(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブラックマトリクスと、
ゲート信号線と、
ソース信号線と、
複数の画素と、を有し、
前記画素は、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された導電層と、
前記導電層上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の透光性を有する画素電極と、を有し、
前記絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールにて、前記導電層と前記画素電極は電気的に接続され、
前記ブラックマトリクスは、
前記複数の画素が有する複数の画素電極と重なる領域と、を有し、
前記ブラックマトリクスは、
開口部を有する第１の遮光層と、
前記ゲート信号線と重なる第２の遮光層と、を有し、
前記第１の遮光層と前記第２の遮光層は、独立して設けられ、
前記第１の遮光層は、前記コンタクトホールの縁と重なる領域を有し、
前記第２の遮光層は、前記複数の画素が有する複数の画素電極の間と重なる領域を有し、
前記開口部内にカラーフィルタを有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の能動素子を用いたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置が知られている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は画素密度を高くす
ることが可能であり、小型軽量で、しかも低消費電力であることから、ＣＲＴに代わるフ
ラットパネルディスプレイの一つとして、パーソナルコンピューターのモニター、液晶テ
レビ、カーナビゲーションのモニターなどの製品が開発されている。
【０００３】
液晶表示装置は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や配線の他、第１の電極（画素電
極）等を含む画素部が形成された基板（アクティブマトリクス基板）と、第２の電極（対
向電極）、遮光層（ブラックマトリクス）、及び着色層（カラーフィルター）等が形成さ
れた基板（対向基板）とを貼り合わせ、これらの間に液晶を封入し、画素電極と対向電極
との間に印加される電界によって液晶分子を配向させ、光源からの光量を制御することに
よって表示が行われている。
【０００４】
液晶表示装置において表示させる際、液晶分子の配向が乱れると高精細な画像表示がで
きない。液晶分子の配向を揃えるために、画素電極と対向電極との間の距離（セルギャッ
プ）を均一化（平坦化）する必要がある。その方法としては、例えば、平坦化膜として、
塗布法などにより絶縁膜を形成する方法がある（特許文献１参照）。特許文献１に記載さ
れた有機膜は、平坦化を目的とした有機絶縁膜であり、アクリル系透明有機膜である。図
面等からわかるように、有機膜を用いた場合、有機膜の膜厚が厚いため、コンタクトホー
ルが深くなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３０５５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されているように、平坦化のために用いる層間膜の膜厚は比較的厚い
ものとなる。層間膜の膜厚が厚いと、画素電極と薄膜トランジスタとを電気的に接続する
配線を形成するためのコンタクトホールが深くなってしまう。コンタクトホールが深くな
ると、必然的に画素電極と対向電極との間の距離（セルギャップ）も長くなる。従って、
コンタクトホールが形成された箇所では、層間膜の膜厚の分だけ液晶層の厚さが厚くなる
ため、コンタクトホールが形成された箇所と形成されていない箇所とでは、液晶層の厚さ
が大きく異なる。すなわち、コンタクトホールが形成された箇所周辺では液晶分子の配向
乱れが起きやすい状態となっている。特に、コンタクトホールの縁では層間膜が傾斜して
いるため、液晶分子の配向が最も乱れやすくなっている。液晶分子の配向が乱れると、液
晶ディスプレイでは色むらが生じてしまう。
【０００７】
そこで、本発明では、色むらを解消し、視認性が高く、高画質の液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
また、本発明では、色むらを解消し、かつ、開口率の高い高画質の液晶表示装置を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続した
導電層と、導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、導電層及びコンタ
クトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して導電層と電気的に接
続した画素電極と、少なくともコンタクトホールの縁と重なる領域に設けられた遮光層と
、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続した
導電層と、導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、導電層及びコンタ
クトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して導電層と電気的に接
続した画素電極と、開口部を有する着色層と、を有し、着色層の開口部は、少なくともコ
ンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする。
【００１１】
本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続した
導電層と、導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、導電層及びコンタ
クトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して導電層と電気的に接
続した画素電極と、開口部を有する着色層と、少なくともコンタクトホールの縁と重なる
領域に設けられた遮光層と、を有し、着色層の開口部は、少なくともコンタクトホールの
縁と重なる領域に設けられることを特徴とする。
【００１２】
上記構成において、遮光層は、遮光性の金属膜、顔料または染料を分散させた樹脂膜で
あることを特徴とする。
【００１３】
上記構成において、絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の液晶表示装置は、液晶分子の配向が乱れている部分を表示部として機能させな
いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の液晶表示装置において、コンタクトホールを隠すように選択的に遮光層が形成
されており、色むらのないディスプレイを提供することができる。
【００１６】
本発明の液晶表示装置において、コンタクトホール部分の液晶分子の配向乱れを反映さ
せないように選択的にカラーフィルターを除去するため、色むらのないディスプレイを提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態２を説明する図。
【図２】実施の形態２を説明する図。
【図３】実施の形態３を説明する図。
【図４】実施の形態３を説明する図。
【図５】実施の形態４を説明する図。
【図６】実施の形態４を説明する図。
【図７】実施の形態２を説明する図。
【図８】実施の形態６を説明する図。
【図９】本発明に適用できる薄膜トランジスタの一例を示す図。
【図１０】本発明を用いた液晶表示装置。
【図１１】本発明を用いた液晶表示装置の駆動回路。
【図１２】本発明を用いた液晶表示装置。
【図１３】本発明を用いた液晶表示装置を備えた電子機器。
【図１４】実施の形態１１を説明する図。
【図１５】実施の形態５を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の一態様について図面等を用いながら詳細に説明する。ただし、本発明
は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱す
ることなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される
。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明を用いた液晶表示装置の構成について説明する。
【００２０】
液晶分子の配向が乱れている部分を表示部として機能させない方法は、大きく分けて２
つある。１つは、液晶分子の配向が乱れている部分を隠すように遮光層を設ける構成であ
る。もう１つは、液晶分子の配向が乱れている部分にカラーフィルターを設けない構成で
ある。
【００２１】
液晶分子の配向が乱れている部分を隠すように遮光層を設ける構成としては、丸型とド
ーナツ型とがある。丸型とはコンタクトホール全体を覆う構成であり、ドーナツ型とはコ
ンタクトホールの中心部分を除いた部分を遮光層で覆う構成である。ドーナツ型では、少
なくともコンタクトホールの縁を覆う形状が好ましい。なお、コンタクトホールの縁とは
、コンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域を指す。
【００２２】
遮光層を丸型に形成した場合、コンタクトホール全体を覆っているため、液晶分子の配
向が乱れた部分全体を隠すことができる。この構成とすることにより、色むらがなく、か
つ開口率の高いディスプレイを作製することができる。また、この丸型の遮光層は、配線
部分に遮光層を形成する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加
もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００２３】
遮光層をドーナツ型に形成した場合、コンタクトホールの縁、すなわちコンタクトホー
ルのうち絶縁膜が傾斜している領域を覆っているため、液晶分子の配向が最も乱れやすい
部分であるコンタクトホールの縁の配向乱れを隠すことができる。コンタクトホールの縁
以外の部分では、液晶層の厚さの変化がほとんどないため、その部分では液晶分子の配向
は乱れないと考えられる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ開口率の高い
ディスプレイを作製することができる。また、このドーナツ型の遮光層は、配線部分に遮
光層を形成する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、
複雑なプロセスを用いる必要もない。なお、本明細書では、遮光層の形状を「丸型」「ド
ーナツ型」と記載しているが、コンタクトホールの形状に合わせて適宜変更することがで
きる。すなわち、コンタクトホールを覆うという意図で設けてあればどのような形状であ
ってもよく、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００２４】
液晶分子の配向が乱れている部分にカラーフィルターを設けない構成としては、丸型と
ドーナツ型とがある。丸型とはコンタクトホール全体の上部にカラーフィルターを設けな
い構成であり、ドーナツ型とはコンタクトホールの縁、すなわちコンタクトホールのうち
絶縁膜が傾斜している領域の上方にカラーフィルターを設けない構成である。
【００２５】
カラーフィルターを丸型に除去する場合、コンタクトホール全体にカラーフィルターが
存在しないため、液晶層の厚さが大きく異なり、液晶分子の配向が乱れた部分を反映させ
ない構成になる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ開口率の高いディスプ
レイを作製することができる。また、カラーフィルターを丸型に除去する構成は、工程数
の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００２６】
カラーフィルターをドーナツ型に除去する場合、コンタクトホールの縁、すなわちコン
タクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域のカラーフィルターを除去する。コンタク
トホールの縁以外の部分では、液晶層の厚さの変化がほとんどないため、その部分では液
晶分子の配向は乱れないと考えられる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ
開口率の高いディスプレイを作製することができる。また、カラーフィルターをドーナツ
型に除去する構成は、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。なお、
本明細書では、カラーフィルターの形状を「丸型」「ドーナツ型」と記載しているが、コ
ンタクトホールの形状に合わせて適宜変更することができる。すなわち、コンタクトホー
ルと重なる領域のカラーフィルターを除去するという意図で除去してあればどのような形
状であってもよく、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００２７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、選択的に遮光層を形成した液晶表示装置について、図１及び図２を
用いて説明する。
【００２８】
図１（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。ア
クティブマトリクス基板は、基板上に、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに電気的に
接続した配線層、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス
基板と貼り合わせる対向基板は、基板上に、遮光層、対向電極、配向膜等が形成されてい
る。図１（Ｂ）においては、ゲート線１５１、ソース線１５２、コンタクトホール１０３
、薄膜トランジスタの半導体層１５４、第１の遮光層１０８、及び第２の遮光層１０９の
みを図示し、それ以外は省略した。
【００２９】
図１（Ｂ）に示したように、遮光層として、ゲート線１５１及びソース線１５２に対応
する領域に形成される第１の遮光層１０８と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイ
ン領域のコンタクトホール１０３に対応する領域に形成される第２の遮光層１０９が形成
される。
【００３０】
図１（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図１（Ｂ）のＡ−Ａ’で切
った断面図である。本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成について以下に説明
する。
【００３１】
基板１００上に薄膜トランジスタ１０１が形成されている。基板１００としては、アル
ミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（
ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに
代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。薄膜トランジスタ１０１は
、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良
いが、図１（Ａ）ではチャネルエッチ型トランジスタを図示した。
【００３２】
薄膜トランジスタ１０１上に絶縁膜１０２を形成し、薄膜トランジスタ１０１と電気的
に接続するためのコンタクトホール１０３を形成する。絶縁膜１０２には、有機樹脂膜、
無機絶縁膜、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を
含む絶縁膜（シロキサン系絶縁膜）を用いて形成することができる。ここで、シロキサン
とは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるものであって、置
換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられ
る。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または、置換基として、少なくと
も水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、低誘電率材料を絶縁膜に用
いてもよい。
【００３３】
なお、基板に対して垂直にコンタクトホール１０３を形成することも可能である。しか
し、後工程で画素電極１０４を形成する際のステップカバレッジを向上させるためには、
図１（Ａ）に示したように、コンタクトホール１０３の縁が傾斜するように開口すること
が好ましい。よって、本明細書においては、コンタクトホールは傾斜部を有するものとし
、その傾斜部をコンタクトホールの縁と表記する。
【００３４】
薄膜トランジスタ１０１及び絶縁膜１０２を覆うように、画素電極１０４が形成される
。画素電極１０４は、露出した薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極１０５ｂと電気的
に接続している。
【００３５】
反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極１０４として反射性を有する金属
を用いることができる。透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸
化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に
酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛
を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（Ｓ
ｎＯ２）等を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域に
は反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料（例えば、酸
化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸
化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化イン
ジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ま
たは酸化スズ（ＳｎＯ２）等）を用いることができる。
【００３６】
画素電極１０４上に配向膜１０６が形成されている。配向膜１０６には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【００３７】
次に、本実施の形態の対向基板の構成について説明する。
【００３８】
基板１０７に接して第１の遮光層１０８及び第２の遮光層１０９が形成されている。第
１の遮光層１０８は、ソース配線を覆うように形成され、ソース電極１０５ａの一部を覆
うように形成される。第２の遮光層１０９は、コンタクトホール１０３に合わせて形成さ
れる。基板１０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガ
ラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレ
ンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラ
スチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる
。第１の遮光層１０８及び第２の遮光層１０９には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ
）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックな
どの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。
【００３９】
図１（Ｂ）で示したように、遮光層としては、アクティブマトリクス基板上のゲート線
１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８と、アクティ
ブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホー
ル１０３に対応する領域に形成される第２の遮光層１０９の２つが形成される。コンタク
トホール１０３に対応する領域とは、コンタクトホール１０３と重なる領域を指す。
【００４０】
第２の遮光層１０９は、ゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成され
る第１の遮光層１０８とは独立して、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール１０
３に対応する領域に形成される。したがって、その領域は表示部として機能しないため、
コンタクトホール１０３の上層に存在する液晶分子の配向状態が乱れていても、色むらが
なく、コントラストの高い、高画質な表示装置を作製することが可能となる。
【００４１】
また、第１の遮光層１０８は、ゲート線１５１及びソース線１５２の上方に設けられて
いるが、薄膜トランジスタ全体は覆っていない。このような構成であるため、開口率の低
下を最小限に抑えることができる。
【００４２】
遮光層を第１の遮光層１０８と第２の遮光層１０９の２つに分けて形成することにより
、開口率の低下を最小限に抑えることができ、色むらがなく、コントラストの高い、高画
質な表示装置を作製することができる。
【００４３】
第２の遮光層１０９の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール１０３に
対応する領域に設けられていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形
、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００４４】
基板１０７、第１の遮光層１０８、及び第２の遮光層１０９に接して対向電極１１０が
形成されている。対向電極１１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウム
スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウ
ムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸
化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることがで
きる。
【００４５】
対向電極１１０上に配向膜１１１が形成されている。配向膜１１１には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【００４６】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との間に液晶層１１２を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ
）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメ
オトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００４７】
なお、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とした場合、図７に示したように、第２の遮
光層４０２は第１の遮光層４０１と独立して設けられることとなる。
【００４８】
図１（Ａ）及び（Ｂ）の構成に加えて、アクティブマトリクス基板側に着色層（カラー
フィルター）を形成してもよく、対向基板側に着色層（カラーフィルター）を形成しても
よい。また、着色層（カラーフィルター）を形成する場合、単色でも複数色でもよい。
【００４９】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲ
ート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタ
のソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図９（Ａ）
に示したのは、図１（Ａ）に示した構成である。図９（Ａ）では、チャネルエッチ型のト
ランジスタのソース電極又はドレイン電極６０１に画素電極６０２が接している。図９（
Ｂ）に示したのは、図９（Ａ）に示したチャネルエッチ型の薄膜トランジスタのソース電
極又はドレイン電極６１１と画素電極６１２とが、導電層６１３を介して、電気的に接続
した構成である。
【００５０】
図９（Ｃ）に示したのは、トップゲート型の薄膜トランジスタであって、薄膜トランジ
スタのソース領域又はドレイン領域６２１と画素電極６２２が接した構成である。図９（
Ｄ）に示したのは、図９（Ｃ）に示したトップゲート型の薄膜トランジスタのソース領域
又はドレイン領域６３１と画素電極６３２とが、導電層６３３を介して、電気的に接続し
た構成である。
【００５１】
なお、図９（Ａ）〜（Ｄ）に示した薄膜トランジスタは一例である。本実施の形態では
、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを示したが、本発明に用いることができる薄
膜トランジスタはこれらに限定されず、シリコンウェハを用いたトランジスタを用いるこ
ともできる。
【００５２】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール１０３の上
部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを
作製することができる。また、第２の遮光層１０９が選択的に形成されるため、開口率の
低下を抑えることができる。また、アクティブマトリクス基板上のゲート線１５１及びソ
ース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８を形成する工程と同じプロ
セスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要も
ない。
【００５３】
また、コンタクトホール１０３のうち絶縁膜１０２が傾斜している部分に対応した領域
、すなわちコンタクトホールの縁と重なる領域に遮光層を設ける構成とすることも可能で
ある。液晶分子の配向は、絶縁膜１０２が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）で
最も乱れるからである。
【００５４】
図２（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。第
２の遮光層１２２を丸型ではなく、ドーナツ型とした点で図１（Ｂ）と異なっている。ア
クティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに電気
的に接続した配線層、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリ
クス基板と貼り合わせる対向基板としては、基板上に、遮光層、対向電極、配向膜等が形
成されている。図２（Ｂ）においては、ゲート線１５１、ソース線１５２、コンタクトホ
ール１５３、薄膜トランジスタの半導体層１５４、第１の遮光層１０８、及び第２の遮光
層１２２のみを図示し、それ以外は省略した。なお、図１（Ｂ）と共通しているものにつ
いては同様の符号を付した。
【００５５】
図２（Ｂ）に示したように、遮光層は、ゲート線１５１及びソース線１５２に対応する
領域に形成される第１の遮光層１０８と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領
域のコンタクトホール１５３のうち絶縁膜が傾斜している部分１２１に対応した領域に形
成される第２の遮光層１２２の２つが形成される。コンタクトホール１５３のうち絶縁膜
が傾斜している部分１２１に対応した領域とは、コンタクトホール１５３の縁と重なる領
域を指す。
【００５６】
図２（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図２（Ｂ）のＢ−Ｂ’で切
った断面図である。アクティブマトリクス基板の構成については、図１（Ａ）及び（Ｂ）
と同様であるため、ここでは説明を省略する。なお、図１（Ａ）と共通しているものにつ
いては同様の符号を付した。
【００５７】
対向基板の構成は以下のとおりである。基板１０７に接して第１の遮光層１０８及び第
２の遮光層１２２が形成されている。第２の遮光層１２２はアクティブマトリクス基板に
形成された絶縁膜１０２が傾斜している部分１２１に対応した領域に合わせて形成される
。なお、絶縁膜１０２が傾斜している部分１２１に対応した領域とは、コンタクトホール
の縁と重なる領域を指す。
【００５８】
基板１０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス
等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナ
フタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチ
ックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。第
２の遮光層１２２には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（Ｃ
ｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させ
た樹脂膜等）を用いることができる。
【００５９】
基板１０７、第２の遮光層１２２に接して対向電極１１０が形成されている。対向電極
１１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、イ
ンジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳ
Ｏ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００６０】
対向電極１１０上に配向膜１１１が形成されている。配向膜１１１には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【００６１】
上述の構成の対向基板と、図１（Ａ）で説明したアクティブマトリクス基板とを貼り合
わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を注入する。液晶には、強誘電
性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるよ
うな液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００６２】
図２（Ａ）及び（Ｂ）の構成に加えて、アクティブマトリクス基板側に着色層（カラー
フィルター）を形成してもよく、対向基板側に着色層（カラーフィルター）を形成しても
よい。また、着色層（カラーフィルター）を形成する場合、単色でも複数色でもよい。
【００６３】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲ
ート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタ
のソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図２（Ａ）
及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジス
タを用いることができる。
【００６４】
図２（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール１５３のう
ち絶縁膜１０２の傾斜している部分１２１、すなわちコンタクトホールの縁で乱れた液晶
分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することが
できる。また、第２の遮光層１２２が選択的に形成されるため、開口率の低下を抑えるこ
とができる。また、アクティブマトリクス基板上のゲート線１５１及びソース線１５２に
対応する領域に形成される第１の遮光層１０８を形成する工程と同じプロセスで形成する
ことができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００６５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、選択的に着色層（カラーフィルター）を除去した液晶表示装置につ
いて、図３及び図４を用いて説明する。
【００６６】
図３（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。ア
クティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向
膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板として、基板
上に、遮光層、着色層、対向電極、配向膜等が形成されている。図３（Ｂ）においては、
ゲート線２５１、ソース線２５２、コンタクトホール２０３、薄膜トランジスタの半導体
層２５４、遮光層２０８、着色層（カラーフィルター）２０９のみを図示し、それ以外は
省略した。
【００６７】
図３（Ｂ）に示したように、着色層（カラーフィルター）２０９は、アクティブマトリ
クス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール２０３
に対応する領域が除去されている。コンタクトホール２０３に対応する領域とは、コンタ
クトホール２０３と重なる領域を指す。
【００６８】
図３（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図３（Ｂ）のＣ−Ｃ’で切
った断面図である。本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成について以下に説明
する。
【００６９】
基板２００上に薄膜トランジスタ２０１が形成されている。基板２００としては、アル
ミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（
ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに
代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。薄膜トランジスタ２０１は
、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良
いが、図３（Ａ）ではチャネルエッチ型トランジスタを図示した。
【００７０】
薄膜トランジスタ２０１上に絶縁膜２０２を形成し、薄膜トランジスタ２０１と電気的
に接続するためのコンタクトホール２０３を形成する。絶縁膜２０２には、有機樹脂膜、
無機絶縁膜、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を
含む絶縁膜（シロキサン系絶縁膜）を用いて形成することができる。ここで、シロキサン
とは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるものであって、置
換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられ
る。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または、置換基として、少なくと
も水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、低誘電率材料を絶縁膜に用
いてもよい。
【００７１】
薄膜トランジスタ２０１及び絶縁膜２０２を覆うように、画素電極２０４が形成される
。画素電極２０４は、露出した薄膜トランジスタ２０１のドレイン電極２０５ｂと電気的
に接続している。
【００７２】
反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極２０４として反射性を有する金属
を用いることができる。透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸
化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に
酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛
を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（Ｓ
ｎＯ２）等を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域に
は反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料（例えば、酸
化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸
化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化イン
ジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ま
たは酸化スズ（ＳｎＯ２）等）を用いることができる。
【００７３】
画素電極２０４上に配向膜２０６が形成されている。配向膜２０６には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【００７４】
次に、本実施の形態の対向基板の構成について説明する。
【００７５】
基板２０７に接して、遮光層２０８及び着色層（カラーフィルター）２０９が形成され
ている。着色層（カラーフィルター）は、絶縁膜２０２に形成されたコンタクトホール２
０３に合わせて除去される。基板２０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウ
ケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピ
レンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板
を用いることができる。また、着色層（カラーフィルター）２０９は単色でも複数色でも
よい。
【００７６】
着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状は、アクティブマトリクス基板のコ
ンタクトホール２０３に対応する領域、すなわちコンタクトホール２０３と重なる領域に
形成されていればどのような形状でもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三
角形などが挙げられる。
【００７７】
基板２０７、遮光層２０８、及び着色層（カラーフィルター）２０９に接して対向電極
２１０が形成されている。対向電極２１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したイ
ンジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合した
インジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いる
ことができる。
【００７８】
対向電極２１０上に配向膜２１１が形成されている。配向膜２１１には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【００７９】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との間に液晶層２１２を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ
）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメ
オトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００８０】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲ
ート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタ
のソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図３（Ａ）
及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジス
タを用いることができる。
【００８１】
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール２０３の上
部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを
作製することができる。また、着色層（カラーフィルター）を選択的に除去するため、遮
光層を設ける構成とするよりも開口率の低下を抑えることができる。また、通常の着色層
（カラーフィルター）を作製する工程を同じプロセスで形成することができるため、工程
数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００８２】
また、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール２０３のうち絶縁膜２０２が傾斜
している部分に対応した領域の着色層（カラーフィルター）を除去する構成とすることも
可能である。液晶分子の配向は、絶縁膜２０２が傾斜している部分、すなわちコンタクト
ホールの縁で最も乱れるからである。
【００８３】
図４（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。着
色層（カラーフィルター）を丸型ではなく、ドーナツ型に除去した点で図３（Ｂ）と異な
っている。アクティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画
素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板
としては、基板上に、遮光層、着色層、対向電極、配向膜等が形成されている。図４（Ｂ
）においては、ゲート線２５１、ソース線２５２、コンタクトホール２５３、薄膜トラン
ジスタの半導体層２５４、遮光層２０８、第１の着色層（カラーフィルター）２２３、第
２の着色層（カラーフィルター）２２２のみを図示し、それ以外は省略した。なお、図３
（Ｂ）と共通しているものについては同様の符号を用いた。
【００８４】
図４（Ｂ）に示したように、着色層（カラーフィルター）は、アクティブマトリクス基
板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜
２０２が傾斜している部分２２１に対応した領域が除去されている。コンタクトホールの
うち絶縁膜２０２が傾斜している部分２２１に対応した領域とは、コンタクトホールの縁
と重なる領域を指す。すなわち、第１の着色層（カラーフィルター）２２３の他に、絶縁
膜２０２の開口部分に対応する領域には第２の着色層（カラーフィルター）２２２が形成
されている。
【００８５】
図４（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図４（Ｂ）のＤ−Ｄ’で切
った断面図である。アクティブマトリクス基板の構成については、図３（Ａ）及び（Ｂ）
と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００８６】
対向基板の構成は以下のとおりである。基板２０７に接して遮光層２０８、第１の着色
層（カラーフィルター）２２３、及び第２の着色層（カラーフィルター）２２２が形成さ
れている。着色層（カラーフィルター）はアクティブマトリクス基板に形成された絶縁膜
２０２が傾斜している部分に対応した領域に合わせて除去される。絶縁膜２０２が傾斜し
ている部分に対応した領域とは、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。すなわち、
第１の着色層（カラーフィルター）２２３及び第２の着色層（カラーフィルター）２２２
が形成される。
【００８７】
基板２０７、第１の着色層（カラーフィルター）２２３、及び第２の着色層（カラーフ
ィルター）２２２に接して対向電極２１０が形成されている。対向電極２１０には、酸化
インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化
物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジ
ウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、また
は酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００８８】
対向電極２１０上に配向膜２１１が形成されている。配向膜２１１には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【００８９】
上述の構成の対向基板と、図３（Ａ）で説明したアクティブマトリクス基板とを貼り合
わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層２１２を形成する。液晶には
、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向
になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００９０】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲ
ート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタ
のソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図４（Ａ）
及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジス
タを用いることができる。
【００９１】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホールのうち絶縁
膜２０２の傾斜している部分２２１の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映され
ないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、着色層（カラーフ
ィルター）が選択的に形成されるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。ま
た、通常の着色層を作製する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の
増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００９２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、選択的に遮光層を形成し、選択的に着色層（カラーフィルター）を
除去した液晶表示装置について、図５及び図６を用いて説明する。
【００９３】
図５（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。ア
クティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向
膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板として、基板
上に、遮光層、対向電極、配向膜、着色層（カラーフィルター）等が形成されている。図
５（Ｂ）においては、ゲート線３５１、ソース線３５２、コンタクトホール３０３、薄膜
トランジスタの半導体層３５４、第１の遮光層３０８、第２の遮光層３０９、着色層（カ
ラーフィルター）３１０のみを図示し、それ以外は省略した。
【００９４】
図５（Ｂ）に示したように、遮光層として、ゲート線３５１及びソース線３５２に対応
する領域に形成される第１の遮光層３０８と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイ
ン領域のコンタクトホール３０３に対応する領域に形成される第２の遮光層３０９の２つ
が形成される。また、着色層（カラーフィルター）は、薄膜トランジスタのソース領域又
はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応する領域が除去されている。コンタクト
ホール３０３に対応する領域とは、コンタクトホール３０３と重なる領域を指す。図５（
Ｂ）では、着色層（カラーフィルター）を除去する領域に遮光層が形成された構成となっ
ている。
【００９５】
図５（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図５（Ｂ）のＥ−Ｅ’で切
った断面図である。本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成について以下に説明
する。
【００９６】
基板３００上に薄膜トランジスタ３０１が形成されている。基板３００としては、アル
ミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（
ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに
代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。薄膜トランジスタ３０１は
、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良
いが、図５（Ａ）ではチャネルエッチ型トランジスタを図示した。
【００９７】
薄膜トランジスタ３０１上に絶縁膜３０２を形成し、薄膜トランジスタ３０１と電気的
に接続するためのコンタクトホール３０３を形成する。絶縁膜３０２には、有機樹脂膜、
無機絶縁膜、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を
含む絶縁膜（シロキサン系絶縁膜）を用いて形成することができる。ここで、シロキサン
とは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるものであって、置
換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられ
る。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または、置換基として、少なくと
も水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、低誘電率材料を絶縁膜に用
いてもよい。
【００９８】
薄膜トランジスタ３０１及び絶縁膜３０２を覆うように、画素電極３０４が形成される
。画素電極３０４は、露出した薄膜トランジスタ３０１のドレイン電極３０５ｂと電気的
に接続している。
【００９９】
反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極３０４として反射性を有する金属
を用いることができる。透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸
化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に
酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛
を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（Ｓ
ｎＯ２）等を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域に
は反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料（例えば、酸
化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸
化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化イン
ジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ま
たは酸化スズ（ＳｎＯ２）等）を用いることができる。
【０１００】
画素電極３０４上に配向膜３０６が形成されている。配向膜３０６には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【０１０１】
次に、本実施の形態の対向基板の構成について説明する。
【０１０２】
基板３０７に接して、第１の遮光層３０８、第２の遮光層３０９、着色層（カラーフィ
ルター）３１０が形成されている。第１の遮光層３０８は、ソース配線を覆うように形成
されるが、ソース電極３０５ａは一部のみ覆う構成である。第２の遮光層３０９は、コン
タクトホール３０３に合わせて形成される。基板３０７には、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテ
レフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン
）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を
原料とする基板を用いることができる。第１の遮光層３０８及び第２の遮光層３０９には
、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（
Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いる
ことができる。
【０１０３】
図５（Ｂ）で示したように、アクティブマトリクス基板上のゲート線３５１及びソース
線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８と、アクティブマトリクス基板
上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応す
る領域に形成される第２の遮光層３０９の２つが形成される。なお、コンタクトホール３
０３に対応する領域とは、コンタクトホール３０３と重なる領域を指す。
【０１０４】
第２の遮光層３０９はゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される
第１の遮光層３０８とは独立して、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール３０３
に対応する領域に形成される。したがって、その領域は表示部として機能しないため、コ
ンタクトホール３０３の上層に存在する液晶分子の配向状態が乱れていても、色むらのな
い高画質な表示装置を作製することが可能となる。
【０１０５】
また、第１の遮光層３０８は、ゲート線３５１及びソース線３５２の上方に設けられて
いるが、薄膜トランジスタ全体は覆っていない。このような構成であるため、開口率の低
下を最小限に抑えることができる。
【０１０６】
遮光層を第１の遮光層３０８と第２の遮光層３０９の２つに分けて形成することにより
、開口率の低下を最小限に抑えることができ、色むらがなく、コントラストの高い、高画
質な表示装置を作製することができる。
【０１０７】
なお、第２の遮光層３０９の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールに
対応する領域に設けられていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形
、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１０８】
次に、着色層（カラーフィルター）３１０が形成される。着色層（カラーフィルター）
は、絶縁膜３０２に形成されたコンタクトホール３０３に合わせて除去される。また、着
色層（カラーフィルター）３１０は単色でも複数色でもよい。
【０１０９】
着色層（カラーフィルター）を除去する形状は、アクティブマトリクス基板のコンタク
トホール３０３に対応する領域に形成されていればどのような形状であってもよい。例え
ば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１１０】
次に、対向電極３１１が形成される。対向電極３１１には、酸化インジウムに酸化スズ
を混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪
素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合
したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２
）等を用いることができる。
【０１１１】
対向電極３１１上に配向膜３１２が形成されている。配向膜３１２には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【０１１２】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との間に液晶層３１３を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ
）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメ
オトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【０１１３】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲ
ート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタ
のソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図５（Ａ）
及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジス
タを用いることができる。
【０１１４】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール３０３の上
部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを
作製することができる。また、遮光層を選択的に設け、着色層（カラーフィルター）を選
択的に除去するため、開口率の低下を抑えることができる。また、通常の遮光層及び着色
層（カラーフィルター）を作製する工程と同じプロセスで形成することができるため、工
程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【０１１５】
また、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している部分
、すなわちコンタクトホールの縁と重なる領域に遮光層を形成し、着色層（カラーフィル
ター）を除去する構成とすることも可能である。液晶分子の配向は、絶縁膜３０２が傾斜
している領域（コンタクトホールの縁）で最も乱れるからである。
【０１１６】
図６（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。第
２の遮光層３２２を丸型ではなく、ドーナツ型に形成し、着色層（カラーフィルター）を
丸型ではなく、ドーナツ型に除去した点で図５（Ｂ）と異なっている。アクティブマトリ
クス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成され
ている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板としては、基板上に、遮光層
、着色層、対向電極、配向膜等が形成されている。図６（Ｂ）においては、ゲート線３５
１、ソース線３５２、薄膜トランジスタの半導体層３５４、第１の遮光層３０８、第２の
遮光層３２２、第１の着色層（カラーフィルター）３２３、第２の着色層（カラーフィル
ター）３２４のみを図示し、それ以外は省略した。なお、図５（Ｂ）と共通しているもの
については同様の符号を用いた。
【０１１７】
図６（Ｂ）に示したように、アクティブマトリクス基板上に形成された薄膜トランジス
タのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち、絶縁膜３０２が傾斜してい
る部分３２１に対応した領域に第２の遮光層３２２が形成され、着色層（カラーフィルタ
ー）が除去されている。なお、絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応した領域と
は、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。
【０１１８】
図６（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図６（Ｂ）のＦ−Ｆ’で切
った断面図である。アクティブマトリクス基板の構成については、図５（Ａ）及び（Ｂ）
と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１１９】
対向基板の構成は以下のとおりである。基板３０７に接して、第１の遮光層３０８、第
２の遮光層３２２、第１の着色層（カラーフィルター）３２３、第２の着色層（カラーフ
ィルター）３２４が形成されている。第１の遮光層３０８は、ソース配線を覆うように形
成されるが、ソース電極３０５ａは一部のみ覆う構成である。第２の遮光層３２２は、コ
ンタクトホールのうち絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に合わせて形成される。基
板３０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の
ガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタ
レート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチック
や、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。第１の
遮光層３０８及び第２の遮光層３２２には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層
膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料
、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。
【０１２０】
図６（Ｂ）で示したように、アクティブマトリクス基板上のゲート線３５１及びソース
線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８と、アクティブマトリクス基板
上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜３
０２が傾斜している部分３２１に対応する領域に形成される第２の遮光層３２２の２つが
形成される。なお、絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応する領域とは、コンタ
クトホールの縁と重なる領域を指す。
【０１２１】
第２の遮光層３２２はゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される
第１の遮光層３０８とは独立して、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールのうち
絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応する領域に形成される。したがって、その
領域は表示部として機能しないため、液晶分子の配向状態が乱れていても、色むらのない
高画質な表示装置を作製することが可能となる。
【０１２２】
また、第１の遮光層３０８は、ゲート線３５１及びソース線３５２の上方に設けられて
いるが、薄膜トランジスタ全体は覆っていない。このような構成であるため、開口率の低
下を最小限に抑えることができる。
【０１２３】
遮光層を第１の遮光層３０８と第２の遮光層３２２の２つに分けて形成することにより
、開口率の低下を最小限に抑えることができ、色むらがなく、コントラストの高い、高画
質な表示装置を作製することができる。
【０１２４】
第２の遮光層３２２の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールに対応す
る領域に設けられていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形、正方
形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１２５】
次に、第１の着色層（カラーフィルター）３２３及び第２の着色層（カラーフィルター
）３２４が形成される。着色層（カラーフィルター）は、アクティブマトリクス基板上に
形成されたコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）
に合わせて除去される。また、着色層（カラーフィルター）は単色でも複数色でもよい。
【０１２６】
着色層（カラーフィルター）を除去する形状は、アクティブマトリクス基板のコンタク
トホールに対応する領域に形成されていればどのような形状であってもよい。例えば、円
形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１２７】
次に、対向電極３１１が形成される。対向電極３１１には、酸化インジウムに酸化スズ
を混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪
素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合
したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２
）等を用いることができる。
【０１２８】
対向電極３１１上に配向膜３１２が形成されている。配向膜３１２には、ポリイミド樹
脂等を用いることができる。
【０１２９】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との間に液晶層３１３を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ
）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメ
オトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【０１３０】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲ
ート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタ
のソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図６（Ａ）
及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジス
タを用いることができる。
【０１３１】
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホールのうち絶縁
膜３０２の傾斜している部分３２１の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映され
ないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、遮光層が選択的に
形成され、着色層（カラーフィルター）が選択的に除去されるため、開口率の低下を抑え
ることができる。また、第２の遮光層３２２はアクティブマトリクス基板上のゲート線３
５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８を形成する工程
と同じプロセスで形成することができ、着色層も通常の着色層を作製する工程と同じプロ
セスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要も
ない。
【０１３２】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２及び４の他の態様について説明する。
【０１３３】
図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示したのは、図１（Ｂ）の他の態様である。図１５（Ａ）及
び（Ｂ）において、ゲート線１５１、ソース線１５２、第１の遮光層１０８は図１（Ｂ）
と共通である。
【０１３４】
図１（Ｂ）では第２の遮光層１０９及びコンタクトホール１０３がドレイン電極より小
さい形状を示したが、図１５（Ａ）に示したように、第２の遮光層１３２がコンタクトホ
ール１３１を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また
、図１５（Ｂ）に示したように、第２の遮光層１３４の一部及びコンタクトホール１３３
の縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３５】
また、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図２（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図２
（Ｂ）では第２の遮光層１２２及びコンタクトホール１５３がドレイン電極より小さい形
状を示したが、第２の遮光層がコンタクトホールの縁を覆い、且つ、一部がドレイン電極
と重ならないように形成してもよい。また、第２の遮光層の一部及びコンタクトホールの
縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３６】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図３（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図
３（Ｂ）では着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状がドレイン電極より小さ
い形状を示したが、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状コンタクトホール
を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３７】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図４（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図
４（Ｂ）では、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状がドレイン電極より小
さい形状を示したが、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状がコンタクトホ
ールの縁を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また、
着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状及びコンタクトホールの縁の一部がド
レイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３８】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図５（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図
５（Ｂ）では第２の遮光層３０９及びコンタクトホール３０３がドレイン電極より小さい
形状を示したが、第２の遮光層がコンタクトホールを覆い、且つ、一部がドレイン電極と
重ならないように形成してもよい。また、第２の遮光層の一部及びコンタクトホールの縁
の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３９】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図６（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図
６（Ｂ）では、第２の遮光層３２２及びコンタクトホールがドレイン電極より小さい形状
を示したが、第２の遮光層がコンタクトホールの縁を覆い、且つ、一部がドレイン電極と
重ならないように形成してもよい。また、第２の遮光層の一部及びコンタクトホールの縁
の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１４０】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明を用いた対向基板の作製方法について、図８を用いて説明す
る。
【０１４１】
基板５００上に遮光層５０１となる金属クロム膜を成膜する。基板５００には、アルミ
ノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポ
リエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代
表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。金属クロム膜の成膜方法とし
ては、スパッタリング法等を用いるとよい。続いて、フォトリソグラフィー法により所望
の形状に加工することによって、遮光層５０１を形成する（図８（Ａ））。
【０１４２】
なお、遮光層の材料としては、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化ク
ロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を
分散させた樹脂膜等）を用いることができる。また、ＲＧＢそれぞれのカラーフィルター
を重ねて遮光層として用いてもよい。
【０１４３】
このとき、図１に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線１５１
及びソース線１５２に対応する領域と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域
のコンタクトホール１０３に対応する領域に遮光層を形成する。図２に示した構成とする
には、アクティブマトリクス基板のゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域と
、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール１５３のうち絶縁
膜１０２が傾斜している部分１２１（コンタクトホールの縁）に対応する領域に遮光層を
形成する。図３及び図４に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線
２５１及びソース線２５２に対応する領域に遮光層を形成する。図５に示した構成とする
には、アクティブマトリクス基板のゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域と
、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応する
領域に遮光層を形成する。図６に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲ
ート線３５１及びソース線３５２に対応する領域と、薄膜トランジスタのソース領域又は
ドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１（コンタ
クトホールの縁）に対応する領域に遮光層を形成する。
【０１４４】
次に、着色層（カラーフィルター）を形成する。カラーフィルターの形成方法には、顔
料分散法、染色法、電着法、印刷法などがあり、どの方法を用いてもよい。本実施の形態
では顔料分散法を用いた場合について説明する。
【０１４５】
顔料分散法には、エッチング法とカラーレジスト法の２つがある。エッチング法を用い
た場合、遮光層が形成された基板上に、まずＲの顔料を分散した着色樹脂をスピンコート
法などによって塗布し、乾燥、予備加熱する。続いて、ポジレジストを塗布した後にマス
ク露光を行う。続いて、アルカリ水溶液でポジレジストの現像と着色樹脂膜のエッチング
を行い、有機溶剤によってポジレジストを剥離することによって、Ｒの着色樹脂膜５０２
を形成することができる（図８（Ｂ））。
【０１４６】
ＧとＢの着色樹脂についても同じ工程を繰り返し、Ｇの着色樹脂膜５０３及びＢの着色
樹脂膜５０４を形成する（図８（Ｃ）〜（Ｄ））。続いて、保護膜を塗布する（図示せず
）。以上の工程によって、カラーフィルターが形成される。
【０１４７】
カラーレジスト法を用いた場合（図示せず）、着色樹脂にレジストのような光硬化性を
持たせたカラーレジストを用いる。カラーレジストとは、顔料をアクリル・エポキシ系の
紫外線硬化樹脂（ネガレジスト）などに分散し、溶媒に溶かしたものである。遮光層を形
成した基板上にカラーレジスト（Ｒ）をスピンコート法などによって塗布する。次に、マ
スクを介して露光し、現像することによって、所望の形状に加工する。
【０１４８】
Ｇ及びＢのカラーレジストについても同じ工程を繰り返し、保護膜を塗布する。以上の
工程によって、着色層（カラーフィルター）が形成される。
【０１４９】
このとき、図１及び図２に示した構成とする場合には、特に着色層（カラーフィルター
）を除去する必要はない。図３及び図５に示した構成とするには、アクティブマトリクス
基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールに対応する
領域の着色層を除去する。図４及び図６に示した構成とするには、アクティブマトリクス
基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁
膜が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）に対応する領域の着色層（カラーフィル
ター）を除去する。
【０１５０】
次に、対向電極５０５を形成する（図８（Ｅ））。対向電極５０５には、酸化インジウ
ムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸
化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化ス
ズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。成膜方法としては、真空蒸着法やスパッタリン
グ法等があげられる。
【０１５１】
続いて、配向膜として機能する絶縁膜５０６を形成する（図８（Ｆ））。絶縁膜５０６
は、ポリイミドやポリビニルアルコール等の高分子化合物膜を印刷法、ロールコート法等
で形成した後、ラビングすることにより形成することができる。また、酸化珪素を基板に
対して斜めから蒸着して形成することもできる。また、光反応型の高分子化合物に偏光し
たＵＶ光を照射し、光反応型の高分子化合物を重合させて形成することもできる。ここで
は、ポリイミドやポリビニルアルコール等の高分子化合物膜を印刷法により印刷し、焼成
した後、ラビングすることで形成する。
【０１５２】
以上の工程により、選択的に遮光層を形成した対向基板を作製することができる。
【０１５３】
本実施の形態は、実施の形態１〜４と自由に組み合わせることができる。
【０１５４】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置の構成について、図１０を用いて説明する。
図１０（Ａ）は、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２との間に液晶層を挟
んでなる液晶パネルの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＧ−Ｇ’の断面図
に相当する。また、アクティブマトリクス基板７０１としては、どのように形成されたも
のを用いてもよく、対向基板７０２としては、実施の形態１〜４で説明したものを用いる
こととする。ここでは、実施の形態２に示した対向基板を図示した。
【０１５５】
図１０（Ａ）において、７０５は画素部、７０６は駆動回路部である。本実施の形態に
おいて、画素部７０５は、シール材７０３で囲まれた領域内に形成され、駆動回路部７０
６は、その領域外に実装されている。
【０１５６】
また、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２とを封止するシール材７０３
には、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されており、これらにより形成
された空間には、液晶が充填されている。なお、図１０（Ａ）には、アクティブマトリク
ス基板７０１と対向基板７０２とをシール材７０３によって貼り合わせた後、両基板の間
に液晶を注入し、封止材７０４によって封止する場合について示したが、本発明はこの方
法に限られることはなく、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２のうちの一
方の基板上に液晶を滴下した後、両方の基板を貼り合わせる方法（ＯＤＦ法）を用いるこ
ともできる。
【０１５７】
次に、断面構造について、図１０（Ｂ）を用いて説明する。アクティブマトリクス基板
７０１を形成する第１の基板７０７上には画素部７０５が形成されており、ＴＦＴを代表
とする半導体素子を複数有している。また、本実施の形態では、基板上に実装された駆動
回路部７０６には、ソース線駆動回路およびゲート線駆動回路が含まれている。
【０１５８】
画素部７０５には、複数の画素が形成されており、画素電極である第１の電極７１１は
、ＴＦＴ７１３と電気的に接続されている。
【０１５９】
一方、対向基板７０２を形成する第２の基板７０８上には、第１の遮光層７１６、第２
の遮光層７１７、第２の電極７１９が形成されている。また、第２の電極７１９上には、
配向膜７２０が形成されている。
【０１６０】
また、第２の遮光層７１７は、アクティブマトリクス基板７０１に形成されたコンタク
トホールに対応する領域に設けられている。
【０１６１】
なお、本実施の形態で示す液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板７０１上
に形成された第１の電極７１１と、対向基板７０２上に形成された第２の電極７１９との
間に液晶層７１２を挟んでなる部分が液晶素子である。
【０１６２】
また、７２１は柱状スペーサーであり、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７
０２との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。柱状スペーサー７
２１は絶縁膜を所望の形状にエッチングして形成されている。なお、球状スペーサーを用
いてもよい。
【０１６３】
画素部７０５、および駆動回路部７０６に与えられる各種信号及び電位は、接続配線７
２２を介して、ＦＰＣ７２３から供給されている。なお、接続配線７２２とＦＰＣ７２３
とは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂７２４で電気的に接続されている。なお、異方性
導電膜又は異方性導電樹脂の代わりにハンダや銀ペースト等の導電性ペーストを用いても
よい。
【０１６４】
また、図示しないが、アクティブマトリクス基板７０１及び対向基板７０２の一方又は
両方の表面には、接着剤によって偏光板が固定されている。なお、偏光板の他に位相差板
を設けても良い。
【０１６５】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置における駆動回路の実装方法について、図１
１を用いて説明する。
【０１６６】
図１１（Ａ）の場合には、画素部８０１の周辺にソース線駆動回路８０２、及びゲート
線駆動回路８０３ａ、８０３ｂが実装される。すなわち、公知の異方性導電接着剤、及び
異方性導電フィルムを用いた実装方法、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方法、並びにハ
ンダバンプを用いたリフロー処理等により、基板８００上にＩＣチップ８０５を実装する
ことで、ソース線駆動回路８０２、及びゲート線駆動回路８０３ａ、８０３ｂ等が実装さ
れる。なお、ＩＣチップ８０５は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）８０６を
介して、外部回路と接続される。
【０１６７】
なお、ソース線駆動回路８０２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に形成し、か
つその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。
【０１６８】
また、図１１（Ｂ）の場合には、画素部８０１とゲート線駆動回路８０３ａ、８０３ｂ
等が基板上に形成され、ソース線駆動回路８０２等が別途ＩＣチップで実装される。すな
わち、ＣＯＧ方式などの実装方法により、画素部８０１とゲート線駆動回路８０３ａ、８
０３ｂ等が形成された基板８００上にＩＣチップ８０５を実装することで、ソース線駆動
回路８０２等が実装される。なお、ＩＣチップ８０５は、ＦＰＣ８０６を介して外部回路
を接続される。
【０１６９】
なお、ソース線駆動回路８０２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に形成し、か
つその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。
【０１７０】
さらに、図１１（Ｃ）の場合には、ＴＡＢ方式によりソース線駆動回路８０２等が実装
される。なお、ＩＣチップ８０５は、ＦＰＣ８０６を介して、外部回路と接続される。図
１１（Ｃ）では、ソース線駆動回路８０２等をＴＡＢ方式により実装しているが、ゲート
線駆動回路等をＴＡＢ方式により実装してもよい。
【０１７１】
ＩＣチップ８０５をＴＡＢ方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設ける
ことができ、狭額縁化を達成することができる。
【０１７２】
また、ＩＣチップ８０５の代わりにガラス基板上にＩＣを形成したＩＣ（以下、ドライ
バＩＣと表記する）を設けても良い。ＩＣチップ８０５は、円形のシリコンウェハからＩ
Ｃチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方、ドライバＩＣは、母体基板
がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドラ
イバＩＣの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバＩＣの長辺の長さ
を１５〜８０ｍｍとして形成すると、ＩＣチップを実装する場合と比較し、必要な数を減
らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向
上させることができる。
【０１７３】
ドライバＩＣは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶
質半導体は連続発振型のレーザー光を照射することで形成するとよい。連続発振型のレー
ザー光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。そ
の結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、
高速駆動が可能となり、ドライバＩＣに好適である。
【０１７４】
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態１〜７を実施することにより形成される本発明の液晶表
示装置に電源回路、コントローラ等の外部回路を接続して形成される液晶モジュールであ
って、白色ライトを用いてカラー表示をする液晶モジュールについて、図１２の断面図を
用いて説明する。
【０１７５】
図１２に示すように、アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２は、シール材
９０３により固着され、それらの間には液晶層９０５が設けられ、液晶表示パネルが形成
されている。
【０１７６】
また、アクティブマトリクス基板９０１上に形成された着色膜９０６は、カラー表示を
行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色膜が各画
素に対応して設けられている。アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２との内
側には、配向膜９１８、９１９が形成されている。また、アクティブマトリクス基板９０
１と対向基板９０２との外側には、偏光板９０７、９０８が配設されている。また、偏光
板９０７の表面には、保護膜９０９が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。
【０１７７】
アクティブマトリクス基板９０１に設けられた接続端子９１０には、ＦＰＣ９１１を介
して配線基板９１２が接続されている。配線基板９１２には、画素駆動回路（ＩＣチップ
、ドライバＩＣ等）、コントロール回路や電源回路などの外部回路９１３が組み込まれて
いる。
【０１７８】
冷陰極管９１４、反射板９１５、及び光学フィルム９１６、インバーター（図示せず）
は、バックライトユニットであり、これらが光源となって液晶表示パネルへ光を投射する
。液晶表示パネル、光源、配線基板９１２、ＦＰＣ９１１等は、ベゼル９１７で保持及び
保護されている。
【０１７９】
（実施の形態１０）
本発明の液晶表示装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又は
テレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電話装置（単
に電話機、電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の情報端末、電子ブック、ゲーム機、コンピュータ
ー用のモニター、コンピューター、カーオーディオやＭＰ３プレーヤー等の音響再生装置
、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その好ましい形態
について、図１３を参照して説明する。
【０１８０】
図１３（Ａ）に示すテレビジョン装置は、本体８００１、表示部８００２等を含んでい
る。表示部８００２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶
表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能なテレビジョン装置を提供することができ
る。
【０１８１】
図１３（Ｂ）に示す情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。
表示部８１０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示
装置は、視認性の高い画像表示が実現可能な情報端末機器を提供することができる。
【０１８２】
図１３（Ｃ）に示すデジタルビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含ん
でいる。表示部８２０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の
液晶表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能なデジタルビデオカメラを提供するこ
とができる。
【０１８３】
図１３（Ｄ）に示す電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部
８３０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は
、視認性の高い画像表示が実現可能な電話機を提供することができる。
【０１８４】
図１３（Ｅ）に示すモニターは、本体８４０１、表示部８４０２等を含んでいる。表示
部８４０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置
は、視認性の高い画像表示が実現可能なモニターを提供することができる。
【０１８５】
（実施の形態１１）
実施の形態１〜１０では、液晶表示装置について説明してきたが、本発明は、液晶表示
装置だけでなく、発光装置に用いることも可能である。発光装置において、コンタクトホ
ール部で発光させる場合、コンタクトホール部とそれ以外の部分とで光の通る光路長が異
なるため、色むらが発生する。
【０１８６】
図１４において、１０００は基板、１００１は薄膜トランジスタ、１００２は絶縁膜、
１００３はコンタクトホール、１００４は第１の電極、１００５ａはソース電極、１００
５ｂはドレイン電極、１００６は発光層を含む層、１００７は第２の電極、１００８は基
板、１００９は遮光層、１０１０は空間である。
【０１８７】
図１４に示したように、液晶表示装置の場合と同様に、発光装置のコンタクトホール１
００３に対応する領域に遮光層を形成すると、色むらのない画像表示となる。
【０１８８】
なお、図１４では、実施の形態２に示した構成を適用した発光装置を示しているが、発
光装置に実施の形態１〜５のいずれの形態を適用することが可能である。また、実施の形
態１０の表示部に発光装置を用いることも可能である。
【符号の説明】
【０１８９】
１００    基板
１０１    薄膜トランジスタ
１０２    絶縁膜
１０３    コンタクトホール
１０４    画素電極
１０５ａ    ソース電極
１０５ｂ    ドレイン電極
１０６    配向膜
１０７    基板
１０８    第１の遮光層
１０９    第２の遮光層
１１０    対向電極
１１１    配向膜
１１２    液晶層
１２１    絶縁膜が傾斜している部分
１２２    第２の遮光層
１３１    コンタクトホール
１３２    第２の遮光層
１３３    コンタクトホール
１３４    第２の遮光層
１５１    ゲート線
１５２    ソース線
１５３    コンタクトホール
１５４    半導体層
２００    基板
２０１    薄膜トランジスタ
２０２    絶縁膜
２０３    コンタクトホール
２０４    画素電極
２０５ａ    ソース電極
２０５ｂ    ドレイン電極
２０６    配向膜
２０７    基板
２０８    遮光層
２０９    着色層（カラーフィルター）
２１０    対向電極
２１１    配向膜
２１２    液晶層
２２１    絶縁膜が傾斜している部分
２２２    第２の着色層（カラーフィルター）
２２３    第１の着色層（カラーフィルター）
２５１    ゲート線
２５２    ソース線
２５３    コンタクトホール
２５４    半導体層
３００    基板
３０１    薄膜トランジスタ
３０２    絶縁膜
３０３    コンタクトホール
３０４    画素電極
３０５ａ    ソース電極
３０５ｂ    ドレイン電極
３０６    配向膜
３０７    基板
３０８    第１の遮光層
３０９    第２の遮光層
３１０    着色層（カラーフィルター）
３１１    対向電極
３１２    配向膜
３１３    液晶層
３２１    絶縁膜が傾斜している部分
３２２    第２の遮光層
３２３    第１の着色層（カラーフィルター）
３２４    第２の着色層（カラーフィルター）
３５１    ゲート線
３５２    ソース線
３５４    半導体層
４０１    第１の遮光層
４０２    第２の遮光層
５００    基板
５０１    遮光層
５０２    Ｒの着色樹脂
５０３    Ｇの着色樹脂
５０４    Ｂの着色樹脂
５０５    対向電極
５０６    絶縁膜
６０１    ソース電極又はドレイン電極
６０２    画素電極
６１１    ソース電極又はドレイン電極
６１２    画素電極
６１３    導電層
６２１    ソース領域又はドレイン領域
６２２    画素電極
６３１    ソース領域又はドレイン領域
６３２    画素電極
６３３    導電層
７０１    アクティブマトリクス基板
７０２    対向基板
７０３    シール材
７０４    封止材
７０５    画素部
７０６    駆動回路部
７０７    第１の基板
７０８    第２の基板
７１０    液晶素子
７１１    第１の電極
７１２    液晶層
７１３    ＴＦＴ
７１６    第１の遮光層
７１７    第２の遮光層
７１９    第２の電極
７２０    配向膜
７２１    柱状スペーサー
７２２    接続配線
７２３    ＦＰＣ
７２４    異方性導電樹脂
８００    基板
８０１    画素部
８０２    ソース線駆動回路
８０３ａ    ゲート線駆動回路
８０３ｂ    ゲート線駆動回路
８０５    ＩＣチップ
８０６    ＦＰＣ
９０１    アクティブマトリクス基板
９０２    対向基板
９０３    シール材
９０５    液晶層
９０６    着色膜
９０７    偏光板
９０９    保護膜
９１０    接続端子
９１１    ＦＰＣ
９１２    配線基板
９１３    外部回路
９１４    冷陰極管
９１５    反射板
９１６    光学フィルム
９１７    ベゼル
９１８    配向膜
１０００    基板
１００１    薄膜トランジスタ
１００２    絶縁膜
１００３    コンタクトホール
１００４    第１の電極
１００５ａ    ソース電極
１００５ｂ    ドレイン電極
１００６    発光層を含む層
１００７    第２の電極
１００８    基板
１００９    遮光層
１０１０    空間
８００１    本体
８００２    表示部
８１０１    本体
８１０２    表示部
８２０１    本体
８２０２    表示部
８３０１    本体
８３０２    表示部
８４０１    本体
８４０２    表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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