(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたマスクを照明光学系で照明し、前記照明されたマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影する露光方法であって、
前記投影光学系における環境条件の変化量、前記環境条件の変化量と前記投影光学系の結像特性の変化量との関係を規定する第１補正係数、及び、前記結像特性の変化量と前記結像特性を補正する補正部による補正量との関係を規定する第２補正係数に基づいて、前記補正部による補正量を算出する算出工程と、
前記算出工程で算出された補正量に従って前記補正部を動作させる補正工程と、を含み、
前記第１補正係数と前記第２補正係数は、前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の２次関数であり、
前記算出工程において、
前記２次関数の式に前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の値を代入して、前記第１補正係数と前記第２補正係数の値を算出し、
前記環境条件の変化量と算出された前記第１補正係数の値を用いて前記結像特性の変化量を算出する第１算出工程と、
算出された前記結像特性の変化量と算出された前記第２補正係数の値を用いて前記補正部による補正量を算出する第２算出工程と、を有する、ことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
パターンが形成されたマスクを照明光学系で照明し、前記照明されたマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影する露光方法であって、
前記投影光学系における環境条件の変化量、及び、前記環境条件の変化量と前記環境条件によって変化する前記投影光学系の結像特性を補正する補正部による補正量との関係を規定する補正係数に基づいて、前記補正部による補正量を算出する算出工程と、
前記算出工程で算出された補正量に従って前記補正部を動作させる補正工程と、を含み、
前記補正係数は、前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の２次関数であり、
前記算出工程において、
前記２次関数の式に前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の値を代入して、前記補正係数の値を算出し、
前記環境条件の変化量と算出された前記補正係数の値を用いて前記補正部による補正量を算出する、ことを特徴とする露光方法。
【請求項３】
前記２次関数は、前記照明光学系の開口数の２次項、前記投影光学系の開口数の２次項、及び、前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数を乗じた２次項を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】
パターンが形成されたマスクを照明光学系で照明し、前記照明されたマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影する露光装置であって、
前記投影光学系における環境条件の変化量を計測する計測器と、
前記投影光学系の結像特性を補正する補正部と、
前記投影光学系における環境条件の変化量、前記環境条件の変化量と前記投影光学系の結像特性の変化量との関係を規定する第１補正係数、及び、前記結像特性の変化量と前記結像特性を補正する補正部による補正量との関係を規定する第２補正係数に基づいて前記補正部による補正量を算出し、前記算出された補正量に従って前記補正部を動作させる制御部とを有し、
前記第１補正係数と前記第２補正係数は、前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の２次関数であり、
前記制御部は、
前記２次関数の式に前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の値を代入して、前記第１補正係数と前記第２補正係数の値を算出し、
前記環境条件の変化量と算出された前記第１補正係数の値を用いて前記結像特性の変化量を算出し、算出された前記結像特性の変化量と算出された前記第２補正係数の値を用いて前記補正部による補正量を算出する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
パターンが形成されたマスクを照明光学系で照明し、前記照明されたマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影する露光装置であって、
前記投影光学系における環境条件の変化量を計測する計測器と、
前記投影光学系の結像特性を補正する補正部と、
前記投影光学系における環境条件の変化量、及び、前記環境条件の変化量と前記環境条件によって変化する前記投影光学系の結像特性を補正する補正部による補正量との関係を規定する補正係数に基づいて前記補正部による補正量を算出し、前記算出された補正量に従って前記補正部を動作させる制御部と、を有し、
前記補正係数は、前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の２次関数であり、
前記制御部は、
前記２次関数の式に前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の値を代入して、前記補正係数の値を算出し、
前記環境条件の変化量と算出された前記補正係数の値を用いて前記補正部による補正量を算出する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
デバイスを製造する方法であって、
請求項４又は５に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置及び該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
投影露光装置において、気圧、温度、湿度等の環境条件が変動すると、投影光学系の結像特性が変化する。近年の半導体デバイスの微細化に伴い、環境条件の変動による結像特性の高精度化が要求されているため、結像特性の補正が必要となる。環境条件の変動による結像特性の変化を補正する方法に関しては、例えば特許文献１に開示されたものがある。特許文献１には、環境条件の一つである気圧の変化を検出し、気圧の変化に伴う投影倍率及び焦点位置の変化を投影光学系内の光学部材を光軸方向に駆動することにより補正する方法が示されている。気圧変化をΔP、投影倍率に対する大気圧補正係数をKとすると、気圧変化による投影倍率の変化をΔMPは、式１のように表現できる。
【０００３】
ΔMP =KM×ΔP・・・（１）
ここでKMは投影光学系の特性により定まる係数である。式１を用いて算出されたΔMPから投影光学系の光軸方向の駆動量を算出し、補正を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１８３２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
単位気圧あたりの収差変化量は一定である。しかし、照明光学系の有効光源（瞳面の光強度分布）や投影光学系の開口数、マスク及びそのパターンの条件により瞳面内の回折光強度分布が異なる。そのため、気圧の変化に起因する結像特性の変化は前記条件ごとに異なる。上記の気圧の変化に伴う結像特性の変化もまた同様である。したがって、前記補正係数KMを照明光学系の有効光源や投影光学系の開口数、マスクのパターンによらず一意に定めると、気圧の変化による結像特性の変化を精度良く補正することはできない。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決し、投影光学系内の環境条件の変化に起因する投影光学系の結像特性の変化を精度良く補正することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、パターンが形成されたマスクを照明光学系で照明し、前記照明されたマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影する露光方法であって、前記投影光学系における環境条件の変化量、前記環境条件の変化量と前記投影光学系の結像特性の変化量との関係を規定する第１補正係数、及び、前記結像特性の変化量と前記結像特性を補正する補正部による補正量との関係を規定する第２補正係数に基づいて、前記補正部による補正量を算出する算出工程と、前記算出工程で算出された補正量に従って前記補正部を動作させる補正工程と、を含み、前記第１補正係数と前記第２補正係数は、前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の２次関数であり、前記算出工程において、前記２次関数の式に前記照明光学系の開口数と前記投影光学系の開口数の値を代入して、前記第１補正係数と前記第２補正係数の値を算出し、前記環境条件の変化量と算出された前記第１補正係数の値を用いて前記結像特性の変化量を算出する第１算出工程と、算出された前記結像特性の変化量と算出された前記第２補正係数の値を用いて前記補正部による補正量を算出する第２算出工程と、を有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、投影光学系内の環境条件の変化に起因する投影光学系の結像特性の変化を精度良く補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１、実施例２の投影露光装置の構成図
【図２】実施例１の露光方法のフローチャート
【図３】実施例２の露光方法のフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明に係る露光方法、露光装置の実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
［実施例１］
図１は本発明の一実施例を示す露光装置の構成図である。本実施例は、投影光学系内（光学系を収納している筐体内）の環境条件の一つである圧力の変化に起因する投影光学系の結像特性の変化を補正する例になっている。しかし、変化する投影光学系内の環境条件は、圧力、温度及び湿度の少なくともいずれかでありうる。本実施例で補正の対象とする投影光学系の結像特性は、投影倍率と最良焦点位置である。しかし、歪曲収差、像面湾曲といった結像特性も補正の対象とすることができる。光源１から射出された露光光は、照明光学系２を通過し、パターンが形成されたマスク（レチクル）３を照明する。レチクル３は、レチクルステージ４に保持されている。レチクル３のパターンは投影光学系５を介してウエハ（基板）６に転写される。投影光学系５を含まれる光学素子のうち、光学素子５aは、投影光学系５の光軸と平行な方向（Z方向）に移動するように構成され、その移動は、光学系制御部８によって制御される。５bは投影光学系５内に配置された圧力の変化量を計測する計測器（気圧計）である。ウエハステージ（基板ステージ）７はウエハ６を保持しXYZ方向に移動すように構成されている。ウエハステージ７の移動は、ウエハステージ制御部９によって制御される。
【００１２】
記憶部１０には、後述する気圧敏感度のテーブルや駆動敏感度のテーブルが記憶されている。入力部１１には、照明光学系２の開口数及び有効光源、投影光学系５の開口数、並びに、パターンの寸法及びピッチから選択された少なくとも一つのパラメータが露光レシピとして入力され、記憶部１０に記憶される。主制御部１２は、記憶部１０に記憶されている開口数等のパラメータと気圧敏感度のテーブルを読み出し、それらと気圧計５bにより計測された圧力の変化量とに基づいて結像特性の変化量を算出する。主制御部１２は、記憶部１０に記憶されている駆動敏感度のテーブルを読み出し、それとパラメータと算出された結像特性の変化量とに基づいてウエハステージ７と光学素子５ａとの駆動量（補正部の補正量）を算出する。主制御部１２は、算出された駆動量に従ってウエハステージ７と光学素子５ａとを動作させるよう、光学系制御部８、ウエハステージ制御部９へ指令を出す。実施例１において、光学系制御部８とウエハステージ制御部９とは、ウエハステージ７と光学素子５ａとをZ方向に移動させて、投影光学系内の環境条件の変化に起因する投影光学系の結像特性の変化を補正する補正部を構成している。また、主制御部１２は、投影光学系５の結像特性の変化を補正する補正部（光学系制御部８及びウエハステージ制御部９）の補正量を算出する制御部を構成している。
【００１３】
図２は図１の露光装置を用いて気圧の変化に起因する投影光学系５の結像特性の変化を補正しウエハ６にパターンを露光する方法を示すフローチャートである。ステップ１０１で、指定されたレチクル３がレチクルステージ４上にロードされる。ステップ１０２で、ロードされたレチクル３に形成されたパターンをウエハ６に転写するのに適した照明光学系２の有効光源及び投影光学系５の開口数、気圧敏感度及び駆動敏感度の対応テーブルが入力部１１に入力される。その際、気圧敏感度及び駆動敏感度の対応テーブルは記憶部１０に保存される。ステップ１０２は、有効光源及び投影光学系５の開口数、気圧敏感度及び駆動敏感度のテーブルを取得する取得工程を構成している。ステップ１０３で、ウエハ６がウエハステージ７上にロードされる。ステップ１０４で、ウエハステージ制御部９は、ウエハ内の所望の位置にパターンが転写されるようにウエハステージ７をウエハ面内方向に駆動する。
【００１４】
ステップ１０５で、主制御部１２は、気圧の変化に起因する結像特性の変化量を算出する。ステップ１０５は、結像特性の変化量を算出する第１算出工程を構成している。本実施例では補正対象の結像特性として、最良焦点位置、投影倍率を例に挙げたが、他の結像特性（歪曲収差、像面湾曲）であってもよい。気圧計５bの気圧計測値PM と基準大気圧（例えば１０１３hPa）PRとの差である大気圧変化ΔPは次式２で表せる。
ΔP=PM−PR ・・・（２）
また、気圧の変化と結像特性の変化量の関係は次式３，４で表せる。
ΔFP =KF×ΔP・・・（３）
ΔMP =KM×ΔP・・・（４）
ここで、ΔFP、ΔMPはそれぞれ投影光学系５の最良焦点位置、投影倍率の変化量で、KF、KMはそれぞれ単位気圧当たりの最良焦点位置、投影倍率の変化量（以後、気圧敏感度と表記する）である。気圧敏感度KF、KMは、環境条件（圧力）の変化量と、前記環境条件の変化に起因する結像特性（最良焦点位置、投影倍率）の変化量との関係を規定する第１補正係数である。また、気圧敏感度KF、KMは、照明光学系の有効光源、投影光学系５の開口数、レチクル３のパターン等前記少なくとも一つのパラメータによって定められる（変化する）係数である。そのため、気圧敏感度KF、KMと少なくとも一つのパラメータとの対応テーブルが、光学的な計算又は実験により予め求めておかれ、ステップ１０２で入力されて記憶部１０に保存されている。そして、気圧敏感度KF、KMの対応テーブルを参照して必要な気圧敏感度KF、KMが取得される。
【００１５】
ステップ１０６で、主制御部１２は、気圧の変化に起因する結像特性の変化を補正するか否かを判断する。ステップ１０６は、第１算出工程で算出された結像特性の変化量が許容範囲内か否かによって第２算出工程及び後述する補正工程を実行するか否かを決定する決定工程である。気圧の変化に起因する投影光学系の最良焦点位置、投影倍率の変化量が許容範囲内であればステップ１０９に進み露光を行う。変化量ΔFP、ΔMPが許容範囲外であれば、主制御部１２は、ステップ１０７に進み結像特性の変化を補正する補正部による補正量を算出する。ステップ１０７で、主制御部１２は、ウエハステージ７及び投影光学系５内の光学素子５aの駆動量（補正量）を算出する。ステップ１０７は、補正部による補正量を算出する第２算出工程を構成している。また、ステップ１０５とステップ１０７とは、少なくとも一つのパラメータと、投影光学系における環境条件の変化量とに基づいて補正部による補正量を算出する算出工程を構成している。本実施例ではウエハステージ７、光学素子５aを駆動して補正する例を挙げたが、対象となる結像特性が補正できれば、補正手法は限定されない。ウエハステージ７の光軸方向の駆動量をΔTX、光学素子５aの光軸方向の駆動量をΔTYとすると、結像特性の変化量ΔFP、ΔMPとの関係は次式５で表すことができ、駆動量ΔTX、ΔTYを算出することができる。
0005404216.tif 000002
ここで、XF、XMはそれぞれウエハステージ７の光軸方向の単位駆動量当たりの最良焦点位置、投影倍率の変化量（以後、ウエハステージ駆動敏感度と表記する）である。YF、YMはそれぞれ光学素子５aの光軸方向の単位駆動量当たりの最良焦点位置、投影倍率の変化量（以後、光学素子駆動敏感度と表記する）である。ウエハステージ駆動敏感度XF，XM、光学素子駆動敏感度YF，YMは、投影光学系５の結像特性の変化量と補正部の補正量との関係を規定する第２補正係数である。また、駆動敏感度XF，XM，YF，YMは、照明光学系の有効光源、投影光学系５の開口数、レチクル３のパターン等前記少なくとも一つのパラメータによって定められる（変化する）係数である。そのため、駆動敏感度XF，XM，YF，YMと少なくとも一つのパラメータとの対応テーブルが、光学的な計算又は実験により予め求めておかれ、ステップ１０２で入力されて記憶部１０に保存されている。
【００１６】
ステップ１０８では、ウエハステージ制御部９と光学系制御部８とが、ウエハステージ７と光学素子５aとをそれぞれ光軸方向に駆動させることで結像特性の調整を行う。ステップ１０８は、算出された補正量に従って補正部を動作させる補正工程を構成している。主制御部１２は、ウエハステージ制御部９に指令を与えて、ウエハステージ７を光軸方向の位置TPXに駆動させる。ウエハステージ位置TPXは次式６で表せる。また、主制御部１２は、光学系制御部８に指令を与えて、光学素子５aを光軸方向の位置TPYに駆動させる。光学素子位置TPYは次式７で表せる。
TPX=TPXR+ΔTX・・・（６）
TPY=TPYR+ΔTY・・・（７）
ここでTPXRは基準大気圧PRにおけるウエハステージ７の光軸方向の位置である。また、TPYRは基準大気圧PRにおける光学素子５aの光軸方向の位置である。以上により気圧の変化に起因する最良焦点位置、投影倍率の変化を補正することができる。
【００１７】
ステップ１０９で、光源１からの露光光によってレチクル３が照明され、レチクル３上のパターンが投影光学系５を介してウエハ６の露光対象領域に転写される。ステップ１１０で、主制御部１２は、ウエハ内の全ての露光対象ショットへのパターン転写が終了したかを否かを判断する。パターン転写が終了していればステップ１１１に進み、終了していなければステップ１０４に戻り、終了するまでステップ１０４から１０９を繰り返す。ステップ１１１で、露光が完了したウエハ６がアンロードされる。ステップ１１２で、主制御部１２は、ロットのすべてのウエハへのパターン転写が終了したか否かを判断する。終了していれば露光完了であり、終了していなければステップ１０３からステップ１１１を繰り返す。
【００１８】
以上説明したように、本実施形態によると、投影光学系内の環境条件の変化に起因する結像特性の変化を、照明光学系の有効光源、投影光学系の開口数、レチクルの条件ごとに補正することができる。なお、上記実施形態では、補正する対象の結像特性として最良焦点位置、投影倍率の二つを例として挙げたが、補正する対象の結像特性の種類と個数は限定されない。ただし、補正部の個数は補正する対象の結像特性の個数以上にする必要がある。
【００１９】
［実施例２］
本発明の他の実施例を図１及び図３を用いて説明する。実施例１は、気圧敏感度、駆動敏感度と少なくとも一つのパラメータとの対応テーブルを参照して、必要な気圧敏感度、駆動敏感度の値を取得した。しかし、本実施例では、気圧敏感度、駆動敏感度が、パラメータとの対応テーブルではなく、パラメータの関数式として表現される。そして、気圧敏感度、駆動敏感度の関数式にパラメータを代入することによって必要な気圧敏感度、駆動敏感度の値を算出する。
【００２０】
ステップ２０１、２０３、２０４は、実施例１のステップ１０１、１０３、１０４と同一なので説明を省略する。ステップ２０２で、ロードされたレチクル３に形成されたパターンをウエハ６に転写するのに適した照明光学系２の有効光源及び投影光学系５の開口数等のパラメータが入力される。実施例１に対応するステップ１０２では、照明光学系２の有効光源及び投影光学系５の開口数に加えて、気圧敏感度、駆動敏感度が入力されたが、ステップ２０２では気圧敏感度、駆動敏感度の関数式が入力される。
【００２１】
ステップ２０５で、主制御部１２は気圧の変化に起因する結像特性の変化量を算出する。実施例１では、気圧敏感度KF、KMは予め求められた対応テーブル中の数値を用いて結像特性の変化量ΔFP、ΔMPを算出した。実施例２では、主制御部１２は、ステップ１０５で、照明光学系の有効光源、投影光学系５の開口数、レチクル３のパターンの寸法及びピッチに依存するパラメータKF、KMを算出する。気圧敏感度KF、KMは、例えば、投影光学系５の開口数と照明光学系２の開口数をパラメータにして以下の関数式１１，１２で示される。
KF =AF×NAul^２+BF×NAil ^２+CF×NAul×NAil+DF×NAul+EF×NAil+FF・・・(１１)
KM=AM×NAul^２+BM×NAil ^２+CM×NAul×NAil+DM×NAul+EM×NAil+FM・・・(１２)
ここで、NAulは投影光学系５の開口数、NAilは照明光学系２の開口数である。関数式１１、１２は、投影光学系５の開口数、NAilは照明光学系２の開口数をパラメータにして気圧敏感度KF、KMを表現した。しかし、気圧敏感度KF、KMを表現するパラメータは、ステップ２０１でロードするレチクルのパラメータ及びステップ２０２で入力するパラメータであれば限定されない。また、式１１、式１２は二次関数式で表現したが、表現する次数や関数は限定されない。式１１、式１２の係数AF〜FF、AM〜FMを予め光学的な計算又は実験により求めて記憶部１０に保存しておくことができる。そして、記憶部１０に保存された係数AF〜FF、AM〜FMと、ステップ２０１でロードしたレチクル３やステップ２０２で入力された照明光学系の有効光源、投影光学系５の開口数とを用いて変化量ΔFP、ΔMPを算出することができる。ステップ２０６は、実施例１のステップ１０６と同じである。
【００２２】
ステップ２０７で、主制御部１２は、ウエハステージ７及び投影光学系５内の光学素子５aの駆動量を算出する。本実施例では、ウエハステージ７、光学素子５aを駆動して結像特性を補正したが、対象となる結像特性が補正できれば、補正手法は限定されない。ウエハステージ７の光軸方向の駆動量をΔTX、光学素子５aの光軸方向の駆動量をΔTYとすると、結像特性の変化量ΔFP、ΔMPとの関係は次式１３で表すことができ、駆動量ΔTX、ΔTYを算出することができる。
0005404216.tif 000003
ここで、XF、XMはそれぞれウエハステージ７の光軸方向の単位駆動量当たりの最良焦点位置、投影倍率の変化量（以後、ウエハステージ駆動敏感度と表記する）である。また、YF、YMはそれぞれ光学素子５aの光軸方向の単位駆動量当たりの最良焦点位置、投影倍率の変化量（以後、光学素子駆動敏感度と表記する）である。ウエハステージ駆動敏感度XF、XMと光学素子駆動敏感度YF、YMはステップ２０２で入力された照明光学系２の有効光源、投影光学系５の開口数、レチクル３のパターンの寸法及びピッチに依存するパラメータである。ウエハステージ駆動敏感度XF、XMと光学素子駆動敏感度YF、YMを、例えば、投影光学系５の開口数と照明光学系２の開口数をパラメータにした以下の関数式１４〜１７で示される。
【００２３】
XF=AFX×NAul ^２+BFX×NAil^２+CFX×NAul×NAil+DFX×NAul+EFX×NAil+FFX・・・(１４)
XM =AMX×NAul ^２+BMX×NAil^２+CMX×NAul×NAil+DMX×NAul+EMX×NAil+FMX・・・(１５)
YF =AFY×NAul ^２+BFY×NAil ^２+CFY×NAul×NAil+DFY×NAul+EFY×NAil+FFY・・・(１６)
YM =AMY×NAul^２+BMY×NAil ^２+CMY×NAul×NAil+DMY×NAul+EMY×NAil+FMX・・・(１７)
ここで、NAulは投影光学系５の開口数、NAilは照明光学系２の開口数である。式１４〜１７は投影光学系５の開口数、照明光学系２の開口数をパラメータにしてウエハステージ駆動敏感度XF、XMと光学素子駆動敏感度YF、YMを表現した。しかし、ウエハステージ駆動敏感度XF、XMと光学素子駆動敏感度YF、YMを表現するパラメータは、ステップ２０１でロードするレチクルのパラメータ及びステップ２０２で入力するパラメータであれば限定されない。また、式１４〜１７は二次関数式で表現したが、表現する次数や関数は限定されない。式１４〜１７の係数AFX〜FFX、AMX〜FMX、AFY〜FFY、AMY〜FMYをあらかじめ光学的な計算もしくは実験により求めて記憶部１０に保存しておくことができる。そして、係数AFX〜FFX、AMX〜FMX、AFY〜FFY、AMY〜FMYと、ステップ２０１でロードしたレチクル３やステップ２０２で入力した照明光学系の有効光源、投影光学系５の開口数とを用いて駆動量ΔTX、ΔTYを算出しうる。ステップ２０８〜２１２は、実施例１のステップ１０８〜１１２と同じである。
【００２４】
次に、上記露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。その場合、デバイスは、前述の露光装置を用いて基板６を露光する工程と、露光された基板６を現像する工程と、現像された基板６に対する他の周知の工程とを経ることにより製造される。デバイスは、半導体集積回路素子、液晶表示素子等でありうる。基板６は、ウエハ、ガラスプレート等でありうる。当該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、ダイシング、ボンディング、パッケージング等の各工程である。
【００２５】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
0005404216.tif 000004
【図２】
0005404216.tif 000005
【図３】
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