(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と容量を構成するための複数のコンデンサ電極とを含み、前記誘電体層と前記コンデンサ電極が積層されて形成される容量内蔵積層基板を有する回路モジュールにおいて、
前記容量を構成する一対のコンデンサ電極の間に、一方のコンデンサ電極に向かって、他方のコンデンサ電極から連続して、ビア電極が形成され、
前記一対のコンデンサ電極の間の領域で、かつ、積層方向から見て、前記一方のコンデンサ電極と前記他方のコンデンサ電極が重なる領域内に形成された補助電極を備え、
前記補助電極と前記ビア電極とが接続されていることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記容量は３つ以上の前記コンデンサ電極により２つ以上の容量が構成された容量群であって、前記容量群内の隣り合う容量は一つの前記コンデンサ電極を共用して、容量が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記容量群を構成する前記コンデンサ電極に、前記ビア電極、または前記ビア電極に接続された前記補助電極が複数形成されていることを特徴とする請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記誘電体層上に、前記容量以外の回路素子が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３の内いずれか一項に記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に高周波帯に使用される通信機器などに用いられる容量内蔵多層基板を用いた回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などに代表される通信機器の小型、軽量、多機能化に伴い、これに組み込まれる回路素子の小型、多機能化も進められている。同時に、これらの回路素子を搭載した回路モジュールに対する小型、多機能化の要望も強まっている。【０００３】
携帯電話などの通信機器に用いられる回路モジュールは一般的に容量を内蔵した多層基板を含んで作られる。容量内蔵多層基板は、複数の機能層を積層して構成され、回路モジュールを構成するのに必要な能動素子および受動素子が各機能層に搭載される。【０００４】
このような回路モジュールの例としては、特許文献１に開示されたものが知られている。【０００５】
特許文献１の回路モジュールの構成について、図４、図５および図６を参照しながら説明する。【０００６】
図４は回路モジュール１００の断面図である。該回路モジュール１００は容量内蔵多層基板１０１を含んでおり、容量内蔵多層基板１０１は複数の機能層が積層されることにより構成される。【０００７】
図５、図６は機能層１０６と機能層１０７を示す図である。図５は機能層１０６を表面から見た平面図である。機能層１０６の表面には、コンデンサ電極Ｃ１３〜Ｃ１６とインダクタ電極Ｌ１、Ｌ２が形成されている。インダクタ電極Ｌ１の一端はコンデンサ電極Ｃ１３に接続され、他端はコンデンサ電極Ｃ１５に近接して配置されている。インダクタ電極Ｌ２の一端はコンデンサ電極Ｃ１４に接続され、他端はコンデンサ電極Ｃ１６に近接して配置されている。【０００８】
図６は機能層１０７を表面から見た平面図である。機能層１０７の表面には、コンデンサ電極Ｃ１３１、Ｃ１４１、Ｃ１５１、Ｃ１６１が形成されている。コンデンサ電極Ｃ１３１〜Ｃ１６１はそれぞれ、機能層１０６の表面に形成されたコンデンサ電極Ｃ１３〜Ｃ１６と機能層１０６を介して対向し、機能層１０６を容量層とする容量Ｃ３〜Ｃ６が構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−３９２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、回路モジュールが良好な特性を得るために、回路を構成する容量の値を最適な値に調整する設計手法はよく用いられている。【００１１】
例えば、上記回路モジュール１００を構成する容量内蔵多層基板１０１においては、Ｃ５の容量値を調整するために、コンデンサ電極Ｃ１５の面積を変えることがある。しかし、この場合、インダクタ電極Ｌ１がコンデンサ電極Ｃ１５と同一の誘電体層上で近接して配置されているため、インダクタ電極Ｌ１とコンデンサ電極Ｃ１５間の結合状態も変化してしまう。また、機能層１０６の厚みを変更してＣ５の容量を変えようとした場合は、機能層１０６を容量層とする他のすべての容量Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６の容量値が変化してしまう。【００１２】
このような容量値の変化について、図７を参照しながら説明する。図７（ａ）ではコンデンサ電極１と２が対向して、容量Ｃ１が構成されている。コンデンサ電極１の上方にインダクタ電極３が形成されており、インダクタ電極３とコンデンサ電極１の間では結合容量Ｃ２が構成されている。図７（ｂ）は容量Ｃ１の値を変更するために、コンデンサ電極１の面積を変えたときの図である。図中に示すように、コンデンサ電極１の面積を小さくするとインダクタ電極３との間の結合容量Ｃ２の値も変化してしまう。また、図としては示していないが、コンデンサ電極２の積層方向の位置を変えて、容量Ｃ１の値を変更しようとしても、同様に結合容量Ｃ２の値も変化してしまう。【００１３】
以上に述べたように、従来の容量内蔵多層基板では、基板内の一つの容量の値を最適化しようとしても、基板内の他の回路素子との結合状態も変化してしまうため、多層基板全体の設計を変更しなければならないという問題点があった。【００１４】
そこで、本発明は他の回路素子との結合状態および他の容量の値を変えることなく、一つの容量の値を独立して調整可能な容量内蔵多層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記問題点を解決するために、本発明は複数の誘電体層と容量を構成するための複数のコンデンサ電極とを含み、前記誘電体層と前記コンデンサ電極が積層されて形成される容量内蔵積層基板を有する回路モジュールにおいて、前記容量を構成する一対のコンデンサ電極の間に、一方のコンデンサ電極に向かって、他方のコンデンサ電極から連続して、ビア電極が形成され、前記一対のコンデンサ電極の間の領域で、かつ、積層方向から見て、前記一方のコンデンサ電極と前記他方のコンデンサ電極が重なる領域内に形成された補助電極を備え、前記補助電極と前記ビア電極とが接続されていることを特徴とする。
【００１９】
この場合、補助電極を設けることにより、他の回路素子との結合状態や他の容量の値とは独立に所定の容量の容量値の調整がしやすくなる。【００２０】
さらに、前記容量は３つ以上の前記コンデンサ電極により２つ以上の容量が構成された容量群であって、前記容量群内の隣り合う容量は一つの前記コンデンサ電極を共用して、容量を構成していることが好ましい。【００２１】
この場合、複数の容量を効率よく構成しながら、所定の容量の容量値のみを調整できる。【００２２】
さらに、前記容量群を構成する前記コンデンサ電極に、前記ビア電極、または前記ビア電極に接続された補助電極が複数形成されていることが好ましい。【００２３】
この場合、複数の容量を設けることにより、同時に調整できる容量の数が増える。さらに、一つの容量に複数の補助電極を設けた場合、容量値の設計自由度が増す。【００２４】
さらに、前記誘電体層上に、前記容量以外の回路素子が形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、容量内蔵多層基板内の容量を構成するコンデンサ電極にビア電極が形成され、ビア電極とそれに接続された補助電極が連続して形成される。これにより、基板内の他の回路素子との結合状態、または、基板内の他のコンデンサ電極で構成される容量に影響することなく、所定の容量の容量値のみを設計できるようになり、設計の自由度が上がる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る回路モジュールの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る回路モジュールの断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る回路モジュールの断面図である。
【図４】従来の回路モジュールの構成を示す断面図である。
【図５】従来の回路モジュールの機能層１０６の平面図である。
【図６】従来の回路モジュールの機能層１０７の平面図である。
【図７】従来の容量値の変更方法を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明に係る容量内蔵基板を用いた回路モジュールについて添付の図を参照しながら説明する。
【００２８】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る回路モジュール１０の構成を図１に示す。図１は回路モジュール１０の断面図である。
【００２９】
図１に示すように、回路モジュール１０は容量内蔵多層基板２０とその表面に搭載される外部実装部品１１によって構成されている。外部実装部品１１は容量内蔵基板２０の一方の主面上に配置された実装電極１２を介して、容量内蔵基板２０の表面に接続されている。外部実装部品１１は、回路モジュール１０の果たすべき機能に応じて、例えば、チップインダクタ、積層コンデンサ、表面波フィルタ、ダイオードなどが適宜に選択される。
【００３０】
容量内蔵多層基板２０は、セラミックあるいは樹脂などが材料である複数の誘電体層２１〜２９が積層されてなる積層体により構成されている。そして、積層体の表面および底面、並びに各誘電体層間には所定の電極パターンが形成されている。このような電極パターンにより、容量やインダクタなどの回路素子および信号を伝搬するための伝送線路が構成されている。なお、図１においては本実施例の特徴的な構造に関連する電極パターンのみを示し、他の電極パターンは省略している。
【００３１】
誘電体層２４、２５の表面にはコンデンサ電極３０、３１がそれぞれ形成されている。誘電体層２５に隣接する誘電体層２６の表面にはコンデンサ電極３２が形成されている。コンデンサ電極３２はコンデンサ電極３０と誘電体層２４および２５を介して対向し、図１の太い点で塗りつぶされた領域において、容量Ｃ１１が構成されている。さらに、コンデンサ電極３２は誘電体層２５を介して、コンデンサ電極３１と対向し、容量Ｃ２１が構成されている（図１中の細かい斜線部）。
【００３２】
誘電体層２７の表面には補助電極３３が形成されている。この補助電極３３は誘電体層２６を貫通するビア電極３７によりコンデンサ電極３２に接続されている。誘電体層２８の表面にはコンデンサ電極３４が、コンデンサ電極３２およびそれに接続された補助電極３３と対向するように形成されている。補助電極３３は、積層方向から見て、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４が対向する領域内に形成されている。
【００３３】
コンデンサ電極３２は、積層方向から見て、補助電極３３と重ならない領域では、誘電体層２６および２７を介してコンデンサ電極３４と対向して、容量Ｃ３１ａが構成されている。一方で、補助電極３３と重なる領域では、補助電極３３は誘電体層２７を介して、コンデンサ電極３４と対向して、容量Ｃ３１ｂが構成されている。従って、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４間においては、Ｃ３１ａとＣ３１ｂを合計した容量、すなわち容量Ｃ３１が構成されている（図１中の粗い斜線部）。
【００３４】
また、誘電体層２９の表面にはコンデンサ電極３５が形成され、誘電体層２８を介してコンデンサ電極３４と対向し、容量Ｃ４１を構成している（図１の細い点で示した領域）。
【００３５】
一方で、誘電体層２６の表面にはインダクタ電極３６が形成されている。該インダクタ電極３６は誘電体２６〜２９を積層方向に貫通するビア電極３８により、容量内蔵多層基板２０の他方の主面に形成された外部電極３９に接続されている。
【００３６】
インダクタ電極３６は、誘電体層２６の面内においては、近接して配置されているコンデンサ電極３２と容量結合している。さらに、インダクタ電極３６は、積層方向において、コンデンサ電極３４の端縁と容量結合している。
【００３７】
本実施形態ではコンデンサ電極３２がビア電極３７によって電気的に接続された補助電極３３が備えられているため、容量Ｃ３１の値は補助電極の面積を変更することで調整が可能である。また、容量Ｃ３１の値は誘電体層２６および誘電体層２７の層厚みを変更して、補助電極３３の積層方向の位置を変えることでも調整可能である。具体的には、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４間の距離を維持しながら、誘電体層２６と誘電体層２７の厚みを変えることで実現される。
【００３８】
このように、コンデンサ電極３２あるいはコンデンサ電極３４の面積および積層方向の位置を変更することなく容量Ｃ３１の値を調整できる。従って、コンデンサ電極３２およびコンデンサ電極３４によって構成される他の容量Ｃ１１，Ｃ２１および容量Ｃ４１の値とは独立に容量Ｃ３１の値を調整できる。また、コンデンサ電極３２あるいは３４の面積および積層方向の位置が変わらないので、当該コンデンサ電極と容量結合しているインダクタ電極３６との結合状態も変化しない。
【００３９】
以上のように、コンデンサ電極にビア電極によって接続された補助電極を設けることにより、他の素子との結合状態および他の容量の容量値に影響を与えることなく、所定の容量の容量値のみを独立に調整することが可能となる。
【００４０】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係る回路モジュールの構成を図２に示す。図２は回路モジュール１０ａの断面図である。第１の実施形態と同様に、特徴的な構造に関連する電極パターンのみを示し、他の電極パターンは省略している。なお、図２において図１に対応する部分は同じ符号を付して示し、重複した説明は省略する。
【００４１】
本実施形態では、コンデンサ電極３１とコンデンサ電極３２が誘電体層２５と誘電体層２５ａを挟むように対向している。誘電体層２５ａの表面には補助電極４０が形成され、ビア電極４１によってコンデンサ電極３２に電気的に接続されている。補助電極４０は、積層方向から見てコンデンサ電極３１とコンデンサ電極３２が対向する領域内に形成されている。コンデンサ電極３２および補助電極４０と、コンデンサ電極３１とが対向することにより、容量Ｃ２１が構成されている（図２中の細かい斜線部）。
【００４２】
また、誘電体層２６の表面にはコンデンサ電極３２に近接して、コンデンサ電極４２が形成されている。誘電体層２８の表面にはコンデンサ電極３４に近接してコンデンサ電極４５が形成されている。コンデンサ電極４２とコンデンサ電極３２、並びにコンデンサ電極４５とコンデンサ電極３４は、誘電体層の面内方向において容量結合している。
【００４３】
さらに、コンデンサ電極４２は誘電体層２６を貫通するように形成されたビア電極４３を介して、誘電体層２７上に形成された補助電極４４に接続されている。コンデンサ電極４２および補助電極４４と、コンデンンサ電極４５とが対向することにより、容量Ｃ５１が構成されている（図２中の粗い斜線部）。
【００４４】
以上の構成のように、コンデンサ電極３２には積層方向に連続して接続された複数のビア電極３７、４１と、該ビア電極３７，４１と接続された複数の補助電極３３，４０が設けられている。このため、コンデンサ電極３２を介して構成される複数の容量Ｃ２１と容量Ｃ３１の値は他の回路素子とは独立に調整できる。
【００４５】
さらに、容量Ｃ５１を構成するコンデンサ電極４２にも連続して接続されたビア電極４３と該ビア電極４３に接続された補助電極４４が設けられている。このため、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極４２およびコンデンサ電極３４とコンデンサ電極４５間は、同一誘電体層上に近接して形成されているにもかかわらず、それらの間の結合状態を変えずに容量Ｃ５１の値を独立に調整することが可能になる。
【００４６】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係る回路モジュールの構成を図３に示す。図３は回路モジュール１０ｂの断面図である。第１の実施形態と同様に、特徴的な構造に関連する電極パターンのみを示し、他の電極パターンは省略している。なお、図３において図１と対応する部分は同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００４７】
本実施例では、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４が誘電体層２５ａ、２５ｂ、２５ｃを挟むように対向している。誘電体層２５ｂの表面には補助電極４０が形成され、誘電体層２５ａを貫通するように設けられたビア電極４１によってコンデンサ電極３２と接続されている。また、誘電体層２５ｃの表面には補助電極３３が形成され、誘電体層２５ｃを貫通するように設けられたビア電極３７によってコンデンサ電極３４と接続されている。補助電極３３、４０はいずれも、積層方向から見て、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４が対向する領域内に形成されている。このように、コンデンサ電極３２と補助電極４０が、コンデンサ電極３４と補助電極３３と対向することにより、容量Ｃ３１が構成されている（図２の粗い斜線部）。
【００４８】
本実施例の構成によると、容量Ｃ３１を構成するコンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４の間に補助電極３３、４０が設けられている。従って、Ｃ３１の容量値を調整する際は、補助電極３３または補助電極４０の面積、あるいは、コンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４間の距離を維持しながら、誘電体層２５ａ、２５ｂ、２５ｃの層厚みを変更すればよい。
【００４９】
このように、コンデンサ電極３２あるいはコンデンサ電極３４の面積および積層方向の位置を変更することなく容量Ｃ３１の値を調整できる。従って、コンデンサ電極３２およびコンデンサ電極３４によって構成される他の容量Ｃ１１，Ｃ２１および容量Ｃ４１の値とは独立に容量Ｃ３１の値を調整できる。また、コンデンサ電極３２あるいは３４の面積および積層方向の位置が変わらないので、当該コンデンサ電極と容量結合しているインダクタ電極３６との結合状態も変化しない。
【００５０】
さらに、一つの容量を構成するコンデンサ間に複数の補助電極を設けることで容量値の調整範囲が増える。このため、設計の自由度が高くなり、さらに、わずかな容量値の調整も可能となる。
（他の実施例）
本発明に係る容量内蔵基板は、以上に述べた各実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲何で様々の構成とすることができる。
【００５１】
例えば、各実施形態では容量を構成するコンデンサ電極に連続してビア電極と補助電極を形成しているが、ビア電極のみを形成して容量の値を調整するようにしてもよい。その際、ビア電極を複数本設けるようにしてもよい。また、コンデンサ電極がグランド電極としても機能するように基板内の電極パターン間の接続を変えてもよい。
【００５２】
また、第１の実施形態ではビア電極および補助電極はコンデンサ電極３２に連続して形成されているが、言うまでもなく、これらをコンデンサ電極３４に連続して形成するようにしてもよい。
【００５３】
また、第３の実施形態ではコンデンサ電極３２とコンデンサ電極３４にそれぞれビア電極と補助電極が連続して形成されているが、どちらか片方のみに形成するようにしてもよい。さらに、補助電極は２個以上であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１１  ・・・  外部実装部品
１２  ・・・  実装電極
２１〜２９  ・・・  誘電体層
３６・・・  インダクタ電極
３０、３１、３２、３４、３５、４２、４５  ・・・  コンデンサ電極
３７、３８、４１，４３  ・・・  ビア電極
３３、４０、４４  ・・・  補助電極
３９  ・・・  外部導通電極
Ｃ１〜Ｃ４、Ｃ１１〜Ｃ５１  ・・・  容量
【図１】
0005397482.tif 000002
【図２】
0005397482.tif 000003
【図３】
0005397482.tif 000004
【図４】
0005397482.tif 000005
【図５】
0005397482.tif 000006
【図６】
0005397482.tif 000007
【図７】
0005397482.tif 000008