(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出対象物を含む集合体を用意するステップと、
第１の温度において、前記検出対象物の結合部位に磁性をもつ磁性粒子を付着させるステップと、
上部層と、この上部層に平行なフリー層とを有するように構成され、前記フリー層の電気抵抗の変化に基づいて外部磁界の存在を知らせる検出信号を出力する検出器を用意するステップと、
前記第１の温度よりも低い第２の温度において、前記検出器の前記フリー層をバイアス磁界の方向に磁化させるステップと、
ある値をもった静磁界を前記検出器の前記上部層の表面に対して相対的に所定の方向に印加するステップと、
前記検出器の前記上部層の表面に対して平行な方向に、ある周波数と第１の振幅とをもった交番磁界を印加するステップと、
強磁性共振（Ferromagnetic Resonance;ＦＭＲ）が起きるまで前記周波数と前記静磁界の値とを変化させて、前記磁性粒子から前記ＦＭＲの周波数かつ第２の振幅で回転する磁界を放出させることにより、前記検出信号のピークレベルが前記第１の温度下で得られるであろうピークレベルを越えるようにし、前記磁性粒子の検出を容易化するステップと
を含むことを特徴とする磁性粒子検出方法。
【請求項２】
前記第１の温度が室温であり、前記第２の温度が室温よりも低い温度である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項３】
前記磁性粒子が、強磁性、フェリ磁性体、常磁性体および超常磁性体のうちのいずれかの性質を有するものである
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項４】
前記磁性粒子は、より小さいサイズの超常磁性粒子を非磁性媒体中に分散させてなるものであって、０．１μｍを越える直径を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項５】
前記磁性粒子は、物理的、生物学的および化学的な処理中において、外部磁界が存在しない状態の下では零または極めて微小な自発磁化モーメントを有する一方、外部磁界の存在下では磁気モーメントを獲得し得るものである
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項６】
前記検出器および前記磁性粒子を、共通の低温環境下で冷却する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項７】
対数正規分布の標準偏差が２未満となるように常磁性粒子間のサイズのばらつきを低減することにより、室温下での検出性能に比べて低温下での検出性能を改善する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項８】
結晶異方性が小さいこと、磁化感度の温度依存性が大きいこと、および前記磁性粒子の内部における超常磁性粒子の表面粗さが小さいこと、という前記磁性粒子の３つの性質のうち、いずれか１つ以上の磁気特性により、室温下での検出性能に比べて低温下での検出性能を改善する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項９】
前記検知器として、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）を測定するデバイスを用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【請求項１０】
前記静磁界の方向を、前記検出器の前記上部層の表面と直交または平行にする
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性粒子検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は微小構造体に付着された磁性粒子（または磁性ビーズ）を検出する磁性粒子検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学・生物学的分子を数個単位さらには１個単位の分解能精度で計数することを実現する方法として、ラベル部品（以下、単に磁気ラベルともいう。）としての超常磁性ビーズ(super-paramagnetic beads)と、そのような磁気ラベルを検出するための磁気抵抗効果センサとを用いた方法が有望視されている。この方法は、ウィルスやバクテリアを検出する場合のような生物学的用途において、素早く、有効かつ低コストで対象物を検出することを可能にするものである。
【０００３】
ターゲット分子を検出するための結合検定法または結合分析法(binding assays)は、生物学的、生物化学的および医学的分野において広く用いられている手法である。通常用いられている選択的結合法には、抗体・抗原結合法(antibody to antigen bindings)をはじめとして、多核酸結合法(polynucleic acid bindings) や、ＲＮＡおよびＤＮＡを含むハイブリダイゼーション法(hybridizations)など、多くのタイプのリガンド−リセプタ結合法(ligand-to-receptor bindings) が含まれる。これらの結合法におけるターゲット分子（例えばタンパク質やＤＮＡ）は、独特の成分であったり、あるいはウィルスやバクテリアの生産物であったりするが、これらは、実際の検出対象として関心が高いものである。
【０００４】
結合検定法(binding assays)では、結合用分子(binding molecules) を検定器（assay)の固体基板にキャプチャ分子として付着させる。この検定器を、物理的なラベルが取り付けられたターゲット分子を含有する液状サンプルに曝すと、結合用分子は、ターゲット分子を選択的結合により捕捉し、その表面に固定する。この捕捉プロセスは、「レコグニション（認識；recognition)」と呼ばれる。このレコグニションという事象を行うことにより、付着されたラベルから検出信号が得られ、その結果、ターゲット分子の存否を検出することができる。
【０００５】
ラベル付け結合プロセスを利用する種々の従来技術においては、元々ターゲット分子に付着されていたラベルもまた、レコグニションプロセスを行うことによって基板表面に固定される。そのようなラベルは、ターゲット分子と共に基板表面に結合されるか（サンドウィッチ検定；sandwich assay）、あるいは、それらのラベル自身だけで基板表面に結合される（拮抗的検定；competitive assay）。非結合状態のラベルを除去したのち、結合済みのラベルから、測定可能な信号が得られる。
【０００６】
磁気ラベル部品としての磁性粒子( またはビーズ) と信号生成器としてのＭＲセンサとを用いる場合には、ＭＲ素子を結合表面の下に埋め込み、保護層で覆うようにする。磁性粒子は、ＭＲセンサの上方の表面に結合すると、そこで自発的に磁界を発生するか、あるいは、超常磁性粒子の場合には印加磁界の存在下において磁界を発生する。こうして発生した磁界は、ＭＲセンサによって検出され、センス電流による駆動によって電圧信号に変換される。
【０００７】
先行する研究論文（非特許文献１〜１０）や先行特許（特許文献１〜３）において報告されている磁気ラベルは、通常、超常磁性粒子またはナノ粒子であり、これらの粒子は、その超常磁性的作用により、室温下では外部磁界を印加しない限り磁化を有しない。そのような磁気ラベルは、生物学的用途では好ましいものである。外部磁界がゼロの下では凝集しないからである。上記の従来技術で用いられる粒子は、通常、数十ナノメートルから数ミクロンの範囲内で機能する。磁気ラベルがレコグニションプロセスによって基板表面に取り付く際には、複数の磁気ラベルが一つのＭＲ素子に付着する場合や、あるいは各ＭＲ素子ごとに１つの磁気ラベルが付着する場合がある。しかしながら、検出原理は、一般に、すべての先行デザインのものと同じである。磁気ラベルがＭＲセンサの上面に付着すると、磁性粒子の磁気モーメントによって生成された磁界は、そのすぐ下のＭＲセンサに直接作用するか、あるいは、ＭＲセンサに作用している印加磁界の一部を相殺するかのいずれかである。磁気ラベルが付着していないＭＲセンサについては、磁気ラベルからの磁界は存在しない。
【０００８】
先行技術や先行特許として、いくつかの検出メカニズムが開示されている。一般的に用いられている方法のひとつとして、センサの膜面（フリー層）に対して磁界を横方向に印加する方法がある（非特許文献４〜１０、特許文献２，３を参照）。また、非特許文献１〜３および特許文献１に開示されたように、膜面に垂直な方向に直流磁界を印加する手法もある。
【０００９】
これらの先行技術や先行特許における粒子−ＭＲセンサ検出法には、ＭＲセンサによって磁気ラベルの磁気モーメントから検出される信号が比較的小さい（多くの場合、ＭＲセンサの全測定レンジの１０％以下）という問題点があった。この信号振幅が小さいという点は、適切な結合分析法において多数のＭＲセンサによって高速に検出を行う必要がある場合に特に問題になる。より高速の検出を行うには、より広い検出帯域が必要となるが、検出帯域が広くなると、今度は付加ノイズが生じる。この付加ノイズは、帯域と共にノイズパワーが増加するものである。したがって、信号振幅が小さいということは、ひとつの限界要因となる。なお、２００６年９月２８日出願の米国出願（出願番号第１１，５２８，８７８号）に開示したＦＭＲ検出の手法は、本願とは異なる方法によって上記の問題点を解決することを可能にするものである。一般に、磁気ラベルからの磁気モーメントをより高速に検出できるということは、従来の検出法においても将来の検出法においても、ＳＮ比の観点から、常に有利な点と言える。
【００１０】
先行技術を調査したところ、上記の文献に加えてさらに、非特許文献１１〜１５、および特許文献４，５が見つかった。Coehoornらによる特許文献４は、温度等の外的影響から独立させた状態で、２つのセンサエレメント間の測定値の差分を用いて磁性粒子を検出する方法を開示している。また、Coehoornらによる他の特許文献５は、極低温（−７３．３°Ｃ以下）で作動する高価なＳＱＵＩＤフラックス検出器について言及している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】D. R. Baselt et al., "A biosensor based on magnetoresistance technology," Biosens. Bioelectron., vol. 13, pp. 731739, Oct. 1998.
【非特許文献２】R. L. Edelstein et al., "The BARC biosensor applied to the detection of biological warfare agents," Biosens. Bioelectron., vol. 14, pp. 805813, Jan. 2000.
【非特許文献３】M. M. Miller et al., "A DNA array sensor utilizing magnetic microbeads and magnetoelectronic detection," J. Magn. Magn. Mater., vol. 225, pp. 138144, Apr. 2001.
【非特許文献４】D. L. Graham, H. Ferreira, J. Bernardo, P. P. Freitas, and J. M. S. Cabral, "Single magnetic microsphere placement and detection on-chip usi ng current line designs with integrated spin valve sensors: Biotechnological applications," J. Appl. Phys., vol. 91, pp. 77867788, May 2002.
【非特許文献５】H. Ferreira, D. L. Graham, P. P. Freitas, and J. M. S. Cabral, "Biodetection using magnetically labeled biomolecules and arrays," J. Appl. P hys., vol. 93, pp. 7281, May 2003.
【非特許文献６】G. Li et al., "Detection of single micron-sized magnetic bead and magnetic nanoparticles using spin valve sensors for biological application s," J. Appl. Phys., vol. 93, pp. 75577559, May 2003.
【非特許文献７】G. Li, S. X. Wang and S. Sun, "Model and experiment of detecting multiple magnetic nanoparticles as biomolecular labels by spin valve sesnor s," IEEE Trans. Magn., vol.40, pp. 3000, 2004
【非特許文献８】S. X. Wang et al., "Towards a magnetic microarray for sensitive diagnostics," J. Magn. Magn. Mater., vol. 293, pp. 731736, 2005.
【非特許文献９】W. Shen, X. Liu, D. Mazumdar and G. Xiao, "In situ detection of single micron-sized magnetic beads using magnetic," Appl. Phys. Lett., vol. 86, pp. 253901, 2005.
【非特許文献１０】H. Ferreira, N. Feliciano, D. L. Graham and P. P. Freitas, "Effect of spin-valve sensor magnetostatic fields on nanobead detection," J. Ap pl. Phys., vol. 97, pp. 10Q904, 2005.
【非特許文献１１】G. F. Goya, T. S. Berquo, F. C. Fonseca and M. P. Morales, "Static and dynamic magnetic properties of spherical magnetite nanoparticles," J. Appl. Phys., vol. 94, pp. 3520, 2003.
【非特許文献１２】C. de Julian Fernandez, "Influence of the temperature dependence of anisotropy on the magnetic behavior of nanoparticles," Phys. Rev. B, vol. 72, pp. 054438-1, 2005.
【非特許文献１３】S. Arajs, N. Amin and E. Anderson, "Magnetic coercivity of Fe3O4 particle systems," J. Appl. Phys., vol. 69, pp. 5122, 1991.
【非特許文献１４】K. O'Grady and A. Bradbury, "Particle size analysis in ferrofluids," J. Magn. Magn. Mater., vol. 39, pp. 91, 1983.
【非特許文献１５】S. Chikazumi, "Physics of Ferromagnetism,", 2 nd Edition,1997, Oxford University Press, p.p. 113.
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許第５，９８１，２９７号
【特許文献２】米国特許第６，７４３，６３９Ｂ１号
【特許文献３】米国特許第６，８７５，６２１Ｂ２号
【特許文献４】米国特許第７，０４８，８９０号
【特許文献５】米国特許公開第２００６／０１２８０３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記の非特許文献および特許文献に記載されたいずれの手法においても、ＭＲセンサによって磁気ラベルの磁気モーメントから検出される信号振幅は必ずしも十分ではなく、これを解決する有効な提案はなされていない。
【００１４】
本発明は係る課題に鑑みてなされたもので、その主目的は、磁性粒子から検出可能な磁気モーメントを増大させ得る磁性粒子検出方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の第２の目的は、生物学的過程や化学的過程での磁性粒子の凝集を抑制すると同時に、検出信号の最大化を可能にする磁性粒子検出方法を提供することにある。
【００１６】
本発明の第３の目的は、現行のプロセスにできるだけ手を加えずに上記の各目的を達成可能な磁性粒子検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的は、ＭＲセンサを用いて磁性ビーズ、磁性粒子および磁性ナノ粒子の検出を行う際に、その環境温度を低くして検出感度を向上させるという手法によって達成される。これらの粒子は、分子、ウィルス、バクテリア、細胞および化合物等の生物・化学的エレメントを検出するための生物・化学的用途において、磁気ラベルとして用いられる。この方法によれば、印加磁界によって磁性粒子に生ずる磁気モーメント（これは、ＭＲセンサにより検出可能な物理量である）を増大させることができる。
【００１８】
磁性ビーズまたはこれを構成する磁性粒子は、概して、超常磁性体により構成するのが好ましい。印加磁界が存在しない状態での粒子間の磁気的引力をなくすことができ、これにより、粒子の凝集が効果的に抑制されるからである。また、基本的な磁性粒子のサイズはおよそ３０ｎｍ以下にすべきであること、粒子サイズの中央値からの最大偏差はその中央値と関係があること（中央値が大きいほど最大偏差が小さく、その逆もまた同様）、および、粒子サイズの偏差には普遍的な制限がないこと等がわかった。
【００１９】
より具体的には、以下の各手段により、上記の各目的が達成可能である。
【００２０】
本発明の磁性粒子検出方法は、検出対象物を含む集合体を用意するステップと、第１の温度において、検出対象物の結合部位に磁性をもつ磁性粒子を付着させるステップと、上部層と、この上部層に平行なフリー層とを有するように構成され、フリー層の電気抵抗の変化に基づいて外部磁界の存在を知らせる検出信号を出力する検出器を用意するステップと、第１の温度よりも低い第２の温度において、検出器のフリー層をバイアス磁界の方向に磁化させるステップと、ある値をもった静磁界を検出器の上部層の表面に対して相対的に所定の方向に印加するステップと、検出器の上部層の表面に対して平行な方向に、ある周波数と第１の振幅とをもった交番磁界を印加するステップと、強磁性共振（Ferromagnetic Resonance;ＦＭＲ）が起きるまで周波数と静磁界の値とを変化させて、磁性粒子からＦＭＲの周波数かつ第２の振幅で回転する磁界を放出させることにより、検出信号のピークレベルが第１の温度下で得られるであろうピークレベルを越えるようにし、磁性粒子の検出を容易化するステップとを含むものである。ここで、静磁界の方向は、検出器の上部層の表面と直交または平行にすることが好ましい。
【００２１】
本発明の磁性粒子検出方法では、第１の温度を室温とし、第２の温度を、室温よりも低い温度とすることが好ましい。第２の温度は、例えば３０°Ｋ〜２２２°Ｋという範囲内の任意の温度、あるいは７８°Ｋ（液体窒素の温度）〜２７０°Ｋ（氷点）という範囲内の任意の温度に設定可能である。後述する実施の形態では、第２の温度として２５０°Ｋおよび１９３°Ｋを採用した場合について説明しているが、これらの温度に限定されるものではなく、室温よりも低い任意の温度とすることが可能である。
【００２２】
磁性粒子としては、強磁性、フェリ磁性体、常磁性体および超常磁性体のうちのいずれかの性質を有するものを用いるとよい。また、磁性粒子としては、より小さいサイズの超常磁性粒子を非磁性媒体中に分散させて構成した、０．１μｍを越える直径を有する粒子を用いるようにしてもよい。磁性粒子としては、物理的、生物学的および化学的な処理中において、外部磁界が存在しない状態の下では零または極めて微小な自発磁化モーメントを有する一方、外部磁界の存在下では磁気モーメントを獲得し得るものを用いるのが好ましい。検出器および磁性粒子は、共通の低温環境下で冷却するようにしてもよい。
【００２３】
本発明の磁性粒子検出方法では、微小粒子として超常磁性粒子を用いると共に、ばらつきの対数正規分布幅が２未満となるように超常磁性粒子間のサイズのばらつきを低減することが好ましく、これにより、室温下での検出性能に比べて低温下での検出性能を改善することができる。
【００２４】
本発明の磁性粒子検出方法では、結晶異方性が小さいこと、磁化感度の温度依存性が大きいこと、および微小粒子の内部における超常磁性粒子の表面粗さが小さいこと、という微小粒子の３つの性質のうち、いずれか１つ以上の磁気特性により、室温下での検出性能に比べて低温下での検出性能が向上することが好ましい。
【００２５】
本発明の磁性粒子検出方法では、検知器として、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）またはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）を測定するデバイスを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の磁性粒子検出方法によれば、第１の温度において、検出対象物の結合部位に磁性粒子を付着させると共に、第１の温度よりも低い第２の温度において、磁性粒子を磁化させることにより検出器からの検出信号に検出可能な変化を起こさせ、磁性粒子および検出対象物の存在を検出するようにしたので、磁性粒子からの磁気モーメントが増加し、ＭＲセンサによる検出感度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の磁性粒子検出方法において用いられる磁界検出機構であって、磁性粒子から発せられる磁界の存在を検出する機構を示す模式図である。
【図２】室温において超常磁性を示す粒子が存在する割合（緩和率）を３通り設定し、各緩和率について、粒子サイズ分布の最大偏差（分布幅）と粒子直径の中央値との関係を表した図である。
【図３Ａ】３通りの異なる測定温度を設定し、各測定温度について、粒子直径の中央値の関数としての（正規化された）磁気信号強度を表した図である。但し、室温下において磁気モーメントの９９％が超常磁性粒子によるものであり（緩和率９９％）、磁気ラベルの磁化のために６００［Ｏｅ］という強さの外部磁界を印加した場合のデータである。
【図３Ｂ】測定温度と超常磁性割合（緩和率）との間の６通りの組み合わせを設定し、各組み合わせごとに、室温下での粒子の磁気モーメントに対する各測定温度での粒子の磁気モーメントの比（ゲイン）が粒子直径の中央値の関数として変化する様子を表した図である。但し、印加した外部磁界は６００［Ｏｅ］である。
【図４Ａ】粒子サイズの分布幅の関数としての（正規化された）磁気信号強度を表した図である。但し、粒子サイズの中央値が５ｎｍであり、印加磁界が６００［Ｏｅ］である場合のデータである。
【図４Ｂ】２つの異なる測定温度下で検出される磁気信号の、室温下での磁気信号に対する相対強度比を、粒子サイズの分布幅の関数として表した図である。
【図５Ａ】３通りの異なる測定温度を設定し、各測定温度について、粒子直径の中央値の関数としての（正規化された）磁気信号強度を表した図である。但し、室温下において磁気モーメントの９９％が超常磁性粒子によるものであり（緩和率９９％）、印加した外部磁界が２００［Ｏｅ］である場合のデータである。
【図５Ｂ】測定温度と超常磁性割合（緩和率）との間の６通りの組み合わせを設定し、各組み合わせごとに、室温下での粒子の磁気モーメントに対する各測定温度での粒子の磁気モーメントの比（ゲイン）が粒子直径の中央値の関数として変化する様子を表した図である。但し、印加した外部磁界は２００［Ｏｅ］である。
【図５Ｃ】測定温度による信号ゲイン（室温下での粒子の磁気モーメントに対する各測定温度での粒子の磁気モーメントの比）が、超常磁性粒子の磁化のための印加磁界の強度によって影響される様子を表した図である。但し、測定温度が２５０°Ｋ、超常磁性割合（緩和率）が９９％のときのデータである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という。）について
、図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
本実施の形態は、ＭＲセンサを用いて磁性ビーズ、磁性粒子および磁性ナノ粒子の検出を行う際に、その環境温度を低くして検出性能を向上させるようにした方法に関するものである。これらの粒子は、分子、ウィルス、バクテリア、細胞および化合物等の生物・化学的エレメントを検出するための生物・化学的用途において、磁気ラベルとして用いられる。この方法によれば、印加磁界によって磁性ビーズ、磁性粒子および磁性ナノ粒子に発生する磁気モーメント（ＭＲセンサにより検出可能な物理量）を増大させることができる。
【００３０】
図１は、本発明の実施の形態の磁性粒子検出方法の仕組みを模式的に表した図である。（粒子やナノ粒子をも含む）磁性ビーズ１は、レコグニションプロセスによって、結合対５によってＭＲセンサ６の表面に付着する。磁性ビーズ１としては、物理的、生物学的および化学的な処理中において、外部磁界ゼロの下でゼロまたは極微小な自発磁化モーメントを有する一方、外部磁界の存在下では磁気モーメントを獲得し得るものを用いるのが好ましい。具体的には、強磁性、フェリ磁性体、常磁性体および超常磁性体のうちのいずれかを用いるとよいが、後述するように、凝集回避の観点から、超常磁性体を用いるのがより好ましい。なお、磁性ビーズ１は、より小さいサイズの超常磁性粒子を非磁性媒体中に分散させて構成したものであってもよく、例えば０．１μｍを越える直径を有する粒子として構成可能である。超常磁性粒子を用いる場合には、後述するように、粒子サイズのばらつきの対数正規分布幅が２未満となるように超常磁性粒子間のサイズのばらつきを低減することが好ましく、これにより、室温下での検出性能に比べて低温下での検出性能を改善することができる。
【００３１】
ここで用いている（あるいは言及している）ＭＲセンサ６は、通常、ＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサであり、磁気フリー層２と、非磁性スペーサ層３と、磁気リファレンス層（ピンド層）４とを含んでいる。非磁性スペーサ層３は、ＧＭＲセンサの場合は導電層であり、ＴＭＲセンサの場合は絶縁層である。磁気リファレンス層４の磁化Ｍref は、その層の下側にある他の磁性層（図示せず）からの交換磁界によってＸ軸方向に固定されている。
【００３２】
磁気リファレンス層４の磁化方向は、通常の磁界の下では変化しない。通常のＭＲセンサにおいては、センサの両隣の一対のハード磁石（図示せず）によって、Ｙ軸方向にバイアス直流磁界Ｈb を印加するようにしていることから、外部磁界が印加されていないときには、磁気フリー層２の磁化Ｍf がＹ軸方向を向くようになる。但し、このフリー層の磁化Ｍf をＹ軸方向に揃えることは、センサの寸法をＸ軸方向よりもＹ軸方向に長くして形状異方性を発現させることによっても実現可能である。Ｘ軸方向に沿って横磁界が印加された場合、フリー層２の磁化Ｍf は、薄膜の形状異方性に起因して、ＸＹ平面内で自由に回転することができるだけであり、ＸＹ平面から外れてＺ軸方向に向かって回転することはない。
【００３３】
磁気フリー層２の磁化Ｍf は、Ｘ軸方向に印加された磁界により、Ｙ軸方向から離れるように回転し、ＭＲ接合の全抵抗値Ｒは、「Ｒ＝Ｒ0 −ΔＲｃｏｓ( θ) ／２」という式に従って変化する。ここで、Ｒ0 はＭＲセンサの基本抵抗値を示し、ΔＲはＭＲセンサの抵抗変化の全範囲を示す。θは磁気リファレンス層４の磁化方向と磁気フリー層２の磁化方向とのなす角度である。直流電流をＭＲ素子のＸＹ平面内に流すか、またはこれと垂直に流すと、その抵抗値の変化によってＭＲ素子の両端電圧が変化し、測定可能な電圧信号が得られる。
【００３４】
検出メカニズムの一例として、磁界を横方向に（すなわち、図１のＸ軸方向に沿って）印加する方法がある（非特許文献４〜１０、特許文献２，３を参照）。ここでも、超常磁性粒子が用いられる。超常磁性粒子がＭＲセンサの最表面に結合すると、この磁性粒子は印加磁界の方向に磁化される。すると今度は、この磁性粒子の磁気モーメントが、その下にあるＭＲセンサに対する磁界を生じさせ、ＭＲセンサに対して元々作用していた印加磁界を部分的にキャンセルする。このため、同じ印加磁界の下であっても、粒子が存在するときのＭＲセンサの両端電圧は、磁性粒子が存在しないときのそれとは異なるものとなる。そして、この電圧振幅の差によって、磁性粒子の存在が検出される。通常は、この電圧差を得るための比較対象として、磁性粒子が常に取り付いていない基準ＭＲセンサが用いられる。検出中に用いる印加磁界として、各ＭＲセンサの両端に同じ周波数の電圧を生じさせる変調交番磁界(modulated AC field)を用いることもできる。この場合、ロックイン手法(lock-in technique) を用いれば、ＳＮ比を向上させることができる。
【００３５】
別の検出メカニズムとして、膜面に垂直な（すなわち、図１のＺ軸方向に沿った）直流磁界を印加するものがある（非特許文献１〜３および特許文献１を参照）。この場合、直流磁界は、超常磁性粒子の磁気モーメントを垂直方向に向けるように作用する。超常磁性粒子の垂直方向の磁気モーメントによって生ずる面内方向成分は、上側ＸＹ面および下側ＸＹ面内におけるフリー層の磁化方向を、同時に、Ｙ軸に近づく方向あるいは遠ざかる方向に回転させる。仮に磁気リファレンス層の磁化方向がＹ軸に沿っており、あるいは多層ＭＲ構造が用いられている場合には、上記したフリー層の磁化回転により、抵抗変化が生ずる。このやり方は、シザリングモード(scissoring mode) とも呼ばれる（特許文献１）。このやり方もまた、検出の際の基準ＭＲセンサを必要とする。
【００３６】
本実施の形態の磁性粒子検出方法では、以上のような検出機構を用い、以下のステップにより、検出対象物（ターゲット）を検出する。まず、ターゲットである微小構造体の集合体を用意し、第１の温度（例えば室温）において、ターゲットの結合部位に磁性ビーズ１を付着させる。次に、外部磁界の存在を知らせる検出信号を出力する検出器としてのＭＲセンサ６を用意する。次に、第１の温度よりも低い第２の温度において、磁性ビーズ１を磁化させることによりＭＲセンサ６からの検出信号に検出可能な変化を起こさせ、これにより、磁性ビーズ１（ひいてはターゲット）の存在を検出する。ＭＲセンサ６および磁性ビーズ１は、共通の低温環境下（第２の温度）で冷却するようにしてもよい。第２の温度は、第１の温度（室温）より低い任意の温度に設定するが、具体的には、例えば３０°Ｋ〜２２２°Ｋまたは７８°Ｋ〜２７０°Ｋという範囲内の任意の温度に設定可能である。但し、現実的には、液体窒素温度である７８°Ｋや、氷点である２７０°Ｋ等は設定が容易なので便利である。なお、後述する説明では、１９３°Ｋおよび２５０°Ｋという２つの場合を例示して説明しているが、これらの温度には限定されない。
【００３７】
［超常磁性緩和状態］
超常磁性ラベルは、非磁性マトリクス中に磁性ナノ粒子を分散させることにより作製可能であり（例えば、インヴィトロジェン社（ＵＲＬアドレス＝www.invitrogen.com）から入手可能なＤｙｎａｂｅａｄｓ（商品名））、あるいは、磁性ナノ粒子自体を単位ラベルとして用いることもできる（非特許文献８）。これらのラベルにおいて用いられる磁性ナノ粒子の直径は、通常、数ナノメートルから数十ナノメートル程度である。この程度のサイズでは、室温下の印加磁界ゼロの下で、粒子は超常磁性を示す。この効果は、ネール−アレニウスの法則（Neel-Arrhenius law）として式（１）により記述される。
【００３８】
【数１】
0005575301.tif 000002
【００３９】
ここで、τは、ナノ粒子の磁化が熱運動により自発的に切り替わるまでの磁化緩和時間（relaxation time for the magnetization ）である。τ0 は、熱運動事象の期間であり、通常は１０-9〜１０-11 秒程度である。ｋB Ｔは、ボルツマン定数と絶対温度との積であり、熱運動エネルギーを表している。Ｅは、ナノ粒子の磁気エネルギーである。印加磁界がゼロのときは、Ｅは、実質的にナノ粒子の結晶異方性エネルギーとなり、Ｅ＝Ｋeff Ｖと表される。ここで、Ｖは粒子の体積であり、Ｋeff は粒子の有効異方性（effective anisotropy）である。このＫeff は、粒子の充填密度（非特許文献１３）のみならず、温度、粒子サイズおよび粒子の材質（非特許文献１１，１２）の関数でもある。室温下における粒子の異方性磁界よりも大きい磁界を印加したときには、Ｅ＝Ｍs ＨＶとなる。ここで、Ｈは印加磁界であり、Ｍs は粒子を構成する材料の飽和磁化である。ある温度での粒子の磁化を物理的に測定する場合、測定時間をτm とすると、粒子の体積Ｖは式（２）を満たす必要がある。なお、測定時間τm とは、測定中に粒子がその磁化を安定して保つ（すなわち、緩和しない）ことができる時間である。
【００４０】
【数２】
0005575301.tif 000003
【００４１】
ここで、粒子自体の異方性磁界によって磁化が保たれている状態では、Ｋ′＝Ｋeff であり、印加磁界によって磁化が保たれている状態ではＫ＝Ｍs Ｈである。所定の体積をもつ磁性ナノ粒子が測定時間τm の経過後に緩和することとなるような温度は、通常、特定条件下での粒子のブロッキング温度ＴB と呼ばれる。それゆえ、緩和時間および測定条件が同一であれば、より小さなサイズの粒子ほどブロッキング温度は低くなる。ブロッキング温度ＴB は、式（２）を変形することにより得られ、式（３）のようになる。
【００４２】
【数３】
0005575301.tif 000004
【００４３】
［低温下での検出による磁気モーメントの増加］
低温下で検出を行うという考えは、室温下で生物・化学的結合プロセスを行ったときに生ずる凝集を起こさないようにするという要求に合致する同時に、次々と行われる検出過程において出力される磁気的信号の最大化を実現するものである。
【００４４】
理想的なシナリオを簡潔に表すと、次のようになる。すなわち、結合の過程（それ自体、ゆっくりしたプロセスであるが）においては、粒子は、小さい振幅の内部異方性磁界と周囲の粒子からの弱い相互作用を受けるだけである。粒子が凝集を起こさないようにするには、粒子サイズが式（４）を満たす必要がある。
【００４５】
【数４】
0005575301.tif 000005
【００４６】
ここで、Ｔrmは、生物・化学的な結合過程が起こる温度であり、通常は室温（絶対温度３００°Ｋ）である。Ｋeff は、外部印加磁界が存在しない状態において、熱運動に起因する緩和現象に抗して自らの磁化を保とうとする、粒子の自己異方性を表す。τbio は、結合の過程において、粒子が見かけ上、非磁性となるのに必要な緩和時間である。生物学的結合に応用する場合において必要とされる培養時間は数時間程度であるので、秒のオーダーの緩和時間τbio は、ほとんどすべての粒子にとって磁気モーメントを失うのに十分に短い時間である。
【００４７】
一方、ナノ粒子の検出のためには、粒子の磁化は、少なくとも緩和プロセスの期間中、緩和されることなく保たれなければならない。このような磁化が保たれた状態は、粒子系に磁気エネルギーを追加して緩和を遅らせることを可能とする外部磁界の印加により達成される。これらの条件下で磁気モーメントを保つことができる粒子は、式（５）を満たすような粒子サイズを有する必要がある。
【００４８】
【数５】
0005575301.tif 000006
【００４９】
測定時間τs は、１００Ｈｚ〜１Ｈｚという帯域に対応して、０．０１秒〜１秒程度と見積もられる。Ｔs は、検出が行われたときの温度である。したがって、式（４）および式（５）の両方を満たす粒子であれば、結合プロセスにおける凝集を伴うことなく、かつ、検出される磁気モーメントが最大になる。
【００５０】
例えば、酸化鉄Ｆｅ3 Ｏ4 からなるナノ粒子の場合に当てはめて各パラメータの値をざっと見積ってみると、Ｍs ＝３９８［ｅｍｕ／ｃｍ3 ］，Ｋeff ＝Ｈc Ｍs ／２＝６．４×１０-3［Ｊ／ｃｍ3 ］（＝６．４×１０4 ［ｅｒｇ／ｃｍ3 ］）となる（非特許文献１１）。生物・化学的な結合過程が起こる温度である室温は、Ｔrm＝３００°Ｋ≒２７°Ｃである。ＭＲセンサによって粒子の磁気モーメントを測定するときの温度は、Ｔs ＝２５０°Ｋ≒−２３°Ｃに設定する。印加磁界は、Ｈa ＝６００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝６００［Ｏｅ］）とするが、これは、磁気ラベルがセンサ面と直交する方向に磁化される程度の適度な強さの磁界として任意に選択される（非特許文献１〜３、特許文献１）。なお、ここで計算で用いた時定数は、τ0 ＝１０-10 秒（１ｅ−１０sec ）、τbio ＝１秒、τs ＝０．１秒である。これらのパラメータから、粒子の直径Ｄは、式（６）に示す範囲内にある必要がある。
【００５１】
【数６】
0005575301.tif 000007
【００５２】
式（６）の範囲の値は、室温下で粒子が凝集しないための条件と、測定中の磁界・温度下における完全飽和の条件とを満たすものである。ところが、もしも、測定時の温度Ｔs をさらに低下させて、研究室において一般的に行われている、生物サンプルの保管・保存温度である、Ｔs ＝１９３°Ｋ≒−８０°Ｃに設定したとすると、粒子サイズの範囲は、１６．４ｎｍ≦Ｄ≦３０．５ｎｍにまで拡大する。但し、この計算において、粒子の飽和磁化は一定と見做しているが、理論上、より低い温度下では飽和磁化がさらに高くなる（非特許文献１１）ので、もしも、この効果を考慮するならば、粒子の直径範囲の下限はもっと小さくなるはずである。
【００５３】
比較として、同じ印加磁界という条件の下、室温下で測定を行ったとすると、磁気信号に寄与しうる粒子のサイズの範囲は、１９．０ｎｍ≦Ｄ≦３０．５ｎｍとなる。この場合の下限値（１９．０ｎｍ）は、上記の計算値１６．４ｎｍと比較してさほど大きな違いではないようにも思える。しかしながら、次節で述べるように、粒子サイズ範囲の下限の違いにより、低温下で得られる磁気信号は、粒子サイズの分布にもよるが、室温下での磁気信号の数倍にも達する。
【００５４】
［粒子サイズ分布に関する考察］
磁性ナノ粒子を実際に作製する場合、粒子サイズは、通常、式（７）で表される対数正規分布に従う（非特許文献１４）。
【００５５】
【数７】
0005575301.tif 000008
【００５６】
ここで、σは分布幅であり、Ｖは粒子の体積である。Ｖ0 は分布の中央値であり、分布の平均値ＶAVG との間に、ＶAVG ＝Ｖ0 ｅｘｐ（σ2 ／２）という関係がある。２つの異なる分布について考察してみると、室温下のゼロ磁界下での残留磁化を所定の最大許容値に保つためには、より大きなＶ0 をもつ分布ほど、より小さいσを必要とする。もしも、粒子サイズ分布の中央値を、ゼロから、凝集しないための条件を満たすところまで徐々に大きくしていったとすると、各Ｖ0 の値ごとに最大σ値が存在し、この最大σ値を越えると非凝集条件が満たされなくなる。
【００５７】
これ以降の計算では、室温下のゼロ磁界の下で超常磁性を示す粒子群が、粒子系全体の総飽和磁化のそれぞれ９９％、９９．９％、９９．９９％に寄与するという３つのケースを考慮する。したがって、これらの各ケースにおいて、直径が０〜３０．５ｎｍの粒子が、磁化の総計のそれぞれ９９％、９９．９％、９９．９９％を占めるものとする。このことを数式で表すと、式（８）のようになる。
【００５８】
【数８】
0005575301.tif 000009
【００５９】
但し、ηは緩和率であり、ここでは、９９％、９９．９％、９９．９９％のいずれかである。ここでは、小さい粒子も大きい粒子も、飽和磁化は等しいものと見做している。
【００６０】
非特許文献１１で用いられているランジュバン関数（Langevin function ）は、本実施の形態における計算では用いない。その理由は次の通りである。常磁性材料についてのランジュバン関数は、主としてスピン配向効果（spin orientation effect ）を考慮に入れたものであるが（非特許文献１５）、このような常磁性材料では、磁気スピンが印加磁界の方向に配向しない。しかしながら、超常磁性ナノ粒子系では、粒子の磁化は、熱運動よりも大きい印加磁界からのゼーマンエネルギー(Zeeman energy) に由来する。したがって、粒子の磁化は主として印加磁界の方向に配向するものであり、ここではランジュバン関数は適用されない。
【００６１】
図２は、最大分布幅σと上記の緩和率から決まる直径中央値Ｄ0 との関係を表すものである。この図から明らかなように、中央値が大きいほど、許容される最大分布幅は小さくなる。各曲線の下側の面積は、直径中央値と、各緩和率での室温の超常磁性条件を常に満たすような分布幅との組み合わせを表している。
【００６２】
低温下と室温下の測定値の差は、測定中に緩和しない粒子の間の直径下限値の差に影響する。前節の議論から、室温下で測定する際の直径下限値は１９ｎｍであり、低温（２５０°Ｋ）の下で測定する際の直径下限値は１７．９ｎｍである。これらの２つの測定条件下での磁気ラベルの磁気モーメントは、それぞれ、式（９），（１０）により表される。
【００６３】
【数９】
0005575301.tif 000010
【００６４】
【数１０】
0005575301.tif 000011
【００６５】
図３Ａは、図２における緩和率９９％の曲線について、粒子系の有効磁化と、粒子の直径中央値との関係を、３つの測定温度（室温，２５０°Ｋ，１９３°Ｋ）のそれぞれについてプロットしたものである。横軸は直径中央値Ｄ0 であり、縦軸は、６００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝６００［Ｏｅ］）の印加磁界下で得られた磁化Ｍsig を、飽和磁化Ｍs に対する百分率（Ｍsig ／Ｍs ）として表したものである。この図から、３つの曲線間に明らかな違いがあることがわかる。
【００６６】
図３Ｂは、図２における３つの曲線について、得られた磁気モーメントのゲイン（比率）ＭLT／Ｍrm（Ｍ250K／Ｍrm、およびＭ193K／Ｍrm）と直径中央値Ｄ0 との関係を表したものである。ここで、ＭLTは低温( ２５０°Ｋ，１９３°Ｋ) 下での磁気モーメントであり、Ｍrmは室温下での磁気モーメントである。図３Ｂから、測定温度が低いほど、低温測定法により得られる磁化のゲインが大きいことがわかる。このゲインは、測定の際に、ＭＲセンサからの信号に反映される。測定温度が１９３°Ｋで緩和率９９. ９９％の場合に（曲線:193K/RM,99.99% ）、３倍を越える信号ゲインが得られている。また、室温下での緩和レートが大きいほど、温度によるゲインが大きい。もしも、粒子サイズが極めて揃っており、約３０ｎｍを直径中央値とするサイズ分布の幅が極めて狭い（０．１未満）場合、６００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝６００［Ｏｅ］）という高い印加磁界のケースでは、室温下での測定信号に対する低温下での測定信号のゲインは、それほど大きくはならない。
【００６７】
図４Ａおよび図４Ｂは、ナノ粒子の直径中央値を５ｎｍに設定した場合の測定結果を、分布幅０．５〜１．５の範囲で表したものである（非特許文献１１〜１３）。図４Ａは、室温および低温下における( 飽和磁化Ｍs で正規化した) 磁気モーメント（Ｍsig ／Ｍs ）と分布幅との関係を表し、図４Ｂは、室温下での測定値に対する低温下での測定値のゲインＭLT／Ｍrm（Ｍ250K／Ｍrm、Ｍ193K／Ｍrm）と分布幅との関係を表したものである。図４Ａおよび図４Ｂから、大きい粒子の全体に占める割合が小さい粒子サイズ分布ほど、温度による効果が顕著になることがわかる。すなわち、室温で信号を生成する大きい粒子の数が少ないほど、温度を低温にしたときの測定信号がより大きくなるのである。
【００６８】
上記した計算は、６００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝６００［Ｏｅ］）という比較的大きな磁界を印加した場合に限定したときの結果である。しかしながら、磁界が横方向に印加されたり（非特許文献４〜１０、特許文献２〜３）、強磁界によってＭＲセンサが飽和するような場合もある。最大信号は、通常、印加磁界が（１００〜２００）×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝１００〜２００［Ｏｅ］）の範囲において表われる（非特許文献６〜８）。低い磁界の下での温度効果を評価すべく、印加磁界を２００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝２００［Ｏｅ］）に設定する。室温下のゼロ磁界の下では非磁性を示す一方、室温、２５０°Ｋおよび１９０°Ｋという各温度条件下では印加磁界により磁性を示すようになる粒子のサイズは、それぞれ、２９．５ｎｍ≦Ｄ≦３０．５ｎｍ、２７．７ｎｍ≦Ｄ≦３０．５ｎｍ、２５．３ｎｍ≦Ｄ≦３０．５ｎｍである。印加磁界が６００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］の場合と比べると、粒子サイズの下限値が１０ｎｍ程度増加している。この新たな下限値に関して、図３Ａおよび図３Ｂと同様にプロットしたデータを図５Ａおよび図５Ｂに示す。図５Ａは、図２における緩和率９９％の曲線について、粒子系の有効磁化と粒子の直径中央値との関係を、測定温度（室温，２５０°Ｋ，１９３°Ｋ）のそれぞれについてプロットしたものである。横軸は直径中央値Ｄ0 であり、縦軸は、２００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝２００［Ｏｅ］）の印加磁界下で得られた磁化を、飽和磁化に対する百分率（Ｍsig ／Ｍs ）として表したものである。図５Ｂは、図２における３つの曲線について、室温での磁気モーメントに対する低温（２５０°Ｋ，１９３°Ｋ）下での磁気モーメントの比率ＭLT／Ｍrm（Ｍ250K／Ｍrm、およびＭ193K／Ｍrm）と、直径中央値Ｄ0 との関係を表したものである。
【００６９】
図３Ａおよび図３Ｂに比べると、図５Ａおよび図５Ｂでは温度効果が劇的に増加している。その理由は、印加磁界が小さいほど、小さな粒子のうちのごく一部しか磁化されなくなり、その結果、磁化（測定磁界）のほとんどが、分布端近傍の大きな粒子に由来したものとなるからである。測定磁界が減少するにつれて、測定に寄与している大きな粒子の数が減少していくが、この減少率は、３つの測定温度について互いに異なっているので、室温に対する低温下での信号の絶対レベルの比は、低い磁界の下で著しく増加することになる。図５Ａおよび図５Ｂは、このほかにも、興味深いことを示している。それは、より低い磁界の下では、中央値が大きく分布幅が小さい粒子サイズ分布である場合に、低温測定法によるゲインが、図２に示した場合（６００×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝６００［Ｏｅ］）という比較的大きな磁界を印加）と比べて著しい改善（１〜２桁の増加）を示す傾向がある、ということである。
【００７０】
図５Ｃは、様々な印加磁界に関する温度効果について、より詳細に調べた結果を表すものである。ここでは、印加磁界を（２００〜２０００）×１／４π×１０3 ［Ａ／ｍ］（＝２００〜２０００［Ｏｅ］）の範囲で変化させ、各印加磁界ごとに、室温下および低温（２５０°Ｋ）下における粒子直径の下限値を計算した。図５Ｃは、各印加磁界の大きさについて、室温下での測定値に対する低温（２５０°Ｋ）下での測定値の比と直径中央値との関係を示している。ここで用いた直径中央値および分布幅は、図２の９９．９％曲線に関するものである。この図に示したように、ある粒子サイズ分布において、印加磁界が小さいほど、低温ゲインの効果が大きくなる。
【００７１】
［低温検出法の総括］
上記した計算結果から、温度による検出信号の改善が著しいことがわかる。但し、実際の性能向上は、測定に用いられるナノ粒子のサイズ分布および印加磁界の強度に依存する。
【００７２】
低強度の印加磁界を用いる検出方法（例えば、横磁界を用いる方法や、凝集回避のための厳格な低残留磁化を必要とする方法）では、低温検出による改善効果が極めて高くなり得る。また、温度をだんだん低くしていくと、室温での検出に比べて、だんだんとより大きい改善効果が得られるようになる。同じ印加磁界条件の下では、その改善効果は、粒子サイズ分布の関数となる。このような依存性はまた、室温下での非凝集化および低温下での信号最大化の実現を可能とするものである。そのような制御は室温下での信号検出をも改善し得る可能性があるが、信号レベルの増加の程度は、室温下の場合よりも、低温下の場合の方がはるかに大きい。
【００７３】
［低温測定法の利点］
この低温測定法は、以下の各点において、既存もしくは将来におけるＭＲ検出手法を補助するものである。
【００７４】
１．この低温測定法は、室温下で同一手順で測定する場合に比べて、信号レベルを１桁以上向上させる可能性がある。
【００７５】
２．この低温測定法は、磁気ラベルの存在を検知するためにＭＲセンサを用いる既存の手法に、大きな変更を伴わずに、うまく適合する。大きな違いは、より低い温度環境下で検出が行われることである。そのような低温環境は、単一の冷却チャンバを用い、液体窒素、ドライアイス、または同様の冷却剤によって容易に実現できる。これらは可搬的用途のために、小さいパッケージとして提供されている。可能であれば強誘電性冷却法を用いるようにしてもよい。
【００７６】
３．ナノ粒子の作製技術が次第に進むと、粒子サイズはさらに均一になり、粒子サイズ分布幅がより小さくなる。そうすると、この低温測定法は、信号レベルを著しく増大させる助けとなり得る。特に、小さい印加磁界を用いるようにした場合には、なおさらである。粒子を横方向に磁化する手法では、そのような小さい印加磁界を用いて大きな磁化ゲインが得られるようにすることが最も望ましい。このような条件によって、センサの線形領域をより上手に利用できるからである。
【００７７】
４．低い温度は、磁気信号を増加させるだけでなく、ＭＲセンサの熱起因ノイズ（例えば、熱運動に起因するランダムな磁化ゆらぎや、ジョンソンノイズ(Johnson noise) 等）を低減する。温度２５０°Ｋで測定を行う場合、ノイズパワーは少なくとも−０．８ｄＢとなり、１９３°Ｋで測定を行う場合にはノイズパワーが少なくとも−１．８ｄＢとなる。
【００７８】
以上、好適な実施の形態を挙げて本発明を説明したが、これらの実施の形態は本発明を具体的に図示して説明したものに過ぎず、本発明を限定するものではない。実際の測定手順において採用される方法、材料、構造および寸法については、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、種々の修正や改変が可能である。
【００７９】
例えば、本発明の低温測定法を、本出願人が米国特許出願第１１，５２８，８７８号（２００６年９月２８日出願）において開示したＦＭＲ検出手法に適用するようにしてもよい。この場合には、例えば、次のようにすればよい。まず、ターゲットとしての微小構造体の集合体を用意し、第１の温度において、ターゲットの結合部位に磁性粒子を付着させる。次に、上部層と、この上部層に平行なフリー層とを有し、フリー層の電気抵抗の変化に基づいて外部磁界の存在を知らせる検出信号を出力するＭＲセンサを用意し、第１の温度よりも低い第２の温度において、ＭＲセンサのフリー層をバイアス磁界の方向に磁化させる。次に、所定の静磁界をＭＲセンサの上部層の表面に対して相対的に所定の方向に印加し、さらに、ＭＲセンサの上部層の表面に対して平行な方向に、所定の周波数と第１の振幅とを有する交番磁界を印加する。そして、強磁性共振（Ferromagnetic Resonance;ＦＭＲ）が起きるまで周波数と静磁界の値とを変化させて、ＦＭＲ周波数かつ第２の振幅で回転する磁界を磁性粒子から放出させる。これにより、第１の温度下で得られるであろうピークレベルを越えるピークレベルをもった検出信号を得ることができ、磁性粒子（ひいてはターゲット）の検出が容易になる。なお、静磁界の方向は、検出器の上部層の表面と直交または平行にすることができる。
【００８０】
また、上記実施の形態において、例えば、結晶異方性が小さいこと、磁化感度の温度依存性が大きいこと、および微小粒子の内部における超常磁性粒子の表面粗さが小さいこと、という微小粒子の３つの性質のうち、いずれか１つ以上の磁気特性を改善することが好ましい。これにより、室温下での検出性能に比べて低温下での検出性能が向上する。
【符号の説明】
【００８１】
１…磁性ビーズ、２…磁気フリー層、３…非磁性スペーサ層、４…磁気リファレンス層、５…結合対、６…ＭＲセンサ、σ…分布幅、Ｄ0 …粒子直径の中央値、Ｍsig …検出される磁気信号（磁気モーメント）、Ｍs …飽和磁化、Ｍrm…室温下での磁気モーメント、ＭLT…低温下での磁気モーメント。
【図１】
0005575301.tif 000012
【図２】
0005575301.tif 000013
【図３Ａ】
0005575301.tif 000014
【図３Ｂ】
0005575301.tif 000015
【図４Ａ】
0005575301.tif 000016
【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
0005575301.tif 000018
【図５Ｂ】
0005575301.tif 000019
【図５Ｃ】
0005575301.tif 000020