(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光物質（Ａ）、熱可塑性高分子（Ｂ）および、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分を共に溶解する溶剤（Ｃ）を含むナノインプリント用蛍光レジスト組成物であって、
蛍光物質（Ａ）の最大励起波長が３５０〜６００ｎｍかつ最大蛍光波長が４００〜７００ｎｍであり、蛍光物質（Ａ）の融点が２００℃以上であることを特徴とする熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物。
【請求項２】
金属薄膜層を有する基板の該金属薄膜層上に、請求項１に記載の熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を用いて形成した膜層を有する熱ナノインプリント用基板。
【請求項３】
金属薄膜層を有する基板の該金属薄膜層上に、式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の硬化膜層を有し、該硬化膜層上に請求項１に記載の熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を用いて形成した膜層を有する熱ナノインプリント用基板。
【化１】
0005397941.tif 000007
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一もしくは異なる基であって、水素原子または−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨであり、少なくとも１つの基が−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨを示す。ここでＸはＯ、ＯＣＯまたはＣＯＯを示し、ｍは１〜２０の整数を示す。Ｒ４〜Ｒ６はそれぞれ単独に水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、または酸素原子あるいは窒素原子で連結された炭素数１〜６の炭化水素基を示す。）
【請求項４】
金属薄膜層の金属が、金、銀、銅、白金、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項２又は３に記載の熱ナノインプリント用基板。
【請求項５】
金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の吸着層を形成する工程（ａ）と、
【化２】
0005397941.tif 000008
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一もしくは異なる基であって、水素原子または−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨであり、少なくとも１つの基が−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨを示す。ここでＸはＯ、ＯＣＯまたはＣＯＯを示し、ｍは１〜２０の整数を示す。Ｒ４〜Ｒ６はそれぞれ単独に水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、または酸素原子あるいは窒素原子で連結された炭素数１〜６の炭化水素基を示す。）
熱可塑性高分子（Ｂ）からなる膜層を形成する工程（ｂ）と、
光架橋反応を誘起する紫外線を照射して工程（ａ）で形成した吸着層を硬化させ感紫外線化合物の硬化膜層を得る工程（ｃ）と、
請求項１記載の熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を用いて熱ナノインプリント用蛍光レジストからなる膜層を形成する工程（ｄ）と、
をこの順で含むことを特徴とする、請求項３に記載の熱ナノインプリント用基板の製造方法。
【請求項６】
金属薄膜層の金属が、金、銀、銅、白金、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項５に記載の熱ナノインプリント用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光を発する物質を含む熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物、該組成物の膜層を有する熱ナノインプリント用基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９９５年にプリンストン大学のＣｈｏｕ教授らによってナノインプリント技術が提案された（非特許文献１）。ナノインプリント技術を大別すると、加熱および冷却工程を含む熱ナノインプリントリソグラフィ法と、紫外線照射工程を含む光ナノインプリントリソグラフィ法（非特許文献２）がある。
前記熱ナノインプリントリソグラフィでは、固体基板上に、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ(スチレン)、ポリカーボネート、ポリオレフィン系高分子等の熱可塑性高分子の薄膜を成膜した後、加温して熱可塑性高分子を軟化させ、熱可塑性高分子に凹凸形状を有する鋳型モールドを押し付け、冷却後に離型する。これにより、基板上の熱可塑性高分子からなる薄膜層に鋳型モールドの凹凸形状と対となる凸凹形状を転写・成型する。
次に凸凹形状に成型された薄膜層の凹部に残る高分子薄膜（以下、残膜と呼ぶことがある）を、リアクティブイオンエッチング処理またはUV-O3処理により除去する。これにより、凹部における下地の基板のみを露出させ、凸部における下地の基板は熱可塑性高分子薄膜の被覆により保護される。
以下、下地の基板を保護する高分子薄膜をレジスト材料またはレジスト膜と呼ぶことがある。また、高分子薄膜が下地の基板を保護する性能をレジスト機能と呼ぶことがある。
続いて、乾式または湿式のエッチング工程で、凹部において露出した下地の基板を削り、微細パターンを有する下地の基板を作製する。エッチング工程の代わりに、無電解めっき又は電解めっきのめっき工程や、スパッタリング等により金属等の機能性物質を、露出した凹部に堆積させ、微細パターンを有する基板を作製することもある。
このような微細パターンを有する基板の製造において、重要であるのがナノインプリント成型体の凹部に存在する残膜と凸部の高分子薄膜の膜厚の均一さの確保ならびに管理である。
【０００３】
一般に、凹部の残膜の膜厚は、ナノインプリントの成型条件により異なるが数ｎｍ〜数百ｎｍ程度である。凹部の残膜における膜厚が不均一に存在すると、例えば、リアクティブイオンエッチング処理等で該残膜を除去して下地の基板を露出させる際に、薄い残膜を除去できても、厚い残膜を除去できないことがあるために、下地の基板が露出せず、続く工程で欠陥を生じる原因となる。一方、厚い残膜を除去する条件で行うと、凸部の高分子薄膜も表面から除去されて薄くなり、続くエッチング工程での凸部に残存する高分子薄膜のレジスト機能が維持できないという欠陥を生じる原因となる。
上述のレジスト材料の凹部残膜や凸部レジスト膜の膜厚不均一は、下地の基板由来の長周期での厚みの違いやうねり、同一鋳型モールドでの凹凸パターン密度の違い（非特許文献３）、ナノインプリント成型条件（一定圧力に到達する時間や一定圧力での保持時間）の違い、レジスト材料の動粘度の違いにより、しばしば生じる。また、レジスト材料の成型は鋳型モールドを接触させて行われるため、成型を繰り返し行った際に、鋳型モールドへのレジスト材料の付着やほこり等異物の付着によっても生じるおそれがある。
【０００４】
以上のとおり、レジスト材料として機能する高分子薄膜の初期膜厚の均一性、ナノインプリント成型後の凹部残膜と凸部高分子薄膜の膜厚、パターン欠陥の有無、残膜除去工程後の凹部の残膜の有無は、ナノインプリント法を用いて微細パターンを作製する技術において重要な要素である。そして、これらを簡便に確認検査することができる方法の開発も、製品管理上必須な技術といえる。
例えば、下地基板上の高分子薄膜の初期膜厚の均一性は、赤外線反射または透過吸収装置、触針式表面粗さ計、原子間力顕微鏡（AFM）、走査型電子顕微鏡（SEM）、光学式膜厚測定装置により評価可能である。
また、ナノインプリント成型後の凹部残膜の膜厚、凸部高分子薄膜の膜厚、残膜除去工程後の凹部残膜の膜厚は、触針式表面粗さ計、AFM、SEM、光学式膜厚測定装置で測定可能である。
しかし、触針式表面粗さ計、AFM、SEMは破壊検査であるため、これら装置による検査後の高分子薄膜は、ナノインプリント成型に用いることができない。
また、触針式表面粗さ計、AFM、SEMは破壊検査であるだけでなく、局所領域の測定であり、広い領域での膜厚測定を行うには長時間を要するため適さない。光学式膜厚測定装置は非破壊検査であるが、１つの測定領域が直径５μｍ程度必要であるため、測定領域の膜厚が光学的に均一でないと測定できないだけでなく、測定領域の膜厚が不均一である場合、水平解像度数１０μｍ以下の凹凸パターン形状を評価することが困難である。
更に、広い領域の膜厚の不均一さの検査は、可視光線の反射光を画像として取得することにより行うことができる。しかし、局所的な微視的検査を同時に行うためには、上述の他の検査を併用する必要がある。
従って、高分子薄膜の初期膜厚の均一性、ナノインプリント成型後の凹部残膜の膜厚、ナノインプリント成型後の凸部の膜厚、残膜除去工程後の凹部残膜の膜厚の測定において、局所的な領域での評価と、広い領域における評価とを同時に行うことが困難であった。
【０００５】
上述のナノインプリント技術と同様に、基板上にレジスト材料の微細パターンを製造する手法として、フォトリソグラフィ法やインクジェットプリント法がある。
これらの手法において製造された微細パターンの欠陥を検査する方法としては、レジスト材料に蛍光物質等を含有させ、該蛍光物質等の発光を用いてパターン欠陥を検査する方法（特許文献１〜４）が公知である。
しかし、これらの検査方法は、欠陥があるか否かの検査のみであり、ナノインプリント技術特有の膜厚管理を定量的に行う技術については記載がない。さらに、熱ナノインプリントは加熱処理を行うため、利用する蛍光物質には熱安定性が必須である。
以上のとおり、熱ナノインプリントリソグラフィにおいては、ナノインプリント成型後の高分子薄膜の初期膜厚の均一性、ナノインプリント成型後の膜厚、残膜除去工程後の膜厚を、簡便かつ迅速に検査できる方法と、このような検査が可能であり、熱安定性にも適する組成物の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２４３２９０号公報
【特許文献２】特開２０００−１４６８５３号公報
【特許文献３】特開平９−２５７６４０号公報
【特許文献４】特開平６−４３１１０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】S. Y. Chou, et al., Applied Physics Letters, 67, 3114 (1995)
【非特許文献２】J. Haisma, M. Verheijien and K. Heuvel, J. Vac. Sci. Technol.B, 14, 4124 (1996).
【非特許文献３】N. Chaix, S. Landis, D. Hermelin, T. Leveder, C. Perret, V. Delaye and C. Gourgon, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 3011, (2006).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、熱ナノインプリント成型前の初期膜厚、さらには熱ナノインプリント成型物の残膜測定や欠陥検査に適した、熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を提供することにある。
本発明の別の課題は、熱ナノインプリント成型前の初期膜厚、さらには熱ナノインプリント成型物の残膜測定や欠陥検査に適した、熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を利用した熱ナノインプリント用基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明によれば、蛍光物質（Ａ）、熱可塑性高分子（Ｂ）および、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分を共に溶解する溶剤（Ｃ）を含む熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物であって、（Ａ）成分の最大励起波長が３５０〜６００ｎｍかつ最大蛍光波長が４００〜７００ｎｍであり、（Ａ）成分の融点が２００℃以上であることを特徴とする熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物（以下、本発明の組成物と略すことがある）が提供される。
また本発明によれば、金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、本発明の組成物を用いて形成した膜層を有する熱ナノインプリント用基板が提供される。
【００１０】
さらに本発明によれば、金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の硬化膜層を有し、該硬化膜層上に本発明の組成物を用いて形成した膜層を有する熱ナノインプリント用基板が提供される。
【化１】
0005397941.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一もしくは異なる基であって、水素原子または−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨであり、少なくとも１つの基が−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨを示す。ここでＸはＯ、ＯＣＯまたはＣＯＯを示し、ｍは１〜２０の整数を示す。Ｒ４〜Ｒ６はそれぞれに単独に水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、または酸素原子あるいは窒素原子で連結された炭素数１〜６の炭化水素基を示す。）
【００１１】
さらにまた本発明によれば、金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、上記式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の吸着層を形成する工程（ａ）と、熱可塑性高分子（Ｂ）のみからなる膜層を形成する工程（ｂ）と、光架橋反応を誘起する紫外線を照射して工程（ａ）で形成した吸着層を硬化させ感紫外線化合物の硬化膜層を得る工程（ｃ）と、上記本発明の組成物を用いて熱ナノインプリント用蛍光レジストからなる膜層を形成する工程（ｄ）と、をこの順で含むことを特徴とする熱ナノインプリント用基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の組成物及び該組成物を利用した本発明の熱ナノインプリント用基板は、特に、該組成物に含まれる特定の蛍光物質（Ａ）が、熱ナノインプリント成型時の加熱により蛍光強度が減衰しないため、熱ナノインプリント成型前の初期膜厚測定、熱ナノインプリント成型物の残膜測定および欠陥検査を簡便かつ迅速に実施でき、さらに定量性に優れた残膜測定および再現性のよい欠陥検査が可能である。
本発明の熱ナノインプリント用基板の製造方法は、紫外線照射により接着性を発現する特定の感紫外線化合物を利用するので、熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、微細パターン作製時におけるめっき処理またはウェットエッチングに使用する水系液体が金属薄膜層と熱可塑性高分子との界面へ浸入することを抑制することができ、パターンの消失、変形を防止し、設計どおりの微細パターンを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例２−１で観察した熱ナノインプリント用金基板における凹凸パターの蛍光顕微鏡画像の写しである。
【図２】比較例２−１で観察した熱ナノインプリント用金基板における凹凸パターンの蛍光顕微鏡画像の写しである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の組成物は、特定の蛍光物質（Ａ）、熱可塑性高分子（Ｂ）および、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分を共に溶解する溶剤（Ｃ）を含む。
（Ａ）成分は、最大励起波長が３５０〜６００ｎｍかつ最大蛍光波長が４００〜７００ｎｍであり、さらに融点が２００℃以上の蛍光物質である。このような蛍光物質は、市販の蛍光顕微鏡により感度よく検出が可能であり、熱ナノインプリント成型時の加熱による蛍光強度の減衰を起こさないため、定量性よく膜厚測定および欠陥検査が可能である。
【００１５】
（Ａ）成分としては、例えば、アクリジン系蛍光物質、アントラセン系蛍光物質、ローダミン系蛍光物質、ピロメテン系蛍光物質、ペリレン系蛍光物質が挙げられる。具体的には例えば、３，６−ジメチルアミノアクリジン（Acridine Orange）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−８−ノニル−１，３，５，７−テトラメチルピロメテン−ＢＦ2複合体（PYRROMETHENE 597-8C9）、N，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミド、ローダミン６Ｇ（RHODAMINE 590）が好ましく挙げられ、さらには蛍光物質の熱、紫外線に対する安定性、紫外線に対する透過性、溶解性の観点からN，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドを含むことが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ）成分は、後述する式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の硬化において使用する紫外線の波長領域を考慮して選択することが好ましい。
【００１６】
本発明の組成物において、（Ａ）成分の配合量は溶剤に溶解すれば問題ないが、熱可塑性高分子（Ｂ）１００質量部に対して、０．０００１〜１０質量部であることが好ましく、０．０００５〜１質量部であることがより好ましい。配合量が０．０００１質量部未満の場合は蛍光を感度よく検出できない恐れがあり、１０質量部を超える場合は蛍光物質が溶剤に溶解しない場合や、会合体形成等により発光波長が異なり定量性に欠ける場合がある。
【００１７】
上記（Ｂ）成分としては、重量平均分子量が２０００〜１００００００、好ましくは２０００〜１０００００であって、室温以上のガラス転移温度を有し、溶剤に可溶で、かつ水溶性の熱可塑性高分子が好ましく挙げられる。具体的には、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリベンジルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニルが挙げられる。ウェットエッチングレジストやめっきレジストへの利用の観点からポリスチレン、ポリビニルトルエンの使用が好ましい。これらは１種類でもよいが、目的に応じて２種類以上を混合して用いることもできる。また、重量平均分子量の異なる２種類以上の熱可塑性高分子を混合して用いることもできる。
【００１８】
上記（Ｃ）成分としては、上記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を共に溶解することができる溶剤が使用できる。
（Ｃ）成分としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸メトキシプロピル、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロホルム、ブチルクロリド、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、エチレンカーボネート、γ-ブチロラクトンが挙げられる。（Ａ）成分の溶解性の観点ならびに吸水性の観点からはトルエン、キシレンの使用が好ましい。
本発明の組成物において（Ｃ）成分の配合量は、（Ｂ）成分の濃度が、通常０．１〜２０質量％の範囲となる量である。０．１質量％より低濃度の場合、（Ｂ）成分を塗布した膜層の膜厚が薄くなり過ぎ、レジストの役割を成さない可能性がある。２０質量％より高濃度の場合、膜厚の均一性保持が困難になるおそれがある。
【００１９】
本発明の組成物には、後述する金属箔膜層を有する基板への塗布特性改善のために、例えば、界面活性剤、レベリング剤等の添加剤を配合することもできる。界面活性剤としては、イオン系、またはノニオン系界面活性剤が挙げられ、レベリング剤としては、シリコーン誘導体、フッ素誘導体が挙げられる。添加剤の配合量は、その目的に応じて適宜選択することができる。
【００２０】
本発明の組成物の好ましい例としては、（Ａ）成分にN，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドを用い、（Ｂ）成分にポリスチレンまたはポリビニルトルエンを用い、（Ｃ）成分にトルエンまたはキシレンを用いた組成物が挙げられる。これらの組成物における（Ａ）成分：（Ｂ）成分：（Ｃ）成分の割合は、好ましくは質量比で０．０００１〜１０：１００：５〜１００００である。
【００２１】
本発明の熱ナノインプリント用基板は、金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、本発明の熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を用いて形成した膜層を有する。
上記金属薄膜層を構成する金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、およびチタンからなる群より選択することができ、好ましくは金属表面が酸化されていない金が挙げられる。
金属薄膜層の厚さは、５ｎｍ〜２０μｍが好ましい。５ｎｍ未満であると基板表面の平滑性や導電性が不足し、２０μｍより大きいと後工程におけるエッチング時間が長時間になるおそれがある。
また、本発明の熱ナノインプリント用基板の製造において、表面が酸化されている金属薄膜層を用いる場合は、予め表面を還元処理することが好ましい。
【００２２】
金属薄膜層の下地の基板は、熱ナノインプリント成型する熱可塑性高分子である（Ｂ）成分のガラス転移温度より高いガラス転移温度を有する基板であれば良く、例えば、シリコン、ガラス、石英、アルミナ、チタン酸バリウム等の無機あるいは無機酸化物、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、或いはそれらの積層体、複合体からなる基板が挙げられる。最終的に得られる本発明の熱ナノインプリント用基板をエレクトロニクス用の配線基板として用いる場合、平滑性、低膨張係数、絶縁性の点から、上記下地の基板は、シリコン、ガラス、石英等の無機あるいは無機酸化物材料やポリイミドなどの耐熱性有機材料からなる基板が好ましい。
また、下地の基板と金属薄膜層の密着性を確保するために、下地の基板表面にスパッタリング等によりクロム、チタン等の金属を予め堆積させてから金属薄膜層を形成させてもよい。
【００２３】
本発明の熱ナノインプリント用蛍光レジスト組成物を用いて形成する膜層の製造は、例えば、本発明の組成物をスピンコート法、浸漬法、スプレイコート法、フローコート法、ロールコート法、ダイコート法等により、上記金属薄膜層上に、成膜し、更に送風下、加熱下、減圧下で溶剤である（Ｃ）成分を蒸散させることにより行うことができる。
本発明の組成物による膜層の膜厚は目的に応じて選択が可能であるが、２０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。２０ｎｍ未満であると、エッチングやめっきレジストとして機能しない場合があり、２０μｍより大きいと熱ナノインプリント成型に長時間を要する場合がある。
【００２４】
本発明の熱ナノインプリント用基板は、金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、上記式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の硬化膜層を有し、該硬化膜層上に本発明の組成物を用いて形成した膜層を有する。ここで、金属薄膜層を有する基板、および本発明の組成物を用いて形成した膜層の好ましい例示については上述と同様のものを挙げることができる。
上記式（Ｉ）に示す感紫外線化合物において、Ｒ１〜Ｒ３は同一もしくは異なる基であって、水素原子または−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨであり、少なくとも１つの基が−Ｘ−(ＣＨ2)ｍ−ＳＨを示す。ここでＸはＯ、ＯＣＯまたはＣＯＯを示し、ｍは１〜２０の整数を示す。ｍが２０を超えると分子鎖の屈曲性が大きくなり、該化合物の吸着量の発現が減少し、接着機能が低下する恐れがある。
【００２５】
上記式（Ｉ）において、Ｒ４〜Ｒ６はそれぞれに単独に水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、または酸素原子あるいは窒素原子で連結された炭素数１〜６の炭化水素基を示す。
炭素数１〜６の炭化水素基とは具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基であり、立体障害に起因する光反応性と基板への密着性の理由からメチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基が好ましい。
酸素原子あるいは窒素原子で連結された炭素数１〜６の炭化水素基は、上記炭素数１〜６の炭化水素基の例示の基が酸素原子あるいは窒素原子で連結されている基を好ましく挙げることができる。
【００２６】
上記式（Ｉ）で示す感紫外線化合物としては、（Ｂ）成分である熱可塑性高分子との光架橋反応の反応性、前記下地の基板への密着性の理由から、Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２が１０−メルカプトデシルオキシ基（ｍ＝１０）または８−メルカプトオクチルオキシ基（ｍ＝８）であり、Ｒ３が水素原子であり、Ｒ４が水素原子であり、Ｒ５が水素原子、メトキシ基またはエトキシ基であり、Ｒ６が水素原子である、４−（８−メルカプトオクチルオキシ）ベンゾフェノン、４−（１０−メルカプトデシルオキシ）ベンゾフェノン、４−（８−メルカプトオクチルオキシ）−４'−メトキシベンゾフェノン、４−（１０−メルカプトデシルオキシ）−４'−メトキシベンゾフェノン、４−（８−メルカプトオクチルオキシ）−４'−エトキシベンゾフェノン、４−（１０−メルカプトデシルオキシ）−４'−エトキシベンゾフェノンが好ましく挙げられる。
上記式（Ｉ）で示す感紫外線化合物の製造は、例えば、特開２００９−７３８０９号公報に記載の方法と同様に行うことができる。
【００２７】
上記式（Ｉ）で示す感紫外線化合物の硬化膜層を有する本発明の熱ナノインプリント基板を製造する方法としては、例えば、以下に示す本発明の熱ナノインプリント基板の製造方法が挙げられる。
本発明の熱ナノインプリント基板の製造方法は、金属薄膜層を有する基板の金属薄膜層上に、上記式（Ｉ）に示す感紫外線化合物の吸着層を形成する工程（ａ）と、熱可塑性高分子（Ｂ）のみからなる膜層を形成する工程（ｂ）と、光架橋反応を誘起する紫外線を照射して工程（ａ）で形成した吸着層を硬化させ感紫外線化合物の硬化膜層を得る工程（ｃ）と、本発明の組成物を用いて熱ナノインプリント用蛍光レジストからなる膜層を形成する工程（ｄ）と、をこの順で含む。
また、別の方法として、上記工程（ａ）と、上記工程（ｄ）と、上記工程（ｃ）と、をこの順で含む方法も挙げられる。
式（Ｉ）で示す感紫外線化合物の光架橋反応の効率と金属薄膜層の保護の観点からは、工程（ａ）〜工程（ｄ）をこの順で行う本発明の熱ナノインプリント基板の製造方法が好ましく挙げられる。
【００２８】
上記工程（ａ）では、上記式（Ｉ）で示す感紫外線化合物を溶解した溶液を作製し、金属薄膜層を有する基板の金属表面に感紫外線化合物を吸着させることで、感紫外線化合物の吸着層を形成することができる。
感紫外線化合物が溶解する溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸メトキシプロピル、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロホルム、ブチルクロリド、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、エチレンカーボネート、γ-ブチロラクトンが挙げられる。作業環境の観点からエタノールが好ましい。
【００２９】
金属薄膜層を有する基板上に上記感紫外線化合物を吸着させる方法としては、感紫外線化合物を溶解した溶液を、スピンコート法、浸漬法等を用いて処理し、さらに送風下、加熱下や減圧下で溶剤を蒸散させることによって行うことができる。
【００３０】
工程（ｂ）において、熱可塑性高分子（Ｂ）としては、上述の本発明の組成物に含まれる（Ｂ）成分の熱可塑性高分子と同様のものを用いることができる。
工程（ｂ）において膜層を形成する方法は、熱可塑性高分子（Ｂ）を本発明の組成物に用いる前記溶剤（Ｃ）に溶解した溶液を、スピンコート法、浸漬法、スプレイコート法、フローコート法、ロールコート法、ダイコート法等により成膜し、更に送風下、加熱下、減圧下で溶剤を蒸散させることにより行うことができる。
工程（ｂ）により形成される膜層の膜厚は目的に応じて選択が可能であるが、２０ｎｍ〜１０μｍが好ましい。２０ｎｍ未満であると、均一な膜とならない場合があり、１０μｍを超えると後述する工程（ｄ）において形成される熱ナノインプリント用蛍光レジストからなる膜層が薄くなる場合がある。
【００３１】
工程（ｃ）に用いる紫外線は、通常、紫外線照射波長が２００ｎｍ〜４００ｎｍである紫外線を用いることが好ましい。紫外線照射の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、Ｈｇ−Ｘe灯、ハロゲンランプを用いることができる。
前記紫外線照射波長は、工程（ｂ）で用いる熱可塑性高分子（Ｂ）の紫外線領域の吸収帯を考慮して選択し、更に適宜カットオフフィルター等を使用して紫外線波長を調節することができる。２００ｎｍ未満の紫外線は、熱可塑性高分子（Ｂ）に対する透過率が低く、該熱可塑性高分子（Ｂ）が光化学反応を起こす場合があり、また、光源が高価であることから好ましくない。４００ｎｍを超える可視光線の光は感紫外線化合物が光架橋反応を誘起する効率が低く所望の硬化膜層を形成することが困難になる。
【００３２】
工程（ｃ）に用いる紫外線の照射エネルギーは、通常、０．０５〜２５０Ｊ／ｃｍ2であり、検出波長２５４ｎｍにおける紫外線の照射エネルギーが、０．１〜１０Ｊ／ｃｍ2であることが好ましい。０．０５Ｊ／ｃｍ2未満であると感紫外線化合物の光架橋反応が十分に進行しない場合があり、２５０Ｊ／ｃｍ2を超えると光酸素酸化反応、熱可塑性高分子（Ｂ）の膜層自体の光化学反応等により膜の紫外線劣化が起こり、熱可塑性高分子（Ｂ）の熱物性が変わり、熱ナノインプリント成型が困難になる場合や、膜の表面にひび割れが生じる場合がある。
【００３３】
工程（ｃ）の上記紫外線照射により、工程（ａ）で形成した感紫外線化合物の吸着層が、工程（ｂ）で形成した膜層の熱可塑性高分子（Ｂ）と光架橋反応を起こし感紫外線化合物の硬化膜層を形成することができる。
【００３４】
工程（ｄ）において、本発明の組成物を用いて熱ナノインプリント用蛍光レジストからなる膜層を形成する方法は、例えば、本発明の該組成物を、スピンコート法、浸漬法、スプレイコート法、フローコート法、ロールコート法、ダイコート法等により成膜し、更に送風下、加熱下、減圧下で溶剤を蒸散させることによって行うことができる。
工程（ｄ）で得られる膜層の膜厚は目的に応じて選択が可能であるが、２０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。５ｎｍ未満であると、均一な膜が得られない可能性があり、２０μｍを超えると熱ナノインプリント成型の時間が長時間となり生産性に劣る場合がある。
【００３５】
また、別の方法として、上記工程（ａ）〜工程（ｄ）をこの順で行う本発明の製造方法において、工程（ｃ）の後に、該工程（ｃ）で残存する未硬化膜層を除去する工程を行い、次いで、工程（ｄ）を行う方法も挙げられる。
未硬化膜層を除去する工程は、工程（ｂ）で形成した熱可塑性高分子（Ｂ）のみからなる膜層を溶解可能な溶剤で洗浄する方法により行うことができる。該溶剤としては、前記溶剤（Ｃ）が好ましい。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明を実施例及び比較例により具体的に説明するが、本発明はこれら例に限定されるものではない。
実施例で使用した装置を以下に示す。
最大励起波長および最大蛍光波長の決定には、島津製作所社製MultiSpec-1500および日立ハイテクノロジーズ社製F-7000を用いた。
触針式表面粗さ計には、Veeco社製DekTak 3STを用いた。
感紫外線化合物の硬化膜層を形成するための紫外線照射光源には、200WのHg-Xeランプを装備した三永電機製作所社製SuperCure-203Sを用い、観測波長254nmで照射強度13mW/cm2の紫外線を照射に用いた。
ナノインプリント成型には明昌機工社製NM-400を熱ナノインプリント装置として用い、鋳型モールドにはダイキン化成品販売社製の離型剤Optool-DSXで表面処理を施したNTT-ATN社製のNIM-1000UL（シリコン製ライン凹パターン、１、２、４、８μｍ／4水準（１：１））を用いた。
金属表面の洗浄には、セン特殊光源社製PL16-116をUV-O3処理装置として用いた。
蛍光顕微鏡観察には、オリンパス社製のBX60光学顕微鏡に、光源100Wハロゲンランプ、蛍光キューブU-MWIG（励起波長530−550nm、検出波長570nm以上）、CCDカメラFD70、三谷商事社製解析ソフトウエアWinROOFを装着して用いた。
【００３７】
実施例１−１  蛍光レジスト組成物１の製造
ポリスチレン（Polymer Source Inc.社製、重量平均分子量(Mw)＝300,000）１００質量部、トルエン２０００質量部とからなるトルエン溶液を調製した。次いで、該トルエン溶液に、N，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミド（最大励起波長５２４ｎｍ、最大蛍光波長５３９ｎｍ、融点＞３００℃）０．０５質量部を加えて、室温で１２時間撹拌し、蛍光レジスト組成物１（組成物１と略す）を得た。
【００３８】
実施例１−２  蛍光レジスト組成物２の製造
N，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドの代わりに、２，６−ジ−ｔ−ブチル−８−ノニル−１，３，５，７−テトラメチルピロメテン−ＢＦ2複合体（PYRROMETHENE 597-8C9、最大励起波長５２４ｎｍ、最大蛍光波長６０２ｎｍ、融点２４７℃）を用いた以外は実施例１−１と同様の操作を行い、蛍光レジスト組成物２（組成物２と略す）を得た。
【００３９】
実施例１−３  蛍光レジスト組成物３の製造
N，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドの代わりに、ローダミン６Ｇ（RHODAINE 590、最大励起波長５３２ｎｍ、最大蛍光波長５５７ｎｍ、融点２９０℃）を用いた以外は実施例１−１と同様の操作を行い、蛍光レジスト組成物３（組成物３と略す）を得た。
【００４０】
実施例１−４  蛍光レジスト組成物４の製造
ポリスチレン（polymer Source Inc.社製、Mw＝300,000）１００質量部の代わりに、ポリスチレン（Aldrich社製、Mw＝35,000（Mw＝4,000  ５０質量部とMw＝200,000  ５０質量部との混合物））を用いた以外は実施例１−１と同様の操作を行い、蛍光レジスト組成物４（組成物４と略す）を得た。
【００４１】
実施例１−５  蛍光レジスト組成物５の製造
ポリスチレンの代わりに、ポリ（メタクリル酸メチル）（関東化学社製、Mw＝35,000）を用いた以外は実施例１−１と同様の操作を行い、蛍光レジスト組成物５（組成物５と略す）を得た。
【００４２】
実施例１−６  蛍光レジスト組成物６の製造
ポリスチレンの代わりに、ポリビニルトルエン（Mw＝21,000）を用いた以外は実施例１−１と同様の操作を行い、蛍光レジスト組成物６（組成物６と略す）を得た。
【００４３】
比較例１−１  蛍光レジスト組成物７の製造
N，N’−ビス(２，６−ジメチルフェニル)ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドの代わりに、８−（トリフルオロメチル）−２，３，５，６−テトラヒドロ−４Ｈ，１０Ｈ−１１−オキサ−３ａ−アザ−１Ｈ−ベンゾ[de]アントラセン−１０−オン（クマリン540A、最大励起波長４２１ｎｍ、最大蛍光波長５３９ｎｍ、融点１６６℃）を用いた以外は実施例１−１と同様の操作を行い、蛍光レジスト組成物７（組成物７と略す）を得た。
【００４４】
製造例１−１  金の金属薄膜層を有する金基板の作製
厚さ１ｍｍの溶融シリカ基板に、膜厚５ｎｍのクロム、膜厚１００ｎｍの金の順でのDC（直流）スパッタ成膜を行った後、ダイシングを行い、縦１５ｍｍ、横１５ｍｍの金の金属薄膜層を有する金基板を得た。
【００４５】
製造例１−２  銀の金属薄膜層を有する銀基板の作製
金の代わりに銀を用いた以外は製造例１−１と同様の操作を行い、銀の金属薄膜層を有する銀基板を得た。
【００４６】
製造例１−３  銅の金属薄膜層を有する銅基板の作製
金の代わりに銅を用いた以外は製造例１−１と同様の操作を行い、銅の金属薄膜層を有する銅基板を得た。
【００４７】
実施例２−１  熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
製造例１−１で作製した金基板に、組成物１をスピン塗布（0rpm→3000rpm 5秒、3000rpm 30秒、3000rpm→0rpm 5秒）して膜層を形成し、熱ナノインプリント用金基板を得た。蛍光分光光度計および触針式表面粗さ計から得られた膜層の膜厚が１μｍであることがわかった。
得られた該基板を、鋳型モールドを装着した熱ナノインプリント装置に配置し、表１に示す条件の工程(ｉ)から工程(ｖ)からなる熱ナノインプリント成型を施し、熱ナノインプリント用金基板の蛍光レジストの膜層に凹凸パターンを形成した。
このパターンが成型された熱ナノインプリント用金基板を、蛍光顕微鏡でISO値800、取得時間2秒の条件下で画像取得した。結果を図１に示す。
【００４８】
図１の左は、８μｍのライン−アンド−スペース(L&S)、図１の中央は、４μｍのL&S、図１の右は２μｍのL&Sで成型された熱ナノインプリント用金基板の蛍光画像写真である。膜厚の厚い凸部は、蛍光強度が大きいため明るく、一方、膜厚の薄い凹部は、蛍光強度が小さいため暗く観察された。いずれもパターンの欠損欠陥はなく、金基板上の蛍光レジストからなる膜層がライン状に凹凸に成型されていることがわかった。
また、蛍光顕微鏡による蛍光強度と触針式表面粗さ計による膜厚との検量線から、ライン凸部の膜厚は１．５８μｍ、ライン凹部の膜厚は０．５９μｍであることがわかった。
【００４９】
【表１】
0005397941.tif 000003
【００５０】
実施例２−２〜２−８  熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
融点が２００℃以上である蛍光物質を含む組成物１〜６と、製造例１−１〜１−３で作製した金基板、銀基板、または銅基板を用いて、実施例２−１と同様の操作を行い、各組成物における蛍光レジストの膜層を有する熱ナノインプリント用基板を得た。
表２に、使用した組成物と金属薄膜基板の組合せをまとめた。実施例２−１と同様に熱ナノインプリント装置による成型と蛍光顕微鏡による画像取得を行った。結果を表２に示す。
表２の蛍光画像の欄には、実施例２−１と同様に凹凸ラインパターンの蛍光顕微鏡像が観察されたものを○、観察不可能であったものを×と評価した結果を示す。表２の欠陥の欄には、形成した膜層に欠陥が存在しなかったものを○、欠陥が存在したものを×と評価した結果を示す。表２の膜厚測定の欄には、蛍光強度から算出される膜厚の値と、触針式表面粗さ計による膜厚の値の違いが、１５％以下であったものを○、１５％を超えたものを×と評価した結果を示す。
【００５１】
比較例２−１〜２−３  熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
融点２００℃以上の蛍光物質を含む組成物１の代わりに、融点１６６℃の蛍光物質を含む組成物７を用いた以外は、実施例２−１〜２−３と同様の操作を行い、熱ナノインプリント用金基板を得た。実施例２−１〜２−３と同様に熱ナノインプリント装置により成型し、実施例２−２〜２−３と同様な蛍光レジストの膜層に凹凸パターンを形成した成型物を得、評価を行った。結果を表２に示す。
また、比較例２−１の成型物の膜層に形成された凹凸パターンを実施例２−１と同様に蛍光顕微鏡観察した結果を図２に示す。
図２の左は８μｍL&S部分、中央は４μｍL&S部分、右は２μｍL&S部分を示す。図２では蛍光が観測されず、蛍光顕微鏡によるパターンの観察が不可能であった。
【００５２】
【表２】
0005397941.tif 000004
【００５３】
製造例２−１  感紫外線化合物の吸着層を有する金基板の製造（本発明の工程(a)）
３．７ｍｇの４−（１０−メルカプトデシルオキシ）ベンゾフェノンを１００ｃｍ3のエタノールに溶解させて、ナノインプリント用接着剤溶液を調製した。製造例１−１で作製した金基板をUV／O3処理装置に配置し、金基板の金属薄膜表面が水に対する接触角が５°以下になるまで表面洗浄を施した。洗浄した金基板をナノインプリント用接着剤溶液に２４時間浸漬した後、清浄なエタノールで洗浄し、４−（１０−メルカプトデシルオキシ）ベンゾフェノンからなる吸着層を金基板の金属薄膜表面に形成させて、修飾金基板を得た。
【００５４】
製造例２−２  感紫外線化合物の吸着層を有する銀基板の製造（本発明の工程(a)）
金基板の代わりに、製造例１−２で作製した銀基板を用いた以外は、製造例２−１と同様の操作を行い、４−（１０−メルカプトデシルオキシ）ベンゾフェノンからなる吸着膜を銀基板の金属薄膜表面に形成させて、修飾銀基板を得た。
【００５５】
製造例２−３  感紫外線化合物の吸着層を有する銅基板の製造（本発明の工程(a)）
金基板の代わりに製造例１−３で作製した銅基板を用い、UV／O3処理装置による表面洗浄の代わりに０．１Ｎ塩酸で１０秒間表面洗浄した以外は、製造例２−１と同様の操作を行い、４−（１０−メルカプトデシルオキシ）ベンゾフェノンからなる吸着膜を銅基板の金属薄膜表面に形成させて、修飾銅基板を得た。
【００５６】
実施例３−１  熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
組成物１を製造例２−１で作製した修飾金基板にスピン塗布し、組成物１に係る蛍光レジストの膜層を有する熱ナノインプリント用修飾金基板を得た。蛍光分光光度計および触針式表面粗さ計から蛍光レジストの膜厚が５００ｎｍであることがわかった。
次いで、前記熱ナノインプリント用修飾金基板に、検出波長２５４ｎｍでの紫外線を所定の露光量で照射し、吸着層を硬化層に変性させ、硬化膜層を有する熱ナノインプリント用基板を得た。前記熱ナノインプリント用基板に、実施例２−１と同様に熱ナノインプリント装置により、組成物１に係る蛍光レジストの膜層にパターンを成型した。成型された熱ナノインプリント用基板を蛍光顕微鏡で観察した。結果を表３に示す。
表３の蛍光画像の欄には、実施例２−１と同様に凹凸ラインパターンの蛍光顕微鏡像が観察されたものを○、観察不可能であったものを×と評価した結果を示す。表３の欠陥の欄には、蛍光レジストの膜層に欠陥が存在しなかったものを○、欠陥が存在したものを×と評価した結果を示す。表３の膜厚測定の欄には、蛍光強度から算出された膜厚の値と、触針式表面粗さ計による膜厚の値の違いが１５％以下であったものを○、１５％を超えたものを×と評価した結果を示す。表３の照射量の欄は、感紫外線化合物の吸着層を硬化膜層に変性させるために用いた検出波長２５４ｎｍでの紫外線の露光量を示す。
【００５７】
実施例３−２〜３−８  熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
組成物１〜６と、製造例２−１で作製した修飾金基板、製造例２−２で作製した修飾銀基板、製造例２−３で作製した修飾銅基板を用いて、実施例３−１と同様の操作を行い、硬化膜層を有する熱ナノインプリント基板を得た。各熱ナノインプリント用基板に、実施例３−１と同様に熱ナノインプリント装置により、各蛍光レジストの膜層を成型した。成型された熱ナノインプリント用基板を蛍光顕微鏡で観察した。使用した組成物と基板の組合せ、熱ナノインプリントによる成型結果を表３に示す。表３中の照射量、蛍光画像、欠陥、膜厚測定は、実施例３−１に示したものと同じである。
【００５８】
比較例３−１〜３−３  熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
融点１６６℃の蛍光物質を含む組成物７と、製造例２−１で作製した修飾金基板、製造例２−２で作製した修飾銀基板、製造例２−３で作製した修飾銅基板を用いて、実施例３−１と同様の操作を行い、硬化膜層を有する熱ナノインプリント基板を得た。各熱ナノインプリント用基板に、実施例３−１と同様に熱ナノインプリント装置により、各蛍光レジストの膜層を成型した。成型された熱ナノインプリント用基板を蛍光顕微鏡で観察した。使用した組成物と基板の組合せ、および評価結果を表３に示す。
【００５９】
【表３】
0005397941.tif 000005
【００６０】
実施例４−１  工程(a)→工程(b)→工程(c)→工程(d)による熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
ポリスチレン（Polymer Source Inc.社製、Mw＝300,000）５質量部及びトルエン１００質量部からなるトルエン溶液を調製した。該トルエン溶液を製造例２−１で作成した修飾金基板（工程(a)）にスピン塗布し、ポリスチレン膜層を有する修飾金基板を得た（工程(b)）。触針式表面粗さ計からポリスチレン膜層が１００ｎｍであることがわかった。前記ポリスチレン膜層を有する修飾金基板に、検出波長２５４ｎｍでの紫外線を所定の露光量で照射し、吸着層を硬化層に変性させ、硬化膜層及びポリスチレン膜層を有する修飾金基板を得た（工程(c)）。硬化膜層及びポリスチレン膜層を有する修飾金基板に、組成物１をスピン塗布し、組成物１に係る蛍光レジストからなる膜層を有する熱ナノインプリント用修飾金基板を得た（工程(d)）。
蛍光分光光度計および触針式表面粗さ計から蛍光レジストの膜厚が５００ｎｍであることがわかった。前記熱ナノインプリント用基板に、実施例２−１と同様に熱ナノインプリント装置により、蛍光レジストの膜層およびポリスチレン膜層を成型し、成型された熱ナノインプリント用基板を蛍光顕微鏡で観察した。結果を表４に示す。
表４の蛍光画像の欄には、実施例２−１と同様に凹凸ラインパターンの蛍光顕微鏡像が観察されたものを○、観察不可能であったものを×と評価した結果を示す。表４の欠陥の欄には、蛍光レジストの膜層に欠陥が存在しなかったを○、欠陥が存在したものを×と評価した結果を示す。表４の膜厚測定の欄には、蛍光強度から算出される膜厚の値と、触針式表面粗さ計による膜厚の値の違いが１５％以下であったものを○、１５％を超えたものを×と評価した結果を示す。表４の照射量の欄は、感紫外線化合物の吸着層を硬化膜層に変性させるために用いた検出波長２５４ｎｍでの紫外線の露光量を示す。
【００６１】
実施例４−２，４−３  工程(a)→工程(b)→工程(c)→工程(d)による熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
製造例２−１で作製した修飾金基板の代わりに、製造例２−２で作製した修飾銀基板、製造例２−３で作製した修飾銅基板を用いて、実施例４−１と同様の操作を行い、工程(a)→工程(b)→工程(c)→工程(d)により製造した熱ナノインプリント用基板を得た。各熱ナノインプリント用基板に、実施例４−１と同様に熱ナノインプリント装置により、各蛍光レジストの膜層を成型し、得られた熱ナノインプリント用基板を蛍光顕微鏡で観察した。使用した組成物と基板の組合せ、および評価結果を表４に示す。
【００６２】
実施例４−４〜４−６  工程(a)→工程(b)→工程(c)→工程(d)による熱ナノインプリント用基板の製造と成型基板の蛍光顕微鏡観察
工程(b)に用いたポリスチレン（polymer Source Inc.社製、Mw＝300,000）の代わりに、ポリビニルトルエン（Mw＝21,000）を用い、工程(d)に用いた組成物１の代わりに、組成物６を用いた以外は実施例４−１〜４−３と同様の操作を行い、修飾金基板、修飾銀基板、修飾銅基板を用いて、熱ナノインプリント用基板を得た。各熱ナノインプリント用基板に、実施例４−１と同様に熱ナノインプリント装置により、各蛍光レジストの膜層を成型し、得られた熱ナノインプリント用基板を蛍光顕微鏡で観察した。使用した組成物と基板の組合せ、および評価結果を表４に示す。
【００６３】
【表４】
0005397941.tif 000006
【図１】
0005397941.tif 000009
【図２】
0005397941.tif 000010