(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック基板を積層して成る基体と、
前記基体の最上層に設けられた温度ヒューズエレメントと、
前記基体内に設けられた電流ヒューズエレメントと、
前記基体内に設けられ、前記温度ヒューズエレメントと前記電流ヒューズエレメントとを電気的に接続した導体接続部と、を備え、
前記導体接続部の上下方向の電気抵抗は、前記導体接続部の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒューズ。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミックヒューズであって、
前記電流ヒューズエレメントと前記温度ヒューズエレメントとは、平面透視して重ならないことを特徴とするセラミックヒューズ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のセラミックヒューズであって、
前記電流ヒューズエレメントと前記温度ヒューズエレメントとは、電気的に直列に接続されていることを特徴とするセラミックヒューズ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセラミックヒューズであって、
前記基体内には、前記電流ヒューズエレメントと重なる領域に中空部が設けられていることを特徴とするセラミックヒューズ。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のセラミックヒューズであって、
前記導体接続部は、前記基体内に設けられた平面方向の導体層と、前記基体の最上層を上下方向に貫通する導体部とを含むことを特徴とするセラミックヒューズ。
【請求項６】
複数のセラミック基板を積層して成るとともに、最上層に温度ヒューズエレメントが実装される実装面を有する基体と、
前記基体内に設けられた電流ヒューズエレメントと、
前記基体内に設けられ、前記実装面と前記電流ヒューズエレメントとを電気的に接続した導体接続部と、を備え、
前記導体接続部の上下方向の電気抵抗は、前記導体接続部の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒューズ用基体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流ヒューズを有するセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックヒューズとしては、下記特許文献１の技術が公開されている。セラミックヒューズは、外部機器に組み込んで用いられ、外部機器の電源と電気的に接続される。そして、セラミックヒューズは、外部機器の異常高温による発煙または発火等の異常状態を未然に防ぐため、セラミックヒューズの作動特性を向上させる開発が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２７５０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、作動特性を良好にすることが可能なセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態に係るセラミックヒューズは、複数のセラミック基板を積層して成る基体と、前記基体の最上層に設けられた温度ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられた電流ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、前記温度ヒューズエレメントと前記電流ヒューズエレメントとを電気的に接続した導体接続部と、を備え、前記導体接続部の上下方向の電気抵抗は、前記導体接続部の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とする。
【０００６】
本発明の実施形態に係るセラミックヒューズ用基体は、複数のセラミック基板を積層して成るとともに、最上層に温度ヒューズエレメントが実装される実装面を有する基体と、前記基体内に設けられた電流ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、前記実装面と前記電流ヒューズエレメントとを電気的に接続した導体接続部と、を備え、前記導体接続部の上下方向の電気抵抗は、前記導体接続部の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、作動特性を向上させることが可能なセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係るセラミックヒューズの概観を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係るセラミックヒューズの基体の分解斜視図である。
【図３】図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒューズの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかるセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
【００１０】
＜セラミックヒューズの概略構成＞
図１は、本実施形態に係るセラミックヒューズの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを形成したものである。また、図２は、本実施形態に係るセラミックヒューズの基体の概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントおよびフラックスを除いた状態を示すものである。また、図３は、図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒューズの断面図であって、温度ヒューズエレメントおよびフラックスを除いた状態を示すものである。なお、図１のフラックスは、透過した状態を記載している。
【００１１】
本実施形態のセラミックヒューズ１は、回路保護素子として用いるものであって、特定の回路に単体、もしくは、異常検出器とともに組み込むものである。セラミックヒューズは、外部機器に組み込んで用いられ、外部機器の電源と電気的に接続される。そして、セラミックヒューズ１は、外部機器の異常高温による発煙または発火等の異常状態を未然に防ぐものである。
【００１２】
本実施形態に係るセラミックヒューズ１は、セラミックヒューズ用基体２と、温度ヒューズエレメント３とを備えている。
【００１３】
また、セラミックヒューズ用基体２は、複数のセラミック基板４を積層して成る基体６と、基体の最上層に設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体６内に設けられた電流ヒューズエレメント７と、基体６内に設けられ、温度ヒューズエレメント３と電流ヒューズエレメント７の両方を電気的に接続した導体接続部５と、を備え、導体接続部５の上下方向の電気抵抗は、導体接続部５の平面方向の電気抵抗よりも小さく設定されている。
【００１４】
セラミック基板４は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、セラミック基板４を構成する基板の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。また、セラミック基板４の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１５】
基体６の最上層に位置するセラミック基板４ａの上面には、温度ヒューズエレメント３を実装したときに、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続される電極層９が形成されている。電極層９は、セラミック基板４ａと温度ヒューズエレメント３と間に設けられる。なお、本実施形態では、基体６の最上層に位置する第１基板をセラミック基板４ａとし、基体６の最上層の直下に位置する中間層としての第２基板をセラミック基板４ｂとし、基体６の最下層に位置する第３基板をセラミック基板４ｃとする。
【００１６】
電極層９は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層９の電気的接続状態が、電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層９は、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層９の上下方向の厚みは、例えば、０．０１ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下に設定されている。
【００１７】
電極層９は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。
【００１８】
基体６の最上層に位置するセラミック基板４ａ上には、温度ヒューズエレメント３が実装される。そして、セラミック基板４ａの上面には、温度ヒューズエレメント３が実装さ
れる実装面Ｒが設けられている。温度ヒューズエレメント３は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント３は、温度ヒューズエレメント３に外部から温度が伝わり、高温になると溶断する。温度ヒューズエレメント３は、例えば、インジウム、ビスマスまたは錫等の導電材料、あるいはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント３の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。
【００１９】
温度ヒューズエレメント３は、板状に形成される。なお、温度ヒューズエレメント３の上下方向の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に設定されている。
【００２０】
温度ヒューズエレメント３は、フラックス１０で被覆されている。フラックス１０は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、あるいは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス１０は、温度ヒューズエレメント３に外部からの温度を伝えやすくするものである。
【００２１】
基体６の最下層に位置するセラミック基板４ｃの上面には、電流ヒューズエレメント７が設けられている。電流ヒューズエレメント７は、所定以上の電流値が流れると溶断するものである。電流ヒューズエレメント７は、中央部Ｆ１が両端部Ｆ２に比べて単位長さ当たりの抵抗値が大きい。電流ヒューズエレメント７は、セラミック基板４ｂの上面に、メタライズ手法にて設けられる。
【００２２】
電流ヒューズエレメント７は、導体層８を介して通電される。このとき、電流値がなんらかの異常により過電流になり、所定値以上の電流値になったときに、電流ヒューズエレメント７が溶断する。電流ヒューズエレメント７は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状はセラミック基板４ｃの上面にて何度も折れ曲がって形成されている。
【００２３】
電流ヒューズエレメント７は、中央部の単位長さ当りの抵抗値が両端部Ｆ２の単位長さ当たりの抵抗値に比べて大きくなれば、電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１の幅を電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１の中心に向かって漸次幅が狭くなるように設定してもよい。さらに、電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１の中心が、その周囲の電流ヒューズエレメント７の両端部Ｆ２を構成する材料に比べて、抵抗温度係数が大きくなる材料を選択して用いる。その結果、電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１の単位長さ当たりの抵抗値を、電流ヒューズエレメント７の両端部Ｆ２の単位長さ当たりの抵抗値よりも大きくすることができ、さらに、電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１の温度上昇を効果的に向上させることができる。その結果、電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１を素早く溶断することができる。なお、電流ヒューズエレメント７は、例えば、０．３Ａ以上の電流値になると溶断するように設計されている。
【００２４】
電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１の温度上昇を効果的に向上させる方法としては、他の例として、中央部と両端部の抵抗温度係数に差を設けることも可能である。例えば、電流ヒューズエレメント７の中央部Ｆ１は、例えば、タングステンまたはモリブデン等を含むメタライズ材料から成り、中央部Ｆ１の抵抗温度係数を例えば４０００ｐｐｍ以上とする。また、電流ヒューズエレメント７の両端部Ｆ２は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはレニウム等を含むメタライズ材料から成り、両端部Ｆ２の抵抗温度係数を例えば３０００ｐｐｍ以下とする。
【００２５】
電流ヒューズエレメント７は、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならないように配置されている。温度ヒューズエレメント３は、温度ヒューズエレメント３自体に外
部から温度が伝わると、高温になって溶断する。また、電流ヒューズエレメント７は、流れる電流が所定値以上になると溶断する。
【００２６】
基体６内には、平面透視してセラミック基板４ｂに中空部Ｈが設けられている。中空部Ｈは、電流ヒューズエレメント７が溶断するために設けられている。
【００２７】
電流ヒューズエレメント７に電流が流れると、電流ヒューズエレメント７が発熱して、その温度が基体６に伝わる。そこで、仮に、温度ヒューズエレメント３と電流ヒューズエレメント７が重なって配置されていると、電流ヒューズエレメント７の直上にもっとも電流ヒューズエレメント７が発熱した温度が伝わりやすいため、温度ヒューズエレメント３が電流ヒューズエレメント７が発熱した熱によって溶断する虞がある。そのため、電流ヒューズエレメント７と温度ヒューズエレメント３とが、平面透視して重ならないようにすることで、電流ヒューズエレメント７で発熱した熱が温度ヒューズエレメント３に素早く伝わるのを抑制することができ、温度ヒューズエレメント３が電流ヒューズエレメント７の発熱量に応じて溶断するのを効果的に抑制することができる。その結果、セラミックヒューズ１の外部からセラミックヒューズ１に伝わった熱に起因して、温度ヒューズエレメント３が溶断するように設定することができる。
【００２８】
セラミックヒューズ１は、外部機器と電気的に接続されており、導体接続部５は、温度ヒューズエレメント３または電流ヒューズエレメント７が溶断したときに、セラミックヒューズ１内に流れる電流が遮断されたことを外部機器に伝えるための部材として機能するものである。
【００２９】
基体６内には、温度ヒューズエレメント３と電流ヒューズエレメント７の両方を電気的に接続した導体接続部５が設けられている。導体接続部５の上下方向の電気抵抗は、導体接続部５の平面方向の電気抵抗よりも小さく設定されている。なお、導体接続部５は、セラミック基板４ａおよびセラミック基板４ｂを上下方向に貫通する導体部５ａと、セラミック基板４ｃの上面に形成された導体層８から構成されている。
【００３０】
基体６の最下層としてのセラミック基板４ｃ上には、電流ヒューズエレメント７と接続される導体接続部５の一部である導体層８が形成されている。導体層８は、導体接続部５の導体部５ａと電流ヒューズエレメント７とを電気的に接続するためのものである。
【００３１】
導体層８は、セラミック基板４ｃ上に、例えばスクリーン印刷されることで形成される。導体層８は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。
【００３２】
導体層８に流れる電流は、導体部５ａと電流ヒューズエレメント７との間に流れ、基体６の最下層に位置するセラミック基板４ｃの上面に沿って平面方向に流れる。導体部５ａの電気抵抗は導体層８の電気抵抗より小さく設定されている。導体層８は板状であって、上下方向の厚みが例えば０．０１ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下であって、平面視したときの電流方向と直交する導体部５ａの幅は例えば０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定されている。なお、導体層８の電気抵抗は、例えば０．０１Ω以上０．１Ω以下に設定されている。
【００３３】
基体６の最下層のセラミック基板４ｃの下面には、複数のパッド１１ａ、１１ｂ、１１ｃが設けられている。パッド１１ａは電気回路を構成しないセラミックヒューズ搭載用基板の部品搭載用パッドと接続する目的に用いられる。パッド１１ｂ、１１ｃはセラミックヒューズを構成する電流ヒューズエレメント７と、温度ヒューズエレメント３を外部機器
と電気的に直列に接続することができる。
【００３４】
導体接続部５は、電流ヒューズエレメント７および温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されている。導体部５ａは、基体６の最下層４ｃを除き上面から下面にまで貫通している。導体部５ａは、基体６の最下層としてのセラミック基板４ｃにおける導体層８の端部と接続されている。そして、導体接続部５は、温度ヒューズエレメント３と電流ヒューズエレメント７とを電気的に接続する。
【００３５】
また、導体接続部５は、最上層としてのセラミック基板４ａの上面に形成される電極層９の下面と接続されている。そして、導体接続部５は、電極層９を介して温度ヒューズエレメント３と電気的に接続される。
【００３６】
最上層に位置するセラミック基板４ａ内に位置する導体部５ａの部分５ａｘは、平面方向に延在されている。導体部５ａは、基体６の最上層に位置するセラミック基板４ａを貫通する部分５ａｘの形状と、基体６の中間層のセラミック基板４ｂを貫通する部分５ａｙの形状が異なっている。平面透視したときに、セラミック基板４ａを貫通する部分５ａｘは、セラミック基板４ｂを貫通する部分５ａｙよりも大きく形成されていても良い。基体６の最上層に位置する導体部５ａの部分５ａｘを、平面透視したときに基体６の中間層に位置する部分５ａｙよりも大きくすることで、部分ａｘに印加される分圧を小さくすることにより、基体６の最上層における導体部５ａの発熱量を基体６の中間層における導体部５ａの発熱量よりも小さくすることができ、基体６の最上層の上面に位置する温度ヒューズエレメント３近傍の発熱を低減することにより温度ヒューズエレメント３に伝わる熱量を効果的に低減することができる。
【００３７】
導体部５ａは、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。導体部５ａは、セラミック基板４に予め設けた貫通孔に対して、スクリーン印刷を用いて導電材料を充填することで形成することができる。
【００３８】
導体部５ａを構成する材料は、導体層８を構成する材料を含有するものを用いる。また、導体部５ａを構成する材料は導体層８を構成する材料と一致させてもよい。導体部５ａの構成する材料と導体層８を構成する材料を同じものを用いることで、導体部５ａと導体層８との界面における合金化を防止し、比抵抗の増大を防止し、部分的な電気抵抗値の増加による発熱増加を抑制することができる。
【００３９】
導体部５ａに流れる電流は、基体６の上面と基板４ｃの上面との間に流れ、基板４ｃを除く基体６の上下方向に流れる。導体部５ａは、電気抵抗が導体層８の電気抵抗よりも小さく設定されている。導体部５ａは、直方体状である。導体部５ａの上下方向の厚みは、基板４ｃを除く基体６の厚みに相当し、例えば０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されている。また、導体部５ａは、平面視したときに一辺の長さが例えば０．８ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定されている。なお、導体部５ａの電気抵抗は、例えば０．００１Ω以上０．０１Ω以下であって、導体層８の電気抵抗よりも小さく設定されている。
【００４０】
また、導体接続部５は、電流ヒューズエレメント７と温度ヒューズエレメント３とを電気に直列に接続している。導体接続部５は、電流ヒューズエレメント７および温度ヒューズエレメント３の両者と電気的に直列に接続されることで、一つのセラミックヒューズ１に複数の機能を備えた小型化を実現する保護素子を提供することができる。
【００４１】
また、基体６内には、導体部５ａとは別に、基体６の上面と基体６の下面との間を貫通する第１ビア導体１２が設けられている。第１ビア導体１２は、上下方向の厚みは、基体
６の厚みに相当し、例えば０．４ｍｍ以上０．９ｍｍ以下に設定されている。また、第１ビア導体１２は、平面視したときに一辺の長さが例えば０．４ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。なお、第１ビア導体１２の電気抵抗は、例えば０．００２６Ω以上０．０２６Ω以下に設定されている。
【００４２】
さらに、基体６内には、導体部５ａおよび第１ビア導体１２とは別に、基体６の中間層としてのセラミック基板４ｂおよび基体６の最下層としてのセラミック基板４ｃを貫通する第２ビア導体１３が設けられている。第２ビア導体１３は、上下方向の厚みが、例えば０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下に設定されている。また、第２ビア導体１３は、平面視したときに一辺の長さが例えば０．４ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。なお、第２ビア導体１３の電気抵抗は、例えば０．００１３Ω以上０．０１３Ω以下に設定されている。
【００４３】
第１ビア導体１２および第２ビア導体１３の電気抵抗は、導体層８の電気抵抗よりも小さく設定されている。第１ビア導体１２および第２ビア導体１３の電気抵抗を導体層８の電気抵抗よりも小さくすることで、導体層８に比べて第１ビア導体１２および第２ビア導体１３にて発生する熱を小さくすることができ、基体６内で発生する熱量を低減することができ、基体６の表面に実装した温度ヒューズエレメント３に基体６内から熱が伝わり、温度ヒューズエレメント３が溶断するのを抑制することができ、セラミックヒューズ１の作動特性を向上させることができる。
【００４４】
上述したように、本実施形態によれば、基体６を貫通する導体部５ａの電気抵抗を基体６内に設けた導体層８の電気抵抗よりも小さくすることで、導体部５ａでの発熱量を低減することができ、導体接続部５から基体６内部に熱が伝わるのを抑制することができる。そして、基体６内に位置する電流ヒューズエレメント７には、外部の電源から導体接続部５を介して電流が流れるように設計することができ、電流ヒューズエレメント７自体は、所望する電流値で溶断するように設定することができる。また、基体６が、導体接続部５で発生する熱によって高温になるのを抑制することで、温度ヒューズエレメント３が基体６内の温度でなく、セラミックヒューズ１の外部からの温度に起因して溶断するように設定することができる。その結果、作動特性を向上させることが可能なセラミックヒューズを提供することができる。
【００４５】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、本実施形態では、導体部５ａを矩形ビアとして設計したが、導体部５ａの電気抵抗が導体層８の電気抵抗よりも小さくするのであれば、導体部５ａを円柱状のビア導体としてもよい。
【００４６】
＜セラミックヒューズの製造方法＞
ここで、図１に示すセラミックヒューズ１の製造方法について説明する。
【００４７】
先ず、基体６を構成するセラミック基板４ａ、セラミック基板４ｂおよびセラミック基板４ｃを準備する。基体６を構成する各基板が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。
【００４８】
そして、セラミック基板４ａ、セラミック基板４ｂおよびセラミック基板４ｃの所定箇所に例えばパンチを用いて貫通孔を形成する。
【００４９】
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バ
インダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。
【００５０】
セラミック基板４ａ、セラミック基板４ｂおよびセラミック基板４ｃの貫通孔のそれぞれに、例えばスクリーン印刷法を用いて導体部５ａ、第１ビア導体１２および第２ビア導体１３を形成する。その後、さらにスクリーン印刷法を用いて、電流ヒューズエレメント７、導体層８、電極層９およびパッド１１を所定箇所に形成する。
【００５１】
次に、グリーンシートの状態のセラミック基板４ａ、セラミック基板４ｂおよびセラミック基板４ｃを積層し、金属ペーストが酸化しない中性、もしくは還元雰囲気中にて約１６００度の温度で一体焼成する。結果として、電流ヒューズエレメントを構成する金属パターン部収納空間であるＦ１部は中性、もしくは還元雰囲気となり、長期に渡る使用においても、電流ヒューズが酸化されることなく抵抗値の変化のない、ヒューズ機能を構成することが可能となる。その後、外部電極や温度ヒューズ搭載用パッド部に所要のめっきを施し、さらに、一体後の基体６の、温度ヒューズエレメントを搭載する箇所に、温度ヒューズエレメント３を実装する。そして、温度ヒューズエレメント３と電極層９とを電気的に接続する。また、基体６上に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１０を形成する。このようにして、セラミックヒューズ１を作製することができる。
【００５２】
ここで、セラミックヒューズ１の品質確認方法について説明する。セラミックヒューズ１の電流ヒューズエレメント７と接続された導体層８は、酸化すると作動特性が変化する。セラミックヒューズ１に所定の電流を流した場合、良品のセラミックヒューズ１であれば、所定値以上の電流が流れないと電流ヒューズエレメント７が溶断しないのに対して、電流ヒューズエレメント収納空間の雰囲気を維持できていない不良品のセラミックヒューズ１の場合には、電流ヒューズエレメント７が酸化し抵抗値が大きくなっていたり、電流が流れることにより発熱し温度上昇により急激に酸化し、抵抗値が大きくなったりする。そこで、セラミックヒューズ１の品質確認方法としては、検査対象のセラミックヒューズ１において、電流ヒューズエレメント７が溶断する所定の電流値未満の電流を印加する前に、セラミック電流ヒューズの抵抗値を測定し、その後に電流ヒューズエレメント７が溶断する所定の電流値未満の電流を印加し、セラミックヒューズ１の電気抵抗値を測定する。なお、電気抵抗値は、例えば、常温である２０℃で測定するものとする。
【００５３】
測定の結果セラミックヒューズ１の電気抵抗値の変化量が、測定誤差範囲内であれば良品とし、測定誤差範囲外であれば不良品とする。
【００５４】
セラミックヒューズ１内の電流ヒューズエレメント７や導体層８は、近傍に酸素が存在していると、所定電流が流れたときに、電流ヒューズエレメント７や導体層８が酸化し、短時間で電気抵抗値が変化する。そのため、セラミックヒューズ１の品質確認方法として、セラミックヒューズ１に電流ヒューズエレメント７が溶断する所定の電流値未満の電流を流して、セラミックヒューズ１の電気抵抗値の変化を測定して、良品および不良品の判断を行なうことができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  セラミックヒューズ
２  セラミックヒューズ用基体
３  温度ヒューズエレメント
４  セラミック基板
５  導体接続部
５ａ  導体部
６  基体
７  電流ヒューズエレメント
８  導体層
９  電極層
１０  フラックス
１１  パッド
１２  第１ビア導体
１３  第２ビア導体
【図１】
0005546406.tif 000002
【図２】
0005546406.tif 000003
【図３】
0005546406.tif 000004