(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に配列された複数個のノズルを含み、基板に蒸着物質を提供するソース部と、
前記基板と前記ソース部との間に配置され、前記第１方向に並べた複数個の開口部を含む少なくとも１つの開口列を含む蒸着物質の通過部及び前記蒸着物質の通過部に隣接するフレーム部を含む蒸着用マスクと、を含み、
前記開口部は前記第１方向で対向する、前記フレーム部の一面に対して傾いた第１傾斜面と第２傾斜面、及び前記第１方向と交差する第２方向で対向する、第３傾斜面と第４傾斜面で各々定義され、
前記開口列の中心領域に配置された少なくとも１つの開口部の第１傾斜面の傾斜角は前記開口列の外側領域に配置された開口部の各々の第１傾斜面の傾斜角と異なり、
前記ソース部の中心領域に配列されたノズルの間の離隔距離は前記ソース部の外側領域に配列されたノズルの間の離隔距離より大きい
ことを特徴とする蒸着設備。
【請求項２】
前記ソース部の前記第１方向の長さは前記蒸着用マスクの前記第１方向の幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載の蒸着設備。
【請求項３】
前記ソース部は前記第１方向と交差する前記第２方向へ移動することを特徴とする請求項１に記載の蒸着設備。
【請求項４】
前記蒸着用マスクは前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面が前記ソース部と対向するように前記基板の一面に結合されたことを特徴とする請求項１に記載の蒸着設備。
【請求項５】
前記外側領域は前記中心領域を介して配置された第１外側領域及び第２外側領域を含み、
前記第１外側領域に配置された開口部の各々の第１傾斜面は前記第１外側領域に配置された開口部の各々の第２傾斜面より前記中心領域に隣接するように配置され、
前記第２外側領域に配置された開口部の各々の第１傾斜面は前記第２外側領域に配置された開口部の各々の第２傾斜面より前記中心領域に隣接するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の蒸着設備。
【請求項６】
前記第１外側領域及び前記第２外側領域に配置された開口部の第１傾斜面の傾斜角は前記第１外側領域及び前記第２外側領域に配置された開口部の第２傾斜面の傾斜角より小さいことを特徴とする請求項５に記載の蒸着設備。
【請求項７】
前記第１外側領域及び前記第２外側領域の各々の最外側に配置された開口部の第１傾斜面の傾斜角は下の数学式１にしたがうことを特徴とする請求項６に記載の蒸着設備。
【数１】
0005542905.tif 000004
（ここで、θ１は前記第１傾斜面の傾斜角であり、前記Ｌｔは前記ソース部と前記蒸着用マスクとの間の垂直距離であり、前記Ｌｓ１は前記ソース部の前記第１方向の長さであり、前記Ｌｓ２は前記第１方向の前記蒸着用マスクの幅である。）
【請求項８】
前記第１外側領域及び前記第２外側領域の各々の最外側に配置された開口部の第２傾斜面の傾斜角は下の数学式２にしたがうことを特徴とする請求項７に記載の蒸着設備。
【数２】
0005542905.tif 000005
（ここで、θ２は前記第２傾斜面の傾斜角である。）
【請求項９】
前記第１外側領域及び前記第２外側領域に配置された開口部の第１傾斜面の傾斜角は前記中心領域に隣接するように配置されるほど、増加することを特徴とする請求項６に記載の蒸着設備。
【請求項１０】
前記第１外側領域及び前記第２外側領域に配置された開口部の第２傾斜面の傾斜角は前記中心領域に隣接するように配置されるほど、減少することを特徴とする請求項９に記載の蒸着設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着用マスク及びこれを含む蒸着設備に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイや半導体ディバイスは基板の上に様々な物質を蒸着して製造される。蒸着用マスクを使用して蒸着工程を進行する。前記基板に蒸着された物質は薄膜パターンを成す。
【０００３】
最近では、半導体ディバイスの高集積化及び平板ディスプレイの高解像度化に対応して、前記薄膜パターンの稠密度が高くなる。
【０００４】
これと共に半導体ディバイスと平板ディスプレイとの性能を向上させるためには前記薄膜パターンの均一性が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００９−００９０５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は均一度が高い薄膜パターンを形成できる蒸着用マスク及びこれを含む蒸着設備を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による蒸着用マスクは蒸着物質の通過部と前記蒸着物質の通過部に隣接するフレーム部を含む。前記蒸着物質の通過部は少なくとも１つの開口列を含む。前記開口列は第１方向に配列された複数個の開口部を含む。前記開口列が複数個提供されれば、前記複数個の開口列は前記第１方向と交差する第２方向に配列される。
前記開口部は前記第１方向で対向する、前記フレーム部の一面に対して傾いた第１傾斜面と第２傾斜面、及び前記第２方向で対向する、第３傾斜面と第４傾斜面として各々定義される。
【０００８】
前記開口列の中心領域に配置された少なくとも１つの開口部の第１傾斜面の傾斜角は前記開口列の外側領域に配置された開口部の各々の第１傾斜面の傾斜角と異なる。
【０００９】
前記外側領域は前記中心領域を介して配置された第１外側領域及び第２外側領域を含む。前記第１外側領域に配置された開口部の各々の第１傾斜面は第２傾斜面より前記中心領域に隣接するように配置され、前記第２外側領域に配置された開口部の各々の第１傾斜面は第２傾斜面より前記中心領域に隣接するように配置される。
【００１０】
前記外側領域に配置された前記開口部の前記第１傾斜面の傾斜角は前記第２傾斜面の傾斜角より小さい。前記第１外側領域及び前記第２外側領域に配置された開口部の前記第１傾斜面の傾斜角は前記中心領域に隣接するように配置されるほど、増加され得る。
【００１１】
前記第１外側領域及び前記第２外側領域に配置された開口部の前記第２傾斜面の傾斜角は前記中心領域に隣接するように配置されるほど、減少され得る。
【００１２】
前記中心領域に配置された少なくとも１つの開口部の第２傾斜面の傾斜角と第１傾斜面の傾斜角とは同一であり得る。
【００１３】
前記開口部の各々の前記第３傾斜面と前記第４傾斜面とは前記フレーム部の一面に対して傾き得る。前記第３傾斜面の傾斜角と前記第４傾斜面の傾斜角とは同一であり得る。
【００１４】
本発明の一実施形態による蒸着設備は前記マスク及び基板に蒸着物質を提供するソース部を含む。前記ソース部は前記第１方向に配列された複数個のノズルを含む。前記マスクは前記基板と前記ソース部との間に配置される。
【００１５】
前記ソース部の中心領域に配列されたノズルの間の離隔距離は前記ソース部の外側領域に配列されたノズル間の離隔距離より大きい。前記ソース部の前記第１方向の長さは前記マスクの前記第１方向の幅より大きい。
【００１６】
前記ソース部は前記第２方向に移動することができる。前記マスクは前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面が前記ソース部に向かうように前記基板の一面に結合され得る。
【発明の効果】
【００１７】
上述した蒸着用マスクは前記開口部の位置に関わらず、前記開口部に対応する領域の上に均一な薄膜パターンを形成できる。
【００１８】
なお、前記蒸着設備によれば、前記ソース部の前記ノズルから前記開口列の外側領域に配置された開口部が前記蒸着物質を効果的に受ける。
【００１９】
したがって、前記開口列の中心領域に配置された開口部と前記開口列の外側領域に配置された開口部とは実質的に均一な量の前記蒸着物質を通過させる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態による蒸着設備を一側面から見た側面図である。
【図２】本発明の一実施形態による蒸着設備を図１と異なる側面から見た側面図である。
【図３Ａ】図１に図示されたマスクの一面を示した平面図である。
【図３Ｂ】図１に図示されたマスクの他面を示した平面図である。
【図４】図３Ａの一部分を拡大した図面である。
【図５】図４のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図６】図５に図示されたマスクの開口部に蒸着物質が供給される範囲を示した図面である。
【図７】図６に図示されたマスクの開口部の中でいずれか１つに蒸着物質が供給されることを示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の一実施形態による蒸着設備を一側面から見た側面図であり、図２は本発明の一実施形態による蒸着設備を図１と異なる側面から見た側面図である。
【００２３】
図１及び図２に示したように、本発明の一実施形態による蒸着設備１０は基板１００に蒸着物質ＤＭを提供するソース部２００及び前記基板１００と前記ソース部２００との間に配置されたマスク３００を含む。
【００２４】
前記基板１００はディスプレイを構成する平面部材であるか、或いは半導体ディバイスを構成する平面部材であり得る。前記基板１００はガラス、シリコン、金属、プラスチックで構成され得る。以下、前記基板１００はディスプレイを構成する平面部材を例として説明する。
【００２５】
前記基板１００は複数個の画素領域（図示せず）と前記画素領域に隣接する非画素領域（図示せず）を包含できる。例えば、有機発光表示装置の前記画素領域は有機発光層を含む画素を各々具備する。前記画素領域はマトリックス形態に配列され得る。また、非画素領域は前記画素領域の各々を囲む。前記非画素領域は薄膜トランジスターと信号配線とが形成される領域である。
【００２６】
前記ソース部２００は第１方向Ｄ１に配列された複数個のノズル２１０含む。前記ノズル２１０の各々は前記蒸着物質ＤＭを排出する。前記蒸着物質ＤＭは有機物又は無機物であり得る。前記蒸着物質ＤＭの種類は前記基板１００がディスプレイの一部を構成するか、或いは半導体ディバイスの一部を構成するかにしたがって選択されたり、製造工程の段階にしたがって選択される。前記基板１００の画素領域に蒸着された蒸着物質ＤＭは薄膜パターンを形成する。
【００２７】
前記ノズル２１０は均一な間隔に配置したり、領域にしたがって互に異なる間隔に配置され得る。図１及び図２で領域にしたがって互に異なる間隔に配置されたノズルを有する前記ソース部２００を例示的に示した。
【００２８】
前記ソース部２００は後述するマスク３００の第１方向Ｄ１の幅より大きい長さを有する。したがって、前記ノズル２１０の中で一部は平面の上で前記マスク３００の外側に配置されることもあり得る。
【００２９】
前記マスク３００は蒸着物質の通過部３１０（図３Ａ参照）と前記蒸着物質の通過部３１０に隣接するフレーム部３２０（図３Ａ参照）を含む。前記蒸着物質の通過部３１０は少なくとも１つの開口列３１０−ＣＬ（図３Ａ参照）を含む。前記マスク３００が複数個の開口列３１０−ＣＬを包含すれば、前記開口列３１０−ＣＬは均一な間隔で並べ得る。
【００３０】
前記マスク３００の開口部３１０−ＯＰを通過した前記蒸着物質ＤＭは前記基板１００の画素領域に均一に蒸着される。
【００３１】
上述した蒸着工程は前記マスク３００と前記基板１００とが結合された状態で進行され得る。また、前記結合されたマスク３００と基板１００とが前記第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２へ移動したり、前記ソース部２００が前記第２方向Ｄ２へ移動する。
【００３２】
本実施形態で前記マスク３００と前記基板１００とは固定され、前記ソース部２００が前記第２方向Ｄ２へ移動する。前記ソース部２００が移動すれば、移動過程で発生する前記基板の損傷が防止される。
【００３３】
前記蒸着設備１０は蒸着工程が実行される空間を提供するチャンバー（図示せず）をさらに包含できる。前記基板１００、前記ソース部２００、及び前記マスク３００は前記チャンバーの内側に配置され得る。前記蒸着工程が真空状態を維持するように真空ポンプ（図示せず）が前記チャンバーに連結され得る。
【００３４】
図３Ａは図１に図示されたマスクの一面を示した平面図であり、図３Ｂは図１に図示されたマスクの他面を示した平面図である。図４は図３Ａの一部分を拡大した図面であり、図５は図４のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。以下、図３Ａ乃至図５を参照して前記マスク３００に対して詳細に説明する。
【００３５】
前記フレーム部３２０は実質的に前記マスク３００の骨格を成し、一面３２０−Ｓ１と他面３２０−Ｓ２とを提供し、前記開口部３１０−ＯＰの各々を囲む。図３Ａは前記フレーム部３２０の一面３２０−Ｓ１を、図３Ｂは前記フレーム部３２０の他面３２０−Ｓ２を各々示している。前記マスク３００と前記基板１００とが結合する時、前記フレーム部３２０の他面３２０−Ｓ２が前記基板１００に接触する。
【００３６】
図３Ａ及び図３Ｂに示したように、前記開口列３１０−ＣＬは前記第２方向Ｄ２に配列される。以下、１つの開口列３１０−ＣＬを中心に説明する。
【００３７】
前記開口部３１０−ＯＰは前記第１方向Ｄ１に配列される。隣接する開口部３１０−ＯＰの間の離隔距離は均一なことが望ましい。一方、図３Ａ及び図３Ｂは１０個の開口部３１０−ＯＰを有する開口列３１０−ＣＬを例示的に示した。
【００３８】
前記開口部３１０−ＯＰは前記第１方向Ｄ１で対向する第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２及び前記第２方向Ｄ２で対向する第３傾斜面３１０−ＯＰＳ３と第４傾斜面３１０−ＯＰＳ４として各々定義される。
【００３９】
前記開口列３１０−ＣＬは中心領域ＣＬ−Ｃ、前記中心領域ＣＬ−Ｃを介して配置された第１外側領域ＣＬ−０１及び第２外側領域ＣＬ−０２に分割される。前記中心領域ＣＬ−Ｃに少なくとも１つの開口部３１０−ＯＰが配置され、前記第１外側領域ＣＬ−０１、及び前記第２外側領域ＣＬ−０２の各々に複数個の開口部３１０−ＯＰが配置される。
【００４０】
前記開口列３１０−ＣＬが奇数個の開口部３１０−ＯＰを包含すれば、前記中心領域ＣＬ−Ｃに奇数個（例えば、１個）の開口部３１０−ＯＰが配置され得る。前記開口列３１０−ＣＬが偶数個の開口部３１０−ＯＰを包含すれば、前記中心領域ＣＬ−Ｃに偶数個（例えば、２個）の開口部３１０−ＯＰが配置され得る。前記第１外側領域ＣＬ−０１及び前記第２外側領域ＣＬ−０２に同一な個数の前記開口部３１０−ＯＰが配置され、互に対称を成し得る。
【００４１】
前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２とは前記フレーム部３２０の一面３２０−Ｓ１及び他面３２０−Ｓ２に所定の角度に傾いた。即ち、前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２との各々は前記一面３２０−Ｓ１から他面３２０−Ｓ２に傾いた。
【００４２】
前記第１外側領域ＣＬ−０１及び前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰの各々の前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１は前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２より前記中心領域ＣＬ−Ｃに隣接するように配置される。
【００４３】
前記中心領域ＣＬ−Ｃに配置された開口部３１０−ＯＰの前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１は前記第１外側領域ＣＬ−０１又は前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰの前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と異なる傾斜角を有する。また、前記中心領域ＣＬ−Ｃに配置された開口部３１０−ＯＰの前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２は前記第１外側領域ＣＬ−０１又は前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰの前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２と異なる傾斜角を有する。
【００４４】
ここで、前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１の傾斜角は前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と前記フレーム部３２０の他面３２０−Ｓ２とが成す角度で定義され、前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２の傾斜角は前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２と前記フレーム部３２０の他面３２０−Ｓ２とが成す角度で定義される。
【００４５】
前記開口部３１０−ＯＰの各々の前記第３傾斜面３１０−ＯＰＳ３と前記第４傾斜面３１０−ＯＰＳ４とは、前記フレーム部３２０の一面３２０−Ｓ１及び他面３２０−Ｓ２に傾き得る。この時、前記第３傾斜面３１０−ＯＰＳ３の傾斜角と前記第４傾斜面３１０−ＯＰＳ４との傾斜角は互に同一であり得る。
【００４６】
図４及び図５は前記中心領域ＣＬ−Ｃに配置された１つの開口部３１０−ＯＰ１（以下、第１開口部）、前記第１外側領域ＣＬ−０１に配置された１つの開口部３１０−ＯＰ２（以下、第２開口部）、及び前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された１つの開口部３１０−ＯＰ３（以下、第３開口部）を拡大して示した。前記第２開口部３１０−ＯＰ２及び前記第３開口部３１０−ＯＰ３は前記第１外側領域ＣＬ−０１及び前記第２外側領域ＣＬ−０２各々の最外側（前記中心領域ＣＬ−Ｃから最も遠く配置される）に配置される。
【００４７】
図５に図示されたように、前記第１開口部３１０−ＯＰ１の前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１は第１傾斜角θ１を有する。前記第１開口部３１０−ＯＰ１の前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２は前記第１開口部３１０−ＯＰ１の前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と同一な傾斜角を有することができる。前記第１開口部３１０−ＯＰ１が前記開口列３１０−ＣＬの中心領域ＣＬ−Ｃに配置されるので、前記ソース部２００のノズル２１０から前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２との各々に向かって提供される前記蒸着物質ＤＭの量は実質的に同一である。
【００４８】
前記第２開口部３１０−ＯＰ２の前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１は第２傾斜角θ２を有する。前記第２開口部３１０−ＯＰ１の前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２は第３傾斜角θ３を有する。前記第３開口部３１０−ＯＰ３の前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１と前記第２傾斜面３１０−ＯＰＳ２とは各々前記第２傾斜角θ２と前記第３傾斜角θ３を有する。
【００４９】
ここで、前記開口列３１０−ＣＬで前記開口部３１０−ＯＰの位置に関わらず、前記開口部３１０−ＯＰの各々に対応する前記基板１００の前記画素領域に均一な量の蒸着物質ＤＭを蒸着するために、前記第２傾斜角θ２は前記第１傾斜角θ１より小さく、前記第３傾斜角θ３は前記第２傾斜角θ２より大きい。前記第１乃至第３傾斜角θ１、θ２、θ３が有する範囲と相互関係は後述する。
【００５０】
図６に図示されたように、前記ソース部２００は中心領域２００−Ｃ、前記中心領域２００−Ｃを介して配置された第１外側領域２００−Ｏ１及び第２外側領域２００−Ｏ２に分割され得る。前記第１外側領域２００−Ｏ１及び前記第２外側領域２００−Ｏ２は前記中心領域２００−Ｃより前記ノズル２１０が密集される。即ち、前記中心領域２００−Ｃに配列されたノズル２１０の離隔距離は前記第１外側領域２００−Ｏ１及び前記第２外側領域２００−Ｏ２に各々配列されたノズル２１０の離隔距離より大きい。
【００５１】
これは前記マスク３００の枠付近に対応するように配置された前記基板１００の画素領域にも充分な量の前記蒸着物質（ＤＭ：図１参照）を供給するためである。但し、前記ソース部２００の前記第１及び第２外側領域２００−Ｏ１、２００−Ｏ２が前記開口列３００−ＣＬの前記第１及び第２外側領域ＣＬ−Ｏ１、ＣＬ−Ｏ２の各々に必ず対応する必要はない。
【００５２】
上述した目的を達成するために第１方向Ｄ１で前記ソース部２００の長さＬＳ１は前記第１方向Ｄ１で前記マスク３００の幅ＬＳ２より大きいことが望ましい。実質的に前記ソース部２００の長さＬＳ１は前記ソース部２００の両末端に配置されたノズル２１０の間の距離である。平面の上で前記マスク３００の外側に配置された前記ノズル２１０は前記マスク３００の枠付近に対応するように配置された前記基板１００の画素領域に充分な量の前記蒸着物質ＤＭを供給する。
【００５３】
前記第１傾斜角θ１、前記第２傾斜角θ２、及び前記第３傾斜角θ３が有する範囲を図６及び図７を参照して詳細に検討する。
【００５４】
前記第１外側領域ＣＬ−０１の最外側に配置された開口部３１０−ＯＰ、即ち前記第２開口部３１０−ＯＰ２の前記第２傾斜角θ２は下の数学式１にしたがう。前記第３開口部３１０−ＯＰ３の前記第２傾斜角θ２もやはり下の数学式１にしたがう。
【００５５】
【数１】
0005542905.tif 000002
【００５６】
前記Ｌｔは前記ソース部２００と前記マスク３００との間の垂直距離である。実質的に前記Ｌｔは前記ノズル２１０末端と前記マスク３００との間の垂直距離がである。前記Ｌｓ１は前記第１方向Ｄ１で前記ソース部２００の長さであり、前記Ｌｓ２は前記第１方向Ｄ１で前記マスク３００の幅である。
【００５７】
前記第２開口部３１０−ＯＰ２及び前記第３開口部３１０−ＯＰ３各々の前記第３傾斜角θ３は下の数学式２にしたがう。
【００５８】
【数２】
0005542905.tif 000003
【００５９】
前記第１開口部３１０−ＯＰ１の前記第１傾斜角θ１は前記数学式１にしたがう角度より大きく、９０度より小さい。
【００６０】
図７に図示されたように、前記第３開口部３１０−ＯＰ３が前記数学式１にしたがう角度より大きい第２傾斜角θＭを有する場合、前記第３開口部３１０−ＯＰ３へ提供される前記蒸着物質（ＤＭ：図１参照）の中で一部は前記画素領域ＰＸＲの一部のみに蒸着される。例えば、第１外側領域２００−Ｏ１の最外側に配置されたノズル２１０から排出された前記蒸着物質ＤＭは前記画素領域ＰＸＲの第２部分Ｒ２には蒸着されても第１部分Ｒ１には蒸着されない。これにしたがって前記薄膜パターンの均一度は減少する。
【００６１】
これを解消するために前記数学式１にしたがって前記第３開口部３１０−ＯＰ３の第２傾斜角θ２を決定する。前記数学式１は前記第１外側領域２００−Ｏ１の最外側に配置されたノズル２１０から排出された前記蒸着物質ＤＭが前記第３開口部３１０−ＯＰ３へ進入する角度を考慮したことである。
【００６２】
一方、前記第３開口部３１０−ＯＰ３のみでなく、前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰが前記数学式１にしたがう第２傾斜角θ２を有する場合、均一な薄膜パターンを形成できる。前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰは前記中心領域ＣＬ−Ｃに隣接するほど、前記蒸着物質ＤＭが前記開口部３１０−ＯＰに進入する角度が増加するためである。
【００６３】
図６に図示されたように、前記第３傾斜角θ３が前記第２傾斜角θ２より大きい値を有しても前記第３開口部３１０−ＯＰ３は前記第２外側領域２００−Ｏ２の最外側に配置されたノズル２１０から排出された前記蒸着物質ＤＭを均一に受ける。
【００６４】
さらに、前記第３傾斜角θ３が前記数学式２に従って、前記開口列３１０−ＣＬに配置された開口部３１０−ＯＰの間の間隔が一定に維持される。前記第２傾斜角θ２が減少されるほど、前記第１傾斜面３１０−ＯＰＳ１の面積は増加するが、前記第３傾斜角θ３が増加するほど、前記第３傾斜面３１０−ＯＰＳ３の面積が減少し、そのため開口部３１０−ＯＰの間の間隔が一定に維持される。
【００６５】
ここで、前記第１及び前記第２外側領域ＣＬ−Ｏ１、ＣＬ−Ｏ２に各々配置された開口部３１０−ＯＰの各々は前記数学式１にしたがう第２傾斜角θ２を有し得るが、互に異なる前記第２傾斜角θ２を有することもあり得る。前記第１及び第２外側領域ＣＬ−Ｏ１、ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰは前記中心領域ＣＬ−Ｃに隣接するように配置されるほど、前記第２傾斜角θ２が増加する。但し、前記第２傾斜角θ２は前記第１傾斜角θ１以下である。
【００６６】
また、前記第１外側領域ＣＬ−０１に配置された開口部３１０−ＯＰの各々は前記数学式２にしたがう第３傾斜角θ３を有し得るが、互に異なる前記第３傾斜角θ３を有することもあり得る。前記第１外側領域ＣＬ−０１に配置された開口部３１０−ＯＰは前記中心領域ＣＬ−Ｃに隣接するように配置されるほど、前記第３傾斜角θ３が減少する。但し、前記第３傾斜角θ３は前記第１傾斜角θ１以上である。前記第２外側領域ＣＬ−０２に配置された開口部３１０−ＯＰは、前記中心領域ＣＬ−Ｃに隣接するように配置されるほど、前記第３傾斜角θ３がやはり減少する。
【００６７】
一方、本発明は記載された実施形態に限定されることでなく、本発明の思想及び範囲を逸脱せずに多様に修正及び変形できることはこの技術分野で通常の知識を有する者には明確である。したがって、そのような変形形態又は修正例は本発明の特許請求の範囲に属するべきである。
【符号の説明】
【００６８】
１０・・・蒸着設備
１００・・・基板
２００・・・ソース部
２１０・・・ノズル
３００・・・マスク
３１０・・・蒸着物質の通過部
３２０・・・フレーム部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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