(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図形が定義され、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合の当該図形の辺毎に正負の向きが定義されたリサイズ方向とを示すリサイズ情報が定義された描画データを記憶する記憶部と、
前記描画データを入力し、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向とを判定する判定部と、
図形毎に、判定された結果、リサイズ有の場合に、判定されたリサイズ方向に当該図形の寸法をリサイズするリサイズ処理部と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記リサイズ情報には、さらに、リサイズ方向毎に、設定されるリサイズ量に対するリサイズ割合が定義され、
前記リサイズ処理部は、前記リサイズ量を示す情報を入力し、リサイズする際、前記リサイズ割合に沿ってリサイズ量を変更することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
複数の図形が定義され、図形毎に隣接する図形との接触方向が上下左右の接続有無を示す各ビット値を並べることにより定義された接触方向情報が定義された描画データを記憶する記憶部と、
前記描画データを入力し、図形毎に、前記接触方向情報を用いて隣接する図形との接触方向を判定する判定部と、
図形毎に、判定された接触方向を除く方向に当該図形の寸法をリサイズするリサイズ処理部と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
複数の図形が定義され、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合の当該図形の辺毎に正負の向きが定義されたリサイズ方向とを示すリサイズ情報が定義された描画データを記憶装置に記憶する工程と、
前記描画データを前記記憶装置から読み出し、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向とを判定する工程と、
図形毎に、判定された結果、リサイズ有の場合に、判定されたリサイズ方向に当該図形の寸法をリサイズする工程と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
複数の図形が定義され、図形毎に隣接する図形との接触方向が上下左右の接続有無を示す各ビット値を並べることにより定義された接触方向情報が定義された描画データを記憶装置に記憶する工程と、
前記描画データを前記記憶装置から読み出し、図形毎に、前記接触方向情報を用いて隣接する図形との接触方向を判定する工程と、
図形毎に、判定された接触方向を除く方向に当該図形の寸法をリサイズする工程と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、パターン寸法をリサイズする装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１１は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
ここで、描画対象となる図形は、多種多様であるため、一般に、描画装置で形成可能な図形種に分割された描画データが装置に入力される。そのため、隣り合う図形と接触した図形が描画データとして定義される。また、電子ビーム描画では、電子ビームの照射量に依存しない、例えば、ローディング効果等に起因する寸法変動を予め描画する図形パターンの形状をリサイズして描画するといった手法がとられていた。かかるリサイズ処理は、描画装置に入力される前に行なわれていた（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０３２９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、リサイズ処理は、描画装置に入力される前に行なわれていたが、描画装置内で行うことが要求されている。ここで、描画装置に入力される描画データは、それぞれの図形個別の位置、形状、サイズ等データで構成される。かかる描画データに基づいて描画装置内でリサイズ処理を行うと以下のような問題が生じる。
【０００７】
図１２は、リサイズ処理の問題を説明するための概念図である。図１２に示すように、隣り合う３つの長方形が接触して配置されている場合、描画データには、各長方形の位置、形状、サイズが示されている。しかし、隣の図形が、リサイズ後も接触したままが良いのかどうかは判断できない。そのため、かかるデータを使って、単に図形毎にその寸法をリサイズしてしまうと、寸法を小さくするリサイズでは、本来、接触しているべき図形間に隙間が開いてしまうといった問題が生じる。逆に寸法を大きくするリサイズでは、図形間が重なってしまうといった問題が生じる。しかしながら、従来、かかる問題を解決する十分な手法が確立されていなかった。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる問題を克服し、描画装置内で図形寸法をリサイズ可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
複数の図形が定義され、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合の当該図形の辺毎に正負の向きが定義されたリサイズ方向とを示すリサイズ情報が定義された描画データを記憶する記憶部と、
描画データを入力し、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向とを判定する判定部と、
図形毎に、判定された結果、リサイズ有の場合に、判定されたリサイズ方向に当該図形の寸法をリサイズするリサイズ処理部と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、リサイズ情報には、さらに、リサイズ方向毎に、設定されるリサイズ量に対するリサイズ割合が定義され、
リサイズ処理部は、リサイズ量を示す情報を入力し、リサイズする際、リサイズ割合に沿ってリサイズ量を変更するように構成すると好適である。
【００１１】
また、本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
複数の図形が定義され、図形毎に隣接する図形との接触方向が上下左右の接続有無を示す各ビット値を並べることにより定義された接触方向情報が定義された描画データを記憶する記憶部と、
描画データを入力し、図形毎に、接触方向情報を用いて隣接する図形との接触方向を判定する判定部と、
図形毎に、判定された接触方向を除く方向に当該図形の寸法をリサイズするリサイズ処理部と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
複数の図形が定義され、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合の当該図形の辺毎に正負の向きが定義されたリサイズ方向とを示すリサイズ情報が定義された描画データを記憶装置に記憶する工程と、
描画データを前記記憶装置から読み出し、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向とを判定する工程と、
図形毎に、判定された結果、リサイズ有の場合に、判定されたリサイズ方向に当該図形の寸法をリサイズする工程と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
複数の図形が定義され、図形毎に隣接する図形との接触方向が上下左右の接続有無を示す各ビット値を並べることにより定義された接触方向情報が定義された描画データを記憶装置に記憶する工程と、
前記描画データを前記記憶装置から読み出し、図形毎に、前記接触方向情報を用いて隣接する図形との接触方向を判定する工程と、
図形毎に、判定された接触方向を除く方向に当該図形の寸法をリサイズする工程と、
リサイズされた図形を用いて、荷電粒子ビームで試料に当該図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、描画装置内で図形寸法をリサイズすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図３】実施の形態１における描画データのフォーマットを説明するための概念図である。
【図４】実施の形態１におけるリサイズ情報を説明するための概念図である。
【図５】実施の形態１における描画領域がブロック分割された一例を示す概念図である。
【図６】実施の形態２におけるリサイズが難しいパターンの一例を示す概念図である。
【図７】実施の形態２におけるリサイズが難しいパターンの他の一例を示す概念図である。
【図８】実施の形態２におけるリサイズ情報の一例を説明するための概念図である。
【図９】実施の形態２におけるリサイズ情報の他の一例を説明するための概念図である。
【図１０】実施の形態２におけるリサイズ情報の他の一例を説明するための概念図である。
【図１１】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図１２】リサイズ処理の問題を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ型）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカー）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１２０は各偏向器に接続されている。
【００１９】
また、制御計算機１１０内には、ブロック分割部５０、面積密度算出部５２、リサイズ量算出部５４、判定部５６、リサイズ処理部５８、ショット分割部６０、照射量算出部６２、及びサブフィールド（ＳＦ）割当部６４が配置される。ブロック分割部５０、面積密度算出部５２、リサイズ量算出部５４、判定部５６、リサイズ処理部５８、ショット分割部６０、照射量算出部６２、及びＳＦ割当部６４といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機１１０に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ１１２に記憶される。
【００２０】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【００２１】
実施の形態１では、描画装置内で描画される図形のリサイズ処理を行う。リサイズ処理を行うことで、図形パターンの寸法変動を補正できる。特に、ドーズ量に起因しない現象、例えば、ローディング効果、マイクロローディング効果、及びフレア効果、に起因するパターン寸法変動の補正により好適である。描画装置内でリサイズ処理が可能となることで、ユーザ側で事前にリサイズ処理を行う必要を無くすことができる。
【００２２】
図２は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図２において、実施の形態１における描画方法は、描画データ入力工程（Ｓ１０２）と、面積密度算出工程（Ｓ１０４）と、ブロック分割工程（Ｓ１０６）と、リサイズ量算出工程（Ｓ１０８）と、判定工程（Ｓ１１０）と、リサイズ処理工程（Ｓ１１２）と、ショット分割工程（Ｓ１１４）と、照射量算出工程（Ｓ１１６）と、ＳＦ割当工程（Ｓ１１８）と、描画工程（Ｓ１２０）という一連の工程を実施する。図２では、ＳＦ割当工程（Ｓ１１８）が照射量算出工程（Ｓ１１６）の後に記載されているが、これに限るものではなく、ショット分割工程（Ｓ１１４）の前に実施されてもよい。
【００２３】
図３は、実施の形態１における描画データのフォーマットを説明するための概念図である。図３において、描画装置１００に外部から入力される描画データには、各図形の位置、形状、サイズを示す各情報が定義される。実施の形態１では、かかる情報の他に、さらに、リサイズ情報を追加する。以上のように、リサイズ情報が追加された描画データは、描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４０に格納（記憶）されることになる。
【００２４】
図４は、実施の形態１におけるリサイズ情報を説明するための概念図である。図４（ａ）では、例えば、接触して隣り合う３つの図形が示されている。かかる図形を定義する情報として、図形の位置、形状、サイズを示す各情報の他に、接続判定が可能な接続判定情報（リサイズ情報の一例）を付加する。例えば、図形毎に、４ビットのフラグを持たせる。４ビットの値は、１ビットずつ、それぞれ、上下左右の接続有無を示している。接触して隣り合う３つの図形のうち、例えば、左側の図形には、右側に接続している図形が存在することを示す「０００１」の４ビット情報が付加される。逆に、右側の図形には、左側に接続している図形が存在することを示す「００１０」の４ビット情報が付加される。中央の図形には、左側と右側に接続している図形が存在することを示す「００１１」の４ビット情報が付加される。図示していないが上側に接続している図形が存在する場合には「１０００」の４ビット情報が付加される。下側に接続している図形が存在する場合には「０１００」の４ビット情報が付加される。上下に接続している図形が存在する場合には「１１００」の４ビット情報が付加される。上下左右に接続している図形が存在する場合には「１１１１」の４ビット情報が付加される。そして、接続される図形が存在する側については、リサイズしないという条件を設定しておけば、描画装置１００内でリサイズした場合でも、寸法を小さくするリサイズにおける接触しているべき図形間に隙間が開いてしまうといった問題を生じさせないようにできる。同様に、寸法を大きくするリサイズにおける図形間が重なってしまうといった問題を生じさせないようにできる。
【００２５】
まず、描画データ入力工程（Ｓ１０２）として、記憶装置１４０は、複数の図形が定義され、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向とを示すリサイズ情報が定義された描画データを記憶する。
【００２６】
面積密度算出工程（Ｓ１０４）として、面積密度算出部５２は、試料１０１の描画領域を所定のサイズのメッシュ状のメッシュ領域毎に、メッシュ領域内のパターンの面積密度を算出する。メッシュサイズとしては、例えば、１ｍｍ〜２ｍｍ程度が好適である。
【００２７】
ブロック分割工程（Ｓ１０６）として、ブロック分割部５０は、試料１０１の描画領域をデータ処理単位となるブロック領域に分割する。
【００２８】
図５は、実施の形態１における描画領域がブロック分割された一例を示す概念図である。試料１０１の描画領域１０は、ｘ方向或いはｙ方向に向かって主偏向器２０８が偏向可能な幅で短冊状の複数のストライプ領域２０に仮想分割される。そして、ストライプ領域毎に描画処理が行われることになる。そして、各ストライプ領域は、データ処理を行う処理単位となるブロック領域２２に分割される。以降、ブロック領域２２毎に描画データのデータ処理が進められる。
【００２９】
リサイズ量算出工程（Ｓ１０８）として、リサイズ量算出部５４は、各図形の寸法をリサイズするリサイズ量を算出する。座標（ｋ，ｌ）のメッシュ領域内の図形に対するリサイズ量Δｌ（ｋ，ｌ）は、以下の式（１）により定義できる。
（１）Δｌ（ｋ，ｌ）＝Σｅ（ｉ，ｊ）（ｋ，ｌ）
【００３０】
ここで、ｅ（ｉ，ｊ）（ｋ，ｌ）は、座標（ｉ，ｊ）のメッシュ領域から座標（ｋ，ｌ）のメッシュ領域に対する影響量を示す。式（１）について、影響範囲内のすべての座標（ｉ，ｊ）から座標（ｋ，ｌ）のメッシュ領域に対する影響量を累積加算（積分）する。ｅ（ｉ，ｊ）（ｋ，ｌ）は、以下の式（２）により定義できる。
（２）  ｅ（ｉ，ｊ）（ｋ，ｌ）＝δ・Ａｉｊ／ｘ（ｉ，ｊ）（ｋ，ｌ）
【００３１】
ここで、δは係数、Ａｉｊは座標（ｉ，ｊ）の面積密度、ｘ（ｉ，ｊ）（ｋ，ｌ）は、座標（ｉ，ｊ）から座標（ｋ，ｌ）までの距離を示す。
【００３２】
判定工程（Ｓ１１０）として、判定部５６は、描画データを入力し、図形毎に、接触方向情報を用いて隣接する図形との接触方向を判定する。図４（ａ）の例では、例えば、左側の図形には「０００１」のリサイズ情報（接触方向情報）が定義されているので、右側に接触する図形があると判定する。右側の図形には「００１０」のリサイズ情報（接触方向情報）が定義されているので、左側に接触する図形があると判定する。中央の図形には「００１１」のリサイズ情報（接触方向情報）が定義されているので、左右両側に接触する図形があると判定する。
【００３３】
リサイズ処理工程（Ｓ１１２）として、リサイズ処理部５８は、図形毎に、判定された接触方向を除く方向に当該図形の寸法をリサイズする。リサイズ量は、算出されたリサイズ量でリサイズする。図４（ａ）の例では、例えば、左側の図形では右側を除く、上下方向と左側の辺の位置について寸法をリサイズする。右側の図形では左側を除く、上下方向と右側の辺の位置について寸法をリサイズする。中央の図形では左右方向を除く、上下方向の辺の位置について寸法をリサイズする。かかるリサイズ処理により、図４（ｂ）に示すように、接触している側については、リサイズされず、隣接する図形との接触を維持できる。その結果、描画され、その後のエッチング処理等でローディング効果等が生じたとしても、図４（ｂ）に示すように、隙間や重なりの無い図形が形成できる。
【００３４】
ショット分割工程（Ｓ１１４）として、ショット分割部６０は、１回の電子ビーム２００のショットで形成可能なサイズの複数のショット図形に各図形を分割する。
【００３５】
照射量算出工程（Ｓ１１６）として、照射量算出部６２は、ショット図形毎に、電子ビーム２００で照射する照射量を算出する。
【００３６】
ＳＦ割当工程（Ｓ１１８）として、ＳＦ割当部６４は、試料１０１の描画領域が副偏向器２０９で偏向可能なサイズでメッシュ状に仮想分割された各ＳＦに、該当するショット図形を割当処理する。以上のようにして生成された各ショット用のデータ（ショットデータ）は生成された順に順次記憶装置１４２に一時的に格納される。
【００３７】
描画工程（Ｓ１２０）として、まず、偏向制御回路１２０は、ショットデータを読み出し、ショットデータに従って、各偏向器に必要な偏向量の偏向電圧を出力する。描画部１５０は、各ショット図形を組み合わせていくことで、リサイズされた図形パターンを描画する。このように、描画部１５０は、リサイズされた図形を用いて、電子ビームで試料１０１に当該図形パターンを描画する。描画部１５０は、具体的には、以下のように動作する。
【００３８】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際にブランキング偏向器２１２によって、ビームＯＮの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。例えば、ビームＯＮの状態では電圧を印加せず、ビームＯＦＦの際にブランキング偏向器２１２に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間Ｔで試料１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。
【００３９】
以上のようにブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２の成形アパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２の成形アパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行なう）ことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第２の成形アパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料の所望する位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板となる試料１０１上へと偏向される。
【００４０】
以上のように、入力される描画データにリサイズ情報を付加することで、図形間の隙間や図形の重なりといった問題を生じさせることなく、描画装置内でリサイズを行うことができる。
【００４１】
実施の形態２．
実施の形態１では、各図形データに他の図形との接触判定が可能なリサイズ情報を付加することで、描画装置内でリサイズする手法について説明した。しかし、これに限るものではない。
【００４２】
図６は、実施の形態２におけるリサイズが難しいパターンの一例を示す概念図である。図６（ａ）では、中央の図形の上下方向の寸法が、左右に隣接する図形よりも長い図形を示している。例えば、図６に示す３つの図形群について、中央の図形では、左右の辺の一部だけがそれぞれ隣り合う図形に接触している。そのため、実施の形態１の手法でリサイズ処理を行う場合、中央の図形では、左右方向の寸法についてリサイズ処理ができないことになる。同様に、図６（ｂ）に示すように、台形が複数の図形に分割された例では、接触している方向のリサイズがされないため、斜辺に段差が生じてしまうことになる。
【００４３】
図７は、実施の形態２におけるリサイズが難しいパターンの他の一例を示す概念図である。図７では、図６と元は同じ図形でありながら、分割の仕方が異なる図形を示している。図７では、上下に２つの長方形に分割している。実施の形態１の手法でリサイズ処理を行う場合、図７では、上下に接触しているため、下側の図形は上辺に位置をリサイズできない。同様に、上側の図形は下辺の位置をリサイズできない。このように、同じ図形でありながら、分割の仕方が異なるとリサイズ後の図形が変わってしまうことになる。
【００４４】
そこで、実施の形態２では、図形毎に、リサイズ情報として、接触方向を示す情報を付加するのではなく、リサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向を示す情報を付加する。実施の形態２における描画装置の構成は図１と同様である。実施の形態２における描画方法のフローチャートは図２と同様である。また、以下、特に説明した内容以外は、実施の形態１と同様である。
【００４５】
図８は、実施の形態２におけるリサイズ情報の一例を説明するための概念図である。図８では、例えば、接触して隣り合う３つの図形が示されている。そして、中央の図形の上下方向の寸法が、左右に隣接する図形よりも長い図形を示している。かかる図形を定義する情報として、図形の位置、形状、サイズを示す各情報の他に、リサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向の判定が可能なリサイズ情報を付加する。ここでは、例えば、リサイズ方向は、寸法を小さくする方向を正としている。例えば、図形毎に、８ビットのフラグを持たせる。８ビットの値は、２ビットずつ、それぞれ、上下左右のリサイズ情報を示している。各方向について、「１０」はリサイズすべき方向に対して負の方向にリサイズすることを示す。逆に、「０１」はリサイズすべき方向に対して正の方向にリサイズすることを示す。「００」はリサイズしないことを示す。接触して隣り合う３つの図形のうち、例えば、左側の図形には、上辺の位置は正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報が、下辺の位置は正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報が、左側の辺の位置は正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報が、右側の辺の位置は負の方向にリサイズすることを示す「１０」の２ビット情報が、それぞれ付加されている。右側の図形には、上辺の位置は正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報が、下辺の位置は正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報が、左側の辺の位置は負の方向にリサイズすることを示す「１０」の２ビット情報が、右側の辺の位置は正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報が、それぞれ付加されている。中央の図形には、上下左右の各方向の辺の位置が正の方向にリサイズすることを示す「０１」の２ビット情報がそれぞれ付加されている。かかる情報に沿って、リサイズすることで、接続する辺の位置について、中央の図形で正の方向にリサイズした分、左側の図形の右の辺の位置が負の方向にリサイズされることで両者の接続が維持できる。同様に、中央の図形で正の方向にリサイズした分、右側の図形の左の辺の位置が負の方向にリサイズされることで両者の接続が維持できる。
【００４６】
図９は、実施の形態２におけるリサイズ情報の他の一例を説明するための概念図である。図９では、例えば、台形が分割されて、図６（ｂ）に示した上下に接触して隣り合う４つの図形が示されている。そして、上下とも右側の図形が三角形となり、台形の斜辺を構成している。図９の例では、例えば、上の左側の図形には、上方向「０１」で正方向にリサイズ、下方向「００」でリサイズせず、左方向「０１」で正方向にリサイズ、及び右方向「００」でリサイズしないことを示している。上の右側の図形には、上方向と右方向が「０１」で正方向にリサイズ、下方向と左方向が「００」でリサイズしないことを示している。下の左側の図形には、上方向「００」でリサイズせず、下左右方向は「０１」で正方向にリサイズすることを示している。下の右側の図形には、上方向「００」でリサイズせず、下方向及び右方向は「０１」で正方向にリサイズする、及び左方向は「１０」で負方向にリサイズすることを示している。かかる情報に沿って、リサイズすることで、上下の右側の三角形の斜辺の位置が共に、正方向にリサイズされた際、下の左側の長方形の右辺の位置も正方向にリサイズされるため、斜辺に段差が生じないようにできる。
【００４７】
実施の形態２では、描画データ入力工程（Ｓ１０２）からリサイズ量算出工程（Ｓ１０８）までの各工程は実施の形態１と同様である。
【００４８】
判定工程（Ｓ１１０）として、判定部５６は、描画データを入力し、図形毎にリサイズの有無とリサイズ有の場合のリサイズ方向とを判定する。
【００４９】
リサイズ処理工程（Ｓ１１２）として、リサイズ処理部５８は、図形毎に、判定された結果、リサイズ有の場合に、判定されたリサイズ方向に当該図形の寸法をリサイズする。
【００５０】
かかる構成により、実施の形態１で困難であった形状の図形についてもリサイズが可能となる。
【００５１】
ここで、上述した例では、図形毎に、各方向に２ビットずつ、４方向の合計が８ビットのリサイズ情報を描画データに付加して定義していたが、これに限るものではない。
【００５２】
図１０は、実施の形態２におけるリサイズ情報の他の一例を説明するための概念図である。図１０では、各図形の各方向について、最初の２ビットでリサイズ有無とリサイズ方向とを示し、それ他に、リサイズする補正量の割合を示す例えば６ビットの情報をさらに付加する。リサイズする補正量の割合は、６ビットに限らず、その他のビット数であっても構わない。方向毎に補正量の割合が識別できればよい。リサイズする際、図形によっては、方向毎に、リサイズ量を変化させたい場合もある。上述した例では、定義された方向に一律に同じリサイズ量でリサイズしていたが、図１０に示す補正量割合が識別できれば、判定工程（Ｓ１１０）として、判定部５６は、さらに、リサイズ割合を判定する。そして、リサイズ処理工程（Ｓ１１２）において、リサイズ処理部５８は、リサイズ量を示す情報を入力し、リサイズする際、リサイズ割合に沿ってリサイズ量を変更する。言い換えれば、リサイズ処理部５８は、図形の各方向毎に、判定されたリサイズ割合をリサイズ量に乗じた値でリサイズする。かかる構成により、さらに、高精度なリサイズが可能となる。
【００５３】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５４】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５６】
５０  ブロック分割部
５２  面積密度算出部
５４  リサイズ量算出部
５６  判定部
５８  リサイズ処理部
６０  ショット分割部
６２  照射量算出部
６４  ＳＦ割当部
１００  描画装置
１０１  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１２  メモリ
１２０  偏向制御回路
１４０，１４２  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１の成形アパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６  第２の成形アパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
２１２  ブランキング偏向器
２１４  ブランキングアパーチャ
３３０  電子線
３４０  試料
４１０  第１のアパーチャ
４１１  開口
４２０  第２のアパーチャ
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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