(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の上面を全てプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層を用いて半導体素子を形成した後、前記有機化合物層、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の上面を全てプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に有機化合物を有する半導体層を形成し、
前記有機化合物を有する半導体層を用いて半導体素子を形成した後、前記有機化合物層、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の上面を全てプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に可撓性基板を貼り付けた後、前記有機化合物層、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を含む積層体を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の上面を全てプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、
前記導電層及び半導体部品を貼り付けた後、前記有機化合物層、及び前記導電層を含む積層体、並びに半導体部品を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の上面を全てプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、前記有機化合物層、及び前記導電層を含む積層体を前記基板から剥離した後、前記導電層に半導体部品を接続する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記基板は、ガラス基板、セラミックス基板、或いは石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記脆弱層は、酸化珪素層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記有機化合物層を塗布法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ、発光素子、受動素子等を含む半導体装置の作製方法に関する。また、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や発光素子を有する発光表示装置や無線で情報の送受信が可能なＩＣタグを部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路、ＩＣタグおよび電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄層（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタを構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００４】
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。画像表示装置にガラス基板や石英基板が多く使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上に薄膜トランジスタを形成することが試みられている。
【０００５】
そこで、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを含む半導体素子を基板から剥離し、他の基材、例えばプラスチックフィルムなどに転写する技術が提案されている。
【０００６】
特許文献１には剥離層となる酸化珪素層をウェットエッチングで除去して剥離する技術が記載されている。また、特許文献２には剥離層となるシリコン層をドライエッチングで除去して剥離する技術が記載されている。
【０００７】
特許文献３には、基板に金属層（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ）を形成し、その上に酸化物層を積層形成する際、該金属層の酸化金属層を金属層と酸化物層との界面に形成し、この酸化金属層を利用して後の工程で剥離を行う技術が記載されている。
【特許文献１】特開平８−２８８５２２号公報
【特許文献２】特開平８−２５０７４５号公報
【特許文献３】特開２００３−１７４１５３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子、代表的には非晶質半導体層、レーザ結晶化により形成された結晶性半導体層などを用いた薄膜トランジスタや、有機半導体層を用いた薄膜トランジスタや、発光素子や、受動素子（センサ素子、アンテナ、抵抗素子、容量素子など）等をガラス基板から剥離し、可撓性基板（代表的にはプラスチックフィルム）に転写する技術を開示する。
【０００９】
非晶質半導体層などを用いた薄膜トランジスタや有機半導体層を用いた薄膜トランジスタは、プラスチックフィルム上に直接形成することも可能であるが、プラスチックフィルムは柔らかく丸まりやすいため、取り扱う製造装置も専用の製造装置とする必要がある。
【００１０】
また、非晶質半導体層などを用いた薄膜トランジスタや有機半導体層を用いた薄膜トランジスタをプラスチックフィルム上に直接形成する場合、薄膜トランジスタ製造プロセスの過程で使用される溶剤やエッチングガスに曝されて、プラスチックフィルム自体が変質する恐れがある。また、ＺｎＯを用いた薄膜トランジスタをプラスチックフィルム上に直接形成する場合、スパッタリング法などにより発生するプラズマがプラスチックフィルムに照射されると、プラスチックフィルム自体が変形してしまう。また、薄膜トランジスタ製造プロセスの過程でプラスチックフィルムが水分などを取り込み、または放出することで素子を汚染する恐れもある。また、プラスチックフィルムはガラス基板に比べ耐熱性が低く、熱に対する伸縮も大きいため、製造プロセス中の全ての処理温度を細かく制御する必要がある。
【００１１】
また、プラスチックフィルムを用いた半導体装置の大量生産を行う場合、ロールトゥロール方式で供給される製造装置となることが多い。しかしながら、ロールトゥロール方式の場合、既存の半導体作製装置を使うことができない。また、アライメントの位置合わせ精度が低く、微細な加工が困難である。よって、従来のガラス基板を用いた半導体装置と同等の特性を得る半導体装置を歩留まり高く作製すること困難である。
【００１２】
そこで、本発明は、比較的低温、代表的には有機化合物が耐えうる温度でのプロセスで作製される素子、代表的には非晶質半導体層または微結晶半導体層などを用いた薄膜トランジスタや、レーザ結晶化による結晶性半導体層を用いた薄膜トランジスタや、有機半導体層を用いた薄膜トランジスタや、発光素子や受動素子（センサ素子、アンテナ、抵抗素子、容量素子など）等を有し、且つ薄型である半導体装置の作製方法を提供する。また、可撓性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ガラス基板上にシリコーン層を形成し、シリコーン層の表面をプラズマ処理し、シリコーン層の表面を脆弱化した後、シリコーン層上に有機化合物層を積層し、有機化合物層上に比較的低温、代表的には有機化合物層が耐えうる温度でのプロセスで作製される素子（非晶質半導体層または微結晶半導体層を用いた薄膜トランジスタ、レーザ結晶化による結晶性半導体層などを用いた薄膜トランジスタ、有機半導体層を用いた薄膜トランジスタ、発光素子、受動素子（センサ素子、アンテナ、抵抗素子、容量素子など）等）を形成した後、その素子をガラス基板から剥離することを特徴としている。シリコーン層は、シロキサンポリマーを含む組成物で形成される層であり、代表的には、有機基を含む酸化珪素層である。
【００１４】
シロキサンポリマーを含む組成物は、シロキサンポリマーを含む。シロキサンポリマーとしては、シリコンと酸素の結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも有機基を含む。有機基としては、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアリール基から選ばれる少なくとも一種の有機基がある。シロキサンポリマーにおいて、複数の有機基を有する場合、有機基は同一でも、異なっていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、デシル基、フルオロメチル基、フルオロプロピル基などがあり、鎖状でも、分岐していてもよい。また、上記アルキル基、アリール基の水素がフッ素原子で置換されていてもよい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などがある。
【００１５】
また、シロキサンポリマーを含む組成物に溶媒が含まれてもよい。溶媒としては、トルエン、キシレン、ヘキサデカン等の炭化水素、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等のハロゲン化アルキル、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール等のアルコール、プロピレングリコールモノｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノｔ−ブチルエーテル等のエーテル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等のエステル等がある。
【００１６】
シロキサンポリマーを含む組成物を基板上に塗布し、加熱して溶媒を揮発させると共に、シロキサンポリマーの低分子成分の架橋反応を進行させて、シリコーン層を形成する。
【００１７】
次に、シリコーン層の表面をプラズマ処理して、脆弱層を形成する。プラズマ処理としては、酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、一酸化二窒素プラズマ処理、二酸化窒素プラズマ処理、ハロゲンプラズマ処理、ネオン、アルゴン等の希ガスプラズマ処理等がある。シリコーン層の表面をプラズマ処理することで、シリコーン層の表面の有機基、代表的には、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアリール基から選ばれる少なくとも一種の有機基が酸化され、酸化珪素を含む脆弱層となる。
【００１８】
本発明では、脆弱化された層の近傍で剥離を行う。代表的には、シリコーン層、脆弱化された層、及び有機化合物層の積層構造において、脆弱化された層の近傍で剥離することが可能であり、比較的大型の基板を用いても歩留まりよく剥離を行うことができる。
【００１９】
また、ガラス基板上のシリコーン層に形成した有機化合物を含む素子（発光素子や有機薄膜トランジスタなど）を剥離する際、発光素子や有機薄膜トランジスタなどに含まれる有機化合物層は密着性が弱いため、シリコーン層近傍で剥離するのではなく有機化合物層内もしくは層の界面で剥離してしまい、有機化合物を含む素子を破壊する恐れがある。また、印刷法によって形成される層も密着性が弱いため、同様に層内もしくは層の界面で剥離してしまう恐れがある。しかし、シリコーン層を用いた本発明の剥離法を用いる場合、シリコーン層表面をプラズマ処理することで、シリコーン層の表面に脆弱化された層を形成することができるため、比較的弱い力でシリコーン層近傍での剥離を行うことができる。
【００２０】
なお、ガラス基板上にシリコーン層を形成するとしているが、ガラス基板に限定されず、石英基板、セラミックス基板、半導体基板なども用いることができる。
【００２１】
本発明は、既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて薄膜トランジスタなどの素子を形成した後、剥離することができる。従って、設備コストを大幅に低減することができる。
【００２２】
また、シリコーン層と半導体素子との間に、厚さ５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さの有機化合物層を形成することで、有機化合物層を後に形成される半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。
【００２３】
また、薄膜トランジスタにいては、素子構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート型薄膜トランジスタや、ボトムゲート型（逆スタガ型）薄膜トランジスタや、順スタガ型薄膜トランジスタを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のトランジスタに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型トランジスタ、例えばダブルゲート型トランジスタとしてもよい。
【００２４】
また、本発明により、可撓性を有し、薄型で、大型の表示装置を作製することができ、パッシブマトリクス型の液晶表示装置、パッシブマトリクス型の発光装置に限らず、アクティブマトリクス型の液晶表示装置やアクティブマトリクス型の表示装置も作製することができる。
【００２５】
また、可撓性基板とは、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などのプラスチック基板を指している。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、対角が１ｍを越える大面積基板を用いても剥離工程をよりスムーズに行うことができる。また、シリコーン層上に形成される脆弱層と半導体素子との間に有機化合物層を設けることで、当該有機化合物層を半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。このため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる形態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２８】
（実施の形態１）
ここでは液晶表示装置を作製する例を、図１を用いて説明する。
【００２９】
基板１００上にシリコーン層１０１を形成する。基板１００としてはガラス基板を用いる。シリコーン層１０１は、シロキサンポリマーを含む組成物を塗布し焼成乾燥して形成する。シリコーン層１０１の厚さは１ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００３０】
次に、シリコーン層１０１の表面をプラズマ処理し、脆弱層を形成する。プラズマ処理としては、酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、一酸化二窒素プラズマ処理、二酸化窒素プラズマ処理、ハロゲンプラズマ処理、ネオン、アルゴン等の希ガスプラズマ処理等がある。シリコーン層の表面をプラズマ処理１０３することで、シリコーン層の表面の有機基が酸化され、酸化珪素を含む脆弱層１０２となる（図１（Ｂ）参照）。
【００３１】
脆弱層１０２とは、シリコーン層１０１のプラズマ処理により、シリコーン層表面の有機基が酸化され、分解された層である。このため、脆弱層１０２は、疎な層であり、多孔質状の場合もあるため、外部からの力により容易に脆弱破壊が生じやすい。
【００３２】
次に、脆弱層１０２上に有機化合物層１０４を形成する。有機化合物層１０４としては、後のプロセス温度（１８０℃以上５００℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃以下、更に好ましくは２５０℃以上３５０℃以下）に耐えうる耐熱温度を有する材料で形成することが好ましい。さらには、曲げに強く、クラックが入りにくい弾性材料であることが好ましい。さらには、透光性を有する材料で形成することが好ましい。
【００３３】
有機化合物層１０４が透光性を有することで、透過型液晶表示装置を作製することができる。有機化合物層１０４は、厚さ５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さで形成することで、後に形成される半導体装置の支持部材として機能することが可能である。このため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよい。有機化合物層１０４の作製方法は、組成物を脆弱層１０２上に塗布し、１８０℃以上５００℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃以下、更に好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で焼成する。有機化合物層１０４の代表例としては、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シロキサンポリマー等がある。
【００３４】
なお、脆弱層１０２と有機化合物層１０４の間に無機絶縁層を形成してもよい。無機絶縁層としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を形成することができる。なお、無機絶縁層として窒化珪素または窒化酸化珪素を形成することで、外部からの水分が有機化合物層１０４に浸入するのを防ぐことが可能であり、素子層に含まれる素子の劣化を防止することができる。
【００３５】
次に、有機化合物層１０４上に無機絶縁層１０５を形成してもよい。無機絶縁層１０５は、下地絶縁層として機能し、ガラス基板または有機化合物からの不純物が後に形成される半導体層に混入するのを抑制するためであり、必要に応じて形成する。無機絶縁層１０５としては、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を形成することができる。下地絶縁層として機能する代表的な一例は、無機絶縁層１０５が２層構造からなり、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＨ４、ＮＨ３、及びＮ２Ｏを反応ガスとして形成される窒化酸化珪素層を５０〜１００ｎｍ、ＳｉＨ４、及びＮ２Ｏを反応ガスとして形成される酸化窒化珪素層を１００〜１５０ｎｍの厚さに積層形成する構造が採用される。
【００３６】
次に、無機絶縁層１０５上に第１の導電層を形成し、第１の導電層上にマスクを形成する。第１の導電層は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｍｏ等から選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成する。また、第１の導電層の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、塗布法等を適宜用いる。次に、マスクを用いて第１の導電層をエッチングして、ゲート電極１０６を形成する。
【００３７】
次に、ゲート電極１０６上にゲート絶縁層１０７を形成する。ゲート絶縁層１０７としては、酸化珪素層、窒化珪素層、酸化窒化珪素層、または窒化酸化珪素層などの絶縁層を用いる。また、ゲート絶縁層１０７として、シロキサンポリマーを含む組成物を塗布焼成して得られる層、光硬化性有機樹脂層、熱硬化性有機樹脂層などを用いてもよい。
【００３８】
次に、ゲート絶縁層１０７上に微結晶半導体層１０８ａを形成する。微結晶半導体層１０８ａは非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む層である。この半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものであり、粒径が０．５〜２０ｎｍの柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。また、微結晶半導体と非晶質半導体とが混在している。微結晶半導体層１０８ａは、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いた気相成長法やスパッタリング法を用いて形成する。このときのシランやゲルマンに対して水素の流量比を１２倍以上１０００倍以下、好ましくは５０倍以上２００倍以下、更に好ましくは１００倍以上１５０倍以下とする。
【００３９】
また、微結晶半導体層をゲート絶縁層１０７上に形成した後、微結晶半導体層にパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性が改善された微結晶半導体層１０８ａを形成することでもできる。レーザビームとしてエキシマレーザを用いる場合は、パルス発振周波数１Ｈｚ以上１０ＭＨｚ未満、好ましくは１００Ｈｚ〜１０ｋＨｚとし、レーザエネルギーを０．２〜０．３５Ｊ／ｃｍ２（代表的には０．２〜０．３Ｊ／ｃｍ２）とする。また、固体レーザとしてＹＡＧレーザを用いる場合には、その第３高調波を用いパルス発振周波数１Ｈｚ以上１０ＭＨｚ未満とし、レーザエネルギーを０．２〜０．３５Ｊ／ｃｍ２（代表的には０．２〜０．３Ｊ／ｃｍ２）とする。このような微結晶半導体層は、層中の非晶質半導体成分が低減されるため、結晶性が高まる。
【００４０】
次に、微結晶半導体層１０８ａ上にバッファ層１０８ｂを形成する。バッファ層１０８ｂは、微結晶半導体層１０８ａの酸化防止層であると共に、高抵抗領域としての機能を有する。このため、バッファ層１０８ｂは、非晶質半導体層で形成する。または、窒素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を含む非晶質半導体層で形成する。
【００４１】
バッファ層１０８ｂは、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６などの水素化珪素またはゲルマンを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成することができる。また、上記水素化珪素に、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して非晶質半導体層を形成することができる。または、上記水素化珪素に、窒素、アンモニア、ハロゲンガス、ハロゲン化合物等を混入させて、窒素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を含む非晶質半導体層を形成することができる。水素化珪素の流量の１倍以上１０倍以下、更に好ましくは１倍以上５倍以下の流量の水素を用いて、水素を含む非晶質半導体層を形成することができる。また、バッファ層１０８ｂは、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【００４２】
バッファ層１０８ｂの厚さは、代表的には、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さで形成することが好ましい。薄膜トランジスタの印加電圧の高い（例えば１５Ｖ程度）表示装置、代表的には液晶表示装置において、バッファ層１０８ｂの層厚を上記範囲に示すように厚く形成すると、ドレイン耐圧が高くなり、薄膜トランジスタに高い電圧が印加されても、薄膜トランジスタが劣化することを回避することができる。
【００４３】
次に、一導電型の不純物元素を含有する半導体層１０９として、ｎ型を付与する不純物元素を含む半導体層１０９を２０〜８０ｎｍの厚さで形成する。ｎ型を付与する不純物元素を含む半導体層１０９は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などの公知の方法で全面に形成する。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図１（Ｂ）に示す。
【００４４】
なお、微結晶半導体層１０８ａ、バッファ層１０８ｂ、及び一導電型を付与する不純物が添加された半導体層１０９の代わりに、スパッタリング法やＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で作製されるＺｎＯや亜鉛ガリウムインジウムの酸化物を用いてもよいが、その場合にはゲート絶縁層をアルミニウムやチタンを含む酸化物とすることが好ましい。
【００４５】
次に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて形成したレジストマスクを用いて非晶質半導体層１０８及び一導電型の不純物元素を含有する半導体層１０９をエッチングして、島状の微結晶半導体層１１４、バッファ層、及び一導電型の不純物元素を含有する半導体層を得る。なお、公知のフォトリソグラフィ技術に代えて、液滴吐出法や印刷法（凸版、平板、凹版、スクリーンなど）を用いてマスクを形成し、選択的に上記エッチングを行ってもよい。
【００４６】
次に、スパッタリング法で金属層（Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｍｏなど）を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いたレジストマスクを用いて金属層をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極１１２を形成する。ここでは、ウェットエッチング法により金属層をエッチングする。なお、当該工程の代わりに、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース電極及びドレイン電極１１２を形成してもよい。
【００４７】
次に、ソース電極及びドレイン電極１１２を形成したレジストマスクを用いて、島状の一導電型を付与する不純物が添加された半導体層をエッチングして、一対のソース領域及びドレイン領域１１３を形成する。このとき、島状のバッファ層の上部がエッチングされ、ソース領域及びドレイン領域１１３の間に凹部が形成されるバッファ層１１５が形成される。なお、微結晶半導体層１１４は薄膜トランジスタのチャネル形成領域として機能し、バッファ層１１５は高抵抗領域として機能する。
【００４８】
次に、微結晶半導体層１１４のチャネル形成領域を不純物汚染から防ぐための保護層１１７を形成する。保護層１１７としては、スパッタリング法、またはプラズマＣＶＤ法により得られる窒化珪素、または窒化酸化珪素を主成分とする材料を用いる。この後、保護層を形成した後に水素化処理を行ってもよい。こうして薄膜トランジスタ１１１が作製される。
【００４９】
次に、保護層１１７上に層間絶縁層１１８を形成する。層間絶縁層１１８は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、透過性を有するポリイミド樹脂等の樹脂材料を用いる。また、層間絶縁層１１８としては、酸化珪素層、窒化珪素層または酸化窒化珪素層などの絶縁層を用いることもでき、これらの絶縁層と上記樹脂材料との積層を用いてもよい。
【００５０】
次に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて形成したマスクを用いて保護層１１７及び層間絶縁層１１８を選択的に除去してソース電極及びドレイン電極１１２の一方に達するコンタクトホールを形成する。
【００５１】
次に、スパッタリング法で金属層（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｏ等）を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いたレジストマスクを用いて金属層をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極１１２の一方と電気的に接続する第１の電極１１９を形成すると同時に、第１の電極１１９と基板面に平行な方向の電場を形成する第２の電極１２０を形成する。なお、第１の電極１１９と第２の電極１２０は等間隔で配置することが好ましく、電極の上面形状を櫛歯形状としてもよい。なお、第１の電極１１９と第２の電極１２０は、液晶表示装置の画素電極として機能する。また、第１の電極１１９及び第２の電極１２０を液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｏ等）を含む組成物を選択的に吐出し焼成して形成してもよい。
【００５２】
次に、第１の電極１１９と第２の電極１２０を覆う配向層１２１を形成する。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図１（Ｃ）に示す。
【００５３】
次に、液晶材料として高分子分散型液晶を用いて、可撓性基板１３３を基板１００に対向するように固定させる。高分子分散型液晶は、液晶と高分子材料の分散状態によって、２つのタイプに大別できる。１つは液晶の小滴が高分子材料に分散し、液晶が不連続であるタイプ（ＰＤＬＣと呼ばれる）、もう一つは液晶中に高分子材料がネットワークを形成し、液晶が連続しているタイプ（ＰＮＬＣと呼ばれる）である。なお、本実施の形態において、いずれのタイプを用いてもよいが、ここではＰＤＬＣを用いる。本実施の形態では、液晶１３２を含む高分子材料１３１を可撓性基板１３３で固定する。必要であれば高分子材料１３１を囲むようにシール材を配置してもよい。また、必要であれば、高分子材料１３１の厚さを制御する間隙材（ビーズスペーサ、カラム状スペーサ、ファイバーなど）を用いてもよい。さらには、高分子分散型液晶の代わりに、公知の液晶材料を用いてもよい。
【００５４】
次に、基板１００から、有機化合物層１０４、薄膜トランジスタ１１１、及び可撓性基板１３３を含む積層体１３４を剥離する。脆弱層１０２は脆いため、比較的弱い力で剥離を行うことができる。図１（Ｄ）では積層体１３４が脆弱層１０２とシリコーン層１０１の界面で分離する図を示したが、分離する場所は、薄膜トランジスタが破壊されない領域であればよく、脆弱層１０２から基板１００の間であれば、特に限定されない。例えば、脆弱層１０２内で分離してもよいし、脆弱層１０２と有機化合物層１０４の界面で分離してもよい。
【００５５】
なお、有機化合物層１０４、薄膜トランジスタ１１１、及び可撓性基板１３３を含む積層体に複数の液晶表示装置が含まれる場合、当該積層体を分断して、複数の液晶表示装置を切り出してもよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の液晶表示装置を作製することができる。
【００５６】
以上の工程で、図１（Ｅ）に示すように、微結晶半導体層をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置１３５を作製できる。液滴吐出法で形成された導電層は、密着性が弱いが、シリコーン層上に形成される脆弱層を剥離に用いた本実施の形態の剥離法を用いる場合、一部の配線に液滴吐出法で形成された導電層を用いても、脆弱層近傍（本実施の形態ではシリコーン層１０１と脆弱層１０２の界面）で剥離できる。本実施の形態の液晶表示装置は、薄型であり可撓性を有する。また、シリコーン層及び薄膜トランジスタの間に有機化合物層を設けることで、当該有機化合物層を液晶表示装置の支持部材として機能させることが可能である。このため、液晶表示装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【００５７】
なお、液晶表示装置１３５の表面の脆弱層１０２を除去してもよい。また、液晶表示装置の機械強度が低い場合には、剥離した面に接着層を用いて可撓性基板を固定してもよい。その場合は、温度変化によらず基板間隔を維持するため、可撓性基板１３３と同じ熱膨張係数の可撓性基板を用いることが好ましい。
【００５８】
また、高分子分散型液晶に代えて電子インクを用いて電気泳動ディスプレイを作製してもよい。その場合には、第１の電極１１９と第２の電極１２０を形成し、印刷法により電子インクを塗布した後焼成し、可撓性基板１３３で固定すればよい。そして基板を剥離してもう一枚の可撓性基板を用いて封止すればよい。
【００５９】
（実施の形態２）
ここでは有機薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の発光装置を作製する例を、図２を用いて説明する。
【００６０】
実施の形態１と同様に、基板１００上にシリコーン層１０１を形成し、シリコーン層１０１の表面をプラズマ処理し脆弱層１０２を形成する。次に脆弱層１０２上に有機化合物層１０４を形成する。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図２（Ａ）に示す。なお、脆弱層１０２と有機化合物層１０４の間に無機絶縁層を形成してもよい。
【００６１】
次に、有機化合物層１０４上に無機絶縁層１０５を形成してもよい。次に、有機化合物または無機絶縁層１０５上に、ゲート電極となる導電層２１１を形成する。導電層２１１に用いる材料は、窒化及び／または酸化することで絶縁性を有する金属であれば良く、特にタンタル、ニオブ、アルミニウム、銅、チタンが好ましい。その他、タングステン、クロム、ニッケル、コバルト、マグネシウム、モリブデンなどを用いることができる。導電層２１１の形成方法について特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより形成した後、エッチングなどの方法により所望の形状に加工すればよい。また、導電物を含む液滴を用いてインクジェット法等により形成してもよい。
【００６２】
次に、導電層２１１を窒化及び／または酸化することで上記金属の窒化物、酸化物もしくは酸化窒化物からなるゲート絶縁層２１２を形成する。なお、導電層のうち絶縁化したゲート絶縁層２１２以外はゲート電極として機能する。
【００６３】
次に、ゲート絶縁層２１２を覆う半導体層２１３を形成する。半導体層２１３を形成する有機半導体材料はキャリア輸送性があり、かつ電界効果によりキャリア密度の変化が起こりうる有機材料であれば、低分子、高分子のいずれも用いることができ、その種類は特に限定されるものではないが、多環芳香族化合物、共役二重結合化合物、金属フタロシアニン錯体、電荷移動錯体、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、オリゴチオフェン類、フラーレン類、カーボンナノチューブ、などが挙げられる。例えばポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（３アルキルチオフェン）、ポリフェニレンビニレン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアニリン、ポリジアセチレン、ポリアズレン、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリインドール、ポリピリダジン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６、１５−キノン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリビニルピリジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセンテトラカルボン酸ジイミド、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４及びこれらの誘導体を用いることができる。また、これらの具体例としては、一般的にＰ型半導体とされるテトラセン、ペンタセン、セクシチオフェン（６Ｔ）、銅フタロシアニン、ビス−（１、２、５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス（１、３−ジチオール）、ルブレン、ポリ（２、５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２、５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（９、９’−ジオクチルーフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）、一般的にＮ型半導体とされる７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、１，４，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルー３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオロオクチル−１、４、５、８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（ＮＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５、５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（ＤＣＭＴ）、メタノフラーレン［６，６］−フェニルＣ６１酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）等がある。なお、有機半導体においてＰ型やＮ型の特性はその物質固有のものでは無く、キャリアを注入する電極との関係や注入の際の電界の強度に依存し、どちらになりやすいという傾向はあるもののＰ型半導体としてもＮ型半導体としても使用することができる。なお、本実施の形態においては、Ｐ型半導体がより好ましい。
【００６４】
これらの有機半導体材料は、蒸着法やスピンコート法、液滴吐出法などの方法により形成することができる。
【００６５】
次に、半導体層２１３の上に密着性や界面の化学安定性を向上させるためバッファ層２１４を形成する。バッファ層２１４としては導電性を有する有機材料（電子受容性を示す有機化合物、例えば７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）等）、または有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いればよい。なお、バッファ層２１４は必要がなければなくともよい。
【００６６】
次に、バッファ層２１４上にソース電極及びドレイン電極２１５を形成する。ソース電極及びドレイン電極２１５に使用する材料は、特に限定されるものではないが、金、白金、アルミニウム、タングステン、チタン、銅、タンタル、ニオブ、クロム、ニッケル、コバルト、マグネシウムなどの金属及びそれらを含む合金を用いることができる。また、ソース電極及びドレイン電極２１５に使用する他の材料としては、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレンなどの導電性高分子化合物等がある。なお、ソース電極及びドレイン電極２１５の形成方法は半導体層２１３が分解しないようなものであれば特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより形成した後、エッチングするなどの方法により所望の形状に加工し作製すればよい。また、導電物を含む液滴を用いてインクジェット法等によってソース電極及びドレイン電極２１５を形成してもよい。以上の工程で有機薄膜トランジスタ２２７が作製できる。
【００６７】
また、半導体層２１３の下面に接して、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリビニルフェニールなど有機絶縁材料を形成しても良い。このような構成により、有機半導体材料の配向をさらに高めるほか、ゲート絶縁層２１２と半導体層２１３との密着性をさらに向上することができる。
【００６８】
続いて、有機薄膜トランジスタ２２７を用いた発光装置の作製方法について説明する。
【００６９】
次に、有機薄膜トランジスタ２２７を覆う層間絶縁層２２８を形成する。次に、層間絶縁層２２８を選択的にエッチングしてソース電極及びドレイン電極２１５の一方に達するコンタクトホールを形成する。次に、ソース電極及びドレイン電極２１５の一方に電気的に接続する第１の電極２１０を形成する。次に、第１の電極２１０の端部を覆う隔壁２２１を形成する。隔壁２２１は絶縁材料を用いて形成されており、隣接して複数配置される第１の電極２１０の間を絶縁する機能を果たしている。
【００７０】
次に、第１の電極２１０のうち、隔壁２２１と接していない領域上に発光層２２２を形成する。発光層２２２に用いる材料として、有機化合物の単層もしくは積層、或いは無機化合物の単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本明細書においては、有機化合物からなる層の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。発光素子中の各層については積層法を限定するものではない。積層が可能ならば、真空蒸着法やスピンコート法、インクジェット法、ディップコート法など、どの様な手法を選んでも良いものとする。
【００７１】
次に、発光層２２２上に第２の電極２２３を形成する。第１の電極２１０と、第２の電極２２３と、発光層２２２とが重なる箇所で発光素子を構成する。なお、この発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層或いは無機化合物を含む層（以下、発光層と記す）と、陽極と、陰極とを有している。特にＺｎＳ：Ｍｎ等の無機薄層を用いた無機ＥＬと、有機蒸着薄層を用いた有機ＥＬは、それぞれ明るく、高効率のＥＬ発光を示しディスプレイへの応用に適している。なお、発光素子の構成について特に限定はない。
【００７２】
次に、第２の電極２２３上に保護層２２４を形成する。なお、必要でなければ、保護層２２４はなくともよい。
【００７３】
次に、保護層２２４上に接着層２２６で可撓性基板２２５を固定する。封止を強化するために接着層２２６を囲むようにシール材を配置してもよい。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図２（Ｂ）に示す。
【００７４】
次に、基板１００から、有機化合物層１０４、有機薄膜トランジスタ２２７、発光素子、及び可撓性基板２２５を含む積層体２２９を剥離する。図２（Ｃ）ではシリコーン層１０１と脆弱層１０２の界面で分離する図を示している。
【００７５】
なお、有機化合物層１０４、有機薄膜トランジスタ２２７、及び可撓性基板２２５を含む積層体２２９に複数の発光装置が含まれる場合、当該積層体２２９を分断して、複数の発光装置を切り出してもよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の発光装置２３０を作製することができる。
【００７６】
以上の工程で有機薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の発光装置２３０を作製できる（図２（Ｄ）参照。）。例えば、蒸着法で形成された発光層は密着性が弱いが、シリコーン層上に形成される脆弱層近傍を用いた本発明の剥離法を用いる場合、蒸着法で形成された選択的に発光層を用いても、脆弱層近傍（本実施の形態ではシリコーン層１０１と脆弱層の界面）で剥離できる。本実施の形態の発光装置は、薄型であり可撓性を有する。また、脆弱層及び薄膜トランジスタの間に有機化合物層を設けることで、当該有機化合物層を発光装置の支持部材として機能させることが可能である。このため、発光装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【００７７】
また、図２（Ｃ）に示した有機薄膜トランジスタ２２７の構造に限定されず、図３（Ａ）、または図３（Ｂ）に示す構造としてもよい。
【００７８】
図３（Ａ）はボトムコンタクト型と呼ばれる構造である。なお、図２と共通の部分には同じ符号を用いる。ボトムコンタクト型構造を用いた場合、ソース配線及びドレイン配線の微細加工を施すためにフォトリソグラフィなどの工程を容易に用いることができる。そのため、有機薄膜トランジスタの構造はその長所、短所に合わせて適宜選択すれば良い。
【００７９】
基板１００上には、シリコーン層１０１、脆弱層１０２、有機化合物層１０４、及び無機絶縁層１０５を積層する。無機絶縁層１０５にゲート電極２５１を形成する。ゲート電極２５１に用いる材料は、特に限定は無く、たとえば、金、白金、アルミニウム、タングステン、チタン、銅、モリブデン、タンタル、ニオブ、クロム、ニッケル、コバルト、マグネシウムなどの金属及びそれらを含む合金、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、不純物をドープしたポリシリコンなどの導電性高分子化合物等が挙げられる。ゲート電極２５１の形成方法は特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより形成した後、エッチングするなどの方法により所望の形状に加工し作製すればよい。また、導電物を含む液滴を用いてインクジェット法等により形成してもよい。
【００８０】
次に、ゲート電極２５１を覆うゲート絶縁層２５２を形成する。ゲート絶縁層２５２は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁材料を用いる。なお、これらのゲート絶縁層２５２はディップ法、スピンコート法、液滴吐出法などの塗布法や、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの方法によって形成することができる。このゲート絶縁層２５２に対し、高密度プラズマを用いて窒化及び／または酸化処理を行ってもよい。高密度プラズマ窒化を行うことで、より高い濃度の窒素を含有する窒化珪素層を得ることも可能である。高密度プラズマは、高い周波数のマイクロ波、たとえば２．４５ＧＨｚを使うことによって生成される。このような高密度プラズマを用い、酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、これらを絶縁層と反応させる。低電子温度が特徴である高密度プラズマは、活性種の運動エネルギーが低いため、従来のプラズマ処理に比べプラズマダメージが少なく欠陥が少ない層を形成することができる。また、高密度プラズマを用いると、ゲート絶縁層２５２の表面の粗さが小さくできるため、キャリア移動度を大きくすることができる。さらに、ゲート絶縁層２５２上に形成される半導体層を構成する有機半導体材料の配向がそろいやすくなる。
【００８１】
次に、ゲート絶縁層２５２上にソース電極及びドレイン電極２１５を形成する。次に、ソース電極及びドレイン電極２１５の間に半導体層２１３を形成する。半導体層２１３は、上述した図２（Ｂ）に示した半導体層２１３と同じ材料を用いることができる。
【００８２】
また、図３（Ｂ）の構造について説明する。図３（Ｂ）はトップゲート型構造と呼ばれる構造である。
【００８３】
基板１００上には、シリコーン層１０１、脆弱層１０２、有機化合物層１０４、及び無機絶縁層１０５を積層する。無機絶縁層１０５上にソース電極及びドレイン電極４１４、４１５を形成する。次に、ソース電極及びドレイン電極４１４、４１５の間に半導体層４１３を形成する。次に、半導体層４１３とソース電極及びドレイン電極４１４、４１５とを覆うゲート絶縁層４４２を形成する。次に、ゲート絶縁層４４２上にゲート電極４４１を形成する。ゲート電極４４１は、ゲート絶縁層４４２を介して半導体層４１３と重なる。
【００８４】
このように様々な有機薄膜トランジスタの構造としても、本実施の形態により、剥離を行うことができる。例えば、塗布法で形成された半導体層は、密着性が弱いが、脆弱層１０２近傍を用いた本実施の形態の剥離法を用いる場合、塗布法で形成された半導体層を用いても、脆弱層１０２近傍（本実施の形態ではシリコーン層１０１及び脆弱層１０２の界面）で剥離できる。
【００８５】
また、有機薄膜トランジスタに代えて、スパッタリング法やＰＬＤ法で作製されるＺｎＯや亜鉛ガリウムインジウムの酸化物を半導体層に用いたトランジスタを用いることもできる。その場合、図３（Ａ）や図３（Ｂ）の構造を適用することができる。また、ＺｎＯや亜鉛ガリウムインジウムの酸化物を半導体層に用いる場合にはゲート絶縁層をアルミニウムやチタンを含む酸化物とすることが好ましい。このようにプラズマが基板に照射されるプロセスを有するトランジスタを形成する際にも本発明は有用であり、プラズマに耐えうる基板上にトランジスタを形成した後、プラズマへの耐久性の低い可撓性基板を貼り付け、剥離することで発光装置を作製することができる。
【００８６】
なお、発光装置の表面の脆弱層１０２を除去してもよい。また、発光装置の機械強度が低い場合には、剥離した面に接着層用いて可撓性基板を固定してもよい。その場合は、温度変化によらず基板間隔を維持するため、可撓性基板２２５と同じ熱膨張係数の可撓性基板を用いることが好ましい。
【００８７】
また、実施の形態１及び実施の形態２をそれぞれ自由に組み合わせることができる。例えば、実施の形態１に示した微結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタに代えて実施の形態２に示した有機薄膜トランジスタを用いて液晶表示装置を作製することができる。また、実施の形態２に示した有機薄膜トランジスタに代えて実施の形態１に示した微結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタを用いて発光装置を作製することもできる。
【００８８】
さらには、実施の形態１に示す液晶表示装置のバックライトに本実施の形態に示す発光装置を用いることができる。本実施の形態に示す発光装置は、可撓性があり、また薄型であるため、薄型の液晶表示装置を作製することができる。
【００８９】
（実施の形態３）
ここではパッシブマトリクス型の発光装置を作製する例を図４乃至図８を用いて説明する。
【００９０】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層或いは蛍光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【００９１】
図４（Ａ）は、発光素子の第２の電極５１６に可撓性基板を貼り付ける前における画素部の上面図を示す図であり、図４（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図４（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図４（Ｃ）である。
【００９２】
基板１００上には、実施の形態２と同様に、シリコーン層１０１、脆弱層１０２、有機化合物層１０４、及び無機絶縁層１０５を積層する。無機絶縁層１０５上には、ストライプ状に複数の第１の電極５１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極５１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁５１４が設けられ、開口部を有する隔壁５１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはベンゾシクロブテン）、またはシリコーン樹脂（例えば、アルキル基を含む酸化珪素層））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域５２１となる。
【００９３】
開口部を有する隔壁５１４上に、第１の電極５１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁５２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁５２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとして残存するポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【００９４】
また、平行な複数の逆テーパ状の隔壁５２２を形成した直後における斜視図を図５に示す。
【００９５】
逆テーパ状の隔壁５２２の高さは、発光層を含む積層層及び導電層の層厚より大きく設定する。図５に示す構成を有する基板に対して発光層を含む積層層と、導電層とを積層形成すると、図４に示すように電気的に独立した複数の領域に分離され、発光層を含む積層層５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂと、第２の電極５１６とが形成される。第２の電極５１６は、第１の電極５１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁５２２上にも発光層を含む積層層及び導電層が形成されるが、発光層を含む積層層５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂ、及び第２の電極５１６とは分断されている。
【００９６】
ここでは、発光層を含む積層層５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂを選択的に形成し、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。発光層を含む積層層５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂはそれぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。
【００９７】
また、全面に同じ発光色を発光する発光層を含む積層層を形成し、単色の発光素子を設けてもよく、モノクロ表示可能な発光装置、或いはエリアカラー表示可能な発光装置としてもよい。また、白色発光が得られる発光装置と、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【００９８】
次に、ＦＰＣなどを実装した発光モジュールの上面図を図６に示す。
【００９９】
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０１００】
図６に示すように画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１０１】
図４における第１の電極５１３が図６の走査線６０２に相当し、図４における第２の電極５１６がデータ線６０３に相当し、逆テーパ状の隔壁５２２が隔壁６０４に相当する。データ線６０３と走査線６０２の間には発光層が挟まれており、領域６０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１０２】
なお、データ線６０３は配線端で接続配線６０８と電気的に接続され、接続配線６０８が入力端子６０７を介してＦＰＣ６０９ｂに接続される。また、走査線は入力端子６０６を介してＦＰＣ６０９ａに接続される。
【０１０３】
次に、接着層を用いて可撓性基板を固定する。
【０１０４】
次に、基板１００から発光素子を剥離する。この後、脆弱層１０２を除去する。なお、脆弱層１０２を除去せず残存させてもよい。
【０１０５】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止層を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１０６】
以上の工程でフレキシブルなパッシブマトリクス型の発光装置を作製できる。ＦＰＣを実装する際には熱圧着を行うため、硬い基板上で行うことが好ましい。本発明により、ＦＰＣを実装した後に剥離を行うことで、可撓性を有し、薄型の発光装置を作製することができる。
【０１０７】
また、図６では、駆動回路を基板上に設けていない例を示したが、以下に駆動回路を有するＩＣチップを実装させた発光モジュールの作製方法の一例を、図７を用いて説明する。
【０１０８】
まず、基板１００上に、実施の形態１と同様に、シリコーン層、脆弱層、有機化合物層を積層する。この有機化合物層上に、下層は反射性を有する金属層、上層は透明な酸化物導電層とした積層構造を有する走査線６０２（陽極としても機能する）を形成する。同時に接続配線６０８、７０９ａ、７０９ｂ、および入力端子も形成する。
【０１０９】
次に、各画素に対応する開口部を有する隔壁を設ける。次に、開口部を有する隔壁（図示しない。）上に、走査線６０２と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁６０４を設ける。以上に示す工程を終えた段階での上面図を図７（Ａ）に示す。
【０１１０】
次に、発光層を含む積層層と、透明導電層とを積層形成すると、図７（Ｂ）に示すように電気的に独立した複数の領域に分離され、発光層を含む積層層と、透明導電層からなるデータ線６０３とが形成される。透明導電層からなるデータ線６０３は、走査線６０２と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。
【０１１１】
次に、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成された走査線側ＩＣ７０６、データ線側ＩＣ７０７をＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。走査線側ＩＣ７０６、およびデータ線側ＩＣ７０７は、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上に薄膜トランジスタで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を示しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１１２】
なお、データ線６０３は配線端で接続配線６０８と電気的に接続され、接続配線６０８がデータ線側ＩＣ７０７と接続される。これはデータ線側ＩＣ７０７を逆テーパ状の隔壁６０４上に設けることが困難だからである。
【０１１３】
以上のような構成で設けられた走査線側ＩＣ７０６は接続配線７０９ａを介してＦＰＣ７１１ａに接続される。また、データ線側ＩＣ７０７は接続配線７０９ｂを介してＦＰＣ７１１ｂに接続される。
【０１１４】
さらに、ＩＣチップ７１２（メモリチップ、ＣＰＵチップ、電源回路チップなど）を実装して集積化を図っている。
【０１１５】
次に、ＩＣチップ７１２を覆うように、接着層を用いて可撓性基板を固定する。
【０１１６】
次に、基板１００から発光素子を剥離する。このときの図７（Ｂ）の鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面構造の一例を図８に示す。
【０１１７】
走査線６０２は２層の積層構造であり、下層８１２は反射性を有する金属層であり、上層８１３は透明な酸化物導電層である。上層８１３は仕事関数の高い導電層を用いることが好ましく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物や酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したＩＺＯなどの透明導電材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む層を用いることができる。また、下層８１２は、Ａｇ、Ａｌ、またはＡｌ合金層を用いる。
【０１１８】
隣り合うデータ線同士を絶縁化するための隔壁６０４は樹脂であり、隔壁で囲まれた領域が発光領域と対応して同一面積になっている。
【０１１９】
データ線６０３（陰極）は、走査線（陽極）と交差するように形成されている。走査線６０２（陰極）は、ＩＴＯや、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物や、ＩＺＯなどの透明導電層を用いる。本実施の形態では、発光が可撓性基板８２０を通過する上方射出型の発光装置の例であるので走査線８１６は透明であることが重要である。
【０１２０】
また、発光層を有する積層層８１５を挟んで走査線とデータ線の交点に位置する発光素子を複数配置した画素部、端子部、及び周辺部には、接着層８１７で可撓性基板８２０が貼り付けられる。接着層８１７としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることが可能である。
【０１２１】
端子部には接続配線７０９ｂが形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ７１１ｂ（フレキシブルプリント配線板）を貼り合わせる。接続配線７０９ｂは、反射性を有する金属層８２６と、第２の電極から延在した透明な酸化物導電層８２７との積層で構成しているが、特に限定されない。
【０１２２】
ＦＰＣ７１１ｂを実装する方法は異方導電性材料もしくはメタルバンプを用いた接続方法またはワイヤボンディング方式を採用することができる。図８では異方性導電接着材８３１を用いて接続を行っている。
【０１２３】
また、画素部の周辺には、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣを異方導電性材料８２４、８２５により電気的に接続している。また、カラー表示に対応した画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでデータ線の本数が３０７２本であり走査線側が７６８本必要となる。このような数で形成されたデータ線及び走査線は画素部の端部で数ブロック毎に区分して引出線を形成し、ＩＣの出力端子のピッチに合わせて集める。
【０１２４】
以上の工程で有機化合物層１０４と可撓性基板８２０で封止され、ＩＣチップが実装された発光モジュールを作製できる。ＩＣチップを実装する際には熱圧着を行うため、硬い基板上で行うことが好ましく、本発明により、ＩＣチップを実装した後に剥離を行って、発光装置を作製することができる。
【０１２５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、無線チップとして機能する半導体装置を作製する例を示す。本実施の形態で示す半導体装置は、非接触でデータの読み出しと書き込みが可能であることを特徴としており、データの伝送形式は、一対のコイルを対向に配置して相互誘導によって交信を行う電磁結合方式、誘導電磁界によって交信する電磁誘導方式、電波を利用して交信する電波方式の３つに大別されるが、いずれの方式を用いてもよい。
【０１２６】
また、データの伝送に用いるアンテナは２通りの設け方があり、１つは複数の半導体素子が設けられた半導体部品（以下、素子基板と示す。）に端子部を設け、当該端子部に別の基板に設けられたアンテナを接続して設ける場合、もう１つは複数の半導体素子、受動素子等が設けられた素子基板上にアンテナを作りこむ場合がある。
【０１２７】
はじめに、別の基板に設けられたアンテナを素子基板の端子部に接続して、アンテナを設ける場合の作製方法を以下に示す。
【０１２８】
まず、実施の形態１と同様に、基板１００上にシリコーン層１０１を形成し、シリコーン層１０１の表面をプラズマ処理して脆弱層１０２を形成し、脆弱層１０２上に有機化合物層１０４を形成する。なお、必要であれば、実施の形態１に示すように、有機化合物層１０４上に無機絶縁層１０５を形成してもよい。
【０１２９】
次に、図９（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０４上にアンテナとして機能する導電層９０４を形成する。アンテナとして機能する導電層９０４は、金、銀、銅等の導電体を有する液滴やペーストを液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法など）により吐出し、乾燥焼成して形成する。液滴吐出法によりアンテナを形成することで、工程数の削減が可能であり、それに伴うコスト削減が可能である。また、スクリーン印刷法を用いて導電層９０４を形成してもよい。スクリーン印刷法を用いる場合、アンテナとして機能する導電層９０４の材料としては、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性のペーストを選択的に印刷する。導電体粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電層の形成にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーはんだは、低コストであるといった利点を有している。また、上述した材料以外にも、セラミックスやフェライト等をアンテナに適用してもよい。
【０１３０】
スクリーン印刷法や液滴吐出法を用いてアンテナを作製する場合、導電層を所望の形状に形成した後、焼成を行う。この焼成温度は、２００℃〜３００℃である。２００℃未満でも焼成は可能であるが、２００℃未満の場合、アンテナの導電性が確保できないばかりかアンテナの通信距離までも短くなってしまう恐れがある。これらの点を考慮するとアンテナは、別の基板、即ち耐熱性を有する基板上に形成した後、剥離して素子基板と接続することが好ましい。
【０１３１】
また、アンテナは、スクリーン印刷法の他にもグラビア印刷等を用いてもよいし、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成することができる。メッキ材料やメッキの条件によってはメッキ法で形成されたアンテナは密着性が弱いことがあるため、実施の形態１乃至３に示すようなシリコーン層１０１を用いた剥離方法を用いることが有効である。
【０１３２】
次に、図９（Ｃ）に示すように剥離を行って、基板１００から、有機化合物層１０４を分離する。本発明の脆弱層を用いた剥離方法は比較的弱い力を加えるだけで剥離を行うことができるため、歩留まりが向上する。また、本発明の脆弱層近傍を用いた剥離方法は比較的弱い力を加えるだけなので、剥離の際に有機化合物層１０４の変形が抑えられ、導電層９０４へのダメージも少なくすることができる。なお、脆弱層１０２を除去してもよい。
【０１３３】
次に、図９（Ｄ）に示すように有機化合物層１０４において導電層９０４が設けられている面に素子基板９０７を配置する。異方性導電材料を用いて圧着することで素子基板の端子部と導電層９０４との電気的な導通をとる。
【０１３４】
なお、図９においては、基板１００から導電層９０４を含む積層体を剥離した後、導電層９０４と素子基板９０７とを接続したが、その代わりに、導電層９０４を焼成し、導電層９０４に素子基板９０７を接続した後、基板１００から導電層９０４を含む積層体を剥離してもよい。
【０１３５】
また、導電層９０４を含む積層体に複数のアンテナとして機能する導電層が形成される場合、当該積層体を分断し、アンテナとして機能する導電層９０４を有する複数の積層体を形成した後、当該導電層９０４に素子基板を接続してもよい。
【０１３６】
また、図９（Ｄ）では有機化合物層１０４に比較して小さい面積の素子基板９０７を設けた例を示したが、特に限定されず、有機化合物層１０４とほぼ同じ面積の素子基板を設けてもよいし、有機化合物層１０４よりも大きな面積の素子基板を設けてもよい。
【０１３７】
以上の工程により、無線チップとして機能する半導体装置が完成する。上記半導体装置は、薄型であり可撓性を有する。また、脆弱層及び薄膜トランジスタの間に有機化合物層を設けることで、当該有機化合物層を半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。このため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【０１３８】
なお、最後に、保護のため、素子基板９０７を覆うように、有機化合物層１０４と、もう一枚の可撓性基板を貼り付けてもよい。
【０１３９】
次に、１つまたは複数の半導体素子が設けられた素子基板上にアンテナを形成して、無線チップとして機能する半導体装置を作製する方法について、図１０を用いて説明する。
【０１４０】
実施の形態１と同様に、図１０（Ａ）に示すように、基板１００上にシリコーン層１０１を形成した後シリコーン層１０１の表面をプラズマ処理して脆弱層１０２を形成し、脆弱層１０２上に有機化合物層１０４を形成し、有機化合物層１０４上に無機絶縁層１０５を形成する。
【０１４１】
次に、無機絶縁層１０５上に非晶質半導体層３０１を形成する。非晶質半導体層はＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６などの水素化珪素またはゲルマンを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成する。ここでは、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質珪素層を形成する。
【０１４２】
次に、非晶質半導体層３０１にレーザビーム３０２を走査して、結晶性半導体層を形成する。図１０（Ａ）においては、非晶質半導体層３０１にレーザビームを走査するレーザーアニール法により結晶性半導体層３０３を形成する例を示している。
【０１４３】
結晶化をレーザーアニール法にて行う場合には、パルス発振型のレーザを用いることができる。また、半導体膜に効率よくレーザビームが吸収されるように可視〜紫外領域（８００ｎｍ以下）、好ましくは紫外領域（４００ｎｍ以下）とする。レーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマレーザ発振器、Ｎ２、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３、ＳｃＯ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｙｂ、又はＴｍをドープした結晶を使った固体レーザ発振器、ヘリウムカドミウムレーザ等の金属蒸気レーザ発振器等を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波の第３高調波〜第５高調波を適用するのが好ましい。レーザ光は光学系により集光して利用するが、例えば線状に加工してレーザーアニールを行う。レーザーアニール条件は実施者が適宣選択するものであるが、その一例としてレーザーパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザエネルギー密度を１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２（代表的には３００〜４００ｍＪ／ｃｍ２）とする。そして線状ビームを基板全面に渡って照射し、この時の線状ビームの重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行う。このようにして結晶性半導体層を形成することができる。
【０１４４】
ここでは、エキシマレーザビームを非晶質珪素層に照射して結晶性珪素層を形成する。
【０１４５】
なお、非晶質珪素層にレーザビームを照射する前に、非晶質珪素層から水素が噴出するのを防ぐため、結晶化するためのレーザビームより弱いエネルギーのレーザビームを照射して、非晶質珪素層中の水素を除去することが好ましい。
【０１４６】
次に、結晶性半導体層３０３を選択的にエッチングして半導体層３２１、３２２を形成する。ここでは、結晶性半導体層のエッチング方法としては、ドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。ここでは、結晶性半導体層上にレジストを塗布した後、露光及び現像を行ってレジストマスクを形成する。次に、レジストマスクを用いてＳＦ６：Ｏ２の流量比を４：１５としたドライエッチング法により、結晶性半導体層を選択的にエッチングする。この後、レジストマスクを除去する。
【０１４７】
次に、半導体層３２１、３２２上にゲート絶縁層３２３を形成する。ゲート絶縁層３２３は、窒化珪素、酸素を含む窒化珪素、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素等の単層又は積層構造で形成する。ここでは、厚さ１１５ｎｍの窒素を含む酸化珪素をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【０１４８】
次にゲート電極３２４、３２５を形成する。ゲート電極３２４、３２５は、金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１の層と当該金属から成る第２の層との積層構造としても良い。また、液滴吐出法を用いて微粒子を含むペーストをゲート絶縁層上に吐出し、乾燥・焼成して形成することができる。また、ゲート絶縁層上に、微粒子を含むペーストを印刷法により印刷し、乾燥・焼成して形成することができる。微粒子の代表例としては、金、銀、銅、金と銀の合金、金と銅の合金、銀と銅の合金、金と銀と銅の合金のいずれかを主成分とする微粒子でもよい。ここでは、ゲート絶縁層３２３上に、層厚３０ｎｍｍの窒化タンタル層及び、層厚１７０ｎｍのタングステン層をスパッタリング法により形成した後、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用いて窒化タンタル層、及びタングステン層を選択的にエッチングして、窒化タンタル層の端部がタングステン層の端部より外側に突き出した形状のゲート電極３２４、３２５を形成する。
【０１４９】
次に、ゲート電極３２４、３２５をマスクとして、半導体層３２１、３２２にｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を添加して、ソース領域及びドレイン領域３２６〜３２９を形成する。ここでは、ソース領域及びドレイン領域３２６〜３２９に、ｎ型を付与する不純物元素であるリンをドーピングする。
【０１５０】
この後、半導体層に添加した不純物元素を活性化してもよい。ここでは、レーザビームを照射して不純物の活性化をしてもよい。以上の工程により、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂを形成する。なお、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂとしてはｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成する。また、図示しないが、ｐチャネル型の薄膜トランジスタ及びｎチャネル型の薄膜トランジスタにより駆動回路を構成する。
【０１５１】
次に、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂのゲート電極及び配線を絶縁化する層間絶縁層を形成する。ここでは、層間絶縁層として酸化珪素層３３３、窒化珪素層３３４、及び酸化珪素層３３５を積層して形成する。また、層間絶縁層の一部である酸化珪素層３３５上に薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂのソース領域及びドレイン領域に接続する配線３３６〜３３９を形成する。ここでは、スパッタリング法により、Ｔｉ層１００ｎｍ、Ａｌ層３３３ｎｍ、Ｔｉ層１００ｎｍを連続した後、フォトリソグラフィ工程によって形成したレジストマスクを用いて選択的にエッチングして、配線３３６〜３３９を形成する。その後、レジストマスクを除去する。
【０１５２】
次に、薄膜トランジスタ３３２に接続する配線３３９上にアンテナとして機能する導電層３１３を形成する。アンテナとして機能する導電層３１３は、図９に示すアンテナとして機能する導電層９０４と同様に形成することができる。また、スパッタリング法により導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程により形成したマスクで選択的に導電層をエッチングして、アンテナとして機能する導電層３１３を形成することができる。
【０１５３】
この後、アンテナとして機能する導電層３１３及び層間絶縁層上にパッシベーション層３１４を形成してもよい。パッシベーション層３１４を形成することで、アンテナとして機能する導電層３１３や薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂが外部の水分や酸素、不純物により汚染されるのを回避することができる。パッシベーション層３１４としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、炭化窒素等で形成する。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図１０（Ｂ）に示す。
【０１５４】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、パッシベーション層３１４上に接着層３４１を用いて可撓性基板３４２を固定する。
【０１５５】
次に、基板１００から、有機化合物層１０４、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂ、アンテナとして機能する導電層３１３、接着層３４１、及び可撓性基板３４２を含む積層体３４３を剥離する。ここでは脆弱層１０２で剥離する。脆弱層１０２は脆いため、比較的弱い力で積層体を基板から剥離することができる。なお、脆弱層１０２を除去してもよい。
【０１５６】
なお、有機化合物層１０４、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂ、アンテナとして機能する導電層３１３、接着層３４１、及び可撓性基板３４２を含む積層体３４３に複数の半導体装置が含まれる場合、当該積層体を分断して、複数の半導体装置を切り出してもよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の半導体装置を作製することができる。
【０１５７】
以上の工程により、無線チップとして機能する半導体装置３４４が完成する。本実施の形態の半導体装置は、薄型であり可撓性を有する。また、脆弱層及び薄膜トランジスタの間に有機化合物層を設けることで、当該有機化合物層を半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。このため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【０１５８】
なお、半導体装置における信号の伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用することができる。電磁結合方式または電磁誘導方式は、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、アンテナとして機能する導電層の上面形状を輪状（例えば、ループアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成することが好ましい。
【０１５９】
また、半導体装置における信号の伝送方式として、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用することもできる。その場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよい。有機化合物層１０４上に形成された、アンテナとして機能する導電層９１２、集積回路を有するチップ状の半導体装置９１３の例を図１１（Ａ）〜（Ｄ）に一例を示す。例えば、アンテナとして機能する導電層の上面形状を線状（例えば、ダイポールアンテナ（図１１（Ａ）参照））、平坦な形状（例えば、パッチアンテナ（図１１（Ｂ）参照））またはリボン型の形状（図１１（Ｃ）、（Ｄ）参照）等に形成することができる。また、アンテナとして機能する導電層の形状は線状に限られず、電磁波の波長を考慮して曲線状や蛇行形状またはこれらを組み合わせた形状で設けてもよい。
【０１６０】
また、以上の工程により得られた半導体装置の構成について、図１２（Ａ）を参照して説明する。図１２（Ａ）に示すように、本発明で得られる半導体装置１１２０は、非接触でデータを交信する機能を有し、電源回路１１１１、クロック発生回路１１１２、データ復調又は変調回路１１１３、他の回路を制御する制御回路１１１４、インターフェイス回路１１１５、記憶回路１１１６、データバス１１１７、アンテナ１１１８、センサ１１２１、センサ回路１１２２を有する。
【０１６１】
電源回路１１１１は、アンテナ１１１８から入力された交流信号を基に、半導体装置１１２０の内部の各回路に供給する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路１１１２は、アンテナ１１１８から入力された交流信号を基に、半導体装置１１２０の内部の各回路に供給する各種クロック信号を生成する回路である。データ復調又は変調回路１１１３は、通信機１１１９と交信するデータを復調又は変調する機能を有する。制御回路１１１４は、記憶回路１１１６を制御する機能を有する。アンテナ１１１８は、電波の送受信を行う機能を有する。通信機１１１９は、半導体装置との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。なお、半導体装置は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッタ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の要素を追加した構成であってもよい。
【０１６２】
記憶回路１１１６は、一対の導電層間に、無機化合物層、有機化合物層、又は相変化層が挟まれた記憶素子を有することを特徴とする。なお、記憶回路１１１６は、一対の導電層間に無機化合物層、有機化合物層、又は相変化層が挟まれた記憶素子のみを有していてもよいし、他の構成の記憶回路を有していてもよい。他の構成の記憶回路とは、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリから選択される１つ又は複数に相当する。
【０１６３】
センサ１１２１は抵抗素子、容量結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子、熱起電力素子を設けることが可能であり、トランジスタ、サーミスタ、ダイオードなどの半導体素子で形成される。センサ回路１１２２はインピーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流の変化を検出し、アナログ／デジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して制御回路１１１４に信号を出力する。
【０１６４】
本実施の形態は、実施の形態１乃至実施の形態３と自由に組み合わせることができる。例えば、実施の形態２で示した剥離方法を用いてアンテナが設けられた可撓性基板を形成することができる。また、実施の形態１乃至実施の形態３で得られる薄膜トランジスタを用いて集積回路を形成し、剥離を行った素子基板と、本実施の形態で得られるアンテナが設けられた可撓性基板とを貼り合わせて電気的な導通を行うことができる。
【０１６５】
本発明によりプロセッサ回路を有する無線チップ（以下、ＩＣチップ、ＩＣタグ、プロセッサチップ、無線チップ、無線プロセッサ、無線メモリ、無線タグともよぶ）として機能する半導体装置を形成することができる。本発明で得られる半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。
【０１６６】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するもの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指し、プロセッサ回路を有するＩＣタグ９０を設けることができる（図１３（Ａ）参照）。証書類とは、運転免許証、住民票等を指し、ＩＣタグ９１を設けることができる（図１３（Ｂ）参照）。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指し、プロセッサ回路を有するチップ９６を設けることができる（図１３（Ｃ）参照）。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指し、ＩＣタグ９３を設けることができる（図１３（Ｄ）参照）。書籍類とは、書物、本等を指し、ＩＣタグ９４を設けることができる（図１３（Ｅ）参照）。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指し、ＩＣタグ９５を設けることができる（図１３（Ｆ）参照）。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指し、ＩＣタグ９７を設けることができる（図１３（Ｇ）参照）。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話等を指す。
【０１６７】
本発明で得られる半導体装置は、プリント基板への実装、表面への貼着、埋め込み等により、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込み、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込むことにより、各物品に固定される。本発明の半導体装置は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本発明で得られる半導体装置を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本発明で得られる半導体装置を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【０１６８】
次に、本実施の形態で得られる半導体装置を実装した電子機器の一態様について図面を参照して説明する。ここで例示する電子機器は携帯電話機であり、筐体２７００、２７０６、パネル２７０１、ハウジング２７０２、プリント配線基板２７０３、操作ボタン２７０４、バッテリー２７０５を有する（図１２（Ｂ）参照）。パネル２７０１はハウジング２７０２に脱着自在に組み込まれ、ハウジング２７０２はプリント配線基板２７０３に嵌着される。ハウジング２７０２はパネル２７０１が組み込まれる電子機器に合わせて、形状や寸法が適宜変更される。プリント配線基板２７０３には、パッケージングされた複数の半導体装置が実装されており、このうちの１つとして、本実施の形態で得られる半導体装置を用いることができる。プリント配線基板２７０３に実装される複数の半導体装置２７１０は、コントローラ、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、メモリ、電源回路、音声処理回路、送受信回路等のいずれかの機能を有する。
【０１６９】
パネル２７０１は、接続フィルム２７０８を介して、プリント配線基板２７０３と接続される。上記のパネル２７０１、ハウジング２７０２、プリント配線基板２７０３は、操作ボタン２７０４やバッテリー２７０５と共に、筐体２７００、２７０６の内部に収納される。パネル２７０１が含む画素領域２７０９は、筐体２７００に設けられた開口窓から視認できるように配置されている。
【０１７０】
上記の通り、本実施の形態で得られる半導体装置は、可撓性基板を用いるため、薄型、軽量であることを特徴としており、上記特徴により、電子機器の筐体２７００、２７０６内部の限られた空間を有効に利用することができる。
【０１７１】
なお、筐体２７００、２７０６は、携帯電話機の外観形状を一例として示したものであり、本実施の形態に係る電子機器は、その機能や用途に応じて様々な態様に変容しうる。
【０１７２】
（実施の形態５）
ここでは非晶質半導体層を用いた半導体素子を有する半導体装置を作製する例を、図１４を用いて説明する。非晶質半導体層を用いた半導体素子としては、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗素子等がある。ここでは、非晶質半導体層を用いた半導体素子としてダイオードを用いた光電変換素子の例を用いて示す。
【０１７３】
実施の形態１と同様に、基板１００上にシリコーン層１０１を形成し、シリコーン層１０１の表面をプラズマ処理して脆弱層１０２を形成し、脆弱層１０２上に有機化合物層１０４を形成する。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図１４（Ａ）に示す。
【０１７４】
次に、有機化合物層１０４上に無機絶縁層１０５を形成し、無機絶縁層１０５上に第一の導電層２４２ａ〜２４２ｃを形成する。次に、第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃの一部を露出させるように光電変換層２４３ａ〜２４３ｃを形成する。次に、光電変換層２４３ａ〜２４３ｃ上であり、且つ第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃの露出部の一部に第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃを形成する。ここでは、第１の導電層２４２ａ、光電変換層２４３ａ、及び第２の導電層２４４ａにより光電変換素子２４１ａを構成する。また、第１の導電層２４２ｂ、光電変換層２４３ｂ、及び第２の導電層２４４ｂにより光電変換素子２４１ｂを構成する。また、第１の導電層２４２ｃ、光電変換層２４３ｃ、及び第２の導電層２４４ｃにより光電変換素子２４１ｃを構成する。なお、光電変換素子２４１ａ〜２４１ｃが直列接続となるように、光電変換素子２４１ａの第２の導電層２４４ａは、第２の光電変換素子２４１ｂの第１の導電層２４２ａと接するように形成する。また、光電変換素子２４１ｂの第２の導電層２４４ｂは、第３の光電変換素子２４１ｃの第１の導電層２４２ｃと接するように形成する。光電変換素子２４１ｃの第２の導電層２４４ｃは、第４の光電変換素子の第１の導電層と接するように形成する。
【０１７５】
有機化合物層１０４側から光が入射する場合は、第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃを、非晶質半導体層で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触が可能であり、且つ透光性を有する導電層を用いる。代表的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ等を用いることができる。また、第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃとしては、非晶質半導体層で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触が可能な金属層で形成する。この代表例としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）から選ばれた一元素、又は該元素を５０％以上含む合金材料で形成されている。
【０１７６】
一方、可撓性基板２４６側から光が入射する場合、第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃに、非晶質半導体層で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触が可能な金属層を用い、第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃに非晶質半導体層で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触が可能であり、且つ透光性を有する電極を用いる。
【０１７７】
光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとしては、非晶質半導体層を有する半導体層で形成することができる。この代表例としては、非晶質珪素層、非晶質シリコンゲルマニウム層、炭化シリコン層、又はこれらのＰＮ接合層、ＰＩＮ接合層が挙げられる。本実施形態では、ＰＩＮ接合のアモルファスシリコンで光電変換層２４３ａ〜２４３ｃが形成されている。
【０１７８】
第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃ上に接着材２４５を用いて可撓性基板２４６を貼り付けても良い。
【０１７９】
次に、基板１００から、有機化合物層１０４、光電変換素子２４１ａ〜２４１ｃ、接着材２４５、及び可撓性基板２４６を含む積層体２４７を剥離する。ここでは脆弱層１０２で剥離する。脆弱層１０２は脆いため、比較的弱い力で剥離を行うことができる。なお、基板１００から積層体２４７を剥離した後、脆弱層１０２を除去してもよい。
【０１８０】
なお、有機化合物層１０４、光電変換素子２４１ａ〜２４１ｃ、接着材２４５、及び可撓性基板２４６を含む積層体２４７に複数の半導体装置が含まれる場合、当該積層体を分断して、複数の半導体装置を切り出してもよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の半導体装置２４８を作製することができる。
【０１８１】
以上の工程で可撓性を有し、薄型な半導体装置を作製することができる。
【０１８２】
また、本実施の形態により作製される半導体装置を組み込むことによって、様々な電子機器を作製することができる。電子機器としては、携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機、カーナビゲーション、携帯オーディオ機器、ハンディＡＶ機器、デジタルカメラ、フィルムカメラ、インスタントカメラ、室内用エアコン、カーエアコン、換気・空調設備、電気ポット、ＣＲＴ式プロジェクションＴＶ、照明機器、照明設備などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を以下に示す。
【０１８３】
本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、ディスプレイ輝度、バックライト照度の最適調整及びバッテリーセーブ用のセンサとして、携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、ゲーム機、カーナビゲーション、携帯オーディオ機器などに用いることができる。また、本実施の形態の光電変換素子を太陽電池として機能させ、当該太陽電池をバッテリーとしてこれらの電子機器に設けることができる。これらの半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子機器の小型化を図ることが可能である。
【０１８４】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、バックライト用ＬＥＤや冷陰極管のＯＮ／ＯＦＦ制御、バッテリーセーブ用のセンサとして、携帯電話キースイッチ、ハンディＡＶ機器に搭載することができる。光センサを搭載することにより、明るい環境ではスイッチをＯＦＦにして、長時間ボタン操作によるバッテリー消耗を軽減することが可能である。本発明の半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子機器の小型化、及び省消費電力化を図ることが可能である。
【０１８５】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、フラッシュ調光、絞り制御用センサとして、デジタルカメラ、フィルムカメラ、インスタントカメラに搭載することが可能である。また、本実施の形態の光電変換素子を太陽電池として機能させ、当該太陽電池をバッテリーとしてこれらの電子機器に設けることができる。これらの半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子機器の小型化を図ることが可能である。
【０１８６】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、風量、温度制御用のセンサとして、室内用エアコン、カーエアコン、換気・空調設備に搭載することが可能である。本発明の半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子機器の小型化を図ることが可能である。省電力化を図ることが可能である。
【０１８７】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、保温温度制御用のセンサとして電気ポットに搭載することが可能である。本実施の形態の光センサにより、室内消灯後は、保温温度を低く設定することが可能である。また、小型かつ薄型であるため、任意の場所に搭載することが可能であり、この結果省電力化をはかることが可能である。
【０１８８】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、走査線位置調整用（ＲＧＢ走査線の位置あわせ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｕｔｏ  Ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｃｅ））センサとして、ＣＲＴ式プロジェクションＴＶのディスプレイに搭載することが可能である。本発明の半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子機器の小型化を図ることが可能であり、かつ任意の領域にセンサを搭載することが可能である。また、ＣＲＴ式プロジェクションＴＶの高速自動制御が可能となる。
【０１８９】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、各種照明機器、照明設備のＯＮ／ＯＦＦ制御用センサとして、家庭用各種照明器具、屋外灯、街路灯、無人公共設備、競技場、自動車、電卓等に用いることができる。本発明のセンサにより、省電力化が可能である。また、本実施の形態の光電変換素子を太陽電池として機能させ、当該太陽電池をバッテリーとしてこれらの電子機器に設けることで、バッテリーの大きさを薄型化することが可能となり、電子機器の小型化を図ることが可能である。
【０１９０】
（実施の形態６）
【０１９１】
本実施の形態では、機能層を有する基板を歩留まり高く作製する方法を提供する。なお、図２０は、機能層を有する基板を形成する工程の断面図を示す。また、本実施の形態では、機能層として、着色層、色変換フィルター、フォログラムカラーフィルター等光学的に機能する層がある。ここでは、光学的に機能する層として、着色層を用いて説明する。
【０１９２】
図２０（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板１００上にシリコーン層１０１を形成し、シリコーン層１０１の表面をプラズマ処理し脆弱層１０２を形成する。次に脆弱層１０２上に有機化合物層１０４を形成する。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図２０（Ａ）に示す。なお、脆弱層１０２と有機化合物層１０４の間に無機絶縁層を形成してもよい。
【０１９３】
次に、有機化合物層１０４上に着色層、及び当該着色層を覆う絶縁層１５８を形成する。ここでは、着色層として、遮光層１５１〜１５４、赤色の着色層１５５、青色の着色層１５６、及び緑色の着色層１５７を示す。なお、着色層及び絶縁層１５８により、機能層１５９を構成することができる。
【０１９４】
着色層の形成方法としては、着色樹脂を用いたエッチング法、カラーレジストを用いたカラーレジスト法、染色法、電着法、ミセル電解法、電着転写法、フィルム分散法、インクジェット法（液滴吐出法）などを適宜用いることができる。
【０１９５】
ここでは、顔料が分散された感光性樹脂を用いたエッチング法によって、カラーフィルタを形成する。はじめに、黒色顔料が分散された感光性アクリル樹脂を塗布法により有機化合物層１０４上に塗布する。次に、アクリル樹脂を乾燥し、仮焼きした後、露光及び現像し、２００℃以上３５０℃以下、好ましくは２００℃以上３００℃以下、ここでは２２０℃の加熱によりアクリルを硬化し、膜厚０．５〜１．５μｍの遮光層１５１〜１５４を形成する。
【０１９６】
次に、赤色顔料、緑色顔料、又は青色顔料が分散された感光性アクリル樹脂を塗布法によりそれぞれ塗布し、遮光層１５１〜１５４と同様の工程によって、それぞれ膜厚１．０〜２．５μｍの赤色の着色層１５５、青色の着色層１５６、緑色の着色層１５７を形成する。
【０１９７】
以上の工程により、幅が制御された着色層を容易に形成することができる。
【０１９８】
なお、ここでは、赤色の着色層は赤色の光（６５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層であり、緑色の着色層は緑色の光（５５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層であり、青色の着色層は青色の光（４５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層を指す。
【０１９９】
着色層を覆う絶縁層１５８は、塗布法で絶縁性の組成物を、有機化合物層１０４、着色層１５５〜１５７、及び遮光層１５１〜１５４の露出部に塗布し、加熱して焼成して形成する。絶縁層１５８は実施の形態１で示される層間絶縁層１１８と同様の手法及び材料により形成することができる。また、絶縁層１５８は、着色層の保護層として機能することが好ましい（図２０（Ｂ）参照）。
【０２００】
次に、図２０（Ｃ）に示すように、基板１００から、有機化合物層１０４、機能層１５９を含む積層体を剥離する。
【０２０１】
次に、図２０（Ｄ）に示すように、脆弱層１０２を除去した後、有機化合物層１０４に可撓性基板１６０を貼り付ける。ここでは、熱圧着により有機化合物層１０４に可撓性基板１６０を固定する。なお、接着剤を用いて、有機化合物層１０４に可撓性基板１６０を固定してもよい。
【０２０２】
以上の工程により、機能層１５９を有する可撓性基板を歩留まり高く形成することができる。
【０２０３】
（実施の形態７）
本発明により得られる液晶表示装置や発光装置によって、様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール）に用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【０２０４】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１５に示す。
【０２０５】
図１５（Ａ）、（Ｂ）はテレビジョン装置である。表示パネルには、画素部のみが形成されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とが、ＴＡＢ方式により実装される場合と、ＣＯＧ方式により実装される場合と、薄膜トランジスタを形成し、画素部と走査線側駆動回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバＩＣとして実装する場合、また画素部と信号線側駆動回路と走査線側駆動回路を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
【０２０６】
その他の外部回路の構成として、映像信号の入力側では、チューナで受信した信号のうち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路などからなっている。コントロール回路は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路を設け、入力デジタル信号を複数に分割して供給する構成としても良い。
【０２０７】
チューナで受信した信号のうち、音声信号は、音声信号増幅回路に送られ、その出力は音声信号処理回路を経てスピーカーに供給される。制御回路は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部から受け、チューナや音声信号処理回路に信号を送出する。
【０２０８】
表示モジュールを、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、筐体に組みこんで、テレビジョン装置を完成させることができる。ＦＰＣまで取り付けられた表示パネルのことを表示モジュールとも呼ぶ。表示モジュールにより主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビジョン装置を完成させることができる。
【０２０９】
図１５（Ａ）に示すように、筐体２００１に表示素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン操作機にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。
【０２１０】
また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。この構成において、主画面２００３を発光表示用パネルで形成し、サブ画面を液晶表示用パネルで形成しても良い。また、主画面２００３を液晶表示用パネルで形成し、サブ画面を発光表示用パネルで形成し、サブ画面は点滅可能とする構成としても良い。
【０２１１】
図１５（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、操作部であるキーボード部２０１２、表示部２０１１、スピーカー部２０１３等を含む。本発明は、表示部２０１１の作製に適用される。図１５（Ｂ）の表示部は、わん曲可能な可撓性基板を用いているので、表示部がわん曲したテレビジョン装置となっている。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状のテレビジョン装置を作製することができる。
【０２１２】
本発明により、簡略な工程で表示装置を形成できるため、コストダウンも達成できる。よって本発明を用いたテレビジョン装置では、大画面の表示部を有しても低いコストで形成できる。
【０２１３】
勿論、本発明はテレビジョン装置に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
【０２１４】
また、図１５（Ｃ）は携帯情報端末（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０２１５】
可撓性基板を用いて携帯情報端末の薄型化及び軽量化を図ることができる。
【０２１６】
本実施の形態は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【０２１７】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態６に記載の表示部として用いることが可能な電気泳動表示装置を用いる例を示す。代表的には図１５（Ｃ）に示す携帯書籍（電子書籍）の表示部３００２、または表示部３００３に適用する。
【０２１８】
電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）は、電子ペーパーとも呼ばれており、紙と同じ読みやすさを有し、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
【０２１９】
電気泳動ディスプレイは、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の粒子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子と、溶媒とを含むマイクロカプセルを複数有するものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。
【０２２０】
このように、電気泳動ディスプレイは、誘電定数の高い第１の粒子または第２の粒子が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には必要なく、厚さや重さが半減する。
【０２２１】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０２２２】
また、基板上に適宜、二つの電極の間に挟まれるように上記マイクロカプセルを複数配置すれば表示装置が完成し、マイクロカプセルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態１または２で得られるアクティブマトリクス基板を用いることができる。プラスチック基板に電子インクを直接印刷することも可能であるが、アクティブマトリクス型とした場合、熱や有機溶剤に弱いプラスチック基板上に素子を形成するよりも、ガラス基板上に素子及び電子インクを形成した後、ガラス基板を実施の形態１または実施の形態２に従って剥離することが好ましい。
【０２２３】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【０２２４】
本実施の形態は、実施の形態１、２、または６のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例１】
【０２２５】
本実施例では、フレキシブルな液晶表示装置の作製工程を図１６乃至図１８を用いて説明する。なお、図１６乃至図１８は、液晶表装置の作製工程を示す断面図である。
【０２２６】
図１６（Ａ）に示すように、第１の基板５０上にシリコーン層５１を形成する。次に、シリコーン層５１の表面をプラズマで処理して脆弱層５２を形成する。ここでは、第１の基板５０としてガラス基板を用い、シリコーン層５１として、東レ製のＰＳＢ−Ｋ３１（２０〜４０％のシロキサンポリマー及び６０〜８０％の３−メトキシ３−メチル−１ブタノールを含む組成物）を塗布し２００℃で３０分加熱して、厚さ９００ｎｍ〜１０００ｎｍのシリコーン層を形成する。また、シリコーン層５１の表面を酸素プラズマ処理して、シリコーン層５１の表面の有機基が酸化された脆弱層５２を形成する。
【０２２７】
次に、図１６（Ｂ）に示すように、第１の基板５０の脆弱層５２上に有機化合物層５３を形成する。ここでは、ポリイミドをスピンコータで塗布した後、３００℃で３０分加熱して有機化合物層５３としてポリイミド層を形成する。
【０２２８】
次に、図１６（Ｃ）に示すように、有機化合物層５３上に素子層５４ａを形成する。ここでは、実施の形態１に示すように、素子層５４ａに薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタに接続する画素電極を形成する。また、素子層５４ａの一部の配線を用いてアライメントマーカ５４ｂを形成する。
【０２２９】
次に、素子層５４ａ、及び有機化合物層５３上に配向層５５を形成する。配向層５５としては、ポリイミドを印刷法により印刷し、２５０℃１時間半加熱した後、Ｘ軸方向にラビングして配向層を形成する。
【０２３０】
一方、図１６（Ｄ）に示すように、第２の基板６０上にモリブデン層６１ａ、及びアライメントマーカ６１ｂを形成し、モリブデン層６１ａ、及びアライメントマーカ６１ｂの表面に酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂを形成し、酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂ上に絶縁層６３を形成する。
【０２３１】
ここでは、第２の基板６０としてガラス基板を用いる。モリブデン層６１ａ、及びアライメントマーカ６１ｂは、モリブデンターゲットをアルゴンでスパッタリングして、第２の基板６０上に厚さ１０ｎｍのモリブデン層を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により形成されたレジストマスクを用いてモリブデン層の一部を、リン酸、酢酸、及び硝酸を含む溶液を用いてエッチングして、モリブデン層６１ａ、及びアライメントマーカ６１ｂを形成する。次に、レジストマスクを除去し、フッ酸でモリブデン層６１ａ、及びアライメントマーカ６１ｂ表面の酸化層を除去した後、一酸化二窒素プラズマ処理してモリブデン層６１ａ、及びアライメントマーカ６１ｂの表面に酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂを形成する。次に、シラン、一酸化二窒素、及びアンモニアを用いて、絶縁層６３として厚さ１００ｎｍの窒化珪素層を形成する。
【０２３２】
次に、図１６（Ｅ）に示すように、絶縁層６３上に有機化合物層６４を形成する。ここでは、図１（Ｂ）に示す有機化合物層５３と同様に形成する。
【０２３３】
次に、図１６（Ｆ）に示すように、有機化合物層６４上に着色層６５を形成する。ここでは、着色層６５は、赤色着色層、青色着色層、緑色着色層、及び黒色着色層と、赤色着色層、青色着色層、緑色着色層、及び黒色着色層上に形成される保護層と、保護層上に形成される画素電極を含む。なお、赤色着色層は赤色の光（６５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）が透過する着色層であり、緑色着色層は緑色の光（５５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）が透過する着色層であり、青色着色層は青色の光（４５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）が透過する着色層を指す。
【０２３４】
次に、着色層６５及び有機化合物層６４上に配向層６６を形成する。配向層６６としては、ポリイミドを印刷法により印刷し、２５０℃１時間半加熱した後、Ｙ軸方向にラビングして配向層を形成する。
【０２３５】
次に、配向層６６表面を洗浄した後、図１６（Ｇ）に示すように、配向層６６上にシール材６７を形成する。なお、この際、液晶注入口となる切欠き部を設けるようにシール材の材料をディスペンサまたは液滴吐出装置から吐出し、シール材を形成する。また、配向層６６上に球状スペーサ６８を散布する。ここでは、シール材としてエポキシ樹脂を用いる。
【０２３６】
次に、図１７（Ａ）に示すように、第１の基板５０及び第２の基板６０を貼り合せる。具体的には、第１の基板５０上に形成されるアライメントマーカ５４ｂ、及び第２の基板６０上にあるアライメントマーカ６１ｂの位置を合わせながら、シール材６７によって、第１の基板５０及び第２の基板を貼り合せる。ここでは、第１の基板５０及び第２の基板６０を圧着しながら１６０℃で３時間加熱してシール材７１を硬化して、第１の基板５０及び第２の基板６０を貼り合せる。
【０２３７】
ここでは、第１の基板５０上に形成されるシリコーン層５１及び脆弱層５２が透光性を有するため、アライメントマーカ５４ｂ、６１ｂの位置合わせが容易である。このため、第１の基板５０及び第２の基板６０の貼り合せを容易に行うことができる。
【０２３８】
次に、図１７（Ｂ）に示すように、第１の基板５０及び第２の基板６０をスクライバーで分断する。ここではシール材７１の外側で第１の基板５０及び第２の基板６０を分断する。なお、当該スクライバーの切断と共に、図１７（Ｃ）に示すように、第２の基板６０において、酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂ近傍で剥離が生じる。これは、第２の基板６０上に形成される酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂは、第１の基板５０上に形成される脆弱層５２と比較して、物理的作用により剥離しやすい。このため、スクライバーの物理的作用により、第２の基板６０が第１の基板５０から剥離する。具体的には、酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂと、絶縁層６３との界面で剥離が生じする。
【０２３９】
なお、シリコーン層５１及び脆弱層及び５２の界面における剥離性は、酸化モリブデン層６２ａ、６２ｂ及び絶縁層６３の界面における剥離性と比較して低いため、当該スクライバーによる分断による外力では、剥離が生じない。このため、剥離工程において、有機化合物層５３、６４、素子層５４ａ、及び着色層６５等を第１の基板５０に保持することができるため、後の液晶注入、封止等の処理がしやすい。このため、歩留まりを向上させることが可能であると共に、スループットを向上させることができる。
【０２４０】
なお、スクライバーにより分断された第１の基板５０を第１の基板５０ａと示し、スクライバーにより分断されたシリコーン層５１をシリコーン層５１ａと示し、スクライバーにより分断された脆弱層５２を脆弱層５２ａと示し、スクライバーにより分断された有機化合物層５３を有機化合物層５３ａと示す。
【０２４１】
次に、図１８（Ａ）に示すように、液晶注入口（図示しない。）から、液晶注入法により第１の基板５０上に形成される配向層５５、有機化合物層６４上に形成される配向層６６、及びシール材７１の間に液晶材料７３を注入する。次に、注入口に封止材材料を塗布し硬化して封止材（図示しない。）を形成し、第２の基板６０及び有機化合物層６４の間の液晶をシール材及び封止材で封止する。
【０２４２】
次に、図１８（Ｂ）に示すように、第１の基板５０ａを有機化合物層５３ａから剥離する。具体的には、脆弱層５２ａとシリコーン層５１ａの界面で剥離する。なお、この後、脆弱層５２ａを除去してもよい。
【０２４３】
以上の工程により、可撓性を有する液晶表示装置７４を作製することができる。本実施例では、シリコーン層及びその上に形成される脆弱層が透光性を有するため、アライメントマーカ５４ｂ、６１ｂの位置合わせが容易である。このため、第１の基板５０及び第２の基板６０の貼り合せを容易に行うことができる。また、剥離性の異なる剥離界面（ここでは、剥離性の酸化モリブデン層及び絶縁層の界面、並びにモリブデン層及び絶縁層の剥離界面と比較して、剥離性の低いシリコーン層及び脆弱層の界面）を用いることで、可撓性を有する液晶表示装置を歩留まり高く作製することができる。また、可撓性を有する液晶表示装置の作製工程におけるスループットを向上させることができる。
【実施例２】
【０２４４】
本実施例では、シリコーン層の表面の結合状態、及び剥離後のシリコーン層の表面の結合状態をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定した結果を、図１９を用いて示す。
【０２４５】
ガラス基板上に東レ製のＰＳＢ−Ｋ３１（２０〜４０％のシロキサンポリマー及び６０〜８０％の３−メトキシ３−メチル−１ブタノールを含む組成物）をスピンコート法により塗布し、２００℃で３０分焼成してシリコーン層を形成した。次に、シリコーン層の表面に６０秒間酸素プラズマを照射した後、シリコーン層表面にポリイミドをスピンコート法により塗布し、３００℃で１時間焼成した。この後、ポリイミド表面にテープを貼り付けた後、シリコーン層からポリイミドを剥離した。
【０２４６】
次に、シリコーン層（試料１とする。）の表面と、シリコーン層の表面を酸素プラズマで処理した後のシリコーン層（試料２とする。）の表面と、ポリイミドを剥離した後のシリコーン層（試料３とする。）の表面とをＸＰＳ測定した。図１９に試料１乃至試料３の測定結果を示す。
【０２４７】
図１９のスペクトルにおいて、試料１及び試料２を比較すると、試料２の酸素結合を示すピーク８１が相対的に増加するとともに、炭素結合のピーク８２が相対的に減少していることがわかる。なお、シリコン結合を示すピーク８３は試料２で増加しているが、それほど大きな増加ではない。このことから、酸素プラズマ処理によりシリコーン層表面の炭素が酸化されて、シリコーン層表面から除去されていることが分かる。
【０２４８】
また、試料１及び試料３を比較すると、試料１及び試料３のピークがほぼ同じであることがわかる。このことから、ポリイミドをシリコーン層から剥離したときに、酸素プラズマ処理により酸化されたシリコーン層の表面も剥離されたことが分かる。即ち、酸素プラズマ処理によりシリコーン層表面の有機基が酸化し、脆弱化され、シリコーン層表面の柔軟性や強度が低下する。ここで、ポリイミドがシリコーン層から剥離するような外力を加えると、当該酸化された領域が剥離層となって、酸化され脆弱化された層と、酸化されていない層との界面において、脆性破壊が進行し、剥れることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０２４９】
【図１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図３】有機薄膜トランジスタの断面構造の一例を示す図である。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図及び断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の構成を説明する斜視図である。
【図６】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図である。
【図７】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図である。
【図８】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図及び斜視図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明に適用可能なアンテナの形状を説明する上面図である。
【図１２】（Ａ）本発明の半導体装置の構成を説明する図であり、（Ｂ）は、電子機器の一例を説明する図である。
【図１３】本発明の半導体装置の用途を説明する図である。
【図１４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１５】電子機器の一例を示す図である。
【図１６】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１９】シリコーン層の表面の結合状態をＸ線光電子分光法を用いて測定した結果を表した図である。
【図２０】本発明の機能層を有する基板の作製方法を説明する断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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