(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法であって、
上面を有するバッキング・プレートを設け、前記上面を半田層でプリウェットするステップと、
底面を有し、材料を通じて一様な透磁率を有する強磁性スパッタ・ターゲットを設け、前記底面を半田層でプリウェットするステップと、
前記バッキング・プレートと前記強磁性スパッタ・ターゲットとの間に、発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である接合箔を導入するステップと、
前記バッキング・プレート及び前記強磁性スパッタ・ターゲットを一緒に押圧し、それらの間で、前記接合箔を着火し、実質的に対称形の漏洩磁束を有する前記スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する際に前記強磁性スパッタ・ターゲットの微細構造又は平面度に影響を及ぼすことなく、前記バッキング・プレートの前記半田層を前記強磁性スパッタ・ターゲットの前記半田層と共に溶融しかつ接合させるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
押圧するステップ、及びその後に少なくとも２２６７９．６ｋｇ（５００００ポンド）の荷重を加えるステップの前に、プレス機において前記ターゲット及びバッキング・プレートの位置合わせをするステップをさらに含む、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項３】
前記バッキング・プレート及び前記スパッタ・ターゲットが異なる材料から作られる、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項４】
前記半田層が、６３重量％の量の錫を含む共晶半田であり、その残部が鉛である、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項５】
前記箔を発火させ、前記発熱反応を開始させるように、直流電源から前記バッキング・プレートまでの負極リードと、直流電源から前記接合箔までの正極リードとを接続するステップをさらに含む、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項６】
前記接合箔の前記厚さが、約０．０５０８ｍｍ（０．００２インチ）から約０．０７６２ｍｍ（０．００３インチ）まで変化する、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項７】
前記接合箔が、珪素化合物、アルミナイド、ホウ化物、炭化物、テルミット反応性化合物、合金、金属ガラス及び金属複合体の中から選択される、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項８】
前記半田材料が、インジウム錫、錫鉛、又は錫銀銅の中から選択される、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項９】
前記スパッタ・ターゲットが、実質的に円形ディスク状の高純度の強磁性ニッケル、ニッケル合金、コバルト、又はコバルト合金ターゲットである、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項１０】
前記スパッタ・ターゲットを横切る磁束が対称に分布される、請求項１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法。
【請求項１１】
半田層でプリウェットされた底面を有し、材料を通じて一様な透磁率を有する強磁性スパッタ・ターゲット、
半田層でプリウェットされた上面を有するバッキング・プレート、及び
前記バッキング・プレートと前記強磁性スパッタ・ターゲットとの間に配置される接合箔を備えるスパッタ・ターゲット・アセンブリであって、
実質的に対称形の漏洩磁束を有する前記スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する際に前記強磁性スパッタ・ターゲットの前記微細構造又は前記平面度に影響を及ぼすことなく、前記バッキング・プレートの前記半田層を前記強磁性スパッタ・ターゲットの前記半田層と共に溶融しかつ接合させることによって、前記バッキング・プレートに前記強磁性スパッタ・ターゲットを接合するために、前記接合箔が発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である、スパッタ・ターゲット・アセンブリ。
【請求項１２】
前記バッキング・プレートと前記接合箔との間に配置される第１の半田接合層と、前記ターゲットと前記接合箔との間に配置される第２の半田接合層とをさらに備える、請求項１１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
【請求項１３】
前記接合箔が、珪素化合物、アルミナイド、ホウ化物、炭化物、テルミット反応性化合物、合金、金属ガラス及び金属複合体の中から選択される、請求項１１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
【請求項１４】
前記スパッタ・ターゲットが、実質的に円形ディスク状の高純度の強磁性ニッケル、ニッケル合金、コバルト、又はコバルト合金ターゲットである、請求項１１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
【請求項１５】
前記スパッタ・ターゲットを横切る磁束が対称に分布される、請求項１１に記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタ・ターゲットの分野に関する。特に、本発明は、被膜の物理蒸着に利用されるスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成するように、接合箔を用いてバッキング・プレートをスパッタ・ターゲットに取り付ける方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カソード・スパッタリングは、基板上に材料の薄層を堆積するために広く利用される手段である。一般に、このプロセスは、所望の材料から形成される表面を有するターゲットのガスイオン照射を必要とし、この所望の材料は、基板の薄膜又は層として堆積されることになる。ターゲットのイオン照射により、ターゲット材料の原子又は分子がスパッタされるばかりでなく、ターゲットにかなりの熱エネルギーが与えられる。この熱は、ターゲットと熱交換関係にあるように配置されるバッキング・プレートの下、又はその周りを一般的に循環する冷却流体を使用することによって放散される。
【０００３】
ターゲットは、カソード・アセンブリの一部を形成し、このカソード・アセンブリは、不活性ガス、好ましくはアルゴンを含む真空引きされたチャンバに、アノードと共に配置される。高電圧の電場が、カソード及びアノードを横切って印加される。不活性ガスは、カソードから放射された電子と衝突することによってイオン化される。正に電荷されたガスイオンが、カソードに引き付けられ、ターゲット表面との衝突時にターゲット材料を取り除く。取り除かれたターゲット材料は、真空引きされた筺体を横断し、アノードの近くに普通は配置される所望の基板に薄膜として堆積する。
【０００４】
従来のターゲット・カソード・アセンブリでは、ターゲットは、非磁性バッキング・プレートに取り付けられる。バッキング・プレートは、スパッタリング・チャンバ内にスパッタ・ターゲットを保持し、また、スパッタ・ターゲットに対して構造的支持も与える。バッキング・プレートは、通常、ターゲットのイオン照射によって生じる熱を運び去るために水冷される。磁石が、一般的には、ターゲットの露出面の周りに延在するループ又はトンネルの形の上述の磁場を形成するために、よく知られている配列でバッキング・プレートの下に配置される。
【０００５】
ターゲットとバッキング・プレートとの間の良好な熱及び電気的接触を実現するために、これらの部材は、通常、半田付け、ろう付け、拡散接合、クランピング、エポキシセメントを、又はそれらを連動環状部材と共に用いることによって、互いに取り付けられる。選択される技術は、接合材の特性、並びにターゲット・アセンブリの所望の性質及び特性に依存する。
【０００６】
半田付け技術は通常、例えば、純ニッケル（Ｎｉ）、並びにＮｉＦｅ及びＮｉＦｅＣｏなどのＮｉを主成分とする合金、純鉄（Ｆｅ）、並びにＦｅＴａ、ＦｅＣｏ及びＦｅＮｉなどのＦｅを主成分とする合金、純コバルト（Ｃｏ）、並びにＣｏＣｒ及びＣｏＣｒＰｔなどのＣｏを主成分とする合金を使って強磁性スパッタ・ターゲットを接合するために利用される。ターゲットは通常、インジウム錫、錫鉛、又は錫銀銅のような約１４０℃から２２０℃までの融点を有することができる半田を使ってバッキング・プレートに接合される。半田を溶融するこのような温度までターゲット及びバッキング・プレートを加熱することは、ターゲットの微細構造に影響を及ぼすことがあるという点で問題がある。さらに、この２つの部品の間の熱膨張性の大きな差異により、部分的な反り、及び他と異なる部分的な収縮が生じる場合がある。
【０００７】
Ｖａｓｃａｋら（米国特許第５２３０４６２号）は、スパッタリング作業において、その後の使用ができるようにスパッタ・ターゲットをバッキング・プレートに半田接合することを説明している。半田は、バッキング・プレート及びターゲットの対向する面上で濡らされ、半田浴にバッキング・プレート及びターゲットを沈め、その後、濡れ部を押圧して接触させる。
【０００８】
Ｋｏｅｎｉｇｓｍａｎｎら（米国特許第６７０８８７０号Ｂ２）は、冷却プレート又はバッキング・プレートの外周を取り囲む溶加材を備えるバッキング・プレートへのターゲット・インサートの固体接合及び固体取り付けの組み合わせを開示している。
【０００９】
Ｏｈｈａｓｈｉら（米国特許第５６９３２０３号）は、拡散接合に一般的に要求される高圧及び高温を避けるような固体接合の使用を開示している。この特許では、固体結合を形成するようにバッキング・プレートとスパッタ・ターゲットとの間で金属箔を押圧することを説明している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来技術と比べていくつかの利点を提供する。特に、本発明は、ターゲットとバッキング・プレートとの間に接合箔を使用することを含み、これを着火して、ターゲットとバッキング・プレートに設けられた半田を溶融するのに十分なエネルギーを生成する半田接合技術を提供する。アセンブリ加熱がごくわずかになることが認められ、このプロセスにより、半田層厚さが注意深く制御できるようになる。
【００１１】
本発明のもう１つの目的は、一様なターゲット材料厚さ、及び対称形の漏洩磁束を有するターゲット・アセンブリを提供することである。
【００１２】
本発明の他の目的及び態様は、本明細書、本明細書に添付した図面、及び特許請求の範囲を検討することによって当業者に明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の１つの態様によれば、スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法が提供される。この方法は、上面を有するバッキング・プレートを設け、上面を半田層でプリウェットするステップと、底面を有するスパッタ・ターゲットを設け、底面を半田層でプリウェットするステップと、バッキング・プレートとスパッタ・ターゲットとの間に、発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である接合箔を導入するステップと、バッキング・プレート及びスパッタ・ターゲットを一緒に押圧し、それらの間で、スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する際にスパッタ・ターゲットの微細構造又は平面度に影響を及ぼすことなく、バッキング・プレートの半田層をスパッタ・ターゲットの半田層と共に溶融しかつ接合するように接合箔を着火するステップと、を含む。
【００１４】
本発明のもう１つの態様によれば、スパッタ・ターゲット、バッキング・プレート、及びバッキング・プレートとスパッタ・ターゲットとの間に配置される接合箔が設けられる。この接合箔は、スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する際にスパッタ・ターゲットの微細構造又は平面度に影響を及ぼすことなくバッキング・プレートにスパッタ・ターゲットを接合するために発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である。
【００１５】
本発明の目的及び利点は、同じ番号が同じ特徴を示す添付の図面と関連して、本発明の例示の実施例についての次の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】プレス構成、及びその中のターゲット・アセンブリ構成要素の概略断面図である。
【図２】一箇所に集められ、その間でスパッタ・ターゲット・アセンブリに圧力を加えるプレス・プラテンの概略図である。
【図３】本発明のプロセスによって製造された最終のスパッタ・ターゲット・アセンブリの概略図である。
【図４Ａ】従来技術と比べて、本発明により製造されたＮｉ３００ｍｍターゲット・アセンブリの場合の半田層の厚さ及び範囲についてグラフ表示した図である。
【図４Ｂ】前記半田層厚さの標準偏差についてグラフ表示した図である。
【図５Ａ】従来技術のターゲット・アセンブリついての非対称形の漏洩磁束を示す図である。
【図５Ｂ】本発明によるターゲット・アセンブリついての対称形の漏洩磁束を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明は、平面で単一体の強磁性スパッタ・ターゲット及びアセンブリを提供するものである。この強磁性スパッタ・ターゲット及びアセンブリは、新規な半田付けプロセスによって製造され、接合箔（また、反応性箔としても知られている）は、スパッタ・ターゲットとバッキング・プレートとの間に導入される。本発明の原理に従って、強磁性材料が、この材料を通じて一様な透磁率を有するプレートのような中実で単一のスパッタ・ターゲット形状に形成される。本発明により意図される強磁性材料は、例えば、純ニッケル（Ｎｉ）、並びにＮｉＦｅ及びＮｉＦｅＣｏなどのＮｉを主成分とする合金、純鉄（Ｆｅ）、並びにＦｅＴａ、ＦｅＣｏ及びＦｅＮｉなどのＦｅを主成分とする合金、純コバルト（Ｃｏ）、並びにＣｏＣｒ及びＣｏＣｒＰｔなどのＣｏを主成分とする合金、並びに、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、及び１．０よりも大きな固有の透磁率を有する他の元素を有する他の二元元素合金、三元元素合金、及びより高度の元素合金を含む。
【００１８】
図１を参照して、スパッタ・ターゲット１０は、実質的に円形ディスク状の高純度の強磁性スパッタ・ターゲットである。この強磁性スパッタ・ターゲットは、少なくとも約９９．９９重量％の純度を有する。本明細書の説明において、すべての濃度は重量％である。スパッタ・ターゲットは少なくとも９９．９９５重量％の純度を有することが有利であり、少なくとも９９．９９９重量％の純度を有することがより有利である。図示されているように、スパッタ・ターゲット１０はディスク状であるが、卵形、正方形、長方形などの他のターゲット形状を利用できることが当業者には理解されよう。
【００１９】
ターゲット１０は、ブランク素材から製造することができ、このブランク素材は、鍛造され、並びに熱間加工又は冷間加工され、或いは低温形成される。熱間加工は、この素材の残留応力を低減するが、通常、冷間加工又は低温形成よりも高い透磁率になる。スパッタリング面１２は、通常、そこから連続的に材料を取り除くように、かつ基板上に均一な層を配置するように平面に維持される。ターゲットの底面（又は、非スパッタリング面）は、バッキング・プレート１６との結合を容易にするように半田層１４でプリウェットされる。
【００２０】
バッキング・プレートに利用される金属は、任意の数の金属であってもよく、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、及びそれらの合金を含んでもよい。バッキング・プレートは、銅合金から作られることが好ましい。バッキング・プレート１６は、スパッタ・ターゲット１０と結合するために利用される上面を含む。ターゲットの底面と同様に、バッキング・プレートの上面は、半田層１８でプリウェットされる。これらの半田材料は、従来のインジウム錫、錫鉛、錫銀銅、又は他の錫を主成分とする合金の中から選択することができる。
【００２１】
接合箔又は反応性箔２０は、構成要素を一緒に押圧する前にスパッタ・ターゲット１０とバッキング・プレート１６との間に導入される。接合箔は、発火性の異種層状構造体である。接合箔２０の製造に使用することができる例示の材料のいくつかは、珪素化合物、アルミナイド、ホウ化物、炭化物、テルミット反応性化合物、合金、金属ガラス及び金属複合体の中から選択される。接合箔のこれらのタイプは、Ｂａｒｂｅｅ，Ｊｒ．ら、及びＷｅｉｈｓら（それぞれ、米国特許第５５３８７９５号、及び米国特許第６８６３９９２号）において論じられており、これらは、全体として参照により本明細書に組み込まれている。
【００２２】
プレス機２６のプラテン２２及びプラテン２４が、スパッタ・ターゲット１０及びバッキング・プレート１６をその間に接合箔２０を挟んだ状態で接合する際に、実質的に一様な大きさの圧力を加えられる。接合箔は、直流電源（図示せず）によって着火し、その結果、発熱反応を生じる。この反応中に生じる熱は、半田層１４及び半田層１８を溶融するが、スパッタ・ターゲット１０又はバッキング・プレート１６の中に入り込まない。その深さは、約０．１２７ｍｍ（０．００５インチ）以下であることが好ましく、その結果、当てがわれた半田層は、スパッタ・ターゲット１０又はバッキング・プレート１６の結晶学的構造又は冶金学的構造の反り、又は乱れを生じることなく、同時に一緒に溶融しかつ接合する。結果として、スパッタ・ターゲットは、その平面度並びにその冶金学的完全性を維持する。
【００２３】
本発明のもう１つの例示の実施例では、引き続いて図１を参照すると、接合されることになる構成要素は、プレス機２６が少なくとも約２２６７９．６ｋｇ（５００００ポンド）の荷重を発生することができる限りは、油圧プレス機、ねじプレス機、手動プレス機、又はコンピュータ操作されるプレス機などのプレス機２６内に配置される。位置合わせ固定具２８は、バッキング・プレート１６及びスパッタ・ターゲット１０を中心に置きかつ位置合わせをするように、位置合わせピン３２によって配置される精密スペーサ３０を含む。半田層１４及び半田層１８は、約０．１２７ｍｍ（０．００５インチ）から０．２５４ｍｍ（０．０１０インチ）までの範囲の厚さに至るまで、それぞれバッキング・プレート及びスパッタ・ターゲットの上で濡らされる。アルミニウム合金６０６１などのアルミニウム・スペーサプレート３４は、バッキング・プレートの上に一様に荷重を分布するように、ネオプレン・シート材料３６の上に配置される。少なくとも約２２６７９．６ｋｇ（５００００ポンド）の荷重が、図２に示されるように、構成要素を接合する際に加えられる。
【００２４】
直流の電気接続部をプレス機に取り付けることができる。特に、直流電源（図示せず）からの負極リードは、バッキング・プレート１６に取り付けることができ、正極リードは、接合箔２０に接続される。図２に示されるように、プラテン２２及びプラテン２４によって加えられる圧力を安定化すると、接合箔２０は着火し、その結果、上で論じたように発熱反応が生じる。接合箔は、約０．１２７ｍｍ（０．００５インチ）の深さまで半田層１４及び半田層１８を溶融し、したがって、バッキング・プレートにスパッタ・ターゲットを取り付けることによってスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する。接合の後で、一体化したターゲット・アセンブリは、プレス機から取り除かれ、図３に示されている。
【００２５】
接合され機械加工されたスパッタ・ターゲット・アセンブリは、接合部にいかなる欠陥もないかどうかを判定するために、超音波で検査することができる。超音波及び機械的測定は、仕上げられたターゲット・アセンブリ形状の寸法を確認するために行うことができる。
【００２６】
本発明のスパッタ・ターゲット・アセンブリは、次の実施例を参照して詳細にさらに説明されることになるが、これは、本発明を限定するものとして解釈すべきではない。
【実施例】
【００２７】
９９．９９５重量％の純度を有する９個のニッケル・ブランクが、４５．０８５ｃｍ（１７．７５インチ）のブランクの直径を得るために９．５２５ｍｍ（０．３７５インチ）の厚さを有する熱間圧延ニッケル・プレートからウォータージェット切断された。５３．３４ｃｍ（２１．０インチ）の直径、及び１．９０５ｃｍ（０．７５０インチ）の厚さを有する９個のネーバル黄銅ブランク又は銅クロム・ブランクを、バッキング・プレートとして使用した。すべてのブランクは、平行な表面を得るように両面を機械加工した。
【００２８】
次いで、ニッケル・ブランクのうちの６個を、６３重量％の量の錫、及び３７重量％の量の鉛を含む共晶半田を用いて、接合箔なしで銅クロム・バッキング・プレートに接合した。ニッケル・ブランクのうちの３個、及びネーバル黄銅ブランクのうちの３個は、同一の半田を用いてプリウェットした。余剰半田は、ニッケル・ブランクとネーバル黄銅ブランクの両方について０．１２７ｍｍ（０．００５インチ）から０．２５４ｍｍ（０．０１０インチ）までの半田厚さを得るように機械加工することによって取り除いた。
【００２９】
０．０７６ｍｍ（０．００３インチ）の厚さを有する接合箔を、後者の３個のニッケル・ターゲット・ブランク及びネーバル黄銅ブランクに対して、上で説明した位置合わせ固定具を用いてニッケル・ブランクとネーバル黄銅ブランクとの間に配置した。４５．０８５ｃｍ（１７．７５インチ）の直径を有する１．９０５ｃｍ（０．７５０インチ）の厚さのアルミニウム６０６１スペーサプレートを、同一の直径を有するネオプレン・シートの上に配置した。直流電源からの負極リードをバッキング・プレートに取り付け、正極リードを接合箔に接続した。約４８５３４．４ｋｇ（１０７０００ポンド）の荷重を、構成要素を接合する際に加えた。圧力を安定化すると、接合箔が着火し、上で論じたように発熱反応が生じ、半田層を溶融し、このようにしてニッケル・ブランクが黄銅バッキング・プレートに取り付けられた。
【００３０】
次いで、接合されたスパッタ・ターゲット・アセンブリは、超音波で検査され、９９％よりも広い接合範囲が得られた。機械加工の後、超音波厚さ測定が、３３箇所で、ニッケル厚さ及び半田厚さを決定するために行われた。その結果は、下記の表に要約される。
【００３１】
【表１】
0005554989.tif 000002
【００３２】
上記の表の各スパッタ・ターゲット・アセンブリの場合、半田層厚さは、ターゲットを横切って３３個の厚さの測定値を採り、かつ公称（すなわち、平均）厚さを計算することによって決定した。図４Ａ〜図４Ｂ、及び上記の表に示されように、半田層厚さは、公称厚さの１００％まで変化することができる。０．３５５６ｍｍ（０．０１４インチ）の平均範囲の場合、従来のターゲットについての平均半田層厚さは、０．４８２６ｍｍ（０．０１９インチ）である。これに反して、本発明では、０．１５２４ｍｍ（０．００６インチ）の平均範囲の場合、この平均厚さは、０．３５５６ｍｍ（０．０１４インチ）である。このことは、５７％までの半田層厚さの制御における改善を示している。
【００３３】
強磁性ターゲットを利用するスパッタ・ターゲット・アセンブリの漏洩磁束（ＭＬＦ）（磁束を通る磁気パス（ＰＴＦ）としても知られている）は、厚さの変動を起こしやすい。この変動は、半田厚さ又はスパッタ・ターゲット自体に起因する場合がある。本明細書において説明したプロセスにより製造されたターゲット・アセンブリは、実質的に対称形のＭＬＦになることが分かっている。したがって、ターゲット・アセンブリは、基板上に一様な性質を有する被膜を堆積することができる。
【００３４】
ターゲット・アセンブリの性能を予測するために、非破壊ＭＬＦ測定が行われた。この測定は、試験されるスパッタ・ターゲット・アセンブリの平坦面の近くに永久に保持される馬蹄形磁石を有する試験用固定テーブルを用いて行われた。ターゲットを貫通し、ターゲットの背後から入る磁場を測定するために、ホールプローブを導入した。図５Ａ〜図５Ｂに示されように、ＭＬＦマップは、さまざまな色の一連の同心リングを示す。特に、図５Ａに示されるように、従来のスパッタ・ターゲット・アセンブリは、（３６ガウスから１３６ガウスまで）の１００ガウス範囲の非対称形のＭＬＦを有する。図５Ｂは、同心パターン、及び単に（４２ガウスから１０４ガウスまで）の６２ガウス範囲を示す対称形のＭＬＦマップを示している。図５Ｂに示される種類のＭＬＦマップを有するターゲット・アセンブリは、基板上に一様な性質を有する被膜を堆積することができる。ターゲットの縁部の近くで色の変化する度合いは、磁場によって生成されるエッジ効果に関連するより大きなＭＬＦを示す。
【００３５】
本発明が、一定の好ましい実施例を参照して詳細に説明されているが、特許請求の範囲の趣旨及びその範囲内で本発明の他の実施例があることが当業者には理解されよう。
【図１】
0005554989.tif 000003
【図２】
0005554989.tif 000004
【図３】
0005554989.tif 000005
【図４Ａ】
0005554989.tif 000006
【図４Ｂ】
0005554989.tif 000007
【図５Ａ】
0005554989.tif 000008
【図５Ｂ】
0005554989.tif 000009