(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を格納したキャリアを搬入するキャリアブロックと、キャリアブロックから搬入された基板を処理する複数の処理モジュールと、基台及び前記基台に進退自在に設けられた第１の保持部材を備えると共に複数の処理モジュール間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えた基板処理装置において、
処理モジュールの情報を収集するためのセンサ部とこのセンサ部に電力を供給すると共に充電可能な蓄電部を含む第１の電源部とを備えたセンサ用基板を前記第１の保持部材に保持する工程と、
次いで前記第１の保持部材を前進させてセンサ用基板を処理モジュールに受け渡す工程と、  
その後前記センサ用基板のセンサ部により処理モジュールに関するデータを取得する工程と、
前記第１の保持部材が前記処理モジュールから充電された電力が消費された前記センサ用基板を受け取って後退し、前記基台と共に移動する第２の電源部により非接触でセンサ用基板の第１の電源部を充電する工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項２】
前記蓄電部は、電気二重層キャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項３】
前記蓄電部は、ナノハイブリッドキャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項４】
前記蓄電部は、リチウムイオンキャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項５】
前記基板搬送機構は、基板を保持するために設けられ、基台に対して進退自在な第２の保持部材を備え、
前記第２の電源部は、前記第２の保持部材に保持された前記第１の電源部に充電をする充電用基板に設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項６】
センサ用基板の第１の電源部を充電する工程は、前記第１の電源部を充電するための充電回路に接続され、センサ用基板に設けられる受電コイルと、前記給電用基板に設けられる給電コイルとを互いに対向させるように、センサ用基板を給電用基板に対して位置させて充電する工程を含む請求項５記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項７】
基板処理装置には、充電用基板の第２の電源部に充電を行うための充電機構が設けられ、
前記充電機構から第２の電源部に非接触で充電を行う工程を備えたことを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項８】
前記第２の電源部は、基台に設けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項９】
第１の基板保持部に保持されたセンサ用基板が第２の電源部により充電される充電位置に位置しているか否かを判定する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項１０】
前記第１の電源部の充電量が予め設定された設定値になったか否かを判定する工程と、
前記第１の電源部の充電量が予め設定された設定値になったと判定されたときに、第１の電源部の充電を停止する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項１１】
センサ用基板には前記第１の電源部の電力を用いて投光する投光部が設けられ、
前記第１の電源部の充電量が前記設定値になったときに前記投光部からの投光を停止する工程と、
前記基台または前記充電用基板には前記投光部と対になる受光部が設けられ、
前記投光部からの投光を前記受光部が受光する工程と、
を備え、
前記第１の電源部の充電量が前記設定値になったか否かの判定は、前記受光部の受光に基づいて行われることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項１２】
前記センサ用基板は、前記第１の電源部より電力の供給を受ける無線送信部を備え、前記処理モジュールに関するデータを基板処理装置の受信部に送信することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
【請求項１３】
基板に所定の処理を施すための複数の処理モジュールと、基台及び前記基台に進退自在に設けられた保持部材を備える基板搬送装置と、当該基板搬送装置により、各種測定データを取得するために搬送可能に構成されたセンサ用基板と、を含んだ基板処理システムであって、
前記センサ用基板は、
前記処理モジュールのプロセス処理に供される種々のデータ情報を収集するためのセンサ部と、
このセンサ部により収集された前記データ情報を無線で送信する送信部と、
前記センサ部及び送信部に給電する充電可能な蓄電部を有する第１の電源部と、
前記基台と共に移動する第２の電源部から非接触で送電される電力を受電して前記蓄電部に供給するために、前記第１の電源部の回路と接続された受電コイル部と、
を備え、
前記受電コイル部は、このセンサ用基板の平面に沿って複数設けられたものであり、
前記センサ用基板を、一の処理モジュールにて前記蓄電部の電力が消費された前記センサ用基板を当該一の処理モジュールから受け取るための前記基台における前進位置と、前記一の処理モジュールから他の処理モジュールに前記センサ用基板を受け渡すまでに前記蓄電部を前記受電コイル部により充電するために前記基台において前記前進位置よりも一の処理モジュールに対して後退した後退位置とに夫々位置する前記保持部材において保持することを特徴とする基板処理システム。
【請求項１４】
前記蓄電部は電気二重層キャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記蓄電部は、ナノハイブリッドキャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理システム。
【請求項１６】
前記蓄電部は、リチウムイオンキャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理システム。
【請求項１７】
前記電源部の電源電圧または当該電源部から流れる電流を検出する検出部と、この検出部の検出結果に基づいて充電完了の検知信号を出力する出力部と、を備えたことを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれか一つに記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のモジュールを備える基板処理装置のデータ取得方法及び前記データ取得方法に用いられる基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成には塗布、現像装置が用いられ、塗布、現像装置はウエハに各種の処理を行うモジュールを備えている。
【０００３】
ウエハに高精度に処理を行い不具合が生じないように、前記塗布、現像装置においては、装置稼働前やその後の点検時に、各モジュールについてデータを取得する必要がある。例えばレジストなどの薬液をウエハに塗布する液処理モジュールには、ウエハの裏面中央部を吸着保持すると共に回転させるスピンチャックが設けられており、ウエハの回転中心に供給された薬液は、遠心力により展伸される。前記薬液により均一性高く膜を形成するために、装置稼働前に検査を行い、スピンチャックの回転中心の位置を特定しておく。そして、ウエハの処理時にはスピンチャックの回転中心にウエハの中心が一致するようにスピンチャックにウエハが載置される。このようにスピンチャックの回転中心を特定する手法については、例えば特許文献１に記載されている。また、ウエハに熱処理を行う加熱モジュールでは、ウエハの加熱温度についてのデータが取得される。
【０００４】
このようなデータの取得には、各種のセンサが搭載されたセンサ用ウエハが用いられており、ウエハとは別体の電源部に有線でセンサ用ウエハを接続し、このセンサ用ウエハを各モジュールに搬送して検査を行う場合が有る。しかし、このように有線で接続する場合は作業者が個別に各モジュールへセンサ用ウエハを搬入しなければならず、手間がかかる。そこで、データの取得効率を高めるために電源部をリチウムイオン２次電池などにより構成してセンサ用ウエハに搭載し、塗布、現像装置の基板搬送機構により順次モジュール間を搬送して、データ取得を行う場合が有る。このように電源部を搭載したセンサ用ウエハを用いて検査を行う手法は、前記特許文献１や特許文献２に記載されている。
【０００５】
しかし、塗布、現像装置はスループットを高めるために多数のモジュールを備えており、すべてのモジュールで所定の時間を掛けて測定を行う場合に、センサ用ウエハに搭載する電源部のバッテリは、容量を大きくするために、大型化すると共に重くなってしまう。そうなると、処理モジュールの環境が実際のウエハ搬入時の環境とは異なり、取得されるデータの精度が低下してしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３１１７７５
【特許文献２】特開２００８−１０９０２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板処理装置の各処理モジュールのデータを効率よく取得すると共に精度高い検査を行うことができる技術を提供することである。また、センサ用基板（測定用基板）のバッテリが大きくなると、そのバッテリの体積や重量が大きくなったり、さらに充電までの時間が長くなるなどの影響によりセンサ用基板とプロセス基板との差異が大きくなり、測定値の精度が悪くなる。そのために、軽く、薄く、充電時間が短いセンサ用基板を含む基板処理システムの技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板処理装置のデータ取得方法は、複数の基板を格納したキャリアを搬入するキャリアブロックと、キャリアブロックから搬入された基板を処理する複数の処理モジュールと、基台及び前記基台に進退自在に設けられた第１の保持部材を備えると共に複数の処理モジュール間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えた基板処理装置において、
処理モジュールの情報を収集するためのセンサ部とこのセンサ部に電力を供給すると共に充電可能な蓄電部を含む第１の電源部とを備えたセンサ用基板を前記第１の保持部材に保持する工程と、
次いで前記第１の保持部材を前進させてセンサ用基板を処理モジュールに受け渡す工程と、  
その後前記センサ用基板のセンサ部により処理モジュールに関するデータを取得する工程と、
前記第１の保持部材が前記処理モジュールから充電された電力が消費された前記センサ用基板を受け取って後退し、前記基台と共に移動する第２の電源部により非接触でセンサ用基板の第１の電源部を充電する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の具体的な態様としては、例えば以下の通りである。
ａ）前記蓄電部は、電気二重層キャパシタ、ナノハイブリッドキャパシタまたはリチウムイオンキャパシタにより構成される。
ｂ）前記基板搬送機構は、基板を保持するために設けられ、基台に対して進退自在な第２の保持部材を備え、
前記第２の電源部は、前記第２の保持部材に保持された前記第１の電源部に充電をする充電用基板に設けられている。
ｃ）センサ用基板の第１の電源部を充電する工程は、前記第１の電源部を充電するための充電回路に接続され、センサ用基板に設けられる受電コイルと、前記充電用基板に設けられる給電コイルとを互いに対向させるように、センサ用基板を給電用基板に対して位置させて充電する工程を含む。
【００１０】
さらに具体的な態様としては、以下の通りである。
ｄ）前記第２の電源部は、基台に設けられる。
ｅ）第１の基板保持部に保持されたセンサ用基板が第２の電源部により充電される充電位置に位置しているか否かを判定する工程を含む。
ｆ）前記第１の電源部の充電量が予め設定された設定値になったか否かを判定する工程と、
前記第１の電源部の充電量が予め設定された設定値になったと判定されたときに、第１の電源部の充電を停止する工程と、
を含む。
【００１１】
ｇ）センサ用基板には前記第１の電源部の電力を用いて投光する投光部が設けられ、
前記第１の電源部の充電量が前記設定値になったときに前記投光部からの投光を停止する工程と、
前記基台または前記充電用基板には前記投光部と対になる受光部が設けられ、
前記投光部からの投光を前記受光部が受光する工程と、
を備え、
前記第１の電源部の充電量が前記設定値になったか否かの判定は、前記受光部の受光に基づいて行われる。
ｈ）基板処理装置には、充電用基板の第２の電源部に充電を行うための充電機構が設けられ、
前記充電機構から第２の電源部に非接触で充電を行う工程を備える。
【００１２】
本発明の基板処理システムは、基板に所定の処理を施すための複数の処理モジュールと、基台及び前記基台に進退自在に設けられた保持部材を備える基板搬送装置と、当該基板搬送装置により、各種測定データを取得するために搬送可能に構成されたセンサ用基板と、を含んだ基板処理システムであって、
前記センサ用基板は、
前記処理モジュールのプロセス処理に供される種々のデータ情報を収集するためのセンサ部と、
このセンサ部により収集された前記データ情報を無線で送信する送信部と、
前記センサ部及び送信部に給電する充電可能な蓄電部を有する第１の電源部と、
前記基台と共に移動する第２の電源部から非接触で送電される電力を受電して前記蓄電部に供給するために、前記第１の電源部の回路と接続された受電コイル部と、
を備え、
前記受電コイル部は、このセンサ用基板の平面に沿って複数設けられたものであり、
前記センサ用基板を、一の処理モジュールにて前記蓄電部の電力が消費された前記センサ用基板を当該一の処理モジュールから受け取るための前記基台における前進位置と、前記一の処理モジュールから他の処理モジュールに前記センサ用基板を受け渡すまでに前記蓄電部を前記受電コイル部により充電するために前記基台において前記前進位置よりも一の処理モジュールに対して後退した後退位置とに夫々位置する前記保持部材において保持することを特徴とする。
【００１３】
前記センサ用基板の具体的な態様としては、例えば、以下の通りである。
ａ）前記蓄電部は、電気二重層キャパシタ、ナノハイブリッドキャパシタまたはリチウムイオンキャパシタにより構成される。
ｂ）前記電源部の電源電圧または当該電源部から流れる電流を検出する検出部と、この検出部の検出結果に基づいて充電完了の検知信号を出力する出力部と、を備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板搬送機構による処理モジュール間を搬送されるセンサ用基板に設けられる電源部の容量を抑えられる。従って、データ取得時間が長くなることを抑えると共にセンサ用基板のサイズや重さを抑えることができる。そして、センサ用基板の重量や厚さの自由度が高くなるので、精度高い検査を行うことができる。また、センサ用基板のバッテリ（蓄電部）に電気二重層キャパシタなどを用いることができるので、充電時間の短縮化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図２】塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の搬送アームの斜視図である。
【図５】塗布、現像装置に設けられる待機モジュールの縦断側面図である。
【図６】前記待機モジュールの給電用ウエハの収納部の天井を示した平面図である。
【図７】塗布、現像装置１の概略回路図である。
【図８】給電用ウエハの表面図及び裏面図である。
【図９】給電用ウエハの概略回路図である。
【図１０】センサ用ウエハの表面図及び裏面図である。
【図１１】センサ用ウエハの概略回路図である。
【図１２】センサ用ウエハの充電を行う際の搬送アームの斜視図である。
【図１３】センサ用ウエハと給電用ウエハとの位置関係を示す斜視図である。
【図１４】磁界誘導により給電が行われる様子を示した説明図である。
【図１５】給電用ウエハが充電される工程を示すフローチャートである。
【図１６】各ウエハの充電量の変化を示すタイムチャートである。
【図１７】センサ用ウエハが充電される工程を示すフローチャートである。
【図１８】搬送アームの動作を示す説明図である。
【図１９】搬送アームの動作を示す説明図である。
【図２０】他の実施形態の塗布、現像装置１の概略回路図である。
【図２１】他の実施形態の搬送アームの平面図である。
【図２２】前記搬送アームの側面図である。
【図２３】他の給電用ウエハの概略回路図である。
【図２４】他の給電用ウエハの概略回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
本発明の検査方法が適用される基板処理装置である塗布、現像装置１の構成と、半導体装置を製造するためのウエハＷの搬送経路について説明する。図１には塗布、現像装置１に露光装置Ｃ５が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図２は同システムの斜視図である。また、図３は塗布、現像装置１の縦断面図である。
【００１７】
この塗布、現像装置１にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台１１上に載置された密閉型のキャリアＣから、受け渡しアーム１２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム１２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＣに戻すように構成されている。
【００１８】
前記処理ブロックＣ２は、図２に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層に反射防止膜を形成するための第２のブロックＢ２、レジスト膜の形成を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を下から順に積層して構成されている。
【００１９】
処理ブロックＣ２の各層は平面視同様に構成されている。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２を例に挙げて図４も参照しながら説明すると、ＢＣＴ層Ｂ２は塗布膜として例えばレジスト膜を形成するための反射防止膜形成ユニット２１と、加熱系のモジュールにより構成される棚ユニットＵ１〜Ｕ５と、前記反射防止膜形成ユニット２１と棚ユニットＵ１〜Ｕ５との間に設けられ、これらのユニットに含まれるモジュール間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＧ２と、により構成されている。モジュールとはウエハＷが載置される場所のことを言う。
【００２０】
反射防止膜形成ユニット２１は４基の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ４を備えている。これら反射防止膜モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ４は、ウエハＷの裏面中央部を保持し、鉛直軸回りに回転させるスピンチャック２２を備えている。また、スピンチャック２２に載置されたウエハＷに薬液を供給する不図示の薬液供給ノズルを備えている。
【００２１】
また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ５は搬送アームＧ２が移動する水平な直線搬送路である搬送領域Ｒ１に沿って配列され、夫々２基の加熱モジュール２３が上下に積層されて構成されている。加熱モジュールは熱板を備え、当該熱板に載置されたウエハが加熱処理される。
【００２２】
搬送アームＧ２は、キャリアブロックＣ１側からインターフェイスブロックＣ４側に向けて水平方向に伸びたガイド３１を備えており、そのガイド３１に沿ってフレーム３２が移動する。フレーム３２には鉛直軸に沿って昇降する昇降台３３が設けられ、昇降台３３上には鉛直軸周りに回動する基台３４が設けられている。基台３４はウエハＷの側周を囲む上部フォーク３５及び下部フォーク３６を備えている。これら上部フォーク３５及び下部フォーク３６は、基台３４上を水平方向に互いに独立して進退し、モジュールにアクセスする。上部フォーク３５、下部フォーク３６には夫々ウエハＷの裏面を支持する裏面支持部３８、３９が設けられている。
【００２３】
第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３については、前記反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ４に相当するレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４が設けられている。そして、各モジュールにおいて反射防止膜形成用の薬液の代わりに、レジストがウエハＷに供給されることを除けば、ＣＯＴ層Ｂ３は、ＢＣＴ層Ｂ２と同様の構成である。
【００２４】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内に反射防止膜形成ユニット２１に対応する現像処理ユニットが２段に積層されており、現像処理ユニットは現像モジュールＤＥＶを備えている。現像処理モジュールＤＥＶ、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを総称して液処理モジュールと呼ぶ。
【００２５】
また、ＤＥＶ層Ｂ１は、ＢＣＴ層Ｂ２と同様に棚ユニットＵ１〜Ｕ５を備えており、棚ユニットＵ１〜Ｕ５を構成する加熱モジュールには、現像処理前に加熱処理を行う複数の加熱モジュール（ＰＥＢ）と、現像処理後にウエハＷに加熱処理を行う複数の加熱モジュール（ＰＯＳＴ）とが含まれている。このＤＥＶ層Ｂ１の搬送アームＧ１は、各現像モジュールＤＥＶと、各加熱モジュールとにウエハＷを搬送する。つまり、２段の現像処理ユニットに対して搬送アームＧ１が共通化されている。
【００２６】
各層の基板搬送機構である搬送アームＧの動作を詳しく説明する。上部フォーク３５、下部フォーク３６のうち一方にはウエハＷが無く、他方にはウエハＷが保持されている状態になっているものとし、この状態で搬送アームＧの基台３４があるモジュールの手前に移動しているものとする。そして、上部フォーク３５及び下部フォーク３６のうち一方のフォークが当該モジュールへ前進し、モジュールに置かれているウエハＷを取り出す。そして、空いたそのモジュールに、他方のフォークが保持しているウエハＷを受け渡す。その後、搬送アームＧの基台３４は、一方のウエハＷを下流側のモジュールに受け渡すために移動する。本実施形態は、このように構成された搬送アームＧを利用して、後述のようにセンサ用ウエハ８に充電を行う。
【００２７】
処理ブロックＣ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ６が設けられ、キャリアブロックＣ１からのウエハＷは、前記棚ユニットＵ６の一つの受け渡しモジュールＢＦ１に搬送される。ＢＣＴ層Ｂ２の搬送アームＧ２は、この受け渡しモジュールＢＦ１からウエハＷを受け取って、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ４のうちいずれかに搬送し、続いて反射防止膜が形成されたウエハＷを加熱モジュール２３に搬送する。
【００２８】
その後、搬送アームＧ２は、ウエハＷを棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＢＦ２に搬送し、ウエハＷは受け渡しアームＤ１により、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に対応する受け渡しモジュールＢＦ３に順次搬送される。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３内の搬送アームＧ３は、この受け渡しモジュールＢＦ３からウエハＷを受け取ってレジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４のうちいずれかに搬送し、レジスト膜を形成した後、加熱モジュール２３に搬送する。
【００２９】
その後、加熱モジュールにて加熱処理された後、ウエハＷは棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＢＦ４に搬送される。一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ１４から棚ユニットＵ７に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ１５にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトル１６が設けられている。レジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＢＦ４から受け渡しモジュールＴＲＳ１４に受け渡され、当該受け渡しモジュールＴＲＳ１４にてシャトル１６に受け渡される。
【００３０】
シャトル１６は、ウエハＷを棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ１５に搬送し、当該ウエハＷは、インターフェイスブロックＣ４に設けられたインターフェイスアーム１８に受け取られ、インターフェイスブロックＣ３に搬送される。なお、図３中のＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００３１】
次いで、ウエハＷはインターフェイスアーム１８により露光装置Ｃ４に搬送され、露光処理が行われる。続いて、ウエハＷはインターフェイスアーム１７により、棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ１１またはＴＲＳ１２に搬送され、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１の搬送アームＧ１により、棚ユニットＵ１〜Ｕ５に含まれる加熱モジュール（ＰＥＢ）に搬送され、加熱処理を受ける。
【００３２】
その後ウエハＷは、搬送アームＧ１により受け渡しモジュールＣＰＬ１またはＣＰＬ２に搬送された後、現像モジュールＤＥＶに搬送されて、現像処理を受ける。その後、いずれかの加熱モジュール（ＰＯＳＴ）に搬送され、加熱処理を受ける。然る後、搬送アームＧ１により棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＢＦ７に受け渡される。その後、ウエハＷは受け渡しアーム１２を介して、キャリアＣの元々置かれていた位置に戻される。
【００３３】
上記のキャリアブロックＣ１には、受け渡しアーム１２がアクセスできる位置に待機モジュール４が設けられている。この待機モジュール４にはモジュールに搬送されて所定の検査を行うセンサ用ウエハ８Ａ〜８Ｃと、充電用基板である給電用ウエハ６とが格納される。給電用ウエハ６は、待機モジュール４の外部でセンサ用ウエハ８Ａ〜８Ｃを充電するための治具であり、給電用ウエハ６は待機モジュール４で充電される。以降、センサ用ウエハ８Ａ〜８Ｃを総称して、センサ用ウエハ８と記載する。なお、センサ用ウエハ８と給電用ウエハ６とを専用のキャリア（カセット）Ｃに納めて、検査の際にのみ当該キャリアＣをキャリアブロックＣ１の載置台１１に載せて使うこともできる。さらに、待機モジュール４は、棚ユニットＵ６に設けられていてもよいし、各搬送アームＧへセンサ用ウエハ８、給電ウエハ６の受け渡しが夫々可能ならば、どこに設けられていてもよい。
【００３４】
図５は待機モジュール４の縦断側面図である。待機モジュール４は各ウエハの周縁を支持し、各ウエハを上下方向に格納できるように棚状に構成されている。例えば待機モジュール４の上方側はセンサ用ウエハ８Ａ〜８Ｃの格納空間４１として構成され、待機モジュール４の下方側は給電用ウエハ６の格納空間４２として構成されている。格納空間４１、４２は隔壁４３により仕切られている。
【００３５】
図６は、隔壁４３の下面を示しており、この下面には光センサをなす受光部４４が設けられている。受光部４４は、例えば格納空間４２に格納された給電用ウエハ６の中央部上に位置しており、後述の給電用ウエハ６の投光部６３と対になる。この受光部４４及び投光部６３は待機モジュール４から給電用ウエハ６への接触給電の継続及び停止を制御する役割を有する。また、隔壁４３の下方側にはこの受光部４４を囲うように複数の磁気センサ４５が設けられている。これらの磁気センサ４５は、給電用ウエハ６の磁石６２に対応して設けられており、この磁石６２上に位置するように設けられている。磁気センサ４５は、磁石６２の位置、つまり給電用ウエハ６の位置を検出して、待機モジュール４から給電用ウエハ６への給電を行うトリガーの役割を有する。
【００３６】
また、例えば格納空間４２の下方には扁平な円形の給電部４６が設けられている。給電部４６の表面には上方へ向かって伸びる給電ピン４８が設けられており、この給電ピン４８は、給電用ウエハ６に電力を供給する。
【００３７】
図７は、この待機モジュール４を含む塗布、現像装置１の概略回路図である。給電ピン４８は、当該給電ピン４８に送電するための送電回路５１に接続されており、送電回路５１は制御回路５３を介して装置コントローラ５４に接続されている。また、前記受光部４４は制御回路５３に接続されており、磁気センサ４５は、磁極検出回路５２を介して制御回路５３に接続されている。磁石６２の磁力を検出すると、磁気センサ４５がＯＮになり、検出した磁力に応じて信号を磁極検出回路５２に出力する。磁極検出回路５２は磁気センサ４５からの出力信号に応じて検出信号を装置コントローラ５４へ出力し、装置コントローラ５４が磁力の強度を検出する。
【００３８】
塗布、現像装置１はアンテナ５５を備えており、アンテナ５５は、センサ用ウエハ８から送信された検査データの信号を無線受信する。アンテナ５５が受信した信号は、当該アンテナ５５による通信を制御する通信回路５６を介して装置コントローラ５４に出力される。制御回路５３及び装置コントローラ５４の前段にはＡＣ／ＤＣコンバータ５７が接続されており、塗布、現像装置１の外部の交流電源から供給された交流電流は、当該コンバータ５７で直流電流に変換され、各回路に供給される。制御回路５３は、後段の各回路に供給される電力を制御する。アンテナ５５、通信回路５６及び装置コントローラ５４は、処理モジュールに関するデータを受信する受信部を構成する。
【００３９】
装置コントローラ５４は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、上述及び後述の搬送が行われ、搬送サイクルが実行されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納されている。このプログラムが装置コントローラ５４に読み出されることで、装置コントローラ５４は塗布、現像装置１の各部へ制御信号を送信する。それによって、塗布、現像装置１の各部の動作が制御され、各モジュールの動作及びモジュール間での各ウエハの受け渡しなどが制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４０】
続いて給電用ウエハ６について、その表面、裏面を夫々示した図８（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。給電用ウエハ６には既述の磁石６２が埋設されており、磁石６２は例えばリング状に形成されている。
【００４１】
給電用ウエハ６の表面側について説明する。中央部には、前記投光部６３が設けられている。投光部６３の周囲には受光部６４が設けられており、この受光部６４は、例えば給電用ウエハ６の向きによらず、センサ用ウエハ８に設けられる投光部８３の光を受光できるように、周方向に複数設けられている。この受光部６４及び投光部８３は給電用ウエハ６からセンサ用ウエハ８への非接触給電の継続及び停止を制御する役割を有する。
【００４２】
また、例えば受光部６４の径方向外側には、例えば給電用ウエハ６の周方向に沿って複数の磁気センサ６５が設けられている。当該磁気センサ６５はセンサ用ウエハ８に設けられる磁石８１に対応する。磁気センサ６５は、磁石８１の位置、つまりセンサ用ウエハ８Ａ〜８Ｃの位置を検出して、給電用ウエハ６からセンサ用ウエハ８への非接触給電（無線給電）を行うトリガーの役割を有する。また、給電用ウエハ６の表面には、給電用コイル６Ａが設けられている。図中矢印で引き出した先に示すように、給電用コイル６Ａは、導線が平面状に巻回された平面型コイルである。
【００４３】
給電用ウエハ６の裏面について説明する。当該裏面には、蓄電部を構成する多数の電気二重層キャパシタ６６が設けられており、この電気二重層キャパシタ６６に、待機モジュール４から供給される電力が蓄えられる。電気二重層キャパシタ６６は、充放電を高速で行うことができるため、センサ用ウエハ８に速やかに充電を行い、モジュールのデータの取得時間の短縮を図ることができる。また、給電用ウエハ６の裏面には例えばリング状の電極６０が設けられている。この電極６０が待機用モジュール４の給電ピン４８に接触し、給電ピン４８から送電された電力が電極６０を介して電気二重層キャパシタ６６に供給される。
【００４４】
図９は、給電用ウエハ６の概略回路図である。前記給電コイル６Ａ、前記電極６０には夫々受電回路６７、送電回路６８が接続されており、受電回路６７、送電回路６８のいずれか一方が、後述の充放電制御回路６９に接続されるようにスイッチＳＷ３が設けられている。投光部６３及び受光部６４は充放電制御回路６９に接続され、また磁気センサ６５は磁極検出回路７１を介して充放電制御回路６９に接続されている。受光部６４及び磁極検出回路７１からの出力に基づいて、充放電制御回路６９はスイッチＳＷ３の切り替えを制御する。
【００４５】
前記電気二重層キャパシタ６６は複数並列に接続されて並列部７２をなし、並列部７２が複数直列に接続されて、電源部７０を構成している。この電源部７０（第２の電源部）を充電するときに、電極６０が受電回路６７を介して当該電源部７０に接続されるように、スイッチＳＷ３が切り替わる。センサ用ウエハ８を充電するときには、給電コイル６Ａが送電回路６８を介して当該電源部７０に接続されるように、スイッチＳＷ３が切り替わる。電源部７０及び電流検出部７３は、直列に充放電制御回路６９に接続されている。充放電制御回路６９は、電流検出部７３からの出力により電源部７０が満充電になっているか否かを判定し、投光部６３からの投光を制御する。
【００４６】
また、給電用ウエハ６は、各電気二重層キャパシタ６６の充電の偏りを抑える充電バランス回路７４や昇圧回路７５を備えている。磁気センサ６５は、磁極検出回路７１を介して充放電制御回路６９に接続されている。センサ用ウエハ８の磁石８１の磁力を検出すると、磁気センサ６５がＯＮになり、検出した磁力に応じて信号を磁極検出回路７１に出力する。磁極検出回路７１は磁気センサ６５からの出力信号に応じて検出信号を装置コントローラ５４へ出力し、装置コントローラ５４が磁力の強度を検出する。
【００４７】
続いてセンサ用ウエハ８について説明する。センサ用ウエハ８Ａ〜８Ｃは搭載されているセンサの種類が違う他は各々同様に構成されており、ここでは、代表してセンサ用ウエハ８Ａについて説明する。センサ用ウエハ８Ａは、例えば加速度センサを備え、背景技術の項目で説明したように、スピンチャック２２の回転中心の位置を検出する。図１０（ａ）、（ｂ）はセンサ用ウエハ８Ａの表面（ａ）、裏面（ｂ）を夫々示している。センサ用ウエハ８Ａには、給電用ウエハ６の磁気センサ６５に対応する、例えばリング状の磁石８１が埋め込まれている。
【００４８】
センサ用ウエハ８Ａの表面について説明する。当該表面には、加速度センサ８６Ａを含む回路ユニット８６が設けられている。加速度センサ８６Ａはセンサ用ウエハ８Ａの中心に位置し、検査ウエハ８Ａがスピンチャック２２上で回転し、加速度センサ８６Ａに加速度が作用すると、センサ用ウエハ８Ａはその加速度に応じた信号を装置コントローラ５４に出力する。装置コントローラ５４は、この信号に基づいてスピンチャック２２の回転中心を演算する。
【００４９】
また、ウエハＷの表面には電気二重層キャパシタ８４が設けられている。この電気二重層キャパシタ８４は、給電用ウエハ６から供給される電力を蓄電する蓄電部を構成する。電気二重層キャパシタ８４は、電気二重層キャパシタ６６と同様に、充放電を高速で行うことができるため、速やかに給電用ウエハ６により充電され、モジュールのデータの取得時間の短縮を図ることができる。
【００５０】
続いて、センサ用ウエハ８Ａの裏面について説明する。当該裏面には、給電用ウエハ６の受光部６４と対になる投光部８３が例えば周方向に配設されている。また、センサ用ウエハ８Ａの周方向に、受電コイル８２が設けられている。受電コイル８２は図中に矢印で引き出した先に示すように平面型コイルである。既述の給電用コイル６Ａと給電用ウエハ６表面との間及び受電コイル８２とセンサ用ウエハ８Ａとの間には、例えば図示しない磁性シート及び金属シートが積層されており、後述のように無線給電を行う際に磁界、電界による不要輻射が抑制されるようになっている。
【００５１】
図１１はセンサ用ウエハ８Ａの概略回路図であり、この図も参照しながら説明する。受電コイル８２は受電回路８７を介して充放電制御回路８８に接続されており、投光部８３は充放電制御回路８８に接続されている。給電用ウエハ６と同様に電気二重層キャパシタ８４は互いに接続され、電源部９０を構成している。ただし、この電源部９０（第１の電源部）の容量は、一つのモジュールについてのデータ収集を行うために必要な電力が蓄えられるように設定されており、給電用ウエハ６の電源部７０の容量よりも小さい。また、給電用ウエハ６と同様に電源部９０には充電バランス回路９２が接続され、各電気二重層キャパシタ８４への充電の偏りを抑える。
【００５２】
このセンサ用ウエハ８Ａにおいても、給電用ウエハ６と同様に充放電制御回路８８と電源部９０との間には電流検出部９１が設けられている。電流検出部９１からの出力により、充放電制御回路８８は、電源部９０が満充電になっているか否かを判定し、投光部８３からの投光のオンオフを制御する。
【００５３】
電源部９０の後段には昇圧回路９３が設けられており、電源部９０からの入力電圧よりも高い出力電圧が昇圧回路９３を介して、後段の制御回路９５に出力される。制御回路９５には加速度センサ８６Ａを構成するセンサ回路９６及び通信回路９７が接続されている。制御回路９５はセンサ回路９６から通信回路９７への出力を制御し、センサ回路９６により取得されたデータは制御回路９５を介して通信回路９７に入力され、アンテナ９８から、装置コントローラ５４に送信する。制御回路９５、通信回路９７及びアンテナ９８は、電源部９０からの電力供給を受けてデータを送信する無線送信部を構成する。
【００５４】
センサ用ウエハ８Ｂは、例えば各層の加熱モジュールにおけるウエハの加熱温度のデータを取得するために、加速度センサ８６Ａの代わりに温度センサを備えている。この加熱温度のデータについてより具体的に説明すると、例えば加熱モジュールの加熱処理プロセス中におけるウエハの全温度変化を、プロセス時間に対応させて記録したデータである。また、センサ用ウエハ８Ｃは、加速度センサ８６Ａの代わりに例えば各モジュールの湿度及び風速を測定するための湿度センサ及び風速センサを備えており、モジュールのプロセス中の湿度状態、プロセス中に流れる気流の向き及び風速を夫々測定する。センサ及びセンサにより取得するデータの違いを除いて、各センサ用ウエハ８は互いに同様に構成されている。
【００５５】
センサ用ウエハ８に搭載するセンサ及び取得するモジュールのデータの種類についてはこの例に限られず、例えばその他にもセンサ用ウエハとしては、傾きセンサを備え、モジュールに搬送されてモジュール設置状態の傾きデータを取得するように構成してもよい。このようにセンサ用ウエハは、プロセスパラメータを調整するためのデータ及び最適なプロセスを実行するための設定値を検証するデータを取得する。ユーザは、測定の用途によって使用するセンサ用ウエハを設定し、選択することになる。
【００５６】
図１２に示すように上部フォーク３５、下部フォーク３６に夫々センサ用ウエハ８Ａ、給電用ウエハ６が保持される。基台３４が搬送領域Ｒ１を移動するときに上部フォーク３５及び下部フォーク３６は図１２に示す後退位置にあり、センサ用ウエハ８Ａ及び給電用ウエハ６が互いに重なり合う。このとき図１３に示すように給電用ウエハ６の各磁気センサ６５上にセンサ用ウエハ８Ａの磁石８１が位置し、また一次側コイルである給電コイル６Ａ上に二次側コイルである受電コイル８２が位置する。
【００５７】
このような位置関係になったときに、充放電制御回路６９が各磁気センサ６５を介して検出する磁力が閾値を超え、当該充放電制御回路６９の接続が、受電回路６７から送電回路６８に切り替わる。そして、電源部７０から給電コイル６Ａに電流が流れ、給電コイル６Ａの周囲に磁束が形成される。図１３の鎖線の矢印は、この磁束を示しており、電磁誘導によりセンサ用ウエハ８Ａの受電コイル８２に起電力が生じ、センサ用ウエハ８Ａの電源部９０に電流が流れ、当該電源部９０が充電される。
【００５８】
続いて、図１５を参照しながら、塗布、現像装置１に電源が投入されたときに、待機モジュール４で給電用ウエハ６が充電されるフローについて説明する。フロー中、点線で区画した左側、右側は、待機モジュール４の動作、給電用ウエハ６の動作を夫々示している。また、図１６は給電用ウエハ６、センサ用ウエハ８Ａ夫々の充電量の変化を示すグラフである。このグラフの横軸は時間を示し、グラフの縦軸は充電量（ｍＡｈ）を示している。縦軸の点Ｐ１、Ｐ２は、センサ用ウエハ８Ａの満充電レベル、給電用ウエハ６の満充電レベルを夫々示している。この図１７も適宜参照しながら説明する。
【００５９】
装置１に電源が投入されるときには、図５に示すように各センサ用ウエハ８及び給電用ウエハ６は待機モジュール４で待機しており、給電用ウエハ６の電極６０が受電回路６７を介して電源部７０に接続されている。また、待機モジュール４の給電ピン４８が前記電極６０に接触している。そして、装置１に電源が投入されると、待機モジュール４の各磁気センサ４５が、給電用ウエハ６の磁石６２の磁力を検出してＯＮになり（ステップＳ１１）、前記電極６０に送電され（ステップＳ１２、図１６中時刻ｔ１）、給電用ウエハ６の電源部７０が充電されて、投光部６３から投光される（ステップＳ１４）。待機モジュール４の受光部６４が投光部６３からの光を受光し、給電ピン４８への送電が継続される。
【００６０】
給電用ウエハ６の充放電制御回路６９は、電源部７０が満充電になっているか否かを判定し（ステップＳ１５）、満充電になっていないと判定した場合、投光部６３からの投光が続けられ、電源部７０への充電が継続される。電源部７０が満充電になっていると判定されると（図１６中時刻ｔ２）、投光部６３からの投光が停止し（ステップＳ１６）、それによって待機モジュール４の受光部６４の受光が停止すると（ステップＳ１７）、給電ピン４８への送電が停止され（ステップＳ１８）、給電用ウエハ６が満充電されたことを示す満充電信号が装置コントローラ５４に送信される（ステップＳ１９）。
【００６１】
続いて、充電された給電用ウエハ６とセンサ用ウエハ８Ａとを搬送しながら、各液処理モジュールの検査を行う工程について、上記の図１６のタイムチャートに加えて、図１７のフローと図１８〜図２０の搬送アームＧ２の動作図とを参照して説明する。図１７のフロー中、点線で区画した左側、右側は、給電用ウエハ６の動作、センサ用ウエハ８Ａの動作を夫々示している。センサ用ウエハ８Ａ及び給電用ウエハ６は、ウエハＷと同様の経路で各層間を搬送される。ただし、各層においては、ウエハＷの場合と異なり、すべての液処理モジュールに順次搬送され、また、棚ユニットＵ１〜Ｕ５を構成する加熱モジュールには搬送されない。
【００６２】
例えばウエハＷの処理が停止しているときに、ユーザが不図示の操作部から所定の操作を行い、センサ用ウエハ８Ａによるデータの取得を指示する。このとき例えば装置コントローラ５４が給電用ウエハ６からの満充電信号を受け取っていれば、速やかにデータの取得が開始される。満充電信号を受け取っていなければ、満充電信号を受け取ったときに、データの取得が開始される。
【００６３】
先ず、受け渡しアーム１２により給電用ウエハ６が、待機モジュール４から受け渡しモジュールＢＦ１に搬送され、搬送アームＧ２の下部フォーク３６が前進位置で当該給電用ウエハ６を受け取り（ステップＳ２１、図１８（ａ））、後退位置へ移動する（図１８（ｂ））。続いて、受け渡しアーム１２によりセンサ用ウエハ８Ａが、待機モジュール４から受け渡しモジュールＢＦ１に搬送され、搬送アームＧ２の上部フォーク３５が前進位置で当該給電用ウエハ６を受け取り（ステップＳ２２、図１８（ｃ））、後退位置へ移動する。
【００６４】
フォーク３５、３６が重なり合い、給電用ウエハ６上にセンサ用ウエハ８が位置すると（ステップＳ２３、図１８（ｄ））、給電用ウエハ６の磁石６２の磁力により、各磁気センサ６５がＯＮになり（ステップＳ２４）、給電コイル６Ａが送電回路６８を介して電源部７０に接続され、電源部７０から給電用ウエハ６の給電コイル６Ａに送電されて、コイル６Ａの周囲に磁束が発生する（ステップＳ２５、図１６中時刻ｔ３）。搬送アームＧ２の基台３４は、受け渡しモジュールＢＦ１の手前から反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の手前に向けて移動する（図１９（ａ））。
【００６５】
既述のように、電磁誘導により受電コイル８２に電流が発生し、センサ用ウエハ８Ａの電源部９０が充電され（ステップＳ２６）、センサ用ウエハ８Ａの投光部８３から投光される（ステップＳ２７）。給電用ウエハ６の受光部６４が受光し、給電コイル６Ａへの送電が継続される。
【００６６】
センサ用ウエハ８Ａの充放電制御回路８８は、電源部９０が満充電になったか否かを判定し（ステップＳ２８）、満充電になっていないと判定した場合、投光部８３からの投光が続けられ、電源部９０への充電が継続される。電源部９０が満充電になったと判定されると、充放電制御回路８８は投光部８３からの投光を停止し（ステップＳ２９）、給電用ウエハ６の受光部６４の受光が停止する（ステップＳ３０）。給電用ウエハ６の給電コイル６Ａが、受電回路６７を介して電源部７０に接続されて、給電コイル６Ａへの送電が停止する（ステップＳ３１、図１６中時刻ｔ４）。センサ用ウエハ８Ａのアンテナ８３から装置コントローラ５４に、モジュールへ搬送して検査を行うことが可能である旨を示す搬送可信号が出力される（ステップＳ３２）。
【００６７】
装置コントローラ５４は搬送可信号を受けると、搬送信号を出力し、上部フォーク３５が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１へ前進し、スピンチャック２２にセンサ用ウエハ８Ａが受け渡される（図１９（ｂ）、図１７中時刻ｔ５）。スピンチャック２２が所定の角速度で回転し、得られた検出データが、装置コントローラ５４にアンテナ８３を介して送信される（図１９（ｃ））。そして、装置コントローラ５４がデータの解析を行い、加速度センサ８６Ａに作用する加速度を検出し、さらにその加速度に基づいてスピンチャック２２の回転中心とセンサ用ウエハ８Ａとの回転中心との偏心距離を演算する。スピンチャック２２の回転停止後、上部フォーク３５によりセンサ用ウエハ８Ａの位置をずらして、再度同様の検査を行う。
【００６８】
例えば所定の回数、繰り返し検査が行われ、装置コントローラ５４は、偏心距離に基づいてスピンチャック２２の回転中心の座標を特定する。検査終了後（図１６中時刻ｔ６）、センサ用ウエハ８Ａは前進した上部フォーク３５に受け渡され、上部フォーク３５が後退してセンサ用ウエハ８Ａと給電用ウエハ６とが重なり（図１９（ｄ）、図１６中時刻ｔ７）、上記ステップＳ２４〜Ｓ３２の工程に従ってセンサ用ウエハ８Ａが充電されながら、搬送アームＧ２の基台３４が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の手前に移動する。センサ用ウエハ８Ａの充電が完了すると（図１６中時刻ｔ８）、センサ用ウエハ８Ａは反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２のスピンチャック２２に受け渡され（図１９（ｅ）、時刻ｔ９）、以降はＢＣＴ１と同様にＢＣＴ２の検査が行われる。
【００６９】
反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の検査後も、センサ用ウエハ８Ａは、一つの液処理モジュールについての検査が終わるたびに、給電用ウエハ６により充電されて、次の液処理モジュールに受け渡される。そして、センサ用ウエハ８Ａ及び給電用ウエハ６は、ＢＣＴ層Ｂ２→ＣＯＴ層Ｂ３→ＤＥＶ層Ｂ１の順に搬送され、すべての液処理モジュールについて検査を終えると、給電用ウエハ６は、搬送アームＧ１の下部アーム３６から受け渡しモジュールＢＦ７に受け渡される。
【００７０】
然る後、給電用ウエハ６は、受け渡しアーム１４により待機モジュール４に搬送され（時刻ｔ１０）、ステップＳ１１〜ステップＳ１９のフローに従って再充電される。センサ用ウエハ８Ａは、搬送アームＧ１の下部アーム３６から給電用ウエハ６と同様に、受け渡しモジュールＢＦ７を介して待機モジュール４に搬送されて、待機する。検査終了後、ウエハＷが搬送されるときには、特定された座標に基づき、ウエハＷの回転中心がスピンチャック２２の回転中心に一致するように装置コントローラ５４がウエハＷの搬送を制御する。
【００７１】
センサ用ウエハ８Ａの搬送例について説明したが、センサ用ウエハ８Ｂは、各層の液処理モジュールの代わりに各層の加熱モジュールに順次搬送され、当該加熱モジュールにおけるウエハの加熱温度のデータを取得する。センサ用ウエハ８Ｃは、例えば液処理モジュール及び加熱モジュールを含む、ウエハに処理を行うすべてのモジュールに搬送され、風速及び湿度などのデータを取得する。
【００７２】
この第１の実施形態の塗布、現像装置１によれば、下部フォーク３６に給電用ウエハ６を保持し、１つの液処理モジュールでの検査が終わるたびに給電用ウエハ６からセンサ用ウエハ８Ａに電力が供給されて、センサ用ウエハ８Ａが充電される。従って、センサ用ウエハ８Ａに搭載する電源部９０の容量が抑えられるので、センサ用ウエハ８Ａの重さや厚さの増加を抑えることができ、液処理モジュールでの検査時に、検出する加速度を実際のウエハＷの処理時の加速度に近づけることができるので、精度の高い検査データを得ることができる。また、搬送アームＧにより自動で各ウエハが搬送されるので、効率よく検査データの取得を行うことができる。
【００７３】
また、このように重さや厚さの自由度を高くすることができるので、センサ用ウエハ８Ｂによりウエハの温度変化を測定するときに、ウエハＷの温度変化と近いデータを得ることができる。また、ウエハの厚さを抑えることで、センサ用ウエハ８Ｃをモジュールに搬入したときの当該モジュールの雰囲気を、ウエハＷ搬入時の雰囲気に近づけることができるので、精度高くモジュール内の風速及び湿度を測定することができる。
【００７４】
さらに、この実施形態ではセンサ用ウエハ８の電源部９０が満充電になった後、当該センサ用ウエハ８がモジュールに搬送される。従って、モジュールにおいてデータ取得中に電源部９０の電力が少なくなることでデータの精度が低下することを防ぐことができる。
【００７５】
また、この例ではセンサ用ウエハ８及び給電用ウエハ６の電源部７０、９０をウエハから取り外して充電する必要が無く、自動で各電源部７０、９０に充電することができるので、検査の効率を向上させることができる。また、電源部７０、９０を構成する電気二重層キャパシタ８４は、充放電を高速で行うことができるため、検査時間の短縮を図ることが出来るという利点がある。電気二重層キャパシタ８４は、リチウムイオン２次電池のような化学反応型の電池に比べて、スピンチャック２２で回転中に、遠心力により液漏れするおそれが少ないので、取り扱いが容易であるという利点がある。
【００７６】
上記の例では、１つの液処理モジュールの検査を行うたびにセンサ用ウエハ８Ａに充電を行っているが、１つの液処理モジュールを検査するにあたり複数回充電を行ってもよい。例えばスピンチャック２２に対してセンサ用ウエハ８Ａの位置をずらすために、上部フォーク３５がセンサ用ウエハ８Ａを受け取ると、上部フォーク３５は一旦後退してセンサ用ウエハ８Ａに充電を行ってから再度、前記スピンチャック２２にセンサ用ウエハ８Ａを受け渡す。この場合、センサ用ウエハ８Ａをさらに軽量化できるという利点がある。
【００７７】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について第１の実施形態との差異点を中心に説明する。第２の実施形態ではセンサ用ウエハ８は、例えば下部フォーク３６により搬送される。そして、下部フォーク３６に支持されたセンサ用ウエハ８と基台３４とが近接し、搬送アームの基台３４から電磁誘導によりセンサ用ウエハ８が充電される。この第２の実施形態の塗布、現像装置１の概略構成は、図２０に示されており、この概略構成は、給電ピン４８の代わりに給電コイル４７が送電回路に接続されていることを除けば、第１の実施形態の塗布、現像装置１の概略構成と同様である。給電コイル４７は第１の実施形態の給電コイル６Ａと同様に構成されている。
【００７８】
図２１は搬送アームＧ２の基台３４を示している。第１の実施形態では待機モジュール４に設けられていた受光部４４、磁気センサ４５、給電コイル４７が当該基台３４に設けられている。図２２に示すように下部フォーク３６が後退位置にあるときに、受光部４４は、センサ用ウエハ８の投光部８３からの光を受光する。また、下部フォーク３６が後退位置にあるときに、給電コイル４７上にセンサ用ウエハ８の受電コイル８２が位置し、給電コイル４７と受電コイル８２との間の電磁誘導により、センサ用ウエハ８Ａを充電できるようになっている。また、下部フォーク３６が後退位置にあるときに、各磁気センサ４５は、センサ用ウエハ８の磁石８１の磁力を検出できるようになっている。この場合、給電コイル４７が受電コイルに電力を供給する第２の電源部の役割を有する。
【００７９】
第２の実施形態では、モジュールから下部フォーク３６が前進位置でセンサ用ウエハ８を受け取り、後退位置に移動すると、基台３４の各磁気センサ４５がＯＮになり、既述のステップＳ２５〜ステップＳ３２と同様のフローに従って、センサ用ウエハ８が充電される。この第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。ただし、第１の実施形態では、搬送アームＧに磁気センサやセンサ用ウエハ８に給電するためのコイルなどの給電部を設ける必要が無いので、搬送アームＧの大型化やメンテナンスの複雑化を防ぐことができるため、より好ましい。
【００８０】
（第３の実施形態）
図２３は他の給電用ウエハ６の概略回路構成を示している。この例では、センサ用ウエハ８への給電の継続及び停止のタイミングを無線により制御するため、受光部６４及び投光部６３が設けられていない。代わりに、電源部７０の後段には制御回路１０１を介して通信回路１０２が設けられており、通信回路１０２にはアンテナ１０３が接続されている。また、図示は省略しているが、センサ用ウエハ８において、受光部６４と対になる投光部８３が設けられていない。
【００８１】
また、搬送アームＧの上部フォーク３５及び下部フォーク３６は、基台３４上の位置に応じた位置信号を装置コントローラ５４に出力する。この実施形態では、センサ用ウエハ８の充電を開始するタイミングを制御するために、センサ用ウエハ８の磁力の検出によらず、各フォーク３５，３６からの前記位置信号に基づいて行われる。
【００８２】
給電用ウエハ６からセンサ用ウエハ８への充電について、第１の実施形態との差異点を説明する。センサ用ウエハ８Ａを受け取った上部フォーク３５が後退位置に移動すると、装置コントローラ５４が上部フォーク３５から出力される位置信号を受信する。塗布、現像装置１のアンテナ５５を介して充電開始を指示する信号が、給電用ウエハ６のアンテナ１０３に無線送信され、給電用ウエハ６からセンサ用ウエハ８への充電が開始される。満充電になると、センサ用ウエハ８はアンテナ９８を介して、前記アンテナ１０３に充電停止信号を無線送信し、給電用ウエハ６からの充電が停止する。
【００８３】
待機モジュール４から給電用ウエハ６へ充電を行う場合にも、給電用ウエハ６からセンサ用ウエハ８へ充電を行う場合と同様に、無線通信を利用して、充電の継続及び停止を制御することができる。例えば受け渡しアーム１２が、その位置に応じて異なる位置信号を出力し、給電用ウエハ６を待機モジュール４に搬入したときに当該待機モジュール４から給電用ウエハ６への充電が開始されるようにしてもよい。この第３の実施形態によれば、磁石、磁気センサ、受光部及び投光部が不要になるため、待機モジュール、給電用ウエハ及びセンサ用ウエハの構造が簡素化されるので好ましい。ただし、第１の実施形態のように磁石及び磁気センサを設けることで、搬送アームＧ及び受け渡しアーム１２がウエハＷを落とした場合に、電力を一次側のコイルや給電ピン４８に無駄に供給することを防ぐことができる利点がある。なお、第２の実施形態においても、この第３の実施形態と同様に受け渡しアームの位置に基づいて充電の開始を制御してもよい。
【００８４】
上記の各実施形態においては、光センサを用いてセンサ用ウエハ８への充電停止のタイミングを制御しているが、このタイミングを制御するためには光センサを用いることに限られない。例えば、給電用ウエハ６に、センサ用ウエハ８へ電力を供給する際の負荷を検出する負荷検出回路と、この負荷検出回路により検出された負荷に基づいてセンサ用ウエハ８の電源部９０が満充電であるか否かを判定する判定回路と、を設けて、判定回路の判定結果に基づいてセンサ用ウエハ８の給電の継続及び停止が切り替えられるようにしてもよい。また、充電の開始後、所定の時間が経過したら自動的に充電を停止するようにタイマーを給電用ウエハ６に設けて、センサ用ウエハ８への充電時間を制御してもよい。
【００８５】
また、上記の各実施形態で、電源部７０、９０を構成する充電可能な蓄電部としては電気二重層キャパシタの代わりにリチウムイオン２次電池などの２次電池を用いてもよい。ただし、前記２次電池が電気エネルギーを化学反応により化学エネルギーに変換して蓄えるのに対し、電気二重層キャパシタは電気を電荷として蓄えるので、電気エネルギーの貯蓄、放電が高速である。従って、各蓄電部としては、データの取得効率を高めるために電気二重層キャパシタを用いて構成することが好ましい。電気二重層キャパシタ以外にも、ナノハイブリッドキャパシタやリチウムイオンキャパシタなどは、同様に電気を電荷のまま蓄えるので、蓄電部として好ましく用いることができる。また、上記の例では送電側から受電側へ電磁誘導により無線給電を行っているが、その他にも磁界共鳴や電界共鳴を利用したり、電磁波送電を利用して無線給電を行ってもよい。
【００８６】
なお、上記の受電コイル８２及び給電用コイル６Ａは、平面型コイルとする代わりにウエハの厚さ方向に軸線が延びる円筒コイルとして構成してもよい。ただし、平面型コイルとすることで、給電用ウエハ６Ａ及びセンサ用ウエハ８の厚さを抑えることができるし、また搬送の際に空気抵抗が少ないので、位置ずれを抑えることができるため有利である。
【００８７】
また、上記の各実施形態において、待機モジュール４から給電用ウエハ６に非接触給電を行ってもよい。図２４は、そのような非接触給電を行うことができるように構成した給電用ウエハ６の概略構成図である。第１の実施形態の給電用ウエハ６との差異点として、受電回路６７及び送電回路６８と給電コイル６Ａとの間にスイッチＳＷ１、ＳＷ２が設けられていることが挙げられる。
【００８８】
電源部７０を充電するときに、給電コイル６Ａが受電回路６７を介して充放電制御回路６９に接続され、給電コイル６Ａは送電回路６８に接続されないように、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３が切り替えられる。また、センサ用ウエハ８を充電するときには、給電コイル６Ａが送電回路６８を介して充放電制御回路６９に接続され、給電コイル６Ａは受電回路６７に接続されないように、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３が切り替えられる。各スイッチＳＷの切り替えは、充放電制御回路６９により行われる。例えば、待機モジュール４に、第２の実施形態の給電コイル４７が設けられ、給電コイル４７から給電コイル６Ａに非接触給電が行われる。つまり、この例では給電コイル６Ａが、給電用ウエハ６が充電されるときには二次側コイル、センサ用ウエハ８を充電するときには一次側コイルとして機能する。
【符号の説明】
【００８９】
１  塗布、現像装置
４  待機モジュール
６  給電用ウエハ
８Ａ  センサ用ウエハ
Ｇ  搬送アーム
２２  スピンチャック
３５  上部フォーク
３６  下部フォーク
４４  受光部
４５  磁気センサ
４６  給電部
４７  給電コイル
５４  装置コントローラ
６Ａ  給電コイル
６３  投光部
６４  受光部
６５  磁気センサ
７０  電源部
８２  受電コイル
８３  投光部
９０  電源部
【図１】
0005445335.tif 000002
【図２】
0005445335.tif 000003
【図３】
0005445335.tif 000004
【図４】
0005445335.tif 000005
【図５】
0005445335.tif 000006
【図６】
0005445335.tif 000007
【図７】
0005445335.tif 000008
【図８】
0005445335.tif 000009
【図９】
0005445335.tif 000010
【図１０】
0005445335.tif 000011
【図１１】
0005445335.tif 000012
【図１２】
0005445335.tif 000013
【図１３】
0005445335.tif 000014
【図１４】
0005445335.tif 000015
【図１５】
0005445335.tif 000016
【図１６】
0005445335.tif 000017
【図１７】
0005445335.tif 000018
【図１８】
0005445335.tif 000019
【図１９】
0005445335.tif 000020
【図２０】
0005445335.tif 000021
【図２１】
0005445335.tif 000022
【図２２】
0005445335.tif 000023
【図２３】
0005445335.tif 000024
【図２４】
0005445335.tif 000025