(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電吸着用の電極を有する搬送ロボットの保持面を、支持部材の支持面に支持された基板の近傍に移動させ、
前記電極に電圧を印加した状態で、前記支持面から前記保持面へ前記基板を移載し、
前記保持面で前記基板を静電的に吸着した状態で、前記支持面へ前記基板を移載する
基板搬送方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板搬送方法であって、
前記保持面から前記支持面へ前記基板を移載した後、前記支持面から前記保持面へ前記基板を移載する前に、前記電極に印加する電圧の極性を切り替える基板搬送方法。
【請求項３】
静電吸着用の電極が配置された保持面を有する搬送ロボットと、
基板を支持するための支持面と、
前記支持面に対して前記保持面を相対的に移動させる移動制御と、前記電極への電圧の供給制御とが可能であり、前記搬送ロボットにより、前記電極に電圧を印加した状態で、前記支持面から前記基板を前記保持面へ移載させ、さらに、前記搬送ロボットにより、前記保持面で前記基板を静電的に吸着した状態で、前記支持面へ前記基板を移載させるように構成されたコントローラと
を具備する基板搬送システム。
【請求項４】
請求項３に記載の基板搬送システムであって、
前記コントローラは、前記搬送ロボットにより、前記保持面から前記支持面へ前記基板を移載させた後、前記支持面から前記保持面へ前記基板を移載させる前に、前記電極に印加する電圧の極性を切り替える基板搬送システム。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の基板搬送システムであって、
前記搬送ロボットは、
本体と、
前記本体に対して弾性的に昇降可能に配置され、前記基板の周縁を支持可能に構成された複数の支持ピンとを有する
基板搬送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、例えばマルチチャンバ式の真空処理装置における搬送ロボットと処理室との間での基板の受け渡しに適用される基板搬送方法および基板搬送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】  例えば半導体装置の製造分野において、搬送室の周囲に複数の処理室がクラスター状に接続されたマルチチャンバ式の真空処理装置が知られている。この種の真空処理装置は、複数の処理室間で基板を搬送するための搬送ロボットを搬送室の内部に備える。【０００３】  搬送ロボットは、典型的には伸縮、旋回、昇降等の動作を伴うため、これらの動作時における基板の位置ズレを抑制する構造が必要とされる。例えば下記特許文献１には、基板を支持する支持板の上面に滑り止め用の複数のパッド部が取り付けられたハンド部を有する基板搬送装置が記載されている。また、特許文献２には、基板が載置される面に静電チャックを設置する構成例が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５３２９１号公報
【特許文献２】特公平５−６６０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  近年、真空処理装置による半導体装置の生産性を向上させるために、処理室間における基板の搬送動作の更なる高速化が要求されている。しかしながら、特許文献１に記載の構成では、基板の温度が高い場合にパッド部が基板に貼り付いてしまい、基板の移載時に位置精度を劣化させるおそれがある。一方、特許文献２に記載の構成では、静電チャックによる基板の吸着あるいはその解除に一定の時間を要するため、基板の移載動作を迅速に行えないという不都合がある。【０００６】  以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、位置精度を損なうことなく基板を迅速に移載することができる基板搬送方法および基板搬送システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板搬送方法は、静電吸着用の電極を有する搬送ロボットの保持面を、支持部材の支持面に支持された基板の近傍に移動させる工程を含む。  上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記保持面へ上記基板が移載される。【０００８】  上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板搬送システムは、搬送ロボットと、支持面と、コントローラとを具備する。  上記搬送ロボットは、静電吸着用の電極が配置された保持面を有する。  上記支持面は、基板を支持するためのものである。  上記コントローラは、上記支持面に対して上記保持面を相対的に移動させる移動制御と、上記電極への電圧の供給制御とが可能であり、上記搬送ロボットにより、上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記基板を上記保持面へ移載させるように構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板搬送システムが適用される真空処理装置の概略平面図である。
【図２】上記真空処理装置におけるステージの概略構成を示す斜視図である。
【図３】上記真空処理装置における搬送ロボットのハンド部の斜視図である。
【図４】上記ハンド部の保持面を形成する静電チャック部材の平面図である。
【図５】上記真空処理装置における基板の搬送手順の一連を説明する各工程の概略平面図である。
【図６】上記真空処理装置における基板の搬送手順の一連を説明する各工程の概略平面図である。
【図７】上記真空処理装置における基板の搬送手順の一連を説明する各工程の概略平面図である。
【図８】上記ステージから上記搬送ロボットのハンド部への基板の移載工程を示す概略側面図である。
【図９】上記搬送ロボットのハンド部から上記ステージへの基板の移載工程を示す概略側面図である。
【図１０】上記静電チャック部材および上記ステージに設置された静電チャック領域に対するチャッキング電圧の供給例を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】  本発明の一実施形態に係る基板搬送方法は、静電吸着用の電極を有する搬送ロボットの保持面を、支持部材の支持面に支持された基板の近傍に移動させる工程を含む。  上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記保持面へ上記基板が移載される。
【００１１】  上記基板搬送方法は、搬送ロボットの保持面による基板の保持に静電チャック機構を用いており、保持面に静電吸着力を生じさせた状態で支持面から保持面へ基板を移載するようにしている。したがって、保持面に基板が移し替えられた直後から静電吸着力によって基板を保持することができるため、速やかに基板の搬送動作を実行することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間を短縮することができる。
【００１２】  上記基板搬送方法は、さらに、上記保持面で上記基板を静電的に吸着した状態で、上記支持面へ上記基板を移載するようにしてもよい。このような方法によっても、基板の位置精度を損なうことなく、基板を搬送ロボットの保持面から処理台の支持面へ移載することができる。また、保持面の静電吸着力を解除した後に移載する方法と比べて、基板への静電吸着力の消失に要する時間を省略できるため、速やかに基板の移載動作に移行することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間をさらに短縮することができる。
【００１３】  上記保持面から上記支持面へ上記基板を移載した後、上記支持面から上記保持面へ上記基板を移載する前に、上記電極に印加する電圧の極性を切り替えてもよい。  これにより、保持面の帯電を抑制でき、基板の適正な保持動作を確保することができる。
【００１４】  本発明の一実施形態に係る基板搬送システムは、搬送ロボットと、支持面と、コントローラとを具備する。  上記搬送ロボットは、静電吸着用の電極が配置された保持面を有する。  上記支持面は、基板を支持するためのものである。  上記コントローラは、上記支持面に対して上記保持面を相対的に移動させる移動制御と、上記電極への電圧の供給制御とが可能であり、上記搬送ロボットにより、上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記基板を上記保持面へ移載させるように構成される。
【００１５】  これにより、保持面に基板が移し替えられた直後から静電吸着力によって基板を保持することができるため、速やかに基板の搬送動作を実行することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間を短縮することができる。
【００１６】  上記コントローラは、上記搬送ロボットにより、上記保持面で上記基板を静電的に吸着した状態で、上記支持面へ上記基板を移載させてもよい。  これにより、処理室間における基板の搬送時間をさらに短縮することができる。
【００１７】  上記コントローラは、上記搬送ロボットにより、上記保持面から上記支持面へ上記基板を移載させた後、上記支持面から上記保持面へ上記基板を移載させる前に、上記電極に印加する電圧の極性を切り替えてもよい。  これにより、保持面の帯電を抑制でき、基板の適正な保持動作を確保することができる。
【００１８】  以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１９】  図１は、本発明の一実施形態に係る基板搬送システムが適用される真空処理装置の概略平面図である。真空処理装置１は、搬送室２と、搬送室２の周囲にゲートバルブを介して接続された複数の処理室３１〜３６とを有する、マルチチャンバ方式の真空処理装置として構成される。搬送室２および各処理室３１〜３６はそれぞれ真空排気ラインに接続されており、各室が独立して排気されることが可能である。
【００２０】  搬送室２には、基板搬送装置２０が設置されている。基板搬送装置２０は、第１の搬送ロボット２１と、第２の搬送ロボット２２とを有する。第１および第２の搬送ロボット２１，２２は、伸縮、旋回および昇降動作が可能であり、複数の処理室間にわたって基板Ｗを搬送する機能を有する。
【００２１】  第１および第２の搬送ロボット２１，２２は、一対の共通アーム部２００と、一対の作動アーム部２０２と、ハンド部２０１とを有する。共通アーム部２００の一端部は、図示しない駆動源に接続され、他端部は各搬送ロボット２１，２２の作動アーム部２０２に共通に接続されている。ハンド部２０１は、作動アーム部２０２の先端に取り付けられ、搬送対象である基板Ｗの裏面を支持する。基板Ｗは、典型的には、半導体ウェーハであるが、これに限られない。
【００２２】  処理室３１〜３６は、各々独立した真空チャンバを形成し、基板Ｗに対して所定の真空処理を施す。例えば、処理室３１は、基板Ｗのロード／アンロード室として構成され、その他の処理室３２〜３６は、成膜室（スパッタ室あるいはＣＶＤ室）、熱処理室等として構成される。各処理室３２〜３６における真空処理の割り当ては特に限定されず、基板Ｗに施す真空処理に応じて適宜定められる。処理室３２〜３６には、基板Ｗを支持するステージ３０（処理台）が設置されている。
【００２３】  図２は、ステージ３０の概略構成を示す斜視図である。ステージ３０は、基板Ｗを保持するためのステージ面３０１と、複数本のホイストピン３０２（支持部材）とを有する。ホイストピン３０２は、図示するように先端部の支持面３０３がステージ面３０１から突出した上昇位置と、ステージ面３０１よりも下方に埋没した下降位置との間で昇降可能である。後述するように、搬送ロボット２１，２２とステージ３０との間における基板Ｗの一連の受け渡し動作には、ホイストピン３０２が図示するようにステージ面３０１から突出し、それらの先端部の支持面３０３で基板Ｗの裏面を支持する工程が含まれる。
【００２４】  なお、ステージ３０は、ステージ面３０１に静電チャック領域３１０を有してもよい。これにより、ステージ面３０１上において基板Ｗの姿勢を保持することができる。また、静電吸着力によって基板Ｗの裏面をステージ面３０１に密着させることができるため、冷却ガスを用いた基板裏面の冷却処理が可能となる。
【００２５】  続いて図３は、第１および第２の搬送ロボット２１，２２のハンド部２０１の一構成例を示す斜視図である。ハンド部２０１は、本体２１１と、静電チャック部材２１４とを有する。
【００２６】  本体２１１は、例えばアルミナ等のセラミックス材料やステンレス鋼で形成され、中央部に空隙Ｓを形成するフォーク形状を有する。静電チャック部材２１４は、空隙Ｓのほぼ中心に位置するように本体２１１に対して固定部材２１３を介して取り付けられる。静電チャック部材２１４は、矩形の板状であり、その上面に基板Ｗの裏面を支持する保持面２１０を有する。
【００２７】  図４は、静電チャック部材２１４の構成例を示す平面図である。静電チャック部材２１４は、電極パターンをポリイミド等の絶縁性樹脂シートで挟み込んで構成される。電極パターンは、電圧の印加により静電吸着力を生じさせる一対の電極部２２５ａ，２２５ｂと、図示しない電圧源に接続される端子部２２７ａ，２２７ｂと、電極部２２５ａ，２２５ｂと端子部２２７ａ，２２７ｂとの間を接続する配線部２２６ａ，２２６ｂとを有する。電極部２２５ａ，２２５ｂには相互に異なる極性の電圧（チャッキング電圧）が印加される。チャッキング電圧の大きさは特に限定されず、例えば±１００〜±７００Ｖとされる。なお、電極パターンは図示する双極型に限られず、単極型であってもよい。
【００２８】  本実施形態のハンド部２０１はさらに、保持面２１０で保持された基板Ｗの裏面周縁を支持する複数の支持ピン２１６を有する。支持ピン２１６は、本体２１１の上面の適宜の位置に設けられる。支持ピン２１６の位置、高さおよび本数は特に限定されず、基板Ｗの大きさや許容される基板Ｗの反り量等を勘案して設定される。
【００２９】  各々の支持ピン２１６は、本体２１１の上面に対して弾性的に昇降可能に構成されてもよい。この場合、本体２１１は各支持ピン２１６を収容する複数の孔を有し、これら孔の底部と支持ピン２１６の下端部との間にバネ等の弾性部材が配置される。この構成により各支持ピン２１６の突出高さを個々に変化させることができるため、各支持ピン２１６により基板Ｗの裏面を常に適正に支持することができる。これにより、例えば基板Ｗに反り等の変形が生じている場合であっても、ハンド部２０１により基板Ｗを安定した姿勢で搬送することが可能となる。
【００３０】  本実施形態の真空処理装置１はさらに、コントローラ５０を備える。コントローラ５０は、コンピュータで構成され、搬送室２および各処理室３０〜３６の排気動作、基板搬送装置２０の動作、ゲートバルブの開閉動作等を含む、真空処理装置１の動作全体を制御する。また、コントローラ５０は、基板搬送装置２０によって基板Ｗを処理室間で搬送するために必要な動作、すなわち、搬送ロボット２１，２２の伸縮、旋回および昇降動作、ハンド部２０１の保持面２１０の静電吸着動作、ステージ３０のホイストピン３０２の昇降動作等を制御する。
【００３１】  次に、真空処理装置１の動作例について説明する。
【００３２】  図１を参照して、真空処理装置１は、ロード／アンロード室３１にロードされた基板Ｗを一枚ずつ、基板搬送装置２０を介して所定の処理室３２〜３６へ所定のシーケンスで搬送し、基板Ｗに所定の真空処理を順次施す。所定の真空処理が施された基板Ｗは、基板搬送装置２０によってロード／アンロード室３１へ搬送された後、ロード／アンロード室３１から装置外部へ搬出される。
【００３３】  本実施形態の真空処理装置１において、基板搬送装置２０は、第１および第２の搬送ロボット２１，２２を備えているので、各々のハンド部２０１によって２枚の基板Ｗを同時に保持できるとともに、各々の基板Ｗをそれぞれ所定の処理室３１〜３６へ搬送することができる。これにより、真空処理装置１における基板の処理効率を高めることができる。
【００３４】  以下、複数の処理室間における基板の搬送方法の一例を説明する。図５〜図７は、基板搬送装置２０と処理室３３および処理室３５との間における基板Ｗ１〜Ｗ３の受け渡し手順を示している。図５（Ａ）は、基板搬送装置２０に第１の基板Ｗ１および第２の基板Ｗ２がそれぞれ保持され、処理室３３のステージに第３の基板Ｗ３が載置された状態を示している。ここでは、第１の基板Ｗ１を処理室３５で処理し、第２の基板Ｗ２を処理室３３で処理し、処理室３３で処理された第３の基板Ｗ３を他の処理室へ搬送する場合を例に挙げて説明する。  なお理解を容易にするため、図５〜図７において、処理室３３および処理室３５以外の他の処理室の図示は省略する。また、以下の説明では各処理室と搬送室との間を仕切るゲートバルブの図示およびそれらの開閉動作についての説明は省略する。
【００３５】  図５（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、コントローラ５０は、基板搬送装置２０のアーム部を伸縮させることで、搬送室２から処理室３５へ第１の基板Ｗ１を搬送する。第１の基板Ｗ１は、処理室３５において所定の真空処理が施される。次に図６（Ａ）に示すように、コントローラ５０は、基板搬送装置２０を所定角度旋回させ、第１の基板Ｗ１を放出したハンド部２０１を処理室３３へ対向させる。続いて図６（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、コントローラ５０は、基板搬送装置２０のアーム部を伸縮させることで、処理室３３から搬送室２へ第３の基板Ｗ３を搬送する。次に図７（Ａ）に示すように、コントローラ５０は、基板搬送装置２０を１８０°旋回させ、第２の基板Ｗ２を処理室３３へ対向させる。そして図７（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、コントローラ５０は、基板搬送装置２０のアーム部を伸縮させることで、搬送室２から処理室３３へ第２の基板Ｗ２を搬送する。第２の基板Ｗ２は、処理室３３において所定の真空処理が施される。
【００３６】  次に、図８および図９を参照して、処理室のステージ３０に対する基板Ｗの受け渡し工程を説明する。図８はステージ３０から搬送ロボットのハンド部２０１への基板Ｗの移載工程を示す概略側面図であり、図９はハンド部２０１からステージ３０への基板Ｗの移載工程を示す概略側面図である。
【００３７】  ステージ３０からハンド部２０１へ基板Ｗを移載するに際して、コントローラ５０は、図８（Ａ）に示すようにホイストピン３０２をステージ面３０１から突出させることで、ステージ面３０１から基板Ｗを上昇させる。このとき、基板Ｗは、ホイストピン３０２の先端部の支持面３０３で支持される。次に図８（Ｂ）に示すように、コントローラ５０は、ハンド部２０１を基板Ｗの近傍、すなわち本実施形態では基板Ｗとステージ面３０１との間に移動させて、基板Ｗの裏面中央部に静電チャック部材２１４を対向させる。そして図８（Ｃ）に示すように、コントローラ５０は、ハンド部２０１を所定距離上昇させる。
【００３８】  以上のようにして、ステージ３０のステージ面３０１からハンド部２０１の保持面２１０への基板Ｗの移載が完了する。本実施形態において、コントローラ５０は、ステージ３０からハンド部２０１へ基板を載せ替える際、ハンド部２０１の静電チャック部材２１４の電極部２２５ａ，２２５ｂへ予めチャッキング電圧を印加しておき、上記電圧を印加した状態で保持面２１０に基板Ｗを移載するようにしている。これにより、保持面２１０に基板Ｗが移し替えられた直後から静電吸着力によって基板Ｗを保持することができるため、速やかに基板Ｗの搬送動作を実行することが可能となる。
【００３９】  次に、ハンド部２０１からステージ３０へ基板Ｗを移載するに際しては、コントローラ５０は、図９（Ａ）に示すように、ハンド部２０１をステージ３０のステージ面３０１の直上位置まで搬送する。このとき、静電チャック部材２１４の電極部２２５ａ，２２５ｂにはチャッキング電圧が印加されており、基板Ｗは保持面２１０に静電的に吸着されている。一方、コントローラ５０は、ステージ面３０１からホイストピン３０２を突出させる。次に図９（Ｂ）に示すように、コントローラ５０は、ハンド部２０１を所定距離下降させることで、ハンド部２０１からホイストピン３０２の先端部の支持面３０３へ基板Ｗを載せ替える。そして図９（Ｃ）に示すように、コントローラ５０は、ハンド部２０１をステージ面３０１の直上から側方へ移動させる。そして、ホイストピン３０２を下降させて基板Ｗをステージ面３０１で保持する。
【００４０】  以上のようにして、ハンド部２０１の保持面２１０からステージ３０のステージ面３０１への基板Ｗの移載が完了する。本実施形態において、コントローラ５０は、ハンド部２０１からステージ３０へ基板Ｗを載せ替える際、静電チャック部材２１４の電極部２２５ａ，２２５ｂへのチャッキング電圧の供給を遮断しない。すなわち、コントローラ５０は、保持面２１０で基板Ｗを静電的に吸着した状態で、保持面２１０からホイストピン３０２の支持面３０３へ基板Ｗを移載する。これにより、保持面２１０の静電吸着力を解除した後に移載する方法と比べて、基板Ｗへの静電吸着力の消失に要する時間を省略できるため、速やかに基板の移載動作に移行することができる。
【００４１】  上述した基板Ｗの移載工程に適用される、静電チャック部材２１４に対するチャッキング電圧の印加タイミングの一例を図１０（Ａ）に示す。時刻ｔ０で「＋Ｖ」のチャッキング電圧が印加された後、時刻ｔ１で保持面２１０上に基板Ｗが載置される（図８（Ｃ））。時間「ｔ０〜ｔ１」は、保持面２１０に十分な静電吸着力を生じさせることができる時間とされ、例えば５秒前後とされる。これにより、保持面２１０への移載後速やかに基板Ｗを搬送することができる。基板Ｗは、時刻ｔ１から時刻ｔ３の間に搬送先である他の処理室内のステージへ移載される。時刻ｔ３では、基板Ｗに保持面２１０による静電吸着力を生じさせた状態で、ホイストピン３０２の先端部の支持面３０３上に基板Ｗが載置される（図９（Ｃ））。
【００４２】  基板を一方の処理室へ搬送した後、他の処理室から基板を受け取るまでに、チャッキング電圧の極性を切り替えてもよい。すなわち、図１０（Ａ）に示すように、時刻ｔ３で基板Ｗを放出してから時刻ｔ４で基板Ｗを受け取るまでの間においてチャッキング電圧の極性を反転させる。そして、極性を反転したチャッキング電圧で、時刻ｔ４から時刻ｔ６の間に搬送先である他の処理室へ搬送する。これにより、ハンド部２０１の保持面２１０の帯電を抑制して、基板Ｗの適正な受け渡し動作を維持することができる。
【００４３】  一方、図１０（Ｂ）は、ステージ３０のステージ面３０１が静電チャック領域３１０（図２）を有する場合における当該静電チャック領域への電圧印加タイミングを示している。図示の例において、コントローラ５０は、ハンド部２０１の保持面２１０から基板Ｗが移載される時刻ｔ３よりも前の時刻ｔ２で静電チャック領域３１０に静電吸着力を発生させる。これにより、保持面２１０からステージ面３０１へ基板Ｗを移載した直後から基板Ｗをステージ面３０１に保持できるため、速やかに基板処理を実行することができる。また図示するように、時刻ｔ４でステージ３０からハンド部２０１へ基板Ｗを移載された後の時刻ｔ５で静電チャック領域３１０の静電吸着力を消失させてもよい。これにより、ステージ面３０１の静電吸着力を解除した後に移載する方法と比べて、基板Ｗへの静電吸着力の消失に要する時間を省略できるため、速やかに基板の移載動作に移行することができる。
【００４４】  ここで、時刻ｔ５の後、静電チャック領域３１０に印加する電圧の極性を反転させることで、ステージ面３０１の帯電を抑制することができる。また、静電チャック領域３１０における基板Ｗの吸着力は、ホイストピン３０２で基板Ｗをステージ面３０１から上昇させる際に基板Ｗに割れ等を生じさせない程度の大きさに設定されるものとする。あるいはホイストピン３０２による基板Ｗの上昇時に、静電チャック領域３１０の吸着力を低下させるような制御が実行されてもよい。
【００４５】  以上のように、本実施形態の基板搬送方法においては、搬送ロボット２１，２２の保持面２１０に静電吸着力を生じさせた状態で、支持面３０３から保持面２１０へ基板Ｗを移載するようにしている。したがって、保持面２１０に基板Ｗが移し替えられた直後から静電吸着力によって基板Ｗを保持することができるため、速やかに基板Ｗの搬送動作を実行することができる。これにより、処理室間における基板Ｗの搬送時間を短縮することができる。
【００４６】  また本実施形態においては、保持面２１０で基板Ｗを静電的に吸着した状態で、支持面３０３へ基板Ｗを移載するようにしている。このような方法によっても、基板Ｗの位置精度を損なうことなく、基板Ｗを保持面２１０から支持面３０３へ移載することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間をさらに短縮することができる。
【００４７】  本発明者らの実験によれば、基板Ｗとして直径３００ｍｍのシリコン基板（１４０ｇ）、保持面２１０の面積を４０ｃｍ2、チャッキング電圧を５００Ｖの条件で、基板の位置ズレ量を０．０２５ｍｍ以下に抑えられることが確認された。また、このときの処理室内の圧力は６×１０−3Ｐａであり、移載時の基板と保持面との間における放電は認められなかった。また、ハンド部の静電吸着力が解除された状態で基板を移載する方法と比較して、図５〜図７に示した基板搬送条件で搬送ロボットの動作時間を５秒以上短縮できることが確認された。
【００４８】  以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４９】  例えば以上の実施形態では、基板搬送装置が２台の搬送ロボットで構成される例について説明したが、これに限られず、単独の搬送ロボットで構成されてもよい。また、搬送ロボットのハンド部に適用される静電チャック部材の構成も、上述の例に限られない。
【００５０】  また、以上の実施形態では、基板搬送システムとして真空雰囲気で基板を搬送する真空処理装置を例に挙げて説明したが、大気中で基板を搬送する搬送システムにも本発明は適用可能である。
【００５１】  さらに、以上の実施形態では、搬送ロボットの保持面との間で基板を受け渡す支持部材としてホイストピンを例に挙げたが、上記支持部材はこれに限定されず、例えば複数枚の基板を収容可能なウェーハカセットであってもよい。この場合、基板を支持可能な支持面は、カセット内に形成された基板の周縁を支持可能な棚の上面で構成される。
【符号の説明】
【００５２】  １…真空処理装置  ２…搬送室  ２１，２２…搬送ロボット  ３０…ステージ  ３０〜３６…処理室  ２０１…ハンド部  ２１０…保持面  ２１４…静電チャック部材  ２２５ａ，２２５ｂ…電極部  ３０１…ステージ面  ３０２…ホイストピン  ３０３…支持面
【図１】
0005470460.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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