(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
規則性を有し配列した複数の突起を備えた第１電極を含む第１基体と、
前記複数の突起とそれぞれ嵌合した複数の嵌合部を備え、第１電極と機械的かつ電気的に接続された第２電極を含む第２基体と、
を有し、
前記複数の突起の先端は、前記複数の嵌合部の側面内に突出した第１の突部を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記複数の嵌合部の先端は、前記複数の突起の側面内に突出した第２の突部を有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１電極は前記第１基体に複数設けられ、前記複数の突起は、前記第１基体全体にわたり規則性を有し配列していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
第１基体に規則性を有し配列した複数の突起を備えた第１電極を形成する工程と、
第２基体に前記複数の突起とそれぞれ嵌合する複数の嵌合部を備えた第２電極を形成する工程と、
前記複数の突起が前記複数の嵌合部に嵌合することにより、前記複数の突起の先端にある突部が、前記複数の嵌合部の側面内に突出し形成され、前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程と、
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置およびその製造方法に関し、例えば複数の突起を備えた基体が接続された電子装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の基体に設けられた電極同士を接続することにより、基体同士を機械的に接続し、かつ電極同士を電気的に接続する方法が知られている。半導体チップのバンプ電極の表面に凹凸を形成し、このバンプ電極の凸部を配線基板のバンプ電極の表面に食い込ませることにより、バンプ電極同士を接続することが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０８−７００１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電極の凸部を他方の電極の表面に食い込ませる方法では、大きな圧力で基体同士を加圧することとなる。このため、基体等にダメージが発生する可能性がある。本電子装置およびその製造方法は、小さな圧力を用い電極同士を接合可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
例えば、規則性を有し配列した複数の突起を備えた第１電極を含む第１基体と、前記複数の突起とそれぞれ嵌合した複数の嵌合部を備え、前記第１電極と機械的かつ電気的に接続された第２電極を含む第２基体と、を有し、前記複数の突起の先端は、前記複数の嵌合部の側面内に突出した第１の突部を有することを特徴とする電子装置を用いる。
【０００６】
例えば、第１基体に規則性を有し配列した複数の突起を備えた第１電極を形成する工程と、第２基体に前記複数の突起とそれぞれ嵌合する複数の嵌合部を備えた第２電極を形成する工程と、前記複数の突起が前記複数の嵌合部に嵌合することにより、前記複数の突起の先端にある突部が、前記複数の嵌合部の側面内に突出し形成され、前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法を用いる。
【発明の効果】
【０００７】
本電子装置およびその製造方法によれば、小さな圧力を用い電極同士を接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係る電子装置の製造法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｆ）は、第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、第１電極の突起と第２電極の突起との嵌合を示した図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、第１電極の突起と第２電極の突起との嵌合を示した別の図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例の断面模式図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｆ）は、実施例２における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｆ）は、実施例３における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｆ）は、実施例４における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例５における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例６における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例７における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、実施例８に係る半導体装置を示す図である。
【図１３】図１３は、実施例９に係る半導体装置を示す図である。
【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｆ）は、実施例１０における第１電極と第２電極との接合を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照に本発明に係る実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係る電子装置の製造法を示す断面図である。図１（ａ）のように、第１基体１０に下地電極１１を形成する。下地電極１１上に規則性を有し配列した複数の突起１４を形成する。これにより、下地電極１１と複数の突起１４を含む第１電極１２が形成される。突起１４の間には、空間１６が形成されている。図１（ｂ）のように、第２基体２０に下地電極２１を形成する。下地電極２１上に規則性を有し配列した複数の突起２４を形成する。これにより、下地電極２１と複数の突起２４を含む第２電極２２が形成される。突起２４の間には、空間２６が形成されている。複数の突起１４および２４の形成は、例えば次のように行なう。下地電極１１上に開口を備えるフォトレジストを形成する。フォトレジストの開口にめっき法により突起１４および２４を形成する。
【００１１】
図１（ｃ）のように、第２基体２０上に第１基体１０を配置する。このとき、第１電極１２の突起１４が第２電極２２の空間２６上に、第１電極１２の空間１６が第２電極２２の突起２４上になるように、第１基体１０と第２基体２０とを配置する。図１（ｄ）のように、第１基体１０と第２基体２０とに圧力を加え、第１基体１０と第２基体２０とを接合する。このとき、第１電極１２の複数の突起１４がそれぞれ第２電極２２の複数の空間２６に嵌合し、第１電極１２の複数の空間１６が第２電極２２の複数の突起２４に嵌合するようにする。これにより、第１基体１０の第１電極１２と第２基体２０の第２基体２０とが機械的かつ電気的に接続した電子装置が完成する。
【００１２】
図１（ａ）から図１（ｄ）において、例えば第１基体１０および第２基体２０の両方がシリコン等の半導体チップでもよい。また、両方が配線基板でもよい。さらに、例えば第１基板１０が半導体チップであり、第２基板２０が配線基板でもよい。第１電極１２および第２電極２２は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、ＡｇおよびＡｌ等の金属またはこれらの合金等で形成することができる。
【００１３】
図２（ａ）から図２（ｆ）は、第１電極１２と第２電極２２との接合を示す図である。図２（ａ）は第１電極の下面図、図２（ｂ）は第１電極の断面を模式的に示した図である。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、下地電極１１に複数の突起１４が規則性を有し配列している。複数の突起１４は四角格子状に配列している。複数の突起１４のピッチはＰ１、突起１４の幅はＷ１である。４つの突起１４で囲まれた空間１６は第２電極２２の突起２４が嵌合する嵌合部として機能する。
【００１４】
図２（ｃ）は第２電極の上面図、図２（ｄ）は第２電極の断面を模式的に示した図である。図２（ｃ）および図２（ｄ）のように、下地電極２１に複数の突起２４が規則性を有し配列している。複数の突起２４は四角格子状に配列している。複数の突起２４のピッチはＰ２、突起２４の幅はＷ２である。４つの突起２４で囲まれた空間２６は第１電極１２の突起１４が嵌合する嵌合部として機能する。
【００１５】
図２（ｅ）は第１電極と第２電極が接続した平面図（突起１４を破線で示した）、図２（ｆ）は断面を模式的に示した図である。図２（ｅ）および図２（ｆ）のように、空間２６に突起１４が嵌合し、空間１６に突起２４が嵌合する。これにより、第１電極１２と第２電極２２とが機械的かつ電気的に嵌合する。複数の突起１４および２４が四角格子状に配列している場合、例えば、Ｗ１≦Ｐ２×√２／２およびＷ２≦Ｐ１×√２／２の場合、突起１４および２４が空間２６および１６にそれぞれ嵌合する。また、例えば、Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ、Ｐ１＝Ｐ２＝Ｐの場合、Ｗ≦Ｐ×√２／２の場合、突起１４および２４が空間２６および１６にそれぞれ嵌合する。例えば、第１電極１２および第２電極２２を１０μｍ×１０μｍとし、Ｐ＝３．６μｍ、Ｗ＝２．６μｍとすることができる。また、突起１４および２４のピッチＰおよび幅Ｗは、例えば数μｍから数１００μｍとすることができる。
【００１６】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、第１電極の突起と第２電極の突起との嵌合を示した図である。図３（ａ）は断面を模式的に示した図、図３（ｂ）は突起１４および２４を示した平面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）のように、４つの突起２４の間の空間に突起１４が嵌合している。このとき、領域３０のように、突起１４の側面と突起２４の側面が擦り合わさって変形する。このため、突起１４の側面と突起２４の側面（嵌合部の側面）の表面の擦り合わさった面の金属酸化皮膜が除去され新生面が露出する。よって、突起１４の金属と突起２４の金属とが接合する。新生面における金属の相互の拡散は室温でも起こるが、例えば、１５０℃程度の温度で数１０分間加熱することで、突起１４の金属と突起２４の金属との相互の拡散を加速させて、突起１４と突起２４とをさらに強固に結合させることができる。これにより、第１電極１２と第２電極２２とが機械的かつ電気的に接続される。突起１４の側面と突起２４の側面とが擦り合わさる厚さＷｆは、例えば数１０ｎｍ〜数１００ｎｍである。このように、数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの厚さを擦り変位させ新生面を露出させる力は、突起１４および２４のない電極同士を垂直に押して変位させ新生面を露出させる力に比べ、１／１００から１／１０００でよい。
【００１７】
突起１４と突起２４とをスムーズに嵌合させるため、突起１４の先端の幅Ｗｔは突起１４の根元の幅Ｗｂより小さいことが好ましい。また、突起１４間の空間１６の幅は、突起１４の先端側が根元側に対し小さいことが好ましい。これにより、突起１４と突起２４とをよりスムーズに嵌合させることができる。さらに、突起１４の先端３６はラウンドしていることが好ましい。これにより、突起１４と突起２４とをよりスムーズに嵌合させる。なお、突起１４を形成後、エッチングすることにより、先端３６をラウンドさせることができる。さらに、互いの金属を相互拡散させるため突起１４と突起２４とは同じ金属であることが好ましい。
【００１８】
図３（ａ）および図３（ｂ）の構造を用い、突起１４および突起２４をＣｕとし、Ｐ＝３．６μｍ、Ｗ＝２．６μｍ、Ｗｆ＝１００ｎｍ、突起１４および２４の高さが３μｍのとき、第１電極１２と第２電極２２とを接合する力は０．０１ｇ程度であった。この値は、１０μｍ×１０μｍの電極を垂直に変位させ接合させる力の１／１００〜１／１０００であった。
【００１９】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、第１電極の突起と第２電極の突起との嵌合を示した別の図である。図４（ａ）は断面を模式的に示した図、図４（ｂ）は突起１４および２４を示した平面図である。図４（ａ）および図４（ｂ）のように、４つの突起２４の間の空間に突起１４が嵌合している。このとき、突起１４の側面と突起２４の側面は、領域３４のように、離間している。一方、突起１４の先端が空間１６の底（嵌合部の底）に当り、突起１４の先端３６が潰し広げられ、先端３６の一部が突起２４の側面（嵌合部の側面）内に食い込んでいる。このように、突起１４の先端３６を潰し広げ、先端３６の一部を突起２４の側面に食い込ませることにより、金属酸化皮膜が除去され新生面が露出する。よって、突起１４の金属と突起２４の金属とが強固に接合する。
【００２０】
突起１４の先端３６を嵌合部の底に押し当てるため、突起１４の長さＴ１は、嵌合部の深さＴ２より長いことが好ましい。また、突起１４に加え、突起２４の先端を潰し広げ、突起２４の先端の一部を突起１４の側面に食い込ませてもよい。
【００２１】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例の断面模式図である。例えば、特許文献１のように、電極４０および４２表面をエッチングすることにより電極表面に凸部を形成する場合を考える。図５（ａ）のように、この場合、電極４０および４２の表面の凸部４４および４６は結晶粒により形成される。凸部４４および４６の高さは結晶粒径以下となる。図５（ｂ）のように、図５（ａ）の電極表面にめっきを行なうことにより、凸部４４および４６の高さを結晶粒径以上とすることもできる。しかしながら、この場合でも、凸部４４および４６はランダムに形成されるため、電極４０の凸部４４と電極４２の凹部とが整合することはない。このように電極表面に凸部をランダムに形成した場合、電極４０および４２を接合する力は、理論的には、平坦な電極を垂直に変位させ接合させる力の１／６である。このため、比較例では、図３（ａ）および図３（ｂ）のように、電極同士を接合する場合に比べ、接合にかかる力は１桁〜２桁大きくなってしまう。
【００２２】
実施例１によれば、図１（ｄ）のように、第１基体１０の第１電極１２が規則性を有し配列した複数の突起１４を備えている。第２基体２０の第２電極２２が複数の突起１４とそれぞれ嵌合した複数の嵌合部（空間２６）を備え、第１電極と機械的かつ電気的に接続されている。これにより、比較例に対し小さい力で第１電極１２と第２電極２２とを接合することができる。よって、第１基体１０および第２基体２０に加わるダメージを小さくできる。なお、複数の突起１４が規則性を有し配列している例としては、例えば、複数の突起１４において突起１４のピッチＰ１が同じ場合である。また、複数の突起１４において突起の幅Ｗ１が同じ場合である。さらに、複数の突起１４のピッチＰ１が同じであり、かつ複数の突起１４の幅Ｗ１が同じ場合である。
【実施例２】
【００２３】
実施例２は、突起が電極の中心からシフトしている例である。図６（ａ）から図６（ｆ）は、実施例２における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図６（ａ）および図６（ｂ）のように、第１電極１２の複数の突起１４が第１電極１２の中心から突起１４のピッチＰ１の１／４シフトしている。同様に、図６（ｃ）および図６（ｄ）のように、第２電極２２の複数の突起２４が第２電極２２の中心から突起２４のピッチＰ２の１／４シフトしている。これにより、図６（ｅ）および図６（ｆ）のように、第１電極１２と第２電極２２との中心を合わせることができる。その他の構成は、実施例１の図２（ａ）から図２（ｆ）と同じであり、説明を省略する。
【実施例３】
【００２４】
実施例３は、複数の突起が三角格子配置している例である。図７（ａ）から図７（ｆ）は、実施例３における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図７（ａ）および図７（ｂ）のように、幅Ｗ１の複数の突起１４はピッチＰ１で三角格子状に配列している。同様に、図７（ｃ）および図７（ｄ）のように、幅Ｗ２の複数の突起２４がピッチＰ２三角格子状に配列している。図７（ｅ）および図７（ｆ）のように、第１電極１２と第２電極２２とが接合している。その他の構成は、実施例１の図２（ａ）から図２（ｆ）と同じであり、説明を省略する。実施例３のように、複数の突起１４および２４が三角格子状に配列している場合、例えば、Ｗ１≦Ｐ１／（２×ｃｏｓ３０°）およびＷ２≦Ｐ２／（２×ｃｏｓ３０°）の場合、突起１４および２４が空間２６および１６にそれぞれ嵌合する。また、例えば、Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ、Ｐ１＝Ｐ２＝Ｐの場合、Ｗ≦Ｐ／（２×ｃｏｓ３０°）の場合、突起１４および２４が空間２６および１６にそれぞれ嵌合する。
【実施例４】
【００２５】
実施例４は、第１電極が第２電極より小さい例である。図８（ａ）から図８（ｆ）は、実施例４における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図８（ａ）および図（ｂ）のように、第１電極１２の突起１４が４つ設けられている。図８（ｃ）および図８（ｄ）のように、第２電極２２の突起２４が９つ設けられている。図８（ｅ）および図８（ｆ）のように、第１電極１２と第２電極２２と中心を合わせ接合している。その他の構成は、実施例１の図２（ａ）から図２（ｆ）と同じであり、説明を省略する。実施例４のように、第１電極１２の突起１４および第２電極２２の突起２４の何れか一方の数を他方に比べ減らすことができる。これにより、第１電極１２と第２電極２２とを中心を合わせ接合させることができる。
【実施例５】
【００２６】
実施例５は、嵌合部が第２電極に設けられた溝の例である。図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例５における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図９（ａ）ように、第１電極１２の突起１４が三角格子状に設けられている。図９（ｂ）のように、第２電極２２には、波線状の突起２４が設けられている。隣接する波線状突起２４の谷同士および山同士が隣接するに設けられている。突起２４の間には、溝２７が形成される。図９（ｃ）のように、突起１４が溝２７のうち幅の広い領域に嵌合している。突起２４は突起１４間の空間１６と嵌合している。実施例５のように、複数の嵌合部を、第２電極２２に設けられた溝２７とすることもできる。
【実施例６】
【００２７】
実施例６は、嵌合部が第２電極に設けられた複数の穴の例である。図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例６における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図１０（ａ）ように、第１電極１２の突起１４が四角格子状に設けられている。図１０（ｂ）のように、第２電極２２には、複数の穴２９が設けられている。穴２９以外の領域は突起２４となっている。図１０（ｃ）のように、複数の突起１４が複数の穴２９に嵌合している。突起２４は突起１４間の空間１６と嵌合している。実施例６のように、複数の嵌合部を、第２電極２２に設けられたそれぞれ複数の突起１４に対応する複数の穴２９とすることもできる。
【実施例７】
【００２８】
実施例７は、嵌合部が線状突起とピン状突起の間の空間である例である。図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例７における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図１１（ａ）ように、第１電極１２の突起１４が四角格子状に設けられている。図１１（ｂ）のように、第２電極２２には、ピン状突起２４ａと線状突起２４ｂが設けられている。ピン状突起２４ａと線状突起２４ｂとの間に空間２６が形成されている。図１１（ｃ）のように、複数の突起１４が空間１６に嵌合している。ピン状突起２４ａおよび線状突起２４ｂは突起１４間の空間１６と嵌合している。実施例７のように、複数の嵌合部を、第２電極２２に設けられたピン状突起２４ａおよび線状突起２４ｂとの間に形成された空間２６とすることもできる。
【００２９】
実施例５から実施例７において、第１電極１２と第２電極２２と入れ替えることもできる。例えば、第１電極の突起をピン状突起、線状突起、波線状突起、複数の穴以外の領域とすることもできる。
【００３０】
実施例１から実施例７のように、突起１４が嵌合する嵌合部は、突起２４間の空間、溝２７または穴２９のように、第２電極２２に形成された凹部とすることができる。
【実施例８】
【００３１】
実施例８は、実施例１から実施例７を、半導体チップ（例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）チップ）の接続に用いた例である。図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、実施例８に係る半導体装置を示す図である。図１２（ａ）は、第１半導体チップの断面図である。第１半導体チップ６０において、半導体基板である第１基体１０上に、絶縁性の保護膜５２、パッド５４が設けられている。パッド５４上にパッド５４と電気的に接続する第１電極１２が形成されている。図１２（ｂ）は、第２半導体チップの断面図である。第２半導体チップ６２において、半導体基板である第２基体２０上に、絶縁性の保護膜５２、パッド５４が設けられている。パッド５４上にパッド５４と電気的に接続する第１電極１２およびワイヤボンディング電極５６が形成されている。
【００３２】
図１２（ｃ）は、実施例８に係る半導体装置の断面図である。突起１４が空間２６に嵌合し、突起２４が空間１６に嵌合することにより、第１電極１２と第２電極２２とが機械的かつ電気的に接続される。これにより、第１半導体チップ６０と第２半導体チップ６２とが接合される。第２半導体チップ６２は絶縁性の基板５８に実装される。第２半導体チップ６２のワイヤボンディング電極５６と基板上のワイヤボンディング電極５９とがボンディングワイヤ４２で接続される。このように、半導体チップ同士の接続に実施例１から実施例７を用いることができる。
【実施例９】
【００３３】
実施例９は、実施例８において、突起の規則性が複数の電極に渡り保たれている例である。図１３は、実施例９に係る半導体装置を示す図である。第１半導体チップにおいて、突起１４の規則性が複数の第１電極１２に渡り保たれている。例えば第１基体１０全体に突起１４の規則性が保たれている。第２半導体チップにおいて、突起２４の規則性が複数の第２電極２２に渡り保たれている。例えば第２基体２０全体に突起２４の規則性が保たれている。
【００３４】
このように、第１電極１２の複数の突起１４の規則性は、第１基体１０に形成された複数の第１電極１２に渡り保たれている。また、第２電極２２の複数の突起２４の規則性は、第２基体２０に形成された複数の第２電極２２に渡り保たれている。これにより、第１基体１０および第２基体２０の取替えが可能となる。例えば、第１半導体チップを異なる第２半導体チップに接合することもできる。また、Ｃｕ等の金属板全面に突起を規則的に形成した第２基体に第１基体１０を接合させることができる。これにより、例えば第１基体１０がパワー系の半導体チップの場合、放熱を十分に行なうことができる。
【実施例１０】
【００３５】
実施例１０は、接着剤を用い第１電極と第２電極とを接合する例である。図１４（ａ）から図１４（ｆ）は、実施例１０における第１電極と第２電極との接合を示す図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例４の図８（ａ）および図８（ｂ）と同じ図である。図１４（ｃ）および図１４（ｄ）のように、実施例４の第２電極２２上に接着剤９０を塗布する。図１４（ｅ）および図１４（ｆ）のように、第１電極１２と第２電極２２とを嵌合させる。第１電極１２および第２電極２２に温度を加え、接着剤９０を硬化させる。接着剤９０としては、例えば熱硬化型エポキシ樹脂を用いる。接着剤９０を硬化させる加熱は、例えば１５０℃において３０分間行なう。なお、図１４（ｃ）および図１４（ｅ）中の接着剤９０下の突起１４等は透視して図示している。また、図１４（ｆ）の突起１４と突起２４との間の接着剤９０は太線で示している。その他の構成は、実施例４の図８（ａ）から図８（ｆ）と同じであり、説明を省略する。接着剤９０の塗布は、第２基体２０の表面全体または表面の一部に行なってよい。実施例１０によれば、第２電極２２に接着剤９０を塗布し、第１電極１２を嵌合させた後、温度を加えて接着剤９０を硬化させる。これにより、第１電極１２と第２電極２２との接合をより強固にすることができる。実施例１から実施例３、実施例５から実施例９に、実施例１０の接着剤を用いた接合を適用してもよい。
【００３６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３７】
実施例１〜９を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）：規則性を有し配列した複数の突起を備えた第１電極を含む第１基体と、前記複数の突起とそれぞれ嵌合した複数の嵌合部を備え、前記第１電極と機械的かつ電気的に接続された第２電極を含む第２基体と、を具備することを特徴とする電子装置。
（付記２）：前記複数の突起の側面と前記複数の嵌合部の側面とが擦り合わされることにより、前記第１電極と前記第２電極とは機械的かつ電気的に接続されている付記１記載の電子装置。
（付記３）：前記複数の突起の先端が潰し広げられ、前記先端の一部が前記複数の嵌合部の側面内に食い込むことにより、前記第１電極と前記第２電極とが機械的かつ電気的に接続されていることを特徴とする付記１記載の電子装置。
（付記４）前記複数の突起の長さは、前記嵌合部の深さより長いことを特徴とする付記３記載の電子装置。
（付記５）：前記複数の突起の先端の幅は前記複数の突起の根元の幅より小さいことを特徴とする付記２記載の電子装置。
（付記６）：前記第１電極は前記第１基体に複数設けられ、前記複数の突起は、前記第１基体全体にわたり規則性を有し配列していることを特徴とする付記１から５のいずれか一項記載の電子装置。
（付記７）：第１基体に規則性を有し配列した複数の突起を備えた第１電極を形成する工程と、第２基体に前記複数の突起とそれぞれ嵌合する複数の嵌合部を備えた第２電極を形成する工程と、前記複数の突起が前記複数の嵌合部に嵌合することにより、前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記８）：前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程は、前記複数の突起の側面を前記複数の嵌合部の側面に擦り合わせることにより、前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程であることを特徴とする付記７記載の電子装置の製造方法。
（付記９）前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程は、前記複数の突起の先端を潰し広げ、前記先端の一部を前記複数の嵌合部の側面内に食い込ませることにより、前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させる工程であることを特徴とする付記７記載の電子装置の製造方法。
（付記１０）：前記第１電極と前記第２電極とを機械的かつ電気的に接続させた後、加熱することにより接合する付記７に記載の電子装置の製造方法。
（付記１１）：前記第２電極に接着剤を塗布し、第１電極を嵌合させた後、温度を加えて接着剤を硬化させることを特徴とする付記７に記載の電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【００３８】
１０            第１基体
１２            第１電極
１４            突起
１６            空間
２０            第２基体
２２            第２電極
２４            突起
２６            空間
２７            溝
２９            穴
【図１】
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【図２】
0005445227.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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