(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック絶縁層と、該セラミック絶縁層の表面に形成された表面配線層と、該表面配線層の周縁部とその周囲の前記セラミック絶縁層とを部分的に被覆している保護層とを具備するセラミック配線基板であって、前記表面配線層を被覆している部分の前記保護層がＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．２質量％と、残部にＳｉＯ２を２８．０〜３１．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を５．０〜７．０質量％、ＣａＯを１．０〜２．０質量％、ＢａＯを１４．０〜１６．０質量％、ＭｇＯを１３．０〜１６．０質量％、ＳｒＯを０．５〜１．５質量％およびＺｒＯを０．５〜０．８質量％含有するガラス成分とを含有するものであり、前記セラミック絶縁層を部分的に被覆している前記保護層が、ＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．２質量％と、残部にＳｉＯ２を３２．０〜３４．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜８．０質量％、ＣａＯを９．０〜１２．０質量％、ＢａＯを１５．０〜１８．０質量％およびＳｒＯを１．５〜３．０質量％含有するガラス成分とを含有するものであることを特徴とするガラスセラミック配線基板。
【請求項２】
前記表面配線層の外形の形状が円形状であるとともに、前記保護層が前記表面配線層の中心に対して同心円状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のガラスセラミック配線基板。
【請求項３】
前記表面配線層を被覆している前記保護層の幅Ｗが前記表面配線層の直径Ｄに対して４％≦Ｗ／Ｄ≦１３％であることを特徴とする請求項２に記載のガラスセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信分野などで使用される半導体素子収納用パッケージまたは高周波モジュール基板等に適用され、銅を主成分とする低抵抗の配線層を有するガラスセラミック配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５は、ガラスセラミック配線基板を示す概略断面図である。図６は、図５のガラスセラミック配線基板の概略断面図において破線で囲まれる領域Ａを拡大した断面図である。図７は、図５のガラスセラミック配線基板の概略断面図において破線で囲まれる領域Ａを拡大した平面図である。
【０００３】
ガラスセラミック配線基板Ｂは、複数のガラスセラミック絶縁層１１１、１１２、１１３および１１４が積層された絶縁基体１０１と、ガラスセラミック絶縁層１１１、１１２、１１３および１１４を貫通する貫通導体１０３と、絶縁基体１０１の内部に形成された内部配線層１０４と、絶縁基体の主面である上下面に形成された表面配線層１０５とを備えている。
【０００４】
このようなガラスセラミック配線基板Ｂにおいては、絶縁基板１０１の上下面に形成された表面配線層１０５のうち上面側の表面配線層１０５ａは半導体素子や電子部品などを実装するための配線層となり、一方、下面側の表面配線層１０５ｂは外部回路基板に接続するための接続端子１０６を形成するための配線層となる。なお、絶縁基板１０１の上下面に形成された表面配線層１０５の周縁部１０５ｃからその周囲の絶縁基体１０１の表面１０１ｃにかけては、表面配線層１０５のメタライズ強度を高めるための保護層１０７としてセラミック膜が形成されて表面配線層１０５の一部を被覆した状態となっている。
【０００５】
なお、このようなガラスセラミック配線基板Ｂは、絶縁基体１０１としてガラスセラミック材料が用いられており、また、貫通導体１０５、内部配線層１０４および表面配線層１０５には、低融点かつ低抵抗の銅が用いられおり、これら絶縁基体１０１と、貫通導体１０３、内部配線層１０４および表面配線層１０５とは同時焼成により一体化されている（例えば、特許文献１〜５を参照）。
【０００６】
このようにして得られるガラスセラミック配線基板は、耐湿性を高めるために表面基板にボイド等の欠陥が無く、また、半導体素子や外部回路基板との接続信頼性を向上させるという目的から、表面配線層１０５のメタライズ強度が高くかつ基板表面の平坦度の高いガラスセラミック配線基板が求められている。
【０００７】
このようなガラスセラミック配線基板Ｂは、以下のような工程によって作製される。まず、ガラスセラミック材料を主成分とするガラスセラミックグリーンシートを形成した後、このガラスセラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、導体ペーストを充填する。次に、貫通孔に導体ペーストが充填されたガラスセラミックグリーンシートの主面に導体ペーストを印刷して、内部配線層１０４または表面配線層１０５となる各導体パターンを形成する。ここで、表面配線層１０５となる導体パターンの周縁部１０５ｃおよびその周囲のガラスセラミックグリーンシートの表面にはガラス成分とフィラー成分とを含むセラミックスラリを印刷して、焼成後にセラミック膜となるセラミックパターンを形成する。次に、貫通導体１０３、内部配線層１０４および表面配線層１０５となる各導体パターンが形成されたガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を形成し、次いで、この積層体を所定の条件にて焼成することにより多層配線基板の素体を形成する。次に、こ
の多層配線基板の素体の表面に形成された表面配線層１０５の表面にめっき膜を形成することによりガラスセラミック配線基板Ｂを得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２３１４５４号公報
【特許文献２】特開平１０−１９０１７８号公報
【特許文献３】特開２００３−１６３４２７号公報
【特許文献４】特開２００９−２３８８８４号公報
【特許文献５】特開２００９−２０６２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記公報に開示されたガラスセラミック配線基板Ｂでは、表面配線層１０５の周縁部１０５ｃを被覆している保護層１０７上に黒ごまと呼ばれる斑点が発生したり、保護層１０７のうち表面配線層１０５の周縁部１０５ｃの周囲に位置している絶縁基体１０１の表面１０１ｃを被覆している保護層１０７の表面に、焼成時に製品を覆うために用いるセラミックシートの成分が付着するという外観的な不良が発生しやすいという問題があった。このような問題に対して、これまでは焼成直後のセラミック配線基板の素体を外観検査で選別する方法や軽微なものについては外観不良となっている箇所を研磨する方法などが採られていた。
【００１０】
なお、黒ごまと呼ばれる斑点は、多層配線基板Ｂを製造する際の焼成時に、表面配線層１０５を形成する導体材料である銅が保護層１０７中に拡散することと、めっき処理時にエッチング液が保護層１０７に残ることが原因であり、一方、絶縁基体１０１の表面１０１ｃを被覆している保護層１０７の表面へのセラミックシートの成分の付着は、保護層１０７の成分が焼成時に一部溶融することにより、その上面に置かれたセラミックシートの成分と反応することに起因したものである。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、表面配線層を被覆している保護層にボイドなどの欠陥が無く、表面配線層のメタライズ強度および平坦度が高く、絶縁基体の表面に形成された表面配線層の周縁部を覆う保護層側において、黒ごまと呼ばれる斑点が無く、かつ絶縁基体の表面を被覆している保護層の表面へのセラミックシートの成分の付着の無いガラスセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の多層配線基板は、セラミック絶縁層と、該セラミック絶縁層の表面に形成された表面配線層と、該表面配線層の周縁部とその周囲の前記セラミック絶縁層とを部分的に被覆している保護層とを具備するセラミック配線基板であって、前記表面配線層を被覆している部分の前記保護層がＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．２質量％と、残部にＳｉＯ２を２８．０〜３１．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を５．０〜７．０質量％、ＣａＯを１．０〜２．０質量％、ＢａＯを１４．０〜１６．０質量％、ＭｇＯを１３．０〜１６．０質量％、ＳｒＯを０．５〜１．５質量％およびＺｒＯを０．５〜０．８質量％含有するガラス成分とを含有するものであり、前記セラミック絶縁層を部分的に被覆している前記保護層が、ＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．２質量％と、残部にＳｉＯ２を３２．０〜３４．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜８．０質量％、ＣａＯを９．０〜１２．０質量％、ＢａＯを１５．０〜１８．０質量％およびＳｒＯを１．５〜３．０質量％含有するガラス成分とを含有するものであることを特徴とする。
【００１３】
また、上記ガラスセラミック配線基板では、前記表面配線層の外形の形状が円形状であるとともに、前記保護層が前記表面配線層の中心に対して同心円状に形成されていることが望ましい。
【００１４】
また、上記ガラスセラミック配線基板では、前記表面配線層を被覆している前記保護層の幅Ｗが前記表面配線層の直径Ｄに対して、４％≦Ｗ／Ｄ≦１３％であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のガラスセラミック配線基板によれば、基板表面にボイドなどの欠陥が無く、表面配線層のメタライズ強度および平坦度が高く、絶縁基体の表面に形成された表面配線層の周縁部を覆う保護層側において、黒ごまと呼ばれる斑点が無く、かつ絶縁基体の表面を被覆している保護層の表面へのセラミックシートの成分の付着の無いガラスセラミック配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のガラスセラミック配線基板の一実施形態の概略断面図である。
【図２】図１に示す破線で囲まれる領域Ａの拡大図である。
【図３】図１に示す破線で囲まれる領域Ａの平面図であり、保護層が表面配線層に対して同心円状に配置している構造である。
【図４】保護層が表面配線層に対して同心円状の位置に無い配置の他の構造を示す平面図である。
【図５】従来のガラスセラミック配線基板の一実施形態の概略断面図である。
【図６】図５に示す破線で囲まれる領域Ｂの拡大図である。
【図７】図５に示す破線で囲まれる領域Ｂの平面図であり、保護層が表面配線層に対して同心円状に配置している構造である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明のセラミック配線基板の一実施形態について図面に基いて説明する。
【００１８】
図１は、本発明のガラスセラミック配線基板の一実施形態の概略断面図である。図２は、図１に示す破線で囲まれる領域Ａの拡大図である。
【００１９】
図１に示すガラスセラミック配線基板Ａは、複数のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の主面に設けられた表面配線層２、３とを備えている。なお、絶縁基体１の主面とは、絶縁基体１における最も広い面積の面であって図１に示す上面および下面のことをいう。
【００２０】
絶縁基体１は、複数のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が積層されたものである。このガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４はガラスセラミックスで形成されており、例えば、プリント配線基板（マザーボード）との二次実装信頼性に優れた高い熱膨張係数（１３×１０−６／℃〜１５×１０−６／℃）のクォーツを主結晶として含むガラスセラミックスが採用される。また、クォーツは室温付近における比誘電率が低いことから、高周波領域における伝送信号の減衰を抑制でき、信号遅延による伝送ロスを少なくすることもできるという利点を有している。なお、絶縁基体１には、クォーツの他、セルジアンやエンスタタイトなどの結晶が存在していてもよく、これらの結晶の存在も絶縁基体１の熱膨張係数向上に寄与する。
【００２１】
絶縁基体１の主面には表面配線層（ボールパット部）２が設けられており、また、絶縁基体１の内部には内部配線層４が設けられている。また、表面配線層２の周縁部には保護
層２３１と保護層２３２とがほぼ同一平面上に隣接して形成されている。ここで、表面配線層２の周縁部に形成されている保護層２３１は、めっき性を確保するために焼結性が高められたガラスセラミック製の膜であり、一方、保護層２３２は、主に、焼成時にガラスセラミック配線基板である製品を覆うために用いるセラミックシート（以下、セッターという）の成分との過剰な反応を抑制するために反応性を抑えたガラスセラミック製の膜である。この表面配線層２の上側（絶縁基体１側とは反対側）には、複数のめっき層（Ｐｄめっき層２１、Ｎｉめっき層２２およびＡｕめっき層２３）が形成されている。
【００２２】
ここで、表面配線層２を被覆している保護層２３１は、シリカ（ＳｉＯ２）のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を１．０〜１．２質量％と、残部のガラス成分とから構成されており、そのガラス成分の組成は、ＳｉＯ２を２８．０〜３１．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を５．０〜７．０質量％、ＣａＯを１．０〜２．０質量％、ＢａＯを１４．０〜１６．０質量％、ＭｇＯを１３．０〜１６．０質量％、ＳｒＯを０．５〜１．５質量％およびＺｒＯを０．５〜０．８質量％含有するものである。
【００２３】
また、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２は、ＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．１質量％と、残部のガラス成分とから構成されており、そのガラス成分の組成は、ＳｉＯ２を３２．０〜３４．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜８．０質量％、ＣａＯを９．０〜１２．０質量％、ＢａＯを１５．０〜１８．０質量％およびＳｒＯを１．５〜３．０質量％含有するものである。
【００２４】
これにより、表面配線層２のメタライズ強度が５ｋｇｆ／ｍｍ２以上、平坦度が８０μｍ以下であり、絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２の周縁部を覆う保護層２３１側において、黒ごまと呼ばれる斑点が無く、かつ絶縁基体１の表面を被覆している保護層２３２の表面へのセッターの成分の付着の無いガラスセラミック配線基板Ａを得ることができる。
【００２５】
また、この実施形態のガラスセラミック配線基板Ａでは、表面配線層２に被覆されている保護層２３１に含まれるガラス相の組成が上記の範囲であると、銅の拡散による保護層２３１の焼結性劣化を抑制することができ、ガラスエッチング液や銅エッチングの侵食を防ぐことができめっき性を高めることが可能になる。なお、ここで、めっき性を高めるとは、表面配線層２などの導体層にめっきを施した後に黒ごまなどの斑点が無い状態をいう。
【００２６】
また、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２に含まれるガラス相の組成が上記の範囲であると、製品とセッターとの過剰反応を抑制することができ、セッターの付着を防止すると同時に、絶縁層に被覆している保護層の焼結性低下から発生する粗大ボイドを抑制することが可能となる。なお、この保護層２３１および保護層２３２に含まれるガラス相は非晶質であり、原料のガラス粉末からの再結晶化は殆ど無いものである。
【００２７】
これに対して、表面配線層２を被覆している保護層２３１中に含まれる酸化クロムの含有量が１．０質量％よりも少ないと、表面配線層２上に保護層２３を印刷するときに、緑色の着色が弱まることから表面配線層２上に精度良く印刷することが困難となり、保護層２３の印刷不良により強度劣化が発生する恐れがある。
【００２８】
一方、酸化クロムの含有量が１．１質量％よりも多い場合には、保護層２３１上に顔料過多によるインクペーストの分散不良から緑点が発生し、セッターからのセラミック成分の付着による外観不良を招くおそれがある。
【００２９】
シリカ（ＳｉＯ２）の含有量が２７．７質量％より少ない場合には、表面配線層２に被覆される保護層２３１が過度に焼結しやすくなることから、セッターの付着が発生しやすくなるとともに、表面配線層２と保護層２３との焼成収縮の挙動が合わなくなり、これにより表面配線層２と保護層２３との間に空隙やボイドが発生するおそれがある。
【００３０】
一方、シリカ（ＳｉＯ２）の質量が３１．７質量％よりも多い場合には、フィラーであるシリカ（ＳｉＯ２）の粉体の表面積に対して、ガラスの液相が不足してくるため、保護層２３の焼結性が低下することにより、めっき後において黒ゴマが発生しやすくなる。
【００３１】
ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量が２８．０質量％より少ない場合、Ａｌ２Ｏ３の含有量が５．０質量％よりも少ない場合、ＣａＯの含有量が２．０質量％よりも多い場合、ＢａＯの含有量が１４．０質量％よりも少ない場合、ＭｇＯの含有量が１６質量％よりも多い場合、ＳｒＯの含有量が０．５質量％よりも少ない場合およびＺｒＯ２の含有量が０．５質量％よりも少ない場合には、いずれも平坦度が損なわれて反りが８０μｍ以上にまで大きくなる。
【００３２】
一方、ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量が３１．０質量％より多い場合、Ａｌ２Ｏ３の含有量が７．０質量％よりも多い場合、ＣａＯの含有量が１質量％よりも少ない場合、ＢａＯの含有量が１６．０質量％よりも多い場合、ＭｇＯの含有量が１３質量％よりも少ない場合、ＳｒＯの含有量が１．５質量％よりも多い場合およびＺｒＯ２の含有量が０．８質量％よりも多い場合には、表面配線層２を被覆している保護層２３１の焼結性が低下するために保護層２３１の表面にめっき後の現れる黒ごまが発生しやすくなる。
【００３３】
また、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２も、酸化クロムの含有量が１．０質量％よりも少ないと、保護層２３１のメタライズ強度が低下するおそれがあり、一方、酸化クロムの質量が１．１質量％よりも多い場合には、セッターからのセラミック成分の付着による外観不良が発生するおそれがある。
【００３４】
シリカ（ＳｉＯ２）の含有量が２７．７質量％より少ない場合には、保護層２３２が過度に焼結しやすくなることから、セッターの付着が発生しやすくなる。
【００３５】
一方、シリカ（ＳｉＯ２）の質量が３１．７質量％よりも多い場合には、保護層２３２の焼結性が低下することにより、基板表面に粗大ボイドが形成されやすくなり、めっき後において黒ゴマが発生しやすくなる。
【００３６】
ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量が３２．０質量％より少ない場合、Ａｌ２Ｏ３の含有量が６．５質量％よりも少ない場合、ＣａＯの含有量が１２．０質量％よりも多い場合、ＢａＯの含有量が１５．０質量％よりも少ない場合、ＭｇＯの含有量が１６質量％よりも多い場合およびＳｒＯの含有量が１．５質量％よりも少ない場合には、いずれも平坦度が損なわれて反りが８０μｍ以上にまで大きくなるとともに、セッターの付着が発生しやすくなる。
【００３７】
一方、ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量が３４．０質量％より多い場合、Ａｌ２Ｏ３の含有量が８．０質量％よりも多い場合、ＣａＯの含有量が９．０質量％よりも少ない場合、ＢａＯの含有量が１８．０質量％よりも多い場合およびＳｒＯの含有量が３．０質量％よりも多い場合には、保護層２３２の焼結性が低下して粗大ボイドが発生しやすくなることから保護層２３２の表面にめっき後に現れる黒ごまが発生しやすくなる。
【００３８】
また、ガラスセラミック配線基板Ａにおいては、絶縁基体１が１０００℃以下の温度で
焼結されるものであることから、表面配線層２の主成分は低融点、低抵抗の銅である。ここで、表面配線層２には、電気抵抗、熱伝導性を劣化させない範囲で、他の金属、酸化物、セラミックス等を含んでいてもよい。
【００３９】
また、絶縁基体１を構成するガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４は、ＳｉＯ２が３０〜５０質量％、Ｂ２Ｏ３が５〜１５質量％、Ａｌ２Ｏ３が８．０質量％、ＭｇＯが１０．０〜２５質量％、ＣａＯが０．５〜３質量％、ＢａＯが１０〜２５質量％、ＳｒＯが０．５〜２．０質量％およびＺｒＯ２が０．５〜２質量％であるのがよい。
【００４０】
また、絶縁基体１を構成するガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の表面の設けられている表面配線層２は、９４．９〜９５．８質量％の銅と、３．２〜４．２質量％のガラス相と、０．５〜１．４質量％の溶融シリカ相とを含んでいるのが良く、また内部配線層４についても同様の組成であるのがよい。
【００４１】
また、表面配線層２に含まれるガラス相は、これに含まれる成分の合計を１００質量％としたときに、ＳｉがＳｉＯ２換算で４８．０〜５１．０質量％、ＡｌがＡｌ２Ｏ３換算で９．８〜１０．２質量％、ＭｇがＭｇＯ換算で０．１〜０．３質量％、ＣａがＣａＯ換算で１４．０〜１６．０質量％、ＢａがＢａＯ換算で２１．０〜２４．０質量％、ＳｒがＳｒＯ換算で２．４〜３．０質量％であるのがよい。なお、表面配線層２に含まれるガラス相は、原料である非晶質のガラスが残存したものであり、各成分の含有量は原料のガラス組成と同じである。
【００４２】
表面配線層２のガラス相に含まれる各成分の割合が上記の範囲であることで、収縮挙動の変動によるガラスセラミック配線基板（絶縁基体１）の主面の凹凸が抑制される。また、表面配線層２に含まれる表面に適度にガラスが存在する状態となることから、表面配線層２に含まれる表面の酸化が抑えられて、酸化膜（酸化銅）の生成が抑制される。これより、表面配線層２に含まれる金属成分である銅をエッチングした後に行うＰｄめっき層２１の形成（Ｐｄ吸着）が良好なものとなり、さらに後のＮｉめっき層２２およびＡｕめっき層２３の形成が良好なものとなる。
【００４３】
ここで、保護層２３の組成の組成については、例えば、分析する試料を切断してこの断面を研磨し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による画像を解析し、まず、組織上からガラス相とシリカのフィラーを分離し面積比を求めることで算出できる。また、ガラス相に含まれる各成分の含有量は、ガラス相の一部についてスポット的にエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＳ）を行うことにより算出できる。
【００４４】
また、表面配線層２の組成についても、同様の方法によって求める。この場合、まず、組織観察した画面上において銅とガラス相とを分離し面積比を求める。また、ガラス相に含まれる各成分の含有量は、ガラス相の一部についてスポット的にエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＳ）を行って求める。
【００４５】
この実施形態のセラミック配線基板Ａを構成する表面配線層２の表面には、絶縁基体１側からＰｄめっき層２１、Ｎｉめっき層２２およびＡｕめっき層２２３がこの順に形成されてめっき層２２が形成されている。このめっき層は、表面配線層２の酸化防止および実装部品との接合強度向上のために形成されるものである。
【００４６】
図３は、図１に示す破線で囲まれる領域Ａの平面図であり、保護層が表面配線層に対して同心円状に配置している構造である。図４は、保護層が表面配線層に対して同心円状の位置に無い配置の他の構造を示す平面図である。
【００４７】
また、この実施形態のセラミック配線基板Ａでは、表面配線層２の外形の形状が円形状であるとともに、表面配線層２の表面に形成されている保護層２３が、表面配線層２の中心に対して同心円状に形成されていることが望ましい。表面配線層２の外形の形状が円形状であり、保護層２３が表面配線層２の中心に対して同心円状に形成されていると、表面配線層２のメタライズ強度を高められるという利点がある。ここで、表面配線層２の周縁部に形成されている保護層２３が、表面配線層２の中心に対して同心円状に形成されているとは、図３に示すように、表面導体層２の直径Ｄに対して、保護層２３１の占める周縁部の幅Ｗが円周上に置いて同じ幅を有するものをいう。一方、表面配線層２の周縁部に形成されている保護層２３が、表面配線層２の中心に対して同心円状ではないという状態とは、図４に他の例として示すように、表面導体層２の直径Ｄに対して、保護層２３１の占める周縁部の幅Ｗが円周上に対向する位置に置いて異なる幅Ｗ１、Ｗ２を有するものをいう。
【００４８】
また、この実施形態のセラミック配線基板Ａでは、表面配線層２の表面に形成されている保護層２３の幅Ｗが表面配線層２の直径Ｄに対して、４％≦Ｗ／Ｄ≦１３％であることが望ましい。表面配線層２の直径Ｄに対する表面配線層２を被覆している保護層の幅Ｗが、４％≦Ｗ／Ｄ≦１３％の関係であると、セラミック配線基板Ａの反りを７０μｍ以下で低減でき、平坦度を高められるという利点がある。
【００４９】
なお、反り（平坦度）の測定方法は、焼成後のセラミック配線基板の素体の主面に対してレーザー変位計を用いて測定する。
【００５０】
表面配線層２のメタライズ強度は、メタライズ強度の測定は強度測定用パターン上に、Ｃｕ製のピンを共晶半田を用いて接合し、引張試験機（「ＭＯＤＥＬ−１３１０ＤＷ」ＡＩＫＯ  ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ製）を用いて引っ張りによる破壊強度を測定して求める。
【００５１】
また保護層２３２の粗大ボイドの有無は、焼成後のガラスセラミック配線基板の素体についてレッドチェック試験を行って判定する。なお、レッドチェック試験とは、評価する試料を赤色系の溶液中に浸漬させ、次いで、洗浄した後の試料の変色を確認する方法であり、これにより、例えば、ガラスセラミック配線基板Ａの表面に存在するボイドの有無を確認することができる。レッドチェック試験後に着色した部分が見られるものをここではボイド有りと判定する。
【００５２】
次に、セラミック配線基板の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、ガラスセラミックグリーンシートを作製するためのガラス粉末およびセラミックフィラーを用意する。
【００５４】
ガラス粉末としては、ＳｉＯ２を３５〜４５質量％、Ｂ２Ｏ３を５〜１０質量％、Ａｌ２Ｏ３を６〜１０質量％、ＭｇＯを１５〜２５質量％、ＣａＯを１〜３質量％、ＢａＯを１７〜２３質量％、ＳｒＯを０．５〜２質量％およびＺｒＯ２を０．５〜１．５質量％含有する平均粒径２．０〜５．０μｍの粉末を用いる。このガラスは、焼成によりセルシアンおよびエンスタタイトを析出する結晶性のガラスである。
【００５５】
また、セラミックフィラーとしては、高熱膨張化に極めて効果的な結晶であるＳｉＯ２（クォーツ）を用いる。なお、セラミックフィラーの平均粒径は３．５〜５．０μｍ、比表面積は１．５〜２．５ｃｍ２／ｇが好ましい。
【００５６】
次に、ガラス粉末６０〜７０質量％とセラミックフィラー３０〜４０質量％と酸化クロ
ム０．９〜１．３質量％を混合してガラスセラミックグリーンシートを作製する。具体的には、ガラス粉末とセラミックフィラーと酸化クロムとの混合物（合計１００質量％）に適当な有機バインダおよび有機溶剤を混合してスラリーを得る。得られたスラリーから、所望の成形手段、例えばドクターブレード法、カレンダーロール法、圧延法等によりガラスセラミックグリーンシートを作製する。
【００５７】
次に、得られたガラスセラミックグリーンシートにパンチングやレーザー加工法などにより貫通孔を形成する。そして、この貫通孔に銅粉末を主成分として含む貫通導体用の導体ペーストを充填する。
【００５８】
また、所望のガラスセラミックグリーンシート上に、銅粉末を主成分として含む配線層用の導体ペーストを用いて表面配線層用または内部配線層用の導体パターンをスクリーン印刷法やグラビア印刷法にて形成する。
【００５９】
次に、表面配線層２用の導体パターンの周縁部に、保護層用のペーストを用いてスクリーン印刷法により表面配線層２を被覆している保護層２３１となる保護層用のパターンを形成する。
【００６０】
次に、表面配線層２を被覆している保護層２３１となる保護層用のパターンの周囲に、保護層用のペーストを用いて、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２用のパターンを形成する。
【００６１】
ここで、表面配線層２および内部配線層４を形成するための導体ペーストは、平均粒径４．５〜５．５μｍの銅粉末１００質量部に対して、平均粒径１．６〜２．０μｍのガラス粉末を３．５〜４．５質量部、フィラーとして平均粒径１．０〜１．５μｍの溶融シリカを０．５〜２．０重量部、平均粒径２．０〜５．０μｍの亜酸化銅を２．５〜４．０重量部添加したものに、有機バインダおよび有機溶剤を所定量添加して調製する。
【００６２】
ここで導体ペーストに添加するガラス粉末の組成は、ＳｉがＳｉＯ２換算で４８．０〜５１．０質量％、ＡｌがＡｌ２Ｏ３換算で９．８〜１０．２質量％、ＭｇがＭｇＯ換算で０．１〜０．３質量％、ＣａがＣａＯ換算で１４．０〜１６．０質量％、ＢａがＢａＯ換算で２１．０〜２４．０質量％、ＳｒがＳｒＯ換算で２．４〜３．０質量％であることがのぞましい。
【００６３】
次に、表面配線層２の表面を被覆する保護層２３１用のペーストは、平均粒径２．０〜４．０μｍのＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．２質量％と、平均粒径３．０〜４．０μｍのガラス粉末が６７．３〜７１．２質量％から構成されている混合粉末に有機バインダ、有機溶剤等が添加されて混練されたものである。ここでガラス粉末はＳｉＯ２を２８．０〜３１．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を５．０〜７．０質量％、ＣａＯを１．０〜２．０質量％、ＢａＯを１４．０〜１６．０質量％、ＭｇＯを１３．０〜１６．０質量％、ＳｒＯを０．５〜１．５質量％およびＺｒＯを０．５〜０．８質量％から構成されている。ここで、保護層２３１用のペースト中に含まれるガラス成分は、ガラス転移点が６７０〜６９０℃の範囲を有するものが望ましい。
【００６４】
保護層２３１用のペースト中に含まれるＳｉＯ２のフィラーの含有量が２７．７質量％よりも少ないと、表面配線層２に被覆する保護層２３１が過度に焼結しやすくなることから、セッターの付着が発生しやすくなるとともに、表面配線層２と保護層２３との焼成収縮の挙動が合わなくなり、これにより表面配線層２と保護層２３との間に空隙やボイドが発生するおそれがある。
【００６５】
一方、シリカ（ＳｉＯ２）の質量が３１．７質量％よりも多い場合には、フィラーであるシリカ（ＳｉＯ２）の粉体の表面積に対して、ガラスの液相が不足してくるため、保護層２３の焼結性が低下することにより、めっき後において黒ゴマが発生しやすくなるおそれがある。
【００６６】
保護層２３１用のペースト中に含まれる酸化クロムの含有量が１．０質量％よりも少ないと、保護層２３１の焼結が過度になり、セッターの付着が多くみられるようになる。
【００６７】
一方、酸化クロムの含有量が１．１質量％よりも多い場合には、保護層２３１の焼成性が低下するために保護層２３１の表面にめっき後に現れる黒ごまが発生しやすくなる。
【００６８】
ＳｉＯ２の含有量が２８．０質量％よりも少ないと、ガラスが３次元網目構造を形成しにくくなることから、ガラスの粘度が低下するおそれがある。一方、ＳｉＯ２の含有量が３１．０質量％よりも多いと、ガラスの骨格は強固なものになっていくが、逆にガラスの液相化温度が上昇し過ぎることから、保護層２３１の密度が低くなり、黒ごまの発生やレッドチェックめっき性が劣化するおそれがある。
【００６９】
Ａｌ２Ｏ３の含有量が５．０質量％よりも少ないと、原子間の架橋効果が弱まることで、ガラス液相温度の低下により絶縁体と導体との収縮挙動を合わせることが困難になることから反りが大きくなるおそれがある。一方、Ａｌ2Ｏ3の含有量が７質量％より多いと、網目修飾酸化物であるＡｌ２Ｏ３の架橋効果が強まりガラスの粘度が上昇するとともに、導体との反応性が低下し保護層の緻密性が劣化することで、表面に黒ゴマが発生しやすくなる。
【００７０】
ＭｇＯの含有量が１３．０質量％よりも少ないと、ガラスの化学耐久性が低下することで、めっき性が低下するおそれがある。一方、ＭｇＯの含有量が１６質量％よりも多い場合には、フォルステライト等の複合酸化物が微量に析出するようになり保護層２３の収縮量が変動しやすくなることから基板の平坦度が大きくなるおそれがある。
【００７１】
ＣａＯの含有量が１．０質量％よりも少ないと、ガラスの化学耐久性を劣化させると同時に架橋構造を強めることで表面配線層２との反応性が低下し、保護層２３の緻密性が低下するため、保護層２３１の表面に黒ゴマが発生しやすくなる。一方、ＣａＯの含有量が２．０質量％よりも多い場合には、焼成における高温域での粘度が低下するため、表面配線層２の収縮開始温度も低温に変化しやすくなることから、絶縁基体１の主面の凹凸が大きくなり、平坦度が大きくなるおそれがある。
【００７２】
ＢａＯの含有量が１４．０質量％よりも少ないと、ガラス構造が不安定になり、ガラス相の粘度が低下しやすくなることから、絶縁基体１の主面の凹凸が大きくなるおそれがある。一方、ＢａＯの含有量が１６．０質量％よりも多いと、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２といった元素と結晶を析出するようになることから焼成時の収縮量が大きくなり、基板表面の平坦度が大きくなるおそれがある。
【００７３】
ＳｒＯの含有量が０．５質量％よりも少ないと、ガラスの化学耐久性が低下するため、ガラスの粘度が低下しやすくなることから、絶縁基体の主面の凹凸が大きくなるおそれがある。一方、ＳｒＯの含有量が１．５質量％よりも多いと、ガラス相中にＳｒＯを含む複合酸化物が生成しやすくなることから、保護層２３１の収縮挙動が変化し平坦度が大きくなるおそれがある。
【００７４】
ＺｒＯ２の含有量が０．５質量％よりも少ないと、ガラスの粘度が低下しやすくなるために、絶縁基体１の主面の凹凸が大きくなるおそれがある。一方、ＺｒＯ２の含有量が０
．８質量％よりも多いと、ガラス自身の化学的な耐久性は高くなるが、ガラスの液相化温度が上昇するため、保護層２３１の密度が低下するため黒ごまが発生しやすくなるおそれがある。
【００７５】
次に、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４に被覆させる保護層用のペーストにおいては、平均粒径２．０〜４．０μｍのＳｉＯ２のフィラーを２７．７〜３１．７質量％と、酸化クロムを１．０〜１．２質量％と、平均粒径１．０〜２．０μｍのガラス粉末が６７．３〜７１．２質量％から構成されている混合粉末に有機バインダ、有機溶剤等が添加されて混練されたものである。前記ガラス粉末はＳｉＯ２を３２．０〜３４．０質量％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜８．０質量％、ＣａＯを９．０〜１２．０質量％、ＢａＯを１５．０〜１８．０質量％およびＳｒＯを１．５〜３．０質量％から構成されている。ここで、保護層２３２用のペースト中に含まれるガラス成分は、ガラス転移点が６４５〜７７７℃の範囲を有するものが望ましい。つまり、本発明では、保護層２３１用のペースト中に含まれるガラス成分のガラス転移点に比べて、保護層２３２用のペースト中に含まれるガラス成分のガラス転移点を高くしたものを用いることが望ましい。なお、この実施形態のガラスセラミック配線基板Ａを構成する保護層２３は、焼成後の組成が調合時の組成から殆ど変化しないものである。そのため焼成後においても表面配線層２を被覆している保護層２３１に含まれるガラス成分のガラス転移点をＴｇ１とし、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２に含まれるガラス成分のガラス転移点をＴｇ２としたときに、Ｔｇ１＜Ｔｇ２の関係を有する。
【００７６】
これに対して、酸化クロムの含有量が１．０質量％よりも少ないと、保護層２３２の焼結が過度になり、セッターの付着が多くみられるようになる。
【００７７】
一方、酸化クロムの含有量が１．１質量％よりも多い場合には、保護層２３２の焼成性が低下するために保護層２３１の表面に粗大ボイドが発生しやすくなるとともに、めっき後に現れる黒ごまが発生しやすくなる。
【００７８】
フィラーであるシリカ（ＳｉＯ２）の含有量が２７．７質量％より少ない場合には、保護層２３２が過度に焼結しやすくなることから、セッターの付着が発生しやすくなる。
【００７９】
一方、フィラーであるシリカ（ＳｉＯ２）の質量が３１．７質量％よりも多い場合には、保護層２３２の焼結性が低下することにより、基板表面に粗大ボイドが形成されやすくなり、めっき後において黒ゴマが発生しやすくなる。
【００８０】
保護層２３２用のペースト中に含まれるガラス成分については、ＳｉＯ２の含有量が３２．０質量％未満であると、ガラスが３次元網目構造を形成しにくくなることから、ガラスの粘度が低下するため、フィラーであるシリカ（ＳｉＯ２）との反応おそれがある。一方、ＳｉＯ２の含有量が３４．０質量％を超えると、ガラスの骨格は強固なものになっていくが、逆にガラスの液相化温度が上昇し過ぎることで、絶縁基体表面に粗大ボイドが発生する恐れがある。
【００８１】
Ａｌ２Ｏ３の含有量が６．５質量％よりも少ないと、ガラスの液相化する温度が低下するために、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４と保護層２３２との収縮挙動が合わなくなることにより基板の平坦度が大きくなるおそれがある。一方、Ａｌ2Ｏ3の含有量が８．０質量％よりも多くなると、ガラスの粘度が上昇するため、フィラーであるシリカ（ＳｉＯ２）との反応性が低下することから保護層２３２の緻密化しにくくなり、保護層２３２の表面に粗大ボイドが発生しやすくなる。
【００８２】
ＣａＯの含有量が９．０質量％よりも少ない場合にも、フィラーであるシリカ（ＳｉＯ
２）との反応性が低下することから保護層２３２の緻密化しにくくなり、保護層２３２の表面に粗大ボイドが発生しやすくなる。一方、ＣａＯの含有量が１２．０質量％よりも多くなると、ガラスの高温域での粘度が低下するために、セッターと反応しやすくなるおそれがある。
【００８３】
ＢａＯの含有量が１５．０質量％よりも少ないと、ガラスの粘度が低下するため、保護層２３２を含めた絶縁基体１の主面の凹凸ができやすくなり平坦度が大きくなるおそれがある。一方、ＢａＯの含有量が１６．０質量％よりも多いと、ガラスの液相化温度が高温化するために、保護層２３２の焼結性が低下し粗大ボイドが発生しやすくなるおそれがある。
【００８４】
ＳｒＯの含有量が１．５質量％よりも少ないと、ガラスの粘度が低下しやすくなることから、絶縁基体１との反応性が高まり、基板表面の凹凸が大きくなることから平坦度が大きくなるおそれがある。一方、ＳｒＯの含有量が３．０質量％よりも多いと、ガラスの液相化温度が上昇するために、保護層２３２には粗大ボイドが発生しやすくなる。
【００８５】
次に、貫通孔に貫通導体用の導体ペーストが充填され、主面に内部配線層用または表面配線層用の導体パターンが形成され、さらに、表面配線層用の導体パターンの周縁部とその周囲に保護層用のパターンが形成されたガラスセラミックグリーンシートを複数積層し、これを熱圧着法または積層助剤を用いて加圧積層する方法により積層体を作製する。
【００８６】
次に、得られた積層体を焼成する。焼成は、窒素雰囲中７００〜７５０℃の温度で１〜５時間保持することにより脱脂した後、窒素雰囲気中８５０℃〜９００℃の温度で１〜２時間の条件で行う。
【００８７】
次に、焼成して得られたガラスセラミック配線基板の素体を、例えば、硫酸および過硫酸アンモニウムなどのエッチング液を用いて表面処理を行い、ガラスセラミック配線基板の素体に形成された表面配線層の表面の酸化膜（酸化銅）を除去する。その後、例えば酸性フッ化アンモニウムを用いてガラスエッチング処理を施し、表面のガラスを除去する。
【００８８】
最後に、第１の配線層上にめっき処理を行い、Ｐｄめっき層、Ｎｉめっき層およびＡｕめっき層を形成する。なお、それぞれの浸漬工程の間に、水洗、アルカリ脱脂および酸処理などを適宜行う。
【００８９】
以上説明した製造方法により、表面配線層２を被覆している保護層２３にボイドなどの欠陥が無く、表面配線層２のメタライズ強度および平坦度が高く、また、絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２の周縁部を覆う保護層２３１側において、黒ごまと呼ばれる斑点が無く、かつ絶縁基体１の表面を被覆している保護層２３２の表面へのセッターの付着の無いガラスセラミック配線基板を得ることができる。
【実施例】
【００９０】
ガラス粉末として、表１に示す組成のガラス粉末とＳｉＯ２からなるセラミックフィラーとを用意し、表３に示す割合となるように秤量混合した。なお、ガラス粉末の平均粒径は３．５μｍ、フィラー本体の平均粒径は３．５μｍとした。
【００９１】
この混合物に、イソブチルメタクリレートを主鎖としてトルエンを溶媒とする有機バインダを添加するとともに、有機溶剤としてジブチルフタレートを添加し、十分混合してスラリーを作製した後、ドクターブレード法により厚み１２５μｍのガラスセラミックグリーンシートを作製した。
【００９２】
得られたガラスセラミックグリーンシートにパンチングにより貫通孔を形成した後、この貫通孔に貫通孔用の導体ペーストを充填した。貫通孔用の導体ペーストは、銅粉末にアクリル系バインダおよびテルピネオールを添加して粘度を調整したものを用いた。
【００９３】
次に、貫通孔用の導体ペーストを充填したガラスセラミックグリーンシートの表面に内部配線層用の導体パターンまたは表面配線層用の導体パターンを形成した。内部配線層用の導体パターンまたは表面配線層用の導体パターンを形成するための導体ペーストは、表２示す組成のガラス粉末と、銅粉末と亜酸化銅と溶融シリカとを表３に示す割合になるように混合し、これにアクリル系バインダとテルピネオールとを添加し粘度調整したものである。なお、表面配線層用の導体ペーストに含まれる銅粉末の平均粒径は５μｍ、ガラス粉末の平均粒径は１．８μｍとした。また、内部配線層用の導体ペーストに含まれる銅粉末の平均粒径は２μｍ、ガラス粉末の平均粒径は１．５μｍとした。
【００９４】
こうして作製した導体パターンが形成された複数のガラスセラミックグリーンシートを位置合わせして熱圧着により２０層積層して積層体を作製した。
【００９５】
次に、水蒸気を含む窒素雰囲気中にて、温度を７２５℃、保持時間を３時間とした条件で脱脂を行った後、窒素雰囲気にて、最高温度を８６０℃、保持時間を１時間とした条件で本焼成を行ない、縦４５ｍｍ、横４５ｍｍ、厚み２ｍｍの大きさのガラスセラミック配線基板の素体を作製した。このガラスセラミック配線基板の素体の表面に形成された表面配線層は、平面視の形状が円形であり、その直径は０．８μｍであった。
【００９６】
また、平面視の形状が円形の表面配線層に対する表面配線層上に被覆された保護層の配置については、表面配線層に対する表面配線層上に被覆された保護層が同心円状のもの（図３）と、図４に示すように、表面配線層上に被覆された保護層を同心円の位置からずれた位置になるもの（図４）を作製した。また、表面配線層上に被覆された保護層の幅Ｗを表面配線層の直径に対して変化させたものを作製した。
【００９７】
最後に、得られたガラスセラミック配線基板の素体を過硫酸アンモニウムを用いてエッチングを３０秒間行い、表面配線層の表面の酸化膜（酸化銅）の除去を行い、次いで、このガラスセラミック配線基板の素体を酸性フッ化アンモニウムを用いてエッチングを行うことによって第１の層の表面のガラス相の除去を行った。
【００９８】
次に、エッチング処理したガラスセラミック配線基板の素体の表面に形成された第１の層上に、順に、Ｐｄめっき層、Ｎｉめっき層およびＡｕめっき層を形成して、ガラスセラミック配線基板を完成させた。なお、これらのめっきは、ガラスセラミック配線基板の素体をＰｄめっき浴に９０秒浸漬した後、Ｎｉめっき浴に１８分浸漬し、最後に、Ａｕめっき浴に５分浸漬させて各めっき層（Ｐｄめっき層、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層）を形成した。
【００９９】
上記の方法で得られた多層配線基板に対して、以下の測定を行なった。
【０１００】
まず、絶縁基体の表面に形成された表面配線層上に被覆された保護層およびガラスセラミック絶縁層上に被覆された保護層の組成分析を行なった。具体的には、焼成後のサンプルにおいて、それぞれのガラス相の一部についてスポット的にエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＳ）を行って、ガラス相に含まれる元素のそれぞれの酸化物換算の含有量を求めた。表面配線層上に被覆された保護層の組成を表４に、またガラスセラミック絶縁層上に被覆された保護層の組成を表５に示した。この場合、各成分の含有量は原料であるガラス組成と同じであることを確認した。
【０１０１】
また、表面配線層を被覆している保護層の幅Ｗを測定した。具体的には、光学顕微鏡および三次元画像認識装置を用いて表面配線層の最大径と表面配線層を被覆する保護層の幅Ｗを各々測定した。
【０１０２】
また、表面配線層のメタライズ強度の評価を行った。具体的には、めっき後の表面配線層の表面に直径０．６ｍｍΦの共晶半田ボールを２５０℃×１ｍｉｎで溶融させて半田付けを行った。その後、半田ボールの付いた基板を半田ボールに載せる際に使用したフラックスをクリーンスルー（洗浄剤）で約１０ｍｉｎ洗浄し、洗浄後、水洗した後、ボンドテスターにて強度を測定した。測定条件は、クランプの引張速度を８３μｍ／秒とした。
【０１０３】
また、セッターの付着については、双眼顕微鏡を用いて倍率を１０〜１００倍にして観察した。
【０１０４】
また、めっき性については、得られたガラスセラミック配線基板の素体を、表面配線層を被覆している保護層がレッドチェック液に約５秒間浸漬させた後、水洗し、その後に、双眼顕微鏡にてレッドチェック液の残液の有無を観察した。
【０１０５】
また、絶縁基体の主面の平坦度を評価した。具体的には、一方主面の４０ｍｍ角のエリアにおいてレーザー式変位計を用いて縦横５ｍｍごとに主面の高さを測定し、その最高値と最低値の差を求めた。
【０１０６】
なお、絶縁基体中の結晶相の同定をＸ線回折（ＸＲＤ）にて行ったところ、全ての試料について、クォーツの含有量が最も多く、ついでセルシアン、エンスタタイトという順で存在していることを確認した。これらの結果を表６に示した。
【０１０７】
【表１】
0005404470.tif 000002
【０１０８】
【表２】
0005404470.tif 000003
【０１０９】
【表３】
0005404470.tif 000004
【０１１０】
【表４】
0005404470.tif 000005
【０１１１】
【表５】
0005404470.tif 000006
【０１１２】
【表６】
0005404470.tif 000007
【０１１３】
表６の結果から明らかなように、本発明の試料（試料Ｎｏ．１、８、２１、２７および３７〜４２）では、基板表面にボイドなどの欠陥が無く、表面配線層のメタライズ強度が５．１ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、基板の反りが７５μｍ以下で平坦度が高く、また、絶縁基体の表面に形成された表面配線層の周縁部を覆う保護層側において黒ごまと呼ばれる
斑点が無く、また絶縁基体の表面を被覆している保護層の表面へのセッターの成分の付着の無いものであった。
【０１１４】
本発明の試料において、表面配線層に対する表面配線層上に被覆された保護層が同心円状のものでは（試料Ｎｏ．１、８、２１および２７）では、保護層の組成が同じである場合に、保護層の位置が同心円状でない試料（試料Ｎｏ．３７〜４２）に比べて、それぞれ高いメタライズ強度を示した。
【０１１５】
特に、保護層の位置が同心円状である試料で、表面配線層の最大径に対する表面配線層を被覆する保護層の幅Ｗを４〜９％とした試料（試料Ｎｏ．１、８、２１および２７）は、表面配線層の最大径に対する表面配線層を被覆する保護層の幅Ｗを３％および１５％とした試料（試料Ｎｏ．４１および４２）に比べて、反りが６６μｍと小さかった。
【０１１６】
これに対して、本発明の範囲外である試料Ｎｏ．２〜７、９〜２０、２２〜２６および２８〜３６では、基板表面にボイドなどの欠陥が有るか、表面配線層のメタライズ強度が５．１ｋｇｆ／ｍｍ２よりも低いか、基板の反りが７５μｍよりも大きいか、絶縁基体の表面に形成された表面配線層の周縁部を覆う保護層側において黒ごまと呼ばれる斑点があるか、または、絶縁基体の表面を被覆している保護層の表面へのセッターの成分の付着が有るものであった。
【符号の説明】
【０１１７】
１・・・絶縁基体
１１、１２、１３、１４・・・ガラスセラミック絶縁層
２・・・表面配線層（ボールパット部）
２１・・・Ｐｄめっき層
２２・・・Ｎｉめっき層
２３・・・Ａｕめっき層
２３・・・保護層
２３１・・・表面配線層を被覆する保護層
２３２・・・ガラスセラミック絶縁層を被覆する保護層
４・・・内部配線層
５・・・貫通導体
【図１】
0005404470.tif 000008
【図２】
0005404470.tif 000009
【図３】
0005404470.tif 000010
【図４】
0005404470.tif 000011
【図５】
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【図６】
0005404470.tif 000013
【図７】
0005404470.tif 000014