(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断することにより炭化珪素単結晶基板（４）を製造する炭化珪素単結晶基板の製造方法であって、
側面を有する前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を用意する工程と、
前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の少なくとも側面を樹脂（３）で覆う工程と、
張設したワイヤを用い、前記ワイヤにダイヤモンドスラリを供給しながら、または、前記ワイヤにダイヤモンドを電着させ、前記ワイヤを走行させた状態で、前記樹脂（３）を前記ワイヤに押し付けることにより前記樹脂（３）を切断しつつ、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の前記側面を前記ワイヤに押し付けることにより、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断して複数の前記炭化珪素単結晶基板（４）を形成する工程と、を含み、
前記炭化珪素単結晶基板（４）を形成する工程では、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断した後であって、前記樹脂（３）を全て切断する前に終了することにより、前記樹脂（３）のうち、切断方向下流側に位置する部分であって、かつ前記ワイヤにより切断されていない保持部（３ａ）にて、前記複数の炭化珪素単結晶基板（４）を保持する工程と、前記保持部（３ａ）を除去することにより前記複数の炭化珪素単結晶基板（４）をそれぞれ分離する工程と、含むことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
【請求項２】
前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を用意する工程の後、一面および前記一面と反対側の裏面と、前記一面と前記裏面との間の側面を有し、前記側面に第１基準面（２ａ）を有する基台（２）に対して、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を搭載する工程と、前記炭化珪素結晶基板（５）の結晶軸が前記炭化珪素単結晶インゴット（１）のインゴット軸の周りにθずれているとしたとき、前記第１基準面（２ａ）の一部を切断することにより、切断した前記第１基準面（２ａ）との為す角がθとなる第２基準面（２ｂ）を形成する工程と、を行い、
前記樹脂（３）で覆う工程では、前記第２基準面（２ｂ）を露出させて前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の少なくとも側面を前記樹脂（３）で覆い、
前記炭化珪素単結晶基板（４）を形成する工程では、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の切断方向と前記第２基準面（２ｂ）とを直交させた状態で、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
【請求項３】
炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断することにより炭化珪素単結晶基板（４）を製造する炭化珪素単結晶基板の製造方法であって、
側面を有する前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を用意する工程と、
前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の少なくとも側面を樹脂（３）で覆う工程と、
張設したワイヤを用い、前記ワイヤにダイヤモンドスラリを供給しながら、または、前記ワイヤにダイヤモンドを電着させ、前記ワイヤを走行させた状態で、前記樹脂（３）を前記ワイヤに押し付けることにより前記樹脂（３）を切断しつつ、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の前記側面を前記ワイヤに押し付けることにより、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断して複数の前記炭化珪素単結晶基板（４）を形成する工程と、を含み、
前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を用意する工程の後、一面および前記一面と反対側の裏面と、前記一面と前記裏面との間の側面を有し、前記側面に第１基準面（２ａ）を有する基台（２）に対して、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を搭載する工程と、前記炭化珪素結晶基板（５）の結晶軸が前記炭化珪素単結晶インゴット（１）のインゴット軸の周りにθずれているとしたとき、前記第１基準面（２ａ）の一部を切断することにより、切断した前記第１基準面（２ａ）との為す角がθとなる第２基準面（２ｂ）を形成する工程と、を行い、
前記樹脂（３）で覆う工程では、前記第２基準面（２ｂ）を露出させて前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の少なくとも側面を前記樹脂（３）で覆い、
前記炭化珪素単結晶基板（４）を形成する工程では、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）の切断方向と前記第２基準面（２ｂ）とを直交させた状態で、前記炭化珪素単結晶インゴット（１）を切断することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂（３）がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、張設したワイヤを走行させた状態で、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶インゴットにワイヤを押し付けることによりＳｉＣ単結晶インゴットを切断する工程を含むＳｉＣ単結晶基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＳｉＣ単結晶インゴットを切断してＳｉＣ単結晶基板を製造する製造方法として、例えば、特許文献１に以下の製造方法が開示されている。具体的には、複数のローラに対してワイヤを複数回巻き付けることでワイヤが複数列に張設されたワイヤ列を有するワイヤーソー装置を用い、ワイヤにダイヤモンドスラリを供給しながら、または、ワイヤにダイヤモンドを電着させ、ローラの回転によってワイヤ列を一方向走行または往復走行させた状態で、ＳｉＣ単結晶インゴットをワイヤ列に押し付けてＳｉＣ単結晶インゴットを切断することによりＳｉＣ単結晶基板を製造する製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−６１５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記ＳｉＣ単結晶基板の製造方法では、ワイヤーソー装置でＳｉＣ単結晶インゴットを切断し始めるとき、ワイヤ列を構成する各ワイヤはそれぞれ一点でＳｉＣ単結晶インゴットと接触することになり、ＳｉＣ単結晶インゴットは接触点において各ワイヤから多大な応力が印加されることになる。また、一般的に、ＳｉＣ単結晶インゴットの側面には微小な凹凸が存在しているため、ＳｉＣ単結晶インゴットに印加された応力は、ＳｉＣ単結晶インゴット内を均一に拡散せず、凹凸部分に集中することになる。このため、ワイヤーソー装置でＳｉＣ単結晶インゴットを切断する際、ＳｉＣ単結晶インゴットは凹凸部分を起点として割れが生じることがあるという問題がある。
【０００５】
本発明は上記点に鑑みて、ＳｉＣ単結晶インゴットを切断するときに、ＳｉＣ単結晶インゴットが割れることを抑制することができるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、側面を有するＳｉＣ単結晶インゴット（１）を用意する工程と、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）の少なくとも側面を樹脂（３）で覆う工程と、張設したワイヤを用い、ワイヤにダイヤモンドスラリを供給しながら、または、ワイヤにダイヤモンドを電着させ、ワイヤを走行させた状態で、樹脂（３）をワイヤに押し付けることにより樹脂（３）を切断しつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）の側面をワイヤに押し付けることにより、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を切断して複数のＳｉＣ単結晶基板（４）を形成する工程と、を含み、ＳｉＣ単結晶基板（４）を形成する工程では、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を切断した後であって、樹脂（３）を全て切断する前に終了することにより、樹脂（３）のうち、切断方向下流側に位置する部分であって、かつワイヤにより切断されていない保持部（３ａ）にて、複数のＳｉＣ単結晶基板（４）を保持する工程と、保持部（３ａ）を除去することにより複数のＳｉＣ単結晶基板（４）をそれぞれ分離する工程と、を含むことを特徴としている。
【０００７】
このようなＳｉＣ単結晶基板の製造方法では、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を切断し始めるとき、ワイヤは、樹脂（３）に接触しつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）と接触することになる。このため、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を切断し始めるときには、ワイヤから樹脂（３）およびＳｉＣ単結晶インゴット（１）に応力が印加されることになり、従来の製造方法と比較して、ワイヤからＳｉＣ単結晶インゴット（１）に印加される応力を抑制することができる。また、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）の側面に存在する凹凸部分の段差は通常０．１μｍ〜５ｍｍ程度であり、その部分の段差が樹脂（３）により埋め込まれるため、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）の凹凸部分に応力が集中することを抑制することができる。以上より、凹凸部分に集中する応力を抑制することができ、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）が凹凸部分を起点として割れることを抑制することができる。
【００１０】
また、請求項２および３に記載の発明では、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を用意する工程の後、一面および一面と反対側の裏面と、一面と裏面との間の側面を有し、側面に第１基準面（２ａ）を有する基台（２）に対して、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を搭載する工程と、ＳｉＣ結晶基板（５）の結晶軸がＳｉＣ単結晶インゴット（１）のインゴット軸の周りにθずれているとしたとき、第１基準面（２ａ）の一部を切断することにより、切断した第１基準面（２ａ）との為す角がθとなる第２基準面（２ｂ）を形成する工程と、を行い、樹脂（３）で覆う工程では、第２基準面（２ｂ）を露出させてＳｉＣ単結晶インゴット（１）の少なくとも側面を樹脂（３）で覆い、ＳｉＣ単結晶基板（４）を形成する工程では、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）の切断方向と第２基準面（２ｂ）とを直交させた状態で、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）を切断することを特徴としている。
そして、請求項４に記載の発明のように、樹脂（３）をエポキシ樹脂とすることができる。このような製造方法では、樹脂（３）として安価なエポキシ樹脂を用いているため、コストが増加することを抑制しつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット（１）の側面を樹脂（３）で覆うことができる。
【００１１】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＳｉＣ単結晶基板の製造工程を示す図である。
【図２】図１に続くＳｉＣ単結晶基板の製造工程を示す図である。
【図３】インゴット軸と結晶軸との関係について示した図である。
【図４】（ａ）は、ＳｉＣ単結晶インゴットをインゴット軸を中心として最大傾き方向のθを回転させたときの状態を示す図、（ｂ）は、ＳｉＣ単結晶インゴットを最大傾き角度のλずらしたときの状態を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態におけるＳｉＣ単結晶基板の製造工程を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態におけるＳｉＣ単結晶基板の製造工程を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態におけるＳｉＣ単結晶インゴットの側面を樹脂で覆った状態の断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は本発明にかかるＳｉＣ単結晶基板の製造工程を示す図、図２は図１に続く製造工程を示す図であり、これらの図に基づいて説明する。なお、図１中紙面左側の図は断面図であり、紙面右側の図は紙面左側の図のＡ矢視図である。また、図２中紙面左側の図は断面図であり、紙面右側の図は紙面左側の図のＢ矢視図である。
【００１４】
まず図１（ａ）に示されるように、ＳｉＣ単結晶インゴット１を用意し、ＳｉＣ単結晶インゴット１を基台２に搭載する。このＳｉＣ単結晶インゴット１は、例えば、種結晶上に昇華再結晶法で成長させられた側面に微小な凹凸を有したものを用いることができ、本実施形態では円柱状とされている。また、基台２は、例えば、パテ状のエポキシ等の樹脂により構成されており、一面および一面と反対側の裏面と、一面と裏面との間の側面を有し、側面に第１基準面２ａを有する板状とされている。本実施形態では、基台２は正方形状とされており、ＳｉＣ単結晶インゴット１は基台２の一面に搭載されている。
【００１５】
その後、図１（ｂ）に示されるように、基台２のうち第１基準面２ａの一部を切断することにより、切断した第１基準面２ａとの為す角がθとなる第２基準面２ｂを形成する。この第２基準面２ｂは、ＳｉＣ単結晶インゴット１のインゴット軸（以下、単にインゴット軸という）と所望の結晶面に対する結晶軸（以下、単に結晶軸という）とが一致していない場合、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断する際に、所望の結晶面を得るための角度を補正するためのものである。また、θは、後述するが、結晶軸がインゴット軸の周りに最大傾き方向のθずれているとしたときのものである。このように基台２を用いて、第２基準面２ｂを形成することで、後述する所望の結晶面を得るための角度を補正してＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤーソー装置で切断するとき、直接ＳｉＣ単結晶インゴット１に目印をつけるために切り込みを入れる必要がないので、ＳｉＣ単結晶インゴット１が割れることを抑制することができる。
【００１６】
ここで、インゴット軸と結晶軸との関係について簡単に説明する。具体的には後述するが、ＳｉＣ単結晶インゴット１を一般的なワイヤーソー装置を用いて切断することにより所望の結晶面を有するＳｉＣ基板を製造するには、結晶軸が切断平面と垂直となる状態でＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤーソー装置に配置することが必要となる。すなわち、図２に示されるように、切断平面と垂直となる軸をｚ軸とし、ｚ軸と垂直であり、かつ切断方向と平行となる軸をｙ軸とし、ｚ軸およびｙ軸とそれぞれ垂直となる軸をｘ軸としたとき、結晶軸をｚ軸と一致させた状態でＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤーソー装置に配置することが必要となる。以下に、インゴット軸を基準として、結晶軸をｚ軸に一致させる方法について説明する。なお、ｘ−ｚ平面は、後述する台座の一面と平行となる面であって、ＳｉＣ単結晶インゴット１の切断方向と垂直となる面であり、ｘ−ｙ平面はＳｉＣ単結晶インゴット１の切断方向と平行となる面である。
【００１７】
図３はインゴット軸と結晶軸との関係について示す図である。なお、図３中のｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は図２中のｘ軸、ｙ軸、ｚ軸に対応するものであり、初期状態としてインゴット軸とｚ軸とが一致しているものとする。
【００１８】
図３に示されるように、本実施形態では、結晶軸がインゴット軸（ｚ軸）に対して最大傾き角度のλ、最大傾き方向のθずれている。この場合、所望の結晶面を有するＳｉＣ単結晶基板を製造するには、以下のようにして、結晶軸とｚ軸とを一致させた状態でワイヤーソー装置にＳｉＣ単結晶インゴット１を配置すればよい。図４（ａ）はＳｉＣ単結晶インゴット１をインゴット軸を中心として最大傾き方向のθを回転させたときの状態を示す図、図４（ｂ）はＳｉＣ単結晶インゴット１を最大傾き角度のλだけずらしたときの状態を示す図である。
【００１９】
すなわち、まず、図４（ａ）に示されるように、ＳｉＣ単結晶インゴット１をインゴット軸を中心に最大傾き方向のθを回転させることにより結晶軸をｘ−ｚ平面に一致させる。本実施形態では、基台２のうち第１基準面２ａの一部を切断することにより、切断した第１基準面２ａとの為す角がθとなる第２基準面２ｂを形成している。このため、後述する図２の工程において、ＳｉＣ単結晶インゴット１の切断方向と第２基準面２ｂとが垂直になるようにＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤーソー装置に配置することにより、最大傾き方向のθを補正することができる。
【００２０】
そして、図４（ｂ）に示されるように、ＳｉＣ単結晶インゴット１をｘ−ｚ平面上で最大傾き角度のλだけずらすことにより、結晶軸とｚ軸とを一致させる。本実施形態では、後述する図２の工程において、基台２の一面とワイヤとの為す角がλとなる状態で、ＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤーソー装置に配置することにより、最大傾き角度のλを補正することができる。なお、この図４（ｂ）の状態のＳｉＣ単結晶インゴット１が図２のＳｉＣ単結晶インゴット１に相当するものである。
【００２１】
また、この最大傾き角度のλおよび最大傾き方向のθは、図３に示されるように、結晶軸のインゴット軸に対するｘ軸方向の傾き角度αと、ｙ軸方向の傾き角度βを測定することにより得られる。ここで、図３中、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸が交差する点を原点Ｏ、ＳｉＣ単結晶インゴット１のうち基台２側と反対側の一面において当該一面と結晶軸とが交差する点をＡ、点Ａからｙ軸と平行な方向に直線を引いたとき当該直線がｘ−ｚ平面と交差する点をＢ、線分ＯＡの長さをａ、線分ＯＢの長さをｂ、線分ＡＢの長さをｃとする。
【００２２】
図３に示されるように、最大傾き角度のλは（α２＋β２）１／２で表され、最大傾き方向のθは、図３中、原点Ｏ、点Ａ、点Ｂで形成される三角形を考えると、ｔａｎ−１（ｃ／ｂ）で表されるためである。なお、図３中、インゴット軸と結晶軸との交点から原点Ｏまでの長さをｒとすると、ｂ＝ｒ×ｔａｎ（２π・α／３６０）であり、ｃ＝ｒ×ｔａｎ（２π・β／３６０）である。したがって、傾き角度αおよびβを計測すれば、結晶軸のインゴット軸に対するずれを求めることができる。この傾き角度αおよびβは、周知のＸ線方位測定器を用いることにより求められる。例えば、Ｘ線発生器とＸ線検出器とを有するＸ線方位測定器を用意し、ＳｉＣ単結晶インゴット１を回転させながら、Ｘ線をＳｉＣ単結晶インゴット１に照射し、ＳｉＣ単結晶インゴット１で反射されたＸ線を検出する。Ｘ線検出器では、ブラッグの回折条件を満たすときの反射量が最も大きくなるため、そのときのＳｉＣ単結晶インゴット１の回転角度に基づいて傾き角度αおよびβが計測される（例えば、特開平１１−３７９５８等参照）。
【００２３】
なお、インゴット軸と結晶軸とが一致している場合は、そのままインゴット軸に垂直に切断すればよいため、図１（ｂ）の基台２のうち第１基準面２ａの一部を切断する工程を行わなくてもよい。
【００２４】
続いて、図１（ｃ）に示されるように、ＳｉＣ単結晶インゴット１を、例えば、パテ状のエポキシ等の樹脂３により覆う。具体的には、ＳｉＣ単結晶インゴット１を基台２に搭載したまま型に配置し、基台２に形成された第２基準面２ｂが露出するように、ＳｉＣ単結晶インゴット１を樹脂３により覆う。このとき、ＳｉＣ単結晶インゴット１の側面には微小な凹凸が存在しているため、ＳｉＣ単結晶インゴット１と樹脂３とはアンカー効果により高い接着力で接着される。なお、樹脂３としてパテ状のエポキシ樹脂を用いる場合には、流動性が低いため、型の下面にパテ状のエポキシ樹脂を配置した後、ＳｉＣ単結晶インゴット１を型に配置し、続いて、さらにパテ状のエポキシ樹脂を型に押し込むようにして配置することにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１の周囲に樹脂３を配置する。
【００２５】
その後、図２に示されるように、張設したワイヤを用い、ワイヤにダイヤモンドスラリを供給しながら、または、ワイヤにダイヤモンドを電着させ、当該ワイヤを走行させた状態で、樹脂３をワイヤに押し付けることにより樹脂３を切断しつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット１の側面をワイヤに押し付けることにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断して複数のＳｉＣ単結晶基板４を形成する工程を行う。言い換えると、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断するとき、ワイヤを樹脂３に接触させつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット１に接触させることにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断する工程を行う。
【００２６】
この工程は、例えば、三角形状に配置した３つの溝付ローラ（以下、単にローラという）に、一本の磁性金属材料線等のワイヤが螺旋状に巻き付けられ、３つのローラのうちの２つのローラの間に、複数列に並べられたワイヤ列を形成した一般的なワイヤーソー装置を用いて行うことができる。そして、このようなワイヤーソー装置では、３つのローラのうちの残りの１つのローラがモータによって回転させられるようになっており、このローラが回転させられることにより、ワイヤが高速で往復走行させられるようになっている。
【００２７】
また、ワイヤ列の下方には、切断方向と垂直となる一面を備えた台座が備えられており、この台座の一面に対して接着部材を介して樹脂３に覆われたＳｉＣ単結晶インゴット１が固定され、台座を移動させることにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１の切断が行われる。本実施形態では、第２基準面２ｂがＳｉＣ単結晶インゴット１の切断方向と直交する、言い換えると第２基準面２ｂと台座の一面とが平行になると共に、基台２の一面とワイヤとの為す角がλとなるように、台座に樹脂３で覆われたＳｉＣ単結晶インゴット１を配置する。図３に示されるように、ＳｉＣ単結晶インゴット１を、第２基準面２ｂがＳｉＣ単結晶インゴット１の切断方向と直交するように配置することにより、最大傾き方向のθを補正することができ、基台２の一面とワイヤとの為す角がλとなるように配置することにより、最大傾き角度のλを補正することができ、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断した際に所望の結晶面を有するＳｉＣ単結晶基板４を得ることができるためである。
【００２８】
その後、図示しないが、アルコール系およびグリコール系の有機溶剤等の薬品によりＳｉＣ単結晶基板４の側面に配置されている樹脂３を軟化させて除去する。
【００２９】
このようなＳｉＣ単結晶基板の製造方法では、ＳｉＣ単結晶インゴット１の側面を樹脂３にて覆っており、樹脂３をワイヤに押し付けることにより樹脂３を切断しつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット１の側面をワイヤに押し付けることにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断して複数のＳｉＣ単結晶基板４を形成している。つまり、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断し始めるとき、ワイヤは、樹脂３に接触しつつ、ＳｉＣ単結晶インゴット１と接触することになる。このため、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断し始めるときには、ワイヤから樹脂３およびＳｉＣ単結晶インゴット１に応力が印加されることになり、従来の製造方法と比較して、ワイヤからＳｉＣ単結晶インゴット１に印加される応力を抑制することができる。したがって、凹凸部分に集中する応力を抑制することができ、ＳｉＣ単結晶インゴット１が凹凸部分を起点として割れることを抑制することができる。
【００３０】
さらに、ＳｉＣ単結晶インゴット１と樹脂３とはアンカー効果により高い接着力で接着されているため、例えば、ＳｉＣ単結晶インゴット１をせっこう等により覆う場合と比較して、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断している途中でＳｉＣ単結晶インゴット１から樹脂３が分離することを抑制することができる。また、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断した後もＳｉＣ単結晶基板４の側面には樹脂３が配置されているため、ワイヤーソー装置から取り外すとき、ＳｉＣ単結晶基板４の側面を保護することができる。
【００３１】
また、ＳｉＣ単結晶インゴット１の凹凸部分に応力が集中したとしても、ＳｉＣ単結晶インゴット１は樹脂３にて覆われており、凹凸部分の応力は樹脂３にも拡散することになるため、ＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤによって切断する際に割れが生じることを抑制することができる。
【００３２】
なお、樹脂３の表面にも、もちろん凹凸が存在し、ワイヤにより樹脂３を切断し始める際には、樹脂３の表面に多大な応力が印加され、その応力は樹脂３の凹凸部分に集中することになるが、樹脂３はＳｉＣ単結晶インゴット１より硬度が低くて割れにくく、また、仮に樹脂３が割れたとしてもＳｉＣ単結晶インゴット１には特に問題はない。
【００３３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ単結晶基板の製造方法は第１実施形態に対して図２に示す製造工程を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図５は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶基板４の製造工程を示す断面図である。
【００３４】
図５（ａ）に示されるように、本実施形態では、ＳｉＣ単結晶インゴット１をワイヤにより切断するとき、ＳｉＣ単結晶インゴット１を切断した後であって、樹脂３を全て切断する前に終了する。つまり、樹脂３のうち、切断方向下流側に位置する部分であって、かつワイヤにより切断されていない保持部３ａにて複数のＳｉＣ単結晶基板４を保持した状態で、ワイヤの切断工程を終了する。
【００３５】
その後、図５（ｂ）に示されるように、保持部３ａで複数のＳｉＣ単結晶基板４を保持している状態のものをワイヤーソー装置から取り外し、樹脂３に覆われたＳｉＣ単結晶インゴット１を図示しない治具により保持した状態で、保持部３ａを除去することにより、複数のＳｉＣ単結晶基板４をそれぞれ分離する。例えば、樹脂３のうち切断方向下流側において、ワイヤによりＳｉＣ単結晶インゴット１を切断したときの切断方向と垂直方向に樹脂３を切断して保持部３ａを除去することができる。
【００３６】
このような製造方法では、保持部３ａにてＳｉＣ単結晶基板４を保持し、樹脂３に覆われたＳｉＣ単結晶インゴット１を保持した状態で保持部３ａを除去することにより、複数のＳｉＣ単結晶基板４をそれぞれ分離している。このため、上記第１実施形態ではワイヤにより樹脂３を全て切断するために切断後にＳｉＣ単結晶基板４が倒れることで表面に傷が付いたり、割れが生じたりする可能性があるが、本実施形態の製造方法では、ＳｉＣ単結晶基板４が倒れることで表面に傷が付いたり、割れが生じたりすることを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ単結晶基板の製造方法は第１実施形態に対して、図１（ｂ）の工程と、図１（ｃ）の工程との間に、基台２の形状を整える工程を行ったものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図６は本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶の製造工程を示す図であり、図１（ｃ）の工程を行った後の状態を示す図である。
【００３８】
図６に示されるように、本実施形態では、図１（ｂ）の工程を行った後、基台２を第２基準面２ｂを一辺とする正方形状に切断し、図１（ｃ）の工程と同様に、基台２に形成された第２基準面２ｂが露出するように、ＳｉＣ単結晶インゴット１を樹脂３により覆う。つまり、上記第１実施形態と比較して、ＳｉＣ単結晶インゴット１の周囲に配置する樹脂３の量を少なくする。
【００３９】
このような製造方法では、ワイヤが樹脂３を切断する箇所が少なくなるため、樹脂３を切断する際に発生する切断屑を減少させることができ、切断屑によってワイヤーソー装置の切断効率が低下することを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
（他の実施形態）
上記第１実施形態では、ＳｉＣ単結晶インゴット１を樹脂３で覆う例について説明したが、もちろんこのような構成に限定されるものではなく、ＳｉＣ単結晶インゴット１の少なくとも側面が樹脂３で覆われていれば本発明の効果を得ることができる。また、ＳｉＣ単結晶インゴット１は円柱状に限定されるものではなく、ＳｉＣ単結晶インゴット１は、側面がテーパ状とされていてもよいし、基台２に搭載される側と反対側が凸形状とされていてもよい。図７に、ＳｉＣ単結晶インゴット１の側面を樹脂３で覆った状態の断面構成を示す。
【００４１】
例えば、図７（ａ）に示されるように、円柱状のＳｉＣ単結晶インゴット１の少なくとも側面に樹脂３が配置されていればよいし、図７（ｂ）に示されるように、側面がテーパ形状とされているＳｉＣ単結晶インゴット１を用い、このＳｉＣ単結晶インゴット１の少なくとも側面に樹脂３が配置されていればよい。また、図７（ｃ）に示されるように、円柱状とされていると共に、基台２に搭載される側と反対側が凸形状とされているＳｉＣ単結晶インゴット１を用い、このＳｉＣ単結晶インゴット１の少なくとも側面に樹脂３が配置されていればよいし、図７（ｄ）に示されるように、側面がテーパ形状とされていると共に、基台２に搭載される側と反対側が凸形状とされているＳｉＣ単結晶インゴット１を用い、このＳｉＣ単結晶インゴット１の少なくとも側面に樹脂３が配置されていればよい。
【符号の説明】
【００４２】
１      ＳｉＣ単結晶インゴット
２      基台
２ａ    第１基準面
２ｂ    第２基準面
３      樹脂
４      ＳｉＣ単結晶基板
【図１】
0005445286.tif 000002
【図２】
0005445286.tif 000003
【図３】
0005445286.tif 000004
【図４】
0005445286.tif 000005
【図５】
0005445286.tif 000006
【図６】
0005445286.tif 000007
【図７】
0005445286.tif 000008