(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードと、少なくとも１つの発光化合物及び少なくとも１つの非発光化合物を有する合成材料を有するモノリシックセラミック発光変換体とを含む照明システムであって、前記発光化合物及び前記非発光化合物は、ケイ素及び窒素を含む共通構成元素を共有し、前記発光化合物の化合物分類及び前記非発光化合物の化合物分類は、ニトリドケイ酸塩、オキソニトリドケイ酸塩、ニトリドアルミノケイ酸塩、及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩の群から選択される、照明システム。
【請求項２】
請求項１に記載の照明システムであって、前記非発光化合物が、アルカリ金属のNa、K及びRb、アルカリ土類金属のBe、Mg、Ca、Sr及びBa、又はSc、Y及びLaの群から選択されるIIIB族金属の群から選択される金属を追加的に含む、照明システム。
【請求項３】
請求項１に記載の照明システムであって、前記合成材料が、追加的に、焼結添加剤を含む、照明システム。
【請求項４】
請求項２に記載の照明システムであって、前記非発光化合物が、遷移金属のZr、Hf、Nb、Ta、W、Mo、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Sc、Y、La、典型元素のPb及びBi、並びにf元素のCe、Cr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、及びUの群から選択される調整剤を追加的に含む、照明システム。
【請求項５】
請求項４に記載の照明システムであって、前記発光化合物の少なくとも１つの活性剤が、希土類金属のセリウム、プラセオジウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、及びマンガンから選択されている、照明システム。
【請求項６】
請求項１に記載の照明システムであって、前記発光化合物が、一般式Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euzのアンバ又は赤色放射ユーロピウム(II)ドープのアルカリ土類オキソニトリドアルミノケイ酸塩化合物であり、ここで、M=Sr、Ca、0≦x≦2、0≦y≦4、0.0005≦z≦0.06であり、前記非発光化合物が、一般式Ba1-xMxSi7-yAlyN10-yOyのアルカリ土類オキソニトリドアルミノケイ酸塩化合物であり、ここで、M=Sr、Ca、Eu、0≦x≦1及び0≦y≦3である、照明システム。
【請求項７】
請求項１に記載の照明システムであって、前記合成材料が、粒子−粒子合成体である、照明システム。
【請求項８】
請求項１に記載の照明システムであって、前記合成材料が、粒子−マトリクス合成体である、照明システム。
【請求項９】
請求項１に記載の照明システムであって、前記合成材料が、積層された多層合成体である、照明システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の照明システムであって、前記合成材料の密度が、理論密度の97％以上である、照明システム。
【請求項１１】
少なくとも１つの発光化合物及び少なくとも１つの非発光化合物を有する合成材料を有するモノリシックセラミック発光変換体であって、前記発光化合物及び前記非発光化合物は、ケイ素及び窒素を含む共通構成元素を共有し、前記発光化合物の化合物分類及び前記非発光化合物の化合物分類は、ニトリドケイ酸塩、オキソニトリドケイ酸塩、ニトリドアルミノケイ酸塩、及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩の群から選択される、モノリシックセラミック発光変換体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射源と、少なくとも１つの発光化合物及び少なくとも１つの非発光化合物を有する合成モノリシックセラミック発光変換体とを含む照明システムに関する。好ましくは、前記放射源は、発光ダイオードである。
【背景技術】
【０００２】
当該技術分野において、白色又は有色光照明が、発光ダイオードの放射が蛍光体によって変換される照明システムによって提供され得ることは知られている。発光ダイオードは、蛍光体を励起させ、これにより、蛍光体は、より長い波長範囲で放射し、合成放射は、白色又は有色光を生成する。
【０００３】
発光ダイオード技術における近年の進歩は近紫外領域から青色領域において放射する非常に効率的な発光ダイオードをもたらしたので、現在、広範囲な有色及び白色発光蛍光体変換発光ダイオードが市場に存在し、従来型の白熱照明及び蛍光灯照明に挑戦を挑んでいる。
【０００４】
従来型の蛍光体変換発光装置(pc-LED)は、通常、青色放射ＬＥＤを載せた発光体チップが１つ以上の蛍光体の蛍光体粒子粉末を含むエポキシ樹脂の層で覆われる設計を活用する。
【０００５】
近年の解決法において、半導体チップは、電気泳動沈着技術（ＥＰＤ）によって堆積される１つ以上の蛍光体の粒子の層によって覆われる。このような技術は、樹脂接合蛍光体層より薄い蛍光体層を提供する。このことは、より良好な色度制御及び改善された輝度を可能にさせる。
【０００６】
しかし、蛍光体粒子粉末を含む従来の照明システムにおける課題は、このような照明システムが複数の欠点を有するので、多くの応用例に関して使用され得ないことである。
【０００７】
第１に、均一厚さの蛍光体粒子層の堆積は、困難であることである。蛍光体粒子は、塊になる傾向があり、したがって、知られるグレイン寸法の粒子を有する均一蛍光体層を提供することは困難である。色均一性は均一な層厚さを必要とするので、色均一性は保証するのが困難である。
【０００８】
第２に、従来型の蛍光体粒子は、多結晶粉末である。しかし、多結晶粉末層は、散乱により低い透過性を有する傾向がある。多結晶蛍光体粉末粒子は、再放射されない散乱光を吸収し、光出力を低下させる。加えて、ＬＥＤによって放射される光の後方散乱は、相対的に吸収的であるチップにおける吸収損失を生じさせ、より低い光抽出効率へ導かせる。
【０００９】
国際特許出願公報第2006/097876号は、ＹＡＧ型の蛍光体が非発光多結晶アルミナを含むセラミックマトリクスに埋め込まれる、発光ダイオード及び多結晶セラミック構造を具備される発光要素を開示する。
【００１０】
非発光化合物を含むセラミックマトリクスにおいて発光化合物を埋め込むことは、発光変換体の光学特性を向上させ、装置の温度管理を促進させる。
【００１１】
更に、従来技術の非発光多結晶アルミナマトリクス材料は、ＹＡＧガーネット型の蛍光体と組み合わせられる場合に非常に価値があるが、他の蛍光体との組み合わせではあまり好ましくないかもしれない化学特性を有する材料である。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、この不利な点を軽減させること、及び、放射源と改善された特性を有するモノリシックセラミック発光変換体とを含む照明システムを提供することである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、本発明は、放射源と、少なくとも１つの発光化合物及び少なくとも１つの非発光化合物を有する合成材料を有するモノリシックセラミック発光変換体とを含む照明システムであって、前記発光化合物及び前記非発光化合物が、それぞれケイ素及び窒素を含む、照明システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の好ましい実施例に従うと、放射源が発光ダイオードである。
【００１５】
「モノリシックセラミック発光変換体」という用語は、より高いエネルギの電磁気放射で刺激される場合に、可視又は近赤外線スペクトルにおける放射を発するセラミック体を規定する。したがって、合成モノリシックセラミック発光変換体は、概して、様々な寸法の蛍光体変換発光ダイオードの製造を簡素化する。
【００１６】
本発明に従うモノリシックセラミック発光変換体は、ケイ素及び窒素のイオンを含む共通構成元素を共有する発光化合物及び非発光化合物の合成体を含む。このような化合物は、更なる典型元素による又は金属による置換に依存して、「ケイ素窒化物」又は「窒化物ケイ酸塩」のいずれかで記される。
【００１７】
構成元素を共有する化学的化合物の群は、「化合物分類」と呼ばれる。化合物分類は、有機化合物型の場合は同一の機能的群を共有し、無機化合物型の場合は同一のイオンを共有する。化合物分類のメンバが構成元素を共有するので、これらのメンバは、化学的及び構造的特性も共有する。
【００１８】
共有される化学的及び構造的特性は、発光化合物及び非発光化合物を含む合成モノリシックセラミック発光変換体の製造を促進する。
【００１９】
共有される化学的及び構造的特性は、製造時及び動作時における、発光材料及び非発光材料間の破壊的化学反応のリスクを低減もさせる。
【００２０】
加えて、共有される化学的及び構造的特性は、モノリシックセラミック発光変換体における機械的応力の蓄積を生じさせ得る構成物の熱膨張係数の不一致による、製造及び動作時の機械的故障のリスクを低減させる。
【００２１】
２つの相における屈折率の差がないこと又はほとんどないことにより、グレイン境界においてあまり光が屈折されない、すなわち拡散されない。したがって、発光粒子に関する光学マトリクスと同一の化合物分類の非発光化合物を採用することは、不所望な後方散乱を導入することなく、蛍光体発光ＬＥＤの色均一性を調整することにおける追加的な有利な点へ導く。
【００２２】
化合物は、酸素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、ゲルマニウム、リン及び炭素の群から選択される１つ又は複数の元素を追加的に含む。
【００２３】
化合物が、アルカリ金属のNa、K、Rb、アルカリ土類金属のBe、Mg、Ca、Sr、Ba、又はSc、Y及びLaの群から選択されるIIIB族金属の群から選択される金属イオンを追加的に含み得る。
【００２４】
当然のことながら、発光化合物は、希土類金属のLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから通常選択される活性剤(activator)を追加的に含む。本発明に関して特に有用であるのは、セリウム、プラセオジウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム及びマンガンである。
【００２５】
焼結添加剤も、合成体組成に存在し得る。これらの添加剤は、フラックスとして従来知られる種類のものを特に含む。適切なフラックスは、フッ化物、アンモニウム塩化物、シリカ、SiONes、SiAlONes及びこれらの混合物等の、アルカリ土類−又はアルカリ−金属酸化物、ホウ酸塩、リン酸塩、ハロゲン化合物を含む。フラックスは、モノリシックセラミック発光変換体において、不純物イオンとして又は追加的相としてグレイン境界ネットワーク内に発光化合物又は非発光化合物内において存在し得る。フラックス相は、ガラス質又は結晶質であり得る。
【００２６】
非発光化合物は、遷移金属のZr、Hf、Nb、Ta、W、Mo、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Sc、Y、La、典型元素のPb及びBi、並びにf元素のCe、Cr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、及びUの群から選択される調整剤(modifier)を追加的に含み得る。特定の実施例において、このような調整剤は、焼結活性非発光化合物の焼結温度を低減させるのに有用である。
【００２７】
本発明の特に好ましい実施例は、発光化合物及び非発光化合物の化合物分類が、ニトリドケイ酸塩、オキソニトリドケイ酸塩、ニトリドアルミノケイ酸塩、及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩の群から選択される、合成モノリシックセラミック発光変換体である。
【００２８】
特に活性剤が、希土類金属族のセリウム、プラセオジウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、及びマンガンから選択されている、ニトリドケイ酸塩、オキソニトリドケイ酸塩、ニトリドアルミノケイ酸塩、及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩の分類の発光化合物は、化学的に安定しており効率的な発光化合物であり、青色放射ＬＥＤの青色光を緑色から赤色までの色へ変換させることが可能である。これらは、その熱的に安定な放射特性において優れている。赤色及び緑色放射発光化合物の組み合わせを用いて作製される白色ＬＥＤは、傑出した演色性及びスペクトル被覆範囲を提供する。これら白色ＬＥＤは、許容温度において、及び紫外線から青色の電磁気スペクトルにおいて放射するＬＥＤの放射範囲において、完全に安定的である。
【００２９】
M=Sr、Ca、0≦x≦2、0≦y≦4、0.0005≦z≦0.06である、一般式Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euzのアンバ又は赤色放射ユーロピウム(II)ドープのアルカリ土類オキソニトリドアルミノケイ酸塩化合物と、M=Sr、Ca、Eu、0≦x≦1及び0≦y≦3である、一般式Ba1-xMxSi7-yAlyN10-yOyの非発光アルカリ土類オキソニトリドアルミノケイ酸塩化合物との組み合わせは、本発明の特に好ましい実施例である。このような化合物は、単一相のBa2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz発光化合物と比較してより高い光熱安定性及びより低い屈折率を提供し、したがって、周囲媒体へのより優れた光アウトカップリングを提供する。ＵＶＡ又は青色放射のＬＥＤと組み合わせて、本発明のこの実施例は、アンバ又は赤色の信号照明に関して特に有用である。
【００３０】
本発明の一つの態様に従うと、合成材料が、粒子−粒子合成体である。粒子−粒子合成体を含む合成モノリシックセラミック発光変換体は、非発光化合物において発光化合物グレインの均一空間分布を有する小型単一要素(compact  unitary  element)として形成され得る。
【００３１】
代替的に、本発明の特定の実施例において、発光化合物の不均一空間分布は好ましくあり得る。
【００３２】
本発明の第２の態様に従うと、合成発光材料は、粒子−マトリクス合成体であり、発光粒子は、連続非発光相において分散される。
【００３３】
本発明の別の態様に従うと、合成材料は、積層された多層合成体である。合成体は、反復され得る少なくとも１つの第１合成層及び１つの第２合成層を含む。異なる発光化合物の接合セラミック処理が可能でない場合、ラミネート状の多層合成体は、粒子−粒子合成体に対する有用な代替態様である。
【００３４】
本発明は、少なくとも１つの発光化合物及び少なくとも１つの非発光化合物を有する合成材料を有するモノリシックセラミック発光変換体であって、前記発光化合物及び前記非発光化合物が、それぞれケイ素及び窒素を含む、合成モノリシックセラミック発光変換体にも関する。
【００３５】
好ましい実施例に従うと、合成材料の密度は、理論密度の97％以上であり、好ましくは理論密度の99%以上を有する。
【００３６】
これら及び他の目的、特徴及び有利な点は、以下の詳細な説明、図面の簡単な説明、添付の請求項及び図面から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、発光ダイオードフリップチップ構造によって放射される光の経路に位置される、本発明の合成モノリシックセラミック発光変換体を含む白色ＬＥＤランプの概略的側面図を示す。
【図２】図２は、特定の実施例に従う、合成モノリシックセラミック発光変換体の微細構造を概略図で例示する。
【図３】図３は、合成セラミック発光変換体の走査電子顕微鏡を示す。
【図４】図４は、特定の実施例に従う合成セラミックの準備に関する処理ステップを示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明は、一次放射の供給源を有する照明システムのいずれかの構成における非発光化合物及び単一又は複数の発光化合物を有する合成材料を有する合成材料を有するモノリシックセラミック発光変換体（ＣＬＣ）に焦点を当てる。ここで使用されるように、「放射」という用語は、電磁気スペクトルの紫外線、赤外線及び可視領域における放射を包含する。
【００３９】
合成モノリシックセラミック発光変換体は、その典型的な微細構造を特徴とするセラミック部材である。モノリシックセラミック発光変換体の微細構造は、多結晶、すなわち、隠微晶質又はナノ結晶性結晶の不規則な集塊体である。結晶は、密着して生じ、且つグレイン境界を共有するように成長される。微視的には、モノリシックセラミックは等方性であるようであるが、多結晶微細構造は、容易にＳＥＭ(scanning  electron  microscopy)によって検出され得る。
【００４０】
この多結晶微細構造により、セラミック発光変換体は、透明である、又は低光吸収である少なくとも高い光学的半透明性を有する。
【００４１】
本発明に従うモノリシックセラミック発光変換体の微細構造は、少なくとも２つの明確に分離された相を含む。
【００４２】
第１の相は、ホスト格子がケイ素及び窒素を含むような、ホスト格子において活性剤を含む少なくとも１つの発光化合物を含む。
【００４３】
合成材料における第２の相は、セラミック結合剤として且つ光学的マトリクスとして作用する同一の化合物分類の非発光化合物を含む。
【００４４】
ここで含まれる窒素が酸素より電気陰性でないので、N3-イオンを含む窒化物は、より親和的な酸化的材料の構造及び特性とは幾分異なる構造及び特性の範囲を呈する。
【００４５】
窒化物、オキソ窒化物及びニトリドケイ酸塩は、二次元又は三次元ネットワークのクロス結合されたSiN4の四面体又はSi(N、O)4-の四面体を含む構造型に結晶化し得、この場合、アルカリ土類イオン（M=Ca、Sr及びBa）が組み込まれ得る。
【００４６】
単純なニトリドケイ酸塩及びオキソニトリドケイ酸塩以外に、例えば、リン、炭素、ゲルマニウム、ホウ素、ガリウム又はアルミニウムなどの更なる典型元素を含む複雑なニトリドケイ酸塩も使用され得る。
【００４７】
電荷バランスに関して、単純な又は複雑なニトリドケイ酸塩及びオキソニトリドケイ酸塩は、アルカリ金属のNa、K、Rb、アルカリ土類金属のBe、Mg、Ca、Sr、Ba、又はSc、Y及びLaの群から選択されるIIIB族金属の群から選択される金属イオンを追加的に含み得る。
【００４８】
本発明の好ましい実施例に従うと、発光及び非発光化合物の共有される化合物分類は、ニトリドケイ酸塩（nitridosilicates）、オキソニトリドケイ酸塩（oxonitridosilicates(sions)）、ニトリドアルミノケイ酸塩（nitridoaluminosilicates）、及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩（oxonitridoaluminosilicates(sialons)）の分類であり、単独である又はアルカリ、アルカリ土類、IIIB族及び希土要素と組み合わせられる。
【００４９】
この化合物分類に属する多数の有用な発光化合物は、当業分野において知られている。発光化合物は、通常、青色から近紫外線領域の電磁気的スペクトル（300〜475nm）における励起波長及び可視波長領域における放射波長を有する。複数の発光化合物の合成体、例えば、アンバから赤色及び黄色から緑色の放射発光化合物の混合物が、観者によって知覚される所望な色バランスを達成させるために公式化され得る。
【００５０】
以下に説明される特別な実施例の発光化合物以外に、セラミック合成体において使用するのに適した通常の発光化合物は、一般式EA2Si5N8:Euのアンバから赤色放射（590〜630nm）の発光化合物から選択される材料を含み、ここでEAはカルシウム、バリウム、及びストロンチウムの群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属である。
【００５１】
本発明の条件を満たす他の発光化合物は、0<a＜5、0＜b≦1、0＜x≦1及び0＜z≦1であって、Mg、Ca、Ba及びZnからなる群から選択される少なくとも１つの要素EAと、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びスカンジウムからなる群から選択される少なくとも１つの要素Bと、を含み、セリウム、ユーロピウム、テルビウム、プラセオジウム、サマリウム、又はこれらの混合物からなる群から選択されるランタニド元素で活性化される、一般式(Sr1-xEAx)2-zSi5-a(Al1-bBb)aN8-aOa:Lnzのオキソニトリドアルミノケイ酸塩である。
【００５２】
特に有用な発光化合物は、0＜a≦及び0＜z≦0.2であり、EAがカルシウム、バリウム及びストロンチウムの群から選択される少なくとも１つの土類アルカリ金属である、一般式EA2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euzの赤色放射ユーロピウム(II)活性化オキソニトリドアルミノケイ酸塩である。
【００５３】
更に有用な赤色放射発光化合物は、0≦x≦1;0≦y≦1;0.001≦z≦0.02;0＜a≦2;0＜b≦2;0＜c≦2;0＜d≦7;0＜e≦2である一般式(Sr1-x-y-zCaxBay)aSibAlcNdOe:Ybzのイッテルビウム(II)活性化オキソニトリドケイ酸塩、0≦a＜1、0＜z≦0.1であり、Lnがイットリウム、ガドリニウム及びルテチウムの群から選択される少なくとも１つの希土類金属である一般式(Ln1-z)2-aCaaSi4N6+aC1-a:Cezのセリウム活性化カルビド（Carbido-）ニトリドケイ酸塩、0＜x≦1、0≦y＜1、0≦z＜1、0≦a＜1、0≦b≦1及び0.0002＜n≦0.2並びにREがユーロピウム(II)及びセリウム(III)から選択される、一般式(Ca1-x-y-zSrxBayMgz)1-n(Al1-a-bBa)SiN2N1-bOb:REnの(Ca、Sr)AlSiN3:Eu希土類金属活性化ニトリドアルミノケイ酸塩、及び、上述の励起により可視スペクトルの赤色領域において放射スペクトルを有する他のニトリドケイ酸塩発光材料、である。
【００５４】
これらの発光ニトリドケイ酸塩化合物は、可視スペクトルのアンバから赤色スペクトル領域において放射し、したがって、特定の色又は白色光を放射するLEDにおけるアンバから赤色成分を提供し得る。発光化合物の追加的な重要な特性は、通常の装置動作温度（例えば、80℃）における発光の温度消光に対する耐性、可視スペクトル内の死吸収を最小化させる適切な吸収プロファイル、及び発光化合物励起及び放射特性の組成制御可能な調整、を含む。
【００５５】
本発明の別の好ましい実施例において、緑色光は、EAがカルシウム、バリウム、及びストロンチウムの群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属である、一般式EASi2N2O2:Euの緑色放射（480〜560nm）を含む合成モノリシックセラミック発光変換体の発光成分を用いて生成される。
【００５６】
緑色放射に関して、本発明において使用するのにも適した通常の発光化合物は、0.002≦a≦0.2、0.0≦b≦0.25、0.0≦c≦0.25、0.0≦d≦0.25、0.0≦e≦0.25、1.5≦x≦2.5、1.5≦y≦2.5及び1.5＜z＜2.5である、一般式(Sr1-a-bCabBacMgdZne)SixNyOz:Euaを有する化合物である。
【００５７】
青色から緑色放射に関して、本発明において使用するのにも適した通常の発光化合物は、M=Sr、Ca、0.002≦a≦0.2、0≦x≦1及び0≦y≦3である一般式(Ba1-x-aMx)Si7-yAlyN10-yOy:Eua並びにM=Sr、Ca、0.002≦a≦0.2、0≦x≦4、0≦y≦1及び0≦z≦1である一般式Ba1-z-aMzSi6-xAlxN8-xOy+x:Euaを有する化合物である。
【００５８】
特定の実施例において、追加的に更なる発光化合物が、合成材料に含まれ得る。
【００５９】
合成モノリシックセラミック発光変換体における第２の相は、セラミック結合剤として且つ光学的マトリクスとして作用する同一の化合物分類の非発光化合物を含む。
【００６０】
好ましいものは、ニトリドケイ酸塩、オキソニトリドケイ酸塩(sions)、及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩(sialons)であり、単独である又はアルカリ、アルカリ土類、希土元素と組み合わせられる。
【００６１】
前記材料は、発光材料の活性剤イオンの励起及び放射が発生する波長における優れた光学的透明性を有する。
【００６２】
好ましい化合物の例は、Mがストロンチウム及びカルシウムから選択されるニトリドケイ酸塩Ba1-xMxSi7-yAlyN10-yOy、LnがLa、Ce、Pr、Ndから選択されるLnSi3N5、Mがストロンチウム及びカルシウムから選択されるBa1-zMzSi6-xAlxN8-xOy+x、並びに、MがSr及びBaのそれぞれから選択されるMYSi4N7を含む。
【００６３】
ケイ素及び窒素を含む非発光化合物が低温で焼結活性であることが、非発光化合物の選択の好ましい条件である。焼結可能性は、ケイ素窒化物非発光化合物が特定のアルミニウム及び／又は酸素も含む場合に、向上され得る。有用であるのは、0≦x≦0.42である一般式Si6-xAlxOxN8-xの化合物である。特に、好ましいのは、非発光化合物が、Mが１つ以上の金属イオンに関し、vが金属イオンの酸化状態を示し、m及びnが広範囲において変化し得る、一般式Mm/vSi12-(m+n)Alm+nOnN16-nの発光化合物を有する金属イオンも共有することである。好ましくは、金属イオンは、アルカリ金属Na、K、Rb及びアルカリ土類金属Be、Mg、Ca、Sr、Baの群から選択される。
【００６４】
特に、アルミニウムは、ケイ素窒化物に関する焼結加速剤として作用し、焼結密度を向上させる。しかし、アルミニウム酸化物が単独で使用される場合、機械的強度及び破壊靱性などの、合成体の機械的特性は減少している。
【００６５】
非発光化合物は、遷移金属のZr、Hf、Nb、Ta、W、Mo、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Sc、Y、La、典型元素のPb及びBi、並びにf元素のCe、Cr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、及びUの群から選択される調整剤を追加的に含み得る。調整剤は、焼結温度を低下させること、及び、セラミックの細密化挙動を向上させるのに役立つ。
【００６６】
ニトリドケイ酸塩、オキソニトリドケイ酸塩、ニトリドアルミノケイ酸塩及びオキソニトリドアルミノケイ酸塩の群からの、焼結可能性を向上させる追加的な相は、例えば、バリウム、ストロンチウム、カルシウム又はマグネシウムなどのネットワーク調整剤と組み合わせられる場合に、焼結した後に、ガラス状（ガラス質）又は結晶相として見受けられ得る。
【００６７】
上述の非発光化合物は、発光粒子と固容体を形成せず、発光粒子は、非発光相から分離した独立した分散粒子相として状態を維持し、一層分散された相を形成する。
【００６８】
特に好ましいのは、M=Sr、Ca、0≦x≦2、0≦y≦4、0.0005≦z≦0.06である、一般式Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euzのアンバ又は赤色放射発光化合物が、M=Sr、Ca、Eu、0≦x≦1及び0≦y≦3である、一般式Ba1-xMxSi7-yAlyN10-yOyの非発光SiAlON相と組み合わせる、合成セラミック発光変換体の実施例である。
【００６９】
細密に焼結されたBa2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz(M=Sr、Ca)グレイン及びMSi7N10(M=Ba、Sr、Eu)グレインからなり、特定のユーロピウムも含むセラミック合成色変換体は、活性剤Eu(II)からEu(III)への光熱酸化に対して顕著に安定である。このことは、焼結におけるBa2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz(M=Sr、Ca)グレインにおいて形成される陽イオン空欠(cation  vacancy)の減少によって生じられ得る。陽イオン空欠は、バリウムの損失が高焼結温度において発生し且つN個の部位における酸素欠陥の生成によって電荷補償されるので、形成される（式１）。
式１：Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz+u  O2→Ba2-x-z-uMx[]uSi5-yAlyN8-y-2uOy+2u:Euz+u  Ba+u  N2
【００７０】
これらの欠陥は、Eu(II)の光劣化を促進させるトラップ中心として作用し得る。
【００７１】
特別な実施例に従う合成変換体セラミックにおいて、Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz(M=Sr、Ca)グレインにおけるMの損失は、Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz(M=Sr、Ca)及びMSi7N10(M=Ba、Sr)セラミックグレインの間のグレイン境界におけるより多くのMSi7N10(M=Ba、Sr)相の形成により補償される。このことは、Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz(M=Sr、Ca)グレインにおける結晶欠陥の減少に導き、したがって、大いに光熱安定性向上させる。逆もまた同様に、焼結において、活性剤Eu(II)の、位相界面を介しての非発光MSi7N10セラミックグレインへの特定の拡散も発生し得る。
【００７２】
既知のアンバから赤色放射の粉末窒化物発光化合物に対する、特定の実施例のセラミック合成発光変換体の有利な点は、（ａ）合成体マトリクスにおける向上されたグレイン形態が原因によるより高い量子効率、（ｂ）発光変換体の低減された散乱による強化される変換効率、（ｃ）より高い光熱安定性、並びに（ｄ）合成材料の低屈折率及びしたがって、より低い屈折率を有する環境媒体へのより良好な光アウトカップリングである。
【００７３】
明らかであるように、発光化合物及び非発光化合物の相対的量は、合成体の最終特性に影響を与えるように選択され得、所望な応用例に依存して広く変化し得る。
【００７４】
ＬＥＤから放射される一次光の部分的変換に関して、発光化合物粒子の量及びサイズは、セラミック発光変換体を通ずる経路長が発光ＬＥＤからの十分な一次光が二次可視光へ変換されるように長く、且つ、一次光の適切な量が埋め込まれた蛍光体層を通過されるように短くあるように、有利に選択される。完全な変換に関して、一次光は、セラミック発光変換体を通過するべきでなく、その厚さは、漏れ光が低減され最適効率で実行するように選択される。
【００７５】
生じる光は、前方へだけでなく、後方へも光を散乱させる。後方散乱光は、ＬＥＤに再吸収されるかなりの可能性を有する。このことは、効率を低減させる。多くても80vol.%の発光材料の容積を用いると、後方散乱損失は、20％から30％の領域より十分下の低減されたレベルへ維持され得る。
【００７６】
更なる向上は、空隙率及び空隙サイズ分布を制御することによって達成される。有利な実施例において、セラミック合成体は、理論密度の97％以下の密度に対応する、多くても3％の空隙率を有する。本発明の好ましい実施例に従うと、密度は、理論密度100%に近い。
【００７７】
更に、空隙サイズは、例えば、3000nmより小さく、好ましくは約2000nmより小さくなど、小さく維持されるべきである。最良の結果は、1000nmより下の空隙サイズを用いて達成可能である。
【００７８】
合成セラミック発光変換体の準備に関して、発光化合物が、非発光化合物と組み合わせられ且つ固化されて、堅固なモノリシック合成体の微細構造が、対応する発光特性を維持及び向上させる発光グレインを特徴とすることを保証するように合成材料を形成する形成することが、特に重要な点である。
【００７９】
このことを達成するために、個別の構成材料は、異なる結晶相を保存するために互いに本質的に反応し得ないが、その理由は、いかなる反応も所望な発光特性をもかなり消出させ得るからである。好ましい実施例に従うと、発光化合物及び非発光化合物は、対応する相状態図において隣接するものであり、共晶混合物を形成する。
【００８０】
実施例において、発光及び非発光化合物間の特定の有用な反応が確認された。例えば、発光ニトリドケイ酸塩化合物は、酸化アルカリ土類前駆体と反応し、グレイン境界においてオキソケイ酸塩ガラス質又は結晶質相を形成し得、このことは、発光ニトリドケイ酸塩グレインにおける酸素含有量の減少を導き、したがって、これに対応する発光特性の向上を導く。
【００８１】
また、個別の結晶層も、合成材料の固化においてその本来の位置で形成され得る。例えば、発光AE2Si5N8:Eu相は、焼結フラックスとして加えられるアルカリ土類オルトケイ酸塩相とある程度反応し、少量のガラス相及び非発光AESi7N10相を形成し得る。不所望なガラス相は、光学的特性を向上させるために、熱間等静圧圧縮成形などの適切な後処理方法によってセラミック合成発光変換体から除去され得る。
【００８２】
製造の方法は、発光変換体の好ましい微細構造とは微妙に異なる。モノリシックセラミック発光変換体の微細構造は、多結晶性粒子−粒子合成体、粒子−マトリクス合成体、又はラミネート合成体であり得る。
【００８３】
合成の構成で発光化合物及び非発光化合物を含む合成モノリシックセラミック発光変換体を製造する好ましい方法において、合成材料の成分は、粒子−粒子合成構成で提供される。
【００８４】
セラミック粒子−粒子合成体は、多結晶、すなわち、これらは、隠微晶質、微細結晶性又はナノ結晶性結晶の不規則な集塊体を含む。製造において、結晶は、密着して生じ、且つグレイン境界を共有するように成長される。微視的には、モノリシックセラミックは等方性であるようであるが、多結晶微細構造は、容易にＳＥＭ(scanning  electron  microscopy)によって検出され得る。
【００８５】
このほとんど空隙のないモノリシック多結晶微細構造により、発光モノリシックセラミック発光変換体は、透明である、又は低光吸収である少なくとも高い光学的半透明性を有する。
【００８６】
このような粒子−粒子合成体が（ｉ）発光化合物の、非発光化合物の前駆体の群から選択される第２の材料との粉末混合物の準備、（ｉｉ）混合物の圧粉及び予備成形体への成形、及び（ｉｉｉ）予備成形体の共焼結、そしてその後に最終的に更なる焼きなまし、を必要とする方法に従い準備された。
【００８７】
当該方法の１つの実施例において、非発光化合物の前駆体は、「グリーン」セラミック材料として提供される。この文脈における「グリーン」とは、焼成され、反応的であるが、まだ焼結されていないセラミック材料をいう。
【００８８】
「グリーン」セラミック材料は、理論密度より低い密度を有し、通常は、理論密度の65%より低い。また、「グリーン」セラミック材料は、通常、100nmから5μmの範囲における微細グレインサイズも有する。
【００８９】
非発光化合物の「グリーン」前駆体材料は、予備焼結された粗いグレインサイズ（約1.0から10ミクロンの粒子サイズ）の発光体化合物と組み合わせられる。非発光化合物は、好ましくは、発光化合物と比較して、低い焼結温度を有する化合物である。発光化合物の離れた焼結温度は、相構成分離を維持し、構成物間の不所望な相互作用の可能性を低減させるのに役立つ。
【００９０】
２つの材料は、標準的なボールミリング技術を用いて混合され得るが、当業分野において知られる他の方法も使用され得、適切な結果をもたらす。
【００９１】
十分に混合されると、混合物は、予備成形体へ形成される。堅固な合成予備成形体は、チッピング及びクラッキングに耐えるのに十分な強度及び強靱性を呈し、予備成形を可能にするべきである。
【００９２】
この場合、予備成形体は、非発光化合物の焼結に関して適用する温度及び雰囲気に対する焼結条件の下で焼結される。焼結処理は、高い程度に半透明な材料を形成するために、実質的に理論密度にまでセラミックを圧縮するために、所望な時間で提供される。これらのパラメータは、構成物材料の相互作用なしに、最小空隙率及び最大密度を仮定する。
【００９３】
特に好ましいのは、一軸圧力処理、又は焼結後の冷等方圧力処理である。冷等方圧縮処理及び熱間等方圧縮処理の後の焼結の組み合わせも適用され得る。
【００９４】
圧縮処理の注意深い監視が、グレイン成長を制御し、残留空隙を除去するために必要である。
【００９５】
発光材料の成形及び焼結処理は、既知のセラミック手順によって容易に切断及び機械加工される合成モノリシックセラミック部材を生じさせる。好ましくは、合成モノリシックセラミック発光変換体は、平滑な表面を得るために、及び、表面荒さによって引き起こされる拡散散乱を阻害させるために、研磨される。
【００９６】
好ましくは、セラミック合成変換体の表面の表面荒さＲＭＳ（最も高い表面特徴と最も低い表面特徴との間の差の幾何学的平均として測定される、表面の平面度の乱れは、0.001μm以上5μm以下である。
【００９７】
最も好ましいのは、表面荒さが0.03μm以上且つ0.15μm以下である本発明の実施例である。
【００９８】
本発明の好ましい実施例に従うと、少なくとも１つのセラミック合成材料の特定の表面領域は、10-7m2/g以上且つ0.1m2/g以下である。
【００９９】
通常、発光化合物及び非発光化合物は、80パーセントより多い単結晶領域からなり、それぞれの領域は、0.5μmより大きい直径であって、且つ、異なる結晶方位を有する。単結晶領域は、追加的なアモルファス又はガラス質材料によって、又は追加的な結晶構成物によって、接続され得る。
【０１００】
好ましい実施例に従うと、少なくとも１つの合成セラミック材料は、100%の空隙のない材料の密度である合成体の理論密度の97%以上且つ100%以下の密度を有する。このことは、少なくとも１つのセラミック合成材料の輝度及び光学特性が増加され得るので、本発明内の広範囲な応用例に関して有利であると示されている。
【０１０１】
より好ましくは、少なくとも１つのセラミック合成材料が、99%以上の密度を有する。
【０１０２】
上述の処理方法を用いると、発光化合物は、発光変換の効率及び光熱安定性の両方が向上されるので、発光特性を維持又は向上させることが可能である。この結果は、合成体を形成するために材料を共焼結させる場合に対応する特性における特定の減少が予想され得るなかにおいて、極めて想定外のことである。
【０１０３】
本発明の別の実施例に従うと、合成体の微細構造は、粒子−マトリクス合成体であり、この場合、発光化合物の結晶粒子は、アモルファス又はガラス質非発光化合物の連続的なマトリクスにおいて分散される。
【０１０４】
ガラス質及びアモルファスのマトリクスにおける分散は、ゾルゲル処理によって、及び、従来的な粉末及び溶融技術によって、並びに固体及びガラス質焼結処理によって、準備され、この場合、発光粒子は、マトリクス材料内において処理される。
【０１０５】
製造の方法は、非発光化合物がSiAlONガラスである実施例において有用である。このようなガラスは、その液相焼結と同様に、従来技術分野において知られている。
【０１０６】
前記粒子−粒子合成体又は粒子−マトリクス合成体を形成すること以外に、発光変換体の相は、多層構成でラミネート状合成体として組み立てられ得る。
【０１０７】
ラミネート状合成体において、第１の層は、第１発光化合物の発光化合物粒子及び非発光化合物を含み、第２の層は、第２の発光化合物の粒子及び非発光化合物を含む。
【０１０８】
ドクターブレード法を用いるテープキャスティング(tape  casting)は、セラミックラミネート状多層合成体の生成において広く使用されており、後に多層状合成セラミック発光変換体を形成するために共焼成及び角切りにされるグリーンシートを用いて開始する。
【０１０９】
本発明の特定の実施例において、セラミック材料に関してよく知られている慣習的な手順を用いて行われ得る、焼結された合成モノリシックセラミック発光変換体を後成形することは、有用であり得る。例えば、合成モノリシックセラミック発光変換体の上部表面を粗化させることは、例えば、セラミック発光変換体が高屈折率を有する場合などに、特に、光アウトカップリングを向上させるために、変換光を散乱させるのに有用であり得る。
【０１１０】
本発明の第２の態様に従うと、放射源と、少なくとも１つの発光化合物及び少なくとも１つの非発光化合物を有する合成材料を有するモノリシックセラミック発光変換体とを含む照明システムであって、前記発光化合物及び前記非発光化合物が、それぞれケイ素及び窒素を含む、照明システムが提供される。
【０１１１】
放射源は、好ましくは、半導体光学放射体、及び電気的励起に応答して光学的放射を発する他の装置を含む。半導体光学放射体は、発光ダイオードＬＥＤチップ、発光ポリマ（ＬＥＰ）、レーザダイオード（ＬＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、ポリマ発光ダイオード（ＰＬＥＤ）などを含む。更に、水銀低圧及び高圧放電ランプなどの、硫黄放電ランプ、分子放射に基づく放電ランプ、及びＸ線管などの放電ランプ及び蛍光灯において見うけられる放射物放射体は、本発明の発光変換体と放射源として使用するのに検討される。
【０１１２】
本発明の好ましい実施例において、放射源は、発光ダイオードである。
【０１１３】
発光ダイオード、又は発光ダイオードのアレイ及び複数の発光化合物を含む合成モノリシックセラミック発光変換体を含む照明システムのいずれかの構成が、上述されるようなＬＥＤ放射一次紫外線又は青色光によって照射される場合に特定の有色又は白色を達成するために、本発明において検討される。
【０１１４】
合成モノリシックセラミック発光変換体を発光ダイオード又は発光ダイオードのアレイへ結合するのに有用な可能な構成は、エピタキシ成長装置及びフリップチップ装置を含む。
【０１１５】
放射源及び合成モノリシックセラミック発光変換体を含むこのような照明システムの１つの実施例の詳細な構造は、以下に説明される。
【０１１６】
図１は、合成モノリシックセラミック発光変換体２を含む固体状態照明システム１の特定の構造を概略的に示しており、この場合に、ＬＥＤダイ４が基板６にフリップチップ構成でパッケージされており、電極５の両方は、ボンドワイヤを用いることなく対応するリード線に接触するようにされている。ＬＥＤダイは、上下逆さまにフリップされて、熱伝導基板に接合されている。モノリシックセラミック発光変換体は、発光ダイオードから放射される光の大半が板の表面へほぼ直角である角度で入射するように位置される板として構成される。このことを達成するために、反射器３が、ディスクへの方向に発光ダイオードから放射される光を反射するために、発光ダイオードの周りに設けられる。
【０１１７】
図1は特定のＬＥＤ構造を例示するものの、本発明は、ＬＥＤダイのいずれかの特定の構造とも独立している。例えば、ＬＥＤダイにおける基板及び半導体層の数並びに活性領域の詳細な構造は、変更され得る。追加的に、ＬＥＤダイは、「フリップチップ」型構造を有するように、図1において例示されている、すなわち、電極５は、ＬＥＤダイの同一の側に位置される。しかし、望まれる場合は、ダイの反対側に電極５を有するなど、他の種類のＬＥＤダイ構造も、本発明内において使用され得る。
【０１１８】
合成モノリシックセラミック発光変換体は、エポキシ又はシリコーンなどの高温光学透明樹脂材料の透明接合層７を発光変換体とＬＥＤダイとの間に配置させることなどによって、ＬＥＤダイ２へ固定され得る。キュアされると、接合層７は、発光変換体をＬＥＤダイへ保持する。
【０１１９】
そうでない場合、低軟化点ガラスが、直接ＬＥＤダイへ合成モノリシックセラミック発光変換体を接合する場合に、有用である。材料は、ガラスの軟化点より上にＬＥＤダイ及び合成モノリシックセラミック発光変換体の温度を上昇させる、そして、材料を全体的に押すために圧力を加えることによって、接合され得る。
【０１２０】
動作において、電力が、ダイを活性化させるためにダイへ供給される。活性化される場合に、ダイは、例えば、青色光などの、一次光を放射する。放射一次光の一部は、部分的又は完全にセラミック発光変換体によって吸収される。セラミック発光変換体は、その後、二次光、すなわち、一次光の吸収に応答して、より長いピーク波長を有する変換光を、放射する。放射一次光の残りの吸収されていない部分は、適用可能であれば、二次光とともに、セラミック発光変換体を通じて透過される。
【０１２１】
反射器は、出力光として一般的な方向へ未吸収の一次光及び二次光を方向付ける。したがって、出力光は、ダイから放射される一次光と発光層から放射される二次光からなる合成光である。
【０１２２】
本発明に従う照明システムの出力光の色温度又は色点は、一次光と相対的に、二次光のスペクトル分布及び強度に依存して変化し得る。
【０１２３】
第一に、一次光の色温度又は色点は、発光ダイオードの適切な選択によって変化し得る。
【０１２４】
第二に、二次光の色温度又は色点は、合成モノリシックセラミック発光変換体における発光化合物の組成の適切な選択によって変化し得る。
【０１２５】
また、合成体の厚さ及び相対的な発光含有量は、合成モノリシックセラミック発光変換体に入射する一次光の所望なパーセンテージを変換するように構成され得る。
【０１２６】
発光ダイオード及び発光化合物の発光波長に依存して、単数の又は複数の発光化合物の色点及び発光要素の色点によって形成される色多角形における色度図における任意の点の光放射が提供され得る。
【０１２７】
本発明の一つの態様に従うと、例えば「アンバ」、「赤」又は「緑」などに、着色されているように見えるようなスペクトル分布を有する出力光を放射する照明システムが提供される。
【０１２８】
本発明の代替的な実施例に従うと、照明システムの出力光は、「白色」光に見えるようなスペクトル分布を有し得る。
【０１２９】
「白色光」という用語は、通常の観察者が「白色」と見なし得る見た目を生成するように人間の目における赤色、緑色及び青色センサを刺激する光を示す。
【０１３０】
特定の実施例
本発明の好ましい実施例において、アンバ又は赤色の光が、合成モノリシックセラミック発光変換体の発光化合物を用いて生成され、この場合に、M=Sr、Ca;0≦x≦1、0≦y≦4、0.0005≦z≦0.06である一般式Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euzのアンバ又は赤色放射発光化合物が、M=Sr、Ca;0≦x≦1及び0≦y≦3である一般式Ba1-xMxSi7-yAlyN10-yOyの非発光SiAlON相と組み合わせられる。z<0.06であり、且つ、Mが50%より少ないSr及び／又はCaからなる実施例は、特に好ましい。
【０１３１】
アンバ放射に関して、一般式Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euzの発光化合物は、0≦x≦0.7、0≦y≦1、0.001≦z≦0.01の組成を有することが好ましい。
【０１３２】
赤色放射に関して、一般式Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euzの発光化合物は、0.4≦x≦2、0≦y≦2、0.001≦z≦0.03の組成を有することが好ましい。
【０１３３】
図４において示されるフロー図は、0≦y≦4及び0.0005≦z≦0.06であり、る、(Ba、Sr)2-zSi5-yAlyN8-yOy:Euzを含む特定の合成セラミックとBaSi7N10とがいかに準備されるかを概略的に示す。
【０１３４】
アンバ又は赤色放射(Ba、Sr)2-zSi5-yAlyN8-yOy:Euzの結晶性、事前焼結粉末材料の準備は、二価金属(Sr、Ba)O:Euの混合酸化物の準備から開始する。
【０１３５】
二価金属(Sr、Ba)O:Euの混合酸化物の準備をするために、アルカリ土類金属及びユーロピウム(III)の高純度の、硝酸塩、炭酸塩、シュウ酸塩及び酢酸塩が、脱イオン化された水において撹拌することによって溶解された。アルカリ土類陽イオンに対するユーロピウム(III)の所望な濃度は、約0.1から3モルパーセントの間である。
【０１３６】
溶液は、ホットプレート上において加熱されている間水が蒸発するまで撹拌され、組成に依存して、白色又は黄色のペーストが生じる。
【０１３７】
固体は、一晩（12時間）、120℃で乾燥される。生じる固体は、精細に粉砕され、高純度アルミナるつぼに置かれる。るつぼは、管状のかまどへ投入され、その後、数時間、窒素／水素のフローを用いてパージされる。かまどのパラメータは、1000℃へ10℃/mmであり、その後、1000℃で4時間滞留が続き、その後、かまどは止められ、室温まで冷却するのを許可される。粉末形態を向上させるために、炭素が、焼成(firing)の前に粉末混合物へ加えられ得る。
【０１３８】
二価金属酸化物(Sr、Ba)O:Euは、その後、所定の比率でケイ素窒化物Si3N4、AlN及びグラファイトと混合される。混合物は、高純度タングステン又はSiCるつぼに置かれる。るつぼは、るつぼは、管状のかまどへ投入され、その後、数時間、窒素／水素（形成ガス）のフローを用いてパージされる。かまどのパラメータは、1450℃へ10℃/mmであり、その後、1450℃で4時間滞留が続き、その後、かまどは、ゆっくりと室温まで冷却するのを許可される。サンプルは、もう一度、1450℃での第２の焼きなましステップが実行される前に、精細に粉砕される。(Ba、Sr)2Si5-yAlyN8-yOy:Euzの焼結された粗いグレインセラミック粉末は、2〜8μmの平均グレインサイズを有する。
【０１３９】
一般的に、焼結は、不活性又は還元雰囲気で実行される。窒素−アセチレン雰囲気、窒素−水素雰囲気及びアンモニア雰囲気は、還元雰囲気の例として与えられ得る。
【０１４０】
非発光化合物BaSi7N10の前駆体材料の準備は、所定の比率でのバリウム炭酸塩、ケイ素窒化物、及び粉砕グラファイトの混合物の準備から開始する。
【０１４１】
混合物は、高純度タングステン又はSiCるつぼに置かれる。るつぼは、管状のかまどへ投入され、その後、数時間、窒素／水素のフローを用いてパージされる。かまどのパラメータは、1500℃へ10℃/mmであり、その後、1500℃で4時間滞留が続き、その後、かまどはゆっくりと室温まで冷却される。
【０１４２】
合成モノリシックセラミック発光変換体を準備するために、BaSi7N10化合物の超精細サブミクロン前駆体及び粗く粉砕された焼結発光化合物が混合される。混合物は、1500℃〜1650℃で2〜12時間、40〜80Mpaで熱一軸方向圧縮される。
【０１４３】
室温へ冷却した後に、得られる合成モノリシックセラミックディスクは、ウェハへと切断される。これらのウェハは、0≦y≦4及び0.0005≦z≦0.06である(Ba、Sr)2-zSi5-yAlyN8-yOy:Euz及びBa1-xMxSi7N10:Eu(M=Sr、Eu)の合成セラミック部材を含む最終半透明合成モノリシックセラミック発光変換体を得るために、研磨され、磨き仕上げされ、そして角切りにされた。
【０１４４】
このようにして得られた結晶相がX線回折によって評価された場合、発光相は、斜方晶系Ba2Si5N8格子型結晶相(PDF  file  number  01-085-0102)として識別され、非発光相は、BaSi7N10格子型(PDF  file  number  01-089-6751)の結晶相として識別される。
【０１４５】
この実施例のセラミック発光変換体の微細構造の概略図は、図２において与えられる。
【０１４６】
図３における合成セラミックの磨き仕上げされた表面のＳＥＭ画像において、２つの種類のグレインが、明るい灰色と暗い灰色の色調によって特定されて、確認されるべきであり、残りの空隙は黒領域として見えるように表わされている。
【０１４７】
Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz(M=Sr、Ca)粒子の平均グレインサイズは、2〜40μm範囲にあり、体積分率としてのMSi7N10マトリクス材料含有量は、10〜80％の範囲にあり、処理後のサンプルの残留空隙率は3%未満である。
【０１４８】
ＳＥＭの観察から、発光化合物の粒子は非発光相とは独立して存在し、グレイン境界を共有していることが確認された。
【０１４９】
エネルギ分散型Ｘ線蛍光発光分光法（ＥＤＸ）は、明るい領域が主にM2Si5N8相から構成され、暗い領域が主にMSi7N10相であることを明らかにした。
【０１５０】
ＥＤＸ測定の結果は、表１に表わされる。
【表１】
0005575488.tif 000002
この特別な実施例のセラミック発光変換体微細構造は、グレイン境界ネットワークを形成する結晶の統計的粒状構造を特徴とする。セラミックは、理論密度の97%の密度を呈する。
【０１５１】
このような色変換構造は、高効率及び向上された色一貫性を有する照明システムを提供するためにAlInGaNのＬＥＤ光源と組み合わせられ得る。特に、放射最大値が380〜480nmに位置する青色ＬＥＤと用いて達成される。最適値は、ユーロピウム(II)活性化Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz、(M=Sr、Ca)の励起スペクトルを特に考慮に入れると、415〜450nmに位置することが分かっている。BaSi7N10相に存在する微量の二価ユーロピウムは、このような放射によって励起されないが、この放射に対して透明である。
【０１５２】
本発明に従う合成モノリシックセラミック発光変換体を含む照明システム、及びその合成モノリシックセラミック発光変換体は、広範囲な様々なシステム及び／又は応用例、とりわけ、オフィス照明システム、家庭応用例システム、店舗照明システム、住宅照明システム、アクセント照明システム、スポット照明システム、劇場照明システム、光ファイバー応用例システム、投影システム、自己点灯表示システム、画素型表示システム、セグメント型表示システム、警告標識システム、医療照明応用例システム、指示標識システム、装飾照明システム、携帯型システム、自動車応用例、及び温室照明システム、において有用である。
【０１５３】
本発明は、紹介の目的のために、特定の実施例の形式で例示されているが、本発明は、これらに制限されない。本発明の範囲から逸脱することなく、多数の変更態様及び修正態様がなされ得る。例えば、合成発光変換体は、引用される発光化合物以外の発光材料から製造され得る。したがって、添付の請求項の精神及び範囲は、上述の説明に制限されるべきでない。
【図１】
0005575488.tif 000003
【図２】
0005575488.tif 000004
【図３】
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【図４】
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