(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記搬送条件は、前記基板を搬送する際の搬送速度に関する条件を含む基板処理方法。
【請求項２】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記載置条件は、前記基板を前記ステージに載置する際の載置速度に関する条件を含む基板処理方法。
【請求項３】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記基板および前記支持部材が前記ステージ上に載置される際に、前記基板と前記ステージとの間の気体を、前記ステージに設けられた排気機構を用いて排気することを含み、
前記載置条件は、前記排気機構による排気速度に関する条件を含む基板処理方法。
【請求項４】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記基板は、前記ステージ上に設けられた保持部の上面に載置され、前記支持部材は、前記ステージ上で前記保持部の上面よりも下方に載置される基板処理方法。
【請求項５】
前記支持部材は、フレーム構造を有し、該フレーム構造は、前記保持部に形成された溝に載置される請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記識別情報は、前記基板の識別に関する情報を含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記支持部材は、該支持部材の識別に関する情報を含む識別用マークを有し、
前記識別情報は、前記識別用マークを検出することにより取得される請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記ステージ上に載置された前記基板を露光することを含み、
前記識別情報に基づいて、前記基板を露光するための露光条件を設定することを含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記基板に設けられたマークを計測することと、
前記識別情報に基づいて前記マークの計測結果を補正することと、を含み、
前記露光条件は、前記前記識別情報に基づいて補正された前記計測結果に基づいて設定される請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え、
前記搬送条件は、前記基板を搬送する際の搬送速度に関する条件を含む基板処理装置。
【請求項１１】
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え、
前記載置条件は、前記基板を前記ステージに載置する際の載置速度に関する条件を含む基板処理装置。
【請求項１２】
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え、
前記搬送装置によって前記ステージ上方に搬送された前記基板と前記ステージとの間の気体を排気するために前記ステージに設けられた排気機構を備え、
前記載置条件は、前記排気機構による排気速度に関する条件を含む基板処理装置。
【請求項１３】
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え、
前記ステージは、前記基板が載置される保持部を有し、
前記搬送装置は、前記基板を前記保持部の上面に載置し、前記支持部材を前記ステージ上で前記保持部の上面よりも下方に載置する基板処理装置。
【請求項１４】
前記支持部材は、フレーム構造を有し、
前記搬送装置は、前記保持部に形成された溝に前記フレーム構造が配置されるように前前記支持部材を記ステージ上に載置する請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記識別情報は、前記基板の識別に関する情報を含む請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記支持部材は、該支持部材の識別に関する情報を含む識別用マークを有し、
前記情報取得部は、前記識別用マークを検出するセンサを含む請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記ステージ上に載置された前記基板を露光するための露光処理部を備え、
前記制御装置は、前記識別情報に基づき、前記露光処理部により前記基板を露光するための露光条件を設定する請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記基板に設けられたマークを計測する計測部を備え、
前記制御装置は、前記計測部による計測結果を前記識別情報に基づいて補正し、該識別情報に基づいて補正した前記計測結果に基づいて前記露光条件を設定する請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の基板処理装置を用いて、基板を露光することと、
前記基板処理装置によって露光された前記基板を現像することと、
現像された前記基板を加工することと、
を含むデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法、基板処理装置、及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイなどの電子デバイスを製造する手法として、例えばフォトリソグラフィ法が知られている。フォトリソグラフィ法では、マスクを介した露光光で基板を露光する露光装置や、露光された基板を現像する現像装置、基板に配線層などを形成するためのスパッタ装置、ＣＶＤ装置などが用いられる。
【０００３】
露光装置では、例えば基板は、トレイなどの保持部材に保持させた状態で搬送され、トレイとともに基板ステージに載置される（例えば、特許文献１参照）。また、載置後は基板のアライメント処理が行われる。アライメント処理では、基板に設けられたアライメントマークを検出し、検出結果に基づいて基板ステージを駆動することで基板の位置や姿勢が調整される（例えば、特許文献２参照）。このように、露光装置では、基板に対して複数の処理が行われる。
【０００４】
露光装置での各処理は、その処理手順を記録した露光レシピと呼ばれる処理手順情報に従って行われる。露光レシピには、例えば上記各処理についての処理パラメータなどが含まれている。この処理パラメータは、従来、一の露光レシピについて１つずつ予め対応付けられており、露光レシピごとに処理パラメータが設定されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１００１６９号公報
【特許文献２】特開２００６−１９５３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述した従来の露光装置では、基板の特性やトレイの特性等に応じて露光処理の結果にバラつきが発生する虞がある。露光処理に限られず、例えば基板を基板ステージなどに載置する処理や基板を搬送する処理など、基板に対する他の処理についても同様に処理結果にバラつきが発生しうる。
【０００７】
本発明の態様は、基板に対する処理の処理精度を向上させることができる基板処理方法、基板処理装置、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に従えば、基板に対して所定処理を行う基板処理方法であって、前記基板の識別に関する情報と前記所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報を取得することと、前記識別情報に基づいて、前記所定処理に用いる処理パラメータを設定することと、を含む基板処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様に従えば、基板に対して所定処理を行う処理装置と、前記基板の識別に関する情報と前記所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報に基づいて前記所定処理に用いる処理パラメータを設定する制御装置とを備える基板処理装置が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、基板に対して露光処理を行う露光処理部と、前記基板に設けられた複数のマークを計測する計測処理部と、前記基板の識別に関する情報と前記基板に対して行われる所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報に基づいて前記露光処理に用いる処理パラメータを設定し、前記処理パラメータに基づいて前記複数のマークの計測結果を補正し、補正された前記計測結果に基づいて前記基板を露光するための露光条件を調整させる制御部とを備える露光装置が提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様に従えば、本発明の露光装置と、前記所定処理として前記露光装置による前記露光処理の前処理を行い、前記前処理を識別する情報を前記露光装置の前記制御装置に送信する１つ以上の前処理装置とを備える露光システムが提供される。
【００１２】
本発明の第５の態様に従えば、本発明の露光装置と、前記所定処理として前記露光装置による前記露光処理の前処理を行う１つ以上の前処理装置と、前記前処理を識別する情報を前記露光装置の前記制御部に送信する通信装置とを備える露光システムが提供される。
【００１３】
本発明の第６の態様に従えば、本発明の露光装置を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光を行い、該基板にパターンを転写することと、前記露光によって露光された前記感光剤を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の態様によれば、基板に対する処理の処理精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る露光システムの構成例を示す概略構成図。
【図２】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す図。
【図４】本実施形態の投影領域、検出領域及び基板の位置関係の一例を示す模式図。
【図５】本実施形態に係る露光装置の動作を示す工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】同、工程図。
【図１０】本実施形態に係る露光システムの動作を示すフローチャート。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る露光システムＳＹＳの一例を示す概略構成図である。  
図１に示すように、露光システムＳＹＳは、露光装置ＥＸ及び外部装置ＥＡを有している。露光装置ＥＸ及び外部装置ＥＡは、例えば工場などの床部に設置されており、露光装置ＥＸと外部装置ＥＡとの間では、基板Ｐが搬送可能に設けられている。露光システムＳＹＳが露光装置ＥＸ及び外部装置ＥＡのうち少なくとも一方を複数有している構成であっても構わない。
【００１８】
露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測可能な干渉計システム３と、基板Ｐを搬送する搬送システム４と、基板Ｐ上のアライメントマークを検出するアライメントシステム５と、少なくとも投影システムＰＳ及び基板ステージ２を収容するチャンバ装置８と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置９と、制御装置９に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置１０とを備えている。
【００１９】
外部装置ＥＡは、例えば露光装置ＥＸにおける処理の前処理を行う装置などを含む。具体的には、基板に感光剤を塗布する塗布処理を行う塗布処理装置、露光処理後の感光剤に対する現像処理を行う現像処理装置、現像処理後の基板に対する成膜処理を行う成膜処理装置などを含む。成膜処理装置は、例えば蒸着装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置などを含む。外部装置ＥＡは制御装置８０を有しており、制御装置８０には通信装置９１が含まれている。外部装置ＥＡは、通信装置９１を介して、露光装置ＥＸの制御装置９に含まれる通信装置９０との間で情報の通信が可能になっている。
【００２０】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光剤）とを含む。本実施形態において、基板Ｐは、マザーガラスと呼ばれる大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズは、例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約３０００ｍｍの矩形のガラスプレートを用いる。本実施形態において、基板Ｐには、例えば基板識別用マークＰｍが形成されている。基板識別用マークＰｍは、例えば上記の外部装置ＥＡにおいて形成することができる。
【００２１】
チャンバ装置８は、実質的に閉ざされた内部空間８Ｈを形成するチャンバ部材８Ａと、内部空間８Ｈの環境（温度、湿度、クリーン度、及び圧力等）を制御する空調装置８Ｂとを有する。基板ステージ２は、内部空間８Ｈを移動する。本実施形態においては、内部空間８Ｈに、照明システムＩＳの少なくとも一部、マスクステージ１、投影システムＰＳ、基板ステージ２及び搬送システム４が配置される。
【００２２】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板交換位置ＣＰの＋Ｘ側に配置された中継部（ポート部）１５を有する。中継部１５は、トレイＴｒを支持可能な支持機構１６を有する。トレイＴｒは、フレーム部材とそのフレーム部材の内側に格子状に配置された複数のロッド部材とを含むフレーム構造を有する。本実施形態では、トレイＴｒは例えば基板Ｐごとに複数用いられる。各トレイＴｒには、当該トレイＴｒを識別するためのトレイ識別用マークＴｍが形成されている。中継部１５には、トレイＴｒに形成されるトレイ識別用マークＴｍを検出するためのトレイ識別センサ１７が設けられている。また、中継部１５には、支持機構１６の＋Ｚ側に基板識別センサ１８が設けられている。基板識別センサ１８は、基板Ｐに形成された基板識別用マークＰｍを検出する。トレイ識別センサ１７の検出結果及び基板識別センサ１８の検出結果は、例えば制御装置９に送信されるようになっている。なお、トレイ識別センサ１７と基板識別センサ１８とを別々に設けるのではなく、トレイ識別用マークＴｍと基板識別用マークＰｍとを一種類のセンサで検出させる構成としても構わない。
【００２３】
本実施形態において、支持機構１６は、複数のロッド部材（ピン部材）を有し、そのロッド部材の上端でトレイＴｒを支持する。搬送システム４は、中継部１５と基板ステージ２との間で、基板Ｐを支持したトレイＴｒを搬送可能である。トレイＴｒは、基板Ｐを支持した状態で、中継部１５と基板ステージ２との間を移動可能である。例えば、チャンバ装置８に接続される第２チャンバ装置が設けられている場合、その第２チャンバ装置によって形成される内部空間に、中継部１５が配置されてもよい。
【００２４】
照明システムＩＳは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬの照射領域である。照明システムＩＳは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。
【００２５】
マスクステージ１は、マスクＭの下面の少なくとも一部を保持する保持部１１を有し、マスクＭを保持した状態で、第１定盤１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、例えばリニアモータ等を含む駆動機構（不図示）の作動により、照明領域ＩＲにマスクＭを保持して移動可能である。本実施形態において、マスクステージは、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２６】
投影システムＰＳは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影システムＰＳから射出される露光光ＥＬの照射領域である。投影システムＰＳは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影システムＰＳは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を投影する。
【００２７】
基板ステージ２は、基板Ｐの裏面の少なくとも一部を保持する保持部１３を有し、基板Ｐを保持した状態で、第２定盤１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、例えばリニアモータ等を含む駆動機構２０の作動により、投影領域ＰＲに基板Ｐを保持して移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。基板ステージ２は、当該基板ステージ２上の気体を排気する排気機構２１を有している。排気機構２１は、基板ステージ２上に基板Ｐを載置する際、基板ステージ２と基板Ｐとの間の空間の気体を排気する。排気機構２１は、開口部２１ａ及び吸引機構２１ｂ（図３参照）を有している。吸引機構２１ｂの吸引動作は、例えば制御装置９において制御可能になっている。
【００２８】
干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット３Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）の位置を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット３Ｂとを有する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置９は、干渉計システム３の計測結果に基づいて、第１，第２駆動システムを作動して、マスクステージ１（マスクＭ）及び基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。
【００２９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置９は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、投影システムＰＳの光軸（露光光ＥＬの光路）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＸ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＸ軸方向とする。基板Ｐの露光時、マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、投影システムＰＳの物体面側でＸ軸方向に移動し、基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影システムＰＳの像面側でＸ軸方向に移動する。制御装置９は、投影システムＰＳの像面側で投影システムＰＳの投影領域ＰＲに対して基板ＰをＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、投影システムＰＳの物体面側で照明システムＩＳの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＸ軸方向に移動しつつ、マスクＭ及び投影システムＰＳを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板ＰはマスクＭ及び投影システムＰＳからの露光光ＥＬで露光される。
【００３０】
搬送システム４は、基板ステージ２に基板Ｐを搬入（ロード）する処理、及び、基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する処理を行う。基板ステージ２に基板Ｐを搬入する処理は、中継部１５から基板ステージ２へ基板Ｐを搬送する搬送処理と、基板ステージ２へ基板Ｐを載置する載置処理とを含む。また、基板ステージ２から基板Ｐを搬出する処理は、基板ステージ２に載置された基板Ｐをピックアップするピックアップ処理と、ピックアップした基板Ｐを中継部１５へと搬送する搬送処理とを含む。
【００３１】
本実施形態において、搬送システム４は、基板ステージ２に基板Ｐを搬入する第１搬送部材４１と、基板ステージ２から基板Ｐを搬出する第２搬送部材４２とを備えている。本実施形態において、第１搬送部材４１は、第２搬送部材４２の上方（＋Ｚ方向）に配置される。第１搬送部材４１は、駆動機構４３を有している。駆動機構４３は、第１搬送部材４１を例えばＸ方向及びＺ方向に駆動する。第２搬送部材４２は、駆動機構４４を有している。駆動機構４４は、第２搬送部材４２をＸ方向及びＺ方向に駆動する。
【００３２】
搬送システム４は、第１搬送部材４１を用いて、露光前の基板Ｐを中継部１５から基板ステージ２に搬送すると共に、当該基板Ｐを基板ステージ２に載置する。また、搬送システム４は、第２搬送部材４２を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２から中継部１５へ搬送する。以下の説明において、基板ステージ２に基板Ｐを搬入する処理、及び、基板ステージ２から基板Ｐを搬出する処理の少なくとも一方を含む処理を適宜、基板交換処理、と表記する。
【００３３】
基板ステージ２は、投影システムＰＳから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰと、基板交換処理が実行される位置ＣＰとの間を移動可能である。位置ＥＰは、露光光ＥＬが射出される投影システムＰＳの射出面と対向する位置を含む。位置ＣＰは、位置ＥＰと異なる位置であって、本実施形態においては、位置ＥＰの＋Ｘ側に配置される。以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称し、位置ＣＰを適宜、基板交換位置ＣＰ、と表記する。
【００３４】
基板交換処理を実行するとき、制御装置９は、基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を移動させる。制御装置９は、第１搬送部材４１に、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２へ露光前の基板Ｐを搬送させる。また、制御装置９は、第２搬送部材４２に、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２から露光後の基板Ｐを搬送させる。
【００３５】
基板交換処理を実行するとき、制御装置９は、基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を移動する。制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に、第１搬送部材４１を用いて露光前の基板Ｐを搬入する。また、制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２から、第２搬送部材４２を用いて露光後の基板Ｐを搬出する。
【００３６】
本実施形態において、基板Ｐは、トレイＴｒに支持された状態で、基板ステージ２に搬入されるとともに、基板ステージ２から搬出される。本実施形態において、第１搬送部材４１は、基板Ｐを支持したトレイＴｒを基板ステージ２に搬入可能である。第２搬送部材４２は、基板Ｐを支持したトレイＴｒを基板ステージ２から搬出可能である。基板Ｐを支持したトレイＴｒが基板ステージ２に搬入されることによって、基板Ｐが基板ステージ２に搬入される。基板Ｐを支持したトレイＴｒが基板ステージ２から搬出されることによって、基板Ｐが基板ステージ２から搬出される。
【００３７】
基板ステージ２（保持部１３）は、トレイＴｒのフレーム部材及びロッド部材を配置可能な溝を有する。基板Ｐを支持可能なフレーム構造のトレイ、トレイの少なくとも一部を配置可能な溝を有する基板ステージ（保持部）、及び基板Ｐを支持した状態でトレイを搬送可能な搬送システム（搬送部材）に関する技術の一例は、例えば特開２００１−１００１６９号公報、特開２００１−１７６９４７号公報、特開２００３−２５８０７８号公報、及び特開２００４−２７３７０２号公報等に開示されている。それら技術が、本実施形態に係るトレイＴｒ、基板ステージ２、及び搬送システム４に適用されている。
【００３８】
第１搬送部材４１によって、基板Ｐを支持したトレイＴｒが基板ステージ２に搬入されると、トレイＴｒが基板ステージ２の溝に配置され、トレイＴｒの上面が保持部１３の上面（保持面）より下方に配置されるとともに、基板Ｐの裏面が保持部１３に保持される。また、第２搬送部材４２によって、トレイＴｒが基板ステージ２から搬出されると、基板Ｐの裏面がトレイＴｒに支持され、基板ＰとトレイＴｒとが基板ステージ２から一緒に搬出される。
【００３９】
図２は、本実施形態に係る照明システムＩＳ、マスクステージ１、投影システムＰＳ、及び基板ステージ２の近傍を示す斜視図である。  
図２に示すように、投影システムＰＳは、投影光学系ＰＬを複数有する。投影光学系ＰＬは、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面内において複数配置されている。照明システムＩＳは、複数の投影光学系ＰＬに対応するように、照明モジュールＩＬを複数有する。
【００４０】
また、上述したように、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向（Ｘ軸方向）に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。
【００４１】
投影システムＰＳは、投影光学系ＰＬを７つ有する。照明システムＩＳは、照明モジュールＩＬを７つ有する。なお、投影光学系ＰＬ及び照明モジュールＩＬの数は７つに限定されず、例えば投影システムＰＳが、投影光学系ＰＬを１１個有し、照明システムＩＳが、照明モジュールＩＬを１１個有してもよい。
【００４２】
照明システムＩＳは、異なる７つの照明領域ＩＲのそれぞれを露光光ＥＬで照明する。照明システムＩＳは、マスクＭのうち照明領域ＩＲに配置された部分を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、水銀ランプＬＳから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。
【００４３】
投影システムＰＳは、異なる７つの投影領域ＰＲのそれぞれにマスクＭのパターンの像を投影する。投影システムＰＳは、基板Ｐのうち投影領域ＰＲに配置された部分に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。
【００４４】
図３は、本実施形態に係る投影システムＰＳ、及び投影領域ＰＲに配置された基板ステージ２の一例を示す図である。  
投影システムＰＳは、投影システムＰＳの結像特性（光学特性）を調整する結像特性調整装置３０を備えている。結像特性調整装置３０は、複数の投影光学系ＰＬのそれぞれに設けられている。
【００４５】
以下、図３を参照して、複数の投影光学系ＰＬのうち、１つの投影光学系ＰＬ及びその投影光学系ＰＬに設けられている結像特性調整装置３０について説明する。その１つの投影光学系ＰＬの構成と、他の投影光学系ＰＬの構成とは、同じであるため、他の投影光学系ＰＬについての説明は省略する。
【００４６】
投影光学系ＰＬは、照明モジュールＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に正立等倍で形成する。結像特性調整装置３０は、像面調整部３３と、シフト調整部３４と、二組の反射屈折型光学系３１，３２と、視野絞り３５と、ローテーション調整部３６と、スケーリング調整部３７とを備えている。
【００４７】
照明領域ＩＲに照射され、マスクＭを透過した露光光ＥＬは、像面調整部３３に入射する。像面調整部３３は、投影光学系ＰＬの像面の位置をＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に調整可能である。像面調整部３３は、くさび形状の２つの光学部材を有し、それら光学部材の少なくとも一方を移動させることによって、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する投影光学系ＰＬの像面の位置を調整することができる。
【００４８】
像面調整部３３を通過した露光光ＥＬは、シフト調整部３４に入射する。シフト調整部３４は、投影光学系ＰＬの投影像（マスクＭのパターンの像）の位置をＸ軸、及びＹ軸方向に調整可能である。シフト調整部３４は、平行平板からなる２つの光学部材を有し、それら光学部材の少なくとも一方を移動させることによって、Ｘ軸、及びＹ軸方向に関する投影光学系ＰＬの投影像の位置を調整することができる。
【００４９】
シフト調整部３４を透過した露光光ＥＬは、１組目の反射屈折型光学系３１に入射する。反射屈折型光学系３１は、直角プリズム、レンズ、及び凹面鏡を有する。反射屈折型光学系３１は、マスクＭのパターンの中間像を形成する。反射屈折型光学系３１から射出された露光光ＥＬは、視野絞り３５に供給される。視野絞り３５は、反射屈折型光学系３１により形成されるパターンの中間像の位置に配置されている。視野絞り３５は、投影領域ＰＲ及び照明領域ＩＲを規定する。本実施形態において、視野絞り３５は、基板Ｐ上における投影領域ＰＲ及びマスクＭ上における照明領域ＩＲを台形状に規定する。視野絞り３５を通過した露光光ＥＬは、２組目の反射屈折型光学系３２に入射する。反射屈折型光学系３２は、反射屈折型光学系３１と同様に構成されている。
【００５０】
ローテーション調整部３６は、投影光学系ＰＬの投影像（マスクＭのパターンの像）の位置をθＺ方向に調整可能である。ローテーション調整部３６は、反射屈折型光学系３１，３２それぞれの直角プリズムを含み、それら直角プリズムの少なくとも一方を移動させることによって、θＺ方向に関する投影光学系ＰＬの投影像の位置を調整することができる。
【００５１】
反射屈折型光学系３２から射出された露光光ＥＬは、スケーリング調整部３７に入射する。スケーリング調整部３７は、マスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）を調整可能である。スケーリング調整部３７は、例えば、凹レンズ、凸レンズ、及び凹レンズを有し、２つの凹レンズの間に位置する凸レンズをＺ軸方向に移動させることによって、マスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）を調整することができる。
【００５２】
アライメントシステム５は、基板Ｐに設けられているアライメントマークを検出する。
アライメントシステム５は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムであり、図３に示すように、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の顕微鏡５Ａ〜５Ｆを有する。顕微鏡５Ａ〜５Ｆのそれぞれは、検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に検出光を照射する投射部と、検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に配置されたアライメントマークの光学像を取得可能な受光部とを有する。
【００５３】
図４は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６と、基板Ｐとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Ｐの表面を含む平面内の位置関係を示している。図４に示すように、本実施形態において、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれは、ＸＹ平面内において台形である。投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７による投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６による投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６は、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６に対して−Ｘ側に配置されている。また、Ｙ軸方向に関して、投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の間に、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が配置される。
【００５４】
本実施形態おいて、基板Ｐの表面は、マスクＭのパターンの像が投影される複数の露光領域（被処理領域）ＰＡ１〜ＰＡ６を有する。本実施形態において、基板Ｐの表面は、６つの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を有する。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域ＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３は、露光領域ＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６に対して＋Ｘ側に配置されている。
【００５５】
アライメントシステム５は、基板Ｐに設けられている複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出する。本実施形態において、基板Ｐ上にはＹ軸方向に離れて６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置され、それらアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループが、Ｘ軸方向に離れた２箇所に配置されている。アライメントマークｍ１，ｍ２は、露光領域ＰＡ１，ＰＡ４の一端側に隣接して設けられ、アライメントマークｍ３，ｍ４は、露光領域ＰＡ２，ＰＡ５の一端側に隣接して設けられ、アライメントマークｍ５，ｍ６は、露光領域ＰＡ３，ＰＡ６の一端側に隣接して設けられている。
【００５６】
本実施形態においては、基板Ｐ上においてＹ軸方向に離れて配置された６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６に対応して、顕微鏡５Ａ〜５Ｆ（検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６）が配置されている。顕微鏡５Ａ〜５Ｆは、アライメントマークｍ１〜ｍ６が検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に同時に配置されるように設けられている。アライメントシステム５は、顕微鏡５Ａ〜５Ｆを用いて、６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能となっている。
【００５７】
制御装置９は、上記各部を統括的に制御する。制御装置９は、例えばマスクステージ１の駆動機構や基板ステージ２の駆動機構２０、搬送システム４の駆動機構４３及び駆動機構４４などの各駆動機構の動作を制御すると共に、投影システムＰＳの結像特性調整装置３０などを制御する。制御装置９は、例えばアライメントシステム５による検出結果に基づいて、例えば基板Ｐの位置及び姿勢のうち少なくとも一方を調整する。
【００５８】
また、制御装置９は、例えばトレイ識別センサ１７や基板識別センサ１８の検出結果に基づいて演算等を行うことで所定の処理パラメータを設定する。この処理パラメータとしては、例えばアライメントシステム５による検出結果を補正する補正値の処理パラメータ（補正値パラメータ）や、基板Ｐを基板ステージ２に載置する載置速度を調整するためのパラメータ（載置速度パラメータ）、基板Ｐを基板ステージ２に載置する際の排気速度を調整するためのパラメータ（排気速度パラメータ）、基板Ｐを中継部１５と基板ステージ２との間で搬送する際の搬送速度を調整するためのパラメータ（搬送速度パラメータ）などが挙げられる。
【００５９】
設定された処理パラメータは、例えば記憶装置１０に記憶されるようになっている。記憶装置１０では、各部について複数のパラメータを記憶できるようになっている。記憶装置１０には、制御装置９において演算等で求められた処理パラメータのみならず、予め求められた処理パラメータが記憶されていても構わない。この場合、予め求められた処理パラメータに対して新たに制御装置９において求められた処理パラメータを更新して記憶するようにしても構わないし、複数の処理パラメータを蓄積して記憶するようにしても構わない。複数の処理パラメータを蓄積して記憶する場合、例えば制御装置９が、上記各部の制御に用いる際、複数の処理パラメータの中から最適な処理パラメータを選択する構成になっていても構わない。
【００６０】
次に、図５〜図９に示す工程図及び図１０に示すフローチャートを参照して、上述の構成を有する露光システムＳＹＳを用いて基板Ｐを処理する方法の一例を説明する。  
まず、例えば外部装置ＥＡにおいて基板Ｐに対して露光処理の前処理が行われる。この場合の外部装置ＥＡとしては、例えば基板Ｐに感光剤の膜を形成する塗布処理装置が挙げられ、前処理としては塗布処理が行われる（ステップＳＴ００）。
【００６１】
塗布処理の後、外部装置ＥＡから露光装置ＥＸに基板Ｐが搬入される。搬入された基板Ｐは、図５に示すように中継部１５に搬送され、トレイＴｒに載置される（ステップＳＴ０１）。中継部１５においては、基板ステージ２に対する基板Ｐ（トレイＴｒ）の大まかな位置合わせ処理（プリアライメント処理）が実行される。例えば、中継部１５に設けられているラインセンサによって、θＺ方向に関する基板Ｐの位置が検出され、その検出結果に基づいて、基板Ｐのプリアライメント処理が実行される。
【００６２】
また、制御装置９は、トレイＴｒ及び基板Ｐの識別情報を取得する（ＳＴ０２）。具体的には、制御装置９は、トレイ識別センサ１７を用いてトレイＴｒのトレイ識別用マークＴｍを検出させると共に、基板識別センサ１８を用いて基板Ｐの基板識別用マークＰｍを検出させる。トレイ識別センサ１７及び基板識別センサ１８による検出結果は、例えば制御装置９に送信される。制御装置９では、トレイ識別センサ１７及び基板識別センサ１８による検出結果（トレイＴｒ及び基板Ｐの識別情報）に基づいて、トレイＴｒ及び基板Ｐを識別する。
【００６３】
なお、ここではトレイ識別センサ１７を用いてトレイＴｒの識別情報を検出することとしたが、例えば、作業者がトレイＴｒを目視等によって識別し、その識別した結果をトレイＴｒの識別情報として制御装置９に対して入力するようにしてもよい。この場合、入力された識別情報に対応するトレイの移動を不図示の監視システムまたは追跡システム等によってモニタすることで、処理中の基板Ｐの搬送に使用されているトレイＴｒを確実に識別することができる。
【００６４】
次に、制御装置９は、トレイＴｒ及び基板Ｐの識別情報に基づいて、搬送処理、載置処理及び露光処理に関する各処理パラメータ、すなわち、上記の補正値パラメータ、載置速度パラメータ、排気速度パラメータ、搬送速度パラメータをそれぞれ設定する（ステップＳＴ０３）。
【００６５】
制御装置９は、処理パラメータを設定する際には、例えば記憶装置１０に記憶された複数のパラメータのうち識別されたトレイＴｒ及び基板Ｐに対応する最適な値を選択することにより、あるいは、識別情報に基づいて各処理パラメータを新たに演算等によって求めることにより、処理パラメータを設定することができる。例えば各処理パラメータについて、一部の処理パラメータについては複数のパラメータの中から選択し、他の処理パラメータについては新たに演算等によって求めるようにしても構わない。
【００６６】
次に、制御装置９は、第１搬送部材４１を用いて、基板Ｐを支持したトレイＴｒを基板ステージ２に搬入する。制御装置９は、基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を予め配置させておく。搬入処理では、まず第１搬送部材４１によって支持機構１６に支持された基板Ｐが持ち上げられ、所定の速度でトレイＴｒ及び当該トレイＴｒに支持される基板Ｐが基板交換位置ＣＰの＋Ｚ方向上の位置に搬送される（ステップＳＴ０４）。制御装置９は、ステップＳＴ０３において設定された搬送速度パラメータに基づいて、基板Ｐの搬送速度を調整する。搬送速度パラメータは基板ＰごとあるいはトレイＴｒごとに設定されるため、基板ＰごとあるいはトレイＴｒごとに搬送速度が調整されることになる。
【００６７】
トレイＴｒ及び基板Ｐが基板交換位置ＣＰの＋Ｚ方向上の位置に配置された後、図７に示すように、第１搬送部材４１によって基板Ｐを基板ステージ２上に載置させる（ステップＳＴ０５）。この載置処理では、駆動機構４３によって第１搬送部材４１を−Ｚ方向に移動させることにより、トレイＴｒの少なくとも一部が、基板ステージ２の溝に配置されるとともに、基板Ｐが、基板ステージ２に保持される。この載置処理は、図８に示すように、基板ステージ２に設けられる排気機構２１によって基板ステージ２と第１搬送部材４１との間の空間の気体を排気しながら行われる。
【００６８】
載置処理では、制御装置９は、ステップＳＴ０３において設定された載置速度パラメータに基づいて第１搬送部材４１の移動速度（載置速度）を調整すると共に、当該ステップＳＴ０３において設定された排気速度パラメータに基づいて排気機構２１の排気速度を調整する。載置速度パラメータ及び排気速度パラメータは、基板ＰごとあるいはトレイＴｒごとに設定されるため、載置速度及び排気速度は、基板ＰごとあるいはトレイＴｒごとに調整されることになる。
【００６９】
少なくとも基板Ｐの露光が開始される前に、マスクステージ１には、マスクＭが保持される。また、少なくとも基板Ｐの露光が開始される前に、ベースライン計測処理等のセットアップ処理が実行される。ベースライン計測処理は、投影システムＰＳによるマスクＭのパターン像の位置（投影領域ＰＲの位置）と、基板Ｐ上のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出するアライメントシステム５の顕微鏡５Ａ〜５Ｆの検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６との位置関係（ベースライン量）を計測する処理である。
【００７０】
また、制御装置９は、基板Ｐの露光が開始される前に、マーク検出装置で基板Ｐ上のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出し、投影領域ＰＲに対する基板Ｐの露光対象領域（ショット領域）の位置を導出する（ステップＳＴ０６）。検出結果が所期の値に対してずれている場合には、制御装置９は、当該検出結果を補正する。
【００７１】
制御装置９は、ステップＳＴ０３において設定された補正値パラメータに基づいてアライメントマークｍ１〜ｍ６の検出結果を補正する（ステップＳＴ０７）。補正値パラメータは基板ＰごとあるいはトレイＴｒごとに設定されるため、基板ＰごとあるいはトレイＴｒごとに最適な補正値で検出結果が補正されることになる。
【００７２】
次に、制御装置９は、アライメントマークｍ１〜ｍ６の補正された検出結果に基づいて基板ステージ２上の基板Ｐの位置や姿勢を調整させる（ステップＳＴ０８）。具体的には、基板ステージ２に設けられる駆動機構２０を制御し、基板ステージ２の位置や傾きを調整させる。
【００７３】
基板Ｐの位置、姿勢を調整した後、制御装置９は、基板Ｐを保持した基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、基板Ｐを露光する処理を開始する（ステップＳＴ０９）。制御装置９は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、投影システムＰＳ（投影光学系ＰＬ）の物体面側で照明領域ＩＲに対してマスクＭをＸ軸方向に移動しながら、投影システムＰＳ（投影光学系ＰＬ）の像面側で投影領域ＰＲに対して基板ＰをＸ軸方向に移動しつつ、照明システムＩＳより露光光ＥＬを射出させる。これにより、基板Ｐは、投影領域ＰＲに対してＸ軸方向に移動しながら、マスクＭ及び投影システムＰＳ（投影光学系ＰＬ）からの露光光ＥＬで露光される。このとき、制御装置９は、アライメントマークｍ１〜ｍ６の補正された検出結果に基づいて、結像特性調整装置３０を調整しても構わない。
【００７４】
基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置９は、その露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２を、露光位置ＥＰから基板交換位置ＣＰまで移動する。制御装置９は、第２搬送部材４２を用いて、基板Ｐを支持したトレイＴｒを、基板ステージ２から搬出する（ステップＳＴ１０）。制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２から、基板Ｐを支持したトレイＴｒを搬出する。基板Ｐは、トレイＴｒとともに、基板ステージ２から搬出される。
【００７５】
以上のステップにより、露光装置ＥＸにおける１ロットの基板Ｐに対しての処理が完了する。露光装置ＥＸにおいて、同一ロットは同一のマスクＭを用いて露光される複数の基板Ｐのグループを含む。また、少なくとも同一ロットにおいては、同一の露光レシピの下で、基板Ｐの搬入処理（搬送処理及び載置処理を含む）、露光処理及び搬出処理が実行される。
【００７６】
露光後の基板Ｐは、露光装置ＥＸより外部装置ＥＡに搬送され、当該外部装置ＥＡにおいて、例えば基板Ｐ（感光剤）を現像する処理（ステップＳＴ１１）や基板Ｐを成膜する処理（ステップＳＴ１２）が行われる。以下、同一ロットにおいて、上記の各処理が繰り返される。
【００７７】
露光装置ＥＸにおいては、１つのロットの処理が終了するとマスクＭが交換され、上記各基板Ｐに対して２回目の搬送処理、載置処理及び露光処理が行われる。２回目以降の処理においては、例えばマスクＭの交換に伴い、前回処理時に用いた露光レシピとは異なる露光レシピの下で基板Ｐの搬入処理、露光処理及び搬出処理が行われる。また、２回目以降の露光処理においては、１回目の露光処理を行った露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６に対して重ねて露光処理が行われる。
【００７８】
このような２回目以降の処理においても、制御装置９は、１回目の処理と同様に基板Ｐ及びトレイＴｒのうち少なくとも一方の識別情報を取得し、当該識別情報に基づいて各処理パラメータを設定し、設定した処理パラメータに基づいて露光処理、搬送処理及び載置処理を行うようにする。
【００７９】
基板Ｐに露光処理及び外部装置ＥＡによる処理を行う場合、例えば外部装置ＥＡの条件に僅かなムラ（加熱機構の温度ムラなど）があると、基板Ｐごとに異なる変形を生じる場合がある。また、露光装置ＥＸにおいても、例えば基板Ｐの搬送に用いるトレイＴｒごとに固有の変形や歪みなどが生じる場合がある。このため、同一の露光レシピを用いて画一的に補正するようにしたのでは、基板Ｐ及びトレイＴｒの個々の変形や歪みなどに対応することが困難となり、基板Ｐに対する処理精度が低下する可能性がある。
【００８０】
これに対して、本実施形態では、基板Ｐ及びトレイＴｒのうち少なくとも一方を識別し、識別結果に基づいて露光処理、搬送処理及び載置処理を行うこととしたので、個々の基板ＰあるいはトレイＴｒに応じた露光処理、搬送処理及び載置処理を行うことができる。これにより、基板ＰやトレイＴｒに個々の変形などが生じた場合であっても、当該個々の変形に応じた補正が行うことができるため、基板Ｐに対する処理精度を向上させることができる。
【００８１】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態では、基板Ｐ及びトレイＴｒの両方の識別情報を取得するようにしたが、これに限られることは無く、基板Ｐの識別情報及びトレイＴｒの識別情報のうちいずれかい一方のみを取得するようにしても構わない。また、外部装置ＥＡにおいて識別情報を取得しておき、通信装置９０及び通信装置９１を介して制御装置９に識別情報を送信する構成としても構わない。
【００８２】
また、上記実施形態の露光システムＳＹＳは、露光装置ＥＸは制御装置９により、外部装置ＥＡは制御装置８０により、それぞれ制御される構成としたが、これに限られることは無く、例えば露光装置ＥＸ及び外部装置ＥＡを統括的に制御する主制御装置を有する構成とし、当該主制御装置の制御の下で一連の処理が行われるようにしても構わない。この場合、識別情報の通信は当該主制御装置において行われるようにしても構わない。
【００８３】
また、上記実施形態において、２回目以降の処理時に識別情報を取得する際、１回目の処理時の識別情報を取得する手法と同様の手法で行うこととしたが、これに限られることは無い。例えば、２回目以降の処理においては、制御装置９はアライメントシステム５により検出結果に基づいて、基板Ｐの識別情報を取得することもできる。
【００８４】
具体的には、まず２回目の処理を行う基板Ｐのアライメントマークｍ１〜ｍ６の検出結果と、１回目の検出結果とを比較する。２つの検出結果に差が生じている場合には、制御装置９は当該検出結果に基づいて、基板Ｐの変形の直交度成分や非線形成分を算出する。当該直交度成分及び非線形成分については、予め複数の閾値を求めておき記憶装置１０などに記憶させておくようにする。また、この場合には各閾値に対応する処理パラメータを複数設定しておき、同様に記憶装置１０などに記憶させておくようにする。このようにすることで、制御装置９は、算出結果に応じて処理パラメータを選択することができる。
【００８５】
また、上記実施形態においては、制御装置９で設定される処理パラメータとして、補正値パラメータ、載置速度パラメータ、排気速度パラメータ、搬送速度パラメータを挙げて説明したが、これに限られることは無く、露光装置ＥＸあるいは外部装置ＥＡの他の動作における処理パラメータを設定する構成としても構わない。このような処理パラメータとしては、例えば露光装置ＥＸのマスクステージ１の移動速度や、基板ステージ２の移動速度に関する処理パラメータなどが挙げられる。
【００８６】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８７】
なお、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８８】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００８９】
また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【００９０】
露光装置ＥＸの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９１】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【００９２】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【００９３】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。
【００９４】
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板（感光剤）を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、ステップ２０４では、感光剤を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層（現像された感光剤の層）を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。
【００９６】
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００９７】
ＳＹＳ…露光システム  ＥＸ…露光装置  Ｍ…マスク  Ｐ…基板  Ｐｍ…基板識別用マーク  Ｔｒ…トレイ  Ｔｍ…トレイ識別用マーク  ｍ１〜ｍ６…アライメントマーク  ＰＳ…投影光学システム  ２…基板ステージ  ５…アライメントシステム  ５Ａ〜５Ｆ…顕微鏡  ９…制御装置  １０…記憶装置  １５…中継部  １７…トレイ識別センサ  １８…基板識別センサ  ２０、４３、４４…駆動機構  ２１…排気機構  ３０…結像特性調整装置  ４１…第１搬送部材  ４２…第２搬送部材  ＥＡ…外部装置  ９０、９１…通信部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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