(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に金属放熱体が接合され、他方の面に配線パターンが形成された絶縁層を有する回路基板と、
前記配線パターンの素子搭載部に接合された電力用半導体素子と、
前記配線パターンに設けられ、且つ外部端子と接続可能な円柱または円筒状をなした引出し用電極とを備え、
前記回路基板、前記電力用半導体素子および前記引出し用電極の側面をモールド樹脂で封止した電力用半導体装置であって、
前記引出し用電極の外径と略同寸法の引出し用電極搭載用であり、開口面から底面に向かって幅広のテーパを有する第一の穴部を前記配線パターン上に設け、この第一の穴部に前記引出し用電極を嵌合して半田接合したことを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
前記第一の穴部は、その底面に第二の穴部を有することを特徴とする請求項１に記載の電力用半導体装置。
【請求項３】
前記第一の穴部は、その断面が凹状であることを特徴とする請求項１または２に記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
前記引出し用電極は、板状半田で接合したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
前記引出し用電極は、球状半田で接合したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばトランスファーモールドによるモールド樹脂封止型の電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力用半導体装置の外部引出し構造として、例えば、基板上に半田接合されたブシュに線材ピンを挟持し、この線材ピンを用いて基板とケーシングに取り付けられたパネルとを電気的に接続するものがある。この構成においては、前記ケーシング内にシリコーンゲルを充填し、基板、ブシュおよび線材ピンなどの各構成素子を絶縁している。ここで、基板とブシュとの半田接合方法としては、基板上のブシュ搭載位置に予め半田ペーストを印刷塗布し、次いで該ブシュを搭載位置に載置し、加熱により半田ペーストを流動化させて基板とブシュとを接合する方法が用いられている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１‐２９８１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、基板上のブシュ搭載位置は平面状をなしているため、基板とブシュとの接合時には、加熱により流動化した半田がブシュの直下部からブシュ外周部へと向かって濡れ広がる。そこで、上述のようなシリコーンゲルに代えてトランスファーモールドによるモールド樹脂での絶縁封止を行った場合、モールド樹脂と半田との接着強度が低いために、基板上に濡れ広がった半田を起点としてモールド樹脂の剥離が発生してしまい、電力用半導体装置の信頼性が低下してしまうという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上述のような問題を解決するためになされたもので、モールド樹脂の剥離を防止し、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る電力用半導体においては、一方の面に金属放熱体が接合され、他方の面に配線パターンが形成された絶縁層を有する回路基板と、配線パターンの素子搭載部に接合された電力用半導体素子と、配線パターンに設けられ、且つ外部端子と接続可能な円柱または円筒状をなした引出し用電極とを備え、回路基板、電力用半導体素子および引出し用電極の側面とをモールド樹脂で封止した電力用半導体装置であって、引出し用電極の外径と略同寸法の引出し用電極搭載用であり、開口面から底面に向かって幅広のテーパを有する第一の穴部を配線パターン上に設け、この第一の穴部に引出し用電極を嵌合して半田接合したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、配線パターン上に引出し用電極の外径と略同寸法の引出し電極搭載用であり、開口面から底面に向かって幅広のテーパを有する第一の穴部を設け、この第一の穴部に引出し用電極を嵌合して半田接合しているので、半田が配線パターン上へ濡れ広がることがなくなり、モールド樹脂の剥離を防止して信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の引出し用電極設置部分を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の電力用半導体素子設置部分を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の引出し用電極に外部端子が接続された状態を示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の製造方法における半田供給工程を示す断面図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る電力用半導体装置の引出し用電極設置部分を示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態３に係る電力用半導体装置を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態３に係る電力用半導体装置の引出し用電極に外部端子が接続された状態を示す断面図である。
【図９】この発明の実施の形態４に係る電力用半導体装置の引出し用電極設置部分を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態４に係る電力用半導体装置の電力用半導体素子設置部分を示す断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態５に係る電力用半導体装置の引出し用電極設置部分を示す断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態６に係る電力用半導体装置の電力用半導体素子設置部分を示す断面図である。
【図１３】この発明の電力用半導体装置の製造方法における他の半田供給工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１ないし５は、この発明を実施するための実施の形態１に係る電力用半導体装置を示すものであって、図１はその断面図、図２は引出し用電極設置部分を示す断面図、図３は電力用半導体素子設置部分を示す断面図、図４は該装置に外部端子が挿入された様子を示す断面図、図５はその製造方法における半田供給工程を示す断面図である。なお、以下の各図において、同一符号は同一または相当の構成を示す。
【００１０】
図１において、電力用半導体装置１００は、回路基板８を備えており、この回路基板８は、該装置１００を放熱するための金属放熱体１と、この金属放熱体１の一方の面に接合された絶縁層２と、絶縁層２上に設けられた配線パターン３とを有している。この配線パターン３上には、電力用半導体素子５および円筒状の引出し用電極６が搭載されている。この引出し用電極６の両端部には、それぞれ端面に向かって内径が大きくなるようにテーパ６ａ、６ｂが形成されている。なお、これは必ずしも設ける必要はない。また、配線パターン３上には、断面が凹状の第一の穴部７ａと断面が凹状の第三の穴部１５ａとが設けられており、第一の穴部７ａには引出し用電極６が、第三の穴部１５ａには電力用半導体素子５がそれぞれ嵌合され接合されている。そして、第一の穴部７ａの底面には断面が凹状の第二の穴部７ｂが設けられ、第三の穴部１５ａの底面には断面が凹状の第四の穴部１５ｂが設けられている。
【００１１】
第一の穴部７ａの穴径は、図２に示すように、引出し用電極６の外径と略同寸法であり、引出し用電極６が第一の穴部７ａ内にほぼ隙間なく嵌合されて半田４により接合されている。一方、第二の穴部７ｂは、その穴径が第一の穴部７ａの穴径よりも小さく、その中心が第一の穴部７ａの中心と一致するように設けられている。この第二の穴部７ｂの内部、引出し用電極６の孔部の下部および該電極６の端部の直下部には、半田４が存在している。また、第三の穴部１５ａの穴径は、図３に示すように、電力用半導体素子５の外径と略同寸法であり、電力用半導体素子５が第三の穴部１５ａ内にほぼ隙間なく嵌合されて半田４により接合されている。一方、第四の穴部１５ｂは、その穴径が第三の穴部１５ａの穴径よりも小さく、その中心が第三の穴部１５ａの中心と一致するように設けられている。この第四の穴部１５ｂの内部には、半田４が存在している。
【００１２】
また、配線パターン３と配線パターン３との間、配線パターン３と電力用半導体素子５との間および電力用半導体素子５と電力用半導体素子５との間は、それぞれワイヤーボンド１０ａ、１０ｂ、１０ｃにより接続されている。そして、配線パターン３、電力用半導体素子５、ワイヤーボンド１０ａ、１０ｂ、１０ｃおよび引出し用電極６の側面は、トランスファーモールド法によりモールド樹脂９で絶縁封止されている。ただし、モールド樹脂９は、引出し用電極６の孔部には充填されていない。
【００１３】
また、引出し用電極６には、図４に示すように、外部電極１１が挿入されている。この外部端子１１は、引出し用電極６の内壁に接し、該電極６と電気的に接続されている。なお、この外部端子１１の形状は、引出し用電極６との電気的な接続が得られれば棒状に限定されるものではない。
【００１４】
また、本実施の形態における、引出し用電極６の材質としては、優れた熱伝導性と電気伝導性とを有し、且つ配線パターン３と半田４で接合可能な金属が好ましい。具体的には、銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金等のめっき品などを用いることができる。また、この引出し用電極６の肉厚は、トランスファーモールドによるモールド樹脂９での絶縁封止工程において、封止時の成形圧力によって変形または破壊されない厚みであれば良い。その内径は、外部端子１１の挿入部の外径から決定され、この外部端子１１が挿入・保持可能であればよい。また、引出し用電極６の高さは、外部端子１１が十分に接続可能である高さであればよい。この引出し用電極６と外部端子１１との接続方法としては、はんだ付け、金属間接合であるプレスフィットに代表される圧入接続、ネジ接続等が挙げられるが、低コストで接続部の信頼性が高く、工程が容易なプレスフィットに代表される圧入接続が好ましい。
【００１５】
配線パターン３としては、例えば、銅箔や銅板が用いられる。この配線パターン３の厚みは、回路基板８に設置する電力用半導体素子５の電気容量により適宜決定される。また、ワイヤーボンド１０ａ、１０ｂ、１０ｃとしてはアルミニウム線や銅線が用いられる。このワイヤーボンド１０ａ、１０ｂ、１０ｃの線径も電力用半導体素子５の電気容量により適宜決定される。
【００１６】
また、金属放熱体１としては、熱伝導性の良好な金属板を用いることができる。このような金属板としては、例えば、アルミニウムおよびアルミニウム合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金、あるいは、銅／鉄―ニッケル合金／銅、アルミニウム／鉄―ニッケル合金／アルミニウム等の複合材料を用いることができる。ここで、この金属板の厚さ・長さ・幅は、回路基板８に設置する電力用半導体素子５の電気容量により適宜決定される。例えば、電力用半導体素子５の電流容量が大きい場合、金属板の厚みを厚くし、長さを大きくし、幅を大きくする。
【００１７】
また、絶縁層２としては、例えば、樹脂絶縁層を用いることができる。この樹脂絶縁層としては、優れた熱伝導性を有するものが好ましい。具体的には、各種セラミックスや無機粉末を含有する樹脂絶縁シート、ガラス繊維を含有する樹脂絶縁シートなどを用いることができる。ここで、樹脂絶縁層に含有される無機粉末としては、アルミナ、ボロンナイトライド、シリカ、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどが挙げられる。また、この樹脂絶縁層の厚みは、例えば２０〜４００ミクロンである。
【００１８】
また、本発明におけるモールド樹脂９としては、例えば、シリカ粉末をフィラーとして充填したエポキシ樹脂を用いることができる。このシリカ粉末の含有量は、電力用半導体装置に用いられる部材の熱膨張係数などを考慮して最適量が決定される。例えば、配線パターン３と金属板１とに銅を用いた場合、モールド樹９の熱膨張係数を、銅の熱膨張係数である１６ｐｐｍ／℃に合わせるように、シリカ粉末の含有量を設定する。このようにすることで反りのない電力用半導体装置が得られる。
【００１９】
本実施の形態によれば、引出し用電極６は、その穴径が該電極６の外径と略同寸法である第一の穴部７ａにほぼ隙間なく嵌合されているので、引出し用電極６を半田接合する際に、加熱により流動化した半田４は、第二の穴部７ｂ、引出し用電極６の孔部および該電極６の端部の直下部に流れ込むことになる。つまり、引出し用電極６の外側においては、引出し用電極６が第一の穴部７ａにほぼ隙間なく嵌合されており、該電極６の外側面と第一の穴部７ａとの間の隙間は狭小であるので、半田４が該電極６の外側に漏れ出ることはない。一方、引出し用電極６の内側においては、該電極６の内側が第一の穴部７a、第二の穴部７ｂおよび該電極６の円筒の孔部により開放されているため、流動化した半田４は、第二の穴部７ｂ、引出し用電極６の孔部および該電極６の端部の直下部に流れ込むことになる。そのために、半田４は配線パターン３上に濡れ広がることはない。また、電力用半導体素子５は、その穴径が該素子５の外径と略同寸法である第三の穴部１５ａにほぼ隙間なく嵌合されているので、電力用半導体素子５を半田接合する際に加熱により流動化した半田４は、第四の穴部１５ｂに流れ込み配線パターン３上に濡れ広がることはない。
【００２０】
したがって、引出し用電極搭載部および電力用半導体素子搭載部においてモールド樹脂９は半田４との接触が無くなるので、モールド樹脂９の剥離を防止して、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
【００２１】
また、配線パターン３上に引出し用電極搭載用の第一の穴部７ａを設け、この第一の穴部７ａに引出し用電極６を嵌合して半田接合しているので、引出し用電極６の接合位置精度と垂直精度が良好となり、引出し用電極６の接合位置ずれを防止することができ、該電極６と外部端子１１との接続信頼性を向上させることができる。さらに、本発明の電力用半導体装置１０１とその外部端子１１を介して接続される外部の基板との間の接続信頼性も向上させることができる。
【００２２】
次に、本実施の形態に係る電力用半導体装置の製造方法を説明する。まず、金属放熱体１として厚み２ｍｍの銅板と、配線パターン３を作製するための金属箔３ａとして厚みが０．５ｍｍの銅箔と、絶縁層２として例えばアルミナ粉末を含有するＢステージ状態のエポキシ樹脂シートとを用意する。そして、金属放熱体１と金属箔３ａとの間に絶縁層２を挟み込むように積層し、これらを加熱・加圧手段により接合することにより回路基板８を得る。
【００２３】
次に、金属箔３ａ上にレジストを塗布しエッチングすることで、所望の配線パターン３を形成する。そしてこの配線パターン３上に、その穴径が後述する引出し用電極６の外径と略同寸法である第一の穴部７ａおよび該穴部７aの底面に位置しその穴径が該穴部７aの穴径よりも小さい第二の穴部７ｂと、その穴径が後述する電力半導体素子５の外径と略同寸法である第三の穴部１５ａおよび該穴部１５aの底面に位置しその穴径が該穴部１５aの穴径よりも小さい第二の穴部１５ｂとを例えばエッチングにより形成する。次いで、図５に示すように、配線パターン３の引出し用電極６の搭載部である第一の穴部７ａおよび第二の穴部７ｂに、所定量に切断した板状半田４ａを供給する。また、同様に電力用半導体素子５の搭載部である第三の穴部１５ａおよび第四の穴部１５ｂにも所定量に切断した板状半田４ａを供給する。
【００２４】
そして、円筒状の引き出し電極６を第一の穴部７ａに、電力用半導体素子５を第三の穴部１５ａにそれぞれ嵌合し、加熱炉により加熱する。これにより半田の流動化が起こり、引出し用電極搭載部に供給した半田は、図２に示すように、第二の穴部７ｂ、引出し用電極６の孔部および該電極６の端部の直下部に流れ込み、引出し用電極６は第一の穴部７ａに接合される。また、電力用半導体素子搭載部に供給した半田は、図３に示すように、第四の穴部１５ｂに流れ込み、電力用半導体素子５は第三の穴部１５ａに接合される。次に、配線パターン３と配線パターン３との間、配線パターン３とこのパターン３上に設置された電力用半導体素子５との間および電力用半導体素子５と電力用半導体素子５との間をそれぞれワイヤーボンド１０ａ、１０ｂ、１０ｃにより接続する。
【００２５】
最後に、ワイヤーボンド１０ａ、１０ｂ、１０ｃにより必要個所が電気的に接続された電力用半導体素子５と、引出し用電極６とが搭載された回路基板８を、金型にセットし、トランスファーモールド法によりモールド樹脂９で絶縁封止する。これにより、本発明における電力用半導体装置１００が完成する。ここで、引出し用電極６は、その側面がモールド樹脂９により封止されており、その内部にはモールド樹脂９は充填されていない。
【００２６】
上記のような製造方法における半田供給工程において、図５に示すように、所定量に切断した板状半田４ａを用いているので、半田供給量を一定に保持することが可能となり、半田の配線パターン３上への濡れ広がりをより確実に防止することができる。
【００２７】
実施の形態２．
図６は、この発明を実施するための実施の形態２に係る電力用半導体装置２００の引出し用電極設置部分を示す断面図である。実施の形態１では、引出し用電極６の搭載部に断面が凹状の第一の穴部７ａおよび第二の穴部７ｂを設ける構成を示したが、図６に示すように、円筒状の引出し用電極６の搭載部を第一の穴部７ａのみにする構成にしてもよい。その他の構成部分は実施の形態１と同様である。
【００２８】
本実施の形態によれば、引出し用電極６は、その穴径が該電極６の外径と略同寸法である第一の穴部７ａにほぼ隙間なく嵌合されているので、半田接合の際の加熱により流動化した半田４は、引出し用電極６の円筒の孔部および該電極６の端部の直下部に流れ込むことになる。このため、半田４は配線パターン３上に濡れ広がることはない。
【００２９】
したがって、実施の形態１と同様にモールド樹脂９は半田４との接触が無くなるので、モールド樹脂９の剥離を防止して、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
【００３０】
実施の形態３．
図７および８は、実施の形態３に係る電力用半導体装置を示すものであって、図７はその断面図、図８は該装置に外部端子が接続された状態を示す断面図である。実施の形態１では、円筒状引出し用電極６を用いる構成を示したが、図７に示す電力用半導体装置３００のように、円筒状引出し用電極６の代わりに円柱状引出し用電極１２を用いる構成にしてもよい。この円柱状引出し用電極１２には、図８に示す電力用半導体装置３０１のように、その上面に外部端子１３が接合される。この接続方法としては、半田による接合や超音波接合などが挙げられる。
【００３１】
本実施の形態によれば、円柱状の引出し用電極１２を用いているので、実施の形態１に述べた効果に加えて、引出し用電極に流す電流量を増加させることができる。
【００３２】
実施の形態４．
図９および１０は、実施の形態４に係る電力用半導体装置４００を示すものであって、図９は該装置４００の引出し用電極設置部分の断面図、図１０は該装置４００の電力用半導体素子設置部分の断面図を示すものである。実施の形態１では、引出し用電極の搭載部に断面が凹状の第一の穴部７ａ設け、この第一の穴部７ａの底面に断面が凹状の第二の穴部７ｂを設ける構成を示したが、図９に示すように、第一の穴部７ａは、その断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第一の穴部７ｃとしてもよい。この第一の穴部７ｃの開口面の穴径は、引出し用電極６の外径と略同寸法であり、引き出し用電極６が第一の穴部７ｃにほぼ隙間なく嵌合されて半田４により接合されている。また、実施の形態１では、電力用半導体素子の搭載部に断面が凹状の第三の穴部１５ａ設け、この第三の穴部１５ａの底面に断面が凹状の第四の穴部１５ｂを設ける構成を示したが、図１０に示すように、第三の穴部１５ａは、その断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第三の穴部１５ｃとしてもよい。この第三の穴部１５ｃの開口面の穴径は、電力用半導体素子５の外径と略同寸法であり、電力用半導体素子５が第三の穴部１５ｃにほぼ隙間なく嵌合されて半田４により接合されている。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００３３】
本実施の形態によれば、引出し用電極６は、開口面の穴径が該電極６の外径と略同寸法で断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第一の穴部７ｃにほぼ隙間なく嵌合されているため、半田接合の際の加熱時に流動化した半田４は、第二の穴部７ｂの内部、引出し用電極６の孔部および該電極６の端部の直下部に加えて、第一の穴部７ｃの側面と引出し用電極６の側面との間の空間に流れ込むことになる。また、電力用半導体素子５は、開口面の穴径が該素子５の外径と略同寸法で断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第三の穴部１５ｃにほぼ隙間なく嵌合されているため、半田接合の加熱時に流動化した半田４は、第四の穴部１５ｂに加えて、第三の穴部１５ｃの側面と電力用半導体素子５の側面との間の空間に流れ込むことになる。これらにより、過剰な半田が供給されても確実に濡れ広がりを防止することができ、実施の形態１に述べた効果に加えて、過剰な半田の供給に起因するモールド樹脂の剥離を防止できる。
【００３４】
実施の形態５．
図１１は、実施の形態５に係る電力用半導体装置５００の引出し用電極設置部分の断面図を示すものである。実施の形態２では、引出し用電極の搭載部に断面が凹状の第一の穴部７ａを設ける構成を示したが、図１１に示すように、その断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパでる第一の穴部７ｃを設ける構成としてもよい。その他の構成は実施の形態２と同様である。
【００３５】
本実施の形態によれば、引出し用電極６は、開口面の穴径が該電極６の外径と略同寸法で断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第一の穴部７ｃにほぼ隙間なく嵌合されているため、半田接合の際の加熱時に流動化した半田４は、引出し用電極６の孔部および該電極６の端部の直下部に加えて、第一の穴部７ｃの側面と引出し用電極６の側面との間の空間に流れ込むことになる。これにより、過剰な半田が供給されても確実に濡れ広がりを防止することができ、実施の形態２に述べた効果に加えて、過剰な半田の供給に起因するモールド樹脂の剥離を防止できる。
【００３６】
実施の形態６．
図１２は、実施の形態６に係る電力用半導体装置６００の電力用半導体素子設置部分の断面図を示すものである。実施の形態１では、電力用半導体素子の搭載部に断面が凹状の第三の穴部１５ａおよび第四の穴部１５ｂを設ける構成を示したが、図１２に示すように、電力用半導体素子の搭載部に開口面の穴径が該素子５の外径と略同寸法で断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第三の穴部１５ｃのみを設ける構成としてもよい。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００３７】
本実施の形態によれば、電力用半導体素子５は、開口面の穴径が該素子５の外径と略同寸法で断面が開口面から底面に向かって幅広のテーパである第三の穴部１５ｃにほぼ隙間なく嵌合されているため、半田接合の際の加熱時に流動化した半田４は、第三の穴部１５ｃの側面と電力用半導体素子５の側面との間の空間に流れ込み配線パターン３上に濡れ広がることはない。したがって、実施の形態１と同様にモールド樹脂９は半田４との接触が無くなるので、モールド樹脂９の剥離を防止して、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
【００３８】
実施の形態７．
図１３は、この発明の電力用半導体装置の製造方法における他の半田供給工程を示す断面図である。実施の形態１の電力用半導体装置の製造方法では、図５に示した半田供給工程において、所定量に切断した板状半田４ａを用いたが、図１３に示すように、板状半田４ａに代えて所定数量供給した球状半田４ｂを用いてもよい。その他の製造方法は実施の形態１と同様である。
【００３９】
本実施の形態の半田供給工程によれば、半田供給工程に所定数量の球状半田４ｂを用いているため、半田供給量を一定に保持することが可能となり、半田の配線パターン３上への濡れ広がりをより確実に防止することができる。また、球状半田４ｂを用いたことにより、半田切断の作業が不要となり、生産性が向上する。
【符号の説明】
【００４０】
１  金属放熱体
２  絶縁層
３  配線パターン
４  半田
４ａ  板状半田
４ｂ  球状半田
５  電力用半導体素子
６、１２  引出し用電極
７ａ、７ｃ  第一の穴部
７ｂ  第二の穴部
８  回路基板
９  モールド樹脂
１５ａ、１５ｃ  第三の穴部
１５ｂ  第四の穴部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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