(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間光変調素子の製造方法であって、
電極が形成された電極側基板を準備するステップと、
前記電極との間の静電力により可動する可動部、前記可動部上に配された反射鏡および前記可動部を支持する支持部を有する可動側基板を準備するステップと、
前記可動側基板の前記支持部を前記電極側基板に貼り合わせるステップと
を備え、
前記可動側基板を準備するステップは、
基板本体を準備するステップと、
前記基板本体の一面をエッチングすることにより前記可動部を形成するステップと、
前記可動部上に前記反射鏡を成膜するステップと、
前記基板本体の他面をエッチングすることにより前記支持部を形成するステップと
を有し、
前記反射鏡を成膜するステップは、
前記基板本体の前記一面に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層をパターニングするステップと、
前記パターニングされた犠牲層上に金属膜を成膜するステップと
を有し、
前記貼り合わせステップの後に、前記犠牲層を除去することにより、前記反射鏡を前記可動部の動きに連れて傾斜可能とするステップをさらに備える製造方法。
【請求項２】
前記反射鏡を成膜するステップは、前記金属膜を成膜するステップの後に、前記金属膜の表面を研磨するステップをさらに有する請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記反射鏡を成膜するステップは、前記犠牲層をパターニングするステップの後に、前記犠牲層の表面を研磨するステップをさらに有する請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記基板本体は、ＳＯＩ基板である請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法により製造された空間光変調素子。
【請求項６】
請求項５に記載の空間光変調素子を備える照明光発生装置。
【請求項７】
請求項６に記載の照明光発生装置を備える露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、空間光変調素子及び空間光変調素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路パターンの微細化に伴い，フォトリソグラフィ工程における照明条件の選択が非常に重要な要素となり，露光する回路パターン又はプロセス条件毎に照明条件を変更して露光を行うことが求められている。そのようなニーズに応えるべく、空間光変調素子を利用して、照明条件の変更自由度の高い露光装置の研究開発が進められている（特許文献１を参照）。特許文献２には、空間光変調素子及びその製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５３１０５号公報
【特許文献２】特開平５−１９６８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の空間光変調素子の構造が複雑で、その製造に手間、工数がかかる。また、空間光変調素子が半導体の成膜プロセスにより製造されるので、構造的に薄くて小さい。よって、強度が十分でなく、大きい光反射面積が得られない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、空間光変調素子の製造方法であって、電極が形成された電極側基板を準備するステップと、電極との間の静電力により可動する可動部、可動部の動きに連れて傾斜する反射鏡および可動部を支持する支持部を有する可動側基板を準備するステップと、可動側基板の支持部を電極側基板に貼り合わせるステップとを備える製造方法が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様においては、上記製造方法により製造された空間光変調素子が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様においては、電極が形成された電極側基板と、電極との間の静電力により可動する可動部、可動部の動きに連れて傾斜する反射鏡および可動部を支持する支持部を有し、支持部で電極側基板に貼り合わされた可動側基板とを備える空間光変調素子が提供される。
【０００８】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態である空間光変調素子１００の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ部平面図である。
【図３】空間光変調素子１００の構造を概略的に示す斜視図である。
【図４】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図５】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６】図５に示す基板の平面図である。
【図７】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図８】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図９】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図１０】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図１１】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図１２】可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図１３】図１２に示す基板の底面図である。
【図１４】電極側基板１０１の構造を概略的に示す断面図である。
【図１５】空間光変調素子１００の製造過程を概略的に示す斜視図である。
【図１６】露光装置４００の模式図である。
【図１７】照明光発生装置５００の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１１】
図１は、一実施形態である空間光変調素子１００の構造を概略的に示す断面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ部平面図である。図３は、空間光変調素子１００の構造を概略的に示す斜視図である。図１から図３は、二つの空間光変調素子１００が一体に製造された構造を示す。空間光変調素子１００は、電極側基板１０１と、可動側基板１１０とを備える。
【００１２】
電極側基板１０１は、基板１０２と、固定電極１０４と、誘電体層１０６を有する。基板１０２は、シリコン基板である。基板１０２は、その他の半導体基板であってもよい。基板１０２は、ガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板等であってもよい。基板１０２は、空間光変調素子１００の他の要素を支持するのに十分な機械的強度を有する基板であってよい。
【００１３】
固定電極１０４は、基板１０２の上に設けられる。固定電極１０４は、Ｃｕ、Ａｌ等の金属から形成される。固定電極１０４は、他の導電性材料により形成されてもよい。例えば、不純物がドーピングされたポリシリコンにより形成されてもよい。固定電極１０４は、真空蒸着法、スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等の方法により形成できる。
【００１４】
誘電体層１０６は、固定電極１０４を覆うように、基板１０２の上に形成される。誘電体層１０６は、酸化シリコン層である。誘電体層１０６は、窒化シリコン、アルミナ等他の誘電体から形成されてもよい。誘電体層１０６は、ＣＶＤ法、スパッタ法等により形成できる。
【００１５】
可動側基板１１０は、支持部１１２と、可動電極１１４と、絶縁層１１６と、可動部１２０と、反射鏡１３０と、支柱１３２とを有する。支持部１１２は、シリコンから形成される。支持部１１２は、他の半導体材料から構成されてもよい。支持部１１２は、底部が電極側基板１０１の誘電体層１０６と接合され、上部は絶縁層１１６を介して、可動側基板１１０の他の要素を支持する。
【００１６】
可動電極１１４は、シリコンから形成される。可動電極１１４は、他の半導体材料から構成されてもよい。可動電極１１４は、底部が電極側基板１０１の誘電体層１０６との間に一定の距離を離れ、上部が絶縁層１１６を介して可動部１２０に連結されて懸垂状態にある。
【００１７】
絶縁層１１６は、酸化シリコンから形成される。絶縁層１１６は、シリコン基板に酸素イオンを注入することにより形成できる。絶縁層１１６は、窒化シリコン、アルミナ等他の絶縁材料から形成されてもよい。絶縁層１１６は、ＣＶＤ法、スパッタ法等により形成することもできる。絶縁層１１６は、支持部１１２および可動電極１１４から可動部１２０を電気的に隔離する。
【００１８】
可動部１２０は、絶縁層１１６を介して支持部１１２の上に形成されるシリコン薄膜である。図２に示すように、可動部１２０は、駆動板１２２と、梁１２４と、支持板１２６を含む。一つの空間光変調素子１００において、可動部１２０は、ａ、ｂ、ｃ及びｄで示す四つの駆動板１２２に分けられる。何れの駆動板１２２も下部から支持部１１２により支えられる。各駆動板１２２は、梁１２４及び支持板１２６により連結される。また、各駆動板１２２の下部にはそれぞれ一つの可動電極１１４が連結され懸垂する。可動部１２０は、可とう性を有する。
【００１９】
反射鏡１３０は、Ｎｉ等の金属により形成される。反射鏡１３０は、支柱１３２を介して支持板１２６の上面に設けられる。反射鏡１３０は、上面が研磨加工により平坦な鏡面となる。反射鏡１３０は、光を反射できる他の材料により形成されてもよい。
【００２０】
空間光変調素子１００を駆動するに当たっては、固定電極１０４と可動電極１１４との間に電圧をかけると、静電気により、固定電極１０４は、可動電極１１４に対して、下方に引っ張る静電気力が働く。その力が駆動板１２２に伝わり、駆動板１２２は弾性変形して下方向きに変位が生ずる。その変位は梁１２４を通じて支持板１２６の弾性変形を引き起こし、支柱１３２を介して反射鏡１３０の鏡面を傾斜させて、反射光の向きを制御することができる。図１において、破線の１３０ａ及び１３０ｂにより、反射鏡１３０の鏡面の傾斜を概略的に示す。
【００２１】
例えば、図２において、ｄで示す（右手前の）駆動板１２２に対応する固定電極１０４と可動電極１１４に電圧をかけると、静電気力により、ｄの部分駆動板１２２が駆動され、下方向きに弾性変形する。駆動板１２２の変位に伴って、対応する梁１２４及び支持板１２６も弾性変形して、反射鏡１３０を右手前に傾斜させることができる。また、同時にｂとｄで示す駆動板１２２に対応する固定電極１０４と可動電極１１４に同じ電圧をかけることにより、反射鏡１３０を右方向に傾斜させることができる。図３は、左の反射鏡１３０が右に傾斜する様子を示す。
【００２２】
即ち、四つの駆動板１２２の駆動を組み合わせることにより、様々な方向に反射鏡１３０を傾斜させることができる。また、梁１２４は、細いので、上下方向の弾性的な曲げ変形だけでなく、ねじれ変形も弾性的に実現できる。よって、梁１２４を通じて、反射鏡１３０の鏡面の傾斜を細かく制御することができる。
【００２３】
図４から図１５は、空間光変調素子１００の製造方法の一実施形態の製造過程を概略的に示す。次に、これらの図面を用いて、空間光変調素子１００の製造方法について説明する。
【００２４】
図４から図１３は、空間光変調素子１００における可動側基板１１０の製造過程を概略的に示す。まず、図４に示すように、シリコン基板２１２と、酸化シリコン層２１６と、シリコン活性層２２０を含むＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板２００を準備する。基板２００は、シリコン基板に酸素イオンを注入することにより作製することができる。基板２００は、市販のＳＯＩ基板であってよい。例えば、直径が６インチ、厚さが７５０μｍ、シリコン活性層２２０の厚さが１０μｍであるＳＯＩ基板２００を準備してよい。
【００２５】
図５に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチング等により、シリコン活性層２２０をパターニングして、可動部１２０を形成する。例えば、フォトリソグラフィにより、基板２００の表面に、可動部１２０に含まれる駆動板１２２、梁１２４及び支持板１２６を形成しない部分に開口が設けられるレジストマスクを形成して、ドライエッチングによりシリコン活性層２２０における不要の部分を除去して、駆動板１２２、梁１２４及び支持板１２６を形成する。このとき、酸化シリコン層２１６がエッチング停止層となる。
【００２６】
図６は、図５に示す基板の平面図である。図６に示すように、エッチングの後、レジストを剥離すると、可動部１２０が完成する。
【００２７】
図７に示すように、可動部１２０の上に５０μｍのレジスト２４０を塗布して、レジスト２４０の表面を研磨して平坦度を高める。この研磨により、その後レジスト２４０の上に形成される金属層２３０の表面平坦度を高めることができ、最終的に反射鏡１３０の鏡面の平坦度を高めることができる。フォトリソグラフィにより、支柱１３２を形成する部位に開口２４２が設けられるマスクを形成する。
【００２８】
図８に示すように、無電解メッキによりＮｉの金属層２３０を形成する。金属層２３０の材料として、更にＡｌ等が例示できる。金属層２３０の形成方法としては、更に電解メッキ法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が例示できる。その後、金属層２３０の表面を研磨することにより、平坦度を高めた鏡面を形成する。
【００２９】
図９に示すように、研磨した金属層２３０の表面に、フォトリソグラフィによりレジストマスクを作り、エッチングにより金属層２３０を二つの四角の反射鏡１３０に分割する。そして、レジストを剥離する。本実施形態において、反射鏡１３０は、図３に示すように、四角形を有する。その四角形の範囲内に、ビーム支持ポストを形成する凹部が存在しないので、四角形の全範囲が反射面となり、光の反射率を高めることができる。
【００３０】
図１０に示すように、シリコン基板２１２における可動部１２０が形成された面と反対の面から加工して、凹部２４８を形成する。例えば、シリコン基板２１２の裏面に、凹部２４８を形成する部位に開口が設けられたレジストマスクを形成して、エッチングにより所定の深さを有する凹部２４８を形成してから、レジストマスクを剥離する。この凹部２４８は、後続のプロセスにより形成する可動電極１１４の底部と電極側基板１０１との間に一定の間隔を設ける目的で形成する。
【００３１】
図１１に示すように、支持部１１２と可動電極１１４を形成する目的で、フォトリソグラフィにより保護膜２５０を形成する。保護膜２５０は、レジストを塗布してからパターニングしてよく、酸化シリコン膜を形成してからパターニングしてもよい。保護膜２５０のパターンは、支持部１１２と可動電極１１４の平面形状に対応する。
【００３２】
図１２に示すように、保護膜２５０をマスクとして、エッチングにより、シリコン基板２１２から支持部１１２と可動電極１１４を形成する。エッチングは２段階に分けて行う。第１段階では、ドライエッチングによりシリコン部分をエッチングする。この段階で、酸化シリコン層２１６はエッチングの停止層となる。第２段階では、ＨＦにより酸化シリコン層２１６をエッチングして絶縁層１１６を形成し、且つ可動部１２０を完成する。図１２は、レジスト２４０がまだ除去されていない可動側基板１１０を示す。
【００３３】
図１３は、図１２に示す状態まで加工した可動側基板１１０の底面図である。図１３から分かるように、支持部１１２は、四角の枠体を構成して、各空間光変調素子１００を囲むように四方から支える。各空間光変調素子１００において、支持部１１２と分離して、Ｌ字の可動電極１１４が四つ形成されている。四つの可動電極１１４は、それぞれ支持部１１２の四つの角の近傍に配置される。
【００３４】
可動電極１１４と支持部１１２との間には、可動側基板１１０の上部に形成され、支持部１１２と可動電極１１４とを連結する駆動板１２２が裏面に露出する。各可動電極１１４には、対応する１枚の駆動板１２２が設けられ、可動電極１１４により駆動される。四つの可動電極１１４の間には、支持板１２６と、それを各駆動板１２２に連結する梁１２４が裏面に露出する。また、可動部１２０が設けられなかった部分には、まだ除去されていないレジスト２４０が見える。レジスト２４０を残しておくことにより、レジスト２４０が各プロセスにおいて反射鏡１３０及び可動部１２０等を補強することができる。
【００３５】
図１４に示すように、電極側基板１０１を準備する。図１４は、電極側基板１０１の構造を概略的に示す断面図である。電極側基板１０１は、基板１０２に固定電極１０４を形成して、更にその上に誘電体層１０６を積層することにより準備できる。例えば、固定電極１０４は、シリコンの基板１０２の上面に、固定電極１０４を形成する部位に開口が設けられたレジストマスクを形成してから、真空蒸着法、スパッタ法等により固定電極１０４の材料であるＡｌを製膜して、リフトオフにより形成できる。更に、その上にＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成すれば、電極側基板１０１が完成できる。電極側基板１０１において、可動側基板１１０に形成されるそれぞれの可動電極１１４対応して固定電極１０４が設けられる。即ち、一つの空間光変調素子１００において、四つの固定電極１０４が設けられる。
【００３６】
図１５に示すように、作製した電極側基板１０１の上面と可動側基板１１０における支持部１１２の底面を位置合わせして接合する。電極側基板１０１と可動側基板１１０の接合には、ＵＶ硬化型、熱硬化型などの有機系接着剤、低融点薄膜ガラスによる接着、陽極接合法などの公知の接合方法を用いることができる。最後に、レジスト２４０を除去すると、図１に示す空間光変調素子１００が完成する。
【００３７】
上述の製造方法により製造した空間光変調素子１００は、支持部１１２により保持された可動部１２０と、可動部１２０と一体化された反射鏡１３０と複数可動電極１１４が一括して形成できる。よって、各構成要素の間の配置、組合せがより正確に実現でき、空間光変調素子１００の制御精度が高い。なお、空間光変調素子１００は、構造が簡単で、製造プロセスが簡便である。また、反射鏡１３０の反射面に、ビーム支持ポストのような構造上の制限で形成される凹部がなく、全面に平坦な反射面となっているので、光の反射効率が高い。更に、上述の実施形態において、二つの空間光変調素子１００が同時に形成される例を挙げたが、本実施形態により、より多くの空間光変調素子１００を平面上に配列するように形成できる。
【００３８】
図１６は、露光装置４００の模式図である。この露光装置４００は、空間光変調器３００を備え、照明光学系６００に任意の照度分布を有する照明光を入射できる。即ち、露光装置４００は、照明光発生装置５００、照明光学系６００および投影光学系７００を備える。空間光変調器３００は、複数の空間光変調素子１００の配列から構成される。各空間光変調素子１００は、それぞれの制御により反射鏡１３０を傾斜させ、反射光の方向を変えることができる。よって、空間光変調器３００は、反射鏡１３０の傾斜を制御することにより、任意の照度分布を形成することができる。
【００３９】
照明光発生装置５００は、制御部５１０、光源５２０、空間光変調器３００、プリズム５３０、結像光学系５４０、ビームスプリッタ５５０および計測部５６０を含む。光源５２０は、照明光Ｌを発生する。光源５２０が発生した照明光Ｌは、光源５２０の発光機構の特性に応じた照度分布を有する。このため、照明光Ｌは、照明光Ｌの光路と直交する断面において原画像Ｉ１を有する。
【００４０】
光源５２０から出射された照明光Ｌは、プリズム５３０に入射する。プリズム５３０は、照明光Ｌを空間光変調器３００に導いた後、再び外部に出射させる。空間光変調器３００は、制御部５１０の制御の下に入射した照明光Ｌを変調する。
【００４１】
空間光変調器３００を経てプリズム５３０から出射された照明光Ｌは、結像光学系５４０を経て、後段の照明光学系６００に入射される。結像光学系５４０は、照明光学系６００の入射面６１２に照明光画像Ｉ３を形成する。
【００４２】
ビームスプリッタ５５０は、結像光学系５４０および照明光学系の間において、照明光Ｌの光路上に配される。ビームスプリッタ５５０は、照明光学系６００に入射する前の照明光Ｌの一部を分離して計測部５６０に導く。
【００４３】
計測部５６０は、照明光学系６００の入射面６１２と光学的に共役な位置で照明光Ｌの画像を計測する。これにより、計測部５６０は、照明光学系６００に入射する照明光画像Ｉ３と同じ画像を計測する。よって、制御部５１０は、計測部５６０により計測される照明光画像Ｉ３を参照して、空間光変調器３００を帰還制御できる。
【００４４】
照明光学系６００は、フライアイレンズ６１０、コンデンサ光学系６２０、視野絞り６３０および結像光学系６４０を含む。照明光学系６００の出射端には、マスク７１０を保持したマスクステージ７２０が配される。
【００４５】
フライアイレンズ６１０は、並列的に緻密に配された多数のレンズ素子を備え、後側焦点面にレンズ素子の数と同数の照明光画像Ｉ３を含む２次光源を形成する。コンデンサ光学系６２０は、フライアイレンズ６１０から出射された照明光Ｌを集光して視野絞り６３０を重畳的に照明する。
【００４６】
視野絞り６３０を経た照明光Ｌは、結像光学系６４０により、マスク７１０のパターン面に、視野絞り６３０の開口部の像である照射光画像Ｉ４を形成する。こうして、照明光学系６００は、その出射端に配されたマスク７１０のパターン面を、照射光画像Ｉ４によりケーラー照明する。
【００４７】
なお、照明光学系６００の入射面６１２でもあるフライアイレンズ６１０の入射端に形成される照度分布は、フライアイレンズ６１０の出射端に形成される２次光源全体の大局的な照度分布と高い相関を示す。よって、照明光発生装置５００が照明光学系６００に入射させる照明光画像Ｉ３は、照明光学系６００がマスク７１０に照射する照明光Ｌの照度分布である照射光画像Ｉ４にも反映される。
【００４８】
投影光学系７００はマスクステージ７２０の直後に配され、開口絞り７３０を備える。開口絞り７３０は、照明光学系６００のフライアイレンズ６１０の出射端と光学的に共役な位置に配される。投影光学系７００の出射端には、感光性材料を塗布された基板８１０を保持する基板ステージ８２０が配される。
【００４９】
マスクステージ７２０に保持されたマスク７１０は、照明光学系６００により照射された照明光Ｌを反射または透過する領域と吸収する領域とからなるマスクパターンを有する。よって、マスク７１０に照明光画像Ｉ４を照射することにより、マスク７１０のマスクパターンと照明光画像Ｉ４自体の照度分布との相互作用により投影光画像Ｉ５が生成される。投影光画像Ｉ５は、基板８１０の感光性材料に投影されて、要求されたパターンを有するレジスト層を基板８１０の表面に形成する。
【００５０】
なお、図１６では照明光Ｌの光路を直線状に描いているが、照明光Ｌの光路を屈曲させることにより露光装置４００を小型化できる。また、図１６は、照明光Ｌがマスク７１０を透過するように描いているが、反射型のマスク７１０が用いられる場合もある。
【００５１】
図１７は、照明光発生装置５００の部分拡大図であり、露光装置４００における空間光変調器３００の役割を示す図である。プリズム５３０は、一対の反射面５３２、５３４を有する。プリズム５３０に入射した照明光Ｌは、一方の反射面５３２により、空間光変調器３００に向かって照射される。
【００５２】
既に説明した通り、空間光変調器３００は、個別に傾斜させることができる複数の反射鏡１３０を有する。よって、制御部５１０が空間光変調器３００を制御することにより、要求に応じた任意の光源画像Ｉ２を形成できる。
【００５３】
空間光変調器３００から出射された光源画像Ｉ２は、プリズム５３０の他方の反射面５３４により反射され、図中のプリズム５３０右端面から出射される。プリズム５３０から出射された光源画像Ｉ２は、結像光学系５４０により、照明光学系６００の入射面６１２に照明光画像Ｉ３を形成する。
【００５４】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００５５】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００５６】
１００  空間光変調素子、１０１  電極側基板、１０２  基板、１０４  固定電極、１０６  誘電体層、１１０  可動側基板、１１２  支持部、１１４  可動電極、１１６  絶縁層、１２０  可動部、１２２  駆動板、１２４  梁、１２６  支持板、１３０  反射鏡、１３２  支柱、２００  基板、２１２  シリコン基板、２１６  酸化シリコン層、２２０  シリコン活性層、２３０  金属層、２４０  レジスト、２４２  開口、２４８  凹部、２５０  保護膜、３００  空間光変調器、４００  露光装置、５００  照明光発生装置、５１０  制御部、５２０  光源、５３０  プリズム、５３２  反射面、５３４  反射面、５４０  結像光学系、６４０  結像光学系、５５０  ビームスプリッタ、５６０  計測部、６００  照明光学系、６１２  入射面、６１０  フライアイレンズ、６２０  コンデンサ光学系、６３０  視野絞り、７００  投影光学系、７１０  マスク、７２０  マスクステージ、７３０  開口絞り、８１０  基板、８２０  基板ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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