(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
室内壁面上に磁性板を配置して室外への漏洩磁場を所定レベルに抑える磁気シールド室の壁面形状と室内の強磁場発生装置の設置位置とをコンピューターに記憶し、前記コンピューターにより設置位置の鉛直軸周りの装置の設置方位を切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の磁性板の配置量を算出するサイクルを繰り返し、前記各設置方位の磁性板の配置量を比較することにより最小配置量の磁性板で漏洩磁場を抑える装置の設置方位を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法。
【請求項２】
請求項１の設計方法において、前記磁性板を長さ方向の透磁率が幅方向より高い帯状の方向性磁性板とし、前記装置の設置方位を切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の方向性磁性板の配置量及び配置方向を算出するサイクルを繰り返してなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法。
【請求項３】
請求項２の設計方法において、前記各設置方位の磁性板の配置方向から水平配置の方向性磁性板のみで漏洩磁場を抑える装置の設置方位を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法。
【請求項４】
請求項３の設計方法において、前記方向性磁性板を室内壁面上に水平相互間隔で並列配置するものとし、前記水平配置の方向性磁性板のみで漏洩磁場を抑える設置方位において、前記相互間隔を切替えながら漏洩磁場を算出するサイクルを繰り返すことにより漏洩磁場を所定レベルに抑える方向性磁性板の最大相互間隔を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法。
【請求項５】
請求項４の設計方法において、前記方向性磁性板を室内壁面の向きが変わる角部において突合せ隙間を介して対向させるものとし、前記水平配置の方向性磁性板のみで漏洩磁場を抑える設置方位において、前記突合せ隙間を切替えながら漏洩磁場を算出するサイクルを繰り返すことにより漏洩磁場を所定レベルに抑える方向性磁性板の最大突合せ隙間を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法。
【請求項６】
室内の所定位置に強磁場発生装置を請求項１から３の何れかの方法で求めた設置方位で設置し、室内壁面上に当該設置方位に対応する最小量の磁性板又は方向性磁性板を配置してなる強磁場発生装置の磁気シールド室。
【請求項７】
請求項６の磁気シールド室において、前記磁性板を帯状の方向性磁性板とし且つ室内壁面上に水平相互間隔で並列配置するものとし、当該相互間隔を請求項４の方法で求めた最大相互間隔としてなる強磁場発生装置の磁気シールド室。
【請求項８】
請求項７の磁気シールド室において、前記方向性磁性板を室内壁面の向きが変わる角部において突合せ隙間を介して対向させるものとし、当該突合せ隙間を請求項５の方法で求めた最大突合せ隙間としてなる強磁場発生装置の磁気シールド室。
【請求項９】
室内壁面上に磁性板を配置して室外への漏洩磁場を所定レベルに抑える磁気シールド室内の強磁場発生装置の設置方位を設計するためコンピューターを、前記シールド室の壁面形状と装置の設置位置とを記憶する記憶手段、前記設置位置の鉛直軸周りの装置の設置方位を切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の磁性板の配置量を算出するサイクルを繰り返す算出手段、並びに前記各設置方位の磁性板の配置量を比較することにより最小配置量の磁性板で漏洩磁場を抑える装置の設置方位を求める設計手段として機能させてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計プログラム。
【請求項１０】
請求項９のプログラムにおいて、前記磁性板を長さ方向の透磁率が幅方向より高い帯状の方向性磁性板とし、前記算出手段により、前記装置の設置方位を切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の方向性磁性板の配置量及び配置方向を算出するサイクルを繰り返してなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計プログラム。
【請求項１１】
請求項１０のプログラムにおいて、前記設計手段により、前記各設置方位の磁性板の配置方向から水平配置の方向性磁性板のみで漏洩磁場を抑える装置の設置方位を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計プログラム。
【請求項１２】
請求項１１のプログラムにおいて、前記方向性磁性板を室内壁面上に水平相互間隔で並列配置するものとし、前記設計手段により、前記水平配置の方向性磁性板のみで漏洩磁場を抑える設置方位において相互間隔を切替えながら漏洩磁場を算出するサイクルを繰り返すことにより漏洩磁場を抑える方向性磁性板の最大相互間隔を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計プログラム。
【請求項１３】
請求項１２のプログラムにおいて、前記方向性磁性板を室内壁面の向きが変わる角部において突合せ隙間を介して対向させるものとし、前記設計手段により、前記水平配置の方向性磁性板のみで漏洩磁場を抑える設置方位において突合せ隙間を切替えながら漏洩磁場を算出するサイクルを繰り返すことにより漏洩磁場を抑える方向性磁性板の最大突合せ間隔を求めてなる強磁場発生装置の磁気シールド室設計プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法及びプログラムに関し、とくに磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置という）等の強磁場発生装置を設置して磁場漏洩を防止する磁気シールド室の設計方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
超伝導磁石、常伝導磁石、永久磁石等の強磁場発生装置を搭載したＭＲＩ装置等を設置する研究施設・医療施設等では、強磁場発生装置から漏洩する磁場により生じうる周囲の機器や患者への悪影響を避けるため、装置を磁気シールド室（シールドルーム）内に設置して磁場の漏洩を防止している。磁気シールド室は、室外への漏洩磁場を所要レベル（基準値）以下に抑える施設内の空間であり、一般的に室内壁面上の所要箇所に透磁率μの高い電磁鋼板（珪素鋼板）、純鉄系厚板、パーマロイ等の磁性材料板（以下、磁性板ということがある）を必要な厚さで配置することにより構築する（非特許文献１及び特許文献１参照）。例えばペースメーカー装着者等が近くに立ち入る可能性のある医療施設等では、磁気シールド室により漏洩磁場を５Ｇ（０．５ｍＴ）の基準値以下に抑えることが要求される。
【０００３】
図１６は、ＭＲＩ装置４を設置する従来の磁気シールド室１の水平断面図を示す。図示例のＭＲＩ装置４は、強磁場発生装置（超伝導磁石等）５ａが収容されたガントリー部５と、被検体（患者等）を所定位置に位置付ける診断用ベット（寝台）８とを有する。装置５ａで発生した磁束は、ガントリー部５の片側７（又は６）から放射状に流出して反対側６（又は７）に流入する。磁気シールド室１の各内壁面には、装置５ａの磁場強度と装置５ａからの距離とに応じて、室外の漏洩磁場を所要レベル（例えば５Ｇ以下）に抑えるために必要な磁性板２、３Ｒ、３Ｌ、９を設計して配置する。
【０００４】
図１６の磁気シールド室１において、ＭＲＩ装置４のベット８と対向する内壁（以下、ベット面ということがある）は、ベット８により強磁場発生装置５ａから隔てられており、距離減衰効果により漏洩磁場が減衰するので、比較的薄い磁性板９を配置すれば足りる。これに対してＭＲＩ装置４のガントリー部５と対向する内壁（以下、ガントリー面ということがある）は、装置５ａと比較的接近しており、強い磁場（磁束）が流入出するので、厚い磁性板２を配置することが要求される。ガントリー部５の側面と対向する内壁（以下、サイド面ということがある）は、装置５ａからの距離に応じた厚さの磁性板３Ｒ、３Ｌを配置し、ＭＲＩ装置４がシールド室１の略中央に設置されているときは両サイド面に同じ厚さの磁性板３Ｒ、３Ｌ（以下、両サイド面の磁性板をまとめて磁性板３ということがある）を配置する。磁性板２、３、９の具体的な配置量は磁気シールド室１の大きさ、ＭＲＩ装置４の磁場強度等によって異なるが、例えば磁場強度が１．５ＴのＭＲＩ装置４を設置する磁気シールド室１の内壁面への磁性板（例えば方向性電磁鋼板）の配置量として、装置メーカーから次のような仕様が示されている。
【０００５】
１）ガントリー面には、０．３５ｍｍ厚さの磁性板（例えば方向性電磁鋼板）２を３５枚重ねて（積層して）配置する。
２）両サイド面には、０．３５ｍｍ厚さの磁性板３を１６枚重ねて配置する。
３）ベット面には、０．３５ｍｍ厚さの磁性板９を８枚重ねて配置する。
４）床面及び天井面には、それぞれ０．３５ｍｍ厚さの磁性板を１０枚重ねて配置する。
【０００６】
また、磁気シールド室１からの漏洩磁場を効果的に防止するためには、単に漏洩磁場の強度に応じて磁性板２、３、９を厚くするだけでなく、磁場の方向に応じて磁性板２、３、９の配置方向（高透磁率方向）を設計する必要がある。例えばシールド室１のガントリー面及びベット面には磁場（磁束）が放射状に流入出するので、水平方向及び垂直方向の何れにおいても透磁率の高い磁性板２、９を配置する必要がある。これに対してサイド面では、磁場（磁束）は水平方向成分が支配的であるため、水平方向の透磁率の高い磁性板３を配置するのが効果的である。床面、天井面はサイド面と同様に設計することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２８１７４１号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】日本建築学界「環境磁場の計測技術−現場における計測の実例」１９９８年７月１５日、６５〜６７頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述したように室内壁面（ガントリー面、サイド面等）毎に異なる厚さ及び方向で磁性板を配置する磁気シールド室１は、漏洩磁場を抑えることはできるものの、施工に手間がかかる問題点がある。一般に磁気シールド室１において設計通りのシールド効果を得るためには、室内の各壁面に所要厚さ・所要向きの磁性板を配置するだけでは十分でなく、各壁面に配置した磁性板の相互間で磁束の流れを良くすることが重要である。連続した磁性体を用いることが理想的であるが、現実には有限長の磁性板を用いざるを得ず、壁面の向きが変わる角部（コーナー部）や磁性板より長い壁面ではアングル材や当て板等を用いて隣接する磁性板を相互に磁気的に接合して磁束の良好な流れを確保する必要がある。磁気的に不連続な接合は磁束漏洩の原因となりうる。図１６の磁気シールド室１では、室内壁面毎に配置する磁性板の厚さ（積層枚数）が相違しており、異なる厚さ（又は積層枚数）の磁性板を相互に磁気的に接合する施工作業に手間がかかる。
【００１０】
また、図１６の磁気シールド室１のガントリー面は水平及び垂直の両方向に高い透磁率を確保する必要があり、例えば長さ方向の透磁率が幅方向より高い帯状の方向性磁性板（方向性電磁鋼板等）を水平方向と垂直方向とに重ねて配置する２層構造としなければならず、そのうえで水平及び垂直方向の隣接する壁面と適切に磁気的接合することが要求されるので、施工に非常に手間がかかる。透磁率に方向性のない無方向性磁性板（無方向性電磁鋼板等）を用いることも考えられるが、無方向性磁性板の磁気特性は方向性磁性板に比して大幅に劣っており、結果として磁性板を厚く（積層枚数を多く）配置する必要があるので、施工性の向上を図ることは難しい。所要レベルのシールド性能を確保しつつ施工性に優れた磁気シールド室の開発が求められている。
【００１１】
そこで本発明の目的は、施工性に優れた強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、図１６のような磁気シールド室１において、図４及び図５に示すように強磁場発生装置５ａの設置方位α（磁気シールド室１の水平中心軸に対する装置５ａの水平中心軸のなす角度α）を切替えることにより、ガントリー面に配置する磁性板２の厚さを軽減できることに着目した。装置５ａの配置方位がガントリー面の磁性板２の厚さに与える影響を、図４のように室内中央位置Ｏに磁場強度１．５Ｔの装置５ａ（中心高さ１０００ｍｍのＭＲＩ装置４）を設置し、その設置位置Ｏから等距離Ｅｇ、Ｅｓ＝２０００ｍｍのガントリー面及びサイド面（室内壁面からＧ＝３００ｍｍ内側）に無方向性磁性板２、３を配置した磁気シールド室１（図６（Ａ）参照）の磁場解析シミュレーションにより説明する。このような磁性板２、３を配置した磁気シールド室１の磁場は、例えば３次元非線形磁場解析ソフトウェアＥＬＦ／ＭＡＧＩＣ（株式会社エルフ社製）を用いて視覚的に解析することができる。なお、本シミュレーションでは説明簡単化のため、ガントリー面及びサイド面の磁性板２、３をそれぞれ同じ長さＬｇ、Ｌｓ＝４０００ｍｍ、高さＨ＝２２５０ｍｍ、厚さ＝７ｍｍ（０．３５ｍｍ厚さの磁性板を２０枚積層した厚さ）、透磁率＝３０００（線形計算）としている。
【００１３】
図７は、図４において強磁場発生装置５ａのガントリー面側６をＳ極と想定し、設置位置Ｏの鉛直軸周りの装置５ａの設置方位αを０゜〜４５゜の範囲で切替えたときに、ガントリー面及びサイド面の磁性板２、３中に生じる磁束分布のシミュレーション結果を示す。図７（Ａ）は磁気シールド室１の中心軸と装置５ａの中心軸とを平行にした設置方位α＝０゜における磁束分布を表し、図１６を参照して上述したように、装置５ａで発生した磁場がガントリー面の磁性板２の長さ方向中心部位（高さ＝１０００ｍｍ）に放射状に流入出し、その中心付近に水平方向、垂直方向の大きな強度（ベクトル長）の磁束が発生していることを示す。図７（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように設置方位αを１０゜〜３０゜に切替えると、磁束の中心がサイド面側へ徐々に移動するが、その中心付近にはやはり水平方向、垂直方向の大きな強度の磁束が発生している。しかし、図７（Ｄ）〜（Ｆ）のように設置方位αを３０゜〜４５゜に切替えると、磁束中心がガントリー面とサイド面との交差角部に近付き、その中心付近の水平方向、垂直方向の磁束の強度（ベクトル長）が徐々に小さくなる。
【００１４】
図７（Ｄ）〜（Ｆ）において磁束の強度（ベクトル長）が小さくなる理由は、設置方位αの切替えにより強磁場発生装置５ａの中心軸方向のガントリー面との距離が大きくなり、装置５ａのＮ極で発生した磁場がガントリー面に到達・流入する前に装置５ａのＳ極へ回収・流入するからと考えられる。すなわち、装置５ａの設置方位αを切替えてガントリー面との距離を大きくすれば、ガントリー面の磁性板２に生じる磁束を小さく抑え、ガントリー面の磁性板２を薄くすることが期待できる。逆にサイド面では、図７（Ｄ）〜（Ｆ）から分かるように設置方位αの切替えによって磁束の強度が徐々に大きなり、磁性板３を厚くすることが必要となるが、図７（Ｆ）においても垂直方向に大きな強度の磁束は生じておらず、ガントリー面及びサイド面の全体から見れば磁性板２、３の配置量を削減して施工作業の簡単化を図ることが期待できる。更に、図７（Ｆ）ではガントリー面とサイド面とで磁束分布がほぼ軸対称となっており、両面の交差角部（コーナー部）における磁束の強度（特に水平方向の磁束）が非常に小さくなっていることから、角部における磁性板２、３の磁気的接合の簡単化を図ることも期待できる。本発明は、この着想に基づく更なる研究の結果、完成に至ったものである。
【００１５】
図１の流れ図及び図４を参照するに、本発明による強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法は、室内壁面上に磁性板２、３を配置して室外への漏洩磁場を所定レベルに抑える磁気シールド室１の壁面形状Ｒと室内の強磁場発生装置５ａの設置位置Ｏとをコンピューター１０（図３参照）に記憶し、コンピューター１０により設置位置Ｏの鉛直軸周りの装置５ａの設置方位αを切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の磁性板２、３の配置量Ｍを算出するサイクルを繰り返し、各設置方位の磁性板２、３の配置量Ｍを比較することにより最小配置量Ｍの磁性板２、３で漏洩磁場を抑える装置５ａの設置方位αを求めてなるものである。
【００１６】
好ましくは、図６（Ｃ）に示すように磁性板２、３を長さ方向の透磁率が幅方向より高い帯状の方向性磁性板２ａ、３ａとし、強磁場発生装置５ａの設置方位αを切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の方向性磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍ及び配置方向を算出するサイクルを繰り返す。この場合は、各設置方位の磁性板２、３の配置方向から、水平配置の方向性磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑える装置５ａの設置方位θを求めることができる。
【００１７】
更に好ましくは、図６（Ｄ）に示すように方向性磁性板２ａ、３ａを室内壁面上に水平相互間隔ｄで並列配置するものとし、水平配置の方向性磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑える設置方位θにおいて、相互間隔ｄを切替えながら漏洩磁場を算出するサイクルを繰り返すことにより漏洩磁場を所定レベルに抑える方向性磁性板２ａ、３ａの最大相互間隔ｄを求める。望ましくは、図６（Ｅ）に示すように方向性磁性板２ａ、３ａを室内壁面の向きが変わる角部において突合せ隙間ｈを介して対向させるものとし、水平配置の方向性磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑える設置方位θにおいて、突合せ隙間ｈを切替えながら漏洩磁場を算出するサイクルを繰り返すことにより漏洩磁場を所定レベルに抑える方向性磁性板２ａ、３ａの最大突合せ隙間ｈを求める。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法は、磁気シールド室１内に設置する強磁場発生装置５ａの設置方位αを切替えながら漏洩磁場を所定レベルに抑える室内壁面上の磁性板２、３の配置量Ｍを算出するサイクルを繰り返し、各設置方位の磁性板２、３の配置量Ｍを比較して最小配置量Ｍの磁性板２、３で漏洩磁場を抑える装置５ａの設置方位を求めるので、次の有利な効果を奏する。
【００１９】
（イ）漏洩磁場を所定レベル以下に抑えることができる磁性板２、３の最小配置量Ｍを求めるので、配置の手間の少ない施工性に優れた磁気シールド室を設計できる。
（ロ）また、従来の設計方法に比して磁性板２、３の配置量Ｍを削減し、材料コスト・施工コストを低く抑えて経済的な磁気シールド室を設計できる。
（ハ）更に、方向性磁性板２ａ、３ａを水平方向に並列配置するだけで十分なシールド性能が得られる装置５ａの設置方位αを求めることにより、水平配置の磁性板２ａ、３ａのみを用いた施工手順の単純化された磁気シールド室を設計できる。施工作業の単純化は、磁気シールド室のシールド品質の向上に繋がる。
（ニ）漏洩磁場を所定レベルに抑える方向性磁性板２ａ、３ａの並列配置の最大相互間隔ｄを設計することにより、磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍを更に削減することができる。
（ホ）また、漏洩磁場を所定レベルに抑える方向性磁性板２ａ、３ａの最大突合せ隙間ｈを設計することにより、アングル材や当て板等を用いて磁性板２ａ、３ａを磁気的に接合する面倒な作業を必要としない磁気シールド室を設計できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための形態及び実施例を説明する。
【図１】本発明による磁気シールド室設計方法の処理を示す流れ図の一例である。
【図２】図１の流れ図におけるステップＳ０１０及びＳ０１１の処理の詳細を示す流れ図の一例である。
【図３】本発明による設計プログラムの機能を示すブロック図の一例である。
【図４】本発明方法で設計する磁気シールド室の一実施例の説明図である。
【図５】本発明方法で適用する磁気シールド室の他の実施例の説明図である。
【図６】磁気シールド室の内壁面に配置する磁性板の説明図である。
【図７】図４の実施例における設計方法の原理を示す説明図の一例である。
【図８】図４の実施例における設計方法の原理を示す説明図の他の一例である。
【図９】図４の実施例における設計方法の原理を示す説明図の更に他の一例である。
【図１０】図５の実施例における設計方法の原理を示す説明図の一例である。
【図１１】漏洩磁場を所定レベルに抑える磁性板の配置量の算出方法を説明するグラフの一例である。
【図１２】図１１に続くグラフの他の一例である。
【図１３】漏洩磁場を所定レベルに抑える帯状方向性磁性板の水平相互間隔の算出方法を説明するグラフの一例である。
【図１４】漏洩磁場を所定レベルに抑える帯状方向性磁性板の突合せ隙間の算出方法を説明するグラフの一例である。
【図１５】本発明を適用して設計した磁気シールド室の一実施例の説明図である。
【図１６】従来の強磁場発生装置の磁気シールド室の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図３は、本発明の設計方法を用いて強磁場発生装置５ａの磁気シールド室１（図４参照）を設計するためのコンピューター１０の一例のブロック構成を示す。図示例のコンピューター１０はメモリその他の記憶手段１２を有する。また、内蔵プログラムとして、キーボード・マウス等を介して設計に必要なデータ（磁気シールド室１の壁面形状Ｒ、装置５ａの設置位置Ｏ等）を入力する入力手段１１と、装置５ａの設置方位αを切替ながら所定シールド性能を与える磁気シールド室１の磁性板２、３の配置量Ｍを算出する算出手段１３と、各設置方位の磁性板２、３の配置量Ｍを比較して最小配置量Ｍの磁性板２、３で所定シールド性能が得られる装置５ａの設置方位αを求める設計手段１４と、設計結果（磁性板２、３の最小配置量Ｍ、装置５ａの設置方位α等）をディスプレイ・プリンタ等に出力する出力手段１８とを有する。
【００２２】
図１は、ＭＲＩ装置４を設置する図４の磁気シールド室１を設計する場合の本発明の処理の流れ図を示す。以下、図１の流れ図を参照して図３の各内蔵プログラムの作用を説明する。図１のステップＳ００１は設計に必要なデータをコンピューター１０の入力手段１１を介して記憶手段１２に記録する前処理を示し、処理対象のシールド室１の壁面形状Ｒ（例えば内壁面の幅、長さ、高さ等）、シールド室１内の強磁場発生装置５ａの設置位置Ｏ（例えば設置位置Ｏからガントリー面及びサイド面までの距離Ｅｇ、Ｅｓ、設置高さ等）、装置５の磁場強度Ｔ等を入力する。図４に示すように、磁性板２、３をシールド室１の内壁面上に直接配置するのではなく、所定幅Ｇの下地材等を介して内壁面上に配置する場合は、ステップＳ００１においてシールド室１内の磁性板２、３の配置位置（室内壁面からの距離Ｇ等）を併せて入力し、記憶手段１２に記憶しておくことができる。また、図４の実施例では説明簡単化のためにシールド室１のガントリー面及び片側のサイド面に配置する磁性板２、３（長さＬｇ、Ｌｓ）のみを設計対象としているが、図１６の場合と同様にベット面及び他のサイド面を含む全ての壁面に配置する磁性板２、３Ｒ、３Ｌ、９を設計対象とすることもできる。
【００２３】
ステップＳ００２において、磁気シールド室１の内壁面に配置する磁性板２、３の種類を、例えば磁気特性（透磁率μ、厚さ、幅等）として入力手段１１に入力して記憶手段１２に設定する。好ましく、磁性板２、３を帯状の方向性磁性板（方向性電磁鋼板等）２ａ、３ａとし、その高透磁率方向及び非高透磁率方向の磁気特性（透磁率μ）をそれぞれ入力する。上述したように方向性磁性板は無方向性磁性板に比して磁気特性が優れており、最小配置量（積層枚数）の磁性板でシールド室１を設計する本発明に適している。方向性磁性板２ａ、３ａは高透磁率方向を磁束方向に揃えて配置することが望ましいが、実際に様々な角度で配置することは難しいため、例えば図７（Ａ）〜（Ｄ）のガントリー面のように磁束の水平・垂直方向の両成分が生じている部位には、高透磁率方向を直交させて水平方向・垂直方向に積層配置する。また、同図のサイド面のように水平方向（又は垂直方向）が支配的な部位には、その方向に高透磁率方向（帯状長さ方向）を合わせて並列配置する（図６（Ｂ）参照）。また、磁束の強度（ベクトル長）の大きい部位は厚く（積層枚数を多く）配置し、強度の小さい部位には薄く（積層枚数を少なく）配置することで対応する。
【００２４】
次にステップＳ００３において、強磁場発生装置５ａの初期設置方位α０（例えばα０＝０°）を設定し、ステップＳ００４においてコンピューター１０の算出手段１３により室外の漏洩磁場を所定レベル（例えば５Ｇ）以下に抑えるガントリー面及びサイド面上の磁性板２、３の配置量Ｍを算出する。算出に必要な初期設置方位α０及び漏洩磁場の所定レベルは、例えばステップＳ００１において予め記憶手段１２に設定しておくことができる。ステップＳ００４では、例えば磁気シールド室１のガントリー面及びサイド面の各々において、所定レベルのシールド性能に必要な方向性磁性板２ａ、３ａの配置長さＬｇ、Ｌｓ（図４参照）、配置高さＨ、水平・垂直方向の積層枚数Ｃ等を算出する。
【００２５】
図８は、図６（Ｂ）のように室内のガントリー面に方向性磁性板２ａ（高透磁率方向の透磁率μ＝１００００（線形計算）、非高透磁率方向の透磁率μ＝６８０（線形計算））を厚さ＝３．５ｍｍ（０．３５ｍｍ厚さの方向性磁性板を１０枚積層した厚さ）で水平方向・垂直方向に積層配置し、サイド面に方向性磁性板３ａ（同じ透磁率μ及び厚さ）を水平方向にのみ並列配置した磁気シールド室１において、装置５ａの設置方位αを切替えたときに各磁性板２ａ、３ａ中に生じる磁束分布のシミュレーション結果を示す。同図のガントリー面の磁束分布は、図７の無方向性磁性板２、３を用いた場合と類似しており、方向性磁性板２ａ、３ａを水平方向・垂直方向に積層配置することで、無方向性磁性板２、３を用いた場合とほぼ同様の磁束分布が得られることが分かる。
【００２６】
ステップＳ００４において、磁気シールド室１のガントリー面の磁性板２ａの配置量Ｍは、例えば図１１（Ａ）に示すようにガントリー面に磁性板２ａを配置しない状態で漏洩磁場（シールドなしの漏洩磁場）を求めたうえで、ガントリー面に対する水平方向・垂直方向の磁性板２ａの配置量（長さＬｇ、高さＨ、積層枚数Ｃ等）を増やしながら漏洩磁場を順次求め、漏洩磁場が所定レベル（例えば５Ｇ）以下に低減する配置量を求めることにより算出できる。また、サイド面の磁性板３ａの配置量Ｍ（長さＬｓ、高さＨ、積層枚数Ｃ等）も、図１１（Ｂ）に示すように、漏洩磁場が所定レベル以下に低減する水平方向の磁性板３ａの配置量を求めることで同様に算出できる。漏洩磁場の評価は、強磁場発生装置５ａの設置高さ（図４では床面＋１０００ｍｍ）で行うことが望ましい。算出した磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍ（長さＬｇ、Ｌｓ、高さＨ、積層枚数Ｃ等）は、ステップＳ００５において強磁場発生装置５ａの設置方位α（この場合は初期設置方位α０）と共に記憶装置１２に記憶しておく。
【００２７】
ステップＳ００６において、他の設置方位αについて磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍを算出する必要があるか否かを判断し、必要がある場合はステップＳ００７に進んで設置方位αを許容範囲内で切替える。例えば設置方位αを単位角度（例えば５〜１０°）だけ増加したのちステップＳ００４へ戻り、図１１を参照して上述したように新たな設置方位α（例えば１０°）において漏洩磁場を所定レベルに抑えるガントリー面及びサイド面上の磁性板２、３の配置量Ｍの算出を繰り返す。表１は、設置方位α＝０°、１０°、２０°、３０°における磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍ（長さＬｇ、Ｌｓ、高さＨ、積層枚数Ｃ）の算出結果を示す。なお、表１では磁性板２ａ、３ａの高さＨを何れも磁気シールド室１の壁面高さ（２２５０ｍｍ）と一致させているが、磁性板２ａ、３ａの高さＨを可変とし、上述したようにステップＳ００４において漏洩磁場を所定レベル以下に低減させる磁性板２ａ、３ａの高さを算出することも可能である。
【表１】
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【００２８】
例えば強磁場発生装置５ａの設置方位αを１０°、２０°、３０°に順次切替えたのち、例えば３０°が許容限界である場合はステップＳ００５からステップＳ００８〜Ｓ００９へ進み、コンピューター１０の設計手段１４（設置方位設計手段１５）により各設置方位αにおける方向性磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍを比較し、最小配置量Ｍの磁性板２ａ、３ａで漏洩磁場を抑える装置５ａの設置方位αを求める。表１は、設置方位αが大きくなるに従ってガントリー面及びサイド面の全体の配置量Ｍ（総重量）が軽減することを示しており、ステップＳ００９において設計手段１４により最小配置量Ｍとなる設置方位α＝３０°を求め、その設置方位α＝３０°を磁性板２ａ、３ａの最小配置量Ｍ（長さＬｇ、Ｌｓ、高さＨ、積層枚数Ｃ）と共に出力手段１８へ出力する。最小配置量Ｍの磁性板２ａ、３ａで設計された磁気シールド室１は、配置作業が少なくなるので施工性に優れている。また、磁性板２ａ、３ａの材料コスト・施工コストを削減できるので経済的な磁気シールド室１でもある。
【００２９】
許容される場合はステップＳ００５において設置方位αの切替えを更に繰り返し、３０°以上の設置方位αにおいて磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍを算出し、それらを考慮して最小配置量Ｍを求めることも可能である。図４の磁気シールド室１は、室内中央の設置位置Ｏからガントリー面及びサイド面までを等距離Ｅｇ＝Ｅｓとしており、設置方位＝４５°において装置５ａの中心軸方向の室内壁面との距離が最大となるので、設置方位が３０°〜４５°と大きくなるに従って磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍは徐々に減少すると予想される。
【００３０】
ただし、本発明者の実験によれば、設置方位αが３０°以上になるとガントリー面の垂直方向の磁束の強度（ベクトル長）が小さくなるので、方向性磁性板２ａを水平方向・垂直方向に積層配置する必要がなくなり、高透磁率方向を水平方向に合わせた磁性板２ａの並列配置のみでガントリー面の漏洩磁場を所定レベル以下に抑えることが可能となる。図８（Ｄ）〜（Ｆ）は、ガントリー面に水平方向・垂直方向の方向性磁性板２ａを積層配置した磁気シールド室１（図６（Ｂ）参照）において、強磁場発生装置５ａの設置方位αを３０〜４５°としたときに磁性板２ａ、３ａ中に生じる磁束分布を示す。また図９（Ｄ）〜（Ｆ）は、ガントリー面に水平方向の方向性磁性板２ａのみを並列配置した磁気シールド室１（図６（Ｃ）参照）において、設置方位α＝３０〜４５°の装置５ａにより生じる磁性板２ａ、３ａ中の磁束分布を示す。両図の磁束分布は３０°以上の設置方位αにおいて類似しており、水平方向の磁性板２ａの並列配置のみで水平方向・垂直方向の積層配置と同様のシールド性能を得られることが分かる。
【００３１】
好ましくは、図１のステップＳ００４において、各設置方位αにおいて漏洩磁場を所定レベルに抑えるために必要な方向性磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍ及び配置方向を算出し、ステップＳ００８〜００９において各設置方位αにおける磁性板２ａ、３ａの配置方向から水平配置の磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑えことができる装置５ａの設置方位θを求める。例えばステップＳ００４において、ガントリー面の漏洩磁場を抑えるために磁性板２ａを水平方向・垂直方向に積層配置する場合の配置量Ｍ１を算出すると共に、磁性板２ａを水平方向にのみ並列配置する場合の配置量Ｍ２を算出し、配置量Ｍ１が配置量Ｍ２より小さいときは磁性板２ａを水平方向・垂直方向に積層配置し、配置量Ｍ２が配置量Ｍ１より小さいときは磁性板２ａを水平方向に並列配置する。ステップＳ００８〜００９において、各設置方位αにおける磁性板２ａの配置方向を比較し、その配置方向が水平方向・垂直方向の積層配置から水平方向の並列配置に切り替わる設置方位αを検出することにより、水平配置の磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑えることができる設置方位θの範囲（例えば３０°以上）を求める。
【００３２】
図６（Ｃ）のようにガントリー面及びサイド面にそれぞれ水平方向の方向性磁性板２ａ、３ａのみ並列配置する磁気シールド室１を設計する場合は、図１のステップＳ０１２からステップＳ００２へ戻り、図６（Ｃ）の磁性板配置に基づいて上述したステップＳ００２〜Ｓ００９を繰り返す。例えばステップＳ００３において初期設置方位αを３０°に設定し、３０°以上の範囲で磁性板の最小配置量Ｍが得られる設置方位αを求める。ステップＳ００４において、ガントリー面に水平配置する方向性磁性板２ａの配置量Ｍは、例えば図１２（Ａ）に示すように、ガントリー面に磁性板２ａを配置しない状態で漏洩磁場（シールドなしの漏洩磁場）を求めたうえで、水平方向の磁性板２ａの配置量（長さＬｇ、高さＨ、積層枚数Ｃ等）を増やしながらガントリー面の漏洩磁場を順次求め、漏洩磁場が所定レベル（例えば５Ｇ）以下に低減するガントリー面の水平方向の配置量Ｍを求めることで算出できる。サイド面の磁性板３ａの配置量Ｍ（長さＬｓ、高さＨ、積層枚数Ｃ等）についても、図１２（Ｂ）に示すように、漏洩磁場が所定レベル以下に低減する水平方向の磁性板３ａの配置量を求めることで同様に算出できる。
【００３３】
表２は、ガントリー面及びサイド面にそれぞれ方向性磁性板２ａ、３ａを水平方向に並列配置する場合に、装置５ａの設置方位αを３０°、３５°、４０°、４５°に切替えたときのガントリー面及びサイド面の磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍ（長さＬｇ、Ｌｓ、高さＨ、積層枚数Ｃ）を算出した結果を示す。表２も、表１と同様に設置方位αが大きくなるに従って全体の配置量Ｍ（総重量）が軽減できることを示しており、ステップＳ００９において最小配置量Ｍとなる設置方位α＝４５°を求めることができる。
【表２】
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【００３４】
なお、表２においてガントリー面及びサイド面の磁性板２ａ、３ａの積層枚数Ｃは、その長さＬｇ、Ｌｓの全領域で磁気飽和を起こさないことを条件として算出したものであり、最適化されたものではない。例えば、ガントリー面に水平方向の磁性板２ａのみを配置した図９（Ｄ）〜（Ｆ）の磁気シールド室１において、磁性板２ａ、３ａ内の磁束の強度（ベクトル長）の小さい部位では積層枚数Ｃを減らして最適化することができ、表２における全体の配置量Ｍ（総重量）は最適化により削減することができる。従って、表２の配置量Ｍ（総重量）と表１の配置量Ｍ（総重量）とを直接比較することに意味はない。表１及び表２を独立に見れば、それぞれ設置方位αが大きくなるに従って配置量Ｍが減少する傾向のあることが分かる。
【００３５】
本発明によれば、強磁場発生装置５ａの設置方位αを適切に設計することにより、ガントリー面及びサイド面に最小配置量Ｍの方向性磁性板２ａ、３ａを並列配置するだけで十分なシールド効果が得られる磁気シールド室１を設計できる。水平配置の磁性板２ａ、３ａは施工が簡単・単純であり、ガントリー面及びサイド面の磁性板２ａ、３ａをコーナー部において水平方向に突合せる比較的簡単・単純な作業で磁気的に接合することもできるので、施工性の更なる向上を図ることができる。また、施工作業の簡単化・単純化により、磁気シールド室１のシールド品質の向上を図ることも期待できる。
【００３６】
こうして本発明の目的である「施工性に優れた強磁場発生装置の磁気シールド室設計方法」の提供することができる。
【実施例１】
【００３７】
上述したように本発明の設計方法によれば、図６（Ｃ）のようにガントリー面及びサイド面に方向性磁性板２ａ、３ａを水平方向に並列配置するだけで十分なシールド性能の磁気シールド室１を設計できる。この場合に、図６（Ｄ）に示すように磁性板２ａ、３ａの相互間に水平間隔ｄを設けることができれば、磁性板２ａ、３ａの配置量Ｍを更に削減し、磁気シールド室の経済性・施工性の一層の向上を図ることができる。図１のステップＳ０１０は、コンピューター１０の設計手段１４（相互間隔設計手段１６）により、図６（Ｄ）のような磁性板２ａ、３ａの間に設けることができる相互間隔ｄの最大値を求める処理を示す。
【００３８】
ステップＳ０１０の処理の詳細な流れ図を図２に示す。先ずステップＳ１０１において、図１のステップ００１と同様にシールド室１の壁面形状Ｒ（例えば内壁面の幅、長さ、高さ等）、シールド室１内の強磁場発生装置５ａの設置位置Ｏ（例えばガントリー面及びサイド面から設置位置Ｏまでの距離Ｅｇ、Ｅｓ、設置高さ等）、装置５ａの磁場強度Ｔ（例えば１．５Ｔ）、方向性磁性板２ａ、３ａの磁気特性（例えば高透磁率方向の透磁率μ＝１００００（線形計算）、厚さ＝３．５ｍｍ、幅＝４００ｍｍ）等の相互間隔ｄの設計に必要なデータを入力する。また、水平配置の磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑える装置５ａの設置方位θ（例えば表２の設置方位θ＝４５°）を入力する。次いでステップＳ１０２において相互間隔ｄの初期値ｄ０（例えば０ｍｍ）を設定し、ステップＳ１０３においてガントリー面及びサイド面上の磁性板２ａ、３ａに相互間隔ｄ０を設けて室外の漏洩磁場を算出し、ステップＳ１０４において漏洩磁場が所定レベル（例えば５Ｇ）以下であるか否かを判定する。漏洩磁場が所定レベル以下のときはステップＳ１０５へ進み、例えば相互間隔ｄを単位大きさ（例えば５ｍｍ）だけ増加したのちステップＳ１０３へ戻り、ステップＳ１０３〜１０５を繰り返す。漏洩磁場が所定レベルを超えたときはステップＳ１０６へ進み、磁性板２ａ、３ａの相互間隔ｄの最大値を求める。
【００３９】
図１３は、表２の設置方位θ＝４５°において、磁性板２ａ、３ａの相互間隔ｄを０ｍｍ、１０ｍｍ、５５ｍｍに切替えたときの漏洩磁場の算出結果を示す。図１３は、磁気シールド室１（図４参照）の壁面外側の近傍位置（壁面との離隔距離＝０ｍｍ）及び壁面外側の離隔位置（壁面との離隔距離＝３００ｍｍ）の２点において漏洩磁場を求め、各相互間隔ｄ＝０ｍｍ、１０ｍｍ、５５ｍｍにおける近傍位置の漏洩磁場と離隔位置の漏洩磁場とをそれぞれ表したものである。相互間隔ｄ＝０ｍｍ及び１０ｍｍの場合は、近傍位置（離隔距離＝０ｍｍ）及び離隔位置（離隔距離＝３００ｍｍ）の何れにおいても漏洩磁場は同程度であり、方向性磁性板２ａ、３ａの幅＝４００ｍｍに対して１０ｍｍ程度の相互間隔ｄを設けてもシールド性能には殆ど影響しないことが分かる。相互間隔ｄ＝５０ｍｍの場合は、近傍位置（離隔距離＝０ｍｍ）において漏洩磁場の増大が見られるが、離隔位置（離隔距離＝３００ｍｍ）では漏洩磁場の差は小さくなる。すなわち、漏洩磁場を評価する位置によって許容できる水平相互間隔ｄの大きさは異なり、シールド室１から３００ｍｍ以上離れた離隔位置の漏洩磁場を評価する場合は、方向性磁性板２ａ、３ａの幅＝４００ｍｍに対して５５ｍｍ程度の相互間隔ｄを設けることも可能である。
【実施例２】
【００４０】
また、図６（Ｃ）及び図６（Ｄ）のようにガントリー面及びサイド面に方向性磁性板２ａ、３ａを水平方向に並列配置する磁気シールド室１において、図６（Ｅ）に示すようにガントリー面及びサイド面の交差角部（コーナー部）において突合せ隙間ｈを介して磁性板２ａ、３ａを磁気的に接合できれば、磁性板２ａ、３ａの施工性の更なる向上を図ることができる。図１のステップＳ０１１は、コンピューター１０の設計手段１４（突合せ隙間設計手段１７）により、図６（Ｅ）のような磁性板２ａ、３ａの間に設けることができる突合せ隙間ｈの最大値を求める処理を示す。
【００４１】
図２を参照して、ステップＳ０１１の処理の詳細を説明する。先ずステップＳ１０１において、上述した相互間隔ｄの場合と同様にシールド室１の壁面形状Ｒ、シールド室１内の強磁場発生装置５ａの設置位置Ｏ、装置５ａの磁場強度Ｔ、方向性磁性板２ａ、３ａの磁気特性等の突合せ隙間ｈの設計に必要なデータを入力し、更に水平配置の磁性板２ａ、３ａのみで漏洩磁場を抑える装置５ａの設置方位θ（例えば表２の設置方位θ＝４５°）を入力する。次いでステップＳ１０２において突合せ隙間ｈの初期値ｈ０（例えば０ｍｍ）を設定し、ステップＳ１０３においてガントリー面及びサイド面の交差角部（コーナー部）に突合せ隙間ｈ０を設けて室外の漏洩磁場を算出し、ステップＳ１０４において漏洩磁場が所定レベル（例えば５Ｇ）以下であるか否かを判定する。漏洩磁場が所定レベル以下のときはステップＳ１０５へ進み、例えば突合せ隙間ｈを単位大きさ（例えば１０ｍｍ）だけ増加したのちステップＳ１０３へ戻り、ステップＳ１０３〜１０５を繰り返す。漏洩磁場が所定レベルを超えたときはステップＳ１０６へ進み、磁性板２ａ、３ａの突合せ隙間ｈの最大値を求める。
【００４２】
図１４は、表２の設置方位θ＝４５°において、磁性板２ａ、３ａの間に０ｍｍ、１００ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍの突合せ隙間ｈを設けたときの漏洩磁場の算出結果を示す。同図は、突合せ隙間ｈが大きくなるに従って角部（コーナー部）付近の漏洩磁場が大きくなり、突合せ隙間ｈ＝４００ｍｍになると所定レベル（５Ｇ）を越えることを示している。しかし、突合せ隙間ｈが３００ｍｍ以下であれば漏洩磁場を所定レベル以下に抑えることができる。許容される突合せ隙間ｈはシールド室１の壁面形状Ｒや強磁場装置５ａの磁場強度Ｔ等によっても相違するが、ガントリー面及びサイド面の磁性板２ａ、３ａを適当な突合せ隙間ｈを設けつつ磁気的に接合することができる。
【実施例３】
【００４３】
図１５は、図１の流れ図に沿って設計した磁気シールド室１の他の実施例を示す。図４の実施例ではＭＲＩ装置４（強磁場発生装置５ａ）の設置方位αを４５°とすることで磁性板２ａ、３ａを最小配置量Ｍとしているが（表２参照）、図１５の実施例ではシールド室１の形状を考慮した許容範囲が４０°であることから、装置５ａの設置方位αを許容範囲内の最大値＝４０°としている。表２に参照して説明したように、装置５ａの設置方位αを４０°とすれば、ガントリー面に方向性磁性板２ａを垂直方向・水平方向に積層配置する必要はなく、ガントリー面及びサイド面にそれぞれ磁性板２ａ、３ａを水平方向に並列配置するだけで漏洩磁場を所定レベル（５Ｇ）以下に抑えることが可能である。
【００４４】
図示例のガントリー面には、方向性電磁鋼板（長さＬｇ＝３０００ｍｍ、幅＝４００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ）を１６枚重ねた磁性板３ａを、相互間隔ｄ＝５５ｍｍで６段に並列配置している。またサイド面には、方向性電磁鋼板（長さＬｓ＝２３７５ｍｍ、幅＝４００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ）を１６枚重ねた磁性板３ａを、相互間隔ｄ＝５５ｍｍで６段に並列配置している。ガントリー面及びサイド面のコーナー部において磁性板２ａ、３ａを突合せにより接触させているが、特別なアングル材等を用いた磁気的接合は施していない。しかし、シミュレーションの結果、室外への漏洩磁場を所定レベル（５Ｇ）以下に抑えることができた。また、図１６の従来方法で磁気シールド室１を設計したときの磁性板の配置量Ｍ（総重量）は２１００ｋｇであったが、図１５の磁気シールド室１における磁性板の配置量Ｍ（総重量）は４７０ｋｇであり、本発明の設計方法によって磁性板の配置量を大幅に削減し、経済的に施工可能な磁気シールド室１が設計できることを確認できた。
【実施例４】
【００４５】
図５は、室内の強磁場発生装置５ａの設置位置Ｏからサイド面までの距離Ｅｓに比してガントリー面までの距離Ｅｇを１．５倍（Ｅｇ＝Ｅｓ×１．５）とした磁気シールド室１の設計に本発明を適用した実施例を示す。図４の磁気シールド室１では、設置位置Ｏからガントリー面・サイド面までを等距離（Ｅｇ＝Ｅｓ）としているので、装置５の設置方位α＝４５°のときに装置５ａの中心軸方向の室内壁面との距離が最大となり、設置方位α＝４５°のときに磁性板２、３の配置量Ｍが最小となる。これに対し図５の磁気シールド室１では、同図に示すように、装置５ａの中心軸方向をガントリー面とサイド面との交差角部（コーナー部）に向けたときに室内壁面との距離が最大となり、そのときの設置方位αは３３．７゜となる。
【００４６】
図１０（Ａ）は、図５の磁気シールド室１のガントリー面及びサイド面にそれぞれ無方向性磁性板２、３を配置し、図７の場合と同様の手法で求めた磁性板２、３中の磁束分布のシミュレーション結果を示す。図１０（Ａ）の磁束分布は、装置５ａと室内壁面との距離に応じて磁束の強度（ベクトル長）が小さくなっている点を除き、図７（Ｆ）の磁束分布と類似している。また図１０（Ｂ）は、図５の磁気シールド室１のガントリー面に方向性磁性板２ａを水平方向・垂直方向に積層配置すると共にサイド面に及びサイド面に方向性磁性板３ａを水平方向にのみ並列配置し、図８の場合と同様の手法で求めた磁性板２ａ、３ａ中の磁束分布のシミュレーション結果を示す。図１０（Ｂ）の磁束分布も、装置５ａと室内壁面との距離に応じて磁束の強度（ベクトル長）が小さくなっている点を除き、図８（Ｆ）の磁束分布と類似している。更に図１０（Ｃ）は、図５の磁気シールド室１のガントリー面及びサイド面にそれぞれ方向性磁性板２ａ、３ａを水平方向に並列配置し、図９の場合と同様の手法で求めた磁性板２ａ、３ａ中の磁束分布のシミュレーション結果を示す。図１０（Ｃ）の磁束分布も、磁束の強度（ベクトル長）が小さくなっている点を除き、図９（Ｆ）の磁束分布と類似している。これらの磁束分布の観察から、図７〜図９の磁束分布の変化に基づく本発明のシールド室設計手法が、室内壁面との距離が最大となる設置方位αの相違に拘らず、図５の磁気シールド室１にも適用可能であることが確認できた。
【符号の説明】
【００４７】
１…磁気シールド室            ２…磁性板（ガントリー面）
３…磁性板（サイド面）        ４…ＭＲＩ装置
５…強磁場発生装置            ６…磁束流出口（又は流入口）
７…磁束流入口（又は流出口）  ８…ベット
９…磁性板（ベット面）
１０…コンピューター          １１…入力手段
１２…記憶手段                １３…算出手段
１４…設計手段                １５…設置方位設計手段
１６…相互間隔設計手段        １７…突合せ隙間設計手段
１８…出力手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0005388365.tif 000016
【図１３】
0005388365.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
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