(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、
所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、
駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、
基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、
前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路と
を備え、前記信号端子と前記電源端子との間において、前記信号端子から前記電源端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、
前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記電源の間に接続されるプルアップ抵抗と
を備え、
前記電源の電圧の最大値をVcc(max)、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf(min)、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi(min)、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をI(min)とした場合に、
前記プルアップ抵抗の抵抗値Rが、
R≧(Vcc(max)−Vf(min)−Vi(min))／I(min)
を満たすことを特徴とする電気回路。
【請求項２】
データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、
所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、
駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、
基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、
前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路と
を備え、前記接地端子と前記信号端子との間において、前記接地端子から前記信号端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、
前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記グラウンドの間に接続されるプルダウン抵抗と
を備え、
前記電源の電圧の最大値をVcc(max)、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf(min)、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi(min)、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をI(min)とした場合に、
前記プルダウン抵抗の抵抗値Rが、
R≧(Vcc(max)−Vf(min)−Vi(min))／I(min)
を満たすことを特徴とする電気回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路に関し、特に、記憶装置の動作を安定させるようにした電気回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、記憶装置の一種であるEEPROM１の回路構成の一部の一例を示している。
【０００３】
図１には、EEPROM１の複数の端子のうち、信号出力用の端子である信号端子SO、電源接続用の端子である電源端子Vin、および、接地用の端子である接地端子GNDが示されている。
【０００４】
信号端子SOは、EEPROM１のデータの読み書きを行うCPU２に接続されている。信号端子SOからは、CPU２により読み出されるデータを示す信号が出力される。
【０００５】
電源端子Vinは、所定の電圧の電力を供給する電源Vccに接続され、EEPROM１の動作用の電力が入力される。
【０００６】
接地端子GNDは、所定の基準電位点を規定するグラウンドＧに接続されている。
【０００７】
また、図１には、信号端子SOの等価回路１１、および、データの書き込みおよび読み出しを制御する制御手段である制御部１２が示されている。
【０００８】
等価回路１１の入力部には、寄生ダイオードD1，D2が形成されている。より詳細には、寄生ダイオードD1は、信号端子SOと電源端子Vinとの間において、信号端子SOから電源端子Vinに電流を流す方向に形成されている。また、寄生ダイオードD2は、接地端子GNDと信号端子SOとの間において、接地端子GNDから信号端子SOに電流を流す方向に形成されている。
【０００９】
制御部１２は、電源端子Vinおよび接地端子GNDに接続され、電源端子Vinを介して電源Vccから供給される電力により動作する。
【００１０】
このEEPROM１の信号端子SOのような記憶装置の信号端子には、入力信号または出力信号のレベルを安定させるためにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続される（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
図２には、信号端子SOとCPU２との間において、プルアップ抵抗R1を電源Vccに接続した例が示されている。
【００１２】
また、図３には、信号端子SOとCPU２との間において、プルダウン抵抗R2をグラウンドＧに接続した例が示されている。
【００１３】
ところで、図２に示される電気回路では、配線ミスや回路不良等により、電源Vccと電源端子Vinとの間が未接続の場合、矢印A1で示されるように、電源Vccから、プルアップ抵抗R1、信号端子SO、寄生ダイオードD1を介して制御部１２に電流が流れ込む。
【００１４】
この場合、制御部１２に印加される電圧Vcceは、矢印A1の方向に流れる電流により変動し、不安定であるため、EEPROM１の動作が不安定になる。例えば、EEPROM１の消費電流の変動により、電圧Vcceが、データの書き込みが可能な電圧を超えたり、超えなかったりして、データの書き込みに成功したりしなかったりする現象が発生する場合がある。また、消費電流の大きい書き込み時に、消費電流の小さい読み出し時に比べて、電圧Vcceが低下することにより、データが読み出せるのに、データが書き込めない現象が発生する場合がある。
【００１５】
また、図３に示される電気回路では、配線ミスや回路不良等により、グラウンドＧと接地端子GNDとの間が未接続の場合、矢印A2で示されるように、制御部１２から、寄生ダイオードD2、信号端子SO、プルダウン抵抗R2を介して、グラウンドＧに電流が流れ込む。
【００１６】
この場合も、制御部１２に印加される電圧Vcceは、矢印A2の方向に流れる電流により変動し、不安定であるため、上述したようにEEPROM１の動作が不安定になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特昭６３-１２２０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明が解決しようとする課題は、記憶装置の電源端子が電源に接続されていない場合、あるいは、記憶装置の接地端子がグラウンドに接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の側面の電気回路は、データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路とを備え、前記信号端子と前記電源端子との間において、前記信号端子から前記電源端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記電源の間に接続されるプルアップ抵抗とを備え、前記電源の電圧の最大値をVcc(max)、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf(min)、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi(min)、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をI(min)とした場合に、前記プルアップ抵抗の抵抗値Rが、R≧(Vcc(max)−Vf(min)−Vi(min))／I(min)を満たす。
【００２０】
本発明の第１の側面の電気回路においては、電源と電源端子が未接続の場合に、記憶装置にデータが書き込まれなくなる。
【００２１】
従って、記憶装置の電源端子が電源に接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。
【００２２】
この記憶装置は、例えば、EEPROMにより構成される。
【００２３】
本発明の第２の側面の電気回路は、データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路とを備え、前記接地端子と前記信号端子との間において、前記接地端子から前記信号端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記グラウンドの間に接続されるプルダウン抵抗とを備え、前記電源の電圧の最大値をVcc(max)、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf(min)、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi(min)、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をI(min)とした場合に、前記プルダウン抵抗の抵抗値Rが、R≧(Vcc(max)−Vf(min)−Vi(min))／I(min)を満たす。
【００２４】
本発明の第２の側面の電気回路においては、接地端子とグラウンドが未接続の場合に、記憶装置にデータが書き込まれなくなる。
【００２５】
従って、記憶装置の接地端子がグラウンドに接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。
【００２６】
この記憶装置は、例えば、EEPROMにより構成される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の第１側面の側面によれば、記憶装置の電源端子が電源に接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。
【００２８】
また、本発明の第２の側面によれば、記憶装置の接地端子がグラウンドに接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】従来のEEPROMの回路構成の一部の一例を示す回路図である。
【図２】プルアップ抵抗の例を示す図である。
【図３】プルダウン抵抗の例を示す図である。
【図４】本発明を適用した電気回路の第１の実施の形態を示す回路図である。
【図５】プルアップ抵抗の抵抗値の条件を説明するための図である。
【図６】本発明を適用した電気回路の第２の実施の形態を示す回路図である。
【図７】プルダウン抵抗の抵抗値の条件を説明するための図である。
【図８】本発明を適用した電気回路の他の例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（プルアップ抵抗を設ける例）
２．第２の実施の形態（プルダウン抵抗を設ける例）
３．変形例
【００３１】
＜１．第１の実施の形態＞
図４は、本発明を適用した電気回路の第１の実施の形態を示す回路図である。
【００３２】
図４の電気回路は、上述した図２の電気回路と同様の電気回路であり、対応する部分には同じ符号、あるいは、下１桁が同じ符号を付してある。
【００３３】
図４の電気回路は、EEPROM１０１、CPU１０２、プルアップ抵抗R101、電源Vcc、および、グラウンドＧを含むように構成される。
【００３４】
EEPROM１０１は、CPU１０２からの指令に基づいて、CPU１０２から入力されるデータを内部の記憶素子に書き込んだり、内部の記憶素子に記憶されているデータを読み出して、CPU１０２に出力したりする。
【００３５】
なお、この図では、EEPROM１０１の複数の端子のうち、信号出力用の端子である信号端子SO、電源接続用の端子である電源端子Vin、および、接地用の端子である接地端子GNDが示されている。
【００３６】
信号端子SOからは、CPU１０２により読み出されるデータを示す信号が出力される。また、信号端子SOは、CPU１０２との間において、プルアップ抵抗R101を介して、電源Vccに接続されている。
【００３７】
電源端子Vinは、所定の電圧の電力を供給する電源Vccに接続され、EEPROM１０１の駆動用の電力が入力される。
【００３８】
接地端子GNDは、所定の基準電位点を規定するグラウンドＧに接続されている。
【００３９】
また、この図には、信号端子SOの等価回路１１１、および、データの書き込みおよび読み出しを制御する制御手段である制御部１１２が示されている。
【００４０】
等価回路１１１の入力部には、寄生ダイオードD101，D102が形成されている。より詳細には、寄生ダイオードD101は、信号端子SOと電源端子Vinとの間において、信号端子SOから電源端子Vinに電流を流す方向に形成されている。また、寄生ダイオードD102は、接地端子GNDと信号端子SOとの間において、接地端子GNDから信号端子SOに電流を流す方向に形成されている。
【００４１】
制御部１１２は、電源端子Vinおよび接地端子GNDに接続され、電源端子Vinを介して電源Vccから供給される電力により動作する。
【００４２】
ここで、図５に示されるように、配線ミスや回路不良等により、電源Vccと電源端子Vinの間が未接続の場合、矢印A101で示されるように、電源Vccから、抵抗R101、信号端子SO、寄生ダイオードD101を介して制御部１１２に電流が流れ込む。
【００４３】
このとき制御部１１２に印加される電圧Vcceは、以下の式（１）により求められる。
【００４４】
Vcce＝Vcc−Vgnd＝Vcc−Ru×I1−Vf1  ・・・（１）
【００４５】
なお、Vccは、電源Vccの電圧を示している。Vgndは、接地端子GNDの電圧を示し、いまの場合0Vとしている。Ruはプルアップ抵抗R101の抵抗値を示している。I1は矢印A101の方向に流れる電流を示している。Vf1は寄生ダイオードD101の順電圧を示している。
【００４６】
ところで、EEPROM１０１には、データの書き込みを行うときの推奨電圧Vrが定められている。すなわち、制御部１１２に印加する電圧を推奨電圧Vrの範囲内に設定することにより、EEPROM１０１へのデータの書き込みが保証され、確実に書き込みが行うことができる。
【００４７】
従って、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めるようにするためには、データの書き込み時に制御部１１２に印加される電圧Vcceの最小値Vcce(min)が、推奨電圧Vrの最小値Vr(min)以上になるように、プルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すればよい。
【００４８】
なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最小になるのは、電源Vccの電圧Vccが最小になり、EEPROM１０１の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A101の方向に流れる電流I1が最大になり、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1が最大になる場合である。
【００４９】
従って、次式（２）を満たすようにプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すれば、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込むことが可能になる。
【００５０】
Vcce(min)＝Vcc(min)−Ru×I1(max)−Vf1(max)≧Vr(min)  ・・・（２）
【００５１】
なお、Vcc(min)は電源Vccの最小電圧を示し、I1(max)はEEPROM１０１の書き込み時の消費電流の最大値を示し、Vf1(max)は寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の最大値を示している。
【００５２】
そして、式（２）を変形することにより、次式（３）が求められる。
【００５３】
Ru≦(Vcc(min)−Vf1(max)−Vr(min))／I1(max)  ・・・（３）
【００５４】
この式（３）は、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めるようにするためのプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruの条件を示している。
【００５５】
例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を4.9V〜5.1Vとし、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の変動範囲を0.3〜0.8Vとし、データ書き込み時の消費電流I1の変動範囲を0.1mA〜2.5mAとし、EEPROM１０１の推奨電圧Vrの最小値Vr(min)を3.0Vとした場合、式（３）を満たす抵抗値Ruの範囲は、次式（４）のとおりになる。
【００５６】
Ru≦(4.9−0.8−3.0)／0.0025＝440Ω  ・・・（４）
【００５７】
また、EEPROM１０１には、制御部１１２に印加される電圧が低下した場合に、データの書き込みを禁止する書き込み禁止電圧Viが定められている。すなわち、制御部１１２に印加される電圧が書き込み禁止電圧Vi以下になると、EEPROM１０１にデータが書き込めなくなる。
【００５８】
従って、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにするためには、データの書き込み時に制御部１１２に印加される電圧Vcceの最大値Vcce(max)が、書き込み禁止電圧Viの最小値Vi(min)以下になるように、プルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すればよい。
【００５９】
なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最大になるのは、電源Vccの電圧Vccが最大になり、EEPROM１０１の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A101の方向に流れる電流I1が最小になり、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1が最小になる場合である。
【００６０】
従って、次式（５）を満たすようにプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すれば、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにすることが可能になる。
【００６１】
Vcce(max)＝Vcc(max)−Ru×I1(min)−Vf1(min)≦Vi(min)  ・・・（５）
【００６２】
なお、Vcc(max)は電源Vccの最大電圧を示し、I1(min)はEEPROM１０１の書き込み時の消費電流の最小値を示し、Vf1(min)は寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の最小値を示している。
【００６３】
そして、式（５）を変形することにより、次式（６）が求められる。
【００６４】
Ru≧(Vcc(max)−Vf1(min)−Vi(min))／I1(min)  ・・・（６）
【００６５】
この式（６）は、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにするためのプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruの条件を示している。
【００６６】
例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を4.9V〜5.1Vとし、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の変動範囲を0.3〜0.8Vとし、データ書き込み時の消費電流I1の変動範囲を0.1mA〜2.5mAとし、EEPROM１０１の書き込み禁止電圧Viの最小値Vi(min)を0.88Vとした場合、式（６）を満たす抵抗値Ruの範囲は、次式（７）のとおりになる。
【００６７】
Ru≧(5.1−0.3−0.88)／0.0001＝39.2ｋΩ  ・・・（７）
【００６８】
このように、プルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを式（３）または式（６）を満たすように設定することにより、電源Vccと電源端子Vinの未接続時の動作を安定させることができる。
【００６９】
＜２．第２の実施の形態＞
図６は、本発明を適用した電気回路の第２の実施の形態を示す回路図である。
【００７０】
図６の電気回路は、上述した図３の電気回路と同様の電気回路であり、図４の電気回路のプルアップ抵抗R101の代わりに、プルダウン抵抗R102を設けたものである。すなわち、EEPROM１０１の信号端子SOは、CPU１０２との間において、プルダウン抵抗R102を介して、グラウンドＧに接続されている。
【００７１】
なお、図中、図４と対応する部分には同じ符号を付してあり、その説明は、繰り返しになるので省略する。
【００７２】
ここで、図７に示されるように、配線ミスや回路不良等により、グラウンドＧと接地端子GNDの間が未接続の場合、矢印A102に示されるように、制御部１１２から、寄生ダイオードD102、信号端子SO、プルダウン抵抗R102を介して、グラウンドＧに電流が流れ込む。
【００７３】
このとき制御部１１２に印加される電圧Vcceは、以下の式（８）により求められる。
【００７４】
Vcce＝Vcc−Vgrd＝Vcc−(Vf2＋Rd×I2)  ・・・（８）
【００７５】
なお、Vf2は寄生ダイオードD102の順電圧を示し、Rdは抵抗R102の抵抗値を示し、I2は矢印A102の方向に流れる電流を示している。
【００７６】
そして、接地端子GNDとグラウンドＧとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めるようにするためには、データの書き込み時に制御部１１２に印加される電圧Vcceの最小値Vcce(min)が、推奨電圧Vrの最小値Vr(min)以上になるように、プルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すればよい。
【００７７】
なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最小になるのは、電源Vccの電圧Vccが最小になり、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2が最大になり、EEPROM１０１の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A102の方向に流れる電流I2が最大になる場合である。
【００７８】
従って、次式（９）を満たすようにプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すれば、接地端子GNDとグラウンドＧとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込むことが可能になる。
【００７９】
Vcce(min)＝Vcc(min)−(Vf2(max)＋Rd×I2(max))≧Vr(min)  ・・・（９）
【００８０】
なお、Vf2(max)は寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の最大値を示し、I2(max)はEEPROM１０１の書き込み時の消費電流の最大値を示している。
【００８１】
そして、式（９）を変形することにより、次式（１０）が求められる。
【００８２】
Rd≦(Vcc(min)−Vf2(max)−Vr(min))／I2(max)  ・・・（１０）
【００８３】
この式（１０）は、接地端子GNDとグラウンドＧとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めるようにするためのプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdの条件を示している。
【００８４】
例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を4.9V〜5.1Vとし、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の変動範囲を0.3〜0.8Vとし、データ書き込み時の消費電流I2の変動範囲を0.1mA〜2.5mAとし、EEPROM１０１の推奨電圧Vrの最小値Vr(min)を3.0Vとした場合、式（１０）を満たす抵抗値Rdの範囲は、次式（１１）のとおりになる。
【００８５】
Rd≦(4.9−0.8−3.0)／0.0025＝440Ω  ・・・（１１）
【００８６】
一方、接地端子GNDとグラウンドＧとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにするためには、データの書き込み時に制御部１１２に印加される電圧Vcceの最大値Vcce(max)が、書き込み禁止電圧Viの最小値Vi(min)以下になるように、プルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すればよい。
【００８７】
なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最大になるのは、電源Vccの電圧Vccが最大になり、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2が最小になり、EEPROM１０１の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A102の方向に流れる電流I2が最小になる場合である。
【００８８】
従って、次式（１２）を満たすようにプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すれば、接地端子GNDとグラウンドＧとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにすることが可能になる。
【００８９】
Vcce(min)＝Vcc(max)−(Vf2(min)＋Rd×I2(min))≦Vi(min)  ・・・（１２）
【００９０】
なお、Vf2(min)は寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の最小値を示し、I2(min)はEEPROM１０１の書き込み時の消費電流の最小値を示している。
【００９１】
そして、式（１２）を変形することにより、次式（１３）が求められる。
【００９２】
Rd≧(Vcc(max)−Vf2(min)−Vi(min))／I2(min)  ・・・（１３）
【００９３】
この式（１３）は、接地端子GNDとグラウンドＧとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにするためのプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdの条件を示している。
【００９４】
例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を4.9V〜5.1Vとし、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の変動範囲を0.3〜0.8Vとし、データ書き込み時の消費電流I2の変動範囲を0.1mA〜2.5mAとし、EEPROM１０１の書き込み禁止電圧Viの最小値Vi(min)を0.88Vとした場合、式（１３）を満たす抵抗値Ruは、次式（１４）のとおり求められる。
【００９５】
Rd≧(5.1−0.3−0.88)／0.0001＝39.2ｋΩ  ・・・（１４）
【００９６】
このように、プルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを式（１０）または式（１３）を満たすように設定することにより、接地端子GNDとグラウンドＧの未接続時の動作を安定させることができる。
【００９７】
＜３．変形例＞
以下、本発明の実施の形態の変形例について説明する。
【００９８】
［変形例１］
本発明は、信号端子SOのように、寄生ダイオードを介して電源端子Vinと接地端子GNDの両方に接続されている端子だけでなく、いずれか一方にのみ接続されている信号端子に、プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を接続する場合にも適用することができる。
【００９９】
例えば、図８は、EEPROM１０１の信号端子SIの等価回路１２１を示している。
【０１００】
信号端子SIには、CPU１０２により書き込まれるデータを示す信号が入力される。また、信号端子SIは、CPU１０２との間において、プルダウン抵抗R121を介して、グラウンドＧに接続されている。
【０１０１】
また、等価回路１２１の入力部には、寄生ダイオードD121が形成されている。より詳細には、寄生ダイオードD121は、接地端子GNDと信号端子SIとの間において、接地端子GNDから信号端子SIに電流を流す方向に形成されている。
【０１０２】
この場合も、上述したように、式（１０）を満たすように、プルダウン抵抗R121の抵抗値を設定することにより、接地端子GNDとグラウンドＧの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めるようにすることができる。
【０１０３】
また、上述したように、式（１３）を満たすように、プルダウン抵抗R121の抵抗値を設定することにより、接地端子GNDとグラウンドＧの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM１０１にデータを書き込めないようにすることができる。
【０１０４】
［変形例２］
本発明は、上述したEEPROM以外にも、信号端子と電源端子との間、または、信号端子と接地端子の間に寄生ダイオードが形成されている記憶装置に適用することが可能である。
【０１０５】
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０１  EEPROM
１１１  等価回路
１１２  制御部
R101  プルアップ抵抗
R102，R121  プルダウン抵抗
D101，D102，D121  寄生ダイオード
Vcc  電源
Vin  電源端子
SO，SI  信号端子
GND  接地端子
Ｇ  グラウンド
【図１】
0005546476.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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