(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送路に沿って搬送される処理対象基板の一面に向けて光を照射するエキシマランプが内蔵されたランプハウスと、前記処理対象基板と前記エキシマランプとの間に不活性ガスを供給するガス供給手段とを備えてなり、前記基板搬送路における前記ランプハウスの上流側に当該ランプハウスに隣接して圧力緩衝空間が形成された光照射装置であって、
前記圧力緩衝空間は、空気が流入することを規制する空気流入規制板により、基板搬送路における当該圧力緩衝空間の上流側の空間と仕切られており、
基板搬送路における圧力緩衝空間の上流側には、処理対象基板における光が照射される一面に沿って流れる空気を排出する空気排出手段が、前記空気流入規制板の上流側に隣接して設けられており、
前記空気排出手段は、空気流通部材と、この空気流通部材に設けられた吸引機構とにより構成されており、
当該空気流通部材は、空気流入口が基板搬送路における前記空気流入規制板の上流側に隣接して位置され、空気流出口が基板搬送路における前記ランプハウスの下流側に当該ランプハウスに隣接して形成された他方の圧力緩衝空間の下流側に位置されていることを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
前記基板搬送路における前記空気排出手段の上流側に、前記処理対象基板の一面に空気を噴射することによって当該処理対象基板の一面から塵を除去する塵除去手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送路に沿って搬送される処理対象基板に対して光を照射する光照射装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶表示装置などの製造工程においては、ガラス基板などの基板に対して密着性の高い薄膜を形成するために、基板の表面に紫外線を照射することによって、当該ガラス基板を洗浄処理することが行われている。
このような基板の洗浄処理に用いられる光照射装置においては、多数の基板に対して連続的に光照射処理を実行し得るものが求められており、このような光照射装置としては、基板搬送路に沿って搬送される基板に光を照射するものが知られている。
【０００３】
図３は、基板搬送路に沿って搬送される基板に光を照射する従来の光照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。この光照射装置においては、下面に光出射用の開口が形成された、外形が略直方体状のランプハウス８０を有し、このランプハウス８０内には、当該ランプハウス８０内を上下に区画してランプ収容室Ｒ１および電装部収容室Ｒ２を形成する隔壁８１が設けられている。ランプハウス８０のランプ収容室Ｒ１内には、それぞれ例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線を放射する複数のエキシマランプ８５が水平に並ぶよう収容されて配置され、これらのエキシマランプ８５の各々は、電装部収容室Ｒ２に収容された電装部（図示省略）に電気的に接続されている。また、ランプハウス８０のランプ収容室Ｒ１内における隔壁８１の下面には、処理対象である基板Ｗとエキシマランプ８５との間に不活性ガスを供給するガス供給手段８６が配置されている。
ランプハウス８０の下方には、基板Ｗを基板搬送路Ｌに沿って搬送する、複数の搬送ローラ９１を有する基板搬送機構９０が設けられ、この基板搬送機構９０の下方には、ガス供給手段８６から供給された不活性ガスを排気する、複数の排気口９３を有する排気機構９２が設けられている。
基板搬送路Ｌにおけるランプハウス８０の上流側および下流側の各々には、一方の圧力緩衝空間形成材８２および他方の圧力緩衝空間形成材８３によって、当該ランプハウス８０に隣接して一方の圧力緩衝空間Ｓ１および他方の圧力緩衝空間Ｓ２が形成されている。基板搬送路Ｌにおける一方の圧力緩衝空間Ｓ１の上流側および他方の圧力緩衝空間Ｓ２の下流側の各々には、基板搬送路Ｌに沿って搬送される基板Ｗの一面に空気を噴射することによって当該基板Ｗの一面から塵を除去する塵除去手段９５，９６が設けられており、下流側に設けられた塵除去手段９６には、噴射された空気を排気する排気口９７が形成されている。
【０００４】
このような光照射装置においては、基板搬送機構９０によって基板搬送路Ｌに沿って搬送される基板Ｗに対して、先ず、当該基板Ｗが塵除去手段９５における除去処理領域Ｔ１を通過する際に、当該塵除去手段９５から空気が噴射されることよって塵の除去処理が行われ、次いで、当該基板Ｗがエキシマランプ８５の直下に位置する光照射処理領域Ｔ２を通過する際に、ガス供給手段８６から基板Ｗとエキシマランプ８５との間に不活性ガスが供給されると共に、エキシマランプ８５から基板Ｗの一面に例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線が照射されることによって、光洗浄処理が行われ、更に、当該基板Ｗが塵除去手段９６における除去処理領域Ｔ３を通過する際に、当該塵除去手段９６から空気が噴射されることによって塵の除去処理が行われる。
【０００５】
然るに、上記の構成の光照射装置においては、塵除去手段９５から噴射された空気は、エキシマランプ８５の直下に位置する光照射処理領域Ｔ２を流過した後、塵除去手段９６における排気口９７から排気されるため、光照射処理領域Ｔ２に流入した空気によってエキシマランプ８５からの紫外線が吸収される結果、基板Ｗに対して高い効率で紫外線を照射することができない、という問題がある。
【０００６】
そして、エキシマランプの直下に位置する光照射処理領域に空気が流入することを抑制するため、光照射処理領域の下方に仕切り板が設けられた光照射装置が提案されている（特許文献１参照。）。
しかしながら、このような光照射装置においては、基板搬送路の下方を流れる空気が光照射処理領域に流入することを抑制することは可能であるが、基板搬送路の上方を流れる空気、すなわち基板における光が照射される一面に沿って流れる空気が光照射処理領域に流入することについては考慮されておらず、結局、エキシマランプと基板との間に空気が流入することにより、基板に対して高い効率で紫外線を照射することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−７５８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、処理対象基板とランプとの間に空気が流入することが抑制され、従って、処理対象基板に対して高い効率で光を照射することができる光照射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光照射装置は、基板搬送路に沿って搬送される処理対象基板の一面に向けて光を照射するエキシマランプが内蔵されたランプハウスと、前記処理対象基板と前記エキシマランプとの間に不活性ガスを供給するガス供給手段とを備えてなり、前記基板搬送路における前記ランプハウスの上流側に当該ランプハウスに隣接して圧力緩衝空間が形成された光照射装置であって、
前記圧力緩衝空間は、空気が流入することを規制する空気流入規制板により、基板搬送路における当該圧力緩衝空間の上流側の空間と仕切られており、
基板搬送路における圧力緩衝空間の上流側には、処理対象基板における光が照射される一面に沿って流れる空気を排出する空気排出手段が、前記空気流入規制板の上流側に隣接して設けられており、
前記空気排出手段は、空気流通部材と、この空気流通部材に設けられた吸引機構とにより構成されており、
当該空気流通部材は、空気流入口が基板搬送路における前記空気流入規制板の上流側に隣接して位置され、空気流出口が基板搬送路における前記ランプハウスの下流側に当該ランプハウスに隣接して形成された他方の圧力緩衝空間の下流側に位置されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の光照射装置においては、前記基板搬送路における前記空気排出手段の上流側に、前記処理対象基板の一面に空気を噴射することによって当該処理対象基板の一面から塵を除去する塵除去手段が設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光照射装置によれば、基板搬送路における圧力緩衝空間の上流側において、空気排出手段によって、処理対象基板における光照射される一面に沿って流れる空気が排出されるので、処理対象基板とエキシマランプとの間に空気が流入することが確実に抑制され、従って、処理対象基板に対して高い効率で光を照射することができる。
また、基板搬送路における圧力緩衝空間の上流から当該圧力緩衝空間に空気が流入することを規制する空気流入規制板が設けられることにより、基板とエキシマランプとの間に空気が流入すること一層確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の光照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図２】本発明の光照射装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。
【図３】基板搬送路に沿って搬送される基板に光を照射する従来の光照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の光照射装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の光照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。この光照射装置は、水平方向（図１において左右方向）に伸びる基板搬送路Ｌに沿って搬送される基板Ｗの一面（図１において上面）に対して、例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線を光照射するものであって、下面に光出射用の開口が形成された、外形が略直方体状のランプハウス１０を有する。このランプハウス１０内には、当該ランプハウス１０内を上下に区画する隔壁１１が設けられており、これにより、隔壁１１の下方にランプ収容室Ｒ１が形成されていると共に、隔壁１１の上方には、電装部収容室Ｒ２が形成されている。
ランプハウス１０のランプ収容室Ｒ１内には、それぞれ紫外線を放射する複数のエキシマランプ２０が水平に並ぶよう収容されて配置され、これらのエキシマランプ２０の各々は、電装部収容室Ｒ２に収容された電装部（図示省略）に電気的に接続されている。
【００１４】
エキシマランプ２０は、放電用ガスが充填された放電空間を有し、この放電用ガスに放電を誘起せしめるための２つの電極のうちの少なくとも一方の電極と放電空間との間に誘電体材料が介在されるように構成されたものであり、通常、放電空間を形成する放電容器が誘電体材料よりなり、当該放電容器の外表面に少なくとも一方の電極が配置されて構成されている。
【００１５】
放電空間内に封入される放電用ガスとしては、例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線を放射するエキシマを生成し得るものが用いられ、その具体例としては、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、これらの希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができる。放電用ガスの具体的な例を、放射される紫外線の波長と共に示すと、アルゴンガスでは１２４ｎｍ、クリプトンガスでは１５３ｎｍ、キセノンガスでは１７２ｎｍ、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは１９１ｎｍ、アルゴンとフッ素との混合ガスでは１９３ｎｍである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば１０〜１００ｋＰａである。
【００１６】
放電空間を形成する放電容器を構成する誘電体材料としては、放電空間内において発生するエキシマ光、具体的には波長２００ｎｍ以下の紫外線を良好に透過するものが用いられ、その具体例としては、合成石英ガラスなどのシリカガラス、サファイアガラスなどが挙げられる。
【００１７】
ランプハウス１０のランプ収容室Ｒ１内における隔壁１１の下面には、処理対象である基板Ｗとエキシマランプ２０との間に不活性ガスを供給するガス供給手段３０が配置されている。
このガス供給手段３０から供給される不活性ガスとしては、窒素ガス、ヘリウムガス等の希ガスなどを用いることができる。
【００１８】
ランプハウス１０の下方には、複数の搬送ローラ３６が基板搬送路Ｌに沿って水平方向に並ぶよう配置されてなる基板搬送機構３５が設けられ、この基板搬送機構３５の下方には、ガス供給手段３０から供給された不活性ガスを排気する、複数の排気口３８を有する排気機構３７が設けられている。
【００１９】
基板搬送路Ｌにおけるランプハウス１０の上流側（図１において左側）には、ランプハウス１０の側壁の外面に設けられた一方の圧力緩衝空間形成材１２によって、該ランプハウス１０に隣接して一方の圧力緩衝空間Ｓ１が形成されており、基板搬送路Ｌにおけるランプハウス１０の下流側（図１において右側）には、ランプハウス１０の側壁の外面に設けられた他方の圧力緩衝空間形成材１３によって、当該ランプハウス１０に隣接して他方の圧力緩衝空間Ｓ２が形成されている。
一方の圧力緩衝空間Ｓ１は、空気流入規制板１５によって、基板搬送路Ｌにおける当該一方の圧力緩衝空間Ｓ１の上流側の空間と仕切られており、これにより、一方の圧力緩衝空間Ｓ１の上流から当該一方の圧力緩衝空間Ｓ１に空気が流入することが規制されている。
また、他方の圧力緩衝空間Ｓ２は、空気流入規制板１６によって、基板搬送路Ｌにおける当該他方の圧力緩衝空間Ｓ２の下流側の空間と仕切られており、これにより、他方の圧力緩衝空間Ｓ２の下流から当該他方の圧力緩衝空間Ｓ２に空気が流入することが規制されている。
【００２０】
基板搬送路Ｌにおける一方の圧力緩衝空間Ｓ１の上流側には、基板Ｗにおける光が照射される一面に沿って流れる空気を排出する空気排出手段４０が設けられている。この例の空気排出手段４０は、空気流通部材４１とこの空気流通部材４１に設けられた吸引機構（図示省略）とにより構成されている。空気排出手段４０における空気流通部材４１は、空気流入口４２が基板搬送路Ｌにおける一方の圧力緩衝空間Ｓ１の上流側に位置され、空気流出口４３が基板搬送路Ｌにおける他方の圧力緩衝空間Ｓ２の下流側に位置された状態で配置されている。
【００２１】
基板搬送路Ｌにおける空気排出手段４０の上流側、具体的には空気流通部材４１の空気流入口４２の上流側には、基板搬送路Ｌに沿って搬送される基板Ｗの一面に空気を噴射することによって当該基板Ｗの一面から塵を除去する塵除去手段５０が設けられている。
また、基板搬送路Ｌにおける空気流通部材４１の空気流出口４３の下流側には、基板搬送路Ｌに沿って搬送される基板Ｗの一面に空気を噴射することによって当該基板Ｗの一面から塵を除去する塵除去手段５５が設けられており、この塵除去手段５５には、噴射された空気を排気する排気口５６が形成されている。
【００２２】
上記の光照射装置においては、基板搬送機構３５によって、処理対象である基板Ｗが基板搬送路Ｌに沿ってその上流側から下流側に搬送される。そして、基板Ｗが塵除去手段５０における除去処理領域Ｔ１を通過する際に、当該塵除去手段５０によって基板Ｗの一面に空気が噴射されることにより、当該基板Ｗの一面に対して塵の除去処理が行われ、その後、基板Ｗがエキシマランプ２０の直下に位置する光照射処理領域Ｔ２を通過する際に、ガス供給手段３０によって基板Ｗとエキシマランプ２０との間に不活性ガスが供給されると共に、エキシマランプ２０によって基板Ｗの一面に例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線が照射されることにより、当該基板Ｗの一面に対して光洗浄処理が行われる。
このとき、塵除去手段５０によって基板Ｗの一面に噴射された空気は、その一部が基板Ｗの一面に沿って基板搬送路Ｌにおける塵除去手段５０の下流側に向かって流れるが、当該基板Ｗの一面に沿って流れる空気は、空気排出手段４０における吸引機構（図示省略）によって、空気流入口４２から空気流通部材４１内に流入し、この空気流通部材４１内に流入した空気は、空気流出口４３から流出した後、塵除去手段５５の排気口５６に排気される。
そして、光洗浄処理された基板Ｗは、塵除去手段５５における除去処理領域Ｔ３を通過する際に、当該塵除去手段５５によって基板Ｗの一面に空気が噴射されることにより、当該基板Ｗの一面に対して塵の除去処理が行われる。
【００２３】
以上において、塵除去手段５０によって噴射される空気の流量は、例えば５〜３０ｍ3 ／ｍｉｎであり、塵除去手段５５によって噴射される空気の流量は、例えば１〜５ｍ3 ／ｍｉｎである。
また、ガス供給手段３０によって供給される不活性ガスの流量は、例えば０．４〜０．８ｍ3 ／ｍｉｎである。
また、空気排出手段４０によって排出される空気の流量は、例えば３〜１５ｍ3 ／ｍｉｎである。
【００２４】
上記の光照射装置によれば、基板搬送路Ｌにおける圧力緩衝空間Ｓ１の上流側において、空気排出手段４０によって、基板Ｗにおける光照射される一面に沿って流れる空気が排出されるので、基板Ｗとエキシマランプ２０との間に空気が流入することが確実に抑制され、従って、基板Ｗに対して高い効率で光を照射することができる。
また、基板搬送路Ｌにおける圧力緩衝空間Ｓ１の上流から当該圧力緩衝空間Ｓ１に空気が流入することを規制する空気流入規制板１５が設けられていることにより、基板Ｗとエキシマランプ２０との間に空気が流入すること一層確実に抑制することができる。
【００２５】
図２は、本発明の光照射装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。この光照射装置において、空気排出手段４０は、空気流入口４２が基板搬送路Ｌにおける一方の圧力緩衝空間Ｓ１の上流側に位置されると共に、空気流出口４３が基板搬送路Ｌにおける他方の圧力緩衝空間Ｓ２の下流側に位置された状態で配置された空気流通部材４１と、この空気流通部材４１の空気流入口４２の下方に設けられたエアーナイフ４５とにより構成されており、エアーナイフ４５は、空気の噴射方向が水平方向に対して０〜９０°の角度で下方に傾くよう配置されている。その他の構成は、図１に示す光照射装置の構成と同様である。
【００２６】
上記の光照射装置においては、基板搬送機構３５によって、処理対象である基板Ｗが基板搬送路Ｌに沿ってその上流側から下流側に搬送される。そして、基板Ｗが塵除去手段５０における除去処理領域Ｔ１を通過する際に、当該塵除去手段５０によって基板Ｗの一面に空気が噴射されることにより、当該基板Ｗの一面に対して塵の除去処理が行われ、その後、基板Ｗがエキシマランプ２０の直下に位置する光照射処理領域Ｔ２を通過する際に、ガス供給手段３０によって基板Ｗとエキシマランプ２０との間に不活性ガスが供給されると共に、エキシマランプ２０によって基板Ｗの一面に例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線が照射されることにより、当該基板Ｗの一面に対して光洗浄処理が行われる。
このとき、塵除去手段５０によって基板Ｗの一面に噴射された空気は、その一部が基板Ｗの一面に沿って基板搬送路Ｌにおける塵除去手段５０の下流側に向かって流れるが、当該基板Ｗの一面に沿って流れる空気は、空気排出手段４０におけるエアーナイフ４５から噴射される空気によって、空気流通部材４１の空気流入口４２に向かって流れ、空気流入口４２から空気流通部材４１内に流入した空気は、空気流出口４３から流出した後、塵除去手段５５の排気口５６に排気される。
そして、光洗浄処理された基板Ｗは、塵除去手段５５における除去処理領域Ｔ３を通過する際に、当該塵除去手段５５によって基板Ｗの一面に空気が噴射されることにより、当該基板Ｗの一面に対して塵の除去処理が行われる。
【００２７】
以上において、塵除去手段５０によって噴射される空気の流量およびガス供給手段３０によって供給される不活性ガスの流量は、図１に示す光照射装置と同様である。
また、空気排出手段４０のエアーナイフ４５によって噴射される空気の流量は、例えば６〜１０ｍ3 ／ｍｉｎである。
【００２８】
上記の光照射装置によれば、基板搬送路Ｌにおける圧力緩衝空間Ｓ１の上流側において、空気排出手段４０によって、基板Ｗにおける光照射される一面に沿って流れる空気が排出されるので、基板Ｗとエキシマランプ２０との間に空気が流入することが確実に抑制され、従って、基板Ｗに対して高い効率で光を照射することができる。
また、基板搬送路Ｌにおける圧力緩衝空間Ｓ１の上流から当該圧力緩衝空間Ｓ１に空気が流入することを規制する空気流入規制板１５が設けられていることにより、基板Ｗとエキシマランプ２０との間に空気が流入すること一層確実に抑制することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１０  ランプハウス
１１  隔壁
１２  一方の圧力緩衝空間形成材
１３  他方の圧力緩衝空間形成材
１５，１６  空気流入規制板
２０  エキシマランプ
３０  ガス供給手段
３５  基板搬送機構
３６  搬送ローラ
３７  排気機構
３８  排気口
４０  空気排出手段
４１  空気流通部材
４２  空気流入口
４３  空気流出口
４５  エアーナイフ
５０，５５  塵除去手段
５６  排気口
８０  ランプハウス
８１  隔壁
８２  一方の圧力緩衝空間形成材
８３  他方の圧力緩衝空間形成材
８５  エキシマランプ
８６  ガス供給手段
９１  搬送ローラ
９０  基板搬送機構
９２  排気機構
９３  排気口
９５，９６  塵除去手段
９７  排気口
Ｌ    基板搬送路
Ｒ１  ランプ収容室
Ｒ２  電装部収容室
Ｓ１  一方の圧力緩衝空間
Ｓ２  他方の圧力緩衝空間
Ｔ１  除去処理領域
Ｔ２  光照射処理領域
Ｔ３  除去処理領域
Ｗ    基板
【図１】
0005601312.tif 000002
【図２】
0005601312.tif 000003
【図３】
0005601312.tif 000004