(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板と、該光検出基板にリセット光を照射するリセット光源と、前記リセット光の透過又は非透過を切換可能な切換フィルタとを有し、
前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータの順に配置され、
前記切換フィルタは、前記リセット光を透過させる場合には、前記光検出基板に該リセット光を照射させ、一方で、前記リセット光を透過させない場合には、少なくとも前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記シンチレータは、被写体を透過した前記放射線を前記可視光に変換し、
前記光検出基板は、前記可視光を前記被写体の放射線画像を示す前記電気信号に変換し、
前記切換フィルタは、前記被写体に対する前記放射線画像の撮影に関わる撮影オーダに基づいて、前記リセット光を透過させる透明状態、又は、前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させると共に前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させる鏡状態に切換可能であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置において、
少なくとも１枚の静止画撮影を含む撮影オーダである場合、又は、フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記鏡状態を維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
請求項２記載の装置において、
動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項５】
請求項２記載の装置において、
動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、一方で、前記動画撮影では、前記鏡状態を維持するか、あるいは、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで、前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記鏡状態を引き続き維持し、
一方で、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで、前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、前記鏡状態を引き続き維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項６】
請求項２記載の装置において、
フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの第１の動画撮影と、前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの第２の動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記第１の動画撮影では前記鏡状態を維持すると共に、前記第２の動画撮影では、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
前記第１の動画撮影から前記第２の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、前記第２の動画撮影から前記第１の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置において、
前記撮影オーダが少なくとも１枚の静止画撮影をさらに含む場合に、前記切換フィルタは、前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで該動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか１項に記載の装置において、
前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する複数の光検出素子を備え、
前記切換フィルタの一部には、前記リセット光を常時透過可能な窓部が形成され、
前記リセット光源が前記窓部を介して該窓部に対向する光検出素子に前記リセット光を照射した場合に、前記リセット光が照射された光検出素子は、該リセット光に起因した暗電流信号を検出し、
前記切換フィルタは、前記暗電流信号に応じた前記光検出素子の温度及び前記撮影オーダに基づいて、前記鏡状態又は前記透明状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置において、
前記切換フィルタは、前記リセット光の透過又は非透過を電気的に切換可能な調光ミラーフイルム層を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１０】
請求項９記載の装置において、
前記切換フィルタは、前記リセット光を透過可能な透明基材上に前記調光ミラーフイルム層を積層することにより構成され、
前記調光ミラーフイルム層側に前記光検出基板が配置されると共に、前記透明基材側に前記リセット光源が配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置において、
前記リセット光源は、前記切換フィルタを介して前記光検出基板と対向するように配置された発光素子のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の装置において、
前記バックライトは、前記切換フィルタにおける前記光検出基板の反対側に配置された導光板と、該導光板の側部に配置された光源と、前記導光板及び前記光源を囲繞するように配置された反射シートと、前記導光板における前記切換フィルタ側の表面に配置された拡散シートとから構成され、
前記光源は、前記導光板に光を入射し、
前記導光板に入射した前記光は、該導光板内で前記反射シート及び前記拡散シートとの間で表面反射を繰り返した後に、前記拡散シートから前記切換フィルタに前記リセット光として出射することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の装置において、
前記光源は、発光ダイオード又は冷陰極管であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の装置において、
前記エレクトロルミネッセンス光源は、有機エレクトロルミネッセンス光源であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の装置において、
前記シンチレータ及び前記光検出基板を接着層を介して接着するか、前記シンチレータ及び前記光検出基板を粘着層を介して粘着するか、前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜するか、あるいは、前記シンチレータに前記光検出基板を直接形成することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置において、
蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６記載の装置において、
前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する光検出素子と、該光検出素子から前記電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを備え、
基材に剥離層を介して前記光検出素子及び前記スイッチング素子を成膜した後に、前記接着層又は前記粘着層を介して前記シンチレータに前記光検出基板を転写し、転写した前記光検出基板から前記基材及び前記剥離層を剥離した後に、前記光検出基板の剥離面に前記切換フィルタを配置することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１８】
請求項１５記載の装置において、
前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する光検出素子と、該光検出素子から前記電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを備え、
前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜するか、あるいは、前記シンチレータに前記光検出基板を直接形成する場合に、前記光検出素子は、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成されると共に、前記スイッチング素子は、有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の装置において、
前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜する場合には、基材に前記光検出素子及び前記スイッチング素子を形成した後に、前記光検出素子及び前記スイッチング素子上に前記シンチレータを成膜し、
一方で、前記シンチレータに前記光検出基板を直接形成する場合には、蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分に前記光検出素子及び前記スイッチング素子を形成することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の装置において、
前記光検出基板と前記シンチレータとの間には、前記放射線の照射方向に対して斜め方向に進行する前記可視光をカットする斜入光カット層が介挿されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の装置において、
前記放射線の照射方向に沿って、前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータの順に配置されるか、又は、前記シンチレータ、前記光検出基板、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の装置において、
前記放射線の照射方向に沿って前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータが順に配置される場合に、前記切換フィルタは、少なくとも前記放射線の照射時には、前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させると共に前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させる鏡状態を維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有する放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野において、放射線源から被写体に放射線を照射し、該被写体を透過した前記放射線を放射線画像撮影装置で検出することにより、前記被写体の放射線画像を取得することが広汎に行われている。この場合、前記放射線画像撮影装置は、例えば、前記被写体を透過した前記放射線を可視光に変換するシンチレータと、該可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有し、該光検出基板は、前記可視光を検出可能なフォトダイオードを用いた光検出素子を備えている。
【０００３】
ところで、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなるフォトダイオードを用いて光検出基板を構成した場合、可視光から変換された電荷（電子）の一部がａ−Ｓｉの不純物準位（欠陥）に一旦捕捉され、その後、動画撮影のような長時間の撮影による前記フォトダイオードの温度上昇等に起因して前記電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像のノイズの原因となる場合がある。そこで、放射線の非照射時（非撮影時）に前記フォトダイオードにリセット光を照射して、前記不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線の照射時（撮影時）に可視光から変換された電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにすることで、前記ノイズの低減を図る光リセット法が特許文献１及び２に提案されている。
【０００４】
特許文献１では、シンチレータ、光検出基板及びリセット光源の順に配置され、前記リセット光源から出力されたリセット光は、前記光検出基板の光検出素子に照射される。また、特許文献２では、反射層、リセット光源、シンチレータ、光検出基板及び光吸収層の順に配置され、前記リセット光源から出力されたリセット光は、前記シンチレータを介して前記光検出基板の光検出素子に照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３０９５１７号公報
【特許文献２】特開２００７−２２５５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１において、シンチレータで放射線から変換された可視光は、光検出基板に直接入射されるが、該可視光の一部は、前記光検出基板を通過して、前記リセット光源を構成する黒色顔料に吸収される。これにより、前記リセット光源での前記可視光の反射に起因した放射線画像の画像ボケが防止される。
【０００７】
また、特許文献２において、シンチレータで放射線から変換された可視光は、光検出基板に直接入射されるか、あるいは、リセット光源を介して反射層で反射した後に該リセット光源及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に入射される。この場合、前記可視光の一部は、前記光検出基板を通過して光吸収層に至り、該光吸収層に吸収される。これにより、前記光検出基板側への前記可視光の反射や散乱に起因した放射線画像の画像ボケが防止される。
【０００８】
ところで、被写体に対する放射線画像の撮影（例えば、動画撮影）では、該被写体の被曝線量を低減するために、可視光に対する光検出基板の感度を少しでも向上させることが望まれている。
【０００９】
しかしながら、特許文献１の技術では、上述のように、光検出基板を通過してリセット光源に到達した可視光の一部が黒色顔料に吸収されるので、前記光検出基板で電気信号に変換される可視光の光量が減少する。すなわち、特許文献１の技術では、画像ボケの発生を防止するために前記可視光の一部を前記黒色顔料に吸収させているので、前記可視光に対する前記光検出基板の感度を向上させることができない。
【００１０】
また、特許文献２の技術においても、画像ボケの発生を防止するために、光検出基板を通過して光吸収層に到達した可視光の一部を吸収させているので、前記光検出基板において電気信号に変換される可視光の光量が減少し、前記可視光に対する前記光検出基板の感度を向上させることができない。
【００１１】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、放射線画像の画像ボケの発生を防止しつつ、可視光に対する光検出基板の感度を向上させることができる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明に係る放射線画像撮影装置は、
放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板と、該光検出基板にリセット光を照射するリセット光源と、前記リセット光の透過又は非透過を切換可能な切換フィルタとを有し、
前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータの順に配置され、
前記切換フィルタは、前記リセット光を透過させる場合には、前記光検出基板に該リセット光を照射させ、一方で、前記リセット光を透過させない場合には、少なくとも前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させることを特徴としている。
【００１３】
この構成によれば、前記リセット光に対して前記切換フィルタが透過状態に切り換わった場合、前記リセット光源は、前記光検出基板に前記リセット光を照射することができる。これにより、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能となる。
【００１４】
一方、前記リセット光に対して前記切換フィルタが非透過状態に切り換わった場合、前記シンチレータで前記放射線から変換された前記可視光は、前記光検出基板に到達するが、これらの可視光のうち、前記リセット光源の方向に向かう光は、前記切換フィルタで前記光検出基板の方向に反射するので、反射光は、前記リセット光源を介することなく前記光検出基板に入射する。これにより、前記光検出基板は、画像ボケのない高画質の放射線画像を取得することが可能になると共に、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量を増加させて、該可視光に対する前記光検出基板の感度を向上させることができる。
【００１５】
このように、本発明では、前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータの順に配置し、前記切換フィルタが前記リセット光に対して透過又は非透過に切換可能であるので、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、前記放射線画像の画像ボケの発生を防止しつつ、前記可視光に対する前記光検出基板の感度を向上させることができる。
【００１６】
ここで、前記シンチレータは、被写体を透過した前記放射線を前記可視光に変換し、前記光検出基板は、前記可視光を前記被写体の放射線画像を示す前記電気信号に変換し、前記切換フィルタは、前記被写体に対する前記放射線画像の撮影に関わる撮影オーダに基づいて、前記リセット光を透過させる透明状態（透過状態）、又は、前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させると共に前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させる鏡状態（非透過状態）に切換可能である。
【００１７】
これにより、前記被写体に対する撮影方法（静止画撮影、動画撮影等）に応じて、前記切換フィルタを前記透明状態又は前記鏡状態に維持するか、あるいは、適切な状態に切り換えることができるので、前記光検出基板に対する光リセットや、画像ボケの抑制された高画質で且つ高感度の放射線画像の取得を、確実に且つ効率よく行うことができる。また、前記鏡状態の前記切換フィルタが前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させることにより、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量が増加するので、前記被写体に照射する前記放射線の線量を低下させて、該被写体の被曝線量を低減することも可能となる。
【００１８】
具体的に、前記放射線画像撮影装置では、前記撮影オーダに従って、下記［１］〜［５］のように、前記切換フィルタの状態を維持するか、又は、切り換えることが望ましい。
【００１９】
［１］  少なくとも１枚の静止画撮影を含む撮影オーダである場合、又は、フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記鏡状態を維持する。
【００２０】
これらの撮影では、高画質及び高感度の放射線画像の取得が特に要求されている。また、これらの撮影では、撮影間隔が比較的長いので、フォトダイオードの温度がそれ程上昇せず、従って、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが前記放射線画像に与える影響は大きくないものと想定される。
【００２１】
そこで、上述した撮影オーダの場合には、前記切換フィルタを前記鏡状態に維持することで光リセットを行わないようにし、一方で、前記シンチレータで前記放射線から変換された前記可視光を確実に前記光検出基板側に反射させて、該光検出基板で前記電気信号に変換される前記可視光の光量を増加させるようにする。この結果、［１］の場合には、低ノイズで且つ画像ボケのない高画質及び高感度の放射線画像を容易に取得することができる。
【００２２】
［２］  動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わる。
【００２３】
この場合、１フレーム中、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わることで、前記被写体に対する前記放射線の照射時には、前記切換フィルタが鏡状態に維持されて前記可視光を確実に前記光検出基板側に反射させることができ、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量を増加させることができる。また、前記放射線の非照射時には、前記切換フィルタが透明状態に維持されるので、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことができる。
【００２４】
このように、前記動画撮影において、１フレーム中、前記切換フィルタを前記鏡状態と前記透明状態とに交互に切り換えることで、高画質且つ高感度の放射線画像の取得と、該放射線画像のノイズの低減とを共に実現することができる。なお、このような、前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態は、前記動画撮影のフレームレートに対して十分に追従できるような切換時間を有する切換フィルタ（撮影と撮影との間の時間よりも該切換時間が短い切換フィルタ）であれば実現可能である。
【００２５】
［３］  動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、一方で、前記動画撮影では、前記鏡状態を維持するか、あるいは、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで、前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記鏡状態を引き続き維持し、
一方で、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで、前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、前記鏡状態を引き続き維持する。
【００２６】
このように、撮影方法（静止画撮影、動画撮影）が切り換わるタイミングで前記切換フィルタの状態を維持するか、あるいは、切り換えることで、該撮影方法に応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。
【００２７】
［４］  フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの第１の動画撮影と、前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの第２の動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記第１の動画撮影では前記鏡状態を維持すると共に、前記第２の動画撮影では、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
前記第１の動画撮影から前記第２の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、前記第２の動画撮影から前記第１の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わる。
【００２８】
このように、フレームレートが途中で変更する撮影オーダであっても、フレームレートが切り換わるタイミングで前記切換フィルタの状態を切り換えれば、フレームレートに応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。
【００２９】
なお、前記フレームレート閾値とは、光リセットの要否を判断するための閾値であり、前記撮影オーダに含まれる前記動画撮影でのフレームレートが該フレームレート閾値よりも高ければ光リセットが必要と判断され、一方で、前記フレームレートが前記フレームレート閾値よりも低ければ光リセットが不要と判断される。
【００３０】
従って、光リセットが必要とされる前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートの動画撮影であり、且つ、前記鏡状態と前記透明状態との切り換えが前記フレームレートに追従できるような切換フィルタである場合には、１フレーム中、前記鏡状態又は前記透明状態に順次切り換わることにより、撮影と撮影との間での前記放射線の非照射時に光リセットを確実に行うことが可能となる。
【００３１】
［５］  上記［４］に示す前記撮影オーダが少なくとも１枚の静止画撮影をさらに含む場合に、前記切換フィルタは、前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで該動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態に切り換わる。
【００３２】
このように、前記静止画撮影が含まれる前記撮影オーダであっても、上記のように前記切換フィルタの状態を切り換えることにより、それぞれの撮影において、適切な放射線画像を容易に取得することができる。
【００３３】
そして、上述した放射線画像撮影装置において、前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する複数の光検出素子を備え、前記切換フィルタの一部には、前記リセット光を常時透過可能な窓部が形成され、前記リセット光源が前記窓部を介して該窓部に対向する光検出素子に前記リセット光を照射した場合に、前記リセット光が照射された光検出素子は、該リセット光に起因した暗電流信号を検出し、前記切換フィルタは、前記暗電流信号に応じた前記光検出素子の温度及び前記撮影オーダに基づいて、前記鏡状態又は前記透明状態に切り換わってもよい。
【００３４】
不純物準位に捕捉された電荷の再放出に起因するノイズのレベルは、ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた前記光検出素子の温度によって変化する。そこで、上述のように、前記暗電流信号に応じた温度及び前記撮影オーダに基づいて、前記切換フィルタを前記鏡状態又は前記透明状態に切り換えることにより、前記光検出素子の温度変化に応じて前記ノイズを効率よく低減することが可能となる。
【００３５】
また、前記切換フィルタは、前記リセット光の透過又は非透過を電気的に切換可能な調光ミラーフイルム層を備えることが望ましい。この場合、前記切換フィルタは、前記リセット光を透過可能な透明基材上に前記調光ミラーフイルム層を積層することにより構成され、前記調光ミラーフイルム層側に前記光検出基板を配置すると共に、前記透明基材側に前記リセット光源を配置すればよい。このように前記切換フィルタを構成することにより、該切換フィルタでの前記リセット光に対する透過状態又は非透過状態（鏡状態）を容易に且つ効率よく切り換えることができる。
【００３６】
また、前記リセット光源は、前記切換フィルタを介して前記光検出基板と対向するように配置された発光素子のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源であればよい。
【００３７】
この場合、前記バックライトは、前記切換フィルタにおける前記光検出基板の反対側に配置された導光板と、該導光板の側部に配置された光源と、前記導光板及び前記光源を囲繞するように配置された反射シートと、前記導光板における前記切換フィルタ側の表面に配置された拡散シートとから構成され、前記光源は、前記導光板に光を入射し、前記導光板に入射した前記光は、該導光板内で前記反射シート及び前記拡散シートとの間で表面反射を繰り返した後に、前記拡散シートから前記切換フィルタに前記リセット光として出射する。
【００３８】
このように、前記バックライトを構成すれば、前記光源を前記放射線の非照射領域に配置することが可能となり、前記放射線による前記光源の劣化を回避することができる。なお、前記光源は、発光ダイオード又は冷陰極管であればよい。
【００３９】
また、前記エレクトロルミネッセンス光源を有機エレクトロルミネッセンス光源とすれば、前記リセット光源の薄型化を実現することができる。
【００４０】
さらに、上記の放射線画像撮影装置において、前記シンチレータ及び前記光検出基板を接着層を介して接着するか、前記シンチレータ及び前記光検出基板を粘着層を介して粘着するか、前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜するか、あるいは、前記シンチレータに前記光検出基板を直接形成してもよい。
【００４１】
この場合、蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着してもよい。
【００４２】
また、前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する光検出素子と、該光検出素子から前記電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを備え、基材に剥離層を介して前記光検出素子及び前記スイッチング素子を成膜した後に、前記接着層又は前記粘着層を介して前記シンチレータに前記光検出基板を転写し、転写した前記光検出基板から前記基材及び前記剥離層を剥離した後に、前記光検出基板の剥離面に前記切換フィルタを配置してもよい。
【００４３】
また、本発明に係る放射線画像撮影装置は、上記の製造工程によらずに構成することも可能である。すなわち、前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する光検出素子と、該光検出素子から前記電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを備え、前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜するか、あるいは、前記シンチレータに前記光検出基板を直接形成する場合に、前記光検出素子は、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成されると共に、前記スイッチング素子は、有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成されてもよい。これにより、前記光検出素子と前記スイッチング素子とを低温成膜により形成することが可能となる。
【００４４】
具体的に、前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜する場合、基材に前記光検出素子及び前記スイッチング素子を形成した後に、前記光検出素子及び前記スイッチング素子上に前記シンチレータを成膜し、一方で、前記シンチレータに前記光検出基板を直接形成する場合、蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分に前記光検出素子及び前記スイッチング素子を形成すればよい。
【００４５】
さらに、前記光検出基板と前記シンチレータとの間に、前記放射線の照射方向に対して斜め方向に進行する前記可視光をカットする斜入光カット層を介挿してもよい。これにより、前記可視光に対する前記光検出基板の感度の向上と、前記放射線画像の画像ボケの抑制とを共に実現することができる。
【００４６】
そして、前記放射線画像撮影装置は、前記放射線の照射方向に沿って、前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータの順に配置されるか、又は、前記シンチレータ、前記光検出基板、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置される。
【００４７】
ここで、前記放射線の照射方向に沿って前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記光検出基板及び前記シンチレータが順に配置される場合に、前記切換フィルタは、少なくとも前記放射線の照射時には、前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させると共に前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させる鏡状態を維持すればよい。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、リセット光源、切換フィルタ、光検出基板及びシンチレータの順に配置し、前記切換フィルタがリセット光に対して透過又は非透過に切換可能であるので、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、放射線画像の画像ボケの発生を防止しつつ、可視光に対する前記光検出基板の感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）を用いた放射線画像撮影システムの構成図である。
【図２】図１に示す電子カセッテの斜視図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、図２の電子カセッテのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ａの電子カセッテ（第１実施例及び第２実施例に係る電子カセッテ）における放射線検出器近傍の要部断面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、図３Ｂの電子カセッテ（第３実施例及び第４実施例に係る電子カセッテ）における放射線検出器近傍の要部断面図である。
【図６】図６Ａは、放射線検出器近傍の要部断面図であり、図６Ｂは、リセット光源、切換フィルタ及び光検出基板近傍の要部断面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、リセット光源、切換フィルタ及び光検出基板近傍の要部断面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、リセット光源、切換フィルタ及び光検出基板近傍の要部断面図である。
【図９】図９Ａは、基材への光検出素子及びスイッチング素子の形成を示す断面図であり、図９Ｂは、平坦化膜の形成を示す断面図である。
【図１０】図１０Ａは、シンチレータへの光検出基板の接着又は粘着を示す断面図であり、図１０Ｂは、光検出基板から基材及び剥離層を剥離させた状態を示す断面図である。
【図１１】切換フィルタの説明図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、切換フィルタの透明状態を示す説明図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、切換フィルタの鏡状態を示す説明図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、切換フィルタ及びリセット光源の説明図である。
【図１５】図１５Ａは、リセット光源の要部平面図であり、図１５Ｂは、切換フィルタ及びリセット光源の説明図である。
【図１６】切換フィルタ及びリセット光源の説明図である。
【図１７】図１の電子カセッテの電気的な概略構成図である。
【図１８】図１の放射線撮影システムの基本的な動作を示すフローチャートである。
【図１９】図１の放射線撮影システムの基本的な動作を示すフローチャートである。
【図２０】切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。
【図２１】切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。
【図２２】フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値の変化を示すグラフである。
【図２３】図２３Ａは、静止画撮影から動画撮影への切り換えを示すタイムチャートであり、図２３Ｂは、動画撮影から静止画撮影への切り換えを示すタイムチャートであり、図２３Ｃは、静止画撮影、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の切り換えを示すタイムチャートである。
【図２４】撮影オーダの判定動作を示すフローチャートである。
【図２５】切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。
【図２６】切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。
【図２７】切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。
【図２８】切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。
【図２９】図２９Ａは、切換フィルタに形成された窓部を示す平面図であり、図２９Ｂは、窓部を備えた切換フィルタの作用を示す説明図である。
【図３０】図３０Ａ及び図３０Ｂは、第２実施形態に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。
【図３１】図３１Ａ及び図３１Ｂは、第２実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。
【図３２】図３２Ａは、剥離層を介した基材への接着層又は粘着層の形成を示す断面図であり、図３２Ｂは、剥離層及び接着層又は粘着層を介した基材へのスイッチング素子及び光検出素子の成膜を示す断面図であり、図３２Ｃは、平坦化膜の形成を示す断面図である。
【図３３】図３３Ａは、シンチレータの成膜を示す断面図であり、図３３Ｂは、防湿保護膜の形成を示す断面図である。
【図３４】図３４Ａは、光検出基板から基材及び剥離層を剥離させた状態を示す断面図であり、図３４Ｂは、光検出基板に対する切換フィルタの接着又は粘着を示す断面図である。
【図３５】図３５Ａ及び図３５Ｂは、第３実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。
【図３６】図３６Ａ及び図３６Ｂは、第４実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
本発明に係る放射線画像撮影装置の好適な実施形態について、図１〜図３６Ｂを参照しながら、詳細に説明する。
【００５１】
図１は、本実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０を有する放射線画像撮影システム１０の構成図である。
【００５２】
放射線画像撮影システム１０は、ベッド等の撮影台１２に横臥した患者等の被写体１４に対して放射線１６を照射する放射線出力装置１８と、被写体１４を透過した放射線１６を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ２０と、放射線画像撮影システム１０全体を制御すると共に、医師又は放射線技師（以下、医師ともいう。）の入力操作を受け付けるコンソール２２と、撮影した放射線画像等を表示する表示装置２４とを備える。
【００５３】
放射線出力装置１８、電子カセッテ２０、コンソール２２及び表示装置２４間では、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ  Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．１１．ａ／ｂ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよいことは勿論である。
【００５４】
コンソール２２には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２６が接続され、ＲＩＳ２６には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）２８が接続されている。
【００５５】
放射線出力装置１８は、放射線１６を照射する放射線源３０と、放射線源３０を制御する放射線制御装置３２と、放射線スイッチ３４とを備える。放射線源３０は、電子カセッテ２０に対して放射線１６を照射する。放射線源３０が照射する放射線１６は、Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線等であってもよい。放射線スイッチ３４は、２段階のストロークを持つように構成され、放射線制御装置３２は、放射線スイッチ３４が医師によって半押されると放射線１６の照射準備を行い、全押されると放射線源３０から放射線１６を照射させる。
【００５６】
なお、前述のように、放射線出力装置１８、電子カセッテ２０、コンソール２２及び表示装置２４間では、信号の送受信が可能であるため、放射線出力装置１８は、放射線スイッチ３４が半押状態となったときに照射準備を示す信号をコンソール２２等に送信し、その後、放射線スイッチ３４が全押状態となったときに放射線１６の照射開始を示す信号をコンソール２２等に送信してもよい。
【００５７】
図２は、図１に示す電子カセッテ２０の斜視図であり、図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示す電子カセッテ２０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００５８】
電子カセッテ２０は、パネル部４０と、該パネル部４０上に配置された制御部４２とを備える。なお、パネル部４０の厚みは、制御部４２の厚みよりも薄く設定されている。
【００５９】
パネル部４０は、放射線１６（図１参照）に対して透過可能な材料からなる略矩形状の筐体４４を有し、パネル部４０の表面（上面）である照射面４６に放射線１６が照射される。照射面４６の略中央部には、被写体１４の撮影領域及び撮影位置を示すガイド線４８が形成されている。ガイド線４８の外枠が、放射線１６の照射野を示す撮影可能領域５０になる。また、ガイド線４８の中心位置（ガイド線４８が十字状に交差する交点）は、撮影可能領域５０の中心位置である。
【００６０】
筐体４４の制御部４２側の側面には、医師が把持可能な取手５２が配設されている。医師は、取手５２を把持することにより電子カセッテ２０を所望の場所（例えば、撮影台１２）に搬送することが可能となる。従って、電子カセッテ２０は、可搬型の放射線画像撮影装置である。
【００６１】
制御部４２は、放射線１６に対して非透過性の材料からなる略矩形状の筐体５４を有する。該筐体５４は、照射面４６の一端に沿って延在しており、照射面４６における撮影可能領域５０の外に制御部４２が配設される。この場合、筐体５４の上面には、撮影された放射線画像等を表示可能である一方で、医師が種々の情報を入力可能なタッチパネル方式の表示操作部５６と、医師に対する各種の通知を音として出力するスピーカ５８とが配設されている。また、筐体５４の側面には、外部から充電を行うためのＡＣアダプタの入力端子６０と、外部機器（例えば、コンソール２２等）との間で情報を送受信可能なインターフェース手段としてのＵＳＢ端子６２とが設けられている。
【００６２】
そして、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、筐体４４の内部には、放射線１６を放射線画像に変換する放射線検出器７０が収容されている。
【００６３】
放射線検出器７０は、被写体１４を透過した放射線１６を可視光領域に含まれる蛍光（図１３Ａ及び図１３Ｂに示す可視光１３０）に変換するシンチレータ７４と、該可視光１３０を電気信号に変換する光検出基板７２と、該光検出基板７２にリセット光１３２（図１２Ａ〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）を照射することにより光検出基板７２を構成する光検出素子９４（図６Ａ〜図８Ｂ参照）に対する光リセットを行うリセット光源７８と、リセット光１３２の透過又は非透過を切換可能な切換フィルタ７６とを有する。従って、放射線検出器７０は、間接変換型の放射線検出器である。また、放射線検出器７０は、基本的には、リセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４の順に配置することにより構成される。
【００６４】
そして、本実施形態に係る電子カセッテ２０は、放射線１６の照射方向に対するリセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４の配置順によって、下記の４つの実施例（第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄ）に分類することができる。
【００６５】
図３Ａに示す第１及び第２実施例に係る電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂは、それぞれ、放射線１６の照射方向に沿って、リセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４が順に配置された、表面読取方式としてのＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器７０を有する間接変換型の放射線画像撮影装置である。図３Ｂに示す第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄは、それぞれ、放射線１６の照射方向に沿って、シンチレータ７４、光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８が順に配置された、裏面読取方式としてのＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器７０を有する間接変換型の放射線画像撮影装置である。
【００６６】
次に、第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄの基本構成について、図４Ａ〜図５Ｂの要部断面図を参照しながら説明する。なお、図４Ａ〜図５Ｂでは、筐体４４内部における放射線検出器７０近傍の要部断面図を図示している。
【００６７】
第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄでは、いずれも、筐体４４内部において、照射面４６側（天板）と底面側の底板８０との間に放射線検出器７０が配置されている。但し、各電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄは、下記の点に関し、互いに異なる構成を有する。
【００６８】
第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａでは、図４Ａに示すように、底板８０に配置された蒸着基板１０８にシンチレータ７４が成膜されている。すなわち、シンチレータ７４は、可視光１３０及びリセット光１３２に対して非透過な蒸着基板１０８の上面に、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を真空蒸着法で短冊状の柱状結晶構造８４として形成したものであり、シンチレータ７４の蒸着基板１０８側の基端部分は、非柱状結晶部分８２とされている。
【００６９】
この場合、柱状結晶構造８４を構成する各柱は、蒸着基板１０８及び光検出基板７２と略直交する方向（図４Ａの上下方向であって放射線１６の照射方向）に沿ってそれぞれ形成され、隣接する各柱の間には、ある程度の隙間が確保されている。また、ＣｓＩ（ＣｓＩ：Ｔｌ）のシンチレータ７４は、柱状結晶構造８４が湿度に弱く、非柱状結晶部分８２が湿度に特に弱いという特性を有するので、ポリパラキシリレン樹脂（パリレン（登録商標））からなる光透過性の防湿保護材８６で封止されている。そして、シンチレータ７４が防湿保護材８６で封止された状態で、シンチレータ７４（の柱状結晶構造８４）の先端部分と光検出基板７２とが可視光１３０及びリセット光１３２を透過可能な接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して密着されている。なお、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａの具体的な製造方法については、後述する。
【００７０】
なお、図４Ａ以降の各図面では、説明の容易化のために、柱状結晶構造８４における各柱間の隙間を誇張して図示する。
【００７１】
また、シンチレータ７４が発する可視光１３０（図１３Ａ及び図１３Ｂ参照）の波長域は、波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの可視光領域であることが好ましく、放射線検出器７０によるモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。特に、ＣｓＩ：Ｔｌでは、放射線１６の照射時における発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍであると共に、可視光領域における発光ピーク波長が５６５ｎｍである。
【００７２】
ここで、シンチレータ７４の先端部分側と光検出基板７２との密着性を高めて、電子カセッテ２０Ａの使用中でのシンチレータ７４と光検出基板７２との離間を回避したい場合には、接着層８８ａを用いて柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを強固に接着すればよい。また、シンチレータ７４又は光検出基板７２の故障による少なくともいずれか一方の交換を考慮する場合には、接着層８８ａ程度の接着性を必要としない粘着層８８ｂを用いて柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを粘着すればよい。
【００７３】
第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂは、図４Ｂに示すように、光検出基板７２の底板８０側にシンチレータ７４が成膜されている点で、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図４Ａ参照）とは異なる。
【００７４】
第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｃは、図５Ａに示すように、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図４Ａ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させた点で異なる。また、第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｄは、図５Ｂに示すように、第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ（図４Ｂ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させた点で異なる。
【００７５】
なお、第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄにおいて、筐体４４内部でのリセット光源７８、切換フィルタ７６及び光検出基板７２の固定方法は、接着剤による接着、粘着剤による粘着、あるいは、固定手段による固定等、公知の固定方法により筐体４４内に固定可能であることは勿論である。また、図４Ａ〜図５Ｂでは、ＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ７４を図示しているが、ＧＯＳ（ガドリニウムオキサイドサルファ）からなるシンチレータ７４であってもよい。この場合、例えば、光検出基板７２又は切換フィルタ７６にＧＯＳを塗布することでシンチレータ７４を形成すればよい。
【００７６】
次に、光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の具体的な構成等について、図６Ａ〜図１６を参照しながら説明する。なお、図６Ａ〜図１６では、代表的に、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａにおける光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の具体的な構成について説明するが、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄにおいても、図６Ａ〜図１６の構成を適宜変更して適用可能であることは勿論である。また、図６Ａ〜図８Ｂは、光検出基板７２の具体的構成を図示し、図９Ａ〜図１０Ｂは、放射線検出器７０の製造工程を図示し、図１１〜図１３Ｂは、切換フィルタ７６の具体的構成を図示し、図１４Ａ〜図１６は、リセット光源７８の具体的構成を図示している。そして、図６Ａ〜図１６では、説明の容易化のために、一部の構成要素を模式化して図示し、あるいは、誇張して図示する。
【００７７】
図６Ａにおいて、光検出基板７２は、少なくともリセット光１３２を透過可能な基材９０における底板８０側の表面に、スイッチング素子としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）９２のアレイを形成し、該ＴＦＴ９２のアレイ上にａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた複数の光検出素子９４を配置した構造を有する。光検出素子９４がａ−Ｓｉを含めば、幅広い吸収スペクトルを持つことになり、シンチレータ７４からの可視光１３０を効率よく吸収することができる。
【００７８】
この場合、光検出基板７２の底板８０側は、ＴＦＴ９２のアレイ上に複数の光検出素子９４が配置されて凹凸状となるので、例えば、四フッ化エチレン樹脂膜による平坦化処理により平坦化膜９６を形成しておくことが望ましい。従って、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ７４は、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して平坦化膜９６と密着する。このように、図６Ａの構成では、放射線１６の照射方向（図６Ａの上方から下方に向かう方向）に沿って、基材９０と、ＴＦＴ９２と、光検出素子９４と、平坦化膜９６と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、シンチレータ７４との順に積層されている。
【００７９】
基材９０は、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４を形成する際の熱に耐えられる程度の耐熱性を有する薄肉の基板であればよい。この場合、基材９０として、通常は、ガラス基板を採用すればよいが、他の材料を用いてもよい。
【００８０】
すなわち、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−Ｓｉ）から光検出素子９４を構成すると共に、有機半導体材料（例えば、フタロシアニン化合物、ペンタセン又はバナジルフタロシアニン）、アモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ４））、又は、カーボンナノチューブからＴＦＴ９２を構成する場合には、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４を低温成膜により形成することが可能であるため、ポリイミドフイルム、ポリアリレートフイルム、二軸延伸ポリスチレンフイルム、アラミドフイルム又はバイオナノファイバのような、少なくともリセット光１３２に対して透過性を有し、且つ、可撓性を有するプラスチックフイルムを、基材９０として採用することができる。
【００８１】
ここで、基材９０として採用され得るプラスチックフイルムについてさらに具体的に説明すると、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を基材９０として採用することが好ましい。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることができ、例えば、電子カセッテ２０（２０Ａ）の持ち運び等に有利となる。
【００８２】
なお、基材９０には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【００８３】
また、アラミドフイルムを用いて基材９０を構成する場合、アラミドは、２００℃以上の高温プロセスが適用可能であるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化することができ、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応することができる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。さらに、アラミドは、ガラス基板等と比べて基材９０を薄く形成することができる。なお、超薄型のガラス基板とアラミドとを積層して基材９０を形成してもよい。
【００８４】
また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ  Ｘｙｌｉｎｕｍ)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。この場合、セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光１３０の波長に対して１／１０のサイズであり、且つ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることにより、繊維を６０％〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。また、バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３ｐｐｍ−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、且つ、フレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて基材９０を薄く形成することができる。
【００８５】
一方、光検出素子９４については、有機光電変換材料を含むことにより、可視光１３０の領域にシャープな吸収スペクトルを持つことになり、可視光１３０以外の電磁波が光検出素子９４に吸収されることがほとんどなく、放射線１６が光検出素子９４に吸収されることで発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００８６】
また、有機光電変換材料は、可視光１３０を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ７４の発光ピーク波長に近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と可視光１３０の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ、可視光１３０を十分に吸収することが可能である。具体的に、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、可視光１３０との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【００８７】
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えば、キナクリドンの可視光領域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ７４の材料としてＣｓＩ：Ｔｌを用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光検出素子９４で発生する電荷量を略最大にすることができる。
【００８８】
また、ＴＦＴ９２を有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成すれば、放射線１６を吸収せず、あるいは、吸収しても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。特に、ＴＦＴ９２をカーボンナノチューブで構成すれば、ＴＦＴ９２のスイッチング速度を高速化することができると共に、可視光１３０及びリセット光１３２に対する吸収度合の低いＴＦＴ９２を形成することができる。なお、カーボンナノチューブでＴＦＴ９２を構成する場合、極微量の金属性不純物を混入するだけで、ＴＦＴ９２の性能が著しく低下するため、遠心分離等により極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【００８９】
そして、図６Ａの構成において、被写体１４を透過した放射線１６が筐体４４の照射面４６（天板）、リセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２、及び、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを透過してシンチレータ７４に至ると、該シンチレータ７４の柱状結晶構造８４では、放射線１６を可視光領域の蛍光（可視光１３０）に変換し、変換された可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分を進行し、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと平坦化膜９６とを介して各光検出素子９４に至る（図１３Ａ及び図１３Ｂ参照）。また、一部の可視光１３０は、蒸着基板１０８に向かって進行するが、非柱状結晶部分８２及び蒸着基板１０８により光検出基板７２の方向に反射されるので、該一部の可視光１３０（反射光）もシンチレータ７４と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと平坦化膜９６とを介して各光検出素子９４に至る。従って、各光検出素子９４は、これらの可視光１３０を電気信号（アナログ信号）に変換し、電荷としてそれぞれ蓄積する。ＴＦＴ９２は、各光検出素子９４に蓄積された電荷を画像信号として読み出す。
【００９０】
図６Ｂの構成は、基材９０にＴＦＴ９２と光検出素子９４とが交互に形成されている点で図６Ａの構成とは異なる。この場合、隣接する１つのＴＦＴ９２と１つの光検出素子９４とによって１画素分の領域が構成される。図６Ｂの構成でも、光検出基板７２のＴＦＴ９２及び光検出素子９４側は、凹凸状である可能性もあるので、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介したシンチレータ７４と光検出基板７２との密着性を高めるために、平坦化膜９６を形成することが好ましい。
【００９１】
図７Ａの構成は、基材９０にａ−Ｓｉからなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４と、遮光層１３４、ａ−ＳｉからなるＴＦＴ９２及び遮光層１００の積層体とが交互に形成され、さらに、光検出基板７２の遮光層１００及び光検出素子９４側に平坦化膜９６が形成される点で、図６Ａ及び図６Ｂの構成とは異なる。
【００９２】
この場合、ＴＦＴ９２に遮光層１００、１３４を形成することにより、シンチレータ７４からの可視光１３０やリセット光源７８からのリセット光１３２が光検出基板７２に入射しても、光検出素子９４に向かって進行する光は、該光検出素子９４に入射される一方で、ＴＦＴ９２に向かって進行する光は、遮光層１００、１３４で全て吸収される。従って、図７Ａの構成では、可視光１３０又はリセット光１３２を効率よく光検出素子９４に入射させると共に、可視光１３０又はリセット光１３２の入射によるＴＦＴ９２でのスイッチングノイズの発生を確実に回避することができる。
【００９３】
図７Ｂの構成は、放射線１６の照射方向に対して斜め方向に進行する可視光１３０をカットする斜入光カット層１０２が、平坦化膜９６と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとの間に介挿されている点で、図６Ａ〜図７Ａの構成とは異なる。斜入光カット層１０２は、可視光１３０を透過する物質（例えば、シリコン樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂）からなる光透過部１０４と、可視光１３０に対する吸収率の高い物質（例えば、暗色の金属酸化物、顔料又は染料）からなる遮光部１０６とを、平坦化膜９６の表面（水平方向）に沿って交互に配列することにより構成される。
【００９４】
この場合、放射線１６の照射方向に対して所定角度以内で進行してきた可視光１３０は、光透過部１０４を透過して光検出基板７２に入射する。一方、前記所定角度を越えて斜め方向に傾いて進行してきた可視光１３０は、遮光部１０６で全て吸収され、光検出基板７２への入射が阻止される。この結果、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度が向上すると共に、斜め方向に入射した光に起因した放射線画像の画像ボケの発生を抑制することができる。
【００９５】
図８Ａの構成は、基材９０が省略されている点で図６Ｂの構成とは異なる。基材９０が無いことにより、基材９０で吸収される放射線１６もシンチレータ７４に到達するので、結果的に、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度を向上させることができる。また、基材９０が無いことで、放射線検出器７０の薄型化を実現できる。
【００９６】
図８Ｂの構成は、ＣＶＤ法（化学気相成長法）によって、柱状結晶構造８４における各柱をポリパラキシリレン樹脂で被覆するように、シンチレータ７４を防湿保護材８６で封止した後に、柱状結晶構造８４の先端部分にＴＦＴ９２及び光検出素子９４を直接形成した点で図８Ａの構成とは異なる。接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介さずに柱状結晶構造８４の先端部分と光検出素子９４とが接触しているので、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度のさらなる向上と、放射線画像の画像ボケの抑制とを確実に図ることができる。なお、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から光検出素子９４を構成すると共に、有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−ＩＧＺＯ）又はカーボンナノチューブからＴＦＴ９２を構成すれば、柱状結晶構造８４の先端部分にＴＦＴ９２及び光検出素子９４を低温成膜で形成することが可能となる。
【００９７】
図９Ａ〜図１０Ｂは、図８Ａの構成を実現するための放射線検出器７０の製造工程を示す。
【００９８】
先ず、図９Ａに示すように、基材９０に剥離層１３６を介してＴＦＴ９２及び光検出素子９４を交互に形成する。次に、図９Ｂに示すように、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４に対して平坦化処理を施して平坦化膜９６を形成する。次に、図１０Ａに示すように、シンチレータ７４（柱状結晶構造８４）の先端部分を転写体として、シンチレータ７４の先端部分と光検出基板７２とを接着層８８ａにより接着させるか、あるいは、粘着層８８ｂにより粘着させる。なお、転写体としてのシンチレータ７４に対する光検出基板７２等の接着又は粘着（転写）は、公知の転写技術を利用して行えばよい。
【００９９】
次に、剥離層１３６に図示しないレーザ光を照射することにより、図１０Ｂに示すように、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４に対して基材９０及び剥離層１３６を剥離させる。その後、図４Ａ及び図８Ａに示す順に、筐体４４内部にリセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４を組み込むことにより、筐体４４内に放射線検出器７０が収容される。
【０１００】
このようにすれば、基材９０を介することなく、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４と切換フィルタ７６とが直接接触するので、放射線画像の画像ボケの発生を効果的に抑制することができる。一方、基材９０が少なくともリセット光１３２に対して透過性の材料からなる場合には、基材９０にＴＦＴ９２及び光検出素子９４を直接形成してもよい。この場合には、図６Ｂの構成の放射線検出器７０を製造することができる。
【０１０１】
なお、図６Ａ〜図８Ｂの構成は、一例であり、これらの構成を適宜組み合わせて光検出基板７２等を構成してもよい。例えば、図６Ｂ〜図７Ａ、図８Ａ及び図８Ｂの各構成において、光検出基板７２とシンチレータ７４との間に斜入光カット層１０２を介挿してもよい。
【０１０２】
切換フィルタ７６は、図１１に示すように、リセット光源７８から光検出基板７２の方向に向かって、透明基材１１０、透明導電膜１１２、イオン貯蔵層１１４、固体電解質層１１６、バッファ層１１８、触媒層１２０及び調光ミラーフイルム層１２２の順に積層することにより構成される。この場合、透明導電膜１１２と調光ミラーフイルム層１２２とには、電源１２４及びスイッチ１２６が電気的に接続されている。
【０１０３】
透明基材１１０は、リセット光源７８側に配置された切換フィルタ７６の蒸着基板であり、該リセット光源７８から出力されたリセット光１３２（図１２Ａ及び図１２Ｂ参照）を透過可能なガラス基板又はプラスチック基板である。透明導電膜１１２は、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる透明電極である。イオン貯蔵層１１４は、水素イオン（Ｈ＋）を蓄積可能なＷＯ３（酸化タングステン）からなる薄膜である。固体電解質層１１６は、Ｔａ２Ｏ５（酸化タンタル）からなる薄膜である。バッファ層１１８は、Ａｌ（アルミニウム）の金属膜である。触媒層１２０は、Ｐｄ（パラジウム）からなる薄膜である。調光ミラーフイルム層１２２は、Ｍｇ・Ｎｉ（マグネシウム・ニッケル）系合金薄膜からなり、スイッチ１２６のオンによる電源１２４から透明導電膜１１２及び調光ミラーフイルム層１２２への電圧印加に起因して、リセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させると共にシンチレータ７４で変換された可視光１３０（図１３Ａ及び図１３Ｂ参照）を光検出基板７２の方向に反射させる鏡状態（非透過状態）、あるいは、リセット光１３２を透過させて光検出基板７２の光検出素子９４に照射させる透明状態（透過状態）に切り換わる。
【０１０４】
ここで、調光ミラーフイルム層１２２における鏡状態又は透明状態の切り換えについて具体的に説明する。
【０１０５】
調光ミラーフイルム層１２２の表面は、通常、Ｍｇ・Ｎｉ系合金薄膜の金属光沢に起因して、可視光１３０及びリセット光１３２を反射可能な鏡の状態（鏡状態）となっている。
【０１０６】
調光ミラーフイルム層１２２がこのような鏡状態である場合に、図１２Ａに示すように、スイッチ１２６をオンにして、調光ミラーフイルム層１２２が負極性になると共に透明導電膜１１２が正極性となるように、切換フィルタ７６に電圧（数ボルトの直流電圧）を印加すると、調光ミラーフイルム層１２２は、鏡状態から透明状態に切り換わる。これは、イオン貯蔵層１１４に蓄えられている水素イオン（Ｈ＋）が、固体電解質層１１６、バッファ層１１８及び触媒層１２０を介して調光ミラーフイルム層１２２に移動することにより、金属状態のＭｇ・Ｎｉ系合金が水素化されて非金属状態になり、透明化するためである。
【０１０７】
このように調光ミラーフイルム層１２２が一旦透明状態になった場合、図１２Ｂに示すように、スイッチ１２６をオフにして電源１２４から切換フィルタ７６への電圧印加（通電）を停止しても、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態は維持される。
【０１０８】
調光ミラーフイルム層１２２が透明状態にあり、且つ、被写体１４に対する放射線１６の非照射時（非撮影時）である場合に、リセット光源７８が切換フィルタ７６に向けてリセット光１３２を出力すると、該リセット光１３２は、透明導電膜１１２及び調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２の光検出素子９４に入射する。ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４にリセット光１３２が照射されることにより、該フォトダイオードの不純物準位に電荷を予め埋めておいて、放射線１６の照射時（撮影時）に光検出素子９４で可視光１３０から変換される電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにする光リセットを行うことができる。
【０１０９】
一方、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態である場合に、図１３Ａに示すように、スイッチ１２６をオンにして、調光ミラーフイルム層１２２が正極性になると共に透明導電膜１１２が負極性となるように、切換フィルタ７６に図１２Ａに示す電圧極性とは逆極性の電圧（数ボルトの直流電圧）を印加すると、調光ミラーフイルム層１２２は、透明状態から鏡状態に切り換わる。これは、調光ミラーフイルム層１２２に一旦移動した水素イオンが、前記逆極性の電圧の印加に起因して、触媒層１２０、バッファ層１１８及び固体電解質層１１６を介してイオン貯蔵層１１４に戻ることにより、調光ミラーフイルム層１２２が元の金属状態に変化するためである。
【０１１０】
このように調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態に戻った場合、図１３Ｂに示すように、スイッチ１２６をオフにして電源１２４から切換フィルタ７６への電圧印加を停止しても、調光ミラーフイルム層１２２の鏡状態は維持される。
【０１１１】
そして、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態であり、且つ、被写体１４に対する放射線１６の照射（放射線撮影）が行われる場合には、シンチレータ７４において放射線１６から変換された可視光１３０のうち、光検出基板７２に入射して調光ミラーフイルム層１２２に向かって進行する光は、該調光ミラーフイルム層１２２で光検出基板７２の方向に反射される。これにより、光検出素子９４では、シンチレータ７４で変換されて、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと平坦化膜９６とを介して直接入射される光（可視光１３０）に加え、光検出基板７２を通過して調光ミラーフイルム層１２２で反射された反射光（可視光１３０）も電気信号として検出することができる。この結果、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度を容易に向上させることができる。
【０１１２】
なお、撮影時（放射線１６の照射時）には、リセット光源７８への放射線１６の照射に起因してリセット光１３２が発生したり、リセット光源７８を誤って駆動させてリセット光１３２を出力させてしまうことも想定される。特に、ＩＳＳ方式の放射線検出器７０では、放射線１６の照射方向に沿って、リセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４の順に配置されているため、撮影中、放射線１６は、リセット光源７８を必ず通過し、リセット光１３２が発生する場合がある。
【０１１３】
そこで、撮影中、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態とすれば、放射線１６の照射に起因してリセット光源７８からリセット光１３２が出力されても、調光ミラーフイルム層１２２で該リセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させることができるので、撮影中における光検出基板７２へのリセット光１３２の進行を確実に阻止することができる。
【０１１４】
リセット光源７８は、図１４Ａ〜図１６に示すように、切換フィルタ７６を介して光検出基板７２と対向するように配置された発光素子１４２のアレイ（図１４Ａ参照）、バックライト（図１４Ｂ〜図１５Ｂ参照）、又は、エレクトロルミネッセンス光源（図１６参照）から構成される。
【０１１５】
図１４Ａのリセット光源７８は、筐体４４の照射面４６側に配置された基板１４０に、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の複数の発光素子１４２のアレイを配置することにより構成される。従って、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態である場合に、各発光素子１４２からリセット光１３２を一斉に出力すれば、リセット光源７８は、面発光光源として機能し、切換フィルタ７６を介し各光検出素子９４にリセット光１３２を均一に照射して光リセットを行うことができる。
【０１１６】
なお、図１４Ａのリセット光源７８は、各光検出素子９４に対向する発光素子１４２のみ駆動させてリセット光１３２をそれぞれ出力することにより、各光検出素子９４に対してピンポイントで光リセットを行うことも可能である。
【０１１７】
図１４Ｂのリセット光源７８は、エッジライト式のバックライトであり、筐体４４の照射面４６側と切換フィルタ７６との間に導光板１５０が配置されると共に、該導光板１５０の側部には冷陰極管（光源）１５２が配置されている。この場合、冷陰極管１５２の配置箇所は、放射線１６の非照射領域とされている。また、導光板１５０と切換フィルタ７６との間には拡散シート１５４が介挿されると共に、導光板１５０及び冷陰極管１５２を囲繞するように反射シート１５６が配置されている。ここで、冷陰極管１５２から導光板１５０に光が入射すると、導光板１５０に入射した前記光は、該導光板１５０内で反射シート１５６及び拡散シート１５４との間で表面反射を繰り返した後、該拡散シート１５４から切換フィルタ７６にリセット光１３２として出射される。
【０１１８】
なお、図１４Ｂでは、１本のリセット光１３２のみ図示されているが、実際に冷陰極管１５２から導光板１５０に入射した光は、前記表面反射を繰り返して導光板１５０全体に広がり、拡散シート１５４から面発光のリセット光１３２として出射される。従って、バックライト方式のリセット光源７８も面発光光源として機能し、切換フィルタ７６を介し各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射して光リセットを行うことができる。
【０１１９】
図１５Ａ及び図１５Ｂのリセット光源７８もエッジライト式のバックライトであるが、冷陰極管１５２に代替して、ＬＥＤ等の複数の発光素子（光源）１６２が一列に（アレイ状に）配列された基板１６０を配置している点で、図１４Ｂの構成とは異なる。従って、この場合でも、各発光素子１６２及び基板１６０の配置箇所は、放射線１６の非照射領域である。そして、各発光素子１６２から導光板１５０に光がそれぞれ入射すると、導光板１５０に入射した前記各光は、反射シート１５６及び拡散シート１５４との間で表面反射を繰り返して導光板１５０全体に広がった後に、拡散シート１５４から切換フィルタ７６に面発光のリセット光１３２として出射される。これにより、リセット光源７８は、切換フィルタ７６を介し各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射して光リセットを行うことができる。なお、図１５Ｂでも１本のリセット光１３２のみ図示している。
【０１２０】
図１６のリセット光源７８は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）光源又は無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）光源であり、有機ＥＬ材料又は無機ＥＬ材料からなる発光層１７０を、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる透明電極１７２と、該リセット光１３２に対して非透過な金属電極１７４とで狭持した構造を有する。透明電極１７２と金属電極１７４とは、スイッチ１７６及び電源１７８と電気的に接続されている。従って、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態である場合に、スイッチ１７６をオンにして、電源１７８から透明電極１７２と金属電極１７４との間に電圧（例えば、透明電極１７２が正極性になると共に金属電極１７４が負極性になる電圧）を印加すれば、発光層１７０から透明電極１７２を介して切換フィルタ７６に面発光のリセット光１３２を出力することができる。
【０１２１】
このように、有機ＥＬ光源又は無機ＥＬ光源のリセット光源７８においても、切換フィルタ７６を介して各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射することにより光リセットを行うことができる。
【０１２２】
図１７は、図１に示す電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）の電気的な概略構成図である。
【０１２３】
電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）の光検出基板７２は、アレイ状（行列状）に光検出素子９４及びＴＦＴ９２を配置した構造を有する。なお、以下の説明では、光検出素子９４を画素１９０ともいう。
【０１２４】
行列状に配置された各画素１９０は、駆動回路部１８０のバイアス電源１９２からバイアス電圧が供給されることにより駆動し、シンチレータ７４において放射線１６から変換された可視光１３０を光電変換することで発生した電荷を蓄積する。各画素１９０に蓄積された電荷は、各列毎にＴＦＴ９２を順次オンすることにより、各信号線１９６を介してアナログ信号の画素値（電荷信号、電気信号）として読み出すことができる。なお、図１７では便宜上、画素１９０及びＴＦＴ９２を、縦４個×横４個の配列としているが、所望の個数の配列としてもよいことは勿論である。
【０１２５】
各画素１９０に接続されるＴＦＴ９２には、行方向に延びるゲート線１９４と、列方向に延びる信号線１９６とが接続されている。各ゲート線１９４は、駆動回路部１８０を構成するゲート駆動部１９８に接続され、各信号線１９６は、チャージアンプ２００を介して、駆動回路部１８０を構成するマルチプレクサ部２０２に接続される。マルチプレクサ部２０２には、アナログ信号の電気信号をデジタル信号の電気信号に変換するＡＤ変換部２０４が接続されている。ＡＤ変換部２０４は、デジタル信号に変換した電気信号（デジタル信号の画素値、以下、デジタル値という場合もある）をカセッテ制御部１８２に出力する。なお、駆動回路部１８０は、パネル部４０又は制御部４２（図２参照）に配置されている。また、カセッテ制御部１８２は、制御部４２に配置されている。
【０１２６】
カセッテ制御部１８２は、電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）全体の制御を行う。この場合、コンピュータ等の情報処理装置に所定のプログラムを読み込ませることによって、コンピュータをカセッテ制御部１８２として機能させることができる。
【０１２７】
カセッテ制御部１８２には、メモリ１８４及び通信部１８６が接続されている。メモリ１８４は、デジタル信号の画素値を記憶し、通信部１８６は、コンソール２２との間で信号の送受信を行う。この場合、通信部１８６は、複数の画素値が行列状に配置されて構成される１枚の画像（１フレームの画像）をコンソール２２にパケット送信する。電源部１８８は、カセッテ制御部１８２、メモリ１８４及び通信部１８６等に電力を供給すると共に、バイアス電源１９２にも供給する。なお、メモリ１８４、通信部１８６及び電源部１８８も制御部４２に収容されている。
【０１２８】
カセッテ制御部１８２は、撮影オーダ判定部２１０、温度検出部２１２、光リセット動作判定部２１４、フィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８を有する。
【０１２９】
撮影オーダ判定部２１０は、被写体１４に対する放射線１６の照射（放射線画像の撮影）に関わるオーダ情報（撮影オーダ）をコンソール２２から受信した際に、撮影オーダに含まれる撮影方法を特定（判定）する。なお、オーダ情報（撮影オーダ）とは、ＲＩＳ２６又はＨＩＳ２８において、医師により作成されるものであり、被写体１４の氏名、年齢、性別等、被写体１４を特定するための被写体情報に加えて、撮影に使用する放射線出力装置１８及び電子カセッテ２０の情報や、被写体１４の撮影部位や撮影での手技、撮影方法（静止画撮影、動画撮影）等が含まれる。
【０１３０】
また、リセット光源７８から光検出素子９４（画素１９０）にリセット光１３２を照射して光リセットを行う場合、光検出素子９４は、リセット光１３２に応じた電気信号（暗電流信号）を検出し、電荷として蓄積する。暗電流信号のレベルは、光検出素子９４であるフォトダイオードの温度によって変化する。そこで、温度検出部２１２は、ＴＦＴ９２を順次オンすることにより、各信号線１９６を介して読み出された暗電流信号（の画素値）に基づいて、各光検出素子９４の温度を検出する。
【０１３１】
光リセット動作判定部２１４は、撮影オーダ判定部２１０において特定された撮影方法と、温度検出部２１２において検出された各光検出素子９４の温度とに基づいて、各光検出素子９４に対して光リセットを行うべきか否かを判定する。
【０１３２】
フィルタ制御部２１６は、前述した電源１２４及びスイッチ１２６（図１１〜図１３Ｂ参照）の機能を有し、切換フィルタ７６に電圧を印加することにより、調光ミラーフイルム層１２２の鏡状態又は透明状態の切り換えを制御する。光源制御部２１８は、前述したスイッチ１７６及び電源１７８（図１６参照）の機能を有し、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を制御する。
【０１３３】
なお、撮影オーダ判定部２１０での撮影方法の特定結果（判定結果）、温度検出部２１２での検出結果、光リセット動作判定部２１４での判定結果、フィルタ制御部２１６による切換フィルタ７６の制御の状況、及び、光源制御部２１８によるリセット光源７８の制御の状況は、表示操作部５６で画面表示され、スピーカ５８を介して音として出力され、さらには、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）される。
【０１３４】
本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）を有する放射線画像撮影システム１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について、図１８〜図２８を参照しながら説明する。
【０１３５】
図１８〜図２８の説明では、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａを使用した場合の放射線画像撮影システム１０の動作について説明するが、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄを使用した場合でも、該電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄの構成に応じて適宜変更して適用可能であることは勿論である。
【０１３６】
ここでは、撮影オーダの内容に従って、下記［１］〜［７］のケースに分けて説明する。
【０１３７】
［１］  被写体１４に対する少なくとも１枚の静止画撮影（被写体１４に対する少なくとも１回の放射線撮影）、又は、フレームレート閾値Ｆｔｈよりも低いフレームレートでの動画撮影（低レート動画撮影、第１の動画撮影）を含む撮影オーダに従った放射線撮影（図１８及び図１９参照）。
【０１３８】
これらの放射線撮影は、いずれも、光検出素子９４に対する光リセットを行わない場合での撮影である。
【０１３９】
なお、光リセットを行わない場合とは、光検出素子９４に対する光リセット動作を行わなくても、不純物準位に捕捉された電荷の再放出に起因した暗電流信号によるノイズが、医師による放射線画像の読影診断を妨げない程度に低い場合をいう。
【０１４０】
また、フレームレート閾値Ｆｔｈとは、光リセットの要否を判断するための閾値（図２２参照）であり、動画撮影でのフレームレートが該フレームレート閾値Ｆｔｈよりも高ければ光リセットが必要と判断され、一方で、フレームレートがフレームレート閾値Ｆｔｈよりも低ければ光リセットが不要と判断される。
【０１４１】
また、低レート動画撮影とは、フレームレート閾値Ｆｔｈ（通常は、Ｆｔｈ＝Ｆｔｈ０）よりも低いフレームレートでの動画撮影をいう。また、以下の説明では、フレームレート閾値Ｆｔｈよりも高いフレームレートでの動画撮影を、高レート動画撮影（第２の動画撮影）という。
【０１４２】
先ず、図１８のステップＳ１において、コンソール２２（図１参照）は、医師がＲＩＳ２６又はＨＩＳ２８において作成したオーダ情報（撮影オーダ）を取得する。ステップＳ２において、医師は、コンソール２２が取得したオーダ情報に基づき、被写体１４の撮影条件を設定する。なお、撮影条件とは、例えば、放射線源３０の管電圧や管電流、放射線１６の曝射時間等、被写体１４の撮影部位に対して放射線１６を照射させるために必要な各種の条件である。
【０１４３】
ステップＳ３において、医師は、所定の保管場所に保管されている電子カセッテ２０（２０Ａ）の取手５２（図２及び図３Ａ参照）を把持して該電子カセッテ２０Ａを搬送し、撮影台１２上に設置する。次のステップＳ４において、医師は、被写体１４の撮影部位が撮影可能領域５０に納まるように該被写体１４を撮影台１２及び電子カセッテ２０Ａ上に横臥させて、撮影可能領域５０に対する前記撮影部位のポジショニングを行う。
【０１４４】
この場合、電源部１８８（図１７参照）は、カセッテ制御部１８２、通信部１８６及び表示操作部５６に対しては、電力を常時供給している。そして、被写体１４のポジショニングが完了した後に、医師が表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａの起動を指示すると、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を開始させる。これにより、バイアス電源１９２は、各画素１９０（光検出素子９４）に対するバイアス電圧の供給を開始するので、該各画素１９０は、電荷蓄積が可能な状態となる。また、スピーカ５８は、カセッテ制御部１８２からの信号を音として外部に出力することが可能な状態に至る。この結果、電子カセッテ２０Ａは、スリープ状態から起動状態に切り替わる。
【０１４５】
そして、カセッテ制御部１８２は、通信部１８６を介して無線によりコンソール２２に撮影オーダや撮影条件の送信を要求する送信要求信号を送信する。コンソール２２は、前記送信要求信号を受信すると、電子カセッテ２０Ａに対して前記撮影オーダ及び前記撮影条件を無線により送信すると共に、放射線出力装置１８に対して前記撮影条件を無線により送信する。これにより、放射線出力装置１８では、受信された前記撮影条件が放射線制御装置３２に登録される。また、電子カセッテ２０Ａでは、受信された前記撮影オーダ及び前記撮影条件がカセッテ制御部１８２に登録される。なお、カセッテ制御部１８２は、前記オーダ情報及び前記撮影条件を受信すると、これらの情報を表示操作部５６に表示させてもよい。
【０１４６】
ステップＳ５において、カセッテ制御部１８２の撮影オーダ判定部２１０は、撮影オーダに含まれる撮影方法を判定する。前述したように、撮影方法は、少なくとも１枚の静止画撮影、又は、フレームレート閾値Ｆｔｈ（Ｆｔｈ０）（図２０参照）よりも低いフレームレートでの動画撮影（低レート動画撮影）であるため、撮影オーダ判定部２１０は、撮影方法の判定結果を光リセット動作判定部２１４に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させる。
【０１４７】
光リセット動作判定部２１４は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果に基づいて、各画素１９０（各光検出素子９４）に対する光リセットを行うべきか否かを判定する。この場合、少なくとも１枚の静止画撮影又は低レート動画撮影を示す判定結果であるため、光リセット動作判定部２１４は、各画素１９０に対する光リセット動作は不要と判定し（ステップＳ６）、光リセット動作が不要との判定結果を、フィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させる。さらには、スピーカ５８から前記判定結果を示す音を出力してもよい。
【０１４８】
フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、切換フィルタ７６への電圧印加を禁止し、一方で、光源制御部２１８は、前記判定結果に基づいて、リセット光源７８の駆動を禁止する。これにより、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２は鏡状態を維持すると共に、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力も行われない（ステップＳ７）。
【０１４９】
なお、ステップＳ５、Ｓ６の各判定結果が表示操作部５６に表示されるので、医師は、該表示操作部５６の表示内容を視認することにより、各画素１９０に対する光リセット動作が行われないことを把握することができる。また、ステップＳ５、Ｓ６の各判定結果を示す音をスピーカ５８から出力すれば、医師は、前記音を聞くことにより、各画素１９０に対する光リセット動作が行われないことを理解することができる。
【０１５０】
さらに、前記各判定結果を通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信してもよい。この場合、コンソール２２は、受信した前記各判定結果を無線通信により表示装置２４に転送して、該表示装置２４に表示させることができるので、医師は、各画素１９０に対する光リセット動作が行われないことを確実に把握することができる。
【０１５１】
このようにして撮影準備が行われた後の図１９のステップＳ８において、医師が放射線スイッチ３４（図１参照）を半押すると、放射線制御装置３２は、放射線１６の照射準備を行うと共に、照射準備を通知する通知信号をコンソール２２に無線により送信する。コンソール２２は、放射線源３０からの放射線１６の照射と同期させるための同期制御信号を無線により電子カセッテ２０Ａに送信する。電子カセッテ２０Ａのカセッテ制御部１８２は、前記同期制御信号を受信すると、照射準備に入ったことを示す情報を表示操作部５６（図２及び図１７参照）に表示させると共に、スピーカ５８を介して外部に音として通知してもよい。
【０１５２】
その後、医師が放射線スイッチ３４を全押すると、放射線制御装置３２は、放射線源３０から放射線１６を前記撮影条件で設定された所定時間だけ被写体１４の撮影部位に照射する（ステップＳ９）。この場合、放射線制御装置３２は、放射線１６の照射開始と同時に、照射開始を通知する通知信号を無線によりコンソール２２に送信してもよい。コンソール２２は、受信した前記通知信号を電子カセッテ２０Ａに転送し、該電子カセッテ２０Ａのカセッテ制御部１８２は、前記通知信号を受信すると、照射中であることを情報を表示操作部５６に表示させると共に、スピーカ５８を介して外部に音として通知してもよい。
【０１５３】
そして、放射線１６が被写体１４の撮影部位を透過して電子カセッテ２０Ａの放射線検出器７０に至ったステップＳ１０において、該放射線検出器７０は、図３Ａ及び図４Ａに示すＩＳＳ方式の放射線検出器であるため、放射線１６は、リセット光源７８と、切換フィルタ７６と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、光検出基板７２とを透過してシンチレータ７４の柱状結晶構造８４に至る。
【０１５４】
柱状結晶構造８４は、放射線１６の強度に応じた強度の可視光１３０（図１３Ａ及び図１３Ｂ参照）を発光し、可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分から接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出基板７２に入射する。なお、一部の可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分から非柱状結晶部分８２に向かって進行する場合もあるが、非柱状結晶部分８２及び蒸着基板１０８により光検出基板７２の方向に反射され、その反射光も、柱状結晶構造８４と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介して光検出基板７２に入射する。
【０１５５】
そして、光検出基板７２に入射した可視光１３０には、光検出素子９４に直接入射する光もあるが、一部の光は、リセット光源７８の方向に向かって進行する。この場合、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態にあるため、リセット光源７８の方向に向かって進行した前記一部の光は、光検出基板７２の方向に反射され、その反射光は、光検出素子９４に入射する。従って、光検出素子９４には、直接入射した可視光１３０に加え、鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２で反射した反射光（可視光１３０）も入射するので、可視光１３０に対する光検出基板７２の各画素１９０（各光検出素子９４）の感度を容易に向上させることができる。
【０１５６】
そして、各画素１９０は、入射された上述の可視光１３０を電気信号に変換し、電荷として蓄積する。次いで、各画素１９０に保持された被写体１４の撮影部位の放射線画像である電荷情報は、カセッテ制御部１８２（図１７参照）からゲート駆動部１９８に供給される駆動信号に従って読み出される。
【０１５７】
すなわち、ゲート駆動部１９８は、ゲート線１９４を０行目から順次選択し、選択したゲート線１９４にゲート信号を供給して、該ゲート信号が供給されたＴＦＴ９２をオンにすることで、各画素１９０に蓄積された電荷を０行目から行単位で順次読み出す。各画素１９０から行単位で順次読み出された電荷は、各信号線１９６を介して各列のチャージアンプ２００に入力され、その後、マルチプレクサ部２０２及びＡＤ変換部２０４を介して、デジタル信号の電気信号としてメモリ１８４に記憶される（ステップＳ１１）。つまり、メモリ１８４には、行単位で得られた１行分の画像データが順次記憶される。
【０１５８】
メモリ１８４に記憶された放射線画像は、電子カセッテ２０Ａを識別するためのカセッテＩＤ情報と共に、通信部１８６を介して無線によりコンソール２２（図１参照）に送信される。コンソール２２は、受信された放射線画像及びカセッテＩＤ情報を表示装置２４に表示させる（ステップＳ１２）。また、カセッテ制御部１８２は、放射線画像及びカセッテＩＤ情報を共に表示操作部５６に表示させてもよい。
【０１５９】
医師は、表示装置２４又は表示操作部５６の表示内容を視認して放射線画像が得られたことを確認した後に、撮影オーダに登録された全ての撮影が完了したのであれば（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、被写体１４をポジショニング状態から解放する（ステップＳ１４）。
【０１６０】
次に、医師は、表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａの停止を指示すると、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を停止させる。これにより、バイアス電源１９２から各画素１９０へのバイアス電圧の供給も停止する。この結果、電子カセッテ２０Ａは、起動状態からスリープ状態に移行する。
【０１６１】
ステップＳ１５において、医師は、表示操作部５６の表示が消えて電子カセッテ２０Ａがスリープ状態に移行したことを確認した後に、該電子カセッテ２０Ａの取手５２（図２及び図３Ａ参照）を把持して、電子カセッテ２０Ａを所定の保管場所にまで搬送する。
【０１６２】
なお、ステップＳ１３において、低レート動画撮影を含む撮影オーダであって、全ての動画撮影が完了していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、放射線制御装置３２は、次の動画撮影（２枚目以降の放射線撮影）を実行し、前記撮影条件に従って被写体１４の撮影部位に放射線１６を再度照射する（ステップＳ９）。
【０１６３】
また、ステップＳ１３において、複数枚の静止画撮影を含む撮影オーダであって、全ての静止画撮影が完了していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、医師は、次の静止画撮影（２枚目以降の放射線撮影）を実行すべく、ステップＳ８の処理を再度実行する。
【０１６４】
このように、各光検出素子９４（各画素１９０）に対して光リセットを行わない撮影（少なくとも１枚の静止画撮影、低レート動画撮影）では、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持した状態で被写体１４に対する放射線撮影が実行される。
【０１６５】
［１］に示す光リセットを行わない場合での放射線撮影については、以上の通りである。
【０１６６】
次に、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａを用いて、各光検出素子９４（各画素１９０）に対する光リセット動作を伴う放射線撮影を行う場合（［２］〜［７］）について、図２０〜図２８を参照しながら説明する。
【０１６７】
ここで、これらの放射線撮影について順に説明する前に、光リセット動作の必要性について説明する。
【０１６８】
ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ及び図１５Ｂ〜図１７参照）では、可視光１３０から変換された電荷の一部がａ−Ｓｉの不純物準位に一旦捕捉され、その後、高レート動画撮影のような長時間撮影によるフォトダイオードの温度上昇等に起因して前記電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像のノイズの原因となる場合がある。そこで、［背景技術］の項目でも記載したように、従来は、放射線１６の非照射時（非撮影時）にフォトダイオードにリセット光１３２を照射して、前記不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線１６の照射時に可視光１３０から変換された電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにすることで、前記ノイズの低減を図るようにしている。
【０１６９】
しかしながら、従来の方法では、比較的浅く電荷を埋め込むため、フォトダイオードの温度が高くなると、ほとんどの電荷が不純物準位から吐き出されてしまい、ノイズ低減の効果が得られなくなる。また、高レート動画撮影では、長時間にわたり撮影が繰り返し行われることによりフォトダイオードの温度が上昇するので、撮影間隔（フレームレート）と不純物準位からの電荷の吐出時間とがコンパラブルになれば、不純物準位からの電荷の吐き出しが顕著になると共に、各フレーム間での電荷の吐き出し量がばらつくおそれがある。
【０１７０】
従って、本実施形態では、不純物準位に電荷を予め十分に埋めておき、フォトダイオードの温度上昇に起因した各フレーム間での電荷の吐き出し量のばらつきを解消すると共に、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを放射線画像から画像処理によって除去（補正）する必要がある。
【０１７１】
一方、暗電流のレベルもフォトダイオードの温度によって変化する。特に、前記温度が上昇すると暗電流のレベルは大きくなる。従って、フォトダイオードが高温になると、放射線画像のノイズを無視できなくなる。従って、動画撮影ばかりでなく、静止画撮影でも撮影間隔が短い場合や、動画撮影から静止画撮影に切り換えたり、あるいは、静止画撮影から動画撮影に切り換えて撮影を続行する場合等、長時間にわたり放射線撮影を行う場合には、フォトダイオードが高温になりやすく、暗電流信号によるノイズが無視できない。
【０１７２】
このように、フォトダイオードの温度によってノイズが無視できないようになると、図２２に示すように、例えば、フォトダイオードの温度が閾値温度Ｔｃよりも高ければ、フレームレート閾値Ｆｔｈを当初のＦｔｈ０（初期値）から引き下げて、撮影オーダに示す低レート動画撮影又は高レート動画撮影の別に関わり無く、フォトダイオードの温度を考慮した光リセット動作の要否判定を行う必要も出てくる。
【０１７３】
そこで、図２０〜図２８での光リセット動作を必要とする撮影では、ａ−Ｓｉ等のフォトダイオードを用いた光検出素子９４の温度も考慮して、光リセット動作の要否判定を行う。
【０１７４】
次に、光リセット動作を伴う放射線撮影について、［２］〜［７］に分けて説明する。
【０１７５】
［２］  静止画撮影又は低レート動画撮影を含む撮影オーダに従った放射線撮影であって、撮影前の光リセット動作を少なくとも１回行う場合（図２０参照）。
【０１７６】
これは、高画質の放射線画像が要求されるため、撮影前に光リセット動作を少なくとも１回行って、ノイズの少ない放射線画像を取得する場合を想定している。すなわち、［１］で説明した撮影オーダであっても、より高画質の放射線画像を取得するために、撮影前に光リセットを少なくとも１回行う場合を想定している。
【０１７７】
先ず、ステップＳ５（図１８参照）後の図２０のステップＳ２１において、光リセット動作判定部２１４（図１７参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、少なくとも１枚の静止画撮影又は低レート動画撮影であることを示す判定結果であることから、撮影開始前に少なくとも１回の光リセット動作が必要と判断し、撮影開始前に光リセット動作が必要である旨の判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、前記判定結果を表示操作部５６に表示する。また、スピーカ５８は、前記判定結果を示す音を外部に出力してもよい。
【０１７８】
フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、切換フィルタ７６（図３Ａ、図４Ａ、図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ２１）。また、光源制御部２１８は、前記判定結果に基づいて、リセット光源７８を駆動してリセット光１３２の出力を開始させる。
【０１７９】
これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射する。この結果、各光検出素子９４（各画素１９０）に対する光リセットが行われる（ステップＳ２２）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させて、光リセット動作を終了させる。
【０１８０】
一方、フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻す必要がある場合には（ステップＳ２３：ＮＯ）、ステップＳ２１での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ２４）。
【０１８１】
このようにして、光リセット動作が終了した後に、放射線画像撮影システム１０では、図１９のステップＳ８の処理が行われる。
【０１８２】
なお、図２０のステップＳ２３において、切換フィルタ７６の鏡状態に切り換えればよいか否かの判定は、例えば、下記の基準に従って判定すればよい。
【０１８３】
１枚の静止画撮影では、撮影前に光リセットを１回行えば、ノイズの少ない放射線画像が得られる。また、撮影中、切換フィルタ７６が鏡状態であれば、可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させることができるので、光検出素子９４の感度を容易に向上させることができる。さらに、複数枚の静止画撮影又は低レート動画撮影においては、撮影間隔が比較的長ければ、フォトダイオードの温度はそれ程上昇しないことが予想されるので、２枚目以降の撮影の直前に光リセットを行わなくても、高画質の放射線画像が得られるものと思われる。従って、フィルタ制御部２１６は、これらの撮影については、高感度且つ高画質の放射線画像の取得を目的として、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻す旨の判定をすればよい。
【０１８４】
また、前述したように、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ（又は電子カセッテ２０Ｂ）では、放射線１６の照射方向に沿って、リセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４の順に配置されているので、放射線１６はリセット光源７８等を透過してシンチレータ７４に到達する。そのため、リセット光源７８は、放射線１６の照射に起因してリセット光１３２を発生する可能性がある。しかしながら、上記のように、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にしておけば、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２で反射するので、放射線撮影中にリセット光１３２が光検出基板７２に入射するおそれを確実に回避することができる。
【０１８５】
なお、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ（２０Ｂ）では、上述のように、撮影中、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持する必要があるため、ステップＳ２３の判定処理では、肯定的な判定（ステップＳ２３：ＹＥＳ）しか行わない。あるいは、ステップＳ２３の判定処理を省略し、ステップＳ２２の光リセット動作の終了後、直ちにステップＳ２４の処理を行ってもよい。これに対して、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、ステップＳ２３において、肯定的な判定又は否定的な判定を行うことが可能である。ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄの動作については後述する。
【０１８６】
このように、［２］のケースでは、撮影開始前に光リセットを少なくとも１回実行する。光リセット後、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持して静止画撮影又は低レート動画撮影が行われる。
【０１８７】
［３］  複数枚の撮影（静止画撮影又は動画撮影）を含む撮影オーダに従った放射線撮影であって、撮影と撮影との間に光リセット動作を行う場合（図２１参照）。
【０１８８】
これは、複数枚の静止画撮影、低レート動作撮影、又は、高レート動画撮影のように、連続撮影中に光リセット動作を行う場合を想定している。
【０１８９】
ステップＳ１３（図１９参照）において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）の図２１のステップＳ２５において、光リセット動作判定部２１４（図１７参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、複数枚の撮影（複数枚の静止画撮影、動画撮影）であることを示す判定結果であることから、撮影と撮影との間に光リセット動作を行うことが必要と判断し（ステップＳ２５：ＹＥＳ）、撮影と撮影との間での光リセット動作が必要である旨の判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、前記判定結果を表示操作部５６に表示する。この場合でも、スピーカ５８は、前記判定結果を示す音を外部に出力してもよい。
【０１９０】
フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から判定結果が通知されると、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）が現在鏡状態であるか否かを確認し（ステップＳ２６）、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態であれば（ステップＳ２６：ＹＥＳ）、ステップＳ２１（図２０参照）の場合と同様に、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ２７）。
【０１９１】
また、光源制御部２１８は、前記判定結果に基づいて、ステップＳ２２の場合と同様に、リセット光源７８を駆動してリセット光１３２の出力を開始させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射するので、各光検出素子９４（各画素１９０）に対する光リセットを行うことができる（ステップＳ２８）。
【０１９２】
その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させ、一方で、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ２７で切換フィルタ７６に供給した電圧とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に再度切り換える（ステップＳ２９）。その後、放射線画像撮影システム１０では、図１９のステップＳ９の処理に戻り、次の撮影が行われる。
【０１９３】
このように、［３］のケースでは、複数枚の静止画撮影、低レート動作撮影、又は、高レート動画撮影を含む撮影オーダにおいて、撮影と撮影との間に、ステップＳ２５〜Ｓ２９の処理が実行されることで、（１フレーム中、）調光ミラーフイルム層１２２の状態が鏡状態又は透明状態に交互に切り換わり、前記透明状態の時間内に光リセット動作を行うことができる。
【０１９４】
なお、［２］のケースと同様に、［３］のケースでも、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ（２０Ｂ）では、撮影中、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持しているので、ステップＳ２６の判定処理では、肯定的な判定（ステップＳ２６：ＹＥＳ）しか行わない。あるいは、ステップＳ２６の判定処理を省略し、ステップＳ２５の判定処理後、直ちにステップＳ２７の処理を行ってもよい。これに対して、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、後述するように、ステップＳ２６において、肯定的な判定又は否定的な判定を行うことが可能である。
【０１９５】
また、ステップＳ２５において、光リセット動作判定部２１４は、複数枚の撮影を示す判定結果であっても、撮影と撮影との間に光リセット動作を行わなくてもよいと判断した場合には（ステップＳ２５：ＮＯ）、光リセット動作が不要の判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、前記判定結果を表示操作部５６に表示し、あるいは、スピーカ５８から音として出力してもよい。その後、放射線画像撮影システム１０では、ステップＳ９の処理に戻り、次の撮影が行われる。
【０１９６】
なお、光リセット動作判定部２１４は、ステップＳ２５において、上述の撮影方法（複数枚の静止画撮影又は動画撮影）に加え、光検出素子９４の温度も考慮して、光リセット動作の要否判定を行ってもよい。
【０１９７】
例えば、前回の撮影において各画素１９０から読み出された電気信号の画素値のうち、放射線１６が照射されていない箇所に配置された画素１９０から読み出された電気信号の画素値は、暗電流に応じた画素値であると想定される。そこで、温度検出部２１２は、当該画素１９０から読み出された電気信号（暗電流）の画素値に基づいて、画素１９０（フォトダイオード）の温度を検出し、その検出結果を光リセット動作判定部２１４に出力すればよい。
【０１９８】
この場合、光リセット動作判定部２１４は、ステップＳ２５において、温度検出部２１２が検出した前記温度に対応するフレームレート閾値Ｆｔｈを図２２から特定し、特定したフレームレート閾値Ｆｔｈと、撮影オーダ判定部２１０で判定された撮影方法でのフレームレートとを比較し、前記フレームレートが前記温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも高ければ、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ２５：ＹＥＳ）、一方で、フレームレートが該フレームレート閾値Ｆｔｈよりも低ければ光リセット動作が不要と判定してもよい（ステップＳ２５：ＮＯ）。
【０１９９】
なお、温度検出部２１２で検出した温度が閾値温度Ｔｃよりも低く、フレームレート閾値が初期値としてのＦｔｈ０である場合に、光リセット動作判定部２１４は、前記温度を考慮した判定処理を行わず、前記撮影方法でのフレームレートとフレームレート閾値Ｆｔｈ０との比較のみによって、光リセット動作の要否を判定すればよい。
【０２００】
上述した［２］及び［３］のケースでは、少なくとも１枚の静止画撮影、低レート動画撮影、又は、高レート動画撮影のうち、いずれか１つの撮影を含む撮影オーダに従って、被写体１４の放射線撮影を行う場合について説明した。
【０２０１】
しかしながら、撮影オーダには、上述の１種類の撮影に限らず、例えば、図２３Ａ〜図２３Ｃに示すように、２種類以上の撮影を行うような撮影オーダもある。すなわち、図２３Ａは、静止画撮影を行った後に動画撮影を行う場合を図示し、図２３Ｂは、動画撮影を行った後に静止画撮影を行う場合を図示し、図２３Ｃは、静止画撮影を行った後に低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影を行う場合を図示している。
【０２０２】
このような２種類以上の撮影が含まれる撮影方法では、撮影方法を切り換えるタイミング（時間Ｔ）で調光ミラーフイルム層１２２の状態を切り換えたり（図２３Ａ及び図２３Ｂ参照）、あるいは、撮影間隔が比較的長いときに前もって調光ミラーフイルム層１２２の状態を切り換える場合がある（図２３Ｃ参照）。
【０２０３】
次に、このような２種類以上の撮影が含まれる撮影オーダでの放射線撮影及び光リセット動作（［４］〜［７］のケース）について、図２４〜図２８を参照しながら説明する。
【０２０４】
［４］  少なくとも１枚の静止画撮影及び動画撮影の順に撮影が行われる撮影オーダであって、静止画撮影から動画撮影への切り換えのタイミングで切換フィルタ７６の状態も切り換える場合（図２３Ａ参照）。
【０２０５】
ここでは、静止画撮影においては調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）が鏡状態であり、静止画撮影から動画撮影に切り換わる時間Ｔの後、動画撮影では、フレームレートによって、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態を維持するか、あるいは、１フレーム中、鏡状態又は透明状態に交互に切り換わる場合について説明する。従って、調光ミラーフイルム層１２２は、時間Ｔのタイミングで、その状態が切り換わる。また、［４］において動画撮影とは、低レート動画撮影又は高レート動画撮影である。
【０２０６】
先ず、図１８のステップＳ５後のステップＳ３１（図２４参照）において、撮影オーダに含まれる撮影方法が静止画撮影及び動画撮影の順に行われる撮影であれば（ステップＳ３１：ＹＥＳ）、ステップＳ７（図１８参照）以降の処理が行われ、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして静止画撮影が行われる。
【０２０７】
その後、ステップＳ１３（図１９参照）において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、ステップＳ４１（図２５参照）において、撮影オーダ判定部２１０（図１７参照）から通知された判定結果が、静止画撮影及び動画撮影の順に行われることを示す判定結果である場合には（ステップＳ４１：ＹＥＳ）、次に、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングであるか否かを判定する（ステップＳ４２）。
【０２０８】
ステップＳ４２において、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングではない、すなわち、次の撮影も静止画撮影であると判定した場合（ステップＳ４２：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、その判定結果を表示操作部５６に表示する。これにより、医師は、表示操作部５６の表示内容を確認し、図１９のステップＳ８の処理を再度行って、次の静止画撮影を実行する。
【０２０９】
一方、ステップＳ４２において、時間Ｔ内であり、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングであれば（ステップＳ４２：ＹＥＳ）、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作を行うべきか否かを判定する（ステップＳ４３）。
【０２１０】
前回の撮影が比較的大線量の静止画撮影であると共に、次の動画撮影は比較的低線量での撮影である場合に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ４３：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。また、スピーカ５８は、前記判定結果を示す音を外部に出力してもよい。
【０２１１】
フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６（図３Ａ、図４Ａ、図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ４４）。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射する。これにより、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ４５）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させて、光リセットを終了させる。次に、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ４４での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して、透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ４７）。ステップＳ４７後、図１９のステップＳ９の処理が実行され、動画撮影（低レート動画撮影又は高レート動画撮影）が開始される。
【０２１２】
なお、ステップＳ４３において、図２３Ａの時間Ｔが比較的長時間であるため、フォトダイオードがそれ程高温にならない場合、光リセット動作を行わなくても暗電流によるノイズの影響が少ない場合、あるいは、前回の撮影が比較的小線量の静止画撮影である場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ４３：ＮＯ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合には、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態に維持されているので、図２５に破線で示すように、ステップＳ４７を省略し、その後、図１９のステップＳ９の処理が実行されて動画撮影（低レート動画撮影又は高レート動画撮影）が開始される。
【０２１３】
また、［２］及び［３］のケースと同様に、［４］のケースでもＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ（２０Ｂ）では、撮影中、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持する必要があるため、光リセット動作の終了後、直ちに調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻している（ステップＳ４５、Ｓ４７）。これに対して、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、後述するように、フレームレートの大きさに応じて、鏡状態又は透明状態を選択する処理（ステップＳ４６〜Ｓ４８）を行うことが可能である。
【０２１４】
［５］  動画撮影及び少なくとも１枚の静止画撮影の順に撮影が行われる撮影オーダであって、動画撮影から静止画撮影への切り換えのタイミングで切換フィルタ７６の状態も切り換える場合（図２３Ｂ参照）。
【０２１５】
ここでは、動画撮影において、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）が鏡状態を維持するか、あるいは、１フレーム中、鏡状態又は透明状態に交互に切り換わり、動画撮影から静止画撮影に切り換わる時間Ｔの後、静止画撮影においては調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態を維持する場合について説明する。従って、動画撮影から静止画撮影に切り換わる時間Ｔに、調光ミラーフイルム層１２２は、その状態が切り換わる。また、［５］においても、動画撮影とは、低レート動画撮影又は高レート動画撮影とする。
【０２１６】
先ず、図１８のステップＳ５後のステップＳ３１（図２４参照）において、撮影オーダに含まれる撮影方法が動画撮影及び静止画撮影の順に行われる撮影である場合であって（ステップＳ３１：ＮＯ、ステップＳ３２：ＹＥＳ）、動画撮影が低レート動画撮影であれば（ステップＳ３３：ＹＥＳ）、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態としたままで低レート動画撮影が行われる（ステップＳ７以降の処理）。
【０２１７】
一方、動画撮影が高レート動画撮影であれば（ステップＳ３３：ＮＯ）、図２０のステップＳ２１〜Ｓ２４の処理が実行されて、撮影前の光リセット動作が行われた後に図１９のステップＳ８以降の処理が行われる。
【０２１８】
その後、ステップＳ１３（図１９参照）において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４（図１７参照）は、図２５のステップＳ４１において、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、動画撮影及び静止画撮影の順に行われることを示す判定結果であるため（図２５のステップＳ４１：ＮＯ、図２６のステップＳ５１：ＹＥＳ）、次に、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングであるか否かを判定する（ステップＳ５２）。
【０２１９】
ステップＳ５２において、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミング、すなわち、時間Ｔ内にあって、次の撮影は静止画撮影であると判定した場合（ステップＳ５２：ＹＥＳ）、光リセット動作判定部２１４は、次に、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（ステップＳ５３）。
【０２２０】
静止画撮影において、ノイズの少ない放射線画像を取得したい場合、あるいは、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２２参照）よりも動画撮影のフレームレートが高かった場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ５３：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。また、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力してもよい。
【０２２１】
フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ５４）。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ５５）。光リセット後、図１８のステップＳ７の処理が行われ、調光ミラーフイルム層１２２は鏡状態に切り換わる。その後、図１９のステップＳ８以降の処理、すなわち、静止画撮影が実行される。
【０２２２】
一方、ステップＳ５２において、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングではない場合、すなわち、次の撮影も動画撮影である場合（ステップＳ５２：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、引き続き行われる動画撮影が低レート動画撮影であるか否かを判定する（ステップＳ５６）。
【０２２３】
低レート動画撮影であれば（ステップＳ５６：ＹＥＳ）、図１９のステップＳ９の処理が実行され、一方で、高レート動画撮影であれば（ステップＳ５６：ＮＯ）、図２１のステップＳ２５の処理が実行される。
【０２２４】
また、ステップＳ５３において、時間Ｔが長時間であり、光リセット動作を実行しなくても、静止画撮影においてノイズの少ない高画質の放射線画像が取得されることが予想される場合、あるいは、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが低い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ５３：ＮＯ）、その判定結果を表示操作部５６に表示させ、その後、図１９のステップＳ８以降の静止画撮影が実行される。
【０２２５】
なお、ステップＳ５３において、フォトダイオードの温度に基づいて光リセット動作の要否を判定する場合には、［３］でも説明したように、放射線１６が照射されていない画素１９０から読み出された画素値よりフォトダイオードの温度を検出し、検出した温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（又はＦｔｈ０）と動画撮影のフレームレートとに基づいて、光リセット動作の要否を判定すればよい。
【０２２６】
［６］  フレームレートの異なる２種類の動画撮影が行われる撮影オーダの場合（図２３Ｃの一部）。
【０２２７】
この場合、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われるか、あるいは、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる。
【０２２８】
なお、［４］又は［５］の場合とは異なり、［６］の場合には、フォトダイオードの温度や撮影間隔等によっては、フレームレートが途中で切り換わっても（低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換え、又は、高レート動画撮影から低レート動画撮影への切り換え）、１フレーム中での調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）での鏡状態又は透明状態の交互の切り換えを維持し続ける場合があり得る。
【０２２９】
先ず、図１８のステップＳ５後のステップＳ３１（図２４参照）において、撮影オーダに含まれる撮影方法が２種類の動画撮影が順に行われる撮影であって（ステップＳ３１：ＮＯ、ステップＳ３２：ＮＯ）、低レート動画撮影から撮影が開始される撮影オーダであれば（ステップＳ３４：ＹＥＳ）、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして低レート動画撮影が行われる（図１８のステップＳ７以降の処理）。
【０２３０】
一方、高レート動画撮影から撮影が開始される撮影オーダであれば（ステップＳ３４：ＮＯ）、図２０のステップＳ２１〜Ｓ２４の処理が実行されて、撮影前の光リセット動作が行われた後に図１９のステップＳ８以降の処理が行われる。
【０２３１】
その後、ステップＳ１３において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４（図１７参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、２種類の動画撮影が順に行われることを示す判定結果であり（図２５のステップＳ４１：ＮＯ、図２６のステップＳ５１：ＮＯ）、且つ、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われる判定結果であれば（図２７のステップＳ６１：ＹＥＳ）、次に、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（ステップＳ６４）。
【０２３２】
フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２２参照）よりも低レート動画撮影のフレームレートが高い場合や、次の撮影が高レート動画撮影である場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ６４：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合も、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力してもよい。
【０２３３】
フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態を変化させ、一方で、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットを行うことができる（ステップＳ６５）。光リセットの終了後、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に戻す（図２８のステップＳ７４）。その後、図１９のステップＳ９以降の処理、すなわち、動画撮影（低レート動画撮影又は高レート動画撮影）が引き続き実行される。
【０２３４】
また、ステップＳ６４において、光リセット動作判定部２１４が光リセット動作は不要と判定した場合（ステップＳ６４：ＮＯ）、すなわち、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも低レート動画撮影のフレームレートが低い場合には、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持したままで、ステップＳ９以降の処理が実行される。
【０２３５】
ところで、ステップＳ６１において、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる判定結果であれば（ステップＳ６１：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、次に、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（図２８のステップＳ７１）。
【０２３６】
フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが高い場合に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ７１：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合でも、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力する。
【０２３７】
フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態を切り換える。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入  射するので、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ７２）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８の駆動を停止させて光リセットを終了させる。次に、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ７４の処理を実行して、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ７４）。その後、図１９のステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。
【０２３８】
一方、ステップＳ７１において、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが低い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ７１：ＮＯ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。
【０２３９】
［７］  フレームレートの異なる２種類の動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダの場合（図２３Ｃ参照）。
【０２４０】
この場合、例えば、図２３Ｃに示すように、静止画撮影、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われていくので、静止画撮影から低レート動画撮影への切り換えに関しては、［４］のケースをそのまま適用すればよい。
【０２４１】
また、低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換えに関しては、［６］のケースをそのまま適用すればよい。
【０２４２】
なお、［７］では、図２３Ｃの場合のみならず、高レート動画撮影、低レート動画撮影及び静止画撮影の順に撮影が行われる場合や、低レート動画撮影と高レート動画撮影との間に静止画撮影が実行される場合もある。これらの撮影についても、前述した［４］〜［６］のケースを適宜適用すればよいことは勿論である。
【０２４３】
また、本実施形態では、フレームレートやフォトダイオードの温度に基づき光リセットの要否を判定し、光検出素子９４に対して光リセットを行う場合には、フォトダイオードの不純物準位に電荷が十分埋まるように光リセットを行うことで、該フォトダイオードの温度上昇に起因した各フレーム間での電荷の吐き出し量のばらつきを解消している。そのため、動画撮影等の複数枚の撮影では、各フレームにおいて、不純物準位から吐き出される電荷の吐き出し量が一定量となる。従って、［２］〜［７］のケースにおいて、光リセットが行われる複数枚の撮影では、例えば、ステップＳ１２において、カセッテ制御部１８２又はコンソール２２は、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを各放射線画像から除去（補正）する画像処理を行えばよい。このようにすれば、ノイズが除去された高画質の放射線画像を表示操作部５６や表示装置２４に表示させることができる。
【０２４４】
本実施形態に係る電子カセッテ２０を有する放射線画像撮影システム１０の動作は、以上説明した通りである。
【０２４５】
次に、電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）に関する変形例や、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄに関し、より詳細に説明する。なお、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄの説明では、図１８〜図２８を参照しながら該電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄの動作も併せて説明する。
【０２４６】
図２９Ａ及び図２９Ｂは、フォトダイオードの温度検出をより正確且つ効率よく行うための切換フィルタ７６の構成である。
【０２４７】
すなわち、調光ミラーフイルム層１２２の一部にリセット光１３２が常時通過可能な窓部２３０が形成されている。この場合、窓部２３０は、温度が上がりやすい領域に配置された光検出素子９４と対向する位置に設けられていることが望ましい。より望ましくは、放射線１６が照射されない領域に配置された光検出素子９４と対向する位置に窓部２３０を設ける。
【０２４８】
ここで、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態にある場合、リセット光源７８がリセット光１３２を出力すると、リセット光１３２の大部分は鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２でリセット光源７８の方向に反射されるが、窓部２３０に向かって進行するリセット光１３２は、該窓部２３０を通過して、窓部２３０に対向する光検出素子９４（放射線１６が照射されないフォトダイオード）に照射される。
【０２４９】
リセット光１３２が照射された光検出素子９４では、該リセット光１３２を検出して電荷として蓄積する。前述したように、この光検出素子９４は、放射線１６が照射されない箇所に配置されたフォトダイオードであるため、蓄積された電荷を電気信号として読み出すと、当該電気信号の画素値は、暗電流信号に応じた画素値となる。従って、温度検出部２１２（図１７参照）は、前記暗電流に応じた画素値に基づいて、前記フォトダイオードの温度を検出し、光リセット動作判定部２１４は、検出された温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２２参照）を特定し、特定したフレームレート閾値Ｆｔｈと、動画撮影のフレームレートとの比較に基づいて、光リセット動作をすべきか否かを判定することができる。従って、光リセット動作が必要と判定した場合には、フィルタ制御部２１６を介して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換えることができる。
【０２５０】
図３０Ａ〜図３１Ｂは、図４Ｂに示した第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂの具体的な構成を図示したものである。
【０２５１】
図３０Ａの電子カセッテ２０Ｂにおいて、光検出基板７２は、図６Ａと同じ構成であり、シンチレータ７４は、ＴＦＴ９２、光検出素子９４及び平坦化膜９６を介して基材９０に成膜される。この場合でも、図６Ａの構成でも説明したように、基材９０として、通常は、ガラス基板を採用すればよいが、他の材料を用いてもよい。
【０２５２】
すなわち、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から光検出素子９４を構成すると共に、有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブからＴＦＴ９２を構成する場合には、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４を低温成膜により形成することが可能であるため、ポリイミドフイルム、ポリアリレートフイルム、二軸延伸ポリスチレンフイルム、アラミドフイルム又はバイオナノファイバのような、少なくともリセット光１３２に対して透過性を有し、且つ、可撓性を有するプラスチックフイルムを、基材９０として採用することができる。
【０２５３】
また、図３０Ａでは、筐体４４の底板８０と柱状結晶構造８４の先端部分との間に、可視光１３０を反射可能なアルミニウム等の反射層２６０が介挿されている。
【０２５４】
図３０Ａの電子カセッテ２０Ｂでは、図６Ａの光検出基板７２の構成を採用したので、図６Ａの電子カセッテ２０Ａと同様の効果を奏することができる。また、放射線１６の照射時に、柱状結晶構造８４において該放射線１６から変換された可視光１３０の一部が底板８０側に進行した場合、反射層２６０は、一部の可視光１３０を光検出基板７２側に反射するので、その反射光（一部の可視光１３０）は、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射する。従って、電子カセッテ２０Ｂにおいても、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度を向上させることができる。
【０２５５】
図３０Ｂの電子カセッテ２０Ｂは、筐体４４が放射線１６を透過し且つ可視光１３０を反射可能なアルミニウム等の金属から構成され、反射層２６０を省略した点で、図３０Ａの構成とは異なる。この構成では、放射線１６の照射時に、柱状結晶構造８４において該放射線１６から変換された可視光１３０の一部が底板８０側に進行した場合、底板８０が一部の可視光１３０を光検出基板７２側に反射し、その反射光（一部の可視光１３０）は、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射する。従って、図３０Ｂの構成においても、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度を向上させることができる。
【０２５６】
図３１Ａの電子カセッテ２０Ｂは、基材９０を省略して、光検出基板７２と切換フィルタ７６とを少なくともリセット光１３２を透過可能な接着層２６２ａ又は粘着層２６２ｂを介して密着させた点で、図３０Ａの構成とは異なる。
【０２５７】
接着層２６２ａは、接着層８０ａと同じ材質であればよく、一方で、粘着層２６２ｂも粘着層８０ｂと同じ材質であればよい。この構成では、基材９０が省略されるので、基材９０で吸収される放射線１６もシンチレータ７４に到達し、結果的に、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度を向上させることができる。また、基材９０が無いことで、シンチレータ７４で発生した可視光１３０を光検出素子９４に集光させつつ、放射線画像の画像ボケの発生を効果的に抑制することができる。さらに、基材９０が無いことで、放射線検出器７０の薄型化も実現できる。
【０２５８】
図３１Ｂの電子カセッテ２０Ｂは、図３１Ａの場合と同様に、基材９０を省略して、光検出基板７２と切換フィルタ７６とを接着層２６２ａ又は粘着層２６２ｂを介して密着させた点で、図３０Ｂの構成とは異なる。この構成では、図３０Ｂの構成の効果に加え、図３１Ａの効果も得られる。
【０２５９】
図３２Ａ〜図３４Ｂは、電子カセッテ２０Ｂの製造工程を図示したものであり、一例として、図３１Ｂの構成に係る電子カセッテ２０Ｂを製造する場合について説明する。
【０２６０】
先ず、図３２Ａに示すように、基材９０の表面に剥離層１３６を形成し、その後、剥離層１３６の表面に接着層２６２ａ又は粘着層２６２ｂを形成する。次に、図３２Ｂに示すように、接着層２６２ａ又は粘着層２６２ｂの表面にＴＦＴ９２のアレイを形成し、その後、ＴＦＴ９２のアレイ上に光検出素子９４を形成する。次に、図３２Ｃに示すように、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４上に平坦化処理を施して平坦化膜９６を形成する。
【０２６１】
次に、図３３Ａに示すように、平坦化膜９６上にシンチレータ７４を成膜する。次に、図３３Ｂに示すように、ＣＶＤ法によって、柱状結晶構造８４における各柱をポリパラキシリレン樹脂で被覆するように、シンチレータ７４を防湿保護材８６で封止する。次に、剥離層１３６に図示しないレーザ光を照射することにより、図３４Ａに示すように、接着層２６２ａ又は粘着層２６２ｂに対して基材９０及び剥離層１３６を剥離させる。
【０２６２】
その後、図３４Ｂに示すように、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の積層体を転写体として、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２側に対して、シンチレータ７４及び光検出基板７２を接着層２６２ａにより接着させるか、あるいは、粘着層２６２ｂにより粘着させる。これにより、放射線検出器７０が完成する。なお、転写体としての切換フィルタ７６及びリセット光源７８の積層体に対するシンチレータ７４及び光検出基板７２の接着又は粘着（転写）は、公知の転写技術を利用して行えばよい。
【０２６３】
最後に、完成した放射線検出器７０を図３１Ｂのように配置されるように筐体４４内に収容する。これにより、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｂが構成される。
【０２６４】
このように、図３１Ｂの電子カセッテ２０Ｂを構成すれば、基材９０を介することがないので、放射線画像の画像ボケの発生を効果的に抑制することができると共に、光検出素子９４の感度も向上させることができる。なお、基材９０が少なくともリセット光１３２に対して透過性の材料からなる場合には、剥離層１３６を用いずに、基材９０にＴＦＴ９２及び光検出素子９４を直接形成してもよい。この場合には、図３０Ａ又は図３０Ｂの放射線検出器７０を製造することができる。
【０２６５】
そして、上述した第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂでは、図４Ｂ及び図３０Ａ〜図３１Ｂに示すように、光検出基板７２にシンチレータ７４が直接成膜されている点以外は、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図４Ａ及び図６Ａ参照）と略同様の構成であるため、前述した［１］〜［７］のケースをそのまま適用することが可能である。
【０２６６】
図３５Ａ及び図３５Ｂは、第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｃの放射線検出器７０近傍の要部断面図であり、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図６Ａ及び図８Ｂ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させて配置した点で異なる。ここでは、一例として、図６Ａ及び図８Ｂの放射線検出器７０を上下反転させて電子カセッテ２０Ｃの筐体４４内に配置した場合を図示している。
【０２６７】
また、図３６Ａ及び図３６Ｂは、第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｄの放射線検出器７０近傍の要部断面図であり、第３実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図３０Ａ及び図３１Ａ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させて配置した点で異なる。ここでは、一例として、図３０Ａ及び図３１Ａの放射線検出器７０を上下反転させて電子カセッテ２０Ｄの筐体４４内に配置した場合を図示している。
【０２６８】
なお、第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄの場合、被写体１４を透過した放射線１６は、シンチレータ７４にて可視光１３０に変換され、該可視光１３０は、光検出基板７２に入射される。該光検出基板７２の光検出素子９４は、可視光１３０を電気信号に変換する。すなわち、撮影中は、シンチレータ７４において、大部分の放射線１６が可視光１３０に変換されるので、シンチレータ７４を透過して切換フィルタ７６に到達する放射線１６は極めて少ない。また、撮影中、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態（金属状態）であれば、切換フィルタ７６に到達した放射線１６を金属状態の調光ミラーフイルム層１２２が吸収することにより、該放射線１６がリセット光源７８に到達することを阻止することができる。仮に、放射線１６がリセット光源７８に到達して、該リセット光源７８からリセット光１３２が出力されても、鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２でリセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させることができるので、光検出基板７２へのリセット光１３２の進行を阻止することができる。
【０２６９】
このように、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、筐体４４内部において、放射線１６の照射方向に沿って、シンチレータ７４、光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８が順に配置されているので、シンチレータ７４に到達する放射線１６の線量を減少させることなく、上述した作用及び効果を奏することができる。
【０２７０】
なお、上述のように、ＰＳＳ方式の場合には、ほとんどの放射線１６がシンチレータ７４で可視光１３０に変換され、シンチレータ７４及び光検出基板７２を透過して切換フィルタ７６に到達する放射線１６は極めて少ないため、放射線１６の照射中、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持することも可能である。
【０２７１】
すなわち、上記の［１］〜［７］のケースをＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄに適用する場合、電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄの動作としては、（１）上述した調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして放射線１６の照射を行う動作、又は、（２）調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持した状態で放射線１６の照射を行う動作が考えられる。
【０２７２】
そこで、次に、電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄを使用した場合での放射線画像撮影システム１０の動作について、前記（２）の動作を行う場合について、上述した［１］〜［７］のケース毎に説明する。
【０２７３】
ここでは、［１］〜［７］の各ケースについて、上述した（１）の動作とは異なる点についてのみ説明し、それ以外の共通点についての説明は省略する。
【０２７４】
［１］  少なくとも１枚の静止画撮影又は低レート動画撮影を含む撮影オーダに従った放射線撮影（図１８及び図１９参照）。
【０２７５】
［１］のケースに関しては、そのまま適用可能である。
【０２７６】
［２］  静止画撮影又は低レート動画撮影を含む撮影オーダに従った放射線撮影であって、撮影前の光リセット動作を少なくとも１回行う場合（図２０参照）。
【０２７７】
電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、下記のステップＳ２３、Ｓ２４の処理を行ってもよい。
【０２７８】
すなわち、ステップＳ２３において、フィルタ制御部２１６（図１７参照）は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）を鏡状態に戻す必要がある場合には（ステップＳ２３：ＮＯ）、ステップＳ２１での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ２４）。また、フィルタ制御部２１６は、前記判定結果に基づいて、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持する必要があると判断した場合には（ステップＳ２３：ＹＥＳ）、切換フィルタ７６への電圧供給は行わず、前記透明状態を維持させる。
【０２７９】
なお、ステップＳ２３において、切換フィルタ７６の透明状態を維持すべきか否かの判定に関しては、下記の判断基準に従って判定を行ってもよい。
【０２８０】
複数枚の静止画撮影又は低レート動画撮影であっても、撮影間隔が比較的短い撮影では、撮影回数を重ねていくと、フォトダイオードが高温になってくるので、２枚目以降の撮影では、撮影の直前に光リセットを行わないと、暗電流によるノイズが放射線画像に影響を与えることが想定される。また、調光ミラーフイルム層１２２における鏡状態及び透明状態の切り換えに要する時間が、撮影間隔よりも長ければ、切換フィルタ７６での切り換えが動画撮影のフレームレートに追従できない可能性もある。このような場合に、フィルタ制御部２１６は、光リセットを確実に行ってノイズの少ない放射線画像を取得する目的で、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻さず、透明状態を維持すべき旨の判定をすればよい。
【０２８１】
なお、前述したように、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ（又は電子カセッテ２０Ｄ）では、放射線１６（図１参照）の照射方向に沿って、シンチレータ７４、光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の順に配置されているので、ほとんどの放射線１６は柱状結晶構造８４で可視光１３０に変換され、切換フィルタ７６及びリセット光源７８にまで放射線１６が到達する可能性は極めて低い。従って、ＰＳＳ方式の場合、放射線１６の照射による切換フィルタ７６及びリセット光源７８の劣化を防止することができると共に、放射線１６の照射中、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持しても、該放射線１６の照射によってリセット光源７８でリセット光１３２が誤発生するおそれを回避することができる。
【０２８２】
このように、電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄを用いた場合、［２］のケースでは、撮影開始前に光リセットを少なくとも１回実行する。光リセット後、静止画撮影の撮影オーダにあっては、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持して静止画撮影が行われる。一方で、低レート動画撮影の撮影オーダにあっては、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして動画撮影が行われるか、あるいは、透明状態にして動画撮影が行われる。
【０２８３】
［３］  複数枚の静止画撮影又は動画撮影を含む撮影オーダに従った放射線撮影であって、撮影と撮影との間に光リセット動作を行う場合（図２１参照）。
【０２８４】
電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、下記のステップＳ２６、Ｓ３０の処理を行ってもよい。
【０２８５】
すなわち、ステップＳ２６において、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）が透明状態であれば（ステップＳ２６：ＮＯ）、すなわち、前記透明状態を維持しながら動画撮影を行っている場合には、フィルタ制御部２１６（図１７参照）は、切換フィルタ７６に対する電圧供給は行わず、透明状態を引き続き維持させると共に、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させて、ステップＳ２２、Ｓ２８と同様に、各画素１９０に対する光リセット動作を行わせる（ステップＳ３０）。その後、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力が停止され、次に、放射線画像撮影システム１０では、図１９のステップＳ９の処理に戻り、次の撮影を行う。
【０２８６】
このように、電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄにおいて、［３］のケースでは、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態を維持している場合には、撮影と撮影との間に光リセット動作を行い、その後は、鏡状態に戻すことなく、前記透明状態を維持させることも可能である。特に、高レート動画撮影を含む撮影オーダの場合には、調光ミラーフイルム層１２２での切換時間が高レート動画撮影のフレームレートに追従できないこともあり得るので、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持し続けることにより、撮影と撮影との間で光リセットを確実に行うことが可能となる。
【０２８７】
次に、［４］〜［７］のケースのような、２種類以上の撮影が含まれる撮影オーダでの放射線撮影及び光リセット動作について説明する。なお、電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、図２３Ｃの場合については、撮影方法を切り換えるタイミングで調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）の状態を切り換えようとしても切り換えに時間がかかるために（動画撮影のフレームレートに追従できないために）、撮影間隔が比較的長いときに前もって調光ミラーフイルム層１２２の状態を切り換える場合も想定している。
【０２８８】
［４］  少なくとも１枚の静止画撮影及び動画撮影の順に撮影が行われる撮影オーダであって、静止画撮影から動画撮影への切り換えのタイミングで切換フィルタ７６の状態も切り換える場合（図２３Ａ参照）。
【０２８９】
ここでは、前述した［４］の説明に加え、時間Ｔ後の動画撮影では、フレームレートによっては、透明状態を維持する場合も説明する。
【０２９０】
すなわち、図２５のステップＳ４６において、フィルタ制御部２１６（図１７参照）は、次に行われる動画撮影が低レート動画撮影であるか否かを判定する。
【０２９１】
低レート動画撮影は、比較的低いフレームレートでの動画撮影であるため、撮影間隔が比較的長く、フォトダイオードはそれ程高温にはならず、従って、光リセットは必須でない場合がある。また、撮影間隔が比較的長いため、光リセットを行う場合には、撮影と撮影との間に切換フィルタ７６（図３Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂ参照）の状態を切り換えるだけの時間を確保することも可能である。
【０２９２】
そこで、次に行われる動画撮影が低レート動画撮影であれば（ステップＳ４６：ＹＥＳ）、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ４４での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して、透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ４７）。ステップＳ４７後、ステップＳ９の処理が実行され、低レート動画撮影が開始される。
【０２９３】
また、ステップＳ４６において、次の撮影が高レート動画撮影である場合に（ステップＳ４６：ＮＯ）、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）の透明状態を維持することを決定する（ステップＳ４８）。その後、ステップＳ９の処理が実行され、高レート動画撮影が開始される。
【０２９４】
なお、ステップＳ４３において否定的な判定結果であった場合に（ステップＳ４３：ＮＯ）、調光ミラーフイルム層１２２の現在の状態が鏡状態である可能性もあり得る。そこで、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ４６において高レート動画撮影と判定した場合には（ステップＳ４６：ＮＯ）、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換えばよい（ステップＳ４８）。
【０２９５】
また、動画撮影（例えば、高レート動画撮影）においても、透明状態を維持するか、あるいは、フレームレートと比較して、調光ミラーフイルム層１２２の切換時間が長い場合には、ステップＳ４６、Ｓ４７の処理を省略してもよい。
【０２９６】
［５］  動画撮影及び少なくとも１枚の静止画撮影の順に撮影が行われる撮影オーダであって、動画撮影から静止画撮影への切り換えのタイミングで切換フィルタ７６の状態も切り換える場合（図２３Ｂ参照）。
【０２９７】
動画撮影中、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）が透明状態に維持されている場合には、図２６に破線で示すように、ステップＳ５４の処理を省略して、ステップＳ５５の光リセット動作を直ちに実行してもよい。
【０２９８】
［６］  フレームレートの異なる２種類の動画撮影が行われる撮影オーダの場合（図２３Ｃの一部）。
【０２９９】
電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄにおいては、［６］の場合、フォトダイオードの温度や撮影間隔等によっては、フレームレートが途中で切り換わっても、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）が透明状態を維持し続ける場合があり得る。
【０３００】
すなわち、図１９のステップＳ１３において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４（図１７参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、２種類の動画撮影が順に行われることを示す判定結果であり（図２５のステップＳ４１：ＮＯ、図２６のステップＳ５１：ＮＯ）、且つ、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われる判定結果であれば（図２７のステップＳ６１：ＹＥＳ）、次に、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に切り換えるべきか否かを判定する（ステップＳ６２）。
【０３０１】
すなわち、低レート動画撮影と比較して高レート動画撮影は、撮影間隔が短いので、１フレーム中に調光ミラーフイルム層１２２における鏡状態又は透明状態の切り換えを交互に行おうとしても、その切換時間が撮影間隔よりも長ければ、光リセット動作を行うことが困難になる。
【０３０２】
そこで、高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが追従できない場合には、図２３Ｃに示すように、撮影間隔が比較的長い低レート動画撮影中に鏡状態から透明状態に切り換えることが望ましい。
【０３０３】
そこで、図２７のステップＳ６２において、光リセット動作判定部２１４は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換えるべきと判定した場合（ステップＳ６２：ＹＥＳ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６（図３Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂ参照）に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ６３）。
【０３０４】
次に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（ステップＳ６４）。
【０３０５】
フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも低レート動画撮影のフレームレートが高い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ６４：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合も、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力してもよい。
【０３０６】
フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持し、一方で、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットを行うことができる（ステップＳ６５）。光リセットの終了後、調光ミラーフイルム層１２２は透明状態を維持し、次に、図１９のステップＳ９以降の処理、すなわち、低レート動画撮影が引き続き実行される。
【０３０７】
一方、ステップＳ６２において、光リセット動作判定部２１４は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持すべきと判定した場合（ステップＳ６２：ＮＯ）、すなわち、高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが十分に追従できる場合や、低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換えまで時間があるので、鏡状態を維持し続けた方がよい場合には、ステップＳ６３〜Ｓ６５の処理は行われず、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持したままで、ステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。
【０３０８】
また、ステップＳ６４において、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に切り換えても、光リセット動作判定部２１４が光リセット動作は不要と判定した場合（ステップＳ６４：ＮＯ）、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持したままで、ステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。
【０３０９】
さらに、前回以前の動画撮影において既に調光ミラーフイルム層１２２が透明状態になっている場合には、ステップＳ６１での肯定的な判定処理後、ステップＳ６２、６３の処理を省略して、ステップＳ６４の判定処理を実行すればよい。
【０３１０】
ところで、ステップＳ６１において、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる判定結果であれば（ステップＳ６１：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、次に、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（図２８のステップＳ７１）。
【０３１１】
フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２２参照）よりも動画撮影のフレームレートが高い場合に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ７１：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合でも、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力する。
【０３１２】
フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態を切り換える。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ７２）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８の駆動を停止させて光リセットを終了させる。次に、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態を切り換えるべきか否かを判定する（ステップＳ７３）。
【０３１３】
高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが十分に追従できる場合には（ステップＳ７３：ＹＥＳ）、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ７２での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ７４）。その後、図１９のステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。
【０３１４】
一方、高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが追従できない場合には（ステップＳ７３：ＮＯ）、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持し、その後、ステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。
【０３１５】
また、ステップＳ７１において、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが低い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ７１：ＮＯ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。
【０３１６】
［７］  フレームレートの異なる２種類の動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダの場合（図２３Ｃ参照）。
【０３１７】
静止画撮影から低レート動画撮影への切り換えに関しては、［４］のケースをそのまま適用する。
【０３１８】
また、低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換えに関しては、［６］のケースをそのまま適用する。すなわち、高レート動画撮影に切り換わった後に、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ〜図８Ｂ、図１１〜図１４Ｂ、図１５Ｂ及び図１６参照）の状態を、１フレーム中、鏡状態又は透明状態に切り換える場合に、切換時間がフレームレートに追従できない可能性もあるので、図２３Ｃに示すように、低レート動画撮影における撮影と撮影との間に調光ミラーフイルム層１２２の状態を予め鏡状態から透明状態に切り換え、高レート動画撮影中は透明状態を維持しておくことで、光リセットを確実に実行することができる。特に、被写体１４（図１参照）の関心領域（ＲＯＩ）に対する高レート動画撮影においては、透明状態を維持しつつ光リセットを適宜行うことで、放射線画像のノイズを確実に低減することができる。
【０３１９】
なお、ＰＳＳ方式の場合であっても、［２］〜［７］のケースでは、例えば、図１９のステップＳ１２において、カセッテ制御部１８２又はコンソール２２は、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを各放射線画像から除去（補正）する画像処理を行うことにより、ノイズが除去された高画質の放射線画像を表示操作部５６や表示装置２４に表示させることができる。
【０３２０】
第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄを有する放射線画像撮影システム１０の動作は、以上説明した通りである。
【０３２１】
以上説明したように、本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）によれば、リセット光１３２に対して切換フィルタ７６が透過状態に切り換わった場合、リセット光源７８は、光検出基板７２にリセット光１３２を照射することができる。これにより、光検出基板７２に対する光リセットを十分に行うことが可能となる。
【０３２２】
一方、リセット光１３２に対して切換フィルタ７６が非透過状態に切り換わった場合、シンチレータ７４で放射線１６から変換された可視光１３０は、光検出基板７２に到達するが、これらの可視光１３０のうち、リセット光源７８の方向に向かう光は、切換フィルタ７６で光検出基板７２の方向に反射するので、反射光は、リセット光源７８を介することなく光検出基板７２に入射する。これにより、光検出基板７２は、画像ボケのない高画質の放射線画像を取得することができると共に、光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量を増加させて、該可視光１３０に対する光検出基板７２の感度を向上させることができる。
【０３２３】
このように、本実施形態では、リセット光源７８、切換フィルタ７６、光検出基板７２及びシンチレータ７４の順に配置し、切換フィルタ７６がリセット光１３２に対して透過又は非透過に切換可能であるので、光検出基板７２に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、放射線画像の画像ボケの発生を防止しつつ、可視光１３０に対する光検出基板７２の感度を向上させることができる。
【０３２４】
また、切換フィルタ７６は、撮影オーダに基づいて、リセット光１３２を透過させる透明状態（透過状態）、又は、可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させると共にリセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させる鏡状態（非透過状態）に切換可能であるので、被写体１４に対する撮影方法（静止画撮影、動画撮影等）に応じて、切換フィルタ７６を透明状態又は鏡状態に維持するか、あるいは、適切な状態に切り換えることができ、光検出基板７２に対する光リセットや、画像ボケの抑制された高画質で且つ高感度の放射線画像の取得を、確実に且つ効率よく行うことができる。また、鏡状態となった切換フィルタ７６が可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させることにより、光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量が増加するので、被写体１４に照射する放射線１６の線量を低下させて、該被写体１４の被曝線量を低減することも可能となる。
【０３２５】
具体的に、少なくとも１枚の静止画撮影を含む撮影オーダである場合、又は、フレームレート閾値Ｆｔｈ（又はＦｔｈ０）よりも低いフレームレートでの動画撮影（低レート動画撮影）を含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、鏡状態を維持すればよい。
【０３２６】
これらの撮影では、高画質及び高感度の放射線画像の取得が特に要求されている。また、これらの撮影では、撮影間隔が比較的長いので、フォトダイオードの温度がそれ程上昇せず、従って、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが放射線画像に与える影響は大きくないものと想定される。
【０３２７】
そこで、上述した撮影オーダの場合には、切換フィルタ７６を鏡状態に維持することで光リセットを行わないようにし、一方、シンチレータ７４で放射線１６から変換された可視光１３０を確実に光検出基板７２側に反射させて、該光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量を増加させるようにする。この結果、低ノイズで且つ画像ボケの抑制された高画質及び高感度の放射線画像を容易に取得することができる。
【０３２８】
また、動画撮影（特に高レート動画撮影）を含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、各フレームにおいて、被写体１４に対する放射線１６の照射時には鏡状態を維持すると共に、非照射時には透明状態を維持することにより、鏡状態及び透明状態に順次切り換わればよい。
【０３２９】
この場合、１フレーム中、鏡状態及び透明状態に順次切り換わるので、被写体１４に対する放射線１６の照射時には、切換フィルタ７６が鏡状態に維持されて可視光１３０を確実に光検出基板７２側に反射させることができ、光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量を増加させることができる。また、放射線１６の非照射時には、切換フィルタ７６が透明状態に維持されるので、光検出基板７２に対する光リセットを十分に行うことができる。
【０３３０】
このように、動画撮影において、１フレーム中、切換フィルタ７６を鏡状態と透明状態とに交互に切り換えることで、高画質且つ高感度の放射線画像の取得と、該放射線画像のノイズの低減とを共に実現することができる。なお、このような、鏡状態及び透明状態の順次切換状態は、動画撮影のフレームレートに対して十分に追従できるような切換時間を実現できる切換フィルタ７６（撮影と撮影との間の時間よりも該切換時間が短い切換フィルタ７６）であれば実現可能である。
【０３３１】
動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、静止画撮影では鏡状態を維持し、一方で、動画撮影では、鏡状態を維持するか、あるいは、各フレームにおいて、被写体１４に対する放射線１６の照射時には鏡状態を維持すると共に、非照射時には透明状態を維持することにより、鏡状態及び透明状態に順次切り換わる。そのため、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングでは、鏡状態及び透明状態の順次切換状態から鏡状態に切り換わるか、あるいは、鏡状態を維持することになる。また、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングでは、鏡状態から鏡状態及び透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、鏡状態を引き続き維持することになる。
【０３３２】
このように、撮影方法（静止画撮影、動画撮影）が切り換わるタイミングで切換フィルタ７６の状態を維持するか、あるいは、切り換えることで、撮影方法に応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。
【０３３３】
さらに、低レート動画撮影と高レート動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、低レート動画撮影では鏡状態を維持すると共に、高レート動画撮影では、各フレームにおいて、被写体１４に対する放射線１６の照射時には鏡状態を維持すると共に、非照射時には透明状態を維持することにより、鏡状態及び透明状態に順次切り換わり、低レート動画撮影から高レート動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から鏡状態及び透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、高レート動画撮影から低レート動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態及び透明状態の順次切換状態から鏡状態に切り換わってもよい。
【０３３４】
このように、フレームレートが途中で変更する撮影オーダであっても、フレームレートが切り換わるタイミングで切換フィルタ７６の状態を切り換えれば、フレームレートに応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。
【０３３５】
上記の２種類の動画撮影に加え、少なくとも１枚の静止画撮影をさらに含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、静止画撮影では鏡状態を維持し、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングで該動画撮影に応じた切換フィルタ７６の状態から鏡状態に切り換わるか、あるいは、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から動画撮影に応じた切換フィルタ７６の状態に切り換わればよい。
【０３３６】
このように、静止画撮影も含まれる撮影オーダであっても、上記のように切換フィルタ７６の状態を切り換えることにより、それぞれの撮影において適切な放射線画像を容易に取得することができる。
【０３３７】
そして、上述した電子カセッテ２０において、光検出基板７２は、可視光１３０を電気信号に変換する複数の光検出素子９４を備え、切換フィルタ７６の一部には、リセット光１３２を常時透過可能な窓部２３０が調光ミラーフイルム層１２２に形成され、リセット光源７８が窓部２３０を介して該窓部２３０に対向する光検出素子９４にリセット光１３２を照射した場合に、リセット光１３２が照射された光検出素子９４は、該リセット光１３２に起因した暗電流信号を検出し、切換フィルタ７６は、暗電流信号に応じた光検出素子９４の温度及び撮影オーダに基づいて、鏡状態又は透明状態に切り換わってもよい。
【０３３８】
不純物準位に捕捉された電荷の再放出に起因するノイズのレベルは、フォトダイオードを用いた光検出素子９４の温度によって変化する。従って、光検出素子９４の温度に応じてフレームレート閾値Ｆｔｈを変化させることが望ましい。そこで、上述のように、暗電流信号に応じた温度及び撮影オーダに基づいて、切換フィルタ７６を鏡状態又は透明状態に切り換えることにより、光検出素子９４の温度変化に応じてノイズを効率よく低減することが可能となる。
【０３３９】
つまり、本実施形態では、従来の方法とは異なり、フレームレートやフォトダイオードの温度に基づいて光リセットの要否を判定し、光リセットを行う場合には、不純物準位に電荷を予め十分に埋めておくことで、フォトダイオードの温度上昇に起因した各フレーム間での電荷の吐き出し量のばらつきを解消するようにしている。この結果、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを放射線画像から画像処理によって除去（補正）して、より高画質の放射線画像を得ることが可能となる。
【０３４０】
また、切換フィルタ７６は、リセット光１３２の透過又は非透過を電気的に切換可能な調光ミラーフイルム層１２２を備え、調光ミラーフイルム層１２２側に光検出基板７２を配置すると共に、透明基材１１０側にリセット光源７８を配置することで、該切換フィルタ７６でのリセット光１３２に対する透過状態又は非透過状態（鏡状態）を容易に且つ効率よく切り換えることができる。
【０３４１】
また、リセット光源７８は、切換フィルタ７６を介して光検出基板７２と対向するように配置された発光素子１４２のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源である。
【０３４２】
この場合、バックライト式のリセット光源７８では、冷陰極管１５２や発光素子１６２を放射線１６の非照射領域に配置することが可能であるため、放射線１６による冷陰極管１５２や発光素子１６２の劣化を回避することができる。また、リセット光源７８が有機エレクトロルミネッセンス光源であれば、リセット光源７８の薄型化を実現することができる。
【０３４３】
また、光検出基板７２を構成する光検出素子９４を有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成し、一方で、ＴＦＴ９２を有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成すれば、光検出素子９４及びＴＦＴ９２を低温成膜により形成することが可能となる。
【０３４４】
さらに、光検出基板７２とシンチレータ７４との間に斜入光カット層１０２を介挿することにより、可視光１３０に対する光検出基板７２の感度の向上と、放射線画像の画像ボケの抑制とを共に実現することができる。
【０３４５】
なお、上述した第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄでは、様々な構成について説明したが、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、光検出基板７２から基材９０を剥離して転写する構成（図８Ａ、図３１Ａ及び図３１Ｂ参照）、シンチレータ７４に光検出基板７２を直接形成する構成（図８Ｂ及び図３５Ｂ参照）、又は、斜入光カット層１０２を有する構成（図７Ｂ参照）を採用することが、光検出素子９４における可視光１３０の感度の向上と、放射線画像の画像ボケの抑制との観点から好ましい。
【０３４６】
また、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ、及び、ＰＳＳ方式の電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、光検出基板７２から基材９０を剥離して転写する構成（図８Ａ、図３１Ａ及び図３１Ｂ参照）、又は、シンチレータ７４に光検出基板７２を直接形成する構成（図８Ｂ及び図３５Ｂ参照）と、エレクトロルミネッセンス光源（図１６参照）とを組み合わせた構成を採用することが、上記の観点に加え、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃの薄型化の観点からも特に好ましい。
【０３４７】
なお、本実施形態では、上記の説明に限定されることはなく、下記の方法を適用可能であることは勿論である。
【０３４８】
すなわち、上記の［１］〜［７］の説明において、光リセット動作判定部２１４は、フレームレート閾値Ｆｔｈに対するフレームレートの大きさに従って光リセットの要否を判定していたが、下記（１）〜（３）の方法により光リセットの要否判定を行ってもよい。
【０３４９】
（１）光リセット動作判定部２１４は、動画撮影中、画像取得枚数（撮影枚数）が所定の閾値を越えたら光リセットが必要と判定する。
【０３５０】
（２）光検出素子９４の温度上昇に伴って放射線画像のノイズレベルも大きくなるため、光リセット動作判定部２１４は、取得した放射線画像のノイズレベルが所定の閾値を越えたら光リセットが必要と判定してもよい。
【０３５１】
（３）上述した［６］のうち、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる場合（高フレームレートから低フレームレートに途中変更する動画撮影の場合）には、低フレームレートであるから光リセットが不要とは必ずしも言えない。すなわち、高レート動画撮影中、光検出素子９４に対して光リセットを繰り返し行うことにより、光検出素子９４が温度上昇する可能性がある。そこで、光リセット動作判定部２１４は、高レート動画撮影の影響を排除するために、低レート動画撮影においても光リセットが必要と判定してもよい。
【０３５２】
従って、光リセット動作判定部２１４は、フレームレートに基づく光リセットの要否判定に代替して、これら（１）〜（３）により要否判定を行ってもよい。また、光リセット動作判定部２１４は、フレームレートに基づく光リセットの要否判定と、（１）〜（３）のいずれか１つの方法とを併用して光リセットの要否判定を行ってもよい。さらに、光リセット動作判定部２１４は、フレームレートに基づく光リセットの要否判定と、（１）〜（３）の全ての方法とを併用して光リセットの要否判定を行ってもよい。
【０３５３】
なお、本発明は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【符号の説明】
【０３５４】
１０…放射線画像撮影システム
１４…被写体
１６…放射線
２０、２０Ａ〜２０Ｄ…電子カセッテ
７０…放射線検出器
７２…光検出基板
７４…シンチレータ
７６…切換フィルタ
７８…リセット光源
８８ａ、２６２ａ…接着層
８８ｂ、２６２ｂ…粘着層
９０…基材
９２…ＴＦＴ
９４…光検出素子
１０２…斜入光カット層
１０８…蒸着基板
１１０…透明基材
１１２…透明導電膜
１２２…調光ミラーフイルム層
１３０…可視光
１３２…リセット光
１３６…剥離層
１４２、１６２…発光素子
１５０…導光板
１５２…冷陰極管
１５４…拡散シート
１５６…反射シート
１８０…駆動回路部
１８２…カセッテ制御部
１９０…画素
２１０…撮影オーダ判定部
２１２…温度検出部
２１４…光リセット動作判定部
２１６…フィルタ制御部
２１８…光源制御部
２３０…窓部
【図１】
0005485860.tif 000002
【図２】
0005485860.tif 000003
【図３】
0005485860.tif 000004
【図４】
0005485860.tif 000005
【図５】
0005485860.tif 000006
【図６】
0005485860.tif 000007
【図７】
0005485860.tif 000008
【図８】
0005485860.tif 000009
【図９】
0005485860.tif 000010
【図１０】
0005485860.tif 000011
【図１１】
0005485860.tif 000012
【図１２】
0005485860.tif 000013
【図１３】
0005485860.tif 000014
【図１４】
0005485860.tif 000015
【図１５】
0005485860.tif 000016
【図１６】
0005485860.tif 000017
【図１７】
0005485860.tif 000018
【図１８】
0005485860.tif 000019
【図１９】
0005485860.tif 000020
【図２０】
0005485860.tif 000021
【図２１】
0005485860.tif 000022
【図２２】
0005485860.tif 000023
【図２３】
0005485860.tif 000024
【図２４】
0005485860.tif 000025
【図２５】
0005485860.tif 000026
【図２６】
0005485860.tif 000027
【図２７】
0005485860.tif 000028
【図２８】
0005485860.tif 000029
【図２９】
0005485860.tif 000030
【図３０】
0005485860.tif 000031
【図３１】
0005485860.tif 000032
【図３２】
0005485860.tif 000033
【図３３】
0005485860.tif 000034
【図３４】
0005485860.tif 000035
【図３５】
0005485860.tif 000036
【図３６】
0005485860.tif 000037