(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の処理中に、プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システム内で電源供給の局所制御を可能にする配置であって、
誘電体窓と、
電力を前記プラズマ処理システム内のプラズマに結合可能に、前記誘電体窓の上方に配置された誘導性配置と、を備え、
前記誘導性配置は一組の誘導性素子を含み、前記一組の誘導性素子は前記プラズマ処理チャンバ内で均一なプラズマを生成するように電力供給の前記局所制御を提供し、
前記一組の誘導性素子の誘導性素子は、電流の流れを容易にするための幾何学的形状を有し、
前記一組の誘導性素子は、前記一組の誘導性素子の誘導性素子間の結合を最小化し、電力供給の局所制御を支援するように、セグメント化されたループ配置で構成され、
前記セグメント化されたループ配置の各誘導性素子は一対の端子を含み、前記一対の端子の第１の端子が正端子であり、前記一対の端子の第２の端子が負端子であり、前記第１の端子から前記第２の端子に電流の流れを生成し、
前記ループ配置の各誘導性素子は、隣接する誘導性素子間の結合を最小限に抑え、電源供給の前記局所制御を可能にするように、前記ループ配置の別の誘導素子から、少なくとも前記誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さの厚さとの和の距離だけ隔てられていることを特徴とする配置。
【請求項２】
前記誘電性素子がストラップ形状であり、前記ストラップ形状を有する誘導性素子が正端子および負端子を有し、前記複数の曲がりの隣接する曲がりの電流は反対方向に流れることを特徴とする請求項１に記載の配置。
【請求項３】
前記誘電性素子は、複数の曲がりを有する二重反転誘導性素子のリンクアレイを含む蛇行形状であることを特徴とする請求項１に記載の配置。
【請求項４】
前記セグメント化されたループ配置の隣接する誘導性素子は、一緒に結合されて前記セグメント化されたループ配置の全域に水平電流の流れを生成することを特徴とする請求項１に記載の配置。
【請求項５】
前記ループ配置の前記一組の誘導性素子はループとして配置されることを特徴とする請求項１に記載の配置。
【請求項６】
前記一組の誘導性素子の前記隣接する誘導性素子は、同じ方向に流れる電流を発生して大域的な水平回転電流を生成するように配置されることを特徴とする請求項５に記載の配置。
【請求項７】
前記ループ配置の各隣接する誘導性素子の電流は、反対方向に流れてプッシュプル電流の流れを生成することを特徴とする請求項５に記載の配置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
プラズマ処理の進歩は半導体産業の成長を促進してきた。半導体デバイスに対する需要は、近年、多くのメーカに競争力の強化を迫っている。収益力を強化する一つの方法は、基材の表面積を最大化することである。その結果、多くのメーカは基材のエッジに対して処理を行なっている。
【０００２】
残念ながら、サイズが３００ｍｍおよび／またはそれ以上の基材を処理できる処理チャンバなど、比較的大きい処理チャンバ内での基材の処理は多くの課題を提示するだろう。一つの具体的な課題は、基材全域で欠陥のない半導体デバイス確実に生成するために基材表面に均一な結果を実現することである。
【０００３】
典型的な処理環境では、処理チャンバの中に電極またはアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）エネルギが供給されよう。処理チャンバ内で、ＲＦエネルギはガスと相互作用してプラズマを発生し、プラズマは静電チャック上の基材と相互作用して集積回路（ＩＣ）を生成しよう。理想的な環境では、プラズマおよび基材の全域の電位は均一であり、したがって、基材表面に均一な結果をもたらす。現実的には、ＲＦエネルギとガスとの相互作用によって生成されるプラズマは、処理チャンバの固有の性質に起因して基材全域で均一ではない。ある例では、ガスの半径方向の流れが処理チャンバ全体にガスの不均一な分布を引き起こす。さらに、不均一性は、基材のトポロジにも起因するだろう。ある例では、ほとんどの基材およびプロセスが処理中にエッジ効果を有する傾向があり、処理中のエッジ効果も不均一性の一因である。
【０００４】
ＩＣ製造者は、プラズマの均一性を制御しようとして、処理チャンバの状態に影響を与えるだろう様々なパラメータ（たとえば、ガス流、排ガス、ＲＦエネルギ分布など）を管理しようと試みている。ある例では、ガスのより均一な分布を確保するために入力ガス流の質量が制御されよう。しかし、より均一なプラズマを生成するために様々なパラメータを操作することは、少なからぬ最適化を必要とする面倒で時間のかかるプロセスである。さらに、チャンバ内や入ってくる基材の表面の他の要素が均一性に影響を与えうるので、均一なプラズマは、通常、基材表面の均一なエッチングにつながらない。結果的に、基材との相互作用によって均一なエッチングを生成しうるプラズマを発生するために処理チャンバ環境を管理する作業は、きわめて複雑な作業であり、この作業は局所制御によって改善されよう。
【０００５】
均一性制御に対処するために、比較的荒削りな方法に限ってではあるが、セグメント化された容量性電極と２コイルの誘導性配置（アレンジメント）の両方が採用されている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ある実施形態において、基材の処理中に、プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システム内で電力供給の局所制御を可能ならしめる配置（アレンジメント，装置）に関する。配置は誘電体窓を含む。また、配置は誘導性配置を含む。誘導性配置は、電力をプラズマ処理システム内のプラズマと結合させるために誘電体窓の上方に配置される。誘導性配置は一組の誘導性素子を含み、一組の誘導性素子はプラズマ処理チャンバ内で実質的に均一なプラズマを発生させるために電力供給の局所制御を提供する。
【０００７】
上記の要旨は、本明細書に開示された本発明の多くの実施形態の一つのみに関し、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は本明細書の特許請求の範囲に記述される。本発明の上記特徴およびその他の特徴を、本発明の詳細な説明において以下の図と関連付けて以下でさらに詳しく説明する。
【０００８】
本発明は、添付図面の図において制限としてではなく例として示されており、図では、同様の参照数字は類似した要素を表す。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態における、ＲＦエネルギをプラズマ処理システムに導入する誘導性配置を示す。
【図２】本発明の実施形態における、誘導性素子の様々な形状の例を示す。
【図３】本発明の実施形態における、誘導性素子の様々な形状の例を示す。
【図４】本発明の実施形態における、誘導性素子の様々な形状の例を示す。
【図５Ａ】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図５Ｂ】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図６Ａ】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図６Ｂ】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図７Ａ】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図７Ｂ】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図８】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図９】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【図１０】本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を、ここで添付図面に示されるような本発明のいくつかの実施形態を参照して詳しく説明する。以下の説明では、本発明の十分な理解を与えるために数多くの詳細情報を記述する。ただし、本発明はこれらの詳細情報の一部または全部を含まずに実施されてもよいことは当業者にとって明らかであろう。他の例では、本発明が不必要に分かりにくくならないように周知の工程段階および／または構造を詳しく説明していない。
【００１１】
方法および技術を含む様々な実施形態を後述する。本発明は本発明による技術の実施形態を実施するコンピュータ可読命令が記憶されるコンピュータ可読媒体を含む製品を包含してもよいことに留意すべきである。コンピュータ可読媒体は、たとえば、半導体、磁気、光磁気、光、またはコンピュータ可読コードを記憶するその他の形態のコンピュータ可読媒体を含んでもよい。さらに、本発明は、本発明の実施形態を実施する装置を包含してもよい。このような装置は、本発明の実施形態に関するタスクを実行するための専用および／またはプログラマブル回路を含んでもよい。このような装置の例として、適切にプログラムされるときの汎用コンピュータおよび／または専用コンピュータデバイスが挙げられ、本発明の実施形態に関する様々なタスクに適合されたコンピュータ／コンピュータデバイスおよび専用／プログラマブル回路の組合せを含んでもよい。
【００１２】
本発明の一態様において、より均一な処理を実現するために局所制御が必要であることを本発明者は本明細書において理解している。たとえば、表皮効果に起因する誘導性結合を形成するために極高周波（たとえば、３００メガヘルツから５００メガヘルツを用いる）の容量性アレイが示されている。しかし、このようなシステムの設計はあまりにも複雑でかつ高価となる可能性がある。したがって、従来の誘導性および容量性アンテナ結合を用いた低い周波数（たとえば、３００メガヘルツ以下）の解決方法を実施することが望ましい。この局所制御は、誘導性および／または容量性アンテナ素子のアレイを用いて達成されうる。
【００１３】
本発明の実施形態に従って、基材の処理中に局所制御を提供するための革新的な配置が提供される。本発明の実施形態において、配置は、局所制御を提供するために特別に配置された誘導性素子のアレイを含みうる。さらに、本発明の実施形態において、誘導性素子は様々な形状をしていてもよい。
【００１４】
本発明の実施形態において、誘導性ＲＦアンテナは、処理システムの誘電体窓の上方に誘導性素子のアレイとして設置されうる。各誘導性素子は、交差結合を最小限に抑えて局所制御を提供するように配置されうる。
【００１５】
本発明の実施形態において、誘導性配置は、セグメント化されたループ配置であろう。ある例では、セグメント化されたループ配置は、互いに接続されたストラップのアレイを含みうる。別の例では、セグメント化されたループ配置は、蛇行形状のアレイを含んでいてもよい。セグメント化されたループ配置の各セグメント（たとえば、誘導性素子）は、正および負の端子を含みうる。ある実施形態において、電流が正端子から負端子に流れよう。ある実施形態において、リバースミラー電流が誘電体窓の真下を流れよう。ある実施形態において、リバースミラー電流とセグメント化されたループ配置との距離は、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、プラズマ領域の一部である表皮深さ領域の厚さとの和に等しいか、この和より大きくてもよい。
【００１６】
本発明の実施形態において、誘導性配置は、ラダー回路網配置であろう。ラダー回路網配置は、一対の誘導性素子が誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さ領域の厚さとの和に等しいか、この和よりも大きい値だけ互いに隔てられるデカルト配置であってもよい。ラダー回路網配置は、ストラップ形状および／または蛇行形状を含んでいてもよい。
【００１７】
本発明の実施形態において、誘導性配置は、ループアレイ配置であろう。ループアレイ配置は、簡単なデカルト配置の例である。ある実施形態において、ループアレイ配置は、円形ループおよび／または正方形ループであってもよい。ある実施形態において、各誘導性素子は、各誘導素子の電流を同じ方向に流すことができるように配置されよう。交差結合を最小限に抑えて大域的な電流の影響を阻止するために、誘導性素子はさらに離して配置されうる。ある実施形態において、その距離は、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さ領域の厚さとの和に等しいか、この和より大きくてもよい。
【００１８】
本発明のさらに別の実施形態において、ループアレイ配置の誘導性素子は、隣接する誘導性素子の電流を反対方向に流すことができるように配置されうる。各誘導性素子からの電流が互いに干渉しないように、各誘導性素子間の距離は、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さ領域の厚さとの和に等しいか、この和より大きくてもよい。
【００１９】
本発明の実施形態において、誘導性配置は面心配置であってもよく、面心配置は中央にオフセット中心を有するデカルト配置であろう。ループアレイ配置と同様に、各誘導性素子の形状は円形ループおよび／正方形ループであってもよい。また、各隣接する誘導性素子は、各誘導性素子の電流を同じ方向、あるいは反対方向のいずれにも流すことができるように配置されうる。ループアレイ配置と同様に、誘導性配置間の距離は、各誘導性素子が基材処理に対して有する局所制御の量を決定しうる。
【００２０】
本発明の特徴および長所は、以下の図および議論を参照するとよりよく理解されよう。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態において、ＲＦエネルギをプラズマ処理システムに導入して局所制御を実施するための誘導性配置を示す。プラズマ環境１００は、誘電体窓１０４に接続される誘導性配置（装置）１０２を含みうる。誘導性配置１０２からは、ＲＦエネルギが処理チャンバ１０６の中に流れて、ガス分配配置１０８を介して処理チャンバ１０６に供給されているガスと相互作用しうる。ＲＦエネルギはプラズマ１１０を形成するためにガスと結合し、プラズマ１１０は静電チャック１１４の上に設置される基材１１２をエッチングするために使用される。
【００２２】
先行技術では、誘導性配置１０２は、簡単なアンテナ配置、同心アンテナ、互いに関連し合う二つのらせんアンテナなどであってもよい。誘導性配置は、配置に関係なく、通常、主として基材に大域的影響を及ぼし、すなわち、局所制御は提供されない。先行技術と違って、本発明の実施形態は局所制御をサポートする配置を提供し、それによって、より均一な処理を実現できるより制御された環境をもたらす。
【００２３】
本発明の実施形態において、誘導性素子は、複数の誘導性素子（１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅ、１１６ｆ、および１１６ｇ）を含みうる。誘導性素子の各々は、個別に制御されてもよい。ある例では、基材１１２の断面１１８ａが断面１１８ｅよりも低い電位を有しうる。断面１１８ａの電位を高めるためには、基材１１２の断面１１８ａおよび１１８ｅの全域に実質的に同じ電位を生成するのに十分な電力を提供するようにして、誘導性素子１１６ａを流れるＲＦ電流が増加されよう。誘導性配置１０２の誘導性素子に対する制御を操作することによって、より均一な処理環境が基材１１２の全域に存在可能である。
【００２４】
前述のように、誘導性素子は、様々形状をしていてもよい。図２〜４は、本発明の実施形態における、誘導性素子の様々な形状の例を示す。
【００２５】
図２は、本発明の実施形態における、簡単なストラップ２０２を示す。ストラップ２０２は、正端子２０４および負端子２０６を有しうる。
【００２６】
図３は、本発明の実施形態における、蛇行形状３０２を示す。蛇行形状３０２は、複数の曲がり（曲がり３０４、３０６、および３０８）を有する二重反転誘導性素子の仮想的なリンクアレイであろう。これらの曲がりは、仮想的な電流ループを構成する。曲がりの各々は、反対方向に流れる電流経路を有しうる。ある例では、曲がり３０４は時計回りの方向に流れる電流を有し、曲がり３０６は反時計回りの方向に流れる電流を有し、曲がり３０８は時計回りの方向に流れる電流を有しうる。蛇行形状３０２に対する電流の流れは、様々な電流の流れの総和である。
【００２７】
図４は、本発明の実施形態における、ループ形状を有する誘導性素子の例を示す。ある実施形態において、誘導性素子は、正方形の先端部（ループ４０４）を有していてもよい。別の実施形態において、誘導性素子は、円形の先端部（ループ４０６）を有していてもよい。
【００２８】
図５〜１０は、本発明の実施形態における、均一な処理を提供するための誘導性素子の配置方法の例を示す。
【００２９】
図５Ａは、本発明の実施形態における、セグメント化されたループ配置５０２の例を示す。セグメント化されたループ配置５０２は、誘導性素子のアレイ（５０４、５０６、５０８、および５１０）を含みうる。誘導性素子は、様々な形状をしていてもよい。この例では、セグメント化されたループ配置５０２は、ストラップ形状を有する誘導性素子のアレイを含む。
【００３０】
各誘導性素子は、２つの端子を含みうる。ある例では、誘導性素子５０４は、正端子５０４ａおよび負端子５０４ｂを含みうる。端子５０４ａは中心に接続されてもよいが、端子５０４ｂは同軸ケーブルの外側に接続されてもよい。したがって、電流は端子５０４ａから端子５０４ｂに流れる。下部では、誘導プラズマミラー電流は反対方向に流れる傾向がある。容量性結合を最小限に抑えるために、誘導性素子は互いに平行に接続されている。誘導性素子は一緒に接続されて同じ向きに電流を流すので、正味の影響はセグメント化されたループ配置５０２の周りの時計回りの方向の電流の流れである。
【００３１】
図５Ｂは、ある実施形態における、水平電流アンテナの下方の垂直断面を示す。誘電体窓５５２の上には誘導性素子５５０が設置される。ある実施形態において、誘導性素子５５０と誘電体窓５５２との間に空隙５５４が存在する。
【００３２】
電流５５６が誘導性素子５５０の上を流れており、リバースミラー電流５５８が誘電体窓５５２の真下のプラズマ中を流れている。リバースミラー電流５５８は、誘導性アンテナの下を局所的に流れる水平電流であるが、必要に応じて回路経路を完結するためにプラズマ中を他の方向に流れうる。２つの誘導性素子に関わる２つの隣接する電流が相互作用してプラズマにおいて互いに最終的に事実上相殺しないようするために、隣接するアンテナは、誘電体窓５５２の厚さと、シース５６０の厚さと、表皮深さ領域５６２の厚さとの和に等しいか、この和より大きい。ある実施形態において、リバースミラー電流５５８は、表皮深さ領域５６２を流れている。誘導性結合のための誘電体窓５５２の実効厚さは、物理的な厚さである。容量性結合の場合、実効厚さは、誘電率によって抑制される。このため、多くの場合、誘導性素子と誘電体窓の間に新たな空隙が導入される。
【００３３】
図５Ａを再び参照すると、純粋な誘導性結合が望まれる場合、各誘導性素子の電圧を下げることによってより優れた均一性制御が実現しうる。電圧を下げると容量性結合を最小限に抑えられ、より大きい半径方向の制御が可能になる。ただし、誘導性素子は電力が並列に供給されるものの物理的には直列に配置されるので、４倍の電圧から電力供給される単一電流であっても同じ不均一性の容量性結合がないかのように同じ電流ループが実現されうる。とりわけ、双極子モーメントも四極子モーメントもない。
【００３４】
並列接続よりはむしろ、各セグメントが個別に電力供給される。位相と電流とを調整してある程度の不均一性電力分散を導入することにより、他の原因の不均一性に対して前述の補償を実現しうる。
【００３５】
図６Ａおよび６Ｂは、ある実施形態における、フィーダバス（たとえば、同軸ケーブル）を有するラダー回路網配置の例を示す。図６Ａはフィーダバス６０４を有する平衡ラダー回路網配置６０２を示し、図６Ｂはフィーダバス６５４を有する不平衡ラダー回路網配置６５２を示す。いずれのラダー回路網配置（６０２および６５２）も誘導性素子が並列に配置される可能性のあるデカルト配置の例である。誘導性素子の各対は、誘導性素子の対として反対に作用しうる。ある例では、ラング（横木）６０６とラング６０８は、プッシュプル効果を生み出すために電流が反対方向に流れる誘導性素子の平行対であろう。各ラングは、誘電体窓、シース、および表皮深さ領域の厚さに等しいか、それよりも大きい距離だけ隔てられうる。この距離があれば、プラズマの電流を感知することができ、より局所化された制御が可能になる。本発明の実施形態において、ＲＦ周波数が十分に高く構造体が波長の大きな一部分（たとえば、波長の約四分の一）であるような場合は、各ラング（たとえば、誘電性素子）間の距離を計算する際に伝送線の影響が考慮されよう。高周波を同様に考慮して、供給機構（たとえば、同軸ケーブル）は、すべてのラングに均一に電力供給されるように等しい長さで作られていてもよい。ラダー回路網の不平衡電力供給（図６Ｂに示されるラダー回路網配置６５０など）が可能であるが、これはより大きい容量性結合と不均一性との原因となろう。これが望ましくないときは、平衡プッシュプル動作が好ましい。平衡電力供給および不平衡電力供給の両方の事例が図６Ａと図６Ｂにそれぞれ示される。
【００３６】
図７Ａは、本実施形態における、ループアレイ配置７０２を示す。ループアレイ配置７０２は、複数の誘導性素子を含みうる。この例では、誘導性素子は円形ループである。ある実施形態において、誘導性素子の各々の電流の流れが同じ方向に流れる場合、大域的な水平回転電流が存在しうる。ある例では、誘導性素子７０４の電流の流れは誘導性素子７０６の電流の流れと同じ方向に流れる。ある実施形態において、大域的水平電流の流れを減少させて局所制御を増加させるために、誘導性素子はさらに離して設置されてもよい。隣接する誘導性素子間の距離は、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さ領域の厚さの和に等しいか、この和より大きくてもよい。
【００３７】
図７Ｂは、本発明の実施形態における、電流の流れが反対方向に流れるループ配置７５２を示す。換言すれば、隣接する誘導性素子の各々の電流の流れは、プッシュプル効果を生み出すために反対に流れている。ある例では、誘導性素子７５４および誘導性素子７５６の電流の流れは反対方向に流れている。誘導性素子は互いに干渉する可能性があるので、干渉を最小限に抑えるために隣接する誘導性素子間にはより大きい距離が存在してもよい。隣接する誘導性素子間の距離は、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さの和に等しいか、この和より大きくてもよい。
【００３８】
図８は、本発明の実施形態における、面心配置８０２を示す。面心配置８０２は、中央にオフセット中心を有するデカルト配置である。図７Ａおよび７Ｂと同様に、各誘導性素子は、流れる電流が同じ方向および／または流れる電流が反対方向になるように配置されうる。電流を同じ方向に流すことによって、誘導性素子はより接近して一緒に設置することができる。しかし、誘導性素子が互いに接近すると、局所化制御が抑制されて電流の流れに対してより大域的な影響をもたらすだろう。したがって、より局所化された制御を可能にするために、誘導性素子は電流を同じ方向に流すことができるように設置されてもよいが、誘導性素子はさらに離して設置されてもよい。ある実施形態において、隣接する誘導性素子間の距離は、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さの厚さとの和に等しいか、この和より大きくてもよい。同様の局所化された制御は、電流が結果的に反対方向に流れるように誘導性素子を配置することによって実現されてもよい。したがって、局所化された制御は、隣接する誘導性素子の間隔をあけるおよび／または誘導性素子をプッシュプル配置で設置することによって実現されうる。
【００３９】
図９は、本発明の実施形態における、六方最密充填型リング配置９００を示す。この特殊な配置は、誘導素子を配置するために提供される空間が円形空間であるのでデカルト配置とは異なる。他の配置と同様に、誘導性素子が互いに接近すると、局所化された制御に影響を与えうる。結果として、隣接する誘導性素子（９０２および９０４など）は、ある実施形態において、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さの厚さとの和に等しいか、この和よりも大きい距離だけ隔てられてもよい。コイルは同じ向きに巻かれて電力供給される。交互反転方式が隣接するループに採用されうる（図７Ｂ）デカルトの事例とは異なり、六角形アレイを用いるこのような方式は、三相電源方式が採用される場合を除いて実施され得ない。
【００４０】
図１０は、本発明の実施形態における、同心リング配置１００２を示す。この特殊な配置は、中心と一連の同心リングを含みうる。他の配置と同様に、誘導素子が互いに接近すると、局所化制御に影響を与えうる。結果として、隣接する誘導性素子は、ある実施形態において、誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さの厚さとの和に等しいか、この和よりも大きい距離だけ隔てられてもよい。ある実施形態において、所与のリング内の誘導性素子の数は、所望の局所化制御の精度によって決定されうる。この場合、リングの一部または全部に交互に電力供給することが可能である。換言すれば、一つのリング内のすべての素子が同じ向きで電力供給されることになり、別のリング内のすべての素子は同じ向きであるが反対方向に電力供給されることになる。
【００４１】
電流が同じ向きで供給されて大域的電流ループを発生する事例では、電磁場が加法的であり互いに相殺されないので隣接するループからの距離は緩和されよう。隣接する素子が交互に変わる向きで電力供給される事例では、間隔が十分である場合を除いて、たとえば、ある実施形態において、間隔が誘電体窓の厚さと、シースの厚さと、表皮深さの厚さとの和に等しいか、この和よりも大きい場合を除いて、隣接する素子の電磁場がプラズマにおいて互いに相殺する傾向がある。
【００４２】
前述の内容から分かるように、本発明の実施形態では、基材の断面の局所制御が提供されるので、基材の処理中により効果的な均一性制御が可能になる。前述のように、局所制御を提供することによって、不均一な処理結果は実質的に抑制されうる。また、本発明の実施形態は、高いＲＦ周波数を必要とせずに局所制御を実現する。さらに、局所制御の精度は、誘導性素子の数および／または各誘導性素子間の距離によって実現されよう。したがって、基材の処理中の均一性制御は、高価な部品を採用しなくても実現可能である。
【００４３】
本発明はいくつかの好ましい実施形態に関して説明されているが、本発明の技術的範囲に含まれる変更、置換、および等効物がある。ループとしては、正方形や他の閉じた形状が考えられる。ループは円形である必要がない。本明細書では様々な例が示されているが、これらの例は例示的なものであり、本発明に関して制限を与えるものではない。
【００４４】
また、発明の名称および要約書は、本明細書において便宜のために提供されるもので、本明細書における特許請求の範囲を理解するために使用されるべきではない。さらに、要約書は、極めて短縮された形で書かれており、本明細書において便宜のために提供されており、したがって、特許請求の範囲で表現される本発明全体を理解または限定するために採用されるべきではない。本明細書において「組」という用語が採用される場合、この用語はゼロ、１、または複数の部材を包含するために一般に理解されている数学的意味を有することが意図されている。また、本発明の方法および装置には多くの代替的実施方法があることにも留意されたい。それゆえ、以下に添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲に含まれるようなすべての変更、置換、および等効物を含むものと解釈されることが意図されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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