(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写システムにおいて、
前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、
前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をするように構成されている転写装置と、
を有し、
前記位置決め装置は、前記型または前記基板の複数の周辺部を前記基板または前記型に前記接着をするように構成されており、
前記転写装置は、前記型と前記基板との接着部位から離れたところを押圧して前記転写をするように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項２】
請求項１に記載の転写システムにおいて、
前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記転写装置は、前記位置決め装置の加熱手段とは別の加熱手段を備えており、
前記位置決め装置の加熱手段と前記転写装置の加熱手段とは、それぞれが、別個の設定値によって温度制御をすることができるように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項３】
請求項１に記載の転写システムにおいて、
前記成形材料は、熱硬化性樹脂であり、
前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記位置決め装置の加熱手段を用いて前記熱硬化性樹脂が硬化する温度よりも低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、
前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱硬化性樹脂を成形するように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項４】
請求項１に記載の転写システムにおいて、
前記成形材料は、紫外線硬化樹脂であり、
前記位置決め装置では、前記紫外線硬化樹脂の一部を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項５】
請求項１に記載の転写システムにおいて、
前記成形材料は、熱可塑性樹脂であり、
前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、
前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化し前記熱可塑性樹脂への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項６】
型に形成されている微細な転写パターンを、熱可塑性樹脂で構成されている基板に転写する転写システムにおいて、
前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、
前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して、前記転写をするように構成されている転写装置と、
を備えており、
前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、
前記位置決め装置は、前記型または前記基板の複数の周辺部を前記基板または前記型に前記接着をするように構成されており、
前記転写装置は、前記型と前記基板との接着部位から離れたところを押圧して前記転写をするように構成されており、
前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、
前記転写装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化し前記基板への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項７】
請求項１〜請求項３、請求項５、請求項６のいずれか１項に記載の転写システムにおいて、
前記位置決め装置では、紫外線硬化樹脂を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の転写システムにおいて、
前記転写装置による前記押圧はローラを用いてなされるように構成されており、
前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記ローラから離れていることを特徴とする転写システム。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の転写システムにおいて、
前記転写装置による前記押圧は、ローラと型・基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、
前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記型・基板保持体から離れていることを特徴とする転写システム。
【請求項１０】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の転写システムにおいて、
前記転写装置による前記押圧は、ローラと型・基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、
前記ローラに形成されている切り欠き、前記型・基板保持体に形成されている切り欠きの少なくともいずれかの切り欠きによって、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記ローラ、前記型・基板保持体の少なくともいずれかに非接触なように構成されていることを特徴とする転写システム。
【請求項１１】
型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写方法において、
前記型に対する前記基板の位置決めをする位置決め工程と、
前記位置決め工程による位置決め後、前記型と前記基板とをお互いに接着する接着工程と、
前記接着工程で接着された前記型と前記基板とを搬送する搬送工程と、
前記搬送工程での搬送後、お互いに接着された前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をする転写工程と、
を有し、
前記接着工程は、前記型または前記基板の複数の周辺部を前記基板または前記型に前記接着をする工程であり、
前記転写工程は、前記型と前記基板との接着部位から離れたところを押圧して前記転写をする工程であることを特徴とする転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写システムおよび転写方法に係り、特に、型に形成されている微細な転写パターンを基板に転写するものに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子線描画法などで石英基板等に超微細な転写パターンを形成して型（モールド）を作製し、成形材料に前記型を所定の圧力で押圧して、当該型に形成された転写パターンを転写するナノインプリント技術が研究開発されている（たとえば、非特許文献１参照）。【０００３】
たとえば、ハードディスクやＣＤ、ＤＶＤなど回転式の記憶装置では、最近、高密度のデータをディスクに形成するための記憶媒体（記録媒体）を成形する手段として、こうしたナノインプリント技術を活用する方法への関心が高くなってきている。【０００４】
上記インプリントを実行するための従来の転写装置では、基板の成形材料の正確な位置に、型の微細な転写パターンを転写するために、型のアイマークと基板のアイマークとを、ガラスで構成された基板設置体等を介してカメラで撮影し、この撮影結果に応じて、型に対する基板（基板設置体）の位置決めをしている。そしてこの位置決め後に、型で基板設置体に設置されている基板を押圧し、型の微細な転写パターンを基板の成形材料に転写している。【０００５】
なお、従来の技術に関連する文献として、たとえば特許文献１をさらに掲げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１９４９８０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Precision Engineering Journal of the International Societies for Precision Engineering and Nanotechnology 25(2001) 192-199
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記従来の転写装置では、型に対する基板の位置決めと転写のための押圧とを行っているので、正確な位置決めが困難になる場合があり、また、転写の際にかける押圧力が制限されるという問題がある。【０００９】
すなわち、基板設置体の厚さを厚くして、転写の際における押圧力を大きくすることができるようにすると、たとえば、厚いガラスを介してカメラで型や基板のアイマークを撮影しなければならず、アイマークの位置ずれ量を正確に測定することができないおそれがある。【００１０】
一方、基板設置体を薄くすると、アイマークの位置ずれ量をカメラで正確に測定することができるようになるが、基板設置体の剛性が低くなるので、転写のときに大きな押圧力をかけることが難しくなる。【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写システムおよび転写方法において、型に対する基板の正確な位置決めができると共に、転写の際の押圧力を上げることにより転写に要する時間を短くすることができる転写システムおよび転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１のアスペクトの発明は、型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写システムにおいて、前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をするように構成されている転写装置とを有し、前記位置決め装置は、前記型または前記基板の複数の周辺部を前記基板または前記型に前記接着をするように構成されており、前記転写装置は、前記型と前記基板との接着部位から離れたところを押圧して前記転写をするように構成されている転写システムである。
【００１３】
第２のアスペクトの発明は、第１のアスペクトの発明において、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置は、前記位置決め装置の加熱手段とは別の加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段と前記転写装置の加熱手段とは、それぞれが、別個の設定値によって温度制御をすることができるように構成されている転写システムである。【００１４】
第３のアスペクトの発明は、第１のアスペクトの発明において、前記成形材料は、熱硬化性樹脂であり、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて前記熱硬化性樹脂が硬化する温度よりも低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱硬化性樹脂を成形するように構成されている転写システムである。【００１５】
第４のアスペクトの発明は、第１のアスペクトの発明において、前記成形材料は、紫外線硬化樹脂であり、前記位置決め装置では、前記紫外線硬化樹脂の一部を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている転写システムである。
【００１６】
第５のアスペクトの発明は、第１のアスペクトの発明において、前記成形材料は、熱可塑性樹脂であり、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化し前記熱可塑性樹脂への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されている転写システムである。【００１７】
第６のアスペクトの発明は、型に形成されている微細な転写パターンを、熱可塑性樹脂で構成されている基板に転写する転写システムにおいて、前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して、前記転写をするように構成されている転写装置とを備えており、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記位置決め装置は、前記型または前記基板の複数の周辺部を前記基板または前記型に前記接着をするように構成されており、前記転写装置は、前記型と前記基板との接着部位から離れたところを押圧して前記転写をするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化し前記基板への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されている転写システムである。
【００１８】
第７のアスペクトの発明は、第１のアスペクト〜第３のアスペクト、第５のアスペクト、第６のアスペクトのいずれか１のアスペクトにおいて、前記位置決め装置では、紫外線硬化樹脂を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている転写システムである。
【００１９】
第８のアスペクトの発明は、第１のアスペクト〜第７のアスペクトのいずれか１のアスペクトにおいて、前記転写装置による前記押圧はローラを用いてなされるように構成されており、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記ローラから離れている転写システムである。【００２０】
第９のアスペクトの発明は、第１のアスペクト〜第７のアスペクトのいずれか１のアスペクトにおいて、前記転写装置による前記押圧は、ローラと型・基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記型・基板保持体から離れている転写システムである。【００２１】
第１０のアスペクトの発明は、第１のアスペクト〜第７のアスペクトのいずれか１のアスペクトにおいて、前記転写装置による前記押圧は、ローラと型・基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、前記ローラに形成されている切り欠き、前記型・基板保持体に形成されている切り欠きの少なくともいずれかの切り欠きによって、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記ローラ、前記型・基板保持体の少なくともいずれかに非接触なように構成されている転写システムである。【００２２】
第１１のアスペクトの発明は、型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写方法において、前記型に対する前記基板の位置決めをする位置決め工程と、前記位置決め工程による位置決め後、前記型と前記基板とをお互いに接着する接着工程と、前記接着工程で接着された前記型と前記基板とを搬送する搬送工程と、前記搬送工程での搬送後、お互いに接着された前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をする転写工程とを有し、前記接着工程は、前記型または前記基板の複数の周辺部を前記基板または前記型に前記接着をする工程であり、前記転写工程は、前記型と前記基板との接着部位から離れたところを押圧して前記転写をする工程である転写方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、型に対する基板の正確な位置決めができると共に、転写の際の押圧力を上げることにより転写に要する時間を短くすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】転写システムの概要を示すブロック図である。
【図２】位置決め装置の概略構成を示す図である。
【図３】転写装置の概略構成を示す図である。
【図４】位置決め装置で型と基板とがお互いに接着されて生成された型・基板接着体の概略構成と、型・基板接着体に対する転写装置のローラの位置とを示す図であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図５】転写システムの動作の概要を示す図である。
【図６】転写の概要を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
転写システム１は、図６で示すように、型（モールド）Ｍに形成されている微細な転写パターン（微細な凹凸で形成された転写パターン）Ｍ１を、基板Ｗに設けられている成形材料Ｄに転写するものである。転写によって、成形材料Ｄには型Ｍの転写パターンＭ１に対して反転している微細な凹凸Ｄ１が形成される。微細な凹凸Ｄ１（Ｍ１）の高さやピッチは、たとえば可視光線の波長程度になっている。
【００２６】
転写システム１は、図１で示すように、位置決め装置３と転写装置５とを備えて構成されている。基板ストッカ７に格納されている基板Ｗが塗布装置９に搬送され、この搬送されてきた基板Ｗに、塗布装置９で硬化前の成形材料Ｄが設置されるようになっている。成形材料Ｄが設置された基板Ｗは位置決め装置３に搬送（供給）されるようになっている。なお、上述した基板Ｗの搬送は、図示しないロボット等の搬送装置によってなされる。
【００２７】
位置決め装置３では、詳しくは後述するが、型Ｍに対する基板Ｗの位置決め等がなされるようになっている。位置決め装置３に供給される型Ｍは、分離装置（転写後に成形材料Ｄを介してお互いがくっついている基板Ｗと型Ｍとを分離する装置）１１で分離された型Ｍであり、図示しないロボット等の搬送装置によって分離装置１１から位置決め装置３に供給されるようになっている。なお、型Ｍが樹脂材料等で構成されていて再使用されない場合には、図示しない型ストッカに格納されている未使用の型Ｍを位置決め装置３に供給するようにしてもよい。
【００２８】
転写装置５では、詳しくは後述するが、型Ｍに形成されている転写パターンＭ１を、基板Ｗに設けられている成形材料Ｄに転写するようになっている。位置決め装置３から転写装置５に型Ｍと基板Ｗ（成形材料Ｄ）とを搬送する搬送装置１３もロボット等で構成されている。
【００２９】
転写装置５で転写がされ一体化している型Ｍと基板Ｗと成形材料Ｄと（図６（ｂ）参照）は、分離装置１１に搬送されて型Ｍが基板Ｗと成形材料Ｄとから分離されるようになっている（図６（ｃ）参照）。型Ｍから分離された基板Ｗと成形材料Ｄとは、転写後ストッカ１５に搬送されるようになっている。この基板Ｗ等の搬送も、図示しないロボット等の搬送装置によってなされる。
【００３０】
なお、転写システム１における基板Ｗや型Ｍ等の搬送や位置決めや転写等は、制御装置１７の制御の下、たとえば枚葉で行われるようになっている。
【００３１】
型Ｍは、ニッケル等の金属もしくは紫外線が透過する石英ガラス等の材料もしくは樹脂等の材料で構成されている。また、型Ｍは、図４や図６で示すように、たとえば矩形な平板状に形成されており、微細な転写パターンＭ１は、型Ｍの厚さ方向の一方の面に形成されている。微細な転写パターンＭ１が形成されている型Ｍの部位（転写パターン形成部位）Ｍ２は、たとえば矩形状に形成されており、型Ｍの中央部に存在している。したがって、型Ｍの厚さ方向の一方の面の周辺部には、「ロ」字状の微細転写パターン非形成部位Ｍ３が存在している。
【００３２】
基板Ｗは、たとえば、所定の波長の電磁波が透過する材料（ガラス等の可視光が透過する材料）もしくはシリコン等の材料で、矩形な平板状に形成されている。基板Ｗの大きさは、型Ｍとほぼ同じかもしくは僅かに大きいかもしくは僅かに小さくなっている。
【００３３】
成形材料Ｄは、たとえば、熱硬化性樹脂もしくは紫外線硬化樹脂等の樹脂材料で構成されている（可視光が透過する材料で構成されている場合もある）。成形材料Ｄは、基板Ｗの厚さ方向の一方の面に、薄い膜状になって設けられている。成形材料Ｄが設けられている基板Ｗの部位（成形材料設置部位）Ｗ１は、たとえば矩形状に形成されており、基板Ｗの中央部に存在している。したがって、基板Ｗの厚さ方向の一方の面の周辺部には、「ロ」字状の成形材料非設置部位Ｗ２が存在している。また、成形材料設置部位Ｗ１の大きさは、転写パターン形成部位Ｍ２とほぼ同じかもしくは僅かに大きいかもしくは僅かに小さくなっている。
【００３４】
成形材料Ｄは、転写前には、硬化しておらず液体状もしくは流動体状になっており、転写をするときに硬化し成形物が形成されるようになっている。
【００３５】
位置決め装置３は、型Ｍに対する基板Ｗの位置決めをするように構成されている。また、位置決め装置３は、上記位置決め後に、たとえば接着剤を用いて、型Ｍ（型Ｍの一部）と基板（成形材料Ｄが設けられている基板の一部）Ｗとをお互いに接着することによって、型Ｍに対する基板Ｗの位置を固定し、型Ｍと基板Ｗとを一体化するように構成されている。
【００３６】
ここで、位置決め装置３について詳しく説明するが、以下、説明の便宜のために、水平な１方向をＸ軸方向とし、水平な他の１方向であってＸ軸方向に直交する方向をＹ軸方向とし、鉛直方向をＺ軸方向とする。
【００３７】
位置決め装置３は、図２で示すように、基板Ｗを設置するためのＸＹθステージ１９と型Ｍを保持するための型保持体２１とを備えている。
【００３８】
ＸＹθステージ１９は、ＸＹθステージ基台２３と、ＸＹθステージテーブル２５とを備えて構成されている。ＸＹθステージ基台２３は、ベース体２７の平面状の上面の中央部でベース体２７に一体的に設けられている。ＸＹθステージテーブル２５は、ＸＹθステージ基台２３の上方に設けられており、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）でガイドされている。そして、ＸＹθステージテーブル２５は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Ｘ軸方向とＹ軸方向とθ軸まわりとにおいて、ＸＹθステージ基台２３に対して移動（回動）位置決め自在になっている。θ軸とは、Ｚ軸方向に延びた軸であって、たとえば、ＸＹθステージ１９の中心を通る軸である。
【００３９】
ＸＹθステージテーブル２５の平面状の上面の中央には、平板状の基板設置体２９が一体的に設けられている。基板設置体２９の平面状の上面は、水平に展開している。そして、基板Ｗを容易に着脱自在な基板保持手段（基板保持部；基板保持機構；たとえば真空吸着）３１によって、基板設置体２９上面の中央部で、基板Ｗを一体的に保持するようになっている。
【００４０】
基板Ｗは、厚さ方向の他方の面（成形材料Ｄが設けられていない面）が下側に位置して、基板設置体２９の上面に面接触し、基板設置体２９に保持されるようになっている。したがって、基板設置体２９に設置された基板Ｗの一方の面（水平方向に展開している上面）に成形材料Ｄが存在している。
【００４１】
型保持体２１は型保持体支持体３３を介してベース体２７に支持されている。型保持体支持体３３は、支柱３５と水平梁３７とを備えて構成されている。支柱３５は、たとえば、一対で設けられている。一方の支柱３５は、Ｘ軸方向の一端部側でＸＹθステージ１９から離れて、ベース体２７の上面から立設してベース体２７に一体的に設けられている。他方の支柱３５は、Ｘ軸方向の他端部側でＸＹθステージ１９から離れて、ベース体２７の上面から立設してベース体２７に一体的に設けられている。
【００４２】
水平梁３７は、長手方向の一端部が一方の支柱３５の上端部に一体的に設けられており、長手方向の他端部が他方の支柱３５の上端部に一体的に設けられている。そして、型保持体支持体３３が門形になっていると共に、水平梁３７は、ＸＹθステージ１９の上方でＸＹθステージ１９から離れて、Ｘ軸方向に長く延びている。
【００４３】
型保持体２１は、型保持体本体部３９と型保持部（たとえばバキュームチャック）４１とを備えて構成されている。型保持体本体部３９は、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）でガイドされている。そして、型保持体２１は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、ＸＹθステージ１９の上方でＸＹθステージ１９から離れ、Ｚ軸方向で（ＸＹθステージ１９に接近・離反する方向で）、型保持体支持体３３（ベース体２７；ＸＹθステージ１９）に対して移動位置決め自在になっている。
【００４４】
バキュームチャック４１は型保持体本体部３９の下端部で型保持体本体部３９に一体的に設けられている。バキュームチャック４１の下面は、水平方向に展開しており、この下面の中央部に型Ｍの厚さ方向の他方の面（転写パターンＭ１が形成されていない面）が面接触し、真空吸着で型Ｍを着脱自在に保持するようになっている。
【００４５】
なお、ＸＹθステージ１９の基板設置体２９に基板Ｗが設置され型保持体２１に型Ｍが保持されている状態で、Ｚ軸方向から見ると、基板Ｗの中心と型Ｍの中心とがお互いにほぼ一致していると共に、基板Ｗの縦方向と型Ｍの縦方向とがＸ軸方向とほぼ一致している。また、ＸＹθステージ１９の基板設置体２９に基板Ｗが設置され型保持体２１に型Ｍが保持されている状態では、基板Ｗの上方に型Ｍが存在している。そして、型Ｍが基板Ｗの上方で基板Ｗ（成形材料Ｄ）から離れて存在している状態から、型保持体２１がＺ軸方向（下方向）に移動することで、基板Ｗの成形材料Ｄと型Ｍとがお互いに接触するようになっている。
【００４６】
ＸＹθステージ１９の内側には、空洞４３が形成されており、空洞４３の上側は、基板設置体２９で蓋がされている。この空洞４３内にカメラ４５とリフトピン４７とが設けられている。リフトピン４７は、図示しないガイドベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）でガイドされて、制御装置１７の制御の下、図示しないシリンダ等のアクチュエータを適宜駆動することで、上下方向で移動するようになっている。
【００４７】
カメラ４５は、たとえば、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで移動位置決め自在になっている。また、カメラ４５が、Ｘ軸方向やＹ軸方向で位置決めされている状態で、基板設置体２９を通して、基板Ｗと型Ｍとを撮影することができるようになっている。基板Ｗは、ガラス等の可視光線が透過可能な材料で構成されている。
【００４８】
なお、基板設置体２９が金属等で構成されている場合には、基板設置体２９に設けられている貫通孔４９を通して、基板Ｗと型Ｍとをカメラ４５で撮影することができるようになっている。
【００４９】
また、図２では、カメラ４５で型Ｍを見た場合、成形材料Ｄを通して型Ｍを撮影するように描かれているが、実際には、成形材料ＤのＸ軸方向の寸法は、もっと小さくなっており、貫通孔４９のところには、成形材料Ｄが存在しておらず、カメラ４５で型Ｍを撮影した場合、成形材料Ｄを通さずに型Ｍを撮影することができるようになっている。
【００５０】
なお、基板設置体２９には、転写による押圧力がかからず、基板Ｗを載置等することができればよいので、極力薄く形成されている。
【００５１】
カメラ４５は、少なくとも一対が設けられており、ＸＹθステージ１９の一方の側に１つのカメラ４５が設けられており、ＸＹθステージ１９の他方の側に１つのカメラ４５が設けられている。
【００５２】
そして、各カメラ４５で、基板Ｗのたとえば隅に描かれているアイマーク（図示せず）と、型Ｍのたとえば隅に描かれているアイマーク（図示せず）とを撮影し、この撮影結果に応じて、制御装置１７の制御の下、ＸＹθステージテーブル２５を適宜動かすことで、型Ｍのアイマークと基板Ｗのアイマークとをたとえばお互いに一致させる。これにより、型保持体２１に保持されている型Ｍに対する、基板設置体２９に設置されている基板Ｗの位置（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびθ軸まわりの位置）を正しいものにすることができる。
【００５３】
なお、基板Ｗがシリコン等の可視光線を透過しない材料で構成されている場合にあっては、カメラ４５を適宜移動して基板Ｗのアイマークと型Ｍのアイマークとを別個に撮影するのであるが、基板Ｗのアイマーク撮影用に、２つのカメラを設け、型Ｍのアイマーク撮影用に、別の２つのカメラを設けてあってもよい。このように２つのカメラ４５を移動する場合もしくは４つのカメラを設けた場合、基板Ｗを型Ｍよりも小さく形成し、もしくは、基板Ｗに貫通孔を設ける等して、型Ｍのアイマーク撮影用のカメラが、基板Ｗを通さずに型Ｍのアイマークを撮影することができるようになっているものとする。
【００５４】
さらに、カメラ４５をＸＹθステージ１９に設けることに代えてもしくは加えて、型保持体本体部３９に設けてあってもよい。そしてたとえば、ＸＹθステージ１９に設けたカメラ４５によって基板Ｗのアイマークを撮影し、型保持体本体部３９に設けたカメラによって型Ｍのアイマークを撮影してもよい。
【００５５】
リフトピン４７は、下端に位置している場合、基板設置体２９に設置されている基板Ｗの下方で基板Ｗから離れている。一方、リフトピン４７が上端に位置している場合には、基板設置体２９の中央に設けられている貫通孔５１を通して、リフトピン４７の上端部が、基板設置体２９の上面から上方に僅かに突出するようになっている。基板設置体２９による真空吸着を止めてリフトピン４７が基板設置体２９の上面から上方に僅かに突出することにより、基板設置体２９に設置されていた基板Ｗが基板設置体２９から容易に離れるようになっている。そして、搬送装置１３で搬送するようになっている。
【００５６】
支柱３５には、ベース体２７と型保持体２１とＸＹθステージ１９と水平梁３７とから離れて、ディスペンサ支持体５３が設けられている。ディスペンサ支持体５３は、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）でガイドされている。そして、ディスペンサ支持体５３は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Ｘ軸方向とＺ軸方向とにおいて、支柱３５（ＸＹθステージ基台２３）に対して移動位置決め自在になっている。なお、ディスペンサ支持体５３が、Ｘ軸方向とＺ軸方向とに加えて、Ｙ軸方向で移動自在になっていたり、所定の軸まわりで回動自在になっていてもよい。
【００５７】
ディスペンサ支持体５３には、ディスペンサ５５が設けられている。ディスペンサ５５は、制御装置１７の制御の下、硬化前の接着剤（たとえば紫外線硬化樹脂）を所定量吐出することができるようになっている。
【００５８】
また、ディスペンサ支持体５３には、ＬＥＤ（発光ダイオード）５７等の接着剤硬化促進体が設けられている。ディスペンサ５５から吐出される接着剤が硬化前の紫外線硬化樹脂である場合には、ＬＥＤ５７から紫外線が出射されるようになっている。
【００５９】
なお、接着剤として瞬間接着剤や熱硬化性樹脂等を使用する場合には、ＬＥＤ５７は不要である。また、接着剤として熱硬化性樹脂を使用する場合、この接着剤として使用する熱硬化性樹脂は、基板Ｗに設けられている転写パターンＭ１が転写される熱硬化性樹脂Ｄよりも低い温度で硬化するものとする。そして、たとえば、位置決め装置３のヒータ５９で硬化するようになっているものとする（ヒータ５９では、成形材料Ｄである熱硬化性樹脂は硬化しないようになっている）。さらに、型Ｍに対する基板Ｗの位置決めをする前は、位置決め装置３のヒータ５９で、接着剤として使用する熱硬化性樹脂が硬化しないようにしておく。
【００６０】
なお、成形材料Ｄと接着剤（位置決め装置３で型Ｍと基板Ｗとをお互いに接着する接着剤）との種類が異なっていてもよい。たとえば、成形材料Ｄの種類にかかわらず、接着剤として紫外線硬化樹脂を採用してもよい。
【００６１】
転写装置５は、位置決め装置３とは別体で構成されており、位置決め装置３から離れて存在している。そして、転写装置５では、位置決め装置３で位置決めされてお互いが接着されて一体化した型Ｍと基板Ｗ（型・基板接着体ＭＷ）とを受け取り、型Ｍと基板Ｗとを押圧して（型Ｍと基板Ｗとに挟み込み荷重をかけて）成形材料Ｄを硬化し、転写をするように構成されている。
【００６２】
転写装置５は、図３で示すように、型・基板接着体ＭＷを保持する型・基板保持体（たとえばバキュームチャック）６１と、型Ｍと基板Ｗとを押圧するための押圧手段（押圧部；押圧機構）６３と、成形材料Ｄを硬化するための成形材料硬化手段（成形材料硬化部：成形材料硬化装置）６５とを備えて構成されている。
【００６３】
バキュームチャック６１は、テーブル６７の上側でテーブル６７に一体的に設けられている。テーブル６７は、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）を介してベース体６９の上側でベース体６９に支持されている。また、テーブル６７は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Ｘ軸方向でベース体６９に対して移動位置決め自在になっている。
【００６４】
バキュームチャック６１の平面状の上面に、真空吸着によって、型・基板接着体ＭＷが一体的に設置されるようになっている。バキュームチャック６１に型・基板接着体ＭＷが設置されている状態では、型・基板接着体ＭＷの基板Ｗの面（下面；成形材料Ｄや型Ｍとは反対側の面）が、バキュームチャック６１の上面に面接触していると共に、型・基板接着体ＭＷの縦方向がＸ軸方向と一致しており、バキュームチャック６１の上面の中央部に型・基板接着体ＭＷが存在している。
【００６５】
押圧手段６３は、円柱状もしくは円筒状のローラ７１を備えて構成されている。ローラ７１は、ベース体６９に一体的に設けられたローラ用支柱７３に支持されている。ローラ７１の回転中心軸Ｃ１は、Ｙ軸方向に延びている。
【００６６】
ローラ用支柱７３は、図４（ｂ）で示すように、一対で設けられている。一方のローラ用支柱７３は、Ｙ軸方向の一端部側でテーブル６７やバキュームチャック６１から離れて、ベース体６９から立設してベース体６９に一体的に設けられている。他方のローラ用支柱７３は、Ｙ軸方向の他端部側でテーブル６７やバキュームチャック６１から離れて、ベース体６９から立設してベース体６９に一体的に設けられている。
【００６７】
ローラ７１は、一対のローラ支持体７５に支持されている。すなわち、ローラ７１の軸Ｃ１の延伸方向の一端部がベアリング（図示せず）を介して一方のローラ支持体７５に支持されており、ローラ７１の軸Ｃ１の延伸方向の他端部がベアリング（図示せず）を介して他方のローラ支持体７５に支持されている。
【００６８】
一方のローラ支持体７５は、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）を介して一方のローラ用支柱７３に支持されている。また、一方のローラ支持体７５は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Ｚ軸方向で一方のローラ用支柱７３に対して移動位置決め自在になっている。
【００６９】
他方のローラ支持体７５も、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）を介して他方のローラ用支柱７３に支持されている。また、他方のローラ支持体７５は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Ｚ軸方向で、一方のローラ支持体７５と同期して、他のローラ用支柱７３に対し移動位置決め自在になっている。
【００７０】
これにより、ローラ７１の回転中心軸Ｃ１が常に水平になっている（Ｙ軸方向に延伸している）状態で、ローラ７１が上下方向で移動するようになっている。
【００７１】
一対のローラ支持体７５で支持されているローラ７１は、バキュームチャック６１の上方でバキュームチャック６１から離れている。そして、一対のローラ支持体７５が上方向に移動することにより、バキュームチャック６１に設置されている型・基板接着体ＭＷの上方で型・基板接着体ＭＷからローラ７１が離れるようになっており、一対のローラ支持体７５が下方向に移動することにより、バキュームチャック６１に設置されている型・基板接着体ＭＷの上方で型・基板接着体ＭＷに接触し、型・基板接着体ＭＷをバキュームチャック６１と協働してローラ７１が適宜の押圧力で押圧（挟圧）するようになっている。
【００７２】
ローラ７１が型・基板接着体ＭＷを押圧している状態では、ローラ７１の母線が、型・基板接着体ＭＷの型Ｍに線接触している。
【００７３】
そして、テーブル６７を移動することで、テーブル６７の移動速度に同期してローラ７１が回転し（ローラ７１の周速度とテーブル６７の移動速度とがお互いに一致するようにしてローラ７１が回転し）、型・基板接着体ＭＷのＸ軸方向の一端部から他端部に向かって（図３の右から左に向かって）、成形材料Ｄ（型・基板接着体ＭＷ）の押圧がさなれるようになっている。
【００７４】
ローラ７１の長さ（Ｙ軸方向の寸法）は、図４（ｂ）で示すように、たとえば、型Ｍや基板Ｗの寸法よりも小さくなっている。また、Ｙ軸方向では、型・基板接着体ＭＷの中心とローラ７１の中心とがお互いに一致している。これにより、Ｙ軸方向では、型・基板接着体ＭＷの内側にローラが位置している。
【００７５】
なお、ローラ７１の長さ（Ｙ軸方向の寸法）が、成形材料設置部位Ｗ１や転写パターン形成部位Ｍ２よりも小さくなっていてもよいし、成形材料設置部位Ｗ１や転写パターン形成部位Ｍ２とほぼ等しくてもよいし、成形材料設置部位Ｗ１や転写パターン形成部位Ｍ２よりも大きくなっていてもよい。
【００７６】
また、成形材料硬化手段６５は、ローラ７１で押圧されている成形材料Ｄの部位を硬化するようになっている。したがって、型・基板接着体ＭＷ（テーブル６７）がローラ７１に対して移動することにより、Ｘ軸方向の一端部から他端部に向かって、成形材料Ｄが硬化するようになっている。
【００７７】
テーブル６７には、一対の支柱７７が設けられている。一方の支柱７７は、Ｘ軸方向の一端部側でバキュームチャック６１（ヒータ７９、断熱体８１、冷却装置８３）から離れて、テーブル６７の上面から立設してテーブル６７に一体的に設けられている。他方の支柱７７は、Ｘ軸方向の他端部側でバキュームチャック６１（ヒータ７９、断熱体８１、冷却装置８３）から離れて、テーブル６７の上面から立設してテーブル６７に一体的に設けられている。
【００７８】
一方の支柱７７には、リフトピン支持体８５が設けられている。リフトピン支持体８５は、図示しないベアリング等のガイド手段（ガイド部；ガイド機構）でガイドされている。また、リフトピン支持体８５は、制御装置１７の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Ｚ軸方向で、支柱７７（テーブル６７）に対して移動位置決め自在になっている。
【００７９】
他方の支柱７７にも、リフトピン支持体８５が同様に設けられており、一方の支柱７７のリフトピン支持体８５と同期して移動するようになっている。
【００８０】
各リフトピン支持体８５のそれぞれには、リフトピン８７が一体的に設けられている。また、Ｘ軸方向におけるバキュームチャック６１上面の両端部には、凹部８９が設けられている。そして、リフトピン支持体８５が下降端に位置しているときには、各リフトピン８７のそれぞれが、各凹部８９のそれぞれに入り込むようになっている。
【００８１】
リフトピン８７が、凹部８９に入り込んでいる状態で、型・基板接着体ＭＷをバキュームチャック６１に設置することができるようになっている。また、バキュームチャック６１による真空吸着を止めて、各リフトピン８７（リフトピン支持体８５）を上昇させると、各リフトピン８７の先端部とのこの近傍の部位とが、型・基板接着体ＭＷの下面（Ｘ軸方向における両端部の下面）に接触し、各リフトピン８７で型・基板接着体ＭＷを持ち上げて、型・基板接着体ＭＷをバキュームチャック６１から容易に離すことができるようになっている。
【００８２】
なお、図３では、リフトピン８７が右側に１つ左側に１つしか描かれていないが、型・基板接着体ＭＷを安定して持ち上げるために、リフトピン８７は、少なくとも３つ以上の複数設けられているものとする。たとえば、図３の右側のリフトピン８７は１つであり、Ｙ軸方向（図３の紙面に直交する方向）で型・基板接着体ＭＷの中央部に設けられている。また、図３の左側のリフトピン８７は２つであり、一方のリフトピン８７が、Ｙ軸方向で型・基板接着体ＭＷの一方の端部側（図３の紙面の奥側）に設けられており、他方のリフトピン８７が、Ｙ軸方向で型・基板接着体ＭＷの他方の端部側（図３の紙面の手前側）に設けられている。
【００８３】
ここで、成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合の転写について詳しく説明する。
【００８４】
成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合の転写では、まず、図６（ａ）で示すように、基板Ｗの上面に硬化前の熱硬化性樹脂Ｄが薄膜状に設けられており、型Ｍが、基板Ｗ（熱硬化性樹脂Ｄ）の上面から離れている状態から、型Ｍを下降する。
【００８５】
続いて、型Ｍで熱硬化性樹脂Ｄを押圧し、加熱することで熱硬化性樹脂Ｄを硬化させる（図６（ｂ）参照）。
【００８６】
続いて、型Ｍを上昇して、基板Ｗと熱硬化性樹脂Ｄとから分離する（図６（ｃ）参照）。これにより、熱硬化性樹脂Ｄに微細な凹凸（微細な多数の凹部）Ｄ１が形成される。
【００８７】
図６での押圧では、ローラが描かれていないが、実際にはローラを用いて押圧をしているものとする。なお、転写装置５において、図６で示すように、ローラなしで押圧をするようになっていてもよい。
【００８８】
続いて、転写システム１とは別の装置で、微細な凹凸Ｄ１の残膜をＯ２アッシング等のアッシングで除去し（図６（ｄ）参照）、硬化している熱硬化性樹脂Ｄをマスキング部材にしてエッチング等により、基板Ｗに微細な凹部を形成し（図６（ｅ）参照）、硬化している熱硬化性樹脂Ｄを除去すれば、図６（ｆ）で示すように、基板Ｗに微細な凹凸が形成される。
【００８９】
熱硬化性樹脂Ｄは、２００℃〜２５０℃程度の間の所定の温度（たとえば２５０℃）で硬化するものであり、型Ｍは、たとえばニッケル等の金属で構成されており、基板Ｗはたとえば、ガラスで構成されている。
【００９０】
成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合、位置決め装置３は、位置決め装置３に設置されている基板（熱硬化性樹脂Ｄが設けられている基板）Ｗと型Ｍとを加熱する加熱手段（加熱部；加熱装置）９１（ヒータ５９）を備えている。
【００９１】
位置決め装置の加熱手段９１は、基板設置体２９とバキュームチャック４１とに設けられているものとする。すなわち、たとえば、加熱手段９１が、基板設置体２９の上面の近傍とバキュームチャック４１の下面の近傍とに内蔵されているものとする。
【００９２】
この場合、基板設置体２９のカメラ４５用の貫通孔４９が耐熱ガラスで塞がれていて、ヒータ５９が発する熱でカメラ４５が悪影響を受けないようになっていることが望ましい。さらに、基板設置体２９の下面の近傍や下面に冷却装置を設け、また、カメラ４５のまわりに冷却装置を設けて、熱でカメラ４５が悪影響を受けないようになっていてもよい。
【００９３】
さらに、成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合、位置決め装置３は、加熱手段９１を用いて熱硬化性樹脂Ｄが硬化する温度よりも低い温度（たとえば、僅かに低い温度）まで、基板Ｗ（熱硬化性樹脂Ｄが設けられている基板Ｗ）と型Ｍとを加熱する。そして、この加熱後に加熱後の温度をほぼ維持したまま型Ｍに対する基板Ｗの位置決めをし、型Ｍと基板Ｗとをお互いに接着するように構成されている。
【００９４】
また、成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合、搬送装置１３は、加熱手段（加熱部；加熱装置）によって加熱後の温度をほぼ維持したまま、型・基板接着体ＭＷを、位置決め装置３から転写装置５に搬送するようになっている。搬送装置１３の加熱手段（加熱部；加熱装置）は、たとえば、搬送装置１３の基板保持部（図示せず）に設置されたヒータで構成されているものとする。
【００９５】
なお、搬送装置１３に加熱手段が設けられていることが望ましいが、搬送時間が短く、搬送することによっては、型・基板接着体ＭＷの温度がほとんど下がらないのであれば、搬送装置１３に加熱手段を設けなくてもよい。
【００９６】
また、成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合、転写装置５には、加熱手段（加熱部；加熱装置；たとえばヒータ８０）が設けられている。そして、ヒータ８０によって、お互いが接着された基板Ｗと型Ｍと（転写装置５に設置されている型・基板接着体ＭＷ）を加熱し、熱硬化性樹脂Ｄを硬化するようになっている。
【００９７】
転写装置５のヒータ７９は、矩形な平面状に形成されており、バキュームチャック６１の下側でバキュームチャック６１に接触してバキュームチャック６１に一体的に設けられている。ヒータ７９の下側には、矩形な平板状の断熱体８１が接触してヒータ７９に一体的に設けられている。断熱体８１の下側には、矩形な平板状の冷却装置（たとえば水冷の冷却装置）８３が接触して断熱体８１に一体的に設けられている。冷却装置８３の下面は、テーブル６７の上面に接触して、冷却装置８３が、テーブル６７に一体的に設けられている。すなわち、テーブル６７の上面には、冷却装置８３と断熱体８１とヒータ７９とバキュームチャック６１とがこの順に重ねられて一体的に設けられている。
【００９８】
バキュームチャック６１は、熱伝導性の良い金属等の材料で構成されており、位置決め装置３の基板設置体２９よりも厚く剛性が高くなっている。また、重ねられているバキュームチャック６１とヒータ７９と断熱体８１と冷却装置８３とテーブル６７の剛性も、ローラ７１による押圧力によってもほとんど変形しないようになっている（ごく僅かに変形したとしても、熱硬化性樹脂Ｄに転写によって形成される微細な凹凸Ｄ１の精度に悪影響を与えないようになっている）。
【００９９】
ローラ７１の内部には、転写装置５の加熱手段（加熱部；加熱装置）を構成するヒータ８０が設けられている。そして、ローラ７１のヒータ８０による加熱で熱硬化性樹脂Ｄが硬化するようになっている。なお、バキュームチャック６１のヒータ７９は、熱硬化性樹脂Ｄが硬化する温度よりも僅かに低い温度になっているものとする。
【０１００】
ところで、ヒータ７９とバキュームチャック６１とを一体化した構成であってもよい。すなわち、バキュームチャック６１に発熱体を埋め込んだ構成であってもよい。この場合、発熱体は、できるだけバキュームチャック６１の上面側に存在していることが望ましい。
【０１０１】
この場合において、バキュームチャック６１の上面（ヒータ７９で加熱される面；矩形な平面状に形成されている面）を、複数のエリアに分割し、各エリア毎に温度の値を変えることができる（各エリアそれぞれが独立して温度を変えることができる）ようになっていてもよい。
【０１０２】
上記エリアの形態は、細長い矩形状になっている。そして、各エリアは、これらの長手方向がＹ軸方向になり幅方向がＸ軸方向になるようにして、Ｘ軸方向に並んで形成されているものとする。
【０１０３】
そして、転写装置５による転写をする場合、ローラ７１と協働して型・基板接着体ＭＷを挟んでいる部位（型・基板接着体ＭＷの型Ｍと接しているローラ７１の真下に存在している直線状の部位とこの近傍の部位）のエリアの温度が、制御装置１７の制御の下、熱硬化性樹脂Ｄを硬化させることができる温度まで上昇するようになっていてもよい。この場合、ローラ７１のヒータ８０を削除した構成であってもよい。
【０１０４】
なお、他のエリアの温度は、熱硬化性樹脂Ｄが硬化する温度よりも僅かに低い温度になっているものとする。そして、ローラ７１で押圧される前の熱硬化性樹脂Ｄは硬化しないようになっているものとする。
【０１０５】
上記説明では、ローラ７１と協働して型・基板接着体ＭＷを挟んでいる部位のエリアの温度のみを、熱硬化性樹脂Ｄを硬化させることができる温度まで上昇させることとしているが、すでにローラ７１で押圧された部位のエリアの温度を、熱硬化性樹脂Ｄを硬化させることができる温度まで上昇させたままにしてもよい。
【０１０６】
また、ローラ７１による型・基板接着体ＭＷ全体の押圧が短い時間で終了するのであれば、型・基板接着体ＭＷがほとんど冷めないであろうから、バキュームチャック６１のヒータ７９を削除してもよい。
【０１０７】
ところで、前述したように、転写装置５における型・基板接着体ＭＷの押圧は、ローラ７１を用いてなされるように構成されているのであるが、位置決め装置３で型Ｍと基板Ｗとを接着した部位（接着部ＭＷ１）が、転写装置５ではローラ７１から離れている。
【０１０８】
接着部ＭＷ１がローラ７１から離れていることにより、ローラ７１による押圧力が接着部ＭＷ１にはほとんどかからないようになっている。また、ローラ７１による押圧によって、接着部ＭＷ１が破壊したりすることがないようになっている。さらに、固化している接着部ＭＷ１が存在しているにもかかわらず、ローラ７１による押圧力で、熱硬化性樹脂Ｄを十分に押圧し転写をすることができるようになっている。
【０１０９】
さらに詳しく説明すると、図４（ｂ）で示すように、ローラ７１の幅（ローラ７１の回転中心軸Ｃ１の方向の長さ寸法）Ｂ１は、接着部ＭＷ１の間隔（Ｙ軸方向における間隔）Ｂ２よりも小さくなっている。そして、Ｙ軸方向では接着部ＭＷ１の間にローラ７１が存在しており、一方の接着部ＭＷ１とローラ７１とは、距離Ｂ３だけ間隔があいており、他一方の接着部ＭＷ１とローラ７１とは、たとえば距離Ｂ３とほぼ等しい距離Ｂ４だけ間隔があいている。なお、転写パターン形成部位Ｍ２の幅Ｂ５とローラの幅Ｂ１とを比較すると、たとえば、転写パターン形成部位Ｍ２の幅Ｂ５とローラ７１の幅Ｂ１とはお互いがほぼ等しくなっているか、もしくは、ローラ７１の幅Ｂ１のほうが大きくなっている。さらに、Ｙ軸方向では、転写パターン形成部位Ｍ２の中心とローラ７１の中心とはお互いに一致している。
【０１１０】
これにより、ローラ７１で型・基板接着体ＭＷを押圧した場合、型Ｍや基板Ｗがごく僅かに弾性変形し（微細な凹凸Ｄ１の精度に悪影響を与えない程度に弾性変形し）、接着部ＭＷ１の存在にかかわらず、転写のための十分な押圧力を、型・基板接着体ＭＷ（成形材料Ｄ）に与えることができるようになっている。
【０１１１】
また、前述したように、転写装置５での転写（転写装置５による押圧）は、ローラ７１と型・基板保持体６１とで型Ｍと基板Ｗと挟み込むことでなされるのであるが、型Ｍと基板Ｗとを接着した部位ＭＷ１とこの近傍の部位とが、型・基板保持体６１から離れていてもよい。
【０１１２】
たとえば、図４（ｂ）において、ローラ７１の幅Ｂ１を、接着部位ＭＷ１の間隔Ｂ２よりも大きくして、転写装置５での型基板接着体ＭＷの押圧のとき、ローラ７１が接着部位ＭＷ１に接触するようにし、型・基板保持体６１の幅を、接着部位ＭＷ１の間隔Ｂ２よりも小さくして、接着部位ＭＷ１がローラ７１と型・基板保持体６１とで押圧されないようにしてもよい。
【０１１３】
さらに、ローラ７１に形成されている切り欠き（リング状の小径部）、型・基板保持体６１に形成されている切り欠き（たとえば、凹部８９と同様な凹部、もしくは凹部８９と共通の凹部）の少なくともいずれかの切り欠きによって、型Ｍと基板Ｗとを接着した部位ＭＷ１とこの近傍の部位とが、ローラ７１、型・基板保持体６１の少なくともいずれかに接触しないように構成されていてもよい。すなわち、接着部位ＭＷ１、ローラ７１、型・基板保持体６１の少なくともいずれかから離れていて、ローラ７１、型・基板保持体６１とで挟まれることがないように構成されていてもよい。
【０１１４】
ここで転写システム１の動作を、図５を参照しつつ説明する。
【０１１５】
まず、基板ストッカ７から取り出された基板Ｗに塗布装置９で熱硬化性樹脂Ｄを塗布等することで設ける（Ｓ１）。なお、熱硬化性樹脂Ｄの厚さは、たとえば、数μｍ〜数十μｍになっている。
【０１１６】
続いて、型Ｍと熱硬化性樹脂Ｄが設けられた基板Ｗとを位置決め装置３に設置し、ヒータ５９で、型Ｍと熱硬化性樹脂Ｄが設けられた基板Ｗとを昇温する（Ｓ３）。この昇温によって、型Ｍと熱硬化性樹脂Ｄが設けられた基板Ｗとの温度が、熱硬化性樹脂Ｄが硬化する近傍の温度になる。なお、熱硬化性樹脂Ｄは、未硬化状態である。
【０１１７】
続いて、位置決め装置３で、型Ｍに対する基板Ｗ（熱硬化性樹脂Ｄが設けられた基板Ｗ）の位置決めをする（Ｓ５）。
【０１１８】
続いて、型保持体２１を下降させて、型Ｍを熱硬化性樹脂Ｄに接触させて、型Ｍを基板Ｗ（熱硬化性樹脂Ｄが設けられた基板Ｗ）に重ね合わせる（Ｓ７）。
【０１１９】
続いて、型Ｍと基板Ｗ（熱硬化性樹脂Ｄが設けられている基板Ｗ）とを接着部位ＭＷ１のところでお互いに接着することによって、型Ｍに対する基板Ｗの位置を固定し、型Ｍと基板Ｗとを一体化する（Ｓ９）。
【０１２０】
続いて、お互いに接着された型と基板（型・基板接着体ＭＷ）を搬送装置１３で搬送する（Ｓ１１）。
【０１２１】
続いて、接着がなされた場所（接着部位ＭＷ１）から離れた場所に位置している転写装置５で、お互いが接着されて一体化した型・基板接着体ＭＷを押圧して熱硬化性樹脂Ｄを硬化し、転写を行う（Ｓ１３，Ｓ１５）。これにより、熱硬化性樹脂Ｄが硬化し、型Ｍに形成されている微細な転写パターンＭ１が成形材料Ｄに転写される。
【０１２２】
続いて、転写がなされた型・基板接着体ＭＷを転写装置５から搬出して（Ｓ１７）、分離装置１１に搬送する。
【０１２３】
続いて、分離装置１１で、型Ｍを基板Ｗと熱硬化性樹脂Ｄとから離し（Ｓ１９）、型Ｍが分離された基板Ｗと熱硬化性樹脂Ｄとを、転写後ストッカ１５まで搬送し格納する。
【０１２４】
ここで、位置決め装置３の動作についてより詳しく説明する。
【０１２５】
まず初期状態として、型保持体２１が型Ｍを保持しており、基板設置体２９に硬化前の熱硬化性樹脂Ｄが設けられている基板Ｗが設置されており、基板Ｗの熱硬化性樹脂Ｄと型Ｍとが所定の僅かな距離だけ離れており、ディスペンサ５５とＬＥＤ５７とが、基板Ｗ等から所定の距離だけ離れており、リフトピン４７が下降しているものとする。
【０１２６】
上記初期状態において、ヒータ５９で型Ｍと熱硬化性樹脂Ｄが設けられた基板Ｗとを昇温し、カメラ４５で型Ｍのアイマークと基板Ｗのアイマークとを撮影する（アイマークの代わりに、型Ｍや基板Ｗの端部を撮影してもよい）。この撮影のときに、型Ｍと基板ＷとがＺ軸方向できるだけ接近していることが望ましい。ただし、熱硬化性樹脂Ｄと型Ｍとは離れているものとする。この撮影結果に応じて、ＸＹθステージテーブル２５を適宜動かし、型Ｍに対する基板Ｗの位置決めを行う。
【０１２７】
続いて、型保持体２１を下降して、型Ｍを基板Ｗの熱硬化性樹脂Ｄに接触させる。この接触においては、押圧力（型Ｍが基板Ｗや熱硬化性樹脂Ｄを押す力）はほとんど発生しておらず、基板Ｗと上面と型Ｍの下面とがお互いに平行になってごく僅かに離れており、基板Ｗと型Ｍとの間に熱硬化性樹脂Ｄが存在しており、熱硬化性樹脂Ｄは、型Ｍの微細な転写パターンＭ１の凹凸に隙間無く入り込んでいる。
【０１２８】
なお、型保持体２１を下降して型Ｍが基板Ｗの熱硬化性樹脂Ｄに接触し終えた後に、カメラ４５で型Ｍのアイマークと基板Ｗのアイマークとを撮影し、型Ｍに対する基板Ｗの位置決めを行ってもよい。
【０１２９】
続いて、ディスペンサ支持体５３を適宜移動し、基板Ｗと型Ｍとに硬化前の紫外線硬化樹脂をつける（塗る）。紫外線硬化樹脂つける位置は、たとえば、図４（ｂ）で示すように、型Ｍ（基板Ｗでもよい）の４つの角部の近傍の部位（点状の僅かな大きさの部位）ＭＷ１である。
【０１３０】
続いて、ＬＥＤ５７から紫外線を照射することで、紫外線硬化樹脂を硬化して、型Ｍと基板Ｗとを一体化する。この状態では、熱硬化性樹脂Ｄは未だ硬化していない。図４（ｂ）で示すように、接着部ＭＷ１が点状になっているので、転写装置５の転写後（型Ｍの微細な転写パターンＭ１を熱硬化性樹脂Ｄに転写した後）、接着部ＭＷ１の除去が容易であり、型Ｍを基板Ｗと熱硬化性樹脂Ｄとから離しやすくなる。
【０１３１】
続いて、型保持体２１による型Ｍの保持を止めて型保持体２１を上昇し、基板保持手段３１による基板の保持を止め、リフトピン４７を上昇して、基板Ｗを基板設置体２９から離し、リフトピン４７を下降する。基板設置体２９から離された基板Ｗは、搬送装置１３で転写装置５に搬送される。
【０１３２】
続いて、次の型Ｍと基板Ｗ（硬化前の熱硬化性樹脂Ｄが設けられている基板Ｗ）とが、位置決め装置３に設置されて上記初期状態に戻る。
【０１３３】
次に、転写装置５の動作についてより詳しく説明する。
【０１３４】
まず初期状態として、テーブル６７が他端部側（図３で示している状態より左側）に位置しており、リフトピン８７が下降してバキュームチャック６１の凹部８９に入り込んでおり、バキュームチャック６１には、型・基板接着体ＭＷが真空吸着されて設置されている。また、ヒータ７９により、型・基板接着体ＭＷが、熱硬化性樹脂Ｄが硬化する温度よりも僅かに低い温度に保たれており、ローラ支持体７５が上昇しているものとする。この初期状態では、ローラ７１が、型・基板接着体ＭＷの一端部（図３では右側の端部）の上方で型・基板接着体ＭＷから離れている。
【０１３５】
この初期状態で、ローラ７１を下降し、型・基板接着体ＭＷを押圧し、この押圧している状態で、ローラ７１が型・基板接着体ＭＷを加熱しながら、テーブル６７を所定の速度で移動する（テーブル６７を左端から右端へ移動する）。そして、熱硬化性樹脂Ｄを硬化して微細な転写パターンＭ１を熱硬化性樹脂Ｄに転写する。
【０１３６】
続いて、ローラ７１を上昇してテーブル６７を初期状態の位置まで戻し、バキュームチャック６１による型・基板接着体ＭＷの真空吸着を止め、リフトピン８７を上昇する。
【０１３７】
続いて、搬送装置で、型・基板接着体ＭＷを分離装置１１まで搬送し、凹部８９の入り込むまでリフトピン８７を下降し、次の型・基板接着体ＭＷを搬送装置１３で搬入しバキュームチャック６１に設置することで初期状態に戻る。
【０１３８】
転写システム１によれば、位置決め装置３と転写装置５とが別体で構成されており、位置決め装置３で型Ｍに対する基板Ｗの位置決めをした後、型Ｍと基板Ｗとを接着して、転写装置５まで搬送して転写をするので、型Ｍに対する基板Ｗの正確な位置を維持した状態で転写をすることができると共に、転写の際の押圧力を上げることができる。そして、正確な転写をすることができると共に転写に要する時間を短くすることができる。
【０１３９】
また、ＸＹθステージテーブル２５に設けられている基板設置体２９を薄くしたり、ＸＹθステージテーブル２５の質量を小さくすることができるので、基板設置体２９とＸＹθステージテーブル２５との合計質量を小さくすることができ、ＸＹθステージテーブル２５と基板設置体２９と基板Ｗとを軽快に速く移動位置決めすることができる。
【０１４０】
また、転写システム１によれば、成形材料Ｄとして熱硬化性樹脂を採用した場合、位置決め装置３にも加熱手段９１を設けてあるので、基板Ｗと型Ｍとの温度変化による膨張係数が異なっていても、正確な転写をすることができる。
【０１４１】
また、位置決め装置３にも加熱手段９１を設けてあるので、型Ｍと基板Ｗとをお互いに接着した後転写をするまでに、基板Ｗと型Ｍとの温度がほとんど変化せず、基板Ｗや型Ｍに熱応力が発生することを防止できる。
【０１４２】
また、転写システム１によれば、型Ｍと基板Ｗとを接着した部位ＭＷ１が、転写装置５ではローラ７１から離れているので、接着により硬化している部位ＭＷ１が、ローラ７１で押圧（加圧）されることがなく、したがって、ローラ７１による均一な押圧力を、型・基板接着体ＭＷかけることができ、正確な転写をすることができる。
【０１４３】
なお、成形材料Ｄとして、熱硬化性樹脂に代えて、上述したように、紫外線硬化樹脂を採用してもよい。
【０１４４】
この場合、位置決め装置３において、紫外線硬化樹脂Ｄの一部を用いて、型Ｍと基板Ｗ（転写によって微細な凹凸Ｄ１が形成される紫外線硬化樹脂Ｄが設けられている基板Ｗ）とをお互いに接着するようにしてあってもよい。
【０１４５】
成形材料Ｄとして紫外線硬化樹脂を採用している位置決め装置３では、たとえば、ディスペンサが不要になり、装置を簡素化することができる。型Ｍと基板Ｗ（硬化前の紫外線硬化樹脂Ｄが設けられている基板Ｗ）とを、位置決め装置３に設置し、型Ｍを紫外線硬化樹脂Ｄに接触させたとき、型Ｍや基板Ｗの端部から僅かにはみ出た紫外線硬化樹脂ＤにＬＥＤを照射し、僅かにはみ出た紫外線硬化樹脂Ｄを硬化し、型Ｍと基板Ｗとをお互いに接着して一体化するようになっている。
【０１４６】
なお、型Ｍと基板Ｗとをお互いに接着するために硬化する紫外線硬化樹脂Ｄ（接着部ＭＷ１）は、熱硬化性樹脂の場合と同様に、また、図４（ｂ）で示すように、型Ｍ（基板Ｗでもよい）の４つの角部の近傍に位置している。
【０１４７】
また、型Ｍは、たとえば石英ガラス等の紫外線を透過する材料で構成されており、基板Ｗに設けられ型Ｍの転写パターンＭ１が転写される紫外線硬化樹脂Ｄの硬化は、紫外線を透過する材料で構成されたローラ７１内もしくはローラ７１の近傍に設けられている紫外線発生装置（図示せず）でなされるようになっている。紫外線発生装置は、ローラ７１が型Ｍを押圧する線状の部位とこの近傍で、紫外線硬化樹脂Ｄに紫外線を照射するようになっている。
【０１４８】
なお、基板設置体２９をガラスで構成し、基板Ｗをガラスで構成した場合において、上記紫外線発生装置を、基板設置体２９の下側もしくは基板設置体２９の内部に設けてもよい。
【０１４９】
さらに、熱硬化性樹脂の場合と同様にディスペンサを設け、このディスペンサから吐出された接着剤で、基板Ｗと型Ｍとをお互いに接着してもよい。
【０１５０】
ところで、すでに理解されるように、位置決め装置３の加熱手段（ヒータ；加熱装置）９１と、転写装置５のヒータ（加熱手段；加熱装置）７９と、転写装置５のヒータ（加熱手段；加熱装置）８０とは、制御装置１７の制御の下、それぞれが、別個の設定値によって温度制御をすることができるように構成されている（独立して温度制御をすることができるように構成されている）。
【０１５１】
また、上記説明では、転写装置５で、成形材料Ｄを硬化するようになっているが、転写装置５では、成形材料Ｄの硬化をせず、図１で示す転写装置５と分離装置１１との間に、成形材料Ｄを硬化するための硬化装置を別途設けてもよい。そして、この硬化装置で成形材料Ｄを硬化するようにしてもよい。
【０１５２】
すなわち、成形材料Ｄが熱硬化性樹脂である場合には、転写装置５で成形材料Ｄの成形（ローラ７１の押圧による成形）のみを行い、上記硬化装置の加熱手段（加熱部；加熱装置）で成形材料の硬化をするようにしてもよい。この場合、転写装置５のヒータ７９，８０は、基板Ｗと型Ｍと熱硬化性樹脂Ｄとを、熱硬化性樹脂Ｄが硬化する温度よりも低い温度（位置決め装置３と同等の温度）に維持するようになっている。また、上記硬化装置の加熱手段も、制御装置１７の制御の下、他の加熱手段７９，８０，９１とが別個に温度制御をすることができるようになっているものとする。
【０１５３】
さらに、上記硬化装置の加熱手段により、成形材料Ｄの温度を徐々に常温まで下げて、成形されて硬化した（微細な転写パターンＭ１が転写された）成形材料Ｄにアニール処理を施すようにしてもよい。
【０１５４】
また、成形材料Ｄが紫外線硬化性樹脂である場合には、転写装置５で成形材料Ｄの成形（ローラ７１の押圧による成形）のみを行い、上記硬化装置の紫外線発生装置で成形材料の硬化をするようにしてもよい。
【０１５５】
また、成形材料Ｄとして、熱可塑性樹脂を採用してもよい。
【０１５６】
この場合、位置決め装置３の加熱手段９１を用いて、熱可塑性樹脂Ｄを軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、基板Ｗと型Ｍとを加熱し、この加熱後に、型Ｍに対する基板Ｗの位置決めをする。
【０１５７】
また、転写装置５の加熱手段７９を用いて、熱可塑性樹脂Ｄを軟化して熱可塑性樹脂Ｄへの微細な転写パターンＭ１の転写をする。
【０１５８】
さらに説明すると、転写装置５では、加熱手段７９を用いて熱可塑性樹脂Ｄを軟化させ、この軟化した熱可塑性樹脂Ｄをローラ７１で押圧し、型Ｍに形成されている転写パターンＭ１に対して反転している微細な凹凸Ｄ１を熱可塑性樹脂Ｄに形成する。この後、熱可塑性樹脂Ｄを冷却して、熱可塑性樹脂Ｄを硬化させる。
【０１５９】
なお、位置決め装置３に設置され位置決め装置３の加熱手段９１で加熱される前の熱可塑性樹脂Ｄは、たとえば、型Ｍや基板Ｗと同様に矩形な平板状に形成されており、基板Ｗに一体でもしくは別体で積層されているものとする。
【０１６０】
また、熱可塑性樹脂Ｄの冷却は、転写装置５のヒータ７９，８０のスイッチを切って自然冷却でなされるが、冷却装置を設け、ヒータのスイッチを切った後、上記冷却装置を用いて、熱可塑性樹脂Ｄを冷却してもよい。熱可塑性樹脂Ｄにアニール処理を施すようにしてもよい。
【０１６１】
また、熱可塑性樹脂Ｄ（基板Ｗ）と型Ｍとの分離は、熱可塑性樹脂Ｄが冷却されて硬化した後に行なわれる。
【０１６２】
また、上記説明では、基板Ｗに設けた成形材料Ｄに転写をしているが、熱可塑性樹脂で構成されている基板Ｗ自体に、型Ｍに設けられている転写パターンＭ１を転写してもよい。すなわち、基板Ｗと成形材料Ｄとが一体のものであってもよい。
【０１６３】
さらに説明すると、転写システム１の位置決め装置３や転写装置５が次のように構成されていてもよい。
【０１６４】
位置決め装置３が、型Ｍに対する基板Ｗ（熱可塑性樹脂Ｄ）の位置決めをし、この位置決め後に、型Ｍと基板Ｗとをお互いに接着するように構成されている。
【０１６５】
転写装置５が、位置決め装置３とは別体で構成されており、位置決め装置３で位置決めされてお互いが接着された型Ｍと基板Ｗとを受け取り、型Ｍと基板Ｗとを押圧して前記転写をするように構成されている。
【０１６６】
位置決め装置３は、基板Ｗと型Ｍとを加熱する加熱手段９１を備えており、位置決め装置３の加熱手段９１を用いて、基板Ｗを軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、基板Ｗと型Ｍとを加熱し、この加熱後に、型Ｍに対する基板Ｗの位置決めをするように構成されている。
【０１６７】
転写装置５は、お互いが接着された基板Ｗと型Ｍとを加熱する加熱手段７９を備えており、転写装置５の加熱手段７９を用いて、基板Ｗを軟化し基板Ｗへの微細な転写パターンＭ１の転写をするように構成されている。
【符号の説明】
【０１６８】
１  転写システム
３  位置決め装置
５  転写装置
７１  ローラ
７９、９１  加熱手段
Ｄ  成形材料（熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂）
Ｍ  型
Ｍ１  転写パターン
ＭＷ１  接着部位
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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