(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信機器から出力された信号を伝達する通信カプラと、
前記通信カプラから伝達された信号を電磁界として伝搬させて通信を行う信号伝達装置とを含む通信システムであって、
前記通信カプラは、
カプラ筐体と、
前記信号伝達装置に面する前記カプラ筐体の端部に設けられ、前記信号伝達装置に対して平行となるように延長されて、前記通信カプラと前記信号伝達装置との電磁結合を大きくする延長導体部とを含み、
前記延長導体部は、前記カプラ筐体から径方向外方に突出するように設けられたフランジ部であり、
前記フランジ部の上に、フランジ部がアンテナとして機能することにより電磁放射を引き起こすという現象を防止するＥＢＧ構造体が設けられている通信システム。
【請求項２】
前記信号伝達装置は、メッシュ状のメッシュ状導体部と、前記メッシュ状導体部と間隔をおいて配置された下部電極と、前記メッシュ状導体部の上層及び下層に設けられた誘電体層とを有し、シート状構造であり、
前記信号伝達装置に面する前記延長導体部の長さは、前記信号伝達装置のメッシュ状導体部のメッシュを構成する一導体幅よりも長い請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記通信カプラの前記カプラ筐体は樹脂などの非導体で構成されており、
前記延長導体部は、前記カプラ筐体を含む前記信号伝達装置に面する端部の表面に金属めっきを施すことで形成されている請求項１または２のいずれかに記載の通信システム。 
【請求項４】
前記延長導体部は、前記金属めっきの表皮厚みより十分大きいだけの厚さをもっている請求項３に記載の通信システム。
【請求項５】
前記信号伝達装置の誘電体層は、前記延長導体部と対向配置された領域にて、他の領域よりも誘電率の高い物質で満たされている請求項２〜４のいずれかに記載の通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信媒体となるシート状の信号伝達装置と、その上に設置して信号伝達装置に信号を送受信する通信カプラとからなる通信システムに関し、特に通信カプラからの電磁漏洩を抑制する漏洩電磁界抑制構造を有する通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、空間に電磁波を伝搬させて無線通信を行う従来の無線システムに代わる、特許文献１に示されるような、新たな通信システムが開発され実用化されるに至っている。この通信システムは、シート状の通信媒体に電磁界を伝搬させて通信を行う。
このような通信システムは、図１２に示すようにシート状の信号伝達装置１と、通信カプラ２とから構成される。
信号伝達装置１はメッシュ状の導体部３と、導体部３と間隔をおいて配置された下部電極４と、導体部３の上部に設けられた第１誘電体層５と、これら導体部３及び下部電極４の間の狭間領域に設けられた第２誘電体層６と、を有するシート状構造である。図１３は、信号伝達装置１の導体部３を上から見た平面図であって、導体部３がメッシュ状であることを示している。【０００３】
通信カプラ２は、図１２の断面図、図１４の斜視図に示すように、円盤状の内部導体１０と、内部導体１０を覆うように形成されてカプラ筐体１１を形成する外部導体１２と、これら内部導体１０及び外部導体１２に接続された同軸ケーブル１３と、を有する。この同軸ケーブル１３の末端は、通信機器１４に接続されている。このような構成によって、通信機器１４から入出力される電磁界が同軸ケーブル１３を伝わり、通信カプラ２の内部導体１０と外部導体１２の間を伝搬して信号伝達装置１に注入された後、この信号伝達装置１内を伝搬して通信カプラ２と別の通信カプラ（図示略）との間で通信を行う。【０００４】
特許文献２〜４に示される通信装置においても、上記特許文献１と同様に、互いに対向する導電部となるシート状体に挟まれる狭間領域に電磁界を存在させ、２つのシート状体の間の印加電圧を変化させることで、電磁界を進行させて通信を行っている。
具体的には、特許文献２に示される通信装置では、開口を有するシート状（箔状、膜状）の第１導体層及び第２導体層が、絶縁層を介して略平行配置される構成である。この通信装置は、その上部にこれら導体層に円柱対称な電流を供給することで、導体層間に電磁波を伝播して、通信を行っている。
特許文献３に示される通信装置は、メッシュ状の第１導体部と第２導体部との間に誘電体を介在させた信号伝達装置を有する。この信号伝達装置に接続された通信カプラでは、内部導体及びこの内部導体を覆う外部導体部により、その信号伝達装置に対して電磁波を供給する。
特許文献４に示される通信装置は、メッシュ状の第１導体部と第２導体部との間に、真空または誘電体よりなる層を形成した信号伝達装置を有する。この信号伝達装置に接続された通信カプラでは、内部導体及びこの内部導体を覆う外部導体部により、その信号伝達装置に対して電磁波を供給する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国特開２００９−１０５５９９号公報
【特許文献２】国際公開第２００６／３５５３４号公報
【特許文献３】国際公開第２００７／３２０４９号公報
【特許文献４】国際公開第２００６／３２３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これら特許文献１及び特許文献２〜４に示された通信システムにおいて、特に通信カプラ２には電磁界漏洩の問題がある。図１５を用いてこの通信システムにおける電磁界漏洩の経路について説明する。
上述したように通信機器１４から入力された信号である電磁界は、同軸ケーブル１３を介して通信カプラ２の円板状の内部導体１０と外部導体１２の間を伝搬して信号伝達装置１に注入される。この際に、一部の電磁界が図１５に矢印Ｒで示すように、通信カプラ２の下部と信号伝達装置１のメッシュ状導体であるメッシュ状導体部３との間にある第１誘電体層５などを通って外部へ漏洩する。具体的には、図１５に示すように、通信カプラ２を信号伝達装置１の上に設置して使用した場合、通信カプラ２の外部導体１２の下部と、信号伝達装置１のメッシュ状導体部３の間にある第１誘電体層５などを通り電磁界が漏洩する。図１６Ａは、電磁界漏洩経路となる箇所を拡大した図である。図１６Ｂは、通信カプラ２の外部導体１２の下部（点Ｐ１、点Ｐ２間の導体部分）と信号伝達装置１の下部電極４（点Ｐ３、点Ｐ４間の導体部分）の間で形成される寄生容量Ｃｓ１を示す。
上述した図１２〜図１６Ｂに示される通信システムでは、通信カプラ２の外部導体１２の下部（点Ｐ１、点Ｐ２間の導体部分）と信号伝達装置１の下部電極４（点Ｐ３、点Ｐ４間の導体部分）の間で、十分な寄生容量Ｃｓ１を確保することができないために、通信時に電磁波漏洩を発生するという問題があった。【０００７】
このように通信システムから信号をのせた電磁界が漏洩することは、通信方式が暗号化などセキュリティ機能を持っていたとしても情報漏洩につながるため望ましくない。また、漏洩した電磁界が他の電子機器の動作に影響を与える可能性があるなど、漏洩を少なくすることが必要である。【０００８】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、通信カプラと信号伝達装置との接続箇所から、電磁漏洩が発生することを抑制することができる通信システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の通信システムは、通信機器から出力された信号を伝達する通信カプラと、前記通信カプラから伝達された信号を電磁界として伝搬させて通信を行う信号伝達装置とを含む。前記通信カプラは、カプラ筐体と、前記信号伝達装置に面する前記カプラ筐体の端部に設けられ、前記信号伝達装置に対して平行となるように延長されて、前記通信カプラと前記信号伝達装置との電磁結合を大きくする延長導体部とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、通信カプラの信号伝達装置に面するカプラ筐体の端部に、この信号伝達装置に対して平行となるように延長された延長導体部を設けられている。このような延長導体部によって、通信カプラと信号伝達装置の間の電磁結合、特に通信カプラの外部導体と信号伝達装置の下部電極との間の電磁結合を大きくすることができ、漏洩電磁界の少ない高品質な通信システムが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例１による通信システムの全体を示す断面図である。
【図２】図１の通信システムの中の通信カプラを示す斜視図である。
【図３】図２に示す通信カプラの断面図である。
【図４Ａ】通信カプラと信号伝達装置との電磁界漏洩経路となる箇所の寄生容量を示す図１に対応した断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの模式図である。
【図５】図１に示す通信カプラの組み立て手順を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例２による通信カプラの断面図である。
【図７】本発明の実施例３による通信カプラの断面図である。
【図８】本発明の実施例４による通信カプラの断面図である。
【図９】本発明の実施例５による通信カプラにＥＢＧ構造体を設けた断面図である。
【図１０】図９のＥＢＧ構造体を具体的に示す断面図である。
【図１１Ａ】図９に示すＥＢＧ構造体が取り付けられた通信カプラの全体を示す斜視図である。
【図１１Ｂ】図９に示す通信カプラに対するＥＢＧ構造体の設置箇所を具体的に示す説明図である。
【図１２】従来の通信システムの全体を示す断面図である。
【図１３】図１２の通信システムの中の信号伝達装置を示す平面図である。
【図１４】図１２の通信システムの中の通信カプラを示す斜視図である。
【図１５】図１２の通信システムにおいて、通信カプラと信号伝達装置との電磁界漏洩を説明するための断面図である。
【図１６Ａ】従来に係わる通信カプラと信号伝達装置との電磁界漏洩経路となる箇所の寄生容量を示す図１２に対応した断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［実施例１］
図１〜図５を参照して本発明の実施例１を詳細に説明する。
図１は、通信機器２０から出力された信号を伝達する通信カプラ２１と、この通信カプラ２１から伝達された信号を電磁界として伝搬させて通信を行う信号伝達装置２２とからなる通信システムを示す。図２及び図３は、通信システムの中の通信カプラ２１の部分を示す図である。
【００１３】
通信カプラ２１は、図２及び図３に示すように、円盤状の内部導体２４と、内部導体２４を覆うように配置されてカプラ筐体２５を構成する外部導体２６を有する。カプラ筐体２５を構成する外部導体２６の信号伝達装置２２に面する端部には、フランジ部２７（延長導体部）が具備されている。フランジ部２７は、シート状の信号伝達装置２２（後述する）に対して平行となるように延長されている。カプラ筐体２５を構成している内部導体２４と外部導体２６は、同軸ケーブル２８を介して通信機器２０に接続されている。
カプラ筐体２５は、図３に示すように、全体として筒状に形成された筒状部２５Ａと、筒状部２５Ａの端部に設けられた蓋部２５Ｂを有する。カプラ筐体２５は、その内部空間２５Ｃに、円盤状の内部導体２４が配置されている。フランジ部２７は、帽子のツバのように外部導体２６の筒状部２５Ａの下端部でかつ外側位置にて、外方に張り出すような形状を有する。このような外部導体２６にフランジ部２７を追加することで漏洩電磁界を抑制する。
【００１４】
内部導体２４及び外部導体２６には、通信機器２０から出力された信号により電圧が印加されており、この電圧により内部導体２４と外部２５との間に電磁界が発生する。このとき、上述した外部導体２６に設けられたフランジ部２７によって、通信カプラ２１と信号伝達装置２２の間の電磁結合、特に通信カプラ２１の外部導体２６と信号伝達装置２２の下部電極３１（後述する）との間の電磁結合領域を大きくすることで、漏洩電磁界の少ない通信を可能とする。
【００１５】
信号伝達装置２２は、メッシュ状のメッシュ状導体部３０と、下部電極３１と、第１誘電体層３２と、第２誘電体層３３と、を有するシート状構造である。下部電極３１は、メッシュ状導体部３０と間隔をおいて配置されている。第１誘電体層３２は、メッシュ状導体部３０の上部に設けられている。第２誘電体層３３は、メッシュ状導体部３０と下部電極３１との間の狭間領域に設けられている。
通信カプラ２１の信号伝達装置２２に面するフランジ部２７の長さは、磁界漏洩抑制効果を高めるために、信号伝達装置２２のメッシュ状導体部３０のメッシュを構成する一導体幅よりも長く設定されている（後述する）。
【００１６】
通信カプラ２１と信号伝達装置２２との間の電磁界漏洩について説明する。
上記で説明したように、図１５に示す従来の通信カプラ２を信号伝達装置１の上に設置して使用した場合、通信カプラ２の外部導体１２の下部と、信号伝達装置１のメッシュ状導体であるメッシュ状導体部３の間にある第１誘電体層５などを通り電磁界が漏洩する。信号伝達装置１におけるメッシュ状のメッシュ状導体部３の充填密度（メッシュ導体が占める割合）が小さい場合、例えばメッシュ導体幅１ｍｍ、メッシュ導体間隔７ｍｍなどの場合は、上記の電磁界漏洩を抑制する方法として、通信カプラ２の外部導体１２の下部と、信号伝達装置１の下部電極４との電磁結合を大きくすることが挙げられる。すなわち、外部導体１２の下部と下部電極４の上部で作る寄生容量を大きくすることで通信カプラ２から信号伝達装置１に注入される電磁界の割合が増加し、第１誘電体層を通って外部へ漏洩する量が少なくなる。
従来の通信カプラ２を信号伝達装置１の上に設置した場合の電磁界漏洩については、図１６Ａ及び図１６Ｂに示される。
【００１７】
図４Ａは、本発明の実施例１の通信カプラ２１を信号伝達装置２２の上に設置した場合を示す。
図４Ｂは、通信カプラ２１のフランジ部２７を追加した外部導体２６の下部（図４Ａにおける点Ｐ１’と点Ｐ２’と間の導体部分）と信号伝達装置２２の下部電極３１（図４Ａにおける点Ｐ３’と点Ｐ４’との間の導体部分）の間で形成される寄生容量Ｃｓ２を示す。フランジ部２７を追加したことで、本発明の実施例１の通信システムにおいては、従来の通信システムと比較して、外部導体２６下部の信号伝達装置２２に面する領域が大きくなり、その下に位置する下部電極３１との対向面積が増えている。その結果、寄生容量が増加（Ｃｓ１＜Ｃｓ２）するためインピーダンスが小さくなり、通信カプラの内部導体２４と外部導体２６との間を伝搬する電磁界が信号伝達装置２２に注入されやすくなるとともに通信システム外部への電磁界漏洩が少なくなる。
フランジ部２７を含む外部導体２６の下部はメッシュ状導体の導体幅よりも長いほうが電磁界漏洩抑制効果を得られるため、図４Ａに示すようにフランジ部２７の長さをＬ１、メッシュ状導体部３０を構成する一導体枠の幅をＬ２とした場合に、フランジ部２７の長さを、Ｌ１＞Ｌ２となるように設定することが望ましい。
【００１８】
図５を用いて通信カプラ２１の製法について簡単に説明する。通信カプラ２１の内部導体２４やフランジ部２７のついた外部導体２６は例えば鋳造などの方法により製造する。通信カプラ２１と同軸ケーブル２８との接続には同軸コネクタ２９を用いることが考えられる。同軸コネクタ２９の外導体２９Ａと通信カプラ２１の外部導体２６、同軸コネクタ２９の内導体２９Ｂと通信カプラ２１の内部導体２４をそれぞれ半田で接続する。内部導体２４の中央突起には予め同軸コネクタ２９の内導体２９Ｂが挿し込めるような穴を形成しておく。以上のように本発明の実施例１の通信カプラ２１は一般的な工法により実現可能である。
【００１９】
以上詳細に説明したように本実施例１に示される通信システムによれば、通信カプラ２１の外部導体２６の端部に、信号伝達装置２２に対して平行となるように延長されたフランジ部２７（延長導体部）を設けられている。このフランジ部２７によって、通信カプラ２１と信号伝達装置２２の間の電磁結合、特に通信カプラ２１の外部導体２６と信号伝達装置２２の下部電極３１との間の電磁結合を大きくすることで、漏洩電磁界の少ない高品質な通信が可能となる。
【００２０】
［実施例２］
次に、本発明の実施例２について図６を参照して説明する。
本実施例２の通信システムが、先の実施例１と異なるのは、通信カプラ２１のカプラ筐体２５を構成している材料である。すなわち、実施例１では、通信カプラ２１のカプラ筐体２５は金属で構成されている。一方で、実施例２では、樹脂などの非導体でカプラ筐体４０を構成し、このカプラ筐体４０に部分的に導体めっき４１を施すことで、本実施例２の通信カプラ２１を構成している。
図６のカプラ筐体４０は、構成樹脂を射出成型することなどにより製造する。その後、導体めっき４１を、少なくとも、通信機器２０につながる同軸ケーブル２８との接続をとるために、同軸ケーブル２８との接続箇所（符号４１Ａで示す）、内部導体２４側の対向面（符号４１Ｂで示す）及びフランジ部２７を含めたカプラ筐体４０の下端面の全体（符号４１Ｃで示す）に施す。導体めっき４１の厚みは、通信で使用する周波数における導体表皮厚みより厚くする。
このように外部導体を、樹脂からなるカプラ筐体４０により構成し、カプラ筐体４０の必要部分に導体めっき４１を施すことで、さらに余計な電磁界漏洩を防止することが可能となる。
【００２１】
［実施例３］
次に、本発明の実施例３について図７を参照して説明する。
本実施例３の通信システムが、先の実施例１と異なるのは、実施例１で延長導体部として設けられたフランジ部２７の構成である。実施例１では、図１に示すように、通信カプラ２１の外部導体２６の下部に外部導体２６を外側へ延長したフランジ部２７を延長導体部として設けた。一方で、実施例３では、図７に示すように、全体として筒状に形成された筒状部２５Ａと、筒状部２５Ａの上端部に設けられた蓋部２５Ｂを有するカプラ筐体２５において、筒状部２５Ａの厚さ（符号Ｗで示す）を肉厚に形成することで、筒状部２５Ａの下端部の底部を、延長導体部４２としている。
筒状部２５Ａの厚さＷ、および、カプラ筐体２５を、先の実施例２で示すように樹脂からなるカプラ筐体４０に導体めっき４１を施すことにより構成した場合には、その導体めっき４１の厚さ（導体表皮厚み）は、「筒状部２５Ａの厚さＷ＞＞導体表皮厚み」となるように設定することで、漏洩電磁界の少ない高品質な通信を可能とする。
【００２２】
このような延長導体部４２によって、実施例１と同様、通信カプラ２１と信号伝達装置２２の間の電磁結合、特に通信カプラ２１の外部導体２６と信号伝達装置２２の下部電極３１との間の電磁結合を大きくしている。その結果、漏洩電磁界の少ない高品質な通信が可能となるとともに、実施例１のフランジ部２７を有する外部導体２６のように全体形状が複雑とならず、成形に使用する金型の作成も容易になる効果が得られる。実施例３に示される通信カプラ２１の製造方法は、実施例１と同様の方法を用いることができる。
【００２３】
［実施例４］
次に、本発明の実施例４について図８を参照して説明する。
この実施例４では、実施例１に示される、信号伝達装置２２を構成している誘電体層３２・３３の一部領域を高誘電率な材料（符号３３Ａで示す）に置き換えている。
具体的には、通信カプラ２１のフランジ部２７を形成した外部導体２６下部とそれに対向する信号伝達装置２２の下部電極３１の間、すなわち、図８に示される点Ｐ１’、点Ｐ２’、点Ｐ４’、点Ｐ３’で囲まれる領域の第１誘電体層３２、第２誘電体層３３を、他の領域の材料（符号３３Ｂで示す）より高誘電率な材料に置き換えるようにしている。これによって、特に、電磁界漏洩が発生し易いフランジ部２７と下部電極３１との間の寄生容量Ｃｓ２を更に大きくして、電磁界漏洩を有効に抑制することができる。ただし、この実施例４で示すような構成を採用することで、信号伝達装置２２上への通信カプラ２１の設置場所は限定される。
【００２４】
［実施例５］
次に、本発明の実施例５について図９〜図１１Ｂを参照して説明する。
上述した実施例１では、フランジ部２７の長さが通信に使用する周波数における２分の１波長と同程度となるとフランジ部２７上に電流が載り、アンテナとして機能することにより電磁放射を引き起こす。この放射を抑制するための構造が、この実施例５である。
すなわち、実施例５では、図９に示すように、延長導体部として設けられたフランジ部２７の上面に、特定の周波数帯での電磁界の伝搬を抑制するＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ−ＢａｎｄＧａｐ）構造体５０を形成している。ＥＢＧ構造に関しては、例えば、ＩＥＥＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ  ＴＨＥＯＲＹ  ＡＮＤ  ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ，ＶＯＬ．５３，ＮＯ．８，ＡＵＧＵＳＴ  ２００５のｐｐ．２４９５−２５０５に掲載されている「Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ−Ｂａｎｄｇａｐ  Ｌａｙｅｒｓ  ｆｏｒ  Ｂｒｏａｄ−Ｂａｎｄ  Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｏｆ  ＴＥＭ  Ｍｏｄｅｓ  ｉｎ  Ｐｏｗｅｒ  Ｐｌａｎｅｓ（以下、文献Ａと称する）」などに報告がある。
【００２５】
このＥＢＧ構造体５０は、例えば、図１０に断面図を示すように、プリント基板からなる上層の導体層５１と下層の導体層５２を平板状の導体シートとして有する。また、ＥＢＧ構造体５０においては、導体層５１と導体層５２との間に、平面視、正方形の導体物５３Ａからなる導体パターン５３が形成されている。ＥＢＧ構造体５０は、図１１Ａおよび１１Ｂに示すように、この導体物５３Ａと導体層５２とを、導体ビア５４で接続するなどして、この正方形の導体物５３Ａからなる導体パターン５３と導体ビア５４との組立体を、一定の周期、間隔で２次元的に複数個並べて構成される。
各部の寸法は、上記文献Ａのｐｐ．２４９９のＴＡＢＬＥ  Ｉ、Ｆｉｇｕｒｅ  ８に記載されている（構造は文献１のＦｉｇｕｒｅ  ２に記載されている）。このＥＢＧ構造体５０を、図１１Ａおよび１１Ｂに示すように、通信カプラ２１のフランジ部２７上に設置する。その設置の際、ＥＢＧ構造体５０を構成する下層の導体層５２と、フランジ部２７とは導電性の接着剤などにより電気的に接続を行う。ＥＢＧ構造体５０をフランジ部２７上に設置する場合、配置の容易さから、図１１Ｂに示すように通信カプラ２１の外部導体２６及びその周囲に配置されるフランジ部２７は、円形ではなく、角型にすることが好ましい。
【００２６】
上記実施例５では、外部導体２６の周囲に配置されるフランジ部２７によって、実施例１と同様、通信カプラ２１と信号伝達装置２２との間の電磁結合、特に通信カプラ２１の外部導体２６と信号伝達装置２２の下部電極３１との間の電磁結合が大きくなる。その結果、漏洩電磁界の少ない高品質な通信が可能となる。さらに、フランジ部２７上のＥＢＧ構造体５０によって、フランジ部２７がアンテナとして機能することにより電磁放射を引き起こす現象が防止され、この点においても、漏洩電磁界の少ない高品質な通信が可能となる。
【００２７】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００２８】
この出願は、２００９年９月１日に出願された日本出願特願２００９−２０２１１４を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明は、シート状の信号伝達装置と、その上に設置して信号伝達装置に信号を伝達する通信カプラからなる通信システムに適用でき、特に通信カプラの電磁漏洩を抑制する漏洩電磁界抑制構造に適用できる。
【符号の説明】
【００３０】
２０     通信機器
２１       通信カプラ
２２     信号伝達装置
２４   内部導体
２５       カプラ筐体
２５Ａ   筒状部
２５Ｂ       蓋部
２６    外部導体
２７       フランジ部（延長導体部）
３０     メッシュ状導体部
３１      下部電極
３２       第１誘電体層
３３   第２誘電体層
４０   カプラ筐体
４１     導体めっき
４２     延長導体部
５０     ＥＢＧ構造体
【図１】
0005601325.tif 000002
【図２】
0005601325.tif 000003
【図３】
0005601325.tif 000004
【図４Ａ】
0005601325.tif 000005
【図４Ｂ】
0005601325.tif 000006
【図５】
0005601325.tif 000007
【図６】
0005601325.tif 000008
【図７】
0005601325.tif 000009
【図８】
0005601325.tif 000010
【図９】
0005601325.tif 000011
【図１０】
0005601325.tif 000012
【図１１Ａ】
0005601325.tif 000013
【図１１Ｂ】
0005601325.tif 000014
【図１２】
0005601325.tif 000015
【図１３】
0005601325.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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