(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数個取り配線基板を各配線基板領域に分割するための分割溝を形成する多数個取り配線基板の分割溝形成方法であって、多数個取り配線基板の表面に分割溝を形成する位置を決定するために表示された複数の位置決め表示部のうち、前記分割溝を形成する方向の両端にある前記位置決め表示部を通る直線と、該直線から最も離れた位置にある前記位置決め表示部との距離を求め、該距離を前記各配線基板領域の要求寸法精度の絶対値で除した値が整数の場合は当該除した値の数だけ前記直線を等分し、前記除した値が整数ではない場合は当該除した値から小数点以下を切り捨てた値に１を加えた数だけ前記直線を等分した後、等分した前記直線に垂直な仮境界線が前記位置決め表示部を横切る場合はこの仮境界線を境界線とし、等分した前記直線に垂直な仮境界線が前記位置決め表示部を横切らない場合はこの仮境界線を前記多数個取り配線基板の前記分割溝を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の前記位置決め表示部を横切る位置まで移動させて境界線として、それぞれの前記境界線で区切られた領域毎に、当該領域に配置された複数の前記位置決め表示部のうちの両端にある前記位置決め表示部を通る直線状の分割溝を形成することを特徴とする多数個取り配線基板の分割溝形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子収納用パッケージなどに適用される配線基板を製造するための多数個取り配線基板に分割溝を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信分野などに使用される電子機器には、配線基板、金属枠体および蓋体を備え内部に半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージが用いられている。
【０００３】
半導体素子収納用パッケージを製造するに際しては、まず、複数の配線基板領域を有し、最終的にそれぞれの配線基板領域に分割される多数個取り配線基板が作製される。
【０００４】
この多数個取り配線基板は、セラミック基体の表面および内部にそれぞれの配線基板領域毎に形成された配線層および貫通導体を備えてなるものであって、セラミック粉末に有機バインダ、可塑剤および溶剤等を加えてスラリーとし、ドクターブレード等によりセラミックグリーンシートを形成した後、金属粉末を含有する導体ペーストを印刷するなどしてセラミックグリーンシート上にそれぞれの配線基板領域毎に配線パターンを形成し、次に、配線パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートを積層して加圧することによりセラミックグリーンシート積層体を得た後、このセラミックグリーンシート積層体を焼成し、その後、焼結した表面および裏面の配線導体にめっき処理することにより得られる。
【０００５】
ここで得られた多数個取り配線基板の一方主面には一般的に、容易にそれぞれの配線基板領域に分割できるように、複数の配線基板領域を区画する断面形状がＶ字状の分割溝が形成されている。
【０００６】
この分割溝を形成する方法としては、積層後のセラミックグリーンシート積層体にパンチングもしくは印刷などで位置決め表示部を形成した後、多数個取り配線基板の表面の位置決め表示部を検出し、これを基準にして金型やカッター刃等を用いて分割溝を形成した後に、積層体を焼成する方法が知られている。
【０００７】
しかしながら、セラミックグリーンシート積層体の状態で分割溝を形成して複数の配線基板領域を区画した後に焼成を行なうと、焼成収縮による応力を受けて多数個取り配線基板（セラミックグリーンシート積層体の焼成後のもの）が分割溝を起点に割れてしまうことがあるという問題がある。
【０００８】
そこで、これに対して、焼成中の応力負荷による多数個取り配線基板の割れが発生しないように、焼成後のセラミック基体に対して分割溝を形成する分割溝形成方法が採用されている。
【０００９】
このような分割溝形成方法として、図４に概略平面図およびその一部の拡大概略平面図で示すように、多数個取り配線基板の分割溝を形成する位置を決定するために、セラミックグリーンシート積層体91の表面の周縁部に複数の位置決め表示部92を形成しておき、積層体91の焼成後に、分割溝を形成する方向の両端にある位置決め表示部92を結ぶ直線93に沿って分割溝を形成する多数個取り配線基板の分割溝形成方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開2009−220405号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、一般に多数個取り配線基板となるセラミックグリーンシート積層体を焼成すると、焼成収縮によって平面視形状が変形した状態で多数個取り配線基板が作製されることとなる。例えば、図４に示すように、図中で上下に位置する対向する１組の辺がそれぞれ中央側で最も膨らむように湾曲し、図中で左右に位置する対向する他の１組の辺がそれぞれ中央側で最も窪むように湾曲した形状の多数個取り配線基板が作製される。また、図示しないが、対向する１組の辺および対向する他の１組の辺がともにそれぞれ中央側で最も膨らむように湾曲した形状の多数個取り配線基板、または対向する１組の辺および対向する他の１組の辺がともにそれぞれ中央側で最も窪むように湾曲した形状の多数個取り配線基板となることもある。
【００１２】
このように変形した多数個取り配線基板に対して特許文献１に記載された分割溝形成方法を適用すると、配線基板領域の一部に要求寸法精度を超える欠け領域94（図４中にハッチングを施して示す）が発生してしまうという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、焼成収縮によって変形した多数個取り配線基板に対して、配線基板領域の一部が要求寸法精度を超えて欠けてしまうことのないように分割溝を形成することができる多数個取り配線基板の分割溝形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、多数個取り配線基板を各配線基板領域に分割するための分割溝を形成する多数個取り配線基板の分割溝形成方法であって、多数個取り配線基板の表面に分割溝を形成する位置を決定するために表示された複数の位置決め表示部のうち、前記分割溝を形成する方向の両端にある前記位置決め表示部を通る直線と、該直線から最も離れた位置にある前記位置決め表示部との距離を求め、該距離を前記各配線基板領域の要求寸法精度の絶対値で除した値が整数の場合は当該除した値の数だけ前記直線を等分し、前記除した値が整数ではない場合は当該除した値から小数点以下を切り捨てた値に１を加えた数だけ前記直線を等分した後、等分した前記直線に垂直な仮境界線が前記位置決め表示部を横切る場合はこの仮境界線を境界線とし、等分した前記直線に垂直な仮境界線が前記位置決め表示部を横切らない場合はこの仮境界線を前記多数個取り配線基板の前記分割溝を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の前記位置決め表示部を横切る位置まで移動させて境界線として、それぞれの前記境界線で区切られた領域毎に、当該配線基板領域に配置された複数の前記位置決め表示部のうちの両端にある前記位置決め表示部を通る直線状の分割溝を形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法によれば、焼成収縮によって変形した多数個取り配線基板における配線基板領域の一部が要求寸法精度を超えて欠けてしまうことのないように分割溝を形成することができ、要求寸法精度を超えた欠けのない個片化した配線基板を高い良品率で効率よく得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は本発明に用いられる多数個取り配線基板の例の概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大した拡大概略平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法の例の流れを示す説明図である。
【図３】本発明に用いられる多数個取り配線基板に分割溝を形成した状態の例を示す概略平面図である。
【図４】従来の多数個取り配線基板の分割溝形成方法の例を示す概略平面図およびその一部を拡大した拡大概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法の実施の形態の例について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１（ａ）は本発明に用いられる多数個取り配線基板の例の概略平面図であり、図１（ｂ）は（ａ）の一部の拡大概略平面図である。また、図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法の例の流れを示す説明図である。また、図３は本発明に用いられる多数個取り配線基板に分割溝を形成した状態の例を示す概略平面図である。
【００１９】
本発明は、多数個取り配線基板を各配線基板領域に分割するための分割溝を形成する多数個取り配線基板の分割溝形成方法であり、まず、分割溝を形成する前の多数個取り配線基板を用意する。
【００２０】
本発明に用いられる分割溝を形成する前の多数個取り配線基板は、例えば図１に示すように、複数の配線基板領域11を有するセラミック基体１と、それぞれの配線基板領域11の周縁部に形成された環状導体12とを備えている。
【００２１】
セラミック基体１は、例えばアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ムライト、フェライト、ガラスセラミックスなどで形成されたセラミック絶縁層が複数積層されてなるもので、たとえば50〜500μｍの厚みに形成されたものである。セラミック基体
１には、分割溝をレーザ光の照射によって形成する場合にレーザ光の吸収率を高くするための成分として、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、ＮｉおよびＦｅの群から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物が含まれていてもよい。
【００２２】
それぞれの配線基板領域11は、一辺の長さが例えば0.5〜20ｍｍ程度に形成されていて
、図１（ａ）に示すように、セラミック基体１が焼成収縮の影響を受けて変形していることから、それぞれの配線基板領域11もセラミック基体１と同様に変形している。それぞれの配線基板領域11の変形は、セラミック基体１の周縁部に近い位置となるにしたがって大きくなる。すなわち、それぞれの配線基板領域11の理想的な境界である、図中に一点鎖線で示す理想境界線20としては、セラミック基体１の中央付近を横切るものはほぼ直線となっているが、中央付近から離れていくにしたがって曲率半径がより小さくなっていくような曲線的なものとなっている。なお、ここでいう理想境界線20は後述する位置決め表示部３のそれぞれを直線で結ぶものであって、本発明において形成する分割溝はこの理想境界線20と一致して形成されるものではない。
【００２３】
ここで、それぞれの配線基板領域11を囲む理想境界線20のうち対向する１組の理想境界線20は、両者が同じ側に向かって湾曲するか一方が直線で他方が湾曲しているようなものであり、両者が反対側に向かって湾曲することはほとんどない。また、隣接する理想境界線20は大きく形状が異なることはなく、近似した曲率半径の曲線的なものとなっている。
【００２４】
各配線基板領域11に形成された配線導体（図示せず）および環状導体12は、それぞれＷ、Ｍｏ，Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔなどを主成分とする導体ペーストが焼成されてなる導体層と、この導体層の表面を被覆するように電解めっきあるいは無電解めっきにて形成されためっ
き層とで構成されている。
【００２５】
それぞれの配線基板領域11は例えば半導体素子収納用パッケージの一部品となるものであり、内部に配線導体（図示せず）が、また領域の外周に沿うように蓋体や枠体（図示せず）をロウ付けなどで接合するための枠状の環状導体12が形成されたものである。配線導体および環状導体12の導体層を被覆するように形成されためっき層は、酸化腐食を防止するとともにロウ付けなどの際の濡れ性向上や接合力強化のためのものである。なお、本実施形態では環状導体12が設けられ、理想境界線20上にもこの環状導体12が設けられた例について述べているが、本発明は環状導体12が設けられたものに限定はされない。
【００２６】
ここで、それぞれの配線基板領域11の角に位置する部位（理想境界線20の交差する部位）には、セラミック基体１を各配線基板領域11に分割する分割溝を形成するための位置決め表示部（アラインメントマーク）３が表示されている。なお、多数個取り配線基板におけるそれぞれの配線基板領域11の角に位置する部位には、配線と下面電極との電気的接続などの目的で、分割後にキャスタレーションとなる直径75〜200μｍ程度の貫通孔が設け
られていて、このキャスタレーションとなる貫通孔が本例における平面視による位置決め表示部３となる。ただし、位置決め表示部３としては、キャスタレーションとなる貫通孔に限定はされず、セラミック基体１の外枠や収縮変形に合わせた要所に、導体印刷あるいは金型打ち抜き等で位置決め表示部３を形成してもよい。
【００２７】
そして、本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法においては、図２（ａ）に示すように、まず、多数個取り配線基板の分割溝を形成する位置を決定するために表示された複数の位置決め表示部３のうち、分割溝を形成する方向の両端にある位置決め表示部31を通る直線21と、直線21から最も離れた位置にある位置決め表示部32との距離ｄを求める。
【００２８】
直線21および距離ｄは、例えば画像測定器または工具顕微鏡を用いて画像認識および演算処理を行なうことにより求められる。ここで、焼成収縮によって変形した多数個取り配線基板は、通常、対向する１組の辺がそれぞれ中央側で最も膨らむように湾曲した形状か、または対向する１組の辺がそれぞれ中央側で最も窪むように湾曲した形状となることから、全ての位置決め表示部３の位置をそれぞれ１つずつ読み取ったうえで距離ｄを求めるのではなく、分割溝を形成する方向の両端にある位置決め表示部31と分割溝を形成する方向の中央付近の位置決め表示部３（32）とを読み取って距離ｄを求めるようにしてもよい。この方法によれば、全ての位置決め表示部３を読み取るのに比べて、加工時間を短縮することができる。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、距離ｄを各配線基板領域11の要求寸法精度の絶対値で除した値が整数の場合は、当該除した値の数だけ直線21を等分する。一方、距離ｄを各配線基板領域11の要求寸法精度の絶対値で除した値が整数ではない場合は、当該除した値から小数点以下を切り捨てた値に１を加えた数だけ直線21を等分する。
【００３０】
例えば、距離ｄが90μｍで要求寸法精度が±30μｍである場合は、90を30で除した値が３であるので、直線21を３等分する。また、距離ｄが75μｍで要求寸法精度が±30μｍである場合は、75を30で除した値が2.5であるので、2.5から小数点以下を切り捨てた値である２に１を加えた数の３だけ直線21を等分する。このように等分する演算処理も、画像測定器または工具顕微鏡を用いて行なうことができる。
【００３１】
要求寸法精度の値としては、このように基準値からの＋側および−側へのずれの許容値の絶対値を用いる。また、距離ｄおよび要求寸法精度の絶対値は、同じ単位での値を用いる。なお、＋側と−側とで許容値の絶対値が異なる場合（例えば要求寸法精度が−30μｍかつ＋20μｍの場合）は、絶対値が大きい方の値（−30μｍの30）を用いればよい。
【００３２】
なお、図２（ｂ）において、直線21の等分される境界には、直線21に垂直に仮境界線41を一点鎖線で示している。
【００３３】
次に、等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部３を横切る場合はこの仮境界線41を境界線４とし、等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部３を横切らない場合はこの仮境界線41を多数個取り配線基板の分割溝を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の位置決め表示部33を横切る位置まで移動させて境界線４とする。
【００３４】
図２（ｂ）では、等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部33を横切っているため、この仮境界線41がそのまま境界線（正式な境界線）４となる。
【００３５】
一方、図２（ｃ）では、等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部３を横切っていない。この場合には、この仮境界線41を、多数個取り配線基板の分割溝を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の位置決め表示部33を横切る位置まで移動させる。具体的には、多数個取り配線基板の分割溝を形成する方向（図の横方向）の左側端部に近い側の仮境界線41ａは、左側の位置決め表示部33ａを横切る位置まで移動させて、この横切る位置で境界線（正式な境界線）４ａとする。また、多数個取り配線基板の分割溝を形成する方向（図の横方向）の右側端部に近い側の仮境界線41ｂは、右側の位置決め表示部33ｂを横切る位置まで移動させて、この横切る位置で境界線（正式な境界線）４ｂとする。図２（ｃ）において、仮境界線41ａ，41ｂを一点鎖線で示し、境界線４ａ，４ｂを破線で示している。
【００３６】
なお、ここで仮境界線41（41ａ，41ｂ）をそれぞれセラミック基体１の端の方に移動させるのは、セラミック基体１の端（周縁部）に近い方が焼成収縮による変形が大きく、境界線４をセラミック基体１の端（周縁部）に近い方とすることでこのセラミック基体１の端（周縁部）に近い方の配線基板領域11をより精度よく個片化することができるからである。
【００３７】
このように移動させる（補正する）演算処理も、画像測定器または工具顕微鏡を用いて行なうことができる。なお、仮境界線41および境界線４については、このような考え方に基づいて分割溝を形成するための領域を決定する（演算する）というものであって、多数個取り配線基板の表面に実際に仮境界線41および境界線４を形成するものではない。
【００３８】
次に、図３に示すように、それぞれの境界線４で区切られた領域毎に、当該領域に配置された複数の位置決め表示部３のうちの両端にある位置決め表示部（位置決め表示部31または位置決め表示部33）を通る直線状の分割溝２を形成する。
【００３９】
図３では、多数個取り配線基板は境界線４によって３等分に区切られていて、まず図３に示す左側端部にある位置決め表示部31と左側の位置決め表示部33とを結ぶように直線状の分割溝２が形成され、左側の位置決め表示部33と右側の位置決め表示部33とを結ぶように分割溝２が形成され、右側の位置決め表示部33と右側端部にある位置決め表示部31とを結ぶように分割溝２が形成される。
【００４０】
ここで、分割溝２はレーザ加工装置を用いて形成するのが好ましい。環状導体12の上からレーザ光を照射して環状導体12を貫通するように分割溝２を形成する場合は、紫外線領域の波長の固体レーザを用いるのが、レーザ光の照射により発生する熱の影響を少なくする点で好ましい。なお、紫外線領域の波長のレーザ光は、例えば固体レーザによるパルス周波数が10〜200ｋＨｚ、パルス幅が５ｎｓ以上、加工点出力が１〜100Ｗ、好ましくは１〜30Ｗ程度のＹＡＧレーザであって、３倍波（波長355ｎｍ）のものを用いるのが好まし
い。
【００４１】
なお、前述したように、位置決め表示部のそれぞれを直線で結ぶ理想境界線において、隣接する理想境界線（例えば１列目の理想境界線と２列目の理想境界線）は大きく形状が異なることはなく、近似した曲率半径の曲線的なものとなっていることから、図３に示すように、上記演算によって分割溝２を形成した後、この分割溝２と同じ角度・長さで上記演算を行なわずにピッチ送り（同じ間隔で順次送る）して、１〜７本程度の分割溝22を形成してもよい。その後、上記演算によって分割溝２を形成し、この分割溝２と同じ角度・長さで上記演算を行なわずにピッチ送りして、１〜７本程度の分割溝22を形成する方法を繰り返す。この方法によれば、加工時間を短縮することができる。
【００４２】
なお、多数個取り配線基板の全ての列についての位置決め表示部３の読み取りの後に、分割溝２を形成するレーザ加工を開始するようにしてもよく、１列毎に位置決め表示部３を読み取った後に分割溝２を形成するレーザ加工を開始するようにしてもよい。
【００４３】
このようにして分割溝２の形成された多数個取り配線基板は、分割溝２に機械的な衝撃を加えることで配線基板領域11毎に分割でき、それぞれの配線基板領域11毎に、要求寸法精度を超えた欠けのない個片化した配線基板を高い良品率で効率よく得ることができる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法を実施した一例について説明する。
【００４５】
分割溝２が形成される前の多数個取り配線基板として、まず、複数の配線基板領域11を有し、それぞれの配線基板領域11の周縁部に環状導体12の形成されたセラミック基体１を、純度が92％のアルミナセラミックスで作製した。
【００４６】
具体的には、Ａｌ２Ｏ３粉末92質量％に、ＳｉＯ２粉末３質量％、Ｍｎ２Ｏ３粉末3.5
質量％、ＭｇＯ粉末１質量％およびＭｏＯ３粉末0.5質量％を混合した原料粉末を、有機
溶剤およびバインダとともに混練し、シート状に成形して厚みが150μｍのセラミックグ
リーンシートを作製し、このセラミックグリーンシートにおける後述のそれぞれの配線基板領域11の角に位置する部位にパンチング加工にて、位置決め表示部３として利用するキャスタレーション用の貫通孔を設けた後、３枚のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製した。次に、このセラミックグリーンシート積層体の上面（表面）に、Ｍｏを主成分とする導体ペーストを被着形成した。ここで、焼成後の導体の厚みと、後述のＮｉめっき層の厚み４μｍおよびＡｕめっき層の厚み0.4μｍと、
Ｍｏ導体の厚みとの合計が34μｍとなるような厚みに導体ペーストを塗布したものをそれぞれ用意した。
【００４７】
次に、このセラミックグリーンシート積層体をフォーミングガス雰囲気中1350℃で18時間かけて焼成した。
【００４８】
次に、めっき層として、Ｎｉめっき層を４μｍの厚みに形成し、Ａｕめっき層を0.4μ
ｍの厚みに形成して、上面にめっき層を有する環状導体12を備えたセラミック基体１を作製した。
【００４９】
それぞれの焼成後の配線基板領域11は、短辺方向が1.25ｍｍとなり、長辺方向が1.65ｍｍとなるように形成されていて、配線基板領域11が1500個形成され、配線基板領域11の短辺方向がセラミック基体１の長辺と平行で、配線基板領域11の長辺方向がセラミック基体１の短辺と平行になるように、またセラミック基体１の外寸が長辺に67ｍｍとなり、短辺
が55ｍｍとなる長方形状になるように形成した。このときのセラミック基体１は、図１に示すような形状に、焼成収縮の影響を受けて変形した。
【００５０】
次に、セラミック基体１の対向する短辺の近傍（最外周）に配置された位置決め表示部３同士（分割溝２を形成する方向の両端にある位置決め表示部31）の中心を通るように直線21で結び、この直線21から最も離れた位置にある位置決め表示部32との距離ｄを測定したところ56μｍであることを画像測定器にて確認し、距離ｄを配線基板領域11の要求寸法精度である±30μｍの絶対値で除した値から小数点以下を切り捨てた値に１を加えた数である２で直線21を等分（２等分）した。
【００５１】
ここで、２等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部３を横切らなかったため、この仮境界線41をセラミック基体１の分割溝２を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の位置決め表示部33を横切る位置まで移動させて境界線４として、分割溝２でセラミック基体１の両端に位置する位置決め表示部31から位置決め表示部33を通るように加工するものとした。
【００５２】
このとき、１列目についての位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取った後に、２〜４列目については1.25ｍｍピッチの送りで飛ばし、また、５列目についての位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取った後に、６〜８列目についても同じ送りで飛ばし、というような方法を繰り返して、セラミック基体１の短辺方向に配列された全ての位置決め表示部31および位置決め表示部33の位置を読み取った。
【００５３】
次に、セラミック基体１の対向する長辺の近傍（最外周）に配置された位置決め表示部３同士（分割溝２を形成する方向の両端にある位置決め表示部31）の中心を通るように直線21で結び、この直線21から最も離れた位置にある位置決め表示部32との距離ｄを測定したところ87μｍであることを画像測定器にて確認し、距離ｄを配線基板領域11の要求寸法精度である±30μｍの絶対値で除した値から小数点以下を切り捨てた値に１を加えた数である３で直線21を等分（３等分）した。
【００５４】
ここで、３等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部３を横切らなかったため、この仮境界線41をセラミック基体１の分割溝２を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の位置決め表示部33を横切る位置まで移動させて境界線４として、分割溝２で位置決め表示部33を結ぶように、分割溝２でセラミック基体１の両端に位置する位置決め表示部31から位置決め表示部33を通るように加工するものとした。
【００５５】
このとき、１列目についての位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取った後に、２〜４列目については1.65ｍｍピッチの送りで飛ばし、また、５列目についての位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取った後に、６〜８列目を同じ送りで飛ばし、というような方法を繰り返して、セラミック基体１の長辺方向に配列された全ての位置決め表示部31および位置決め表示部33の位置を読み取った。
【００５６】
次に、セラミック基体１を加工用のステージに吸着保持した状態で、このセラミック基体１の表面上に対して、３倍高調波のＹＡＧレーザから発振されたレーザ光の加工点を10μｍに絞り、加工点出力が6.5Ｗで、パルス周波数が50ｋＨｚ、パルス幅が50ｎｓになる
ように調整し、加工点を50ｍｍ／ｓで移動させて、分割溝２を形成した。
【００５７】
次に、このようにして表面に分割溝２を形成したセラミック基体１の裏面にも、表面の分割溝２の形状と同様の分割溝２を形成した。このとき、表面の分割溝２の形状を記憶させておき、裏面の位置決め表示部３を読み取ることなく、セラミック基体１に対して表面
の分割溝２と裏面の分割溝２とが線対称となるように互いに対向させて形成した。
【００５８】
得られた多数個取り配線基板について、３点支持曲げの原理を利用した割断装置を用いて各配線領域11毎に割断したところ、割れや要求寸法精度を超えた欠けなどがなく、最も大きな欠けの寸法が24μｍと要求寸法精度を満たした個片化された配線基板を1500個得ることができた。
【００５９】
（実施例２）
本発明の多数個取り配線基板の分割溝形成方法を実施した他の例について説明する。
【００６０】
分割溝２が形成される前の多数個取り配線基板として、まず、複数の配線基板領域11を有し、それぞれの配線基板領域11の周縁部に環状導体12の形成されたセラミック基体１を純度が96％のアルミナセラミックスで作製した。
【００６１】
具体的には、Ａｌ２Ｏ３粉末96質量％に、ＳｉＯ２粉末２質量％、Ｍｎ２Ｏ３粉末0.5
質量％、ＭｇＯ粉末0.5質量％およびＭｏＯ３粉末１質量％を混合した原料粉末を、有機
溶剤およびバインダとともに混練し、シート状に成形して厚みが120μｍのセラミックグ
リーンシートを作製し、このセラミックグリーンシートにおける後述のそれぞれの配線基板領域11の角に位置する部位にパンチング加工にて、位置決め表示部３として利用するキャスタレーション用の貫通孔を設けた後、２枚のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製した。次に、このセラミックグリーンシート積層体の上面（表面）に、Ｗを主成分とする導体ペーストを被着形成した。ここで、焼成後の導体の厚みと、後述のＮｉめっき層の厚み４μｍおよびＡｕめっき層の厚み0.4μｍと、Ｗ
導体の厚みとの合計が43μｍとなるような厚みに導体ペーストを塗布したものをそれぞれ用意した。
【００６２】
次に、このセラミックグリーンシート積層体を水素還元雰囲気中1500℃で17時間かけて焼成した。
【００６３】
次に、めっき層として、Ｎｉめっき層を６μｍの厚みに形成し、Ａｕめっき層を0.74μｍの厚みに形成して、上面にめっき層を有する環状導体12を備えたセラミック基体１を作製した。
【００６４】
それぞれの焼成後の配線基板領域11は、短辺方向が1.0ｍｍとなり、長辺方向が1.2ｍｍとなるように形成されていて、配線基板領域11が2000個形成され、配線基板領域11の短辺方向がセラミック基体１の長辺と平行で、配線基板領域11の長辺方向がセラミック基体１の短辺と平行になるように、またセラミック基体１の外寸が一辺55ｍｍの正方形状になるように形成した。このときのセラミック基体１は、焼成収縮の影響を受けて、４辺とも外側に向かって膨らむように湾曲したものとなった（図示せず）。
【００６５】
次に、セラミック基体１の対向する辺の近傍（最外周）に配置された位置決め表示部３同士（分割溝２を形成する方向の両端にある位置決め表示部31）の中心を通るように直線21で結び、この直線21から最も離れた位置にある位置決め表示部32との距離ｄを測定したところ54μｍであることを画像測定器にて確認し、距離ｄを配線基板領域11の要求寸法精度である±20μｍの絶対値で除した値から小数点以下を切り捨てた値に１を加えた数である３で直線21を等分（３等分）した。
【００６６】
ここで、３等分した直線21に垂直な仮境界線41が位置決め表示部３を横切らなかったため、この仮境界線41をセラミック基体１の分割溝２を形成する方向の両端のうちのいずれか近い方の位置決め表示部33を横切る位置まで移動させて境界線４として、分割溝２でセ
ラミック基体１の両端に位置する位置決め表示部31から位置決め表示部33を通るように加工するものとした。
【００６７】
このとき、１列目についての位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取った後に、３倍高調波のＹＡＧレーザから発振されたレーザ光の加工点を10μｍに絞り、加工点出力が6.5Ｗで、パルス周波数が50ｋＨｚ、パルス幅が50ｎｓになるように
調整し、加工点を65ｍｍ／ｓで移動させて分割溝２を形成した。そして、２〜４列目については、位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取ることなく、1.0ｍｍピッチの送りで同様に分割溝２を形成した。その後、同様に５列目についての位置
決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取った後に、３倍高調波のＹＡＧレーザから発振されたレーザ光の加工点を10μｍに絞り、加工点出力が6.5Ｗで、パル
ス周波数が50ｋＨｚ、パルス幅が50ｎｓになるように調整し、加工点を65ｍｍ／ｓで移動させて分割溝２を形成し、６〜８列目については、位置決め表示部31および位置決め表示部33を画像測定器で読み取ることなく、1.0ｍｍピッチの送りで同様に分割溝２を形成し
た。
【００６８】
このような方法を繰り返して、セラミック基体１の表面に全ての分割溝２を形成した。
【００６９】
次に、このようにして表面に分割溝２を形成したセラミック基体１の裏面にも、表面の分割溝２の形状と同様の分割溝２を形成した。このとき、裏面の位置決め表示部３を表面の位置決め表示部３と同様に読み取って、裏面の分割溝２を形成した。
【００７０】
得られた多数個取り配線基板について、３点支持曲げの原理を利用した割断装置を用いて各配線領域11毎に割断したところ、割れや要求寸法精度を超えた欠けなどがなく、最も大きな欠けの寸法が24μｍと要求寸法精度を満たした個片化された配線基板を2000個得ることができた。
【符号の説明】
【００７１】
１  セラミック基体
11  配線基板領域
12  環状導体
２，22  分割溝
20  理想境界線
21  直線
３，31，32，33，33ａ，33ｂ  位置決め表示部
４，４ａ，４ｂ  境界線
41，41ａ，41ｂ  仮境界線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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