(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状又は円盤状の金属製の基材を両面から荷重を掛けた状態で支持して前記基材にアニールを施すことにより歪みを除去する工程と、
前記アニールを施した基材の少なくとも外周部をダイヤモンド粉末によってスクラッチする工程と、
前記ダイヤモンド粉末によってスクラッチした基材の外周部にダイヤモンド粒子を成長させる工程と、
を含むダイヤモンドブレードの製造方法。
【請求項２】
前記基材が、モリブデン、タンタル、又はモリブデンもしくはタンタルを含む合金で構成されている請求項１に記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
【請求項３】
前記基材にアニールを施す工程を、水素プラズマ中で行う請求項１又は請求項２に記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
【請求項４】
前記ダイヤモンド粒子を成長させる工程を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって行う請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
【請求項５】
前記ダイヤモンド粉末によってスクラッチする工程を、前記基材を前記ダイヤモンド粉末を含む媒体中で超音波処理することによって行う請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンドブレード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
硬質材料、脆性材料、延性材料、樹脂材料等の機械加工が難しい材料（難加工性材料）を切削あるいは切断するための加工工具として、セラミックス等の基材を用い、刃先部にダイヤモンドを設けたダイヤモンドブレードが利用されている。
このようなダイヤモンドブレードとしては、例えば、ダイヤモンド粒子をリング状の基材（支持体）の外周に樹脂によって接着固定したもの、ニッケル等で電着固定したもの、基材の外周にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ)を形成し、ＤＬＣにダイヤモンド粒子を埋設したものなどが提案されている（例えば特許文献１、２参照）。
【０００３】
また、ＬＥＤを製造するためのサファイア基板に対し、レーザーによって溝入れ加工を行った後、溝入れによって厚みが薄くなった部分に沿って破断して個片化することが提案されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１２７０２３号公報
【特許文献２】特開２００６−３０５７０７号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  日本版  ２００９年１１月号（http://www.sijapan.com/issue/2009/11/lo86kc000000lop6.html）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
合成したダイヤモンドを粉砕してダイヤモンド粒子を作製した場合、特に硬さで比較すると、例えば、天然ダイヤモンドがビッカース硬度Ｈｖ１００００に対して、粉砕された合成ダイヤモンドはＨｖ４０００〜５０００と非常に低い。このような粉砕したダイヤモンド粒子を環状のセラミックス基材の外周部に樹脂や電着により固定してダイヤモンドブレードを作製し、例えば半導体ウエーハ用の炭化珪素（ＳｉＣ）基板の切断又は切削加工に用いた場合、加工速度が遅い、ダイヤモンド粒子が脱落し易くブレードの寿命が短い、切削溝の両側に欠け（チッピング）が生じ易い、切削溝の幅が大きくなり易い、といった問題がある。
【０００７】
一方、基板をレーザーで加熱して切断する場合、装置コストが高くなるほか、特にＳｉＣやサファイアは特に伝熱性が高いため、レーザー照射された箇所の周囲は極めて高温となり、デバイス性能を悪化させるおそれがある。また、レーザーによって切断加工を行う場合、切断箇所に沿って数回にわたってレーザーを走らせる結果、ダイヤモンドブレードによって切断する場合に比べて溝幅が広くなり易い。
【０００８】
本発明は、炭化珪素等の硬質材料の基板を切削又は切断する際に、チッピングの発生を抑制しつつ細い溝幅でも高精度に加工することができる長寿命のダイヤモンドブレード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、以下のダイヤモンドブレードの製造方法が提供される。
＜１＞  環状又は円盤状の金属製の基材を両面から荷重を掛けた状態で支持して前記基材にアニールを施すことにより歪みを除去する工程と、前記アニールを施した基材の少なくとも外周部をダイヤモンド粉末によってスクラッチする工程と、前記ダイヤモンド粉末によってスクラッチした基材の外周部にダイヤモンド粒子を成長させる工程と、を含むダイヤモンドブレードの製造方法。
＜２＞  前記基材が、モリブデン、タンタル、又はモリブデンもしくはタンタルを含む合金で構成されている＜１＞に記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
＜３＞  前記基材にアニールを施す工程を、水素プラズマ中で行う＜１＞又は＜２＞に記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
＜４＞  前記ダイヤモンド粒子を成長させる工程を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって行う＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
＜５＞  前記ダイヤモンド粉末によってスクラッチする工程を、前記基材を前記ダイヤモンド粉末を含む媒体中で超音波処理することによって行う＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載のダイヤモンドブレードの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、チッピングの発生を抑制しつつ細い溝幅で高精度に加工することができる長寿命のダイヤモンドブレード及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ダイヤモンド粒子を成長させた環状のモリブデン基材の外縁部を示す顕微鏡像である。
【図２】本発明に係るダイヤモンドブレードを製造する方法の工程の一例を示す図である。
【図３】ダイヤモンド粒子を成長させるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の構成の一例を示す概略図である。
【図４Ａ】基材の外周部にダイヤモンド粒子を成長させる際に使用する保持治具の一例を示す図である。
【図４Ｂ】基材の外周部にダイヤモンド粒子を成長させる際に使用する保持治具の他の例を示す図である。
【図５】ダイヤモンド粒子を成長させた外周部を示す顕微鏡像である。
【図６】図５のＡで示す領域を拡大して示す図である。
【図７】ダイヤモンド粒子の成長を２回行った後、図５のＡで示す領域を拡大して示す図である。
【図８】本発明に係るダイヤモンドブレードによってＳｉＣ基板を切削して形成した溝を示す顕微鏡像である。
【図９】基材の外周部にダイヤモンド粒子群を成長させた状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜ダイヤモンドブレード＞
本発明に係るダイヤモンドブレードは、環状又は円盤状の金属製の基材と、前記基材の少なくとも外周部に成長させたダイヤモンド粒子群と、を含んで構成されている。
【００１３】
図１は、本発明に係るダイヤモンドブレードの一例を示すレーザー顕微鏡像である。このダイヤモンドブレードは、環状のモリブデン基材（適宜、「Ｍｏリング」と記す。）の外周部に１μｍ〜１０μｍ程度の粒径を有する多結晶のダイヤモンド粒子群が成長して配置されている。このようにＭｏリングの外周部表面にダイヤモンド粒子群を成長させたダイヤモンドブレードであれば、ダイヤモンド粒子は粉砕に起因する亀裂が無く、硬度が非常に高いため、ＳｉＣ等の硬質材料の切削又は切断に用いても効率良く加工することができ、チッピングの発生を効果的に抑制することができる。また、ダイヤモンド粒子はＭｏリングとの密着性が高く、脱落し難いため長期間にわたって使用することができる。さらに、ダイヤモンド粒子群は樹脂等を介さずにＭｏリングの表面に直接形成されているため、細い溝幅で溝加工することができる。
【００１４】
−基材−
本発明に係るダイヤモンドブレードを構成する基材は、外周が円形である円盤状又は環状のものを採用することができるが、材料コスト、既存のダイシング装置への取り付けなどの点から環状の基材であることが好ましい。
【００１５】
基材は、例えば、モリブデン又はタンタルから構成されている。基材がモリブデン又はタンタルから構成されていれば、ブレードの支持体としての機械的強度を有するとともに、基材の表面にダイヤモンド粒子を高い密着強度で成長させることができる。なお、基材はモリブデン又はタンタルを含む合金など、モリブデン又はタンタルの含有量が最も多ければ他の成分が含まれたものでもよいが、機械的強度及びダイヤモンド粒子の成長の観点からモリブデンの組成が１００％に近いほど好ましい。
【００１６】
基材の厚みは特に限定されないが、ブレードとしての機械的強度を有するとともに、研削幅を狭くする観点から、外周部における厚みは２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【００１７】
また、基材の外径は、ブレードとしての取扱性、製造コストの抑制、一般的なダイシング装置への適合性などの観点から、２ｃｍ以上２０ｃｍ以下であることが好ましく、２ｃｍ以上５．５ｃｍ以下であることがより好ましい。
【００１８】
−ダイヤモンド粒子群−
ブレードの刃先部となる基材の外周部には、基材の外周部表面に成長させた多結晶のダイヤモンド粒子群が強固に密着して配置されている。
なお、本明細書において、成長したダイヤモンド粒子群が配置されている基材の外周部とは、外縁部（端面）と、外縁部に沿った両面の内側領域を意味する。被加工物を切断する際、ブレードの両側でチッピングの発生を抑制する観点から、好ましくは外縁（エッジ部）から１ｍｍ以上、より好ましくは３ｍｍ以上の内側領域までダイヤモンド粒子群が配置されていることが望ましい。
【００１９】
ダイヤモンド粒子群を構成するダイヤモンド粒子の粒径は、加工対象にもよるが、ＳｉＣウエーハの切断用のダイヤモンドブレードとする場合は、切削性能を確保するとともに効率的に切断し、かつ、チッピングの発生を効果的に抑制する観点から、平均粒径が好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。
なお、ダイヤモンド粒子の粒径は、レーザー顕微鏡によって測定した値から求められる。具体的には、ダイヤモンド粒子を成長させた基材をレーザー顕微鏡（倍率：１０００倍）で観察したときに、各ダイヤモンド粒子を囲む最小の円の直径（すなわち、最大差し渡し径）がそのダイヤモンド粒子の粒径である。平均粒子径は、基材の外周部に成長したダイヤモンド粒子についてそれぞれの最大長を測定し、任意に抽出した１００個の値から算出される平均値である。
【００２０】
なお、ダイヤモンド粒子群の厚みは、高い切削能力を達成する観点から、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００２１】
＜ダイヤモンドブレードの製造方法＞
次に、本発明に係るダイヤモンドブレードの製造方法について説明する。なお、以下の製造方法は一例であり、本発明に係るダイヤモンドブレードの製造は、以下の製造方法に限定されるものではない。
図２は、本発明に係るダイヤモンドブレードの製造方法の一例の工程を示している。
【００２２】
本発明に係るダイヤモンドブレードの製造方法は、環状又は円盤状の金属製の基材にアニールを施すことにより歪みを除去する工程と、前記アニールを施した基材の少なくとも外周部をダイヤモンド粉末によってスクラッチする工程と、前記ダイヤモンド粉末によってスクラッチした基材の外周部にダイヤモンド粒子を成長させる工程と、を含む。
【００２３】
（Ａ）アニール工程
まず、金属製の基材にアニールを施すことにより歪みを除去する。
ダイヤモンドブレードの支持体となる基材は、前記したように、好ましくはモリブデンもしくはタンタル又はモリブデンもしくはタンタルを含む合金が使用され、特にモリブデンが好ましい。基材の形状、外径、厚みは前記した通りである。なお、基材の厚みが薄過ぎると、アニールによって基材が高温に曝されたときに反りが生じ易くなる観点からも、２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
基材をアニールする条件は、基材の材質や厚みなどにより異なるが、例えば、水素プラズマ中、１０５５℃以上１２７０℃以下の温度で、５分間以上アニールを施す。アニール時間の上限は限定されないが、生産性の観点から１０分以下であることが好ましい。
このような条件下で基材にアニールを施すことによって、歪みが除去され、後のダイヤモンド粒子成長工程における基材の変形（反り、歪みなど）が抑制されることになる。また、アニール中の雰囲気は酸化膜や窒化膜などのダイヤモンド粒子の成長を阻害する薄膜の形成が抑制されれば特に限定されないが、水素プラズマ中であれば、酸化膜や窒化膜などのダイヤモンド粒子の成長を阻害する薄膜の形成を抑制して基材をアニールすることができる。なお、アニール処理を施す際にも基材の変形（反り、歪みなど）を抑制するため、基材の両面から荷重を掛けた状態で支持することが好ましい。
【００２５】
アニール工程では、基材の歪みを除去してダイヤモンド粒子の成長工程において基材の変形をより効果的に抑制すること、また、基材の融点未満の温度とすることなどの観点から、１０５５℃以上１２７０℃以下の温度で５分間以上１０分間以下のアニールを施すことが好ましい。
【００２６】
（Ｂ）ダイヤモンド粉末によるスクラッチ工程
次に、アニールを施した基材の少なくとも外周部をダイヤモンド粉末（微粒子）によってスクラッチ（種付け）する。
スクラッチに使用するダイヤモンド粉末の粒径は、基材に付着したダイヤモンド粉末の成分を種として次の工程でダイヤモンド粒子を確実に成長させる観点から、好ましくは０．５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００２７】
ダイヤモンド粉末で基材の外周部をスクラッチする方法は特に限定されないが、基材をダイヤモンド粉末を含む媒体中で超音波処理することによって行うことが好ましい。このような方法であれば、基材の外周部をダイヤモンド粉末で容易に且つ確実にスクラッチすることができ、スクラッチに用いたダイヤモンド粉末の成分を起点として成長したダイヤモンド粒子は基材の外周部に強固に付着し、ＳｉＣ基板等の硬質材料の切削時に大きな負荷がかかっても脱落し難い。
ダイヤモンド粉末によるスクラッチ時の超音波処理に用いる溶媒としては、例えば、アルコール、アセトン等が挙げられる。
なお、基材の外周部をスクラッチする方法は上記のような超音波処理に限定されず、例えば、ダイヤモンド粉末を基材の外周部にこすりつけてスクラッチしてもよい。
【００２８】
（Ｃ）ダイヤモンド粒子成長工程
次に、ダイヤモンド粉末でスクラッチした基材の外周部にダイヤモンド粒子を成長させる。
ダイヤモンド粒子の成長は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって行うことが好ましい。
使用するマイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、マイクロ波導波管と、プラズマ発生用ガス導入口を有し、マイクロ波励起によるプラズマ放電室とを備えていれば特に限定されず、例えば図３に示すような構成を有する装置１０を用いることができる。この装置１０は、チャンバー１２内に、支持台（ホルダ）１８と、支持台１８の上方に設けられたガス導入口１４と、支持台１８の下方に設けられた排気口１６を有している。
支持台１８は、複数のガス導入口１４からチャンバー１２内に導入された原料ガスが基材３０表面に均一に流れるようにチャンバー１２内の略中央に配置されている。また、支持台１８は基材３０を加熱するための加熱手段（ヒータ）を有し、支持台１８を支持する支柱２０は内部で水が循環して水冷する機能を備えている。
【００２９】
また、チャンバー１２の上方にはマイクロ波発生手段２２が設けられている。マイクロ波出力はプラズマ領域に影響を与え、出力を大きくすることで、比較的大きな面積を有する基材３０を用いても基材３０の外周部全体に多結晶ダイヤモンド粒子を成長させることができる。
【００３０】
このようなマイクロ波プラズマＣＶＤ装置１０を用いてダイヤモンド成長を行う際、基材の変形を抑制するため、ダイヤモンド粉末でスクラッチした基材の外周部を露出させるとともに両面から荷重を掛けた状態で支持することが好ましい。
例えば、図４Ａに示すように、円形状の収容部１９を有する支持台１８において、Ｍｏ製の上下の保持部材（敷き板３２、重し板３４）の間にＭｏリング３０を挟み込むように配置する。このとき、Ｍｏリング３０の上面の外周部は重し板３４から露出させる。
【００３１】
また、図４Ａに示すように放射温度計３６を用い、重し板３４及び支持台１８の温度を測定することで、Ｍｏリング３０の温度を見積もることができる。
ダイヤモンド粒子を効率的に成長させる観点から、基材３０の表面温度は、好ましくは８５０℃以上９５０℃以下である。
図４Ｂは、基材の両面を支持するための治具の他の例を示している。この治具４０では、モリブデン製の敷き板（下板）４２と重し板（上板）４４の中央部付近にそれぞれネジ穴４２Ａ，４４Ａが対向して設けられている。Ｍｏリング３０の外周部が露出するように敷き板４２と重し板４４との間にＭｏリング３０を挟み込んだ状態でネジ部材４６により一体化することで、Ｍｏリング３０の両面が高い荷重が掛かった状態で強固に保持される。この状態でダイヤモンド粒子を成長させることで、Ｍｏリング３０の変形をより確実に抑制することができる。
また、重し板４４の上面からネジ部材４６が露出せず、重し板４４の上面を半円形又は半楕円形など滑らかな曲面とすることでプラズマの集中が抑制され、Ｍｏリング３０の外周部にダイヤモンド粒子を略均等に成長させることができる。
なお、このような構成の保持治具４０は、アニール工程で用いてもよい。Ｍｏリング３０を治具４０で強固に保持してアニールすることで基材３０の変形を効果的に抑制することができる。
【００３２】
Ｍｏリング３０を支持台１８上に配置した後、ガス導入口１４から原料ガスを流してプラズマを発生させて温度を上昇させ、基材３０の温度が所定の温度（例えば９００℃）となるよう圧力、マイクロ波出力等を調整する。ここで、原料ガスとしては、メタン及び水素をそれぞれ一定の割合で含む混合ガスを用いる。
【００３３】
水素ガスは、キャリアーガス、基材のエッチング、成長粒子のエッチング、微細粒子の成長抑制、メタン分子のプラズマ化の促進などに寄与する。水素濃度が低過ぎると、極微細粒子の成長が顕著となって目詰まりが生じ易くなるとともに、ダイヤモンド粒子の先端の欠けが発生し易いなどの問題が生じる。一方、水素濃度が高過ぎると、成長したダイヤモンドに対するエッチング速度が速くなり、極微細粒子の成長が抑制される反面、切削に寄与し易い１μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有するダイヤモンド粒子の成長も抑制されたり、ダイヤモンド粒子のエッジが平坦となって研削能力が低下するおそれがある。
【００３４】
本発明者は、原料ガス濃度について実験を繰り返して研究した結果、原料ガス中の各成分の濃度（流量比）は、好ましくはメタンを１％〜１０％、水素を９０％〜９９％、より好ましくはメタンを１％〜５％、水素を９５％〜９９％の範囲でそれぞれ含む原料ガスを用いてマイクロ波プラズマＣＶＤを行うことで、粒径のばらつきが小さいダイヤモンド粒子を効率的に成長させることができることを見出した。
【００３５】
チャンバー１２内の圧力は、投入ガス量に影響し、目標とするダイヤモンド粒子の粒径及び数密度（占有率）にもよるが、例えば５０〜２００Ｔｏｒｒに設定する。
【００３６】
マイクロ波出力は、チャンバー１２の大きさ等によって異なるが、例えば、３〜５ｋＷに設定する。
【００３７】
処理時間（成長時間）も目標とするダイヤモンド粒子の粒径及び数密度（占有率）にもよるが、例えば、片面につき０．５時間〜８時間、すなわち両面で１時間〜１６時間程ダイヤモンド成長を行うことで、粒径が１〜１０μｍ程度のダイヤモンド粒子群が密に形成される。
ダイヤモンド粒子の成長工程では、Ｍｏリング３０の片面の外周部にダイヤモンド粒子を成長させた後、Ｍｏリング３０を裏返した状態で再度治具４０で保持し、再度ダイヤモンド粒子を成長させればよい。これにより、図９に示すように、Ｍｏリング３０の外周部の両側にダイヤモンド粒子群５０が形成される。
【００３８】
上記のようにして基材３０の両面の外周部にダイヤモンドを成長させることで、図１に示したように、１μｍ以上１０μｍ以下の平均粒径を有するダイヤモンド粒子群が形成されたダイヤモンドブレード（ダイヤモンドカッター）を得ることができる。
得られたダイヤモンドブレードは、例えば回転軸に固定し、これをダイシング装置にセットしてＳｉＣ基板、サファイア基板などの切削や切断に好適に使用することができる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４０】
＜実施例１＞
−アニール−
モリブデン製のリング（外径５２ｍｍ、厚さ５０μｍ）を用意し、以下の条件でアニール処理を行った。
雰囲気：水素プラズマ
温度：１０５５〜１２７０℃（リング内で温度ムラ有り）
時間：５分間
【００４１】
−スクラッチ−
アニール後、Ｍｏリングにダイヤモンド粉末でスクラッチを行った。イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）２０ｍｌにダイヤモンドパウダー（品名：「０−２」、粒径：０．９μｍ）を０．３ｇ加え、これにＭｏリングを浸して超音波洗浄（２０分間）を行った。
【００４２】
−ダイヤモンド成長−
試料ホルダへ直接Ｍｏリングを設置し（敷板・重し板無し）、以下の条件でダイヤモンド粒子を成長させた・
マイクロ波出力：５ｋＷ
チャンバー内圧力：６０Ｔｏｒｒ
原料ガス（ｓｃｃｍ）：Ｈ２：ＣＨ４＝５００：１０
基材温度：９００℃以下
合成時間：３０分間（片面）
合成平均速度：０．３μｍ／ｈｒ
【００４３】
上記のようにＭｏリングの外周部に合成したダイヤモンド粒子をレーザー顕微鏡で観察すると、ダイヤモンド粒子が付着し、Ｍｏリングはダイヤモンド合成後も弾性を維持していた。また、ダイヤモンド粒子の平均粒径は、１０μｍであった。
【００４４】
図５は、ダイヤモンド粒子を成長させたＭｏリングの外周部付近を撮影したレーザー顕微鏡像である。図６は、図５のＡで示す領域を拡大して示す図であり、図７は、ダイヤモンド粒子の成長を２回行った後、図５のＡで示す領域を拡大した図である。Ｍｏリングの外周部にダイヤモンド粒子群が密集して形成されていることがわかる。
【００４５】
−切削評価−
得られたダイヤモンドブレードをダイシング装置（東京精密社製、品名：オートマチックダイシングマシン  ２５００Ａ／Ｔ型）にセットし、以下の条件によりＳｉＣ基板（直径：３インチ、厚さ：３５０μｍ）を切削した。
ブレード回転数：３万ｒｐｍ
送り速度：１ｍｍ／秒
カットモード：ダウンカット
切り込み深さ：１回当たり０．１ｍｍ
ＳｉＣウエーハを上記加工条件で長さ１０ｍｍの切削試験を合計５回行った（０．１ｍｍ×１を１回、０．１×２を２回、０．１ｍｍ×３を２回）。
【００４６】
切削溝を顕微鏡で観察したところ、図８に示すように切削回数が増えるにつれてチッピングの発生が大きく減った。約６０μｍ幅の切削溝が形成され、チッピングの発生はほとんど無かった。
実施例１のダイヤモンドブレードでは、Ｍｏ基材の外周部に比較的大きなダイヤモンド粒子も成長していたが、巨大な粒子は初期の研削で脱落し、切削に有効なダイヤモンド粒子が相対的に増えることでチッピングの発生が抑制されたと考えられる。
また、１００回切削を行っても、巨大なダイヤモンド粒子以外はほとんど脱落せず、切削能力はほとんど低下しなかった。
【００４７】
以上、実施形態及び実施例を説明したが、本発明に係るダイヤモンドブレード及びその製造方法は、上記実施形態及び実施例に限定されるものではない。
例えば、本発明に係るダイヤモンドブレードを用いた被加工物はＳｉＣ基板に限定されず、例えばサファイア基板に対しても好適であり、他の難加工性材料の切削加工に用いてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０  マイクロ波プラズマＣＶＤ装置
１２  チャンバー
１４  ガス導入口
１６  排気口
１８  支持台（試料ホルダ）
２０  支柱
２２  マイクロ波発生装置
３０  基材（リング）
【図２】
0005441738.tif 000002
【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図１】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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