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部寄りに、相互に間隔をあけて配列方向Ｙに沿って直線状に配列される。各発光素子ブロックＢは、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順にｍ個ずつの発光素子Ｔによってそれぞれ構成される。ｎ個の発光素子ブロックＢのうちの、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順にｉ（記号ｉは、１以上かつｎ以下の整数）番目に配置される発光素子ブロックＢを、発光素子ブロックＢｉという場合がある。また発光素子ブロックＢｉを構成する発光素子Ｔのうちの、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順にｊ（記号ｊは、１以上かつｍ以下の整数）番目に配置される発光素子Ｔを発光素子Ｔｊという場合がある。以後、複数の発光素子Ｔを総称する場合、および不特定の発光素子Ｔを示す場合には、単に発光素子Ｔという場合がある。また複数の発光素子ブロックＢを総称する場合、およ
び不特定の発光素子ブロックＢを示す場合には、単に発光素子ブロックＢという場合がある。発光素子Ｔは、６００〜８００ｎｍの波長の光を発光可能に形成される。
【００５８】
発光素子Ｔは、前述した第２の実施の形態の発光装置１’における発光素子３と同様の構成であるので、対応する構成については同様の符号を付す。発光素子Ｔは、発光素子本体１１と、第１絶縁層４３の一部と、第２絶縁層４４の一部と、第１電極１２と、第３電極１３とを含んで構成される。特に発光素子本体１１は、前述した第２の実施の形態の発光サイリスタを用いた発光装置１’における発光素子本体１１と同じ構造を有している。
【００５９】
各発光素子ブロックＢを構成する発光素子Ｔは、発光素子ブロックＢ毎に第１電極１２が互いにアノード用配線６を介して電気的に接続される。
【００６０】
台座部Ｄは、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上の幅方向Ｘの一方Ｘ１の端部寄りに、相互に間隔をあけて配列方向Ｙに直線状に配列される。台座部Ｄは、前述した第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’における台座部４と同様の構成であるので、対応する構成については同じ符号を付す。台座部Ｄは、台座部本体２２と、第１絶縁層４３の一部と、第２絶縁層４４の一部と、第２電極１４とを含んで構成される。特に台座部本体２２は、前述した第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’における台座部本体２２と同じ構造を有している。
【００６１】
発光素子Ｔと台座部Ｄとは、発光装置４１の小形化を実現するために、後述する制御信号伝送配線ＧＨを形成することが可能な間隔をあけて近接して配置される。発光素子Ｔと台座部Ｄとの間隔Ｗ２は、たとえば１０μｍ〜２００μｍに選ばれる。
【００６２】
ボンディングパッド８は、それぞれ各台座部Ｄの厚み方向Ｚの一表面４ａ上の全面にわたって形成される。ボンディングパッド８は、ボンディングワイヤの一端を接続可能な大きさに形成される。ボンディングパッド８の幅方向Ｘの寸法Ｗ３は、たとえば３０μｍ〜１２０μｍに選ばれ、配列方向Ｙの寸法Ｗ４は、たとえば３０μｍ〜１２０μｍに選ばれる。
【００６３】
複数のボンディングパッド８のうち、アノード用配線６に接続されたボンディングパッド８を、アノード用ボンディングパッドＡｉという場合がある。以後複数のアノード用ボンディングパッドＡを総称する場合、および不特定のアノード用ボンディングパッドＡを示す場合には、単にアノード用ボンディングパッドＡという場合がある。
【００６４】
発光装置４１は、本実施の形態では発光素子ブロックＢを構成する発光素子Ｔの数（ｍ個）と同数のｍ本の制御信号伝送配線ＧＨを含む。本実施の形態ではｍ＝４なので、発光装置４１は、４本の第１〜第４制御信号伝送配線ＧＨ１，ＧＨ２，ＧＨ３，ＧＨ４を含む。以後複数の制御信号伝送配線ＧＨを総称する場合、および不特定の制御信号伝送配線ＧＨを示す場合には、単に制御信号伝送配線ＧＨという場合がある。
【００６５】
制御信号伝送配線ＧＨは、発光素子アレイ４２と台座部Ｄとの間に形成され、前述した第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’の絶縁層１５に相当する第１絶縁層４３の厚み方向Ｚの一表面上に配列方向Ｙに沿って延びる。第１〜第４制御信号伝送配線ＧＨ１，ＧＨ２，ＧＨ３，ＧＨ４は、各発光素子Ｔの第３電極１３にそれぞれ順次１つずつゲート用配線５を介して接続され、配列される発光素子Ｔに沿って、それぞれが４つおきに発光素子Ｔの第３電極１３に接続される。すなわち第１制御信号伝送配線ＧＨ１は、発光素子Ｔ１の第３電極１３に電気的に接続され、第２制御信号伝送配線ＧＨ２は、発光素子Ｔ２の第３電極１３に電気的に接続され、第３制御信号伝送配線ＧＨ３は、発光素子Ｔ３の第３電極１３に
電気的に接続され、第４制御信号伝送配線ＧＨ４は、発光素子Ｔ４の第３電極１３に電気的に接続される。
【００６６】
第１制御信号伝送配線ＧＨ１は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。また第２制御信号伝送配線ＧＨ２は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。また第３制御信号伝送配線ＧＨ３は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。また第４制御信号伝送配線ＧＨ４は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。以後第１制御信号伝送配線ＧＨ１に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第１ゲート用ボンディングパッドＧ１といい、第２制御信号伝送配線ＧＨ２に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第２ゲート用ボンディングパッドＧ２といい、第３制御信号伝送配線ＧＨ３に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第３ゲート用ボンディングパッドＧ３といい、第４制御信号伝送配線ＧＨ４に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第４ゲート用ボンディングパッドＧ４という場合がある。
【００６７】
また複数の台座部Ｄのうちの１つは、前述の第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’のカソード用台座部３５に相当し、この台座部Ｄに設けられるボンディングパッド８は、カソード用配線７を介して第２電極１４に電気的に接続される。以後カソード用配線７を介して第２電極１４に電気的に接続されるボンディングパッド８を、カソード用ボンディングパッドＣという場合がある。
【００６８】
第１絶縁層４３は、前述した第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’における絶縁層１５に相当し、基板２、台座部本体２２および発光素子本体１１の表面を、厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆って形成される。また前述したように第１絶縁層４３の厚み方向Ｚの一表面上に、配列方向Ｙに沿って制御信号伝送配線ＧＨが形成される。
【００６９】
第２絶縁層４４は、第１絶縁層４３および制御信号伝送配線ＧＨの表面を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆って形成される。前述したゲート用配線５は、第２絶縁層４４の表面に沿って幅方向Ｘに延び、所定の制御信号伝送配線ＧＨに接続される。第２絶縁層４４のうち、制御信号伝送配線ＧＨのゲート用配線５が接続されるべき表面上に形成される部分には、貫通孔４５が形成され、この貫通孔４５にゲート用配線５の一部が形成される。
【００７０】
アノード用配線６は、第２絶縁層４４の表面に沿って形成され、第１電極１２から第２電極接続部２１の厚み方向Ｚの一方Ｚ１まで延びる第１延在部６ａと、配列方向Ｙに延び、第１延在部６ａの第１電極１２とは反対側の端部をそれぞれ接続する第２延在部６ｂと、第２延在部６ｂの配列方向Ｙの中央から幅方向Ｘに延び、アノード用ボンディングパッドＡに接続される第３延在部６ｃとを含んで構成される。
【００７１】
発光素子本体１１のオーミックコンタクト層２０の厚み方向Ｚの一表面２０ａ上に積層された第１絶縁層４３および第２絶縁層４４の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第１貫通孔３１が形成される。また第２電極接続部２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａ上に積層された第１絶縁層４３および第２絶縁層４４の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第２貫通孔３２が形成される。またカソード用ボンディングパッドＣが設けられる台座部Ｄと基板２の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部との間に形成される第１絶縁層４３および第２絶縁層４４の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第３貫通孔３３が形成される。
【００７２】
第１電極１２は、第１貫通孔３１内およびこの第１貫通孔３１を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第１電極１２は、アノードに相当する。第３電極１３は、第３貫通孔３２内およびこの第３貫通孔３２を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成さ
れる。第３電極１３は、ゲートに相当する。第２電極１４は、第２貫通孔３３内およびこの第２貫通孔３３を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第２電極１４は、カソードに相当する。第１〜第３電極１２，１４，１３は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。
【００７３】
発光素子本体１１および台座部本体２２は、前述の第１および第２の実施の形態と同様の工程を経ることによって形成される。
【００７４】
第１絶縁層４３および第２絶縁層４４は、前述したチッ化シリコンなどの無機材料を成膜した後、第１〜第３貫通孔３１，３３，３２をフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。
【００７５】
制御信号伝送配線ＧＨは、第１絶縁層４３を形成した後、第１〜第３電極１２，１４，１３、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、ボンディングパッド８は、第２絶縁層４４を形成した後、蒸着法などによって導電性材料を絶縁層の表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、同時に形成される。したがって、第１〜第３電極１２，１４，１３、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、ボンディングパッド８、および制御信号伝送配線ＧＨの厚みは、ほぼ等しく形成される。
【００７６】
図１０は、図７に示される発光装置４１の等価回路を示す回路図である。発光装置４１は、駆動手段４６をさらに含む。駆動手段４６は、各アノード用ボンディングパッドＡおよび各ゲート用ボンディングパッドＧにそれぞれボンディングワイヤを介して電気的に接続される。本実施の形態では、各発光素子Ｔのカソードに相当するカソード用ボンディングパッドＣを接地電位とする。
【００７７】
駆動手段４６は、アノード用ボンディングパッドＡｉにセレクト信号φｉを、ゲート用ボンディングパッドＧｊに制御信号ψｊをそれぞれ与える。セレクト信号φｉは、アノード用配線６を介して発光素子ブロックＢｊに含まれる各発光素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のアノードに与えられる。制御信号ψｊは、制御信号伝送配線ＧＨｊを介して各発光素子Ｔｊのゲートに与えられる。駆動手段４６は、駆動用ドライバーＩＣ（Integrated
Circuit）によって実現される。
【００７８】
発光素子Ｔは、カソードが接地しているときには、アノードにハイレベルの高電圧が印加され、ゲートにローレベルが印加されているときに発光し、アノードおよびゲートが共にハイレベル、または、アノードおよびゲートが共にローレベルのときには、消灯している。ハイレベルは、たとえば３ボルト〜１０ボルトであり、ローレベルは、たとえば０（零）ボルトである。したがってたとえば発光素子ブロックＢｉの発光素子Ｔ２を発光させる場合には、駆動手段４６は、ハイレベルのセレクト信号φｉを与えるとともに、ローレベルの制御信号ψ２、ハイレベルの制御信号ψ１、ψ３、ψ４を与える。このようにセレクト信号φｉおよび制御信号ψｊを制御することによって選択的に発光素子Ｔを発光させることができる。たとえば各発光素子Ｔのゲートおよびアノード毎にボンディングパッド８を形成する場合には、発光素子Ｔの数の２倍のボンディングパッドが必要になるが、ｍ個の発光素子Ｔをまとめて発光素子ブロックＢとすることによって、駆動手段４６に接続される端子の数をｎ＋ｍ個にすることができる。これによって駆動手段４６の端子数を抑制することができる。
【００７９】
駆動手段４６は、外部から基準となるクロックパルス信号が入力されて、このクロックパルス信号に基づいて、制御信号ψ１〜φ４を同期して出力する。前記クロックパルス信号は、後述する画像形成装置８７の制御手段９６から与えられる。クロックパルス信号の
クロック周期は、後述する画像形成装置８７の制御手段９６における制御周期よりも長く選ばれる。また駆動手段４６は、クロックパルス信号とともに与えられる画像情報に基づいて、セレクト信号φｉを出力する。
【００８０】
図１２に、本発明の光プリントヘッドに係る実施の形態の一例を示す斜視図である。光プリントヘッド１１０は、プリント配線基板１１１と、発光装置としての複数の電子装置１００および１１２と、を具備する。電子装置１００および１１２は、プリント配線基板１１１上に並んで設けられる。なお、光プリントヘッド１１０における電子装置の搭載数は２０〜１２０個である。
【００８１】
プリント配線基板１１１は、如何なる材料から構成されても良いが、例えばガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料から構成されていることが好ましい。
【００８２】
プリント配線基板１１１上に、複数の電子装置は、例えば、接着剤によって設けられている。接着剤としては、具体的に、エポキシ樹脂などの液状の樹脂が挙げられる。
【００８３】
図１３には、第一のパッド１０６と第二のパッド１０７との配列が異なる２種類の光プリントヘッド１１０および１１３を示す。
【００８４】
図１３（ａ）に示す光プリントヘッド１１０は、隣接する電子装置１００および１１２が向かい合う端部１００Aおよび１１２Aにおいて、電子装置１００の端部１００Aに最も近接するパッドが第二のパッド１０７であり、電子装置１１２の端部１１２Aに最も近接するパッドが第一のパッド１０６であることを示す。
【００８５】
一方、図１３（ｂ）に示す光プリントヘッド１１３は、電子装置１００の端部１００Aに最も近接するパッドおよび電子装置１１２の端部１１２Aに最も近接するパッドの両方が、いずれも同種のパッドであることを示す（図１３（ｂ）の場合、第二のパッド１０７）。
【００８６】
図１３（ａ）に示す光プリントヘッド１１０と、図１３（ｂ）に示す光プリントヘッド１１３と、を比較した場合、印画させた際に生じやすいムラの発生抑制化の観点、さらに、ボンディングワイヤをパッドに実装する際の実装精度向上の観点から、図１３（ａ）に示す光プリントヘッド１１０が好ましい。
【００８７】
印画時のムラは、光プリントヘッドにおいて生じる光量のずれに起因して生じる。そして光量のずれの原因のひとつとしては、電極パッドの配列の不規則性が考えられる。
【００８８】
電極パッドにはそれぞれ、ボンディングワイヤが接続されており、このボンディングワイヤにおいて発光素子からの光が反射されやすい。
【００８９】
光プリントヘッド全体からみて、電極パッドの配列が不規則であると、それにともないボンディングワイヤの配列も不規則となり、結果として光量のずれが生じる。
【００９０】
しかし、図１３（ａ）に示す光プリントヘッド１１０のように、隣接する電子装置１００および１１２において、第一のパッド１０６および第二のパッド１０７は、２つの電子装置を通して交互に配列している。そのため、結果として光量のずれを抑制し、印画時のムラを抑制できる。
【００９１】
また、隣接する光プリントヘッド１１０および１１２のパッドのうち、電子装置１００の端部１００Aに最も近接するパッドにそれぞれと、ワイヤをボンディングする場合、図１３（ｂ）の場合であれば、それらのパッド同士が近接しているため、ボンディングワイヤの実装精度が十分ではないが、図１３（ｂ）の場合であれば、それらのパッド同士が十分に離れることになるため、ボンディングワイヤの実装精度が向上する。
【００９２】
図１１は、発光装置４１を有する画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。画像形成装置８７は、電子写真方式の画像形成装置であり、発光装置４１を、感光体ドラム９０への露光装置に使用している。発光装置４１は、回路基板に実装される。
【００９３】
画像形成装置８７は、Ｙ（イエロ）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ（ブラック）の４色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、４つの発光装置４１Ｙ，４１Ｍ，４１Ｃ，４１Ｋ、集光手段であるレンズアレイ８８Ｙ，８８Ｍ，８８Ｃ，８８Ｋが実装された回路基板およびレンズアレイ８８を保持する第１ホルダ８９Ｙ，８９Ｍ，８９Ｃ，８９Ｋ、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０ｃ，９０Ｋ、４つの現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段である転写ベルト９２、４つのクリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、４つの帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋ、定着手段９５および制御手段９６を含んで構成される。
【００９４】
各発光装置４１は、駆動手段４６によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。
【００９５】
各発光素子Ｔからの光は、レンズアレイ８８を介して各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに集光して照射される。レンズアレイ８８は、たとえば発光素子Ｔの光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に形成して構成される。
【００９６】
発光装置４１が実装される回路基板およびレンズアレイ８８は、第１ホルダ８９によって保持される。第１ホルダ８９によって、発光素子Ｔの光照射方向と、レンズアレイ８８のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
【００９７】
各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、たとえば円筒状の基体表面に感光体層を被着して成り、その外周面には各発光装置４１Ｙ，４１Ｍ，４１Ｃ，４１Ｋからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。
【００９８】
各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの周辺部には、各静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに現像剤を供給する現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写ベルト９２、クリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、および帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋがそれぞれ配置される。感光体ドラム９０に現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写ベルト９２は、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに対して共通に設けられる。
【００９９】
前記感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、第２ホルダによって保持され、この第２ホルダと第１ホルダ８９とは、相対的に固定される。各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの回転軸方向と、前記配列方向Ｙとがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
【０１００】
転写ベルト９２によって、記録シートを搬送し、現像剤によって画像が形成された記録シートは、定着手段９５に搬送される。定着手段９５は、記録シートに転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、回転駆動手段によって回転される。
【０１０１】
制御手段９６は、前述した駆動手段４６にクロック信号および画像情報を与えるとともに、感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段９２、帯電手段９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋおよび定着手段９５の各部を制御する。
【０１０２】
以上説明した本実施の形態の発光装置４１によれば、前述の第１および第２の実施の形態の発光装置１、１’と同様に、ボンディングパッド８は、厚み方向Ｚの一表面が発光装置４１において基板２の一表面２ａから最も離間した位置に形成される。これによって前述したようにボンディングワイヤを接続するときにキャピラリが、発光素子Ｔおよび各配線に衝突することを防ぐことができるとともに、発光素子Ｔに直接的に衝撃が伝わらず、発光素子Ｔに与える衝撃を抑制することができる。これによってボンディングワイヤを接続する工程において発光素子Ｔに損傷を与えることを防ぐことができ、発光装置１を備える機器の歩留りを向上することができる。特に配線の密度が高くなって厚み方向Ｚに複数層の配線を積層する場合、配線によって厚さの厚い凸部が形成されるが、台座部Ｄを設けることによってキャピラリが、各配線に衝突することを防ぐことができる。これによって発光素子Ｔを密に配置することが可能となり、発光装置４１の小形化を図ることができる。また配線の密度が高くなり、配線によって形成される凸部の厚みが発光素子Ｔよりも厚くなったとしても、この凸部の厚みよりも厚い台座部Ｄを形成することによって、キャピラリが、各配線に衝突することを防ぐことができる。
【０１０３】
また、複数のボンディングパッド８は、図７で示すように、基板２の表面に、所定の間隔をあけて列状に配列した第一のパッド群と、この第一のパッド群に対して発光素子Ｔとは反対側の領域に、第一のパッド群に沿って、各第一のパッド間に対応するように列状に配列した第二のパッド群とを備えるように配列される。すなわち、第一のパッドおよび第二のパッドが交互に、ジグザグに配置されている。
【０１０４】
この第二のパッド群における、アノード用ボンディングパッドＡ１、Ａ３、Ａｎ、または、ゲート用ボンディングパッドＧ１、Ｇ４は、第一のパッド間の隙間を横切るように配設されたアノード用配線６ｃまたはゲート用配線により、発光素子３と電気的に接続される。この場合、アノード用配線６ｃまたはゲート用配線は、図１で示した電子装置１００の第二の接続配線１０５に相当する。
【０１０５】
このような構成により、ボンディングパッド８をワイヤボンディングに必要な面積を保持しながら高密度に配設することができるとともに、第二の接続配線としてのアノード用配線６ｃまたはゲート用配線の導通信頼性を高めることができる。
【０１０６】
また発光装置４１は、各発光素子Ｔとは異なる部位にボンディングパッド８を備えるので、ボンディングパッド８の大きさに依存せずに各発光素子Ｔを配列方向Ｙに密に配置することができる。これによって解像度の高い画像形成装置８７を実現することができる。
【０１０７】
また画像形成装置８７は、長寿命かつ実装するときに生じる損傷を抑制した発光装置４１を備えるので、長寿命かつ高歩留りの画像形成装置８７が実現される。
【０１０８】
前述の各実施の形態の電子装置において、電子素子として発光素子について説明したが、電子素子は、発光素子に限られない。電子素子は、たとえば基板２、１０２の一表面上、またはベアチップの一表面上に形成されるダイオード、トランジスタ、サイリスタおよび発熱抵抗体などであってもよい。
【０１０９】
電子素子として発熱抵抗体を用いる場合、サーマルプリンタやインクジェットプリンタ等に用いられるサーマルヘッドとしての電子装置とすることもできる。そして、このサーマルヘッドとしての電子装置と、この電子装置にワイヤ等の接続部材を介して接続され、画像情報に基づいて発熱抵抗体を駆動する駆動回路と、を含むことによって、サーマルプリンタやインクジェットプリンタ等の画像形成装置とすることができる。
【０１１０】
また、電子素子として受光素子を用いる場合、イメージセンサとしての電子装置とすることもできる。そして、このイメージセンサとしての電子装置と、この電子装置にワイヤ等の接続部材を介して接続され、光パターンに対応して受光素子で発生した電気信号の演算処理を行なう演算回路と、を含むことによって、スキャナやデジタルカメラ等の画像入力装置とすることができる。
【０１１１】
この場合であっても、ボンディングパッドが設けられる台座部を形成することによって、ボンディングワイヤを接続する工程において電子素子に損傷を与えることを防ぐことができる。
【０１１２】
また、本発明の回路基板は、上記の発光素子または発熱抵抗体を搭載した本発明の画像形成装置、および受光素子を搭載した本発明のイメージセンサは、小型化しても良好なワイヤの付着力を得られる本発明の回路基板を備えているので、小型で長寿命かつ歩留りの高い画像形成装置およびイメージセンサとなる。
【符号の説明】
【０１１３】
１，１’，４１，５１  発光装置
２  基板
３  発光素子
４  台座部
５  ゲート用配線
６  アノード用配線
７  カソード用配線
８  ボンディングパッド
１２  第１電極
１３  第３電極
１４  第２電極
３４  ゲート用台座部
３５  カソード用台座部
４２  発光素子アレイ
８７  画像形成装置
８８  レンズアレイ
８９  ホルダ
９０  感光体ドラム
９１  現像剤供給手段
９２  転写ベルト
９３  クリーナ
９４  帯電器
９５  定着手段
９６  制御手段
Ａ  アノード用ボンディングパッド
Ｃ  カソード用ボンディングパッド
Ｇ  ゲート用ボンディングパッド
Ｄ  台座部
ＧＨ  制御信号伝送配線
１００，１０１，１１２  電子装置
１０２  基板
１０３  電子素子
１０４  第一の接続配線
１０５  第二の接続配線
１０６  第一のパッド
１０７  第二のパッド
１１０，１１３  光プリントヘッド
１１１  プリント配線基板
【図１】
0005546315.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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