(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された放射線に応じたキャリアを発生するキャリア発生層と、
前記キャリア発生層で発生したキャリアを増幅するキャリア増幅層と、
前記キャリア増幅層で増幅されたキャリアを収集すると共に、間隔を隔てて配置された複数の電極を含む電極層と、
前記複数の電極に対応する領域全体を覆わないように前記キャリア発生層と前記キャリア増幅層との間に設けられ、かつ前記電極層で収集するキャリアの到達を阻止すると共に、前記電極層で収集するキャリアと逆極性のキャリアを吸収する中間電極と、
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記中間電極は、前記キャリア発生層に接するように設けられ、かつ前記電極層で収集するキャリアを阻止するキャリア阻止層と、前記キャリア増幅層に接するように設けられ、かつ前記電極層で収集するキャリアと逆極性のキャリアを吸収する逆キャリア吸収層と、前記キャリア阻止層と前記逆キャリア吸収層との間に設けられた導電層と、を備えた、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記逆キャリア吸収層は、Ｃ６０をドープしたポリカーボネートから成り、前記キャリア阻止層はポリカーボネートから成る、請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記導電層は、銀から成る、請求項２または請求項３に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記導電層は、有機導電材料から成る、請求項２または請求項３に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記中間電極は、前記複数の電極の間隔に対応する領域に応じて、ストライプ状、または格子状に形成されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項７】
インクジェット法を用いて、前記キャリア増幅層上に前記中間電極を成膜する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器を製造する放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
前記キャリア増幅層上の前記中間電極を形成しない領域に撥水化処理を行った後、前記中間電極を成膜する、請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に係り、特に医療用の放射線撮影装置等に用いられる放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線撮影装置が知られている。当該放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器は、放射線照射装置から照射され、被検体を透過した放射線を検出して放射線画像を撮影する。当該放射線検出器は、照射された放射線に応じて発生した電荷を収集して読み出すことにより放射線画像の撮影を行う。
【０００３】
特許文献１には、蛍光体層がベース上に積層された画像記録部と、ａ−Ｓｅからなる光導電層およびその両側に配されたストライプ電極を有する固体画像検出器としての画像読取部とを備え、ストライプ電極側が蛍光体層に対面して積層された放射線画像検出シートを使用し、光導電層内でアバランシェ増幅作用が働くだけの電界を電圧印加手段により印加しながら、光導電層内に発生する電荷を画像読取部から取り出すことによって、放射線画像信号を得る技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３３８２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
放射線に対してより高感度の放射線検出器が望まれている。特に、動画撮影やトモシンセシス撮影等、複数回撮影を行う場合では、１ショット当たりの撮影時間（被曝時間）が短くなるため、１ショット当たりの放射線の照射量が少なくなるため、より高感度の放射線検出器が望まれている。
【０００６】
本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線検出器は、照射された放射線に応じたキャリアを発生するキャリア発生層と、前記キャリア発生層で発生したキャリアを増幅するキャリア増幅層と、前記キャリア増幅層で増幅されたキャリアを収集すると共に、間隔を隔てて配置された複数の電極を含む電極層と、前記複数の電極に対応する領域全体を覆わないように前記キャリア発生層と前記キャリア増幅層との間に設けられ、かつ前記電極層で収集するキャリアの到達を阻止すると共に、前記電極層で収集するキャリアと逆極性のキャリアを吸収する中間電極と、を備える。
【０００８】
本発明によれば、中間電極が、前記複数の電極に対応する領域全体を覆わないようにキャリア発生層とキャリア増幅層との間に設けられている。このように中間電極が設けられていることにより、複数の電極に対応する領域全体を覆うことがないため、キャリア発生層で発生したキャリアがキャリア増幅層に透過して電極層に到達するのを阻害することを抑制できる。また、キャリア増幅層に高電圧を印加することができ、キャリア増幅層においてアバランシェ増幅作用を起させることができる。
【０００９】
また、中間電極は、電極層で収集するキャリアの到達を阻止すると共に、前記電極層で収集するキャリアと逆極性のキャリアを吸収する。このように、電極層で収集するキャリアは吸収せずに、逆極性のキャリアを吸収する。例えば。電極層で正孔を収集する場合、中間電極は、正孔の到達を阻止すると共に、電子を吸収する。これにより、電極層で効率良くキャリアを収集することができ、従って、放射線に対して、高感度の放射線検出器が得られる。
【００１０】
また、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記中間電極は、前記キャリア発生層に接するように設けられ、かつ前記電極層で収集するキャリアを阻止するキャリア阻止層と、前記キャリア増幅層に接するように設けられ、かつ前記電極層で収集するキャリアと逆極性のキャリアを吸収する逆キャリア吸収層と、前記キャリア阻止層と前記逆キャリア吸収層との間に設けられた導電層と、を備えるように構成するとよい。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明のように、前記逆キャリア吸収層は、Ｃ６０をドープしたポリカーボネートから成り、前記キャリア阻止層はポリカーボネートから成ることが好ましい。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明のように、前記導電層は、銀から成ることが好ましい。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明のように、前記導電層は、有機導電材料から成ることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、請求項６に記載の発明のように、前記中間電極は、前記複数の電極の間隔に対応する領域に応じて、ストライプ状、または格子状に形成されていてもよい。
【００１５】
請求項７に記載の放射線検出器の製造方法は、インクジェット法を用いて、前記キャリア増幅層上に前記中間電極を成膜するものである。
【００１６】
一般に、キャリア増幅層は、熱に弱く、水分にも弱い材質で形成される。そのため、キャリア増幅層上に中間電極を形成する場合、インクジェット法を用いて成膜することが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、請求項８に記載の発明のように、前記キャリア増幅層上の前記中間電極を形成しない領域に撥水化処理を行った後、前記中間電極を成膜することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、放射線に対して従来より高感度にするこができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態に係る放射線検出器の概略構成の一例、及び放射線の照射により発生するキャリア（電荷）の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本実施の形態に係る放射線検出器の中間電極を構成する、正孔阻止層、導電層、及び電子吸収層がアバランシェ層上に成膜される工程順に成膜状態を説明するための説明図であり、（Ａ）は、アバランシェ層上に電子吸収層が成膜された状態、（Ｂ）は、電子吸収層上に導電層が成膜された状態、（Ｃ）は、電子吸収層及び導電層上に正孔阻止層が成膜された状態を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。本実施の形態では、具体的一例として、放射線検出器を、照射された放射線に応じて発生した正孔を読み取る正孔読取センサとして構成した場合について詳細に説明する。
【００２１】
図１に本実施の形態の放射線検出器の概略構成の一例の断面図を示す。また、図１には、本実施の形態の放射線検出器による電荷の発生の一例を模式的に示している。本実施の形態の放射線検出器１０は、電極１２、正孔阻止層１４、結晶化防止層１６、光電変換層１８、中間電極２０、アバランシェ層２２、電子阻止層２４、及びＴＦＴ基板２６を備えて構成されている。
【００２２】
本実施の形態の放射線検出器１０では、電極１２側から放射線が照射される。
【００２３】
電極１２は、光電変換層１８へバイアス電圧を印加する機能を有しており、画像情報を担持した放射線が透過するように形成されている。本実施の形態では、放射線検出器１０が正孔読取センサであるため、電極１２は、図示を省略した高圧電源からプラスのバイアス電圧（本実施の形態では、具体的一例として＋１０ｋＶ）が供給される。
【００２４】
電極１２にバイアス電圧が印加されることにより、ＴＦＴ基板２６（電荷収集電極４０）との間に電界（本実施の形態では、具体的一例として約３０Ｖ／μｍ）が印加され、放射線の照射により光電変換層１８で発生したキャリアが２倍〜４倍に増幅される。
【００２５】
電極１２の材料としてはＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ３％〜２０％合金、Ｍｇ−Ａｇ系金属間化合物、ＭｇＣｕ３％〜２０％合金、Ｍｇ−Ｃｕ系金属間化合物等の金属から形成するようにすればよい。特に、ＡｕやＰｔ、Ｍｇ−Ａｇ系金属間化合物を用いることが好ましい。例えばＡｕを用いた場合、厚さ１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。例えば、ＭｇＡｓ３％〜２０％合金を用いた場合は、厚さ１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
作成方法は、任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。例えば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、１５秒間蒸着して一旦冷却する。この操作を金属薄膜の抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返すことが挙げられる。
【００２７】
電極１２を透過した放射線が正孔阻止層１４及び結晶化防止層１６を介して光電変換層１８に照射される。
【００２８】
正孔阻止層１４は、電極１２から光電変換層１８への正孔の注入を阻止する機能を有するものであり、電極１２の下に形成されている。
【００２９】
正孔阻止層１４としては、ＳｂＳ、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ等の無機材料、または有機高分子、または無機材料と有機高分子の積層が好ましい。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の電子輸送材料を５％〜８０％の重量比で混合して用いることができる。こうした電子輸送材料としては、トリニトロフルオレンとその誘導体、ジフェノキノン誘導体、ビスナフチルキノン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合したもの等が好ましい。具体的にはＴＮＦ、ＤＭＤＢ、ＰＢＤ、ＴＡＺが挙げられる。
【００３０】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることができ、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＶＢ、ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この場合、膜厚は、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００３１】
結晶化防止層１６は、結晶化を防止する機能を有しており、正孔阻止層１４と光電変換層１８との間に形成されている。結晶化防止層１６としては、Ａｓが１％〜２０％の範囲でドープされたアモルファスＳｅ（ａ−Ｓｅ）、またはＳ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｇｅが１％〜１０％の範囲でドープされたアモルファスＳｅ、または上記の元素と他の元素を組み合わせてドープしたアモルファスＳｅ、またはより結晶化温度の高いＡｓ２Ｓ３やＡｓ２Ｓｅ４等を用いることが好ましい。
【００３２】
結晶化防止層１６の厚みは、結晶化を防止する観点から、０．０５μｍ〜１μｍ程度が好ましい。
【００３３】
光電変換層１８は、照射された放射線を吸収して、放射線に応じてプラス及びマイナスの電荷（電子−正孔キャリア対）を発生する光導電物質で構成され、アモルファスＳｅを主成分とすることが好ましい。また、光電変換層１８としては、Ｂｉ２ＭＯ２０（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ４Ｍ３Ｏ１２（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＭＯ４（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｂｉ２４Ｂ２Ｏ３９、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＭＮｂＯ３（Ｍ：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）、ＰｂＯ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｉＩ３、ＧａＡｓ等のうち、少なくとも１つを主成分とする化合物を用いてもよいが、暗抵抗が高く、放射線照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好ましい。
【００３４】
本実施の形態では、光電変換層１８の厚みは、具体的一例として、２００μｍとしている。なお、光電変換層１８の厚みは、例えば本実施の形態のように、アモルファスＳｅを主成分とする光導電物質の場合、１００μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、特に、マンモグラフィ用途では１００μｍ以上２５０μｍ以下、一般撮影用途においては５００μｍ以上１２００μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００３５】
アバランシェ層２２は、光電変換層１８で発生したキャリア（正孔）をアバランシェ増幅作用により増幅する機能を有するものである。アバランシェ層２２は、アモルファスＳｅを主成分とすることが好ましい。光電変換層１８と同じ材料（アモルファスＳｅを主成分とする）であってもよいが、強化のために、光電変換層１８と同材料にＡｓ等をドープした材料を用いるようにすると好ましい。アバランシェ層２２の厚さは、少なくとも１μｍ以上であることが好ましいが、中間電極２０の開口部の大きさ（図１、Ｌ参照）に応じて定められ、開口部の大きさの８割以上の厚さであることが好ましい。具体的一例として、本実施の形態では、開口部の大きさＬ＝５０μｍ、アバランシェ層２２の厚さ＝４０μｍとしている。
【００３６】
中間電極２０は、ＴＦＴ基板２６（電荷収集電極４０）との間に高電界（本実施の形態では、具体的一例として約１００Ｖ／μｍ）を印加する機能を有しており、光電変換層１８と、アバランシェ層２２との間に設けられている。また、光電変換層１８で生じた正孔がアバランシェ層２２を透過してＴＦＴ基板２６（電荷収集電極４０）に到達するように、ＴＦＴ基板２６の電荷収集電極４０の間隔に応じて設けられている。本実施の形態では、具体的一例として、電荷収集電極４０の間隔に応じて格子状（放射線が照射される面において格子状）に形成されている。中間電極２０がＦＴ基板２６（電荷収集電極４０）との間に高電界を印加することにより、光電変換層１８で発生したキャリア（正孔）がアバランシェ層２２においてアバランシェ増幅作用により、１０倍〜２０倍に増幅される。
【００３７】
また、本実施の形態の中間電極２０は、ＴＦＴ基板２６の電荷収集電極４０で効率よく正孔が収集されるように、正孔を阻止すると共に、アバランシェ増幅作用により発生した電子を吸収する機能を有している。
【００３８】
そのため、本実施の形態では、中間電極２０を、正孔阻止層３０と、導電層３２と、電子吸収層３４と、により構成している。図２に、本実施の形態の中間電極２０の構造を説明するための説明図を示す。図２は、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４がアバランシェ層２２上に成膜される工程順に成膜状態を模式的に示した説明図である。
【００３９】
なお、本実施の形態の中間電極２０は、上述のように、アバランシェ層２２上に形成される。アバランシェ層２２はアモルファスＳｅを主成分としているが、当該アモルファスＳｅは、熱に弱く、また、水分にも弱いため、リソグラフィーや熱処理を行って中間電極２０を成膜することは好ましくない。そこで、本実施の形態では、インクジェット法を用いて、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４をアバランシェ層２２上に成膜する。
【００４０】
図２（Ａ）に示すように、まず、アバランシェ層２２上に、インクジェット法により、電子吸収層３４が形成される。電子吸収層３４は、電子吸収層３４としては、アバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により発生した電子を吸収する機能を有している。そのため、電子吸収層３４は、アバランシェ層２２に接するように設けられている。
【００４１】
電子吸収層３４は、アバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により発生した電子を吸収する機能を有していれば限定されないが、電子を吸収する機能の観点から、Ｃ６０をドープしたポリカーボネートを用いることが好ましい。
【００４２】
本実施の形態では、具体的一例として、線幅が２５μｍ、厚さが２μｍ（１２．５μｍピッチ／１．０ｐＬ）としている。
【００４３】
さらに、図２（Ｂ）に示すように、電子吸収層３４上に、インクジェット法により、導電層３２が形成される。導電層３２としては、高電界を印加する機能を有している。
【００４４】
導電層３２は、導電性を有しているものであれば限定されないが、導電率の観点から、銀ナノペースト、または、ＰＥＤＯＴ等の有機導電ポリマーを用いることが好ましい。
【００４５】
導電層３２の大きさ（成膜面積）は、電子吸収層３４よりも小さいことが好ましく、本実施の形態では、具体的一例として、線幅が１５μｍ、厚さが２μｍ（１２．５μｍピッチ／０．４ｐＬ）としている。
【００４６】
さらに、図２（Ｃ）に示すように、電子吸収層３４及び導電層３２上に、インクジェット法により、正孔阻止層３０が形成される。正孔阻止層３０は、正孔を阻止（ブロック）する機能を有している。そのため、正孔阻止層３０は、光電変換層１８に接するように設けられている。
【００４７】
正孔阻止層３０としては、正孔を阻止する機能を有していれば限定されないが、正孔を阻止する機能の観点から、ポリカーボネートを用いることが好ましい。
【００４８】
正孔阻止層３０の大きさ（成膜面積）は、導電層３２よりも大きいことが好ましく、本実施の形態では、一例として、電子吸収層３４と同様としている。すなわち、具体的には、線幅が２５μｍ、厚さが２μｍ（１２．５μｍピッチ／１．０ｐＬ）としている。
【００４９】
なお、アバランシェ層２２上に、中間電極２０（正孔阻止層３０、導電層３２、電子吸収層３４）を成膜する際には、予め、アバランシェ層２２上の中間電極２０を成膜しない部分（格子状の開口部）を撥水化処理した後、中間電極２０を成膜するようにすることが好ましい。このように成膜することにより、開口部を適正に保てるため、光電変換層１８からアバランシェ層２２へ正孔が透過するのを阻害することがなくなり、ＴＦＴ基板２６の電荷収集電極４０で正孔を収集する効率を向上することができる。なお撥水化処理は、限定されないが、インクジェット法により、ＨＤＭＳ（撥水処理液）を滴下することが好ましい。当該撥水処理液は、すぐに蒸発して乾燥するため、アバランシェ層２２上には残留しない。
【００５０】
また、アバランシェ層２２（アモルファスＳｅ）に耐熱処理を施した後、中間電極２０を成膜するようにしてもよい。
【００５１】
電子阻止層２４は、電子の注入を阻止する機能を有するものであり、ＴＦＴ基板２６の上に形成されている。
【００５２】
電子阻止層２４としては、Ｓｂ２Ｓ３、ＳｂＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＳｂＳ、ＡｓＳｅ、ＡｓＳ等の組成から成る無機材料、または有機高分子を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層は、ＰＶＫ等の電荷輸送基を有するペンダント部を含む高分子の正孔輸送性材料を用いてもよいし、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の正孔輸送材料を５％〜８０％の重量比で混合して用いてもよい。こうした正孔輸送性材料としては、オキサゾール誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルアミン誘導体等が用いられる。具体的にはＮＰＤ、ＴＰＤ、ＰＤＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ２−ＴＮＡＴＡ、ＴＰＡＣが挙げられる。
【００５３】
なお、無機材料を用いて正孔阻止層１４、電子阻止層２４を形成する場合、形成方法は任意であるが、例えば、真空蒸着法、スパッター法、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法等が用いることが好ましい。
【００５４】
一方、有機高分子を用いて正孔阻止層１４、電子阻止層２４を形成する場合、形成方法は任意であるが、材料を有機溶剤に溶解して公知の方法で塗布することにより行う。例えば、ディップ法、スプレー法、インクジェット法等が挙げられるが、形成領域の制御が容易なインクジェット法を用いることが好ましい。
【００５５】
ＴＦＴ基板２６は、光電変換層１８で発生した電荷であるキャリア（正孔）を収集し読み出す機能を有するものである。ＴＦＴ基板２６は、電荷収集電極４０、スイッチ素子４２、電荷蓄積容量４４、及びＴＦＴ基板４６を備えて構成されている。
【００５６】
複数の電荷収集電極４０が間隔を隔てて格子状（マトリクス状）に形成されており、１つの電荷収集電極４０が１画素に対応している。各々の電荷収集電極４０は、スイッチ素子４２及び電荷蓄積容量４４に接続されている。
【００５７】
電荷蓄積容量４４は、各電荷収集電極４０で収集された電荷（正孔）を蓄積する機能を有するものである。この各電荷蓄積容量４４に蓄積された電荷が、スイッチ素子４２によって読み出される。これにより放射線画像が撮影される。
【００５８】
以上、説明したように、本実施の形態に係る放射線検出器１０は、照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。
【００５９】
このように本実施の形態では、中間電極２０が、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４により形成されているため、導電層３２によりアバランシェ増幅作用に必要な電荷を印加する機能を有し、かつ正孔阻止層３０により電荷収集電極４０で収集する正孔が吸収されないように阻止する機能を有すると共に、電子吸収層３４により、アバランシェ層２２で発生した電子を吸収する機能を有している。
【００６０】
従って、放射線の照射に応じて光電変換層１８で発生したキャリア（正孔）を低損失で増幅することができるため、放射線に対して高感度とすることができる。
【００６１】
また、中間電極２０の格子のピッチを電荷収集電極４０のピッチ（画素ピッチ）と容易に合わせることができるため、歩留まりよく放射線検出器１０を製造することができる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、上述のように、中間電極２０を、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４としたがこれに限らず、電圧を印加すると共に、正孔（電荷収集電極４０で収集するキャリア）を阻止し、電子（電荷収集電極４０で収集するキャリアと逆極性のキャリア）を吸収する機能を有するものであれば限定されない。例えば、３層構造ではなく、電子輸送性ｎ型有機導電ポリマー等により１層で形成するようにしてもよい。
【００６３】
また、本実施の形態では、中間電極２０を電荷収集電極４０のピッチ（画素ピッチ）に応じて格子状に形成したがこれに限らず、例えば、ストライプ状に形成してもよいし、１画素おきに形成する等してもよい。
【００６４】
また、本実施の形態では、放射線検出器１０が正孔読取センサである場合について説明したがこれに限らず、放射線検出器１０を電子読取センサとして構成してもよい。この場合、電荷収集電極４０で収集する電荷（キャリア）は電子になるため、中間電極２０は、電子を阻害すると共に正孔を吸収する機能を有するように形成すればよい。
【００６５】
その他、本実施の形態で説明した放射線検出器１０の構成、各層の厚さ等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【００６６】
また、本実施の形態では、本発明の放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１０  放射線検出器
１２  電極
１４  正孔阻止層
１６  結晶化防止層
１８  光電変換層
２０  中間電極
２２  アバランシェ層
２４  電子阻止層
２６  ＴＦＴ基板
３０  正孔阻止層
３２  導電層
３４  電子吸収層
４０  電荷収集電極
【図１】
0005602598.tif 000002
【図２】
0005602598.tif 000003