(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープを有し、エキスパンドすることにより、前記粘着剤層上に貼合されたウエハを個々のチップに対応して分断する際または前記粘着剤層上に貼合された接着剤フィルムおよび／または前記接着剤フィルムに貼合されたウエハを個々のチップに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウエハ加工用テープであって、
前記粘着テープは、２５℃での伸び率が２００％以上であって、２５℃で伸び率２００％以上に伸ばした後、１００℃に加熱することで伸び率が１２０％以下に収縮し、
１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１）で打ち抜いた前記収縮した粘着テープを、標線間距離４０ｍｍ、引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで、２５℃において１２０％に伸ばしたときにかかる力が、２Ｎ以上であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記粘着テープは、−１０℃での伸び率が１５０％以上であって、２５℃で伸び率２００％まで伸ばし、１００℃に加熱することで伸び率が１２０％以下に収縮し、
１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１）で打ち抜いた前記収縮した粘着テープを、標線間距離４０ｍｍ、引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで、２５℃において１２０％に伸ばしたときにかかる力が、２Ｎ以上であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項５】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項６】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項７】
−１５℃〜１０℃でエキスパンドすることを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エキスパンドにより接着剤フィルムおよび／またはウエハを個々のチップに対応して分断する際に用いられるウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性且つ粘着性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位で切断（ダイシング）する工程、粘着テープをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップをピックアップする工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材シートと粘着剤層とからなる粘着テープ（ダイシングテープ）の他、ダイシングテープと接着剤フィルムであるダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルムともいう）とが積層された構造を有するダイシング・ダイボンディングフィルムが提案されている。
【０００４】
一般に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディングフィルム側を貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及びダイボンディングフィルムをチップ単位にダイシングする。その後、ダイシングテープを周方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げる。このエキスパンド工程は、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるため、及び、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。
【０００５】
しかしながら、上記ダイシング工程において、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハとダイボンディングフィルムとを一緒にダイシングする場合には、ウエハの切削屑だけでなく、ダイボンディングフィルムの切削屑も発生する。ダイボンディングフィルムの切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下する。
【０００６】
上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをダイシングし、エキスパンド工程において、ダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボンディングフィルムを個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１の段落番号「００５５」〜段落番号「００５６」）。このようなエキスパンド時の張力を利用したダイボンディングフィルムの分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすことがない。
【０００７】
また、半導体ウエハを切断する方法としては、半導体ウエハのフルカットダイシングを行わずに、ウエハ表面からウエハの厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成するハーフカットダイシング法が知られている。この方法では、ハーフカットされたウエハを保持するダイシングテープをエキスパンドすることにより、ウエハをチップ単位に分割することができる。そして、このハーフカットダイシング法においても、エキスパンド時の張力を利用して、ウエハとともにダイボンディングフィルムを分断することが考えられる。
【０００８】
また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（ダイボンディングフィルム）を介在させてシート（ダイシングテープ）が貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
【００１０】
特許文献２の半導体基板の切断方法によれば、レーザー光の照射とシートのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハとダイボンド樹脂層（ダイボンディングフィルム）を切断するので、ダイシングブレードを用いる場合のようなチッピングを発生させることなく半導体ウエハの切断が可能である。したがって、例えば５０μｍ以下の極薄半導体ウエハを切断する場合に特に有用である。
【００１１】
上述したフルカットダイシング法、ハーフカットダイシング法、及びステルスダイシング法のいずれを採用した場合においても、接着剤であるダイボンディングフィルムの切削屑の発生を回避するためには、ダイシングテープのエキスパンドによってダイボンディングフィルムを分断することが有効である。
【００１２】
しかしながら、ダイボンディングフィルムは、柔軟で伸び易いため、ダイシングテープのエキスパンドによって分断され難いという問題がある。エキスパンドによるダイボンディングフィルムの分断性を向上させるためには、ダイシングテープのエキスパンド量を増やす必要性がある。しかし、エキスパンド量を増やすことで、ダイシングテープのたわみ量も増え、その後の搬送工程などに悪影響を及ぼす。
【００１３】
これまで、ダイシングテープのたわみをなくす方法として、例えば、たわんだ部分を加熱して収縮させることが提案されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−５５３０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３８４６７号公報
【特許文献３】特開２００７−１５７８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献３に記載の方法のようにダイシングテープのたわんだ部分を加熱して収縮させても、エキスパンド量が多いために、十分に収縮せず、その後の工程に搬送できないばかりか、ピックアップ工程で再度十分なエキスパンドが出来なくなり、ピックアップ性が悪くなるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープを有し、エキスパンドすることにより、前記粘着剤層上に貼合されたウエハを個々のチップに対応して分断する際または前記粘着剤層上に貼合された接着剤フィルムおよび／または前記接着剤フィルムに貼合されたウエハを個々のチップに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウエハ加工用テープであって、前記粘着テープは、２５℃での伸び率が２００％以上であって、２５℃で伸び率２００％以上に伸ばした後、１００℃に加熱することで伸び率が１２０％以下に収縮し、１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１）で打ち抜いた前記収縮した粘着テープを、標線間距離４０ｍｍ、引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで、２５℃において１２０％に伸ばしたときにかかる力が、２Ｎ以上であることを特徴とするウエハ加工用テープを用いることで、各工程を効率よく行えることを見出した。
【００１７】
また、上記ウエハ加工用テープは、前記粘着テープが、−１０℃での伸び率が１５０％以上であって、２５℃で伸び率２００％まで伸ばし、１００℃に加熱することで伸び率が１２０％以下に収縮し、１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１）で打ち抜いた前記収縮した粘着テープを、標線間距離４０ｍｍ、引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで、２５℃において１２０％に伸ばしたときにかかる力が、２Ｎ以上であることが好ましい。
【００１８】
上記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００１９】
また、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００２０】
また、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００２１】
また、
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００２２】
また、上記ウエハ加工用テープは、−１５℃〜１０℃でエキスパンドする工程を含む半導体装置の製造方法にも好適に使用することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のウエハ加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層とを有し、エキスパンドすることにより前記粘着剤層上に設けられた接着剤フィルムまたはウエハまたはその双方を個々のチップ単位に分断する分断性に優れ、さらにエキスパンド後に熱をかけることによる収縮性に優れており、接着剤フィルムおよびチップの分断性を高い状態に維持しつつ、たわみを取り除き、その後再度十分にエキスパンドすることができ良好にピックアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。
【図２】本発明の粘着テープを示す断面図である。
【図３】レーザー加工により半導体ウエハに改質領域が形成された様子を示す断面図である。
【図４】（ａ）は、ウエハ加工用テープが、エキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、エキスパンド後のウエハ加工用テープ及び半導体ウエハを示す断面図である。
【図５】ウエハ加工用テープの半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態を示すウエハ加工用テープ１の断面図である。ウエハ加工用テープ１は、基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１０と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤フィルム１３とを備えている。
【００２７】
本発明のウエハ加工用テープ１は、エキスパンドすることにより、粘着剤層１２上に貼合された接着剤フィルム１３および／または前記接着剤フィルム１３に貼合されたウエハＷを個々のチップＣに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウエハ加工用テープ１であって、粘着テープ１０の伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで伸び率が１２０％以下になり、かつ再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎ以上であることを特徴とするウエハ加工用テープ１である。
【００２８】
以下に、基材シート１１、粘着剤層１２、及び接着剤フィルム１３についてそれぞれ詳細に説明する。
【００２９】
基材シート１１を構成する材料としては、特に限定されないが、ポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。
【００３０】
上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００３１】
後述する粘着剤層１２として放射線照射により硬化し、粘着強度が低下するタイプを用いる場合には、基材シートは、上記特性を有し、且つ、放射線透過性であることが好ましい。基材シートの厚さは、強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、５０〜３００μｍであることが好ましい。また、基材シート１１は、単層であっても、複数層で構成されていてもよい。
【００３２】
粘着テープ１０の２５℃での伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで収縮し伸び率が１２０％以下になり、かつ再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎより大きくなるようにするためには、このような特性を有する基材シート１１を用いることが好ましい。
【００３３】
＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材シート１１上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層１２としては特に制限はないが、粘着剤層１２上に貼り合わされる接着剤フィルム１３に対する剥離力（粘着強度）が、エキスパンド時（接着剤フィルム１３および／またはウエハＷの分断時）には接着剤フィルム１３付きのチップＣを保持することができる程度であり、且つ、ピックアップ時には接着剤フィルム１３との剥離が容易である特性を有するものであればよい。ピックアップ性を向上させるためには、粘着剤層１２は放射線硬化性のものが好ましい。
【００３４】
例えば、本発明では、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基及びカルボキシル基を含有する基をそれぞれ有するアクリル系共重合体を主成分とし、かつゲル分率が６０％以上であることが好ましい。さらには、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。
【００３５】
粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着強度の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００３６】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
【００３７】
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００３８】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。粘着剤二重結合量については加熱乾燥された粘着剤約１０ｇに含まれる炭素−炭素二重結合量を真空中暗所における臭素付加反応による重量増加法により定量測定できる。
【００３９】
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００４０】
単量体（（１）−１）として、炭素数を変化させることでガラス転移点は変化させられるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
【００４１】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００４２】
化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００４３】
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
【００４４】
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α´−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００４５】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の重量平均分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、重量平均分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、重量平均分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
【００４６】
なお、本発明における重量平均分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４７】
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着強度を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
【００４８】
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着強度の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００４９】
つぎに、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材シートと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００５０】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４´−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４´−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４´−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４´−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４´−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。
【００５１】
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００５２】
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜３質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
【００５３】
また、本発明において、粘着剤層１２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層１２ｂの含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４´−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００５５】
さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００５６】
粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００５７】
＜接着剤フィルム＞
接着剤フィルム１３は、ウエハＷが貼り合わされ切断あるいは分断された後、チップＣをピックアップする際に、粘着剤層１２から剥離してチップＣに付着しており、チップＣをパッケージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものである。
【００５８】
接着剤フィルム１３としては、特に限定されるものではないが、ダイボンディングフィルムとして一般的に使用されるフィルム状接着剤１３を好適に使用することができ、ポリイミド系接着剤、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／無機フィラーのブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００５９】
なお、上述の実施の形態では、基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１０と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤フィルム１３とを備えているウエハ加工用テープ1について説明したが、図２に示すような基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１０からなるウエハ加工用テープであってもよい。この場合、ウエハ加工用テープを用いてウエハのみを分断するため、得られるチップには接着剤フィルムが付着していないので、パッケージ基板やリードフレームに固定する際には、別途接着剤を用いて固定する必要がある。
【００６０】
また、本実施の形態では、２５℃での伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで伸び率が１２０％以下になり、かつ再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎ以上である粘着テープ１０を用いるようにしたが、さらには、−１０℃での伸び率を１５０％以上とすることが好ましい。近年、接着用途の多様化から、常温でさらに分断されにくい接着剤フィルムもあり、分断時に低温（１０℃以下）にすることで、分断性を上げる手法も提案されている（例えば、特開２００８−１７７２６０号公報参照）。低温時での粘着テープ１０のエキスパンド性が不十分であると、粘着テープ１０が破断したり、接着剤フィルムが分断できなかったりする。粘着テープ１０の−１０℃での伸び率を１５０％以上とすることにより、常温で分断しにくいような接着剤フィルムでも低温で分断可能にすることできる。粘着テープ１０の−１０℃での伸び率が１５０％以上となるようにするためには、このような特性を有する基材シート１１を用いることが好ましい。
【００６１】
また、常温で分断されにくい接着剤フィルムのみに対応する場合、２５℃での伸び率が２００％以上であるか否かに関わらず、−１０℃での伸び率が１５０％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで収縮し伸び率が１２０％以下になり、かつ再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎ以上である粘着テープ１０を用いるとよい。
【００６２】
収縮する際の加熱温度は、１００℃程度が好ましい。これより高温、たとえば１２０℃では、粘着テープ１０が溶融破断するリスクが大きくなる。一方、１００℃より低いと収縮量が少なすぎて、再度伸ばした際の１２０％に伸ばしたときにかかる力が２Ｎ未満になり、ピックアップ成功率が悪くなるリスクがあるからである。
【００６３】
＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープ１の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤フィルム１２を分断する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ）〜（Ｈ）において好適に使用できる。
【００６４】
半導体装置の製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００６５】
半導体装置の製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００６６】
半導体装置の製造方法（Ｃ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００６７】
半導体装置の製造方法（Ｄ）
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００６８】
半導体装置の製造方法（Ｅ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを−１５℃〜１０℃でエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００６９】
半導体装置の製造方法（Ｆ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを−１５℃〜１０℃でエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００７０】
半導体装置の製造方法（Ｇ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを−１５℃〜１０℃でエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００７１】
半導体装置の製造方法（Ｈ）
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを−１５℃〜１０℃でエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤フィルム付き半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
【００７２】
＜使用方法＞
ステルスダイシング法を用いた場合の、本発明のウエハ加工用テープの使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。
【００７３】
まず、図３に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を３０形成する。別途、図２に示す基材シート１１及び粘着剤層１２からなる粘着テープ１０の粘着剤層１２上に、接着剤フィルム１３を貼り合わせ、図１で示したウエハ加工用テープを準備する。
【００７４】
次に、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハＷの裏面を接着剤フィルム１３に貼り付け、粘着剤層１２の外周部にリングフレーム２０を貼り付けて、粘着テープの基材シート１１の下面を、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
【００７５】
なお、半導体ウエハＷにレーザー光を照射する工程に先立って、接着剤フィルム１３との貼合せ工程を実施してもよい。
【００７６】
次に、−１５℃〜１０℃の低温下にて、図４（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材２２を速度５〜２００ｍｍ／ｓで５〜２０ｍｍ上昇させ、粘着テープ１０をエキスパンドする。これにより粘着テープ１０が周方向に引き伸ばされ、ウエハＷが、改質領域を起点としてチップ単位で分断されるとともに、接着剤フィルム１３も分断される。なお、室温にてエキスパンドを行う場合は、エキスパンド装置の突き上げ部材２２を速度５０〜４００ｍｍ／ｓで１０〜３０ｍｍ上昇させ、粘着テープ１０をエキスパンドするとよい。
【００７７】
次に、突き上げ部材２２を元の位置に戻し、先のエキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して半導体チップＣの間隔を安定に保持する工程を行う。この工程では、例えば、図５に示すように、ウエハ加工用テープ１における半導体チップＣが存在する領域とリングフレーム２０との間の円環状の領域２３に、温風ノズル２４を用いて９０〜１２０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ１を緊張させる。その後、粘着剤層１２に放射線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、半導体チップＣをピックアップすることで、接着剤付き半導体チップを得ることができる。
【００７８】
上記のようなエキスパンド工程において、接着剤フィルム１３は、ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制され、破断は起こらないが、一方、チップ間の位置では、粘着テープ１０のエキスパンドによる張力が集中して破断する。本発明によれば、接着剤フィルム１３の分断性を高い状態に維持しつつ、エキスパンド時の張力を接着剤フィルム１３に伝搬させることができ、接着剤フィルム１３を個々のチップＣに対応して良好に分断することができる。このとき、加熱後の伸び率が１２０％以上であると、たわみが発生し、ピックアップ工程への搬送がスムーズに行かなくなる。加熱後の伸び率が１２０％以下であり、さらに１２０％に伸ばしたときにかかる力が２Ｎ以上であると、ピックアップ工程において再度エキスパンドしたときに十分にチップ間が拡張され、ピックアップ成功率が著しく向上する。
【００７９】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００８０】
使用した基材シート、及び粘着剤層組成物を以下に示す。
基材シートＡ：エチレン-メタクリル酸共重合体
基材シートＢ：アイオノマー樹脂共重合体とエチレン-メタクリル酸共重合体の積層
基材シートＣ：エチレン−酢酸ビニル樹脂共重合体
基材シートＤ：ＰＰとエチレン−酢酸ビニル樹脂共重合体の積層
基材シートＥ：アイオノマー樹脂共重合体（Ｚｎ架橋系）
基材シートＦ：ＰＰ／エラストマー（イソプレン系）共重合体
基材シートＧ：ＰＰ／エラストマー（ブタジエン系）共重合体
基材シートＨ：アイオノマー樹脂共重合体（Ｎａ架橋系）
粘着剤層組成物ａ：アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物（Ｔｇ:−３０℃）
粘着剤層組成物ｂ：アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物（Ｔｇ:−９℃）
【００８１】
（実施例１）
基材シートＡ（厚み８０μｍ）に、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着テープを作製し実施例１のウエハ加工用テープを得た。
【００８２】
（実施例２）
基材シートとして基材シートＢ（厚み８０μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２のウエハ加工用テープを作製した。
【００８３】
（実施例３）
基材シートとして基材シートＣ（厚み１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３のウエハ加工用テープを作製した。
【００８４】
（実施例４）
基材シートとして基材シートＤ（厚み１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４のウエハ加工用テープを作製した。
【００８５】
（実施例５）
基材シートとして基材シートＥ（厚み１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５のウエハ加工用テープを作製した。
【００８６】
（実施例６）
基材シートとして基材シートＥ（厚み１５０μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６のウエハ加工用テープを作製した。
【００８７】
（実施例７）
粘着剤層組成物として粘着剤層組成物bを用いたこと以外は、実施例６と同様にして、実施例７のウエハ加工用テープを作製した。
【００８８】
（実施例８）
基材シートとして基材シートＦ（厚み１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例８のウエハ加工用テープを作製した。
【００８９】
（実施例９）
基材シートとして基材シートＥ（厚み８０μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例９のウエハ加工用テープを作製した。
【００９０】
（比較例１）
基材シートとして基材シートＧ（厚み１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１のウエハ加工用テープを作製した。
【００９１】
（比較例２）
基材シートとして基材シートＨ（厚み１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２のウエハ加工用テープを作製した。
【００９２】
＜ウエハ加工用テープの伸び率＞
引張試験装置（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用して、２５℃または−１０℃にて以下のような引張試験によってウエハ加工用テープの伸び率を測定した。
【００９３】
伸び率：ウエハ加工用テープを１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１）で打ち抜いて試験片を作成し、標線間距離４０ｍｍ、引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでの標線間の伸び率を測定した。
【００９４】
１００℃に加熱後の伸び率は、前記方法により２００％まで伸ばしたウエハ加工用テープを、１００℃に加熱したホットプレート上に５秒置いた後に標線間距離を測定することにより求めた。
【００９５】
それぞれの結果を表１に示す。
【００９６】
＜加熱収縮後、伸び率１２０％での再引張時にかかる力＞
上記方法により、１００℃に加熱後、再び引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張ったときにかかる力を測定した。結果を表１に示す。
【００９７】
＜エキスパンドによる接着剤層の分断性試験＞
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ、径３００ｍｍ）に、レーザー光を照射し、ウエハ内部に改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、接着剤層（接着剤フィルム）をあらかじめ積層した実施例１〜９及び比較例１，２のウエハ加工用テープをラミネートした。次に、粘着テープの外周部に、内径３３０ｍｍの樹脂製のエキスパンドリングを貼り付け、エキスパンド装置によりリングを固定し、粘着テープを以下のエキスパンド条件にてエキスパンドした。
エキスパンド速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
エキスパンド量：２０ｍｍ
その後、粘着テープに紫外線を照射し、粘着テープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させた。
【００９８】
＜接着剤層の分断性の評価方法＞
エキスパンド後に、半導体ウエハとともに接着剤層が分断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。結果を表２に示す。表２に示す分断性は、総チップ数に対する、良好に分断された接着剤層の数をパーセンテージで表したものである。なお、レーザー加工後の総チップ数は、約４００個であり、チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍである。
【００９９】
＜ピックアップ成功率＞  上記エキスパンド分断工程にて分断されたチップ１００個についてダイスピッカー装置キヤノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ−３００II）によるピックアップ試験を行い、ピックアップ成功率を求めた。結果を表２に示す。
また、参考例１，２として、接着剤層をあらかじめ積層した実施例６、比較例１のウエハ加工用テープに、半導体ウエハ（厚さ５０μｍ、径３００ｍｍ）を貼り付け、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製  ＤＡＤ−３４０）により同様のチップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍに半導体ウエハおよび接着剤層をダイシングしたのちに、ピックアップ試験を行った。結果を表２に示す。
【０１００】
なお、ダイシング条件は以下の条件である。
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
回転数：４００００ｒｐｍ
【０１０１】
【表１】
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【０１０２】
【表２】
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【０１０３】
表１，２に示すように、実施例１〜８のウエハ加工用テープでは、２５℃での伸び率が２００％以上、−１０℃での伸び率が１５０％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで収縮し伸び率が１２０％以下になり、かつ再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎ以上であるため、２５℃でエキスパンドを行った場合、−１０℃でエキスパンドを行った場合ともに、優れたエキスパンド分断性および熱による収縮性、ピックアップ性を示した。
【０１０４】
実施例９のウエハ加工用テープでは、２５℃での伸び率は２００％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで収縮し伸び率が１２０％以下になり、かつ再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎより大きいが、−１０℃での伸び率が１５０％未満であるため、２５℃でエキスパンドを行った場合は、優れたエキスパンド分断性および熱による収縮性、ピックアップ性を示したが、−１０℃でエキスパンドを行った場合は、ウエハ加工用テープが破断してしまった。
【０１０５】
比較例１のウエハ加工用テープでは、２５℃での伸び率が２００％以上、−１０℃での伸び率が１５０％以上であるが、伸び率２００％まで伸ばした後、１００℃に加熱することで収縮し伸び率が１２０％を超えており、再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力が２Ｎ未満であるため、熱による収縮が不十分であり、ピックアップ成功率が著しく低い結果となった。
【０１０６】
比較例２のウエハ加工用テープでは、２５℃での伸び率が２００％未満、−１０℃での伸び率が１５０％未満であるため、伸び率２００％まで伸ばすと破断してしまい、再度２５℃で１２０％まで伸ばしたときにかかる力を測定することができなかった。また、常温、低温、いずれの伸びも十分ではなくエキスパンドによる分断が良好にできなかった。
【０１０７】
なお、実施例６のウエハ加工用テープでは、参考例１に示すように、ブレードダイシングを行った場合には、ピックアップ成功率は低い結果となった。逆に、比較例１のウエハ加工用テープでは、参考例２に示すように、ブレードダイシングを行った場合、ピックアップは１００％成功した。
【符号の説明】
【０１０８】
１：ウエハ加工用テープ
１０：粘着テープ
１１：基材シート
１２：粘着剤層
１３：接着剤フィルム
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：突き上げ部材
２３：半導体チップＣが存在する領域とリングフレーム２０との間の円環状の領域
２４：温風ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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