(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
−主としてβ半水石膏からなる石膏材料を、後反応容器(３)に供給し、
−後反応容器(３)において、９５℃のか焼温度以上の温度でβ半水石膏をα半水石膏に直接変化させる後処理を行い、
−後反応容器(３)から硬石膏を取り出し、
−冷却する
硬石膏の製造方法において、
上記後反応容器(３)に石膏材料を供給する際の温度を、上記か焼温度以上に調整し、
上記後反応容器に外部から水蒸気を供給しつつ、後反応容器(３)内の温度および圧力が、９５℃以上および絶対圧で１.５バール以上２バール以下の正圧になるように制御して、１５分以上３０分以下の滞留時間でα半水石膏に変化させ、上記後反応容器(３)におけるβ半水石膏の変化は、連続運転によって行われることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、石膏は、圧力ロック(３１)を経て上記後反応容器(３)に入り、第２の圧力ロック(４２)を経て上記後反応容器(３)から出ることを特徴とする製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法において、上記後反応容器(３)において石膏の機械的撹拌が行われることを特徴とする製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法において、上記機械的撹拌は、好ましくは上記後反応容器(３)内に配置されたミキサー(７０)による均一化を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の製造方法において、上記後反応容器(３)に高温の流動化ガスを供給することを特徴とする製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１つに記載の製造方法において、原料としての２水石膏を主としてβ半水石膏をもつ石膏材料にか焼する前処理を特徴とする製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の製造方法において、か焼で生じる高温のシステム排ガスが、上記後反応容器(３)に供給されることを特徴とする製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１つに記載の製造方法において、上記水蒸気は、システム排ガスによって熱せられる熱交換器(８１)によって加熱されることを特徴とする製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１つに記載の製造方法において、上記後処理によって、４ｍ2/ｇ以下の特定表面積(ＢＥＴ)および／または０.５以下の水-石膏値が達成されることを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１つに記載の製造方法において、この製造方法は、上記後反応容器(３)内に水蒸気を供給するまで乾燥状態で行われることを特徴とする製造方法。
【請求項１１】
硬石膏を製造するためのか焼装置であって、原料としての２水石膏をか焼するためのバーナー(１)と、処理進行方向において上記バーナーよりも下流側に別個に設けられた後反応容器(３)を備え、上記バーナーと後反応容器は、か焼されたβ半水石膏のための輸送手段(１２,１３)を介して接続されているか焼装置において、
上記輸送手段は、β半水石膏を９５℃以上の温度で上記後反応容器(３)に供給するように熱的に構成され、この後反応容器(３)は、湿気と熱を外部から供給するための少なくとも１つの更なる接続部(３４,３５)を有し、上記後反応容器(３)内において絶対圧で１.５バール以上２バール以下の正圧および９５℃以上の温度で１５分以上３０分以下の滞留時間が保たれるように、蒸気回路(８)と協働する制御装置(６２,８５)を有し、上記後反応容器(３)は、連続運転されるように構成されている
ことを特徴とするか焼装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のか焼装置において、貫流運転中に石膏の流入と流出のための第１と第２の圧力ロック(３１,４２)を上記後反応容器に備えたことを特徴とするか焼装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載のか焼装置において、このか焼装置は、請求項２乃至１０のいずれか１つに記載の方法に従って構成されていることを特徴とするか焼装置。
【請求項１４】
既にか焼されたβ半水石膏からα半水石膏を製造するか焼装置のための拡張反応容器であって、湿気と高温ガスを供給するための接続部(３４,３５)と、上記拡張反応容器(３)内を正圧およびか焼温度以上の温度に維持するように構成された更なる制御装置(６２,８５)を備え、上記拡張反応容器(３)の作業空間の中央には、下から上に延在する上昇管(３６)が設けられ、この上昇管の中心は、高温で湿潤なガスを供給するための上記接続部の１つ(３５)が合流するノズル(３７)と同軸に揃えられていることを特徴とする拡張反応容器。
【請求項１５】
請求項１４に記載の拡張反応容器において、この拡張反応容器は、請求項２,３,４のいずれか１つに記載の方法に従って構成されていることを特徴とする拡張反応容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、か焼された半水石膏から硬石膏を製造する方法に関する。この方法は、主としてβ半水石膏からなるか焼された石膏材料を後反応容器に供給し、この後反応容器内で、β半水石膏をα半水石膏に直接変化させて取り出し、続いて冷却する。
【背景技術】
【０００２】
スタッコ石膏は、種々の形態で存在することが知られており、半水石膏の所謂α変態相とβ変態相は、形態が異なる(DE-B-1771625)。簡潔のため、スタッコ石膏のこれら変態相を、α石膏(硬石膏)およびβ石膏と呼ぶことにする。両変態相は、半水石膏として化学的および鉱物学的特性において同じである。しかし、両者は、個々の粒子の組織構造および結晶構造において互いに異なる。β石膏では、か焼でできる半水石膏結晶は、通常、小さく、かつ、多数の結晶格子欠陥を持つ。この事実は、特に、粉砕機,回転筒,加熱器,流動化床などによって急速か焼(フラッシュか焼)された石膏に当てはまる。この場合、結晶内に僅か乃至激しく割れた脆い構造が見られる。これに対して、α石膏では、半水石膏の結晶は、良好に生成され、格子欠陥が極僅かである。α石膏は、石膏に高い耐圧縮性を付与し(従って,硬石膏と呼ばれる)、価値の高い建築材料になっている。
【０００３】
さて、硬石膏は、原料(２水石膏)から製造される。これには、種々の製造方法が知られている。第１の方法は、石膏懸濁水を、オートクレーブに入れて、105〜165℃の温度と１〜６バールのゲージ圧で処理する。加圧しない方法では、石膏懸濁液を他の酸を加えた硫酸中で105℃以下の温度で硬石膏に変化させる。その他、所謂疑似乾燥法があり(DE-A-3819652, DE-A-3819653, EP-A-0572781)、これらの方法では、２０％以下の比較的少ない残水分をもつ脱水石膏を、オートクレーブに入れて、105〜165℃の温度と１〜６バールのゲージ圧で硬石膏に変化させる。これら方法の総ては、原料(２水石膏)を半水石膏(α石膏)に直接変化させ、その際、場合によっては、例えば５％割合のβ半水石膏などの混合材料が更に必要になるという点が共通する。さらに、これらの方法は、エネルギの面でも,用いる材料(酸)の面でも高価であり、費用が嵩むということが共通する。
【０００４】
さらに、機械的圧縮強度を高める目的で、後処理の範囲内でβ石膏に意図的にエージングを施すという方法が知られている(DE-B-1771625)。この方法は、まずか焼を行って、従来のスタッコ石膏(β石膏)を作り、後段の処理でβ石膏からα半水石膏を部分的に製造する。これを達成すべく、後処理において、懸濁液の温度をか焼温度以下に下げる量の水が付加される。これによって、β半水石膏の２水石膏への再水和が始まる。次いで、冷却された石膏は、か焼温度以上の温度に再び加熱され、冷却で再水和した２水石膏から再び半水石膏,つまりα変態相が生成される。この方法の欠点は、得られるα変態相の割合が余り高くなく、製造効率が極めて低いうえ、製品である硬石膏が、従来の硬石膏に比して相当高いＢＥＴ(Brunauer-Emmett-Teller)値(吸着に寄与する多孔質物質の孔内表面積)を示すことである。
【０００５】
β石膏またはα石膏を選択的に製造するための方法が知られており(DE-A-3738301)、この方法では、か焼器内で２水石膏に流動化ガスが衝突させられる。温度と圧力の調整を制御することによって、β石膏またはα石膏が生成される。α石膏の生成は、250℃以上の温度と２〜６バールの圧力を必要とする。従って、この方法は、オートクレーブを用いる公知の方法に類似し、公知の方法と同じ欠点をもつ。そのうえ、α変態相の割合の点からの純度も、極めて不十分である。
【０００６】
多段のか焼装置は、US-A-2008152559で知られている。石膏材料をチャージ単位で加熱して無水石膏にするため、多数の反応容器が接続されている。加熱のために高温蒸気が供給される。これらの反応容器は、無水石膏を可能な限り均一な小粒径に粉砕するために、粉砕装置に一体化して設けられる。この装置は、550℃以上の温度と７０バールの圧力に設定される。これによって製造される無水(「完全加熱」)α石膏は、α半水石膏の有利な特性を示さない。
【０００７】
最後に、β石膏をα石膏に直接変化させるα石膏の製造方法が知られている(DE-A-2049028)。この方法では、水を混ぜたβ石膏からなる素地が、オートクレーブ内で付加材を付加しながら数時間に亘ってα石膏に変化される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の従来技術から出発して、硬石膏を効率的に製造できる改良された製造方法と製造装置を提供するという課題を基礎にしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による解決手段は、独立請求項の特徴に存する。有利な更なる構成は、従属請求項の対象である。
【００１０】
主として半水石膏からなる石膏材料を後反応容器に供給し、後反応容器内においてか焼温度である９５℃以上の温度でβ半水石膏をα半水石膏に直接変化させる硬石膏生成のための後処理を行い、硬石膏を取り出す製造方法において、本発明では、後反応容器に石膏材料を供給する際に、温度をか焼温度以上に調整し、水蒸気を供給しつつ後反応容器内の温度と圧力を９５℃以上かつ絶対圧で１.５バール以上２バール以下の正圧になるように制御して１５分以上３０分以下の滞留時間でα半水石膏に変化させるようになっている。
【００１１】
最初に、幾つかの概念を定義する。か焼温度とは、それ以上で２水石膏が半水石膏に変化する温度を言う。通常の硫酸カルシウム石膏のか焼温度は、略９５℃である。「主として」は、最低割合が５０％であることを意味し、「好ましくは」は、最低割合が９０％であることを意味し、「より好ましくは」は、最低割合が９５％であり、100％あるいは技術的純粋も含むことを意味する。
【００１２】
本発明の核心は、請求項に記載のステップによって、β半水石膏からα半水石膏への変化が、２水石膏への再水和を通る回り道を採ることなく直接達成されるという概念に存する。
【００１３】
本発明は、加熱されたβ石膏を後反応容器に供給する際の温度をか焼温度以上に調整することによって、２水石膏への再水和が確実に阻止されることをうまく利用している。さらに、本発明は、これによって、高温の(即ち,少なくともか焼温度を呈する)β半水石膏を、外部から水蒸気を供給しつつ、湿った高温の正圧雰囲気中で硬石膏に直接変化させる可能性が開けることを認識している。供給された水分によってβ石膏の水分要求は満たされ、高温と正圧の協働によって結晶欠陥が治癒され、最大で３０分の滞留時間を経て最終的にβ結晶構造から―機械的特性の点から有利な―α結晶構造が生じる。こうして、β石膏の水石膏値よりも本質的に低い水石膏値をもつ硬石膏が生成され、必然的に機械的強度が相当上昇する。本発明の製造方法は、時間とエネルギが掛かるオートクレーブの使用を回避できる。オートクレーブの使用は、数時間の滞留時間を必要とし、費用が掛かるばかりでなく、連続運転を実質的に不可能にする。本発明は、その方法と短い滞留時間によって時間とエネルギの消費の相当な低減をもたらすばかりでなく、β石膏からα石膏へ短い滞留時間で直接変化させるという有利な特性の観点から、連続運転を可能にする。
【００１４】
本発明の更なる利点は、付加材料を必要としないので、付加材料なしで実施できるということである。
【００１５】
本発明は、原料の観点から強固であることを自ら特徴づける。天然石膏の代わりに、特に排ガス脱硫装置から,あるいはリン酸の製造などのリン酸工業で副産物として大量に生じる合成石膏を利用することができる。リン酸工業で生じる合成石膏は、大量であるため、その処理に従来少なからぬ費用が掛かっていたが、本発明の方法によって価値の高い建築材料としての硬石膏を製造する新たな可能性が開かれた。
【００１６】
後反応容器内で行われる後処理の正圧は、絶対圧で少なくとも1.5バール、好ましくは1.6〜2バールである。この圧力範囲は、β石膏からα石膏への直接変化に特に好適であることが実証され、６バールもの圧力を要した従来のオートクレーブ法に比較して、成分の圧縮強度を得る観点から僅かな費用しか掛からない。
【００１７】
後反応容器内の温度は、好ましくは150℃である。実証された温度範囲は、120〜140℃である。
【００１８】
本発明の方法は、供給されるβ石膏の品質の観点から強固である。従って、β石膏は、完全にか焼する必要はなく、特にフラッシュか焼と同様、少しか焼するだけで足る。
【００１９】
少なくとも１０分の後処理時間にするのが目的に適っており、少なくとも１５分の後処理時間がより好ましい。この場合も、部分的にか焼された石膏は、所望の硬石膏に確実に変化させることができる。
【００２０】
好ましい実施形態によれば、石膏は、後反応容器内で例えば均一化によって機械的に撹拌される。これは、石膏をターボ混合機によって処理することを意味する。これによって、石膏結晶の効率的な微細化が達成され、表面のブライネ(Blaine)値(微細碾きの程度)を、所望通りに低下させることができる。追加的に、後反応容器の後段の処理で後微細化を行うことができる。後微細化は、特に硬石膏の冷却前に、場合によっては冷却後に行うことができる。特に、とりわけ原料として合成石膏を用いた場合、後反応容器自身内での均一化によって良好な結果が達成される。
【００２１】
後処理において、流動化ガスを後反応容器内に供給することによって、混合は更に改善できる。これによって、後反応容器内における付着およびデッドゾーンの形成が阻止され、後反応容器内でより集中的な混合とより均一な温度分布が達成され、製品である石膏の品質が高まる。流動化ガスは、熱いのが好ましい。
【００２２】
流動化ガスとして、特に原料を加熱してβ半水石膏にする際に発生するガスなどのシステム排ガスを利用することができる。本発明の方法では、有利なことに前段に前処理があって、この前処理では、原料としての２水石膏を、主としてβ半水石膏をもつ石膏にか焼
する。その際生じるシステム排ガスは、流動化ガスまたは高温水蒸気として後反応容器に供給することができる。このことは、加熱器としてか焼粉砕機を用いた場合、特に当てはまる。この排ガスは、正に湿潤(略35％の含水量)で高温(少なくとも150℃)である。また、必要に応じて、水又は水蒸気を追加的に供給することができる。この場合、水蒸気を生成するため熱交換器を設けることができ、この熱交換器にシステム排ガスを貫流させて、後反応容器に供給する水蒸気を発生させる。
【００２３】
この方法のための実証されたパラメータは、後反応容器内の温度が120〜140℃、圧力が1.65〜1.85バールである。後処理は、１０〜３０分の滞留時間まで行われ、その結果、最大で４ｍ2/gの特性表面積(BET)ならびに本質的に0.6以下,好ましくは0.5以下の水-石膏値が達成された。
【００２４】
最後に、本発明の方法の本質的な利点は、水蒸気を後反応容器に供給するまでは、過程を乾燥状態で行うことができることに存する点に言及しておく。この利点は、良好なエネルギ効率を可能にし、後処理の際に水蒸気を供給することと相俟って高い製品品質を可能にする。
【００２５】
本発明は、上述の方法を実施するための装置にも及ぶ。この装置は、原料としての２水石膏をか焼するためのバーナーと、処理進行方向に向かってこのバーナーより下流に配置され,か焼されたβ石膏を搬送する手段を介して接続された後反応容器とを備え、本発明によって、搬送手段は、か焼されたβ石膏を少なくとも95℃の温度で後反応容器に供給するように熱的に構成され、後反応容器は、外部から熱と水分を供給するための少なくとも１つの更なる接続部を有し、反応容器内を95℃以上の温度と正圧に最大で３０分の滞留時間に亘って調整するように蒸気回路と協働する制御装置を備える。
【００２６】
拡張反応容器も、本発明の対象である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、か焼装置の一実施形態を示す概略全体図である。
【図２】図２は、上記か焼装置の反応容器を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明は、有利な装置の実施形態を参照して、次に詳しく説明されるが、この装置は、か焼粉砕機によってか焼されたスタッコ石膏を、更に硬石膏に加工する。
【００２９】
か焼されるべき原料は、装入部１０からか焼装置に装入される。原料としては、天然の粗石膏が重要であるが、合成石膏を用いることもできる。原料は、装入部１０から導管１１を経てか焼粉砕機１の入口接続部に達する。か焼粉砕機１は、好ましくはフラッシュか焼機として構成される。か焼粉砕機は、原料を小さく粉砕してか焼する装置からなる。フラッシュか焼に必要な略150〜160℃の高温を得るため、か焼粉砕機１は、高温ガス発生器１９に接続されている。フラッシュか焼には、通常、１０秒の滞留時間で十分である。原料のか焼には、それ自体としては任意の他の種類の装置を用いることができる点に言及しておく。石膏は、か焼が終わると、取出し導管１２を経て焼粉砕機から排出される。か焼された石膏(スタッコ石膏)は、β変態相と呼ばれる結晶形態を呈する。それ故、この石膏は、β半水石膏という呼称でも知られている。
【００３０】
スタッコ石膏は、導管１２を経て、ガス-か焼石膏分離器２に供給される。この分離器は、か焼粉砕機１から導管１２を経て出てくるシステム排ガスからか焼された石膏を分離する。システム排ガスは、排ガス導管２１を経て昇圧ステージ２２供給され、導管２３を経て更に排気煙突２９に供給される。さらに、導管２３に還流配管２４が接続され、この還流配管を経て、高温のシステム排ガスの一部がか焼粉砕機に戻される。分離器２は、か焼された石膏のための出口を底部に有する。か焼された石膏は、導管１３および入口ロック３１を経て後反応容器３に供給される。導管１２,１３は、石膏の温度を少なくとも95℃に調整するための熱管として構成される。温度の調整は、加熱によって能動的に、あるいは対応するように選ばれた熱絶縁によって受動的に行うことができる。か焼された石膏の温度は、分離器２から出て後反応容器３に入るまで、ごく僅かに低下するだけで、まだ略150℃である点に言及しておく。独立した保護を必要とする代替実施形態では、熱管が省略され、石膏が任意の温度で後反応容器に供給される。
【００３１】
後反応容器３は、圧力容器として構成される。この目的のため、導管１３を経て後反応容器３に供給される石膏が通過する入口ロック３１が設けられる。入口ロック３１は、この目的のため交互に操作される２つの仕切り弁を備える。後反応容器３内は、略0.5バールの正圧となる。正圧は、１バール以下であれば0.5バール以下にも, 0.5バール以上にもすることができる。所謂β変態相の結晶をもつスタッコ石膏は、正圧と供給される水蒸気の条件下で後反応容器３内において、α変態相の結晶形態に直接変化する。この場合、正圧と、少なくとも２水石膏のか焼温度(90〜95℃)以上の温度と、特に水蒸気の供給による蓄積した水分の存在との組み合わせが、決定的である。こうして、本発明による石膏のβ変態相からα変態相への直接変化が生じる。その際、結晶の生成が完全なものになって、結晶中の欠陥が閉ざされる(治癒される)。そして、ＢＥＴ表面積は、４ｍ2/ｇ以下の値に減少し、水-石膏値は、本質的に0.6以下,例えば0.4の値に減少する。α変態相の結晶へのこの結晶変化により、石膏製品の強度が相当上昇する。硬石膏が生成される。後反応容器３内の温度が120〜140℃、圧力が1.65〜1.85バールであることが特に実証された。
【００３２】
こうして製造されたα変態相をもつ石膏(硬石膏)は、出口３３および出口ロック４２を経て後反応容器３から出ていく。出口ロック４２は、硬石膏の流出量を制御する量制御システム４の一部をなす。この出口ロックにより、後反応容器３内のチャージレベルのみならず、後反応容器３での滞留時間,従って結晶変化過程が制御される。量制御システム４は、後反応容器３内に配置されたチャージレベルセンサ４６を備える。このセンサ４６は、それ自体は公知の方法でレーダ高さ測定器として構成され、検出信号を量制御器４４に送信し、この制御器が、供給量として所望のチャージ高さおよび所望の滞留時間に関するパラメータを調整する。量制御器４４は、センサ４６の検出値に応じて制御信号を送信し、制御信号は出力信号線４５を経て出口ロック４２のロックで受信される。
【００３３】
出口ロック４２を出てまだ高温の硬石膏は、導管１５を経て回転筒冷却機５の入口端に搬送される。硬石膏は、この回転筒冷却機で冷却され、導管１６を経て最終的に搬出される。
【００３４】
次に、後反応容器３およびこれと協働するシステムならびにその作用を、図２を参照して詳しく述べる。後反応容器３は、結晶変化させるべき石膏のための入口３２と出口３３の他に、流動化ガスの入口３４とプロセスガスの入口３５を備える。後反応容器内に流動化床３０が配置されている。流動化床は、基本的に、接続部３４を経て供給される流動化ガスが流入する中空室を下方に備えた１つの床を有する。流動化ガスは、流動化床３０の開口を通って上方に抜け、その際、流動化床３０に載った処理すべき石膏の層を貫流して、この層を流動化する。後反応容器３の作業空間の中央には、下から上に延在する上昇管３６が設けられている。上昇管３６は、金属製の円筒材料からなり、ノズル３７に通じるプロセスガスの接続部３５の上方に配置されている。このノズルは、上昇管３６の中心と同軸に揃えられ、接続部３５を経て供給されたプロセスガスは、上昇管３６に向けられる。これによって、ノズル３７からのプロセスガスが入る上昇管３６の下端は、静圧が低下して、周囲の粒子を吸引する。粒子は、ガス流によって上方に向かって引き裂かれ、上昇管の上端において内部空間に亘って再分配される。これによって、作業空間内で石膏の良好な混合をもたらす循環運動が形成される。
【００３５】
さらに、後反応容器３の側壁に埋め込まれたターボミキサー７０を備えた混合装置７を設けることができる。この混合装置は、供給されるβ変態相の石膏の細長い結晶構造を、小さく砕くように制御される。これにより、石膏の結晶表面においてα変態相への変化が始まる開始面が拡大する。この微粉砕は、本来目立って細長い結晶形態をもつ合成石膏を原料に用いる場合、特に有利である。図示の実施形態では、明瞭化のため単一のターボミキサーだけが示されているが、後反応容器の内周に等間隔に複数のターボミキサーを配置し、場合によっては複数段に配置するのが好ましい。
【００３６】
流動化床３０に亘っての流動化に必要なガスは、分離器２から導管２３に供給されるか焼粉砕機１のシステム排ガスから有利に得ることができる。システム排ガスは、導管２３からタップ導管９１を経て取り出され、ガスポンプ９２で昇圧された後、導管９４を経て流動化ガスとして接続部３４に供給される。こうして、高温で湿潤なシステム排ガスの供給によって、後反応容器内での石膏の流動化が達成されるのみならず、同時に圧力と温度の上昇が達成される。
【００３７】
後反応容器内の圧力制御のために、制御回路６が設けられている。この制御回路は、圧力センサ６６の検出信号が入力される制御装置６２を有する。制御装置６２は、後反応容器３から導管６０を経て流出する排気を調整するための調整弁６１の出力信号を調査する。導管６０を経て流出する排気は、塵芥分離器６３に流入する。塵芥を除去された排気は、煙突６９を経て排出される。集められた塵芥は、回転弁６４と導管６９を経て出口導管１５に導かれる。圧力制御装置６２は、圧力調整弁６１を制御して、後反応容器内の圧力を調整するようになっている。
【００３８】
蒸気を供給するために、導管２３とシステム排ガスのための排気煙突２９の間に熱交換器８１が設けられている。熱交換器８１において、供給される水はシステム排ガスによって加熱され、導管８２を経て蒸気回路８に供給される。蒸気回路８は、供給される蒸気の量および周囲空気の混合により温度を監視する制御装置８５を有する。こうして調整された混合ガスは、導管８４を経てプロセスガスのための入口３５に供給される。
【００３９】
後反応容器３内の圧力,湿気,温度は、個々のシステムによって制御されることができる。従って、スタッコ石膏は、後反応容器３内で硬石膏へ変化させることができ、その際、前段の処理ステップ,特にか焼粉砕機１から水とシステム排ガスのみを供給するだけで済み、後反応容器３を独自に加熱する必要がない。
【００４０】
後反応容器３に配置されたターボミキサー７０をもつ微粉砕装置(混合装置)は、後微粉砕装置と統合または置換することができる。そのために、出口ロック４２の後段に、微粉砕ユニット７'が設けられ、このユニットは、回転筒冷却機５の前または後に配置することができる。
【００４１】
この装置は、本発明の方法の実施を可能にし、しかも、(特に,２つの後反応容器３を設けた場合)チャージ単位の連続運転を可能にする。例えばフラッシュか焼によってか焼粉砕機１で作られて供給されるスタッコ石膏は、硬石膏に直接変化させられ、その際、半水結晶のβ変態相は、２水結晶に再水和することなく、直接半水結晶のα変態相に変化する。これによって、原料の１より大きい水-石膏値は、本質的に0.6より小さい値に減少し、原料の１０ｍ2/ｇのＢＥＴ表面積は、３ｍ2/ｇより小さい値に減少する。
【図１】
0005529137.tif 000002
【図２】
0005529137.tif 000003