(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する、基板を支持するための基板テーブルを提供するステップであって、前記第１の反射部材は前記基板テーブルの平面の第１の軸に略垂直であり、前記第２の反射部材は前記基板テーブルの平面の第２の軸に略垂直であり、前記第１の軸は前記第２の軸に略垂直である、ステップと、
前記基板テーブルを、第１の位置と第２の位置の間で、前記第１および第２の反射部材の平面に対して傾斜している経路に沿って移動させるステップと、
前記第１の位置と前記第２の位置の間での前記基板テーブルの移動中に、前記第１および第２の軸と略垂直な第３の軸周りで、前記第１の反射部材上の複数の異なる点で前記第１の反射部材の表面の第１の局所的な有効回転を測定するように前記第１の反射部材からの放射を反射させ、前記第３の軸周りで前記第２の反射部材上の複数の異なる点でも前記第２の反射部材の表面の第２の局所的な有効回転を測定するように前記第２の反射部材からの放射を反射させるステップと、
前記第１の局所的な有効回転の測定値の計算平均値と前記第２の局所的な有効回転の測定値の計算平均値との差、または前記第１および第２の局所的な有効回転の前記測定値の対応する対の間の平均差を計算することによって、前記第１の反射部材と前記第２の反射部材の間に画定された角度のシフトの予測値を導出するステップと、を含む、
リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法。
【請求項２】
前記導出するステップでは、前記計算平均値は、前記第１の位置と前記第２の位置の間の前記基板の移動中に行われる前記第１および第２の局所的な有効回転の測定密度を考慮して導かれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記測定密度は、前記平均値を計算する場合に、問題の前記反射部材の表面上の前記対応する点で行われる空間的な前記測定密度により、前記第１および第２の局所的な有効回転の個別の測定に加重を加えることによって考慮される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
より高い測定密度の領域で行われる測定より、高い加重が比較的低い測定密度の領域で行われる測定に与えられる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記導出するステップとほぼ同時に、前記基板および基板テーブル上のアライメントマークを測定して、前記基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定するように前記第１の位置から第２の位置までの前記基板テーブルの移動が使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
それぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する、基板を支持するための基板テーブルを提供するステップであって、前記第１の反射部材は前記基板テーブルの平面の第１の軸に略垂直であり、前記第２の反射部材は前記基板テーブルの平面の第２の軸に略垂直であり、前記第１の軸は前記第２の軸に略垂直である、ステップと、
前記基板テーブルを、第１の位置と第２の位置の間で、前記第１および第２の反射部材の平面に対して傾斜している経路に沿って移動させるステップと、
前記第１の位置と前記第２の位置の間での前記基板テーブルの移動中に、前記第１および第２の軸と略垂直な第３の軸周りで、前記第１の反射部材上の複数の異なる点で前記第１の反射部材の表面の第１の局所的な有効回転を測定するように前記第１の反射部材からの放射を反射させ、前記第３の軸周りで前記第２の反射部材上の複数の異なる点でも前記第２の反射部材の表面の第２の局所的な有効回転を測定するように前記第２の反射部材からの放射を反射させるステップと、
前記第１の局所的な有効回転の測定値の計算平均値と前記第２の局所的な有効回転の測定値の計算平均値との差、または前記第１および第２の局所的な有効回転の前記測定値の対応する対の間の平均差を計算することによって、前記第１の反射部材と前記第２の反射部材の間の角度のシフトの予測値を導出するステップと、
パターニングデバイスによってパターニングされ、投影システムによって投影された放射ビームでの前記基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対する前記基板テーブルの移動を制御するように前記シフトの前記予測値を使用するステップであって、前記リソグラフィ装置は前記露光中に、前記基板テーブルの位置を監視および制御するように前記第１および第２の反射部材から反射された放射を使用するように構成されているステップと、を含む、
デバイス製造方法。
【請求項７】
基板を支持する基板テーブルと、
前記基板テーブルのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材であって、前記第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸に略垂直であり、前記第２の反射部材は前記基板テーブルの平面の第２の軸に略垂直であり、前記第１の軸は前記第２の軸に略垂直である部材と、
前記基板テーブルを、第１の位置と第２の位置の間で、前記第１および第２の反射部材の平面に対して傾斜している経路に沿って移動させる基板テーブル変位デバイスと、
前記第１の位置と前記第２の位置の間の前記基板テーブルの移動中に、前記第１の反射部材からの放射を反射させて、前記第１および第２の軸と略垂直な第３の軸周りで、前記第１の反射部材上の複数の異なる点で前記第１の反射部材の表面の第１の局所的な有効回転を測定する第１の干渉計と、
前記移動中に、前記第２の反射部材からの放射を反射させて、前記第３の軸周りで、前記第２の反射部材上の複数の異なる点で前記第２の反射部材の表面の第２の局所的な有効回転を測定する第２の干渉計と、
前記第１の局所的な有効回転の測定値の計算平均値と前記第２の局所的な有効回転の測定値の計算平均値との差、または前記第１および第２の局所的な有効回転の前記測定値の対応する対の間の平均差を計算することによって、前記第１の反射部材と前記第２の反射部材の間に画定された角度のシフトの予測値を導出するミラーアラインメントディテクタと、を備えた、
リソグラフィ装置。
【請求項８】
基板を支持する基板テーブルを提供するステップであって、前記基板テーブルはそのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を備えている、ステップと、
前記基板テーブルを、第１の位置と第２の位置の間で、前記第１および第２の反射部材の平面に対して傾斜している経路に沿って移動させるステップと、
前記第１の位置と前記第２の位置の間の前記基板テーブルの移動中に、前記基板テーブル上の知られている位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、前記基板と前記基板テーブルの間の空間的関係のマップを導出するステップと、
前記移動中に、前記第１および第２の反射部材からの放射を反射させ、そこから互いに対する前記第１および第２の反射部材の形状および方向の少なくとも１つを導出するステップと、を含む、
リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法。
【請求項９】
基板を支持する基板テーブルを提供するステップであって、前記基板テーブルはそのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を備えている、ステップと、
前記基板テーブルを、第１の位置と第２の位置の間で、前記第１および第２の反射部材の平面に対して傾斜している経路に沿って移動させるステップと、
前記第１の位置と前記第２の位置の間の前記基板テーブルの移動中に、前記基板テーブル上の知られている位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、前記基板と前記基板テーブルの間の空間的関係のマップを導出するステップと、
前記移動中に、前記第１および第２の反射部材からの放射を反射させ、そこから互いに対する前記第１および第２の反射部材の形状および方向の少なくとも１つを導出するステップと、
パターニングデバイスによってパターニングされ、投影システムによって投影された放射ビームでの前記基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対する前記基板テーブルの移動を制御するように前記第１および第２の反射部材の前記導いた形状および／または方向を使用するステップであって、前記リソグラフィ装置は前記露光中に、前記基板テーブルの位置を監視および制御するように前記第１および第２の反射部材から反射された放射を使用する、ステップと、を含む、
デバイス製造方法。
【請求項１０】
基板を支持する基板テーブルと、
前記基板テーブルのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材と、
前記基板テーブルを、第１の位置と第２の位置の間で、前記第１および第２の反射部材の平面に対して傾斜している経路に沿って移動させる基板テーブル変位デバイスと、
前記第１の位置と第２の位置の間の前記テーブルの移動中に、基板テーブル上の知られている位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、前記基板と前記基板テーブルの間の空間的関係のマップを導出する、基板から基板テーブルまでのアライメントデバイスと、
前記移動中に、前記第１および第２の反射部材からの放射を反射させ、そこから互いに対する前記第１および第２の反射部材の形状および方向の少なくとも１つを導出するミラー外乱ディテクタと、を備えた、
リソグラフィ装置。
【請求項１１】
その側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材で基板を支持する基板テーブルを提供するステップであって、前記第１の反射部材は前記基板テーブルの平面の第１の軸に略垂直であり、前記第２の反射部材は前記基板テーブルの平面の第２の軸に略垂直であり、前記第１の軸は前記第２の軸に略垂直である、ステップと、
前記第１の軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、前記第１の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように第１の干渉計を配置するステップと、
前記第２の軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、前記第２の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように第２の干渉計を配置するステップと、
前記第１および第２の軸と略垂直である第３の軸に対して前記局所化した部分の第１の局所回転をさらに測定するように前記第１の干渉計を配置するステップと、
前記第３の軸に対して前記局所化した部分の第２の局所回転をさらに測定するように前記第２の干渉計を配置するステップと、
前記第１および第２の軸両方に対して傾斜している傾斜経路に沿って前記基板テーブルを移動させ、前記傾斜経路に沿った前記基板テーブルの移動中に、前記第１および第２の反射部材の形状に関する情報を導出するために、前記傾斜経路に沿った異なる点で前記第１および第２の局所的な有効回転の一式の測定を記録するステップであって、前記傾斜経路に沿った前記移動中に、前記基板テーブルが少なくとも０．５ｍ／ｓの速度に到達するステップと、を含む、
リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法。
【請求項１２】
その側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する、基板を支持する基板テーブルを提供するステップであって、前記第１の反射部材は前記基板テーブルの平面の第１の軸に略垂直であり、前記第２の反射部材は前記基板テーブルの平面の第２の軸に略垂直であり、前記第１の軸は前記第２の軸に略垂直であるステップと、
前記第１軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、前記第１の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるのに第１の干渉計を使用するステップと、
前記第２軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、前記第２の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるのに第２の干渉計を使用するステップと、
前記第１および第２の軸に略垂直である第３の軸に対して前記局所化した部分の第１の局所回転をさらに測定するのに、前記第１の干渉計を使用するステップと、
前記第３の軸に対して前記局所化した部分の第２の局所回転をさらに測定するのに、前記第２の干渉計を使用するステップと、
前記第１および第２の軸両方に対して傾斜している傾斜経路に沿って前記基板テーブルを移動させ、前記傾斜経路に沿った前記基板テーブルの移動中に、前記第１および第２の反射部材の形状に関する情報を導出するために、前記傾斜経路に沿った異なる点で前記第１および第２の局所的な有効回転の一式の測定を記録するステップであって、前記傾斜経路に沿った前記移動中に、前記基板テーブルが少なくとも０．５ｍ／ｓの速度に到達するステップと、
パターニングデバイスによってパターニングされ、パターニングデバイスから投影システムによって投影された放射ビームへの前記基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対する前記基板テーブルの移動を制御するように前記第１の反射部材の形状に関する前記情報を使用するステップであって、前記リソグラフィ装置は前記露光中の前記基板テーブルの位置を監視および制御するため前記第１および第２の反射部材から反射された放射を使用する、ステップと、を含む、
デバイス製造方法。
【請求項１３】
基板を支持するように配置され、その側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する基板テーブルであって、前記第１の反射部材は前記基板テーブルの平面の第１の軸に略垂直であり、前記第２の反射部材は前記基板テーブルの平面の第２の軸に略垂直であり、前記第１の軸は前記第２の軸に略垂直である、基板テーブルと、
前記第１の軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、前記第１の反射部材の局所化した表面部からの光を反射させる第１の干渉計と、
前記第２の軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、前記第２の反射部材の局所化した表面部から光を反射させる第２の干渉計と、を備え、
前記第１の干渉計は、前記第１および第２の軸に略垂直な第３の軸に対して前記局所化した部分の第１の局所回転をさらに測定し、
前記第２の干渉計は、前記第３の軸に対して局所化した部分の第２の局所回転をさらに測定し、
前記リソグラフィ装置は、（ａ）前記第１および第２の軸両方に対して傾斜している傾斜経路に沿って前記基板テーブルを移動させ、前記傾斜経路に沿った前記基板テーブルの移動中に、（ｂ）前記第１および第２の反射部材の形状に関する情報を導出するために、前記傾斜経路に沿った異なる点での前記第１および第２の局所的な有効回転の一式の測定を記録するように構成されており、前記傾斜経路に沿った移動中、前記基板テーブルは少なくとも０．５ｍ／ｓの速度に到達する、
リソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影する投影システムと、
基板を支持する基板テーブルであって、前記基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定することができる測定ステーションから、前記パターニングデバイスからのパターンが基板上に投影される露光ステーションまで移動可能である、基板テーブルと、
前記基板テーブルの両側に、互いにほぼ平行に形成された第１および第２の反射部材と、
前記基板テーブルが前記測定ステーションにある間に第１の軸に対する前記基板テーブルの位置を測定するために、前記第１の反射部材からの光を反射させる第１の干渉計と、
前記基板テーブルが前記露光ステーションにある間に前記第１の軸に対する前記基板テーブルの位置を測定するために、前記第２の反射部材からの光を反射させる第２の干渉計と、を備え、
複数のアライメントマークが、前記第２の反射部材に密接して、それとの知られている空間的関係で前記基板テーブルの上表面に形成されており、
前記リソグラフィ装置はさらに、前記第１の反射部材を使用して前記測定ステーションで前記アライメントマークの位置を測定し、前記第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を測定する測定システムを備えている、
リソグラフィ装置。
【請求項１５】
基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影する投影システムを提供するステップと、
基板を支持する基板テーブルであって、前記基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定することができる測定ステーションから、前記パターニングデバイスからのパターンが基板上に投影される露光ステーションまで移動可能である基板テーブルを提供するステップと、
前記基板テーブルの両側に、互いにほぼ平行に形成された第１および第２の反射部材を提供するステップと、
前記基板テーブルが前記測定ステーションにある間に第１の軸に対する前記基板テーブルの位置を測定するために、前記第１の反射部材からの光を反射させる第１の干渉計を提供するステップと、
前記基板テーブルが前記露光ステーションにある間に前記第１の軸に対する前記基板テーブルの位置を測定するために、前記第２の反射部材からの光を反射させる第２の干渉計を提供するステップと、
前記第２の反射部材に密接して、それとの知られている空間的関係で前記基板テーブルの上表面に複数のアライメントマークを提供するステップと、
前記基板テーブルが前記測定ステーションにある間に前記第１の反射部材を使用して前記アライメントマークの位置を測定し、それによって前記第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を測定するステップと、を含む、
リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法。
【請求項１６】
基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影する投影システムを提供するステップと、
基板を支持する基板テーブルであって、前記基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定することができる測定ステーションから、前記パターニングデバイスからのパターンが基板上に投影される露光ステーションまで移動可能である基板テーブルを提供するステップと、
前記基板テーブルの両側に、互いにほぼ平行に形成された第１および第２の反射部材を提供するステップと、
前記基板テーブルが前記測定ステーションにある間に第１の軸に対する前記基板テーブルの位置を測定するために、前記第１の反射部材からの光を反射させる第１の干渉計を提供するステップと、
前記基板テーブルが前記露光ステーションにある間に前記第１の軸に対する前記基板テーブルの位置を測定するために、前記第２の反射部材からの光を反射させる第２の干渉計を提供するステップと、
前記第２の反射部材に密接して、それとの知られている空間的関係で前記基板テーブルの上表面に複数のアライメントマークを提供するステップと、
前記基板テーブルが前記測定ステーションにある間に前記第１の反射部材を使用して前記アライメントマークの位置を測定し、それによって前記第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を測定するステップと、
前記基板の後の露光中に、前記露光ステーションで前記基板テーブルの移動を制御するように、前記第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を使用するステップと、を含む、
デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法、およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。この例では、別の方法では、マスク／レチクル、または適用可能な場合、プログラマブルミラーアレイと言われる、パターニングデバイスを使用して、ＩＣの個別の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層上への結像によるものである。一般に、単一の基板は連続してパターニングされた隣接したターゲット部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置は、一度にターゲット部分上にパターン全体を露光することによって各ターゲット部分が放射されるいわゆるステッパと、放射ビームを通してパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンし、基板をこの方向と平行または非平行に同時にスキャンすることによって、各ターゲット部分が放射されるいわゆるスキャナとを備えている。また、パターンを基板上に押印することによって、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することが可能である。
【０００３】
[0003] リソグラフィ投影装置内の基板を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水に浸して、投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填することが提案されてきた。この点は、露光放射が液体中でより短い波長を有するので、より小さなフィーチャの結像を可能にすることである（液体の効果はまた、システムの有効ＮＡを大きくし、焦点深さを大きくするものと考えることができる。）。固体粒子（例えば、クォーツ）が中に懸濁された水を含む、他の液浸液も提案されてきた。
【０００４】
[0004] しかし、基板または基板および基板テーブルを液体槽に液浸すること（例えば、全体を参照として援用する、米国特許第４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速された大きな液体本体があることを意味する。これは、液体中の追加のまたはより強力なモータおよび乱流を必要とし、望ましくないおよび予測できない影響につながる可能性がある。
【０００５】
[0005] 提案された解決法の１つは、液体制限システムを使用して、液体供給システムが基板の局部領域のみに、また投影システムの最終要素と基板の間に液体を供給することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きな表面積を有する）。このために配置するように提案された１つの方法は、国際公開公報ＷＯ９９／４９５０４号に開示されており、ここで全体を参照として援用する。図２および３に示すように、液体は基板上の少なくとも１つの入口ＩＮによって、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって取り除かれる。すなわち、基板が要素の下で−Ｘ方向にスキャンされると、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取られる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に連結された出口ＯＵＴによって要素のもう一方側で取られる、略図的な配置を示している。図２の図では、液体は最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、これはこのようである必要はない。最終要素の周りに位置決めされた入口および出口の様々な方向および数が可能であり、両側に出口を備えた４セットの入口が最終要素の周りに矩形パターンで提供される一例が図３に示されている。
【０００６】
[0006] 提案された別の解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。このような解決法が図４に示されている。シール部材は、これを通してＺ方向（光軸の方向）のいくつかの相対移動があるＸＹ平面の投影システムに対してほぼ固定されている。シールは、シール部材と基板の表面の間に形成される。シールは、ガスシールなどの非接触シールであることが好ましい。ガスシールを備えたこのようなシステムは、ヨーロッパ特許ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されており、この全体を参照として本明細書に援用する。
【０００７】
[0007] 全体を本明細書に参照として援用するヨーロッパ特許ＥＰ−Ａ−１，４２０，３００号では、二重またはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのステージを備えている。レベリング測定は液浸液なしで第１の位置においてステージで行われ、露光は液浸液が存在する第２の位置においてステージで行われる。２つのステージを設けることにより、レベリング測定および露光を同時に行うことが可能である。別の方法では、装置は１つのステージのみ備える。
【０００８】
[0008] 露光中の基板の位置は、各ミラー用のディテクタ内の基準点と対応するミラー表面の一部の間の距離を測定する干渉分光法を使用して、基板テーブルの横表面に形成されたミラー（また、反射部材とも言う）からの放射を反射させることによって光学的に測定することができる。ミラー表面の外乱は、基板位置の測定の誤差につながり、これがオーバーレイ誤差につながる可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
[0009] ミラー表面の外乱を補償することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
[0010] 本発明の一実施形態によると、基板上にパターニングデバイスからパターンを投影するように配置された投影システムと、基板を支持するように構成され、その側方側に形成された少なくとも１つの反射エレメントまたは反射部材を有する基板テーブルと、投影システムに対して基板テーブルを移動させることが可能な基板テーブル変位デバイスと、基板テーブルの少なくとも一部の温度を測定するように構成された基板テーブル温度監視システムまたは基板テーブル温度モニタと、基板テーブル温度監視システムによって測定された温度を使用して、少なくとも１つの反射エレメントの位置、方向または形状の少なくとも１つの熱誘導シフトを予測するように構成された外乱測定デバイスまたは外乱ディテクタと、少なくとも１つの反射エレメントからの放射を反射させ、外乱測定デバイスによって予測された少なくとも１つの反射エレメントの性状のシフトを考慮することによって、基板テーブルの位置を測定するように配置された基板テーブル位置測定デバイスまたは基板テーブル位置ディテクタと、所定の経路に沿って基板テーブルを移動させるために基板テーブル変位デバイスに制御信号を供給するように配置された制御システムであって、制御信号は基板テーブル位置測定デバイスによって測定された基板テーブルの位置に対する基準によって測定される制御システムとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0011] 本発明の代替実施形態によると、基板を支持し、その側方側に形成された少なくとも１つの反射エレメントを有する基板テーブルを提供するステップと、投影システムに対して基板テーブルを移動させることが可能な基板テーブル変位デバイスを提供するステップと、基板テーブルの少なくとも一部の温度を測定するステップと、測定した温度を使用して少なくとも１つの反射エレメントの位置、方向および形状の少なくとも１つの熱誘導シフトを予測するステップと、少なくとも１つの反射エレメントからの放射を反射させ、少なくとも１つの反射エレメントの性状の測定したシフトを考慮することによって基板テーブルの位置を測定するステップと、基板テーブル変位デバイスを使用して所定の経路に沿って基板テーブルを移動させるように制御システムを使用するステップであって、制御システム用の制御信号は少なくとも１つの反射エレメントの性状の予測したシフトを考慮して測定された基板テーブルの位置に対する基準によって測定されるステップとを含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１２】
[0012] 本発明の代替実施形態によると、そのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する、基板を支持するための基板テーブルを提供するステップであって、第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸Ｘに略垂直であり、第２の反射部材は基板テーブルの平面の第２の軸Ｙに略垂直であるステップと、基板テーブルを第１の位置と第２の位置の間で移動させるステップと、移動中に、ＸおよびＹ軸と垂直な第３の軸Ｚ周りで、第１の反射エレメント上の複数の異なる点で第１の反射エレメントの表面の第１の局所的な有効回転を測定するように第１の反射エレメントからの放射を反射させ、Ｚ軸周りで第２の反射エレメント上の複数の異なる点でも第２の反射エレメントの表面の第２の局所的な有効回転を測定するように第２の反射エレメントからの放射を反射させるステップと、第１の局所的な有効回転の測定値の計算平均値と第２の局所的な有効回転の測定値の計算平均間の差、または第１および第２の局所的な有効回転の測定値の対応する対の間の中間差を計算することによって、第１のリフレクタと第２のリフレクタの間の角度のシフトの予測値を導出するステップとを含む、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法が提供される。
【００１３】
[0013] 本発明の代替実施形態によると、そのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する、基板を支持するための基板テーブルを提供するステップであって、第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸Ｘに略垂直であり、第２の反射部材は基板テーブルの平面の第２の軸Ｙに略垂直であるステップと、基板テーブルを第１の位置と第２の位置の間で移動させるステップと、移動中に、ＸおよびＹ軸と垂直な第３の軸Ｚ周りで、第１の反射エレメント上の複数の異なる点で第１の反射エレメントの表面の第１の局所的な有効回転を測定するように第１の反射エレメントからの放射を反射させ、Ｚ軸周りで第２の反射エレメント上の複数の異なる点でも第２の反射エレメントの表面の第２の局所的な有効回転を測定するように第２の反射エレメントからの放射を反射させるステップと、パターニングデバイスから投影システムによって投影されたパターニングされた放射ビームへの基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対して基板テーブルの移動の制御のシフトの予測値を使用するステップであって、リソグラフィ装置は露光中に基板テーブルの位置を監視および制御するように第１および第２の反射部材から反射された放射を使用するように構成されたステップとを含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１４】
[0014] 本発明の代替実施形態によると、基板を支持する基板テーブルと、基板テーブルのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材であって、第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸Ｘに略垂直であり、第２の反射部材は基板テーブルの平面の第２の軸Ｙに略垂直である部材と、基板テーブルを第１の位置と第２の位置の間で移動させるように配置された基板テーブル変位デバイスと、移動中に、第１の反射エレメントからの放射を反射させて、ＸおよびＹ軸と垂直な第３の軸Ｚ周りで、第１の反射エレメント上の複数の異なる点で第１の反射エレメントの表面の第１の局所的な有効回転を測定するように配置された第１の干渉計と、移動中に、第２の反射エレメントからの放射を反射させて、Ｚ軸周りで、第２の反射エレメント上の複数の異なる点で第２の反射エレメントの表面の第２の局所的な有効回転を測定するように配置された第２の干渉計と、第１の局所的な有効回転の測定値の計算平均値と第２の局所的な有効回転の測定値の計算平均間の差、または第１および第２の局所的な有効回転の測定値の対応する対の間の中間差を計算することによって、第１のリフレクタと第２のリフレクタの間の角度のシフトの予測値を導くように配置されたミラーアラインメント測定デバイスとを備えた、リソグラフィ装置が提供される。
【００１５】
[0015] 本発明の代替実施形態によると、基板テーブル、および基板テーブルによって支持された基板を提供するステップであって、基板テーブルはそのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の反射部材を備えているステップと、基板テーブルを第１の位置と第２の位置の間で移動させるステップと、移動中に、基板テーブル上に知られている位置に対する基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、基板と基板テーブルの間の空間的関係のマップを導くステップと、移動中に、第１および第２の反射部材からの放射を反射させ、そこから互いに対するその形状および方向の少なくとも１つを導くステップとを含む、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法が提供される。
【００１６】
[0016] 本発明の代替実施形態によると、基板テーブル、および基板テーブルによって支持された基板を提供するステップであって、基板テーブルはそのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の反射部材を備えているステップと、基板テーブルを第１の位置と第２の位置の間で移動させるステップと、移動中に、基板テーブル上に知られている位置に対する基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、基板と基板テーブルの間の空間的関係のマップを導くステップと、移動中に、第１および第２の反射部材からの放射を反射させ、そこから互いに対するその形状および方向の少なくとも１つを導くステップと、パターニングデバイスから投影システムによって投影されたパターニングされた放射ビームへの基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対して基板テーブルの移動の制御の際に第１および第２の反射部材の互いに対する形状および方向の導いた少なくとも１つを使用するステップであって、リソグラフィ装置は露光中の基板テーブルの位置を監視および制御するため第１および第２のリフレクタから反射された放射を使用するように構成されたステップとを含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１７】
[0017] 本発明の代替実施形態によると、基板を支持するように配置された基板テーブルと、基板テーブルのそれぞれの側方側に形成された第１および第２の反射部材と、基板テーブルを第１の位置と第２の位置の間で移動させるように配置された基板テーブル変位デバイスと、移動中に、基板テーブル上に知られている位置に対する基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、基板と基板テーブルの間の空間的関係のマップを導くように構成された基板から基板テーブルまでのアライメントデバイスと、移動中に、第１および第２の反射部材からの放射を反射させ、そこから互いに対するその形状および方向の少なくとも１つを導くように配置されたミラー外乱測定デバイスとを備えた、リソグラフィ装置が提供される。
【００１８】
[0018] 本発明の代替実施形態によると、その側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材で基板を支持する基板テーブルを提供するステップであって、第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸Ｘに略垂直であり、第２の反射部材は基板テーブルの平面の第２の軸Ｙに略垂直であるステップと、Ｘ軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、第１の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように第１の干渉計を配置するステップと、Ｙ軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、第２の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように第２の干渉計を配置するステップと、第３の軸Ｚに対して局所化した部分の第１の局所回転も測定するように第１の干渉計を配置するステップと、Ｚ軸に対して局所化した部分の第２の局所回転も測定するように第２の干渉計を配置するステップと、第２の干渉計の出力に対する基準によってほぼＸ軸に沿って基板テーブルを移動させ、第２の反射部材の形状に関する情報を導くために、移動中に移動に沿った異なる点で第１および第２の局所的な有効回転の一式の測定を記録するステップであって、Ｘに沿った移動中に、基板テーブルが少なくとも０．５ｍ／ｓに到達するステップとを含む、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法が提供される。
【００１９】
[0019] 本発明の代替実施形態によると、その側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する、基板を支持するための基板テーブルを提供するステップであって、第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸Ｘに略垂直であり、第２の反射部材は基板テーブルの平面の第２の軸Ｙに略垂直であるステップと、Ｘ軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、第１の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように第１の干渉計を配置するステップと、Ｙ軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、第２の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように第２の干渉計を配置するステップと、第３の軸Ｚに対して局所化した部分の第１の局所回転も測定するように第１の干渉計を配置するステップと、Ｚ軸に対して局所化した部分の第２の局所回転も測定するように第２の干渉計を配置するステップと、第２の干渉計の出力に対する基準によってほぼＸ軸に沿って基板テーブルを移動させ、第２の反射部材の形状に関する情報を導くために、移動中に移動に沿った異なる点で第１および第２の局所的な有効回転の一式の測定を記録するステップであって、Ｘに沿った移動中に、基板テーブルが少なくとも０．５ｍ／ｓに到達するステップと、パターニングデバイスから投影システムによって投影されたパターニングされた放射ビームへの基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対して基板テーブルの移動の制御の際に第１の反射部材の形状に関する情報を使用するステップであって、リソグラフィ装置は露光中の基板テーブルの位置を監視および制御するため第１および第２のリフレクタから反射された放射を使用するように構成されたステップとを含む、デバイス製造方法が提供される。
【００２０】
[0020] 本発明の代替実施形態によると、基板を支持するように配置され、その側方側に形成された第１および第２の略平面の反射部材を有する基板テーブルであって、第１の反射部材は基板テーブルの平面の第１の軸Ｘに略垂直であり、第２の反射部材は基板テーブルの平面の第２の軸Ｙに略垂直である基板テーブルと、Ｘ軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、第１の反射部材の局所化した表面部からの光を反射させるように構成された第１の干渉計と、Ｙ軸に沿って局所化した表面部の位置を測定するように、第２の反射部材の局所化した表面部から光を反射させるように構成された第２の干渉計とを備えたリソグラフィ装置が提供され、第１の干渉計は第３の軸Ｚに対して局所化した部分の第１の局所回転も測定するように構成されており、第２の干渉計はＺ軸に対して局所化した部分の第２の局所回転も測定するように構成されており、リソグラフィ装置は、第２の干渉計の出力に対する基準によってほぼＸ軸に沿って基板テーブルを移動させ、移動中に、第２の反射部材の形状に関する情報を導くために移動に沿った異なる点での第１および第２の局所的な有効回転の一式の測定を記録するように構成されており、Ｘに沿った移動中、基板テーブルは少なくとも０．５ｍ／ｓの速度に到達する。
【００２１】
[0021] 本発明の代替実施形態によると、基板を支持するように配置された基板テーブルであって、基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定することができる測定ステーションから、パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影することができる露光ステーションまで移動可能である基板テーブルと、基板テーブルの両側に、互いにほぼ平行に形成された第１および第２の反射部材と、基板テーブルが測定ステーションにある間に第１の軸に対する基板テーブルの位置を測定するために第１の反射部材からの光を反射させるように配置された第１の干渉計と、基板テーブルが露光ステーションにある間に第１の軸に対する基板テーブルの位置を測定するために第２の反射部材からの光を反射させるように配置された第２の干渉計とを備えた、基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影するように配置された投影システムを含むリソグラフィ装置が提供され、複数のアライメントマークが第２の反射部材に密接して、それとの知られている空間的関係で基板テーブルの上表面に形成されており、リソグラフィ装置はさらに、第１の反射部材を使用して測定ステーションでアライメントマークの位置を測定し、それによって第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を測定するように配置された測定システムを備えている。
【００２２】
[0022] 本発明の代替実施形態によると、基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影する投影システムを提供するステップと、基板を支持し、基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定することができる測定ステーションから、パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影することができる露光ステーションまで移動可能である基板テーブルを提供するステップと、基板の両側に、互いにほぼ平行に形成された第１および第２の反射部材を提供するステップと、基板テーブルが測定ステーションにある間に第１の軸に対する基板テーブルの位置を測定するために第１の反射部材からの光を反射させるように配置された第１の干渉計を提供するステップと、基板テーブルが露光ステーションにある間に第１の軸に対する基板テーブルの位置を測定するために第２の反射部材からの光を反射させるように配置された第２の干渉計を提供するステップと、第２の反射部材に密接して、それとの知られている空間的関係で基板テーブルの上表面に複数のアライメントマークを提供するステップと、基板テーブルが測定ステーションにある間に第１の反射部材を使用してアライメントマークの位置を測定し、それによって第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を測定するステップとを含む、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法が提供される。
【００２３】
[0023] 本発明の代替実施形態によると、基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影する投影システムを提供するステップと、基板を支持し、基板と基板テーブルの間の空間的関係を測定することができる測定ステーションから、パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影することができる露光ステーションまで移動可能である基板テーブルを提供するステップと、基板の両側に、互いにほぼ平行に形成された第１および第２の反射部材を提供するステップと、基板テーブルが測定ステーションにある間に第１の軸に対する基板テーブルの位置を測定するために第１の反射部材からの光を反射させるように配置された第１の干渉計を提供するステップと、基板テーブルが露光ステーションにある間に第１の軸に対する基板テーブルの位置を測定するために第２の反射部材からの光を反射させるように配置された第２の干渉計を提供するステップと、第２の反射部材に密接して、それとの知られている空間的関係で基板テーブルの上表面に複数のアライメントマークを提供するステップと、基板テーブルが測定ステーションにある間に第１の反射部材を使用してアライメントマークの位置を測定し、それによって第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を測定するステップと、基板の後の露光中に露光ステーションで基板テーブルの移動を制御するように、第１の反射部材と第２の反射部材の間の空間的関係を使用するステップとを含む、デバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】[0025] 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0026] リソグラフィ投影装置で使用される従来の液体供給システムを示す図である。
【図３】[0026] リソグラフィ投影装置で使用される従来の液体供給システムを示す図である。
【図４】[0027] リソグラフィ投影装置で使用される従来の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0028] 本発明の一実施形態による、基板テーブル温度監視システム、外乱測定デバイス、および制御システムを備えたリソグラフィ装置を示す図である。
【図６】[0029] デュアルステージ液浸システム内の測定および露光ステーションを示す図である。
【図７】[0030] アライメントキャリブレーション運転中の基板テーブルの動作を示す図である。
【図８】[0031] Ｙ露光ミラーに沿ったアライメントマークを備えた基板テーブルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
[0024] 本発明の実施形態を次に、例示する目的のみで、添付の略図を参照して説明する。対応する参照記号は、対応する部品を示す。
【００２６】
[0032] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を略図的に示している。装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータによりパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結された支持構造（例えば、マスクテーブル）と、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータにより基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）上のパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに加えられたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えている。
【００２７】
[0033] 照明システムは、放射を誘導、成形、または制御するように、屈折性、放射性、磁気、電磁、静電、または他のタイプの光学部品などの様々なタイプの光学部品、またはそのあらゆる組合せを含むことができる。
【００２８】
[0034] 支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支承する。この構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるかどうかなどの他の条件による方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持する、機械的、真空、静電、または他のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、フレームまたはテーブルとすることができ、例えば、必要に応じて固定または移動可能とすることができる。支持構造は、パターニングデバイスは、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」または「マスク」という用語のあらゆる使用は、「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。
【００２９】
[0035] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作り出すように、断面にパターンを備えた放射ビームを加えるのに使用することができるあらゆるデバイスのことを言うと広義に解釈されるべきである。放射ビームに加えられるパターンは、例えば、パターンを位相シフトフィーチャ、いわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに留意すべきである。通常、放射ビームに加えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出される装置内の特定の機能層に対応している。
【００３０】
[0036] パターニングデバイスは、透過性または反射性であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが挙げられる。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフト、および減衰位相シフトなどのマスクタイプと、様々なハイブリッドマスクタイプを含んでいる。プログラマブルミラーアレイの例は、小さなミラーのマトリックス配置を利用し、それぞれ異なる方向で入射する放射ビームを反射させるように個別に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを加える。
【００３１】
[0037] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用されている露光放射、または液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適当なような、屈折性、反射性、反射屈折性、磁気、電磁および静電光学システム、またはそのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを含むものと広義に解釈すべきである。本明細書の「投影レンズ」という用語のあらゆる使用は、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。
【００３２】
[0038] ここに示すように、装置は（例えば、透過性マスクを利用する）透過性タイプである。別の方法では、装置は（例えば、上記のようなタイプのプログラマブルミラーアレイを利用する、または反射性マスクを利用する）反射性タイプであってもよい。
【００３３】
[0039] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行に使用することができる、または準備ステップは１つまたは複数のテーブルで行うことができ、１つまたは複数の他のテーブルが露光のために使用されている。
【００３４】
[0040] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。源およびリソグラフィ装置は、例えば源がエキシマレーザである場合に、別個の構成要素であってもよい。このような場合、源はリソグラフィ装置の一部を形成しないと考えられ、放射ビームは、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含む、ビームデリバリシステムＢＤの助けをかりて源ＳＯからイルミネータＩＬまで通過される。その他の場合、例えば源が水銀ランプである場合、源はリソグラフィ装置の一体部であってもよい。源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと言うこともできる。
【００３５】
[0041] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常はそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと言う）を調節することができる。加えて、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の構成部品を備えることができる。イルミネータは、断面に所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調整するのに使用することができる。
【００３６】
[0042] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されるパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを横切って、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃの上にビームを集中させる、投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けをかりて、基板テーブルＷＴは、例えば、放射ビームＢの経路内に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示せず）は、例えば、マスクライブラリからの機械的検索後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするのに使用することができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングモジュールおよびショートモジュールを使用して実現することができる。（スキャナに対向するような）ステッパの場合、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結させることができる、または固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示するような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間の空間内に配置することができる（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。
【００３７】
[0043] 同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置することができる。
【００３８】
[0044] 図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
【００３９】
[0045] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静的に保持され、放射ビームに加えられるパターン全体はターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち、単一静的露光）。基板テーブルＷＴはその後、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされ、それによって異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を制限する。
【００４０】
[0046] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期してスキャンされ、放射ビームに加えられるパターンはターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大およびイメージ逆転フィーチャによって測定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法は単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限し、スキャン動作の長さによりターゲット部分の（スキャン方向の）長さが決まる。
【００４１】
[0047] ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴは基本的に静的に保持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴは移動またはスキャンされ、放射ビームに加えられたパターンはターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、通常、パルス放射源が利用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動後、またはスキャン中の連続放射パルス間に、必要に応じてアップデートされる。この動作モードは、上記のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに簡単に与えることができる。
【００４２】
[0048] 上記の使用モード、または完全に異なる使用モードに対する組合せおよび／または変更形態を使用することもできる。
【００４３】
[0049] 基板が投影システムに対して移動される基板露光シーケンスでは、後の露光シーケンスおよび優れたオーバーレイ中の移動の正確な再現性を保証するように、露光中に投影システムＰＳに対する基板Ｗの位置を決める精密システムが望ましい。
【００４４】
[0050] 投影システムＰＳに対する基板Ｗの位置を測定するため、投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの位置が測定される。これは、基板テーブルＷＴの横表面にミラーを形成することによって、例えば、反射性構成部品、エレメントまたは部材を取り付けることによって、または基板テーブルＷＴの側部に反射性コーティングを付けることによって達成することができる。基板テーブルＷＴの位置を水平移動の２つの寸法で測定するために、少なくとも２つのミラーが互いに対して非ゼロ角度で提供されることが望ましい。例示的な構成は、名目上矩形（または四角形）の基板テーブルＷＴを提供し、互いに略垂直に、基板テーブルＷＴの少なくとも２つの側部に反射性エレメントまたは部材を形成することである。例えば、ＸおよびＹを基板テーブルＷＴの平面内の垂直軸として（投影システムＰＳの軸とそれぞれ略垂直であると）定義すると、第１のミラーをＸ軸に名目上垂直である基板テーブルＷＴの側方側に設けることができ、第２のミラーをＹ軸に名目上垂直である基板テーブルＷＴの側方側に設けることができる（このようなミラーは、図７では６６および６８と呼ばれる、以下参照のこと）。これらのミラーそれぞれから光を反射させ、各場合において、干渉計とミラー表面の間の距離を測定するように配置された干渉計を使用して、それぞれＸおよびＹ軸に沿って基板テーブルＷＴの位置を測定することが可能である。
【００４５】
[0051] 図５は、基板Ｗ上に所望のパターンを形成するために、露光中に投影システムＰＳに対して基板Ｗを移動させるように構成された制御システム５４を示している。フィードバックおよび／またはフィードフォワード制御システムは、基板テーブル変位デバイス５０を使用する位置の所望のシーケンスを通して、基板テーブルＷＴを正確に移動させるために、制御システム５４内に組み込むことができる。基板テーブルＷＴの位置は、移動中に、干渉計５２と組み合わせた基板テーブル位置測定デバイス５３によって制御システム５４に与えられる。上で論じたように、干渉計５２は、基板テーブルＷＴの横表面に形成されたミラー６６、６８からの光を反射させ、干渉分光法を使用して対応するミラー表面の局所位置を測定することによって動作することができる。
【００４６】
[0052] 基板テーブル位置測定デバイス５３によって与えられる基板テーブル位置の誤差は、制御システム５４の動作に対応する誤差を生じさせる可能性があり、基板テーブルＷＴは意図したものより、露光中に僅かに異なる経路に沿って移動させることができる。これは、基板上に次第に形成されるパターンのアライメントに誤差を、またオーバーレイの品質の低下を生じさせる可能性がある。
【００４７】
[0053] 誤差が生じる可能性がある１つの方法は、ミラー６６、６８が互いに対してその名目上の位置および方向から乱される場合である。（例えば、露光放射による）加熱および／または（例えば、存在する場合、シール部材内の液浸液の蒸発による）冷却によって生じる基板テーブルＷＴの歪みは、ミラーを歪ませ、互いにミスアライメントさせることがある。ミラーが名目上互いに垂直に配置される場合、角度ミスアライメントは「非直交性」と呼ぶことができる。
【００４８】
[0054] 図５に示す本発明の実施形態によると、基板テーブル位置測定デバイス５３は、基板テーブルＷＴの温度の測定に対する基準によって測定されるミラー外乱に基づき、この歪みを補償するようになっている。
【００４９】
[0055] 基板テーブルＷＴの温度は、図示した実施形態では、基板テーブルＷＴの表面近くに形成された複数の温度センサ５５に連結された、基板テーブル温度監視デバイス５８を使用して測定される。この配置の変更が可能である。例えば、複数の温度センサ５５の代わりに、単一の温度センサを使用することもできる。さらに、センサ５５を基板テーブルＷＴの本体内に形成する代わりに、外部表面に固定することもできる。
【００５０】
[0056] （１つまたは複数の）測定温度とミラー６６、６８のミラー外乱（例えば、形状、位置および／またはアライメント／直交性の変化）の間の関係は、外乱測定デバイス５７によって測定される。外乱測定デバイス５７は、例えば、基板テーブルＷＴの熱および機械的性状のモデル、および適当な物理法則を使用して、原則に基づき基板テーブルＷＴの予測される歪みを算出することができる。別の方法では、図５に示すように、（１つまたは複数の）特定の値から基板テーブルＷＴおよびミラー６６、６８の（または、単に直接ミラーの）予測される歪みまでのマッピングを提供するキャリブレーションデータを含む記憶デバイス５６を設けることができる。記憶デバイス５６内に記憶されるキャリブレーションデータは、試用ウェーハおよびパターンを使用して露光運転を行い、様々な異なる動作状態に対して基板テーブルＷＴの（１つまたは複数の）温度、および対応する歪み（個別に）を測定することによって得ることができる。測定した温度読取が、記憶デバイス５６に記憶されたキャリブレーションテーブル内で処理されるものの間に含まれる場合、挿入をデータを誘導するために使用することができる。
【００５１】
[0057] 原則または理論モデルに基づき予測した歪みを算出することにより、キャリブレーション実験の必要性を予め防ぐ。一方、キャリブレーションデータの使用により、演算リソース、および基板テーブルＷＴおよび周辺構成部品の性状の深い理論的理解の必要性を予め防ぐ。
【００５２】
[0058] 基板テーブル位置測定デバイス５３は、外乱測定デバイス５７からの出力を受け、ミラーの妨げられた位置、形状および／または方向を考慮して、基板テーブルの位置を算出するように配置されている。制御システム５４に通信された基板テーブル位置はしたがって、ミラー外乱が補償されなかった場合より正確である。したがって、結像精度およびオーバーレイが良くなる。
【００５３】
[0059] 通常、基板テーブルＷＴの熱負荷は、基板数（すなわち、これは所与のロットの基板が既にいくつ露光されたかを含む、装置の最近の露光履歴による）、基板のスキャンルーティング、使用されているアライメント計画、および投影システムＰＳの露光設定の関数である。基板テーブルＷＴの長い時間定数および基板テーブルＷＴの高い熱抵抗と組み合わせて、変形は時間の関数となる。
【００５４】
[0060] 熱効果の動的補償は、完全な解決法を提供することができない。露光中の基板テーブルＷＴの熱誘導歪みに加えて、異なるミラー間の相対方向はまだ、時間の経過と共に、および／または１つの基板露光から他の要因により次の露光までシフトすることができる。例えば、基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴの熱サイクリングに関連する不可逆処理による所与の運転中に、露光放射および／または液浸システム構成部品によって加熱および／または冷却した後に、その元の形状に正確には戻ることができない。基板テーブル温度の測定に基づく基板テーブルミラーの予測される外乱を測定するように構成されたシステムが存在しているとしても、基板テーブル位置の測定において誤差が生じることがある。というのは、基板テーブルの（１つまたは複数の）測定温度をミラー歪みにリンクさせるのに使用される理論的モデルまたはキャリブレーションテーブルは、１つの基板露光から次の露光までに生じるシステム性状に対する変化を考慮しないからである。
【００５５】
[0061] １つの可能性のある解決法は、基板の各露光前に、ミラーの予備露光外乱の詳細測定を行うことである。しかし、このような解決法は時間がかかり、リソグラフィ装置のスループットを低減させる。図７は、別個のアライメントステップで使用されるスキャン運転が効果的なミラー外乱測定を同時に行うように利用される、代替解決法を示している。別個のアライメントスキャン手続が、外乱測定処理に必要ないので、スループットの明らかな減少がない。したがって、優れた結像精度およびオーバーレイをいかなるスループット費用なしで（または、少なくとも少ない費用で）得ることができる。
【００５６】
[0062] 上に論じたように、投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの位置の測定を、投影システムＰＳに対する基板Ｗの位置を測定する処理の一部として使用することができる。しかし、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の空間的関係を測定することも望ましい。本発明の一実施形態による背景（または、予備露光）ミラー外乱測定処理が組み合わされる、このような後者の性状の測定に関連するアライメント処理と一緒である。
【００５７】
[0063] 基板テーブルＷＴに対する基板Ｗのアライメントを行うことができ、基板テーブルＷＴは所望の照射量パターンでの基板の露光と同様に、ほぼ同じ位置である。代替配置が（上記実施形態にいずれかに適用することができる）図６に略図的に示されており、ここでは別個の測定ステーション４６（この機能を行うように構成されている場合、基板から基板テーブルまでのアライメントデバイスとも言われる）が、基板アライメントおよび／またはレベリングを行うように設けられている。アライメントが完了すると、基板テーブルＷＴは露光ステーション４４まで移動され、ここで基板Ｗ上に所望の照射量パターンの露光を行うことができる。通常、露光ステーション４４のみが、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗの間に液浸液を保持するシステム（例えば、液浸液を含むシール部材４０）を備えている。通常、このような設定では、基板テーブルＷＴは、放射に応じて、透過イメージセンサ（ＴＩＳ）としても知られる、放射センサの下にある標準アライメントマークに対応するパターンでエッチング加工されたプレートを備えることができる、時には標準と言われる基準４８を備えている。測定ステーション４６では、基板テーブルＷＴが移動されて、測定システム４２内でアライメントシステムを使用して基準４８を検出し、その後、基板Ｗ上のアライメントマークを検出し、それによってアライメントマークの方向Ｘ、ＹおよびＲｚ（Ｚ軸周りの回転）の位置を求めることが可能になる（すなわち、基板アライメントマークのマップが、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の空間的関係のマップに実際対応して、測定ステーション４６で得られる）。一実施形態では、アライメントマークの位置は基準４８に対して測定および判断される。
【００５８】
[0064] 基板Ｗのレベル測定はまた、測定ステーション４６で行うことができる。基板Ｗのレベルを測定するために、基板Ｗによる反射の前に第１の格子を横切る（測定システム４２から投影される）レベリングビームを使用することができる。第２の格子はその後、基板Ｗによる反射の後に、レベリングビームの経路内に配置される。第１および第２の格子のイメージが一致する範囲が、レベル測定センサによって測定され、基板Ｗの高さおよび／または傾斜によって測定される（Ｚ座標、Ｘ軸、Ｒｘ周りの回転、およびＹ軸、Ｒｙ周りの回転がしたがって測定される）。基板のレベル測定をさらに説明するため、本明細書に全体を参照として援用するヨーロッパ特許出願ＥＰ０２，２５７，２５１号への参照を行う。したがって、基板Ｗのアライメント、および基板Ｗのレベル測定によるデータを使用して、基板Ｗのマップを測定ステーション４６で生成することができる。
【００５９】
[0065] 例示的な配置が図７に示されており、ここでは（上記基準４８の特定の実施形態に対応する）２つの透過イメージセンサ（ＴＩＳ）６０、６２を使用して、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗのアライメントが行われる。ＴＩＳ６０、６２は、基板テーブルＷＴに対して固定され、基板テーブルＷＴの上表面上で基板Ｗの領域の外側に位置決めされる。基板ＷおよびＴＩＳ上のアライメントマークはその後、測定システム４２内でアライメントシステムによって露光され、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の空間的関係を測定することができる。デュアルステージシステムでは、アライメント測定は上記のように測定ステーション４６で行うことができる。
【００６０】
[0066] 図７に示す構成では、基板テーブルＷＴは、基板Ｗ上の一連の領域の後に第１のＴＩＳ６０を露光することによって始まり、第２のＴＩＳ６２で終わる、矢印６４のラインに沿った領域を露光するように移動される。経路６４は、パターン露光ステージで基板Ｗ上に形成されるパターンの露光中に行われる、ＸおよびＹ方向両方の全範囲の位置を通して基板テーブルＷＴを移動させるように選択することができる。基板テーブルＷＴは、ミラーの平面に対して約４５度の経路に沿って移動されることが好ましい。
【００６１】
[0067] 本発明の一実施形態によると、それぞれのミラー上の局所化した領域からの放射を反射させるようにそれぞれ構成された干渉計５１、５２からの測定に対する基準によって、基板テーブルＷＴ内の異なるミラー６６と６８の間のミスアライメントを測定する、ミラーアライメント測定デバイス６５が提供される。干渉計は、基板テーブルＷＴの背面内の対応するミラーの表面とほぼ平行な（すなわち、投影システムＰＳの軸（「Ｚ軸」）と垂直な）方向に沿って空間的に分離された複数の（例えば、２つの）レーザビームをそれぞれ同時に放射するように構成されているが、この空間はミラー表面の局所化した測定を行うためにミラーの幅に対して小さい。複数の同時放射ビームを与えることにより、干渉計が、測定されるミラーの局所化した部分の相対位置だけでなく、Ｚ軸周りのミラー表面の局所回転を測定することが可能になる。回転がない（すなわち、ミラー表面の部分が放射ビームと垂直である）場合、放射ビームの長さの違いは検出されない。有限Ｚ回転が存在する場合、放射ビームの長さの違いがあり、長さの違いの範囲により回転の範囲が明らかになる。図７に示す構成では、干渉計５１によって検出される、Ｚ軸周りのＸミラー表面の局所的な有効回転はＲｚｘと示される。干渉計５２によって検出される、Ｚ軸周りのＹミラー表面の局所的な有効回転はＲｚｙと示される。
【００６２】
[0068] 基板テーブルＷＴが経路６４に沿って投影システムＰＳに対して移動されると、干渉計は、ミラー表面の位置、およびそれぞれの表面上のいくつかの異なる位置で局所ＲｚｘおよびＲｚｙ値を測定することができる。ミラー表面上の測定位置の分離は、測定が行われる周波数、「サンプリング周波数」に左右される。ミラー表面の形状は、サンプリングされた各点で測定される局所ミラー位置に対する基準（すなわち、干渉計がそこからの光を干渉計により反射させるミラーの部分の分離、または干渉計放射ビームの長さ）によって導くことができる。ミラーの平均回転は、そのミラーに対するサンプリング点のＲｚｘまたはＲｚｙ値の加重平均をとることによって導くことができる。所与のミラー上の測定領域の密度がアライメントスキャン中に変化することができるので、加重は望ましい。図７に示す配置では、一定のスキャン速度およびサンプリング周波数であると仮定すると、各サンプルは同じ加重を与えることができる。というのは、基板テーブルＷＴはアライメントスキャンの開始からアライメントスキャンの終了まで直線で移動するからである。しかし、アライメントスキャンが直線でない場合、またはスキャン速度および／またはサンプル周波数が可変である場合、点の密度は変化し、異なる加重を異なるサンプルに与えることが望ましいだろう。例えば、サンプルがより頻繁にとられるミラーの領域内では、その領域内の局所表面回転が平均回転の算出に余分に寄与しないように、またその逆となるように、サンプル加重を小さくする必要がある可能性がある。
【００６３】
[0069] Ｘミラー６６の平均回転をｘｒｏｔと示し、Ｙミラー６８の平均回転をｙｒｏｔと示す場合、ＸおよびＹミラーの全体のミスアライメント（または、非直交性）は、ＲｚｘおよびＲｚｙの平均値の差である。
ミスアライメント＝ｙｒｏｔ−ｘｒｏｔ＝平均値（Ｒｚｙ）−平均値（Ｒｚｘ）＝平均値（Ｒｚｙ−Ｒｚｘ）
【００６４】
[0070] ＸおよびＹに沿ったスキャンとの対角線スキャンに沿ったＲｚｘおよびＲｚｘの測定の組合せは、ミラーの形状および方向に関するより詳細な情報を導くのに使用することができる。
【００６５】
[0071] 上に記載したように、ミラーブロックのミラーが完全に矩形のミラーブロックに対して形状Ｙ（Ｘ）およびＸ（Ｙ）を有する場合、ＲｚｘおよびＲｚｙ測定は、以下の通り、ミラーに沿った位置の関数としてミラーの局所角度を測定する。
Ｒｚｙ＝ｄ｛Ｙ（Ｘ）｝／ｄＸ
Ｒｚｘ＝−ｄ｛Ｘ（Ｙ）｝／ｄＹ
【００６６】
[0072] 方程式を反転することによって以下の式が得られる。
【００６７】
【数１】
0005485321.tif 000002
【００６８】
[0073] Ｙ＝ＹｆｉｘｅｄでのＸ方向のスキャンおよび、ＲｚｘおよびＲｚｙの両方の測定により以下の式が得られる。
【００６９】
【数２】
0005485321.tif 000003
【００７０】
[0074] 再び整理することにより、以下の式が得られる。
Ｙ（Ｘ）＝ＳｃａｎＹ（Ｘ）＋Ｙ（０）＋ａＸ
【００７１】
[0075] これは、知られていない回転ａＸおよび平行移動Ｙ（０）に対するミラーＹ（Ｘ）の形状であり、したがってＹ（Ｘ）はラインに対して知られている。Ｘ＝ＸｆｉｘｅｄでのＹ方向のスキャン、およびＲｚｘおよびＲｚｙの両方の測定により以下の式が得られる。
【００７２】
【数３】
0005485321.tif 000004
【００７３】
[0076] 再び整理することにより、以下の式が得られる。
Ｘ（Ｙ）＝ＳｃａｎＸ（Ｙ）＋Ｘ（０）＋ｂＹ
【００７４】
[0077] これは、知られていない回転ｂＹおよび平行移動Ｘ（０）に対するミラーＸ（Ｙ）の形状であり、したがってＸ（Ｙ）はラインに対して知られている。
【００７５】
[0078] ４５度角度でのＸおよびＹのスキャン、およびＲｚｘおよびＲｚｙの両方の測定により、Ｘ＝ＳおよびＹ＝Ｓによって画定されたスキャンライン上の全般的な点で、以下の式が得られる。
【００７６】
【数４】
0005485321.tif 000005
【００７７】
また、ＲｚｙはＸに左右され、ＲｚｘはＹに左右されるだけであるので、以下のことが成り立つ。
【００７８】
【数５】
0005485321.tif 000006
【００７９】
[0079] 再び整理することにより以下の式が得られる。
｛ａＳ＋ｂＳ｝＝ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）−｛ＳｃａｎＹ（Ｓ）＋ＳｃａｎＸ（Ｓ）｝
【００８０】
[0080] 次に、３つのスキャンによる結果に関連する以下の方程式が得られる。
Ｘ（Ｙ）＝ＳｃａｎＸ（Ｙ）＋Ｘ（０）＋ｂＹ
Ｙ（Ｘ）＝ＳｃａｎＹ（Ｘ）＋Ｙ（０）＋ａＸ
｛ａＳ＋ｂＳ｝＝ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）−｛ＳｃａｎＹ（Ｓ）＋ＳｃａｎＸ（Ｓ）｝
【００８１】
[0081] ミラー回転ｂＹおよびａＸを剛性ミラーブロック回転「ｒ」および剪断「ｆ」に分割することにより、以下の式が得られる。
Ｘ（Ｙ）＝ＳｃａｎＸ（Ｙ）＋Ｘ（０）−ｒＹ＋ｆＹ
Ｙ（Ｘ）＝ＳｃａｎＹ（Ｘ）＋Ｙ（０）＋ｒＸ＋ｆＸ
ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）−｛ＳｃａｎＹ（Ｓ）＋ＳｃａｎＸ（Ｓ）｝＝｛（ｒ＋ｆ）Ｓ＋（−ｒ＋ｆ）Ｓ｝
＝２ｆＳ
【００８２】
[0082] 最後の方程式より、剪断「ｆ」を測定することができる。
ｆＳ＝０．５＊｛ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）−｛ＳｃａｎＹ（Ｓ）＋ＳｃａｎＸ（Ｓ）｝｝
【００８３】
[0083] 導関数をとることにより、以下の式が得られる。
ｆ＝ｄ［０．５＊｛ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）−｛ＳｃａｎＹ（Ｓ）＋ＳｃａｎＸ（Ｓ）｝｝／ｄＳ
＝０．５＊｛ｄ［ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）］／ｄｓ−ｄ［ＳｃａｎＹ（Ｓ）］／ｄｓ−ｄ［ＳｃａｎＸ（Ｓ）］／ｄｓ｝
ＳｃａｎＸＹのリニアフィットによりスキャンＳｃａｎＸおよびＳｃａｎＹからリニアフィットを基本的に引き算したものであり、以下のように代入される。
Ｘ（Ｙ）＝ＳｃａｎＸ（Ｙ）＋Ｘ（０）−ｒＹ＋０．５＊｛ｄ［ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）］／ｄｓ−ｄ［ＳｃａｎＹ（Ｓ）］／ｄｓ−ｄ［ＳｃａｎＸ（Ｓ）］／ｄｓ｝＊Ｙ
Ｙ（Ｘ）＝ＳｃａｎＹ（Ｘ）＋Ｙ（０）＋ｒＸ＋０．５＊｛ｄ［ＳｃａｎＸＹ（Ｓ）］／ｄｓ−ｄ［ＳｃａｎＹ（Ｓ）］／ｄｓ−ｄ［ＳｃａｎＸ（Ｓ）］／ｄｓ｝＊Ｘ
これにより、知られていない位置Ｘ（０）およびＹ（０）、および知られていない回転「ｒ」だけが残る。これらのパラメータは、基板が基板テーブルに対してアライメントされた場合に、定期的に測定される。
【００８４】
[0084] したがって、３つのスキャンＳｃａｎＸ、ＳｃａｎＹ、およびＳｃａｎＸＹはミラー形状Ｘ（Ｙ）およびＹ（Ｘ）を与えることができる。
【００８５】
[0085] 上記スキャン中の干渉計測定（すなわち、ＳｃａｎＸ、ＳｃａｎＹ、およびＳｃａｎＸＹ）の正確性は、ミラー形状を得ることができる精度を決めるものである。ミラー上での遅いスキャン中に多くの読取を行うことにより、干渉分光法により誤差を減らすことができる。しかし、この解決法は長い時間がかかり、定期的に（例えば、各露光間に）ミラー形状を測定することが望ましい場合にスループットを減少させることができる。
【００８６】
[0086] リソグラフィ応用例では、しばしば干渉計測定が高周波構成要素での誤差、いわゆる「高感度誤差」を受ける場合がある。例えば、高感度誤差は、関連のあるミラー歪み（または、ミラー歪み測定処理の解像度）の最小予測波長に等しい距離上でミラーにわたって測定スキャンを行うのに必要な時間より明らかに短い時間スケールで起こるものとして定義することができる。例えば、測定されるミラー変形の波長が２０ｍｍであり、ミラー上にスキャン速度が５００ｍｍ／ｓである場合、「高感度誤差」を規定する関連する時間スケールは２０ｍｍ／５００ｍｍ／ｓ＝２５ｍｓである。十分なサンプルがその２５ｍｓ期間中にとられると、２５ｍｓより短い時間スケールに生じるノイズは、（平均化することによって）除去される。０．２ｍｓの通常のサンプリング速度では、１２５個のサンプルが２５ｍｓ中にとられ、高感度誤差を明らかに除去する。
【００８７】
[0087] 例えば４００ｍｍのミラー全体が５００ｍｍ／ｓのスキャン速度で測定される場合、全測定時間は０．８秒である。したがって、０．８秒より遅い（より大きい波長の）ドリフトも防止される。この方法での高感度誤差および遅いドリフトの除去後、残っている全てのものは、大きすぎないと予測される、中間時間スケール上、すなわち２５ｍｓと０．８秒の間で起こる変化である。例えば、分刻みの時間スケールでミラーを変形させる熱基板テーブルドリフト、およびｍｓスケールでノイズを作り出す干渉計ビームの空気圧力変化を有することが通常である。これらのノイズ源は両方とも、２０ｍｍの通常の波長ミラー変形に対して、４００ｍｍミラー用の５００ｍｍ／ｓのスキャン速度でミラーを測定することによって防ぐことができる。
【００８８】
[0088] より一般的には、スキャン速度は、ミラーのスキャン全体は、測定信号への重要な影響を有するための遅いドリフトの重要な機関に必要な時間よりかなり迅速に行うことができるように選択すべきである。本実施形態の迅速スキャンで使用する最適速度はしたがって、存在する特定の誤差機構に左右される。
【００８９】
[0089] 要するに、迅速スキャンは、時間の経過と共に基板テーブルＷＴの熱ドリフトなどの遅いドリフト誤差を防ぎ、マルチスキャンを迅速にサンプリングするまたは行うことによって、平均化によって除去される、圧力により生じるような高感度ノイズ、および他の高感度誤差源が可能になる。圧力センサおよび熱センサは、空気圧力および空気温度の長期ドリフトを除去し、ノイズのみが残る。
【００９０】
[0090] 空気圧力／温度内のノイズが要因である場合、ノイズ源は効果を有する。例えば、エアナイフが、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗの間の領域内に液浸液を含むのに使用される液浸リソグラフィシステムでは、操作の詳細およびエアナイフ装置の品質は重要である。
【００９１】
[0091] 基板テーブルＷＴおよびミラーの動的変形が要因であると予測される場合、スキャンの加速部は一定の速度部より高い誤差を有することを予測することができる。この場合、基板テーブルＷＴの移動の一定速度位相中にのみ読取を行うことにより誤差を減らすことができる。
【００９２】
[0092] 上で論じたように、ミラー上の測定スキャン速度は、熱ドリフトおよびゆっくり変化する誤差を除去するのに十分速いように選択すべきである。しかし、スキャン速度は高すぎないようにするべきであり、そうでないとサンプリング速度を適切に大きくすることができない場合に、多数の高精度誤差が信号に寄与し始める可能性がある。例えば、圧力センサは、補償することができる大気圧力変化を測定するために設けることができる。しかし、圧力センサは限られた範囲を有することができ、それによって圧力センサによって検出および補償されるようにあまりに急速に起こる圧力変化は、ミラーがこれらの誤差を除去／平均化するのに十分ゆっくりスキャンされない限り、ミラー測定中の誤差に寄与する可能性がある。したがって、熱ドリフトおよび他の遅いドリフト誤差を除去するのに十分速い測定スキャン速度と、十分なサンプリングを使用して高精度ノイズ源を除去することができるのに十分遅いスキャン速度の間で均衡をとることができる。
【００９３】
[0093] 液浸システムでは、０．５ｎｍより優れた干渉計測定の再現性は、０．５５から１．１ｍ／ｓのスキャン速度でスキャンの一定速度部分のみを使用して得ることができる。これらのスキャン速度は、約０．５秒のスキャン回数に相当する。
【００９４】
[0094] 上記のように、デュアルステージリソグラフィシステムでは、基板アライメント測定は、測定ステーション４６にある基板テーブルＷＴと、アライメントが終了し、基板Ｗが露光される準備ができている場合に、基板テーブルＷＴを測定ステーション４６から露光ステーション４４まで移動させるために設けられた手段で行うことができる。ミラーは、基板テーブルＷＴの側方側に形成され、測定ステーション４６や露光ステーション４４でスキャンされている間に基板テーブルＷＴの位置を測定するのに使用される。特定のシステムでは、露光ステーション４４よりも測定ステーション４６での位置測定に異なるミラーを使用することが有利である。これは、ＸおよびＹ位置測定の両方に対する異なるミラーを、または別の方法では、ＸまたはＹ位置測定だけに対する異なるミラーを意味している。例えば、共通のミラーをＸ測定に使用することができ、２つのミラーがＹ測定に設けられる。２つのミラーが設けられる場合、これらは測定ステーションで使用されるミラーのＹ測定、および露光ステーションで使用されるミラーのＹ露光と示すことができ、例えば、基板テーブルＷＴの両側に配置することができる。
【００９５】
[0095] 測定および露光ステーションで異なるミラーを使用する場合、ミラー間の相対的アライメントおよび／または形状（すなわち、ミラー間の空間的関係）は（例えば、加熱により）露光間で変化する可能性があり、オーバーレイ誤差につながる可能性がある。同じミラーが使用される場合、予測されないミラー変形は、ミラーがアライメントおよび露光中に同じ誤差を有する限り、このようなオーバーレイに対する問題を生じない。
【００９６】
[0096] 図８に示される本発明の一実施形態によると、この問題は、露光ステーション４４でのアライメント中に使用されるミラー、すなわちＹ測定ミラー７４の反対側に位置決めされたＹ露光ミラー７２に密接して基板テーブルＷＴの上側にアライメントマーク７０を設けることによって解消される。基板テーブルＷＴの形状は、その名目上矩形の形態からの逸脱を強調するように誇張されている。Ｙ露光とＹ測定ミラー７２と７４の間のいわゆる「非直交」またはミスアライメントが、角度７８によって示されている。共有Ｘミラーは７６で示されている。
【００９７】
[0097] アライメントマーク７０は、Ｙ露光ミラー７２の約１０ｍｍ内に配置されるべきであることが好ましい。通常のシステムでは、この分離はアライメントマーク７０の位置から測定されるようにＹ露光ミラー７２の局所形状の約０．０５ｎｍの不確定性が生じるが、これは許容範囲内である。この予測値は、５０ｘ１０−９の熱膨張係数、および０．１Ｋの温度シフトに基づき、Ｙ露光ミラー上の対応する点からのアライメントマーク７０の分離の際のシフトは以下の式によって与えられる。
（５０ｘ１０−９）ｘ０．１ｘ（１０ｘ１０−３）＝０．０５ｘ１０−９ｎｍ
【００９８】
[0098] 測定ステーション４６でのアライメント中に、基板アライメントマーク８０の位置は、測定ステーション４６で動作するＸおよびＹミラー（共有Ｘミラー７６およびＹ測定ミラー７４）に対して測定される。Ｙ露光ミラー７２の表面に密接して、Ｙ露光ミラー７２の表面の形状に密接に対応する、アライメントマーク７０の位置も測定される。したがって、ＸおよびＹ測定ミラー７６、７４に対するアライメントマーク７０の位置の測定は、Ｙ露光ミラー７２とＹ測定ミラー７４の間の空間的関係を生じさせる。このようにして得られた空間的関係の精度は、提供されるアライメントマーク７０の数に左右される（より近接して配置されたマーカは、ミラー表面の形状をより正確に規定することができ、例えば小さなスケール偏差を拾い上げることができる）。アライメントマーク７０の測定は余分な時間がかかる可能性があるが、スループットをあまり妥協しないように、少ない数のアライメントマーク７０だけを測定するのに有利である可能性がある。Ｙ露光およびＹ測定ミラー７２と７４の間の相対角度の変化は、例えば、わずか２つまたは３つのアライメントマーク７０によって得ることができる。
【００９９】
[0099] Ｙ露光ミラー７２とＹ測定ミラー７４の間の空間的関係が確立されると、Ｙ測定ミラー７４を使用する測定ステーション４６で行われるアライメント測定は、露光ステーション４４でＹ露光ミラー７２を使用して基板テーブルを移動させる場合に与えることができる。
【０１００】
[00100] この内容でＩＣの製造の際にリソグラフィ装置の使用に対して特定の言及を行うことができるが、本明細書に記載されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造のような他の応用例を有することができることを理解すべきである。当業者は、このような代替応用例の内容では、本明細書の「ウェーハ」または「ダイ」という用語は、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えることができることが分かるだろう。本明細書で言う基板は、露光の前または後に、例えばトラック（通常は基板にレジスト層を付け、露光したレジストを発展させるツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書の開示は、このようなおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作り出すために、複数回処理することができ、それによって本明細書で使用される基板という用語はまた、マルチ処理層を既に含んでいる基板のことを言うこともできる。
【０１０１】
[00101] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍのまたはその付近の波長を有する）紫外線（ＵＶ）放射を含む、全てのタイプの電磁放射を含んでいる。
【０１０２】
[00102] 「レンズ」という用語は、内容が許す場合、屈折性および反射性光学構成要素を含む、様々なタイプの光学構成要素のいずれか１つまたは組合せのことを言うことができる。
【０１０３】
[00103] 本発明の特定の実施形態を上に説明したが、本発明は記載した以外の方法で実施することができることが分かるだろう。例えば、本発明は上に開示したような方法を説明する機械読取可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または中に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有する記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）の形をとることができる。
【０１０４】
[00104] 本発明は、あらゆる液浸リソグラフィ装置、特にこれに限らないが、上に記載したこれらのタイプに適用することができる。
【０１０５】
[00105] 上記説明は、例示的なものであって、これに限ることを意図したものではない。したがって、当業者は添付に記載の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明に変更を加えることができることが分かるだろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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