(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスから基板の連続する部分上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスとを互いに対してまた前記投影システムに対して移動させて、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加する制御システムと、を備え、
前記制御システムは、前記スキャン動作中に前記投影システムの１つ以上の特性の補正変動を引き起こして前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置されたパターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記制御システムは、各スキャン動作中の前記投影システム外の光学システムの１つ以上の要素の補正運動をさらに引き起こし、
前記補正運動は、面外運動を含み、それによって前記制御システムは前記パターニングデバイス及び前記基板テーブルの面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記スキャン動作中の前記支持体及び前記基板テーブルのうちの少なくとも一方の傾斜を含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記制御システムは、前記スキャン動作中に１つ以上の光学システムを移動させて前記スキャン動作中の前記投影システムの１つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記光学要素の運動は、前記スキャン動作中に前記投影システム内の水平歪を決定する制御パラメータを修正する前記制御システムによって間接的に達成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
パターニングされた基板のパラメータを測定する測定装置と、測定されたパラメータを分析してスキャン運動に特有の基板部分内のパターニングエラーの変動を認識するデータ処理装置と、前記補正変動とオプションとして前記補正運動のパラメータを計算するデータ処理装置と、をさらに備える、請求項１から３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
パターン付放射ビームを基板の連続部分上に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、
照明システムが放射ビームを調節し、パターニングデバイスを支持する支持体が提供され、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成でき、基板を支持する基板テーブルが提供され、投影システムが前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影し、
前記基板の各部分がフィールドスキャン動作によってパターニングされ、該動作中、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスが互いに対して、また前記投影システムに対して移動して、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加し、
前記投影システムは、前記フィールドスキャン動作中に前記投影システムの１つ以上の特性の補正変動を実施して前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置された前記パターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記方法が、各スキャン動作中の前記投影システム外の前記光学システムの１つ以上の要素の補正運動を実行するステップをさらに含み、
前記補正運動が面外運動を含み、前記パターニングデバイスと前記基板テーブルの面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記フィールドスキャン動作中の前記支持体及び前記基板テーブルのうちの少なくとも一方の傾斜を含む、デバイス製造方法。
【請求項６】
前記制御システムは、前記投影システム内の１つ以上の光学要素を移動させて前記スキャン動作中の前記投影システム内の１つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
リソグラフィ装置を制御して請求項５又は６に記載のデバイス製造方法で動作させる機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムであって、
前記命令は、前記補正変動及びオプションとして前記補正運動で前記フィールドスキャン動作を制御する、コンピュータプログラム。
【請求項８】
放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスとを互いに対してまた前記投影システムに対して移動させて、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加する制御システムと、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記制御システムは、前記スキャン動作中に前記投影システムの１つ以上の特性の補正変動を引き起こして前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置されたパターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記制御システムは、各スキャン動作中の前記投影システム外の光学システムの１つ以上の要素の補正運動をさらに引き起こし、
前記補正運動は面外運動を含み、それによって前記制御システムは前記パターニングデバイスと前記基板テーブルの面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記スキャン動作中の前記支持体及び前記基板テーブルのうちの少なくとも一方の傾斜を含む、リソグラフィ装置。
【請求項９】
制御システムは、前記スキャン動作中に１つ以上の光学システムを移動させて前記スキャン動作中の前記投影システムの１つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
パターン付放射ビームを基板の連続部分上に投影するステップであって照明システムが放射ビームを調節するステップと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するステップと、基板を固定するステップと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するステップと、を含むデバイス製造方法であって、
前記基板の各部分がフィールドスキャン動作によってパターニングされ、該動作中、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスが互いに対して、また前記投影システムに対して移動して、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加し、
前記投影システムは、前記フィールドスキャン動作中に前記投影システムの１つ以上の特性の補正変動を実施して前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置された前記パターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記方法が、各スキャン動作中の前記投影システム外の前記光学システムの１つ以上の要素の補正運動を実行するステップをさらに含み、
前記補正運動が面外運動を含み、前記パターニングデバイスと基板支持体の面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記フィールドスキャン動作中のパターニングデバイス支持体及び前記基板支持体のうちの少なくとも一方の傾斜を含む、デバイス製造方法。
【請求項１１】
前記制御システムは、前記スキャン動作中に１つ以上の光学システムを移動させて前記スキャン動作中の前記投影システム内の１つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
パターニングされた基板のパラメータを測定するステップと、測定されたパラメータを分析して前記スキャン動作に特有の基板部分内のパターニングエラーの変動を認識するステップと、前記補正変動とオプションとして前記補正運動のパラメータを計算するステップと、をさらに含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本発明は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、２０１０年２月１９日出願の米国仮出願第６１／３０６，０４５号の利益を主張する。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置に関し、特に、測定及び／又は分析するリソグラフィ装置の試験方法と、そのような試験方法の一部を実施するデータ処理装置及びコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。
【０００４】
[0004]  リソグラフィプロセスをモニタするために、パターニングされた基板のパラメータ、例えば、基板上又は基板内に形成された連続する層の間のオーバレイエラー及び現像されたメトロロジーターゲット内のクリティカルライン幅を測定する必要がある。走査型電子顕微鏡及び様々な専用ツールの使用を含むリソグラフィプロセスで形成される微細構造を測定する様々な技術がある。専用検査ツールの高速で非侵襲的な形態は、放射ビームが基板表面上のターゲットに誘導され、散乱又は反射したビームの特性が測定されるスキャトロメータである。基板によって反射又は散乱する前とその後のビームの特性を比較することにより、基板の特性を決定することができる。これは、例えば既知の基板特性に関連した既知の測定値のライブラリに格納されたデータと反射ビームを比較することによって実行することができる。スキャトロメータは２つの主なタイプが知られている。分光スキャトロメータは広帯域放射ビームを基板上に誘導し、特定の狭い角度範囲に散乱した放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。角度分解スキャトロメータは単色放射ビームを使用し、散乱した放射の強度を角度の関数として測定する。
【０００５】
[0005]  スキャナの機能をより良く制御するために、システムを毎日予め画定したベースラインへ向けて自動的に駆動するモジュールが最近考案された。このスキャナ安定性モジュールは、メトロロジーツールを用いてモニタウェーハから得られる標準の測定値を検索する。モニタウェーハは、特殊なスキャトロメトリマークを含む特殊なレチクルを用いて事前に露光してあった。モニタウェーハを用い、当日の測定値（及びできれば以前の日々の履歴的測定データ）を用いて、スキャナ安定性モジュールは、システムがそのベースラインからどれくらい遠くまでドリフトしたかを決定し、ウェーハレベルオーバレイと合焦修正セットを計算する。ベースラインは、モニタウェーハ上の基準層によって直接（この場合、ベースライナはベースライナモニタウェーハ上のオーバレイの方へシステムを最小限度駆動する）、又はウェーハ上の基準層とターゲットオーバレイ指紋との組合せを用いて間接的に（この場合、ベースライナはベースライナモニタウェーハ上に画定されたターゲットオーバレイ指紋の方へシステムを駆動する）画定することができる。次に、リソグラフィシステムは、これらの修正セットを後続の量産ウェーハ上の露光ごとの特定の修正値に変換する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
[0006]  既知のシステムは、異なる装置間及び装置内の基板の異なる部分間のパターニング性能特性の補正を提供するが、既知の技術はスキャナタイプのリソグラフィ装置内のスキャン期間内の変動は取り扱わない。パターニングデバイス、投影レンズ又は基板の放射加熱などの動的な作用のために、スキャン中に画像の歪が実際に変動することがある。これらの変動は体系的であり、それ故少なくともある程度は予測可能であるが、現在のシステムはこの変動を平均性能判定基準内にうまく収容しなければならない。
【０００７】
[0007]  したがって、スキャナタイプのリソグラフィ装置内のスキャン期間内のパターニング性能特性の補正を含むリソグラフィ装置の性能を改善する有効なシステム及び方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008]  本発明のある実施形態では、垂直方向を画定する光軸を有し名目上それぞれの水平面に配置されたパターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしてのパターニングデバイス、投影システム及び基板に関して、制御システムが各スキャン動作中の光学システムの１つ以上の要素の補正運動によって光学システム内に発生するフィールド内歪を補正するように構成されたスキャンタイプのリソグラフィ装置が提供される。さらに、補正運動は、パターニングデバイス及び基板支持体の面内運動だけでは補正できないフィールド内面内歪作用を補正するような面外運動を含む。
【０００９】
[0009]  本発明の別の実施形態では、基板の連続する部分上にパターン付放射ビームを投影するステップを含み、照明システムが放射ビームを調節し、支持体がパターニングデバイスの支持を提供し、パターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成するデバイス製造方法が提供される。さらに、基板テーブルは基板を保持し、投影システムは、基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影する。基板の各部分は、基板テーブルとパターニングデバイスが互いに対して、また投影システムに対して移動して、放射ビームによってパターニングデバイスをスキャンする間にパターン付放射ビームによって基板を同期してスキャンし、パターンを基板の所望の部分に付加する。この方法は、垂直方向を画定する光軸を有し、パターニングデバイスと基板が名目上それぞれの水平面に配置された光学システムとしてのパターニングデバイス、投影システム及び基板に関して、位置決めシステムが各スキャン動作中の光学システムの１つ以上の要素の補正運動によって光学システム内に発生するフィールド内歪を補償するように制御され、補正運動が、パターニングデバイス及び基板支持体の面内運動だけでは補正できないフィールド内面内歪作用を補正するような面外運動を含むところまで連続する。
【００１０】
[0010]  本発明の別の実施形態、特徴及び利点と、本発明の様々な実施形態の構造及び作用を添付の図面を用いて以下に詳述する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思い付くであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0011]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。さらに、本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は本発明を図示し、説明とともに、さらに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成し、使用できるような働きをする。
【図１】[0012]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0013]本発明のある実施形態による図１の装置を含むリソグラフィセル又はクラスタを示す。
【図３】[0014]本発明のある実施形態によるスキャナ安定性モジュールを使用するリソグラフィプロセス内の制御機構の概略図である。
【図４】[0015]本発明のある実施形態による基板上のターゲット部分（フィールド）の露光における図１の装置の動作を概略的に示す。
【図５】[0016]図５ａ及び図５ｂは、本発明のある実施形態によるリソグラフィプロセス内で発生することがある２つのタイプのフィールド内歪を示す。
【図６】[0017]本発明のある実施形態によるフィールド内補正を施す方法のフローチャートである。
【図７】[0018]本発明のある実施形態による装置及び方法を制御するリソグラフィ装置制御ユニットを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0019]  本発明の特徴及び利点は、類似の参照番号がそれに対応する要素を一貫して識別する図面を参照しながら以下の説明を読むことでさらに明らかになろう。図面では、一般に、類似の番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似した要素を示す。
【００１３】
[0020]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１４】
[0021]  記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１５】
[0022]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実施することもできる。機械読み取り式媒体は、機械（例えば、計算デバイス）で読み取り可能な形態で情報を記憶するか、又は伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１６】
[0023]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。
【００１７】
[0024]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１８】
[0025]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１９】
[0026]  支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造はパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２０】
[0027]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２１】
[0028]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２２】
[0029]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２３】
[0030]  この実施形態では、例えば、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２４】
[0031]  装置は、上記アクチュエータ及びセンサの運動及び測定をすべて制御するリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵをさらに含む。
【００２５】
[0032]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル、及び、例えば２つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備プロセスを実行することができる。本明細書に開示する発明は、単一及びマルチステージ装置の両方でのさらなる柔軟性を提供する。
【００２６】
[0033]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２７】
[0034]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２８】
[0035]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２９】
[0036]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３０】
[0037]  実際、制御ユニットＬＡＣＵは、各々がリアルタイムデータの取得、処理、及び装置内のサブシステム又はコンポーネントの制御を扱う多数のサブユニットのシステムとして実現されるであろう。例えば、１つの処理サブシステムは、基板ポジショナＰＷのサーボ制御専用であってもよい。別々のユニットが粗及び微細アクチュエータ又は異なる軸を扱ってもよい。別のユニットは、位置センサＩＦの読出し専用であってもよい。装置の全体制御は、上記サブシステム処理ユニット、リソグラフィ製造プロセスに関与するオペレータ及びその他の装置と通信する中央処理装置によって制御されてもよい。
【００３１】
[0038]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３２】
[0039]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。ある実施形態では、補正機構は上記のモード２及び３におけるようなスキャン運動で実行される露光に関連付けられている。
【００３３】
[0040]  図２に示すように、本発明のある実施形態によれば、リソグラフィ装置ＬＡは、「リソセル」又はクラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィセルＬＣの一部を形成し、それは基板上で露光前及び露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これらはレジスト層を堆積させるスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像する現像器ＤＥ、チルプレートＣＨ及びベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯは入力／出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り上げ、それを様々なプロセス装置間で移動させ、次にそれらをリソグラフィ装置のローディングベイＬＢに送出する。多くの場合まとめてトラックと呼ばれるこれらのデバイスは、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、それ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、それはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがってスループット及び処理の効率を最大化するために様々な装置を動作させることができる。
【００３４】
[0041]  リソグラフィ装置によって露光される基板が正確かつ一貫して露光されるように、露光した基板を検査し、後続層間のオーバレイ誤差、ラインの太さ、クリティカルディメンション（ＣＤ）などのような特性を測定することが望ましい。誤差が検出された場合は、特に同じバッチの他の基板がまだ露光されないほど十分即座にかつ高速で検査を実行できる場合は、後続基板の露光を調節することができる。また、既に露光した基板を（歩留まりを改善するために）取り外して再加工するか、又はおそらくは廃棄し、それにより欠陥があることが分かっている基板で露光を実行するのを回避することができる。基板の幾つかのターゲット部分のみに欠陥がある場合、それらのターゲット部分のみでさらなる露光を実行することができる。
【００３５】
[0042]  基板の特性を、特に異なる基板又は同じ基板の異なる層の特性が層ごとにいかに変化するかを決定するために、検査装置が使用される。検査装置をリソグラフィ装置ＬＡに組み込むことができる、又はリソセルＬＣは独立型デバイスとすることができる。最も迅速な測定を可能にするために、検査装置は露光直後に露光したレジスト層の特性を測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、例えば放射に露光してあるレジストの部分と露光していない部分との間には屈折率の非常に小さい差しかない場合のように、すべての検査装置が、潜像を有用に測定するほど十分な感度を有しているわけではない。したがって、露光後ベークステップ（ＰＥＢ）の後に測定を実行することができ、これは通常は露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分との間のコントラストを増大させる。この段階で、レジストの像を半潜像と呼ぶことができる。現像したレジスト像で、その時点でレジストの露光部分又は非露光部分は除去されているか、又はエッチングなどのパターン転写ステップの後で測定することも可能である。後者の見込みは、欠陥がある基板を再加工する見込みを制限するが、それでも有用な情報を提供することができる。
【００３６】
[0043]  高精度のリソグラフィの主要なコンポーネントは、個々のリソグラフィ装置を較正する機能である。基板全体に影響する一般的なパラメータに加えて、基板領域全体にわたって個々の装置のエラーの「指紋」をマッピングし、モデル化することが知られている。合焦、照射量及び／又はアライメントに関して確立されるこの指紋を露光中に用いて、その装置の特異性を補正してより正確なパターニングを達成することができる。
【００３７】
[0044]  装置の合焦及びオーバレイ（層間アライメント）の均等性の改良は、所与のフィーチャサイズ及びチップ用途での最適なプロセスウィンドウを提供し、より小型で先進のチップの製造を継続可能にする、本出願人のBaseliner（商標）スキャナ安定性モジュールによって最近達成された。好ましい実施形態でのスキャナ安定性モジュールは、毎日、自動的にシステムを事前定義されたベースラインにリセットする。このために、モジュールは、メトロロジーツールを用いてモニタウェーハから収集した標準の測定値を取り出す。モニタウェーハは、専用のスキャトロメトリマークを含む専用のレチクルを用いて露光される。当日の測定値から、スキャナ安定性モジュールは、システムがそのベースラインからドリフトした程度を決定する。次に、ウェーハレベルのオーバレイと合焦補正セットとを計算する。次に、リソグラフィシステムは、上記補正セットを後続の量産ウェーハ上の各露光のための特定の補正値に変換する。
【００３８】
[0045]  図３は、本発明のある実施形態によれば、スキャナ安定性モジュール５００、例えば、基本的にサーバ上で実行されるアプリケーションを組み込んだ総合リソグラフィ及びメトロロジー方法を示す。図はまた、３つのメインプロセス制御ループを示す。第１のループは、スキャナ安定性モジュール５００とモニタウェーハを用いた局所スキャナ制御を提供する。図示のモニタウェーハ５０５は、メインリソグラフィユニット５１０から渡され、露光されて合焦及びオーバレイのベースラインパラメータを設定する。後で、メトロロジーユニット５１５は、これらのベースラインパラメータを読み込み、これらのパラメータはスキャナ安定性モジュール５００によって解釈され、補正ルーチンが計算され、スキャナフィードバック５５０が提供され、これがメインリソグラフィユニット５１０へ渡され、さらに露光が実行される際に使用される。
【００３９】
[0046]  第２の（ＡＰＣ）ループは、製品上の局所スキャナ制御（合焦、ドーズ量、及びオーバレイを決定する）用である。露光された製品ウェーハ５２０は、メトロロジーユニット５１５へ渡され、そこでクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関連する情報が決定され先進的プロセス制御（ＡＰＣ）モジュール５２５上へ渡される。このデータは、スキャナ安定性モジュール５００へも渡される。製造実行システム（ＭＥＳ）５３５が引き継ぐ前にプロセス補正５４０が実行され、スキャナ安定性モジュール５００と連通するメインリソグラフィユニット５１０へのスキャナ制御が提供される。
【００４０】
[0047]  第３のループは、第２のＡＰＣループへのメトロロジーの統合（例えば、二重パターニングのための）を可能にする。エッチング後のウェーハ５３０は、メトロロジーユニット５１５へ渡され、メトロロジーユニット５１５は、ウェーハから読み取ったクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関する情報を再度先進的プロセス制御（ＡＰＣ）モジュールへ渡す。ループは、第２のループ同様に連続する。
【００４１】
フィールド内エラーの補正
[0048]  本発明のある実施形態の図４は、図１のリソグラフィ装置内の基板Ｗ上の１つのフィールドＦを露光するスキャン動作を概略的に示す。基板Ｗ及びマスクＭＡは照明源ＩＬを上部に、投影システムＰＳを中間に有する斜視図で示されている。マスクＭＡは、基板Ｗ上の１つのフィールドＦに付加するパターンのスケールアップバージョンである透明なパターンＦ’を担持する。照明源ＩＬは、Ｙ方向に領域Ｆ’を覆う大きさはないが、Ｘ方向には十分に広い放射スリットＳ’を提示する。フィールド全体を露光するために、マスクＭＡはスリットＳ’の領域を通過して、基板フィールドＦ上に対応するスリット領域Ｓを投影する。これらの運動は大きい矢印で表されている。
【００４２】
[0049]  概念的には、図の右側の概略平面図に詳細を示すように、基板を静止していると見なし、パターニングされたスリットＳがＹ方向の逆の意味でその上を通過すると考えれば十分である。長さＬを有するスリットは、フィールドＦの上部を露光速度Ｖｅｘｐで移動する。
【００４３】
[0050]  上記の較正結果及び測定値に従って、投影システムＰＳのパラメータ及び制御セットポイントが露光前に調整されて、スリット内の歪が露光全体にわたって確実に一定であるようにされる。上記の較正及び補正方法はリソグラフィプロセス内の比較的静的なエラー及び歪を補償できるが、本発明人らはスキャンタイプのリソグラフィ装置内のオーバレイの精度が各フィールドの露光期間内の動的作用によって限定されることがあると認識している。合焦などのある種のパラメータはスキャン運動を通して動的に制御されて、フィールド全体での最適で均等なパターニング品質が維持される。歪のフィールド内変動などのその他の動的エラーは現在の機構では特に扱わない。
【００４４】
[0051]  本発明のある実施形態による２つのタイプのフィールド内歪が図５（ａ）及び図５（ｂ）に示されている。各図は、理想的なフィールドＦ（点線）と比較して歪んだフィールドＦ’を示す。本明細書に記載する歪とは、レチクル及びウェーハステージのオフセット及び回転（水平移動）を動的に調整することで補正できなかった名目値からのスリット内の偏差を指す。この歪がスキャン中に変動する場合、フィールドＦ内の異なる場所でオーバレイ精度が変動する。この場合、レンズを静的に調整することでそのような作用を完全に補正することは不可能であろう。（ａ）に示す状況は、Ｘ方向の歪がスキャン中に変動する（Ｙ方向に変動する）場合に発生する。（ｂ）に示す状況は、スキャン中にも変動するＹ方向の非直線歪を表す。Ｘ−Ｙ平面内のそのようなタイプのフィールド内歪はフィールド内高次プロセス補正などの既知の技術によって補正できるが、上記のタイプはそれが不可能な歪の例である。実際の装置には、その一部しか既知の技術又は既存の手段によって補正できない幾つかのタイプの歪の組合せが存在する。
【００４５】
[0052]  これらのフィールド内歪は様々な原因を有する。一例として、レチクル及び／又は基板上の結像放射の動的加熱作用がスキャンの開始と終了の間に片方向又は両方向の局所変動を引き起こすことがある。レチクルＭＡが基板Ｗよりも膨張する場合、基板上に形成されたパターンは、理想的なパターンと比較して拡大することがある。基板がレチクルよりも膨張した場合、形成されるパターンは理想的なパターンよりも縮小する。投影システムＰＳ内の加熱は歪の原因になる。ここで、レチクル及びウェーハの加熱作用は、この歪の発生源の例に過ぎないことは当業者には明らかであろう。この歪の原因は他にもあることは当然である（例：レチクルのクランプ及びレンズの移動など）。本明細書に記載する補正機構は、根本原因から独立して上記の作用を補正することができる。
【００４６】
[0053]  これらのフィールド内歪の補正を拡張し、各フィールドＦ全体にわたってより均等な性能を得るために、ここで投影システムＰＳ内の１つ以上の光学要素上に追加の運動を導入してスキャン運動中のその結像特性を変更することが提案される。これを図示するために、投影システムに影響するフィールド内補正関数ＩＣＦを概略的に図４に示す。この関数は、制御ユニットＬＡＣＵの影響下の投影システムの振舞いの修正を表す。この修正は、フィールド内補正関数専用の追加の可変光学要素の導入によって実施される。あるいは、フィールド内補正関数は、既存の制御関数の好適な修正によって実施される。実際の装置内では、光学システムの多数のパラメータがユニットＬＡＣＵとそのサブシステムの制御下にあるアクチュエータによって設定、調整されて製造実行システムＭＥＳが要求する機能を実施する。ユニットＬＡＣＵのプログラミングを修正してスキャン動作中に追加の運動又は修正された運動を実行することで、フィールド内補正関数を実施してフィールド内歪を低減できる。既知の投影システム内のアクチュエータはスキャンの間の調整を提供できるが、実際のスキャン中の動的運動は提供できない。その場合のアクチュエータは、新規の技術を適用する前に修正する必要がある。制御システムがすでに光学要素のフィールド内制御を提供できる場合、制御システムを再プログラミングするだけで拡張した補正を実施することができる。
【００４７】
[0054]  異なる光学要素を移動させて、例えば、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す異なるタイプの歪を補正することができる。あるいは、同じ要素を異なる方法で移動させて様々な所望の作用を達成できる。フィールド内補正は制御システム内では個々の要素のレベルで記述できるが、１つ又はその他の寸法の拡大などの投影システムの一定のグローバルセットポイントが露光中に変動するように指定する方が好まれるであろう。後者の場合、補正運動は、Ｙの関数としてのＭａｇ（Ｘ）で表される。次に、投影システムＰＳの制御システムは、この作用を補償するためにどのアクチュエータを使用するかを決定する。
【００４８】
[0055]  レンズ要素を動かすことで補正が容易なその他の副作用を導入する可能性があるため、投影システム内の運動をレチクル（パターニングデバイスＭ）及び／又は基板（ウェーハステージＷＳ）の運動と組み合わせることで補正を達成することも可能である。多数の自由度を制御することで、副作用としての他の歪を導入することなくフィールド内補正を達成できる。特に、並行特許出願（出願人の参照番号Ｐ−３５８９．０００）に記載されているように、レチクルステージの移動プロファイルに修正を適用することが提案されている。特に、１つ以上の軸内のレチクルの配向及び位置の制御のためのセットポイントは、スキャン中にＹ位置と共に変動するようにプログラミングできる。既知のフィールド内高次プロセス補正は、Ｘ−Ｙ平面（Ｘ，Ｙ，Ｒｚ）内の運動である面内運動のみを採用する。本発明者らは、追加のフィールド内歪がスキャン動作中に修正面外運動を導入することで補正できるということを認識している。この文脈での面外運動はＺ、Ｒｘ及びＲｙ運動などの垂直成分を有する運動を意味する。
【００４９】
[0056]  スキャン中のレチクル及びウェーハステージの垂直運動プロファイル（Ｚ、Ｒｘ及びＲｙで表す）の調整は、水平にのみレチクル及びウェーハステージを移動させることでは達成できなかった方法で所与のＹ位置でのＸに対する有効水平歪を変えることができる。さらに、これらの運動を投影システム内の１つ以上の要素のフィールド内運動と組み合わせて使用して各フィールド全体にわたる性能を最適化することができる。補正運動は、レチクル（パターニングデバイス）だけでなく基板テーブルで、任意の又は全垂直自由度で、またオプションとして幾つかの又は全水平自由度で適用できる。
【００５０】
[0057]  「高さ」及び「垂直の」という用語がレチクル及び／又は基板などのコンポーネントのＺ軸位置を指すために使用される場合、これは、必ずしも大地又は重力に関連する高さを指しているわけではないことを理解すべきである。これらのコンポーネントの一方又は両方が水平に装着されたシステムが可能である。その場合、「高さ」は、コンポーネントの面にほぼ垂直な任意の変位、又は投影システムの光軸に平行な変位を指すものと理解すべきである。光軸は、特に反射光学要素を有するシステムでは、直線である必要はない。それでも「垂直の」という用語の意味は当業者には明らかであろう。
【００５１】
[0058]  所望の補正プロファイル又は調整を得るために、装置及び／又は予測モデリングによって露光される試料を測定することでフィールド内歪の指紋を入手しなければならない。レチクル及び／又は基板の加熱がフィールド内エラーを引き起こすおそれがある場合、例えば、基板露光シーケンス中の加熱作用をモデリングし、露光パラメータの補正値を生成して装置、レチクル及び基板の異なる部分の膨張及び収縮を異なるタイミングで補償するソフトウェアアプリケーションが知られている。これらのソフトウェアアプリケーションを拡張して各スキャン内の歪の変動を予測でき、フィールド内補正を実施するのに必要な修正運動プロファイルを生成することができる。歪は実際の試料から測定されるが、結果として得られる計算補正値は、エラー原因にかかわらず適用可能である。モデリングを使用する場合、フィールド内歪の各々の原因をモデリングし、補正の計算時に組合せのエラーを考慮すべきであることは当然である。実際のシステムでは、測定と予測モデリングの組合せが用いられることが多い。
【００５２】
[0059]  フィールド内補正パラメータは、フィールド間で同一であってもよく、又は基板上の特定のフィールド位置に固有であってもよく、又は特定のタイプのフィールド（上方スキャン、下方スキャン、縁部フィールド、非縁部フィールドなど）に固有であってもよい。補正運動は、簡単な開始及び終了値で指定された直線運動であってもよく、又は歪の形態及び必要な補正の精度に応じてより高次の運動であってもよい。
【００５３】
[0060]  結論として、リソグラフィ装置を制御して、水平歪が変化するようにスキャン中に投影システム内の１つ以上の要素（例えば、レンズ）上に運動を導入することでフィールド内歪を補正できる。レンズの運動が伴っていてもよい（ここではパターニングデバイス又はレチクルは、投影システムと基板とを含む光学システムの一要素と考えられる）。
【００５４】
[0061]  本発明のある実施形態の図６は、上記の方法を要約したフローチャートである。６００で、実施される較正測定とモデリングプロセスとを用いて、このリソグラフィ装置特有の補正パラメータがロードされる。例えば、Baseliner（商標）法を利用する安定性モジュールを使用してもよい。しかし、さらに、フィールド内補正パラメータも含まれる。６０２で、レチクルがリソグラフィ装置内に搭載される。周知のように、このステップは、この特定のレチクルにふさわしい方法でパターニングプロセスを制御する多数のパラメータをロードするステップを含む。これらのパラメータは「レシピ」と呼ばれる。ステップ６００、６０２は、同時に、又は異なったシーケンスで実行できる。普通、ロット（ウェーハのバッチ）に先立って、又はロット開始と同時にパラメータがロードされる。例えば、下記のモデリング（６０３）、及び／又は測定からのフィードバックによって、フィールド内補正パラメータを提供できる。
【００５５】
[0062]  ステップ６０４で、ウェーハが基板テーブルＷＳ上に搭載され、アライメントが測定される。ステップ６０６で、露光シーケンスが開始する。プロセス全体にわたって、装置特有の補正が施される（６０６ａ）。フィールド間で、補正は、従来の方法で施されてフィールド間変動が補償される（６０６ｂ）。各フィールド内で、例えば、レチクルステージ高さと傾斜セットポイントの制御によってフィールド内補正が施される（６０６ｃ）。
【００５６】
[0063]  露光後、基板全体にわたってオーバレイ性能を測定でき、フィールド間及びフィールド内変動も測定できる（ステップ６０８）。オプションとして、測定されるフィールド内エラーを用いて後続の露光のためにフィールド内補正パラメータを調整することができる。
【００５７】
リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵ
[0064]  上記実施形態のリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、本発明のある実施形態による図７に示すコンピュータアセンブリに基づいていてもよいことを理解されたい。コンピュータアセンブリは、本発明のアセンブリの実施形態における制御ユニットの形態の専用コンピュータであってもよく、あるいは、リソグラフィ装置を制御する中央コンピュータであってもよい。コンピュータアセンブリは、コンピュータ実行可能コードを含むコンピュータプログラムプロダクトを搭載するように構成できる。これによって、コンピュータプログラムプロダクトをダウンロードすると、コンピュータアセンブリは、上記の方法に従ってリソグラフィ装置の新しい動作を実施することができる。
【００５８】
[0065]  プロセッサ１２２７に接続されたメモリ１２２９は、ハードディスク１２３１、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）１２６２、電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１２６３及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１２６４などの幾つかのメモリコンポーネントを備えていてもよい。上記メモリ要素の全てが存在しなくてもよい。さらに、上記メモリコンポーネントがプロセッサ１２２７に対して、又は互いに物理的に近接していることは必須ではない。それらは離れていてもよい。
【００５９】
[0066]  また、プロセッサ１２２７は、ある種のユーザインターフェイス、例えば、キーボード１２６５又はマウス１２６６に接続されていてもよい。当業者に知られているタッチスクリーン、トラックボール、音声変換装置、又はその他のインターフェイスも使用できる。
【００６０】
[0067]  プロセッサ１２２７は、リムーバブルディスク１２６８又はＣＤＲＯＭ１２６９などのデータキャリアからコンピュータ実行可能コードの形態などのデータを読み込み、状況によってはそれにデータを記憶するように構成された読み取りユニット１２６７に接続されていてもよい。また、当業者に知られているＤＶＤ又はその他のデータキャリアも使用できる。
【００６１】
[0068]  プロセッサ１２２７は、出力データを紙に印刷するプリンタ１２７０だけでなく当業者に知られているモニタ又はＬＣＤ（液晶ディスプレイ）若しくは他の任意のタイプのディスプレイ１２７１に接続されてもよい。
【００６２】
[0069]  プロセッサ１２２７は、入出力（Ｉ／Ｏ）を行う送受信機１２７３によって通信ネットワーク１２７２、例えば、公衆交換電話網（ＰＳＴＮ）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）などに接続できる。プロセッサ１２２７は、通信ネットワーク１２７２を介して他の通信システムと通信するように構成できる。本発明のある実施形態では、オペレータのパーソナルコンピュータなどの外部コンピュータ（図示せず）から通信ネットワーク１２７２を介してプロセッサ１２２７にログインすることができる。
【００６３】
[0070]  プロセッサ１２２７は、独立したシステムとして、又は各々が大きいプログラムのサブタスクを実行するように構成された、並列に動作する幾つかの処理ユニットとして実施できる。処理ユニットは、幾つかのサブ処理ユニットを有する１つ以上のメイン処理ユニットに分割することができる。プロセッサ１２２７の幾つかの処理ユニットは、別の処理ユニットから離れた位置にあって通信ネットワーク１２７２を介して通信してもよい。例えば、スキャナ安定性モジュール５００、先進プロセス制御（ＡＰＣ）モジュール５２５及び製造実行システム（ＭＥＳ）を実施するリソグラフィ装置外の別々の処理ユニットを使用してもよい。これらの処理ユニットは、本明細書に示すアーキテクチャと同じ一般的アーキテクチャを有していてもよい。
【００６４】
[0071]  図面のすべての接続は物理的な接続として示されているが、これらの接続の１つ以上は無線接続であってもよい。これらの接続は、「接続された」ユニットが互いに何らかの方法で通信するように構成されていることを示すよう意図されているに過ぎない。コンピュータシステムは、本明細書に記載する機能を実行するように構成されたアナログ及び／又はデジタル及び／又はソフトウェア技術を有する任意の信号処理システムであってもよい。
【００６５】
[0072]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００６６】
[0073]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００６７】
[0074]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００６８】
[0075]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁及び静電型光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００６９】
[0076]  以上、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記とは別の方法で実施してもよい。例えば、本発明は、上に開示した方法を記述する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとってもよい。例えば、プローブ射出周期を制御し、測定結果を提示し分析する別のプログラムプロダクトを提供してもよい。
【００７０】
[0077]  特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを認識されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【００７１】
[0078]  以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成記憶要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成記憶要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。
【００７２】
[0079]  特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【００７３】
[0080]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１】
0005554846.tif 000002
【図２】
0005554846.tif 000003
【図３】
0005554846.tif 000004
【図４】
0005554846.tif 000005
【図５（ａ）】
0005554846.tif 000006
【図５（ｂ）】
0005554846.tif 000007
【図６】
0005554846.tif 000008
【図７】
0005554846.tif 000009