(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス変動の影響を決定するための方法であって、
パターンの複数のインスタンスを含む単一のレイアウトを受信することであって、該パターンは、印刷時に電気的に試験可能であるように設計される、ことと、
異なる露光および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信することと、
該レイアウト上で光学近接効果補正を実施して、修正されたレイアウトを取得することであって、該レイアウトの該パターンの各インスタンスは、該一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される、ことと、
該修正されたレイアウトに、公称露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスの単一の適用を受けさせることにより、単一のウエハ上に該修正されたレイアウトを印刷することと、
該ウエハ上の特徴に電気試験を実施することであって、該特徴は、該パターンの該インスタンスに関連する、ことと、
該電気試験の結果を記憶することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記特徴の限界寸法を測定することと、
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた前記異なる露光および焦点条件に、該特徴の該測定された限界寸法を関連付けることにより、前記フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターンのインスタンスが、前記公称露光よりも小さい露光を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、該公称露光よりも大きい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称露光よりも大きい露光を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称露光よりも小さい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、前記公称焦点に対して正にバイアスされた焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して正にバイアスされた焦点に関連付けられる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露光および焦点条件で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成される、プロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記較正されていないプロセスモデルを較正することは、
該較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することと、
該試験レイアウトに、特定の露光および焦点条件下で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に該試験レイアウトを印刷することと、
該試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することと、
該較正されていないプロセスモデルを該プロセスデータに適合させることと
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電気試験を実施することは、
電気的開放／短絡試験を実施すること、または
電気パラメータ試験を実施すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電気試験の結果は、収率損失を推定するために使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータによって実行される時に、該コンピュータにプロセス変動の影響を決定するための方法を実施させる命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、該方法は、
パターンの複数のインスタンスを含む単一のレイアウトを受信することであって、該パターンは、印刷時に電気的に試験可能であるように設計される、ことと、
異なる露光および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信することと、
該レイアウト上で光学近接効果補正を実施して、修正されたレイアウトを取得することであって、該レイアウトの該パターンの各インスタンスは、該一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される、ことと、
該修正されたレイアウトに、公称露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスの単一の適用を受けさせることにより、単一のウエハ上に該修正されたレイアウトを印刷することと、
該ウエハ上の特徴に電気試験を実施することであって、該特徴は、該パターンの該インスタンスに関連する、ことと、
該電気試験の結果を記憶することと
を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
前記方法はさらに、
前記特徴の限界寸法を測定することと、
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた前記異なる露光および焦点条件に、該特徴の該測定された限界寸法を関連付けることにより、前記フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定することと
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記パターンのインスタンスが、前記公称露光よりも小さい露光を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、該公称露光よりも大きい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称露光よりも大きい露光を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称露光よりも小さい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、前記公称焦点に対して正にバイアスされた焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して正にバイアスされた焦点に関連付けられる、請求項９に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露光および焦点条件で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成される、プロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定される、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記較正されていないプロセスモデルを較正することは、
該較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することと、
該試験レイアウトに、特定の露光および焦点条件下で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に該試験レイアウトを印刷することと、
該試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することと、
該較正されていないプロセスモデルを該プロセスデータに適合させることと
を含む、請求項１１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記電気試験を実施することは、
電気的開放／短絡試験を実施すること、または
電気パラメータ試験を実施すること
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
前記電気試験の結果は、収率損失を推定するために使用される、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定するための装置であって、
プロセッサと、
該プロセッサによって実行される時、該装置に、
パターンの複数のインスタンスを含む単一のレイアウトを受信することであって、該パターンは、印刷時に電気的に試験可能であるように設計される、ことと、
異なる露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信することと、
該レイアウト上で光学近接効果補正を実施して、修正されたレイアウトを取得することであって、該レイアウトの該パターンの各インスタンスは、該一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される、ことと、
該修正されたレイアウトに、公称露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスの単一の適用を受けさせることにより、単一のウエハ上に該修正されたレイアウトを印刷することと、
該ウエハ上の特徴に電気試験を実施することであって、該特徴は、該パターンの該インスタンスに関連する、ことと、
該電気試験の結果を記憶することと、
を実行させる命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体と、
を備える、装置。
【請求項１６】
前記コンピュータ可読記憶媒体は、前記プロセッサによって実行される時、前記装置に、
前記特徴の限界寸法を測定することと、
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた前記異なる露光および焦点条件に、該特徴の該測定された限界寸法を関連付けることにより、前記フォトリソグラフィプロセスに対する前記露光・焦点マトリクスを決定することと、
を実行させる命令を記憶する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記パターンのインスタンスが、前記公称露光よりも小さい露光を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、該公称露光よりも大きい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称露光よりも大きい露光を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称露光よりも小さい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、前記公称焦点に対して正にバイアスされた焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して正にバイアスされた焦点に関連付けられる、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露光および焦点条件で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成される、プロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記較正されていないプロセスモデルを較正することは、
該較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することと、
該試験レイアウトに、特定の露光および焦点条件下で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に該試験レイアウトを印刷することと、
該試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することと、
該較正されていないプロセスモデルを該プロセスデータに適合させることと
を含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記電気試験の結果は、収率損失を推定するために使用される、請求項１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（本発明の分野）
本発明は、概して、電子設計の自動化に関する。より具体的には、本発明は、プロセス変動の影響を決定するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
（背景）
コンピュータ技術の急速な発展によって、時には何兆バイトもの大量のデータセット上で毎秒何兆もの演算操作を実施することが可能になった。これらの発展は、何千ものデバイスを単一のチップに統合することを可能にした、半導体製造技術の劇的な改善に起因し得る。
【０００３】
半導体製造技術におけるプロセス変動は、実際の集積回路の特性が所望される特性から異なる原因となり得る。この相異が大きすぎる場合、集積回路の収率を減少および／または性能を低下し得る製造問題を引き起こす恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、許容可能な変動量が決定され得るように、特徴の限界寸法におけるプロセス変動の影響を決定することが所望される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（概要）
本発明の一実施形態は、プロセス変動の影響を決定するシステムを提供する。システムは、パターンの複数のインスタンスを含むレイアウトを作成する。次に、システムは、異なるプロセス条件を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用することにより、パターンの異なるインスタンスを修正する。具体的には、フォトリソグラフィモデルは、異なる露光および焦点条件を使用して、較正され得る。
【０００６】
修正されたレイアウトは、その後、公称プロセス条件下でフォトリソグラフィプロセスを受ける。次に、システムは、ウエハ上の印刷された特徴を使用して、プロセス変動の影響を決定する。
【０００７】
一実施形態において、レイアウトパターンは、電気的に試験可能な構造のためであり、つまり、開放／短絡またはパラメータ試験が印刷されたパターン上で実施され得る。電気試験の結果は、露光および焦点ドリフトによるプロセスウィンドウを推定または収率損失を推定するために使用され得る。
【０００８】
別の実施形態において、ウエハ上の特徴の限界寸法は物理的に（例えば、走査式電子顕微鏡を使用して）または電気的に測定される。システムは、その後、限界寸法の測定値を使用して、露光・焦点マトリクスを生成することができる。
【０００９】
パターンインスタンスは、異なるプロセス条件を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正されたため、ウエハ上に印刷されたような異なるパターンインスタンスの限界寸法は、異なるプロセス条件の影響を模倣することに留意されたい。本手法において、本発明の実施形態は、ユーザが、レイアウトを複数回実際に印刷することなく、異なるプロセス条件下の特徴の限界寸法を測定することを可能にし、こうすることにおいて、プロセス変動の影響を決定するために必要な時間およびリソースの量を削減する。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
プロセス変動の影響を決定するための方法であって、
パターンの複数のインスタンスを含むレイアウトを受信することであって、該パターンは、印刷時に電気的に試験可能であるように設計される、ことと、
異なる露光および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信することと、
該レイアウト上で光学近接効果補正を実施して、修正されたレイアウトを取得することであって、該レイアウトの該パターンの各インスタンスは、該一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される、ことと、
該修正されたレイアウトに、公称露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、ウエハ上に該修正されたレイアウトを印刷することと、
該ウエハ上の特徴に電気試験を実施することであって、該特徴は、該パターンの該インスタンスに関連する、ことと、
該電気試験の結果を記憶することと
を含む、方法。
（項目２）
前記特徴の限界寸法を測定することと、
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた前記異なる露光および焦点条件に、該特徴の該測定された限界寸法を関連付けることにより、前記フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定することと
をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記パターンのインスタンスが、前記公称露光よりも小さい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、該公称露光よりも大きい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称露光よりも大きい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称露光よりも小さい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、前記公称焦点に対して正にバイアスされた焦点を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して負にバイアスされる焦点に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称焦点に対して負にバイアスされた焦点を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して正にバイアスされる焦点に関連付けられる、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露光および焦点条件で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成される、プロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記較正されていないプロセスモデルを較正することは、
該較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することと、
該試験レイアウトに、特定の露光および焦点条件下で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に該試験レイアウトを印刷することと、
該試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することと、
該較正されていないプロセスモデルを前記プロセスデータに適合させることと
を含む、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記電気試験を実施することは、
電気的開放／短絡試験を実施すること、または
電気パラメータ試験を実施すること
を含む、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記電気試験の結果は、収率損失を推定するために使用される、項目１に記載の方法。
（項目８）
コンピュータによって実行される時に、該コンピュータにプロセス変動の影響を決定するための方法を実施させる命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、該方法は、
パターンの複数のインスタンスを含むレイアウトを受信することであって、該パターンは、印刷時に電気的に試験可能であるように設計される、ことと、
異なる露光および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信することと、
該レイアウト上で光学近接効果補正を実施して、修正されたレイアウトを取得することであって、該レイアウトの該パターンの各インスタンスは、該一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される、ことと、
該修正されたレイアウトに、公称露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、ウエハ上に該修正されたレイアウトを印刷することと、
該ウエハ上の特徴に電気試験を実施することであって、該特徴は、該パターンの該インスタンスに関連する、ことと、
該電気試験の結果を記憶することと
を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
（項目９）
前記方法はさらに、
前記特徴の限界寸法を測定することと、
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた前記異なる露光および焦点条件に、該特徴の該測定された限界寸法を関連付けることにより、前記フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定することと
を含む、項目８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（項目１０）
前記パターンのインスタンスが、前記公称露光よりも小さい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、該公称露光よりも大きい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称露光よりも大きい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称露光よりも小さい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、前記公称焦点に対して正にバイアスされる焦点を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して負にバイアスされる焦点に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称焦点に対して負にバイアスされる焦点を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して正にバイアスされる焦点に関連付けられる、項目９に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（項目１１）
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露光および焦点条件で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成される、プロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定される、項目８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（項目１２）
前記較正されていないプロセスモデルを較正することは、
該較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することと、
該試験レイアウトに、特定の露光および焦点条件下で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に該試験レイアウトを印刷することと、
該試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することと、
該較正されていないプロセスモデルを前記プロセスデータに適合させることと
を含む、項目１１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（項目１３）
前記電気試験を実施することは、
電気的開放／短絡試験を実施すること、または
電気パラメータ試験を実施すること
を含む、項目８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（項目１４）
前記電気試験の結果は、収率損失を推定するために使用される、項目８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（項目１５）
フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定するための装置であって、
プロセッサと、
該プロセッサによって実行される時、該装置に、
パターンの複数のインスタンスを含むレイアウトを受信させ、該パターンは、印刷時に電気的に試験可能であるように設計され、
異なる露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信させ、
該レイアウト上で光学近接効果補正を実施させて、修正されたレイアウトを取得させ、該レイアウトの該パターンの各インスタンスは、該一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正され、
該修正されたレイアウトに、公称露光および焦点条件で該フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、ウエハ上に該修正されたレイアウトを印刷させ、
該ウエハ上の特徴に電気試験を実施させ、該特徴は、該パターンの該インスタンスに関連し、
該電気試験の結果を記憶させる、
命令を記憶するコンピュータ可読媒体と、
を備える、装置。
（項目１６）
前記コンピュータ可読記憶媒体は、前記プロセッサによって実行される時、前記装置に、
前記特徴の限界寸法を測定させ、
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた前記異なる露光および焦点条件に、該特徴の該測定された限界寸法を関連付けることにより、前記フォトリソグラフィプロセスに対する前記露光・焦点マトリクスを決定させる、
命令を記憶する、項目１に記載の装置。
（項目１７）
前記パターンのインスタンスが、前記公称露光よりも小さい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、該公称露光よりも大きい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称露光よりも大きい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称露光よりも小さい露光に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、前記公称焦点に対して正にバイアスされる焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して負にバイアスされる焦点に関連付けられ、
該パターンのインスタンスが、該公称焦点に対して負にバイアスされる焦点を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、該対応する限界寸法データは、該公称焦点に対して正にバイアスされる焦点に関連付けられる、項目１６に記載の装置。
（項目１８）
前記一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露光および焦点条件で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成される、プロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定される、項目１５に記載の装置。
（項目１９）
前記較正されていないプロセスモデルを較正することは、
該較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することと、
該試験レイアウトに、特定の露光および焦点条件下で前記フォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に該試験レイアウトを印刷することと、
該試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することと、
該較正されていないプロセスモデルを前記プロセスデータに適合させることと
を含む、項目１８に記載の装置。
（項目２０）
前記電気試験の結果は、収率損失を推定するために使用される、項目１５に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施形態に従う、集積回路の設計および製造の多様な段階を示す。
【図２】図２は、本発明の実施形態に従う、通常の光システムを示す。
【図３】図３は、本発明の実施形態に従う、露光・焦点マトリクスを示す。
【図４】図４は、本発明の実施形態に従う、異なるプロセスモデルを使用してパターンの複数のインスタンスを修正することにより、プロセス変動の影響を決定することができる方法を示す。
【図５】図５は、本発明の実施形態に従う、プロセス変動の影響を決定するためのプロセスを示すフローチャートである。
【図６】図６は、本発明の実施形態に従う、露光・焦点マトリクスを決定するために使用され得るコンピュータシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（詳細な説明）
以下の説明は、いずれの当業者も、本発明を行い、使用できるようにするために提示され、特定の用途およびその要件の文脈において提供される。開示される実施形態に対する種々の修正は、当業者に容易に明らかとなり、本明細書に規定される一般的原理は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、他の実施形態ならびに用途に適用され得る。したがって、本発明は、示される実施形態に限定されないが、本明細書に開示する原則および特徴に従う最大範囲に一致するものである。
【００１２】
（集積回路（ＩＣ）設計フロー）
図１は、本発明の実施形態に従う、集積回路の設計および製造の多様な段階を示す。
【００１３】
プロセスは通常、製品考案（ステップ１００）から開始し、ＥＤＡプロセス（ステップ１１０）を使用して実現される。設計が最終決定されると、通常、テープアウトされ（イベント１４０）、製造プロセス（ステップ１５０）、パッケージおよび組立プロセス（ステップ１６０）を経て、最終チップを製造する（結果１７０）。
【００１４】
ＥＤＡプロセス（ステップ１１０）は、ステップ１１２〜１３０から成り、これらは以下に記載されるが、説明のみを目的とし、本発明の限定を意味するものではない。例えば、実際の集積回路設計は、設計者が、以下に説明される順序とは異なる順序で設計ステップを実施することを要求する場合がある。
【００１５】
システム設計（ステップ１１２）：本ステップでは、設計者は、実装を望む機能性を記述する。また、もし〜なら（ｗｈａｔ−ｉｆ）の仮定プランニングも実施して、機能性を再調整したり、コストを確認したり等することもできる。ハードウェアとソフトウェアのアーキテクチャパーティショニングも本段階で発生し得る。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、Ｍｏｄｅｌ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔ、Ｓａｂｅｒ（登録商標）、Ｓｙｓｔｅｍ  Ｓｔｕｄｉｏ、およびＤｅｓｉｇｎ  Ｗａｒｅ（登録商標）製品が挙げられる。
【００１６】
論理設計および機能検証（ステップ１１４）：本段階で、システム内のモジュールに対するＶＨＤＬまたはＶｅｒｉｌｏｇコードが作成され、設計は機能の正確性が確認される。より具体的には、設計は、正しい出力を生成することが確実であるように確認される。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、ＶＣＳ（登録商標）、Ｖｅｒａ（登録商標）、ＤｅｓｉｇｎＷａｒｅ（登録商標）、Ｍａｇｅｌｌａｎ（登録商標）、Ｆｏｒｍａｌｉｔｙ（登録商標）、ＥＳＰ、およびＬｅｄａ（登録商標）製品が挙げられる。
【００１７】
テストの合成および設計（ステップ１１６）：本段階で、ＶＨＤＬ／Ｖｅｒｉｌｏｇは、ネットリストに変換され得る。ネットリストは、標的技術のために最適化され得、テストは、最終チップを確認するために設計して実装され得る。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｙｓ、Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェアとしては、Ｄｅｓｉｇｎ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ（登録商標）、Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ（登録商標）、Ｔｅｓｔ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ、Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ（登録商標）、ＦＰＧＡ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ、ＴｅｔｒａＭＡＸ（登録商標）、およびＤｅｓｉｇｎＷａｒｅ（登録商標）製品が挙げられる。
【００１８】
ネットリスト検証（ステップ１１８）：本ステップで、ネットリストは、タイミング制約事項の順守、およびＶＨＤＬ／Ｖｅｒｉｌｏｇソースコードとの対応が確認される。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、Ｆｏｒｍａｌｉｔｙ（登録商標）、ＰｒｉｍｅＴｉｍｅ（登録商標）、およびＶＣＳ（登録商標）製品が挙げられる。
【００１９】
設計プランニング（ステップ１２０）：ここで、チップの全体的なフロアプランが作成され、タイミングおよびトップレベルの配線が分析される。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、Ａｓｔｒｏ（登録商標）、およびＩＣ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ製品が挙げられる。
【００２０】
物理的実装（ステップ１２２）：本ステップで、配置（回路要素の位置）および配線（回路要素の接続）が発生する。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、Ａｓｔｒｏ（登録商標）、およびＩＣ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ製品が挙げられる。
【００２１】
分析および抽出（ステップ１２４）：本段階で、回路の機能がトランジスタレベルで検証される。ここで、もし〜ならの仮定の再調整が可能になる。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、ＡｓｔｒｏＲａｉｌ（登録商標）、ＰｒｉｍｅＲａｉｌ、ＰｒｉｍｅＴｉｍｅ（登録商標）、およびＳｔａｒ−ＲＣＸＴ（登録商標）製品が挙げられる。
【００２２】
物理的検証（ステップ１２６）：本ステップにおいて、設計は、製造、電気関連、リトグラフ関連、回路の正確性が確実であるように確認される。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、Ｈｅｒｃｕｌｅｓ（登録商標）製品が挙げられる。
【００２３】
解決強化（ステップ１２８）：本ステップには、設計の製造可能性を改善するように、レイアウトの幾何学的操作が関与する。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、Ｐｒｏｔｅｕｓ／Ｐｒｏｇｅｎ、ＰｒｏｔｅｕｓＡＦ、およびＰＳＭＧｅｎ製品が挙げられる。
【００２４】
マスクデータ準備（ステップ１３０）：本ステップは、最終チップを製造するマスクの製造のための「テープアウト」データを提供する。本ステップで使用され得る、Ｓｙｎｏｐｓｉｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品としては、ＣＡＴＳ（登録商標）ファミリー製品が挙げられる。
【００２５】
（プロセスウィンドウ）
プロセス変動は、多種多様な理由により発生する可能性がある。例えば、フォトリソグラフィにおいて、スピンドルの回転速度における変動は、レジスト厚を変動させる可能性があり、これは反射率を変動させる可能性があり、これによって、パターンのイメージに不要な変化を発生させる可能性がある。同様に、スキャナの露光線量は、公称設定からドリフトする可能性があり、これは、限界寸法（ＣＤ）における変動を発生させる可能性がある。
【００２６】
プロセス変動は、実際の集積回路の特性が所望される特性から異なる原因となり得る。この相異が大きすぎる場合、集積回路の収率を減少および／または性能を低下し得る製造問題を引き起こす恐れがある。
【００２７】
具体的には、ウエハ上の特徴の限界寸法は、集積回路の適正な機能を保証するように、指定の許容内でなければならない。半導体製造プロセスのプロセスウィンドウとは、ウエハ上の特徴の限界寸法が許容可能な値の範囲を外れる原因とならずに容認され得る、プロセス変動の量である。
【００２８】
（プロセスモデル）
プロセスモデルは、複雑な物理的および化学的相互作用が通常関与する、１つ以上の半導体製造プロセスの動作をモデル化する。プロセスモデルは、カーネル係数を経験データに適合または較正することにより決定され得る。経験データは通常、モデル化されている半導体製造プロセスを１つ以上の試験レイアウトに適用することにより生成される。例えば、ウエハ上に試験レイアウトを印刷するために、フォトリソグラフィプロセスが使用され得る。次に、特徴の限界寸法（ＣＤ）を測定することにより、経験データが取得され得る。較正されていないプロセスモデルが、その後、経験データに適合されて、フォトリソグラフィプロセスをモデル化する較正されたプロセスモデルを取得することができる。
【００２９】
プロセスモデルは、一旦、決定されると、半導体チップの設計および製造の間、いくつかの用途において使用され得る。例えば、プロセスモデルは通常、光学近接効果補正（ＯＰＣ）および超解像度技術（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ＲＥＴ）をサポートするように使用される。これらのモデルは、テープアウトフローの間の妥当なタイムフレームにおけるフルチップデータベース操作を可能にし得る。
【００３０】
較正されていないプロセスモデルは通常、パラメータおよび／または係数に関連するコンポーネントを含む。較正の間、パラメータおよび／または係数は、最終のプロセスモデルを取得するために、経験データに統計的に適合され得る。プロセスモデルにおけるコンポーネントは通常、特定の物理的効果をモデル化するように設計される数式である。例えば、プロセスモデルは
【００３１】
【数１】
0005388314.tif 000002
のように表される場合があり、式中、ｋｉはコンポーネントまたはカーネル、およびｃｉはｋｉに関連する係数である。経験データは、レイアウトの異なる場所での、例えば、ＣＤなどの所望の特性の値を含む場合がある。プロセスモデルは、一旦、経験データに適合されると、その後、他のレイアウトに対する所望の特性の値を推定するために使用され得る。
【００３２】
推定されたデータが経験データに正確に一致するように、係数値を較正することが不可能な場合がある。正確な適合が有効であった場合も、得られるプロセスモデルが適切に内挿および／または外挿しない場合があるために、所望されない場合がある。通常、統計的適合技術は、経験データと推定データとの間の誤差が最小限であるようにパラメータおよび／または係数を決定するために使用される。一実施形態において、システムは、パラメータおよび／または係数の値を決定するために最小二乗適合技術を使用することができる。
【００３３】
プロセスモデルは、十分に内挿および外挿する場合、つまり、適合プロセス中に使用されたレイアウトとは異なるレイアウトに適用されるときにプロセスモデルが正確な結果を生成する場合、ロバストであると見なされる。概して、プロセスモデルが使用するモデル化関数またはカーネルが少なければ少ないほど、ロバスト性が高い。しかしながら、より少ないカーネルを使用すると、プロセスモデルの正確性が減少する場合がある。したがって、プロセスモデルのロバスト性と正確性との間には通常トレードオフが存在する。
【００３４】
（フォトリソグラフィプロセスモデル）
フォトリソグラフィプロセスモデルにおける光学的モデルは通常、部分コヒーレント光学系の動作をモデル化する、ホプキンスモデルに基づく。
【００３５】
図２は、本発明の実施形態に従う、通常の光システムを示す。
【００３６】
光源２０２からの照射は、コンデンサ２０４により平行にされ得る。平行にされた光は次に、マスク２０６、開口部２０８、レンズ本体２１０を通過し、ウエハ２１２上に画像を形成することができる。
【００３７】
ホプキンスモデルは、次の式を用いて説明され得る。
【００３８】
【数２】
0005388314.tif 000003
式中、Ｉ（ｘ、ｙ）はウエハ上の点（ｘ、ｙ）の光学密度であり、Ｌ（ｘ、ｙ、ｘ’、ｙ’）は光源およびマスクの集中モデルであり、Ｌ＊はＬの複素共役であり、Ｊ（ｘ’、ｙ’、ｘ”、ｙ”）は、マスク上の光の２点間の非干渉性をモデル化する。集中モデル（Ｌ）は、基本的に、マスクを光源の配列として処理する。具体的には、Ｌ（ｘ、ｙ、ｘ’、ｙ’）は、マスク上の点（ｘ’、ｙ’）を点光源としてモデル化し、Ｊ（ｘ’、ｙ’、ｘ”、ｙ”）は、マスク上の点（ｘ’、ｙ’）および（ｘ”、ｙ”）から放射している光の間の非干渉性をモデル化する。集中モデル（Ｌ）は、マスクと光源との間の畳み込みとして表現され得る。例えば、集中モデルは、マスクモデルおよび光源モデルを使用して、次のように表現され得る。
【００３９】
【数３】
0005388314.tif 000004
式中、Ｍ（ｘ’、ｙ’）はマスクをモデル化し、Ｋ（ｘ、ｙ、ｘ’、ｙ’）は光源をモデル化する。
【００４０】
ホプキンスモデルは、光システムをモデル化する、相互透過係数（ＴＣＣ）と呼ばれる４−Ｄ（四次元）マトリクスを決定するために使用され得る。ＴＣＣマトリクスは、次に、一式の直交２Ｄ（二次元）カーネルを使用して表現され得る。一式の直交カーネルは、ＴＣＣマトリクスの固有関数を使用して決定され得る。ウエハ上の特徴は、一式の２Ｄカーネルをマスクで畳み込むことにより決定され得る。フォトリソグラフィおよびプロセスモデル化に関する一般的な情報は、Ａｌｆｒｅｄ  Ｋｗｏｋ−Ｋｉｔ  Ｗｏｎｇ、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ  ｉｎ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、ＳＰＩＥ−Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅ、２００５およびＧｒａｎｔ  Ｒ．Ｆｏｗｌｅｓ、Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｔｏ  Ｍｏｄｅｒｎ  Ｏｐｔｉｃｓ、２ｎｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｄｏｖｅｒ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ、１９８９の中に見出される。
【００４１】
一実施形態において、システムは、光システムを表現するためにゼルニケ多項式と呼ばれる一式の直交関数を使用する。ゼルニケ多項式は、光システムでしばしば観察される収差の型と同じ形式である項から構成される。例えば、あるゼルニケ多項式は、焦点ぼけに関連することができ、一方で別の式は傾きに関連することができる、などとなる。光システムは、式
【００４２】
【数４】
0005388314.tif 000005
を使用して表現され得て、式中ｚｉは、ゼルニケ多項式で、ｃｉは、ｚｉに関連する光学係数である。
【００４３】
フォトリソグラフィプロセスモデルの前述の説明は、図説および説明の目的のためだけに提示された。これらは、本発明を網羅すること、または本発明を開示される形式に限定することを意図しない。したがって、当業者には、多数の修正および変形が明らかであろう。
【００４４】
具体的には、フォトリソグラフィプロセスモデルの複雑性は、プロセスモデルが使用される用途に依存する可能性がある。例えば、複雑な形状を含むレイアウト上で、万全のＯＰＣを実施したいと考える場合には、フォトリソグラフィプロセスを正確にモデル化する、高度なプロセスモデルを必要する場合がある。一方で、ただ単に１Ｄ（一次元）特徴上の露光および焦点変動の影響をモデル化したいと考える場合には、プロセスモデルは、露光および焦点の値に基づいて限界寸法を返す、一次または二次関数のように単純であり得る。
【００４５】
（露光・焦点マトリクス）
従来の技法において、フォトリソグラフィプロセスのプロセスウィンドウは、露光・焦点マトリクスを使用して決定される。本技法において、レイアウトは、異なるプロセス条件下でフォトリソグラフィプロセスを使用して印刷される。限界寸法が測定され、異なるプロセス条件と関連付けられて、露光・焦点マトリクスを取得する。
【００４６】
図３は、本発明の実施形態に従う、露光・焦点マトリクスを示す。
【００４７】
露光・焦点マトリクス３００の各要素は、特定の露光および焦点を使用して印刷される特徴の限界寸法を表す。例えば、各行は、特定の露光に対応することができ、各列は、特定の焦点に対応することができる。
【００４８】
マトリクスの要素のうちの１つは通常、公称プロセス条件に対する特徴の限界寸法に対応する。例えば、中心の要素、つまり、要素３０２は、公称露光および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスによって印刷された特徴の限界寸法であり得る。
【００４９】
マトリクスの他の要素は、公称プロセス条件とは異なるプロセス条件下の特徴の限界寸法に対応することができる。例えば、要素３０４は、公称露光よりも大きい露光、および公称焦点に対して正にバイアスされる（つまり、正の焦点ぼけ）である焦点に対応する特徴の限界寸法であり得る。
【００５０】
露光・焦点マトリクス３００は、プロセスウィンドウを決定するために使用され得る。マトリクスの中心から遠ざかると、限界寸法値は、中心要素での限界寸法値からますます異なるようになると推定されることに留意されたい。具体的には、中心要素の周囲の領域は、許容内の限界寸法値を含むことになる。本領域の境界が、フォトリソグラフィプロセスのプロセスウィンドウを表す。
【００５１】
例えば、要素３０６、３０８、３１０、および３１２が、許容内の限界寸法値を含む、マトリクスの領域３１４の境界を表すとする。本領域の外側にある要素が有する限界寸法値は、限界寸法の許容範囲内ではない。例えば、要素３１４の限界寸法値と要素３０２の（公称プロセス条件に対応する）限界寸法値との差は、許容可能な限界寸法値の最大変動よりも大きい。要素３０６、３０８、３１０および３１２に対応する露光および焦点の値は、フォトリソグラフィプロセスのプロセスウィンドウを表す。
【００５２】
従来の技法において、レイアウトは、異なるプロセス条件下で複数回印刷されなければならなかった。例えば、露光・焦点マトリクス３００を取得するには、レイアウトは、露光・焦点マトリクス３００の要素の個数分、つまり４９回印刷されなければならなかった。レイアウトを１回印刷することはもちろん、レイアウトを複数回印刷する作業には、多くの時間と労力を要する。このため、露光・焦点マトリクスを決定するための従来の技法は、通常は時間とリソースを大量に要する。したがって、プロセス変動の影響を決定するために必要な時間およびリソースの量を削減することが所望される。
【００５３】
（プロセス変動の影響を決定）
本発明の一実施形態は、大量の時間とリソースを浪費することなく、プロセス変動の影響を決定するためのシステムおよび技法を提供する。具体的には、異なるプロセス条件下でレイアウトを複数回印刷することが必要な従来の技法とは対照的に、本発明の実施形態は、レイアウトを１回だけ印刷することにより（例えば、露光・焦点マトリクスを決定することにより）、ユーザがプロセス変動の影響を決定することを可能にする。
【００５４】
本発明の実施形態は、以下の考察に基づく。レイアウトにパターンの複数のインスタンスがある場合、かつ、パターンを変更して露光および焦点の変動の影響を模倣する場合、レイアウトを１回だけ印刷することによりプロセス変動の影響を決定することができる。具体的には、パターンの異なるインスタンスは、公称プロセス条件とは異なるプロセス条件で較正されるプロセスモデルを使用して、修正され得る。
【００５５】
本考察は、異なるプロセスモデルを使用して、同じレイアウト上の異なるパターンを修正するため、反直感的であることに留意されたい。従来の技法は、レイアウトが公称プロセス条件で印刷される場合のウエハ上の特徴の形状を正確に推定することを目的とするため、従来の技法は、同じプロセスモデル（公称プロセス条件で較正される）を使用して、レイアウトのパターンすべてを修正する。従来の技法が、公称プロセス条件とは異なるプロセス条件で較正されるプロセスモデルを使用してパターンを修正した場合、パターンは所望どおりに印刷されなくなり、従来の技法は不正確な結果を生むことになる。したがって、従来の技法は、レイアウトのパターンすべてを修正するために同じプロセスモデルを使用することが必要である。対照的に、本発明の実施形態は、異なるプロセスモデルを使用して、レイアウトの異なるパターンを修正する。
【００５６】
図４は、本発明の実施形態に従う、異なるプロセスモデルを使用して、パターンの複数のインスタンスを修正することにより、プロセス変動の影響を決定可能な方法を示す。
【００５７】
レイアウト４０２は、パターンインスタンス４０４および４０６等のパターンの複数のインスタンスを含む。レイアウトは通常、パターンのインスタンスをもっと多く含むことに留意されたい。例えば、７×７の露光・焦点マトリクスを決定するには、レイアウトは、少なくとも４９のパターンのインスタンスを含むことになる。しかしながら、明確化のために、図４にはパターンのインスタンスを２つだけ示すこととした。
【００５８】
パターンインスタンス４０４は、公称露光よりも大きい露光、および公称焦点に対して正にバイアスされる焦点を使用して較正されるプロセスモデルを使用して修正され得る。一方で、パターンインスタンス４０６は、公称露光よりも小さい露光、および公称焦点に対して負にバイアスされる焦点を使用して較正されるプロセスモデルを使用して修正され得る。
【００５９】
修正されたパターンインスタンスは、修正されたレイアウト４０８に示される。修正されたレイアウトが印刷されてウエハ４１０を取得した後、プロセス変動の影響を決定するために、印刷された構造上で電気試験が実施され得る。
【００６０】
あるいは、ウエハ４１０上の特徴の限界寸法は、走査式電子顕微鏡を使用して測定され得る。これらの限界寸法測定は、次に、露光・焦点マトリクスを決定するために使用され得る。例えば、ウエハ４１０上の特徴の限界寸法は、露光・焦点マトリクス４１２を作成するために使用され得る。露光・焦点マトリクス４１２の要素４１４は、パターンインスタンス４０４のＣＤ測定値を含み、露光・焦点マトリクス４１２の要素４１６は、パターンインスタンス４０６のＣＤ測定値を含み、要素４１８は、公称露光および焦点条件のまた別のパターンインスタンス（図４には図示せず）のＣＤ測定値に関する。
【００６１】
マトリクスの要素に関連する露光および焦点条件は、プロセスモデルが較正された露光および焦点条件の「反対」であることに留意されたい。例えば、パターンインスタンス４０４は、公称露光よりも大きい露光、および公称焦点に対して正にバイアスされる焦点に較正されるプロセスモデルを使用して修正される。したがって、露光・焦点マトリクス４１２の要素４１４（パターンインスタンス４０４のＣＤ測定値を含む）は、公称露光よりも小さい露光および公称焦点に対して負にバイアスされる焦点に関連する。これは、プロセスモデルが較正されたプロセスポイントと比較して、公称プロセス条件は、より低い露光を有し、かつ、負にバイアスされる焦点を有するからである。同様に、露光・焦点マトリクス４１２の要素４１６（パターンインスタンス４０６のＣＤ測定を含む）は、公称露光よりも大きい露光および公称焦点に対して正にバイアスされる焦点に関連する。
【００６２】
（プロセス変動の影響を決定するためのプロセス）
図５は、本発明の実施形態に従う、プロセス変動の影響を決定するためのプロセスを示すフローチャートである。
【００６３】
プロセスは、パターンの複数のインスタンスを含むレイアウトを受信することによって開始することができる（ステップ５０２）。一実施形態において、パターンインスタンスは、電気的に試験可能な構造である。例えば、公称プロセス条件で、パターンインスタンスは、電気的に連結されるウエハ上に特徴を印刷することが予測される場合がある。しかしながら、プロセス条件が公称プロセス条件とは異なる場合、特徴の限界寸法を変化させる場合があり、これによって、特徴は電気的に連結されなくなる場合がある。本手法において、特徴上で電気的開放／短絡試験またはパラメータ試験を実施することにより、プロセス変動の影響を決定することができる。
【００６４】
次に、システムは、異なる露出および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスをモデル化する、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルを受信することができる（ステップ５０４）。
【００６５】
一式のフォトリソグラフィプロセスモデルは、試験レイアウトに、異なる露出および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより生成されるプロセスデータを使用して、較正されていないプロセスモデルを較正することにより決定され得る。具体的には、システムは、較正されていないフォトリソグラフィプロセスモデルを較正するための試験レイアウトを受信することができる、次に、システムは、試験レイアウトに、特定の露出および焦点条件下でフォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、試験ウエハ上に試験レイアウトを印刷することができる。次に、システムは、試験ウエハ上の試験特徴の限界寸法を測定することにより、プロセスデータを生成することができる。次に、システムは、較正されていないプロセスモデルをプロセスデータに適合する。
【００６６】
システムは、次に、修正されたレイアウトを取得するようにレイアウト上で光学的近接修正を実施し、レイアウトのパターンの各インスタンスは、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルの中の異なるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される（ステップ５０６）。
【００６７】
次に、システムは、レイアウトに、公称露光および焦点条件でフォトリソグラフィプロセスを受けさせることにより、ウエハ上に修正されたレイアウトを印刷することができる（ステップ５０８）。
【００６８】
次に、システムは、ウエハ上に印刷された機能を使用して、プロセス変動の影響を決定する。具体的には、システムは、特徴上で電気的開放／短絡またはパラメータ試験を実施することができる（ステップ５１０）。
【００６９】
次に、システムは、電気試験の結果を記憶することができる（ステップ５１２）。試験結果は、その後、プロセス変動の影響を決定するために使用され得る。
【００７０】
あるいは、システムは、パターンのインスタンスに関連する、ウエハ上の特徴の限界寸法を測定することができる。次に、システムは、一式のフォトリソグラフィプロセスモデルに関連付けられた異なる露出および焦点条件に、特徴の測定された限界寸法を関連付けることにより、フォトリソグラフィプロセスに対する露光・焦点マトリクスを決定することができる。
【００７１】
具体的には、パターンのインスタンスが、公称露出よりも小さい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、公称露出よりも大きい露出に関連付けられる。一方で、パターンのインスタンスが、公称露光よりも大きい露光を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、公称露光よりも小さい露光に関連付けられる。
【００７２】
同様に、パターンのインスタンスが公称焦点に対して正にバイアスされる焦点を使用して較正されるフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、公称焦点に対して負にバイアスされる焦点に関連付けられる。一方で、パターンのインスタンスが公称焦点に対して負にバイアスされる焦点を使用して較正されたフォトリソグラフィプロセスモデルを使用して修正される場合、対応する限界寸法データは、公称焦点に対して正にバイアスされる焦点に関連付けられる。露光・焦点マトリクスが決定された後、次に、システムは露光・焦点マトリクスを記憶することができる。
【００７３】
図６は、本発明の実施形態に従う、露光・焦点マトリクスを決定するために使用され得るコンピュータシステムを示す。
【００７４】
コンピュータシステム６０２は、プロセッサ６０４（１つ以上のコアを含むことができる）、メモリ６０６、および記憶装置６０８を備える。コンピュータシステム６０２は、ディスプレイ６１４、キーボード６１０、およびポインティングデバイス６１２に連結され得る。記憶装置６０８は、レイアウト６１６、プロセスモデル６１８、試験データ６２０を記憶することができる。一実施形態において、コンピュータシステム６０２は、マルチプロセッサシステムを含むことができる。
【００７５】
操作中、コンピュータシステム６０２は、レイアウト６１６およびプロセスモデル６１８をメモリ６０６にロードすることができる。次に、ユーザは、プロセスモデル６１８を使用して、修正されたレイアウトを生成することができる。次に、レイアウトは、公称プロセス条件でフォトリソグラフィプロセスを使用して印刷され得て、印刷されると、電気試験が実施され得るか、または、得られた特徴の限界寸法が測定され得る。次に、ユーザは試験データ６２０を記憶装置６０８に記憶させ、試験データを使用して、収率の損失を決定するか、または露光・焦点マトリクスを決定することができる。
【００７６】
（結論）
本詳細な説明に記載するデータ構造およびコードは、通常、コンピュータシステムによって使用するためのコードおよび／またはデータを格納できる任意の素子または媒体であり得る、コンピュータ可読記憶媒体に格納される。コンピュータ可読記憶媒体は、揮発性メモリ、非揮発性メモリ、ディスクドライブ、磁気テープ、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスクまたはデジタルビデオディスク）、または現在知られているか、または今後開発されるコンピュータ可読媒体を格納できる他の媒体を含むが、これらに限定されない。
【００７７】
詳細な説明の節に記載する方法およびプロセスは、コードおよび／またはデータとして具体化され得、上述のとおりコンピュータ可読記憶媒体に格納され得る。コンピュータシステムが、コンピュータ可読記憶媒体上に格納されるコードおよび／またはデータを読み出して実行するとき、コンピュータシステムは、データ構造として具体化され、コンピュータ可読記憶媒体内に格納される方法およびプロセスを実行する。
【００７８】
さらに、以下に説明される方法およびプロセスは、ハードウェアモジュールに含まれてもよい。例えば、該ハードウェアモジュールは、アプリケーション特有の集積回路（ＡＳＩＣ）チップ、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、および現在知られているか、または今後開発される他のプログラマブル論理素子を含み得るが、これらに限定されない。ハードウェアモジュールが起動されると、ハードウェアモジュールは、ハードウェアモジュール内に含まれる方法およびプロセスを実行する。
【００７９】
本発明の実施形態の前述の説明は、図示および説明目的のためだけに提示されてきた。これらは、本発明を網羅する、または本発明を開示される形態に限定することは意図されない。したがって、実践する当業者に、多くの修正および変形が明らかとなるであろう。さらに、上記の開示は、本発明を限定することは意図されない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
【図１】
0005388314.tif 000006
【図２】
0005388314.tif 000007
【図３】
0005388314.tif 000008
【図４】
0005388314.tif 000009
【図５】
0005388314.tif 000010
【図６】
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