(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入個所における磁界を低減させる磁界低減装置であって、この磁界低減装置が、補正棒アセンブリを有し、この補正棒アセンブリは、一組の磁気コア部材と、この一組の磁気コア部材に沿って分布させた複数のコイルと、この一組の磁気コア部材の端部を互いに連結して方形の補正棒構造を形成する連結素子とを具えている当該磁界低減装置において、
前記一組の磁気コア部材の磁気コア部材が互いに平行であり、
前記複数のコイルが、中央群のコイルと、この中央群のコイルの第１の側に配置した第１補助群のコイルと、この中央群のコイルの第２の側に配置した第２補助群のコイルとを有しており、
前記第１補助群のコイル及び第２補助群のコイルは、これらにより発生される静磁位を、前記中央群のコイルにより発生される静磁位に加算するか又は前記中央群のコイルにより発生される静磁位から減算して、前記一組の磁気コア部材の長手部分に沿う静磁位の合計が零となるようにすることにより、前記中央群のコイルにより発生される静磁位に対する補償効果を得るようになっている磁界低減装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁界低減装置において、前記補正棒アセンブリが磁気偏向器の出射領域に配置されて、この磁気偏向器から出射する複数のビームレットを有するリボンビームの均一性を改善するようになっている磁界低減装置。
【請求項３】
請求項２に記載の磁界低減装置において、中央群のコイルを別々に励起して少なくとも１つのビームレットを偏向させるようになっている磁界低減装置。
【請求項４】
請求項３に記載の磁界低減装置において、中央群のコイルを別々に励起して少なくとも１つのビームレットを偏向させ、補正棒アセンブリを励起するリボンビームと関連するドーズ量及び角度の均一性が得られるようになっている磁界低減装置。
【請求項５】
請求項１に記載の磁界低減装置において、前記補償効果により前記補正棒アセンブリの端部における磁束を著しく低減させるようになっている磁界低減装置。
【請求項６】
請求項１に記載の磁界低減装置において、前記連結素子は、高透磁率のスチール素子を有している磁界低減装置。
【請求項７】
請求項１に記載の磁界低減装置において、前記連結素子は、前記一組の磁気コア部材に対する短絡接続を行うようになっている磁界低減装置。
【請求項８】
請求項１に記載の磁界低減装置において、前記方形の補正棒構造は、所望の磁界クランプ作用を行うものである磁界低減装置。
【請求項９】
請求項２に記載の磁界低減装置において、この磁界低減装置が更に、前記磁気偏向器と前記補正棒アセンブリとの間でこの磁気偏向器の出射領域に位置するスチールのスカート素子を有し、このスチールのスカート素子が前記磁気偏向器の偏向磁束とは反対方向に磁束を発生し、前記出射領域におけるフリンジ磁界効果及び前記補正棒アセンブリに悪影響を及ぼす漂遊磁界を無効にするようになっている磁界低減装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の磁界低減装置において、この磁界低減装置が更に、対象ウエハの直下に位置する高透磁率スチールの薄肉シートを有し、磁界がこの対象ウエハの表面に垂直に到達するようにした磁界低減装置。
【請求項１１】
イオン注入個所における磁界を低減させる磁界低減方法であって、
一組の磁気コア部材と、この一組の磁気コア部材に沿って分布させた複数のコイルと、この一組の磁気コア部材の端部を互いに連結して方形の補正棒構造を形成する連結素子とを具えている補正棒アセンブリを設ける工程を有する磁界低減方法において、
前記一組の磁気コア部材の磁気コア部材を互いに平行にし、
前記複数のコイルが、中央群のコイルと、この中央群のコイルの第１の側に配置した第１補助群のコイルと、この中央群のコイルの第２の側に配置した第２補助群のコイルとを有するようにし、
前記第１補助群のコイル及び第２補助群のコイルにより、これらが発生する静磁位を、前記中央群のコイルにより発生される静磁位に加算するか又は前記中央群のコイルにより発生される静磁位から減算して、前記一組の磁気コア部材の長手部分に沿う静磁位の合計が零となるようにすることにより、前記中央群のコイルにより発生される静磁位に対する補償効果を得る磁界低減方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の磁界低減方法において、前記補正棒アセンブリを磁気偏向器の出射領域に配置し、この磁気偏向器から出射する複数のビームレットを有するリボンビームの均一性を改善するようにする磁界低減方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の磁界低減方法において、前記中央群のコイルを別々に励起して少なくとも１つのビームレットを偏向させる磁界低減方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の磁界低減方法において、前記中央群のコイルを別々に励起して少なくとも１つのビームレットを偏向させ、補正棒アセンブリを励起するリボンビームと関連するドーズ量及び角度の均一性を得る磁界低減方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の磁界低減方法において、前記補償効果により前記補正棒アセンブリの端部における磁束を著しく低減させる磁界低減方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の磁界低減方法において、前記連結素子が高透磁率のスチール素子を有するようにする磁界低減方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の磁界低減方法において、前記連結素子により前記一組の磁気コア部材に対する短絡接続を行う磁界低減方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の磁界低減方法において、前記方形の補正棒構造により所望の磁界クランプ作用を行う磁界低減方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の磁界低減方法において、この磁界低減方法が更に、前記磁気偏向器と前記補正棒アセンブリとの間でこの磁気偏向器の出射領域に、スチールのスカート素子を位置させる工程を有し、このスチールのスカート素子により前記磁気偏向器の偏向磁束とは反対方向に磁束を発生させ、前記出射領域におけるフリンジ磁界効果及び前記補正棒アセンブリに悪影響を及ぼす漂遊磁界を無効にする磁界低減方法。
【請求項２０】
請求項１２に記載の磁界低減方法において、この磁界低減方法が更に、対象ウエハの直下に、高透磁率スチールの薄肉シートを設け、磁界をこの対象ウエハの表面に垂直に到達させる磁界低減方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、プラズマイオン注入に関するものであり、特にイオン注入個所の磁界を低減させる技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は、半導体製造において材料の導電性を変えるために広く用いられている。代表的なイオン注入装置では、イオン源から発生されたイオンが、１つ以上の分析磁石及び複数の電極を有する一連のビームライン構成要素を通過する。分析磁石は所望のイオン種を選択し、汚染イオン種や正しくないエネルギーを有するイオンを排除し、対象（ターゲット）となるウエハにおけるイオンビームの品質を調整する。イオンビームのエネルギー及び形状を修正するのに、適切な形状の電極を用いることができる。
【０００３】
製造に当たっては、代表的に半導体ウエハがイオンビームにより走査される。以後、イオンビームの「走査」は、イオンビームをウエハ又は基板の表面に対して相対的に移動させることを意味するものである。
【０００４】
イオンビームは代表的に、断面がほぼ円形又は楕円形の「スポットビーム」であるか、又は断面が方形の「リボンビーム」である。ここに開示する目的では、「リボンビーム」としては、固定リボンビーム又は走査リボンビームを言及しうる。後者の種類のリボンビームは、スポットビームを高周波で往復走査させることにより生ぜしめることができる。
【０００５】
スポットビームの場合には、ビーム経路を形成するためにスポットビームをウエハの端点間で往復掃引させ、これと同時にウエハをビーム経路を横切るように移動させることにより、ウエハの走査を達成しうる。或いはまた、スポットビームを固定させて、ウエハをこのスポットビームに対して二次元（２Ｄ）パターンに移動させるようにすることができる。リボンビームの場合には、リボンビームを固定させ、同時にこのリボンビームを横切るようにウエハを移動させることにより、ウエハの走査を達成しうる。リボンビームがウエハよりも幅広である場合には、ウエハの一次元（１Ｄ）移動により、リボンビームがウエハの全表面を覆うようにしうる。このより簡単な１Ｄ走査により、リボンビームが単一ウエハのイオン注入製造にとって所望の選択を行うようにする。
【０００６】
しかし、リボンビームは、スポットビームと同様に、固有の不均一問題を有するおそれがある。リボンビームは代表的に、複数のビームレットより成り、各ビームレットを理論的に１つのビームスポットとみなすことができる。リボンビーム内のビームレットは一般的に同じ方向に移動するが、何れかの２つのビームレットが正確に同じ方向に向わなくなるおそれがある。更に、各ビームレットは固有の角度の広がりを有するおそれがある。その結果、リボンビームによるイオン注入中、対象となるウエハ上の異なる個所が互いに異なるイオン入射角を受けるおそれがある。更に、ビームレットは、リボンビーム内で均等に広がらないおそれがある。ビームレットが密に分布しているリボンビームの一部は、ビームレットが粗に分布しているリボンビームの他の一部よりも多いイオンドーズ量を提供するおそれがある。従って、リボンビームは、角度の均一性及びイオンドーズ量の均一性の双方又はいずれか一方を欠如させるおそれがある。
【０００７】
リボンビームの角度の均一性又はイオンドーズ量の均一性を改善する試みがなされたが、イオン注入による製造にとってイオンドーズ量及び角度の双方の均一性の条件を満足するリボンビームを提供しうる有効な解決策は得られていない。例えば、代表的に、リボンビームは、ウエハ平面において、変動が１％よりも少ないイオンドーズ量の均一性を、変動が０．５°よりも少ない角度の均一性と一緒に提供する必要があるということが要求されている。このような厳しい均一性の要求は達成させるのが困難である。その理由は、これらの双方の種類の均一性は満足させにくい為である。
【０００８】
これらの要求は、イオン注入が行われる対象ウエハの表面に亘る電子の移動を最少にする傾向がある。このようないかなる電子の移動によっても、かなり大きな局部的な電位差及びイオン注入の不均一性を生ぜしめ、これにより回路素子間の電気的な破壊を生ぜしめるおそれがある。その結果、対象ウエハにおける磁界が地球磁界よりもかなり大きくなると、電子分布が不均一となり、従って、電気的な破壊及び不均一なドーズ量の分布が生じるおそれがある。
【０００９】
図１は、対象ウエハ上にイオンを注入する一般的な構造１００を示す。代表的に質量選択スリット（図示せず）から出射されるリボンビーム１０が入射領域における磁気偏向器１０１に入射される。この磁気偏向器１０１は、到来するリボンビーム１０を偏向させて、イオン注入ステーション１０２にある対象ウエハ１０３にイオン注入するのに適した質量分析ビームを生じる。この特定の構造１００においては、磁気偏向器１０１の出射領域に補正棒の対１０４を導入して、対象ウエハに亘って均一性が得られるようにすることができる。
【００１０】
図２を参照するに、補正棒の対１０４は、上側のスチール（鋼）棒２０２及び下側のスチール棒２０４のような一対の水平磁気コア部材を有し、これらのスチール棒が、リボンビーム１０を通すためのギャップ、すなわちスペース２０６を形成している。補正棒の対１０４は、所望の偏向磁界を生ぜしめるのに必要とする磁気支持構造体を提供する。上側のスチール棒２０２及び下側のスチール棒２０４に沿って、複数のコイル２０８を巻装させることができる。各コイル２０８は、電流により個々に又は独立して又はその双方で励起させ、専用の巻線なしに高次の複合成分を発生させることができる。各コイル２０８又は各複合コイルを個々に励起することにより、リボンビーム１０内の１つ以上のビームレットを偏向させることができる。すなわち、磁界を局部的に変更することにより、リボンビーム１０のイオン濃度又は形状の局部的な変化を補正することができる。これらの補正は、コンピュータ制御の下で且つ水平磁気コア部材２０２及び２０４内の渦電流の減衰率によってのみ制限される時間スケールで実行することができる。
【００１１】
図１に示すような、磁気偏向器１０１の出射領域と対象ウエハ１０３との間の距離１０６は、代表的には極めて短い。その結果、距離１０６が短いことにより、磁気偏向器１０１の頂部から生じるフリンジ磁界を不所望に強めてしまうおそれがある。
【００１２】
このようなフリンジ磁界を最小にする１つの一般的な解決策は、磁界抑圧を行う追加の構成素子をイオン注入用の構造、すなわち設計１００内に一体化することにより達成される。
【００１３】
例えば、磁気偏向器１０１の出射領域の直後に挿入しうる磁気クランプ装置３００を図３に線図的に示す。この磁気クランプ装置３００は、第１の対の水平スチールプレート３０２と、これらを互いに連結する第２の対の垂直プレート３０４とを有する実質的に方形のボックスである。第２の対の垂直プレート３０４は、第１の対の水平スチールプレート３０２を互いに磁気的に短絡させる有効な技術を提供する。磁気クランプ装置３００は、リボンビーム１０を通すための開口、すなわち通路３０６をも有する。磁気偏向器１０１の磁極から生じるフリンジ磁束Ｂ３０８は上側の水平スチールプレート３０２に入り込み下側の水平スチールプレート３０２を通って出射し、フリンジ磁界を殆ど減衰させる。しかし、磁気クランプ装置を補正棒の対と一緒に使用するのは効率的でなく、前述した問題を適切に解決しない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した点を考慮するに、上述した欠点を解決するようにした、イオン注入個所における磁界を低減させる技術を提供するのが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、イオン注入個所における磁界を低減させる技術を開示する。本発明の特定の一例では、この技術を、イオン注入個所における磁界を低減させる装置として実現しうる。この装置は、一組の磁気コア部材と、この一組の磁気コア部材に沿って分布させた複数のコイルと、この一組の磁気コア部材の端部を互いに連結して方形の補正棒構造を形成する連結素子とを具えている補正棒アセンブリを有することができる。磁気コア部材は互いに平行にすることができる。複数のコイルは、中央群のコイルと、この中央群のコイルの第１の側に配置した第１補助群のコイルと、この中央群のコイルの第２の側に配置した第２補助群のコイルとを有することができる。
【００１６】
本発明の特定の代表的な例の他の態様によれば、前記補正棒アセンブリを磁気偏向器の出射領域に配置し、この磁気偏向器から出射する複数のビームレットを有するリボンビームの均一性を改善するようにする。
【００１７】
本発明の特定の代表的な例の他の態様によれば、中央群のコイルを別々に励起して少なくとも１つのビームレットを偏向させ、補正棒アセンブリを励起するリボンビームと関連するドーズ量及び角度の均一性が得られるようにする。
【００１８】
本発明の特定の代表的な例の他の態様によれば、前記第１補助群のコイル及び第２補助群のコイルにより、これらが発生する静磁位を、前記中央群のコイルにより発生される静磁位に加算するか又は前記中央群のコイルにより発生される静磁位から減算して、前記一組の磁気コア部材の長手部分に沿う静磁位の合計が零となるようにすることにより、前記中央群のコイルにより発生される静磁位に対する補償効果を得るようにする。
【００１９】
本発明の特定の代表的な例の他の態様によれば、前記連結素子は、高透磁率のスチール素子を有し、前記一組の磁気コア部材に対する短絡接続を行うようにする。
【００２０】
本発明の特定の代表的な例の他の態様によれば、前記方形の補正棒構造が、所望の磁界クランプ作用を行うようにする。
【００２１】
本発明の他の代表的な例によれば、磁界低減装置が更に、前記磁気偏向器と前記補正棒アセンブリとの間でこの磁気偏向器の出射領域に位置するスチールのスカート素子を有し、このスチールのスカート素子が前記磁気偏向器の偏向磁束とは反対方向に磁束を発生し、前記出射領域におけるフリンジ磁界効果及び前記補正棒アセンブリに悪影響を及ぼす漂遊磁界を無効にするようにする。
【００２２】
本発明の更に他の代表的な例によれば、前記磁界低減装置が更に、対象ウエハの直下に位置する高透磁率スチールの薄肉シートを有し、磁界がこの対象ウエハの表面に垂直に到達するようにする。
【００２３】
添付図面を用いて本発明を詳細に説明する。以下では、本発明を代表的な実施例につき説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本発明の技術にアクセスする当業者は、本発明の範囲に含まれ本発明を有効に利用しうる追加の実施例及び変形例やその他の使用例を認識しうるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、従来のイオン注入構造を示す線図である。
【図２】図２は、従来の補正棒対構造を示す線図である。
【図３】図３は、従来の磁気クランプ構造を示す線図である。
【図４】図４は、本発明の実施例による補正棒構造を示す線図である。
【図５】図５は、本発明の実施例による、スチールスカート構造を有する磁気偏向器を示す線図である。
【図６】図６は、本発明の実施例によるイオン注入構造を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の完全な理解を容易にするために、以下に添付図面を参照して本発明を説明するに、同様な素子には同じ符号を付してある。これらの図面は本発明を図面の実施例に限定するものではなく、例示的なものにすぎない。
【００２６】
本発明の実施例は、リボンビームにおけるドーズ量の均一性及び角度の均一性を得ることにより、前述した補正棒技術を改善するものである。更に、本発明の実施例はビームクランプ及びその他の補正棒工程を実施しうる補正棒構造を提供する。
【００２７】
図４を参照するに、補正棒アセンブリ４００は、一組の磁気コア部材４０２と、この一組の磁気コア部材４０２に沿って分布させた複数のコイル４０８と、この一組の磁気コア部材４０２の端部を互いに連結して方形の補正棒構造を形成する連結素子４０４とを有しうる。この補正棒アセンブリ４００は、リボンビーム１０を通過させる開口、すなわち通路４０６をも有する。一実施例では、磁気コア部材４０２と連結素子４０４とを、高透磁率のスチール材料から形成することができる。他の実施例では、補正棒アセンブリ４００を、磁気偏向器１０１の出射領域に配置し、この磁気偏向器１０１から出射する複数のビームレットを有するリボンビーム１０の均一性を改善するようにすることができる。
【００２８】
補正棒アセンブリ４００の一組の磁気コア部材４０２は、互いに平行にすることができる。更に、磁気コア部材４０２の長手部分に沿って分布させた複数のコイル４０８には、中央群のコイル４０８ｂと、この中央群のコイルの一方の側に位置する第１補助群のコイル４０８ａと、この中央群のコイルの他方の側に位置する第２補助群のコイル４０８ｃとを有しうる。
【００２９】
一実施例では、中央群のコイル４０８ｂを個別的に励起させて少なくとも１つのビームレットを偏向させ、これにより補正棒アセンブリ４００を出射するリボンビーム１０と関連するドーズ量の均一性を得るようにすることができる。他の実施例では、中央群のコイル４０８ｂを個別的に励起させて少なくとも１つのビームレットを偏向させ、これにより補正棒アセンブリ４００を出射するリボンビーム１０と関連する角度の均一性を得るようにすることができる。
【００３０】
又、連結素子４０４を囲んで追加のコイル４１０を巻装し、複合成分が発生されている場合に、磁気的な短絡回路を排除するようにすることもできる。これらの追加のコイル４１０を独立的に励起させて、磁気コア部材４０２間でＹ方向に純粋な双極子磁場を生ぜしめるようにすることもできる。これらの追加のコイル４１０がスイッチオフされると、磁気コア部材４０２に沿うＸ方向に双極子磁場を発生させることができる。これらのＸ方向又はＹ方向の双極子磁場を用いてリボンビーム１０を又はこのリボンビーム内の個々のビームレットを操作することもできる。
【００３１】
複数のコイル４０８及び４１０の個々の励起は、制御装置（図示せず）により行うことができる。この制御装置には、励起レベルを校正するのに有効な測定装置を含めて、少なくとも１つのビームレットに対する所望量の偏向を生ぜしめるようにすることもできる。
【００３２】
第１補助群のコイル４０８ａと、第２補助群のコイル４０８ｃとは、これらにより発生される静磁位を、中央群のコイル４０８ｂにより発生される静磁位に加算するか又は中央群のコイル４０８ｂにより発生される静磁位から減算して、一組の磁気コア部材の長手部分に沿う静磁位の合計が零となるようにすることにより、中央群のコイル４０８ｂにより発生される静磁位に対する補償効果を得るようにしうる。第１補助群のコイル４０８ａ及び第２補助群のコイル４０８ｃのこの補償効果により、補正棒アセンブリ４００の端部における磁束を著しく減少させることができる。その結果、磁束が磁気コア部材４０２の各々の端部から放出されないようにしうる。更に、磁気コア部材４０２の互いに平行な組で得られる補償効果により、一組の磁気コア部材４０２間の対称面を横切る個々の磁界を増強し、磁場ベクトルＢの発散が零となるようにマクスウエルの方程式の連続性の条件を満足する補正棒アセンブリ４００が得られるようにしうる。その結果、磁気偏向器又は双極子磁石１０１が附勢されない場合に、連結素子４０４により一組の平行な磁気コア部材４０２の端部を連結して、磁束が磁気コア部材４０２の端部を殆ど通過しない方形の補正棒構造を形成するようにしうる。
【００３３】
しかし、磁気偏向器１０１が附勢されると、この磁気偏向器１０１により図３に示すように生ぜしめられるフリンジ磁界３０８が磁気コア部材４０２の組に入るおそれがある。しかし、磁気コア部材４０２を連結して方形の補正棒構造を形成する連結素子４０４が「短絡回路」を有効に構成する為、補正棒アセンブリ４００はビームクランプ作用をも有効に実行しうる。その結果、磁気偏向器１０１からのフリンジ磁界をビームクランプすることにより生じる磁界と、個々に励起される複数のコイル４０８による均一性の補正とを直線的に重ね合わせることができる。ただし、磁界はスチール材料の飽和効果に対し無視しうるほど小さいものとする。更に、補正棒アセンブリ４００の構造には、スチール材料の断面積を適切にして磁気コア部材４０２及び連結素子４０４に沿って殆どの磁束が通るようにすることをも含めることができること勿論である。スチール材料内の磁気密度がスチール材料の飽和効果に対し無視しうるほど低い限り、スチール材料の断面積を適切にするための寸法は種々に選択しうる。
【００３４】
しかし、飽和効果が補正棒アセンブリ４００のビーム均一性及びクランプ作用に悪影響を及ぼす程度に大きい場合には、非直線性問題を更に回避するための追加のスチール材料の断面が必要となる。
【００３５】
図５は、本発明の実施例による磁気偏向器のアセンブリ５００を示す。この磁気偏向器のアセンブリ５００は、磁気偏向器５０１と、附勢されると一次偏向磁束又は双極子磁束５０３を発生する複数の励起コイル５０２とを有しうる。（一次双極子磁束５０３の結果として、図３に示すようにフリンジ磁界３０８が発生する。）磁気偏向器のアセンブリ５００には、励起コイル５０２の外側の磁気偏向器５０１の出射領域と、補正棒アセンブリ４００との間に位置するスチールのスカート素子５０４をも設け、一次双極子磁束５０３とは反対方向に進む補償磁界又は磁束５０５が得られるようにもしうる。一実施例では、磁気偏向器５０１とスチールのスカート素子５０４との間の間隙５０６と、スチールのスカート素子５０４相互間の間隙５０７とを調整することにより、磁気偏向器のアセンブリ５００が、磁気偏向器５０１の出射領域における不所望なフリンジ磁界の影響を無効にするとともに、他の隣接する構成素子、例えば、補正棒アセンブリ４００に悪影響を及ぼす漂遊磁界を著しく低減させることができる。
【００３６】
図６は、本発明の他の実施例によるイオン注入構造６００を示す。本例では、金属、例えば透磁率の高いスチールより成る薄肉シート６０１を、イオン注入ステーション１０２内で対象ウエハ１０３の直下に配置することができる。この薄肉シート６０１を設けることにより、イオン注入個所における磁界が対象ウエハの表面に対し垂直に到達し、イオン注入を満足にするのを更に確実にしうる。一実施例では、薄肉シート６０１を、パーマロイ材料のような高透磁率材料から形成しうる。
【００３７】
上述した本発明の実施例は、イオン注入個所における磁界を低減させるものであるが、他の目的にも同様に適用しうること勿論である。例えば、磁界を低減させる上述した技術は、磁気偏向又は他の何らかのビーム同調システムを用いる他の種々のイオン注入システムにも適用しうる。
【００３８】
本発明は、上述した特定の実施例に限定されるものではない。上述した実施例以外に他の種々の例及び変更が上述した説明及び添付図面から可能であること、当業者にとって明らかである。従って、このような他の種々の例及び変更は本発明の範囲内に入るものである。更に、特定の目的に対する特定の環境における特定の実施との関連で本発明を説明したが、その有効性はこれに限定されるものではなく、本発明はその他の種々の目的に対する種々の環境において有効に実現しうること、当業者にとって明らかである。従って、上述した本発明の範囲及び精神を完全に考慮した上で、特許請求の範囲を解釈すべきものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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