(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源と、
前記電源から供給される電力を電気エネルギとして蓄積するリアクトルと、
前記電源から供給される電力と前記リアクトルの蓄積エネルギとを積層して充電するコンデンサと、
並列に設けられる複数のトランジスタであって、各一方側端子が前記リアクトルに接続され、各他方側端子が前記電源に接続される複数のトランジスタと、
前記リアクトルと前記コンデンサとの間に接続されるフライホイールダイオードと、
一方端が前記コンデンサに接続され、他方端が前記フライホイールダイオードに接続される一方側バスバーと、
一方端が前記電源に接続され、他方端に向かう途中で分岐されて前記一方側バスバーと並走する複数の分岐バスバーを有し、前記各分岐バスバーの他方端が前記複数のトランジスタに接続される他方側バスバーと、
を備える昇圧回路であって、
前記各分岐バスバーと前記一方側バスバーとのバスバインダクタンスがほぼ同一となるように、前記各分岐バスバーと前記一方側バスバーとの間の各結合係数が調整されていることを特徴とする昇圧回路。
【請求項２】
請求項１に記載の昇圧回路において、
前記各結合係数は、前記各分岐バスバーと前記一方側バスバーとの間の並走距離を変えることで調整されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の昇圧回路において、
前記各結合係数は、各分岐バスバーの面積を変えることで調整されることを特徴とする昇圧回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、昇圧回路に係り、特に、コンデンサとトランジスタを備える昇圧回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のトランジスタが並列に設けられ、さらに、各トランジスタに接続される平滑用の直流コンデンサが設けられる昇圧回路において、例えば、トランジスタとしてＩＧＢＴ等の高速スイッチング素子が用いられる場合には、可能な限り配線インダクタンスを低減することで、各トランジスタに流れる電流の変化率を低減することが求められる。さらに、各トランジスタが並列に設けられているため、各トランジスタがターンオンとなる場合に各トランジスタに流れる電流のバランスをとることが望まれる。
【０００３】
本発明に関連する技術として、例えば、特許文献１には、昇圧チョッパ装置として、第１の導体板と第２の導体板を間隔をおいて直線上に配置し、これらと平行に第３の導体板を取付け、第２の導体板と第３の導体板との間にＩＧＢＴを、また第１の導体板と第２の導体板の間にダイオードを、それぞれ両端子が導体板の長手方向に沿うように配置することが述べられている。さらに、第１の導体板に直流コンデンサの一方の接続端子を、これと対向する位置の第３の導体板に直流コンデンサの他方の接続端子を接続して、スイッチング動作を行なわない際に上記導体板上に流れる全ての電流経路の距離をほぼ等しく形成し、スイッチング動作を行なった際に電流を遮断する経路において、導体板上の電流の向きが磁束の変化をキャンセルするように往復導体構造としたものであることが述べられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２２８６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の構成を用い、並列に設けられた複数のトランジスタに関する電流経路の長さをほぼ等しくすることで、各トランジスタのターンオン状態での電流バラツキを抑制することができる。しかし、特許文献１の構成では、並列に設けられた個々のトランジスタのエミッタ端子と各トランジスタに共通に接続される直流コンデンサとの間を１本のバスバーを共用して接続しているため、トランジスタが接続される部分によってバスバーインダクタンスに差が生じてしまう。このように、トランジスタが接続される部分によってバスバーインダクタンスに差が生じてしまうと、バスバーインダクタンスの値に応じて各トランジスタに発生する誘起電圧の値が異なることとなる。したがって、バスバーにおいてバスバーインダクタンスの大きい部分に接続されたトランジスタのエミッタ端子電圧が持ち上げられ、当該トランジスタに流れるゲート電流は減少する。このため、当該トランジスタのターンオン速度が遅くなるため、当該トランジスタと他のトランジスタとの間で過渡的な電流のアンバランスを生じてしまう。
【０００６】
本発明の目的は、並列に設けられた複数のトランジスタと、これに共通に接続されるコンデンサとを有する昇圧回路において、各トランジスタのターンオン電流に関して各トランジスタ間における過渡的な電流アンバランスを低減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る昇圧回路は、電源と、前記電源から供給される電力を電気エネルギとして蓄積するリアクトルと、前記電源から供給される電力と前記リアクトルの蓄積エネルギとを積層して充電するコンデンサと、並列に設けられる複数のトランジスタであって、各一方側端子が前記リアクトルに接続され、各他方側端子が前記電源に接続される複数のトランジスタと、前記リアクトルと前記コンデンサとの間に接続されるフライホイールダイオードと、一方端が前記コンデンサに接続され、他方端が前記フライホイールダイオードに接続される一方側バスバーと、一方端が前記電源に接続され、他方端に向かう途中で分岐されて前記一方側バスバーと並走する複数の分岐バスバーを有し、前記各分岐バスバーの他方端が前記複数のトランジスタに接続される他方側バスバーと、を備える昇圧回路であって、前記各分岐バスバーと前記一方側バスバーとのバスバインダクタンスがほぼ同一となるように、前記各分岐バスバーと前記一方側バスバーとの間の各結合係数が調整されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る昇圧回路において、前記各結合係数は、前記各分岐バスバーと前記一方側バスバーとの間の並走距離を変えることで調整されることが好ましい。
【０００９】
また、本発明に係る昇圧回路において、前記各結合係数は、各分岐バスバーの面積を変えることで調整されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成の昇圧回路によれば、電源と各トランジスタとの間を接続する各分岐バスバーのバスバーインダクタンスは等しくなる。したがって、各トランジスタのターンオン電流に関し各トランジスタ間における過渡的な電流アンバランスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態において、昇圧回路の構成を示す図である。
【図２ａ】本発明の実施の形態において、左側に図１における一方側バスバーの平面図を示し、右側に一方側バスバーの右側面図を示している。
【図２ｂ】本発明の実施の形態において、左側に図１における分岐バスバーの平面図を示し、右側に分岐バスバーの右側面図を示している。
【図２ｃ】本発明の実施の形態において、左側に図１における分岐バスバーの平面図を示し、右側に分岐バスバーの右側面図を示している。
【図２ｄ】本発明の実施の形態において、左側に図１における各分岐バスバーの平面図を示し、右側に各分岐バスバーの右側面図を示している。
【図３】本発明の実施の形態において、並走するバスバーの間の距離と、相互インダクタンスの関係を示す図である。
【図４】比較のために示された従来の昇圧回路の構成図である。
【図５】比較のために示された従来の昇圧回路を作動させた場合のコレクタ電流およびゲートチャージ電荷量の時間変化を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態において、昇圧回路を作動させた場合のコレクタ電流およびゲートチャージ電荷量の時間変化を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態の昇圧回路の第１変形例において各分岐バスバーの関係を示す図（図２に対応する図）である。
【図８】本発明の実施の形態の昇圧回路の第２変形例において各分岐バスバーの関係を示す図（図２に対応する図）である。
【図９】本発明の実施の形態の昇圧回路の第３変形例において各分岐バスバーの関係を示す図（図２に対応する図）である。
【図１０】本発明の実施の形態の昇圧回路の第４変形例において各分岐バスバーの関係を示す図（図２に対応する図）である。
【図１１】本発明の実施の形態の昇圧回路の第５変形例において各分岐バスバーの関係を示す図（図２に対応する図）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。また、以下では、全ての図面において同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
図１は、昇圧回路１０の構成を示す図である。昇圧回路１０は、電源８０と、リアクトル６０と、コンデンサ３０と、スイッチング回路１１，１２と、フライホイールダイオード２１，２２と、制御ユニット９０と、ゲート抵抗１１ｇＲ，１２ｇＲとを含んで構成される。ここで、フライホイールダイオード２１，２２と、スイッチング回路１１，１２とはケース１００内部に設けられている。そして、ケース１００には、ケース１００内部に設けられるフライホイールダイオード２１，２２、スイッチング回路１１，１２と、ケース１００外部に設けられるリアクトル６０、コンデンサ３０、ゲート抵抗１１ｇＲ，１２ｇＲとを接続するための取付部７１，４１，５１，１１１，１２１が設けられている。
【００１４】
電源８０は、正極側端子８１がワイヤによってリアクトル６０の一方側端子に接続され、負極側端子８２がワイヤによってケース１００の取付部５１に接続され、負荷側に一定の電圧を供給する直流電圧源である。
【００１５】
コンデンサ３０は、正極側端子が比較的幅の広いワイヤ（例えば、バスバー）によって取付部４１に接続され、負極側端子が比較的幅の広いワイヤ（例えば、バスバー）によって取付部５１に接続される容量素子である。コンデンサ３０は、電源８０から供給される電力とリアクトル６０の蓄積エネルギとを積層して充電する。
【００１６】
リアクトル６０は、電源８０から供給される電力を電気エネルギとして蓄積し、一方側端子がワイヤによって電源８０の正極側端子に接続され、他方側端子がワイヤによって取付部７１に接続されるコイル素子である。
【００１７】
バスバー７は、取付部７１からフライホイールダイオード２２のアノード端子の近傍まで延伸し、さらに、フライホイールダイオード２１のアノード端子の近傍まで延伸する。その後、フライホイールダイオード２１を迂回してスイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのコレクタ端子の近傍まで延伸し、さらに、スイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのコレクタ端子の近傍まで延伸する。
【００１８】
一方側バスバー４は、取付部４１からフライホイールダイオード２２を迂回してフライホイールダイオード２２のカソード端子の近傍まで延伸し、さらに、フライホイールダイオード２１のカソード端子の近傍まで延伸する。
【００１９】
他方側バスバー５は、取付部５１から分岐した分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂとを備える。分岐バスバー５Ａは、取付部５１から一方側バスバー４に沿って並走し、スイッチング回路１１の近傍まで延伸する。分岐バスバー５Ｂは、取付部５１から一方側バスバー４および分岐バスバー５Ａと並走（一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの間の距離が一方側バスバーＡと分岐バスバー５Ａとの間の距離よりも長くなる状態で並走）してスイッチング回路１２の近傍まで延伸する。ここで、図１に示されるように、取付部５１とスイッチング回路１１，１２との位置関係を比べると、取付部５１とスイッチング回路１２との位置関係に比べ、取付部５１とスイッチング回路１１の位置関係の方が遠くなっている。つまり、取付部５１とスイッチング回路１１を結ぶバスバーの長さは、取付部５１とスイッチング回路１２を結ぶバスバーの長さよりも長くなる。したがって、取付部５１との間の位置関係が遠いスイッチング回路１１と接続するための分岐バスバー５Ａについては、一方側バスバー４からの距離が一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの間の距離に比べて短くなるように一方側バスバー４に並走している。そして、取付部５１との間の位置関係が近いスイッチング回路１２と接続するための分岐バスバー５Ｂについては、一方側バスバー４からの距離が一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａとの間の距離に比べて長くなるように一方側バスバー４に並走している。
【００２０】
ここで、従来では、コンデンサ３０とスイッチング回路１１，１２とを一本のバスバーを用いて接続していたが、上記のように、昇圧回路１０では、取付部５１から分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂに分岐し、コンデンサ３０とスイッチング回路１１との間は分岐バスバー５Ａを用いて接続し、コンデンサ３０とスイッチング回路１２との間は分岐バスバー５Ｂを用いて接続している。
【００２１】
フライホイールダイオード２１，２２は、アノード端子がボンディングワイヤ２１ａ，２２ａによってバスバー７に接続される。また、フライホイールダイオード２１，２２は、カソード端子がボンディングワイヤ２１ｋ，２２ｋによって一方側バスバー４に接続される。
【００２２】
スイッチング回路１１，１２は、制御ユニット９０からの制御信号によって端子間の開閉が制御可能なトランジスタ１１ａ，１２ａと、トランジスタ１１ａ，１２ａに並列に接続されるダイオードを含んで構成される。スイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａは、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）や電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）等とすることができる。スイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａをＩＧＢＴとした場合、制御ユニット９０からの制御信号はゲート端子に印加されるゲート電圧であり、当該制御信号によってコレクタ−エミッタ間が開閉制御される。スイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａをＭＯＳＦＥＴとした場合、制御ユニット９０からの制御信号はゲート端子に印加されるゲート電圧であり、当該制御信号によってドレイン−ソース間が開閉制御される。以下では、トランジスタ１１ａ，１２ａは、ＩＧＢＴとして説明するが、もちろんＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【００２３】
スイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａのコレクタ端子は、ボンディングワイヤ１１ｃ，１２ｃによってバスバー７に接続される。スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのエミッタ端子は、ボンディングワイヤ１１ｅによって分岐バスバー５Ａに接続される。また、スイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのエミッタ端子は、ボンディングワイヤ１２ｅによって分岐バスバー５Ｂに接続されている。スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのゲート端子は、ボンディングワイヤ１１ｇによって取付部１１１に接続される。スイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのゲート端子は、ボンディングワイヤ１２ｇによって取付部１２１に接続される。
【００２４】
ゲート抵抗１１ｇＲは、一方側端子がワイヤによって取付部１１１に接続され、他方側端子がワイヤによって制御ユニット９０の出力端子に接続される抵抗素子である。ゲート抵抗１２ｇＲは、一方側端子がワイヤによって取付部１２１に接続され、他方側端子がワイヤによって制御ユニット９０の出力端子に接続される抵抗素子である。
【００２５】
制御ユニット９０は、スイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａに対する制御信号を生成し、ゲート抵抗１１ｇＲ，１２ｇＲを介してスイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａのゲート端子に制御信号を入力する。制御ユニット９０からの制御信号によりスイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａのコレクタ−エミッタ間が開閉される。制御ユニット９０の出力端子は、ワイヤによってゲート抵抗１１ｇＲ，１２ｇＲの他方側端子と接続される。
【００２６】
図２ａは、左側に図１における一方側バスバー４の平面図を示し、右側に一方側バスバー４の右側面図を示している。ここで、一方側バスバー４のうち延伸先端部４Ｃに設けられる領域４８は、フライホイールダイオード２１，２２のカソード端子に接続するためのボンディングワイヤ２１ｋ，２２ｋが接続される領域である。なお、図２ａに示される一方側バスバー４の基端部４Ｔが取付部４１に接続される。
【００２７】
図２ｂは、左側に図１における分岐バスバー５Ａの平面図を示し、右側に分岐バスバー５Ａの右側面図を示している。ここで、分岐バスバー５Ａのうち延伸先端部５ＡＣに設けられる領域５Ａ８は、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのエミッタ端子に接続するためのボンディングワイヤ１１ｅが接続される領域である。なお、図２ｂに示されるバスバー５Ａの基端部５ＡＴが取付部５１に接続される。
【００２８】
図２ｃは、左側に図１における分岐バスバー５Ｂの平面図を示し、右側に分岐バスバー５Ｂの右側面図を示している。ここで、分岐バスバー５Ｂのうち延伸先端部５ＢＣに設けられる領域５Ｂ８は、スイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのエミッタ端子に接続するためのボンディングワイヤ１２ｅが接続される領域である。なお、図２ｃに示されるバスバー５Ｂの基端部５ＢＴが取付部５１に接続される。
【００２９】
図２ｄは、左側に図１における一方側バスバー４，分岐バスバー５Ａ，分岐バスバー５Ｂのそれぞれの位置関係を示す平面図を示し、右側に、一方側バスバー４，分岐バスバー５Ａ，分岐バスバー５Ｂのそれぞれの位置関係を示す右側面図を示している。ここで、取付部５１との間の位置関係が遠いスイッチング回路１１と接続するための分岐バスバー５Ａは、一方側バスバー４と空間５ＡＳを設けて配置される。そして、取付部５１との間の位置関係が近いスイッチング回路１２と接続するための分岐バスバー５Ｂは、一方側バスバー４からの距離が、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａとの間の距離に比べて遠くなるように、分岐バスバー５Ａと空間５ＢＳを設けて配置される。ここで、図２ｄの右図に示されるように延伸先端部４Ｃと、延伸先端部５ＡＣと、延伸先端部５ＢＣとは隙間が矢印Ｘ方向に沿った隙間が空くようにそれぞれ延伸している。
【００３０】
図３は、並走するバスバーの間の距離と、相互インダクタンスの関係を示す図である。図３に示されるように、並走するバスバーの間の距離が小さいと、並走するバスバー間の結合係数が大きくなるため、相互インダクタンスが小さくなる。そして、並走するバスバーの間の距離が大きくなると、並走するバスバー間の結合係数が小さくなるため、相互インダクタンスが大きくなる。
【００３１】
なお、図示しないがバスバー７とボンディングワイヤ１１ｃ，１２ｃ，２１ａ，２２ａの接続についてもバスバー７のボンディング領域にそれぞれボンディングワイヤ１１ｃ，１２ｃ，２１ａ，２２ａが接続されている。
【００３２】
ここで、昇圧回路１０の作用を分かりやすくするために、比較例である昇圧回路９を用いて説明する。図４は、昇圧回路９の構成を示す図である。図５は、昇圧回路９を作動させた場合のコレクタ電流およびゲートチャージ電荷量の時間変化を示す図である。昇圧回路９と昇圧回路１０の相違点は、他方側バスバー５だけである。他方側バスバー５は、取付部５１から一本のバスバーでスイッチング回路１１，１２の近傍まで延伸される（換言すれば、昇圧回路１０のように、取付部５１から分岐バスバー５Ａ，分岐バスバー５Ｂに分岐してスイッチング回路１１，１２の近傍まで延伸されない）。そして、制御ユニット９０から連続したパルス電圧（制御信号）がスイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａのゲート端子に印加されると、トランジスタ１１ａ，１２ａがターンオンした瞬間に他方側バスバー５において誘起電圧が発生する。図４に示されるように、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのエミッタ端子には、スイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのエミッタ端子よりも他方側バスバー５の５Ｌ分だけ長い状態（換言すれば、バスバーインダクタンスが大きくなった状態）で接続されている。これにより、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのエミッタ端子は、バスバーインダクタンスが大きくなった分だけ電位が高く持ち上げられるため、ゲート電流が流れにくくなる。したがって、図５に示されるように、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのゲート端子にチャージされるゲートチャージ電荷量１１Ｑｇとスイッチング回路１２の半導体スイッチング素子のゲート端子にチャージされるゲートチャージ電荷量１２Ｑｇとがバランスが悪い状態となる。さらに、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのコレクタ電流１１Ｉｃとスイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのコレクタ電流１２Ｉｃとがバランスが悪い状態となる。
【００３３】
続いて、昇圧回路１０の作用について図１等を用いて説明する。図６は、昇圧回路１０を作動させた場合のコレクタ電流およびゲートチャージ電荷量の時間変化を示す図である。制御ユニット９０から連続したパルス電圧（制御信号）をスイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａのゲート端子に印加されると、トランジスタ１１ａ，１２ａがターンオンした瞬間に分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂに誘起電圧が発生する。ここで、取付部５１との間の位置関係が遠いスイッチング回路１１と接続するための分岐バスバー５Ａは、一方側バスバー４からの距離が近くなるように配置され、取付部５１との間の位置関係が近いスイッチング回路１２と接続するための分岐バスバー５Ｂは、一方側バスバー４からの距離が遠くなるように配置されている。ここで、並走する一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａとの間の距離は、並走する一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの間に距離よりも短いため、図３に示されるように、分岐バスバー５Ａの相互インダクタンスは、分岐バスバー５Ｂの相互インダクタンスに比べて小さくなる。一方、分岐バスバー５Ａの長さは、分岐バスバー５Ｂの長さよりも長く自己インダクタンスが大きい。したがって、分岐バスバー５Ａは、分岐バスバー５Ｂに比べて自己インダクタンスが大きくなるものの、上述したように分岐バスバー５Ｂに比べて相互インダクタンスが小さくなるため、自己インダクタンスと相互インダクタンスを併せたバスバーインダクタンス（合成インダクタンス）は、分岐バスバー５Ａ，分岐バスバー５Ｂともにほぼ同じものとなる。これにより、図６に示されるように、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのゲート端子にチャージされるゲートチャージ電荷量１１Ｑｇとスイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのゲート端子にチャージされるゲートチャージ電荷量１２Ｑｇとがほぼ一致したバランスが良い状態となる。さらに、スイッチング回路１１のトランジスタ１１ａのコレクタ電流１１Ｉｃとスイッチング回路１２のトランジスタ１２ａのコレクタ電流１２Ｉｃとが一致したバランスが良い状態となる。
【００３４】
このように、昇圧回路１０によれば、取付部５１との間の位置関係が異なるスイッチング回路に対し、分岐したバスバーを用いて接続する場合において、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂの長さの相違により生じる自己インダクタンスの差分が、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａとの間及び一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの間で生じる相互インダクタンスの差分によって相殺され、バスバーインダクタンス（自己インダクタンスと相互インダクタンスの和）がほぼ同一となるように、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂについて一方側バスバー４との配置関係を調整することができる。したがって、昇圧回路１０によれば、スイッチング回路１１，１２のトランジスタ１１ａ，１２ａのターンオン電流に関しトランジスタ１１ａ，１２ａ間における過渡的な電流アンバランスを低減することができる。
【００３５】
次に、昇圧回路１０の第１変形例について説明する。図７は、昇圧回路１０の第１変形例の一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂとの関係を示す図（図２に対応する図）であり、左側に平面図を右側に右側面図を示している。ここで、昇圧回路１０の第１変形例と昇圧回路１０の相違は、分岐バスバー５Ｂだけである。分岐バスバー５Ｂは、図７に示されるように、取付部５１からスイッチング回路１２の近傍まで延伸する途中において、一方側バスバー４との間の距離が一部で大きくなるように一部曲げられた突出部５ＢＷを有している。これにより、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの結合係数を調整し、換言すれば相互インダクタンスを調整することで、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂのバスバーインダクタンスを同一としても昇圧回路１０と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
昇圧回路１０の第２変形例について説明する。図８は、昇圧回路１０の第２変形例の一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂとの関係を示す図（図２に対応する図）であり、左側に平面図を右側に右側面図を示している。ここで、昇圧回路１０の第２変形例と昇圧回路１０の相違は、分岐バスバー５Ｂだけである。分岐バスバー５Ｂは、図８に示されるように取付部５１から分岐バスバー５Ａと隙間の無い状態で延伸し、途中から分岐バスバー５Ａとの間で空間５ＢＳを設けて一方側バスバー４と並走するように折り曲げ部５ＢＯが設けられている。これにより、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの結合係数を調整し、換言すれば相互インダクタンスを調整することで、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂのバスバーインダクタンスを同一としても昇圧回路１０と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
昇圧回路１０の第３変形例について説明する。図９は、昇圧回路１０の第３変形例の一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂとの関係を示す図（図２に対応する図）であり、左側に平面図を右側に側面図を示している。ここで、昇圧回路１０の第３変形例と昇圧回路１０の相違は、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂだけである。分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂは、昇圧回路１０において平面図上で見た場合に分岐されているが、昇圧回路１０の第３変形例の分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂは、右側面図上で見た場合に分岐されており、さらに分岐バスバー５Ｂは、平面図上で見た場合においても分岐バスバー５Ａとの間で空間５ＢＳが設けられるように折り曲げ部５ＢＯを有している。これにより、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの結合係数を調整し、換言すれば相互インダクタンスを調整することで、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂのバスバーインダクタンスを同一としても昇圧回路１０と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
昇圧回路１０の第４変形例について説明する。図１０は、昇圧回路１０の第４変形例の一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂとの関係を示す図（図２に対応する図）であり、左側に平面図を右側に右側面図を示している。ここで、昇圧回路１０の第４変形例と昇圧回路１０の相違は、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂだけである。分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂは、昇圧回路１０において平面図上で見た場合に分岐されているが、昇圧回路１０の第４変形例の分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂは、右側面図上で見た場合に分岐されており、さらに、右側面図上で見た場合に分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂの面積（バスバーの幅）が異なるように設けられている。これにより、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの結合係数を調整し、換言すれば相互インダクタンスを調整することで、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂのバスバーインダクタンスを同一としても昇圧回路１０と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
昇圧回路１０の第５変形例について説明する。図１１は、昇圧回路１０の第５変形例の一方側バスバー４と分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂとの関係を示す図（図２に対応する図）であり、左側に平面図を右側に右側面図を示している。ここで、昇圧回路１０の第５変形例と昇圧回路１０の相違は、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂだけである。分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂは、昇圧回路１０において平面図上で見た場合に分岐されているが、昇圧回路１０の第５変形例の分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂは、右側面図上で見た場合に分岐されており、さらに、右側面図上で見た場合に分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂの面積（バスバーの幅）が異なるように設けられている。これに加えて、右側面図上で見た場合に分岐バスバー５Ａとバスバー５Ｂの間に空間５ＢＹが設けられるように分岐バスバー５Ｂが折り曲げられている。これにより、一方側バスバー４と分岐バスバー５Ｂとの結合係数を調整し、換言すれば相互インダクタンスを調整することで、分岐バスバー５Ａと分岐バスバー５Ｂのバスバーインダクタンスを同一としても昇圧回路１０と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４０】
４  一方側バスバー、５  他方側バスバー、５Ａ，５Ｂ  分岐バスバー、７  バスバー４Ｃ，５ＡＣ  延伸先端部、４Ｔ，５ＡＴ，５ＢＴ  基端部、５Ａ８，５Ｂ８  領域、５ＡＣ，５ＢＣ  延伸先端部、５ＡＳ，５ＢＳ，５ＢＹ  空間、５ＢＯ  折り曲げ部、５ＢＷ  突出部、９，１０  半導体回路、１１，１２  スイッチング回路、１１ａ，１２ａ  トランジスタ、１１Ｉｃ，１２Ｉｃ  コレクタ電流、１１Ｑｇ，１２Ｑｇ  ゲートチャージ電荷量、１１ｃ，１１ｅ，１１ｇ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇ，２１ａ，２１ｋ，２２ａ，２２ｋ  ボンディングワイヤ、１１ｇＲ，１２ｇＲ  ゲート抵抗、２１，２２  フライホイールダイオード、３０  コンデンサ、４１，５１，７１，１１１，１２１  取付部、４８  領域、６０  リアクトル、８０  電源、８１  正極側端子、８２  負極側端子、９０  制御ユニット、１００  ケース。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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