(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコン層上に酸化膜を介して第２のシリコン層が積層されてなるＳＯＩウエハを加工して作製され、加速度入力により可動電極と固定電極の対向面積が変化するように構成された静電容量型加速度センサであって、
前記第２のシリコン層によって固定部と、その固定部のまわりに位置し、支持梁を介して固定部に支持されて変位可能とされた前記可動電極と、その可動電極を囲む方形枠状の上部フレームとが形成され、
前記第１のシリコン層によって前記固定電極と、その固定電極を溝を介して囲む方形枠状の下部フレームとが形成され、
加速度入力による前記可動電極の変位方向を前記上部フレームの一辺と平行なＸ方向とした時、前記可動電極は前記Ｘ方向に配列された複数の電極部を備え、
前記固定電極は前記下部フレームの対向２辺にそれぞれ沿う連結部と、それら連結部間に前記Ｘ方向に配列形成された複数の電極部と、前記連結部間に連結支持された搭載部とを備えており、
前記固定部は前記酸化膜を介して前記搭載部と接合され、
前記下部フレーム及び前記連結部は前記酸化膜を介して前記上部フレームと接合されており、
前記下部フレームを基板への実装時の接着固定箇所とすることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
【請求項２】
請求項１記載の静電容量型加速度センサにおいて、
前記支持梁と前記固定部と前記搭載部の組が前記Ｘ方向に配列されて複数設けられていることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
【請求項３】
請求項１記載の静電容量型加速度センサにおいて、
前記可動電極の電極部は前記固定電極の電極部と前記Ｘ方向においてずれていることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
【請求項４】
請求項３記載の静電容量型加速度センサにおいて、
前記支持梁と前記固定部の組が前記Ｘ方向に配列されて２つ設けられ、
前記固定電極は２分されて第１及び第２の固定電極が構成され、
前記接着固定箇所は前記対向２辺の各中点とされ、それら中点を結ぶ直線に対し、前記可動電極が対称に構成され、かつ前記第１の固定電極と前記第２の固定電極が対称に構成されていることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は加速度入力により固定電極と可動電極の対向する面積が変化するように構成され、それら電極間の静電容量の変化から加速度を検知する静電容量型加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図８はこの種の加速度センサの従来例として特許文献１に記載されている構成を示したものであり、図９Ａはその断面構造を示したものである。この例では静電容量型加速度センサ２０は第１のシリコン層１１上に酸化膜１２を介して第２のシリコン層１３が積層されてなるＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハ１０を用いて作製されている。
【０００３】
枠体２１と、枠体２１内に位置する可動電極２２と、可動電極２２を枠体２１に連結支持する４つの支持梁２３は、第２のシリコン層１３によって一体形成されており、可動電極２２は４つの支持梁２３に支持されることにより、Ｘ方向に変位可能とされている。
【０００４】
可動電極２２には貫通穴２２ａが複数配列形成されており、これら貫通穴２２ａによって可動電極２２はＸ方向に分割されている。
【０００５】
一方、固定電極２４，２５は第１のシリコン層１１によって形成されており、これら固定電極２４，２５は溝２６によって互いに分離されている。固定電極２４，２５には可動電極２２と同様に、それぞれ貫通穴２４ａ，２５ａが複数配列形成されており、これら貫通穴２４ａ，２５ａによってＸ方向にそれぞれ分割されている。固定電極２４，２５の分割された各電極２４ｂ，２５ｂの幅Ｗ１は可動電極２２の分割された電極２２ｂの幅Ｗ２と等しくされている。
【０００６】
枠体２１は固定電極２４，２５上に酸化膜１２を介して位置され、これにより可動電極２２の分割された電極２２ｂと、固定電極２４，２５の分割された電極２４ｂ，２５ｂが図９Ａに示したように所定の間隙を介して対向されている。図８中、２７は枠体２１上に形成されている引き出し電極を示す。また、固定電極２４，２５上にも引き出し電極２８（一方は隠れて見えない）がそれぞれ形成されている。引き出し電極２８は枠体２１の切り欠き２１ａに位置して外部に露出されている。
【０００７】
可動電極２２の電極２２ｂと固定電極２４，２５の電極２４ｂ，２５ｂとはＸ方向において互いの幅の半分が重なって対向するようにずれて位置されている。また、固定電極２４の電極２４ｂと固定電極２５の電極２５ｂは可動電極２２の電極２２ｂに対し、Ｘ方向において互いに逆方向にずれて位置されている。図９Ａ中、Ｓ０は電極２２ｂと電極２４ｂ，２５ｂでそれぞれ静電容量を形成する面積を示す。
【０００８】
図９Ｂは静電容量型加速度センサ２０に加速度が加わり、可動電極２２が変位した状態を示したものである。この時、固定電極２４側においては静電容量を形成する面積はＳ０＋ΔＳへ変化し、静電容量が増加する。誘電率をε、電極間隔をｄ、電極数をｎ個とすると、静電容量はｎεＳ０／ｄからｎε（Ｓ０＋ΔＳ）／ｄに変化する。
【０００９】
一方、固定電極２５側においては静電容量を形成する面積は逆にＳ０−ΔＳへ変化するので、静電容量はｎεＳ０／ｄからｎε（Ｓ０−ΔＳ）／ｄに変化する。固定電極２４の電極２４ｂの数と固定電極２５の電極２５ｂの数は等しく、よってこれら静電容量を差動検出することにより、入力加速度を求めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−３２３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した従来の構成例のように、ＳＯＩウエハを用いて作製される静電容量型加速度センサは高感度化の要求に答えるものとして、近年、注目されている。
【００１２】
一方、高精度の加速度センサは慣性航法等のアプリケーションで広く用いられており、航空機や自動車等に搭載される場合には優れた温度特性が要求される。
【００１３】
ここで、図８に示した静電容量型加速度センサ２０の実装について説明する。静電容量型加速度センサ２０は図１０に示したように、基板３１上に接着剤３２により接着固定されて一般に実装される。しかしながら、このように実装して使用した場合、低温になると出力が変動するという現象があった。出力変動は、ある温度になると突然発生し、図１１Ａに示したように出力が減少する場合と、図１１Ｂに示したように出力が増大する場合とがあり、どちらになるかは決まっておらず、個々の静電容量型加速度センサ２０で異なる状況となっていた。
【００１４】
この出力変動は支持梁２３の座屈に起因するものであり、以下、この点について説明する。
【００１５】
静電容量型加速度センサ２０を実装する基板３１の構成材料にはガラスエポキシ（ＦＲ−４）やセラミック、金属などが用いられる。これら基板材料は静電容量型加速度センサ２０を構成するシリコンに比べて熱膨張係数が大きく、温度変化によって基板３１の熱膨張量と静電容量型加速度センサ２０の熱膨張量とに差が生じる。実装時よりも温度が下がった場合、静電容量型加速度センサ２０は縮みにくく、縮みやすい基板３１から静電容量型加速度センサ２０は図１０中、矢印ａで示したように圧縮応力を受ける。
【００１６】
図１２Ａは可動電極２２側の構成（第２のシリコン層１３で形成されている構成）を示したものであり、幅狭の支持梁２３は枠体２１に支えられているので、圧縮応力は支持梁２３に直接かかる。この場合、圧縮なので座屈荷重を越えるまでは支持梁２３はＸ方向に変形せず、静電容量型加速度センサ２０の出力は変化しない。一方、座屈荷重を越えると、支持梁２３は座屈し、急激にＸ方向に変形する。このように支持梁２３が変形すると、可動電極２２は加速度が入力したかのごとく、動作（Ｘ方向に変位）するので出力が急激に変化する。
【００１７】
図１２Ｂ，Ｃは支持梁２３が座屈変形した状態をそれぞれ示したものであり、支持梁２３が変形する方向は図１２Ｂ，Ｃのどちらになるかわからず、つまり可動電極２２はどちらに動くかわからない。従って、出力が変化する方向も決まらず、このような支持梁２３の座屈に起因する出力変動を回路等で補正することは困難となる。
【００１８】
一方、この図８に示したような構成を有する静電容量型加速度センサ２０において、感度の向上を図るための方法として、次の２点があげられる。１点目は支持梁２３の幅をさらに小さくして可動電極２２の変位量を増大させることであり、２点目は可動電極２２及び固定電極２４，２５の分割数を増やすことである。この場合、支持梁２３や電極２２ｂ，２４ｂ，２５ｂの幅が小さくなり、断面２次モーメントが小さくなるため、これらの方法を採用すれば、さらに座屈が生じやすいものとなる。
【００１９】
この発明の目的はこのような状況に鑑み、温度変化によって支持梁や電極に座屈が生じないようにし、よって温度変化によって出力変動が発生せず、優れた温度特性を有する静電容量型加速度センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１の発明によれば、第１のシリコン層上に酸化膜を介して第２のシリコン層が積層されてなるＳＯＩウエハを加工して作製され、加速度入力により可動電極と固定電極の対向面積が変化するように構成された静電容量型加速度センサにおいて、第２のシリコン層によって固定部と、その固定部のまわりに位置し、支持梁を介して固定部に支持されて変位可能とされた可動電極と、その可動電極を囲む方形枠状の上部フレームとが形成され、第１のシリコン層によって固定電極と、その固定電極を溝を介して囲む方形枠状の下部フレームとが形成され、加速度入力による可動電極の変位方向を上部フレームの一辺と平行なＸ方向とした時、可動電極はＸ方向に配列された複数の電極部を備え、固定電極は下部フレームの対向２辺にそれぞれ沿う連結部と、それら連結部間にＸ方向に配列形成された複数の電極部と、連結部間に連結支持された搭載部とを備えており、固定部は酸化膜を介して搭載部と接合され、下部フレーム及び連結部は酸化膜を介して上部フレームと接合されており、下部フレームを基板への実装時の接着固定箇所とする。
【００２１】
請求項２の発明では請求項１の発明において、支持梁と固定部と搭載部の組がＸ方向に配列されて複数設けられているものとされる。
【００２２】
請求項３の発明では請求項１の発明において、可動電極の電極部は固定電極の電極部とＸ方向においてずれているものとされる。
【００２３】
請求項４の発明では請求項３の発明において、支持梁と固定部の組がＸ方向に配列されて２つ設けられ、固定電極は２分されて第１及び第２の固定電極が構成され、前記接着固定箇所は前記対向２辺の各中点とされ、それら中点を結ぶ直線に対し、可動電極が対称に構成され、かつ第１の固定電極と第２の固定電極が対称に構成されているものとされる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明では、可動電極を変位可能に支持する支持梁は、その一端（固定端）が可動電極を囲んで位置する上部フレームに連結固定されるのではなく、上部フレームと分離されて上部フレームの枠内に位置する固定部に連結固定されるものとなっている。よって、上部フレームに外部から応力が加わったとしても、支持梁には応力は加わらず、圧縮応力が加わって支持梁が座屈するといった現象は発生しない。同様に、可動電極にも座屈を招くような圧縮応力が加わることはない。
【００２５】
また、固定電極は、固定電極を囲んで位置する下部フレームと分離され、酸化膜を介して上部フレームに接合固定されており、静電容量型加速度センサの基板への実装時には固定電極は基板に接着固定されず、下部フレームが接着固定されるものとなっている。このような構成・実装方法を採用したことにより、下部フレームに外部から圧縮応力が加わった場合、固定電極は基板側に凸に湾曲変形するものとなっており、これにより固定電極の座屈を防止することができるものとなっている。
【００２６】
従って、この発明によれば、温度変化によって加わる外力により、支持梁や可動電極、固定電極が座屈することはなく、よって座屈に起因する出力変動は発生せず、その点で優れた温度特性を有する静電容量型加速度センサを得ることができる。
【００２７】
また、座屈を招くような圧縮応力が支持梁や可動電極、固定電極に加わらないため、支持梁の幅の狭小化や可動電極、固定電極の幅の狭小化（分割数の増大）を図ることができ、これにより感度のさらなる向上を図ることができる。
【００２８】
なお、外部から応力が加わった場合の固定電極の湾曲は応力によって決まった方向、大きさになるので、静電容量の変化（出力の変化）も決まった方向、大きさになり、よって回路で補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明による静電容量型加速度センサの一実施例の構成を示す斜視図。
【図２】図１において第２のシリコン層（デバイス層）で作製されている部分の構成を示す平面図。
【図３】図１において第１のシリコン層（ハンドル層）で作製されている部分の構成を示す平面図。
【図４】図１におけるＡ−Ａ線断面図。
【図５】図４において下部フレームに圧縮応力が加わった場合の変形した状態を示す図。
【図６】下部フレームに圧縮応力が加わった場合の変形の様子をシミュレーションにより求めた結果を示す図。
【図７】図１に示した静電容量型加速度センサの作製方法を説明するための図。
【図８】静電容量型加速度センサの従来構成例を示す斜視図。
【図９】Ａは図８の断面図、Ｂは加速度が加わった状態を示す断面図。
【図１０】図８に示した静電容量型加速度センサの基板への実装構造を示す図。
【図１１】温度変化に伴う出力変動を示すグラフ。
【図１２】Ａは図８において第２のシリコン層で作製されている部分の構成を示す平面図、Ｂ，Ｃは支持梁が座屈した状態を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
この発明の実施形態を図面を参照して実施例により説明する。
【００３１】
図１はＳＯＩウエハを加工して作製されたこの発明による静電容量型加速度センサの一実施例の構成を示したものであり、図２及び図３はＳＯＩウエハの第２のシリコン層（以下、デバイス層と言う）を用いて作製されている部分と、第１のシリコン層（以下、ハンドル層と言う）を用いて作製されている部分の平面形状をそれぞれ示したものである。また、図４は静電容量型加速度センサが基板に実装された状態での図１におけるＡ−Ａ線の断面を示したものである。図４中、１１はハンドル層、１２は酸化膜、１３はデバイス層を示し、１０はＳＯＩウエハを示す。
【００３２】
この例ではデバイス層１３によって図２に示したように固定部４１と支持梁４２と可動電極４３と上部フレーム４４が形成され、ハンドル層１１によって図３に示したように固定電極４５，４６と下部フレーム４７が形成されている。
【００３３】
上部フレーム４４は方形枠状をなし、その枠内に支持梁４２を介して固定部４１に支持された可動電極４３が位置されている。固定部４１は方形とされ、この例では上部フレーム４４の長辺と平行方向（Ｘ方向）に配列されて２つ設けられている。
【００３４】
可動電極４３は上部フレーム４４の短辺と平行方向（Ｙ方向）に伸長された細幅の電極部４３ａがＸ方向に多数配列されてなる構成とされ、これら多数の電極部４３ａはＸ方向に伸長する２本のアーム部４３ｂによって互いに連結されている。
【００３５】
支持梁４２は各固定部４１からＹ方向において互いに逆向きに伸長されて２本のアーム部４３ｂにそれぞれ連結されており、この例では計４本の支持梁４２によって可動電極４３は支持されている。可動電極４３はこのように支持されることによりＸ方向に変位可能とされている。
【００３６】
下部フレーム４７は上部フレーム４４と同じ外形形状を有する方形枠状をなし、その枠内の一半部に第１の固定電極４５が位置され、他半部に第２の固定電極４６が位置されている。固定電極４５は下部フレーム４７の対向する長辺にそれぞれ沿う連結部４５ａ，４５ｂを有し、それら連結部４５ａ，４５ｂ間に細幅の電極部４５ｃがＸ方向に配列されて多数形成されている。これら電極部４５ｃには可動電極４３の電極部４３ａと同様、Ｘ方向に伸長する２本のアーム部４５ｄが設けられている。
【００３７】
固定電極４５において、デバイス層１３に形成されている固定部４１と対応する位置には方形の搭載部４５ｅが形成されており、搭載部４５ｅは電極部４５ｃ及び電極部４５ｃと平行に形成されたやや幅広の支持部４５ｆによって両連結部４５ａ，４５ｂに連結支持されている。
【００３８】
固定電極４６は下部フレーム４７の長辺を２分する中心線に対し、固定電極４５と対称に構成されて設けられており、固定電極４５と同様、一対の連結部４６ａ，４６ｂと、多数配列された電極部４６ｃと、２本のアーム部４６ｄと、搭載部４６ｅと、２本の支持部４６ｆとを有する。固定電極４５，４６を囲む下部フレーム４７と固定電極４５，４６との間には一周に渡って溝４８が存在し、この溝４８により下部フレーム４７と固定電極４５，４６は分離されている。また、固定電極４５と４６も互いに分離されている。
【００３９】
次に、上記のような構成を有するハンドル層１１とデバイス層１３の積層構造について説明する。
【００４０】
図４に示したように、下部フレーム４７上には上部フレーム４４が位置し、酸化膜１２を介して下部フレーム４７と上部フレーム４４は接合されている。上部フレーム４４の長辺は下部フレーム４７の長辺に対し、幅広とされており、固定電極４５，４６の連結部４５ａ，４５ｂ及び４６ａ，４６ｂは上部フレーム４４の下に位置し、酸化膜１２を介して上部フレームの長辺に接合されている。なお、上部フレーム４４の一方の長辺及びその下に位置する連結部４５ｂ，４６ｂは他方の長辺及びその下に位置する連結部４５ａ，４６ａより幅広とされており、この幅広の上部フレーム４４の長辺には窓４９が２つ設けられている。固定電極４５，４６の一方の連結部４５ｂ，４６ｂはこの窓４９部分において外部に露出する。この露出部分はリード線（図示せず）の接続箇所とされる。
【００４１】
一方、２つの固定部４１は酸化膜１２を介して搭載部４５ｅ，４６ｅとそれぞれ接合されており、これにより固定部４１はハンドル層１１に固定されている。上部フレーム４４の枠内において２つの固定部４１が位置する部分以外の酸化膜１２は全て除去されており、これにより、可動電極４３の電極部４３ａと固定電極４５，４６の電極部４５ｃ，４６ｃは酸化膜１２の厚さ分の間隙を介して対向されている。なお、可動電極４３の電極部４３ａと固定電極４５，４６の電極部４５ｃ，４６ｃとは幅が等しくされており、図８に示した従来の静電容量型加速度センサ２０と同様、互いの幅の半分が重なって対向するようにずれて位置され、かつ電極部４５ｃと４６ｃは電極部４３ａに対し、Ｘ方向において互いに逆方向にずれて位置されている。
【００４２】
上記のような構成とされた静電容量型加速度センサ４０は従来と同様、接着剤により接着固定されて基板上に実装される。この際、下部フレーム４７を全周に渡って接着固定してもよいが、この例では接着固定箇所を限定し、図３中にＣ１，Ｃ２で示したように下部フレーム４７の長辺の各中点とする。これにより、基板との熱膨張係数の差により温度変化によって基板から受ける応力（外部応力）が作用する方向はＣ１点とＣ２点を結ぶ直線の方向（長辺を２分する中心線の方向）に限定される。図４中、５１は基板を示し、５２は接着剤を示す。なお、接着固定箇所の径が大きくなると、Ｃ１点とＣ２点を結ぶ直線の方向以外の方向の応力が大きくなるので、接着径は強度を維持できる最小の径にすることが望ましい。
【００４３】
次に、上述した静電容量型加速度センサ４０の構成及び実装構造において、外部から応力が加わった時の動作について説明する。
【００４４】
下部フレーム４７に例えば外部から圧縮応力が加わったとする。圧縮応力はＣ１点とＣ２点を結ぶ直線の方向に作用する。下部フレーム４７と上部フレーム４４は接合されているので、両フレーム４７，４４ともに両端から圧縮応力が働く。下部フレーム４７の長辺は上部フレーム４４の長辺より幅狭とされ、上部フレーム４４の幅広の長辺には溝４８を挟んで下部フレーム４７と固定電極４５，４６の連結部（４５ａ，４５ｂ及び４６ａ，４６ｂ）が接合されている。従って、上部フレーム４４に比べると、溝４８を挟んでいる下部フレーム４７と連結部は見かけ上、ヤング率が低く、応力に対して圧縮しやすい。上部フレーム４４は下部フレーム４７及び連結部との接合面に近いほど、圧縮度合いが大きくなり、つまり下側が縮み、上側が延びるように湾曲する。これにより、図５に示したように固定電極４５，４６は基板５１側に凸に湾曲変形する。
【００４５】
この例では固定電極４５，４６は上述したように湾曲変形するものとなっており、つまり固定電極４５，４６に圧縮荷重は作用しないので、固定電極４５，４６の細幅とされた電極部４５ｃ，４６ｃが座屈することはない。
【００４６】
図６は下部フレーム４７に圧縮応力を加えた時の変形の様子をシミュレーションにより求めた結果を示したものである。シミュレーションにはＣＯＳＭＯＳＷｏｒｋｓ２００８（Solid Works社製）を用いた。下部フレーム４７の片側を固定し、反対側の下部フレーム４７に１Ｎ／ｍ２を加えた。最も中央にある固定電極４５，４６の変位量（単位：ｍ）を下記に示す。
【００４７】
＜水平方向＞        ＜垂直方向＞
・固定電極４５ … −3.82×１０−１５ ，1.88×１０−１３
・固定電極４６ …   4.39×１０−１５ ，1.87×１０−１３
垂直方向への変位は水平方向の５０倍であり、水平方向よりも垂直方向に動きやすくなっていることがわかる。なお、垂直方向の変位量は左右の固定電極４５，４６で同量であった。
【００４８】
一方、支持梁４２は上部フレーム４４に連結支持されるのではなく、上部フレーム４４と分離されて上部フレーム４４の枠内に位置する固定部４１に連結支持されているため、上部フレーム４４に外部から応力が加わったとしても、支持梁４２には応力は加わらず、よって圧縮応力が加わって支持梁４２が座屈するといった現象は発生しない。同様に、可動電極４３の細幅とされた電極部４３ａにも座屈は発生しない。
【００４９】
また、上述したように基板５１への接着固定箇所を下部フレーム４７の長辺の各中点Ｃ１，Ｃ２とすれば、下部フレーム４７にかかる応力はＣ１点とＣ２点を結ぶ直線に対し、左右対称にすることができる。一方、ハンドル層１１とデバイス層１３の各構成は上述したようにＣ１点とＣ２点を結ぶ直線（中心線）に対し、対称に構成されている。よって、両固定電極４５，４６の変形の仕方を同一形状にすることができる。同一形状で変形すれば、変形した時の静電容量変化を２つの固定電極４５，４６で同一にすることができる。固定電極４５側の静電容量と固定電極４６側の静電容量を差動で検出すれば、変形による静電容量変化をキャンセルすることができ、例えば回路によるオフセット調整なしで出力の変動を抑えることができる。
【００５０】
図７は上記のような構成を有する静電容量型加速度センサ４０の作製方法を示したものであり、以下、作製方法を工程順に説明する。なお、図７は図１におけるＡ−Ａ線断面を示している。
（１）ＳＯＩウエハ１０を用意する。ＳＯＩウエハ１０はハンドル層１１及びデバイス層１３の厚さがそれぞれ１５０μｍ、酸化膜１２の厚さが３μｍのものを用いた。
（２）デバイス層１３上に可動部側のパターンをフォトリソグラフィで形成し、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ：深掘りの反応性イオンエッチング）でエッチングして所要の構造物を作製する。
（３）ハンドル層１１側にも同様にパターンを形成し、ＤＲＩＥでエッチングして所要の構造物を作製する。
（４）フッ酸で可動電極４３と固定電極４５，４６間の酸化膜１２がなくなるまでエッチングする。
（５）出来上がったセンサ素子をダイシングし（図７では全てダイシングされた状態として示している。）、静電容量型加速度センサ４０を基板５１上に接着剤５２で接着固定して実装する。静電容量型加速度センサ４０の全体の大きさは６ｍｍ×７ｍｍとした。
【００５１】
なお、搭載部４５ｅ，４６ｅと固定部４１間、上部フレーム４４と下部フレーム４７及び連結部４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ間のようにデバイス層１３とハンドル層１１が接続固定されている部分は酸化膜１２を残すためにエッチング量より十分大きな幅（２００μｍ以上）をとった。支持梁４２の寸法は幅１０μｍ、長さ１ｍｍ、高さ１５０μｍとした。
【符号の説明】
【００５２】
１０  ＳＯＩウエハ                    １１  第１のシリコン層（ハンドル層）
１２  酸化膜                          １３  第２のシリコン層（デバイス層）
２０  静電容量型加速度センサ          ２１  枠体
２２  可動電極                        ２２ａ  貫通穴
２２ｂ  電極                          ２３  支持梁
２４，２５  固定電極                  ２４ａ，２５ａ  貫通穴
２４ｂ，２５ｂ  電極                  ２６  溝
２７，２８  引き出し電極              ３１  基板
３２  接着剤                          ４０  静電容量型加速度センサ
４１  固定部                          ４２  支持梁
４３  可動電極                        ４３ａ  電極部
４３ｂ  アーム部                      ４４  上部フレーム
４５，４６  固定電極                  ４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ  連結部
４５ｃ，４６ｃ  電極部                ４５ｄ，４６ｄ  アーム部
４５ｅ，４６ｅ  搭載部                ４５ｆ，４６ｆ  支持部
４７  下部フレーム                    ４８  溝
４９  窓                              ５１  基板
５２  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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