(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気を除去可能なイオンを発生させるイオン発生器と、
前記イオン発生器で発生させたイオンを搬送するキャリアガスを前記イオン発生器に供給するキャリアガス供給部と、
前記イオン発生器からのイオン及びキャリアガスを、静電気を除去する除電対象に吹き出すイオン供給ノズルと、を備え、
前記イオン供給ノズルの吹き出し口にはスリットが設けられ、当該スリットからイオン及びキャリアガスを前記除電対象全域に吹き出し、前記スリットは前記除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成され、
前記イオン供給ノズルは、その吹き出し口近傍の内部流路に複数の内部フィンが設けられ、当該内部フィンは、前記スリットから吹き出されるイオン及びキャリアガスが前記スリットの長手方向全域にわたって均一に分散するように配置されている、ことを特徴とするイオン供給装置。
【請求項２】
前記スリットは、前記イオン供給ノズルの先端側に向かってその幅が広くなる逆テーパ状に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のイオン供給装置。
【請求項３】
前記イオン供給ノズルは、ポリカーボネート、石英、または、ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）により形成されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のイオン供給装置。
【請求項４】
前記イオン発生器はイオナイザである、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のイオン供給装置。
【請求項５】
被処理体を処理する被処理体の処理システムであって、
前記被処理体を処理する処理領域内に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のイオン供給装置が配置されている、ことを特徴とする被処理体の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、被処理体、例えば、半導体ウエハに薄膜を形成する等の各種の処理が行われている。このような処理の過程では、半導体ウエハの搬送が行われ、この搬送時の部材同士間の僅かな接触や摺接によって、半導体ウエハ、半導体ウエハを収容するウエハボート等に静電気が発生しやすい。半導体ウエハ等に静電気が発生し、これらが帯電すると、塵埃等のパーティクルが半導体ウエハに付着しやすくなってしまい、この結果、製品の歩留まりが低下してしまうという問題がある。
【０００３】
このため、処理装置内に、半導体ウエハ等に帯電した静電気を除去する除電装置を設置することが検討されている。例えば、特許文献１には、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段を含む雰囲気を除電する除電手段とを備えた基板処理装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７２５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、処理装置が縦型のバッチ式処理装置のように、除電対象である半導体ウエハ等が多数存在し、広範囲にわたって除電することが必要な場合には、均一に除電することは困難である。このため、広範囲で、均一な除電効果を得ることができる装置が求められている。
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、広範囲で、均一な除電効果を得ることができるイオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかるイオン供給装置は、
静電気を除去可能なイオンを発生させるイオン発生器と、
前記イオン発生器で発生させたイオンを搬送するキャリアガスを前記イオン発生器に供給するキャリアガス供給部と、
前記イオン発生器からのイオン及びキャリアガスを、静電気を除去する除電対象に吹き出すイオン供給ノズルと、を備え、
前記イオン供給ノズルの吹き出し口にはスリットが設けられ、当該スリットからイオン及びキャリアガスを前記除電対象全域に吹き出し、前記スリットは前記除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成され、
前記イオン供給ノズルは、その吹き出し口近傍の内部流路に複数の内部フィンが設けられ、当該内部フィンは、前記スリットから吹き出されるイオン及びキャリアガスが前記スリットの長手方向全域にわたって均一に分散するように配置されている、ことを特徴とする。
【０００８】
前記スリットは、例えば、前記イオン供給ノズルの先端側に向かってその幅が広くなる逆テーパ状に形成されている。
前記イオン供給ノズルは、例えば、ポリカーボネート、石英、または、ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）により形成されている。
【０００９】
前記イオン発生器としては、例えば、イオナイザがある。
【００１０】
本発明の第２の観点にかかる被処理体の処理システムは、
被処理体を処理する被処理体の処理システムであって、
前記被処理体を処理する処理領域内に、本発明の第１の観点にかかるイオン供給装置が配置されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、広範囲で、均一な除電効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る処理装置の構造を示す正面図である。
【図２】図１のローディングエリア内の構造を示す平面図である。
【図３】図１のローディングエリア内の構造を示す側面図である。
【図４】イオン供給装置の構成を示す図である。
【図５】図４のイオン供給装置のイオン拡散ノズルの形状を示す図である。
【図６】図１の制御部の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明のイオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システムを図１に示す処理装置に適用した場合を例に説明する。
【００１４】
図１に示すように、本実施の形態の処理装置１の処理室１０は、隔壁１１によって、作業エリアＳ１と、ローディングエリアＳ２とに区画されている。作業エリアＳ１は、半導体ウエハＷが多数枚、例えば、２５枚収納された密閉型の搬送容器であるキャリアＣの搬送と、キャリアＣの保管とを行うための領域であり、大気雰囲気に保たれている。一方、ローディングエリアＳ２は、半導体ウエハＷに対して熱処理、例えば、成膜処理や酸化処理を行うための領域であり、不活性ガス、例えば、窒素ガス（Ｎ２）雰囲気に保たれている。
【００１５】
作業エリアＳ１には、ロードポート２１と、キャリア搬送機２２と、トランスファーステージ２３と、保管部２４と、が設けられている。
【００１６】
ロードポート２１は、処理室１０の側方位置に設けられた搬送口２０から、外部の図示しない搬送機構により搬入されたキャリアＣを載置する。この搬送口２０に対応する位置の処理室１０の外側には、例えば、ドアＤが設けられており、ドアＤにより搬送口２０が開閉自在に構成されている。
【００１７】
キャリア搬送機２２は、ロードポート２１とトランスファーステージ２３との間に設けられ、作業エリアＳ１においてキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機２２は、支柱２５と、支柱２５の側面に設けられた水平アーム２６と、を備えている。支柱２５は、処理室１０内において鉛直方向に亘って長く設けられている。水平アーム２６は、支柱２５の下方側に設けられたモータＭにより昇降可能に構成されている。また、水平アーム２６には、例えば、関節アームからなる搬送アーム２７が設けられ、水平アーム２６を昇降させることにより搬送アーム２７が昇降する。搬送アーム２７は、図示しないモータにより水平方向に移動可能に構成されている。このように、水平アーム２６は、搬送アーム２７を昇降及び水平移動させることによって、キャリアＣの受け渡しが行われるように構成されている。
【００１８】
トランスファーステージ２３は、隔壁１１の作業エリアＳ１側に設けられ、キャリア搬送機２２により搬送されたキャリアＣを載置する。また、トランスファーステージ２３では、後述する移載機構４２により、載置されたキャリアＣ内から半導体ウエハＷがローディングエリアＳ２に取り出される。トランスファーステージ２３は、例えば、上下２カ所に取り付けられている。また、トランスファーステージ２３の側方位置の隔壁１１は開口している。この開口を塞ぐように、隔壁１１のローディングエリアＳ２側にはシャッター３０が設けられている。
【００１９】
保管部２４は、作業エリアＳ１内の上方側に設けられ、キャリアＣを保管する。保管部２４は、例えば、縦に４列、横に２列並ぶように組となって設けられている。この保管部２４の組は、支柱２５を挟むように設置されている。
【００２０】
図２は、ローディングエリアＳ２内の構造を示す平面図である。図３は、ローディングエリアＳ２内の構造を示す側面図である。図２及び図３に示すように、ローディングエリアＳ２内には、移載機構４１と、ボート載置台４５（４５ａ、４５ｂ）と、熱処理炉４６と、ボート移載機構５１と、フィルタ５２と、気体吸入口５３と、イオン供給装置５４と、が設けられている。
【００２１】
移載機構４１は、シャッター３０とボート載置台４５ａとの間に設けられている。移載機構４１は、トランスファーステージ２３に載置されたキャリアＣと、ボート載置台４５ａに載置されたウエハボート４２との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う。また、移載機構４１は、例えば、複数枚の半導体ウエハＷを一括して移載可能なアーム４３が進退自在に設けられている。移載機構４１は、図示しないモータにより鉛直軸回りに回転自在に構成され、昇降軸４４に沿って昇降自在に構成されている。
【００２２】
ボート載置台４５ａ、４５ｂは、ウエハボート４２を載置する台である。本実施の形態では、移載機構４１により半導体ウエハＷの受け渡しを行うウエハボート４２を載置する移載用ボート載置台４５ａと、待機用のウエハボート４２を載置する待機用ボート載置台４５ｂと、の２つのボート載置台が設けられている。また、ウエハボート４２についても複数台、例えば、２台のウエハボート４２ａ、４２ｂが設けられており、この２台が交互に用いられる。なお、ウエハボート４２を１台、又は３台以上設けてもよい。例えば、ウエハボート４２が１台の場合には、ボート載置台４５を設ける必要はなく、熱処理炉４６にロードまたはアンロードするウエハボート４２との間で半導体ウエハＷの移載が行われる。
【００２３】
熱処理炉４６は、その底部に開口を有すると共に有天井に形成された石英製の円筒体よりなる処理容器４７を有する。処理容器４７の周囲には円筒状の加熱ヒータ４８が設けられて、処理容器４７内の半導体ウエハＷを加熱し得るように構成されている。処理容器４７の下方には、昇降機構４９により昇降可能になされたキャップ５０が配置されている。そして、このキャップ５０上に半導体ウエハＷが収容されたウエハボート４２を載置して上昇させることにより、半導体ウエハＷ（ウエハボート４２）が処理容器４８内にロードされる。このロードにより、処理容器４８の下端開口部は、キャップ５０により気密に閉鎖される。
【００２４】
ボート移載機構５１は、ボート載置台４５ａ、４５ｂの近傍に設けられている。ボート移載機構５１は、進退可能なアーム５１ａが設けられ、ボート載置台４５ａ、４５ｂ及びキャップ５０間でのウエハボート４２の移載を行う。
【００２５】
フィルタ５２は、ローディングエリアＳ２の一側面に設けられている。フィルタ５２には、図示しないガス供給源に接続されており、ガス供給源からのガス、例えば、エアー、Ｎ２ガス等の不活性ガスがフィルタ５２を介してローディングエリアＳ２内に供給される。このため、フィルタ５２から、清浄空気、不活性ガス等が水平方向へ吹き出し、清浄気体のサイドフローが常時形成される。
【００２６】
気体吸入口５３は、フィルタ５２の設置面に対向する面に設けられている。気体吸入口５３は、ローディングエリアＳ２内の気体を吸入する吸入口であり、フィルタ５２からの清浄空気等によりローディングエリアＳ２内の塵埃等のパーティクルが排気され、ローディングエリアＳ２内を清浄に保つ。なお、気体吸入口５３に吸い込まれたサイドフローを、ダクト等を介してフィルタ５２側に戻し、循環使用してもよい。
【００２７】
イオン供給装置５４は、図２に示すように、ローディングエリアＳ２の一側面に設けられたフィルタ５２の間にイオン供給装置５４が配置されている。図４にイオン供給装置５４の構成を示す。
【００２８】
図４に示すように、イオン供給装置５４は、イオン供給装置の本体であるイオン発生器５５と、イオン発生器５５にキャリアガスを供給するキャリアガス供給流路５６と、イオン発生器５５より延びるイオン流路５７と、イオン流路５７の先端部に接続されるイオン供給ノズル５８とを、備えている。
【００２９】
イオン発生器５５は、例えば、イオナイザから構成されている。イオナイザは、プラスイオンとマイナスイオンとを発生させるものであり、例えば、プラスイオンとマイナスイオンとを同時に発生させるダブルＤＣ式バータイプのイオナイザ、プラスイオンとマイナスイオンとを一定の間隔で交互に発生させるパルスＤＣタイプイオナイザ、プラスイオンとマイナスイオンとを高速で交互に発生させるＡＣ式バータイプのイオナイザ、Ｘ線を照射してプラスイオンとマイナスイオンとを発生させる軟Ｘ線イオナイザ等がある。
【００３０】
キャリアガス供給流路５６は、イオン発生器５５と、図示しないキャリアガス供給源とを接続する。キャリアガス供給流路５６は、キャリアガス供給源からのキャリアガスをイオン発生器５５に供給できるように構成されている。イオンを搬送するキャリアガスとしては、不活性ガス、例えば、Ｎ２ガスが用いられる。
【００３１】
イオン流路５７は、イオン発生器５５と、イオン供給ノズル５８とを接続する。イオン流路５７は、イオン発生器５５で発生されたプラスイオンとマイナスイオンとをキャリアガスとともにイオン供給ノズル５８に供給できるように構成されている。
【００３２】
イオン供給ノズル５８は、キャリアガスとともに供給されたイオン（プラスイオン及びマイナスイオン）を除電対象（ウエハボート４２、半導体ウエハＷ等）に吹き出す。図５にイオン供給ノズル５８の構成を示す。なお、図５（ａ）はイオン供給ノズル５８の正面図であり、図５（ｂ）はイオン供給ノズル５８の側面図である。
【００３３】
図５に示すように、イオン供給ノズル５８のノズル開口部（吹き出し口）にはスリット５９が設けられている。スリット５９は、除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成されている。本実施の形態では、スリット５９は、イオン供給ノズル５８の端部（図５の上部）に向かってその幅が広くなる逆テーパ状に形成されている。このため、イオン供給ノズル５８は、その上部側から最も多い量のイオンが吹き出され、下部側から最も少ない量のイオンが吹き出される。ここで、イオン供給ノズル５８の上部側から供給されるイオンがイオン供給ノズル５８から最も離れた位置の除電対象（ウエハボート４２の上部）に供給され、下部側から供給されるイオンがイオン供給ノズル５８から最も近い位置の除電対象（ウエハボート４２の下部）に供給される。また、イオン供給ノズル５８からウエハボート４２に到達するまでの距離が長いと、供給されたイオンが再結合されやすい。本発明のイオン供給ノズル５８では、イオンが再結合されやすい箇所に最も多い量のイオンを供給し、イオンが再結合されにくい箇所に最も少ない量のイオンを供給しているので、除電対象であるウエハボート４２等の全域に渡って均一な除電効果が得られる。
【００３４】
また、イオン供給ノズル５８は、ノズル開口部付近の内部流路６０に、複数の内部フィン（案内板）６１が設けられている。内部フィン６１は、スリット５９から吹き出されるイオン及びキャリアガスがスリット５９の長手方向全域にわたって均一に分散するように配置されている。このように、内部流路６０に複数の内部フィン６１が設けられているので、イオン供給ノズル５８の長手方向（上下方向）に均一に圧力が分散する。このため、除電対象であるウエハボート４２等の全域に渡って均一な除電効果が得られる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、イオン供給ノズル５８の内部流路６０が直線状であるが、例えば、内部流路６０に屈曲部分を設けざるを得ない場合には、内部流路６０内でのイオンの再結合を抑制するために、内部流路６０に緩やか、かつ、滑らかな傾斜をつけることが好ましい。
【００３６】
イオン供給ノズル５８は、発生したイオンを消費しにくく、耐熱性に優れた材料、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、石英、ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）などから形成されていることが好ましい。
【００３７】
処理装置１の処理室１０には、各種のセンサが配置されている。例えば、ローディングエリアＳ２内には、帯電量検出センサが設けられている。また、各種のモータやシリンダには、モータ位置やシリンダ位置を検知するエンドリミットセンサ、ベースポジションセンサ等の位置センサが配置されている。熱処理炉４６には、熱処理炉４６内の温度を測定する温度センサ、及び、熱処理炉４６内の圧力を測定する圧力センサが複数本配置されている。
【００３８】
また、処理装置１は、その装置各部を制御する制御部１００に接続されている。図６に制御部１００の構成を示す。図６に示すように、制御部１００は、操作パネル１２１、帯電量検出センサ等の各種のセンサ１２２などが接続されている。制御部１００は、帯電量検出センサ等の各種のセンサ１２２からのデータに基づいて、例えば、イオン供給装置５４等に制御信号を出力する。
【００３９】
操作パネル１２１は、表示部（表示画面）と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
帯電量検出センサ等の各種のセンサ１２２は、検知した情報を制御部１００に通知する。
【００４０】
図６に示すように、制御部１００は、レシピ記憶部１０１と、ＲＯＭ１０２と、ＲＡＭ１０３と、Ｉ／Ｏポート１０４と、ＣＰＵ１０５と、これらを相互に接続するバス１０６と、から構成されている。
【００４１】
レシピ記憶部１０１には、この処理装置１で実行される処理の種類に応じて、制御手順を定めるプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピである。このレシピには、装置各部の所定の動作プログラムが含まれている。
【００４２】
ＲＯＭ１０２は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１０５の動作プログラムなどを記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０５のワークエリアなどとして機能する。
Ｉ／Ｏポート１０４は、例えば、センサからの情報をＣＰＵ１０５に供給するとともに、ＣＰＵ１０５が出力する制御信号を装置の各部へ出力する。
【００４３】
ＣＰＵ（Central Processing Unit)１０５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１０２に記憶された動作プログラムを実行する。ＣＰＵ１０５は、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１０１に記憶されているプロセス用レシピに沿って、処理装置１の動作を制御する。また、ＣＰＵ１０５は、帯電量検出センサ等の各種のセンサ１２２からのデータに基づいて、例えば、イオン供給装置５４などの各種装置の停止、稼働を指示する制御信号を出力する。例えば、ＣＰＵ１０５は、帯電量検出センサの検出値が所定値よりも低い場合には、イオン供給装置５４の停止を指示する制御信号を出力する。
バス１０６は、各部の間で情報を伝達する。
【００４４】
次に、以上のように構成された処理装置１の動作（被処理体の処理方法）について説明する。なお、本実施の形態では、作業エリアＳ１外からロードポート２１に載置されたキャリアＣ内の未処理の半導体ウエハＷを熱処理炉４６内に収容し、半導体ウエハＷを熱処理した後、熱処理した半導体ウエハＷをロードポート２１（作業エリアＳ１外）に搬送する場合を例に処理装置１の動作を説明する。
【００４５】
まず、制御部１００（ＣＰＵ１０５）は、キャリア搬送機２２を駆動し、ロードポート２１に載置されたキャリアＣをトランスファーステージ２３に搬送させる。次に、ＣＰＵ１０５は、シャッター３０を開放する。そして、ＣＰＵ１０５は、移載機構４１を駆動して、トランスファーステージ２３に載置されたキャリアＣ内の半導体ウエハＷを、ボート載置台４５ａに載置されたウエハボート４２内に収容する。ＣＰＵ１０５は、キャリアＣ内の半導体ウエハＷを全てウエハボート４２内に収容すると、キャリア搬送機２２を駆動し、トランスファーステージ２３に載置されたキャリアＣをロードポート２１に搬送する。そして、ＣＰＵ１０５は、このキャリアＣを作業エリアＳ１外に搬送する。例えば、ウエハボート４２内に収容する半導体ウエハＷが１５０枚、キャリアＣ内の半導体ウエハＷが２５枚の場合、ＣＰＵ１０５は、これらの作業を６回繰り返す。なお、ＣＰＵ１０５は、半導体ウエハＷを収容していないキャリアＣを保管部２４に保管してもよい。
【００４６】
ＣＰＵ１０５は、ウエハボート４２内に所定数の半導体ウエハＷを収容すると、シャッター３０を閉鎖する。次に、ＣＰＵ１０５は、ボート移載機構５１を駆動して、ボート載置台４５ａに載置されたウエハボート４２をキャップ５０上に移載する。なお、熱処理炉４６による熱処理が完了してアンロードし、熱処理された半導体ウエハＷを収容するウエハボート４２がキャップ５０上に載置されている場合、ＣＰＵ１０５は、昇降機構４９を用いてこのウエハボート４２を予め待機用ボート載置台４５ｂ上に移載する。そして、ＣＰＵ１０５は、未処理の半導体ウエハＷを収容するウエハボート４２のキャップ５０上への移載を完了すると、昇降機構４９を駆動してキャップ５０を上昇させ、このウエハボート４２を熱処理炉４６の処理容器４７内にロードする。
【００４７】
ＣＰＵ１０５は、未処理の半導体ウエハＷを処理容器４７内にロードすると、熱処理炉４６を制御して、半導体ウエハＷに所定の熱処理、例えば、成膜処理や酸化拡散処理等を行わせる。そして、ＣＰＵ１０５は、熱処理を終了すると、昇降機構４９を駆動してキャップ５０を下降させ、熱処理された半導体ウエハＷが収容されたウエハボート４２を処理容器４７内から降下させてアンロードする。
【００４８】
ＣＰＵ１０５は、ウエハボート４２（熱処理された半導体ウエハＷ）をアンロードすると、ボート移載機構５１を駆動して、キャップ５０上に載置されているウエハボート４２をボート載置台４５ａに移載する。また、ＣＰＵ１０５は、キャリア搬送機２２を駆動して、ロードポート２１に載置された半導体ウエハＷが収容されていないキャリアＣをトランスファーステージ２３に搬送する。なお、半導体ウエハＷが収容されていないキャリアＣのロードポート２１への載置については、図示しない搬送機構により搬送される。そして、ＣＰＵ１０５は、シャッター３０を開放するとともに、移載機構４１を駆動して、ボート載置台４５ａに載置されたウエハボート４２内からトランスファーステージ２３に載置されたキャリアＣ内に熱処理された半導体ウエハＷを収容する。
【００４９】
このように、ローディングエリアＳ２内で、移載機構４１、ボート移載機構５１等が駆動することにより、半導体ウエハＷ、半導体ウエハＷを収容するキャリアＣ、ウエハボート４２が静電気により帯電しやすい。また、ローディングエリアＳ２内に存在する僅かなパーティクル（塵）も静電気により帯電しやすい。しかし、本実施の形態においては、ローディングエリアＳ２内にイオン供給装置５４が配置され、イオン供給装置５４からプラスイオンとマイナスイオンとを放出しているので、帯電箇所や浮遊している帯電パーティクルが除電され、半導体ウエハＷにパーティクルが付着することを防止することができる。
【００５０】
ここで、イオン供給装置５４のイオン供給ノズル５８のノズル開口部には、その上部に向かってその幅が広くなる逆テーパ状のスリット５９が設けられているので、除電対象であるウエハボート４２等の全域に渡って均一な除電効果を得ることができる。
【００５１】
また、イオン供給ノズル５８には、ノズル開口部付近の内部流路６０に複数の内部フィン６１が設けられているので、指向性を持たせたイオン及びキャリアガスを供給することができる。このため、除電対象であるウエハボート４２等の全域に渡って均一な除電効果が得られる。
【００５２】
また、ローディングエリアＳ２内の帯電状況は、図示しない帯電量検出センサにより常時検出されている。ＣＰＵ１０５は、帯電量検出センサの検出値が所定値よりも低い場合には、イオン供給装置５４を停止することができるので、キャリアガス等を無駄に消費することを防止することができる。
【００５３】
ＣＰＵ１０５は、キャリアＣ内に所定数の熱処理された半導体ウエハＷを収容すると、キャリア搬送機２２を駆動して、トランスファーステージ２３に載置されたキャリアＣをロードポート２１に搬送する。ＣＰＵ１０５は、このキャリアＣを作業エリアＳ１外に搬送する。そして、ＣＰＵ１０５は、ウエハボート４２内に収容されている全ての半導体ウエハＷを作業エリアＳ１外に搬送すると、シャッター３０を閉鎖して、この処理を終了する。
【００５４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、イオン供給ノズル５８のノズル開口部には、その上部に向かってその幅が広くなる逆テーパ状のスリット５９が設けられているので、除電対象であるウエハボート４２等の全域に渡って均一な除電効果を得ることができる。
【００５５】
また、本実施の形態によれば、イオン供給ノズル５８には、ノズル開口部付近の内部流路６０に複数の内部フィン６１が設けられているので、除電対象であるウエハボート４２等の全域に渡って均一な除電効果が得られる。
【００５６】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００５７】
上記実施の形態では、スリット５９がイオン供給ノズル５８の先端側に向かってその幅が広くなる逆テーパ状に形成されている場合を例に本発明を説明したが、スリット５９は除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成されていればよく、除電対象の位置、大きさ等によって適宜変更可能である。
【００５８】
上記実施の形態では、イオン発生器５５にイオナイザを用いた場合を例に本発明を説明したが、イオン発生器５５は静電気を除去可能なイオンを発生させる物であればよく、各種のイオン発生器を用いることが可能である。
【００５９】
上記実施の形態では、被処理体が半導体ウエハＷの場合を例に本発明を説明したが、例えば、ＦＰＤ基板、ガラス基板、ＰＤＰ基板などの処理にも適用可能である。
【００６０】
本発明の実施の形態にかかる制御部１００は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部１００を構成することができる。
【００６１】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、被処理体の処理装置に有用である。
【符号の説明】
【００６３】
１  処理装置
２１  ロードポート
２２  キャリア搬送機
２３  トランスファーステージ
２４  保管部
３０  シャッター
４１  移載機構
４２ａ、４２ｂ  ウエハボート
４５ａ、４５ｂ  ボート載置台
４６  熱処理炉
５１  ボート移載機構
５２  フィルタ
５３  気体吸入口
５４  イオン供給装置
５５  イオン発生器
５６  キャリアガス供給流路
５７  イオン流路
５８  イオン供給ノズル
５９  スリット
６０  内部流路
６１  内部フィン
１００  制御部
１０１  レシピ記憶部
１０２  ＲＯＭ
１０３  ＲＡＭ
１０４  Ｉ／Ｏポート
１０５  ＣＰＵ
１０６  バス
１２１  操作パネル
１２２  センサ
Ｃ  キャリア
Ｓ１  作業エリア
Ｓ２  ローディングエリア
Ｗ  半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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