(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子光機器において、サンプルの透過画像を得る方法であって、
前記機器は、粒子の微小焦点化ビームを用いて前記サンプルを走査し、前記サンプルを透過した粒子を検出することにより、サンプルを結像するために備えられ、
前記微小焦点化ビームは、クロスオーバと呼ばれる最も小さな直径の部分を有し、
前記クロスオーバの直径Rは、前記微小焦点化ビームの開口半角αの関数であり、
当該方法は、
前記粒子の微小焦点化ビームを用いて前記サンプルを走査し、前記サンプルを透過した粒子を検出することにより、前記サンプルの画像を取得するステップを有し、
前記画像を取得するステップの前に、
前記サンプルの厚さTを定めまたは予測し、
前記サンプルの厚さTから、前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の長さLを求め、
前記開口半角αを、
0.5・R（α）／L≦tan（α）≦2・R（α）／L
を満たすような値に設定し、
前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の前記長さLと等しい長さにわたって、実質的に一定の直径を有する前記ビームを用いて、前記サンプルが走査されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記サンプルは、前記微小焦点化ビームに対して実質的に垂直であり、
前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の長さLは、前記サンプルの厚さTと実質的に等しく、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αは、
0.5・R（α）／L≦tan（α）≦R（α）／T
を満たすような値に設定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記画像が得られる前に、前記サンプルの表面に垂直な線は、前記微小焦点化ビームに対して、角度βで傾斜され、
その結果、前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の長さLは、前記サンプルの厚さTを、前記傾斜角度βのコサイン（cos（β））で除した値と等しく、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αは、
0.5・R（α）・cos（β）／T≦tan（α）≦2・R（α）・cos（β）／T
を満たすような値に設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項４】
当該方法は、さらに、
最大傾斜角度βmax、および取得する画像数を求めるステップと、
前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の最大長さLmaxを、Lmax＝T／cos（βmax）により求めるステップと、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αを、
0.5・R（α）・cos（βmax）／T≦tan（α）≦2・R（α）・cos（βmax）／T
となるような値αに設定するステップと、
異なる傾斜角度で、一連の画像を取得するステップであって、各々の異なる傾斜角度は、前記最大傾斜角度βmax以下であるステップと、
前記サンプルのバルク情報の3D再構成の際に、前記一連の画像を組み合わせるステップと、
により、3D再構成を形成するステップを有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記サンプルは、実質的に平坦な2つの表面を有し、
前記クロスオーバは、前記両表面の間に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
前記クロスオーバは、実質的に前記両表面の中間に設置されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記微小焦点化ビームを集束するレンズの焦点長さは、前記微小焦点化ビームを前記サンプルにわたって走査する間に変化し、
前記ビームに対する前記サンプルの傾斜が補正され、
これにより、前記サンプルの表面に対する前記クロスオーバの距離が、実質的に一定に維持されることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
前記サンプルの厚さTは、100nmよりも大きいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
前記サンプルの厚さTは、1000nmよりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記機器は、走査型透過電子顕微鏡であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
前記サンプルは、アモルファスサンプルであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
粒子光機器のプログラム化可能な制御器をプログラム処理するソフトウェアであって、
前記機器は、粒子の微小焦点化ビームをサンプルにわたって走査し、前記サンプルを透過した粒子を検出するために備えられ、
前記制御器は、前記微小焦点化ビームの開口半角α、および前記微小焦点化ビームの焦点面を制御するために備えられ、
当該ソフトウェアは、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αが、前記サンプルの厚さTを表す変数の関数として調整されるように、前記制御器をプログラム処理するコードを有することを特徴とするソフトウェア。
【請求項１３】
さらに、
前記粒子光機器のユーザインターフェースを介して、前記サンプルの厚さTを表す変数を取得するように、前記制御器をプログラム処理するコードを有することを特徴とする請求項12に記載のソフトウェア。
【請求項１４】
さらに、
前記微小焦点化ビームに対する前記サンプルの傾斜角度βを表す変数の関数として、前記微小焦点化ビームの開口半角αを調整するように、前記制御器をプログラム処理するコードを有することを特徴とする請求項12または13に記載のソフトウェア。
【請求項１５】
さらに、
前記微小焦点化ビームに対する前記サンプルの傾斜角度βを表す変数の関数として、前記微小焦点化ビームの焦点面を調整するように、前記制御器をプログラム処理するコードを有し、
これにより、前記微小焦点化ビームに対して傾斜した焦点面が得られることを特徴とする請求項14に記載のソフトウェア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子光機器において、サンプルの走査透過画像を得る方法に関し、
前記機器は、粒子の微小焦点化ビームを用いて前記サンプルを走査し、前記サンプルを透過した粒子を検出することにより、サンプルを結像するために備えられ、
前記微小焦点化ビームは、クロスオーバと呼ばれる最も小さな直径の部分を有し、
前記クロスオーバの直径Rは、前記微小焦点化ビームの開口半角αの関数であり、
当該方法は、前記粒子の微小焦点化ビームを用いて前記サンプルを走査し、前記サンプルを透過した粒子を検出することにより、前記サンプルの画像を取得するステップを有する。
【０００２】
また、本発明は、そのような画像を取得するソフトウェアに関する。
【背景技術】
【０００３】
そのような方法は、C．Kubelらの顕微鏡および微小解析、「電子断層撮影法における最近の進歩：材料科学およびIC用のTEMおよびHAADF−STEM断層撮影法」2005年、11巻、5号、378-400頁において知られている。この文献では、STEM（走査型透過電子顕微鏡）断層撮影法として知られる方法が示されている。
【０００４】
STEM法では、サンプルは、微小電子焦点ビームによって走査される。通常、電子は、80から300keVの間のエネルギーを有する。電子の一部は、サンプルにより吸収され、他の一部は、サンプル中で散乱され、一部の電子は、妨害されずにサンプルを透過する。サンプルを透過した電子（散乱および非散乱電子）は、電子検出器により検出される。この方法では、2Ｄ画像を得ることが可能となる。
【０００５】
サンプル中の触媒、マクロ分子、または生物学的組織内の構造のような、ある特徴物を調査する際に、しばしば、前記特徴物の3D表示を得ることが望ましい場合がある。そのような3D表示を得るため、3D断層撮影法では、異なる傾斜角でのサンプルの一連の2D画像が組み合わされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
STEMでは、最適な解像度を得るため、極めて薄いサンプルが使用される。0.1nm未満の解像度は、50nmよりも薄いサンプルにより得ることができる。当業者には明らかなように、厚いサンプル、例えば厚さが100nmを超えるサンプルでは、そのような高解像度で画像化を行うことはできない。特に、STEM断層撮影法の間に行われるように、サンプルが傾斜されている場合、サンプルの有効厚さにより、解像度が制限される。
【０００７】
厚いサンプルの画像の解像度を改善する方法について、要望がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的のため、本発明による方法は、
前記サンプルの厚さTを定め、
前記サンプルの厚さTから、前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の長さLを求め、
開口半角を、
0.5・R（α）／L≦tan（α）≦2・R（α）／L
を満たすような値αに設定し、
前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の前記長さLと等しい長さにわたって、実質的に一定の直径を有する前記ビームを用いて、前記サンプルが走査されるという特徴を有する。
【０００９】
当業者には明らかなように、クロスオーバの直径は、ビームの開口半角に依存する。これは、例えば、L．Reimer、Springer  Verlag、「透過電子顕微鏡」第4版、ISBN3−540-62568-2において説明されている。このハンドブックの4.2.2章、より詳しくは、節4.18および図4.13には、クロスオーバの直径は、ビームの開口半角の関数であることが示されており、ある開口半角に対して、クロスオーバの直径が最小となり、これよりも小さなおよび大きな開口半角では、より大きなクロスオーバ直径が得られる。従って、当業者は、最良の解像度のため、最適な解像度が得られる開口半角を選定する。
【００１０】
最小ビーム直径は、加速電圧、および使用機器のいくつかのパラメータに依存することに留意する必要がある。近年、市販の機器が利用でき、FEI社（米国ヒルスボーロ）のTitan（登録商標）80-300のような10mradを超える開口角度を使用することにより、0.1nm未満のSTEM解像度が得られる。そのような解像度は、極めて薄いサンプル、例えば厚さが50nm未満のサンプルを用いることで得ることができる。
【００１１】
本発明による方法は、最適な開口半角のビームは、クロスオーバの直径が、例えば直径0.1nmであるときに、最適値を示すという洞察に基づくものであり、サンプルの他の場所では、ビームの直径は、使用された開口半角により、より大きな直径を有する。例えば、厚さが500nmのサンプルで、開口半角が例えば10mradの場合、クロスオーバから離れたビームの直径は、5nmとなる。従って、サンプルの一部の解像度は、0.1nmから遠ざかり、10倍以上大きくなる。開口半角を抑制することにより、クロスオーバの直径は大きくなるが、クロスオーバから離れた位置でのビーム直径は、減少する。クロスオーバの広がりが、開口角度の結果として、サンプル内のビームの広がりと釣り合うところに、開口半角を選定することにより、全体的に最適な解像度を有する画像が得られる。
【００１２】
この方法は、微小ビームTEMとして知られる方法と類似していることに留意する必要がある。この方法では、小さな直径（通常、数ミクロン）の平行ビームが形成され、これがサンプルの一部に照射される。この場合、透過電子の回折パターンを評価することにより、例えば、微小結晶子の結晶情報を得ることが可能となる。ここで、ビーム直径は、前述のReimerの書籍に記載されているようなビーム収差によっては限定されず、回折に必要な平行ビームに対する要求により支配される。また、マイクロビームは、サンプル全体に走査されず、代わりに選定領域が選定され、この選定領域にマイクロビームが配置され、その後、回折画像のような画像が形成され、あるいは、選定領域のX線回折が行われる。
【００１３】
また、この方法は、ナノビームSTEM法として知られる方法にも似ており、この方法では、微小クロスオーバがサンプル全体にわたって走査されることに留意する必要がある。ここで、開口半角は、前述のように、クロスオーバの最小直径に対して最適化される。本発明による方法は、開口半角がクロスオーバ直径のみではなく、ビーム直径全体に対して最適化される点で、ナノビームSTEM法とは異なっている。
【００１４】
本発明による方法のある実施例では、サンプルは、微小焦点ビームと実質的に垂直であり、透過粒子が移動したことになるサンプル材料の長さLは、サンプルの厚さTと等しく、微小焦点ビームの開口半角αは、0.5・R（α）／T≦tan（α）≦2・R（α）／Tとなるような値αに設定される。
【００１５】
非傾斜位置としても把握されるように、サンプルがビームに対して垂直な場合、長さLは、サンプルの厚さと等しくなる。
【００１６】
ビームがサンプルに入射するときの角度は、走査の間、実質的に不変であることに留意する必要がある。ビームは、該ビームを屈折ユニットにより屈折させることにより、サンプル全体にわたって走査され、この屈折ユニットは、通常、電場または磁場により、ビームを屈折する。ビームが走査される領域は、走査ユニットとサンプルの間の距離に比べて、十分に小さく、ビームが衝突する角度は、ビームの屈折には実質的に依存しない。
【００１７】
本発明による方法の別の実施例では、サンプルは、前記画像が得られる前に、前記微小焦点化ビームに対して、角度βで傾斜され、
その結果、前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の長さLは、前記サンプルの厚さTに、前記傾斜角度βのコサイン（cos（β））を乗じた値と等しく、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αは、
0.5・R（α）・cos（β）／T≦tan（α）≦2・R（α）・cos（β）／T
を満たすような値に設定される。
【００１８】
サンプルが傾斜されている場合、ビームは、ある角度でサンプルに衝突する。サンプルを透過する粒子は、材料のより大きな部分を通って移動する必要がある。
【００１９】
本発明による方法のさらに別の実施例では、当該方法は、さらに
最大傾斜角度βmax、および取得する画像数を求めるステップと、
前記透過した粒子が移動したことになる前記サンプル材料の最大長さLmaxを、Lmax＝T／cos（βmax）により求めるステップと、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αを、
0.5・R（α）・cos（βmax）／T≦tan（α）≦2・R（α）・cos（βmax）／T
となるような値αに設定するステップと、
異なる傾斜角度で、一連の画像を取得するステップであって、各々の異なる傾斜角度は、前記最大傾斜角度βmax以下であるステップと、
前記サンプルのバルク情報の3D再構成の際に、前記一連の画像を組み合わせるステップと、
を有する。
【００２０】
STEM断層撮影法では、一連の画像は、異なる傾斜角度の下で取得され、例えば、傾斜範囲は-70゜から+70゜の範囲であり、2゜の変動がある。その結果、粒子が移動することになる材料の最大長さは、最大傾斜位置において得られる。
【００２１】
本発明による方法のさらに別の実施例では、サンプルは、2つの実質的に平坦な表面を有し、クロスオーバは、前記表面の間に配置される。
【００２２】
これは、クロスオーバが、サンプルの表面の間、すなわちサンプル中に結像されることを表している。
【００２３】
本発明による方法のさらに別の実施例では、クロスオーバは、実質的に2表面の中間に配置される。
【００２４】
本発明による方法の別の実施例では、
前記微小焦点化ビームを集束するレンズの焦点長さは、前記ビームを前記サンプルにわたって走査する間に変化し、
前記微小焦点化ビームに対する前記サンプルの傾斜が補正され、
これにより、前記サンプルの表面に対する前記クロスオーバの距離が、実質的に一定に維持される。
【００２５】
この実施例では、サンプル表面までのクロスオーバの距離は、ビームがサンプル全体を走査する間、一定に維持される。これは、「ダイナミックフォーカス」としても知られている。
【００２６】
本発明による方法のさらに別の実施例では、サンプルの厚さは、100nmよりも厚い。
【００２７】
特に、厚いサンプルの場合、本発明により、改良された解像度が提供される。前述のように、従来のSTEM法では、100nmの厚さのサンプルの場合、例えば10mradの開口半角が使用され、この結果、クロスオーバがサンプル表面の中間に配置された場合、0.5nmのビーム直径が得られる。100nm以上の厚さの場合、本発明による方法の使用により、より高い改良された解像度が得られる。
【００２８】
本発明による方法の別の実施例では、サンプルの厚さは、1000nmよりも厚い。
【００２９】
本発明による方法のさらに別の実施例では、機器は、走査型透過電子顕微鏡である。
【００３０】
STEM法は、本発明による効果が得られる良く知られた技術であるが、本発明は、例えば、水素粒子、イオン等を用いる他の技術にも利用可能である。
【００３１】
本発明による方法のさらに別の実施例では、サンプルは、アモルファスサンプルである。
【００３２】
本発明は、アモルファスマトリクスに埋設されたサンプル内の触媒、マクロ分子、または生物学的組織の構造のような特徴物を有するサンプルにおいて、特に有益である。
【００３３】
本発明のある態様では、粒子光機器のプログラム化可能な制御器をプログラム処理するソフトウェアであって、
前記機器は、粒子の微小焦点化ビームをサンプルにわたって走査し、前記サンプルを透過した粒子を検出するために備えられ、
前記制御器は、前記微小焦点化ビームの開口半角、および前記微小焦点化ビームの焦点面を制御するために備えられ、
当該ソフトウェアは、
前記微小焦点化ビームの前記開口半角αが、前記サンプルの厚さTを表す変数の関数として調整されるように、前記制御器をプログラム処理するコードを有することを特徴とするソフトウェアが提供される。
【００３４】
本発明によるソフトウェアの実施例では、ソフトウェアは、さらに、
前記粒子光機器のユーザインターフェースを介して、前記サンプルの厚さTを表す変数を取得するように、前記制御器をプログラム処理するコードを有する。
【００３５】
本発明によるソフトウェアの別の実施例では、ソフトウェアは、さらに、
前記微小焦点化ビームに対する前記サンプルの傾斜を表す変数の関数として、前記微小焦点化ビームの開口半角αを調整するように、前記制御器をプログラム処理するコードを有する。
【００３６】
本発明によるソフトウェアの別の実施例では、ソフトウェアは、さらに、
前記微小焦点化ビームに対する前記サンプルの傾斜を表す変数の関数として、前記微小焦点化ビームの焦点面を調整するように、前記制御器をプログラム処理するコードを有し、
これにより、前記微小焦点化ビームに対して傾斜した焦点面が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面を参照して、本発明を説明する。図において、同様の参照符号は、同様の特徴物を表している。
【００３８】
図1には、サンプルにビームが衝突する状態を概略的に示す。サンプル1には、焦点化ビーム2が照射される。焦点化ビームは、サンプル中に、クロスオーバ3を形成する。ビーム1を形成する電子の一部は、サンプルを透過し、サンプルから放射される。サンプルを透過する電子は、屈折されていない未散乱電子4と、サンプルの原子との相互作用により散乱された散乱電子5A、5Bおよび5Cとを有する。図2には、領域Aの拡大図が示されている。
【００３９】
図2には、図1の細部を概略的に示す。この図には、図1の領域Aの拡大図が示されている。図1における散乱電子5A、5B、および5Cは、明確化のため省略されているが、そのような電子は、依然として形成されている。衝突ビーム2は、サンプル1の容積6に照射される。ビームは、直径Rのクロスオーバを有し、前記直径は、ビーム1の開口半角αの関数である。
【００４０】
収差の寄与を無視すると、ビームは、サンプルの表面に、開口半角αによる直径Dを有する。この直径Dは、開口半角α、およびサンプルの厚さTの関数である。クロスオーバがサンプルの中央に存在する最適条件下では、D＝T・tan（α）となる。
【００４１】
前述のように、最近の市販の顕微鏡で得られる最適なクロスオーバの直径は、約0.1nmである。これは、開口半角αが5から15mradの間にあり、極めて薄いサンプルのときに得られる。厚さTが例えば1μｍで、開口半角が10mradのサンプルを使用すると、直径Dは、約10nmとなる。これは、そのような良好な解像度は、極めて薄いサンプルでしか得られないことを示している。
【００４２】
ビームの一部が小さな直径を有し、ビームの一部が大きな直径を有するビームを使用した場合、クロスオーバ平面では、サンプルのその部分に、高い解像度が得られることに留意する必要がある。しかしながら、サンプルの他の（クロスオーバ平面から離れた）部分では、不鮮明な情報しか得ることはできない。
【００４３】
図3には、開口半角の関数として、概略的な解像度の曲線を示す。曲線は、1.2mmの球面収差を有する300kVの顕微鏡に対して得られたものであり、色収差、およびソース源寸法は、無視することができる。従って、球面収差および回折の寄与のみが、クロスオーバの直径に影響する。この機器では、最適クロスオーバ直径R（α）は、開口半角αが8mradのときの、約0.15nmである。
いくつかの方法を用いて、異なる影響因子を加えても良いことに留意する必要がある。ここでは、J．E．Barthらの「帯電粒子ビーム寸法に対する異なる寄与の追加」、Optik、1996年（101）、101-109頁に示されている方法を使用している。
ここで、驚くべきことに、球面収差の直径および回折の直径を用いた合計は、クロスオーバR（α）の直径となっている。
【００４４】
図4には、異なるサンプル厚さにおける、開口半角に対する解像度R（α）および直径Dを表す概略的な曲線を示す。この図には、クロスオーバR（α）の直径の等しい曲線が示されている。また、使用開口角度から得られるサンプル表面での直径Dを表す、厚さTが異なるサンプルの曲線が示されている。図から明らかなように、最適なクロスオーバ直径に対応する8mradの開口角では、100nmの厚さのサンプルの直径Dは、0.8nmであり、これは、クロスオーバの直径に比べて有意に大きい。厚さが250nmのサンプルの場合、クロスオーバの直径は、2nmであり、500nmの厚さの場合でも、4nmである。
【００４５】
位置X1、…、X5では、クロスオーバ直径R（α）は、直径Dとほぼ等しく、従って、クロスオーバ直径による寄与と、収束角度の寄与の間の釣り合いは、対応する開口半角において生じる。100nmの厚さのサンプルの場合、ビームの最大直径は、約0.4nmであり、これは、最適なクロスオーバ直径において得られる開口半角を用いた場合に比べて、2倍小さい。厚さが例えば500nmのサンプルの場合、最大直径は、4nmの代わりに、約0.8nmしかなく、8mradでの最大ビーム直径に比較して、約5倍改善される。この5倍は、8mradでのクロスオーバ直径0.15nmよりも悪い。すなわち、得られる解像度は、極めて薄いサンプルの場合である。
【００４６】
最適開口半角は、計算することもできるが、参照表を使用して、最適開口半角を求めても良いことに留意する必要がある。
【００４７】
また、クロスオーバ直径の曲線と厚さの曲線は、2つの交点を有する場合があるが、最小直径は、常に、開口半角が最適なクロスオーバ直径において得られる開口半角以下の場合に生じることに留意する必要がある。
【００４８】
図5には、STEM装置を概略的に示す。
【００４９】
図5において、粒子源501は、電子ビームを形成し、この電子ビームは、粒子光軸500の周りを移動する。粒子源は、電子機器（図示されていない）からの高電圧ワイヤ524を介して給電され、電子機器は、粒子源の作動に適した電圧および電流を供給する。電子ビームは、例えば、粒子光偏光器502により、粒子光軸の周りに集光される。ダイアフラム503は、開口を有し、この開口は、ビーム抑制開口として機能する。粒子光レンズ502は、収光器として機能し、電子ビームを対物レンズ505の方に供給する。サンプルは、サンプルホルダ511に取り付けられ、粒子ビームによる照射を受け、電子の一部は、試料を通過する。これらの電子は、検出器507上の粒子光レンズ506により結像される。検出器507は、例えば、発光スクリーン、またはCCDカメラであっても良い。発光スクリーンを使用する場合、ガラス窓508を介して、画像が視認される。
ビームは、粒子光偏光器510により、サンプルの表面上を走査する。顕微鏡の内部は、真空壁520で取り囲まれ、真空ポンプ522により、真空接続部521を介して排気される。
試料ホルダを設置するため、マニピュレータ509が使用される。エアロック512により、試料ホルダに取り付けられた試料を、減圧されたTEM内に導入することが容易となり、試料ホルダをサブステージ上に取り付けることが容易となる。
【００５０】
サンプルに衝突するビームの開口角は、対物レンズ505の焦点長さ（所与の機器では、大きな固定値）、集光レンズ504の倍率、およびダイアフラム503の絞りの寸法により設定される。
【００５１】
当業者には明らかなように、レンズの数、偏光器の数が異なり、マニピュレータや検出器の種類が異なる、多くのSTEM装置のモデルが知られていることに留意する必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】サンプルにビームが衝突する状態を概略的に示した図である。
【図２】図1の詳細を概略的に示した図である。
【図３】開口半角の関数として、解像度の曲線を概略的に示した図である。
【図４】異なるサンプルの厚さにおける、開口半角に対する解像度R（α）と直径Dを表す曲線を概略的に示した図である。
【図５】STEM装置を概略的に示した図である。
【符号の説明】
【００５３】
1  サンプル、2  焦点化ビーム、3  クロスオーバ、4  未散乱電子、5A〜5C  散乱電子、6  容積、500  粒子光軸、501  粒子源、502  粒子光レンズ、503  ダイアフラム、505  対物レンズ、506  粒子光レンズ、507  検出器、508  ガラス窓、509  マニピュレータ、510  粒子光偏光器、511  サンプルホルダ、512  エアロック、520  真空壁、521  真空接続部、524  高電圧ワイヤ。
【図１】
0005404008.tif 000002
【図２】
0005404008.tif 000003
【図３】
0005404008.tif 000004
【図４】
0005404008.tif 000005
【図５】
0005404008.tif 000006