(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットヘッドからインプリント材が滴下される基板を載置するステージと、前記基板上のインプリント材に押し付けられるテンプレートと、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量を、テンプレート位置ずれ量として検出するとともに、前記ステージの移動方向と、前記インクジェットヘッドに設けられている複数からなるノズルのノズル列方向と、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量を、ノズル位置ずれ量として検出する位置ずれ量検出ステップと、
前記テンプレート位置ずれ量および前記ノズル位置ずれ量に起因して生じる前記インプリント材の滴下位置の位置ずれを解消する補正値として、前記ステージの移動方向を補正するステージ移動方向補正値と、前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを補正する吐出タイミング補正値と、を算出する補正値算出ステップと、
前記ステージ移動方向補正値を用いて前記ステージの移動方向を制御するとともに、前記吐出タイミング補正値を用いて前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを制御する制御ステップと、
を含むことを特徴とする滴下制御方法。
【請求項２】
前記テンプレート位置ずれ量は、前記テンプレートが前記ステージ上にロードされた際に、前記テンプレート上に形成されたマークまたはパターンの位置が測定されることによって検出されることを特徴とする請求項１に記載の滴下制御方法。
【請求項３】
前記ノズル位置ずれ量は、前記ステージの移動方向および前記インプリント材の吐出タイミングを補正することなく前記インクジェットヘッドから前記インプリント材を前記基板上に滴下した場合の滴下位置を測定することによって検出されることを特徴とする請求項１または２に記載の滴下制御方法。
【請求項４】
前記制御ステップでは、
前記テンプレート位置ずれ量がθtであり、前記ノズル位置ずれ量がθｄであり、前記ノズル列のノズルピッチがＤであり、前記ステージの移動方向を補正する前の前記ステージの移動方向がＸ方向である場合に、前記ステージの移動方向を補正した後の前記ステージの移動方向Ｘ’，Ｙ’は、それぞれＸ’＝Ｘ−（Ｘ×θｔ×ｃｏｓ（（１−θｔ）／２））、Ｙ’＝Ｘ×ｓｉｎ（（１−θｔ）／２）であり、基準となるノズルの位置からｎ番目に配置されているノズルの前記インプリント材の吐出タイミング補正値Ｘ（Ｄｎ）は、Ｘ（Ｄｎ）＝ｎ（θｔ＋θｄ×Ｄ）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の滴下制御方法。
【請求項５】
インクジェットヘッドからインプリント材が滴下される基板を載置するステージと、前記基板上のインプリント材に押し付けられるテンプレートと、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量を、テンプレート位置ずれ量として検出する第１の検出部と、
前記ステージの移動方向と、前記インクジェットヘッドに設けられている複数からなるノズルのノズル列方向と、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量を、ノズル位置ずれ量として検出する第２の検出部と、
前記テンプレート位置ずれ量および前記ノズル位置ずれ量に起因して生じる前記インプリント材の滴下位置の位置ずれを解消する補正値として、前記ステージの移動方向を補正するステージ移動方向補正値と、前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを補正する吐出タイミング補正値と、を算出する補正値算出部と、
前記ステージ移動方向補正値を用いて前記ステージの移動方向を制御する第１の制御部と、
前記吐出タイミング補正値を用いて前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを制御する第２の制御部と、
を備えることを特徴とする滴下制御装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、滴下制御方法および滴下制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程において、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成と、量産性とを両立させる技術として、被転写基板（以下、基板という）に原版の型（テンプレート）を転写する光ナノインプリント法が注目されている。光ナノインプリント法では、転写すべきパターンを形成した原版の型が、基板上に塗布されている光硬化性有機材料層（インプリント材）に押し付けられる。この状態で、インプリント材に光照射が行なわれてインプリント材を硬化させ、これにより、インプリント材にパターンが転写される。
【０００３】
インプリント材は、１ショットごとにインクジェット法で滴下され基板上に塗布される。光ナノインプリント法では、基板を載置するステージの位置と、テンプレートの押し付け位置との間に位置ずれが発生する場合がある。また、インクジェットヘッドのノズル列の位置が、ステージの移動方向対して傾く場合がある。このため、基板上へのインプリント材の滴下位置が、滴下予定位置に対してズレを生じる場合がある。インプリント材の滴下位置がショットに対して不適切な場合、滴下位置のズレが大きいショット外周部では、インプリント材の充填不良欠陥や膜厚のばらつきが発生する。この結果、加工後のパターン形成不良が発生し、デバイスの歩留まりを低下させる要因となる。したがって、インプリント材を適切な位置に滴下することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−６８４１１号公報
【特許文献２】特開２０００−１９４１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、インプリント材を適切な位置に滴下する滴下制御方法および滴下制御装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、滴下制御方法が、位置ずれ量検出ステップと、補正値算出ステップと、制御ステップと、を含んでいる。前記位置ずれ量検出ステップは、テンプレート位置ずれ量を検出するとともにノズル位置ずれ量を検出する。前記テンプレート位置ずれ量は、インクジェットヘッドからインプリント材が滴下される基板を載置するステージと、前記基板上のインプリント材に押し付けられるテンプレートと、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量である。前記ノズル位置ずれ量は、前記ステージの移動方向と、前記インクジェットヘッドに設けられている複数からなるノズルのノズル列方向と、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量である。前記補正値算出ステップは、前記テンプレート位置ずれ量および前記ノズル位置ずれ量に起因して生じる前記インプリント材の滴下位置の位置ずれを解消する補正値として、ステージ移動方向補正値と、吐出タイミング補正値と、を算出する。前記ステージ移動方向補正値は、前記ステージの移動方向を補正する補正値である。前記吐出タイミング補正値は、前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを補正する補正値である。前記制御ステップは、前記ステージ移動方向補正値を用いて前記ステージの移動方向を制御するとともに、前記吐出タイミング補正値を用いて前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施の形態に係る滴下制御装置を備えたインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、レジストの吐出処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、テンプレート位置ずれ量とノズル位置ずれ量を説明するための図である。
【図４】図４は、レジストの吐出位置の位置ずれを説明するための図である。
【図５】図５は、レジストの吐出タイミングを説明するための図である。
【図６】図６は、レジストの吐出が終了した際のウエハを上面から見た図である。
【図７】図７は、滴下制御装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施の形態に係る滴下制御方法および滴下制御装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（実施の形態）
図１は、実施の形態に係る滴下制御装置を備えたインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１００は、半導体装置の製造工程の１つであるインプリント法（光ナノインプリントリソグラフィなど）に用いられる装置である。インプリント装置１００は、滴下制御装置１と、インクジェットヘッド２と、ステージ（基板搭載ステージ）４と、光源７と、を備えて構成されている。
【００１０】
インプリント装置１００は、レジスト（インプリント材）６をウエハ３などの被転写基板上に滴下するとともに、テンプレート５をウエハ３上に押し付けてウエハ３にテンプレートパターンを形成する。本実施の形態のインプリント装置１００は、ステージ４に対するテンプレート５の位置ずれ量と、ステージ４の移動方向に対するノズル列の位置ずれ量と、を補正するよう、ステージ４の移動方向およびレジスト６の吐出タイミングを制御する。
【００１１】
インクジェットヘッド２は、複数のノズルを有している。各ノズルは、所定方向に所定の間隔でノズル列として並べられている。インクジェットヘッド２は、各ノズルからレジスト６を吐出してウエハ３上に滴下（塗布）する。ステージ４は、ウエハ３を載置して保持するとともに、ウエハ３の面内（ＸＹ平面）方向に移動する。レジスト６は、例えば光硬化性有機材料である。
【００１２】
テンプレート５は、原版の型であり、ウエハ３上に転写するパターン（半導体回路パターン）が形成されている。テンプレート５は、レジスト６が滴下されているウエハ３に押し付けられる。光源７は、テンプレート５とウエハ３との間に充填されたレジスト６にＵＶ光などの光を照射する。
【００１３】
滴下制御装置１は、テンプレート位置ずれ量検出部１１、ノズル位置ずれ量検出部１２、補正値算出部１３、吐出タイミング制御部１４、ステージ移動方向制御部１５を有している。
【００１４】
テンプレート位置ずれ量検出部１１は、ステージ４とテンプレート５（ウエハ３）との間のステージ面内における回転方向の位置ずれ量（回転ずれ量）をテンプレート位置ずれ量として検出する。換言すると、テンプレート位置ずれ量検出部１１は、ステージ４上でのテンプレート５の載置位置の位置ずれ量検出する。具体的には、テンプレート位置ずれ量検出部１１は、ウエハ３上のレジスト６にテンプレート５を接触させた（押し付けた）際のテンプレート位置ずれ量を検出する。テンプレート位置ずれ量検出部１１は、例えば、ステージ４の位置とテンプレート５の載置位置とを検出することによって、テンプレート位置ずれ量を検出する。テンプレート位置ずれ量検出部１１は、検出したテンプレート位置ずれ量を、補正値算出部１３に送る。
【００１５】
ノズル位置ずれ量検出部１２は、ステージ４の移動方向に対するノズル列の位置ずれ量をノズル位置ずれ量として検出する。具体的には、ノズル位置ずれ量検出部１２は、ステージ４の移動方向（ＸＹ方向の移動軸）と、ノズル列の並んでいる方向と、の間のノズル位置ずれ量を面内方向のずれ量（回転ずれ量）として検出する。例えば、ステージ４がＸ軸方向に移動し、且つノズル列がＹ軸方向に並んでいる場合、ステージ４の移動方向とノズル列の並んでいる方向とのなす角度のずれ量（９０度からのずれ量）がノズル位置ずれ量となる。ノズル位置ずれ量検出部１２は、例えばステージ４の移動方向とノズル列の並んでいる方向とを検出することによって、ノズル位置ずれ量を検出する。ノズル位置ずれ量検出部１２は、検出したノズル位置ずれ量を、補正値算出部１３に送る。
【００１６】
補正値算出部１３は、テンプレート位置ずれ量およびノズル位置ずれ量に基づいて、ステージ４の移動方向を補正する補正値（ステージ移動方向補正値）と、レジスト６の吐出タイミングを補正する補正値（吐出タイミング補正値）と、を算出する。補正値算出部１３は、ウエハ３上の所望の位置にレジスト６を滴下するためのステージ移動方向補正値と吐出タイミング補正値とを算出する。換言すると、補正値算出部１３は、テンプレート位置ずれ量およびノズル位置ずれ量に起因して生じるレジストの滴下位置の位置ずれを解消するステージ移動方向補正値と吐出タイミング補正値とを算出する。補正値算出部１３は、算出したステージ移動方向補正値をステージ移動方向制御部１５に送り、算出した吐出タイミング補正値を吐出タイミング制御部１４に送る。
【００１７】
吐出タイミング制御部１４は、ノズルから吐出するレジスト６の吐出タイミングを制御する。吐出タイミング制御部１４は、吐出タイミング補正値を用いて、ノズルから吐出するレジスト６の吐出タイミングを補正する。ステージ移動方向制御部１５は、ステージ４の移動方向を制御する。ステージ移動方向制御部１５は、ステージ移動方向補正値を用いて、ステージ４の移動方向を補正する。
【００１８】
つぎに、レジスト６の吐出処理手順について説明する。図２は、レジストの吐出処理手順を示すフローチャートである。テンプレート位置ずれ量検出部１１は、ステージ４に対するテンプレート５の位置ずれ量をテンプレート位置ずれ量として検出する（ステップＳ１０）。
【００１９】
本実施の形態では、テンプレート５上に例えば複数の位置検出用のマークを設けておく。そして、テンプレート５を予めテスト用のウエハ上などにロードする。この後、テンプレート位置ずれ量検出部１１は、位置検出用のマーク位置を測定することによって、テンプレート位置ずれ量を検出する。なお、テンプレート位置ずれ量検出部１１は、テンプレート５上に形成されているパターンの一部を検出することによって、テンプレート位置ずれ量を検出してもよい。テンプレート位置ずれ量検出部１１は、検出したテンプレート位置ずれ量を、補正値算出部１３に送る。
【００２０】
ノズル位置ずれ量検出部１２は、ステージ４の移動方向に対するノズル列の位置ずれ量をノズル位置ずれ量として検出する（ステップＳ２０）。換言すると、ノズル位置ずれ量検出部１２は、インクジェット時（レジスト吐出時）のウエハスキャン方向とノズル列との傾きを検出する。ノズル位置ずれ量は、ステージ４の移動方向とノズル列の配置方向と、の相対的な位置ずれ量である。なお、ノズル位置ずれ量を検出した後に、テンプレート位置ずれ量を検出してもよい。また、ノズル位置ずれ量とテンプレート位置ずれ量を同時に検出してもよい。
【００２１】
本実施の形態では、例えば、ノズルからテスト用のウエハなどに、ステージ４の移動方向および吐出タイミングを補正することなくレジスト６を滴下しておく。そして、テスト用のウエハをステージ４に載置したままの状態で、ノズル位置ずれ量検出部１２が、レジスト６の滴下位置を測定することによってノズル位置ずれ量を検出する。
【００２２】
ここで、テンプレート位置ずれ量とノズル位置ずれ量について説明する。図３は、テンプレート位置ずれ量とノズル位置ずれ量を説明するための図である。図３の（ａ）では、レジスト６の滴下を開始する際のウエハ３を上面から見た図を示している。
【００２３】
図３の（ａ）に示す軸５１〜５３は、それぞれＸＹ軸を示している。軸５１は、ステージ４の本来の移動方向（ずれ量無し）に対応するＸＹ軸である。したがって、テンプレート位置ずれ量とノズル位置ずれ量がともにずれ量無しの場合には、ステージ４に載置されたウエハ３は、軸５１のうちの一方の軸（横軸）と平行な方向に移動する。
【００２４】
軸５２は、ウエハ３の配置位置（テンプレート５の押し付け位置）を基準としたＸＹ軸であり、軸５１から所定の回転量だけ位置ずれを生じている。この回転量が、テンプレート位置ずれ量に対応している。ウエハ３には、所望のレジスト滴下位置Ｐｘが設定されている。軸５２と軸５１との間には位置ずれを生じているので、レジスト滴下位置Ｐｘは、軸５１から所定の回転量だけ位置ずれを生じている。
【００２５】
軸５３は、ノズル列に対するステージ４の移動方向を基準としたＸＹ軸であり、軸５１から所定の回転量だけ位置ずれを生じている。この回転量が、ノズル位置ずれ量に対応している。
【００２６】
図３の（ｂ）では、テンプレート位置ずれ量を、軸５１と軸５２との間の回転ずれ量θｔで示し、ノズル位置ずれ量を、軸５１と軸５３との間の回転ずれ量θｄで示している。本実施の形態では、回転ずれ量θｔ，θｄを補正するよう、ステージ４の移動方向およびレジスト６の吐出タイミングが補正される。
【００２７】
テスト用のウエハ３などを用いてテンプレート位置ずれ量およびノズル位置ずれ量が検出された後、テスト用のウエハ３は、ステージ４上からアンロードされる。そして、実際にテンプレートパターンを形成するウエハ３（製品ウエハなど）が、ステージ４上にロードされる。
【００２８】
補正値算出部１３は、テンプレート位置ずれ量およびノズル位置ずれ量に基づいて、ステージ４の移動方向を補正するステージ移動方向補正値と、レジスト６の吐出タイミングを補正する吐出タイミング補正値と、を算出する（ステップＳ３０）。インクジェットヘッド２には、複数のノズルが所定の間隔（ノズルピッチ）Ｄでｙ軸方向に配置されている。このため、補正値算出部１３は、ノズル毎の吐出タイミング補正値を算出する。なお、ステージ移動方向補正値や吐出タイミング補正値の算出処理は、実際にテンプレートパターンを形成するウエハ３をステージ４上にロードする前に行ってもよい。
【００２９】
補正値算出部１３は、例えば、以下の式（１）、式（２）で示すステージ移動方向補正値Ｘｃ，Ｙｃを算出し、以下の式（３）で示す吐出タイミング補正値Ｘ（Ｄｎ）を算出する。
【００３０】
Ｘｃ＝Ｘ×θｔ×ｃｏｓ（（１−θｔ）／２）・・・（１）
Ｙｃ＝Ｘ×ｓｉｎ（（１−θｔ）／２）・・・（２）
Ｘ（Ｄｎ）＝ｎ（θｔ＋θｄ×Ｄ）・・・（３）
【００３１】
ここでのＸは、ステージ４の補正前の移動方向であり、Ｄは、ノズル間の距離である。また、ｎは自然数である。基準となるノズル（最初にレジスト吐出位置に到達するノズル）が、ｎ＝１であり、Ｍ番目（Ｍは自然数）にレジスト吐出位置に到達するノズルが、ｎ＝Ｍである。したがって、Ｄｎは、ノズルのノズル原点からの距離（ｙ座標）である。
【００３２】
補正値算出部１３は、算出したステージ移動方向補正値をステージ移動方向制御部１５に送り、算出した吐出タイミング補正値を吐出タイミング制御部１４に送る。ステージ移動方向制御部１５は、ステージ移動方向補正値を用いてステージ４の移動方向を補正しながら、ステージ４の移動方向を制御する。このとき、吐出タイミング制御部１４は、吐出タイミング補正値を用いて吐出タイミングを制御しながら、レジスト６の吐出タイミングを制御する。換言すると、ステージ４の移動方向とレジスト６の吐出タイミングが補正されながら、レジスト６の吐出が行われる（ステップＳ４０）。
【００３３】
ステージ移動方向制御部１５は、例えば、以下の式（４）、式（５）で示す方向Ｘ’，Ｙ’にステージ４が移動するよう、ステージ４を制御する。また、吐出タイミング制御部１４は、上述した式（３）に基づいてレジスト６の吐出タイミングを補正する。
【００３４】
Ｘ’＝Ｘ−Ｘｃ＝Ｘ−（Ｘ×θｔ×ｃｏｓ（（１−θｔ）／２））・・・（４）
Ｙ’＝Ｙｃ＝Ｘ×ｓｉｎ（（１−θｔ）／２）・・・（５）
【００３５】
つぎに、レジスト６の吐出タイミングについて説明する。図４は、レジストの吐出位置の位置ずれを説明するための図であり、図５はレジストの吐出タイミングを説明するための図である。
【００３６】
図４の（ａ）に示すように、インクジェットヘッド２には、例えば５つのノズル２１〜２５が間隔Ｄで配置されている。図４の（ｂ）では、ウエハ３上に設定された所望のレジスト滴下位置Ｐｘを、レジスト滴下位置Ｐ１１〜Ｐ１５，Ｐ２１〜Ｐ２５で示している。また、ステージ４に対するインクジェットヘッド２の相対位置を、位置Ｎ１〜Ｎ６で示している。
【００３７】
図４の（ｂ）に示すように、ステージ４が移動することによって、インクジェットヘッド２の相対位置が位置Ｎ１〜Ｎ６まで移動する。このとき、ノズル２１〜２５が、それぞれレジスト滴下位置Ｐ１１〜Ｐ１５上を通過し、さらにレジスト滴下位置Ｐ２１〜Ｐ２５上を通過するよう、ステージ移動方向補正値を用いてステージ４が移動させられる。
【００３８】
図５では、所望のレジスト滴下位置Ｐｘを、レジスト滴下位置Ｐ３１〜Ｐ３５で示している。また、ステージ４に対するインクジェットヘッド２の相対位置を、位置Ｎ１１〜Ｎ１３で示している。
【００３９】
ノズル２１〜２５が、それぞれレジスト滴下位置Ｐ３１〜Ｐ３５上を通過するよう、ステージ４が移動する。位置Ｎ１１では、ノズル２１〜２５が、レジスト滴下位置Ｐ３１〜Ｐ３５上に到達していないので、レジスト６の吐出は行われない。
【００４０】
ステージ４に対するインクジェットヘッド２の相対位置が位置Ｎ１２になると、ノズル２５がレジスト滴下位置Ｐ３５上に来るので、このタイミングでノズル２５からレジスト６が吐出される。
【００４１】
また、ステージ４に対するインクジェットヘッド２の相対位置が位置Ｎ１３になると、ノズル２４がレジスト滴下位置Ｐ３４上に来るので、このタイミングでノズル２４からレジスト６が吐出される。
【００４２】
この後、同様に、ノズル２３がレジスト滴下位置Ｐ３３上に来ると、このタイミングでノズル２３からレジスト６が吐出される。また、ノズル２２がレジスト滴下位置Ｐ３２上に来ると、このタイミングでノズル２２からレジスト６が吐出され、ノズル２１がレジスト滴下位置Ｐ３１上に来ると、このタイミングでノズル２１からレジスト６が吐出される。
【００４３】
図６は、レジストの吐出が終了した際のウエハを上面から見た図を示している。同図に示すように、本実施の形態では、ステージ移動方向補正値および吐出タイミング補正値に基づいて、ステージ４を移動させるとともにレジスト６の吐出タイミングを補正しているので、ウエハ３上の所望位置にレジスト６を滴下することが可能となる。
【００４４】
インプリントを行う際には、インプリント装置１００によってウエハ３上の所望位置（テンプレート５の１ショット分の有効領域）にレジスト６が滴下される。そして、転写すべきパターンが形成されたテンプレート５が、ウエハ３上のレジスト６に押し付けられる。これにより、テンプレート５とウエハ３との間にレジスト６が充填される。この状態で、光源７からレジスト６に光照射が行なわれ、レジスト６を硬化させる。この後、テンプレート５がレジスト６から引き離される（離型処理）。これにより、ウエハ３上のレジスト６に、テンプレート５のパターン（型）が転写される。
【００４５】
この後、パターン転写されたレジスト６をマスクとしてウエハ３の下層側がエッチングされる。これにより、テンプレート５のパターンに対応する実パターンがウエハ３上に形成される。半導体装置（半導体集積回路）を製造する際には、上述したレジスト６の滴下処理、レジスト６の硬化処理、テンプレート５の離型処理、ウエハ３のエッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００４６】
つぎに、滴下制御装置１のハードウェア構成について説明する。図７は、滴下制御装置のハードウェア構成を示す図である。滴下制御装置１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。滴下制御装置１では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【００４７】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである補正値算出プログラム９７を用いてステージ移動方向補正値と吐出タイミング補正値を算出する。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、テンプレート位置ずれ量、ノズル位置ずれ量、ステージ移動方向補正値、吐出タイミング補正値などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（ステージ移動方向補正値と吐出タイミング補正値の算出に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【００４８】
補正値算出プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図７では、補正値算出プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【００４９】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた補正値算出プログラム９７を実行する。具体的には、滴下制御装置１では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から補正値算出プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【００５０】
滴下制御装置１で実行される補正値算出プログラム９７は、テンプレート位置ずれ量検出部１１、ノズル位置ずれ量検出部１２、補正値算出部１３、吐出タイミング制御部１４、ステージ移動方向制御部１５を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
【００５１】
なお、本実施の形態では、滴下制御装置１がテンプレート位置ずれ量検出部１１、ノズル位置ずれ量検出部１２を備える構成としたが、テンプレート位置ずれ量検出部１１と滴下制御装置１とを別構成としてもよい。また、ノズル位置ずれ量検出部１２と滴下制御装置１とを別構成としてもよい。さらに、吐出タイミング制御部１４と滴下制御装置１とを別構成としてもよい。また、ステージ移動方向制御部１５と滴下制御装置１とを別構成としてもよい。
【００５２】
このように実施の形態によれば、テンプレート位置ずれ量とノズル位置ずれ量とに起因して生じる前記インプリント材の滴下位置の位置ずれを解消するよう、ステージ４の移動方向およびレジスト６の吐出タイミングを制御するので、ウエハ３上の適切な位置（滴下予定位置）にレジスト６を滴下することが可能となる。これにより、レジスト６の充填不良欠陥や膜厚のばらつきを防止できる。この結果、パターン形成不良を防止でき、デバイスの歩留まりを向上させることが可能となる。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１…滴下制御装置、２…インクジェットヘッド、３…ウエハ、４…ステージ、５…テンプレート、６…レジスト、７…光源、１１…テンプレート位置ずれ量検出部、１２…ノズル位置ずれ量検出部、１３…補正値算出部、１４…吐出タイミング制御部、１５…ステージ移動方向制御部、２１〜２５…ノズル、１００…インプリント装置、Ｐ１１〜Ｐ１５，Ｐ２１〜Ｐ２５，Ｐ３１〜Ｐ３５…レジスト滴下位置、θｔ，θｄ…回転ずれ量       。
【図１】
0005404570.tif 000002
【図２】
0005404570.tif 000003
【図３】
0005404570.tif 000004
【図４】
0005404570.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0005404570.tif 000008